FR 3162911 A1 20251205 FR 2405476 A 20240528 Fabrication d’un module de puissance L’invention concerne un procédé de fabrication d’un module électronique de puissance (100) comprenant un substrat (110) comportant au moins un empilement (111) de plusieurs couches, le procédé comprenant en outre : - une étape de disposition ou de fixation sur une (112b) des couches dudit au moins un empilement (111) d’un élément d’espacement (115, 215, 315, 415, 515, 615, 715), l’élément d’espacement comprenant une épaisseur supérieure ou égale à 200 µm, - une étape de fixation d’au moins une connectique (120) sur l’élément d’espacement (115, 215, 315, 415, 515, 615, 715). Figure pour l’abrégé : Fig 1. Fabrication d’un module de puissance La présente invention concerne la fabrication d’un module électronique de puissance. L’invention trouve une application particulière dans le domaine de l’aéronautique où une haute fiabilité et une relative compacité sont nécessaires. Les modules électroniques de puissance sont présents dans les aéronefs et permettent d’intégrer de nombreux composants électroniques au sein d’un même ensemble. Ainsi, des fonctions ayant différents degrés de complexité peuvent être exécutées dans ce type de modules. De tels modules comprennent généralement un substrat, des semi-conducteurs et/ou d’autres composants assemblés sur le substrat. Des connectiques de puissance sont également reportées sur le substrat. Les modules électroniques de puissance comprennent également des moyens d’interconnexion électriques et mécaniques et un boîtier structurant l’ensemble du module de puissance. Des solutions d’encapsulation peuvent également être présentes dans les modules de puissance afin d’assurer l’isolement électrique entre les différents potentiels et de protéger les composants contre les agressions de l’environnement. Dans le cadre de la fabrication des modules électroniques de puissances, des substrats métalliques isolés « SMI » ou des substrats en céramiques peuvent être utilisés. Les substrats SMI et les substrats céramiques ont l’avantage d’avoir une excellente conductivité thermique et une grande rigidité diélectrique contre les hautes tensions. L’assemblage des connectiques de puissance sur les substrats SMI ou sur les substrats céramiques peut être réalisé par différentes techniques telles que : le brasage, le frittage, la soudure ultrason et la soudure laser. Il arrive que dans certains cas, les connectiques de puissances ne soient pas adaptées pour leur assemblage sur le substrat SMI ou sur le substrat céramique. Dans de tels cas, une solution propose d’intégrer des plots filetés sur le substrat SMI ou sur le substrat céramique par brasage et de visser la connectique de puissance sur ces plots. Toutefois une telle option comprend des opérations de positionnement et de vissage des connectiques qui peuvent être longues et complexes à mettre en œuvre. Ces opérations rendent le procédé de fabrication du substrat long et coûteux. Ces manipulations peuvent également générer une inhomogénéité dans la disposition de la solution d’encapsulation. En effet, les manipulations sont généralement réalisées avant la polymérisation de la solution d’encapsulation au sein du module. En outre, lors de la fabrication du module électronique de puissance, le substrat comportant les plots filetés et la solution d’encapsulation non polymérisée est déplacé de l’installation de remplissage de la solution d’encapsulation vers l’installation de polymérisation de cette dernière. Selon la nature de la solution d’encapsulation ce déplacement peut générer une fuite de la solution d’encapsulation à l’extérieur du module ou vers les zones de contact électrique. De même, cette opération peut rendre la solution d’encapsulation non homogène. De plus, la géométrie volumineuse des plots peut dégrader l’inductance de commutation du module électronique de puissance et dégrader la compacité du module électronique de puissance. En effet, un module de puissance connecte sa ou ses sorties à plusieurs entrées de puissance en fonction des signaux de commande reçus. A chaque commutation, le courant de sortie est réaiguillé d’une entrée de puissance à l’autre. Ceci génère une modification des champs magnétiques des conducteurs de courant et un transfert d’énergie magnétique. Ce phénomène est connu sous le nom d’inductance parasite de commutation. Une géométrie de plots plus volumineuse nécessite une énergie plus élevée pour réaiguiller le courant de sortie d’une entrée à une autre car la distance qui sépare les conducteurs entre eux est plus importante. Cela entraîne une inductance parasite de commutation plus élevée ainsi que des pertes et de surtensions dans les interrupteurs qui échauffent le module de puissance. Par conséquent, le système devient moins efficace. Une autre solution propose de réaliser la liaison entre la connectique de puissance et le substrat SMI par fusion laser. Cependant cette solution peut entraîner un échauffement élevé et en profondeur du substrat céramique ou du substrat SMI ou du substrat céramique qui peut l’endommager. Ceci est notamment le cas lorsque la couche du substrat, sur laquelle la liaison est faite, présente une faible épaisseur. Il existe donc un réel besoin d’un procédé de fabrication d’un module de puissance permettant de mieux contrôler la liaison entre la connectique de puissance et le substrat SMI ou le substrat céramique et ce, sans les inconvénients inhérents aux méthodes connues précitées. L’invention vise précisément à répondre aux besoins formulés précédemment. Selon un premier de ses aspects, l’invention propose un procédé de fabrication d’un module électronique de puissance comprenant un substrat comportant au moins un empilement de plusieurs couches, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre : - une étape de disposition ou de fixation sur une des couches dudit au moins un empilement d’un élément d’espacement, l’élément d’espacement comprenant une épaisseur supérieure ou égale à 200 µm, - une étape de fixation d’au moins une connectique sur l’élément d’espacement. Ainsi, le procédé permet d’obtenir un module ayant des propriétés mécaniques et électriques supérieures à celles de l’art antérieur. Un tel procédé permet également d’obtenir un module auquel peuvent être intégrées une ou plusieurs connectiques de puissance par des techniques comprenant un échauffement élevé et profond, tel que la fusion laser, sans risque d’être endommagé. En effet, la couche de l’empilement adjacente à la couche de l’empilement sur laquelle est présent l’élément d’espacement ne subit pas des dégradations lors de la liaison de ladite au moins une connectique sur le substrat. Ceci est possible grâce à la présence de l’élément d’espacement qui protège ladite couche du substrat. En outre la disposition de l’élément d’espacement permet d’augmenter l’épaisseur locale du substrat, et plus particulièrement au moins partiellement l’épaisseur de la couche de l’empilement sur laquelle est présente l’élément d’espacement. De plus, un tel procédé permet une réaliser une liaison robuste de la connectique de puissance de manière plus simple car elle ne nécessite aucune opération de positionnement et de vissage des connectiques. Selon une caractéristique particulière, au moins une des couches de l’empilement est une couche électriquement isolante. Selon une caractéristique particulière du procédé, le procédé peut comprendre les étapes suivantes : - la disposition d’une matière de fixation sur une des couches dudit au moins un empilement, - la fixation l’ élément d’espacement, - la réalisation d’un traitement thermique pour solidariser l’ élément d’espacement avec l’empilement. - En effet, un tel procédé permet d’assurer une fixation robuste de l’élément d’espacement sur l’empilement. De plus, le procédé permet de fabriquer des modules électroniques de puissance de manière plus rapide et plus économique, en particulier car aucune opération manuelle délicate et complexe est nécessaire afin d’adapter le substrat à la réception de la connectique. Selon une caractéristique particulière du procédé, l’élément d’espacement peut comprendre en outre plusieurs protubérances d’une hauteur déterminée, lesdites protubérances étant en contact avec ladite couche sur laquelle est fixé l’élément d’espacement. En effet, de telles protubérances assurent la stabilité de l’élément d’espacement, en particulier lorsque le procédé comprend une étape de disposition d’une matière de fixation entre l’élément d’espacement et l’empilement du substrat. Ceci est d’autant plus vrai lorsque la matière de fixation peut être disposée sous la forme d’une composition semi-solide. En effet, lors de la disposition de la matière de fixation sur l’empilement, il est possible qu’une planéité inhomogène soit obtenue. De telles protubérances peuvent traverser ladite matière de fixation afin d’être en contact avec l’empilement. De même, elles permettent une meilleure maitrise et distribution de la matière de fixation. Ainsi, la planéité souhaitée peut être obtenue. Selon une autre caractéristique particulière du procédé, l’élément d’espacement peut comprendre une première patte, une deuxième patte et une partie centrale comprise entre la première patte et la deuxième patte, la première patte et la deuxième patte étant solidaires de la partie centrale et fixées ou disposées sur une des couches dudit au moins un empilement , la partie centrale étant surélevée par rapport à la première patte et à la deuxième patte, formant un évidement entre l’empilement et la partie centrale surélevée. Une telle configuration permet d’améliorer le découplage thermique entre la partie centrale de l’élément d’espacement et les première et deuxième pattes de l’élément d’espacement, notamment lors de la fixation de la connectique sur la partie centrale de l’élément d’espacement. Selon une caractéristique particulière du procédé, chacune des pattes parmi la première patte et la deuxième patte de l’élément d’espacement peut former un ressort d’amortissement s’étendant sous la partie centrale de l’élément d’espacement. Ainsi, il est possible de diminuer le stress mécanique sur l’empilement lors de la fixation de la connectique sur l’élément d’espacement. En effet, les courbures du ressort d’amortissement apportent de l’élasticité à l’élément d’espacement. Selon une caractéristique particulière du procédé, l’élément d’espacement peut être en un matériau électriquement conducteur. Selon une caractéristique particulière du procédé, l’élément d’espacement peut comprendre un matériau électriquement conducteur choisi parmi le cuivre, le laiton, l’aluminium nickelé, le constantan ou un mélange de ceux-ci Cela permet de limiter l’expansion thermique de l’élément d’espacement lors d’un changement de température. Selon une caractéristique particulière, le matériau électriquement conducteur peut être le constantan. Cela permet de limiter les défaillances en cycle thermique, de limiter davantage l’expansion thermique de l’élément d’espacement et d’avoir une bonne conductivité électrique dans le module. Selon une caractéristique particulière, le matériau électriquement conducteur peut être le cuivre. Cela permet de limiter davantage les défaillances en cycle thermique, de limiter davantage l’expansion thermique de l’élément d’espacement et d’améliorer la conductivité électrique du module. Selon une caractéristique particulière du procédé, chacune des étapes du procédé peut être réalisée pour une pluralité de substrats simultanément, lesdits substrats étant mécaniquement couplés ensemble pour former un même panneau. Ainsi, il est possible de fabriquer une pluralité de modules de manière rapide et plus économique. Selon une caractéristique particulière, le procédé peut comprendre en outre une étape de découplage d’un substrat du panneau. Selon une caractéristique particulière du procédé, l’étape de fixation d’au moins une connectique est réalisée par soudure laser. Ainsi, le procédé permet d’obtenir un module d’électronique de puissance ayant des propriétés mécaniques et électriques améliorées par rapport aux solutions de l’art antérieur. En effet, le procédé permet réaliser une liaison robuste entre ladite au moins une connectique et le substrat, en particulier car la soudure laser présente l’avantage d’être exempte d’intermétalliques fragilisant l’assemblage mécanique tout en assurant une bonne conductivité électrique. En outre, le procédé permet d’obtenir un module électronique ayant une densité de puissance élevée, grâce à la présence de la connectique de puissance compacte. Un tel module peut par conséquent assurer de façon fiable l’alimentation électrique de nombreux composants. Selon un autre de ses aspects, l’invention propose un module électronique de puissance caractérisé en ce qu’il comprend un substrat comportant au moins un empilement de plusieurs couches, un élément d’espacement disposé ou fixé sur une des couches de l’empilement, l’élément d’espacement comprenant une épaisseur supérieure ou égale à 200 µm, au moins une connectique de puissance et, en ce que le module électronique de puissance (100) est obtenu par le procédé selon l’invention. Un tel module électronique de puissance possède une liaison robuste entre la connectique de puissance et le substrat, ainsi que des propriétés mécaniques et électriques supérieures à celles de l’art antérieur. En effet, dans une telle configuration, les propriétés de la couche de l’empilement sur laquelle est présent l’élément d’espacement ne sont pas dégradées lors de l’étape de liaison de la connectique sur le substrat. De même, dans une telle configuration du module, la solution d’encapsulation du module protège de manière optimale les composants car le substrat n’est soumis à aucune manipulation complexe et délicate pouvant affecter la disposition de ladite solution d’encapsulation. Selon une caractéristique particulière du module, l’élément d’espacement peut comprendre en outre plusieurs protubérances d’une hauteur déterminée, lesdites protubérances étant en contact avec la couche sur laquelle est fixé l’élément d’espacement. FIG. 1 La FIG. 1 représente schématiquement un module électronique de puissance conformément à un mode de réalisation de l’invention, FIG. 2 La FIG. 2 est un ordinogramme des étapes d’un procédé de fabrication d’un module électronique de puissance conformément à un mode de réalisation de l’invention, FIG. 3 La FIG. 3 représente schématiquement le substrat du module électronique de puissance de la FIG. 1 , FIG. 4 La FIG. 4 représente schématiquement un substrat conformément à un deuxième mode de réalisation de l’invention, FIG. 5 La FIG. 5 représente schématiquement un module électronique de puissance conformément à un deuxième mode de réalisation de l’invention, FIG. 6 La FIG. 6 représente schématiquement un exemple d’un module électronique de puissance conformément à un troisième mode de réalisation de l’invention, FIG. 7 La FIG. 7 représente schématiquement un module électronique conformément à un quatrième mode de réalisation de l’invention, FIG. 8 La FIG. 8 représente schématiquement un module électronique conformément à un cinquième mode de réalisation de l’invention, FIG. 9 La FIG. 9 représente schématiquement un module électronique conformément à un sixième mode de réalisation de l’invention. L’invention est à présent décrite au moyen de figures, présentes à but descriptif pour illustrer certains modes de réalisation de l’invention et qui ne doivent pas être interprétées comme limitant cette dernière. La FIG. 1 représente un module électronique de puissance 100 selon un mode de réalisation de l’invention. Un tel module 100 comprend un substrat 110 et au moins une connectique de puissance 120. Ledit substrat 110 comprend un empilement 111 et un élément d’espacement 115. Comme cela est illustré sur la FIG. 1 , l’élément d’espacement 115 peut être une couche. L’empilement 111 comprend deux couches conductrices 112a et 112b et une couche électriquement isolante 113. La couche électriquement isolante 113 est comprise entre les deux couches conductrices 112a et 112b. Dans un autre mode de réalisation l’empilement peut comprendre une couche conductrice comprise entre deux couches électriquement isolantes. Dans l’exemple représenté sur la FIG. 1 , le module électronique de puissance 100 comprend un empilement 111 mais cela n’est pas restrictif de l’invention. Ainsi, le module de puissance 100 peut comprendre plusieurs empilements 111. Dans un mode de réalisation non illustré, l’empilement 111 peut être disposé sur une semelle dissipatrice de chaleur. Une telle semelle peut comprendre une matrice en alliage aluminium-carbure de silicium, cuivre, molybdène, aluminium ou un mélange de ceux-ci. L’empilement 111 peut être disposé sur la semelle dissipatrice de chaleur par une méthode telle que la brasure, le frittage ou le collage. Les couches conductrices 112a et 112b comprennent un matériau électriquement et thermiquement conducteur alors que la couche isolante 113 comprend un matériau électriquement isolant. Le matériau électriquement et thermiquement conducteur des couches conductrices 112a et 112b peut être choisi parmi le cuivre, les alliages comprenant du cuivre et du nickel, les alliages comprenant de l’aluminium et du nickel, le cuivre nickelé doré ou un mélange de ceux-ci. Le matériau électriquement isolant de la couche isolante 113 peut être choisi parmi : des matériaux organiques par exemple à base de résine époxy (de type FR4 et ses dérivés), des matériaux diversement chargés (fibre de verre, céramiques), des matériaux à base d’oxyde d’aluminium (Al2O3), de nitrure d’aluminium (AlN) ou encore de nitrure de silicium (Si3N4). Cela permet d’obtenir un bon compromis entre le coefficient de dilatation, la performance thermique et la résistance au stress mécanique au sein de l’empilement 111. De plus, un tel matériau électriquement isolant présente l’avantage de ne pas être très onéreux. L’élément d’espacement 115 couvre au moins partiellement l’une des couches conductrices, ici la couche 112b. Un tel élément d’espacement 115 permet d’augmenter localement l’épaisseur du substrat 110 à l’endroit où la liaison avec ladite au moins une connectique de puissance 120 sera réalisée. De plus, un tel élément d’espacement 115 est encore plus avantageux lorsque la couche conductrice 112b de l’empilement 111 couverte au moins partiellement par l’élément d’espacement présente une faible épaisseur. Ainsi, ladite couche électriquement isolante 113 est protégée car l’épaisseur de la couche conductrice 112b est augmenté localement par l’élément d’espacement 115 et ne subit aucune dégradation de ses propriétés mécaniques et électriques lors de la liaison de la connectique 120 avec l’empilement 111. Une telle dégradation est possible, par exemple, lorsque la liaison entre la connectique et le substrat est réalisée par soudure laser et, que l’échauffement produit par le laser endommage au moins partiellement la couche conductrice 112b. Selon une caractéristique particulière du substrat, au moins l’une des couches conductrices 112a ou 112b de l’empilement 111 peut comprendre une épaisseur inférieure ou égale à 500 µm. Dans l’exemple illustré sur la FIG. 1 , l’élément d’espacement 115 est une couche qui couvre partiellement la couche conductrice 112b, mais cela n’est pas limitatif. Dans un mode de réalisation qui n’est pas celui représenté, l’élément d’espacement 115 peut couvrir intégralement l’une des couches conductrices 112a ou 112b. A des fins de simplification, il est décrit ci-après un mode de réalisation qui ne comprend qu’un empilement 110 et qu’une couche conductrice 112b qui est couverte partiellement par l’élément d’espacement 115. Selon une caractéristique particulière, l’élément d’espacement 115 peut comprendre un matériau électriquement conducteur. Selon une caractéristique particulière, l’élément d’espacement 115 peut comprendre un matériau électriquement conducteur choisi parmi le cuivre, le laiton, l’argent, l’aluminium, l’or, le constantan ou un mélange de ceux-ci. Selon une caractéristique particulière, une couche de fixation 114 peut être comprise entre l’élément d’espacement 115 et la couche conductrice 112b, tel qu’illustré sur la FIG. 1 , mais cela n’est pas restrictif. Ainsi, dans des modes de réalisation illustrés sur les figures 5 et 6, le substrat 110 est dépourvu de la couche de fixation 114. Une telle couche de fixation 114 permet de lier l’élément d’espacement 115 avec l’empilement 111. En effet, la couche 114 est notamment présente lorsque le procédé de fabrication du module d’électronique de puissance 100 implique une étape de fixation de l’élément d’espacement 115 par une méthode telle que frittage ou le brasage. Une couche de fixation 114 peut être prévue également lorsque le procédé de fabrication du module d’électronique de puissance est réalisé par une colle électriquement conductrice. Selon une caractéristique du substrat ou du procédé, la couche de fixation 114 peut comprendre un matériau choisi parmi les brasures sans plomb, par exemple de type SAC ou SnAg, ou encore les anciennes brasures plombées. Selon une caractéristique particulière, l’élément d’espacement 115 peut comprendre en outre plusieurs protubérances 116, tel qu’illustré sur les figures 1 et 3. De telles protubérances permettent d’assurer la stabilité de l’élément d’espacement 115. Ceci est notamment le cas lorsqu’une matière de fixation 114 est nécessaire pour la liaison de l’élément d’espacement 115 sur l’empilement 111. Les protubérances 116 sont encore plus avantageuses lorsque la couche de fixation 114 est assemblée à l’état liquide ou semi-solide. En effet, la couche de fixation 114 peut être disposée sous la forme d’une matière de fixation semi-solide. La distribution de la couche de fixation 114 sur ladite au moins une couche conductrice 112b peut dans certaines conditions être inhomogène. Lorsque l’élément d’espacement 115 est fixé, les protubérances 116 traversent la couche de fixation 114 jusqu’à être en contact avec la couche conductrice 112b. Ainsi la planéité de la liaison entre l’élément d’espacement 115 et l’empilement 111 est assurée. Les protubérances 116 permettent également de disposer l’élément d’espacement 115 parallèlement à la couche conductrice 112b, et de maitriser l’épaisseur de la couche de fixation 114 aux points de contact entre l’élément d’espacement 115 et la couche conductrice 112b. Les protubérances 116 peuvent être réalisées par un poinçon et une matrice d’emboutissage ou bien par pillage des angles ou de la bordure de la couche 115 de manière à réduire les coûts de fabrication. Lorsque les protubérances sont réalisées par un poinçon et une matrice d’emboutissage, l’élément d’espacement 115 dépourvu de protubérances est placé sur la matrice d’emboutissage comprenant une première portion en saillie et une deuxième portion en saillie. La première portion en saillie est positionnée en face de la deuxième portion en saillie. Un évidement sépare la première portion en saillie de la deuxième portion en saillie. Le poinçon applique une pression sur l’élément d’espacement de sorte que la surface inférieure de l’élément d’espacement, parallèle à la surface sur laquelle la pression est appliquée, épouse la forme de la matrice. Cette surface inférieure est déformée sous l’effet de la pression appliquée. La protubérance est ainsi formée dans l’évidemment séparant les deux portions en saillie de la matrice d’emboutissage. La présence des protubérances 116 n’est pas limitative. Ainsi, comme cela est illustré sur la FIG. 4 , l’élément d’espacement 215 du module électronique 100 est une couche qui peut être dépourvue de protubérances 116. Les avantages décrits ici pour des modes de réalisation dans lesquels le substrat 110 comporte plusieurs empilements 111, ou dans lesquels les une ou plusieurs couches 112a, 112b seraient couvertes intégralement par l’élément d’espacement 115 peuvent être transposés à ces modes de réalisation. La FIG. 7 illustre un module électronique de puissance 100 conformément à un autre mode de réalisation. Comme cela est illustré sur la FIG. 7 , l’élément d’espacement 515 comprend une première patte 516, une deuxième patte 517 et une partie centrale 518. La première patte 516 comprend une première extrémité 5160 et une deuxième extrémité 5162, et la deuxième patte 517 comprend une première extrémité 5170 et une deuxième extrémité 5172. La partie centrale 518 est solidaire de la deuxième extrémité 5162 de la première patte 516 et solidaire de la première extrémité 5170 de la deuxième patte 517. La première patte 516 est séparée de la deuxième patte 517 par une distance au moins égale à la longueur de la partie centrale 518. La partie centrale 518 est en surélévation par rapport à la première patte 516 et à la deuxième patte 517, générant un évidement 800 entre la partie centrale 518 de l’élément d’espacement 515 et l’empilement 111. La fixation de la connectique 120 est réalisée sur la partie centrale 518 de l’élément d’espacement 515. Ce mode de réalisation facilite la protection de la couche électriquement isolante 113 de l’empilement 111 lorsqu’une ou plusieurs connectiques de puissance sont fixées par des techniques comprenant un échauffement élevé et profond. En effet, la surélévation de la partie centrale 518 permet d’augmenter la distance entre la couche conductrice 112b de l’empilement 111 et la connectique 120. De ce fait, la distance entre la couche électriquement isolante 113 de l’empilement 111 et la connectique 120 est également augmentée. Ce mode de réalisation est le plus avantageux lorsque le procédé implique l’utilisation d’une matière de fixation pour fixer l’élément d’espacement 515, comme cela est illustré sur la FIG. 7 . Dans ce cas, la matière de fixation forme une première couche de fixation 114a et une deuxième couche de fixation 114b. La première couche de fixation 114a est intercalée entre la première patte 516 de la l’élément d’espacement 515 et la couche 112b de l’empilement 111. La deuxième couche de fixation 114b est intercalée entre la deuxième patte 517 de l’élément d’espacement 515 et la couche 112b de l’empilement 111. Ainsi, lors de la fixation de la connectique 120 sur la partie centrale 518 de l’élément d’espacement 515, les couches de fixation 114a, 114b, la couche 112b et la couche électriquement isolante 113 sont protégées de tout éventuel échauffement lié à la fixation de la connectique 120 sur la partie centrale 518 de l’élément d’espacement 515. Dans un tel mode de réalisation, les couches de liaison 114a et 114b peuvent être une composition de brasure, une composition de frittage ou encore des micro-pâtes ou des nano-pâtes d’argent ou de cuivre . L’élément d’espacement 515 peut être fixé sur l’empilement 111 par un traitement thermique tel que la soudure, le frittage ou la brasure. L’exemple de réalisation illustré sur la FIG. 8 diffère de celui illustré sur la FIG. 7 en ce que la première extrémité 6160 de la première patte 616 de l’élément d’espacement 615 est en regard de la deuxième extrémité 6172 de la deuxième patte 617 de l’élément d’espacement 615. La première patte 616 comprend une portion horizontale 6165 s’étendant parallèlement et sous la partie centrale 618 et une portion verticale 6167 s’étendant entre la partie horizontale 6165 et la partie centrale 618. La deuxième patte 617 comprend une portion horizontale 6175 s’étendant parallèlement et sous la partie centrale 618 et une portion verticale 6177 s’étendant entre la partie horizontale 6175 et la partie centrale 618. Une telle configuration améliore encore davantage le découplage thermique entre la partie centrale 618, la première patte 616 et la deuxième patte 617 de l’élément d’espacement 615, sans augmenter l’encombrement horizontal de l’élément d’espacement 615. Ce mode de réalisation est le plus avantageux également lorsque le procédé implique l’utilisation d’une matière de fixation pour fixer l’élément d’espacement 615, comme cela est illustré sur la FIG. 8 . Dans ce cas, la première couche de fixation 114a est intercalée entre la partie horizontale 6165 de la première patte 616 de l’élément d’espacement 615 et la couche conductrice 112b de l’empilement 111. La deuxième couche de fixation 114b est intercalée entre la partie horizontale 6175 de la deuxième patte 617 de l’élément d’espacement 615 et la couche conductrice 112b de l’empilement 111. L’exemple de module électronique de puissance 100 illustré sur la FIG. 9 diffère de celui de la FIG. 7 en ce que la première patte 716 forme un premier ressort d’amortissement 7161 et la deuxième patte 717 forme un deuxième ressort d’amortissement 7171. Chacun des ressorts 7161 et 7171 s’étendent sous la partie centrale 718 de l’élément d’espacement 715. Le premier ressort 7161 comprend une première portion horizontale 7162, une deuxième portion horizontale 7164 et une troisième portion horizontale 7166. Le premier ressort 7161 comprend une première portion verticale 7163 et une deuxième portion verticale 7165. La première portion verticale 7163 n’est pas solidaire de la deuxième portion verticale 7165. La première portion horizontale 7162 est couplée à la deuxième portion horizontale 7164 par la première portion verticale 7163. La deuxième portion horizontale 7164 est couplée à la troisième portion horizontale 7166 par la deuxième portion verticale 7165. Le deuxième ressort 7171 comprend une première portion horizontale 7172, une deuxième portion horizontale 7174 et une troisième portion horizontale 7176. Le deuxième ressort 7171 comprend une première portion verticale 7173 et une deuxième portion verticale 7175. La première portion verticale 7173 n’est pas solidaire de la deuxième portion verticale 7175. La première portion horizontale 7172 est couplée à la deuxième portion horizontale 7174 par la première portion verticale 7173. La deuxième portion horizontale 7174 est couplée à la troisième portion horizontale 7176 par la deuxième portion verticale 7175. Une telle configuration permet de diminuer le stress mécanique subi par l’empilement 111 lors de la fixation de la connectique 120 sur l’élément d’espacement 715. En effet, lorsque l’outil de fixation de la connectique 120 est en contact avec l’élément d’espacement 715, l’outil peut exercer un effort mécanique élevé sur l’élément d’espacement 715. Cet effort mécanique peut endommager les points d’appui de l’empilement 111 sur lesquels est fixé ou disposé l’élément d’espacement 715, et endommager la liaison électrique entre l’élément d’espacement 715 et la couche conductrice 112b, en particulier au niveau des couches de fixation 114a et 114b. La présence des ressorts d’amortissement 7161 et 7171 permet donc de limiter l’effort mécanique sur ces points d’appui et de protéger par conséquent davantage la fixation de l’élément d’espacement 715 sur l’empilement 111. Les avantages décrits ici pour des modes de réalisation dans lesquels le substrat 110 comporte plusieurs empilements 111 peuvent être transposés à ces modes de réalisation. On décrit maintenant un exemple du procédé de fabrication d’un module d’électronique de puissance 100. Ce procédé permet par exemple l’obtention du substrat équipé du module d’électronique de puissance illustré sur la FIG. 1 . Les étapes d’un tel procédé sont illustrées sur la FIG. 2 . Dans une première étape E1, une matière de fixation peut être disposée sur l’empilement 111. Sur les modes de réalisation représentés sur les figures 1, 3 et 4, la couche de fixation 114 est formée par ladite matière de fixation. Ceci est également le cas des couches 114a et 114b des modes de réalisation illustrés sur les figures 7 à 9. L’empilement 111 comprend deux couches conductrices 112a, 112b et une couche électriquement isolante 113. La couche électriquement isolante 113 est comprise entre les deux couches conductrices 112a et 112b. Selon une caractéristique particulière du procédé, au moins l’une des couches conductrices 112a ou 112b de l’empilement 111 peut comprendre une épaisseur inférieure ou égale à 500 µm. C’est en effet pour de tels empilements que le procédé est particulièrement avantageux car une dégradation encore plus importante des propriétés mécaniques et électriques est observée lors de la réalisation de la liaison d’une connectique sur un substrat dans les procédés de l’art antérieur. Selon une autre caractéristique particulière du procédé, celui-ci peut être dépourvu de l’étape E1 de disposition d’une matière de fixation sur l’empilement 111. Dans un tel mode de réalisation, l’élément d’espacement 315, 415 peut être disposé sur l’empilement 111 et sur celle-ci la connectique de puissance 120. Les figures 5 et 6 illustrent des exemples de ce mode de réalisation. Un tel procédé permet d’assurer la protection de la couche isolante 113 de l’empilement 111 et l’augmentation de l’épaisseur locale du substrat 110 par la disposition ou fixation d’une seule et unique couche sur l’empilement 111. Ainsi, il est possible d’obtenir un procédé encore plus facile à mettre en œuvre. Sur la FIG. 5 , l’élément d’espacement 315 correspond à une couche qui est fixée sur la couche conductrice 112b de l’empilement 111. Dans un tel mode de réalisation, l’élément d’espacement 315 peut être une plaque générée par la croissance d’un matériau conducteur de l’électricité. Dans ce cas, l’élément d’espacement 315 peut être formé par galvanoplastie ou par fabrication additive sur lit de poudre métallique. La poudre métallique utilisée lors de la fabrication additive peut comprendre de l’aluminium. La plaque formant l’élément d’espacement 315 peut comprendre un matériau métallique choisi parmi le cuivre, le zinc, le laiton, l’étain, l’aluminium l’argent ou un mélange de ceux-ci. L’élément d’espacement 315 peut être fixé sur l’empilement 111 par un traitement thermique tel que la soudure électrique ou la soudure par ultrasons. Sur la FIG. 6 , l’élément d’espacement 415 est comprise dans une région d’une des couches de l’empilement 111. Ici, l’élément d’espacement 415 fait partie d’une première région 1121b de la couche conductrice 112b de l’empilement 111. Dans un tel mode de réalisation l’élément d’espacement 415 peut être fabriqué par gravure chimique ou par usinage mécanique de la couche conductrice 112b de l’empilement 111. Avant la fabrication de l’élément d’espacement 415, la couche conductrice 112b est d’épaisseur e1 constante. La valeur de l’épaisseur e1 est définie de sorte à protéger la couche isolante 113 lors de la gravure chimique ou l’usinage mécanique de la couche conductrice 112b. Lorsque la couche conductrice 112b est gravée chimiquement ou usinée mécaniquement, la couche conductrice 112b comprend une première région 1121b d’épaisseur e1 et une deuxième région 1122b d’épaisseur e2. L’épaisseur e2 de la deuxième région 1122b est inférieure à l’épaisseur e1 de la première région 1121b. La première région 1121b comprend l’élément d’espacement 415 d’épaisseur e3, de manière à avoir e1 = e2 + e3. La présence de la deuxième région 1122b permet de réduire les tensions induites par la dilation de la couche conductrice 112b lors d’un changement de température, de réduire la masse totale et le volume total du module et d’améliorer la finesse de la gravure des pistes sur le substrat. Selon une caractéristique particulière du procédé, lorsqu’une matière de fixation a été disposée sur l’empilement, il peut être procédé ensuite à la fixation d’un l’élément d’espacement 115 lors d’une étape E2. L’élément d’espacement 115 étant alors disposé sur ladite couche de fixation 114. L’élément d’espacement 115 présente une surface interne 117 et une surface externe 118. Selon une caractéristique particulière, l’élément d’espacement 115 peut comprendre un matériau métallique choisi parmi le cuivre, le laiton, l’Invar ®, le Nilo 42 ®, l’argent, l’or ou l’Aluminium nickelé. Selon une caractéristique particulière du procédé, l’étape de fixation d’un l’élément d’espacement 115 peut être suivie d’une étape E3 de traitement thermique. Le traitement thermique peut comprendre une étape de brasure au four par refusion, de brasure au fer à souder ou de brasure à la vague sélective. Un tel traitement thermique permet de solidariser l’élément d’espacement 115 avec ledit empilement 111. Les figures 3 et 4 illustrent des exemples d’un substrat 110 obtenu à l’issu de l’étape E3. Selon une caractéristique particulière, l’étape de E3 de traitement thermique peut être réalisée simultanément pour une pluralité des substrats 110.Ainsi, il est possible de fabriquer une pluralité des modules électroniques de puissance 100 en même temps et par conséquent obtenir un procédé plus économique et plus rapide. Selon une caractéristique particulière du procédé, ladite étape E3 peut être réalisée sous atmosphère d’azote N 2 ou sous vide. Selon une caractéristique particulière du procédé, une étape de fabrication de plusieurs protubérances 116 sur la surface interne 117 de l’élément d’espacement 115 peut être effectuée, et ceci avant l’étape de fixation ou disposition de l’élément d’espacement E2. La FIG. 3 illustre un substrat 110 qui peut être obtenu à l’issu d’un tel procédé. La fabrication de telles protubérances 116 sur la surface interne 117 de l’élément d’espacement 115 permet d’assurer la stabilité de l’élément d’espacement 115. Les protubérances 116 sont encore plus avantageuses lorsqu’une couche de fixation 114 est disposée sur une des couches conductrices lors de la fabrication du module électronique 100. Selon une caractéristique particulière du substrat et du procédé, les protubérances peuvent comprendre une hauteur comprise entre 40µm et 150µm. Une telle hauteur permet de rendre les contraintes thermomécaniques du produit dans son utilisation compatibles des performances mécaniques de la brasure Selon une caractéristique particulière du procédé, une étape de torsion de l’élément d’espacement peut être effectuée, de sorte à former une partie centrale, une première patte et une deuxième patte, et ceci avant l’étape de fixation ou disposition de l’élément d’espacement E2. Les figures 7 et 8 illustrent un module 100 qui peut être obtenu à l’issu d’un tel procédé. Selon une caractéristique particulière du procédé, une étape de formation d’un premier ressort d’amortissement 7161 et un deuxième ressort d’amortissement 7171 peut être effectuée et ceci avant l’étape de fixation ou disposition de l’élément d’espacement E2. La FIG. 9 illustre un module 100 qui peut être obtenu à l’issu d’un tel procédé. Selon une caractéristique particulière du procédé, chacune des étapes du procédé peuvent être réalisées simultanément pour une pluralité des substrats 110. Dans ce cadre, les substrats 110 peuvent être mécaniquement couplés ensemble pour former un même panneau. Une telle configuration des étapes du procédé permet de fabriquer une pluralité de substrats 110 de manière simultanée. Ainsi, le procédé peut être plus rapide et plus économique. L’étape de traitement thermique E3 est suivie d’une étape de soudure laser E4 d’un au moins une connectique de puissance 120 sur au moins un élément d’espacement 115. Une telle étape permet d’obtenir une liaison robuste entre ladite au moins une connectique et le substrat. En effet, la soudure laser présente l’avantage d’avoir une haute précision et de permettre la réalisation d’une soudure profonde, sans intermétalliques et sans projection de matière en fusion. Ainsi il est possible d’obtenir un module d’électronique de puissance ayant des propriétés mécaniques et électriques améliorées par rapport aux solutions de l’art antérieur. Selon une caractéristique particulière du procédé, ladite étape E4 peut être réalisée à une température comprise entre 150°C et 300°C. Selon une caractéristique particulière du procédé, ladite étape E4 peut être réalisée sous atmosphère standard ou contrôlée . Selon une caractéristique particulière du procédé, ladite étape de soudure laser E4 peut être réalisée simultanément pour une pluralité des substrats 110. Ainsi, il est possible de fabriquer une pluralité des modules électroniques de puissance 100 en même temps et par conséquent obtenir un procédé plus économique et plus rapide. Lorsque les substrats 110 sont mécaniquement couplés ensemble pour former un même panneau, le procédé peut comprendre en outre une étape de découplage d’un substrat 110 du panneau. Dans ce cas, l’étape de découplage d’un substrat 110 est réalisée avant l’étape de soudure laser E4. Lorsque le procédé comprend une étape E3 de traitement thermique, l’étape de découplage d’un substrat 110 peut être réalisée après l’étape E3 de traitement thermique et avant l’étape de soudure laser E4. Procédé de fabrication d’un module électronique de puissance (100) comprenant un substrat (110) comportant au moins un empilement (111) de plusieurs couches, caractérisé en ce que le procédé comprend : - une étape de disposition ou de fixation sur une (112b) des couches dudit au moins un empilement (111) d’un élément d’espacement (115, 215, 315, 415, 515, 615 , 715) , l’élément d’espacement comprenant une épaisseur supérieure ou égale à 200 µm, - une étape de fixation d’au moins une connectique (120) sur l’élément d’espacement (115, 215, 315, 415, 515, 615, 715). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le procédé comprend en outre les étapes suivantes : - la disposition d’une matière de fixation sur une (112b) des couches dudit au moins un empilement (111), - la fixation de l’élément d’espacement (115, 215, 515, 615, 715), - la réalisation d’un traitement thermique pour solidariser ledit empilement (111) avec ledit élément d’espacement (115, 215, 515, 615, 715). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’élément d’espacement (515, 615, 715) comprend une première patte (516, 616, 716), une deuxième patte (517, 617, 717) et une partie centrale (518, 618, 718) comprise entre la première patte (516, 616, 716) et la deuxième patte (517, 617, 717), la première patte (516, 616, 716) et la deuxième patte (517, 617, 717) étant solidaires de la partie centrale (518, 618, 718) et fixées ou disposées sur une des couches dudit au moins un empilement (111) , la partie centrale (518, 618, 718) étant surélevée par rapport à la première patte (516, 616, 716) et à la deuxième patte (517, 617, 717), formant un évidement (800) entre l’empilement (111) et la partie centrale (518, 618, 718) surélevée. Procédé selon la revendication 3, dans lequel chacune des pattes parmi la première patte (716) et la deuxième patte (717) de l’élément d’espacement (715) forme un ressort d’amortissement (7161, 7171) s’étendant sous la partie centrale (718) de l’élément d’espacement (715). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l’élément d’espacement (115) comprend en outre plusieurs protubérances (116) d’une hauteur déterminée, lesdites protubérances (116) étant en contact avec la couche (112b) sur laquelle est fixé l’élément d’espacement (115). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chacune des étapes dudit procédé est réalisée pour une pluralité de substrats (110) simultanément, lesdits substrats (110) étant mécaniquement couplés ensemble pour former un même panneau. Procédé selon la revendication 6, comprenant en outre une étape de découplage d’un substrat 110 du panneau. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape de fixation d’au moins une connectique est réalisée par soudure laser. Module électronique de puissance (100) caractérisé en ce qu’il comprend un substrat comportant au moins un empilement (111) de plusieurs couches, un élément d’espacement (115, 215, 315, 415, 515, 615, 715) disposé ou fixé sur une des couches de l’empilement (111), l’élément d’espacement (115, 215, 315, 415, 515, 615, 715) comprenant une épaisseur supérieure ou égale à 200 µm, au moins une connectique de puissance (120) et, en ce que le module électronique de puissance (100) est obtenu par un procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8. Module selon la revendication 9, dans lequel ledit élément d’espacement (115) comprend en outre plusieurs protubérances (116) d’une hauteur déterminée, lesdites protubérances (116) étant en contact avec la couche sur laquelle est fixé l’élément d’espacement (115).