FR 3155319 A1 20250516 FR 2312182 A 20231109 Procédé de fabrication d'un dispositif photonique La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif photonique (100) comprenant les étapes successives suivantes : - former sur un premier substrat au moins un niveau de métallisation (103) et une première couche d'accroche (104) ; - former sur un deuxième substrat à haute résistivité (101) une deuxième couche d'accroche (103) adaptée à coopérer avec la première couche d'accroche (104) ; - fixer la première couche d'accroche (104) à la deuxième couche d'accroche (103) ; - retirer le premier substrat ; et - former un premier composant optique (108) sur ledit au moins un niveau de métallisation (105), dans lequel une somme des épaisseurs desdits première et deuxième couches d'accroche (104, 103) et de l'épaisseur dudit au moins un niveau de métallisation est supérieure (105) à 3 µm. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Procédé de fabrication d'un dispositif photonique La présente description concerne de façon générale le domaine de la photonique, et plus particulièrement les composants photoniques. La présente description se rapporte plus précisément à un composant photonique et à son procédé de fabrication. Un composant photonique est un composant permettant la génération, la transmission, le traitement ou la conversion de signaux optiques. Un composant photonique peut, en outre, être adapté à traiter des signaux électriques, comme par exemple, dans l'optique de conversion d'un signal optique en un signal électronique, ou inversement. Certains procédés de fabrication de composants photoniques peuvent utiliser des techniques connues et utilisées pour la fabrication de composants électroniques, comme par exemple des techniques de la microélectronique. Il serait souhaitable de pouvoir améliorer, au moins en partie, certains aspects des dispositifs et/ou composants photoniques connus, et en particulier certains aspects des procédés de fabrication connus de composants photoniques. Il existe un besoin pour des dispositifs et/ou composants photoniques plus performants. Il existe un besoin pour des procédés de fabrication d'un composant photonique plus performants. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des composants photoniques connus. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés de fabrication connus d'un composant photonique. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif photonique comprenant les étapes successives suivantes : - former sur un premier substrat au moins un niveau de métallisation, et une première couche d'accroche ; - former sur un deuxième substrat à haute résistivité une deuxième couche d'accroche adaptée à coopérer avec la première couche d'accroche ; - fixer la première couche d'accroche à la deuxième couche d'accroche ; - retirer le premier substrat ; et - former un premier composant optique sur une première face dudit au moins un niveau de métallisation opposée à une deuxième surface dudit au moins un niveau de métallisation en contact avec ladite première couche d'accroche, dans lequel une somme des épaisseurs desdits première et deuxième couches d'accroche et de l'épaisseur dudit au moins un niveau de métallisation est supérieure à 3 µm. Selon un mode de réalisation, ladite somme est supérieure à 4 µm. Selon un mode de réalisation, la première couche d'accroche est en oxyde de silicium, et la deuxième couche d'accroche est en oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation, le deuxième substrat à haute résistivité est un substrat semiconducteur. Selon un mode de réalisation, le deuxième substrat à haute résistivité a une résistivité supérieure à 500 Ohm.cm. Selon un mode de réalisation, le deuxième substrat à haute résistivité a une résistivité supérieure à 700 Ohm.cm. Selon un mode de réalisation, le premier composant optique est un guide d'onde, ou un guide d'onde adapté à être relié à une fibre optique, ou un guide d'onde adapté à être relié à une fibre optique à large bande. Selon un mode de réalisation, ledit au moins niveau de métallisation comprend au moins un premier composant électronique, optique, ou optoélectronique. Selon un mode de réalisation, ledit au moins niveau de métallisation est adapté à être relié électriquement par un via dans laquelle est formé ledit premier composant optique. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, pendant l'étape de formation du premier composant, une étape de formation d'une troisième couche sur ladite première face dudit au moins un niveau de métallisation. Selon un mode de réalisation, la troisième couche est en un matériau choisi dans le groupe comprenant : le phosphure d'indium (InP), un matériau comprenant du phosphure d'indium (InP), l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), un matériau comprenant de l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), l'arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs), un matériau comprenant de l'arséniure de gallium-alumunium (AlGaAs), le phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP), un matériau comprenant du phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP), le niobate de lithium (LiNbO3), un matériau comprenant du niobate de lithium (LiNbO3), le titanate de baryum (BaTiO3), un matériau comprenant du titanate de baryum (BaTiO3), ou la troisième couche est un empilement à puits quantiques multiples, comprenant des couches en des matériaux compris dans le groupe suivant: le phosphure d'indium (InP), le phosphure d'indium (InP) dopé, par exemple dopé de type N ou de type P, l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), l'arséniure de gallium-indium (InGaAs) dopé, par exemple dopé de type N ou dopé de type P, l'arséniure d'aluminium-indium-gallium (AlInGaAs), l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), et le phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être un laser. Selon un mode de réalisation, le premier composant est choisi dans le groupe comprenant : un modulateur à condensateur semiconducteur-isolant-semiconducteur, une photodiode, un phototransistor, un laser, et un modulateur à effet Pockels. Selon un mode de réalisation, ledit au moins un niveau de métallisation est formé sur une face avant dudit premier substrat. Selon un mode de réalisation, au moins un deuxième composant optique est formé sur une face arrière dudit deuxième substrat. Selon un mode de réalisation, ledit au moins un deuxième composant optique est un guide d'onde. Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif photonique comprenant un premier composant optique disposé sur un empilement comprenant successivement : - première surface d'au moins un niveau de métallisation ; - une première couche d'accroche ; - une deuxième couche d'accroche ; et - un deuxième substrat à haute résistivité, dans lequel une somme des épaisseurs desdits première et deuxième couches d'accroche et de l'épaisseur dudit au moins un niveau de métallisation est supérieure à 3 µm. Selon un mode de réalisation, ladite somme est de l'ordre de 4 µm. Selon un mode de réalisation, ledit deuxième substrat a haute résistivité ayant une résistivité supérieure à 500 Ohm.cm. Selon un mode de réalisation, ledit premier composant optique est un guide d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif photonique décrit précédemment est obtenu par le procédé décrit précédemment. Selon un mode de réalisation, ledit au moins une niveau de métallisation est formé sur une face avant dudit premier substrat. Selon un mode de réalisation, au moins un deuxième composant optique est formé sur une face arrière dudit deuxième substrat. Selon un mode de réalisation, ledit au moins un deuxième composant optique est un guide d'onde. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un composant photonique ; la FIG. 2 représente une vue en coupe d'une étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 3 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 4 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 5 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 6 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 7 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 8 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 9 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 10 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; la FIG. 11 représente une vue en coupe d'une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication du composant photonique de la FIG. 1 ; et la FIG. 12 représente une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un composant photonique. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Les modes de réalisation et modes de mise en oeuvre décrits ci-après concernent un dispositif photonique et son procédé de fabrication. Selon un mode de réalisation, ce dispositif photonique est un dispositif de couplage permettant de recevoir un ou plusieurs signaux optiques transmis par une fibre optique. Ce dispositif est, en outre, plus particulièrement adapté à recevoir un ou plusieurs signaux optiques transmis par une fibre optique à large bande, ayant par exemple une largeur de bande minimale de 100 nm, par exemple allant de 1310 à 1550 nm. Les dispositifs photoniques connues présentent des inconvénients quant aux fibres optiques à large bande, et notamment pour des problèmes de correspondance d'indices de matériaux entre les matériaux de la fibre optique et les matériaux du dispositif photonique. De tels problèmes de correspondance peuvent entrainer une dégradation du signal reçue de la part de la fibre optique. Le dispositif photonique selon ledit mode de réalisation se propose de palier à ce problème, et, en outre, d'augmenter le taux de transmission de données reçues de la part de la fibre optique. Pour cela, le dispositif électronique comprend un ou plusieurs circuits électroniques, voire des circuits micro-électroniques, à haute performance et formés dans et sur un substrat semiconducteur. Le dispositif comprend alors un guide d'onde recevant le ou les signaux de la part de la fibre optique à large bande et un substrat semiconducteur à haute résistivité permettant la mise en oeuvre de tels circuits électroniques. On appelle ici "substrat à haute résistivité" un substrat semiconducteur dont la résistivité est supérieure à 500 Ohm.cm, de préférence, supérieure à 700 Ohm.cm, ou parfois supérieure à 1 kOhm.cm. Pour isoler optiquement le guide d'onde dudit substrat, le dispositif photonique comprend, selon un mode de réalisation, un dispositif isolant optiquement très épais, c'est-à-dire ayant une épaisseur supérieure à 3 µm, disposé entre le guide d'onde et ledit substrat. Un tel mode de réalisation de dispositif photonique est décrit en relation avec la FIG. 1 . Un procédé de fabrication d'un tel dispositif photonique palie aux inconvénients classiques des techniques de fabrication de composants électroniques, micro-électroniques et/ou photoniques, et en particulier, palie aux inconvénients que peuvent présenter l'utilisation d'un comme défini précédemment. Un tel mode de mise en oeuvre de procédé de fabrication d'un dispositif photonique est décrit en relation avec les figures 2 à 11. La FIG. 1 est une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un composant photonique 100. Comme décrit précédemment, le composant photonique 100 est formé dans, sur et/ou à partir d'un substrat 101 semiconducteur très résistif, c'est-à-dire un substrat ayant une résistivité supérieure à 500 Ohm.cm, par exemple, de préférence supérieure à supérieure à 700 Ohm.cm, ou parfois, supérieure à 1 kOhm.cm. Selon exemple, la résistivité du substrat 101 est de l'ordre de 780 Ohm.cm. Selon un exemple, le substrat 101 est un substrat en silicium. Sur une face 102 du substrat 101, repose une couche 103 isolante optiquement et électriquement. La couche 103 est aussi utilisée comme couche d'accroche dans le procédé de fabrication du dispositif 100. Selon un exemple, la couche 103 est une couche d'oxyde de silicium. Sur une face arrière du substrat 101, opposée à la face 102, peuvent être formé un ou plusieurs composants optiques, comme des guides d'onde. Ces composants ne sont pas représentés en FIG. 1 . Sur la couche 103, repose une autre couche 104 isolante optiquement et électriquement. La couche 104 est également utilisée comme couche d'accroche dans le procédé de fabrication du dispositif 100. Selon un mode de réalisation, la couche 104 est une couche d'accroche adaptée à coopérer avec la couche 103. Selon un exemple, la couche 104 est une couche d'oxyde de silicium. Selon un exemple, la somme des épaisseurs des couches 103 et 104 est supérieure à 2 µm, par exemple de l'ordre de 4 µm. Sur la couche 104, repose un ou plusieurs niveaux de métallisation 105 adaptés à comprendre un ou plusieurs dispositifs électroniques, optiques ou optoélectroniques 106 du dispositif photonique 100. Selon un exemple, le ou les dispositifs 106 peuvent comprendre des composants photoniques passifs comme des guides d'onde, et/ou des composants photoniques actifs comme des modulateurs, des photodiodes. Un composant photonique actif peut être assimilé à un composant optoélectroniques. Selon un autre exemple, le dispositif 106 peut être un modulateur, un radiateur, etc. Le ou les dispositifs 106 peuvent être formées dans et/ou sur un substrat semiconducteur, comme un substrat en silicium (Si) ou en germanium (Ge). Chaque dispositif 106 peut, en outre, être entouré latéralement d'une couche 114 en un matériau isolant électriquement et/ou optiquement, comme de l'oxyde de silicium pour l'isoler électriquement et optiquement d'autres dispositifs. Le ou les composants 106 sont, par exemple, formés à partir d'un substrat de type silicium sur isolante (SOI, Silicon On Insulator), une couche semiconductrice 106A, ou des portions de cette couche comme représenté en FIG. 1 , peuvent subsister au-dessus du ou des composants 106. De même une couche isolante 106B du substrat, aussi appelée couche d'oxyde enterrée (BOx, Buried Oxyde) repose sur la couche semiconductrice 106A. Le premier niveau de métallisation est symbolisé en FIG. 1 par le placement du dispositif 106. Selon un exemple, le dispositif 100 comprend trois niveaux de métallisation. Selon un mode de réalisation, le ou les niveaux de métallisation 105 sont considérés comme isolant optiquement. En effet, Les niveaux de métallisations 105 comprennent des pistes métalliques fabriqués dans des couches de matériau diélectrique, ces pistes sont, par exemple, obtenus via des procédés photo/gravure/croissance d'un métal, de préférence du cuivre, suivi d'un procédé d'aplanissement. Seules les parties diélectriques sont des "isolants" du point de vue optique, les pistes métalliques quant à elle absorbent les signaux optiques. Selon un mode de réalisation, la somme des épaisseurs des couches 103 et 104 et de l'épaisseur du ou des niveaux de métallisations est supérieure à 3 µm, par exemple supérieure à 4 µm. Sur le ou les niveaux de métallisation 105, repose une couche 107 dans laquelle est formé un composant optique 108 formant le guide d'onde. Selon un exemple, la couche 107 est une couche d'oxyde de silicium, et le composant optique 108 est en nitrure de silicium (SiN). Selon un exemple, la couche 107 a une épaisseur supérieure à 1 µm, par exemple de l'ordre de 1,5 µm. Ainsi, le composant optique 108 est séparé du substrat résistif 101 par un empilement comprenant : - la couche 103 isolante optiquement ; - la couche 104 isolante optiquement ; - le ou les niveaux de métallisation 105 considéré comme isolant optiquement ; et - la couche isolante 114 entourant le ou les dispositifs 106. Comme dit précédemment, l'épaisseur de cet empilement est supérieure à 3 µm, par exemple supérieure à 4 µm. Selon un mode de réalisation, le composant optique est adaptée à être couplée à une fibre optique à large bande, par exemple ayant une largeur de bande minimale de 100 nm, par exemple allant de 1310 à 1550 nm. Sur la couche 107 sont formés des couches permettant de former des contacts électriques du dispositif 100. En particulier, une couche 109 isolante électriquement recouverte d'une couche de passivation 110. Selon un exemple, la couche 109 est une couche d'oxyde de silicium, dont l'épaisseur est supérieure à 4 µm, par exemple de l'ordre de 5,3 µm. Selon un exemple, la couche de passivation 110 est formé d'un empilement d'une couche d'oxyde de silicium et d'une couche de nitrure de silicium, et a une épaisseur comprise entre 1 et 3 µm. Un contact peut être formé dans le dispositif photonique 100. Pour cela, un premier via conducteur 111 est formé à travers la couche 107 et jusqu'à un des niveaux de métallisation du ou des niveaux de métallisation 105. Une piste conductrice 112 peut être formée dans la couche 109 et en contact avec le premier via conducteur 111. Selon un exemple, les conducteurs 111 et 112 sont en un métal ou en un alliage de métaux. Selon un exemple, le matériau des conducteurs 111 et 112 comprend du cuivre et/ou un alliage de cuivre. Un contact 113 est ensuite formé à travers la couche 109 et de la couche de passivation 110 pour rejoindre la piste 112. La formation des conducteurs 111, 112 et 13 est décrite en détail en relation avec les figures 8 à 11. Selon un exemple, le contact est en un métal ou en un alliage de métaux. Selon un exemple, le matériau du contact 113 comprend de l'aluminium et/ou un alliage comprenant de l'aluminium. Les figures 2 à 11 sont des vues en coupe illustrant des dispositifs suite à des étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication d'un composant photonique du type du composant photonique 100 décrit en relation avec la FIG. 1 . A l'étape de la FIG. 2 , un substrat semiconducteur 201, par exemple un substrat de type silicium sur isolant (SOI, Silicon On Insulator), est utilisé pour former un ou plusieurs niveaux de métallisation 202 à partir de sa face supérieure 203. Le substrat 201 est composé d'un substrat semiconducteur 201A sur lequel repose un empilement d'une couche isolante électriquement 201B et d'une couche semiconducteur 201C. La couche isolante 201B est aussi appelée couche d'oxyde enterrée (BOX, Buried Oxyde). Le ou les niveaux de métallisation 202 sont du type du ou des niveaux de métallisation 105 décrits en relation avec la FIG. 1 , et comprennent, au moins un composant électronique 204 du type du ou des composants 106 décrits en relation avec la FIG. 1 . Comme en FIG. 1 , le premier niveau de métallisation du ou des niveaux de métallisation 202 est symbolisé par le placement du composant 204. Autrement dit, en FIG. 2 , le premier niveau de métallisation est du côté de la face 203 des niveaux de métallisation 202, opposée à une autre face 205 des niveaux de métallisation 202. De plus, comme en FIG. 1 , le composant 204 est entouré d'une couche isolante non représentée sur les figures 2 à 11. Les niveaux de métallisations202 et le composant 204 sont ainsi formés sur une face avant du substrat 201. A l'étape de la FIG. 3 , successive à l'étape de la FIG. 2 , une première couche d'accroche 206 du type de la couche isolante 104 décrite en relation avec la FIG. 1 est déposée sur la face 205 du ou des niveaux de métallisation 202. Selon un mode de réalisation, Selon un exemple, la couche 206 est une couche d'oxyde de silicium. A l'étape de la FIG. 4 , successive à l'étape de la FIG. 3 , une deuxième couche d'accroche 208 est utilisée pour fixer un substrat à haute résistivité 209 à la structure obtenue à la FIG. 3 . Plus particulièrement, le substrat 209 est un substrat du type du substrat 101 écrit en relation avec la FIG. 1 , c'est-à-dire un substrat semiconducteur dont la résistivité est supérieure à 500 Ohm.cm, par exemple, de préférence, supérieure à supérieure à 700 Ohm.cm, ou parfois, supérieure à 1 kOhm.cm. Selon exemple, la résistivité du substrat 209 est de l'ordre de 780 Ohm.cm. Selon un exemple, le substrat 209 est un substrat en silicium. De plus, la couche d'accroche 208 du type de la couche isolante 103 décrite en relation avec la FIG. 1 . Selon un mode de réalisation, la couche 208 est une couche d'accroche adaptée à coopérer avec la couche d'accroche 206. Selon un exemple, la couche d'accroche est une couche d'oxyde de silicium. Pour mettre en oeuvre l'étape de la FIG. 4 , la couche d'accroche 208 est formée sur une face du substrat 209. Une face libre de la couche d'accroche 208, opposée au substrat 209 est, ensuite, fixée à la couche d'accroche 206, par exemple, en utilisant un procédé de collage moléculaire. De plus, comme dit précédemment, la somme des épaisseurs des couches 206 et 208 est supérieure à 2 µm, par exemple de l'ordre de 4 µm. De plus, selon un mode de réalisation, la somme des épaisseurs des couches 206 et 208 et de l'épaisseur du ou des niveaux de métallisations 202 est supérieure à 4 µm, par exemple supérieure à 5 µm. A cette étape, des composants optiques peuvent être formé sur la face arrière du substrat 209, c'est-à-dire la face non recouverte par la couche d'accroche 208. A l'étape de la FIG. 5 , successive à l'étape de la FIG. 4 , la structure obtenue à l'étape 4 est retournée. Ainsi, le premier niveau de métallisation du ou des niveaux de métallisations 202 est du côté haut de la FIG. 5 . De plus, toute la structure repose sur le substrat à haute résistivité 209. A l'étape de la FIG. 6 , successive à l'étape de la FIG. 5 , le substrat 201A est retiré de la structure obtenue à la FIG. 5 . Selon un exemple, le substrat 201A est retiré en utilisant un procédé combinant une étape de meulage et une étape de retrait par voie chimique. A l'étape de la FIG. 7 , successive à l'étape de la FIG. 6 , un composant optique, du type du composant optique 108 de la FIG. 1 , est formé sur la couche d'oxyde enterrée 201B. Pour cela, une première couche 212 peut être formée par un procédé de photolithographie puis graver pour obtenir la forme voulue. Une première partie d'une couche isolante 210, par exemple en oxyde de silicium, est ensuite formée sur la couche 212, par exemple, par dépôt puis aplanissement chimique. Une deuxième couche 211 peut être formée sur la première partie de la couche 210, par exemple, en utilisant un procédé de photolithographie puis un procédé de gravure. Une deuxième partie de la couche isolante 210 peuvent ensuite être formée pour recouvrir la couche 211. L'ensemble des couches 210 à 212 peut permettre, par exemple, de former une fibre optique, ou d'autres composants passifs de type guide d'onde permettant le couplage à une fibre otique externe (non réprésentée). A l'étape de la FIG. 8 , successive à l'étape de la FIG. 7 , une première partie d'une reprise de contact est formée. Ainsi, un via conducteur 213 traversant de part en part la couche 210, la couche isolante 201B, la couche 201C, et une partie du ou des niveaux de métallisation 202 est formé. Le via conducteur 213 s'étend donc entre une face supérieure de la couche 210 et jusqu'à un niveau de métallisation du ou des niveaux de métallisation 202. Le via conducteur 213 est du type du via conducteur 111 décrit en relation avec la FIG. 1 . Autrement dit, le via conducteur 213 est en un métal ou en un matériau comprenant du métal, par exemple du cuivre ou un alliage comprenant du cuivre. Pour cela, des procédés de dépôt, de photolithographie, de gravure et d'aplanissement peuvent être mis en oeuvre ici. A l'étape de la FIG. 9 , successive à l'étape de la FIG. 8 , une couche 214 isolante électriquement est formée sur la couche 210. Selon un exemple, la couche isolante 214 est une couche d'oxyde de silicium ayant une épaisseur supérieure à 2 µm, par exemple de l'ordre de 2,8 µm. De plus, à l'étape de la FIG. 9 , une deuxième partie de la reprise de contact est formée. Ainsi, une piste conductrice 215 traversant de part en part la couche 214 est formée. La piste conductrice 215 s'étend donc entre une face supérieure de la couche 210, et est en contact avec le via 213. La piste conductrice 215 est du type de la piste conductrice 112 décrite en relation avec la FIG. 1 . Autrement dit, le via conducteur 215 est en un métal ou en un matériau comprenant du métal, par exemple du cuivre ou un alliage comprenant du cuivre. Pour cela, des procédés de dépôt, de photolithographie, de gravure et d'aplanissement peuvent être mis en oeuvre ici. A l'étape de la FIG. 10 , successive à l'étape de la FIG. 9 , l'épaisseur de la couche 214 isolante électriquement est augmentée pour recouvrir complètement le via conducteur 215. A cette étape, la couche 214 est du même type que la couche 109 décrite en relation avec la FIG. 1 . Ainsi, selon un exemple, la couche 109 est une couche d'oxyde de silicium, dont l'épaisseur est supérieure à 4 µm, par exemple de l'ordre de 5,3 µm. A l'étape de la FIG. 11 , successive à l'étape de la FIG. 10 , une fois le contact 215 formé, un contact 217 du type du contact 113 décrit en relation avec la FIG. 1 est formé. Pour cela, Une couche isolante, par exemple en oxyde de silicium, est déposée. Selon un exemple, cette couche isolante a une épaisseur de l'ordre de 0,6 µm. Des étapes de photolithographie et de gravure sont ensuite mises en oeuvre pour former une cavité dans la couche 214 et dans la couche 216 au-dessus du via 215. Cette cavité est ensuite remplie avec une couche en un matériau formant le contact 217, par exemple un métal ou alliage de métaux, par exemple, de l'aluminium ou un alliage comprenant de l'aluminium. Selon un exemple, cette couche a une épaisseur de l'ordre de 1.5 µm. De plus, à l'étape de la FIG. 11 , une opération de passivation de la couche 214 est mise en oeuvre. Pour cela, une couche de passivation 216 est formée sur la surface accessible de la coche 214. Selon un exemple, la couche de passivation est composée d'une couche d'oxyde de silicium, ayant une épaisseur de l'ordre de 2 µm, et d'une couche de oxyde de nitrure, ayant une épaisseur de l'ordre de 0,6 µm. Des étapes de photolithographie et de gravure sont ensuite mises en oeuvre pour rendre le contact accessible, ou pour faciliter l'assemblage du dispositif. La FIG. 12 est une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un composant photonique 300. Le composant photonique 300 est similaire au composant 100 décrit en relation avec la FIG. 1 . Les éléments identiques aux composants ne sont pas décrits de nouveau en détail ici. Seules les différences entre eux sont mises en exergue ci-après. Ainsi, le composant photonique 300 présente tous les éléments du composant 100, mais présente en outre, une couche 301 en un matériau M disposée dans la couche 107, de préférence sur une face supérieure des niveaux de métallisation 105. Selon une variante, la couche 301 peut être un empilement de couches. Selon un mode de réalisation préféré, la couche 301 est disposée directement en alignement avec le ou les dispositifs électroniques 106 de façon à pouvoir réaliser, par exemple, des couplages optiques. De même, le composant optique 108 et le ou les dispositifs 106 peuvent aussi être alignés, au moins partiellement, pour réaliser également des couplages optiques. Selon un premier exemple, le matériau M est du phosphure d'indium (InP), ou comprend du phosphure d'indium (InP). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être un modulateur à condensateur semiconducteur-isolant-semiconducteur, ou modulateur SISCAP (de l'anglais Semiconductor-insulator-semiconductor capacitor modulator). Selon un deuxième exemple, le matériau M est de l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), ou comprend de l'arséniure de gallium-indium (InGaAs). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être une photodiode et/ou un phototransistor. Selon un troisième exemple, le matériau M est de l'arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs), ou comprend de l'arséniure de gallium-alumunium (AlGaAs). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être un composant photonique permettant la génération d'une paire d'électrons, et/ou permettant la génération de lumière comme un laser. Selon un quatrième exemple, le matériau M est du phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP), ou comprend du phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être peut être un modulateur à condensateur semiconducteur-isolant-semiconducteur, ou une photodiode. Selon un cinquième exemple, le matériau M est du niobate de lithium (LiNbO3) ou comprend du niobate de lithium (LiNbO3). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être un modulateur à effet Pockels. Selon un sixième exemple, le matériau M est du titanate de baryum (BaTiO3) ou comprend du titanate de baryum (BaTiO3). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être un modulateur à effet Pockels. Selon un septième exemple, la couche 301 est un empilement à puits quantiques multiples, ou empilement MQW (de l'anglais Multiple Quantum Wells). Selon un exemple, un tel empilement peut comprendre des couches en des matériaux compris dans le groupe suivant: le phosphure d'indium (InP), le phosphure d'indium (InP) dopé, par exemple dopé de type N ou de type P, l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), l'arséniure de gallium-indium (InGaAs) dopé, par exemple dopé de type N ou dopé de type P, l'arséniure d'aluminium-indium-gallium (AlInGaAs), l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), et le phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être un laser. Le composant photonique 300 peut comprend, en outre, une ou plusieurs reprises de contact 302 et/ou 303 permettant d'établir un contact électrique avec la couche 301. Selon un mode de réalisation, les reprises de contact 302 et/ou 303 sont formés de la même façon que la reprise de contact formé par les conducteurs 111 et 112 et le contact 113. Le procédé de fabrication du composant photonique 300 est similaire au procédé de fabrication du composant photonique 300, mais comprend, en outre, une étape de formation de la couche 301 et, si nécessaire, de gravure ou de structuration de la couche 301 entre l'étape décrite en relation avec la FIG. 6 et l'étape décrite en relation avec la FIG. 7 . Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé de fabrication d'un dispositif photonique (100 ; 300) comprenant les étapes successives suivantes : - former sur un premier substrat (201) au moins un niveau de métallisation (202 ; 103), et une première couche d'accroche (206 ; 104) ; - former sur un deuxième substrat à haute résistivité (209 ; 101) une deuxième couche d'accroche (208 ; 103) adaptée à coopérer avec la première couche d'accroche (206 ; 104) ; - fixer la première couche d'accroche (206 ; 104) à la deuxième couche d'accroche (208 ; 103) ; - retirer le premier substrat (201) ; et - former un premier composant optique (108) sur une première face (203) dudit au moins un niveau de métallisation (202 ; 105) opposée à une deuxième surface dudit au moins un niveau de métallisation (202 ; 105) en contact avec ladite première couche d'accroche (206 ; 104), dans lequel une somme des épaisseurs desdits première et deuxième couches d'accroche (206, 208 ; 104, 103) et de l'épaisseur dudit au moins un niveau de métallisation est supérieure (202 ; 105) à 3 µm. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite somme est supérieure à 4 µm. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première couche d'accroche (206 ; 104) est en oxyde de silicium, et la deuxième couche d'accroche (208 ; 103) est en oxyde de silicium. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le deuxième substrat à haute résistivité (209 ; 101) est un substrat semiconducteur. Procédé selon l'une des revendication 1 à 4, dans lequel le deuxième substrat à haute résistivité (209 ; 101) a une résistivité supérieure à 500 Ohm.cm. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le deuxième substrat à haute résistivité (209 ; 101) a une résistivité supérieure à 700 Ohm.cm. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le premier composant optique (108) est un guide d'onde, ou un guide d'onde (108) adapté à être relié à une fibre optique, ou un guide d'onde (108) adapté à être relié à une fibre optique à large bande. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel ledit au moins niveau de métallisation comprend au moins un premier composant (204 ; 106) électronique, optique, ou optoélectronique. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel ledit au moins niveau de métallisation est adapté à être relié électriquement par un via (203 traversant une couche (210) dans laquelle est formé ledit premier composant optique (108). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant, pendant l'étape de formation du premier composant, une étape de formation d'une troisième couche sur ladite première face (203) dudit au moins un niveau de métallisation (202 ; 105). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la troisième couche est en un matériau choisi dans le groupe comprenant : le phosphure d'indium (InP), un matériau comprenant du phosphure d'indium (InP), l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), un matériau comprenant de l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), l'arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs), un matériau comprenant de l'arséniure de gallium-alumunium (AlGaAs), le phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP), un matériau comprenant du phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP), le niobate de lithium (LiNbO3), un matériau comprenant du niobate de lithium (LiNbO3), le titanate de baryum (BaTiO3), un matériau comprenant du titanate de baryum (BaTiO3), ou la troisième couche est un empilement à puits quantiques multiples, comprenant des couches en des matériaux compris dans le groupe suivant: le phosphure d'indium (InP), le phosphure d'indium (InP) dopé, par exemple dopé de type N ou de type P, l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), l'arséniure de gallium-indium (InGaAs) dopé, par exemple dopé de type N ou dopé de type P, l'arséniure d'aluminium-indium-gallium (AlInGaAs), l'arséniure de gallium-indium (InGaAs), et le phosphure d'arséniure de gallium-indium (InGaAsP). Dans ce cas, le composant photonique 300 peut être un laser. Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le premier composant est choisi dans le groupe comprenant : un modulateur à condensateur semiconducteur-isolant-semiconducteur, une photodiode, un phototransistor, un laser, et un modulateur à effet Pockels. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel ledit au moins un niveau de métallisation est formé sur une face avant dudit premier substrat. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel au moins un deuxième composant optique est formé sur une face arrière dudit deuxième substrat (101). Procédé selon la revendication 14, dans lequel ledit au moins un deuxième composant optique est un guide d'onde. Dispositif photonique (100) comprenant un premier composant optique (108) disposé sur un empilement comprenant successivement : - première surface (203) d'au moins un niveau de métallisation (202 105) ; - une première couche d'accroche (206 104) ; - une deuxième couche d'accroche (208 ; 103) ; et - un deuxième substrat à haute résistivité (209 ; 101), dans lequel une somme des épaisseurs desdits première et deuxième couches d'accroche (206, 208 ; 104, 103) et de l'épaisseur dudit au moins un niveau de métallisation est supérieure (202 ; 105) à 3 µm. Dispositif selon la revendication 16, dans lequel ladite somme est de l'ordre de 4 µm. Dispositif selon la revendication 16 ou 17, dans lequel ledit deuxième substrat a haute résistivité ayant une résistivité supérieure à 500 Ohm.cm. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 16 à 18, dans lequel ledit premier composant optique est un guide d'onde. Dispositif photonique selon l'une quelconque des revendications 16 à 19, obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 16 à 20, dans lequel ledit au moins une niveau de métallisation est formé sur une face avant dudit premier substrat. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 16 à 21, dans lequel au moins un deuxième composant optique est formé sur une face arrière dudit deuxième substrat (101). Dispositif selon la revendication 22, dans lequel ledit au moins un deuxième composant optique est un guide d'onde.