FR 3160912 A1 20251010 FR 2403451 A 20240403 Procédé de soudure laser Ce procédé comporte les étapes suivantes : 1) accoler (62) une première face d’une première pièce semi-conductrice directement sur une seconde face d’une seconde pièce semi-conductrice pour former un plan de jointure, puis 2) la réalisation de points de soudure dans le plan de jointure à l’aide d’impulsions laser, dans lequel la réflexion d’une impulsion laser par un défaut dans le plan de jointure est minimisée : a) en émettant l’impulsion laser dans une plage de longueurs d’onde dans laquelle cette réflexion est minimisée, b) en modifiant l’épaisseur du défaut pour obtenir une épaisseur qui minimise la réflexion de l’impulsion laser, ou c) en traitant (122), la première et/ou la seconde faces pour obtenir une face traitée dont la réflectance est diminuée ou dont l’absorbance est augmentée. Fig. 4 Procédé de soudure laser L’invention concerne un procédé de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice. L’invention concerne également des postes de soudure laser pour mettre en œuvre ce procédé de soudure laser. La soudure laser est une technologie aujourd’hui largement exploitée dans l’industrie. Toutefois, jusqu’à présent, la soudure laser n’est pas utilisée pour souder entre eux deux matériaux semi-conducteurs. Pourtant, il a déjà été montré dans l’article suivant que la soudure d’une pièce en matériau semi-conducteur sur une autre pièce en matériau semi-conducteur était possible lorsqu’une fine couche d’or est présente au niveau du plan de jointure entre ces deux pièces : Maxime Chambonneau et Al : « Ultrafast laser welding of silicon », Advanced Photonics Research, 26/02/2023. Il a aussi été montré dans l’article suivant que la soudure d’une pièce en matériau semi-conducteur directement sur une autre pièce en matériau semi-conducteur était possible : Pol Sopeña et Al : « Transmission Laser Welding of Similar and Dissimilar Semiconductors Materials », Laser Photonics Reviews, 9/08/2022. Par la suite, cet article est désigné par la référence « article A1 ». L’article A1 révèle qu’il existe des limitations physiques qui empêchent d’obtenir un procédé efficace et reproductible de soudure laser d’une pièce en matériau semi-conducteur directement sur une autre pièce en matériau semi-conducteur. Ces limitations physiques proviennent du fait qu’il existe des défauts dans le plan de jointure entre les deux pièces à souder. Ces défauts forment des cavités de Fabry-Pérot qui réfléchissent les impulsions laser et qui empêchent donc la formation d’un point de soudure à l’emplacement de ces défauts. Un tel problème apparaît quand les matériaux à souder sont des semi-conducteurs car les matériaux semi-conducteurs ont la particularité de présenter de forts indices de réflexion. A cause de ce problème, la force d’adhésion entre deux pièces en matériau semi-conducteur directement soudées l’une sur l’autre n’est pas aussi forte que celle attendue. L’invention vise à remédier à cet inconvénient en proposant un procédé de soudure laser de deux pièces en matériau semi-conducteur directement l’une sur l’autre qui permet d’obtenir une force d’adhésion plus importante. L’invention a donc pour objet un procédé de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, comprenant les étapes suivantes : 1) accoler une première face de la première pièce semi-conductrice directement sur une seconde face de la seconde pièce semi-conductrice pour former un empilement comportant les première et seconde pièces semi-conductrices et un plan de jointure formé par l’accolement des première et seconde faces, puis 2) au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans le plan de jointure, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisée sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, dans lequel, en présence d’un défaut qui forme une cavité au niveau d’un point de soudure à réaliser, la réflexion de l’impulsion laser par ce défaut est minimisée : a) en émettant l’impulsion laser dans une plage de longueurs d’onde dans laquelle cette réflexion est minimisée par la mise en œuvre d’au moins une solution choisie dans le groupe composé des solutions suivantes : - la transmission de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser dans une première et une seconde plages de longueurs d’onde distinctes, l’écart entre les longueurs d’onde médianes de ces première et seconde plages étant différent d’un multiple entier de λ 1 /2 et d’un multiple entier de λ 2 /2, où λ 1 et λ 2 sont les longueurs d’onde médianes, respectivement, des première et seconde plages, - la transmission de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser dans une plage de longueurs d’onde dont la longueur d'onde médiane est supérieure à 2 µm, et - la mesure de la transmittance de l’empilement au niveau du point de soudure à réaliser dans différentes plages de longueurs d’onde, puis la sélection, en fonction des transmittances mesurées pour différentes plages de longueurs d’onde, d’une plage de longueurs d’onde qui minimise la réflexion de l’impulsion laser au niveau du point de soudure à réaliser, et, enfin, la transmission de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans la plage de longueurs d’onde sélectionnée, ou b) en modifiant l’épaisseur du défaut pour obtenir une épaisseur qui minimise la réflexion de l’impulsion laser par la mise en œuvre d’une solution choisie dans le groupe composé des solutions suivantes : - la modification de l’épaisseur du défaut pour obtenir successivement plusieurs épaisseurs différentes et pour, chaque épaisseur différente, la transmission de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser dans la même plage de longueurs d’onde, et - la mesure de la transmittance de l’empilement au niveau du point de soudure à réaliser dans la même plage de longueurs d’onde pour différentes épaisseurs du défaut, puis la sélection, en fonction des transmittances mesurées pour différentes épaisseurs du défaut, d’une épaisseur qui minimise la réflexion de l’impulsion laser au niveau du point de soudure à réaliser dans cette plage de longueurs d’onde, et, enfin, la transmission de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans cette plage de longueurs d’onde et lorsque l’épaisseur du défaut est égale à l’épaisseur sélectionnée, ou c) en traitant, la première et/ou la seconde faces pour obtenir une face traitée dont la réflectance est au moins deux fois inférieure à la réflectance de cette face avant son traitement et/ou pour augmenter l’absorbance de la seconde face par un facteur d’au moins deux par rapport à son absorbance avant son traitement. Les modes de réalisation de ce procédé peuvent comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : 1) Au cours de l’étape 2), au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans le plan de jointure : - une première source laser émet, uniquement dans la première plage de longueurs d’onde, des impulsions laser qui transmettent l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces, et - une seconde source laser, distincte de la première source laser, émet simultanément, uniquement dans la seconde plage de longueurs d’onde, des impulsions laser qui transmettent l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces. 2) L’écart │λ 1 – λ 2 │ne vérifie aucune des conditions suivantes : - Condition 1) : il existe un nombre entier m tel que m*λ 1 /2 – λ 1 /10 1 – λ 2 │ 1 /2 + λ 1 /10, et - Condition 2) : il existe un nombre entier p tel que p*λ 2 /2 - λ 2 /10 1 – λ 2 │ 2 /2 + λ 2 /10. 3) L’écart │λ 1 – λ 2 │est compris entre n*λ 1 /4 – λ 1 /16 et n*λ 1 /4 + λ 1 /16 ou entre n*λ 2 /4 - λ 2 /16 et n*λ 2 /4 - λ 2 /16, où n est un nombre entier positif et impair. 4) L’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 est inférieur à λ 1 /2. 5) - la modification de l’épaisseur du défaut comporte la modification, par paliers successifs, de la pression exercée par la première face sur la seconde face, puis - le procédé comporte, pour chaque palier de pression atteint et avant de passer au palier de pression suivant, la transmission de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser dans la même plage de longueurs d’onde. 6) Le même émetteur d’impulsions laser est utilisé lors de l’étape de traitement et lors de l’étape 2). 7) L’obtention de la face traitée comporte la réalisation de motifs répétés sur toute la face à traiter, la plus grande dimension de chacun de ces motifs étant comprise entre 0,2 µm et 20 µm et l’intervalle entre deux motifs consécutifs étant compris entre 0,2 µm et 20 µm. 8) Tous les motifs sont soit des pics en sailli sur la face à traiter soit des trous creusés dans la face à traiter. 9) L’obtention de la face traitée comporte l’application d’un traitement choisi dans le groupe composé : - d’un traitement qui rend amorphe la face à traiter, - d’un traitement qui cristallise la face à traiter, et - d’un traitement qui crée des défauts dans la couche superficielle formant la face à traiter de manière à augmenter l’absorbance de la face à traiter. L’invention a également pour objet un poste de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, ce poste de soudure comportant : - un émetteur d’impulsions laser configuré pour, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans un plan de jointure entre les première et seconde pièces, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisée sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre des première et seconde faces, respectivement, des première et seconde pièces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, et - une unité de commande de l’émetteur d’impulsions laser, dans lequel : - l’émetteur d’impulsions laser est apte, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans le plan de jointure, à transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans une première et une seconde plages de longueurs d’onde distinctes, l’écart entre les longueurs d’onde médianes de ces première et seconde plages étant différent d’un multiple entier de λ 1 /2 et d’un multiple entier de λ 2 /2, où λ 1 et λ 2 sont les longueurs d’onde médianes, respectivement, des première et seconde plages, et - l’unité de commande est configurée pour commander l’émetteur d’impulsions laser de manière à transmettre systématiquement, au niveau de chaque point de soudure, l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans la première et la seconde plages de longueurs d’onde. L’invention a également pour objet un poste de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, ce poste de soudure comportant : - un émetteur d’impulsions laser configuré pour, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans un plan de jointure entre les première et seconde pièces, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisée sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre des première et seconde faces, respectivement, des première et seconde pièces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, et - une unité de commande de l’émetteur d’impulsions laser, dans lequel : - le poste de soudure comporte aussi un capteur apte à mesurer la transmittance de l’empilement, formé par l’accolement d’une première face de la première pièce semi-conductrice directement sur une seconde face de la seconde pièce semi-conductrice, au niveau du point de soudure à réaliser dans différentes plages de longueurs d’onde, et - l’unité de commande est configurée pour : - acquérir les transmittances mesurées au niveau du point de soudure, puis - sélectionner, en fonction des transmittances mesurées pour différentes plages de longueurs d’onde, une plage de longueurs d’onde qui minimise la réflexion des impulsions laser au niveau du point de soudure à réaliser, et, enfin, - commander l’émetteur d’impulsions laser pour transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans la plage de longueurs d’onde sélectionnée. L’invention a également pour objet un poste de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, ce poste de soudure comportant : - un émetteur d’impulsions laser configuré pour, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans un plan de jointure entre les première et seconde pièces, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisées sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre des première et seconde faces, respectivement, des première et seconde pièces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, et - une unité de commande de l’émetteur d’impulsions laser, dans lequel : - le poste de soudure comporte un dispositif commandable apte à modifier, l’épaisseur d’un défaut qui forme une cavité au niveau d’un point de soudure à réaliser, et - l’unité de commande est configurée pour commander le dispositif apte à modifier l’épaisseur du défaut pour modifier l’épaisseur du défaut pour obtenir successivement plusieurs épaisseurs différentes et pour chaque épaisseur différente, commander l’émetteur d’impulsions laser, pour transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser toujours dans la même plage de longueurs d’onde. L’invention a également pour objet un poste de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, ce poste de soudure comportant : - un émetteur d’impulsions laser configuré pour, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans un plan de jointure entre les première et seconde pièces, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisée sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre des première et seconde faces, respectivement, des première et seconde pièces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, et - une unité de commande de l’émetteur d’impulsions laser, - un dispositif commandable apte à modifier l’épaisseur d’un défaut qui forme une cavité au niveau d’un point de soudure à réaliser, - un capteur apte à mesurer la transmittance, de l’empilement formé par l’accolement des première et seconde faces, au niveau du point de soudure à réaliser, et - l’unitéde commande est configurée pour : - commander le dispositif apte à modifier l’épaisseur du défaut pour obtenir différentes épaisseurs de ce défaut, - acquérir les transmittances mesurées au niveau du point de soudure pour ces différentes épaisseurs et dans la même plage de longueurs d’onde, puis - sélectionner, en fonction des transmittances mesurées pour ces différentes épaisseurs, une épaisseur qui minimise la réflexion de l’impulsion laser au niveau du point de soudure à réaliser dans cette plage de longueurs d’onde, puis - commander le dispositif apte à modifier l’épaisseur du défaut pour obtenir l’épaisseur sélectionnée du défaut, puis - commander l’émetteur d’impulsions laser pour transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans cette plage de longueurs d’onde et lorsque l’épaisseur du défaut est égale à l’épaisseur sélectionnée. L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la FIG. 1 est une illustration schématique, en perspective, de deux pièces en matériau semi-conducteur, - la FIG. 2 est une illustration schématique, en perspective, d’un empilement des pièces de la FIG. 1 , - les figures 3, 5, 7, 9, 11 et 13 sont des illustrations schématiques de différents modes de réalisation d’un poste de soudure des pièces des figures 1 et 2, - les figures 4, 6, 8, 10, 12 et 14 sont des organigrammes de différents procédés de soudure laser à l’aide des postes de soudure des figures 3, 5, 7, 9, 11 et 13. Dans cette description, la terminologie, les conventions et les définitions des termes utilisés dans ce texte sont introduites dans un chapitre I. Ensuite, des exemples détaillés de modes de réalisation sont décrits dans un chapitre II en référence aux figures. Dans un chapitre III, des variantes de ces modes de réalisation sont présentées. Enfin, les avantages des différents modes de réalisation sont précisés dans un chapitre IV. Chapitre I : Définitions, terminologies et conventions : Dans les figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. Dans la suite de cette description, les caractéristiques et fonctions bien connues de l’homme du métier ne sont pas décrites en détails. Les figures sont orientées par rapport à un repère orthogonal XYZ, où les directions X et Y sont horizontales et la direction Z est verticale. Les termes tels que « au-dessus », « au-dessous », « haut », « bas », « supérieur », « inférieur » sont définis par rapport à la direction Z. Le symbole « * » désigne la multiplication scalaire. L’expression « un élément réalisé en un matériau A » ou l’expression « un élément en matériau A » signifie que le matériau A représente 90 % ou 95 % ou 99 % de la masse de cet élément. Le terme "semi-conducteur" désigne un matériau à bande interdite, c'est-à-dire un matériau présentant une bande de valence et une bande de conduction séparées par une plage d'énergie, appelée « bande interdite » (« band gap » en anglais) où aucun état électronique n'existe (dans le cas idéal d'un semi-conducteur sans défaut) et où se trouve le niveau de Fermi. Les bandes de valence et de conduction sont suffisamment proches de ce niveau pour être peuplées d'électrons ou de trous. Pour cela, la largeur de la bande interdite est inférieure à 5 eV et souvent inférieure à 3 eV ou 2,5 eV à une température de 0 K. Le domaine de l’infrarouge désigne la plage de longueurs d’onde, dans le vide, qui s’étend de 700 nm à 20 µm. Ce domaine de l’infrarouge est subdivisé en deux sous-domaines, à savoir le sous-domaine du proche infrarouge et le sous-domaine du moyen infrarouge. Le sous-domaine du proche infrarouge s’étend de 700 nm à 2000 nm. Le sous-domaine du moyen infrarouge s’étend de 2 µm à 20 µm. Le domaine de transparence d’une pièce est la plage de longueurs d’onde pour laquelle la transmittance de cette pièce est supérieure à 10 % ou 50 % ou 70 % et, de préférence, supérieure à 90 % ou 95 %. Cette plage de longueurs d’onde est supérieure à une longueur d’onde λ ta , où la longueur d’onde λ ta est définie par la relation suivante : λ ta =0,9*h*c/D1, où - h est la constante de Planck (h="6.62607015*10-34 J.s), - c est la vitesse de la lumière (c=2.99792458 *108 m/s), et - D1 est la bande interdite du matériau semi-conducteur exprimée en joules. Ainsi, le domaine de transparence du silicium est supérieure à 1150 nm par exemple. Un élément « micrométrique » est un élément dont la plus grande dimension est inférieure à 500 µm ou à 1 mm. Un élément « sub-micrométrique » est un élément dont la plus grande dimension est inférieure à 1 µm. Généralement, la plus grande dimension d’un élément micrométrique ou sub-micrométrique est supérieure à 0,2 µm. La plus grande dimension d’un élément est égale à la longueur du parallélépipède de plus petit volume qui contient entièrement cet élément. Dans ce texte, une impulsion laser désigne une unique impulsion lumineuse ou un train d’impulsions lumineuses utilisé pour déposer de l’énergie au niveau d’un point de soudure sur lequel est focalisé cette impulsion laser. Dans le cas d’un train d’impulsions lumineuses, les impulsions lumineuses sont suffisamment rapprochées les unes des autres pour que le matériau n’est pas le temps de se relaxer entre deux impulsions lumineuses de sorte que l’énergie apportée par chaque impulsion lumineuse s’accumule, par exemple, jusqu’à dépasser le seuil de fusion des matériaux semi-conducteurs à souder. Le spectre de puissance d’une impulsion laser est en forme de cloche ou de gaussienne. La largeur d’une impulsion laser désigne la largeur à mi-hauteur de cette cloche ou gaussienne. Cette largeur est égale à λ sup - λ inf , où λ sup et λ inf sont les limites, respectivement supérieure et inférieure, au niveau desquelles la hauteur du spectre de puissance de l’impulsion laser est égale à la moitié de sa hauteur maximale. La longueur d’onde médiane d’une impulsion laser désigne la longueur d’onde égale à (λ sup + λ inf )/2. Ainsi, l’impulsion laser est centrée sur cette longueur d’onde médiane. Dans ce texte, l’expression « une plage de longueurs d’onde dans laquelle l’énergie transmise est suffisante pour faire fondre les faces accolées de deux pièces semi-conductrices » désigne une plage continue de longueurs d’onde du spectre de puissance d’une impulsion laser à l’intérieur de laquelle la puissance de l’impulsion laser est suffisante pour faire fondre les faces accolées lorsque cette impulsion laser est focalisée sur le plan de jointure situé entre ces deux faces accolées. Cette plage de longueurs d’onde est située à l’intérieur des limites λ sup et λ inf de l’impulsion laser. La longueur d’onde médiane d’une plage de longueurs d’onde est la longueur d’onde située au milieu de cette plage de longueurs d’onde. Une impulsion laser « large spectre » désigne une impulsion laser dont la largeur est supérieure à λ/2, où λ est la longueur d’onde médiane de cette impulsion laser. Typiquement, la largeur d’une impulsion laser large spectre est supérieure à 100 nm. Une impulsion laser large spectre peut comporter plusieurs plages de longueurs d’onde, distinctes et qui ne se chevauchent pas, dans lesquelles l’énergie transmise est suffisante pour faire fondre les faces accolées de deux pièces semi-conductrices. Une source laser « large spectre » est une source laser qui émet des impulsions laser large spectre. Une impulsion laser monochromatique est une impulsion laser qui n’est pas une impulsion laser large spectre. Ainsi, la largeur d’une impulsion laser monochromatique est inférieure à 100 nm et, typiquement, inférieure à 10 nm. Typiquement, une impulsion laser monochromatique comporte au plus une plage de longueurs d’onde dans laquelle l’énergie transmise est suffisante pour faire fondre les faces accolées de deux pièces semi-conductrices. Une source laser monochromatique est une source laser qui émet des impulsions monochromatiques. L’absorbance (« absorbance » en anglais) caractérise la capacité d’une face à absorber un signal optique incident à une longueur d’onde donnée. Ici, l’absorbance est mesurée comme décrite dans l’article suivant : C. Wu et al. : “Near-unity below-band gap absorption by microstructured silicon”, Appl. Phys. Lett. 78 (13), pp. 1850-1852, 2001. Ainsi, l’absorbance A est définie par la relation suivante : A = 1- R – T, où R est la réflectance et T est la transmittance de la face. La réflectance R et la transmittance T sont mesurées à l’aide d’un spectrophotomètre. Dans ce texte, un défaut désigne un défaut au niveau d’un plan de jointure entre deux faces accolées l’une contre l’autre. Un tel défaut est une cavité qui emprisonne un fluide dont l’indice de réfraction est substantiellement différent des indices de réfraction des matériaux semi-conducteurs dans lesquels sont réalisées les faces accolées. Typiquement, l’écart entre l’indice de réfraction du fluide emprisonné dans la cavité et l’indice de réfraction des matériaux semi-conducteurs est supérieur à 0,2 ou 0,4. Dans ces conditions, comme observé dans l’article A1, un tel défaut forme une cavité de Fabry-Perot capable de réfléchir une impulsion laser incidente si l’épaisseur de ce défaut est proche d’un multiple entier de λ/2, où λ est la longueur d’onde médiane de l’impulsion laser incidente. Typiquement, le fluide emprisonné dans un défaut est de l’air. Parmi les différentes impulsions laser monochromatiques qu’un défaut est capable de réfléchir, il en existe une dont la longueur d’onde médiane λ e est la plus petite. L’épaisseur d’un défaut est définie comme étant égale à λ e /2 dans le cas où le fluide emprisonné dans ce défaut est de l’air. Par la suite deux indices de réfraction sont dits « proches » si l’écart, en valeur absolue, entre les parties réelles de ces deux indices de réfraction est inférieure à 0,2. Chapitre II : Exemples de mode de réalisation La FIG. 1 représente deux pièces 2 et 4 avant qu’elles soient soudées l’une sur l’autre. Ces pièces 2 et 4 sont toutes les deux réalisées en matériau semi-conducteur. A titre d’illustration, les pièces 2 et 4 sont réalisées en silicium. Chacune de ces pièces 2 et 4 comporte une face de contact. Les faces de contact des pièces 2 et 4 portent les références numériques, respectivement, 6 et 8. Les faces 6 et 8 sont les faces des pièces 2 et 4 destinées à être assemblées l’une sur l’autre par soudure laser pour former un empilement. A cet effet, les faces 6 et 8 sont planes. Typiquement, la rugosité Ra des faces 6 et 8, mesurée de façon conventionnelle, est inférieure à 1 µm et, de préférence, inférieure à 100 nm ou à 10 nm. Chacune des pièces 2 et 4 peut comporter des composants tels que des systèmes électromécaniques micrométriques et/ou des systèmes fluidiques micrométriques. Les systèmes électromécaniques micrométriques sont plus connus sous l’acronyme MEMS (« MicroElectroMechanical Systems »). Typiquement, l’empilement des pièces 2 et 4 forme une partie d’un circuit intégré tri-dimensionnelle dans lequel les différents composants qui le constituent sont répartis dans différentes strates empilées les unes sur les autres. La FIG. 2 représente l’empilement 10 obtenu en accolant la face 6 sur la face 8. L’empilement 10 comporte un plan 12 de jointure. Le plan 12 se situe à l’interface entre les faces 6 et 8 directement en contact mécanique l’une avec l’autre. Sur la FIG. 2 , une trajectoire 14, contenue dans le plan 12 est représentée. Cette trajectoire 14 est définie par une suite de points de soudure à réaliser, les uns après les autres, dans le plan 12. Un exemple de trajectoire 14 est visible, par transparence à travers la pièce 2. A titre d’illustration, la trajectoire 14 s’étend depuis un point 16 de départ jusqu’à un point 17 d’arrivée. Entre les points 16 et 17, la trajectoire comporte des dizaines ou des centaines de points de soudure successifs. Chaque point de soudure correspond à un emplacement du plan 12 où les faces 6 et 8 de contact doivent être fondues de sorte qu’après cette fusion localisée des faces 6 et 8, les matières des faces 6 et 8 s’interpénètrent pour former, en refroidissant, un point de soudure correct qui lie mécaniquement, sans aucun degré de liberté, les pièces 2 et 4. Dans cet exemple, la trajectoire 14 zigzague dans le plan 12 pour former des méandres. II.1 – Sélection appropriée de longueurs d’onde : La FIG. 3 représente un poste 20 de soudure laser utilisé pour souder les pièces 2 et 4 l’une sur l’autre. Le poste 20 comporte un émetteur 22 d'impulsions laser. La durée de chaque impulsion laser est typiquement supérieure à 1 ps et, généralement, inférieure à 100 ns ou 1 ms. De plus, l’émetteur 22 est capable de transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les faces 6 et 8 au niveau de chaque point de soudure de la trajectoire 14 à travers la pièce 2. Par exemple, dans le cas des pièces 2 et 4 en silicium, l’énergie d’une impulsion laser doit permettre d’atteindre une densité d’énergie au niveau du point de soudure supérieure à 5 kJ/cm 3 pour faire fondre les faces 6 et 8. L’énergie d’une impulsion laser permettant de faire fondre les faces 6 et 8 est déterminée expérimentalement. Plus précisément, l’émetteur 22 est capable de transmettre, à l’aide d’une impulsion laser, cette énergie suffisante à la fois dans une première plage de longueurs d’onde et dans une seconde plage de longueurs d’onde distincte. Ces première et seconde plages de longueurs d’onde sont toutes les deux situées dans le domaine de transparence de la pièce 2. Dans le cas où la pièce 2 est en silicium, chacune des première et seconde plages est comprise dans le domaine du proche infrarouge. Dans le domaine du proche infrarouge, la transmittance de la pièce 2 est supérieure à 10 % et, typiquement, supérieure à 95 %. Les première et seconde plages de longueurs d’onde sont distinctes et ne se chevauchent pas. Ces première et seconde plages sont centrées sur des longueurs d’onde médiane, respectivement, λ 1 et λ 2 . Les première et seconde plages de longueurs d’onde sont constantes et ne varient pas au cours de l’exécution du procédé de soudure laser à l’aide du poste 20. Les première et seconde plages de longueurs d’onde sont choisies pour que,pour la majorité des défauts situés au niveau du plan 12, l’énergie transmise dans au moins l’une des première et seconde plages de longueurs d’onde provoque la fusion des faces 6 et 8 au niveau du point de soudure à réaliser. Pour cela, au moins l’énergie transmise dans l’une de ces deux plages de longueurs d’onde ne doit pas être réfléchie par ce défaut. A cet effet, l’écart entre les longueurs d’onde médiane λ 1 et λ 2 est éloigné d’un multiple entier de λ 1 /2 et d’un multiple entier λ 2 /2. Pour cela, l’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 ne vérifie aucune des conditions suivantes : - Condition 1) : il existe un nombre entier m tel que m*λ 1 /2 - λ 1 /k 1 – λ 2 │ 1 /2 + λ 1 /k, et - Condition 2) : il existe un nombre entier p tel que p*λ 2 /2 - λ 2 /k 1 – λ 2 │ 2 /2 + λ 2 /k où k est un nombre entier égal à dix ou à huit. Dans cet exemple, les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 sont telles que l’écart │λ 1 – λ 2 │est compris entre n*λ 1 /4 – λ 1 /16 et n*λ 1 /4 + λ 1 /16 ou entre n*λ 2 /4 - λ 2 /16 et n*λ 2 /4 - λ 2 /16, où n est un nombre entier impair. De préférence, l’écart │λ 1 – λ 2 │est inférieur à λ 1 /2 ou à λ 2 /2. Par exemple, ici, la longueur d’onde λ 2 est égale à λ 1 + λ 1 /4 ou la longueur d’onde λ 1 est égale à λ 2 - λ 2 /4. A titre d’illustration, la longueur d’onde λ 1 est égale à 1550 nm et la longueur d’onde λ 2 est égale à 1937,5 nm. Dans ce premier exemple de réalisation, l'émetteur 22 est capable d’émettre des impulsions laser monochromatiques centrées sur les deux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 distinctes. Ainsi, dans ce premier exemple de réalisation, les première et seconde plages de longueurs d’onde sont situées dans des impulsions laser distinctes et non pas au sein d’une même impulsion laser large spectre. De plus, ici, l'émetteur 22 est conçu pour émettre simultanément, sur l’empilement 10, les impulsions laser aux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 . A cet effet, par exemple, l’émetteur 22 comporte deux sources laser 24 et 26. Les sources laser 24 et 26 sont des sources laser aptes à émettre les impulsions laser monochromatiques centrées sur les longueurs d’onde, respectivement, λ 1 et λ 2 . Par exemple, chacune de ces sources laser 24 et 26 est identique à la source laser utilisée et décrite dans l’article A1 sauf pour la longueur d’onde à laquelle elle émet est différente. Ainsi, les sources 24 et 26 sont, par exemple, des sources à fibre dopée à l'erbium (« erbium-doped fiber source » en anglais). Ici, ces sources laser 24 et 26 sont disposées l’une par rapport à l’autre pour que les impulsions laser de ces deux sources soient focalisées sur le même point focal 28. Le point 28 est situé dans le plan 12 de jointure. Le poste 20 comporte également : - une table 30 de positionnement, - un dispositif 32 de compression mécanique de la face 6 contre la face 8, et - une unité 34 de commande. La table 30 comporte un plateau 40 et un actionneur électrique 42. Le plateau 40 s’étend principalement dans un plan horizontal. L’actionneur 42 capable de déplacer le plateau 40 selon les directions X, Y et Z. Le dispositif 32 plaque la pièce 2 contre la pièce 4 de manière à diminuer l’épaisseur des défauts situés au niveau du plan 12 de jointure. Pour cela, le dispositif 32 sollicite la pièce 2 contre la pièce 4 pour que la pression de la face 6 contre la face 8 soit supérieure à 0,1 MPa et, de préférence, supérieure à 0,5 MPa. Par exemple, ici le dispositif 32 comporte une mâchoire supérieure 44 et une mâchoire inférieure 46. La mâchoire supérieure 44 est en appui uniquement sur le pourtour de la face supérieure de l’empilement 10. Ainsi, la face supérieure de l’empilement 10 reste directement exposée aux impulsions laser de l’émetteur 22. La mâchoire inférieure 46 est en appui au moins sur le pourtour de la face inférieure de l’empilement 10 et, ici, sur toute la face inférieure de l’empilement 10. Le dispositif 32 comporte aussi un mécanisme 48 de serrage de la mâchoire 44 contre la mâchoire 46 pour atteindre la pression souhaitée entre les faces 6 et 8. Par exemple, ce mécanisme 48 est un mécanisme manuel à vis et à écrou ou un mécanisme électrique comportant un actionneur commandable qui, lorsqu’il est actionné, exerce une force serrage de la mâchoire 44 contre la mâchoire 46. Ici, de plus, la mâchoire 46 est fixée, sans aucun degré de liberté, sur la face supérieure du plateau 40. Ainsi, le dispositif 32 sert aussi à fixer l’empilement 10 sur la face supérieure du plateau 40 de sorte que lorsque le plateau 40 est déplacé, l’empilement 10 se déplace également. L’unité 34 de commande est configurée pour commander l’émetteur 22 et la table 30 de positionnement pour exécuter le procédé de soudure de la FIG. 4 . A cet effet, l’unité 34 comporte un microprocesseur 50 capable d’exécuter des instructions et une mémoire 52 comportant les instructions et les données nécessaires à l’exécution du procédé de la FIG. 4 . En particulier, la mémoire 54 comporte les coordonnées, par exemple dans le repère XYZ, de chaque point de soudure à réaliser. La FIG. 4 représente un procédé de soudure laser de la pièce 2 sur la pièce 4 à l’aide du poste 20 de soudure. Le procédé débute par une phase 60 de pré-réglage. Lors de cette phase 60 le positionnement des sources 24 et 26 par rapport à la face supérieure de l’empilement 10 est réglé pour que les points focaux des impulsions laser de ces deux sources soient confondus et situés sur le point 28. Par exemple, pour cela, il est procédé comme décrit dans le chapitre 2.1 de l’article A1. Il est souligné ici que lorsque l’écart │λ 1 – λ 2 │est inférieur à λ 1 /2 ou à λ 2 /2, les hauteurs des lentilles des sources 24 et 26, par rapport au plan 12 de jointure, pour lesquelles les points focaux sont situés dans ce plan 12 sont identiques ou très proches de sorte qu’il n’est pas nécessaire d’introduire un décalage entre la hauteur de la lentille de la source 24 et la hauteur de la lentille de la source 26. Éventuellement, lors de la phase 60, la puissance des impulsions laser des sources 24 et 26 est également réglée pour obtenir la fusion des faces 6 et 8 au niveau de chaque point de soudure. Cette puissance est ensuite constante. Une fois la phase 60 terminée, lors d’une étape 62, la face 6 de la pièce 4 est accolée sur la face 8 de la pièce 6 pour former l’empilement 10. L’empilement 10 est alors disposé entre les mâchoires 44 et 46 de manière à ce que la pièce 2 soit située au-dessus la pièce 6. Ensuite, lors d’une étape 64, le dispositif 32 est actionné pour comprimer la face 6 contre la face 8. A partir de ce moment-là, l’empilement 10 est également fermement maintenu sur le plateau 40. Lors d’une étape 66 de soudure, l’unité 34 commande automatiquement la table 30 et l’émetteur 22 pour transmettre, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans le plan 12 de jointure, l’énergie suffisante pour faire fondre les faces 6 et 8 à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser. Pour cela, l’énergie suffisante est transmise à travers la pièce 2 et à l’aide des impulsions laser des sources 24 et 26 focalisées sur ce point de soudure à réaliser. Par exemple, lors de l’étape 66, l’unité 34 commande l’actionneur 42 pour positionner le point focal 28 sur le prochain point de soudure à réaliser. Pour cela, dans cet exemple simplifié, l’actionneur déplace le plateau 40 uniquement dans un plan horizontal car le plan 12 de jointure est aussi horizontal. Ensuite, une fois que le point focal 28 est correctement positionné sur le prochain point de soudure à réaliser, l’unité 34 commande les sources 24 et 26 pour émettre simultanément les impulsions laser aux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 . Lorsqu’il n’existe aucun défaut à l’emplacement du point de soudure à réaliser, chacune des impulsions laser aux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 apporte suffisamment d’énergie, à elle seule, pour entraîner la fusion des faces 6 et 8 à l’emplacement du point de soudure à réaliser. Lorsqu’il existe un défaut à l’emplacement du point de soudure à réaliser dont l’épaisseur est proche ou égal d’un multiple entier de λ 1 /2, l’impulsion laser à la longueur d’onde λ 1 est réfléchie et n’apporte donc pas suffisamment d’énergie pour faire fondre la face 8. Par contre, dans ce cas, l’impulsion laser à la longueur d’onde λ 2 est éloignée d’un multiple entier de λ 1 /2. Dans ces conditions, l’impulsion laser à la longueur d’onde λ 2 est correctement absorbée par la face 8 de sorte qu’elle provoque, à elle seule, la fusion des faces 6 et 8 et donc l’obtention d’un point de soudure correct malgré la présence du défaut. Le même phénomène se produit lorsqu’il existe un défaut à l’emplacement du point de soudure dont l’épaisseur est proche ou égale d’un multiple entier de λ 2 /2. Dans ce cas, c’est l’impulsion laser à la longueur d’onde λ 2 qui est réfléchie et n’apporte pas suffisamment d’énergie pour faire fondre la face 8. Par contre, dans ce cas, l’impulsion laser à la longueur d’onde λ 1 est éloignée d’un multiple entier de λ 2 /2. Dans ces conditions, l’impulsion laser à la longueur d’onde λ 1 est correctement absorbée par la face 8 de sorte qu’elle permet, à elle seule, de faire fondre les faces 6 et 8 et donc d’obtenir un point de soudure correct malgré la présence du défaut. Ainsi, quelle que soit l’épaisseur du défaut, le procédé de la FIG. 1 permet de réaliser un point de soudure correct et cela sans qu’il soit nécessaire de disposer d’une connaissance préalable sur l’épaisseur des défauts présents dans le plan 12 de jointure. L’étape 66 est réitérée pour chaque point de soudure de la trajectoire 14 compris entre les points 16 et 17. Une fois que le point 17 d’arrivée est atteint, l’étape 66 s’arrête et lors d’une étape 68, l’empilement 10 est retiré du poste 20 de soudure. Pour cela, les mâchoires 44, 46 du dispositif 32 sont d’abord desserrées puis l’empilement 10 est retiré. La FIG. 5 représente un poste 70 de soudure. Le poste 70 de soudure est identique au poste 20 de soudure sauf que l’émetteur 22 est remplacé par un émetteur 72. L’émetteur 72 comporte une seule source laser monochromatique 74 capable de transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les faces 6 et 8 au niveau de chaque point de soudure de la trajectoire 14 à travers la pièce 2. Les caractéristiques de l’impulsion laser émise par la source 74 sont par exemple identiques aux caractéristiques des impulsions laser des sources 24 et 26 sauf que cette impulsion laser est centrée sur une seule longueur d’onde médiane λ. La longueur d’onde λ est dans le domaine de transparence de la pièce 2. Toutefois, dans ce mode de réalisation, pour éviter que l’impulsion laser à la longueur d’onde λ soit réfléchie par un défaut, la longueur d’onde λ est choisie au moins trois fois ou cinq fois plus grande que l’épaisseur maximale d’un défaut présent dans le plan 12 de jointure. En pratique, lorsque les faces 6 et 8 présentent une rugosité Ra inférieure à 300 nm et lorsque la face 6 est comprimée contre la face 8 avec une pression supérieure à 0,3 MPa ou à 0,5 MPa, presque tous les défauts ont une épaisseur inférieure à 300 nm et, habituellement, inférieure à 100 nm. Dans ces conditions, la longueur d’onde λ est supérieure ou égale à 2 µm et, de préférence, supérieure à 3 µm . Par exemple, ici, la longueur d’onde λ est comprise entre 3 µm et 6 µm. La FIG. 6 représente un procédé de soudure laser de la pièce 2 sur la pièce 4 à l’aide du poste 70 de soudure. Ce procédé est identique au procédé de la FIG. 4 sauf que l’étape 66 est remplacée par une étape 76 de soudure. L’étape 76 est identique à l’étape 66 sauf que c’est l’émetteur 72 qui est utilisé à la place de l’émetteur 22. La FIG. 7 représente un poste 170 de soudure laser. Le poste 170 de soudure est identique au poste 70 de soudure sauf que : - l’émetteur 72 est remplacé par un émetteur 172 d’impulsions laser monochromatiques, et - le poste 172 de soudure comporte en plus un capteur 176 disposée dessous l’empilement 10. L’émetteur 172 est identique à l’émetteur 72 sauf que les impulsions laser sont des impulsions laser centrées sur une longueur d’onde λ ajustable qui n’est pas nécessairement supérieure à 2 µm. Au contraire, la longueur d’onde λ peut être inférieure à 2 µm et, par exemple, égale à l’une des longueurs d’onde λ 1 et λ 2 décrites en référence à la FIG. 3 . La seule contrainte sur la longueur d’onde λ est qu’elle doit être située dans le domaine de transparence de la pièce 2. A cet effet, l’émetteur 172 comporte une source laser accordable 174. Le capteur 176 mesure la transmittance de l’impulsion laser à travers l’empilement 10. La transmittance mesurée par le capteur 176 est transmise à l’unité 34 de commande. La FIG. 8 représente un procédé de soudure laser de la pièce 2 sur la pièce 4 à l’aide du poste 170 de soudure. Ce procédé est identique au procédé de la FIG. 6 sauf que l’étape 76 est remplacée par des étapes 180, 182 et 184. Lors de l’étape 180, l’unité 34 commande l’actionneur 42 pour déplacer l’empilement 10 de sorte que le point focal 28 est situé à l’emplacement du prochain point de soudure à réaliser. Ensuite, lors de l’étape 182, l’unité 34 sélectionne une longueur d’onde λ pour laquelle l’impulsion laser n’est pas réfléchie même si un défaut est présent à l’emplacement du point de soudure à réaliser. A cet effet, on exploite le fait que la transmittance mesurée par le capteur 176 est maximale lorsque la réflexion de l’impulsion laser par le défaut est minimale. Par conséquent, lorsque la transmittance mesurée est maximale pour une longueur d’onde λ, cela signifie qu’une impulsion laser centrée sur cette longueur d’onde λ permet d’apporter l’énergie suffisante pour faire fondre les faces 6 et 8 et ainsi obtenir un point de soudure correct malgré la présence du défaut. Lors de l’étape 182, l’unité 34 commande la source laser 174 pour émettre sur le point de soudure à réaliser des impulsions laser basse énergie à différentes longueurs d’onde comprises entre un seuil bas λ min et un seuil haut λ max . Typiquement, l’écart entre les seuils λ min et λ max est supérieur à λ max /2. En parallèle, la transmittance de l’empilement 10 est mesurée, par le capteur 176, pour chacune des différentes longueurs d’onde des impulsions laser émises. Par exemple, lors de l’étape, l’unité 34 fait varier, par pas réguliers Δλ, la longueur d’onde λ depuis λ min jusqu’à λ max . Dans ce cas, le nombre de pas réguliers Δλ est, de préférence, supérieur ou égal à cinq ou dix. Ensuite, la longueur d’onde λ retenue pour réaliser l’étape suivante de soudure est celle pour laquelle la transmittance mesurée par le capteur 176 est maximale. Les impulsions laser basses énergies, utilisées lors de l’étape 182, sont des impulsions laser dont l’énergie est suffisamment faible pour que les phénomènes non-linéaires d’absorption d’énergie dans les pièces 2 et 4 ne se produisent pas ou pratiquement pas. Autrement dit, l’énergie de ces impulsions laser est très peu absorbée par l’empilement 10 et de plus cette faible absorption d’énergie varie de façon pratiquement linéaire en fonction de la distance parcourue à l’intérieur de l’empilement 10. En particulier, les impulsions laser basses énergies ne provoquent pas la fusion des pièces 2 et 4. Une fois la longueur d’onde λ sélectionnée lors de l’étape 182, l’étape 184 de soudure est exécutée. Lors de l’étape 184, l’unité 34 commande l’émetteur 172 pour transmettre, au niveau du point de soudure à réaliser dans le plan 12 de jointure, l’énergie suffisante pour faire fondre les faces 6 et 8 à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser. Pour cela, l’énergie suffisante est uniquement transmise par l’impulsion laser centrée sur cette longueur d’onde λ. Lors de l’étape 184, la longueur d’onde λ reste constante. A la fin de l’étape 184, le procédé retourne à l’étape 180 s’il existe un point de soudure suivant à réaliser. Sinon, le procédé se poursuit par l’étape 68. II.2 – Adaptation de l’épaisseur du défaut La FIG. 9 représente un poste 80 de soudure laser. Le poste 80 de soudure est identique au poste 70 de soudure sauf que : - l’émetteur 72 est remplacé par un émetteur 82, et - le dispositif 32 de compression est remplacé par un dispositif 84 de compression. L’émetteur 82 est identique à l’émetteur 72 sauf que les impulsions laser sont des impulsions laser monochromatiques centrées sur une longueur d’onde λ qui n’est pas nécessairement supérieure à 2 µm. Au contraire, la longueur d’onde λ peut être inférieure à 2 µm et, par exemple, égale à l’une des longueurs d’onde λ 1 ou λ 2 décrite en référence à la FIG. 3 . La seule contrainte sur la longueur d’onde λ est qu’elle doit être située dans le domaine de transparence de la pièce 2. De plus, la longueur d’onde λ n’est pas nécessairement ajustable. A cet effet, l’émetteur 82 comporte une source laser monochromatique non-accordable 86 apte à émettre des impulsions laser à la longueur d’onde λ. Le dispositif 84 de compression est identique au dispositif 32 sauf que le mécanisme 48 de serrage est remplacé par un mécanisme 88 de serrage qui permet de faire varier, par paliers, la pression qu’exerce la face 6 contre la face 8. Le fait de faire varier la pression de la face 6 contre la face 8, fait varier l’épaisseur des défauts. Ici, le dispositif 84 est capable d’obtenir des variations de l’épaisseur des défauts supérieures à λ/4 ou à λ/2. A cet effet, le mécanisme 88 permet de faire varier la pression entre les faces 6 et 8 depuis un seuil bas P min jusqu’à un seuil haut P max par pas réguliers ΔP. Le pas ΔP est égal à (P max -P min )/N, où N est un nombre de pas supérieur ou égal à cinq ou dix. Par exemple, P min est égal à 0,1 MPa ou 0,3 MPa ou 0,5 MPa et P max est égal ou supérieur à10 MPa. La pression P max est inférieure à la pression pour laquelle la pièce 2 ou la pièce 4 se brise. La FIG. 10 représente un procédé de soudure laser de la pièce 2 sur la pièce 4 à l’aide du poste 80 de soudure. Ce procédé est identique au procédé de la FIG. 6 sauf que les étapes 64 et 76 sont remplacées par une étape 90 de déplacement de l’empilement 10, une étape 92 de soudure et une étape 94 de modification, par paliers, de la pression de face 6 contre la face 8. Lors de l’étape 90, l’unité 34 commande le dispositif 88 pour que la pression exercée par la face 6 contre la face 8 soit égale à P min . Lors de l’étape 90, l’unité 34 commande également l’actionneur 42 pour déplacer l’empilement 10 de sorte que le point focal 28 est situé à l’emplacement du prochain point de soudure à réaliser. Ensuite, lors de l’étape 92 de soudure, l’unité 34 commande automatiquement l’émetteur 82 pour transmettre, au niveau du point de soudure à réaliser dans le plan 12, l’énergie suffisante pour faire fondre les faces 6 et 8 à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser. Pour cela, l’énergie suffisante est transmise à travers la pièce 2 et à l’aide d’une impulsion laser de la source 74 centrée sur la longueur d’onde λ. Lors de l’étape 92, la pression exercée par la face 6 contre la face 8 reste constante. Cette pression constante est appelée « pression courante » et notée « Pc ». Enfin, lors de l’étape 94, l’unité 34 commande le mécanisme 88 de serrage pour passer au palier suivant de pression, c’est-à-dire à un palier où la pression exercée par la face 6 contre la face 8 est égale à Pc+ΔP. Cette pression Pc+ΔP devient alors la nouvelle pression courante. Le procédé retourne ensuite à l’étape 92. Lors de cette nouvelle itération de l’étape 92, la pression courante a donc été incrémentée du pas ΔP. Les étapes 92 et 94 sont réitérées en boucle tant que la pression courante n’a pas atteint ou dépassé le seuil P max . Lorsque la pression courante atteint ou dépasse le seuil P max , le procédé retourne à l’étape 90 pour réaliser le prochain point de soudure le long de la trajectoire 14. Dans les modes de réalisation précédents, c’est une longueur d’onde λ appropriée qui était sélectionnée pour que l’impulsion laser ne soit pas réfléchie par un défaut. Dans ce mode de réalisation, c’est l’inverse, c’est-à-dire que c’est l’épaisseur du défaut qui est adaptée à une longueur d’onde λ prédéfinie. En effet, en faisant varier la pression Pc par paliers, l’épaisseur du défaut varie également par paliers sur une plage supérieure à λ/2 ou à λ. Dans ces conditions, même si un défaut est présent à l’emplacement du point de soudure à réaliser, lors d’une des itérations de l’étape 92, la pression Pc est telle que l’épaisseur de ce défaut n’est pas un multiple entier de λ/2. Ainsi, lors de cette itération de l’étape 92, l’impulsion laser n’est pratiquement pas réfléchie par ce défaut et un point de soudure correct est réalisé. La FIG. 11 représente un poste 100 de soudure laser. Le poste 100 de soudure est identique au poste 80 de soudure sauf qu’il comporte en plus un capteur 102 disposée sous l’empilement 10. Le capteur 102 mesure la transmittance des impulsions laser à travers l’empilement 10. La transmittance mesurée par le capteur 102 est transmise à l’unité 34 de commande. Par exemple, le capteur 102 est identique au capteur 176 du poste de soudure 170. La FIG. 12 représente un procédé de soudure laser de la pièce 2 sur la pièce 4 à l’aide du poste 100 de soudure. Ce procédé est identique au procédé de la FIG. 10 sauf : - que des étapes 104 et 106 supplémentaires sont ajoutées entre les étapes 90 et 92, et - que l’étape 94 est omise. Lors de l’étape 104, l’unité 34 sélectionne une pression Pc à exercer entre les faces 6 et 8 pour que l’impulsion laser ne soit pas réfléchie par un défaut présent à l’emplacement du point de soudure à réaliser. A cet effet, comme lors de l’étape 182 précédemment décrite, on exploite le fait que la transmittance mesurée par le capteur 102 est maximale lorsque la réflexion de l’impulsion laser par le défaut est minimale. Lors de l’étape 104, l’unité 34 commande le dispositif 10 de compression pour émettre sur le point de soudure à réaliser des impulsions laser basses énergies pour différents paliers de pression compris entre le seuil bas P min et le seuil haut P max . En parallèle, la transmittance de l’empilement 10 est mesurée, par le capteur 102, pour chacun des paliers de pression où une impulsion laser basse énergie est émise. Par exemple, l’étape 104 est identique à la réitération des étapes 92 et 94 du procédé de la FIG. 10 sauf : - que lors de l’étape 92 c’est une impulsion laser basse énergie qui est émise à la longueur d’onde λ, et - que la transmittance de l’empilement 10 est mesurée pour chaque palier de pression. Ensuite, la pression Pc sélectionné pour réaliser l’étape suivante de soudure est celle pour laquelle la transmittance mesurée par le capteur 102 est maximale. Une fois la pression Pc sélectionnée, lors de l’étape 106, l’unité 34 commande le dispositif 84 de compression pour obtenir cette pression Pc, sélectionnée lors de l’étape 104, entre les faces 6 et 8. Après l’étape 106, l’étape 92 de soudure est exécutée. Lors de l’étape 92, la pression Pc reste constante. A la fin de l’étape 92, le procédé retourne à l’étape 90 s’il existe un point de soudure suivant à réaliser. Sinon, le procédé se poursuit par l’étape 68. Ainsi, dans ce procédé de soudure, l’étape 92 de soudure est uniquement exécutée une seule fois pour chaque point de soudure à réaliser. II.3 - Traitement d’une face La FIG. 13 représente un poste 120 de soudure laser. Le poste 120 de soudure est identique au poste 100 de soudure sauf que le dispositif 84 de compression est remplacé par le dispositif 32 de compression. La FIG. 14 représente un procédé de soudure laser de la pièce 2 sur la pièce 4 à l’aide du poste 120 de soudure. Ce procédé est identique au procédé de la FIG. 6 sauf qu’il comporte en plus une étape 122 de pré-traitement de la face 6 ou 8 et que l’étape 76 de soudure est remplacée par une étape 124 de soudure. L’étape 124 de soudure est identique à l’étape 76 sauf que c’est l’émetteur 82 qui est utilisé à la place de l’émetteur 72. Dans les modes de réalisation précédents, les faces 6 et 8 ne subissent aucun pré-traitement, si ce n’est éventuellement un nettoyage, avant d’être soudées l’une sur l’autre. Dans le procédé de la FIG. 14 , au contraire, au moins l’une des faces 6 et 8 subit un pré-traitement qui permet d’éliminer presque totalement la capacité d’un défaut à réfléchir l’impulsion laser à la longueur d’onde λ. Pour cela, lors de l’étape 122 au moins l’une des faces 6 et 8 est traitée pour diminuer sa réflectance ou augmenter son absorbance et cela sans introduire de nouveaux matériaux. Plus précisément, lors de l’étape 122 : - au moins l’une des faces 6 et 8 est traitée pour diminuer sa réflectance par un facteur d’au moins deux et, de préférence, d’au moins quatre ou dix par rapport à sa réflectance avant son traitement, et/ou - la face 8 est traitée pour augmenter son absorbance par un facteur d’au moins deux et, de préférence, d’au moins quatre ou dix par rapport à son absorbance avant son traitement. De préférence, ce traitement d’une des faces 6 et 8 est réalisé en utilisant la source laser 86, c’est-à-dire la même source laser que celle qui est utilisée lors de l’étape 124 de soudure. De plus, ce traitement est réalisé dans les mêmes conditions de travail que celles mises en œuvre lors de l’étape 124 de soudure. Ainsi, en particulier, ce traitement ne nécessite pas de travailler dans un environnement ultra-propre comme à l’intérieur d’une salle blanche. Par la suite, l’étape 122 de traitement est décrite dans le cas particulier où c’est seulement la face 8 qui est traitée et la face 6 n’est pas traitée. Toutefois, l’enseignement donné dans ce cas particulier, est aussi utilisable pour traiter la face 6. Ici, ce traitement de la face 8 est réalisé en utilisant le poste 120 de soudure. Toutefois, lors de l’étape 122, seule la pièce 4 est fixée sur le plateau 40 à l’aide du dispositif 32 de compression de sorte que les impulsions laser de la source 86 atteignent directement la face 8 sans avoir à traverser la pièce 2. Dans ce mode de réalisation, l’étape 122 de traitement augmente de façon importante l’absorbance de la face 8 à la longueur d’onde λ. Ici, l’étape 122 de traitement comporte la structuration de la face 8. Cette structuration de la face 8 consiste à créer sur cette face 8 un relief qui permet des réflexions multiples des impulsions laser incidentes. A cet effet, le relief est formé de plusieurs centaines ou milliers de motifs micrométriques ou sub-micrométriques qui sont disposés, par exemple à intervalles réguliers, sur toute la face 8. Chaque motif est, par exemple, un pic en saillie sur la face 8 ou un trou creusé dans la face. Chaque motif est pyramidal ou cylindrique. La plus grande dimension de chacun des motifs est comprise entre 0,2 µm et 20 µm. L’intervalle entre deux motifs consécutifs est généralement inférieur ou égal à la plus grande dimension de chacun des motifs. Ainsi, typiquement, l’intervalle entre deux motifs consécutifs est ici inférieur ou égal à 20 µm et, typiquement, supérieur à 0,2 µm. L’intervalle entre un premier et un second motif consécutifs est égal à la distance entre les axes longitudinaux de ces deux motifs. L’axe longitudinal d’un motif est l’axe qui passe par le centre de gravité de ce motif et qui est perpendiculaire au plan dans lequel s’étend principalement la face 8. Par exemple, pour cela, il est procédé comme décrit dans l’article suivant sauf que c’est la source laser 86 qui est utilisée pour former des pics micrométriques sur la face 8 : C. Wu et al. : “Near-unity below-band gap absorption by microstructured silicon”, Appl. Phys. Lett. 78 (13), pp. 1850-1852, 2001. Le fait d’augmenter de façon importante l’absorbance de la face 8, diminue la réflexion de l’impulsion laser au niveau de la face 8, en particulier, lorsqu’un défaut est présent. Ainsi, même si un défaut est présent à l’emplacement d’un point de soudure à réaliser, l’énergie de l’impulsion laser est suffisamment absorbée pour permettre la soudure des faces 6 et 8. Chapitre III : Variantes : Variantes de la sélection appropriée de la longueur d’onde : En variante, l'émetteur 22 comporte une seule source laser monochromatique accordable. Dans ce cas, cette unique source laser est commandée pour émettre, au niveau de chaque point de soudure, d’abord une impulsion laser à la longueur d’onde λ 1 puis une impulsion laser à la longueur d’onde λ 2 . Les longueurs d’ondes λ 1 et λ 2 sont celles définies en référence à la FIG. 3 . Dans ce cas, les impulsions lasers aux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 ne sont pas simultanément émises mais émises l’une après l’autre. De préférence, dans ce cas, l’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 est inférieure à λ 1 /2. En effet, dans ce cas, les impulsions laser aux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 sont correctement focalisées sur le plan 12 de jointure pour la même position de la source laser par rapport à l’empilement 10. Ainsi, cela évite d’avoir à modifier la position de la source laser entre la situation où elle émet l’impulsion laser à la longueur d’onde λ 1 et la situation où elle émet l’impulsion laser à la longueur d’onde λ 2 . L’émetteur 22 peut aussi comporter une source laser capable d’émettre simultanément les impulsions laser monochromatiques centrées sur les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 . Dans ce cas aussi, de préférence, l’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 est inférieure à λ 1 /2. En variante, la position de cette source laser par rapport à l’empilement 10 est automatiquement modifiée en fonction de la longueur d’onde de l’impulsion laser émise pour maintenir chaque impulsion laser correctement focalisée sur le plan 12 de jointure. A cet effet, par exemple, l’unité 34 commande l’actionneur 42 avant qu’une impulsion laser à une nouvelle longueur d’onde soit émise. Dans un autre mode de réalisation, les sources 24 et 26 sont remplacées chacune par une source laser capable d’émettre des impulsions laser large spectre centrées, respectivement, sur les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 . Dans une autre variante, l’émetteur 22 comporte une seule source laser capable d’émettre seulement une impulsion laser large spectre. Dans ce cas, la largeur du spectre de cette impulsion laser s’étend à la fois sur une première et seconde plages distinctes de longueurs d’onde et l’énergie transmise dans chacune de ces première et seconde plages est suffisante, à elle-seule, pour faire fondre les faces 6 et 8. Ces première et seconde plages de longueurs d’onde présentent les mêmes caractéristiques que celles décrites en référence à la FIG. 3 dans le cas particulier où les première et seconde plages correspondent aux spectres d’une première et d’une seconde impulsions laser monochromatique centrées sur les longueurs d’onde, respectivement, λ 1 et λ 2 . En particulier, les longueurs d’onde médianes des première et seconde plages sont choisies comme décrit dans le cas des longueurs d’onde λ 1 et λ 2 . Dans ce cas, lors de l’étape de soudure, au niveau de chaque point de la trajectoire, seule cette impulsion laser large spectre est émise au lieu d’émettre deux impulsions laser monochromatiques centrées sur les longueurs d’onde, respectivement, λ 1 et λ 2 . Dans une autre variante, l’émetteur 22 est configuré pour émettre l’énergie suffisante pour provoquer la fusion des faces 6 et 8 au niveau de chaque point de soudure à réaliser, dans plus de deux plages distinctes de longueurs d’onde. Par exemple, l’émetteur 22 est capable d’émettre l’énergie suffisante dans trois plages distinctes de longueurs d’onde. Pour cela, l’émetteur 22 comporte, par exemple, une troisième source laser monochromatique qui transmet l’énergie suffisante dans une troisième plage distincte de longueurs d’onde centrée sur une longueur d’onde médiane λ 3 . La longueur d’onde λ 3 est choisie de telle sorte que l’écart │λ 1 – λ 3 │est différent d’un multiple entier de λ 1 /2 et d’un multiple entier de λ 3 /2. Lors de l’étape 182 de sélection de la longueur d’onde λ qui permet d’obtenir un point de soudure correct, la source laser utilisée pour mesurer la transmittance de l’empilement 10 pour différentes longueurs d’onde possibles, n’est pas nécessairement la même que la source laser 174 utilisée lors de l’étape 184 de soudure. Par exemple, en variante, lors de l’étape 182, une source laser accordable dédiée à la mesure de la transmittance est utilisée. A cet effet, par exemple, l’émetteur 172 comporte deux sources laser accordables distinctes, l’une d’elle étant uniquement utilisée lors de l’étape 182 et l’autre étant uniquement utilisée lors de l’étape 184 de soudure. D’autres décalages entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 sont possibles pour être pratiquement sûr qu’un défaut au niveau du plan de soudure ne puisse pas réfléchir les impulsions laser à ces deux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 . Par exemple, l’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 peut être égal à un multiple impair de λ 1 /4 ou λ 2 /4. Par exemple, la longueur d’onde λ 2 est égale à λ 1 +5*λ 1 /4. L’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 n’est pas non plus nécessairement un multiple impair de λ 1 /4 ou de λ 2 /4. Par exemple, en variante, l’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 est un multiple impair de λ 1 /3 ou λ 2 /3. Si l’écart │λ 1 – λ 2 │est très supérieur à λ 2 /2, alors il peut s’avérer nécessaire d’introduire un décalage entre la hauteur de la lentille de la source 24 et la hauteur de la lentille de la source 26 pour réussir à focaliser simultanément les impulsions laser de ces deux sources sur le plan 12 de jointure. Différentes solutions sont possibles pour éviter d’avoir à introduire un décalage entre la position de la source laser qui émet à la longueur d’onde λ 1 et la position de la source laser qui émet à la longueur d’onde λ 2 . Par exemple, en variante, le poste de soudure comporte un dispositif achromatique de focalisation des impulsions laser aux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 . Un tel dispositif achromatique de focalisation est par exemple un miroir incurvé. Dans ce cas, la position du point focal ne varie pas en fonction de la longueur d’onde. Dans une variante particulièrement intéressant, les modes de réalisations des figures 3 et 5 sont combinés. Pour cela, la source laser 26 du poste 20 de soudure est remplacée par la source laser 74. Dans ce cas, la longueur d’onde λ 2 est supérieure ou égale à 2 µm et, de préférence, supérieure à 3 µm. La sélection appropriée de la longueur des impulsions laser peut être combinée avec n’importe quel autres modes de réalisation. Par exemple, lors de l’étape de soudure, il est possible de mettre en œuvre simultanément la sélection appropriée de la longueur d’onde des impulsions laser et la modification de l’épaisseur du défaut. Pour cela, par exemple, dans l’un quelconque des postes de soudure 80 et 100, l’émetteur 82 est remplacé par l’émetteur 22 ou 72. De même, la sélection appropriée de la longueur d’onde des impulsions laser peut être combinée avec l’étape 122 de traitement de la face 6 et/ou de la face 8. Pour cela, par exemple, l’étape 122 est introduite entre les étapes 60 et 62 des procédés des figures 4 et 6. Variantes de la modification de l’épaisseur d’un défaut : En variante, lors de l’étape 94, la pression n’est pas modifiée par pas régulier. Dans ce cas, les différents paliers de pression ne sont pas uniformément répartis entre P min et P max . Le pas ΔP peut être négatif. Dans ce cas, lors de l’étape 90, le dispositif 84 est commandé pour que la pression courante initiale soit égale à P max puis, lors de chaque itération de l’étape 94, la pression courante est diminuée jusqu’à atteindre la pression P min . Dans une autre variante, la pression varie continûment entre P min et P max et les impulsions laser sont émises, par exemple, à intervalles réguliers alors que, pendant le même temps, la pression varie continûment de P min à P max . Par exemple, la pression varie linéairement entre P min et P max . Dans ces conditions, chaque impulsion est appliquée à un instant où la pression exercée par la face 6 sur la face 8 est différente. Ainsi, cette variante est équivalente au cas où la pression est modifiée par paliers successifs. La modification de l’épaisseur du défaut peut être combinée avec l’étape 122 de traitement de la face 6 et/ou de la face 8. Pour cela, par exemple, l’étape 122 est introduite entre les étapes 60 et 62 des procédés des figures 10 et 12. Variantes du traitement d’une face : D’autres traitements de la face 8 sont possibles pour diminuer sa réflectance à la longueur d’onde λ. Par exemple, en variante, la structuration de la face 8 comporte la réalisation d’un réseau de trous pour obtenir un abaissement progressif de l’indice de réfraction de la pièce 2 au fur et mesure qu’on se rapproche de sa face 8. Au niveau de la face 8, la partie réelle de l’indice de réfraction à la longueur d’onde λ est proche de celui de l’air, c’est-à-dire du milieu contenu dans le défaut. Dans ces conditions, le défaut ne forme plus une cavité de Fabry Perot capable de réfléchir les impulsions laser à la longueur d’onde λ. Il est souligné qu’une diminution de la réflectance d’une surface provoque aussi généralement aussi une augmentation de son absorbance. Toutefois, selon le traitement appliqué l’augmentation de l’absorbance de la face 8 peut être plus ou moins importante. Un autre traitement possible de la face 8 consiste à augmenter la porosité de la pièce 4 au fur et à mesure qu’on se rapproche de la face 8 pour obtenir, au niveau de la face 8, un indice de réfraction à la longueur d’onde λ proche de celui de l’air. L’absorbance de la face 8 peut aussi être augmentée en lui appliquant d’autres traitements qu’une structuration. Par exemple, l’absorbance de la face 8 est augmentée en appliquant un traitement qui modifie l’état de la matière au niveau de la face 8. Une telle modification de l’état de la matière est, par exemple, une amorphisation ou une cristallisation de la couche superficielle formant la face 8. Cet autre traitement peut aussi comporter la génération de défauts dans la couche superficielle formant la face 8 pour augmenter son absorbance. L’émetteur d’impulsions laser utilisé pour traiter la face 6 et/ou 8 n’est pas nécessairement le même que celui utilisé lors de l’étape 124 de soudure. Dans une autre variante, la face 6 et/ou 8 est traitée par un procédé de traitement n’utilisant pas d’impulsions laser. Par exemple, la face 6 ou 8 est structurée lors de l’étape 122 en mettant en œuvre un procédé de photolithographie. Autres variantes : De nombreuses variantes de la trajectoire 14 sont possibles. En particulier, la trajectoire 14 ne s’étend pas nécessairement continûment depuis son point 16 de départ jusqu’à son point 17 d’arrivée. Par exemple, la trajectoire 14 peut être uniquement formée de lignes parallèles les unes aux autres ou uniquement par des cercles concentriques. Le plan 12 de jointure n’est pas nécessairement plat mais peut adopter toute conformation souhaitable. Par exemple, en variante, le plan 12 est incurvé. Dans ce cas, la trajectoire 14 n’est pas plane mais incurvée. Pour que le point focal 28 puisse suivre une telle trajectoire 14 incurvée dans l’espace, lors de l’étape de soudure, l’unité 34 commande également l’actionneur 42 pour déplacer, en plus, l’empilement 10 dans la direction Z. Lors de l’étape 60, le réglage de la position de l’émetteur pour focaliser les impulsions laser sur le point 28 peut aussi être réalisé comme décrit dans la demande WO2021255035A2. Avant l’étape 62 d’accolement de la face 6 sur la face 8, le procédé peut comporter une étape de polissage des faces 6 et 8 de manière à les rendre aussi lisse que possible. Par exemple, à l’issue de cette étape de polissage, de préférence, la rugosité Ra de chacune des faces 6 et 8 est inférieure à 20 nm . Les pièces 2 et 4 peuvent être réalisées dans d’autres matériaux semi-conducteurs comme, par exemple, Ge ou GaAs. De plus, les procédés de soudure laser décrits ici s’appliquent aussi au cas où les pièces 2 et 4 ne sont pas réalisées dans le même matériau semi-conducteur. Les pièces 2 et 4 peuvent contenir d’autres composants que des MEMS ou des microsystèmes fluidiques. Par exemple, en variante, l’une ou les deux pièces 2 et 4 comportent, en plus ou à la place, des composants optiques et/ou électroniques réalisés, en partie ou en totalité en silicium. Certains de ces composants peuvent être passifs tels que des guides d’ondes en silicium ou des connexions électriques. D’autres de ces composants peuvent être actifs, c’est-à-dire nécessiter une alimentation électrique pour fonctionner. A titre d’exemple, un composant actif peut être une source laser, un modulateur, un transistor ou autres. Typiquement, l’empilement des pièces 2 et 4 forme une partie d’un circuit intégré tri-dimensionnelle dans lequel les différents composants qui le constituent sont répartis dans différentes strates empilées les unes sur les autres. Plusieurs des variantes décrites ci-dessus peuvent être combinées dans un même mode de réalisation. Chapitre IV : Avantages des modes de réalisation décrits : Il a été observé qu’un défaut réfléchit une impulsion laser lorsqu’il forme une cavité de Fabry-Perrot dont l’épaisseur est proche d’un multiple entier de λ/2, où λ est la longueur d’onde médiane de cette impulsion laser. Tous les modes de réalisation précédemment décrits permettent d’éviter la présence d’une telle cavité de Fabry-Perrot. Dès lors, lors de la soudure des pièces 2 et 4, le nombre de points de soudure correctement réalisés est beaucoup plus important que si aucune précaution n’était prise pour éviter la présence de ces cavités de Fabry-Perrot qui réfléchissent l’impulsion laser. Il en résulte que la force d’adhésion obtenue après soudure entre les pièces 2 et 4 est beaucoup plus importante. De plus, cette amélioration du procédé de soudure est obtenue sans qu’il soit nécessaire d’ajouter un autre matériau, tel qu’un film en métal, au niveau du plan de jointure. Il n’est pas non plus nécessaire d’avoir une connaissance préalable sur l’épaisseur des défauts. Enfin, les procédés de soudure laser décrits ici peuvent être mis en œuvre dans des conditions de travail peu contraignantes. En particulier, les procédés de soudure laser décrits ici peuvent être mis en œuvre à l’air ambiant et en dehors d’une salle blanche. Les procédés de soudure décrits ici restent donc simples à mettre en œuvre. Plus précisément, en transmettant l’énergie nécessaire pour faire fondre les faces 6 et 8, au niveau d’un point de soudure à réaliser, à la fois dans une première et une seconde plages de longueurs d’onde et dans des conditions où l’écart │λ 1 - λ 2 │ est différent d’un multiple entier de λ 1 /2 et d’un multiple entier de λ 2 /2, aucun défaut ne peut former une cavité de Fabry-Perrot capable de réfléchir efficacement les impulsions laser à la fois aux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 . Cela garantit que, malgré la présence d’un défaut, le point de soudure est correctement réalisé. Il est souligné que, dans ce cas, l’augmentation de la force d’adhésion est obtenue sans qu’il soit nécessaire de réaliser des traitements préalables, tels qu’un polissage, pour minimiser le nombre de défauts présents dans le plan de jointure. Le fait que l’écart │λ 1 – λ 2 │ soit proche d’un multiple entier impair de λ 1 /4 ou de λ 2 /4, maximise l’efficacité du transfert d’énergie sur le point de soudure à réaliser dans le cas où il existe un défaut au niveau de ce point de soudure à réaliser qui est capable de réfléchir l’impulsion laser soit à la longueur d’onde λ 1 soit à la longueur d’onde λ 2 . Le fait que l’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 soit inférieur à λ 1 /2 simplifie la réalisation du procédé de soudure. En effet, dans ce cas, les positions des sources laser 24 et 26 pour lesquelles les impulsions laser aux longueurs d’onde λ 1 et λ 2 sont correctement focalisées dans le plan de jointure sont les mêmes ou pratiquement les mêmes. Il n’est donc pas nécessaire de procéder une première fois à la détermination de la position de la source laser 24 puis une seconde fois à la détermination de la position de la source laser 26. Cela est aussi particulièrement avantageux lorsque c’est la même source laser qui émet les impulsions laser à la fois à la longueur d’onde λ 1 et à la longueur d’onde λ 2 . Le fait que la longueur d’onde de l’impulsion laser soit très supérieure à l’épaisseur des défauts permet d’obtenir des points de soudure correct même en présence de défauts et sans utiliser pour cela des impulsions laser à différentes longueurs d’onde. Le fait de faire varier l’épaisseur des défauts permet d’obtenir une configuration où le transfert d’énergie sur le point de soudure à réaliser s’effectue correctement même en présence d’un défaut. De plus, dans ce cas, il n’est pas nécessaire de procéder à une sélection appropriée de la longueur d’onde de l’impulsion laser. Le fait de mesurer la transmittance de l’impulsion laser à travers l’empilement 10 à l’aide d’impulsions laser basse énergie permet de sélectionner l’épaisseur appropriée du défaut à laquelle l’étape de soudure doit être exécutée en consommant moins d’énergie que si la même impulsion laser que celle utilisée lors de l’étape de soudure était utilisée pour cela. Le fait d’utiliser le même émetteur d’impulsions laser lors de l’étape de traitement et lors de l’étape de soudure simplifie le procédé de soudure. Procédé de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, comprenant les étapes suivantes : 1) accoler (62) une première face de la première pièce semi-conductrice directement sur une seconde face de la seconde pièce semi-conductrice pour former un empilement comportant les première et seconde pièces semi-conductrices et un plan de jointure formé par l’accolement des première et seconde faces, puis 2) au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans le plan de jointure, transmettre (66 ; 76 ; 184 ; 92 ; 124), à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisée sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, caractérisé en ce que, en présence d’un défaut qui forme une cavité au niveau d’un point de soudure à réaliser, la réflexion de l’impulsion laser par ce défaut est minimisée : a) en émettant l’impulsion laser dans une plage de longueurs d’onde dans laquelle cette réflexion est minimisée par la mise en œuvre d’au moins une solution choisie dans le groupe composé des solutions suivantes : - la transmission (66) de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser dans une première et une seconde plages de longueurs d’onde distinctes, l’écart entre les longueurs d’onde médianes de ces première et seconde plages étant différent d’un multiple entier de λ 1 /2 et d’un multiple entier de λ 2 /2, où λ 1 et λ 2 sont les longueurs d’onde médianes, respectivement, des première et seconde plages, - la transmission (76) de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser dans une plage de longueurs d’onde dont la longueur d'onde médiane est supérieure à 2 µm, et - la mesure (182) de la transmittance de l’empilement au niveau du point de soudure à réaliser dans différentes plages de longueurs d’onde, puis la sélection (182), en fonction des transmittances mesurées pour différentes plages de longueurs d’onde, d’une plage de longueurs d’onde qui minimise la réflexion de l’impulsion laser au niveau du point de soudure à réaliser, et, enfin, la transmission (184) de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans la plage de longueurs d’onde sélectionnée, ou b) en modifiant l’épaisseur du défaut pour obtenir une épaisseur qui minimise la réflexion de l’impulsion laser par la mise en œuvre d’une solution choisie dans le groupe composé des solutions suivantes : - la modification (94) de l’épaisseur du défaut pour obtenir successivement plusieurs épaisseurs différentes et pour chaque épaisseur différente la transmission (92) de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser dans la même plage de longueurs d’onde, et - la mesure (104) de la transmittance de l’empilement au niveau du point de soudure à réaliser dans la même plage de longueurs d’onde pour différentes épaisseurs du défaut, puis la sélection (104), en fonction des transmittances mesurées pour différentes épaisseurs du défaut, d’une épaisseur qui minimise la réflexion de l’impulsion laser au niveau du point de soudure à réaliser dans cette plage de longueurs d’onde, et, enfin, la transmission (92) de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans cette plage de longueurs d’onde et lorsque l’épaisseur du défaut est égale à l’épaisseur sélectionnée, ou c) en traitant (122), la première et/ou la seconde faces pour obtenir une face traitée dont la réflectance est au moins deux fois inférieure à la réflectance de cette face avant son traitement et/ou pour augmenter l’absorbance de la seconde face par un facteur d’au moins deux par rapport à son absorbance avant son traitement. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, au cours de l’étape 2), au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans le plan de jointure : - une première source laser émet (66), uniquement dans la première plage de longueurs d’onde, des impulsions laser qui transmettent l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces, et - une seconde source laser, distincte de la première source laser, émet (66) simultanément, uniquement dans la seconde plage de longueurs d’onde, des impulsions laser qui transmettent l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’écart │λ 1 – λ 2 │ne vérifie aucune des conditions suivantes : - Condition 1) : il existe un nombre entier m tel que m*λ 1 /2 – λ 1 /10 1 – λ 2 │ 1 /2 + λ 1 /10, et - Condition 2) : il existe un nombre entier p tel que p*λ 2 /2 - λ 2 /10 1 – λ 2 │ 2 /2 + λ 2 /10. Procédé selon la revendication 3, dans lequel l’écart │λ 1 – λ 2 │est compris entre n*λ 1 /4 – λ 1 /16 et n*λ 1 /4 + λ 1 /16 ou entre n*λ 2 /4 - λ 2 /16 et n*λ 2 /4 - λ 2 /16, où n est un nombre entier positif et impair. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’écart entre les longueurs d’onde λ 1 et λ 2 est inférieur à λ 1 /2. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel : - la modification (94) de l’épaisseur du défaut comporte la modification, par paliers successifs, de la pression exercée par la première face sur la seconde face puis - le procédé comporte, pour chaque palier de pression atteint et avant de passer au palier de pression suivant, la transmission (92) de l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser dans la même plage de longueurs d’onde. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le même émetteur d’impulsions laser est utilisé lors de l’étape (122) de traitement et lors de l’étape 2) (124). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’obtention de la face traitée comporte la réalisation de motifs répétés sur toute la face à traiter, la plus grande dimension de chacun de ces motifs étant comprise entre 0,2 µm et 20 µm et l’intervalle entre deux motifs consécutifs étant compris entre 0,2 µm et 20 µm. Procédé selon la revendication 8, dans lequel tous les motifs sont soit des pics en sailli sur la face à traiter soit des trous creusés dans la face à traiter. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’obtention de la face traitée comporte l’application d’un traitement choisi dans le groupe composé : - d’un traitement qui rend amorphe la face à traiter, - d’un traitement qui cristallise la face à traiter, et - d’un traitement qui crée des défauts dans la couche superficielle formant la face à traiter de manière à augmenter l’absorbance de la face à traiter. Poste de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, ce poste de soudure comportant : - un émetteur (22) d’impulsions laser configuré pour, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans un plan de jointure entre les première et seconde pièces, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisée sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre des première et seconde faces, respectivement, des première et seconde pièces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, et - une unité (34) de commande de l’émetteur d’impulsions laser, caractérisé en ce que : - l’émetteur (22) d’impulsions laser est apte, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans le plan de jointure, à transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans une première et une seconde plages de longueurs d’onde distinctes, l’écart entre les longueurs d’onde médianes de ces première et seconde plages étant différent d’un multiple entier de λ 1 /2 et d’un multiple entier de λ 2 /2, où λ 1 et λ 2 sont les longueurs d’onde médianes, respectivement, des première et seconde plages, et - l’unité (34) de commande est configurée pour commander l’émetteur d’impulsions laser de manière à transmettre systématiquement, au niveau de chaque point de soudure, l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans la première et la seconde plages de longueurs d’onde. Poste de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, ce poste de soudure comportant : - un émetteur (172) d’impulsions laser configuré pour, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans un plan de jointure entre les première et seconde pièces, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisée sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre des première et seconde faces, respectivement, des première et seconde pièces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, et - une unité (34) de commande de l’émetteur d’impulsions laser, caractérisé en ce que : - le poste de soudure comporte aussi un capteur (176) apte à mesurer la transmittance, de l’empilement formé par l’accolement d’une première face de la première pièce semi-conductrice directement sur une seconde face de la seconde pièce semi-conductrice, au niveau du point de soudure à réaliser dans différentes plages de longueurs d’onde, et - l’unité (34) de commande est configurée pour : - acquérir les transmittances mesurées au niveau du point de soudure, puis - sélectionner, en fonction des transmittances mesurées pour différentes plages de longueurs d’onde, une plage de longueurs d’onde qui minimise la réflexion des impulsions laser au niveau du point de soudure à réaliser, et, enfin, - commander l’émetteur d’impulsions laser pour transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans la plage de longueurs d’onde sélectionnée. Poste de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, ce poste de soudure comportant : - un émetteur (82) d’impulsions laser configuré pour, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans un plan de jointure entre les première et seconde pièces, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisées sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre des première et seconde faces, respectivement, des première et seconde pièces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, et - une unité (34) de commande de l’émetteur d’impulsions laser, caractérisé en ce que : - le poste de soudure comporte un dispositif (84) commandable apte à modifier, l’épaisseur d’un défaut qui forme une cavité au niveau d’un point de soudure à réaliser, et - l’unité (34) de commande est configurée pour commander le dispositif apte à modifier l’épaisseur du défaut pour modifier l’épaisseur du défaut pour obtenir successivement plusieurs épaisseurs différentes et pour chaque épaisseur différente, commander l’émetteur d’impulsions laser, pour transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau du point de soudure à réaliser toujours dans la même plage de longueurs d’onde. Poste de soudure laser d'une première pièce semi-conductrice sur une seconde pièce semi-conductrice, ce poste de soudure comportant : - un émetteur (82) d’impulsions laser configuré pour, au niveau de chaque point de soudure à réaliser dans un plan de jointure entre les première et seconde pièces, transmettre, à travers la première pièce et à l’aide d’au moins une impulsion laser focalisée sur ce point de soudure à réaliser, l’énergie suffisante pour faire fondre des première et seconde faces, respectivement, des première et seconde pièces à l’emplacement de ce point de soudure à réaliser, et - une unité (34) de commande de l’émetteur d’impulsions laser, caractérisé en ce que : - le poste de soudure comporte : - un dispositif (84) commandable apte à modifier l’épaisseur d’un défaut qui forme une cavité au niveau d’un point de soudure à réaliser, - un capteur (102) apte à mesurer la transmittance, de l’empilement formé par l’accolement des première et seconde faces, au niveau du point de soudure à réaliser, et - l’unité (34) de commande est configurée pour : - commander le dispositif apte à modifier l’épaisseur du défaut pour obtenir différentes épaisseurs de ce défaut, - acquérir les transmittances mesurées au niveau du point de soudure pour ces différentes épaisseurs et dans la même plage de longueurs d’onde, puis - sélectionner, en fonction des transmittances mesurées pour ces différentes épaisseurs, une épaisseur qui minimise la réflexion de l’impulsion laser au niveau du point de soudure à réaliser dans cette plage de longueurs d’onde, puis - commander le dispositif apte à modifier l’épaisseur du défaut pour obtenir l’épaisseur sélectionnée du défaut, puis - commander l’émetteur d’impulsions laser pour transmettre l’énergie suffisante pour faire fondre les première et seconde faces au niveau de ce point de soudure à réaliser dans cette plage de longueurs d’onde et lorsque l’épaisseur du défaut est égale à l’épaisseur sélectionnée.