FR 3159854 A1 20250905 FR 2402021 A 20240229 Structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant successivement : - un substrat (1) ; - une couche de nucléation (2), réalisée dans un matériau choisi parmi le silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 » et le nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H » ; - une couche tampon (3) dépourvue d’atomes de carbone, réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; - des première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5), réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5) possèdent une hétérojonction (H) adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Figure 5 Structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique L’invention se rapporte au domaine technique de l’électronique de puissance, plus particulièrement aux transistors à haute mobilité électronique HEMT (« High Electron Mobility Transistor » en langue anglaise). L’invention trouve notamment son application dans : - des composants pour la conversion de puissance à haute tension, par exemple dans la gamme [600 V – 1770 V], et à haute fréquence ; - des composants pour la protection électrique, par exemple dans la gamme de tension [600 V – 1770 V]. État de l’art Une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique HEMT comporte successivement : - un substrat ; - une couche de nucléation ; - une couche tampon ; - des première et deuxième couches semi-conductrices, réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices possèdent une hétérojonction adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel (2DEG pour « 2-Dimensional Electron Gas » en langue anglaise). La première couche semi-conductrice est appelée couche de canal. La deuxième couche semi-conductrice est appelée couche de barrière. La couche tampon est une couche épaisse (typiquement avec une épaisseur supérieure à 1 µm) permettant notamment : (i) d’isoler électriquement la couche de canal du substrat ; (ii) d’assurer une compatibilité en termes de propriétés physiques entre le matériau du substrat et le matériau de la couche de canal. Le point (i) permet d’obtenir une bonne tenue en tension verticale. Cette isolation électrique est primordiale, tout particulièrement lorsque le substrat est semi-conducteur, par exemple pour un substrat de silicium Si. Le point (ii) permet principalement une compatibilité en termes de différence de désaccord de maille cristalline (« lattice mismatch » en langue anglaise) afin d’éviter la formation de défauts cristallins préjudiciables en termes de fiabilité et de performance. Il est connu de l’état de la technique d’utiliser un substrat de silicium Si et une couche tampon à base de nitrure de gallium GaN. Afin de satisfaire les points (i) et (ii), il est connu : - d’introduire un dopage carbone dans la couche tampon afin d’obtenir une bonne isolation électrique ; - de former un super-réseau (« superlattice » en langue anglaise) du type AlN/GaN pour la couche tampon, afin de compenser un fort désaccord de maille cristalline entre le substrat de silicium et la couche de canal (généralement en GaN). Une telle structure à hétérojonction de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisante dans la mesure où : - le dopage carbone dégrade la qualité cristalline, et introduit un piégeage des charges susceptible d’engendrer des effets dynamiques néfastes, tels que des retards de commande (« gate -lag », « drain-lag » en langue anglaise) ou un effondrement (« collapse » en langue anglaise) du courant ; - la formation d’un super-réseau est complexe à mettre en œuvre et consommatrice en temps d’opération. L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant successivement : - un substrat ; - une couche de nucléation, réalisée dans un matériau différent du substrat et choisi parmi le silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 » et le nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H » ; - une couche tampon, réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon étant dépourvue d’atomes de carbone ; - des première et deuxième couches semi-conductrices, réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices possèdent une hétérojonction adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Ainsi, une telle structure à hétérojonction selon l’invention permet de s’affranchir d’un dopage carbone de l’état de la technique grâce à la couche tampon réalisée en nitrure d’aluminium AlN ou réalisée dans un nitrure d’aluminium-gallium AlGaN enrichi en aluminium, c'est-à-dire de formule brute Al x Ga 1-x N avec x>0,5. Le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium AlGaN enrichi en aluminium possèdent chacun une largeur de bande interdite supérieure à celle du nitrure de gallium GaN, de sorte que la couche de canal (i.e. la première couche semi-conductrice) est mieux isolée électriquement du substrat par rapport à l’état de la technique, ce qui permet un meilleur confinement du gaz d’électrons bidimensionnel. La couche de nucléation est réalisée dans un matériau différent de celui du substrat, de sorte que le substrat et la couche de nucléation peuvent former un substrat dit composite. Le silicium Si monocristallin, possédant une orientation cristalline du type « 111 », et le nitrure d’aluminium AlN monocristallin, possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H », sont des matériaux de la couche de nucléation possédant un désaccord de maille faible avec la couche tampon réalisée en AlN ou en AlGaN enrichi en aluminium. Un substrat composite permet de ne pas restreindre le choix du matériau du substrat en fonction de son éventuel désaccord de maille cristalline avec la couche tampon. Il est ainsi possible de choisir le matériau du substrat selon d’autres critères, par exemple son coefficient de dilatation thermique CTE (« Coefficient of Thermal Expansion » en langue anglaise), sa transparence à un rayonnement électromagnétique (e.g. en présence d’une couche de collage pour le détacher) etc. La structure à hétérojonction selon l’invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l’invention : - le matériau dans lequel est réalisée la couche tampon possède un premier coefficient de dilatation thermique, noté CTE1 ; - le substrat est réalisé dans un matériau possédant un deuxième coefficient de dilatation thermique, noté CTE2 ; le matériau dans lequel est réalisé le substrat étant choisi de sorte que . Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir former une couche tampon épaisse (épaisseur supérieure à 1 µm) de bonne qualité cristalline (typiquement de l’ordre ou inférieur à 10 9 dislocations par cm 2 ) par une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques MOCVD (« MetalOrganic Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise) ou par une épitaxie par jet moléculaire MBE (« Molecular -Beam Epitaxy » en langue anglaise), tout en s’affranchissant de la formation d’un super-réseau pour la couche tampon. Selon une caractéristique de l’invention, le substrat est réalisé dans un matériau choisi parmi le carbure de silicium SiC polycristallin et le nitrure d’aluminium AlN polycristallin. Ainsi, un avantage procuré par de tels matériaux est leur faible différence de CTE avec la couche tampon. Selon une caractéristique de l’invention, la structure à hétérojonction comporte une couche de collage s’étendant entre le substrat et la couche de nucléation, la couche de collage étant conçue pour détacher le substrat de la structure à hétérojonction lorsque la couche de collage est soumise à un rayonnement électromagnétique ; le substrat étant réalisé dans un matériau transparent au rayonnement électromagnétique. Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir recycler le substrat. Selon une caractéristique de l’invention, la couche de collage comporte : - une première sous-couche adhésive, de préférence réalisée dans un matériau choisi parmi le silicium amorphe et le silicium polycristallin ; - une deuxième sous-couche de libération, conçue pour détacher le substrat de la structure à hétérojonction lorsque la deuxième sous-couche de libération est soumise à un rayonnement électromagnétique ; la deuxième sous-couche de libération étant de préférence réalisée dans un matériau métallique tel que l’aluminium Al, l’étain Sn ou le zinc Zn, ou de préférence réalisée dans un matériau carboné tel que des nanotubes de carbone ou du graphène. Ainsi, un avantage procuré par de tels matériaux pour la deuxième sous-couche de libération est de pouvoir détacher le substrat lorsqu’ils sont soumis à un rayonnement électromagnétique infrarouge, grâce à leur forte absorption dans l’infrarouge. Selon une caractéristique de l’invention, la couche tampon présente une épaisseur supérieure ou égale à 1 µm. Ainsi, un avantage procuré est d’améliorer l’isolation électrique verticale de la couche de canal (i.e. la première couche semi-conductrice). L’absence d’atomes de carbone dans la couche tampon permet également de parfaitement isoler électriquement deux transistors adjacents sans avoir à gérer leur potentiel électrique en face arrière (i.e. sous la couche tampon). Une telle couche tampon épaisse limite fortement, voire élimine le problème de barrière arrière (« back barrier » en langue anglaise) rencontré lorsque l’on place sur un même substrat (même puce) des transistors haute tension. Ce problème est connu avec une couche tampon en nitrure de gallium GaN de l’état de la technique et est exacerbé avec la montée en tension (en particulier à partir de 100 V). Enfin, cette isolation électrique obtenue par la couche tampon ne se réalise pas au détriment de pertes thermiques significatives, tout particulièrement lorsque la couche tampon est réalisée en nitrure d’aluminium AlN, dans une moindre mesure lorsque la couche tampon est réalisée en nitrure d’aluminium-gallium AlGaN enrichi en aluminium. Par exemple, une isolation électrique obtenue par un substrat de type silicium sur isolant SOI (« Silicon On Insulator » en langue anglaise) possède une résistance thermique importante due à la présence de l’isolant, typiquement une couche de dioxyde de silicium SiO 2 . Selon une caractéristique de l’invention, le matériau dans lequel est réalisée la couche tampon est monocristallin. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir une couche tampon de bonne qualité cristalline ainsi qu’une bonne conductivité thermique (i.e. ne forme pas une barrière thermique), tout particulièrement lorsque la couche tampon est réalisée en nitrure d’aluminium AlN. Selon une caractéristique de l’invention : - le premier alliage de type III-N est un alliage de formule brute Al x Ga 1-x N, avec x≥0 ; - le deuxième alliage de type III-N est un alliage de formule brute Al y Ga 1-y N, avec y>x. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir une hétérojonction permettant de former un gaz d’électrons bidimensionnel. L’invention a également pour objet un transistor à haute mobilité électronique, comportant : - une structure à hétérojonction conforme à l’invention ; - des première et deuxième zones métalliques, s’étendant chacune à travers la deuxième couche semi-conductrice de manière à former un contact ohmique avec l’hétérojonction ; - une électrode de source et une électrode de drain, respectivement électriquement connectées aux première et deuxième zones métalliques ; - une troisième zone métallique, les première et deuxième zones métalliques s’étendant de part et d’autre de la troisième zone métallique ; - une électrode de grille, électriquement connectée à la troisième zone métallique. Selon une caractéristique de l’invention, la troisième zone métallique est agencée pour : - s’étendre sur la deuxième couche semi-conductrice de manière à former un contact Schottky avec la deuxième couche semi-conductrice ; ou - s’étendre sur une couche diélectrique recouvrant la deuxième couche semi-conductrice ; ou - s’étendre sur une couche de nitrure de gallium GaN dopée de type p ou sur une couche de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN dopée de type p, recouvrant la deuxième couche semi-conductrice ; ou - s’étendre à l’intérieur de la deuxième couche semi-conductrice de manière à former une électrode de grille encastrée. Lorsque la troisième zone métallique s’étend sur la deuxième couche semi-conductrice (i.e. la couche de barrière) de manière à former un contact Schottky avec la deuxième couche semi-conductrice, le transistor HEMT est généralement de type normalement passant (« Normally -On » en langue anglaise). Lorsque la troisième zone métallique s’étend sur une couche diélectrique (la couche diélectrique recouvrant la deuxième couche semi-conductrice), le transistor HEMT est également de type normalement passant (« Normally -O n » en langue anglaise). Lorsque la troisième zone métallique s’étend sur une couche de nitrure de gallium GaN dopée de type p (la couche de GaN dopée de type p recouvrant la deuxième couche semi-conductrice), le transistor HEMT est de type normalement bloqué (« Normally -Off » en langue anglaise). Lorsque la troisième zone métallique s’étend à l’intérieur de la deuxième couche semi-conductrice de manière à former une électrode de grille encastrée (« recess gate » en langue anglaise), le transistor HEMT est de type normalement bloqué (« Normally -Off » en langue anglaise). Selon une caractéristique de l’invention, le transistor comporte au moins une plaque de champ agencée pour former une extension latérale de la troisième zone métallique, l’extension latérale étant orientée vers la deuxième zone métallique. Ainsi, un avantage procuré est d’améliorer la tenue en tension latérale entre l’électrode de grille et l’électrode de drain. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant les étapes successives : a) utiliser un substrat donneur, réalisé en silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 » ; b) assembler le substrat donneur à un substrat receveur ; c) amincir le substrat donneur de manière à obtenir une couche de nucléation ; d) former une couche tampon sur la couche de nucléation, la couche tampon étant réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon étant dépourvue d’atomes de carbone ; e) former successivement des première et deuxième couches semi-conductrices sur la couche tampon, les première et deuxième couches semi-conductrices étant réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices possèdent une hétérojonction adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet d’obtenir un substrat composite (substrat receveur/couche de nucléation) à l’issue de l’étape c), autorisant la formation d’une couche tampon en nitrure d’aluminium AlN ou en nitrure d’aluminium-gallium AlGaN enrichi en aluminium. Le substrat composite permet de ne pas restreindre le choix du matériau du substrat receveur en fonction de son éventuel désaccord de maille cristalline avec la couche tampon. Il est ainsi possible de choisir le matériau du substrat receveur selon d’autres critères, par exemple son CTE, sa transparence à un rayonnement électromagnétique (e.g. en présence d’une couche de collage pour le détacher) etc. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape b) comporte les étapes : b 1 ) former une couche de collage sur le substrat receveur ou sur le substrat donneur ; b 2 ) assembler le substrat donneur au substrat receveur par l’intermédiaire de la couche de collage ; la couche de collage formée lors de l’étape b 1 ) étant de préférence conçue pour détacher le substrat receveur de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque la couche de collage est soumise à un rayonnement électromagnétique ; le substrat receveur étant réalisé dans un matériau transparent au rayonnement électromagnétique. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir un substrat composite (substrat receveur/couche de collage/couche de nucléation) à l’issue de l’étape c), autorisant la formation d’une couche tampon en nitrure d’aluminium AlN ou en nitrure d’aluminium-gallium AlGaN enrichi en aluminium. Le substrat composite permet de ne pas restreindre le choix du matériau du substrat receveur en fonction de son éventuel désaccord de maille cristalline avec la couche tampon. Il est ainsi possible de choisir le matériau du substrat receveur selon d’autres critères, par exemple son CTE, sa transparence à un rayonnement électromagnétique (e.g. en présence d’une couche de collage pour le détacher) etc. Une telle couche de collage permet de recycler le substrat receveur après l’étape e). L’invention a enfin pour objet un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant les étapes successives : a’) former une couche de nucléation sur un substrat de croissance, la couche de nucléation étant réalisée en nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H », la couche de nucléation présentant : - une première face, libre, possédant une polarité de type aluminium Al ; - une seconde face, opposée à la première face, possédant une polarité de type azote N ; b’) assembler le substrat de croissance à un substrat temporaire du côté de la première face de la couche de nucléation ; puis supprimer le substrat de croissance de manière à exposer la seconde face de la couche de nucléation ; c’) assembler le substrat temporaire à un substrat receveur du côté de la seconde face de la couche de nucléation ; puis supprimer le substrat temporaire de manière à exposer la première face de la couche de nucléation ; d) former une couche tampon sur la couche de nucléation, la couche tampon étant réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon étant dépourvue d’atomes de carbone ; e) former successivement des première et deuxième couches semi-conductrices sur la couche tampon, les première et deuxième couches semi-conductrices étant réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices possèdent une hétérojonction adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet d’obtenir un substrat composite (substrat receveur/couche de nucléation) à l’issue de l’étape c’), autorisant la formation d’une couche tampon en nitrure d’aluminium AlN ou en nitrure d’aluminium-gallium AlGaN enrichi en aluminium. Le substrat composite permet de ne pas restreindre le choix du matériau du substrat receveur en fonction de son éventuel désaccord de maille cristalline avec la couche tampon. Il est ainsi possible de choisir le matériau du substrat receveur selon d’autres critères, par exemple son CTE, sa transparence à un rayonnement électromagnétique (e.g. en présence d’une couche de collage pour le détacher) etc. Un substrat massif (« bulk substrate » en langue anglaise) d’AlN monocristallin n’étant pas disponible commercialement à un diamètre et à une qualité suffisants, il n’est pas envisageable d’utiliser actuellement un substrat donneur en AlN monocristallin puis de l’amincir afin de former une couche de nucléation, auquel cas un seul transfert vers un substrat receveur serait nécessaire. La couche de nucléation en AlN monocristallin est obtenue par une croissance épitaxiale sur un substrat de croissance. L’exécution des étapes b’) et c’) conduit à un double transfert permettant de retrouver la polarité de type aluminium sur la surface libre de la couche de nucléation avant l’étape d), et ce afin d’obtenir une qualité cristalline satisfaisante pour la couche tampon formée lors de l’étape d). Selon une caractéristique de l’invention, l’étape c’) comporte les étapes : c’ 1 ) former une couche de collage sur le substrat receveur ou sur la seconde face de la couche de nucléation ; c’ 2 ) assembler le substrat temporaire au substrat receveur par l’intermédiaire de la couche de collage ; la couche de collage formée lors de l’étape c’ 1 ) étant de préférence conçue pour détacher le substrat receveur de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque la couche de collage est soumise à un rayonnement électromagnétique ; le substrat receveur étant réalisé dans un matériau transparent au rayonnement électromagnétique. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir un substrat composite (substrat receveur/couche de collage/couche de nucléation) à l’issue de l’étape c’), autorisant la formation d’une couche tampon en nitrure d’aluminium AlN ou en nitrure d’aluminium-gallium AlGaN enrichi en aluminium. Le substrat composite permet de ne pas restreindre le choix du matériau du substrat receveur en fonction de son éventuel désaccord de maille cristalline avec la couche tampon. Il est ainsi possible de choisir le matériau du substrat receveur selon d’autres critères, par exemple son CTE, sa transparence à un rayonnement électromagnétique (e.g. en présence d’une couche de collage pour le détacher) etc. Une telle couche de collage permet de recycler le substrat receveur après l’étape e). Définitions - Par « comportant successivement un élément A, un élément B etc. », on entend que les éléments A et B sont disposés de manière consécutive selon un ordre défini suivant la normale à une surface recevant les éléments A et B, c'est-à-dire la direction verticale (de bas en haut) en condition normale d’utilisation. - Par « substrat », on entend un support physique autoporté, réalisé dans un matériau cristallin. Un substrat peut être une « tranche », également dénommée « plaquette » (« wafer » en langue anglaise) qui se présente généralement sous la forme d’un disque issu d’une découpe dans un lingot d’un matériau cristallin. - Par « couche de nucléation », on entend une couche formant un germe cristallin autorisant une croissance épitaxiale. - Par « matériau différent », on entend qu’un matériau A est différent d’un matériau B lorsque : (i) le matériau A présente une composition chimique qualitative différente de celle du matériau B ; ou (ii) le matériau A présente une composition chimique qualitative identique à celle du matériau B mais une composition chimique quantitative différente de celle du matériau B ; ou (iii) le matériau A présente une composition chimique qualitative identique à celle du matériau B mais sous une forme cristalline différente. A titre d'exemples non limitatifs, (i) le carbure de silicium SiC polycristallin est différent du nitrure d’aluminium AlN monocristallin et du silicium Si monocristallin ; (ii) l’alliage Al x Ga 1-x N est différent de l’alliage Al y Ga 1- y N lorsque y≠x ; (iii) le nitrure d’aluminium AlN monocristallin est différent du nitrure d’aluminium AlN polycristallin. - Par « orientation cristalline du type 111 », on entend une orientation cristalline définie par les indices de Miller (111). - Par « structure cristalline hexagonale du type 2H », on entend que la structure cristalline hexagonale possède un polytype 2H. - Par « couche tampon », on entend une couche conçue pour : (i) isoler électriquement la couche de canal (i.e. la première couche semi-conductrice) du substrat, et (ii) améliorer la qualité cristalline des couches formées au-dessus de la couche tampon grâce à l’épaisseur de la couche tampon et au lissage des paramètres de maille. - Par « couche semi-conductrice », on entend une couche réalisée dans un matériau présentant une conductivité électrique à 300 K comprise entre 10 -6 S/cm et 10 3 S/cm. - Par « alliage de type III-N », on entend un alliage entre au moins un élément de la colonne III du tableau périodique des éléments (TPE) et l’azote N. L’alliage peut être binaire en présence d’un seul élément de la colonne III du TPE et de l’azote N. L’alliage peut être ternaire en présence de deux éléments de la colonne III du TPE et de l’azote N. L’alliage peut être quaternaire en présence de trois éléments de la colonne III du TPE et de l’azote N etc. - Par « hétérojonction », on entend une jonction entre deux matériaux semi-conducteurs dont les largeurs de bandes interdites sont différentes. - Par « transparent », on entend que le substrat possède un coefficient de transmission en intensité supérieur à 80%, de préférence supérieur à 85%, plus préférentiellement supérieur à 90% moyenné sur le spectre du rayonnement électromagnétique auquel est soumis la couche de collage, par exemple un domaine infrarouge. - Par « épaisseur », on entend la dimension suivant la normale à surface du substrat sur laquelle s’étend la couche de nucléation, ou le cas échéant la couche de collage, c'est-à-dire la direction verticale en condition normale d’utilisation. - Par « diélectrique », on entend que la couche est réalisée dans un matériau présentant une conductivité électrique à 300 K inférieure ou égale à 10 -6 S/cm. - Par « dopée de type p », on entend que la couche de nitrure de gallium GaN comporte des dopants de type p, c'est-à-dire des espèces (e.g. impuretés) qui, introduites dans la matrice du nitrure de gallium GaN, génèrent un trou dans la bande de valence. - Par « plaque de champ », on entend une plaque métallique agencée pour réduire l’intensité du champ électrique à proximité de l’électrode de grille. - Par « polarité de type aluminium », on entend que la liaison Al-N commence par un atome d’aluminium Al suivant la direction verticale. La première face de la couche de nucléation possède une polarité de type aluminium, c'est-à-dire avec des atomes d’aluminium Al en surface. - Par « polarité de type azote », on entend que la liaison Al-N commence par un atome d’azote N suivant la direction verticale. La seconde face de la couche de nucléation possède une polarité de type azote, c'est-à-dire avec des atomes d’azote N en surface. - Par « exposer », on entend une action de mettre à nu une face de la couche de nucléation de sorte que ladite face devient une face libre. - Par « désaccord de maille cristalline », on entend la différence quantitative entre les paramètres de maille des matériaux concernés. D’autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l’exposé détaillé de différents modes de réalisation de l’invention, l’exposé étant assorti d’exemples et de références aux dessins joints. FIG. 1 est une vue schématique en coupe, illustrant un premier mode de réalisation d’une structure à hétérojonction selon l’invention. FIG. 2 est une vue schématique en coupe, illustrant un deuxième mode de réalisation d’une structure à hétérojonction selon l’invention, avec la présence d’une couche de collage. FIG. 3 est une vue schématique en coupe, illustrant un premier mode de réalisation d’un transistor à haute mobilité électronique selon l’invention, avec la présence d’une grille surmontant une couche diélectrique (isolant de grille). FIG. 4 est une vue schématique en coupe, illustrant un deuxième mode de réalisation d’un transistor à haute mobilité électronique selon l’invention, avec la présence d’une grille surmontant une couche de nitrure de gallium GaN dopée de type p. FIG. 5 est une vue schématique analogue à la FIG. 3 , avec la présence d’une couche de collage. FIG. 6 est une vue schématique analogue à la FIG. 4 , avec la présence d’une couche de collage. FIG. 7 comporte des vues schématiques en coupe, illustrant un premier mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention, avec une couche de nucléation réalisée dans un silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 ». FIG. 8 comporte des vues schématiques en coupe, illustrant un deuxième mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention, avec une couche de nucléation réalisée dans un silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 », et avec la présence d’une couche de collage. FIG. 9 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape a’) d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention, avec une couche de nucléation réalisée en nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H ». FIG. 10 est une vue schématique en coupe, illustrant un assemblage d’un substrat de croissance à un substrat temporaire lors d’une étape b’) d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention. FIG. 11 est une vue schématique en coupe, illustrant une suppression du substrat de croissance lors d’une étape b’) d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention. FIG. 12 est une vue schématique en coupe, illustrant un assemblage d’un substrat temporaire à un substrat receveur lors d’une étape c’) d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention. FIG. 12 est une vue schématique analogue à la FIG. 12 , avec la présence d’une couche de collage. FIG. 13 est une vue schématique en coupe, illustrant une suppression du substrat temporaire lors d’une étape c’) d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention. FIG. 13 est une vue schématique analogue à la FIG. 13 , avec la présence d’une couche de collage. FIG. 14 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention, avec une couche de nucléation réalisée en nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H ». FIG. 14 est une vue schématique analogue à la FIG. 14 , avec la présence d’une couche de collage. FIG. 15 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape e) d’un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction selon l’invention, avec une couche de nucléation réalisée en nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H ». FIG. 15 est une vue schématique analogue à la FIG. 15 , avec la présence d’une couche de collage. Il est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques, et ne sont pas nécessairement à l’échelle par souci de lisibilité et pour en simplifier leur compréhension. Les coupes sont effectuées selon la normale à la surface du ou des substrats représentés sur la figure correspondante, c'est-à-dire selon un axe vertical en condition usuelle d’utilisation. Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. Structure à hétérojonction Un objet de l’invention est une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant successivement : - un substrat 1 ; - une couche de nucléation 2, réalisée dans un matériau différent du substrat 1 et choisi parmi le silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 » et le nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H » ; - une couche tampon 3, réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon 3 étant dépourvue d’atomes de carbone ; - des première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5, réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 possèdent une hétérojonction H adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Substrat Le substrat 1 est réalisé dans un matériau possédant un coefficient de dilatation thermique, noté CTE2. Le matériau dans lequel est réalisé le substrat 1 est avantageusement choisi de sorte que , où CTE1 est le coefficient de dilatation thermique du matériau dans lequel est réalisée la couche tampon 3. Le substrat 1 est avantageusement réalisé dans un matériau choisi parmi le carbure de silicium SiC polycristallin et le nitrure d’aluminium AlN polycristallin. Le substrat 1 est avantageusement un substrat massif (« bulk substrate » en langue anglaise). Par « substrat massif », on entend un substrat dont le volume est homogène du point de vue de sa structure cristalline (monocristalline ou polycristalline). Ainsi, contrairement à un sens usuel, le terme « massif » n’est pas réservé dans la présente description à la forme monocristalline d’un substrat, et peut donc viser la forme polycristalline d’un substrat. Le substrat 1 est avantageusement réalisé dans un matériau transparent à un rayonnement électromagnétique auquel peut être soumis une couche de collage CC intercalée entre le substrat 1 et la couche de nucléation 2 (cf. paragraphe « Couche de collage »). A titre d'exemple non limitatif, le matériau dans lequel est réalisé le substrat 1 est avantageusement transparent dans l’infrarouge. Le substrat 1 peut présenter un diamètre de 200 mm ou de 300 mm. Le substrat 1 peut présenter une épaisseur de l’ordre de 500 µm. Couche de nucléation La couche de nucléation 2 est réalisée dans un matériau différent du substrat 1 de sorte que le substrat 1 et la couche de nucléation 2 forment un substrat composite. Selon un premier mode de réalisation, la couche de nucléation 2 est réalisée dans un silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 ». Selon un deuxième mode de réalisation, la couche de nucléation 2 est réalisée dans un nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H ». La couche de nucléation 2 peut présenter une épaisseur comprise entre quelques centaines de nanomètres et une dizaine de microns. A titre d'exemple non limitatif, la couche de nucléation 2 peut présenter une épaisseur comprise entre 100 nm et 5 µm. Couche tampon La couche tampon 3 s’étend sur la couche de nucléation 2. La couche tampon 3 est dépourvue de dopants de type carbone. La couche tampon 3 est une couche monolithique. Autrement dit, la couche tampon 3 ne comporte pas de sous-couches distinctes réalisées dans des matériaux différents. En d’autres termes, la couche tampon 3 ne forme pas une structure multicouche, comme dans un super-réseau. Selon un premier mode de réalisation, la couche tampon 3 est réalisée en nitrure d’aluminium AlN. Selon un deuxième mode de réalisation, la couche tampon 3 est réalisée en nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5. Le matériau dans lequel est réalisée la couche tampon 3 est avantageusement monocristallin. En d’autres termes, selon le premier mode de réalisation, le nitrure d’aluminium AlN est avantageusement monocristallin. Selon le deuxième mode de réalisation, le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N, avec x>0,5, est avantageusement monocristallin. La couche tampon 3 présente avantageusement une épaisseur supérieure ou égale à 1 µm. La couche tampon 3 peut présenter une épaisseur de l’ordre de quelques microns, et est généralement inférieure à 10 µm. A titre d'exemple non limitatif, la couche tampon 3 peut présenter une épaisseur de l’ordre de 4 µm. Première et deuxième couches semi-conductrices La première couche semi-conductrice 4 s’étend sur la couche tampon 3. La première couche semi-conductrice 4 est réalisée dans un premier alliage de type III-N. La première couche semi-conductrice 4 peut présenter une épaisseur de l’ordre de 500 nm. La deuxième couche semi-conductrice 5 s’étend sur la première couche semi-conductrice 4. La deuxième couche semi-conductrice 5 est réalisée dans un deuxième alliage de type III-N. La deuxième couche semi-conductrice peut présenter une épaisseur de l’ordre de 20 nm. Les premier et deuxième alliages de type III-N sont conçus de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 possèdent une hétérojonction H adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. A titre d'exemple non limitatif, le premier alliage de type III-N peut être un alliage de formule brute Al x Ga 1-x N, avec x≥0, tandis que le deuxième alliage de type III-N peut être un alliage de formule brute Al y Ga 1-y N, avec y>x. Lorsque x=0, le premier alliage de type III-N est un alliage binaire de nitrure de gallium GaN. Lorsque x≠0, le premier alliage de type III-N est un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN. Couche de collage La structure à hétérojonction comporte avantageusement une couche de collage CC s’étendant entre le substrat 1 et la couche de nucléation 2, la couche de collage CC étant conçue pour détacher le substrat 1 de la structure à hétérojonction lorsque la couche de collage CC est soumise à un rayonnement électromagnétique. Le rayonnement électromagnétique peut être issu d’une irradiation laser. A cet effet, la couche de collage CC peut comporter une première sous-couche adhésive qui est avantageusement réalisée dans un matériau choisi parmi le silicium amorphe et le silicium polycristallin. La couche de collage CC peut comporter une deuxième sous-couche de libération qui est conçue pour détacher le substrat 1 de la structure à hétérojonction lorsque la deuxième sous-couche de libération est soumise à un rayonnement électromagnétique. La deuxième sous-couche de libération est avantageusement réalisée : - dans un matériau métallique tel que l’aluminium Al, l’étain Sn, le zinc Zn ; ou - dans un matériau carboné tel que des nanotubes de carbone ou du graphène. De tels matériaux pour la deuxième sous-couche de libération absorbent dans l’infrarouge de manière à séparer le substrat 1 de la structure à hétérojonction lorsque ces matériaux sont soumis à un rayonnement infrarouge. Bien entendu, il est envisageable d’utiliser une couche de collage CC s’étendant entre le substrat 1 et la couche de nucléation 2 qui ne soit pas conçue pour détacher le substrat 1 de la structure à hétérojonction. A titre d'exemples non limitatifs, la couche de collage CC peut être réalisée dans un matériau choisi parmi le silicium amorphe, le silicium polycristallin et le nitrure d’aluminium AlN polycristallin. Diodes(s) embarquée(s) La structure à hétérojonction comporte avantageusement au moins une première diode, destinée à être polarisée en inverse. La première diode comporte une jonction p/n pouvant s’étendre : (i) au sein du substrat 1 ; ou (ii) au sein de la couche de collage CC le cas échéant ; ou (iii) au sein de la couche de nucléation 2 ; ou (iv) à l’interface entre le substrat 1 et la couche de nucléation 2, en l’absence de couche de collage CC ; ou (v) à l’interface entre le substrat 1 et la couche de collage CC le cas échéant ; ou (vi) à l’interface entre la couche de collage CC et la couche de nucléation 2. Une telle première diode, destinée à être polarisée en inverse, permet d’assurer une isolation électrique supplémentaire à celle apportée par la couche tampon 3. L’isolation électrique obtenue peut être à la fois verticale et latérale. Une isolation électrique latérale est avantageuse en présence de futurs transistors à haute mobilité électronique adjacents. La jonction p/n de la première diode est localisée selon les dopants de type p et de type n choisis et selon les propriétés du substrat 1, de la couche de nucléation 2 et de la couche de collage CC le cas échéant. Par exemple, une couche de nucléation 2 réalisée dans un silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 » peut être facilement dopée de type p ou dopée de type n, ce qui n’est pas le cas d’une couche de nucléation 2 réalisée dans un nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H ». Bien entendu, la couche de collage CC ne doit pas être conçue pour détacher le substrat 1 de la structure à hétérojonction lorsque la couche de collage CC comporte des dopants en vue de former tout ou partie de la première diode. Selon un premier exemple de réalisation, le substrat 1 est réalisé en carbure de silicium SiC polycristallin dopé de type p et la couche de collage CC est réalisée dans un silicium polycristallin dopé de type n. Selon un deuxième exemple de réalisation, la couche de collage CC est réalisée dans un silicium polycristallin dopé de type p et la couche de nucléation 2 est réalisée dans un silicium Si monocristallin dopé de type n, possédant une orientation cristalline du type « 111 ». La structure à hétérojonction comporte avantageusement au moins une deuxième diode, destinée à être polarisée en directe, montée en série et en tête-bêche (i.e. en anti-série) avec la première diode. Un tel montage en anti-série des première et deuxième diodes permet de limiter la tension inverse de la deuxième diode à l’état bloqué, afin de ne pas l’endommager. En effet, des différences de potentiels électriques importantes peuvent exister entre le substrat 1 la couche de nucléation 2 (ou avec la couche de collage CC le cas échéant). En outre, un tel montage en anti-série permet de garantir qu’une des deux diodes est à l’état bloqué. Transistor à haute mobilité électronique Un objet de l’invention est un transistor à haute mobilité électronique (HEMT), comportant : - une structure à hétérojonction conforme à l’invention ; - des première et deuxième zones métalliques ZM1, ZM2, s’étendant chacune à travers la deuxième couche semi-conductrice 5 de manière à former un contact ohmique avec l’hétérojonction H ; - une électrode de source S et une électrode de drain D, respectivement électriquement connectées aux première et deuxième zones métalliques ZM1, ZM2 ; - une troisième zone métallique ZM3, les première et deuxième zones métalliques ZM1, ZM2 s’étendant de part et d’autre de la troisième zone métallique ZM3 ; - une électrode de grille G, électriquement connectée à la troisième zone métallique ZM3. Première et deuxième zones métalliques La première zone métallique ZM1 s’étend à travers la deuxième couche semi-conductrice 5 de manière à former un contact ohmique avec un premier bord latéral de l’hétérojonction H. La deuxième zone métallique ZM2 s’étend à travers la deuxième couche semi-conductrice 5 de manière à former un contact ohmique avec un deuxième bord latéral de l’hétérojonction H. Les premier et deuxième bords latéraux de l’hétérojonction H, se faisant face, délimitent une zone active de l’hétérojonction H s’étendant entre les première et deuxième zones métalliques ZM1, ZM2. Les première et deuxième zones métalliques ZM1, ZM2 s’étendent de part et d’autre de la troisième zone métallique ZM3. L’électrode de source S est électriquement connectée à la première zone métallique ZM1. L’électrode de drain D est électriquement connectée à la deuxième zone métallique ZM2. Troisième zone métallique La troisième zone métallique ZM3 est avantageusement agencée pour : - s’étendre sur la deuxième couche semi-conductrice 5 de manière à former un contact Schottky avec la deuxième couche semi-conductrice 5 ; ou - s’étendre sur une couche diélectrique 6 recouvrant la deuxième couche semi-conductrice 5 ; ou - s’étendre sur une couche 7 de nitrure de gallium GaN dopée de type p ou sur une couche 7 de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN dopée de type p, recouvrant la deuxième couche semi-conductrice 5 ; ou - s’étendre à l’intérieur de la deuxième couche semi-conductrice 5 de manière à former une électrode de grille G encastrée. Selon un premier mode de réalisation, la troisième zone métallique ZM3 s’étend sur la deuxième couche semi-conductrice 5 de manière à former un contact Schottky avec la deuxième couche semi-conductrice 5. Le transistor HEMT est alors généralement de type normalement passant (« Normally -On » en langue anglaise). Selon un deuxième mode de réalisation, la troisième zone métallique ZM3 s’étend sur une couche diélectrique 6 recouvrant la deuxième couche semi-conductrice 5. Le transistor HEMT visé est alors de type normalement passant (« Normally -On » en langue anglaise). A titre d'exemples non limitatifs, la couche diélectrique 6 peut être réalisée en dioxyde de silicium SiO 2 , en nitrure de silicium Si 3 N 4 , en nitrure d’aluminium AlN ou en alumine Al 2 O 3 . La couche diélectrique 6 permet également de passiver la surface de la deuxième couche semi-conductrice 5. Selon un troisième mode de réalisation, la troisième zone métallique ZM3 s’étend sur une couche 7 de nitrure de gallium GaN dopée de type p (ou sur une couche 7 de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN dopée de type p), recouvrant la deuxième couche semi-conductrice 5. Le transistor HEMT est de type normalement bloqué (« Normally -Off » en langue anglaise). Selon un quatrième mode de réalisation, la troisième zone métallique ZM3 s’étend (partiellement) à l’intérieur de la deuxième couche semi-conductrice 5 de manière à obtenir une électrode de grille G encastrée. Le transistor HEMT est de type normalement bloqué (« Normally -Off » en langue anglaise). L’électrode de grille G est électriquement connectée à la troisième zone métallique ZM3. Les première, deuxième et troisième zones métalliques ZM1, ZM2, ZM3 sont avantageusement réalisées à base d’aluminium Al et/ou de cuivre Cu. Plaque(s) de champ Le transistor comporte avantageusement au moins une plaque de champ FP agencée pour former une extension latérale de la troisième zone métallique ZM3. L’extension latérale est avantageusement orientée vers la deuxième zone métallique ZM2. La ou les plaques de champ FP sont réalisées dans un matériau métallique, de préférence l’aluminium Al ou le cuivre Cu. La ou les plaques de champ FP permettent d’avoir une meilleure répartition du champ électrique, c'est-à-dire réduire l’intensité du champ électrique à proximité de l’électrode de grille G, afin d’obtenir une bonne tenue en tension latérale, et par là-même une tension de claquage élevée. Procédé de fabrication avec une couche de nucléation en Si « 111 » Un objet de l’invention est un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant les étapes successives : a) utiliser un substrat donneur SD, réalisé en silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 » ; b) assembler le substrat donneur SD à un substrat receveur 1 ; c) amincir le substrat donneur SD de manière à obtenir une couche de nucléation 2 ; d) former une couche tampon 3 sur la couche de nucléation 2, la couche tampon 3 étant réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon 3 étant dépourvue d’atomes de carbone ; e) former successivement des première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 sur la couche tampon 3, les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 étant réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 possèdent une hétérojonction H adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Etape a) L’étape a) consiste à utiliser un substrat donneur SD, réalisé en silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 ». Le substrat donneur SD peut présenter une épaisseur de l’ordre de quelques centaines de microns. Etape b) L’étape b) consiste à assembler le substrat donneur SD à un substrat receveur 1. L’étape b) peut être exécutée par un collage direct. Par « collage direct », on entend un collage spontané issu de la mise en contact direct de deux surfaces, c'est-à-dire en l’absence d’un élément additionnel tel qu’une colle, une cire ou une brasure. L’adhésion provient principalement des forces de van der Waals issues de l’interaction électronique entre les atomes ou les molécules de deux surfaces, des liaisons hydrogène du fait des préparations des surfaces ou des liaisons covalentes établies entre les deux surfaces. Le collage direct peut être activé (i.e. activation des surfaces) avec un plasma. Le collage direct peut être exécuté sous vide ou sous ultravide. Le collage peut être direct entre le substrat donneur SD et le substrat receveur 1. Lorsque le substrat donneur SD et/ou le substrat receveur 1 sont revêtus d’une couche diélectrique (e.g. une couche d’oxyde, préférentiellement amorphe) avant collage, le collage peut être direct entre une couche diélectrique et un substrat, ou entre deux couches diélectriques. L’épaisseur de la ou des couches diélectriques (e.g. de l’ordre de 100 nm) est adaptée pour ne pas induire de barrière thermique importante. Le substrat receveur 1 est avantageusement réalisé dans un matériau possédant un coefficient de dilatation thermique, noté CTE2. Le matériau dans lequel est réalisé le substrat receveur 1 est avantageusement choisi de sorte que , où CTE1 est le coefficient de dilatation thermique du matériau dans lequel est réalisée la couche tampon 3 lors de l’étape d). Le substrat receveur 1 est avantageusement réalisé dans un matériau choisi parmi le carbure de silicium SiC polycristallin et le nitrure d’aluminium AlN polycristallin. Le substrat receveur 1 est avantageusement un substrat massif (« bulk substrate » en langue anglaise). Le substrat receveur 1 est avantageusement réalisé dans un matériau transparent à un rayonnement électromagnétique auquel peut être soumis une couche de collage CC intercalée entre le substrat 1 et la couche de nucléation 2. A titre d'exemple non limitatif, le matériau dans lequel est réalisé le substrat receveur 1 est avantageusement transparent dans l’infrarouge. En effet, l’étape b) peut comporter les étapes : b 1 ) former une couche de collage CC sur le substrat receveur 1 ou sur le substrat donneur SD ; b 2 ) assembler le substrat donneur SD au substrat receveur 1 par l’intermédiaire de la couche de collage CC. La couche de collage CC formée lors de l’étape b 1 ) est avantageusement conçue pour détacher le substrat receveur 1 de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque la couche de collage CC est soumise à un rayonnement électromagnétique. Le rayonnement électromagnétique peut être issu d’une irradiation laser. La couche de collage CC formée lors de l’étape b 1 ) peut comporter : - une première sous-couche adhésive, avantageusement réalisée dans un matériau choisi parmi le silicium amorphe et le silicium polycristallin ; - une deuxième sous-couche de libération, conçue pour détacher le substrat receveur 1 de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque la deuxième sous-couche de libération est soumise à un rayonnement électromagnétique. La deuxième sous-couche de libération est avantageusement réalisée : - dans un matériau métallique tel que l’aluminium Al, l’étain Sn, le zinc Zn ; ou - dans un matériau carboné tel que des nanotubes de carbone ou du graphène. De tels matériaux pour la deuxième sous-couche de libération absorbent dans l’infrarouge de manière à séparer le substrat receveur 1 de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque ces matériaux sont soumis à un rayonnement infrarouge. Lorsque la couche de collage CC n’est pas conçue pour détacher le substrat receveur 1, l’étape b) peut comporter une étape consistant à doper la couche de collage CC (par implantation ou par diffusion de dopants) de manière à obtenir une jonction p/n en son sein, ou avec le substrat receveur 1 (auquel cas le substrat receveur 1 est dopé). L’étape b) est avantageusement suivie d’un recuit thermique adapté pour renforcer l’interface de collage entre le substrat donneur SD et le substrat receveur 1. Par « recuit thermique », on entend un traitement thermique comportant : (i) une phase de montée graduelle en température (rampe de montée) jusqu’à atteindre une température dite température de recuit ; (ii) une phase de maintien (plateau) à la température de recuit, pendant une durée dite durée de recuit ; (iii) une phase de refroidissement. Le recuit thermique est exécuté selon un budget thermique adapté pour renforcer l’interface de collage entre le substrat donneur SD et le substrat receveur 1. Par « budget thermique », on entend un apport d’énergie de nature thermique, déterminé par le choix d’une valeur de la température de recuit et le choix d’une valeur de la durée de recuit. La température de recuit peut être comprise entre 300°C et 500°C. La durée de recuit est de l’ordre de quelques minutes à quelques heures. Etape c) L’étape c) consiste à amincir le substrat donneur SD de manière à obtenir une couche de nucléation 2. Le terme « amincir » est entendu comme le fait de rendre moins épais le substrat donneur SD, sans limitation à une technique de nature particulière comme moyens d’obtention d’une épaisseur réduite pour le substrat donneur SD. A titre d’exemple non limitatif, l’étape c) peut comporter une étape de meulage (« grinding » en langue anglaise) du substrat donneur SD, suivie d’une étape de polissage mécano-chimique (CMP pour « Chemical Mechanical Polishing » en langue anglaise) du substrat donneur SD. D’autres techniques sont envisageables, impliquant par exemple un Smart-cut™ du substrat donneur SD. L’épaisseur finale de la couche de nucléation 2 peut être ajustée en appliquant un recuit thermique, sous une atmosphère oxydante ou neutre. La température de recuit peut être comprise entre 1100°C et 1200°C. La durée de recuit peut être de l’ordre de quelques heures. L’étape c) peut comporter une étape consistant à doper la couche de nucléation 2 (par implantation ou par diffusion de dopants) de manière à obtenir une jonction p/n : - en son sein, ou - avec le substrat receveur 1 (auquel cas le substrat receveur 1 est dopé), ou encore - avec la couche de collage CC (auquel cas la couche de collage CC est dopée et n’est pas conçue pour détacher le substrat receveur 1). Etape d) L’étape d) consiste à former une couche tampon 3 sur la couche de nucléation 2. L’étape d) comporte avantageusement une étape préalable consistant à nettoyer la surface de la couche de nucléation 2. L’étape d) est avantageusement exécutée par une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques MOCVD, par une épitaxie par jet moléculaire MBE, ou par une épitaxie hybride en phase vapeur HVPE. La couche tampon 3 est réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5. La couche tampon 3 formée lors de l’étape d) est avantageusement réalisée dans un matériau monocristallin. Pour ce faire, comme évoqué précédemment, l’étape d) peut être exécutée par une épitaxie MOCVD, par une épitaxie MBE ou par une épitaxie HVPE. Il est également possible, afin de limiter le temps d’opération, de former un matériau polycristallin par un dépôt physique en phase vapeur (PVD pour « Ph ysical Vapor Deposition » en langue anglaise) puis de cristalliser ce matériau (on parle de recristallisation). L’étape d) peut combiner une épitaxie MOCVD avec un dépôt PVD recristallisé. La recristallisation peut s’effectuer par un recuit thermique. La couche tampon 3 formée lors de l’étape d) présente avantageusement une épaisseur supérieure à 1 µm. Etape e) L’étape e) consiste à former successivement les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 sur la couche tampon 3. L’étape e) peut être exécutée par une épitaxie MOCVD ou par une épitaxie MBE. La première couche semi-conductrice 4 s’étend sur la couche tampon 3. La première couche semi-conductrice 4 est réalisée dans un premier alliage de type III-N. La deuxième couche semi-conductrice 5 s’étend sur la première couche semi-conductrice 4. La deuxième couche semi-conductrice 5 est réalisée dans un deuxième alliage de type III-N. Les premier et deuxième alliages de type III-N sont conçus de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 possèdent une hétérojonction H adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. A titre d’exemple non limitatif, le premier alliage de type III-N peut être un alliage de formule brute Al x Ga 1-x N, avec x≥0, tandis que le deuxième alliage de type III-N peut être un alliage de formule brute Al y Ga 1-y N, avec y>x. Lorsque x=0, le premier alliage de type III-N est un alliage binaire de nitrure de gallium GaN. Lorsque x≠0, le premier alliage de type III-N est un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN. Procédé de fabrication avec une couche de nucléation en AlN « 2H » Un objet de l’invention est un procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant les étapes successives : a’) former une couche de nucléation 2 sur un substrat de croissance SC, la couche de nucléation 2 étant réalisée en nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H », la couche de nucléation 2 présentant : - une première face 20, libre, possédant une polarité de type aluminium Al ; - une seconde face 21, opposée à la première face 20, possédant une polarité de type azote N ; b’) assembler le substrat de croissance SC à un substrat temporaire ST du côté de la première face 20 de la couche de nucléation 2 ; puis supprimer le substrat de croissance SC de manière à exposer la seconde face 21 de la couche de nucléation 2 ; c’) assembler le substrat temporaire ST à un substrat receveur 1 du côté de la seconde face 21 de la couche de nucléation 2 ; puis supprimer le substrat temporaire ST de manière à exposer la première face 20 de la couche de nucléation 2 ; d) former une couche tampon 3 sur la couche de nucléation 2, la couche tampon 3 étant réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon 3 étant dépourvue d’atomes de carbone ; e) former successivement des première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 sur la couche tampon 3, les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 étant réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 possèdent une hétérojonction H adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Etape a’) L’étape a’) consiste à former une couche de nucléation 2 sur un substrat de croissance SC. A titre d’exemple non limitatif, le substrat de croissance SC peut être réalisé en silicium Si. L’étape a’) peut être exécutée par une épitaxie MOCVD ou par une épitaxie MBE. La couche de nucléation 2 est réalisée en nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H ». La couche de nucléation 2 présente : - une première face 20, libre, possédant une polarité de type aluminium Al ; - une seconde face 21, opposée à la première face 20, possédant une polarité de type azote N. Etape b’) L’étape b’) comporte les étapes successives : b’ 1 ) assembler le substrat de croissance SC à un substrat temporaire ST du côté de la première face 20 de la couche de nucléation 2 ; b’ 2 ) supprimer le substrat de croissance SC de manière à exposer la seconde face 21 de la couche de nucléation 2. L’étape b’ 1 ) peut être exécutée par un collage direct. Le collage peut être direct entre le substrat de croissance SC et le substrat temporaire ST. Lorsque le substrat de croissance SC et/ou le substrat temporaire ST sont revêtus d’une couche diélectrique (e.g. une couche d’oxyde, préférentiellement amorphe) avant collage, le collage peut être direct entre une couche diélectrique et un substrat, ou entre deux couches diélectriques. L’épaisseur de la ou des couches diélectriques (e.g. de l’ordre de 100 nm) est adaptée pour ne pas induire de barrière thermique importante. A titre d'exemple non limitatif, le substrat temporaire ST peut être réalisé en silicium Si. L’étape b’ 2 ) peut être exécutée par une gravure. La gravure peut être sèche ou humide, en combinaison possible avec un meulage et un polissage mécano-chimique. Etape c’) L’étape c’) comporte les étapes successives : - assembler le substrat temporaire ST à un substrat receveur 1 du côté de la seconde face 21 de la couche de nucléation 2, de préférence par un collage direct ; - supprimer le substrat temporaire ST de manière à exposer la première face 20 de la couche de nucléation 2, de préférence par gravure (sèche ou humide, en combinaison possible avec un meulage et un polissage mécano-chimique). Le collage peut être direct entre le substrat temporaire ST et le substrat receveur 1. Lorsque le substrat temporaire ST et/ou le substrat receveur 1 sont revêtus d’une couche diélectrique (e.g. une couche d’oxyde, préférentiellement amorphe) avant collage, le collage peut être direct entre une couche diélectrique et un substrat, ou entre deux couches diélectriques. L’épaisseur de la ou des couches diélectriques (e.g. de l’ordre de 100 nm) est adaptée pour ne pas induire de barrière thermique importante. Le collage peut ne pas être direct entre le substrat temporaire ST et le substrat receveur 1. A cet effet, il est possible d’utiliser une couche de polymère pour assembler le substrat temporaire ST au substrat receveur 1 du côté de la seconde face 21 de la couche de nucléation 2. Le cas échéant, il est possible de supprimer le substrat temporaire ST avec une source laser. Le substrat receveur 1 est avantageusement réalisé dans un matériau possédant un coefficient de dilatation thermique, noté CTE2. Le matériau dans lequel est réalisé le substrat receveur 1 est avantageusement choisi de sorte que , où CTE1 est le coefficient de dilatation thermique du matériau dans lequel est réalisée la couche tampon 3 lors de l’étape d). Le substrat receveur 1 est avantageusement réalisé dans un matériau choisi parmi le carbure de silicium SiC polycristallin et le nitrure d’aluminium AlN polycristallin. Le substrat receveur 1 est avantageusement un substrat massif (« bulk substrate » en langue anglaise). Le substrat receveur 1 est avantageusement réalisé dans un matériau transparent à un rayonnement électromagnétique auquel peut être soumis une couche de collage CC intercalée entre le substrat 1 et la couche de nucléation 2. A titre d'exemple non limitatif, le matériau dans lequel est réalisé le substrat receveur 1 est avantageusement transparent dans l’infrarouge. En effet, l’étape c’) peut comporter les étapes : c’ 1 ) former une couche de collage CC sur le substrat receveur 1 ou sur la seconde face 21 de la couche de nucléation 2 ; c’ 2 ) assembler le substrat temporaire ST au substrat receveur 1 par l’intermédiaire de la couche de collage CC. La couche de collage CC formée lors de l’étape c’ 1 ) est avantageusement conçue pour détacher le substrat receveur 1 de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque la couche de collage CC est soumise à un rayonnement électromagnétique. Le rayonnement électromagnétique peut être issu d’une irradiation laser. La couche de collage CC formée lors de l’étape c’ 1 ) peut comporter : - une première sous-couche adhésive, avantageusement réalisée dans un matériau choisi parmi le silicium amorphe et le silicium polycristallin ; - une deuxième sous-couche de libération, conçue pour détacher le substrat receveur 1 de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque la deuxième sous-couche de libération est soumise à un rayonnement électromagnétique. La deuxième sous-couche de libération est avantageusement réalisée : - dans un matériau métallique tel que l’aluminium Al, l’étain Sn, le zinc Zn ; ou - dans un matériau carboné tel que des nanotubes de carbone ou du graphène. De tels matériaux pour la deuxième sous-couche de libération absorbent dans l’infrarouge de manière à séparer le substrat receveur 1 de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque ces matériaux sont soumis à un rayonnement infrarouge. Lorsque la couche de collage CC n’est pas conçue pour détacher le substrat receveur 1, l’étape c’) peut comporter une étape consistant à doper la couche de collage CC (par implantation ou par diffusion de dopants) de manière à obtenir une jonction p/n en son sein, ou avec le substrat receveur 1 (auquel cas le substrat receveur 1 est dopé). L’étape c’) comporte avantageusement une étape de recuit thermique adapté pour renforcer l’interface de collage entre le substrat temporaire ST et le substrat receveur 1. Etape d) L’étape d) consiste à former une couche tampon 3 sur la couche de nucléation 2. Plus précisément, l’étape d) consiste à former une couche tampon 3 sur la première face 20 de la couche de nucléation 2 exposée à l’issue de l’étape c’). L’étape d) comporte avantageusement une étape préalable consistant à nettoyer la surface de la couche de nucléation 2. L’étape d) est avantageusement exécutée par une épitaxie en phase vapeur aux organométalliques MOCVD, par une épitaxie par jet moléculaire MBE ou par une épitaxie hybride en phase vapeur HVPE. La couche tampon 3 est réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5. La couche tampon 3 formée lors de l’étape d) est avantageusement réalisée dans un matériau monocristallin. Pour ce faire, comme évoqué précédemment, l’étape d) peut être exécutée par une épitaxie MOCVD, par une épitaxie MBE ou par une épitaxie HVPE. Il est également possible, afin de limiter le temps d’opération, de former un matériau polycristallin par un dépôt physique en phase vapeur (PVD pour « Ph ysical Vapor Deposition » en langue anglaise) puis de cristalliser ce matériau (on parle de recristallisation). L’étape d) peut combiner une épitaxie MOCVD avec un dépôt PVD recristallisé. La recristallisation peut s’effectuer par un recuit thermique. La couche tampon 3 formée lors de l’étape d) présente avantageusement une épaisseur supérieure à 1 µm. Etape e) L’étape e) consiste à former successivement les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 sur la couche tampon 3. L’étape e) peut être exécutée par une épitaxie MOCVD ou par une épitaxie MBE. La première couche semi-conductrice 4 s’étend sur la couche tampon 3. La première couche semi-conductrice 4 est réalisée dans un premier alliage de type III-N. La deuxième couche semi-conductrice 5 s’étend sur la première couche semi-conductrice 4. La deuxième couche semi-conductrice 5 est réalisée dans un deuxième alliage de type III-N. Les premier et deuxième alliages de type III-N sont conçus de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices 4, 5 possèdent une hétérojonction H adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. A titre d'exemple non limitatif, le premier alliage de type III-N peut être un alliage de formule brute Al x Ga 1-x N, avec x≥0, tandis que le deuxième alliage de type III-N peut être un alliage de formule brute Al y Ga 1-y N, avec y>x. Lorsque x=0, le premier alliage de type III-N est un alliage binaire de nitrure de gallium GaN. Lorsque x≠0, le premier alliage de type III-N est un alliage ternaire de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN. L’invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L’homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. Structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant successivement : - un substrat (1) ; - une couche de nucléation (2), réalisée dans un matériau différent du substrat (1) et choisi parmi le silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 » et le nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H » ; - une couche tampon (3), réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon (3) étant dépourvue d’atomes de carbone ; - des première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5), réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5) possèdent une hétérojonction (H) adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Structure à hétérojonction selon la revendication 1, dans laquelle : - le matériau dans lequel est réalisée la couche tampon (3) possède un premier coefficient de dilatation thermique, noté CTE1 ; - le substrat (1) est réalisé dans un matériau possédant un deuxième coefficient de dilatation thermique, noté CTE2 ; le matériau dans lequel est réalisé le substrat (1) étant choisi de sorte que . Structure à hétérojonction selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le substrat (1) est réalisé dans un matériau choisi parmi le carbure de silicium SiC polycristallin et le nitrure d’aluminium AlN polycristallin. Structure à hétérojonction selon l’une des revendications 1 à 3, comportant une couche de collage (CC) s’étendant entre le substrat (1) et la couche de nucléation (2), la couche de collage (CC) étant conçue pour détacher le substrat (1) de la structure à hétérojonction lorsque la couche de collage (CC) est soumise à un rayonnement électromagnétique ; le substrat (1) étant réalisé dans un matériau transparent au rayonnement électromagnétique. Structure à hétérojonction selon la revendication 4, dans laquelle la couche de collage (CC) comporte : - une première sous-couche adhésive, de préférence réalisée dans un matériau choisi parmi le silicium amorphe et le silicium polycristallin ; - une deuxième sous-couche de libération, conçue pour détacher le substrat (1) de la structure à hétérojonction lorsque la deuxième sous-couche de libération est soumise à un rayonnement électromagnétique ; la deuxième sous-couche de libération étant de préférence réalisée dans un matériau métallique tel que l’aluminium Al, l’étain Sn ou le zinc Zn, ou de préférence réalisée dans un matériau carboné tel que des nanotubes de carbone ou du graphène. Structure à hétérojonction selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche tampon (3) présente une épaisseur supérieure ou égale à 1 µm. Structure à hétérojonction selon l’une des revendications 1 à 6, dans laquelle le matériau dans lequel est réalisée la couche tampon (3) est monocristallin. Structure à hétérojonction selon l’une des revendications 1 à 7, dans laquelle : - le premier alliage de type III-N est un alliage de formule brute Al x Ga 1-x N, avec x≥0 ; - le deuxième alliage de type III-N est un alliage de formule brute Al y Ga 1-y N, avec y>x. Transistor à haute mobilité électronique, comportant : - une structure à hétérojonction selon l’une des revendications 1 à 8 ; - des première et deuxième zones métalliques (ZM1, ZM2), s’étendant chacune à travers la deuxième couche semi-conductrice (5) de manière à former un contact ohmique avec l’hétérojonction (H) ; - une électrode de source (S) et une électrode de drain (D), respectivement électriquement connectées aux première et deuxième zones métalliques (ZM1, ZM2) ; - une troisième zone métallique (ZM3), les première et deuxième zones métalliques (ZM1, ZM2) s’étendant de part et d’autre de la troisième zone métallique (ZM3) ; - une électrode de grille (G), électriquement connectée à la troisième zone métallique (ZM3). Transistor selon la revendication 9, dans lequel la troisième zone métallique (ZM3) est agencée pour : - s’étendre sur la deuxième couche semi-conductrice (5) de manière à former un contact Schottky avec la deuxième couche semi-conductrice (5) ; ou - s’étendre sur une couche diélectrique (6) recouvrant la deuxième couche semi-conductrice (5) ; ou - s’étendre sur une couche (7) de nitrure de gallium GaN dopée de type p ou sur une couche (7) de nitrure d’aluminium-gallium AlGaN dopée de type p, recouvrant la deuxième couche semi-conductrice (5) ; ou - s’étendre à l’intérieur de la deuxième couche semi-conductrice (5) de manière à former une électrode de grille (G) encastrée. Transistor selon la revendication 9 ou 10, comportant au moins une plaque de champ (FP) agencée pour former une extension latérale de la troisième zone métallique (ZM3), l’extension latérale étant orientée vers la deuxième zone métallique (ZM2). Procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant les étapes successives : a) utiliser un substrat donneur (SD), réalisé en silicium Si monocristallin possédant une orientation cristalline du type « 111 » ; b) assembler le substrat donneur (SD) à un substrat receveur (1) ; c) amincir le substrat donneur (SD) de manière à obtenir une couche de nucléation (2) ; d) former une couche tampon (3) sur la couche de nucléation (2), la couche tampon (3) étant réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon (3) étant dépourvue d’atomes de carbone ; e) former successivement des première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5) sur la couche tampon (3), les première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5) étant réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5) possèdent une hétérojonction (H) adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l’étape b) comporte les étapes : b 1 ) former une couche de collage (CC) sur le substrat receveur (1) ou sur le substrat donneur (1) ; b 2 ) assembler le substrat donneur (SD) au substrat receveur (1) par l’intermédiaire de la couche de collage (CC) ; la couche de collage (CC) formée lors de l’étape b 1 ) étant de préférence conçue pour détacher le substrat receveur (1) de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque la couche de collage (CC) est soumise à un rayonnement électromagnétique ; le substrat receveur (1) étant réalisé dans un matériau transparent au rayonnement électromagnétique. Procédé de fabrication d’une structure à hétérojonction pour un transistor à haute mobilité électronique, comportant les étapes successives : a’) former une couche de nucléation (2) sur un substrat de croissance (SC), la couche de nucléation (2) étant réalisée en nitrure d’aluminium AlN monocristallin possédant une structure cristalline hexagonale du type « 2H », la couche de nucléation (2) présentant : - une première face (20), libre, possédant une polarité de type aluminium Al ; - une seconde face (21), opposée à la première face (20), possédant une polarité de type azote N ; b’) assembler le substrat de croissance (SC) à un substrat temporaire (ST) du côté de la première face (20) de la couche de nucléation (2) ; puis supprimer le substrat de croissance (SC) de manière à exposer la seconde face (21) de la couche de nucléation (2) ; c’) assembler le substrat temporaire (ST) à un substrat receveur (1) du côté de la seconde face (21) de la couche de nucléation (2) ; puis supprimer le substrat temporaire (ST) de manière à exposer la première face (20) de la couche de nucléation (2) ; d) former une couche tampon (3) sur la couche de nucléation (2), la couche tampon (3) étant réalisée dans un matériau choisi parmi le nitrure d’aluminium AlN et le nitrure d’aluminium-gallium Al x Ga 1-x N avec x>0,5 ; la couche tampon (3) étant dépourvue d’atomes de carbone ; e) former successivement des première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5) sur la couche tampon (3), les première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5) étant réalisées respectivement dans des premier et deuxième alliages de type III-N choisis de sorte que les première et deuxième couches semi-conductrices (4, 5) possèdent une hétérojonction (H) adaptée pour former un gaz d’électrons bidimensionnel. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l’étape c’) comporte les étapes : c’ 1 ) former une couche de collage (CC) sur le substrat receveur (1) ou sur la seconde face (21) de la couche de nucléation (2) ; c’ 2 ) assembler le substrat temporaire (ST) au substrat receveur (1) par l’intermédiaire de la couche de collage (CC) ; la couche de collage (CC) formée lors de l’étape c’ 1 ) étant de préférence conçue pour détacher le substrat receveur (1) de la structure à hétérojonction obtenue à l’issue de l’étape e) lorsque la couche de collage (CC) est soumise à un rayonnement électromagnétique ; le substrat receveur (1) étant réalisé dans un matériau transparent au rayonnement électromagnétique.