FR 3155540 A1 20250523 FR 2312742 A 20231120 L’invention porte sur un procédé de réalisation par dépôt CVD thermique d’une couche mince de bore amorphe pure. Pour cela, on utilise un gaz porteur inerte à la réaction de dissociation du B 2 H 6 et la température de dépôt est inférieure ou égale à 550°C. Figure pour l’abrégé : Fig. 2A procede de realisation par dépôt cvd thermique d’une couche mince de bore amorphe Le domaine de l’invention est celui des procédés de réalisation d’une couche mince par dépôt chimique en phase gazeuse thermique. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Dans certaines applications micro ou optoélectronique, il est nécessaire de réaliser une couche mince en un matériau qui soit à la fois un bon isolant électrique et un bon isolant thermique. Une telle couche mince doit également pouvoir être déposée de manière conforme sur un support en silicium ou en un oxyde de silicium, entre autres. De plus, un tel matériau doit pouvoir être déposé à une température inférieure ou égale à 550°C, voire à 400°C, de manière à être compatible avec de nombreuses technologies (par exemple pour ne pas entamer le budget thermique d’un circuit CMOS sous-jacent). C’est le cas notamment dans le domaine des détecteurs thermiques, ou microbolomètres, qui comportent une membrane absorbante suspendue au-dessus d’un substrat de lecture par des piliers d’ancrage et des bras de maintien. Ces derniers assurent l’isolation thermique de la membrane absorbante et comportent des pistes conductrices de polarisation destinées à polariser électriquement un transducteur thermomètre situé dans la membrane absorbante. Les pistes conductrices peuvent alors être situées entre deux couches minces réalisées en un matériau isolant électriquement et thermiquement, lequel peut être du silicium amorphe déposé par voie chimique en phase vapeur. Cependant, il apparaît qu’une couche mince de silicium amorphe non intentionnellement dopé, déposée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), peut voir ses propriétés d’isolation électrique et thermique être dégradées lors d’un traitement thermique ultérieur réalisé par exemple à 400°C, en particulier lorsque la température dudit traitement thermique ultérieur est supérieure à la température à laquelle le dépôt PECVD a été réalisé. De manière à améliorer la stabilité thermique du silicium amorphe, on peut chercher à le déposer par CVD thermique (non assisté par plasma). Cependant, pour ne pas avoir à le déposer à trop haute température, on peut utiliser du B 2 H 6 comme catalyseur de la réaction de dissociation du Si 2 H 6 . Cependant, il apparaît que du bore est incorporé comme dopant dans la couche mince de silicium amorphe déposée, ce qui conduit à une dégradation des propriétés d’isolation électrique. Il existe donc un besoin de disposer d’un procédé de réalisation par dépôt CVD d’une couche mince en un matériau qui présente de bonnes propriétés d’isolation électrique (résistivité électrique ρ EL supérieure à 50 Ω.cm, voire à 2000 Ω.cm) et d’isolation thermique (conductivité thermique σ TH inférieure à 1.8 W.m -1 .K -1 ), à une température inférieure ou égale à 550°C et de préférence à 400°C, dont les propriétés d’isolation sont préservées à la suite d’un traitement thermique ultérieur à 400°C par exemple. On connaît par ailleurs l’article scientifique de Sarubbi et al. intitulé Chemical Vapor Deposition of a-Boron Layers on Silicon for Controlled Nanometer-Deep p+n Junction Formation , Journal of Electronic Materials, Vol.39, No.2, 2010 qui décrit la réalisation par dépôt CVD d’une couche mince de bore amorphe déposée sur un substrat en silicium. Cependant, le matériau déposé ne présente pas les propriétés d’isolation électrique souhaitées. De plus, le bore amorphe n’a pas pu être déposé sur un oxyde de silicium. Enfin, la vitesse de dépôt est très faible, et la couche mince n’est pas déposée de manière conforme. L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un procédé de réalisation par dépôt CVD d’une couche mince d’un matériau qui présente de bonnes propriétés d’isolation électrique et thermique, et dont les propriétés d’isolation restent importantes à la suite d’un traitement thermique ultérieur. Pour cela, l’objet de l’invention est un procédé de réalisation par dépôt CVD d’une couche mince de bore amorphe pur sur un substrat support, comportant une étape d’injection, dans une enceinte de dépôt d’un réacteur CVD, d’un gaz précurseur de B 2 H 6 dilué dans un gaz porteur, à une température de dépôt prédéfinie. Selon l’invention, le gaz porteur est inerte à une réaction de dissociation du B 2 H 6 , et la température de dépôt est inférieure ou égale à 550°C. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants. La température de dépôt peut être inférieure ou égale à 400°C. Le gaz porteur peut être choisi parmi l’argon (Ar) et/ou l’azote (N 2 ). Le mélange gazeux présent dans l’enceinte de dépôt, formé du gaz précurseur et du gaz porteur, peut présenter une pression totale inférieure ou égale à 10 Torr. La pression totale peut être comprise entre 1 Torr et 10 Torr. Le gaz précurseur peut présenter une pression partielle inférieure ou égale à 100 mTorr. La pression partielle du gaz précurseur peut être comprise entre 1 mTorr et 100 mTorr. Le substrat support peut présenter une face supérieure, sur laquelle repose la couche mince de bore amorphe, réalisée en un matériau à base de silicium. La face supérieure du substrat support peut être en silicium, en un oxyde de silicium, en un nitrure de silicium, en alumine Al 2 O 3 , en titane Ti, en nitrure de titane TiN, ou en un oxynitrure de titane TiO x N y . L’invention porte également sur une structure comportant un substrat support et une couche mince de bore amorphe reposant sur et au contact du substrat support, dans lequel la couche mince présente : une résistivité électrique ρ EL au moins égale à 50 Ω.cm, et de préférence au moins égale à 2000 Ω.cm ; une conductivité thermique σ TH au plus égale à 1.8 W/m/K. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la FIG. 1 est une vue schématique et partielle d’un exemple d’équipement de dépôt CVD d’une couche mince de bore amorphe selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des images d’une couche mince de bore amorphe déposée sur le substrat support dont la face supérieure est plane. Il s’agit d’images obtenues par microscopie électronique en transmission à balayage (STEM pour Scanning Transmission Electron Microscopy, en anglais), respectivement en champ clair et en champ sombre ; la FIG. 3 et la FIG. 3 sont des images d’une couche mince de bore amorphe déposée sur le substrat support structuré. Il s’agit, pour la FIG. 3 , d’une image STEM en champ sombre de type annulaire grand angle, et pour la FIG. 3 , d’une image STEM avec analyse chimique par spectrométrie à rayon X à énergie dispersive ; la FIG. 4 , la FIG. 4 et la FIG. 4 sont des vues en coupe transversale, schématique et partielle, d’un empilement d’une couche mince de bore amorphe déposée à partir d’un substrat support, selon différentes variantes de réalisation. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l’ordre de » signifient à 10% près, et de préférence à 5% près. Par ailleurs, les termes « compris entre … et … » et équivalents signifient que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. L’invention porte sur la réalisation par dépôt chimique en phase vapeur (CVD, pour Chemical Vapor Deposition , en anglais), et plus précisément par CVD thermique, d’une couche mince de bore amorphe qui présente une résistivité électrique au moins égale à 50 Ω.cm, et de préférence au moins égale à 2000 Ω.cm, et une conductivité thermique au plus égale à 1.8 W.m -1 .K -1 . Par dépôt CVD thermique, on entend un dépôt CVD ayant l’énergie thermique comme source d’énergie pour mettre en œuvre les réactions chimiques (dissociation du B 2 H 6 ). Ainsi, le substrat est porté à une température qui dépend de la température de dépôt souhaitée. En revanche, le mélange gazeux peut être injecté à température ambiante. Le dépôt CVD n’est donc pas assisté par plasma. Par couche mince de bore, on entend que la couche mince ne comporte sensiblement que des atomes de bore. Une concentration atomique résiduelle d’hydrogène est toutefois possible mais reste faible (d’autant plus faible que la température de dépôt est élevée), par exemple de l’ordre de 5%at pour une température de 388°C. Quoi qu’il en soit, il ne s’agit pas de nitrure ou carbure de bore, ni d’un composé binaire de type B x Si 1-x , où x est la proportion atomique de bore. Par bore amorphe, on entend que la couche mince ne contient pas de phase cristalline (plus précisément, lorsque le diagramme de diffraction du microscope électronique en transmission (TEM) ne révèle pas de cristallite). Les inventeurs ont mis en évidence que, sous certaines conditions opératoires, c’est-à-dire lorsque le gaz porteur est inerte à la réaction de dissociation du B 2 H 6 , et que la température de dépôt, à laquelle est porté le porte-substrat sur lequel repose le substrat support, est au plus égale à 550°C (par exemple comprise entre 250°C et 550°C), et de préférence au plus égale à 400°C, une couche mince de bore amorphe est déposée sur le substrat support, qui présente alors de bonnes propriétés d’isolation électrique et d’isolation thermique. Ces propriétés d’isolation restent élevées à la suite d’un traitement thermique ultérieur, par exemple à 400°C pendant au moins 1h. La FIG. 1 illustre un exemple d’un équipement 1 de dépôt CVD pouvant être utilisé pour mettre en œuvre le procédé selon l’invention. L’équipement 1 comporte un réacteur CVD 2 dont une enceinte de dépôt est raccordée à une source 3 de gaz précurseur ici dilué dans un gaz porteur. Une source 4 d’un gaz diluant est également raccordée à l’enceinte de dépôt. Les lignes fluidiques peuvent contenir des vannes 5 et des débitmètres 6. Une jauge de pression 7 est raccordée à l’enceinte de dépôt pour y mesurer la pression totale du mélange gazeux présent. Une ligne fluidique d’évacuation est raccordée à un orifice de sortie de l’enceinte de dépôt, et comporte ici une vanne de régulation 9 et une pompe 10 à vide primaire. La vanne de régulation 9 permet de contrôler précisément la pression totale dans l’enceinte de dépôt. L’enceinte de dépôt comporte un porte-substrat 8 qui est porté à la température de dépôt souhaitée. Le porte-substrat 8 peut recevoir des substrats de grande dimension comme des substrats de 200 mm de diamètre. On peut ainsi y placer le substrat support sur lequel la couche mince de bore amorphe sera déposée. Par ailleurs, le mélange gazeux (gaz précurseur et gaz porteur) peut être injecté dans l’enceinte de dépôt de manière à assurer une répartition homogène des gaz dans l’enceinte, notamment au voisinage du substrat support. Le gaz précurseur est du B 2 H 6 . Il peut être stocké dans la source 3, par exemple dilué dans le gaz porteur avec une dilution prédéfinie, par exemple ici de 1%. Le débitmètre massique 6 permet de contrôler précisément le débit d’alimentation de ce mélange gazeux. A titre d’exemple, le débit d’alimentation peut être compris entre 0 et 1300 sccm ( standard cubic centimeter per minute , en anglais). De manière connue, l’unité sccm correspond à une unité de débit du gaz en cm 3 /min, à une densité définie par des conditions standards de température (0°C) et de pression (1 atm, soit 760 Torr). Le gaz porteur est un gaz inerte dans la réaction de dissociation du B 2 H 6 , appelé gaz neutre. Il est choisi parmi l’argon Ar et/ou l’azote N 2 . Dans cet exemple, le gaz porteur est présent dans la première source 3 et assure une première dilution du gaz précurseur, ici avant de l’introduire dans l’enceinte du réacteur 2. Le gaz porteur est également présent dans la deuxième source 4 et assure une dilution supplémentaire du gaz précurseur, ici dans l’enceinte de dépôt, de manière à modifier simplement la pression partielle du gaz précurseur B 2 H 6 . Le gaz porteur des deux sources peut être identique ou différent. Autrement dit, dans l’enceinte de dépôt, le gaz précurseur B 2 H 6 est dilué dans un gaz porteur qui peut être formé d’une seule espèce chimique (par exemple Ar ou N 2 ) ou de plusieurs espèces chimiques (par exemple Ar et N 2 ). Quoi qu’il en soit, le gaz porteur est inerte dans la dissociation du B 2 H 6 . Il est également possible d’alimenter l’enceinte en le seul gaz porteur, par exemple lors d’une étape préalable de thermalisation du substrat support avant l’étape de dépôt. L’équipement 1 est adapté à maintenir la pression totale constante dans l’enceinte de dépôt, tant lors de l’étape préalable de thermalisation que lors de l’étape de dépôt. Cela contribue à améliorer l’homogénéité en épaisseur de la couche mince déposée. Le substrat support est placé sur le porte-substrat 8. Il présente une face supérieure sur laquelle la couche mince de bore amorphe est déposée. Cette face supérieure peut être plane ou non. Elle peut être formée d’un même matériau ou de différents matériaux. A titre d’exemple, elle peut être en silicium (amorphe ou cristallin), en un oxyde de silicium (stœchiométrique SiO 2 tel qu’obtenu par exemple par oxydation thermique du silicium, ou non-stœchiométrique SiO x tel qu’obtenu par exemple par dépôt PECVD d’un précurseur en orthosilicate de tétraéthyle appelé TEOS), voire même en un nitrure de silicium SiN x , en l’alumine Al 2 O 3 , en titane Ti, en nitrure de titane TiN, en un oxynitrure de titane TiO x N y , entre autres. Le procédé de réalisation de la couche mince de bore amorphe peut ainsi comporter une étape préalable de thermalisation du substrat, suivie de l’étape de dépôt. Ainsi, lors de l’étape de thermalisation, le gaz porteur seul est introduit dans l’enceinte de dépôt. La pression totale dans l’enceinte (pression de thermalisation) peut être égale à la pression totale de dépôt. Le porte-substrat, sur lequel repose le substrat support, est porté à une température qui dépend de la température de dépôt, laquelle est au plus égale à 550°C, par exemple comprise entre 250°C et 550°C, et de préférence au plus égale à 400°C. Puis, le mélange gazeux formé du précurseur B 2 H 6 dilué dans le gaz porteur (de préférence l’argon Ar et/ou l’azote N 2 ) est introduit dans l’enceinte de dépôt avec un débit massique de dépôt prédéfini. La pression totale de dépôt et la température de dépôt présentent des valeurs constantes prédéfinies. Le porte-substrat, sur lequel repose le substrat support, est porté à une température de dépôt au plus égale à 550°C, et de préférence comprise entre 250°C et 550°C. Il apparaît que, dans ces conditions, une couche mince de bore pur amorphe est déposée sur le substrat support. Celle-ci présente alors de bonnes propriétés d’isolation électrique et thermique. De plus, ces propriétés d’isolation électrique et thermique restent présentes à la suite d’un traitement thermique ultérieur, par exemple un recuit à 400°C pendant 3h, en particulier lorsque ce traitement thermique est réalisé à une température supérieure à la température de dépôt. Notons que la couche mince déposée est dense et homogène, c’est-à-dire sans les microstructures colonnaires qui sont présentes généralement dans les couches minces obtenues par PVD, et s’étend de manière conforme sur le substrat support et ses éventuelles variations topologiques. La pression totale est de préférence très inférieure à la pression atmosphérique (dépôt CVD basse pression), par exemple comprise entre 1 Torr et 10 Torr, par exemple comprise entre 1.4 Torr et 9 Torr. A titre d’exemple, la pression totale peut être égale à 7 Torr. Il s’agit donc d’un dépôt CVD basse pression, dans le sens où la pression totale du mélange gazeux dans l’enceinte est de l’ordre de quelques torrs, de préférence au plus 10 Torr, et non pas plusieurs dizaines à centaines de torrs. De préférence, le gaz précurseur B 2 H 6 est dilué dans le gaz porteur à 1% ou moins (par exemple à 0.1%), de sorte qu’il présente une pression partielle comprise entre 10 mTorr et 100 mTorr, par exemple comprise entre 14 mTorr et 90 mTorr. Un apport supplémentaire d’un gaz porteur pur (sans B 2 H 6 ) est possible pour réduire la pression partielle du B 2 H 6 , qui peut par exemple alors être comprise entre 1mTorr et 10mTorr, par exemple 1.4 mTorr et 9 mTorr. Le procédé permet d’élaborer des couches minces de bore amorphe avec une vitesse de dépôt élevée, qui passe de 0,5 nm/min à 122 nm/min quand la température de dépôt varie de 250°C à 550°C. Elle peut ainsi être de l’ordre de 50 nm/min, ce qui, curieusement, est près de 100 fois plus élevé que la vitesse de dépôt attendue. Cette vitesse de dépôt élevée permet donc de réduire le temps d’utilisation du réacteur, de réduire la consommation des gaz nécessaires au dépôt, et par conséquent permet de réduire le coût de l’opération. La couche mince de bore amorphe peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 300 nm, voire même jusqu’à 1 µm, avec une uniformité d’épaisseur suffisante. La couche mince de bore amorphe présente une résistivité électrique élevée, c’est à dire dont la résistivité électrique ρ EL est au moins égale à 50 Ω.cm, et de préférence au moins égale à 2000 Ω.cm. De plus, il apparaît qu’une telle couche mince peut être formée sur un substrat support sans qu’il y ait un caractère sélectif vis-à-vis du matériau de la face supérieure. Comme indiqué précédemment, une face supérieure en silicium, en oxyde ou nitrure de silicium, entre autres, peut être utilisée pour le dépôt de la couche mince de bore amorphe. Cet effet est surprenant et va à l’encontre de l’enseignement de l’article de Sarubbi et al. 2009 où le dépôt sur un oxyde de silicium n’était pas possible. Ce caractère non sélectif au dépôt décuple les possibilités d’utilisation du procédé, dans le sens où il permet de fabriquer des composants nécessitant plusieurs autres matériaux, sans contrainte sur le choix de ces autres matériaux. Par ailleurs, il s’agit d’un dépôt conforme, de sorte que la couche mince peut recouvrir une face supérieure du substrat support qui aurait une topologie tridimensionnelle (reliefs, marches, mésas…), tout en gardant une épaisseur suffisante pour que la couche mince reste continue (cf. plus loin en référence aux FIG. 3 et 3B). Enfin, le matériau déposé est résistant à l’acide fluorhydrique (HF) en phase vapeur ou liquide qui peut être ultérieurement utilisé, notamment dans le cadre de la suppression de couches sacrificielles en oxyde de silicium. Après une durée de dépôt prédéfinie et l’obtention de la couche mince de bore amorphe, l’enceinte est purgée, et le substrat support peut être retiré de l’enceinte de dépôt et revenir à la température ambiante. Les figures 2A et 2B illustrent deux images d’une couche mince 21 de bore amorphe déposée sur le substrat support 20 dont la face supérieure est plane. Il s’agit d’images obtenues par microscopie électronique en transmission à balayage (STEM pour Scanning Transmission Electron Microscopy , en anglais), respectivement en champ clair et en champ sombre. La couche mince 21 de bore amorphe présente une épaisseur de 50 nm, et est déposée sur une couche mince de SiO 2 de 500 nm obtenue par oxydation thermique d’un substrat en silicium cristallin. Cette couche mince 21 a été formée avec une pression totale de 7 Torr, une pression partielle de B 2 H 6 de 70 mTorr, à une température de dépôt de 388°C, et en utilisant de l’argon seul comme gaz porteur. Ces images montrent une couche mince 21 de bore amorphe homogène, sans microstructure colonnaire. Elles montrent également une interface nette et abrupte entre le SiO 2 du substrat support 20 et la couche mince 21 de bore amorphe, sans la présence d’agrégats à l’interface qui résulteraient d’un démarrage de croissance non uniforme à la surface de la face supérieure en SiO 2 . Par ailleurs, ces images STEM ne révèlent la présence d’aucune cristallite dans la couche mince 21 de bore amorphe, ce qui indique que la couche mince déposée est bien du bore totalement amorphe. La couche mince 21 de bore amorphe d’épaisseur 50 nm présente ici une résistivité électrique ρ EL mesurée à température ambiante (300°K) égale à 1.7×10 4 Ω.cm, donc nettement au-delà de 50 Ω.cm, voire de 2000 Ω.cm. Cela permet de fabriquer un large éventail de dispositifs électriques qui pourront utiliser ce matériau pour ses propriétés d’isolation électrique. De plus, il apparaît que la résistivité électrique reste élevée après un traitement thermique ultérieur. Ainsi, la couche mince de bore amorphe d’épaisseur 50 nm obtenue à une température de dépôt de 380°C environ, ayant une résistivité électrique de 1.7×10 4 Ω.cm, conserve une résistivité élevée, égale à 1.1×10 4 Ω.cm, ou égale 7.5×10 3 Ω.cm, après un traitement thermique sous N 2 réalisé respectivement à 380°C pendant 3h, ou à 400°C pendant 3h. La stabilité des propriétés électriques de la couche mince en bore amorphe présente ainsi une stabilité plus importante que celle d’une couche mince de silicium amorphe qui aurait une résistivité initiale similaire. De plus, la couche mince de bore amorphe présente une conductivité thermique σ TH -1 .K -1 . Ainsi, pour une couche mince de bore amorphe d’épaisseur comprise entre 30 nm et 90 nm élaborée selon le procédé à une température de dépôt choisie par exemple à 380°C environ, la conductivité thermique σ TH mesurée à température ambiante (300°K) est typiquement égale à 1.5 W.m -1 .K -1 , donc nettement inférieure à la valeur maximale souhaitée pour fabriquer un large éventail de dispositifs dont le fonctionnement requière un élément thermiquement isolant. Cette propriété d’isolation thermique σ TH -1 .K -1 est en outre conservée après un traitement thermique sous vide à une température de 400°C pendant 3h. À titre d’exemples, des essais ont été effectués en changeant la composition du gaz porteur. Ainsi, une couche mince de bore amorphe est réalisée en injectant du B 2 H 6 avec un débit massique de 1100 sccm dilué à 1% dans de l’argon comme gaz porteur initial. Un deuxième gaz (gaz diluant qui participe à former le gaz porteur), ici de l’argon également, est injecté avec un débit massique de 1000 sccm. La température de dépôt est de 388°C et la pression totale est de 7 Torr. La pression partielle de B 2 H 6 est donc de 1100x0.01/2100×7 = 36.7 mTorr environ. La couche mince de bore amorphe présente alors une résistivité électrique ρ EL égale à 10.6 kΩ.cm environ, et la vitesse de dépôt est égale à 44 nm/min. Dans le cas où le deuxième gaz diluant est de l’azote injecté également à 1000 sccm, le gaz porteur est donc un mélange d’argon et d’azote. On obtient ici une couche mince de bore amorphe de résistivité électrique ρ EL égale à 10.2 kΩ.cm environ, déposée à une vitesse de dépôt de 45 nm/min. Ainsi, il apparaît que la nature du gaz porteur ne modifie pas les propriétés de la couche mince déposée. D’autres essais ont également été effectués où on fait varier la pression partielle du B 2 H 6 . Ils sont effectués à une température de dépôt de 388°C, et à une pression totale de 7 Torr. Le gaz précurseur est du B 2 H 6 dilué à 1% dans de l’argon comme gaz porteur, et un gaz diluant, ici de l’argon également, est injecté à 1000 sccm. Les résultats sont résumés dans le tableau ci-dessous. On remarque que la résistivité électrique ρ EL est particulièrement élevée, et augmente à mesure que la pression partielle de B 2 H 6 augmente. Débit massique B 2 H 6 dilué à 1% dans Ar Pression partielle B 2 H 6 Vitesse de dépôt Résistivité ρ EL 20 sccm 1.37 mTorr 5.25 nm/min 1.07 kΩ.cm 100 sccm 6.36 mTorr 11.2 nm/min 1.92 kΩ.cm 250 sccm 14 mTorr 18.4 nm/min 2.85 kΩ.cm 500 sccm 23.3 mTorr 29.0 nm/min 3.29 kΩ.cm 1000 sccm 36.7 mTorr 44.0 nm/min 10.6 kΩ.cm Enfin, d’autres essais ont été effectués où on fait varier la pression partielle du B 2 H 6 ainsi que la température de dépôt. La pression totale reste égale à 7 Torr. Les résultats sont résumés dans le tableau ci-dessous. On remarque que la résistivité électrique ρ EL reste élevée, et l’est particulièrement (plus de 100 kΩ.cm) lorsque la température est plus faible (300°C). Débit massique B 2 H 6 dilué à 1% dans Ar Gaz diluant (Ar) Pression partielle B 2 H 6 Température de dépôt Vitesse de dépôt Résistivité ρ EL 1100 sccm 0 70 mTorr 550°C 122 nm/min 51.3 Ω.cm 1100 sccm 0 70 mTorr 300°C 6.3 nm/min 712 kΩ.cm 20 sccm 1000 sccm 1.37 mTorr 550°C 6.2 nm/min 644 Ω.cm 20 sccm 1000 sccm 1.37 mTorr 300°C 1.5 nm/min 134 kΩ.cm Il apparaît donc que le procédé selon l’invention présente des avantages bien différents de l’enseignement présenté dans l’article de Sarubbi et al. 2009, en particulier en ce qui concerne la résistivité électrique ρ EL . Ainsi, une couche mince de bore amorphe, déposée à une température de dépôt de 550°C et avec une pression partielle de B 2 H 6 de 1.37 mTorr, présente une résistivité électrique ρ EL de 644 Ω.cm, soit plus de 20000 fois supérieur à la résistivité électrique de 0.03 Ω.cm qui peut être déduite des essais de Sarubbi et al. 2009. De plus, la vitesse de dépôt est alors de 6.2 nm/min, ce qui est curieusement très élevé. Et la couche mince de bore amorphe présente une densité homogène et d’épaisseur uniforme, ce qui n’est pas obtenu par Sarubbi et al. 2009. Enfin, le procédé permet de déposer la couche mince de bore amorphe sur toute sorte de matériau, dont l’oxyde de silicium, alors que cela n’a pas été obtenu par Sarubbi et al. 2009. Les figures 3A et 3B illustrent deux images d’un empilement de couches minces déposées sur le substrat support 20 structuré (face supérieure non plane). Il s’agit, pour la FIG. 3 , d’une image STEM en champ sombre de type annulaire grand angle (HAADF, pour High Angle Annular Dark Field , en anglais), et pour la FIG. 3 , d’une image STEM avec analyse chimique par spectrométrie à rayon X à énergie dispersive (EDX, pour Energy Dispersive X-Ray Spectrometry en anglais). Le substrat support 20 comprend une couche mince en SiO 2 structurée pour former une première marche 25, et une première couche intermédiaire 22 de 20 nm environ en nitrure de titane TiN, déposée au-dessus de la couche mince 20 de SiO 2 , puis structurée par gravure (avec une gravure partielle de la face supérieure du SiO 2 sur une profondeur de l’ordre de 15 nm) pour former une deuxième marche 26 sensiblement plus abrupte que la première marche 25 et d’une hauteur totale égale à 35 nm (20 + 15 nm). On dépose ensuite une première couche mince 21 de bore amorphe d’environ 45 nm d’épaisseur. On voit que l’épaisseur est continue et uniforme au niveau du passage de la deuxième marche 26 (dépôt conforme). La première couche mince 21 de bore est alors structurée par gravure localisée pour former une troisième marche 27 d’une hauteur égale à l’épaisseur de la première couche mince 21 de bore amorphe (45 nm environ). Puis, une deuxième couche intermédiaire 23 de même nature que la première couche intermédiaire 22, mais d’épaisseur inférieure (8 nm environ) est alors déposée. Cette deuxième couche intermédiaire 23, utilisée ici pour mieux révéler les interfaces entres les différentes couches minces de l’empilement, est déposée par dépôt physique en phase vapeur (PVD), et montre comme attendu un dépôt peu conforme avec une épaisseur déposée sur le flanc de la troisième marche 27 sensiblement inférieure à l’épaisseur déposée sur la face supérieure de la première couche mince 21 de bore amorphe. Une deuxième couche mince 24 de bore amorphe est alors déposée avec une épaisseur de 45 nm environ, et montre une épaisseur uniforme (dépôt conforme) sur le flanc de la troisième marche 27, contrairement à la couche intermédiaire 23 élaborée par dépôt PVD. Il en résulte que le procédé permet d’obtenir une première couche mince 21 de bore amorphe avec une épaisseur uniforme sur la deuxième marche 26 abrupte de 35 nm, et une deuxième couche mince 24 de bore amorphe avec une épaisseur uniforme sur l’ensemble des trois marches : une première marche 25 non abrupte, une deuxième marche 26 abrupte de hauteur 35 nm, et une troisième marche 27 abrupte de 53 nm environ. Par ailleurs, cette image EDX confirme également la nature sensiblement pure du bore amorphe déposé (concentration atomique de bore au moins égale à 95% pour un dépôt CVD à 380°C, et concentration atomique résiduelle d’hydrogène de 5% ou moins). Les figures 4A à 4C sont des vues en coupe transversale, schématique et partielle, d’un empilement d’une couche mince 21 de bore amorphe déposée à partir d’un substrat support 20, selon différentes variantes de réalisation. Il peut être avantageux de réaliser un empilement comportant la couche mince 21 de bore amorphe (a-B) avec une couche mince comprenant un composé binaire amorphe de bore et de silicium a-B x Si 1-x , où x et 1-x représentent respectivement la proportion atomique de bore et de silicium dans le composé binaire. Les deux couches peuvent être déposées dans le même réacteur au cours d’un même procédé enchaînant deux étapes de dépôt pour former respectivement les deux couches en question. En référence à la FIG. 4 , l’empilement comporte, du bas vers le haut, le substrat support 20, la couche mince 21 de bore amorphe, et une couche mince 28 de a-B x Si 1-x , déposée sur et au contact de la couche mince 21 de bore amorphe. Dans ce cas, la couche mince 28 en a-B x Si 1-x recouvre entièrement la couche mince 21 de bore amorphe. Cet arrangement peut être utilisé pour protéger la couche mince 21 de bore amorphe, vis-à-vis par exemple d’un agent chimique qui attaquerait le bore amorphe. La couche mince 28 en a-B x Si 1-x peut aussi être prévue pour améliorer l’adhérence avec des couches tierces qui seront déposées au-dessus des couches issues du procédé. En général, une couche mince en a-B x Si 1-x d’une épaisseur de l’ordre de 3 nm à 10 nm peut suffire pour réaliser ces fonctions, mais toutes épaisseurs supérieures peuvent aussi convenir. En référence à la FIG. 4 , l’empilement comporte, du bas vers le haut, le substrat support 20, une couche mince 29 en a-B x Si 1-x , puis la couche mince 21 de bore amorphe. On peut d’ailleurs considérer que la couche mince 29 en a-B x Si 1-x est une sous-couche supérieure du substrat support 20. La couche mince 29 en a-B x Si 1-x peut être utilisée pour améliorer l’adhérence des couches issues du procédé avec des couches tierces déjà présentes sur le substrat à recouvrir. Dans ce cas aussi, une couche mince en a-B x Si 1-x peut suffire. En référence à la FIG. 4 , l’empilement est ici une combinaison des cas des FIG. 4 et 4B. Ainsi, l’empilement comporte, du bas vers le haut, le substrat support 20, une première couche mince 29 en a-B x Si 1-x , la couche mince 21 de bore amorphe, et une deuxième couche mince 28 en a-B x Si 1-x . La couche mince 21 de bore amorphe est donc située entre et au contact des deux couches minces 29, 28 en a-B x Si 1-x . Notons que la proportion atomique x de bore peut être identique ou différente dans les deux couches minces. Un tel arrangement à trois couches minces peut être utile pour compenser la contrainte mécanique différentielle entre la couche mince en bore amorphe et la couche mince en a-B x Si 1-x , et éviter ainsi une déformation mécanique de cet empilement de couches minces, notamment si cet empilement de couches minces est formé sous une forme suspendue (une telle forme suspendue peut être obtenue en intercalant une couche sacrificielle entre le substrat et l’empilement des 3 couches minces) qui pourrait conduire à une déformation de type bilame si cette compensation de contraintes mécaniques n’est pas prévue. Notons que la proportion atomique de bore et de silicium dans le composé a-B x Si 1-x est obtenue en fonction des débits des deux gaz précurseurs B 2 H 6 et Si 2 H 6 introduits dans l’enceinte du réacteur. Celui-ci comporte alors une ligne fluidique supplémentaire munie d’un débitmètre massique pour approvisionner l’enceinte en Si 2 H 6 avec le débit souhaité. Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier. Procédé de réalisation par dépôt chimique en phase vapeur CVD d’une couche mince (21) de bore amorphe pur sur un substrat support (20), comportant une étape d’injection, dans une enceinte de dépôt d’un réacteur CVD (2), d’un gaz précurseur de B 2 H 6 dilué dans un gaz porteur, à une température de dépôt prédéfinie, caractérisé en ce que : le gaz porteur est inerte à une réaction de dissociation du B 2 H 6 ; la température de dépôt est inférieure ou égale à 550°C. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la température de dépôt est inférieure ou égale à 400°C. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le gaz porteur est choisi parmi l’argon (Ar) et/ou l’azote (N 2 ). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le mélange gazeux présent dans l’enceinte de dépôt, formé du gaz précurseur et du gaz porteur, présente une pression totale inférieure ou égale à 10 Torr. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la pression totale est comprise entre 1 Torr et 10 Torr. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le gaz précurseur présente une pression partielle inférieure ou égale à 100 mTorr. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la pression partielle du gaz précurseur est comprise entre 1 mTorr et 100 mTorr. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le substrat support (20) présente une face supérieure, sur laquelle repose la couche mince (21) de bore amorphe, réalisée en un matériau à base de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la face supérieure du substrat support est en silicium, en un oxyde de silicium, en un nitrure de silicium, en alumine Al 2 O 3 , en titane Ti, en nitrure de titane TiN, ou en un oxynitrure de titane TiO x N y . Structure comportant un substrat support (20) et une couche mince (21) de bore amorphe reposant sur et au contact du substrat support (20), dans lequel la couche mince (21) présente : une résistivité électrique ρ EL au moins égale à 50 Ω.cm, et de préférence au moins égale à 2000 Ω.cm ; et une conductivité thermique σ TH au plus égale à 1.8 W/m/K.