FR 3156139 A1 20250606 FR 2313374 A 20231130 L’invention porte sur procédé de dépôt par IBS d’une couche de VOx comprenant au moins du chrome et/ou du bore. Le procédé comporte une phase de conditionnement comprenant un dépôt d’un film à base de VOx sur un substrat de test avec un débit d’oxygène initial et une détermination d’un débit d’oxygène intermédiaire comprenant le processus itératif suivant : (1) augmentation du débit d’oxygène d’un incrément prédéterminé pour obtenir un débit d’oxygène augmenté, (2) dépôt d’un film à base de VOx avec le débit d’oxygène augmenté, (3) mesure d’une différence d’un paramètre du film induite par l’incrément choisi parmi une vitesse de dépôt, une résistivité, une résistance du film (4) répétition des étapes précédentes tant que la différence est supérieure à un seuil prédéterminé. Le dépôt de la couche de VOx est effectué avec un débit d’oxygène final inférieur strictement au débit d’oxygène intermédiaire. Figure pour l’abrégé : Figure 2 PROCEDE DE DEPOT D’UNE COUCHE A BASE D’OXYDE DE VANADIUM Le domaine de l’invention est celui du dépôt de couches à base d’oxyde de vanadium, plus particulièrement celui du dépôt de couche d’oxyde de vanadium par pulvérisation par un faisceau d’ions. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les matériaux en oxyde de vanadium sont par exemple utilisés pour la fabrication de microbolomètres, de commutateurs optiques, ou de mémoires optiques. Pour ces applications, l’oxyde de vanadium est généralement déposé sous forme d’une couche sur un substrat par différentes techniques de dépôt. Parmi celles-ci, on peut citer la pulvérisation par faisceau d’ions (IBS, pour Ion Beam Sputtering en anglais), ou la pulvérisation cathodique. Il est alors généralement nécessaire de contrôler des paramètres intrinsèques de la couche comme sa densité, sa résistivité électrique, son uniformité de résistivité électrique, ou encore sa composition atomique ou stœchiométrique. Dans le domaine des microbolomètres, une couche en oxyde de vanadium, par exemple sous une forme amorphe, peut être utilisée comme matériau sensible à une variation de température, exprimée par un changement de sa résistivité électrique. Ce matériau est apprécié notamment pour son haut coefficient thermique de résistance (ou Thermal Coefficient of Resistance, TCR, en anglais) et le faible bruit en 1/f qu’il induit. Le document « Vanadium oxide thin film with improved sheet resistance uniformity », Généreux F. et al., Proc. of SPIE Vol. 9070 90701R-1, 2014 s’intéresse à ce type de microbolomètres pour la réalisation d’un photodétecteur comprenant une matrice de pixels de 17 µm de large. Le substrat est ici une plaque de 150 mm de diamètre. Il est fait mention de l’importance et de la difficulté d’obtenir une couche d’oxyde de vanadium de résistivité électrique uniforme. L’uniformité de résistance de couche, mesurée en 49 points régulièrement espacés sur la plaque, est généralement comprise entre 10 % et 20 %, ce qui entraîne une variation de gain et/ou un décalage entre les pixels, et par voie de conséquence, affecte grandement la dynamique du photodétecteur. Un procédé, non-dévoilé dans cette publication, permet cependant d’obtenir une uniformité de résistivité de 2,5 % dans une couche d’oxyde de vanadium dépourvue d’élément chimique additionnel, satisfaisante pour la réalisation du photodétecteur. Un procédé pour obtenir une couche d’oxyde de vanadium ayant une uniformité de résistance de couche comparable est décrit dans le document « Resistance repeatability study of ion-beam deposited vanadium oxide thin films », Alvarez P. et al., Proc. of SPIE Vol. 9974 997415-1, 2016. La couche est déposée par pulvérisation d’une cible contenant 99.99% de vanadium par un faisceau d’ions argon, sur une plaque de silicium de 150 mm de diamètre recouverte d’un film de nitrure de silicium de 300 nm d’épaisseur. Une variation de la pression partielle d’oxygène dans la chambre fait parcourir un cycle d’hystérésis ouvert à l’uniformité de la résistance de couche, ici égale à l’écart type de la population constituée par des mesures de résistance en 9 points déterminés de la plaque. En effet, une augmentation de la pression partielle d’oxygène de 1,9.10 -5 Torr à 3,2.10 -5 Torr dégrade l’uniformité de résistance de 1% à 3,2 % en passant par un maximum. Une diminution subséquente de la pression partielle d’oxygène sur la même plage de valeur dégrade davantage l’uniformité de résistance de 3,2 % à 4 % en passant par un minimum à 3 % et un maximum à 5 %. La valeur de l’uniformité de résistance n’est alors pas la même en début et en fin de parcours et le cycle d’hystérésis est dit ouvert. Sur la même plage de pressions partielles d’oxygène, la vitesse de dépôt parcourt également un cycle d’hystérésis ouvert. En revanche, le cycle d’hystérésis de la moyenne de la résistance de couche mesurée sur les 9 points parcourt un cycle d’hystérésis fermé, c’est-à-dire que les résistances moyennes de couche à 1,9.10 -5 Torr sont les même en début et en fin du cycle. Il apparait donc que des couches d’oxyde de vanadium pur, contenant par exemple moins de 1 % d’élément chimique additionnel, peuvent être déposées sur des plaques différentes, ayant chacune une uniformité de résistance de couche inférieure à 5% (1σ). De plus, ce document montre qu’avec une station de chargement de cassette et un système de régulation de l’oxygène optimisé, par exemple mettant en œuvre un analyseur de gaz résiduel (Residual Gas Analyzer, en anglais) et un régulateur de débit massique (mass flow controller, en anglais), il est possible d’atteindre une uniformité de résistance de couche d’oxyde de vanadium pur inférieure à 2 %, sur une plaque et d’une plaque à l’autre. Cependant, pour certaines applications, il existe un besoin d’introduire un élément chimique additionnel à une couche d’oxyde de vanadium. Dans le domaine des microbolomètres, il a été par exemple enseigné dans le document FR3077879 A1, qu’une quantité efficace de bore (B) ou de carbone (C) dans un matériau sensible en oxyde de vanadium permet à la résistivité à température ambiante du matériau sensible de rester sensiblement stable après une exposition à haute température, par exemple supérieure à 300°C. Le chrome (Cr) est aussi un élément chimique d’intérêt, par exemple pour diminuer la résistivité électrique de la couche d’oxyde de vanadium, tout en conservant un TCR élevé, comme cela est décrit dans les documents US5288380 A et US6489613 B1. Or, l’apport d’un élément additionnel, tel que le bore ou le chrome, dégrade l’uniformité de résistivité de l’oxyde de vanadium déposé par pulvérisation par faisceau d’ions. A titre d’exemple, une couche d’oxyde de vanadium comprenant du chrome de résistivité inférieure à 20 Ω.cm peut être obtenue avec une cible vanadium-chrome (VCr), comprenant 20% de chrome, et un débit d’oxygène compris entre 4,05 sccm et 4,15 sccm (centimètres cube standard par minute), résultant en une uniformité de résistivité sur une plaque de 200 mm supérieure à 30 % (1σ), voire égale à 50 % (1σ). L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un procédé de dépôt d’une couche d’oxyde de vanadium comprenant au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B), présentant une uniformité de résistivité inférieure à une uniformité de résistivité obtenue avec un procédé de l’art antérieur. Pour cela, l’objet de l’invention est un procédé de dépôt d’une couche d’oxyde de vanadium comprenant au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome et le bore, dans un équipement de dépôt par pulvérisation d’au moins une cible par un faisceau d’ions, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : une phase de conditionnement comprenant les sous-étapes suivantes : dépôt d’un film à base d’oxyde de vanadium sur un substrat de test avec un débit d’oxygène initial détermination d’un débit d’oxygène intermédiaire comprenant le processus itératif suivant, dit premier processus itératif : augmentation du débit d’oxygène d’un incrément de débit d’oxygène prédéterminé pour obtenir un débit d’oxygène augmenté, dépôt d’un film à base d’oxyde de vanadium avec le débit d’oxygène augmenté, mesure d’une différence d’un paramètre du film induite par l’incrément de débit d’oxygène, le paramètre étant choisi parmi une vitesse de dépôt ou une résistivité ou une résistance du film répétition des étapes précédentes tant que la différence est supérieure à un seuil prédéterminé strictement inférieur à 0, un dépôt de la couche d’oxyde de vanadium sur un substrat produit avec un débit d’oxygène final inférieur strictement au débit d’oxygène intermédiaire égal au débit d’oxygène augmenté à l’issue du premier processus itératif. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé de dépôt sont les suivants. Le procédé de dépôt peut comprendre en outre une phase d’ajustement postérieure à la phase de conditionnement, comprenant le processus itératif suivant, dit deuxième processus itératif : réduction du débit d’oxygène d’un décrément de débit d’oxygène prédéterminé pour obtenir un débit d’oxygène réduit, dépôt d’un film à base d’oxyde de vanadium sur un substrat témoin avec le débit d’oxygène réduit, mesure d’une résistivité du film à base d’oxyde de vanadium, répétition des étapes précédentes tant que la résistivité est supérieure à une résistivité maximale prédéterminée, La phase d’ajustement peut être suivie du dépôt de la couche d’oxyde de vanadium sur le substrat produit au débit d’oxygène final égal au débit d’oxygène réduit à l’issue du deuxième processus itératif. La résistivité maximale prédéterminée peut être égale à 40 Ω.cm, elle peut préférentiellement être égale à 20 Ω.cm. Le dépôt du film à base d’oxyde de vanadium avec le débit d’oxygène augmenté peut être réalisé sur un substrat différent à chaque itération du premier processus itératif. Le paramètre peut être une vitesse de dépôt et la mesure de la différence de vitesses de dépôt peut être déduite de mesures d’épaisseurs des films à base d’oxyde de vanadium. Pour chaque itération du premier processus itératif, le seuil prédéterminé peut être égal à -15% de la vitesse de dépôt obtenue à l’itération précédente. L’équipement de dépôt peut comprendre une cible comprenant du vanadium et l’au moins un élément chimique additionnel. L’invention peut concerner également un procédé de fabrication d’un microbolomètre comportant un matériau sensible en oxyde de vanadium comprenant au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B), comprenant un procédé de dépôt selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes. L’invention peut concerner également un photodétecteur comprenant une matrice de microbolomètres comportant un matériau sensible commun aux microbolomètres en oxyde de vanadium comprenant au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome et le bore, le matériau sensible pouvant avoir une uniformité de résistivité inférieure ou égale à 5 %. Le matériau sensible du photodétecteur peut avoir une résistance de couche moyenne inférieure ou égale à une spécification d’un circuit de lecture du photodétecteur. Le matériau sensible du photodétecteur peut avoir une densité inférieure ou égale à 4,5. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : les figures 1A et 1B sont des vues schématiques et partielles, respectivement en perspective et en coupe suivant le plan A-A’, d’un microbolomètre selon un mode de réalisation, comportant un matériau sensible à base d’oxyde de vanadium ; la FIG. 2 est un graphe illustrant un cycle d’hystérésis fermé parcouru par la vitesse de dépôt (points carrés) de couches à base d’oxyde de vanadium et un cycle d’hystérésis fermé parcouru par l’uniformité de résistivité (points circulaires) des couches à base d’oxyde de vanadium, en fonction d’un débit d’oxygène ; la FIG. 3 est un graphe illustrant un cycle d’hystérésis fermé parcouru par la résistivité moyenne des couches à base d’oxyde de vanadium en fonction d’un débit d’oxygène ; la FIG. 4 est un graphe illustrant la répartition de densité de couches à base d’oxyde de vanadium déposées selon un premier régime de dépôt (cercles vides) et selon un deuxième régime de dépôt (cercles pleins) en fonction de la résistivité moyenne de la couche à base d’oxyde de vanadium. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l’ordre de » signifient à 10% près, et de préférence à 5% près. Par ailleurs, les termes « compris entre … et … » et équivalents signifient que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. L’invention porte sur procédé de dépôt par pulvérisation par faisceau d’ions (ou Ion Beam Sputter Deposition, en anglais) d’une couche d’oxyde de vanadium comprenant au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B). L’élément additionnel est incorporé à une cible contenant du vanadium ou à une cible indépendante d’une cible contenant du vanadium. De façon surprenante, les inventeurs ont constaté que l’incorporation d’une quantité d’élément chimique additionnel dans la couche d’oxyde de vanadium supérieure à une quantité minimale induit des cycles d'hystérésis fermés et superposés de l’uniformité de résistivité et de la vitesse de dépôt de la couche d’oxyde de vanadium en fonction du débit d’oxygène pendant le dépôt. Plus particulièrement, il a été constaté qu’une augmentation du débit d’oxygène au cours d’une première phase entraîne une augmentation de la résistivité de la couche d’oxyde de vanadium, jusqu’à atteindre un débit d’oxygène intermédiaire pour lequel la vitesse de dépôt chute brutalement d’une vitesse haute à une vitesse basse, et l’uniformité de résistivité atteint un plateau bas du cycle d'hystérésis fermé de l’uniformité de résistivité. Le plateau bas est tel que l’uniformité de résistivité est sensiblement constante à une uniformité de résistivité minimale nettement inférieure à une uniformité de résistivité obtenue lors de la première phase pour un même débit d’oxygène. L’uniformité de résistivité minimale est inférieure à 5%, voire inférieure à 3%. La différence entre la vitesse haute et la vitesse basse est supérieure à 15 %, voire supérieure à 30 %, de la vitesse haute. La quantité minimale est égale à 0.09 atomes de bore ou de chrome pour un atome de vanadium. Le procédé de dépôt de l’invention tire profit de cette constatation surprenante pour déposer une couche d’oxyde de vanadium comprenant du bore (B) ou du chrome (Cr) ayant une résistivité moyenne inférieure ou égale à une résistivité maximale prédéterminée, par exemple égale à 40 Ω.cm, voire égale à 20 Ω.cm, et une uniformité de résistivité inférieure ou égale à 5 %, voire inférieure ou égale à 3 %. Le procédé comprend une phase de conditionnement au cours de laquelle le débit d’oxygène est augmenté progressivement jusqu’à un débit d’oxygène intermédiaire pour lequel la vitesse de dépôt chute brutalement de la vitesse haute à la vitesse basse. Bien que la phase de conditionnement induise une augmentation de la résistivité moyenne au-dessus de la résistivité maximale prédéterminée, elle rend possible le dépôt d’une couche d’oxyde de vanadium comprenant du bore (B) ou du chrome (Cr) avec un débit d’oxygène inférieure strictement au débit d’oxygène intermédiaire, ayant une résistivité moyenne inférieure ou égale à la résistivité maximale prédéterminée, ceci avec une uniformité de résistivité inférieure ou égale à 5 %. La résistivité maximale prédéterminée peut par exemple correspondre à une spécification pour la réalisation d’un photodétecteur comprenant une matrice de microbolomètres, plus particulièrement à la réalisation d’un matériau sensible commun aux microbolomètres adapté à un circuit de lecture du photodétecteur. Dans toute la description, sauf mention contraire, l’ « uniformité de résistivité » d’une couche est égale à l’écart type des résistivités électriques mesurées en plusieurs positions de répartition uniforme sur la couche, par exemple en 49 positions, donné en pourcentage de la résistivité électrique moyenne de la couche. La résistivité électrique peut par exemple être déduite d’une mesure conventionnelle à quatre pointes de la résistance carré, par une multiplication de la résistance carré par l’épaisseur de la couche ou par l’épaisseur moyenne de la couche. L’épaisseur de la couche peut être mesurée par ellipsométrie ou par réflexion des rayons X. Les figures 1A et 1B sont des vues schématiques et partielles, respectivement en perspective et en coupe suivant le plan A-A, d’un microbolomètre 10 représentatif de la matrice de microbolomètres d’un tel photodétecteur 1, le microbolomètre 10 comportant un matériau sensible 15 à base d’oxyde de vanadium. Dans toute la description, une couche ou un matériau ou un film est à dit « à base d’oxyde de vanadium » lorsque le matériau ou la couche ou le film comprend majoritairement de l’oxyde de vanadium, et au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B). L’oxyde de vanadium est sous l’une quelconque de ses phases, la valeur du rapport stœchiométrique du nombre d’atomes d’oxygène sur le nombre d’atomes de vanadium est quelconque, c’est-à-dire que la composition atomique de la couche ou du matériau est quelconque pourvue qu’elle ou il comprenne majoritairement des atomes d’oxygène et de vanadium. Il peut être amorphe, éventuellement au moins en partie polycristallin. La quantité d’élément chimique additionnel est supérieure à la quantité minimale. Par matériau comportant majoritairement un composé, on entend un matériau dont au moins 50% de son volume est formé ou comporte le composé. Les indications relatives à la composition atomique d’un composé sont exprimées par sa formule chimique brute, exprimée conventionnellement par rapport à un (1) atome de vanadium. Ainsi, pour un composé VO x B y , mentionné ici à titre purement illustratif, la valeur x de la quantité d’oxygène est le nombre d’atomes d’oxygène pour 1 atome de vanadium, et la valeur y de la quantité de bore est le nombre d’atomes de bore pour 1 atome de vanadium. La valeur de la quantité de l’élément chimique est donnée à 10% près. Par ailleurs, la proportion atomique de chaque élément chimique dans le composé VO x B y est de 1/(1+x+y) pour le vanadium, de x/(1+x+y) pour l’oxygène, et de y/(1+x+y) pour le bore. La composition atomique d’une couche à base d’oxyde de vanadium peut être notamment déterminée par NRA (Nuclear Reaction Analysis), par RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy), par SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), par XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), en utilisant les étalons adaptés. Le microbolomètre 10 comporte une membrane absorbante 11 comprenant le matériau sensible 15 à base d’oxyde de vanadium, suspendue au-dessus d’un substrat 2 par des piliers d’ancrage 12 et des bras d’isolation thermique 13, ainsi qu’un circuit électronique de commande et de lecture (non représenté) situé dans le substrat 2. La membrane absorbante 11 est espacée du substrat 2, et en particulier d’une couche réflectrice 14 reposant sur le substrat 2, d’une distance non nulle. Cette distance est de préférence ajustée de manière à former une cavité quart d’onde optimisant l’absorption du rayonnement électromagnétique à détecter par la membrane suspendue 11. Le microbolomètre 10 est ici adapté à absorber un rayonnement infrarouge compris dans la bande de longueurs d’onde infrarouges longues (dite LWIR), allant de 8µm à 14µm environ. On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel orthogonal (X, Y, Z), où le plan XY est sensiblement parallèle au plan du substrat 2, l’axe Z étant orienté suivant une direction sensiblement orthogonale au plan du substrat 2. Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » s’entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant lorsqu’on s’éloigne du substrat 2 suivant la direction +Z. Comme l’illustre la FIG. 1 , la membrane absorbante 11 peut comporter une couche inférieure de support 20 réalisée en un matériau électriquement isolant sur laquelle reposent deux électrodes 21.1, 21.2 distinctes l’une de l’autre, réalisées par exemple en TiN qui présente une forte absorption du rayonnement infrarouge. Une couche mince du matériau sensible 15 repose sur la couche support 20 et vient au contact de chacune des deux électrodes 21.1, 21.2. Le matériau sensible 15 est ici recouvert d’une couche de protection 22, réalisée par exemple en un nitrure de silicium SiN ou un oxyde de silicium SiO, laquelle permet d’éviter toute contamination ultérieure du matériau sensible 15. Cet exemple est donné à titre purement illustratif et d’autres agencements des électrodes et du matériau sensible sont possibles. Par ailleurs, le microbolomètre 10 peut être situé dans une cavité hermétique sous vide définie par une structure d’encapsulation (non représentée), comme celle décrite dans la demande de brevet EP3067675. Alternativement, la matrice de microbolomètres 10 peut être placée dans une cavité hermétique où le photodétecteur 1 en entier peut être placé dans une enceinte hermétique sous vide. En lien avec les figures 2, 3 et 4, un cycle de dépôts d’une couche à base d’oxyde de vanadium comprenant du chrome (Cr) va être décrit. Une cible comprenant du vanadium (V) et du chrome (Cr) est introduite dans une chambre sous vide d’un équipement de dépôt par pulvérisation par un faisceau d’ions. Ici, la cible comprend 20% d’atomes chrome (Cr) par rapport au nombre d’atomes de vanadium (V), c’est-à-dire que la cible comprend 4 atomes de vanadium (V) pour un atome de chrome (Cr). La pression dans la chambre est comprise entre 1.10 -5 et 3.10 -4 Torr, par exemple égale à 10 -4 Torr. L’équipement comprend une source d’ions krypton (Kr). Les ions krypton (Kr) sont accélérés par un champ électrique pour atteindre une énergie, ici égale à 1000 eV, puis neutralisés en sortie de la source. Le courant d’ions krypton (Kr) est ici égal à 150 mA. Les atomes de krypton forment un faisceau dirigé vers la cible, la bombardant ainsi avec une énergie suffisante pour arracher des atomes de vanadium (V) et de chrome (Cr) de la cible. La chambre comprend en outre une arrivée d’oxygène associée à un moyen de régulation du débit d’oxygène et un support de plaque destiné à recevoir une plaque, ici une plaque de silicium ayant un diamètre de 200 mm. Les atomes de vanadium (V) et de chrome (Cr) arrachés à la cible s’associent aux atomes d’oxygène et se déposent sur une plaque déposée sur le support de plaque pour former une couche à base d’oxyde de vanadium. Le support de plaque est maintenu à la température ambiante. Sur les figures 2 et 3, le débit d’oxygène arrivant dans la chambre est donné sur l’axe des abscisses en sccm. En FIG. 2 , l’axe des ordonnées de gauche donne la vitesse de dépôt en nm/min et l’axe des ordonnées de droite, l’uniformité de résistivité en pourcentage. En FIG. 3 , l’axe des ordonnées donne la résistivité moyenne en Ω.cm. Sur les figures 2 à 4, chaque point expérimental correspond à un dépôt d’une couche à base d’oxyde de vanadium sur une plaque distincte. La durée du dépôt est la même pour tous les points expérimentaux, ici égale à 30 minutes. Avant chaque dépôt, une plaque est introduite dans la chambre depuis un sas sous vide, le sas sous vide pouvant être une station de chargement d’une cassette contenant plusieurs plaques. Entre chaque dépôt d’une plaque distincte, la pression dans la chambre reste alors sensiblement constante, par exemple comprise entre 10 -5 Torr et 3.10 -4 Torr. La cible est notamment la même pour tous les points expérimentaux du cycle. La résistivité électrique est mesurée en plaçant la plaque sur un support contrôlé en température, ici à température ambiante. Une mesure conventionnelle à quatre pointes de la résistance carré est opérée en 49 positions régulièrement réparties sur la plaque, la couche d’oxyde de vanadium étant déposée sur une couche diélectrique, ici une couche en nitrure de silicium. La résistivité électrique est obtenue en multipliant la résistance carré par l’épaisseur de la couche, mesurée par exemple par ellipsométrie ou par réflectométrie des rayons X (ou XRR, pour « X-Ray Reflectometry » en anglais). La résistivité moyenne est alors égale à la moyenne des résistivités électriques mesurées aux 49 positions. L’uniformité de résistivité est ici égale à l’écart type des résistivités électriques mesurées aux 49 positions, en pourcentage de la résistivité moyenne. Une première plaque est introduite dans la chambre et placée sur le support de plaque. Un premier dépôt d’une couche à base d’oxyde de vanadium est effectué pendant une première durée avec un débit d’oxygène égal à un débit d’oxygène initial de 4,00 sccm. La première plaque est retirée de l’équipement. Une mesure d’une épaisseur de la couche à base d’oxyde de vanadium est effectuée, par exemple par ellipsométrie ou par réflectométrie des rayons X (ou XRR, pour « X-Ray Reflectometry » en anglais). Une vitesse de dépôt est déterminée en divisant l’épaisseur par la première durée, ici égale à 6 nm/min (carré vide superposé à un carré plein sur la FIG. 2 ). Une mesure de résistivité en 49 positions est également effectuée pour déterminer une résistivité moyenne, ici égale à 20 Ω.cm (cercle vide superposé à un cercle plein sur la FIG. 3 ), et une uniformité de résistivité, ici égale à 22 % (1σ - cercle vide superposé à un cercle plein sur la FIG. 2 ). La même procédure est ensuite reproduite pour 9 plaques additionnelles pour obtenir un dépôt d’une couche d’oxyde de vanadium sur 9 plaques distinctes. Avant chaque dépôt sur une plaque distincte, le débit d’oxygène est augmenté d’un incrément de 0,03 sccm. D’une plaque additionnelle à l’autre, la résistivité augmente progressivement pour atteindre un maximum de résistivité égal à 150 Ω.cm pour un débit d’oxygène de 4,27 sccm. Dans le même temps, l’uniformité de résistivité reste au-dessus de 10% (1σ). Pour ces plaques additionnelles, la vitesse de dépôt est égale à une vitesse haute de 6,1 nm/min. Le débit d’oxygène est à nouveau augmenté d’un incrément de 0,03 sccm pour atteindre un débit d’oxygène intermédiaire égal à 4,30 sccm. Une dixième couche d’oxyde de vanadium est alors déposée sur une dixième plaque avec ce débit d’oxygène intermédiaire. Au passage d’un débit d’oxygène de 4,27 sccm au débit d’oxygène intermédiaire, il a été constaté une chute brutale de la vitesse de dépôt et de la résistivité moyenne. Au débit d’oxygène intermédiaire, la vitesse de dépôt est égale à une vitesse basse de 3,7 nm/min, et la résistivité moyenne est égale à 60 Ω.cm. La chute brutale de la vitesse de dépôt révèle un basculement entre un premier régime de dépôt à une vitesse haute et un deuxième régime de dépôt à une vitesse basse. Le débit d’oxygène est ensuite diminué par incréments successifs et une couche d’oxyde de vanadium est déposée pour chaque valeur incrémentale du débit d’oxygène. Jusqu’à un débit d’oxygène de 4,03 sccm, l’uniformité de résistivité reste sensiblement constante, égale à un plateau bas de 3 % (1σ), caractéristique du deuxième régime de dépôt. Au cours de ce deuxième régime de dépôt, la résistivité moyenne décroit jusqu’à atteindre une valeur de 10 Ω.cm pour un débit d’oxygène de 4,03 sccm. Ainsi il est possible d’ajuster la résistivité moyenne d’une couche à base d’oxyde de vanadium sans subir une variation de l’uniformité de résistivité. Le débit d’oxygène est une dernière fois diminué et fixé au débit d’oxygène initial. Une dernière couche d’oxyde de vanadium est déposée sur une dernière plaque au débit d’oxygène initial. La résistivité moyenne, l’uniformité de résistivité et la vitesse de dépôt mesurées sur cette dernière plaque sont respectivement identiques à la résistivité moyenne, l’uniformité de résistivité et la vitesse de dépôt mesurées sur la première plaque. Ainsi, la résistivité moyenne, l’uniformité de résistivité et la vitesse de dépôt parcourent des cycles d'hystérésis fermés. La FIG. 4 montre la valeur de la densité et la résistivité moyenne de chaque couche à base d’oxyde de vanadium obtenue au cours du cycle de dépôt des figures 2 et 3. L’axe des ordonnées donne la densité et l’axe des abscisses la résistivité moyenne en Ω.cm. Les cercles vides correspondent aux couches à base d’oxyde de vanadium obtenues avec le premier régime de dépôt. Les cercles pleins correspondent aux couches à base d’oxyde de vanadium obtenues avec le deuxième régime de dépôt. Avec le premier régime, les densités sont comprises entre 5,15 et 5,45. Avec le deuxième régime, les densités sont comprises entre 4,2 et 4,5. Ainsi, la densité de la couche à base d’oxyde de vanadium est une caractéristique intrinsèque du régime de dépôt utilisé pour l’obtention de la couche à base d’oxyde de vanadium. Une couche d’oxyde de vanadium de densité inférieure à 4,5 a été obtenue avec le deuxième régime de dépôt. Les compositions atomiques d’une première couche et d’une deuxième couche à base d’oxyde de vanadium ont été déterminées. La première et la deuxième couche ont été déposées respectivement selon le premier et le deuxième régime de dépôt avec des débits d’oxygène conduisant à des résistivités moyennes sensiblement égales. Il a alors été constaté que la première couche comprend un nombre d’atomes d’oxygène (O) pour un atome de vanadium (V) inférieur au nombre d’atomes d’oxygène (O) pour un atome de vanadium (V) de la deuxième couche, alors que les nombres d’atomes de chrome (Cr) pour un atome de vanadium sont sensiblement égaux. Ainsi, le nombre d’atomes d’oxygène pour un atome de vanadium et la résistivité définissent ensemble un couple de caractéristiques intrinsèques du régime de dépôt utilisé pour l’obtention de la couche à base d’oxyde de vanadium. Le Tableau 1 donne les caractéristiques de la première couche (première ligne) et de la deuxième couche (deuxième ligne). O/V est le nombre d’atomes d’oxygène (O) pour un atome de vanadium. Cr/V est le nombre d’atomes de chrome (Cr) pour un atome de vanadium. Résistivité moyenne (Ω.cm) Vitesse de dépôt (nm/min) Uniformité de résistivité (% 1σ) O/V Cr/V 8,96 6,1 33 1,74 0,263 12,9 3,9 3 2,19 0,254 Un cycle de dépôt similaire avec une cible vanadium-bore (VB) en lieu et place de la cible vanadium-chrome a permis de vérifier que la résistivité moyenne, l’uniformité de résistivité et la vitesse de dépôt d’une couche à base d’oxyde de vanadium comprenant du bore comme élément additionnel parcourent également des cycles d'hystérésis. La cible de vanadium-bore comprend 10% d’atomes bore (B) par rapport au nombre d’atomes de vanadium (V). Il a été mesuré, pour le premier régime de dépôt, une vitesse haute comprise entre 5 et 6 nm/min, une densité de la couche à base d’oxyde de vanadium comprise entre 5,1 et 5,3, et une uniformité de résistivité de la couche à base d’oxyde de vanadium comprise entre 30 % et 40 % (1σ). Pour le deuxième régime de dépôt, il a été mesuré une vitesse basse comprise entre 4 et 4,3 nm/min, une densité de la couche à base d’oxyde de vanadium comprise entre 4,3 et 4,4, et une uniformité de résistivité de la couche à base d’oxyde de vanadium inférieure à 5 % (1σ). A présent, un exemple de procédé de dépôt d’une couche à base d’oxyde de vanadium selon l’invention va être décrit. Le procédé de dépôt exploite les cycles d'hystérésis fermés des figures 2 et 3 pour obtenir une couche à base d’oxyde de vanadium sur un substrat. Le procédé de dépôt se déroule dans un équipement de dépôt par pulvérisation par un faisceau d’ions comprenant un système de pompes à vide, une source d’ions lourds, un sas et une chambre étanche. Le système de pompes à vide peut être constitué d’une unique pompe à vide. Il maintient la chambre à une pression interne correspondant à un vide au moins secondaire. Il maintient également le sas sous un vide au moins primaire. La pression interne est par exemple comprise entre 10 -5 et 3.10 -4 Torr. Les ions lourds peuvent être par exemple des ions argon, krypton ou Xenon. Le sas peut accueillir une plaque ou une cassette contenant plusieurs plaques. La chambre comprend au moins une cible, une arrivée d’oxygène associée à un moyen de régulation du débit d’oxygène, une voie de communication avec la source d’ions, une voie de communication avec le sas, un support de plaque et un moyen pour transférer une plaque du sas via la voie de communication avec le sas vers le support de plaque et inversement. Le moyen pour transférer une plaque est typiquement un robot. La cible comprend du vanadium (V) et un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B). La cible comprend par exemple 20% d’élément chimique additionnel par rapport au nombre d’atomes de vanadium (V). Alternativement, la chambre peut comprendre deux cibles, chacune comprenant du vanadium et/ou un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B). En fonctionnement, la source d’ions génère un faisceau d’atomes et/ou d’ions lourds au travers de la voie de communication avec la source d’ions, en direction de la (ou des) cible(s). Le faisceau a une énergie suffisante pour arracher l’élément atomique additionnel et le vanadium à la (ou les) cible(s). Le vanadium (V) et l’élément chimique additionnel s’associent à l’oxygène et se déposent sur une plaque placée sur le support de plaque par le moyen pour transférer une plaque. Le support de plaque peut maintenir la plaque à une température de dépôt constante. La température de dépôt peut être la température ambiante. Le procédé commence par une phase de conditionnement comprenant un premier processus itératif au cours duquel N films à base d’oxyde de vanadium sont successivement déposées sur N plaques distinctes, la pression de la chambre étant maintenue à la pression interne. Les N films et les N plaques sont numérotées de 0 à N-1, dans l’ordre des dépôts successifs. L’entier N peut être inconnu au début de la phase de conditionnement. Le film 0 à base d’oxyde de vanadium est déposé avec un débit d’oxygène égal à un débit d’oxygène initial, par exemple compris entre 4,00 sccm et 4,27 sccm, pendant une durée t 0 . Une mesure d’une épaisseur e 0 du film 0 est effectuée, par exemple par ellipsométrie, ou par réflectométrie des rayons X (ou XRR, pour « X-Ray Reflectometry » en anglais). La mesure peut être réalisée in-situ, c’est-à-dire à l’intérieur de la chambre, par exemple avec la plaque 0 sur le support de plaque. La mesure peut aussi être réalisée ex-situ, c’est-à-dire une fois la plaque 0 sortie de l’équipement. Une vitesse de dépôt v 0 du film 0 est alors déterminée en divisant l’épaisseur e 0 par la durée t 0 , c’est-à-dire que v 0 = e 0 /t 0 . L’étape de dépôt et la détermination d’une vitesse de dépôt v i à partir d’une mesure d’épaisseur sont répétées pour chaque itération i du premier processus itératif, en augmentant toutefois le débit d’oxygène d’une itération à la suivante. C’est-à-dire que chaque film i est déposé sur la plaque i avec un débit d’oxygène augmenté d’un incrément d i par rapport au débit d’oxygène utilisé lors du dépôt du film (i-1), i étant un entier compris entre 1 et N. Les incréments d i sont avantageusement tous égaux, par exemple égal à 0,3 sccm. Si la mesure d’épaisseur est réalisée in-situ, plusieurs films i peuvent être déposés sur une même plaque. La vitesse de dépôt v i à l’itération i est alors égale à la différence d’épaisseurs mesurées aux itérations i et i-1 divisée par la durée t i du dépôt, c’est-à-dire que v i = (e i – e i-1 )/t i . Le premier processus itératif se termine lorsque la différence de la vitesse de dépôt induite par l’incrément de débit d’oxygène est inférieure à un seuil prédéterminé S v strictement inférieur à 0. C’est-à-dire que (V N – V N-1 ) est inférieur strictement au seuil prédéterminé, et (V i – V i-1 ) est supérieur strictement au seuil prédéterminé pour tout entier i compris entre 1 et N-1. Le seuil prédéterminé S v peut également être défini en pourcentage de la vitesse de dépôt à l’itération précédente. Dans ce cas, 100(V N – V N-1 )/V N-1 est inférieur strictement au seuil prédéterminé, et 100(V i – V i-1 )/V i-1 est supérieur strictement au seuil prédéterminé pour tout entier i compris entre 1 et N-1. Le seuil prédéterminé est par exemple égal à -15 % de la vitesse de dépôt obtenue à l’itération précédente. En se référant au cycle de dépôt décrit en lien avec les figures 2 à 4, le débit d’oxygène de l’itération N est égal à un débit d’oxygène intermédiaire pour lequel le dépôt passe d’un premier régime de dépôt à un deuxième régime de dépôt. Alternativement, le passage du premier régime de dépôt au deuxième régime de dépôt peut être déterminé par une comparaison d’une différence de résistivité ρ ou de résistance de couche R à un seuil prédéterminé. C’est-à-dire que (ρ N – ρ N-1 ) ou (R N – R N-1 ) est inférieur strictement au seuil prédéterminé, et (ρ i – ρ i-1 ) ou (R i – R i-1 ) est supérieur strictement au seuil prédéterminé pour tout entier i compris entre 1 et N-1. Dans ce cas, les mesures de vitesse de dépôt et d’épaisseur sont optionnelles. Postérieurement à la phase de conditionnement, le procédé de dépôt comprend une phase d’ajustement comprenant une réduction du débit d’oxygène pour obtenir un débit d’oxygène final strictement inférieur au débit d’oxygène intermédiaire. A l’issue de la phase de conditionnement, la couche à base d’oxyde de vanadium est déposée avec le débit d’oxygène final. Ainsi, la couche à base d’oxyde de vanadium est déposée dans le deuxième régime de dépôt et a par conséquent une faible uniformité de résistivité, par exemple inférieure à 5% et une faible densité, par exemple inférieure à 4,5. La réduction du débit d’oxygène pour obtenir le débit d’oxygène final peut comprendre un deuxième processus itératif. A chaque itération j du deuxième processus itératif, un film j à base d’oxyde de vanadium est déposé sur une plaque j distincte, avec un débit d’oxygène diminué d’un décrément d’ j par rapport au débit d’oxygène de l’itération j-1. Une mesure de résistivité ou de résistance de couche du film j est effectuée. Avantageusement tous les décréments d’ i sont égaux, ici à -0,03 sccm. Le deuxième processus itératif se termine lorsque le débit d’oxygène atteint un débit d’oxygène final pour lequel la résistivité ou la résistance de couche du film j est inférieur respectivement à une résistivité maximale ou résistance de couche maximale prédéterminées. En référence aux figures 1 et 2, la résistivité ou la résistance de couche est ajustée au cours du deuxième processus itératif sans impacter l’uniformité de résistivité. Il est par exemple possible de mesurer la résistivité en un nombre réduit de points à chaque itération, par exemple 1 à 3 points. A l’issue du deuxième processus itératif, la couche d’oxyde de vanadium est déposée au débit d’oxygène final. Le procédé ci-dessus décrit peut être mis en œuvre pour la réalisation du matériau sensible 15 des microbolomètres 10 du photodétecteur 1 des figures 1A et 1B. Dans ce cas, les premier et deuxième processus itératifs peuvent être exécutés sur des plaques de test vierges, c’est-à-dire dépourvues de couches structurées. Les plaques de test peuvent être des plaques de silicium, éventuellement recouverte d’une couche diélectrique. Ensuite, une couche à base d’oxyde de vanadium est déposée avec le débit d’oxygène final sur un empilement de couches intermédiaires reposant sur le substrat 2 qui peut, à ce stade, comprendre le circuit électronique de commande et de lecture. La couche à base d’oxyde de vanadium est ensuite gravée pour réaliser le matériau sensible 15. Ainsi, comme la couche à base d’oxyde de vanadium est issue du deuxième régime de dépôt, le matériau sensible 15 a sensiblement la même résistivité au niveau de tous les microbolomètres de la matrice de microbolomètres du photodétecteur 1, ce qui permet d’augmenter la dynamique du photodétecteur 1. De plus, si plusieurs photodétecteurs 1 sont fabriqués en parallèle sur le même substrat 2, le matériau sensible a sensiblement la même résistivité au niveau de tous les microbolomètres de tous les détecteurs, adaptée à un design de circuit de lecture commun à tous les photodétecteurs. La densité faible de la couche à base d’oxyde de vanadium dont est issu le matériau sensible 15, par exemple inférieure à 4,5, permet de diminuer la capacité calorifique de la planche du microbolomètre et, par voie de conséquence, d’améliorer la sensibilité du photodétecteur 1. Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier. Procédé de dépôt d’une couche d’oxyde de vanadium comprenant au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B), dans un équipement de dépôt par pulvérisation d’au moins une cible par un faisceau d’ions, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : une phase de conditionnement comprenant les sous-étapes suivantes : dépôt d’un film à base d’oxyde de vanadium sur un substrat de test avec un débit d’oxygène initial détermination d’un débit d’oxygène intermédiaire comprenant le processus itératif suivant, dit premier processus itératif : augmentation du débit d’oxygène d’un incrément de débit d’oxygène prédéterminé pour obtenir un débit d’oxygène augmenté, dépôt d’un film à base d’oxyde de vanadium avec le débit d’oxygène augmenté, mesure d’une différence d’un paramètre du film induite par l’incrément de débit d’oxygène, le paramètre étant choisi parmi une vitesse de dépôt ou une résistivité ou une résistance du film répétition des étapes précédentes tant que la différence est supérieure à un seuil prédéterminé strictement inférieur à 0, un dépôt de la couche d’oxyde de vanadium sur un substrat produit avec un débit d’oxygène final inférieur strictement au débit d’oxygène intermédiaire égal au débit d’oxygène augmenté à l’issue du premier processus itératif. Procédé de dépôt selon la revendication 1, comprenant en outre une phase d’ajustement postérieure à la phase de conditionnement, comprenant le processus itératif suivant, dit deuxième processus itératif : réduction du débit d’oxygène d’un décrément de débit d’oxygène prédéterminé pour obtenir un débit d’oxygène réduit, dépôt d’un film à base d’oxyde de vanadium sur un substrat témoin avec le débit d’oxygène réduit, mesure d’une résistivité du film à base d’oxyde de vanadium, répétition des étapes précédentes tant que la résistivité est supérieure à une résistivité maximale prédéterminée, la phase d’ajustement étant suivie du dépôt de la couche d’oxyde de vanadium sur le substrat produit au débit d’oxygène final égal au débit d’oxygène réduit à l’issue du deuxième processus itératif. Procédé de dépôt selon la revendication 2, dans lequel la résistivité maximale prédéterminée est égale à 40 Ω.cm, préférentiellement égale à 20 Ω.cm. Procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le dépôt du film à base d’oxyde de vanadium avec le débit d’oxygène augmenté est réalisé sur un substrat différent à chaque itération du premier processus itératif. Procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le paramètre est une vitesse de dépôt et la mesure de la différence de vitesses de dépôt est déduite de mesures d’épaisseurs des films à base d’oxyde de vanadium. Procédé de dépôt selon la revendication 5, dans lequel pour chaque itération du premier processus itératif, le seuil prédéterminé est égal à -15% de la vitesse de dépôt obtenue à l’itération précédente. Procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’équipement de dépôt comprend une cible comprenant du vanadium et l’au moins un élément chimique additionnel. Procédé de fabrication d’un microbolomètre comportant un matériau sensible en oxyde de vanadium comprenant au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B), comprenant un procédé de dépôt selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 pour réaliser le matériau sensible. Photodétecteur (1) comprenant une matrice de microbolomètres (10) comportant un matériau sensible (15) commun aux microbolomètres en oxyde de vanadium comprenant au moins un élément chimique additionnel choisi parmi le chrome (Cr) et le bore (B), le matériau sensible ayant une uniformité de résistivité inférieure ou égale à 5 %. Photodétecteur (1) selon la revendication 10, dans lequel le matériau sensible a une résistance de couche moyenne inférieure ou égale à une spécification d’un circuit de lecture du photodétecteur (1). Photodétecteur (1) selon les revendications 10 ou 11, dans lequel le matériau sensible (15) a une densité inférieure ou égale à 4,5.