FR 3157672 A1 20250627 FR 2314778 A 20231221 Titre : Dispositif optoélectronique à diaphonie optique réduite L’invention concerne un dispositif optoélectronique (1) comprenant une matrice de diodes (100a, 100b, 100c, 100d, 100e) à base d’un premier matériau. Une première diode (100a) et une deuxième diode (100b) de la matrice sont respectivement surmontées d’une première lentille convexe (200a) et d’une deuxième lentille convexe (200b). Elles sont séparées par un mur (300) présentant une face supérieure (301) en contact avec les deux lentilles (200a, 200b). Ces dernières sont à distance l’une de l’autre, et le mur comprend une couche d’arrêt (310) à base d’un matériau d’arrêt s’étendant depuis une portion (301*) de la face supérieure du mur n’étant recouverte ni par la première lentille convexe ni par la deuxième lentille convexe. Pour au moins une chimie de gravure du premier matériau, la sélectivité de gravure entre le premier matériau et le matériau d’arrêt est supérieure ou égale à 3:1. Figure pour l’abrégé : Fig.1K Dispositif optoélectronique à diaphonie optique réduite La présente invention concerne le domaine des technologies de la microélectronique et de l’optoélectronique, notamment la fabrication de réseaux de diodes émettrices ou réceptrices de lumière telles que des LED (de l’anglais « Light-Emitting Diode », se traduisant en français par diode électroluminescente), et tout particulièrement de micro-LED. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse mais non limitative les systèmes d’affichage à base de micro-LED, ou les systèmes de communication optique. ETAT DE LA TECHNIQUE Les diodes sont théoriquement un convertisseur très efficace d'énergie électrique en énergie lumineuse, ou inversement. Elles constituent donc une technologie prometteuse pour remplacer les sources de lumière et détecteurs conventionnels : des diodes de haute efficacité permettraient des économies d'énergie considérables s’accompagnant d'autres avantages telle qu’une robustesse, une forte compacité, une grande durée de vie et un bon contrôle du rendu des couleurs et de l'intensité lumineuse. Un des enjeux cruciaux dans le domaine des diodes concerne, pour les diodes émettrices, l’extraction de la lumière émise, et pour les diodes réceptrices, la détection de la lumière reçue. Cette extraction ou détection est en effet limitée par l’indice de réfraction souvent très élevé du matériau constituant les diodes, typiquement du GaN. Dans le cas de diodes émettrices, la lumière émise reste piégée dans la diode par réflexion interne. Si rien n’est mis en œuvre pour améliorer l’extraction, seuls quelques pourcents de la lumière émise est effectivement extraite de la diode. Des solutions développées dans le domaine des diodes millimétriques ont permis d’obtenir des résultats satisfaisants. Cependant ces solutions sont souvent difficiles voire impossibles à mettre en œuvre sur des diodes micrométriques. Par exemple, la fabrication de diodes à forme pyramidale inversée, dont la géométrie optimise l’extraction lumineuse, est plus complexe à réaliser à une échelle micrométrique. L’option d’intégrer un réseau de cristaux photoniques n’est pas une piste sérieuse à l’échelle micrométrique car trop peu d’éléments diffractants peuvent être intégrés à cette échelle pour améliorer l’extraction de façon significative. Enfin, il n’est pas possible d’utiliser des substrats structurés car les dimensions caractéristiques de leurs motifs sont incompatibles avec des réseaux de diodes micrométriques. Une première solution applicable aux diodes micrométriques consiste en la texturation de la surface de la diode afin de briser la conservation de l’angle à la réflexion. Les protubérances créées par la texturation jouent le rôle d’éléments diffractants, qui permettent effectivement d’améliorer l’extraction lumineuse. Cependant cette technique présente l’inconvénient important de faire perdre la directivité de la diode, ce qui est notamment désavantageux lorsque celle-ci est couplée à un système optique à ouverture numérique réduite. Une deuxième solution consiste en la formation d’une microlentille surmontant la diode. Cette solution permet non seulement d’augmenter l’extraction lumineuse mais également d’améliorer la directivité de la diode. Des diodes surmontées de microlentilles à base d’un matériau polymère ou diélectrique sont décrites dans Eun Kyu Kang et al, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, VOL. 25, NO. 12, JUNE 15, 2013. La publication Dongwoo Kim, Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, No. 1, 2005, pp. L 18–L 20 montre tout particulièrement l’efficacité de microlentilles en GaN dans l’augmentation de l’extraction lumineuse. Il a cependant été remarqué qu’un phénomène de diaphonie optique (couramment désigné par le terme anglais de « optical crosstalk ») intervenait entre les LEDs décrites dans ces documents lorsqu’elles étaient mises en réseau. Ce phénomène est très préjudiciable puisqu’il cause une diminution du rapport de contraste entre pixels. Un objectif de la présente invention est donc de réduire le phénomène de cross-talk optique entre diodes d’un même réseau surmontées par des lentilles. De préférence, la solution permettra de conserver des propriétés optiques satisfaisantes, notamment en termes d’extraction lumineuse et de directivité. RESUME Pour atteindre cet objectif, un premier objet de l’invention concerne un dispositif optoélectronique comprenant : un substrat présentant une face supérieure s’étendant principalement parallèlement à un plan dit plan transversal, une matrice de diodes photoémettrices ou photoréceptrices disposées sur la face supérieure du substrat, une première diode de la matrice étant surmontée d’une première lentille convexe et une deuxième diode de la matrice étant surmontée d’une deuxième lentille convexe, la première lentille convexe et la deuxième lentille convexe étant à base d’un premier matériau, la première diode et la deuxième diode étant séparées, dans le plan transversal, par un mur présentant une face supérieure en contact avec chacune de la première lentille et de la deuxième lentille. La première lentille et la deuxième lentille sont à distance l’une de l’autre. Le mur comprend de préférence une couche d’arrêt s’étendant au moins depuis une portion de la face supérieure du mur n’étant pas recouverte par la première lentille convexe ni par la deuxième lentille convexe, la couche d’arrêt étant à base d’un matériau, dit matériau d’arrêt. Par ailleurs, le premier matériau et le matériau d’arrêt sont de préférence tels que, pour au moins une chimie de gravure du premier matériau, la sélectivité de gravure entre le premier matériau et le matériau d’arrêt est supérieure ou égale à 3:1, et de préférence supérieure ou égale à 4:1. La première lentille et la deuxième lentille permettent d’améliorer l’extraction lumineuse dans le cas de diodes émettrices et la détection lumineuse dans le cas de diodes réceptrices. Leur forme convexe est idéale pour conférer au dispositif une bonne directivité de la lumière. Par ailleurs, le fait que la première et la deuxième diode soient séparées par le mur et que la première lentille et la deuxième lentille soient à distance l’une de l’autre permet d’éviter toute transmission optique d’une diode à l’autre. Aucune couche résiduelle qui pourrait potentiellement guider de la lumière d’une diode à l’autre ne met en continuité de matière la première diode et la deuxième diode. Les deux diodes sont ainsi bien mieux isolées optiquement l’une de l’autre. L’invention permet donc de réduire voire de supprimer le phénomène de crosstalk optique entre deux diodes voisines, tout en conservant des performances optiques satisfaisantes, par exemple en termes d’extraction lumineuse et de directivité de la source. Un deuxième objet de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif électronique comprenant les étapes suivantes : Fournir un empilement comprenant : un substrat présentant une face supérieure s’étendant principalement parallèlement à un plan dit plan transversal, une matrice de diodes photoémettrices ou photoréceptrices disposées sur la face supérieure du substrat, une première diode de la matrice et une deuxième diode de la matrice étant séparées, dans le plan transversal, par un mur présentant une face supérieure, le mur comprenant une couche d’arrêt s’étendant au moins partiellement depuis une portion au moins de la face supérieure du mur, la couche d’arrêt étant à base d’un matériau dit matériau d’arrêt, une couche continue à base d’un premier matériau, recouvrant au moins la première diode, la face supérieure du mur et la deuxième diode, Former dans la couche continue une première lentille convexe surmontant la première diode et une deuxième lentille convexe surmontant la deuxième diode, la première lentille convexe et la deuxième lentille convexe étant à distance l’une de l’autre, la formation de la première lentille convexe et de la deuxième lentille convexe comprenant une gravure sélective du premier matériau vis-à-vis du matériau d’arrêt, la sélectivité de gravure entre le premier matériau et le matériau d’arrêt étant de préférence supérieure ou égale à 3:1, et de préférence supérieure ou égale à 4:1. Les avantages du dispositif explicités plus haut s’appliquent également au procédé selon l’invention. Les caractéristiques de la couche d’arrêt permettent en outre que la formation des lentilles soit mieux contrôlée que dans l’art antérieur. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : FIG. 1 Les figures 1A à 1L illustrent un premier mode de réalisation du procédé de fabrication selon l’invention dans lequel la couche d’arrêt est métallique. FIG. 1 FIG. 1 Les figures 1C, 1E, 1G, 1H, 1I, 1J et 1K visent un cas dans lequel la couche de passivation s’étend sur toute la hauteur des flancs des diodes. FIG. 1 Les figures 1D, 1F, et 1L visent un cas dans lequel la couche de passivation s’étend sur une partie seulement de la hauteur des flancs des diodes. FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 FIG. 1 La FIG. 1 représente le dispositif selon l’invention comprenant une matrice de cinq diodes et lentilles convexes. FIG. 2 Les figures 2A à 2K illustrent un deuxième mode de réalisation du procédé de fabrication selon l’invention dans lequel la couche d’arrêt est diélectrique. FIG. 2 Les figures 2B, 2D, 2F, 2H et 2J visent un exemple dans lequel deux diodes voisines partagent une même cathode. FIG. 2 Les figures 2C, 2E, 2G, 2I et 2K visent un exemple dans lequel deux diodes voisines ont des cathodes distinctes. FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 FIG. 2 FIG. 3 La FIG. 3 représente une variante d’intégration de la cathode commune aux deux diodes voisines. FIG. 4 Les figures 4A à 4D illustrent un procédé de fabrication de murs secondaires destinées à séparer les lentilles convexes du dispositif selon l’invention. FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 La FIG. 4 est une vue de dessus du dispositif selon l’invention lorsque celui-ci comprend des murs secondaires séparant les lentilles convexes. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les dimensions ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple préféré, la première diode, la deuxième diode, la première lentille convexe et la deuxième lentille convexe sont à base du même matériau, par exemple du GaN. On évite ainsi toute différence d’indice de réfraction entre les diodes et les lentilles convexes. Cela permet de limiter la réfraction de la lumière à l’interface entre les diodes et les lentilles. L’extraction est ainsi meilleure que dans le cas de lentilles convexes à base d’un matériau distinct de celui des diodes (SiN ou un polymère par exemple). De préférence, la première diode, la deuxième diode et les lentilles convexes ont été formées dans une même couche, de préférence préalablement formée par épitaxie. Cela permet d’éviter la présence d’une interface entre les diodes et les lentilles, d’éviter toute réfraction lumineuse entre ces éléments et donc d’améliorer l’extraction lumineuse. Selon un exemple préféré, la première diode et la deuxième diode présentent chacune un flanc défini par l’interface de ladite diode avec le mur, le dispositif comprenant en outre un élément électriquement isolant s’étendant depuis le flanc de chacune de la première diode et de la deuxième diode. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un deuxième contact électrique en continuité électrique avec la première lentille convexe et avec la deuxième lentille convexe. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un premier élément métallique en continuité électrique avec la première lentille convexe et un deuxième élément métallique en continuité électrique avec la deuxième lentille convexe, le premier élément métallique et le deuxième élément métallique étant isolés électriquement l’un de l’autre. Cela permet de singulariser la commande des deux diodes. Selon un mode de réalisation, la couche d’arrêt est à base d’un matériau métallique. En utilisant un matériau métallique pour la couche d’arrêt, on confère à cette couche, en plus de la fonction de couche d’arrêt pour la formation des lentilles, une fonction de reprise de contact des diodes. Cela simplifie grandement la structure et la fabrication du dispositif. Selon un exemple préféré, lorsque la couche d’arrêt est à base d’un matériau métallique, la couche d’arrêt s’étend depuis la face supérieure du mur sous chacune de la première lentille et de la deuxième lentille, de préférence depuis toute l’étendue de la face supérieure du mur. Cela permet de réaliser un contact électrique entre la couche d’arrêt et les lentilles, ce qui est avantageux pour réaliser la reprise de contact électrique des diodes. Selon un mode de réalisation, la couche d’arrêt est à base d’un matériau diélectrique. La sélectivité de gravure entre les matériaux couramment utilisés pour les diodes et les lentilles et les matériaux diélectriques est importante. L’épaisseur de la couche d’arrêt peut donc être réduite par rapport à d’autres matériaux. Cela permet de gagner de l’espace et donc de limiter l’encombrement du dispositif. Selon un exemple préféré, lorsque la couche d’arrêt est à base d’un matériau isolant, une partie de la couche d’arrêt fait partie de l’élément électriquement isolant. Selon un mode de réalisation avantageux, le dispositif comprend en outre un mur secondaire s’étendant au-dessus du mur, entre la première lentille et la deuxième lentille, le mur secondaire s’étendant au moins autant que la première lentille convexe et la deuxième lentille convexe, de préférence au-delà de la première lentille convexe et de la deuxième lentille convexe, en s’éloignant de la face supérieure du mur selon une troisième direction perpendiculaire au plan transversal, le mur secondaire se trouvant à distance de la première lentille et de la deuxième lentille. Ce mur secondaire permet d’absorber ou de réfléchir la lumière émise par des diodes émettrices et qui, en l’absence de ce mur secondaire, serait transmise par l’intermédiaire de l’air ou du matériau de remplissage surmontant les diodes. Le mur secondaire permet ainsi de réduire le phénomène de cross-talk optique pouvant intervenir dans l’air ou dans tout matériau surmontant la matrice de diodes. Selon un mode de réalisation avantageux, chaque lentille convexe définit une surface convexe, ladite surface convexe correspondant à une portion de la surface externe d’une sphère de diamètre D 200 , chacune de la première diode et de la deuxième diode présentant une dimension D 100 , D 100 étant mesurée en projection dans le plan transversal, perpendiculairement au projeté du mur dans le plan transversal, avec D 200 ≥2*D 100 . Il a été montré que ce dimensionnement est optimal pour maximiser le coefficient d’extraction (ou de détection). L’encombrement causé par une lentille d’une telle dimension (c’est-à-dire avec D 200 ≥2*D 100 ) est par ailleurs tout à fait raisonnable par rapport aux dimensions de la diode sous-jacente. Par ailleurs, le centre de la sphère se situe de préférence au même niveau selon la troisième direction que la face supérieure du mur. Selon un mode de réalisation avantageux, la première lentille convexe et la deuxième lentille convexe sont surmontées d’une couche anti-reflet. La couche anti-reflet permet d’éviter une réfraction interne de la lumière émise par les diodes, dans le cas de diodes émettrices, ou une réfraction vers le milieu se trouvant au-dessus des diodes, dans le cas de diodes réceptrices. Elle permet donc d’améliorer l’extraction lumineuse (ou la détection lumineuse). Selon un mode de réalisation du procédé selon l’invention, la fourniture de l’empilement comprend les étapes suivantes : Fournir un empilement initial comprenant : La couche continue, Une couche active continu, Le substrat, Réaliser une gravure dite de singularisation depuis une face inférieure du substrat opposée à sa face supérieure jusque dans le substrat, de manière à former la première diode et la deuxième diode dans la couche active continue, et à former une tranchée entre la première diode et la deuxième diode, Former la couche d’arrêt dans la tranchée. Selon un mode de réalisation du procédé selon l’invention, la première diode et la deuxième diode présentent chacune un flanc défini par l’interface de ladite diode avec la tranchée, le procédé comprenant en outre les étapes suivantes : Former dans la tranchée un élément électriquement isolant s’étendant depuis les flancs de la première diode et de la deuxième diode, Remplir au moins partiellement la tranchée avec un matériau électriquement conducteur. On entend par « gravure sélective vis-à-vis de » ou « gravure présentant une sélectivité vis-à-vis de » une gravure configurée pour enlever un matériau A ou une couche A vis-à-vis d’un matériau B ou d’une couche B, et présentant une vitesse de gravure du matériau A supérieure à la vitesse de gravure du matériau B. La sélectivité est le rapport entre la vitesse de gravure du matériau A sur la vitesse de gravure du matériau B. La sélectivité entre A et B est notée SA:B. La présente demande de brevet peut aussi bien s’appliquer à une diode photoréceptrice qu’à une diode photoémettrice (ainsi qu’à des réseaux de telles diodes). Le terme « diode » s’entend donc indifféremment comme « diode photoréceptrice » ou « diode photoémettrice ». Dans la présente demande de brevet, les termes « diode photoémettrice », « diode électroluminescente » et « LED » sont employés en synonymes. Une « diode » peut également s’entendre d’une « micro-diode ». Une « micro-diode » est une diode dont les dimensions n’excèdent pas 1 mm (1 mm = 10 -3 m), et typiquement pas 10µm (10 µm = 10 - 5 m). Deux éléments sont dits « reliés électriquement » lorsqu’ils sont chacun en contact avec un même élément de connexion électrique continu présentant une conduction électrique de préférence supérieure à 10 8 S/m. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt, le report, le collage, l’assemblage ou l’application d’une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant, soit directement à son contact, soit en étant séparée d’elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d’un même matériau ou de matériaux différents. On entend par un substrat, une couche, un dispositif, « à base » d’un matériau M, un substrat, une couche, un dispositif comprenant ce matériau M uniquement ou ce matériau M et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage, des impuretés ou des éléments dopants. Ainsi un matériau à base d’un matériau III-N peut comprendre un matériau III-N additionné de dopants. Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes X, Y, Z est représenté en figures 1A, 1K, 2A, 3 et 4A. Ce repère est applicable par extension aux autres figures. Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de hauteur pour une structure ou un dispositif. La hauteur est prise perpendiculairement au plan transversal XY. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche. Ainsi, une couche présente typiquement une épaisseur selon Z, lorsqu’elle s’étend principalement le long du plan transversal XY, et un élément en saillie, par exemple une tranchée, présente une hauteur selon Z. Les termes relatifs « sur », « sous », « sous-jacent » se réfèrent préférentiellement à des positions prises selon la direction Z. Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient « à 10% près, de préférence à 5% près ». Dispositif optoélectronique selon l’invention Le dispositif selon l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 1K, 1L, 1M, 2J, 2K, 3, 4D et 4E. Le dispositif 1 selon l’invention comprend un substrat 10’ présentant une face supérieure 11’ s’étendant principalement dans un plan parallèle à un plan transversal XY. Le plan transversal XY est défini par une première direction X et une deuxième direction Y. Le substrat 10’ comprend voire correspond à la couche diélectrique 10 qui sera décrite plus avant en référence au procédé selon l’invention. Le dispositif 1 comprend par ailleurs une matrice de diodes 100a, 100b ,100c, 100d, 100e disposées sur la face supérieure 11’ du substrat 10’. Une matrice de cinq diodes 100a, 100b, 100c, 100d, 100e est représentée à la FIG. 1 . Les autres figures n’illustrent que deux diodes 100a, 100b, nommées première diode 100a et deuxième diode 100b, mais il est entendu que les caractéristiques décrites ci-dessous en référence à ces deux diodes 100a, 100b et aux éléments les entourant peuvent parfaitement s’appliquer aux autres diodes de la matrice, si le dispositif 1 comprend plus de deux diodes. Les diodes 100a, 100b sont à base d’un matériau semiconducteur tel que le GaN. Chaque diode 100a, 100b comprend une région active 110a, 110b étant le lieu de recombinaisons radiatives de paires électron-trou permettant d’obtenir ou d’absorber un rayonnement lumineux. Une région active 110a, 110b comprend typiquement une pluralité de puits quantiques, par exemple formés par des couches à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, AlGaAs, GaAs, InGaAs, AlIlAs, ou d’une combinaison de plusieurs de ces matériaux. Chaque diode 100a, 100b comprend également une région dopée P 120a, 120b, située au-dessus de la région active 110a, 110b, et permettant de générer des porteurs de type trous, et une région dopée N 130a, 130b située au-dessus de la région active 110a, 110b, et permettant de générer des porteurs de type électrons. Le dispositif 1 comprend de préférence une première électrode 15a, 15b sous chaque diode 100a, 100b. Les premières électrodes 15a, 15b sont typiquement au moins partiellement comprises dans le substrat 10’. Chacun des premières électrodes 15a, 15b peut être en contact avec un premier plot métallique 16a, 16b sous-jacent. Les premières électrodes 15a, 15b peuvent par exemple être à base de cuivre. Les premiers plots métalliques 16a, 16b peuvent par exemple être à base de cuivre. Chaque première électrode 15a, 15b est reliée électriquement à la diode 100a, 100b qui le surmonte lorsque le dispositif 1 est fonctionnel. Les premières électrodes 15a, 15b peuvent être séparées des diodes 100a, 100b, et en particulier de la couche 120a, 120b par une ou plusieurs couches conductrices, telles que par exemple une couche miroir secondaire 63, une couche métallique secondaire 61 et la couche de contact 30, pouvant elle-même être composée d’une couche contact primaire 30’ et d’une couche miroir primaire 30’’. Chacune des diodes 100a, 100b est surmontée d’une lentille convexe 200a, 200b. L’ensemble constitué d’une diode 100a, 100b et de la lentille convexe la surmontant 200a, 200b est désigné module 1000a, 1000b. Les lentilles convexes 200a, 200b sont de préférence à base du même matériau que les diodes 100a, 100b. Avantageusement, chaque diode 100a, 100b et la lentille convexe 200a, 200b la surmontant ont été formées simultanément, par exemple lors d’une même étape de croissance épitaxiale. Chaque module 1000a, 1000b forme ainsi préférentiellement une couche continue. Autrement dit, de préférence, aucune interface n’est présente entre chaque diode 100a, 100b et la lentille convexe 200a, 200b la surmontant. La première diode 100a et la deuxième diode 100b sont séparées dans le plan transversal XY par un mur 300. Le mur 300 présente une face supérieure 301 s’étendant préférentiellement dans un plan parallèle au plan transversal XY. Il présente par ailleurs des flancs 303 s’étendant au moins partiellement contre les diodes 100a, 100b. Le mur 300 peut s’étendre partiellement dans le substrat 10’. Chacune de la première lentille convexe 200a et de la deuxième lentille convexe 200b s’étend au-dessus du mur 300. Ces deux lentilles convexes 200a, 200b sont au contact de la face supérieure 301 du mur 300. Les deux lentilles convexes 200a, 200b sont entièrement à distance l’une de l’autre. Autrement dit, la première lentille convexe 200a et la deuxième lentille convexe 200b ne sont pas en contact. Elles ne se touchent en aucun point. Notamment, une portion 301* de la face supérieure 301 du mur 300 n’est surmontée ni par la première lentille convexe 200a ni par la deuxième lentille convexe 200b. Le mur 300 comprend notamment une couche d’arrêt 310. Cette couche d’arrêt 310 s’étend au moins depuis la portion 301* de la face supérieure 301 du mur 300 n’étant recouverte ni par la première lentille 200a ni par la deuxième lentille 200b. La couche d’arrêt 310 peut être à base de différents types de matériaux. Selon un premier exemple, la couche d’arrêt 310 est à base d’un matériau métallique. Cela est notamment le cas dans les modes de réalisation illustrés aux figures 1K, 1L, 1M, 3 et 4D. Le matériau métallique peut par exemple être choisi parmi le TiN, l’AlSi et l’oxyde d’indium étain (couramment désigné ITO, de l’anglais « Indium Tin Oxide »). La couche d’arrêt 310 métallique peut également être composée d’un empilement de couches de plusieurs matériaux métalliques, par exemple un empilement AlSi/TiN. Dans ce dernier exemple, la couche d’arrêt 310 métallique peut éventuellement comprendre un film d’accroche en Ti ou bien un film de contact en ITO. Selon un deuxième exemple, la couche d’arrêt 310 est à base d’un matériau diélectrique. Cela est notamment le cas dans les modes de réalisation illustrés aux figures 2J et 2K. Le matériau diélectrique peut par exemple être choisi parmi les matériaux suivants : SiO 2 , SiN, SiON. Quel que soit le matériau choisi pour la couche d’arrêt 310, dit matériau d’arrêt, et quel que soit le matériau formant les lentilles convexes 100a, 100b, dit premier matériau, pour au moins une chimie de gravure du premier matériau, la sélectivité de gravure entre le premier matériau et le matériau d’arrêt est de préférence supérieure ou égale à 3 :1, de préférence supérieure ou égale à 4 :1. Des exemples de couples de premier matériau et matériau d’arrêt envisageables ainsi que de chimies de gravure associées sont donnés plus avant, dans la description du procédé selon l’invention. Les dimensions de la couche d’arrêt 310 sont également décrites plus en détails plus avant, dans la description du procédé selon l’invention. En plus de séparer les diodes 100a, 100b, le mur 300 a avantageusement pour fonction de permettre une reprise de contact électrique des diodes 100a, 100b. Ainsi, le mur 300 comprend avantageusement au moins un élément électriquement conducteur destiné à être relié électriquement, lorsque le dispositif est en fonctionnement, à au moins une des lentilles convexes 200a, 200b. Il apparaîtra dans les différents modes de réalisation décrits ci-dessous que les deux diodes 200a, 200b peuvent être reliées électriquement à un élément électriquement conducteur commun ou bien à des éléments électriquement conducteurs distincts. Le dispositif 1 comprend par ailleurs avantageusement un élément électriquement isolant séparant au moins partiellement les diodes 100a, 100b du ou des élément(s) conducteur(s) électrique(s). Cet élément électriquement isolant s’étend par exemple depuis le flanc 103a, 103b de chaque diode 100a, 100b vers une région centrale du mur 300. Autrement dit, l’élément électriquement isolant s’étend depuis le flanc 103a, 103b de chacune de la première diode 100a et de la deuxième diode 100b et selon une direction perpendiculaire à ce flanc 103a, 103b. Les différentes formes pouvant être prises par cet élément électriquement isolant apparaîtront dans les exemples présentés ci-dessous. Plusieurs exemples du dispositif 1 vont maintenant être décrits. Ces exemples se différencient notamment les uns des autres par la structure du mur 300. Un premier exemple du dispositif 1 va tout d’abord être décrit en référence à la FIG. 1 . Dans cet exemple, le mur 300 comprend une couche d’arrêt 310 métallique. Avantageusement, cette couche 310 s’étend non seulement depuis la portion 301* non recouverte de la face supérieure 301 du mur 300 mais également depuis d’autres portions de cette face 301, et se trouve donc en contact avec les lentilles convexes 200a, 200b. Ainsi, une partie de la couche 310 est formée par la portion 301* et une portion au moins du reste de la face supérieure 301 du mur 300. Cette couche 310 s’étend vers une région centrale du mur 300. Grâce à cela, la couche d’arrêt 310 est reliée électriquement aux diodes 100a, 100b. De préférence, comme illustré à la FIG. 1 , la couche d’arrêt 310 s’étend depuis l’intégralité de la face supérieure 301 du mur 300. La couche d’arrêt 310 s’étend en direction d’une région centrale du mur 300. Cela permet de maximiser la zone de reprise contact électrique par la couche d’arrêt 310. Le mur 300 comprend par ailleurs une couche métallique principale 350. Cette couche métallique principale 350 est l’élément électriquement conducteur mentionné plus haut. Il forme partie de l’électrode reliée, aux deux lentilles convexes 200a, 200b, via la couche de contact 310. La couche métallique principale 350 peut être en contact avec un deuxième plot métallique 17 sous-jacent. La couche métallique principale 350 peut par exemple être à base de cuivre. Le deuxième plot métallique 17 peut par exemple être à base de cuivre. La couche métallique principale 350 présente typiquement une face supérieure 351 parallèle à la face supérieure 301 du mur 300. Il présente également des flancs 353, par exemple perpendiculaires à sa face supérieure 301. La couche d’arrêt 310 métallique peut recouvrir, par exemple entièrement, la face supérieure 351 et les flancs 353 de la couche métallique principale 350. Elle peut être séparée de la couche métallique principale 350 par une ou plusieurs couches conductrices, comme par exemple une couche dite couche miroir 330 à base d’un matériau métallique tel que l’AlSi. La couche miroir 330 recouvre de préférence également la face supérieure 350 et les flancs de la couche métallique principale 350. Le mur 300 comprend par ailleurs une couche de passivation 320 s’étendant depuis chacun de ses flancs 303 vers la couche métallique principale 350, et typiquement vers la couche d’arrêt 310 métallique. La couche de passivation 320 est à base d’un matériau électriquement isolant. Elle peut par exemple être à base de l’un parmi les matériaux suivants : Al 2 O 3 , SiN, AlN, ou d’une combinaison de ceux-ci. Elle permet d’isoler électriquement les diodes 100a, 100b dans le plan transversal XY. Dans l’exemple illustré à la FIG. 1 , la couche de passivation 320 s’étend autant selon la troisième direction Z que la couche d’arrêt 310. Autrement dit, elle recouvre entièrement les flancs 313 de la couche d’arrêt 310. Elle est ainsi affleurante à la face supérieure 301 du mur 300. Un deuxième exemple du dispositif 1 est illustré à la FIG. 1 . Cet exemple diffère du premier en ce que la couche de passivation 320 se trouve en retrait selon la troisième direction Z par rapport à la couche d’arrêt 310. Elle est par ailleurs également en retrait par rapport à la couche métallique principale 350. Autrement dit, dans cet exemple, la couche de passivation 320 ne s’étend pas depuis toute la hauteur des flancs 303. Ainsi, les flancs 313 de la couche d’arrêt 310 métallique sont partiellement en contact avec les modules 1000a, 1000b. Dans ces deux premiers exemples, l’élément électriquement isolant comprend, voire est constitué, de la couche de passivation 320. Un troisième exemple du dispositif 1 va maintenant être décrit en référence à la FIG. 2 . Dans cet exemple, le mur 300 comprend une couche d’arrêt 310 diélectrique. Afin d’assurer le raccordement électrique des modules 1000a, 1000b au niveau de la face supérieure 301 du mur 300, la couche d’arrêt 310 ne s’étend pas depuis l’intégralité de cette face supérieure 301. Comme cela est illustré à la FIG. 2 , typiquement, la couche d’arrêt 310 forme une couche discontinue et comprend ainsi plusieurs portions, l’une d’entre elles s’étendant au moins partiellement depuis la portion 301* non recouverte par les lentilles 200a, 200b. La couche d’arrêt 310 s’étend en direction d’une région centrale du mur 300. Cette portion est désignée portion d’arrêt 310*. Il est également envisageable que la couche d’arrêt 310 soit continue et ne comprenne que la portion d’arrêt 310*. Le mur 300 comprend, comme dans le premier exemple, une couche métallique principale 350. Cette couche métallique principale 350 est relié électriquement d’une part à la première lentille 200a et d’autre part à la deuxième lentille 200b. La couche métallique principale 350 comprend ainsi typiquement une première protubérance 350a’ et une deuxième protubérance 350b’, toutes deux électriquement conductrices. Ces deux protubérances 350a’, 350b’ sont séparées, sur au moins une partie de leur hauteur selon la troisième direction Z, par la portion d’arrêt 310*. A nouveau, la couche métallique principale 350 peut être en contact avec un deuxième plot métallique 17 sous-jacent. Le deuxième plot métallique 17 est alors relié électriquement à la fois à la première lentille 200a et à la deuxième lentille 200b. Dans cet exemple, la reprise de contact électrique au niveau du mur 300 des modules 1000a, 1000b se fait donc de façon commune. La couche métallique principale 350 présente des flancs 353 pouvant être recouverts d’une couche métallique 340 et/ou d’une couche miroir 330. La couche métallique 340 et la couche miroir 330 peuvent également s’étendre entre les protubérances 350a’, 350b’ et les lentilles convexes 200a, 200b. La connexion électrique entre la couche métallique principale 350 et les lentilles convexes 200a, 200b se fait ainsi par l’intermédiaire de ces couches 340, 330. Avantageusement, le mur 300 comprend une couche de passivation 320 telle que décrite dans le cadre du premier exemple. La couche d’arrêt 310 diélectrique peut comprendre des portions, dites portions latérales 315, s’étendant entre les flancs 303 du mur 300 et le deuxième contact électrique 350. Ces portions latérales 315 s’étendent typiquement sur toute la hauteur du mur 300. Afin d’assurer l’isolation électrique entre l’anode et la cathode de la diode, il faut qu’au moins un élément électriquement isolant sépare dans le plan transversal XY les lentilles 100a, 100b du deuxième contact électrique 350. Une unique couche électriquement isolante, suffisamment épaisse, peut jouer ce rôle. La présence simultanée de la couche de passivation 320 et des portions latérales 315 de la couche d’arrêt 310 n’est donc pas forcément nécessaire. Dans ce troisième exemple, l’élément électriquement isolant comprend donc soit la couche de passivation 320, soit une partie de la couche d’arrêt 310, soit les deux. Un quatrième exemple du dispositif 1 va maintenant être décrit en référence à la FIG. 2 . Cet exemple diffère de l’exemple précédent en ce que l’élément électriquement conducteur comprend un premier élément métallique 350a et un deuxième élément métallique 350b isolés électriquement l’un de l’autre. Le premier élément métallique 350a est relié électriquement à la première lentille 200a et le deuxième élément métallique 350b est relié électriquement à la deuxième lentille 200b. Les éléments métalliques 350a, 350b peuvent chacun être en contact avec un deuxième plot métallique 17a, 17b sous-jacent. Le premier élément métallique 350a et le deuxième élément métallique 350b sont séparés sur toute leur hauteur par la portion d’isolation 310* de la couche d’arrêt 310 diélectrique. De préférence, la portion d’isolation 310* s’étend sur toute la hauteur du mur 300 selon la troisième direction Z. La portion d’arrêt 310* joue ainsi dans cet exemple non seulement un rôle de couche d’arrêt lors de la fabrication du dispositif 1 mais également un rôle d’isolant électrique permettant d’individualiser le fonctionnement des deux diodes 100a, 100b. Le premier élément métallique 350a et le deuxième élément métallique 350b présentent chacun une face supérieure 351a, 351b, de préférence parallèle à la face supérieure 301 du mur 300, et des flancs 353a, 353b, de préférence perpendiculaire à leurs faces supérieures 351a, 351b. Une couche métallique 340 peut recouvrir les, et de préférence est au contact des, faces supérieures 351a, 351b et les flancs 353a, 353b des éléments métalliques 350a, 350b. La connexion électrique entre les éléments métallique 350a, 350b et les lentilles convexes 200a, 200b peut ainsi se faire par l’intermédiaire de la couche métallique 340. La couche d’arrêt 310 peut également comprendre des portions latérales 315 s’étendant entre les flancs 303 du mur 300 et le premier élément métallique 350a d’une part et le deuxième élément métallique 350b d’autre part. Ces portions latérales 315 s’étendent typiquement sur toute la hauteur du mur 300. Avantageusement, le mur 300 comprend une couche de passivation 320 telle que décrite dans le cadre du premier exemple. Le mur 300 peut également comprendre une couche miroir 330 s’étendant entre la couche de passivation 320 et les portions latérales 315 de la couche d’arrêt 310 diélectrique. La couche miroir 330 s’étend par ailleurs typiquement sur toute la hauteur du mur 300 selon la troisième direction Z et affleure ainsi au niveau de la face supérieure 301 du mur 300. Les portions latérales 315 de la couche d’arrêt 310 séparent typiquement entièrement la couche de passivation et la couche miroir de la couche métallique 340 et des éléments métallique 350a, 350b. Dans ce quatrième exemple, l’élément électriquement isolant comprend, voire est constitué de la couche de passivation 320. Si la couche miroir 330 est omise, il comprendra également les portions latérales 315 de la couche d’arrêt 310. Dans les troisième et quatrième exemples, aucune couche métallique n’est présente entre les diodes 100a, 100b et la couche miroir 330. Cela permet d’améliorer la réflectivité de la couche miroir 330, ce qui contribue l’augmentation de l’extraction lumineuse. Il est éventuellement possible d’ajouter une deuxième couche métallique entre les diodes 100a, 100b et la couche miroir 330, qui améliorera la qualité du contact au dépend de l’extraction lumineuse. Par ailleurs, on notera que contrairement à ce qui était le cas dans les deux premiers exemples, dans les troisième et quatrième exemples, les fonctions de raccordement électrique et de couche d’arrêt sont décorrélées. La FIG. 3 illustre un autre exemple de structure pour le mur 300. Dans cet exemple, la couche d’arrêt 310 est métallique. Le mur 300 comprend un deuxième contact électrique 350 relié électriquement et de préférence en contact avec la couche d’arrêt 310 métallique. Le mur 300 comprend par ailleurs une couche de passivation 320 s’étendant depuis les flancs 103a, 103b des diodes 100a, 100b vers une région centrale du mur 300. Il comprend également une couche miroir 330 s’étendant entre la couche de passivation 320 et la couche d’arrêt métallique 310. La couche miroir 330 s’étend de préférence jusqu’à la face supérieure 301 du mur 300. Elle est ainsi reliée électriquement aux lentilles convexes 200a, 200b lorsque le dispositif 1 est en fonctionnement. Dans cet exemple, la couche miroir 330 et la couche d’arrêt 310 métallique sont par ailleurs partiellement séparées par une couche isolante 360. La reprise de contact des modules 1000a, 1000b se fait donc à la fois par le biais de la couche d’arrêt 310 et du deuxième contact électrique 350 et par le biais de la couche miroir 330. Ce mode de réalisation permet, dans le cas où la couche d’arrêt 310 est métallique, que celle-ci ne se trouve pas entre les diodes 100a, 100b et la couche miroir 330. Cela permet d’améliorer la réflectivité de la couche miroir 330, ce qui contribue l’augmentation de l’extraction lumineuse. Comme illustré sur la FIG. 3 , le mur 300 peut présenter des flancs 303 inclinés par rapport à la troisième direction Z. Cela est applicable aux autres modes de réalisation. Différentes configurations du mur 300 ont été présentées, mais il est entendu que d’autres configurations sont envisageables. Selon un exemple également illustré à la FIG. 3 , le dispositif 1 comprend en outre une couche anti-reflet 400 recouvrant les faces supérieures 201a, 201b des lentilles convexes 200a, 200b. Il s’agit typiquement d’une couche quart d’onde connue de l’homme du métier. Elle permet d’éviter des interférences destructives à la surface 201a, 201b des lentilles 200a, 200b. La couche anti-reflet 400 présente une épaisseur e 400 typiquement mesurée radialement, selon une direction passant par le centre de la sphère dont la surface convexe 201a, 201b de la lentille convexe 200a, 200b correspond à une portion. e 400 est choisie en fonction de la longueur d’onde émise ou reçue par les diodes 200a, 200b, de l’indice de réfraction du matériau composant les lentilles 200a, 200b et de l’indice de réfraction du matériau surmontant la couche anti-reflet 400 (air, matériau de remplissage…). e 400 ne doit pas être trop grande pour éviter que des modes ne soient guidés dans la couche anti-reflet, ce qui serait préjudiciable pour l’extraction lumineuse. e 400 est typiquement comprise entre 100 et 150 nm selon la longueur d ‘onde émise. Il est entendu que l’utilisation d’une couche anti-reflet 400 peut être combinée avec n’importe quel mode de réalisation préalablement décrit et ne s’applique pas uniquement au mode de réalisation du dispositif représenté à la FIG. 3 . Selon un exemple illustré à la FIG. 4 , le dispositif 1 comprend en outre un mur secondaire 300’ surmontant le mur 300. Le mur secondaire 300’ est destiné à absorber les rayonnements émis par les diodes 100a, 100b qui pourraient être transmis à un niveau supérieur, par exemple un élément optique se trouvant au-dessus de la diode voisine. Il permet ainsi de limiter le phénomène de cross-talk pouvant avoir lieu entre les diodes et leur entourage par le biais de la matière surmontant les diodes (air, matériau de remplissage). Par exemple, si une unique diode 100a, 100b (correspondant à un pixel) est allumée, la présence du mur secondaire 300’ permet de rendre un noir plus intense dans les zones adjacents à cette diode. La flèche 3 représentée sur la FIG. 4 illustre le trajet d’un rayonnement émis par la deuxième diode 100b et réfléchi par le mur secondaire 300’. La flèche 3 est représentée à titre explicatif uniquement. Les angles de réflexion du rayonnement aux différentes interfaces ne sont pas représentatifs de la réalité. Le mur secondaire 300’ peut être à base d’un matériau métallique absorbant à la longueur d’onde d’émission pour des diodes émettrices ou à la longueur d’onde reçue pour des diodes réceptrices, tel que du TiN pour le visible, ou d’un matériau organique chargé tel que ceux utilisé pour réaliser des matrices noires (couramment désignées par le terme anglais de « black matrix »). Le mur secondaire 300’ se trouve à distance des lentilles convexes 200a, 200b. Autrement dit, il n’est pas en contact avec les lentilles convexes 200a, 200b. Le mur secondaire 300’ présente une hauteur H 300’ mesurée selon la troisième direction Z. Il présente par ailleurs une largeur l 300’ mesurée dans le plan transversal XY entre ses deux flancs principaux 303’ se trouvant en regard des lentilles 200a, 200b (en FIG. 4 , selon la première direction X). Dans le cas classique d’un mur secondaire 300’ en forme de pavé droit, l 300’ est invariante selon la troisième direction Z. Il est cependant également envisageable que le mur secondaire 300’ présente d’autres formes, comme par exemple une forme trapézoïdale, ou que ses flancs principaux 303’ présentent un profil parabolique. Dans ces derniers cas, la largeur du mur secondaire 300’ varie selon la troisième direction Z. l 300’ est alors assimilé à la plus faible largeur du mur secondaire 300’, typiquement prise au niveau de la face supérieure 301 du mur 300. Les lentilles convexes 200a, 200b font saillie par rapport au plan dans lequel s’étend la face supérieure 301 du mur 300 sur une hauteur H 200 , mesurée selon la troisième direction Z. De préférence, le mur secondaire 300’ s’étend au moins autant que les lentilles convexes 200a, 200b en s’éloignant de la face supérieure 301 du mur 300 : H 300’ ≥H 200 . Dit autrement, de préférence, la première lentille convexe 200a et la deuxième lentille convexe 200b sont séparées dans des plans parallèle au plan transversal XY sur toute la hauteur H 200 par le mur secondaire 300’. Typiquement, H 300’ ≥ 2 µm. Par ailleurs, de préférence, l 300’ ≥ 0,3 µm. On définit un rapport de forme r=H 300’ /l 300’ du mur secondaire 300’. De préférence, r est supérieur à 5, de préférence supérieur à 7. Des convertisseurs peuvent éventuellement être logés dans les espaces définis par le mur secondaire 300’ et les lentilles convexes 200a, 200b. Un procédé de fabrication d’un tel mur secondaire 300’ est décrit plus avant. Procédé de fabrication du dispositif optoélectronique selon l’invention Un premier exemple de réalisation d’un dispositif selon l’invention va être décrit en référence aux figures 1A à 1L. Les figures 1A à 1J illustrent un exemple de procédé d’obtention de l’empilement fourni en début de procédé selon l’invention. Pour des raisons de clarté, les étapes illustrées par les figures 1A à 1L illustrent la fabrication d’un dispositif à deux diodes uniquement. Naturellement, ces étapes peuvent permettre d’obtenir simultanément un réseau de diodes comprenant de nombreuses diodes recouvertes de lentilles à partir d’un même empilement initial. La FIG. 1 illustre la fourniture d’un empilement initial 1’ comprenant un substrat support 20, une couche continue 200, une couche active continue 100 et une couche diélectrique 10. La couche continue 200 et la couche active continue 100 sont en contact l’une de l’autre. Le substrat support 20 présente une face supérieure 21 s’étendant principalement dans un plan parallèle au plan transversal XY. Le substrat support 20 présente par ailleurs une face inférieure 22 opposée et de préférence parallèle à sa face supérieure 21. Le substrat support 20 est typiquement un substrat de croissance GaN sur Si, ou GaN sur saphir. La couche active continue 100 est à base d’un matériau semiconducteur. La couche active continue 100 comprend une région active 110. Cette région active 110 est le lieu de recombinaisons radiatives de paires électron-trou permettant d’obtenir ou d’absorber un rayonnement lumineux. La région active 110 comprend typiquement une pluralité de puits quantiques, par exemple formés par des couches à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, AlGaAs, GaAs, InGaAs, AlIlAs, ou d’une combinaison de plusieurs de ces matériaux. La couche active continue 100 comprend par ailleurs une couche dopée P 120 et une couche dopée N 130 se trouvant de part et d’autre de la région active 110. De préférence, la couche continue 200 et la couche active continue 100 sont à base du même matériau. Elles ont avantageusement été formées simultanément, par exemple par croissance épitaxiale sur le substrat support 20. Elles forment ensemble une couche dite couche épitaxiée 1000, qui, lorsque la couche continue 200 et la couche active continue 100 ont été formées lors d’une même étape de croissance, forme une unique couche continue. La couche épitaxiée 1000 est de préférence à base de GaN. Elle peut également être à base de InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, AlGaAs, GaAs, InGaAs, AlIlAs, ou d’une combinaison de plusieurs de ces matériaux. La couche épitaxiée 1000 peut comprendre notamment des sous-couches telles que des couches tampon à base d’AlGaN. La couche épitaxiée 1000 présente selon la troisième direction Z une épaisseur e 1000 . Cette épaisseur e 1000 est typiquement comprise entre 2 et 6 µm. La couche diélectrique 10 présente une face supérieure 11 s’étendant principalement dans un plan parallèle au plan transversal XY. La couche diélectrique 10 présente par ailleurs une face inférieure 12 opposée et de préférence parallèle à sa face supérieure 11. La couche diélectrique 10 peut par exemple être à base de SiO 2 ou de SiN. Elle présente selon la troisième direction Z une épaisseur e 10 . Cette épaisseur e 10 peut par exemple être sensiblement égale à 300 nm. L’empilement initial peut comprend d’autres couches, pouvant notamment être intercalées entre la couche diélectrique 10 et la couche active continue 100. Par exemple, une couche électriquement conductrice dite couche de contact 30 peut être insérée entre la couche diélectrique 10 et la couche active continue 100. La couche de contact 30 peut par exemple être à base d’AlSi ou bien être un empilement de sous-couches d’AlSi et d’ITO. Comme illustré à la FIG. 1 , une gravure est ensuite réalisée à partir de la face inférieure 12 de la couche diélectrique 10. Cette gravure permet de former une tranchée 50 traversant intégralement la couche diélectrique 10 selon la troisième direction Z et se prolongeant dans la couche épitaxiée 1000. La tranchée 50 ne traverse pas entièrement la couche épitaxiée 1000 selon la troisième direction Z. Cette étape de gravure peut comprendre plusieurs sous-étapes de gravure successives. Une première sous-étape de gravure avec arrêt sur la couche de contact 30 peut tout d’abord permettre de réaliser une ouverture dans la couche diélectrique 10. Une deuxième sous-étape de gravure peut ensuite permettre de retirer une portion sous-jacente de la couche de contact 30 et de la couche épitaxiée 1000, terminant ainsi de former la tranchée 50. Une étape optionnelle de traitement chimique, par exemple un traitement chimique par voie humide à base d'hydroxyde de tétraméthylammonium (couramment désigné TMA, de l’anglais tetramethylammonium hydroxide) ou d’hydroxyde de potassium (KOH) par exemple. Cela permet de réduire les défauts des flancs 53 de la tranchée 50. La formation de la tranchée 50 permet de singulariser la couche active continue 100 en une première diode 100a et une deuxième diode 100b. Ces deux diodes 100a, 100b sont séparées dans le plan transversal XY par la tranchée 50. Chaque diode 100a, 100b présente un flanc 103a, 103b confondu avec un flanc 53 de la tranchée 50. La formation des tranchées 50 permet par ailleurs de singulariser la région active 110, la couche dopée P 120 et la couche dopée N 130. Les flancs 53 de la tranchée 50 sont représentés sur les figures parallèles à la troisième direction Z, mais il est entendu qu’ils peuvent être inclinés par rapport à cette direction Z, par exemple d’un angle compris entre 75° et 85°. Comme illustré à la FIG. 1 , une couche de passivation 320 est ensuite déposée contre les flancs 53 et sur le fond 51 de la tranchée 50. La couche de passivation 320 peut être déposée de façon conforme. Elle peut par exemple être à base de l’un parmi les matériaux suivants : Al 2 O 3 , SiN, AlN. Comme illustré par le passage de la FIG. 1 à la FIG. 1 , la portion de la couche de passivation 320 recouvrant le fond 51 de la tranchée 50 est ensuite retirée. Cela permet de mettre à nouveau à jour une surface intermédiaire 1001 de la couche épitaxiée 1000. Les portions de la couche de passivation 320 s’étendant depuis les flancs 103a, 103b des diodes 100a, 100b sont conservées. Selon un premier exemple, la couche épitaxiée 1000 ne subit à ce stade pas d’étape de surgravure et la suite du procédé se déroule à partir de l’ensemble tel qu’illustré à la FIG. 1 (option 1). Selon un deuxième exemple illustré à la FIG. 1 , une étape de surgravure de la couche épitaxiée 1000 est mise en œuvre de sorte à prolonger la tranchée 50 et mettre à jour des flancs internes 1003 de la couche épitaxiée 1000 (option 2). Les flancs internes 1003 de la couche épitaxiée 1000 se trouvent alors dans le prolongement de la couche de passivation 320. La couche de passivation 320 présente une épaisseur e 320 , mesurée perpendiculairement aux flancs 103a, 103b des diodes 100a, 100b. e 320 est mesurée depuis les flancs 103a, 103b des diodes 100a, 100b jusqu’aux flancs internes 323 de la couche de passivation 320 opposés aux flancs 103a, 103b des diodes 100a, 100b. Le rôle de la couche de passivation 320 est d’isoler électriquement l’anode et la cathode d’une même diode 100a, 100b. Elle doit donc être suffisamment épaisse pour supporter la différence de potentiel entre l’anode et la cathode des diodes 100a, 100b lors du fonctionnement du dispositif 1 (typiquement supérieure à 4V). Pour limiter l’encombrement du dispositif, on évitera cependant d’augmenter inutilement l’épaisseur de la couche de passivation 320. Ainsi, typiquement, e 320 est comprise entre 50 et 100 nm. La surface intermédiaire 1001 et les flancs internes 1003 de la couche épitaxiée 1000 subissent de préférence à ce stade du procédé une étape de préparation de surface chimique, par exemple à base de fluorure d'hydrogène (HF), d’oxyde gravant tamponné (couramment désignée BOE, de l’anglais « Buffered Oxide Etch »), ou de hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH). Comme illustré aux figures 1E et 1F, une couche d’arrêt 310 à base d’un matériau métallique est ensuite déposée dans ce mode de réalisation contre le flanc interne 323 de la couche de passivation 320 et sur la surface intermédiaire 1001 de la couche épitaxiée 1000. La couche d’arrêt 310 métallique est de préférence déposée de façon conforme. Elle peut par exemple être à base de TiN ou de ITO. Elle peut également être composée d’un empilement de sous-couches d’AlSi et de TiN. Dans ce dernier exemple, la couche d’arrêt 310 métallique peut éventuellement comprendre un film d’accroche en Ti ou bien un film de contact en ITO. La couche d’arrêt 310 métallique présente un flanc externe 314 se trouvant en regard et de préférence au contact du flanc interne 323 de la couche de passivation 320. Elle présente par ailleurs un flanc interne 313, opposé à son flanc externe 314. La couche d’arrêt 310 métallique présente une épaisseur e 310 , mesurée selon la troisième direction Z pour ce qui est de sa portion recouvrant la surface intermédiaire 1001 de la couche épitaxiée 1000. Typiquement, son épaisseur est sensiblement la même ou inférieure dans ses portions recouvrant les flancs internes 323 de la couche de passivation 320. L’épaisseur e 310 de la couche d’arrêt 310 métallique est choisie en fonction du ou des matériaux la composant et notamment de leur sélectivité par rapport au matériau de la couche continue 200. Par exemple, dans le cas d’une couche d’arrêt 310 métallique à base d’ITO, e 310 peut être sensiblement égale à 60 nm. Lorsque la couche d’arrêt 310 métallique est à base de TiN, e 310 peut être sensiblement égale à 200 nm. La valeur de e 310 pour un matériau d’arrêt donné est déterminée notamment en fonction de la variation d’épaisseur totale (couramment désignée TTV, de l’anglais « Total Thickness Variation ») de la couche continue 200 apparaissant lors des étapes de fabrication, comme cela sera abordé plus avant. Les épaisseurs mentionnées ci-dessus ont été déterminées pour une valeur de TTV de 300 nm. La FIG. 1 et la FIG. 1 correspondent respectivement au dépôt de la couche d’arrêt 310 sur les ensembles illustrés aux figures 1C et 1D. Dans l’exemple illustré à la FIG. 1 , la couche d’arrêt 310 métallique est en contact avec la couche épitaxiée 1000 uniquement au niveau de sa surface intermédiaire 1001 (option 1). Dans le cas d’une couche épitaxiée 1000 à base de GaN cru depuis un substrat support 20 GaN sur Si, le contact entre la couche d’arrêt 310 métallique et la surface intermédiaire 1001 de la couche épitaxiée 1000 se fait en polarité Ga. Dans l’exemple illustré à la FIG. 1 , la couche d’arrêt 310 métallique est en outre en contact avec les flancs internes 1003 de la couche épitaxiée 1000 précédemment mis à jour par la surgravure (option 2). On crée ainsi une zone de contact supplémentaire, pouvant être désignée contact latéral, entre la couche d’arrêt 310 métallique et la couche épitaxiée 1000. Cet exemple permet ainsi d’augmenter la surface de contact entre la couche d’arrêt 310 métallique et la couche épitaxiée 1000. Lorsque la couche d’arrêt 310 métallique est à base de ITO, l’option 1 est privilégiée. Les figures 1G à 1K illustrent la suite du procédé dans le cas de l’option 1, mais il est entendu que les mêmes étapes s’appliquent lorsque la deuxième option est mise en œuvre. Comme illustré à la FIG. 1 , une ouverture 60 est ensuite formée dans la couche diélectrique 10 au-dessus de chaque diode 100a, 100b. Ces ouvertures 60 sont destinées à accueillir les premières électrodes 15a, 15b reliés électriquement aux diodes 100a, 100b. Les ouvertures 60 débouchent avantageusement sur la couche de contact 30. Elles sont typiquement formées par lithographie. Suite à la formation des ouvertures 60 dans la couche diélectrique 10, on dépose avantageusement contre les flancs et dans le fond de celles-ci une couche métallique secondaire 61 puis une couche miroir secondaire 63. La couche métallique secondaire 61 est de préférence à base du même matériau métallique que la couche d’arrêt 310 métallique. Dans ce cas, on peut prévoir de façon avantageuse que, lors du dépôt de la couche métallique secondaire 61, ce matériau soit à nouveau déposé dans la tranchée 50 afin d’augmenter l’épaisseur de la couche d’arrêt 310 métallique. Il est également envisageable que la couche d’arrêt 310 soit entièrement formée après la formation des ouvertures 60, en même temps que la couche métallique secondaire 61. Comme illustré à la FIG. 1 , une couche dite couche miroir 330 est avantageusement déposée dans la tranchée 50, de préférence de façon conforme. La couche miroir 330 présente des flancs externes 334 se trouvant en regard et de préférence au contact des flancs internes 313 de la couche d’arrêt 310 métallique. Elle présente par ailleurs des flancs internes 333, opposés à ses flancs externes 334. La couche miroir 330 est à base d’un matériau métallique tel que l’AlSi. La tranchée 50 et les ouvertures 60 sont ensuite remplies d’un matériau conducteur afin de former une couche métallique principale 350 dans la tranchée 50 et une première électrode 15a, 15b dans chaque ouverture 60. Pour cela, on peut tout d’abord procéder au dépôt de couches germes (non représentées, typiquement du type Ti/TiN/Cu), puis d’une brique de cuivre damascène réalisée par un remplissage avec du cuivre par dépôt électrochimique (couramment désigné ECD, de l’anglais « Electrochemical Deposition »). Un polissage mécano-chimique du Cu peut ensuite être mis en œuvre afin de libérer la face inférieure 12 de la couche diélectrique 10 de tout trace de Cu hors tranchée 50 et 60. Pour cela, le dépôt de la couche d’arrêt en deux temps comme illustré à la FIG. 1 /1H peut permettre un meilleur contrôle de l’arrêt de CMP. On dépose ensuite avantageusement une bicouche de passivation 10’, par exemple du type SiN/SiO2, puis on réalise une étape de lithographie et de gravure afin de définir des ouvertures traversantes dans la bicouche de passivation 10’. L’étape de gravure peut comprendre une première sous-étape de gravure du SiO 2 avec arrêt sur le SiN, puis une deuxième sous-étape de gravure du SiN avec arrêt sur le matériau constituant la couche métallique principale 350 et sur les premières électrodes 15a, 15b (typiquement du cuivre). Ces ouvertures débouchent sur la couche métallique principale 350 et sur les premières électrodes 15a, 15b. Une désoxydation douce du cuivre peut être réalisée à ce stade du procédé. Les ouvertures dans la bicouche 10’ sont ensuite remplies d’un matériau électriquement conducteur tel que le Cu, de préférence à nouveau à l’aide d’une stratégie de remplissage de type damascène. Une fois ces ouvertures remplies, on obtient l’ensemble illustré à la FIG. 1 . Cette étape permet de prolonger la couche métallique principale 350 et les premières électrodes 15a, 15b en faisant en sorte que leurs dimensions dans le plan transversal XY au niveau de la bicouche de passivation 10’ soient inférieures à leurs dimensions dans la couche diélectrique 10. Cela permet d’assurer la possibilité d’un collage hybride de l’ensemble avec un substrat support 20. Comme illustré par le passage de la FIG. 1 à la FIG. 1 , un substrat d’intérêt 5 est collé par collage hybride à la bicouche de passivation 10’, l’ensemble est retourné et le substrat support 20 est retiré. Le retrait du substrat support 20 peut par exemple se faire par une étape de polissage puis une étape de finition par gravure chimique. Des couches tampon présentes dans la couche épitaxiée 1000 peuvent également être retirées à ce stade du procédé. Ce retrait peut être effectué par gravure sèche ou par des procédés plus sélectifs impliquant un électro-polissage ou bien un arrêt sur une couche enterrée sélective. L’étape de gravure des couches tampon induit des variations d’épaisseur de la couche continue 200 (et donc de la couche épitaxiée 1000) selon la troisième direction Z. On peut ainsi déterminer une variation d’épaisseur total (TTV) de la couche continue 200. Le TTV d’une couche continue 200 après retrait de couches tampon à base d’AlN est typiquement de l’ordre de 300 nm. Enfin, on procède à la formation des lentilles 200a, 200b dans la couche continue 200. Pour ce faire, une résine peut être déposée sur la couche continue 200 puis structurée par une étape de lithographie à niveaux de gris ou bien une étape de reflux thermique. Dans les deux cas, la structuration de la résine selon une forme convexe est suivie d’une étape de gravure de la couche continue 200 au travers du masque de résine afin de transférer le motif de la résine dans la couche continue 200 et ainsi former les lentilles convexes 200a, 200b. La gravure est par exemple une gravure sèche. Il s’agit d’une gravure sélective entre le matériau constituant la couche continue 200 et le matériau d’arrêt. La gravure peut par exemple être à base de Cl 2 , d’un mélange Cl 2 /Ar, d’un mélange Cl 2 /BCl 3 , ou encore de CH 4 . Toutes ces chimies permettent de graver des lentilles 200a, 200b à base de GaN avec une très grande sélectivité par rapport à une couche d’arrêt 310 diélectrique, qu’elle soit à base d’un oxyde ou d’un nitrure. Les chimies à base de Cl 2 , d’un mélange Cl 2 /Ar et d’un mélange Cl 2 /BCl 3 , permettent de graver des lentilles à base de GaN avec une sélectivité satisfaisante par rapport à une couche d’arrêt métallique 310 à base de AlSi, TiN, ITO et AlSi/TiN. Une chimie à base de Ch4 peut également être employée dans le cas d’une couche d’arrêt 310 métallique à base de AlSi, TiN ou ITO. Dans le cas d’une couche d’arrêt 310 métallique à base de AlSi, une chimie à base de CH4 est même particulièrement préférée. Les paramètres de gravure autres que la chimie (tension de polarisation, flux de gaz…) sont adaptés de façon classique en fonction des matériaux constituant les lentilles 200a, 200b et la couche d’arrêt 310. Comme mentionné précédemment, l’épaisseur e 310 de la couche d’arrêt 310 est choisie en fonction du TTV anticipé pour la couche continue 200. Plus le TTV est important, plus l’épaisseur e 310 de la couche d’arrêt 310 est grande. Cela permet, lors de la gravure de formation des lentilles 200a, 200b, que la couche d’arrêt 310 absorbe ce TTV. La couche d’arrêt 310 permet ainsi de compenser le TTV de la couche continue 200, ce qui résulte en une bonne définition de la forme convexe des lentilles 200a, 200b et en une bonne uniformité de hauteur des lentilles convexes 200a, 200b, sans couche continue résiduelle entre deux lentilles Un deuxième exemple de procédé de fabrication d’un dispositif selon l’invention va être décrit en référence aux figures 2A à 2K. Les figures 2A, 2B, 2D, 2F, 2H et 2J illustrent les étapes permettant d’obtenir un dispositif selon le troisième exemple décrit précédemment. Les figures 2A, 2C, 2E, 2G, 2I et 2K illustrent quant à elles les étapes permettant d’obtenir un dispositif selon le quatrième exemple décrit précédemment. Les figures 2A à 2I illustrent un exemple de procédé d’obtention de l’empilement fourni en début de procédé selon l’invention. A nouveau, pour des raisons de clarté, les étapes illustrées par les figures 2A à 2K illustrent la fabrication d’un dispositif à deux diodes uniquement. Naturellement ces étapes peuvent permettre d’obtenir simultanément un réseau de diodes comprenant de nombreuses diodes recouvertes de lentilles à partir d’un même empilement initial. La FIG. 2 illustre la fourniture d’un ensemble similaire à celui représenté à la FIG. 1 . Il est obtenu par les mêmes étapes que celles décrites précédemment en référence aux figures 1A à 1C. Comme illustré aux figures 2B et 2C, dans ce mode de réalisation, une couche d’arrêt 310 à base d’un matériau diélectrique est ensuite déposée dans la tranchée 50. Ce matériau diélectrique peut notamment être choisi parmi les matériaux suivants : SiO 2 , SiN. La couche d’arrêt 310 diélectrique présente des flancs externes 314 se trouvant en regard des flancs internes 323 de la couche de passivation 320. Selon un premier exemple illustré à la FIG. 2 , la couche d’arrêt 310 diélectrique ne remplit pas entièrement la tranchée. Elle peut notamment être déposée de façon conforme contre les flancs internes 323 de la couche de passivation 320 et sur la surface intermédiaire 1001 de la couche épitaxiée 1000. La couche d’arrêt 310 diélectrique présente alors par ailleurs des flancs internes 313, opposés à ses flancs externes 314. Dans cet exemple, les flancs externes 314 de la couche d’arrêt 310 diélectrique se trouvent de préférence au contact des flancs internes 323 de la couche de passivation 320. Dans cet exemple, la portion de la couche d’arrêt 310 recouvrant la surface intermédiaire 1001 présente une épaisseur e 310 , mesurée selon la troisième direction Z. Dans le cas d’une couche d’arrêt 310 à base de SiO 2 ou de SiN, e 310 peut être sensiblement égale à 100 nm. Selon un deuxième exemple illustré à la FIG. 2 , la couche d’arrêt 310 est déposée à cette étape de façon à entièrement remplir la tranchée 50. Dans cet exemple, une couche miroir 330 et une deuxième couche métallique 340’ peuvent préalablement avoir été déposées contre les flancs internes 323 de la couche de passivation 320 et éventuellement partiellement sur la surface intermédiaire 1001 de la couche épitaxiée 1000. Ainsi, dans cet exemple, la couche d’arrêt 210 est typiquement séparée de la couche de passivation 320 par la couche miroir 330 et la deuxième couche métallique 340’. Dans le cadre du premier exemple, des ouvertures 70 sont ensuite formées dans la portion de la couche d’arrêt 310 recouvrant la surface intermédiaire 1001 ( FIG. 2 ). Elles permettent de partiellement mettre à jour cette surface 1001. Les ouvertures 70 sont séparées par une portion laissée en place de la couche d’arrêt 310, dite portion d’arrêt 310*. Les ouvertures 70 présentent typiquement dans le plan transversal XY une largeur l 70 de l’ordre de 1 µm. Dans le cadre du deuxième exemple, des ouvertures 80 sont ensuite formées dans la couche d’arrêt 310 ( FIG. 2 ). Ces ouvertures 80 traversent entièrement la couche d’arrêt 310 selon la troisième direction Z et permettent de partiellement mettre à jour la surface intermédiaire 1001. Les ouvertures 80 sont là aussi séparées par une portion laissée en place de la couche d’arrêt 310, dite portion d’arrêt 310*. Les ouvertures 80 présentent typiquement dans le plan transversal XY une largeur l 80 de l’ordre de 0,5µm à 1 µm. Comme illustré aux figures 2D et 2E, dans les deux exemples, on procède par ailleurs à la formation d’ouvertures 60 dans la couche diélectrique 10, comme dans le premier mode de réalisation. Comme illustré à la FIG. 2 , une couche miroir 330 et une couche métallique 340 peuvent être déposées de façon conforme dans la tranchée 50 et notamment dans les ouvertures 70. Ces couches 330, 340 recouvrent ainsi entièrement les flancs internes 313 de la couche d’arrêt 310 et ses flancs définis par la gravure des ouvertures 70. Elles recouvrent par ailleurs les portions de la surface intermédiaire 1001 accessibles par les ouvertures 70. Par ailleurs, on peut déposer en même temps contre les flancs et dans le fond des ouvertures 60 dans la couche diélectrique 10 une couche métallique secondaire 61 puis une couche miroir secondaire 63. La tranchée 50, y compris notamment les ouvertures 70, ainsi que les ouvertures 60 sont ensuite remplies d’un matériau conducteur afin de former une couche métallique principale 350 dans la tranchée 50 et une première électrode 15a, 15b dans chaque ouverture 60. Pour cela, on peut tout d’abord procéder au dépôt de couches germes (non représentées), puis d’une brique de cuivre damascène (typiquement du type Ti/TiN/Cu), et enfin réaliser un remplissage avec du cuivre par dépôt électrochimique (couramment désigné ECD, de l’anglais « Electrochemical Deposition »). Comme illustré à la FIG. 2 , dans le cadre du deuxième exemple, on peut également déposer de façon conforme une couche miroir 330 (non représentée) et une couche métallique 340 dans les ouvertures 80 aménagées dans la couche d’arrêt 310. On procède ensuite au remplissage par un matériau conducteur de ces ouvertures 80 ainsi que des ouvertures 60 dans la couche diélectrique 10 afin de former un élément métallique 350a, 350b dans chacune des ouvertures 80 et une première électrode 15a, 15b dans chacune des ouvertures 60. Cette étape peut être suivie d’une étape de polissage mécano-chimique avec arrêt sur la couche diélectrique 10. Comme dans le premier mode de réalisation, la couche métallique principale 350 ou les éléments métalliques 350a, 350b, et les premières électrodes 15a, 15b sont prolongées dans une bicouche de passivation 10’ déposée sur la couche diélectrique 10, un substrat d’intérêt 5 est collé par collage hybride à la bicouche de passivation 10’, l’ensemble est retourné et le substrat support 20 est retiré. On obtient ainsi l’ensemble illustré à la FIG. 2 (premier exemple) ou à la FIG. 2 (deuxième exemple). Les caractéristiques de ces étapes décrites dans le cadre du premier mode de réalisation peuvent s’appliquer mutatis mutandis dans ce deuxième mode de réalisation. Enfin, on procède à la structuration de la couche continue 200 de façon à former les lentilles convexes 200a, 200b, comme illustré par le passage d’une part de la FIG. 2 à la FIG. 2 (premier exemple) et d’autre part le passage de la FIG. 2 à la FIG. 2 (deuxième exemple). La formation des lentilles 200a, 200b se fait de la même façon que dans le cadre du premier mode de réalisation, avec cette fois une couche d’arrêt 310 diélectrique. Selon une variante avantageuse, le procédé selon l’invention comprend en outre la formation d’un mur secondaire 300’ surmontant le mur 300 et séparant la première lentille 200a de la deuxième lentille 200b, tel que décrit précédemment. Les figures 4A à 4D illustrent des étapes permettant de former un tel mur secondaire 300’. Ces figures représentent le dispositif 1 selon un mode de réalisation dans lequel la couche d’arrêt est à base d’un matériau métallique, mais il est entendu que l’ajout d’un mur secondaire 300’ peut être combiné avec n’importe quel autre mode de réalisation du dispositif 1 venant d’être décrit. Le procédé de fabrication décrit ci-dessous ne présente aucune incompatibilité avec un autre mode de réalisation du dispositif. Comme illustré par le passage de la FIG. 4 à la FIG. 4 , le dispositif 1 est tout d’abord recouvert d’une couche sacrificielle 500 à base d’un matériau sacrificiel, typiquement diélectrique (SiO2, matériau à faible constante diélectrique (en anglais « ultra-low k »), …). Une tranchée est ensuite formée dans la couche sacrificielle 500 par un procédé de lithographie. Cette tranchée traverse entièrement la couche sacrificielle 500 et débouche typiquement sur la face supérieure 301 du mur 300. La tranchée ne s’étend notamment pas dans les lentilles 100a, 100b. La tranchée est ensuite remplie d’un matériau absorbant tel que le TiN ou le Cu. Le remplissage est typiquement réalisé par un procédé électro-chimique. Comme illustré à la FIG. 4 , la couche sacrificielle 500 est ensuite retirée par un procédé chimique par voie humide. Par exemple, dans le cas où le matériau sacrificiel est le SiO2, le retrait peut se faire à l’aide d’une solution dite oxyde gravant tamponné (couramment désignée BOE, de l’anglais « Buffered Oxide Etch ») ou d’une solution de fluorure d'hydrogène (HF). Ce procédé de fabrication permet de former un mur secondaire 300’ présentant un rapport de forme élevé entre sa hauteur et sa largeur. A nouveau, il est entendu que les étapes venant d’être décrites permettant l’obtention d’un mur secondaire 300’ peuvent être mises en œuvre de façon à former simultanément plusieurs murs secondaires, chacun séparant deux lentilles convexes d’un réseau de nombreuses lentilles convexes. Toutes les caractéristiques décrites en référence au dispositif selon l’invention sont applicables au procédé selon l’invention, et inversement. A travers les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, il apparaît clairement que l’invention propose une solution efficace pour réduire la diaphonie optique dans une matrice de micro-LED tout en conservant de bonnes propriétés optiques du dispositif 1, notamment une bonne extraction lumineuse et une bonne directivité. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par l’invention. Dispositif optoélectronique (1) comprenant : un substrat (10’) présentant une face supérieure (11’) s’étendant principalement parallèlement à un plan dit plan transversal (XY), une matrice de diodes (100a, 100b, 100c, 100d, 100e) photoémettrices ou photoréceptrices disposées sur la face supérieure (11’) du substrat (10’), une première diode (100a) de la matrice étant surmontée d’une première lentille convexe (200a) et une deuxième diode (100b) de la matrice étant surmontée d’une deuxième lentille convexe (200b), la première lentille convexe (200a) et la deuxième lentille convexe (200b) étant à base d’un premier matériau, la première diode (100a) et la deuxième diode (100b) étant séparées, dans le plan transversal (XY), par un mur (300) présentant une face supérieure (301) en contact avec chacune de la première lentille (200a) et de la deuxième lentille (200b), caractérisé en ce que la première lentille (200a) et la deuxième lentille (200b) sont à distance l’une de l’autre, et en ce que le mur (300) comprend une couche d’arrêt (310) s’étendant au moins depuis une portion (301*) de la face supérieure (301) du mur (300) n’étant recouverte ni par la première lentille convexe (200a) ni par la deuxième lentille convexe (200b), la couche d’arrêt (310) étant à base d’un matériau, dit matériau d’arrêt, le premier matériau et le matériau d’arrêt étant tels que, pour au moins une chimie de gravure du premier matériau, la sélectivité de gravure entre le premier matériau et le matériau d’arrêt est supérieure ou égale à 3:1. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel la première diode (100a), la deuxième diode (100b), la première lentille convexe (200a) et la deuxième lentille convexe (200b) sont à base du même matériau, par exemple du GaN. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première diode (100a) et la deuxième diode (100b) présentent chacune un flanc (103a, 103b) défini par l’interface de ladite diode (100a, 100b) avec le mur (300), le dispositif (1) comprenant en outre un élément électriquement isolant (320 ; 315) s’étendant depuis le flanc (103a, 103b) de chacune de la première diode (100a) et de la deuxième diode (100b). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une couche métallique principale (350) en continuité électrique avec la première lentille convexe (200a) et avec la deuxième lentille convexe (200b). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre un premier élément métallique (350a) en continuité électrique avec la première lentille convexe (200a) et un deuxième élément métallique (350b) en continuité électrique avec la deuxième lentille convexe (200b), le premier élément métallique (350a) et le deuxième élément métallique (350b) étant isolés électriquement l’un de l’autre. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche d’arrêt (310) est à base d’un matériau métallique. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel la couche d’arrêt (310) s’étend depuis la face supérieure (301) du mur (300) sous chacune de la première lentille (200a) et de la deuxième lentille (200b), de préférence depuis toute l’étendue de la face supérieure (301) du mur (300). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche d’arrêt (310) est à base d’un matériau diélectrique. Dispositif (1) selon la revendication précédente en combinaison avec la revendication 3 dans lequel une partie de la couche d’arrêt (310) fait partie de l’élément électriquement isolant. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre un mur secondaire (300’) s’étendant au-dessus du mur (300), entre la première lentille (200a) et la deuxième lentille (200b), le mur secondaire (300’) s’étendant au moins autant que la première lentille convexe (200a) et la deuxième lentille convexe (200b), de préférence au-delà de la première lentille convexe (200a) et de la deuxième lentille convexe (200b), en s’éloignant de la face supérieure (301) du mur (300) selon une troisième direction (Z) perpendiculaire au plan transversal (XY), le mur secondaire (300’) se trouvant à distance de la première lentille (200a) et de la deuxième lentille (200b). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel chaque lentille convexe (200a, 200b) définit une surface convexe (201a, 201b), ladite surface convexe (201a, 201b) correspondant à une portion de la surface externe d’une sphère de diamètre D200, chacune de la première diode (100a) et de la deuxième diode (100b) présentant une dimension D100, D100 étant mesurée en projection dans le plan transversal (XY), perpendiculairement au projeté du mur (300) dans le plan transversal (XY), avec D200≥2*D100. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première lentille convexe (200a) et la deuxième lentille convexe (200b) sont surmontées d’une couche anti-reflet (400). Procédé de fabrication d’un dispositif électronique (1) comprenant les étapes suivantes : Fournir un empilement (2) comprenant : un substrat (10’) présentant une face supérieure (11’) s’étendant principalement parallèlement à un plan dit plan transversal (XY), une matrice de diodes (100a, 100b, 100c, 100d) photoémettrices ou photoréceptrices disposées sur la face supérieure (11’) du substrat (10’), une première diode (100a) de la matrice et une deuxième diode (100b) de la matrice étant séparées, dans le plan transversal (XY), par un mur (300) présentant une face supérieure (301), le mur (300) comprenant une couche d’arrêt (310) s’étendant au moins partiellement depuis une portion au moins de la face supérieure (301) du mur (300), la couche d’arrêt (310) étant à base d’un matériau dit matériau d’arrêt, une couche continue (200) à base d’un premier matériau, recouvrant au moins la première diode (100a), la face supérieure (301) du mur (300) et la deuxième diode (100b), Former dans la couche continue (200) une première lentille convexe (200a) surmontant la première diode (100a) et une deuxième lentille convexe (200b) surmontant la deuxième diode (100b), la première lentille convexe (200a) et la deuxième lentille convexe (200b) étant à distance l’une de l’autre, la formation de la première lentille convexe (200a) et de la deuxième lentille convexe (200b) comprenant une gravure sélective du premier matériau vis-à-vis du matériau d’arrêt, la sélectivité de gravure entre le premier matériau et le matériau d’arrêt étant supérieure ou égale à 3:1. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la première diode (100a), la deuxième diode (100b) et la couche continue (200) sont à base du même matériau. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la fourniture de l’empilement comprend les étapes suivantes : Fournir un empilement initial comprenant : La couche continue (200), Une couche active continue (100), Le substrat (10’), Réaliser une gravure dite de singularisation depuis une face inférieure (12’) du substrat (10’) opposée à sa face supérieure (11’) jusque dans le substrat (10’), de manière à former la première diode (100a) et la deuxième diode (100b) dans la couche active continue (100), et à former une tranchée (50) entre la première diode (100a) et la deuxième diode (100b), Former la couche d’arrêt (310) dans la tranchée (50). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la première diode (100a) et la deuxième diode (100b) présentent chacune un flanc (103a, 103b) défini par l’interface de ladite diode (100a, 100b) avec la tranchée (50), le procédé comprenant en outre les étapes suivantes : Former dans la tranchée (50) un élément électriquement isolant s’étendant depuis les flancs (103a, 103b) de la première diode (100a) et de la deuxième diode (100b), Remplir au moins partiellement la tranchée (50) avec un matériau électriquement conducteur.