FR 3163207 A1 20251212 FR 2406098 A 20240610 L’invention concerne un dispositif d’encapsulation (1) comprenant : - un substrat (2) ayant une face de fixation destinée à recevoir une puce à semi-conducteur (4) et comprenant une pluralité de plages métalliques, - une puce à semi-conducteur (4) fixée à une première plage métallique, - des moyens de connexion (5) connectant électriquement la puce à semi-conducteur (4) fixée à la première plage métallique à une deuxième plage métallique, - une paroi (6) fixée à une troisième plage métallique, ladite paroi (6) entourant la puce à semi-conducteur (4) et les moyens de connexion (5) de sorte à former une enceinte autour de la puce à semi-conducteur (4) et des moyens de connexion (5), - une substance polymérique (7) disposée au moins au sein de l’enceinte et recouvrant au moins partiellement la puce à semi-conducteur (4) et les moyens de connexion (5), dispositif dans lequel la paroi (6) est métallique. L’invention concerne en outre le procédé de fabrication du dispositif d’encapsulation. Figure 6 Dispositif d’encapsulation et son procédé de fabrication L’invention concerne le domaine technique des puces à semi-conducteur, et plus particulièrement des dispositifs d’encapsulation des puces à semi-conducteur ainsi que des procédés de fabrication des dispositifs d’encapsulation. Etat de la technique L’encapsulation est le processus de recouvrement d’une puce électronique ou puce à semi-conducteur avec un matériau protecteur, pour la protéger des dommages physiques et environnementaux tout en fournissant une interface pour les connexions électriques. L'encapsulation des puces électroniques est une étape clé dans la fabrication d’un composant électronique et influe à la fois sur la fiabilité du composant électronique et sur le prix de vente de celui-ci. Avec l'évolution rapide de l'industrie des semi-conducteurs, l'importance de l'encapsulation n'a cessé de croître, devenant un élément crucial pour garantir le bon fonctionnement et la fiabilité des composants électroniques dans une variété d'applications, allant des appareils électroniques grand public aux systèmes embarqués critiques. Parmi les divers dispositifs d'encapsulation conçus pour abriter les composants à semi-conducteurs, notamment dans le contexte des applications grand public, le boîtier en plastique émerge comme une solution largement utilisée. Ce type de boîtier offre une combinaison de protection physique et environnementale pour les puces électroniques tout en étant économique à produire en masse. Grâce à sa capacité à résister aux chocs, à l'humidité et à d'autres conditions adverses, le boîtier en plastique garantit la fiabilité et la longévité des composants électroniques, ce qui est essentiel dans des secteurs tels que l'électronique grand public, où les appareils doivent être à la fois abordables et robustes. De plus, les boîtiers en plastique offrent une flexibilité en termes de conception, permettant une intégration facile dans une variété de produits électroniques, allant des smartphones aux appareils domestiques intelligents, contribuant ainsi à la diffusion généralisée de la technologie à semi-conducteurs dans la société moderne. Les composants électroniques avec des boitiers en plastique sont fabriqués sur des lignes d’assemblage de grand volume, plusieurs milliers à plusieurs millions de pièces par jour pour certaines lignes, ce qui permet d’obtenir un coût de revient unitaire des composants très faible. Cependant pour le secteur du spatial dans lequel les applications n’utilisent que très peu de composants et nécessitent des puces avec une conception spécifique adaptée pour supporter les radiations spatiales, l’offre de composants électroniques disponible pour le grand publique n’est pas adaptée. Dans le secteur spatial, la fabrication de petites quantités de divers types de composants à la demande, nécessitant des puces électroniques capables de résister aux radiations spatiales, est cruciale. C'est pourquoi l'encapsulation unitaire dans des boîtiers céramiques est largement privilégiée pour répondre à ces exigences spécifiques du marché spatial. L’utilisation des boitiers céramiques résulte en des prix de composants électroniques très élevés en comparaison avec les composants électroniques ayant un boitier en plastique et disponibles pour le grand publique. Cependant, le secteur spatial est actuellement en mutation et il existe un besoin d’obtenir des composants électroniques capables de résister aux radiations spatiales, qui soient fiables, qui puissent être facilement fixés sur une carte électronique, qui soient robustes et résistants à des températures importantes, notamment lorsqu’ils sont fixés sur circuit imprimé, et dont le prix de vente et le coût de fabrication est relativement faible. Afin de répondre aux problématiques présentées ci-dessus, l’invention concerne un dispositif d’encapsulation comprenant : - un substrat ayant une face de fixation destinée à recevoir une puce à semi-conducteur et comprenant une pluralité de plages métalliques, - une puce à semi-conducteur fixée à une première plage métallique, - des moyens de connexion connectant électriquement la puce à semi-conducteur fixée à la première plage métallique à une deuxième plage métallique, - une paroi fixée à une troisième plage métallique, ladite paroi entourant la puce à semi-conducteur et les moyens de connexion de sorte à former une enceinte autour de la puce à semi-conducteur et des moyens de connexion, - une substance polymérique disposée au moins au sein de l’enceinte et recouvrant au moins partiellement la puce à semi-conducteur et les moyens de connexion, dispositif dans lequel la paroi comprend un métal. De manière avantageuse, l’utilisation d’une paroi qui comprend un métal assure une résistance mécanique importante, ce qui augmente la robustesse et la durabilité du dispositif. La paroi peut être constituée d’un métal. De manière avantageuse, l’utilisation d’une paroi qui est constituée d’un métal assure une résistance mécanique importante, ce qui augmente la robustesse et la durabilité du dispositif. Le métal peut être choisi dans le groupe comprenant le cuivre, un alliage de cuivre, l’argent, l’aluminium ou l’or. Les moyens de connexion peuvent comprendre un fil de connexion, notamment un fil de connexion en aluminium. De manière avantageuse, la connexion par fil en aluminium présente plusieurs avantages, notamment la bonne conductivité électrique, la résistance à la corrosion et la capacité à être utilisé dans des environnements à température élevée. La première plage métallique, la deuxième plage métallique et la troisième plage métallique peuvent être différentes les unes des autres et peuvent ne pas être connectées électriquement sur la face de fixation du substrat. La substance polymérique disposée au moins au sein de l’enceinte peut recouvrir entièrement la puce à semi-conducteur et les moyens de connexion. La substance polymérique peut être une résine. La substance polymérique peut comprendre un ou plusieurs polymères. L’invention peut en outre présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prises seules ou en combinaison. Selon une caractéristique, le métal est choisi dans le groupe comprenant le cuivre, un alliage de cuivre, l’argent, l’or, l’acier, ou l’aluminium. L’acier, le cuivre, l’argent, l’or, l’aluminium ou l’alliage de cuivre présentent la résistance mécanique nécessaire afin de rendre le dispositif d’encapsulation plus robuste et plus durable. La paroi peut être constituée d’un métal choisi dans le groupe comprenant le cuivre, un alliage de cuivre, l’argent, l’or, l’acier, ou l’aluminium. Selon une caractéristique, la paroi a une hauteur par rapport à la face de fixation qui est supérieure à la hauteur par rapport à la face de fixation d’un ensemble constitué par la puce à semi-conducteur et les moyens de connexion, et la substance polymérique remplit l’enceinte jusqu’à une hauteur inférieure ou égale à la hauteur de la paroi. Cela garantit que la substance polymérique couvre bien la puce à semi-conducteur et les moyens de connexion afin de protéger la puce à semi-conducteur et les moyens de connexion des perturbations externes. La hauteur de la paroi peut par exemple être de 2,5 mm. Selon une caractéristique, la puce à semi-conducteur est fixée à la première plage métallique par une attache de puce, et la paroi est fixée à la troisième plage métallique par une attache de paroi, ladite attache de puce et ladite attache de paroi étant fabriquées à partir du même ou des mêmes matériau(x). L’attache de puce et l’attache de paroi peuvent être réalisées en utilisant un même procédé de fabrication d’attache, par exemple tel que celui décrit ci-après. De manière avantageuse, cela permet de réduire les matériaux utilisés dans la fabrication du dispositif d’encapsulation et d’obtenir ainsi un dispositif d’encapsulation économique. Selon une caractéristique, ladite attache de puce et ladite attache de paroi comprennent chacune une composition choisie parmi les compositions suivantes : un frittage, et notamment un frittage d’argent, une brasure comprenant un alliage d’étain-plomb, une brasure comprenant un alliage d’étain-argent-cuivre, une brasure comprenant un alliage d’or-étain, une brasure comprenant de l’étain à l’état pur. De manière avantageuse, le frittage d’argent offre de bonnes performances thermiques et électriques et permet une fixation fiable et robuste de la paroi et de la puce à semi-conducteur sur le substrat. Selon une caractéristique, le dispositif d’encapsulation comprend une zone hermétique qui couvre les faces latérales externes de la paroi et du substrat, et la face du substrat opposée à la face de fixation. La zone hermétique a un rôle de protection du dispositif d’encapsulation contre les éléments externes au dispositif d’encapsulation et les dommages éventuels pouvant résulter du procédé de fabrication du dispositif d’encapsulation. Les faces latérales internes de la paroi sont situées du côté de la paroi où est fixée la puce à semi-conducteur. Par faces latérales externes, on entend les faces latérales de la paroi situées du côté opposé aux faces latérales internes. Selon une caractéristique, le dispositif d’encapsulation comprend une zone étanche qui couvre à la fois la face de fixation et la puce à semi-conducteur fixée sur la face de fixation. La zone étanche protège la puce à semi-conducteur contre l’humidité par exemple. L’invention concerne en outre un procédé de fabrication du dispositif d’encapsulation décrit ci-avant comprenant les étapes suivantes: - fourniture du substrat, -fixation de la puce à semi-conducteur à la première plage métallique, - connexion électrique de la puce à semi-conducteur fixée à la première plage métallique à la deuxième plage métallique par les moyens de connexion, - fixation de la paroi métallique à la troisième plage métallique de sorte que ladite paroi entoure la puce à semi-conducteur et les moyens de connexion de sorte à former une enceinte autour de la puce à semi-conducteur et des moyens de connexion, - insertion de la substance polymérique dans l’enceinte de sorte que la substance polymérique recouvre au moins partiellement la puce à semi-conducteur et les moyens de connexion. Selon une caractéristique, la fixation de la puce à semi-conducteur à la première plage métallique se fait conjointement à la fixation de la paroi métallique à la troisième plage métallique. Par « paroi métallique », on entend la paroi qui comprend un métal ou qui est constituée d’un métal. De manière avantageuse, lorsque la fixation de la puce à semi-conducteur à la première plage métallique se fait conjointement à la fixation de la paroi métallique à la troisième plage métallique, le procédé de fabrication devient plus rapide et plus économique. Par conjointement, on entend que la fixation de la puce à semi-conducteur à la première plage métallique et la fixation de la paroi métallique à la troisième plage métallique se font ensemble, au même moment, en parallèle l’une de l’autre. Autrement dit, l’attache de paroi et l’attache de puce sont réalisées simultanément lors du procédé de fabrication du dispositif d’encapsulation. Selon une caractéristique, la fixation de la puce à semi-conducteur à la première plage métallique et la fixation de la paroi métallique à la troisième plage métallique se fait par brasage d’une pâte à braser. La pâte à braser peut être une pâte d’or-étain (SnAu), d’étain pur (Sn) ou d’étain-plomb (SnPb) ou d’étain-argent-cuivre (SnAgCu). De manière avantageuse, la fixation par brasage permet de fixer la puce à semi-conducteur et la paroi au substrat de manière robuste, fiable et hermétique. Selon une caractéristique, la fixation de la puce à semi-conducteur à la première plage métallique et la fixation de la paroi métallique à la troisième plage métallique se fait par frittage d’une pâte d’argent. De manière avantageuse, la fixation par frittage de pâte d’argent permet de fixer la puce à semi-conducteur et la paroi au substrat de manière robuste, fiable, hermétique et permet de garantir une plus haute tenue à la température. L’invention sera décrite en référence aux figures jointes qui sont données à titre indicatif et qui ne sont pas réalisées à l’échelle. Dans les figures, les mêmes références numériques désignent les mêmes éléments. Brève description des figures FIG. 1 la FIG. 1 est une vue latérale en coupe d’un substrat destiné à recevoir une puce à semi-conducteur. FIG. 2 la FIG. 2 est une vue du dessus d’une face de fixation du substrat sur laquelle peut être fixée la puce à semi-conducteur. FIG. 3 la FIG. 3 est une vue du dessus de la face opposée à la face de fixation de la FIG. 2 . FIG. 4 la FIG. 4 est une vue latérale en coupe du substrat de la FIG. 1 sur lequel on a déposé des attaches sur la face de fixation. FIG. 4 la FIG. 4 est une vue latérale du substrat de la FIG. 4 auquel on a fixé une paroi et la puce à semi-conducteur sur la face de fixation. FIG. 5 la FIG. 5 est une vue latérale en coupe du substrat de la FIG. 1 dans lequel on a connecté la puce à une plage métallique sur la face de fixation. FIG. 5 la FIG. 5 est une vue latérale en coupe du substrat de la FIG. 5 dans lequel on a couvert la puce et les moyens de connexion avec la substance polymérique. FIG. 6 la FIG. 6 est une vue latérale en coupe du substrat des figures 4 et 5 qui représente une zone hermétique et une zone étanche du dispositif d’encapsulation. FIG. 7 la FIG. 7 est une vue du dessus d’une face de fixation du substrat pour 20 composants fabriqués conjointement. FIG. 8 la FIG. 8 est une vue du dessus d’un exemple de paroi simple. FIG. 8 la FIG. 8 est une vue de dessus d’un exemple de paroi 6 avec quatre empreintes pour une buse d’équipement de tri et de placement. FIG. 9 la FIG. 9 est une vue du dessus de la face de fixation de la FIG. 7 qui montre des lignes de découpe pour 20 composants fabriqués conjointement. Description détaillée L’invention concerne en premier lieu un dispositif d’encapsulation 1. Le dispositif d’encapsulation 1 comprend un substrat 2 comme celui de la FIG. 1 qui a une face de fixation 101 destinée à recevoir une puce à semi-conducteur 4 et comprenant une pluralité de plages métalliques p1, p2, p3. Le substrat 2 peut être fait en céramique. Par substrat 2, on entend un substrat pour circuit imprimé, également connu sous le nom de PCB (« Printed Circuit Board » en terminologie anglo-saxonne). Le substrat 2 peut comprendre une pluralité de couches isolantes superposées et une ou plusieurs plages métalliques p1, p2, p3, p4, p5, pi formées sur une ou plusieurs de ces couches isolantes. Le substrat 2 peut comprendre une ou plusieurs plages métalliques internes pi disposées au sein du substrat 2 entre la face de fixation 101 et la face opposée 102 à la face de fixation 101 comme présenté dans la FIG. 1 . Le substrat 2 en céramique peut posséder un coefficient de dilatation thermique ou CTE qui se situe entre celui des circuits imprimés ~18ppm/°C et celui de la puce à semi-conducteur 4 ~3ppm/°C. Les céramiques de type LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics en terminologie anglo-saxonne) et HTCC (High Temperature Co-fired Ceramics), ayant typiquement une CTE entre 5 et 13ppm/°C, peuvent être particulièrement adaptées à l’invention. Les plages métalliques p1, p2, p3 sont présentées dans les figures 1 et 2. Les plages métalliques p1, p2, p3 peuvent être en cuivre. Le cuivre est un bon conducteur électrique et les plages métalliques p1, p2, p3 permettent ainsi de fournir des chemins de connexion électrique entre différents composants fixés sur le substrat 2. La première plage métallique p1, la deuxième plage métallique p2 et la troisième plage métallique p3 peuvent être différentes les unes des autres et peuvent ne pas être connectées électriquement sur la face de fixation 101 du substrat 2. Les plages métalliques p1, p2, p3, p4, p5, pi peuvent avoir une forme polygonale et en particulier une forme rectangulaire adaptée à recevoir un composant électronique comme une puce électronique par exemple. Le dispositif d’encapsulation 1 comprend également une puce à semi-conducteur 4 fixée à une première plage métallique p1. Dans le contexte de l’invention, les appellations « puce électronique » ou « puce à semi-conducteur » désignent le même composant. La puce à semi-conducteur 4 peut par exemple être une diode. La puce à semi-conducteur 4 peut être fixée à la première plage métallique p1 par une attache de puce 10, et la paroi 6 peut être fixée à la troisième plage métallique p3 par une attache de paroi 11. Par « fixée », on entend que la puce à semi-conducteur 4 est électriquement connectée à la première plage métallique et qu’elle est immobile par rapport à ladite première plage métallique p1. Il en est de même pour la paroi 6 et la troisième plage métallique p3. L’attache de puce 10 et ladite attache de paroi 11 sont présentées dans la FIG. 4 . L’attache de puce 10 et ladite attache de paroi 11 peuvent prendre la forme d’une couche métallique déposée sur les plages métalliques p1, p2, p3 ou fixée aux plages métalliques p1, p2, p3. L’attache de puce 10 et ladite attache de paroi 11 peuvent être fabriquées à partir du même ou des mêmes matériau(x). Ladite attache de puce 10 et ladite attache de paroi 11comprennent chacune une composition choisie parmi les compositions suivantes : un frittage, et notamment un frittage d’argent (Ag), une brasure comprenant un alliage d’étain-plomb (SnPb), une brasure comprenant un alliage d’étain-argent-cuivre (SnAgCu), une brasure comprenant un alliage d’or-étain (SnAu), une brasure comprenant de l’étain (Sn) à l’état pur. De manière avantageuse, la fabrication de l’attache de puce 10 et de l’attache de paroi 11 à partir du même matériau permet de réduire les matériaux utilisés dans la fabrication du dispositif d’encapsulation 1 et d’obtenir ainsi un dispositif d’encapsulation 1 économique. De manière avantageuse, le frittage d’argent offre de bonnes performances thermiques et électriques et permet une fixation fiable et robuste de la paroi 6 et de la puce à semi-conducteur 4 sur le substrat 2. Les brasures nécessitent d’être refondues pour réaliser la fonction d’attache. En fonction de l’alliage utilisé, les températures de fusion diffèrent : par exemple, pour le SnPb, la température de fusion est de 185°C environ, et pour le SnAu la température de fusion est de 280°C environ. La refusion d’une brasure peut entraîner des problèmes tels que des manques, où le matériau de brasure est insuffisant pour créer une liaison solide entre les pièces. La refusion d’une brasure peut également provoquer un écoulement non désiré, où le métal fondu se déplace hors de la zone souhaitée, potentiellement causant des courts-circuits ou d'autres défauts dans les composants. Le frittage ne nécessite pas de refondre le matériau, contrairement à la brasure. Ce procédé utilise des poudres métalliques, qui sont chauffées pour créer une liaison solide sans atteindre le point de fusion des matériaux impliqués. Le processus ressemble à l'utilisation d'une colle, car les particules de poudre se soudent les unes aux autres sous l'effet de la chaleur. Toutefois, pour réaliser une attache correcte et durable, il est nécessaire d'atteindre une température d'environ 250°C, ce qui permet aux particules de se lier de manière adéquate tout en maintenant la forme et la structure des composants assemblés. De manière avantageuse, le frittage utilisé est sans pression de sorte à éviter d’endommager la puce à semi-conducteur 4. L’attache de puce 10 et ladite attache de paroi 11 peuvent être constituées par une pâte à braser. La puce à semi-conducteur 4 peut être disposée sur la première plage métallique p1 par un équipement de tri et de placement (équipement « pick and place »). La pâte à braser peut être déposée sur la première plage métallique p1, puis chauffer jusqu’à son point de fusion pour fixer la puce à semi-conducteur 4 sur la première plage métallique p1. A titre d’exemple, le point de fusion peut être de 280°C si la pâte à braser comprend un alliage Or-étain (SnAu). De manière alternative, le point de fusion peut être de 185°C si la pâte à braser comprend un alliage plomb-étain (SnPb). De préférence, la pâte à braser doit être une brasure haute température, par exemple la pâte à braser peut comprendre du SnAu, afin d’éviter de devoir refondre ladite pâte à braser lors du montage du dispositif d’encapsulation 1 sur un circuit imprimé. Selon une possibilité, la pâte à braser peut comprendre du plomb. Selon une autre possibilité, une pâte à braser sans plomb peut être utilisée, par exemple la pâte SAC305. De manière alternative ou en complément, l’attache de puce 10 et l’attache de paroi 11 peuvent être constituées par une pâte à fritter. Le substrat 2 peut comprendre des trous métallisés traversant, également appelés vias 20, qui relient les plages métalliques pi internes à des plages métalliques p1, p2, p3, p4, p5 en surface du substrat 2 comme le montre la FIG. 1 . Les vias 20 dans le substrat 2 permettent une connexion électrique entre la face de fixation 101 qui est destinée à recevoir la puce à semi-conducteur 4 et la face opposée 102 à la face de fixation 101 pour la connexion avec des composants externes au dispositif d’encapsulation 1. Les vias 20 offrent un chemin électrique aux signaux électriques afin que lesdits signaux électriques puissent circuler librement entre la face de fixation 101 et la face opposée 102. La FIG. 2 montre la face de fixation 101 et la FIG. 3 montre la face opposée 102 à la face de fixation 101. Les vias 20 peuvent permettre d’assurer une connexion thermique entre la face de fixation 101 et la face opposée 102 afin de permettre le refroidissement de la puce à semi-conducteur 4. Les vias 20 peuvent donc avoir à la fois un effet thermique et un effet électrique en permettant les connections électriques entre les différentes faces du dispositif d’encapsulation 1. Le dispositif d’encapsulation 1 comprend en outre des moyens de connexion 5 connectant électriquement la puce à semi-conducteur 4 fixée à la première plage métallique p1 à une deuxième plage métallique p2. La connexion par les moyens de connexion 5 permet d’alimenter électriquement la puce à semi-conducteur 4. Les moyens de connexion 5 peuvent être un fil de connexion en aluminium. De manière avantageuse, la connexion par fil en aluminium présente plusieurs avantages, notamment la bonne conductivité électrique, la résistance à la corrosion et la capacité à être utilisé dans des environnements à température élevée. Le dispositif d’encapsulation 1 comprend en outre une paroi 6 fixée à une troisième plage métallique p3. Un exemple de la paroi 6 fixée au substrat 2 est donné dans la FIG. 4 . La paroi 6 peut être constituée d’éléments distincts non reliés. Par exemple, la paroi 6 peut être constituée par quatre murs séparés. De manière alternative, la paroi 6 peut être constituée d’un élément unique. La paroi 6 peut entourer la puce à semi-conducteur 4 et les moyens de connexion 5 de sorte à former une enceinte ou une cavité autour de la puce à semi-conducteur 4 et des moyens de connexion 5. L’enceinte ou la cavité doit être configurée pour recevoir une substance polymérique comme une résine. Dans le dispositif d’encapsulation 1, la paroi 6 comprend un métal. De manière alternative, la paroi peut être constituée du métal. De manière avantageuse, l’utilisation d’une paroi 6 qui comprend un métal assure une résistance mécanique importante, ce qui augmente la robustesse et la durabilité du dispositif d’encapsulation 1. Le métal peut être choisi dans le groupe comprenant l’acier, le cuivre, un alliage de cuivre, l’aluminium, l’or ou l’argent. L’acier, le cuivre, l’alliage de cuivre, l’aluminium, l’or et l’argent présentent la résistance mécanique nécessaire afin de rendre le dispositif d’encapsulation 1 plus robuste et plus durable. Le métal peut en outre être n’importe quel autre métal qui a un CTE proche du CTE de la céramique et qui est apte à être fixé à la plage métallique p3 au moyen du matériau d’attache de paroi qui peut être le même que le matériau d’attache de puce à semi-conducteur 4 qui peut par exemple être du frittage d’argent. La paroi 6 peut servir de moule destiné à recevoir une substance polymérique 7 comme de la résine afin d’encapsuler la puce à semi-conducteur 4. L’encapsulation de la puce à semi-conducteur 4 peut s’apparenter à un processus de « Dam and Fill » connu de l’homme du métier, à la différence que la paroi 6 est fixée sur le substrat 2 par le matériau d’attache de puce à semi-conducteur 4, par exemple par de la brasure ou du frittage d’argent. La paroi 6 peut être connectée par l’intermédiaire des vias 20 à un plot de connexion (non représenté dans les figures) disposé sur la face opposée 102 à la face de fixation 101 pour une mise à la masse de la paroi 6. Une substance polymérique 7, comme la résine par exemple, est disposée au moins au sein de l’enceinte et recouvre au moins partiellement la puce à semi-conducteur 4 et les moyens de connexion 5 comme présenté dans la FIG. 5 . La substance polymérique 7 disposée au moins au sein de l’enceinte peut recouvrir entièrement la puce à semi-conducteur 4 et les moyens de connexion 5 afin de les protéger contre des perturbations externes au dispositif d’encapsulation 1. La substance polymérique 7 peut comprendre un ou plusieurs polymères. Par exemple, un premier polymère, par exemple considéré comme souple, c’est-à-dire à faible module d’Young, par exemple ayant un module d’Young de 50 MPa comme le silicone, par rapport à un deuxième polymère, peut être déposé sur et autour de la puce à semi-conducteur 4 et autour des moyens de fixation 5 pour recouvrir au moins partiellement l’ensemble constitué par la puce à semi-conducteur 4 et les moyens de fixation 5, et permet de minimiser des contraintes mécaniques sur la puce à semi-conducteur 4, contraintes mécaniques qui peuvent être thermiquement générées par des différences de dilatation des matériaux. La substance polymérique 7 peut également comprendre un deuxième polymère, présentant une rigidité supérieure à celle du premier polymère, et par exemple ayant un module d’Young de 3000 MPa comme l’époxy, et déposé sur le premier polymère pour renforcer le dispositif d’encapsulation 1 vis-à-vis d’agressions externes au dispositif d’encapsulation 1 et pour remplir la cavité au moins en partie, et possiblement de manière intégrale, autrement dit pour remplir la cavité avec de la substance polymérique 7 de manière à ce que la hauteur de la substance polymérique 7 soit inférieure ou égale à la hauteur de la paroi 6 afin d’éviter tout débordement de la substance polymérique 7. En fonction des matériaux et des procédés choisis, le dispositif d’encapsulation 1 peut comprendre une zone hermétique 12 qui couvre les faces latérales externes de la paroi 6 et du substrat, et la face du substrat opposée à la face de fixation 101 comme présenté dans la FIG. 6 . Par exemple, si la paroi 6 est collée au substrat 2, l’étanchéité ne donnerait pas satisfaction alors qu’avec une brasure ou un frittage argent, l’étanchéité est améliorée. La zone hermétique 12 a un rôle de protection du dispositif d’encapsulation 1 contre les éléments externes au dispositif d’encapsulation 1 et les dommages éventuels pouvant résulter du procédé de fabrication du dispositif d’encapsulation 1. Par faces latérales internes de la paroi 6, on entend les faces latérales de la paroi 6 situées du côté où est disposée la puce à semi-conducteur 4. Par faces latérales externes, on entend les faces latérales de la paroi 6 situées du côté opposé aux faces latérales internes. En fonction des matériaux et des procédés choisis, le dispositif d’encapsulation 1 peut comprendre une zone étanche 13, également présenté dans la FIG. 6 , et qui couvre à la fois la face de fixation 101 et la puce à semi-conducteur 4 fixée sur la face de fixation 101. La zone étanche 13 protège la puce à semi-conducteur 4 contre l’humidité par exemple. Procédé de fabrication du dispositif d’encapsulation L’invention concerne en second lieu un procédé de fabrication du dispositif d’encapsulation 1 tel que décrit ci-avant. Le procédé de fabrication comprend d’abord une étape de fourniture du substrat 2. Lors de cette étape, il convient de sélectionner le type de céramique qui peut être utilisée pour fabriquer le substrat 2. Les céramiques de type LTCC, ayant typiquement un CTE entre 8 et 13ppm/°C, peuvent être particulièrement adaptées. La céramique peut être sélectionnée en fonction des performances thermiques, mécaniques et des règles de routage associées à ladite céramique. Suite à la sélection de la céramique, il est possible de concevoir le routage interne et externe du substrat 2. Par routage externe, on entend la manière selon laquelle sont disposées les plages métalliques p1, p2, p3, p4, p5 sur la face de fixation 101 et la face opposée 102. Par routage interne, on entend la définition d’un nombre de plages conductrices pi au sein du substrat 2 ainsi que la disposition des vias 20, de leurs dimensions et de leur nombre sein du substrat 2. La définition du routage interne et du routage externe, du nombre de couches conductrices, et des dimensions et nombre de vias vise à permettre d’obtenir une céramique qui aura une résistance électrique et thermique la plus faible possible. Afin de minimiser le coût de revient de la céramique, il convient de choisir une finition des plages métalliques pi en Nickel protégé par un flash d’Or, le flash d’or peut typiquement avoir une épaisseur d’environ 0.1µm. Cette finition des plages métalliques pi permet de s’affranchir des étapes de dédorage des plages dédiées aux brasures tout en protégeant le Nickel de l’oxydation. Un exemple de substrat céramique trois couches destiné à recevoir un composant de puissance à deux terminaux, par exemple une diode, est présenté dans les figures 1, 4a, 4b, 5a, 5b et 6. De manière avantageuse, le procédé décrit est particulièrement intéressant parce qu’il peut être mis en œuvre de manière concomitante pour plusieurs dispositifs d’encapsulation. Autrement dit, le procédé de fabrication décrit permet de fabriquer plusieurs dispositifs d’encapsulation à la fois. Ce qui aide à réduire les couts de fabrication. Dans ce cas, le substrat 2 sera composé par une répétition des motifs du dispositif d’encapsulation unitaire comme représenté à la FIG. 7 . Une fois le substrat 2 fourni, il est possible de dimensionner la troisième plage métallique p3 destinée à recevoir la paroi 6 et ladite paroi 6 en choisissant la hauteur et l’épaisseur de ladite paroi 6. L’épaisseur de la paroi 6 peut par exemple être comprise entre 0,8 mm et 1,2 mm et la hauteur H de la paroi 6 peut être comprise entre 2,3 mm et 2,7 mm, étant entendu que ces valeurs sont données à titre d’exemple et qu’il est possible que l’épaisseur de la paroi 6 soit inférieure à 0,8mm et que la hauteur H de la paroi 6 soit inférieure à 2,3mm. Comme on peut le voir sur la FIG. 6 , la paroi 6 a une hauteur H par rapport à la face de fixation 101 qui est supérieure à la hauteur par rapport à la face de fixation 101 d’un ensemble constitué par la puce à semi-conducteur 4 et les moyens de connexion 5, et la substance polymérique 7 remplit l’enceinte jusqu’à une hauteur inférieure ou égale à la hauteur H de la paroi 6. Dans l’exemple de la FIG. 6 , la substance polymérique 7 recouvre intégralement la puce à semi-conducteur 4 et les moyens de connexion 5. La hauteur H de la paroi 6 doit permettre de contenir substance polymérique 7 (comme la résine) afin de recouvrir partiellement ou entièrement la puce à semi-conducteur 4 et doit prévenir un débordement de la substance polymérique 7 lors d’une étape d’insertion de la substance polymérique 7 dans l’enceinte formée par la paroi 6 autour de la puce à semi-conducteur 4. Pour fixer la paroi 6 sur le substrat 2, il faut que la troisième plage métallique p3 permette une bonne préhension par l’équipement de tri et de placement. La FIG. 8 présente une vue de dessus d’un exemple de paroi 6 simple et la FIG. 8 présente une vue de dessus d’un exemple de paroi 6 avec quatre empreintes 14 pour une buse d’équipement de tri et de placement. De manière avantageuse, l’exemple de la FIG. 8 est simple à réaliser et peu couteux. De manière avantageuse, l’exemple de la FIG. 8 permet une bonne préhension de la paroi 6 par l’équipement de tri et de placement. La conception de la paroi 6 a une grande influence sur la facilité de la mise en œuvre et le prix de revient faible du procédé de fabrication décrit. Il convient donc de trouver un compromis sur le matériau à utiliser pour la paroi 6, la technique d’obtention de la paroi 6 (qui peut être choisi parmi l’usinage, la découpe, l’emboutissage, le moulage…) et le traitement de surface de la paroi 6. Lorsque la paroi 6 est conçue selon des critères définis, la paroi 6 peut être fixée à la troisième plage métallique p3, notamment en déposant de la pâte à braser par sérigraphie ou toute autre méthode adaptée de dispense et en chauffant l’ensemble à une température définie. La température de chauffage varie en fonction du type de matériau utilisé, par exemple en fonction du type de brasure ou du type de frittage, et notamment s’il s’agit d’un frittage d’argent. Pour le frittage d’argent, la température de chauffage peut être comprise entre 250°C et 300°C. Selon une autre possibilité, la paroi 6 peut être fixée à la troisième plage métallique p3 par collage. Dans tous les cas, la fixation de la paroi 6 et de la puce à semi-conducteur 4 sur le substrat 2 se fait en même temps, autrement dit conjointement, lors de la même étape. Le procédé comprend également une étape de fixation de la puce à semi-conducteur 4 à la première plage métallique p1 et la paroi 6 à la troisième plage métallique p3. Pour ce faire, il convient de déposer de la pâte à braser par sérigraphie ou de la pâte à fritter par une méthode de dispense avant de venir reporter la puce à semi-conducteur 4 et la paroi 6. Plusieurs types de pâte à braser peuvent être utilisés, notamment une pâte à braser comprenant un alliage SnPb, ou un alliage SnAgCu, ou de l’étain à l’état pur. Cependant afin de garantir une tenue haute température du dispositif d’encapsulation 1, des pâtes à braser ayant un point de fusion suffisamment élevé sont nécessaires. Par exemple, la pâte à braser en Or-Etain dont la température de fusion est d’environ 280°C peut être utilisée. La fixation (ou le report) de la puce à semi-conducteur 4 et de la paroi 6 sur le substrat 2 peut se faire de manière automatisée par un équipement de tri et de placement afin de garantir un placement précis de de la puce à semi-conducteur 4 et de la paroi 6 mais aussi pour réduire les coûts de fabrication du dispositif d’encapsulation 1. Après le report de la puce à semi-conducteur 4 et de la paroi 6 sur les plages métalliques adéquates, on fait fondre la pâte à braser disposée sur les plages métalliques. La structure obtenue est représentée dans la FIG. 4 . Il est préférable que la fixation de la puce à semi-conducteur 4 à la première plage métallique p1 se fasse conjointement à la fixation de la paroi 6 métallique à la troisième plage métallique p3. De manière avantageuse, lorsque la fixation de la puce à semi-conducteur 4 à la première plage métallique p1 se fait conjointement à la fixation de la paroi 6 métallique à la troisième plage métallique p3, le procédé de fabrication devient plus rapide et plus économique. Par conjointement, on entend que la fixation de la puce à semi-conducteur 4 à la première plage métallique p1 et la fixation de la paroi 6 métallique à la troisième plage métallique p3 se font ensemble, au même moment, en parallèle l’une de l’autre. La fixation de la puce à semi-conducteur 4 à la première plage métallique p1 et la fixation de la paroi 6 métallique à la troisième plage métallique p3 peut se faire par brasage d’une pâte à braser. De manière avantageuse, la fixation par brasage de pâte à braser permet de fixer la puce à semi-conducteur 4 et la paroi 6 au substrat de manière robuste, fiable et hermétique. De manière alternative, la fixation de la puce à semi-conducteur 4 à la première plage métallique p1 et la fixation de la paroi 6 métallique à la troisième plage métallique p3 peut se faire par frittage, et notamment par frittage d’une pâte d’argent. De manière avantageuse, la fixation par frittage de pâte d’argent permet de fixer la puce à semi-conducteur 4 et la paroi 6 au substrat de manière robuste, fiable, hermétique et permet de garantir une plus haute tenue à la température que les brasures. Ensuite, on réalise une étape de connexion électrique de la puce à semi-conducteur 4 fixée à la première plage métallique p1 à la deuxième plage métallique p2 par les moyens de connexion 5. L’étape de connexion consiste à connecter électriquement la puce à semi-conducteur 4 et le substrat 2 par une opération de connexion par fil ( wire bonding ). Les moyens de connexion 5 peuvent comprendre un fil en aluminium. De manière avantageuse, la connexion par fil en aluminium présente plusieurs avantages, notamment la bonne conductivité électrique, la résistance à la corrosion et la capacité à être utilisé dans des environnements à température élevée. Après cette étape, on obtient la structure représentée dans la FIG. 5 . Il est à noter que la fixation de la paroi 6 métallique à la troisième plage métallique p3 se fait de sorte que ladite paroi 6 entoure la puce à semi-conducteur 4 et les moyens de connexion 5 pour former une enceinte autour de la puce à semi-conducteur 4 et des moyens de connexion 5. L’enceinte ou la cavité formé est destinée à recevoir la substance polymérique 7. On insert ensuite la substance polymérique 7 dans l’enceinte de sorte que la substance polymérique 7 recouvre au moins partiellement la puce à semi-conducteur 4 et les moyens de connexion 5. Le principe d’encapsulation consiste ici à remplir la cavité ou l’enceinte délimitée par la paroi 6 avec la substance polymérique 7 afin de protéger la puce à semi-conducteur 4 des perturbations externes. Le choix des polymères dans la substance polymérique 7 peut dépendre des caractéristiques de la puce à semi-conducteur 4 et de l’application finale du composant électronique fabriqué. Pour un composant électronique destiné à des applications haute tension, une substance polymérique avec une forte résistivité diélectrique doit être utilisée. Pour des applications de puissance, une substance polymérique avec une bonne conductivité thermique est préférable. Des essais peuvent être effectués pour déterminer la substance polymérique adaptée à la puce à semi-conducteur 4. La résine est un exemple de substance polymérique utilisé dans le procédé de fabrication décrit. Suite à l’étape d’insertion de la substance polymérique 7, on obtient la structure représentée dans la FIG. 5 . Dans le cas où on fabrique conjointement plusieurs dispositifs d’encapsulation en utilisant un même substrat 2, une étape de découpe du groupement de dispositifs d’encapsulation peut avoir lieu pour obtenir les dispositifs d’encapsulation unitaires. Avant d’effectuer l’étape de découpe, il est possible de vernir le substrat 2 afin d’isoler électriquement les plages métalliques en surface du substrat 2 et de renforcer la protection fournie par la substance polymérique 7. Plusieurs méthodes de découpes peuvent être utilisées. Par exemple, la méthode de découpe par sciage peut être utilisée. Pour obtenir une meilleure précision de découpe et un meilleur état de surface de la céramique, les méthodes de découpe par jet d’eau pressurisé ou par laser peuvent être considérées. Les lignes de découpe 15 sont représentées dans la FIG. 9 sur un exemple de substrat comportant 20 composants. Le procédé de fabrication décrit est avantageux par rapport à un autre procédé de fabrication aboutissant à une puce à semi-conducteur encapsulée en plastique car, dans le procédé de fabrication décrit, la puce à semi-conducteur 4 est bien mieux protégée de l’environnement extérieur puisque la zone située à l’extérieur de la paroi 6 peut être considérée comme totalement hermétique, par exemple formant la zone hermétique 12 telle que représentée FIG. 6 . Seule la zone située à l’intérieur de la paroi 6, formant par exemple la zone étanche 13 telle que représentée FIG. 6 , ne peut être considérée comme hermétique. Cependant, la protection fournie par la substance polymérique et la possibilité d’un vernissage peuvent donner le niveau d’étanchéité requis pour les applications électroniques y compris dans le secteur du spatial. Dès lors ce type de composant peut être dénommé semi-hermétique ou quasi-hermétique. Un autre avantage du procédé de fabrication décrit est que les dispositifs d’encapsulation fabriqués avec ce procédé sont moins chers que les composants céramiques hermétiques car plusieurs composants peuvent être fabriqués en parallèle sur un même substrat. En outre, le procédé de fabrication décrit permet de s’affranchir d’une étape de fermeture hermétique présente dans les procédés de fabrication de la technique antérieure ainsi que son contrôle participent à la diminution du prix de revient du dispositif d’encapsulation. En outre, l’utilisation d’un substrat céramique pour lequel le routage des plages métalliques internes et des vias peut être optimisé permet d’obtenir des composants avec de bonnes performances thermiques et électriques. Dispositif d’encapsulation (1) comprenant : - un substrat (2) ayant une face de fixation (101) destinée à recevoir une puce à semi-conducteur (4) et comprenant une pluralité de plages métalliques (p1, p2, p3), - une puce à semi-conducteur (4) fixée à une première plage métallique (p1), - des moyens de connexion (5) connectant électriquement la puce à semi-conducteur (4) fixée à la première plage métallique (p1) à une deuxième plage métallique (p2), - une paroi (6) fixée à une troisième plage métallique (p3), ladite paroi (6) entourant la puce à semi-conducteur (4) et les moyens de connexion (5) de sorte à former une enceinte autour de la puce à semi-conducteur (4) et des moyens de connexion (5), - une substance polymérique (7) disposée au moins au sein de l’enceinte et recouvrant au moins partiellement la puce à semi-conducteur (4) et les moyens de connexion (5), dispositif dans lequel la paroi (6) comprend un métal. Dispositif d’encapsulation (1) selon la revendication 1 dans lequel le métal est choisi dans le groupe comprenant le cuivre, un alliage de cuivre, l’argent, l’or l’acier, ou l’aluminium. Dispositif d’encapsulation (1) selon l’une des revendications 1 ou 2 dans lequel la paroi (6) a une hauteur (H) par rapport à la face de fixation (101) qui est supérieure à la hauteur par rapport à la face de fixation (101) d’un ensemble constitué par la puce à semi-conducteur (4) et les moyens de connexion (5), et la substance polymérique (7) remplit l’enceinte jusqu’à une hauteur inférieure ou égale à la hauteur (H) de la paroi (6). Dispositif d’encapsulation (1) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la puce à semi-conducteur (4) est fixée à la première plage métallique (p1) par une attache de puce (10), et la paroi (6) est fixée à la troisième plage métallique (p3) par une attache de paroi (11), ladite attache de puce (10) et ladite attache de paroi (11) étant fabriquées à partir du même ou des mêmes matériau(x). Dispositif d’encapsulation (1) selon la revendication 4 dans lequel ladite attache de puce (10) et ladite attache de paroi (11) comprennent chacune une composition choisie parmi les compositions suivantes : un frittage, et notamment un frittage d’argent, une brasure comprenant un alliage d’étain-plomb, une brasure comprenant un alliage d’étain-argent-cuivre, une brasure comprenant un alliage d’or-étain, une brasure comprenant de l’étain à l’état pur. Dispositif d’encapsulation (1) selon l’une des revendications précédentes comprenant une zone hermétique (12) qui couvre les faces latérales externes de la paroi (6) et du substrat, et la face du substrat opposée à la face de fixation (101). Dispositif d’encapsulation (1) selon l’une des revendications précédentes comprenant une zone étanche (13) qui couvre à la fois la face de fixation (101) et la puce à semi-conducteur (4) fixée sur la face de fixation (101). Procédé de fabrication du dispositif d’encapsulation (1) selon l’une des revendications précédentes comprenant les étapes suivantes: - fourniture du substrat (2), -fixation de la puce à semi-conducteur (4) à la première plage métallique (p1), - connexion électrique de la puce à semi-conducteur (4) fixée à la première plage métallique (p1) à la deuxième plage métallique (p2) par les moyens de connexion (5), - fixation de la paroi (6) métallique à la troisième plage métallique (p3) de sorte que ladite paroi (6) entoure la puce à semi-conducteur (4) et les moyens de connexion (5) de sorte à former une enceinte autour de la puce à semi-conducteur (4) et des moyens de connexion (5), - insertion de la substance polymérique (7) dans l’enceinte de sorte que la substance polymérique (7) recouvre au moins partiellement la puce à semi-conducteur (4) et les moyens de connexion (5). Procédé selon la revendication 8 dans lequel la fixation de la puce à semi-conducteur (4) à la première plage métallique (p1) se fait conjointement à la fixation de la paroi (6) métallique à la troisième plage métallique (p3). Procédé selon l’une des revendications 8 ou 9 dans lequel la fixation de la puce à semi-conducteur (4) à la première plage métallique (p1) et la fixation de la paroi (6) métallique à la troisième plage métallique (p3) se fait par brasage d’une pâte à braser. Procédé selon l’une des revendications 8 ou 9 dans lequel la fixation de la puce à semi-conducteur (4) à la première plage métallique (p1) et la fixation de la paroi (6) métallique à la troisième plage métallique (p3) se fait par frittage d’une pâte d’argent.