FR 3161824 A1 20251031 FR 2404367 A 20240426 L’invention concerne un procédé de régulation de la vitesse de commutation d’un transistor dans un système électrique, le système électrique comprenant le transistor et un circuit de commande configuré pour fournir au transistor deux niveaux de tension distincts, à savoir un premier niveau de tension pour l’activation du transistor et un deuxième niveau de tension pour la désactivation du transistor, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de modification d’une tension d’alimentation du circuit de commande comportant la modification du premier niveau de tension et/ou du deuxième niveau de tension, en fonction d’au moins un paramètre opérationnel propre au système électrique ou à son milieu environnant. figure pour l’abrégé : figure 3 Procédé de régulation de la vitesse de commutation d’un transistor de puissance dans un système électrique DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION L’invention s’inscrit dans le domaine de l’optimisation du fonctionnement des systèmes électriques, tels que des onduleurs, notamment pour s'adapter à des conditions d’utilisation variables. L’invention vise notamment à affiner la commande des transistors de puissance au sein d’un tel système électrique, permettant ainsi de moduler la vitesse de commutation en fonction des variations des conditions d’utilisation, comme la température du transistor, le courant ou la tension commutés. Bien que l’invention trouve une application particulière dans les systèmes de traction électrique des véhicules automobiles électriques ou hybrides, son application s'étend à tous les domaines faisant appel aux onduleurs, ainsi qu'à d'autres systèmes électriques tels que les chargeurs embarqués (aussi appelés OBC pour « On Board Charger » en terminologie anglo-saxonne), les convertisseurs DC/DC et de manière générale, aux divers convertisseurs de puissance. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Un onduleur est un système électrique permettant de générer un courant alternatif à partir d'un courant continu issu d’une source électrique telle qu’une batterie. Il comporte un étage de puissance comportant par exemple des modules de puissance, et plus généralement l’électronique de puissance de l’onduleur. L’étage de puissance comporte un ensemble d'interrupteurs électroniques, qui sont typiquement des transistors de puissance. Plusieurs technologies de transistors de puissance peuvent être utilisées dans un onduleur, parmi lesquelles : - les transistors bipolaires à grille isolée, également appelés « IGBT », de la terminologie anglo-saxonne « Insulated Gate Bipolar Transistor », et - les transistors à effet de champ à grille isolée également appelés « MOSFET », acronyme anglo-saxon de « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor », pouvant se traduire par « transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur ». Chaque transistor de puissance est piloté par un circuit de commande dédié, souvent appelé « driver » en terminologie anglo-saxonne, qui est configuré pour fournir des niveaux de tension adéquats pour activer ou désactiver le transistor de puissance. Le circuit de commande sert d’interface entre un microcontrôleur ou un circuit logique fonctionnant à basse tension, et le transistor de puissance qui nécessite généralement un niveau de tension plus élevé pour fonctionner correctement. Il est parfois nécessaire de pouvoir ajuster la vitesse de commutation d'un transistor de puissance. Par exemple, une diminution de la vitesse de commutation peut être recherchée pour atténuer les surtensions résultant des variations de courant dans des inductances parasites ou lorsque la température dans le système électrique est relativement élevée, tandis qu'une augmentation de la vitesse de commutation peut être recherchée pour minimiser les pertes par commutation. Pour faire varier la vitesse de commutation d’un transistor de puissance, il est connu d’intégrer plusieurs jeux de résistances sur une carte du circuit de commande ainsi qu’un système d’aiguillage de la sortie du circuit de commande sur le jeu de résistances correspondant à la vitesse de commutation souhaitée. Le circuit de commande est cependant assez encombrant et coûteux. De plus, une fois défini, le choix de résistances est fixe et ne permet pas d'adaptations dynamiques en fonction de l'évolution des conditions d’utilisation de l’onduleur. Une autre approche consiste à développer un circuit de commande sur mesure, aussi appelé « ASIC » pour « Application-Specific Integrated Circuit » en terminologie anglo-saxonne, intégrant la fonction de régulation de la vitesse de commutation du transistor de puissance par contrôle du courant de grille. Malgré la haute efficacité d’un tel circuit, cette approche requiert des investissements significatifs en termes de temps et de coûts de développement. Enfin, il existe des circuits de commande disponibles sur le marché qui intègrent une fonction d’ajustement de la vitesse de commutation. Cependant, ces circuits de commande sont beaucoup plus coûteux que des circuits standards, augmentant ainsi le coût global du système électrique. Le choix pour ces circuits est également restreint, ce qui limite la flexibilité du concepteur à sélectionner un circuit de commande adéquat par rapport aux autres spécifications du système électrique. La présente invention vise à remédier à tout ou partie des inconvénients de l’état de la technique cités ci-dessus. En particulier, l’invention vise à fournir un procédé pour réguler la vitesse de commutation d’un transistor de puissance dans un système électrique de manière simple, commode et économique. L’invention a ainsi pour objet, selon un premier aspect, un procédé de régulation de la vitesse de commutation d’un transistor dans un système électrique, le système électrique comprenant le transistor et un circuit de commande configuré pour fournir au transistor deux niveaux de tension distincts, à savoir un premier niveau de tension pour l’activation du transistor et un deuxième niveau de tension pour la désactivation du transistor, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de modification d’une tension d’alimentation du circuit de commande comportant la modification du premier niveau de tension et/ou du deuxième niveau de tension, en fonction d’au moins un paramètre opérationnel propre au système électrique ou à son milieu environnant. Dans le procédé selon l’invention, on agit directement sur la tension d’alimentation du circuit de commande, plutôt que sur le circuit de commande lui-même, pour modifier soit le premier niveau de tension, soit le deuxième niveau de tension, soit les deux, et ainsi réguler la vitesse de commutation du transistor. Grâce au procédé selon l’invention, un large choix de circuits de commande peut être envisagé pour réguler la vitesse de commutation, y compris des circuits de commande n’intégrant pas de fonction d’adaptation de la vitesse de commutation. En effet, une multitude de circuits de commande peut fonctionner dans une certaine plage de tension pour fournir au transistor le premier niveau de tension et le deuxième niveau de tension, ce qui offre une grande flexibilité pour la fabrication d’un système électrique. Il est alors possible d’utiliser des circuits de commande relativement basiques, afin de minimiser les coûts de fabrication du système électrique. De plus, le procédé selon l’invention rend possible la régulation simultanée de la vitesse de commutation de plusieurs transistors, simplement en modifiant une tension d’alimentation commune aux circuits de commande associés aux transistors, ce qui est très simple à mettre en œuvre et ne nécessite aucun composant supplémentaire. Des caractéristiques préférées, simples, commodes et économiques du procédé selon l’invention sont présentées ci-après. Le transistor de puissance peut être choisi parmi l’un des transistors suivants : transistor bipolaire à grille isolée, transistor à effet de champ à grille isolée en silicium, transistor à effet de champ en carbure de silicium et transistor en nitrure de gallium. L’au moins un paramètre opérationnel comprend une donnée représentative de la température du transistor, le courant commuté ou la tension commutée. L’au moins une donnée représentative de la température du transistor peut comprendre une température mesurée directement dans une zone du système électrique où est disposé le transistor, notamment au moyen d’un capteur de température. L’au moins une donnée représentative de la température du transistor peut comprendre le courant commuté et/ou la tension commutée et/ou la résistance thermique totale entre la jonction du transistor et l’air ambiant ou un fluide caloporteur, comme de l’eau, dans le cas où le transistor est refroidi par un tel fluide. La température du transistor peut être estimée à partir de données représentatives du fonctionnement du transistor, telles que le courant commuté et/ou la tension commutée. Par courant commuté, la présente description fait référence au courant que le transistor permet de passer ou d'arrêter en fonction de son état. Par tension commutée, la présente description fait référence à la tension qui est appliquée aux bornes du transistor et qui est contrôlée par ce dernier lors de la commutation. Le circuit de commande étant configuré pour être alimenté par une première tension d’alimentation de sorte à fournir au transistor de puissance le premier niveau de tension et par une deuxième tension d’alimentation de sorte à fournir au transistor le deuxième niveau de tension, le procédé peut comprendre une étape de modification de la première tension d’alimentation et/ou une étape de modification de la deuxième tension d’alimentation comportant la modification respectivement du premier niveau de tension et/ou du deuxième niveau de tension. La première tension d’alimentation peut être comprise entre 8V et 20V. La deuxième tension d’alimentation est comprise entre 0V et -20V. L’invention a aussi pour objet, selon un deuxième aspect, un système électrique comprenant un transistor de puissance et un circuit de commande configuré pour fournir au transistor de puissance deux niveaux de tension distincts, à savoir un premier niveau de tension pour l’activation du transistor de puissance et un second niveau de tension pour la désactivation du transistor de puissance, caractérisé en ce qu’il comprend un convertisseur DC/DC configuré pour modifier une tension d’alimentation du circuit de commande pour modifier le premier niveau de tension et/ou le deuxième niveau de tension, en fonction d’au moins un paramètre opérationnel propre au système électrique ou à son milieu environnant. A titre d’exemple, le convertisseur DC/DC peut être un convertisseur de type flyback ou de type push-pull. D’autres types de convertisseurs peuvent bien entendu être envisagés. Le convertisseur DC/DC peut fonctionner en boucle ouverte. Alternativement, le convertisseur DC/DC peut fonctionner en boucle fermée. Le système électrique peut comprendre un microcontrôleur configuré pour recevoir le paramètre opérationnel et pour envoyer une consigne de tension d’alimentation du circuit de commande au convertisseur DC/DC, ladite consigne de tension d’alimentation étant déterminée en fonction dudit paramètre opérationnel. Le système électrique peut comprendre au moins un capteur configuré pour mesurer une donnée représentative de la température du transistor, le courant commuté ou la tension commutée, l’au moins un paramètre opérationnel comprenant une donnée représentative de la température du transistor, le courant commuté ou la tension commutée. Le circuit de commande peut comprendre une première borne d’alimentation configurée pour recevoir une première tension d’alimentation de sorte à fournir au transistor de puissance le premier niveau de tension et une deuxième borne d’alimentation configurée pour recevoir une deuxième tension d’alimentation de sorte à fournir au transistor de puissance le deuxième niveau de tension. Le système électrique peut être un onduleur électrique. L’invention a enfin pour objet, selon un troisième aspect, une utilisation du procédé de régulation conforme au premier aspect de l’invention pour optimiser la performance d'un onduleur dans un véhicule électrique ou un appareil de conversion de puissance. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES L’invention, selon un exemple de réalisation, sera bien comprise et ses avantages apparaitront mieux à la lecture de la description détaillée qui suit, donnée à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés. La FIG. 1 est un schéma-blocs montrant des étapes d’un procédé de régulation, conforme à l’invention. La FIG. 2 représente schématiquement et partiellement un système électrique configuré pour mettre en œuvre au moins une étape du procédé de régulation de la FIG. 1 . La FIG. 3 est un graphique représentant la tension à la borne Vc du circuit commande en fonction d’une commande reçue par le circuit de commande. La FIG. 4 est un graphique illustrant différentes phases de commutation lors de l’activation du transistor de la FIG. 2 . La FIG. 5 est un graphique illustrant différentes phases de commutation lors de la désactivation du transistor de la FIG. 2 . DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L’INVENTION La FIG. 1 représente un procédé de régulation 100 de la vitesse de commutation d’un transistor de puissance dans un système électrique. Le système électrique comprend le transistor de puissance et un circuit de commande, ou driver, configuré pour fournir au transistor de puissance deux niveaux de tension distincts, à savoir un premier niveau de tension pour l’activation du transistor de puissance, c’est-à-dire son passage d’un état non conducteur à un état conducteur, et un deuxième niveau de tension pour la désactivation du transistor de puissance, c’est-à-dire son passage dans l’état conducteur à l’état non conducteur. Le système électrique est par exemple un onduleur, un chargeur embarqué ou OBC, un convertisseur de tension continu à continu dit DC/DC et est applicable de manière générale aux convertisseurs de puissance. Le procédé de régulation 100 comporte une étape de modification 101 d’une tension d’alimentation du circuit de commande comportant la modification d’au moins l’un du premier niveau de tension et du deuxième niveau de tension, en fonction d’au moins un paramètre opérationnel propre au système électrique ou à son milieu environnant. L’au moins un paramètre opérationnel comprend par exemple une donnée représentative de la température, le courant commuté ou la tension commutée. Par exemple, la tension d’alimentation du circuit de commande peut être diminuée ou augmentée lorsque la donnée représentative de la température indique que la température du transistor est trop élevée ou trop basse. L’étape de modification 101 comprend ici une sous-étape de modification d’une première tension d’alimentation 1011 et une sous-étape de modification de la deuxième tension d’alimentation 1012 comportant la modification respectivement du premier niveau de tension et du deuxième niveau de tension. La modification du premier niveau de tension et du deuxième niveau de tension entraîne une variation de la vitesse de commutation du transistor de puissance, respectivement lors de son activation et de sa désactivation. On notera que la première tension d’alimentation peut être modifiée indépendamment de la seconde tension d’alimentation, et inversement. L’étape de modification de la première tension d’alimentation et de la deuxième tension d’alimentation permet donc de réguler la vitesse de commutation du transistor de puissance, soit lors de son activation, soit lors de sa désactivation, soit des deux. La première tension d’alimentation peut varier dans une plage allant de 8V à 20V. Bien entendu, cette plage peut varier en fonction des tensions d’alimentation admissibles par le circuit de commande et des tensions requises par le transistor de puissance pour son activation. La seconde tension d’alimentation peut par exemple varier dans une plage allant de 0V à -20V, par exemple de 0V à 15V. Bien entendu, cette plage peut varier en fonction des tensions d’alimentation admissibles par le circuit de commande et des tensions requises par le transistor de puissance pour sa désactivation. Ces valeurs s’entendent ici par rapport à une borne de référence d’un circuit de commande du système électrique, décrit en référence à la FIG. 2 . La FIG. 2 représente partiellement un système électrique 1 configuré pour mettre en œuvre le procédé de régulation de la FIG. 1 . Le système électrique 1 comprend un transistor de puissance 2, une résistance de grille 3 et un circuit de commande 4 ou driver, configuré pour fournir au transistor de puissance 2 deux niveaux de tension distincts, à savoir un premier niveau de tension pour l’activation du transistor de puissance 2 et un second niveau de tension pour la désactivation du transistor de puissance 2. Le système électrique 1 comprend également un convertisseur DC/DC et un microcontrôleur qui ne sont ici pas représentés. Le microcontrôleur est configuré pour recevoir le paramètre opérationnel et pour envoyer une consigne de tension d’alimentation du circuit de commande au convertisseur DC/DC, la consigne de tension d’alimentation étant déterminée en fonction du paramètre opérationnel. Le système électrique 1 comprend un capteur configuré pour mesurer le paramètre opérationnel qui n’est ici pas représenté. Le transistor de puissance 2 est ici un transistor bipolaire à grille isolée, ou IGBT. D’autres types de transistors de puissance, tels que des transistors en nitrure de gallium (GaN) ou des transistors à effet de champ à grille isolée ou MOSFET, et en particulier les transistors de puissance en Silicium (Si) ou en Carbure de Silicium (SiC), peuvent bien entendu être utilisés. Le transistor de puissance 2 comprend un collecteur 5, un émetteur 6, une grille 7 et une diode de roue libre 8 ou diode anti-parallèle, connectée entre le collecteur 5 et l’émetteur 6. Le circuit de commande 4 comprend ici une borne d’entrée 9 configurée pour recevoir un signal de commande de niveau logique Cde, une première borne d’alimentation 10 configurée pour recevoir une première alimentation Ud+, une deuxième borne d’alimentation 11 configurée pour recevoir une deuxième tension d’alimentation Ud-, une borne de référence 12 servant de point de référence pour les première et deuxième tensions d’alimentation Ud+ et Ud-, et une borne de sortie 13 configurée pour émettre un signal de commande de grille Vc. Alternativement, le circuit de commande peut comprendre une seule borne d’alimentation. Dans un mode de réalisation non représenté, la borne d’alimentation 11 est connectée électriquement à la borne de référence 12. La borne de référence 12 est connectée électriquement à l’émetteur 6 du transistor de puissance 2. La résistance de grille 3 comprend deux bornes, dont l’une est connectée électriquement à la borne de sortie 13 du circuit de commande 4 et l’autre est connectée électriquement à la grille 7 du transistor de puissance 2. La FIG. 3 est un graphique montrant la relation entre le signal de commande de grille Vc et le signal de commande de niveau logique Cde. L'axe horizontal correspond au temps et l'axe vertical à la tension. Le signal de commande de niveau logique Cde alterne entre deux états, à savoir un état haut et un état bas. Le signal de commande de niveau logique Cde est par exemple généré par un microcontrôleur, un circuit logique, ou tout autre type de circuit de contrôle du système électrique, non représenté ici. Lorsque le signal de niveau logique Cde est dans l'état haut, le signal de commande de grille Vc a une tension égale à la première tension d'alimentation Ud+, correspondant à un premier niveau de tension pour l'activation du transistor de puissance. Lorsque le signal de niveau logique Cde est dans l'état bas, le signal de commande de grille Vd a une tension égale à la deuxième tension d'alimentation Ud-, correspondant à un second niveau de tension pour la désactivation du transistor de puissance. Le signal de commande de niveau logique Cde détermine donc ici de façon binaire le niveau de tension du signal de commande de grille Vc généré par le circuit de commande, et donc l’activation et la désactivation du transistor de puissance. Les figures 4 et 5 illustrent plus en détail le fonctionnement du transistor de puissance de la FIG. 2 respectivement lorsque le signal de commande de niveau logique Cde passe de l’état bas à l’état haut et lorsque le signal de commande de niveau logique Cde passe de l’état haut à l’état bas. Il convient de noter que le fonctionnement décrit ci-après s’applique également à d’autres types de transistors de puissance, tels que des transistors à effet de champ à grille isolée ou MOSFET. Lorsque le signal de commande de niveau logique Cde se trouve dans l’état bas, la tension entre la grille et l'émetteur Vge, qui correspond à la deuxième tension d’alimentation Ud- est en deçà du seuil nécessaire à l'activation du transistor de puissance. Le transistor de puissance est alors dans son état non-conducteur. Dans cet état, la tension entre le collecteur et l'émetteur Vce est maintenue à un niveau élevé, indiquant que le transistor de puissance empêche le passage du courant. Le courant de collecteur Ic est, par conséquent, nul. Lorsque le signal de commande de niveau logique Cde passe de l’état bas à l’état haut, on observe quatre phases successives, numérotées de 1 à 4 au bas du graphique de la FIG. 5 . Dans une première phase, numérotée 1, la tension entre la grille et l'émetteur Vge augmente progressivement jusqu’à atteindre une tension de seuil Vth, et la capacité d'entrée Ciss ou capacité de grille du transistor de puissance se charge. L a durée de cette première phase peut être déterminée par l’expression : où Rg est la résistance de grille et Ud est l’amplitude entre la première tension d’alimentation Ud+ et la deuxième tension d’alimentation Ud-. La deuxième phase, numérotée 2, débute lorsque la tension entre la grille et l'émetteur Vge atteint la tension de seuil Vth. Dans la deuxième phase, le transistor de puissance commence à conduire, avec le courant de collecteur Ic qui augmente jusqu’à atteindre un niveau haut tandis que la tension entre le collecteur et l’émetteur Vce reste constante. Cette phase correspond ainsi à la commutation en courant du transistor de puissance. La tension entre la grille et l’émetteur Vge augmente progressivement jusqu’à atteindre une tension de pincement Vp. L a durée de cette deuxième phase peut être déterminée par l’expression : On observe ici que la durée de la phase de commutation en courant du transistor de puissance dépend de l’amplitude Ud entre la première tension d’alimentation Ud+ et la deuxième tension d’alimentation Ud-. Par conséquent, il est possible de faire varier la vitesse de commutation en modifiant l’une de la première et de la deuxième tension d’alimentation, ou en les modifiant simultanément, de sorte à modifier l’amplitude Ud. La troisième phase, numérotée 3, débute lorsque le courant de collecteur Ic atteint sa valeur maximale, et donc lorsque la tension entre la grille et l’émetteur Vge atteint la tension de pincement Vp. Dans cette troisième phase, la tension entre le collecteur et l’émetteur Vce décroît jusqu’à se stabiliser à un niveau bas correspondant à l'état conducteur du transistor. Cette phase correspond ainsi à la commutation en tension du transistor. L a durée de cette troisième phase peut être déterminée par l’expression : où Cgd est la capacité entre la grille et l’émetteur, et Udc est la tension commutée. On observe ici que la durée de la phase de commutation en tension du transistor de puissance dépend de la tension commutée et de la première tension d’alimentation Ud+. Par conséquent, la modification de la première tension d’alimentation Ud+ conduit à une variation de la vitesse de commutation du transistor de puissance, en phase d’activation. La quatrième phase, numérotée 4, commence lorsque la tension entre le collecteur et l’émetteur Vce atteint son niveau bas. Dans cette quatrième phase, la capacité d'entrée Ciss fini de se charger, avec la tension entre la grille et l’émetteur Vge qui se caractérise par une courbe exponentielle croissante partant de la tension de pincement Vp et tendant vers la première tension d’alimentation Ud+. Lorsque le signal de commande de niveau logique Cde passe de l’état haut à l’état bas, il est possible de distinguer quatre phases successives, numérotées de 5 à 8 au bas du graphique de la FIG. 5 . Dans une première phase, numérotée 5, la tension entre la grille et l'émetteur Vge diminue progressivement jusqu’à atteindre la tension de pincement Vp, tandis que la tension entre le collecteur et l’émetteur Vce et le courant de collecteur Ic restent constants. Le transistor est alors dans son état conducteur pendant que la capacité d'entrée Ciss du transistor se décharge. L a durée de cette première phase peut être déterminée par l’expression : La deuxième phase, numérotée 6, débute lorsque la tension entre la grille et l'émetteur Vge atteint la tension de pincement Vp. Dans la deuxième phase, le transistor est en train de basculer vers son état non conducteur, avec la tension entre le collecteur et l’émetteur Vce qui augmente alors que la tension entre la grille et l'émetteur Vge et le courant de collecteur Ic restent constants. Cette phase correspond ainsi à la commutation en tension du transistor. L a durée de cette deuxième phase peut être déterminée par l’expression : On observe ici que la durée de la phase de commutation en tension du transistor de puissance dépend de la tension commutée et de la deuxième tension d’alimentation Ud-. Par conséquent, la modification de la deuxième tension d’alimentation Ud- conduit à une variation de la vitesse de commutation du transistor de puissance, en phase de désactivation. La troisième phase, numérotée 7, débute lorsque la tension entre le collecteur et l’émetteur Vce a atteint son niveau haut. Dans cette troisième phase, le transistor de puissance commence à ne plus conduire, avec le courant de collecteur Ic qui décroît progressivement tandis que la tension entre le collecteur et l'émetteur Vce présente un pic. Ce pic est attribuable à l'opposition à la variation rapide du courant de collecteur Ic induite par les éléments inductifs du circuit. Ce phénomène est typiquement décrit par l’expression : où L représente l'inductance et di/dt le taux de changement du courant. Cette phase correspond ainsi à la commutation en courant du transistor de puissance. La tension entre la grille et l’émetteur Vge décroit également jusqu’à la tension de seuil Vth. L a durée de cette troisième phase peut être déterminée par l’expression : On observe ici que la durée de la phase de commutation en courant du transistor de puissance dépend de la deuxième tension d’alimentation Ud-. Par conséquent, la modification de la deuxième tension d’alimentation Ud- conduit à une variation de la vitesse de commutation du transistor de puissance, en phase de désactivation. La quatrième phase, numérotée 8, commence lorsque la tension entre la grille et l’émetteur Vge atteint le seuil de tension Vth. Dans cette quatrième phase, le courant de collecteur Ic décroît encore jusqu’à une valeur très faible voire nulle et la tension entre le collecteur et l’émetteur Vce se stabilise à un niveau haut, correspondant à l'état non conducteur du transistor de puissance. La capacité d'entrée du transistor de puissance fini de se décharger, avec la tension entre la grille et l’émetteur Vge qui se caractérise par une courbe exponentielle décroissante partant du seuil de tension Vth et tendant vers la deuxième tension d’alimentation Ud-. On comprend ainsi que la variation de la première tension d’alimentation Ud+ et de la deuxième tension d'alimentation Ud- influence la vitesse à laquelle la capacité d’entrée Ciss du transistor de puissance se charge et se décharge, et donc la vitesse de commutation du transistor de puissance. En effet, la grille d'un transistor de puissance peut être conceptuellement représentée par un modèle de circuit RC simplifié en raison de la présence intrinsèque de la résistance de grille et de la capacité d’entrée dans la structure de la grille. Dans un circuit RC, qui est un circuit contenant une résistance et un condensateur, la vitesse de variation de la tension aux bornes du condensateur lors de la charge ou la décharge est principalement déterminée par la constante de temps du circuit, celle-ci étant le produit de la résistance et de la capacité du condensateur. Néanmoins, la vitesse de variation de la tension aux bornes du condensateur dépend aussi de la tension appliquée à ce circuit RC. Dans le procédé selon l’invention, on agit directement sur la tension d’alimentation du circuit de commande, plutôt que sur le circuit de commande lui-même, pour réguler la vitesse de commutation du transistor. De cette manière, un large choix de circuits de commande peut être envisagé pour réguler la vitesse de commutation, y compris des circuits de commande n’intégrant pas de fonction d’adaptation de la vitesse de commutation. En effet, une multitude de circuits de commande peut fonctionner dans une certaine plage de tension pour fournir au transistor le premier niveau de tension et le deuxième niveau de tension, ce qui offre une grande liberté pour la fabrication d’un système électrique. Il est alors possible d’utiliser des circuits de commande relativement basiques, afin de minimiser les coûts de fabrication du système électrique. De plus, le procédé selon l’invention permet de réguler simultanément la vitesse de commutation de plusieurs transistors simplement en modifiant la tension d’alimentation, dès lors que cette dernière est commune à plusieurs circuits de commande, ce qui est très simple à mettre en œuvre et ne nécessite aucun composant supplémentaire. Procédé de régulation (100) de la vitesse de commutation d’un transistor dans un système électrique, le système électrique comprenant le transistor et un circuit de commande configuré pour fournir au transistor deux niveaux de tension distincts, à savoir un premier niveau de tension pour l’activation du transistor et un deuxième niveau de tension pour la désactivation du transistor, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de modification d’une tension d’alimentation du circuit de commande comportant la modification du premier niveau de tension et/ou du deuxième niveau de tension, en fonction d’au moins un paramètre opérationnel propre au système électrique ou à son milieu environnant. Procédé de régulation selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transistor de puissance est choisi parmi l’un des transistors suivants : transistor bipolaire à grille isolée, transistor à effet de champ à grille isolée en silicium, transistor à effet de champ en carbure de silicium et transistor en nitrure de gallium. Procédé de régulation selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l’au moins un paramètre opérationnel comprend une donnée représentative de la température du transistor, le courant commuté ou la tension commutée. Procédé de régulation selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le circuit de commande étant configuré pour être alimenté par une première tension d’alimentation de sorte à fournir au transistor de puissance le premier niveau de tension et par une deuxième tension d’alimentation de sorte à fournir au transistor le deuxième niveau de tension, le procédé comprend une étape de modification de la première tension d’alimentation (1011) et/ou une étape de modification de la deuxième tension d’alimentation (1012) comportant la modification respectivement du premier niveau de tension et/ou du deuxième niveau de tension. Procédé de régulation selon la revendication 4, caractérisé en ce que la première tension d’alimentation est comprise entre 8V et 20V. Procédé de régulation selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la deuxième tension d’alimentation est comprise entre 0V et -20V. Système électrique comprenant un transistor de puissance (2) et un circuit de commande (4) configuré pour fournir au transistor de puissance (2) deux niveaux de tension distincts, à savoir un premier niveau de tension pour l’activation du transistor de puissance (2) et un second niveau de tension pour la désactivation du transistor de puissance (2), caractérisé en ce qu’il comprend un convertisseur DC/DC configuré pour modifier une tension d’alimentation du circuit de commande (4) pour modifier le premier niveau de tension et/ou le deuxième niveau de tension, en fonction d’au moins un paramètre opérationnel propre au système électrique (1) ou à son milieu environnant. Système électrique selon la revendication 7, caractérisé en ce qu’il comprend un microcontrôleur configuré pour recevoir l’au moins un paramètre opérationnel et pour envoyer une consigne de tension d’alimentation du circuit de commande au convertisseur DC/DC, ladite consigne de tension d’alimentation étant déterminée en fonction dudit au moins un paramètre opérationnel. Système électrique selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce qu’il comprend au moins un capteur configuré pour mesurer une donnée représentative de la température du transistor, le courant commuté ou la tension commutée, l’au moins un paramètre opérationnel comprenant une donnée représentative de la température du transistor, le courant commuté ou la tension commutée. Système électrique selon l’une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que le circuit de commande (4) comprend une première borne d’alimentation (10) configurée pour recevoir une première tension d’alimentation de sorte à fournir au transistor de puissance (2) le premier niveau de tension et une deuxième borne d’alimentation (11) configurée pour recevoir une deuxième tension d’alimentation de sorte à fournir au transistor de puissance (2) le deuxième niveau de tension. Système électrique selon l’une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que le système électrique (1) est un onduleur électrique. Utilisation du procédé de régulation (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6 pour optimiser la performance d'un onduleur dans un véhicule électrique ou un appareil de conversion de puissance.