FR 3161308 A1 20251017 FR 2403715 A 20240410 Micro-batterie comportant : un support architecturé comportant : . un substrat, . des micro-piliers disposés sur une face du substrat, chaque micro-pilier ayant une surface libre, et . des nano-fils disposés sur la surface libre d’au moins une partie des micro-piliers, un premier collecteur de courant disposé sur le support architecturé, et un deuxième collecteur de courant, une première électrode disposée sur le premier collecteur de courant, et une deuxième électrode, les première et deuxième électrodes étant disposées entre les premier et deuxième collecteurs de courant, et un électrolyte disposé entre les première et deuxième électrodes. Micro-batterie La présente invention concerne une micro-batterie, un système électronique comportant ladite micro-batterie, et un procédé de fabrication de ladite micro-batterie. État de la technique antérieure Les batteries miniaturisées, également appelées micro-batteries ou batteries intégrées, sont des composants électroniques possédant une taille physique réduite. Une telle miniaturisation est essentielle dans le développement actuel des dispositifs électroniques, en particulier ceux dits embarqués, portables ou intelligents, tels que par exemple les circuits intégrés, les dispositifs médicaux implantables ou portables, les smartphones, les tablettes, les montres connectées, les systèmes de navigation, les ordinateurs portables, les capteurs, notamment embarqués, les objets connectés, notamment de type IoT (pour Internet of Things en anglais), et pratiquement tout équipement nécessitant des circuits intégrés compacts et des dispositifs électroniques de plus en plus petits. Le développement actuel des batteries miniaturisées se heurte à différentes problématiques. Tout d’abord, de par leur taille réduite, les micro-batteries possèdent généralement une densité énergétique qui est réduite. Il est ainsi essentiel de trouver des solutions permettant d’augmenter la densité énergétique (i.e. la quantité d'énergie qu'une micro-batterie peut fournir dans un espace donné) de manière à conserver des performances électriques élevées dans un format réduit, et cela de manière durable. Par ailleurs, avec la réduction de leurs dimensions, les contraintes mécaniques et thermiques peuvent avoir un impact plus important sur la fiabilité et la longévité des micro- batteries. Il est ainsi nécessaire de développer des micro-batteries plus fiables et plus sûres, et notamment exempts de risques de courts-circuits, d'explosion ou de fuite, en particulier lorsqu'elles sont utilisées dans des dispositifs médicaux implantables ou d'autres applications critiques. En outre, la fabrication de batteries miniaturisées avec une précision élevée et des performances électriques élevées peut être difficile et coûteuse. Les procédés de fabrication des micro-batteries doivent donc être adaptés pour éviter les défauts et garantir une performance constante, tout en ayant des coûts réduits. L'invention vise à perfectionner encore les micro-batteries, notamment en améliorant leurs performances électriques, leur fiabilité ou encore leur fabrication. Micro-batterie L'invention a ainsi pour objet, selon un premier de ses aspects, une micro-batterie comportant : un support architecturé comportant : . un substrat, . des micro-piliers disposés sur une face du substrat, chaque micro-pilier ayant une surface libre, et . des nano-fils disposés sur la surface libre d’au moins une partie des micro-piliers, un premier collecteur de courant disposé sur le support architecturé, et un deuxième collecteur de courant, une première électrode disposée sur le premier collecteur de courant, et une deuxième électrode, les première et deuxième électrodes étant disposées entre les premier et deuxième collecteurs de courant, et un électrolyte disposé entre les première et deuxième électrodes. On entend par « support architecturé », un support comportant une structuration de sa surface, par exemple la présence de micro-structures et/ou de nano-structures, telles que par exemple des micro-piliers et/ou des nano-fils, en comparaison avec un support dépourvu de structuration de sa surface, généralement appelé « support plan ou bidimensionnel (2D) ». L’utilisation du support architecturé est particulièrement avantageuse dans la mesure où ce dernier développe une surface importante par rapport à un support plan (2D). Dans la présente demande, le support architecturé est un support architecturé dit quadridimensionnel (4D) dans la mesure où il comporte à la fois des micro-piliers et des nano-fils. La face du substrat peut être dénuée de nano-fils. Cette caractéristique selon laquelle ladite face du substrat peut être dénuée de nano-fils peut permettre de simplifier le procédé de fabrication du support, notamment en s’affranchissant d’une étape de lithographie, et sans pour autant diminuer de manière significative la surface développée par le support. En effet, la présence de nano-fils sur la face du substrat ne contribue que de manière marginale à la surface développée par le support, en comparaison des nano-fils disposés sur la surface libre d’au moins une partie des micro-piliers. Par ailleurs, lorsque le support comporte des nano-fils sur la face du substrat, ces nano-fils présentent un risque de cassure, en particulier lorsque le support est utilisé pour la fabrication d’un micro-dispositif de stockage d’énergie. Par exemple, le dépôt de résine sur les nano-fils disposés sur la face du substrat lors d’une étape de lithographie peut entrainer l’endommagement, voire la cassure, de ces nano-fils. Cela peut provoquer des courts-circuits au sein dudit micro-dispositif de stockage d’énergie dans lequel le support est ou sera intégré. La caractéristique selon laquelle ladite face du substrat peut être dénuée de nano-fils peut ainsi permettre de limiter, voire d’éliminer, ce risque de court-circuit, et ainsi améliorer la sécurité et la fiabilité dudit micro-dispositif de stockage d’énergie dans lequel le support est ou sera intégré. Les nanofils peuvent être disposés sur la surface libre de chacun des micro-piliers. Les nanofils peuvent être disposés sur toute la surface libre d’au moins une partie des micro-piliers, notamment sur toute la surface libre de chacun des micro-piliers. En variante, les nanofils sont disposés uniquement sur une partie de la surface libre d’au moins une partie des micro-piliers, notamment uniquement sur une partie de la surface libre de chacun des micro-piliers. Chaque micro-pilier peut comporter une face supérieure et une ou plusieurs faces latérales. La ou les faces latérales sont de préférence sensiblement perpendiculaires à la face du substrat. La face supérieure est de préférence sensiblement parallèle à la face du substrat. Dans un exemple de réalisation, les nano-fils sont disposés uniquement sur la ou les faces latérales d’au moins une partie des micro-piliers, notamment uniquement sur la ou les faces latérales de chacun des micro-piliers. Cela signifie donc que, dans cet exemple de réalisation, les faces supérieures des micro-piliers sont dénuées de nano-fils. Cela peut permettre de simplifier le procédé de fabrication du support, notamment en s’affranchissant d’une étape de lithographie, et sans pour autant diminuer de manière significative la surface développée par le support. En effet, la présence de nano-fils sur les faces supérieures des micro-piliers ne contribue que de manière marginale à la surface développée par le support, en comparaison des nano-fils disposés sur les faces latérales des micro-piliers. Par ailleurs, lorsque le support comporte des nano-fils sur les faces supérieures des micro-piliers, ces nano-fils présentent un risque de cassure, en particulier lorsque le support est utilisé pour la fabrication d’un micro-dispositif de stockage d’énergie. Par exemple, le dépôt de résine sur les nano-fils disposés sur les faces supérieures des micro-piliers lors d’une étape de lithographie peut entrainer l’endommagement, voire la cassure, de ces nano-fils. Cela peut provoquer des courts-circuits au sein dudit micro-dispositif de stockage d’énergie dans lequel le support est ou sera intégré. La caractéristique selon laquelle les nano-fils peuvent être disposés uniquement sur la ou les faces latérales d’au moins une partie des micro-piliers, notamment uniquement sur la ou les faces latérales de chacun des micro-piliers, peut ainsi permettre de limiter, voire d’éliminer, ce risque de court-circuit, et ainsi améliorer la sécurité et la fiabilité dudit micro-dispositif de stockage d’énergie dans lequel le support est ou sera intégré. Dans un exemple de réalisation, chaque micro-pilier est plein, notamment sur tout ou partie de sa hauteur. Dans un exemple de réalisation, chaque micro-pilier est creux, notamment sur tout ou partie de sa hauteur. La présence de tels micro-piliers peut permettre d’augmenter encore la surface développée par le support. Chaque micro-pilier peut comporter une extrémité proximale reliée à la face du substrat et une extrémité distale. Dans un exemple de réalisation, chaque micro-pilier est creux sur une partie de sa hauteur, en particulier au niveau de son extrémité distale. Dans un exemple de réalisation, chaque micro-pilier comporte une première partie pleine qui est reliée à la face du substrat et qui se poursuit par une deuxième partie creuse. La présence de tels micro-piliers peut permettre d’augmenter encore la surface développée par le support. De préférence, chaque micro-pilier présente une forme allongée. De préférence, chaque micro-pilier s’étend depuis la face du substrat, notamment de manière rectiligne, notamment de manière sensiblement perpendiculaire à la face du substrat. Chaque micro-pilier peut présenter une forme cylindrique, conique, tronconique ou toute autre forme, de préférence cylindrique. Dans un exemple de réalisation, chaque micro-pilier comporte une première partie cylindrique qui est reliée à la face du substrat et qui se poursuit par une deuxième partie conique ou tronconique. Chaque micro-pilier peut comporter une section transversale de forme circulaire, elliptique ou polygonale, par exemple triangulaire, carrée, rectangulaire, pentagonale, hexagonale, en forme de croix, en forme d’étoile, etc. Dans un exemple de réalisation, chaque micro-pilier comporte une section transversale de forme circulaire, avec par exemple un diamètre compris entre 2 µm et 6 µm, notamment compris entre 3 µm et 5 µm. Dans un exemple de réalisation, chaque micro-pilier comporte une section transversale de forme triangulaire, carrée ou rectangulaire, avec par exemple des côtés ayant chacun une longueur comprise entre 2 µm et 6 µm, notamment comprise entre 3 µm et 5 µm. Dans un exemple de réalisation préféré, chaque micro-pilier comporte une section transversale de forme carrée, avec par exemple des côtés ayant chacun une longueur comprise entre 2 µm et 6 µm, notamment comprise entre 3 µm et 5 µm. Une section transversale de forme carrée peut permettre de maximiser la surface latérale développée par les micro-piliers, et ainsi maximiser la surface développée par le support. Dans un exemple de réalisation préféré, chaque micro-pilier présente une forme cylindrique et comporte une section transversale de forme carrée ou rectangle, de préférence carrée, avec par exemple des côtés ayant chacun une longueur comprise entre 2 µm et 6 µm, notamment comprise entre 3 µm et 5 µm. Dans cet exemple de réalisation préféré, chaque micro-pilier comporte une face supérieure et quatre faces latérales. Dans cet exemple de réalisation, les nano-fils sont disposés uniquement sur les faces latérales d’au moins une partie des micro-piliers, notamment de chacun des micro-piliers. Ainsi, dans cet exemple de réalisation préféré, les faces supérieures des micro-piliers sont dénuées de nano-fils. Chaque micro-pilier peut comporter une section transversale dont la surface est comprise entre 2 µm 2 et 40 µm 2 , préférentiellement comprise entre 4 µm 2 et 36 µm 2 , et plus préférentiellement comprise entre 9 µm 2 et 25 µm 2 . Chaque micro-pilier peut présenter une longueur supérieure ou égale à 10 µm, préférentiellement supérieure ou égale à 20 µm, plus préférentiellement supérieure ou égale à 30 µm, et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 40 µm. Chaque micro-pilier peut présenter une longueur inférieure ou égale à 400 µm, préférentiellement inférieure ou égale à 350 µm, plus préférentiellement inférieure ou égale à 300 µm, et encore plus préférentiellement inférieure ou égale à 250 µm. Chaque micro-pilier peut présenter une longueur allant de 10 µm à 400 µm, préférentiellement allant de 20 µm à 350 µm, plus préférentiellement allant de 30 µm à 300 µm, et encore plus préférentiellement allant de 40 µm à 250 µm. Dans un exemple de réalisation, chaque micro-pilier présente une longueur supérieure à 200 µm, préférentiellement supérieure à 200 µm et inférieure ou égale à 350 µm, plus préférentiellement supérieure à 200 µm et inférieure ou égale à 300 µm, encore plus préférentiellement supérieure à 200 µm et inférieure ou égale à 250 µm. Les micro-piliers peuvent être disposés sur la face du substrat selon des rangées, notamment chacune rectiligne, notamment parallèles les unes par rapport aux autres. Dans un exemple de réalisation, chaque rangée de micro-piliers comporte un espace entre deux micro-piliers adjacents dont la longueur est comprise entre 2 µm et 6 µm, notamment comprise entre 3 µm et 5 µm. Dans un exemple de réalisation, deux rangées adjacentes de micro-piliers sont séparées d’une distance comprise entre 0 µm et 6 µm, notamment entre 0 µm et 5 µm, voire entre 1 et 5 µm. Dans un exemple de réalisation, deux rangées adjacentes de micro-piliers sont disposées en quinconce. Dans un exemple de réalisation préféré, le substrat et les micro-piliers sont formés d’un seul tenant. Par exemple, les micro-piliers sont obtenus par une technique de gravure ionique réactive profonde (également appelée DRIE pour Deep Reactive Ion Etching en anglais) d’une galette (également appelée « wafer » en anglais), par exemple en silicium. Le substrat et les micro-piliers peuvent comporter, voire être constitués, d’un matériau adapté aux techniques de microfabrication, notamment pour la microélectronique. Le substrat et les micro-piliers peuvent comporter, voire être constitués, d’un matériau semi-conducteur ou d’un matériau isolant, notamment diélectrique. Le substrat et les micro-piliers peuvent comporter, voire être constitués, d’un matériau céramique. Le substrat et les micro-piliers comportent, voire sont constitués, de silicium (Si), de silice (SiO 2 ), d’arséniure de gallium (GaAs), de nitrure de gallium (GaN), de carbure de silicium (SiC), de nitrure de silicium (Si 3 N 4 ) et/ou de phosphure d'indium (InP), préférentiellement de silicium (Si). Chaque nano-fil peut comporter un oxyde métallique ou un mélange d’oxydes métalliques. Par exemple, chaque nano-fil comporte de la silice (SiO 2 ), de l’oxyde de zinc (ZnO), du dioxyde de titane (TiO 2 ), de l’oxyde d'indium (In 2 O 3 ), de l’oxyde de gallium (Ga 2 O 3 ), de l’oxyde de bismuth (Bi 2 O 3 ) et/ou du dioxyde d'étain (SnO 2 ), préférentiellement de la silice (SiO 2 ), de l’oxyde de zinc (ZnO) et/ou du dioxyde de titane (TiO 2 ), plus préférentiellement de la silice (SiO 2 ) et/ou de l’oxyde de zinc (ZnO), et encore plus préférentiellement de la silice (SiO 2 ). Chaque nano-fil peut en outre comporter un métal ou un alliage métallique, de préférence pouvant être déposé par une technique de dépôt de couches atomiques (également appelée technique ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais). Par exemple, chaque nano-fil comporte du platine (Pt), de l’or (Au), de l’argent (Ag), de l’aluminium (Al) et/ou du gallium (Ga), préférentiellement du platine (Pt), de l’or (Au) et/ou de l’argent (Ag), et plus préférentiellement du platine (Pt). De préférence, chaque nano-fil comporte de la silice (SiO 2 ), et notamment du platine (Pt). Dans un exemple de réalisation, chaque nano-fil est constitué de silice (SiO 2 ) et de platine (Pt). Chaque nano-fil peut comporter une extrémité proximale, une extrémité distale et un corps reliant l’extrémité proximale à l’extrémité distale. Le corps peut être plein. Le corps peut présenter une forme allongée, notamment une forme cylindrique. Le corps peut présenter une forme incurvée. Le corps peut comporter une section transversale de forme circulaire ou elliptique, de préférence circulaire. L’extrémité proximale peut être reliée à la surface libre d’un micro-pilier. L’extrémité distale peut présenter une forme convexe, notamment une forme sphérique, par exemple une forme de sphère, de demi-sphère ou de portion de sphère. Le corps peut comporter, voire être constitué, d’un oxyde métallique ou d’un mélange d’oxydes métalliques, de préférence pouvant être déposé par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (également appelée technique CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais), préférentiellement par une technique de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (également appelée technique LPCVD pour Low Pressure Chemical Vapor Deposition en anglais) ou par une technique de dépôt de couches atomiques (également appelée technique ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais). Par exemple, le corps comporte, voire est constitué, de silice (SiO 2 ), d’oxyde de zinc (ZnO), de dioxyde de titane (TiO 2 ), d’oxyde d'indium (In 2 O 3 ), d’oxyde de gallium (Ga 2 O 3 ), d’oxyde de bismuth (Bi 2 O 3 ) et/ou de dioxyde d'étain (SnO 2 ), préférentiellement de silice (SiO 2 ), d’oxyde de zinc (ZnO) et/ou de dioxyde de titane (TiO 2 ), plus préférentiellement de silice (SiO 2 ) et/ou d’oxyde de zinc (ZnO), et encore plus préférentiellement de silice (SiO 2 ). Dans un exemple de réalisation préféré, le corps comporte, voire est constitué, de silice (SiO 2 ). L’extrémité proximale peut comporter, voire être constituée, d’un oxyde métallique ou d’un mélange d’oxydes métalliques. Par exemple, l’extrémité proximale comporte, voire est constituée, de silice (SiO 2 ), d’oxyde de zinc (ZnO), de dioxyde de titane (TiO 2 ), d’oxyde d'indium (In 2 O 3 ), d’oxyde de gallium (Ga 2 O 3 ), d’oxyde de bismuth (Bi 2 O 3 ) et/ou de dioxyde d'étain (SnO 2 ), préférentiellement de silice (SiO 2 ), d’oxyde de zinc (ZnO) et/ou de dioxyde de titane (TiO 2 ), plus préférentiellement de silice (SiO 2 ) et/ou d’oxyde de zinc (ZnO), et encore plus préférentiellement de silice (SiO 2 ). Dans un exemple de réalisation préféré, l’extrémité proximale comporte, voire est constituée, de silice (SiO 2 ). L’extrémité distale peut comporter, voire être constituée, d’un métal ou d’un alliage métallique, de préférence pouvant être déposé par une technique de dépôt de couches atomiques (également appelée technique ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais). Par exemple, l’extrémité distale comporte, voire est constituée, de platine (Pt), d’or (Au), d’argent (Ag), d’aluminium (Al) et/ou de gallium (Ga), préférentiellement de platine (Pt), d’or (Au) et/ou d’argent (Ag), et plus préférentiellement de platine (Pt). Dans un exemple de réalisation préféré, l’extrémité distale comporte, voire est constituée, de platine (Pt). Chaque nano-fil peut présenter une longueur supérieure ou égale à 100 nm, préférentiellement supérieure ou égale à 200 nm, plus préférentiellement supérieure ou égale à 300 nm, encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 400 nm, et en particulier supérieure ou égale à 500 nm. Dans un exemple de réalisation, chaque nano-fil présente une longueur supérieure ou égale à 1 µm. Chaque nano-fil peut présenter une longueur inférieure ou égale à 10 µm, préférentiellement inférieure ou égale à 9 µm, plus préférentiellement inférieure ou égale à 8 µm, encore plus préférentiellement inférieure ou égale à 7 µm, et en particulier inférieure ou égale à 6 µm. Dans un exemple de réalisation, chaque nano-fil présente une longueur inférieure ou égale à 5 µm. Chaque nano-fil peut présenter une longueur allant de 100 nm à 10 µm, préférentiellement allant de 200 nm à 9 µm, plus préférentiellement allant de 300 nm à 8 µm, encore plus préférentiellement allant de 400 nm à 7 µm, et en particulier allant de 500 nm à 6 µm. Dans un exemple de réalisation, chaque nano-fil présente une longueur allant de 1 µm à 5 µm. Chaque nano-fil peut présenter une section transversale dont la plus grande dimension est supérieure ou égale à 20 nm, préférentiellement supérieure ou égale à 30 nm, plus préférentiellement supérieure ou égale à 40 nm, et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 50 nm. Chaque nano-fil peut présenter une section transversale dont la plus grande dimension est inférieure ou égale à 250 nm, préférentiellement inférieure ou égale à 240 nm, plus préférentiellement inférieure ou égale à 230 nm, encore plus préférentiellement inférieure ou égale à 220 nm, et en particulier inférieure ou égale à 210 nm. Chaque nano-fil peut présenter une section transversale dont la plus grande dimension est comprise entre 20 nm et 250 nm, préférentiellement comprise entre 30 nm et 240 nm, plus préférentiellement comprise entre 40 nm et 230 nm, et encore plus préférentiellement comprise entre 50 nm et 220 nm. Dans un exemple de réalisation, chaque nano-fil présente une section transversale dont la plus grande dimension est comprise entre 20 nm et 200 nm, et préférentiellement entre 30 nm et 190 nm. La densité des nano-fils peut être comprise entre 10 millions de nano-fils/mm 2 et 50 millions de nano-fils/mm 2 , préférentiellement entre 10 millions de nano-fils/mm 2 et 40 millions de nano-fils/mm 2 , plus préférentiellement entre 10 millions de nano-fils/mm 2 et 30 millions de nano-fils/mm 2 , et encore plus préférentiellement entre 10 millions de nano-fils/mm 2 et 25 millions de nano-fils/mm 2 . Une telle densité de nano-fils est particulièrement avantageuse dans la mesure où elle peut permettre d’obtenir des gains particulièrement élevés en termes de surface développée par le support. Chaque nano-fil peut être orienté de manière aléatoire. Les nano-fils peuvent être enchevêtrés. Chaque nano-fil peut comporter une première partie qui est reliée à la surface libre d’un micro-pilier et qui est rectiligne et orthogonale à ladite surface libre, cette première partie se poursuivant par une deuxième partie qui est incurvée. La face du substrat peut présenter une forme carrée ou rectangulaire, avec notamment des côtés ayant chacun une longueur comprise entre 50 µm et 20 mm, de préférence comprise entre 100 µm et 2,5 mm. La face du substrat peut présenter une surface comprise entre 2500 µm 2 et 400 mm 2 , préférentiellement entre 10000 µm 2 et 6,25 mm 2 . De telles valeurs de surface correspondent à la face du substrat dépourvue des micro-piliers et nano-fils. Le premier collecteur de courant peut recouvrir le support architecturé. Le premier collecteur de courant peut être disposé sur les nano-fils et les micro-piliers du support architecturé, notamment peut entourer ou recouvrir chaque nano-fil et chaque micro-pilier, en particulier peut entourer ou recouvrir l’extrémité proximale, l’extrémité distale et le corps de chaque nano-fil et la surface libre de chaque micro-pilier. La première électrode peut entourer ou recouvrir le premier collecteur de courant. L’électrolyte peut entourer ou recouvrir la première électrode. La deuxième électrode peut entourer ou recouvrir l’électrolyte. Le deuxième collecteur de courant peut entourer ou recouvrir la deuxième électrode. Le premier collecteur de courant peut être en contact direct avec le support architecturé, notamment en contact direct avec les nano-fils et les micro-piliers du support architecturé, en particulier en contact direct avec l’extrémité proximale, l’extrémité distale et le corps de chaque nano-fil et en contact direct avec la surface libre de chaque micro-pilier. La première électrode peut être en contact direct avec le premier collecteur de courant. La deuxième électrode peut être en contact direct avec le deuxième collecteur de courant. L’électrolyte peut être en contact direct avec au moins l’une des première et deuxième électrodes, notamment avec la première électrode et avec la deuxième électrode. Dans un exemple de réalisation, le premier collecteur de courant est disposé sur le support architecturé, la première électrode est disposée sur le premier collecteur de courant, l’électrolyte est disposé sur la première électrode, la deuxième électrode est disposée sur l’électrolyte, et le deuxième collecteur de courant est disposé sur la deuxième électrode. Dans un exemple de réalisation, le premier collecteur de courant recouvre le support architecturé, la première électrode recouvre ou entoure le premier collecteur de courant, l’électrolyte recouvre ou entoure la première électrode, la deuxième électrode recouvre ou entoure l’électrolyte, et le deuxième collecteur de courant recouvre ou entoure la deuxième électrode. Le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte peuvent chacun être déposé par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais), plus préférentiellement par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais). Le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte peuvent se présenter chacun sous la forme d’une couche mince, ayant notamment une épaisseur allant de 1 nm à 250 nm, et préférentiellement allant de 2 nm à 225 nm. Le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte peuvent avoir chacun une épaisseur inférieure ou égale à 250 nm, et préférentiellement inférieure ou égale à 225 nm. Le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte peuvent avoir chacun une épaisseur supérieure ou égale à 1 nm, et préférentiellement supérieure ou égale à 2 nm. Le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant peuvent chacun être réalisé dans un matériau conducteur électronique, notamment métallique. Par exemple, le matériau conducteur électronique est un matériau pouvant être déposé par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais), plus préférentiellement par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais). Par exemple, le matériau conducteur électronique comporte, voire est constitué, d’un métal, notamment de transition, ou d’un alliage métallique, notamment de métaux de transition. Par exemple, le matériau conducteur électronique comporte, voire est constitué, de platine (Pt), d’or (Au), d’argent (Ag), de cuivre (Cu) ou d’un de leurs mélanges, préférentiellement de platine (Pt). De préférence, le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant sont chacun conducteur électronique, notamment métallique. Le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant peuvent chacun avoir une épaisseur allant de 10 à 50 nm, préférentiellement allant de 15 nm à 45 nm, et plus préférentiellement allant de 20 nm à 40 nm. Le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant peuvent comporter, voire être constitués, du même matériau. Le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant peuvent avoir la même épaisseur. L’une des première et deuxième électrodes peut être une électrode positive et l’autre électrode peut être une électrode négative. Dans un exemple de réalisation, la première électrode est une électrode positive et la deuxième électrode est une électrode négative. Dans un autre exemple de réalisation, la première électrode est une électrode négative et la deuxième électrode est une électrode positive. L’électrode positive peut comporter, voire être constituée, d’un matériau électroactif comportant du lithium, et notamment du manganèse. L’électrode positive peut comporter, voire être constituée, d’un matériau électroactif ayant une structure cristallographique de type olivine, spinelle ou lamellaire. L’électrode positive peut comporter, voire être constituée, d’un matériau électroactif ayant un potentiel allant de 3 V à 5,2 V, notamment allant de 4,4 V à 5 V, par rapport à une électrode négative en lithium. Ces valeurs de potentiels permettent d’obtenir une micro-batterie ayant une densité d’énergie élevée. L’électrode positive peut comporter, voire être constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi : les oxydes de lithium-cobalt, par exemple LiCoO 2 ; les oxydes de lithium-manganèse, par exemple LiMnO 2 ; les oxydes de lithium-nickel, par exemple LiNiO 2 ; les phosphates de fer-lithium, par exemple LiFePO 4 ; les phosphates de cobalt-lithium, par exemple LiCoPO 4 ; les phosphates de nickel-lithium, par exemple LiNiPO 4 ; les phosphates de manganèse-lithium, par exemple LiMnPO 4 ; les phosphates de manganèse-fer-lithium, par exemple LiMn 0,66 Fe 0,34 PO 4 ou LiMn 0,6 Fe 0,4 PO 4 ; les oxydes de lithium-nickel-manganèse-cobalt (NMC), par exemple LiNiMnCoO 2 ; les oxydes de lithium-nickel-cobalt-aluminium (NCA), par exemple LiNiCoAlO 2 ; les oxydes de lithium-manganèse (LMO), par exemple LiMn 2 O 4 ; les oxydes de lithium-nickel-manganèse (LMNO), par exemple LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 ; et un de leurs mélanges. Préférentiellement, l’électrode positive comporte, voire est constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi : les oxydes de lithium-manganèse (LMO), par exemple LiMn 2 O 4 ; les oxydes de lithium-nickel-manganèse (LMNO), par exemple LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 ; et un de leurs mélanges. Plus préférentiellement, l’électrode positive comporte, voire est constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi les oxydes de lithium-nickel-manganèse (LMNO), par exemple LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 . L’électrode positive, notamment la première électrode, peut avoir une épaisseur allant de 5 nm à 500 nm, notamment de 100 nm à 250 nm. L’électrode négative peut comporter, voire être constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi : - le dioxyde de titane (TiO 2 ), par exemple sous forme anatase ou rutile, notamment dopé, par exemple à l’argent (TiO 2 -Ag) ; - le graphite ; - le graphène, notamment dopé, par exemple à l’argent ; - le carbone ; - le lithium (Li) ; - le silicium (Si) ; - carbure de silicium (SiC) ; - l'oxyde de niobium (Nb 2 O 5 ) ; - l’étain et ses alliages, par exemple SiSn ou SnC ; - le titanate de lithium (Li 4 Ti 5 O 12 ) ; et - un de leurs mélanges. Préférentiellement, l’électrode négative comporte, voire est constituée, d’un matériau électroactif qui est le dioxyde de titane (TiO 2 ), par exemple sous forme anatase ou rutile, notamment dopé, par exemple à l’argent (TiO 2 -Ag). Le dioxyde de titane (TiO 2 ) en tant qu’électrode négative présente une grande stabilité chimique et thermique, ce qui peut conduire à une longue durée de vie pour la micro-batterie et une bonne rétention de capacité au fil des cycles de charge et de décharge. Par ailleurs, comme le TiO 2 est stable chimiquement, la micro-batterie peut présenter un risque beaucoup plus faible de surchauffe ou de réactions dangereuses, comme l'inflammation ou l'explosion, par rapport à d'autres matériaux d’électrodes négatives. L’utilisation du TiO 2 en tant qu’électrode négative peut permettre à la micro-batterie de fonctionner à des tensions légèrement plus élevées, offrant ainsi une densité d'énergie plus élevée. Enfin, le TiO 2 peut offrir un bon comportement à des taux de charge et décharge élevés, en raison de sa conductivité électronique et de sa bonne diffusion des ions lithium. L’utilisation du dioxyde de titane dopé, par exemple à l’argent (TiO 2 -Ag), en tant qu’électrode négative peut permettre d’améliorer la conductivité électronique et la capacité spécifique par rapport à l’utilisation du dioxyde de titane non dopé. Cela peut notamment permettre une vitesse de charge et de décharge améliorée, des caractéristiques de charge et de décharge très réversibles, et potentiellement une longévité accrue de la micro-batterie. L’électrode négative, notamment la deuxième électrode, peut avoir une épaisseur allant de 3 nm à 800 nm, notamment de 50 nm à 150 nm. Par exemple, le matériau électroactif de l’électrode positive et le matériau électroactif de l’électrode négative sont des matériaux pouvant être déposés par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais), plus préférentiellement par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais). La première électrode et la deuxième électrode peuvent chacune avoir une épaisseur allant de 5 nm à 500 nm, notamment de 100 nm à 250 nm. La première électrode et la deuxième électrode peuvent avoir la même épaisseur, notamment lorsque la première électrode et la deuxième électrode ont des capacités identiques. La première électrode et la deuxième électrode peuvent avoir des épaisseurs différentes, notamment lorsque la première électrode et la deuxième électrode ont des capacités différentes. Cela peut permettre de compenser la différence de capacité entre première électrode et la deuxième électrode. L’électrolyte est de préférence solide. L’utilisation d’un électrolyte solide peut permettre d’obtenir une micro-batterie ayant une meilleure sécurité et une densité énergétique plus élevée que les micro-batteries utilisant des électrolytes liquides classiques. L’électrolyte est de préférence conducteur de cations lithium (Li + ). L’électrolyte peut comporter du lithium, du phosphore, de l’oxygène, et notamment de l’azote. L’électrolyte peut comporter, voire être constitué, d’orthophosphate de lithium (Li 3 PO 4 ) et/ou d’oxynitrure de lithium et de phosphore (LiPON). De préférence, l’électrolyte comporte, voire est constitué, d’orthophosphate de lithium (Li 3 PO 4 ). L’électrolyte peut avoir une épaisseur allant de 3 nm à 800 nm, notamment de 50 nm à 150 nm. La micro-batterie peut comporter au moins un orifice de contact traversant le deuxième collecteur de courant, la deuxième électrode, l’électrolyte et la première électrode de manière à exposer une zone de contact, notamment prédéfinie, du premier collecteur de courant. L’orifice de contact peut permettre de contacter électriquement le premier collecteur de courant au niveau de ladite zone de contact. L’orifice de contact peut s’étendre selon un axe sensiblement perpendiculaire à la face du substrat du support architecturé (i.e. selon un axe sensiblement parallèle à l’axe d’extension des micro-piliers). L’orifice de contact peut comporter une première partie traversant le deuxième collecteur de courant, une deuxième partie traversant la deuxième électrode, une troisième partie traversant l’électrolyte et une quatrième partie traversant la première électrode. La zone de contact est de préférence localisée au niveau d’une zone de la face du substrat ne comportant pas de micro-piliers. Cela peut permettre d’éliminer le risque de cassure des micro-piliers lorsque la zone de contact est localisée sur les micro-piliers. La micro-batterie peut comporter au moins une couche de protection, notamment thermique, disposée entre le support architecturé et le premier collecteur de courant. La couche de protection peut être disposée sur le support architecturé. Le premier collecteur de courant peut être disposé sur la couche de protection. La couche de protection peut recouvrir le support architecturé. En particulier, la couche de protection peut être disposée sur les nano-fils et les micro-piliers du support architecturé, notamment peut entourer ou recouvrir chaque nano-fil et chaque micro-pilier, en particulier peut entourer ou recouvrir l’extrémité proximale, l’extrémité distale et le corps de chaque nano-fil et la surface libre de chaque micro-pilier. Le premier collecteur de courant peut recouvrir ou entourer la couche de protection. La couche de protection peut être en contact direct avec le support architecturé et avec le premier collecteur de courant. La couche de protection peut être déposée par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais), plus préférentiellement par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais). La couche de protection peut avoir une épaisseur allant de 10 nm à 80 nm, préférentiellement allant de 20 nm à 70 nm, plus préférentiellement allant de 30 nm à 60 nm, et encore plus préférentiellement allant de 35 nm à 55 nm. La couche de protection peut comporter, voire être constituée, d’un matériau isolant. Par exemple, le matériau isolant est un matériau pouvant être déposé par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais), plus préférentiellement par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais). Le matériau isolant est de préférence un matériau céramique. Le matériau isolant peut comporter, voire être constitué, d’un oxyde métallique ou d’un mélange d’oxydes métalliques. Par exemple, le matériau isolant comporte, voire est constitué, d’alumine (Al 2 O 3 ). La couche de protection peut permettre de protéger le support architecturé contre des températures élevées, notamment supérieures ou égales à 400°C, préférentiellement supérieures ou égales à 500°C, plus préférentiellement supérieures ou égales à 600°C, et encore plus préférentiellement supérieures ou égales à 700°C. De telles valeurs de températures peuvent être nécessaires par exemple pour former sur le support architecturé une couche d’un oxyde métallique mixte (e.g. LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 ) par ALD à partir de plusieurs couches de matériaux différents (e.g. MnO 2 , NiO et LiOH), notamment déposées de manière séquentielle. De tels traitements thermiques sont des recuits de cristallisation. Cependant, l’exposition du support architecturé à de telles valeurs de températures peut par exemple altérer la structure et/ou la composition du support architecturé. Par exemple, l’exposition du support architecturé à de telles valeurs de températures peut entraîner la diffusion du platine (Pt) des nano-fils dans le silicium (Si) des micro-piliers et/ou du substrat formant alors un alliage SiPt non conducteur. Ainsi, lorsque le support architecturé est exposé à de telles valeurs de températures, la structure et/ou la composition du support architecturé peuvent être préservées grâce à la présence de la couche de protection. La micro-batterie est de préférence une micro-batterie tout solide. La micro-batterie est de préférence une micro-batterie lithium-ion (Li-ion). Système électronique comportant un micro-batterie L'invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, un système électronique comportant une micro-batterie telle que définie ci-dessus. Le système électronique peut comporter au moins un système de réception de données, notamment sans fil. Le système électronique peut comporter au moins un système de transmission de données, notamment sans fil. Le système électronique peut comporter au moins un système de traitement de données, tel que par exemple un microcontrôleur ou microprocesseur. Le système électronique peut comporter au moins un système de stockage de données. Le système électronique peut comporter au moins un capteur de données. De préférence, le système électronique est autonome en énergie. De préférence, le système électronique fonctionne en temps réel. De préférence, le système électronique est embarqué, portable et/ou intelligent. Par exemple, le système électronique est choisi parmi un circuit intégré (aussi appelé puce électronique ou microchip en anglais), un dispositif médical implantable ou portable, un smartphone, une tablette, une montre connectée, un système de navigation, un ordinateur portable, un capteur, notamment embarqué, un objet connecté, notamment de type IoT (pour Internet of Things en anglais), etc. Procédé de fabrication d’une micro-batterie L'invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, un procédé de fabrication d’une micro-batterie telle que définie ci-dessus, comportant au moins les étapes suivantes : a) fourniture d’un support architecturé comportant : - un substrat, - des micro-piliers disposés sur une face du substrat, chaque micro-pilier ayant une surface libre, et - des nano-fils disposés sur la surface libre d’au moins une partie des micro-piliers, b) dépôt d’un premier collecteur de courant sous la forme d’une couche mince sur le support architecturé, c) dépôt d’une première électrode sous la forme d’une couche mince sur le premier collecteur de courant, d) dépôt d’un électrolyte sous la forme d’une couche mince sur la première électrode, e) dépôt d’une deuxième électrode sous la forme d’une couche mince sur l’électrolyte, et f) dépôt d’un deuxième collecteur de courant sous la forme d’une couche mince sur la deuxième électrode. Le support architecturé, le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte peuvent chacun présenter une ou plusieurs des caractéristiques décrites ci-dessus. De préférence, l’étape b) est mise en œuvre de manière à recouvrir le support architecturé. De préférence, l’étape c) est mise en œuvre de manière à recouvrir ou entourer le premier collecteur de courant. De préférence, l’étape d) est mise en œuvre de manière à recouvrir ou entourer la première électrode. De préférence, l’étape e) est mise en œuvre de manière à recouvrir ou entourer l’électrolyte. De préférence, l’étape f) est mise en œuvre de manière à recouvrir ou entourer le deuxième collecteur de courant. Le support architecturé, le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte peuvent avoir chacun une épaisseur inférieure ou égale à 250 nm, et préférentiellement inférieure ou égale à 225 nm. Le support architecturé, le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte peuvent avoir chacun une épaisseur supérieure ou égale à 1 nm, et préférentiellement supérieure ou égale à 2 nm. Le support architecturé, le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte peuvent avoir chacun une épaisseur allant de 1 nm à 250 nm, et préférentiellement allant de 2 nm à 225 nm. Le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant peuvent chacun avoir une épaisseur allant de 10 à 50 nm, préférentiellement allant de 15 nm à 45 nm, et plus préférentiellement allant de 20 nm à 40 nm. La première électrode et la deuxième électrode peuvent chacune avoir une épaisseur allant de 5 nm à 500 nm, notamment de 50 nm à 250 nm. L’électrolyte peut avoir une épaisseur allant de 3 nm à 800 nm, notamment de 50 nm à 150 nm. Le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant peuvent chacun être réalisé dans un matériau conducteur électronique, notamment métallique. Par exemple, le matériau conducteur électronique comporte, voire est constitué, d’un métal, notamment de transition, ou d’un alliage métallique, notamment de métaux de transition. Par exemple, le matériau conducteur électronique comporte, voire est constitué, de platine (Pt), d’or (Au), d’argent (Ag), de cuivre (Cu) ou d’un de leurs mélanges. De préférence, le matériau conducteur électronique comporte, voire est constitué, de platine (Pt). De préférence, le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant sont chacun conducteur électronique, notamment métallique. Au moins l’une des étapes b), c), d), e) et f), notamment chacune des étapes b), c), d), e) et f), peut être mise en œuvre par une technique de dépôt de couches minces, préférentiellement par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais), plus préférentiellement par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais), par exemple à une température allant de 150°C à 550°C, préférentiellement allant de 200°C à 500°C, et plus préférentiellement allant de 250°C à 450°C. Par exemple, la technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais) est mise en œuvre à l’aide d’un réacteur « PICOSUN ® R-200 Advanced ». L’utilisation de la technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais) est avantageuse dans la mesure où elle peut permettre le dépôt de couches minces avec une parfaite maîtrise de l’épaisseur déposée. En effet, l’épaisseur de la couche déposée par ALD croît linéairement avec le nombre de cycles, et étant donné que chaque cycle dépose de manière parfaitement prédictible et reproductible une quantité fixe de matériau, l’épaisseur de la couche déposée est ainsi parfaitement contrôlée par le nombre de cycles réalisés. L’utilisation de la technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais) est également avantageuse dans la mesure où elle peut permettre le dépôt de couches minces avec une parfaite uniformité, et cela même sur des grandes surfaces et des surfaces ayant une topographie complexe telle que la surface du support architecturé. Ainsi, il est possible d’obtenir des couches minces dont l’épaisseur est extrêmement uniforme sur l'ensemble du support architecturé. Le contrôle de l’épaisseur et de l’uniformité des couches déposées sur le support architecturé, notamment aux étapes b), c), d), e) et f), est essentiel pour maîtriser les performances électriques de la micro-batterie. Au moins l’une des étapes b) et f), notamment chacune des étapes b) et f), peut être mise en œuvre par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais), par exemple à une température comprise entre 150°C et 550°C, préférentiellement comprise entre 200°C et 500°C, plus préférentiellement comprise entre 200°C et 450°C, encore plus préférentiellement comprise entre 200°C et 400°C, et en particulier comprise entre 250°C et 350°C, en utilisant : au moins un gaz, de préférence l’ozone (O 3 ), et au moins un précurseur d’un matériau conducteur électronique, notamment métallique, de préférence un précurseur d’un métal, notamment de transition. Par exemple, le précurseur est choisi parmi un précurseur de platine (Pt), d’or (Au), d’argent (Ag) et/ou de cuivre (Cu), préférentiellement un précurseur de platine (Pt). Le précurseur peut être choisi parmi un complexe organométallique comportant du platine (Pt), de l’or (Au), de l’argent (Ag) et/ou du cuivre (Cu), préférentiellement du platine (Pt). Le précurseur est de préférence solide ou liquide à température ambiante. Le précurseur peut être choisi parmi : le triméthyl(méthylcyclopentadiényl)platine(IV) (MeCpPtMe 3 ), le diméthyl(cyclooctadiène)platine(II) (Me 2 PtCOD), le diméthylgold(III)acétylacétonate (Me 2 Au(acac)), le diméthylgold(III) triméthylphosphine, l’hexafluoroacetylacetonate d'argent(I) (Ag(hfac)), un complexe d'argent avec des ligands de type β-diketonate, l’hexafluoroacetylacetonate de cuivre(II) vaporisé par du formiate d'hydrogène ou de l'eau, un complexe de cuivre avec hexafluoroacétylacétone (hfac) et 1,5-cyclooctadiène (cod) ((hfac)Cu(1,5-cod)), et un de leurs mélanges. Le triméthyl(méthylcyclopentadiényl)platine(IV) (MeCpPtMe 3 ) et le diméthyl(cyclooctadiène)platine(II) (Me 2 PtCOD) sont des exemples de précurseurs utilisés pour former des couches minces de platine (Pt) par ALD. Le diméthylgold(III)acétylacétonate (Me 2 Au(acac)) et le diméthylgold(III) triméthylphosphine sont des exemples de précurseurs utilisés pour former des couches minces d’or (Au) par ALD. L’hexafluoroacetylacetonate d'argent(I) (Ag(hfac)) et le complexe d'argent avec des ligands de type β-diketonate sont des exemples de précurseurs utilisés pour former des couches minces d’argent (Ar) par ALD. L’hexafluoroacetylacetonate de cuivre(II) vaporisé par du formiate d'hydrogène ou de l'eau, et le complexe de cuivre avec hexafluoroacétylacétone (hfac) et 1,5-cyclooctadiène (cod) ((hfac)Cu(1,5-cod)) sont des exemples de précurseurs utilisés pour former des couches minces de cuivre (Cu) par ALD. Préférentiellement, le précurseur est choisi parmi : le triméthyl(méthylcyclopentadiényl)platine(IV) (MeCpPtMe 3 ), le diméthyl(cyclooctadiène)platine(II) (Me 2 PtCOD), et un de leurs mélanges. Plus préférentiellement, le précurseur est le triméthyl(méthylcyclopentadiényl)platine(IV) (MeCpPtMe 3 ). Dans un exemple de réalisation préféré dans lequel le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant comportent, voire sont constitués, de platine (Pt), les étapes b) et f) sont chacune mise en œuvre par ALD, par exemple à une température d’environ 300°C, en utilisant l’ozone (O 3 ) en tant que gaz et le triméthyl(méthylcyclopentadiényl)platine(IV) (MeCpPtMe 3 ) en tant que précurseur. La première électrode peut être une électrode positive. Préférentiellement, l’électrode positive comporte, voire est constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi : les oxydes de lithium-manganèse (LMO), par exemple LiMn 2 O 4 ; les oxydes de lithium-nickel-manganèse (LMNO), par exemple LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 ; et un de leurs mélanges. Plus préférentiellement, l’électrode positive comporte, voire est constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi les oxydes de lithium-nickel-manganèse (LMNO), par exemple LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 . L’étape c) peut être mise œuvre par ALD en utilisant un ou plusieurs précurseurs permettant la formation de la première électrode. Par exemple, l’étape c) peut être mise œuvre en utilisant au moins un précurseur comportant du lithium (Li), tel que par exemple le tert-butoxyde de lithium (LiOtBu), et au moins un précurseur comportant du manganèse (Mn), tel que par exemple Mn(thd) 3 , et notamment au moins un précurseur comportant du nickel (Ni), tel que par exemple Ni(Cp) 2 . Dans un exemple de réalisation préféré dans lequel la première électrode comporte, voire est constituée, d’un oxyde de lithium-nickel-manganèse (LMNO), tel que par exemple LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 , l’étape c) comporte plusieurs sous-étapes : c1) dépôt d’une couche mince de MnO 2 par ALD ; c2) dépôt d’une couche mince de NiO par ALD ; c3) dépôt d’une couche mince de LiOH par ALD; c4) recuit de cristallisation permettant de former une couche de LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 . De préférence, la sous-étape c2) est mise en œuvre après la sous-étape c1). De préférence, la sous-étape c3) est mise en œuvre après la sous-étape c2). De préférence, la sous-étape c4) est mise en œuvre après la sous-étape c3). La sous étape c1) peut être mise en œuvre en présence d’un précurseur comportant du manganèse (Mn), tel que par exemple Mn(thd) 3 , et en présence d’ozone (O 3 ), par exemple à une température allant de 185°C à 205°C, préférentiellement allant de 190°C à 200°C. La sous étape c2) peut être mise en œuvre en présence d’un précurseur comportant du nickel (Ni), tel que par exemple Ni(Cp) 2 , et en présence d’ozone (O 3 ), par exemple à une température allant de 185°C à 205°C, préférentiellement allant de 190°C à 200°C. La sous étape c3) peut être mise en œuvre en présence d’un précurseur comportant du lithium (Li), tel que par exemple le tert-butoxyde de lithium (LiOtBu), et en présence d’eau (H 2 O), par exemple à une température allant de 215°C à 235°C, préférentiellement allant de 220°C à 230°C. La sous étape c4) peut être mise à une température allant de 650°C à 750°C, préférentiellement de 680°C à 720°C, plus préférentiellement allant de 690°C à 710°C, encore plus préférentiellement allant de 695°C et 705°C, par exemple sous air, par exemple pendant une durée comprise entre 60 min et 180 min, préférentiellement comprise entre 100 min et 140 min, plus préférentiellement comprise entre 110 min et 130 min, encore plus préférentiellement comprise entre 115 min et 125 min. La deuxième électrode peut être une électrode négative. L’électrode négative peut comporter, voire être constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi : - le dioxyde de titane (TiO 2 ), par exemple sous forme anatase ou rutile, notamment dopé, par exemple à l’argent (TiO 2 -Ag) ; - le graphite ; - le graphène, notamment dopé, par exemple à l’argent ; - le carbone ; - le lithium (Li) ; - le silicium (Si) ; - carbure de silicium (SiC) ; - l'oxyde de niobium (Nb 2 O 5 ) ; - l’étain et ses alliages, par exemple SiSn ou SnC ; - le titanate de lithium (Li 4 Ti 5 O 12 ) ; et - un de leurs mélanges. Préférentiellement, l’électrode négative comporte, voire est constituée, d’un matériau électroactif qui est le dioxyde de titane (TiO 2 ), par exemple sous forme anatase ou rutile, notamment dopé, par exemple à l’argent (TiO 2 -Ag). L’étape e) peut être mise en œuvre par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais), par exemple à une température comprise entre 150°C et 550°C, préférentiellement comprise entre 200°C et 500°C, plus préférentiellement comprise entre 200°C et 450°C, encore plus préférentiellement comprise entre 200°C et 400°C, en utilisant : au moins un agent oxydant, et au moins un précurseur d’un matériau électroactif d’électrode négative. L’agent oxydant peut être choisi parmi l’eau (H 2 O), l'éthanol (C 2 H 5 OH), le peroxyde d'hydrogène (H 2 O 2 ), l’ozone (O 3 ), et un de leurs mélanges. De préférence, l’agent oxydant est l’eau (H 2 O). Par exemple, le précurseur est choisi parmi un précurseur de dioxyde de titane (TiO 2 ). Par exemple, le précurseur est choisi parmi un précurseur comportant du titane (Ti). Le précurseur est de préférence solide ou liquide à température ambiante. Le précurseur peut être choisi parmi : le tétraisopropoxyde de titane (TTIP), le tétraéthoxyde de titane (TEOT), le tétrachlorure de titane (TiCl 4 ), et un de leurs mélanges. Le tétraisopropoxyde de titane (TTIP), le tétraéthoxyde de titane (TEOT) et le tétrachlorure de titane sont des exemples de précurseurs utilisés pour former des couches minces de dioxyde de titane (TiO 2 ) par ALD. Dans un exemple de réalisation préféré dans lequel la deuxième électrode comporte, voire est constituée, de dioxyde de titane (TiO 2 ), l’étape e) est mise en œuvre par ALD, par exemple à une température d’environ 350°C, en utilisant l’eau (H 2 O) en tant qu’agent oxydant et le tétrachlorure de titane (TiCl 4 ) en tant que précurseur. L’électrolyte est de préférence solide. L’électrolyte peut comporter, voire être constitué, d’orthophosphate de lithium (Li 3 PO 4 ) et/ou d’oxynitrure de lithium et de phosphore (LiPON). De préférence, l’électrolyte comporte, voire est constitué, d’orthophosphate de lithium (Li 3 PO 4 ). L’étape d) peut être mise œuvre par ALD, par exemple à une température comprise entre 200°C et 400°C, préférentiellement comprise entre 250°C et 350°C, plus préférentiellement comprise entre 275°C et 325°C, encore plus préférentiellement comprise entre 290°C et 310°C, en utilisant un ou plusieurs précurseurs permettant la formation de l’électrolyte. Par exemple, l’étape d) peut être mise œuvre en utilisant au moins un précurseur comportant du lithium, tel que par exemple le tert-butoxyde de lithium (LiOtBu), et au moins un précurseur comportant du phosphate, tel que par exemple le triméthyl phosphate (TMP). Le précurseur comportant du lithium, tel que par exemple le tert-butoxyde de lithium (LiOtBu), peut être chauffé à une température allant de 165°C à 205°C, préférentiellement allant de 175°C et 195°C, et plus préférentiellement allant de 180°C à 190°C. Le précurseur comportant du phosphate, tel que par exemple le triméthyl phosphate (TMP), peut être chauffé à une température allant de 75°C à 115°C, préférentiellement allant de 85°C et 105°C, et plus préférentiellement allant de 90°C à 100°C. Dans un exemple de réalisation préféré dans lequel l’électrolyte comporte, voire est constitué, d’orthophosphate de lithium (Li 3 PO 4 ), l’étape d) est mise en œuvre par ALD, par exemple à une température d’environ 300°C, en utilisant en tant que précurseurs le tert-butoxyde de lithium (LiOtBu), notamment chauffé à une température d’environ 185°C, et le triméthyl phosphate (TMP), notamment chauffé à une température d’environ 95°C. Le procédé peut comporter une étape g) de formation d’au moins un orifice de contact traversant le deuxième collecteur de courant, la deuxième électrode, l’électrolyte et la première électrode de manière à exposer une zone de contact, notamment prédéfinie, du premier collecteur de courant. L’orifice de contact peut permettre de contacter électriquement le premier collecteur de courant au niveau de ladite zone de contact. L’orifice de contact peut s’étendre selon un axe sensiblement perpendiculaire à la face du substrat du support architecturé (i.e. selon un axe sensiblement parallèle à l’axe d’extension des micro-piliers). L’étape g) peut être mise en œuvre de manière séquentielle. L’étape g) peut comporter une sous-étape g1) de gravure du deuxième collecteur de courant sur une portion correspondant à ladite zone de contact du premier collecteur de courant. L’étape g) peut comporter une sous-étape g2) de gravure de la deuxième électrode sur une portion correspondant à ladite zone de contact du premier collecteur de courant. L’étape g) peut comporter une sous-étape g3) de gravure de l’électrolyte sur une portion correspondant à ladite zone de contact du premier collecteur de courant. L’étape g) peut comporter une sous-étape g4) de gravure de la première électrode sur une portion correspondant à ladite zone de contact du premier collecteur de courant. De préférence, la sous-étape g2) est mise en œuvre après la sous-étape g1). De préférence, la sous-étape g3) est mise en œuvre après la sous-étape g2). De préférence, la sous-étape g4) est mise en œuvre après la sous-étape g3). L’orifice de contact peut comporter une première partie traversant le deuxième collecteur de courant, une deuxième partie traversant la deuxième électrode, une troisième partie traversant l’électrolyte et une quatrième partie traversant la première électrode. La sous-étape g1) peut permettre la formation de la première partie de l’orifice de contact. La sous-étape g2) peut permettre la formation de la deuxième partie de l’orifice de contact. La sous-étape g3) peut permettre la formation de la troisième partie de l’orifice de contact. La sous-étape g4) peut permettre la formation de la quatrième partie de l’orifice de contact. Au moins l’une des sous-étapes g1), g2), g3) et g4), notamment chacune des sous-étapes g1), g2), g3) et g4, peut être réalisée par une technique de gravure par faisceau d'ions réactifs (ou RIBE pour Reactive Ion Beam Etching ) ou par une technique de gravure ionique réactive (ou RIE pour Reactive Ion Etching en anglais). Par exemple, la technique de gravure par faisceau d'ions réactifs est mise en œuvre à l’aide d’un appareil « Meyer Burger IonSys 500 ». Par exemple, la technique de gravure par faisceau d'ions réactifs est mise en œuvre à une vitesse comprise entre 5 nm/min et 15 nm/min, préférentiellement entre 8 nm/min et 12 nm/min, plus préférentiellement entre 9 nm/min et 11 nm/min, et notamment à un angle de 0°. Par exemple, la technique de gravure ionique réactive est mise en œuvre à l’aide d’un appareil « Oxford Plasmalab 80+ ». L’étape g) peut être précédée d’une étape de lithographie, notamment de photolithographie. En particulier, l’étape de lithographie peut être mise en œuvre après l’étape f) et avant l’étape g). L’étape de lithographie peut être mise en œuvre en utilisant une résine, notamment positive, par exemple la résine « AZ10XT ». L’étape de lithographie peut être mise en œuvre en utilisant une épaisseur de résine comprise entre 5 µm et 15 µm, préférentiellement entre 8 µm et 12 µm, et plus préférentiellement entre 9 µm et 11 µm. L’étape g) peut être suivie d’une étape d’élimination de la résine utilisée lors de l’étape de lithographie. L’étape d’élimination de la résine peut être mise en œuvre en plongeant la micro-batterie dans un solvant, notamment organique, par exemple un solvant « SVC14 », notamment chauffé, par exemple à une température comprise entre 65°C et 95°C, notamment pendant une durée d’une heure, puis en rinçant la micro-batterie avec un ou plusieurs solvants, notamment organiques, par exemple avec de l’acétone puis avec de l’alcool isopropylique (IPA). Le procédé peut comporter une étape de dépôt d’une couche de protection, notamment thermique, sous la forme d’une couche mince sur le support architecturé. De préférence, cette étape de dépôt de la couche de protection est mise en œuvre après l’étape a) et avant l’étape b). Préférentiellement, cette étape de dépôt de la couche de protection est mise en œuvre par une technique de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition en anglais). Plus préférentiellement, cette étape de dépôt de la couche de protection est mise en œuvre par une technique de dépôt de couches atomiques (ou ALD pour Atomic Layer Deposition en anglais), par exemple à une température comprise entre 200°C et 400°C, préférentiellement comprise entre 250°C et 350°C, plus préférentiellement comprise entre 275°C et 325°C, encore plus préférentiellement comprise entre 290°C et 310°C. Cette étape de dépôt de la couche de protection peut être mise en œuvre en utilisant un précurseur comportant de l’aluminium et un agent oxydant. L’agent oxydant peut être choisi parmi l’eau (H 2 O), l'éthanol (C 2 H 5 OH), le peroxyde d'hydrogène (H 2 O 2 ), l’ozone (O 3 ), et un de leurs mélanges. De préférence, l’agent oxydant est l’eau (H 2 O). Le précurseur comportant de l’aluminium peut être le triméthylaluminium (TMA). Dans un exemple de réalisation préféré dans lequel la couche de protection comporte, voire est constituée, d’alumine (Al 2 O 3 ), l’étape de dépôt de la couche de protection est mise en œuvre par ALD, par exemple à une température d’environ 300°C, en utilisant un précurseur comportant de l’aluminium, tel que par exemple le triméthylaluminium (TMA), et de l’eau en tant qu’agent oxydant. De préférence, l’étape b) est mise en œuvre après l’étape a). De préférence, l’étape c) est mise en œuvre après l’étape b). De préférence, l’étape d) est mise en œuvre après l’étape c). De préférence, l’étape e) est mise en œuvre après l’étape d). De préférence, l’étape f) est mise en œuvre après l’étape e). De préférence, l’étape g) est mise en œuvre après l’étape f). Micro-batterie comportant : - un support architecturé comportant : . un substrat, . des micro-piliers disposés sur une face du substrat, chaque micro-pilier ayant une surface libre, et . des nano-fils disposés sur la surface libre d’au moins une partie des micro-piliers, - un premier collecteur de courant disposé sur le support architecturé, et un deuxième collecteur de courant, - une première électrode disposée sur le premier collecteur de courant, et une deuxième électrode, les première et deuxième électrodes étant disposées entre les premier et deuxième collecteurs de courant, et - un électrolyte disposé entre les première et deuxième électrodes. Micro-batterie selon la revendication 1, chaque micro-pilier présentant une forme cylindrique et comportant une section transversale de forme carrée ou rectangle, de préférence carrée, avec notamment des côtés ayant chacun une longueur comprise entre 2 µm et 6 µm, notamment comprise entre 3 µm et 5 µm. Micro-batterie selon la revendication 1 ou 2, chaque micro-pilier présentant une longueur allant de 10 µm à 400 µm, préférentiellement allant de 20 µm à 350 µm, plus préférentiellement allant de 30 µm à 300 µm, encore plus préférentiellement allant de 40 µm à 250 µm. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, le substrat et les micro-piliers étant formés d’un seul tenant. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, le substrat et les micro-piliers comportant, voire étant constitués, d’un matériau semi-conducteur ou d’un matériau isolant, notamment diélectrique. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, chaque nano-fil présentant une longueur allant de 100 nm à 10 µm, préférentiellement allant de 200 nm à 9 µm, plus préférentiellement allant de 300 nm à 8 µm, encore plus préférentiellement allant de 400 nm à 7 µm, et en particulier allant de 500 nm à 6 µm. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, chaque nano-fil présentant une section transversale dont la plus grande dimension est comprise entre 20 nm et 200 nm, et préférentiellement entre 30 nm et 190 nm. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, chaque nano-fil comportant un oxyde métallique ou un mélange d’oxydes métalliques, et notamment un métal ou un alliage métallique. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, le premier collecteur de courant, le deuxième collecteur de courant, la première électrode, la deuxième électrode et l’électrolyte se présentant chacun sous la forme d’une couche mince, le premier collecteur de courant et le second collecteur de courant ayant une épaisseur allant de 1 nm à 250 nm, la première électrode ayant une épaisseur allant de 5nm à 500 nm, l’électrolyte ayant une épaisseur allant de 3 nm à 800 nm, la deuxième électrode ayant une épaisseur allant de 3 nm à 800 nm. Micro-batterie selon la revendication 9, le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant ayant chacun une épaisseur allant de 10 à 50 nm, préférentiellement allant de 15 nm à 45 nm, et plus préférentiellement allant de 20 nm à 40 nm. Micro-batterie selon la revendication 9 ou 10, la première électrode ayant une épaisseur allant de 100 nm à 250 nm. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications 9 à 11, l’électrolyte ayant une épaisseur allant de 50 nm à 150 nm. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications 9 à 12, la deuxième électrode ayant une épaisseur allant de 50 nm à 150 nm. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, le premier collecteur de courant et le deuxième collecteur de courant étant chacun réalisé dans un matériau conducteur électronique, notamment métallique. Micro-batterie selon la revendication 14, le matériau conducteur électronique comportant, voire étant constitué, d’un métal, notamment de transition, ou d’un alliage métallique, notamment de métaux de transition. Micro-batterie selon la revendication 14 ou 15, le matériau conducteur électronique comportant, voire étant constitué, de platine (Pt), d’or (Au), d’argent (Ag), de cuivre (Cu) ou d’un de leurs mélanges, préférentiellement de platine (Pt). Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, la première électrode étant une électrode positive et la deuxième électrode étant une électrode négative. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, la première électrode comportant, voire étant constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi : - les oxydes de lithium-manganèse (LMO), par exemple LiMn 2 O 4 ; - les oxydes de lithium-nickel-manganèse (LMNO), par exemple LiNi 0,5 Mn 1,5 O 4 ; et - un de leurs mélanges. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, la deuxième électrode comportant, voire étant constituée, d’un matériau électroactif choisi parmi : - le dioxyde de titane (TiO 2 ), par exemple sous forme anatase ou rutile, notamment dopé, par exemple à l’argent (TiO 2 -Ag) ; - le graphite ; - le graphène, notamment dopé, par exemple à l’argent ; - le carbone ; - le lithium (Li) ; - le silicium (Si) ; - carbure de silicium (SiC) ; - l'oxyde de niobium (Nb 2 O 5 ) ; - l’étain et ses alliages, par exemple SiSn ou SnC ; - le titanate de lithium (Li 4 Ti 5 O 12 ) ; et - un de leurs mélanges. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, l’électrolyte étant solide, et de préférence comportant, voire étant constitué, d’orthophosphate de lithium (Li 3 PO 4 ) et/ou d’oxynitrure de lithium et de phosphore (LiPON). Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, la micro-batterie comportant au moins une couche de protection, notamment thermique, disposée entre le support architecturé et le premier collecteur de courant. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, la micro-batterie comportant au moins un orifice de contact traversant le deuxième collecteur de courant, la deuxième électrode, l’électrolyte et la première électrode de manière à exposer une zone de contact, notamment prédéfinie, du premier collecteur de courant. Micro-batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes, la micro-batterie étant une micro-batterie lithium-ion, de préférence tout solide. Système électronique comportant une micro-batterie selon l’une quelconque des revendications 1 à 23. Système électronique selon la revendication 24, le système électronique étant embarqué, portable et/ou intelligent. Procédé de fabrication d’une micro-batterie selon l’une quelconque des revendications 1 à 23, comportant au moins les étapes suivantes : a) fourniture d’un support architecturé comportant : - un substrat, - des micro-piliers disposés sur une face du substrat, chaque micro-pilier ayant une surface libre, et - des nano-fils disposés sur la surface libre d’au moins une partie des micro-piliers, b) dépôt d’un premier collecteur de courant sous la forme d’une couche mince sur le support architecturé, c) dépôt d’une première électrode sous la forme d’une couche mince sur le premier collecteur de courant, d) dépôt d’un électrolyte sous la forme d’une couche mince sur la première électrode, e) dépôt d’une deuxième électrode sous la forme d’une couche mince sur l’électrolyte, et f) dépôt d’un deuxième collecteur de courant sous la forme d’une couche mince sur la deuxième électrode.