FR 3162108 A1 20251114 FR 2404853 A 20240511 L’invention concerne un dispositif à ondes élastiques dans le domaine des composants à base d’ondes élastiques pour des domaines tels que la télécommunication. Le dispositif de l’invention comprend un premier dispositif électromécanique, en particulier un transducteur 3 et un deuxième dispositif électromécanique, en particulier un transducteur 5, un réseau d’au moins une électrode 4000 situé entre le premier transducteur 3 et le deuxième transducteur 5 dans la direction de propagation des ondes élastiques, dont au moins une électrode du réseau est reliée à un potentiel électrique prédéterminé 1005, 2005, 3005 via une impédance modifiable 1003, 2003, 3003, et un moyen de commande 1007, 2007, 3007 pour modifier l’impédance modifiable 1003, 2003, 3003. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Dispositif à ondes élastiques L’invention concerne un dispositif à ondes élastiques dans le domaine des composants pour télécommunication à base d’ondes élastiques, en particulier de surface, dénommées SAW en anglais pour « Surface Acoustic Wave ». Les dispositifs utilisant des ondes élastiques de surface ont récemment vu leurs emplois sensiblement augmenter et ce, pour diverses applications telles que le filtrage, la manipulation et le traitement de signaux ou encore le sondage. Un tel dispositif comprenant deux transducteurs et un réseau d’électrodes est décrit dans EP 3 599 720 A1. Dans le contexte des télécommunications, de nombreuses bandes de radiofréquences (RF) sont utilisées afin de recevoir et de transmettre des informations. Chaque bande RF définit un canal auquel il est nécessaire d’appliquer des opérations de filtrage afin de traiter, manipuler ou encore emmagasiner l’information. Dans ce contexte, l’industrie requiert donc des filtres avec autant de fréquences propres qu’il y a de bandes RF à traiter. Il est, de plus, requis de pouvoir passer d’une bande RF à une autre dans un seul et même dispositif. Habituellement, chaque dispositif à ondes élastiques possède une plage fréquentielle de fonctionnement restreinte qui dépend de la géométrie, de la conception, ou encore des matériaux du dispositif à ondes élastiques et une fois le dispositif conçu, sa plage fréquentielle est alors déterminée et définitivement fixée. Cette caractéristique intrinsèque contraignante des dispositifs SAW oblige donc à utiliser autant de dispositifs à ondes élastiques différents qu’il y a de bandes RF différentes à traiter. Lorsque de nombreuses bandes RF doivent être traitées, les dispositifs à ondes élastiques habituels nécessaires pour le traitement des différentes bandes RF impliquent des problématiques pécuniaires, le coût total élevé, ainsi que géométriques, un volume total nécessaire important. La présente invention vise à réduire les inconvénients cités au-dessus en proposant un dispositif à ondes élastiques capable d’ajuster sa fréquence propre de fonctionnement et nécessitant un nombre limité de composants et de connectiques pour ce faire. L’objet de l’invention est atteint grâce à un dispositif à ondes élastiques comprenant un premier dispositif électromécanique, en particulier un premier transducteur et un deuxième dispositif électromécanique, en particulier un deuxième transducteur ou un réseau d’électrodes configurées pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques émises par le premier dispositif électromécanique, un réseau d’au moins une électrode situé entre le premier dispositif électromécanique et le deuxième élément électromécanique dans la direction de propagation des ondes élastiques, dont au moins une électrode du réseau est reliée à un potentiel électrique prédéterminé via une impédance modifiable, et un moyen de commande pour modifier l’impédance modifiable. Dans le contexte de l’invention, un réseau d’électrode peut être réalisé avec seulement une électrode ou avec une pluralité d’électrode. Le dispositif ainsi décrit peut faire varier sa plage de fonctionnement sans qu’il soit nécessaire de modifier le dispositif, par exemple en y ajoutant ou en y retirant des composants. Grâce à au moins un réseau d’électrodes connecté à une impédance variable et à leur moyen de commande, le tout relié à un potentiel électrique prédéterminé, en particulier la masse, il est possible de modifier et de sélectionner la bande passante de fonctionnement du dispositif sans modifier la géométrie et ce, après fabrication du dispositif et même en fonctionnement. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’impédance modifiable peut comprendre une capacité modifiable, en particulier, la capacité variable permet au réseau d’au moins une électrode auquel elle est connectée de pouvoir passer d’une configuration correspondant à un circuit ouvert (CO), autrement dit une connexion flottante donc une capacité de couplage faible, à une configuration correspondant à une connexion en court-circuit (CC), autrement dit une connexion avec un potentiel électrique prédéterminé comme par exemple la masse et donc avec une capacité de couplage élevée. En utilisant une impédance comprenant une capacité modifiable, la phase des ondes élastiques traversant l’espace entre les deux transducteurs peut être modifiée, ce qui entraîne un changement de la position de la bande passante. En particulier, en passant de la configuration CO à la configuration CC, la bande passante du dispositif peut alors passer de façon continue d’une plage de fréquences hautes à une plage de fréquences basses. Dans une configuration alternative de l’invention, l’impédance modifiable peut comprendre une inductance modifiable, en particulier, elle permet au réseau d’au moins une électrode auquel elle est connectée de pouvoir passer d’une configuration correspondant à une connexion ouverte (CO) à une configuration correspond à une connexion avec le potentiel électrique prédéterminé, en court-circuit (CC). En utilisant une impédance comprenant une inductance modifiable, il devient également possible de changer les plages de fréquence de fonctionnement toutefois sans atteindre la plage entre la fréquence haute obtenue pour la configuration CO et la fréquence basse obtenu pour la configuration CC. Et notamment, en combinaison avec une capacité modifiable, la bande passante de fonctionnement peut être élargie. Les fréquences comprises entre les fréquences des configurations CC et CO ne sont, en principe, pas atteignables avec une inductance seule. Alors que dans le cas d’une impédance comprenant une capacité seules ces fréquences sont atteignables. En utilisant une charge capacitive modifiable et une inductance modifiable, il devient donc possible d’obtenir une plus grande agilité du dispositif car la fréquence de fonctionnement peut être située entre la fréquence basse (CC) et la fréquence haute (CO) ainsi qu’en-deçà de la fréquence basse (CC) ou au-delà de la fréquence haute (CO). Dans une configuration alternative de l’invention, le moyen de commande pour modifier l’impédance variable peut être configuré pour ouvrir ou fermer une connexion électrique entre l’au moins une électrode et un potentiel électrique prédéterminé, en particulier la masse. En particulier, plusieurs ou toutes les électrodes peuvent être configurées de cette manière. Ainsi on peut obtenir et maîtriser, en particulier piloter, l’agilité avec l’utilisation d’un simple commutateur. Ceci est techniquement plus simple à réaliser au niveau de sa fabrication. Dans une configuration alternative de l’invention, le réseau d’au moins une électrode peut comprendre plusieurs électrodes, en particulier en forme de bandes parallèles dont plusieurs des électrodes ont des impédances modifiables, en particulier, chacune des électrodes peut être connectée à une impédance modifiable distincte. Le nombre de bandes parallèles modifie l’agilité fréquentielle du dispositif, en particulier, l’étendue de la gamme des fréquences accessibles du dispositif. Ainsi on peut encore mieux adapter l’agilité du dispositif en fonction des critères de fonctionnement souhaités pour un cas précis. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, les électrodes d’un premier sous-ensemble d’électrodes peuvent être reliées à la même impédance modifiable. Ce mode de réalisation du dispositif permet d’obtenir une commande de la bande passante de fonctionnement et de l’agilité fréquentielle avec un nombre réduit de connexions permettant une modification de l’impédance réduit. Ceci simplifie le design du dispositif. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, le réseau d’électrodes peut être configuré pour changer la phase des ondes élastiques et/ou configuré pour réfléchir au moins partiellement celles-ci. L’introduction d’un réseau d’électrodes configurées pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques crée des cavités résonnantes, ce qui permet, notamment, de réduire la largeur en fréquence de la transition entre la bande passante du dispositif et la bande de rejet fréquentielle qui correspond à l’ensemble des fréquences non comprises dans la bande de passante de fonctionnement du dispositif. La personne du métier saura, selon la situation, comment définir les extrémités de la bande passante et de la bande de rejet. La transition entre la bande passante et la bande de rejet est appelé bande de transition. On parle de la largeur fréquentielle de la bande de transition quand l’atténuation du signal transmis passe du minimum de pertes d’insertion du dispositif à cette même valeur plus 30 dB, 40 dB ou 50 dB selon les spécifications du dispositif. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, les électrodes d’un deuxième sous-ensemble d’électrodes peuvent être également reliées entre elles avec un potentiel électrique flottant ou reliées à un potentiel électrique prédéterminé, en particulier la masse. Cette configuration du dispositif permet par exemple de réaliser un miroir pour les ondes élastiques dont l’étendue spectrale de la fonction de réflexion varie selon les conditions de connexion. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, le premier sous-ensemble et le deuxième sous-ensemble peuvent être arrangés de manière à ce que les électrodes du premier sous-ensemble et celles du deuxième sous-ensemble soient inter-digitées les unes par rapport aux autres. Cette disposition des électrodes permet de réaliser un coupleur à gap (CG) qui permet de changer la phase du dispositif. L’agilité fréquentielle potentiellement atteignable par le dispositif peut dépendre du nombre de doigts constituant les deux réseaux d’électrodes inter-digités et, notamment, en augmentant le nombre de paires de doigts des sous-ensembles inter-digités, il est possible d’élargir la gamme fréquentielle de l’agilité fréquentielle du dispositif. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, une pluralité de réseaux d’électrodes peut être comprise entre le premier dispositif électromécanique, en particulier un transducteur et le deuxième dispositif électromécanique, en particulier un transducteur, les réseaux étant séparés les uns des autres par des espaces de propagation libres et/ou métallisés, de préférence les distances entre deux réseaux d’électrodes voisins sont les mêmes. En particulier, en introduisant davantage de réseaux d’électrodes configurés pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques, le nombre de cavités dans le dispositif est alors augmenté, permettant ainsi de modifier et notamment, de réduire la largeur en fréquence de la transition entre la bande passante du dispositif et la bande de rejet fréquentielle. De plus, en ajustant la distance entre les réseaux d’électrodes voisins, il devient possible d’obtenir des quadratures de phase entre les ondes élastiques se propageant dans les cavités situées dans l’espace entre les deux transducteurs et celles provenant des transducteurs, cela permet notamment d’augmenter le coefficient de couplage électromécanique. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, la distance entre le premier dispositif électromécanique, en particulier un transducteur, et le réseau d’électrodes directement voisin et la distance entre le deuxième dispositif électromécanique, en particulier un transducteur, et le réseau d’électrodes directement voisin peuvent être les mêmes et en particulier, être égales à la distance entre deux réseaux d’électrodes voisins. Cette disposition peut ainsi améliorer les conditions de résonances du dispositif et par conséquent les performances de couplage du dispositif à ondes élastiques. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, un nombre pair de réseaux configurés pour changer la phase des ondes élastiques peut être compris dans l’espace entre les transducteurs et, entre chacune de ces paires, un réseau configuré pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques peut être intercalé. En particulier, le réseau configuré pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques peut être un miroir de Bragg disposé de telle manière à former deux cavités résonnantes, situées de part et d’autre de ce miroir de Bragg ou de la structure réfléchissante, ce qui peut permettre d’obtenir la quadrature de phase des ondes élastiques entre l’espace situé entre les transducteurs et la/les structures réfléchissantes. Augmenter le nombre de paires de réseaux d’électrodes configurés pour changer la phase avec à chaque fois, ou non, un réseau d’électrodes configuré pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques permet d’augmenter le nombre de cavités résonnantes du dispositif et en particulier, d’à la fois réduire la largeur en fréquence de la transition entre la bande passante du dispositif et la bande de rejet fréquentielle et d’augmenter la largeur de la bande de passante de fonctionnement du dispositif. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, le premier et le deuxième transducteur peuvent être disposés au-dessus ou dans un substrat piézoélectrique, en particulier, un substrat composite comprenant un substrat de base et une couche piézoélectrique, dans laquelle l'épaisseur de la couche piézoélectrique est inférieure ou égale à 1,5 λ, avec λ est la longueur d'onde du mode fondamental des ondes élastiques de surface. En utilisant un substrat composite conçu à cet effet, il est possible de guider les ondes de cisaillement qui permettent d’obtenir un couplage électromécanique plus élevé entre les ondes élastiques et les éléments électromécaniques du dispositif. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, une couche diélectrique et/ou une couche de piégeage et/ou un miroir de Bragg peuvent être comprises entre le substrat de base et la couche piézoélectrique. Cette couche riche en pièges de charges électriques améliore les propriétés isolantes du substrat de base et par conséquent, les performances du dispositif. Dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, la polarisation des ondes élastiques peut correspondre à une onde de cisaillement guidée ou une onde longitudinale guidée à l'intérieur de la couche piézoélectrique. En particulier, l’épaisseur de la couche piézoélectrique permet d’influer sur l’efficacité du guidage des ondes de cisaillement ou des ondes longitudinales. Notamment, une couche piézoélectrique avec une épaisseur inférieure à la longueur d’onde de l’onde élastique permet d’améliorer le guidage des modes de cisaillement et longitudinaux des ondes élastiques ainsi que diminuer les pertes d’énergie par rayonnement acoustique dans le substrat composite. L’utilisation de ces modes de l’onde élastique permet d’améliorer les performances du dispositif élastique, en particulier, des pertes d’énergies minimisées dans la bande passante lorsqu’il s’agit d’un filtre de bande. L’invention sera mieux comprise et d’autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre non limitatif, et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : La FIG. 1 est un schéma illustrant un dispositif à ondes élastiques selon un premier mode de réalisation de l’invention. La FIG. 2 illustre un dispositif à ondes élastiques selon un deuxième mode de réalisation dans lequel l’espace entre les deux transducteurs ne comprend qu’une unique électrode reliée à une impédance variable ainsi qu’à son moyen de contrôle et le tout, connecté à un potentiel électrique prédéterminé. La FIG. 3 illustre un dispositif à ondes élastiques selon un troisième mode de réalisation dans lequel l’espace entre les deux transducteurs comprend un réseau d’électrodes formé par deux peignes interdigités. La FIG. 4 illustre une représentation graphique du gain en décibels de la fonction de transfert du dispositif selon le troisième mode de réalisation, qui, dans le cas présent, possède une impédance modifiable comprenant une capacité modifiable, en fonction de la valeur de la capacité modifiable. La FIG. 5 illustre une représentation graphique du gain en décibels de la fonction de transfert du dispositif selon le troisième mode de réalisation, qui, dans le cas présent, possède une impédance modifiable comprenant une inductance modifiable, en fonction de la valeur de l’inductance modifiable. La FIG. 6 illustre un dispositif à ondes élastiques selon un quatrième mode de réalisation dans lequel l’espace entre les deux transducteurs comprend trois réseaux d’électrodes, dont deux sont configurés afin de permettre la continuité du guidage entre les cavités résonnantes avoisinantes avec un faible niveau de réflexion des ondes élastiques. La FIG. 7 illustre une représentation graphique du gain en décibels de la fonction de transfert du dispositif selon le quatrième mode de réalisation, qui, dans le cas présent, possède une impédance modifiable comprenant une inductance modifiable et une capacité modifiable, en fonction de la valeur de la capacité modifiable. La FIG. 8 illustre une représentation graphique du gain en décibels de la fonction de transfert du dispositif selon le quatrième mode de réalisation, qui, dans le cas présent, possède une impédance modifiable comprenant une inductance modifiable et une capacité modifiable, en fonction de la valeur de l’inductance modifiable. La FIG. 9 illustre un dispositif à ondes élastiques selon un cinquième mode de réalisation dans lequel l’espace entre les deux transducteurs comprend trois réseaux d’électrodes, dont deux sont configurés pour transmettre sans toutefois réfléchir les ondes élastiques. La FIG. 10 illustre un dispositif à ondes élastiques selon un sixième mode de réalisation dans lequel l’espace entre les deux transducteurs comprend cinq réseaux d’électrodes, dont trois sont configurés pour transmettre principalement sans toutefois réfléchir les ondes élastiques, contrairement aux deux autres qui sont configurés pour réfléchir principalement les ondes élastiques et sont intercalés entre chacun des trois précédents réseaux. L'invention va être décrite plus en détail en utilisant des modes de réalisation avantageux, à titre d’exemple et par référence aux dessins. Les modes de réalisation décrits sont simplement des configurations possibles de sorte que les caractéristiques individuelles telles que décrites peuvent être fournies indépendamment les unes des autres ou peuvent être omises lors de la mise en œuvre de la présente invention. La FIG. 1 montre le dispositif à ondes élastiques 100 tel que décrit dans un premier mode de réalisation de l’invention. Le dispositif à ondes élastiques 100 représente un résonateur à double ports qui peut être utilisé en tant que filtre. Le dispositif à ondes élastiques 100 comprend un premier dispositif électromécanique, en particulier ici un premier transducteur 3 formant un premier port et un deuxième dispositif électromécanique, en particulier ici un deuxième transducteur 5 formant un deuxième port, qui peut dans des modes de réalisations alternatifs être un réseau d’électrodes configurées pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques émises par le premier dispositif électromécanique 3. Le dispositif 100 comprend de plus un réseau 4000 d’au moins une électrode 1000, 2000, 3000 situé entre le premier transducteur 3 et le deuxième transducteur 5 dans la direction de propagation des ondes élastiques, dont au moins une électrode du réseau est reliée à un potentiel électrique prédéterminé 1005, 2005, 3005 via une impédance modifiable 1003, 2003, 3003, et un moyen de commande 1007, 2007, 3007 pour modifier l’impédance modifiable, le tout, disposé sur un substrat piézoélectrique 9. Dans ce premier mode de réalisation le substrat piézoélectrique peut être un substrat composite comprenant une couche piézoélectrique 11 dont les axes cristallographiques sont X, Y et Z, une couche diélectrique 13 et un substrat de base 15. Dans ce mode de réalisation, la couche piézoélectrique 11 est du LiTaO 3 ou encore du LiNbO 3 . En particulier, en utilisant les standards IEEE 1949 Std-176, les orientations de la coupe cristallographique de la couche piézoélectrique sont définies par (YX l )/θ, avec θ l’angle d’orientation cristallographique correspondant à une rotation autour de l’axe cristallin X compris entre 0 et 60 degrés ou entre 90 et 150 degrés. La couche piézoélectrique 11 peut également être constituée de niobate de potassium KNbO 3, ou de tout autre matériaux à la composition similaire tels que le KTN. Il est également possible que la couche piézoélectrique 11 utilise un film épitaxial ou pulvérisé de, par exemple, nitrure d’aluminium AlN, de nitrure d’aluminium dopé au scandium AlScN, d’oxyde de zinc ZnO, de PZT, de GaN, ou encore de tout autre composition de AlN et de GaN. L’épaisseur de la couche piézoélectrique 11 est de l’ordre de grandeur de la longueur d’onde λ des ondes élastiques ou inférieure, en particulier, elle peut être d’environ 10 microns ou moins, notamment comprise entre 1 et 10 microns. L’épaisseur du substrat de base 15 est supérieure à celle de la couche piézoélectrique 11. De préférence, l’épaisseur du substrat de base 15 est au moins dix fois plus grande que l’épaisseur de la couche piézoélectrique 11. En particulier, elle peut être 50 à 100 fois plus grande, ce qui correspond à un substrat de base ayant une épaisseur de 50 à 1000 microns. L’épaisseur du substrat peut en particulier avoir une épaisseur de 100 microns à 500 microns. Le substrat de base 15 utilisé dans le premier mode de réalisation de l’invention est un substrat en silicium, en particulier, un substrat en silicium à haute résistivité électrique. Par haute résistivité électrique, il faut entendre une résistivité électrique excédant les 1000 Ω.cm. De préférence le silicium est sous forme cristalline avec une orientation du substrat de préférence dans la direction (100). Cette orientation permet d’avoir une vitesse de propagation des ondes élastiques supérieures à celles obtenues dans les autres orientations cristallographiques comme par exemple (110), (111) ou encore (001) qui peuvent toutefois également être utilisées. En effet, le choix du substrat s’effectue en tenant compte de la vitesse au-delà de laquelle les ondes élastiques ne sont plus guidées par la surface du silicium. Celle-ci doit donc être supérieure à la vitesse du mode correspondant à la condition d’anti-résonance mais suffisamment proche de celle-ci pour ne pas favoriser l’excitation d’autres modes qui dégraderaient alors la pureté spectrale de la réponse du dispositif. Ainsi, les axes cristallographiques Z du substrat et de la couche piézoélectrique selon lesquels les méplats respectifs sont définis peuvent être idéalement alignés dans le cas du silicium (111) ou désorientés de 45° pour le silicium (100) ou (111) pour limiter les contributions des modes parasites au-delà de la fréquence d’anti-résonance du mode fondamental. Le substrat de base 15 peut être constitué ou comprendre d’autres matériaux, permettant notamment d’avoir une vitesse de propagation des ondes élastiques supérieures à celle des ondes élastiques se propageant dans la couche piézoélectrique 11. En particulier, le substrat de base peut être constitué ou comprendre du carbone-diamant, du saphir ou du carbure de silicium. Le substrat de base 15 peut comprendre une couche de piégeage, en particulier située entre la couche diélectrique 13 et le substrat de base 15, ce qui permet d’améliorer les performances d’isolation électrique du substrat de base 15. Cette couche de piégeage peut être formée d’au moins un matériau polycristallin, amorphe ou poreux comme par exemple du silicium polycristallin, du silicium amorphe ou du silicium poreux. L’invention n’est toutefois pas limitée à ces matériaux. Dans des modes de réalisations alternatifs, le substrat de base 15 peut comprendre un miroir de Bragg, situé entre la couche piézoélectrique 11 et le substrat de base 15. Ce miroir de Bragg consiste en un empilement de couches alternant périodiquement l’impédance acoustique du milieu, impédance acoustique qui est définie comme étant le produit de la vitesse de propagation de l’onde élastique et de la densité du matériau dans lequel l’onde se propage, le tout exprimé en Rayleigh, ou de préférence en MRayleigh, id est 10 6 Rayleigh. Cet empilement de couches formant le miroir de Bragg peut être composé d’un empilement de couches alternant par exemple du Tungstène et de la silice, ou du Si 3 N 4 et du SiO 2 , ou encore du Mo et du Al. Et plus généralement, tout couple de matériaux possédant un ratio d’impédance acoustique supérieur à 2 peut être utilisé. La couche inférieure peut être composée de silicium standard, de silicium à haute résistivité électrique, du verre ou encore plus généralement, tout matériau présentant un coefficient d’expansion thermique inférieur à 6 ppm.K -1 . Il est également possible que l’empilement puisse comprendre une couche de piégeage afin d’améliorer les propriétés isolantes. La couche diélectrique 13 en FIG. 1 , formée d’une fine couche de SiO 2 d’une épaisseur de 200 nm, est située à l’interface de la couche piézoélectrique 11 et du substrat de base 15. Toutefois, l’épaisseur de la couche diélectrique 13 peut être inférieure ou supérieure à 200 nm et en particulier, elle peut varier entre 10 nm et 6 microns. Comme mentionné ci-dessus, le dispositif à ondes élastiques 100 comprend les deux transducteurs électromécaniques 3, 5 et le réseau 4000 d’électrodes 1000, 2000, 3000 situé entre les deux transducteurs 3 et 5. Le réseau 4000 d’électrodes 1000, 2000, 3000 est distant d’une certaine distance d 1 du premier transducteur 3, et d’une certaine distance d 2 du deuxième transducteur 5, comme visible sur la FIG. 1 . Les trois éléments électromécaniques 3, 5 et 4000 sont disposés dans le plan (ZX) et orientés de manière à ce que leurs électrodes 311, 313, 315, 331, 333, 335, 511, 513, 515, 531, 533, 535, 1001, 2001, 3001 en forme de bandes parallèles soient perpendiculaires à l’axe X de propagation des ondes élastiques. Les espaces 17 et 19 respectivement situés entre le transducteur 3 et 4000 et entre le transducteur 5 et le réseau d’électrodes 4000, ont respectivement une largeur d 1 et d 2 . Ces espaces forment des cavités résonnantes dans la direction X de propagation des ondes élastiques. Dans des modes de réalisation alternatifs de l’invention, le dispositif 100 peut comprendre une seule ou de multiples cavités résonnantes, en particulier plus que deux. Dans le cas de la configuration présentée dans la FIG. 1 , deux cavités résonnantes sont présentes, avec, en particulier, les mêmes distances d 1 et d 2 pour les deux espaces 17 et 19. Selon des alternatives, les distances d 1 et d 2 peuvent être différentes l’une par rapport à l’autre. Dans la FIG. 1 , le réseau d’électrodes 4000 est formé de trois électrodes interdigitées 1000, 2000 et 3000. Chacune des trois électrodes 1000, 2000, 3000 est formées d’une extrémité rectiligne 1001, 2001, 3001. Toutefois, le nombre d’électrodes du réseau 4000 n’est pas limité à trois, en particulier, il peut être inférieur ou supérieur à trois, en particulier, il peut être égal à 1. Le réseau 4000 ainsi que ses électrodes 1000, 2000, 3000 sont formés d’un matériau à base d’aluminium comme par exemple de l’aluminium pur ou encore un alliage d’aluminium comme du Al dopé en Cu, Si ou Ti. Néanmoins, d’autres matériaux peuvent être utilisés, notamment ceux permettant d’obtenir un coefficient de réflexion élevé pour une épaisseur d’électrode relativement faible. Par exemple, des matériaux tels que le cuivre, le molybdène, le nickel, le platine, ou l’or peuvent être utilisés. Le réseau 4000 ainsi que ses électrodes 1000, 2000, 3000 peuvent également comprendre une couche d’adhérence faite, par exemple, de titane, de tantale, de chrome, de zirconium, de palladium, d’iridium, de tungstène, etc.. Cette composition des électrodes et des peignes concerne également celle des transducteurs 3 et 5. Le réseau 4000 ainsi que ses électrodes 1000, 2000, 3000 sont également définis par le pas p entre deux électrodes interdigitées consécutives, comme par exemple la distance séparant les électrodes 1001 et 2001. Ce pas p peut notamment être défini par la condition de Bragg qui stipule que p = λ/2 , avec λ la longueur d’onde des ondes élastiques de fonctionnement du dispositif. Il est également possible de créer des cavités résonnantes en faisant varier la distance entre deux électrodes interdigitées consécutives, qui peut, en particulier, ne pas être la même partout dans une même structure comprenant plusieurs électrodes, ou encore par exemple, deux peignes interdigités. Les électrodes sont également définies par la longueur l de leur extrémité rectiligne ainsi que la largeur de celle-ci, notée a dans la FIG. 1 . Il est en particulier possible de modifier les valeurs de a , l et p de manière à obtenir le coefficient de couplage électromécanique désiré. Dans le mode de réalisation de l’invention présenté en FIG. 1 , les électrodes 1000, 2000, 3000 du réseau d’électrodes 4000 sont chacune reliées à un potentiel électrique prédéterminé, respectivement ici les potentiels électriques prédéterminés 1005, 2005 et 3005. Les potentiels 1005, 2005 et 3005 peuvent être les mêmes, en particulier un seul et même potentiel électrique, notamment ce potentiel de référence peut être la masse. Dans une alternative les potentiels 1005, 2005 et 3005 peuvent être différents. Les électrodes 1000, 2000, 3000 du réseau d’électrodes 4000 sont chacune respectivement reliées à une impédance modifiable 1003, 2003, 3003. Dans des modes de réalisation alternatifs de l’invention, il est possible qu’une ou plusieurs des électrodes 1000, 2000, 3000 ne soient pas reliées à une impédance modifiable. En particulier, il est possible, et suffisant pour obtenir l’agilité fréquentielle recherchée, que seule une unique électrode soit reliée à une impédance modifiable. Selon l’invention, le dispositif à ondes élastiques 100 comprend de plus des moyens de commande 1007, 207, 3007 respectivement connectés aux impédances modifiables 1003, 2003, 3003, et permet de commander et modifier, notamment à distance, la valeur des impédances modifiables 1003, 2003, 3003 pendant le fonctionnement, ou non, du dispositif à ondes élastiques 100. L’impédance peut par exemple être un varicap qui peut être commande par la tension appliquée aux bornes du varicap par un générateur de tension variable. Dans une variante de l’invention, les électrodes 1000, 2000, 3000 du réseau 4000 peuvent être chacune reliées à une deuxième impédance modifiable qui peut être modifiée par leur moyen respectif de commande 1007, 2007, 3007. Dans le mode de réalisation de l’invention proposé et représenté en FIG. 1 , les transducteurs 3 et 5 sont tous les deux composés de deux peignes d’électrodes interdigitées, respectivement 31 et 33 pour le transducteur 3, et, 51 et 53 pour le transducteur 5. Chacun de ces quatre peignes est formé de trois électrodes reliées entre elles, 311, 313, 315, 331, 333 et 335 pour le transducteur 3, et, 511, 513, 515, 531, 533 et 535 pour le transducteur 5. Toutefois, le nombre d’électrodes de chacun des peignes n’est pas limité à trois, en particulier, il peut être inférieur ou supérieur ainsi que ne pas être le même dans les deux peignes 31 et 33 respectivement 51 et 55. Pour chacun des deux transducteurs 3 et 5, seul un des deux peignes, en l’occurrence le peigne 33 pour le transducteur 3 et le peigne 53 pour le transducteur 5, est connecté à un potentiel électrique prédéterminé, respectivement 301 et 501. Le peigne 31 est connecté à une charge d’entrée 303 et le peigne 51 à une charge de sortie 503. Dans ce mode de réalisation de l’invention, le pas entre deux électrodes interdigitées consécutives p , la largeur a et la longueur l des électrodes sont les mêmes dans les deux transducteurs 3 et 5 ainsi que dans le réseau d’électrodes 4000. Toutefois, dans des modes de réalisations alternatifs de l’invention, ces paramètres peuvent être différents, en particulier, ils peuvent être les mêmes dans les deux transducteurs 3 et 5 mais différents dans le réseau d’électrodes 4000. La variation de la valeur d’au moins une des impédances modifiables 1003, 2003, 3003 permet de pouvoir modifier les conditions de réflexion du réseau d’électrodes 4000 et donc, d’accorder la fréquence de fonctionnement du dispositif 100. En particulier, les impédances modifiables 1003, 2003, 3003 peuvent comprendre une capacité et/ou une inductance. Toutefois, dans des modes de réalisations alternatifs de l’invention, il est également possible que deux électrodes, par exemple 1000 et 2000, soient reliées à une même impédance modifiable. En connectant les électrodes 1000, 2000, 3000 à leur impédance modifiable respective 1003, 2003, 3003, il devient possible, notamment grâce aux moyens de commande 1007, 2007, 3007 auxquels sont connectées les impédances modifiables 1003, 2003, 3003, de modifier ainsi que de faire varier, en particulier lors du fonctionnement du dispositif 100, les charges d’impédances des impédances modifiables et par conséquent, les conditions électriques du réseau d’électrodes 4000. Cela permet de modifier la bande passante de fonctionnement du dispositif électromécanique 100, même après sa conception et sa fabrication. Selon l’invention, le dispositif 100 est donc agile en fréquence. L’agilité fréquentielle du dispositif à ondes élastiques 100 peut, en particulier, dépendre du nombre d’électrodes constituant le réseau d’électrodes 4000. Notamment, en augmentant le nombre d’électrodes interdigitées dans le réseau 4000, il est possible d’augmenter l’agilité fréquentielle du dispositif à ondes élastiques 100, autrement dit, la plage fréquentielle dans laquelle le dispositif 100 peut avoir sa fréquence de fonctionnement. Dans une alternative les impédances modifiables 1003, 2003, 3003 peuvent être réalisées par un simple commutateur, permettant de passer d’un court-circuit (CC) à un circuit ouvert (CO). Selon une autre réalisation alternative, le deuxième transducteur 5 peut être court-circuité. Ainsi, le dispositif devient un résonateur simple port dont la fréquence de résonance est fixée par les conditions de réflexion de l’ensemble transducteur 5 court-circuité et réseau d’électrodes 4000. En particulier, dans un mode de réalisation alternatif de l’invention, le deuxième transducteur 5 peut être remplacé par un réseau configuré pour réfléchir les ondes élastiques, en particulier, cela peut être un miroir de Bragg. Le dispositif à ondes élastiques ainsi réalisé ne possède alors plus qu’un seul port, le transducteur 3, qui est alors à la fois le port d’entrée et le port de sortie. Selon une réalisation alternative, le dispositif 100 peut être placé entre deux miroirs pour encore mieux confiner l’énergie dans la région des transducteurs et de la cavité centrale. Dans un deuxième mode de réalisation de l’invention, illustré par la FIG. 2 , le dispositif 200 diffère du dispositif 100 illustré en FIG. 1 en ce que le réseau d’électrodes 4000 ne comprend qu’une unique électrode 1000. Dans un troisième mode de réalisation de l’invention, illustré par la FIG. 3 , le dispositif à ondes élastiques 300 diffère de celui illustré en FIG. 1 , 100, en ce que le réseau d’électrodes 4000 est remplacé par un réseau d’électrodes 7 composé de deux peignes d’électrodes interdigitées 71 et 73. Dans la FIG. 3 , le réseau d’électrodes 7 est formé de deux peignes d’électrodes interdigitées 71 et 73. Chacun des deux peignes d’électrodes 71 et 73 est formé de trois électrodes rectilignes, 711, 713 et 715 pour le peigne 71, et, 731, 733 et 735 pour le peigne 73, et à chaque fois reliées entre elles au sein du même peigne. Toutefois, le nombre d’électrodes de chacun des peignes 71 et 73 n’est pas limité à trois, en particulier, il peut être inférieur ou supérieur ainsi que ne pas être le même dans les deux peignes 71 et 73. Les peignes 71 et 73, ainsi que leurs électrodes respectives 711, 713, 715, 731, 733 et 735 sont formés d’un matériau à base d’aluminium comme par exemple de l’aluminium pur ou encore un alliage d’aluminium comme du Al dopé en Cu, Si ou Ti. Néanmoins, d’autres matériaux peuvent être utilisés, notamment ceux permettant d’obtenir un coefficient de réflexion élevé pour une épaisseur d’électrode relativement faible. Par exemple, des matériaux tels que le cuivre, le molybdène, le nickel, le platine, ou l’or peuvent être utilisés. Les peignes 71 et 73 ainsi que leurs électrodes respectives 711, 713, 715, 731, 733 et 735 peuvent également comprendre une couche d’adhérence faite, par exemple, de titane, de tantale, de chrome, de zirconium, de palladium, d’iridium, de tungstène, etc.. Cette composition des électrodes et des peignes concerne également celle des transducteurs 3 et 5. Les peignes d’électrodes interdigitées 71 et 73 sont également définis par le pas p entre deux électrodes interdigitées consécutives provenant chacune de l’un des deux peignes 71 et 73, comme par exemple la distance séparant les électrodes 731 et 711. Ce pas p peut notamment être défini par la condition de Bragg qui stipule que p = λ/2, avec λ la longueur d’onde des ondes élastiques de fonctionnement du dispositif. Il est également possible de créer des cavités résonnantes en faisant varier la distance entre deux électrodes interdigitées consécutives, qui peut, en particulier, ne pas être la même partout dans une même structure comprenant deux peignes interdigités. Les peignes d’électrodes sont également définis par la longueur l de leurs électrodes ainsi que la largeur de leurs électrodes a. Il est, en particulier, possible de modifier les valeurs de a, l et p de manière à obtenir le coefficient de couplage désiré. Dans la FIG. 3 , les peignes 71 et 73 sont configurés de telle manière à ce que le réseau d’électrodes 7 réfléchisse au moins partiellement les ondes élastiques, dits être en configuration coupleur miroir (CM), ce qui permet de modifier la phase de l’onde transmise et celle de l’onde réfléchie. Ces mêmes peignes peuvent également, dans un mode de réalisation alternatif, être configurés pour modifier principalement la phase des ondes élastiques transmises sans avoir pour vocation première la réflexion des ondes. Ils sont alors dits être en configuration de Coupleur à Gap (CG). Dans le mode de réalisation de l’invention présenté en FIG. 3 , le réseau d’électrodes 711, 713 et 715 du peigne 71 est relié à un potentiel électrique prédéterminé, ici la masse 701. Le réseau d’électrodes 731, 733 et 735 formant le peigne 73 est quant à lui relié à une impédance modifiable 703 qui est elle-même connectée à un potentiel électrique prédéterminé, ici la masse 705. Selon l’invention, le dispositif à ondes élastiques 300 comprend de plus un moyen de commande 707 qui est connecté à l’impédance modifiable 703 et permet de commander et modifier, notamment à distance, la valeur de l’impédance modifiable 703 pendant le fonctionnement, ou non, du dispositif à ondes élastiques 300. Dans une variante de l’invention, le réseau d’électrodes 711, 713 et 715 du peigne 71 peut être relié à une deuxième impédance modifiable qui peut être modifiée par le moyen de commande 707. Dans le mode de réalisation de l’invention proposé et représenté en FIG. 3 , les transducteurs 3 et 5 sont tous les deux composés de deux peignes d’électrodes interdigitées, respectivement 31 et 33 pour le transducteur 3, et, 51 et 53 pour le transducteur 5. Chacun de ces quatre peignes est formé, comme pour les peignes 71 et 73, de trois électrodes reliées entre elles, 311, 313, 315, 331, 333 et 335 pour le transducteur 3, et, 511, 513, 515, 531, 533 et 535 pour le transducteur 5. Toutefois, le nombre d’électrodes de chacun des peignes n’est pas limité à trois, en particulier, il peut être inférieur ou supérieur ainsi que ne pas être le même dans les deux peignes 31 et 33 respectivement 51 et 55. Pour chacun des deux transducteurs 3 et 5, seul un des deux peignes, en l’occurrence le peigne 33 pour le transducteur 3 et le peigne 53 pour le transducteur 5, est connecté à un potentiel électrique prédéterminé, respectivement 301 et 501. Le peigne 31 est connecté à une charge d’entrée 303 et le peigne 51 à une charge de sortie 503. Dans ce mode de réalisation de l’invention, le pas entre deux électrodes interdigitées consécutives p , la largeur a et la longueur l des électrodes sont les mêmes dans les deux transducteurs 3 et 5 ainsi que dans le réseau d’électrodes 7. Toutefois, dans des modes de réalisations alternatifs de l’invention, ces paramètres peuvent être différents, en particulier, ils peuvent être les mêmes dans les deux transducteurs 3 et 5 mais différents dans le réseau d’électrodes 7. La variation de la valeur de l’impédance modifiable 703 permet de pouvoir modifier les conditions de réflexion du réseau d’électrodes 7 et donc, d’accorder la fréquence de fonctionnement du dispositif 300. En particulier, l’impédance modifiable 703 peut comprendre une capacité et/ou une inductance. Toutefois, dans des modes de réalisations alternatifs de l’invention, il est possible que seule une partie des électrodes du peigne 73 soit reliée à l’impédance modifiable 703, ou que chacune ou un sous ensemble des électrodes soit relié à une impédance modifiable distincte. Il est également possible que les deux peignes 73 et 71 possèdent des électrodes reliées à des impédances modifiables. En connectant le peigne d’électrodes 73 à l’impédance modifiable 703, il devient possible, notamment grâce au moyen de commande 707 auquel est connectée l’impédance modifiable 703, de modifier ainsi que de faire varier, en particulier lors du fonctionnement du dispositif 100, la charge d’impédance de l’impédance modifiable et par conséquent, les conditions électriques du réseau d’électrodes 7. Cela permet de modifier la bande passante de fonctionnement du dispositif à ondes élastiques 300, même après sa conception et sa fabrication. Selon l’invention, le dispositif est donc agile en fréquence. L’agilité fréquentielle du dispositif à ondes élastiques 300 peut, en particulier, dépendre du nombre d’électrodes constituant les deux peignes 71 et 73 du réseau d’électrodes 7. Notamment, en augmentant le nombre de paires d’électrodes interdigitées dans les peignes 71 et 73, il est possible d’augmenter l’agilité fréquentielle du dispositif à ondes élastiques 300, autrement dit, la plage fréquentielle dans laquelle le dispositif 300 peut avoir sa fréquence de fonctionnement. Dans une alternative l’impédance modifiable 703 peut être réalisée par un simple commutateur, permettant de passer d’un court-circuit (CC) à un circuit ouvert (CO). Selon une autre réalisation alternative, le deuxième transducteur 5 peut être court-circuité. Ainsi, le dispositif devient un résonateur simple port dont la fréquence de résonance est fixée par les conditions de réflexion de l’ensemble transducteur 5 court-circuité et réseau d’électrodes 7. Selon une autre réalisation alternative, le dispositif 300 peut être placé entre deux miroirs pour encore mieux confiner l’énergie. Dans un mode de réalisation de l’invention fondé sur le dispositif 300, illustré par la FIG. 3 , l’impédance modifiable 703 du dispositif à ondes élastiques 300 comprend une capacité modifiable. En faisant varier la charge capacitive de la capacité modifiable, il est possible de faire varier de manière continue la position de la bande passante de fonctionnement du dispositif 300 depuis une fréquence haute jusqu’à une fréquence basse. La fréquence haute correspond à une situation où le peigne d’électrodes 73, auquel est connecté l’impédance modifiable, est une configuration ou au moins s’approche d’une configuration en circuit ouvert CO. La fréquence basse correspond à une situation où le peigne d’électrodes 73, auquel est connecté l’impédance modifiable, est une configuration ou au moins s’approche d’une configuration en court-circuit CC. La FIG. 4 représente des bandes passantes qui ont été simulées grâce à la méthode numérique décrite dans S. Ballandras et al. « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics, 93, 702 (2003) permettant de déterminer les caractéristiques d’un mode se propageant sur un substrat composite de type POI composé d’une couche de LiTaO 3 d’orientation (YX l )/42° de 600 nm d’épaisseur sur une couche de 500 nm d’oxyde de silicium, une couche de poly-silicium d’1µm d’épaisseur, le tout sur un substrat de silicium (100) avec une désorientation de 45° entre la axes Z’ et Z du tantalate de lithium et du silicium respectivement, ces caractéristiques étant ensuite utilisées dans un modèle de matrice mixte pour simuler la réponse du filtre. Ces bandes passantes correspondent à celles d’un dispositif à ondes élastiques comme décrit dans la FIG. 3 , où l’impédance modifiable 703 comprend une capacité variable. Dans cette simulation numérique, le dispositif simulé est similaire à celui représenté en FIG. 3 à ceci près que les transducteurs 3 et 5 possèdent dans la simulation chacun 45 paires de doigts interdigités et le réseau d’électrodes 7 possède cinq paires de doigts interdigités. Le pas p dans les deux transducteurs 3 et 5 simulés est p = 1,202 , et dans le réseau d’électrodes 7 simulé il est de p = 1,13 . Le rapport a/p est égale 0,5. En ordonnées, le module, en décibels de la fonction de transfert S12 du dispositif comme décrit ci-dessus est représenté en fonction de la fréquence passante qui est représentée en MHz en abscisse. Les différentes courbes représentées sur la FIG. 4 correspondent à la fonction de transfert du dispositif pour les différentes valeurs de la capacité variable considérées à chaque fois dans la simulation, en particulier, les valeurs sont ici de 0,001 pF, 0,1 pF, 0,3 pF, 0,6 pF, 1,0 pF, 2,0 pF et 10,0 pF et sont respectivement représentées par les courbes 4b, 4c, 4d, 4e, 4f, 4g et 4h sur la FIG. 4 . Sont également représentés les situations de circuit ouvert CO par la courbe 4a et de court-circuit CC par la courbe 4i. La FIG. 4 met en évidence l’agilité fréquentielle du dispositif comme décrit ci-dessus et dont l’impédance modifiable 703 comprend une capacité modifiable. Ce dispositif est assimilable à celui illustré en FIG. 3 . En modifiant la valeur de la capacité modifiable et donc la valeur de l’impédance modifiable, la bande passante est modifiée, en particulier, sa position centrale varie de 1675 MHz pour le circuit ouvert CO ou 0,001 pF à 1625 MHz pour le court-circuit Pour la valeur la plus faible de la capacité modifiable de 0,001 pF illustrée par la courbe 4b, la bande passante de fonctionnement du dispositif 100 est proche de la bande passante correspondante à celle obtenue si le circuit comprenant l’impédance modifiable 703 était ouvert, représentée par la courbe 4a sur la FIG. 4 . Cette situation définie ainsi la position de la fréquence haute de fonctionnement du dispositif 300, correspondant à la configuration CO. Pour une valeur élevée de la capacité modifiable, par exemple 10,0 pF, représentée par la courbe 4h, la bande passante de fonctionnement du dispositif 100 est proche de la bande passante correspondante à celle obtenue si le circuit comprenant l’impédance modifiable 703 était en court-circuit, représentée par la courbe 4i sur la FIG. 4 . Cette situation définie ainsi la position de la fréquence basse de fonctionnement du dispositif 300, correspondant à la configuration CC. Dans ce mode de réalisation de l’invention, une impédance modifiable 703 comprenant une capacité modifiable permet, en augmentant la valeur de la capacité modifiable, de faire continûment passer la position de la bande passante de fonctionnement du dispositif 300 depuis la fréquence haute de la configuration CO, courbe 4a, jusqu’à la fréquence basse de la configuration CC, courbe 4i sur la FIG. 4 . Dans un mode de réalisation de l’invention fondé sur le dispositif 300, illustré par la FIG. 3 , l’impédance modifiable 703 du dispositif à ondes élastiques 300 comprend une inductance modifiable. La FIG. 5 représente des bandes passantes qui ont été simulées grâce à la méthode numérique décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics, 93, 702 (2003) avec les mêmes paramètres qu’utilisés pour la FIG. 4 sauf l’utilisation d’une inductance modifiable au lieu d’une capacité. Ces bandes passantes correspondent à celles d’un dispositif à ondes élastiques 300 comme décrit dans la FIG. 3 , où l’impédance modifiable 703 comprend une inductance modifiable. En ordonnées, le module, en décibels de la fonction de transfert S12 du dispositif comme décrit ci-dessus est représenté en fonction de la fréquence passante qui est représentée en MHz en abscisse. Les différentes courbes représentées sur la FIG. 5 correspondent aux différentes valeurs de l’inductance modifiable considérées à chaque fois dans la simulation, en particulier, les valeurs sont ici de 1,0 nH, 10,0 nH, 50,0 nH et 500,0 nH, et sont respectivement représentées par les courbes 5e, 5d, 5c, 5b et 5a dans la FIG. 5 . La FIG. 5 met en évidence l’agilité fréquentielle du dispositif 300 comme décrit dans la FIG. 3 et dont l’impédance modifiable 703 comprend une inductance modifiable. En modifiant la valeur de l’inductance modifiable, et donc la valeur de l’impédance modifiable, la bande passante est modifiée, en particulier, sa position varie. Pour une valeur faible de l’inductance modifiable, par exemple 1,0 nH, illustrée par la courbe 5e, la bande passante de fonctionnement du dispositif 300 est proche de celle de la fréquence basse, vers 1625 MHz correspondant à la configuration CC, représentée par la courbe 5f en FIG. 5 (et 4i en FIG. 4 ). Lorsque la valeur de l’inductance modifiable augmente, passant par exemple de 1,0 nH à 10,0 nH, soit de la courbe 5e à la courbe 5d, la position de la bande passante de fonctionnement du dispositif 300 s’éloigne de celle de la fréquence basse, courbe 5f et ce, en passant par les fréquences inférieures à la fréquence basse. Pour une valeur élevée de l’inductance modifiable, par exemple 500,0 nH, illustrée par la courbe 5b dans la FIG. 5 , la bande passante de fonctionnement du dispositif 300 se rapproche de celle de la fréquence haute, vers 1675 MHz correspondant à la configuration CO, représentée par la courbe 5a (ou 4a de la FIG. 4 ) et ce, en passant par les fréquences supérieures à la fréquence haute. Dans ce mode de réalisation de l’invention et comme on peut le voir sur la FIG. 5 , il n’est pas possible d’atteindre les fréquences comprises entre la fréquence basse et la fréquence haute. Dans ce mode de réalisation, la bande passante du dispositif 300 s’approche de la bande passante correspondant à la configuration CC en passant par les fréquences inférieures à la fréquence basse. Inversement, dans ce mode de réalisation, la bande passante du dispositif 300 s’approche de la bande passante correspondant à la configuration CO en passant par les fréquences supérieures à la fréquence haute. Ainsi, une impédance modifiable 703 comprenant une inductance modifiable permet, en augmentant la valeur de l’inductance modifiable, de faire passer la position de la bande passante de fonctionnement du dispositif 300 depuis la fréquence basse de la configuration CC, correspondant à la courbe 5f sur la FIG. 5 , jusqu’à la fréquence haute de la configuration CO, représentée par la courbe 5a, sans toutefois pouvoir atteindre les fréquences comprises entre la fréquence basse et la fréquence haute. La FIG. 6 représente un dispositif à ondes élastiques 400 selon un sixième mode de réalisation de l’invention. Par rapport au dispositif 100 du premier mode de réalisation, le dispositif 400 se différencie en ce que le réseau d’électrodes 4000 est remplacé par un réseau d’électrodes 7 composé de deux peignes d’électrodes interdigitées 71 et 73, et, en ce que deux réseaux d’électrodes 4 et 6 supplémentaires sont présents entre les transducteurs 3 et 5, plus précisément entre le réseau d’électrodes 7 et le transducteur 5. Le réseau d’électrodes 7 est en configuration CG. Le réseau 6 en configuration CM est situé entre les deux réseaux d’électrodes 7 et 4, qui sont en configuration CG. Comme le réseau d’électrodes 7, le réseau d’électrodes 4 est formé de deux peignes d’électrodes interdigités 41 et 43. Chacun des deux peignes d’électrodes 41 et 43 est formé de trois électrodes rectilignes, 411, 413 et 415 pour le peigne 41, et, 431, 433 et 435 pour le peigne 43, et à chaque fois reliées entre elles au sein du même peigne. Toutefois, dans des modes de réalisations alternatifs, le nombre d’électrodes de chacun des peignes 41 et 43 peut être inférieur ou supérieur à trois. De préférence, les deux réseaux d’électrodes 4 et 7 ont les mêmes paramètres concernant le nombre de doigts, la largeur a , le pas p et l’épaisseur h des électrodes. Les dispositifs électromécaniques 3 et 7 sont séparés par la distance d 1 , 7 et 6 par la distance d 2 , 6 et 4 par la distance d 3 , 4 et 5 par la distance d 4 , Les dispositifs électromécaniques 3, 7, 6, 4 et 5 sont séparés par des distances qui peuvent être différentes. Dans un mode de réalisation avantageux de l’invention, présenté dans la FIG. 6 , ces distances peuvent être les mêmes. Dans le mode de réalisation de l’invention présenté en FIG. 6 , le réseau d’électrodes 411, 413 et 415 du peigne 41 est relié à un potentiel électrique prédéterminé, ici la masse 401. Le réseau d’électrodes 431, 433 et 435 formant le peigne 43 est quant à lui relié à une impédance modifiable 403 qui est elle-même connectée à un potentiel électrique prédéterminé, ici la masse 405. Le dispositif 600 comprend de plus un moyen de commande 407 qui est connecté à l’impédance modifiable 403 et permet de piloter et modifier, notamment à distance, la valeur de l’impédance modifiable pendant le fonctionnement, ou non, du dispositif à ondes élastiques 400. Toutefois, dans des modes de réalisations alternatifs du quatrième mode de l’invention, il est possible que seule une partie des électrodes du peigne 43 soit reliée à l’impédance modifiable 403, ou que chacune ou un sous-ensemble des électrodes soit relié à une impédance modifiable distincte. Il est également possible que les deux peignes 43 et 41 possèdent des électrodes reliées à des impédances modifiables. Dans ce mode de réalisation de l’invention, le réseau d’électrodes 6 est un miroir de Bragg comprenant 16 électrodes, groupées sous la référence 61 dans la FIG. 6 . Ces 16 électrodes sont toutes reliées entre elles grâce à deux électrodes de base 62 et 63. Le réseau d’électrodes 6 est un circuit ouvert, il n’est connecté à aucun potentiel électrique, la connexion est donc dite flottante et les 16 électrodes 61 sont en isopotentiel. Le miroir peut avoir plus ou moins d’électrodes. Ajouter les deux réseaux d’électrodes 4 et 6 permet, en particulier, d’élargir la bande passante de fonctionnement du dispositif 400 comparativement, par exemple, au premier mode de réalisation du dispositif schématisé sur la FIG. 1 ou au troisième mode de réalisation schématisé en FIG. 3 . Dans un mode de réalisation de l’invention fondé sur le dispositif 400, illustré en FIG. 6 , l’impédance modifiable 703 du dispositif 400 comprend une inductance modifiable et une capacité modifiable. La FIG. 7 représente des bandes passantes qui ont été simulées grâce à la méthode numérique décrite dans S. Ballandras et al., « Finite element analysis of periodic piezoelectric transducers », Journal of Applied Physics, 93, 702 (2003) avec les mêmes paramètres qu’utilisés pour les Figures 4 et 5 concernant le substrat piézoélectrique 9 et les transducteurs 3 et 5. Le pas p dans les deux transducteurs 3 et 5 ainsi que dans le réseau d’électrodes 6 simulés est p = 1,202 µm, et dans les réseau d’électrodes 4 et 7 simulés, il est de p = 1,13 µm. Le rapport a/p est égale à 0,5. Dans cette simulation numérique, que les transducteurs 3 et 5 possèdent dans la simulation chacun 45 paires de doigts interdigités et les réseau d’électrodes 4 et 7 possèdent trois paires de doigts interdigités. Le réseau d’électrodes 6 est composé de 16 doigts en isopotentiel. Dans la FIG. 7 , seule la valeur de la capacité modifiable du réseau d’électrode 7 a été modifiée, passant notamment par les valeurs 0,001 pF, 0,1 pF, 0,3 pF, 0,6 pF, 1,0 pF, 2,0 pF et 10,0 pF, qui sont respectivement représentées sur la FIG. 7 par les courbes 7b, 7c, 7d, 7e, 7f, 7g et 7h. L’inductance fixe était de 1 nH pour les deux réseau d’électrodes 4 et 7 et la capacité fixe du réseau d’électrode 4 était de 1 pF. En ordonnées, le module, en décibels de la fonction de transfert S12 du dispositif comme décrit ci-dessus est représenté en fonction de la fréquence passante qui est représentée en MHz en abscisse. Les différentes courbes représentées sur la FIG. 7 correspondent aux différentes valeurs de la capacité modifiable considérées à chaque fois dans la simulation, en particulier, les valeurs sont ici de 0,001 pF, 0,1 pF, 0,3 pF, 0,6 pF, 1,0 pF, 2,0 pF et 10,0 pF, qui sont respectivement représentées sur la FIG. 7 par les courbes 7b, 7c, 7d, 7e, 7f, 7g et 7h. La FIG. 7 met en évidence l’agilité fréquentielle du dispositif 400 comme décrit dans la FIG. 6 et dont les impédances modifiables 703 et 403 comprennent une capacité modifiable et une inductance modifiable. En modifiant la valeur de la capacité modifiable, et donc la valeur des impédances modifiables 703 et 403, la bande passante est modifiée, en particulier, sa fréquence centrale. Pour une valeur faible de la capacité modifiable, par exemple 0,001 pF, correspondant à la courbe 7b, la bande passante de fonctionnement du dispositif 400 est proche de la bande passante correspondante à celle obtenue si le circuit comprenant l’impédance modifiable 703 était ouvert, ce qui est illustrée par la courbe 7a dans la FIG. 7 . Lorsque la valeur de la capacité modifiable augmente, passant par exemple de 0,001 pF à 0,1 pF, soit de la courbe 7b à la courbe 7c, la position de la bande passante de fonctionnement du dispositif 400 s’éloigne de celle de la fréquence haute, courbe 7a, et se rapproche de celle de la fréquence basse, courbe 7i. Pour une valeur élevée de la capacité modifiable, par exemple 10,0 pF, représentée par la courbe 7h, la bande passante de fonctionnement du dispositif 400 est proche de la bande passante correspondante à celle de la configuration CC, courbe 7i. Ainsi, les impédances modifiables 703 et 403 comprenant une capacité modifiable et une inductance modifiable permettent, en augmentant la valeur de la capacité modifiable, de faire passer la position de la bande passante de fonctionnement du dispositif 400 depuis la fréquence haute d’environ 1643 MHz de la configuration CO, correspondant à la courbe 7a, jusqu’à la fréquence basse d’environ 1607 MHz de la configuration CC, correspondant à la courbe 7i. La FIG. 8 est similaire à la FIG. 7 , à ceci près qu’inversement au cas de la FIG. 7 , seule la valeur de l’inductance modifiable du réseau d’électrode 7 est modifiée, tandis que la valeur de la capacité modifiable comprise dans l’impédance modifiable 703 du dispositif 400 simulé est la même dans les simulations réalisées pour éditer les courbes de la FIG. 8 . En particulier, les valeurs de l’inductance dans les simulations de la FIG. 8 sont 1,0 nH, 10,0 nH, 50,0 nH, 75,0 nH, 100,0 nH et 300 nH et correspondent respectivement aux courbes 8g, 8f, 8e, 8d, 8c et 8b sur la FIG. 8 . L’inductance fixe du réseau d’électrodes 4 était de 1 nH et la capacité fixe des réseaux d’électrode 4 et 7 était de 1 pF. La FIG. 8 permet de mettre en évidence que, lorsque les impédances modifiables 703 et 403 du dispositif 400 comprennent une capacité modifiable et une inductance modifiable, la bande passante de fonctionnement peut à la fois, atteindre des valeurs comprises entre le fréquence basse vers 1607MHz de la configuration CC, courbe 8h dans la FIG. 8 et 7i dans la FIG. 7 , et la fréquence haute vers 1643 MHZ de la configuration CO, courbe 8a dans la FIG. 8 et 7a dans la FIG. 7 , en particulier grâce à la variation de la valeur de la capacité modifiable comme visible dans la FIG. 7 , mais aussi, atteindre des valeurs situées en-deçà de la fréquence basse, courbe 8h dans la FIG. 8 et 7i dans la FIG. 7 , et des valeurs situées au-delà de la fréquence haute, courbe 8a dans la FIG. 8 et 7a dans la FIG. 7 , en particulier grâce à la variation de la valeur de l’inductance modifiable. Ainsi, la FIG. 8 permet de montrer que des impédances modifiables 703 et 403 comprenant une capacité modifiable et une inductance modifiable permet au dispositif 400 d’avoir une agilité fréquentielle plus grande que si les impédances modifiables 703 et 403 ne comprenaient qu’une capacité modifiable ou qu’une inductance modifiable. Cela permet également d’avoir une bande passante plus large que dans les cas des Figures 4 et 5. La FIG. 9 représente un dispositif à ondes élastiques 500 selon un cinquième mode de réalisation de l’invention avec trois réseaux d’électrodes 4a, 6a et 7a. Comparé au quatrième mode de réalisation, les réseaux d’électrodes 4a et 7a du dispositif 500 sont en configuration CG non modifiable et le réseau 6a situé entre les deux réseaux d’électrodes 7a et 4a est en configuration CM modifiable. Dans ce mode de réalisation de l’invention, les réseaux 4a et 7a, contrairement aux réseaux 4 et 7 du dispositif 400 schématisé en FIG. 6 , ne possèdent pas d’impédances modifiables. Les réseaux 4a et 7a sont chacun constitués de trois électrodes parallèles, respectivement groupées sous les références 421 et 721. Dans des modes de réalisations alternatifs, il est toutefois possible d’avoir plus ou moins de trois électrodes en bandes parallèles dans les réseaux 4a et 7a. Les bandes d’électrodes parallèles 421 et 721 sont, pour chaque réseau, reliées entre elles grâce à deux électrodes de bases, 42 et 44 pour le réseau 4a, et, 72 et 74 pour le réseau 7a. Les réseaux 4a et 7a sont donc à potentiel flottant mais doivent être considérés malgré tout comme iso-potentiel. Dans ce mode de réalisation de l’invention, le réseau 6a du dispositif 500 possède quatre peignes d’électrodes 611, 613, 615 et 617 avec, en particulier, les peignes 611, 613 et 615 interdigités avec le peigne 617. Les trois peignes 611, 613 et 615 possèdent chacun une impédance modifiable respective 601, 603 et 605, chacune reliée à un moyen de commande distinct respectif 602, 604 et 606, ainsi qu’à un potentiel électrique déterminé distinct respectif 691, 693 et 695. Selon une variante, un seul moyen de commande peut modifier les impédances 691, 693 et 695 de manière distincte ou collective. Le peigne 617 est en potentiel flottant bien que constituant un système isopotentiel. Le peigne 617 possède six électrodes 641, 642, 643, 644, 645 et 646 interdigitées avec le peigne 611 pour les électrodes 641 et 642, avec le peigne 613 pour les électrodes 643 et 644 et avec le peigne 615 pour les électrodes 645 et 646. Le peigne 617 comprend en outre deux sous-groupes d’électrodes 631, 633 en isopotentiel, autrement dit, elles sont reliées entre elles par l’électrode de base commune 699 et, respectivement, par l’électrode de base 681 et 683, comme schématisé sur la FIG. 9 . Les sous-groupes 631 et 633 possèdent chacun quatre électrodes en bandes parallèles reliées entre elles. Les peignes 611, 613 et 615 possèdent chacun deux électrodes en forme de bandes parallèles, respectivement, 671 et 673, 661 et 663 et, 675 et 677. Toutefois, dans des modes de réalisations alternatifs, les peignes 611, 613 et 615 peuvent avoir plus, ou moins, d’électrodes en forme de bandes parallèles, en particulier, les peignes 611, 613 et 615 peuvent être réduits à une unique électrode en forme de bande rectiligne. Les impédances 601, 603 et 605 peuvent être de nature capacitive et/ou inductive. Les dispositifs électromécaniques 3 et 7a sont séparés par la distance d 5 , 7a et 6a par la distance d 6 , 6a et 4a par la distance d 7 , 4a et 5 par la distance d 8 , Les dispositifs électromécaniques 3, 7a, 6a, 4a et 5 sont séparés par des distances qui peuvent être différentes. Dans un mode de réalisation avantageux de l’invention, comme présenté dans la FIG. 9 , ces distances peuvent être les mêmes. Ce mode de réalisation de l’invention permet d’obtenir une agilité fréquentielle avec un changement de la valeur du maximum du coefficient de réflexion élastique de l’espace situé entre les deux transducteurs qui reste faible comparé lorsque la fréquence de fonctionnement du dispositif est modifiée. En passant, par exemple, d’une configuration CC-CO-CC à une configuration CO-CC-CO, la valeur maximale du coefficient de réflexion reste quasiment constante. La FIG. 10 représente un dispositif à ondes élastiques 600 selon un sixième mode de réalisation de l’invention. Comparé au mode de réalisation de la FIG. 6 avec trois réseaux d’électrodes 4, 6 et 7, ce mode de réalisation a deux réseaux d’électrodes 8 et 10 en plus entre les transducteurs 3 et 5. Il y a donc cinq réseaux d’électrodes compris entre les transducteurs 3 et 5, deux réseaux d’électrodes 6 et 8 sont en configurations CM, tandis que les trois autres réseaux 4, 7 et 10 sont en configuration CG. Les réseaux sont disposés comme schématisés dans la FIG. 10 , soit avec le réseau d’électrodes 6 intercalé entre les réseaux d’électrodes 7 et 4, et le réseau d’électrodes 8 intercalé entre les réseaux d’électrodes 4 et 10. Dans ce mode de réalisation de l’invention, les réseaux d’électrodes 6 et 8 sont identiques et comprennent des miroirs de Bragg avec 16 électrodes, respectivement groupées sous les référence 61 et 81 dans la FIG. 10 . Ces groupes de 16 électrodes sont, pour chacun des miroirs de Bragg 6 et 8, toutes reliées entre elles grâce à chaque fois, à deux électrodes de base, respectivement 62 et 63 pour le réseau 6, et, 82 et 83 pour le réseau 8. Les réseaux d’électrodes 6 et 8 sont des circuits ouverts, ils ne sont connectés à aucun potentiel électrique, leur connexion est donc dite flottante et les 16 électrodes, 61 et 81, sont en isopotentiel. Les miroirs peuvent comprendre plus ou moins d’électrodes. Dans une configuration alternative les miroirs 6 et 8 peuvent avoir un nombre d’électrodes différent l’un par rapport à l’autre. Comme les réseaux d’électrodes 4 et 7, qui ont les mêmes structures et propriétés que ceux de la FIG. 6 , le réseau d’électrodes 10 est formé de deux peignes d’électrodes interdigités 101 et 103. Chacun des deux peignes d’électrodes 101 et 103 est formé de trois électrodes rectilignes, 111, 113 et 115 pour le peigne 101, et, 131, 133 et 135 pour le peigne 103, et à chaque fois reliées entre elles au sein du même peigne. Toutefois, dans des modes de réalisations alternatifs, le nombre d’électrodes de chacun des peignes des réseaux d’électrodes 4, 7 et 10 peut être inférieur ou supérieur à trois et le nombre d’électrodes peut être différent entre les réseaux d’électrodes 4, 7 et 10. Dans le mode de réalisation de l’invention présenté dans la FIG. 10 , le réseau d’électrodes 111, 113 et 115 du peigne 101 est relié à un potentiel électrique prédéterminé, ici la masse 999. Le réseau d’électrodes 131, 133 et 135 formant le peigne 103 est quant à lui relié à une impédance modifiable 903 qui est elle-même connectée à un potentiel électrique prédéterminé, ici la masse 905. Le dispositif à ondes élastiques 600 comprend de plus un moyen de commande 907 qui est connecté à l’impédance modifiable 903 et permet de commander et modifier, notamment à distance, la valeur de l’impédance modifiable pendant le fonctionnement, ou non, du dispositif 600. Grâce aux moyens de commande 407, 707 et 907, il devient possible de commander individuellement ou conjointement les impédances modifiable 403, 703 et 903. Les dispositifs électromécaniques 3 et 7 sont séparés par la distance d 9 , 7 et 6 par la distance d 10 , 6 et 4 par la distance d 11 , 4 et 8 par la distance d 12 , 8 et 10 par la distance d 13 , 10 et 5 par la distance d 14 . Les dispositifs électromécaniques 3, 7, 6, 4, 8, 10 et 5 sont séparés par des distances qui peuvent être différentes. Dans un mode de réalisation avantageux de l’invention, comme présenté dans la FIG. 10 , ces distances peuvent être les mêmes. Dans des modes de réalisations alternatifs, il est possible d’augmenter davantage le nombre de cavités résonnantes en augmentant le nombre de fois que le schéma de réseaux d’électrodes CG – CM – CG se répète. Par exemple, dans la FIG. 6 , ce schéma CG – CM – CG, ne se répète qu’une seule fois. Dans la FIG. 10 , le dispositif 600 présente le schéma CG – CM – CG – CM – CG, et répète donc deux fois le schéma CG – CM – CG. Cela améliore, en particulier, les propriétés et caractéristiques de la bande passante de fonctionnement comme, par exemple, un plateau plus large et une largeur en fréquence de la transition entre la bande passante du dispositif et la bande de réjection fréquentielle réduite une fois comparés au mode de réalisation illustré en FIG. 6 . Selon une autre variante, on peut réaliser un dispositif à ondes élastiques qui comprend trois transducteurs au lieu de deux transducteurs. Ce dispositif comprend au moins un réseau d’électrodes tel que décrit pour les modes de réalisations de la FIG. 1 , de la FIG. 2 , de la FIG. 3 , de la FIG. 6 , de la FIG. 9 ou de la FIG. 10 et ayant une impédance modifiable arrangée entre le premier transducteur et le deuxième transducteur et entre le deuxième transducteur et le troisième transducteur. Ainsi on obtient un filtre SAW à double mode qui s’avère agile en fréquence. Dans l’ensemble des modes de réalisations alternatifs de l’invention ici présentés et dans toutes les autres alternatives possibles, le second dispositif électromécanique 5 peut être un transducteur, ou bien un réseau d’électrodes configurées pour réfléchir au moins partiellement les ondes émises par le premier dispositif électromécanique 3, en particulier cela peut être un miroir de Bragg. De même, les potentiels électriques prédéterminés auxquels sont connectés les réseaux d’électrodes 4000, 7, 4, 6a, 10 ou tout autre réseau d’électrodes compris entre les éléments électromécaniques 3 et 5 présents dans des configurations alternatives de l’invention peuvent être le même potentiel de référence, en particulier la masse. Les potentiels prédéterminés peuvent également être différents. Un dispositif à ondes élastiques comprenant : - un premier dispositif électromécanique (3), en particulier un premier transducteur (3) et un deuxième dispositif électromécanique (5), en particulier un deuxième transducteur (5) ou un réseau d’électrodes configuré pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques émises par le premier dispositif électromécanique (3), - un réseau (4000) d’au moins une électrode (1000, 2000, 3000) situé entre le premier dispositif électromécanique (3) et le deuxième dispositif électromécanique (5) dans la direction de propagation des ondes élastiques, dont au moins une électrode du réseau est reliée à un potentiel électrique prédéterminé (1005, 2005, 3005) via une impédance modifiable (1003, 2003, 3003), et - un moyen de commande (1007, 2007, 3007) pour modifier l’impédance modifiable. Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 1 dans lequel l’impédance modifiable (707) comprend une capacité modifiable (703), en particulier, elle peut permettre au réseau d’au moins une électrode (7) auquel elle est connectée de pouvoir passer d’une configuration correspondant à un circuit ouvert à une configuration correspondant à une connexion en court-circuit. Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’impédance modifiable (703) comprend une inductance modifiable. Le dispositif à ondes élastiques selon une des revendications 1 à 3, dans lequel le moyen de commande (707) est configuré pour ouvrir ou fermer une connexion électrique de l’au moins une électrode (4000, 7) avec un potentiel électrique prédéterminé (705), en particulier la masse. Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 1 à 4, dans lequel le réseau (4000, 7) est configuré pour changer la phase des ondes élastiques et/ou configuré pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques. Le dispositif à ondes élastiques selon une des revendications 1 à 5, dans lequel le réseau (4000, 7) comprend plusieurs électrodes, en particulier en forme de bandes parallèles (711, 713, 715, 731, 733, 735), dont plusieurs des électrodes ont des impédances modifiables, en particulier toutes les électrodes ont une impédance modifiable. Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 6, dans lequel les électrodes d’un premier sous-ensemble d’électrodes (731, 733, 735) sont reliées à la même impédance modifiable (703). Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 6 ou 7, dans lequel les électrodes d’un deuxième sous-ensemble d’électrodes sont reliées entre elles avec un potentiel électrique flottant ou reliées à un potentiel électrique prédéterminé, en particulier la masse. Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 7 et 8, le premier sous-ensemble et le deuxième sous-ensemble étant arrangés de manière à ce que les électrodes du premier sous-ensemble et les électrodes du deuxième sous-ensemble sont interdigitées les unes par rapport aux autres. Le dispositif à ondes élastiques selon l'une des revendications 1 à 9, comprenant une pluralité de réseaux d’électrodes entre le premier dispositif électromécanique (3), en particulier un transducteur (3), et le deuxième dispositif électromécanique (5), en particulier un transducteur (5), les réseaux étant séparés les uns des autres par des espaces de propagation libres et/ou métallisés, de préférence les distances entre deux réseaux d’électrodes voisins sont les mêmes. Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 10, dans lequel la distance entre le premier dispositif électromécanique (3), en particulier un transducteur (3) et le réseau d’électrodes directement voisin et la distance entre le deuxième dispositif électromécanique (5), en particulier un transducteur (5) et le réseau d’électrodes directement voisin sont les mêmes et en particulier, sont égales à la distance entre deux réseaux d’électrodes voisins. Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 10 ou 11, comprenant un nombre pair de réseaux configurés pour changer la phase des ondes élastiques, et entre chacune de ces paires, un réseau configuré pour réfléchir au moins partiellement les ondes élastiques est intercalé. Le dispositif à ondes élastiques selon une des revendications 1 à 12, le premier dispositif électromécanique (3), en particulier un transducteur (3) et le deuxième dispositif électromécanique (5), en particulier un transducteur (5) étant disposés au-dessus ou dans un substrat piézoélectrique (9), en particulier un substrat composite comprenant un substrat de base (15), et une couche piézoélectrique (11), dans laquelle l'épaisseur de la couche piézoélectrique est inférieure ou égale à 1,5 λ, avec λ est la longueur d'onde du mode fondamental des ondes élastiques de surface. Le dispositif à ondes élastiques selon la revendication 13, comprenant une couche diélectrique (13) et/ou une couche de piégeage et/ou un miroir de Bragg entre le substrat de base (15) et la couche piézoélectrique (11). Le dispositif à ondes élastiques de surface selon la revendication 13 ou 14, les ondes élastiques sont des ondes de cisaillement guidées ou de polarisation longitudinale guidées à l'intérieur de la couche piézoélectrique (11).