FR 3155952 A1 20250530 FR 2313196 A 20231128 Equipement de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque La présente description concerne un équipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100), comprenant : - un dispositif de mesure I-V (202) configuré pour réaliser des mesures I-V sur l’échantillon photovoltaïque ; - une carte à pointes (204) configurée telle que les pointes soient en contact avec des électrodes de mesure de l’échantillon photovoltaïque lors des mesures I-V ; - un microscope (206) ; - un dispositif d’illumination (208) ; - un dispositif de maintien mécanique (210) du microscope et du dispositif d’illumination, configuré pour permettre un déplacement du microscope et du dispositif d’illumination tel que le microscope ou le dispositif d’illumination soit disposé en regard de l’échantillon photovoltaïque. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Equipement de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque La présente description concerne de façon générale le domaine de la caractérisation électrique d’un échantillon photovoltaïque. Plusieurs techniques ont été développées pour cartographier les performances d’une cellule photovoltaïque, c’est-à-dire caractériser électriquement différentes régions d’une cellule photovoltaïque. Les mesures courant-tension (également appelées mesures I-V), à l’obscurité ou sous illumination, sont couramment utilisées pour évaluer les performances des cellules photovoltaïques ou d’éléments de ces cellules, et comprendre les phénomènes à l’origine de certaines limitations des performances des cellules. Une telle mesure I-V appliquée à une cellule photovoltaïque consiste à mesurer le courant électrique délivré par la cellule tout en appliquant une tension électrique à ses bornes. Cette mesure permet notamment de déterminer le courant de court-circuit, la tension de circuit-ouvert, ainsi que le courant et la tension à la puissance maximale de la cellule photovoltaïque. La méthode de mesure « Transfer Length Method », ou TLM, également appelée « méthode de longueur de transfert », permet de déterminer la conductivité d’une couche de matériau et la résistivité de contact entre cette couche de matériau et des électrodes de mesure conductrices formées sur cette couche de matériau. Dans le domaine des cellules photovoltaïques, cette méthode est mise en œuvre à partir d’un échantillon photovoltaïque comprenant au moins une couche de matériau absorbeur (le même que celui utilisé pour réaliser la cellule photovoltaïque et qui correspond à un matériau de conversion d’énergie photovoltaïque) sur lequel sont disposées plusieurs électrodes de mesure conductrices. Les électrodes de mesure sont par exemple de forme allongée, disposées parallèlement les unes aux autres et espacées d’une distance variable les unes par rapport aux autres, c’est-à-dire telles que les distances entre deux électrodes de mesure voisines, ou adjacentes, soient différentes d’une paire d’électrodes de mesure à l’autre. Ces distances sont appelées distances inter-électrodes. Un tel groupe d’électrodes est appelé motif TLM, et un échantillon photovoltaïque peut comporter plusieurs motifs TLM comprenant par exemple chacun des électrodes dont les caractéristiques géométriques sont différentes d’un motif TLM à l’autre. Dans la méthode TLM, des mesures I-V sont réalisées pour chacune des différentes paires d’électrodes voisines. Il est alors possible de déterminer les valeurs de résistance pour ces différentes paires d’électrodes en fonction de la distance inter-électrodes de chacune de ces paires d’électrodes, puis d’extraire les valeurs de la conductivité électrique de la couche de matériau absorbeur et de la résistance de contact entre cette couche de matériau absorbeur et les électrodes de mesure. La mise en œuvre de la méthode TLM nécessite de réaliser des électrodes de mesure conductrices à la surface de l’échantillon à caractériser, ces électrodes étant très souvent métalliques. Cette méthode est généralement pratiquée à l’obscurité. Cependant, les couches photosensibles et les résistivités de contact de l’échantillon caractérisé peuvent être affectées par la présence d’une excitation lumineuse. Pour obtenir une meilleure précision, la caractérisation électrique de tels échantillons devrait donc être réalisée sous illumination. Toutefois, il n’existe pas d’équipement spécifiquement adapté pour caractériser correctement sous illumination un échantillon photovoltaïque par la méthode TLM. De plus, il n’existe pas non plus d’équipement spécifiquement adapté pour caractériser correctement un échantillon photovoltaïque dans des conditions de fonctionnement, en termes de température, proches de celle d’une cellule solaire, fonctionnant par exemple dans une gamme de températures comprises entre 20°C et 100°C. Il existe donc un besoin de proposer un nouvel équipement adapté pour caractériser électriquement et correctement, sous illumination et éventuellement dans une gamme de températures données, un échantillon photovoltaïque. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des solutions connues et propose un équipement de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque, comprenant au moins : - un dispositif de mesure I-V configuré pour réaliser des mesures I-V sur l’échantillon photovoltaïque ; - une carte à pointes configurée telle que les pointes soient en contact avec des électrodes de mesure de l’échantillon photovoltaïque lors des mesures I-V ; - un microscope ; - un dispositif d’illumination ; - un dispositif de maintien mécanique du microscope et du dispositif d’illumination, configuré pour permettre un déplacement du microscope et du dispositif d’illumination tel que le microscope ou le dispositif d’illumination soit disposé en regard de l’échantillon photovoltaïque. Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif de maintien mécanique comporte au moins un premier bras articulé solidaire du microscope, et au moins un deuxième bras articulé solidaire du dispositif d’illumination. Selon un mode de réalisation particulier, le premier bras articulé est mobile en rotation autour d’un premier axe et mobile en translation parallèlement et perpendiculairement au premier axe. Selon un mode de réalisation particulier, le deuxième bras articulé est mobile en rotation autour d’un deuxième axe et mobile en translation parallèlement et perpendiculairement au deuxième axe. Selon un mode de réalisation particulier, l’équipement comporte une ou plusieurs tables de translation configurées pour assurer un ou plusieurs des mouvements en translation du premier bras articulé et/ou du deuxième bras articulé. Selon un mode de réalisation particulier, les pointes sont configurées telles qu’elles soient en contact simultanément avec plusieurs paires d’électrodes de mesure de l’échantillon photovoltaïque au moins lors des mesures I-V. Selon un mode de réalisation particulier, la carte à pointes comporte au moins une ouverture en regard de laquelle des extrémités des pointes sont disposées et telle que lors des mesures I-V, l’échantillon photovoltaïque soit illuminé par le dispositif d’illumination à travers l’ouverture. Selon un mode de réalisation particulier, les pointes sont disposées telles que, lorsque les pointes sont en contact avec des électrodes de mesure de l’échantillon photovoltaïque lors des mesures I-V, les pointes sont positionnées en regard des électrodes de mesure. Selon un mode de réalisation particulier, l’équipement comporte en outre un support configuré pour supporter mécaniquement l’échantillon photovoltaïque lors des mesures I-V. Selon un mode de réalisation particulier, le support est motorisé et configuré pour se déplacer vis-à-vis de la carte à pointes. Selon un mode de réalisation particulier, le support comporte au moins un dispositif de chauffage et/ou de refroidissement configuré pour réguler en température l’échantillon photovoltaïque lorsque celui-ci est disposé sur le support. Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif d’illumination comporte au moins un simulateur solaire. Selon un mode de réalisation particulier, le dispositif d’illumination comporte en outre au moins un dispositif de commande configuré pour piloter au moins le dispositif de mesure I-V lors des mesures I-V. Selon un mode de réalisation particulier, l’équipement comporte en outre au moins un dispositif de calcul de paramètres électriques de l’échantillon photovoltaïque par une méthode de mesure TLM. Il est également proposé un procédé de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque, comportant au moins les étapes de : - mise en place de l’échantillon photovoltaïque dans un équipement de caractérisation électrique selon un mode de réalisation particulier ; - ajustement et contrôle de la position de l’échantillon photovoltaïque par le microscope de l’équipement de caractérisation électrique ; - mise en contact des pointes de la carte à pointes de l’équipement de caractérisation électrique contre des électrodes de mesure de l’échantillon photovoltaïque ; - illumination de l’échantillon photovoltaïque par le dispositif d’illumination de l’équipement de caractérisation électrique ; - mise en œuvre de mesures I-V sur l’échantillon photovoltaïque. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente schématiquement un exemple d’échantillon photovoltaïque destiné à être caractérisé électriquement par un équipement de caractérisation électrique sous illumination selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 2 représente un exemple d’équipement de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 3 représente schématiquement un exemple de dispositif de maintien mécanique d’un équipement de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 4 représente un exemple d’échantillon photovoltaïque disposé sur un support d’un équipement de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 5 représente un exemple de carte à pointes d’un dispositif de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 6 représente une partie d’un exemple de réalisation d’un deuxième bras articulé d’un dispositif de maintien mécanique d’un équipement de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque selon un mode de réalisation particulier ; la FIG. 7 représente un exemple de réalisation d’un premier bras articulé d’un dispositif de maintien mécanique d’un équipement de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque selon un mode de réalisation particulier. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents exemples de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des exemples de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Sur les différentes figures, les éléments visibles peuvent ne pas être représentés à la même échelle les uns par rapport aux autres pour faciliter la compréhension de ces figures. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans toute la description, les termes « voisine » et « adjacente » sont utilisés indifféremment pour qualifier deux électrodes de mesure disposées l’une à côté de l’autre sans qu’une troisième électrode de mesure soit disposée entre ces deux électrodes de mesure. En outre, dans toute la description, l’expression « équipement de caractérisation électrique » est synonyme de l’expression « dispositif de caractérisation électrique ». Un exemple d’échantillon photovoltaïque 100 comprenant au moins une couche de matériau absorbeur 112 et destiné à être caractérisé électriquement par un équipement de caractérisation électrique sous illumination 200 est décrit ci-dessous en lien avec la FIG. 1 . L’échantillon 100 peut comporter plusieurs couches de matériaux afin que celui-ci soit structurellement proche ou identique à une cellule photovoltaïque. Dans l’exemple de la FIG. 1 , l’échantillon 100 comporte des couches similaires à celles d’une cellule photovoltaïque à hétérojonction et à contacts passivés. Dans l’exemple de la FIG. 1 , l’échantillon 100 comporte un substrat semiconducteur, comprenant par exemple du silicium cristallin de type n, ou c-Si(n), et formant la couche de matériau absorbeur 112 de l’échantillon 100. L’épaisseur (dimension parallèle à l’axe Z représenté sur la FIG. 1 ) de la couche 112 peut être comprise entre 40 μm et 400 μm et peut être par exemple égale à environ 160 μm, et la résistivité électrique de la couche 112 est par exemple proche ou égale à 1 Ω.cm ou comprise entre 0,1 Ω.cm et 10 Ω.cm. Les deux faces principales (faces avant et arrière parallèles au plan (X,Y)) de la couche 112 peuvent être recouvertes par des couches 114 et 126 de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque (non intentionnellement dopé), ou a-Si:H(i), comme c’est le cas dans l’exemple de la FIG. 1 . L’épaisseur de chacune des couches 114 et 126 est par exemple suffisante pour que chacune d’elle forme une couche de passivation, et peut être comprise entre 2 nm et 50 nm et est par exemple égale à 5 nm. Dans l’exemple de la FIG. 1 , la couche 126 se trouvant du côté de la face arrière de la couche 112 est recouverte par une couche 116 de silicium amorphe hydrogéné dopé p, a-Si:H(p), et la couche 114 se trouvant du côté de la face avant de la couche 112 est recouverte par une couche 118 de silicium amorphe hydrogéné dopé n, a-Si:H(n). Ces couches 114, 116, 118 et 126 peuvent former une passivation du matériau de la couche 112, le rendre photoconducteur et créer un contact sélectif pour les porteurs de charge. La face de la couche 118 opposée à celle en contact avec la couche 114 peut former une première face 106 de l’échantillon 100. La face de la couche 116 opposée à celle en contact avec la couche 126 peut former une deuxième face 107 de l’échantillon 100, correspondant à une face arrière de l’échantillon 100. En variante, lorsque l’échantillon 100 comporte des couches similaires à celles d’une cellule photovoltaïque à pérovskite, la couche de matériau absorbeur 112 peut comporter un matériau à structure pérovskite et avoir une épaisseur par exemple comprise entre 200 nm et 5 μm. Les couches de passivation et les couches sélectives de porteurs de charge peuvent dans ce cas être adaptées au matériau pérovskite de la couche 112. Il est également possible que la couche 112 comporte un autre type de matériau, par exemple un semi-conducteur amorphe. De manière générale, le matériau absorbeur de l’échantillon 100 peut correspondre à un matériau photosensible, absorbeur de lumière, ayant des propriétés de conduction qui varient sous éclairement grâce à la génération de porteurs de charge par cet éclairement. Dans l’exemple de la FIG. 1 , N paires d’électrodes de mesure adjacentes, référencées 108.1 à 108.4 sur la FIG. 1 , sont disposées sur la première face 106 de l’échantillon 100, avec N nombre entier supérieur ou égal à 2 et par exemple compris entre 2 et 11. Chacune de ces électrodes de mesure comprend par exemple un oxyde transparent conducteur 120, ou TCO (« Transparent Conductive Oxide » en anglais), correspondant par exemple à de l’ITO (« Indium Tin Oxide » en anglais, ou oxyde d’indium et d’étain) et dont l’épaisseur est par exemple égale à environ 100 nm, et une couche métallique 122 comprenant par exemple de l’argent et dont l’épaisseur est par exemple égale à environ 10 μm, la couche d’oxyde transparent conducteur 120 étant disposée entre la couche métallique 122 et la couche 118. L’épaisseur de chaque électrode de mesure (dimension parallèle à l’axe Z) est par exemple comprise entre 100 nm et 50 μm. Le nombre N de paires d’électrodes réalisées sur l’échantillon 100 peut dépendre notamment de la précision souhaitée pour la caractérisation électrique de l’échantillon 100. Plus le nombre N de paires d’électrodes utilisées est important, plus la précision de l’extraction des paramètres électriques de l’échantillon 100 réalisée sera importante. Les N paires d’électrodes de mesure forment un motif TLM de l’échantillon 100. L’échantillon 100 peut comporter d’autres motifs TLM formés par d’autres électrodes de mesure non visibles sur la FIG. 1 mais visibles par exemple sur la FIG. 4 . Dans l’échantillon 100, les différents motifs TLM peuvent être isolés latéralement par la mise en œuvre d’une découpe laser. En variante, l’échantillon 100 peut comporter des couches de matériau différentes de celles décrites pour l’exemple ci-dessus, par exemple : absence des couches 116 et 118 et/ou des couches 114 et 126, remplacement des couches 114 et 126 de a-Si:H(i) par des couches de passivation différentes comme par exemple des couches d’oxyde chimique ou thermique, recouvrement de la couche 116 par une couche de TCO, remplacement des couches de semi-conducteur amorphe par des couches nanocristallines ou microcristallines ou polycristallines de semi-conducteur, autre type de couche 112 semiconducteur, etc. Sur l’exemple de la FIG. 1 , l’échantillon 100 comporte 4 paires d’électrodes de mesure adjacentes référencées 108.1, 108.2, 108.3 et 108.4 (soit N = 4, N étant le nombre de paires d’électrodes de mesure adjacentes utilisées pour les mesures). Chacune des électrodes des paires d’électrodes de mesure adjacentes peut avoir une forme et des dimensions identiques aux autres électrodes, par exemple une forme rectangulaire. Chaque électrode a par exemple une longueur L (dimension parallèle à l’axe X) comprise entre quelques dizaines de microns et quelques mm, et une largeur W (dimension parallèle à l’axe Y) comprise entre quelques mm et quelques dizaines de mm. A titre d’exemple, la largeur W de chacune des électrodes de mesure est égale à 15 mm, et la longueur L de chacune des électrodes de mesure est égale à 500 μm. Des électrodes de largeur inférieure au millimètre sont possibles. Dans l’exemple décrit, les électrodes de mesure sont disposées les unes à côté des autres parallèlement à leur largeur W (dimension parallèle à l’axe Y). De plus, les électrodes de mesure peuvent être disposées les unes à côté des autres de manière à ce que chaque paire d’électrodes formée de deux électrodes adjacentes soient espacées d’une distance inter-électrodes qui varie d’une paire d’électrodes à l’autre. Ainsi, l’échantillon 100 peut comporter au moins 2 paires d’électrodes de mesure dont les distances inter-électrodes sont différentes l’une de l’autre. Chaque électrode de mesure peut faire partie d’une ou de deux paires d’électrodes de mesure adjacentes. Sur l’exemple de la FIG. 1 , l’une des électrodes de mesure de la paire d’électrodes 108.4 fait également partie de la paire d’électrodes de mesure 108.1, et l’autre des électrodes de mesure de la paire d’électrodes 108.4 fait également partie de la paire d’électrodes de mesure 108.2. Par contre, sur l’exemple de la FIG. 1 , aucune des électrodes de mesure de la paire d’électrodes 108.3 ne fait partie d’une autre paire d’électrodes de mesure. Sur l’exemple de la FIG. 1 , en considérant la distance inter-électrodes d 1 de la paire d’électrodes 108.1, la distance inter-électrodes d 2 de la paire d’électrodes 108.2, la distance inter-électrodes d 3 de la paire d’électrodes 108.3, la distance inter-électrodes d 4 de la paire d’électrodes 108.4, ces distances sont indicées telles que d 1 d 2 d 3 d 4 , c’est-à-dire telles que d j d j+1 , avec j nombre entier compris entre 1 et N -1. Entre deux électrodes adjacentes d’une paire d’électrodes 108.i espacées de la distance d i , la résistance électrique R paire (d i ) mesurée aux bornes de ces deux électrodes a pour expression : R paire (d i ) = 2 R C + ( R sh /W )* d i R paire (d i ) : résistance, en Ohm, mesurée entre les deux électrodes de la paire d’électrodes de mesure 108.i adjacentes espacées l’une de l’autre de la distance d i ; Rc : résistance de contact, en Ohm, entre une électrode d’une paire d’électrodes 108.i et la couche de matériau absorbeur 112 ; R Sh : résistance de couche, en Ohm/carré. En considérant l’exemple de la FIG. 1 , l’hypothèse est faite que les couches de silicium amorphe 114, 116, 118, 126 présentent une très forte résistivité électrique transverse entre les deux électrodes, qui peut être considérée comme infinie. En considérant en outre que les électrodes de mesure sont des empilements de couches amorphes a-Si:H(i) 114, a-Si:H(n) 118, de TCO 120 et de métal 122 (par exemple de l’argent) et que le courant passe dans la structure uniquement dans le silicium cristallin de la couche 112, il est possible de considérer que : - la résistance de contact R c inclut la contribution résistive des différentes couches de a-Si:H(i) 114, a-Si:H(n) 118 , TCO 120 et métal 122 (argent dans l’exemple décrit ci-dessus) ainsi que la contribution des résistances de contact c-Si (n) 112 / a-Si:H(i) 114 (résistance de contact entre la couche 112 et la couche 114 disposée du côté de la face avant de la couche 112), a-Si:H(i) / a-Si:H(n) (résistance de contact entre la couche 114 disposée du côté de la face avant de la couche 112 et la couche 118), a-Si:H(n) / TCO (résistance de contact entre la couche 118 et le TCO 120 des électrodes de mesure) et TCO / métal (résistance de contact entre le TCO 120 et le métal 122 des électrodes de mesure), et - la résistance de couche R Sh correspond à celle de la couche 112. Sur la FIG. 1 , les flèches désignées par la référence 124 représentent symboliquement des pointes de mesure destinées à être appliquées sur les électrodes lorsque les résistances des différentes paires d’électrodes sont mesurées par une méthode 4 fils (4W). Un exemple de réalisation d’un équipement 200 de caractérisation électrique de l’échantillon 100 est décrit ci-dessous en lien avec la FIG. 2 . L’équipement 200 comporte un dispositif 202 de mesure I-V configuré pour réaliser des mesures I-V sur l’échantillon 100. Le dispositif 202 peut correspondre à un équipement de test de type « prober », tel que ceux utilisés pour tester des wafers dans le domaine de la microélectronique. Le dispositif 202 peut être automatique ou semi-automatique, c’est-à-dire tel que les mesures I-V d’un motif TLM à l’autre puissent être mises en œuvre sans intervention, ou peu d’intervention, de l’opérateur. Par exemple, le dispositif 202 peut réaliser un déplacement et des prises de contact des électrodes automatisés, ainsi que des mesures I-V automatisées entre les différentes paires d’électrodes des différents motifs TLM. Le dispositif 202 comporte un ou plusieurs équipements de mesures électriques permettant la mise en œuvre des mesures I-V sur l’échantillon 100. Par exemple, cet ou ces équipements de mesures électriques peuvent correspondre à une unité de source et de mesure (également appelée « Sourcemeter » en anglais, ou SMU) permettant de mesurer des résistances électriques R paire (d i ) aux bornes des paires d’électrodes de l’échantillon 100, par exemple par des mesures I-V de type 4 fils. Le dispositif 202 peut également comporter d’autres éléments servant à la mise en œuvre de ces mesures I-V, comme par exemple des cartes de multiplexage permettant d’automatiser les mesures I-V réalisées entre les différentes paires d’électrodes des motifs TLM contactées par la carte à pointes, etc. Les mesures I-V mises en œuvre peuvent correspondre à une injection d’un courant de mesure à travers deux électrodes de mesure adjacentes et une mesure de la tension obtenue entre ces électrodes, ou une application d’une tension entre deux électrodes de mesure adjacentes et une mesure du courant circulant entre ces électrodes. L’équipement 200 comporte également une carte à pointes 204 configurée pour que ses pointes soient en contact avec les électrodes de mesure de l’échantillon 100 lors des mesures I-V. Cette carte à pointes 204 permet le couplage électrique entre les électrodes de mesure de l’échantillon 100 et les équipements de mesures électriques du dispositif 202 lors des mesures I-V mises en œuvre pour la caractérisation électrique de l’échantillon 100. L’équipement 200 comporte en outre un microscope 206, ainsi qu’un dispositif d’illumination 208. L’équipement 200 comporte également un dispositif de maintien mécanique 210 supportant mécaniquement le microscope 206 et le dispositif d’illumination 208, et configuré pour déplacer le microscope 206 et le dispositif d’illumination 208 tel que le microscope 206 ou le dispositif d’illumination 208 soit disposé en regard de l’échantillon 100. Dans un exemple de réalisation tel que représenté sur les figures 3, 6 et 7, le dispositif de maintien mécanique 210 peut comporter au moins un premier bras articulé 212 solidaire du microscope 206, et au moins un deuxième bras articulé 214 solidaire du dispositif d’illumination 208. Par exemple, le premier bras articulé 212 peut être mobile en rotation autour d’un premier axe et mobile en translation parallèlement et perpendiculairement au premier axe. En outre, le deuxième bras articulé 214 peut être mobile en rotation autour d’un deuxième axe et mobile en translation parallèlement et perpendiculairement au deuxième axe. Sur l’exemple des figures 3 et 7, le premier bras articulé 212 est mobile en rotation autour du premier axe désigné par la référence AA visible sur la FIG. 3 . Dans cet exemple, cette rotation est réalisée par une charnière 216 reliant mécaniquement le premier bras articulé 212 à une partie fixe du dispositif de maintien mécanique 210. En outre, une partie de ce premier bras articulé 212 à laquelle le microscope 206 est solidarisé peut être mobile en translation parallèlement au premier axe AA, ce mouvement de translation étant réalisé par exemple par le coulissement parallèlement au premier axe AA de deux parties 218, 220 du premier bras articulé 212 l’une par rapport à l’autre. La partie 218 du premier bras articulé 212 peut correspondre à un vérin permettant, en coulissant par rapport à la partie 220, d’approcher le microscope 206 d’une position de travail basse, proche de l’échantillon 100, ou le mettre dans une position haute afin de permettre un mouvement du microscope 206 en étant éloigné de l’échantillon 100. En outre, une table de translation 219, visible sur la FIG. 7 , peut permettre un mouvement parallèle à l’axe AA du microscope 206 par rapport à la partie 218 pour réaliser un réglage fin de la distance entre le microscope 206 et l’échantillon 100, le réglage de cette distance pouvant être assuré par une molette. Enfin, ce premier bras articulé 212 peut comporter un dispositif de déplacement en translation auquel le microscope 206 est solidaire et permettant de déplacer le microscope 206 dans le plan perpendiculaire à l’axe AA, c’est-à-dire dans un plan parallèle au plan principal de l’échantillon 100 lorsque celui-ci est positionné sous le microscope 206. Sur l’exemple de la FIG. 7 , ce déplacement en translation dans le plan perpendiculaire à l’axe AA est assuré par deux tables de translation 240, 242 orientées selon des axes perpendiculaires l’un par rapport à l’autre et perpendiculaires à l’axe AA. Le mouvement de rotation du premier bras articulé 212 autour du premier axe AA peut permettre de positionner le microscope 206 au-dessus de l’échantillon 100 avant les mesures I-V, et d’écarter le microscope 206 de l’échantillon 100 lorsque ce dernier est éclairé par le dispositif d’illumination 208 lors des mesures I-V. Le mouvement de translation des deux parties 218, 220 du premier bras articulé 212 l’une par rapport à l’autre et celui assuré par la table de translation 219 peut permettre, lorsque le microscope 206 est disposé au-dessus de l’échantillon 100, d’approcher le microscope 206 et de régler la distance entre l’objectif du microscope 206 et l’échantillon 100. Le mouvement du microscope 206 dans le plan perpendiculaire à l’axe AA peut servir à disposer le microscope 206 en regard de la région souhaitée de l’échantillon 100 et/ou des pointes de la carte 204 souhaitées, par exemple lors du positionnement initial des pointes de la carte 204 contre les électrodes de mesure de l’échantillon 100. Sur l’exemple de la FIG. 3 , le deuxième bras articulé 214 est mobile en rotation autour du deuxième axe désigné par la référence BB, cette rotation étant réalisée entre une première partie 222 du deuxième bras articulé 214 et la partie fixe du dispositif de maintien mécanique 210. En outre, une deuxième partie 224 du deuxième bras articulé 214 est mobile en translation parallèlement au deuxième axe BB, ce mouvement de translation étant réalisé par exemple par le coulissement de deux éléments l’un par rapport à l’autre de la deuxième partie 224 du deuxième bras articulé 214 par l’intermédiaire d’une table de translation. De plus, comme cela est visible sur la FIG. 6 qui représente une partie du deuxième bras articulé 214, celui-ci comporte deux tables de translation 215, 217 orientées selon des axes perpendiculaires l’un par rapport à l’autre et perpendiculaires à l’axe BB et permettant un mouvement, dans le plan perpendiculaire à l’axe BB, de la deuxième partie 224 par rapport à la première partie 222 du deuxième bras articulé 214, et donc un mouvement de translation entre la première partie 222 du deuxième bras articulé 214 et le dispositif d’illumination 208. Les axes de translation des tables 215, 217 peuvent avantageusement correspondre aux axes principaux du dispositif 202. Le mouvement de rotation du deuxième bras articulé 214 autour du deuxième axe BB peut permettre de positionner le dispositif d’illumination 208 au-dessus de l’échantillon 100 lors des mesures I-V, et d’écarter le dispositif d’illumination 208 de l’échantillon 100 lorsque le microscope 206 est positionné au-dessus de l’échantillon 100. Le mouvement de translation, dans le plan perpendiculaire à l’axe BB, de la deuxième partie 224 par rapport à la première partie 222 du deuxième bras articulé 214 permet d’ajuster, dans ce plan, la position du dispositif d’illumination 208 au-dessus de l’échantillon 100. Le mouvement de translation des deux éléments de la deuxième partie 224 du deuxième bras articulé 214 l’un par rapport à l’autre peut permettre, lorsque le dispositif d’illumination 208 est disposé au-dessus de l’échantillon 100, de régler la distance entre le dispositif d’illumination 208 et l’échantillon 100, cette distance pouvant être de quelques centimètres, et par exemple de l’ordre de 20 cm. Selon un exemple de réalisation, le dispositif d’illumination 208 peut correspondre à un simulateur solaire multi longueur d’onde permettant d’éclairer l’échantillon 100 avec différents spectres lumineux, configuré pour émettre des longueurs d’onde par exemple comprises entre 400 nm et 1100 nm. Ce simulateur solaire peut comporter par exemple des sources lumineuses à LED pilotables indépendamment afin de reproduire des spectres lumineux spécifiques. L’intensité de la lumière émise par le dispositif d’illumination 208 peut être variable et par exemple comprise entre 0 et 1 soleil (ou sun, 1 soleil correspondant à 1000 W/m²). Par exemple, le dispositif d’illumination 208 peut être configuré pour émettre une lumière correspondant à un spectre solaire normalisé de type AM 1.5 correspondant à 1 soleil. Selon un exemple de réalisation, le dispositif d’illumination 208 peut être positionné dans une enceinte permettant d’appliquer une obscurité, c’est-à-dire isoler l’échantillon 100 de la luminosité ambiante dans l’environnement de l’équipement de mesure. Dans l’exemple de réalisation décrit, l’équipement 202 comporte également un support 226, également appelé « chuck » en anglais, configuré pour supporter mécaniquement l’échantillon 100 notamment lors des mesures I-V. La FIG. 4 représente un exemple de réalisation du support 226 sur lequel l’échantillon 100 est disposé. Dans la configuration visible sur la FIG. 4 , la carte à pointes 204 n’est pas disposée au-dessus de l’échantillon 100. De plus, sur la FIG. 4 , l’échantillon 100 visible correspond à un wafer disposant de 8 motifs TLM et reposant sur le support 226. Selon un exemple de réalisation, le support 226 peut être motorisé et configuré pour se déplacer, avec une précision de quelques microns, vis-à-vis de la carte à pointes 204 lorsque celle-ci est positionnée pour contacter électriquement les électrodes de mesure de l’échantillon 100. De plus, dans un exemple de réalisation particulier, le support 226 peut comporter un dispositif de chauffage et/ou de refroidissement configuré pour réguler en température l’échantillon 100 lorsque celui-ci est disposé sur le support 226. Ce dispositif de chauffage et/ou de refroidissement peut comporter un cryostat à circulation avec refroidissement par air, permettant de réguler la température de l’échantillon 100 lorsque celle-ci est par exemple comprise entre la température ambiante et 200°C. Ce dispositif peut également être complété par un refroidisseur à circulation air/eau permettant de refroidir des éléments de l’équipement de mesure, par exemple utilisé lorsque la température de l’échantillon 100 est supérieure à 150°C. La FIG. 5 représente un exemple de réalisation de la carte à pointes 204. Dans cet exemple, la carte 204 est réalisée à partir d’un circuit imprimé 228 sur lequel des connecteurs 230 sont chacun reliés à au moins une des pointes 232 de la carte 204. Dans une configuration particulière, la carte à pointes 204 peut comporter au moins une ouverture 234 en regard de laquelle des extrémités des pointes 232 sont disposées et telle que lors des mesures I-V, l’échantillon 100 soit illuminé par le dispositif d’illumination 208 à travers cette ouverture 234. En outre, selon une réalisation particulière correspondant à celle visible sur la FIG. 5 , les pointes 232 peuvent être disposées symétriquement par rapport à un axe parallèle à la plus grande dimension de l’ouverture 234 et s’étendre chacune selon une direction perpendiculaire à cet axe. Lorsque les pointes 232 sont en contact avec des électrodes de mesure 108.1 – 108.4 de l’échantillon photovoltaïque 100 lors des mesures I-V, les pointes 232 sont positionnées en regard des électrodes de mesure. Un avantage d’une telle disposition des pointes 232 est que leur ombre est portée sur les électrodes et n’induit pas, sur l’absorbeur, un ombrage supplémentaire à celui dû aux électrodes. La carte 204 représentée sur la FIG. 5 correspond à un exemple d’une telle réalisation particulière. Le nombre de pointes 232 de la carte 204 peut être choisi en fonction du nombre d’électrodes de mesure de l’échantillon 100 destinées à être contactées par les pointes 232. De même, les distances entre les pointes 232 peuvent être choisies en fonction des distances entre les électrodes de mesure de l’échantillon 100 destinées à être contactées par les pointes 232. Dans l’exemple de réalisation représenté sur la FIG. 5 , la carte 204 comporte 12 paires de pointes 232. Par exemple, les pointes 232 peuvent comporter un alliage de tungstène et de rhénium. En outre, les pointes 232 peuvent être agencées telles que lors des mesures I-V, elles s’étendent selon une direction parallèle aux électrodes de l’échantillon 100 afin de limiter l’ombrage apporté sur l’échantillon 100 par les pointes 232. Dans une configuration particulière, les pointes peuvent être configurées pour être en contact simultanément avec plusieurs paires d’électrodes de mesure de l’échantillon photovoltaïque 100. Par exemple, il est possible que la carte 204 soit telle que, lors d’une mesure, toutes les électrodes d’un motif TLM de l’échantillon 100 soient contactées par les pointes 232. L’équipement 200 peut comporter au moins un dispositif de commande, par exemple un ordinateur doté d’un logiciel configuré pour piloter les différents éléments et dispositifs de l’équipement 200. Ce circuit de commande peut par exemple remplir les fonctions suivantes : pilotage des équipements de mesures électriques, gestion des déplacements du support 226, pilotage du dispositif d’illumination 208, pilotage de la régulation en température du support 226, enregistrement des résultats de mesures électriques, etc. L’équipement 200 peut également comporter au moins un dispositif de calcul de paramètres électriques de l’échantillon 100 par une méthode de mesure TLM. Par exemple, ce dispositif de calcul peut déterminer, à partir des résultats des mesures I-V mises en œuvre sur les différentes électrodes de mesure de l’échantillon 100, des valeurs de résistance pour les différentes paires d’électrodes de mesure en fonction de la distance inter-électrodes de chacune des paires d’électrodes, puis extraire les valeurs de la conductivité électrique de la couche de matériau absorbeur de l’échantillon 100 et de la résistance de contact entre cette couche de matériau absorbeur et les électrodes de mesure de l’échantillon 100. Avec l’équipement 200, il est possible de mettre en œuvre un procédé de caractérisation électrique de l’échantillon 100 tel que décrit ci-dessous. L’échantillon 100 est tout d’abord mis en place par un opérateur dans l’équipement 200, et plus particulièrement sur le support 226. La position de l’échantillon 100 sur le support 226 peut ensuite être ajustée et contrôlée en utilisant le microscope 206 qui est alors disposé en regard de l’échantillon 100. Le bon positionnement des électrodes de mesure de l’échantillon 100 contre les pointes 232 peut également être contrôlé par le microscope 206. L’ajustement de la position de l’échantillon 100 peut être réalisé soit manuellement soit grâce à la motorisation du support 226. Les pointes 232 de la carte 204 sont mises en contact contre des électrodes de mesure de l’échantillon 100. Le microscope 206 est ensuite retiré et écarté de l’échantillon 100, puis le dispositif d’illumination 208 est positionné au-dessus du motif TLM de l’échantillon 100 contacté par la carte 204. L’échantillon 100 est ensuite illuminé par le dispositif d’illumination 208, et les mesures I-V sous illumination sont ensuite réalisées. La mise en œuvre des mesures I-V permet de mesurer la caractéristique I-V entre chaque paire d’électrodes adjacentes du motif TLM de l’échantillon 100 contacté par les pointes 234 de la carte 204. Les mesures mises en œuvre peuvent être par exemple des mesures de type 4 fils. Dans une mise en œuvre particulière, ces mesures I-V peuvent être répétées pour différents spectres lumineux et/ou différentes intensités lumineuses. Le support 226 peut ensuite être déplacé automatiquement par le dispositif de commande de l’équipement 200 afin que les électrodes de mesure d’un autre motif TLM soient contactées par les pointes 232 de la carte 204, puis de nouvelles mesures I-V peuvent être réalisées, puis les électrodes de l’échantillon 100 sont éloignées des pointes 232. Ces étapes peuvent être répétées pour les différents motifs TLM présents sur l’échantillon 100. A partir des résultats de mesure, le dispositif de calcul peut déterminer la résistance électrique de chacune des paires d’électrodes de mesure du motif TLM, puis extraire par exemple les valeurs de la résistance de couche de la couche de matériau absorbeur de l’échantillon 100 et de la résistance de contact entre cette couche de matériau absorbeur et les électrodes de mesure de l’échantillon 100. Dans une application particulière, l’équipement 200 peut être utilisé pour caractériser par exemple des structures photovoltaïques à hétérojonctions de silicium cristallin, avec des contacts passivés et à hautes performances, combinant par exemple de fines couches d’oxyde transparent conducteur (TCO ou « Transparent Conductive Oxide » en anglais) et de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) avec un absorbeur de silicium cristallin. L’équipement 200 peut notamment servir à déterminer les pertes résistives obtenues dans des cellules photovoltaïques en fonctionnement, c’est-à-dire sous illumination et en température, réalisées avec le matériau absorbeur ainsi caractérisé. L’équipement 200 peut être utilisé pour réaliser des cartographies des propriétés électriques d’un matériau absorbeur sur un substrat, ou wafer, tel que représenté sur la FIG. 4 . Divers exemples de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les mesures électriques mises en œuvre par l’équipement 200 peuvent être différentes de celles décrites ci-dessus. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100), comprenant au moins : un dispositif de mesure I-V (202) configuré pour réaliser des mesures I-V sur l’échantillon photovoltaïque (100) ; une carte à pointes (204) configurée telle que les pointes (232) soient en contact avec des électrodes de mesure (108.1 – 108.4) de l’échantillon photovoltaïque (100) lors des mesures I-V ; un microscope (206) ; un dispositif d’illumination (208) ; un dispositif de maintien mécanique (210) du microscope (206) et du dispositif d’illumination (208), configuré pour permettre un déplacement du microscope (206) et du dispositif d’illumination (208) tel que le microscope (206) ou le dispositif d’illumination (208) soit disposé en regard de l’échantillon photovoltaïque (100). Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de maintien mécanique (210) comporte au moins un premier bras articulé (212) solidaire du microscope (206), et au moins un deuxième bras articulé (214) solidaire du dispositif d’illumination (208). Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon la revendication 2, dans lequel le premier bras articulé (212) est mobile en rotation autour d’un premier axe et mobile en translation parallèlement et perpendiculairement au premier axe. Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel le deuxième bras articulé (214) est mobile en rotation autour d’un deuxième axe et mobile en translation parallèlement et perpendiculairement au deuxième axe. Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications 3 ou 4, comportant une ou plusieurs tables de translation configurées pour assurer un ou plusieurs des mouvements en translation du premier bras articulé (212) et/ou du deuxième bras articulé (214). Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les pointes (232) sont configurées telles qu’elles soient en contact simultanément avec plusieurs paires d’électrodes de mesure (108.1 – 108.4) de l’échantillon photovoltaïque (100) au moins lors des mesures I-V. Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la carte à pointes (204) comporte au moins une ouverture (234) en regard de laquelle des extrémités des pointes (232) sont disposées et telle que lors des mesures I-V, l’échantillon photovoltaïque (100) soit illuminé par le dispositif d’illumination (208) à travers l’ouverture (234). Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon la revendication 7, dans lequel les pointes (232) sont disposées telles que, lorsque les pointes (232) sont en contact avec des électrodes de mesure (108.1 – 108.4) de l’échantillon photovoltaïque (100) lors des mesures I-V, les pointes (232) sont positionnées en regard des électrodes de mesure (108.1 – 108.4). Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre un support (226) configuré pour supporter mécaniquement l’échantillon photovoltaïque (100) lors des mesures I-V. Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon la revendication 9, dans lequel le support (226) est motorisé et configuré pour se déplacer vis-à-vis de la carte à pointes (204). Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications 9 ou 10, dans lequel le support (226) comporte au moins un dispositif de chauffage et/ou de refroidissement configuré pour réguler en température l’échantillon photovoltaïque (100) lorsque celui-ci est disposé sur le support (226). Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif de mesure I-V (202) comporte au moins une unité de source et de mesure. Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif d’illumination (208) comporte au moins un simulateur solaire. Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre au moins un dispositif de commande configuré pour piloter au moins le dispositif de mesure I-V (202) lors des mesures I-V. Equipement (200) de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100) selon l’une des revendications précédentes, comportant en outre au moins un dispositif de calcul de paramètres électriques de l’échantillon photovoltaïque (100) par une méthode de mesure TLM. Procédé de caractérisation électrique sous illumination d’un échantillon photovoltaïque (100), comportant au moins les étapes de : mise en place de l’échantillon photovoltaïque (100) dans un équipement (200) de caractérisation électrique selon l’une des revendications précédentes ; ajustement et contrôle de la position de l’échantillon photovoltaïque (100) par le microscope (206) de l’équipement (200) de caractérisation électrique ; mise en contact des pointes (232) de la carte à pointes (204) de l’équipement (200) de caractérisation électrique contre des électrodes de mesure (108.1 – 108.4) de l’échantillon photovoltaïque (100) ; illumination de l’échantillon photovoltaïque (100) par le dispositif d’illumination (208) de l’équipement (200) de caractérisation électrique ; mise en œuvre de mesures I-V sur l’échantillon photovoltaïque (100).