FR 3156990 A1 20250620 FR 2314115 A 20231213 Dispositif à branches parallèles La présente description concerne un dispositif (DEV2) comprenant deux bornes (100 ; 102) et au moins deux branches (B1, B2, B3) identiques connectées en parallèle entre lesdites deux bornes, chaque branche comprenant : - un composant semiconducteur (T1, T2, T3) ayant une borne de commande recevant un signal de commande (cmd1, cmd2, cmd3) d'une résistance à l'état passant du composant, la résistance à l'état passant du composant ayant un coefficient négatif de variation avec la température ; et - un circuit de mesure (MES1, MES2, MES3) d'une valeur d'un paramètre de la branche, le dispositif comprenant en outre un circuit de commande (CTRL2) recevant les valeurs mesurées (val1, val2, val3), fournissant le signal de commande de chaque branche et modulant le signal de commande de chaque branche de sorte à maintenir la valeur du paramètre de la branche dans une plage de valeurs identique pour toutes les branches. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Dispositif à branches parallèles La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques, et, plus particulièrement les circuits électroniques comprenant plusieurs branches parallèles identiques ayant chacune un composant semiconducteur avec une résistance à l'état passant diminuant avec la température. Dans de nombreux systèmes électroniques connus, plusieurs composants semiconducteurs identiques sont connectés en parallèle, chaque composant semiconducteur étant mis en œuvre à partir d'un matériau semiconducteur, par exemple dans et sur une portion de couche de ce matériau semiconducteur. La prévision de plusieurs composants semiconducteurs identiques en parallèle permet, par exemple, d'augmenter la quantité maximale de courant qui peut circuler dans ces composants en parallèle sans augmenter les dimensions des composants semiconducteurs identiques. A titre d'exemple, des convertisseurs de puissance comprennent des transistors mis en œuvre chacun par plusieurs transistors connectés en parallèle. Dans certains de ces systèmes connus, les composants identiques qui sont connectés en parallèle ont chacun une résistance à l'état passant ayant une valeur qui diminue lorsque la température augmente, ce qui pose divers problèmes. Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs comprenant plusieurs composants semiconducteurs identiques connectés en parallèle et ayant une résistance à l'état passant à coefficient négatif de variation avec la température, c'est à dire une valeur de résistance à l'état passant qui diminue lorsque la température augmente et inversement. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs connus décrits ci-dessus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant deux bornes et au moins deux branches identiques connectées en parallèle entre lesdites deux bornes, chaque branche comprenant : - un composant semiconducteur ayant une borne de commande configurée pour recevoir un signal de commande d'une résistance à l'état passant du composant entre des première et deuxième bornes de conduction du composant, la résistance à l'état passant du composant ayant un coefficient négatif de variation avec la température ; et - un circuit de mesure d'une valeur d'un paramètre de ladite branche, le dispositif comprenant en outre un circuit de commande configuré pour recevoir les valeurs mesurées, fournir le signal de commande au composant de chaque branche et moduler le signal de commande de chaque branche de sorte à maintenir la valeur du paramètre de ladite branche dans une plage de valeurs identique pour toutes les branches. Selon un mode de réalisation, dans chaque branche, la valeur du paramètre est au moins en partie déterminée par la résistance à l'état passant du composant de ladite branche. Selon un mode de réalisation, le semiconducteur est du diamant. Selon un mode de réalisation, le composant est un transistor MOS. Selon un mode de réalisation, dans chaque branche, le composant semiconducteur est en série avec au moins un autre élément, par exemple une résistance. Selon un mode de réalisation, chaque branche comprend uniquement ledit composant et le circuit de mesure. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est configuré pour moduler le signal de commande de chaque branche indépendamment des signaux de commande des autres branches. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est configuré pour moduler le signal de commande de chaque branche de sorte à augmenter la résistance à l'état passant du transistor de la branche lorsque la valeur du paramètre varie et traduit une diminution de la résistance à l'état passant du transistor. Selon un mode de réalisation, la plage de valeur est déterminée par le circuit de commande à partir d'une valeur de référence égale à une moyenne des valeurs mesurées. Selon un mode de réalisation, la plage de valeur comprend uniquement la valeur de référence. Selon un mode de réalisation, la plage de valeur est en outre déterminée par une valeur maximale et/ou une valeur minimale des signaux de commande. Selon un mode de réalisation, ledit paramètre est un courant circulant dans la branche, entre les bornes de conduction du composant de la branche. Selon un mode de réalisation, ledit paramètre est une température de ladite branche, de préférence du composant de ladite branche. Un autre mode de réalisation prévoit un système électronique comprenant un dispositif tel que décrit ci-dessus, dans lequel lesdites au moins deux branches mettent en œuvre, entre lesdites deux bornes, un interrupteur du système. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est configuré pour recevoir un signal binaire ayant un premier état binaire commandant l'état passant des composants, et un deuxième état binaire commandant l'état bloqué des composants. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente un exemple d'un dispositif à branches en parallèle comprenant chacune un composant semiconducteur à résistance à l'état passant commandable ; la FIG. 2 représente un exemple de mode de réalisation d'un dispositif à branches en parallèle comprenant chacune un composant semiconducteur à résistance à l'état passant commandable ; la FIG. 3 représente un exemple d'un mode de réalisation plus détaillé d'un circuit du dispositif de la FIG. 2 ; et la FIG. 4 représente un exemple d'un mode de réalisation plus détaillé d'un circuit du circuit de la FIG. 3 . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 représente un exemple d'un dispositif DEV1 à branches en parallèle comprenant chacune un composant semiconducteur avec une résistance à l'état passant commandable. Plus particulièrement, le dispositif électronique DEV1 comprend un composant COMP1 et un circuit CTRL1 configuré pour commander le composant COMP1. Le composant COMP1 comprend deux bornes 100 et 102 et N branches Bi identiques connectées en parallèle entre les bornes 100 et 102, avec N un nombre entier strictement supérieur à 1 et i un indice entier allant de 1 à N. Le composant COMP1 est configuré pour qu'un courant I circule entre ses bornes 100 et 102. Dans l'exemple de la FIG. 1 , N est égal à 3 et le dispositif DEV1 comprend trois branches B1, B2 et B3 identiques connectées en parallèle entre les bornes 100 et 102. Par exemple, chaque branche Bi a une extrémité connectée à la borne 100 et une autre extrémité connectée à la borne 102. Chaque branche Bi comprend un composant semiconducteur Ti (T1, T2 et T3 en FIG. 1 ), c'est à dire un composant formé dans et/ou sur une portion de couche semiconductrice, par exemple, faite de diamant. Comme les branches Bi sont identiques entre elles, les composants Ti sont identiques entre eux aux dispersions de fabrication près. Chaque composant Ti comprend deux bornes de conduction et une borne de commande configurée pour recevoir un signal de commande, par exemple une tension ou un courant de commande, déterminant une valeur de résistance à l'état passant du composant Ti. Par exemple, l'une des deux bornes de conduction de chaque composant Ti est couplée, par exemple connectée, à la borne 100, l'autre des deux bornes de conduction de chaque composant Ti étant couplée, par exemple connectée, à la borne 102. Chaque composant Ti est configuré pour qu'un courant Ii (I1, I2 et I3 en FIG. 1 ) circulant dans la branche Bi circule entre les deux bornes de conduction du composant Ti. Dans l'exemple de la FIG. 1 , les branches Bi reçoivent toutes un même signal de commande cmd, commun à toutes les branches Bi. Dit autrement, tous les composants Ti reçoivent le signal cmd sur leurs bornes de commande respectives. Par exemple, en FIG. 1 , le signal cmd est fourni à la borne de commande de chacun des composants T1, T2 et T3. A titre d'exemple, le signal de commande cmd est fourni par le circuit de commande CTRL1 du dispositif DEV1. A titre d'exemple, lorsque le signal cmd commande un état passant des composants Ti, la valeur du signal cmd détermine la valeur de la résistance à l'état passant de chacun des composants Ti. Dit autrement, le signal cmd détermine la valeur de résistance à l'état passant des composants Ti. La topologie du circuit DEV1 de la FIG. 1 avec une commande commune (le signal cmd) appliquée à tous les composants Ti est celle qui est généralement utilisée dans des dispositifs connus comprenant plusieurs composants Ti devant être commandés pour être sélectivement passants simultanément et bloqués simultanément. Cette topologie à commande commune est bien adaptée à des composants Ti identiques ayant une résistance à l'état passant avec un coefficient positif de variation avec la température, c'est à dire que la valeur de la résistance à l'état passant du composant Ti augmente quand la température augmente, et, à l'inverse, diminue quand la température diminue. En effet, les pertes par conduction dans chaque composant Ti sont de type Roni*Ii 2 , avec Roni la résistance à l'état du composant Ti et Ii le courant qui y circule. Ainsi, pour une valeur donnée du signal cmd pour laquelle les composants Ti sont à l'état passant, si la température d'un composant Ti augmente, sa résistance Roni augmente, ce qui entraîne une diminution correspondante du courant Ii y circulant, donc une diminution des pertes par conduction (en raison de la prédominance du carré du courant Ii sur la valeur de résistance Roni). La diminution des pertes par conduction entraîne une diminution de la température dans le composant Ti, donc une diminution de la résistance Roni et ainsi de suite. La résistance Roni garde donc une valeur de résistance sensiblement constante et déterminée par la valeur du signal cmd. En revanche, cette topologie à commande commune n'est pas adaptée à des composants Ti ayant une résistance à l'état passant avec un coefficient négatif de variation avec la température, c'est à dire que la valeur de la résistance à l'état passant du composant Ti diminue quand la température augmente, et, à l'inverse, augmente quand la température diminue. En effet, bien que les composants Ti soient censés être identiques les uns aux autres, pour une valeur donnée du signal cmd pour laquelle les composants Ti sont à l'état passant, les composants Ti peuvent avoir des valeurs différentes de résistance à l'état passant, par exemple en raison des dispersions de fabrication et/ou de variations de température entre les composants Ti. Il en résulte que l'un des composants Ti a alors une résistance à l'état passant Roni plus faible que celles des autres composants Ti, bien que les composants reçoivent tous le même signal cmd. Le courant Ii dans la branche Bi comprenant le composant Ti le moins résistif est alors plus élevé que le courant Ii dans composants Ti des autres branches, d'où il résulte un échauffement par dissipation thermique plus élevé dans ce composant Ti que dans les composants Ti des autres branches (en raison de la prédominance du carré du courant Ii sur la valeur de résistance Roni). Cet échauffement plus élevé dans ce composant Ti moins résistif entraine une plus grande diminution de la résistance à l'état passant du composant Ti que celles des résistances à l'état passant des composants Ti des autres branches. A son tour, cette plus forte diminution de la résistivité du composant Ti par rapport celles des autres composants entraîne une plus grande augmentation du courant Ii dans ce composant Ti que dans les autres composants Ti, et ainsi de suite. Cela conduit à un vieillissement prématuré de ce composant Ti par rapport aux composants Ti des autres branches, voir à une destruction de ce composant Ti. Pour pallier l'inconvénient décrit ci-dessus du dispositif DEV1, il est ici proposé de commander indépendamment les composants Ti, c'est à dire de fournir des signaux de commande différents aux composants Ti respectifs, de sorte à optimiser la mise en parallèle des composants Ti. Plus particulièrement, il est ici proposé de commander chaque composant Ti indépendamment des autres composants Ti, de sorte qu'un paramètre du composant Ti (ou de la branche Bi comprenant ce composant Ti) qui a une valeur dépendante de la résistance à l'état passant du composant Ti, ait une valeur dans une plage de valeur identique pour tous les composants Ti. Dit autrement, il est ici proposé de commander chaque composant Ti indépendamment des autres composants Ti de sorte que la valeur d'un paramètre du composant Ti ne s'éloigne pas, ou ne diverge pas, des valeurs de ce paramètre pour les autres composants Ti. Dans la présente description, sauf indication contraire, l'expression "plage de valeurs" désigne une plage de valeurs s'étendant depuis une valeur minimale jusqu'à une valeur maximale, que les valeurs minimale et maximale soient égales l'une à l'autre (la plage comprenant alors une unique valeur égale aux valeurs minimale et maximale), ou que les valeurs minimale et maximale soient différentes l'une de l'autre (la plage comprenant alors, en plus de ces deux valeurs minimale et maximale, une pluralité de valeur comprises entre les valeurs minimale et maximale). Dans la suite de la description, sauf indication contraire, l'expression "paramètre d'une branche Bi" signifie "paramètre du composant Ti de cette branche Bi". Par exemple, lorsque le paramètre est la température, la température de la branche Bi signifie la température du composant Ti de cette branche Bi. Pour cela, un mode de réalisation prévoit, dans chaque branche Bi, un circuit de mesure de la valeur du paramètre pour la branche Bi, c'est à dire du paramètre pour le composant Ti de cette branche Bi, et un circuit de commande configuré pour commander chaque composant Ti à partir des valeurs mesurées, de sorte à obtenir le fonctionnement décrit ci-dessus. Par exemple, un mode de réalisation prévoit que chaque composant Ti reçoive un signal de commande cmdi modulé, de manière indépendante pour chaque composant Ti, sur la base de la valeur mesurée d'un paramètre de ce composant Ti. La FIG. 2 représente un exemple de mode de réalisation d'un dispositif DEV2 à branches Bi identiques connectées en parallèle les unes des autres et comprenant chacune un composant semiconducteur Ti à résistance à l'état passant commandable et à coefficient négatif de variation avec la température. Le dispositif électronique DEV2 comprend un composant COMP2 et un circuit CTRL2 configuré pour commander le composant COMP2. Le composant COMP2 est similaire au composant COMP1 de la FIG. 1 , et seules les différences entre ces deux composants COMP1 et COMP2 sont ici mises en exergue. Ainsi, sauf indication contraire, tout ce qui a été indiqué pour le composant COMP1 s'applique au composant COMP2. Plus particulièrement, le composant COMP2 diffère du composant COMP1 en ce que chaque branche Bi du composant COMP2 comprend un circuit de mesure MESi (MES1, MES2 et MES3 dans l'exemple de la FIG. 2 où N est égal à 3). Dans chaque branche Bi, le circuit MESi est configuré pour mesurer une valeur d'un paramètre de la branche Bi. Par exemple, ce paramètre a une valeur qui dépend, au moins en partie, de la résistance à l'état passant du composant Ti de la branche Bi, par exemple qui augmente quand la résistance à l'état passant diminue. Chaque circuit MESi fournit un signal vali (val1, val2 et val3 en FIG. 2 ) indiquant la valeur mesurée de ce paramètre pour la branche Bi ou le composant Ti correspondant. Par exemple, le paramètre mesuré dans chaque branche est le courant Ii circulant dans la branche Bi, et donc dans le composant Ti de la branche Bi, c'est à dire entre les bornes de conduction de ce composant Ti. A titre d'exemple alternatif, le paramètre mesuré dans chaque branche Bi est la température de la branche Bi, ou, dit autrement, le paramètre mesuré dans chaque branche Bi est la température dans le composant Ti de la branche Bi. En effet, la température du composant Ti de la branche Bi dépend du courant Ii dans la branche Bi et de la valeur de la résistance à l'état passant du composant Ti de la branche. Dans l'exemple de la FIG. 2 , chaque branche Bi comprend uniquement le composant Ti et le circuit MESi de la branche Bi. A titre d'exemple, lorsque le paramètre mesuré dans chaque branche Bi est le courant Ii dans la branche Bi, le circuit MESi est connecté en série avec le composant Ti. Par rapport au dispositif DEV1, le circuit de commande CTRL1 est remplacé par le circuit de commande CTRL2 dans le dispositif DEV2. Le circuit CTRL2 est configuré pour fournir, au composant Ti de chaque branche Bi, un signal de commande cmdi (cmd1, cmd2 et cmd3 en FIG. 2 ) de la résistance à l'état passant du composant Ti. Par exemple, le signal cmdi est fourni à la borne de commande du composant Ti correspondant. A titre d'exemple, lorsque le signal cmdi commande un état passant du composant Ti correspondant, la valeur du signal cmdi détermine la valeur de la résistance à l'état passant de ce composant Ti. Par rapport au circuit CTRL1 qui fournit un même signal cmd à tous les composants Ti, le circuit CTRL2 fournit un signal cmdi distinct à chaque composant Ti, de sorte que la valeur de la résistance à l'état passant de chaque composant Ti soit commandée indépendamment des valeurs de résistances à l'état passant des autres composants Ti. Le circuit CTRL2 reçoit les signaux vali, c'est à dire qu'il reçoit les valeurs mesurées dans les branches Bi du paramètre choisi. Le circuit CTRL2 est configuré pour éviter que le paramètre de chaque branche Bi ou composant Ti ne prennent des valeurs qui divergent entre les branches Bi. Pour cela, le circuit CTRL2 est configuré pour moduler (ou adapter ou déterminer) chaque signal cmdi de sorte que, dans chaque branche Bi, la valeur du paramètre soit maintenue dans une plage de valeurs identiques pour toutes les branches Bi. Par exemple, lorsque le signal vali d'une branche Bi indique que le paramètre, par exemple le courant Ii ou la température de la branche, augmente et atteint une borne supérieure de la plage de valeurs partagées par les branches Bi, le circuit CTRL2 modifie la valeur du signal cmdi du composant Ti de cette branche Bi de sorte à augmenter la valeur de la résistance à l'état passant du composant Ti, d'où il résulte une diminution du paramètre pour cette branche Bi, ce paramètre étant, par exemple, le courant Ii dans la branche Bi ou la température dans la branche Bi, c'est à dire dans le composant Ti de cette branche Bi. A titre d'exemple, le composant Ti de chaque branche Bi est un transistor MOS (de l'anglais "Metal Oxyde Semiconductor" – métal oxyde semiconducteur) formé dans et/ou sur une portion de couche semiconductrice, par exemple en diamant. A titre d'exemple, lorsque ces transistors Ti sont à canal N et que la température ou le courant Ii dans l'un de ces transistors Ti augmente alors que les transistors Ti sont commandés simultanément à l'état passant, le signal cmdi de commande de ce transistor Ti, en pratique la tension cmdi positive appliquée à la grille de ce transistor Ti, est diminuée (modulée à la baisse) pour augmenter la résistance à l'état passant Roni de ce transistor Ti. De manière symétrique, lorsque ces transistors Ti sont à canal N et que la température ou le courant Ii dans l'un de ces transistors Ti diminue alors que les transistors Ti sont commandés simultanément à l'état passant, la tension cmdi positive appliquée à la grille de ce transistor Ti est augmentée (modulée à la hausse) pour diminuer la résistance à l'état passant Roni de ce transistor Ti. A titre d'autre exemple, lorsque ces transistors Ti sont à canal P et que la température ou le courant Ii dans l'un de ces transistors Ti augmente alors que les transistors Ti sont commandés simultanément à l'état passant, la tension cmdi négative appliquée à la grille de ce transistor Ti est diminuée en valeur absolue (modulée à la baisse en valeur absolue) pour augmenter la résistance à l'état passant Roni de ce transistor Ti. De manière symétrique, lorsque ces transistors Ti sont à canal P et que la température ou le courant Ii dans l'un de ces transistors Ti diminue alors que les transistors Ti sont commandés simultanément à l'état passant, la tension cmdi négative appliquée à la grille de ce transistor Ti est augmentée en valeur absolue (modulée à la hausse en valeur absolue) pour diminuer la résistance à l'état passant Roni de ce transistor Ti. Bien que l'on cherche généralement à diminuer la résistance à l'état passant des composants d'un circuit de sorte à limiter les pertes et la consommation, dans le dispositif DEV2, le circuit CTRL2 augmente la résistance à l'état passant d'un ou plusieurs composants Ti pour éviter que le paramètre des branches Bi comprenant ces composants Ti continu d'augmenter de la manière décrite en relation avec la FIG. 1 , du fait du coefficient négatif de variation de la résistance à l'état passant des composants Ti avec la température. Selon un mode de réalisation, la plage de valeur qui est commune à toutes les branches, et dans laquelle le circuit CTRL2 maintient la valeur du paramètre pour chaque branche en modulant les signaux de commande cmdi, est déterminée à partir d'une valeur de référence valref. Par exemple, la plage de valeurs partagée entre les branches Bi est définie par une borne inférieure égale à valref moins un pourcentage donné de la valeur valref, et une borne supérieure égale à valref plus un pourcentage donné de cette valeur valref. A titre d'exemple alternatif, la plage de valeurs partagée entre les branches Bi ne comprend qu'une seule valeur, à savoir la valeur valref. Dans ce cas, le circuit CTRL2 commande l'état passant des composants Ti de sorte que le paramètre soit à la valeur valref dans chacune des branches Bi. A titre d'autre exemple alternatif, la plage de valeur partagée entre les branches Bi s'étend d'une valeur nulle à la valeur valref, ou à la valeur valref plus un pourcentage donné de cette valeur valref. De manière optionnelle, la borne supérieure et/ou la borne inférieure de la plage de valeur est en partie déterminée par la valeur valref et, en outre, en partie déterminée par une valeur minimale et/ou une valeur maximale que peuvent prendre chacun des signaux cmdi. En effet, il peut être prévu une valeur maximale pour les signaux cmdi, au-delà de laquelle des dispositifs de protection contre les surtensions (non illustrés et non détaillés) se déclenchent, par exemple pour éviter que le signal de commande cmdi d'un composant Ti ne détériore ou détruise le composant Ti. De même, il peut être prévu une valeur minimale pour les signaux cmdi, en-dessous de laquelle des dispositifs de protection contre les sous-tensions (non illustrée et non détaillés) se déclenchent, par exemple pour éviter que le signal de commande cmdi d'un composant Ti ne soit à une valeur où le composant Ti est à l'état bloqué. La valeur valref peut être une valeur prédéterminée par le fonctionnement désiré du circuit DEV2. Par exemple, dans le cas où le paramètre observé est le courant Ii dans chaque branche, la valeur valref est déterminée par le courant I que le composant COMP2 doit laisser circuler entre ses bornes 100 et 102 lorsque les composants Ti sont à l'état passants, et la valeur valref est, par exemple, égale à I/N. A titre d'exemple alternatif, dans le cas où le paramètre observé est la température dans chaque branche Bi, donc dans chaque composant Ti, la valeur valref est déterminée par une température T de fonctionnement du composant COMP2, et la valeur valref par exemple égale à T. Plutôt que d'être une valeur prédéfinie, la valeur valref peut être une valeur calculée, par exemple par le circuit CTRL2, à partir des valeurs du paramètre mesurées dans les branches Bi. Par exemple, la valeur valref est égale à la moyenne des valeurs mesurées dans les branches Bi. De préférence, lorsque le paramètre observé dans chaque branche Bi augmente quand la résistance à l'état passant du composant Ti de la branche diminue, par exemple suite à une augmentation de la température de la branche Bi, le circuit CTRL2 est configuré pour augmenter la résistance à l'état passant du composant Ti de la branche Bi lorsque la valeur du paramètre mesurée pour cette branche Bi augmente. La mise en œuvre de l'asservissement de la résistance à l'état passant de chaque composant Ti par le circuit CTRL2 de sorte qu'un paramètre observé ait, dans chaque branche Bi, une valeur comprise dans une plage de valeur commune à toutes les branches Bi, est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. La FIG. 3 représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un exemple d'un mode de réalisation détaillé du circuit CTRL2. Le circuit CTRL2 comprend, dans cet exemple de mode de réalisation, un circuit CALC configuré pour calculer la valeur de référence valref, à partir des valeurs du paramètre mesurées dans les branches Bi. Pour cela, le circuit CALC reçoit les valeurs mesurées, par exemple le circuit CALC reçoit les signaux vali, et fournit la valeur valref, par exemple sous la forme d'un signal ref dont la valeur est déterminée par la valeur valref, égale à la moyenne des valeurs mesurées. Par exemple, le signal ref est égal à la moyenne des signaux vali. Dans un autre exemple non illustré, la valeur de référence valref est prédéterminée, et le circuit CALC est configuré pour fournir cette valeur valref prédéterminée, par exemple pour fournir le signal ref à une valeur déterminée par la valeur valref, et le circuit CALC ne reçoit alors pas les valeurs du paramètre mesurées dans les branches Bi. Pour chaque branche Bi, le circuit CTRL2 comprend, dans cet exemple de mode de réalisation, un circuit diffi (diff1, diff2, diff3 en FIG. 3 ) configuré pour déterminer l'écart (ou différence) entre la valeur valref fournie par le circuit CALC, et la valeur mesurée pour cette branche Bi. Chaque circuit diffi fournit un signal erri (err1, err2 et err3 en FIG. 3 ) indiquant la valeur de cet écart. Par exemple, chaque circuit diffi, reçoit le signal ref et le signal vali correspondant, et fournit le signal erri, ce dernier étant, par exemple, égal à l'écart entre le signal ref et le signal vali. Pour chaque branche Bi, le circuit CTRL2 comprend, dans cet exemple de mode de réalisation, un circuit GENi (GEN1, GEN2 et GEN3 en FIG. 3 ) configuré pour fournir le signal cmdi commandant la valeur de la résistance à l'état passant du composant Ti, à partir de l'écart entre la valeur valref et la valeur du paramètre mesurée pour ce composant Ti. Par exemple, chaque circuit GENi reçoit le signal erri et fournit le signal cmdi à partir du signal erri reçu. Bien que cela ne soit pas illustré en FIG. 3 , chaque circuit GENi peut en outre être configuré, lorsque chaque composant Ti comprend un état passant et un état bloqué, pour recevoir un signal ON/OFF binaire indiquant, par un premier état binaire, que les composants Ti doivent être commandée à l'état bloqué, et, par un deuxième état binaire, que les composants Ti doivent être commandés à l'état passant. Dans ce cas, la modulation des signaux de commande cmdi en fonction des valeurs mesurées du paramètre dans chaque branche Bi n'est mis en œuvre que lorsque le signal ON/OFF est dans son deuxième état binaire, et, lorsque le signal ON/OFF est dans son premier état binaire, les circuits GENi sont de préférence configurés pour forcer les signaux cmdi à une même valeur propre à commander les composants Ti à l'état bloqué. Selon un mode de réalisation, comme cela est illustré en FIG. 3 , chaque circuit GENi comprend un circuit correcteur PI configuré pour fournir une valeur de correction (ou de modulation) à appliquer au signal cmdi, à partir de l'écart entre la valeur de référence valref et la valeur mesurée pour le composant Ti de la branche Bi correspondante. Par exemple, chaque circuit PI reçoit le signal erri correspondant et fournit un signal corri correspondant (corr1, corr2 et corr3 en FIG. 3 ). En outre, chaque circuit GENi comprend, dans cet exemple, un circuit SAT. Chaque circuit SAT est configuré pour recevoir la valeur de correction à appliquer au signal cmdi correspondant, chaque circuit SAT recevant, par exemple, le signal corri correspondant, et pour fournir un signal scorri correspondant (scorr1, scorr2 et scorr3 en FIG. 3 ). Chaque signal scorri indique une valeur de correction à appliquer au signal cmdi de sorte que cette valeur de correction soit égale à celle indiquée par le signal corri si la valeur de correction est comprise entre une valeur de correction minimale et une valeur de correction maximale, soit égale à la valeur de correction maximale si la valeur de correction indiquée par le signal corri est supérieure à la valeur de correction maximale, et soit égale à la valeur de correction minimale si la valeur de correction indiquée par le signal corri est inférieure à la valeur de correction minimale. Dit autrement, chaque circuit SAT est configuré pour appliquer une fonction de saturation à la valeur de correction fournie par le circuit PI correspondant. Dit encore autrement, dans cet exemple, chaque circuit SAT est configuré pour que le signal cmdi fournit par le circuit GENi correspondant reste compris entre une valeur minimale, par exemple une valeur minimale en dessous de laquelle le composant Ti n'est plus commandé à l'état passant, et une valeur maximale, par exemple une valeur maximale au-dessus de laquelle un dispositif de protection contre les surtensions est activé. Chaque circuit GENi comprend en outre un circuit DRIVER configuré pour fournir le signal cmdi correspondant à partir d'une valeur de correction qu'il reçoit, par exemple à partir du signal scorri qu'il reçoit. A titre d'exemple, chaque circuit DRIVER est configuré, lorsque le composant Ti correspondant est à l'état passant, pour fournir le signal cmdi à une valeur déterminée par une valeur nominale des signaux cmdi à laquelle est appliquée la valeur de correction reçue par le circuit DRIVER. A titre d'exemple, dans un mode de réalisation où chaque circuit GENi reçoit le même signal ON/OFF, le circuit DRIVER de chaque circuit GENi reçoit ce signal ON/OFF. A titre d'exemple, chaque circuit PI met en œuvre une correction de type proportionnel intégral. A titre d'exemple alternatif, d'autres types de correction peuvent être mis en œuvre par les circuits PI, par exemple une correction de type proportionnel intégral dérivé. Dans l'exemple de mode de réalisation ci-dessus, chaque circuit GENi applique, par l'intermédiaire de son circuit SAT, une fonction de saturation à la valeur de correction à appliquer au signal cmdi, de sorte que la valeur du signal cmdi reste comprise entre une valeur minimale et une valeur maximale. Dans un autre exemple, la fonction de saturation à appliquer à la correction est configurée uniquement pour que la valeur du signal cmdi reste inférieure à une valeur maximale. Dans encore un autre exemple, la fonction de saturation à appliquer à la correction est configurée uniquement pour que la valeur du signal cmdi reste supérieure à une valeur miminale. Dans une variante de réalisation non illustrée, chaque circuit GENi n'applique pas de fonction de saturation à la correction à appliquer au signal cmdi correspondant. Dans une telle variante, les circuits GENi ne comprennent pas de circuit SAT, et, dans chaque circuit GENi, le circuit DRIVER reçoit une valeur de correction directement du circuit diffi correspondant, le circuit DRIVER recevant, par exemple, le signal corri en lieu et place du signal scorri. La FIG. 4 représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un exemple d'un mode de réalisation détaillé du circuit DRIVER de chacun des circuits GENi de la FIG. 3 . Le circuit DRIVER reçoit un signal de commande Valim, par exemple une tension, à une valeur nominale correspondant à, ou déterminant, une valeur nominale du signal cmdi. Le même signal Valim est fourni à tous les circuits DRIVER. Le circuit DRIVER reçoit en outre un signal indiquant une correction à appliquer au signal cmdi. Par exemple, ce signal est le signal scorri en FIG. 4 , bien que, dans d'autres exemples, ce signal puisse être directement le signal corri. Le circuit DRIVER comprend un circuit MOD configuré pour recevoir le signal indiquant la valeur nominale du signal cmdi et le signal indiquant la valeur de correction à applique à cette valeur nominale. Le circuit MOD est en outre configuré pour fournir un signal Valim-mod, par exemple une tension, à une valeur égale à la valeur nominale du signal cmdi à laquelle a été appliquée la valeur de correction reçue par le circuit DRIVER. Par exemple, le signal Valim-mod est égal au signal Valim modulé par la valeur de correction reçue par le circuit DRIVER. Dans l'exemple de la FIG. 4 , chaque composant Ti comprend un état bloqué et un état passant, et le circuit DRIVER reçoit donc le signal binaire ON/OFF binaire indiquant, par un premier état binaire que les composants Ti doivent être commandée à l'état bloqué, et, par un deuxième état binaire que les composants Ti doivent être commandés à l'état passant. Dans l'exemple de la FIG. 4 , les composants Ti sont des transistor MOS à canal N, les tensions Valim et Valim-mod sont positives et le premier état binaire, respectivement le deuxième état binaire, du signal ON/OFF est l'état haut, respectivement bas. Dans un tel exemple, le circuit DRIVER comprend alors un inverseur INV alimenté par la tension Valim-mod et recevant sur son entrée le signal ON/OFF. La sortie du circuit INV est couplée, par exemple par une résistance R, à la sortie du circuit DRIVER sur laquelle est disponible le signal cmdi. Ainsi, lorsque le signal ON/OFF est à l'état haut indiquant que les composants Ti doivent être commandés à l'état bloqué, la tension en sortie de l'inverseur est à une valeur nulle propre à commander le composant Ti correspondant à l'état bloqué, et, lorsque le signal ON/OFF est à l'état bas indiquant que les composants Ti doivent être commandés à l'état passant, la tension en sortie de l'inverseur est à une valeur déterminée par le signal Valim-mod, par exemple à une valeur égale à celle de la tension Valim-mod, propre à commander le composant Ti correspondant à l'état passant. A titre d'exemple, la tension Valim-mod est alors modulée à la baisse lorsque la température ou le courant Ii dans le transistor Ti augmente. L'exemple ci-dessus peut être adapté à des transistors Ti à canal P, en prévoyant que les tensions Valim et Valim-mod soient négatives, la tension Valim-mod étant alors, par exemple, modulée à la baisse en valeur absolue lorsque la température ou le courant Ii dans le transistor Ti augmente. Dans un autre exemple non illustré, les composants Ti sont des transistor MOS à canal N, les tensions Valim et Valim-mod sont positives et le premier état binaire, respectivement le deuxième état binaire, du signal ON/OFF est l'état bas, respectivement haut. Dans un tel exemple, l'inverseur INV du circuit DRIVER est remplacé par un circuit tampon ("Buffer" en anglais) alimenté par la tension Valim-mod et recevant sur son entrée le signal ON/OFF. Ainsi, lorsque le signal ON/OFF est à l'état bas indiquant que les composants Ti doivent être commandés à l'état bloqué, la tension en sortie du circuit buffer est à une valeur nulle propre à commander le composant Ti correspondant à l'état bloqué, et, lorsque le signal ON/OFF est à l'état haut indiquant que les composants Ti doivent être commandés à l'état passant, la tension en sortie du circuit tampon est à une valeur déterminée par le signal Valim-mod, par exemple à une valeur égale à celle de la tension Valim-mod, propre à commander le composant Ti correspondant à l'état passant. A titre d'exemple, la tension Valim-mod est alors modulée à la baisse lorsque la température ou le courant Ii dans le transistor Ti augmente. L'exemple ci-dessus peut être adapté à des transistors Ti à canal P, en prévoyant que les tensions Valim et Valim-mod soient négatives, la tension Valim-mod étant alors, par exemple, modulée à la baisse en valeur absolue lorsque la température ou le courant Ii dans le transistor Ti augmente. Dans un autre exemple non illustré, chaque composant Ti ne comprend pas d'état bloqué, mais uniquement un état passant dans lequel sa résistance à l'état passant est commandée par le signal cmdi correspondant. Dans cet autre exemple, le circuit DRIVER ne reçoit pas le signal ON/OFF et le circuit INV peut être omis, la sortie du circuit MOD fournissant le signal Valim-mod étant alors couplée, par exemple par la résistance R, à la sortie du circuit DRIVER fournissant le signal cmdi, ou étant alors directement connectée à cette sortie du circuit DRIVER. A titre d'autre exemple, lorsque le circuit DRIVER ne reçoit pas le signal ON/OFF, le circuit DRIVER est identique à celui de la FIG. 4 à la seule différence que l'entrée du circuit INV reçoit un signal binaire maintenu dans le même état binaire, par exemple un état binaire bas. Dans les modes de réalisation et variantes décrits ci-dessus, le composant Ti est un transistor MOS à canal N ou un transistor MOS à canal P, et sa tension cmdi de commande est diminuée en valeur absolue pour augmenter sa résistance à l'état passant, et, à l'inverse, augmentée en valeur absolue pour diminuer sa résistance à l'état passant. Dans d'autres modes de réalisation, ce composant Ti est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT de l'anglais "Insulated Gate Bipolar Transistor"), un thyristor, un thyristor intégré à grille commutée (IGTC de l'anglais "Integrated Gate-Commutated Thyristor"), ou plus généralement n'importe quel composant semiconducteur commandable à coefficient négatif de variation de la résistance à l'état passant du composant avec la température, la commande appliquée au composant déterminant la valeur de la résistance à l'état passant de ce dernier. Selon un mode de réalisation, le circuit CTRL2 décrit précédemment en relation avec la FIG. 2 est configuré pour commander alternativement l'état bloqué simultanément de tous les composants Ti, et l'état passant simultanément de tous les composants, en adaptant les signaux de commande cmdi lorsque les composants Ti sont commandés à l'état passant de sorte à maintenir, pour chaque branche, la valeur du paramètre dans une plage de valeurs commune à toutes branche. Dans un tel mode de réalisation, le composant COMP2, c'est à dire les branches Bi connectées en parallèle, mettent en œuvre un interrupteur d'un système électronique, par exemple d'un convertisseur de tension ou de courant. Selon un mode de réalisation où le composant COMP2 met en œuvre un interrupteur d'un système électronique, le circuit CTRL2 reçoit le signal ON/OFF dont un premier état binaire commande l'état bloqué des composants Ti, c'est à dire l'état bloqué de l'interrupteur mis en œuvre par les branches Bi, et dont un deuxième état binaire commande l'état passant de composants Ti, c'est à dire l'état passant de l'interrupteur mis en œuvre par les branches Bi. A titre d'exemple, dans ce cas, lorsque le signal ON/OFF est à son deuxième état binaire (composants Ti passants), le circuit CTRL2 commande les résistances à l'état passant des composants Ti de la manière décrite précédemment, et, lorsque le signal ON/OFF est à son premier état binaire (composants Ti bloqués), le circuit CTRL2 commande les composants Ti à l'état bloqué, par exemple avec des signaux cmdi identiques. Dans les modes de réalisation et variantes décrits ci-dessus, chacune des branches Bi identiques connectées en parallèle comprend uniquement le composant semiconducteur Ti et le circuit de mesure MESi correspondant. Dans des variantes de réalisation non illustrées, chacune des branches identiques Bi peut en outre comprend un ou plusieurs autres éléments, par exemple connectés en série avec le composant Ti, par exemple une ou plusieurs résistances. Dans les modes de réalisation et variantes décrits précédemment, le composant semiconducteur Ti ayant une résistance à l'état passant à coefficient négatif de variation avec la température est un transistor MOS présentant un état passant et un état bloqué. La résistance à l'état passant du composant est alors la résistance du composant Ti, prise entre ses deux bornes de conduction, lorsque le composant est commandé à l'état passant, ou, dit autrement, lorsque ces composants semiconducteurs des branches connectées en parallèle sont commandés de sorte qu'un courant non nul circule entre les bornes 100 et 102, dans chacune des branches Bi. Dans des variantes de réalisation non détaillées, le composant semiconducteur, par exemple une résistance commandable, ne comprend pas deux états passant et bloqué distincts, mais présente entre ces deux bornes de conduction, une résistance ayant une valeur commandée par le signal de commande cmdi reçu par la borne de commande du composant. Dans ces variantes, la résistance entre les deux bornes de conduction du composant est appelée résistance à l'état passant bien que le composant ne comprenne pas d'état bloqué et qu'un courant non nul puisse y circuler en permanence. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, la personne du métier est en mesure de prévoir d'autres mises en œuvre du circuit CTRL2 que celle décrite en relation avec la FIG. 3 , à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En outre, la présente description ne se limite pas aux exemples de modes de réalisation et variantes décrits où N est égal à 3, mais s'applique à n'importe quelle valeur du nombre N supérieure ou égale à 2, de préférence supérieure ou égale à 3. Par ailleurs, le paramètre dont la valeur dépend de la résistance à l'état passant des composants Ti qui est évalué dans chaque branche Bi de sorte à maintenir, grâce à signaux cmdi, sa valeur dans une plage de valeurs commune à toutes les branches ne se limite pas aux exemples donnés où ce paramètre est le courant Ii la température dans chaque branche Bi, c'est à dire dans chaque composants Ti. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif (DEV2) comprenant deux bornes (100 ; 102) et au moins deux branches (B1, B2, B3) identiques connectées en parallèle entre lesdites deux bornes, chaque branche comprenant : - un composant semiconducteur (T1, T2, T3) ayant une borne de commande configurée pour recevoir un signal de commande (cmd1, cmd2, cmd3) d'une résistance à l'état passant du composant entre des première et deuxième bornes de conduction du composant, la résistance à l'état passant du composant ayant un coefficient négatif de variation avec la température ; et - un circuit de mesure (MES1, MES2, MES3) d'une valeur d'un paramètre de ladite branche, le dispositif comprenant en outre un circuit de commande (CTRL2) configuré pour recevoir les valeurs mesurées (val1, val2, val3), fournir le signal de commande au composant de chaque branche et moduler le signal de commande de chaque branche de sorte à maintenir la valeur du paramètre de ladite branche dans une plage de valeurs identique pour toutes les branches. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel, dans chaque branche (B1, B2, B3), la valeur du paramètre est au moins en partie déterminée par la résistance à l'état passant du composant (T1, T2, T3) de ladite branche. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le semiconducteur est du diamant. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le composant (T1, T2, T3) est un transistor MOS. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, dans chaque branche (B1, B2, B3), le composant semiconducteur (T1, T2, T3) est en série avec au moins un autre élément, par exemple une résistance. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque branche (B1, B2, B3) comprend uniquement ledit composant (T1, T2, T3) et le circuit de mesure (MES1, MES2, MES3). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le circuit de commande (CTRL2) est configuré pour moduler le signal de commande (cmd1, cmd2, cmd3) de chaque branche (B1, B2, B3) indépendamment des signaux de commande des autres branches. Dispositif selon la revendication 7 prise dans sa dépendance à la revendication 4, dans lequel le circuit de commande (CTRL2) est configuré pour moduler le signal de commande (cmd1, cmd2, cmd3) de chaque branche (B1, B2, B3) de sorte à augmenter la résistance à l'état passant du transistor (T1, T2, T3) de la branche lorsque la valeur du paramètre varie et traduit une diminution de la résistance à l'état passant du transistor. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la plage de valeur est déterminée par le circuit de commande (CTRL2, CALC) à partir d'une valeur de référence (ref) égale à une moyenne des valeurs mesurées (val1, val2, val3). Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la plage de valeur comprend uniquement la valeur de référence. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la plage de valeur est en outre déterminée par une valeur maximale et/ou une valeur minimale des signaux de commande. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel ledit paramètre est un courant (I1, I2, I3) circulant dans la branche (B1, B2, B3), entre les bornes de conduction du composant (T1, T2, T3) de la branche. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel ledit paramètre est une température de ladite branche (B1, B2, B3), de préférence du composant (T1, T2, T3) de ladite branche. Système électronique comprenant un dispositif (DEV2) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel lesdites au moins deux branches (B1, B2, B3) mettent en œuvre, entre lesdites deux bornes (100 ; 102), un interrupteur du système. Système selon la revendication 14, dans lequel le circuit de commande (CTRL2) est configuré pour recevoir un signal binaire ayant un premier état binaire commandant l'état passant des composants (T1, T2, T3), et un deuxième état binaire commandant l'état bloqué des composants.