FR 3160771 A1 20251003 FR 2402997 A 20240326 L’invention concerne un système Hartmann (1, 10, 100) d’imagerie de phase comprenant une source (2) de rayons X ; un capteur (3) comprenant des capteurs élémentaires (31) ; au moins un masque (4) comprenant des trous (41) et agencé entre la source de rayons X et le détecteur, chaque portion (F41) d’un faisceau émis par la source (2) passant au travers d’un trou du masque formant une tache (T) sur le capteur ; au moins un filtre diffusant (6) configuré pour homogénéiser chaque tache formée sur le capteur; une unité de traitement (5) configurée pour déterminer, à partir des décalages (Δx, Δy) entre la position de chaque tache et une position de référence (x 0 , y 0 ), une image de déflexion dudit échantillon. Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 1 Système d’imagerie à rayons X de type Hartmann L’invention concerne le domaine de l’imagerie de phase à rayons X. Plus précisément, l’invention concerne un système d’imagerie de type Hartmann. Les rayons X sont des ondes électromagnétiques capables de traverser, selon leur énergie, une majorité des matériaux sur des épaisseurs importantes, typiquement de plusieurs millimètres à plusieurs mètres. Il est ainsi possible d’employer ces rayons X pour produire, de façon non invasive, des images contenant des informations relatives à la structure interne d’un échantillon, compte tenu de l’absorption, de la diffusion et du déphasage des rayons X lorsqu’ils traversent cet échantillon. Ces rayons X trouvent ainsi de nombreuses applications, notamment dans le domaine médical en radiographie, dans le domaine de la sécurité pour l’analyse de valises ou de conteneurs, dans l’agro-alimentaire et de façon plus général dans les applications requérant un contrôle non destructif. Lorsqu’un faisceau de rayons X traverse un échantillon, ce faisceau peut être réfracté localement par un changement local d’indices de réfraction induit par la structure inhomogène de l’échantillon, cette réfraction introduisant un changement de phase du faisceau. Il est ainsi possible de rééchantillonner le faisceau en sous-faisceaux que l’on projette sur des capteurs pour obtenir une image des variations, ou contraste, de phase de l’échantillon, qui permet de visualiser la structure interne de l’échantillon, même lorsque cette structure n’a que peu d’impact sur l’absorption du faisceau. Il existe ainsi différentes familles permettant de générer une image représentative des variations de phase d’un échantillon, et notamment les techniques d’interférométrie basées sur l’analyse des interférences entre un faisceau de référence et un faisceau traversant l’échantillon, et les techniques de déflectométrie basées sur l’analyse de la déflexion locale du faisceau. Les systèmes Hartmann se basent sur ces techniques de déflectométrie. Un système Hartmann comporte classiquement une source de rayons X, un capteur pixélisé, et un masque comportant une pluralité de trous interposé entre la source et le capteur en étant placé à une distance donnée du capteur. Le masque est également nommé plaque de Hartmann. Le faisceau émis par la source de rayons X va traverser chacun des trous du masque pour créer un ensemble de taches sur le capteur. Le système peut ainsi être employé dans un premier temps pour obtenir une image de référence de l’ensemble des taches formées sur le capteur, afin d’enregistrer leurs intensités et positions. Les positions des taches dans l’image de référence sont données seulement par la distance entre le masque et le capteur, par la taille et le dimensionnement des trous et le front d’onde du faisceau émis par la source. D’autres techniques peuvent être employées pour générer cette mesure de référence, notamment en faisant diffracter le faisceau émis par la source de rayons X par un objet prédéterminé afin de créer une onde dont le front d’onde est connu. Dans un second temps, un échantillon peut être positionné entre la source de rayons X et le masque, ou après le masque. Cet échantillon va absorber et/ou réfracter localement les rayons X, selon sa structure interne, ce qui va faire varier individuellement l’intensité des taches formées sur le capteur et/ou déplacer individuellement ces taches. Plus précisément, les décalages horizontaux et verticaux de chaque tache sont fonctions des dérivées locales de la variation de phase induite par les déflexions locales des rayons X par l’échantillon et de la distance capteur masque. La mesure des variations d’intensités, par rapport à l’image de référence, permet ainsi d’obtenir une carte d’absorption ou de transmission indiquant les propriétés locales d’absorption ou de transmission de l’échantillon. La mesure des déplacements des taches selon des axes orthogonaux à la direction de propagation du faisceau émis par la source, par rapport à l’image de référence, permet d’obtenir des cartes de déflexion ou de déplacement et par intégration une carte de variation de phase indiquant les propriétés locales de réfraction ou de réflexion de l’échantillon. Dans ce contexte, il est nécessaire qu’une unité de traitement du système Hartmann puisse déterminer la position de chaque tache dans l’image acquise par le capteur. Il est ainsi commun que l’unité de traitement procède à une estimation d’un centroïde de chaque tache, par exemple par un calcul du barycentre des intensités mesurées par des groupes de pixels ou par une interpolation de ces intensités par une fonction donnée. Ces techniques offrent des résultats satisfaisants s’il existe un découplage complet entre la mesure locale d’intensité et la mesure local du déplacement, notamment afin que la répartition d’intensité dans chaque tache formée sur le capteur soit uniforme ou homogène. Or, il est courant que cette répartition d’intensité soit sensiblement modifiée par les capacités d’absorption ou de transmission locale de l’échantillon. En effet, la structure interne de l’échantillon peut générer une absorption ou une transmission locale d’une partie seulement de la portion du faisceau de rayons X pénétrant ou sortant dans un trou. Cela peut être le cas, dans le domaine de l’imagerie médical, pour un vaisseau sanguin ou un autre élément anatomique absorbant, venant occulter une partie d’un trou. Dans ce cas, la répartition d’intensité dans la tache formée sur le capteur et correspondant à ce trou est modifiée de façon inhomogène, ce qui entraine un déplacement du barycentre ou une erreur dans l’interpolation de la tache. La modification de la répartition d’intensité peut alors être interprétée comme un déplacement de la tache, venant s’ajouter au déplacement réel de la tache généré par la déviation locale de la portion du faisceau de rayons X pénétrant dans ce trou. En d’autres termes, dans la mesure où la structure d’un échantillon peut localement être à la fois absorbante et réfractante/réfléchissante, il devient complexe de dissocier au niveau des cartes de déplacement, les phénomènes d’absorption et de réfraction/réflexion, ce qui entraine alors des erreurs lors de l’interprétation de la carte de variation de phase de l’échantillon. Afin de résoudre ce problème, il est connu de diminuer la taille des trous du masque afin de faire diffracter les portions du faisceau de rayons X traversant ces trous et ainsi d’homogénéiser la répartition d’intensité des taches formées sur le capteur par ces portions diffractées. Cette solution a toutefois plusieurs inconvénients. D’une part, elle entraine des pertes de signaux au niveau du capteur, qui doivent être compensées par une augmentation de la dose de rayons X à laquelle est exposé l’échantillon. Or, dans un contexte d’imagerie médicale ou dans des applications dans lesquelles les échantillons sont radiosensibles, cette augmentation de la dose n’est pas souhaitable. D’autre part, la diffraction d’une portion du faisceau de rayons X génère une tache sur le capteur dont les dimensions sont inversement proportionnelles à celles du trou. Afin de pouvoir conserver des capteurs dont les pixels ont des dimensions raisonnables au regard des dimensions normales des échantillons classiquement étudiés, il est donc nécessaire d’augmenter les dimensions des taches formées par le masque et donc de diminuer encore les dimensions des trous. Cette diminution requiert alors une augmentation supplémentaire de la dose de rayons X à laquelle est exposé l’échantillon. Enfin, afin de garantir le fonctionnement du système, le masque doit rester opaque aux rayons X entre les trous. Compte tenu des augmentations de la dose de rayons X qu’implique la diffraction du faisceau par les trous, il devient alors nécessaire d’augmenter l’épaisseur du masque dans ces zones opaques, afin d’empêcher la propagation du faisceau. Le masque devient alors complexe, voire impossible, à réaliser industriellement. En outre, les trous deviennent des tunnels qui engendrent une perte de résolution angulaire en sortie. Il existe ainsi un besoin pour un système d’imagerie de type Hartmann, qui permette de minimiser, voire de supprimer, l’impact des propriétés d’absorption ou de transmission locale d’un échantillon dans la génération de l’image de déflexion de l’échantillon sans passer par une diminution de la taille des trous du masque Hartmann. La présente invention se place dans ce contexte et vise à répondre à ce besoin. A ces fins, l’invention a pour objet un système Hartmann d’imagerie de phase d’un échantillon comprenant : une source de rayons X pour l’émission d’un faisceau de rayons X ; un capteur apte à recevoir ledit faisceau lumineux et comprenant une pluralité de capteurs élémentaires ; au moins un masque comprenant une pluralité de trous, le masque étant agencé entre ladite source de rayons X et le détecteur de sorte qu’un faisceau émis par la source de rayons X traverse les trous du masque, chaque portion dudit faisceau passant au travers d’un trou du masque formant une tache sur le capteur ; au moins un filtre diffusant configuré pour homogénéiser chaque tache formée sur le capteur par chaque portion du faisceau émis par la source de rayons X et passant au travers de chaque trou du masque ; une unité de traitement configurée pour déterminer, à partir des décalages entre la position de chaque tache formée sur le capteur par un faisceau émis par la source de rayons X et traversant un échantillon agencé entre la source de rayons X et le détecteur et une position de référence, une image de déflexion dudit échantillon. On comprend ainsi que l’invention se propose ainsi d’interposer un filtre diffusant dans un système Hartmann, entre la source de rayons X et le masque et/ou entre le masque et le capteur. Le faisceau émis par la source de rayons X traverse donc successivement l’échantillon, le filtre diffusant et le masque, quel que soit l’ordre de la traversée, pour atteindre le capteur. Chaque portion du faisceau émis par la source de rayons X forme donc une tache sur un capteur élémentaire ou un groupe de capteurs élémentaires, la répartition d’intensité dans cette tache dépendant majoritairement de la portion du filtre diffusant par laquelle est passée cette portion du faisceau. En d’autres termes, le filtre diffusant permet ainsi de former sur le capteur, à partir de chaque portion du faisceau ayant traversé l’échantillon, une tache dont la répartition d’intensité est sensiblement identique à celle d’une tache formée par la même portion du faisceau ayant traversé un échantillon dont les propriétés d’absorption ou de transmission locale seraient différentes. Le filtre diffusant permet ainsi d’homogénéiser, sur l’ensemble de la tache, cette répartition d’intensité de la même façon qu’un trou de dimensions réduites qui diffracterait le faisceau de rayons X, en s’affranchissant des inconvénients de cette réduction des dimensions du trou. On pourra notamment considérer que la répartition d’intensité d’une tache est homogène si le gradient des intensités de la tache est inférieur à une valeur seuil donné en tout point de la tache. Dès lors, la détermination de la position du centroïde d’une tache devient robuste aux variations locales d’absorption ou de transmission de l’échantillon. Il est donc possible d’obtenir une image de déflexion de l’échantillon, et donc à terme une image de phase, ou de variation de phase, de l’échantillon, dont la construction est sensiblement découplée des propriétés d’absorption ou de transmission locale de l’échantillon . Dans la présente invention, on entend par « source de rayons X » tout dispositif susceptible d’émettre un faisceau de rayons X, et de façon non limitative dans un domaine spectral compris entre 30 eV (électronvolts) à plusieurs MeV (mégaélectronvolts). La source de rayons X pourra être agencé pour générer un faisceau monochromatique ou polychromatique. Il pourra par exemple s’agir d’un tube à rayon X, notamment une source à rayons X à micro-foyer, un synchrotron, un accélérateur de particules, un laser à électrons libres, une source à plasma, une source Compton, ou de façon plus générale tout générateur apte à produire des rayons X par l’interaction des particules avec un élément émetteur. Avantageusement, on pourra prévoir d’interposer un ou plusieurs filtres ou tout élément ou combinaison d’éléments aptes à modifier le spectre du faisceau de rayons X, notamment afin d’adapter la bande spectrale du faisceau aux contraintes des applications souhaitées. Dans la présente invention, on entend par « masque » tout élément ou combinaison d’éléments pourvus de trous, c’est-à-dire de zones transparentes aux rayons X, répartis sur une structure opaque aux rayons X. Par « structure opaque » on comprend une structure configurée de sorte que sa transmission résiduelle aux rayons X émis par la source de rayons X, notamment dans une bande spectrale utile desdits rayons X, soit inférieure à la sensibilité de détection du capteur du système. Par « zone transparente », on comprend toute zone configurée de sorte que sa transmission aux rayons X émis par la source de rayons X, notamment dans une bande spectrale utile desdits rayons X, soit supérieure à typiquement 80%. Par « bande spectrale utile » des rayons X, on entend une bande de longueurs d’onde sélectionnée au regard de l’application visée. Par exemple, en mammographie, il est habituellement fait usage d’une bande spectrale utile entre 20 et 40 keV. A titre d’exemple non limitatif, on pourra envisager des matériaux composés d’éléments de numéro atomique faible, notamment inférieur à 15 comme du Béryllium, du Carbone, du Silicium ou de l’Aluminium, ou du vide pour constituer une zone transparente. A titre d’exemple non limitatif, on pourra envisager, pour constituer une structure opaque, des matériaux composés d’éléments de numéro atomique supérieur à 28, choisis selon le niveau d’énergie des rayons X considérés au regard de l’application visée. A titre d’exemple, pour des rayons X dits durs, d’énergie supérieure à 10 keV, on pourra envisager d’employer des matériaux composés d’Or, de Tantale, de Tungstène ou de Plomb. Le masque pourra par exemple comporter un arrangement bidimensionnel de trous, de formes et de dimensions données telles que la tache formée par la portion du faisceau passant au travers chaque trou recouvre, partiellement ou totalement, un ou plusieurs capteurs élémentaires du capteur. Dans la présente invention, le capteur pourra être un capteur de type indirect, comportant par exemple une pluralité de capteurs élémentaires, notamment des photodétecteurs, aptes à détecter un rayonnement dont le spectre appartient au domaine visible et un élément de conversion fluorescent apte à convertir, par fluorescence, un rayonnement X en un rayonnement visible. En variante, le capteur pourra être un capteur de type direct, comportant par exemple une pluralité de capteurs élémentaires aptes à détecter un rayonnement X. Le capteur pourra par exemple comporter un agencement bidimensionnel de capteurs élémentaires identiques. Lesdits capteurs élémentaires pourront être combinés entre eux, de façon électronique et/ou numérique, pour former une pluralité de groupes de capteurs élémentaires juxtaposés, chaque groupe comprenant par exemple et de façon non limitative quatre ou neuf capteurs élémentaires agencés en carré. Dans la présente invention, on entend par « unité de traitement » un dispositif électronique et/ou un système informatique conçu pour déterminer de façon analogique et/ou numérique, à partir des signaux générés les capteurs élémentaires à réponse à la réception d’un faisceau émis par la source de rayons X et traversant un échantillon agencé entre la source de rayons X et le détecteur, une ou plusieurs images de déflexion dudit échantillon. On pourra prévoir que l’unité de traitement soit équipée d’un ou plusieurs processeurs, agencés pour exécuter des instructions d’un ou plusieurs programmes informatiques afin de mettre en œuvre des étapes de calcul ou de traitement permettant de générer ladite image de déflexion. On pourra prévoir que ces étapes soient mises en œuvre de façon centralisée par une même unité de traitement ou de façon distribuée par plusieurs unités de traitement. On pourra encore prévoir que tout ou partie de ces étapes soient mises en œuvre par une unité de traitement reliée de façon filaire au capteur et/ou par une unité de traitement distante du capteur avec lequel elle peut échanger des données via des moyens de communication sans-fil. Avantageusement, l’unité de traitement peut être agencée pour estimer la position de chaque tache formée par une portion du faisceau émis par la source de rayons X et traversant un échantillon agencé entre la source de rayons X et le détecteur et passant par un trou (ou inversement le trou puis l’échantillon) et pour estimer le décalage, selon une ou plusieurs directions, entre cette position estimée par rapport à une position de référence associée à ce trou. On notera que ces décalages sont fonction des gradients locaux de la phase du faisceau de rayons X induite par l’échantillon. L’unité de traitement peut ainsi être agencée pour générer des images ou des cartes de déflexion selon deux axes orthogonaux à la direction d’émission du faisceau de rayons X à partir des décalages estimés puis pour générer, à partir de ces cartes de déflexion, ladite image de phase de l’échantillon. L’unité de traitement pourra par exemple être agencée pour générer une image de phase par intégration des images ou des cartes de déflexion. Dans la présente invention, on entend par « image de déflexion » ou par « carte de déflexion » une image comprenant une pluralité d’éléments d’image, chaque élément d’image indiquant le décalage, selon une direction donnée, entre la position d’une tache formée sur un capteur par une portion d’un faisceau émis par une source de rayons X et traversant un échantillon et un trou d’un masque Hartmann, ou inversement un trou d’un masque Hartmann et un échantillon, et une position de référence associée à ce trou. Dans la présente invention, on entend par « image de phase » ou par « image de variation de phase » ou encore par « image de contraste de phase » une image comprenant une pluralité d’éléments d’image, chaque élément d’image étant caractéristique d’un déphasage local ou d’une déflexion locale introduit par une région élémentaire d’un échantillon, résultant d’une inhomogénéité présente dans ladite région élémentaire, le déphasage ou la déflexion locale étant déterminé par rapport à une phase de référence. Les positions de référence associées aux trous du masque pourront par exemple être obtenues en estimant les positions des taches formées sur le capteur en l’absence d’échantillon entre la source de rayons X et le détecteur. En variante, les positions de référence pourront être calculées à partir d’un front d’onde connu, pouvant notamment être obtenu en faisant diffracter le faisceau émis par la source de rayons X en amont de l’échantillon, à l’aide d’un objet prédéterminé. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’unité de traitement est agencée pour estimer la position de chaque tache par détermination d’un centroïde de ladite tache. On pourra par exemple envisager que l’unité de traitement soit agencée pour estimer la position de chaque tache en déterminant le barycentre d’une tache formée sur un capteur élémentaire ou sur un groupe de capteurs élémentaires. En variante, l’unité de traitement pourra être agencée pour estimer la position de chaque tache en interpolant une tache formée sur un capteur élémentaire ou sur un groupe de capteurs élémentaires par une fonction donnée, notamment une fonction gaussienne ou une fonction bigaussienne, ladite fonction permettant de déterminer un centroïde de cette tache. Avantageusement, l’unité de traitement pourra être configurée pour déterminer simultanément, à partir des intensités de chaque tache formée sur le capteur par un faisceau émis par la source de rayons X et traversant un échantillon agencé entre la source de rayons X et le détecteur et d’une intensité de référence, une image d’absorption ou de transmission de l’échantillon. Par exemple, l’unité de traitement pourra être agencée pour déterminer un rapport entre la somme des intensités mesurées par les capteurs élémentaires de chaque groupe de capteurs élémentaires avec et sans échantillon afin d’obtenir un carte représentant la transmission ou l’absorption de l’échantillon. Dans un mode de réalisation de l’invention, le filtre diffusant est agencé entre la source de rayons X et le masque. Dans ce mode de réalisation, un faisceau émis par la source de rayons X traverse successivement le filtre diffusant, et le masque pour être ensuite reçu par le capteur. En variante, le filtre diffusant peut être agencé entre le masque et le capteur. Dans ce mode de réalisation, un faisceau émis par la source de rayons X traverse successivement le masque puis le filtre diffusant pour être ensuite reçu par le capteur. En variante encore, le filtre diffusant peut comporter une pluralité de sous-filtres chacun agencé au niveau de l’un des trous du masque. Dans ce mode de réalisation, chaque sous-filtre peut ainsi s’étendre dans l’un des trous du masque, et chaque portion du faisceau émis par la source de rayons X est ainsi homogénéisée par un sous-filtre lorsqu’elle traverse un trou. Dans un mode de réalisation de l’invention, le filtre diffusant s’étend selon des dimensions supérieures ou identiques à celles de la surface formée par l’ensemble des trous du masque. Dans ce mode de réalisation, le filtre diffusant peut être un filtre unique, lequel présente l’avantage d’être simple à concevoir. En variante, le filtre diffusant pourra comporter plusieurs sous-filtres distincts chacun positionnés en amont du masque et/ou en aval du masque et/ou dans un trou du masque, chaque sous-filtre étant ainsi positionné pour correspondre à un trou du masque auquel il est associé, une portion du faisceau émis par la source de rayons X traversant ainsi le trou et le sous-filtre associé. Il est ainsi possible de définir un sous-filtre spécifique à chaque trou. En variante encore, le filtre diffusant pourra être formé par une répétition périodique, verticale et/ou horizontale, d’un même sous-filtre diffusant. Le cas échéant, les dimensions du sous-filtre seront sensiblement inférieures à celles du masque et sensiblement supérieures ou égales à celles d’un trou dans le cas où le filtre diffusant est agencé entre la source de rayons X et le masque ou de dimensions sensiblement inférieures ou égales à celles d’un trou si le filtre diffusant est agencé entre le masque et le capteur. On pourra envisager que les sous-filtres soient juxtaposés de façon continue pour couvrir l’ensemble de la surface du filtre diffusant les sous-filtres soient espacés les uns des autres en étant positionnés pour chacun correspondre à un trou du masque. En variante encore, le système selon l’invention pourra comporter une pluralité de filtres diffusants, juxtaposés selon la propagation du faisceau émis par la source de rayons X. Ces filtres pourront être tous agencés entre la source de rayons X et le masque, ou en variante tous agencés entre le masque et le capteur, ou en variante encore agencés de part et d’autre du masque. Les différents modes de réalisation du filtre diffusant qui viennent d’être décrits pourront être combinés sans sortir du cadre de la présente invention. Dans un mode de réalisation de l’invention, le filtre diffusant comporte, pour chaque trou, une pluralité de structures diffusantes associée audit trou, chaque structure diffusante de ladite pluralité étant agencée pour diffracter la portion du faisceau émis par la source de rayons X et passant au travers dudit trou. Ces structures diffusantes absorbent, déphasent et/ou diffusent cette portion du faisceau de rayons X et permettent ainsi de former une tache sur le capteur au moyen des faisceaux diffractés à partir de cette portion du faisceau de rayons X, ce qui permet d’homogénéiser la répartition d’intensité de la tache en minimisant l’impact des propriétés locales d’absorption ou de transmission de l’échantillon. Avantageusement, chaque structure diffusante d’une pluralité de structures diffusantes associée à un trou pourra présenter des dimensions sensiblement inférieures à celle dudit trou. Il est ainsi possible d’obtenir un faisceau diffracté dont la taille est proche, égale ou supérieur à celle de la tâche qui doit être formée sur le détecteur. Dans un mode de réalisation de l’invention, chaque pluralité de structures diffusantes associée à un trou présente des caractéristiques déterminées de sorte que la forme et/ou la répartition d’intensité de la tache formée sur le capteur par la portion du faisceau émis par la source de rayons X et passant au travers dudit trou suive une distribution gaussienne. En variante, on pourra prévoir que chaque pluralité de structures diffusantes associée à un trou présente des caractéristiques déterminées de sorte que la forme et/ou la répartition d’intensité de la tache formée sur le capteur par la portion du faisceau émis par la source de rayons X et passant au travers dudit trou suive une distribution définie permettant d’homogénéiser ladite tache. Lesdites caractéristiques d’une pluralité de structures diffusantes pourront être l’une des caractéristiques suivantes ou encore une combinaison quelconque des caractéristiques suivantes : les types de structure diffusante, les formes et les dimensions des structures diffusantes, les positions et la distribution spatiale des structures diffusantes ou encore la composition et les matériaux des structures diffusantes. Ces caractéristiques pourront être ainsi prédéterminées de sorte que la pluralité de structures diffusantes reproduisent l’homogénéisation ou le lissage généré par la diffraction opérée par un trou de petites dimensions. On pourra notamment concevoir que les structures diffusantes soient des microtrous ou des plots. On pourra encore concevoir que les structures diffusantes présentent des formes carrées, circulaires, elliptiques, hexagonales ou triangulaires. On pourra encore concevoir que les formes et/ou les dimensions et/ou la composition et/ou les matériaux des structures diffusantes soient déterminés de sorte que les structures diffusantes soient totalement absorbantes ou opaques, ou partiellement absorbantes ou opaques, ou soient transparentes. On pourra encore concevoir que les formes et/ou les dimensions et/ou la composition et/ou les matériaux des structures diffusantes soient déterminés de sorte que les structures diffusantes soient aptes à introduire des déphasages. Avantageusement, les types et/ou les positions et/ou les formes et/ou les dimensions et/ou les coefficients d’absorption et/ou les coefficients de diffusion des structures diffusantes d’une pluralité de structures diffusantes associée à un trou sont distribués de façon pseudo-aléatoire sur l’ensemble de ladite pluralité. En variante, les types et/ou les positions et/ou les formes et/ou les dimensions et/ou les coefficients d’absorption et/ou les coefficients de diffusion des structures diffusantes d’une pluralité de structures diffusantes associée à un trou peuvent être distribués selon une fonction prédéterminée permettant d’obtenir une répartition homogène d’intensité de la tache. Dans un exemple de réalisation, on pourra par exemple prévoir que les structures diffusantes d’une même pluralité de structures diffusantes associée à un trou soient identiques et que ces structures soient réparties spatialement de façon pseudo aléatoire au regard de la surface du trou. Dans un autre exemple de réalisation, on pourra prévoir que les dimensions des structures diffusantes d’une même pluralité de structures diffusantes associée à un trou, et notamment leur épaisseur, soient définies de façon pseudo-aléatoire sur l’ensemble de cette pluralité. Dans la présente invention, on entend par « distribution pseudo-aléatoire d’une caractéristique sur une pluralité de structures diffusantes » toute distribution de caractéristique prédéterminée et obtenue au moyen d’un générateur pseudo-aléatoire. On entend par « générateur pseudo-aléatoire » tout algorithme susceptible de générer une séquence statistiquement aléatoire, notamment uniformément distribuée, sur une longueur donnée. On pourra notamment employer des générateurs pseudo-aléatoires dont la périodicité est sensiblement supérieure, notamment dix fois supérieure, au nombre total de structures diffusantes pouvant être réparties sur une surface associée à un trou du masque. Selon un exemple de réalisation de l’invention, le filtre diffusant comporte un substrat réalisé en nitrure de silicium sur lequel sont formés une pluralité de plots en or formant lesdites structures diffusantes. On pourra concevoir de remplacer le substrat en nitrure de silicium par un substrat réalisé dans un matériau approprié et sensiblement transparent aux rayons X, notamment du silicium, du carbure de silicium ou du borure de silicium. On pourra également concevoir de remplacer les plots en or par des plots réalisés en nickel, en tungstène, tantale, en fer, en molybdène ou tout autre matériau susceptible de diffracter un faisceau de rayons X. Selon un exemple de réalisation de l’invention, le filtre diffusant comporte une couche de carbone remplissant les espaces séparant les structures diffusantes. On pourra concevoir de remplacer la couche de carbone par une couche réalisée en silicium, en béryllium, en bore ou tout autre matériau approprié et présentant une faible capacité d’absorption des rayons X, ou inversement un matériau opaque. Cette couche de matériau permet d’éviter des phénomènes de vibrations des structures diffusantes, qui seraient dommageable au regard de la précision que requiert le système selon l’invention. L’invention a également pour objet un procédé d’imagerie de phase à rayons X, mis en œuvre au moyen d’un système Hartmann selon l’invention. La présente invention est maintenant décrite à l’aide d’exemples uniquement illustratifs et nullement limitatifs de la portée de l’invention, et à partir des dessins annexés, dessins sur lesquels les différentes figures représentent : FIG. 1 représente, schématiquement et partiellement, une vue d’un système Hartmann d’imagerie de phase selon un mode de réalisation de l’invention ; FIG. 2 représente, schématiquement et partiellement, un exemple de tache projetée sur un capteur d’un système Hartmann selon l’état de la technique, en l’absence d’échantillon ; FIG. 2 représente, schématiquement et partiellement, un exemple de tache projetée sur un capteur d’un système Hartmann selon l’état de la technique, en présence d’un échantillon non absorbant ; FIG. 2 représente, schématiquement et partiellement, un exemple de tache projetée sur un capteur d’un système Hartmann selon l’état de la technique, en présence d’un échantillon absorbant ; FIG. 2 représente, schématiquement et partiellement, un exemple de tache projetée sur un capteur du système Hartmann de la FIG. 1 , en présence d’un échantillon absorbant ; FIG. 3 représente, schématiquement et partiellement, une vue de face d’un filtre diffusant employé par un système Hartmann selon un exemple de réalisation de l’invention ; FIG. 4 représente, schématiquement et partiellement, une vue en coupe d’un filtre diffusant employé par un système Hartmann selon un autre exemple de réalisation de l’invention ; FIG. 5 représente, schématiquement et partiellement, une vue d’un système Hartmann d’imagerie de phase selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ; FIG. 6 représente, schématiquement et partiellement, une vue d’un système Hartmann d’imagerie de phase selon un troisième mode de réalisation de l’invention. Dans la description qui suit, les éléments identiques, par structure ou par fonction, apparaissant sur différentes figures conservent, sauf précision contraire, les mêmes références. On a représenté en FIG. 1 un système Hartmann 1 d’imagerie de phase d’un échantillon selon un premier mode de réalisation de l’invention. Ce système Hartmann peut être employé pour des applications d’imagerie médicale, comme en mammographie, ou pour d’autres applications en dehors du domaine médicale, notamment pour l’analyse du contenu d’une valise ou d’un conteneur. Le système 1 comporte une source 2 de rayons X pour l’émission d’un faisceau F de rayons X selon une direction globale de propagation Z. Cette source 2 pourra par exemple comporter un tube à rayon X ou alternativement tout autre source de rayons X susceptible d’émettre un faisceau de rayons X d’énergie adaptée au regard de l’application considérée. Le système 1 comporte également un capteur 3 de rayons X, agencé en aval de la source 2 selon la direction Z, pour pouvoir recevoir le faisceau F émis par cette source 2. Le capteur 3 comporte un agencement bidimensionnel de capteurs élémentaires identiques 31. Chaque capteur élémentaire est ainsi susceptible de détecter des rayons X incidents et d’émettre en réponse un signal analogique ou numérique. Les signaux issus de plusieurs capteurs élémentaires juxtaposés, notamment de quatre ou neuf capteurs élémentaires 31 agencés en carré, peuvent ainsi être combinés entre eux, de façon électronique et/ou numérique, pour définir des groupes de capteurs. A titre d’exemple non limitatif, le capteur 3 pourra par exemple comporter un détecteur à panneau plat, comprenant une matrice de détecteurs, notamment à semi-conducteur photosensible à la lumière visible, sur laquelle est déposé une couche de conversion fluorescente apte convertir des rayons X en rayons de lumière visible. Le capteur 3 pourra encore comporter une caméra à comptage de photons comprenant une matrice de capteurs à semi-conducteur polarisé électriquement pour convertir des rayons X en signaux électriques, ou encore une caméras à détection directe comportant une matrice de capteurs CCD ou CMOS sensibles aux rayons X. Le système 1 comporte un masque 4, agencé entre la source 2 de rayons X et le capteur 3. Le masque 4 est opaque aux rayons X, par exemple du fait du choix du matériau le composant et/ou de son épaisseur, et comporte une pluralité de trous 41 transparents aux rayons X. Les trous 41 pourront être formés par des perçages formés dans le masque 4 et/ou par des zones du masque 4 rendues transparentes, par une réduction de leur épaisseur et/ou par un choix d’un matériau transparent. Un faisceau F émis par la source 2 de rayons X traverse donc les trous 41 du masque 4, le capteur 3 recevant ainsi chaque portion F41 du faisceau F traversant l’un des trous 41, laquelle forme ainsi une tache T sur un ou plusieurs capteurs élémentaires 31 du capteur 3. Le capteur 3 peut ainsi acquérir une image formée par les intensités des rayons X incidents détectées par les capteurs élémentaires 31 et traduites par les signaux qu’émettent ces capteurs élémentaires 31. Dans l’exemple décrit, le masque 4 comporte un arrangement bidimensionnel de trous 41, de formes et de dimensions données telles que chaque tache T formée par la portion F41 du faisceau F passant au travers de chaque trou 41 soit centrée sur un groupe de capteurs élémentaires 31. De façon alternative, on pourra prévoir que les trous 41 présentent une forme différente d’un carré, que les trous 41 présentent des dimensions et/ou des formes distinctes les uns des autres, ou encore que les trous 41 soient agencés sur le masque 4 selon une autre répartition que matricielle ou avec un pas variable le long des dimensions du masque 4. La FIG. 2 représente ainsi une projection d’une tache T 0 sur un capteur 3 en l’absence d’échantillon, lorsque le système Hartmann est un système selon l’état de la technique, comportant uniquement la source 2, le capteur 3 et le masque 4. En l’absence d’échantillon, chaque trou 41 du masque 4 forme une tache T 0 dont la position sur le capteur 4 dépend uniquement des dimensions du trou 41 et de la distance séparant le masque 4 du capteur 3. Une unité de traitement 5 peut ainsi analyser l’image acquise par le capteur 3 pour estimer les positions des taches T 0 , lesquelles définissent des positions de références. Chaque position de référence pourra par exemple être définie sous la forme d’une paire de coordonnées x 0 , y 0 , selon des axes X et Y, orthogonaux à la direction Z. Dans l’exemple décrit, l’unité de traitement 5 estime la position de chaque tache T 0 en déterminant la position d’un centroïde de ladite tache, défini comme le barycentre des intensités détectées par chaque groupe de capteurs élémentaires 31. En variante, l’unité de traitement 5 pourra estimer la position de chaque tache T 0 en interpolant cette tache par une fonction donnée, comme une fonction gaussienne ou une fonction bigaussienne. De façon simultanée, l’unité de traitement 5 peut également enregistrer une intensité de référence pour chaque tache T 0 , par exemple en calculant la somme des intensités détectées par chaque groupe de capteurs élémentaires 31. Dans un exemple de réalisation non représentées, les positions de référence x 0 , y 0 pourront être calculées à partir d’un front d’onde connu, pouvant notamment être obtenu en faisant diffracter le faisceau F émis par la source 2 de rayons X. Lorsqu’un échantillon E est positionné entre la source 2 de rayons X et le masque 4 ou entre le masque 4 et le détecteur 3, l’échantillon va absorber et/ou réfracter localement les rayons X du faisceau F, selon ses propriétés locales d’absorption ou de transmission, et de réfraction ou de réflexion. Il peut en résulter des déviations angulaires locales des rayons X incidents sur l’échantillon, définies respectivement selon les axes X et Y. Ces déviations angulaires locales sont directement liées aux propriétés locales de réfraction ou de réflexion de l’échantillon E, et en particulier aux variations de son indice de réfraction et aux dérivées locales de la variation de phase induite par l’échantillon E. Comme montré en FIG. 2 , ces déviations angulaires vont ainsi déplacer individuellement chaque tache T, formée par une portion F41 du faisceau F traversant l’échantillon E et les trous 41 du masque 4, depuis leurs positions de référence x 0 , y 0 selon des décalages Δx et Δy selon les axes X et Y. L’unité de traitement 5 peut alors de nouveau déterminer la position des centroïdes des taches T, par calcul de la position du barycentre, pour estimer ces décalages Δx et Δy afin de générer des images ou cartes de déflexion selon les axes X et Y. Ces cartes peuvent être ensuite intégrées, selon des méthodes connues, pour générer une image de phase de l’échantillon E indiquant les déphasages locaux induits par l’échantillon E et donc les inhomogénéités présentes dans cet échantillon. De façon simultanée, l’unité de traitement 5 peut également déterminer, pour chaque groupe de capteurs élémentaires 41, un rapport entre la somme des intensités mesurées par ces capteurs élémentaires 41 et l’intensité de référence, afin d’obtenir un carte représentant la transmission de l’échantillon E. Dans l’exemple de la FIG. 2 , l’échantillon E est supposé être localement homogène au regard de ses propriétés d’absorption ou de transmission. Toutefois, cette supposition est rarement vérifiée et la structure d’un échantillon peut localement être à la fois absorbante et réfractante/réfléchissante. Dans ce cas, la répartition d’intensité dans une tache T peut être sensiblement modifiée, comme représenté en FIG. 2 . Le calcul du barycentre de la tache T par l’unité de traitement 5 est alors faussé, ce qui entraine une erreur dans l’estimation des décalages Δx et Δy et donc dans les images de déflexion et dans l’image de phase. Afin de pouvoir dissocier au niveau des cartes de déplacement les phénomènes d’absorption et de réfraction/réflexion, le système Hartmann 1 selon l’invention comporte un filtre diffusant 6 configuré pour homogénéiser chaque tache T formée sur le capteur 3 par chaque portion F41 du faisceau F émis par la source de rayons X et passant au travers de chaque trou 41 du masque 4. Dans l’exemple de la FIG. 1 , le filtre 6 est agencé entre le masque 4 et le capteur 3, de sorte que le faisceau F émis par la source 2 de rayons X traverse successivement l’échantillon E, le masque 4 puis le filtre diffusant 6 pour être ensuite reçu par le capteur 3. Comme montré en FIG. 2 , le filtre diffusant 6 permet ainsi de former sur le capteur 3, à partir de chaque portion F41 du faisceau F ayant traversé l’échantillon E, une tache T dont la répartition d’intensité est sensiblement identique à celle d’une tache formée par la même portion du faisceau ayant traversé un échantillon dont les propriétés d’absorption locale seraient différentes. Dès lors, la détermination de la position du centroïde d’une tache T par l’unité de traitement 5 devient sensiblement invariante aux variations locales d’absorption de l’échantillon E. On notera que, dans le cadre de l’acquisition des positions de référence x 0 , y 0 , le filtre diffusant 6 n’a pas ou peu d’influence sur la position du barycentre des taches de référence T 0 . En lien avec la FIG. 3 , on va maintenant décrire un exemple de réalisation du filtre 6 employé par le système Hartmann 1 de la FIG. 1 . Selon cet exemple, le filtre diffusant 6 comporte un substrat 61 réalisé dans un matériau transparent aux rayons X, notamment en nitrure de silicium. Une pluralité de sous-filtres 62 sont positionnés pour correspondre chacun à un trou 41 du masque 4 auquel il est associé. Chaque sous-filtre 62 est formé par une pluralité de structures diffusantes 7 dont les caractéristiques, et notamment leur matériau et/ou leur épaisseur, leurs permettent de diffracter un faisceau de rayons X. La FIG. 3 montre une vue de face du filtre 6 ainsi qu’un agrandissement d’un sous-filtre 62 mettant en évidence les structures diffusantes 7. Dans l’exemple de la FIG. 3 , les structures diffusantes 7 sont des plots en or, de forme carrée et de dimensions identiques et sensiblement inférieures à celle des trous 41. A titre d’exemple non limitatif, l’épaisseur des plots pourra être comprise entre 20 µm et 100 µm, et leur surface pourra être comprise entre 0,01 µm² et 1 µm². Chaque plot 7 permet d’obtenir un faisceau diffracté dont la taille est proche, égale ou supérieur à celle de la tâche T qui doit être formée sur le capteur 3. Par ailleurs, les plots 7 d’un même sous-filtre 62 sont répartis spatialement de façon pseudo aléatoire sur la surface du sous-filtre. En d’autres termes, les plots 7 sont répartis sur un damier de façon pseudo-aléatoire, selon une fonction de répartition donnée, les espaces créés par cette répartition entre des plots 7 voisins étant alors laissés libres. Dès lors, la répartition d’intensité de la tache T formée sur le capteur 3 par la portion F41 du faisceau F émis par la source 2 de rayons X et passant au travers d’un trou 41 puis du sous-filtre 62 associé suit une distribution gaussienne. Les dimensions des plots 7, leur matériau et leur répartition spatiale pseudo-aléatoire permettent ainsi de s’assurer de l’homogénéité de la répartition d’intensité de chaque tache T formée sur le capteur 3. En lien avec la FIG. 4 , on va maintenant décrire un autre exemple de réalisation du filtre 6 employé par le système Hartmann 1 de la FIG. 1 . La FIG. 4 montre une vue en coupe d’un sous-filtre 62 selon cet autre exemple de réalisation. Dans cet exemple, la totalité de la surface du sous-filtre 62 est pourvue de structures diffusantes 7, formées par des plots en or répartis de façon matricielle selon un pas donné. En revanche, l’épaisseur des plots 7 varie de façon pseudo-aléatoire sur toute la surface du sous-filtre 62, par exemple selon une distribution autour d’une valeur moyenne de 60 µm avec un écart-type de 40 µm. De façon similaire à l’exemple de la FIG. 3 , il est alors possible d’obtenir une tache T dont la répartition d’intensité soit homogène. Dans l’exemple de la FIG. 4 , le sous-filtre 62 comporte par ailleurs une couche de matériau sensiblement transparent 63, par exemple en carbone, déposée sur le substrat 61 pour remplir les espaces séparant les plots 7. De préférence, cette couche de carbone présente une épaisseur d’au moins un quart de l’épaisseur des plots 7. Cette couche de matériau 63 permet d’éviter des phénomènes de vibrations des plots 7. Cette couche de matériau 63 pourrait également être employée dans l’exemple de la FIG. 3 pour remplir les espaces laissés libres entre les plots 7. Dans des exemples non représenté, on pourra prévoir de faire varier d’autres caractéristiques des structures diffusantes 7 de façon pseudo-aléatoire afin que la répartition d’intensité de la tache T formée sur le capteur 3 par la portion F41 du faisceau F émis par la source 2 de rayons X et passant au travers d’un trou 41 puis du filtre 6 soit homogène. On pourra notamment faire varier les types, les formes, la composition, les matériaux ou encore les dimensions des structures diffusantes 7 de sorte que la composition des faisceaux diffractés par les structures diffusantes d’un même sous-filtre 62 reproduisent l’homogénéisation ou le lissage généré par la diffraction opérée par un trou de petites dimensions. On pourra notamment prévoir que certaine des structures diffusantes 7 soient agencées pour introduire un déphasage, par exemple de π/2, tandis que d’autres sont agencées pour être dépourvues d’influence sur la phase, la répartition des structures déphasantes et des structures non déphasantes sur le sous-filtre 62 étant pseudo-aléatoire. On pourra également envisager d’employer plus de deux types structures déphasantes 7. On pourra encore prévoir que les structures diffusantes 7 soient absorbantes ou partiellement absorbantes, la répartition des structures absorbantes et partiellement absorbantes sur le sous-filtre 62 étant pseudo-aléatoire. Bien que les exemples qui ont été décrits emploient des plots de forme carrée, on pourra concevoir d’employer d’autres types de structures diffusantes, et notamment des microtrous, ou d’autres formes de structures diffusantes, et notamment des formes circulaires, elliptiques, hexagonales ou triangulaires. En référence aux FIG. 5 et FIG. 6 , on va maintenant décrire d’autres modes de réalisation du système Hartmann selon l’invention. La FIG. 5 représente un système Hartmann 10 selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. Dans ce mode de réalisation, le filtre diffusant 60 est agencé entre la source 2 de rayons X et le masque 4 de sorte que le faisceau F émis par la source 2 de rayons X traverse successivement le filtre diffusant 60, et le masque 4 pour être ensuite reçu par le capteur 3. Par ailleurs, le filtre diffusant 60 est un filtre unique recouvert de façon continue de structures diffusantes 7. La FIG. 6 représente un système Hartmann 100 selon un troisième mode de réalisation de l’invention. Dans ce mode de réalisation, le filtre 600 comporte une pluralité de sous-filtres chacun agencé au niveau de l’un des trous 41 du masque 4, dans lequel il s’étend en totalité. Chaque portion F41 du faisceau F émis par la source 2 de rayons X et traversant un trou 41 est ainsi homogénéisée par le sous-filtre s’étendant dans ce trou 41. Dans des exemples non représentés, les caractéristiques des modes de réalisations des FIG. 1 , FIG. 5 et FIG. 6 pourront être interchangées ou combinées, notamment de sorte que la structure du filtre 6 du premier mode de réalisation soit celle du filtre 60 du deuxième mode de réalisation, ou inversement, ou encore de sorte que le système Hartmann comporte une combinaison de plusieurs des filtres diffusants 6, 60 et/ou 600, juxtaposés selon la direction Z en étant soit tous agencés entre la source 2 de rayons X et le masque 4, ou en variante tous agencés entre le masque 4 et le capteur 3, ou en variante encore agencés de part et d’autre du masque 4. On notera également que, dans les exemples représentés, les structures des sous-filtres pourront varier d’un sous-filtre à l’autre, la répartition pseudo-aléatoire des structures diffusantes 7 étant dans cas différente d’un sous-filtre à un autre. Alternativement, le filtre diffusant pourra être formé par une répétition périodique, verticale et/ou horizontale, d’un même sous-filtre diffusant. La description qui précède explique clairement comment l’invention permet d’atteindre les objectifs qu’elle s’est fixée, à savoir proposer un système d’imagerie de type Hartmann, qui permette de minimiser, voire de supprimer, l’impact des propriétés d’absorption locale d’un échantillon dans la génération de l’image de phase de l’échantillon sans passer par une diminution de la taille des trous du masque Hartmann. On comprend que ces objectifs sont atteints à l’aide d’un filtre diffusant permet ainsi d’homogénéiser la répartition d’intensité sur l’ensemble de chaque tache formée sur le capteur du système, de la même façon qu’un trou de dimensions réduites qui diffracterait le faisceau de rayons X, en s’affranchissant des inconvénients de cette réduction des dimensions du trou. En tout état de cause, l’invention ne saurait se limiter aux modes de réalisation spécifiquement décrits dans ce document, et s’étend en particulier à tous moyens équivalents et à toute combinaison techniquement opérante de ces moyens. Système Hartmann (1, 10, 100) d’imagerie de phase d’un échantillon comprenant : une source (2) de rayons X pour l’émission d’un faisceau (F) de rayons X ; un capteur (3) apte à recevoir ledit faisceau lumineux et comprenant une pluralité de capteurs élémentaires (31) ; au moins un masque (4) comprenant une pluralité de trous (41), le masque étant agencé entre ladite source de rayons X et le détecteur de sorte qu’un faisceau (F) émis par la source de rayons X traverse les trous du masque, chaque portion (F41) dudit faisceau passant au travers d’un trou du masque formant une tache (T) sur le capteur ; au moins un filtre diffusant (6) configuré pour homogénéiser chaque tache formée sur le capteur par chaque portion du faisceau émis par la source de rayons X et passant au travers de chaque trou du masque ; une unité de traitement (5) configurée pour déterminer, à partir des décalages (Δx, Δy) entre la position de chaque tache formée sur le capteur par un faisceau émis par la source de rayons X et traversant un échantillon € agencé entre la source de rayons X et le détecteur et une position de référence (x 0 , y 0 ), une image de déflexion dudit échantillon. Système selon la revendication précédente (1, 10, 100), caractérisé en ce que l’unité de traitement (5) est agencée pour estimer la position de chaque tache (T) par détermination d’un centroïde de ladite tache. Système (1, 10, 100) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le filtre diffusant (6) est agencé entre la source (2) de rayons X et le masque (4). Système (1, 10, 100) selon l’une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le filtre diffusant (6) est agencé entre le masque (4) et le capteur (3). Système (1, 10, 100) selon l’une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le filtre diffusant (6) comporte une pluralité de sous-filtres (62) chacun agencé au niveau de l’un des trous (41) du masque (4). Système (1, 10, 100) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le filtre diffusant (6) s’étend selon des dimensions supérieures ou identiques à celles de la surface formée par l’ensemble des trous (41) du masque (4). Système (1, 10, 100)selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le filtre diffusant (6) comporte, pour chaque trou (41), une pluralité de structures diffusantes (7) associée audit trou, chaque structure diffusante de ladite pluralité étant agencée pour diffracter la portion (F41) du faisceau (F) émis par la source (2) de rayons X et passant au travers dudit trou. Système (1, 10, 100) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que chaque pluralité de structures diffusantes (7) associée à un trou (41) présente des caractéristiques déterminées de sorte que la forme et/ou la répartition d’intensité de la tache (T) formée sur le capteur (3) par la portion (F41) du faisceau (F) émis par la source (2) de rayons X et passant au travers dudit trou suive une distribution gaussienne. Système (1, 10, 100) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les types et/ou les positions et/ou les formes et/ou les dimensions et/ou les coefficients d’absorption et/ou les coefficients de diffusion des structures diffusantes (7) d’une pluralité de structures diffusantes associée à un trou (41) sont distribuées de façon pseudo-aléatoire sur l’ensemble de ladite pluralité. Système (1, 10, 100) selon l’une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que le filtre diffusant (6) comporte un substrat (61) réalisé en nitrure de silicium sur lequel sont formés une pluralité de plots en or formant lesdites structures diffusantes (7). Système (1, 10, 100) selon l’une des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que le filtre diffusant (6) comporte une couche de carbone (63) remplissant les espaces séparant les structures diffusantes (7).