FR 3161307 A1 20251017 FR 2403720 A 20240411 Capteur d'images et son procédé de fabrication La présente description concerne un capteur d'images (60) comportant un substrat semiconducteur (10) comprenant une première face (10s), une couche poreuse (30), en un matériau isolant électriquement et poreux, sur la première face (10s), traversée par des ouvertures (34), un filtre coloré (40) dans chaque ouverture (34), une première couche de protection (32) étanche à l'humidité recouvrant la couche poreuse (30) en dehors des ouvertures (34), et une deuxième couche de protection (38) étanche à l'humidité recouvrant la première couche de protection (32) et les parois de chaque ouverture (34), entre la couche poreuse (30) et le filtre coloré (40) présent dans l'ouverture (34). Figure pour l'abrégé : Fig. 16 Capteur d'images et son procédé de fabrication La présente description concerne de façon générale le domaine des capteurs d'images et les procédés de fabrication des capteurs d'images. Un capteur d'images comprend généralement une pluralité de photodétecteurs, par exemple des photodiodes, intégrés dans et sur un substrat semiconducteur. On s'intéresse ici plus particulièrement aux capteurs d'images dont les photodétecteurs sont surmontés de filtres colorés ou de filtres infrarouges. Chaque filtre coloré permet de filtrer selon la longueur d'onde le rayonnement qui atteint le photodétecteur surmonté du filtre coloré. Le capteur d'images peut comprendre des murs entourant les filtres colorés afin de réduire la diaphonie optique entre les photodétecteurs. Les murs peuvent être en partie métallique. Toutefois, les murs tendent à absorber une partie des photons incidents. Ceci entraîne une chute du rendement optique du capteur d'images, et ce de façon d'autant plus marquée que les dimensions des photodétecteurs et des filtres colorés sont réduites. Il serait souhaitable d'améliorer au moins en partie certains aspects des procédés connus de fabrication d'un capteur d'images comprenant des filtres colorés entourés de murs. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des capteurs d'images comprenant des filtres colorés entourés de murs connus. Un mode de réalisation prévoit un capteur d'images comportant : - un substrat semiconducteur comprenant une première face ; - une couche poreuse, en un matériau isolant électriquement et poreux, sur la première face, traversée par des ouvertures ; - un filtre coloré dans chaque ouverture ; - une première couche de protection étanche à l'humidité recouvrant la couche poreuse en dehors des ouvertures ; et - une deuxième couche de protection étanche à l'humidité recouvrant la première couche de protection et les parois de chaque ouverture, entre la couche poreuse et le filtre coloré présent dans l'ouverture. Selon un mode de réalisation, la porosité en volume du matériau poreux est comprise entre 35 % et 55 %. Selon un mode de réalisation, la couche poreuse comprend une rainure traversante entourant complètement les ouvertures, la deuxième couche de protection recouvrant les parois de la rainure. Selon un mode de réalisation, le capteur d'images comporte en outre : - une pluralité de photodétecteurs dans et sur le substrat semiconducteur, les filtres colorés recouvrant les photodétecteurs ; - une pluralité de microlentilles recouvrant les filtres colorés ; et - une troisième couche de protection sur la pluralité de microlentilles et sur les première et deuxième couches de protection autour de la pluralité de microlentilles. Selon un mode de réalisation, le substrat semiconducteur comprend une deuxième face opposée à la première face et au moins un trou s'étendant de la première face à la deuxième face, le capteur d'images comprenant en outre un plot conducteur électriquement comprenant une première portion s'étendant sur la première face et une deuxième portion recouvrant les flancs du trou et délimitant un interstice dans le trou. Selon un mode de réalisation, le capteur d'images comprend en outre un anneau de garde et le plot conducteur électriquement fait partie de l'anneau de garde. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche poreuse est comprise entre 400 nm et 900 nm. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d'un capteur d'images comprenant les étapes suivantes : a) former une couche poreuse, en un matériau isolant électriquement et poreux, sur une première face d'un substrat semiconducteur ; b) former une première couche de protection étanche à l'humidité recouvrant la couche poreuse ; c) former des ouvertures traversant la première couche de protection et la couche poreuse ; d) former une deuxième couche de protection étanche à l'humidité recouvrant la première couche et les parois de chaque ouverture ; et e) former un filtre coloré dans chaque ouverture, la deuxième couche de protection étant située entre la couche poreuse et le filtre coloré présent dans l'ouverture. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, à l'étape c), la formation d'une rainure traversante dans la couche poreuse entourant complètement les ouvertures, la deuxième couche de protection recouvrant à l'étape d) en outre les parois de la rainure. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes suivantes : - avant l'étape a), la formation d'une pluralité de photodétecteurs dans et sur le substrat semiconducteur, les filtres colorés étant formés à l'étape e) recouvrant les photodétecteurs ; - former une pluralité de microlentilles recouvrant les filtres colorés ; et - former une troisième couche de protection sur la pluralité de microlentilles et sur les première et deuxième couches de protection autour de la pluralité de microlentilles. Selon un mode de réalisation, le substrat semiconducteur comprend une deuxième face opposée à la première face, le procédé comprenant, en outre, la formation, avant l'étape a), d'un trou s'étendant de la première face à la deuxième face et d'un plot conducteur électriquement comprenant une première portion s'étendant sur la première face et une deuxième portion recouvrant les flancs du trou et délimitant un interstice dans le trou. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant l'étape a), la formation d'un bloc de résine dans l'interstice, la couche poreuse recouvrant le plot conducteur électriquement et le bloc de résine, et, après l'étape e), la gravure successive de la première couche de protection, de la deuxième couche de protection, et de la couche poreuse pour exposer le plot conducteur électriquement et le bloc de résine, et le retrait du bloc de résine. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre la formation d'un anneau de garde, le plot conducteur électriquement faisant partie de l'anneau de garde. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , la FIG. 2 , la FIG. 3 , la FIG. 4 , la FIG. 5 , la FIG. 7 , la FIG. 8 , la FIG. 9 , la FIG. 10 , la FIG. 11 , la FIG. 12 , la FIG. 13 , la FIG. 14 , la FIG. 15 , et la FIG. 16 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à l'issue d'étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images et la FIG. 6 est une vue de dessus, partielle et schématique, de la structure de la FIG. 5 ; la FIG. 17 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un capteur d'images ; et la FIG. 18 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un capteur d'images. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des photodétecteurs des capteurs d'images décrits, ainsi que de leurs circuits de commande, n'a pas été détaillée, la réalisation de ces éléments étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un circuit électronique correspondant à un capteur d'images va maintenant être décrit. De façon générale, ce mode de réalisation de procédé de fabrication peut être mis en oeuvre pour tout type de circuit électronique comprenant des filtres colorés. Dans la suite de la description, l'indice de réfraction d'un matériau correspond à l'indice de réfraction du matériau pour la plage de longueurs d'onde du rayonnement capté par le capteur d'images. Sauf indication contraire, l'indice de réfraction est considéré sensiblement constant sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement capté par le capteur d'images, par exemple égal à la moyenne de l'indice de réfraction sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement capté par le capteur d'images. Les figures 1 à 16 illustrent, de façon partielle et schématique, des structures obtenues à l'issue d'étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images. Plus particulièrement, la FIG. 1 correspond à une structure de départ comprenant un substrat semiconducteur 10, par exemple un substrat en silicium, dans lequel ont été préalablement formés des photodétecteurs 12, cinq photodétecteurs 12 étant représentés en traits pointillés en FIG. 1 . A titre d'exemple, les photodétecteurs 12 sont des photodiodes, par exemple, adaptées à capter un rayonnement infrarouge, visible et/ou ultraviolet. A titre d'exemple, les photodétecteurs 12 sont des photodétecteurs réalisés en technologie CMOS (de l'anglais "Complementary Metal Oxide Semiconductor" – semiconducteur métal oxyde complémentaire). Selon un mode de réalisation, les photodétecteurs 12 sont agencés en rangées et en colonnes, le pas entre des photodétecteurs adjacents étant compris entre 30 nm et 2 µm. Le substrat 10 comprend une face supérieure 10s et une face inférieure 10i, opposée à la face supérieure 10s. Une partie de la face supérieure 10s est recouverte par une couche isolante 14, elle-même recouverte d'un écran opaque 16. Une couche isolante 18 recouvre l'écran opaque 16 et le reste de la face supérieure 10s autour de l'écran opaque 16. Le substrat 10 est recouvert, du côté de la face inférieure 10i, par une structure d'interconnexion 19, comprenant un empilement de couches isolantes entre lesquelles s'étendent des pistes conductrices, non représentées, et au travers desquelles s'étendent des vias conducteurs, non représentés. Selon un mode de réalisation, le substrat 10 a une épaisseur comprise entre 3 µm et 10 µm. L'écran opaque 16 est destiné, en fonctionnement, à bloquer le rayonnement lumineux reçu par la structure pour protéger des composants électroniques présents dans le substrat 10 autres que les photodétecteurs 12. L'écran opaque 16 peut être métallique. L'écran opaque 16 peut avoir une structure monocouche ou multicouche. A titre d'exemple, l'écran opaque 16 peut comprendre une couche de tungstène (W) et/ou une couche de titane (TiN). Selon un mode de réalisation, l'écran opaque 16 a une épaisseur comprise entre 150 nm et 400 nm. La couche isolante 14 et la couche isolante 18 peuvent chacune être en oxyde de silicium (SiO 2 ) ou en nitrure de silicium (SiN). De même un empilement de matériaux anti-réflectifs peut composer cette couche. Selon un mode de réalisation, la couche isolante 14 a une épaisseur comprise entre 50 nm et 250 nm. Selon un mode de réalisation, la couche isolante 18 a une épaisseur comprise entre 100 nm et 550 nm. Dans cet exemple, le substrat 10 est destiné à être éclairé par la face supérieure 10s. La structure de départ comprend, en outre, un ou des plots de reprise de contact 20, un seul plot de reprise de contact 20 étant représenté en FIG. 1 . Selon un mode de réalisation, le plot de reprise de contact 20 est isolé électriquement du substrat 10 par la couche isolante 18. Les plots 20 sont disposés hors de l'aplomb des photodétecteurs 12 de façon à ne pas masquer les photodétecteurs 12. A titre d'exemple, en vue de dessus, les photodétecteurs 12 sont situés dans une région centrale du substrat 10, et les plots 20 sont situés en vis-à-vis d'une région périphérique du substrat 10. Selon un mode de réalisation, l'écran opaque 16 recouvre les photodétecteurs 12 ainsi qu'une partie de la face 10s du substrat 10 entre les photodétecteurs 12 et les plots 20. Chaque plot de reprise de contact 20 comprend une zone de contact 20c qui s'étend dans un enfoncement 22 prévu dans la face supérieure 10s du substrat 10. La zone de contact 20c de chaque plot 20 est destinée à être connectée à un dispositif extérieur, par exemple au moyen d'un fil électriquement conducteur, par exemple un fil métallique. Le substrat 10 comprend, pour chaque plot 20, une ouverture traversante 24 qui s'étend de la face supérieure 10s à la face inférieure 10i. L'ouverture 24 débouche dans l'enfoncement 22. Selon un mode de réalisation, la face supérieure 10s est plane en dehors des enfoncements 22 et des ouvertures traversantes 24. Selon un mode de réalisation, l'ouverture 24 a une section droite, vue selon une direction perpendiculaire à la face 10s, sensiblement constante. A titre d'exemple, la section droite de l'ouverture 24 est carrée ou rectangulaire, notamment inscrite dans un rectangle dont le petit côté varie de 2 µm à 15 µm et le grand côté varie de 10 µm à 50 µm. Le plot de reprise de contact 20 comprend une portion de jonction 20j qui s'étend dans l'ouverture traversante 24. A titre d'exemple, la portion de jonction 20j du plot reprise de contact 20 est connectée à un ou des niveaux de métallisation de la structure d'interconnexion 19 disposée du côté de la face inférieure 10i du substrat 10 par une ouverture 25 dans la couche isolante 18. A titre d'exemple, les plots de reprise de contact 20 sont en un matériau métallique, par exemple en aluminium. La portion de jonction 20j recouvre les flancs de l'ouverture 24. Toutefois, l'ouverture 24 n'est pas complètement remplie par la portion de jonction 20j de sorte qu'un interstice 26 rempli d'air, et débouchant sur l'extérieur, demeure dans l'ouverture 24. A titre d'exemple, la portion de jonction 20j a une épaisseur, mesurée par rapport aux flancs de l'ouverture 24, qui est comprise entre 100 nm et 2 µm, et est par exemple égale à environ 1 µm. A titre d'exemple, la profondeur de l'interstice 26 est comprise entre 2,5 µm et 15 µm, et est par exemple égale à environ 6 µm. A titre d'exemple, les plots de reprise de contact 20 peuvent être utilisés pour l'échange de signaux avec le capteurs d'images et/ou pour l'alimentation électrique du capteur d'images. Selon un autre exemple, l'un des plots de reprise de contact 20 peut faire partie d'une structure de protection tel qu'un anneau de garde (en anglais "seal ring"), auquel cas le plot peut s'étendre sur toute la périphérie du capteur d'images. La FIG. 2 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'un bloc de résine 28 dans l'interstice 26 de chaque plot de reprise de contact 20. Selon un mode de réalisation, cette étape de formation du bloc de résine 28 est réalisée aux moyens de résines développables spécifiques connues de l’homme du métier sous le nom de résine « BSI fill ». La FIG. 3 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'une couche 30 d'un matériau à faible indice de réfraction sur la couche isolante 18 en dehors des plots de reprise de contact 20 et sur les plots de reprise de contact 20. Selon un mode de réalisation, l'indice de réfraction du matériau composant la couche 30 est dans la plage de 0,5 à 1,35. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche 30 est comprise entre 400 nm et 900 nm. Selon un mode de réalisation, la couche 30 est en un matériau poreux et est appelée couche poreuse par la suite. La porosité d'un matériau est égale à la proportion en volume des pores dans volume donné du matériau comprenant à la fois la partie solide et les pores. Selon un mode de réalisation, la porosité de la couche 30 est dans la plage de 35 % à 55 %, de préférence de 40 % à 50 %, par exemple égale à environ 45 %. Selon un mode de réalisation, la taille des pores est égale à environ 5 nm. Selon un mode de réalisation, les pores de la couche 30 sont remplis de vide ou d’un mélange gazeux. Selon un mode de réalisation, la couche 30 comprend comme matériau constitutif essentiel au moins un composé parmi le silicium ou le carbone. La couche poreuse 30 peut correspondre à un oxyde simple ou à un oxyde mixte de l'un au moins des éléments précités. De préférence, la couche poreuse 30 est en oxyde de silicium obtenu par recuit supérieur à 200 °C Selon un mode de réalisation, la couche poreuse 30 est formée soit par un procédé d’étalement à la tournette, connu de l’homme du métier sous l’appellation spin coating, suivi d’un recuit soit dépôt d’oxyde à faible permittivité. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication de la couche poreuse 30 comprend le dépôt d'une solution sur la structure de la FIG. 2 , par exemple par une technique d'enduction à la tournette, la solution comprenant un précurseur du matériau constitutif de la couche poreuse 30, notamment un composé hydrolysable tel qu'un halogénure ou un alcoxyde de silicium, dans au moins un solvant notamment aqueux et/ou alcoolique. Le procédé comprend ensuite la condensation du précurseur pour former le matériau solide de la couche poreuse 30 et l'élimination du solvant. La FIG. 4 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'une couche de protection 32 sur la couche poreuse 30. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche de protection 32 est comprise entre 20 nm à 50 nm. Selon un mode de réalisation, la couche de protection 32 est en oxyde de silicium déposé à basse température, par exemple à 150 °C. La FIG. 5 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'ouvertures 34 et d'une rainure 36 au travers de la couche de protection 32, la couche poreuse 30, la couche isolante 18, et l'écran opaque 16 et d’une partie de la couche 14. La FIG. 6 est une vue de dessus de la structure de la FIG. 5 . Les ouvertures 34 sont formées à l'aplomb des photodétecteurs 12. A titre d'exemple, les ouvertures 34 sont réparties en rangées et en colonnes au centre de la structure. Selon un mode de réalisation, la rainure 36 entoure complètement l'ensemble des ouvertures 34. Les plots de reprise de contact 20, représentés en traits pointillés de façon schématique en FIG. 6 , sont situés autour de la rainure 36. Selon un mode de réalisation, le rapport d'aspect de chaque ouverture 34, correspondant au rapport entre la hauteur et la largeur de l'ouverture 34 est compris entre 0,6 à 1,2. A titre d'exemple, la section droite de chaque ouverture 34, selon une direction perpendiculaire à la face 10s, est carrée ou rectangulaire, notamment inscrite dans un rectangle dont le petit côté varie de 0,5 µm à 2 µm et le grand côté varie de 1 µm à 10 µm. Selon un mode de réalisation, la largeur de la rainure 36 est comprise entre 1 µm à 20 µm. De préférence, les ouvertures 34 et la rainure 36 sont réalisées simultanément. Selon un mode de réalisation, les ouvertures 34 et la rainure 36 sont réalisées par gravure ionique réactive, également appelée RIE (acronyme anglais pour Reactive Ion Etching). La présence de la couche de protection 32 permet la mise en oeuvre d'étapes de photolithographie qui ne pourraient être mises en oeuvre directement sur la couche poreuse 30 en raison de sa porosité élevée. De même, cette couche de protection 32 présente l’avantage d’autoriser d’éventuelles étapes de réparation (en anglais rework) des plaquettes dans les étapes successives de photolithographie. Un avantage de ce mode de réalisation est la gravure simultanée des couches 30 et 32 sans altérer l’intégrité du plot 20. La FIG. 7 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'une couche de protection 38 sur la couche de protection 32 en dehors des ouvertures 34 et de la rainure 36 et dans chaque ouverture 34 et dans la rainure 36, la couche de protection 38 recouvrant les parois latérales de chaque ouverture 34 et de la rainure 36 et le fond de chaque ouverture 34 et de la rainure 36. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche de protection 38 est comprise entre 5 nm à 60 nm. La couche de protection 38 est étanche à l'humidité. Selon un mode de réalisation, la couche de protection 38 est en oxyde de silicium ou en oxyde d'aluminium. Comme la rainure 36 entoure complètement les ouvertures 34 et que la couche de protection 38 recouvre la couche poreuse 30, les parois de la rainure 36, et les parois de chaque ouverture 34, la couche de protection 38 empêche que de l'humidité n'atteigne la partie de la couche poreuse 30 dans laquelle sont formées les ouvertures 34. En l'absence de la rainure 36 dont les parois sont recouvertes de la couche de protection 38, de l'humidité pourrait pénétrer dans la partie de la couche poreuse 30 dans laquelle sont formées les ouvertures 34, notamment depuis le bord de la couche poreuse 30, et la présence d'humidité entraînerait une augmentation et/ou une non uniformité de l'indice de réfraction de la couche porteuse 30. De même, la présence d'humidité peut entrainer des problèmes de fiabilité des capteurs optiques. La FIG. 8 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation de filtres colorés 40 dans les ouvertures 34. Les filtres colorés 40 peuvent correspondre à des blocs de résine colorée. Des filtres colorés 40 de différentes couleurs peuvent être présents. Selon un mode de réalisation, les filtres colorés 40 d'un même type sont formés par le dépôt d'une couche de résine colorée photosensible sur l'ensemble de la structure et notamment dans les ouvertures 34, l'exposition de la couche de résine colorée à un rayonnement, et le retrait des parties de la couche de résine exposées au rayonnement dans le cas d'une résine photosensible positive ou non exposées au rayonnement dans le cas d'une résine photosensible négative, pour conserver les blocs de résine colorés dans les ouvertures 34 souhaitées. Ces étapes sont répétées pour chaque type de filtres colorés 40. La FIG. 9 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'une couche de résine 42 sur la couche de protection 38 et sur les filtres de couleur 40. La couche de résine 42 remplit notamment complètement la rainure 36. La couche de résine 42 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 0,6 µm et 4 µm, par exemple de l'ordre de 4 µm. La résine de la couche 42 est, par exemple, une résine réticulée qui ne peut pas être dissoute dans les solvants liquides usuels de développement et/ou de gravure des résines. La résine de la couche 42 est par exemple une résine non-photosensible. A titre d'exemple, la résine de la couche 42 est choisie de sorte qu'elle puisse être réticulée, par exemple par des ultraviolets ou à partir d'une certaine température, par exemple, de l'ordre de 200 °C. A titre d'exemple, la résine de la couche 42 est choisie de sorte qu'elle puisse être gravée à l'aide d'un plasma physique à base d'oxygène. A titre d'exemple, la résine de la couche 42 comprend un polymère, par exemple de type acrylique. La FIG. 10 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'un masque de gravure 44 sur la face supérieure de la couche de résine 42. Le masque 44 comprend des structurations en forme de microlentilles, destinées à être transférées dans la couche de résine 42 lors d'une étape de gravure ultérieure, de façon à former des microlentilles dans la couche 42. A titre d'exemple, le masque 44 est formé à partir d'une couche de résine photosensible. La résine du masque 44 est par exemple d'abord déposée pleine plaque, sur et en contact avec la face supérieure de la couche 42. A ce stade, la résine du masque 44 présente par exemple une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface de la structure. Le dépôt de la résine du masque 44 peut être fait par une technique d'enduction à la tournette ou par toute autre technique de dépôt adaptée. La couche de résine du masque 44 est ensuite structurée, par exemple par photolithographie, de façon à former, en vis-à-vis des photodétecteurs 12, des plots de résine 46 disjoints. Dans cet exemple, on prévoit un plot de résine 46 individuel en vis-à-vis de chaque photodétecteur 12 du capteur. Un recuit de fluage est ensuite mis en oeuvre, au cours duquel les plots de résine 46 se déforment pour prendre la forme de microlentilles. Après fluage, les plots de résine 46 sont par exemple disjoints. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. Les plots 46 ont par exemple une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la couche 42. La FIG. 11 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de gravure physique de la couche 42 et du masque 44, conduisant à transférer le motif du masque 44 dans une partie supérieure de la couche 42. La gravure est par exemple arrêtée lorsque toute la résine du masque 44 a été consommée. Ainsi, dans la structure illustrée en FIG. 11 , la couche 42 comprend des microlentilles 48 en vis-à-vis des photodétecteurs 12. A titre d'exemple, les microlentilles 48 ont une hauteur comprise entre 0,5 µm et 3 µm. A ce stade, les plots de connexion 20 restent recouverts par la résine de la couche 42. La FIG. 12 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation d'une couche de masquage 50 en résine sur la face supérieure de la couche 42. A titre d'exemple, la couche 50 est d'abord déposée pleine plaque sur la face supérieure de la couche 42, par exemple en contact avec la face supérieure de la couche 42. La couche 50 est ensuite retirée, par exemple par photolithographie, en vis-à-vis des plots 20, de façon à exposer la portion de la couche de résine 42 revêtant les plots 20. La résine de la couche 50 est, par exemple, une résine photosensible. A titre d'exemple, la couche 50 a une épaisseur supérieure à l'épaisseur maximale de la couche 42. A titre d'exemple, la couche 50 a une épaisseur comprise entre 4 µm et 10 µm, par exemple de l'ordre de 6 µm. La FIG. 13 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de gravure de la couche 42 à travers la couche 50. Lors de cette étape, la couche 50 est utilisée comme un masque de gravure. Plus particulièrement, lors de cette étape, la partie de la couche 42 non recouverte par la couche 50 est retirée de façon à dévoiler la couche de protection 38. La couche de protection 38 peut jouer le rôle de couche d'arrêt de gravure. Selon un mode de réalisation, la gravure mise en oeuvre lors de cette étape est une gravure plasma totalement chimique, et donc isotrope (procédé parfois désigné par les termes anglais "dry-stripping" ou "dry-ashing"). Cette gravure chimique repose sur l’utilisation de radicaux libres générés par des plasmas déportés. Cette technique de gravure est habituellement utilisée pour retirer, recycler ou décaper, pleine plaque, des couches de résine. Cette technique est en outre parfois utilisée pour effectuer, pleine plaque, des traitements chimiques sur les matériaux exposés. On propose ici de l'utiliser, de façon inhabituelle, pour réaliser une gravure localisée de la couche de résine 42 à travers le masque formé par la couche de résine 50. Cette technique présente l'avantage d'être moins agressive qu'une gravure physique, et ne génère pas de fibres ou filaments de polymères sur les flancs de la couche 42. Selon un autre mode de réalisation, la gravure mise en oeuvre lors de cette étape est une gravure par plasma par bombardement d'ions, également appelée gravure sèche réactive ou gravure par pulvérisation ("dry etching" en anglais). Une telle gravure entraîne un retrait de matière par bombardement. Le plasma de gravure comprend de préférence du dioxygène du diazote et du dihydrogène. Le plasma utilisé lors de cette étape de gravure a, par exemple, une composition différente du plasma utilisé lors de la gravure conduisant à la formation des microlentilles 48. Lors de l'étape susmentionnée, les couches 50 et 42 sont consommées simultanément. La gravure susmentionnée est arrêtée lorsque la couche de protection 38 est dévoilée. A ce stade, une partie de la couche 50 subsiste à la surface de la couche 42 notamment sur les microlentilles 48. La couche de résine 42 présente un flanc latéral 51 incliné (non vertical) par rapport à la face 10s. La FIG. 14 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la partie restante de la couche 50 de façon à libérer la face supérieure des microlentilles 48. Cette étape de retrait est par exemple réalisée par une gravure humide par solvant, au moyen d'une solution de gravure permettant de graver sélectivement le matériau de la couche 50 par rapport au matériau de la couche 42. La FIG. 15 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de protection 52 en un matériau électriquement isolant à la surface du dispositif illustré en FIG. 14 . La couche 52 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface supérieure du dispositif de la FIG. 14 . Ainsi, la couche 52 recouvre notamment les microlentilles 48 de la couche 42 et sur la couche de protection 38 notamment sur les plots 20. A titre d'exemple, la couche 52 est une couche étanche à l'humidité et permet de protéger la couche 42 de l'humidité. La couche 52 est, par exemple, en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON). Selon un mode de réalisation, la couche 52 est du même matériau que la couche 38. A titre d'exemple, la couche de protection 52 est déposée, par une méthode de dépôt conforme sur la face supérieure du dispositif illustré en FIG. 14 , par exemple par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). La couche 52 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l'ordre de 200 nm. De façon avantageuse, le procédé de formation de la couche 52 est le même que celui utilisé pour la formation de la couche 38. La FIG. 16 illustre la structure obtenue à l'issue d'une étape de formation d'une ouverture 54 dans les couches de protection 52, 38, et 32 et dans la couche poreuse 30 pour exposer le plot de reprise de contact 20 et éventuellement une étape de retrait du bloc de résine 28 présent dans l'interstice 26. Le capteur d'images 60 est ainsi obtenu. Selon un mode de réalisation, le matériau composant les blocs de résine 28 est le même que celui composant la couche de résine 42 et le procédé décrit précédemment pour le retrait de la couche de résine 42 peut également être mis en oeuvre pour le retrait des blocs de résine 28. La couche poreuse 30 forme des murs 62 séparant les filtres colorés 40. L'indice de réfraction du matériau composant les murs 62 est inférieur à l'indice de réfraction du matériau composant les filtres colorés 40. De ce fait, les murs 62 jouent le rôle de miroir pour les rayons lumineux traversant les filtres colorés 40. En particulier, l'absorption de rayons lumineux par les murs 62 est réduite par rapport à des murs qui seraient en métal. Les murs 62 permettent de façon avantageuse de réduire la diaphonie optique entre les filtres colorés 40 sans entraîner une absorption indésirable de rayons lumineux. En effet, l'absorption de photons entraîne une chute du rendement optique du capteur d'images 60, et ce de façon d'autant plus marquée que les dimensions des photodétecteurs 12 et des filtres colorés 40 sont réduites. Le rapport d'aspect des murs 62, correspondant au rapport entre la hauteur et la largeur du mur 62, est compris entre 0,08 et 0,15. Selon un mode de réalisation, la hauteur des murs 62 est comprise entre 400 nm et 900 nm. Selon un mode de réalisation, la largeur des murs 62 est comprise entre 50 nm et 150 nm. La FIG. 17 est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un capteur d'images 65. Le capteur d'images 65 représenté en FIG. 17 comprend l'ensemble des éléments du capteur d'images 60 représenté en FIG. 16 à la différence que l'écran opaque 16 n'est pas formé sur la partie du substrat 10 comprenant les photodétecteurs 12 mais seulement sur la partie du substrat 10 entre les photodétecteurs 12 et les plots de reprise de contact 20. Le présent mode de réalisation permet de réduire encore davantage l'absorption de rayons lumineux dans la mesure où le matériau composant l'écran opaque 16 n'est pas présent à la base des murs 62. La FIG. 18 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un capteur d'images 70 décrit à titre de comparaison. Le capteur d'images 70 comprend l'ensemble des éléments du capteur d'images 60 représenté en FIG. 16 à la différence que la couche poreuse 30 n'est pas présente et que les murs 62 entre les filtres colorés 40 sont formés par des portions 72 de la couche utilisée pour former l'écran opaque 16 et de la couche isolante 18. Un avantage du capteur d'images 60 par rapport au capteur 70 est que l'absorption de photons dans les murs 62 est moins importante pour le capteur d'images 60, ce qui entraîne une augmentation du rendement optique pour le capteur d'images 60. Un autre avantage est qu'il est plus facile de réaliser des murs 62 pour le capteur d'images 60 avec un rapport d'aspect élevé. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Dans les modes de réalisation décrits précédemment, la rainure 36 est remplie par le matériau composant les microlentilles 48. A titre de variante, la rainure 36 peut être remplie d'un autre matériau, par exemple la résine colorée utilisée pour réaliser l'un des filtres colorés 40. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Capteur d'images (60 ; 65) comportant : - un substrat semiconducteur (10) comprenant une première face (10s) ; - une couche poreuse (30), en un matériau isolant électriquement et poreux, sur la première face (10s), traversée par des ouvertures (34) ; - un filtre coloré (40) dans chaque ouverture (34) ; - une première couche de protection (32) étanche à l'humidité recouvrant la couche poreuse (30) en dehors des ouvertures (34) ; et - une deuxième couche de protection (38) étanche à l'humidité recouvrant la première couche de protection (32) et les parois de chaque ouverture (34), entre la couche poreuse (30) et le filtre coloré (40) présent dans l'ouverture (34). Capteur d'images selon la revendication 1, dans lequel la porosité en volume du matériau poreux est comprise entre 35 % et 55 %. Capteur d'images selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche poreuse (30) comprend une rainure traversante (36) entourant complètement les ouvertures (34), la deuxième couche de protection (38) recouvrant les parois de la rainure (36). Capteur d'images selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comportant en outre : - une pluralité de photodétecteurs (12) dans et sur le substrat semiconducteur (10), les filtres colorés (40) recouvrant les photodétecteurs (12) ; - une pluralité de microlentilles (48) recouvrant les filtres colorés (40) ; et - une troisième couche de protection (52) sur la pluralité de microlentilles (48) et sur les première et deuxième couches de protection (32, 38) autour de la pluralité de microlentilles (48). Capteur d'images selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat semiconducteur (10) comprend une deuxième face (10i) opposée à la première face (10s) et au moins un trou (24) s'étendant de la première face (10s) à la deuxième face (10i), le capteur d'images comprenant en outre un plot conducteur électriquement (20) comprenant une première portion (20c) s'étendant sur la première face (10s) et une deuxième portion (20j) recouvrant les flancs du trou (24) et délimitant un interstice (26) dans le trou (24). Capteur d'images selon la revendication 5, comprenant en outre un anneau de garde et dans lequel le plot conducteur électriquement (20) fait partie de l'anneau de garde. Capteur d'images selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'épaisseur de la couche poreuse (30) est comprise entre 400 nm et 900 nm. Procédé de fabrication d'un capteur d'images (60 ; 65) comprenant les étapes suivantes : a) former une couche poreuse (30), en un matériau isolant électriquement et poreux, sur une première face (10s) d'un substrat semiconducteur (10) ; b) former une première couche de protection (32) étanche à l'humidité recouvrant la couche poreuse (30) ; c) former des ouvertures (34) traversant la première couche de protection (32) et la couche poreuse (30) ; d) former une deuxième couche de protection (38) étanche à l'humidité recouvrant la première couche (32) et les parois de chaque ouverture (34) ; et e) former un filtre coloré (40) dans chaque ouverture (34), la deuxième couche de protection (38) étant située entre la couche poreuse (30) et le filtre coloré (40) présent dans l'ouverture (34). Procédé selon la revendication 8, comprenant en outre, à l'étape c), la formation d'une rainure traversante (36) dans la couche poreuse (30) entourant complètement les ouvertures (34), la deuxième couche de protection (38) recouvrant à l'étape d) en outre les parois de la rainure (36). Procédé selon la revendication 8 ou 9, comprenant en outre les étapes suivantes : - avant l'étape a), la formation d'une pluralité de photodétecteurs (12) dans et sur le substrat semiconducteur (10), les filtres colorés (40) étant formés à l'étape e) recouvrant les photodétecteurs (12) ; - former une pluralité de microlentilles (48) recouvrant les filtres colorés (40) ; et - former une troisième couche de protection (52) sur la pluralité de microlentilles (48) et sur les première et deuxième couches de protection (32, 38) autour de la pluralité de microlentilles (48). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel le substrat semiconducteur (10) comprend une deuxième face (10i) opposée à la première face (10s), le procédé comprenant, en outre, la formation, avant l'étape a), d'un trou (24) s'étendant de la première face (10s) à la deuxième face (10i) et d'un plot conducteur électriquement (20) comprenant une première portion (20c) s'étendant sur la première face (10s) et une deuxième portion (20j) recouvrant les flancs du trou (24) et délimitant un interstice (26) dans le trou (24). Procédé selon la revendication 11, comprenant, en outre, avant l'étape a), la formation d'un bloc de résine (28) dans l'interstice (26), la couche poreuse (30) recouvrant le plot conducteur électriquement (20) et le bloc de résine (28), et, après l'étape e), la gravure successive de la première couche de protection (32), de la deuxième couche de protection (38), et de la couche poreuse (30) pour exposer le plot conducteur électriquement (20) et le bloc de résine (28), et le retrait du bloc de résine (28). Procédé selon la revendication 11 ou 12, comprenant en outre la formation d'un anneau de garde et dans lequel le plot conducteur électriquement (20) fait partie de l'anneau de garde.