FR 3162101 A1 20251114 FR 2404854 A 20240511 L’invention concerne une structure multicouche configurée pour un dispositif à ondes élastiques (11) en particulier guidées ou quasi-guidées avec des pertes inférieurs à 5mdB/λ, le dispositif à ondes élastiques comprenant au moins un transducteur (19) et fonctionnant avec une onde élastique avec une longueur d’onde de cisaillement λ et de préférence avec une fréquence inférieure à 1GHz, en particulier avec une fréquence entre 500 MHz et 1 GHz, la structure multicouche comprenant : une couche piézoélectrique (3), une couche diélectrique (5), et un substrat de base (7), la couche piézoélectrique (3) étant en tantalate de lithium LiTaO 3 (LTO), la couche diélectrique (5) étant en oxyde de silicium (SiO 2 ) et le substrat de base (7) étant un substrat silicium, en particulier silicium (100) ou (111). Cette structure est caractérisée en ce que la couche piézoélectrique (3) a une orientation (YX l )/θ avec θ entre 30° et 50°, de préférence de θ =42° ou de θ = 50° selon la définition standard IEEE 1949 std-176, h LTO /λ est entre 0,10 et 0,30, en particulier entre 0,15 et 0,25, h LTO étant l’épaisseur de la couche piézoélectrique et λ la longueur d’onde de cisaillement du dispositif à ondes élastiques et, h SiO2 /λ est supérieure à 0,10 de préférence entre 0,15 et 0,30, h SiO2 étant l’épaisseur de la couche diélectrique. L’invention concerne également un procédé de fabrication. Fig. 1 Structure multicouche pour un dispositif à ondes élastiques L’invention concerne des structures multicouches pour un dispositif à ondes élastiques et des procédés de fabrication de telles structures. Les dispositifs utilisant des ondes élastiques ont vu leurs emplois sensiblement augmenter et ce, pour diverses applications telles que le filtrage, la manipulation et le traitement de signaux ou encore le sondage. Dans ce contexte, des structures multicouches de type couche piézoélectrique sur isolant ou POI (du terme anglo-saxon « piezoelectric-on-insulator ») sur lesquelles sont ensuite disposées des peignes d’électrodes interdigitées ont été développées afin d’améliorer les performances de ces dispositifs. Selon un premier objet, la présente invention vise à améliorer les performances des dispositifs électro-élastiques en réduisant les pertes d’énergie. Selon un deuxième objet, la présente invention vise également à améliorer les performances des dispositifs électro-élastiques, en particulier, en réduisant la sensibilité des dispositifs liée aux imprécisions de leur fabrication. Le premier objet de l’invention est réalisé par une structure multicouche selon l’invention configurée pour un dispositif à ondes élastiques en particulier guidées ou quasi-guidées avec des pertes inférieurs à 5mdB/λ, le dispositif à ondes élastiques comprenant au moins un transducteur et fonctionnant avec une onde élastique avec une longueur d’onde de cisaillement λ et de préférence avec une fréquence inférieure à 1GHz, en particulier avec une fréquence entre 500 MHz et 1 GHz, la structure multicouche comprenant : une couche piézoélectrique, une couche diélectrique et un substrat de base, la couche piézoélectrique étant en tantalate de lithium LiTaO 3 (LTO), la couche diélectrique étant en oxyde de silicium (SiO 2 ) et le substrat de base étant un substrat de silicium, en particulier du silicium Si(100) ou Si(111), caractérisée en ce que, la couche piézoélectrique a une orientation (YX l )/θ avec θ entre 30° et 50°, en particulier θ entre 42° et 50°, encore plus de préférence de θ =30°, de θ = 36°, de θ = 42° ou de θ = 50° selon la définition standard IEEE 1949 std-176, h LTO /λ est entre 0,10 et 0,3, en particulier entre 0,15 et 0,25, h LTO étant l’épaisseur de la couche piézoélectrique et λ la longueur d’onde de cisaillement du dispositif à ondes élastiques et, h SiO2 /λ est supérieure à 0,10 de préférence entre 0,15 et 0,30, h SiO2 étant l’épaisseur de la couche diélectrique. Avec la structure multicouche selon l’invention il devient possible d’obtenir des couplages k 2 supérieurs à 10%, en particulier supérieur à 11%. Le deuxième objet de l’invention est réalisé par une structure multicouche configurée pour un dispositif à ondes élastiques en particulier guidées ou quasi-guidées avec des pertes inférieurs à 5mdB/λ, le dispositif à ondes élastiques comprenant au moins un transducteur et fonctionnant avec une onde élastique avec une longueur d’onde de cisaillement λ et de préférence avec une fréquence inférieure à 1GHz, en particulier avec une fréquence entre 500 MHz et 1 GHz, plus en particulier entre 600 MHz et 900 MHz, la structure multicouche comprenant : une couche piézoélectrique, une couche diélectrique, et un substrat de base, la couche piézoélectrique étant en tantalate de lithium LiTaO 3 (LTO), la couche diélectrique étant en oxyde de silicium (SiO 2 ) et le substrat de base étant un substrat silicium, en particulier du silicium Si(100) ou Si(111), caractérisée en ce que, la couche piézoélectrique a une orientation (YX l )/θ avec θ entre 30° et 50°, en particulier θ entre 42° et 50°, encore plus de préférence de θ =30°, de θ = 36°, de θ = 42° ou de θ = 50° selon la définition standard IEEE 1949 std-176, et le produit f.h LTO de la fréquence f et de l’épaisseur h LTO de la couche diélectrique est inférieur à 1 GHz.µm, de préférence entre 0,7 GHz.µm et 0,9 GHz.µm, et h SiO2 est supérieure à 500 nm, de préférence 600 nm SiO2 SiO2 étant l’épaisseur de la couche diélectrique. Dans cette gamme de paramètre il devient possible d’avoir un couplage au-delà de 11% et une sensibilité réduite de la vitesse de l’onde de cisaillement par rapport à des variations de l’épaisseur de la couche de LTO. Selon un mode de réalisation, la structure multicouche peut comprendre deux peignes d’électrodes interdigités avec des doigts de peignes en Aluminium avec une épaisseur des doigts de peignes d’électrodes h Al , une largeur des doigts de peignes d’électrodes a et un pas p entre deux doigts directement adjacents appartenant à des peignes d’électrodes interdigités différents, dans laquelle h Al /λ est fixé entre 0,03 et 0,09, en particulier entre 0,04 et 0,08 et, a/p est fixé entre 0,35 et 0,5, en particulier a/p est entre 0,375 et 0,475. Ainsi il devient possible d’encore améliorer la valeur du couplage pour obtenir des valeurs au-delà de 11%. Selon un mode de réalisation, a/p peut être tel que dk 2 /d(a/p) = 0 et/ou h Al /λ peut être telle que dk 2 /d(h Al /λ) = 0. Ainsi, la structure devient moins sensible pour des variations d’épaisseur h Al des électrodes et/ou de la largeur des doigts de peignes a. Ceci réduit les contraintes sur la précision lors de la fabrication du transducteur. Selon un mode de réalisation, a/p peut être fixé entre 0,045 et 0,475 et/ou h Al /λ peut être fixé entre 0,04 et 0,06, en particulier entre 0,04 et 0,05. Dans cette gamme de valeur, la sensibilité du couplage k² aux variations de a et de h Al est réduite. Selon un mode de réalisation, la structure multicouche peut comprendre deux peignes d’électrodes interdigités avec des doigts de peigne en Aluminium avec une épaisseur des doigts de peignes d’électrodes h Al , une largeur des doigts de peignes d’électrodes a et un pas p entre deux doigts directement adjacents appartenant à des peignes d’électrodes interdigités différents, dans laquelle h Al /λ est supérieure à 0,04 et en particulier h Al /λ est entre 0,04 et 0,06. Pour cette structure on observe une réflectivité lRl supérieure à 10% par doigt de peigne. Cette réflectivité lRl est proportionnelle à la largeur de la bande d’arrêt de propagation des ondes étudiées sous un réseau périodique infini d’électrodes agencées selon les conditions de Bragg, soit 2×p = λ. Selon un mode de réalisation, a/p peut être tel que dlRl/d(a/p) = 0. Ainsi, la structure devient moins sensible aux variations de la largeur des doigts de peigne a. Ceci réduit les contraintes sur la précision lors de la fabrication du transducteur. Selon un mode de réalisation, a/p peut être inférieur à 0,0475 en particulier entre 0,0375 et 0,0475. Pour ces valeurs, la sensibilité de réflectivité lRl envers des variations de la largeur des doigts de peigne a reste faible voir nul. Selon un mode de réalisation, la valeur du produit f.h LTO peut correspondre à la valeur pour laquelle la dérivé dk 2 /d(f.h LTO ) = 0. Ainsi le couplage de la structure multicouche devient moins sensible aux variations de l’épaisseur de la couche piézoélectrique. Selon un mode de réalisation, la valeur du produit f.h LTO peut correspond à la valeur pour laquelle la dérivé dv/d(f.h LTO ) = 0, v étant la vitesse de propagation de l’onde de cisaillement. Ainsi la vitesse de l’onde de cisaillement de la structure multicouche devient moins sensible aux variations de l’épaisseur de la couche piézoélectrique. Selon un mode de réalisation, h LTO peut être égale ou plus grand que 600 nm, en particulier égale ou plus grand que 750 nm ou égale ou plus grand que 1 µm et/ou dans laquelle h SiO2 est égale ou plus grand que 600 nm, en particulier égale ou plus grand que 1 µm. Ainsi il devient possible de travailler dans la gamme de fréquence allant de 600 à 900 Mhz. Selon un mode de réalisation, l’homogénéité de l’épaisseur h SiO2 de la couche diélectrique peut être meilleure que l’homogénéité de l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique, en particulier pour des longueurs d’onde λ entre 4µm et 8µm. Ceci permet d’améliorer la sensibilité du couplage ou de la fréquence de fonctionnement aux variations d’épaisseurs. Selon un mode de réalisation, l’homogénéité de l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique est meilleure que l’homogénéité de l’épaisseur h SiO2 de la couche diélectrique, en particulier pour des longueurs d’onde λ plus grandes que 4µm. Ceci permet d’améliorer la sensibilité du couplage ou de la fréquence de fonctionnement aux variations d’épaisseurs. Selon une variante de l’invention, la structure multicouche peut comprendre une couche de piégeage, en particulier une couche de silicium poly-cristallin, intercalée entre la couche diélectrique et le substrat de base. Cette couche riche en piège améliore les propriétés isolantes de la structure multicouche et par conséquent, les performances du dispositif. Selon un mode de réalisation, le substrat silicium présente une résistivité supérieure à 2 kΩ.cm et avantageusement supérieure à 4kΩ.cm. Ainsi les courants de fuite dans le silicium peuvent être réduite de sorte de réduire les pertes du mode. Selon une variante de l’invention, l’épaisseur de la couche de piégeage peut être entre 500 nm et 1 µm. Dans cette gamme d’épaisseur l’effet d’isolation est satisfaisant pour la plupart des applications, en particulier si le substrat de silicium présente une résistivité supérieure à 4kΩ.cm. Les objets de l’invention sont également atteints par le procédé de fabrication d’un substrat tel que décrit ci-dessus et comprenant les étapes : d’implantation d’ions dans un substrat donneur comprenant une couche piézoélectrique de tantalate de lithium pour créer une zone de fragilisation à l’intérieur de la couche de tantalate de lithium, d’assemblage du substrat donneur avec la face principale de la couche de tantalate de lithium avec un substrat de base via une couche diélectrique, et de détachement de la couche piézoélectrique au niveau de la zone de fragilisation du reste du substrat donneur. Ce procédé permet de réaliser les structures multicouches selon l’invention avec un rendement élevé. Selon une variante, de l’invention, l’épaisseur de la couche transférée peut être supérieure ou égale à 600 nm, de préférence supérieure ou égale à 750 nm. En utilisant des couches de LTO plutôt épaisses permet d’exploiter la région des basses fréquences, notamment entre 500 MHz et 1 GHz. Selon une variante de l’invention, l’épaisseur de la couche transférée peut être inférieure ou égale à 1 µm, de préférence inférieure ou égale à 500 nm. Le transfert de couche par implantation d’ions permet d’accéder à cette plage d’épaisseurs avec une homogénéité de l’épaisseur de l’ordre de ±35 nm, voire ±20nm ou mieux. Selon une variante de l’invention, l’étape de détachement peut être suivie par une croissance épitaxiale, en particulier homoépitaxiale, d’une couche piézoélectrique sur la couche transférée. Ainsi on peut obtenir des couches piézoélectriques avec une épaisseur voulue même si l’épaisseur est au-delà de l’épaisseur accessible par un procédé de transfert de couche. L’objet de l’invention est également obtenu par un procédé de détermination d’un substrat multicouche configuré pour un dispositif à ondes élastiques en particulier guidées ou quasi-guidées avec des pertes inférieurs à 5mdB/λ, le dispositif à ondes élastiques comprenant au moins un transducteur et fonctionnant avec une onde élastique avec une longueur d’onde de cisaillement λ et de préférence avec une fréquence inférieure à 1GHz, en particulier avec une fréquence entre 500 MHz et 1 GHz, le substrat multicouche comprenant une couche piézoélectrique, une couche diélectrique, et un substrat de base, la couche piézoélectrique, en particulier étant en tantalate de lithium LiTaO 3 (LTO), la couche diélectrique étant en oxyde de silicium (SiO 2 ) et le substrat de base étant un substrat de silicium, en particulier du silicium Si(100) ou Si(111), comprenant les étapes : déterminer pour une longueur d’onde de fonctionnement prédéterminée l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique (3) et/ou h SiO2 de la couche diélectrique (5), telle que la valeur absolue de la différence de la valeur de couplage Δk² entre le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO et/ou h SiO2 et le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche piézoélectrique et/ou une épaisseur h SiO2 ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche diélectrique, est inférieure à 1%, de préférence inférieure à 0,5%, encore plus en préférence égal à 0, et/ou déterminer pour une longueur d’onde de fonctionnement prédéterminée l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique (3) et/ou h SiO2 de la couche diélectrique (5), telle que la valeur absolue de la différence de la valeur de la fréquence Δf entre la fréquence f pour une épaisseur h LTO et/ou h SiO2 et la fréquence f pour une épaisseur h LTO ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche piézoélectrique et/ou une épaisseur h SiO2 ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche diélectrique, est inférieur à 1%, de préférence inférieure à 0,5%, encore plus en préférence égale à 0. Ce procédé peut être combiné avec le procédé tel que décrit ci-dessus. Selon une variante, au lieu de déterminer le delta de la fréquence on peut aussi déterminer la vitesse de l’onde pour prendre en compte la dispersion. De préférence le substrat de base a une résistivité supérieure à 2 kΩ.cm et avantageusement supérieure à 4kΩ.cm. Avec ce procédé il devient possible de fabriquer des structures multicouches selon l’invention avec moins de sensibilité envers des variations d’épaisseurs de la couche piézoélectrique et/ou de la couche diélectrique. Selon un mode de réalisation, la détermination de l’homogénéité de la couche piézoélectrique et/ou de la couche diélectrique peut être réalisée par ellipsométrie. Les objets de l’invention sont également atteints avec un dispositif à ondes élastiques de surface et/ou en volume, en particulier un filtre ou résonateur, comprenant une structure multicouche telle que décrite ci-dessus. Le dispositif à ondes élastiques se caractérise donc en ce que le couplage du mode de cisaillement est amélioré par rapport à son utilisation avec des substrats connus tout en réduisant l’impact du mode de Rayleigh. Le dispositif à ondes élastiques se caractérise donc également par une sensibilité réduite par rapport à des variations d’épaisseurs de la couche piézoélectrique ou de la couche diélectrique ou de la couche des électrodes. Les objets de l’invention sont également atteints avec un dispositif acoustique comprenant au moins deux dispositifs à ondes élastiques tels que décrits ci-dessus qui fonctionnent à des longueurs d’onde différentes, en particulier des ondes élastiques de cisaillement dans une plage de longueurs d’onde allant de 4 µm à 8 µm et dont les transducteurs des au moins deux dispositifs à ondes élastiques sont réalisés sur la même structure multicouche. En utilisant une structure multicouche selon l’invention, il devient possible d’utiliser un seul type de substrat pour différentes gammes de longueurs d’onde tout en travaillant avec un couplage pour le mode de cisaillement élevé en même temps qu’un couplage inférieur à 1% pour le mode de Rayleigh. L’invention sera mieux comprise et d’autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre non limitatif, et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : La FIG. 1 est un schéma illustrant une structure multicouche configurée pour un dispositif à ondes élastiques selon un premier mode de réalisation de l’invention. La FIG. 2 illustre un procédé de transfert d’une couche piézoélectrique selon l’invention. La FIG. 3 illustre le couplage k 2 pour le mode de cisaillement en fonction des épaisseurs h LTO et h SIO2 pour θ de 42°. La FIG. 4 illustre le couplage k 2 pour le mode de cisaillement en fonction des épaisseurs h LTO et h SIO2 pour θ de 50°. La FIG. 5 illustre le couplage k 2 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dk 2 /d(a/p) pour θ de LTO égale à 42°. La FIG. 5 illustre le couplage k 2 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dk 2 /d(a/p) pour θ de LTO égale à 50°. La FIG. 5 illustre le couplage k 2 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dk 2 /d(a/p) pour θ de LTO égale à 36°. La FIG. 6 illustre le couplage k 2 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dk 2 /d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 42°. La FIG. 6 illustre le couplage k 2 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dk 2 /d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 50°. La FIG. 6 illustre le couplage k 2 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dk 2 /d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 36°. La FIG. 7 illustre la réflectivité d’un doigt d’électrode pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dlRl/d(a/p) pour θ de LTO égale à 42°. La FIG. 7 illustre la réflectivité d’un doigt d’électrode pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dlRl/d(a/p) pour θ de LTO égale à 50°. La FIG. 7 illustre la réflectivité d’un doigt d’électrode pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dlRl/d(a/p) pour θ de LTO égale à 36°. La FIG. 8 illustre la réflectivité d’un doigt d’électrode pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dlRl/d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 42°. La FIG. 8 illustre la réflectivité d’un doigt d’électrode pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dlRl/d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 50°. La FIG. 8 illustre la réflectivité d’un doigt d’électrode pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p du transducteur et la dérivé dlRl/d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 36°. La FIG. 9 illustre la couplage k 2 en % sur l’axe des ordonnées de droite et la vitesse de l’onde de cisaillement v en m/s sur l’axe des ordonnées de gauche dans un dispositif à ondes élastiques en fonction du produit f×h LTO de la fréquence f de l’onde de cisaillement et de l’épaisseur h LTO en GHz×µm pour différentes épaisseurs h SiO2 de 200 nm à 600 nm. La FIG. 9 illustre la couplage k 2 en % sur l’axe des ordonnées de droite et la vitesse de l’onde de cisaillement v en m/s sur l’axe des ordonnées de gauche dans un dispositif à ondes élastiques en fonction du produit f×h LTO de la fréquence f de l’onde de cisaillement et de l’épaisseur h LTO en GHz×µm pour différentes épaisseurs h SiO2 de 700 nm à 1000 nm. La FIG. 10 illustre pour un structure multicouche 1 comme illustré sur la FIG. 1 le delta en pourcent entre le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique et le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO +/- 20 nm en fonction la longueur d’onde. La FIG. 11 illustre pour un structure multicouche 1 comme illustré sur la FIG. 1 le delta en pourcent entre la fréquence pour une épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique et la fréquence pour une épaisseur h LTO + 20 nm. La FIG. 13 illustre un procédé de détermination d’un substrat multicouche. La FIG. 13 illustre un mode de réalisation avec quatre dispositifs à ondes élastiques 11_1 à 11_4 avec quatre longueurs d’onde de fonctionnement différentes sur une même structure multicouche. La FIG. 14 illustre le module de l’admittance harmonique lYl en dB en fonction de la fréquence f en MHz pour les orientations du (YX l )/θ de LTO pour θ de 25°. La FIG. 14 illustre le module de l’admittance harmonique lYl en dB en fonction de la fréquence f en MHz pour les orientations du (YX l )/θ de LTO pour θ de 30°. La FIG. 14 illustre le module de l’admittance harmonique lYl en dB en fonction de la fréquence f en MHz pour les orientations du (YX l )/θ de LTO pour θ de 36°. La FIG. 14 illustre le module de l’admittance harmonique lYl en dB en fonction de la fréquence f en MHz pour les orientations du (YX l )/θ de LTO pour θ de 42°. La FIG. 14 illustre le module de l’admittance harmonique lYl en dB en fonction de la fréquence f en MHz pour les orientations du (YX l )/θ de LTO pour θ de 50°. La FIG. 14 illustre le module de l’admittance harmonique lYl en dB en fonction de la fréquence f en MHz pour les orientations du (YX l )/θ de LTO pour θ de 55°. La FIG. 14 illustre le module de l’admittance harmonique lYl en dB en fonction de la fréquence f en MHz pour les orientations du (YX l )/θ de LTO pour θ de 60°. L'invention va être décrite plus en détail en utilisant des modes de réalisation avantageux, à titre d’exemples, et par référence aux dessins. Les modes de réalisation décrits sont simplement des configurations possibles de sorte que les caractéristiques individuelles telles que décrites peuvent être fournies indépendamment les unes des autres ou peuvent être omises lors de la mise en œuvre de la présente invention. La FIG. 1 illustre une structure multicouche 1 pour un dispositif à ondes élastiques 11, comme par exemple un filtre ou résonateur. La structure multicouche 1 comprend une couche piézoélectrique 3, une couche diélectrique 5 et un substrat de base 7. La couche piézoélectrique 3 est en tantalate de lithium LaTiO 3 (LTO) avec une orientation (YX l )/θ selon le standard IEEE 1949 std-176. La couche piézoélectrique 3 a une épaisseur h LTO . La couche diélectrique 5 est en oxyde de silicium (SiO 2 ). La couche diélectrique 5 a une épaisseur h SiO2. Le substrat de base 7 est une plaquette de silicium, en particulier du Silicium monocristallin avec une orientation de la surface selon la direction (100). Selon une variante, le substrat peut avoir une orientation de la surface selon la direction (111). De préférence, la résistivité du substrat de base est supérieure à 2 kΩ.cm et avantageusement supérieure à 4kΩ.cm. Selon une alternative, une couche de piégeage peut être agencée entre la couche diélectrique 5 et le substrat de base 7. Cette couche peut être une couche de silicium poly-cristallin. Cette couche peut avoir une épaisseur allant de 500 nm à 1 µm. Deux peignes d’électrodes 13 et 15 sont agencés sur la surface 17 de la couche piézoélectrique. Les doigts de peigne 13a, 13b, 13c du peigne d’électrodes 13 sont interdigités avec les doigts de peigne 15a, 15b, 15c du peigne d’électrodes 15 pour former un transducteur 19. Les peignes d’électrodes 13 et 15 sont en aluminium ou un alliage à base majoritaire d’Aluminium, comme par exemple du AlCu (0,5 à 4% de Cu), AlTi ou AlSi. Les doigts 13a-13c et 15a-15c ont une largeur a et une hauteur h Al . Les doigts 13a – 13c du premier peigne 13 sont distancés des doigts 15a – 15c directement adjacent du deuxième peigne 15 d’un pas p. Le dispositif à ondes élastiques 11 fonctionne préférentiellement ainsi à une longueur d’onde λ = 2p, selon la condition de Bragg. La structure multicouche 1 peut être fabriquée par un procédé de transfert de couche d’un substrat donneur vers un substrat support, ici le substrat de base 7 avec la couche diélectrique 5. Un tel procédé de transfert de la couche piézoélectrique 3 est illustré dans la FIG. 2 . Il comporte lors de l’étape A la fourniture d'un substrat donneur 21 composé de l'assemblage d'une couche épaisse 23, typiquement d’une épaisseur comprise entre 5 et 400 µm, formée du matériau piézoélectrique, ici du tantalate de lithium, et d'un substrat manipulateur 25. Le coefficient de dilatation thermique du substrat manipulateur 25 étant similaire à celui du substrat de base 7 avec la couche diélectrique 5 ou au moins, plus proche que le coefficient de dilatation thermique de la couche épaisse 23 par rapport au substrat de base 7. Ici on utilise de préférence du silicium pour le substrat manipulateur 25 comme pour le substrat de base 7. La préparation d’un tel substrat donneur 21 est connue par WO2019002080A1 ou WO2019186032A1. Pour réaliser l’invention on choisit d’abord la bonne orientation θ pour la couche épaisse 25. Ensuite, lors de l’étape B, des espèces légères 27, en particulier des ions d’hydrogène H + ou d’hélium He 2+ , sont introduites dans la couche épaisse 23 pour y générer un plan de fragilisation 29 et définir la couche piézoélectrique 3 entre le plan de fragilisation 29 et la face principale libre 31 de la couche épaisse 23. Cette étape est connue sous le nom d’implantation ionique. Ensuite, lors de l’étape C la face principale libre 31 de la couche épaisse 23 est assemblée avec le substrat de base 7 via la couche diélectrique 5 présente sur une face principale 33 du substrat de base 7. Finalement, lors de l’étape D, le détachement de la couche piézoélectrique 3 au niveau du plan de fragilisation 29 est obtenu par un apport d’énergie mécanique et/ou thermique pour obtenir la structure multicouche 1. L’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 transférée est de préférence supérieure ou égale à 600 µm, en particulier de 750nm et préférentiellement inférieure ou égale à 1µm. Le procédé décrit ci-dessus peut être recommencé avec le substrat manipulateur 25 et le reste de la couche épaisse 23’ encore présente sur le substrat manipulateur 25. Selon une alternative, le procédé de fabrication peut comprendre une étape de croissance épitaxiale, de préférence homoépitaxiale pour agrandir l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 transférée. Ainsi, on peut obtenir l’épaisseur souhaitée même si les limites hautes du procédé pour l’épaisseur de la couche transférée sont dépassées. Selon une autre alternative, on peut utiliser un procédé sans transfert de couche utilisant une couche de fragilisation. Dans cette alternative un substrat piézoélectrique de tantalate de lithium est collé à un substrat de base 7 via une couche diélectrique 5. Ensuite on procède à une ou plusieurs étapes d’amincissement, par exemple en utilisant un ou plusieurs des méthodes de rectification ou polissage grossier ou grinding en terminologie anglo-saxonne, polissage chimio-mécanique ou CMP en terminologie anglo-saxonne, d’un ajustement d’épaisseur local ou trimming en terminologie anglo-saxonne et de la gravure sèche potentiellement réactive et assistée par plasma, afin d’obtenir l’épaisseur souhaitée. Les FIG. 3 et FIG. 4 illustrent, dans une représentation topographique, le couplage k 2 en % pour le mode de cisaillement en fonction des épaisseurs h LTO et h SIO2 pour des orientations (YX l )/ θ avec des angles θ de 42° et 50°. Les épaisseurs sont normalisées par rapport à la longueur d’onde λ du dispositif à ondes élastiques 11 qui est obtenu à partir du pas p du transducteur λ = 2p (condition de Bragg). Pour la simulation, une structure multicouche caractérisée par une épaisseur h LTO de 600 nm, une épaisseur h SiO2 de 500 nm et un substrat de base en Si (100) a été utilisée. De plus, une couche de piégeage en silicium poly-cristallin de 1000 nm était présente. La simulation numérique a été réalisée en utilisant la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). La FIG. 3 illustre les résultats, pour l’orientation (YX l )/42°, de la couche piézoélectrique 3. On observe sur la représentation un k 2 élevé pour h LTO /λ entre 10% et 20%, en particulier entre 15% et 18% et pour h SiO2 /λ supérieure à 10% de préférence entre 15% et 30%, h SiO2 étant l’épaisseur de la couche diélectrique. Pour la structure multicouche avec l’orientation (YX l )/42° de la couche piézoélectrique 3, l’optimisation des paramètres h LTO /λ = 17% et h SIO2 /λ = 19% avec a/p =0,5 et h AL /λ =7,5% aboutit à un k 2 du mode de cisaillement d’environ 11%. La FIG. 4 illustre les résultats, pour l’orientation (YX l )/50°, de la couche piézoélectrique 3. On observe sur la représentation un k 2 élevé pour h LTO /λ entre 10% et 20%, en particulier entre 15% et 18% et pour h SiO2 /λ supérieure à 10% de préférence entre 15% et 30%, h SiO2 étant l’épaisseur de la couche diélectrique. Pour la structure multicouche avec l’orientation (YX l )/50° de la couche piézoélectrique 3, l’optimisation des paramètres h LTO /λ = 17% et h SIO2 /λ = 19% avec a/p =0,5 et h AL /λ =7,5% aboutit à un k 2 du mode de cisaillement d’environ 10%. Le choix de h LTO /λ et de h SIO2 /λ permet ainsi d’obtenir une valeur de couplage optimisée par rapport à d’autres épaisseurs. Les FIG. 5 et FIG. 6 illustrent dans une représentation topographique, le couplage k 2 en % pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p des doigts du peigne d’électrodes 13 et du peigne d’électrodes 15 du transducteur 19. La FIG. 5 illustre de plus la dérivé dk 2 /d(a/p) pour θ de LTO égale à 42°. La FIG. 6 illustre de plus la dérivé dk 2 /d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 42°. Une structure multicouche caractérisée par une épaisseur h LTO de 1 µm, une épaisseur h SiO2 de 1 µm et un substrat de base en Si (111), défini comme (XZwlt)/-45°/-54,7°/45°, avec le méplat (flat) du substrat à 45° par rapport à celui de la couche de LTO a été utilisée pour la simulation. De plus, une couche de piégeage en silicium poly-cristallin de 1 µm était présente. La simulation numérique a été réalisée en utilisant la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). La notion fem-bim se réfère à « finite element method – boundary integrated method ». Les courbes de dispersion de k² ont été paramétrées avec un polynôme d’ordre 3 selon a/p et h Al /λ. Les paramètres de l’ajustement polynomial ont ensuite été utilisés pour calculer les dérivés dk 2 /d(a/p) et dk 2 /d(h Al /λ). On observe une région avec couplage k² au-delà de 11% dans la région pour un h Al /λ inférieur à 0,09, en particulier pour la région entre 0,03 et 0,09, encore plus en particulier dans la région entre 0,04 et 0,08 et, et pour a/p entre 0,35 et 0,5, en particulier a/p entre 0,375 et 0,475. En choisissant la région dans laquelle les dérivés dk 2 /d(a/p) et dk 2 /d(h Al /λ) s’annulent, un transducteur 19 moins sensible aux variations d’épaisseur h Al et de largeur a est obtenu. Ceci permet de réduire les contraintes sur la fabrication d’une telle structure. Ainsi pour a/p entre 0,045 et 0,475, la dérivé dk 2 /d(a/p), illustré par 51a, est zéro, voir inférieure à 0,05 en valeur absolue. Pour h Al /λ entre 0,04 et 0,06, la dérivé dk 2 /d(h Al /λ), illustré par 61a est zéro, voir inférieure à 0,1 en valeur absolue. Les deux courbes 51a et 61a se coupent dans une région de a/p entre 0,045 et 0,475 et de h Al /λ entre 0,04 et 0,05 Les FIG. 7 et FIG. 8 illustrent dans une représentation topographique, la réflectivité lRl en % d’un doigt de peigne d’électrode du transducteur 19 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p des doigts de peigne du peigne d’électrodes 13 et du peigne d’électrodes 15 du transducteur 19. La FIG. 7 illustre de plus la dérivé dlRl/d(a/p) pour θ de LTO égale à 42°. La FIG. 8 illustre de plus la dérivé dlRl/d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 42°. Une structure multicouche caractérisée par une épaisseur h LTO de 1 µm, une épaisseur h SiO2 de 1 µm et un substrat de base en Si (111), définie comme (XZwlt)/-45°/-54,7°/45°, avec le méplat (flat) du substrat à 45° par rapport à celui de la couche de LTO a été utilisée pour la simulation. De plus, une couche de piégeage en silicium poly-cristallin de 1 µm était présente. La simulation numérique a été réalisée en utilisant la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). Les courbes de dispersion de la réflectivité lRl ont été paramétrées avec un polynôme d’ordre 3 en a/p et h/λ. Les paramètres de l’ajustement polynomial (best fit) ont ensuite été utilisés pour calculer les dérivés dlRl/d(a/p) et dlRl/d(h Al /λ). On observe sur la FIG. 7 une région pour laquelle la réflectivité lRl d’un doigt de peigne d’électrode du transducteur 19 est au-delà de 10%. Cette région se trouve pour h Al /λ supérieur à 0,04, en particulier pour la région entre 0,04 et 0,06. De plus, en choisissant une valeur de a/p inférieur à 0,0475 la sensibilité par rapport aux variations de a/p peut être réduite, car on trouve des valeurs de la dérivée dlRl/d(a/p) faibles voire nulles. La région préférée se trouve pour a/p entre 0,0375 et 0,0475 quel que soit h/λ entre 3 et 10 %. La tracée 71a illustre la possibilité d’obtenir dlRl/d(a/p) = 0 ce qui rend la réflectivité moins sensible aux variations de a/p. Ceci permet de réduire les contraintes sur la fabrication d’une telle structure. La FIG. 8 illustre qu’une faible sensibilité aux variations de l’épaisseur h Al peut seulement être trouvée pour des largeurs a des doigts faibles, notamment en dessous de 0,3. En effet contrairement à a/p pour h Al la dérivée ne s’annule pas dlRl/d(h Al /λ). Ces épaisseurs ne sont pas souhaitables car des modes d’ordre trois indésirables apparaissent dans le fonctionnement du dispositif. Ainsi, les contraintes de fabrication concernant l’uniformité à travers un wafer sont plus importantes pour l’épaisseur h Al que pour la largeur a des doigts. Les FIG. 5 et FIG. 6 illustrent dans une représentation topographique, le couplage k 2 en % pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p des doigts du peigne d’électrodes 13 et du peigne d’électrodes 15 du transducteur 19. La FIG. 5 illustre de plus la dérivé dk 2 /d(a/p) pour θ de LTO égale à 50°. La FIG. 6 illustre de plus la dérivé dk 2 /d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 50°. La simulation numérique a été réalisée pour θ=50° en utilisant par ailleurs la même structure que pour θ=42° et la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). Les courbes de dispersion de k² ont été paramétrées avec un polynôme d’ordre 3 selon a/p et h Al /λ. Les paramètres de l’ajustement polynomial ont ensuite été utilisés pour calculer les dérivés dk 2 /d(a/p) et dk 2 /d(h Al /λ). On observe une région avec couplage k² au-delà de 10% dans la région pour un h Al /λ inférieur à 0,09, en particulier pour la région entre 0,03 et 0,09, encore plus en particulier dans la région entre 0,04 et 0,08 et, et pour a/p entre 0,35 et 0,5, en particulier a/p entre 0,375 et 0,475. En choisissant la région dans laquelle les dérivés dk 2 /d(a/p) et dk 2 /d(h Al /λ) s’annulent, un transducteur 19 moins sensible aux variations d’épaisseur h Al et de largeur a est obtenu. Ceci permet de réduire les contraintes sur la fabrication d’une telle structure. Ainsi pour a/p entre 0,045 et 0,475, la dérivé dk 2 /d(a/p), illustré par 51b, est zéro, voir inférieure à 0,05 en valeur absolue. Pour h Al /λ entre 0,04 et 0,06, la dérivé dk 2 /d(h Al /λ), illustré par 61b est zéro, voir inférieure à 0,1 en valeur absolue. Les deux courbes 51b et 61b se coupent dans une région de a/p entre 0,045 et 0,475 et de h Al /λ entre 0,04 et 0,05 Les FIG. 7 et FIG. 8 illustrent dans une représentation topographique, la réflectivité lRl en % d’un doigt de peigne d’électrode du transducteur 19 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p des doigts de peigne du peigne d’électrodes 13 et du peigne d’électrodes 15 du transducteur 19. La FIG. 7 illustre de plus la dérivé dlRl/d(a/p) pour θ de LTO égale à 50°. La FIG. 8 illustre de plus la dérivé dlRl/d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 50°. La simulation numérique a été réalisée pour θ=50° en utilisant par ailleurs la même structure que pour θ=42° et la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). Les courbes de dispersion de la réflectivité lRl ont été paramétrées avec un polynôme d’ordre 3 en a/p et h/λ. Les paramètres de l’ajustement polynomial (best fit) ont ensuite été utilisés pour calculer les dérivés dlRl/d(a/p) et dlRl/d(h Al /λ). On observe sur la FIG. 7 une région pour laquelle la réflectivité lRl d’un doigt de peigne d’électrode du transducteur 19 est au-delà de 10%. Cette région se trouve pour h Al /λ supérieur à 0,04, en particulier pour la région entre 0,04 et 0,06. De plus, en choisissant une valeur de a/p inférieur à 0,0475 la sensibilité par rapport aux variations de a/p peut être réduite, car on trouve des valeurs de la dérivée dlRl/d(a/p) faibles voire nulles. La région préférée se trouve pour a/p entre 0,0375 et 0,0475 quel que soit h/λ entre 3 et 10 %. La tracée 71b illustre la possibilité d’obtenir dlRl/d(a/p) = 0 ce qui rend la réflectivité moins sensible aux variations de a/p. Ceci permet de réduire les contraintes sur la fabrication d’une telle structure. La FIG. 8 illustre qu’une faible sensibilité aux variations de l’épaisseur h Al peut seulement être trouvée pour des largeurs a des doigts faibles, notamment en dessous de 0,3. En effet contrairement à a/p pour h Al la dérivée ne s’annule pas dlRl /d(h Al /λ). Ces épaisseurs ne sont pas souhaitables car des modes d’ordre trois indésirables apparaissent dans le fonctionnement du dispositif. Ainsi, les contraintes de fabrication concernant l’uniformité à travers un wafer sont plus importantes pour l’épaisseur h Al que pour la largeur a des doigts. Les FIG. 5 et FIG. 6 illustrent dans une représentation topographique, le couplage k 2 en % pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p des doigts du peigne d’électrodes 13 et du peigne d’électrodes 15 du transducteur 19. La FIG. 5 illustre de plus la dérivé dk 2 /d(a/p) pour θ de LTO égale à 36°. La FIG. 6 illustre de plus la dérivé dk 2 /d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 36°. La simulation numérique a été réalisée pour θ=36° en utilisant par ailleurs la même structure que pour θ=42° et en utilisant la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). Les courbes de dispersion de k² ont été paramétrées avec un polynôme d’ordre 3 selon a/p et h Al /λ. Les paramètres de l’ajustement polynomial ont ensuite été utilisés pour calculer les dérivés dk 2 /d(a/p) et dk 2 /d(h Al /λ). On observe une région avec couplage k² au-delà de 11,5% dans la région pour un h Al /λ inférieur à 0,09, en particulier pour la région entre 0,03 et 0,09, encore plus en particulier dans la région entre 0,04 et 0,08 et, et pour a/p entre 0,35 et 0,5, en particulier a/p entre 0,375 et 0,475. En choisissant la région dans laquelle les dérivés dk 2 /d(a/p) et dk 2 /d(h Al /λ) s’annulent, un transducteur 19 moins sensible aux variations d’épaisseur h Al et de largeur a est obtenu. Ceci permet de réduire les contraintes sur la fabrication d’une telle structure. Ainsi pour a/p entre 0,045 et 0,475, la dérivé dk 2 /d(a/p), illustré par 51c, est zéro, voir inférieure à 0,05 en valeur absolue. Pour h Al /λ entre 0,04 et 0,06, la dérivé dk 2 /d(h Al /λ), illustré par 61c est zéro, voir inférieure à 0,1 en valeur absolue. Les deux courbes 51c et 61c se coupent dans une région de a/p entre 0,045 et 0,475 et de h Al /λ entre 0,04 et 0,05 Les FIG. 7 et FIG. 8 illustrent dans une représentation topographique, la réflectivité lRl en % d’un doigt de peigne d’électrode du transducteur 19 pour le mode de cisaillement en fonction des paramètres h Al et a/p des doigts de peigne du peigne d’électrodes 13 et du peigne d’électrodes 15 du transducteur 19. La FIG. 7 illustre de plus la dérivé dlRl/d(a/p) pour θ de LTO égale à 36°. La FIG. 8 illustre de plus la dérivé dlRl/d(h Al /λ) pour θ de LTO égale à 36°. La simulation numérique a été réalisée pour θ=36° en utilisant par ailleurs la même structure que pour θ=42° et en utilisant la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). Les courbes de dispersion de la réflectivité lRl ont été paramétrées avec un polynôme d’ordre 3 en a/p et h/λ. Les paramètres de l’ajustement polynomial (best fit) ont ensuite été utilisés pour calculer les dérivés dlRl/d(a/p) et dlRl/d(h Al /λ). On observe sur la FIG. 7 une région pour laquelle la réflectivité lRl d’un doigt de peigne d’électrode du transducteur 19 est au-delà de 10%. Cette région se trouve pour h Al /λ supérieur à 0,04, en particulier pour la région entre 0,04 et 0,06. De plus, en choisissant une valeur de a/p inférieur à 0,0475 la sensibilité par rapport aux variations de a/p peut être réduite, car on trouve des valeurs de la dérivée dlRl/d(a/p) faibles voire nulles. La région préférée se trouve pour a/p entre 0,0375 et 0,0475 quel que soit h/λ entre 3 et 10 %. La tracée 71b illustre la possibilité d’obtenir dlRl/d(a/p) = 0 ce qui rend la réflectivité moins sensible aux variations de a/p. Ceci permet de réduire les contraintes sur la fabrication d’une telle structure. La FIG. 8 illustre qu’une faible sensibilité aux variations de l’épaisseur h Al peut seulement être trouvée pour des largeurs a des doigts faibles, notamment en dessous de 0,3. En effet contrairement à a/p pour h Al la dérivée ne s’annule pas dlRl/d(h Al /λ). Ces épaisseurs ne sont pas souhaitables car des modes d’ordre trois indésirables apparaissent dans le fonctionnement du dispositif. Ainsi, les contraintes de fabrication concernant l’uniformité à travers un wafer sont plus importantes pour l’épaisseur h Al que pour la largeur a des doigts. La FIG. 9 et la FIG. 9 illustrent le couplage k 2 en % sur l’axe des ordonnées de droite et la vitesse de l’onde de cisaillement v en m/s sur l’axe des ordonnées de gauche dans un dispositif à ondes élastiques 11 tel qu’illustré dans la FIG. 1 en fonction du produit f×h LTO de la fréquence f de l’onde de cisaillement et de l’épaisseur h LTO en GHz×µm pour différentes épaisseurs h SiO2 de 200 nm à 1000 nm. Une structure multicouche avec un substrat de base en Si (111), définie comme (XZwlt)/-45°/-54,7°/45°, avec le méplat (flat en terminologie anglo saxonne) du substrat à 45° par rapport à celui de la couche de LTO et une couche de piégeage en silicium poly-cristallin de 1 µm a été utilisée pour la simulation. L’orientation de la couche de LTO était de θ = 42° La simulation numérique a été réalisée en utilisant la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). Sur la FIG. 9 les courbes 90 à 94 illustrent le couplage k 2 en fonction de f*h LTO pour des épaisseurs h SiO2 de 600 nm, 500 nm, 400 nm, 300 nm et 200 nm respectivement. Les courbes 95 à 99 illustrent la vitesse v en fonction de f×h LTO pour des épaisseurs h SiO2 de 600 nm, 500 nm, 400 nm, 300 nm et 200 nm respectivement. Sur la FIG. 9 les courbes 150 à 153 illustrent le couplage k 2 en fonction de f*h LTO pour des épaisseurs h SiO2 de 1000 nm, 900 nm, 800 nm, et 700 nm respectivement. Les courbes 154 à 157 illustrent la vitesse v en fonction de f×h LTO pour des épaisseurs h SiO2 de 1000 nm, 900 nm, 800 nm et 700 nm respectivement. La FIG. 9 et la FIG. 9 illustrent que le maximum de couplage k 2 se trouve à des valeurs de f×h LTO plutôt inférieure à 1 GHz.µm pour les différentes épaisseurs de la couche diélectrique et est comprise typiquement entre 0,45 et 0,8 GHz.µm alors que la stabilité de vitesse, donc la région avec la dérivée dv/d(f×h LTO ) faible voire nulle, vers des valeurs de f×h LTO plutôt supérieures à 0,8 GHz.µm. Néanmoins des couplages supérieurs à 11% avec des vitesses qui ne changent que peu en fonction de f×h LTO sont accessibles pour des valeurs de f×h LTO inférieurs à 1 GHz.µm, en particulier pour des valeurs entre 0,7 et 0,9 GHz.µm et ceci notamment pour des épaisseurs de la couche d’oxyde de silicium de 500 nm et plus. De préférence, on choisit une épaisseur de la couche d’oxyde de silicium de 600 nm , en particulier entre 600 nm et 700 nm car le couplage k 2 peut être maximisé par rapport aux autres épaisseurs. Pour des épaisseurs encore plus élevées et même de 1 µm ou plus les figures illustrent qu’on peut avoir un couplage élevé avec une stabilité de la vitesse du mode meilleure que pour les épaisseurs plus faible. Pour pouvoir accéder aux fréquence de fonctionnement entre 600 et 900 MHz, on travaille de préférence avec des épaisseurs de la couche LTO égales à ou plus grandes que 600 nm, en particulier égales à ou plus grandes que 750 nm ou égale ou plus grand que 1 µm Dans une variante selon l’invention on choisit une épaisseur de la couche LTO pour une fréquence de fonctionnement telle que la valeur du produit f.h LTO correspond à la valeur pour laquelle la dérivé dk 2 /d(f×h LTO ) = 0. Ainsi le couplage de la structure est moins sensible aux variations d’épaisseur de la couche LTO et en même temps la valeur du couplage est élevée. Selon une autre variante, on choisit une épaisseur pour laquelle la valeur du produit f×h LTO correspond à la valeur pour laquelle la dérivé dv/d(f.h LTO ) = 0, v étant la vitesse de propagation de l’onde de cisaillement. Ainsi la vitesse de l’onde de cisaillement est moins sensible aux variations d’épaisseur de la couche LTO ce qui permet de stabiliser la fréquence de fonctionnement. La structure multicouche selon ce mode de réalisation peut être réalisée avec un transducteur 19 ayant des propriétés concernant a/p et h Al telles que décrites par rapport aux FIG. 5 à FIG. 8 . La FIG. 10 illustre pour un structure multicouche 1 comme illustré sur la FIG. 1 , avec le numéro de référence 101, le delta en pourcent entre le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 et le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO + 20 nm, ainsi qu’avec le numéro de référence 103 le delta entre le couplage k 2 pour l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 et le couplage k 2 pour une l’épaisseur h LTO - 20 nm pour des longueurs d’onde λ de fonctionnement entre 1 µm et 8 µm. La FIG. 10 illustre également avec le numéro de référence 105 le delta en pourcent entre le couplage k 2 pour l’épaisseur h SiO2 de la couche diélectrique 5 et le couplage k 2 pour l’épaisseur h SiO2 + 20 nm, ainsi qu’avec le numéro de référence 107 le delta entre le couplage k 2 pour l’épaisseur h LTO de la couche diélectrique et le couplage k 2 de l’épaisseur h LTO - 20 nm. La FIG. 11 illustre pour un structure multicouche 1 comme illustré sur la FIG. 1 , avec le numéro de référence 111 le delta en MHz entre la fréquence f pour une épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 et la fréquence f pour une épaisseur h LTO + 20 nm, ainsi qu’avec le numéro de référence 113 le delta entre la fréquence f pour l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 et la fréquence pour une l’épaisseur h LTO - 20 nm pour des longueurs d’onde λ de fonctionnement entre 1 µm et 8 µm. La FIG. 11 illustre également avec le numéro de référence 115 le delta en pourcent entre la fréquence f pour l’épaisseur h SiO2 de la couche diélectrique 5 et la fréquence pour l’épaisseur h SiO2 + 20 nm, ainsi qu’avec le numéro de référence 117 le delta entre la fréquence pour l’épaisseur h LTO de la couche diélectrique et la fréquence de l’épaisseur h LTO - 20 nm. Une structure multicouche avec un substrat de base en Si (100) et une couche de piégeage en silicium poly-cristallin de 1 µm a été utilisée pour la simulation des FIG. 10 et FIG. 11 . L’épaisseur h LTO de la couche 3 de LTO était de 600 nm et l’orientation de θ = 42°. L’épaisseur h SiO2 de la couche diélectrique était de 500 nm. Concernant le transducteur 19, l’épaisseur h Al /λ = 7,5% et a/p = 0,5. La simulation numérique a été réalisée en utilisant la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). On observe sur la FIG. 10 que le couplage k² est plus sensible aux inhomogénéités d’épaisseur de la couche piézoélectrique 3 qu’aux inhomogénéités d’épaisseur de la couche diélectrique 5 à partir d’environ 4 µm pour la structure multicouche 1 simulée. Pour des longueurs d’onde plus petites, le comportement est inversé. Le couplage k² devient moins sensible aux inhomogénéités d’épaisseur de la couche piézoélectrique 3 qu’aux inhomogénéités d’épaisseur de la couche diélectrique 5. La sensibilité par rapport aux variations d’épaisseur de la couche diélectrique 5 change de signe vers 3 µm. La sensibilité aux variations d’épaisseur de la couche piézoélectrique 3 change également en fonction de la longueur d’onde et change de signe vers 3,5 µm. On peut donc trouver une plage de longueurs d’onde entre 3 et 3,5 µm pour laquelle la sensibilité du couplage par rapport aux variations d’épaisseur des deux couches reste faible. On observe sur la FIG. 11 que la fréquence f est plus sensible aux inhomogénéités d’épaisseur de la couche piézoélectrique 3 qu’aux inhomogénéités d’épaisseur de la couche diélectrique 5 à partir d’environ 4µm. Le comportement est inversé pour des longueurs d’onde plus petites. Le couplage k² devient plus sensible aux inhomogénéités d’épaisseur de la couche piézoélectrique 3 qu’aux inhomogénéités d’épaisseur de la couche diélectrique 5. La sensibilité par rapport aux variations d’épaisseur de la couche diélectrique 5 est presque constante autour de 1 MHz, pendant que la sensibilité aux variations d’épaisseur de la couche piézoélectrique 3 change en fonction de la longueur d’onde et change même de signe. Ainsi vers 4,5 µm, une longueur d’onde existe pour laquelle la sensibilité de la fréquence par rapport aux variations d’épaisseur de la couche piézoélectrique s’annule. Pour favoriser la stabilité du couplage k² par rapport aux variations d’épaisseur des couches piézoélectrique 3 et diélectrique 5 l’invention propose de fournir la couche piézoélectrique 3 avec une meilleure homogénéité d’épaisseur que la couche diélectrique 5 lorsque pour une longueur d’onde λ donnée, le delta k² est plus grand pour la couche piézoélectrique 3 que pour la couche diélectrique 5 et de fournir la couche diélectrique 5 avec une meilleure homogénéité d’épaisseur que la couche diélectrique 3 lorsque pour une longueur d’onde λ donnée, le delta k² est plus petit pour la couche piézoélectrique 3 que pour la couche diélectrique 5. De même, pour favoriser la stabilité de la fréquence par rapport aux variations d’épaisseurs des couches piézoélectrique 3 et diélectrique 5 l’invention propose de fournir la couche piézoélectrique 3 avec une meilleure homogénéité d’épaisseur que la couche diélectrique 5 lorsque pour une longueur d’onde λ donnée le delta f est plus grand pour la couche piézoélectrique 3 que pour la couche diélectrique 5 et de fournir la couche diélectrique 5 avec une meilleure homogénéité d’épaisseur que la couche diélectrique 3 lorsque pour une longueur d’onde λ donnée, le delta f est plus petit pour la couche piézoélectrique 3 que pour la couche diélectrique 5. L’homogénéité de l’épaisseur des couches piézoélectrique 3 et diélectrique 5 peut par exemple être déterminée par ellipsométrie. Le même comportement a été observé pour une structure multicouche 1 avec une orientation de θ = 50°. La FIG. 12 illustre un procédé de détermination d’un substrat multicouche selon un autre mode de réalisation de l’invention. Le substrat multicouche est un substrat tel que montré à la FIG. 1 et configuré pour un dispositif à ondes élastiques 11 en particulier pour des ondes élastiques guidées ou quasi-guidées avec des pertes inférieures à 5mdB/λ. La méthode comprend l’étape 121 de déterminer pour une longueur d’onde de fonctionnement prédéterminée l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 et/ou h SiO2 de la couche diélectrique 5, telle que la valeur absolue de la différence de la valeur de couplage Δk² entre le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO et/ou h SiO2 et le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO ± δ, δ étant inférieur ou égale à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche piézoélectrique et/ou une épaisseur h SiO2 ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche diélectrique, est inférieure à 1%, de préférence inférieure à 0,5%, encore plus en préférence égale à 0. Après la détermination de l’épaisseur de la couche piézoélectrique et/ou l’épaisseur de la couche diélectrique, on procède à la fabrication 123 du substrat multicouche telle que décrit ci-dessus par rapport à la FIG. 2 ou on choisit un substrat multicouche correspondant à partir d’un stock de substrats fabriqués antérieurement. En variante l’étape 121 peut consister à déterminer pour une longueur d’onde de fonctionnement prédéterminée l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 et/ou h SiO2 de la couche diélectrique 5, telle que la valeur absolue de la différence de la valeur de la fréquence Δf entre la fréquence f pour une épaisseur h LTO et/ou h SiO2 et la fréquence f pour une épaisseur h LTO ± δ, δ étant inférieur ou égale à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche piézoélectrique et/ou une épaisseur h SiO2 ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche diélectrique, est inférieure à 1%, de préférence inférieure à 0,5%, encore plus en préférence égale à 0. Selon une deuxième variante, les deux premières variantes peuvent être réalisées ensemble. La détermination de l’homogénéité de la couche piézoélectrique 3 et/ou de la couche diélectrique 5 peut être réalisée par tout procédé connu par l’homme de l’art, en particulier par ellipsométrie. Avec l’ellipsométrie, on obtient la cartographie des épaisseurs pour les deux couches à partir de laquelle on peut déterminer l’écart de l’homogénéité qui est la différence entre les épaisseurs maximal et minimal des couches divisées par deux. Selon une variante, au lieu de déterminer le delta de la fréquence on peut aussi déterminer la vitesse de l’onde pour prendre en compte la dispersion. La FIG. 13 illustre un mode de réalisation avec quatre dispositifs à ondes élastiques 11_1 à 11_4 avec quatre longueurs d’onde de fonctionnement différentes sur un même support multicouche 1. Ainsi, le support multicouche 1 et les paramètres a et p du transducteur 19 sont choisis tels que des dispositifs à ondes élastiques 11_1 à 11_4 travaillent avec des longueurs d’onde entre 4 µm et 8 µm permettent un fonctionnement entre 500 MHz à 1 GHz. On peut ainsi utiliser pour différents pas p entre électrodes adjacentes de peignes interdigités, et donc pour différentes longueurs d’onde de cisaillement λ, une même structure multicouche bien qu’elle soit utilisée pour une longueur d’onde de cisaillement λ différente de celle pour laquelle elle a été initialement conçue. La seule contrepartie a l’utilisation d’une structure multicouche à une fréquence f différente de celle pour laquelle elle a été conçue est une diminution relative du coefficient de couplage. Les FIG. 14 à FIG. 14 illustrent le module de l’admittance harmonique lYl en dB en fonction de la fréquence f en MHz pour les orientations du (YX l )/θ de LTO pour θ allant de 25 à 60°.En comparant sur une échelle logarithmique la valeur absolue de l’admittance harmonique lYl en S en fonction de la fréquence f en MHz des orientations (YX l )/θ pour θ allant de 25° à 60° de la couche piézoélectrique 3. On observe la résonance 141a à 141g et à plus haute fréquence, l’anti-résonance 143a à 143g du mode de cisaillement. Le mode de Rayleigh 145a à 145g est beaucoup plus faible et pour θ =42° et 50° quasiment absent. A plus haute fréquence est également visible le mode 147a à 147g dû à la présence d’une couche de piégeage. Ce mode diminue avec l’angle θ croissant et n’est quasiment plus visible à partir de θ > 0. Pour ces simulations, la structure multicouche comprenait un substrat de base en Si (111) avec une de piégeage en silicium poly-cristallin de 1 µm. L’épaisseur h SiO2 de la couche diélectrique était de 1 µm et l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique 3 de LTO était de 1 µm. Concernant le transducteur 19, l’épaisseur h Al /λ = 6 % et a/p = 0,475. La simulation numérique a été réalisée en utilisant la méthode décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics 93, 702 (2003). Une structure multicouche configurée pour un dispositif à ondes élastiques (11) en particulier guidées ou quasi-guidées avec des pertes inférieurs à 5mdB/λ, le dispositif à ondes élastiques comprenant au moins un transducteur (19) et fonctionnant avec une onde élastique avec une longueur d’onde de cisaillement λ et de préférence avec une fréquence inférieure à 1GHz, en particulier avec une fréquence entre 500 MHz et 1 GHz, la structure multicouche comprenant : une couche piézoélectrique (3), une couche diélectrique (5), et un substrat de base (7), la couche piézoélectrique (3) étant en tantalate de lithium LiTaO 3 (LTO), la couche diélectrique (5) étant en oxyde de silicium (SiO 2 ) et le substrat de base (7) étant un substrat silicium, en particulier silicium Si(100) ou Si(111), caractérisée en ce que, la couche piézoélectrique (3) a une orientation (YX l )/θ avec θ entre 30° et 50°, en particulier θ entre 42° et 50°, encore plus de préférence de θ =30°, de θ = 36°, de θ = 42° ou de θ = 50° selon la définition standard IEEE 1949 std-176, h LTO /λ est entre 0,10 et 0,30, en particulier entre 0,15 et 0,25, h LTO étant l’épaisseur de la couche piézoélectrique et λ la longueur d’onde de cisaillement du dispositif à ondes élastiques et, h SiO2 /λ est supérieure à 0,10 de préférence entre 0,15 et 0,30, h SiO2 étant l’épaisseur de la couche diélectrique. Une structure multicouche configurée pour un dispositif à ondes élastiques (11) en particulier guidées ou quasi-guidées avec des pertes inférieurs à 5mdB/λ, le dispositif à ondes élastiques comprenant au moins un transducteur (19) et fonctionnant avec une onde élastique avec une longueur d’onde de cisaillement λ et de préférence avec une fréquence inférieure à 1GHz, en particulier avec une fréquence entre 500 MHz et 1 GHz, plus en particulier entre 600 MHz et 900 MHz, la structure multicouche comprenant : une couche piézoélectrique (3), une couche diélectrique (5), et un substrat de base (7), la couche piézoélectrique (3) étant en tantalate de lithium LiTaO 3 (LTO), la couche diélectrique (5) étant en oxyde de silicium (SiO 2 ) et le substrat de base (7) étant un substrat silicium, en particulier silicium Si(100) ou Si(111), caractérisée en ce que, la couche piézoélectrique (3) a une orientation (YX l )/θ avec θ entre 30° et 50°, en particulier θ entre 42° et 50°, encore plus de préférence de θ =30°, de θ = 36°, de θ = 42° ou de θ = 50° selon la définition standard IEEE 1949 std-176, et le produit f×h LTO de la fréquence f et de l’épaisseur h LTO de la couche diélectrique (3) est inférieur à 1 GHz.µm, de préférence entre 0,7 GHz.µm et 0,9 GHz.µm, et h SiO2 est supérieure à 500 nm, de préférence 600 nm SiO2 SiO2 étant l’épaisseur de la couche diélectrique. La structure multicouche selon la revendication 1 ou 2 comprenant deux peignes d’électrodes interdigités (13, 15) avec des doigts de peigne (13a-13c, 15a-15c) en Aluminium avec une épaisseur des doigts de peignes d’électrodes (13a-13c, 15a-15c) h Al , une largeur des doigts de peignes d’électrodes (13a-13c, 15a-15c) a et un pas p entre deux doigts (13a, 15a) directement adjacents appartenant à des peignes d’électrodes interdigités (13, 15) différents, dans laquelle h Al /λ est entre 0,03 et 0,09, en particulier entre 0,04 et 0,08 et, a/p est entre 0,35 et 0,5, en particulier a/p est entre 0,375 et 0,475. La structure multicouche selon la revendication 3, pour laquelle a/p est tel que dk 2 /d(a/p) = 0 et/ou pour laquelle h Al /λ est telle que dk 2 /d(h Al /λ) = 0. La structure multicouche selon la revendication 3 ou 4, pour laquelle a/p est entre 0,045 et 0,475 et/ou pour laquelle h Al /λ est entre 0,04 et 0,06, en particulier entre 0,04 et 0,05. La structure multicouche selon la revendication 1 ou 2 comprenant deux peignes d’électrodes interdigités (13, 15) avec des doigts de peigne (13a-13c, 15a-15c) en Aluminium avec une épaisseur des doigts de peignes d’électrodes (13a-13c, 15a-15c) h Al , une largeur des doigts de peignes d’électrodes (13a-13c, 15a-15c) a et un pas p entre deux doigts (13a, 15a) directement adjacents appartenant à des peignes d’électrodes interdigités (13, 15) différents, dans laquelle h Al /λ est supérieure à 0,04 et en particulier h Al /λ est entre 0,04 et 0,06. La structure multicouche selon la revendication 1, 2 ou 6, pour laquelle le rapport a/p est tel que la dérivée dlRl/d(a/p) = 0, R étant le coefficient de réflectivité d’un doigt de peigne. La structure multicouche selon la revendication 6 ou 7, pour laquelle a/p est inférieur à 0,0475 en particulier entre 0,0375 et 0,0475. La structure multicouche selon une des revendications 2 pour laquelle la valeur du produit f.h LTO correspond à la valeur pour laquelle la dérivé dk 2 /d(f.h LTO ) = 0. La structure multicouche selon une des revendication 2 ou 9 pour laquelle la valeur du produit f.h LTO correspond à la valeur pour laquelle la dérivé dv/d(f.h LTO ) = 0, v étant la vitesse de propagation de l’onde de cisaillement. La structure multicouche selon une des revendication 2, 9 ou 10, dans laquelle h LTO est égal à ou plus grand que 600 nm, en particulier égal à ou plus grand que 750 nm ou égal à ou plus grand que 1 µm et/ou dans laquelle h SiO2 est égal à ou plus grand que 600 nm, en particulier égale ou plus grand que 1 µm. La structure multicouche selon une des revendications 1 à 11, dans laquelle l’homogénéité de l’épaisseur h SiO2 de la couche diélectrique (5) est meilleure que l’homogénéité de l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique (3), en particulier pour des longueurs d’onde λ entre 4µm et 8µm. La structure multicouche selon une des revendications 1 à 11, dans laquelle l’homogénéité de l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique (3) est meilleure que l’homogénéité de l’épaisseur h SiO2 de la couche diélectrique (5), en particulier pour des longueurs d’onde λ plus grands que 4µm. La structure multicouche selon une des revendications 1 à 13 dans laquelle une couche de piégeage, en particulier une couche de silicium poly-cristallin, et/ou est intercalée entre la couche diélectrique (5) et le substrat de base (7) avec en particulier une épaisseur entre 500 nm et 1 µm. La structure multicouche selon une des revendications 1 à 14, dans laquelle la résistivité du substrat de base (7) est supérieure à 2 kΩ.cm et avantageusement supérieure à 4kΩ.cm. Procédé de fabrication d’une structure multicouche selon une des revendications 1 à 15 comprenant les étapes : - d’implantation d’ions dans un substrat donneur comprenant une couche piézoélectrique de tantalate de lithium pour créer une zone de fragilisation à l’intérieur de la couche de tantalate de lithium, - d’assemblage du substrat donneur avec la face principale de la couche de tantalate de lithium avec un substrat de base via une couche diélectrique, et - de détachement de la couche piézoélectrique au niveau de la zone de fragilisation du reste du substrat donneur. Procédé de fabrication selon la revendication 16, dans laquelle l’épaisseur de la couche transférée est supérieure ou égale à 600 nm, de préférence supérieure ou égale à 750 nm. Procédé de fabrication selon la revendication 16 ou 17, dans laquelle l’épaisseur de la couche transférée est inférieure ou égale à 1 µm. Procédé de fabrication selon une des revendications 16 à 18, l’étape de détachement est suivie par une croissance épitaxiale d’une couche piézoélectrique sur la couche transférée. Procédé de détermination d’un substrat multicouche, en particulier fabriqué selon une des revendications 16 à 19, le substrat multicouche étant configuré pour un dispositif à ondes élastiques (11) en particulier guidées ou quasi-guidées avec des pertes inférieurs à 5mdB/λ, le dispositif à ondes élastiques comprenant au moins un transducteur (19) et fonctionnant avec une onde élastique avec une longueur d’onde de cisaillement λ et de préférence avec une fréquence inférieure à 1GHz, en particulier avec une fréquence entre 500 MHz et 1 GHz, le substrat multicouche comprenant une couche piézoélectrique (3), une couche diélectrique (5), et un substrat de base (7), la couche piézoélectrique (3), en particulier étant en tantalate de lithium LiTaO 3 (LTO), la couche diélectrique (5) étant en oxyde de silicium (SiO 2 ) et le substrat de base (7) étant un substrat silicium, en particulier silicium Si(100) ou Si(111), comprenant les étapes : - déterminer pour une longueur d’onde de fonctionnement prédéterminée l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique (3) et/ou h SiO2 de la couche diélectrique (5), telle que la valeur absolue de la différence de la valeur de couplage Δk² entre le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO et/ou h SiO2 et le couplage k 2 pour une épaisseur h LTO ± δ, δ étant inférieur ou égale à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche piézoélectrique et/ou une épaisseur h SiO2 ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche diélectrique, est inférieure à 1%, de préférence inférieure à 0,5%, encore plus en préférence égale à 0, et/ou - déterminer pour une longueur d’onde de fonctionnement prédéterminée l’épaisseur h LTO de la couche piézoélectrique (3) et/ou h SiO2 de la couche diélectrique (5), telle que la valeur absolue de la différence de la valeur de la fréquence Δf entre la fréquence f pour une épaisseur h LTO et/ou h SiO2 et la fréquence f pour une épaisseur h LTO ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche piézoélectrique et/ou une épaisseur h SiO2 ± δ, δ étant inférieur ou égal à l’écart de l’homogénéité de l’épaisseur de la couche diélectrique, est inférieure à 1%, de préférence inférieure à 0,5%, encore plus en préférence égale à 0. Procédé de détermination selon la revendication 20, dans lequel la détermination de l’homogénéité de la couche piézoélectrique (3) et/ou de la couche diélectrique (5), est réalisée par ellipsométrie. Dispositif à ondes élastiques de surface et/ou en volume, en particulier un filtre ou résonateur, comprenant une structure multicouche selon une des revendications 1 à 15. Dispositif acoustique comprenant au moins deux dispositifs à ondes élastiques selon la revendication 22 qui fonctionnent à des longueurs d’onde différentes, en particulier des ondes élastiques de cisaillement dans une plage de longueurs d’onde allant de 4 µm à 8 µm et dont les transducteurs des au moins deux dispositifs à ondes élastiques sont réalisés sur la même structure multicouche.