FR 3163225 A1 20251212 FR 2406118 A 20240610 Dispositif de déconnexion d’une batterie électrique avec transistors et refroidissement liquide Dispositif de déconnexion d’une batterie électrique, comprenant une borne d’entrée (E) destinée à être connectée à une borne (201) de la batterie, un chemin de courant (I) s’étendant depuis la borne d’entrée, et une borne de sortie (S) du dispositif destinée à être connectée à une charge (300), le chemin de courant comprenant un premier circuit (110) comportant au moins deux transistors (111, 112) chacun muni d’une diode interne et agencés en série et selon deux sens de conduction opposés, le dispositif comprenant en outre un canal (400) dans lequel peut circuler un liquide de refroidissement, le canal étant configuré pour que la puissance dissipée par lesdits au moins deux transistors soit évacuée par le liquide de refroidissement. Figure pour l’abrégé : Fig. 1. Dispositif de déconnexion d’une batterie électrique avec transistors et refroidissement liquide L’invention concerne les dispositifs de déconnexion d’une batterie électrique, par exemple les batteries de véhicules électriques ou hybrides utilisées pour alimenter en énergie électrique un groupe motopropulsif. Les dispositifs de déconnexion de batterie électrique, désignés sous l’acronyme anglo-saxons « BDU » (soit « Battery Disconnect Unit ») sont des systèmes qui permettent de connecter et déconnecter la batterie du réseau électrique, notamment haute tension. Ces dispositifs protègent les systèmes électrique des conditions de surcharge, de court-circuit, de surtension, de sur-courant, ces défaillances pouvant trouver leur origine dans la batterie, un onduleur, un moteur électrique ou encore dans des systèmes auxiliaires. Un bon niveau de protection est nécessaire pour éviter les risques d’incendie ou d’électrocution pour les utilisateurs. Dans un véhicule électrique ou hybride fonctionnant sur une batterie haute-tension, le dispositif de déconnexion de la batterie est un sous-système spécifique qui peut être intégré distinctement ou encore distribué en plusieurs sous-systèmes dans le véhicule de sorte que la protection est obtenue au plus près de certains systèmes critique du véhicule (onduleur, batterie, chargeur, etc.). Des solutions connues selon la technique antérieure peuvent comprendre un dispositif de déconnexion intégré dans un bloc de batterie qui protège principalement l’onduleur et un chargeur DC. Des deuxièmes dispositifs peuvent être prévus dans des unités de distribution d’énergie distinctes (« PDU : Power Distribution Unit »). D’autres solutions selon la technique antérieure peuvent comporter une protection localisée dans le bloc batterie directement, et d’autres protections distribuées, par exemple dans une ou plusieurs unités de distribution de la puissance. De manière connue en soi, les fonctions de déconnexion et de connexion de batterie sont mises en œuvre par des contacteurs électromécaniques, des fusibles, ou des pyro-fusibles. Ces composants sont certes bien adaptés pour des applications impliquant de fortes puissances entre la batterie et des sous-systèmes de puissance (onduleur, chargeur). Ces composants donnent, au regard de leur dimensions possibles, et des optimisations possibles, satisfaction en terme de fonction de sécurité, de protection contre les surcharges et de protection contre les court-circuits. Cela étant dit, ces composants présentent des inconvénients. Leur durabilité dans le temps (sur une échelle d’environ 15 ans) est discutable. Ces dispositifs peuvent être impactés par des faux positifs, ils peuvent se déclencher de manière intempestive sans que cela ne soit nécessaire. Ces dispositifs sont également impactés par des faux-négatifs, ils peuvent ne pas se déclencher quand cela est nécessaire, par exemple. Un autre inconvénient de ces composants et leur résistance à l’état passant qui génère une dissipation thermique préjudiciable à la robustesse et à la fiabilité des dispositifs de connexion de batterie. En outre, les dispositifs de déconnexion de batterie peuvent être sensibles à une température trop élevée (momentanée ou pendant une durée) et peuvent donc être impactés par les composants qu’ils comportent. Les dispositifs de déconnexion de batterie, utilisent à cet effet deux types de refroidissement, par convection libre (les composants de déconnexion et busbar dissipent dans l’air qui est refroidi), ou par refroidissement indirect où les composants et busbars sont interfacés avec une plaque froide par l’intermédiaire d’un matériau d’interface thermique, par exemple isolant électriquement (habituellement désignés par l’acronyme anglo-saxon « TIM : Thermal Interface Material »). Il existe donc un besoin pour des dispositifs de déconnexion de batterie, qui ne présentent pas les inconvénients mentionnés si avant. À cet effet, l’invention propose un dispositif de déconnexion (et de connexion après déconnexion) d’une batterie électrique, comprenant une borne destinée à être connectée à une borne de la batterie, un chemin de courant s’étendant depuis la borne d’entrée, et une borne de sortie du dispositif destinée à être connectée à une charge, le chemin de courant comprenant un premier circuit comportant au moins deux transistors chacun muni d’une diode interne et agencés en série (l’entrée et la sortie du premier circuit sont de part et d’autre des au moins deux transistors) et selon deux sens de conduction opposés, le dispositif comprenant en outre un canal dans lequel peut circuler un liquide de refroidissement, le canal étant configuré pour que la puissance dissipée par lesdits au moins deux transistors soit évacuée par le liquide de refroidissement. Ainsi, l’invention propose de ne pas utiliser de contacteurs, de fusibles ou de pyro-fusible, mais d’utiliser au moins deux transistors dans le dispositif, au moins dans l’une des branches allant de l’une des bornes de la batterie à la charge. Les transistors sont particulièrement avantageux en ce qu’ils peuvent passer de manière réversible de l’état passant à l’état bloqué, et inversement (on a donc déconnexion et reconnexion possible). Il a été observé par les inventeurs que les transistors de puissance peuvent être utilisés en lieu et place des contacteurs électromécaniques, par exemple, car ils assurent la même fonction, mais avec des propriétés améliorées. En particulier, les transistors à base de semi-conducteur ont un temps de réaction de l’ordre de la centaine de microsecondes contre un temps de réaction de l’ordre de 30 millisecondes pour un contacteur. Aussi, on a avec les transistors des avantages par rapport aux contacteurs en termes de perte de puissance, de longévité, de masse (60 g pour un transistor contre environ 200g pour un relais électromécanique), de capacité, de résistance aux vibrations, de niveau de bruit, de fonctionnalité, et d’efficacité. Les transistors de puissance commutent très rapidement sous une charge importante et peuvent donc assurer une très bonne durabilité sous des profils de courant et de coupure très variables et ce avec des performances reproductibles. Cela dit, il a été observé par les inventeurs de la présente intervention que l’utilisation de transistor implique une dissipation plus importante. Les pertes, pouvant être de trois à cinq fois plus élevées et un système de refroidissement particulier est donc préférable. Ici, il est proposé d’utiliser un refroidissement utilisant un liquide de refroidissement, et non de l’air. Le liquide de refroidissement peut être, par exemple de type glycol. Aussi, les deux transistors sont de même type ici (par exemple, s’il s’agit de MOSFET, ils sont tous les deux du même type de conduction N ou P). L’agencement d’un transistor dans un sens de conduction particulier est lié à la structure du transistor et au sens de leur diode interne. Ici, les diodes internes des deux transistors sont dans des sens opposés, par exemple avec l’anode de la diode interne d’un transistor connectée à l’anode de la diode interne de l’autre transistor, ou la cathode de la diode interne d’un transistor connectée à la cathode de la diode interne de l’autre transistor. Aussi, le sens de conduction d’un transistor peut être : - drain vers source pour les transistors à effet de champ de type N (l’anode de la diode interne étant connectée à la source), - source vers drain pour les transistors à effet de champ de type P (l’anode de la diode interne étant connectée au drain). Ainsi, lesdits au moins deux transistors peuvent être connectés en série avec la source de l’un connectée à la source de l’autre, ou le drain de l’un connecté au drain de l’autre pour des transistors à effet de champ, quel que soit le type des deux transistors (P ou N). Le premier circuit est ainsi bidirectionnel. Par exemple, la charge mentionnée ci avant qui reçoit de l’énergie électrique de la batterie (« load » en anglais) peut être un groupe motopropulsif de véhicule automobile. L’alimentation en énergie électrique du groupe motopropulsif peut être appelée « discharge » en anglais. Selon un mode de réalisation particulier, la borne de la batterie est la borne positive, et dans lequel le dispositif comprend un deuxième circuit comprenant au moins un transistor agencé entre une borne d’entrée du deuxième circuit connectée à un port de recharge de la batterie, et une borne de sortie du deuxième circuit connectée entre le premier circuit et la borne de sortie du dispositif (soit connecté à la borne de sortie du premier circuit), ledit au moins un transistor étant muni d’une diode interne et agencé selon un sens de conduction allant de la borne d’entrée du deuxième circuit vers la borne de sortie du deuxième circuit (en d’autres termes, l’anode de la diode interne dudit au moins un transistor est connectée au port de recharge). Le premier circuit est situé dans la branche allant d’une borne de la batterie à la charge, le deuxième circuit est quant à lui dédié à la protection lors de la recharge, et il est agencé entre un port de recharge de la batterie, et un point situé entre la borne de sortie du dispositif et le premier circuit. Le port de recharge de la batterie peut être destiné à être connecté à un chargeur comprenant un redresseur. Selon un mode de réalisation particulier, le deuxième circuit comporte, dans un même boîtier, au moins deux transistors agencés sur une ou plusieurs puces distinctes, connectés en parallèle et agencés entre la borne d’entrée du deuxième circuit et la borne de sortie du deuxième circuit, lesdits au moins deux transistors étant agencés selon ledit sens de conduction allant de la borne d’entrée du deuxième circuit vers la borne de sortie du deuxième circuit. Selon un mode de réalisation particulier, le canal est en outre configuré pour que la puissance dissipée par ledit au moins un transistor du deuxième circuit (ou tous les transistors du deuxième circuit) soit évacuée par le liquide de refroidissement (par exemple le même liquide que les transistors du premier circuit, pour le même canal). Il a été observé que la puissance provenant du chargeur peut nécessiter également, si un transistor est utilisé, un refroidissement par liquide. Le canal peut alors être configuré pour permettre ce refroidissement (par exemple en couvrant un boitier d’un transistor du deuxième circuit). Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif comprend un processeur configuré pour contrôler indépendamment les électrodes de contrôle des transistors du premier circuit et du deuxième circuit (si un deuxième circuit est présent). Dans ce mode de réalisation particulier, les électrodes de contrôle des transistors (grille ou base) ont chacune une connexion qui leur est propre jusqu’au processeur. Selon un mode de réalisation particulier, un ou plusieurs desdits transistors du premier circuit ou du deuxième circuit est monté dans un boitier à ailettes en forme de broche, lesdites ailettes en forme de broche s’étendant dans ledit canal. Un boîtier à ailettes en forme de broche peut être appelé par l’expression anglo-saxonne PINFIN, et permet un bon refroidissement du ou des transistors. On peut noter que plusieurs transistors peuvent être agencés dans un même boitier, par exemple tous les transistors du premier ou du deuxième circuit. Selon un mode de réalisation particulier, au moins un desdits transistors du premier circuit ou du deuxième circuit est monté dans un boitier assemblé sur une plaque métallique au moyen d’une couche de matériau d’interface thermique, la plaque métallique étant en contact avec le liquide de refroidissement dans ledit canal. Ce mode de réalisation particulier permet également d’avoir un refroidissement approprié. On peut noter qu’un ou plusieurs transistors peuvent être agencés dans un même boitier, par exemple tous les transistors du premier ou du deuxième circuit. On appelle généralement la plaque métallique une « plaque froide ». Plusieurs boitiers distincts peuvent être agencés sur cette plaque. Selon un mode de réalisation particulier, au moins un desdits transistors du premier ou du deuxième circuit est monté dans un boitier assemblé entre deux plaques métalliques au moyen de deux couches de matériau d’interface thermique, les deux plaques métalliques étant chacune en contact avec le liquide de refroidissement dans ledit canal. Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif comprend au moins un capteur de courant agencé en série avec une borne négative de la batterie, le capteur de courant présentant, une fois monté dans un système comprenant la charge et la batterie, une précision inférieure ou égale à plus ou moins 2% et une bande passante supérieure à 500kHz. Un tel capteur de courant peut être réalisé au moyen d’une résistance dite de « shunt ». Selon un mode de réalisation particulier, le premier circuit comprend un circuit d’amortissement configuré pour permettre la conduction dans les deux sens de conduction des deux transistors du premier circuit, connecté en parallèle aux deux transistors du premier circuit. Le circuit d’amortissement peut être désigné par l’expression anglo-saxonne « snubber ». Ce circuit permet d’aborder des pics de courant. Selon un mode de réalisation particulier, le circuit d’amortissement du premier circuit comporte deux branches connectées ensemble en parallèle, chaque branche comportant, en série, une diode définissant un sens de conduction propre à la branche, une résistance, et un condensateur. Dans ce mode de réalisation particulier, les diodes permettent d’avoir une branche par sens de conduction du courant, pour avoir un circuit d’amortissement bidirectionnel. Selon un mode de réalisation particulier, le deuxième circuit comprend un circuit d’amortissement configuré pour permettre la conduction dans le sens de conduction allant de la borne d’entrée du deuxième circuit vers la borne de sortie du deuxième circuit, connecté en parallèle audit au moins un transistor du deuxième circuit. Selon un mode de réalisation particulier, le circuit d’amortissement du deuxième circuit comporte, en série, une diode définissant le sens de conduction du circuit d’amortissement, une résistance, et un condensateur. FIG. 1 La FIG. 1 est une représentation schématique d’un dispositif selon un exemple. FIG. 2 La FIG. 2 représente un transistor dans un boitier à ailettes en forme de broche. FIG. 3 La FIG. 3 représente un transistor dans un boitier monté sur une plaque froide. FIG. 4 La FIG. 4 représente un transistor dans un boitier monté entre deux plaques. FIG. 5 La FIG. 5 représente un circuit d’amortissement selon un exemple FIG. 6 La FIG. 6 représente un circuit d’amortissement selon un exemple. FIG. 7 La FIG. 7 montre encore un autre circuit d’amortissement selon un exemple. Sur la FIG. 1 , on a représenté un système comprenant un dispositif 100 de déconnexion d’une batterie 200 utilisée pour l’alimentation en énergie électrique d’une charge 300. La batterie 200 peut être une batterie de véhicule électrique ou hybride utilisée pour alimenter en énergie électrique un groupe motopropulseur (la charge 300). La charge 300 peut donc être, par exemple, un onduleur de véhicule électrique ou hybride utilisée pour la traction et/ou la propulsion du véhicule. La batterie, 200 comporte une borne positive 201 et une borne négative 202. Dans l’exemple illustré, le dispositif de déconnexion est connecté à la borne positive. L’invention n’est néanmoins pas limitée à un dispositif de déconnexion connecté à la borne positive de la batterie et peut être adaptée pour une connexion à la bande négative de la batterie. Le dispositif comporte une borne d’entrée E qui est donc connectée à la borne positive 201 de la batterie, et, dans un chemin de courant allant jusqu’à la charge 300, un premier circuit 110 comportant deux transistors 111. Le chemin de courant qui va de l’entrée à la sortie du dispositif est traversé par un courant noté I sur la figure. Sur la figure, les deux transistors 111 et 112 sont des transistors à effet de champ de type MOSFET de type N (l’invention s’applique aussi à des transistors de type P), et de préférence des transistors en carbure de silicium, avantageux pour les applications hautes puissances. Le transistor 111 est connecté dans un premier sens de conduction, et le deuxième transistor 112 est connecté dans le sens opposé de conduction avec les deux transistors en série. Ainsi, les deux sources 111S et 112S de ces transistors sont connectées ensemble ici (alternativement et sans que cela ne soit représenté, les deux drains 111D et 112D de ces transistors sont connectés ensemble). Sur la figure, on a représenté les diodes internes de ces transistors, avec les anodes connectées entre elles. Les deux grilles 111G et 112G de ces deux transistors sont commandées par un processeur 130 du dispositif. On peut noter que la commande des grilles de ces transistors est mise en œuvre de manière indépendante. Comme visible sur la figure, on a bien pour chaque grille une connexion distincte jusqu’au processeur 130. Le dispositif comporte en outre, un deuxième circuit, 120 comprenant un transistor 121 (ici de type N, bien que l’autre type de conduction soit envisageable en adaptant le circuit) dont le drain est connecté à la borne de sortie du dispositif et la source à un port de recharge PRC (par exemple pour la connexion à un redresseur). Le transistor 121 est configuré pour être traversé par le courant dans le sens qui va du port de recharge PRC vers la branche traversée par le courant I. En particulier, le transistor 121, par son drain 121D, est connecté entre la borne de sortie S et le premier circuit. La source 121S de ce transistor est connectée au port de recharge PRC. L’anode de la diode interne du transistor 121 est connectée au port de recharge. Le deuxième circuit comporte, en outre, en parallèle du transistor 121, un autre transistor 121’ agencé dans le même sens de conduction, le transistor 121’ est optionnel, et est utilisé, pour des applications, dont la puissance nécessite la mise en parallèle de plusieurs transistors. En fait les transistors 121 et 121’peuvent être des transistors agencés dans un même boîtier, présents sur une ou plusieurs puces semi-conductrice distinctes. Tel est également le cas pour les transistors 111 et 112 qui peuvent comporter une ou plusieurs puces semi-conductrice(s) dans un ou plusieurs boitiers. En fait, un transistor représenté sur la figure peut être implémenté par une pluralité de transistors individuels, formés sur une ou plusieurs puces semi-conductrices. On peut noter que le nombre de puce par boitier permet de faire un ajustement fin de la puissance possible. Le nombre de boitiers mis en parallèle permet de faire un ajustement plus grossier de la puissance possible. Le premier circuit permet d’isoler électriquement la batterie 200 de la charge 300. À cet effet, on peut commander les grilles des transistors 111 G et 112 G avec le processeur 130, en particulier, lorsque le processeur 130 détecte, en utilisant un capteur, une situation dans laquelle il est nécessaire de bloquer le passage du courant I. À titre indicatif, un capteur de courant comprenant une résistance 140 en série avec la batterie, connecté à la borne 202 de la batterie peut être utilisée pour détecter des courts circuits. Un capteur de tension 141 est connecté aux bornes de la résistance 140, ce capteur de tension 141 étant connecté au processeur 130. En fait, ici, la résistance est une résistance dite de shunt. On peut noter que cela permet d’obtenir, en utilisation, une précision inférieure ou égale à plus ou moins 2% et une bande passante supérieure à 500kHz. L’utilisation d’une résistance permet d’avoir une détection précise et rapide d’une élévation d’un niveau de courant, devant conduire à un blocage des transistors. L’invention n’est pas limitée à l’utilisation d’une résistance de shunt et couvre d’autres capteurs aussi performants. Le deuxième circuit 120 est quant à lui utile pour protéger le reste du circuit d’un problème au niveau du chargeur de la batterie. Les transistors du premier circuit peuvent nécessiter un refroidissement particulier. Tel est éventuellement également le cas pour les transistors du deuxième circuit. On va maintenant décrire les refroidissements possibles. La FIG. 2 est une vue en coupe du transistor 111, et plus précisément une vue en coupe du boitier 111B dans lequel est la puce du transistor 111 Le boitier 111B est de type PINFIN, avec les ailettes s’étendant directement dans un canal 400 dans lequel circule un liquide de refroidissement. On peut noter que le boitier 111B peut contenir d’autres puces semi-conductrices, par exemple la ou les puces du transistor 112.La FIG. 3 est une vue en coupe d’une variante dans laquelle un boitier 111B’ du transistor 111 sur une plaque métallique 500 au moyen d’une couche de matériau d’interface thermique (préférentiellement isolant électrique). On peut noter que plusieurs boitiers peuvent être assemblés sur la plaque 500, qui est en contact avec le canal 400 dans lequel circule un liquide de refroidissement. La FIG. 4 est une vue en coupe d’une autre variante dans laquelle un boitier 111B’’ du transistor 111 est monté entre deux plaques métalliques 500’’, au moyen d’une couche de matériau d’interface thermique (préférentiellement isolant électrique). Les deux plaques métalliques 500’’ sont en contact avec le liquide de refroidissement du canal 400. On peut noter que le boitier 111B de la FIG. 2 est le plus adapté aux hautes puissances, suivi du boitier 111B’, puis du boitier 111B’’. La FIG. 5 montre un circuit d’amortissement monté sur le transistor 121 du deuxième circuit. Le circuit d’amortissement 125 est plus précisément connecté en parallèle à la source et au drain du transistor 121. Il comporte une branche et est configuré pour permettre la conduction dans le sens allant du drain du transistor vers la source du transistor. Cette branche comporte ici une diode 126 dont l’anode est connectée à la source du transistor 121, une résistance 127, et un condensateur 128 dont une borne est connecté au drain du transistor 121. La FIG. 6 montre un circuit d’amortissement connecté en parallèle aux deux transistors 111 et 112 du premier circuit. Plus précisément, le circuit d’amortissement comporte deux branches, chacune étant associée à un sens de conduction. Une première branche 115A comporte une diode 116A en série avec une résistance 117A et un condensateur 118A. L’anode de la diode 116A est connectée au drain du transistor 111 et le condensateur 118A a une borne connectée au drain du transistor 112. Une deuxième branche 115B comporte une diode 116B en série avec une résistance 117B et un condensateur 118B. L’anode de la diode 116B est connectée au drain du transistor 112 et le condensateur 118B a une borne connectée au drain du transistor 111. La FIG. 7 montre une alternative au circuit d’amortissement de la FIG. 6 . Ici, le circuit d’amortissement comporte deux branches, chacune étant associée à un sens de conduction. Une première branche 115A comporte une diode 116A en série avec une résistance 117A et un condensateur 118A. Ici, la cathode de la diode 116A est connectée au drain du transistor 112 et le condensateur 118A a une borne connectée au drain du transistor 111. Une deuxième branche 115B comporte une diode 116B en série avec une résistance 117B et un condensateur 118B. La cathode de la diode 116B est connectée au drain du transistor 111 et le condensateur 118B a une borne connectée au drain du transistor 112. En outre, une résistance 119A relie la branche 115A à la masse et une résistance 119B relie la branche 115b à la masse. Cette alternative a pour avantage d’améliorer le temps de réponse à la coupure. On peut noter que dans une variante, les résistances 119A et 119B peuvent être chacune remplacée par une varistance (moins onéreuse que des résistances de puissance). Dispositif de déconnexion d’une batterie électrique, comprenant une borne d’entrée (E) destinée à être connectée à une borne (201) de la batterie, un chemin de courant (I) s’étendant depuis la borne d’entrée, et une borne de sortie (S) du dispositif destinée à être connectée à une charge (300), le chemin de courant comprenant un premier circuit (110) comportant au moins deux transistors (111, 112) chacun muni d’une diode interne et agencés en série et selon deux sens de conduction opposés, le dispositif comprenant en outre un canal (400) dans lequel peut circuler un liquide de refroidissement, le canal étant configuré pour que la puissance dissipée par lesdits au moins deux transistors soit évacuée par le liquide de refroidissement. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la borne de la batterie est la borne positive (201), et dans lequel le dispositif comprend un deuxième circuit (120) comprenant au moins un transistor agencé entre une borne d’entrée du deuxième circuit connectée à un port de recharge de la batterie, et une borne de sortie du deuxième circuit connectée entre le premier circuit et la borne de sortie du dispositif, ledit au moins un transistor étant muni d’une diode interne et agencé selon un sens de conduction allant de la borne d’entrée du deuxième circuit vers la borne de sortie du deuxième circuit. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le deuxième circuit comporte, dans un même boîtier, au moins deux transistors agencés sur une ou plusieurs puces distinctes, connectés en parallèle et agencés entre la borne d’entrée du deuxième circuit et la borne de sortie du deuxième circuit, lesdits au moins deux transistors étant agencés selon ledit sens de conduction allant de la borne d’entrée du deuxième circuit vers la borne de sortie du deuxième circuit. Dispositif selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le canal est en outre configuré pour que la puissance dissipée par ledit au moins un transistor du deuxième circuit soit évacuée par le liquide de refroidissement. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant un processeur (130) configuré pour contrôler indépendamment les électrodes de contrôle des transistors du premier circuit et du deuxième circuit. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel un ou plusieurs desdits transistors du premier circuit ou du deuxième circuit est monté dans un boitier (111B) à ailettes en forme de broche, lesdites ailettes en forme de broche s’étendant dans ledit canal. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel au moins un desdits transistors du premier circuit ou du deuxième circuit est monté dans un boitier (111B’) assemblé sur une plaque métallique au moyen d’une couche de matériau d’interface thermique, la plaque métallique étant en contact avec le liquide de refroidissement dans ledit canal. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel au moins un desdits transistors du premier ou du deuxième circuit est monté dans un boitier (111B’’) assemblé entre deux plaques métalliques au moyen de deux couches de matériau d’interface thermique, les deux plaques métalliques étant chacune en contact avec le liquide de refroidissement dans ledit canal. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant un capteur de courant (140, 141) agencé en série avec une autre borne de la batterie, configuré pour avoir en utilisation avec la batterie et la charge une précision inférieure ou égale à plus ou moins 2% et une bande passante supérieure à 500kHz. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le premier circuit comprend un circuit d’amortissement (115) configuré pour permettre la conduction dans les deux sens de conduction des deux transistors du premier circuit, connecté en parallèle aux deux transistors du premier circuit. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel le circuit d’amortissement du premier circuit comporte deux branches connectées ensemble en parallèle, chaque branche comportant, en série, une diode (116A, 116B) définissant un sens de conduction propre à la branche, une résistance (117A, 117B) et un condensateur (118A, 118B). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le deuxième circuit comprend un circuit d’amortissement (125) configuré pour permettre la conduction dans le sens de conduction allant de la borne d’entrée du deuxième circuit vers la borne de sortie du deuxième circuit, connecté en parallèle audit au moins un transistor du deuxième circuit. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel le circuit d’amortissement du deuxième circuit comporte, en série, une diode (126) définissant le sens de conduction du circuit d’amortissement, une résistance (127) et un condensateur (128).