FR 3162512 A1 20251128 FR 2405414 A 20240527 L’invention se rapporte à un procédé de détermination de la température dans l’environnement d’un ensemble comprenant au moins un composant passif (6), le composant passif étant intégré dans un assemblage monocouche ou multicouche (22), comprenant les étapes de : - détermination de l’inductance géométrique du composant passif (6), à partir des dimensions du composant passif (6) ; - mesure de l’inductance du composant passif (6), appelée inductance totale, le composant passif (6) étant utilisé dans une gamme de température telle qu’il se trouve dans un état supraconducteur ; - détermination de l’inductance cinétique du composant passif (6), à partir de l’inductance totale et de l’inductance géométrique ; - détermination de la température à partir de l’inductance cinétique du composant. Figure pour l’abrégé : Fig. 2 Procédé de détermination de la température dans l’environnement d’un composant passif supraconducteur L’invention se rapporte au domaine technique de la mesure de température, et trouve son application pour la mesure de température dans des plateformes comprenant des réseaux de qubits ainsi que leur électronique de commande. L’invention se rapporte également à un procédé de contrôle de la température dans un cryostat, ainsi qu’à un système de détermination de la température dans l’environnement d’un ensemble comprenant au moins un composant passif. L'informatique quantique basée sur les qubits fonctionnant à basse température est utilisée pour la conception d'ordinateurs quantiques. Les boites quantiques, ou puces quantiques, sont utilisées pour piéger les charges individuelles et les spins associés qui sont ensuite utilisés comme qubits. Le bon fonctionnement de ces puces quantiques repose sur plusieurs aspects technologiques tels que le câblage et le packaging. La complexité du packaging des puces quantiques réside essentiellement dans le grand nombre de signaux d’entrée et de sortie à adresser et à lire, le tout à l’intérieur un cryostat, à des températures comprises entre quelques mK et environ 1 K. Cela a conduit à développer la cryo-électronique de contrôle CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) intégrée à proximité des qubits dans le cryostat. Cela a mené également à la conception et la fabrication d'assemblages multi-puces dans des architectures tridimensionnelles pour intégrer à la fois les puces quantiques et Cryo-CMOS. La FIG. 1 illustre un exemple d’une telle architecture tridimensionnelle pour intégrer à la fois la puce quantique 1 et la puce de contrôle 2 (puce Cryo-CMOS), utilisées pour le contrôle et la lecture des signaux transmis par la puce quantique 1. Dans une architecture générale tridimensionnelle, une structure appelée « interposeur » 3, par exemple à base de silicium, a une double fonction de support mécanique pour la puce quantique 1 et les puces de contrôle 2, et de routage afin de relier la puce quantique 1 et la puce de contrôle 2. La puce quantique 1 et la puce de contrôle 2 sont montées sur l’interposeur 3 avec une technologie « flip-chip ». Les puces de contrôle 2, connectées à la puce quantique 1 via des lignes de routage de l'interposeur 3, effectuent des fonctions de contrôle telles que le multiplexage des signaux et la lecture des signaux. Des composants passifs 4, tels que des résistances, inductances et condensateurs, sont également intégrés aux niveaux de routage de l'interposeur afin d’offrir des capacités de lecture alternatives. L’interposeur 3 est lui-même déposé sur un substrat 5 ou sur un PCB. L’homme du métier peut se référer au document [1], qui décrit plus en détails la plateforme illustrée par la FIG. 1 . Les composants passifs intégrés avec les pistes de routage de l’interposeur 3, ou dans les derniers niveaux des puces (ou BEOL pour Back-End Of Line ; ils constituent les derniers niveaux de routage de la puce) sont réalisés avec des matériaux supraconducteurs, dont la principale propriété est de rendre le matériau parfaitement et brutalement conducteur de l’électricité en dessous d’une température dite critique. Ainsi, le fait d’utiliser des composants passifs intégrés en matériaux supraconducteurs permet : – d’augmenter les performances des composants passifs (facteur de qualité) ; – d’éliminer l’effet Joule ; – de limiter le transport thermique entre la puce de contrôle 2 et la puce quantique 1. Les conditions d'utilisation du système (l’architecture tridimensionnelle) peuvent varier de quelques mK à 10 K, afin de fonctionner en-dessous de la température critique. L’espace disponible est très limité dans la mesure où le système est placé dans un cryostat dont la puissance de refroidissement est limitée par le volume à refroidir. Ainsi, une des problématiques rencontrée actuellement est la mesure de la température au plus proche des puces et/ou de l’interposeur, afin d’ajuster si besoin la température du cryostat. En effet, à ces échelles de température, il devient difficile de déterminer si la température du thermomètre est la même que celle de l’échantillon (l’objet de la mesure) : la mesure peut produire de la chaleur et la thermalisation entre le thermomètre et l’échantillon n’est pas parfaite. On se retrouve donc avec une lecture de température faussée, dont l’écart peut être est difficile à caractériser. Les dispositifs de type « superconductive temperature fixed point device » fournissent un certain nombre de températures de référence étalonnées comprises entre 10 mK et 7,2 K, par mesure résistive de la transition supraconductrice. Ces dispositifs ont une résolution en température qui reste limitée, et il est nécessaire d’ajouter un appareil volumineux, qui n’est pas directement intégrable sur l’échantillon faisant l’objet de la mesure de température. Il existe donc un besoin pour fournir un procédé de détermination de la température qui soit facilement intégrable dans un circuit intégré, avec une mesure stable. Un objet de l’invention est donc un procédé de détermination de la température dans l’environnement d’un ensemble comprenant au moins un composant passif, le composant passif étant intégré dans un assemblage monocouche ou multicouche, comprenant les étapes de : - détermination de l’inductance géométrique du composant passif, à partir des dimensions du composant passif ; - mesure de l’inductance du composant passif, appelée inductance totale, le composant passif étant utilisé dans une gamme de température telle qu’il se trouve dans un état supraconducteur ; - détermination de l’inductance cinétique du composant passif, à partir de l’inductance totale et de l’inductance géométrique ; - détermination de la température à partir de l’inductance cinétique du composant. Avantageusement, la mesure de l’inductance totale est effectuée par une mesure des paramètres S sur au moins un des ports du composant passif. Avantageusement, la mesure de l’inductance totale est effectuée par une mesure d’impédance aux bornes du composant passif. Avantageusement, la mesure de l’inductance totale est effectuée par une mesure de la fréquence de résonance. Avantageusement, le composant passif comprend un matériau supraconducteur sélectionné dans un groupe comprenant : NbN, NbTiN, TiN, AlCu granulaire. Avantageusement, le composant passif est une ligne de transmission, la ligne de transmission étant intégrée sur un niveau de métallisation. Avantageusement, le composant passif est une bobine, la bobine étant intégrée sur au moins deux niveaux de métallisation. Avantageusement, le composant passif est intégré dans le même substrat qu’une puce de type quantique ou de type puce de contrôle de la puce quantique, de façon à déterminer la température de la puce. Avantageusement, l’ensemble comprend une pluralité de composants passifs, les composants passifs étant constitués de matériaux différents, les matériaux étant déterminés en fonction de la gamme de température à déterminer. Avantageusement, l’ensemble comprend une pluralité de composants passifs, les composants passifs ayant des dimensions différentes, les dimensions étant déterminées en fonction de la gamme de température à déterminer et de la sensibilité visée. Avantageusement, la gamme de température est comprise entre une température dite de sensibilité et la température critique du matériau, la température critique correspondant à la température en-dessous de laquelle le matériau se trouve dans un état supraconducteur, la température de sensibilité étant inférieure à la température critique. Avantageusement, , correspondant à la température critique, la température de sensibilité, et . L’invention se rapporte également à un procédé de contrôle de la température dans un cryostat, comprenant : - la détermination d’une température de consigne du cryostat ; - une mesure de la température conformément au procédé précité ; - une régulation de la température si la température mesurée est différente de la température de consigne. L’invention se rapporte également à un système de détermination de la température dans l’environnement d’un ensemble comprenant au moins un composant passif, le composant passif étant intégré dans un assemblage monocouche ou multicouche, le système comprenant : - une unité de calcul, configurée pour déterminer l’inductance géométrique du composant passif, à partir des dimensions du composant passif ; - un système de mesure de l’inductance du composant passif, appelée inductance totale, le composant passif étant utilisé dans une gamme de température telle qu’il se trouve dans un état supraconducteur ; l’unité de calcul étant en outre configurée pour - déterminer l’inductance cinétique du composant passif, à partir de l’inductance totale et de l’inductance géométrique ; - déterminer la température à partir de l’inductance cinétique du composant. L’invention se rapporte également à un cryostat comprenant un système précité. Description des figures D’autres caractéristiques, détails et avantages de l’invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d’exemple. La FIG. 1 , déjà décrite, illustre le montage de puces sur un interposeur. La FIG. 2 illustre un mode de réalisation d’intégration d’un composant passif dans un assemblage monocouche. La FIG. 3 illustre un exemple de courbes de l’inductance cinétique en fonction de la température. La FIG. 4 illustre des modes de réalisation d’intégration d’un composant passif dans un assemblage monocouche. La FIG. 5 illustre les étapes d’intégration du composant passif avec une seule couche de métallisation. La FIG. 6 illustre les étapes d’intégration du composant passif avec deux couches de métallisation. Les figures 7 et 8 illustrent des mesures obtenues avec le procédé selon l’invention. Description détaillée Le composant passif 6 illustré par la FIG. 2 est représenté à la fois sous une forme schématique vue de dessus (à droite de la double-flèche), et sous une forme plus détaillée (à gauche de la double-flèche). Le composant passif 6 est ici une ligne de transmission, comprenant un premier plot de signal 61, un deuxième plot de signal 62, quatre plots de masse (63-66), une piste de signal 67 qui relie les deux plots de signal, et deux pistes de masse (68-69) qui entourent la piste de signal 67. A droite de la double-flèches, seules la piste de signal 67 et les deux pistes de masse (68-69) sont représentées. La FIG. 2 comprend également un exemple d’intégration du composant passif 6 (représenté par la piste de signal 67 et par les deux pistes de masse 68-69) dans un assemblage monocouche ou multicouche 22. Le composant passif 6 se trouve dans l’environnement du circuit quantique 7, et/ou du circuit de contrôle 8, et/ou d’autres éléments intégrés 9. L’environnement du composant passif 6 est constitué des éléments partageant le même substrat, ou encore ceux qui sont électriquement connectés au composant passif. L’idée à la base de l’invention est d’utiliser les propriétés supraconductrices du composant passif, en particulier d’utiliser l’inductance cinétique, pour remonter à l’information de température. Première étape A cette fin, le procédé selon l’invention comprend une première étape de détermination de l’inductance géométrique du composant passif, à partir des dimensions du composant passif. Soit l’inductance totale du composant passif, son inductance cinétique, et son inductance géométrique. L’inductance géométrique est due à la géométrie du composant passif ; elle est générée par le champ induit du composant. Les composants supraconducteurs ayant une résistivité nulle (ou quasi-nulle) en-dessous de leur température critique, les électrons passent très rapidement dans la maille métallique du composant, sans qu’il n’y ait de collision. En raison de leur vitesse, les électrons acquièrent une certaine inertie qui a pour conséquence qu’un changement de vitesse peut prendre du temps ; l’inductance cinétique correspond à cette difficulté de changement de vitesse des électrons. L’inductance totale peut être mesurée par l’une des méthodes décrites ci-après. L’inductance géométrique peut être déterminée en amont, et ne varie pas d’une mesure à l’autre ou en fonction de paramètres extérieurs tels que la température. Ainsi, il n’est pas nécessaire d’effectuer le calcul de l’inductance géométrique à chaque nouvelle mesure de température, ce qui permet de réduire le temps d’exécution du procédé. Le calcul peut être effectué par une unité de calcul, ou manuellement. Pour une bobine planaire (par exemple spirale ronde, carrée etc.), l’inductance géométrique peut être déterminée par la formule suivante : correspond à la perméabilité du vide. le nombre de tours le diamètre moyen ( ) le taux de remplissage , , , et sont des coefficients qui dépendent de la forme de la bobine planaire. L’homme du métier peut se référer au tableau II du document [2], qui indique ces coefficients en fonction de la forme de la bobine. Pour une ligne de transmission, l’inductance géométrique peut être déterminée par la formule suivante : correspond à l’intégrale elliptique du premier genre. correspond à la perméabilité du vide. correspond à la largeur de la ligne, et l’espacement entre la ligne et le plan de masse. Les inductances géométriques des lignes de transmission et des bobines peuvent aussi être déterminées par des formules connues de l’homme du métier. Pour d’autres types de composants passifs, l’inductance géométrique peut être déterminée selon des formules connues de l’homme du métier. Deuxième étape La deuxième étape du procédé de mesure de température consiste à mesurer l’inductance totale du composant passif. La mesure peut être mise en œuvre de façon périodique ou non-périodique, par exemple en fonction du contexte d’utilisation de la puce quantique ou de la puce de contrôle. Selon un premier mode de réalisation, la mesure de l’inductance totale est effectuée par une mesure des paramètres S sur au moins un des ports du composant passif. La mesure des paramètres S peut être mise en œuvre en utilisant un analyseur de réseau vectoriel (ou VNA pour Vector Network Analyzer). L’analyseur de réseau vectoriel peut être externe à l’assemblage monocouche ou multicouche, ou bien il peut y être intégré, ce qui permet de réduire l’encombrement total de la structure. En utilisant un seul port de l’analyseur de réseau vectoriel, seul le paramètre peut être mesuré. Il correspond au rapport entre la tension de sortie du port et la tension d’entrée du port, également appelé perte de retour. L’admittance peut être déduite de par des formules connues de l’homme du métier et décrite notamment dans [3]. En utilisant deux ports, par exemple les deux plots de signal de la ligne de transmission, le courant et la tension d’entrée, et le courant et la tension de sortie sont mesurés, de façon à déterminer l’admittance . En particulier, l’admittance est liée à l’inductance totale par la formule suivante : , et correspond à la fréquence du signal généré en entrée d’un des deux ports. La fréquence peut être comprise entre 1 MHz et 50 GHz. Lors de la mesure de l’admittance, le composant passif se trouve dans un état supraconducteur. Selon un deuxième mode de réalisation, la mesure de l’inductance totale peut être effectuée par une mesure d’impédance aux bornes du composant passif. L’impédance peut être mesurée avec un impédance-mètre. La relation qui lie l’impédance mesurée à l’inductance totale est la suivante : L’inductance totale est déterminée à partir de la partie imaginaire de l’impédance. Selon un troisième mode de réalisation, la mesure de l’inductance totale est effectuée par une mesure de la fréquence de résonance, en utilisant la résonance propre du composant passif. Si la résonance propre du composant passif est trop élevée par rapport à la bande de fréquence dans laquelle la mesure est effectuée, il peut être nécessaire d’ajouter un condensateur, connecté en parallèle ou en série avec le composant passif. Dans le cas d’une connexion en parallèle, un maximum de tension se produit à la résonance (maximum d’impédance à la résonance). En série, c’est un maximum de courant se produit à la résonance (un minimum d’impédance). Une fois que la fréquence de résonance a été déterminée, l’inductance totale est déterminée par la relation suivante : correspond à la capacité du condensateur, ou à la capacité parasite/intrinsèque du composant passif, et . Troisième étape Le procédé comprend une troisième étape de détermination de l’inductance cinétique du composant passif, à partir de l’inductance totale et de l’inductance géométrique , selon la formule suivante : Il est rappelé que l’inductance géométrique est obtenue à partir des dimensions du composant passif (sans avoir à effectuer les calculs à chaque mesure de température), et que l’inductance totale est mesurée conformément aux modes de réalisation précités. Quatrième étape Dans une quatrième étape, la température du composant est déterminée à partir de son inductance cinétique. La formule suivante relie la température du composant à l’inductance cinétique (cf. document [4]) : Avec Et correspond à la résistance par carré 1 degré au-dessus de la température critique . correspond à la constante de Planck réduite. correspond au gap d’énergie supraconducteur, c’est-à-dire est l'énergie minimale qu'il faut fournir au supraconducteur pour casser l'une de ses paires de Cooper. La résistance par carré 1 degré au-dessus de la température critique et le gap d’énergie supraconducteur sont des caractéristiques du matériau constitutif du composant passif. Ces caractéristiques se mesurent facilement sur le composant passif directement intégré, en mesurant par exemple la résistance à différentes températures. correspond à la constante de Boltzmann. et correspondent respectivement à la longueur et à la largeur de la piste (i.e. de la ligne de transmission). Le document [5] décrit une autre formule qui relie la température du composant à l’inductance cinétique : Avec Et correspond à la longueur de pénétration magnétique. correspond à l’épaisseur de la piste lorsque celui-ci est une ligne de transmission. correspond à la perméabilité du vide. correspond à la partie imaginaire de la conductivité complexe. correspond à la conductivité à l’état normal (non-supraconducteur). Les formules précitées sont valables pour ; si cette condition n’est pas remplie, l’homme du métier peut se référer à la formule intégrale de Mattis-Bardeen. Ainsi, en ayant déterminé l’inductance cinétique à l’aide des mesures d’inductance totale, et en connaissant les caractéristiques du matériau constitutif du composant passif et ses dimensions, il est possible de remonter à l’information de température. Le procédé selon l’invention permet d’effectuer une mesure sur une large gamme de température, qui correspond à la gamme de température dans laquelle le composant passif se trouve dans un état supraconducteur. Les étapes calculatoires peuvent être réalisées sur une unité de calcul reprogrammable (un processeur ou un micro-contrôleur par exemple) exécutant un programme comprenant une séquence d'instructions, ou sur une machine de calcul dédiée (par exemple un ensemble de portes logiques comme un FPGA ou un ASIC, ou tout autre module matériel). La FIG. 3 illustre un exemple de courbe représentant l’inductance cinétique en fonction de la température, lorsque le composant passif est en nitrure de niobium (NbN) ou en niobium (Nb). Les points représentent des valeurs mesurées du paramètre S avec un analyseur de réseau vectoriel, et le trait continu représente le modèle. La température critique du niobium est égale à environ 9 K, et celle du nitrure de niobium est égale à environ 14 K. Ainsi, le procédé permet de choisir le matériau du composant passif en fonction de la gamme de température souhaitée. Le composant passif doit rester dans un état supraconducteur sur toute la gamme de température mesurée. De préférence le matériau choisi pour le composant passif est tel que la gamme de température à mesurer est comprise entre une température dite de sensibilité et la température critique du matériau. La température de sensibilité est inférieure à la température critique. En effet, l’inductance cinétique est quasi-constante entre 0 K et environ la moitié de la température critique. Ainsi, la sensibilité de la mesure de température est optimale entre , et , avec . Le procédé selon l’invention permet avantageusement d’avoir une gamme de températures étendue, en utilisant différents matériaux et/ou des composants passifs d’un même matériau mais avec des dimensions géométriques différentes. Par exemple, l’assemblage mono-couche ou multi-couche peut comprendre un composant passif en niobium, et un composant passif en nitrure de niobium, ce qui permet d’effectuer des mesures entre 3 et 14 K (entre 3 et 9 K en utilisant le composant passif en niobium et entre 5 et 14 K en utilisant le composant passif en nitrure de niobium). D’autres matériaux supraconducteurs peuvent être envisagés, par exemple le nitrure de nobium-titane (NbTiN, intervalle de température 3-12 K), le nitrure de titane (TiN, intervalle de température 2-5 K), ou encore l’alliage de cuivre-aluminium granulaire (AlCu, intervalle de température 1-2 K). Ces matériaux présentent l’avantage d’avoir une inductance cinétique élevée, ce qui facilite d’autant la détermination de la valeur de l’inductance cinétique. D’autres matériaux peuvent convenir pour la mise en œuvre de l’invention. La FIG. 4 illustre des exemples d’intégration des composants passifs dans un assemblage mono-couche ou multi-couche, selon une vue en coupe. Le composant passif 6 peut être intégré sur l’interposeur 3, sans être connecté à la puce quantique 1 ou à la puce de contrôle 2 (configuration A). En variante, le composant passif 6 peut être intégré au niveau des dernières couches de métallisation (BEOL) de la puce quantique 1 (configuration B) ou au niveau des dernières couches de métallisation (BEOL) de la puce de contrôle 2 (configuration D). Selon d’autres variantes, le composant passif 6 peut être intégré sur l’interposeur 3, et connecté à la puce quantique 1 (configuration C), ou connecté à la puce de contrôle 2 (configuration E), par l’intermédiaires de pistes conductrices 10. Selon un autre mode de réalisation, le composant passif peut être intégré au niveau des dernières couches de métallisation de la puce quantique 1, sans interposeur. La configuration dépend essentiellement de l’objet de la mesure. Par exemple, si la mesure de température doit être effectuée au niveau de la puce quantique, il est préférable d’adopter l’une des configurations parmi B ou C. La FIG. 5 illustre des exemples d’étapes d’intégration du composant passif avec une seule couche de métallisation. Ce procédé d’intégration est particulièrement adapté lorsque le composant passif est une ligne de transmission. Un substrat (wafer) de silicium 10 est oxydé sur une certaine épaisseur, par élévation de température, dans un four, de façon à former une couche de dioxyde de silicium 12 (étape 1). La première couche de métallisation 13 est déposée sur la couche de dioxyde de silicium 12 par un procédé parmi le dépôt physique en phase vapeur (PVD), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), sans que cette liste ne soit exhaustive (étape 2). Par photolithographie, une résine 14 est déposée pour protéger la couche de métallisation 13 aux emplacements souhaités (étape 3). La couche de métallisation non protégée est gravée, par gravure sèche assistée par plasma (étape 4). La résine 14 est ensuite retirée (étape 5). La FIG. 6 illustre des exemples d’intégration du composant passif avec deux couches de métallisation. Ce procédé d’intégration est particulièrement adapté lorsque le composant passif est une bobine (qui peut être intégrée sur plus de deux couches de métallisation, par exemple sur quatre couches de métallisation). Les cinq premières étapes 1)-5) sont identiques au cas d’intégration du composant passif avec une seule couche de métallisation. A l’issue de l’étape 5), la première couche de métallisation 15 est déposée. A l’étape suivante (étape 6), un niveau d’interconnexion de type Damascene est ajouté (par polissage mécano-chimique) afin de créer des vias 16 (par exemple en titane, en nitrure de titane ou en tungstène). La fabrication de la deuxième couche de métallisation 17 est identique aux cinq premières étapes, c’est-à-dire dépôt par vapeur plasma, photolithographie, gravure sèche assistée par plasma, retrait de la résine. Une couche protectrice de nitrure de silicium 18 est ajoutée par passivation, et des ouvertures 19 sont créées aux endroits réservés aux plots de contacts, ce qui enlève la couche de passivation (étape 8). Une couche de métallisation de type « Under bump metallization » 20 (ou UBM) et plaquée Au est ajoutée, et destinée à être interposée entre la structure multi-couche et les plots de soudure 21 en Indium, destinés à faire le contact avec la puce quantique ou avec la puce de contrôle (étapes 9 et 10). L’intégration des composants passifs n’est pas limitée aux modes de réalisation précités. Ainsi, le composant passif est complètement intégré dans l’interposeur (l’intégration serait semblable au niveau des dernières couches de métallisation d’une des puces), ce qui simplifie le processus de fabrication. De plus, il peut être intégré sur des systèmes aux dimensions réduites ou dans des systèmes difficilement accessibles. La mesure est effectuée au plus proche des points d’intérêts (puce de contrôle, puce quantique). Le composant passif est facile à fabriquer car il a des dimensions micrométriques et a une forme simple. Les dimensions sont contraintes par la technologie ; des dimensions nanométriques pourraient même être utilisées, ce qui permettrait d’améliorer l’intégration du capteur. Par ailleurs, cela aurait un effet bénéfique sur la qualité de mesure, car le composant passif n’a pas de résistance, et l’inductance cinétique (sur laquelle repose la mesure de température) augmente avec la finesse de la piste. La FIG. 7 illustre différentes déterminations de l’inductance totale en fonction de la température, pour trois composants passifs différents (CPW E7 Nb, CPW E7 NbN et Ind A3 NbN) Cette figure illustre le fait que l’inductance totale et sa gamme de variation (sensibilité en inductance et en température) peuvent être ajustées par la géométrie du composant et le choix du matériau. La FIG. 8 illustre la détermination de température en fonction de la fréquence, à partir de paramètres S. Cette figure illustre le fait que la fréquence de résonance (maximum de l’impédance dans ce cas, cf. maximum entre les pointillés) varie avec la température. Le fait de pouvoir mesurer précisément la température, au plus près des puces, permet de mettre en place un contrôle et une commande efficaces de la température dans un cryostat, comprenant : - la détermination d’une température de consigne du cryostat ; - une mesure de la température conformément au procédé de mesure de température précité ; - une régulation de la température si la température mesurée est différente de la température de consigne (i.e. si la valeur mesurée s’écarte d’un certain seuil de la valeur de consigne). Références citées [1] « Superconducting routing platform for large-scale integration of quantum technologies » (Thomas et al., 2022 Mater. Quantum. Technol. 2, 035001) [2] « Simple Accurate Expressions for Planar Spiral Inductances », Sunderarajan S. Mohan et al., IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 34, no. 10, october 1999 [3] « Multiport conversions between S, Z, Y, h, ABCD, and T parameters », T. Reveyrand [4] « Introduction to Superconductivity », Michael Tinkham [5] « Photon-detecting superconducting resonators », Rami Barends Procédé de détermination de la température dans l’environnement d’un ensemble comprenant au moins un composant passif (6), le composant passif étant intégré dans un assemblage monocouche ou multicouche (22), comprenant les étapes de : - détermination de l’inductance géométrique du composant passif (6), à partir des dimensions du composant passif (6) ; - mesure de l’inductance du composant passif (6), appelée inductance totale, le composant passif (6) étant utilisé dans une gamme de température telle qu’il se trouve dans un état supraconducteur ; - détermination de l’inductance cinétique du composant passif (6), à partir de l’inductance totale et de l’inductance géométrique ; - détermination de la température à partir de l’inductance cinétique du composant. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la mesure de l’inductance totale est effectuée par une mesure des paramètres S sur au moins un des ports (61-66) du composant passif (6). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la mesure de l’inductance totale est effectuée par une mesure d’impédance aux bornes (61-66) du composant passif (6). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la mesure de l’inductance totale est effectuée par une mesure de la fréquence de résonance. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le composant passif (6) comprend un matériau supraconducteur sélectionné dans un groupe comprenant : NbN, NbTiN, TiN, AlCu granulaire. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le composant passif (6) est une ligne de transmission, la ligne de transmission étant intégrée sur un niveau de métallisation (13). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le composant passif (6) est une bobine, la bobine étant intégrée sur au moins deux niveaux de métallisation (15, 16). Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le composant passif est intégré dans le même substrat qu’une puce de type quantique ou de type puce de contrôle de la puce quantique, de façon à déterminer la température de la puce. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’ensemble comprend une pluralité de composants passifs, les composants passifs étant constitués de matériaux différents, les matériaux étant déterminés en fonction de la gamme de température à déterminer. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’ensemble comprend une pluralité de composants passifs, les composants passifs ayant des dimensions différentes, les dimensions étant déterminées en fonction de la gamme de température à déterminer et de la sensibilité visée. Procédé selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la gamme de température est comprise entre une température dite de sensibilité et la température critique du matériau, la température critique correspondant à la température en-dessous de laquelle le matériau se trouve dans un état supraconducteur, la température de sensibilité étant inférieure à la température critique. Procédé selon la revendication 11, dans lequel , correspondant à la température critique, la température de sensibilité, et . Procédé de contrôle de la température dans un cryostat, comprenant : - la détermination d’une température de consigne du cryostat ; - une mesure de la température conformément au procédé selon l’une des revendications précédentes ; - une régulation de la température si la température mesurée est différente de la température de consigne. 4 Système de détermination de la température dans l’environnement d’un ensemble comprenant au moins un composant passif, le composant passif étant intégré dans un assemblage monocouche ou multicouche, le système comprenant : - une unité de calcul, configurée pour déterminer l’inductance géométrique du composant passif, à partir des dimensions du composant passif ; - un système de mesure de l’inductance du composant passif, appelée inductance totale, le composant passif étant utilisé dans une gamme de température telle qu’il se trouve dans un état supraconducteur ; l’unité de calcul étant en outre configurée pour - déterminer l’inductance cinétique du composant passif, à partir de l’inductance totale et de l’inductance géométrique ; - déterminer la température à partir de l’inductance cinétique du composant. Cryostat comprenant un système de détermination de la température selon la revendication 14.