FR 3155960 A1 20250530 FR 2313175 A 20231128 L’invention porte sur une structure photovoltaïque tandem de type pin, comportant, depuis la face avant (1a) vers la face arrière (1b) : une couche électrode supérieure (20) ; une cellule photovoltaïque supérieure (30), comportant : une couche tampon (31) réalisée en un oxyde d’aluminium d’une épaisseur comprise entre 1nm et 5nm ; une couche de transport d’électrons (32), une couche active (33) à base d’un matériau pérovskite ; une couche (34) de transport de trous ; une cellule photovoltaïque inférieure (50). Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Structure photovoltaïque tandem de type pin à base de pérovskite comportant une couche tampon en AlO x Le domaine de l’invention est celui des structures photovoltaïques de type tandem, et en particulier des structures photovoltaïques de type pin dont la cellule photovoltaïque supérieure est réalisée à base de pérovskite. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les cellules solaires permettent de convertir une partie du domaine spectral du rayonnement solaire en énergie électrique. Pour augmenter le rendement de conversion, il est possible de fabriquer des structures photovoltaïques à architecture tandem qui comporte deux cellules photovoltaïques superposées l’une à l’autre absorbant dans des gammes spectrales différentes. Une structure photovoltaïque tandem de type pin (également appelée de type inverse) comporte généralement, de la face avant (face qui reçoit le rayonnement lumineux incident) vers la face arrière : une couche électrode supérieure ; une cellule photovoltaïque supérieure à base de pérovskite, formée d’une couche de transport d’électrons, d’une couche active en pérovskite, et d’une couche de transport de trous ; une couche de recombinaison ; une cellule inférieure, par exemple à base de silicium ; une couche électrode arrière. La cellule photovoltaïque supérieure peut également comporter une couche tampon, située entre la couche électrode supérieure et la couche de transport d’électrons (de type n). On peut considérer par ailleurs que la couche tampon et la couche dopée n sont deux sous-couches de la même couche de transport d’électrons. La couche tampon permet d’éliminer l’accumulation des charges entre la couche électrode supérieure et la couche de type n, de faciliter l’extraction des porteurs de charge, de diminuer la recombinaison des porteurs de charge à l’interface entre la couche électrode supérieure et la couche de type n, et de protéger la couche de type n lors de la réalisation par dépôt de la couche électrode supérieure. Dans le domaine des cellules photovoltaïques à base de pérovskite, la couche tampon peut être réalisée en bathocuproine (BCP) déposé par voie physique en phase vapeur (PVD), ou en oxyde d’étain SnO 2 déposé par pulvérisation cathodique. En effet, ces deux matériaux permettent d’obtenir un bon compromis entre stabilité et rendement. Cependant, il existe un besoin de disposer d’une telle structure photovoltaïque tandem de type pin qui présente des performances améliorées, en particulier une meilleure stabilité sous l’illumination. L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer une structure photovoltaïque tandem de type pin, dont la cellule photovoltaïque supérieure est à base de pérovskite, qui présente une meilleure stabilité sous illumination. Pour cela, l’objet de l’invention est une structure photovoltaïque tandem de type pin, comportant, depuis la face avant vers la face arrière : une couche électrode supérieure ; une cellule photovoltaïque supérieure, comportant : une couche tampon ; une couche de transport d’électrons ; une couche active à base d’un matériau pérovskite ; une couche de transport de trous ; une cellule photovoltaïque inférieure, comportant : une couche de type n ; une couche active ; une couche de type p ; Selon l’invention, la couche tampon est réalisée en un oxyde d’aluminium d’une épaisseur comprise entre 1nm et 5nm. Certains aspects préférés mais non limitatifs de cette structure photovoltaïque tandem sont les suivants. La couche tampon peut présenter une épaisseur comprise entre 2.5 et 4 nm. La couche tampon peut être réalisée en un oxyde d’aluminium AlO x , où la valeur x correspond au nombre d’atomes d’oxygène pour 1 atome d’aluminium, x étant compris entre 0.8 et 1.5. La couche tampon peut être située au contact de la couche électrode supérieure et la couche de transport d’électrons. La couche électrode supérieure peut être réalisée en un oxyde conducteur transparent. La couche électrode supérieure peut être réalisée en TCO tel que ITO, IZO ou IO:H. La structure photovoltaïque tandem peut comporter un contact métallique supérieur reposant sur et au contact de la couche électrode supérieure, et réalisé en Ag, Cu, Ni, et/ou Al. La couche de transport d’électrons peut être une couche de type n réalisée en C 60 , en PC 61 BM, en PC 71 BM, en PCBM/C 60 , ou en PCBM/C. La cellule photovoltaïque inférieure peut être réalisée à base de silicium, de pérovskite, ou de Cu(In,Ga)(S,Se) 2 . L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’une structure photovoltaïque tandem selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes, comportant une étape de réalisation de la couche tampon par dépôt de couches minces atomiques à une température de dépôt comprise entre 25°C et 150°C, de préférence entre 40°C et 75°C. Le précurseur de l’aluminium peut être du TMA, et le précurseur de l’oxygène peut être de l’eau ou de l’ozone. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la FIG. 1 est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’une structure photovoltaïque tandem de type pin à base de pérovskite selon un mode de réalisation ; les figures 2A à 2D illustrent la stabilité sous illumination de différentes structures photovoltaïques tandem qui diffèrent entre elles par le matériau et/ou l’épaisseur de la couche tampon : FIG. 2 : stabilité sous illumination de la densité de courant de la cellule photovoltaïque supérieure ; FIG. 2 : stabilité sous illumination de la tension de circuit ouvert de la cellule photovoltaïque supérieure ; FIG. 2 : stabilité sous illumination du facteur de forme de la structure photovoltaïque ; FIG. 2 : stabilité sous illumination du suivi du point de puissance maximale de la structure photovoltaïque. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l’ordre de » signifient à 10% près, et de préférence à 5% près. Par ailleurs, les termes « compris entre … et … » et équivalents signifient que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. L’invention porte sur une structure photovoltaïque tandem de type pin dont la cellule photovoltaïque supérieure est réalisée à base de pérvoskite. La structure photovoltaïque est dite « tandem », dans le sens où elle comporte deux cellules photovoltaïques superposées l’une sur l’autre, et adaptées à absorber le rayonnement lumineux incident dans des gammes spectrales différentes. Elle est de type pin (ou de type inverse), dans le sens où la couche de transport d’électrons (ETL) de la cellule photovoltaïque supérieure est située du côté de la face avant (recevant le rayonnement lumineux incident), et donc la couche de transport de trous (HTL) est située du côté de la face arrière. Dans la structure photovoltaïque selon l’invention, une couche tampon, située entre une couche électrode supérieure et la couche de transport d’électrons, est réalisée en un oxyde d’aluminium AlO x d’une épaisseur comprise entre 1nm et 5nm, et de préférence entre 2.5 et 4 nm. La valeur x de l’oxyde d’aluminium AlO x , qui correspond au nombre d’atomes d’oxygène pour 1 atome d’aluminium, est de préférence comprise entre 0.8 et 1.5. La valeur stœchiométrique x=1.5 correspond à l’alumine Al 2 O 3 . Ainsi, comme détaillé par la suite, il apparaît qu’une telle structure photovoltaïque présente de meilleures performances, en termes de stabilité sous illumination, que dans le cas où la couche tampon est réalisée avec les matériaux tels que le BCP et le SnO 2 . Dans la suite de la description, on considère une structure photovoltaïque tandem de type Si/PK, dans le sens où la cellule photovoltaïque inférieure est réalisée à base de silicium. Cependant, d’autres types de cellule photovoltaïque inférieure peuvent convenir, comme une cellule photovoltaïque à base de pérovskite, ou à base de Cu(In,Ga)(S,Se) 2 , entre autres. De plus, la couche active de silicium est ici réalisée à base d’un substrat de silicium poli double face, mais un substrat texturé peut également convenir. La FIG. 1 est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’une structure photovoltaïque tandem 1 de type pin selon un mode de réalisation. Elle comporte, de la face avant 1a vers la face arrière 1b : un contact métallique supérieur 10, une couche électrode supérieure 20 transparente, une cellule photovoltaïque supérieure 30 à base de pérovskite, une couche de recombinaison 40, une cellule photovoltaïque inférieure 50, ici à base de silicium, une couche électrode inférieure 60 et un contact métallique inférieur 70. Les contacts métalliques supérieur 10 et inférieur 70 peuvent être réalisés en un matériau métallique, par exemple en argent Ag, cuivre Cu, nickel Ni, et/ou aluminium Al, entre autres, d’une épaisseur par exemple comprise entre 50 et 500nm. Ils peuvent être réalisés par évaporation thermique, ou par évaporation par faisceau d’électrons (EBPVD, pour Electron Beam Physical Vapor Deposition , en anglais). Ils peuvent également être réalisé par sérigraphie ( screen printing , en anglais). Les couches électrodes supérieure 20 et inférieure 60 sont réalisées en un oxyde conducteur. La couche électrode supérieure 20 est réalisée en un matériau transparent au rayonnement à absorber. Elles peuvent être réalisées par exemple en ZnO éventuellement dopé à l’aluminium ou en un autre élément (bore, gallium…), en ITO ou en IZO, entre autres, d’une épaisseur par exemple comprise entre 20 et 250nm. Elles peuvent notamment être réalisées par dépôt de couche mince atomique (ALD, pour Atomic Layer Deposition en anglais), par exemple dans le cas du ZnO, ou par pulvérisation cathodique pour le ZnO:Al, ITO, IZO. La cellule photovoltaïque supérieure 30 est une cellule photovoltaïque à base de pérovskite. Celle-ci comporte une couche tampon 31, une couche de transport d’électrons 32 (ETL pour Electron Transport Layer , en anglais), une couche active 33 en un matériau pérovskite, et une couche de transport de trous 34 (HTL pour Hole Transport Layer en anglais). La couche tampon 31 est en un oxyde d’aluminium AlO x d’une épaisseur comprise entre 1 et 5nm, et de préférence comprise entre 2.5 et 4 nm. Il peut s’agir d’alumine Al 2 O 3 , mais la valeur x est, plus largement, préférentiellement comprise entre 0.8 et 1.5. Cette couche tampon 31 est réalisée par dépôt ALD, à une température par exemple comprise entre 25°C et 150°C, et de préférence comprise entre 40°C et 75°C. Une telle température de dépôt permet de limiter les risques de dégradation de la couche active en pérovskite. La couche tampon 31 est une couche mince continue et d’épaisseur uniforme (le dépôt ALD est un dépôt conforme). Elle est ici située entre et au contact de la couche électrode supérieure 20 et la couche 32 de type n. Outre le fait qu’une telle couche tampon 31 permet d’améliorer la stabilité sous illumination de la structure photovoltaïque 1 (comme explicité plus bas), elle permet également d’éviter la diffusion des ions d’iode de la couche active 33 en pérovskite jusqu’à la couche électrode supérieure 20, et donc d’éviter la décomposition de la couche active 33 en pérovskite d’une part, et la corrosion de la couche électrode supérieure 20 d’autre part. La couche de transport d’électrons 32 est une couche de type n peut être réalisée, par exemple, en C 60 , en PC 61 BM, en PC 71 BM, en PCBM/C 60 en PCBM/C, d’une épaisseur par exemple comprise entre 5 et 50nm, et déposée notamment par évaporation thermique ou par enduction centrifuge. Elle peut également être réalisée en un oxyde d’étain SnO x avec x compris entre 1 et 2, d’une épaisseur par exemple comprise entre 5 et 30nm, et déposée notamment par pulvérisation cathodique ou par enduction centrifuge. Elle peut également être réalisée en ZnO éventuellement dopé à l’aluminium, d’une épaisseur par exemple comprise entre 5 et 30nm, et déposée notamment par pulvérisation cathodique ou par enduction centrifuge, voire en ITO ou IZO déposé par pulvérisation cathodique. La couche active 33 est réalisée en un matériau pérovskite de type APbX 3 avec A représentant des cations de méthylammonium, diméthylammonium, formamidinium, guanidinium ou césium (les cations précités peuvent être utilisés seuls ou en mélange), et X représentant des anions halogénures, de préférence des anions chlore, brome, iode (seuls ou en mélange). La couche active 33 présente une épaisseur par exemple comprise entre 200nm et 1.5µm. Elle peut être formée de différentes manières, par exemple par évaporation ou co-évaporation thermique, par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple de type ALD, par dépôt laser pulsé (PLD pour Pulsed Laser Deposition , en anglais). La couche de transport de trous 34 est une couche de type p. Elle peut être en PEDOT ou PTAA, d’une épaisseur par exemple comprise entre 5 et 50nm, et réalisée notamment par enduction centrifuge. Elle peut également être en SAM, d’une épaisseur par exemple comprise entre 1 et 5nm, et réalisée notamment par enduction centrifuge ou par évaporation thermique. Elle peut également être en MoO x d’une épaisseur par exemple comprise entre 5 et 30nm, et réalisée par évaporation thermique. Elle peut également être en NiO x d’une épaisseur par exemple comprise entre 1 et 30nm, et réalisée par dépôt ALD ou par pulvérisation cathodique. D’autres matériaux sont également possibles. La couche de recombinaison 40 peut être une couche conductrice en un oxyde conducteur transparent (TCO), par exemple en ITO, IZO, IO:H, entre autres. La cellule photovoltaïque inférieure 50 est une cellule photovoltaïque qui est ici à base de silicium. Cependant, comme mentionné précédemment, on peut considérer également une cellule à base de pérovskite, voire à base d’autres matériaux, comme par exemple du Cu(In,Ga)(S,Se) 2 . Elle comporte ici une couche 51 en silicium amorphe dopé de type n, puis une couche 52 en silicium amorphe non intentionnellement dopé, une couche active 53 en silicium cristallin, une couche 54 en silicium amorphe non intentionnellement dopé, et une couche 55 en silicium amorphe dopé de type p. A titre d’exemple, la structure photovoltaïque 1 peut être formée de la manière suivante, à partir de la face avant 1a vers la face arrière 1b : le contact supérieur 10 en argent Ag, réalisé par évaporation thermique sous vide ; la couche électrode supérieure 20 en ITO, réalisée par pulvérisation cathodique ; la cellule photovoltaïque supérieure 30, formée de : la couche tampon 31 en Al 2 O 3 d’une épaisseur comprise entre 1nm et 5nm, par exemple de 2 ou 3nm, réalisée par dépôt ALD à une température comprise entre 25°C et 150°C ; la couche de transport d’électrons 32, en C 60 déposé par évaporation thermique ; la couche active 33 de pérovskite (Cs,FA)Pb(I,Br) 3 , réalisée par enduction centrifuge dans une boîte à gants sous azote N 2 ; la couche de transport de trous 34 en 2PACz, réalisée par enduction centrifuge dans une boîte à gants sous azote N 2 ; la couche de recombinaison 40 en ITO, réalisée par dépôt physique en phase vapeur (PVD) ; la cellule photovoltaïque inférieure 50, formée de : la couche 51 en silicium amorphe dopé de type n, réalisée par PECVD ; la couche 52 en silicium amorphe non intentionnellement dopé, réalisée par PECVD ; la couche active 53 en silicium cristallin ; la couche 54 en silicium amorphe non intentionnellement dopé, réalisée par PECVD ; la couche 55 en silicium amorphe dopé de type p, réalisée par PECVD ; la couche électrode inférieure 60 en ITO, réalisée par pulvérisation cathodique ; le contact inférieur 70 en argent Ag, réalisé par évaporation thermique sous vide. La couche tampon 31 en AlO x est réalisée de préférence par dépôt de couches minces atomiques (ALD), en utilisant 2 différents précurseurs : le TMA (triméthylaluminium Al 2 (CH 3 ) 6 ) et l’eau H 2 O ou de l’ozone comme oxydant. Les gaz précurseurs sont ici introduits dans la chambre de dépôt du réacteur ALD de manière séquentielle, l’un après l’autre, séparés par un gaz inerte tel que de l’azote N 2 pour purger la chambre de dépôt. Ainsi, chaque précurseur réagit avec la surface du matériau, et non pas entre eux. Un exemple de procédé de réalisation par dépôt ALD de la couche tampon 31 en Al 2 O 3 d’une épaisseur de 3nm est maintenant décrit. La température de dépôt est comprise entre 25°C et 150°C, et de préférence entre 40°C et 75°C, ici de 50°C. On préchauffe la chambre de dépôt à une température de 50°C, puis on introduit la structure photovoltaïque 1 en cours de fabrication pour qu’elle se thermalise à cette température. La pression est de 0.7mbar. Le cycle de dépôt comporte quatre étapes, et est répété jusqu’à ce que la couche tampon présente l’épaisseur souhaitée. La première étape correspond au dépôt d’aluminium Al. On injecte ainsi le gaz précurseur TMA dans la chambre de dépôt. La durée d’injection (pulse) est de 500ms, et le flux gazeux est de 300sccm. La deuxième étape est une étape de purge, au cours de laquelle on injecte le gaz inerte N 2 pendant 5s à un flux de 300sccm. La troisième étape correspond au dépôt de l’oxygène O. On injecte le gaz précurseur H 2 O dans la chambre de dépôt, pendant une durée de 6s et un flux de 300sccm. La quatrième étape est une étape de purge, au cours de laquelle on injecte à nouveau le gaz inerte N 2 pendant 6s à un flux de 300sccm. Une répétition de 30 cycles de dépôt permet d’obtenir un dépôt d’Al 2 O 3 d’une épaisseur de 3nm. Enfin, on purge la ligne fluidique de TMA à l’azote, on met à l’air libre la chambre de dépôt, et on retire l’empilement ainsi obtenu. Les figures 2A à 2D illustrent une comparaison des performances, en termes de stabilité sous illumination, de structures photovoltaïques tandem 1 qui présentent la configuration de l’exemple concret indiqué précédemment, et qui diffèrent entre elles uniquement par la couche tampon. Quatre structures photovoltaïques sont considérées ici : la première où la couche tampon est en BCP déposé par évaporation (symbole : carrés pleins), la deuxième où la couche tampon est en SnO 2 déposé par pulvérisation cathodique (cf. carrés vides) ; la troisième où la couche tampon est en Al 2 O 3 de 2nm déposé par ALD (cf. ronds pleins), et la quatrième où la couche tampon est en Al 2 O 3 de 3nm déposé par ALD (cf. ronds vides). Les structures photovoltaïques ont été disposées dans une boîte à gant en surpression sous atmosphère inerte (sous N 2 ), avec des taux d’humidité et d’oxygène inférieurs à 1ppm. Elles ont été illuminées pendant 72h en continu. La FIG. 2 illustre la densité de courant J de la cellule supérieure (avant illumination J init et après illumination J fin ) ; la FIG. 2 illustre la tension de circuit ouvert Voc de la cellule supérieure (Voc init et Voc fin ) ; la FIG. 2 illustre le facteur de forme FF de la structure photovoltaïque tandem (FF init et FF fin ) ; et la FIG. 2 illustre le suivi de point de puissance maximale P de la structure photovoltaïque tandem (P init et P fin ). En référence à la FIG. 2 , il apparaît que la stabilité sous illumination de la densité du courant J de la cellule supérieure est du même ordre pour les différentes structures, que la couche tampon est réalisée en BCP, en SnO 2 , ou en AlOx. En référence à la FIG. 2 , il apparaît que la stabilité sous illumination de la tension de circuit ouvert Voc est meilleure lorsque la couche tampon est réalisée en Al 2 O 3 avec une épaisseur de 2nm ou de 3nm que lorsqu’elle est réalisée en BCP. De plus, on remarque que, dans le cas où elle est réalisée en Al 2 O 3 , elle est meilleure avec une épaisseur de 3nm (qui est du même ordre que dans le cas du SnO 2 ) qu’avec une épaisseur de 2nm. En référence à la FIG. 2 , il apparaît que la stabilité sous illumination du facteur de forme FF est meilleure lorsque la couche tampon est réalisée en Al 2 O 3 avec une épaisseur de 2nm ou de 3nm que lorsqu’elle est réalisée en SnO 2 . De plus, elle est similaire dans les cas d’une couche tampon d’Al 2 O 3 de 2nm ou de 3nm. En référence à la FIG. 2 , il apparaît que la stabilité sous illumination du suivi du point de puissance maximale P est meilleure lorsque la couche tampon est réalisée en Al 2 O 3 d’une épaisseur de 3nm que lorsqu’elle est réalisée en SnO 2 , en BCP, voire même en AlOx d’une épaisseur de 2nm. Il en ressort donc qu’une telle structure photovoltaïque tandem de type Si/PK pin présente des performances améliorées, en termes de stabilité sous illumination, lorsque la couche tampon est réalisée en AlOx d’une épaisseur comprise entre 1n et 5nm, ici de 2nm ou de 3nm, que lorsqu’elle est réalisée en BCP ou en SnO 2 . De plus, ces performances sont meilleures lorsque la couche tampon est réalisée en AlOx d’une épaisseur de 3nm que lorsque l’épaisseur est de 2nm. Aussi, la couche tampon 31 selon l’invention est réalisée en AlO x d’une épaisseur comprise entre 1nm et 5nm, et de préférence entre 2.5 nm et 4 nm. Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier. Structure photovoltaïque tandem (1) de type pin, comportant, depuis la face avant (1a) vers la face arrière (1b) : une couche électrode supérieure (20) ; une cellule photovoltaïque supérieure (30), comportant : une couche tampon (31) ; une couche de transport d’électrons (32), une couche active (33) à base d’un matériau pérovskite ; une couche (34) de transport de trous ; une cellule photovoltaïque inférieure (50), comportant : une couche (51) de type n ; une couche active (53) ; une couche (55) de type p ; caractérisée en ce que la couche tampon (31) est réalisée en un oxyde d’aluminium d’une épaisseur comprise entre 1nm et 5nm. Structure photovoltaïque tandem (1) selon la revendication 1, dans laquelle la couche tampon (31) présente une épaisseur comprise entre 2.5 et 4 nm. Structure photovoltaïque tandem (1) selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle la couche tampon (31) est réalisée en un oxyde d’aluminium AlO x , où la valeur x correspond au nombre d’atomes d’oxygène pour 1 atome d’aluminium, x étant compris entre 0.8 et 1.5. Structure photovoltaïque tandem (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la couche tampon (31) est située au contact de la couche électrode supérieure (20) et la couche de transport d’électrons (32). Structure photovoltaïque tandem (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la couche électrode supérieure (20) est réalisée en un oxyde conducteur transparent. Structure photovoltaïque tandem (1) selon la revendication précédente, dans laquelle la couche électrode supérieure (20) est réalisée en TCO tel que ITO, IZO ou IO:H. Structure photovoltaïque tandem (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant un contact métallique supérieur (10), reposant sur et au contact de la couche électrode supérieure (20), et réalisé en Ag, Cu, Ni, et/ou Al. Structure photovoltaïque tandem (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la couche de transport d’électrons (32) est une couche de type n réalisée en C 60 , en PC 61 BM, en PC 71 BM, en PCBM/C 60 , ou en PCBM/C. Structure photovoltaïque tandem (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la cellule photovoltaïque inférieure (50) est réalisée à base de silicium, de pérovskite, ou de Cu(In,Ga)(S,Se) 2 . Procédé de fabrication d’une structure photovoltaïque tandem (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant une étape de réalisation de la couche tampon (31) par dépôt de couches minces atomiques à une température de dépôt comprise entre 25°C et 150°C, de préférence entre 40°C et 75°C. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel le précurseur de l’aluminium est du TMA, et le précurseur de l’oxygène est de l’eau ou de l’ozone.