FR 3160268 A1 20250919 FR 2402502 A 20240313 Procédé de fabrication d’au moins un dispositif optoélectronique et dispositif optoélectronique associé L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique, (1) et le dispositif (1) associé, le procédé comprenant, à partir d’un empilement (2) comprenant : une couche tampon (20), une première couche (21) présentant un premier type de porteurs de charge, une région active (220) configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, une deuxième région (230) présentant un deuxième type de porteurs de charge, une gravure depuis la première couche (21) jusque dans la couche tampon (20) de façon à délimiter latéralement une première région (210) et une première portion (200) non gravée de la couche tampon (20) présentant chacune un flanc latéral (200a, 210a), puis un dépôt d’une couche à base d’un matériau diélectrique (3), de façon à recouvrir lesdits flancs latéraux (200a, 210a). Les contraintes mécaniques dans l’empilement (2) sont ainsi réduites. Figure pour l’abrégé : Fig. 1C Procédé de fabrication d’au moins un dispositif optoélectronique et dispositif optoélectronique associé La présente invention concerne le domaine des technologies pour la microélectronique et l’optoélectronique. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse la fabrication de dispositifs optoélectroniques, et notamment de diodes électroluminescentes (LED). ETAT DE LA TECHNIQUE Un écran d’affichage auto-émissif comprend des pixels émettant leur propre lumière. Chaque pixel est typiquement formé par plusieurs dispositif optoélectroniques de type LED ou micro-LED (de l’anglais Light Emitting Diode , pour diode électroluminescente). Une LED comprend typiquement des régions d’injection de porteurs de charge (électrons et trous) entre lesquelles est intercalée une région active. La région active est le lieu où se produisent des recombinaisons radiatives de paires électron-trou, qui permettent d’obtenir une émission de lumière. Selon une possibilité, ces LED sont des LED dites intelligentes appelées « smart LED », comprenant typiquement une structure optiquement active connectée à une électronique de pilotage dédiée, ou substrat de pilotage, à base de transistors. Des groupes de smart LED connectés à des électroniques de commande indépendantes, forment typiquement des « smart pixels ». Les LED, par exemple les smart LED, sont généralement fabriquées à partir d’un empilement multicouche à base d’un matériau III-V. L’empilement est par exemple formé par épitaxie pleine plaque sur un substrat support, puis assemblé avec un substrat de pilotage. Lorsque l'épitaxie est réalisée sur le substrat support, par exemple à base de saphir ou de silicium, le décalage de réseau entre le substrat support et le matériau III-V, par exemple du GaN, entraîne une déformation mécanique du substrat support, et donc une courbure de l’empilement. Pour les applications industrielles, l'épitaxie du GaN est typiquement réalisée sur des substrats de silicium épais (plus de 1 mm d'épaisseur dans le diamètre standard de 8 pouces, soit environ 200 mm), tandis que le post-traitement a lieu sur des substrats de pilotage plus minces conformément aux normes industrielles. Par exemple, dans le format 8 pouces, l'épaisseur standard du substrat de pilotage en post-traitement est de 725 µm. Un exemple de dispositif optoélectronique est donné par le document WO2022069506 A1. Dans cet exemple, le dispositif comprend un empilement à base d’un matériau III-V comprenant : une première couche présentant un premier type de porteurs de charge, une région active configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, la couche active surmontant la première couche, une deuxième région présentant un deuxième type de porteurs de charge, la deuxième région surmontant la région active. La fabrication de ce type de dispositif optoélectronique repose sur le passage d'un premier substrat, d'une épaisseur typiquement supérieure à 1 mm, à un deuxième substrat, plus fin que le premier substrat, qui peut être manipulé par différents outils. La courbure de l’empilement est encore augmentée lors de ce changement de substrat. Cette courbure peut dépasser la limite conventionnelle de flèche inférieure ou égale à 100 µm pour un diamètre standard de 8 pouces. La manipulation par les outils de post-traitement peut être impactée. Le substrat support peut en outre se délaminer lors du changement de substrat. La fabrication de dispositif optoélectronique peut en outre comprendre un collage d’un support transparent au rayonnement émis ou reçu, permettant en fin de process la manipulation individuelle des pixels lors d’une étape de placement des pixels sur un écran. Cette étape de collage du support transparent peut induire à nouveau une courbure indésirable de l’empilement sur le deuxième substrat. Un objet de la présente invention est donc de proposer une solution améliorant la fabrication de dispositif(s) optoélectronique(s) par rapport aux solutions existantes. Un objectif peut plus particulièrement être de relâcher les contraintes mécaniques de l’empilement lors de la fabrication de dispositif(s) optoélectronique(s). Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un premier aspect on prévoit un procédé de fabrication d’au moins un dispositif optoélectronique comprenant : une fourniture d’un empilement à base d’un matériau III-V et comprenant : une couche tampon, une première couche présentant un premier type de porteurs de charge, et surmontant la couche tampon, au moins une région active configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, et surmontant la première couche, au moins une deuxième région présentant un deuxième type de porteurs de charge, et surmontant la région active, au moins une gravure de l’empilement comprenant une gravure depuis la première couche jusque dans la couche tampon, la couche tampon étant au moins partiellement gravée selon une direction normale à son plan d’extension principale, de façon à délimiter latéralement, à partir de la première couche et de la couche tampon, au moins une première région et une première portion non gravée de la couche tampon surmontées par la région active, la première région et la première portion de la couche tampon présentant chacune un flanc latéral, suite à la gravure de l’empilement, un dépôt d’une couche à base d’un matériau diélectrique sur l’empilement, de façon à recouvrir lesdits flancs latéraux. La gravure de la première couche et d’une partie au moins de la couche tampon permet de relâcher les contraintes mécaniques dans l’empilement. Lors du développement de l’invention, il a en outre été mis en évidence que graver seulement la première couche n’avait pas d’impact satisfaisant sur la réduction de la courbure. La courbure de l’empilement sur le substrat support est ainsi réduite. La fabrication du dispositif opto-électronique est donc fiabilisée. Elle limite le risque de délamination du substrat support et facilite le maniement de l’empilement sur le substrat de pilotage par les outils de post-traitements conventionnels. Du fait de la gravure de la première couche et d’une partie au moins de la couche tampon, le dépôt de la couche à base de matériau diélectrique est plus conséquent. Lors du développement de l’invention, il a été mis en évidence de façon surprenante que l’impact en termes de coût et de temps de fabrication, lié au dépôt plus important de matériau diélectrique, était toutefois compensé par le gain en facilité de manipulation et en fiabilité du procédé de fabrication. Un deuxième aspect de l’invention concerne un dispositif optoélectronique comprenant : une couche à base d’un matériau diélectrique, un empilement à base d’un matériau III-V surmontant la couche à base d’un matériau diélectrique, l’empilement comprenant : une deuxième région présentant un deuxième type de porteurs de charge, et surmontant la couche à base d’un matériau diélectrique, une région active configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, et surmontant la deuxième région, une première région présentant un premier type de porteurs de charge, et surmontant la région active, une couche tampon surmontant la première région. Avantageusement, la première région et au moins une première portion de la couche tampon présentent chacune un flanc latéral, et en ce que la couche à base d’un matériau diélectrique recouvre lesdits flancs latéraux. Le dispositif présente donc les avantages résultants du procédé selon le premier aspect. Sa fabrication étant simplifiée et fiabilisée, son coût peut être réduit. En outre, la première région n’est ainsi pas exposée sur les flancs du dispositif optoélectronique. Le risque d’un contact électrique avec la première région est donc réduit, et de préférence éliminé. La fiabilité du dispositif optoélectronique est ainsi améliorée. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : FIG. 1 La FIG. 1 représente une vue en coupe transversale d’un exemple de dispositif optoélectronique obtenu sans gravure de la première couche et de la couche tampon, à titre comparatif et selon un exemple non couvert par l’invention. FIG. 1 FIG. 1 Les figures 1B et 1C illustrent une vue en coupe transversale d’un exemple de dispositif optoélectronique selon deux exemples de réalisation de l’invention. Les figures 2 à 11 représentent des vues en coupe transversale d’étapes du procédé de fabrication du dispositif optoélectronique, selon un exemple de réalisation de l’invention, et plus particulièrement : FIG. 2 FIG. 3 FIG. 4 les figures 2 à 4 illustrent un exemple de formation de la structure optiquement active et la réalisation d’une partie des interconnexions électriques, FIG. 5 FIG. 6 les figures 5 et 6 illustrent un exemple de gravure de la première couche jusque dans la couche tampon et le dépôt de la couche de matériau diélectrique, FIG. 7 la FIG. 7 illustre un exemple de report de l’empilement avec la couche de diélectrique, du substrat donneur vers un substrat de pilotage, FIG. 8 la FIG. 8 illustre un exemple de texturation de la couche tampon, FIG. 9 FIG. 10 les figures 9 et 10A illustrent un exemple d’assemblage avec une couche de transmission et formation d’une autre partie des interconnexions électriques, FIG. 10 FIG. 11 les figures 10B et 11 illustrent un exemple de découpe pour former plusieurs dispositifs optoélectroniques. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les dimensions relatives et épaisseurs des différents éléments, couches, régions et substrat ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement. Selon un exemple, l’empilement présentant une épaisseur totale E0 prise selon la direction normale au plan d’extension principale de l’empilement, la gravure de la première couche jusque dans la couche tampon est configurée de sorte que, à l’issue de ladite gravure, la couche tampon présente une deuxième portion au droit de la gravure effectuée, la deuxième portion présentant une épaisseur résiduelle E1 non nulle. De préférence, l’épaisseur résiduelle E1 est comprise entre 0,2.E0 et 0,5.E0. Ainsi, le dispositif optoélectronique conserve de la couche tampon au droit de la gravure effectuée. Cela facilite les étapes de post-traitement après assemblage avec le substrat de pilotage. La gamme précisée facilite ces étapes tout en réduisant de façon satisfaisante la contrainte mécanique dans l’empilement. Selon un exemple, la gravure de la première couche jusque dans la couche tampon est configurée de sorte que, à l’issue de ladite gravure, la couche tampon présente une deuxième portion au droit de la gravure effectuée, la deuxième portion présentant une épaisseur résiduelle E1 comprise entre 0,8 µm et 2 µm, de préférence entre 1,2 et 1,8 µm, par exemple une épaisseur sensiblement égale à 1,5 µm. Selon un exemple, l’empilement comprend une couche active comprenant l’au moins une région active, et une deuxième couche comprenant l’au moins une deuxième région. Selon un exemple, le procédé comprend, avant la gravure depuis la première couche jusque dans la couche tampon, une gravure de la deuxième couche et de la couche active jusqu’à la première couche, de façon à former au moins une zone active comprenant une région active et une deuxième région. Selon un exemple, le procédé comprend en outre, de préférence avant la gravure depuis la première couche jusque dans la couche tampon, une réalisation d’interconnexions électriques configurées pour connecter électriquement et séparément la première couche et l’au moins une deuxième région. Selon un exemple, l’empilement comprend plusieurs zones actives comprenant chacune une deuxième région et une région active, la gravure de la première couche jusque dans la couche tampon étant configurée pour former plusieurs premières régions et plusieurs premières portions de la couche tampon, chacune surmontées par une zone active, le procédé comprenant en outre une découpe entre les flancs latéraux desdites premières régions et desdites premières portions de façon à obtenir une pluralité de dispositifs optoélectroniques comprenant chacun une zone active. Le procédé permet ainsi la fabrication en parallèle de plusieurs dispositif optoélectroniques. La réduction de la courbure de l’empilement est d’autant plus avantageuse dans ce cas, et notamment pour des substrats support de grande dimension. En outre, la première couche étant totalement gravée, le contact électrique par la première couche est éliminé entre différentes structures optiquement actives comprenant la première région, la région active et la deuxième région. Les conditions pour tester électriquement indépendamment les dispositifs optoélectroniques fabriqués sont ainsi plus avantageuses, et cela même avant leur découpe pour les séparer. Selon un exemple, l’empilement est disposé sur un substrat support. Selon un exemple, le substrat support présente, dans son plan d’extension principale, au moins une dimension supérieure ou égale à 100 mm, de préférence à 150 mm, et de préférence supérieure ou égale à 200 mm. Selon un exemple, le substrat support présente, dans son plan d’extension principale, au moins une dimension inférieure ou égale à 300 mm. L’effet de courbure de l’empilement augmentera en effet d’autant plus avec les dimensions du substrat support. La réduction de la courbure de l’empilement est donc d’autant plus avantageuse pour ces dimensions de substrat support, utilisé en production industrielle. Selon un exemple, l’empilement est disposé sur un substrat support au moins pour les étapes de fourniture de l’empilement, de gravure de la première couche jusque dans la couche tampon et/ou de dépôt de la couche à base du matériau diélectrique. Selon un exemple, le dépôt de la couche à base d’un matériau diélectrique forme une surface exposée de l’empilement, opposée au substrat support, et le procédé comprend en outre le transfert de l’empilement sur un deuxième substrat distinct du substrat support, par la surface exposée de l’empilement, et par exemple un substrat CMOS. La réduction des contraintes mécaniques dans l’empilement facilite en effet le report de l’empilement sur le deuxième substrat. Ce report induit en effet usuellement une augmentation de la courbure de l’empilement. Par le relâchement des contraintes mécaniques dans l’empilement, cet effet est limité. Selon un exemple, le procédé comprend une texturation de la couche tampon de façon à former une pluralité de reliefs sur une surface exposée de la couche tampon. La texturation de la couche tampon améliore l’extraction de la lumière émise par la région active ou le cas échéant améliore la réception de la lumière reçue par la couche active. Selon un exemple, la texturation est réalisée après le dépôt de la couche à base de matériau diélectrique. Selon un exemple, la texturation est réalisée après le transfert de l’empilement sur le deuxième substrat et le retrait du substrat support, de façon à exposer la couche tampon. Selon un exemple, la gravure de la première couche jusque dans la couche tampon étant configurée de sorte que, à l’issue de ladite gravure, la couche tampon présente une deuxième portion au droit de la gravure effectuée, présentant une épaisseur résiduelle E1, la texturation est configurée de sorte que la pluralité de reliefs s’étend sur au moins 90 % de E1, et de préférence sur sensiblement la totalité de E1. La texturation de la couche tampon sur cette gamme d’épaisseur permet de minimiser, et de préférence d’éviter un éventuel contact électrique résiduel par la couche tampon, entre différentes structures optiquement actives comprenant la première région, la région active et la deuxième région. Il est ainsi possible, avant découpe, de tester indépendamment et de façon fiabilisée les dispositifs optoélectroniques fabriqués. Lorsque la texturation est faite sur sensiblement la totalité de E1, cela permet en outre de réaliser ensuite une découpe pour séparer différents dispositifs optoélectroniques, sans traverser de couche de matériau III-V. Cet exemple est donc particulièrement avantageux pour la fabrication en parallèle de plusieurs dispositifs optoélectroniques, comme fait par exemple, à l’échelle industrielle. De façon synergique, le fait que le dispositif optoélectronique conserve de la couche tampon au droit de la gravure effectuée est particulièrement avantageux avec cette caractéristique. La texturation d’un seul type de matériau, la couche tampon en l’occurrence, est facilitée par rapport à la texturation de deux matériaux différents. Cette étape de post-traitement est ainsi facilitée. Selon un exemple, le procédé comprend en outre un assemblage de la couche à base d’un matériau diélectrique avec le deuxième substrat, et plus particulièrement un substrat dit « de pilotage » configuré pour piloter électriquement le dispositif optoélectronique. La réduction des contraintes mécaniques dans l’empilement facilite en effet le report de l’empilement sur le deuxième substrat, et notamment d’un substrat support vers le substrat de pilotage. Ce report induit en effet usuellement une augmentation de la courbure de l’empilement. Par le relâchement des contraintes mécaniques dans l’empilement, cet effet est limité. Le substrat de pilotage peut typiquement être plus fin que le substrat support. La courbure de l’empilement est donc généralement aggravée lors du report sur le substrat de pilotage, dans les solutions existantes. Selon un exemple, l’empilement étant disposé sur un substrat support au moins lors de la fourniture de l’empilement, l’assemblage de la couche à base d’un matériau diélectrique avec le substrat de pilotage comprend en outre un retrait du substrat support de façon à exposer une surface de la couche tampon. Selon un exemple, le cas échéant suite à l’étape de texturation, le procédé comprend un assemblage de la couche tampon sur une couche de transmission au moins partiellement transparente. Le procédé est alors particulièrement avantageux, l’assemblage de la couche tampon sur la couche de transmission induisant usuellement une augmentation de la courbure de l’empilement. Par le relâchement des contraintes mécaniques dans l’empilement, cet effet est encore limité. Selon un exemple, préalablement à l’assemblage de la couche tampon avec une couche de transmission, l’assemblage de la couche à base d’un matériau diélectrique avec le deuxième substrat, et plus particulièrement le substrat de pilotage, comprend en outre un retrait du substrat support de façon à exposer la couche tampon. Selon un exemple, le substrat support est à base d’un matériau distinct du matériau III-V de l’empilement. Selon un exemple, le substrat support est à base de silicium ou de saphir. Selon un exemple, le deuxième substrat, et par exemple le substrat de pilotage, est un substrat à base d’un matériau distinct du substrat support. Selon un exemple, le deuxième substrat présente une épaisseur inférieure ou égale, et de préférence strictement inférieure, à l’épaisseur du substrat support. Selon un exemple, l’empilement présentant une épaisseur totale E0, la couche tampon présente une deuxième portion au contact de la couche à base d’un matériau diélectrique, l’épaisseur résiduelle E1 de la couche tampon au niveau de la deuxième portion étant comprise entre 0,2.E0 et 0,5.E0. Le dispositif optoélectronique résulte donc d’une fabrication encore simplifiée et fiabilisée, son coût peut être encore réduit. Selon un exemple, la couche tampon est en contact avec la première région et la couche à base d’un matériau diélectrique, en particulier selon la portion de la couche tampon considérée. Selon un exemple, la couche tampon présente une première surface opposée à une surface en contact avec la première région et la couche à base d’un matériau diélectrique, ladite première surface formant une pluralité de reliefs. L’extraction ou la réception de la lumière par le dispositif optoélectronique est ainsi améliorée. Selon un exemple, la couche tampon présente une deuxième portion au contact de la couche à base d’un matériau diélectrique, la deuxième portion présentant une épaisseur résiduelle E1, et la pluralité de reliefs s’étend sur au moins 90 % de E1, et de préférence sur sensiblement la totalité de E1. Selon un exemple, le dispositif comprend en outre un substrat dit « de pilotage » configuré pour piloter électriquement le dispositif optoélectronique, la couche à base d’un matériau diélectrique étant de préférence disposée sur le substrat de pilotage. Selon un exemple, le dispositif comprend en outre des interconnexions électriques configurées pour relier électriquement le substrat de pilotage et l’empilement. Selon un exemple, le dispositif comprend en outre une couche de transmission surmontant la couche tampon, la couche de transmission étant au moins partiellement transparente. Selon un exemple, le matériau III-V est un matériau III-N. Selon un exemple, le matériau III-V comprend au moins l’élément Ga et l’élément N, de préférence le matériau III-V est choisi parmi le groupe constitué de GaN, AlGaN. Dans la présente demande de brevet, les termes « diode électroluminescente », « LED » ou simplement « diode » sont employés en synonymes. Une « LED » peut également s’entendre d’une « micro-LED » voire d’une smart LED, le cas échéant. De manière parfaitement classique, une structure à base d’un matériau III-V est une structure faite, ou comprenant un matériau comprenant au moins une espèce de la colonne III du tableau périodique et au moins une espèce de la colonne V de ce tableau. De même, une structure à base d’un matériau III-N est une structure faite, ou comprenant un matériau comprenant au moins une espèce de la colonne III du tableau périodique et de l’azote (N). Un matériau III-N peut donc par exemple être pris parmi le GaN, l’AlGaN, AlInGaN, l’InN. On entend par un substrat, une couche, un dispositif, « à base » d’un matériau M, un substrat, une couche, un dispositif comprenant ce matériau M uniquement ou ce matériau M et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage, des impuretés ou des éléments dopants. Ainsi, une diode à base de GaN comprend typiquement du GaN et/ou des alliages d’AlGaN et/ou d’InGaN. De même, les abréviations suivantes relatives à un matériau M sont éventuellement utilisées : u-M, ou de façon équivalente i-M, réfère au matériau M intrinsèque ou non intentionnellement dopé, selon la terminologie habituellement utilisée dans le domaine de la microélectronique pour le préfixe u- ou de façon équivalente i-, n-M réfère au matériau M dopé N, N+ ou N++, selon la terminologie habituellement utilisée dans le domaine de la microélectronique pour le préfixe n-, p-M réfère au matériau M dopé P, P+ ou P++, selon la terminologie habituellement utilisée dans le domaine de la microélectronique pour le préfixe p-, Le mot « diélectrique » qualifie un matériau dont la conductivité électrique est suffisamment faible dans l’application donnée pour servir d’isolant. Dans la présente invention, un matériau diélectrique présente de préférence une constante diélectrique supérieure à 3. Plusieurs modes de réalisation de l’invention mettant en œuvre des étapes successives du procédé de fabrication sont décrits ci-après. Sauf mention explicite, l’adjectif « successif » n’implique pas nécessairement, même si cela est généralement préféré, que les étapes se suivent immédiatement, des étapes intermédiaires pouvant les séparer. Par ailleurs, le terme « étape » s’entend de la réalisation d’une partie du procédé, et peut désigner un ensemble de sous-étapes. Par ailleurs, le terme « étape » ne signifie pas obligatoirement que les actions menées durant une étape soient simultanées ou immédiatement successives. Certaines actions d’une première étape peuvent notamment être suivies d’actions liées à une étape différente, et d’autres actions de la première étape peuvent être reprises ensuite. Ainsi, le terme étape ne s’entend pas forcément d’actions unitaires et inséparables dans le temps et dans l’enchaînement des phases du procédé. Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, l’épaisseur d’une couche ou du substrat se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface ou au plan selon laquelle/lequel cette couche ou ce substrat présente son extension maximale. L’épaisseur est ainsi prise selon une direction perpendiculaire aux faces principales du substrat sur lequel repose les différentes couches. Ainsi, une couche présente typiquement une épaisseur selon z, lorsqu’elle s’étend principalement le long d’un plan xy. Les termes relatifs « sur », « sous », « sous-jacent » se réfèrent préférentiellement à des positions prises selon la direction z. Les valeurs dimensionnelles s'entendent aux tolérances de fabrication et de mesure près. On entend par un paramètre « sensiblement égal/supérieur/inférieur à » une valeur donnée, que ce paramètre est égal/supérieur/inférieur à la valeur donnée, à plus ou moins 10 %, près de cette valeur. On entend par un paramètre « sensiblement compris entre » deux valeurs données que ce paramètre est au minimum égal à la plus petite valeur donnée, à plus ou moins 10 %, près de cette valeur, et au maximum égal à la plus grande valeur donnée, à plus ou moins 10 %, près de cette valeur. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « sous », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt, le report, le collage, l’assemblage ou l’application d’une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d’elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Sauf mention explicite, il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, la disposition relative d’une troisième couche intercalée entre une première couche et une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les couches sont directement au contact les unes des autres, mais signifie que la troisième couche est soit directement au contact des première et deuxième couches, soit séparée de celles-ci par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Par « en contact » ou « au contact de », on entend qu’une fine interface puisse exister, par exemple causée par la variabilité de fabrication. L'expression "A et/ou B" signifie (A), (B), ou (A et B). L'expression "A, B et/ou C" signifie (A), (B), (C), (A et B), (A et C), (B et C), ou (A, B et C). Le dispositif optoélectronique 1 et son procédé de fabrication sont maintenant décrits selon plusieurs exemples particuliers de réalisation en référence aux figures. Dans les figures qui suivent, les notions de « sur », sous » ou encore « haut », « bas » sont à interpréter selon : pour le dispositif optoélectronique, une position dans laquelle le rayonnement émis ou reçu l’est depuis le haut du dispositif 1, pour les étapes du procédé, l’orientation normale de l’empilement et des couches et substrat lors des étapes du procédé de fabrication. Le dispositif optoélectronique 1 est illustré par exemple par les figures 1B et 1C. La FIG. 1 est donné à titre comparatif est décrite plus en détail ultérieurement. Le dispositif optoélectronique 1 comprend un empilement 2 à base d’un matériau III-V. L’empilement 2 comprend une structure optiquement active comprenant : une première région 210 présentant un premier type de porteurs de charge, une région active 220 configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, et plus particulièrement émettre ce rayonnement dans le cas d’une LED, une deuxième région 230 présentant un deuxième type de porteurs de charges, distinct du premier type de porteurs de charge. De façon connue, la région active 220 peut être configurée pour combiner le premier type et le deuxième type de porteurs de charges pour émettre le rayonnement lumineux, symbolisé par la flèche dans les figures 1B et 1C. La région active 220 est de préférence directement au contact des première 210 et deuxième 230 régions. Le procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 1 est décrit en référence aux figures 2 à 11. Notons que les caractéristiques décrites ci-après peuvent s’appliquer au dispositif optoélectronique 1, comme il ressort de la description qui suit et des figures 1B et 1C. Comme illustré par exemple par la FIG. 2 , l’empilement 2 peut comprendre plusieurs couches superposées. L’empilement 2 peut comprendre : la couche tampon 20 configurée pour faire l’interface entre le substrat support 8 et la couche subséquente, et plus particulièrement la première couche 21, une première couche 21 présentant un premier type de porteurs de charge, par exemple des électrons, et destinée à former au moins une première région 210, une couche active 22, intercalée entre la première couche 21 et la deuxième couche 22, de préférence en étant à leur contact, et destinée à former au moins une région active 220, une deuxième couche 23 présentant un deuxième type de porteurs de charges, par exemple des trous, et destinée à former au moins une deuxième région 230. La première couche 21 est de préférence au contact de la couche tampon 20. Le matériau III-V peut être un matériau III-N. Plus particulièrement, le matériau III-V peut être du GaN. Selon un exemple, la première couche 21 et la première région 210 sont dopés N, par exemple du n-GaN. Selon un exemple, la deuxième couche 23 et la deuxième région 230 sont dopés P, par exemple du p-GaN. Notons que le type de porteurs de charge des première 21 et deuxième 23 couches peut être inversé. La couche tampon 20 peut ne pas être dopée intentionnellement, par exemple du u-GaN. Selon un exemple, la couche tampon 20 est non-dopée. Dans la suite on considère à titre non limitatif que le matériau III-V est du GaN. Notons que la couche tampon 20 peut être à base ou faite d’un matériau identique ou distinct des autres couches et/ou régions de matériaux III-V. La couche tampon 20 peut comprendre plusieurs sous-couches. Par exemple, la couche tampon 20 peut être à base ou faite d’AlGaN ou d’AlN, ou d’un empilement de couches d’AlN/AlGaN/GaN. L’empilement 2 peut être formé par croissance par épitaxie pleine plaque du matériau III-V sur un substrat support 8 à base d’un matériau distinct, par exemple à base ou fait de silicium ou de saphir. Pour cela, l’empilement comprend une couche tampon 20 pouvant faire l’interface entre le substrat support 8 et une première couche 21 destinée à former la première région 210. Notons que le terme de « couche », par rapport à « région », n’implique pas nécessairement, sauf mention explicite, que la couche s’étend dans l’intégralité du plan xy de l’objet considéré. Le procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 1 vise à relâcher les contraintes mécaniques présentes dans l’empilement 2 de matériau III-V, induite par le décalage de réseau entre le substrat support 8 et le matériau III-V. Lorsque le substrat support 8 est à base ou fait de silicium, on peut qualifier l’empilement 2 de semiconducteur structuré sur silicium. L’empilement 2 peut en outre comprendre une couche de contact électrique 24, à base ou faite d’un matériau électriquement conducteur. Ce matériau peut par exemple être de l’ITO (abrégé de l’anglais « indium-tin oxide », pour oxyde d’étain et d’indium). L’empilement 2 peut présenter une épaisseur totale E 0 , en considérant l’épaisseur de l’ensemble formé par la couche tampon 20, la première couche 21 ou la première région 210, la couche active 22 ou région active 220 et la deuxième couche 23 ou deuxième région 230, et le cas échéant la couche de contact électrique 24, ou la région 240 correspondante. Cette épaisseur peut par exemple être supérieure ou égale à 3 µm, de préférence supérieure ou égale à 4 µm, par exemple sensiblement égale à 4,5µm L’empilement 2 peut être disposé sur le substrat support 8. Le substrat support 8 peut présenter une épaisseur supérieure ou égale à 1 mm, comme il est conventionnel pour une épitaxie pleine plaque de GaN. Le substrat support 8 peut présenter, dans son plan d’extension principale, au moins une dimension supérieure ou égale à 150 mm, de préférence supérieure ou égale à 200 mm, et par exemple sensiblement égale à 300 mm, cette dimension étant par exemple son diamètre. Ce format de substrat support 8 est par exemple typiquement utilisé dans les lignes de production industrielle. Le procédé peut comprendre une étape de mise en forme de la structure optiquement active, comme l’illustre par exemple les figures 2 et 3. Pour cela, le procédé peut comprendre une première gravure configurée pour graver, depuis une surface exposée 2b de l’empilement 2, la deuxième couche 23 et la couche active 22, et le cas échéant la couche de contact électrique 24. Une structure 2a peut ainsi être obtenue, en relief par rapport à la première couche 21. Cette structure peut par exemple être obtenue par photolithographie et/ou gravure. La structure en relief 2a, pouvant aussi être désignée de façon équivalente par le terme de zone active 2a, comprend, et de préférence est constituée de, la deuxième région 230, la région active 220, et le cas échéant la région de contact électrique 240. La zone active 2a peut présenter une épaisseur sensiblement égale à 600 nm. Selon un exemple, la première couche 21 présente une épaisseur comprise entre 100 nm et 200 nm. De préférence, cette première gravure est configurée pour former plusieurs structures 2a à la surface de l’empilement 2, pour obtenir plusieurs dispositifs optoélectronique 1 à l’issue du procédé. Dans la suite, on considère ce cas de figure à titre non limitatif. Comme illustré par exemple par la FIG. 4 , le procédé peut ensuite comprendre la réalisation d’interconnexions électriques 60 en surface de l’empilement 2. Ces interconnexions électriques60 peuvent être configurées pour connecter électriquement et séparément la première couche 21 et la ou les deuxièmes régions 230 à un deuxième substrat 4 , par exemple un substrat de pilotage 4, (par exemple assemblé à l’empilement 2 lors d’une étape ultérieure du procédé), et notamment en coopération de interconnexions complémentaires 61 décrites ultérieurement pour former des connexions électriques 6. Ces interconnexions électriques 60 peuvent comprendre des pistes métalliques, et des portions isolantes 63 à base ou faite d’un matériau diélectrique. Le deuxième substrat 4 peut donc être connecté électriquement à l’empilement 2 dans le dispositif optoélectronique 1 obtenu. Le procédé peut ensuite comprendre une deuxième gravure, depuis la première couche 21 jusque dans la couche tampon 20, comme l’illustre par exemple la FIG. 5 . La première couche 21 présente à ce stade du procédé est donc entièrement gravée lors de la deuxième gravure, ainsi qu’une portion au moins de la couche tampon 20 pour finir de former une ou plusieurs structures optiquement actives, en complément de la première gravure. Comme l’illustrent les figures 5, ainsi que 1B et 1C, cette gravure forme la première région 210 du dispositif optoélectronique 1, en délimitant de préférence une première portion 200 de la couche tampon 20, non gravée lors de l’étape de deuxième gravure, et une deuxième portion 201 issue de la gravure partielle de la couche tampon 20. Du fait de cette deuxième gravure, la première région 210 et la première portion 200 présentent chacune un flanc latéral respectivement 210a, 200a. Par exemple, ces flancs latéraux 200a, 210a sont communs entre la première région 210 et la première portion 200, et sont dans la continuité l’un de l’autre. On peut prévoir, même si ce n’est pas préféré, que ces flancs latéraux 200a, 210a ne soient pas dans la continuité l’un de l’autre, par exemple en résultant de deux sous-gravures distinctes. Plusieurs premières régions 210 et premières portion 200 de la couche tampon 20 peuvent par ailleurs être délimitées au droit des zones non gravées. Ainsi, une première région 210 et une première portion 200 peuvent être délimités pour chaque structure en relief 2a, c’est-à-dire sous chaque deuxième région 240 et région active 230. Au droit de la gravure, la deuxième portion 201 peut être formée, résultant de la gravure partielle selon la direction z de la couche tampon 20. De préférence la couche tampon 20 est uniquement partiellement gravée selon la direction z lors de cette gravure. L’épaisseur de la deuxième portion 201 est alors non nulle. En alternative, on peut prévoir qu’au droit de la gravure, la couche tampon 20 soit totalement gravée, et de préférence sans graver le substrat support 8. Ceci augmente toutefois le volume de matériau diélectrique à déposer pour la couche de matériau diélectrique 3, et peut compliquer certaines étapes ultérieures, notamment l’étape de texturation comme il sera discuté ultérieurement. La deuxième gravure de la première couche 21 jusque dans la couche tampon 20 peut être réalisée de façon externe à la zone active 2a, en projection dans le plan xy. Cette deuxième gravure peut notamment être faite entre des zones actives 2a. Cette deuxième gravure peut être faite depuis la surface exposée de l’empilement 2, et donc à travers une partie des interconnexions électriques 60, et portions isolantes 63 précédemment déposées. La gravure de la première couche 21 jusque dans la couche tampon 20 peut être configurée de sorte que la deuxième portion 201 présente une épaisseur résiduelle E1 non nulle comprise entre 0,2.E0 et 0,5.E0. Par exemple, la deuxième portion 201 présente une épaisseur résiduelle comprise entre 0,8 µm et 2 µm, par exemple une épaisseur sensiblement égale à 1,5 µm. L’ensemble formé par la zone active 2a et la région 210 et portion 200 après la deuxième gravure peut donc présenter une épaisseur E2 comprise entre 0,5.E0 et 0,8.E0, comme l’illustre par exemple les figures 1B et 5. L’épaisseur résiduelle E1 peut être comprise entre 30 % et 70 % de l’épaisseur de l’ensemble formé par la couche tampon 20, sa portion 200 et la région 210 correspondante, par exemple égale à 1,5 µm. La profondeur E3 gravée de la première couche 21 et de la couche tampon 20 peut être sensiblement égale à 2,5 µm. La deuxième portion 201 peut s’étendre sur une distance comprise entre 50 et 100 µm, selon une direction prise dans le plan xy, entre deux zones actives 2a directement voisines. La deuxième gravure peut être configurée de sorte que, dans le plan d’extension principale de la couche 20, la deuxième portion 201 de la couche tampon 20 peut représenter une surface de proportion inférieure ou égale à 30 %, de préférence inférieure ou égale à 25 %, de la surface totale de la couche tampon 20, en projection dans le plan xy. Selon un exemple, dans le plan d’extension principale de la couche 20, la deuxième portion 201 de la couche tampon 20 peut représenter une surface de proportion supérieure ou égale à 5 %, de la surface totale de la couche tampon 20, en projection dans le plan xy. De préférence, la deuxième portion 201 est continue, c’est-à-dire qu’elle n’est pas fractionnée en plusieurs zones résultant de gravures localisées de la couche tampon 20. La deuxième portion 201 peut entourer, de préférence complètement, la première portion 200 de la couche tampon 20. Comme l’illustre la FIG. 6 par exemple, une couche à base ou faite de matériau diélectrique, désignée par couche de matériau diélectrique 3, peut ensuite être déposée de façon à recouvrir, de préférence entièrement, l’empilement 2 et les interconnexions électriques 60. Le matériau diélectrique peut être à base ou fait d’oxyde de silicium. Du fait de la deuxième gravure, on comprend que le volume de matériau diélectrique déposé est augmenté par rapport aux solutions existantes. Cela rallonge donc le temps de dépôt associé. L’association de la deuxième gravure précédemment décrite et de ce dépôt de matériau diélectrique est donc contre intuitive d’un point de vue d’amélioration d’un procédé de fabrication. L’homme du métier est à même d’identifier la méthode de dépôt approprié pour le dépôt de la couche de matériau diélectrique 3, notamment parmi les méthodes de dépôt chimique en phase vapeur. Le procédé peut comprendre une étape de planarisation de la surface exposée 3a de la couche de matériau diélectrique 3, par exemple par polissage chimique et/ou mécanique. Le procédé peut en outre comprendre la formation de vias, et notamment de vias traversants (pouvant être abrégé TSV de l’anglais Through-Silicon-Via). Ces vias peuvent être formés à travers la couche de matériau diélectrique 3 déposé pour établir une connexion électrique entre la structure optiquement active et le substrat, et notamment le deuxième substrat 4. Afin de simplifier les figures, ces vias ne sont pas représentés sur les figures. Ces vias peuvent être configurés pour relier les interconnexions 60 et 61 une fois formées, pour former les connexions électriques 6. La formation de ces vias est de préférence faite avant le transfert sur le deuxième substrat 4. Le procédé peut ensuite comprendre le transfert de l’empilement 2 et de la couche de matériau diélectrique 3 sur un deuxième substrat 4, comme l’illustre par exemple le passage de la FIG. 6 à la FIG. 7 . La diminution des contraintes mécaniques dans l’empilement 2 est donc la diminution de la courbure est particulièrement avantageuse pour cette étape de transfert. Pour cela, la couche de matériau diélectrique 3 peut être assemblée au deuxième substrat 4 au niveau de sa surface exposée 3a. Le substrat support 8 peut ensuite être retiré, par exemple par gravure, notamment dans le cas d’un substrat silicium. Le retrait du substrat 8 peut ainsi exposer une surface 20a en surface de la couche tampon 20. La surface 20a initialement en contact avec le substrat support 8 peut donc se retrouver exposée. Le deuxième substrat 4 peut être une couche conductrice ou un empilement de plusieurs couches conductrices et de couches isolantes, cet empilement permettant par exemple la formation d’un réseau d’interconnexion et d’un circuit électronique de pilotage. Le substrat 4 peut en outre être à base de matériaux tels que le saphir, le silicium, mais également être un « TFT » (« Thin-Film transistor », en anglais ou transistor en couche mince), un semiconducteur à oxyde de métal complémentaire (technologie CMOS, ou « Complementary Metal-Oxide-Semiconductor » en anglais). Le substrat 4 peut comprendre une structure de support à l’affichage, connue sous « Backplane » en terminologie anglo-saxonne. Cette structure peut comprendre des pistes conductrices, des connecteurs, et d'autres éléments conçus pour connecter des diodes électroluminescentes par exemple. On comprend donc que le deuxième substrat 4 peut être un substrat de pilotage 4 configuré pour piloter électriquement la LED. Le substrat 4 peut comprendre ou être de préférence un substrat CMOS. Le deuxième substrat 4 peut présenter une épaisseur supérieure ou égale à 500 µm et inférieure ou égale à 1 mm, par exemple sensiblement égale à 725 µm. Pour l’assemblage du substrat 4 avec la surface 3a, la technique dite de « hybrid bonding » (que l’on peut traduire en français par liaison hybride) peut être utilisée, notamment dans le cas d’un substrat 4 de type CMOS. Du fait du transfert par retournement sur le substrat 4, la couche de matériau diélectrique 3 est sous-jacente aux zones actives 2a dans le dispositif optoélectronique obtenu, et recouvre les flancs latéraux 200a, 210a de la première portion 200 de la couche tampon 20 et de la première région 210, comme l’illustre les figures 1B et C. De façon équivalente, la première région 210 et la deuxième portion 200 de la couche tampon, s’étendent selon son plan principal d’extension uniquement sur une portion du dispositif optoélectronique 1, sans être exposée au niveau des flancs latéraux 1a du dispositif optoélectronique 1. On comprend donc que, dans un même plan xy, la couche de matériau diélectrique 3 peut être juxtaposée avec la couche tampon 20, et plus particulièrement une partie de la première portion 200 de la couche tampon au niveau de son flanc latéral 200a. Dans un autre plan xy, la couche de matériau diélectrique 3 peut être juxtaposée avec la première région 210, au niveau de son flanc latéral 210a. À titre comparatif, et comme illustré par la FIG. 1 , sans cette étape de deuxième gravure, la première couche 21 n’est pas gravée. Cette première couche 21 peut s’étendre selon son plan d’extension principale dans tout le dispositif optoélectronique 1 formé. La première couche 21 est alors affleurante ou encore exposée sur les flancs 1a du dispositif 1, et n’est pas juxtaposée avec la couche de matériau diélectrique 3 selon un plan xy. Selon un mode de réalisation, le procédé peut comprendre une étape de texturation de la surface se retrouvant exposée suite au retrait du substrat support 8. Cette étape est par exemple illustrée par la FIG. 8 . Pour cette étape notamment, il est particulièrement avantageux que la couche tampon 20 ne soit pas complètement gravée lors de la gravure depuis la première couche 21 jusque dans la couche tampon 20. Si la couche tampon 20 était complètement gravée lors de la gravure de la première couche 21 jusque dans la couche tampon 20, alors la surface exposée 20a serait formée de deux types de matériaux distincts, avec du matériau diélectrique 3 de remplissage déposé suite à cette gravure. En effet, il est plus simple de texturer une couche formée d’un seul type de matériau. Cela permet notamment d’éviter des problématiques d’alignement lors des sous-étapes de lithographie et de gravure pouvant être mises en œuvre lors de cette étape. La gravure d’un seul type de matériau est simplifiée par rapport à la gravure de deux matériaux différents. Une pluralité de reliefs 203 peut être réalisée sur cette surface exposée, et plus particulièrement la surface exposée 20a de la couche tampon 20. Ces reliefs de matériau III-V peuvent s’étendre le cas échéant depuis la couche de matériau diélectrique 3 ou la première portion 200 de la couche tampon 20. Les reliefs 203 sont configurés pour favoriser l’extraction de la lumière émise par la LED. Ces reliefs 203 peuvent par exemple être des éléments ponctuels, par exemple des plots ou encore ilots de matériau III-V selon une direction du plan xy. Une vue en coupe des reliefs 203 est par exemple illustrée en FIG. 10 . Ces reliefs 203 sont obtenus par exemple par photolithographie puis gravure plasma (par exemple par gravure ionique réactive, communément abrégée RIE pour Reactive Ion Etching). Une gravure humide peut en alternative être utilisée, par exemple en utilisant une solution d’hydroxyde de potassium KOH. Ces reliefs 203 peuvent être formés au moins sur la première portion 200, et donc être en regard de la structure optiquement active. Ces reliefs 203 peuvent être formés sur sensiblement toute la surface 20a exposée. Les reliefs 203 s’étendent par exemple depuis l’interface entre la couche tampon 20 et la couche de matériau diélectrique 3 ou la première portion 200, selon les portions de la couche tampon 20 considérée. Les reliefs 203 s’étendent de préférence selon une direction d’extension principale parallèle à la direction z. De préférence, la première région 210 n’est pas gravée lors de la texturation. Ces reliefs 203 présentent une épaisseur sensiblement supérieure ou égale à 0,9.E1, de préférence 0,95.E1, plus préférentiellement encore sur sensiblement toute l’épaisseur E1. On comprend donc que la première portion 200 peut comprendre une partie comprenant des reliefs 203 et une partie continue disposée sous les reliefs 203. En alternative, on peut prévoir que la couche tampon 20 ne soit pas texturée. Comme l’illustre par exemple la FIG. 9 , la surface opposée à la surface au contact avec le substrat 4 peut être assemblée avec une couche de transmission 5, par exemple par le biais d’une couche d’adhésion 7 tel un adhésif optique, par exemple un adhésif optique commercialisé par la société Norland sous l’appellation NOA. Cet assemblage peut être fait après le transfert sur le substrat 4 et le retrait du substrat support 8, et le cas échéant après la texturisation. La couche de transmission 5 peut être configurée pour protéger les composants et les manipuler, et/ou pour améliorer l’efficacité d’extraction de lumière. La couche de transmission 5 peut être au moins partiellement transparente. La couche de transmission 5 est par exemple à base ou faite de verre. Notons qu’une couche de diffusion ou une couche de diffusion et de conversion de couleur (photoluminescent par exemple) peut être intercalée entre la couche tampon 20, de préférence une fois texturisée, et la couche de transmission 5. Une couche transparente intercalaire peut également être intercalée entre la couche de diffusion et la couche de transmission 5, cette couche transparente intercalaire présentant un indice de réfraction le plus proche possible de 1, de préférence inférieur strictement à l'indice de réfraction de la couche de transmission 5 et inférieur strictement à l'indice de réfraction du matériau ou des matériaux composant les structures optiquement actives. La couche de diffusion et de conversion de couleur peut comprendre un bloc luminescent qui peut éventuellement comprendre ou non, des luminophores configurés de façon à, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par la diode électroluminescente associée (formée par une structure optiquement active), émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par la diode électroluminescente associée. Des procédés d’assemblage sont déjà connus pour assembler cette couche de transmission 5, sous forme d’un substrat verre transparent, avec des sous-pixels RGB comprenant par exemple des modules de conversion de couleur. Selon un exemple, la couche de transmission associée à une couche de diffusion ou une couche de diffusion et de conversion de couleur peut être rapportée sur la couche tampon 20, de préférence une fois texturisée, par exemple par collage. Comme l’illustre le passage de la FIG. 8 à la FIG. 9 , le procédé peut en outre comprendre un amincissement du substrat 4, par exemple par gravure du substrat 4, par exemple pour atteindre les épaisseurs de substrat 4 précédemment décrites. Cet amincissement est de préférence fait après assemblage avec la couche de transmission 5, afin de faciliter la manipulation de l’ensemble formé. Comme illustré en FIG. 10 par exemple, et de préférence après un éventuel amincissement du substrat 4, le procédé peut comprendre une réalisation d’interconnexions électriques complémentaires 61, configurées pour relier électriquement, par exemple par les vias ou TSV formés à travers couche de matériau diélectrique 3, le substrat 4 aux interconnexions électriques 60 précédemment réalisées, pour former des connexions électriques 6 dans le dispositif optoélectronique 1 et notamment avec les vias précédemment décrits . Ici encore, la réduction des contraintes mécaniques dans l’empilement 2 et donc la réduction de la courbure permet de faciliter la réalisation de ces interconnexions. En outre, la couche de n-GaN étant complètement gravée, et avantageusement avec la texturation de sensiblement toute l’épaisseur E1 de la couche tampon 20, les structures optiquement actives sont isolées les unes des autres. Cela permet donc de tester les LED formées lors de leur fabrication, avant découpe, par rapport à des LED partageant une couche commune 21 de n-GaN. Ce test de LED est encore facilité par l’étape de texturation. En effet, la texturation permet alors d’éliminer un éventuel contact électrique résiduel par la couche tampon 20, entre différentes structures optiquement actives. Les interconnexions électriques complémentaires 61 peuvent par exemple comprendre des vias traversants (non illustrés) reliant le substrat 4 et les interconnexions électriques 60, remplis par un matériau électriquement conducteur, et des plots. Comme illustré par exemple en figures 10B et 11, le procédé peut comprendre une découpe. Cette découpe peut être configurée pour séparer différents dispositifs optoélectroniques 1 fabriqués en parallèle par le procédé, comme illustrés en pointillé en FIG. 10 . Cette découpe peut être faite après la réalisation des interconnexions électriques complémentaires 61. Cette découpe peut par exemple être faite selon la direction z, et par exemple dans le plan yz, et plus particulièrement au niveau d’une deuxième portion 201 de la couche tampon 20. Cette découpe est de préférence faite entre deux reliefs 203 directement voisins. La découpe peut être faite par les procédés usuels de découpe, par exemple par laser, par sciage mécanique et/ou la méthode dite de « stealth dicing ». Du fait de la gravure de la couche 21 n-GaN et de la couche tampon 20, et avantageusement avec la texturation de sensiblement toute l’épaisseur E 1 de la couche tampon 20, cette découpe ne traverse ainsi pas la couche de n-GaN. Cela évite donc d’endommager cette couche lors de la découpe et donc d’éviter une possible détérioration de la LED formée. Ces dommages peuvent classiquement se produire notamment par accumulation de charges dans la couche de GaN lors de découpe par laser. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par l’invention. La présente invention ne se limite pas aux exemples précédemment décrits. Bien d’autres variantes de réalisation sont possibles, par exemple par combinaison de caractéristiques précédemment décrites, sans sortir du cadre de l’invention. Par exemple, dans les exemples ci-dessus, le dispositif optoélectronique décrit est une LED. Notons que les aspects précédemment décrits peuvent s’appliquer à d’autres types de dispositifs optoélectroniques, par exemple une photodiode ou encore diode laser à cavité verticale émettant par la surface (communément abrégé VCSEL, de l’anglais Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers). En outre, les caractéristiques décrites relativement à un aspect de l’invention peuvent être combinées à un autre aspect de l’invention. Procédé de fabrication d’au moins un dispositif optoélectronique (1) comprenant : une fourniture d’un empilement (2) à base d’un matériau III-V et comprenant : une couche tampon (20), une première couche (21) présentant un premier type de porteurs de charge, et surmontant la couche tampon (20), au moins une région active (220) configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, et surmontant la première couche (21), au moins une deuxième région (230) présentant un deuxième type de porteurs de charge, et surmontant la région active (220), au moins une gravure de l’empilement (2) comprenant une gravure depuis la première couche (21) jusque dans la couche tampon (20), la couche tampon (20) étant au moins partiellement gravée selon une direction normale à son plan d’extension principale, de façon à délimiter latéralement, à partir de la première couche (21) et de la couche tampon (20), au moins une première région (210) et une première portion (200) non gravée de la couche tampon (20) surmontées par la région active (220), la première région (210) et la première portion (200) de la couche tampon (20) présentant chacune un flanc latéral (200a, 210a), suite à la gravure de l’empilement (2), un dépôt d’une couche à base d’un matériau diélectrique (3) sur l’empilement, de façon à recouvrir lesdits flancs latéraux (200a, 210a). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel, l’empilement (2) présentant une épaisseur totale E 0 prise selon la direction normale au plan d’extension principale de l’empilement (2), la gravure de la première couche (21) jusque dans la couche tampon (20) est configurée de sorte que, à l’issue de ladite gravure, la couche tampon (20) présente une deuxième portion (201) au droit de la gravure effectuée, la deuxième portion (201) présentant une épaisseur résiduelle E 1 comprise entre 0,2.E 0 et 0,5.E 0 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la gravure de la première couche (21) jusque dans la couche tampon (20) est configurée de sorte que, à l’issue de ladite gravure, la couche tampon (20) présente une deuxième portion (201) au droit de la gravure effectuée, la deuxième portion (201) présentant une épaisseur résiduelle E 1 comprise entre 0,8 µm et 2 µm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, l’empilement (2) comprenant une couche active (22) comprenant l’au moins une région active (220), et une deuxième couche (23) comprenant l’au moins une deuxième région (230), le procédé comprend, avant la gravure depuis la première couche (21) jusque dans la couche tampon (20), une gravure de la deuxième couche (23) et de la couche active (22) jusqu’à la première couche (21), de façon à former au moins une zone active (2a) comprenant une région active (220) et une deuxième région (230). Procédé selon la revendication précédente, comprenant en outre, avant la gravure depuis la première couche (21) jusque dans la couche tampon (20), une réalisation d’interconnexions électriques (60) configurées pour connecter électriquement et séparément la première couche (21) et l’au moins une deuxième région (230). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’empilement comprend plusieurs zones actives (2a) comprenant chacune une deuxième région (230) et une région active (220), la gravure de la première couche (21) jusque dans la couche tampon (20) étant configurée pour former plusieurs premières régions (210) et plusieurs premières portions (200) de la couche tampon (20), chacune surmontées par une zone active (2a), le procédé comprenant en outre une découpe entre les flancs latéraux (200a, 210a) desdites premières régions (210) et desdites premières portions (200) de façon à obtenir une pluralité de dispositifs optoélectroniques (1) comprenant chacun une zone active (2a). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’empilement (2) est disposé sur un substrat support (8) présentant, dans son plan d’extension principale, au moins une dimension comprise entre 100 mm et 300 mm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt de la couche à base d’un matériau diélectrique (3) forme une surface exposée (3a) de l’empilement (2), opposée au substrat support (8), et le procédé comprenant en outre le transfert de l’empilement (2) sur un deuxième substrat (4) distinct du substrat support (8), par la surface exposée (3a) de l’empilement (2). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une texturation de la couche tampon (20) de façon à former une pluralité de reliefs (203) sur une surface exposée (20a) de la couche tampon (20). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel, la gravure de la première couche (21) jusque dans la couche tampon (20) étant configurée de sorte que, à l’issue de ladite gravure, la couche tampon (20) présente une deuxième portion (201) au droit de la gravure effectuée, présentant une épaisseur résiduelle E 1 , la texturation est configurée de sorte que la pluralité de reliefs (203) s’étend sur au moins 90 % de E 1 , et de préférence sur sensiblement la totalité de E 1 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un assemblage de la couche tampon (20) sur une couche de transmission (5) au moins partiellement transparente. Dispositif optoélectronique (1) comprenant : une couche à base d’un matériau diélectrique (3), un empilement (2) à base d’un matériau III-V surmontant la couche à base d’un matériau diélectrique (3), l’empilement comprenant : une deuxième région (230) présentant un deuxième type de porteurs de charge, et surmontant la couche à base d’un matériau diélectrique (3), une région active (220) configurée pour émettre ou recevoir un rayonnement lumineux, et surmontant la deuxième région (230), une première région (210) présentant un premier type de porteurs de charge, et surmontant la région active (220), une couche tampon (20) surmontant la première région (210), le dispositif optoélectronique (1) étant caractérisé en ce que la première région (210) et au moins une première portion (200) de la couche tampon (20) présentent chacune un flanc latéral (200a, 210a), et en ce que la couche à base d’un matériau diélectrique (3) recouvre lesdits flancs latéraux (200a, 210a). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication précédente, dans lequel, l’empilement (2) présentant une épaisseur totale E 0 , la couche tampon (20) présente une deuxième portion (201) au contact de la couche à base d’un matériau diélectrique (3), l’épaisseur résiduelle E1 de la couche tampon (20) au niveau de la deuxième portion (201) étant comprise entre 0,2.E 0 et 0,5.E 0 . Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel la couche tampon (20) présente une première surface (20a) opposée à une deuxième surface en contact avec la première région (210) et la couche à base d’un matériau diélectrique (3), ladite première surface (20a) formant une pluralité de reliefs (203). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication précédente, dans lequel, la couche tampon (20) présente une deuxième portion (201) au contact de la couche à base d’un matériau diélectrique (3), la deuxième portion (201) présentant une épaisseur résiduelle E 1 , et la pluralité de reliefs (203) s’étend sur au moins 90 % de E 1 , et de préférence sur sensiblement la totalité de E 1 . Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes, comprenant en outre un substrat dit « de pilotage » (4) configuré pour piloter électriquement le dispositif optoélectronique (1), la couche à base d’un matériau diélectrique (3) étant disposée sur le substrat de pilotage (4). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des cinq revendications précédentes, dans lequel le matériau III-V est choisi parmi le groupe constitué de GaN, AlGaN.