FR 3157061 A1 20250620 FR 2314530 A 20231219 La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant la fourniture d'un substrat donneur comprenant un substrat piézoélectrique, dans lequel le substrat piézoélectrique comprend ou est constitué d’un parmi le tantalate de lithium et le niobate de lithium, le transfert d'une couche piézoélectrique du substrat piézoélectrique à un substrat cible, et le polissage de la couche piézoélectrique transférée au substrat cible avec une suspension de polissage chimico-mécanique, CMP, dans lequel la suspension de CMP consiste en une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe dans la plage de 4 à 18. Figure pour l’abrégé : Figure 2 Fabrication d'une structure POI avec une couche piézoélectrique hautement uniforme La présente invention concerne le procédé de fabrication de structures du type piézoélectrique sur isolant, POI, en particulier de structures POI utilisables pour la fabrication de dispositifs microélectroniques, micromécaniques et photoniques. Dans le domaine de la microélectronique, de la micromécanique et de la photonique, les structures POI sont d'une importance croissante par exemple en raison des propriétés supérieures de sensibilité et de propagation de l'information. Par exemple, des capteurs tels que des capteurs à ondes acoustiques de surface (SAW), ou des capteurs à ondes acoustiques en volume (BAW) utilisant l'effet piézoélectrique pour convertir un signal électrique en une onde mécanique/acoustique offrent des options particulièrement avantageuses en raison d'une grande variété de paramètres ambiants mesurables, notamment par exemple une température, une pression, une contrainte et un couple. Une structure POI typique comprend une couche de matériau piézoélectrique, en particulier un matériau monocristallin tel que, par exemple, le niobate de lithium (LiNbO 3 ) ou le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), sur un substrat de support réalisé par exemple en silicium. Divers procédé de formation d'une couche mince de matériau piézoélectrique sur le substrat de support sont connus dans la technique. L'application de la technologie Smart Cut™ s'est avérée particulièrement avantageuse. Selon cette technologie (voir, par exemple, WO 2020/200986 A1), des espèces légères sont implantées dans un substrat piézoélectrique formé sur un substrat de support pour former une région affaiblie dans le substrat piézoélectrique, puis le substrat piézoélectrique est collé à un substrat cible. Par l'intermédiaire d'une fracturation au niveau de la région affaiblie, la couche mince de matériau piézoélectrique peut être obtenue sur le substrat de support. La couche de matériau piézoélectrique transférée est soumise à un procédé de recuit et ensuite à un procédé de polissage, en particulier par l’intermédiaire d’un polissage chimico-mécanique, CMP, dans le but d'améliorer la qualité cristalline et d'obtenir l'uniformité d'épaisseur souhaitée d'une couche monodomaine de matériau piézoélectrique avec sensiblement tous les moments dipolaires alignés parallèlement les uns par rapport aux autres dans une direction donnée. Cependant, malgré les récents progrès techniques, il existe un risque que l'uniformité d'épaisseur obtenue de la couche de matériau piézoélectrique transférée ne soit pas suffisamment élevée pour répondre aux exigences d’applications actuelles. Par conséquent, un but de la présente invention est de fournir une technique de fabrication d'une structure POI (sur la base de la technologie Smart Cut™) avec une uniformité d'épaisseur élevée de la couche de matériau piézoélectrique. La présente invention atteint ce but en fournissant un procédé de fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI, comprenant les étapes consistant à fournir un substrat donneur comprenant un substrat piézoélectrique, dans lequel le substrat piézoélectrique comprend ou est constitué d’un parmi le tantalate de lithium (LiTaO 3 ) et le niobate de lithium (LiNbO 3 ) ; transférer une couche piézoélectrique du substrat piézoélectrique à un substrat cible (par exemple, un substrat de silicium) ; et polir la couche piézoélectrique transférée au substrat cible avec une suspension de polissage chimico-mécanique, CMP, dans lequel la suspension de CMP consiste en une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe dans la plage de 4 à 18. L'étape de polissage peut être précédée d'une étape de recuit afin d'augmenter la qualité cristalline et de consolider le collage entre la couche piézoélectrique et le substrat cible. Le silicium amorphe utilisé pour la suspension de CMP peut comprendre ou consister en des particules de silicium amorphe précipitées avec des diamètres dans la plage de 40 à 60 nm. Il est connu dans la technique antérieure de polir la couche piézoélectrique transférée afin d'éliminer une couche supérieure à domaines multiples comprenant une pluralité de régions présentant des polarités différentes et d'augmenter la qualité de surface (réduire la rugosité) et l'uniformité d'épaisseur. Cependant, dans la technique antérieure, une suspension de CMP consistant en une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids beaucoup plus élevé du silicium amorphe, à savoir dans la plage de 25 à 35, est utilisée pour le procédé de polissage de la couche piézoélectrique transférée. Les inventeurs de la présente invention ont découvert de manière surprenante que le polissage de la couche piézoélectrique transférée avec une concentration significativement plus faible de silicium amorphe dans la suspension de CMP entraîne de meilleurs résultats de polissage en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique monodomaine finalement obtenue. D'autres paramètres de l'ensemble du procédé de fabrication peuvent être choisis comme cela se fait d'une manière habituelle et connue de l'homme du métier (voir cependant la description ci-dessous). En fonction du choix réel du matériau piézoélectrique et des valeurs des autres paramètres, un pourcentage en poids du silicium amorphe dans la plage de 4 à 13, en particulier de 5 à 7, peut être avantageux par rapport à l'uniformité d'épaisseur résultante de la couche piézoélectrique transférée finalement obtenue. Selon un mode de réalisation, l'étape de fourniture du substrat donneur (pseudo-donneur, PSD) comprend le collage d'un bloc de matériau piézoélectrique à un substrat de support (manipulateur) via une couche de collage, le meulage et le polissage du bloc de matériau piézoélectrique pour obtenir le substrat piézoélectrique et l'implantation d'une espèce (par exemple, de l'hydrogène) dans le substrat piézoélectrique pour obtenir une couche affaiblie dans le substrat piézoélectrique. Ainsi, un substrat donneur approprié pour fournir une couche piézoélectrique de haute qualité au-dessus de la couche affaiblie peut être fabriqué de manière fiable. Le collage du bloc de matériau piézoélectrique au substrat de support peut être favorisé par une couche de collage diélectrique, par exemple une couche de photo (UV) polymère ou une couche réalisée en ou comprenant de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium. L'étape de transfert de la couche piézoélectrique au substrat cible peut comprendre le collage du substrat donneur au substrat cible (sur le côté du substrat piézoélectrique) et la fracturation du substrat piézoélectrique au niveau de la couche affaiblie dans un procédé de recuit. Ainsi, la couche piézoélectrique peut être transférée de manière fiable au substrat cible sans défaut trop lourd. Un post-traitement supplémentaire (recuit et polissage) est cependant toujours nécessaire, comme décrit ci-dessus. Il convient de noter que de l'oxyde de silicium d’origine naturelle peut être présent entre la couche piézoélectrique transférée et le substrat cible. En outre, une couche d'assemblage diélectrique peut être formée sur ou au-dessus d’une surface du substrat cible avant un transfert de la couche piézoélectrique à cette surface. Cette couche d'assemblage diélectrique peut être réalisée en ou comprendre de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium, ou un empilement de couches composées de ces matériaux. En outre, en fonction de l'application réelle, une couche de piégeage de charge peut être formée sur ou au-dessus d’une surface du substrat cible avant un transfert de la couche piézoélectrique à cette surface. La couche de piégeage de charge peut être réalisé en ou comprendre du silicium polycristallin. Pour le procédé de polissage, le substrat cible avec la couche piézoélectrique transférée est positionné sur une tête rotative et mis en contact avec un tampon de polissage rotatif. Selon des modes de réalisation particuliers, la tête est mise en rotation 80 à 120 tours par minute (tr/min), et le tampon de polissage est mis en rotation dans la même direction que la tête à une vitesse différente par rapport à la tête dans la plage de 90 à 130 tr/min. Ces plages de paramètre peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante. Selon un autre mode de réalisation, la pression de plaquette appliquée sur le substrat cible pour le presser contre un tampon de polissage n'est pas supérieure à 20,68 kPa (3 psi) ou est inférieure à 18,96 kPa (2,75 psi), par exemple dans la plage de 17,24 kPa (2,5 psi) à 20,68 kPa (3 psi). Par exemple, le rapport de la pression de plaquette à la pression d'anneau utilisée pour maintenir le substrat cible en place dans un dispositif de retenue en anneau pendant le procédé de polissage est dans la plage de 1:2 à 5:3. Ces plages de paramètre peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. Selon un autre mode de réalisation, le débit d’écoulement de la suspension de CMP est inférieur à 250 ml/minute ou 200 ml/minute ou 150 ml/minute, ou est dans la plage de 150 ml/minute à 250 ml/minute. Ces plages de paramètre peuvent s'avérer avantageuses en termes d'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique polie résultante, en particulier en combinaison avec les plages de paramètre mentionnées ci-dessus. En outre, une structure POI est prévue, comprenant une couche piézoélectrique formée sur ou au-dessus d'un substrat cible et pouvant être obtenue par le procédé selon un certain des exemples décrits ci-dessus, dans laquelle la couche piézoélectrique présente une uniformité d'épaisseur (plage d'épaisseur à travers le diamètre de la couche) inférieure à 50 nm, en particulier inférieure à 20 nm. En outre, un dispositif microélectronique, micromécanique ou photonique est prévu, ou un système microélectromécanique (MEMS) comprenant une telle structure POI. Des caractéristiques et avantages supplémentaires de la présente invention vont être décrits en se reportant aux dessins. Dans la description, référence est faite aux dessins annexés, qui sont censés illustrer des modes de réalisation préférés de l'invention. Il convient de comprendre que de tels modes de réalisation ne représentent pas la portée complète de l'invention. FIG. 1 illustre les étapes d’un procédé de fabrication d’une structure POI selon un mode de réalisation de la présente invention. FIG. 2 illustre l'effet technique de l'obtention d'une couche piézoélectrique hautement uniforme résultant d'un procédé de fabrication d'une structure POI selon un mode de réalisation de la présente invention. Un procédé de fabrication d'une structure POI est fourni ici, comprenant un substrat cible sur lequel une couche piézoélectrique avec une uniformité d'épaisseur élevée est formée. L'uniformité d'épaisseur élevée résulte d'une étape de polissage effectuée avec une suspension aqueuse relativement fortement diluée de silicium amorphe. Le procédé utilise la technologie Smart Cut™. La FIG. 1 illustre des étapes d’un procédé de fabrication d’une structure POI selon un mode de réalisation de la présente invention. Le procédé est similaire à un procédé décrit dans WO 2020/200986 A1, mais diffère de ce dernier par le procédé inventif de polissage de la couche piézoélectrique transférée. Comme le montre l'étape i) de la FIG. 1 , un substrat donneur 1 est fourni, qui comprend un substrat piézoélectrique 1a formé sur un substrat de support (manipulateur) 1b. Le substrat piézoélectrique 1a est réalisé en tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou en niobate de lithium (LiNbO 3 ). Le substrat de support 1b peut être réalisé en un matériau (ou une pluralité de matériaux) présentant un coefficient de dilatation thermique proche de celui présenté par un substrat cible 7, c'est-à-dire que le coefficient de dilatation thermique du substrat de support 1b diffère de celui du substrat cible 7 de moins de la différence du coefficient de dilatation thermique du substrat piézoélectrique 1a et de celui du substrat cible 7. Le substrat de support 1b et le substrat cible 7 peuvent avoir des coefficients de dilatation thermique identiques et les deux substrats peuvent, par exemple, être constitués de ou comprendre du silicium. De plus, les deux substrats peuvent avoir des épaisseurs similaires. Afin d'obtenir le substrat donneur 1, un bloc massif de matériau piézoélectrique peut premièrement être fixé au substrat de support 1b, par exemple en utilisant une technique de collage par adhérence moléculaire. Le collage peut être favorisé par une couche de collage (adhérence) diélectrique (non représentée sur la FIG. 1 ), par exemple une couche de photo (UV) polymère ou une couche réalisée en ou comprenant de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium. Le procédé de collage peut comprendre l'application d'un traitement thermique à basse température (par exemple à une température comprise entre 50 et 300°C, typiquement de 100°C) permettant de renforcer suffisamment l'énergie de collage afin de permettre l'étape d'amincissement suivante. Ensuite, le substrat piézoélectrique 1a est formé par amincissement, par exemple par meulage et/ou polissage chimico-mécanique. L'étape d'amincissement est réalisée de telle sorte que le substrat piézoélectrique 1a présente une épaisseur suffisamment faible pour que les contraintes générées pendant le traitement thermique appliqué dans une étape de traitement ultérieure soient réduites. D'autre part, l'épaisseur doit être suffisamment élevée pour fournir la couche piézoélectrique 3 qui doit être transférée au substrat cible 7 ou pour fournir une pluralité de telles couches qui doivent être transférées les unes après les autres dans de multiples étapes de transfert (après régénération respective du substrat donneur 1) à des substrats cibles respectifs. L'épaisseur du substrat piézoélectrique 1a peut par exemple être comprise entre 5 et 400 µm, par exemple de 20 µm ou 100 µm. De l'hydrogène (facultativement complété par de l'hélium) est implanté ii) dans le substrat piézoélectrique 1a à travers la surface exposée 4 pour générer une couche affaiblie 2 qui marque la séparation de la couche piézoélectrique 3 par rapport à la partie restante 5 du substrat donneur 1. La nature et la dose des espèces implantées et l'énergie d'implantation peuvent être choisies en fonction de l'épaisseur de la couche piézoélectrique 3 qui doit être transférée au substrat cible 7 et des propriétés physico-chimiques du substrat piézoélectrique 1a. Par exemple, pour un substrat de tantalate de lithium, une dose d'ions hydrogène comprise entre 10 16 et 5∙10 17 at/cm 2 avec une énergie comprise entre 30 keV et 300 keV peut être implantée pour délimiter la couche piézoélectrique 3 avec une épaisseur de 200 nm à 2000 nm, par exemple. Selon le procédé illustré sur la FIG. 2 , l'étape d'implantation ii) est suivie de l'étape consistant à fixer iii) le substrat donneur 1 au substrat de support 7 sur le côté du substrat piézoélectrique 1a par adhérence moléculaire et/ou collage électrostatique. Une couche d'assemblage diélectrique 7b peut être prévue entre le substrat piézoélectrique 1a du substrat donneur 1 et le substrat cible 7. La couche d'assemblage diélectrique 7b peut comprendre un oxyde et peut être réalisée en ou comprendre de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium ou un empilement de couches composées de ces matériaux. En outre, une couche de piégeage de charge, par exemple réalise en ou comprenant du silicium polycristallin, peut être formée sur ou au-dessus du substrat cible 7 afin d'améliorer la résistivité électrique de celui-ci si cela est souhaité par une application réelle. La couche piézoélectrique 3 est ensuite détachée de la partie restante 5 du substrat donneur 1 pour obtenir iv) une structure POI 9 comprenant le substrat cible 7, la couche d'assemblage diélectrique 7b (le cas échéant) et la couche piézoélectrique 3. Un détachement au niveau de la couche affaiblie 2 est facilité par un traitement thermique dans une plage de température d'environ 100°C à 600°C pour permettre le transfert de la couche piézoélectrique 3 au substrat cible 7. En variante ou de plus, un détachement au niveau de la couche affaiblie 2 peut être facilité par l'application d'une lame ou d'un jet de fluide gazeux ou liquide, ou de toute autre force mécanique appliquée à la couche affaiblie 2. Un post-traitement de la couche piézoélectrique transférée 3 est nécessaire pour obtenir une couche piézoélectrique transférée 3 ayant une qualité cristalline et de surface monodomaine satisfaisante (rugosité réduite) et une uniformité d'épaisseur telle que requise par des applications réelles. Le post-traitement comprend un traitement thermique v) de la couche piézoélectrique 3 par exemple à environ 500°C dans une atmosphère neutre ou une atmosphère comprenant de l'oxygène. Ce traitement thermique permet de traiter des défauts cristallins présents dans la couche piézoélectrique et consolide le collage entre la couche piézoélectrique 3 et le substrat cible 7. Cependant, le traitement thermique provoque une diffusion de l'hydrogène contenu dans la couche piézoélectrique 3, en particulier dans sa partie supérieure (d'une épaisseur d'environ 50 nm ou moins, par exemple), et par conséquent la génération d'une pluralité de domaines ferroélectriques donnant à la partie supérieure un caractère multi-domaine. En fait, l'hydrogène implanté dans le substrat piézoélectrique 1a lors de l'étape de définition de la couche piézoélectrique 3 au-dessus de la couche fragilisée 2 est distribué dans ce substrat selon un profil présentant un pic de concentration au niveau du plan d’affaiblissement 2. Après fracturation au niveau de la couche affaiblie 2, la couche piézoélectrique 3 transférée au substrat cible 7 présente donc une concentration importante d'hydrogène et le traitement thermique conduit à la génération de multiples domaines, c'est-à-dire une pluralité de régions présentant des polarités différentes. Les performances de dispositifs qui sont destinés à être formés sur/dans la couche piézoélectrique 3 seraient fortement affectées par de tels multiples domaines. Afin d'éliminer les multiples domaines supérieurs et d'augmenter la qualité de surface et l'uniformité d'épaisseur de la couche piézoélectrique transférée 3, le post-traitement comprend un polissage de la surface exposée de la couche piézoélectrique 3 (voir étape vi) sur la FIG. 1 ). Par exemple, 100 à 300 nm de la partie supérieure de la couche piézoélectrique 3 peuvent être éliminés par le procédé de polissage pour atteindre une épaisseur cible prédéterminée, par exemple d'environ 600 nm. Selon l'invention, la couche piézoélectrique 3 est polie par CMP à l'aide d'une suspension de CMP relativement fortement diluée. De manière habituelle, une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe de 25 à 35 est utilisée pour l'étape de CMP de post-traitement à la suite du recuit thermique de la couche piézoélectrique transférée. Selon l'invention, une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe dans la plage de seulement 4 à 18, en particulier dans la plage de 4 à 13, plus particulièrement dans la plage de 5 à 7, est utilisée en tant que suspension de CMP. D'autres paramètres de l’ensemble du procédé de fabrication peuvent être choisis d’une manière habituelle qui est connue de l'homme du métier. Une couche piézoélectrique monodomaine, dans laquelle sensiblement tous les moments dipolaires sont alignés parallèlement les uns aux autres dans une direction donnée, peut de ce fait être formée sur le substrat cible 7, en fournissant à la fois l'uniformité d'épaisseur requise et des qualités de surface et cristalline. Pour le procédé de polissage, le substrat cible 7 avec la couche piézoélectrique transférée 3 est positionné sur une tête rotative et mis en contact avec un tampon de polissage rotatif. Il est possible de préférer utiliser une tête « à zone unique » avec un dispositif de retenue en anneau de maintien unique plutôt qu'une tête « à zones multiples » qui présente plusieurs dispositifs de retenue en anneau avec des pressions variables appliquées. Par exemple, pendant le procédé de polissage, la tête est mise en rotation 80 à 120 tours par minute (tr/min) et le tampon de polissage est mis en rotation dans la même direction que la tête à une vitesse différente par comparaison à la tête dans la plage de 90 à 130 tr/min. Par exemple, la tête peut être mise en rotation à 75 tr/min, et le tampon de polissage peut être mis en rotation à 100 tr/min. La vitesse d'une brosse de reconditionnement peut être choisie similaire à celle de la tête ou du tampon de polissage. La pression de plaquette appliquée au substrat cible pour le presser contre le tampon de polissage peut être choisie pour ne pas être supérieure à 20,68 kPa (3 psi) ou inférieure à 18,96 kPa (2,75 psi), par exemple dans la plage de 17,24 kPa (2,5 psi) à 20,68 kPa (3 psi). Par exemple, le rapport de la pression de plaquette à la pression d'anneau utilisée pour maintenir le substrat cible en place dans un dispositif de retenue en anneau pendant le procédé de polissage est dans la plage de 1:2 à 5:3. Le débit d’écoulement de la suspension de CMP peut être choisi pour être inférieur à 250 ml/minute ou 200 ml/minute ou 150 ml/minute, ou peut être choisi dans la plage de 150 ml/minute à 250 ml/minute. La suspension de CMP utilisée selon l'invention peut être préparée en diluant une suspension de CMP disponible dans le commerce. Par exemple, du Klebosol® 30HB50 peut être dilué avec de l'eau pour obtenir une suspension de CMP avec un pourcentage en poids du silicium amorphe dans la plage de 4 à 18, en particulier dans la plage de 4 à 13, plus particulièrement dans la plage de 5 à 7. Le Klebosol® 30HB50 a du silicium amorphe pour 25 à 35 % en poids, et un diamètre moyen des particules de silicium amorphe précipitées de 50 nm. En supposant une dilution de 35 % en poids de silicium amorphe en ajoutant 1 partie d'eau à 1 partie de Klebosol® 30HB50 (dilution de 1:1), le résultat est une suspension de CMP contenant 17,5 % en poids de silicium amorphe. Une dilution de 1:4 de Klebosol® 30HB50 présentant 25 % en poids de silicium amorphe donne une suspension de CMP présentant 5 % en poids de silicium amorphe et une dilution de 1:4 de Klebosol® 30HB50 présentant 35 % en poids de silicium amorphe donne une suspension de CMP présentant 7 % en poids de silicium amorphe. La FIG. 2 illustre des exemples de résultats pour l'uniformité d'épaisseur obtenue (plage d'épaisseur) de la couche piézoélectrique de la structure POI après CMP de la couche piézoélectrique réalisée en en tantalate de lithium avec une suspension de CMP obtenue en diluant le Klebosol® 30HB50 avec des dilutions de 1:1 à 1:6. L'abscisse représente le diamètre de la couche piézoélectrique en mm et l'ordonnée représente l'épaisseur de la couche piézoélectrique (LTO) en nm. Les profils d'épaisseur sont présentés pour les dilutions du Klebosol® 30HB50 avec de l'eau de 1:1, 1:2, 1:3, 1:3,5, 1:4, 1:5 et 1:6. D'autres paramètres de polissage ont été choisis dans les plages décrites ci-dessus. Il est possible de voir que pour les dilutions de 1:5 et 1:6, l’élimination de bord est considérablement augmentée, ce qui entraîne une plage d'épaisseur de la couche piézoélectrique de 147,844 nm et 180,313 nm, respectivement. Cependant, pour les autres dilutions, des résultats au moins assez satisfaisants ont pu être obtenus. La plage d'épaisseur observée sur le diamètre de la couche pour la dilution de 1:1 est de 61,879 nm. D'excellents résultats peuvent être obtenus pour les autres dilutions présentées. La plage d'épaisseur observée à travers le diamètre de la couche pour la dilution de 1:2 est de 36,82 nm, la plage d'épaisseur observée à travers le diamètre de la couche pour la dilution de 1:3 est de 24,573 nm, la plage d'épaisseur observée à travers le diamètre de la couche pour la dilution de 1:3,5 est de 23,186 nm, et la plage d'épaisseur observée à travers le diamètre de la couche pour la dilution de 1:4 est de 21,849 nm. Procédé de fabrication d'une structure piézoélectrique sur isolant, POI (9), comprenant les étapes consistant à fournir un substrat donneur (1) comprenant un substrat piézoélectrique (1a), dans lequel le substrat piézoélectrique (1) comprend ou est constitué d’un parmi le tantalate de lithium et le niobate de lithium ; transférer une couche piézoélectrique (3) du substrat piézoélectrique à un substrat cible (7) ; et polir la couche piézoélectrique (3) transférée au substrat cible (7) avec une suspension de polissage chimico-mécanique, CMP, dans lequel la suspension de CMP consiste en une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe dans la plage de 4 à 18. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la suspension de CMP est constituée d'une suspension aqueuse de silicium amorphe avec un pourcentage en poids du silicium amorphe dans la plage de 4 à 13, en particulier de 5 à 7. Le procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le silicium amorphe comprend ou est constitué de particules de silicium amorphe précipitées avec des diamètres dans la plage de 40 à 60 nm. Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de fourniture du substrat donneur (1) comprend le collage d'un bloc de matériau piézoélectrique à un substrat de support (1b) via une couche de collage, le meulage et le polissage du bloc de matériau piézoélectrique pour obtenir le substrat piézoélectrique (1a) et l'implantation d'une espèce dans le substrat piézoélectrique (1a) pour obtenir une couche affaiblie (2) dans le substrat piézoélectrique (1a). Le procédé selon la revendication 4, dans lequel l'étape de transfert de la couche piézoélectrique (3) au substrat cible (7) comprend le collage du substrat donneur (1) au substrat cible (7) et la fracturation du substrat piézoélectrique (1a) au niveau de la couche affaiblie (2). Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre la réalisation d'un traitement de recuit de la couche piézoélectrique (3) transférée au substrat cible (7) avant le polissage de la couche piézoélectrique (3). Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le polissage comprend la mise en rotation du substrat cible entre 80 et 120 tours par minute et d’un tampon de polissage dans la même direction que la tête et en contact avec la couche piézoélectrique (3) à une vitesse différente par rapport à la tête de 90 à 130 tours par minute. Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le polissage comprend l'application d'une pression de plaquette sur le substrat cible (7) pour le presser contre un tampon de polissage, qui n’est pas supérieure à 20,68 kPa ou est inférieure à 18,96 kPa, en particulier dans la plage de 17,24 kPa à 20,68 kPa. Le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le polissage comprend l'application de la suspension de CMP à un tampon de polissage à un débit d’écoulement inférieur à 250 ml/minute ou 200 ml/minute ou 150 ml/minute, ou dans la plage de 150 ml/minute à 250 ml/minute. Structure piézoélectrique sur isolant, POI, (9) comprenant une couche piézoélectrique (3) formée sur ou au-dessus d’un substrat cible (7) et pouvant être obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la couche piézoélectrique (3) présente une uniformité d'épaisseur inférieure à 50 nm, en particulier inférieure à 20 nm. Dispositif microélectronique, micromécanique ou photonique, ou système microélectromécanique comprenant la structure POI (9) selon la revendication 10.