FR 3155090 A1 20250509 FR 2312004 A 20231106 Capteur d’images La présente description concerne un capteur d’images comprenant une pluralité de pixels (100) formés dans et sur un substrat semiconducteur (104), chaque pixel comportant : – une zone photosensible (102) formée dans le substrat semiconducteur (104) ; – une tranchée d’isolation périphérique (106) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur (104), depuis une face supérieure du substrat semiconducteur, et délimitant latéralement la zone photosensible (102) ; – une zone de collecte de charges (110) ; – une région de transfert (114) située dans le substrat semiconducteur (104) et s’étendant verticalement entre la zone de collecte de charges (110) et la zone photosensible (102) ; et – une grille de transfert (108) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur (104), depuis la face supérieure du substrat semiconducteur et à l’intérieur de la tranchée d’isolation périphérique (108), plus profondément que la zone de collecte de charges (110), dans lequel la région de transfert (114) est dopée d’un même premier type de conductivité que la zone photosensible (102) et présente un niveau de dopage strictement inférieur à celui de la zone photosensible. Figure pour l’abrégé : Fig. 1B Capteur d’images La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, plus particulièrement les pixels de capteurs d’images. Des pixels de capteurs d’images comprenant chacun une zone photosensible formée dans un substrat semiconducteur, adaptée à convertir de la lumière en paires électrons-trous, ont été proposés. Au cours d’une phase d’exposition du capteur, des charges photogénérées (électrons ou trous) s’accumulent dans la zone photosensible. Lors d’une phase ultérieure de lecture, un dispositif de transfert de charges est commandé pour transférer les charges photogénérées, accumulées dans la zone photosensible, vers une zone de collecte de charges. La demande de brevet américain US 2021/0020675 décrit des exemples de tels pixels. Dans cette demande, chaque pixel comprend plus précisément une zone photosensible formée dans un substrat semiconducteur et bordée latéralement par une tranchée d’isolation périphérique. Chaque pixel comprend en outre une zone de collecte de charges interposée latéralement entre une grille de transfert verticale, formée dans la tranchée d’isolation périphérique, et une région implantée formée dans le substrat semiconducteur au-dessus de la zone photosensible. La zone photosensible et la zone de collecte de charges sont dopées de type P, et la région implantée est dopée de type N. Dans cet exemple, une région de transfert dopée de type P et présentant un niveau de dopage égal à celui de la zone photosensible est interposée verticalement entre la zone photosensible et la zone de collecte de charges. En appliquant un potentiel à la grille de transfert verticale du pixel, une barrière de potentiel peut être formée dans la région de transfert, entre la grille de transfert verticale et la région implantée de type N. Ce pixel de capteur d’images présente toutefois divers inconvénients, notamment en raison du fait qu’il s’avère difficile de former la région implantée de type N de façon précise. Cela complique la réduction du pas des pixels du capteur d’images. Par ailleurs, les pixels de ce type présentent un courant d’obscurité relativement élevé, qu’il serait souhaitable de diminuer. Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des pixels de capteurs d’images et des capteurs d’images connus. Il serait notamment souhaitable de réduire les dimensions des pixels, de sorte à permettre la réalisation de capteurs d’images présentant des pas de pixels inférieurs à ceux des capteurs d’images existants. Pour cela, un mode de réalisation prévoit un capteur d’images comprenant une pluralité de pixels formés dans et sur un substrat semiconducteur, chaque pixel comportant : – une zone photosensible formée dans le substrat semiconducteur ; – une tranchée d’isolation périphérique s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis une face supérieure du substrat semiconducteur, et délimitant latéralement la zone photosensible ; – une zone de collecte de charges ; – une région de transfert située dans le substrat semiconducteur et s’étendant verticalement entre la zone de collecte de charges et la zone photosensible ; et – une grille de transfert s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis la face supérieure du substrat semiconducteur et à l’intérieur de la tranchée d’isolation périphérique, plus profondément que la zone de collecte de charges, dans lequel la région de transfert est dopée d’un même premier type de conductivité que la zone photosensible et présente un niveau de dopage strictement inférieur à celui de la zone photosensible. Selon un mode de réalisation, la grille de transfert s’étend verticalement dans le substrat semiconducteur jusqu’à une profondeur sensiblement égale à celle de la région de transfert. Selon un mode de réalisation, la zone photosensible et la région de transfert présentent une interface sensiblement horizontale. Selon un mode de réalisation, la zone de collecte de charges est dopée du premier type de conductivité et présente un niveau de dopage strictement supérieur à celui de la région de transfert. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend en outre un caisson dopé d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, le caisson s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis la face supérieure du substrat semiconducteur, jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la grille de transfert. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend en outre une tranchée électriquement isolante interposée latéralement entre la zone de collecte de charges et le caisson. Selon un mode de réalisation, la tranchée électriquement isolante s’étend verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis la face supérieure du substrat semiconducteur, jusqu’à une profondeur supérieure à celle de la zone de collecte de charges. Selon un mode de réalisation, la zone de collecte de charges et le caisson sont adjacents. Selon un mode de réalisation, la tranchée d’isolation périphérique et la grille de transfert comprennent respectivement des première et deuxième régions électriquement conductrices, la première région électriquement conductrice étant électriquement isolée de la deuxième région électriquement conductrice. Selon un mode de réalisation, la deuxième région électriquement conductrice affleure la face supérieure du substrat semiconducteur. Selon un mode de réalisation, la deuxième région électriquement conductrice est séparée de la face supérieure du substrat semiconducteur par une épaisseur non nulle de matériau isolant. Selon un mode de réalisation, la grille de transfert est commune à deux pixels. Selon un mode de réalisation, la grille de transfert est commune à quatre pixels. Selon un mode de réalisation, le premier type de conductivité est le type N. Selon un mode de réalisation, le capteur comporte en outre un circuit de commande configuré pour appliquer alternativement, sur la grille de transfert : – un premier potentiel adapté à bloquer un transfert de charges depuis la zone photosensible vers la zone de collecte de charges ; et – un deuxième potentiel, différent du premier potentiel, adapté à permettre un transfert de charges depuis la zone photosensible vers la zone de collecte de charges. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d’autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues schématiques et partielles, respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 1 , d’un exemple d’un pixel de capteur d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues schématiques et partielles, respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 2 , d’un exemple d’un pixel de capteur d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 et la FIG. 3 sont des vues schématiques et partielles, respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 3 , d’un exemple d’un pixel de capteur d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 4 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un arrangement de deux pixels adjacents selon un mode de réalisation ; et la FIG. 5 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un arrangement de quatre pixels adjacents selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les procédés de fabrication des pixels de capteur d’images n’ont pas été détaillés, les modes de réalisation et variantes décrits étant compatibles avec les procédés de fabrication usuels de pixels de capteurs d’images. En outre, les circuits (transistors et connexions) des pixels n’ont pas été détaillés, les modes de réalisation et variantes décrits étant compatibles avec les circuits de pixels usuels. Par ailleurs, les circuits de lecture, ou décodeurs colonnes, les circuits de commande, ou décodeurs lignes, et les applications dans lesquelles peuvent être prévus des capteurs d’images n’ont pas été détaillés, les modes de réalisation et variantes décrits étant compatibles avec les circuits de lecture et les circuits de commande des capteurs d’images usuels, ainsi qu’avec les applications usuelles mettant en œuvre des capteurs d’images. Sauf précision contraire, lorsque l’on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l’on fait référence à deux éléments reliés (en anglais « coupled ») entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l’intermédiaire d’un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l’on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes « avant », « arrière », « haut », « bas », « gauche », « droite », etc., ou relative, tels que les termes « dessus », « dessous », « supérieur », « inférieur », etc., ou à des qualificatifs d’orientation, tels que les termes « horizontal », « vertical », etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l’orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions « environ », « approximativement », « sensiblement », et « de l’ordre de » signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues schématiques et partielles, respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 1 , d’un exemple d’un pixel 100 de capteur d’images selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte une zone photosensible 102, ou zone de photoconversion. La zone photosensible 102 est par exemple destinée à collecter des photons, lors de phases d’illumination du capteur d’images dont fait partie le pixel 100, et à convertir ces photons en paires électron-trou. La zone photosensible 102 est située, en vue de dessus, au centre du pixel 100 et présente un pourtour de forme sensiblement carrée. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la zone photosensible 102 pouvant, à titre de variante, présenter un pourtour de forme quelconque, par exemple rectangulaire ou circulaire. La zone photosensible 102 est formée dans un substrat 104. Le substrat 104 est en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. À titre d’exemple, le substrat 104 est formé par croissance épitaxiale, ou épitaxie, d’une couche en matériau semiconducteur du côté d’une face d’une plaquette ou d’un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. À titre d’exemple, le substrat 104 présente une épaisseur comprise entre 1 et 20 µm. Le substrat 104 est dopé d’un premier type de conductivité, par exemple le type N. Dans ce cas, le substrat 104 est par exemple dopé par des atomes d’arsenic. À titre d’exemple, le substrat 104 présente un niveau ou taux de dopage compris entre 1 x 10 10 et 1 x 10 18 at./cm 3 . La zone photosensible est par exemple destinée à être illuminée depuis une face inférieure du substrat 104, dans l’orientation de la FIG. 1 . À titre de variante, la zone photosensible peut être destinée à être illuminée depuis une face supérieure du substrat 104, dans l’orientation de la FIG. 1 . Bien que cela n’ait pas été illustré en FIG. 1 , la face inférieure du substrat 104 peut être revêtue d’une ou de plusieurs couches de passivation. Par ailleurs, le pixel 100 peut comporter, du côté de la face inférieure du substrat 104, des éléments optiques tels qu’un filtre, par exemple un filtre couleur, et/ou une microlentille. Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte une tranchée d’isolation périphérique 106, par exemple une tranchée d’isolation capacitive, délimitant latéralement la zone photosensible 102. À titre d’exemple, la tranchée d’isolation périphérique 106 est une tranchée d’isolation capacitive dite « profonde » (« Capacitive Deep Trench Isolation » - CDTI, en anglais). En vue de dessus, la tranchée d’isolation périphérique 106 présente une forme annulaire entourant entièrement la zone photosensible 102 sur toutes ses parois latérales, ou flancs. La tranchée d’isolation périphérique 106 présente un pourtour de forme identique à celui de la zone photosensible 102, c’est-à-dire de forme carrée, dans l’exemple illustré. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la tranchée d’isolation périphérique 106 pouvant, à titre de variante, présenter un pourtour de forme quelconque, par exemple rectangulaire ou circulaire. Dans l’exemple illustré, la tranchée d’isolation périphérique 106 comporte quatre parties correspondant respectivement aux quatre côtés du carré formé par la tranchée 106. La tranchée d’isolation périphérique 106 permet notamment d’isoler électriquement la zone photosensible 102 du pixel 100 par rapport aux zones photosensibles des pixels voisins, non représentés en figures 1A et 1B. La tranchée d’isolation périphérique 106 est par exemple formée dans le substrat 104. Dans l’orientation de la FIG. 1 , la tranchée d’isolation périphérique 106 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis une face supérieure du substrat 104, jusqu’à la face inférieure du substrat 104. En d’autres termes, dans cet exemple, la tranchée d’isolation périphérique 106 s’étend verticalement sur toute l’épaisseur du substrat 104. La tranchée d’isolation périphérique 106 présente par exemple une largeur comprise entre 20 et 300 nm, par exemple égale à environ 160 nm, et une profondeur comprise entre 10 et 20 µm. Dans l’exemple illustré en FIG. 1 , la tranchée d’isolation périphérique 106 présente une profondeur égale à l’épaisseur du substrat 104. Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation périphérique 106 comporte une région électriquement conductrice 106C. À titre d’exemple, la région électriquement conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106 est en silicium polycristallin, en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique. Dans le cas où la région 106C est en silicium polycristallin, la région 106C présente par exemple un taux de dopage supérieur ou égal à 1 x 10 18 at./cm 3 . La tranchée d’isolation périphérique 106 comporte en outre, dans cet exemple, une couche électriquement isolante 106I revêtant les parois latérales de la région électriquement conductrice 106C. La couche électriquement isolante 106I isole électriquement la région électriquement conductrice 106C par rapport au substrat 104. À titre d’exemple, la couche électriquement isolante 106I est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre une grille de transfert verticale 108 formée à l’intérieur de la tranchée d’isolation périphérique 106. La grille de transfert verticale 108 est par exemple située, en vue de dessus, dans l’un des côtés du carré formé par la tranchée d’isolation périphérique 106 (le côté gauche, dans l’orientation de la FIG. 1 ). Dans l’exemple illustré, la grille de transfert verticale 108 comprend une région électriquement conductrice 108C s’étendant verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis la face supérieure du substrat 104, jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la tranchée d’isolation périphérique 106. À titre d’exemple, la grille de transfert verticale 108 présente une profondeur, ou hauteur, comprise entre 0,2 et 1,5 µm. La région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 est électriquement isolée de la région électriquement conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans l’exemple illustré, les parois latérales et le fond de la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 sont revêtus de la couche électriquement isolante 106I de la tranchée d’isolation périphérique 106. Par ailleurs, dans cet exemple, la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 affleure la face supérieure du substrat 104. À titre d’exemple, la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 est en silicium polycristallin, en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique. Dans le cas où la région 108C est en silicium polycristallin, la région 108C présente par exemple un taux de dopage supérieur ou égal à 1 x 10 18 at./cm 3 . Dans l’exemple illustré, le pixel 100 comprend en outre une zone de collecte de charges 110 s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur 104, depuis sa face supérieure, jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108. Dans l’exemple représenté, la zone de collecte de charges 110 présente, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la zone de collecte de charges 110 pouvant présenter, à titre de variante, un pourtour de forme quelconque, par exemple rectangulaire ou circulaire. À titre d’exemple, le carré formé par la zone de collecte de charges 110 présente un côté compris entre 100 et 200 nm, par exemple égal à environ 170 nm. Dans l’exemple représenté, la zone de collecte de charges 110 est entourée par une tranchée électriquement isolante 112. La tranchée isolante 112 s’étend verticalement dans le substrat semiconducteur 104, depuis sa face supérieure, jusqu’à une profondeur supérieure à celle de la zone de collecte de charges 110 et inférieure à celle de la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108. Dans l’exemple illustré, la tranchée électriquement isolante 112 revêt trois des quatre faces latérales de la zone de collecte de charges 110, la quatrième face latérale de la zone de collecte de charges 110 étant revêtue de la couche électriquement isolante 106I de la tranchée d’isolation périphérique 106. La tranchée isolante 112 est par exemple à base d’un oxyde, par exemple l’oxyde de silicium. À titre d’exemple, la tranchée isolante 112 présente une largeur égale à environ 40 nm. La zone de collecte de charges 110 est dopée du premier type de conductivité (le type N, dans cet exemple) et présente par exemple un niveau de dopage supérieur à celui de la zone photosensible 102. À titre d’exemple, le niveau de dopage de la zone de collecte de charges 110 est compris entre 1 x 10 16 et 5 x 10 20 at./cm 3 . Dans l’exemple illustré, le pixel 100 comprend en outre une région de transfert 114 formée dans le substrat 104 et s’étendant verticalement entre la zone de collecte de charges 110 et la zone photosensible 102. La région de transfert 114 s’étend par exemple dans l’épaisseur du substrat 104 jusqu’à une profondeur sensiblement égale à celle de la région conductrice 108C de la grille de transfert 108. Dans l’exemple représenté, la région de transfert 114 présente, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la région de transfert 114 pouvant, à titre de variante, présenter un pourtour de forme quelconque, par exemple rectangulaire ou circulaire. Dans l’exemple illustré, trois des quatre côtés du carré formé par la région de transfert 114 sont bordés latéralement par la tranchée d’isolation périphérique 106, et le quatrième côté de la région de transfert 114 est essentiellement bordé latéralement par la grille de transfert verticale 108. Selon un mode de réalisation, la région de transfert 114 est dopée du premier type de conductivité (le type N, dans cet exemple) et présente un niveau de dopage strictement inférieur à celui de la zone photosensible 102. Par ailleurs, le niveau de dopage de la région de transfert 114 est par exemple strictement inférieur à celui de la zone de collecte de charges 110. À titre d’exemple, la région de transfert 114 présente un niveau de dopage compris entre 1 x 10 10 et 9 x 10 17 at./cm 3 . De façon avantageuse, un gradient de niveau de dopage le plus élevé possible est formé à l’interface entre la zone photosensible 102 et la région de transfert 114 (interface dite « abrupte »). Par ailleurs, dans l’exemple représenté, l’interface entre la région de transfert 114 et la zone photosensible 102 est sensiblement horizontale et située à une profondeur environ égale à la profondeur jusqu’à laquelle s’étend la grille de transfert verticale 108. Un dopage de type N de la zone photosensible 102, de la région de transfert 114 et de la zone de collecte de charges 110 est privilégié, car les atomes utilisés pour obtenir un dopage de type N, par exemple les atomes d’arsenic, diffusent moins que les atomes utilisés pour obtenir un dopage de type P, par exemple les atomes de bore. Le fait de prévoir que la zone photosensible 102, la région de transfert 114 et la zone de collecte de charges 110 soient dopées de type N permet avantageusement d’obtenir une interface entre la zone photosensible 102 et la région de transfert 114 plus abrupte que dans le cas d’un dopage de type P. La diffusion des atomes de bore pourrait toutefois être limitée en utilisant des budgets thermiques réduits lors de la fabrication du pixel 100 ou en introduisant des éléments chimiques permettant de bloquer la diffusion des atomes de bore. Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comprend en outre un caisson 116 s’étendant verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis sa face supérieure, jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la grille de transfert verticale 108, par exemple jusqu’à une profondeur sensiblement égale à celle de la zone de collecte de charge 110. Dans l’exemple illustré, le caisson 116 est bordé latéralement par la tranchée d’isolation périphérique 106 et par la tranchée isolante 112, la tranchée isolante étant interposée latéralement entre la zone de collecte de charges 110 et le caisson 116. Le caisson 116 est dopé d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité (le type P, dans cet exemple). Dans le cas où le caisson 116 est dopé de type P, le dopage est par exemple obtenu par des atomes de bore. À titre d’exemple, le caisson 116 présente un niveau de dopage compris entre 1 x 10 16 et 1 x 10 19 at./cm 3 . Dans l’exemple représenté, la tranchée isolante 112 permet avantageusement d’éviter ou d’atténuer des effets de champ entre la zone de collecte de charges 110 et le caisson 116. Dans l’exemple illustré, le pixel 100 comprend un autre caisson 118 formé dans le caisson 116 et s’étendant verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, depuis sa face supérieure, jusqu’à une profondeur inférieure à celle du caisson 116. Le caisson 118 est formé dans un des coins du caisson 116 opposés à la grille de transfert verticale 108. En pratique, le caisson 118 peut s’étendre latéralement, comme dans l’exemple représenté, à l’intérieur de la tranchée d’isolation périphérique 106. Le caisson 118 est dopé du deuxième type de conductivité (le type P, dans cet exemple) et présente un niveau de dopage strictement supérieur à celui du caisson 116. À titre d’exemple, le niveau de dopage du caisson 118 est compris entre 1 x 10 1 7 et 5 x 10 20 at./cm 3 . Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comprend en outre des éléments de reprise de contact 120A, 120B, 120C et 120D, par exemple des plots conducteurs, respectivement formés sur et en contact avec la région conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106, la région conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108, la zone de collecte de charges 110 et le caisson 118. Dans l’exemple illustré, chaque élément de reprise de contact 120A, 120B, 120C, 120D présente, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque élément de reprise de contact 120A, 120B, 120C, 120D pouvant, à titre de variante, présenter un pourtour de forme quelconque, par exemple rectangulaire ou circulaire. Les éléments de reprise de contact 120A, 120B, 120C et 120D sont en un matériau électriquement conducteur, par exemple un métal, par exemple le cuivre, ou un alliage métallique. À titre d’exemple, chaque élément de reprise de contact 120A, 120B, 120C, 120D présente une dimension latérale maximale (par exemple un côté, dans l’exemple représenté où chaque élément de reprise de contact est de forme carrée) égale à environ 90 nm. Lors d’une phase d’exposition, ou d’accumulation, du pixel 100, des paires électron-trou sont par exemple créées à l’intérieur de la zone photosensible 102. Durant cette phase, la région électriquement conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106 et la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 sont portées respectivement à des potentiels V_CDTI et V_TG_OFF. Dans l’exemple représenté, les potentiels V_CDTI et V_TG_OFF sont appliqués au moyen des éléments de reprise de contact 120A et 120B, respectivement. Le potentiel V_TG_OFF est par exemple sensiblement égal au potentiel V_CDTI. Pendant la phase d’exposition, l’application des potentiels V_CDTI et V_TG_OFF sur les régions électriquement conductrices 106C et 108C permet de former une barrière de potentiel dans la région de transfert 114, entre la zone photosensible 102 et la zone de collecte de charges 110. Dans l’exemple représenté, la région de transfert 114 est bordée par les parois latérales internes de la tranchée d’isolation périphérique 106 et de la grille de transfert verticale 108 et s’étend verticalement, dans l’épaisseur du substrat 104, sous la zone de collecte de charges 110. Dit autrement, la barrière de potentiel formée conjointement par la tranchée d’isolation périphérique 106 et la grille de transfert verticale 108 s’étend latéralement, en vue de dessus, sur toute la surface de la région de transfert 114. La présence de la barrière de potentiel dans la région de transfert 114 permet, au cours de la phase d’exposition, de bloquer un transfert de porteurs photogénérés (des électrons, dans le cas où la zone photosensible 102, la région de transfert 114 et la zone de collecte de charges 110 sont de type N) depuis la zone photosensible 102 vers la zone de collecte de charges 110. Cette barrière de potentiel résulte de la présence, le long des parois latérales de la tranchée d’isolation périphérique 106 et de la grille de transfert 108, d’une couche d’inversion attirant les porteurs de type opposé au substrat (des trous, dans cet exemple). Lors de la phase d’exposition, la zone de collecte de charges 110 et le caisson 118 sont respectivement portés à des potentiels V_SN et V_WELL. Dans l’exemple représenté, les potentiels V_SN et V_WELL sont appliqués au moyen des éléments de reprise de contact 120C et 120D, respectivement. L’élément de reprise de contact 120D permet par exemple de fournir les porteurs de charge permettant de former la barrière de potentiel à l’intérieur de la région de transfert 114 lors de la phase d’exposition. Lors d’une phase de lecture postérieure à la phase d’exposition, la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 est par exemple portée à un potentiel V_TG_ON différent du potentiel V_TG_OFF, la région électriquement conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106 étant maintenue au potentiel V_CDTI. Pendant la phase de lecture, l’application du potentiel V_TG_ON sur la région électriquement conductrice 106C permet d’abaisser, voire de supprimer, la barrière de potentiel dans la région de transfert 114 entre la zone photosensible 102 et la zone de collecte de charges 110. La disparition de la barrière de potentiel permet, pendant la phase de lecture, un transfert des charges photogénérées depuis la zone photosensible 102 vers la zone de collecte de charges 110. À titre d’exemple, le capteur d’images comprenant le pixel 100 comporte en outre un circuit de commande configuré pour appliquer alternativement, sur l’élément de reprise de contact 120B connecté à la région conductrice 108C de la grille de transfert 108 : – le potentiel V_TG_OFF adapté à bloquer un transfert de charges depuis la zone photosensible 102 vers la zone de collecte de charges 110 ; et – le potentiel V_TG_ON adapté à permettre un transfert de charges depuis la zone photosensible 102 vers la zone de collecte de charges 110. Lors de la phase de lecture, la zone de collecte de charges 110 et le caisson 118 sont par exemple respectivement maintenus aux potentiels V_SN et V_WELL. Bien que cela n’ait pas été détaillé en figures 1A et 1B, l’élément de reprise de contact 120C est par exemple relié ou connecté à un circuit de lecture, par exemple situé du côté de la face supérieure du substrat 104. L’élément de reprise de contact 120C est par exemple plus précisément connecté à un nœud de lecture, non représenté, et permet de transférer des charges accumulées dans la zone de collecte de charges 110 vers le nœud de lecture. À titre d’exemple : – dans le cas où la zone photosensible 102, la région de transfert 114 et la zone de collecte de charges 110 sont de type N et où les caissons 116 et 118 sont de type P : le potentiel V_TG_ON est égal à environ 1,8 V ; le potentiel V_TG_OFF est égal à environ -0,5 V ; le potentiel V_CDTI est égal à environ -0,5 V ; le potentiel V_WELL est égal à environ 0,2 V ; et le potentiel V_SN est égal à environ 1,8 V, et – dans le cas où la zone photosensible 102, la région de transfert 114 et la zone de collecte de charges 110 sont de type P et où les caissons 116 et 118 sont de type N : le potentiel V_TG_ON est égal à 0 V ; le potentiel V_TG_OFF est égal à environ 1,8 V ; le potentiel V_CDTI est égal à environ 1,8 V ; le potentiel V_WELL est égal à environ 1,5 V ; et le potentiel V_SN est égal à environ 0,5 V. Dans l’exemple ci-dessus, le potentiel V_TG_ON est égal au potentiel V_SN. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, le potentiel V_TG_ON pouvant, à titre de variante, être différent du potentiel V_SN. Dans un capteur comportant une pluralité de pixels agencés en matrice selon des rangées et des colonnes, on désigne par « pas des pixels » la distance centre à centre entre deux pixels voisins dans la direction des rangées ou des colonnes. Le pas des pixels dans la direction des rangées ou des colonnes correspond sensiblement à la dimension latérale du pixel dans ladite direction. Un avantage du capteur intégrant des pixels du type du pixel 100 décrit ci-dessus est qu’il peut présenter un pas de pixels, dans la direction des rangées et dans la direction des colonnes, inférieur à celui des capteurs existants, par exemple inférieur à 1 µm, par exemple compris entre 0,6 et 0,8 µm. La FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues schématiques et partielles, respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 2 , d’un exemple d’un pixel 200 de capteur d’images selon un mode de réalisation. Le pixel 200 des figures 2A et 2B comprend des éléments communs avec le pixel 100 des figures 1A et 1B. Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Le pixel 200 des figures 2A et 2B diffère du pixel 100 des figures 1A et 1B en ce que le pixel 200 est dépourvu de la tranchée électriquement isolante 112. Cela facilite la réalisation du pixel 200 par rapport au pixel 100. Dans cet exemple, la zone de collecte de charges 110 et le caisson 116 sont adjacents. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la zone de collecte de charges 110 pouvant, à titre de variante, être séparée du caisson 116 par une partie de la région de transfert 114 s’étendant latéralement entre la zone 110 et le caisson 116. Cela permet avantageusement de réduire un champ électrique à l’origine d’un courant d’obscurité. La FIG. 3 et la FIG. 3 sont des vues schématiques et partielles, respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 3 , d’un exemple d’un pixel 300 de capteur d’images selon un mode de réalisation. Le pixel 300 des figures 3A et 3B comprend des éléments communs avec le pixel 100 des figures 1A et 1B. Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Le pixel 300 des figures 3A et 3B diffère du pixel 100 des figures 1A et 1B en ce que la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 du pixel 300 est séparée de la face supérieure du substrat 104 par une épaisseur non nulle de matériau électriquement isolant, par exemple un oxyde, par exemple le matériau de la couche isolante 106I de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dit autrement, la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert 108 du pixel 300 n’affleure pas la face supérieure du substrat 104. Cela permet avantageusement de diminuer une capacité entre la région conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 et la zone de collecte de charges 110 par rapport au cas du pixel 100. La FIG. 4 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un arrangement 400 de deux pixels 100 adjacents selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, les deux pixels 100 sont juxtaposés de sorte qu’ils partagent une partie de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans l’orientation de la FIG. 4 , le pixel 100 de gauche est symétrique au pixel 100 de droite par rapport à un axe vertical. La grille de transfert verticale 108 est formée dans la partie de la tranchée d’isolation périphérique 106 commune aux deux pixels 100. Cela permet de réduire la surface occupée par les pixels du capteur d’images. Dans l’exemple représenté, la tranchée isolante 112 est commune aux deux pixels 100 et entoure l’élément de reprise de contact 120B, situé au centre de l’arrangement 400, et les deux éléments de reprise de contact 120C situés de part et d’autre de la grille de transfert verticale 108. Par ailleurs, les deux pixels 100 de l’arrangement 400 comportent par exemple un seul plot conducteur 120A. Dans l’arrangement 400 de la FIG. 4 , la grille de transfert 108 est commune aux deux pixels 100 et permet un blocage et un transfert simultanés, depuis les zones photosensibles 102 vers les zones de collecte de charges 110 des pixels 100, des charges photogénérées dans ces pixels. La FIG. 5 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un arrangement 500 de quatre pixels 100 adjacents selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, les quatre pixels 100 sont juxtaposés de sorte qu’ils partagent des parties de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans l’orientation de la FIG. 5 , les pixels 100 de gauche sont symétriques aux pixels 100 de droite par rapport à un axe vertical, et les pixels 100 du haut sont symétriques aux pixels 100 du bas par rapport à un axe horizontal. La grille de transfert verticale 108 est formée dans les parties de la tranchée d’isolation périphérique 106 communes aux quatre pixels 100 et présente, en vue de dessus, une forme de croix (+). Cela permet de réduire encore davantage la surface occupée par les pixels du capteur d’images. Dans l’exemple représenté, la tranchée isolante 112 est commune aux quatre pixels 100 et entoure l’élément de reprise de contact 120B, situé au centre de l’arrangement 500, et les quatre éléments de reprise de contact 120C. Par ailleurs, les quatre pixels 100 de l’arrangement 500 comportent par exemple un seul plot conducteur 120A. Dans l’arrangement 500 de la FIG. 5 , la grille de transfert 108 est commune aux quatre pixels 100 et permet un blocage et un transfert simultanés, depuis les zones photosensibles 102 vers les zones de collecte de charges 110 des pixels 100, des charges photogénérées dans ces pixels. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, le mode de réalisation du pixel 200 des figures 2A et 2B et le mode de réalisation du pixel 300 des figures 3A et 3B peuvent être combinés, de sorte à obtenir un pixel dépourvu de tranchée isolante 112 et dans lequel la région électriquement conductrice 108C de la grille de transfert verticale 108 est séparée de la face supérieure du substrat 104 par une épaisseur non nulle de matériau électriquement isolant. En outre, bien que les arrangements 400 et 500 aient été décrits ci-dessus dans un cas où ils comprennent des pixels 100, des arrangements similaires peuvent être prévus avec des pixels 200, avec des pixels 300 ou avec des pixels combinant les caractéristiques des pixels 200 et 300 comme indiqué ci-dessus. De tels arrangements sont à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Par ailleurs, bien que les modes de réalisation décrits prennent pour exemple le cas où la zone photosensible 102, la région de transfert 114 et la zone de collecte de charges 110 sont dopées de type N tandis que les caissons 116 et 118 sont dopés de type P, la personne du métier est capable, à partir des indications de la présente description, de transposer ces modes de réalisation au cas où les types de dopages sont inversés, c’est-à-dire que la zone photosensible 102, la région de transfert 114 et la zone de collecte de charges 110 sont dopées de type P tandis que les caissons 116 et 118 sont dopés de type N. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples particuliers de matériaux et de dimensions mentionnés dans la présente description. Capteur d’images comprenant une pluralité de pixels (100 ; 200 ; 300) formés dans et sur un substrat semiconducteur (104), chaque pixel comportant : – une zone photosensible (102) formée dans le substrat semiconducteur (104) ; – une tranchée d’isolation périphérique (106) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur (104), depuis une face supérieure du substrat semiconducteur, et délimitant latéralement la zone photosensible (102) ; – une zone de collecte de charges (110) ; – une région de transfert (114) située dans le substrat semiconducteur (104) et s’étendant verticalement entre la zone de collecte de charges (110) et la zone photosensible (102) ; et – une grille de transfert (108) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur (104), depuis la face supérieure du substrat semiconducteur et à l’intérieur de la tranchée d’isolation périphérique (108), plus profondément que la zone de collecte de charges (110), dans lequel la région de transfert (114) est dopée d’un même premier type de conductivité que la zone photosensible (102) et présente un niveau de dopage strictement inférieur à celui de la zone photosensible. Capteur (100 ; 200 ; 300) selon la revendication 1, dans lequel la grille de transfert (108) s’étend verticalement dans le substrat semiconducteur (104) jusqu’à une profondeur sensiblement égale à celle de la région de transfert (114). Capteur (100 ; 200 ; 300) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la zone photosensible (102) et la région de transfert (114) présentent une interface sensiblement horizontale. Capteur (100 ; 200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la zone de collecte de charges (110) est dopée du premier type de conductivité et présente un niveau de dopage strictement supérieur à celui de la région de transfert (114). Capteur (100 ; 200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre un caisson (116) dopé d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, le caisson s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur (104), depuis la face supérieure du substrat semiconducteur, jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la grille de transfert (108). Capteur (100 ; 300) selon la revendication 5, comprenant en outre une tranchée électriquement isolante (112) interposée latéralement entre la zone de collecte de charges (110) et le caisson (116). Capteur selon la revendication 6, dans lequel la tranchée électriquement isolante (112) s’étend verticalement dans le substrat semiconducteur (104), depuis la face supérieure du substrat semiconducteur, jusqu’à une profondeur supérieure à celle de la zone de collecte de charges (110). Capteur (200) selon la revendication 5, dans lequel la zone de collecte de charges (110) et le caisson (116) sont adjacents. Capteur (100 ; 200 ; 300) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la tranchée d’isolation périphérique (106) et la grille de transfert (108) comprennent respectivement des première et deuxième régions électriquement conductrices (106C, 108C), la première région électriquement conductrice (106C) étant électriquement isolée de la deuxième région électriquement conductrice (108C). Capteur (100 ; 200) selon la revendication 9, dans lequel la deuxième région électriquement conductrice (108C) affleure la face supérieure du substrat semiconducteur (104). Capteur (300) selon la revendication 9, dans lequel la deuxième région électriquement conductrice (108C) est séparée de la face supérieure du substrat semiconducteur (104) par une épaisseur non nulle de matériau isolant. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la grille de transfert (108) est commune à deux pixels (100 ; 200 ; 300). Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la grille de transfert (108) est commune à quatre pixels (100 ; 200 ; 300). Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le premier type de conductivité est le type N. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, comportant en outre un circuit de commande configuré pour appliquer alternativement, sur la grille de transfert (108) : – un premier potentiel adapté à bloquer un transfert de charges depuis la zone photosensible (102) vers la zone de collecte de charges (110) ; et – un deuxième potentiel, différent du premier potentiel, adapté à permettre un transfert de charges depuis la zone photosensible (102) vers la zone de collecte de charges (110).