FR 3156591 A1 20250613 FR 2313932 A 20231211 Procédé de fabrication d'un capteur d'images La présente description concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images comportant la formation d'une ouverture dans un substrat, la formation d'un plot conducteur (13) recouvrant les flancs de l'ouverture et délimitant un interstice (16) dans l'ouverture, la formation de microlentilles (23) dans une couche (15) en une première résine, la couche (15) en la première résine recouvrant le plot (13) et pénétrant dans l'interstice (16), la formation d'un masque en une deuxième résine, sur et en contact avec la couche (15) en la première résine, la gravure chimique par plasma de la couche (15) en la première résine, à travers le masque, délimitant un bloc (36) de la première résine dans l'interstice (16), le dépôt d'une couche de protection (40) sur les microlentilles (23) et sur le bloc (36), le retrait de la partie la couche de protection (40) recouvrant le bloc (36), et la gravure du bloc (36). Figure pour l'abrégé : Fig. 21 Procédé de fabrication d'un capteur d'images La présente description concerne de façon générale le domaine des capteurs d'images et vise plus particulièrement un procédé de fabrication d'un capteur d'images. Un capteur d'images comprend généralement une pluralité de photodétecteurs, par exemple des photodiodes, intégrés dans et sur un substrat semiconducteur. On s'intéresse ici plus particulièrement aux capteurs d'images dont les photodétecteurs sont surmontés d'une couche de microlentilles. Cette couche de microlentilles permet de focaliser les rayonnements incidents sur les photodétecteurs. Il serait souhaitable d'améliorer au moins en partie certains aspects des procédés connus de fabrication d'un capteur d'images comprenant une couche de microlentilles. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des capteurs d'images connus. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un capteur d'images comportant les étapes suivantes dans l'ordre : a) la formation d'une ouverture dans un substrat semiconducteur comprenant une première face et une deuxième face opposée à la première face, l'ouverture s'étendant de la première face à la deuxième face, et la formation d'au moins un plot conducteur électriquement comprenant une première portion s'étendant sur la première face et une deuxième portion recouvrant les flancs de l'ouverture et délimitant un interstice dans l'ouverture ; b) la formation d'une pluralité de microlentilles dans une couche en une première résine, la couche en la première résine recouvrant le plot conducteur électriquement et pénétrant dans l'interstice ; c) la formation d'un masque en une deuxième résine, sur et en contact avec la couche en la première résine ; d) la gravure chimique par plasma de la couche en la première résine, à travers le masque délimitant un bloc de la première résine dans l'interstice ; e) le dépôt d'une couche de protection sur la pluralité de microlentilles et sur le bloc ; f) le retrait de la partie la couche de protection recouvrant le bloc ; et g) la gravure du bloc. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, à l'étape a), la formation d'une pluralité de photodétecteurs dans le substrat semiconducteur. Selon un mode de réalisation, lors de l'étape d), on vient exposer le plot de reprise de contact. Selon un mode de réalisation, à l'étape b), la formation des microlentilles comprend une étape h) de formation de structurations en forme de microlentilles dans une couche en une troisième résine, suivie d'une étape i) de transfert desdites structurations dans la couche en la première résine par gravure physique. Selon un mode de réalisation, à l'étape h), les structurations sont formées par photolithographie et fluage. Selon un mode de réalisation, après l'étape d), le masque est retiré à l'aide d'un solvant. Selon un mode de réalisation, la couche en la première résine est réticulée. Selon un mode de réalisation, la couche en la première résine est non-photosensible. Selon un mode de réalisation, le plasma utilisé aux étapes d) et g) comprend du dioxygène. Selon un mode de réalisation, la couche de protection est en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON). Un mode de réalisation prévoit également un capteur d'images comportant : - un substrat semiconducteur dans et sur lequel sont intégrés une pluralité de photodétecteurs, le substrat semiconducteur comprenant une première face et une deuxième face opposée à la première face et une ouverture s'étendant de la première face à la deuxième face ; - un plot conducteur électriquement comprenant une première portion s'étendant sur la première face et une deuxième portion recouvrant les flancs de l'ouverture et délimitant un interstice dans l'ouverture ; - une couche en une première résine recouvrant la première face dans laquelle sont formées une pluralité de microlentilles, ladite couche en la première résine comprenant une ouverture en vis-à-vis du plot conducteur électriquement, ladite ouverture ayant des parois latérales inclinées ; et - une couche de protection recouvrant la couche en la première résine et ne s'étendant pas dans ou sur l'interstice. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , la FIG. 2 , la FIG. 3 , la FIG. 4 , la FIG. 5 , la FIG. 6 , la FIG. 7 , la FIG. 8 , la FIG. 9 , et la FIG. 10 sont des vue en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images ; la FIG. 11 et la FIG. 12 sont des figures analogues respectivement aux figures 6 et 7 illustrant des inconvénients du procédé illustré sur les figures 1 à 10 ; la FIG. 13 , la FIG. 14 , la FIG. 15 , la FIG. 16 , la FIG. 17 , et la FIG. 18 sont des images obtenues par microscopie électronique à balayage illustrant des inconvénients du procédé illustré sur les figures 1 à 10 ; la FIG. 19 , la FIG. 20 , la FIG. 21 , la FIG. 22 , la FIG. 23 , la FIG. 24 , et la FIG. 25 sont des vues en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'étapes successives d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images selon un mode de réalisation ; la FIG. 26 , la FIG. 27 , et la FIG. 28 sont des vues en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'étapes successives d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images selon un autre mode de réalisation ; et la FIG. 29 , et la FIG. 30 sont des images obtenues par microscopie électronique à balayage obtenues lors de la mise en œuvre du procédé illustré sur les figures 19 à 25. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des photodétecteurs des capteurs d'images décrits, ainsi que de leurs circuits de commande, n'a pas été détaillée, la réalisation de ces éléments étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Les figures 1 à 10 illustrent, de façon schématique et partielle, des dispositifs ou structures obtenus à l'issue d'étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images. Plus particulièrement, la FIG. 1 correspond à une structure de départ comprenant un substrat semiconducteur 10, par exemple un substrat en silicium, dans lequel ont été préalablement formés des photodétecteurs 12. A titre d'exemple, les photodétecteurs 12 sont des photodiodes, par exemple, adaptées à capter un rayonnement infrarouge, visible et/ou ultraviolet. A titre d'exemple, les photodétecteurs 12 sont des photodétecteurs réalisés en technologie CMOS (de l'anglais "Complementary Metal Oxide Semiconductor" – semiconducteur métal oxyde complémentaire). Le substrat 10 comprend une face supérieure 10s et une face inférieure 10i, opposée à la face supérieure 10s. Selon un mode de réalisation, la face supérieure 10s est plane. Le substrat 10 comprend une couche diélectrique 10c qui délimite la face supérieure 10s. Le substrat 10 peut être recouvert, du côté de la face supérieure 10s, par un ou plus d'un élément, non représentés sur les figures, par exemple des filtres colorés recouvrant les photodétecteurs 12, un écran opaque recouvrant des zones du substrat 10 ne comprenant pas photodétecteurs 12, etc. Le substrat 10 est recouvert, du côté de la face inférieure 10i, par une structure d'interconnexion 14, comprenant un empilement de couches isolantes entre lesquelles s'étendent des pistes conductrices, non représentées, et au travers desquelles s'étendent des vias conducteurs, non représentés. Selon un mode de réalisation, le substrat 10 a une épaisseur comprise entre 3 µm et 10 µm. Dans cet exemple, le substrat 10 est destiné à être éclairé par sa face supérieure 10s. La structure de départ comprend, en outre, un ou des plots de reprise de contact 13, un seul plot de reprise de contact 13 étant représenté en FIG. 1 . Selon un mode de réalisation, le plot de reprise de contact 13 est isolé électriquement du substrat par au moins une couche isolante, non représentée. Les plots 13 sont disposés hors de l'aplomb des photodétecteurs 12 de façon à ne pas masquer les photodétecteurs 12. A titre d'exemple, en vue de dessus, les photodétecteurs 12 du capteur d’images sont situés dans une région centrale du substrat 10, et les plots 13 sont situés en vis-à-vis d'une région périphérique du substrat 10. Chaque plot de reprise de contact 13 comprend une zone de contact 13c qui s'étend sur la face supérieure 10s du substrat 10. La zone de contact 13c de chaque plot 13 est destinée à être connectée à un dispositif extérieur, par exemple au moyen d'un fil électriquement conducteur, par exemple un fil métallique. Le substrat 10 comprend, pour chaque plot de reprise de contact 13, une ouverture traversante 11 qui s'étend de la face supérieure 10s à la face inférieure 10i. La couche diélectrique 10c peut en outre recouvrir les parois latérales de l'ouverture 11. Selon un mode de réalisation, l'ouverture 11 a une section droite, vue selon une direction perpendiculaire à la face 10s, sensiblement constante. A titre d'exemple, la section droite de l'ouverture 11 est carrée ou rectangulaire, notamment inscrite dans un rectangle dont le petit côté varie de 2 µm à 10 µm et le grand côté varie de 3 µm à 10 µm. Le plot de reprise de contact 13 comprend une portion de jonction 13j qui s'étend dans l'ouverture traversante 11. A titre d'exemple, la portion de jonction 13j du plot reprise de contact 13 est connectée à un ou des niveaux de métallisation de la structure d'interconnexion 14 disposée du côté de la face inférieure 10i du substrat 10. A titre d'exemple, les plots de reprise de contact 13 sont en un matériau métallique, par exemple en aluminium. La portion de jonction 13j recouvre les flancs de l'ouverture 11. Toutefois, l'ouverture 11 peut ne pas être complètement remplie par la portion de jonction 13j de sorte qu'un interstice 16 rempli d'air, et débouchant sur l'extérieur, peut demeurer dans l'ouverture 11. A titre d'exemple, la portion de jonction 13j a une épaisseur, mesurée par rapport aux flancs de l'ouverture 11, qui est comprise entre 0,3 µm et 2 µm, et est par exemple égale à environ 1 µm. A titre d'exemple, la profondeur de l'interstice 16 est comprise entre 1 µm et 10 µm, et est par exemple égale à environ 6 µm. A titre d'exemple, les plots de reprise de contact 13 peuvent être utilisés pour l'échange de signaux avec le capteurs d'images et/ou pour l'alimentation électrique du capteur d'images. Selon un autre exemple, l'un des plots de reprise de contact 13 peut faire partie d'une structure de protection tel qu'un anneau de garde de la structure d'interconnexion 14 (en anglais "seal ring"), auquel cas le plot peut s'étendre sur toute la périphérie du capteur d'images. Les figures 2 à 4 illustrent des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes de formation d'une couche de microlentilles du côté de la face supérieure 10s du substrat 10, en vis-à-vis des photodétecteurs 12. La FIG. 2 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation d'une couche de résine 15 du côté de la face supérieure 10s du substrat 10. La couche 15 est, par exemple, déposée pleine plaque sur toute la surface de la face supérieure 10s du substrat 10. La couche 15 recouvre ainsi les plots de reprise de contact 13, et les photodétecteurs 12. La couche 15 pénètre en particulier dans l'interstice 16 délimité par la portion de jonction 13j de chaque plot de reprise de contact 13. La couche 15 est en une résine transparente aux longueurs d'onde de détection du capteur. La couche 15 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 1 µm et 6 µm, par exemple de l'ordre de 4 µm. La résine de la couche 15 est, par exemple, une résine réticulée qui ne peut pas être dissoute dans les solvants liquides usuels de développement et/ou de gravure des résines. La résine de la couche 15 est par exemple une résine non-photosensible. A titre d'exemple, la résine de la couche 15 est choisie de sorte qu'elle puisse être réticulée, par exemple par des UVs ou à partir d'une certaine température, par exemple, de l'ordre de 200 °C. A titre d'exemple, la résine de la couche 15 est choisie de sorte qu'elle puisse être gravée à l'aide d'un plasma réactif ionique non déporté ou RIE (sigle anglais pour Reactive Ion Etching), à base d'oxygène. A titre d'exemple, la résine de la couche 15 comprend un polymère, par exemple de type acrylique non développable. La FIG. 3 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation d'un masque de gravure 19 sur la face supérieure de la couche de résine 15. Le masque 19 comprend des structurations en forme de microlentilles, destinées à être transférées dans la couche de résine 15 lors d'une étape de gravure ultérieure, de façon à former des microlentilles dans la couche 15. A titre d'exemple, le masque 19 est formé à partir d'une couche de résine photosensible. La résine du masque 19 est par exemple d'abord déposée pleine plaque, sur et en contact avec la face supérieure de la couche 15. A ce stade, la résine du masque 19 présente par exemple une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface de la structure. Le dépôt de la résine du masque 19 peut être fait par une technique d'enduction à la tournette ou par toute autre technique de dépôt adaptée. La couche de résine du masque 19 est ensuite structurée, par exemple par photolithographie, de façon à former, en vis-à-vis des photodétecteurs 12, des plots de résine 21 disjoints. Dans cet exemple, on prévoit un plot de résine 21 individuel en vis-à-vis de chaque photodétecteur 12 du capteur. Un recuit de fluage est ensuite mis en œuvre, au cours duquel les plots de résine 21 se déforment pour prendre la forme de microlentilles. Après fluage, les plots de résine 21 sont par exemple disjoints. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. Les plots 21 ont par exemple une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la couche 15. La FIG. 4 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de gravure par plasma réactif ionique non déporté de la couche 15 et du masque 19, conduisant à transférer le motif du masque 19 dans une partie supérieure de la couche 15. La gravure est par exemple arrêtée lorsque toute la résine du masque 19 a été consommée. Ainsi, dans le dispositif illustré en FIG. 4 , la couche 15 comprend des microlentilles 23 en vis-à-vis des photodétecteurs 12. A titre d'exemple, les microlentilles 23 ont une hauteur comprise entre 0,5 µm et 4 µm. A ce stade, les plots de connexion 13 restent recouverts par la résine de la couche 15. Les figures 5 à 7 illustrent des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes de retrait de la résine de la couche 15 en vis-à-vis des plots 13, pour permettre la reprise d'un contact électrique sur les plots 13. La FIG. 5 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation d'une couche de masquage 25 en résine sur la face supérieure de la couche 15. A titre d'exemple, la couche 25 est d'abord déposée pleine plaque sur la face supérieure de la couche 15, par exemple en contact avec la face supérieure de la couche 15. La couche 25 est ensuite retirée, par exemple par photolithographie, en vis-à-vis des plots 13, de façon à exposer la portion de la couche de résine 15 revêtant les plots 13. La résine de la couche 25 est, par exemple, une résine photosensible. A titre d'exemple, la couche 25 a une épaisseur supérieure à l'épaisseur maximale de la couche 15. A titre d'exemple, la couche 25 a une épaisseur comprise entre 4 µm et 10 µm, par exemple de l'ordre de 6 µm. La FIG. 6 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de gravure par plasma réactif ionique non déporté (RIE) de la couche 15 à travers la couche 25. Lors de cette étape, la couche 25 est utilisée comme un masque de gravure. Plus particulièrement, lors de cette étape, la partie de la couche 15 non recouverte par la couche 25 est retirée de façon à dévoiler la face supérieure des plots de reprise de contact 13. La gravure mise en œuvre lors de cette étape est une gravure par plasma réactif ionique non déporté. Une telle gravure entraîne un retrait de matière par bombardement, par exemple, en utilisant un plasma à base de dioxygène. Le plasma utilisé lors de cette étape de gravure a, par exemple, une composition chimique différente du plasma utilisé lors de la gravure conduisant à la formation des microlentilles 23. Lors de l'étape susmentionnée, les couches 25 et 15 sont consommées simultanément. L'étape de gravure est par exemple arrêtée lorsque les plots de reprise de contact 13 sont complétement dégagés et qu'il ne reste plus de résidus de la couche 15 à leur surface et dans les interstices 16. A ce stade, une partie de la couche 25 subsiste à la surface de la couche 15 en vis-à-vis des microlentilles 23. La FIG. 7 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la partie restante de la couche 25 de façon à libérer la face supérieure des microlentilles 23. Cette étape de retrait est par exemple réalisée par une gravure humide par solvant, au moyen d'une solution de gravure permettant de retirer sélectivement le matériau de la couche 25 par rapport au matériau de la couche 15. La FIG. 8 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de protection 29 en un matériau électriquement isolant à la surface du dispositif illustré en FIG. 7 . La couche 29 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface supérieure du dispositif de la FIG. 7 . Ainsi, la couche 29 recouvre notamment les microlentilles 23 de la couche 15 et les plots 13. A titre d'exemple, la couche 29 est en un matériau qui permet de protéger la couche 15 de l'humidité. La couche 29 est, par exemple, en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON). A titre d'exemple, la couche de protection 29 est déposée, par une méthode de dépôt conforme sur la face supérieure du dispositif illustré en FIG. 7 , par exemple par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, de l'anglais "Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). La couche 29 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l'ordre de 200 nm. Les figures 9 et 10 illustrent des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes de retrait localisé de la couche de protection 29 en regard de la zone de contact 13c de chacun des plots de reprise de contact 13, pour permettre la reprise d'un contact électrique sur les plots 13. La FIG. 9 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de résine 31 sur la face supérieure du dispositif de la FIG. 8 , et de formation, dans la couche de résine 31, d'une ouverture traversante 32 débouchant sur la couche de protection 29 en vis-à-vis de la zone de contact 13c du plot 13. L'ouverture 32 est par exemple formée par photolithographie. La FIG. 10 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de gravure de la couche de protection 29 au fond de l'ouverture 32, en utilisant la couche de résine 31 comme masque de gravure. A l'issue de cette gravure, la couche 31 est retirée en particulier au fond de l’interstice 16. La FIG. 11 et la FIG. 12 sont des figures analogues respectivement à la FIG. 6 et à la FIG. 7 et illustrent des inconvénients du procédé décrit précédemment en relation avec les figures 1 à 10. La FIG. 13 , la FIG. 14 , et la FIG. 15 sont des images obtenues par microscopie électronique à balayage d'un dispositif à l'étape illustrée en FIG. 11 . La FIG. 16 , la FIG. 17 , et la FIG. 18 sont des images obtenues par microscopie électronique à balayage d'un dispositif à l'étape illustrée en FIG. 12 . Un inconvénient du procédé décrit ci-dessus est que, à l'étape décrite en relation avec la FIG. 6 , la gravure par bombardement d'ions des couches 15 et 25 conduit à la formation de fibres ou filaments résiduels 33 sur les flancs de la couche 15 et de la couche 25, comme cela est représenté de façon schématique sur la FIG. 11 et est visible sur les figures 13, 14, et 15. Ces fibres ou filaments résiduels 33 sont des défauts induits par le plasma réactif ionique non déporté et sont composés par exemple de carbone, d’oxygène et de silicium sous forme de polymères. Ces fibres ou filaments résiduels 33 peuvent notamment s'étendre au-delà des flancs de la couche 15, sur les flancs de la couche 25. Les fibres ou filaments résiduels 33 recouvrent le flanc de la couche 15 de façon non homogène. Au moins une partie de ces fibres ou filaments résiduels 33 peuvent toujours être présents après l'étape de retrait de la couche 25, comme cela est représenté de façon schématique en FIG. 12 et est visible sur la FIG. 16 . Ainsi, en raison de la présence des fibres ou filaments résiduels 33, la couche 29 déposée à l'étape décrite en relation avec la FIG. 8 présente notamment des irrégularités d'épaisseur pouvant entraîner des défauts d'étanchéité et d'intégrité qui sont problématiques pour les étapes de fabrication ultérieures et pour la fiabilité du dispositif. Une étape spécifique de suppression des fibres ou filaments résiduels 33 par gravure humide peut être prévue entre l'étape décrite en relation avec la FIG. 7 et l'étape décrite en relation avec la FIG. 8 . Cette gravure humide peut par exemple être effectuée par solvant. Toutefois, cette étape engendre un surcoût et ne permet pas une suppression totale des fibres ou filaments résiduels 33 sans endommager la couche des microlentilles 23. Un autre inconvénient du procédé décrit ci-dessus, est qu'un bloc 34 du matériau composant la couche 15 peut demeurer dans l'interstice 16 délimité par chaque plot de reprise de contact 13 à l'issu de l'étape de gravure de la couche 15 comme cela est représenté de façon schématique sur les figures 11 et 12 et est visible sur la FIG. 17 . Les blocs 34 peuvent se détacher en totalité ou en partie, par exemple pendant les étapes de fabrication ultérieures comme cela est visible sur la FIG. 18 , et peuvent donc être problématiques pour les étapes de fabrication ultérieures et pour la fiabilité du dispositif. Les figures 19 à 25 illustrent, de façon schématique et partielle, des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes successives d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images selon un mode de réalisation. Les étapes initiales du procédé sont par exemple identiques ou similaires à ce qui a été décrit ci-dessus en relation avec les figures 1 à 5 et ne seront pas détaillées à nouveau ci-après. Selon un mode de réalisation, on prévoit de remplacer l'étape de gravure par plasma réactif ionique non déportée (gravure anisotrope) de la couche de résine 15 décrite en relation avec la FIG. 6 , par une étape de gravure plasma dite déportée et donc isotrope. Cette gravure par plasma déporté repose sur l’utilisation de radicaux libres. Une telle gravure met en œuvre des équipements différents de ceux mis en œuvre pour l'étape de gravure physique décrite en relation avec la FIG. 6 . Cette technique de gravure est habituellement utilisée pour retirer, recycler ou décaper, pleine plaque, des couches de résine. Cette technique est en outre parfois utilisée pour effectuer, pleine plaque, des traitements chimiques sur les matériaux exposés. On propose ici de l'utiliser, de façon inhabituelle, pour réaliser une gravure localisée de la couche de résine 15 à travers le masque formé par la couche de résine 25. Cette technique présente l'avantage d'être moins agressive qu'une gravure par plasma réactif ionique non déporté (RIE), et ne génère pas de fibres ou filaments de polymères sur les flancs de la couche 15 et sur le sommet d'un bloc de résine présent dans l'interstice 16. Cette technique de retrait présente aussi l’avantage d’être très sélective par rapport à la couche diélectrique 10c. La FIG. 19 illustre un dispositif obtenu à l'issue de l'étape de gravure par plasma déporté de la couche de résine 15 à travers le masque formé par la couche de résine 25. La gravure par plasma déporté mise en œuvre de façon à obtenir le dispositif illustré en FIG. 19 consomme les couches 25 et 15 simultanément et de manière isotrope. Ainsi, à l'issue de l'étape de gravure, les couches 15 et 25 présentent un flanc incliné 35 (non vertical). A titre d'exemple, l'inclinaison du flanc 35 des couches 25 et 15 peut être contrôlée notamment par un contrôle du temps de gravure. Le plasma de gravure par plasma déporté utilisé comprend de préférence du dioxygène. A titre d'exemple, le plasma de gravure comprend principalement du dioxygène et peut contenir du diazote et du dihydrogène. A titre d'exemple, la température du matériau gravé lors de cette étape est comprise entre 130 °C et 250 °C, par exemple de l'ordre de 150 °C. La gravure susmentionnée est arrêtée lorsque les plots de reprise de contact 13 sont dévoilés et qu'il ne reste plus de résidus de la couche 15 à la surface des zones de contact 13c. A ce stade, une partie de la couche 25 subsiste à la surface de la couche 15 en vis-à-vis des microlentilles 23. En outre, un bloc 36 du matériau composant la couche 15 est présent dans l'interstice 16 délimité par la portion 13j du plot de reprise de contact 13. La FIG. 20 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la partie restante de la couche 25 de façon à libérer la face supérieure des microlentilles 23. Cette étape de retrait est par exemple réalisée par une gravure humide, au moyen d'une solution de type solvant permettant de retirer sélectivement le matériau de la couche 25 par rapport au matériau de la couche 15. La FIG. 21 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de protection et d'isolation 40 en un matériau électriquement isolant à la surface du dispositif illustré en FIG. 20 . En particulier, la couche de protection 40 recouvre la couche 15, et notamment les microlentilles 23, les plots de reprise de contact 13 et les blocs 36 présents dans les interstices 16 délimités par les plots de reprise de contact 13. Selon un mode de réalisation, la couche de protection 40 est du même matériau que la couche 29 décrite précédemment. A titre d'exemple, la couche 40 est en un matériau qui permet de protéger la couche 15 de l'humidité, et des différents procédés de sciage et de mise en boitier. La couche 40 est, par exemple, en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON). A titre d'exemple, la couche de protection 40 est déposée, par une méthode de dépôt conforme sur la face supérieure du dispositif illustré en FIG. 20 , par exemple par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). La couche 40 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l'ordre de 200 nm. La FIG. 22 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de résine 41 sur l'ensemble de la structure obtenue en FIG. 21 , en particulier sur la totalité de la couche de protection 40. La FIG. 23 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation d'une ouverture 42 dans la couche de résine 41 pour exposer la couche de protection 40 à l'aplomb de chaque plot de reprise de contact 13. La FIG. 24 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la couche de protection 40 dans chaque ouverture 42 en vis-à-vis des plots 13. En particulier, la couche de protection 40 est retirée pour exposer le bloc 36 contenu dans l'interstice 16 délimité par chaque plot 13. La FIG. 25 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la couche de résine 41 et des blocs 36 présents dans les interstices 16 délimités par les portions de jonction 13j des plots de reprise de contact 13. Le retrait du bloc 36 peut être réalisé par le même procédé de gravure que celui décrit précédemment en relation avec la FIG. 19 . La couche de protection 40 peut alors jouer le rôle de couche d'arrêt de gravure pour la gravure de la couche de résine 41. Plus particulièrement, lors de cette étape, les blocs 36 du matériau de la couche 15 sont gravés de façon à dévoiler la face externe des plots de reprise de contact 13 dans les interstices 16. La couche de protection 40 protège les microlentilles 23 pendant la gravure de la couche de résine 41 et du bloc 36. Selon un mode de réalisation, la couche de résine 41 et les blocs 36 sont retirés par une étape de gravure plasma déporté, par exemple au moyen d’un strippeur microonde ou d’un retrait résine Ex-situ, et donc isotrope. Cette gravure repose sur l’utilisation de radicaux libres générés par des plasmas déportés. Le plasma de gravure utilisé comprend de préférence du dioxygène. A titre d'exemple, le plasma de gravure comprend principalement du dioxygène, du diazote et du dihydrogène. A titre d'exemple, la température du matériau gravé lors de cette étape est comprise entre 130 °C et 250 °C, par exemple de l'ordre de 170 °C. L'étape de gravure est par exemple arrêtée lorsque les plots de reprise de contact 13 sont complétement dégagés et qu'il ne reste plus de résidus de la couche 15 dans les interstices 16. Ce procédé étant très sélectif par rapport à la couche de protection 40, il est alors possible de parfaitement retirer les résidus de résine des blocs 36 et de la couche de résine 41 quelles que soient les dimensions choisies pour les ouvertures 11 et les interstices 16 sans altérer les lentilles 23 et la couche 15 parfaitement encapsulées par cette couche de protection 40. Les figures 26 à 27 illustrent, de façon schématique et partielle, des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes successives d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images selon un autre mode de réalisation. La FIG. 26 est une figure identique à la FIG. 1 à la différence que le plot de reprise de contact 13 est recouvert d'une couche diélectrique 43. Dans ce cas, lors de la formation de la couche de protection 40 sur le plot de reprise de contact 13, la couche de protection 40 peut venir au contact mécanique direct de la couche diélectrique 43 sur la zone de contact 13c, le bloc 36 étant interposé entre la couche diélectrique 43 et la partie de la couche de protection 40 qui recouvre le bloc 36. La FIG. 27 est une figure analogue à la FIG. 24 et illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la couche de protection 40 et de la couche diélectrique 43 dans chaque ouverture 42 en vis-à-vis des plots 13 pour exposer le bloc 36. La FIG. 28 est une figure analogue à la FIG. 25 et illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la couche de résine 41 et des blocs 36 présents dans les interstices 16 délimités par les portions de jonction 13j des plots de reprise de contact 13. Une partie de la couche diélectrique 43 est donc conservée dans les interstices 16. La couche diélectrique 43 permet de façon avantageuse de protéger le plot de reprise de contact 13 de la corrosion durant les étapes ultérieures du procédé de fabrication. La FIG. 29 est une image obtenue par microscopie électronique à balayage d'un dispositif illustré en FIG. 25 obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la couche de protection 40 en vis-à-vis des plots 13. La partie conservée de la couche de protection 40 recouvrant la couche 15 est visible en FIG. 29 . La FIG. 30 est une image obtenue par microscopie électronique à balayage d'un dispositif à l'étape illustrée en FIG. 25 . Comme cela est visible sur cette figure, la portion de jonction 13j du plot de reprise de contact 13 est complètement exposée et le bloc 36 présent auparavant dans l'interstice 16 délimité par la portion 13j du plot de reprise de contact 13 a été complètement retiré. Un avantage des modes de réalisation décrits précédemment est que la gravure par plasma déportée décrite en relation avec la FIG. 19 ne génère pas de fibres de polymères contrairement à la gravure physique de l'étape de la FIG. 6 . La couche 40 est donc déposée de façon parfaitement conforme à la surface de la couche 15 ce qui lui permet d'assurer son rôle de protection de la couche 15. On peut en outre se passer d'une étape spécifique de nettoyage des fibres résiduelles de polymères avant le dépôt de la couche 40 et on peut retirer la couche 25 au moyen d’une solution de gravure humide de type solvant. Un autre avantage des modes de réalisation décrits précédemment est que l'étape de gravure par plasma déporté est très sélective et permet de ne pas consommer le matériau du substrat 10. Un autre avantage des modes de réalisation décrits précédemment est que l'étape de gravure par plasma déporté de la couche 15 entraîne la formation d’une pente dans cette même couche 15 en vis-à-vis des plots 13, cette pente étant modulable afin d’augmenter la conformité et la résistance de la couche d'encapsulation 40 qui la recouvre. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples de dimensions et de matériaux mentionnés ci-dessus. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé de fabrication d'un capteur d'images comportant les étapes suivantes dans l'ordre : a) la formation d'une ouverture (11) dans un substrat semiconducteur (10) comprenant une première face (10s) et une deuxième face (10i) opposée à la première face (10s), l'ouverture (11) s'étendant de la première face (10s) à la deuxième face (10i), et la formation d'au moins un plot conducteur électriquement (13) comprenant une première portion (13c) s'étendant sur la première face (10s) et une deuxième portion (13j) recouvrant les flancs de l'ouverture (11) et délimitant un interstice (16) dans l'ouverture (11) ; b) la formation d'une pluralité de microlentilles (23) dans une couche (15) en une première résine, la couche (15) en la première résine recouvrant le plot conducteur électriquement (13) et pénétrant dans l'interstice (16) ; c) la formation d'un masque (25) en une deuxième résine, sur et en contact avec la couche (15) en la première résine ; d) la gravure chimique par plasma de la couche (15) en la première résine, à travers le masque (25) délimitant un bloc (36) de la première résine dans l'interstice (16) ; e) le dépôt d'une couche de protection (40) sur la pluralité de microlentilles (23) et sur le bloc (36) ; f) le retrait de la partie la couche de protection (40) recouvrant le bloc (36) ; et g) la gravure du bloc (36). Procédé selon la revendication 1, comprenant, à l'étape a), la formation d'une pluralité de photodétecteurs (12) dans le substrat semiconducteur (10). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel lors de l'étape d), on vient exposer le plot de reprise de contact (13). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, à l'étape b), la formation des microlentilles (23) comprend une étape h) de formation de structurations (21) en forme de microlentilles dans une couche (19) en une troisième résine, suivie d'une étape i) de transfert desdites structurations (21) dans la couche (15) en la première résine par gravure physique. Procédé selon la revendication 4, dans lequel, à l'étape h), les structurations (21) sont formées par photolithographie et fluage. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel, après l'étape d), le masque (25) est retiré à l'aide d'un solvant. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche (15) en la première résine est réticulée. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la couche (15) en la première résine est non-photosensible. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le plasma utilisé aux étapes d) et g) comprend du dioxygène. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche de protection (40) est en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON). Capteur d'images comportant : - un substrat semiconducteur (10) dans et sur lequel sont intégrés une pluralité de photodétecteurs (12), le substrat semiconducteur (10) comprenant une première face (10s) et une deuxième face (10i) opposée à la première face (10s) et une ouverture (11) s'étendant de la première face (10s) à la deuxième face (10i) ; - un plot conducteur électriquement (13) comprenant une première portion (13c) s'étendant sur la première face (10s) et une deuxième portion (13j) recouvrant les flancs de l'ouverture (11) et délimitant un interstice (16) dans l'ouverture (11) ; - une couche en une première résine (15) recouvrant la première face (10s) dans laquelle sont formées une pluralité de microlentilles (23), ladite couche (15) en la première résine comprenant une ouverture en vis-à-vis du plot conducteur électriquement (13), ladite ouverture ayant des parois latérales inclinées (35) ; et - une couche de protection (40) recouvrant la couche (15) en la première résine et ne s'étendant pas dans ou sur l'interstice (16).