FR 3158854 A1 20250801 FR 2400773 A 20240126 La présente invention porte sur un module électronique de puissance (10) comportant: - un substrat (11) réalisé dans un matériau céramique, - au moins une piste électrique supraconductrice (12) disposée sur une face du substrat (11), la piste électrique supraconductrice (12) étant réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200k, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K et - au moins un composant électronique (13) connecté électriquement à la piste électrique supraconductrice (12). Figure pour abrégé : Figure 1 MODULE ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE À PISTES ÉLECTRIQUES SUPRACONDUCTRICES La présente invention porte sur un module électronique de puissance à pistes électriques supraconductrices. L'invention trouve une application particulièrement avantageuse, mais non exclusive, dans le domaine de l’électronique de puissance, notamment avec les modules électroniques de puissance pour les systèmes de conversion électrique, tels que les onduleurs ou les redresseurs pour les machines électriques tournantes associées à l’électrification des avions. Le changement climatique est une préoccupation majeure pour de nombreux organes législatifs et de régulation à travers le monde. En effet, diverses restrictions sur les émissions de carbone ont été, sont ou seront adoptées par divers états. En particulier, une norme ambitieuse s’applique à la fois aux nouveaux types d’avions mais aussi ceux actuellement en circulation nécessitant de devoir mettre en œuvre des solutions technologiques afin de les rendre conformes aux réglementations en vigueur. L’aviation civile se mobilise depuis maintenant plusieurs années pour apporter une contribution à la lutte contre le changement climatique. Les efforts de recherche technologique ont déjà permis d’améliorer de manière très significative les performances environnementales des avions. La Déposante prend en considération les facteurs impactant dans toutes les phases de conception et de développement pour obtenir des composants et des produits aéronautiques moins énergivores, plus respectueux de l’environnement et dont l’intégration et l’utilisation dans l’aviation civile ont des impacts environnementaux modérés dans un but d’amélioration de l'efficacité énergétique des avions. Par voie de conséquence, la Déposante travaille en permanence à la réduction de son impact climatique par l’emploi de méthodes et l’exploitation de procédés de développement et de fabrication vertueux minimisant les émissions de gaz à effet de serre pour réduire l'empreinte environnementale de son activité. Ces travaux de recherche et de développement soutenus portent à la fois sur les nouvelles générations de moteurs d’avions, l’allègement des appareils, notamment par les matériaux employés et les équipements embarqués allégés, le développement de l’emploi des technologies électriques pour assurer la propulsion, et, indispensables compléments aux progrès technologiques, les biocarburants aéronautiques. L’électrification et l’hybridation de la chaîne propulsive des aéronefs de future génération nécessitent de fortes puissances électriques pour générer la poussée nécessaire au décollage de l’appareil et à son maintien en condition de vol. Tous les types d’aéronefs peuvent être concernés, à savoir les aéronefs à décollage et atterrissage vertical (VTOL pour "Vertical TakeOff-Landing" selon la terminologie anglosaxonne), les aéronefs à décollage et atterrissage sur distance courte (STOL pour "Short TakeOff-Landing" selon la terminologie anglosaxonne) ou les aéronefs à décollage et atterrissage conventionnel (CTOL pour "Conventional TakeOff-Landing" selon la terminologie anglosaxonne), des avions commerciaux ou militaires, des hélicoptères ou des drones. Le développement de systèmes électriques de plus en plus puissants (de l’ordre du mégawatt) pour la propulsion électrique ou hybride nécessite de concevoir des électroniques de puissance ayant une puissance spécifique la plus importante possible. Par ailleurs, le développement de nombreux dispositifs de propulsion et de stockage basés sur l’utilisation d’hydrogène liquide (à une température de l'ordre de 20 K) implique la disponibilité d’une importante source de refroidissement cryogénique pouvant être utilisée pour le refroidissement des composants électroniques de puissance. Dans ce contexte, l’utilisation de matériaux supraconducteurs est une voie potentielle intéressante pour atteindre des densités de puissances et des rendements élevés tout en tirant profit de l'environnement cryogénique disponible. Les études récentes sur le développement de modules électroniques de puissance adaptés aux systèmes supraconducteurs ont mis en évidence qu’un certain nombre de composants semi-conducteurs voyaient leurs performances électriques améliorées à température cryogénique par rapport à la température ambiante. Par exemple, un transistor de type MOSFET-Si présente une résistance à l’état passant minimale à 77 K réduite d’un facteur 5 par rapport à sa valeur à température ambiante. Dans ce contexte, un fonctionnement à très basse température est envisagé pour la réalisation de convertisseurs électriques ayant des performances améliorées dans un environnement cryogénique. Les développements actuels se focalisent sur l’adaptation du boîtier (ou "packaging" en anglais) des modules électroniques de puissance pour les rendre compatibles avec un environnement à faible température. Toutefois, les modules électroniques existants conservent des pistes métalliques épaisses en cuivre ou en aluminium (typiquement de l'ordre de 300µm) présentant une résistance électrique non négligeable. Il en résulte un échauffement localisé par effet Joule important lors de leur mise en fonctionnement. L'invention vise à remédier efficacement à cet inconvénient en proposant un module électronique de puissance comportant: - un substrat réalisé dans un matériau céramique, - au moins une piste électrique supraconductrice disposée sur une face du substrat, la piste électrique supraconductrice étant réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200k, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K et - au moins un composant électronique connecté électriquement à la piste électrique supraconductrice. L'invention permet ainsi de tirer profit des propriétés supraconductrices des pistes électriques pour créer un circuit électrique quasiment non résistif dans une plage basse température adéquate. L'invention permet ainsi de supprimer les pertes énergétiques par effet Joule. L'invention permet également de diminuer de façon notable la résistance à l'état passant entre le drain et la source d'un transistor à semiconducteur de puissance, ce qui réduit les pertes électriques du composant. En outre, la faible résistance thermique de certaines céramiques à très basse température permet de maximiser la conductivité thermique du substrat. Selon une réalisation de l'invention, la piste électrique supraconductrice est recouverte par une couche de métallisation sur laquelle est assemblé le composant électronique. Selon une réalisation de l'invention, une couche isolante recouvre en partie le composant électronique et la piste électrique supraconductrice pour permettre une connexion entre au moins une électrode supérieure du composant électronique à une autre piste électrique supraconductrice déposée au moins en partie sur la couche isolante et une face supérieure du composant électronique. Selon une réalisation de l'invention, la piste électrique supraconductrice est réalisée dans au moins un matériau appartenant à la famille des "Terres rares-Baryum-Cuivre-Oxygène". Selon une réalisation de l'invention, au moins une couche d'interface est disposée entre le substrat et la piste électrique supraconductrice pour améliorer une adhésion de la piste supraconductrice sur le substrat. Selon une réalisation de l'invention, le substrat est réalisé dans un matériau céramique contenant au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivants: saphir, oxyde d'aluminium (AlO), magnésie (MgO), carbure de silicium (SiC), ou monoxyde de silicium (SiO). Selon une réalisation de l'invention, le substrat comporte des ailettes disposées sur une face inférieure destinées à venir en contact avec un fluide de refroidissement. Selon une réalisation de l'invention, le substrat comporte intérieurement au moins un canal de circulation d'un fluide de refroidissement ayant une entrée et une sortie de fluide de refroidissement. Selon une réalisation de l'invention, le fluide de refroidissement est choisi parmi le dihydrogène (H2) gazeux, le dihydrogène (H2) liquide, l'hélium (He) gazeux, ou l'azote (N2) liquide. Selon une réalisation de l'invention, ledit module électronique de puissance comporte une couche de connexion supraconductrice établissant une connexion électrique entre la piste électrique supraconductrice du module électronique de puissance et un fil supraconducteur relié électriquement à une charge électrique, tel qu’un moteur électrique. Selon une réalisation de l'invention, le fil supraconducteur comporte une âme faisant office de support mécanique pour au moins une couche d’interface facilitant un dépôt d'une couche supraconductrice destinée à être en contact avec la couche de connexion supraconductrice. Selon une réalisation de l'invention, l’âme du fil supraconducteur est disposée en partie à l'intérieur d'une cavité réceptrice réalisée dans le substrat, la couche de connexion supraconductrice se superposant au moins en partie avec la portion de l'âme du fil supraconducteur disposée à l'intérieur de la cavité réceptrice. Selon une réalisation de l'invention, une extrémité du fil supraconducteur est enveloppée par une couche métallique, notamment du cuivre ou de l'aluminium. La présente invention sera mieux comprise et d’autres caractéristiques et avantages apparaîtront encore à la lecture de la description détaillée qui suit comprenant des modes de réalisation donnés à titre illustratif en référence avec les figures annexées, présentées à titre d’exemples non limitatifs, qui pourront servir à compléter la compréhension de la présente invention et l’exposé de sa réalisation et, le cas échéant, contribuer à sa définition, sur lesquelles: FIG. 1 La FIG. 1 est une vue en perspective schématique d'un module électronique de puissance muni de pistes électriques supraconductrices selon la présente invention; FIG. 2 La FIG. 2 est une vue en coupe transversale du module électronique de puissance de la FIG. 1 ; FIG. 3 La FIG. 3 est une représentation graphique de l'évolution, en fonction de la température, d'une conductivité thermique de différents matériaux pouvant constituer le substrat d'un module électronique de puissance selon l'invention; FIG. 4 La FIG. 4 est une représentation graphique de l'évolution, en fonction de la température, d'une densité de courant critique d'un matériau supraconducteur constituant des pistes électriques d'un module électronique de puissance selon l'invention; FIG. 5 FIG. 5 Les figures 5a et 5b sont des vues en coupe schématiques de différents modes de réalisation d'un circuit de refroidissement d'un module électronique de puissance selon l'invention; FIG. 6 La FIG. 6 est une vue en perspective schématique d'un module électronique de puissance selon l'invention ayant des pistes supraconductrices connectées électriquement à des fils supraconducteurs reliés à des charges électriques; FIG. 7 La FIG. 7 est une vue en coupe transversale du module électronique de puissance de la FIG. 6 montrant le détail d'une zone de connexion entre une piste supraconductrice et un fil supraconducteur relié à une charge électrique; FIG. 8 La FIG. 8 est une vue en perspective illustrant différentes couches d'un fil supraconducteur des figures 6 et 7. Il est à noter que les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation présentent les mêmes références. Ainsi, sauf mention contraire, de tels éléments disposent de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Les figures 1 et 2 sont des vues schématiques en perspective et en coupe d’un module électronique de puissance 10 comportant un substrat céramique 11 réalisé dans un matériau céramique. Le substrat 11 a une fonction de support mécanique pour au moins un composant électronique 13 ainsi que pour des pistes électriques supraconductrices 12. Le substrat 11 a également une fonction de transfert thermique vers un système de refroidissement. Le substrat 11 peut également avoir une fonction d'accueil d’un capot de protection et/ou une fonction d’accueil d'une solution d’encapsulation. Le substrat 11 est réalisé dans un matériau céramique contenant au moins un matériau choisi par exemple parmi les matériaux suivants: saphir, oxyde d'aluminium (AlO), magnésie (MgO), carbure de silicium (SiC), ou monoxyde de silicium (SiO). Cette liste est non-exhaustive, il s'agit seulement d'exemples de matériaux potentiels. Comme cela est illustré sur la FIG. 3 , ces matériaux présentent des propriétés de conductivité thermique λ (exprimée en W.m -1 .K -1 ) décuplées dans une plage de très basse température Temp comprise entre 20K et 90K. Les pistes électriques supraconductrices 12 sont disposées sur une face du substrat 11. Les pistes électriques supraconductrices 12 sont réalisées dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200K, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K. Les propriétés supraconductrices sont caractérisées par l'absence ou la quasi-absence de résistance électrique à très basse température. Une piste électrique supraconductrice 12 est réalisée de préférence dans au moins un matériau appartenant à la famille des Terres Rares (TR)-Baryum (Ba)-Cuivre (Cu)-Oxygène (O). La FIG. 4 illustre le fait que la densité de courant critique Dcc (exprimée en A/mm2) d'une piste électrique 12 réalisée en Gd (gadolinium)-Ba-Cu-O augmente lorsque la température Temp est inférieure à 90K. Une piste électrique supraconductrice 12 peut être constituée de plusieurs matériaux choisis dans la famille des TR-Ba-Cu-O. Les pistes électriques supraconductrices 12 sont sérigraphiées sur le substrat 11. A cette fin, un masquage peut être réalisé avant dépôt pour s'assurer d'une localisation correcte des pistes électriques supraconductrices 12 sur le substrat 11. Les pistes électriques supraconductrices 12 peuvent être réalisées par dépôt par ablation laser pulsé dit "PLD" (Pulsed Laser Deposition) ou toute autre technique adaptée à la dépose de pistes électriques supraconductrices sur un substrat 11 réalisé en céramique. Une piste électrique 12 s'étend dans un plan suivant une direction rectiligne ou peut comporter plusieurs portions rectilignes formant des angles non nuls entre elles. Une piste électrique supraconductrice 12 présente de préférence une épaisseur de quelques microns. Comme cela est visible sur la FIG. 2 , au moins une couche d'interface 19 peut être disposée entre le substrat 11 et la piste électrique supraconductrice 12 pour améliorer l’adhésion de la piste supraconductrice sur le substrat 11. La couche d'interface 19 est par exemple réalisée en magnésie (MgO). Le composant électronique 13 est connecté électriquement à la piste électrique supraconductrice 12. Le composant électronique 13 peut par exemple prendre la forme d'un composant semi-conducteur de puissance, tel qu'une diode de puissance ou un élément de commutation pouvant par exemple être constitué par un transistor (IGBT pour "Insulated Gate Bipolar Transistor", HEMT pour "High Electron Mobility Transistor", MOSFET pour "Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor" ou autre) avec ou sans une diode de roue libre en parallèle. La piste électrique supraconductrice 12 est recouverte par une couche de métallisation 15 sur laquelle est assemblé le composant électronique 13. Afin de limiter la résistance électrique de l'ensemble, la couche de métallisation 15 est une couche recouvrant partiellement la piste électrique supraconductrice 12 uniquement à l'endroit où est assemblé le composant électronique 13. La connexion entre le composant électronique 13 et la couche de métallisation 15 peut être effectuée par brasage, frittage, collage ou toute autre technique adaptée à l'application. Sur la FIG. 2 , une zone de brasure 16 obtenue avec un métal d'apport est disposée entre le composant électronique 13 et la couche de métallisation 15 déposée sur la piste électrique supraconductrice 12. Une couche isolante 18 recouvre en partie le composant électronique 13 et la piste électrique supraconductrice 12 pour permettre une connexion entre au moins une électrode supérieure du composant électronique 13 à une autre piste électrique supraconductrice 12' déposée au moins en partie sur la couche isolante 18 et une face supérieure du composant électronique 13. La couche isolante 18 s'étendant au moins en partie entre les pistes supraconductrices 12 et 12' permet ainsi d'éviter les courts-circuits entre deux pistes électriques supraconductrices 12 et 12' connectées à des potentiels électriques différents. Le module électronique de puissance 10 peut comporter un système de refroidissement 20 pouvant présenter différentes formes. Dans le mode de réalisation de la FIG. 5 , le substrat 11 comporte des ailettes 21 disposées sur une face inférieure destinées à venir en contact avec un fluide de refroidissement 22. Les ailettes 21 sont disposées sur la face opposée à la face portant le ou les composants électroniques 13. Les ailettes 21 peuvent être réalisées d'un seul tenant avec le reste du substrat 11 ou rapportées et fixées sur le substrat 11. Dans le mode de réalisation de la FIG. 5 , le substrat 11 comporte intérieurement, c’est-à-dire dans la masse du substrat 11, au moins un canal 25 de circulation d'un fluide de refroidissement ayant une entrée 26 dans laquelle le fluide de refroidissement 22 entre suivant la flèche F1 et une sortie 27 de laquelle le fluide de refroidissement 22 sort suivant la flèche F2. Les formes du substrat 11, telles que les ailettes 21 ou le ou les canaux 25 de circulation de fluide de refroidissement peuvent être obtenues par un procédé de fabrication additive ou par usinage. Le fluide de refroidissement 22 est choisi parmi le dihydrogène (H2) gazeux, le dihydrogène (H2) liquide, l'hélium (He) gazeux, ou l'azote (N2) liquide. Suivant un mode de réalisation particulier, le module électronique 10 peut être muni des deux systèmes de refroidissement (à ailettes et à canal de circulation interne d'un fluide de refroidissement). Dans le mode de réalisation des figures 6 et 7, le module électronique de puissance 10 comporte une couche de connexion supraconductrice 30 établissant une connexion électrique entre la piste électrique supraconductrice 12 du module électronique de puissance 10 et un fil supraconducteur 31 relié électriquement à une charge électrique (non représentée), tel qu’un moteur électrique. Le moteur électrique peut être réalisé à base de matériaux supraconducteurs ou non. Comme la piste électrique supraconductrice 12, la couche de connexion supraconductrice 30 est réalisée de préférence dans au moins un matériau appartenant à la famille des TR-Ba-Cu-O, TR étant les Terres Rares. La couche de connexion supraconductrice 30 peut être constituée de plusieurs matériaux choisis dans cette famille de matériaux. La couche de connexion supraconductrice 30 peut être déposée de la même façon que les pistes électriques supraconductrices 12. Un masquage peut être réalisé avant dépôt pour s'assurer d'une localisation correcte de la couche de connexion supraconductrice 30 sur le substrat 11. La couche de connexion supraconductrice 30 peut être réalisée par dépôt par ablation laser pulsé dit "PLD" (Pulsed Laser Deposition) ou toute autre technique de dépôt de la couche de connexion supraconductrice 30 sur le substrat 11. La couche de connexion supraconductrice 30 présente de préférence une épaisseur de quelques microns. Comme on peut le voir sur la FIG. 8 , le fil supraconducteur 31 comporte une âme 32 faisant office de support mécanique pour au moins une couche d’interface 33 facilitant un dépôt d'une couche supraconductrice 35 destinée à être en contact avec la couche de connexion supraconductrice 30. L'âme 32 peut être réalisée dans un matériau électriquement conducteur ou non, métallique ou non, notamment un polymère, une céramique. Tout matériau ayant des propriétés mécaniques suffisantes pour avoir une fonction de support mécanique pour la couche d'interface 33 et la couche supraconductrice 35 est envisageable. La couche supraconductrice 35 peut être réalisée dans le même matériau que la couche de connexion supraconductrice 30. Au moins une portion du fil supraconducteur 31 est enveloppée par une couche métallique 38, notamment du cuivre ou de l'aluminium. La couche métallique 38 permet de favoriser une brasabilité du fil supraconducteur 31 pour connecter une charge d'un circuit si elle le nécessite. Dans le cas où une couche de cuivre 38 est utilisée, il est possible de prévoir une couche d'argent intermédiaire 40 entre la couche supraconductrice 30 et la couche métallique 38. Dans le cas par exemple où il est possible d’utiliser une charge constituée par un fil supraconducteur sans discontinuité, tel qu'un fil bobinage d’un moteur par exemple, la couche métallique 38 n’est pas nécessaire et peut donc être supprimée. Tel que cela est visible sur la FIG. 7 , l’âme 32 du fil supraconducteur 31 est disposée en partie à l'intérieur d'une cavité réceptrice 39 réalisée dans le substrat 11. La cavité réceptrice 39 présente une forme complémentaire de l'âme 32 pouvant présenter notamment une section transversale ayant une forme rectangulaire ou ronde. La cavité réceptrice 39 est réalisée dans l'épaisseur du substrat 11. Une hauteur de la cavité réceptrice 39 est sensiblement égale à une épaisseur ou un diamètre de l'âme 32, de sorte qu'une face supérieure de l'âme 32 affleure avec une face supérieure du substrat 11. L'âme 32 peut être fixée à l'intérieur de la cavité réceptrice 39, notamment par collage ou en prévoyant des surfaces texturées créant une adhérence entre l'âme 32 et le fond de la cavité réceptrice 39, ou par toute autre technique de fixation adaptée au maintien de l'âme 32 à l'intérieur de la cavité réceptrice 39. La couche de connexion supraconductrice 30 se superpose au moins en partie avec la portion de l'âme 32 du fil supraconducteur 31 disposée à l'intérieur de la cavité réceptrice 39. Une telle configuration permet de limiter une épaisseur globale de la zone d'interconnexion entre la piste électrique supraconductrice 12 et le fil supraconducteur 31. Cette stratégie de réalisation d’une couche de connexion supraconductrice 30 entre un fil supraconducteur 31 et un module électronique de puissance 10 à pistes supraconductrices permet ainsi d’obtenir une continuité électrique non résistive entre l’électronique de puissance et un fil de connexion dans une plage de très basse température. On tire ainsi profit des propriétés supraconductrices et de forte conductivité thermique de certains matériaux associées à un environnement très basse température pour tendre vers un ensemble électromécanique supraconducteur. L'ensemble ainsi constitué peut être noyé dans un matériau d'encapsulation permettant de protéger les composants électroniques contre des agressions provoquées par un environnement dans lequel se situe le module de puissance. Classiquement, le matériau d'encapsulation peut prendre la forme d'un gel, d'une résine époxy et/ou d'un enrobage d'un matériau isolant adapté à être appliqué sur les composants électroniques. Le matériau d'encapsulation est également connu sous la dénomination anglo-saxonne de "coating". Un capot de protection (non représenté) peut venir fermer l’ensemble ainsi constitué. Le capot de protection peut porter une partie des bornes de puissance et/ou des bornes de commande du circuit électronique de puissance. Bien entendu, les différentes caractéristiques, variantes et/ou formes de réalisation de la présente invention peuvent être associées les unes avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres. En outre, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits précédemment et fournis uniquement à titre d'exemple. Elle englobe diverses modifications, formes alternatives et autres variantes que pourra envisager l'homme du métier dans le cadre de la présente invention et notamment toutes combinaisons des différents modes de fonctionnement décrits précédemment, pouvant être pris séparément ou en association. Module électronique de puissance (10) caractérisé en ce qu'il comporte: - un substrat (11) réalisé dans un matériau céramique, - au moins une piste électrique supraconductrice (12) disposée sur une face du substrat (11), la piste électrique supraconductrice (12) étant réalisée dans un matériau ayant des propriétés supraconductrices dans une plage de très basse température comprise entre 0K et 200k, et de préférence entre 0K et 90K, et plus préférentiellement entre 20K et 90K et - au moins un composant électronique (13) connecté électriquement à la piste électrique supraconductrice (12). Module électronique de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que la piste électrique supraconductrice (12) est recouverte par une couche de métallisation (15) sur laquelle est assemblé le composant électronique (13). Module électronique de puissance selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une couche isolante (18) recouvre en partie le composant électronique (13) et la piste électrique supraconductrice (12) pour permettre une connexion entre au moins une électrode supérieure du composant électronique (13) à une autre piste électrique supraconductrice (12') déposée au moins en partie sur la couche isolante (18) et une face supérieure du composant électronique (13). Module électronique de puissance selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la piste électrique supraconductrice (12) est réalisée dans au moins un matériau appartenant à la famille des "Terres rares-Baryum-Cuivre-Oxygène". Module électronique de puissance selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu’au moins une couche d'interface (19) est disposée entre le substrat (11) et la piste électrique supraconductrice (12) pour améliorer une adhésion de la piste supraconductrice sur le substrat (11). Module électronique de puissance selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le substrat (11) est réalisé dans un matériau céramique contenant au moins un matériau choisi parmi les matériaux suivants: saphir, oxyde d'aluminium (AlO), magnésie (MgO), carbure de silicium (SiC), ou monoxyde de silicium (SiO). Module électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le substrat (11) comporte des ailettes (21) disposées sur une face inférieure destinées à venir en contact avec un fluide de refroidissement (22). Module électronique de puissance selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat (11) comporte intérieurement au moins un canal (25) de circulation d'un fluide de refroidissement ayant une entrée (26) et une sortie (27) de fluide de refroidissement. Module électronique de puissance selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que le fluide de refroidissement (22) est choisi parmi le dihydrogène (H2) gazeux, le dihydrogène (H2) liquide, l'hélium (He) gazeux, ou l'azote (N2) liquide. Module électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de connexion supraconductrice (30) établissant une connexion électrique entre la piste électrique supraconductrice (12) du module électronique de puissance (10) et un fil supraconducteur (31) relié électriquement à une charge électrique, tel qu’un moteur électrique. Module électronique de puissance selon la revendication 10, caractérisé en ce que le fil supraconducteur (31) comporte une âme (32) faisant office de support mécanique pour au moins une couche d’interface (33) facilitant un dépôt d'une couche supraconductrice (35) destinée à être en contact avec la couche de connexion supraconductrice (30). Module électronique de puissance selon la revendication 11, caractérisé en ce que l’âme (32) du fil supraconducteur (31) est disposée en partie à l'intérieur d'une cavité réceptrice (39) réalisée dans le substrat (11), la couche de connexion supraconductrice (30) se superposant au moins en partie avec la portion de l'âme (32) du fil supraconducteur (31) disposée à l'intérieur de la cavité réceptrice (39). Module électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce qu'une extrémité du fil supraconducteur (31) est enveloppée par une couche métallique (38), notamment du cuivre ou de l'aluminium.