FR 3160050 A1 20250912 FR 2402350 A 20240308 L’invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat donneur pavé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’une structure initiale comprenant un substrat support présentant une face avant et une face arrière, et une pluralité de pavés en un premier matériau, monocristallin, disposés sur la face avant et espacés les uns des autres, b) la formation d’une couche complémentaire par une technique de fabrication additive, la couche complémentaire : - étant disposée entre les pavés, en contact avec la face avant du substrat support, - étant composée d’un matériau, dit deuxième matériau, présentant un coefficient de dilatation thermique apparié à celui du premier matériau, c) l’application d’un traitement de surface mécanique et/ou mécano-chimique à la couche complémentaire et aux pavés, pour obtenir le substrat donneur pavé dont une face avant présente une surface plane et continue, au niveau de laquelle affleurent la pluralité de pavés et la couche complémentaire. Pas de Figure avec l’abrégé Procédé de fabrication d’un substrat donneur pavé, impliquant une technique de fabrication additive DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention vise le domaine de la microélectronique et des semi-conducteurs. En particulier, l’invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat donneur comportant une couche utile sous forme de pavés, une couche superficielle desdits pavés étant destinée à être reportée sur un substrat receveur. Le procédé selon l’invention implique une technique de fabrication additive. ARRIÈRE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Dans le domaine de la microélectronique, de l’optique ou de l’optoélectronique, il peut être intéressant de reporter des couches minces (moins de 1,5μm), sous forme de pavés disjoints (par exemple en matériau III-V), sur un substrat receveur de grande dimension (par exemple en silicium). Des composants spécifiques (sur les couches minces pavées) peuvent ainsi être élaborés, et potentiellement cointégrés avec des composants silicium, tout en bénéficiant des équipements et des tailles de substrats de l’industrie microélectronique classique. Le procédé Smart Cut TM , technique de transfert de couches minces bien connu, peut notamment produire une structure composite comprenant des couches minces pavées sur un substrat receveur, en partant d’un substrat donneur qui comporte une couche utile sous forme de pavés. Pour rappel, le procédé Smart Cut est basé sur la formation d’un plan fragile enterré dans la couche utile pavée du substrat donneur, par implantation d’espèces légères : ce plan fragile enterré définit, avec la surface libre de la couche utile pavée, la couche superficielle pavée qui sera reportée. Ce procédé implique ensuite un assemblage entre la couche utile pavée et le substrat receveur. Enfin, une séparation intervient le long du plan fragile enterré pour transférer la couche superficielle pavée sur le substrat receveur ; le reste du substrat donneur peut être récupéré, conditionné et servir au transfert d’une nouvelle couche superficielle pavée. Le substrat donneur, dans un tel cas de figure, comporte donc un substrat support sur lequel sont disposés des pavés disjoints, distribués sur la surface dudit substrat support selon les besoins de l’application visée pour la structure composite finale. La fabrication d’un tel substrat donneur (également appelé pseudo donneur) est habituellement basée sur l’assemblage des pavés de la couche utile sur le substrat support par collage direct ou adhésif. Chaque pavé présente typiquement une épaisseur comprise entre quelques dizaines de micromètres et quelques centaines de micromètres, et des dimensions latérales lui conférant une surface comprise entre 1mm 2 et 400mm 2 . Compte tenu de leur épaisseur, ces pavés peuvent être manipulés par des techniques de « pick and place » et assemblés sur le substrat support. Comme les pavés du substrat donneur peuvent avoir des épaisseurs non uniformes entre eux et qu’une excellente planéité de surface est requise pour obtenir un assemblage puis un transfert de couche mince pavée de haute qualité, l’étape de préparation de la surface de la couche utile pavée est particulièrement critique. Compte tenu de la discontinuité de cette couche, les étapes d’amincissement mécanique ou mécano-chimique tendent à modifier, affaisser ou endommager les bords des pavés, ce qui dégrade immanquablement la qualité de l’assemblage ultérieur. OBJET DE L’INVENTION La présente invention adresse cette problématique et propose un procédé de fabrication d’un substrat donneur comprenant une couche utile pavée particulièrement adaptée à un assemblage sur un substrat receveur en vue du transfert d’une couche mince superficielle pavée. Le procédé selon l’invention met en œuvre une étape de fabrication additive pour former une couche complémentaire à la couche utile pavée sur le substrat donneur, et assurer une continuité de matériau entre les pavés, autorisant ainsi une préparation de surface de qualité. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat donneur pavé comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’une structure initiale comprenant un substrat support présentant une face avant et une face arrière, et une pluralité de pavés en un premier matériau, monocristallin, disposés sur la face avant et espacés les uns des autres, b) la formation d’une couche complémentaire par une technique de fabrication additive, la couche complémentaire : - étant disposée entre les pavés, en contact avec la face avant du substrat support, - étant composée d’un matériau, dit deuxième matériau, présentant un coefficient de dilatation thermique apparié à celui du premier matériau, c) l’application d’un traitement de surface mécanique et/ou mécano-chimique à la couche complémentaire et aux pavés, pour obtenir le substrat donneur pavé dont une face avant présente une surface plane et continue, au niveau de laquelle affleurent la pluralité de pavés et la couche complémentaire. Selon des caractéristiques avantageuses de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison réalisable : à l’étape b), la couche complémentaire est également formée sur tout ou partie des pavés ; la couche complémentaire présente une épaisseur supérieure ou égale à une épaisseur moyenne des pavés ; la technique de fabrication additive mise en œuvre à l’étape b) est basée sur : - la fusion au moins partielle d’une poudre du deuxième matériau, dans une buse chauffée par une faisceau laser ou un faisceau d’électrons, - le déplacement de la buse pour déposer la poudre fusionnée sur le substrat support, entre les pavés, et optionnellement sur tout ou partie des pavés, jusqu’à former la couche complémentaire ; l’étape b) est basée sur : - une sous-étape de fabrication additive d’un pochoir sur un plateau, le pochoir présentant une surface identique à celle du substrat support et comportant des ouvertures localisées aux emplacements des pavés de la structure initiale, - une sous-étape d’assemblage entre le pochoir et la structure initiale, le pochoir formant la couche complémentaire ; le substrat support est en silicium ; le premier matériau monocristallin formant les pavés est choisi parmi les matériaux semi-conducteurs, les matériaux piézoélectriques et les matériaux isolants électriques ; le premier matériau monocristallin formant les pavés est le phosphure d’indium ; les pavés de la structure initiale sont espacés d’une distance comprise entre 100μm et 10mm, voire 10cm ; le deuxième matériau est de même nature que le premier matériau ; le deuxième matériau est composite et comprend un liant, la proportion de liant étant inférieure à 30%. L’invention concerne également une utilisation d’un substrat donneur pavé issu d’un procédé de fabrication précité, pour transférer une couche superficielle de chaque pavé sur un substrat receveur. Avantageusement, cette utilisation met en œuvre une technique de transfert de couche mince impliquant les étapes suivantes : - la formation d’un plan fragile enterré, sensiblement parallèle à une face avant du substrat donneur pavé, dans les pavés et dans la couche complémentaire, - l’assemblage de la face avant du substrat donneur pavé sur le substrat receveur, - la séparation le long du plan fragile enterré, pour former une structure composite comprenant le substrat receveur et au moins une couche mince issue de chaque pavé reportée sur ledit substrat receveur. Préférentiellement, après la séparation, un reste du substrat donneur pavé est conditionné puis réutilisé pour un nouveau transfert de couche mince sur un nouveau substrat receveur. D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : FIG. 1 FIG. 1 Les figures 1a et 1b présentent un substrat donneur pavé obtenu par un procédé de fabrication conforme à la présente invention ; FIG. 2 FIG. 2 Les figures 2a et 2b présentent une structure initiale fournie à l’étape a) d’un procédé de fabrication conforme à l’invention ; FIG. 3 FIG. 3 Les figures 3a et 3b présentent des exemples de substrat donneur intermédiaire obtenu à l’issue de l’étape b) d’un procédé de fabrication conforme à l’invention ; FIG. 4 La FIG. 4 présente un premier mode de réalisation de l’étape b) d’un procédé conforme à l’invention ; FIG. 5 FIG. 5 FIG. 5 FIG. 5 Les figures 5a, 5b, 5c et 5d présentent des sous-étapes d’un deuxième mode de réalisation de l’étape b) d’un procédé de fabrication conforme à la présente invention ; FIG. 6 FIG. 6 FIG. 6 FIG. 6 Les figures 6a, 6b, 6c et 6d présentent l’étape c) d’un procédé de fabrication conforme à l’invention ; FIG. 7 FIG. 7 FIG. 7 FIG. 7 Les figures 7a, 7b, 7c et 7d présentent des étapes d’une utilisation d’un substrat donneur pavé issu d’un procédé de fabrication, conforme à l’invention. Les figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l’échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l’axe z ne sont pas à l’échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y. Les mêmes références sur les figures ou dans la description pourront être utilisées pour des éléments de même nature. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat donneur pavé 100 tel qu’illustré sur les figures 1a et 1b. Le procédé de fabrication comprend une première étape a) de fourniture d’une structure initiale 10 comprenant un substrat support 1 et une pluralité de pavés 2 (figures 2a et 2b). Le substrat support 1 présente une face avant 1a et une face arrière 1b et il se présente préférentiellement sous la forme d’une plaquette de diamètre 200mm, 300mm voire plus. Son épaisseur est typiquement comprise entre 100μm et 900μm. Avantageusement, le substrat support 1 est en silicium, ou autre matériau semiconducteur disponible sous forme de plaquette de grand diamètre. Les pavés 2 sont formés en un premier matériau, monocristallin, disposés sur la face avant 1a et espacés les uns des autres. Typiquement, les pavés 2 sont espacés d’une distance comprise entre 100μm et 10mm, voire pouvant aller jusqu’à 10cm. Chaque pavé peut présenter une épaisseur supérieure ou égale à 100μm, par exemple entre 300μm et 600μm, et des dimensions comprises entre 1mm 2 jusqu’à 20x20mm 2 . Le premier matériau est avantageusement choisi parmi : - les matériaux semi-conducteurs (tels qu’un composé III-V, notamment le nitrure d’indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d’indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d’indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou tel qu’un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC)), - les matériaux piézoélectriques (tels que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de varyum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN)), et - les matériaux isolants électriques (tels que le diamant, le titanate de strontium, le zircone yttriée ou le saphir). Cette structure initiale 10 peut être élaborée par toute technique connue de l’homme du métier. En général, les pavés 2 sont issus d’un substrat initial constitué par le premier matériau, qui a été découpé par sciage, découpe laser ou autre. La variation d’épaisseur (TTV), à l’échelle du substrat initial, peut être de plusieurs micromètres. Les pavés 2 pourront donc présenter ces mêmes variations d’épaisseur entre eux. Les pavés 2 sont ensuite assemblés sur le substrat support 1. Leur placement sur ledit substrat support 1 peut être effectué par un équipement de « pick and place », largement utilisé pour la manipulation de vignettes ou de puces. L’assemblage est préférentiellement basé sur un collage direct par adhésion moléculaire, ne nécessitant pas l’ajout de couches adhésives intermédiaires. Des traitements de surface (nettoyages, activation par plasma...) préalables à l’assemblage sont conseillés pour l’obtention d’une interface de collage de bonne qualité et procurant une tenue mécanique importante. Le procédé de fabrication comprend ensuite une étape b) correspondant à la formation d’une couche complémentaire 20, du côté de la face avant 1a de la structure initiale 10, par une technique de fabrication additive (figures 3a, 3b). La couche complémentaire 20 est au moins disposée entre les pavés 2, en contact avec la face avant 1a du substrat support 1. Elle peut également être formée sur tout ou partie des pavés 2. La couche complémentaire 20 est composée d’un matériau, dit deuxième matériau, présentant un coefficient de dilatation thermique apparié à celui du premier matériau. Par « apparié », on entend que la différence entre le coefficient de dilatation thermique du deuxième matériau et celui du premier matériau est inférieure ou égale à +/-10%. A l’issue de l’étape b), on obtient un substrat donneur intermédiaire 100’. Avantageusement, le premier matériau et le deuxième matériau sont de même nature ; à titre d’exemple, pour un premier matériau en InP monocristallin, le deuxième matériau pourra être en InP polycristallin ou amorphe. Avantageusement, le substrat support 1 peut également être choisi de sorte à avoir un coefficient de dilatation proche du matériau des pavés. Par exemple, le substrat support 1 peut également être formée par la même technique de fabrication additive et avec le même matériau (deuxième matériau) de la couche complémentaire 20. Selon une variante, le deuxième matériau est composite et comprend un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est proche de celui du premier matériau, et un liant. La proportion de liant étant inférieure à 30%, inférieure à 20%, voire inférieure à 10%, de manière à éloigner le moins possible le coefficient de dilatation thermique du deuxième matériau composite de celui du premier matériau. Préférentiellement, la couche complémentaire 20 présente en outre une épaisseur supérieure ou égale à une épaisseur moyenne des pavés 2, cela pour permettre de limiter au maximum les discontinuités de matière entre les pavés 2 et la couche complémentaire 20, au cours de l’étape c) suivante du procédé. Selon un premier mode de réalisation, la technique de fabrication additive mise en œuvre à l’étape b) est basée sur la fusion au moins partielle d’une poudre du deuxième matériau, dans une buse B chauffée par une faisceau laser ou un faisceau d’électrons ( FIG. 4 ). Le déplacement de la buse B permet de déposer la poudre fusionnée 20’ sur le substrat support 1, entre les pavés 2, et optionnellement sur tout ou partie des pavés 2, jusqu’à former la couche complémentaire 20. Plusieurs passages de la buse B au même endroit peuvent être requis pour atteindre l’épaisseur souhaitée de la couche complémentaire 20. Une technique de type CLAD (« Construction Laser Additive Directe » selon la terminologie anglo-saxonne) peut notamment être mise en œuvre. A titre d’exemple, si le deuxième matériau constituant la poudre est l’InP, une température locale, générée par le faisceau laser ou le faisceau d’électrons, entre 650°C et 800°C, permet la fusion au moins en superficie des grains de la poudre et par conséquent leur agglomération sous forme de couche complémentaire 20 lorsqu’ils refroidissent. La température ressentie par la structure initiale 10 est bien inférieure à cette température, typiquement inférieure ou égale à 100°C : cela évite toute dégradation des pavés 2 adjacents, dont le premier matériau est par exemple de l’InP monocristallin. Selon un autre exemple, le deuxième matériau est composite et comprend de InP et un liant (polymère compatible avec les températures d’utilisation) : une température locale, générée par le faisceau laser ou le faisceau d’électrons, typiquement entre 100°C et 800°C peut permettre la fusion du liant, lequel assure l’agglomération de la poudre sous forme de couche complémentaire 20. Ici encore, la température ressentie par la structure initiale 10 reste faible (typiquement inférieure à 100°C), ce qui évite sa dégradation. Il est à noter que l’utilisation d’un liant, même si sa proportion est limitée à 30%, 20% voire 10%, implique une rétraction de la couche complémentaire 20, à prendre en compte dans la définition de l’épaisseur déposée initiale de couche complémentaire. Quels que soient les exemples de ce premier mode de réalisation, il est important de s’assurer que la couche complémentaire 20 adhère bien sur la face avant 1a du substrat support 1. La présence d’un liant dans le deuxième matériau est favorable à cette adhérence. On pourra également choisir une structure initiale 10 comprenant une couche superficielle sur le substrat support 1, couche superficielle dont la nature est favorable à l’adhésion de la couche complémentaire 20. Par ailleurs, pour favoriser l’adhérence entre la couche complémentaire 20 et le substrat support 1, une texturation de la face avant 1a peut être avantageuse ; ce pourra être par exemple un niveau de rugosité de la face avant 1a supérieur à 1nm RMS (sur scan de 20x20μm 2 en microscopie à force atomique). Selon un deuxième mode de réalisation, l’étape b) comprend une première sous-étape de fabrication additive d’un pochoir 20’’ sur un plateau. Une technique d’impression 3D de type DMLS (« direct metal laser sintering ») peut notamment être implémentée. Le pochoir 20’’ présente une surface identique à celle du substrat support 1 et comporte des ouvertures localisées 3 aux emplacements des pavés 2 de la structure initiale 10 (figures 5a, 5b). L’étape b) comprend ensuite une deuxième sous-étape d’assemblage entre le pochoir 20’’ et la structure initiale 10 ( FIG. 5 ), le pochoir 20’’ formant alors la couche complémentaire 20 ( FIG. 5 ). Une bonne planéité du pochoir 20’’ est importante pour obtenir un assemblage de qualité, en particulier lorsqu’un assemblage par adhésion moléculaire est envisagé (typiquement, on attend une déformation inférieure à 100μm et une variation de planéité maximale de quelques micromètres). Notons que tout type connu d’assemblage peut être opéré, à condition que la tenue mécanique et thermique du collage soit compatible avec la suite du procédé et l’utilisation prévue du substrat donneur pavé 100. Le procédé comprend enfin une étape c) correspondant à l’application d’un traitement de surface mécanique (par exemple une rectification (« grinding »)) et/ou mécano-chimique (par exemple, un polissage), à la couche complémentaire 20 et aux pavés 2 (figures 6a, 6b, 6c). Que la couche complémentaire 20 soit d’épaisseur inférieure, sensiblement égale ou supérieure à l’épaisseur moyenne des pavés 2, l’étape c) vise à planariser la face avant 100’a du substrat donneur intermédiaire 100’, pour obtenir le substrat donneur pavé 100 dont la face avant 100a présente une surface plane et continue, au niveau de laquelle affleurent la pluralité de pavés 2 et la couche complémentaire 20 ( FIG. 6 ). Par plane et continue, on entend une surface dépourvue de reliefs (soit typiquement, moins de 5nm, moins de 1nm, voire moins de 0,5nm de reliefs, en particulier aux jonctions entre pavés 2 et couche complémentaire 20). La couche complémentaire 20 peut éventuellement présenter une épaisseur sensiblement inférieure à celle des pavés 2 après planarisation, de manière à ne pas gêner le transfert complet de la couche superficielle pavée issue des pavés 2. L’enlèvement de matière opéré à l’étape c) peut varier selon la configuration du substrat donneur intermédiaire 100’, et selon l’épaisseur de la couche complémentaire 20. Typiquement l’enlèvement est compris entre 1μm et 200μm, préférentiellement, entre 20μm et 60μm. Comme évoqué précédemment, les pavés 2 peuvent présenter des variations d’épaisseur entre eux, liées au TTV du substrat initial dont ils sont issus. L’étape c) permet de rectifier ces variations d’épaisseur et d’obtenir une surface plane et compatible avec un transfert de couche mince. En outre, la présence de la couche complémentaire 20 facilite la planarisation car elle assure la continuité de la surface 100’a traitée et évite par conséquent les phénomènes d’affaissement des bords des pavés (« corner rounding ») lors des traitements mécano-chimiques. Enfin, la couche complémentaire 20 étant préférentiellement majoritairement composée d’un matériau de même nature que le premier matériau des pavés 2, les traitements de surface sont facilités et ne se heurtent pas à des problématiques de polissage à double matériaux, avec notamment des vitesses d’abrasion différentes. Selon la présente invention, le substrat donneur pavé 100 peut être utilisé pour transférer une couche superficielle de chaque pavé 2 sur un substrat receveur 50. Préférentiellement, une technique de transfert de couche mince impliquant les étapes suivantes est implémentée. En premier lieu, un plan fragile enterré 4, sensiblement parallèle à une face avant 100a du substrat donneur pavé 100, est formé dans les pavés 2 et dans la couche complémentaire 20 ( FIG. 7 ). Pour cela, une implantation d’espèces légères telles que l’hydrogène, l’hélium ou une combinaison de ces deux espèces peut être mise en œuvre. L’étape suivante consiste en l’assemblage de la face avant 100a du substrat donneur pavé 100 sur le substrat receveur 50 ( FIG. 7 ). De préférence, cet assemblage est basé sur un collage par adhésion moléculaire, ne nécessitant pas la présence de couches adhésives. Comme cela est bien connu en soi, des nettoyages et autres activations de surface peuvent être mises en œuvre pour améliorer la qualité et la tenue mécanique de l’interface de collage 5. Enfin, une séparation le long du plan fragile enterré 4 intervient, pour former une structure composite comprenant le substrat receveur 50 et au moins une couche mince 2i issue de chaque pavé 2 et reportée sur ledit substrat receveur 50 ( FIG. 7 ). En fonction de la nature du deuxième matériau de la couche complémentaire 20, une couche mince complémentaire 20i, issue de la couche complémentaire 20, peut également être reportée sur le substrat receveur 50. Dans ce cas, une étape suivante consiste à graver localement cette couche mince complémentaire 20i, de manière à ne conserver que la couche mince pavée 2i sur le substrat receveur 50 ( FIG. 7 ). Des séquences de polissage et de nettoyage peuvent être appliquées pour restaurer un bon état de surface à la couche mince pavée 2i, avant ou après le retrait de la couche mince complémentaire 20i (quand celle-ci est présente). Après l’étape de séparation, le reste 100i du substrat donneur pavé 100 peut être conditionné (rectification mécanique et/ou polissage mécano-chimique et nettoyages) puis réutilisé pour un nouveau transfert de couche mince sur un nouveau substrat receveur. Bien sûr, l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l’invention. Procédé de fabrication d’un substrat donneur pavé (100) comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’une structure initiale (10) comprenant un substrat support (1) présentant une face avant (1a) et une face arrière (1b), et une pluralité de pavés (2) en un premier matériau, monocristallin, disposés sur la face avant (1a) et espacés les uns des autres, b) la formation d’une couche complémentaire (20) par une technique de fabrication additive, la couche complémentaire (20) : - étant disposée entre les pavés (2), en contact avec la face avant (1a) du substrat support (1), - étant composée d’un matériau, dit deuxième matériau, présentant un coefficient de dilatation thermique apparié à celui du premier matériau, c) l’application d’un traitement de surface mécanique et/ou mécano-chimique à la couche complémentaire (20) et aux pavés (2), pour obtenir le substrat donneur pavé (100) dont une face avant (100a) présente une surface plane et continue, au niveau de laquelle affleurent la pluralité de pavés (2) et la couche complémentaire (20). Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel, à l’étape b), la couche complémentaire (20) est également formée sur tout ou partie des pavés (2). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la couche complémentaire (20) présente une épaisseur supérieure ou égale à une épaisseur moyenne des pavés (2). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la technique de fabrication additive mise en œuvre à l’étape b) est basée sur : - la fusion au moins partielle d’une poudre du deuxième matériau, dans une buse (B) chauffée par une faisceau laser ou un faisceau d’électrons, - le déplacement de la buse (B) pour déposer la poudre fusionnée (20’) sur le substrat support, entre les pavés (2), et optionnellement sur tout ou partie des pavés (2), jusqu’à former la couche complémentaire (20). Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape b) est basée sur : - une sous-étape de fabrication additive d’un pochoir (20’’) sur un plateau, le pochoir (20’’) présentant une surface identique à celle du substrat support (1) et comportant des ouvertures localisées aux emplacements des pavés (2) de la structure initiale (10), - une sous-étape d’assemblage entre le pochoir (20’’) et la structure initiale (10), le pochoir (20’’) formant la couche complémentaire (20). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat support (1) est en silicium. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau monocristallin formant les pavés (2) est choisi parmi les matériaux semi-conducteurs, les matériaux piézoélectriques et les matériaux isolants électriques. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau monocristallin formant les pavés (2) est le phosphure d’indium (InP). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les pavés (2) de la structure initiale (10) sont espacés d’une distance comprise entre 100μm et 10mm, voire 10cm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le deuxième matériau est de même nature que le premier matériau. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le deuxième matériau est composite et comprend un liant, la proportion de liant étant inférieure à 30%. Utilisation d’un substrat donneur pavé (100) issu d’un procédé de fabrication conforme aux revendications 1 à 11, pour transférer une couche superficielle de chaque pavé (2) sur un substrat receveur (50). Utilisation d’un substrat donneur pavé (100) selon la revendication précédente, mettant en œuvre une technique de transfert de couche mince impliquant les étapes suivantes : - la formation d’un plan fragile enterré (4), parallèle à une face avant (100a) du substrat donneur pavé (100), dans les pavés (2) et dans la couche complémentaire (20), - l’assemblage de la face avant (100a) du substrat donneur pavé (100) sur le substrat receveur (50), - la séparation le long du plan fragile enterré (4), pour former une structure composite comprenant le substrat receveur (50) et au moins une couche mince (2i) issue de chaque pavé (2) reportée sur ledit substrat receveur (50). Utilisation d’un substrat donneur pavé (100) selon la revendication précédente, dans laquelle, après la séparation, un reste (100i) du substrat donneur pavé (100) est conditionné puis réutilisé pour un nouveau transfert de couche mince sur un nouveau substrat receveur.