FR 3155630 A1 20250523 FR 2312581 A 20231116 Dispositif électronique comprenant une structure de grille La présente description concerne un composant électronique (200) comprenant une structure de grille (230) sur une couche de semiconducteur (110), la structure de grille incluant un matériau magnétique. Figure pour l'abrégé : Fig. 2A Composant électronique comprenant une structure de grille La présente description concerne de façon générale les composants électroniques, et plus particulièrement les composants électroniques comprenant une structure de grille, par exemple les composants électroniques de type MOS (de l’anglais "Metal Oxide Semiconductor", métal oxyde semiconducteur) comprenant une structure de grille sur un semiconducteur. Par exemple, les composants électroniques concernés peuvent être des transistors FET (de l'anglais "Field Effect Transistor", transistor à effet de champ), des transistors MOSFET (de l'anglais "Metal Oxide Field Effect Transistor", transistor à effet de champ métal oxyde semiconducteur), des transistors SET (de l’anglais "Single Electron Transistor", transistor à électron unique), des diodes à grille ("gated diode" en anglais), des structures MOS, et/ou des boîtes quantiques à grille. Parmi les composants électroniques comprenant une structure de grille, on connait les transistors MOSFET, qui sont des transistors à effet de champ (FET), et dont la structure de grille comprend une couche d’isolant appelée isolant de grille qui permet d’isoler le reste de la structure de grille d’une couche de semiconducteur dans laquelle sont formées des régions de drain, de source et de canal du transistor MOSFET. Diverses réalisations de transistors MOSFET, et notamment plusieurs structures de grille, ont déjà été proposées. Il serait souhaitable de pallier au moins en partie certains inconvénients des réalisations connues de transistors MOSFET, plus généralement de composants électroniques à structure de grille. En particulier, dans certaines applications, il peut être intéressant de conférer à la structure de grille d’autres fonctions. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des composants électroniques à structure de grille connus. Un mode de réalisation prévoit un composant électronique comprenant une structure de grille sur une couche de semiconducteur, la structure de grille incluant un matériau magnétique. Selon un mode de réalisation, la structure de grille comprend une première couche en le matériau magnétique. Selon un mode de réalisation, la structure de grille comprend une deuxième couche en silicium polycristallin, par exemple en contact avec la première couche. Selon un mode de réalisation, la structure de grille comprend une troisième couche en métal, par exemple en nitrure de titane. Selon un mode de réalisation, la structure de grille comprend une couche d’isolant de grille configurée pour isoler ladite structure de grille de la couche de semiconducteur, par exemple en contact avec ladite couche de semiconducteur. Selon un mode de réalisation, la troisième couche est entre la couche d’isolant de grille et la première couche. Selon un mode de réalisation, la couche d’isolant de grille est à une première face de la structure de grille en contact avec la couche de semiconducteur, et la structure de grille comprend une couche de contact électrique, par exemple en siliciure, à une deuxième face opposée à la première face. Selon un mode de réalisation, le matériau magnétique comprend au moins l’un parmi : le cobalt, un matériau à base de cobalt, le nickel, ou un matériau à base de nickel. Selon un mode de réalisation, le composant électronique est un transistor FET, un transistor MOSFET, un transistor SET, une diode à grille, une structure MOS à grille, ou une boîte quantique à grille. Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant une couche de semiconducteur et au moins un composant électronique comme décrit ci-dessus, le au moins un composant électronique étant dans et sur la couche de semiconducteur. Selon un mode de réalisation, le au moins un composant électronique est une structure MOS, le dispositif électronique comprenant un inducteur intégré sur la structure MOS. Selon un mode de réalisation, la structure de grille de la structure MOS comprend une pluralité de peignes reliés à une tige centrale, chaque peigne et la tige incluant le matériau magnétique. Selon un mode de réalisation, le dispositif électronique est un dispositif quantique comprenant un premier composant électronique parmi le au moins un composant électronique, ledit premier composant électronique étant une boîte quantique formant une région de confinement d’un qubit de spin. Selon un mode de réalisation, le dispositif électronique comprend un deuxième composant électronique parmi le au moins un composant électronique, ledit deuxième composant électronique étant du type du transistor MOSFET formant un injecteur de porteur de charge vers la boîte quantique. Selon un mode de réalisation, le dispositif électronique comprend en outre un générateur de champ magnétique externe. Selon un mode de réalisation, la couche de semiconducteur est une couche de silicium, par exemple une couche de silicium superficielle d’un substrat de type SOI. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente, par une vue en coupe, un exemple de composant électronique étant un transistor MOS ; la FIG. 2 représente, par une vue en coupe, un composant électronique selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 représente, par une vue en coupe, une variante du composant électronique de la FIG. 2 ; la FIG. 3 représente, par une vue en coupe, un composant électronique selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 3 représente, par une vue en coupe, une variante du composant électronique de la FIG. 3 ; la FIG. 4 représente, par une vue de dessus, un dispositif électronique comprenant un composant électronique selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 4 représente, par une vue en coupe, le dispositif électronique de la FIG. 4 ; la FIG. 5 représente, par une vue de dessus, un dispositif électronique comprenant un composant électronique selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 5 représente, par une vue en coupe, un détail du dispositif électronique de la FIG. 5 ; la FIG. 6 représente des courbes donnant l’inductance L de différents inducteurs sur structure MOS en fonction de la fréquence ; et la FIG. 6 représente des courbes donnant le facteur de qualité Q de différents inducteurs sur structure MOS en fonction de la fréquence ; la FIG. 7 représente, par une vue en 3D, une variante du dispositif électronique de la FIG. 5 ; La FIG. 8 , la FIG. 8 , et la FIG. 8 représentent des courbes donnant respectivement l’inductance, la résistance et le facteur de qualité de l’inducteur dans le dispositif électronique de la FIG. 7 en fonction de la fréquence. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les étapes du procédé de fabrication des composants et dispositifs électroniques n'ont pas été décrits, étant réalisables avec les procédés usuels de la microélectronique. De même, tous les détails des composants et dispositifs électroniques n’ont pas été décrits. En outre, les applications que peuvent avoir les composants et dispositifs électroniques décrits n’ont pas toutes été détaillées. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, une longueur correspond à une dimension dans une première direction latérale du composant électronique, qui correspond à la direction X repérée dans les figures, une largeur correspond à une dimension dans une deuxième direction latérale du composant électronique, orthogonale à la première direction, qui correspond à la direction Y repérée dans les figures, et une épaisseur ou une profondeur correspond à une dimension dans une direction perpendiculaire aux première et deuxième directions, qui correspond à la direction verticale Z repérée dans les figures. Dans certains composants électroniques, la longueur peut correspondre à une longueur de canal entre une région de drain et une région de source d’un transistor MOSFET. Dans la description qui suit, pour alléger celle-ci, un transistor MOSFET peut être désigné transistor MOS, voire transistor. La FIG. 1 représente, par une vue en coupe, un exemple de composant électronique 100 étant un transistor MOS. Le transistor MOS 100 est formé dans et sur une couche de semiconducteur 110. La couche de semiconducteur 110 est positionnée au-dessus de, de préférence en contact avec, une couche isolante enterrée 102 ("BOX", de l’anglais "Buried Oxide", oxyde enterré), cette couche isolante enterrée étant elle-même au-dessus de, de préférence en contact avec, un substrat 101. Les couches 101, 102, 110 correspondent par exemple à un substrat de type SOI (de l’anglais "Silicon On Insulator", silicium sur isolant). La couche de semiconducteur 110 est par exemple en silicium, par exemple en silicium monocristallin. La couche isolante enterrée 102 est par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ). Le substrat 101 est par exemple en silicium. Le transistor 100 comprend une région de drain 121 et une région de source 122 au moins partiellement localisées dans la couche de semiconducteur 110, et très fortement dopées N (pour un NMOS) ou P (pour un PMOS), une région de canal 123 étant formée entre la région de drain et la région de source. Les régions de drain et de source peuvent comprendre des portions surélevées de drain 121S et de source 122S, généralement formées par croissance épitaxiale, comme représenté dans l’exemple de la FIG. 1 . Ceci permet d’augmenter l’épaisseur des régions de drain et de source par rapport à l’épaisseur de la couche de silicium 110 qui peut être très fine. Ceci peut être le cas par exemple dans une technologie de transistor de type FD-SOI, de l’anglais "fully-depleted silicon on insulator", c’est-à-dire une technologie permettant de fonctionner en mode totalement déplété. Dans un transistor de type FD-SOI, la couche de silicium 110 a typiquement une épaisseur comprise entre quelques nanomètres et une quinzaine de nanomètres, par exemple entre 5 et 15 nm, et la couche isolante enterrée 102 a typiquement une épaisseur comprise entre quelques nanomètres et quelques dizaines de nanomètres, par exemple entre 10 et 50 nm. Des régions d’extensions, ayant un dopage N (pour un NMOS) ou P (pour un PMOS) un peu plus faible que le dopage des régions de drain et de source (dopage LDD), sont généralement formées au niveau de chaque jonction entre la région de canal et les région de source et de drain, par exemple pour limiter le champ électrique latéral dans le transistor MOS. Le transistor MOS 100 comprend, en outre, une structure de grille 130 située au-dessus de la région de canal 123. La structure de grille 130 comprend une couche isolante 131, dite isolant de grille, qui l’isole de la région de canal 123, par exemple une couche en dioxyde de silicium (SiO 2 ), et sur l’isolant de grille : - une couche de métal 133 (optionnelle), par exemple en nitrure de titane (TiN), le TiN étant un matériau de type dit "mid-gap" permettant par exemple d'avoir des tensions de seuil équilibrées entre un NMOS et un PMOS ; - une couche 134 de silicium polycristallin, également désigné polysilicium, sur la couche 133 ; et, généralement, - une couche conductrice de contact 135, typiquement une couche de siliciure, sur la couche 134, permettant de réduire la résistance d’accès. Un film isolant 132 en un matériau à constante diélectrique k élevée (high k en anglais) comparée à celle du dioxyde de silicium, par exemple un film d’oxyde d’hafnium (HfO 2 ), peut être positionné sur la couche isolante 131. D’autres structures de grilles et/ou d’autres empilements de couches sont possibles, selon l’application et/ou les performances visée(s) par exemple. Ainsi, une autre structure de grille possible comprend une couche de polysilicium sur un isolant de grille, avec généralement une couche de contact, par exemple en siliciure, sur la couche de polysilicium. Des espaceurs isolants 137 sont formés de part et d’autre de la structure de grille 130, sur des portions de la couche de semiconducteur 110 non recouvertes par cette structure de grille, et sur les parois latérales (flancs) de la structure de grille 130. Les espaceurs isolants 137 sont, par exemple, en un nitrure de silicium (SiN). Un espaceur isolant peut comprendre plusieurs portions isolantes latérales, comme dans l’exemple représenté qui montre une première portion isolante latérale 137A (spacer 0) recouverte par une deuxième portion isolante latérale 137B (spacer 1), le nombre de portions isolantes latérales pouvant être défini par le procédé de fabrication du transistor MOS. Une fonction des espaceurs isolants 137 peut être de limiter le prolongement des régions d’extensions LDD sous la structure de grille 130. Les espaceurs isolants 137 peuvent avoir d’autres fonctions, qui peuvent être rendues nécessaires par le procédé de fabrication du transistor MOS. Les espaceur isolants 137 peuvent permettre de réduire une capacité parasite du transistor. Une couche conductrice de contact 124, typiquement en siliciure, peut être positionnée sur chacune des régions de drain 121 et de source 122, par exemple sur les portions surélevées 121S, 122S des régions de drain et de source. Une couche d’arrêt de gravure, par exemple en TiN, surmontée par une région dite "PMD" (de l’anglais "Pre-Metal Dielectrique") en un matériau diélectrique qui peut être du dioxyde de silicium (SiO 2 ) peuvent être localisées sur le transistor 100, et des contacts peuvent venir traverser la couche d’arrêt de gravure et la région PMD jusqu’aux couches conductrice de contact du transistor 100. Certains dispositifs électroniques intégrés sur une couche de silicium peuvent permettre de créer, dans la couche de silicium, une ou plusieurs boîtes quantiques ("quantum dots" en anglais), en vue d'une utilisation comme région de confinement d'un ou plusieurs bits quantiques (qubit, de l'anglais "quantum bit"), ou qubit de spin. La structure d’une boîte quantique n’est pas détaillée, étant connue de la personne du métier. Une telle boîte quantique peut être réalisée en utilisant une technologie dérivée de celle des composants MOS, par exemple une technologie dérivée de celle des transistors MOS tels que le transistor MOS 100 de la FIG. 1 . La couche de silicium dans laquelle les boîtes quantiques sont formées peut correspondre à la couche superficielle, ou active, d’un substrat de type FD-SOI dans et sur laquelle le composant MOS est formé. La structure du transistor MOS 100 de la FIG. 1 peut par exemple être adaptée pour former tout ou partie d’une boîte quantique d’un dispositif quantique destinée à confiner et contrôler un qubit de spin. Une région de confinement du qubit peut être formée dans une portion de la couche de silicium 110, par exemple correspondre à la région de canal 123. Les régions de drain et de source 121, 122 peuvent être déplacées à distance de la région de canal 123 et remplacées par des réservoirs de porteurs de charge (réservoirs de charge) et/ou par des régions d'injection interposées entre la région de confinement et les réservoirs de charge, et la structure de grille 130 peut former une grille de contrôle, ou grille avant, destinée à recevoir un potentiel électrique afin de commander le qubit. D’autres structures de grille peuvent être prévues dans le dispositif quantique. Par exemple, le qubit peut également être contrôlé par une grille arrière. Au cours du fonctionnement du dispositif quantique, le nombre de porteurs de charge confinés dans la boîte quantique peut être contrôlé par le phénomène de blocage de Coulomb obtenu en appliquant un potentiel électrique sur la grille de contrôle. Par exemple, le potentiel électrique appliqué sur la grille de contrôle peut avoir pour effet d'abaisser le potentiel chimique de la boîte quantique définie dans la région de confinement, et peut rendre ainsi possible la transmission par effet tunnel d'un porteur de charge en provenance des réservoirs de charge. Par le terme de "porteur de charge", on désigne généralement un électron pour un qubit dopé N, mais il peut s’agir d’un trou pour un qubit dopé P. En outre, l'application d'un champ magnétique permet de séparer en énergie les états de spin du qubit confiné dans la région de confinement. Par exemple, il est possible de passer de l'état à faible énergie à celui de plus forte énergie grâce à une excitation électromagnétique résonante. Lorsque l'énergie de l'excitation électromagnétique est égale à la séparation des états de spins, les transitions sont alors possibles. On peut pour cela coupler la boîte quantique avec un dispositif ESR (Electron Spin Resonance) qui génère un champ magnétique oscillant à la fréquence résonante, ou un dispositif EDSR (Electrical Dipole Spin Resonance). Une solution pour coupler la boîte quantique avec le dispositif ESR ou EDSR peut être de positionner l’élément générateur de champ magnétique, par exemple une bobine alimentée en courant, ou un barreau magnétique, au-dessus et/ou autour de la région de confinement du qubit de spin. Cependant, du fait de cette configuration, l’élément générateur de champ se trouve à une distance minimale de la région de confinement, typiquement à quelques micromètres, ce qui fait que le champ magnétique se trouve atténué au niveau du qubit. Les inventeurs proposent un composant électronique à structure de grille permettant de répondre aux besoins d'amélioration décrits précédemment, et de pallier tout ou partie des inconvénients des composants électroniques décrits précédemment. En particulier, les inventeurs proposent un composant électronique à structure de grille qui permette d’intégrer une fonction magnétique, en particulier sans complexifier le procédé de fabrication de ce composant électronique. Des modes de réalisation de composants électroniques à structure de grille vont être décrits ci-après. Les modes de réalisation décrits sont non limitatifs et diverses variantes apparaîtront à la personne du métier à partir des indications de la présente description. La FIG. 2 représente, par une vue en coupe, un composant électronique 200 selon un mode de réalisation. La FIG. 2 représente, par une vue en coupe, une variante du composant électronique 200 de la FIG. 2 . La FIG. 3 représente, par une vue en coupe, un composant électronique 300 selon un autre mode de réalisation. La FIG. 3 représente, par une vue en coupe, une variante du composant électronique 300 de la FIG. 3 . Le composant électronique présenté dans les figures 2A, 2B, 3A, 3B est un transistor MOS du type SOI qui comprend des caractéristiques communes avec le transistor MOS 100 de la FIG. 1 , mais qui s’en distingue en ce que la structure de grille comporte un matériau magnétique. Ce matériau magnétique est de préférence sous la forme d’une couche en matériau magnétique. La couche en matériau magnétique peut remplacer tout ou partie de la couche de polysilicium 134 de la FIG. 1 . Le matériau magnétique est par exemple le cobalt ou un matériau à base de cobalt, par exemple un alliage fer cobalt (FeCo), le nickel ou un matériau à base de nickel. Un avantage du cobalt, voire du nickel, est que ce matériau suit un cycle hystérésis par application d’un champ magnétique externe. Une application à cela est qu’il est possible de modifier l’orientation et/ou l’amplitude du champ magnétique généré par le matériau magnétique (champ magnétique interne) en appliquant à ce matériau un champ magnétique externe, par exemple défini par son cycle d’hystérésis. Comme représenté en FIG. 2 , selon le champ magnétique externe appliqué, dans une première configuration, le champ magnétique B1 généré par le matériau magnétique (flèche verticale en trait plein) peut être orienté dans la direction Z, et dans une deuxième configuration le champ magnétique B2 généré par le matériau magnétique (flèche horizontale en pointillés) peut être orienté dans la direction X. Plus largement, on peut appliquer un champ magnétique externe en plus du champ magnétique généré par le matériau magnétique dans la structure de grille (champ magnétique interne). Par exemple, le champ magnétique externe, typiquement un champ constant, peut être utilisé pour un effet Zeeman, et le champ magnétique interne, typiquement un gradient magnétique, peut être utilisé pour un contrôle EDSR. Un autre avantage du cobalt est qu’il est compatible avec les technologies MOS, étant par exemple déjà mis en œuvre dans certains procédés de formation de couches de contact en siliciure. Dans l’exemple de la FIG. 2 , la structure de grille 230 comprend une couche isolante 231, dite isolant de grille, qui l’isole de la région de canal 123, par exemple une couche en dioxyde de silicium (SiO 2 ), et elle comprend en outre : - une couche de matériau magnétique 236 (première couche) sur l’isolant de grille 231 ; et, généralement, - une couche de contact 235 (couche de contact électrique) sur la couche de matériau magnétique 236 : la couche de contact est une couche électriquement conductrice, par exemple en tungstène (W) ou en siliciure de titane (TiSi), permettant par exemple de réduire la résistance d’accès. La couche isolante 231 est localisée à une face inférieure 230A (première face) de la structure de grille 230, en contact avec la couche de semiconducteur 110, alors que la couche de contact 235 est localisée à une face supérieure 230B (deuxième face) de la structure de grille opposée à la première face 230A. Un ou plusieurs contacts peuvent être prévus sur la couche de contact 235, voire directement sur la couche de matériau magnétique 236, par exemple un contact en tungstène (W) ou en un alliage de titane et de silicium (TiSi). Les autres caractéristiques du transistor 200 de la FIG. 2 peuvent être similaires à celles du transistor 100 de la FIG. 1 , les variantes décrites en relation avec le transistor 100 de la FIG. 1 pouvant également s’appliquer au transistor 200 de la FIG. 2 . Par exemple, dans la variante de la FIG. 2 , la structure de grille 230 comprend une couche de métal 233 (troisième couche) entre l’isolant de grille 231 et la couche de matériau magnétique 236. La couche de métal 233 peut être désignée par le terme de "metal gate" en anglais, grille métallique. La couche de métal 233 peut être en TiN, le TiN étant un matériau de type dit "mid-gap" permettant par exemple d'avoir des tensions de seuil équilibrées entre un NMOS et un PMOS. Un film isolant 232 du type high k, par exemple un film d’oxyde d’hafnium (HfO 2 ), peut être positionné entre l’isolant de grille 231 et la couche de matériau magnétique couche 236 ou la couche de métal 233. Dans l’exemple de la FIG. 3 , la structure de grille 330 comprend une couche isolante 331, dite isolant de grille, qui l’isole de la région de canal 123, par exemple une couche en dioxyde de silicium (SiO 2 ), et elle comprend en outre : - une couche de polysilicium 334 (deuxième couche) sur l’isolant de grille 331 ; - une couche de matériau magnétique 336 (première couche) sur la couche de polysilicium 334 ; et, généralement, - une couche de contact 335 (couche de contact électrique) sur la couche de matériau magnétique 336 : la couche de contact est une couche électriquement conductrice, par exemple en tungstène (W) ou en siliciure de titane (TiSi), permettant par exemple de réduire la résistance d’accès. Un avantage à avoir les couches de polysilicium 334 et de matériau magnétique 336 est de pouvoir faire un contrôle électrique des charges dans l’application à une boîte quantique à qubit, ainsi que des opérations sur le qubit grâce au contrôle magnétique, et de permettre d'ajuster la magnitude, l'emplacement et le gradient du champ magnétique dans la région de canal 123. La couche isolante 331 est localisée à une face inférieure 330A (première face) de la structure de grille 330, en contact avec la couche de semiconducteur 110, alors que la couche de contact 335 est localisée à une face supérieure 330B (deuxième face) de la structure de grille opposée à la première face 330A. Un ou plusieurs contacts peuvent être prévus sur la couche de contact 335, voire directement sur la couche de matériau magnétique 336, par exemple un contact en tungstène (W) ou en un alliage de titane et de silicium (TiSi). Les autres caractéristiques du transistor 300 de la FIG. 3 peuvent être similaires à celles du transistor 100 de la FIG. 1 , les variantes décrites en relation avec le transistor 100 de la FIG. 1 pouvant également s’appliquer au transistor 300 de la FIG. 3 . Par exemple, dans la variante de la FIG. 3 , la structure de grille 330 comprend une couche de métal 333 (troisième couche), ou metal gate, entre l’isolant de grille 331 et la couche de matériau magnétique 336. La couche de métal 333 peut être en TiN. Un film isolant 332 du type high k, par exemple un film d’oxyde d’hafnium (HfO 2 ), peut être positionné entre l’isolant de grille 331 et la couche de polysilicium 334 ou la couche de métal 333. D’autres structures de grilles et/ou d’autres empilements de couches sont possibles, selon l’application et/ou les performances visée(s) par exemple, dans la mesure où ces structures comprennent un matériau magnétique, par exemple une couche de matériau magnétique. Par exemple, dans l’exemple des figures 3A, 3B, l’ordre des couches de polysilicium 334 et de matériau magnétique 336 peut être inversé, c’est-à-dire que la couche de matériau magnétique 336 peut être sur l’isolant de grille 331 et la couche de polysilicium 334 sur la couche de matériau magnétique 336. Les transistors MOS représentés dans la description des figures 2A, 2B, 3A, 3B peuvent être des transistors MOS à canal N (NMOS), c'est-à-dire des transistors dont les régions de source et de drain sont dopées de type N, par exemple dopées d'atomes d'arsenic ou de phosphore, ou des transistors MOS à canal P (PMOS), c'est-à-dire des transistors dont les régions de source et de drain sont dopées de type P, par exemple dopées d'atomes de bore. Chacun des composants électroniques 200, 300 présentés dans les figures 2A, 2B, 3A, 3B peut être inclus dans un dispositif électronique. Le dispositif électronique peut comprendre un ou plusieurs autres composants électroniques formés dans et sur la même couche de semiconducteur 110. Les composants électroniques 200, 300 des figures 2A, 2B, 3A, 3B peuvent être combinés entre eux dans et sur la même couche de semiconducteur 110. Selon un exemple de réalisation, les transistors MOS des figures 2A, 2B, 3A, 3B sont des transistors de type FD-SOI, par exemple avec une dimension de grille de 28 nm (nœud de 28 nm), les différentes couches présentant alors des dimensions liées au nœud de 28 nm. A titre illustratif, la couche de semiconducteur 110 en Si a une épaisseur d’environ 7 nm, les régions de drain et de source 121, 122 avec les portions surélevées 121S, 122S ont une épaisseur d’environ 13 nm, la couche isolante enterrée 102 en SiO 2 a une épaisseur d’environ 25 nm, la couche de substrat 101 en Si a une épaisseur d’environ 100 nm, la couche de matériau magnétique 236 a une épaisseur d’environ 24 nm dans l’exemple de la FIG. 2 , ou les couches de matériau magnétique 336 et de polysilicium 334 ont chacune une épaisseur d’environ 12 nm dans l’exemple de la FIG. 3 , et la couche de métal 233, 333 a une épaisseur d’environ 6,5 nm dans les exemples des figures 2B et 3B. Un avantage à avoir un matériau magnétique dans la structure de grille du composant électronique est que cela permet de générer un champ magnétique à partir du composant électronique, au plus près de la couche de semiconducteur, par exemple au plus près de la région de canal 123 dans l’exemple représenté en figures 2A, 2B, 3A, 3B. Les inventeurs ont déterminé par des simulations, basées sur un modèle de FD-SOI de nœud 28 nm avec les exemples d’épaisseurs indiquées ci-dessus, que la présence du matériau magnétique dans la structure de grille permettait d’avoir un gradient de champ magnétique plus grand sous, et autour de, la structure de grille, et un étalement moindre lorsqu’on s’éloigne de la structure de grille. En particulier, les inventeurs ont déterminé, par des simulations à différents niveaux dans la direction Z, que le champ magnétique pouvait être particulièrement important au niveau de la région de canal. Les inventeurs ont également déterminé par des simulations que, dans la première configuration où le champ magnétique B1 est orienté dans la direction Z, le gradient du champ magnétique était plus allongé dans la direction Z que dans la direction X, alors que dans la deuxième configuration où le champ magnétique B2 est orienté dans la direction X, le gradient du champ magnétique était plus allongé dans la direction X que dans la direction Z. Les inventeurs ont également déterminé que la présence du matériau magnétique ne perturbait pas les caractéristiques du transistor MOS, par exemple que la tension de seuil du transistor était très peu impactée. Dans l’application à une boîte quantique à qubit, le qubit peut également être contrôlé par une grille arrière (non représentée sur les figures 2A, 2B, 3A, 3B). Plus généralement, la tension de seuil peut être ajustée via une tension sur une grille arrière. Les transistors représentés dans la description des figures 2A, 2B, 3A, 3B sont des transistors MOSFET, mais la description peut s’étendre à d’autres transistors à structure de grille, par exemple à des transistors SET, et plus largement à tout autre composant électronique comprenant une structure de grille. Ainsi, un composant électronique selon un mode de réalisation peut être, par exemple, un transistor FET, un transistor MOSFET, un transistor SET, une diode à grille, une structure de type MOS (structure MOS) à grille, ou une boîte quantique à grille. Les transistors MOS selon les modes de réalisation peuvent être fabriqués selon des techniques connues de la microélectronique, en particulier les techniques connues de fabrication de transistors MOS, en utilisant par exemple les mêmes lignes de fabrication. Plus largement, les composants électroniques selon les modes de réalisation peuvent être fabriqués selon des techniques connues de la microélectronique, en particulier les techniques connues de fabrication de ces composants électroniques, en adaptant les étapes de formation de la structure de grille. La FIG. 4 représente par une vue de dessus un dispositif électronique 400 comprenant un composant électronique selon un autre mode de réalisation. La FIG. 4 représente, par une vue en coupe (coupe AA), le dispositif électronique de la FIG. 4 . Le dispositif électronique 400 est par exemple adapté à la formation d'au moins une boîte quantique, et peut être désigné par dispositif quantique. A titre d'exemple, lorsqu'une boîte quantique est formée, le dispositif électronique 400 peut permettre de réaliser un qubit de spin. Le dispositif électronique 400 comprend une bande 410 de silicium qui repose sur, et de préférence en contact avec, une couche isolante enterrée 402, par exemple en oxyde de silicium. La couche isolante enterrée 402 repose sur, et de préférence en contact avec, un substrat semiconducteur 401, par exemple en silicium. L'empilement vertical de la bande 410, de la couche 402 et du substrat 401 peut former une structure SOI, la bande 410 correspondant alors à une portion de la couche de silicium sur isolant. La bande 410 est délimitée latéralement par des tranchées isolantes 403, c'est-à-dire des tranchées remplies d'un matériau isolant tel que le dioxyde de silicium, par exemple des tranchées de type STI (de l'anglais "Shallow Trench Insulation", tranchée isolante peu profonde). Les tranchées isolantes 403 pénètrent verticalement depuis une face supérieure du dispositif 400 coplanaire avec la face supérieure de la bande 410 jusqu'à la face inférieure de la couche isolante enterrée 402, voire pénètre partiellement dans le substrat 401. Ainsi, la bande 410 est délimitée par les tranchées isolantes 403 dans une première direction X parallèle à la longueur de la bande 410 et dans une deuxième direction Y perpendiculaire à la longueur de la bande 410. Les première et deuxième directions X, Y sont orthogonales entre elles et à la direction verticale de l'empilement. A titre d'exemple, lorsque la bande 410 correspond à une portion d'une couche de silicium sur isolant, la bande 410 est définie dans cette couche de silicium sur isolant par les tranchées isolantes 403. Le dispositif électronique 400 comprend en outre une première structure de grille 430 reposant sur une partie centrale de la bande 410. La première structure de grille 430 peut présenter, en vue de dessus, une forme sensiblement carrée, bien que, dans d'autres exemples, la structure de grille 430 puisse avoir une forme sensiblement circulaire et/ou être étirée dans la direction longitudinale X de la bande 410 (première direction). Un contact électrique 435 avec la structure de grille 430 peut être prévu, de sorte à permettre l'application d'une tension à la première structure de grille 430. La première structure de grille 430 comprend un isolant de grille 431 entre la bande 410 et le reste de la première structure de grille 430. A titre d'exemple, la portion de la bande 410 située sous la première structure de grille 430 correspond à un composant électronique qui est une boîte quantique 403 fonctionnant comme une région de confinement d’un qubit de spin, et la première structure de grille 430 forme une grille de contrôle, ou grille avant, destinée à recevoir un potentiel électrique afin de commander le qubit. De préférence, la première structure de grille 430 comprend un matériau magnétique, par exemple le cobalt ou un matériau à base de cobalt, le nickel ou un matériau à base de nickel. Le matériau magnétique peut être sous la forme d’une couche en le matériau magnétique. Dans l’application où la boîte quantique 403 forme une région de confinement d’un qubit de spin, un champ magnétique peut ainsi être appliqué au plus près du qubit afin d’agir sur le spin, par exemple pour séparer en énergie les états de spin du qubit confiné dans la région de confinement. La distance entre l’élément générateur de champ magnétique et le qubit s’en trouve réduite par rapport aux solutions décrites précédemment dans lesquelles l’élément générateur de champ magnétique est disposé au-dessus et/ou autour de la région de confinement du qubit de spin. Selon les modes de réalisation, cette distance peut ainsi être de quelques nanomètres au lieu de quelques micromètres. Par exemple, on peut utiliser la technique ESR en appliquant un signal radiofréquences (RF) sur la grille avant 430 pour générer un champ électromagnétique à coupler sur le porteur de charge (trou ou électron), ou la technique EDSR en appliquant un signal continu sur la grille avant 430 et/ou sur une grille arrière pour déplacer le porteur de charge dans un gradient magnétique. La première structure de grille 430 peut être similaire à l’une quelconque des structures de grille 230, 330 décrites en relation avec les figures 2A, 2B, 3A, 3B, par exemple sans les espaceurs isolants et/ou sans les régions de siliciure. Le dispositif électronique 400 comprend en outre deux deuxièmes structures de grille 440 qui s’étendent longitudinalement dans la première direction X de part et d'autre de la première structure de grille 430 dans cette première direction X. Chaque deuxième structure de grille 440 repose sur la bande 410, en étant isolée de celle-ci par un isolant de grille 441, et peut également comprendre une extrémité reposant sur les tranchées 403 comme cela est représenté en FIG. 4 . Chaque deuxième structure de grille 440 est séparée de la première structure de grille 430 par un espace e1. Un ou plusieurs contacts électrique 445 avec chaque deuxième structure de grille 440 peuvent être prévus, de sorte à permettre l'application d'une tension à la deuxième structure de grille 440. Le dispositif électronique 400 comprend en outre, en dessous de chaque deuxième structure de grille 440, une région semiconductrice 451, 452, par exemple en silicium, sur la couche isolante enterrée 402. Chaque région semiconductrice 451, 452 est par exemple dopée d'un premier type de conductivité, par exemple le type N. A titre d'exemple, chaque région semiconductrice 451, 452 correspond à une portion d'une couche de silicium sur isolant, par exemple la couche de silicium sur isolant dans laquelle est définie la bande 410. Comme illustré par la FIG. 4 , la première structure de grille 430 est entre une première région semiconductrice 451 et une deuxième région semiconductrice 452 dans la première direction X. Par exemple, la première région semiconductrice 451 forme une région de drain, la deuxième région semiconductrice 452 forme une région de source, l’ensemble des deux deuxièmes structures de grille 440 et des première et deuxième régions semiconductrices 451, 452 formant un composant électronique qui est un transistor MOS 450. Les première et deuxième régions semiconductrices 451, 452 sont exposées. Un ou plusieurs contacts électriques 455, 456 avec chacune des première et deuxième régions semiconductrices 451, 452 sont prévus. Ces contacts électriques 455, 456 permettent d'appliquer une tension à chacune des première et deuxième régions semiconductrices 451, 452. A titre d'exemple, la première région semiconductrice 451 est polarisée, par exemple à une tension positive, via le contact électrique 455, et la deuxième structure de grille 440 qui surmonte la première région semiconductrice 451 est également polarisée via le contact électrique 445 pour extraire un porteur de charge potentiellement généré dans la première région semiconductrice 451 et en permettre la circulation vers l'espace e1, dans la portion de la bande 410 disposée sous cette deuxième structure de grille 440. Pour traverser l’espace e1 jusqu’à la boîte quantique 403, on peut agir sur la première structure de grille 430, et éventuellement sur une ou plusieurs troisièmes structures de grille 460 décrites plus après. On peut également agir sur une grille arrière (non représentée dans les figures 4A et 4B). Chaque deuxième structure de grille 440 peut être désignée comme étant un injecteur de porteurs de charge, ou "injecteur", ou une grille d’accumulation. Les première et deuxième régions semiconductrices 451, 452 sont avantageusement positionnées à distance de la boîte quantique 403, par exemple pour éviter des bruits entre ces régions et cette boîte quantique. Par exemple, chaque deuxième structure de grille 440 comprend un matériau magnétique, par exemple le cobalt ou un matériau à base de cobalt, le nickel ou un matériau à base de nickel. Le matériau magnétique peut être sous la forme d’une couche en matériau magnétique. Cela peut permettre, par exemple, de préconditionner le spin d’un porteur de charge avant qu’il soit injecté dans la boîte quantique 403. Chaque deuxième structure de grille 440 peut être similaire à l’une quelconque des structures de grille 230, 330 décrites en relation avec les figures 2A, 2B, 3A, 3B. Le dispositif électronique 400 comprend en outre, des troisièmes structures de grille 460 disposées en face de l'espace e1 dans la deuxième direction Y, et dépourvues de portion reposant sur la bande 410. Dit autrement, tout ou partie des troisièmes structures de grille 460 repose sur les tranchées isolantes 403, au moins les portions des troisièmes structures de grille 460 positionnées au-dessus de l’espace e1. Il peut y avoir deux troisièmes structures de grille 460 de part et d'autre de chaque espace e1 dans la deuxième direction Y, de préférence alignées l'une avec l'autre dans la deuxième direction Y, comme représenté en FIG. 4 , ou une seule troisième structure de grille d’un côté de chaque espace e1 dans la deuxième direction Y. Les troisièmes structures de grille 460 sont, par exemple, configurées pour permettre le contrôle du potentiel électrostatique dans la portion de la bande 410 disposée dans l'espace e1 entre la première structure de grille 430 et chaque deuxième structure de grille 440. Par exemple, lorsqu'une barrière tunnel est présente dans l'espace e1, les troisièmes structures de grille 460 permettent le contrôle de cette barrière tunnel, une barrière tunnel étant, par exemple, une barrière de potentiel électrostatique qui peut être traversée par effet tunnel. Les barrières de potentiel dans les espaces e1 correspondent aux barrières de potentiel de la boîte quantique 403 sous la première structure de grille 430. Un ou plusieurs contacts électriques 465 avec chaque troisième structure de grille 460 peuvent être prévus, de sorte à permettre l'application d'une tension à chaque troisième structure de grille 460. Dans l'exemple de la FIG. 4 , les troisièmes structures de grille 460 ont chacune, en vue de dessus une forme sensiblement rectangulaire, et s’étendent longitudinalement dans la deuxième direction Y. Dans un autre exemple non illustré, chaque troisième structure de grille peut avoir, en vue de dessus, une forme sensiblement carrée. A titre d'exemple, un espace e2 sépare la portion de la bande 410 qui est disposée dans l'espace e1 de chaque troisième structure de grille 460. Selon un exemple, chaque troisième structure de grille 460 comprend un matériau magnétique, par exemple le cobalt ou un matériau à base de cobalt, le nickel ou un matériau à base de nickel. Le matériau magnétique peut être sous la forme d’une couche en le matériau magnétique. Chaque troisième structure de grille 460 peut alors être similaire à l’une quelconque des structures de grille 230, 330 décrites en relation avec les figures 2A, 2B, 3A, 3B, par exemple sans les espaceurs isolants. Dans le mode de réalisation des figures 4A et 4B, le dispositif électronique 400 comprend une seule première structure de grille 430, et donc une seule boîte quantique 403. Dans des variantes de réalisation, le dispositif électronique 400 peut comprendre au moins deux premières structures de grille 430 et donc au moins deux boîtes quantiques 403, par exemple l’une à côté de l’autre dans la première direction X, séparées par un espace non nul, par exemple e1. La FIG. 5 représente par une vue de dessus un dispositif électronique 500 comprenant un composant électronique selon un autre mode de réalisation. La FIG. 5 représente, par une vue en coupe (coupe BB), un détail du dispositif électronique de la FIG. 5 . Le dispositif électronique 500 représenté dans les figures 5A et 5B illustre une application à la réalisation d’un inducteur intégré sur une structure MOS formant le composant électronique à structure de grille, qui peut être une structure du type SOI, par exemple FD-SOI. Le dispositif électronique 500 comprend ainsi un inducteur 540, représenté sous la forme d’une bobine d’induction à une boucle, positionnée au-dessus, par exemple sur, une structure MOS 550. La bobine d’induction 540 comprend par exemple une couche de cuivre 541 recouverte par une couche d’aluminium 542. La structure MOS 550 comprend une couche de silicium 510, qui peut être une couche superficielle de silicium d’un substrat de type SOI, par exemple FD-SOI. La structure MOS 550 comprend, sur la couche de semiconducteur 510, une structure de grille 530 qui se présente sous la forme d’une tige centrale 531 reliée à une pluralité de peignes 532 sensiblement perpendiculaires à la tige centrale, formant un écran comme expliqué plus après. Cette géométrie de structure de grille est donnée à titre illustratif et d’autres géométries peuvent être envisagées par la personne du métier. Entre la structure de grille 530 et l’inducteur 540, la structure MOS 550 comprend un couche de diélectrique 520, qui peut être une région PMD en dioxyde de silicium (SiO 2 ). La couche de diélectrique 520 peut comprendre, ou correspondre à, une région d'interconnexion (connue par la personne du métier sous l'acronyme anglo-saxon "BEOL", Back End Of Line), et cette région d’interconnexion peut comprendre un premier niveau de métallisation, qui est le niveau de métallisation le plus proche du substrat, connu sous la dénomination "M1", auquel des composants électroniques peuvent être reliés via des contacts traversant la couche de diélectrique 520. De préférence, la structure de grille 530 comprend un matériau magnétique, par exemple le cobalt ou un matériau à base de cobalt, le nickel ou un matériau à base de nickel. Le matériau magnétique peut être sous la forme d’une couche en le matériau magnétique. La structure de grille 530 peut être similaire à l’une quelconque des structures de grille 230, 330 décrites en relation avec les figures 2A, 2B, 3A, 3B, par exemple sans les espaceurs isolants et/ou sans les régions de siliciure. La structure de grille 530 incluant le matériau magnétique permet de former un écran de protection pour diminuer les interactions entre l'inducteur et le substrat. Cet écran de protection peut être mis à la terre. Les inventeurs ont déterminé que l’intégration d’un matériau magnétique dans la structure de grille 530 permettait d’améliorer certaines caractéristiques de l’inducteur 540, comme expliqué dans la description qui suit. La FIG. 6 représente des courbes donnant l’inductance L de différents inducteurs sur structure MOS en fonction de la fréquence. La courbe 610 correspond à un écran métallique (sans matériau magnétique) qui, de manière connue, est intégré dans le premier niveau de métallisation M1. La courbe 620 correspond à un écran métallique (sans matériau magnétique) qui serait intégré au niveau de la couche de silicium 510 des figures 5A et 5B. La courbe 630 correspond à la structure de grille 530 des figures 5A et 5B, avec matériau magnétique à 1 Tesla (T), formant écran métallique intégré au niveau de la couche de silicium 510. La FIG. 6 montre que l’intégration d’un matériau magnétique dans la structure de grille 530 sous l’inducteur 540 permet d’augmenter l’inductance de cet inducteur. En outre, cela permet d’avoir une inductance plus stable dans une gamme plus large de fréquences. La FIG. 6 représente des courbes donnant le facteur de qualité Q de différents inducteurs sur structure MOS en fonction de la fréquence. La courbe 640 correspond à un écran métallique (sans matériau magnétique) qui, de manière connue, est intégré dans le premier niveau de métallisation M1. La courbe 650 correspond à un écran métallique (sans matériau magnétique) qui serait intégré au niveau de la couche de silicium 510 des figures 5A et 5B. La courbe 660 correspond à la structure de grille 530 des figures 5A et 5B, avec matériau magnétique à 1T, formant écran métallique intégré au niveau de la couche de silicium 510. La FIG. 6 montre que l’intégration d’un matériau magnétique dans la structure de grille 530 sous l’inducteur 540 permet d’augmenter le facteur de qualité de cet inducteur jusqu’à une fréquence d’environ 15 GHz. Ceci peut être intéressant dans certaines applications, par exemple dans un amplificateur faible bruit (LNA, Low-noise amplifier en anglais) d’un circuit de lecture de qubit, qui fonctionne généralement à 7 GHz. On a représenté une bobine d’induction à une seule boucle dans les figures 5A et 5B, mais ce mode de réalisation peut s’étendre à une bobine d’induction à plusieurs boucles telle que celle décrite ci-dessus, voire à tout autre type d’inducteur intégré sur une structure MOS. La FIG. 7 représente, par une vue en 3D, une variante du dispositif électronique de la FIG. 5 . Dans l’exemple représenté en FIG. 7 , le dispositif électronique 700 comprend une bobine d’induction 740 à deux boucles concentriques 741, 742 sur une structure MOS 550 telle que celle décrite en lien avec les figures 5A et 5B. La FIG. 8 , la FIG. 8 et la FIG. 8 représentent des courbes donnant respectivement l’inductance L, la résistance R et le facteur de qualité Q de l’inducteur dans le dispositif électronique 700 de la FIG. 7 en fonction de la fréquence. Ces courbes montrent que la présence du matériau magnétique dans la structure de grille permet d’induire sur l’inducteur à double boucle un point de singularité entre environ 7 et 10 GHz (entouré en pointillés). Une application à cela est de former un filtre réinjecteur de bande, ou un filtre coupe-bande. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Composant électronique (200 ; 300 ; 403 ; 450 ; 550) comprenant une structure de grille (230 ; 330 ; 430 ; 440 ; 460 ; 530) sur une couche de semiconducteur (110 ; 410 ; 510), la structure de grille incluant un matériau magnétique. Composant électronique (200 ; 300) selon la revendication 1, dans lequel la structure de grille (230 ; 330) comprend une première couche (236 ; 336) en le matériau magnétique. Composant électronique (300) selon la revendication 2, dans lequel la structure de grille (330) comprend une deuxième couche (334) en silicium polycristallin, par exemple en contact avec la première couche (336). Dispositif électronique (200 ; 300) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la structure de grille (230 ; 330) comprend une troisième couche (233 ; 333) en métal, par exemple en nitrure de titane. Composant électronique (200 ; 300 ; 403 ; 450) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la structure de grille (230 ; 330 ; 430 ; 440) comprend une couche d’isolant de grille (231 ; 331 ; 431 ; 441) configurée pour isoler ladite structure de grille de la couche de semiconducteur (110 ; 410 ; 510), par exemple en contact avec ladite couche de semiconducteur. Composant électronique (200 ; 300) selon la revendication 5 dans sa dépendance avec la revendication 4, dans lequel la troisième couche (233 ; 333) est entre la couche d’isolant de grille (231 ; 331) et la première couche (236 ; 336). Composant électronique (200 ; 300) selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la couche d’isolant de grille (231 ; 331) est localisée à une première face (230A ; 330A) de la structure de grille en contact avec la couche de semiconducteur (110), et la structure de grille comprend une couche de contact électrique (235 ; 335), par exemple en siliciure, à une deuxième face (230B ; 330B) opposée à la première face. Composant électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le matériau magnétique comprend au moins l’un parmi : le cobalt, un matériau à base de cobalt, le nickel, ou un matériau à base de nickel. Composant électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, le composant électronique étant un transistor FET, un transistor MOSFET, un transistor SET, une diode à grille, une structure MOS à grille, ou une boîte quantique à grille. Dispositif électronique (400 ; 500 ; 700) comprenant une couche de semiconducteur (110 ; 410 ; 510) et au moins un composant électronique (200 ; 300 ; 403 ; 450 ; 550) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, le au moins un composant électronique étant dans et sur la couche de semiconducteur. Dispositif électronique (500 ; 700) selon la revendication 10, dans lequel le au moins un composant électronique est une structure MOS (550), le dispositif électronique comprenant un inducteur (540 ; 740) intégré sur la structure MOS. Dispositif électronique (500 ; 700) selon la revendication 11, dans lequel la structure de grille (530) de la structure MOS (550) comprend une pluralité de peignes (532) reliés à une tige centrale (531), chaque peigne et la tige incluant le matériau magnétique. Dispositif électronique (400) selon la revendication 10, le dispositif électronique étant un dispositif quantique comprenant un premier composant électronique (403) parmi le au moins un composant électronique, ledit premier composant électronique étant une boîte quantique formant une région de confinement d’un qubit de spin. Dispositif électronique (400) selon la revendication 13, comprenant un deuxième composant électronique (450) parmi le au moins un composant électronique, ledit deuxième composant électronique étant du type du transistor MOSFET formant un injecteur de porteur de charge vers la boîte quantique (403). Dispositif électronique (400) selon l’une quelconque des revendications 10 à 14, comprenant en outre un générateur de champ magnétique externe. Composant électronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche de semiconducteur (110 ; 410 ; 510) est une couche de silicium, par exemple une couche de silicium superficielle d’un substrat de type SOI.