FR 3156993 A1 20250620 FR 2314057 A 20231213 Dispositif électronique de capture de rayonnements infrarouge et d’affichage d’images La présente description concerne un dispositif électronique (100) de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels (PIX) formés dans et sur un substrat semiconducteur (101), chaque pixel comportant : – un élément de détection (103) d’un rayonnement infrarouge (105), situé du côté d’une première face (101F) du substrat semiconducteur (101) ; – un élément d’émission (107) de lumière visible (109), situé du côté d’une deuxième face (101R) du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Dispositif électronique de capture de rayonnements infrarouge et d’affichage d’images La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et en particulier les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images. Des dispositifs électroniques capables de mettre en œuvre des fonctions de capture et d’affichage d’images ont été proposés. De tels dispositifs comprennent typiquement un capteur d’images, comportant une matrice de pixels de capture d’images, et un afficheur d’images, comportant une matrice de pixels d’affichage d’images distincts des pixels de capture d’images. En fonction de l’application, les matrices de pixels de capture et d’affichage d’images du dispositif peuvent être situées du côté d’une même face d’un substrat semiconducteur, par exemple dans le cas d’un téléphone mobile, d’une montre connectée ou d’une tablette électronique comprenant un écran d’affichage intégrant un capteur d’images destiné à acquérir des empreintes digitales d’un utilisateur, ou être situées respectivement de part et d’autre du substrat semiconducteur, par exemple dans le cas d’un visiocasque, d’un afficheur tête haute ou de lunettes intelligentes comprenant un ou plusieurs écrans d’affichage destinés à être placés chacun face à un œil d’un utilisateur et un ou plusieurs capteurs d’images tournés vers l’extérieur. Les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants souffrent toutefois de divers inconvénients. En particulier, dans ces dispositifs, les pixels du capteur d’images sont typiquement reliés à un circuit de commande et à un circuit de lecture, et les pixels de l’afficheur d’images sont reliés à un circuit de commande différent des circuits de commande et de lecture des pixels du capteur d’images. Ces circuits, qui sont par exemple situés en périphérie des matrices de pixels du capteur et de l’afficheur d’images, mettent en œuvre des fonctions d’adressage des matrices de pixels auxquelles ils sont respectivement connectés, et les images acquises par le capteur sont par exemple stockées dans un circuit mémoire avant d’être affichées, éventuellement après traitement. Cela introduit un temps de latence indésirable entre l’acquisition d’une image par le capteur et l’affichage de l’image correspondante par l’afficheur. Par ailleurs, les dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants présentent une complexité, un encombrement, un poids, une consommation énergétique et un coût de fabrication élevés. Il serait souhaitable de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images existants. Il existe en particulier un besoin de réduire le poids, l’encombrement, la complexité, la consommation énergétique, les coûts de fabrication et/ou le temps de latence de ces dispositifs. Pour cela, un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels formés dans et sur un substrat semiconducteur, chaque pixel comportant : – un élément de détection d’un rayonnement infrarouge, situé du côté d’une première face du substrat semiconducteur ; – un élément d’émission de lumière visible, situé du côté d’une deuxième face du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend : – un circuit d’acquisition situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif d’une intensité du rayonnement infrarouge reçu par l’élément de détection du pixel ; et – un circuit de commande situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission du pixel. Selon un mode de réalisation, le circuit d’acquisition et le circuit de commande sont des circuits analogiques. Selon un mode de réalisation : – chaque élément de détection comprend un photodétecteur inorganique ; – chaque circuit d’acquisition comprend un comparateur comportant une entrée inverseuse connectée à une électrode de conduction du photodétecteur ; et – chaque circuit de commande comprend un inverseur comportant une entrée connectée à une sortie du comparateur et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS, le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation : – chaque élément de détection comprend une diode à avalanche à photon unique ; – chaque circuit d’acquisition comprend une bascule de Schmitt comportant une entrée connectée à une électrode de conduction de la diode à avalanche à photon unique ; et – chaque circuit de commande comprend un inverseur comportant une entrée connectée à une sortie de la bascule de Schmitt et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS, le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission. Selon un mode de réalisation, les éléments de détection sont situés en vis-à-vis des éléments d’émission. Selon un mode de réalisation, les éléments de détection et les éléments d’émission sont agencés respectivement en des première et deuxième matrices, les première et deuxième matrices présentant des pas sensiblement identiques. Selon un mode de réalisation, chaque élément d’émission comprend au moins une diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente est commandée par un signal de commande présentant une valeur moyenne sensiblement proportionnelle à une intensité du rayonnement infrarouge détectée par l’élément de détection. Selon un mode de réalisation, la diode électroluminescente est commandée par un signal de commande présentant des impulsions se répétant à une fréquence sensiblement proportionnelle à une intensité du rayonnement infrarouge détectée par l’élément de détection. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend autant d’éléments de détection que d’éléments d’émission. Un mode de réalisation prévoit un appareil électronique comprenant : – un circuit d’alimentation ; et – au moins un dispositif telle que décrit précédemment. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif tel que décrit précédemment, le procédé comprenant une étape de report, par collage moléculaire, d’une structure comprenant les éléments de détection et les circuits sur une autre structure comprenant les éléments d’émission. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d’autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 est une vue isométrique, schématique et partielle, d’un dispositif de capture et d’affichage d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation ; la FIG. 4 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel de la FIG. 3 ; la FIG. 5 est un schéma électrique équivalent d’un pixel du dispositif de la FIG. 1 selon encore un autre mode de réalisation ; la FIG. 6 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel de la FIG. 5 ; la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 et la FIG. 7 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes d’un procédé de fabrication du dispositif de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 8 est une vue de côté, schématique et partielle, d’un exemple d’implémentation du dispositif de la FIG. 1 dans un appareil électronique ; et la FIG. 9 est une vue de côté, schématique et partielle, d’un autre exemple d’implémentation du dispositif de la FIG. 1 dans un appareil électronique. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les diverses applications des dispositifs électroniques de capture et d’affichage d’images de la présente description ne seront pas détaillées, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des applications susceptibles de tirer profit d’un dispositif électronique de capture et d’affichage d’images, moyennant éventuellement des adaptations à la portée de la personne du métier à la lecture de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l’on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l’on fait référence à deux éléments reliés (en anglais « coupled ») entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l’intermédiaire d’un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l’on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes « avant », « arrière », « haut », « bas », « gauche », « droite », etc., ou relative, tels que les termes « dessus », « dessous », « supérieur », « inférieur », etc., ou à des qualificatifs d’orientation, tels que les termes « horizontal », « vertical », etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l’orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions « environ », « approximativement », « sensiblement », et « de l’ordre de » signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, les qualificatifs « isolant » et « conducteur » signifient respectivement, sauf précision contraire, électriquement isolant et électriquement conducteur. L’expression « transmittance d’une couche » désigne un rapport entre une intensité d’un rayonnement sortant de la couche et une intensité du rayonnement entrant dans la couche. Dans la suite de la description, une couche est dite opaque à un rayonnement lorsque sa transmittance est, pour ce rayonnement, strictement inférieure à 40 %, de préférence inférieure ou égale à 25 %, plus préférentiellement inférieure ou égale à 10 %. Par ailleurs, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque sa transmittance est, pour ce rayonnement, supérieure ou égale à 40 %, de préférence supérieure ou égale à 75 %, plus préférentiellement supérieure ou égale à 90 %. La définition des qualificatifs opaque et transparent(e) qui précède n’est pas limitée au cas d’une couche, mais s’applique plus généralement à tout élément susceptible d’être exposé à un rayonnement, par exemple un substrat, une région, un empilement de plusieurs couches, etc. Dans la présente description, l’expression « lumière visible » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 400 nm et 700 nm. Par ailleurs, l’expression « rayonnement infrarouge » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 700 nm et 1 mm. Dans le domaine infrarouge, le rayonnement infrarouge proche présente une longueur d’onde comprise entre 700 nm et 1,7 µm. La FIG. 1 est une vue isométrique, schématique et partielle, d’un dispositif de capture et d’affichage d’images 100 selon un mode de réalisation. Selon ce mode de réalisation, le dispositif de capture et d’affichage d’images 100 comprend une pluralité de pixels PIX formés dans et sur un substrat semiconducteur 101. Chaque pixel PIX du dispositif 100 comporte un élément de détection 103 d’un rayonnement 105 et, associé à l’élément de détection 103, un élément d’émission 107 d’un rayonnement 109. Les éléments de détection 103 et d’émission 107 sont respectivement situés de part et d’autre du substrat semiconducteur 101. Plus précisément, dans l’exemple illustré, les éléments de détection 103 sont situés du côté d’une face 101F du substrat 101 et les éléments d’émission 107 sont situés du côté d’une face 101R du substrat 101, opposée à la face 101F. À des fins de simplification du dessin, chaque élément de détection 103 et chaque élément d’émission 107 a été symbolisé, en FIG. 1 , par un parallélépipède présentant, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque élément de détection 103 ou d’émission 107 pouvant, à titre de variante, présenter une forme quelconque, par exemple cylindrique. À titre d’exemple, l’élément de détection 103 est de type inorganique, c’est-à-dire que l’élément de détection 103 est dépourvu de matériaux organiques. L’expression « région active » d’un composant optoélectronique, notamment un composant électroluminescent d’un sous-pixel d’affichage ou un photodétecteur, désigne une région depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par le composant optoélectronique ou la région depuis laquelle est captée la majorité du rayonnement électromagnétique reçu par le composant optoélectronique. Un composant optoélectronique est dit inorganique lorsque la région active du composant optoélectronique est en majorité, de préférence en totalité, en au moins un matériau inorganique ou en un mélange de matériaux inorganiques. Dans l’exemple illustré, les pixels PIX du dispositif 100 sont agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. Plus précisément, dans cet exemple, les éléments de détection 103 sont agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. De façon analogue, les éléments d’émission 107 sont, dans cet exemple, agencés en matrice selon des lignes et des colonnes. Dans chacune de ces matrices, les lignes sont par exemple sensiblement orthogonales aux colonnes. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les lignes pouvant, à titre de variante, ne pas être orthogonales aux colonnes. À titre d’exemple, le dispositif 100 comprend autant d’éléments de détection 103 que d’éléments d’émission 107. Dans l’exemple représenté, la matrice d’éléments d’émission 107 présente un pas, c’est-à-dire une distance centre à centre entre deux éléments d’émission 107 adjacents, sensiblement égal au pas de la matrice d’éléments de détection 103, c’est-à-dire sensiblement égal à une distance centre à centre entre deux éléments de détection 103 adjacents. Par ailleurs, dans cet exemple, les éléments d’émission 107 sont situés en vis-à-vis des éléments de détection 103. Dans l’exemple illustré, le centre de chaque élément d’émission 107 est situé sensiblement à l’aplomb du centre de l’élément de détection 103 situé en vis-à-vis. Les éléments d’émission 107 présentent par exemple, en vue de dessus, des dimensions latérales sensiblement égales, aux dispersions de fabrication près, à celles des éléments de détection 103. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les éléments d’émission 107 pouvant, à titre de variante, présenter des dimensions latérales différentes, par exemple supérieures ou inférieures, à celles des éléments de détection 103. Les dimensions respectives, par exemple les surfaces respectives, des éléments de détection 103 et d’émission 107 sont par exemple choisies en fonction d’une sensibilité recherchée côté éléments de détection 103 et/ou d’une intensité à atteindre côté éléments d’émission 107. À titre d’exemple, le rayonnement 105 capté par les éléments de détection 103 est un rayonnement infrarouge, par exemple un rayonnement infrarouge proche. Par ailleurs, le rayonnement 109 émis par les éléments d’émission 107 est par exemple de la lumière visible. La FIG. 2 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, l’élément de détection 103 du pixel PIX comprend un photodétecteur 201 adapté à capter le rayonnement 105. Le photodétecteur 201 est par exemple adapté à produire, sous l’effet du rayonnement incident 105, un courant Iph, également appelé photocourant. Le photocourant Iph est par exemple sensiblement proportionnel à une intensité, ou à un flux, du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Dans l’exemple illustré, le photodétecteur 201 comporte une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, connectée à un nœud 203 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Le photodétecteur 201 comporte en outre, dans cet exemple, une deuxième borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée à un circuit 205. À titre d’exemple, le photodétecteur 201 est une diode photosensible, ou photodiode. Dans l’exemple illustré, le circuit 205 comprend un circuit d’acquisition 207, également appelé conditionneur ou circuit de conditionnement. Le circuit d’acquisition 207 est par exemple adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif de l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Le signal d’acquisition produit par le circuit d’acquisition 207 est par exemple fonction du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnel au photocourant Iph. À titre de variante, le signal d’acquisition est fonction d’une tension aux bornes du photodétecteur 201, par exemple sensiblement proportionnel à cette tension. Le circuit d’acquisition 207 permet par exemple d’amplifier le photocourant Iph et de fournir une tension de pilotage de l’élément d’émission 107. À ces fins, le circuit d’acquisition 207 comprend par exemple un amplificateur symbolisé, en FIG. 2 , par un transistor. À titre d’exemple, l’amplificateur est de type CTIA (de l’anglais « Capacitive Trans-Impedance Amplifier » - amplificateur de transimpédance capacitif). Dans l’exemple représenté, le circuit 205 du pixel PIX comprend en outre un circuit de commande 209, ou circuit de pilotage. Le circuit de commande 209 est par exemple adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission 107. Le signal de commande fourni par le circuit de commande 209 est par exemple fonction du signal d’acquisition, par exemple sensiblement proportionnel au signal d’acquisition. Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 et le circuit de commande 209 reçoivent chacun un signal de calibration cal. Le signal de calibration cal permet par exemple de compenser des dispersions de fabrication entre les pixels PIX du dispositif de capture et d’affichage d’images 100, par exemple des dispersions de fabrication affectant l’élément de détection 103 et/ou l’élément d’émission 107 des pixels PIX. En pratique, le circuit d’acquisition 207 reçoit par exemple un signal de calibration différent de celui reçu par le circuit de commande 209. Le signal de calibration cal présente par exemple une valeur déterminée, pour chaque pixel PIX, à l’issue d’une étape de calibration postérieure à des étapes de fabrication du dispositif de capture et d’affichage d’images 100. À titre de variante, le signal de calibration cal peut être omis. Dans l’exemple illustré, l’élément d’émission 107 du pixel PIX comprend une diode électroluminescente 211 adaptée à émettre le rayonnement 109. La diode électroluminescente 211 est par exemple plus précisément adaptée à émettre le rayonnement 109 lorsqu’elle est parcourue par un courant Iled, correspondant par exemple au signal de commande appliqué par le circuit de commande 209. Le courant Iled présente par exemple une intensité sensiblement proportionnelle à celle du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. Dans l’exemple illustré en FIG. 2 , la diode électroluminescente 211 comporte une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, connectée au circuit 205, par exemple à une sortie du circuit de commande 209. La diode électroluminescente 211 comporte en outre, dans cet exemple, une deuxième borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée à un nœud 213 d’application d’un potentiel -Vk, par exemple un potentiel bas. La diode électroluminescente 211 est par exemple une diode électroluminescente inorganique. La diode 211 est par exemple de type micro-LED, c’est-à-dire qu’elle présente des dimensions micrométriques. Dans le cas où le courant Iled présente une intensité sensiblement proportionnelle à celle du photocourant Iph, les circuits d’acquisition 207 et de commande 209 sont par exemple des circuits analogiques. Dans ce cas, le circuit 205 est notamment dépourvu de convertisseur analogique-numérique. La FIG. 3 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un autre mode de réalisation. Le schéma électrique équivalent illustré en FIG. 3 correspond plus précisément à un cas dans lequel le circuit 205 du pixel PIX est adapté à commander l’élément d’émission 107 par un signal impulsionnel. Le schéma de la FIG. 3 comprend des éléments en commun avec le schéma de la FIG. 2 . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. En particulier, les éléments de détection 103 et d’émission 107 du schéma de la FIG. 3 sont par exemple identiques à ceux du schéma de la FIG. 2 . Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 du pixel PIX comprend un comparateur 301 comportant une entrée inverseuse (-) connectée à un nœud 303 du circuit d’acquisition 207, une entrée non inverseuse (+) connectée à un nœud 305 d’application d’un potentiel de référence Vref, et une sortie connectée à un nœud 307 du circuit d’acquisition 207. Dans l’exemple illustré, la cathode du photodétecteur 201 est connectée au nœud 303. Les nœuds 303 et 307 du circuit d’acquisition 207 constituent par exemple respectivement des bornes d’entrée et de sortie du circuit d’acquisition 207. Dans l’exemple illustré, les nœuds 303 et 307 présentent respectivement des potentiels Vsn et Vo. Dans l’exemple représenté, le circuit d’acquisition 207 comprend en outre un élément capacitif 309, par exemple un condensateur, reliant le nœud 303 à un autre nœud 311 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Le condensateur peut être substitué ou complété par une capacité parasite du nœud 303. Dans l’exemple illustré, le circuit d’acquisition 207 comprend en outre un transistor 313, par exemple un transistor MOS (de l’anglais « Metal-Oxide-Semiconductor » - métal-oxyde-semiconducteur). Dans cet exemple, le transistor 313 est plus précisément un transistor MOS de type N (transistor NMOS). Dans l’exemple représenté, le transistor 313 comprend une borne de conduction, par exemple une électrode de source, connectée au nœud 303, une autre borne de conduction, par exemple une électrode de drain, connectée à un nœud 315 d’application d’un potentiel d’alimentation Vdd, et une borne de commande, par exemple une électrode de grille, connectée au nœud 307. Le potentiel Vdd est par exemple strictement supérieur au potentiel Vref. Dans l’exemple illustré, le circuit de commande 209 comprend un inverseur 317 et un transistor 319. L’inverseur 317 comprend par exemple une entrée connectée au nœud 307 du circuit d’acquisition 207 et une sortie connectée à une borne de commande, par exemple une électrode de grille, du transistor 319. Le transistor 319 est par exemple plus précisément un transistor MOS de type P (transistor PMOS). Dans l’exemple représenté, le transistor PMOS 319 comprend une borne de conduction, par exemple une électrode de drain, connectée à l’anode de la diode électroluminescente 211 et une autre borne de conduction, par exemple une électrode de source, connectée à un nœud 321 d’application d’un potentiel d’alimentation Va. À titre d’exemple, la diode électroluminescente 211 est commandée par un signal de commande présentant une valeur moyenne sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105. La FIG. 4 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel PIX de la FIG. 3 . Le chronogramme de la FIG. 4 comprend des courbes 401 et 403 illustrant un exemple d’évolution, en fonction du temps (t), des potentiels Vsn et Vo, respectivement. Entre un instant t0 et un instant t1, postérieur à l’instant t0, le photodétecteur 201 est exposé au rayonnement 105 et produit le photocourant Iph. Durant cette période, le photocourant Iph est intégré par l’élément capacitif 309. Les charges photogénérées par le photodétecteur 201 s’accumulent au nœud 303, entraînant ainsi une baisse du potentiel Vsn. Dans l’exemple illustré, le potentiel Vsn du nœud 303 présente, entre les instants t0 et t1, une valeur comprise entre celle du potentiel Vdd et celle du potentiel Vref. Entre les instants t0 et t1, le potentiel Vo du nœud 307 connecté à la sortie du comparateur 301 est par exemple à un niveau bas. À l’instant t1, le potentiel Vsn atteint une valeur sensiblement égale à celle du potentiel de référence Vref. Cela provoque une commutation de la sortie du comparateur 301, donc une transition du potentiel Vo depuis le niveau bas vers un niveau haut. Le transistor 313 est alors commandé à l’état passant, ce qui a pour effet de connecter le nœud 303 au nœud 315. Les charges photogénérées accumulées au nœud 303 entre les instants t0 et t1 sont ainsi évacuées vers le nœud 315. Cela tend à ramener le potentiel Vsn à une valeur sensiblement égale à celle du potentiel d’alimentation Vdd. À un instant t2, postérieur à l’instant t1, le potentiel Vsn redevient supérieur au potentiel Vref. Cela entraîne une commutation de la sortie du comparateur 301, provoquant une transition du potentiel Vo depuis le niveau haut vers le niveau bas. La courbe 403 illustre ainsi une impulsion du potentiel Vo entre les instants t1 et t2. Entre l’instant t2 et un instant t3, postérieur à l’instant t2, la courbe 403 illustre plusieurs autres impulsions du potentiel Vo semblables à celle présente entre les instants t1 et t2. Ces impulsions résultent, comme exposé ci-dessus, de charges et de décharges successives de l’élément capacitif 309 lorsque le photodétecteur 201 est soumis au rayonnement 105 et produit le photocourant Iph. Les impulsions que comporte la courbe 403 entre les instants t0 et t3 se répètent par exemple périodiquement, par exemple à une fréquence fh. Entre un instant t4, postérieur à l’instant t3, et un instant t5, postérieur à l’instant t4, la courbe 403 illustre encore d’autres impulsions du potentiel Vo, par exemple analogues aux impulsions présentes entre les instants t0 et t3. Les impulsions du potentiel Vo entre les instants t4 et t5 diffèrent par exemple des impulsions du potentiel Vo entre les instants t0 et t3 en ce qu’elles se répètent périodiquement à une fréquence fl strictement inférieure à la fréquence fh. Cela provient par exemple du fait que le photodétecteur 201 produit, au cours d’une phase LF comprise entre les instants t4 et t5, un photocourant Iph plus faible, par exemple résultant d’une baisse d’intensité du rayonnement 105, que durant une autre phase HF comprise entre les instants t0 et t3. Dans l’exemple représenté, les fréquences fh et fl sont représentatives du photocourant Iph, par exemple sensiblement proportionnelles au photocourant Iph. Les fréquences fh et fl sont par exemple sensiblement proportionnelles à l’intensité, ou au flux, du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. La diode électroluminescente 211 est par exemple ainsi commandée par un signal périodique de fréquence sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105 capté par le photodétecteur 201. À titre d’exemple, la sensibilité du pixel PIX est ajustée en modifiant la valeur du potentiel de référence Vref, qui limite l’étendue de la plage de variation du potentiel Vsn. Dans l’exemple représenté, pour une même valeur d’intensité du rayonnement 105, plus la valeur du potentiel Vref se rapproche de celle du potentiel Vdd et plus la fréquence de variation du potentiel Vo est élevée. À l’inverse, plus la valeur du potentiel Vref s’éloigne de celle du potentiel Vdd et plus la fréquence de variation du potentiel Vo est faible. Les modes de réalisation du circuit 205 du pixel PIX ne se limitent pas aux exemples des circuits de détection 207 et de commande 209 représentés, et la personne du métier est capable, à partir des indications de la présente description, de prévoir des circuits de détection et de commande différents de ceux exposés en relation avec les figures 3 et 4. À titre d’exemple, un compteur ou un diviseur de fréquence peut être prévu dans le circuit de commande 209 afin de permettre un ajustement de la fréquence de variation du potentiel Vo pour chaque pixel PIX indépendamment des autres pixels PIX. L’ajustement est alors par exemple effectué en usine, par exemple à l’issue d’étapes de fabrication du dispositif 100, et met par exemple en œuvre une étape de stockage de valeurs de calibration dans des circuits mémoires du dispositif 100, par exemple des circuits mémoire de type ROM (de l’anglais « Read-Only Memory » - mémoire à lecture seule) ou flash. Cela évite la présence de circuits d’adressage dans le dispositif 100. D’autres types de circuits, par exemple des circuits à réponse logarithmique, pourraient par ailleurs être prévus. La FIG. 5 est un schéma électrique équivalent d’un pixel PIX du dispositif 100 de la FIG. 1 selon encore un autre mode de réalisation. Le schéma électrique équivalent illustré en FIG. 5 correspond plus précisément à un cas dans lequel l’élément de détection 103 du pixel PIX comprend une diode 501 à avalanche à photon unique, également appelée SPAD (de l’anglais « Single-Photon Avalanche Diode »). La diode 501 est adaptée à détecter des photons du rayonnement 105. Le schéma de la FIG. 5 correspond par exemple à un cas où le rayonnement 105 présente une très faible intensité. Dans l’exemple représenté, la diode 501 comporte une première borne de conduction, par exemple une électrode d’anode, connectée à un nœud 503 de l’élément de détection 103, et une deuxième borne de conduction, par exemple une électrode de cathode, connectée à un nœud 505 d’application d’un potentiel Vsp. Dans l’exemple illustré, l’élément de détection 103 comprend en outre un élément résistif 507, par exemple une résistance, reliant le nœud 503 à un autre nœud 509 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. L’élément résistif 507 permet une extinction (« quenching », en anglais) du phénomène d’avalanche à chaque déclenchement de la diode 501. Dans cet exemple, l’élément de détection 103 comprend en outre un élément capacitif 511, par exemple un condensateur, reliant le nœud 503 à un nœud 513 d’application d’un potentiel de référence, par exemple la masse. Dans l’exemple représenté, le circuit de détection 207 comprend une bascule de Schmitt 515 à courbe d’hystérésis inversée. Dans cet exemple, la bascule de Schmitt 515 comporte une entrée connectée au nœud 503 et une sortie connectée à l’entrée du circuit de commande 209. Dans l’exemple illustré, le circuit de commande 209 du pixel PIX de la FIG. 5 est identique ou analogue au circuit de commande 209 du pixel PIX de la FIG. 3 , la sortie de la bascule de Schmitt 515 étant connectée à l’entrée de l’inverseur 317. Dans l’exemple illustré en FIG. 5 , des potentiels Vsn′ et Vo′ sont respectivement présents au nœud 503 et en sortie de la bascule de Schmitt 515. À titre de variante, la bascule de Schmitt 515 peut être remplacée par un comparateur présentant un seuil réglable et/ou des compteurs permettant d’ajuster la gamme d’intensité de la diode électroluminescente 211 de l’élément d’émission 107. Cela permet par exemple de réduire ou d’éviter la présence d’impulsions parasites dues à un courant d’obscurité. Par ailleurs, bien que cela n’ait pas été détaillé sur le dessin, le circuit 205 du schéma de la FIG. 5 peut en outre comprendre des éléments d’ajustement de sensibilité et/ou de saturation. La FIG. 6 est un chronogramme illustrant, de façon schématique et partielle, un exemple de fonctionnement du pixel PIX de la FIG. 5 . Le chronogramme de la FIG. 6 comprend des courbes 601 et 603 illustrant un exemple d’évolution, en fonction du temps (t), du potentiel Vsn′ présent au nœud 503 et du courant Iled parcourant la diode électroluminescente 211, respectivement. Entre un instant t0′ et un instant t1′, postérieur à l’instant t0′, le potentiel Vsn′ présent au nœud 503 est égal à une valeur minimale Vmin. Le courant Iled est par exemple à un niveau bas, par exemple sensiblement nul, entre les instants t0′ et t1′. Cela correspond par exemple à une période pendant laquelle aucun photon n’est détecté par la diode 501. Dans l’exemple représenté, à l’instant t1′, au moins un photon est détecté par la diode 501. Les charges produites par l’avalanche générée dans la diode 501 s’accumulent alors aux bornes de l’élément capacitif 511, provoquant ainsi une augmentation du potentiel Vsn′ jusqu’à une valeur maximale Vmax, strictement supérieure à la valeur Vmin. Cela provoque une commutation du potentiel Vo′ de sortie de la bascule de Schmitt 515. Le courant Iled traversant la diode électroluminescente 211 commute alors depuis le niveau bas vers un niveau haut. Entre l’instant t1′ et un instant t2′, postérieur à l’instant t1′, le phénomène d’avalanche est éteint par l’action de la résistance 507 et l’élément capacitif 511 se décharge à travers l’élément résistif 507. Cela provoque, entre les instants t1′ et t2′, une commutation du potentiel Vo′ de sortie de la bascule de Schmitt 515 vers un niveau bas. Le courant Iled traversant la diode électroluminescente 211 commute alors depuis le niveau haut vers le niveau bas par l’action de l’inverseur 317 et du transistor 319. De façon analogue à la courbe 403 entre les instants t2 et t3, la courbe 603 illustre, entre l’instant t2′ et un instant t3′, postérieur à l’instant t2′, plusieurs autres impulsions du courant Iled semblables à celle présente entre les instants t1′ et t2′. Ces impulsions résultent, comme exposé ci-dessus, de charges et de décharges successives de l’élément capacitif 511 lorsque la diode 501 capte au moins un photon du rayonnement 105. Les impulsions que comporte la courbe 603 entre les instants t0′ et t3′ se répètent par exemple périodiquement, par exemple à une fréquence fh′. Entre un instant t4′, postérieur à l’instant t3′, et un instant t5′, postérieur à l’instant t4′, la courbe 603 illustre encore d’autres impulsions du courant Iled, par exemple analogues aux impulsions présentes entre les instants t0′ et t3′. Les impulsions du courant Iled entre les instants t4′ et t5′ diffèrent par exemple des impulsions du courant Iled entre les instants t0′ et t3′ en ce qu’elles se répètent périodiquement à une fréquence fl′ strictement inférieure à la fréquence fh′. Cela provient par exemple du fait que la diode 501 capte, au cours d’une phase LF′ comprise entre les instants t4′ et t5′, un nombre de photons moins important, par exemple résultant d’une baisse d’intensité du rayonnement 105, que durant une autre phase HF′ comprise entre les instants t0′ et t3′. Dans l’exemple représenté, les fréquences fh′ et fl′ sont représentatives du nombre de photons captés par la diode 501, par exemple sensiblement proportionnelles au nombre de photons captés par la diode 501. Les fréquences fh′ et fl′ sont par exemple sensiblement proportionnelles à l’intensité, ou au flux, du rayonnement 105 capté par la diode 501. La diode électroluminescente 211 est par exemple ainsi commandée par un signal périodique de fréquence sensiblement proportionnelle à l’intensité du rayonnement 105 capté par la diode 501. Dans les exemples exposés ci-dessus, le dispositif de capture et d’affichage d’images 100 est dépourvu de circuits d’adressage des matrices d’éléments de détection 103 et d’émission 107. Le dispositif 100 est en outre dépourvu de circuits et composants de stockage, ou mémorisation, d’images acquises par les éléments de détection 103 ou d’images à afficher par les éléments d’émission 107. Un avantage du dispositif 100 tient au fait qu’il présente un poids, un encombrement, une complexité, une consommation énergétique, des coûts de fabrication et/ou un temps de latence inférieurs à ceux des dispositifs existants de capture et d’affichage d’images. La FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 , la FIG. 7 et la FIG. 7 illustrent, par des vues en coupe, schématiques et partielles, des structures obtenues à l’issue d’étapes d’un procédé de fabrication du dispositif 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation, sur un substrat de support 701, d’un empilement de photodétecteur infrarouge 703. À titre d’exemple, le substrat de support 701 est une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur. Le substrat de support 701 est par exemple revêtu, sur l’une de ses faces, d’une couche semiconductrice 705. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 705 est située sur et en contact avec une face 701T du substrat de support 701 (la face supérieure du substrat 701, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche 705 est en le même matériau semiconducteur que le substrat de support 701. La couche semiconductrice 705 est par exemple revêtue d’une autre couche semiconductrice 707, par exemple une couche en le même matériau que la couche 705. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 707 est située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 705 opposée au substrat de support 701. À titre d’exemple, la couche semiconductrice 707 est dopée d’un premier type de conductivité, par exemple le type N (dopage N+). La couche semiconductrice 705 joue par exemple le rôle d’une couche tampon entre le substrat de support 701 et la couche semiconductrice 707. La couche semiconductrice 707 est par exemple revêtue d’une autre couche semiconductrice 709, par exemple une couche en un matériau semiconducteur différent du matériau de la couche semiconductrice 707. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 709 est située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 707 opposée au substrat de support 701. À titre d’exemple, la couche semiconductrice 709 est dopée du premier type de conductivité (le type N, dans cet exemple) et présente un niveau de dopage inférieur à celui de la couche semiconductrice 707 (dopage N-). La couche semiconductrice 709 constitue par exemple une couche active, également appelée couche d’absorption ou de photoconversion, de l’empilement de photodétecteur infrarouge 703. La couche semiconductrice 707 est par exemple destinée à former une électrode supérieure commune aux photodétecteurs infrarouge 201 du dispositif 100. La couche semiconductrice 709 est par exemple revêtue d’une autre couche semiconductrice 711, par exemple une couche en le même matériau que la couche semiconductrice 707. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 711 est située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 709 opposée au substrat de support 701. À titre d’exemple, la couche semiconductrice 711 est non dopée. Dans l’exemple illustré, les couches semiconductrices 705, 707, 709 et 711 forment l’empilement de photodétecteur infrarouge 703. Le substrat de support 701 et chaque couche 705, 707, 709, 711 de l’empilement 703 sont par exemple en des matériaux semiconducteurs inorganiques différents du silicium, par exemple des composés III-V comprenant au moins un premier élément du groupe III, un deuxième élément du groupe V et, éventuellement, un troisième élément, par exemple un élément du groupe III autre que le premier élément. À titre d’exemple, le substrat de support 701 et les couches semiconductrices 705, 707 et 711 sont en phosphure d’indium (InP). La couche semiconductrice 709 est par exemple en arséniure d’indium-gallium (InGaAs). À titre d’exemple, les couches 705, 707, 709 et 711 de l’empilement de photodétecteur infrarouge 703 sont formées, par des opérations de croissance épitaxiale successives, depuis la face 701T du substrat de support 701. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de dépôt d’une couche isolante 713 du côté de la face supérieure de la structure de la FIG. 7 . La couche isolante 713 revêt la couche semiconductrice 711. Dans l’exemple représenté, la couche isolante 713 est plus précisément située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 711 opposée au substrat de support 701. À titre d’exemple, la couche isolante 713 est en un oxyde, par exemple un oxyde de silicium (SiO 2 ), ou en un nitrure, par exemple un nitrure de silicium (SiN). Par ailleurs, au cours de cette étape, des ouvertures traversantes sont formées dans la couche isolante 713. Ces ouvertures sont par exemple situées à l’aplomb d’emplacements où seront ultérieurement formées des électrodes inférieures 715 des photodétecteurs infrarouge 201. À titre d’exemple, les ouvertures sont formées par photolithographie puis gravure de la couche isolante 713. Par ailleurs, au cours de cette étape, les électrodes inférieures 715 des photodétecteurs infrarouge 201 sont formées dans la couche semiconductrice 711. Dans cet exemple, les électrodes inférieures 715 sont formées dans l’épaisseur de la couche semiconductrice 711, par exemple par dopage d’un deuxième type de conductivité (le type P, dans cet exemple) de régions de la couche semiconductrice 711 situées sensiblement à l’aplomb des ouvertures préalablement formées dans la couche isolante 713. À titre d’exemple, le dopage est obtenu par diffusion d’une espèce dopante acceptrice, par exemple des atomes de zinc. Par ailleurs, au cours de cette étape, des éléments de reprise de contact 717 sont formés sur et en contact avec les électrodes inférieures 715. Dans l’exemple illustré, les éléments de reprise de contact 717 comblent, c’est-à-dire remplissent totalement, les ouvertures préalablement formées dans la couche isolante 713. Dans cet exemple, les éléments de reprise de contact 717 s’étendent en outre latéralement sur et en contact avec la face de la couche isolante 713 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de la couche isolante 713, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, une couche conductrice, par exemple une couche métallique, est d’abord déposée du côté de la face supérieure de la structure. La couche conductrice est par exemple ensuite structurée, par exemple par photolithographie puis gravure, de sorte à obtenir les éléments de reprise de contact 717. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation de tranchées d’isolation 719 dans l’empilement de photodétecteur infrarouge 703. Au cours de cette étape, des tranchées sont par exemple formées dans la couche isolante 713 et dans l’empilement de photodétecteur infrarouge 703. Dans l’exemple représenté, les tranchées s’étendent verticalement depuis une face de la couche isolante 713 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de la couche isolante 713, dans l’orientation de la FIG. 7 ) jusqu’à la couche semiconductrice 707, à travers les couches semiconductrices 711 et 709. Dans cet exemple, le fond de chaque tranchée est constitué par une partie de la face supérieure de la couche semiconductrice 707. À titre d’exemple, des ouvertures traversantes sont d’abord formées dans la couche isolante 713, par exemple par photolithographie puis gravure. Les couches semiconductrices 711 et 709 de l’empilement de photodétecteur infrarouge 703 sont par exemple ensuite gravées à l’aplomb des ouvertures préalablement formées dans la couche isolante 713, de sorte à obtenir les tranchées. Par ailleurs, au cours de cette étape, les flancs des tranchées sont passivés par le dépôt d’une couche isolante 721, par exemple une couche d’oxyde, revêtant les flancs et le fond des tranchées. Une opération de gravure anisotrope est par exemple ensuite mise en œuvre de sorte à éliminer des parties de la couche isolante 721 revêtant le fond des tranchées. Par ailleurs, au cours de cette étape, des éléments de reprise de contact 723 sont formés dans les tranchées. Dans l’exemple illustré, les éléments de reprise de contact 723 comblent, c’est-à-dire remplissent totalement, les tranchées préalablement formées dans la couche isolante 713 et dans les couches semiconductrices 711 et 709. Dans cet exemple, les éléments de reprise de contact 723 s’étendent en outre latéralement sur et en contact avec la face de la couche isolante 713 opposée au substrat de support 701 (la face supérieure de la couche isolante 713, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, une couche conductrice, par exemple une couche métallique, est d’abord déposée du côté de la face supérieure de la structure. La couche conductrice est par exemple ensuite structurée, par exemple par photolithographie puis gravure, de sorte à obtenir les éléments de reprise de contact 723. Au cours de cette étape, les éléments de reprise de contact 723 sont par exemple amincis, par exemple par CMP (de l’anglais « Chemical and Mechanical Polishing » - polissage mécano-chimique) du côté de la face supérieure de la structure. Les éléments de reprise de contact 717 et 723 constituent par exemple respectivement des électrodes d’anode et de cathode des photodétecteurs infrarouge 201 du dispositif 100. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation d’un empilement actif de diode électroluminescente 751, ou empilement actif de LED, du côté d’une face 753T d’un substrat 753 (la face supérieure du substrat 753, dans l’orientation de la FIG. 7 ). L’étape décrite en relation avec la FIG. 7 peut être réalisée indifféremment avant, pendant ou après les étapes précédemment décrites en relation avec les figures 7A à 7C. Le substrat 753 est transparent au rayonnement 109 émis par les diodes électroluminescentes 211, par exemple transparent à la lumière visible. À titre d’exemple, le substrat 753 est en corindon (« sapphire », en anglais). Dans un cas où le substrat 753 est éliminé lors d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du dispositif 100, le substrat 753 peut être en un matériau opaque à la lumière visible, par exemple le silicium. Dans l’exemple représenté, une couche semiconductrice 755 dopée du premier type de conductivité (le type N, dans cet exemple), revêt la face 753T du substrat 753. La couche semiconductrice 755 est par exemple plus précisément située sur et en contact avec la face 753T. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 755 est revêtue d’une couche active 757. La couche active 757 est, dans cet exemple, située sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 755 opposée au substrat 753 (la face supérieure de la couche 755, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche 757 comprend des boîtes ou puits quantiques. Dans l’exemple illustré, la couche active 757 est revêtue d’une autre couche semiconductrice 759. La couche semiconductrice 759 est, dans cet exemple, située sur et en contact avec une face de la couche active 757 opposée au substrat 753 (la face supérieure de la couche 757, dans l’orientation de la FIG. 7 ). La couche semiconductrice 759 est par exemple dopée d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Dans cet exemple, la couche semiconductrice 759 est de type P. Dans l’exemple illustré, la couche semiconductrice 755, la couche active 757 et la couche semiconductrice 759 forment l’empilement de diode électroluminescente 751. À titre d’exemple, la couche semiconductrice 755, la couche active 757 et la couche semiconductrice 759 sont formées successivement par croissance épitaxiale depuis la face 753T du substrat 753. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des diodes électroluminescentes 211 à partir de la structure décrite ci-dessus en relation avec la FIG. 7 . Dans l’exemple illustré, des électrodes de conduction 761 des diodes électroluminescentes 211 sont formées du côté de la face 753T du substrat 753. Les électrodes de conduction 761 sont par exemple plus précisément des électrodes d’anode des diodes électroluminescentes 211. Dans l’exemple représenté, les électrodes de conduction 761 revêtent une face de l’empilement actif de diode électroluminescente 751 opposée au substrat 753 (la face supérieure de l’empilement 751, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Les électrodes de conduction 761 sont par exemple situées sur et en contact avec une face de la couche semiconductrice 759 opposée au substrat 753 (la face supérieure de la couche 759, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Les électrodes de conduction 761 présentent par exemple, en vue de dessus, une forme quelconque, par exemple rectangulaire, ovale, carrée, circulaire, etc. À titre d’exemple, les électrodes de conduction 761 sont en un matériau conducteur, par exemple un métal ou un alliage métallique. Par ailleurs, au cours de cette étape, des tranchées d’isolation périphérique 763 sont formées dans l’épaisseur de l’empilement actif de diode électroluminescente 751. Dans l’exemple représenté, chaque tranchée d’isolation périphérique 763 s’étend verticalement dans l’épaisseur de l’empilement actif de diode électroluminescente 751, depuis la face de la couche semiconductrice 759 opposée au substrat 753 et traverse la couche semiconductrice 759 et la couche active 757. Dans cet exemple, chaque tranchée d’isolation périphérique 763 s’interrompt dans l’épaisseur de la couche semiconductrice 755, c’est-à-dire que les tranchées d’isolation périphériques 763 ne débouchent pas sur la face 753T du substrat 753. Dans l’exemple illustré, chaque tranchée d’isolation périphérique 763 présente une forme annulaire entourant, ou bordant, une partie de la couche active 757 correspondant à une région active de la diode électroluminescente 211. Chaque tranchée d’isolation périphérique 763 entoure en outre l’électrode de conduction 761 de la diode électroluminescente 211. Les tranchées d’isolation périphérique 763 forment par exemple, en vue de dessus, un quadrillage dont chaque case délimite latéralement une diode électroluminescente 211. À titre d’exemple, chaque tranchée d’isolation périphérique 763 comprend une région conductrice 765 dont les parois latérales, ou flancs, sont revêtus d’une couche isolante 767, la couche isolante 767 étant par exemple située sur et en contact avec les flancs de la région conductrice 765. Par ailleurs, au moins un élément de connexion 769 (un seul élément de connexion 769, dans l’exemple représenté) d’une électrode de conduction commune, par exemple une électrode de cathode, des diodes électroluminescentes 211 est formé au cours de cette étape. À titre d’exemple, chaque élément de connexion 769 comprend une région conductrice 771 dont les parois latérales, ou flancs, sont revêtus d’une couche isolante 773, la couche isolante 773 étant par exemple située sur et en contact avec les flancs de la région conductrice 771. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de formation, du côté de la face 753T du substrat 753, d’éléments de reprise de contact 775. Dans l’exemple représenté, chaque élément de reprise de contact 775 est situé sur et en contact avec l’une des électrodes de conduction 761, ou sur et en contact avec la région conductrice 771 de l’élément de reprise de contact 769. Dans cet exemple, des régions isolantes 777 s’étendent latéralement entre les éléments de reprise de contact 775. Dans l’exemple illustré, les éléments de reprise de contact 775 affleurent la face supérieure des régions isolantes 777. À titre d’exemple, les éléments de reprise de contact 775 et les régions isolantes 777 sont issus de la mise en œuvre d’une technique de damascène. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des circuits 205 des pixels PIX du dispositif 100. L’étape décrite en relation avec la FIG. 7 peut être réalisée indifféremment avant, pendant ou après les étapes précédemment décrites en relation avec les figures 7A à 7F. Dans l’exemple représenté, la structure comprend un substrat de support 781. À titre d’exemple, le substrat de support 781 est une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. Le substrat de support 781 est par exemple revêtu, sur l’une de ses faces, d’une couche isolante 783. Dans l’exemple représenté, la couche isolante 783 est située sur et en contact avec une face 781T du substrat de support 781 (la face supérieure du substrat 781, dans l’orientation de la FIG. 7 ). À titre d’exemple, la couche isolante 783 est en un oxyde, par exemple l’oxyde de silicium. La couche isolante 783 est par exemple revêtue d’une couche semiconductrice 785, par exemple une couche en silicium. Dans l’exemple représenté, la couche semiconductrice 785 est située sur et en contact avec une face de la couche isolante 783 opposée au substrat de support 781. À titre d’exemple, le substrat de support 781, la couche isolante 783 et la couche semiconductrice 785 font partie d’un substrat de type SOI (de l’anglais « Silicon On Insulator » - silicium sur isolant). Dans ce cas, la couche isolante 783 correspond à la couche d’oxyde enterré (« buried oxide » - BOX, en anglais) du substrat SOI. Dans cet exemple, les circuits 205 sont situés du côté de la face 781T du substrat semiconducteur 781. À titre d’exemple, les circuits 205 sont formés dans et sur la couche semiconductrice 785. Bien que cela n’ait pas été détaillé en FIG. 7 afin de ne pas surcharger le dessin, la structure comprend par exemple en outre un empilement ou réseau d’interconnexion situé sur la couche semiconductrice 785. L’empilement d’interconnexion comprend par exemple alors un empilement de couches conductrices, par exemple des couches métalliques ou niveaux de métallisation, et de couches isolantes alternées. L’empilement d’interconnexion comprend par exemple des pistes conductrices formées dans les couches conductrices et des vias conducteurs, par exemple des vias métalliques, interconnectant des pistes conductrices situées dans des couches conductrices différentes. Dans l’exemple représenté, seule une couche conductrice 789 de l’empilement d’interconnexion la plus éloignée du substrat de support 781, appelée dernier niveau de métallisation, a été symbolisée par des rectangles hachurés en FIG. 7 . Dans cet exemple, le dernier niveau de métallisation est formé dans une couche isolante 787 de l’empilement d’interconnexion. La couche semiconductrice 785 de la structure illustrée en FIG. 7 correspond par exemple au substrat semiconducteur 101 du dispositif 100 de la FIG. 1 . Bien que la FIG. 7 illustre un exemple dans lequel les circuits 205 sont formés dans et sur un substrat de type SOI, cet exemple n’est pas limitatif. À titre de variante, les circuits 205 peuvent être formés dans et sur un substrat semiconducteur massif, par exemple identique ou analogue au substrat de support 781 de la FIG. 7 . La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 . À titre d’exemple, la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par les faces de la couche isolante 787 et de la couche conductrice 789 opposées au substrat de support 781 (les faces inférieures des couches 787 et 789, dans l’orientation de la FIG. 7 ), avec les faces des éléments de reprise de contact 775 et des régions isolantes 777 opposées au substrat 753 (les faces supérieures des éléments de reprise de contact 775 et des régions isolantes 777, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Au cours de cette étape, la structure comprenant le substrat 753 et l’empilement actif de diode électroluminescente 751 est fixée à l’empilement d’interconnexion dont font partie la couche isolante 787 et la couche conductrice 789. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le collage moléculaire est par exemple plus précisément de type hybride, chaque surface comprenant des éléments conducteurs, par exemple métalliques, et des éléments isolants, par exemple en oxyde. Le substrat de support 781 est par exemple ensuite éliminé. Le substrat de support 781 est par exemple totalement éliminé, par exemple par meulage du côté de la face 753T du substrat 753. Le fait d’utiliser un substrat de type SOI présente l’avantage de faciliter l’élimination du substrat de support 781 au cours de cette étape, par exemple en permettant un arrêt sur la couche isolante 783. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de réalisation de vias conducteurs 791 et d’éléments de reprise de contact 793. Dans l’exemple représenté, les vias conducteurs 791 s’étendent verticalement, depuis une face de la couche isolante 783 opposée au substrat 753 (la face supérieure de la couche 783, dans l’orientation de la FIG. 7 ), à travers la couche isolante 783 et pénètrent dans l’épaisseur de la couche semiconductrice 785. Bien que cela n’ait pas été détaillé en FIG. 7 afin de ne pas surcharger le dessin, les vias conducteurs 791 sont par exemple connectés aux circuits 205. Dans l’exemple représenté, chaque élément de reprise de contact 793 est situé sur et en contact avec l’un des vias conducteurs 791. Dans cet exemple, des régions isolantes 795 s’étendent latéralement entre les éléments de reprise de contact 793. Dans l’exemple illustré, les éléments de reprise de contact 793 affleurent la face supérieure des régions isolantes 795. À titre d’exemple, les éléments de reprise de contact 793 et les régions isolantes 795 sont issus de la mise en œuvre d’une technique de damascène. La FIG. 7 illustre plus précisément une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure de report de la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 sur la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 . À titre d’exemple, la structure précédemment décrite en relation avec la FIG. 7 est retournée par rapport à l’orientation de la FIG. 7 puis mise en contact, par les faces des éléments de reprise de contact 717 et 723 opposées au substrat de support 701 (les faces inférieures des éléments de reprise de contact 717 et 723, dans l’orientation de la FIG. 7 ), avec les faces des éléments de reprise de contact 793 opposées au substrat de support 753 (les faces supérieures des éléments de reprise de contact 793, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Au cours de cette étape, la structure comprenant le substrat de support 701 et l’empilement de photodétecteur inorganique 703 est fixée à l’empilement actif de diode électroluminescente 751. À titre d’exemple, la fixation est obtenue par collage moléculaire entre les deux surfaces mises en contact. Le collage moléculaire est par exemple plus précisément de type métal/métal. Par ailleurs, au cours de cette étape, le substrat de support 701 est éliminé. Le substrat de support 701 est par exemple totalement éliminé, par exemple par meulage du côté de la face 753T du substrat de support 753. Par ailleurs, au cours de cette étape, des lentilles 797 sont formées à l’aplomb de chaque photodétecteur 201. Dans l’exemple représenté, les lentilles 797 sont situées sur et en contact avec la face de la couche semiconductrice 705 opposée au substrat transparent 753 (la face supérieure de la couche semiconductrice 705, dans l’orientation de la FIG. 7 ). Le procédé décrit ci-dessus en relation avec les figures 7A à 7J peut être utilisé pour réaliser un dispositif 100 monolithique, par exemple un micro-écran, combinant une fonction de capture optique dans l’infrarouge et d’affichage d’images visibles monochromes. À titre de variante, le procédé peut être utilisé pour réaliser des dispositifs de plus grandes dimensions. Un tel dispositif peut comporter une pluralité de puces élémentaires (« smart pixel » - pixel intelligent, en anglais) disposées, par exemple selon un agencement matriciel, sur un même substrat de report. À titre d’exemple, le substrat de report est un substrat flexible (« flex », en anglais), c’est-à-dire un substrat capable d’épouser la forme d’un objet arrondi. Les puces élémentaires sont montées solidaires du substrat de report et connectées à des éléments de connexion électrique du substrat de report pour leur alimentation. Dans ce cas, chaque puce comporte par exemple un photodétecteur 201, une diode électroluminescente 211, et au moins l’un des circuits 205. Chaque puce correspond par exemple à un macro-pixel du dispositif. La mise en œuvre d’un tel procédé est à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description, et comprend par exemple une étape de découpe, ou individualisation, des puces élémentaires fixées sur un substrat de support temporaire suivie d’étapes de report des puces élémentaires sur le substrat de report, le pas des puces élémentaires sur le substrat de report correspondant à un multiple entier strictement supérieur à 1 du pas des puces élémentaires sur le substrat de support temporaire. La FIG. 8 est une vue de côté, schématique et partielle, d’un exemple d’implémentation du dispositif 100 de la FIG. 1 dans un appareil électronique 900. À titre d’exemple, l’appareil 900 est une paire de lunettes connectées ou un visiocasque destiné à être placé devant des yeux d’un utilisateur, par exemple un casque ou des lunettes de réalité augmentée ou de réalité mixte. Bien qu’un seul dispositif 100 placé en vis-à-vis d’un seul œil 901 ait été symbolisé en FIG. 8 , l’appareil électronique 900 peut bien entendu comprendre un autre dispositif 100 placé en vis-à-vis de l’autre œil de l’utilisateur. Dans l’exemple illustré, la majorité du rayonnement, par exemple de la lumière visible, parvenant à l’œil 901 provient du dispositif 100. Dans l’exemple représenté, l’appareil électronique 900 comporte, outre le dispositif de capture et d’affichage d’images 100, un circuit d’alimentation 903 et des éléments de focalisation 905, par exemple deux lentilles convexes, situés de part et d’autre du dispositif 100. À titre d’exemple, le circuit d’alimentation 903 comprend une batterie. Dans l’exemple illustré, l’élément de focalisation 905 interposé entre le dispositif 100 et l’œil 901 est adapté à focaliser, sur l’œil 901, le rayonnement 109 produit par les éléments d’émission 107. Par ailleurs, dans cet exemple, l’élément de focalisation 905 situé entre le dispositif 100 et l’extérieur est adapté à focaliser le rayonnement incident 105 sur les éléments de détection 103. L’appareil électronique 900 est par exemple dépourvu de circuits d’adressage et/ou de convertisseurs analogique-numérique. La FIG. 9 est une vue de côté, schématique et partielle, d’un autre exemple d’implémentation du dispositif 100 de la FIG. 1 dans un appareil électronique 1000. À titre d’exemple, l’appareil 1000 est une paire de lunettes d’assistance à des personnes malvoyantes, une paire de lunettes d’assistance à un conducteur d’un véhicule motorisé ou un dispositif d’affichage tête haute, par exemple intégré dans un véhicule motorisé tel qu’une voiture, un camion, etc. L’appareil électronique 1000 est par exemple adapté à superposer, à une image d’une scène vue par l’œil 901, une image produite par le dispositif 100, par exemple une image d’un contour ou une image intensifiée d’un objet de la scène. Dans le cas d’une image intensifiée, le dispositif 100 comprend par exemple en outre un circuit de traitement d’image adapté à mettre en œuvre cette fonction. À titre d’exemple, l’appareil 1000 est utilisé dans des applications d’intensification d’images, ou amplification de brillance, ou des applications de vision dans des environnements faiblement éclairés, par exemple des applications de vision nocturne. L’appareil électronique 1000 de la FIG. 9 comprend des éléments en commun avec l’appareil électronique 900 de la FIG. 8 . Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. L’appareil électronique 1000 de la FIG. 9 diffère de l’appareil électronique 900 de la FIG. 8 en ce que, dans l’appareil 1000, le dispositif 100 n’est pas placé en vis-à-vis de l’œil 901. Dans l’exemple illustré, la majorité du rayonnement, par exemple de la lumière visible, parvenant à l’œil 901 provient de la scène et la majorité du rayonnement incident 105 parvient à l’œil 901 sans être captée par le dispositif 100. Dans l’exemple illustré, l’appareil électronique 1000 comprend un guide d’ondes optique 1001 comprenant une face d’entrée disposée en vis-à-vis du dispositif 100, par exemple en vis-à-vis des éléments d’émission 107, et une face de sortie disposée en vis-à-vis de l’œil 901. Dans cet exemple, le guide d’ondes optique 1001 est adapté à transmettre, en direction de l’œil 901, le rayonnement 109 émis par le dispositif 100. Un avantage lié à l’intégration d’un ou plusieurs dispositifs 100 dans l’appareil 900 ou 1000 tient au fait que cela permet à ces appareils de présenter un poids, un encombrement, une complexité, une consommation énergétique, des coûts de fabrication et/ou un temps de latence inférieurs à ceux d’appareils analogues intégrant des dispositifs de capture et d’affichage d’images comprenant des circuits de lecture et de commande mettant en œuvre des fonctions d’adressage du capteur et de l’afficheur auxquels ils sont connectés, et dans lesquels les images acquises par le capteur sont par exemple stockées dans un circuit mémoire avant d’être affichées, éventuellement après traitement. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que les modes de réalisation décrits prennent pour exemple un cas dans lequel les matrices d’éléments de détection 103 et d’éléments d’affichage 107 présentent un pas sensiblement identique, la personne du métier est capable de prévoir, à partir des indications de la présente description, que la matrice d’éléments d’affichage 107 du dispositif 100 présente un pas différent, par exemple supérieur, à celui de la matrice d’éléments de détection 103. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples particuliers de matériaux et de dimensions mentionnés dans la présente description. Dispositif électronique (100) de capture et d’affichage d’images comprenant une pluralité de pixels (PIX) formés dans et sur un substrat semiconducteur (101 ; 785), chaque pixel comportant : – un élément de détection (103) d’un rayonnement infrarouge (105), situé du côté d’une première face (101F) du substrat semiconducteur (101) ; – un élément d’émission (107) de lumière visible (109), situé du côté d’une deuxième face (101R) du substrat semiconducteur opposée à la première face ; et – un circuit (205) situé dans et sur le substrat semiconducteur et reliant l’élément de détection à l’élément d’émission. Dispositif (100) selon la revendication 1, dans lequel le circuit (205) comprend : – un circuit d’acquisition (207) situé dans et sur le substrat semiconducteur (101 ; 785) et adapté à fournir un signal d’acquisition représentatif d’une intensité du rayonnement infrarouge (105) reçu par l’élément de détection (103) du pixel (PIX) ; et – un circuit de commande (209) situé dans et sur le substrat semiconducteur et adapté à appliquer un signal de commande à l’élément d’émission (107) du pixel. Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel le circuit d’acquisition (207) et le circuit de commande (209) sont des circuits analogiques. Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel : – chaque élément de détection (103) comprend un photodétecteur inorganique (201) ; – chaque circuit d’acquisition (207) comprend un comparateur (301) comportant une entrée inverseuse connectée à une électrode de conduction du photodétecteur ; et – chaque circuit de commande (209) comprend un inverseur (317) comportant une entrée connectée à une sortie du comparateur et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS (319), le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission (107). Dispositif (100) selon la revendication 2, dans lequel : – chaque élément de détection (103) comprend une diode (501) à avalanche à photon unique ; – chaque circuit d’acquisition (207) comprend une bascule de Schmitt (515) comportant une entrée connectée à une électrode de conduction de la diode à avalanche à photon unique ; et – chaque circuit de commande (209) comprend un inverseur (317) comportant une entrée connectée à une sortie de la bascule de Schmitt et une sortie connectée à une grille d’un transistor MOS (319), le transistor MOS comprenant une électrode de conduction connectée à l’élément d’émission (107). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les éléments de détection (103) sont situés en vis-à-vis des éléments d’émission (107). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les éléments de détection (103) et les éléments d’émission (107) sont agencés respectivement en des première et deuxième matrices, les première et deuxième matrices présentant des pas sensiblement identiques. Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel chaque élément d’émission (107) comprend au moins une diode électroluminescente (211). Dispositif (100) selon la revendication 8, dans lequel la diode électroluminescente (211) est commandée par un signal de commande présentant une valeur moyenne sensiblement proportionnelle à une intensité du rayonnement infrarouge (105) détectée par l’élément de détection (103). Dispositif (100) selon la revendication 8, dans lequel la diode électroluminescente (211) est commandée par un signal de commande présentant des impulsions se répétant à une fréquence sensiblement proportionnelle à une intensité du rayonnement infrarouge (105) détectée par l’élément de détection (103). Dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant autant d’éléments de détection (103) que d’éléments d’émission (107). Appareil électronique (900 ; 1000) comprenant : – un circuit d’alimentation (903) ; et – au moins un dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11. Procédé de fabrication d’un dispositif (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant une étape de report, par collage moléculaire, d’une structure comprenant les éléments de détection (103) et les circuits (205) sur une autre structure comprenant les éléments d’émission (107).