FR 3159862 A1 20250905 FR 2402057 A 20240229 Circuit et procédé de surveillance du niveau de charge d’une batterie La présente description concerne un dispositif comprenant une batterie rechargeable (102) ; un premier circuit (11) comprenant un processeur (118) et un comparateur de tension (112) configuré pour comparer la tension de la batterie (VBAT) rechargeable à une tension limite ; et un deuxième circuit (13), relié au premier circuit (11), comprenant une mémoire (132) de type non volatile et configuré pour initialiser le processeur (118) du premier circuit si la tension de la batterie rechargeable (VBAT) est supérieure à la tension limite. Figure pour l'abrégé : Fig. 3 Circuit et procédé de surveillance du niveau de charge d’une batterie La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques comprenant une batterie rechargeable et plus particulièrement un circuit et un procédé pour surveiller le niveau de charge d’une batterie. Un dispositif électronique peut être alimenté par une batterie rechargeable. Toutefois, si le niveau de charge de la batterie devient trop faible, certains circuits du dispositif peuvent ne plus fonctionner correctement, et il peut être préférable d’effectuer une réinitialisation du dispositif. Afin d’éviter une telle situation, le niveau de charge de la batterie peut être évalué avant de démarrer tout ou une partie du dispositif, et pendant le fonctionnement du dispositif. Le suivi du niveau de charge d’une batterie comprend généralement une mesure de la tension aux bornes de la batterie rechargeable, à l’aide d’un convertisseur analogique numérique (CAN), et la comparaison de la tension mesurée avec un seuil. Toutefois, des solutions existantes ne sont pas adéquates dans toutes applications, particulièrement quand il est souhaitable d’avoir un coût et une surface de puce relativement faible. Des modes de réalisation de la présente demande sont aptes à pallier tout ou une partie des problèmes existants dans l’art antérieur. Selon un premier aspect il est prévu un dispositif comprenant : - une batterie rechargeable ; - un premier circuit comprenant un processeur et un comparateur de tension configuré pour comparer la tension de la batterie rechargeable à une tension limite ; et - un deuxième circuit, relié au premier circuit, comprenant une mémoire de type non volatile et configuré pour initialiser le processeur du premier circuit si la tension de la batterie rechargeable est supérieure à la tension limite. Selon un mode de réalisation, la mémoire du deuxième circuit est une mémoire de type flash. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un régulateur de tension configuré pour alimenter les premier et deuxième circuits en tension. Selon un mode de réalisation, le premier circuit comprend une borne de connexion reliée à une borne de connexion du deuxième circuit, un signal présent à la borne de connexion du premier circuit étant soit dans un premier état, soit dans un deuxième état, en fonction du niveau de charge de la batterie rechargeable. Selon un mode de réalisation, le signal présent à la borne de connexion du premier circuit est dans le deuxième état si la tension de la batterie est inférieure à la tension limite. Selon un mode de réalisation, le deuxième circuit est configuré pour réinitialiser le processeur et/ou générer un signal d’alerte si le signal présent à la borne de connexion du premier circuit est dans le deuxième état. Selon un mode de réalisation, la tension de la borne de connexion du premier circuit dans le premier état est supérieure à la tension de la borne de connexion du premier circuit dans le deuxième état. Selon un mode de réalisation, le premier circuit comprend en outre un convertisseur analogique numérique configuré pour générer une valeur numérique représentative de la tension de la batterie rechargeable. Selon un mode de réalisation, la batterie rechargeable est une batterie au lithium. Selon un autre aspect il est prévu un procédé comprenant : - la comparaison, par un premier circuit, d’une tension d’une batterie rechargeable avec une tension limite ; et - l’initialisation d’un processeur du premier circuit, par un second circuit comprenant une mémoire de type non volatile, si la tension de la batterie rechargeable est supérieure à la tension limite. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend également, avant l’exécution d’un programme par le processeur, la comparaison de la tension de la batterie rechargeable à une tension seuil, et l’exécution du programme uniquement si la tension de la batterie rechargeable est supérieure à la tension seuil. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend également la réinitialisation du processeur et/ou l’émission d’un signal d’alerte par le deuxième circuit si la tension de la batterie rechargeable est inférieure à la tension limite. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente de façon schématique et sous forme de blocs un dispositif comprenant une batterie rechargeable selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 est un organigramme représentant des opérations d’un procédé de surveillance de la tension d’une batterie rechargeable, au démarrage du dispositif de la FIG. 1 , selon un mode de réalisation de la présente demande ; la FIG. 3 représente de façon schématique et sous forme de blocs le dispositif de la FIG. 1 plus en détail ; la FIG. 4 est un organigramme représentant des opérations d’un procédé de surveillance de la tension d’une batterie rechargeable selon un autre mode de réalisation de la présente demande ; la FIG. 5 est un graphe représentant un exemple d’évolution de certaines tensions du dispositif de la FIG. 3 , selon un mode de réalisation ; et la FIG. 6 est un graphe représentant un autre exemple d’évolution de certaines tensions du dispositif de la FIG. 3 , selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 représente de façon schématique et sous forme de blocs un dispositif 100 comprenant une batterie rechargeable 102 selon un mode de réalisation. Le dispositif 100 comprend un premier circuit 11 (« COPROCESSOR ») et un deuxième circuit 13 (« EXTERNAL HOST »). Dans un exemple, le circuit 13 est un hôte du dispositif 100 comprenant un premier processeur (non illustré dans la FIG. 1 ), et le circuit 11 est un coprocesseur comprenant un processeur 118 (« PROCESSOR »). Le circuit 11 est par exemple réalisé par un premier circuit intégré, et le circuit 13 est par exemple réalisé par un deuxième circuit intégré externe au premier circuit intégré. La batterie rechargeable 102, par exemple une batterie lithium, a une tension VBAT entre ses bornes qui varie selon son niveau de charge. La batterie 102 est reliée à un rail de masse 104 du dispositif 100 et alimente le circuits 11 en tension par le biais d’une borne de connexion 110 du premier circuit 11. La batterie 102 alimente le circuit 13 en tension par le biais d’un régulateur de tension 106 (« REG »). Le régulateur de tension 106 applique par exemple un gain à la tension VBAT de sorte que la tension de sortie du régulateur de tension 106 soit comprise dans une plage de tensions compatible avec les circuits numériques du circuit 13. La tension VBAT est par exemple comprise entre 0V et 6V et par exemple entre 0V et 4,5V selon le niveau de charge de la batterie. La tension de sortie du régulateur de tension est par exemple comprise entre 0V et 4V et par exemple entre 0V et 2V, selon la tension de consigne du régulateur de tension 106 et/ou du niveau de charge de la batterie 102. La tension de sortie du régulateur est reliée à une borne de connexion 130 du circuit 13. Le circuit 13 est alimenté par une tension d’alimentation inférieure à celle qui alimente le circuit 11. Ainsi, si la batterie rechargeable 102 n’est plus suffisamment rechargée et que la tension VBAT devient inférieure à la tension d’alimentation du circuit 11, le circuit 13 reste opérationnel et émet par exemple un signal d’alerte pour signaler à un utilisateur qu’une recharge de la batterie est requise. Le circuit 11 comprend par exemple une borne de connexion 119 reliée au rail de masse 104 du dispositif 100. Le circuit 11 comprend un comparateur 112 (« COMPARATOR ») auquel est relié la tension VBAT de la borne 110 et le processeur 118. Le comparateur 112 est configuré pour comparer la tension VBAT à une tension limite VLIM (non représentée dans la FIG. 1 ). La tension limite VLIM correspond par exemple à la tension minimale de fonctionnement d’au moins un circuit du dispositif 100, par exemple du processeur 118. La tension VLIM est par exemple comprise entre 1 et 3V et par exemple entre 2,6 et 2,8V. Selon un mode de réalisation, la tension en sortie du comparateur 112 est dans un premier état, par exemple un état haut de tension, si VBAT est supérieur à VLIM et dans un deuxième état, par exemple un état bas de tension, si VBAT est inférieur à VLIM. Selon un autre mode de réalisation, la tension VBAT est comparée à la tension limite VLIM et à une deuxième tension limite, la deuxième tension limite étant supérieure à la tension VLIM. Par exemple, la tension limite VLIM est égale à 2,7V et la deuxième tension limite est égale à 2,73V. La tension en sortie du comparateur 112 est dans le premier état si VBAT est supérieur à la deuxième tension limite et la tension en sortie du comparateur 112 est dans le deuxième état si VBAT est inférieur à la tension VLIM. La tension en sortie du comparateur 112 reste inchangée si VBAT est comprise entre les deux tensions limites. Ce mode de réalisation fait intervenir une hystérésis pour éviter une oscillation du signal de sortie du comparateur 112 lorsque VBAT est proche du point de basculement du comparateur (en anglais, « trip point »). La tension en sortie du comparateur 112 est reliée à une borne de connexion 114 du circuit 11. La tension à la borne 114, notée « NRST », est indicative de l’état de charge de la batterie 102. Lorsque la tension VBAT devient inférieure à la tension limite VLIM, la tension NRST entre dans le deuxième état et le circuit 11 transitionne par exemple dans un état de réinitialisation. Dans certains modes de réalisation, le premier circuit 11 est configuré pour maintenir le deuxième état même si la tension de la batterie VBAT descend en-dessous d’un niveau minimal pour le bon fonctionnement du circuit 11. De plus, le premier circuit 11 est par exemple configuré pour maintenir le premier état tant que la tension de la batterie VBAT reste au-dessus du niveau minimal pour le bon fonctionnement du circuit 11, et sinon, pour basculer vers le deuxième état. En effet, les choix de l’état de basse tension pour le deuxième état et d’alimenter le comparateur 112 par la tension VBAT assurent que, si la tension VBAT diminue en-dessous du seuil de la tension limite VLIM, alors la tension NRST va naturellement décroître vers l’état de basse tension, indicatrice d’un faible niveau de la batterie 102. Le deuxième circuit 13 comprend une mémoire non volatile 132 (MEM), utilisée au démarrage du dispositif 100. Le circuit 13 comprend une borne de connexion 134 reliée à la borne de connexion 114 du circuit 11. Le circuit 13 est par exemple configuré pour évaluer le niveau de charge de la batterie 102 en lisant la tension NRST à la borne 134. Selon un mode de réalisation, si NRST est dans le deuxième état alors la batterie n’est pas suffisamment rechargée et le circuit 13 émet un signal d’alerte, par exemple à destination de l’utilisateur du dispositif 100, par exemple par le biais d’une borne de connexion 136 (« OUT »), et un dispositif de signalisation tel qu’une LED ou qu’un générateur de signal sonore. Le deuxième circuit 13 comprend par exemple une borne de connexion 138 reliée au rail de masse 104 du dispositif 100 et comprend par exemple une borne de connexion 139 reliée à une borne de connexion 116 du premier circuit 11. La borne de connexion 116 est reliée au processeur 118 du circuit 11 de sorte que le circuit 13 puisse communiquer avec le processeur 118. La communication s’effectue par exemple selon des protocoles SPI (de l’anglais « Serial Peripheral Interface ») ou SDIO (de l’anglais « Secure Digital Input Output »), par exemple par le biais d’un bus de données. Par exemple, une interface SPI entre la borne de connexion 139 et la borne de connexion 116 est équipée d’une ligne de données MOSI (de l’anglais « Master Output, Slave Input ») pour transmettre des données du circuit 13 au circuit 11 et une ligne de données MISO (de l’anglais « Master Input, Slave Output ») pour transmettre des données du circuit 11 au circuit 13. Dans un autre exemple, une interface SDIO entre la borne de connexion 139 et la borne de connexion 116 est également équipée d’une ligne de communication dans chaque direction ou de plusieurs, par exemple 4, lignes de communication dans chacune des directions, multipliant par autant la vitesse de communication entre les circuits. Selon un mode de réalisation, le circuit 11 ne comprend pas de mémoire non volatile et comprend par exemple une mémoire volatile, par exemple de type mémoire vive 140 (RAM, de l’anglais « Random Access Memory »). L’initialisation du processeur 118 est effectuée par le circuit 13 et par exemple par le chargement d’un code binaire dans la mémoire RAM 140. Par exemple, un code binaire enregistré dans la mémoire 132 du circuit 13 est chargé dans la mémoire RAM 140 au démarrage du processeur 118. Le processeur 118 est par exemple configuré pour lire le code binaire et l’exécuter. Selon un mode de réalisation, le processeur 118 est relié à la sortie du comparateur 112 pour recevoir le résultat de la comparaison entre la tension de la batterie 102 VBAT et la tension VLIM. La FIG. 2 est un organigramme représentant des opérations d’un procédé de surveillance de la tension d’une batterie rechargeable, par exemple la batterie 102 de la FIG. 1 , au démarrage du dispositif 100 de la FIG. 1 , selon un mode de réalisation de la présente demande. Ce procédé est par exemple réalisé par le comparateur 112 et le processeur 118 du circuit 11 et par le circuit 13. Dans une étape 200 du procédé (« EXT HOST SWITCHED ON »), le circuit 13 est par exemple démarré. Par exemple, le démarrage est déclenché de façon manuelle par l’utilisateur ou automatiquement, par exemple par un minuteur à basse consommation intégré au circuit 13. Au démarrage du circuit 13, au moins un code binaire est exécuté par ce circuit. Le code binaire est par exemple enregistré dans la mémoire non volatile 132 de la FIG. 1 . Dans une étape 202 (« NRST=1 ? ») suivant le démarrage du circuit 13, le circuit 13 est par exemple configuré pour vérifier l’état logique de la borne 134 de la FIG. 1 . Si la borne 132 est dans le deuxième état (sortie « NO » du bloc 202), cela signifie que la tension VBAT est inférieure à VLIM et que la batterie n’est plus suffisamment rechargée pour un fonctionnement minimal du dispositif 100. Un signal est par exemple transmis à l’utilisateur (bloc 204, « OUT=1 »), par exemple une LED est allumée, pour signaler que la batterie est à recharger, et le processeur 118 reste éteint. Si la borne 134 est dans le premier état (sortie « YES » du bloc 202), cela signifie que la tension VBAT est supérieure à VLIM et que la batterie est suffisamment rechargée pour démarrer le processeur 118. Dans une étape 206 (« EXT HOST UPLOADS CODE IN PROCESSOR »), le circuit 13 charge par exemple un code binaire stocké dans la mémoire non volatile 132 vers la mémoire volatile 140 du circuit 11 de la FIG. 1 . Le code est par exemple transmis par l’intermédiaire d’une interface, par exemple un bus de données, entre les bornes de connexion 139 et 116 et par exemple selon un protocole SDIO ou SPI. Le code transmis permet par exemple d’initialiser le processeur 118 du circuit 11 qui ne comprend par exemple pas de mémoire non volatile. Dans une étape 207 (« COPROCESSOR EXECUTES CODE »), le processeur 118 du circuit 11 exécute le code binaire, par exemple suite à une étape de vérification du code. La FIG. 3 représente de façon schématique et sous forme de blocs le dispositif 100 de la FIG. 1 plus en détail. Certains éléments de la FIG. 3 sont identiques à des éléments de la FIG. 1 . Ils sont représentés avec la même référence et ne seront pas détaillés à nouveau. Selon un mode de réalisation, la batterie rechargeable 102 est connectée entre le rail de masse 104 du dispositif 100 d’une part et la borne de connexion 110 du circuit 11 ainsi qu’au régulateur de tension 106 d’autre part. Le régulateur de tension 106 applique par exemple un gain à la tension VBAT de sorte que la tension de sortie du régulateur soit comprise dans une plage de tensions compatible avec les circuits numériques du dispositif 100. La tension de sortie du régulateur est reliée à une borne de connexion 310 (« VDDIO ») du circuit 11 et à une borne de connexion 330 (« VDD ») du circuit 13. Selon un mode de réalisation, le circuit 13 est configuré pour être alimenté par une tension d’alimentation inférieure à VLIM, par exemple comprise entre 1,6V et 2V, par exemple 1,8V ± 10%. La tension de sortie du régulateur de tension correspond alors à la tension d’alimentation du circuit 13. Selon un autre mode de réalisation, le circuit 13 est configuré pour être alimenté par une tension d’alimentation ALIM supérieure à VLIM, par exemple comprise entre 2,8V et 3,2V. Lorsque VBAT est supérieure à ALIM, le régulateur de tension 106 est configuré pour générer la tension ALIM. Lorsque VBAT est inférieure à ALIM, le régulateur de tension 106 est configuré pour générer une tension qui suit l’évolution de la tension VBAT. La tension VBAT à la borne 110 du circuit 11 est par exemple divisée par un pont diviseur de tension 311, par exemple composé de deux résistances reliées en série entre la borne 110 et le rail de masse 104, un noeud intermédiaire entre les résistances fournissant la tension divisée. La tension divisée est comparée à la tension limite VLIM par le comparateur 112 (« VBAT Monitor »). La tension en sortie du comparateur 112 est par exemple dans le premier état si VBAT est inférieur à VLIM et par exemple dans le deuxième état si VBAT est supérieur à VLIM. La sortie 312 du comparateur 112 est reliée par exemple à une entrée d’une porte logique OU 314. La porte logique 314 comprend par exemple d’autres entrées reliées à des circuits de détection de fautes (non illustrés dans la FIG. 3 ) présents dans le circuit 11 et qui sont dans le premier état en cas de détection de faute. La sortie de la porte logique 314 sera dans le premier état si au moins une de ses entrées est dans le premier état et dans le deuxième état si toutes les entrées de la porte logique 314 sont dans le deuxième état. Selon un mode de réalisation, la sortie de la porte logique 314 est dans le premier état en cas de faute détectée dans le circuit 11 ou lorsque la batterie 102 n’est plus suffisamment rechargée. La sortie de la porte logique 314 est par exemple connectée à la grille d’un transistor 315, qui est par exemple un transistor MOS à canal n (nMOS). La source du transistor 315 est reliée au rail de masse 104, et le drain du transistor 315 est relié à la borne de connexion 114 et à une première électrode d’une résistance 316. L’état de la tension NRST à la borne 114 est l’opposée de l’état de la tension à la grille du transistor 315. La deuxième électrode de la résistance 316 est reliée à la borne de connexion 310. L’électrode 316 est une résistance de tirage (en anglais, « pull-up resistor ») et permet de réduire une conduction entre la borne de connexion 310 et le rail de masse 104 lorsque le transistor 315 est activé. La tension NRST est indicative de l’état de charge de la batterie 102. L’agencement du transistor 315 permet de maintenir le deuxième état à la borne 114 même si la tension de la batterie VBAT descend en-dessous d’un niveau minimal pour le bon fonctionnement du circuit 11. De plus, le transistor 315 permet de maintenir le premier état à la borne 114 tant que la tension de la batterie VBAT reste au-dessus du niveau minimal pour le bon fonctionnement du circuit 11, et sinon, pour basculer vers le deuxième état. Les choix de l’état de basse tension pour le deuxième état et d’alimenter la borne 114 par la tension VBAT assurent que, si la tension VBAT diminue en-dessous du seuil de la tension limite VLIM, alors la tension NRST va naturellement décroître vers l’état de basse tension, indicatrice d’un faible niveau de la batterie 102. Si le processeur 118 du circuit 11 est éteint, les autres entrées de la porte logique 314 sont par exemple fixées au niveau de basse tension et seule l’entrée correspondant au niveau de tension 312 de la batterie 102 peut varier. La tension NRST 114 reste donc indicatrice du niveau de tension de la batterie VBAT avant d’allumer le processeur 118 du circuit 11. Le drain du transistor 315 est par exemple également reliée au processeur 118 (« PROCESSOR ») du premier circuit 11. Le processeur 118 prend par exemple en compte une faute détectée dans le dispositif 100 et le niveau de charge de la batterie via le niveau de la tension NRST présente au drain du transistor 315. Le processeur 118 du circuit 11 est par exemple relié à un module 317 du circuit 11. Le module 317 est par exemple relié à une borne de connexion 119 du circuit 11 qui est par exemple reliée au rail de masse 104 du dispositif 100. Le module 317 est par exemple relié à la borne 110 pour être alimenté par la tension VBAT et est par exemple configuré pour exécuter des fonctions du dispositif 100, par exemple l’établissement d’une communication sans fil avec un dispositif externe non représenté dans la FIG. 3 . Le module 317 comprend par exemple un circuit de mesure de tension 318 (« VBAT Measurement ADC ») comprenant un convertisseur analogique numérique. Selon un mode de réalisation, lorsque VBAT est supérieure à VLIM, le circuit 11 mesure la valeur de la tension VBAT via le circuit de mesure de tension 318 et transmet la valeur de VBAT au circuit 13 via les bornes de connexion 116 et 139. Le circuit 11 est par exemple configuré pour être en mesure de fonctionner dans différents régimes de fonctionnement, par exemple un régime consommant moins d’énergie si la tension VBAT est inférieure à une tension fixée, supérieure à la tension limite VLIM, par exemple 3V. Selon la valeur de VBAT, le circuit 13 est par exemple configuré pour commander le régime de fonctionnement du circuit 11. Dans certains modes de réalisation, avant qu’un programme ne soit exécuté par le processeur 118 du circuit 11, la tension VBAT de la batterie rechargeable 102 est comparée avec une tension seuil VTH afin de vérifier que la tension VBAT est au-dessus de ce seuil. La tension seuil VTH correspond par exemple à une tension minimale pour la bonne exécution du programme. La prise en compte optionnelle de la tension de seuil VTH sera maintenant décrite en relation avec la FIG. 4 . La FIG. 4 est un organigramme représentant des opérations d’un procédé de surveillance de la tension d’une batterie rechargeable par le circuit 13, par exemple la batterie 102 de la FIG. 1 ou de la FIG. 3 . La tension seuil VTH est associée à un programme donné qui sera par exemple exécuté par le processeur 118. Si le processeur 118 est configuré pour exécuter plusieurs programmes, chaque programme a par exemple une tension seuil associée qui peut varier l’une par rapport aux autres en fonction de la consommation demandée par l’exécution du programme. Lors d’une étape 400 (« VTH ESTIMATION »), avant l’exécution d’un programme, la tension seuil VTH associée au programme est par exemple estimée. La tension seuil VTH dépend de la consommation demandée par l’exécution du programme de sorte que la tension de la batterie 102 VBAT reste supérieure à la tension limite VLIM suite à l’exécution de ce programme. L’estimation de la tension seuil VTH prend par exemple en compte la résistance équivalente de la batterie 102 et le courant électrique utilisé lors de l’exécution du programme pour estimer la charge qui sera consommée au cours de l’exécution. Par exemple, si la batterie rechargeable 102 a une résistance équivalente de 1 ohm et que le programme nécessite 200mA, alors l’exécution du programme consommera 200mV et VTH sera par exemple choisi égale à la somme de VLIM et 200mV de sorte que la tension de la batterie reste supérieure à VLIM après l’exécution du programme. Selon un mode de réalisation, au lieu d’estimer la tension seuil VTH associée au programme, la valeur de la tension seuil VTH est par exemple enregistrée dans la mémoire non volatile 132 lors de la fabrication du dispositif 100 ou ultérieurement par un utilisateur. Dans une étape 404 (« VBAT MEASUREMENT »), la tension VBAT de la batterie 102 est mesurée par le circuit de mesure de tensions 318 et est par exemple transmise au circuit 13 via les bornes de connexion 116 et 139. Le circuit 13 compare la valeur VBAT à la tension seuil VTH. Si la tension VBAT est supérieure à la tension seuil VTH (sortie « VBAT>VTH » du bloc 404), il est considéré que la batterie est suffisamment rechargée pour l’exécution du programme et le circuit 13 est par exemple configuré pour transmettre l’ordre au processeur 118 d’exécuter le programme (bloc 408, « RUN PROCESS »). Pour exécuter un nouveau programme, le processus reprend à l’étape 400 d’estimation d’une nouvelle tension seuil. Si la tension VBAT est inférieure à la tension VTH (sortie « VBAT En parallèle du procédé de surveillance de la tension de la batterie 102 illustré en FIG. 4 , la tension VBAT est comparée à la tension VLIM par le comparateur de tension 112 du circuit 11, comme décrit précédemment en lien avec les figures 1 à 3. Si la tension VBAT devient inférieure à la tension VLIM, la tension NRST passe du premier état au deuxième état et le circuit 13 émet par exemple un signal d’alerte pour signaler à un utilisateur qu’une recharge de la batterie est requise. Bien que dans l’exemple de la FIG. 4 il y ait une étape 400 d’estimation de la tension seuil VTH, dans d’autres modes de réalisation cette étape peut être remplacée par une étape de génération de la tension seuil VTH sur la base d’un signal de commande ou d’une valeur précalculée stockée en mémoire. La FIG. 5 est un graphe représentant un exemple d’évolution de la tension VBAT, de la tension NRST et d’une tension PWR_ON du dispositif 100 des figures 1 et 3, selon un mode de réalisation. La tension PWR_ON est une tension représentative de la tension d’alimentation du processeur 118 ou de la tension en sortie du régulateur de tension 106. Par exemple, PWR_ON=0V lorsque le circuit 11 est éteint et PWR_ON=VDDIO lorsque le circuit 11 est allumé. Dans l’exemple de la FIG. 5 , le circuit 11 est allumé à l’instant t1 et la tension PWR_ON passe de 0V à la tension VDDIO. La tension VBAT de la batterie 102 est, dans l’exemple de la FIG. 5 , supérieure à la tension limite VLIM. La tension VBAT diminue par exemple en fonction de l’activité du circuit 11. Par exemple, un programme est exécuté par le circuit 11 à l’instant t2, ce qui cause une consommation de courant par le dispositif 100 et une diminution de la tension VBAT. Dans l’exemple de la FIG. 5 , la tension VBAT reste supérieure à VLIM. De ce fait, la tension NRST reste dans le même état, par exemple l’état haut et le processeur 118 du circuit 11 continue d’exécuter le programme. La FIG. 6 est un graphe représentant un autre exemple d’évolution des tensions VBAT, NRST et PWR_ON du dispositif 100 des figures 1 et 3, selon un mode de réalisation. Comme dans l’exemple de la FIG. 5 , le circuit 11 est allumé à l’instant t1 et la tension PWR_ON passe de 0V à la tension VDDIO. Dans l’exemple de la FIG. 6 , un programme est par exemple exécuté à l’instant t2, un courant est consommé par le dispositif 100 et la tension VBAT diminue en-dessous de la tension limite VLIM. La tension NRST passe du premier état au deuxième état à un instant t3, où t3 est décalé par rapport à l’instant t2 par un retard introduit par le circuit 11. Dans l’exemple de la FIG. 6 , la tension NRST passe de l’état haut à l’état bas. Le circuit 11 entre alors dans l’état de réinitialisation, son signal d’horloge est par exemple arrêté jusqu’à ce que la tension VBAT soit suffisamment élevée pour que la tension NRST repasse du deuxième état au premier état. Le processeur 118 du circuit 11 stoppe l’exécution du programme à l’instant t3. De plus, le changement d’état de la tension NRST à la borne de connexion 114 déclenche par exemple l’émission du signal d’alerte par le circuit 13 pour que la batterie rechargeable 102 soit rechargée par l’utilisateur. Dans certains cas où le comparateur 112 présente une hystérésis, lorsque le processeur 118 du circuit 11 stoppe l’exécution du programme, la consommation en courant du dispositif 100 diminue et la tension VBAT réaugmente au-dessus de VLIM mais en restant inférieure à la deuxième tension limite du comparateur de tension 112. La tension NRST reste dans le deuxième état. Un avantage des modes de réalisation décrits est qu’une vérification du niveau de charge d’une batterie peut être réalisée sans ajout ni de comparateur de tension ni de convertisseur analogique numérique dans le circuit 13 comprenant la mémoire non volatile 132. Le circuit 13 peut donc rester relativement compact, ce qui est particulièrement avantageux dans le cas où le circuit 13 est un circuit hôte d’un objet connecté. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien qu’un exemple comprenant un pont diviseur de tension a été décrit, dans d’autres modes de réalisation ce pont diviseur est omis, la tension VBAT de la batterie 102 étant par exemple comparée directement avec la tension limite VLIM. De plus, bien que dans la FIG. 3 le dispositif 100 comprend un régulateur de tension 106 à faible chute de tension, dans d’autres modes de réalisation, d’autres types de régulateur de tension pourraient être utilisés, par exemple une alimentation à découpage (SMPS, en anglais « Switched Mode Power Supply »). Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif pour surveiller le niveau de charge d’une batterie comprenant : - une batterie rechargeable (102) ; - un premier circuit (11) comprenant un processeur (118) et un comparateur de tension (112) configuré pour comparer la tension de la batterie (VBAT) rechargeable à une tension limite (VLIM) ; et - un deuxième circuit (13), relié au premier circuit (11), comprenant une mémoire (132) de type non volatile et configuré pour initialiser le processeur (118) du premier circuit si la tension de la batterie rechargeable (VBAT) est supérieure à la tension limite (VLIM). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la mémoire (132) du deuxième circuit (13) est une mémoire de type flash. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, comprenant en outre un régulateur de tension (106) configuré pour alimenter les premier et deuxième circuits en tension. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier circuit (11) comprend une borne de connexion (114) reliée à une borne de connexion (134) du deuxième circuit (13), un signal présent à la borne de connexion (114) du premier circuit (11) étant soit dans un premier état, soit dans un deuxième état, en fonction du niveau de charge de la batterie rechargeable. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le signal présent à la borne de connexion (114) du premier circuit (11) est dans le deuxième état si la tension de la batterie (VBAT) est inférieure à la tension limite (VLIM). Dispositif selon la revendication 4 ou 5, dans lequel le deuxième circuit est configuré pour réinitialiser le processeur (118) et/ou générer un signal d’alerte si le signal présent à la borne de connexion (114) du premier circuit (11) est dans le deuxième état. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel la tension de la borne de connexion (114) du premier circuit (11) dans le premier état est supérieure à la tension de la borne de connexion (114) du premier circuit (11) dans le deuxième état. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le premier circuit (11) comprend en outre un convertisseur analogique numérique (318) configuré pour générer une valeur numérique représentative de la tension de la batterie rechargeable (102). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la batterie rechargeable (102) est une batterie au lithium. Procédé pour surveiller le niveau de charge d’une batterie comprenant : - la comparaison, par un premier circuit (11), d’une tension (VBAT) d’une batterie rechargeable (102) avec une tension limite (VLIM) ; et - l’initialisation d’un processeur (118) du premier circuit (11), par un second circuit (13) comprenant une mémoire (132) de type non volatile, si la tension de la batterie rechargeable (VBAT) est supérieure à la tension limite (VLIM). Procédé selon la revendication 10, comprenant également, avant l’exécution d’un programme par le processeur (118), la comparaison de la tension de la batterie rechargeable (VBAT) à une tension seuil (VTH), et l’exécution du programme uniquement si la tension de la batterie rechargeable (VBAT) est supérieure à la tension seuil (VTH). Procédé selon la revendication 10 ou 11, comprenant également la réinitialisation du processeur (118) et/ou l’émission d’un signal d’alerte par le deuxième circuit (13) si la tension de la batterie rechargeable (VBAT) est inférieure à la tension limite (VLIM).