FR 3157371 A1 20250627 FR 2314988 A 20231222 Procédé pour caractériser électriquement in situ un nanotube de carbone cultivé reliant deux cantilevers voisins au sein d’une puce à cantilever (2) et réalisant un point quantique à basse température, comprenant les étapes 1) d’application d’une tension entre deux zones électriquement conductrices prévues respectivement sur les deux cantilevers à proximité des extrémités respectives dudit nanotube, lesdites zones conductrices d’extrémité des cantilevers faisant fonction respectivement de drain et de source d’un transistor à effet de champ, 2) d’application d’un potentiel de grille pour ledit transistor à effet de champ, entre une grille (220) disposée à proximité dudit nanotube de carbone et la zone conductrice d’extrémité faisant fonction de source, 3) de mesure du courant circulant entre les zones conductrices d’extrémité des cantilevers, et 4) de traitement des mesures de courant et du potentiel de grille appliqué. Voir Figure 10 Système et procédé pour une caractérisation électrique in situ de nanotubes de carbone, et procédé pour adapter une puce de culture de nanotubes aux fins de caractérisation DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne un système pour caractériser électriquement in situ des nanotubes de carbone cultivés. Elle vise également un procédé de caractérisation électrique in situ mis en œuvre dans ce système, ainsi qu’un procédé pour adapter une puce de culture de nanotubes à des fins de caractérisation. Le domaine de l’invention est celui des composants et ordinateurs quantiques, et plus généralement la nano-électronique. ETAT DE LA TECHNIQUE Il existe déjà des techniques de caractérisation électrique, par exemple sous la forme de courbes I-V, de nanotubes de carbone dans des dispositifs électroniques, tels que des transistors à effet de champ. Lors de la croissance de nanotubes de carbone directement sur des puces à circuits intégrés (par exemple sur des appareils Single Quantum Dot ou Double Quantum Dot), il est facile de caractériser le nanotube juste après la croissance. Mais on va plus particulièrement envisager le cas où l’on cultive des NTC sur des Cantilever Array Dies (CAD) désignés dans la suite sous le terme de puces à cantilever, puis que l’on transfère ces nanotubes via une technique de nanoassemblage appelée « agrafage”, sur des appareils. L’avantage de cette méthode est bien connu dans la littérature, car elle permet d’obtenir des nanotubes plus propres. Mais le problème associé à cette méthode de fabrication est que de nombreux événements se produisent dans un nanotube après l’étape de croissance, avant qu’il ne soit entièrement détecté électriquement sur un appareil après nano-assemblage ou « agrafage »: Le CAD quitte l’installation de croissance dans un « bateau » en quartz. Le CAD est pris avec une pince et mis dans une gel box (technique standard dans le domaine). Le CAD pourrait ensuite être transféré vers une configuration de spectroscopie optique (telle qu'une configuration Raman) où il est caractérisé optiquement. Le CAD est ensuite transféré vers le dispositif « agrafage », durant lequel il est en contact avec l'atmosphère et adsorbe les hydrocarbures. Le CAD est ensuite retiré à nouveau de la boîte à gel avec une pince. Le CAD est ensuite mis dans l'agrafeuse et assemblé sur l’appareil. Ce n'est qu'après son assemblage et sa détection par mesure de résistance que nous pouvons alors caractériser électriquement le tube sur l'appareil. Toutes ces étapes peuvent modifier l'intégrité et les propriétés électriques du nanotube. L’objectif de la présente invention est de pouvoir réaliser une caractérisation électrique du nanotube juste après sa croissance, pour savoir réellement s'il vaut la peine de l'assembler sur un appareil. Par exemple, on pourrait vouloir un nanotube dit à « bande interdite étroite », mais c’est finalement un tube semi-conducteur avec une bande interdite énorme. Cet objectif est atteint avec un procédé pour caractériser électriquement in situ un nanotube de carbone cultivé reliant deux cantilevers voisins au sein d’une puce à cantilever et réalisant un point quantique à basse température, comprenant les étapes suivantes: une application d’une tension entre deux zones électriquement conductrices prévues respectivement sur les deux cantilevers à proximité des extrémités respectives dudit nanotube, lesdites zones conductrices d’extrémité des cantilevers faisant fonction respectivement de drain et de source d’un transistor à effet de champ, une application d’un potentiel de grille pour ledit transistor à effet de champ, entre une grille disposée à proximité dudit nanotube de carbone et une référence de masse pour ladite puce à cantilever, une mesure du courant circulant entre les zones conductrices d’extrémité des cantilevers, et un traitement des mesures de courant, de la tension drain-source et de la tension de grille. Le potentiel est appliqué à l’électrode de grille de sorte que celle-ci rayonne un champ électrique qui modifie le potentiel ressenti par les électrons de conduction, eux soumis à une tension source-drain. L'électrode de grille est l'extrémité d'un circuit ouvert Les étapes d’application de tension drain-source et de tension de grille peuvent mettre en oeuvre un ensemble de pistes conductrices réalisées préalablement à la surface de la puce à cantilever, chacune desdites pistes conductrices comportant une extrémité proximale située à l’extrémité d’un cantilever en proximité d’un nanotube de carbone et une extrémité distale située sur le substrat de la puce à cantilever et pourvue d’un plot de contact électrique, lesdits plots de contact électrique étant prévus pour recevoir chacun une pointe sonde d’application et/ou de mesure. Le procédé de caractérisation selon l’invention comprend en outre un processus de commutation procurant une suite de caractérisations électriques d’un nanotube cultivé faisant pont entre deux cantilevers parmi un ensemble de nanotubes cultivés présents sur des paires de cantilevers de la puce à cantilever. Le procédé de caractérisation électrique selon l’invention est mis en oeuvre pour détecter un premier contact qu’un nanotube établit entre une première électrode et une seconde électrode d’une puce réceptrice au cours d’un processus de nano-assemblage, par application d’une différence de tension entre lesdites première et seconde électrodes et mesure du courant passant entre lesdites première et seconde électrodes. Suivant un autre aspect de l'invention, il est proposé un système pour caractériser électriquement in situ un nanotube de carbone cultivé reliant deux cantilevers voisins d’une puce à cantilever et réalisant un point quantique à basse température, mettant en oeuvre le procédé de caractérisation selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comprend: des moyens pour appliquer une tension entre deux zones électriquement conductrices prévues respectivement sur les deux cantilevers à proximité des extrémités respectives dudit nanotube, lesdites zones conductrices d’extrémité des cantilevers faisant fonction respectivement de drain et de source d’un transistor à effet de champ, des moyens pour appliquer une tension de grille pour ledit transistor à effet de champ, entre une grille disposée à proximité dudit nanotube de carbone et la zone conductrice d’extrémité faisant fonction de source, des moyens pour mesurer un courant circulant entre les zones conductrices d’extrémité des cantilevers, et des moyens pour traiter les mesures de courant et les tensions drain-source et grille-source appliquées aux extrémités des cantilever. La puce à cantilever comprend sur son substrat au moins un ensemble de pistes conductrices, chacune desdites pistes conductrices comportant une extrémité proximale située à l’extrémité d’un cantilever en proximité du nanotube de carbone et une extrémité distale située sur le substrat de la puce à cantilever et pourvue d’un plot de contact électrique, lesdits plots de contact électrique étant prévus pour recevoir chacun une pointe sonde d’application et/ou de mesure. Le système de caractérisation selon l’invention comprend en outre une grille commune à l’ensemble des paires de cantilevers de la puce à cantilever. Cette grille commune peut être mobile et indépendante de la puce à cantilever. Le système de caractérisation selon l’invention comprend en outre des moyens pour relier sélectivement les moyens d’application de tension drain-source et de mesure de courant drain-source à un dispositif transistor à effet de champ à base de nanotube de carbone donné parmi un ensemble de dispositifs transistors à effet de champ à base de nanotube de carbone existant sur les cantilevers de la puce à cantilever. Les moyens de liaison sélective peuvent comprendre une matrice de commutation. Suivant encore un autre aspect de l’invention, il est proposé un procédé pour adapter une puce à cantilever prévue pour la culture de nanotubes de carbone, pour la mise en oeuvre du procédé de caractérisation électrique in situ selon l’invention, comprenant les étapes suivantes: patterner des pistes sur un substrat de la puce à cantilever, lesdits pistes étant agencées chacune pour relier une extrémité d’un cantilever de ladite puce à cantilever à proximité d’une zone de contact d’une extrémité d’un nanotube de carbone cultivé, à un plot de contact prévu pour recevoir une pointe sonde reliée à un équipement de mesure; métalliser les plots de contact et lesdites pistes ainsi patternées pour les rendre conductrices de façon à appliquer une tension entre deux cantilevers assurant des fonctions de drain et de source d’un transistor à effet de champ à base de nanotube et mesurer un courant circulant entre lesdits drain et source. L’étape de patternage des pistes peut comprendre une étape de masquage Kapton. L’étape de métallisation comprend une étape d’évaporation et/ou de sputtering . Les pistes ou électrodes peuvent être modelées selon différentes méthodes bien connues dans l'industrie : Shadow masking , Masquage Kapton, Lithographie, permettant d’atteindre l’échelle du wafer. Les pistes ou électrodes peuvent ensuite être métallisées avec différentes méthodes bien connues dans l'industrie, par exemple par évaporation ou par pulvérisation. Une station de mesure est alors utilisée pour induire une tension dans les électrodes (source, drain, grille) La solution technique de caractérisation présente plusieurs avantages. On peut obtenir un retour rapide sur la croissance des nanotubes (par exemple mesure de la résistance, dépendance de la tension de grille du courant ou de la conductance). On dispose d’un moyen de détecter le premier contact que le nanotube établit avec une électrode lors du processus d'agrafage ou de nano-assemblage. En effet, on peut fixer une différence de tension entre n'importe quelle électrode de la puce réceptrice (électrode E), et n'importe laquelle des deux électrodes présentes sur les deux cantilevers voisins (électrode C), de telle sorte que si le nanotube touche l'électrode E, un courant passera entre l’électrode E et l’électrode C. Cela facilite le processus d’agrafage. DESCRIPTION DES FIGURES FIG. 1 la FIG. 1 illustre un nanotube de carbone faisant pont entre deux cantilevers d’une puce à cantilever, FIG. 2 la FIG. 2 illustre une puce à cantilever patternée pour mettre en oeuvre le procédé de caractérisation électrique in situ selon l’invention; FIG. 3 La FIG. 3 illustre schématiquement un exemple de réalisation pratique d’un système de caractérisation électrique in situ selon l’invention; FIG. 4 La FIG. 4 illustre schématiquement les connexions de pointes sondes de mesure à des plots de mesure d’une puce à cantilever mise en oeuvre dans un système de caractérisation électrique in situ selon l’invention; FIG. 5 La FIG. 5 illustre schématiquement une configuration de pont réalisée par un nanotube de carbone cultivé entre deux cantilevers ; FIG. 6 La FIG. 6 représente un exemple de réalisation d’un système de pipettage mis en oeuvre pour préparer une puce à cantilever dédiée à la culture de nanotubes de carbone; FIG. 7 La FIG. 7 représente une courbe de variation du courant drain-source en fonction de la tension drain source aux bornes d’un dispositif transistor à effet de champ implémentant un nanotube de carbone; FIG. 8 La FIG. 8 représente une courbe de variation du courant drain-source en fonction de la tension grille source, pour une tension drain source de 0.5 V aux bornes d’un dispositif transistor à effet de champ implémentant un nanotube de carbone; FIG. 9 La FIG. 9 comprend les Figures 9A et 9B représentant la surface d’une puce à cantilever, respectivement après une étape de masquage Kapton et après une étape de sputtering ; FIG. 10 La FIG. 10 est un schéma fonctionnel d’un exemple de réalisation d’un système de caractérisation électrique in situ selon l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE Comme l’illustrent les figures 1 et 2, un nanotube de carbone 1 assure un pont 10 entre deux cantilevers adjacents 13,14 parmi des ensembles 21-25 de cantilevers d’une puce à cantilever 2. Les deux extrémités 11,12 du nanotube de carbone 1 qui est disposé à proximité étroite d’un ensemble d’un ensemble d’électrodes 15, sont respectivement en contact avec des pistes conductrices 131,141 déposées sur les deux cantilever 13,14. La puce à cantilever 2 est pourvue d’un système de caractérisation électrique in situ selon l’invention comportant des ensembles de conducteurs électriques 250 dont une extrémité proximale est disposée sur un cantilever à proximité étroite d’un nanotube de carbone et une extrémité distale est reliée à un plot 200 prévu pour recevoir une pointe de mesure. En référence à la FIG. 3 , un montage 3 de caractérisation électrique in situ comprend une puce à cantilever 3 disposée sur un support en PDMS (PolyDiMéthylSiloxane) 34, qui a été patternée pour recevoir un ensemble de pistes conductrices électriques 250 pourvues chacune de plots 200 prévus pour procurer des contacts électriques à des pointes ou sondes de mesure 46 reliées à un ensemble multisonde 30 de sondes 31 qui est relié à un équipement de mesure de caractérisation (non représenté) décrit ci-après en référence à la FIG. 10 . Les cantilevers 14 de la puce à cantilever 2 sont disposés contre ou à proximité immédiate c’une pièce conductrice 220 faisant fonction de grille de transistors à effet de champ. Cette pièce de grille 220 est solidaire d’une bras de contrôle 35 et reliée à une unité source de tension (non représentée) prévue pour appliquer un potentiel de grille, décrite ci-après en référence à la FIG. 10 . Ce montage 3 permet une caractérisation électrique de nanotubes de carbone juste après leur processus de croissance. Cette caractérisation est non destructive. Les nanotubes de carbone peuvent ainsi être sélectionnés et transférés vers une puce Qubit. L’effet de grille “gating” est obtenu à longue distance, typiquement à environ 10 µm du nanotube de carbone, ce qui permet une détection rapide et évite les risques d’effondrement du nanotube de carbone. La multi-sonde 30 permet de caractériser électriquement 8 nanotubes de carbone en parallèle. Comme l’illustre la FIG. 4 , des pointes sondes 4,40-46 sont placées en contact sur les plots 200 des pistes conductrices 250. Ces pointes sondes sont reliées à un équipement électronique (non représenté) prévu pour traiter les signaux électriques mesurables à partir de ces pointes sondes et pour délivrer des informations de caractérisation électrique selon des techniques de traitement déjà connues dans l’état de la technique des mesures par transistor à effet de champ. Ce procédé de caractérisation électrique in situ est particulièrement adapté pour détecter l’état d’un nanotube de carbone 1 cultivé à partir d’une zone de catalyse 51,50 préalablement réalisée sur un cantilever 13 suivant une technique de micropipettage décrite ci-après, ce nanotube de carbone 1 ayant été cultivé jusqu’à ce qu’il atteigne un cantilever voisin 14. On va maintenant décrire, en référence à la FIG. 6 , un exemple de réalisation d’un système 6 de dépôt de gouttelettes sur une puce à cantilever, mis en œuvre pour préparer ces puces en vue du processus de croissance des nanotubes de carbone. Ce système de dépôt 6 comprend un premier dispositif 65 de contrôle micrométrique prévu pour porter un support d’une puce à cantilever 60, un second dispositif 64 de contrôle micrométrique prévu pour porter une micropipette 62 contenant une solution de catalyseur et présentant un diamètre supérieur à 1 µm, un objectif de microscope 63 prévu pour le contrôle du dépôt de gouttelettes, et une source de lumière 62. Le substrat de la puce à cantilever est placé avec un angle de 45°par rapport à l’objectif. La source de lumière 62 est placée avec un angle de 90° pour une réflexion sur la puce à cantilever 60. Ce système permet un processus de dépôt rapide, typiquement d’une durée de 8 minutes par puce à cantilever. Il est possible d’effectuer, en référence aux figures 7 et 8, une caractérisation électrique d’un transistor à effet de champ réalisé aux extrémités d’un ensemble de conducteurs électriques disposés sur des cantilevers voisins entre lesquels un nanotube de carbone réalise un pont. Par effet de “gating” à longue distance, on peut détecter l’impédance électrique de ce nanotube de carbone et en déduire son état et plusieurs de ses caractéristiques physiques. On peut ainsi obtenir ( FIG. 7 ) des courbes de variation du courant source-drain (en nA) et de la résistance (en MΩ) en fonction de la tension Vsd (en mV) sur le transistor à effet de champ à proximité du nanotube de carbone en cours de caractérisation, ainsi qu’une courbe de variation du courant source-drain (en nA) en fonction de la tension de la grille (en mV) pour une tension drain-source de 0,5 V. La puce à cantilever 2 représentée en FIG. 2 est soumise à plusieurs traitements pour être équipée des ensembles de pistes conductrices électriques qui vont permettre les connexions électriques entre les pointes sondes et les extrémités sur les cantilevers à proximité immédiate des nanotubes de carbone. Ainsi, la figure 9A représente un masquage en Kapton pour réaliser les pistes conductrices, tandis que la figure 9B représente la surface bleuie de la puce à cantilever après une étape de “sputtering”. En référence à la FIG. 10 qui représente schématiquement le montage de mesure illustré en FIG. 3 , le système 100 de caractérisation électrique in situ de nanotubes de carbone cultivés sur des cantilevers 211 de la puce à cantilever 2, est structuré pour caractériser des dispositifs de nanotubes de carbone 201,202,..20N faisant fonction de transistor à effet de champ associé chacun à une paire de cantilevers. Ce système de caractérisation 100 comporte: une unité source de tension 101 prévue pour délivrer une tension de grille appliquée via un conducteur 221 à une grille 220 commune à l’ensemble des dispositifs transistor à effet de champ 201,202,…20N, une unité de mesure source 102 prévue pour appliquer une tension drain-source aux bornes d’un dispositif transistor à effet de champ 201,202,…20N, via une matrice de commutation 103 et des paires de conducteurs 231,232, et pour mesurer le courant circulant entre le drain et la source du dispositif transistor à effet de champ ainsi alimenté. Le procédé de caractérisation in situ selon l’invention qui vient d’être décrit peut fonctionner dans des conditions de température et de pression ambiantes. Mais il peut aussi être mis en oeuvre dans une enceinte soumise à un vide poussé ou élevé(“ high wacuum” ), par exemple de l’ordre de 10 -6 mbar, et à une température de 4K. Bien sûr, la présente invention n’est pas limitée aux exemples qui viennent d’être décrits et de nombreux autres modes de réalisation peuvent être envisagés sans sortir du cadre de la présente invention. En particulier, le nombre de cantilevers prévus sur une puce à cantilever peut varier et n’est limité que par des contraintes dimensionnelles. Il en est de même pour le nombre de plots de culture par cantilever ou le nombre de pistes conductrices et de plots de contact prévus sur une puce à cantilever préparée selon l’invention. Procédé pour caractériser électriquement in situ un nanotube de carbone cultivé (1) reliant deux cantilevers voisins (13,14) au sein d d’une puce à cantilever (2) et réalisant un point quantique à basse température, comprenant les étapes suivantes: - une application d’une tension entre deux zones électriquement conductrices prévues respectivement sur les deux cantilevers (13,14) à proximité des extrémités respectives (11,12) dudit nanotube (1), lesdites zones conductrices d’extrémité des cantilevers faisant fonction respectivement de drain et de source d’un transistor à effet de champ, - une application d’un potentiel de grille pour ledit transistor à effet de champ, entre une grille (220) disposée à proximité dudit nanotube de carbone (1) et une référence de masse pour ladite puce à cantilever (2), - une mesure du courant circulant entre les zones conductrices d’extrémité des cantilevers (13,14), et - un traitement des mesures de courant, et de la tension drain-source et du potentiel de grille appliqués. Procédé de caractérisation selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les étapes d’application de tension drain-source et de potentiel de grille mettent en oeuvre un ensemble de pistes conductrices (250) réalisées préalablement à la surface de la puce à cantilever (2), chacune desdites pistes conductrices (250) comportant une extrémité proximale située à l’extrémité d’un cantilever en proximité d’un nanotube de carbone (1) et une extrémité distale située sur le substrat de la puce à cantilever et pourvue d’un plot de contact électrique (200), lesdits plots de contact électrique (200) étant prévus pour recevoir chacun une pointe sonde (40-46) d’application et/ou de mesure. Procédé de caractérisation selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend en outre un processus de commutation procurant une suite de caractérisations électriques d’un nanotube cultivé (1) faisant pont entre deux cantilevers (13,14) parmi un ensemble de nanotubes cultivés présents sur des paires de cantilevers de la puce à cantilever (2). Procédé de caractérisation électrique selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il est mis en oeuvre pour détecter un premier contact qu’un nanotube (1) établit entre une première électrode et une seconde électrode d’une puce réceptrice au cours d’un processus de nano-assemblage, par application d’une différence de tension entre lesdites première et seconde électrodes et mesure du courant passant entre lesdites première et seconde électrodes. Système (100) pour caractériser électriquement in situ un nanotube de carbone cultivé (1) reliant deux cantilevers voisins (13,14) d’une puce à cantilever (2) et réalisant un point quantique à basse température, mettant en oeuvre le procédé de caractérisation selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comprend : - des moyens (102) pour appliquer une tension entre deux zones électriquement conductrices prévues respectivement sur les deux cantilevers (13,14) à proximité des extrémités respectives dudit nanotube (1), lesdites zones conductrices d’extrémité des cantilevers faisant fonction respectivement de drain et de source d’un transistor à effet de champ, - des moyens (101) pour appliquer un potentiel de grille pour ledit transistor à effet de champ, entre une grille (220) disposée à proximité dudit nanotube de carbone (1) et la zone conductrice d’extrémité faisant fonction de source, - des moyens (102) pour mesurer un courant circulant entre les zones conductrices d’extrémité des cantilevers, et - des moyens pour traiter les mesures de courant, les tensions drain-source et le potentiel de grille. Système de caractérisation (100) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la puce à cantilver (2) comprend sur son substrat au moins un ensemble de pistes de conductrices (250), chacune desdites pistes conductrices (250) comportant une extrémité proximale située à l’extrémité d’un cantilever en proximité du nanotube de carbone (1) et une extrémité distale située sur le substrat de la puce à cantilever (2) et pourvue d’un plot de contact électrique (200), lesdits plots de contact électrique (200) étant prévus pour recevoir chacun une pointe sonde (40-46) d’application et/ou de mesure. Système de caractérisation (100) selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’il comprend en outre une grille (220) commune à l’ensemble des paires de cantilevers de la puce à cantilever (2). Système de caractérisation (100) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la grille commune (220) est mobile et indépendante de la puce à cantilever. Système de caractérisation (100) selon l’une quelconque des revendications 5 à 8, caractérisé en ce qu’il comprend en outre des moyens (103) pour relier sélectivement les moyens (102) d’application de tension drain-source et de mesure de courant drain-source à un dispositif transistor à effet de champ à base de nanotube de carbone donné parmi un ensemble de dispositifs transistors à effet de champ à base de nanotube de carbone existant sur les cantilevers de la puce à cantilever (2). Système de caractérisation (100) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les moyens de liaison sélective comprennent une matrice de commutation (103). Procédé pour adapter une puce à cantilever (2) prévue pour la culture de nanotubes de carbone (1), pour la mise en oeuvre du procédé de caractérisation électrique in situ selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant les étapes suivantes: - patterner des pistes (250) sur un substrat de la puce à cantilever (2), lesdits pistes (250) étant agencées chacune pour relier une extrémité d’un cantilever de ladite puce à cantilever (2) à proximité d’une zone de contact d’une extrémité d’un nanotube de carbone cultivé (1), à un plot de contact (200) prévu pour recevoir une pointe sonde (40-46) reliée à un équipement de mesure; - métalliser les plots de contact (200) et lesdites pistes (250) ainsi patternées pour les rendre conductrices de façon à appliquer une tension entre deux cantilevers (13,14) assurant des fonctions de drain et de source d’un transistor à effet de champ à base de nanotube et mesurer un courant circulant entre lesdits drain et source. Procédé d’adaptation selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’étape de patternage des pistes (250) comprend une étape de masquage Kapton (90). Procédé d’adaptation selon l’une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que l’étape de métallisation comprend une étape d’évaporation et/ou de sputtering (91). Procédé d’adaptation selon l’une des trois revendications précédentes, mis en oeuvre pour caractériser des nanotubes de carbone (1) cultivés sur un cantilever d’une puce à cantilever (2), à partir d’une base sur laquelle un catalyseur a été préalablement déposé par micropipettage.