FR 3160980 A1 20251010 FR 2403618 A 20240408 L’invention concerne un procédé de fabrication d’une couche de siliciure de cobalt CoSi 2 comportant les étapes de : Fourniture d’un substrat comprenant une couche de silicium ; Dépôt, sur le substrat, d’une couche de cobalt Co ; Recuit de l’empilement par un laser nanoseconde comprenant au moins une impulsion laser de durée comprise entre 50 nanosecondes et 20 microsecondes et une densité d’énergie choisie de sorte à former la couche de siliciure de cobalt CoSi 2 à l’état solide. Figure à publier avec l’abrégé : Aucune Procédé de fabrication de siliciure de cobalt CoSi 2 La présente invention concerne de manière générale le domaine des matériaux utilisés en micro-électronique. Elle concerne plus particulièrement le siliciure de cobalt CoSi 2 . En particulier, la présente invention concerne un procédé de fabrication d’une couche de CoSi 2 . L’invention concerne également un dispositif électronique dont au moins une zone, par exemple un contact, est réalisée en CoSi 2 obtenu par le procédé selon l’invention. L’invention concerne par exemple mais de façon non limitative un transistor dont les contacts de drain et de source et/ou de grille sont réalisés en CoSi 2 . L’invention peut également concerner un transistor à effet Josephson JoFET (« Josephson Field Effect Transistor ») dans lequel le CoSi 2 est utilisé comme matériau supraconducteur pour le drain et/ou la source. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Les propriétés physiques du siliciure de cobalt CoSi 2 (bonne stabilité thermique, chimiquement inerte, faible résistivité) le rendent particulièrement adapté pour la formation de contacts pour la fabrication en technologie CMOS. Ceci est notamment vrai pour la réalisation de contacts en CoSi 2 de la grille et/ou de la source et du drain d’un transistor CMOS. Le CoSi 2 est par ailleurs un matériau supraconducteur et peut donc être utilisé en tant que contact supraconducteur dans un transistor JoFET. (« Josephson Field Effect Transistor »). La formation du CoSi 2 commence par le dépôt d'une mince couche de cobalt (Co) sur un substrat en silicium suivi de deux traitements thermiques rapides RTA (« Rapid Thermal Annealing ») d’une dizaine de secondes. Deux RTA sont nécessaires car le CoSi 2 n’est pas le premier siliciure formé à la suite de la réaction du Co avec le Si. Le dépôt de Co est par exemple réalisé par dépôt physique en phase vapeur PVD (« Physical Vapor Deposition »). Chacun des RTA est par exemple réalisé par conduction à l’aide de blocs chauffants à proximité de la plaque de silicium. Après le dépôt de cobalt, l’empilement est donc soumis à une première étape de traitement thermique rapide RTA à une température voisine de 500°C. Pendant ce premier traitement RTA, le cobalt réagit avec le silicium pour former une couche intermédiaire de CoSi qui forme une phase résistive. Cette première étape a pour but d’incorporer de manière maitrisée la quantité de Co nécessaire afin d’éviter la consommation complète du semi-conducteur, par exemple pour les zones de source et drain. Ensuite, le Co non réagi est retiré sélectivement, par exemple au moyen d’une étape de gravure sélective. Cette étape permet d’éviter la formation de zones non souhaitées de cobalt métallique sur le substrat. Après l'élimination de l'excès de cobalt, l’empilement est soumis à une deuxième étape de RTA à une température plus élevée, typiquement entre 600 et 900°C. Cette étape permet la de transformer le CoSi en CoSi2. Outre la complexité et le cout du process, la formation du CoSi2 décrite ci-dessus pose cependant certaines difficultés. En effet, la température relativement élevée du deuxième RTA atteste de la difficulté pour le CoSi 2 à nucléer à partir du CoSi, les deux siliciures ayant des énergies de formation très similaires. Cela a pour conséquence de former une interface CoSi2/Si qui n’est pas suffisamment plane et qui est donc susceptible de poser certains problèmes en vue de l’obtention d’un effet Josephson efficace. En outre, lorsque les dimensions du contact à réaliser deviennent trop faibles (par exemple avec une dimension critique CD (« Critical dimension ») strictement inférieure à 100 nm), l’énergie de surface devient trop faible par rapport à l’énergie de volume et certaines zones restent en CoSi. Une autre solution pour la formation de CoSi 2 consiste à réaliser, après le dépôt de Co sur le Si, un premier traitement RTA pour former le CoSi puis un second traitement par recuit laser nanoseconde (impulsion de l’ordre de 30 ns) pour former le CoSi 2 à l’état liquide. A nouveau, une telle solution présente certains inconvénients. Ainsi, on observe à nouveau une transition CoSi/CoSi 2 avec les mêmes difficultés pour le CoSi 2 à nucléer à partir du CoSi. En outre, le passage en voie liquide du CoSi 2 entraîne des contraintes significatives pour les plaques comportant une pluralité de motifs (plaque patternée), avec des éléments qui peuvent fondre avant le Co (sensibilité de la grille d’un transistor par exemple). Enfin, un recuit additionnel au four peut également s’avérer nécessaire pour supprimer les défauts d’interface, rendant le process long et couteux. La présente invention vise donc à améliorer les procédés de fabrication de siliciure de cobalt CoSi 2 connus, en évitant notamment les problèmes de nucléation liés à la transition CoSi/CoSi 2 , en utilisant avantageusement une seule étape pour la réalisation du matériau contrairement aux procédés à deux étapes, notamment de RTA, en assurant une meilleure planéité de l’interface Si/CoSi 2 et en s’affranchissant d’un passage du CoSi 2 à l’état liquide, ledit procédé étant par ailleurs compatible avec des intégrations tridimensionnelles où plusieurs niveaux de transistors sont construits sur une même plaquette. A cet effet, l’invention concerne un procédé de fabrication d’une couche de siliciure de cobalt CoSi 2 comportant les étapes de : Fourniture d’un substrat comprenant une couche de silicium Dépôt, sur le substrat d’une couche de cobalt Co ; Recuit de l’empilement par un laser nanoseconde comprenant au moins une impulsion laser de durée comprise entre 50 nanosecondes et 20 microsecondes et une densité d’énergie choisie de sorte à former la couche de siliciure de cobalt CoSi 2 à l’état solide. De façon particulièrement surprenante, il a été constaté que la formation de CoSi 2 pouvait se faire avantageusement à l’état solide par recuit laser impulsionnel à l’aide d’au moins une impulsion de durée comprise entre 50 ns et 20 microsecondes. On entend par état solide le fait que la température de fusion de Co, Si ou de tout siliciure de Co, de l’ordre d’au moins 1350°C n’est jamais atteinte lors du recuit laser. Comme nous le verrons par la suite, il est possible de réaliser une ou plusieurs impulsions de même densité d’énergie ou de densités d’énergie différentes. La couche de protection permet de protéger les couches de cobalt et/ou de silicium contre l’oxydation. Il est entendu que le matériau de la couche de protection, par exemple du TiN, doit être choisi pour laisser passer ou absorber suffisamment le rayonnement laser de façon à ce que ce dernier atteigne la surface de la couche de cobalt. Le procédé selon l’invention permet la fabrication de CoSi 2 sans passer par un transition CoSi/CoSi 2 . Grâce à l’invention, il est possible de s’affranchir de deux étapes de RTA. L’invention permet par ailleurs d’obtenir une meilleure planéité au niveau de l’interface CoSi 2 /Si. Le fait de rester à l’état solide pour le CoSi 2 permet en outre de limiter les problèmes d’intégration liés à la fusion d’autres zones d’un composant, par exemple la grille d’un transistor. Le procédé selon l’invention permet également d’obtenir un matériau CoSi 2 de résistance de feuille Rs (pour Rsheet) comparable à la résistance de feuille du CoSi 2 obtenu par les techniques de l’état de l’art et de température critique Tc de supraconductivité également comparable, voire supérieure dans certaines situations. La résistance de feuille peut être vue comme le rapport entre la résistivité du matériau et son épaisseur. On notera que le Co déposé peut être légèrement allié avec un métal M, par exemple de platine Pt, faiblement présent ; dans ce cas, on obtiendra du siliciure de cobalt comportant un faible pourcentage en masse de métal M, sans sortir du cadre de l’invention. On notera également que la couche de Co peut être déposée directement sur la couche de Si mais il pourrait également y avoir une couche d’oxyde ou de nitrure entre la couche de Si et la couche de Co (dans ce dernier cas, la couche d’oxyde ou de nitrure a préférentiellement une épaisseur maximale de 2mm pour que le CoSi 2 puisse se former). Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le procédé de fabrication selon l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : Le procédé comporte une étape de dépôt d’une couche de protection contre l’oxydation du Co et/ou du Si telle qu’une couche en TiN sur la couche de Co avant l’étape de recuit. La durée de l’impulsion laser est comprise entre 0,1 microseconde et 1 microseconde. Le recuit laser est réalisé sous la forme d’une unique impulsion laser. Le recuit laser est réalisé sous la forme d’une pluralité d’impulsions laser. La fréquence de déclenchement des impulsions laser est comprise entre 0.1 Hz et 1000 Hz, avantageusement entre 1 Hz et 10 Hz et encore plus avantageusement entre 3 Hz et 6Hz. Chaque impulsion laser de ladite pluralité d’impulsions laser est émise avec une même densité d’énergie. La première impulsion laser de ladite pluralité d’impulsions laser présente une densité d’énergie plus élevée que les impulsions suivantes, la densité d’énergie de la première impulsion étant choisie proche mais strictement inférieure à la densité d’énergie entraînant la fusion du siliciure de cobalt CoSi 2 . L’épaisseur de la couche de Co est comprise entre 0.5 et 50 nm et préférentiellement entre 1 et 10 nm. La couche de Si est une couche de Si choisi parmi : le Si monocristallin, le Si polycristallin ou le Si amorphe. La longueur d’onde du laser est comprise entre 150 nm et 900 nm et de préférence entre 250 nm et 550 nm. La couche de silicium Si est nettoyée, préalablement au dépôt de la couche de cobalt Co. L’étape de recuit laser est réalisée alors que la plaque est placée sur un plateau chauffant permettant de maintenir la plaque à une température allant de 25 à 500°C. Le procédé comporte, après l’étape de recuit laser, un recuit thermique rapide RTA. L’épaisseur de la couche de Co est égale à 3 nm, ladite couche de Co étant déposée sur un substrat SOI dont la couche de Si a une épaisseur de 33 nm et la couche isolante enterrée BOX a une épaisseur de 20 nm, la durée d’impulsion laser étant de 160 ns et la densité d’énergie de l’impulsion laser étant comprise entre 0,6 J/cm 2 et 0,775 J/cm 2 . L’invention concerne également : Un dispositif électronique tel qu’un transistor dont au moins une zone telle qu’un contact de drain et/ou de source et/ou de grille est réalisée en CoSi 2 obtenu par le procédé selon l’invention ou une jonction de type Josephson dont une partie est réalisée en CoSi 2 obtenu par le procédé selon l’invention. un transistor dont des contacts de drain et/ou de source et/ou de grille sont réalisés en CoSi 2 par le procédé selon l’invention. un transistor de type JoFET dans lequel le drain et/ou la source sont réalisés en CoSi 2 obtenu par le procédé selon l’invention. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : La FIG. 1 représente, sous forme d’un logigramme, les différentes étapes du procédé selon l’invention, Les FIG. 2 , FIG. 3 , FIG. 4 et FIG. 5 représentent les différentes étapes du procédé de la FIG. 1 , La FIG. 6 montre une image d’un empilement Si/CoSi 2 /TiN obtenu par le procédé de l’état de l’art et deux images de deux autres empilements Si/CoSi 2 /TiN obtenu par le procédé selon l’invention, La FIG. 7 représente l’évolution de la résistance de feuille en fonction de la densité d’énergie du laser dans le cas de trois nombres d’impulsions laser différents, La FIG. 8 montre l’évolution de la température simulée au sein d’un empilement utilisé dans le procédé selon l’invention pour plusieurs densités d’énergies, La FIG. 9 montre l’évolution de la température critique de supraconductivité en fonction du nombre d’impulsions laser, avec et sans recuit RTA supplémentaire. Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l’ensemble des figures. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L’INVENTION La FIG. 1 représente le logigramme illustrant les différentes étapes du procédé 100 de fabrication selon l’invention. Comme le montre la FIG. 2 , le procédé 100 débute par une étape optionnelle 101 de nettoyage 4 d’une couche de silicium 3. La couche de silicium 3 peut par exemple être une couche de silicium monocristallin appartenant à un substrat de type silicium sur isolant SOI (« Silicon On Insulator ») comportant une région inférieure 1 de silicium surmontée par une couche isolante enterrée 2 communément désignée par l’homme du métier sous la dénomination anglo-saxonne de « BOX », par exemple formée de dioxyde de silicium. Au-dessus de cette couche isolante enterrée, se situe la couche de silicium 3. Ce nettoyage vise à retirer l'oxyde chimique ou natif présent initialement en surface de la couche de silicium 3. Le nettoyage peut se faire en une ou deux étapes utilisant l’une des techniques suivantes : voie humide avec une solution d’acide fluorhydrique HF dilué - abrasion par plasma d’argon Ar - procédé SiCoNi®. On notera que le procédé selon l’invention ne se limite pas une couche de silicium présente dans un substrat SOI et peut s’appliquer à tout type de couche de Si, par exemple un substrat intégralement Si monocristallin. Le Si sur lequel est déposé le Co peut être monocristallin, polycristallin ou amorphe. Tout empilement est envisageable sous cette couche de Si. Il serait également possible de venir réaliser un contact CoSi 2 sur un autre matériau, par exemple de Ge, du GeSn, ou du SiGe, présent sous le silicium. Le procédé 100 selon l’invention se poursuit par une étape 102 ( FIG. 3 ) de dépôt d’une couche de cobalt 5 sur la couche de silicium 3, immédiatement après le nettoyage de celle-ci. Ce dépôt est par exemple réalisé par dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour « Physical Vapor Deposition »). L’épaisseur de la couche de Co est comprise entre 0.5 et 50 nm et préférentiellement entre 1 et 10 nm. Selon ce mode de réalisation, la couche de Co est déposée directement sur la couche de Si. Selon un autre mode de réalisation, il pourrait également y avoir une couche d’oxyde ou de nitrure entre la couche de Si et la couche de Co (dans ce cas, la couche d’oxyde ou de nitrure a préférentiellement une épaisseur maximale de 2mm pour que le CoSi 2 puisse se former). Afin d’éviter l’oxydation de la couche 5 de Co et de la couche 3 de Si sous-jacente, le procédé 100 selon l’invention comporte une étape 103 ( FIG. 4 ) de dépôt d’une couche de protection 6 contre l’oxydation. Cette couche 6 de protection peut par exemple être en TiN déposée par dépôt PVD. Le matériau de la couche de protection est choisi pour assurer non seulement la protection des couches 5 et 3 de Co et de Si vis-à-vis de l’oxydation mais aussi pour absorber le rayonnement laser qui sera utilisé par la suite de façon à chauffer la couche de Co. Le procédé 100 selon l’invention se poursuit par une étape de recuit laser 104 ( FIG. 5 ). Cette étape 104 est réalisée au moyen d’un laser pulsé émettant à une fréquence comprise entre 0.1 et 1000Hz, de préférence entre 1 et 10Hz et avantageusement entre 3 et 6Hz, par exemple ici 4Hz (soit un tir d’impulsion tous les 250 ms), une ou plusieurs impulsions laser Pi (i variant de 1 à n, avec n entier strictement positif) à-travers l’empilement formé par les couches Si/Co/TiN. Chaque impulsion Pi a une durée entre 50 nanosecondes et 20 microsecondes et préférentiellement comprise entre 0,1 microseconde et 1 microseconde, par exemple 160 ns. La longueur d’onde du laser est comprise entre 150 nm et 900 nm et de préférence entre 250 nm et 550 nm ; en d’autres termes, le laser, par nature monochromatique, a un faisceau de longueur d’onde de préférence dans l’ultra-violet (par exemple, à 293, 308 ou 355 nm) mais peut être aussi choisi dans le bleu ou le vert (par exemple 532 nm), voire le rouge (par exemple 633 nm). Cette étape 104 de recuit laser va permettre de faire réagir le Co avec le Si de façon à obtenir une couche de CoSi 2 à l’état solide durant cette étape 104. Il est essentiel de noter que la densité d’énergie de la ou des impulsions laser appliquées est choisie pour que les matériaux Co, Si, ou tout siliciure de Co (par exemple CoSi 2 ) ne passent jamais à l’état liquide et restent à l’état solide. Comme nous le verrons par la suite, il est possible d’obtenir le résultat attendu avec une unique impulsion laser mais aussi avec une pluralité d’impulsions laser, la durée d’impulsion et la densité d’énergie devant être choisie pour obtenir du CoSi 2 uniquement à l’état solide. Selon un premier mode de réalisation, on applique durant l’étape 104 une ou plusieurs impulsions laser à densité d’énergie constante sous le seuil de fusion du Co et de tous les siliciure CoSi x , notamment le CoSi 2 . Ce premier mode de réalisation est illustré dans le cas d’un échantillon obtenu à partir d’une couche de Co présentant une épaisseur de 3nm déposée sur un substrat SOI (avec une couche BOX de 20nm et une couche de Si au-dessus de 13nm). Une couche de 10nm de TiN est déposée sur la couche de Co. Chaque impulsion laser utilisée présente une longueur d’onde de 308nm et une durée d’impulsion de 160ns. La FIG. 6 illustre le résultat obtenu par le procédé selon l’invention comparé au procédé de l’état de l’art avec deux étapes de RTA : à ce titre, la FIG. 6 montre une image I1 d’un premier empilement Si/CoSi 2 /TiN obtenu par le procédé de l’état de l’art, une image I2 d’un second empilement Si/CoSi 2 /TiN obtenu par le procédé selon l’invention à l’aide d’une unique impulsion laser à une densité d’énergie de 0.7 J/cm 2 et une image I3 d’un troisième empilement Si/CoSi 2 /TiN obtenu par le procédé selon l’invention à l’aide de 100 impulsions identiques à une densité d’énergie de 0.7 J/cm 2 . L’interface Si/CoSi 2 de l’image I1 est moins plane que les interfaces obtenues par le procédé selon l’invention (images I2 et I3). L’interface Si/CoSi 2 plus plane selon l’invention constitue notamment un avantage pour l’obtention de l’effet Josephson dans les transistors JoFET. La FIG. 7 montre l’évolution de la résistance de feuille Rsheet (« sheet resistance ») en fonction de la densité d’énergie appliquée et du nombre d’impulsions appliquées à l’empilement précédemment décrit (couche de Co avec une épaisseur de 3nm déposée sur un substrat SOI de 33nm et une couche de 10nm de TiN déposée sur la couche de Co). La courbe C1 illustre l’évolution de Rsheet en fonction de la densité d’énergie en appliquant 1 impulsion à-travers l’empilement, la courbe C2 en appliquant 10 impulsions à-travers l’empilement et la courbe C3 en appliquant 100 impulsions à-travers l’empilement. Chacune de ces courbes C1, C2 et C3 passe par un minimum correspondant à une phase CoS i2 de très bonne qualité cristalline (avec une bonne interface avec le Si). Comme illustré, lorsque qu’on augmente le nombre d’impulsions, la densité d’énergie pour atteindre le minimum de R s diminue : en effet, il est nécessaire d’utiliser une densité d’énergie de l’ordre de 775 mJ/cm 2 pour atteindre une résistance minimale Rs avec une unique impulsion alors qu’une densité de l’ordre de 725 mJ/cm 2 est utilisée pour atteindre une résistance minimale avec 10 impulsions et que la résistance Rs minimale est atteinte pour une densité de 700 mJ/cm 2 pour 100 impulsions. Ce minimum de la résistance R s diminue par ailleurs également avec le nombre d’impulsions : ainsi, on observe que la résistance de feuille minimale pour 100 impulsions est inférieure à la résistance minimale de feuille pour 10 impulsions qui est elle-même inférieure à la résistance minimale de feuille pour 1 impulsion. Une résistance de feuille plus faible permet d’obtenir des contacts en CoSi 2 moins résistifs. L’augmentation du nombre d’impulsions à densité d’énergie constante permet par ailleurs d’augmenter la température critique de supraconductivité Tc : ce phénomène est illustré en FIG. 9 qui montre sur la courbe C4 l’évolution de la température critique Tc en fonction du nombre d’impulsions : on passe ainsi d’une température critique de l’ordre de 0.6K pour 100 impulsions à une température critique de l’ordre de 0.9K pour 300 impulsions. Une alternative à l’augmentation du nombre d’impulsions pour diminuer la résistance de feuille peut consister à augmenter la durée de l’impulsion. Dans la mesure où la fréquence de tir d’impulsions est d’environ 4Hz, on peut considérer qu’il n’y aura pas d’accumulation de chaleur entre chaque tir et que l’empilement repasse à la température ambiante entre chaque tir. Ainsi, en première approximation, une impulsion d’une durée d’une microseconde est équivalente à dix impulsions d’une durée de 0.1 microseconde tirées à 4Hz. Bien entendu, il convient de ne pas dépasser une certaine densité d’énergie couplée au nombre d’impulsions et à la durée d’impulsion pour ne pas passer en phase liquide du CoSi 2 . Différentes expérimentations ont permis de montrer que la phase solide de CoSi 2 est effectivement formée pour des valeurs de Rs faibles (i.e. dans la phase de décroissance des valeurs de Rs observée sur les courbes C1, C2 et C3) avant d’atteindre la phase liquide (i.e. fusion du CoSi 2 ) lors de la phase de la remontée des valeurs de Rs à mesure que la densité d’énergie augmente. Ainsi, des résultats de profils obtenus par spectroscopie EDS-TEM (« Energy Dispersive Spectroscopy - Transmission Electron Microscopy ») ont permis de montrer que la stœchiométrie mise en évidence dans les échantillons obtenus à partir du recuit laser avec 1 impulsion, 10 impulsions et 100 impulsions est bien celle du CoSi 2 . En outre, la machine de recuit laser est équipée d’un autre laser, dit laser secondaire, tilté à 45° par rapport au laser de chauffage, pour la caractérisation in-situ permettant de suivre l’évolution de la réflectivité de surface pendant l’impulsion laser. Il a été constaté qu’une nette augmentation de la réflectivité du matériau intervient pour une impulsion à partir de 775-800 mJ/cm² témoignant du passage à l’état liquide. Cet outil permet par ailleurs de définir rapidement la stratégie laser à appliquer sans avoir recours à des techniques de caractérisation plus lourdes (du type microscopie TEM ou diffractométrie DRX) : il permet notamment de déterminer les densités d’énergie à ne pas dépasser. En pratique, le laser secondaire envoie une impulsion avant, pendant et après l’impulsion de recuit envoyée par le laser principal : si une phase liquide est atteinte, on observe un changement brutal de réflectivité. Enfin, des simulations 1D de l’empilement proposé ont été réalisées. La FIG. 8 montre l’évolution de la température au sein de l’empilement pour plusieurs énergies. La température maximale relevée (de l’ordre 1220°C) est en dessous de la température de fusion de tous les siliciures CoSi x (de l’ordre de 1350°C). Ces simulations constituent une approche non destructive pour anticiper les densités d’énergie à appliquer pour obtenir le CoSi 2 à l’état solide. Selon un second mode de réalisation, on applique durant l’étape 104 plusieurs impulsions laser dont la première au moins a une densité d’énergie différente et supérieure aux suivantes tout en restant sous le seuil de fusion du Co et de tous les siliciure CoSi x , notamment le CoSi 2 . Cette deuxième stratégie consiste donc à adapter la densité d’énergie au fur et à mesure de la siliciuration. En effet, comme mentionné plus haut, il a été constaté qu’appliquer davantage d’impulsions permet de réduire la densité d’énergie nécessaire à la formation du CoSi 2 tout en réduisant la résistance de feuille R s . Une solution peut donc consister à appliquer une première impulsion proche de la fusion du CoSi 2 , puis une ou plusieurs impulsions à une densité légèrement inférieure pour diminuer la résistance de feuille R s . La première impulsion proche de la fusion permet de transformer partiellement le cobalt en CoSi 2 en phase solide sur une épaisseur donnée. La densité d’énergie des impulsions laser, et notamment de la première, peut être déterminée en amont par des tests réalisés sur échantillons à l’aide du laser secondaire afin d’aboutir à une densité d’énergie proche de la fusion sans pour autant atteindre la phase liquide. A partir de ce nouvel empilement, on réalise une ou plusieurs autres impulsions laser jusqu’à atteindre la résistance de feuille Rs souhaitée, et ce en réduisant le nombre d’impulsions total par rapport au premier mode de réalisation (densité d’énergie constante) pour atteindre la même valeur de résistance de feuille Rs. On notera que de façon optionnelle, il est possible, préalablement à l’étape 104 de recuit laser, de placer l’empilement obtenu à l’issue de l’étape 103, sur une plaque chauffante, à une température prédéterminée, par exemple 400°C, d’attendre que l’empilement atteigne la température prédéterminée, puis d’appliquer la ou les impulsions laser alors que l’empilement est sur la plaque chauffante à la température prédéterminée. L’utilisation d’une telle plaque permet notamment d’allonger la durée du recuit à la température souhaitée. Le procédé 100 selon l’invention peut par ailleurs comprendre une étape optionnelle non représentée consistant à appliquer un recuit rapide de type RTA dans le prolongement du recuit laser impulsionnel. Ce recuit rapide RTA est par exemple réalisé par conduction à l’aide de blocs chauffants à proximité de l’empilement, étant entendu que d’autres types de RTA pourraient être mis en œuvre (microondes ou source UV par exemple). L’ajout de cette étape de RTA permet d’améliorer nettement la température critique de supraconductivité Tc. Comme illustré en FIG. 9 montrant l’évolution C5 de la température critique Tc en fonction du nombre d’impulsion en présence d’un recuit RTA à 850°C pendant 1sec, il est possible d’atteindre un température critique de supraconductivité de 1.3°K soit un gain allant de 44% à 100% par rapport aux températures critiques de 0.6 à 0.9°K de la courbe C4 sans RTA. Bien entendu, une fois la couche de CoSi2 réalisée, le procédé selon l’invention peut se poursuivre par le retrait de la couche de protection contre l’oxydation en TiN. Procédé (100) de fabrication d’une couche de siliciure de cobalt CoSi 2 comportant les étapes de : Fourniture d’un substrat comprenant une couche de silicium ; Dépôt (102) sur le substrat d’une couche de cobalt Co ; Recuit (104) de l’empilement par un laser nanoseconde comprenant au moins une impulsion laser de durée comprise entre 50 nanosecondes et 20 microsecondes et une densité d’énergie choisie de sorte à former la couche de siliciure de cobalt CoSi 2 à l’état solide. Procédé selon la revendication 1 caractérisé ce qu’il comporte une étape de dépôt (103) d’une couche de protection contre l’oxydation du Co et/ou du Si, telle qu’une couche en TiN, sur la couche de Co avant l’étape de recuit. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que la durée de l’impulsion laser est comprise entre 0,1 microseconde et 1 microseconde. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que le recuit laser est réalisé sous la forme d’une unique impulsion laser. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que le recuit laser est réalisé sous la forme d’une pluralité d’impulsions laser. Procédé selon la revendication 5 caractérisé en ce que chaque impulsion laser de ladite pluralité d’impulsions laser est émise avec une même densité d’énergie. Procédé selon la revendication 5 caractérisé en ce que la première impulsion laser de ladite pluralité d’impulsions laser présente une densité d’énergie plus élevée que les impulsions suivantes, la densité d’énergie de la première impulsion étant choisie proche mais strictement inférieure à la densité d’énergie entraînant la fusion du siliciure de cobalt CoSi 2 . Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que l’épaisseur de la couche de Co est comprise entre 0.5 et 50 nm et préférentiellement entre 1 et 10 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche de Si est une couche de Si choisi parmi : le Si monocristallin, le Si polycristallin ou le Si amorphe. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que la longueur d’onde du laser est comprise entre 150 nm et 900 nm et de préférence entre 250 nm et 550 nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche de silicium Si est nettoyée, préalablement au dépôt de la couche de cobalt Co. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que l’étape de recuit laser est réalisée sur un plateau chauffant permettant de maintenir la plaque à une température allant de 25 à 500°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’il comporte, après l’étape de recuit laser, un recuit thermique rapide. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que l’épaisseur de la couche de Co est égale à 3 nm, ladite couche de Co étant déposée sur un substrat de silicium sur isolant dont la couche de Si a une épaisseur de 33 nm et la couche isolante enterrée a une épaisseur de 20 nm, la durée d’impulsion laser étant de 160 ns et la densité d’énergie de l’impulsion laser étant comprise entre 0,6 J/cm 2 et 0,775 J/cm 2 . Dispositif électronique tel qu’un transistor dont au moins une zone telle qu’un contact de drain et/ou de source et/ou de grille est réalisée en CoSi 2 obtenu par le procédé selon l’une des revendications précédentes ou une jonction de type Josephson dont une partie est réalisée en CoSi 2 obtenu par le procédé selon l’une des revendications précédentes.