FR 3155101 A1 20250509 FR 2312046 A 20231107 Puce laser à semi-conducteur pour capteur de gaz Puce laser à semiconducteur comportant une cavité optique qui comprend : Un guide d’onde s’étendant selon un axe Ox et configuré pour amplifier une onde électromagnétique de longueur d’onde λ, Un réflecteur placé à une extrémité longitudinale de la cavité optique, ledit réflecteur étant agencé pour fermer le guide d’onde, ledit réflecteur étant configuré pour réfléchir au moins partiellement l’onde électromagnétique dans le guide d’onde, Un réseau à effet de contre-rétroaction répartie disposé dans la cavité optique, ledit réseau à effet de contre-rétroaction répartie comprenant des motifs périodiques disposés selon un pas ^ régulier, ledit réseau comprenant au moins un point de référence correspondant à un extrema de l’une des composantes de Fourier dudit réseau, ladite composante de Fourier étant responsable de l’effet de contre-rétroaction répartie du réseau, le réflecteur à l’extrémité de la cavité optique étant positionné de manière à ce que l’onde électromagnétique se propageant dans le guide d’onde depuis ce point de référence et se réfléchissant sur le réflecteur a une phase qui évolue de π/8 [π/4] lorsque ladite onde électromagnétique passe par ledit point de référence après être réfléchie sur le réflecteur Figure pour l’abrégé : Figure 1 Puce laser à semi-conducteur pour capteur de gaz La présente invention se rapporte au domaine des lasers à semiconducteur, et plus particulièrement des puces laser à semiconducteur à contre rétroaction répartie, notamment pour des capteurs de gaz. L’invention se rapporte également à un procédé de fabrication d’une telle puce laser à semi-conducteur. On entend par laser à cascade quantique, ou QCL, acronyme pour « Quantum Cascade Laser » un laser à semi-conducteur pouvant émettre un photon dans un domaine de longueurs d’ondes allant du moyen infrarouge au lointain infrarouge, l’émission laser étant obtenue par transitions inter-sous-bandes d’une structure à confinement quantique. De manière générale, une puce laser à semi-conducteur est obtenue par une suite complexe d’étapes de dépôt de couches sur un substrat monocristallin (aussi appelé substrat dans la présente description) formant une plaquette (appelée en général wafer en anglais) et par découpe de cette plaquette pour obtenir des puces laser. Ce dépôt de couches est réalisé soit par épitaxie en phase liquide ou gazeuse, soit par jet moléculaire sur le substrat. Le substrat est constitué d’un cristal pur (en général InP ou InAs ou GaAs ou autre matériau semiconducteur). Une série d’étapes de gravure chimique ou physicochimiques et de dépôt de matériaux pouvant être non cristallins ou cristallins sont ensuite destinés à constituer la cavité laser ainsi que le réseau de diffraction et structurer de la puce laser. Des étapes de clivage de la puce laser sont ensuite réalisées pour d’une part, délimiter les dimensions de la puce laser, et d’autre part former les facettes avant et arrière de la puce laser qui joueront le rôle de réflecteur. On entend par laser à semi-conducteur à contre-rétroaction répartie, ou DFB pour « Distributed Feedback » en anglais, un laser à semi-conducteur mettant en œuvre un guide optique et possédant un réseau permettant une contre-rétroaction répartie, celui-ci pouvant être métallique ou de surface. Les réseaux à contre réseau est un réseau périodique dans au moins une direction de l'espace, tel qu'une de ses composantes de Fourier non nulle a une période lui conférant son effet DFB. Il est connu que le premier objectif de la contre-rétroaction répartie est d’éliminer au maximum les modes secondaires du laser. Un deuxième objectif est généralement de réduire les pertes miroir, c’est-à-dire les pertes dues à la longueur finie de la cavité du laser. Actuellement, il existe deux technologies principales de réalisation de lasers à contre-rétroaction répartie. Ces deux technologies connues sont d’une part l’utilisation de réseaux enterrés, dans le but d’effectuer une modulation par l’indice, et d’autre part l’utilisation de réseaux métalliques de surface, dans le but d’effectuer une modulation par le gain. La technologie qu’on appellera « des réseaux enterrés » consiste à graver un réseau périodique d’épaisseur en créneaux après la croissance de la zone active du laser semi-conducteur. Ensuite la couche supérieure du guide du laser est réalisée par une nouvelle étape de croissance dur le réseau. Cette technologie introduit un couplage par l’indice car l’onde se propageant dans la zone active perçoit une modulation de l’indice effectif de la cavité et évolue avec l’épaisseur. Elle permet d’obtenir une forte contre-rétroaction répartie sans dégrader le seuil du laser, c’est-à-dire sans introduire de perte supplémentaire. La seconde technologie connue permettant de réaliser des lasers à contre-rétroaction répartie est celle des « réseaux de surface métallisés ». Cette technologie permet de réaliser un couplage par le gain (ou couplage par les pertes). Il s’agit ici de réaliser la croissance de toutes les couches du laser: zone active, guides et couches de contact. Un motif est ensuite gravé dans le guide supérieur puis métallisé. Par rapport à la technologie des réseaux enterrés, cette technologie présente l’avantage que les étapes introduisant la contre-rétroaction répartie, en particulier la gravure du motif dans le guide supérieur, sont réalisées après la croissance de toutes les couches. Il est bien connu qu’un laser à semiconducteur comprend deux facettes délimitant la cavité optique dudit laser, une facette avec une forte réflectivité, configurée pour refléter l’onde optique, ladite facette étant généralement appelée « facette arrière », et une facette avec une faible réflectivité configurée pour laisser passer l’onde optique à l’extérieur de la cavité optique généralement appelée « facette avant ». Les facettes sont généralement obtenues par clivage ou gravure et l’imprécision de cette étape a pour effet d’entrainer une diminution de l’effet de contre-rétroaction répartie du réseau à effet de contre-rétroaction répartie et de réduire les performances de la puce laser. La présente invention vise à remédier à ce problème en proposant une puce laser ayant une performance améliorée et un effet à contre-rétroaction répartie optimisé. Pour cela, l’invention propose une puce laser à semiconducteur comportant une cavité optique qui comprend : Un guide d’onde s’étendant selon un axe Ox et configuré pour amplifier une onde électromagnétique de longueur d’onde λ, Un réflecteur placé à une extrémité longitudinale de la cavité optique, ledit réflecteur étant agencé pour fermer le guide d’onde, ledit réflecteur étant configuré pour réfléchir au moins partiellement l’onde électromagnétique dans le guide d’onde, Un réseau à effet de contre-rétroaction répartie disposé dans la cavité optique, ledit réseau à effet de contre-rétroaction répartie comprenant des motifs périodiques, lesdits motifs étant disposés selon un pas ^ régulier, ledit réseau comprenant au moins un point de référence correspondant à un extrema de l’une des composantes de Fourier dudit réseau, ladite composante de Fourier étant responsable de l’effet de contre-rétroaction répartie du réseau, le réflecteur à l’extrémité de la cavité optique étant positionné de manière à ce que l’onde électromagnétique se propageant dans le guide d’onde depuis ce point de référence et se réfléchissant sur le réflecteur a une phase qui évolue de π/8 [π/4] lorsque ladite onde électromagnétique passe par ce point de référence après être réfléchie sur le réflecteur. Autrement dit, le réflecteur est positionné de manière à ce que l’onde électromagnétique se propageant dans le guide d’onde a une phase qui évolue de π/8 [π/4] quand ladite onde électromagnétique passe par un point de référence après avoir été réfléchie par le réflecteur. Par [π/4], « modulo π/4 », il est entendu que la phase de l’onde électromagnétique évolue à π/4 près. Autrement dit, lorsque la phase de l’onde électromagnétique évolue de π/4, elle passe par un point de référence, par exemple d’un point de référence à un autre. La puce laser selon l’invention permet d’obtenir une différence de phase au point de référence du réseau à effet de contre-rétroaction répartie après réflexion de l’onde électromagnétique sur le réflecteur assurant une puissance optique optimisée de la puce laser. En maitrisant cette différence de phase, cela permet d’obtenir une reproductibilité dans la fabrication des puces lasers et donc une puissance optique homogène entre puces lasers, ainsi qu’entre cavités laser d’une même puce. Dans un aspect selon l’invention, le réseau comprend une pluralité de points de référence, lesdits points de références correspondant chacun à des extrema de l’une des composantes de Fourier dudit réseau, ladite composante de Fourier étant responsable de l’effet de contre-rétroaction répartie du réseau. Dans ce cas, lorsque la phase de l’onde électromagnétique évolue de π/4, elle passe par d’un point de référence à un autre. Dans un aspect selon l’invention, le point de référence est situé sur un extrema d’un motif du réseau à effet de contre-rétroaction répartie, par exemple sur un minima ou un maxima dudit motif. Dans un aspect selon l’invention, chaque motif du réseau à effet de contre-rétroaction répartie comprend un minima et un maxima séparés d’une épaisseur e1, le minima étant le point le plus proche du guide d’onde et le maxima étant le point le plus éloigné du guide d’onde. Dans un aspect selon l’invention, les motifs du réseau à effet de contre-rétroaction répartie sont des créneaux, chaque créneau comprenant un creux et un sommet sensiblement parallèles à la cavité optique et sensiblement parallèles entre eux, le creux et le sommet étant séparés par l’épaisseur e1, lesdits créneaux étant disposés de manière continue dans la cavité optique de manière périodique. Dans un aspect selon l’invention, les extrema du motif de réseau à effet de contre-rétroaction répartie correspondent au point situé au milieu du creux du créneau pour le minima, et au point situé au milieu du sommet du créneau pour le maxima. Le minima est ici situé plus proche du guide d’onde que le maxima. Dans un aspect selon l’invention, le point de référence est situé sur le motif du réseau à effet de contre-rétroaction répartie le plus proche du réflecteur. Dans un aspect selon l’invention, le point de référence est situé sur l’extrema, notamment le minima ou le maxima, du motif du réseau à contre-rétroaction répartie le plus proche du réflecteur. Dans un aspect selon l’invention, le motif du créneau à effet de contre-rétroaction répartie a une forme choisie parmi un carré, un rectangle, un trapèze, un triangle, une demi-sphère, une ellipse. Dans un aspect selon l’invention, le guide d’onde a un indice de réfraction n1. De préférence, le guide d’onde a un indice de réfraction n1 de 3,2. Dans un aspect selon l’invention, le réseau à effet de contre-rétroaction répartie est configuré pour se décomposer en composantes de Fourier de telle sorte que la composante de Fourier a un pas ^ spécifique de la longueur d’onde λ. Autrement dit, le réseau à effet de contre-rétroaction répartie est un réseau périodique dans au moins une direction de l'espace, la direction Ox, tel qu'une de ses composantes de Fourier non nulle a un pas spécifique à la longueur d'onde λ de l’onde électromagnétique amplifiée dans le guide d’onde. C’est cette composante de Fourier qui est responsable de l’effet à contre-rétroaction répartie. Dans un aspect selon l’invention, le réseau à effet de contre-rétroaction répartie est configuré pour se décomposer en composante de Fourier de telle sorte que son pas ^ est égale à λ/(2.n1). Dans un aspect selon l’invention, le réflecteur est agencé pour réfléchir au moins partiellement l’onde électromagnétique formant ainsi une onde réfléchie, ledit réflecteur étant agencé pour générer une différence de phase de π/8 [π/4] entre l’onde réfléchie par ladite le déflecteur et la composante de Fourier du réseau à effet de contre-rétroaction répartie. Dans un aspect selon l’invention, le point de référence est un extrema de l’ordre de la composante de Fourier du réseau à contre-rétroaction répartie, cet ordre étant celui le plus proche de λ/(2.n1). Dans un aspect selon l’invention, la puce laser à semi-conducteur comporte une couche diélectrique disposée entre le réflecteur et le guide d’onde de sorte que l’onde se propageant dans le guide d’onde traverse cette couche diélectrique avant d’atteindre le réflecteur. Dans un aspect selon l’invention, cette couche diélectrique comprend un matériau isolant électriquement. De cette manière, les courts-circuits électriques entre le réseau à effet de contre-rétroaction répartie et le réflecteur sont évités. Ceci est particulièrement important lorsque le réflecteur est une surface réfléchissante métallique. Dans un aspect selon l’invention, la couche diélectrique comprend du SiO2. Dans un aspect selon l’invention, la couche diélectrique a une longueur L2 s’étendant selon l’axe Ox. Dans un aspect selon l’invention, la couche diélectrique a un indice de réfraction n2 inférieur à l’indice de réfraction du guide d’onde. Dans un aspect selon l’invention, la couche diélectrique a un indice de réfraction n2 de 1,5. Dans un aspect selon l’invention, le réseau à effet de contre-rétroaction répartie est gravé dans la cavité optique. Dans un aspect selon l’invention, le réflecteur est une surface réfléchissante métallique, notamment un miroir métallique. En alternative, le réflecteur est une surface pouvant être assimilée à une surface réfléchissante métallique. Il peut s’agir notamment d’un empilement de couches comprenant un matériau diélectrique générant une réflectivité élevée pouvant être assimilé à une surface réfléchissante métallique telle qu’un miroir métallique. Dans un aspect selon l’invention, le guide d’onde présente une longueur L1 s’étendant selon l’axe Ox entre la couche diélectrique et le point de référence et un indice de réfraction n1, la couche diélectrique a une longueur L2 s’étendant selon l’axe Ox et un indice de réfraction n2, la puce laser comprenant un espacement E entre le réflecteur et le point de référence du réseau à effet de contre-rétroaction répartie tel que E = n1.L1+n2.L2 = λ/16 [λ/8]. Autrement dit, la longueur L1 et la longueur L2 sont définies de manière à avoir un espacement E souhaité entre le réflecteur et le point de référence du réseau. Cet espacement E s’étend dans la direction selon l’axe Ox entre le réflecteur et le point de référence. Par [λ/8], « modulo λ/8 », on entend ici à λ/8 près. Dans un aspect selon l’invention, la longueur L1 du guide d’onde est comprise entre 1 et 5 mm. Dans un aspect selon l’invention, la longueur L2 de la couche diélectrique est comprise entre 0.5 et 2µm. Un tel espacement E permet d’obtenir une différence de phase au point de référence du réseau à effet de contre-rétroaction répartie avant et après la réflexion de l’onde électromagnétique contre le réflecteur telle que la puissance optique de la puce laser est optimisée. Cet espacement étant maitrisé, il est plus aisé de réaliser des puces laser de manière reproductible et ayant une puissance homogène. Dans un aspect selon l’invention, la puce laser est une puce laser à cascade quantique. Dans un aspect selon l’invention, la puce laser est configurée pour émettre un rayonnement lumineux en régime impulsionnel. Ceci permet notamment de réduire la consommation en énergie pour alimenter lesdites unités laser par rapport à un régime continu. Le rendement de la puce laser (énergie optique / énergie électrique requise) est donc amélioré. Dans un aspect selon l’invention, la puce laser est configurée pour émettre un rayonnement lumineux à une longueur d’ondes dans l’infrarouge, de préférence dans le moyen infrarouge. Dans un aspect selon l’invention, la puce laser est configurée pour émettre un rayonnement lumineux dans une gamme de longueurs d’onde comprise entre 3 et 15 microns, de préférence entre 4 et 10 microns, de préférence égale à 8 microns. Dans un aspect selon l’invention, lorsque la longueur d’onde de l’onde électromagnétique est de 8 microns, l’espacement E est de 0,5 micromètres [1 micromètre]. Dans un aspect selon l’invention, la cavité optique est délimitée à chaque extrémité longitudinale selon Ox par une facette avant et une facette arrière, la facette avant de la cavité étant la facette par laquelle on récupère l’onde électromagnétique, et la facette arrière étant l’autre facette disposée à l’opposé longitudinale de la cavité optique selon l’axe Ox de la facette avant, ladite facette arrière étant réfléchissante de manière à renvoyer l’onde électromagnétique dans la cavité optique. Dans un aspect selon l’invention, la facette arrière a une réflectivité comprise entre 0,3 et 1, de préférence entre 0,5 et 1, de préférence supérieure à 0.8. Dans un aspect selon l’invention, la facette avant a une réflectivité comprise entre 0 et 1de préférence entre 0 et 0,5, de préférence inférieure à 0,3. Dans un aspect selon l’invention, la facette arrière est obtenue par gravure de la puce laser. Dans un aspect selon l’invention, le réflecteur est adjacent à la facette arrière. Autrement dit, le réflecteur est disposé sur la facette arrière entre ladite facette arrière et le guide d’onde. La propriété réfléchissante de la facette arrière peut donc être obtenue grâce au réflecteur disposé sur ladite facette arrière. Dans un aspect selon l’invention, le réflecteur est collé sur la facette arrière. C’est notamment le cas lorsque le réflecteur est une surface métallique. Dans un autre aspect selon l’invention, le réflecteur est déposé sur la facette arrière par dépôt de couches. C’est notamment le cas lorsque la facette arrière est un empilement de couches comprenant un matériau diélectrique générant une réflectivité élevée pouvant être assimilé à une surface réfléchissante métallique. Dans un aspect selon l’invention, le réflecteur est obtenu par gravure de la facette arrière de la cavité optique et empilement de couches sur ladite facette arrière d’un matériau ayant une réflectivité comprise entre … Dans un aspect selon l’invention, la cavité optique présente une distance d entre la facette arrière et le point de référence, ladite distance d s’étendant selon l’axe Ox, la couche diélectrique étant comprise dans cette distance d. Dans un aspect selon l’invention, la longueur de la couche diélectrique est choisie de telle sorte que l’espacement E entre le réflecteur et le point de référence permet d’obtenir le déphasage souhaité. Autrement dit, la quantité de diélectrique déposée est adaptée à l’espacement souhaité. Dans un aspect selon l’invention, la cavité optique comprend au moins une couche de confinement s’étendant selon l’axe Ox comprenant un matériau diélectrique configurée pour confiner l’onde électromagnétique dans le guide d’onde, ladite couche s’étendant selon l’axe Ox, ladite couche de confinement étant adjacente étant superposée au guide d’onde et adjacente à celui-ci. Cette couche de confinement permet de confiner la propagation de l’onde électromagnétique dans le guide d’onde. Dans un aspect selon l’invention, la couche de confinement comprend du SiO2. Dans un aspect selon l’invention, la facette avant est obtenue par clivage de la cavité optique. Dans un aspect selon l’invention, la puce laser comprend un substrat sur lequel sont déposées un ensemble de couche formant la cavité optique. Dans un aspect selon l’invention, la puce laser comprend au moins deux cavités optiques, chaque cavité optique comprenant au moins un guide d’onde agencé pour la propagation d’une onde électromagnétique. Dans un aspect selon l’invention, la puce laser selon l’invention comprend au moins une électrode formée par dépôt d’un matériau électriquement conducteur, notamment de l’or. La présente invention porte également sur un capteur de gaz comprenant : Une cellule formant un résonateur, comprenant un conduit d’entrée de gaz, un conduit de sortie de gaz et au moins une ouverture dite entrée laser, Au moins une puce laser telle que décrite précédemment, la puce laser étant configurée pour émettre, dans la cellule, un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde dont la valeur est spécifiquement adaptée à l’excitation d’un gaz à détecter, de telle sorte qu’une interaction entre le rayonnement lumineux et le gaz à détecter contenu dans la cellule induise la génération d’un signal caractéristique de la présence dudit gaz à une fréquence de résonnance de la cellule, et Un dispositif de détection du signal. L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’une puce à semi-conducteur telle que décrite précédemment, comprenant les étapes suivantes : Dépôt de couches de matière sur un substrat pour former au moins une cavité optique comprenant un guide d’onde agencé pour la propagation d’une onde électromagnétique, ledit guide d’onde s’étendant entre deux extrémités selon un axe Ox, Gravure d’un réseau à effet de contre-rétroaction répartie sur le guide d’onde, ladite couche de confinement étant comprise dans la cavité optique, le réseau à effet de contre-rétroaction répartie comprenant une succession de motifs périodiques, un point de référence étant défini sur ledit réseau, Gravure de la cavité optique de manière à délimiter l’une des extrémités longitudinales du guide d’onde selon l’axe Ox par une facette arrière, ladite gravure étant réalisée à une distance d du point de référence du réseau à effet de contre-rétroaction répartie, Dépôt d’un réflecteur entre le guide d’onde et la facette arrière. Avantageusement, l’étape de gravure de la cavité optique est réalisée avant l’étape de gravure du réseau à effet de contre-rétroaction répartie. Avantageusement, les motifs du réseau sont fabriqués par structuration d'une couche simple par lithographie électronique ou par photolithographie et gravure sélective. Dans un aspect selon l’invention, le procédé comprend une étape de clivage de la cavité laser de manière à délimiter l’autre extrémité longitudinale du guide d’onde selon l’axe Ox par une facette avant. Dans un aspect selon l’invention, le réflecteur est déposé sur la facette arrière par collage dudit réflecteur. De manière alternative, le réflecteur est déposé sur la facette arrière par dépôt de couches d’au moins un matériau diélectrique ayant une réflectivité comprise entre 0.9 et 1. Dans un aspect selon l’invention, le procédé comprend une étape de dépôt d’une couche de diélectrique entre le guide d’onde et le réflecteur. Dans un aspect selon l’invention, l’étape de dépôt de couches de matière sur le substrat comprend une sous-étape de dépôt d’au moins une couche de confinement adjacente au guide d’onde, ladite couche de confinement s’étendant sur toute la longueur du guide d’onde. Dans un aspect selon l’invention, le réflecteur est déposé à un espacement E du point de référence, ledit espacement E étant tel que l’onde électromagnétique se propageant dans le guide d’onde depuis ce point de référence et se réfléchissant sur le réflecteur a une phase qui évolue de π/8 [π/4] lorsque ladite onde électromagnétique passe par ce point de référence après être réfléchie sur le réflecteur. Dans un aspect selon l’invention, l’espacement E entre le réflecteur et le point de référence du réseau à effet de contre-rétroaction répartie disposé sur le minima du motif le plus proche du réflecteur est tel que E = n1.L1+n2.L2. Dans un aspect selon l’invention, l’espacement E est tel que E = λ/16 [λ/8]. D'autres caractéristiques, détails et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description donnée ci-après à titre indicatif en relation avec des dessins dans lesquels : La FIG. 1 FIG. 1 représente une puce laser à semi-conducteur selon l’invention. La FIG. 2 FIG. 2 représente la manière dont se décompose la composante de Fourier du réseau à contre-rétroaction répartie de la puce laser selon l’invention. La FIG. 1 représente une puce laser à semi-conducteur selon l’invention. La puce laser 1 comprend une cavité optique 2 qui comporte : un guide d’onde 3 s’étendant selon un axe Ox, le guide d’onde étant configuré pour amplifier une onde électromagnétique de longueur d’onde λ, un réflecteur 9 placé à une extrémité longitudinale de la cavité optique 2, ledit réflecteur 9 étant agencé pour fermer le guide d’onde 3, ledit réflecteur 9 étant configuré pour réfléchir au moins partiellement l’onde électromagnétique dans le guide d’onde 3, un réseau à effet de contre-rétroaction répartie 4 disposé dans la cavité optique 2, ledit réseau 4 comprenant des motifs périodiques qui sont disposés selon un pas ^ régulier, ledit réseau 4 comprenant au moins un point de référence 5 correspondant à un extrema de l’une des composantes de Fourier dudit réseau, ladite composante de Fourier étant responsable de l’effet de contre-rétroaction répartie du réseau. Le réflecteur 9 à l’extrémité de la cavité optique 2 est agencé de manière à ce que l’onde électromagnétique se propageant dans le guide d’onde 3 depuis ce point de référence 5 et se réfléchissant sur le réflecteur 9 a une phase qui évolue de π/8 [π/4] lorsque ladite onde électromagnétique passe par ce point de référence 5 après être réfléchie sur le réflecteur 9. Le guide d’onde 3 a une longueur L1 selon l’axe Ox entre le réflecteur et le point de référence et présente un indice de réfraction n1. Par exemple, l’indice de réfraction n1 du guide d’onde 3 est de 3,2. La longueur d’onde de l’onde électromagnétique amplifiée est ici comprise entre 4 et 10 micromètres. Elle est par exemple de 8 micromètres. Entre le réflecteur 9 et le guide d’onde 3, une couche diélectrique 8 est déposée. Cette couche diélectrique 8 comprend un matériau diélectrique tel que du SiO2 qui présente un indice de réfaction n2 de 1,5. La couche diélectrique a une longueur L2 selon l’axe Ox. Cette couche diélectrique entre le guide d’onde 3 et le réflecteur 9 permet d’éviter les courts-circuits électriques. Le réseau à effet de contre-rétroaction répartie 4 est composé de motifs périodiques qui sont ici des créneaux. Les créneaux sont espacés d’un pas ^ spécifique à la longueur d’onde de l’onde électromagnétique qui se propage dans le guide d’onde 3. Ce pas ^ est égal à λ/(2.n1), donc pour une longueur d’onde de 8 micromètres et un indice de réfraction du guide d’onde de 3,2 le pas est de 1,25 micromètres. Le réseau comprend ici une multitude de points de références qui correspondent au minima de chacun des motifs de créneau, de préférence au milieu du creux du créneau le plus proche du réflecteur 9. La position du réflecteur 9 est telle qu’un espacement E entre ledit réflecteur 9 et le point de référence 5, ici le minima du motif le plus proche du réflecteur 9, est égal à L1.n1 + L2.n2, L1 étant la longueur du guide d’onde entre le réflecteur et le point de référence 5 dans la direction de l’axe Ox, n1 l’indice de réfraction du guide d’onde, L2 la longueur de la couche de diélectrique 8 et n2 l’indice de réfraction de la couche de diélectrique. Cet espacement E est égal à λ/16 [λ/8], λ étant la longueur d’onde de l’onde électromagnétique qui se propage dans le guide d’onde 3. Pour une onde électromagnétique de longueur d’onde 8 micromètres, l’espacement E est donc de 0,5 micromètres. Ainsi, la longueur L1 du guide d’onde 3 et la longueur L2 de la couche diélectrique 8 sont choisies de manière à obtenir l’espacement E désiré permettant d’obtenir l’évolution de phase de de π/8 [π/4] quand l’onde onde électromagnétique passe par le point de référence 5 après avoir été réfléchie par le réflecteur 9. Le réflecteur peut être une surface métallique telle qu’un miroir métallique, ou encore un empilement de couches comprenant un matériau diélectrique présentant une réflectivité élevée pouvant être assimilé à une surface réfléchissante métallique telle qu’un miroir métallique. La cavité optique 2 est délimitée à chaque extrémité longitudinale selon l’axe Ox par une facette avant 12 et une facette arrière 13, la facette avant 12 de la cavité optique 2 étant la facette par laquelle on récupère l’onde électromagnétique, et la facette arrière 13 étant l’autre facette disposée à l’opposé longitudinale de la cavité optique 2 selon l’axe Ox de la facette avant 12, ladite facette arrière 13 étant réfléchissante de manière à renvoyer l’onde électromagnétique dans la cavité optique 2. Cette caractéristique réfléchissante est notamment obtenue par dépôt du réflecteur 9 sur ladite facette arrière 13. En effet, le réflecteur 9 est adjacent à la facette arrière 13. La facette arrière 13 est obtenue par gravure (en général en utilisant une méthode physico-chimique adapté en semiconducteur gravé, dans notre cas dans un bâti ICP (Inductively Coupled Plasma )), ce qui permet d’avoir une définition plus précise de ladite facette arrière. La facette arrière 13 a par exemple une réflectivité de 1. La facette avant 12 a quant à elle une réflectivité de 0,3 de manière à laisser sortir l’onde électromagnétique du guide d’onde. Cette facette avant 12 est généralement obtenue par clivage. La facette arrière 13 gravée est à une distance d du point de référence. La longueur L2 de la couche diélectrique doit être adaptée en fonction de l’espacement E souhaité entre la facette arrière et le point de référence 5. La puce laser 1 comprend ici également deux couches de confinement 6 de l’onde électromagnétique de part et d’autre du guide d’onde 3. Ces couches de confinement comprennent un matériau diélectrique, par exemple du SiO2. Elles permettent de confiner l’onde électromagnétique dans le guide d’onde 3. La puce laser comprend également un substrat 10 sur lequel sont déposées les couches formant la cavité optique. Ce substrat 10 sert de support. La puce laser 1 comprend également au moins une électrode formée d’un matériau électriquement conducteur 7 permettant de laisser passer un courant électrique dans ladite puce laser. Ce matériau est par exemple de l’or. La puce laser 1 est obtenue par exemple par : Dépôt de couches de matière sur un substrat pour former au moins une cavité optique comprenant un guide d’onde agencé pour la propagation d’une onde électromagnétique, ledit guide d’onde s’étendant entre deux extrémités selon un axe Ox, le dépôt de couches comprenant notamment au moins une étape de dépôt d’une couche de confinement adjacente au guide d’onde, ladite couche de confinement s’étendant sur toute la longueur du guide d’onde, Gravure d’un réseau à effet de contre-rétroaction répartie sur le guide d’onde, ladite couche de confinement étant comprise dans la cavité optique, le réseau à effet de contre-rétroaction répartie comprenant une succession de motifs périodiques, un point de référence étant défini sur ledit réseau, Gravure de la cavité optique de manière à délimiter l’une des extrémités longitudinales du guide d’onde selon l’axe Ox par une facette arrière, ladite gravure étant réalisée à une distance d du point de référence du réseau à effet de contre-rétroaction répartie, Dépôt d’un réflecteur entre le guide d’onde et la facette arrière. Les motifs du réseau à effet de contre-rétroaction répartie sont par exemple fabriqués par structuration d'une couche simple par lithographie électronique et gravure sélective. Avantageusement, la gravure de la cavité optique est réalisée avant la gravure du réseau. Le procédé comprend une étape de clivage de la cavité laser de manière à délimiter l’autre extrémité longitudinale du guide d’onde selon l’axe Ox par une facette avant. Le réflecteur est déposé sur la facette arrière soit par collage dudit réflecteur lorsqu’il s’agit d’une surface réfléchissante, soit par dépôt de couches d’au moins un matériau diélectrique ayant une réflectivité comprise entre ... lorsqu’il s’agit d’un réflecteur assimilable à une surface réfléchissante obtenu par dépôt de couches d’un matériau diélectrique. Le procédé comprend une étape de dépôt d’une couche de diélectrique entre le guide d’onde et le réflecteur. Le réflecteur est déposé à un espacement E du point de référence, ledit espacement E étant tel que l’onde électromagnétique se propageant dans le guide d’onde depuis ce point de référence et se réfléchissant sur le réflecteur a une phase qui évolue de π/8 [π/4] lorsque ladite onde électromagnétique repasse par ce point de référence après être réfléchie sur le réflecteur. L’espacement E entre le réflecteur et le point de référence du réseau à effet de contre-rétroaction répartie disposé sur le minima du motif le plus proche du réflecteur est tel que E = n1.L1+n2.L2. L’espacement E est tel que E = λ/16 [λ/8]. La FIG. 2 montre plus précisément comment se décompose la composante de Fourier du réseau à contre-rétroaction répartie de la puce laser selon l’invention. Chaque point de référence 5 est ici situé sur un extrema, plus précisément sur un minima de la composante de Fourier du motif périodique du réseau permettant l’effet de contre-rétroaction répartie. Dans cet exemple, chaque motif comprend un point de référence qui est disposé au milieu de chaque motif en créneau du réseau. Puce laser à semiconducteur (1) comportant une cavité optique (2) qui comprend : Un guide d’onde (3) s’étendant selon un axe Ox et configuré pour amplifier une onde électromagnétique de longueur d’onde λ, Un réflecteur (9) placé à une extrémité longitudinale de la cavité optique (2), ledit réflecteur (9) étant agencé pour fermer le guide d’onde (3), ledit réflecteur (9) étant configuré pour réfléchir au moins partiellement l’onde électromagnétique dans le guide d’onde (3), Un réseau à effet de contre-rétroaction répartie (4) disposé dans la cavité optique (2), ledit réseau à effet de contre-rétroaction répartie (4) comprenant des motifs périodiques disposés selon un pas ^ régulier, ledit réseau comprenant au moins un point de référence (5) correspondant à un extrema de l’une des composantes de Fourier dudit réseau, ladite composante de Fourier étant responsable de l’effet de contre-rétroaction répartie du réseau (4), le réflecteur (9) à l’extrémité de la cavité optique (2) étant positionné de manière à ce que l’onde électromagnétique se propageant dans le guide d’onde (3) depuis ce point de référence (5) et se réfléchissant sur le réflecteur (9) a une phase qui évolue de π/8 [π/4] lorsque ladite onde électromagnétique passe par ledit point de référence après être réfléchie sur le réflecteur (9). Puce laser à semi-conducteur (1) selon la revendication précédente, caractérisée en ce qu’elle comporte une couche diélectrique (8) disposée entre le réflecteur (9) et le guide d’onde (3) de sorte que l’onde se propageant dans le guide d’onde (3) traverse cette couche diélectrique (8) avant d’atteindre le réflecteur (9). Puce laser (1) selon la revendication précédente, caractérisée en ce que le guide d’onde (3) présente une longueur L1 s’étendant selon l’axe Ox entre la couche diélectrique (8) et le point de référence (5) et un indice de réfraction n1 , la couche diélectrique (8) a une longueur L2 s’étendant selon l’axe Ox et un indice de réfraction n2, la puce laser (1) comprenant un espacement E entre le réflecteur (9) et le point de référence (5) du réseau à effet de contre-rétroaction répartie (4) tel que E = n1.L1+n2.L2 = λ/16 [λ/8]. Puce laser (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le réflecteur (9) comprend une surface réfléchissante métallique, notamment un miroir métallique. Puce laser (1) selon l’une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que le réflecteur (9) est une surface pouvant être assimilée à une surface réfléchissante métallique. Puce laser (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisée en ce que la cavité optique (2) est délimitée à chaque extrémité longitudinale selon Ox par une facette avant (12) et une facette arrière (13), la facette avant (12) de la cavité étant la facette par laquelle on récupère l’onde électromagnétique, et la facette arrière (13) étant l’autre facette disposée à l’opposé longitudinale de la cavité optique (2) selon l’axe Ox de la facette avant (12), ladite facette arrière (13) étant réfléchissante de manière à renvoyer l’onde électromagnétique dans la cavité optique (2). Puce laser (1) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la facette arrière (13) est obtenue par gravure de la puce laser. Puce laser (1) selon l’une des revendications 6 ou 7, caractérisée en ce que le réflecteur (9) est adjacent à la facette arrière (13). Procédé de fabrication d’une puce à semi-conducteur (1) selon l’une des revendications précédentes, comprenant les étapes suivantes : Dépôt de couches de matière sur un substrat (10) pour former au moins une cavité optique (2) comprenant un guide d’onde (3) agencé pour la propagation d’une onde électromagnétique, ledit guide d’onde s’étendant entre deux extrémités selon un axe Ox, le dépôt de couches comprenant notamment au moins une étape de dépôt d’une couche de confinement adjacente au guide d’onde (3), ladite couche de confinement s’étendant sur toute la longueur du guide d’onde (3), Gravure d’un réseau à effet de contre-rétroaction répartie (4) sur le guide d’onde (3), ladite couche de confinement étant comprise dans la cavité optique (2), le réseau à effet de contre-rétroaction répartie (4) comprenant une succession de motifs périodiques, un point de référence (5) étant défini sur ledit réseau, Gravure de la cavité optique (2) de manière à délimiter l’une des extrémités longitudinales du guide d’onde selon l’axe Ox par une facette arrière (13), ladite gravure étant réalisée à une distance d du point de référence du réseau à effet de contre-rétroaction répartie (4), Dépôt d’un réflecteur (9) entre le guide d’onde et la facette arrière.