FR 3157658 A1 20250627 FR 2314894 A 20231221 Un aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif comprenant une pluralité de pixels, le procédé comprenant une étape de formation d’un premier groupe de pixels (40) sur le substrat (11) comprenant les sous-étapes suivantes : Dépôt, sur des électrodes inférieures (41) des pixels déposées sur le substrat, d’un premier empilement (421) de couches organiques et d’une première couche conductrice (16) sur le premier empilement (421) de couches organiques, Gravure d’au moins d’une partie de la première couche conductrice pour former des cavités (30) ayant une profondeur strictement inférieure à l’épaisseur de la première couche conductrice, les cavités étant situées au droit d’espaces s’étendant entre des électrodes inférieures des pixels du premier groupe, Gravure anisotrope de la première couche conductrice et du premier empilement de couches organiques de sorte à prolonger les cavités à travers la première couche conductrice et le premier empilement de couches organiques, des portions résiduelles (431) de la première couche conductrice subsistant entre les cavités. Figure à publier avec l’abrégé : Figure 7 PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF COMPRENANT UNE PLURALITÉ DE PIXELS DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des dispositifs et composants optoélectroniques et plus particulièrement celui des dispositifs semiconducteurs organiques. La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif comportant une pluralité de pixels OLED (pour « Organic Light- Emitting Diodes » en anglais) ou OPD (pour « Organic Photo-Diodes » en anglais). La présente invention trouve une application avantageuse pour la réalisation d’écrans d’affichage d’objets électroniques, et en particulier pour la réalisation d’écrans d’affichage couleur à haute résolution. L’expression « haute résolution » désigne des pixels de taille inférieure à 15 µm. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION D’une manière générale, un paramètre important pour les dispositifs d’affichage matriciels est d’avoir des surfaces émissives (c’est-à-dire les pixels) les plus lumineuses possibles et les plus petites possibles. Dans le domaine des dispositifs d’affichage OLED à résolution améliorée, on connaît les afficheurs matriciels de type OLED qui présentent des pixels de taille inférieure à 15 µm, typiquement entre 5 µm et 12 µm. Lorsque ce type d’afficheur matriciel est en couleur, chaque pixel est subdivisé en sous-pixels de différentes couleurs (typiquement, trois, ayant pour couleur le rouge, le vert et le bleu) qui coopèrent pour que le pixel émette la couleur souhaitée. Chaque sous-pixel est une source de lumière élémentaire et présente une taille inférieure à 10 µm, par exemple 3 µm ou 6 µm. Chaque sous-pixel est généralement formé de plusieurs éléments superposés, dont une électrode inférieure (l’anode) déposée sur un substrat commun, plusieurs couches organiques (dont une au moins est émissive) formant un empilement OLED sur chaque électrode inférieure, et une électrode supérieure (la cathode). Pour améliorer les flux lumineux des pixels OLED, on connait les dispositifs d’affichage OLED avec des pixels OLED de structure multi-empilements, aussi appelés pixels de structure « multistack » selon la terminologie anglosaxonne couramment utilisée. Dans de tels dispositifs, l’empilement OLED comprend plusieurs diodes OLED superposées et séparées les unes des autres par une couche conductrice d’interconnexion (aussi appelée CGL pour « Charge Generation Layer » en anglais), généralement également de nature organique. L’utilisation de plusieurs diodes OLED superposées, au lieu d’une seule, permet d’augmenter la luminance du pixel puisque les flux lumineux des diodes OLED s’additionnent. En raison de la complexité à structurer les couches organiques avec la résolution souhaitée (typiquement une résolution correspondant à des pixels de dimensions latérales inférieures à 15 µm), on préfère généralement ne séparer que les électrodes inférieures les unes des autres pour former une matrice de pixels OLED multistack. Les autres éléments (empilement OLED, couche conductrice d’interconnexion, électrode supérieure) sont ainsi laissés sous forme de couches communes à tous les pixels. Cet arrangement conduit toutefois à l’apparition de phénomènes de diaphonie entre pixels voisins, aussi appelés « crosstalk » en anglais, qui dégradent les performances du dispositif d’affichage (essentiellement, ils conduisent à une dénaturation des couleurs et un floutage de l’image affichée par le dispositif d’affichage OLED). Ces effets de diaphonie sont dus à des effets capacitifs entre pixels voisins, ou à des courants parasites circulant entre pixels voisins à travers les couches conductrices communes des empilements OLED et la couche d’interconnexion. Ils sont exacerbés dans le cas des structures multistack en raison de la présence de la ou des couches d’interconnexion conductrices, qui facilite la circulation des courants. Ils sont, aussi, exacerbés lorsque la taille des pixels diminue. Pour réduire les phénomènes de diaphonie, une approche consiste à discrétiser toutes les couches de matériaux (dont les couches organiques) formant les pixels. Les documents FR3079909A1 et US2023/0041252A1 décrivent ainsi des structures de séparation entre les pixels qui permettent de discrétiser de manière douce les couches organiques. L’expression « de manière douce » signifie ici sans mise en œuvre d’étapes de masquage et de retrait qui, généralement, nécessitent des environnements (humidité, température supérieure à 90°C, solvants, ultra-violets, etc.) délétères pour les matériaux organiques. Le document FR3079909 A1 décrit ainsi un premier dispositif d’affichage OLED dans lequel les électrodes inférieures de chaque sous-pixel sont séparées les unes des autres par un mur isolant s’élevant à la verticale du substrat. Chaque mur agit comme un séparateur entre deux sous-pixels voisins. Ce même document FR3079909 décrit un deuxième dispositif dans lequel les murs isolants sont remplacés par des tranchées dans lesquelles une couche isolante est déposée. Les murs isolants et les tranchées sont formés avant que les couches organiques soient déposées par évaporation thermique et jouent le même rôle. Comme la technique de dépôt par évaporation est majoritairement directive, les couches organiques sont préférentiellement déposées sur les parois horizontales du dispositif, et non sur les parois latérales des murs isolants ou des tranchées. Chaque couche organique est ainsi rompue (ou discrétisée) au niveau des murs isolants ou des tranchées. La directivité du dépôt de l’empilement OLED n’est toutefois en pratique jamais totale. Des particules organiques peuvent ainsi être aussi déposées sur les parois latérales des murs isolants ou des tranchées. Or, ces particules sont indésirables car elles dégradent l’isolation (électrique, optique) entre les sous-pixels et contribuent à créer les phénomènes de diaphonie décrits précédemment. Le document US2023/0041252A1 offre une solution à ce problème en décrivant des séparateurs de sous-pixels qui sont disposés sur un substrat et présentent une structure en forme de champignon (ou « hang-over » selon la terminologie anglaise utilisée dans ce document). Plus précisément, cette structure en champignon comprend une partie inférieure ayant des pans obliques, formant le pied du champignon. Elle comprend également une partie supérieure, de largeur supérieure à celle de la partie inférieure, qui masque une région du substrat. Cette partie supérieure forme le chapeau du champignon. Les sous-pixels sont formés une fois les structures en champignon en place. L’empilement OLED est alors déposé sur ces structures et rompu au niveau des parties supérieures. La rupture de l’empilement OLED est réalisée avec une fiabilité satisfaisante puisqu’aucune particule organique ne peut être déposée sur la région du substrat masquée par la partie supérieure ni sur les parois latérales de la structure en champignon (la partie inférieure n’est pas accessible depuis le haut car elle est cachée par la partie supérieure). Ainsi, le degré de directivité du dépôt de l’empilement OLED importe peu. Ces structures en champignon sont toutefois particulièrement complexes à réaliser et peu compactes (verticalement, elles présentent une hauteur de l’ordre de 1 µm ou plus). De plus, la réalisation de la cathode commune impose d’utiliser un équipement de dépôt spécialement conçu pour la fabrication du dispositif. Il s’agit en effet de réaliser un dépôt d’une couche métallique sous la partie supérieure des structures en champignon, selon un angle bien particulier déterminé par l’inclinaison des pans des parties inférieures. Il n’est donc pas aisé, ni économiquement avantageux, de déployer un tel procédé de fabrication. Il existe donc toujours un besoin d’un procédé de fabrication de dispositif d’affichage de type OLED possédant une résolution élevée et une efficacité améliorée qui soit moins coûteux et plus simple à mettre en œuvre. L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en permettant de discrétiser l’ensemble des couches de matériaux formant chaque pixel sans utiliser de structures de séparation. Le terme « pixel » désigne un sous-pixel, c’est-à-dire le plus petit élément composant un pixel du dispositif semiconducteur organique. Un premier aspect de l’invention concerne ainsi un procédé de fabrication d’un dispositif comprenant une pluralité de pixels disposés sur un substrat, chaque pixel comprenant une électrode inférieure, une électrode supérieure, et un élément actif disposé entre les électrodes inférieure et supérieure, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fourniture d’une structure comprenant le substrat et les électrodes inférieures des pixels, les électrodes inférieures étant espacées les unes des autres et disposées sur une première surface du substrat, dite surface active, Formation d’un premier groupe de pixels sur le substrat, en accomplissant les sous-étapes suivantes : Dépôt, sur la surface active du substrat, d’un premier empilement de couches organiques configuré pour générer ou absorber un premier rayonnement, Dépôt d’une première couche conductrice sur le premier empilement de couches organiques, Gravure d’une partie au moins de la première couche conductrice pour former des cavités ayant une profondeur strictement inférieure à l’épaisseur de la première couche conductrice, les cavités étant situées au droit d’espaces s’étendant entre des électrodes inférieures des pixels du premier groupe, Gravure anisotrope de la première couche conductrice et gravure anisotrope du premier empilement de couches organiques de sorte à prolonger les cavités à travers la première couche conductrice et le premier empilement de couches organiques, des portions résiduelles de la première couche conductrice subsistant entre les cavités, d’où il résulte les pixels du premier groupe séparés les uns des autres par les cavités. Un rayonnement est ici entendu comme un rayonnement lumineux qui comprend au moins une longueur d’onde dans le spectre visible et infra-rouge, c’est-à-dire dans la plage de longueurs d’onde s’étendant entre 400 nm et 2500 nm. Ainsi, l’utilisation, comme masque de gravure de l’empilement de couches organiques, d’une couche conductrice (ici appelée première couche conductrice) destinée à être conservée en partie dans le dispositif (les portions résiduelles de cette couche font partie des pixels), autrement dit qui subsiste en partie à la fin du procédé de fabrication, permet de s’affranchir d’une étape de retrait de masque (ou « stripping » en anglais). Une étape de retrait de masque comme celles employées lors de la fabrication des dispositifs semiconducteurs non organiques est incompatible avec la technologie OLED (pour « Organic Light-Emitting Diodes » en anglais) ou OPD (pour « Organic Photo-Diodes » en anglais). En effet, cette étape de retrait du masque nécessite l’application, sur le substrat, d’environnements particulièrement agressifs, et donc destructeurs, pour les couches organiques. Il peut s’agir de solvants (dans le cas d’un masque en résine), d’une exposition à un plasma (dans le cas d’un masque dur) ou/et de l’utilisation de températures élevées, supérieures à 100°C. Le procédé de fabrication selon l’invention ne comporte donc aucune étape de retrait d’un masque de gravure qui serait en contact avec les matériaux organiques constituant l’élément actif de chaque pixel (parce que cette étape n’est plus nécessaire). Ainsi, les matériaux organiques sont préservés. En outre, le procédé est plus simple à mettre en œuvre que les procédés de l’art antérieur, basés sur des structures de séparation entre les pixels, et adapté pour former des pixels de taille pouvant aller jusqu’à 1 µm (c’est-à-dire pour atteindre la haute résolution souhaitée). De plus, grâce aux gravures anisotropes de la première couche conductrice et du premier empilement de couches organiques, des pixels séparés physiquement les uns des autres sur toute leur hauteur sont obtenus. Cela permet d’éviter des phénomènes de diaphonie électrique puisque les courants ne peuvent plus circuler entre les pixels. Cela permet, aussi, de réduire les phénomènes de diaphonie optique entre pixels. En effet, les cavités qui séparent les pixels permettent de créer une rupture d’indice entre les pixels et leur environnement extérieur, ce qui conduit au confinement des flux lumineux dans la zone des pixels. Ainsi, grâce à l’invention, un dispositif semiconducteur organique à haute résolution et de meilleures performances est fabriqué de manière simple. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : La sous-étape de gravure anisotrope est effectuée sous atmosphère dépourvue en oxygène. La structure fournie comprend une couche électriquement isolante disposée sur la surface active du substrat et enrobant latéralement l’électrode inférieure de chaque pixel, la couche électriquement isolante servant de couche d’arrêt lors de la gravure anisotrope du premier empilement de couches organiques. L’étape de formation du premier groupe de pixels sur le substrat comprend en outre : entre le dépôt du premier empilement de couches organiques et le dépôt de la première couche conductrice, le dépôt d’une deuxième couche conductrice formée d’un métal, entre la gravure anisotrope de la première couche conductrice et la gravure anisotrope du premier empilement de couches organiques, une gravure anisotrope de la deuxième couche conductrice. Le premier empilement de couches organiques est configuré pour générer le premier rayonnement et l’étape de formation du premier groupe de pixels sur le substrat comprend en outre : Entre le dépôt du premier empilement de couches organiques et le dépôt de la deuxième couche conductrice, les opérations suivantes : Dépôt d’une couche conductrice d’interconnexion sur le premier empilement de couches organiques, la couche conductrice d’interconnexion étant adaptée à connecter le premier empilement de couches organiques à un deuxième empilement de couches organiques, Dépôt du deuxième empilement de couches organiques sur la couche conductrice d’interconnexion, Entre la gravure anisotrope de la deuxième couche conductrice et la gravure anisotrope du premier empilement de couches organiques, une gravure anisotrope de la couche conductrice d’interconnexion et une gravure anisotrope du deuxième empilement de couches organiques, d’où il résulte les pixels séparés les uns des autres et ayant une structure tandem. La couche conductrice d’interconnexion est formée d’un matériau conducteur métallique ou organique. La première couche conductrice est formée d’un métal et présente une épaisseur initiale déterminée pour que l’épaisseur des portions résiduelles de la première couche conductrice soit inférieure à 20 nm, de préférence comprise entre 10 nm et 20 nm. La première couche conductrice est formée d’un matériau conducteur et transparent tel qu’un oxyde conducteur transparent (TCO). Le procédé de fabrication peut comprendre, après l’étape de formation des pixels sur le substrat, une étape de dépôt d’une couche de passivation sur les pourtours des pixels et sur la surface du substrat. Le dépôt de la couche de passivation est effectué de manière conforme. Le procédé de fabrication peut comprendre après l’étape de dépôt de la couche de passivation, une étape de formation d’une électrode commune comprenant les sous-étapes suivantes : Ouverture de la couche de passivation de manière à créer un accès à l’électrode supérieure de chaque pixel, Formation d’une troisième couche conductrice continue sur les pixels et sur le substrat entre les pixels et sur une piste de contact électrique disposée sur une deuxième surface du substrat périphérique à la surface active, d’où il résulte l’électrode commune reliant l’électrode supérieure de chaque pixel à la piste de contact électrique. La troisième couche conductrice peut être transparente. Alternativement, la troisième couche conductrice est réfléchissante et le substrat est transparent. Lorsque la couche conductrice est réfléchissante, la troisième couche conductrice présente une épaisseur supérieure à 50 nm. Le procédé de fabrication peut comprendre, après l’étape de dépôt de la couche de passivation, une étape de formation d’un deuxième groupe de pixels sur une autre partie des électrodes inférieures, comprenant les sous-étapes suivantes : Ouverture de la couche de passivation de manière à créer un accès à chaque électrode inférieure des pixels du deuxième groupe, Dépôt, sur la surface active du substrat, d’un troisième empilement de couches organiques configuré pour générer un rayonnement distinct du premier rayonnement, Dépôt d’une quatrième couche conductrice sur le troisième empilement de couches organiques, Gravure d’au moins une partie de la quatrième couche conductrice pour former des cavités ayant une profondeur inférieure ou égale à l’épaisseur de la quatrième couche conductrice, les cavités étant situées au droit d’espaces s’étendant entre des électrodes inférieures des pixels du deuxième groupe, Gravure anisotrope de la quatrième couche conductrice et gravure anisotrope du troisième empilement de couches organiques de sorte à prolonger les cavités à travers la quatrième couche conductrice et le troisième empilement de couches organiques, des portions résiduelles de la quatrième couche conductrice subsistant entre les cavités, d’où il résulte, en plus des pixels du premier groupe, les pixels du deuxième groupe séparés les uns des autres par les cavités. Un deuxième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif comprenant une pluralité de pixels disposés sur un substrat, chaque pixel comprenant une électrode inférieure, une électrode supérieure, et un élément actif disposé entre les électrodes inférieure et supérieure, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fourniture d’une structure comprenant le substrat et les électrodes inférieures des pixels, les électrodes inférieures étant espacées les unes des autres et disposées sur une première surface du substrat, dite surface active, Formation d’un premier groupe de pixels sur le substrat, en accomplissant les sous-étapes suivantes : Dépôt, sur la surface active du substrat, d’un premier empilement de couches organiques configuré pour générer ou absorber un premier rayonnement, Dépôt d’une deuxième couche conductrice formée d’un métal sur le premier empilement de couches organiques, Dépôt d’une première couche conductrice sur le premier empilement de couches organiques, Gravure d’au moins une partie de la première couche conductrice pour former des cavités ayant une profondeur inférieure ou égale à l’épaisseur de la première couche conductrice, les cavités étant situées au droit d’espaces s’étendant entre des électrodes inférieures des pixels du premier groupe, Gravure anisotrope de la première couche conductrice et gravure anisotrope du premier empilement de couches organiques de sorte à prolonger les cavités à travers la première couche conductrice, la deuxième couche conductrice et le premier empilement de couches organiques, des portions résiduelles de la première couche conductrice subsistant entre les cavités, d’où il résulte les pixels du premier groupe séparés les uns des autres par les cavités. L’invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l’examen des figures qui l’accompagnent. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. La FIG. 1 représente, sous forme schématique, une vue de coupe d’un exemple de pixel d’un dispositif d’affichage électroluminescent, Les figures 2 à 14 représentent un premier mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication de dispositif d’affichage électroluminescent conforme à l’invention, Les figures 15 à 19 représentent un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de dispositif d’affichage électroluminescent conforme à l’invention, La FIG. 20 représente un troisième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de dispositif d’affichage électroluminescent conforme à l’invention, La FIG. 21 représentent un quatrième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication de dispositif d’affichage électroluminescent conforme à l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE La présente invention vise à améliorer les procédés de fabrication des dispositifs comprenant une matrice de pixels organiques (c’est-à-dire de pixels constitués en partie de matériaux organiques). La présente invention concerne en particulier un procédé de fabrication qui vise à améliorer la phase de séparation des pixels. Plus particulièrement encore, la présente invention vise à séparer physiquement les pixels entre eux de manière plus simple que les solutions de l’état de l’art basées sur des éléments de séparation entre les pixels. La présente invention trouve par exemple une application avantageuse pour la fabrication de dispositifs comprenant une matrice de pixels OLED (pour « Organic Light Emitting Diode » en anglais) à résolution améliorée, aussi appelés dispositifs d’affichage électroluminescent OLED ou micro-afficheurs OLED. La présente invention permet en effet d’obtenir des dispositifs d’affichage commodes à fabriquer et de meilleure facture, puisque les phénomènes de diaphonie entre pixels OLED sont réduits. Naturellement, la présente invention peut aussi s’appliquer à la fabrication d’autres dispositifs d’affichage de type OLED, tels que écrans OLED pour des applications de télévision ou toute autre source lumineuse à base de pixels OLED. La présente invention peut en outre s’appliquer à la fabrication de dispositifs comprenant une matrice de pixels OPD (pour « Organic Photo-Diode »). Les figures 2 à 11 illustrent un premier mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication conforme à l’invention, utilisé préférentiellement pour produire un dispositif d’affichage électroluminescent. La FIG. 7 montre, sous forme schématique, un premier mode de réalisation d’un dispositif d’affichage électroluminescent OLED 1 (aussi noté « dispositif d’affichage 1 » par la suite) obtenu à l’issue d’une étape E2 de formation d’un premier groupe de pixels sur un substrat, selon le premier mode de mise en œuvre du procédé de fabrication. Comme le montre la FIG. 7 , le premier mode de réalisation du dispositif d’affichage 1 comporte une pluralité de pixels 40 disposés sur un substrat 11. Le substrat 11 présente une surface supérieure 11a (aussi notée « surface du substrat 11 par la suite) qui s’étend dans un plan {X,Y}. Ce plan définit le plan du substrat. Les directions et les dimensions seront par la suite désignées en fonction de ce plan {X,Y} du substrat. Ainsi, le terme « latéral » désigne une direction comprise dans le plan du substrat 11 ou dans un plan parallèle au plan du substrat 10, tandis que le terme « vertical » désigne une direction selon un axe Z perpendiculaire au plan {X,Y} du substrat. Les termes « hauteur », « épaisseur » et « profondeur » se réfèrent à des dimensions mesurées perpendiculairement au plan {X,Y} du substrat, soit selon l’axe Z. Le terme « longueur » se réfère à une dimension mesurée dans un plan parallèle au plan du substrat 11. Le substrat 11 est avantageusement un circuit spécialisé ou ASIC (pour « Application Specific Integrated Circuit » en anglais) de type CMOS (pour « Complementary Metal Oxyde Semiconductor » formé à partir d’une plaquette de silicium. Ce type de circuit est en effet bien adapté pour adresser des pixels 40 de dimensions latérales inférieures à 15 µm. Notons qu’un tel substrat 11 est opaque et que le dispositif d’affichage 1 est alors de type émission par le haut (ou « TOP émission » selon la terminologie couramment utilisée). Dans la suite de la description, les termes « transparent » et « opaque » se réfèrent à un élément qui, présente, pour au moins une longueur d’onde de la bande spectrale 400-800 nm, un coefficient de transmission optique respectivement supérieur à 60%, et inférieur ou égal à 60%. Alternativement, le substrat 11 peut comprendre des transistors en couches minces ou TFT (pour « Thin Film Transistor » en anglais) réalisés avec du silicium amorphe, du silicium polycristallin et/ou déposés sur une plaque de verre. Le substrat 11 peut ainsi être transparent. Le dispositif d’affichage 1 peut alors être de type émission par le bas (ou « BOTTOM émission » selon la terminologie couramment utilisée). Le substrat 11 comprend un circuit d’adressage et une pluralité de plots de contacts 113 des pixels (pour plus de lisibilité, le circuit d’adressage ne sont représentés ni sur la FIG. 7 , ni sur les autres figures, et les plots de contact 113 ne sont représentés que sur les figures 2 et 9). Le circuit d’adressage est configuré pour adresser les pixels 40. Les plots de contacts 113 sont formés d’un matériau conducteur. Ils sont espacés les uns des autres et affleurent à la surface 11a du substrat 11. Les plots de contact 113 permettant de réaliser une connexion électrique entre chaque pixel 40 et le circuit d’adressage. Pour un dispositif d’affichage à résolution améliorée, les pixels 40 ont de préférence des dimensions latérales inférieures à 15 µm, de préférence comprises entre 15 µm et 3 µm, par exemple égales à 4 µm. En vue de dessus, ils ont avantageusement une forme carrée. La taille des pixels désignera ci-après le côté du carré. Comme le montre la partie encadrée de la FIG. 7 , chaque pixel 40 comporte une électrode inférieure 41 disposée sur le substrat 11, une électrode supérieure 43 et un élément actif 42 disposé entre l’électrode inférieure 41 et l’électrode supérieure 43. L’électrode inférieure 41 du pixel est de préférence formée d’un ou plusieurs métaux, avantageusement choisis parmi les métaux suivants : argent (Ag), chrome (Cr), Aluminium (Al), Titane (Ti). L’électrode inférieure 41 est de préférence réfléchissante pour un dispositif de type émission par le haut. Dans ce cas, son épaisseur est supérieure à 15 nm. L’électrode inférieure 41 réfléchissante est utilisée de manière préférentielle lorsque le substrat 11 est opaque. Alternativement, l’électrode inférieure 41 est transparente pour un dispositif du type émission par le bas. Dans ce cas, son épaisseur est inférieure à 15 nm. L’électrode inférieure 41 transparente est utilisée de manière préférentielle lorsque le substrat 11 est transparent. Les électrodes inférieures 41 des pixels sont de préférence formées par structuration d’une couche conductrice ou de plusieurs couches conductrices empilées et formées de matériaux conducteurs différents. En référence à la FIG. 7 , l’électrode inférieure 41 présente une face inférieure 41a reliée à la surface 11a du substrat et une face supérieure 41b opposée reliées par une surface latérale périphérique. L’électrode inférieure 41 présente également une hauteur e 41 . L’électrode inférieure 41 présente enfin, dans un plan parallèle au plan {X,Y} du substrat, une surface, ou section, qui peut prendre différentes formes (carrée, circulaire, rectangulaire, etc.). Sur la FIG. 7 , la section de l’électrode inférieure 41 est ici de forme carrée. La surface latérale périphérique 41d est alors constituée de quatre facettes correspondants aux quatre faces latérales (aussi appelés bords périphériques par la suite) 41c de l’électrode inférieure 41. Sur la vue de coupe de la FIG. 7 , deux de ces parois latérales 41c sont visibles. La section de l’électrode inférieure 41 correspond à la surface d’émission du pixel 40. Pour des dispositifs d’affichage de haute résolution, cette surface d’émission est avantageusement inférieure à 15x15 µm², de préférence comprise entre 3x3 µm² et 12x12 µm², et par exemple égale à 4x4 µm². L’électrode inférieure 41 est connectée électriquement à l’un des plots de contact du substrat 11. L’élément actif 42 du pixel est disposé sur la face supérieure 41a de l’électrode inférieure 41. Il présente une hauteur e 42 . Dans l’exemple représenté sur la FIG. 7 , l’élément actif 42 est de structure tandem, c’est-à-dire qu’il comprend successivement, à partir de l’électrode inférieure 41 et selon la direction verticale, les sous-éléments suivants : un premier sous-élément électroluminescent formé d’un premier empilement OLED 421, une couche conductrice de génération de charges CGL (pour « Charge Generation Layer » en anglais), et un deuxième élément électroluminescent formé d’un deuxième empilement OLED 422. Cette structure en tandem est décrite plus en détails ci-après en relation avec la FIG. 1 . Les premier et deuxième empilements OLED 421, 422 comprennent tous deux des couches organiques, dont l’une au moins est émissive (notée EM 421 et EM 422 sur la FIG. 1 ). De préférence, chaque empilement OLED 421, 422 comprend successivement les couches organiques suivantes : une couche d’injection de trous HIL une couche de transport de trous HTL une couche de blocage d’électrons EBL, une couche émissive EM 421 , EM 422 une couche de bocage de trous HBL une couche de transport d’électrons ETL, et une couche d’injection d’électrons EIL. Les couches d’injection, de transport et de blocage sont conductrices. On désigne par « couche organique émissive » EM 421 , EM 422 une couche organique qui a la propriété de générer un rayonnement lorsqu’une tension est appliquée entre les électrodes inférieure et supérieure du pixel. Un rayonnement est ici entendu comme un rayonnement lumineux qui comprend au moins une longueur d’onde dans le spectre visible et infra-rouge, c’est-à-dire dans la plage de longueurs d’onde s’étendant entre 400 nm et 2500 nm. Par la suite, on désignera par « rayonnement de lumière blanche » un rayonnement dont le spectre s’étend entre 400 nm et 800 nm, tandis qu’un rayonnement de couleur désignera un rayonnement lumineux dont le spectre est centré autour de la longueur d’onde correspondant à la couleur. Ainsi : un rayonnement dans le bleu présente un spectre de longueurs d’ondes centré sur un bleu, par exemple un spectre situé principalement entre 430 nm et 490 nanomètres un rayonnement dans le vert présente un spectre centré sur un vert, par exemple un spectre situé principalement entre 490 nm et 590 nm, et un rayonnement dans le rouge présente un spectre centré sur un rouge, par exemple un spectre situé principalement entre 590 nm et 700 nm. La couche émissive EM 421 du premier empilement OLED 421 et la couche émissive EM 422 du deuxième empilement OLED peuvent être configurées pour générer des rayonnements de couleurs différentes, de manière que l’élément actif 42 émette un rayonnement de lumière blanche. La couche CGL de génération de charges séparant les deux empilements OLED peut être une couche conductrice organique dont la conductivité a été modulée selon une technique de dopage. Alternativement, La couche CGL de génération de charges séparant les deux empilements OLED 421, 422 peut être une couche semiconductrice organique non dopée. Alternativement, la couche CGL peut être une couche conductrice métallique. L’utilisation d’un métal plutôt qu’une couche organique semiconductrice permet d’améliorer l’injection des porteurs de charge dans les diodes OLED disposées de part et d’autre de cette couche CGL. Ainsi, l’utilisation des deux sous-éléments électroluminescents 421 et 422 est optimisée (chaque sous-élément électroluminescent 421, 422 est traversé par une densité de courant plus grande). Dit autrement, en augmentant la conductivité de la couche GGL de transfert de charge, une luminance doublée, par rapport à l’utilisation d’un seul élément électroluminescent, est obtenue avec une densité de courant identique. Le pixel 40 est ainsi plus lumineux et présente une durée de vie opérationnelle allongée. L’électrode supérieure 4 3 du pixel est un élément conducteur qui recouvre l’élément actif 42 (sur sa face supérieure) et termine (par le haut) le pixel 40. Elle présente une épaisseur notée e43 sur la FIG. 7 . Le pixel 40 présente alors une hauteur h 40 qui est égale à la somme de l’épaisseur e 41 de l’électrode inférieure 41, de l’épaisseur e 4 2 de l’élément actif 42 et de l’épaisseur e 4 3 de l’électrode supérieure 43 (cf. FIG. 7 ). Cette hauteur h 40 du pixel est de préférence comprise entre 100 nm et 200 nm, par exemple égale à 150 nm. L’électrode supérieure 43 comprend, dans ce premier mode de réalisation, deux portions conductrices superposées 431, 432, la deuxième portion 432 étant disposée sur l’élément actif 42 et la première portion 431 étant disposée sur la deuxième portion 432. L’épaisseur e 43 de l’électrode supérieure 43 est alors égale à la somme de l’épaisseur e 431 de la première portion 431 et de l’épaisseur e 432 de la deuxième portion 432. La deuxième portion 432 de l’électrode supérieure 43 permet de créer un effet de microcavité optique dans le pixel 40 (la microcavité étant délimitée entre l’électrode inférieure 41 et la première portion 431 de l’électrode supérieure). Selon la configuration choisie pour l’élément actif 42 du pixel 40 (dont sa hauteur h 42 ou l’indice optique des couches organiques formant cet élément actif 42), cet effet de microcavité permet de sélectionner un rayonnement d’une couleur donnée à partir du rayonnement de lumière banche obtenu en sortie de l’élément actif 42. La configuration de l’élément actif 42 peut ainsi être choisie pour que le pixel 40 produise un rayonnement lumineux dans un bleu, dans un vert ou dans un rouge. L’électrode supérieure 43 est transparente lorsque le substrat 11 est opaque. L’électrode supérieure 43 est préférentiellement réfléchissante lorsque le substrat 11 est transparent. A présent que chaque pixel 40 a été décrit, l’arrangement des pixels les uns par rapport aux autres est décrit plus en détails. Les pixels 40 occupent une surface du substrat 11 appelée surface active S A CT (cf. FIG. 7 ). Cette surface active S A CT du substrat 11 s’étend par exemple entre 10 mm² et 5 cm² pour des micro-afficheurs OLED. Sur cette surface active S A CT , les pixels 40 sont de préférence arrangés en ligne et en colonne. Dit autrement, ils sont arrangés avec un premier pas de répétition selon une première direction comprise dans le plan du substrat (par exemple la direction X) et avec un deuxième pas de répétition selon une deuxième direction (par exemple Y) sécante à la première direction. Ainsi, les pixels 40 forment une matrice d’éléments électroluminescents. Avantageusement, les pixels 40 ont tous une forme identique (aux tolérances de fabrication près). Comme le montre la FIG. 7 , les pixels 40 sont séparés physiquement les uns des autres, sur toute leur hauteur h 40 . Dit autrement, une tranchée 30 exempte de couches organiques et de couches conductrices est disposée entre deux pixels 40 voisins (ou sépare, ou encore espace, deux pixels 40 voisins). Cette tranchée 30 s’étend sur une longueur, définie comme la distance d 40 entre une paroi latérale d’une électrode inférieure 41 et la paroi latérale en vis-à-vis de l’électrode inférieure 41 voisine, qui est de préférence inférieure ou égale à 1 µm, de préférence comprise entre 500 nm et 1 µm, par exemple égale à 800 nm. Comme aucune couche (organique, conductrice) n’est commune à tous les pixels, aucun courant ne peut circuler entre les pixels 40. On évite ainsi l’apparition de phénomènes de diaphonie électrique entre pixels 40 voisins. Cela permet d’obtenir un dispositif d’affichage 1 à la fois plus lumineux (grâce à la structure tandem des éléments actifs 42) et meilleure résolution d’affichage (grâce aux tranchées 30 entre les pixels 40). Un autre avantage de séparer physiquement les pixels 40 entre eux est de limiter les phénomènes de diaphonie optique entre les pixels 40. La présence, entre les pixels 40, d’une zone exempte de couches organiques et de couches conductrices permet en effet de réaliser une rupture d’indice optique au niveau des limites extérieures de chaque pixel 40. Cette rupture d’indice optique est favorable au confinement du rayonnement émis par chaque pixel dans la zone du pixel 40. La réduction des phénomènes de diaphonie optique contribue à améliorer la résolution d’affichage du dispositif d’affichage 1. Notons que, dans le dispositif d’affichage présenté sur la FIG. 7 , tous les pixels 40 ont une hauteur h 40 et des dimensions latérales identiques (aux tolérances de fabrication près) et leurs éléments 41,42,43 sont tous de nature identique (c’est-à-dire formés des même matériaux). Le dispositif d’affichage est alors monochrome (tous les pixels 40 produisent le même rayonnement). La FIG. 19 représente un deuxième mode de réalisation du dispositif d’affichage 1. Ce deuxième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation (illustré en FIG. 7 ) uniquement en ce que les pixels 40 ne produisent pas tous le même rayonnement lumineux. Selon ce deuxième mode de réalisation, le dispositif d’affichage 1 comprend ainsi trois groupes de pixels 40 1,B , 40 2,V et 40 3,R configurés pour produire trois rayonnements ayant des couleurs distinctes, par exemple un rouge R, un vert V et un bleu B. Les pixels des trois groupes sont avantageusement disposés en alternance : un pixel 40 2 , V de rayonnement vert disposé entre un pixel 40 1 , B de rayonnement bleu et un pixel de rayonnement rouge 40 3,R . Le rayonnement d’ensemble émis par ces trois pixels 40 1,B , 40 2,V , 40 3,R , qui correspond à la combinaison de ces trois rayonnements, peut être ajustable en fonction des intensités lumineuses des trois pixels. Le dispositif d’affichage est alors un dispositif d’affichage couleur. La FIG. 20 montre un troisième mode de réalisation du dispositif d’affichage 1. Ce troisième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation illustré en FIG. 19 en ce que l’élément actif 42 de chaque pixel comprend un seul sous-élément électroluminescent (ou premier empilement OLED 421). Cela permet d’obtenir un dispositif d’affichage certes moins lumineux que les premier et deuxième modes de réalisation, mais plus simple à réaliser. On note que la présence des tranchées 30 entre les pixels 40 permet, comme pour les premier et deuxième modes de réalisation, de réduire, voire de supprimer les phénomènes de diaphonie électrique et optique entre les pixels 40. Ces phénomènes existent en effet aussi (bien que dans une moindre mesure par rapport aux dispositifs à pixels en tandem) dans les dispositifs d’affichage à OLED simple. Le troisième mode de réalisation se distingue en outre des premier et deuxième modes de réalisation en ce que l’électrode supérieure 43 des pixels 40 est formée préférentiellement d’une seule portion conductrice 431 (au lieu de deux portions conductrices 431, 432). Cette portion conductrice 431 unique est alors formée d’un métal (argent, aluminium, titane, etc.). Elle peut aussi présenter une épaisseur fine e 43 1 , inférieure à 15 nm de manière à être transparente. Cette configuration est privilégiée lorsque le substrat 11 est opaque. L’utilisation d’une seule portion conductrice 431 au lieu de deux permet de réduire le nombre d’étapes de fabrication et donc de simplifier la fabrication du dispositif d’affichage 1. Notons que ce troisième mode de réalisation permet de réaliser un dispositif d’affichage monochrome. En effet, les éléments actifs 42 des pixels 40 peuvent tous être configurés à l’identique, à l’instar des pixels 40 du premier mode de réalisation illustré en FIG. 7 . Selon une variante, l’élément actif de chaque pixel 40 du dispositif représenté sur la FIG. 20 peut, alternativement, être formé d’un empilement de couches organiques configuré pour absorber (et non pas générer) un rayonnement visible ou infrarouge. Dans ce cas, les pixels sont des pixels OPD (pour « organic Photo-Diode » en anglais). La FIG. 21 montre un quatrième mode de réalisation du dispositif d’affichage 1. Selon ce quatrième mode de réalisation, le dispositif 1 comprend, comme le troisième mode de réalisation, des pixels de structure OLED simple. Ainsi, les éléments actifs 42 1,B 42 2,V 42 3,R des pixels ne sont formés que d’un empilement de couches organiques 421 1 , 421 2 , 421 3 . A l’instar du troisième mode de réalisation, le quatrième mode de réalisation du dispositif 1 comprend trois groupes de pixels 40 1,B , 40 2,V et 40 3,R . De préférence, la couleur du rayonnement produit par chaque groupe de pixel est obtenue directement par la configuration de l’empilement OLED 421, 421 2 , 421 3 des pixels 40. Dit autrement, l’élément actif 42 1,B de chaque pixel 40 1,B du premier groupe est formé d’un premier empilement configuré pour produire le rayonnement dans le bleu, tandis que l’élément actif 42 2,V de chaque pixel 40 2 , V du deuxième groupe est formé d’un deuxième empilement configuré pour produire un rayonnement dans le vert, et que l’élément actif 42 3,R de chaque pixel 40 3 , R du troisième groupe est formé d’un troisième empilement configuré pour produire un rayonnement dans le rouge. Le fait d’obtenir le rayonnement de couleur directement au niveau des éléments actifs 42 des pixels permet de s’affranchir d’un filtre coloré et d’obtenir des pixels couleurs plus lumineux. Le procédé de fabrication du dispositif d’affichage 1 selon le premier mode de réalisation va maintenant être décrit en relation avec les figures 2 à 7. Comme le montre la FIG. 2 , le procédé 1 débute par une étape E1 consistant à fournir une structure 10 comprenant le substrat 11 et les électrodes inférieures 41 des pixels, celles-ci étant espacées les unes des autres (et donc isolées électriquement les unes des autres). La surface du substrat 11 qui est occupée par les électrodes inférieures 41 correspond à une surface active S A CT du substrat 11. Ces électrodes inférieures 41 peuvent être formées par des opérations bien connues de dépôt, lithographie, gravure et retrait de masque (ou « stripping » en anglais). La structure 10 peut aussi comprendre une couche électriquement isolante 12 qui s’étend sur la surface active S A CT du substrat 11 et enrobe latéralement chaque électrode inférieure 41 (c’est-à-dire qui recouvre la surface périphérique latérale de chaque électrode inférieure 41). En plus de réaliser une isolation électrique efficace entre les électrodes inférieures 41, la couche isolante 12 sert également, comme il sera décrit plus tard, de couche d’arrêt de gravure. La couche isolante 12 peut être formée de dioxyde de silicium (SiO 2 ). La structure 10 comprend en outre une piste électrique 13 disposée sur une surface du substrat 11 (aussi notée « surface périphérique S PERI » par la suite) située en périphérie de la surface active S A CT . Cette piste électrique 13 est reliée électriquement aux plots de contact 113 du substrat 11 via des liaisons conductrices 111. Sur la FIG. 2 , les plots de contacts 113 qui sont représentés permettent, comme il sera expliqué par la suite, la réalisation d’une connexion électrique entre l’électrode supérieure 43 de chaque pixel 40 et la piste électrique 13. La multiplicité de ces plots de contacts permet une meilleure distribution du courant à travers les électrodes supérieures des pixels, en comparaison d’un seul point de reprise de contact. Les figures 3 à 7 illustrent une étape E2 de formation d’un premier groupe de pixels 40 sur le substrat 11. Le nombre de pixels du premier groupe peut correspondre, comme cela est illustré sur la FIG. 7 , au nombre d’électrodes inférieures 41 disposées sur le substrat 11. Ainsi, tous les pixels 40 du dispositif d’affichage 1 sont formés au cours de l’étape E2. L’étape E2 comprend une sous-étape E21 de dépôt de couches de matériaux et deux sous-étapes de gravure E22 et E23. En référence à la FIG. 3 , l’étape E2 débute avec la sous-étape E21 qui consiste à déposer successivement, sur la surface active S A CT du substrat 11, les matériaux formant l’élément actif 42 (cf. figue 7) et l’électrode supérieure 43 des pixels 40. Plus précisément, la sous-étape E21 comprend les opérations suivantes : Dépôt E211 du premier empilement 421 de couches organiques sur la surface active S A CT du substrat 11 (en l’occurrence sur la couche isolante 12), Dépôt E212 de la couche CGL sur le premier empilement 421 de couches organiques, Dépôt E213 du deuxième empilement 422 de couches organiques sur la couche CGL, Dépôt E214 d’une deuxième couche conductrice 17 sur le deuxième empilement 422 de couches organiques, et Dépôt E215 d’une première couche conductrice 16 sur la deuxième couche conductrice 17. On précise que les dépôts E211 à E215 sont de préférence réalisés à l’aide d’un pochoir qui expose la surface active S A CT du substrat 11 et protège la surface périphérique S PERI du substrat 11. De plus, les dépôts des matériaux sont de préférence réalisés selon un procédé directif (selon une direction perpendiculaire au plan {X,Y} du substrat 11), de préférence par un procédé de dépôt physique en phase vapeur tel que l’évaporation. La première couche conductrice 16 est destinée à former les premières portions conductrices 431 des électrodes supérieures 43 des pixels 40 (cf. FIG. 7 ). L’épaisseur initiale e 16 (cf. FIG. 4 ) de cette première couche conductrice 16 est à ajuster en fonction de l’épaisseur e 43 (cf. FIG. 7 ) souhaitée pour l’électrode supérieure 43 de chaque pixel 40. L’épaisseur initiale e 16 de la première couche conductrice 16 est ainsi, par exemple, comprise entre 30 nm et 100 nm. La première couche conductrice 16 peut être formée d’un métal tel que l’aluminium (Al), l’argent (Ag), ou le chrome (Cr) pour un dispositif d’affichage 1 de type « émission par le bas » Alternativement, la première couche conductrice 16 peut être formée d’un matériau conducteur et transparent choisi (mais non limité à) parmi les matériaux suivants : Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (ou PEDOT), oxyde d’indium-étain (ou ITO pour « Indium Tin Oxide » en anglais), dioxyde d’étain (SnO 2 ), oxyde de zinc (ZnO) ou oxyde de zinc dopé aluminium (ou AZO). La deuxième couche conductrice 17 est destinée à former les deuxièmes portions conductrices 432 des électrodes supérieures 43 des pixels 40. La deuxième couche conductrice 17 est préférentiellement formée d’un métal, par exemple d’argent (Ag). Pour obtenir des deuxièmes portions conductrices 432 transparentes, la deuxième couche conductrice 17 présente une épaisseur inférieure à 20 nm, par exemple comprise entre 10 nm et 20 nm. A l’issue de la sous-étape E21, la totalité des matériaux destinés à former les pixels 40 ont été déposés sur la surface active S ACT du substrat 11. Les couches obtenues 421, CGL, 422, 17, et 16 forment un empilement noté E p sur la FIG. 3 . Les figures 4 à 6 illustrent des opérations mises en œuvre lors de la sous-étape E22. En référence à la FIG. 5 ou en référence à la FIG. 6 , cette sous-étape E22 consiste à graver au moins une partie de la première couche conductrice 16 pour former des cavités 30 ayant une profondeur e 30 inférieure ou égale à l’épaisseur e 1 6 de la première couche conductrice 16. Ces cavités 30 sont situées au droit des espaces 40B s’étendant entre des électrodes inférieures 41 des pixels 40. Ces espaces 40B correspondent aux espaces prévus entre les pixels 40. La sous-étape E22 de gravure est décrite ci-après en détails. En référence à la FIG. 4 , la sous-étape E22 débute par une opération E221 de formation d’un masque de gravure 20, par exemple en résine photosensible, sur la première couche conductrice 16. Des procédés photo-lithographiques connus de la personne du métier sont mis en œuvre pour cela. Sur la FIG. 4 , l’espacement 20B entre deux portions 20A voisines du masque de gravure 20 correspond ici à l’espacement 40B entre deux électrodes inférieures voisines 41. Par ailleurs, chaque portion du masque de gravure 20 correspond à une zone 40A d’une des électrodes inférieures 41. Ensuite, comme illustré sur la FIG. 5 , une première opération de gravure E222 de la première couche conductrice 16 est réalisée à travers le masque de gravure 20 pour former les cavités 30. Cette première opération E222 de gravure peut-être partielle, comme représenté sur la FIG. 5 : en effet, les cavités 30 ne traversent pas la première couche conductrice 16. Il subsiste donc une couche résiduelle de la première couche conductrice 16 sur la deuxième couche conductrice 17. Chaque cavité 30 présente de préférence une profondeur e 30 comprise entre 10 nm et 300 nm. L’épaisseur e 16 ’ de la première couche conductrice disposée sous les cavités 30 (aussi notée « première couche conductrice résiduelle ») est par exemple de 100 nm. Alternativement, la première opération E222 de gravure peut-être configurée pour atteindre la deuxième couche conductrice 17. Dans cette configuration, non représentée par les figures, les cavités 30 traversent la première couche conductrice 16 et leur fond est constitué de la surface supérieure de la deuxième couche conductrice 17. La première opération E222 de gravure est de préférence une gravure de type gravure sèche, telle que la gravure ionique réactive (ou RIE, pour « reactive ionic etching » en anglais), la gravure couplée par plasma (ou ICP, pour Induced-coupled plasma), ou la gravure par faisceau d’ions (ou IBE, pour « Ion Beam Etching . Comme le montre la FIG. 5 , lorsque l’opération E222 de gravure est partielle, la première opération de gravure E222 permet d’obtenir une première couche conductrice 16 plus épaisse au droit des électrodes inférieures 41 des pixels 40 qu’au droit des régions 40B entre les électrodes inférieures 41 des pixels 40. Enfin, un retrait E223 du masque de gravure 20 est mis en œuvre. On obtient ainsi la structure illustrée en FIG. 6 . Le fait que les cavités 30 obtenues (après la première opération E222 de gravure) dans la première couche conductrice 16 ne soient pas traversantes (dans la configuration représentée sur la FIG. 5 ) produit un double effet : d’une part, la première couche conductrice résiduelle protège les couches organiques de l’empilement Ep lors du retrait E223 du masque de gravure 20 et, d’autre part, elle permet de laisser, après la sous-étape E23 décrite ci-après, des portions 431 de cette première couche conductrice 16 de part et d’autre des cavités 30. Dans la configuration où la deuxième couche conductrice 17 est présente et la gravure E222 se poursuit jusqu’à cette deuxième couche conductrice 17), c’est la deuxième couche conductrice 17 qui protège les couches organiques sous-jacentes (de l’empilement E p ) lors du retrait E223 du masque de gravure. De plus, il reste des portions de la première couche conductrice 16 de part et d’autre des cavités 30. A la sous-étape E23 suivante, on effectue les opérations suivantes pour prolonger les cavités 30 jusqu’au substrat (en l’occurrence, jusqu’à la couche isolante 12) : gravure anisotrope E231 de la première couche conductrice 16 de sorte que les cavités traversent la première couche conductrice 16 encore présente, gravure anisotrope E232 de la deuxième couche conductrice 17 de sorte que les cavités 30 traversent la deuxième couche conductrice 17, gravure anisotrope E233 du deuxième empilement 422 de couches organiques de sorte que les cavités 30 traversent ce deuxième empilement de couches organiques, gravure anisotrope E234 de la couche CGL de sorte que les cavités traversent la couche CGL, et gravure anisotrope E235 du premier empilement 421 de couches organiques de sorte que les cavités 30 traversent le premier empilement 421 de couches organiques. Par gravure anisotrope, on entend une gravure effectuée selon une direction préférentielle de gravure perpendiculaire au plan {X,Y} du substrat 11. La gravure anisotrope permet de conserver la topologie (c’est-à-dire le profil des cavités 30) de la première couche conductrice 16 telle qu’obtenue après la sous-étape de gravure E22. La gravure anisotrope est de préférence effectuée selon un procédé de gravure physique balistique. Ainsi, la gravure est empêchée de part et d’autre des cavités. La gravure balistique permet de prolonger les cavités 30 tout en réduisant le risque d’endommager les couches organiques des empilements 421, 422 entre les cavités 30. De préférence, les gravures anisotropes sont mises en œuvre sous une atmosphère dépourvue en oxygène. L’absence d’oxygène permet de préserver au mieux les performances des couches organiques puisque celles-ci sont particulièrement sensibles à cet élément. Par exemple, les gravures anisotropes sont réalisées sous vide selon un procédé de gravure physique balistique, de préférence par exposition à un plasma argon. Comme le montre la FIG. 7 , les pixels 40 sont formés à l’issue de la sous-étape E23 et sont séparés entre eux par les cavités 30. Ainsi, dans un premier temps, la gravure anisotrope de la première couche conductrice 16 permet de réduire de manière uniforme (c’est-à-dire de la même manière sur toute la surface de la première couche conductrice 16) l’épaisseur de la première couche conductrice 16. Comme la gravure anisotrope de la première couche conductrice 16 est effectuée jusqu’à ce que les cavités 30 débouchent sur la deuxième couche conductrice 17, la première couche conductrice restante 16 est constituée de portions conductrices 431 espacées les unes des autres (cf. FIG. 7 ). Les portions 431 de la première couche conductrice 16 restante sont illustrées sur la figue 7. Ces portions conductrices 431 subsistent de part et d’autre des cavités 30, là où l’épaisseur de la première couche conductrice (après la sous-étape de gravure E22 et avant la sous-étape de gravure E23) était la plus épaisse. Chaque portion 431 de la première couche conductrice 16 correspond, ou constitue, une des premières portions conductrices 431 des électrodes supérieures 43 des pixels 40. Ainsi, la profondeur e 30 des cavités 30 est inférieure à 20 nm, de préférence comprise entre 10 nm et 20 nm pour obtenir des premières portions conductrices 431 transparentes. Cette configuration est choisie lorsque le substrat 11 est opaque et la deuxième couche conductrice 17 est transparente. Cela permet d’obtenir un dispositif de type émission par le haut. Alternativement, la profondeur e 30 des cavités 30 est strictement supérieure à 15 nm pour obtenir des premières portions conductrices 431 réfléchissantes. Cette configuration est préférentiellement choisie lorsque le substrat 11 est transparent. Cela permet d’obtenir un dispositif de type émission par le haut. Dans un deuxième temps, les couches sous-jacentes 17, 422, CGL, 422 à la première couche conductrice 16 sont gravées de manière anisotrope à travers la première couche conductrice restante 16 qui sert de masque de gravure. Ainsi, les premières portions conductrices 431 ne sont pas retirées. Les gravures anisotropes E232, E233, E234 et E235 peuvent être réalisées avec une même chimie de gravure ou avec des chimies de gravure différentes, mises en œuvre dans une même chambre de gravure ou dans des chambres différentes d’un même équipement. De préférence, les couches sous-jacentes 17, 422, CGL, 422 à la première couche conductrice 16 sont en outre gravées de manière sélective par rapport à la première couche conductrice 16. On note que l’étape E3 de formation des pixels est analogue aux étapes employées pour la fabrication de dispositifs semiconducteurs inorganiques, mais qu’elle ne comporte aucune opération de retrait de masque (puisque cette opération n’est pas nécessaire). Cela permet de séparer physiquement les pixels OLED sans endommager les couches organiques. En effet, on évite d’appliquer sur le substrat et donc dans l’environnement des couches organiques, des solvants (dans le cas d’un masque en résine), des plasmas (dans le cas d’un masque dur) ou/et des températures élevées, supérieures à 100°C, qui sont particulièrement agressifs, et donc destructeurs, pour les couches organiques. En outre, parce que le procédé de fabrication comprend des étapes technologiques communément employées pour la fabrication des dispositifs semiconducteurs inorganiques, il est plus simple que les procédés de l’art antérieur, basés sur des structures de séparation entre les pixels. Le procédé permet en outre de former des pixels de taille pouvant aller jusqu’à 1 µm, voire moins (c’est-à-dire pour atteindre la haute résolution souhaitée). A présent que les pixels 40 ont été formés, le procédé de fabrication peut se poursuivre avantageusement avec les étapes E3, E4 et E5. L’étape E3, illustrée en FIG. 8 , consiste à déposer, de manière conforme, une couche de passivation 50 sur le substrat 11 et sur le pourtour des pixels 40. Une technique de dépôt conforme est préférentiellement mise en œuvre. Par exemple, une technique de dépôt par couches minces atomiques (ou ALD pur « Atomic Layer Deposition » en anglais) est mise en œuvre. La couche de passivation 50 est formée d’un matériau qui fait barrière à l’oxygène. Par exemple, elle est formée d’alumine ou de SiO. La couche de passivation 50 permet ainsi de protéger les éléments actifs 43 de l’environnement extérieur. En particulier, elle empêche de mettre les couches organiques de ces éléments actifs au contact de l’oxygène (ils sont particulièrement sensibles à cet élément). La couche d’encapsulation 50 est également électriquement isolante. Cela permet donc de renforcer isolation électrique des pixels. L’étape E4, illustrée sur les figures 9 et 10, consiste à former une électrode commune 60 reliant électriquement l’électrode supérieure de chaque pixel à la piste électrique 13 disposée sur la surface périphérique du substrat 11. Cette électrode commune 60 permet d’amener le courant aux électrodes supérieures des pixels 40. L’étape E4 comprend pour cela une sous-étape E41, illustrée en FIG. 9 , qui consiste à ouvrir la couche de passivation 50 sur la face supérieure des pixels 40. En dégageant ainsi une partie de la couche de passivation 50 sur les pixels, un accès 43a à l’électrode supérieure 43 de chaque pixel 40 est créé. Des opérations de masquage par un masque de gravure (par exemple par une résine photosensible), puis de gravure et de retrait du masque de gravure sont par exemple effectuées lors de cette étape E41. Comme la couche de passivation 50 subsiste sur les flancs des pixels 40, elle protège les couches organiques des empilements 421, 422 de l’environnement extérieur. Comme la hauteur h 40 des pixels 40 est préférentiellement comprise entre 100 nm et 200 nm, et que la distance d 40 entre les pixels 40 est préférentiellement comprise entre 500 nm et 1 µm, le rapport entre la hauteur h 40 des pixels et leur espacement d 40 est de préférence compris entre 0,1 et 0,4. Ce rapport est favorable à un étalement efficace de la résine photosensible entre les pixels 40. De préférence, des ouvertures 113a sont aussi créées à cette sous-étape à travers la couche d’isolant 12 entre les pixels 40, de manière à libérer l’accès aux points de contacts 113 du substrat 11 (cf. FIG. 2 ). En référence à la FIG. 10 , une sous-étape E42 est ensuite mise en œuvre pour former une troisième couche conductrice 60 d’épaisseur continue qui s’étend sur les pourtours des pixels 40, sur la première couche de passivation 50 entre les pixels 40 et jusque sur la piste de contact électrique 13. Comme des ouvertures 43a ont été créées dans la couche de passivation 50 au niveau des électrodes supérieures 43 des pixels 40 (cf. FIG. 9 ), la troisième couche conductrice est aussi déposée au contact de ces électrodes supérieure 43. L’électrode commune 60 est ainsi formée en partie au moins par la troisième couche conductrice 60. Lorsque des ouvertures 113a sont aussi créées à travers la couche d’isolant 12, la troisième couche conductrice 60, et donc l’électrode commune 60, relie chaque plot de contact 113 du substrat 11. Ainsi, la distribution du courant à travers chaque pixel 40 est effectuée depuis un plot de contact 113 situé à proximité du pixel 40. Cette proximité de distribution permet de diminuer la résistance de contact et d’uniformiser la distribution du courant à travers les pixels 40 du dispositif d’affichage 1. La troisième couche conductrice 60 est de préférence formée selon un procédé de dépôt directif (selon une direction perpendiculaire au plan {X,Y} du substrat 11), de préférence par un procédé de dépôt physique en phase vapeur tel que l’évaporation. On note que, comme la hauteur h 40 des pixels est petite au regard de la distance entre les pixels (il y a par exemple un facteur 0,1 entre cette hauteur et cette distance), un tel procédé de dépôt directif permet de déposer du matériau conducteur aussi sur la surface périphérique latérale des pixels 40 (en plus des surfaces horizontales). Cela permet de s’affranchir de la mise en œuvre d’un procédé de dépôt conforme, plus complexe et coûteux. Cette troisième couche conductrice 60 peut être formée d’un métal, par exemple de l’argent, de l’aluminium, ou du chrome. Elle peut alors présenter une épaisseur inférieure à 15 nm pour être transparente. Une telle épaisseur est préférée dans le cas où le substrat 11 est opaque et les électrodes inférieures réfléchissantes. Cela permet d’obtenir un dispositif d’affichage de type émission par le haut. Alternativement, elle peut présenter une épaisseur importante, par exemple supérieure à 300 nm, pour être réfléchissante, dans le cas où le substrat 11 est transparent et où les électrodes inférieures et/ou les électrodes supérieures sont aussi transparentes. Cela permet d’obtenir un dispositif d’affichage de type émission par le bas. Alternativement, la troisième couche conductrice 60 peut être formée d’un oxyde conducteur transparent ou TCO. En référence à la FIG. 11 , l’étape E5 consiste à former une deuxième couche de passivation 70 conforme sur la troisième couche conductrice 60. La deuxième couche de passivation 70 peut être formée du même matériau que la première couche de passivation 50. Elle permet d’encapsuler et donc de protéger et d’isoler électriquement le dispositif d’affichage. Les figures 12 à 18 illustrent un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de fabrication permettant de fabriquer le dispositif d’affichage électroluminescent 1 illustré en FIG. 19 (c’est-à-dire le deuxième mode de réalisation du dispositif électroluminescent d’affichage 1). Principalement, ce deuxième mode de mise en œuvre diffère du premier mode de mise en œuvre en ce que les pixels 40 sont formés groupe par groupe. Dit autrement, ils ne sont pas tous formés au cours de l’étape E2. Selon ce deuxième mode de mise en œuvre, le procédé de fabrication débute avec une étape identique à l’étape E1, illustrée en FIG. 2 , du premier mode de réalisation. Le procédé de fabrication se prolonge avec une étape E2’, illustrée sur les figures 12 et 13. Cette étape E2’ diffère de l’étape E2 illustrée en figures 3 à 5 en ce qu’un premier groupe de pixels 40 1,B (cf. FIG. 13 ) est formé sur une partie (typiquement un tiers) seulement des électrodes inférieures 41 (on rappelle que, selon le premier mode de réalisation, il y a autant de pixels 40 que d’électrodes inférieures 41). Typiquement, sur trois électrodes inférieures adjacentes, une seule électrode inférieure est utilisée pour former les pixels 401,B du premier groupe (les autres électrodes inférieures sont notées 40NR sur la FIG. 13 ). Les pixels 40 1,B de ce premier groupe sont alors configurés pour produire un premier rayonnement de couleur, par exemple un rayonnement de couleur bleue. L’étape E2’ débute par une étape identique à l’étape E21 illustrée sur la FIG. 3 , consistant donc à : Déposer le premier empilement 421 de couches organiques sur la surface active S A CT du substrat 11 (en l’occurrence sur la couche isolante 12), Déposer la couche CGL sur le premier empilement 421 de couches organiques, Déposer le deuxième empilement 422 de couches organiques sur la couche CGL, Déposer la deuxième couche conductrice 17 sur le deuxième empilement 422 de couches organiques, et Déposer la première couche conductrice 16 sur la deuxième couche conductrice 17. Le premier et le deuxième empilement 421, 422 ainsi que la deuxième couche conductrice 17 sont ici configurés pour produire le premier rayonnement de couleur (dans l’exemple choisi, de couleur bleue, notée « B » sur les figures.). En référence à la FIG. 12 , l’étape E2’ se poursuit avec une sous-étape E22’ de gravure partielle de la première couche conductrice 16. Comme indiqué précédemment, la sous-étape E22’ peut alternativement être une gravure configurée pour atteindre la deuxième couche conductrice 17. Cette sous-étape E22’ comprend, comme la sous-étape E22 illustrée sur les figures 4 à 6, une opération de formation d’un masque de gravure, puis une opération de gravure partielle de la première couche conductrice 16 à travers le masque de gravure, puis une opération de retrait du masque de gravure. L’opération de formation du masque de gravure selon ce deuxième mode de réalisation est illustrée sur la FIG. 12 . Comme le montre la FIG. 12 , les portions 20A’ du masque de gravure 20 correspondent non plus à chaque électrode inférieure 41 (comme illustré sur la FIG. 4 ) mais à une électrode inférieure sur trois, notée 41 1,B sur la FIG. 12 . L’étape E2’ se poursuit en mettant en œuvre des sous-étapes E22’ et E23’ qui sont respectivement identiques aux sous-étapes E22 et E23 précédemment décrites. La FIG. 13 montre la structure obtenue à l’issue de cette étape alternative E2’. Elle comprend des pixels 40 1,B (ici de couleur bleue) formés sur le substrat 11 et espacés deux à deux par deux électrodes inférieures adjacentes (non recouvertes de matériaux, notées 41 NR sur la FIG. 13 ). Le procédé de fabrication selon le deuxième mode de fabrication peut se poursuivre, de manière optionnelle, avec une étape E3’, illustrée en FIG. 14 . Cette étape E3’ est analogue à l’étape E3 illustrée en FIG. 8 . Elle consiste ainsi à déposer une couche de passivation 50 sur les pourtours des pixels 40 1,B et entre les pixels 40 1,B . Ensuite, le deuxième groupe de pixels est formé au cours d’une étape E6, illustrée sur les figures 15 à 18. Les pixels du deuxième groupe sont configurés pour produire un deuxième rayonnement de couleur différente de la couleur du premier rayonnement. Par exemple, le deuxième rayonnement est de couleur verte. Le pixels du deuxième groupe sont notés 40 2,V sur les figures 17 et 18. Lorsque l’étape E3’ de dépôt de la couche de passivation 50 est mise en œuvre, l’étape E6 débute par une sous-étape E61, illustrée en FIG. 15 . Sinon, l’étape E6 débute par la sous-étape E62. La sous-étape E61 consiste à ouvrir la couche de passivation 50 au droit des électrodes inférieures 41 2,V des pixels du deuxième groupe, pour former des accès 80 à ces électrodes inférieures 41 2, V . La sous-étape E62 est analogue à la sous-étape E21 illustrée en FIG. 3 . Ainsi, en référence à la FIG. 16 , on réalise : un dépôt, sur la surface active S ACT du substrat, d’un troisième empilement 421 2 de couches organiques, un dépôt, sur le troisième empilement de couches organiques d’une deuxième couche CGL 2 déposée lors de l’étape E2’, un dépôt, sur la deuxième couche CGL 2 , d’un quatrième empilement 422 2 de couches organiques, un dépôt, sur le quatrième empilement 422 2 de couches organiques, d’une cinquième couche conductrice 17 2 , et un dépôt d’une quatrième couche conductrice 16 2 sur la cinquième couche conductrice 17 2 . La deuxième couche CGL 2 est similaire à la couche CGL, dans le sens où elle remplit le même rôle, à savoir interconnecter deux empilements de couches organiques, ici le troisième et le quatrième empilement 421 2 , 422 2 de couches organiques. De plus, la deuxième couche CGL 2 est préférentiellement formée du même matériau que la couche CGL déposée lors de la sous-étape E21. Les troisième et quatrième empilements de couches organiques 421 2 , 422 2 sont configurés pour produire le deuxième rayonnement de couleur (dans l’exemple choisi, ce deuxième rayonnement est de couleur verte, notée « V » sur les figures). Ces empilements 421 2 , 422 2 de couches organiques sont destinés à former les éléments actifs 42 2,V des pixels du deuxième groupe. La quatrième couche conductrice 16 2 est similaire à la première couche conductrice 16, dans le sens où elle est destinée à former les premières 431 2 portions des électrodes supérieures 43 2,V , des pixels 40 2,V du deuxième groupe (cf. FIG. 17 ). La cinquième couche conductrice 17 2 est similaire à la deuxième couche conductrice 17 dans le sens où elle est destinée à former les deuxièmes portions conductrices 432 2 des électrodes supérieures 43 des pixels 40 2,V du deuxième groupe. La sous-étape E63 vise, comme la sous-étape E22 du premier mode de réalisation ou comme la sous-étape E22’ de ce deuxième mode de réalisation, à graver partiellement la couche conductrice supérieure (qui est ici la quatrième couche conductrice 16 2 ) pour y former des cavités non-traversantes. A cette sous-étape E63, les cavités s’étendent entre les pixels 40 1,B du premier groupe et de part et d’autre des électrodes inférieures des pixels du deuxième groupe (notées 41 2,V sur la FIG. 16 ). Pour cela, on procède de la même manière que pour la sous-étape E22. Ainsi, une opération E631 de formation d’un masque de gravure sur la quatrième couche conductrice 16 2 est mise en œuvre. Cette opération E631 est illustrée sur la FIG. 16 . Les portions 20A’’ du masque de gravure sont ici disposées au droit des électrodes inférieures 41 2,V des pixels du deuxième groupe. Ensuite, une opération (non représentée par les figures) de gravure partielle de la quatrième couche conductrice 16 2 est effectuée à travers le masque de gravure 20 pour former les cavités ayant une profondeur strictement inférieure à l’épaisseur de la quatrième couche conductrice 16 2 . Les configurations de gravure (chimie, durée, etc.) sont alors similaires à celles utilisées lors de l’opération E222. Alternativement, l’opération de gravure n’est pas partielle mais configurée pour atteindre la cinquième couche conductrice 17 2 . Les cavités 30 ont alors pour fond la cinquième couche conductrice 17 2 . Enfin, le masque de gravure est retiré selon un procédé analogue au procédé mis en œuvre lors de l’opération E223. Lors d’une sous-étape E64 illustrée sur la FIG. 17 , on prolonge les cavités formées à la sous-étape E63 précédente. Les cavités sont ainsi prolongées à travers la quatrième couche conductrice 16 2 , puis à travers la cinquième couche conductrice 17 2 , le quatrième empilement de couches organiques 422 2 , la deuxième couche CGL 2 et le troisième empilement de couches organiques 421 2 . Les cavités résultantes, notées 30 2 sur la FIG. 17 , débouchent sur la couche isolante 12. Il en résulte les pixels 40 2,V du deuxième groupe et les pixels 40 1,B du premier groupe séparés les uns des autres. Précisément, lors de cette sous-étape E64, on réalise les opérations de gravure anisotropes suivantes : gravure anisotrope de la quatrième couche conductrice 16 2 jusqu’à déboucher sur la cinquième couche conductrice 17 2 , gravure anisotrope de la cinquième couche conductrice 17 2 jusqu’à déboucher sur le quatrième empilement de couches organiques 422 2 ,, gravure anisotrope du quatrième empilement de couches organiques 422 2 jusqu’à déboucher sur la deuxième couche CGL 2 , gravure anisotrope de la deuxième couche CGL2 jusqu’à déboucher sur troisième empilement de couches organiques 421 2 et gravure anisotrope du troisième empilement de couches organiques 421 2 jusqu’à déboucher sur la couche d’isolant 12. Les configurations des gravures anisotropes des couches sous-jacentes à la quatrième couche conductrice 162 sont similaires aux configurations de gravure des couches sous-jacentes à la première couche conductrice 16, dans le sens où ce sont de préférence des gravures de type balistique, ou/et de préférence des gravures sélectives par rapport à la quatrième couche conductrice 16 2 . Lors d’une sous-étape E65 optionnelle, analogue à l’étape E3, une troisième couche de passivation 50’ peut être formée de manière conforme sur les pourtours des pixels et entre les pixels. A l’issue de la sous-étape E65, on obtient la structure illustrée sur la FIG. 18 . Cette structure comprend, en plus des pixels 40 1,B du premier groupe, les pixels 40 2,V du deuxième groupe séparés les uns des autres par les cavités 30 2 . Ces pixels 40 1,B , 40 1, V sont recouverts de la couche de passivation 50’. Ensuite, le troisième groupe de pixels 40 3,R est formé lors d’une étape E7, illustrée en FIG. 19 . Les pixels du troisième groupe sont configurés pour produire un troisième rayonnement de couleur différente de la couleur des premier et deuxième rayonnement. Par exemple, le troisième rayonnement est de couleur rouge. Le pixels du troisième groupe sont notés 40 3,R sur la FIG. 19 . Lors de cette étape E7, on procède de la même manière qu’à l’étape E6, comme cela est décrit ci-après. Lorsque l’étape E6 comprend la sous-étape de dépôt de la couche de passivation 50’, l’étape E7 débute, comme l’étape E6, par une sous-étape (non représentée par les figures) d’ouverture de la couche de passivation 50’ de manière à créer un accès à chaque électrode inférieure 41 3,R des pixels du troisième groupe. L’étape E7 se poursuit par les opérations décrites ci-après. On note que lorsque l’étape E6 ne comprend pas la sous-étape de dépôt de la couche de passivation 50’, ces opérations sont réalisées au début de l’étape E7. L’étape E7 se poursuit ensuite par les opérations suivantes : Dépôt, sur la surface active S ACT du substrat, d’un cinquième empilement 421 3 de couches organiques, Dépôt d’une troisième couche CGL 3 sur le cinquième 421 3 de couches organiques, Dépôt d’un sixième empilement 422 3 de couches organiques sur la troisième couche CGL 3 , Dépôt d’une septième couche conductrice 17 3 sur le sixième empilement 422 3 , Dépôt d’une sixième couche conductrice 16 3 sur le troisième empilement de couches organiques. La troisième couche CGL 3 est similaire à la couche CGL et à la deuxième couche CGL 2 , dans le sens où elle remplit le même rôle, à savoir interconnecter des empilements de couches organiques (ici les cinquième et sixième empilements 421 3 , 422 3 de couches organiques). De plus, la troisième couche CGL 3 est préférentiellement formée du même matériau que la couche CGL déposée lors de la sous-étape E21. Les troisième et quatrième empilements de couches organiques 421 3 , 422 3 sont configurés pour produire le troisième rayonnement de couleur (dans l’exemple choisi, ce deuxième rayonnement est de couleur rouge, notée « R » sur les figures). Ces empilements 421 3 , 422 3 de couches organiques sont destinés à former les éléments actifs 42 3,R des pixels du troisième groupe. La sixième couche conductrice 16 3 est similaire à la première couche conductrice 16, dans le sens où elle est destinée à former les premières 431 3 portions des électrodes supérieures 43 3,R des pixels 40 3 , R du troisième groupe (cf. FIG. 19 ). La septième couche conductrice 17 3 est similaire à la deuxième couche conductrice 17 dans le sens où elle est destinée à former les deuxièmes portions conductrices 432 3 des électrodes supérieures 43 des pixels 40 3 , R du troisième groupe. Une fois les dépôts des matériaux destinés à former les pixels du troisième groupe déposés, l’étape E7 se poursuit, comme l’étape E6, par une sous-étape de gravure partielle de la sixième couche conductrice 16 3 pour obtenir des cavités non-traversantes entre les pixels 40 1 , B , 41 2 , V déjà formés et au droit des espaces entre les électrodes inférieures 41 3,R des pixels du troisième groupe. Alternativement, l’opération de gravure n’est pas partielle mais configurée pour atteindre la septième couche conductrice 17 3 . Les cavités 30 ont alors pour fond la septième couche conductrice 17 3 . Pour cela, on procède de la même manière que pour la sous-étape E22. Les configurations de gravure (chimie, durée, etc.) sont alors similaires à celles utilisées lors de l’opération E222. Une fois les cavités non-traversantes obtenues, on met en œuvre, comme à l’étape E6, une sous-étape illustrée sur la FIG. 19 , qui consiste à prolonger les cavités non-traversantes à travers la sixième couche conductrice 16 3 , puis à travers la septième couche conductrice 17 3 , le sixième empilement de couches organiques 422 3 , la troisième couche CGL 3 et le cinquième empilement de couches organiques 421 3 . Les cavités résultantes, notées 30 3 sur la FIG. 19 , débouchent sur la couche isolante 12. Il en résulte les pixels 40 3 , R du deuxième groupe, les pixels du deuxième groupe 40 2,V et les pixels 40 1,B du premier groupe séparés les uns des autres. Comme à la sous-étape E64, des gravures anisotropes sont réalisées à travers la sixième couche conductrice 16 3 , puis à travers les couches sous-jacentes à la sixième couche conductrice 16 3 . Les configurations de gravure anisotropes sont similaires aux configurations de gravure décrites en relation à la sous-étape E64, ou en relation à la sous-étape E23. Enfin, une quatrième couche de passivation 50’’ (cf. FIG. 19 ) est formée de manière conforme sur les pourtours des pixels et entre les pixels formés. A l’issue de l’étape E7, on obtient la structure illustrée sur la FIG. 19 . Cette structure comprend, en plus des pixels 40 1,B du premier groupe et les pixels 40 2,V du deuxième groupe , les pixels 40 3,R du troisième groupe séparés les uns des autres par les cavités 30 3 . De manière préférentielle, les étapes E4 et E5 sont mises en œuvre sur le dispositif d’affichage illustré sur la FIG. 19 . Selon un troisième mode de mise en œuvre, le procédé de fabrication permet de former le dispositif d’affichage 1 selon le troisième mode de réalisation (illustré en FIG. 20 ). Le procédé de fabrication selon le troisième mode de mise en œuvre diffère du premier mode de mise en œuvre (décrit en relation avec les figures 2 à 7) du fait que lors de la sous-étape E21 consistant à déposer les matériaux destinés à former les pixels, les opérations E212, E213 et E214 ne sont pas réalisées. Autrement dit, le procédé de fabrication ne comprend pas, lors d’une étape E2’ de formation des pixels 40, les opérations suivantes : Dépôt de la couche CGL sur le premier empilement 421 de couches organiques, Dépôt du deuxième empilement 422 de couches organiques sur la couche CGL, Dépôt de la deuxième couche conductrice 17 sur le deuxième empilement 422 de couches organiques. Comme la couche CGL et le deuxième empilement 422 de couches organiques ne sont pas déposés, le procédé de fabrication selon ce troisième mode de mise en œuvre ne comprend pas, en outre, les opérations suivantes : gravure anisotrope E232 de la deuxième couche conductrice 17, gravure anisotrope E233 du deuxième empilement 422 de couches organiques, gravure anisotrope E234 de la couche CGL. Il convient de noter que les couches de transport de charge CGL, le deuxième empilement 422 de couches organiques, ainsi que la deuxième couche conductrice 17 ne sont donc pas essentielles. En outre, le procédé de fabrication selon le troisième mode de mise en œuvre diffère du premier mode de mise en œuvre (décrit en relation avec les figures 2 à 7) en ce que l’étape E222 de gravure d’au moins une partie de la première couche conductrice 16 est configurée pour que les cavités 30 aient une profondeur e 30 strictement inférieure (et non inférieure ou égale) à l’épaisseur e 1 6 de la première couche conductrice 16. En effet, en l’absence de la deuxième couche conductrice 17, l’épaisseur résiduelle de la première couche conductrice 16 protège le premier empilement de couches organiques lors du retrait du masque de gravure. Selon une variante de réalisation, la deuxième couche conductrice 17 peut être déposée sur le premier empilement 421 de couches organiques, avant le dépôt de la première couche conductrice 16. Dans ce cas, une opération de gravure anisotrope de la deuxième couche conductrice 17 déposée sur le premier empilement 421 de couches organiques est mise en œuvre entre la gravure anisotrope de la première couche conductrice 16 et la gravure anisotrope du premier empilement de couches organiques 421. De plus, la gravure d’au moins une partie de la première couche conductrice 16 est configurée pour que les cavités 30 aient une profondeur inférieure ou égale à l’épaisseur de la première couche conductrice 16. Selon un quatrième mode de mise en œuvre, le procédé de fabrication permet de former le dispositif d’affichage 1 couleur selon le quatrième mode de réalisation (illustré en FIG. 21 ). Ce quatrième mode de mise en œuvre diffère du troisième mode de réalisation en ce que tous les pixels ne sont pas formés en une seule étape E2’, mais en trois temps, avec des couches organiques configurées pour produire un rayonnement de couleur différente (ici, dans l’exemple choisi, de couleur respective bleue, verte et rouge). Pour cela, on procède sensiblement de la même manière que pour le deuxième mode de mise en œuvre, décrit en relation avec les figures 12 à 19. Précisément, le quatrième mode de mise en œuvre ne diffère du deuxième mode de réalisation que lors des étapes de dépôt et de gravure anisotrope des matériaux destinés à former, ou formant, les pixels. Ainsi, par rapport au deuxième mode de mise en œuvre, le procédé de fabrication selon le quatrième mode de mise en œuvre ne comprend pas, lors d’une étape E2’’ de formation des pixels du premier groupe, les opérations suivantes : Dépôt de la couche CGL sur le premier empilement 421 de couches organiques, Dépôt du deuxième empilement 422 de couches organiques sur la couche CGL, Dépôt de la deuxième couche conductrice 17 sur le deuxième empilement 422 de couches organiques, Gravure anisotrope de la deuxième couche conductrice 17, Gravure anisotrope du deuxième empilement 422 de couches organiques, Gravure anisotrope de la couche CGL. De plus, le procédé de fabrication selon le quatrième mode de mise en œuvre ne comprend pas, lors d’une étape E6’ de formation des pixels du deuxième groupe, les opérations suivantes : Dépôt de la deuxième couche CGL 2 sur le troisième empilement 421 2 de couches organiques, Dépôt du quatrième empilement 422 2 de couches organiques sur la deuxième couche CGL 2 , Dépôt de la cinquième couche conductrice 17 2 sur le quatrième empilement 422 2 de couches organiques, Gravure anisotrope de la cinquième couche conductrice 17 2 , Gravure anisotrope du quatrième empilement 422 2 de couches organiques, Gravure anisotrope de la deuxième couche CGL 2 . Enfin, le procédé de fabrication selon le quatrième mode de mise en œuvre ne comprend pas, lors d’une étape E7’ de formation des pixels du troisième groupe, les opérations suivantes : Dépôt de la troisième couche CGL 3 sur le cinquième empilement 421 3 de couches organiques, Dépôt du sixième empilement 422 3 de couches organiques sur la troisième couche CGL 3 , Dépôt de la septième couche conductrice 17 3 sur le sixième empilement 422 3 de couches organiques, Gravure anisotrope de la septième couche conductrice 17 3 , Gravure anisotrope du sixième empilement 422 3 de couches organiques, Gravure anisotrope de la troisième couche CGL 3 . Procédé de fabrication d’un dispositif (1) comprenant une pluralité de pixels (40) disposés sur un substrat (11), chaque pixel (40) comprenant une électrode inférieure (41), une électrode supérieure (43), et un élément actif (42) disposé entre les électrodes inférieure (41) et supérieure (43), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fourniture (E1) d’une structure (10) comprenant le substrat (11) et les électrodes inférieures (41) des pixels (40), les électrodes inférieures (41) étant espacées les unes des autres et disposées sur une première surface (S A CT ) du substrat (11), dite surface active (S A CT ), Formation (E2) d’un premier groupe de pixels (40) sur le substrat (11), en accomplissant les sous-étapes suivantes : Dépôt (E21, E211), sur la surface active (S A CT ) du substrat, d’un premier empilement (421) de couches organiques configuré pour générer ou absorber un premier rayonnement, Dépôt (E21, E215) d’une première couche conductrice (16) sur le premier empilement (421) de couches organiques, Gravure (E22) d’au moins une partie de la première couche conductrice (16) pour former des cavités (30) ayant une profondeur strictement inférieure à l’épaisseur (e 1 6 ) de la première couche conductrice (16), les cavités (30) étant situées au droit d’espaces (40B) s’étendant entre des électrodes inférieures (41) des pixels (40) du premier groupe, Gravure anisotrope (E23) de la première couche conductrice (16) et gravure anisotrope (E23) du premier empilement (421) de couches organiques de sorte à prolonger les cavités (30) à travers la première couche conductrice (16) et le premier empilement (421) de couches organiques, des portions résiduelles (431) de la première couche conductrice (16) subsistant entre les cavités (30), d’où il résulte les pixels (40) du premier groupe séparés les uns des autres par les cavités (30). Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel la sous-étape (E23) de gravure anisotrope est effectuée sous atmosphère dépourvue en oxygène. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 2, dans lequel la structure fournie (10) comprend une couche électriquement isolante (12) disposée sur la surface active (S A CT ) du substrat (11) et enrobant latéralement l’électrode inférieure (41) de chaque pixel (40), la couche électriquement isolante (12) servant de couche d’arrêt lors de la gravure anisotrope (E23) du premier empilement (421) de couches organiques. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape (E2) de formation du premier groupe de pixels (40) sur le substrat (11) comprend en outre : entre le dépôt (E211) du premier empilement de couches organiques et le dépôt (E215) de la première couche conductrice, le dépôt (E214) d’une deuxième couche conductrice (17) formée d’un métal, entre la gravure anisotrope (E23) de la première couche conductrice (16) et la gravure anisotrope (E23) du premier empilement (421) de couches organiques, une gravure anisotrope (E23) de la deuxième couche conductrice (17). Procédé de fabrication selon la revendication 4, dans lequel le premier empilement (421) de couches organiques est configuré pour générer le premier rayonnement et dans lequel l’étape (E2) de formation du premier groupe de pixels sur le substrat comprend en outre : Entre le dépôt (E211) du premier empilement de couches conductrices et le dépôt (E214) de la deuxième couche conductrice, les opérations suivantes : Dépôt (E212) d’une couche conductrice d’interconnexion (CGL) sur le premier empilement (421) de couches organiques, la couche conductrice d’interconnexion (CGL) étant adaptée à connecter le premier empilement (421) de couches organiques à un deuxième empilement (422) de couches organiques, Dépôt (E213) du deuxième empilement (422) de couches organiques sur la couche conductrice d’interconnexion (CGL), Entre la gravure anisotrope (E23) de la deuxième couche conductrice (17) et la gravure anisotrope (E23) du premier empilement (421) de couches organiques, une gravure anisotrope (E23) de la couche conductrice d’interconnexion (CGL) et une gravure anisotrope du deuxième empilement (422) de couches organiques, d’où il résulte les pixels (40) séparés les uns des autres et ayant une structure multi-empilement aussi appelée structure tandem. Procédé de fabrication selon la revendication 5, dans lequel la couche conductrice d’interconnexion (CGL) est formée d’un matériau conducteur métallique ou organique. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la première couche conductrice (16) est formée d’un métal et présente une épaisseur initiale (e 1 6 ) déterminée pour que l’épaisseur (e 43 1 ) des portions résiduelles de la première couche conductrice (16) soit inférieure à 20 nm, de préférence comprise entre 10 nm et 20 nm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 7, comprenant, après l’étape (E2) de formation des pixels sur le substrat, une étape (E3) de dépôt d’une couche de passivation (50) sur les pourtours des pixels (40) et sur la surface du substrat (11). Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel le dépôt (E3) de la couche de passivation (50) est effectué de manière conforme. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 8 à 9, comprenant, après l’étape (E3) de dépôt de la couche de passivation, une étape (E4) de formation d’une électrode commune (60) comprenant les sous-étapes suivantes : Ouverture de la couche de passivation (50) de manière à créer un accès à l’électrode supérieure (41) de chaque pixel (40), Formation d’une troisième couche conductrice (60) continue sur les pixels (40) et sur le substrat entre les pixels et sur une piste de contact électrique (13) disposée sur une deuxième surface (SPERI) du substrat périphérique à la surface active, d’où il résulte l’électrode commune (70) reliant l’électrode supérieure (43) de chaque pixel (40) à la piste de contact électrique (13). Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel la troisième couche conductrice (60) est transparente. Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel la troisième couche conductrice (60) est réfléchissante et le substrat (11) est transparent. Procédé de fabrication selon la revendication 12, dans lequel la troisième couche conductrice (60) présente une épaisseur supérieure à 50 nm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 8 à 13, comprenant, après l’étape (E3) de dépôt de la couche de passivation, une étape de formation (E6) d’un deuxième groupe de pixels sur une autre partie des électrodes inférieures, comprenant les sous-étapes suivantes : Ouverture de la couche de passivation de manière à créer un accès à chaque électrode inférieure des pixels du deuxième groupe, Dépôt, sur la surface active du substrat, d’un troisième empilement de couches organiques configuré pour générer ou recevoir un deuxième rayonnement distinct du premier rayonnement, Dépôt d’une quatrième couche conductrice sur le troisième empilement de couches organiques, Gravure d’au moins une partie de la quatrième couche conductrice pour former des cavités ayant une profondeur inférieure ou égale à l’épaisseur de la quatrième couche conductrice, les cavités étant situées au droit d’espaces s’étendant entre des électrodes inférieures des pixels du deuxième groupe, Gravure anisotrope de la quatrième couche conductrice et gravure anisotrope du troisième empilement de couches organiques de sorte à prolonger les cavités à travers la quatrième couche conductrice et le troisième empilement de couches organiques, des portions résiduelles de la quatrième couche conductrice subsistant entre les cavités, d’où il résulte, en plus des pixels du premier groupe, les pixels du deuxième groupe séparés les uns des autres par les cavités. Procédé de fabrication d’un dispositif (1) comprenant une pluralité de pixels (40) disposés sur un substrat (11), chaque pixel (40) comprenant une électrode inférieure (41), une électrode supérieure (43), et un élément actif (42) disposé entre les électrodes inférieure (41) et supérieure (43), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fourniture (E1) d’une structure (10) comprenant le substrat (11) et les électrodes inférieures (41) des pixels (40), les électrodes inférieures (41) étant espacées les unes des autres et disposées sur une première surface (S ACT ) du substrat (11), dite surface active (S ACT ), Formation (E2) d’un premier groupe de pixels (40) sur le substrat (11), en accomplissant les sous-étapes suivantes : Dépôt (E21, E211), sur la surface active (S ACT ) du substrat, d’un premier empilement (421) de couches organiques configuré pour générer ou absorber un premier rayonnement, Dépôt (E214) d’une deuxième couche conductrice (17) formée d’un métal sur le premier empilement (421) de couches organiques, Dépôt (E21, E215) d’une première couche conductrice (16) sur le premier empilement (421) de couches organiques, Gravure (E22) d’au moins une partie de la première couche conductrice (16) pour former des cavités (30) ayant une profondeur inférieure ou égale à l’épaisseur (e 16 ) de la première couche conductrice (16), les cavités (30) étant situées au droit d’espaces (40B) s’étendant entre des électrodes inférieures (41) des pixels (40) du premier groupe, Gravure anisotrope (E23) de la première couche conductrice (16) et gravure anisotrope (E23) du premier empilement (421) de couches organiques de sorte à prolonger les cavités (30) à travers la première couche conductrice (16), la deuxième couche conductrice (17) et le premier empilement (421) de couches organiques, des portions résiduelles (431) de la première couche conductrice (16) subsistant entre les cavités (30), d’où il résulte les pixels (40) du premier groupe séparés les uns des autres par les cavités (30).