FR 3161306 A1 20251017 FR 2403909 A 20240416 Dispositif électronique La présente description concerne Dispositif électronique comprenant un pixel et son procédé de commande pixel (10), le pixel comprenant : une photodiode (12) ; un canal de transfert de charges comprenant un première région semiconductrice (34) et une deuxième région semiconductrice (36), la deuxième région (36) étant en séparée de la photodiode par la première région (34) ; et une tranchée (32) entourant le canal, la tranchée (32) comprenant un premier cœur (40), un deuxième cœur conducteur (42) et une gaine isolante (33), le premier cœur (40) entourant latéralement la première région (34) et le deuxième cœur (42) entourant latéralement au moins partiellement la deuxième région (36), le premier cœur (40) et le deuxième cœur (42). Figure pour l'abrégé : Fig. 1B Dispositif électronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les dispositifs électroniques comprenant des photodiodes. Un dispositif électronique, par exemple un capteur d'image, par exemple situé dans un appareil numérique (appareil photo numérique, tablette, téléphone portable, etc.), comprend par exemple un ensemble de photodétecteurs pour capturer et convertir la lumière d'une exposition en signaux électriques. Dans un capteur d'image de type CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor), le signal électrique de chaque photodétecteur individuel est amplifié et transmis à un circuit intégré pour être traité en même temps. Par la suite, les photodétecteurs sont effacés pour capturer l'exposition suivante. Dans un capteur d'image qui utilise un éclairage arrière (BSI – Back Side Illumination), la lumière est exposée sur une surface arrière du capteur d'image. Le circuit du capteur qui convertit la lumière en signal numérique est de préférence disposé sur la face avant, c’est-à-dire la face opposée à la face arrière, du capteur d'image. Un capteur d'image peut utiliser un effet photoélectrique pour absorber et convertir la lumière en une paire électron-trou au niveau de chacun des photodétecteurs. Dans un capteur d'image, qui utilise par exemple des photodiodes, des porteurs de charge (c'est-à-dire des trous ou des électrons) sont générés et stockés dans la région d'appauvrissement de la photodiode pendant une période d'intégration dans le cycle de lecture du photodétecteur. Pendant une période de transfert de charge dans le cycle de lecture du photodétecteur, les porteurs de charge autour de la région d'appauvrissement sont transférés vers un nœud de connexion et une représentation numérique correspondante du niveau de lumière exposée au niveau du photodétecteur est générée. Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant un pixel, le pixel comprenant : - une photodiode située dans un substrat ; - un canal de transfert de charges comprenant une première région semiconductrice et une deuxième région semiconductrice, la deuxième région étant en séparée de la photodiode par la première région ; et - une tranchée entourant le canal, la tranchée comprenant un premier cœur conducteur, un deuxième cœur conducteur et une gaine isolante, le premier cœur entourant latéralement la première région et le deuxième cœur entourant latéralement au moins partiellement la deuxième région, le premier cœur et le deuxième cœur étant configurés pour être polarisés de telle manière que : - dans une étape d'intégration, les potentiels électrostatiques de la première région et de la deuxième région sont sensiblement égaux et sont à une valeur haute ; - dans une étape de transfert de charges, les potentiels électrostatiques de la première région et de la deuxième région sont respectivement à une première valeur basse et à une deuxième valeur basse, la première valeur basse étant plus élevée que la deuxième valeur basse ; - dans une première étape de passage de l'étape de transfert de charge à une étape de lecture, le potentiel électrostatique de la première région est à la valeur haute et le potentiel électrostatique de la deuxième région est à la deuxième valeur basse ; et - dans une deuxième étape de passage de l'étape de transfert de charge à l'étape de lecture, les potentiels électrostatiques de la première région et de la deuxième région sont sensiblement égaux et sont égaux à la valeur haute. Un mode de réalisation prévoit un procédé de commande d'un dispositif électronique comprenant un pixel, le pixel comprenant : - une photodiode située dans un substrat ; - un canal de transfert de charges comprenant une première région semiconductrice et une deuxième région semiconductrice, la deuxième région étant en séparée de la photodiode par la première région ; et - une tranchée entourant le canal, la tranchée comprenant un premier cœur conducteur, un deuxième cœur conducteur et une gaine isolante, le premier cœur entourant latéralement la première région et le deuxième cœur entourant latéralement au moins partiellement la deuxième région, le procédé comprenant : - une étape d'intégration, dans laquelle le premier cœur et le deuxième cœur sont polarisés de telle manière que les potentiels électrostatiques de la première région et de la deuxième région sont sensiblement égaux et sont à une valeur haute ; - une étape de transfert de charges, dans laquelle le premier cœur et le deuxième cœur sont polarisés de telle manière que les potentiels électrostatiques de la première région et de la deuxième région sont respectivement à une première valeur basse et à une deuxième valeur basse, la première valeur basse étant plus élevée que la deuxième valeur basse ; - une première étape de passage de l'étape de transfert de charge à une étape de lecture, dans laquelle le premier cœur et le deuxième cœur sont polarisés de telle manière que le potentiel électrostatique de la première région est à la valeur haute et le potentiel électrostatique de la deuxième région est à la deuxième valeur basse ; et - une deuxième étape de passage de l'étape de transfert de charge à l'étape de lecture, dans laquelle le premier cœur et le deuxième cœur sont polarisés de telle manière que les potentiels électrostatiques de la première région et de la deuxième région sont sensiblement égaux et sont égaux à la valeur haute. Selon un mode de réalisation, la photodiode comprend des troisième et quatrième régions semiconductrices en contact l'une avec l'autre et ayant des types de dopage opposés, la quatrième région étant en contact avec la première région. Selon un mode de réalisation, la première région et la deuxième région sont dopées du même type de conductivité. Selon un mode de réalisation, la première région et la deuxième région ont une concentration en dopants sensiblement égale. Selon un mode de réalisation, les tensions appliquées au premier et au deuxième cœurs sont différentes au moins durant une étape de fonctionnement du pixel. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la gaine séparant la première région et le premier cœur est différente de l'épaisseur de la gaine séparant la deuxième région et le deuxième cœur. Selon un mode de réalisation, le premier cœur et le deuxième cœur sont séparés par une portion de la gaine. Selon un mode de réalisation, le premier cœur et le deuxième cœur sont dopés du même type de conductivité. Selon un mode de réalisation, le premier cœur et le deuxième cœur sont en des matériau semiconducteurs dopés de types opposés. Selon un mode de réalisation, la deuxième valeur basse est sensiblement égale à la valeur du potentiel électrostatique dans un nœud de sortie du pixel. Selon un mode de réalisation, le pixel est entouré latéralement d'un mur conducteur isolé. Selon un mode de réalisation, le deuxième cœur entoure latéralement entièrement la deuxième région. Selon un mode de réalisation, le premier cœur comprend une première partie entourant latéralement la première région et une deuxième partie, le deuxième cœur étant situé entre la deuxième région et la deuxième partie. Selon un mode de réalisation, le premier cœur comprend une première partie entourant latéralement la première région et une deuxième partie, la deuxième région étant entourée latéralement partiellement par le deuxième cœur et partiellement par la deuxième partie. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , la FIG. 1 et la FIG. 1 représentent, partiellement et schématiquement, un mode de réalisation d'un pixel d'un dispositif électronique ; la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 illustrent le fonctionnement du mode de réalisation des figures 1A à 1C ; la FIG. 3 et la FIG. 3 représentent, partiellement et schématiquement, un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'image ; la FIG. 4 représente, partiellement et schématiquement, un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'image ; les figures 5A et 5B représentent, partiellement et schématiquement, un autre mode de réalisation d'un pixel d'un capteur d'image ; la FIG. 6 représente une variante du mode de réalisation des figures 5A et 5B ; et la FIG. 7 représente une autre variante du mode de réalisation des figures 5A et 5B. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % ou à 10° près, de préférence à 5 % ou à 5° près. De manière à permettre une meilleure conservation de charges dans la région de stockage du pixel, c’est-à-dire la région de drain du pixel, le pixel comprend deux grilles de transfert successive. Les deux grilles sont configurées pour que, lors de la période d'intégration du pixel, le potentiel électrostatique au niveau des deux grilles soit identique à une première valeur. Les deux grilles sont aussi configurées pour que, lors de la période de transfert de charges, le potentiel électrostatique au niveau de la grille la plus proche de la région de stockage de charge du pixel soit plus élevé que celui de l'autre grille. A la fin de la période de transfert de charges, les grilles sont configurées pour que le potentiel électrostatique de la grille la plus proche de la région de stockage de charge du pixel retourne à la première valeur avant celui de l'autre grille. La FIG. 1 , la FIG. 1 et la FIG. 1 représentent, partiellement et schématiquement, un mode de réalisation d'un pixel 10 c. Plus précisément, la FIG. 1 représente une vue de dessus du pixel des figures 1B et 1C. La FIG. 1 représente une vue en coupe du pixel de la FIG. 1 selon un plan B-B de la FIG. 1 . La FIG. 1 représente une vue en coupe du pixel de la FIG. 1 selon un plan C-C de la FIG. 1 . Le capteur d'image comprend une pluralité de pixels 10, arrangés en matrice, c’est-à-dire en lignes et en colonnes. Chaque pixel 10 comprend au moins un photodétecteur, par exemple une photodiode. Dans l'exemple des figures 1A à 1C, le pixel 10 comprend une unique photodiode. Le pixel 10 est formé dans un substrat 12. Le substrat 12 est par exemple un substrat semiconducteur, par exemple en silicium. Le substrat 12 comprend une première face 12a, dite face arrière, et une deuxième face 12b, dite face avant. Le pixel 10 des figures 1A à 1C est un pixel à illumination face arrière. Autrement dit, le pixel est configuré pour que la photodiode reçoive les rayons lumineux par la face arrière, les charges étant par la suite extraites par la face opposée, la face avant. Ainsi, la face arrière 12a du substrat 12 est par exemple recouverte, au moins au niveau du pixel par des éléments optiques. La face arrière du substrat est par exemple recouverte par une ou plusieurs couches 14. Dans l'exemple des figures 1A à 1C, le pixel comprend une unique couche 14. La couche 14 est par exemple une couche ayant des propriétés anti-réflectives et/ou de passivation. La couche 14 recouvre par exemple directement la face 12a. Le pixel comprend par exemple une ou plusieurs couches 16. Dans l'exemple des figures 1A à 1C, le pixel ne comprend qu'une unique couche 16. La couche 16 est par exemple un filtre. La couche 16 est par exemple configurée pour filtrer une ou plusieurs longueurs d'onde. La couche 16 recouvre par exemple la couche 14, la couche 14 étant située entre la couche 16 et le substrat 12. En outre, le pixel comprend par exemple une lentille 18, par exemple configurée pour focaliser les rayons lumineux dans la photodiode. La lentille 18 recouvre par exemple la couche 16, la couche 16 étant située entre la couche 14 et la lentille. Le pixel est entouré par un mur 20. Le mur 20 est de préférence un mur isolant, par exemple un mur isolant conducteur. Plus précisément, le mur 20 comprend de préférence un cœur conducteur 20a et une gaine isolante 20b. Le cœur conducteur 20a du mur 20 est par exemple configuré pour être polarisé de manière à dépléter la photodiode. Le mur 20 s'étend de préférence sur au moins la hauteur de la photodiode du pixel, de préférence sur toute la hauteur du substrat 12. La photodiode du pixel comprend des régions 22, 24 et 26 du substrat. Les régions 22 et 24 sont dopées de type de dopage opposé. De même, les régions 24 et 26 sont dopées de type de dopage opposé. Par exemple, la région 22 est dopée de type N, la région 24 est dopée de type P et la région 26 est dopée de type N. Les régions 22 et 24 sont de préférence en contact de manière à former une jonction PN. Les régions 24 et 26 sont de préférence en contact de manière à former une jonction PN. La région 22 est située au niveau de la face arrière du substrat 12. Plus précisément, la région 22 affleure la face 12a. Ainsi, une face de la région 22 est coplanaire avec la face 12a. La région 24 est située dans le substrat 12. Ainsi, la région 24 est séparée de la face 12a par la région 22. La région 26 est située au niveau de la face avant du substrat 12. Plus précisément, la région 26 affleure la face 12b. Ainsi, une face de la région 26 est coplanaire avec la face 12b. La région 26 forme un anneau s'étendant dans la périphérie du pixel. Plus précisément, la région 26 s'étend le long des parois du mur 20. La région 26 est ainsi séparée de la région 22 par la région 24. Les régions 22, 24 et 26 sont entourées par le mur 20. De préférence, les régions 22, 24 et 26 sont en contact latérale avec le mur 20. Ainsi, les régions 22 et 24 ne sont de préférence pas séparées du mur par d'autres régions semiconductrices. La région 26 comprend par exemple un ou plusieurs transistors, par exemple un ou plusieurs transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Dans l'exemple des figures 1A à 1C, la région 26 comprend deux transistors MOSFET 28 et 30. Chaque transistor 28, 30 est situé dans une partie de la région 26 entourée par un mur isolant, respectivement 28a, 30a. Les murs 28a, 30a sont par exemple des tranchées d'isolation peu profondes (STI – Shallow Trench Insulation). Les murs 28a, 30a s'étendent de préférence sur une hauteur inférieure à la hauteur de la région 26. Les murs 28a, 30a s'étendent de préférence depuis la face avant 12b. Ainsi, les murs 28a et 30a s'étendent de préférence uniquement dans la région 26. Le transistor 28, respectivement 30, comprend dans la partie de la région 26 entourée par le mur 28a, des régions de source et de drain 28b, respectivement 30b. Le transistor 28 comprend en outre une grille 28c, respectivement 30c, représentée schématiquement dans les figures 1A à 1C. Le pixel comprend en outre une tranchée 32. La tranchée 32 comprend un ou plusieurs cœurs conducteurs 40, 42 et une gaine isolante 33. La tranchée s'étend dans le substrat 12 depuis la face avant du substrat 12. La tranchée 32 s'étend le long des parois internes de l'anneau formé par la région 26. Ainsi, la région 26 est définie latéralement par le mur 20 et la tranchée 32. La tranchée 32 a une hauteur de préférence au moins égale à la hauteur de la région 26, de préférence supérieure à la hauteur de la région 26. La tranchée 32 forme un anneau autour d'une partie du substrat 12. Plus précisément, la tranchée 32 forme un anneau autour de régions 34, 36, 38 du substrat 12. Les régions 34, 36, 38 forment un canal de transfert de charges. Les régions 34, 36, 38 sont de préférence entièrement latéralement entourée par la tranchée 32. Les régions 34, 36, 38 sont de préférence en un matériau semiconducteur, de préférence en le matériau du substrat. Les régions 34 et 36 sont de préférence en le même matériau. Les régions 34 et 36 sont de préférence dopé par le même dopant. Les régions 34, 36, 38 sont de préférence dopées du même type de conductivité, de préférence du type de conductivité de la région 24. Dans l'exemple des figures 1A à 1C, les régions 34, 36, 38 sont par exemple dopées P. La concentration de dopants dans les régions 34 et 36 est par exemple sensiblement identique. La région 34 est en contact avec la face avant de la région 24. La région 36 est en contact avec la face avant de la région 34. La région 36 est ainsi séparée de la région 24 par la région 34. La région 38 est en contact avec la face avant de la région 36. La région 38 est ainsi séparée de la région 34 par la région 36. La région 38 affleure par exemple la face avant 12b du substrat 12. Dans l'exemple des figures 1A à 1C, la tranchée 32 comprend deux cœurs conducteurs 40 et 42. La tranchée 32 correspond ainsi à une double grille de transfert, les charges générées dans la photodiode pouvant être extraite par l'intermédiaire des régions 34, 36, 38 par la commande des grilles de transfert. Les cœurs conducteurs 40 et 42 sont par exemple en un même matériau, par exemple en un matériau semiconducteur. Les cœurs conducteurs 40 et 42 sont par exemple en silicium polycristallin. Alternativement, les cœurs 40 et 42 peuvent être en des matériaux différents. De préférence, les cœurs 40 et 42 sont dopés de types opposés. Par exemple, le cœur 42 est du même type de conductivité que la région 24, par exemple de type P. Par exemple, le cœur 42 est du même type de conductivité que la région 36. Par exemple, le cœur 40 est du même type de conductivité que la région 22, par exemple de type N. Par exemple, le cœur 40 est du type de conductivité opposé à celui de la région 34. La gaine 33 est par exemple en un oxyde de silicium, par exemple un oxyde de silicium nitruré. La concentration en dopants dans les cœurs 40 et 42 est de préférence différente. Par exemple, la concentration en dopants dans le cœur 40 est supérieure à la concentration en dopants du cœur 42. Le cœur conducteur 40 comprend une partie inférieure 40a et une partie supérieure 40b. La partie 40a forme un anneau entourant latéralement la région 34. La hauteur de la partie 40a est de préférence sensiblement égale à la hauteur de la région 34. De préférence, la face supérieure de la partie 40 est sensiblement coplanaire avec la face supérieure de la région 34. La partie 40a est configurée pour être polarisée par une première tension de commande, par exemple par l'intermédiaire de la partie supérieure 40b. La partie supérieure 40b est en contact avec la partie inférieure 40a. La partie supérieure 40b s'étend par exemple de la partie inférieure 40a à la face avant du substrat 12. Ainsi, le cœur 40 peut être polarisé par la face avant du substrat 12. Le cœur conducteur 42 est situé au-dessus du cœur 40. Autrement dit, le cœur 42 est situé entre le cœur 40 et la face avant 12b. Le cœur 42 entoure latéralement au moins une partie de la région 36, de préférence une partie inférieure de la région 36. Le cœur 42 est par exemple en contact avec la face supérieure de la partie 40a et est par exemple en contact avec une paroi latérale de la partie 40b. La partie 40b est séparée de la région 36 par le cœur 42. Le cœur 42 est configuré pour être polarisé par une deuxième tension de commande, de préférence par la face avant du substrat. De préférence, l'épaisseur de la gaine 33 est constante. Autrement dit, la région 34 et la partie 40a sont de préférence séparées par une épaisseur de gaine 33 sensiblement égale à l'épaisseur de gaine 33 séparant le cœur 42 et la région 36. La première tension de commande et la deuxième tension de commande sont de préférence indépendantes l'une de l'autre. Les cœurs 40 et 42 sont séparés des régions 24, 26, 34, 36, 38 par la gaine isolante 33 de la tranchée 32. La gaine isolante et les cœurs conducteurs forment les grilles de transfert. La FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 illustrent le fonctionnement du mode de réalisation des figures 1A à 1C. Plus précisément, les figures 2A à 2D représentent des diagrammes de charges du potentiel électrostatique (E) le long du plan D-D'. Les figures 2A à 2D comprennent ainsi plusieurs zones A, B, C, D. La zone A correspond à la région 24. La zone A est illustrée par un condensateur 44. La zone A correspond à la zone de stockage de charge. Les zones B et C correspondent au transistor de transfert de charge, et plus précisément aux doubles grilles de transfert de charge. Ainsi, les zones B et C sont illustrées par un transistor 46 comprenant deux grilles. La zone B correspond à la première grille, implémentée par le cœur 40 et la gaine 33. La zone C correspond à la deuxième grille, implémentée par le cœur 42 et la gaine 33. La zone D correspond au noeud de sortie du pixel, c’est-à-dire le noeud relié, de préférence connecté, à la région 38. La FIG. 2 correspond à une étape d'intégration de la photodiode. Autrement dit, durant l'étape de la FIG. 2 , des rayons lumineux atteignent la photodiode, par la face arrière, et des charges sont générées dans la région 24. Au cours de cette étape, la région 24 est initialement totalement déplétée, par exemple par l'application d'une tension adaptée, par exemple une tension positive, au cœur 20a du mur 20. Ainsi, le potentiel électrostatique dans la région 24 est inférieur au potentiel électrostatique dans la région 22 au potentiel électrostatique de la région 26 et au potentiel électrostatique de la région 34. Cela forme une barrière contre le mouvement de charges entre les régions 22 et 24, 26 et 24, et 34 et 24. La première tension et la deuxième tension, appliquées respectivement à la première grille de transfert et à la deuxième grille de transfert, c’est-à-dire respectivement aux cœurs 40 et 42, sont respectivement égales à des valeurs V1A et V2A. Les valeurs V1A et V2A sont par exemple différentes l'une de l'autre. Les valeurs V1A et V2A sont telles que les potentiels électrostatiques dans les régions 34 et 36, c’est-à-dire dans les zones B et C de la FIG. 2 , soient sensiblement égaux entre eux et soient supérieurs au potentiel électrostatique dans la région 24. Une barrière contre le mouvement de charges est ainsi formée entre la région 34 et la région 24. Autrement dit, les transistors de transferts sont bloqués. En outre, le potentiel électrostatique au niveau du noeud de sortie, c’est-à-dire dans la zone D, est inférieur aux potentiels électrostatiques des régions 24, 34, 36, par exemple est égal à zéro. Les charges générées dans la région 24 par la réception de rayons lumineux sont ainsi stockées dans la région 24. La quantité de charges pouvant être stockées dans la région 24 est représentée par une ligne en pointillés et dépend de la différence de potentiel électrique entre la région 24 et la région 34. La ligne en pointillés illustre la valeur du potentiel électrostatique qui augmente avec la quantité de charges stockées dans la région 24 (la ligne en trait plein symbolise le potentiel électrostatique quand la zone est complètement désertée et la ligne en pointillés symbolise le potentiel électrostatique en présence de charges stockées dans la région 24). La FIG. 2 représente une étape de transfert de charge. Au cours de cette étape, au moins une portion, de préférence la totalité, des charges stockées dans la région 24 sont transférées au noeud de sortie. Dans le cas d’un transfert total, le potentiel électrostatique de la région 24 revient à sa valeur de zone complètement désertée (symbolisée en trait plein). Au cours de cette étape, le potentiel électrostatique de la région 24 revient à sa valeur de zone complètement désertée (trait plein) qui correspond à la valeur initiale ou de remise à zéro de la région 24. Au cours de cette étape, la première tension et la deuxième tension, appliquées respectivement à la première grille de transfert et à la deuxième grille de transfert, c’est-à-dire respectivement aux cœurs 40 et 42, sont respectivement égales à des valeurs V1B et V2B. Les valeurs V1B et V2B sont par exemple différentes l'une de l'autre. Les valeurs V1B et V2B sont par exemple respectivement inférieures aux valeurs V1A et V1B. Les valeurs V1B et V2B sont telles que le potentiel électrostatique dans la région 34, correspondant à la zone B, soit inférieur au potentiel électrostatique de la région 24 déplétée et que le potentiel électrostatique dans la région 36, correspondant à la zone C, soit inférieur au potentiel électrostatique de la région 34. De préférence, la valeur V2B de la deuxième tension est telle que le potentiel électrostatique de la région 36 soit sensiblement égal au potentiel électrostatique du noeud de sortie. Autrement dit, les transistors de transfert de charge sont passants. La barrière entre la région 24 et le noeud de sortie est ainsi retirée. Les charges de la région 24 sont ainsi attirées vers la région 36 et le noeud de sortie. Le potentiel électrostatique correspondant à la quantité de charges transférées est représenté par une ligne de pointillés en zone D. La FIG. 2 représente une première étape de passage de l'étape de transfert de charge à une étape durant laquelle les charges transférées sont lues et converties en une tension de sortie, correspondant par exemple à l'étape d'intégration. Au cours de cette étape, la première tension prend la valeur V1A et la deuxième tension conserve la valeur V2B. Ainsi, le transistor de transfert de charges comprenant la première grille est bloqué et le transistor de transfert de charges comprenant la deuxième grille est passant. La barrière empêchant le transfert de charge depuis la région 24 est ainsi de nouveau présente. Les charges ayant été transférées sont maintenues dans la région 36 et dans le noeud de sortie. La FIG. 2 représente une deuxième étape de passage de l'étape de transfert de charge à une étape durant laquelle les charges transférées sont lues et converties en une tension de sortie. Les étapes des figures 2C et 2D sont de préférence successives. Au cours de cette étape, la deuxième tension prend la valeur V2A et la première tension conserve la valeur V1A. Ainsi, toutes les charges situées dans la région 36 au cours de l'étape précédente sont transférées dans le noeud de sortie et la barrière empêchant le retour des charges dans la région 24 est de nouveau présente. La limite de charges pouvant être stockées dans le noeud de sortie est déterminée par le potentiel électrostatique dans la région 36 et est représenté par un trait en pointillés dans la zone D. On aurait pu choisir de ne former qu'une unique grille de transfert entourant les régions 34 et 36 et recevant une seule tension, les régions 34 et 36 ayant des concentrations en dopants différentes. Lesdites concentrations de dopants auraient pu être choisies de telle manière que le potentiel électrostatique dans la région 36 soit inférieur au potentiel électrostatique dans la région 34. Cependant, la quantité de charges pouvant être stockées dans le noeud de sortie aurait été inférieure. La FIG. 3 et la FIG. 3 représentent, partiellement et schématiquement, un autre mode de réalisation d'un pixel 50 d'un dispositif électronique, par exemple un capteur d'image. Plus précisément, la FIG. 3 représente une vue de dessus du pixel 50 de la FIG. 3 . La FIG. 3 représente une vue en coupe du pixel de la FIG. 3 selon un plan B-B de la FIG. 3 . Le pixel 50 comprend les éléments du pixel 10. Ces éléments sont désignés par les mêmes références et ne seront pas décrits de nouveau en détail. Le pixel 50 diffère du pixel 10 des figures 1A à 1C en ce que l'épaisseur de gaine 33 séparant le cœur 42 de la région 36 est différent de l'épaisseur de gaine 33 séparant le cœur 40 de la région 34. De préférence, la différence entre les épaisseurs de gaine est d'au moins 20 %. Dans l'exemple des figures 3A et 3B, l'épaisseur de gaine 33 séparant le cœur 42 de la région 36 est supérieure à l'épaisseur de gaine 33 séparant le cœur 40 de la région 34. Selon un mode de réalisation, les concentrations de dopage des cœurs 40 et 42 sont sensiblement identiques. Selon un mode de réalisation, les valeurs V1A et V2A sont telles que le potentiel électrostatique des régions 34 et 36 sont sensiblement égaux durant les étapes d'intégration. Les valeurs V1B et V2B sont par exemple sensiblement identiques, la différence de potentiel électrostatique durant l'étape de transfert étant générée par la différence d'épaisseur de la gaine 33 aux niveaux des régions 34 et 36. La FIG. 4 représente, partiellement et schématiquement, un autre mode de réalisation d'un pixel 52 d'un dispositif électronique, par exemple un capteur d'image. Plus précisément, la FIG. 4 représente une vue en coupe du pixel 52 selon un plan B-B situé similairement au plan B-B de la FIG. 2 . Le pixel 52 comprend les éléments du pixel 10. Ces éléments sont désignés par les mêmes références et ne seront pas décrits de nouveau en détail. Le pixel 52 diffère du pixel 10 des figures 1A à 1C en ce que les cœurs 40 et 42 sont séparés l'un de l'autre par une partie de la gaine 33. Ainsi, la gaine isolante 33 s'étend autour de chaque cœur 40 et 42. Les cœurs 40 et 42 ne sont ainsi pas en contact. Selon le mode de réalisation de la FIG. 4 , les cœurs 40 et 42 peuvent être de type de dopage différents, comme dans le mode de réalisation des figures 1A à 1C ou de types de dopage identiques. Les figures 5A et 5B représentent, partiellement et schématiquement, un autre mode de réalisation d'un pixel 54 d'un dispositif électronique, par exemple un capteur d'image. Plus précisément, la FIG. 5 représente une vue de dessus du pixel 54 de la FIG. 5 . La FIG. 5 représente une vue en coupe du pixel 54 de la FIG. 5 selon un plan B-B de la FIG. 5 . Le pixel 54 comprend les éléments du pixel 10. Ces éléments sont désignés par les mêmes références et ne seront pas décrits de nouveau en détail. Le pixel 50 diffère du pixel 10 des figures 1A à 1C en ce que le cœur 42, hachuré dans la FIG. 5 , ne s'étend que sur une partie du contour de la région 36. Plus précisément, dans le mode de réalisation des figures 5A et 5B, le cœur 42 s'étend sur un côté du contour rectangulaire entourant la région 36. Le cœur 42 est en alignement vertical avec la partie 40a du cœur 40. Ainsi, le cœur 42 n'est pas séparé de la région 36 par le cœur 40. De même, le cœur 40, et en particulier la partie 40b, n'est par séparé des régions 34 et 36 par le cœur 42. La région 34 est entourée latéralement par la partie 40a du cœur 40. La région 34 n'est de préférence pas entourée, même partiellement, par le cœur 42. La région 36 est entourée par un contour comprenant, sur un côté, le cœur 42, et sur les autres côtés, par exemple les trois autres côtés, la partie 40b du cœur 40. Dans le mode de réalisation des figures 5A et 5B, les cœurs 40 et 42 sont de préférence, comme dans le mode de réalisation des figures 1A à 1C, dopé de types de conductivité opposés. Le fonctionnement du mode de réalisation des figures 5A et 5B est identique au fonctionnement du mode de réalisation des figures 1A à 1C, décrit en relation avec les figures 2A à 2D. La FIG. 6 représente une variante du mode de réalisation des figures 5A et 5B. Le mode de réalisation de la FIG. 6 diffère du mode de réalisation des figures 5A et 5B en ce que le cœur 42, hachuré dans la FIG. 5 , s'étend sur deux côtés du contour rectangulaire entourant la région 36. Le cœur 42 est, comme en figures 5A et 5B, en alignement vertical avec la partie 40a du cœur 40. Ainsi, le cœur 42 n'est pas séparé de la région 36 par le cœur 40. De même, le cœur 40, et en particulier la partie 40b, n'est par séparé des régions 34 et 36 par le cœur 42. La région 34 est entourée latéralement par la partie 40a du cœur 40. La région 34 n'est de préférence pas entourée, même partiellement, par le cœur 42. La région 36 est entourée par un contour comprenant, sur deux côtés, le cœur 42, et sur les autres côtés, par exemple les deux autres côtés, la partie 40b du cœur 40. La FIG. 7 représente une autre variante du mode de réalisation des figures 5A et 5B. Le mode de réalisation de la FIG. 7 diffère du mode de réalisation des figures 5A et 5B en ce que le cœur 42, hachuré dans la FIG. 5 , s'étend sur trois côtés du contour rectangulaire entourant la région 36. Le cœur 42 est, comme en figures 5A et 5B, en alignement vertical avec la partie 40a du cœur 40. Ainsi, le cœur 42 n'est pas séparé de la région 36 par le cœur 40. De même, le cœur 40, et en particulier la partie 40b, n'est par séparé des régions 34 et 36 par le cœur 42. La région 34 est entourée latéralement par la partie 40a du cœur 40. La région 34 n'est de préférence pas entourée, même partiellement, par le cœur 42. La région 36 est entourée par un contour comprenant, sur trois côtés, le cœur 42, et sur les autres côtés, par exemple l'unique autre côté, la partie 40b du cœur 40. Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'ils permettent d'assurer que les charges transférées dans le noeud de sortie ne peuvent pas retourner dans la région de stockage de la photodiode. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les types de dopages peuvent être inversés par rapport aux exemples décrits en relation avec les figures. Dans le mode de réalisation des figures 3A et 3B, l'épaisseur de gaine 33 séparant le cœur 42 de la région 36 est inférieure à l'épaisseur de gaine 33 séparant le cœur 40 de la région 34. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif électronique comprenant un pixel (10, 50, 52), le pixel comprenant : - une photodiode située dans un substrat (12) ; - un canal de transfert de charges comprenant une première région semiconductrice (34) et une deuxième région semiconductrice (36), la deuxième région (36) étant en séparée de la photodiode par la première région (34) ; et - une tranchée (32) entourant le canal, la tranchée (32) comprenant un premier cœur conducteur (40), un deuxième cœur conducteur (42) et une gaine isolante (33), le premier cœur (40) entourant latéralement la première région (34) et le deuxième cœur (42) entourant latéralement au moins partiellement la deuxième région (36), le premier cœur (40) et le deuxième cœur (42) étant configurés pour être polarisés de telle manière que : - dans une étape d'intégration, les potentiels électrostatiques de la première région (34) et de la deuxième région (36) sont sensiblement égaux et sont à une valeur haute ; - dans une étape de transfert de charges, les potentiels électrostatiques de la première région (34) et de la deuxième région (36) sont respectivement à une première valeur basse et à une deuxième valeur basse, la première valeur basse étant plus élevée que la deuxième valeur basse ; - dans une première étape de passage de l'étape de transfert de charge à une étape de lecture, le potentiel électrostatique de la première région (34) est à la valeur haute et le potentiel électrostatique de la deuxième région (36) est à la deuxième valeur basse ; et - dans une deuxième étape de passage de l'étape de transfert de charge à l'étape de lecture, les potentiels électrostatiques de la première région (34) et de la deuxième région (36) sont sensiblement égaux et sont égaux à la valeur haute. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la photodiode comprend des troisième (22) et quatrième (24) régions semiconductrices en contact l'une avec l'autre et ayant des types de dopage opposés, la quatrième région (24) étant en contact avec la première région (34). Dispositif selon la revendication 1 ou, dans lequel la première région (34) et la deuxième région (36) sont dopées du même type de conductivité. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première région (34) et la deuxième région (36) ont une concentration en dopants sensiblement égale. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les tensions appliquées au premier cœur (40) et au deuxième cœur (42) sont différentes au moins durant une étape de fonctionnement du pixel. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'épaisseur de la gaine (33) séparant la première région (34) et le premier cœur (40) est différente de l'épaisseur de la gaine (33) séparant la deuxième région (36) et le deuxième cœur (42). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le premier cœur (40) et le deuxième cœur (42) sont séparés par une portion de la gaine (33). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel le premier cœur (40) et le deuxième cœur (42) sont dopés du même type de conductivité. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le premier cœur (40) et le deuxième cœur (42) sont en des matériau semiconducteurs dopés de types opposés. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la deuxième valeur basse est sensiblement égale à la valeur du potentiel électrostatique dans un noeud de sortie du pixel. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 10, dans lequel le pixel est entouré latéralement d'un mur conducteur isolé (20). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 11, dans lequel le deuxième cœur (42) entoure latéralement entièrement la deuxième région (36). Dispositif selon la revendication 12, dans lequel le premier cœur (40) comprend une première partie (40a) entourant latéralement la première région (34) et une deuxième partie (40b), le deuxième coeur (42) étant situé entre la deuxième région (36) et la deuxième partie (40b). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 13, dans lequel le premier cœur (40) comprend une première partie (40a) entourant latéralement la première région (34) et une deuxième partie (40b), la deuxième région (36) étant entourée latéralement partiellement par le deuxième cœur (42) et partiellement par la deuxième partie (40b). Procédé de commande d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.