FR 3159384 A1 20250822 FR 2401535 A 20240216 Méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore, et sonde ultrasonore La présente description concerne une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore (200) comprenant : - rapporter une face arrière d’une puce (210) sur un substrat d’interconnexion (230) comprenant des premiers éléments d’interconnexion (232), la puce comportant une pluralité de puces élémentaires comprenant chacune un premier plot (212) situé sur un premier bord latéral en face avant (210A) de la puce, le premier bord latéral ayant une arête commune avec un premier flanc latéral (210C) de la puce, et un transducteur ultrasonore (340) comportant une première électrode (342) reliée au premier plot ; - former une première couche diélectrique (202A) pour recouvrir le premier flanc latéral ; - former une première portion métallique sur la première couche diélectrique, les premiers plots et au moins une portion de chacun des premiers éléments d’interconnexion ; puis - découper la puce de manière à séparer électriquement les puces élémentaires, la découpe de la puce incluant la découpe de la première portion métallique en une pluralité de premières pistes métalliques (241A) de sorte que chaque puce élémentaire est reliée électriquement, via son premier plot de connexion électrique, à un des premiers éléments d’interconnexion par une desdites premières pistes métalliques. Figure pour l'abrégé : Fig. 3A Méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore, et sonde ultrasonore La présente description concerne de façon générale la fabrication de sondes ultrasonores, et vise en particulier la fabrication de sondes ultrasonores de petites dimensions. Un exemple d’application concerne des sondes ultrasonores destinées à être intégrées à un cathéter, par exemple pour des applications de diagnostic ou de traitement ultrasonore intravasculaire. On a déjà proposé d’intégrer des sondes ultrasonores de petites dimensions à un cathéter destiné à être introduit dans le corps d’un patient humain ou animal, par exemple pour des applications de diagnostic ou de traitement ultrasonore intravasculaire. Il serait souhaitable de pouvoir disposer d’une méthode de fabrication d’une telle sonde, cette méthode palliant au moins en partie certains des inconvénients des méthodes connues. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des sondes ultrasonores connues. Un mode de réalisation prévoit une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore comprenant les étapes suivantes : - rapporter une face arrière d’une puce sur une face de connexion d’un substrat d’interconnexion comprenant des premiers éléments d’interconnexion, la puce comportant une pluralité de puces élémentaires comprenant chacune un premier plot de connexion électrique situé sur un premier bord latéral en face avant de la puce, le premier bord latéral ayant une arête commune avec un premier flanc latéral de la puce, et au moins un transducteur ultrasonore comportant une première électrode reliée au premier plot de connexion électrique, chaque premier élément d’interconnexion étant adapté à être relié au premier plot de connexion électrique d’une des puces élémentaires ; - former une première couche de matériau diélectrique de manière à recouvrir le premier flanc latéral de la puce ; - former une première portion métallique sur la première couche de matériau diélectrique, les premiers plots de connexion électrique et au moins une portion de chacun des premiers éléments d’interconnexion, de manière à relier électriquement les premiers plots de connexion électrique et les premiers éléments d’interconnexion ; puis - découper la puce sur une épaisseur donnée de manière à séparer électriquement les puces élémentaires, la découpe de ladite puce incluant la découpe de la première portion métallique en une pluralité de premières pistes métalliques de sorte que chaque puce élémentaire est reliée électriquement, via son premier plot de connexion électrique, à un des premiers éléments d’interconnexion par une desdites premières pistes métalliques. Selon des modes de réalisation : - le matériau diélectrique de la première couche de matériau diélectrique est une résine ou un silicone ; et/ou - former la première couche de matériau diélectrique comprend une étape de dépôt d’un matériau diélectrique et une étape de durcissement du matériau diélectrique déposé ; et/ou - la première couche de matériau diélectrique ne s’étend pas sur la face avant de la puce. Selon un mode de réalisation, former la première portion métallique comprend : - former un premier masque sur l’ensemble puce et substrat d’interconnexion, le premier masque étant configuré pour masquer les puces élémentaires à l’exception des premiers plots de connexion électrique qui sont laissés découverts, et pour laisser découverts au moins partiellement chacun des premiers éléments d’interconnexion ; - déposer une première couche métallique sur l’ensemble puce et substrat d’interconnexion partiellement masqué ; et - retirer le premier masque, le retrait du premier masque retirant également les portions de la première couche métallique localisées sur ledit premier masque. Selon un mode de réalisation, former la première portion métallique comprend une étape d’impression 3D, par exemple par une technique de jet de liant métallique. Selon des modes de réalisation, la découpe de la puce : - inclut la découpe de la première couche diélectrique ; et/ou - comprend une étape de découpe laser et/ou une étape de découpe par sciage ; et/ou - exclut la découpe du substrat d’interconnexion. Selon un mode de réalisation, chaque puce élémentaire comporte une deuxième électrode reliée à un deuxième plot de connexion électrique situé sur un deuxième bord latéral en face avant de la puce, le deuxième bord latéral ayant une arête commune avec un deuxième flanc latéral de la puce, et le substrat d’interconnexion comprend des deuxièmes éléments d’interconnexion disjoints des premiers éléments d’interconnexion, chaque deuxième élément d’interconnexion étant adapté à être relié au deuxième plot de connexion électrique d’une des puces élémentaires ; la méthode comprenant en outre : - former une deuxième couche de matériau diélectrique de manière à recouvrir le deuxième flanc latéral de la puce ; - former une deuxième portion métallique sur la deuxième couche de matériau diélectrique, les deuxièmes plots de connexion électrique et au moins une portion de chacun des deuxièmes éléments d’interconnexion, de manière à relier électriquement les deuxièmes plots de connexion électrique et les deuxièmes éléments d’interconnexion ; la découpe de la puce incluant la découpe de la deuxième portion métallique en une pluralité de deuxièmes pistes métalliques de sorte que chaque puce élémentaire est reliée électriquement, via son deuxième plot de connexion électrique, à un des deuxièmes éléments d’interconnexion par une desdites deuxièmes pistes métalliques. Selon des modes de réalisation : - le matériau de la deuxième couche de matériau diélectrique est une résine ou un silicone ; et/ou - former la deuxième couche de matériau diélectrique comprend une étape de dépôt d’un matériau diélectrique et une étape de durcissement du matériau diélectrique déposé ; et/ou - la deuxième couche de matériau diélectrique ne s’étend pas sur la face avant de la puce. Selon un mode de réalisation, former la deuxième portion métallique comprend : - déposer un deuxième masque sur l’ensemble puce et substrat d’interconnexion, le deuxième masque étant configuré pour masquer les puces élémentaires à l’exception des deuxièmes plots de connexion électrique qui sont laissés découverts et pour laisser découverts au moins partiellement chacun des deuxièmes éléments d’interconnexion ; - déposer une deuxième couche métallique sur l’ensemble puce et substrat d’interconnexion partiellement masqués ; et - retirer le deuxième masque, le retrait du deuxième masque retirant également les portions de la deuxième couche métallique localisées sur ledit deuxième masque. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième masques sont un même masque, les première et deuxième couches métalliques sont une même couche métallique, les première et deuxièmes portions métalliques étant réalisées simultanément. Selon un mode de réalisation, former la deuxième portion métallique comprend une étape d’impression 3D, par exemple par une technique de jet de liant métallique. Selon des modes de réalisation, la découpe de la puce : - inclut la découpe de la deuxième couche diélectrique et/ou - comprend une étape de découpe laser et/ou une étape de découpe par sciage ; et/ou - exclut la découpe du substrat d’interconnexion. Selon un mode de réalisation, la méthode comprend en outre une étape de courbure du substrat d’interconnexion assemblé aux puces élémentaires selon une forme souhaitée, par exemple une forme cylindrique. Un mode de réalisation prévoit une sonde ultrasonore comportant : - une puce comportant une pluralité de puces élémentaires séparées électriquement les unes des autres, chaque puce élémentaire comprenant : un premier plot de connexion électrique situé sur un premier bord latéral en face avant de la puce, le premier bord latéral ayant une arête commune avec un premier flanc latéral de la puce ; et au moins un transducteur ultrasonore comportant une première électrode reliée au premier plot de connexion électrique ; - un substrat d’interconnexion comprenant une face de connexion sur laquelle une face arrière de la puce, opposée à la face avant, est rapportée, le substrat d’interconnexion comprenant des premiers éléments d’interconnexion ; - une première couche de matériau diélectrique recouvrant le premier flanc latéral de la puce ; et - une pluralité de premières pistes métalliques sur la première couche de matériau diélectrique ; chaque puce élémentaire étant reliée électriquement, via son premier plot de connexion électrique, à un des premiers éléments d’interconnexion par une desdites premières pistes métalliques. Selon un mode de réalisation, chaque puce élémentaire comprend une deuxième électrode reliée à un deuxième plot de connexion électrique situé sur un deuxième bord latéral en face avant de la puce, le deuxième bord latéral ayant une arête commune avec un deuxième flanc latéral de la puce, et le substrat d’interconnexion comprend des deuxièmes éléments d’interconnexion disjoints des premiers éléments d’interconnexion, la sonde comprenant en outre : - une deuxième couche de matériau diélectrique recouvrant le deuxième flanc latéral de la puce ; et - une pluralité de deuxièmes pistes métalliques sur la deuxième couche de matériau diélectrique ; chaque puce élémentaire étant reliée électriquement, via son deuxième plot de connexion électrique, à un des deuxièmes éléments d’interconnexion par une desdites deuxièmes pistes métalliques. Selon un mode de réalisation particulier, les premiers éléments d’interconnexion et les deuxièmes éléments d’interconnexion sont positionnés latéralement de part et d’autre de la puce. Selon un mode de réalisation, chaque puce élémentaire comprend une deuxième électrode reliée à la face arrière de la puce, elle-même reliée à un plan métallique ou à un troisième plot de connexion électrique sur la face de connexion du substrat d’interconnexion, le substrat d’interconnexion comprenant en outre des deuxièmes éléments d’interconnexion reliés audit plan métallique ou audit troisième plot de connexion électrique, et disjoints des premiers éléments d’interconnexion. Selon un mode de réalisation particulier, les premiers éléments d’interconnexion et les deuxièmes éléments d’interconnexion sont positionnés latéralement d’un même côté de la puce, par exemple en alternance les uns avec les autres. Selon un mode de réalisation particulier, le plan métallique ou le troisième plot de connexion électrique : - est disposé entre la puce et le substrat d’interconnexion et est relié à la face arrière de la puce par un adhésif, par exemple un film ou une colle, électriquement conducteur positionné entre ledit plan métallique ou ledit troisième plot de connexion électrique et ladite face arrière ; ou - est disposé près d’un flanc latéral de la puce et est relié à la face arrière de ladite puce par un adhésif, par exemple une colle, électriquement conducteur positionné entre ledit flanc latéral et ledit plan métallique ou ledit troisième plot de connexion électrique. Selon un mode de réalisation, le substrat d’interconnexion est flexible. Selon un mode de réalisation, les transducteurs ultrasonores sont des transducteurs capacitifs micro-usinés à ultrasons, des transducteurs piézoélectriques micro-usinés à ultrasons ou des transducteurs piézoélectriques massifs ou composites. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 est une vue en perspective très schématique d’un exemple d’une sonde ultrasonore ; la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues en perspective illustrant des étapes successives d’un exemple d’une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 est une vue en coupe représentant des détails de la sonde ultrasonore de la FIG. 2 ; la FIG. 3 est une vue de dessus représentant la sonde ultrasonore de la FIG. 3 ; la FIG. 4 est une vue en coupe représentant des détails d’une sonde ultrasonore selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 4 est une vue de dessus représentant la sonde ultrasonore de la FIG. 4 ; la FIG. 5 est une vue en coupe représentant des détails d’une sonde ultrasonore selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 5 est une vue de dessus représentant la sonde ultrasonore de la FIG. 5 ; la FIG. 6 représente trois exemples d’assemblage de la puce monolithique au substrat d’interconnexion dans une sonde ultrasonore selon un mode de réalisation ; et la FIG. 7 est une vue en coupe représentant une sonde ultrasonore selon un autre mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des transducteurs ultrasonores des sondes décrites n’a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des structures connues de transducteurs ultrasonores. En outre, la réalisation des circuits de commande des transducteurs ultrasonores n’a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les circuits de commande usuels de transducteurs ultrasonores ou la réalisation des circuits de commande étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des éléments conducteurs, il est fait référence sauf précision contraire à des éléments électriquement conducteurs. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des plots de connexion, respectivement à des éléments d’interconnexion, respectivement à des pistes d’interconnexion, il est fait référence sauf précision contraire à des plots de connexion électrique, respectivement à des éléments d’interconnexion électrique, respectivement à des pistes d’interconnexion électrique. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 est une vue en perspective très schématique d’un exemple d’une sonde ultrasonore 100. La sonde ultrasonore 100 comprend un substrat d’interconnexion flexible 101 sur lequel sont fixées une pluralité de puces élémentaires 103 comportant chacune un ou plusieurs transducteurs ultrasonores, non détaillés sur les figures. A titre d’exemple, chaque puce élémentaire 103 est une puce d’émission/réception d’ondes ultrasonores, aussi appelée "barrette ultrasonore", composée d'un ou plusieurs transducteurs ultrasonores élémentaires, par exemple alignés selon un axe parallèle à une direction longitudinale Z de la sonde ou disposés en matrice sur le plan de la barrette. Le substrat d’interconnexion flexible 101 est enroulé autour d’un cylindre (non visible sur la FIG. 1 ), par exemple à section circulaire, de façon à obtenir une sonde de forme générale cylindrique, par exemple de petites dimensions, par exemple de diamètre compris entre 1 et 5 millimètres (mm). La sonde ultrasonore 100 est par exemple destinée à être intégrée dans un cathéter. Les puces élémentaires forment des facettes adaptées à émettre des ultrasons vers l’extérieur de la sonde cylindrique, dans des directions radiales. Dans cet exemple, les puces élémentaires ont la forme de bandes rectangulaires parallèles, s’étendant parallèlement à la direction longitudinale Z de la sonde. A titre d’exemple, la sonde comprend au moins deux, de préférence au moins quatre, de préférence au moins huit, puces élémentaires 103, par exemple régulièrement réparties autour du substrat d’interconnexion enroulé sous forme de cylindre. Chaque puce élémentaire comprend des plots de connexion électrique (non visibles sur la FIG. 1 ) connectés à des éléments de connexion électrique correspondants (non visibles sur la FIG. 1 ) du substrat d’interconnexion 101. Le substrat d’interconnexion 101 est par exemple un circuit imprimé flexible, comportant des éléments d’interconnexion électriquement conducteurs, par exemple des pistes d’interconnexion formées sur un support diélectrique souple, par exemple en un matériau polymère, par exemple un polyimide. Les pistes d’interconnexion peuvent être des pistes métalliques, par exemple en cuivre. Un ou plusieurs fils électriquement conducteurs, non détaillés sur la FIG. 1 , peuvent connecter électriquement le substrat d’interconnexion 101 à des circuits électroniques externes à la sonde, par exemple pour contrôler les puces élémentaires 103. Pour réaliser une telle sonde, une possibilité consiste à fixer et connecter électriquement sur une face de connexion du substrat d’interconnexion 101, une puce monolithique unique comportant l’ensemble des transducteurs ultrasonores de la sonde, puis à découper la puce en une pluralité de puces élémentaires 103 comportant chacune un ou plusieurs transducteurs ultrasonores. A l’issue de l’étape de découpe, chaque puce élémentaire 103 reste fixée et connectée électriquement au substrat d’interconnexion 101. Le substrat d’interconnexion 101 peut alors être enroulé autour d’un cylindre ou d’un autre élément adapté à donner une forme souhaitée à la sonde. La connexion électrique entre la puce monolithique et le substrat d’interconnexion 101 peut être réalisée au moyen de fils conducteurs reliant la face de connexion du substrat d’interconnexion à la face avant de la puce, opposée au substrat d’interconnexion. Une résine d’encapsulation, par exemple une résine époxy, peut être prévue pour protéger les fils conducteurs. Cette protection est connue sous le terme de "glob-top" en anglais. Cette méthode de connexion par fils conducteurs, aussi appelée "wire bonding" en anglais, présente toutefois certains inconvénients. En particulier, les fils conducteurs et, le cas échéant, la résine d’encapsulation, conduisent à augmenter le diamètre de la sonde. En outre, il existe un risque d’endommager les fils conducteurs lors de l’étape de découpe de la puce monolithique en puces élémentaires 103. Alternativement, la puce monolithique et le substrat d’interconnexion 101 peuvent être assemblées par une méthode dite de montage en surface ("flip chip" en anglais). Dans ce cas, la puce comprend des plots de connexion électrique du côté de sa face arrière, c’est à dire sa face opposée à la face d’émission/réception des ondes ultrasonores. Ces plots sont positionnés directement sur et en contact avec des plots de connexion électrique correspondant situés sur la face de connexion du substrat d’interconnexion 101. Ainsi, l’encombrement est réduit par rapport à une connexion par fils conducteurs, et les risques d’endommager les connexions électriques lors de l’étape de découpe de la puce monolithique sont réduits. Toutefois, un inconvénient de cette solution est que le coût de fabrication de la puce monolithique de transducteurs est relativement élevé, du fait de la nécessité d’intégrer des vias conducteurs traversant le substrat de la puce pour relier les transducteurs ultrasonores aux plots de connexion électrique en face arrière de la puce. Ceci est tout particulièrement vrai dans le cas de transducteurs en technologie MEMS (de l’anglais "Micro Electro Mechanical System", pour microsystème électromécanique). Par ailleurs, les puces élémentaires peuvent être très fines, par exemple avoir une largeur de l’ordre de 100 micromètres (µm), et le pas entre deux puces élémentaires peut aussi être de cet ordre de grandeur, voire moins, la connexion électrique devant connecter chacune de ces puces élémentaires au substrat d’interconnexion. En d’autres termes, la connexion électrique doit être compatible avec la largeur des puces élémentaires, ainsi qu’avec le pas entre deux puces élémentaires. La connexion électrique doit également être compatible avec un éventuel enroulement du substrat d’interconnexion une fois assemblé aux puces élémentaires, par exemple pour former une sonde ultrasonore cylindrique. Les figures 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F, 2G et 2H sont des vues en perspective illustrant des étapes successives d’un exemple d’une méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore selon un mode de réalisation. Par exemple, la sonde ultrasonore peut être configurée pour émettre et recevoir des ondes ultrasonores sur une large bande de fréquence ayant une fréquence centrale comprise entre 20 et 60 MHz. La FIG. 2 illustre une structure de départ, sous la forme d’une puce monolithique 210. La puce monolithique 210 comporte plusieurs puces élémentaires 211, chaque puce élémentaire 211 étant une puce d’émission/réception d’ondes ultrasonores, aussi appelée "barrette ultrasonore", ou "barrette". Chaque barrette peut comprendre un ou plusieurs transducteurs ultrasonores. Par exemple, comme représenté, les puces élémentaires 211 sont dans un plan parallèle au plan de la puce monolithique 210 mais s’étendent longitudinalement perpendiculairement à la direction longitudinale de la puce monolithique 210. Les transducteurs (non détaillés sur les figures 2A à 2H) sont par exemple des transducteurs de type CMUT (de l’anglais "capacitive micromachined ultrasonic transducers", ou transducteurs capacitifs micro-usinés à ultrasons, ou transducteurs capacitifs à membrane), ou des transducteurs de type PMUT (de l’anglais "piezoelectric micromachined ultrasonic transducers", ou transducteurs piézoélectriques micro-usinés à ultrasons, ou transducteurs piézoélectriques à membrane), voire des éléments piézoélectriques massifs ou composites. Un transducteur ultrasonore comprend généralement deux électrodes, une première électrode, par exemple une électrode supérieure, et une deuxième électrode, par exemple une électrode inférieure. Comme décrit plus en détail plus après, dans un CMUT, une électrode supérieure est généralement reliée à, par exemple assemblée sur, une membrane déformable formant une cavité avec une électrode inférieure. Dans un PMUT, une électrode inférieure fixée sur une membrane déformable est généralement suspendue au-dessus d’une cavité et une électrode supérieure est séparée de l’électrode inférieure par une couche de matériau piézoélectrique. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ces cas particuliers et s’appliquent plus généralement à tous types de transducteurs ultrasonores, l’emplacement des électrodes pouvant être fonction du type de transducteurs mis en œuvre. La réalisation de la puce monolithique 210 n’a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec tous ou la plupart des procédés connus de fabrication d’une puce de transducteurs ultrasonores, ou la réalisation d’une telle puce étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. La puce monolithique 210 a par exemple une forme parallélépipédique. Par exemple, la puce monolithique 210 présente une longueur comprise entre 8 et 15 mm. Par exemple, la puce monolithique 210 présente une épaisseur égale à environ 100 µm. Par exemple, la puce monolithique 210 comprend environ 80 barrettes. La puce monolithique 210 comprend un substrat 214 qui peut être en silicium (Si). La puce monolithique 210 comprend une face avant 210A correspondant à la face d’émission/réception des ondes ultrasonores, et une face arrière 210B opposée à sa face avant. La puce monolithique 210 comporte des plots de connexion 212, 212’ (premiers plots de connexion) du côté de sa face avant, qui sont destinés à être reliés d’une part à une électrode (première électrode) et d’autre part à un plot ou une piste, plus généralement à un élément d’interconnexion, d’un substrat d’interconnexion (décrit plus après). Il y a par exemple un plot de connexion 212 à une extrémité de chaque puce élémentaire 211, et un plot de connexion 212’ à une autre extrémité de la même puce élémentaire 211, les plots de connexion 212, 212’ d’une même puce élémentaire 211 étant par exemple sensiblement équipotentiels. Les premiers plots de connexion 212 de deux puces élémentaires 211 différentes sont de préférence isolés entre eux. Les premiers plots de connexion 212’ de deux puces élémentaires 211 différentes sont de préférence isolés entre eux. Selon une variante, il y a des premiers plots de connexion 212 uniquement à une extrémité des puces élémentaires 211. Du reste, les premiers plots de connexion 212’ localisés à l’autre extrémité des puces élémentaires 211 ne sont pas utilisés dans la méthode décrite en relation avec les figures 2A à 2H. Le premier plot de connexion 212 d’une puce élémentaire 211 peut être relié à au moins une première électrode, par exemple une électrode supérieure, de cette puce élémentaire. Les premiers plots de connexion 212 peuvent être dédiés à la transmission d’un signal électrique, sans que ce soit limitatif. La puce monolithique 210 représentée en FIG. 2 comprend deux portions latérales 220, 220’ sous forme de barres latérales, une sur chacun des deux flancs latéraux 210C, 210D (références visibles en FIG. 2 ) de la puce monolithique 210. Chaque portion, ou barre, latérale 220, 220’ comprend en face avant une pluralité de plots de connexion 221, 221’ (deuxièmes plots de connexion). Les deuxièmes plots de connexion 221, 221’ sont de préférence isolés électriquement des premiers plots de connexion 212, 212’. Les deuxièmes plots de connexion 221 de deux puces élémentaires 211 différentes sont de préférence isolés entre eux. Les deuxièmes plots de connexion 221’ de deux puces élémentaires 211 différentes sont de préférence isolés entre eux. Il y a par exemple un deuxième plot de connexion 221 à une extrémité de chaque puce élémentaire 211, et un deuxième plot de connexion 221’ à une autre extrémité de la même puce élémentaire 211, les plots de connexion 221, 221’ étant par exemple sensiblement équipotentiels. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l’issue de la suppression d’une barre latérale 220’ parmi les deux barres latérales 220, 220’, de manière à ce que les premiers plots de connexion 212 soient positionnés sur un premier bord latéral en face avant 210A de la puce monolithique 210. Cette étape de suppression de la barre latérale peut être réalisée par découpe. Chaque deuxième plot de connexion 221 de la barre latérale 220 qui n’a pas été supprimée est, par exemple, relié à au moins une deuxième électrode, par exemple une électrode inférieure, de cette puce élémentaire. Le deuxième plot de connexion 221 peut être relié d’autre part à un plot ou une piste, plus généralement à un élément d’interconnexion, d’un substrat d’interconnexion (décrit plus après). Les deuxièmes plots de connexion 221 sont positionnés sur un deuxième bord latéral en face avant 210A de la puce monolithique, opposé au premier bord latéral sur lequel les premiers plots de connexion 212 sont positionnés. Les deuxièmes plots de connexion 221 peuvent être dédiés à la mise à la terre, sans que ce soit limitatif. En variante, la structure de départ peut être une puce monolithique comportant une seule barre latérale sur un seul de ses flancs, voire une puce monolithique dépourvue de barres latérales. Selon cette variante, l’étape de suppression d’une barre latérale n’est pas nécessaire et peut être omise. Ainsi, une structure de départ peut être une puce monolithique avec des premiers plots de connexion sur un premier bord latéral en face avant de la puce monolithique, et éventuellement, mais pas nécessairement, des deuxièmes plots de connexion sur un deuxième bord latéral en face avant de la puce monolithique. D’autres moyens de relier une deuxième électrode, par exemple une électrode inférieure, de chaque puce élémentaire au substrat d’interconnexion sont décrits plus après. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l’issue d’une étape d’assemblage de la puce monolithique 210, du côté de sa face arrière 210B, sur une face de connexion 230A d’un substrat d’interconnexion 230 flexible. A ce stade de la méthode, le substrat d’interconnexion 230 est sensiblement plan, par exemple déroulé. Le substrat d’interconnexion 230 peut être positionné sur un support plan, non représenté. Similairement au substrat d’interconnexion 101 de la FIG. 1 , le substrat d’interconnexion 230 de la FIG. 2 est, par exemple, un circuit imprimé flexible. Le substrat d’interconnexion 230 comprend une face avant (face de connexion) 230A destinée à être assemblée à la puce monolithique 210, et une face arrière 230B opposée à sa face avant. Le substrat d’interconnexion 230 représenté comporte sur sa face de connexion 230A des premiers et deuxièmes éléments d’interconnexion 232, 233 électriquement conducteurs, représentés sous la forme de pistes d’interconnexion, formés sur un support diélectrique souple 231. Les pistes d’interconnexion 232, 233 peuvent s’étendre parallèlement à la direction longitudinale Z des puces élémentaires 211. Les pistes d’interconnexion 232, 233 sont par exemple métalliques, par exemple en cuivre. Le support diélectrique souple 231 est par exemple en un matériau polymère, tel qu’un polyimide. En variante, bien que cela ne soit pas représenté, les premières pistes d’interconnexion, et/ou les deuxièmes pistes d’interconnexion peuvent être positionnées sur la face arrière 230B du substrat d’interconnexion 230, c’est-à-dire sur le face arrière du support diélectrique souple 231. Dans ce cas, en général, on conserve au moins des pistes d’interconnexion, ou des portions de pistes d’interconnexion, sur la face avant 230A du substrat d’interconnexion 230. Par exemple, chaque piste d’interconnexion ou portion de piste d’interconnexion en face avant du substrat d’interconnexion se prolonge en face arrière du substrat d’interconnexion par l’intermédiaire d’un via conducteur. En variante, le substrat d’interconnexion peut être un substrat multicouches, tel qu’un flex multicouches, et prolonger des pistes d’interconnexion disposées en face avant du substrat d’interconnexion sur plusieurs plans, ou niveaux, séparés par une couche de diélectrique, une piste d’interconnexion d’un niveau pouvant être connectée à une autre piste d’interconnexion d’un autre niveau par un via conducteur Les premiers éléments d’interconnexion 232 sont destinés à être reliés aux premiers plots de connexion 212 et les deuxièmes éléments d’interconnexion 233 sont destinés à être reliés aux deuxièmes plots de connexion 221. Dans certains cas, les premiers éléments d’interconnexion 232 sont disjoints entre eux, et les deuxièmes éléments d’interconnexion 233 sont également disjoints entre eux de manière à connecter chaque puce élémentaire individuellement. Dans d’autres cas, les premiers éléments d’interconnexion 232 ou les deuxièmes éléments d’interconnexion 233 sont reliés entre eux et par exemple à un même potentiel électrique. De préférence, les premiers éléments d’interconnexion 232 sont disjoints des deuxièmes éléments d’interconnexion 233, de manière à éviter des courts-circuits entre eux, par exemple entre la terre et le signal électrique de chaque puce élémentaire. Dans l’exemple représenté, les premiers éléments d’interconnexion 232 sont proches d’un premier flanc latéral 210C de la puce monolithique 210, tandis que les deuxièmes éléments d’interconnexion 233 sont proches d’un deuxième flanc latéral 210D de la puce monolithique opposé au premier flanc latéral 210C. Le premier flanc latéral 210C est relié au premier bord latéral (arête commune) sur lequel il y a les premiers plots de connexion 212 en face avant 210A, et le deuxième flanc latéral 210D est relié au deuxième bord latéral (arête commune) sur lequel il y a les deuxièmes plots de connexion 221 en face avant 210A. Par exemple, les premiers et les deuxièmes éléments d’interconnexion 232, 233 ne sont pas présents sur une portion 230C du substrat d’interconnexion 230 recouverte par la puce monolithique 210. Les pistes d’interconnexion 232, 233 peuvent être reliées à un autre flex, à un circuit imprimé rigide, à un faisceau de câbles, ou tout autre élément permettant de relier les électrodes des transducteurs à des circuits électroniques externes ou internes à la sonde ultrasonore. Un ou plusieurs fils électriquement conducteurs, non détaillés sur la FIG. 2 , peuvent connecter électriquement le substrat d’interconnexion 230, par exemple pour contrôler les puces élémentaires 211. Le substrat d’interconnexion 230 peut être assemblé à la puce monolithique 210 en utilisant un film adhésif, tel qu’un film de fixation de puce, connu sous l’acronyme DAF, pour "Die Attach Film" en anglais. Le film adhésif peut être conducteur ou isolant. Le substrat d’interconnexion 230 peut également être assemblé à la puce monolithique 210 en utilisant une colle, par exemple une colle conductrice. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l’issue de la formation d’une couche de matériau diélectrique 202A, 202B (couche diélectrique) contre chaque flanc latéral 210C, 210D de la puce monolithique 210 de la FIG. 2 : une première couche diélectrique 202A contre le premier flanc latéral 210C et une deuxième couche diélectrique 202B contre le deuxième flanc latéral 210D. Les couches diélectriques 202A, 202B recouvrent également des portions du substrat d’interconnexion 230 localisées autour des flancs latéraux 210C, 210D de la puce monolithique. Les couches diélectriques 202A, 202B forment par exemple des bandes de matériau diélectrique couvrant les flancs latéraux de la puce monolithique. Le matériau diélectrique peut être une résine, par exemple une résine époxy, ou un silicone, ou tout autre matériau adapté à polymériser et durcir. La formation des couches diélectriques 202A, 202B peut être réalisée à l’aide d’un "dispenser", par exemple une seringue, adapté pour déposer le matériau diélectrique de manière calibrée, et qui est déplacé le long du flanc latéral pour réaliser le dépôt sur tout le flanc. En variante, la formation des couches diélectriques 202A, 202B peut être réalisée par un dépôt PVD (de l’anglais "physical vapor deposition", dépôt physique en phase vapeur). Ces exemples de matériaux, ainsi que ce procédé de dépôt, ne sont pas limitatifs. En variante, la couche diélectrique peut être formée par une technique d’impression 3D, en utilisant tout matériau diélectrique adapté. Les couches diélectriques 202A, 202B ne s’étendent pas sur la face avant 210A de la puce monolithique 210 et ainsi ne recouvrent pas les premiers et deuxièmes plots de connexion 212, 221, et sont adaptées pour laisser découverte au moins une portion de chacun des premiers et deuxièmes éléments d’interconnexion 232, 233, de manière à ce que les premiers et deuxièmes éléments d’interconnexion 232, 233 puissent être connectés respectivement aux premiers plots de connexion 212 et aux deuxièmes plots de connexion 221. Les couches diélectriques 202A, 202B permettent aussi d’exposer des faces non verticales à l’étape de métallisation décrite après. En outre, les couches diélectriques 202A, 202B permettent, en recouvrant bien les flancs 210C, 210D de la puce monolithique 210, d’éviter un court-circuit entre des électrodes d’une même puce élémentaire 211, par exemple lorsqu’une des électrodes d’une puce élémentaire est reliée au substrat 214. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l’issue du dépôt d’un masque 203 sur la structure de la FIG. 2 . Le masque 203 est configuré pour cacher les zones qui ne doivent pas être métallisées dans l’étape qui suit, par exemple pour éviter des courts-circuits, notamment les zones actives, les transducteurs des puces élémentaires 211, et les plots de connexion 212’ lorsqu’il y en a. Une zone active d’une puce élémentaire est une zone de, respectivement vers, laquelle les ondes ultrasonores sont émises, respectivement reçues. Le masque 203 est également configuré pour laisser découverts les premiers plots de connexion électrique 212 et les deuxièmes plots de connexion 221, les couches diélectriques 202A, 202B, ainsi qu’une portion de chacun des premiers et deuxièmes éléments d’interconnexion 232, 233. Le masque permet ainsi de réaliser précisément la connexion électrique des premiers et deuxièmes éléments d’interconnexion 232, 233 avec respectivement les premiers plots de connexion 212 et les deuxièmes plots de connexion 221 par la couche métallique décrite ci-dessous. Le masque 203 est par exemple un adhésif, une résine obtenue par photolithographie, ou tout autre matériau adapté à former un masque. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l’issue de la formation d’une couche métallique 204 sur la structure de la FIG. 2 , en particulier sur le masque 203, les premiers plots de connexion 212, les deuxièmes plots de connexion 221, les couches diélectriques 202A, 202B, ainsi que sur les portions non couvertes des premiers et deuxièmes éléments d’interconnexion 232, 233. La couche métallique 204 peut comprendre un empilement de couches, par exemple une couche d’accroche sur laquelle est positionnée une couche de métallisation. La couche d’accroche, optionnelle, peut comprendre du titane (Ti), du chrome (Cr). La couche d’accroche, optionnelle, peut présenter une épaisseur d’environ 10 nanomètres (nm). La couche de métallisation peut comprendre de l’or (Au), du cuivre (Cu), ou de l’aluminium (Al). La couche de métallisation peut présenter une épaisseur comprise entre environ 100 et 200 nm. La formation de la couche métallique 204 peut être réalisée par un dépôt PVD. En variante, la couche métallique peut être formée par une technique d’impression 3D, par exemple une technique de jet de liant métallique (en anglais, "metal binder jetting"). Dans ce cas, la couche métallique peut être déposée localement, de manière plus précise que par PVD, afin de réaliser la connexion électrique des premiers et deuxièmes éléments d’interconnexion 232, 233 avec respectivement les premiers plots de connexion 212 et les deuxièmes plots de connexion 221, sans venir relier les plots de connexion 212’ lorsqu’ils sont présents, et sans couvrir les transducteurs des puces élémentaires 211. L’étape de dépôt du masque peut alors être omise, ainsi que l’étape de retrait du masque décrite ci-après. La FIG. 2 illustre une structure obtenue à l’issue d’une étape de retrait du masque 203. En retirant le masque 203, les portions de couche métallique localisées sur ce masque sont également retirées, par une technique dite de "lift-off" en anglais. Les portions de la couche métallique 204 qui ne sont pas retirées forment deux bandes, ou portions, métalliques recouvrant les couches diélectriques 202A, 202B. Une première bande métallique 240A (première portion métallique) recouvrant la première couche diélectrique 202A assure une connexion électrique entre les premiers plots de connexion 212 et les premiers éléments d’interconnexion 232, et une deuxième bande métallique 240B (deuxième portion métallique) recouvrant la deuxième couche diélectrique 202B assure une connexion électrique entre les deuxièmes plots de connexion 221 et les deuxièmes éléments d’interconnexion 233. La FIG. 2 illustre une sonde ultrasonore 200 obtenue à l’issue d’une étape de découpe de la puce monolithique 210 sur une épaisseur donnée de manière à singulariser les puces élémentaires 211, l’étape de découpe incluant la découpe des première et deuxième bandes métalliques 240A, 240B en une pluralité de respectivement premières et deuxièmes pistes métalliques 241A, 241B. De manière préférentielle, on ne découpe pas le support diélectrique 231 du substrat d’interconnexion 230 sur toute son épaisseur afin de garder une tenue mécanique de l’ensemble. Toutefois, la découpe peut inclure une épaisseur de ce support 231. La précision du procédé de découpe permet généralement d’obtenir cela. Cette étape de découpe comprend généralement plusieurs découpes, chacune réalisée entre deux puces élémentaires selon une direction parallèle à la direction longitudinale des puces élémentaires, dans l’exemple selon une direction perpendiculaire à la direction longitudinale de la puce monolithique. Par exemple, chaque puce élémentaire 211 peut alors être connectée : - à un plot de signal via l’un des premiers éléments d’interconnexion 232, l’une des premières pistes métalliques 241A et le premier plot de connexion 212 de ladite puce élémentaire ; et - à la terre via l’un des deuxièmes éléments d’interconnexion 233, l’une des deuxièmes pistes métalliques 241B et le deuxième plot de connexion 221 de ladite puce élémentaire. La découpe peut être effectuée par toute méthode de découpe d’une puce en une pluralité de puces élémentaires, par exemple à l’aide d’une scie ou par découpe laser. L’étape de découpe de la puce monolithique 210 peut être réalisée sur une épaisseur minimale pour singulariser les connexions électriques de chaque puce élémentaire. Dans certains cas, par exemple pour faciliter l’enroulement du substrat d’interconnexion 230 une fois assemblé aux puces élémentaires 211, on peut laisser une épaisseur de puce non découpée qui permet de garder une rigidité de l’ensemble et cette épaisseur non découpée peut ensuite se rompre au moment de l’enroulement. Dans d’autres cas, la puce monolithique 210 peut être découpée sur toute son épaisseur. A l’issue de l’étape de découpe, le substrat d’interconnexion 230 peut en effet être enroulé autour d’un axe pour former une sonde cylindrique du type décrit en relation avec la FIG. 1 . L’axe d’enroulement, correspondant à la direction longitudinale de la sonde ultrasonore cylindrique finale, peut être sensiblement parallèle à la direction longitudinale Z des puces élémentaires 211. Plus généralement, le substrat d’interconnexion 230 assemblé aux puces élémentaires 211 peut être courbé selon une forme souhaitée. En variante, le substrat d’interconnexion 230 peut être maintenu sensiblement plan. Selon cette variante, la découpe de la puce monolithique 210 peut être réalisée sur l’épaisseur minimale pour singulariser les connexions électriques de chaque puce élémentaire. La FIG. 3 est une vue en coupe représentant des détails de la sonde ultrasonore 200 de la FIG. 2 . La FIG. 3 est une vue de dessus représentant la sonde ultrasonore 200 de la FIG. 3 . La sonde ultrasonore représentée comprend plusieurs puces élémentaires 211 et chaque puce élémentaire comprend plusieurs transducteurs ultrasonores 340. Ceci n’est pas limitatif et une puce élémentaire pourrait ne comprendre qu’un transducteur. Les transducteurs ultrasonores représentés dans les figures 3A et 3B sont des transducteurs de type CMUT, ou transducteurs capacitifs à membrane. Chaque transducteur 340 comprend une cavité 341, une première électrode 342, ou électrode supérieure, surmontant la cavité 341, et une deuxième électrode 343, ou électrode inférieure, disposée sous la cavité 341. Une couche d’isolant 344, par exemple en dioxyde de silicium SiO 2 , formant la membrane des transducteurs 340, est positionnée entre les cavités 341 et les électrodes supérieures 342. Les électrodes supérieures 342 des transducteurs d’une même puce élémentaire 211 sont reliées entre elles par une piste conductrice 302. Chaque puce élémentaire 211 comprend en outre un premier plot de connexion 212 relié à la piste conductrice 302, et ainsi aux électrodes supérieures 342, de cette puce élémentaire, et un deuxième plot de connexion 221 relié à l’électrode inférieure 343. Dans l’exemple représenté, l’électrode inférieure 343 est formée par une métallisation d’une portion située sous les cavités 341 du substrat 214 de la puce monolithique 210. La reprise de contact de l’électrode inférieure 343 avec le deuxième plot de connexion 221 peut être formée par un via conducteur 306 traversant la couche d’isolant 344 ainsi que le substrat 214 sur une épaisseur partielle. Cet exemple peut être appliqué pour un substrat en silicium non dopé, c’est-à-dire peu ou non conducteur. Cet exemple n’est pas limitatif et d’autres variantes apparaitront à la personne du métier. Selon une variante, lorsque le substrat est conducteur, par exemple lorsqu’il est en silicium dopé, la métallisation peut être omise, et l’électrode inférieure peut être formée par une portion du substrat 214 conducteur, la reprise de contact de l’électrode inférieure avec le deuxième plot de connexion 221 étant assurée par le via conducteur 306 traversant alors la couche d’isolant 344 jusqu’au substrat 214. Les couches diélectriques 202A, 202B sous forme de bandes sont formées sur chacun des deux flancs latéraux 210C, 210D des puces élémentaires 211. Le substrat d’interconnexion 230 comprend le support diélectrique souple 231 surmonté par les premiers éléments d’interconnexion 232 et les deuxièmes éléments d’interconnexion 233. Les premiers éléments d’interconnexion 232 sont reliés aux premiers plots de connexion 212 par les premières pistes métalliques 241A isolées électriquement du premier flanc latéral 210C par la première couche diélectrique 202A, et les deuxièmes éléments d’interconnexion 233 sont reliés aux deuxièmes plots de connexion 221 par les deuxièmes pistes métalliques 241B isolées électriquement du deuxième flanc latéral 210D par la deuxième couche diélectrique 202B. Les transducteurs des figures 3A et 3B pourraient être adaptés par une personne du métier pour former des transducteurs du type PMUT, ou transducteurs piézoélectriques à membrane. La méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore décrite en lien avec les figures 2A à 2H peut être mise en œuvre pour réaliser les connexions électriques des électrodes supérieures, par exemple pour transmettre un signal électrique, et des électrodes inférieures, par exemple pour être mises à la terre. En variante, la méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore peut être appliquée seulement pour les connexions électriques des électrodes supérieures ou seulement pour les connexions électriques des électrodes inférieures. Dans l’exemple de mise en œuvre décrit en relation avec les figures 2A à 2H, 3A et 3B, on a décrit des connexions électriques uniquement en face avant de la puce monolithique (c’est-à-dire en face avant des puces élémentaires), ce qui n’est pas limitatif. En variante, il est possible de prévoir des connexions électriques sur les deux faces, face avant et face arrière, de la puce monolithique, c’est-à-dire en faces avant et arrière des puces élémentaires. Par exemple, on peut réaliser les connexions électriques pour le signal électrique en face avant, et les connexions à la terre en face arrière, à condition d’adapter la méthode de fabrication. Des exemples de telles variantes sont décrits dans les figures qui suivent. La FIG. 4 est une vue en coupe représentant des détails d’une sonde ultrasonore 400 selon un autre mode de réalisation. La FIG. 4 est une vue de dessus représentant la sonde ultrasonore 400 de la FIG. 4 . Les puces élémentaires 411 représentées comprennent chacune plusieurs transducteurs ultrasonores 440. Ceci n’est pas limitatif et une puce élémentaire pourrait ne comprendre qu’un transducteur. Les transducteurs ultrasonores 440 représentés dans les figures 4A et 4B sont des transducteurs de type CMUT similaires à ceux décrits en relation avec les figures 3A et 3B, à ceci près que les électrodes inférieures 443 ne sont pas formées par métallisation, mais qu’elles sont formées par une portion du substrat 414 de la puce monolithique qui est alors un substrat conducteur. Ainsi, la sonde ultrasonore 400 des figures 4A et 4B se distingue de celle des figures 3A et 3B principalement en ce que les électrodes inférieures 443 des puces élémentaires 411 sont formées dans des portions (en pointillés) du substrat conducteur 414, et en ce que les électrodes inférieures 443 sont reliées aux deuxièmes éléments d’interconnexion 433 en face arrière des puces élémentaires 411, par des vias conducteurs 406 (en pointillés) formés dans d’autres portions du substrat conducteur 414, ainsi que par un plan métallique 434, par exemple en cuivre, formé sur la face de connexion 430A du substrat d’interconnexion 430. Au lieu d’un seul plan métallique, il pourrait s’agir de plusieurs troisièmes plots de connexion, chaque troisième plot de connexion étant relié à une électrode inférieure par exemple au moyen d’un via conducteur similaire au via conducteur 406. Au lieu de s’étendre de part et d’autre des puces élémentaires 411, les premiers éléments d’interconnexion 432, reliés aux premiers plots de connexion 212, et les deuxièmes éléments d’interconnexion 433, reliés au plan métallique 434, peuvent s’étendre à partir d’un même flanc latéral 210C (premier flanc latéral) des puces élémentaires 411. Les premiers éléments d’interconnexion 432 et les deuxièmes éléments d’interconnexion 433 peuvent être disposés en alternance les uns avec les autres, en étant isolés les uns des autres, comme ceci est illustré en FIG. 4 . Dans ce mode de réalisation, une seule couche diélectrique 202A suffit pour isoler le premier flanc latéral 210C, et les premières pistes métalliques 241A (provenant de la première bande métallique 240A découpée) viennent relier les premiers plots de connexion 212 aux premiers éléments d’interconnexion 432. Il n’y a pas de deuxième couche diélectrique, ni de deuxièmes pistes métalliques, puisque les connexions des électrodes inférieures aux deuxièmes éléments d’interconnexion sont réalisées en face arrière de la puce monolithique, c’est-à-dire en face arrière des puces élémentaires. Dans les exemples décrits en relation avec les figures 3A, 3B, 4A et 4B, on a décrit chaque électrode supérieure 342 avec une surface sensiblement égale à la surface de la cavité 341 qu’elle surmonte. Ceci n’est pas limitatif et chaque électrode supérieure 342 peut par exemple présenter une surface inférieure à la surface de la cavité 341 qu’elle surmonte. La FIG. 5 est une vue en coupe représentant des détails d’une sonde ultrasonore 500 selon un autre mode de réalisation. La FIG. 5 est une vue de dessus représentant la sonde ultrasonore de la FIG. 5 . La sonde ultrasonore 500 des figures 5A et 5B se distingue de celle des figures 4A et 4B principalement en ce chaque puce élémentaire 511 comprend un transducteur 540 comprenant une couche de matériau piézoélectrique massif ou composite. Le substrat d’interconnexion des figures 5A et 5B peut être similaire au substrat d’interconnexion 430 des figures 4A et 4B. Bien que cela ne soit pas représenté, le transducteur comprend généralement d’autres couches en complément de la couche de matériau piézoélectrique, par exemple une couche, ou lame, d’adaptation acoustique en face avant et une couche d’absorbant, ou backing, en face arrière. Le substrat 514 de la puce monolithique, et donc des puces élémentaires 511, est en un matériau piézoélectrique. Le substrat 514 est métallisé, partiellement ou totalement, sur ses faces avant et arrière pour former respectivement les électrodes supérieures 542 et les électrodes inférieures 543 des puces élémentaires 511. L’électrode supérieure 542 de chaque puce élémentaire 511 est reliée au premier plot de connexion 212 de la puce, elle-même reliée aux premiers éléments d’interconnexion 432 via les premières pistes métalliques 241A. L’électrode inférieure 543 de chaque puce élémentaire 511 est reliée au plan métallique 434 du substrat d’interconnexion 430, et le plan métallique 434 est relié aux deuxièmes éléments d’interconnexion 433. Au lieu d’un seul plan métallique, il pourrait s’agir de plusieurs troisièmes plots de connexion, chaque troisième plot de connexion étant relié à une électrode inférieure. La méthode décrite en lien avec les figures 2A à 2H peut être adaptée pour réaliser les sondes décrites en relation avec les figures 4A, 4B, 5A, 5B. La méthode peut notamment être adaptée pour relier seulement les premiers plots de connexion 212 aux premiers éléments d’interconnexion 432 via les premières pistes métalliques 241A isolées du premier flanc latéral 210C par la première couche diélectrique 202A. Il n’y a pas de deuxièmes plots de connexion en face avant de la puce monolithique, pas de deuxième couche diélectrique, et pas de deuxième portion métallique ni de deuxièmes pistes métalliques, puisque les connexions des électrodes inférieures aux deuxièmes éléments d’interconnexion sont réalisées en face arrière de la puce monolithique, c’est-à-dire en face arrière des puces élémentaires. La FIG. 6 représente trois exemples d’assemblage de la puce monolithique au substrat d’interconnexion dans une sonde ultrasonore selon un mode de réalisation. Dans les exemples représentés en figures 4A, 4B, 5A, 5B, la puce monolithique peut être assemblée au substrat d’interconnexion 430, en particulier au plan métallique 434 du substrat d’interconnexion, par un adhésif électriquement conducteur 402, par exemple un adhésif conducteur anisotrope, comme on le voit dans la FIG. 4 . Ceci est également représenté en FIG. 6 (A), où l’on voit un adhésif conducteur 602 sous forme de film conducteur entre la puce monolithique, par exemple l’électrode inférieure 543 de la FIG. 5 , et le plan métallique 434 du substrat d’interconnexion 430. En FIG. 6 (B), une colle conductrice 604 est introduite entre la puce monolithique, par exemple l’électrode inférieure 543 de la FIG. 5 , et le plan métallique 434 du substrat d’interconnexion 430. En FIG. 6 (C), une colle conductrice 606 est introduite en partie inférieure d’un flanc latéral de la puce monolithique, par exemple dans un mode de réalisation où le plan métallique 434 du substrat d’interconnexion 430 n’est pas positionné sous la puce monolithique mais à côté dudit flanc latéral, par exemple pour relier l’électrode inférieure 543 de la FIG. 5 au plan métallique 434. La colle conductrice 606 peut venir s’étaler entre la puce monolithique et le substrat d’interconnexion 430. La FIG. 7 est une vue en coupe représentant un détail d’une sonde ultrasonore 700 selon un autre mode de réalisation. La sonde ultrasonore 700 de la FIG. 7 se distingue des sondes précédemment décrites en ce qu’elle comprend en outre une couche isolante 702 sur les puces élémentaires et une couche de métallisation de blindage 704 sur la couche isolante 702. La couche isolante 702 est constituée d'un matériau diélectrique permettant en outre la propagation des ondes ultrasonores qui la traversent, par exemple du silicone. La couche de métallisation 704 peut être reliée à la terre via un élément d’interconnexion ou un plan de masse du substrat d’interconnexion 430, de préférence différent des éléments d’interconnexion ou du plan de masse prévus pour relier les électrodes inférieures des puces élémentaires à la terre. On a représenté sous la couche de silicone 702 la sonde 200 des figures 3A et 3B, mais cela pourrait être la sonde 400 des figures 4A et 4B, la sonde 500 des figures 5A et 5B ou tout autre sonde ultrasonore selon un mode de réalisation. Les sondes ultrasonores précédemment décrites, plus généralement les sondes selon les modes de réalisation, peuvent être destinées à être intégrées à un cathéter, par exemple pour des applications de diagnostic ou de traitement ultrasonore intravasculaire. D’autres applications peuvent être envisagées, par exemple des sondes d'échographie externe courbes, ou des sondes dont la surface du transducteur est conformable (patch ultrasonore). Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Méthode de fabrication d’une sonde ultrasonore (200 ; 400 ; 500) comprenant les étapes suivantes : - rapporter une face arrière (210B) d’une puce (210) sur une face de connexion (230A ; 430A) d’un substrat d’interconnexion (230 ; 430) comprenant des premiers éléments d’interconnexion (232 ; 432), la puce comportant une pluralité de puces élémentaires (211 ; 411 ; 511) comprenant chacune un premier plot de connexion électrique (212) situé sur un premier bord latéral en face avant (210A) de la puce, le premier bord latéral ayant une arête commune avec un premier flanc latéral (210C) de la puce, et au moins un transducteur ultrasonore (340 ; 440 ; 540) comportant une première électrode (342 ; 542) reliée au premier plot de connexion électrique, chaque premier élément d’interconnexion étant adapté à être relié au premier plot de connexion électrique d’une des puces élémentaires ; - former une première couche de matériau diélectrique (202A) de manière à recouvrir le premier flanc latéral (210C) de la puce ; - former une première portion métallique (240A) sur la première couche de matériau diélectrique (202A), les premiers plots de connexion électrique (212) et au moins une portion de chacun des premiers éléments d’interconnexion (232), de manière à relier électriquement les premiers plots de connexion électrique (212) et les premiers éléments d’interconnexion (232) ; puis - découper la puce (210) sur une épaisseur donnée de manière à séparer électriquement les puces élémentaires, la découpe de ladite puce incluant la découpe de la première portion métallique (240A) en une pluralité de premières pistes métalliques (241A) de sorte que chaque puce élémentaire est reliée électriquement, via son premier plot de connexion électrique, à un des premiers éléments d’interconnexion (232) par une desdites premières pistes métalliques. Méthode selon la revendication 1, dans laquelle : - le matériau diélectrique de la première couche de matériau diélectrique (202A) est une résine ou un silicone ; et/ou - former la première couche de matériau diélectrique (202A) comprend une étape de dépôt d’un matériau diélectrique et une étape de durcissement du matériau diélectrique déposé ; et/ou - la première couche de matériau diélectrique (202A) ne s’étend pas sur la face avant (210A) de la puce (210). Méthode selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle : - former la première portion métallique (240A) comprend : former un premier masque (203) sur l’ensemble puce (210) et substrat d’interconnexion (230), le premier masque étant configuré pour masquer les puces élémentaires (211) à l’exception des premiers plots de connexion électrique (212) qui sont laissés découverts, et pour laisser découverts au moins partiellement chacun des premiers éléments d’interconnexion (232) ; déposer une première couche métallique (204) sur l’ensemble puce et substrat d’interconnexion partiellement masqué ; et retirer le premier masque, le retrait du premier masque retirant également les portions de la première couche métallique localisées sur ledit premier masque ; et/ou - former la première portion métallique (240A) comprend une étape d’impression 3D, par exemple par une technique de jet de liant métallique. Méthode selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la découpe de la puce (210) : - inclut la découpe de la première couche diélectrique (202A) ; et/ou - comprend une étape de découpe laser et/ou une étape de découpe par sciage ; et/ou - exclut la découpe du substrat d’interconnexion (230 ; 430). Méthode selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle chaque puce élémentaire (211) comporte une deuxième électrode (343) reliée à un deuxième plot de connexion électrique (221) situé sur un deuxième bord latéral en face avant (210A) de la puce (210), le deuxième bord latéral ayant une arête commune avec un deuxième flanc latéral (210D) de la puce, et le substrat d’interconnexion (230) comprend des deuxièmes éléments d’interconnexion (233) disjoints des premiers éléments d’interconnexion (232), chaque deuxième élément d’interconnexion étant adapté à être relié au deuxième plot de connexion électrique d’une des puces élémentaires ; la méthode comprenant en outre : - former une deuxième couche de matériau diélectrique (202B) de manière à recouvrir le deuxième flanc latéral (210D) de la puce ; - former une deuxième portion métallique (240B) sur la deuxième couche de matériau diélectrique (202B), les deuxièmes plots de connexion électrique (221) et au moins une portion de chacun des deuxièmes éléments d’interconnexion (233), de manière à relier électriquement les deuxièmes plots de connexion électrique (221) et les deuxièmes éléments d’interconnexion (233) ; la découpe de la puce incluant la découpe de la deuxième portion métallique (240B) en une pluralité de deuxièmes pistes métalliques (241B) de sorte que chaque puce élémentaire est reliée électriquement, via son deuxième plot de connexion électrique, à un des deuxièmes éléments d’interconnexion (232) par une desdites deuxièmes pistes métalliques. Méthode selon la revendication 5, dans laquelle : - le matériau diélectrique de la deuxième couche de matériau diélectrique (202B) est une résine ou un silicone ; et/ou - former la deuxième couche de matériau diélectrique (202B) comprend une étape de dépôt d’un matériau diélectrique et une étape de durcissement du matériau diélectrique déposé ; et/ou - la deuxième couche de matériau diélectrique (202B) ne s’étend pas sur la face avant (210A) de la puce (210). Méthode selon la revendication 5 ou 6, dans laquelle : - former la deuxième portion métallique (240B) comprend : déposer un deuxième masque (203) sur l’ensemble puce (210) et substrat d’interconnexion (230), le deuxième masque étant configuré pour masquer les puces élémentaires (211) à l’exception des deuxièmes plots de connexion électrique (221) qui sont laissés découverts et pour laisser découverts au moins partiellement chacun des deuxièmes éléments d’interconnexion (233) ; déposer une deuxième couche métallique (204) sur l’ensemble puce et substrat d’interconnexion partiellement masqués ; et retirer le deuxième masque, le retrait du deuxième masque retirant également les portions de la deuxième couche métallique localisées sur ledit deuxième masque ; et/ou - former la deuxième portion métallique (240B) comprend une étape d’impression 3D, par exemple par une technique de jet de liant métallique. Méthode selon la revendication 7, dans laquelle les premier et deuxième masques sont un même masque, les première et deuxième couches métalliques sont une même couche métallique, les première et deuxièmes portions métalliques étant réalisées simultanément. Méthode selon l’une quelconque des revendications 5 à 8, dans laquelle la découpe de la puce (210) : - inclut la découpe de la deuxième couche diélectrique (202B) ; et/ou - comprend une étape de découpe laser et/ou une étape de découpe par sciage ; et/ou - exclut la découpe du substrat d’interconnexion (230 ; 430). Méthode selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre une étape de courbure du substrat d’interconnexion assemblé aux puces élémentaires selon une forme souhaitée, par exemple une forme cylindrique. Sonde ultrasonore (200 ; 400 ; 500) comportant : - une puce (210) comportant une pluralité de puces élémentaires (211 ; 411 ; 511) séparées électriquement les unes des autres, chaque puce élémentaire comprenant : un premier plot de connexion électrique (212) situé sur un premier bord latéral en face avant (210A) de la puce, le premier bord latéral ayant une arête commune avec un premier flanc latéral (210C) de la puce ; et au moins un transducteur ultrasonore (340 ; 440 ; 540) comportant une première électrode (342 ; 542) reliée au premier plot de connexion électrique ; - un substrat d’interconnexion (230 ; 430) comprenant une face de connexion (230A ; 430A) sur laquelle une face arrière (210B) de la puce, opposée à la face avant (210A), est rapportée, le substrat d’interconnexion comprenant des premiers éléments d’interconnexion (232 ; 432) ; - une première couche de matériau diélectrique (202A) recouvrant le premier flanc latéral (210C) de la puce ; et - une pluralité de premières pistes métalliques (241A) sur la première couche de matériau diélectrique ; chaque puce élémentaire étant reliée électriquement, via son premier plot de connexion électrique (212), à un des premiers éléments d’interconnexion (232) par une desdites premières pistes métalliques . Sonde ultrasonore (200) selon la revendication 11, dans laquelle chaque puce élémentaire (211) comprend une deuxième électrode (343) reliée à un deuxième plot de connexion électrique (221) situé sur un deuxième bord latéral en face avant (210A) de la puce (210), le deuxième bord latéral ayant une arête commune avec un deuxième flanc latéral (210D) de la puce, et le substrat d’interconnexion (230) comprend des deuxièmes éléments d’interconnexion (233) disjoints des premiers éléments d’interconnexion (232), la sonde comprenant en outre : - une deuxième couche de matériau diélectrique (202B) recouvrant le deuxième flanc latéral (210D) de la puce ; et - une pluralité de deuxièmes pistes métalliques (241B) sur la deuxième couche de matériau diélectrique ; chaque puce élémentaire étant reliée électriquement, via son deuxième plot de connexion électrique, à un des deuxièmes éléments d’interconnexion (232) par une desdites deuxièmes pistes métalliques. Méthode selon l’une quelconque des revendications 5 à 9, ou sonde ultrasonore selon la revendication 12, dans laquelle les premiers éléments d’interconnexion (232) et les deuxièmes éléments d’interconnexion (233) sont positionnés latéralement de part et d’autre de la puce (210). Méthode selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, ou sonde ultrasonore selon la revendication 11, dans laquelle chaque puce élémentaire (411 ; 511) comprend une deuxième électrode (443 ; 543) reliée à la face arrière (210B) de la puce (210), elle-même reliée à un plan métallique (434) ou à un troisième plot de connexion électrique sur la face de connexion (430A) du substrat d’interconnexion (430), le substrat d’interconnexion comprenant en outre des deuxièmes éléments d’interconnexion (433) reliés audit plan métallique ou audit troisième plot de connexion électrique, et disjoints des premiers éléments d’interconnexion (432). Méthode selon la revendication 14, ou sonde ultrasonore selon la revendication 14, dans laquelle les premiers éléments d’interconnexion (432) et les deuxièmes éléments d’interconnexion (433) sont positionnés latéralement d’un même côté de la puce, par exemple en alternance les uns avec les autres. Méthode selon la revendication 14 ou 15, ou sonde ultrasonore selon la revendication 14 ou 15, dans laquelle le plan métallique (434) ou le troisième plot de connexion électrique : - est disposé entre la puce (210) et le substrat d’interconnexion (430) et est relié à la face arrière de la puce par un adhésif (402 ; 602 ; 604), par exemple un film ou une colle, électriquement conducteur positionné entre ledit plan métallique ou ledit troisième plot de connexion électrique et ladite face arrière ; ou - est disposé près d’un flanc latéral de la puce (210) et est relié à la face arrière de ladite puce par un adhésif (606), par exemple une colle, électriquement conducteur positionné entre ledit flanc latéral et ledit plan métallique ou ledit troisième plot de connexion électrique. Sonde ultrasonore selon l’une quelconque des revendications 11 à 16, ou méthode de fabrication selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, 13 à 16, dans laquelle : - le substrat d’interconnexion (230 ; 430) est flexible ; et/ou - les transducteurs ultrasonores sont des transducteurs capacitifs micro-usinés à ultrasons, des transducteurs piézoélectriques micro-usinés à ultrasons ou des transducteurs piézoélectriques massifs ou composites.