FR 3155310 A1 20250516 FR 2312291 A 20231110 Estimation de l’état initial d’un élément résistif La présente description concerne un procédé d’estimation de l’état résistif dans lequel est programmé une cellule d’une mémoire, le procédé comprenant : a) un première mesure, par un circuit de mesure relié à la cellule, d’une première valeur représentative de la résistance de la cellule; b) au moins une deuxième mesure d’au moins une deuxième valeur représentative de la résistance de la cellule ; c) la comparaison, par un circuit de comparaison, de la première et de l’au moins une deuxième valeur représentatives de la résistance ; et d) sur la base de la comparaison, l’estimation de l’état résistif de la cellule, l’estimation étant soit d’un état de haute résistance si l’au moins une deuxième valeur présente une augmentation par rapport à la première valeur représentative, soit d’un état de basse résistance si l’au moins une deuxième valeur présente une diminution par rapport à la première valeur. Figure pour l'abrégé : Fig. 6A Estimation de l’état initial d’un élément résistif La présente description concerne de façon générale les mémoires non volatiles résistives, et en particulier l’estimation des états de résistance dans lesquels chaque élément résistif de la mémoire a initialement été programmé. Les mémoires volatiles résistives comprennent une pluralité d’éléments résistifs. Chaque élément résistif est initialement programmé vers un état de haute résistance (en anglais « High Resistance State » - HRS) ou vers un état de basse résistance (en anglais « Low Resistance State » - LRS). Cependant, une fois programmé, un élément résistif subit des effets de relaxation, engendrant des fluctuations de la résistance à laquelle il a été initialement programmé. Ainsi, un élément programmé vers un état de haute résistance peut voir sa résistance décroître et devenir à l’état de basse résistance, et inversement pour un élément programmé vers un état de basse résistance. Bien que les effets de relaxation se stabilisent après un certain temps, des fluctuations de la résistance ont toujours lieu. Il existe un besoin d’estimer l’état dans lequel un élément résistif d’une mémoire non volatile résistive a initialement été programmé. Un mode de réalisation prévoit un procédé d’estimation de l’état résistif dans lequel est programmé une cellule d’une mémoire résistive non volatile, le procédé comprenant : a) un première mesure, par un circuit de mesure relié à la cellule mémoire, d’une première valeur représentative de la résistance de la cellule; b) au moins une deuxième mesure, par le circuit de mesure, d’au moins une deuxième valeur représentative de la résistance de la même cellule mémoire; c) la comparaison, par un circuit de comparaison, de la première et de l’au moins une deuxième valeur représentatives de la résistance ; et d) sur la base de la comparaison, l’estimation de l’état résistif de la cellule, l’estimation étant soit une estimation d’un état de haute résistance si l’au moins une deuxième valeur représentative présente une augmentation par rapport à la première valeur représentative de la résistance, soit une estimation d’un état de basse résistance si l’au moins une deuxième valeur représentative présente une diminution par rapport à la première valeur représentative. Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre : - avant la réalisation de l’étape a), une première application, à un premier instant, d’un courant d’intensité prédéfinie ou d’une tension prédéfinie à la cellule de la mémoire résistive, la première mesure s’effectuant sur la base de la première application ; et - suite à la réalisation de l’étape a) et avant la réalisation de l’étape b), au moins une deuxième application, à au moins un deuxième instant, postérieur au premier instant, du courant ou d’une tension prédéfinie à l’élément résistif, l’au moins une deuxième mesure s’effectuant sur la base de l’au moins une deuxième application. Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre, suite à l’estimation de l’état : - la reprogrammation de la cellule vers l’état estimé. Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre, suite à l’estimation de l’état : - le stockage dans une mémoire, en association de la cellule, d’une valeur indiquant l’état estimé. Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre suite à la mesure de la première valeur représentative : - la comparaison de la première valeur représentative avec un intervalle de référence ; et - si la première valeur représentative est en dehors de l’intervalle de référence, la reprise du procédé dans une nouvelle réalisation de l’étape a). Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre, avant la comparaison : - la conversion, par un convertisseur, de la première et de l’au moins une deuxième valeurs représentatives en une première et au moins une deuxième valeurs numériques ; - le stockage, en association de la cellule, de la première et de l’au moins une deuxième valeurs numériques dans une mémoire. Selon un mode de réalisation, la mémoire est un registre à décalage. Selon un mode de réalisation, la comparaison s’effectue sur la base des valeurs de tension stockées par un premier et au moins un deuxième condensateurs configurés pour stocker respectivement la première et l’au moins une deuxième valeurs représentatives. Selon un mode de réalisation, l’état estimé est un état de haute résistance si lors de la comparaison, il est déterminé que la première valeur représentative est inférieure à l’une parmi l’au moins une deuxième valeur représentative et dans lequel l’état estimé est un état de basse résistance si lors de la comparaison, il est déterminé que la première valeur représentative est supérieure à l’une parmi l’au moins une deuxième valeur représentative. Selon un mode de réalisation, l’état estimé est un état de haute résistance si lors de la comparaison, il est déterminé que la première valeur représentative est inférieure à la moyenne des au moins une deuxième valeurs représentatives. Selon un mode de réalisation, l’au moins une deuxième valeur représentative comprend une première deuxième valeur et une deuxième deuxième valeur , la deuxième deuxième valeur étant mesurées à un instant postérieur au deuxième instant, et dans lequel l’état estimé est un état de haute résistance si lors de la comparaison, il est déterminé que la moyenne des différences entre la première deuxième et la deuxième deuxième valeurs représentatives et entre la première deuxième et la première valeurs représentatives est positive et dans lequel l’état estimé est un état de basse résistance si lors de la comparaison, il est déterminé que la moyenne des différences entre la première deuxième et la deuxième deuxième valeurs représentatives l’autre et la deuxième valeurs représentatives et entre la première deuxième et la première valeurs représentatives est négative. Selon un mode de réalisation, le deuxième instant est distant du premier instant d’une durée au moins 3 secondes, et par exemple d’au moins une minute. Selon un mode de réalisation, les première et au moins une deuxième valeurs représentatives de résistance sont des valeurs de tension ou de courant représentatives de la résistance de la cellule. Un mode de réalisation prévoit un circuit comprenant une mémoire résistive non volatile comprenant une cellule, programmée à un état parmi une pluralité d’états, le circuit comprenant en outre : ; - un circuit de mesure configuré pour mesurer une première valeur représentative de la résistance de la cellule et au moins une deuxième valeur représentative ; - un circuit de comparaison configuré pour comparer la première valeur représentative avec l’au moins une deuxième valeur représentative pour estimer l’état de la cellule, l’estimation étant une estimation d’un état de haute résistance si l’au moins une deuxième valeur représentative présente une augmentation par rapport à la première valeur représentative de la résistance ou d’un état de basse résistance si l’au moins une deuxième valeur représentative présente une diminution par rapport à la première valeur représentative. Selon un mode de réalisation, le circuit ci-dessus comprend en outre une source de courant configurée pour appliquer un courant d’intensité prédéfinie, ou une source de tension configurée pour appliquer une tension prédéfinie, à la cellule à un premier instant puis à au moins un deuxième instant, postérieur au premier instant, la mesure de la première valeur représentative s’effectuant sur la base de l’application au premier instant et la mesure de l’un moins une deuxième valeur représentative s’effectuant sur la base de l’application à l’au moins deuxième instant. Selon un mode de réalisation, la mémoire non volatile est une mémoire de type filamentaire, par exemple une mémoire à accès aléatoire résistive (en anglais « Resistive Random Acces Memory » - RRAM). Selon un mode de réalisation, la mémoire non volatile est une mémoire à changement de phase, ou une mémoire résistive à base d’oxyde, ou une cellule de métallisation programmable. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 est un graphique illustrant les fluctuations dans la résistance d’éléments résistifs programmés dans des états de haute résistance ou dans des état de basse résistance ; la FIG. 2 est un graphique illustrant les fluctuations dans la résistance d’éléments résistifs autour d’un intervalle seuil ; la FIG. 2 illustre les variations de résistance autour de l’intervalle seuil ; la FIG. 3 est un graphique illustrant l’évolution en temps de la résistance d’éléments résistifs ; la FIG. 4 est un graphique illustrant la déviation dans les fluctuations d’éléments résistifs programmés dans un état de haute résistance ; la FIG. 4 est un graphique illustrant la déviation dans les fluctuations d’éléments résistifs programmés dans un état de basse résistance ; la FIG. 5 est un graphique illustrant les fluctuations moyennes d’éléments résistifs programmés dans des états de hautes ou de basses résistances ; la FIG. 6 est un graphique illustrant deux mesures ; la FIG. 6 est un graphique illustrant plusieurs mesures ; et la FIG. 7 est un schéma par bloc illustrant un circuit selon un mode de réalisation de la présente description. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les technologies des mémoires résistives, ainsi que la reprogrammation d’éléments résistifs, sont connues par la personne du métier. En particulier, la reprogrammation des cellules d’une mémoire filamentaire vers un état de haute, et/ou de basse, résistance est connue par la personne du métier. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 est un graphique 100 illustrant les fluctuations dans la résistance d’éléments résistifs programmés dans des états de haute résistance et dans des états de basse résistance. Plus particulièrement, des courbes 102 et 104 ont été obtenues suite à des expérimentations. A titre d’exemple, les expérimentations effectuées mesurent la valeur de la résistance d’éléments résistifs, par exemple suite à une mesure de la tension en sortie des éléments. Les éléments résistifs sont par exemple compris dans des cellules d’une mémoire non volatile résistive ReRAM (de l’anglais « Resistive Random Access Memory »). A titre d’exemple la mémoire non volatile est une mémoire filamentaire. Dans d’autres exemples, la mémoire non volatile est une mémoire à changement de phase (en anglais « Changment Phase Memory » - PCM), une mémoire de type OxRAM (de l’anglais « Oxyde Random Acces Memory »), une cellule de métallisation programmable, etc. La courbe 102 illustre la distribution des mesures de résistance ( ) d’éléments résistifs initialement programmés vers un état de haute résistance (HRS – « High Resistance State »). Plus particulièrement les mesures sont effectuées un laps de temps après la programmation des éléments résistifs. A titre d’exemple, les mesures ont été effectuées 6 secondes après la programmation initiale. La courbe 104 illustre la distribution des mesures de résistance d’éléments résistifs initialement programmés vers un état de basse résistance (HRS – « High Resistance State »). Plus particulièrement, les mesures sont effectuées un laps de temps après la programmation des éléments résistifs. A titre d’exemple, les mesures ont été effectuées 6 secondes après la programmation initiale. L’axe des ordonnées du graphique 100 représente les quantiles (Q) pour les mesures effectuées. En particulier, les quantiles représentés sont relatifs à une distribution normale, théorique pour les mesures effectuées. A titre d’exemple, la valeur de résistance correspondant au quantile égal à 0 est la valeur médiane de résistance. De même, l’ensemble des valeurs de résistance situées entre les valeurs -1 et 1 de quantile représente 68,27% du nombre total de valeurs. Autrement dit, l’unité Q est l’écart type de la distribution normale des valeurs de résistance. De manière générale, les valeurs de résistances des cellules programmées dans les états de haute et de basse résistance suivent des lois log-normales. De plus, les résistances prises par des éléments programmés dans un état de haute résistance sont plus dispersées que les résistances prises par les éléments programmés dans des états de basse résistance. En effet, les valeurs de résistances des éléments LRS illustrés en figure 1 sont comprises dans un intervalle allant de 1000 ohms à environ 20 000 ohms alors que les résistances des éléments HRS s’étale dans un intervalle allant de 10 000 ohms à ohms. Un intervalle 106 représente un intervalle des valeurs de résistances pouvant être prises par des éléments résistifs programmés initialement dans l’état de haute résistance et dans l’état de basse résistance. L’intervalle 106 s’étend d’une valeur de résistance de ohms à une valeur ohms. A titre d’exemple, et . De façon plus générale, est une valeur dans la plage 8 000 ohms à 20 000 ohms, et est une valeur dans la plage 20 000 ohms à 50 000 ohms. Les valeurs et précédentes sont données à titre d’exemple et peuvent différer par exemple, d’un type de mémoire à l’autre. De plus, suite à leur programmation initiale, les valeurs de résistance des éléments LRS et HRS subissent un effet de relaxation et fluctuent. Même une fois les distributions des résistances des éléments HRS et LRS stabilisées, la résistance de chaque cellule continue à fluctuer individuellement. Dans le cas des mémoires filamentaires, l’effet de relaxation vient de la stabilisation dynamique du filament, qui modifie la résistance cellulaire. En effet, des atomes, par exemple des atomes d’oxygène, peuvent se déplacer et se recombiner pendant un certain laps de temps et jusqu’à ce que la stabilisation soit atteinte. Les fluctuations, avant et suite à la stabilisation ne modifient pas les distributions des valeurs des résistances pour chaque état HRS et LRS. Cependant, lorsque des valeurs fluctuent autour et dans l’intervalle 106, il est compliqué de distinguer un élément HRS d’un élément LRS. La FIG. 2 est un graphique illustrant les fluctuations dans la résistance d’éléments résistifs autour de l’intervalle 106. La FIG. 2 illustre les variations de résistance autour de l’intervalle 106. L’axe des ordonnées du graphique illustré en FIG. 2 représente les quantiles, comme décrit en relation avec la FIG. 1 , relatifs à une distribution normale théoriques pour des mesures effectuées. Les deux segments inclinés représentent, respectivement, les distributions normales théoriques pour les états LRS et HRS. A titre d’exemple, l’abscisse du graphique illustré en FIG. 2 est en échelle logarithmique. A titre d’exemple, une valeur de résistance 200 représente la valeur de résistance d’un élément initialement programmé dans un état LRS et ayant fluctué jusqu’à appartenir à l’intervalle seuil 106. La résistance de cet élément va alors généralement décroitre, ou diminuer, afin de sortir de l’intervalle 106. De même, une valeur de résistance 202 représente la valeur de résistance d’un élément initialement programmé dans un état HRS et ayant fluctué jusqu’à appartenir à l’intervalle seuil 106. La résistance de cet élément va alors généralement croitre, ou augmenter, afin de sortir de l’intervalle 106. De manière générale, la résistance d’un élément HRS ou LRS, lorsqu’elle ente dans l’intervalle 106 va avoir tendance à retourner vers une valeur propre à son état initial. En dehors de l’intervalle 106, les éléments LRS, par exemple ayant une résistance 204, voient généralement leur résistance croitre. Les éléments HRS, par exemple ayant une résistance 206, voient généralement leur résistance décroitre. Ces croissance et décroissance en dehors de l’intervalle 106 sont des tendances. En effet, la résistance d’éléments HRS vont parfois fluctuer et croitre, comme c’est par exemple le cas pour la résistance 208. Ainsi, lorsqu’un élément résistif HRS ou LRS ayant sa résistance dans l’intervalle 106 va voir sa résistance sortir de l’intervalle 106, un autre élément résistif programmé dans le même état, va voir sa résistance fluctuer et entrer dans l’intervalle 106. La FIG. 3 est un graphique 300 illustrant l’évolution en temps de la résistance d’éléments résistifs HRS. En particulier, le graphique 300 illustre l’évolution du logarithme de la valeur de résistance ( ) en fonction du temps (T[s]). Le graphique 300 comprend des courbes 302, 304 et 306 divisant l’évolution des résistances en terciles. Autrement dit, chaque courbes 302, 304 et 306 illustre l’évolution de la résistance d’un même nombre d’éléments résistifs. La courbe 302 illustre l’évolution des résistances du tercile supérieur, c’est-à-dire du tiers des éléments résistifs ayant les valeurs de résistance les plus hautes. La courbe 304 illustre l’évolution des résistances du tercile moyen. La courbe 306 illustre l’évolution des résistances du tercile inférieur, c’est-à-dire du tiers des éléments résistifs ayant les valeurs de résistance les plus basses. Les résistances du tercile supérieur ont tendance à diminuer avec le temps, tandis que les résistances des terciles moyen et inférieurs ont tendance à augmenter. Les moyennes des terciles pour les états HRS et LRS ont tendance à se rapprocher. Ce rapprochement s’effectue avec une déviation qui augmente. En effet, chaque élément dont la résistance va augmenter dans une distribution est remplacé par un autre élément dont la résistance va décroitre. La FIG. 4 est un graphique 400 illustrant la déviation dans les fluctuations d’éléments résistifs programmés dans un état de haute résistance. La FIG. 4 est un graphique 402 illustrant la déviation dans les fluctuations d’éléments résistifs programmés dans un état de basse résistance. En particulier les graphiques 400 et 402 comprennent des nuages de points 400’ et 402’. Chaque point des nuages 400’ et 402’ a pour coordonnée en abscisse le logarithme de la résistance d’un élément résistif à un instant . A titre d’exemple, l’instant a lieu quelques secondes, par exemple 6 secondes, après la programmation de l’élément résistif. Chaque point des nuages 400 et 402 a pour coordonnée en ordonnée la différence des logarithmes de la résistance de l’élément résistif entre un instant et l’instant ( ). A titre d’exemple, l’instant est postérieur à l’instant et a par exemple lieu plusieurs dizaine de minutes après la programmation de l’élément, par exemple, une heure après la programmation. En particulier, le nuage 400’ illustre la variation temporelle de la résistance d’éléments résistifs programmés dans un état HRS. Le nuage 402’ illustre la variation temporelle de la résistance d’éléments résistifs programmés dans un état LRS. Un cadre 404 montre une dérive négative dans la variation temporelle de la résistance d’éléments résistifs programmés dans un état HRS, ce qui illustre la tendance des résistances d’éléments HRS à croitre. De même, un cadre 406 montre une dérive positive dans la variation temporelle de la résistance d’éléments résistifs programmés dans un état LRS, ce qui illustre la tendance des résistances d’éléments LRS à décroitre. Ces tendances sont uniquement significatives pour les éléments dont les résistances sont à valeurs dans les cadres 404 et/ou 406. La figure 5 est un graphique 500 illustrant les fluctuations moyennes d’éléments résistifs programmés dans des états de hautes ou de basses résistances. Plus particulièrement, le graphique 500 comprend une courbe 502 et une courbe 504. Les courbes 502 et 504 sont respectivement obtenues par mesures successives de la résistance d’une pluralité d’éléments résistifs HRS et LRS lorsque dans l’intervalle seuil 106. Les courbes 502 et 504 illustrent respectivement le ratio (RATIO) d’éléments résistifs dont la valeur de la résistance a augmenté, respectivement a diminué. A titre d’exemple, pour chaque instant , la croissance, ou la décroissance est obtenue par comparaison entre la valeur de la résistance mesurée à l’instant et la moyenne des valeurs de la résistance mesurées à plusieurs instants dans les 2 minutes suivant l’instant . Les courbes constantes 506 et 508 illustrent respectivement le ratio moyen des éléments HRS dont la résistance croit et le ratio moyen des élément LRS dont la résistance décroit. La FIG. 6 est un graphique illustrant deux mesures. A titre d’exemple, la FIG. 6 illustre un exemple de mesures permettant de vérifier si une résistance appartenant à l’intervalle seuil 106 à tendance à croitre ou à décroitre. L’exemple illustré en figure 6A présente une mesure , effectuée à un instant . A titre d’exemple, à l’instant , la résistance de l’élément résistif testé est égale à ohms. A titre d’exemple, la valeur appartient à l’intervalle seuil 106. Une autre mesure de la résistance de l’élément résistif testé est par exemple réalisée à un instant , postérieur à l’instant . A titre d’exemple, l’instant est distant de l’instant d’une ou plusieurs secondes, par exemple d’au moins 3 secondes, d’une ou plusieurs minutes, par exemple d’au moins 1 minute, ou d’au moins une heure. A titre d’exemple, la valeur de la résistance à l’instant est de ohms. Dans le cas où est supérieur à , comme illustré en figure 6A, on conviendra que la valeur de la résistance a augmenté. Dans le cas contraire, c’est-à-dire si , on convient que la valeur de la résistance à diminué. Dans un exemple, la valeur n’appartient pas à l’intervalle seuil 106. La figure 6B est un graphique illustrant plusieurs mesures , , , , . A titre d’exemple, la FIG. 6 illustre un autre exemple de mesures permettant de vérifier si une résistance appartenant à l’intervalle seuil 106 à tendance à croitre ou à décroitre. Dans l’exemple illustré en figure 6B, , étant un nombre entier, par exemple inférieur à 1000, autres mesures sont effectuées à des instants postérieurs à l’instant . A titre d’exemple, les mesures consécutives sont réalisées dans un laps de temps relativement court, par exemple durant un laps de temps compris entre 1ms et 1s. Le nombre de mesures totales qu’il est possible de réaliser dépend alors du laps de temps de mesure ainsi que tu temps de traitement des mesures effectuées. A titre d’exemple, l’entier n est compris entre 10 et 1000. A titre d’exemple, les autres mesures sont effectuées de manière périodique, par exemple toutes les 6 secondes, toute les minutes, toutes les heures, etc. A titre d’exemple, à des instants , et , les résistances mesurées sont respectivement égales à , et ohms, toutes supérieures à la valeur . Cependant, à un instant , la résistance mesurée est égale à ohms, inférieure à . De même la valeur est par exemple inférieure à la valeur . La suite des résistances mesurées n’est donc pas une suite croissante. Néanmoins, la moyenne des valeurs , , et est par exemple supérieure à . On convient alors que la valeur de la résistance de l’élément testé augmente. Au contraire si la moyenne des valeurs , , et est par exemple inférieure à , on convient alors que la valeur de la résistance de l’élément testé diminue. Selon un mode de réalisation, dès que la valeur de la résistance appartient à l’intervalle seuil 106 à un instant , et lorsqu’elle est mesurée comme étant croissante suite à une ou plusieurs autres mesures, on estime que l’élément résistif testé est un élément HRS. Au contraire, si la résistance décroit, suite à l’une ou plusieurs autres mesures, on estime que l’élément est LRS. D’autres façons d’estimer si la résistance augmente ou diminue sont bien sûr envisageables. A titre d’exemple, une moyenne des différences des valeurs de résistance entre deux mesures consécutives est calculée, et si la moyenne est négative, il est estimé que l’élément est un élément LRS, et si la moyenne est positive, il est estimé que l’élément est HRS. Dans un autre exemple, la moyenne d’un premier nombre de valeurs de résistance, mesurées pour un premier nombre d’instants consécutifs, est comparée à la moyenne d’un deuxième nombre de valeurs de résistance, mesurées pour un deuxième nombre d’instants consécutifs, postérieurs aux premiers instants. La FIG. 7 est un schéma par bloc illustrant un circuit 700 selon un mode de réalisation de la présente description. Le circuit 700 comprend un élément résistif 701 d’une mémoire non volatile résistive. L’élément résistif 701 est alimenté par un courant d’intensité prédéfinie, par l’intermédiaire d’un transistor 702. Dans certains cas, le transistor 702 est utilisé comme source de courant, afin de contrôler le niveau de courant de programmation traversant l’élément résistif 701. Dans d’autres cas, le transistor 702 est un transistor d’accès utilisé pour activer ou désactiver le courant de programmation, et lorsqu’il est activé, l’intensité du courant de programmation est par exemple déterminée par une source de courant (non illustrée en figure 7), positionnée ailleurs en série avec l’élément résistif 701, par exemple en bout de ligne de la matrice de la mémoire non volatile résistive. A titre d’exemple, l’élément 701 a été initialement programmé vers un état LRS ou vers un état HRS. Comme décrit en relation avec les figures 1 à 5, la résistance de l’élément 701 fluctue avec le temps. Le courant est un courant d’intensité prédéfinie. A titre d’exemple, le courant est appliqué à l’élément résistif 701 à un instant . A titre de variante, au lieu d’appliquer un courant d’intensité prédéfinie à l’élément résistif, une tension prédéfinie est appliquée à l’élément résistif. Le circuit 700 comprend en outre un circuit 704 (VOLT. READER) configuré pour mesurer une tension représentative de la résistance de l’élément 701. A titre d’exemple, le circuit 704 est en outre configuré, par exemple par l’intermédiaire d’un diviseur de tension, pour calculer la valeur de la résistance de l’élément 701 à partir de la tension mesurée. A titre d’exemple, le circuit 704 comprend un convertisseur analogique-numérique (en anglais « "Analog to Digital Converter » - ADC) configuré pour convertir la valeur de tension mesurée en valeur numérique, et un mémoire dans laquelle est stocké la valeur numérique, qui est représentative de la valeur de résistance de l’élément résistif 701. A titre d’exemple, le circuit 704 comprend un comparateur (non illustré dans la figure) et est en outre configuré pour comparer la valeur numérique avec les valeurs et définissant l’intervalle 106. A titre d’exemple, lorsque la valeur de la résistance calculée n’appartient pas à l’intervalle seuil 106, le circuit 700 est par exemple configuré pour réappliquer le courant ou la tension à l’élément résistif 701. Dans un exemple, le circuit 700 comprend, par exemple, en outre une mémoire 706 (MEM), par exemple un registre à décalage, configuré pour recevoir les mesures de tension numériques, obtenues par le circuit 704. A titre d’exemple, la mémoire 706 est configuré pour stocker une première mesure dans un emplacement 708 (MEM1). A titre d’exemple, la première mesure est une valeur de tension correspondant à une résistance appartenant à l’intervalle seuil 106. La mémoire est en outre configurée pour stocker une, ou plusieurs autres mesures réalisées par le circuit 704 dans un emplacement 710 (MEM2). A titre d’exemple, les mesures stockées dans l'emplacement 702 n'appartiennent pas toutes à l’intervalle seuil 106. Dans un autre exemple, le circuit 704 comprend en outre un amplificateur, par exemple un amplificateur de transconductance opérationnel (en anglais « Operational Transconductance Amplifier » - OTA) configuré pour fournir un courant sur la base de la tension mesurée en sortie de l’élément 701. La mémoire 706 de l’exemple précédent est alors remplacée par au moins deux condensateurs reliés chacun à un interrupteur et alimenté par le courant généré par l’OTA. La charge des condensateurs est alors une représentation des résistances de l’élément 701 mesurées. Le circuit 700 comprend en outre un circuit de comparaison 712 (COMPARISON CIRCUIT). A titre d’exemple, le circuit 712 est configuré pour déterminer si la résistance de l’élément 701 augmente ou diminue, par exemple en appliquant les comparaisons décrites en relation avec les figures 6A et/ ou 6B. Dans un autre exemple, l’estimation de l’état dans lequel a été programmé l’élément 701 est réalisé par un réseau de neurones complètement connectés. A titre d’exemple le réseau de neurones comprend 4 couches. La couche d’entrée comprend par exemple un nombre de neurones, correspondant au nombre de mesures effectué. A titre d’exemple, est une valeur entre 2 et 10. Les deux couches suivantes comprennent, par exemple, respectivement et neurones. La couche de sortie comprend 1 neurone et la sortie indique si l’état estimé est HRS ou LRS. A titre d’exemple, la valeur de sortie est égale à la valeur 1 dans le cas où il est estimé que l’état est HRS, autrement dit, que la résistance à tendance à croitre, et est égale à la valeur 0 dans le cas où il est estimé que l’état est LRS, autrement dit, que la résistance à tendance à décroitre. Selon un mode de réalisation, le circuit 712 est relié à un circuit de programmation 714 (REPROG.). Le circuit 712 est par exemple configuré pour fournir un signal au circuit 714, le signal encodant si la résistance à tendance à croitre, ou à décroitre. Dans un autre exemple, le circuit de comparaison 712 est configuré pour programmer l’état d’un bit du circuit 714. A titre d’exemple, le bit est programmé à l’état 1 si la résistance à tendance à croitre, et à 0 si la résistance à tendance à décroitre, ou inversement. Le circuit 714 est alors configuré pour reprogrammer l’état de l’élément 701 sur la base de l’information fournie par le circuit 712. L’élément 701 est alors programmé, par le circuit 714, vers l’état HRS s’il a été estimé que la résistance avait tendance à croitre, et vers l’état LRS s’il a été estimé que la résistance avait tendance à décroitre. Selon un autre mode de réalisation, le circuit 712 fourni l’information, par exemple sous forme de signal ou par programmation d’un bit, à une mémoire 716. A titre d’exemple, la mémoire 716 est configuré pour stocker, en association avec une indication de l’adresse de l’élément 701 dans la mémoire non volatile, si l’élément est estimé comme étant HRS ou LRS. Dans un exemple, et bien que cela ne soit pas illustré dans la FIG. 7 , le circuit 700 comprend un circuit de sélection permettant de relier sélectivement chaque cellule mémoire de la mémoire non volatile aux éléments de circuit 704 à 712 et 714. Le tableau suivant regroupe des résultats obtenus lorsque les estimations ont été effectuées par un réseau de neurones entièrement connectés comprenant 4 couches de, respectivement, 10, 80, 20 et 1 neurones. Suite à une mesure appartenant à l’intervalle [10°800; 25°000] ohms, 9 autres mesures ont été effectuées à intervalles de temps consécutifs de 1 minute. Au total 10 mesures ont été donc effectuées, la première appartenant à l’intervalle [10°800; 25°000] ohms, et ont été fournies au réseau de neurones. Le réseau de neurones est configuré pour prédire, sur la base des 10 mesures, si l’état de l’élément testé est HRS ou LRS. A titre d’exemple, pour l’expérimentation, 14°784 éléments de la mémoire étaient des éléments programmés à l’état HRS et 15°061 éléments étaient des éléments programmés à l’état LRS. A partir de ces éléments, l’apprentissage et la validation du réseau de neurones sont réalisés sur une partie majoritaire des éléments, par exemple sur 75% des éléments, par exemple choisis de manière aléatoire. Les éléments restants, correspondant par exemple à 25% d’éléments, sont par exemple utilisés pour effectuer un test de la méthode, autrement dit pour valider le modèle sur des données qui n’ont pas été vues lors de l’apprentissage. Le tableau suivant présente les résultats obtenus lors de la validation du modèle, sur un total de 7 461 éléments, non utilisés lors de l’apprentissage et l’entrainement du réseau. Une colonne « support » comprend le nombre d’éléments, ayant été testés, c’est-à-dire étant entré dans l’intervalle [10°800; 25°000] ohms. Une colonne « F1-score » comprend les F1-scores de l’expérimentation. Une colonne « Recall » comprend la valeur de rappel de l’expérimentation. Une colonne « précision » comprend le ratio d’élément correctement prédit pour chaque classe. Précision recall F1-score support HRS 0.96 % 0.86 0.91 3°698 LRS 0.88 % 0.96 0.92 3°763 Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, c’est le cas pour ce qui est de l’estimation de la croissance ou de la décroissance de la valeur de résistance. De même, le nombre de mesures ainsi que l’intervalle de temps entre deux mesures peut varier. Le choix des bornes définissant l’intervalle seuil s’effectue en fonction de la mémoire volatile et du circuit de mesure 704 et est laissé à la personne du métier. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, c’est le cas pour ce qui est de l’implémentation des éléments 704, 706 et 716, qui peut être analogique ou numérique. Procédé d’estimation de l’état résistif dans lequel est programmé une cellule d’une mémoire résistive non volatile, le procédé comprenant : a) un première mesure, par un circuit de mesure (704) relié à la cellule mémoire, d’une première valeur représentative de la résistance de la cellule; b) au moins une deuxième mesure, par le circuit de mesure, d’au moins une deuxième valeur représentative de la résistance ( ) de la même cellule mémoire ; c) la comparaison, par un circuit de comparaison (712), de la première et de l’au moins une deuxième valeur représentatives de la résistance ; et d) sur la base de la comparaison, l’estimation de l’état résistif de la cellule, l’estimation étant soit une estimation d’un état de haute résistance si l’au moins une deuxième valeur représentative présente une augmentation par rapport à la première valeur représentative de la résistance, soit une estimation d’un état de basse résistance si l’au moins une deuxième valeur représentative présente une diminution par rapport à la première valeur représentative. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre : - avant la réalisation de l’étape a), une première application, à un premier instant ( ), d’un courant ( ) d’intensité prédéfinie ou d’une tension prédéfinie à la cellule de la mémoire résistive, la première mesure s’effectuant sur la base de la première application ; et - suite à la réalisation de l’étape a) et avant la réalisation de l’étape b), au moins une deuxième application, à au moins un deuxième instant ( ), postérieur au premier instant, du courant ( ) ou d’une tension prédéfinie à l’élément résistif, l’au moins une deuxième mesure s’effectuant sur la base de l’au moins une deuxième application. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre, suite à l’estimation de l’état : - la reprogrammation de la cellule vers l’état estimé. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre, suite à l’estimation de l’état : - le stockage dans une mémoire (716), en association de la cellule, d’une valeur indiquant l’état estimé. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre, suite à la mesure de la première valeur représentative : - la comparaison de la première valeur représentative avec un intervalle de référence (106) ; et - si la première valeur représentative est en dehors de l’intervalle de référence, la reprise du procédé dans une nouvelle réalisation de l’étape a). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre, avant la comparaison : - la conversion, par un convertisseur, de la première et de l’au moins une deuxième valeurs représentatives en une première et au moins une deuxième valeurs numériques ; - le stockage, en association de la cellule, de la première et de l’au moins une deuxième valeurs numériques dans une mémoire (706, 708, 710). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel, la comparaison s’effectue sur la base des valeurs de tension stockées par un premier et au moins un deuxième condensateurs configurés pour stocker respectivement la première et l’au moins une deuxième valeurs représentatives. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l’état estimé est un état de haute résistance (HRS) si lors de la comparaison, il est déterminé que la première valeur représentative est inférieure à l’une parmi l’au moins une deuxième valeur représentative et dans lequel l’état estimé est un état de basse résistance (LRS) si lors de la comparaison, il est déterminé que la première valeur représentative est supérieure à l’une parmi l’au moins une deuxième valeur représentative. Procédé selon la revendication 1 à 7, dans lequel l’état estimé est un état de haute résistance (HRS) si lors de la comparaison, il est déterminé que la première valeur représentative est inférieure à la moyenne des au moins une deuxième valeurs représentatives. Procédé selon la revendication 7, dans lequel l’au moins une deuxième valeur représentative comprend une première deuxième valeur et une deuxième deuxième valeur , la deuxième deuxième valeur étant mesurées à un instant postérieur au deuxième instant, et dans lequel l’état estimé est un état de haute résistance (HRS) si lors de la comparaison, il est déterminé que la moyenne des différences entre la première deuxième et la deuxième deuxième valeurs représentatives et entre la première deuxième et la première valeurs représentatives est positive et dans lequel l’état estimé est un état de basse résistance (LRS) si lors de la comparaison, il est déterminé que la moyenne des différences entre la première deuxième et la deuxième deuxième valeurs représentatives l’autre et la deuxième valeurs représentatives et entre la première deuxième et la première valeurs représentatives est négative. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le deuxième instant ( ) est distant du premier instant ( ) d’une durée au moins 3 secondes, et par exemple d’au moins une minute. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les première et au moins une deuxième valeurs représentatives de résistance sont des valeurs de tension ou de courant représentatives de la résistance de la cellule. Circuit comprenant une mémoire résistive non volatile comprenant une cellule (701), programmée à un état parmi une pluralité d’états, le circuit comprenant en outre : ; - un circuit de mesure (704) configuré pour mesurer une première valeur représentative de la résistance ( ) de la cellule et au moins une deuxième valeur représentative ; - un circuit de comparaison (712) configuré pour comparer la première valeur représentative avec l’au moins une deuxième valeur représentative pour estimer l’état de la cellule, l’estimation étant une estimation d’un état de haute résistance si l’au moins une deuxième valeur représentative présente une augmentation par rapport à la première valeur représentative de la résistance ou d’un état de basse résistance si l’au moins une deuxième valeur représentative présente une diminution par rapport à la première valeur représentative. Circuit selon la revendication 13, comprenant en outre une source de courant configurée pour appliquer un courant ( ) d’intensité prédéfinie, ou une source de tension configurée pour appliquer une tension prédéfinie, à la cellule à un premier instant ( ) puis à au moins un deuxième instant ( ), postérieur au premier instant, la mesure de la première valeur représentative s’effectuant sur la base de l’application au premier instant et la mesure de l’un moins une deuxième valeur représentative s’effectuant sur la base de l’application à l’au moins deuxième instant. Circuit selon la revendication 13 ou 14, dans lequel la mémoire non volatile est une mémoire à changement de phase, ou une mémoire résistive à base d’oxyde, ou une cellule de métallisation programmable.