FR 3156195 A1 20250606 FR 2313527 A 20231204 L’invention porte sur un détecteur thermique comportant : un substrat de lecture (10), comportant un circuit de lecture ; une membrane absorbante (40), comportant un transducteur thermomètre (44) connecté électriquement au circuit de lecture, des piliers d’ancrage (20) et des bras de maintien (30), assurant : le maintien de la membrane absorbante (40) suspendue au-dessus du substrat de lecture (10) ; l’isolation thermique de celle-ci vis-à-vis du substrat de lecture (10) ; et la connexion électrique du transducteur thermomètre (44) au circuit de lecture ; les bras de maintien (30) étant formés d’un empilement d’au moins une portion (51b ; 53b) d’une couche mince isolante (51 ; 53) réalisée en un matériau thermiquement isolant, et au moins une portion (52b) d’une couche mince conductrice (52) réalisée en un matériau électriquement conducteur. La couche mince isolante (51 ; 53) est réalisée en bore amorphe. Figure pour l’abrégé : Fig.2A Détecteur thermique comportant une membrane absorbante suspendue a isolation thermique améliorée Le domaine de l’invention est celui des détecteurs thermiques d’un rayonnement électromagnétique, par exemple infrarouge ou térahertz, comportant une membrane absorbante qui est suspendue au-dessus d’un substrat de lecture et isolée thermiquement de celui-ci. L’invention s’applique notamment aux domaines, entre autres, de l’imagerie infrarouge, de la thermographie, de la détection de gaz. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les détecteurs thermiques peuvent comporter une membrane absorbante, suspendue au-dessus d’un substrat de lecture, comportant un absorbeur du rayonnement électromagnétique à détecter et un transducteur thermomètre, par exemple un matériau thermistance, couplé thermiquement à l’absorbeur. Pour assurer l’isolation thermique du transducteur thermomètre vis-à-vis du substrat de lecture, la membrane absorbante est habituellement suspendue au-dessus du substrat de lecture par des piliers d’ancrage, et est isolée thermiquement de celui-ci par des bras de maintien. Ces piliers d’ancrage et bras de maintien présentent également une fonction électrique dans la mesure où ils permettent de connecter le transducteur thermomètre au circuit de lecture situé dans le substrat. Les bras de maintien peuvent être formés d’un empilement de deux couches minces isolantes, réalisées en un matériau thermiquement et électriquement isolant, entre lesquelles est située une couche mince conductrice réalisée en un matériau électriquement conducteur. Cette couche mince conductrice permet de connecter le transducteur thermomètre au circuit de lecture. Les couches minces isolantes peuvent être réalisées en silicium amorphe déposé par voie chimique en phase vapeur (CVD). La FIG. 1 est une vue en perspective d’un exemple de détecteur thermique 1 selon un exemple de l’art antérieur, ici adapté à absorber un rayonnement infrarouge de la bande spectrale LWIR ( Long Wavelength Infrared , en anglais) dont la longueur d’onde centrale est comprise entre 8µm et 14µm environ. Le détecteur thermique 1 comporte une membrane absorbante 40 suspendue au-dessus d’un substrat de lecture 10 par des piliers d’ancrage 20 et isolée thermiquement de celui-ci par des bras de maintien et d’isolation thermique 30. Ces piliers d’ancrage 20 et bras d’isolation thermique 30 présentent également une fonction électrique en reliant électriquement la membrane absorbante 40 à un circuit de lecture situé dans le substrat de lecture 10. La membrane 40 comporte ici un absorbeur 47 adapté à absorber le rayonnement électromagnétique à détecter et un transducteur thermomètre en contact thermique avec l’absorbeur 47. Le transducteur thermomètre peut être un matériau présentant une résistance électrique qui varie avec son échauffement (thermistor). Il peut s’agir notamment de silicium amorphe ou d’un oxyde de vanadium. La membrane absorbante 40 est espacée verticalement d’un réflecteur 12 d’une distance de manière à former une cavité interférentielle quart d’onde optimisant l’absorption par l’absorbeur 47 du rayonnement électromagnétique à détecter. Un tel absorbeur 47 peut être formé d’une couche mince métallique, et est généralement appelé absorbeur de Salisbury. Cependant, il apparaît qu’une couche mince de silicium amorphe non intentionnellement dopé, déposée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), peut voir ses propriétés d’isolation électrique et thermique être dégradées lors d’un traitement thermique ultérieur réalisé par exemple à 400°C (par exemple lors d’une étape de réalisation du matériau thermistance). De manière à améliorer la stabilité thermique du silicium amorphe, on peut chercher à le déposer par CVD thermique (non assisté par plasma). Pour ne pas avoir à le déposer à trop haute température, on peut alors utiliser du B 2 H 6 comme catalyseur de la réaction de dissociation du Si 2 H 6 . Cependant, il apparaît que du bore est incorporé comme dopant dans la couche mince de silicium amorphe déposée, ce qui conduit à une dégradation des propriétés d’isolation électrique. L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un détecteur thermique à membrane absorbante suspendue, dont les bras de maintien présentent de bonnes propriétés d’isolation thermique et électrique ainsi qu’une bonne stabilité thermique de ces propriétés. Pour cela, l’objet de l’invention est un détecteur thermique comportant : un substrat de lecture, comportant un circuit de lecture ; une membrane absorbante, comportant un transducteur thermomètre connecté électriquement au circuit de lecture, des piliers d’ancrage et des bras de maintien, assurant : le maintien de la membrane absorbante suspendue au-dessus du substrat de lecture ; l’isolation thermique de celle-ci vis-à-vis du substrat de lecture ; et la connexion électrique du transducteur thermomètre au circuit de lecture ; les bras de maintien étant formés d’un empilement d’au moins une portion d’une couche mince isolante réalisée en un matériau thermiquement isolant, et au moins une portion d’une couche mince conductrice réalisée en un matériau électriquement conducteur. Selon l’invention, la couche mince isolante est réalisée en bore amorphe. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce détecteur thermique sont les suivants. Le matériau en bore amorphe de la couche mince isolante peut présenter une conductivité thermique au plus égale à 1.8 W.m -1 .K -1 , et une résistivité électrique au moins égale à 2000 Ω.cm. L’empilement des bras de maintien peut comporter une portion d’une couche mince isolante inférieure en bore amorphe, la portion de la couche mince conductrice, et une portion d’une couche mince isolante supérieure en bore amorphe. L’empilement des bras de maintien peut comporter une portion d’une couche mince isolante inférieure en bore silicium amorphe a-B x Si 1-x et une portion d’une couche mince isolante supérieure en bore silicium amorphe a-B x Si 1-x situées de part et d’autre de la couche mince conductrice, où x est la proportion atomique de bore dans le bore silicium, de préférence compris entre 10% et 50%. La couche mince isolante en bore amorphe des bras de maintien peut être une couche mince isolante inférieure sur laquelle repose la couche mince conductrice, la couche mince isolante inférieure et la couche mince conductrice s’étendant également dans la membrane absorbante où la couche mince conductrice forme deux électrodes absorbantes adaptées à absorber le rayonnement électromagnétique à détecter. Les deux électrodes absorbantes peuvent reposer au contact de la couche mince isolante inférieure en bore amorphe, et présenter un espacement latéral d’une distance inférieure ou égale à λ c /10, où λ c est une longueur d’onde centrale d’une bande spectrale prédéfinie Δλ du rayonnement électromagnétique à détecter. Le détecteur thermique peut comporter une portion d’une couche mince isolante supérieure en bore amorphe, qui recouvre les deux électrodes absorbantes dans la membrane absorbante, et qui comporte des ouvertures débouchant sur les électrodes absorbantes. Dans ce cas, le transducteur thermomètre est formé de : deux parties d’extrémité où le transducteur thermomètre vient au contact des deux électrodes absorbantes au travers des ouvertures de la couche mince isolante supérieure pour former deux contacts ; et une partie centrale située au-dessus de la couche mince isolante supérieure. Une couche mince isolante intercalaire, réalisée en un matériau électriquement isolant, peut être située entre et au contact de la portion de la couche mince isolante supérieure et de la partie centrale du transducteur thermomètre, et peut s’étendre de l’un à l’autre des deux contacts. La partie centrale du transducteur thermomètre peut être suspendue au-dessus de la couche mince isolante supérieure et forme un espacement vertical exempt de matière. L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’un détecteur thermique selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes, comportant les étapes suivantes : fourniture du substrat de lecture ; dépôt d’une couche sacrificielle ; réalisation des piliers d’ancrage au travers de la couche sacrificielle ; réalisation d’un empilement comportant au moins la couche mince isolante en bore amorphe et la couche mince conductrice ; gravure localisée de l’empilement de manière à former les bras de maintien ; réalisation de la membrane absorbante ; suppression de la couche sacrificielle. La couche mince isolante en bore amorphe peut être réalisée par dépôt chimique en phase vapeur CVD thermique, par injection dans une enceinte de dépôt d’un réacteur CVD d’un gaz précurseur B 2 H 6 dilué dans un gaz porteur, le gaz porteur étant inerte à une réaction de dissociation du B 2 H 6 et choisi parmi l’argon et l’azote, à une température de dépôt inférieure ou égale à 400°C. La pression totale dans l’enceinte de dépôt peut être comprise entre 1 Torr et 10 Torr. Le gaz précurseur peut présenter une pression partielle comprise entre 1 mTorr et 100 mTorr. La couche sacrificielle peut être réalisée en un matériau minéral à base d’un oxyde de silicium. Le procédé peut comporter les étapes suivantes : lors de la réalisation de la membrane absorbante, dépôt d’une couche mince intercalaire ; puis réalisation d’une couche thermistance formant le transducteur thermomètre, celui-ci comportant : deux parties d’extrémité où il vient au contact de deux électrodes absorbantes ; et une partie centrale reposant sur et au contact de la couche mince intercalaire ; lors de la suppression de la couche sacrificielle, la couche mince intercalaire est simultanément supprimée, de sorte que la partie centrale est suspendue au-dessus de la couche mince isolante supérieure et forme un espacement exempt de matière. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la FIG. 1 , déjà décrite, est une vue schématique et partielle, en perspective, d’un détecteur thermique selon un exemple de l’art antérieur ; la FIG. 2 est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un détecteur thermique selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un détecteur thermique selon une variante de réalisation ; la FIG. 2 est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un détecteur thermique selon une autre variante de réalisation ; les figures 3A à 3H illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication du détecteur thermique illustré sur la FIG. 2 . EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l’ordre de » signifient à 10% près, et de préférence à 5% près. Par ailleurs, les termes « compris entre … et … » et équivalents signifient que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. Enfin, les valeurs de la résistivité électrique sont indiquées pour une température ambiante à 300K. L’invention porte sur un détecteur thermique d’un rayonnement électromagnétique, par exemple infrarouge ou térahertz, notamment dans la gamme LWIR (8-14µm), comportant une membrane absorbante suspendue au-dessus d’un substrat de lecture, et dont les bras de maintien présentent de bonnes propriétés d’isolation thermique, ainsi qu’une bonne stabilité thermique de ces propriétés d’isolation. Cela améliore ainsi les performances du détecteur thermique, en particulier sa sensibilité. Pour cela, les bras de maintien sont formés d’un empilement d’au moins une couche mince isolante réalisée en bore amorphe, qui assure la tenue mécanique des bras de maintien et présente de bonnes propriétés d’isolation thermique, et d’au moins une couche mince conductrice réalisée en un matériau électriquement conducteur, qui permet de polariser électriquement le transducteur thermomètre. La couche mince isolante de bore amorphe présente en effet une conductivité thermique au plus égale à 1.8 W.m -1 .K -1 , et une résistivité électrique au moins égale à 2000 Ω.cm. De plus, ces propriétés d’isolation restent bonnes après une étape de recuit à une température par exemple égale à 400°C pendant 1h. Par ailleurs, le bore amorphe est sensiblement inerte à l’agent de gravure (en particulier l’acide fluorhydrique en phase vapeur) utilisé pour supprimer la couche sacrificielle en un matériau minéral qui peut être utilisée comme support temporaire pour réaliser la membrane absorbante. Le détecteur thermique peut donc être fabriqué en mettant en œuvre une telle couche sacrificielle minérale qui peut être gravée à l’HF vapeur. Enfin, le bore amorphe peut être déposé de manière conforme, de sorte qu’il peut recouvrir une couche ayant une topologie tridimensionnelle (reliefs, marches, mésas…) tout en gardant une épaisseur suffisante pour que la couche mince de bore amorphe reste continue (pas de rupture de matière). Par couche mince de bore, on entend que la couche mince ne comporte sensiblement que des atomes de bore. Une concentration atomique résiduelle d’hydrogène est toutefois possible mais reste faible (d’autant plus faible que la température de dépôt est élevée), par exemple de l’ordre de 5%at pour une température de 388°C. Quoi qu’il en soit, il ne s’agit pas de nitrure ou carbure de bore, ni d’un composé binaire de type B x Si 1-x , où x est la proportion atomique de bore. De plus, par bore amorphe, on entend que la couche mince ne contient pas de phase cristalline, de sorte que le diagramme de diffraction, obtenu par microscopie électronique en transmission, ne révèle pas de cristallite. La FIG. 2 est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un détecteur thermique 1 selon un mode de réalisation. On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel XYZ, où le plan XY est sensiblement parallèle au plan d’un substrat de lecture 10 du détecteur thermique 1, l’axe Z étant orienté suivant une direction sensiblement orthogonale au plan XY, du substrat de lecture 10 vers la membrane absorbante 40. Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » s’entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant lorsqu’on s’éloigne du substrat de lecture 10 suivant la direction +Z. Le détecteur thermique 1 peut appartenir à une matrice de détecteurs thermiques identiques, agencés de préférence de manière périodique dans un plan XY. Chaque détecteur thermique forme un pixel de détection. Les membranes absorbantes reposent alors sur un même substrat de lecture. Dans le cas d’une détection infrarouge, la matrice peut comporter par exemple entre 60×80 et 1280×1024 pixels, avec un pas de répétition compris par exemple entre 12µm et 8.5µm. Dans cet exemple, comme décrit en détail ci-dessous, les bras de maintien 30 sont formés d’un empilement de deux couches minces isolantes en bore amorphe 51, 53, entre lesquelles est située une couche mince conductrice 52. Cet empilement tricouche s’étend également dans la membrane absorbante 40. Par ailleurs, la couche mince conductrice 52 forme, au niveau de la membrane absorbante 40, des électrodes 41 qui assurent la polarisation du transducteur thermomètre 44, mais également l’absorption du rayonnement électromagnétique à détecter. Le substrat de lecture 10 est formé d’un substrat support 11 contenant le circuit de lecture (non représenté) adapté à commander et lire le transducteur thermomètre 44. Le circuit de lecture peut se présenter sous la forme d’un circuit intégré CMOS. Il comporte ainsi des éléments microélectroniques actifs (par exemple des transistors, diodes, amplificateurs…) et des niveaux d’interconnexion électrique. Ici, seul le niveau d’interconnexion supérieur est représenté. Les niveaux d’interconnexion sont formés de lignes ou portions conductrices connectées verticalement par des vias conducteurs (non représentés). Les portions conductrices et les vias conducteurs peuvent être réalisés à base de cuivre, d’aluminium et/ou de tungstène, entre autres, par exemple au moyen d’un procédé damascène dans lequel on remplit des tranchées réalisées dans des couches isolantes inter-métal. Celles-ci peuvent être réalisées sur la base d’oxyde de silicium (SiO 2 , SiOF, SiOC, SiOCH…) et éventuellement de nitrure de silicium SiN. Ici, des portions conductrices du niveau d’interconnexion supérieur forment des portions de connexion 13 des piliers d’ancrage 20 ainsi qu’un réflecteur 12. Celui-ci est adapté à réfléchir le rayonnement électromagnétique à détecter en direction de la membrane absorbante 40, et s’étend donc dans le plan XY en regard de celle-ci (et plus précisément en regard de l’absorbeur situé dans la membrane absorbante). Comme indiqué plus loin, l’espacement vertical entre la membrane absorbante 40 (et plus précisément l’absorbeur 41) et le réflecteur 12 permet de former une cavité optique interférentielle quart d’onde qui maximise l’absorption du rayonnement électromagnétique à détecter. Une couche barrière 14, par exemple en SiN, recouvre ici le substrat support 11 et la ligne d’interconnexion supérieure. Elle permet d’éviter la diffusion du métal des portions 12, 13 de la ligne d’interconnexion supérieure vers les couches supérieures à venir. Enfin, une couche de protection 15 recouvre ici la couche barrière 14, et donc également le substrat de support 11 et le circuit de lecture (avec les couches isolantes inter-métal et les lignes d’interconnexion). Cette couche de protection 15 est réalisée en un matériau sensiblement inerte à un agent de gravure utilisé ultérieurement pour supprimer la ou les couches sacrificielles (par exemple de l’acide fluorhydrique en phase vapeur). Elle peut être réalisée par exemple en Al 2 O 3 d’une épaisseur de 20 à 40nm environ, ou en AlN d’une épaisseur de 100nm environ. Le détecteur thermique 1 comporte une membrane absorbante 40, suspendue au-dessus du substrat de lecture 10 par des piliers d’ancrage 20, et isolée thermiquement de celui-ci par des bras de maintien 30. Les piliers d’ancrage 20 et bras de maintien 30 assurent également une fonction de connexion électrique du transducteur thermomètre 44 au circuit de lecture contenu dans le substrat de lecture 10. Les piliers d’ancrage 20 s’étendent suivant la direction +Z de manière à espacer la membrane absorbante 40 d’une distance prédéfinie vis-à-vis du substrat de lecture 10 et du réflecteur 12. Ils sont réalisés en un matériau électriquement conducteur, par exemple à base de tungstène ou de cuivre. Ils sont formés d’un vias conducteurs 21 surmontés chacun d’un plot conducteur supérieur 22, par exemple en TiN d’une épaisseur de 20 à 50nm environ. Ce plot 22 permet d’éviter la diffusion du matériau des vias conducteurs 21. Chaque via conducteur 21 peut également comporter une couche mince (non représentée), s’étendant à la périphérie du via dans le plan XY et réalisée par exemple en TiN, permettant d’éviter la diffusion du matériau des vias. Les bras de maintien 30 sont formés d’un empilement d’au moins une portion d’une couche mince isolante en bore amorphe, et d’une portion 52b d’une couche mince conductrice 52 réalisée en un matériau électriquement conducteur. Dans cet exemple, l’empilement comporte une portion 51b d’une couche mince isolante inférieure 51 en bore amorphe, une portion 52b d’une couche mince conductrice 52, et une portion 53b d’une couche mince isolante supérieure 53 en bore amorphe. Les couches minces isolantes 51, 53 sont réalisées en le même matériau, ici en bore amorphe, et présentent de préférence une même épaisseur. Cette épaisseur peut être comprise entre 15nm et 100nm, de préférence entre 30nm et 70nm, par exemple égale à 50nm environ. Elle peut être ajustée au besoin, en fonction de la largeur et de la longueur des bras de maintien 30, de manière à leur garantir une bonne stabilité mécanique. Ainsi, le bore amorphe des couches minces isolantes 51, 53 présente une faible conductivité thermique, autrement dit une conductivité thermique σ TH au plus égale à 1.8 W.m -1 .K -1 , assurant ainsi une très bonne isolation thermique de la membrane absorbante. Le bore amorphe des couches minces isolantes 51, 53 présente en outre une résistivité électrique ρ EL au moins égale à 2000 Ω.cm. Cette dernière propriété est mise à profit en particulier dans la membrane absorbante 40, où les deux parties de la couche mince conductrice 52 forment des électrodes de polarisation 41a, 41b ainsi que l’absorbeur du rayonnement électromagnétique à détecter. En effet, cette bonne isolation électrique permet de réduire l’espacement latéral 42 entre les deux parties 41a, 41b de la couche mince conductrice 52, comme détaillé plus loin. Par ailleurs, ces propriétés d’isolation sont préservées à la suite d’un traitement thermique ultérieur, par exemple à 400°C pendant au moins 1h. De plus, le dépôt des couches minces isolantes 51, 53 est un dépôt conforme, de sorte qu’il n’y a pas de rupture de continuité de matière, notamment au niveau du recouvrement des plots conducteurs supérieurs 22, qui serait susceptible de réduire la tenue mécanique des bras de maintien 30. Ces couches minces isolantes 51, 53 sont réalisées en bore amorphe, dans le sens où elles ne comportent sensiblement que des atomes de bore, comme indiqué précédemment. De plus, le bore est amorphe et ne contient pas de phase cristalline. Comme décrit en détail plus loin, elles peuvent être réalisées par dépôt CVD thermique. La résistivité électrique du bore amorphe peut être ajustée en fonction des conditions opératoires de dépôt. La couche mince conductrice 52 est réalisée en un matériau électriquement conducteur, par exemple en TiN ou NiCr, entre autres, d’une épaisseur par exemple comprise entre 5 et 15nm, de préférence entre 6 et 10nm. Elle recouvre la couche mince isolante inférieure. Cet empilement tricouche de couches minces 51, 52, 53 s’étend également sur les piliers d’ancrage 20. Au niveau des piliers d’ancrage 20, une portion 51a de la couche mince isolante inférieure 51 s’étend sur le plot conducteur supérieur 22. Elle est gravée localement pour permettre à une portion 52a de la couche mince conductrice 52 de venir au contact du plot conducteur supérieur 22. Une portion 53a de la couche mince isolante supérieure 53 recouvre le tout. La membrane absorbante 40 comporte : un transducteur thermomètre 44, ici formée par une couche thermistance, c’est-à-dire une couche en un matériau dont la résistance électrique varie en fonction de son échauffement thermique ; des électrodes de polarisation 41a, 41b ; et au moins un absorbeur (ici formé par les électrodes 41a, 41b) couplé thermiquement au transducteur thermomètre. Par ailleurs, la membrane absorbante 40 comporte une couche mince isolante intercalaire 46, réalisée en un matériau électriquement isolant, et située entre la portion 53c de la couche mince isolante 53 et une partie centrale 44c du transducteur thermomètre 44. La membrane absorbante 40 comporte une portion 51c, 52c, 53c de l’empilement des deux couches minces isolantes 51, 53 et de la couche mince conductrice 52. Ainsi, cet empilement s’étend dans le plan XY pour former les bras de maintien 30 et participer à définir la membrane absorbante 40. Ici, la couche mince isolante inférieure 51 s’étend de manière continue dans le plan XY dans les bras de maintien 30 et la membrane absorbante 40. La portion 51c de la couche mince isolante inférieure 51 présente une épaisseur suffisante pour assurer une bonne stabilité mécanique de la membrane absorbante 40. Comme pour les bras de maintien 30, cette épaisseur peut être comprise entre 15nm et 100nm, de préférence entre 30nm et 70nm, par exemple égale à 50nm environ. Les électrodes de polarisation 41a, 41b sont ici deux parties distinctes de la couche mince conductrice 52. Elles sont réalisées en un matériau électriquement conducteur, ici en un matériau métallique comme par exemple du TiN ou du NiCr, entre autres, d’une épaisseur par exemple comprise entre 5 et 15nm, de préférence entre 6 et 10nm. Ces électrodes de polarisation 41a, 41b forment ici un absorbeur en couche mince (absorbeur de Salisbury). Le matériau et l’épaisseur de l’absorbeur sont de préférence choisis de sorte que sa résistance de surface est sensiblement égale à l’impédance du vide. Ces électrodes absorbantes 41a, 41b présentent une surface importante dans le plan XY de manière à maximiser l’absorption du rayonnement électromagnétique à détecter. Elles sont espacées l’une de l’autre dans le plan XY d’une distance de préférence inférieure ou égale à λ c /10, où λ c est la longueur d’onde centrale de la bande spectrale de détection, ici 8-14µm. Ainsi, cet espacement latéral 42 peut être de l’ordre de 1µm environ. Ces deux électrodes absorbantes 41a, 41b restent isolées électriquement du fait de la forte résistivité électrique de la couche mince isolante inférieure 51 et celle de la couche mince isolante supérieure 53 qui remplit l’espacement latéral 42. La couche mince isolante supérieure 53 recouvre donc les électrodes absorbantes 41a, 41b. Elle s’étend de manière continue, dans le plan XY, dans les bras de maintien 30 et la membrane absorbante 40, et présente une épaisseur suffisante pour assurer une bonne stabilité mécanique de la membrane absorbante. Cette épaisseur peut ainsi être comprise entre 15nm et 100nm, de préférence entre 30nm et 70nm, par exemple égale à 50nm environ. La couche mince isolante supérieure 53 présente des ouvertures traversantes débouchant sur les électrodes absorbantes 41a, 41b, de manière à permettre au transducteur thermomètre 44 de venir au contact des électrodes absorbantes 41a, 41b : il s’agit des contacts 43. Une couche mince isolante intercalaire 46 s’étend sur la portion isolante 53c de la couche mince isolante 53, et améliore ainsi l’isolation électrique entre les électrodes 41a, 41b et la partie centrale 44c du transducteur thermomètre 44. Dans cet exemple, elle ne s’étend que sur la partie de la portion isolante 53c située entre les contacts 43 dans le plan XY. Elle s’étend de l’un à l’autre des contacts 43 dans le plan XY. Cette couche mince 46 est réalisée en un matériau électriquement isolant (et ici résistant à l’HF vapeur) tel que de l’Al 2 O 3 ou de l’AlN d’une épaisseur par exemple de l’ordre de 10 à 20nm. Cette couche mince 46 permet d’éviter que le courant électrique ne soit dissipé dans le transducteur 44 uniquement dans un volume situé à l’aplomb de l’espacement latéral 42 (donc sur une distance de 1µm environ dans le plan XY), mais au contraire qu’il soit dissipé dans le transducteur 44 dans un volume situé entre les deux contacts 43 (donc sur une distance de 10µm environ). Le transducteur thermomètre 44 est ici un matériau thermistance d’une épaisseur par exemple de l’ordre de quelques dizaines à centaines de nanomètres. Il peut s’agir d’un matériau à base d’un oxyde de vanadium ou de titane, de silicium amorphe, ou d’un composé silicium germanium amorphe. En variante, il peut également s’agir d’une diode (jonction pn ou pin) ou d’un transistor à effet de champ et à structure métal - oxyde - semiconducteur (MOSFET), entre autres. Evidemment, dans le cas du silicium germanium, de l’oxyde de vanadium ou de titane, comme dans le cas de la diode ou du transistor, des couches supplémentaires de protection contre l’HF vapeur sont prévues (non représentées ici, pour privilégier la clarté des figures). Il s’étend ici sur la couche mince isolante supérieure 53. Il présente deux parties d’extrémité 44e où il vient au contact des électrodes absorbantes 41a, 41b via les ouvertures traversantes (contacts 43), et une partie centrale 44c située entre les deux parties d’extrémité 44e. Dans cet exemple, la partie centrale 44c est au contact de la couche isolante intercalaire 46. La résistivité électrique du transducteur thermomètre 44 en silicium amorphe est comprise par exemple entre 60Ω.cm et 1000Ω.cm, par exemple égale à 60Ω.cm ou à 75Ω.cm environ. Le choix de la résistivité électrique dépend notamment du mode de lecture souhaité, par exemple de type rolling shutter où l’on privilégie une faible résistivité, ou de type global shutter où une forte résistivité est recherchée. Dans le cas du silicium germanium, la résistivité électrique est comprise par exemple entre 10Ω.cm et 75Ω.cm, par exemple égale à 10Ω.cm (dans le cas d’un mode de lecture de type rolling shutter ). La résistivité électrique peut être ajustée par dopage à la croissance, et par la proportion atomique de germanium le cas échéant. L’épaisseur d’un tel transducteur thermomètre est comprise par exemple entre 200nm et 800nm, et dépend notamment des performances souhaitées du détecteur thermomètre, selon que l’on souhaite privilégier la vitesse de réponse (on choisira une épaisseur faible) ou la résolution thermique (on choisira alors une épaisseur plus importante pour minimiser le bruit du détecteur). Par ailleurs, notons que le courant électrique circulant dans un tel transducteur thermomètre 44 dépend notamment de la résistivité électrique et de l’épaisseur de la couche thermistance 44, ainsi que la distance séparant les deux contacts 43. Un courant électrique indésirable (courant parasite) peut circuler depuis et entre les extrémités des électrodes absorbantes 41a, 41b, à travers les couches minces isolantes 51, 53 en bore amorphe qui encadrent verticalement les électrodes 41a, 41b. Ce courant parasite dépend des épaisseurs et de la résistivité électrique des couches minces isolantes 51, 53 en bore amorphe, ainsi que de la distance de l’espacement latéral 42 séparant les deux extrémités des électrodes 41a, 41b (en toute rigueur le courant parasite dépend aussi de la résistance des électrodes 41a, 41b qui agissent comme une résistance électrique en série, mais cette contribution est négligeable vu la faible résistivité électrique du TiN). On cherche à ce que ce courant parasite soit faible, typiquement limité à une amplitude inférieure ou égale à 5% du courant de mesure du signal électrique circulant dans la thermistance 44. La résistivité électrique élevée du bore amorphe des couches minces isolantes 51, 53 répond favorablement à ce besoin. En effet, pour un détecteur thermique 1 avec un pas de pixel égal à 12µm, la distance séparant les deux contacts 43 est typiquement égale à L1 = 10µm. Dès lors, la mise en œuvre d’une thermistance 44 avec une résistivité égale à ρ1 = 75Ω.cm et une épaisseur égale à e1 = 200nm, conjointement à des bras de maintien 30 formés par deux couches minces isolantes 51, 53 chacune d’épaisseur 50nm pour une épaisseur totale égale à e2 = 100nm, nécessite d’utiliser des couches minces isolantes 51, 53 avec une résistivité électrique ρ2 supérieure ou égale à 7.5×10 3 Ω.cm, selon l’expression (1) ci-dessous, si l’on souhaite limiter la distance séparant les électrodes 41a, 41b à un espace au plus égal à L2 = 1µm (équivalent à λ c /10) ce qui permet de maintenir un niveau d’absorption du rayonnement infrarouge quasi similaire à celui d’un absorbeur unique continu. La relation (1) s’écrit : . Or, il apparaît que les deux couches minces isolantes 51, 53 de bore amorphe de 50nm chacune, élaborées avec le procédé de dépôt CVD thermique, permet d’obtenir une résistivité électrique égale à 1.7×10 4 Ω.cm, donc parfaitement adéquate pour répondre à l’exigence d’une résistivité minimum de 7.5×10 3 Ω.cm. Cette exigence est d’autant mieux couverte que l’épaisseur e1 de la couche thermistance est grande (avec 400nm par exemple au lieu de 200nm), que la résistivité électrique ρ1 de de la thermistance est petite (avec 10Ω.cm par exemple au lieu de 75Ω.cm) ou que le pas du pixel diminue (8.5µm par exemple au lieu de 12µm) et avec lui la distance L1 qui sépare les deux contacts 43. De telles couches 51, 53 en bore amorphe conservent en outre une résistivité électrique élevée après un traitement thermique à haute température ; la résistivité électrique est encore égale à 1.1×10 4 Ω.cm ou 7.5×10 3 Ω.cm après un traitement thermique sous azote réalisé respectivement à 380°C pendant 3 heures ou à 400°C pendant 3 heures. Cette résilience du bore amorphe aux traitements thermiques permet d’intégrer les étapes de dépôt des couches 55, 44, 46 (cf. FIG. 3 et FIG. 3 ) sans dégradation sensible de la résistivité qui reste dans la spécification de la relation (1). Une couche supérieure de protection (non représentée) peut recouvrir le transducteur thermomètre 44, pour assurer une protection de celui-ci vis-à-vis d’éventuelles contaminations ou dégradations lors des étapes du procédé de fabrication, comme par exemple l’étape de retrait ( stripping en anglais) de la résine photosensible utilisée pour localiser la gravure du transducteur thermomètre 44. Elle peut être réalisée en un matériau électriquement isolant, par exemple un matériau diélectrique tel qu’un oxyde, nitrure ou oxynitrure de silicium, voire de l’alumine, entre autres, d’une épaisseur de quelques dizaines de nanomètres. Ainsi, le détecteur thermique 1 présente des performances améliorées, notamment en termes de sensibilité, du fait des bonnes propriétés d’isolation thermique de la couche mince isolante 51 en bore amorphe, et ici des deux couches minces isolantes 51, 53 des bras de maintien 30. Ces performances sont également liées à la stabilité thermique de ces propriétés d’isolation des couches minces isolantes 51, 53 en bore amorphe. De plus, la couche mince isolante inférieure 51 forme la couche support de la membrane absorbante 40, sur laquelle reposent les deux électrodes absorbantes 41a, 41b. Ces dernières peuvent présenter un espacement latéral 42 réduit (inférieur ou égal à λ c /10) du fait de la résistivité électrique du bore amorphe. Ainsi, les électrodes absorbantes 41a, 41b peuvent s’étendre davantage sur la surface de la membrane absorbante 40, et ainsi améliorer l’absorption du rayonnement électromagnétique à détecter. Enfin, la couche mince isolante inférieure 51 en bore amorphe peut être déposée de manière conforme, sans rupture de matière, sur le relief formé par les plots conducteurs supérieurs 22 des piliers d’ancrage 20. Elle peut également être déposée sur une couche sacrificielle minérale tel qu’un oxyde de silicium, ceci avec une vitesse de dépôt suffisante pour être compatible avec les exigences industrielles. Enfin, le bore amorphe est sensiblement inerte à la gravure acide, par exemple à l’HF vapeur, mise en œuvre pour supprimer la couche sacrificielle minérale. Par ailleurs, on peut caractériser les propriétés d’isolation thermique d’un bras de maintien 30 en calculant une conductance thermique par carré, définie comme le produit de la conductivité thermique par l’épaisseur du bras. Un tel paramètre est l’équivalent de la résistance électrique par carré, paramètre couramment utilisé dans le domaine des couches minces. Ainsi, pour une couche mince isolante 51, 53 de 50nm d’épaisseur en bore amorphe présentant une conductivité thermique de 1.5 W.m -1 .K -1 , on obtient une conductance thermique par carré de 75 nW.K -1 . De même, pour une couche mince conductrice 52 de 8nm d’épaisseur en TiN présentant une conductivité thermique de 5 W.m -1 .K -1 , on obtient une conductance thermique par carré de 40 nW.K -1 . La conductance thermique par carré d’un empilement tricouche de deux couches minces isolantes 51, 53 et d’une couche mince conductrice 52 est alors de 190 nW.K -1 (2×75+40). En comparaison, pour un empilement tricouche similaire mais où les couches minces isolantes seraient en silicium amorphe (de conductivité thermique égale à 2.6 W.m -1 .K -1 ), on obtiendrait une conductance thermique par carré de 300 nW.K -1 . Aussi, l’empilement tricouche à base de bore amorphe permet de réduire de plus de 35% la conductance thermique des bras de maintien, améliorant ainsi les performances du détecteur thermique. Notons par ailleurs que les bras de maintien 30 peuvent être formés d’un empilement de couches minces comportant davantage que les trois couches minces décrites précédemment. Ainsi, au moins une couche mince isolante en un composé amorphe de bore silicium a-B x Si 1-x peut également être présente dans l’empilement. Ici, le paramètre x correspond à la proportion atomique de bore dans le composé. Il est de préférence compris entre 10% et 50%, et peut être égal à 30% environ. Ainsi, l’empilement peut comporter deux couches minces isolantes en a-B x Si 1-x disposées de part et d’autre de la couche mince conductrice. Ces couches minces peuvent avoir été déposées dans le même réacteur, lors du dépôt des couches minces isolantes en bore amorphe. La proportion atomique x est de préférence identique dans toutes les couches minces en a-B x Si 1-x . Ainsi, l’empilement de couches minces peut être formé, dans cet ordre, d’une couche mince en a-B x Si 1-x ; de la couche isolante inférieure en a-B ; de la couche mince conductrice ; de la couche isolante supérieure en a-B ; et d’une couche mince en a-B x Si 1-x . Cette configuration permet d’améliorer si besoin l’adhérence de l’empilement sur la couche sacrificielle, et l’adhérence de la couche mince intercalaire sur l’empilement. Par ailleurs, la symétrie d’un tel empilement permet de compenser les éventuelles contraintes mécaniques présentes. Un éventuel effet bilame est ainsi compensé, ce qui améliore la stabilité mécanique des bras de maintien et de la membrane absorbante. On peut évidemment envisager d’autres configurations, tel qu’un empilement de cinq couches minces : a-B x Si 1-x ; a-B ; a-B x Si 1-x ; TiN ; a-B x Si 1-x ; a-B ; a-B x Si 1-x . Ici, la couche mince conductrice est située au contact de deux couches minces de a-B x Si 1-x , ce qui permet d’améliorer si besoin l’adhérence de la couche mince conductrice, ici en TiN. La FIG. 2 est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un détecteur thermique 1 selon une variante de réalisation. Ici, le détecteur thermique 1 se distingue de celui de la FIG. 2 essentiellement en ce que le transducteur thermomètre 44, ici un matériau thermistance, présente un espacement vertical vide 45 (exempt de matière) vis-à-vis de la couche adjacente inférieure 53. Le transducteur thermomètre 44 présente donc une forme de pont où sa partie centrale 44c est suspendue au-dessus de la couche adjacente inférieure 53. Plus précisément, le transducteur thermomètre 44 présente donc une forme de pont, avec deux parties d’extrémité 44e où il vient au contact des électrodes absorbantes 41a, 41b au travers des ouvertures traversantes (contacts 43), et une partie centrale 44c qui s’étend continûment entre les deux parties d’extrémité 44e. L’espacement vertical vide 45 est défini au niveau de la partie centrale 44c du transducteur thermomètre, où sa face inférieure est espacée verticalement de la face supérieure de la couche mince isolante supérieure 53 d’une distance non nulle. Cette distance peut être comprise entre 20nm et 120nm, et peut être égale à 50nm environ. L’espacement vertical vide 45 entre le transducteur thermomètre 44 et la couche mince isolante supérieure 53 permet d’améliorer l’isolation électrique entre la partie centrale 44c du transducteur thermomètre 44 et la couche mince isolante 53, et donc entre la partie 44c et les électrodes 41a et 41b. Cette configuration est particulièrement avantageuse lorsque la couche mince isolante 53 présente une épaisseur de l’ordre de 50nm et que les électrodes 41a, 41b sont espacées latéralement de 1µm environ. Par ailleurs, cette configuration permet également de réduire la masse de la membrane absorbante 40 (comparé par exemple à la FIG. 2 ), et par conséquent permet de réduire son inertie thermique (constante de temps thermique plus faible) et d’augmenter sa vitesse de fonctionnement (pour la détection de scènes infrarouge mobiles plus rapides. La FIG. 2 est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un détecteur thermique 1 selon une autre variante de réalisation. Ici, le détecteur thermique 1 se distingue de celui de la FIG. 2 essentiellement en ce que les électrodes de polarisation 41a, 41b ne forment pas l’absorbeur. Celui-ci est formé par une couche mince 47 déposée sur le transducteur thermomètre 44. L’absorbeur 47 est situé à la perpendiculaire de l’espacement latéral entre les deux électrodes de polarisation 41a, 41b. Ainsi, l’absorbeur 47 ne recouvre pas verticalement ces dernières. Il est donc espacé verticalement du réflecteur 12 d’une distance telle que, compte tenu des matériaux présents dans la cavité quart d’onde, l’absorption soit optimale pour la longueur d’onde centrale λ c de la bande spectrale de détection. Notons que la ou les couches minces isolantes 51, 53 en bore amorphe peuvent être déposées par un procédé CVD thermique, c’est-à-dire par un dépôt CVD ayant l’énergie thermique comme source d’énergie pour mettre en œuvre la réaction de dissociation du précurseur (ici le B 2 H 6 ). Le dépôt CVD n’est donc pas assisté par plasma. Les conditions opératoires de dépôt permettent notamment d’ajuster la résistivité électrique du bore amorphe. Les inventeurs ont ainsi mis en évidence que, sous certaines conditions opératoires, c’est-à-dire lorsque le gaz porteur est inerte à la réaction de dissociation du B 2 H 6 et que la température de dépôt est au plus égale à 400°C (par exemple comprise entre 250°C et 400°C) de manière à ne pas entamer le budget thermique du circuit de lecture, une couche mince de bore amorphe est déposée sur le substrat support, qui présente alors de bonnes propriétés d’isolation électrique et d’isolation thermique. Ces propriétés d’isolation restent élevées à la suite d’un traitement thermique ultérieur, par exemple à 400°C pendant au moins 1h. Le gaz précurseur est du B 2 H 6 . Il peut être stocké dans une source, par exemple dilué dans le gaz porteur avec une dilution prédéfinie, par exemple ici de 1%. Un débitmètre massique permet de contrôler précisément le débit d’alimentation de ce mélange gazeux. A titre d’exemple, le débit d’alimentation peut être compris entre 0 et 1300 sccm ( standard cubic centimeter per minute , en anglais). De manière connue, l’unité sccm correspond à une unité de débit du gaz en cm 3 /min, à une densité définie par des conditions standards de température (0°C) et de pression (1 atm, soit 760 Torr). Le gaz porteur est un gaz inerte dans la réaction de dissociation du B 2 H 6 , appelé gaz neutre. Il est choisi parmi l’argon Ar et/ou l’azote N 2 . Dans cet exemple, le gaz porteur est présent dans une première source et assure une première dilution du gaz précurseur, ici avant de l’introduire dans l’enceinte du réacteur. Le gaz porteur est également présent dans une deuxième source et assure une dilution supplémentaire du gaz précurseur, ici dans l’enceinte de dépôt, de manière à modifier simplement la pression partielle du gaz précurseur B 2 H 6 . Le gaz porteur des deux sources peut être identique ou différent. Autrement dit, dans l’enceinte de dépôt, le gaz précurseur B 2 H 6 est dilué dans un gaz porteur qui peut être formé d’une seule espèce chimique (par exemple Ar ou N 2 ) ou de plusieurs espèces chimiques (par exemple Ar et N 2 ). Quoi qu’il en soit, le gaz porteur est inerte dans la dissociation du B 2 H 6 . Il est également possible d’alimenter l’enceinte en le seul gaz porteur, par exemple lors d’une étape préalable de thermalisation du substrat support avant l’étape de dépôt. L’équipement de dépôt est adapté à maintenir la pression totale constante dans l’enceinte de dépôt, tant lors de l’étape préalable de thermalisation que lors de l’étape de dépôt. Cela contribue à améliorer l’homogénéité en épaisseur de la couche mince déposée. Le procédé de réalisation de la couche mince de bore amorphe peut ainsi comporter une étape préalable de thermalisation du substrat, suivie de l’étape de dépôt. Ainsi, lors de l’étape de thermalisation, le gaz porteur seul est introduit dans l’enceinte de dépôt. La pression totale dans l’enceinte (pression de thermalisation) peut être égale à la pression totale de dépôt. La température de dépôt est au plus égale à 400°C, par exemple comprise entre 250°C et 400°C. Puis, le mélange gazeux formé du précurseur B 2 H 6 dilué dans le gaz porteur (de préférence l’argon Ar et/ou l’azote N 2 ) est introduit dans l’enceinte de dépôt avec un débit massique de dépôt prédéfini. La pression totale de dépôt et la température de dépôt présentent des valeurs constantes prédéfinies. L’empilement est porté à une température de dépôt au plus égale à 400°C, et de préférence comprise entre 250°C et 400°C. La pression totale est de préférence très inférieure à la pression atmosphérique (dépôt CVD basse pression), par exemple comprise entre 1 Torr et 10 Torr, par exemple comprise entre 1.4 Torr et 9 Torr. A titre d’exemple, la pression totale peut être égale à 7 Torr. Il s’agit donc d’un dépôt CVD basse pression, dans le sens où la pression totale du mélange gazeux dans l’enceinte est de l’ordre de quelques torrs, de préférence au plus 10 Torr, et non pas plusieurs dizaines à centaines de torrs. De préférence, le gaz précurseur B 2 H 6 est dilué dans le gaz porteur à 1% ou moins (par exemple à 0.1%), de sorte qu’il présente une pression partielle comprise entre 1 mTorr et 100 mTorr, par exemple comprise entre 1.4 mTorr et 90 mTorr. Le procédé permet d’élaborer des couches minces de bore amorphe avec une vitesse de dépôt élevée, qui passe de 0,5 nm/min à 50 nm/min quand la température de dépôt varie de 250°C à 388°C, pour une pression partielle de B 2 H 6 de 70 mTorr. Elle peut ainsi être de l’ordre de 50 nm/min, ce qui, curieusement, est près de 100 fois plus élevé que la vitesse de dépôt attendue. Cette vitesse de dépôt élevée permet donc de réduire le temps d’utilisation du réacteur, de réduire la consommation des gaz nécessaires au dépôt, et par conséquent permet de réduire le coût de l’opération. À titre d’exemples, des essais ont été effectués en changeant la composition du gaz porteur. Ainsi, une couche mince de bore amorphe est réalisée en injectant du B 2 H 6 avec un débit massique de 1100 sccm dilué à 1% dans de l’argon comme gaz porteur initial. Un deuxième gaz (gaz diluant qui participe à former le gaz porteur), ici de l’argon également, est injecté avec un débit massique de 1000 sccm. La température de dépôt est de 388°C et la pression totale est de 7 Torr. La pression partielle de B 2 H 6 est donc de 1100x0.01/2100×7 = 36,7m Torr environ. La couche mince de bore amorphe présente alors une résistivité électrique ρ EL égale à 10.6 kΩ.cm environ, et la vitesse de dépôt est égale à 44 nm/min. Dans le cas où le gaz diluant est de l’azote injecté également à 1000 sccm, le gaz porteur est donc un mélange d’argon et d’azote. On obtient ici une couche mince de bore amorphe de résistivité électrique ρ EL égale à 10.2 kΩ.cm environ, déposée à une vitesse de dépôt de 45 nm/min. Ainsi, il apparaît que la nature du gaz porteur ne modifie pas les propriétés de la couche mince déposée. D’autres essais ont également été effectués où on fait varier la pression partielle du B 2 H 6 . Ils sont effectués à une température de dépôt de 388°C, et à une pression totale de 7 Torr. Le gaz précurseur est du B 2 H 6 dilué à 1% dans de l’argon comme gaz porteur, et un gaz diluant, ici de l’argon également, est injecté à 1000 sccm. Les résultats sont résumés dans le tableau ci-dessous. On remarque que la résistivité électrique ρ EL est particulièrement élevée, et augmente à mesure que la pression partielle de B 2 H 6 augmente. Débit massique B 2 H 6 dilué à 1% dans Ar Pression partielle B 2 H 6 Vitesse de dépôt Résistivité ρ EL 20 sccm 1.37 mTorr 5.25 nm/min 1.07 kΩ.cm 100 sccm 6.36 mTorr 11.2 nm/min 1.92 kΩ.cm 250 sccm 14 mTorr 18.4 nm/min 2.85 kΩ.cm 500 sccm 23.3 mTorr 29.0 nm/min 3.29 kΩ.cm 1100 sccm 36.7 mTorr 44.0 nm/min 10.6 kΩ.cm Enfin, d’autres essais ont été effectués où on fait varier la pression partielle du B 2 H 6 , à une température de dépôt de 300°C. La pression totale reste égale à 7 Torr. Les résultats sont résumés dans le tableau ci-dessous. On remarque que la résistivité électrique ρ EL reste particulièrement élevée. Débit massique B 2 H 6 dilué à 1% dans Ar Gaz diluant (Ar) Pression partielle B 2 H 6 Température de dépôt Vitesse de dépôt Résistivité ρ EL 1100 sccm 0 70 mTorr 300°C 6.3 nm/min 712 kΩ.cm 20 sccm 1000 sccm 1.37 mTorr 300°C 1.5 nm/min 134 kΩ.cm Les figures 3A à 3H illustrent différentes étapes d’un exemple de procédé de fabrication d’un détecteur thermique 1 tel qu’illustré sur la FIG. 2 . En référence à la FIG. 3 , on réalise le substrat de lecture 10. Il est formé du substrat support 11 qui contient le circuit de lecture. On ne représente ici que la ligne d’interconnexion supérieure, qui forme notamment le réflecteur 12 et des portions de connexion 13. La couche barrière 14 en SiN est déposée de manière à recouvrir la ligne d’interconnexion supérieure. Puis on dépose une couche de protection 15 en Al 2 O 3 ou en AlN sur la couche barrière 14, de manière à recouvrir le substrat support 11 (en particulier les couches IMD) et le circuit de lecture. En référence à la FIG. 3 , on réalise les piliers d’ancrage 20. Pour cela, on dépose une couche sacrificielle 54, ici en un matériau minéral tel qu’un oxyde de silicium SiO non dopé, obtenu par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) utilisant un précurseur TEOS (orthosilicate de tétraéthyle). La couche sacrificielle 54 recouvre la couche de protection 15. Des ouvertures traversantes sont ensuite réalisées, qui traversent la couche sacrificielle 54, la couche de protection 15, la couche barrière 14, pour déboucher sur les portions de connexion 13. Les piliers d’ancrage 20, ici des vias conducteurs 21, sont réalisés par remplissage des ouvertures traversantes d’au moins un matériau métallique, par exemple à base de tungstène ou de cuivre. On effectue ensuite une opération de polissage mécano-chimique (CMP), de sorte que les vias conducteurs 21 affleurent la face supérieure de la couche sacrificielle 54. L’épaisseur de la couche sacrificielle 54 et des vias conducteurs 21 permettra de définir la distance verticale entre la membrane absorbante, et en particulier l’absorbeur, et le réflecteur 12, de manière à former une cavité interférentielle quart d’onde. Enfin, les piliers d’ancrage 20 sont finalisés par la réalisation de plots conducteurs supérieurs 22 sur et au contact de l’extrémité des vias conducteurs 21. Pour cela, on dépose une couche mince de TiN d’une épaisseur par exemple comprise entre 20 et 50nm, par exemple par dépôt chimique ou physique en phase vapeur. La couche de TiN est ensuite gravée localement pour former les plots conducteurs supérieurs 22. En référence à la FIG. 3 et à la FIG. 3 , on réalise un empilement d’une couche mince isolante inférieure 51, d’une couche mince conductrice 52, et d’une couche mince isolante supérieure 53. Ces couches minces isolantes 51, 53 sont réalisées en bore amorphe. On dépose tout d’abord la couche mince isolante inférieure 51 en bore amorphe, d’une épaisseur par exemple de 50nm environ. Elle peut être obtenue par le procédé de dépôt CVD thermique décrit précédemment. Le gaz précurseur peut être du B 2 H 6 dilué à 1% dans un gaz porteur tel que de l’argon Ar. Le mélange gazeux peut être introduit dans la chambre de dépôt avec un débit de 1100sccm sous une pression totale de 7 Torr, à une température de dépôt de 400°C environ, pendant une durée de 60s environ. La couche mince isolante inférieure 51 est déposée de manière conforme sur la couche sacrificielle 54 et sur les plots conducteurs supérieurs 22. On réalise ensuite des ouvertures traversantes au travers de la couche mince isolante inférieure 51, qui débouchent sur les plots conducteurs supérieurs 22. On dépose ensuite la couche mince conductrice 52, ici en TiN, qui s’étend sur et au contact de la couche mince isolante inférieure 51. La couche mince conductrice 52 est déposée de manière conforme : elle recouvre la couche mince isolante inférieure 51, et vient au contact des plots conducteurs supérieurs 22 au travers des ouvertures traversantes. On obtient ainsi une connexion électrique continue entre les piliers d’ancrage 20 et la couche mince conductrice 52, qui formera les électrodes absorbantes. On grave enfin localement la couche mince conductrice 52, de manière à former deux parties distinctes, séparées physiquement l’une de l’autre dans le plan XY, qui formeront les deux électrodes absorbantes. Celles-ci sont isolées électriquement l’une de l’autre du fait de la résistivité élevée de la couche mince isolante 51 en bore amorphe sur laquelle elles reposent et sont au contact. Comme indiqué précédemment, cet espacement latéral 42 est de préférence inférieur ou égal à λ c /10, soit ici de 1µm environ. En référence à la FIG. 3 , on dépose ensuite la couche mince isolante supérieure 53, de préférence de même matériau et de même épaisseur que la couche mince isolante inférieure 51. Il s’agit ici d’une couche de bore amorphe d’une épaisseur de 50nm. Les conditions opératoires de dépôt sont identiques ou similaires à celles du dépôt de la couche mince isolante inférieure 51. On obtient ainsi un empilement tricouche formé des deux couches minces isolantes 51, 53 en bore amorphe entre lesquelles est située la couche mince conductrice 52. En référence à la FIG. 3 , on grave localement cet empilement tricouche, de manière à obtenir de premières parties 51a, 52a, 53a situées sur et au contact des plots conducteurs supérieurs 22, de deuxièmes parties 51b, 52b, 53b qui définissent les bras de maintien 30, et une troisième partie 51c, 52c, 53c qui participent à former la membrane absorbante 40. Ces trois parties sont évidemment reliées continûment les unes aux autres. En référence à la FIG. 3 , on dépose une couche mince intercalaire 55, de préférence sensible à l’agent de gravure utilisé plus tard lors de la suppression de la couche sacrificielle 54. Il s’agit donc d’une deuxième couche sacrificielle. Il peut s’agir d’un oxyde de silicium non dopé, d’une épaisseur par exemple de 50nm. Cette couche mince intercalaire 55 est déposée de manière conforme, et recouvre la couche mince isolante supérieure 53, et vient au contact de la couche sacrificielle 54 dans les ouvertures qui délimitent les différentes parties de l’empilement tricouche. On grave ensuite localement la couche mince intercalaire 55 et la couche mince isolante supérieure 53 pour déboucher sur les électrodes absorbantes 41a, 41b. Cette couche mince intercalaire 55 peut assurer une fonction de protection des bras de maintien 30 vis-à-vis des étapes ultérieures de gravure, notamment lors de la formation du transducteur thermomètre, de manière à éviter une éventuelle dégradation des bras de maintien 30. Elle permettra plus tard d’obtenir cet espacement vertical (exempt de matière) entre le transducteur thermomètre et la couche mince isolante supérieure. En référence à la FIG. 3 , on réalise le transducteur thermomètre 44, ici une couche thermistance. Pour cela, on dépose la couche thermistance sur la couche mince intercalaire 55, de sorte qu’elle vienne au contact des électrodes absorbantes 41a, 41b au travers des ouvertures traversantes (contacts 43). On grave ensuite localement la couche déposée pour obtenir le transducteur thermomètre, qui ne s’étend qu’au-dessus de la membrane absorbante 40. Le transducteur thermomètre 44 est ici réalisé en un matériau inerte à l’agent de gravure (HF vapeur) utilisé lors de la suppression de la couche sacrificielle 54 (et la couche 55). Il peut s’agir de silicium amorphe ou d’un composé de silicium germanium amorphe, entre autres, dont la résistivité électrique est ajustée par dopage à la croissance et la proportion de germanium et de silicium dans le composé. L’épaisseur du transducteur thermomètre peut ici être comprise entre 200nm et 800nm environ, en fonction des performances du détecteur thermique que l’on souhaite obtenir. En référence à la FIG. 3 , on supprime la couche sacrificielle 54 ainsi que la couche mince intercalaire 55, ici lors de la même étape d’attaque chimique à l’HF vapeur. On obtient donc la suspension de la membrane absorbante 40 au-dessus du substrat de lecture 10, ainsi que la suspension de la partie centrale 44c du transducteur thermomètre 44 au-dessus de la couche mince isolante supérieure 53. Cette suppression de la partie de la couche mince intercalaire 55 située sous la partie centrale 44c du transducteur thermomètre est rendue possible dans la mesure où les ouvertures traversantes (contacts 43) sont des tranchées distinctes et non pas une même tranchée au périmètre fermé. Ainsi, on obtient une membrane absorbante 40 suspendue au-dessus du substrat de lecture 10, et isolée thermiquement de celui-ci de manière efficace par les bras de maintien 30 à base de bore amorphe. Les électrodes absorbantes 41a, 41b peuvent présenter une surface importante dans la membrane absorbante 40 dans la mesure où leur espacement latéral 42 est réduit, ce qui est rendu possible par la résistivité électrique élevée de la couche mince isolante 51 en bore amorphe sur laquelle elle repose, et par celle de la couche mince isolante supérieure 53 qui remplit cet espacement latéral. Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier. Détecteur thermique (1), comportant : un substrat de lecture (10), comportant un circuit de lecture ; une membrane absorbante (40), comportant un transducteur thermomètre (44) connecté électriquement au circuit de lecture, des piliers d’ancrage (20) et des bras de maintien (30), assurant : le maintien de la membrane absorbante (40) suspendue au-dessus du substrat de lecture (10) ; l’isolation thermique de celle-ci vis-à-vis du substrat de lecture (10) ; et la connexion électrique du transducteur thermomètre (44) au circuit de lecture ; les bras de maintien (30) étant formés d’un empilement d’au moins une portion (51b ; 53b) d’une couche mince isolante (51 ; 53) réalisée en un matériau thermiquement isolant, et au moins une portion (52b) d’une couche mince conductrice (52) réalisée en un matériau électriquement conducteur ; caractérisé en ce que la couche mince isolante (51 ; 53) est réalisée en bore amorphe. Détecteur thermique (1) selon la revendication 1, dans lequel le matériau en bore amorphe de la couche mince isolante (51 ; 53) présente une conductivité thermique au plus égale à 1.8 W.m -1 .K -1 , et une résistivité électrique au moins égale à 2000 Ω.cm. Détecteur thermique (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’empilement des bras de maintien (30) comporte une portion (51b) d’une couche mince isolante inférieure (51) en bore amorphe, la portion (52b) de la couche mince conductrice (52), et une portion (53b) d’une couche mince isolante supérieure (53) en bore amorphe. Détecteur thermique (1) selon la revendications 3, dans lequel l’empilement des bras de maintien (30) comporte en outre une portion d’une couche mince isolante inférieure en bore silicium amorphe a-B x Si 1-x et une portion d’une couche mince isolante supérieure en bore silicium amorphe a-B x Si 1-x situées de part et d’autre de la couche mince conductrice (52), où x est la proportion atomique de bore dans le bore silicium, de préférence compris entre 10% et 50%. Détecteur thermique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche mince isolante en bore amorphe des bras de maintien (30) est une couche mince isolante inférieure (51) sur laquelle repose la couche mince conductrice (52), la couche mince isolante inférieure (51) et la couche mince conductrice (52) s’étendant également dans la membrane absorbante (40) où la couche mince conductrice (52) forme deux électrodes absorbantes (41a, 41b) adaptées à absorber le rayonnement électromagnétique à détecter. Détecteur thermique (1) selon la revendication 5, dans lequel les deux électrodes absorbantes (41a, 41b) reposent au contact de la couche mince isolante inférieure (51) en bore amorphe, et présentent un espacement latéral (42) d’une distance inférieure ou égale à λ c /10, où λ c est une longueur d’onde centrale d’une bande spectrale prédéfinie Δλ du rayonnement électromagnétique à détecter. Détecteur thermique (1) selon l’une quelconque des revendications 5 ou 6, comportant une portion (53c) d’une couche mince isolante supérieure (53) en bore amorphe : recouvrant les deux électrodes absorbantes (41a, 41b) dans la membrane absorbante (40), et comportant des ouvertures débouchant sur les électrodes absorbantes (41a, 41b) ; dans lequel le transducteur thermomètre (44) est formé de : deux parties d’extrémité (44e) où le transducteur thermomètre vient au contact des deux électrodes absorbantes (41a, 41b) au travers des ouvertures de la couche mince isolante supérieure (53) pour former deux contacts (43) ; et une partie centrale (44c) située au-dessus de la couche mince isolante supérieure (53). Détecteur thermique (1) selon la revendication 7, dans lequel une couche mince isolante intercalaire (46), réalisée en un matériau électriquement isolant, est située entre et au contact de la portion (53c) de la couche mince isolante supérieure (53) et de la partie centrale (44c) du transducteur thermomètre (44), et s’étend de l’un à l’autre des deux contacts (43). Détecteur thermique (1) selon la revendication 7, dans lequel la partie centrale (44c) du transducteur thermomètre (44) est suspendue au-dessus de la couche mince isolante supérieure (53) et forme un espacement vertical (45) exempt de matière. Procédé de fabrication d’un détecteur thermique (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant les étapes suivantes : fourniture du substrat de lecture ; dépôt d’une couche sacrificielle (54) ; réalisation des piliers d’ancrage (20) au travers de la couche sacrificielle (54) ; réalisation d’un premier empilement comportant au moins la couche mince isolante (51 ; 53) en bore amorphe et la couche mince conductrice (52) ; gravure localisée du premier empilement de manière à former les bras de maintien (30) ; réalisation de la membrane absorbante (40) ; suppression de la couche sacrificielle (54). Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel la couche mince isolante (51 ; 53) en bore amorphe est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur CVD thermique, par injection dans une enceinte de dépôt d’un réacteur CVD d’un gaz précurseur B 2 H 6 dilué dans un gaz porteur, le gaz porteur étant inerte à une réaction de dissociation du B 2 H 6 et choisi parmi l’argon et l’azote, à une température de dépôt inférieure ou égale à 400°C. Procédé de fabrication selon la revendication 10 ou 11, dans lequel une pression totale dans l’enceinte de dépôt est comprise entre 1 Torr et 10 Torr. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel le gaz précurseur présente une pression partielle comprise entre 1 mTorr et 100 mTorr. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel la couche sacrificielle (54) est réalisée en un matériau minéral à base d’un oxyde de silicium. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 à 14, comportant les étapes suivantes : lors de la réalisation de la membrane absorbante (40), dépôt d’une couche mince intercalaire (55) ; puis réalisation d’une couche thermistance formant le transducteur thermomètre (44), celui-ci comportant : deux parties d’extrémité (44e) où il vient au contact de deux électrodes absorbantes (41a, 41b) ; et une partie centrale (44c) reposant sur et au contact de la couche mince intercalaire (55) ; lors de la suppression de la couche sacrificielle (54), la couche mince intercalaire (55) est simultanément supprimée, de sorte que la partie centrale (44c) est suspendue au-dessus de la couche mince isolante supérieure (53) et forme un espacement (45) exempt de matière.