FR 3160515 A1 20250926 FR 2402735 A 20240319 Circuit électronique reconfigurable et procédés associés La présente invention concerne circuit électronique (10) reconfigurable, le circuit électronique (10) comprenant un empilement (12) de couches, l’empilement (12) de couches comportant : - un substrat (14), - une première couche (16), la première couche (16) étant réalisée en un premier matériau, le premier matériau étant un matériau ferroélectrique, et - une deuxième couche (20), la deuxième couche (20) étant réalisée en un deuxième matériau, le deuxième matériau étant un matériau oxyde réductible par application d’un champ électrique, la première couche (16) étant intercalée entre le substrat (14) et la deuxième couche (20). Figure pour l'abrégé : figure 1 Circuit électronique reconfigurable et procédés associés La présente invention concerne un circuit électronique reconfigurable. La présente invention se rapporte également à un procédé de configuration ainsi qu’à un procédé de fabrication d’un tel circuit électronique. Le développement de l’électronique a conduit à l’apparition de circuits électroniques présentant des fonctionnalités de plus en plus évoluées. De manière usuelle, ces circuits sont fabriqués en utilisant des techniques de lithographie combinées à des techniques de gravure et de dépôt ayant pour but d’ajouter ou de retirer physiquement de la matière sur des wafers en silicium. Le terme « wafer » est un anglicisme désignant une tranche ou une plaque très fine de matériau. Cela permet de réaliser des cartes semi-conductrices. Les composants physiques permettant d’obtenir les fonctionnalités des dispositifs sont interconnectés sur des cartes semi-conductrices ainsi réalisées. Toutefois, pour mettre à niveau les composants de tels circuits, un nouveau circuit est réalisé à partir de zéro. Cela conduit à générer beaucoup de déchets dits électroniques comportant de nombreux matériaux utiles, comme le cuivre, l’or, l'argent, le plomb, l'étain qui ne sont la plupart du temps pas recyclés. Il est connu pour éviter de tels déchets de réutiliser l’ancien circuit pour un reconditionnement de l’ancien circuit mais cela conduit toujours à l’existence de deux circuits alors que le besoin initial de l’utilisation est simplement de mettre à jour l’ancien circuit pour disposer des nouvelles fonctionnalités. Il existe donc un besoin pour un circuit électronique reconfigurable permettant de telles mises à jours. A cet effet, il est décrit un circuit électronique reconfigurable, le circuit électronique comprenant un empilement de couches, l’empilement de couches comportant : - un substrat, - une première couche, la première couche étant réalisée en un premier matériau, le premier matériau étant un matériau ferroélectrique, et - une deuxième couche, la deuxième couche étant réalisée en un deuxième matériau, le deuxième matériau étant un matériau oxyde réductible par application d’un champ électrique, la première couche étant intercalée entre le substrat et la deuxième couche. Suivant d’autres aspects avantageux de l’invention, le circuit électronique comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - l’épaisseur d’au moins une couche parmi la première couche et la deuxième couche est comprise entre 1 nanomètre et 200 nanomètres, avantageusement comprise entre 10 nanomètres à 30 nanomètres. - le premier matériau est choisi dans la liste constituée du BaTiO 3 , du PZT, du PbTiO 3 du BiFeO 3 , du Na 0,5 Bi 0,5 TiO 3 , du SBT, du Bi 4 Ti 3 O 12 , du BiFeO 3 -PbTiO 3 , du PMN-PT, du LiNbO 3 , du LiTaO 3 , du HfO 2 , du ZrO 2 , du h-LuMnO 3 , du h-LuMnO 3 , du h-YMnO 3 , du NaSrR(BO 3 ) 2 et du LuFeO 3 . - le deuxième matériau est choisi dans la liste constituée d’une ferrite, d’une hématite rhomboédrique, d’une spinelle, d’une manganite à valence mixte et d’un oxyde multivalent. - le substrat est un substrat conducteur. - le substrat est choisi dans la liste constituée du SrTiO 3 dopé au Nb, du SrTiO 3 dopé L, du SrTiO 3 dopé Y, du LaAlO₃ dopé avec du Nb, du SrRuO 3 , du RuO₂, du IrO₂, du LSCO, de l’ITO ou une combinaison de ces éléments. La description décrit également un procédé de configuration d’un circuit électronique, le procédé de configuration comprenant les étapes de : - fourniture d’un circuit électronique reconfigurable, le circuit électronique comprenant un empilement de couches, l’empilement de couches comportant : - un substrat, - une première couche, la première couche étant réalisée en un premier matériau, le premier matériau étant un matériau ferroélectrique, et - une deuxième couche, la deuxième couche étant réalisée en un deuxième matériau, le deuxième matériau étant un matériau oxyde réductible par application d’un champ électrique, la première couche étant intercalée entre le substrat et la deuxième couche, et - écriture d’une configuration sur le circuit électronique sur la deuxième couche, la pointe suivant un trajet dépendant de la configuration à écrire, l’écriture étant, par exemple, réalisée par application d’une pointe, la pointe étant polarisée électriquement.. Suivant d’autres aspects avantageux de l’invention, le procédé de configuration comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - le procédé comporte, en outre, les étapes de : - effacement de la configuration écrite par chauffage du circuit électronique, et - écriture d’une nouvelle configuration sur le circuit électronique sur la deuxième couche, la pointe suivant un trajet dépendant de la nouvelle configuration à écrire, l’écriture étant, par exemple, réalisée par application d’une pointe, la pointe étant polarisée électriquement. - la chauffe est réalisée par un recuit dans un environnement oxydant.. La description décrit également un procédé de fabrication d’un circuit électronique reconfigurable, le procédé fabrication comportant les étapes de : - une étape de fourniture d’un substrat, - une étape de dépôt d’une première couche sur le substrat, la première couche étant réalisée en un premier matériau, le premier matériau étant un matériau ferroélectrique, et - une étape de dépôt d’une deuxième couche sur la première couche, la deuxième couche étant réalisée en un deuxième matériau, le deuxième matériau étant un matériau oxyde réductible par application d’un champ électrique la première couche étant intercalée entre le substrat et la deuxième couche.. Dans la présente description, l’expression « propre à » signifie indifféremment « adapté pour », « adapté à » ou « configuré pour ». Des caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - FIG. 1 la FIG. 1 est une représentation schématique d’un circuit électronique reconfigurable en perspective, - FIG. 2 la FIG. 2 est un ordinogramme d’un exemple de mise en œuvre d’un procédé de configuration du circuit électronique de la FIG. 1 , - FIG. 3 FIG. 4 les figures 3 et 4 sont des représentations schématiques de la mise en œuvre d’une étape du procédé de configuration de la FIG. 2 , - FIG. 5 la FIG. 5 est un graphe illustrant la variation du courant en fonction de la tension appliquée, et - FIG. 6 la FIG. 6 est un ensemble d’images représentant les résultats expérimentaux obtenus par la demanderesse en mettant en œuvre le procédé de configuration de la FIG. 2 et un ensemble de schémas correspondant permettant de déterminer la fonctionnalité des différentes zones configurées. La FIG. 1 illustre schématiquement un circuit électronique 10 reconfigurable. Un circuit électronique est un dispositif physique comportant un ensemble de composants interconnectés entre eux et positionnés sur un support. L’ensemble de composants est agencé pour réaliser une ou plusieurs fonctions prédéfinies. Le circuit électronique 10 est ici reconfigurable au sens où il est possible de modifier la configuration du circuit électronique 10. Une configuration est ici définie comme un agencement de composants, de sorte que la reconfigurabilité du circuit électronique 10 désigne ici la possibilité pour un utilisateur du circuit électronique 10 de modifier les composants du circuit électronique 10 ainsi que leur position. A titre d’illustration, il est possible de faire passer le circuit électronique 10 d’une première configuration dans laquelle le circuit électronique 10 est un circuit RC à une deuxième configuration dans laquelle le circuit électronique 10 est un circuit RL. Il peut être souligné ici que la configuration du circuit électronique 10 peut être toute combinaison de n'importe quel nombre de composants R, L et C. Avant d’expliquer comment il est possible de configurer le circuit électronique 10 et de le reconfigurer, il convient de décrire les éléments composant le circuit électronique 10. Comme représenté schématiquement sur la FIG. 1 , le circuit électronique 10 comporte un empilement 12 de couches. Selon l’exemple de la FIG. 1 , l’empilement 12 comporte un substrat 14, une première couche 16, une deuxième couche 20 et deux électrodes 22. La première couche 16 est intercalée entre le substrat 14 et la deuxième couche 20, de sorte que le substrat 14 pourrait être qualifié de couche inférieure, la première couche 16 de couche intermédiaire et la deuxième couche 20 de couche supérieure. Le substrat 14 est réalisé en un matériau conducteur, de sorte que le substrat 14 est conducteur. Selon un cas particulier, le substrat 14 est réalisé en un matériau dopé, comme du SrTiO 3 dopé au Nb, L ou Y. D’autres matériaux sont également envisageables pour le substrat 14, comme du LaAlO₃ dopé avec du Nb, du SrRuO 3 , du RuO₂, du IrO₂, du LSCO ou de l’ITO. Des multicouches pourraient aussi être utilisées. En particulier, le substrat 14 pourrait être un ensemble de couches du type Pt/Ti/SiO₂/Si ou RuO₂ /TiO₂ /Si. Le substrat 14 est, en outre, compatible avec le dépôt de couches minces. En effet, les deux couches 16 et 20 sont des couches minces. L’épaisseur de chaque couche 16 ou 20 est comprise entre 1 nanomètre (nm) et 200 nm. Chaque couche 16 ou 20 présente une épaisseur (mesurée selon la direction d’empilement) inférieure ou égale à 30 nm. Typiquement, l’épaisseur de chaque couche 16 ou 20 est supérieure ou égale à 5 nm, préférentiellement supérieure ou égale à 10 nm. La première couche 16 est réalisée en un premier matériau, qui est ici un matériau ferroélectrique. Un matériau ferroélectrique est un matériau présentant une polarisation électrique à l’état spontané qui peut être renversée en présence d’un champ électrique extérieur. Selon l’exemple décrit, le premier matériau est stable pour permettre un recuit à l’air à une température modérée. Typiquement, le premier matériau reste stable pour un recuit réalisé à une température de 300°C. On entend ici par « température modérée » une température comprise entre la température de Curie du premier matériau et 500 °C. Le premier matériau est, en particulier, du BaTiO 3 . Dans un tel cas, la température de Curie est de l’ordre de 120 °C. Le premier matériau peut ainsi présenter une structure de pérovskite, comme c’est le cas pour le BaTiO 3 , le PZT (c’est-à-dire du PbZr x Ti 1-x O 3 avec x compris strictement entre 0 et 1), le PbTiO 3 ou le BiFeO 3 . Selon un exemple, le premier matériau présente une structure de tungstène bronze. En particulier, le premier matériau est Na 0,5 Bi 0,5 TiO 3 . Selon un autre exemple, le premier matériau est une phase Aurivillius, notamment du SBT, du Bi 4 Ti 3 O 12 ou du BiFeO 3 -PbTiO 3 . Il pourrait aussi être choisi un premier matériau parmi le PMN-PT, le LiNbO 3 , le LiTaO 3 , le HfO 2 , le ZrO 2 , le HoMnO 3 hexagonal (aussi noté h-HoMnO 3 ), le h-LuMnO 3 , le h-YMnO 3 , le NaSrR(BO 3 ) 2 et le LuFeO 3 . La deuxième couche 20 est réalisée en un deuxième matériau. Le deuxième matériau est un matériau oxyde réductible par application d’un champ électrique. Le champ électrique est tel que le minimum le plus élevé présente la valeur du champ coercitif de la première couche et le maximum est plus faible que la valeur du champ électrique causant le claquage de la première couche 16 ou de la deuxième couche 20. Le champ électrique est obtenu par application d’une tension électrique. Cela correspond à une tension électrique typique de 4 V à 10 V (pour l’exemple de système matériaux que l’on a montré ici). Le matériau est ainsi un matériau capable de présenter une réduction chimique, accompagnée d'une chute de résistance, lors d'une polarisation électrique de faible amplitude et une réoxydation par recuit à l'air à température modérée. Le deuxième matériau est, en particulier, une ferrite NiFe 2 O 4 ou une hématite rhomboédrique Fe 2 O 3 . Le deuxième matériau peut également être une spinelle, une manganite à valence mixte ou un oxyde multivalent. Comme exemple de spinelle, il peut être cité : le NiFe 2 O 4 , le MnFe 2 O 4 , le CoFe 2 O 4 , le MgFe 2 O 4 , le Fe 3 O 4 , le CuCr 2 O 4 , le MgCr 2 O 4 et le FeCr 2 O 4 . Le La 1-x Sr x MnO 3 (avec x compris entre 0 et 1) ou le Pr 1-x Ca x MnO 3 (avec x compris entre 0 et 1) sont des exemples de manganite à valence mixte. Comme exemple d’oxyde multivalent, il peut être cité : TiO x , VO x , CrO x , MnO x , CoO x , NiO x , CuO x , HfO x , ZrO x , WO x , NbO x et TaOx. C’est dans cette deuxième couche 20 que seront réalisés les composants du circuit électronique 10. Plus précisément, comme cela apparaitra dans la suite de la description, les composants apparaîtront sur la surface 24 de la deuxième couche 20. La deuxième couche 20 est surmontée de deux électrodes 22. Chaque électrode 22 est, dans cet exemple, une ligne conductrice positionnée aux extrémités de la deuxième couche 20. A titre d’illustration, chaque électrode 22 est en or. Les deux électrodes 22 servent ici à conduire et lire le courant des composants réalisés dans la deuxième couche 20. Selon les besoins, il peut être inséré autant de contacts que souhaité ou nécessaires pour configurer les circuits souhaités, sachant qu’un circuit peut comporter plusieurs contacts (typiquement un circuit RLC implique quatre contacts, deux pour l’entrée et deux pour la sortie). Le caractère reconfigurable du circuit électronique 10 peut être illustré en référence à la FIG. 2 . La FIG. 2 correspond à un exemple de mise en œuvre d’un procédé de configuration du circuit électronique 10. Il va être ici illustré un cas où deux configurations sont écrites, étant entendu que le processus d’effacement-écriture qui va être décrit peut être réitéré autant de fois que nécessaire. Le procédé de configuration comprend plusieurs étapes : une étape d’écriture d’une première configuration E30, une étape d’effacement E32 et une étape d’écriture d’une deuxième configuration E34. L’étape d’écriture de la première configuration, simplement première étape d’écriture E30, est mise en œuvre par l’emploi d’une pointe polarisée électriquement. Selon l’exemple de la FIG. 3 , la pointe polarisée est une pointe 40 de microscope à force piézoélectrique comme représenté schématiquement sur la FIG. 3 . Un tel microscope est plus souvent désigné par l’abréviation PFM qui renvoie à la dénomination anglaise correspondante de « Piezoresponse force microscop e ». La pointe 40 est une pointe conductrice, le plus souvent en métal, pouvant être amenée au contact d’un échantillon. L’application d’un potentiel statique au niveau de la pointe 40 permet d’exciter localement la déformation de l’échantillon par effet piézoélectrique inverse. Ceci permet de manipuler les domaines ferroélectriques du premier matériau. En variante, la pointe polarisée est une pointe de microscope à force atomique. A titre de remarque, la pointe est conductrice et est typiquement réalisée en Ni, Ag, Al, Pt Pt-Ir, nanotubes de carbone, en Si dopé, en W, en bore dopé au diamant ou en bore dopé au SiC. La première étape d’écriture E30 permet ainsi de modifier localement et de manière réversible les propriétés des première et deuxième couches 16 et 20. La zone dont les propriétés sont modifiées est hachurée sur la FIG. 3 et désignée par le signe de référence 42. Un exemple de propriété est la résistance. Un autre exemple de propriété est l’aimantation de la deuxième couche 20. La valeur de la résistance avant la première étape d’écriture E30 correspond à la valeur de résistance initiale. Cette valeur est parfois désignée comme la valeur de résistance dans l’état vierge (ou pristine), cette dénomination désignant l’état d’une couche en l’absence d’excitation et donc d’écriture. Comme expliqué précédemment, l’application d’un champ électrique local sur la pointe permet de polariser la première couche 16 et d’induire une diminution de la résistance de surface de la deuxième couche 20 qui devient ainsi localement conductrice. En fait, la diminution locale de la résistance est obtenue par réduction chimique de la surface de la première couche 16. Cette réduction de surface est induite par la condensation de charges à l'interface entre la première couche 16 et la deuxième couche 20. Plus précisément, comme visible sur la FIG. 4 , la polarisation se manifeste par l'accumulation de charges négatives du côté du premier matériau formant l'interface entre les deux couches. En parallèle, les charges négatives s'accumulent à l'autre interface entre le premier matériau avec le substrat 14. L’accumulation de charges négatives induit des charges positives de l’autre côté de l’interface, c’est-à-dire du côté du deuxième matériau. Pour conserver la neutralité des charges, la partie supérieure de la deuxième couche 20 accumule des charges négatives à l’autre interface. Le dopage des charges négatives se manifeste par une accumulation de lacunes en oxygène. Plus il y a de lacunes en oxygène, moins le deuxième matériau est oxydé (plus réduit). Un plus grand nombre de lacunes en oxygène (réduction chimique du deuxième matériau) entraîne une diminution de la résistance. Il est donc possible de diminuer la résistance localement par passage de la pointe 40 avec un facteur important. La FIG. 5 illustre expérimentalement cette modification sous forme d’une courbe courant-tension dans le cas de l’écriture d’un fil (courbe C1 état pristine et courbe C2 fil écrit). Cela rend possible la réalisation de différents motifs présentant une résistance diminuée dans la deuxième couche 20 à l’aide de la pointe 40. Ces différents motifs permettent la création de composants électroniques différents. La correspondance entre les motifs et la fonction des composants électroniques est connue. Par exemple, une ligne droite présentant une longueur et/ou une largeur plus grande correspond à une résistance de valeur différente. Pour réaliser une inductance, il pourra être réalisé un fil réalisant un zigzag alors qu’une forme de peigne à cheveux permet de créer un condensateur (électrode interdigitée). Il suffit donc de convertir les composants du circuit électronique 10 à réaliser en trajet de la pointe 40 pour écrire le circuit électronique 10 désiré. Il est ainsi obtenu une configuration du circuit électronique 10. Lors de l’étape d’effacement E32, le circuit électronique 10 est chauffé pour rétablir l'état d'oxydation de la deuxième couche 20. Pour cela, il est, par exemple, procédé à une étape de recuit par envoi d’un gaz chaud comportant de l’oxygène. Le gaz est, par exemple, de l’air. Plus généralement, le recuit a lieu dans un environnement oxydant, comme par exemple un environnement comportant un plasma avec du dioxygène, ou du gaz oxydant comme de l’O 3 , du NO, du NO 2 , du NO 3 ou du H 2 O 2 . La température du recuit est choisie suffisamment basse pour ne pas endommager la deuxième couche 20 mais suffisamment élevée pour réaliser l’effacement. La température de recuit est donc supérieure à la température de Curie du premier matériau. A titre d’exemple particulier, une température de recuit de 300°C avec une durée de 3 heures permet de réaliser un effacement n’endommageant pas le deuxième matériau. Sous l’effet du chauffage, le premier matériau adopte une phase paraélectrique dans laquelle la polarisation disparaît. Cela entraîne la disparition de l’accumulation de charge à l’interface entre le premier matériau et le deuxième matériau résultant en un retour de la deuxième couche 20 à sa résistance dans l’état vierge. En parallèle, la présence d’oxygène permet de réoxyder la surface du deuxième matériau qui se retrouve dans l’état vierge. L’étape d’effacement E32 permet ainsi à la fois d’effacer les composants écrit lors d’une étape d’écriture antérieure et de restaurer les propriétés physiques des deux couches minces à l'état vierge. Ainsi, la configuration du circuit électronique 10 est effacée et il est possible d’écrire une nouvelle configuration. Selon l’exemple décrit, cette nouvelle configuration est la deuxième configuration écrite lors de la deuxième étape d’écriture E34. Comme pour le cas de la première étape d’écriture E30, la pointe 40 du microscope à force piézoélectrique est contrôlée pour réaliser un trajet permettant de réaliser physiquement les composants de la deuxième configuration souhaitée. Un exemple de mise en œuvre expérimentale d’un tel procédé de configuration est illustré par la FIG. 6 qui montre à plusieurs étapes différentes le circuit électronique 10 obtenu. Plus précisément, l’expérience a consisté ici à montrer le passage d’une première configuration correspondant à un fil à une deuxième configuration correspondant à une inductance. La FIG. 6 comprend quatre images du circuit électronique 10 vu de dessus qui ont été obtenues par une pointe polarisée sur un échantillon dans lequel le premier matériau est du BaTiO 3 , le deuxième matériau est du NiFe 2 O 4 et le substrat 14 est réalisé en Nb:SrTiO 3 . Chaque image est mise en correspondance avec un schéma permettant de comprendre la fonctionnalité de chaque zone visible sur l’image. La première image I1 correspond au circuit électronique 10 fourni avant la mise en œuvre de la première étape d’écrite. Sur cette première image I1, on aperçoit les deux électrodes 22 en or en haut et en bas qui servent à amener le courant. Après mise en œuvre de la première étape d’écriture, comme visible sur la deuxième image I2, un fil a été réalisé avec une largeur de 3 micromètres. A titre de remarque, cette largeur n’est pas limitative, le fil pouvant être moins large, des largeurs aussi réduites que 10 nanomètres pouvant être obtenues. La troisième image I3 correspond au circuit électronique 10 obtenu après effacement (recuit à 300°C pendant 3 heures). Le fil a bien disparu. Enfin, la quatrième image I4 montre la vue de dessus après écriture de la deuxième configuration. Il apparaît clairement une ligne en zigzag correspondant à la présence d’une inductance. Cette expérience montre bien qu’il est possible de reconfigurer le circuit électronique 10 comme désiré et ce, à volonté. Pour cela, le circuit électronique 10 comprend simplement un ensemble de couches minces oxyde/ferroélectrique ainsi qu’un substrat 14 présentant deux propriétés distinctes. D’une part, le substrat 14 est compatible avec le dépôt de couches minces. D’autre part, le substrat 14 est réalisé dans un matériau permettant l’écriture du circuit, par exemple avec une pointe polarisée comme cela a été décrit précédemment. De fait, avec un substrat qui serait isolant, la tension appliquée irait majoritairement vers le substrat. Ceci impliquerait une faible tension effective entre la première couche 16 et la deuxième couche 20 ne permettant pas de réaliser la configuration du circuit électronique 10. Le substrat 14 est donc spécifique en ce qu’il permet à la fois le dépôt de couches minces et l’écriture du circuit électronique 10 pour permettre sa reconfiguration. Cette possibilité de reconfiguration permet de réduire beaucoup la quantité de déchets électroniques générés puisqu’il devient possible de conserver le même circuit électronique 10 et de simplement changer sa configuration. Ce changement est, en outre, relativement simple dans la mesure où il suffit de disposer d’un système de chauffage permettant de réaliser un recuit dans un environnement oxydant et d’une pointe 40 de microscope à force piézoélectrique dont le trajet est contrôlé. Le procédé de fabrication du circuit électronique 10 à l’état vierge est, en outre, aussi aisé à mettre en œuvre. Pour cela, les couches peuvent être déposés avec un système d’épitaxie à jet moléculaire assisté par une source de plasma à oxygène. Cela permet d’assurer la bonne cristallinité et de bien contrôler l’oxydation des couches, notamment pour obtenir de bonnes propriétés de ferroélectricité pour la première couche 16. Toutefois, d’autres techniques permettant le dépôt de couches minces peuvent être utilisées ici comme une technique ALD ou une technique PLD. L’abréviation ALD renvoie à la dénomination anglaise de « Atomic Layer Deposition » (littéralement dépôt de couche atomique) qui désigne ainsi une technique permettant de réaliser couche atomique par couche atomique l’ensemble de couches souhaité. L’abréviation PLD renvoie à la dénomination anglaise de « Pulsed Laser Deposition » (littéralement dépôt à laser pulsé) qui désigne ainsi une technique permettant de réaliser une couche à l’aide d’un laser. D’autres modes de réalisation bénéficiant des avantages précités sont également envisageables. A titre d’exemple, il est également possible que les électrodes 22 du circuit électronique 10 soient réalisées dans la deuxième couche 20. Cela permet d’éviter d’ajouter de nouveaux points de contact par le dépôt de matière conductrice comme de l’or. Selon un autre exemple, la deuxième couche 20 comporte des sous-zones réalisées en des matériaux différents. Par exemple, il pourrait être envisagé que la deuxième couche 20 comporte une première sous-zone présentant une forte résistance relative et une deuxième sous-zone présentant une faible résistance relative. A titre d’exemple particulier, la deuxième couche 20 comporte une première sous-zone en NiFe 2 O 4 , une deuxième sous-zone en CoFe 2 O 4 et une troisième sous-zone qui est un oxyde de fer. Cela correspond à un deuxième matériau dont la composition varierait en fonction de la sous-zone considérée. Néanmoins, quel que soit la sous-zone considérée, le deuxième matériau serait toujours un matériau oxyde réductible sous l’application d’un champ électrique. Cela permettrait d’obtenir plus aisément des circuits électroniques complexes. Circuit électronique (10) reconfigurable, le circuit électronique (10) comprenant un empilement (12) de couches, l’empilement (12) de couches comportant : - un substrat (14), - une première couche (16), la première couche (16) étant réalisée en un premier matériau, le premier matériau étant un matériau ferroélectrique, et - une deuxième couche (20), la deuxième couche (20) étant réalisée en un deuxième matériau, le deuxième matériau étant un matériau oxyde réductible par application d’un champ électrique, la première couche (16) étant intercalée entre le substrat (14) et la deuxième couche (20). Circuit électronique reconfigurable selon la revendication 1, dans lequel l’épaisseur d’au moins une couche parmi la première couche (16) et la deuxième couche (20) est comprise entre 1 nanomètre et 200 nanomètres, avantageusement comprise entre 10 nanomètres à 30 nanomètres. Circuit électronique reconfigurable selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier matériau est choisi dans la liste constituée du BaTiO 3 , du PZT, du PbTiO 3 du BiFeO 3 , du Na 0,5 Bi 0,5 TiO 3 , du SBT, du Bi 4 Ti 3 O 12 , du BiFeO 3 -PbTiO 3 , du PMN-PT, du LiNbO 3 , du LiTaO 3 , du HfO 2 , du ZrO 2 , du h-LuMnO 3 , du h-LuMnO 3 , du h-YMnO 3 , du NaSrR(BO 3 ) 2 et du LuFeO 3 . Circuit électronique reconfigurable selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le deuxième matériau est choisi dans la liste constituée d’une ferrite, d’une hématite rhomboédrique, d’une spinelle, d’une manganite à valence mixte et d’un oxyde multivalent. Circuit électronique reconfigurable selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat est un substrat conducteur. Circuit électronique reconfigurable selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat est choisi dans la liste constituée du SrTiO 3 dopé au Nb, du SrTiO 3 dopé L, du SrTiO 3 dopé Y, du LaAlO₃ dopé avec du Nb, du SrRuO 3 , du RuO₂, du IrO₂, du LSCO, de l’ITO ou une combinaison de ces éléments. Procédé de configuration d’un circuit électronique (10), le procédé de configuration comprenant les étapes de : - fourniture d’un circuit électronique (10) reconfigurable, le circuit électronique (10) comprenant un empilement (12) de couches, l’empilement (12) de couches comportant : - un substrat (14), - une première couche (16), la première couche (16) étant réalisée en un premier matériau, le premier matériau étant un matériau ferroélectrique, et - une deuxième couche (20), la deuxième couche (20) étant réalisée en un deuxième matériau, le deuxième matériau étant un matériau oxyde réductible par application d’un champ électrique, la première couche (16) étant intercalée entre le substrat (14) et la deuxième couche (20), et - écriture d’une configuration sur le circuit électronique (10) sur la deuxième couche (20), la pointe (40) suivant un trajet dépendant de la configuration à écrire, l’écriture étant, par exemple, réalisée par application d’une pointe (40), la pointe (40) étant polarisée électriquement. Procédé de configuration selon la revendication 7, dans lequel le procédé comporte, en outre, les étapes de : - effacement de la configuration écrite par chauffage du circuit électronique (10), et - écriture d’une nouvelle configuration sur le circuit électronique (10) sur la deuxième couche (20), la pointe (40) suivant un trajet dépendant de la nouvelle configuration à écrire, l’écriture étant, par exemple, réalisée par application d’une pointe (40), la pointe (40) étant polarisée électriquement. Procédé de configuration selon la revendication 8, dans lequel la chauffe est réalisée par un recuit dans un environnement oxydant. Procédé de fabrication d’un circuit électronique (10) reconfigurable, le procédé fabrication comportant les étapes de : - une étape de fourniture d’un substrat (14), - une étape de dépôt d’une première couche (16) sur le substrat (14), la première couche (16) étant réalisée en un premier matériau, le premier matériau étant un matériau ferroélectrique, et - une étape de dépôt d’une deuxième couche (20) sur la première couche (16), la deuxième couche (20) étant réalisée en un deuxième matériau, le deuxième matériau étant un matériau oxyde réductible par application d’un champ électrique la première couche (16) étant intercalée entre le substrat (14) et la deuxième couche (20).