FR 3156991 A1 20250620 FR 2314055 A 20231213 Dispositif électronique de capture et d’affichage d’images La présente description concerne un dispositif électronique (100) de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels (PIX) formés dans et sur un substrat semiconducteur (101), chaque pixel comportant : – un élément de détection (103) d’un premier rayonnement (105), situé du côté d’une première face (101F) du substrat semiconducteur (101) ; – un élément d’émission (107) d’un deuxième rayonnement (109), situé du côté d’une deuxième face (101R) du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Dispositif électronique de capture et d’affichage d’images La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et en particulier les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images. Des dispositifs électroniques capables de mettre en œuvre des fonctions de capture et d’affichage d’images ont été proposés. De tels dispositifs comprennent typiquement un capteur d’images, comportant une matrice de pixels de capture d’images, et un afficheur d’images, comportant une matrice de pixels d’affichage d’images distincts des pixels de capture d’images. En fonction de l’application, les matrices de pixels de capture et d’affichage d’images du dispositif peuvent être situées du côté d’une même face d’un substrat semiconducteur, par exemple dans le cas d’un téléphone mobile, d’une montre connectée ou d’une tablette électronique comprenant un écran d’affichage intégrant un capteur d’images destiné à acquérir des empreintes digitales d’un utilisateur, ou être situées respectivement de part et d’autre du substrat semiconducteur, par exemple dans le cas d’un visiocasque, d’un afficheur tête haute ou de lunettes intelligentes comprenant un ou plusieurs écrans d’affichage destinés à être placés chacun face à un œil d’un utilisateur et un ou plusieurs capteurs d’images tournés vers l’extérieur. Les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants souffrent toutefois de divers inconvénients. En particulier, dans ces dispositifs, les pixels du capteur d’images sont typiquement reliés à un circuit de commande et à un circuit de lecture, et les pixels de l’afficheur d’images sont reliés à un circuit de commande différent des circuits de commande et de lecture des pixels du capteur d’images. Ces circuits, qui sont par exemple situés en périphérie des matrices de pixels du capteur et de l’afficheur d’images, mettent en œuvre des fonctions d’adressage des matrices de pixels auxquelles ils sont respectivement connectés, et les images acquises par le capteur sont par exemple stockées dans un circuit mémoire avant d’être affichées, éventuellement après traitement. Cela introduit un temps de latence indésirable entre l’acquisition d’une image par le capteur et l’affichage de l’image correspondante par l’afficheur. Par ailleurs, les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants présentent une complexité, un encombrement, un poids, une consommation énergétique et un coût de fabrication élevés. Il serait souhaitable de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants. Il existe en particulier un besoin de réduire le poids, l’encombrement, la complexité, la consommation énergétique, les coûts de fabrication et/ou le temps de latence de ces dispositifs. Pour cela, un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels formés dans et sur un substrat semiconducteur, chaque pixel comportant : – un élément de détection d’un premier rayonnement, situé du côté d’une première face du substrat semiconducteur ; – un élément d’émission d’un deuxième rayonnement, situé du côté d’une deuxième face du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend : – un circuit d’acquisition situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif d’une intensité du premier rayonnement reçu par l’élément de détection du pixel ; et – un circuit de commande situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission du pixel. Selon un mode de réalisation, le circuit d’acquisition et le circuit de commande sont des circuits analogiques. Selon un mode de réalisation : – chaque élément de détection comprend un photodétecteur ; – chaque circuit d’acquisition comprend un comparateur comportant une entrée inverseuse connectée à une électrode de conduction du photodétecteur ; et – chaque circuit de commande comprend un inverseur comportant une entrée connectée à une sortie du comparateur et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS, le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation : – chaque élément de détection comprend une diode à avalanche à photon unique ; – chaque circuit d’acquisition comprend une bascule de Schmitt comportant une entrée connectée à une électrode de conduction de la diode à avalanche à photon unique ; et – chaque circuit de commande comprend un inverseur comportant une entrée connectée à une sortie de la bascule de Schmitt et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS, le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation, les éléments de détection sont situés en vis-à-vis des éléments d’émission. Selon un mode de réalisation, les éléments de détection et les éléments d’émission sont agencés respectivement en des première et deuxième matrices, les première et deuxième matrices présentant des pas sensiblement identiques. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième rayonnements sont de la lumière visible. Selon un mode de réalisation, chaque élément d’émission comprend au moins une diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente est commandée par un signal de commande présentant une valeur moyenne sensiblement proportionnelle à une intensité du premier rayonnement détectée par l’élément de détection. Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente est commandée par un signal de commande présentant des impulsions se répétant à une fréquence sensiblement proportionnelle à une intensité du premier rayonnement détectée par l’élément de détection. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend autant d’éléments de détection que d’éléments d’émission. Un mode de réalisation prévoit un appareil électronique comprenant : – un circuit d’alimentation ; et – au moins un dispositif tel que décrit précédemment. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif tel que décrit précédemment, le procédé comprenant une étape de report, par collage moléculaire, d’une structure comprenant les éléments de détection et les circuits sur une autre structure comprenant les éléments d’émission. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d’autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 est une vue isométrique, schématique et partielle, d’un dispositif de capture et d’affichage d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 4 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel de la FIG. 3 ; la FIG. 5 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon encore un autre mode de réalisation ; la FIG. 6 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel de la FIG. 5 ; la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 et la FIG. 7 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes d’un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 8 , la FIG. 8 , la FIG. 8 , la FIG. 8 et la FIG. 8 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes successives d’un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 9 est une vue de côté, schématique et partielle, d’un exemple d’implémentation du dispositif de la FIG. 1 dans un appareil électronique ; et la FIG. 10 est une vue de côté, schématique et partielle, d’un autre exemple d’implémentation du dispositif de la FIG. 1 dans un appareil électronique. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les diverses applications des dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images de la présente description ne seront pas détaillées, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des applications susceptibles de tirer profit d’un dispositif électronique de capture et d’affichage d’images, moyennant éventuellement des adaptations à la portée de la personne du métier à la lecture de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l’on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l’on fait référence à deux éléments reliés (en anglais « coupled ») entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l’intermédiaire d’un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l’on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes « avant », « arrière », « haut », « bas », « gauche », « droite », etc., ou relative, tels que les termes « dessus », « dessous », « supérieur », « inférieur », etc., ou à des qualificatifs d’orientation, tels que les termes « horizontal », « vertical », etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l’orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions « environ », « approximativement », « sensiblement », et « de l’ordre de » signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, les qualificatifs « isolant » et « conducteur » signifient respectivement, sauf précision contraire, électriquement isolant et électriquement conducteur. L’expression « transmittance d’une couche » désigne un rapport entre une intensité d’un rayonnement sortant de la couche et une intensité du rayonnement entrant dans la couche. Dans la suite de la description, une couche est dite opaque à un rayonnement lorsque sa transmittance est, pour ce rayonnement, strictement inférieure à 40 %, de préférence inférieure ou égale à 25 %, plus préférentiellement inférieure ou égale à 10 %. Par ailleurs, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque sa transmittance est, pour ce rayonnement, supérieure ou égale à 40 %, de préférence supérieure ou égale à 75 %, plus préférentiellement supérieure ou égale à 90 %. La définition des qualificatifs opaque et transparent(e) qui précède n’est pas limitée au cas d’une couche, mais s’applique plus généralement à tout élément susceptible d’être exposé à un rayonnement, par exemple un substrat, une région, un empilement de plusieurs couches, etc. Dans la présente description, l’expression « lumière visible » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 400 nm et 700 nm. Par ailleurs, l’expression « rayonnement infrarouge » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 700 nm et 1 mm. Dans le domaine infrarouge, le rayonnement infrarouge proche présente une longueur d’onde comprise entre 700 nm et 1,7 µm. La FIG. 1 est une vue isométrique, schématique et partielle, d’un dispositif de capture et d’affichage d’images 100 selon un mode de réalisation. Selon ce mode de réalisation, le dispositif de capture et d’affichage d’images 100 comprend une pluralité de pixels PIX formés dans et sur un substrat semiconducteur 101. Chaque pixel PIX du dispositif 100 comporte un élément de détection 103 d’un rayonnement 105 et, associé à l’élément de détection 103, un élément d’émission 107 d’un rayonnement 109. Les éléments de détection 103 et d’émission 107 sont respectivement situés de part et d’autre du substrat semiconducteur 101. Plus précisément, dans l’exemple illustré, les éléments de détection 103 sont situés du côté d’une face 101F du substrat 101 et les éléments d’émission 107 sont situés du côté d’une face 101R du substrat 101, opposée à la face 101F. À des fins de simplification du dessin, chaque élément de détection 103 et chaque élément d’émission 107 a été symbolisé, en FIG. 1 , par un parallélépipède présentant, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque élément de détection 103 ou d’émission 107 pouvant, à titre de variante, présenter une forme quelconque, par exemple cylindrique. Dans l’exemple illustré, les pixels PIX du dispositif 100 sont agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. Plus précisément, dans cet exemple, les éléments de détection 103 sont agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. De façon analogue, les éléments d’émission 107 sont, dans cet exemple, agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. Dans chacune de ces matrices, les lignes sont par exemple sensiblement orthogonales aux colonnes. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les lignes pouvant, à titre de variante, ne pas être orthogonales aux colonnes. À titre d’exemple, le dispositif 100 comprend autant d’éléments de détection 103 que d’éléments d’émission 107. Dans l’exemple représenté, la matrice d’éléments d’émission 107 présente un pas, c’est-à-dire une distance centre à centre entre deux éléments d’émission 107 adjacents, sensiblement égal au pas de la matrice d’éléments de détection 103, c’est-à-dire sensiblement égal à une distance centre à centre entre deux éléments de détection 103 adjacents. Par ailleurs, dans cet exemple, les éléments d’émission 107 sont situés en vis-à-vis des éléments de détection 103. Dans l’exemple illustré, le centre de chaque élément d’émission 107 est situé sensiblement à l’aplomb du centre de l’élément de détection 103 situé en vis-à-vis. Les éléments d’émission 107 présentent par exemple, en vue de dessus, des dimensions latérales sensiblement égales, aux dispersions de fabrication près, à celles des éléments de détection 103. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les éléments d’émission 107 pouvant, à titre de variante, présenter des dimensions latérales différentes, par exemple supérieures ou inférieures, à celles des éléments de détection 103. Les dimensions respectives, par exemple les surfaces respectives, des éléments de détection 103 et d’émission 107 sont par exemple choisies en fonction d’une sensibilité recherchée côté éléments de détection 103 et/ou d’une intensité à atteindre côté éléments d’émission 107. À titre d’exemple, le rayonnement 105 capté par les éléments de détection 103 est de la lumière visible. Par ailleurs, le rayonnement 109 émis par les éléments d’émission 107 est par exemple de la lumière visible. La FIG. 2 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, l’élément de détection 103 du pixel PIX comprend un photodétecteur 201 adapté à capter le rayonnement 105. Le photodétecteur 201 est par exemple adapté à produire, sous l’effet du rayonnement incident 105, un courant Iph, également appelé photocourant. Le photocourant Iph est par exemple sensiblement proportionnel à une intensité, ou à un flux, du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Dans l’exemple illustré, le photodétecteur 201 comporte une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, connectée à un nœud 203 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Le photodétecteur 201 comporte en outre, dans cet exemple, une deuxième borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée à un circuit 205. À titre d’exemple, le photodétecteur 201 est une diode photosensible, ou photodiode. Dans l’exemple illustré, le circuit 205 comprend un circuit d’acquisition 207, également appelé conditionneur ou circuit de conditionnement. Le circuit d’acquisition 207 est par exemple adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif de l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Le signal d’acquisition produit par le circuit d’acquisition 207 est par exemple fonction du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnel au photocourant Iph. À titre de variante, le signal d’acquisition est fonction d’une tension aux bornes du photodétecteur 201, par exemple sensiblement proportionnel à cette tension. Le circuit d’acquisition 207 permet par exemple d’amplifier le photocourant Iph et de fournir une tension de pilotage de l’élément d’émission 107. À ces fins, le circuit d’acquisition 207 comprend par exemple un amplificateur symbolisé, en FIG. 2 , par un transistor. À titre d’exemple, l’amplificateur est de type CTIA (de l’anglais « Capacitive Trans-Impedance Amplifier » - amplificateur de transimpédance capacitif). Dans l’exemple représenté, le circuit 205 du pixel PIX comprend en outre un circuit de commande 209, ou circuit de pilotage. Le circuit de commande 209 est par exemple adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission 107. Le signal de commande fourni par le circuit de commande 209 est par exemple fonction du signal d’acquisition, par exemple sensiblement proportionnel au signal d’acquisition. Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 et le circuit de commande 209 reçoivent chacun un signal de calibration cal. Le signal de calibration cal permet par exemple de compenser des dispersions de fabrication entre les pixels PIX du dispositif de capture et d’affichage d’images 100, par exemple des dispersions de fabrication affectant l’élément de détection 103 et/ou l’élément d’émission 107 des pixels PIX. En pratique, le circuit d’acquisition 207 reçoit par exemple un signal de calibration différent de celui reçu par le circuit de commande 209. Le signal de calibration cal présente par exemple une valeur déterminée, pour chaque pixel PIX, à l’issue d’une étape de calibration postérieure à des étapes de fabrication du dispositif de capture et d’affichage d’images 100. À titre de variante, le signal de calibration cal peut être omis. Dans l’exemple illustré, l’élément d’émission 107 du pixel PIX comprend une diode électroluminescente 211 adaptée à émettre le rayonnement 109. La diode électroluminescente 211 est par exemple plus précisément adaptée à émettre le rayonnement 109 lorsqu’elle est parcourue par un courant Iled, correspondant par exemple au signal de commande appliqué par le circuit de commande 209. Le courant Iled présente par exemple une intensité sensiblement proportionnelle à celle du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Dans l’exemple illustré en FIG. 2 , la diode électroluminescente 211 comporte une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, connectée au circuit 205, par exemple à une sortie du circuit de commande 209. La diode électroluminescente 211 comporte en outre, dans cet exemple, une deuxième borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée à un nœud 213 d’application d’un potentiel -Vk, par exemple un potentiel bas. La diode électroluminescente 211 est par exemple une diode électroluminescente organique. À titre de variante, la diode électroluminescente 211 peut être une diode électroluminescente inorganique. La diode 211 est par exemple de type micro-LED, c’est-à-dire qu’elle présente des dimensions micrométriques. Dans le cas où le rayonnement 105 capté et le rayonnement 109 émis sont chacun de la lumière visible, la diode électroluminescente 211 est par exemple surmontée d’un convertisseur de couleur correspondant à une même plage de longueurs d’onde, ou à une même couleur, que celle transmise par un filtre surmontant le photodétecteur 201. Dans le cas où le courant Iled présente une intensité sensiblement proportionnelle à celle du photocourant Iph, les circuits d’acquisition 207 et de commande 209 sont par exemple des circuits analogiques. Dans ce cas, le circuit 205 est notamment dépourvu de convertisseur analogique-numérique. La FIG. 3 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation. Le schéma électrique équivalent illustré en FIG. 3 correspond plus précisément à un cas dans lequel le circuit 205 du pixel PIX est adapté à commander l’élément d’émission 107 par un signal impulsionnel. Le schéma de la FIG. 3 comprend des éléments en commun avec le schéma de la FIG. 2 . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. En particulier, les éléments de détection 103 et d’émission 107 du schéma de la FIG. 3 sont par exemple identiques à ceux du schéma de la FIG. 2 . Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 du pixel PIX comprend un comparateur 301 comportant une entrée inverseuse (-) connectée à un nœud 303 du circuit d’acquisition 207, une entrée non inverseuse (+) connectée à un nœud 305 d’application d’un potentiel de référence Vref, et une sortie connectée à un nœud 307 du circuit d’acquisition 207. Dans l’exemple illustré, la cathode du photodétecteur 201 est connectée au nœud 303. Les nœuds 303 et 307 du circuit d’acquisition 207 constituent par exemple respectivement des bornes d’entrée et de sortie du circuit d’acquisition 207. Dans l’exemple illustré, les nœuds 303 et 307 présentent respectivement des potentiels Vsn et Vo. Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 comprend en outre un élément capacitif 309, par exemple un condensateur, reliant le nœud 303 à un autre nœud 311 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Le condensateur peut être substitué ou complété par une capacité parasite du nœud 303. Dans l’exemple illustré, le circuit d’acquisition 207 comprend en outre un transistor 313, par exemple un transistor MOS (de l’anglais « Metal-Oxide-Semiconductor » - métal-oxyde-semiconducteur). Dans cet exemple, le transistor 313 est plus précisément un transistor MOS de type N (transistor NMOS). Dans l’exemple représenté, le transistor 313 comprend une borne de conduction, par exemple une électrode de source, connectée au nœud 303, une autre borne de conduction, par exemple une électrode de drain, connectée à un nœud 315 d’application d’un potentiel d’alimentation Vdd, et une borne de commande, par exemple une électrode de grille, connectée au nœud 307. Le potentiel Vdd est par exemple strictement supérieur au potentiel Vref. Dans l’exemple illustré, le circuit de commande 209 comprend un inverseur 317 et un transistor 319. L’inverseur 317 comprend par exemple une entrée connectée au nœud 307 du circuit d’acquisition 207 et une sortie connectée à une borne de commande, par exemple une électrode de grille, du transistor 319. Le transistor 319 est par exemple plus précisément un transistor MOS de type P (transistor PMOS). Dans l’exemple représenté, le transistor PMOS 319 comprend une borne de conduction, par exemple une électrode de drain, connectée à l’anode de la diode électroluminescente 211 et une autre borne de conduction, par exemple une électrode de source, connectée à un nœud 321 d’application d’un potentiel d’alimentation Va. À titre d’exemple, la diode électroluminescente 211 est commandée par un signal de commande présentant une valeur moyenne sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105. La FIG. 4 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel PIX de la FIG. 3 . Le chronogramme de la FIG. 4 comprend des courbes 401 et 403 illustrant un exemple d’évolution, en fonction du temps (t), des potentiels Vsn et Vo, respectivement. Entre un instant t0 et un instant t1, postérieur à l’instant t0, le photodétecteur 201 est exposé au rayonnement 105 et produit le photocourant Iph. Durant cette période, le photocourant Iph est intégré par l’élément capacitif 309. Les charges photogénérées par le photodétecteur 201 s’accumulent au nœud 303, entraînant ainsi une baisse du potentiel Vsn. Dans l’exemple illustré, le potentiel Vsn du nœud 303 présente, entre les instants t0 et t1, une valeur comprise entre celle du potentiel Vdd et celle du potentiel Vref. Entre les instants t0 et t1, le potentiel Vo du nœud 307 connecté à la sortie du comparateur 301 est par exemple à un niveau bas. À l’instant t1, le potentiel Vsn atteint une valeur sensiblement égale à celle du potentiel de référence Vref. Cela provoque une commutation de la sortie du comparateur 301, donc une transition du potentiel Vo depuis le niveau bas vers un niveau haut. Le transistor 313 est alors commandé à l’état passant, ce qui a pour effet de connecter le nœud 303 au nœud 315. Les charges photogénérées accumulées au nœud 303 entre les instants t0 et t1 sont ainsi évacuées vers le nœud 315. Cela tend à ramener le potentiel Vsn à une valeur sensiblement égale à celle du potentiel d’alimentation Vdd. À un instant t2, postérieur à l’instant t1, le potentiel Vsn redevient supérieur au potentiel Vref. Cela entraîne une commutation de la sortie du comparateur 301, provoquant une transition du potentiel Vo depuis le niveau haut vers le niveau bas. La courbe 403 illustre ainsi une impulsion du potentiel Vo entre les instants t1 et t2. Entre l’instant t2 et un instant t3, postérieur à l’instant t2, la courbe 403 illustre plusieurs autres impulsions du potentiel Vo semblables à celle présente entre les instants t1 et t2. Ces impulsions résultent, comme exposé ci-dessus, de charges et de décharges successives de l’élément capacitif 309 lorsque le photodétecteur 201 est soumis au rayonnement 105 et produit le photocourant Iph. Les impulsions que comporte la courbe 403 entre les instants t0 et t3 se répètent par exemple périodiquement, par exemple à une fréquence fh. Entre un instant t4, postérieur à l’instant t3, et un instant t5, postérieur à l’instant t4, la courbe 403 illustre encore d’autres impulsions du potentiel Vo, par exemple analogues aux impulsions présentes entre les instants t0 et t3. Les impulsions du potentiel Vo entre les instants t4 et t5 diffèrent par exemple des impulsions du potentiel Vo entre les instants t0 et t3 en ce qu’elles se répètent périodiquement à une fréquence fl strictement inférieure à la fréquence fh. Cela provient par exemple du fait que le photodétecteur 201 produit, au cours d’une phase LF comprise entre les instants t4 et t5, un photocourant Iph plus faible, par exemple résultant d’une baisse d’intensité du rayonnement 105, que durant une autre phase HF comprise entre les instants t0 et t3. Dans l’exemple représenté, les fréquences fh et fl sont représentatives du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnelles au photocourant Iph. Les fréquences fh et fl sont par exemple sensiblement proportionnelles à l’intensité, ou au flux, du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. La diode électroluminescente 211 est par exemple ainsi commandée par un signal périodique de fréquence sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. À titre d’exemple, la sensibilité du pixel PIX est ajustée en modifiant la valeur du potentiel de référence Vref, qui limite l’étendue de la plage de variation du potentiel Vsn. Dans l’exemple représenté, pour une même valeur d’intensité du rayonnement 105, plus la valeur du potentiel Vref se rapproche de celle du potentiel Vdd et plus la fréquence de variation du potentiel Vo est élevée. À l’inverse, plus la valeur du potentiel Vref s’éloigne de celle du potentiel Vdd et plus la fréquence de variation du potentiel Vo est faible. Les modes de réalisation du circuit 205 du pixel PIX ne se limitent pas aux exemples des circuits de détection 207 et de commande 209 représentés, et la personne du métier est capable, à partir des indications de la présente description, de prévoir des circuits de détection et de commande différents de ceux exposés en relation avec les figures 3 et 4. À titre d’exemple, un compteur ou un diviseur de fréquence peut être prévu dans le circuit de commande 209 afin de permettre un ajustement de la fréquence de variation du potentiel Vo pour chaque pixel PIX indépendamment des autres pixels PIX. L’ajustement est alors par exemple effectué en usine, par exemple à l’issue d’étapes de fabrication du dispositif 100, et met par exemple en œuvre une étape de stockage de valeurs de calibration dans des circuits mémoires du dispositif 100, par exemple des circuits mémoire de type ROM (de l’anglais « Read-Only Memory » - mémoire à lecture seule) ou flash. Cela évite la présence de circuits d’adressage dans le dispositif 100. D’autres types de circuits, par exemple des circuits à réponse logarithmique, pourraient par ailleurs être prévus. La FIG. 5 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon encore un autre mode de réalisation. Le schéma électrique équivalent illustré en FIG. 5 correspond plus précisément à un cas dans lequel l’élément de détection 103 du pixel PIX comprend une diode 501 à avalanche à photon unique, également appelée SPAD (de l’anglais « Single-Photon Avalanche Diode »). La diode 501 est adaptée à détecter des photons du rayonnement 105. Le schéma de la FIG. 5 correspond par exemple à un cas où le rayonnement 105 présente une très faible intensité. Dans l’exemple représenté, la diode 501 comporte une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, connectée à un nœud 503 de l’élément de détection 103, et une deuxième borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée à un nœud 505 d’application d’un potentiel Vsp. Dans l’exemple illustré, l’élément de détection 103 comprend en outre un élément résistif 507, par exemple une résistance, reliant le nœud 503 à un autre nœud 509 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. L’élément résistif 507 permet une extinction (« quenching », en anglais) du phénomène d’avalanche à chaque déclenchement de la diode 501. Dans cet exemple, l’élément de détection 103 comprend en outre un élément capacitif 511, par exemple un condensateur, reliant le nœud 503 à un nœud 513 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Dans l’exemple représenté, le circuit de détection 207 comprend une bascule de Schmitt 515 à courbe d’hystérésis inversée. Dans cet exemple, la bascule de Schmitt 515 comporte une entrée connectée au nœud 503 et une sortie connectée à l’entrée du circuit de commande 209. Dans l’exemple illustré, le circuit de commande 209 du pixel PIX de la FIG. 5 est identique ou analogue au circuit de commande 209 du pixel PIX de la FIG. 3 , la sortie de la bascule de Schmitt 515 étant connectée à l’entrée de l’inverseur 317. Dans l’exemple illustré en FIG. 5 , des potentiels Vsn′ et Vo′ sont respectivement présents au nœud 503 et en sortie de la bascule de Schmitt 515. À titre de variante, la bascule de Schmitt 515 peut être remplacée par un comparateur présentant un seuil réglable et/ou des compteurs permettant d’ajuster la gamme d’intensité de la diode électroluminescente 211 de l’élément d’émission 107. Cela permet par exemple de réduire ou d’éviter la présence d’impulsions parasites dues à un courant d’obscurité. Par ailleurs, bien que cela n’ait pas été détaillé sur le dessin, le circuit 205 du schéma de la FIG. 5 peut en outre comprendre des éléments d’ajustement de sensibilité et/ou de saturation. La FIG. 6 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel PIX de la FIG. 5 . Le chronogramme de la FIG. 6 comprend des courbes 601 et 603 illustrant un exemple d’évolution, en fonction du temps (t), du potentiel Vsn′ présent au nœud 503 et du courant Iled parcourant la diode électroluminescente 211, respectivement. Entre un instant t0′ et un instant t1′, postérieur à l’instant t0′, le potentiel Vsn′ présent au nœud 503 est égal à une valeur minimale Vmin. Le courant Iled est par exemple à un niveau bas, par exemple sensiblement nul, entre les instants t0′ et t1′. Cela correspond par exemple à une période pendant laquelle aucun photon n’est détecté par la diode 501. Dans l’exemple représenté, à l’instant t1′, au moins un photon est détecté par la diode 501. Les charges produites par l’avalanche générée dans la diode 501 s’accumulent alors aux bornes de l’élément capacitif 511, provoquant ainsi une augmentation du potentiel Vsn′ jusqu’à une valeur maximale Vmax, strictement supérieure à la valeur Vmin. Cela provoque une commutation du potentiel Vo′ de sortie de la bascule de Schmitt 515. Le courant Iled traversant la diode électroluminescente 211 commute alors depuis le niveau bas vers un niveau haut. Entre l’instant t1′ et un instant t2′, postérieur à l’instant t1′, le phénomène d’avalanche est éteint par l’action de la résistance 507 et l’élément capacitif 511 se décharge à travers l’élément résistif 507. Cela provoque, entre les instants t1′ et t2′, une commutation du potentiel Vo′ de sortie de la bascule de Schmitt 515 vers un niveau bas. Le courant Iled traversant la diode électroluminescente 211 commute alors depuis le niveau haut vers le niveau bas par l’action de l’inverseur 317 et du transistor 319. De façon analogue à la courbe 403 entre les instants t2 et t3, la courbe 603 illustre, entre l’instant t2′ et un instant t3′, postérieur à l’instant t2′, plusieurs autres impulsions du courant Iled semblables à celle présente entre les instants t1′ et t2′. Ces impulsions résultent, comme exposé ci-dessus, de charges et de décharges successives de l’élément capacitif 511 lorsque la diode 501 capte au moins un photon du rayonnement 105. Les impulsions que comporte la courbe 603 entre les instants t0′ et t3′ se répètent par exemple périodiquement, par exemple à une fréquence fh′. Entre un instant t4′, postérieur à l’instant t3′, et un instant t5′, postérieur à l’instant t4′, la courbe 603 illustre encore d’autres impulsions du courant Iled, par exemple analogues aux impulsions présentes entre les instants t0′ et t3′. Les impulsions du courant Iled entre les instants t4′ et t5′ diffèrent par exemple des impulsions du courant Iled entre les instants t0′ et t3′ en ce qu’elles se répètent périodiquement à une fréquence fl′ strictement inférieure à la fréquence fh′. Cela provient par exemple du fait que la diode 501 capte, au cours d’une phase LF′ comprise entre les instants t4′ et t5′, un nombre de photons moins important, par exemple résultant d’une baisse d’intensité du rayonnement 105, que durant une autre phase HF′ comprise entre les instants t1′ et t3′. Dans l’exemple représenté, les fréquences fh′ et fl′ sont représentatives du nombre de photons captés par la diode 501, par exemple sensiblement proportionnelles au nombre de photons captés par la diode 501. Les fréquences fh′ et fl′ sont par exemple sensiblement proportionnelles à l’intensité, ou au flux, du rayonnement 105 capté par la diode 501. La diode électroluminescente 211 est par exemple ainsi commandée par un signal périodique de fréquence sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105 capté par la diode 501. Dans les exemples exposés ci-dessus, le dispositif de capture et d’affichage d’images 100 est dépourvu de circuits d’adressage des matrices d’éléments de détection 103 et d’émission 107. Le dispositif 100 est en outre dépourvu de circuits et composants de stockage, ou mémorisation, d’images acquises par les éléments de détection 103 ou d’images à afficher par les éléments d’émission 107. Un avantage du dispositif 100 tient au fait qu’il présente un poids, un encombrement, une complexité, une consommation énergétique, des coûts de fabrication et/ou un temps de latence inférieurs à ceux des dispositifs existants de capture et d’affichage d’images. La FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 et la FIG. 7 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes d’un procédé de fabrication du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des photodétecteurs 201 et des circuits 205 des pixels PIX du dispositif 100. Le procédé technologique conduisant à l’obtention de la structure illustrée en FIG. 7 est par exemple du type du procédé connu sous l’appellation anglaise « CMOS front-side » (de l’anglais « Complementary Metal-Oxide-Semiconductor front-side » - métal-oxyde-semiconducteur complémentaire en face avant). Dans l’exemple représenté, la structure comprend un substrat de support 701. À titre d’exemple, le substrat de support 701 est une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. Le substrat de support 701 est par exemple revêtu, sur l’une de ses faces, d’une couche isolante 703. Dans l’exemple représenté, la couche isolante 703 est située sur et en contact avec une face 701T du substrat de support 701 (la face supérieure du substrat 701, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche isolante 703 est en un oxyde, par exemple l’oxyde de silicium. La couche isolante 703 est par exemple revêtue d’une couche semiconductrice 705, par exemple une couche en silicium. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 705 est située sur et en contact avec une face de la couche isolante 703 opposée au substrat de support 701. À titre d’exemple, le substrat de support 701, la couche isolante 703 et la couche semiconductrice 705 font partie d’un substrat de type SOI (de l’anglais « Silicon On Insulator » - silicium sur isolant). Dans ce cas, la couche isolante 703 correspond à la couche d’oxyde enterré (« buried oxide » - BOX, en anglais) du substrat SOI. Dans l’exemple illustré, les photodétecteurs 201 sont situés dans la couche semiconductrice 705. À titre d’exemple, les photodétecteurs 201 sont formés par implantation ionique du côté de la face 701T du substrat semiconducteur 701. Par ailleurs, dans cet exemple, les circuits 205 sont situés du côté de la face 701T du substrat semiconducteur 701. À titre d’exemple, les circuits 205 sont formés dans et sur la couche semiconductrice 705. Dans l’exemple représenté, la structure comprend en outre un empilement ou réseau d’interconnexion 707 situé sur la couche semiconductrice 705. Dans l’exemple représenté, l’empilement d’interconnexion 707 comprend un empilement de couches conductrices et de couches isolantes alternées. Les couches conductrices de l’empilement d’interconnexion 707, symbolisées par des rectangles hachurés 709 en FIG. 7 , sont par exemple des couches métalliques, également appelées niveaux de métallisation. Bien que cela n’ait pas été détaillé sur les dessins, l’empilement d’interconnexion 707 comprend par exemple des pistes conductrices formées dans les couches conductrices et des vias conducteurs, par exemple des vias métalliques, interconnectant des pistes conductrices situées dans des couches conductrices différentes. Dans l’exemple représenté, la couche conductrice 709 de l’empilement d’interconnexion 707 la plus éloignée du substrat de support 701, appelée dernier niveau de métallisation, n’affleure pas la face de l’empilement d’interconnexion 707 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de l’empilement d’interconnexion 707, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Dans cet exemple, le dernier niveau de métallisation est revêtu d’une couche isolante de l’empilement d’interconnexion 707. La couche semiconductrice 705 de la structure illustrée en FIG. 7 correspond par exemple au substrat semiconducteur 101 du dispositif 100 de la FIG. 1 . Bien que la FIG. 7 illustre un exemple dans lequel les photodétecteurs 201 et les circuits 205 sont formés dans et sur un substrat de type SOI, cet exemple n’est pas limitatif. À titre de variante, les photodétecteurs 201 et les circuits 205 peuvent être formés dans et sur un substrat semiconducteur massif, par exemple identique ou analogue au substrat de support 701 de la FIG. 7 . La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure d’amincissement de la structure exposée précédemment en relation avec la FIG. 7 du côté de la face 701T du substrat de support 701. Dans l’exemple illustré en FIG. 7 , le dernier niveau de métallisation affleure la face de l’empilement d’interconnexion 707 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de l’empilement d’interconnexion 707, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Cela revient à éliminer la couche isolante de l’empilement d’interconnexion 707 revêtant le dernier niveau de métallisation. L’amincissement est par exemple réalisé par CMP (de l’anglais « Chemical and Mechanical Polishing » - polissage mécano-chimique). La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation d’un empilement actif de diode électroluminescente 711, ou empilement actif de LED, du côté d’une face 713T d’un substrat 713 (la face supérieure du substrat 713, dans l’orientation de la FIG. 7 ). L’étape décrite en relation avec la FIG. 7 peut être réalisée indifféremment avant, pendant ou après les étapes précédemment décrites en relation avec les figures 7A et 7B. Le substrat 713 est par exemple une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. À titre d’exemple, le substrat 713 est une plaquette en silicium monocristallin présentant un diamètre égal à environ 200 mm. À titre de variante, le substrat 713 peut être en corindon (« sapphire », en anglais) ou en nitrure de gallium (GaN). Dans l’exemple représenté, une couche semiconductrice 715 dopée d’un premier type de conductivité, par exemple le type N, revêt la face 713T du substrat 713. La couche semiconductrice 715 est par exemple plus précisément située sur et en contact avec la face 713T. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 715 est revêtue d’une couche active 717. La couche active 717 est, dans cet exemple, située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 715 opposée au substrat 713 (la face supérieure de la couche 715, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche 717 comprend des boîtes ou puits quantiques. Dans l’exemple illustré, la couche active 717 est revêtue d’une autre couche semiconductrice 719. La couche semiconductrice 719 est, dans cet exemple, située sur et en contact avec une face de la couche active 717 opposée au substrat 713 (la face supérieure de la couche 717, dans l’orientation de la FIG. 7 ). La couche semiconductrice 719 est par exemple dopée d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Dans cet exemple, la couche semiconductrice 719 est de type P. Dans l’exemple illustré, la couche semiconductrice 715, la couche active 717 et la couche semiconductrice 719 forment l’empilement actif de diode électroluminescente 711. À titre d’exemple, la couche semiconductrice 715, la couche active 717 et la couche semiconductrice 719 sont formées successivement par croissance épitaxiale depuis la face 713T du substrat 713. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des diodes électroluminescentes 211 à partir de la structure décrite ci-dessus en relation avec la FIG. 7 . Dans l’exemple illustré, des électrodes de conduction 721 des diodes électroluminescentes 211 sont formées du côté de la face 713T du substrat 713. Les électrodes de conduction 721 sont par exemple plus précisément des électrodes d’anode des diodes électroluminescentes 211. Dans l’exemple représenté, les électrodes de conduction 721 revêtent une face de l’empilement actif de diode électroluminescente 711 opposée au substrat 713 (la face supérieure de l’empilement 711, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Les électrodes de conduction 721 sont par exemple situées sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 719 opposée au substrat 713 (la face supérieure de la couche 719, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Les électrodes de conduction 721 présentent par exemple, en vue de dessus, une forme quelconque, par exemple rectangulaire, ovale, carrée, circulaire, etc. À titre d’exemple, les électrodes de conduction 721 sont en un matériau conducteur, par exemple un métal ou un alliage métallique. Par ailleurs, au cours de cette étape, des tranchées d’isolation périphérique 723 sont formées dans l’épaisseur de l’empilement actif de diode électroluminescente 711. Dans l’exemple représenté, chaque tranchée d’isolation périphérique 723 s’étend verticalement dans l’épaisseur de l’empilement actif de diode électroluminescente 711, depuis la face de la couche semiconductrice 719 opposée au substrat 713 et traverse la couche semiconductrice 719 et la couche active 717. Dans cet exemple, chaque tranchée d’isolation périphérique 723 s’interrompt dans l’épaisseur de la couche semiconductrice 715, c’est-à-dire que les tranchées d’isolation périphériques 723 ne débouchent pas sur la face 713T du substrat 713. Dans l’exemple illustré, chaque tranchée d’isolation périphérique 723 présente une forme annulaire entourant, ou bordant, une partie de la couche active 717 correspondant à une région active de la diode électroluminescente 211. Chaque tranchée d’isolation périphérique 723 entoure en outre l’électrode de conduction 721 de la diode électroluminescente 211. Les tranchées d’isolation périphérique 723 forment par exemple, en vue de dessus, un quadrillage dont chaque case délimite latéralement une diode électroluminescente 211. À titre d’exemple, chaque tranchée d’isolation périphérique 723 comprend une région conductrice 725 dont les parois latérales, ou flancs, sont revêtus d’une couche isolante 727, la couche isolante 727 étant par exemple située sur et en contact avec les flancs de la région conductrice 725. Par ailleurs, au moins un élément de connexion 729 (un seul élément de connexion 729, dans l’exemple représenté) d’une électrode de conduction commune, par exemple une électrode de cathode, des diodes électroluminescentes 211 est formé au cours de cette étape. À titre d’exemple, chaque élément de connexion 729 comprend une région conductrice 731 dont les parois latérales, ou flancs, sont revêtus d’une couche isolante 733, la couche isolante 733 étant par exemple située sur et en contact avec les flancs de la région conductrice 731. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation, du côté de la face 713T du substrat 713, d’éléments de reprise de contact 735. Dans l’exemple représenté, chaque élément de reprise de contact 735 est situé sur et en contact avec l’une des électrodes de conduction 721, ou sur et en contact avec la région conductrice 731 de l’élément de reprise de contact 729. Dans cet exemple, des régions isolantes 737 s’étendent latéralement entre les éléments de reprise de contact 735. Dans l’exemple illustré, les éléments de reprise de contact 735 affleurent la face supérieure des régions isolantes 737. À titre d’exemple, les éléments de reprise de contact 735 et les régions isolantes 737 sont obtenus par la mise en œuvre d’une technique de damascène. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 . À titre d’exemple, la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par les faces des éléments de reprise de contact 735 et des régions isolantes 737 opposées au substrat 713 (les faces inférieures des éléments de reprise de contact 735 et des régions isolantes 737, dans l’orientation de la FIG. 7 ), avec la face de l’empilement d’interconnexion 707 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de l’empilement d’interconnexion 707, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Au cours de cette étape, la structure comprenant le substrat 713 et l’empilement actif de diode électroluminescente 711 est fixée à l’empilement d’interconnexion 707. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le collage moléculaire est par exemple plus précisément de type hybride, chaque surface comprenant des éléments conducteurs, par exemple métalliques, et des éléments isolants, par exemple en oxyde. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure d’élimination du substrat 713 et de formation de convertisseurs de couleur 739 à l’aplomb des régions actives d’au moins certaines diodes électroluminescentes 211. Le substrat 713 est par exemple totalement éliminé, par exemple par meulage de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 du côté de la face 701T du substrat 701. Dans l’exemple représenté, des régions isolantes 741 s’étendent latéralement entre les convertisseurs de couleur 739. Dans l’exemple illustré, les convertisseurs de couleur 739 affleurent la face des régions isolantes 741 opposée au substrat 701 (la face supérieure des régions 741, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Dans le cas où le dispositif 100 est adapté à capter et à afficher des images couleur, les diodes électroluminescentes 211 émettent par exemple majoritairement de la lumière bleue. Dans ce cas, les régions actives des éléments d’émission 103 bleus du dispositif 100 ne sont surmontées d’aucun convertisseur de couleur 739, et les régions actives des éléments d’émission 103 verts et rouges sont surmontées de convertisseurs de couleur 739 différents. Chaque convertisseur de couleur 739 comprend par exemple des boîtes quantiques, par exemple des nanocristaux semiconducteurs, dont la taille moyenne est choisie de sorte à permettre une conversion de la lumière bleue émise par les diodes électroluminescentes 211 en lumière verte ou en lumière rouge. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur un substrat 743 puis d’élimination du substrat de support 701. Le substrat 743 est transparent au rayonnement 109 émis par les diodes électroluminescentes 211, par exemple transparent à la lumière visible. À titre d’exemple, le substrat 743 est en verre. À titre d’exemple, la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par les faces des convertisseurs de couleur 739 et des régions isolantes 741 opposées au substrat 701 (les faces inférieures des convertisseurs de couleur 739 et des régions isolantes 741, dans l’orientation de la FIG. 7 ), avec une face 743T du substrat transparent 743 (la face supérieure du substrat 743, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Au cours de cette étape, la structure comprenant les photodétecteurs 201 et les diodes électroluminescentes 211 est fixée au substrat transparent 743. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le substrat de support 701 est par exemple totalement éliminé, par exemple par meulage du côté de la face 743T du substrat 743. Le fait d’utiliser un substrat de type SOI présente l’avantage de faciliter l’élimination du substrat de support 701 au cours de cette étape, par exemple en permettant un arrêt sur la couche isolante 703. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation de filtres couleur 745 et de lentilles 747 à l’aplomb de chaque photodétecteur 201. Dans l’exemple représenté, les filtres couleur 745 sont situés sur et en contact avec la face de la couche isolante 703 opposée au substrat transparent 743 (la face supérieure de la couche isolante 703, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Chaque filtre couleur 745 présente par exemple, en vue de dessus, une forme et des dimensions latérales sensiblement identiques à celles du photodétecteur 201 sous-jacent. Dans l’exemple illustré, les lentilles 747 sont situées sur et en contact avec la face du filtre couleur sous-jacent opposée au substrat transparent 743 (la face supérieure du filtre couleur 745, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Les lentilles 747 permettent par exemple de focaliser le rayonnement 105 dans une région active du photodétecteur 201 sous-jacent. La FIG. 8 , la FIG. 8 , la FIG. 8 , la FIG. 8 et la FIG. 8 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes successives d’un procédé de fabrication du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation. La FIG. 8 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des photodétecteurs 201 et des circuits 205 des pixels PIX du dispositif 100. Le procédé technologique conduisant à l’obtention de la structure illustrée en FIG. 8 est par exemple du type du procédé connu sous l’appellation anglaise « CMOS back-side » (de l’anglais « Complementary Metal-Oxide-Semiconductor back-side » - métal-oxyde-semiconducteur complémentaire en face arrière). La structure de la FIG. 8 est par exemple obtenue par report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur un substrat de support 801, ou poignée. À titre d’exemple, le substrat de support 801 est une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. La structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est par exemple d’abord retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par la face de l’empilement d’interconnexion 707 opposée au substrat 701 (la face inférieure de l’empilement d’interconnexion 707), avec une face 801T du substrat de support 801 (la face supérieure du substrat 801, dans l’orientation de la FIG. 8 ). Au cours de cette étape, la structure comprenant le substrat de support 701, les photodétecteurs 201 et l’empilement d’interconnexion 707 est fixée au substrat de support 801. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le substrat de support 701 et la couche isolante 703 sont par exemple ensuite entièrement éliminés, par exemple par meulage du côté de la face 801T du substrat de support 801. Dans l’exemple représenté, les filtres couleur 745 sont situés sur et en contact avec la face des photodétecteurs 201 opposée au substrat de support 801 (la face supérieure des photodétecteurs 201, dans l’orientation de la FIG. 8 ). Par ailleurs, dans l’exemple illustré, les lentilles 747 sont situées sur et en contact avec la face du filtre couleur sous-jacent opposée au substrat de support 801 (la face supérieure du filtre couleur 745, dans l’orientation de la FIG. 8 ). La FIG. 8 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de dépôt d’une couche de colle 803 du côté de la face supérieure de la structure de la FIG. 8 et de collage d’un substrat 805 sur les lentilles 747. Dans l’exemple représenté, la couche de colle 803 affleure la face des lentilles 747 opposée au substrat de support 801 (la face supérieure des lentilles 747, dans l’orientation de la FIG. 8 ). Dans l’exemple illustré, le substrat 805 revêt la face de la couche de colle 803 opposée au substrat de support 801 (la face supérieure de la couche 803, dans l’orientation de la FIG. 8 ). Le substrat 805 est transparent au rayonnement 105 capté par les photodétecteurs 201, par exemple transparent à la lumière visible. À titre d’exemple, le substrat 805 est en verre. Le substrat 805 est par exemple analogue ou identique au substrat transparent 743 précédemment décrit en relation avec la FIG. 7 . La FIG. 8 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure d’élimination du substrat de support 801 puis d’amincissement de la structure exposée précédemment en relation avec la FIG. 8 du côté d’une face de l’empilement d’interconnexion 707 opposée au substrat transparent 805. La structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 8 est par exemple d’abord retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 8 . Le substrat de support 801 est par exemple totalement éliminé, par exemple par meulage du côté d’une face de la structure opposée au substrat transparent 805. Dans l’exemple illustré en FIG. 8 , le dernier niveau de métallisation affleure la face de l’empilement d’interconnexion 707 opposée au substrat transparent 805 (la face supérieure de l’empilement d’interconnexion 707, dans l’orientation de la FIG. 8 ). Cela revient à éliminer la couche isolante de l’empilement d’interconnexion 707 revêtant le dernier niveau de métallisation. L’amincissement est par exemple réalisé par CMP, par exemple de façon analogue à ce qui a été exposé précédemment en relation avec la FIG. 7 . La FIG. 8 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 8 . À titre d’exemple, la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par les faces des éléments de reprise de contact 735 et des régions isolantes 737 opposées au substrat 713 (les faces inférieures des éléments de reprise de contact 735 et des régions isolantes 737, dans l’orientation de la FIG. 8 ), avec la face de l’empilement d’interconnexion 707 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de l’empilement d’interconnexion 707, dans l’orientation de la FIG. 8 ). Au cours de cette étape, la structure comprenant le substrat 713 et l’empilement actif de diode électroluminescente 711 est fixée à l’empilement d’interconnexion 707. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le collage moléculaire est par exemple plus précisément de type hybride, chaque surface comprenant des éléments conducteurs, par exemple métalliques, et des éléments isolants, par exemple en oxyde. La FIG. 8 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure d’élimination du substrat 713 et de formation des convertisseurs de couleur 739 à l’aplomb des régions actives d’au moins certaines diodes électroluminescentes 211, par exemple de façon identique ou analogue à ce qui a été exposé ci-dessus en relation avec la FIG. 7 . Dans l’exemple illustré, les convertisseurs de couleur 739 sont séparés latéralement les uns des autres par les régions isolantes 741. La FIG. 9 est une vue de côté, schématique et partielle, d’un exemple d’implémentation du dispositif 100 de la FIG. 1 dans un appareil électronique 900. À titre d’exemple, l’appareil 900 est une paire de lunettes connectées ou un visiocasque destiné à être placé devant des yeux d’un utilisateur, par exemple un casque ou des lunettes de réalité augmentée ou de réalité mixte. Bien qu’un seul dispositif 100 placé en vis-à-vis d’un seul œil 901 ait été symbolisé en FIG. 9 , l’appareil électronique 900 peut bien entendu comprendre un autre dispositif 100 placé en vis-à-vis de l’autre œil de l’utilisateur. Dans l’exemple illustré, la majorité du rayonnement, par exemple de la lumière visible, parvenant à l’œil 901 provient du dispositif 100. Dans l’exemple représenté, l’appareil électronique 900 comporte, outre le dispositif de capture et d’affichage d’images 100, un circuit d’alimentation 903 et des éléments de focalisation 905, par exemple deux lentilles convexes, situés de part et d’autre du dispositif 100. À titre d’exemple, le circuit d’alimentation 903 comprend une batterie. Dans l’exemple illustré, l’élément de focalisation 905 interposé entre le dispositif 100 et l’œil 901 est adapté à focaliser, sur l’œil 901, le rayonnement 109 produit par les éléments d’émission 107. Par ailleurs, dans cet exemple, l’élément de focalisation 905 situé entre le dispositif 100 et l’extérieur est adapté à focaliser le rayonnement incident 105 sur les éléments de détection 103. L’appareil électronique 900 est par exemple dépourvu de circuits d’adressage et/ou de convertisseurs analogique-numérique. La FIG. 10 est une vue de côté, schématique et partielle, d’un autre exemple d’implémentation du dispositif 100 de la FIG. 1 dans un appareil électronique 1000. À titre d’exemple, l’appareil 1000 est une paire de lunettes d’assistance à des personnes malvoyantes, une paire de lunettes d’assistance à un conducteur d’un véhicule motorisé ou un dispositif d’affichage tête haute, par exemple intégré dans un véhicule motorisé tel qu’une voiture, un camion, etc. L’appareil électronique 1000 est par exemple adapté à superposer, à une image d’une scène vue par l’œil 901, une image produite par le dispositif 100, par exemple une image d’un contour ou une image intensifiée d’un objet de la scène. Dans le cas d’une image intensifiée, le dispositif 100 comprend par exemple en outre un circuit de traitement d’image adapté à mettre en œuvre cette fonction. À titre d’exemple, l’appareil 1000 est utilisé dans des applications d’intensification d’images, ou amplification de brillance, ou des applications de vision dans des environnements faiblement éclairés, par exemple des applications de vision nocturne. L’appareil électronique 1000 de la FIG. 10 comprend des éléments en commun avec l’appareil électronique 900 de la FIG. 9 . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. L’appareil électronique 1000 de la FIG. 10 diffère de l’appareil électronique 900 de la FIG. 9 en ce que, dans l’appareil 1000, le dispositif 100 n’est pas placé en vis-à-vis de l’œil 901. Dans l’exemple illustré, la majorité du rayonnement, par exemple de la lumière visible, parvenant à l’œil 901 provient de la scène et la majorité du rayonnement incident 105 parvient à l’œil 901 sans être captée par le dispositif 100. Dans l’exemple illustré, l’appareil électronique 1000 comprend un guide d’ondes optique 1001 comprenant une face d’entrée disposée en vis-à-vis du dispositif 100, par exemple en vis-à-vis des éléments d’émission 107, et une face de sortie disposée en vis-à-vis de l’œil 901. Dans cet exemple, le guide d’ondes optique 1001 est adapté à transmettre, en direction de l’œil 901, le rayonnement 109 émis par le dispositif 100. Un avantage lié à l’intégration d’un ou plusieurs dispositifs 100 dans l’appareil 900 ou 1000 tient au fait que cela permet à ces appareils de présenter un poids, un encombrement, une complexité, une consommation énergétique, des coûts de fabrication et/ou un temps de latence inférieurs à ceux d’appareils analogues intégrant des dispositifs de capture et d’affichage d’images comprenant des circuits de lecture et de commande mettant en œuvre des fonctions d’adressage du capteur et de l’afficheur auxquels ils sont connectés, et dans lesquels les images acquises par le capteur sont par exemple stockées dans un circuit mémoire avant d’être affichées, éventuellement après traitement. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que les modes de réalisation décrits prennent pour exemple un cas dans lequel les matrices d’éléments de détection 103 et d’éléments d’affichage 107 présentent un pas sensiblement identique, la personne du métier est capable de prévoir, à partir des indications de la présente description, que la matrice d’éléments d’affichage 107 du dispositif 100 présente un pas différent, par exemple supérieur, à celui de la matrice d’éléments de détection 103. Par ailleurs, bien que la présente description détaille des exemples de réalisation où le rayonnement 105 capté par les éléments de détection 103 du dispositif 100 est de la lumière visible et où le rayonnement 109 émis par les éléments d’émission 107 est de la lumière visible, les modes de réalisation ne se limitent pas à ces exemples mais s’appliquent plus généralement à tout type de rayonnement 105, par exemple un rayonnement infrarouge, un rayonnement X, etc. et à tout type de rayonnement 105. En fonction du type du rayonnement capté 105 et/ou du rayonnement émis 109, l’élément d’émission 107 de chaque pixel PIX du dispositif 100 peut comprendre plus d’une diode électroluminescente 211. Par ailleurs, les modes de réalisation ne se limitent pas à l’affichage, par la matrice d’éléments d’émission 107, d’images couleur dans le cas où le rayonnement 109 est de la lumière visible, mais s’appliquent en outre à un cas où des images monochromes ou en niveaux de gris sont affichées par les éléments d’émission 107. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples particuliers de matériaux et de dimensions mentionnés dans la présente description. Dispositif électronique (100) de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels (PIX) formés dans et sur un substrat semiconducteur (101 ; 705), chaque pixel comportant : – un élément de détection (103) d’un premier rayonnement (105), situé du côté d’une première face (101F) du substrat semiconducteur (101) ; – un élément d’émission (107) d’un deuxième rayonnement (109), situé du côté d’une deuxième face (101R) du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit (205) situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Dispositif (100) selon la revendication 1, dans lequel le circuit (205) comprend : – un circuit d’acquisition (207) situé dans et sur le substrat semiconducteur (101 ; 705) et adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif d’une intensité du premier rayonnement (105) reçu par l’élément de détection (103) du pixel (PIX) ; et – un circuit de commande (209) situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission (107) du pixel. Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel le circuit d’acquisition (207) et le circuit de commande (209) sont des circuits analogiques. Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel : – chaque élément de détection (103) comprend un photodétecteur (201) ; – chaque circuit d’acquisition (207) comprend un comparateur (301) comportant une entrée inverseuse connectée à une électrode de conduction du photodétecteur ; et – chaque circuit de commande (209) comprend un inverseur (317) comportant une entrée connectée à une sortie du comparateur et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS (319), le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission (107). Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel : – chaque élément de détection (103) comprend une diode (501) à avalanche à photon unique ; – chaque circuit d’acquisition (207) comprend une bascule de Schmitt (515) comportant une entrée connectée à une électrode de conduction de la diode à avalanche à photon unique ; et – chaque circuit de commande (209) comprend un inverseur (317) comportant une entrée connectée à une sortie de la bascule de Schmitt et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS (319), le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission (107). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les éléments de détection (103) sont situés en vis-à-vis des éléments d’émission (107). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les éléments de détection (103) et les éléments d’émission (107) sont agencés respectivement en des première et deuxième matrices, les première et deuxième matrices présentant des pas sensiblement identiques. Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les premier et deuxième rayonnements (105, 109) sont de la lumière visible. Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque élément d’émission (107) comprend au moins une diode électroluminescente (211). Dispositif (100) selon la revendication 9, dans lequel la diode électroluminescente (211) est commandée par un signal de commande présentant une valeur moyenne sensiblement proportionnelle à une intensité du premier rayonnement (105) détectée par l’élément de détection (103). Dispositif (100) selon la revendication 9, dans lequel la diode électroluminescente (211) est commandée par un signal de commande présentant des impulsions se répétant à une fréquence sensiblement proportionnelle à une intensité du premier rayonnement (105) détectée par l’élément de détection (103). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant autant d’éléments de détection (103) que d’éléments d’émission (107). Appareil électronique (900 ; 1000) comprenant : – un circuit d’alimentation (903) ; et – au moins un dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12. Procédé de fabrication d’un dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, comprenant une étape de report, par collage moléculaire, d’une structure comprenant les éléments de détection (103) et les circuits (205) sur une autre structure comprenant les éléments d’émission (107).