FR 3162912 A1 20251205 FR 2405548 A 20240529 L’invention porte sur un procédé de fabrication d’un substrat receveur pour former un substrat composite, comportant une étape de fourniture d’un substrat de base, une étape de dépôt dans une chambre de dépôt d’une couche de piégeage de charges électriques en contact avec le substrat de base. La couche de piégeage comprenant de 40 % à 80 % d’atomes de silicium, de 0,1 % à 45 % d’atomes d’oxygène, et de 0,2 % à 50 % d’atomes d’azote. L’étape de dépôt de la couche de piégeage met en œuvre un mélange de gaz précurseurs. Le mélange comprend un gaz comprenant du silicium, un gaz comprenant de l’oxygène et un gaz comprenant de l’azote. Le gaz comprenant de l’azote est de l’ammoniac ou un ensemble de molécules formant de l’ammoniac dans la chambre de dépôt lors de l’étape de dépôt. Figure pour l’abrégé : figure 1A Procédé de fabrication d’un substrat comprenant une couche de piégeage de charges électriques L’invention concerne la réalisation d’un substrat receveur comprenant une couche de piégeage de charges électriques, destiné à recevoir une couche fine cristalline par une technique de report de couche, pour obtenir un substrat composite. Le substrat composite peut être utile à la réalisation de composants radiofréquences (RF), c’est-à-dire traitant des signaux de fréquences comprises entre 20 kHz et 300 GHz, voire davantage. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Pour des applications dans le domaine des radiofréquences, il est fait souvent recours à un substrat composite tel qu’une plaque de type silicium sur isolant (ou SOI, pour « Silicon On Insulator » en anglais), ou une plaque de type piézoélectrique sur isolant (ou POI, pour « Piezoelectric on Insulator » en anglais). Un substrat composite adapté comprend généralement un substrat de base de haute résistivité, par exemple supérieure ou égal à 500 Ω.cm, sur lequel repose une couche utile fine en un matériau monocristallin, séparée du substrat de base par une couche diélectrique. Des composants radiofréquences tels que des transistors ou des dispositifs à ondes acoustiques de surface, sont réalisés dans et/ou sur la couche utile. Cependant, dans un tel substrat composite, des charges fixes sont généralement piégées dans la couche diélectrique. Celles-ci attirent des porteurs de charges libres du substrat de base, induisant une région de faible résistivité au voisinage de l’interface entre la couche diélectrique et le substrat de base. Ainsi, en fonctionnement, les composants radiofréquences sont susceptibles d’animer ces porteurs de charges libres, et donc d’induire un courant électrique, par exemple un courant de Foucault. Ce phénomène, connu sous le nom de conduction de surface parasite (ou PSC, pour « Parasitic Surface Conduction », en anglais), peut causer des pertes de puissance par dissipation, des couplages délétères entre composants radiofréquences ou des pertes de linéarité d’un ou plusieurs composants radiofréquences. Pour pallier ces inconvénients, il est connu d’adjoindre au substrat composite une couche de piégeage de charges électriques intercalée entre le substrat de base et la couche diélectrique. La couche de piégeage est typiquement une couche polycristalline comprenant des grains, ou cristallites, et des joints de grains, jouant le rôle de pièges pour les porteurs de charges libres. La couche de piégeage est d’autant plus résistive et performante que les grains sont petits et les joints de grain denses. Cependant, lors de la fabrication du substrat composite, ou lors de la fabrication des composants radiofréquences, la couche de piégeage est susceptible d’endurer des traitements thermiques pouvant induire une recristallisation de la couche de piégeage. Le cas échéant, il en résulte une perte d’efficacité de la couche de piégeage dans sa capacité à piéger des porteurs de charges libres, et par conséquent une diminution de sa résistivité. Un tel traitement thermique peut par exemple être mis en œuvre lors d’une sous-étape de renforcement d’une interface de collage au cours du report de la couche utile sur le substrat de base. Au cours de cette sous-étape de renforcement, la couche de piégeage peut par exemple être soumise à une température comprise entre 900 °C et 1250 °C, pendant une durée comprise entre 10 s et 2 heures. Il est notamment connu qu’une couche de piégeage en silicium polycristallin en contact avec un substrat de base en silicium monocristallin est susceptible de recristalliser depuis l’interface entre la couche de piégeage et le substrat de base. Plusieurs solutions existent dans l’état de la technique pour contenir ce phénomène. Le document US20210074551 propose par exemple de déposer une couche de piégeage en silicium polycristallin sur un substrat de base en silicium monocristallin oxydé. Plus précisément, la couche de piégeage comprend une alternance de premières sous-couches en silicium polycristallin non intentionnellement dopées, et de deuxièmes sous-couches en silicium polycristallin dopées en oxygène. Les premières sous-couches ont des épaisseurs comprises entre 20 nm et 60 nm. Les deuxièmes sous-couches ont des épaisseurs comprises entre 1 nm et 2 nm. La taille moyenne des grains des deuxièmes sous-couches est inférieure à la taille des grains des premières sous-couches. Les deuxièmes sous-couches dopées en oxygène limitent la croissance des grains des premières sous-couches lors de traitements thermiques. Le document US20170084478 décrit un substrat composite comportant une couche de piégeage en silicium polycristallin d’épaisseur comprise entre 200 nm et 1 µm, comprenant entre 2 % et 20 % de carbone et/ou d’azote. La présence de carbone permet de ralentir la cinétique de recristallisation du silicium polycristallin. En revanche, le document ne donne aucune indication précise sur le rôle de l’azote et n’indique pas la nature du gaz permettant sa présence dans la couche. Le document US20210376075, postérieur au document US20170084478, décrit un substrat composite comportant une couche de piégeage en silicium polycristallin contenant une concentration d’atomes d’azote comprise entre 10 16 at.cm -3 et 10 20 at.cm -3 , soit une proportion d’atomes d’azote par rapport à l’ensemble des atomes de la couche de piégeage inférieure à 0,2 %. Les atomes d’azote sont introduits dans la couche de piégeage par implantation. Plusieurs étapes d’implantation sont prévues pour tenter d’uniformiser la concentration d’azote. Selon ce document, l’azote permet de ralentir la croissance des grains pendant un traitement thermique. Cependant, la solution proposée dans ce document n’est pas adaptée si on souhaite uniformiser et/ou augmenter la quantité d’azote dans le cadre d’un procédé industriel qui se veut rapide et efficace. L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un procédé de fabrication d’un substrat receveur pour un substrat composite comportant une couche de piégeage en silicium polycristallin ayant une densité importante de pièges pour des porteurs de charges libres, ceci même après avoir subi un traitement thermique, par exemple à une température supérieure ou égal à 900°C. La couche de piégeage obtenue avec le procédé de fabrication de l’invention permet notamment de garantir un haut niveau de performance RF en lien avec une spécification de budget thermique devant être respectée pour la fabrication de composants radiofréquences, égale à 1100 °C pendant une durée supérieure ou égale à quelques minutes, par exemple une durée supérieure ou égale à 5 minutes. Plus particulièrement, la couche de piégeage est préservée au cours de procédés de fabrication nécessitant un ou plusieurs traitements thermiques susceptibles d’être utilisés pour la réalisation de composants radiofréquences. Pour cela, l’objet de l’invention est un procédé de fabrication d’un substrat receveur pour former un substrat composite, comportant une étape de fourniture d’un substrat de base, une étape de dépôt dans une chambre de dépôt d’une couche de piégeage de charges électriques en contact avec le substrat de base. La couche de piégeage comprenant de 40 % à 80 % d’atomes de silicium, de 0,1 % à 45 % d’atomes d’oxygène, et de 0,2 % à 50 % d’atomes d’azote. L’étape de dépôt de la couche de piégeage met en œuvre un mélange de gaz précurseurs. Le mélange comprend un gaz comprenant du silicium, un gaz comprenant de l’oxygène et un gaz comprenant de l’azote. Le gaz comprenant de l’azote est de l’ammoniac ou un ensemble de molécules formant de l’ammoniac dans la chambre de dépôt lors de l’étape de dépôt. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé de fabrication sont les suivants. Le gaz comprenant du silicium peut être constitué de silane ou de dichlorosilane. Le gaz comprenant de l’oxygène peut être du protoxyde d’azote. Le gaz comprenant de l’azote peut être de l’ammoniac. Le protoxyde d’azote et/ou l’ammoniac peuvent être introduits dans la chambre de dépôt à des débits relatifs au débit total des gaz précurseurs respectivement compris entre 5 % et 20 %, et entre 3 % et 20 %. Le débit relatif du protoxyde d’azote peut être compris entre 8 % et 17 %. Le débit relatif d’ammoniac peut être compris entre 3 % et 10 %. La couche de piégeage peut avoir une épaisseur inférieure à 300 nm, ou inférieure à 200 nm. Le procédé de fabrication d’un substrat receveur pour former un substrat composite peut comprendre en outre une étape de dépôt d’une couche d’oxyde de silicium directement après l’étape de dépôt de la couche de piégeage dans la chambre de dépôt. Le cas échéant, le gaz comprenant de l’oxygène peut être du protoxyde d’azote. A l’issue de l’étape de dépôt de la couche de piégeage, pour procéder à l’étape de dépôt de la couche d’oxyde de silicium, un débit du gaz comprenant du silicium peut être diminué, un débit du gaz comprenant de l’azote peut être interrompu, un débit de protoxyde d’azote peut être augmenté. L’étape de dépôt peut être un dépôt LPCVD. Le cas échéant, le dépôt LPCVD peut être effectué à une température comprise entre 600 °C et 800 °C. La chambre de dépôt peut être soumise à une pression comprise entre 6,7 Pa et 133 Pa lors de l’étape de dépôt. La couche de piégeage peut comprendre de 10 % à 30 % d’atomes d’oxygène. La couche de piégeage peut comprendre de 15 % à 50 % d’atomes d’azote, de préférence 20% à 40%. L’invention porte également sur un Procédé de fabrication d’un substrat composite comprenant une étape de réalisation d’un substrat receveur par un procédé de fabrication selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes, et une étape de report d’une couche utile sur la couche de piégeage. L’étape de report peut comprendre une fourniture d’un substrat donneur en silicium pouvant comprendre une face de collage dépourvue d’oxyde de silicium et la couche utile de façon à ce que la couche utile s’étende en profondeur dans le substrat donneur depuis la face de collage. L’étape de report peut comprendre un collage moléculaire du substrat donneur sur le substrat receveur par une mise en contact de la face de collage et de la couche en oxyde de silicium. La mise en contact peut être suivie par un traitement thermique à une température supérieure ou égale à 900°C. Le substrat donneur peut être fourni avec un plan de fragilisation du substrat donneur délimitant la couche utile, le collage moléculaire peut comprendre une fracture du plan de fragilisation, et l’étape de report peut comporter en outre un lissage de la couche utile postérieure au collage moléculaire mettant en œuvre un traitement thermique. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : les figures 1A à 1D sont des vues schématiques en coupe d’un procédé de fabrication d’un substrat composite ; la FIG. 2 est un résultat d’expérience donnant des exemples de concentrations d’oxygène et d’azote dans des couches de piégeage obtenues à partir de différentes conditions de dépôt ; la FIG. 2 est un résultat d’expérience comparant des niveaux de performance RF obtenus après un traitement thermique à 900 °C avec les couches de piégeages respectives de l’expérience de la FIG. 2 ; les figures 3A à 3C sont des cartographies AFM de trois couches de piégeage parmi celles de l’expérience de la FIG. 2 . EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l’ordre de » signifient à 10% près, et de préférence à 5% près. Par ailleurs, les termes « compris entre … et … » et équivalents signifient que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. L’invention porte sur un procédé de fabrication d’un substrat receveur. Le substrat receveur peut être une partie d’un substrat composite servant à la réalisation de composants radiofréquences. Le substrat receveur comporte un substrat de base et une couche de piégeage en silicium polycristallin, en contact physique avec le substrat de base. Le substrat de base peut être en silicium, le cas échéant il peut comporter une fine couche d’oxyde de silicium en contact avec la couche de piégeage. La fine couche d’oxyde de silicium peut être un oxyde de silicium natif, déposé, ou thermique. La couche de piégeage comprend en outre des atomes d’oxygène et des atomes d’azotes en quantités suffisantes pour freiner la croissance de grains de silicium de la couche de piégeage lorsqu’elle est soumise à un traitement thermique par comparaison avec une couche de silicium polycristallin non intentionnellement dopée subissant le même traitement thermique. En l’absence d’oxygène, une couche en silicium polycristallin déposée, comprenant éventuellement de l’azote, a une structure de grains de type colonnaire pour laquelle les grains s’étirent généralement de façon prépondérante dans une direction de croissance de la couche. Or, il a été constaté que l’addition d’atomes d’oxygène en combinaison avec des atomes d’azote à une couche en silicium polycristallin permet d’obtenir des grains ayant chacun des dimensions sensiblement identiques dans toutes les directions de l’espace, typiquement à 20 % près. Ceci permet d’augmenter la densité de pièges de charges électriques et d’améliorer la stabilité de la couche à un traitement thermique. De plus, lors d’un dépôt d’une couche de piégeage en silicium polycristallin, il a été constaté que la combinaison d’un gaz comprenant de l’oxygène - comme par exemple, du protoxyde d’azote (N 2 O) - et de l’ammoniac (NH 3 ) permet d’introduire des atomes d’oxygène et d’azote en quantité suffisante dans la couche de piégeage pour améliorer la performance RF de composants radiofréquences réalisés dans et/ou sur un substrat composite comprenant la couche de piégeage. En comparaison, la quantité d’azote introduite en présence de protoxyde d’azote, sans ammoniac, est sensiblement nulle, quel que soit le flux de protoxyde d’azote. De préférence, la quantité d’azote introduite dans la couche de piégeage est strictement inférieure à une concentration au-delà de laquelle un nitrure de silicium diélectrique se forme, ceci pouvant être vérifié expérimentalement. La performance RF d’un composant radiofréquence ou d’un circuit radiofréquence peut être estimée en procédant à une caractérisation RF du substrat composite sur et/ou dans lequel le composant ou le circuit radiofréquence sont destinés à être formés. Comme cela est documenté dans la publication « White paper – RF SOI Characterisation » de janvier 2015 et publiée par la société SOITEC, la performance RF d'un substrat peut être caractérisée par une mesure de distorsion de seconde harmonique HD2. Comme cela est expliqué plus en détail dans cette publication, introduite ici par référence, un guide d’onde coplanaire est formé sur une couche isolante électrique d’un substrat receveur destinée à recevoir une couche utile pour obtenir le substrat composite. Un signal d’entrée à 900 MHz, de puissance égale à -15 dBm, est appliqué au guide d’onde coplanaire. Une mesure de la deuxième harmonique (HD2) d’un signal de sortie issu du signal d’entrée permet de prédire la performance RF du composant ou du circuit radiofréquence, notamment leur linéarité. Dans un premier temps, un procédé de réalisation d’un substrat receveur 1 et d’un substrat composite 10 va être décrit en lien avec les figures 1A à 1D. En FIG. 1 , on fournit un substrat de base 100. Le substrat de base 100 a une face supérieure et une face inférieure opposée à la face supérieure, sensiblement parallèle à la face supérieure. Le substrat de base 100 peut être une plaque en silicium, par exemple de diamètre égal à 150 mm, 200 mm ou 300 mm. Le cas échéant, le substrat de base 100 a de préférence une résistivité supérieure ou égale à 500 Ω.cm, par exemple comprise entre 1 kΩ.cm et 20 kΩ.cm, voire supérieure ou égale à 20 kΩ.cm. On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel orthogonal (X, Y, Z), où les axes X et Y forment un plan parallèle à la face supérieure du substrat de base 100, où l’axe Z est orienté de manière sensiblement orthogonale à la face supérieure du substrat de base 100, depuis la face inférieure vers la face supérieure. Dans la suite de la description, les termes « vertical » et « verticalement » s’entendent comme étant relatifs à une orientation sensiblement parallèle à l’axe Z, et les termes « horizontal » et « horizontalement » comme étant relatifs à une orientation sensiblement parallèle au plan (X, Y). Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » s’entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant lorsqu’on s’éloigne du substrat 100 suivant la direction +Z. Le terme « latéral » se réfère à une orientation sensiblement parallèle à l’axe Z. On procède éventuellement à une préparation de surface de la face supérieure pouvant mettre en œuvre une ou des sous-étapes de nettoyage et/ou de polissage et/ou d’oxydation. On dépose ensuite une couche de piégeage 110 en silicium polycristallin dans une chambre de dépôt. Il peut s’agir d’un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (ou LPCVD, pour Low Pressure Chemical Vapor Deposition, en anglais) dans une chambre de dépôt LPCVD. Pour ce dépôt, un mélange de gaz précurseurs est utilisé. Le mélange de gaz comprend un gaz contenant des atomes de silicium, un gaz comprenant des atomes d’oxygène et un gaz comprenant de l’azote. Le gaz comprenant de l’oxygène est avantageusement du protoxyde d’azote (N 2 O), comme c’est le cas dans cet exemple de procédé de fabrication. Le gaz contenant de l’azote est avantageusement de l’ammoniac (NH 3 ) ou un ensemble de molécules formant de l’ammoniac dans la chambre de dépôt lors du dépôt. Dans cet exemple, le gaz contenant de l’azote est de l’ammoniac. Le mélange de gaz peut ne pas contenir d’autres gaz. La chambre de dépôt peut faire partie d’un équipement de dépôt LPCVD pouvant traiter un grand nombre de plaques en parallèle, par exemple 120 plaques, ceci afin de diminuer des coûts de production. Le gaz contenant des atomes de silicium peut être du silane (SiH 4 ) et/ou du dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 , ou DCS) et/ou du trichlorosilane (HCl 3 Si) et/ou du disilane (Si 2 H 6 ) et/ou trisilane (Si 3 H 8 ). Dans l’exemple particulier décrit ici, le gaz contenant des atomes de silicium est du silane. La température du dépôt est comprise entre 500 °C et 900 °C. Lorsque le gaz contenant des atomes de silicium est du silane, la température de dépôt est préférentiellement comprise entre 600 °C et 750 °C, encore plus préférentiellement comprise entre 650 °C et 700 °C. Lorsque le gaz contenant des atomes de silicium est du dichlorosilane, la température de dépôt est préférentiellement comprise entre 700 °C et 800 °C. Lorsque le gaz contenant des atomes de silicium est du disilane ou du trisilane, la température de dépôt est préférentiellement comprise entre 500 °C et 700 °C. Au cours du dépôt, la pression dans la chambre de dépôt est comprise entre 0,05 Torr et 1 Torr, préférentiellement comprise entre 0,2 Torr et 0,5 Torr. L’épaisseur de la couche de piégeage 110, mesurée parallèlement à l’axe Z, est par exemple comprise entre 10 nm et 1,5 µm, préférentiellement comprise entre 50 nm et 300 nm, par exemple comprise entre 70 nm et 200 nm. Une couche de piégeage de faible épaisseur, par exemple inférieure à 200 nm, voire inférieure à 100 nm, permet de réduire des contraintes mécaniques et, par conséquent, des déformations du substrat receveur 1 et/ou du substrat composite 10. Dans le cadre d’une mise en œuvre industrielle, une couche de piégeage 110 plus fine est avantageuse pour réduire des coûts de fabrication. Sa rugosité de surface est moins importante qu’une couche de piégeage de nature identique, mais plus épaisse. En outre, une couche de piégeage 110 plus fine permet de réduire une quantité de matière enlevée au cours d’une éventuelle étape de polissage ultérieure, par exemple une sous-étape de polissage mécano-chimique de préparation de surface pour un collage direct. De préférence, les gaz précurseurs sont introduits dans la chambre de dépôt à des débits respectifs sensiblement constants, de sorte que la couche de piégeage 110 a des concentrations en atomes de silicium, d’oxygène et d’azote sensiblement uniformes, par exemple chacune à 2 % près. La FIG. 1 est une étape optionnelle de dépôt d’une couche isolante 120. La couche isolante 120 peut être une couche diélectrique, par exemple en nitrure de silicium (SiN x ) ou en oxyde de silicium (SiO x ). La couche isolante 120 a par exemple une épaisseur mesurée parallèlement à l’axe Z comprise entre 10 nm et 10 µm, par exemple comprise entre 50 nm et 4 µm. Avantageusement, la couche isolante 120 est, comme ici, en oxyde de silicium et déposée dans la chambre de dépôt LPCVD directement à la suite du dépôt de la couche de piégeage 110, c’est-à-dire sans remise à l’air du substrat de base 100 entre le dépôt de la couche de piégeage 110 et le dépôt de la couche isolante 120. L’interface entre la couche de piégeage 110 et la couche isolante 120, et les couches de piégeage 110 et isolante 120 elles-mêmes sont alors dépourvues de particules contaminantes pouvant provenir de l’air ambiant. Une ou des étapes de nettoyage peuvent être évitées. Pour atteindre cet objectif, il est par exemple possible, à l’issue de l’étape de dépôt de la couche de piégeage (110) de diminuer le débit du gaz contenant du silicium, d’interrompre le débit d’ammoniac et d’augmenter le débit de protoxyde d’azote. Ainsi, il est possible de tirer profit du fait que le protoxyde d’azote, en absence d’ammoniac, n’intègre pas d’azote dans un dépôt de silicium polycristallin pour obtenir une couche isolante 120 en oxyde de silicium dépourvue d’azote. Par exemple, lorsque le gaz contenant du silicium est du silane ou du dichlorosilane, le débit de protoxyde d’azote peut être augmenté de façon à être compris entre 50 et 60 fois le débit du gaz contenant du silicium. De préférence, la couche isolante 120 est déposée à une température de dépôt comprise entre 700 °C et 850 °C, voire entre 780 °C et 850 °C, ceci afin d’augmenter la vitesse de dépôt. Les figures 1C et 1D représentent schématiquement une étape de report d’une couche utile 210 sur la couche de piégeage 110. La couche utile 210 peut être reportée sur la couche de piégeage 110 de façon à être en contact avec celle-ci, notamment lorsque l’étape de la FIG. 1 n’est pas effectuée. Alternativement, comme représenté ici, l’étape de la FIG. 1 est effectuée et la couche utile 210 est reportée sur la couche de piégeage 110 de façon à être en contact avec la couche isolante 120. En FIG. 1 , on fournit un substrat donneur 200 comprenant une face de collage et la couche utile. La couche utile 210 est ici délimitée en profondeur, d’un côté opposé à la face de collage, par un plan de fragilisation 205 préalablement introduit dans le substrat donneur 200, par exemple par implantation d’espèces atomiques légères comme de l’hydrogène et/ou de l’hélium. L’implantation peut être effectuée en une ou plusieurs sous-étapes au travers d’une couche protectrice, par exemple en oxyde de silicium. La couche protectrice a été avantageusement retirée avant l’étape de la FIG. 1 , de sorte que la face de collage est dépourvue d’oxyde de silicium. Alternativement, la couche utile 210 peut être une partie fictive du substrat donneur 200 destinée à être une partie restante du substrat donneur 200 après un amincissement du substrat donneur 200 depuis une face du substrat donneur 200 opposée à la face de collage impliquant une ou plusieurs étapes de rodage et/ou de polissage. La couche utile 210 peut également être une couche séparée d’une partie principale du substrat donneur 200 par une couche de séparation apte à être gravée sélectivement par rapport à la couche utile 210. La couche utile 210 s’étend parallèlement à la face de collage, de préférence sur une partie substantielle du substrat donneur 200. La couche utile 210 s’étend en profondeur depuis la couche protectrice, lorsqu’elle est présente, ou depuis la face de collage dans le cas contraire. La couche utile 210 est par exemple en un matériau piézoélectrique, en un matériau ferroélectrique ou un matériau semiconducteur. Elle est ici en silicium monocristallin. Le substrat donneur 200 est assemblé au substrat de base 100 par un collage direct. Pour cela, la face de collage est mise en contact de la couche isolante 120 lorsqu’elle est présente ou en contact de la couche de piégeage 110, dans le cas contraire. Plusieurs méthodes de collage direct connues de l’homme du métier sont applicables à l’invention. Il peut s’agir d’un collage moléculaire, par exemple un collage hydrophile ou hydrophobe à température ambiante, éventuellement après une activation plasma ou chimique d’une ou des faces devant être mises en contact. Cela peut être aussi un collage par diffusion atomique (ou ADB, pour « Atomic Diffusion Bonding » en anglais), ou encore un collage par activation de surface (ou SAB, pour « Surface Activated Bonding » en anglais). De préférence, lorsque la couche isolante 120 est présente et la couche utile 210 est en silicium, la face de collage est dépourvue d’oxyde de silicium. En FIG. 1 , il est obtenu un substrat composite 10 comprenant la couche de piégeage 110. On procède à une fracture du substrat donneur 200 au niveau du plan de fragilisation 205 de façon à séparer la couche utile 210 d’une partie sacrificielle du substrat donneur 200. La fracture est classiquement initiée par un apport d’énergie sous la forme d’un traitement thermique et/ou d’une action mécanique. Ainsi la couche utile 210 est reportée sur le substrat de base 100 et sur la couche de piégeage 110. Après séparation de la couche utile 210, une étape de finition comprenant un ou plusieurs des traitements de finition connus de l’art antérieur peut être appliquée à la couche utile 210 et/ou la couche de piégeage 110 et/ou la couche isolante 120. L’étape de finition peut par exemple comprendre une sous-étape de renforcement, voire de fermeture, d’une interface de collage résultante du collage direct. L’étape de finition peut comprendre également une sous-étape d’amincissement de la couche utile 210 impliquant une oxydation sacrificielle, suivie d’un lissage de la couche utile 210 par un traitement thermique sous un gaz neutre, par exemple de l’argon. En lien avec les figures 2A, 2B, 3A, 3B et 3C, il va à présent être décrit des résultats d’expériences obtenus par un procédé tel que décrit en lien avec la FIG. 1 et éventuellement 1B mettant en œuvre différentes conditions de dépôt LPCVD de la couche de piégeage 110. Pour ces expériences, un flux de chaque gaz précurseur i constituant le mélange de gaz précurseurs est introduit dans la chambre de dépôt LPCVD à un débit absolu d i , généralement mesuré en centimètres cubes standards par minute (ou sccm, pour « standard cubic centimeters per minute », en anglais). On associe alors à chaque gaz précurseur i, un débit relatif au débit total des gaz précurseurs d r,i , égal au débit absolu d i du gaz précurseur i, divisé par la somme des débits absolus de tous les gaz précurseurs. Pour les expériences des figures 2A, 2B, 3A, 3B et 3C, le mélange de gaz précurseurs consiste en du silane (SiH 4 ), du protoxyde d’azote (N 2 O) et de l’ammoniac (NH 3 ). Ainsi, les débits relatifs de silane, de protoxyde d’azote et d’ammoniac sont donnés par les formules respectives suivantes : Pour ces expériences, la température de dépôt est comprise entre 600 et 750 °C. La pression est maintenue dans une gamme comprise entre 0,1 et 0,5 Torr. Les couches de piégeage 110 ont des épaisseurs de l’ordre de 200 nm +/-50 nm. Le substrat de base 100 a une résistivité sensiblement égale à 8000 Ohm.cm. En FIG. 2 , il est donné des concentrations d’oxygène et d’azote en pourcentages atomiques dans des couches de piégeage 110, en fonction de différents débits relatifs de protoxyde d’azote (axe des abscisses) et différents débits relatifs d’ammoniac (axe des ordonnées), dans la chambre de dépôt LPCVD. Les concentrations d’oxygène et d’azote obtenues sont données entre parenthèses pour différents points expérimentaux P1 à P8, en premier lieu pour l’oxygène, et en deuxième lieu pour l’azote. Ainsi, par exemple, le point expérimental P6(10%, 20%) correspond à une couche de piégeage 110 comprenant une concentration en atomes d’oxygène de 10% par rapport au nombre total d’atomes de la couche de piégeage 110, et une concentration d’atomes d’azote de 20% par rapport au nombre total d’atomes de la couche de piégeage 110. Les concentrations atomiques sont ici mesurées par une technique de spectroscopie de rayons X à dispersion d’énergie (EDS), couplée à une microscopie électronique en transmission (TEM). L’incertitude de mesure des concentrations atomiques données en pourcentage est ici comprise entre 1 et 2 points de pourcentage. Ainsi, un résultat de mesure d’une concentration atomique de 20 % implique que la concentration atomique est au moins comprise entre 18 % et 22 %. Étonnement, par comparaison des points expérimentaux P2 à P5, il a été constaté que le protoxyde d’azote n’incorpore pas d’azote dans la couche de piégeage 110, quel que soit le débit relatif de protoxyde d’azote par rapport au débit de silane. En revanche, l’ammoniac permet une introduction effective d’azote dans la couche de piégeage 110 (point expérimental P1). En FIG. 2 , on a représenté des mesures de puissance de la deuxième harmonique (HD2, axe des ordonnées en dBm) obtenues avec des couches de piégeage 110 correspondant aux points expérimentaux P1 à P8 de la FIG. 2 . La méthode de mesure est identique à celle décrite dans le document publication « White paper – RF SOI Characterisation » de janvier 2015. Les mesures HD2 ont été effectuées après un traitement thermique expérimental, représentatif d’une sous-étape de renforcement d’une interface de collage lors du transfert de la couche utile 210. Le traitement thermique expérimental est effectué à une température égale à 900 °C, pendant une durée égale à 120 minutes. Ces résultats de mesure mettent en évidence que la combinaison d’atomes d’azote et d’oxygène dans la couche de piégeage 110 (points expérimentaux P6 à P8) permet d’atteindre une puissance de la deuxième harmonique strictement inférieure aux puissances de la deuxième harmonique obtenues en absence d’oxygène (point expérimental P1) ou en absence d’azote (points expérimentaux P2 à P5). A titre d’exemple, la puissance de la deuxième harmonique obtenue pour le point P6 est 151,0 fois plus faible que celle obtenue pour le point expérimental P1 (écart de -21,79 dBm) et 4,9 fois plus faible que celle obtenue pour le point expérimental P3 (écart de -6,9 dBm). Toujours à titre d’exemple, la puissance de la deuxième harmonique obtenue pour le point P7 est 113,0 fois plus faible que celle obtenue pour le point expérimental P1 (écart de -20,53 dBm) et 3,7 fois plus faible que celle obtenue pour le point expérimental P3 (écart de -5,64 dBm). Il a par exemple été observé qu’un débit relatif de protoxyde d’azote d r,N2O compris entre 5 % et 20 %, en combinaison avec un débit relatif d’ammoniac d r,NH3 compris entre 3 % et 20 %, permet d’introduire lors du dépôt, une concentration d’oxygène et une concentration d’azote dans la couche de piégeage 110, supérieures ou égale à, respectivement, une concentration efficace d’oxygène et une concentration efficace d’azote de la couche de piégeage 110, permettant d’obtenir une diminution de la puissance de la deuxième harmonique par rapport à l’art antérieur après un traitement thermique à 900 °C. La concentration efficace d’oxygène est égale à 0,1 %, préférentiellement égale à 7, voire égale à 10 %. La concentration efficace d’azote est égale à 0,2 %, préférentiellement égale à 20 %. Il est possible que les atomes d’oxygène et/ou les atomes d’azote se concentrent majoritairement au niveau des joints de grains de la couche de piégeage 110 et que les nanocristaux de silicium soient sensiblement dépourvus d’oxygène et/ou d’azote. Avantageusement, le débit relatif de protoxyde d’azote d r,N2O est compris entre 8 % et 17 %. Avantageusement, débit relatif d’ammoniac d r,NH3 compris entre 3 % et 10 %. Il est préférable de combiner ces deux gammes avantageuses. Sur la FIG. 2 , on a représenté par un rectangle en lignes discontinues, la combinaison de ces deux gammes avantageuses, encadrant les points expérimentaux P6 et P7. Des résultats morphologiques permettent d’expliquer les performances RF obtenues. Certains de ces résultats sont mentionnés dans le Tableau 1. En première colonne, on trouve le numéro du point expérimental analysé parmi ceux de la FIG. 2 . En deuxième colonne, il est donné la taille moyenne des grains en nm, mesurée dans un plan parallèle au plan (X, Y), à la suite du traitement thermique expérimental. En troisième et quatrième colonnes, il est donné des résultats de mesure de la rugosité de la couche de piégeage 110 avant le traitement thermique expérimental, obtenus à l’aide d’un microscope à force atomique sur une surface carrée de la couche de piégeage 110, de 1 µm de côté. En troisième colonne, il est donné la valeur quadratique moyenne de la rugosité en nm (ou RMS, pour « Root Mean Square », en anglais). En quatrième colonne, il est donné la hauteur crête à creux de la rugosité en nm (ou PV, pour « Peak to Valley », en anglais). Les figures 3A, 3B et 3C sont des cartographies obtenues au microscope à force atomique des couches de piégeage correspondant respectivement aux points expérimentaux P1, P4 et P7, lors des mesures de rugosité des troisième et quatrième colonnes du Tableau 1. Point expérimental Taille des grains (nm) Rugosité (nm RMS) Rugosité (nm PV) P1 50 5,44 44,6 P4 5 à 10 5,05 38,1 P7 2 2,28 20,7 Tableau 1 Après le dépôt de la couche de piégeage 110, la rugosité de surface de la couche de piégeage 110 comprenant des atomes d’oxygène et d’azote (point expérimental P7) est ainsi plus faible que les rugosités de surface des couches de piégeage dépourvues d’oxygène (point expérimental P1) ou d’azote (point expérimental P4). Ceci indique que l’incorporation d’une combinaison d’atomes d’oxygène et d’azote permet de réduire la taille des grains. Ceci est confirmé par les mesures de la taille des grains des couches de piégeage 110 après le traitement thermique expérimental (première colonne). Pour estimer la taille des grains d’une couche de piégeage 110, il est par exemple possible de compter le nombre de grains à l’intérieur d’une image de microscopie électronique, ou d’une cartographie AFM, contenant un nombre significatif de grains (par exemple 1000 ou plus), de calculer la surface moyenne des grains en divisant la superficie de l’image ou de la cartographie par le nombre total de grains, et de calculer le diamètre d’un cercle ayant la même surface que la surface moyenne des grains. Il est possible de mesurer plus précisément la taille des grains par diffractométrie de rayons X (ou XRD, pour « X-Ray Diffraction », en anglais). Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier. Il est par exemple possible d’utiliser des gaz précurseurs permettant d’incorporer plus d’un atome d’intérêt par molécule, choisi parmi le silicium, l’azote ou l’oxygène. Dans ce cas, il est à la portée de l’homme du métier d’adapter les gammes de débit relatif des gaz précurseurs pour obtenir une concentration d’azote et une concentration d’oxygène supérieure ou égale aux concentrations efficaces respectives d’azote et d’oxygène. Ainsi, par exemple, si le mélange de gaz précurseurs consiste en du disilane (Si 2 H 6 ), du protoxyde d’azote (N 2 O) et de l’ammoniac (NH 3 ), de façon à conserver le même rapport de proportionnalité entre les espèces, il est nécessaire de diviser par deux le débit absolu de disilane par rapport à celui qui aurait été choisi pour du silane, puisque le disilane incorpore deux fois plus d’atomes de silicium dans la couche de piégeage 110 que le silane. Procédé de fabrication d’un substrat receveur (1) pour former un substrat composite (10), comportant : une étape de fourniture d’un substrat de base (100), une étape de dépôt dans une chambre de dépôt d’une couche de piégeage de charges électriques (110) en contact avec le substrat de base (100), la couche de piégeage comprenant : de 40 % à 80 % d’atomes de silicium, de 0,1 % à 45 % d’atomes d’oxygène, et de 0,2 % à 50 % d’atomes d’azote, l’étape de dépôt de la couche de piégeage mettant en œuvre un mélange de gaz précurseurs, le mélange comprenant un gaz comprenant du silicium, un gaz comprenant de l’oxygène et un gaz comprenant de l’azote, caractérisé en ce que le gaz comprenant de l’azote est de l’ammoniac ou un ensemble de molécules formant de l’ammoniac dans la chambre de dépôt lors de l’étape de dépôt. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel le gaz comprenant du silicium est constitué de silane ou de dichlorosilane. Procédé de fabrication selon la revendication 2, dans lequel le gaz comprenant de l’oxygène est du protoxyde d’azote, le gaz comprenant de l’azote est de l’ammoniac, et dans lequel le protoxyde d’azote et l’ammoniac sont introduits dans la chambre de dépôt à des débits relatifs au débit total des gaz précurseurs respectivement compris entre 5 % et 20 %, et entre 3 % et 20 %. Procédé de fabrication selon la revendication 3, dans lequel le débit relatif du protoxyde d’azote est compris entre 8 % et 17 %, et le débit relatif d’ammoniac est compris entre 3 % et 10 %. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche de piégeage a une épaisseur inférieure à 200 nm. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre une étape de dépôt d’une couche d’oxyde de silicium (120) directement après l’étape de dépôt de la couche de piégeage (110) dans la chambre de dépôt. Procédé de fabrication selon la revendication 6, dans lequel le gaz comprenant de l’oxygène est du protoxyde d’azote, et dans lequel, à l’issue de l’étape de dépôt de la couche de piégeage (110), un débit du gaz comprenant du silicium est diminué, un débit du gaz comprenant de l’azote est interrompu et un débit de protoxyde d’azote est augmenté pour procéder à l’étape de dépôt de la couche d’oxyde de silicium. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’étape de dépôt est un dépôt LPCVD. Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel le dépôt LPCVD est effectué à une température comprise entre 600 °C et 800 °C. Procédé de fabrication selon les revendications 8 ou 9, dans lequel la chambre de dépôt est soumise à une pression comprise entre 6,7 Pa et 133 Pa lors de l’étape de dépôt. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, la couche de piégeage comprend de 10 % à 30 % d’atomes d’oxygène. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, la couche de piégeage comprend de 15 % à 50 % d’atomes d’azote, de préférence 20% à 40%. Procédé de fabrication d’un substrat composite (10) comprenant : une étape de réalisation d’un substrat receveur (1) par un procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, une étape de report d’une couche utile (210) sur la couche de piégeage (110). Procédé de fabrication selon la revendication 13, dans lequel le substrat receveur (1) est obtenu par un procédé de fabrication d’un substrat receveur (1) selon les revendications 6 ou 7, et dans lequel l’étape de report comprend : une fourniture d’un substrat donneur (200) en silicium comprenant une face de collage dépourvue d’oxyde de silicium et la couche utile (210) de façon à ce que la couche utile (210) s’étende en profondeur dans le substrat donneur (200) depuis la face de collage, un collage moléculaire du substrat donneur (200) sur le substrat receveur (1) par une mise en contact de la face de collage et de la couche en oxyde de silicium (120), suivie par un traitement thermique à une température supérieure ou égale à 900°C. Procédé de fabrication selon la revendication 14, dans lequel le substrat donneur (200) est fourni avec un plan de fragilisation (205) du substrat donneur (200) délimitant la couche utile (210), le collage moléculaire comprend une fracture du plan de fragilisation (205), et l’étape de report comporte en outre un lissage de la couche utile (210) postérieure au collage moléculaire mettant en œuvre un traitement thermique.