FR 3160854 A1 20251003 FR 2403299 A 20240329 Dispositif d’affichage électroluminescent (200) comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires dont chacune se distingue des autres par sa couleur d’émission, et chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement OLED (205) disposé entre une électrode de commande (202) inférieure et une électrode supérieure (206) transparente, ledit dispositif d’affichage électroluminescent étant caractérisé en ce que l’électrode supérieure (206) comprend - une première partie (206-1) qui appartient à chaque zone émettrice élémentaire individuellement et qui est physiquement et électriquement séparée de la même première partie (206-1) de toutes les autres zones émettrices élémentaires ; et - une deuxième partie (206-2) située entre les zones émettrices élémentaires et qui forme un réseau électrique connecté au travers de toute la matrice de pixels jusqu’à des barres des connexion (217) et physiquement et électriquement isolé des premières parties (206-1) ; et - une couche d’un matériaux transparent et conducteur (250) qui établit une connexion électrique entre la deuxième partie (206-2) et les premières parties (206-1) de chaque zone émettrice élémentaire permettant ainsi l’alimentation électrique des dispositifs OLED de chaque zone émettrice élémentaire. Figure pour l’abrégé : [Fig. 31] Dispositif électroluminescent à matrice active et haute résolution Domaine technique de l’invention L’invention se rattache au domaine des dispositifs et composants optoélectroniques, et plus précisément aux dispositifs électroluminescents de type OLED (Organic Light Emitting Device) à matrice active (AMOLED – Active Matrix OLED). Elle concerne plus particulièrement l'amélioration de l’efficacité et de la luminance de la gamme de couleur d’affichage ainsi que de la résolution d’un écran d’affichage de type AMOLED (connu aussi sous le terme « microdisplay »). Elle permet de fabriquer des micro-écrans à très haute résolution spatiale, c’est-à-dire avec une densité de pixels et sous-pixels particulièrement élevée, et avec une excellente fiabilité industrielle. Etat de la technique Les micro-afficheurs de type AMOLED comprennent en général une structure matricielle de pixels individuels, qui est contrôlée par une grille de pistes conductrices verticales et horizontales ; cette structure peut permettre un adressage individuel des pixels. Cela est illustré de manière schématique sur la FIG. 1 qui sera expliquée ci-dessous. Dans les écrans couleur chaque pixel est subdivisé en sous-pixels de différentes couleurs (typiquement trois ou quatre, dont les couleurs primaires rouge, vert et bleu, et éventuellement un sous-pixel blanc) qui coopèrent pour émettre un point lumineux (pixel) de couleur voulue. FIG. 2 montre trois exemples connus de disposition de sous-pixels de couleurs différentes pour former un pixel capable d’afficher la couleur voulue. Dans un écran d’affichage à base d’OLED, la couleur d’un pixel ou sous-pixel peut être générée de deux manières différentes. Dans un premier mode de réalisation, on utilise une diode OLED qui émet de la lumière blanche, et on fait passer la lumière blanche émise à travers un filtre de couleur. La FIG. 3 montre une coupe transversale d’un tel écran, qui représenté la géométrie dite « top émission », i.e., émission par le haut, le « haut » étant la face opposée au substrat, ou autrement dit, la face dirigée vers l’observateur. Au-dessus des électrodes des sous-pixels est déposé un empilement OLED qui couvre toute la surface de la matrice et qui (dans cet exemple) émet de la lumière blanche. Les couleurs primaires RGB (Red-Green-Blue) ou RGBW (Red-Green-Blue-White) des sous-pixels sont dans ce cas générées par des filtres colorés situés au-dessus de l’empilement OLED. Ces filtres colorés peuvent être des résines photosensibles. Ces résines peuvent être déposées directement sur le système d’encapsulation, ou, alternativement, elles peuvent être déposées sur une tranche de verre, qui est fixée par collage sur l’électrode supérieure du dispositif. Ce mode de réalisation présente deux avantages. D’abord, on peut utiliser une même couche OLED commune, non structurée au niveau de la matrice, pour tous les sous-pixels, la couleur étant générée par les filtres. Un autre avantage est qu’il est possible de réaliser des sous-pixels à adressage actif de très petite taille, ce qui permet d’améliorer la résolution spatiale de l’écran. Ce mode de réalisation présente cependant deux inconvénients : Premièrement, le filtre coloré absorbe une fraction significative de l’intensité lumineuse émise par le pixel. Pour une intensité lumineuse ciblée il faut donc augmenter l’émission lumineuse de la diode OLED. Sachant que la durée de vie opérationnelle des dispositifs OLED diminue avec l'augmentation de la densité de courant ou de la luminance, car le grand nombre de trous et d'électrons traversant la couche organique provoque des réactions secondaires électrochimiques des composés organiques qui finissent par dégrader ces composés organiques, il serait souhaitable de ne pas augmenter l’intensité lumineuse émise par la diode OLED au-delà d’une certaine valeur. Deuxièmement, la netteté d’affichage d’un tel dispositif est limitée par le phénomène de diaphonie, qui sera expliqué ci-dessous. Une autre façon de réaliser les couleurs primaires est de structurer les couches OLED en sous-pixels avec des couleurs d’émission différentes. C’est un deuxième mode de réalisation bien connu, qui n’utilise pas de filtres colorés et évite ainsi le premier problème de perte d’intensité lumineuse. Comme le procédé de structuration des couches OLED est assez complexe et la résolution spatiale atteignable assez limitée, on préfère même dans ce cas garder un maximum de couches communes (i.e. des couches couvrant toute la surface de la matrice), en général les couches des transports des porteurs de charges, et de ne structurer que les couches émettrices. Cependant, comme dans le premier mode de réalisation, on observe que les pixels ou sous-pixels voisins peuvent interagir, par couplage capacitif ou par des courants parasites passant notamment à travers des couches conductrices communes de l’empilement OLED, dans le plan des couches conductrices. Un exemple pour ce courant parasite dans le plan des couches conductrices est illustré sur la FIG. 4 qui sera expliquée ci-dessous. Cette interaction indésirable entre des pixels voisins est connue de l’homme du métier sous le nom « crosstalk » (diaphonie) ; elle conduit surtout à la modification indésirable des couleurs dans le cas des écrans couleur. Les aspects théoriques du phénomène de diaphonie dans les dispositifs OLED ont été étudiés depuis longtemps (voir par exemple la publication de D. Braun « Crosstalk in passive matrix polymer LED displays » parue en 1998 dans la revue Synthetic Metals 92, p. 107-113). Ce problème devient plus perceptible lorsque la taille du sous-pixel diminue. Hormis la correction numérique des conséquences de la diaphonie (qui revient à accepter le phénomène de diaphonie et de diminuer son impact sur l’image), on connaît différentes approches pour lutter contre la diaphonie à la source, c’est-à-dire pour diminuer le phénomène physique au niveau du pixel ou sous-pixel. Pour diminuer la diaphonie dans le cas d’un afficheur AMOLED à base de diodes OLED à émission blanche et de filtres colorés, WO 2019/193290 (MicroOled) propose une méthode pour délimiter deux pixels voisins par un élément de remplissage à surface isolante qui sépare leurs électrodes de base ainsi que leurs couches OLED. D’autres structures de la matrice de (sous-)pixels dans lesquelles les couches OLED sont interrompues (isolées) aux bords des (sous-)pixels par des séparateurs situés entre les (sous-)pixels sont connues de WO 2021/071630 et WO 2023/154188 (Applied Materials) pour réaliser des sous-pixels R, G, B. Un problème important avec les architectures de l’état de l’art cités reste la connexion de l’électrode supérieure du dispositif OLED (qui est le plus souvent la cathode) qui est une électrode commune au tous les pixels, et qui est (comme les couches OLED) interrompue aux bords du pixel par les séparateurs. Dans WO 2021/071630, ce problème est contourné en utilisant un arrangement des pixels sous forme des bandes RGB, telles que montrées sur l’image de gauche de la FIG. 2 . Un tel arrangement permet d’isoler les pixels en horizontal seulement, mais de garder la continuité des couches (y compris la cathode) en vertical, ce qui permet de connecter des cathodes sous forme de colonnes de l’extérieur de la matrice. L’inconvénient majeur de cette solution est qu’elle est limitée à un arrangement des pixels du type RGB-stripe, tel que montré sur l’exemple de gauche de la FIG. 2 . Un autre désavantage est lié au fait que dans le cas où il y a un défaut ponctuel dans l’empilement des couches OLED, celui-ci peut se propager sur toute la longueur de la colonne concernée. Le document WO2023/154188 décrit une architecture et un procédé associé de dépôt de couches OLED et de la couche de cathode qui permettent la réalisation d’un contact local au niveau du (sous-)pixel par le substrat. Cependant, dans la pratique industrielle cette méthode n’est pas praticable pour des (sous-)pixels de petite taille de l’ordre de quelques µm. WO 2019/193290 décrit une structure d’afficheur AMOLED avec une couche de cathode commune qui est déposée par une méthode de dépôt conforme, par exemple par la technique de dépôt de couches atomiques (ALD – Atomic Layer Deposition) par le dépôt chimique en phase vapeur (CVD – Chemical Vapor Deposition) afin d’obtenir la continuité électrique au travers des séparateurs entre les (sous-)pixels. Les matériaux utilisés dans ce cas sont typiquement des oxydes transparents conducteurs (TCO – Transparent Conductive Oxyde), tels que le ZnO, le ZnO dopé à l’aluminium (AZO – Aluminium-doped Zinc Oxyde), le SnO 2 , l’oxyde d’indium dopé à l’étain (ITO – Indium Tin Oxyde). Ces matériaux présentent cependant une conductivité électrique relativement faible et ne permettent pas d’alimenter toute la surface de l’écran sans chute de tension significative. A titre d’exemple, la résistance au carré d’un TCO comme l’AZO déposé par ALD et d’une épaisseur de 100 nm est de l’ordre de 1000 Ohm/carré. Le courant à fournir pour un micro-écran OLED est de l’ordre de 10mA (une estimation plutôt basse). Donc la chute de tension est de l’ordre de plusieurs Volts, pour une tension d’alimentation qui est typiquement autour de 5 V à 10 V. Un autre problème lié aux micro-afficheurs AMOLED est de garantir leur durée de vie dans des conditions d’utilisation variées. On sait que les empilements OLED sont sensibles contre les espèces gazeuses de l’atmosphère, principalement l’oxygène et la vapeur d’eau, qui dégradent l’interface entre l’électrode et les films organiques formant l’empilement OLED. Un sous-pixel dégradé finit par ne plus émettre de la lumière : il apparaît comme un point noir. Les dispositifs optoélectroniques à base d’OLED doivent donc être encapsulés pour protéger les empilements OLED contre l’atmosphère ambiante. Dans le cas où les couleurs de l’écran sont générées par des filtres colorés, la tranche de verre sur laquelle les filtres sont déposés sert comme une protection surfacique de l’empilement OLED, la colle pouvant assurer un enrobage latéral. Il est connu de séparer chaque pixel pour l’isoler des autres pixels qui l’entourent, pour éviter les problèmes de court-circuit liés à l’humidité dans les couches d’encapsulation. Le document EP 2 927 985 (Universal Display Corp.) décrit une structure dans laquelle chaque pixel est hermétiquement scellé et isolé de ses pixels voisins. La fabrication d’une telle structure nécessite des étapes de procédé nombreuses et complexes. Il est également connu de délimiter les zones de pixel par des éléments séparateurs supplémentaires, tels que des murs, comme décrit dans le document US 9 419 245 (Japan Display Inc.). Les procédés décrits dans ces deux documents sont complexes et engendrent un surcoût significatif. La structure d’un dispositif de l’état de la technique, qui permet d’obtenir une forte intensité lumineuse, est montre schématiquement sur la FIG. 5 , qui sera discutée ci-dessous en plus grand détail. Il présente trois zones émettrices élémentaires (sous-pixels) de couleur différente et n’a pas besoin de filtres colorés, ce qui assure une excellente efficacité et luminosité du dispositif. Les sous-pixels étant séparés aussi au niveau de l’ensemble de leurs couches OLED, il n’y a pratiquement pas de diaphonie, et la netteté de l’image est bonne. Ce dispositif présente de nombreux avantages fonctionnels. Cependant, les couches OLED desdits sous-pixels étant différentes, elles doivent être déposées séparément, et on ne connaît pas de procédé industriel avec lequel on pourrait miniaturiser ce dispositif avec une taille de la zone émettrice élémentaire (sous-pixel) inférieure à environ 20 µm. Compte tenu de ce qui précède, un objectif de la présente invention est de remédier, au moins partiellement, aux inconvénients de l’art antérieur évoqués ci-dessus, et de proposer une architecture pour dispositif d’affichage OLED de type micro-écran d’affichage en couleurs, qui dispose d’une excellente luminosité, de préférence en utilisant des zones émettrices élémentaires de couleur, et qui permet de réduire de manière significative, et de préférence supprimer, les courants parasites latéraux, même pour des pixels de très petite taille (typiquement inférieure à 5 µm) ou pour des structure à espace inter-pixel très faible. Cette architecture doit être compatible avec une encapsulation efficace. Le problème de présenter une technologie de miro-afficheur de type AMOLED avec une cathode conforme et commune à tous les pixels, qui soit applicable à tous les arrangements courants de pixels, et qui permet d’alimenter les pixels sur toute la surface de l’écran sans chute de tension significative, n’a pour l‘instant pas de solution. La présente invention cherche à y apporter une solution. Cette solution devrait également assurer l’encapsulation des pixels pour les protéger contre l’oxygène et l’humidité, et cela de façon individuelle afin d’éviter la propagation des défauts locaux. Et enfin, un autre objectif de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d’un tel dispositif, qui soit industriellement fiable et simple. Objets de l'invention Selon l’invention, le problème est résolu par un dispositif d’affichage électroluminescent comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat, selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires, chacune desdites au moins trois zones émettrices élémentaires appartenant à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, ledit dispositif d’affichage électroluminescent comprenant des barres de connexion électrique situées en dehors de ladite matrice de pixels et dédiées à alimenter l’électrode supérieure, ledit empilement OLED étant disposé entre une électrode de commande inférieure et une électrode supérieure transparente, ladite électrode supérieure transparente étant traversée par la lumière émise par l’empilement OLED. Selon un premier aspect de l’invention, l’électrode supérieure (206) comprend - une première partie qui appartient à chaque zone émettrice élémentaire individuellement et qui est physiquement et électriquement séparée de la même première partie de toutes les autres zones émettrices élémentaires ; et - une deuxième partie située entre les zones émettrices élémentaires et qui forme un réseau électrique connecté au travers de toute la matrice de pixels jusqu’auxdites barres de connexion électrique et physiquement et électriquement isolé desdites premières parties ; et une couche d’un matériaux transparent et conducteur qui établit une connexion électrique entre la deuxième partie et les premières parties de chaque zone émettrice élémentaire permettant ainsi l’alimentation électrique des dispositifs OLED de chaque zone émettrice élémentaire. Au moins une partie dudit matériau transparent et conducteur qui établit une connexion électrique entre la deuxième partie et les premières parties de chaque zone émettrice élémentaire est orienté selon un plan sensiblement vertical. Ladite couche de matériau transparent conducteur sert également comme encapsulation de l’empilement OLED et le protège efficacement contre l’atmosphère ambiante. Selon un deuxième aspect, ledit dispositif d’affichage électroluminescent est caractérisé en ce que : deux électrodes de commande voisines appartenant à deux zones émettrices élémentaires voisines sont séparées par un espace formant une tranchée et présentant une surface isolante qui couvre au moins les flancs verticaux desdites électrodes de commande voisines et les isole électriquement l’une de l’autre, et deux électrodes de commande voisines appartenant à deux zones émettrices élémentaires voisines sont séparées par un espace formant une tranchée et présentant une surface isolante qui couvre au moins les flancs verticaux desdites électrodes de commande voisines et les isole électriquement l’une de l’autre, pour chacune des zones émettrices élémentaires, l’ensemble de l’empilement OLED avec son électrode supérieure correspondante est séparé des zone émettrices élémentaires voisines par une couche d’encapsulation conductrice et transparente qui protège ledit empilement OLED sur sa face supérieure et sur tous ses flancs latéraux contre l’air ambiant, formant ainsi un îlot protégé. Ledit premier aspect et ledit deuxième aspect de l’invention peuvent être combinés, et chaque variante du premier aspect peut être combinée avec chaque variante du deuxième aspect. Dans une première variante du dispositif d’affichage électroluminescent selon le premier ou le deuxième aspect, ladite couche d’un matériau transparent et conducteur a été déposée par une méthode de dépôt conforme, et encapsule l’ensemble représenté par ledit empilement OLED et l’électrode supérieure de façon individuelle, formant pour chaque zone émettrice élémentaire un îlot encapsulé. Dans une deuxième variante du dispositif d’affichage électroluminescent selon le premier et/ou le deuxième aspect, qui est, pour chacun des deux aspects, compatible avec la première variante, le dispositif d’affichage électroluminescent selon l’invention est caractérisé en ce que ladite couche de matériau transparent et conducteur est réalisée en un matériau sélectionné dans le groupe formé par : le SnO 2 , le ZnO, le ITO, le AZO, tous ces matériaux étant possiblement dopés. Dans une troisième variante du dispositif d’affichage électroluminescent selon le premier et/ou le deuxième aspect et/ou le troisième aspect, qui est, pour chacun des deux aspects, compatible avec la première variante et/ou la deuxième variante, le dispositif d’affichage électroluminescent selon l’invention est caractérisé en ce qu’il comprend un système d’encapsulation comprenant, énuméré d’en bas vers le haut, ladite couche d’un matériau transparent et conducteur, au moins une couche d’un matériau polymère en contact avec ladite couche d’un matériau transparent et conducteur, et au moins une couche inorganique transparente, qui peut être une couche d’un oxyde. Ladite couche d’un matériau polymère (280) en contact avec ladite couche d’un matériau transparent et conducteur peut être structurée selon l’arrangement des zone émettrices élémentaires. Un tel dispositif forme un premier objet de la présente invention. Un deuxième objet de la présente invention est représenté par un procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat, selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires dont chacune appartient à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, et chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques, appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, et ledit empilement OLED étant disposé entre une électrode de commande inférieure et une électrode supérieure transparente, ladite électrode supérieure transparente étant traversée par la lumière émise par l’empilement OLED, et ledit dispositif d’affichage électroluminescent comprenant des barres de connexion électrique dédiées à alimenter l’électrode supérieure, et dans lequel procédé : (i) on approvisionne un substrat pourvu d’une électrode de commande pour chaque zone émettrice élémentaire et d’une couche d’isolant entre deux électrodes de commande voisines, ladite couche d’isolant recouvrant les flancs desdites électrodes de commande voisines ainsi que le substrat entre lesdites deux électrodes de commande voisine, et (ii) dans un premier groupe d’étapes on dépose d’abord un premier empilement OLED, une électrode supérieure et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une première couche d’un oxyde conducteur transparent, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission élémentaires du premier groupe un photorésist qui protège - la surface horizontale supérieure, qui est la surface au-dessus de l’électrode de commande, et - le flanc de l’électrode de commande et - au moins une partie de la surface horizontale inférieure située entre deux électrodes de commande voisines, et ensuite on grave les zones non protégées par le photorésist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande pour les zones d’émission élémentaires non protégées par le photorésist et jusqu’à la surface de la couche d’isolant se trouvant dans l’espace naturel entre deux électrode de commande voisines, et enfin, optionnellement, on enlève ledit photorésist; (iii) dans un deuxième groupe d’étapes, on dépose un deuxième empilement OLED, une électrode supérieure et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une deuxième couche d’un oxyde conducteur transparent, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission élémentaires du deuxième groupe un photorésist, et ensuite on grave les zones non protégées par le photorésist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande pour les zones d’émission élémentaires non protégées par le photorésist et jusqu’à la surface de la couche d’isolant se trouvant dans l’espace naturel entre deux électrode de commande voisines, et enfin, optionnellement, on enlève ledit photorésist; (iv) dans un troisième groupe d’étapes, on dépose un troisième empilement OLED, une électrode supérieure et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une troisième couche d’un oxyde conducteur transparent, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission élémentaires du deuxième groupe un photorésist, et ensuite on grave les zones non protégées par le photorésist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande pour les zones d’émission élémentaires non protégées par le photorésist et jusqu’à la surface de la couche d’isolant se trouvant dans l’espace naturel entre deux électrode de commande voisines, et enfin, optionnellement, on enlève ledit photorésist. Dans une première variante de ce procédé, on enlève les photorésists, et on dépose à l’issue du troisième groupe d’étapes une couche d’encapsulation polymérique suivie d’une couche inorganique transparente, de préférence une couche d’oxyde, et encore plus préférnetiellement une couche en alumine ou en silice. Dans une deuxième variante de ce procédé, on n’enlève pas les photorésists, et on dépose à l’issue du troisième groupe d’étapes une couche inorganique transparente, de préférence une couche d’oxyde, et encore plus préférentiellement une couche en alumine ou en silice. Brève description des figures Les figures 1 à 6 illustrent des aspects généraux, connus, de certains types de dispositifs et afficheurs OLED. Les figures 7 à 31 illustrent des aspects et modes de réalisation de l’invention ; elles n’ont pas pour vocation de limiter la portée de l’invention. Plus particulièrement, les figures 7à 19 illustrent la structure d’un dispositif d’affichage OLED selon l’invention, et certaines étapes clé de sa fabrication. Les figures 20 à 31 illustrent en plus grand détail des étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage OLED selon l’invention. FIG. 1 montre le schéma électrique d’un écran matriciel de type OLED de type connu. FIG. 2 montre cinq exemples connus de disposition de sous-pixels de couleurs différentes pour former un pixel capable d’afficher la couleur voulue. FIG. 3 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un afficheur OLED selon l’état de la technique avec un OLED à émission blanche et des filtres de couleur. Cette figure montre plusieurs pixels. FIG. 4 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un afficheur OLED similaire à celui de la FIG. 3 , dans lequel chaque pixel est formé de trois sous-pixels. La figure montre un seul pixel avec ses trois sous-pixels. FIG. 5 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un afficheur OLED similaire à celui de la FIG. 4 , dans un mode de réalisation avec des sous-pixels émettant chacun dans une couleur différente, et qui n’utilise pas de filtres de couleur. FIG. 6 reproduit la FIG. 5 du document WO 2019/193290. FIG. 7 montre une vue du haut (top-view) d’un produit intermédiaire selon l’invention, fabriqué en utilisant des étapes du procédé selon l’invention. FIG. 8 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches déposées sur un substrat qui représente le produit intermédiaire de la FIG. 7 . FIG. 8 représente cette coupe dans un plan z-x ou z-y, respectivement, selon trois lignes de coupe différentes indiquées sur la FIG. 7 , à savoir : a-a (figure en haut), b-b (figure du milieu), c-c (figure en bas). FIG. 9 montre une vue du haut (top-view) d’un produit intermédiaire selon l’invention, fabriqué en utilisant des étapes du procédé selon l’invention. Ce produit intermédiaire correspond au même stade fabrication que le produit intermédiaire de la FIG. 8 , mais porte un pochoir présentant une ouverture rectangulaire à travers laquelle est déposé, dans une séquence d’étapes ultérieures, l’empilement OLED par évaporation successive de couches organiques. FIG. 10 montre une vue du haut (top-view) d’un produit intermédiaire qui correspond à un stade de fabrication qui suit celui de la FIG. 9 . Le produit intermédiaire porte ici un pochoir présentant une ouverture rectangulaire à travers laquelle est déposé, dans une séquence d’étapes ultérieures, l’électrode supérieure. FIG. 11 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches déposées sur un substrat qui représente le produit intermédiaire après le dépôt de l’électrode supérieure en utilisant le pochoir montré sur la FIG. 10 . FIG. 12 montre une vue du haut (top-view) du produit intermédiaire qui correspond au même stade de fabrication que celui de la FIG. 11 . FIG. 13 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire du produit intermédiaire de la FIG. 11 après le dépôt d’une couche d’oxyde conducteur transparent (TCO) selon une coupe a-a indiquée sur la FIG. 7 . FIG. 14 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire du produit intermédiaire de la FIG. 12 selon une coupe d-d indiquée sur la FIG. 12 . FIG. 15 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire du produit intermédiaire de la FIG. 12 selon une coupe d-d indiquée sur la FIG. 12 ; cette figure montre le flanc de l’empilement OLED. FIG. 16 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un dispositif après des séquences d’étapes permettant le dépôt et la structuration de 3 dispositifs OLED à émission rouge, vert, et bleu, selon une coupe a-a indiquée sur la FIG. 7 . FIG. 17 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un dispositif après des séquences d’étapes permettant le dépôt et la structuration de 3 dispositifs OLED à émission rouge, vert, et bleu, (TCO) selon une coupe b-b indiquée sur la FIG. 7 . FIG. 18 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire du produit intermédiaire des FIG. 16 et FIG. 17 après le dépôt d’une couche de polymère suivi du dépôt d’une couche d’oxyde, selon une coupe b-b indiquée sur la FIG. 7 . FIG. 19 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire du même produit intermédiaire que celui montré sur la FIG. 18 , selon une coupe b-b indiquée sur la FIG. 7 . Cette figure représente un mode de réalisation alternatif par rapport à celui montré sur la FIG. 18 . FIG. 20 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un produit intermédiaire obtenu à partir du substrat de la FIG. 8 , par une première séquence d’étapes de procédé, représentée dans un plan z-x ou z-y, respectivement, selon trois lignes de coupe différentes indiquées sur la FIG. 7 , à savoir : a-a (figure en haut), b-b (figure en bas). FIG. 21 illustre une deuxième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 20 . FIG. 22 illustre une troisième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 21 . FIG. 23 illustre une quatrième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 22 . Cette séquence d’étapes est optionnelle. FIG. 24 illustre une cinquième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 23 . FIG. 25 illustre une sixième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 24 . FIG. 26 illustre une septième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 25 . FIG. 27 illustre une huitième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 26 . Cette séquence d’étapes est optionnelle. FIG. 28 illustre une neuvième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 27 . FIG. 29 illustre une dixième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 28 . FIG. 30 illustre une onzième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 29 . FIG. 31 illustre une douzième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 30 . Cette séquence d’étapes est optionnelle. On donne ci-dessous la liste des références numériques qui sont utilisées dans les figures et dans la présente description. 10 Afficheur OLED (de type connu) 12 Matrice de pixels 14 Diode OLED 16 Circuit de commande de 14 18,20 Transistor 22 Condensateur 30 Circuit de commande (circuit d’adressage) pour lignes 32 Circuit de commande (circuit d’adressage) vidéo 34 Circuit d’alimentation pour colonnes 36 Unité de commande 38 Piste conductrice adressant les lignes 40 Piste conductrice pour signal vidéo 42 Piste conductrice adressant les colonnes 50 Pixel 51,52,53,54 Sous-pixel (rouge 51, bleu 52, vert 53, blanc 54) 70 Afficheur OLED (de type connu) 71 Substrat 72,73,74 Electrode de commande de sous-pixel 75 Elément de remplissage (gap-fill) 76 Couches (empilement) OLED 77 Couche d’encapsulation 78 Tranche de verre 80 Couche électroluminescente de 76 81,82,83,84 Couche d’injection et de transport de charges 85 Electrode 90 Pixel 91,92,93 Filtre pour sous-pixel (bleu 91, rouge 92, vert 93) 95,96,97 Couches électroluminescentes Rouge, Vert, Bleu 98 Electrode pour pixel 99 Electrode commune 100 Dispositif afficheur OLED 101 Sous-pixel (zone émettrice élémentaire) 102 Electrode de base (électrode de commande de 101) 104 Séparateur 105 Empilement OLED 106 Couche d’injection supérieure 107 Electrode conforme commune 108 Couche de planarisation (couche de lissage) 109 Filtre coloré 110 Substrat 111 Espace naturel (« gap ») 112 Rebord de 123 sur 102 113 Pixel 123 Elément de remplissage à surface isolante 200 Dispositif selon l’invention 201 Sous-pixels (zone émettrice élémentaire) 202 Electrode de commande de sous-pixel 205 Empilement OLED (dispositif OLED) 206 Electrode supérieure 210 Substrat 211 Espace naturel (« gap ») entre électrodes 202 212 Rebord de 223 sur 202 217 Barre de connexion (busbar) pour l’électrode supérieure 206 223 Couche d’isolant 225 Îlot 250 Couche d’oxyde conducteur transparent (TCO) 280 Couche de polymère (photorésist) 281 Couche inorganique 282 Système d’encapsulation 300 Pochoir pour dépôt de 205 310 Ouverture de 300 400 Pochoir pour dépôt de 206 410 Ouverture de 400 Pour les couches 202, 205, 206 et 250, la lettre a,b,ou c indique l’appartenance à un groupe de zones émettrices élémentaires, alors que les chiffres 1, 2 et 3 désignent la position de cette couche sur la zone émettrice élémentaire : à titre d’exemple, le repère 250-1 désigne la partie horizontale supérieure de la couche 250, le repère 250-2 sa partie horizontale inférieure (située dans l’espace naturel entre électrodes 202 voisines), et le repère 250-3 son flanc (i.e. sa partie sensiblement verticale). Description détaillée 1.Terminologie Dans la présente description, l’expression « zone émettrice élémentaire » désigne la plus petite zone d’émission qui soit individuellement adressable. Dans le cas des écrans couleur dans lesquels plusieurs zones émettrices élémentaires forment un pixel, l’homme du métier utilise habituellement le terme « sous-pixel » pour désigner une telle zone émettrice d’émission élémentaire. 2.Aspects généraux des afficheurs OLED FIG. 1 montre de manière schématique le circuit d’un afficheur OLED 10 de type connu qui comprend une unité de matrice de pixels 12 capable de produire une image, et une unité de commande 36. Les diodes OLED 14 et leurs circuits de commande 16 sont disposés de manière à former des pixels dans l’unité de matrice de pixels 12, ladite matrice de pixels comportant des lignes (horizontales) et des colonnes (verticales). Chaque circuit de commande 16 d’un pixel 12 comprend une pluralité de transistors 18,20 réalisés typiquement en technologie CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor) dans le cas des micro-écrans, ou des transistors en couche mince (TFT - Thin Film Transistor), et un condensateur 22. L’unité de commande 36 commande un circuit de commande pour les lignes 30 et un circuit d’adressage vidéo 32, ainsi qu’un circuit d’alimentation électrique 34 pour l’adressage des colonnes de pixel ; elle assure l’adressage des circuits de pixel et contrôle l’émission lumineuse des diodes OLED 14. Le circuit de commande des lignes est relié aux pistes conductrices 38 adressant les lignes de balayage de la matrice de pixel. Il sélectionne les lignes de balayage (i.e., les pistes conductrices 38 adressant les lignes) selon un signal en provenance de l’unité de contrôle 36, et applique une tension pour allumer les transistors 18 se trouvant sur la ligne de balayage sélectionnée. Le circuit d’adressage vidéo 32 est relié à des pistes conductrices 40 adressant les colonnes du signal vidéo. Le circuit d’adressage vidéo 32 reçoit un signal vidéo de l’unité de contrôle 36 et envoie une tension sur les pistes conductrices 40 des colonnes du signal vidéo selon les pistes conductrices des lignes sélectionnées par le circuit de commande 30 correspondant. Ce signal de tension est inscrit dans le condensateur 22 à travers le transistor 18 de la diode OLED 14 de la ligne de pixel sélectionnée. Le transistor 20 de commande envoie un courant correspondant à la tension enregistrée à la diode OLED 14, et de ce fait la diode OLED 14 de la ligne sélectionnée 38 émet de la lumière. Le circuit d’alimentation électrique 34 est relié aux pistes conductrices d’alimentation 42 des colonnes de pixel ; il alimente les diodes OLED 14 par l’intermédiaire des pistes conductrices 42 et des transistors 20 de la ligne de pixels sélectionnée. Ce principe d’adressage d’une diode OLED formant un pixel dans une matrice de pixels, connu de WO 2019/193 290 A1 (MicroOled), peut être appliqué, de manière également connue en tant que telle, à l’adressage d’une diode OLED formant un sous-pixel dans une matrice de pixels d’un dispositif d’affichage à couleurs, dans lequel chaque pixel comprend une pluralité de sous-pixels (le plus souvent trois ou quatre) de couleurs différentes ; cela sera expliqué ici en relation avec la FIG. 2 qui montrent cinq exemples pour la disposition géométrique de ces sous-pixels 51,52,53,54 pour former un pixel 50 capable d’afficher la couleur voulue. Ces dispositions géométriques sont connues de l’homme du métier sous les appelations « RGB Stripe », « RGB Quad », « RGBW Quad », « Delta » et « Honeycomb ». Sur ces figures les sous-pixels sont de couleurs rouge 51, bleue 52 et verte 53, et peuvent comprendre, comme sur dans le cas du RGBW Quad, en plus un sous-pixel blanc 54 pour augmenter la luminosité du pixel 50. Le principe d’adressage qui vient d‘être décrit en relation avec les FIG. 1 et FIG. 2 est l’un des principes d’adressage qui peuvent être mis en œuvre en relation avec la présente invention. La couleur peut être obtenue par le contrôle de la couleur émise par les couches OLED formant les sous-pixels ou par des filtres de couleurs qui modifient la couleur blanche de la lumière émise par les sous-pixels, comme cela sera expliqué ci-dessous en relation avec les FIG. 3 , FIG. 4 et FIG. 5 qui montrent de manière schématique des micro-afficheurs OLED selon l’état de la technique ; elles illustrent le problème que la présente invention cherche à résoudre. Sur la FIG. 3 est montré une vue schématique globale de la structure du dispositif 70 : on distingue le substrat 71 (typiquement de type CMOS, les circuits et composants d’adressage ne sont pas montrés), les électrodes de commande 72,73,74 des zones émettrices élémentaires (sous-pixels) séparés par un élément de remplissage (« gap-fill ») 75, l’empilement de couches organiques OLED 76 apte à émettre une lumière blanche, la couche d’encapsulation 77, les filtres colorés de couleur bleue 91, rouge 92 et verte 93 formant un pixel 90, la tranche de verre 78 comme couverture protectrice. La taille des sous-pixels est typiquement de l’ordre de 3,5 µm à 5 µm. On note que dans ce dispositif selon l’état de la technique la couche OLED 76 s’étend sur la totalité de pixels du dispositif. La FIG. 4 montre une vue agrandie d’un dispositif similaire à celui représenté sur la FIG. 3 ; cette vue se limite à un seul pixel 90. Les sous-pixels sont définis, d’une part, par les électrodes 72,73,74 qui permettent leur adressage individuel, et par les filtres colorés correspondants 91,92,93 qui modifient la lumière émise par l’empilement OLED 76 à émission blanche qui s’étend sur toute la surface du dispositif. L’espace entre deux électrodes de commande de sous-pixel voisines 72,73 peut être rempli par un élément de remplissage 75. Ledit empilement OLED 76 comprend ici la couche électroluminescente 80 proprement dite, qui est prise en sandwich entre deux couches de transport de charge 81, 82. Plus précisément, dans un dispositif typique, la couche 81 comprend une couche d’injection et de transport de trous, et la couche 82 une couche d’injection et de transport d’électrons. Mais il est aussi possible d’utiliser un empilement dit « inverse », dans ce cas la couche 82 comprend une couche d’injection et de transport de trous, et la couche 81 une couche d’injection et de transport d’électrons. Les couches 81 et 82 peuvent comprendre respectivement une seule couche qui remplit à la fois les deux fonctions l’injection et transport des charges respectives, ou plusieurs couches, par exemple une couche pour l’injection et une autre pour le transport des charges respectives ; cela est représenté sur la FIG. 4 par les quatre couches 81,82,83,84. Une électrode commune 85 évacue les charges. Ce dispositif selon l’état de la technique présente des courants parasites ; cela est illustré sur la FIG. 4 . En effet, si lors de l’allumage d’un sous-pixel (par exemple 73) le courant principal traverse (marqué par une flèche épaisse) directement la couche OLED dans le sens le plus court (i.e. vertical par rapport au substrat 71), une partie du courant se propage selon d’autres chemins de conduction, dans la mesure où ces chemins de conduction présentent une résistivité suffisamment faible. Ainsi on observe un courant parasite qui se propage dans la couche de transport de charges 81, à savoir dans le plan du substrat, et qui ensuite traverse la couche OLED dans le sous-pixel voisin 72 ou 73. Ce courant parasite est marqué par deux flèches pointillées. Il conduit à une émission lumineuse parasite dans les sous-pixels voisins, qui modifie la résolution d’image de l’afficheur et diminue la fidélité de sa couleur. La présente invention cherche à fournir un moyen pour diminuer ce courant parasite. La FIG. 5 montre un autre dispositif de type connu dans lequel la couleur d’un pixel 90 n’est pas générée, comme dans les dispositifs de la FIG. 4 et de la FIG. 5 , par un élément OLED à émission blanche assorti à des filtres de couleur pour chacun des trois sous-pixels, mais par des trois sous-pixels dotés de couches électroluminescentes 95,96,97 qui émettent directement en rouge, bleu et vert. Dans ce mode de réalisation, chaque zone émettrice élémentaire (sous-pixel) 95,96,97 dispose de sa propre électrode d’adressage 98a,98b,98c, mais la première couche d’injection et de transport de charges 83 (par exemple des trous), et/ou la deuxième couche d’injection et de transport de charges (par exemple d’électrons) 84 et l’électrode commune 99 sont communes pour simplifier la fabrication dispositif. Le problème des courants parasites est le même que celui décrit en relation avec la FIG. 4 ; la contribution de la couche d’injection et de transport de trous 83 est prépondérante dans ces courants parasites. En termes d’efficacité lumineuse, le dispositif de la FIG. 5 est significativement meilleur que celui de la FIG. 3 . En revanche, sa fabrication industrielle peut s’avérer assez difficile, dans la mesure où les matériaux organiques qui constituent un dispositif OLED sont en général déposés par un procédé d’évaporation thermique sous vide. Pour générer des sous-pixels de couleur différente, comme dans le dispositif de la FIG. 5 , on utilise un pochoir (appelé « shadow mask » en anglais) qui est placé proche du substrat sur lequel on veut réaliser le dispositif OLED et qui a des ouvertures qui correspondent à la position d’un premier type de sous-pixel pendant la réalisation du dépôt d’un premier type d’empilement de couches, par exemple pour un OLED rouge. Ensuite on répète l’opération pour un deuxième type d’empilement, par exemple pour un OLED vert, en utilisant un deuxième pochoir ayant des ouvertures qui correspondent à la position du deuxième type de sous-pixel. Ensuite on peut effectuer une troisième opération de ce type afin de réaliser un troisième type de sous pixel, par exemple avec un OLED bleu. Cette méthode ne permet pas de produire des sous-pixels de taille inférieure à environ 20 µm avec un procédé suffisamment fiable, sachant que pour les micro-écrans on aurait besoin d’une taille de sous-pixel de l’ordre de 2 µm à 5 µm. Dans le domaine du semi-conducteur, des structures de cette taille sont réalisées par des méthodes de photolithographie et de gravure, mais comme les matériaux organiques utilisés dans des dispositifs OLED sont extrêmement sensibles entre autres à l’eau et à l’oxygène, les procédés de photolithographie ne peuvent pas être utilisés tels quels pour structurer ces matériaux. On observe que lorsque l’on essaie de transposer les méthodes de photolithographie et de gravure connues du domaine des semi-conducteurs à la fabrication de micro-afficheurs OLED, l’empilement OLED est attaqué latéralement, c’est-à-dire dans sa tranche qui n’est pas protégée, lors des opérations de gravure. Cette attaque conduit à une dégradation localisée de l’empilement OLED, qui risque de se propager latéralement. Dans un cas favorable, cela va simplement réduire la surface émissive du sous-pixel (ce qui n’est déjà pas souhaitable, à plus forte raison que cette propagation est un processus évolutif, et toute diminution de la surface émissive va conduire à une augmentation de la densité de courant du dispositif ce qui va diminuer sa durée de vie opérationnelle) ; dans un cas défavorable, cela finit par détruire complètement le sous-pixel. Selon une caractéristique essentielle de la présente invention, les tranches et bords des zones émettrices élémentaires (sous-pixels) sont protégés de tous les côtés. L’invention sera expliquée ici à titre d’exemple avec une structure de substrat similaire à celle de la FIG. 5 du document WO 2019/193 290 qui est reproduite ici comme FIG. 6 , avec des repères numériques ajustés, mais elle s’applique également à d’autres structure qui servent à séparer les dispositifs OLED entre les pixels, comme par exemple les structures décrites dans les documents WO 2021/071630 ou WO 2023/154188, discutés ci-dessus. FIG. 6 montre un pixel 113 d’un dispositif afficheur OLED 100 déposé sur un substrat 110 (typiquement de type CMOS) avec trois zones émettrices élémentaires (sous-pixels) 101a,101b,101c dont chacune est commandée par une électrode de commande 102a,102b,102c individuelle. L’empilement OLED blanc 105, qui est commun à l’ensemble des pixels de l’écran en question, est séparé entre deux sous-pixels voisins (101a, 101b ; 101b, 101c ; 101c, 101a) par un séparateur 104 qui occupe l’espace naturel 111 (appelé aussi le « gap ») entre les électrodes 102a,102b ; 102b,102c ; 102c, 102a de deux sous-pixels 101a,101b ; 101b,101c ; 101c, 101a voisins. Ce séparateur 104 qui se présente comme une tranchée, comprend un élément de remplissage 123 à surface isolante. L’élément de remplissage 123 présente un rebord 112 qui s’étend sur une petite partie de l’électrode de commande 102, formant la bordure de cette dernière. L’électrode conforme 107 est commune à tous les sous-pixels, tout comme la couche d’injection supérieure 106, cette dernière étant optionnelle. Cette structure de l’état de la technique résout de manière très satisfaisante le problème de la diaphonie, mais dans la mesure où elle utilise des zones émettrices élémentaires (sous-pixels) 101a,101b,101c avec le même empilement OLED d’émission blanche pour former un pixel 113, dont la lumière traverse des filtres de couleur 109 (aménagés sous la forme d’une plaque qui est posée sur une couche de lissage 108) afin de générer de couleurs élémentaires R, V et B en sortie du dispositif 100, elle ne résout pas le problème de fournir un dispositif très efficace et très lumineux. On voudrait pouvoir fabriquer un dispositif de structure similaire, mais sans filtres colorés et avec des empilements OLED émettant une couleur différente pour chaque groupe de sous-pixels, par exemple les trois couleurs élémentaires rouge, bleu et vert. On voudrait pouvoir fabriquer ce dispositif sous la forme d’un micro-afficheur avec une taille des zones émettrices élémentaires inférieure à 20 µm, de préférence inférieure à 5 µm, et encore plus préférentiellement comprise entre environ 1 µm et environ 5 µm. Pour atteindre cet objectif il fallait inventer un nouveau procédé de fabrication d’un micro-afficheur ; les inventeurs de la présente demande y sont parvenus. 3.Description d’un dispositif selon l’invention Dans cette section 3, ainsi que dans la section 4 qui suit, on va maintenant expliquer le dispositif selon l’invention, qui sera décrit par sa structure, par son procédé de fabrication, et à différents stades de sa fabrication. Ce dispositif, tel qu’il est représenté ici, comprend trois groupes de zones émettrices élémentaires (sous-pixel) de type différent. L’expression « type » de zone émettrice élémentaire ou d’empilement OLED se réfère ici à sa couleur d’émission, et on utilisera dans ce qui suit les expressions « zone émettrice élémentaire d’un premier type », « zone émettrice élémentaire d’un deuxième type » et « zone émettrice élémentaire d’un troisième type ». Sur les figures montrant une vue du haut (top view), ces différents types de zones émettrices élémentaires sont repérés par les lettres R, G et B qui désignent la couleur d’émission. La FIG. 7 montre une vue du haut (top-view) d’un produit intermédiaire selon l’invention, fabriqué en utilisant des étapes du procédé selon l’invention. Dans cet exemple, l’arrangement des sous-pixels est du type « RGB-quad », comme montrée sur la FIG. 2 , exemple du milieu. Cet exemple ne limite pas la portée de la présente invention qui s’applique à tout type d’arrangement de sous-pixels. La structure du substrat avec ses différentes couches structurées déposées est montrée de manière schématique sur la FIG. 8 qui représente le même produit intermédiaire de la FIG. 7 . FIG. 8 montre de manière schématique trois coupes transversales perpendiculaires d’un empilement structuré de couches : la figure en haut représente une coupe dans un plan z-x selon la ligne a-a indiquée sur la FIG. 7 , la figure au milieu représente une coupe dans un plan z-y selon la ligne b-b indiquée sur la FIG. 7 , et la figure en bas représente une coupe dans un plan z-y selon la ligne c-c indiquée sur la FIG. 7 . Comme cela est expliqué en relation avec FIG. 7 et FIG. 8 , ce produit intermédiaire comprend notamment un substrat 210, qui comporte typiquement des circuits d’adressage de type matrice active. De manière connue, ces circuits d’adressage, qui ne sont pas montrés sur ces figures, peuvent être réalisés en technologie TFT (Thin Film Transistor) ou CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Le substrat supporte par ailleurs des électrodes 202a, 202b, 202c des sous-pixels ; ces électrodes sont séparées par un espace naturel 211 qui présente la forme d’une tranchée. Le produit intermédiaire comporte par ailleurs une couche d’isolation 223. Il s’agit d’une fine couche déposée par une méthode de dépôt conforme comme par exemple la technique de dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma (PECVD - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ou par ALD. Cette fine couche d’isolation est typiquement en Si 3 N 4 , en SiO 2 , ou en Al 2 O 3 . Elle couvre au moins les surfaces verticales des électrodes 202 et typiquement tout l’espace 211. Elle peut aussi recouvrir légèrement le bord du pixel (c’est-à-dire la surface horizontale supérieure de l’électrode 202 ; ce rebord porte sur la FIG. 8 le repère numérique 212. Comme cela est visible sur la FIG. 8 , cet espace 211 qui présente la forme d’une tranchée sépare les deux électrodes 202a,202b ; 202b,202c ; 202c,202c voisines de deux zones d’émission élémentaires voisines jusqu’au substrat, une couche d’isolation 223 étant disposée au fond de ladite tranchée 211 et sur les parois verticales des électrodes 202. Le dépôt de ladite couche d’isolation 223 doit se faire de manière à ce que même après son dépôt, il reste une tranchée entre deux électrodes voisines de deux zones d’émission élémentaires voisines. En plus, par rapport à la FIG. 6 , le dispositif selon l’invention comporte de grands plots de connexion pour l’électrode supérieure du dispositif OLED en haut et en bas de la matrice, sous forme de lignes métalliques horizontales (« bus bars », repère numérique 217). Cette structure de substrat permet ensuite de créer des ilots de sous-pixels OLED isolés et encapsulés. On dépose d’abord l’empilement des couches organiques qui forment l’empilement OLED 205. Par une séquence d’étapes successives de dépôt de couches, selon une méthode de dépôt directionnel connue et utilisé dans l’industriel des dispositifs OLED, les couches organiques qui forment l’empilement OLED sont déposées au travers l’ouverture 310 d’un pochoir 300 qui délimite la zone de dépôt ; cela est illustré sur la FIG. 9 . Il s’agit d’un dépôt directionnel, c’est-à-dire les couches vont se former principalement sur les surfaces horizontales, mais pas sur les surfaces verticales, comme on peut le voir sur la FIG. 11 qui représente une coupe transversale perpendiculaire. La technique d’évaporation thermique peut être utilisé en tant que technique de dépôt directionnel. Comme cela a été décrit ci-dessus en relation avec la FIG. 4 , ledit empilement OLED comprend une couche électroluminescente proprement dite, ainsi qu’une ou plusieurs couches d’injection et de transport de porteurs de charge. Dans une séquence d’étapes de fabrication on ajoute ensuite une électrode supérieure 206, qui est typiquement une fine couche d’argent qui est déposée par la même méthode que les couches OLED. Cette couche d’argent doit être semi-transparente car la lumière émise par le dispositif OLED quitte le dispositif à travers cette couche. Pour ce dépôt, un pochoir 400 présentant une ouverture 410 plus large que celle 310 du pochoir 300 utilisé pour les couches 205 est utilisé afin d’établir un contact électrique entre l’électrode supérieure 206 et les busbars 217 ; cela est illustré sur la FIG. 10 . Comme il s’agit ici aussi d’un dépôt directif, les couches vont se former principalement sur les surfaces horizontales, mais pas sur les surfaces verticales, ce qui fait que la couche 206 est discontinue entre la partie qui se trouve en haut du dispositif OLED (repère numérique 206-1) et la partie 206-2 qui se trouve au fond de l’espace 211 ; en conséquence, le dispositif OLED n’est pas alimenté. C’est pour permettre le dépôt de trames 206-2 de l’électrode supérieure 206 au fond de l’espace libre 211 entre deux électrodes 202 voisines que le dépôt de la couche d’isolation 223 doit se faire de manière à ce que même après le dépôt de ladite couche d’isolation 223, il reste une tranchée entre deux électrodes voisines de deux zones d’émission élémentaires voisines. Ces trames forment un réseau connecté, comme cela sera expliqué ci-dessous en relation avec la FIG. 12 . La FIG. 11 montre une coupe transversale perpendiculaire du produit intermédiaire résultant de ce dépôt de l’électrode supérieure 206 à travers l’ouverture 410 du pochoir 400, alors que la FIG. 12 montre une vue d’en haut de ce même produit intermédiaire. Comme on peut le voir sur la FIG. 12 , la partie 206a-2 de la couche 206a forme un réseau connecté au travers du substrat. Pour alimenter les dispositifs OLED 205a sur le pixel, il faut donc créer une connexion électrique entre le réseau formé par les couches 206-2 et le haut de l’OLED 205. Ceci est accompli par le dépôt d’une couche d’un oxyde conducteur transparent (TCO) 250 par une méthode de dépôt conforme, typiquement de l’ALD ; cette couche est illustrée sur la FIG. 13 . Grâce au dépôt conforme, la couche 250a couvre la surface horizontale 250a-1 de chaque zone émettrice élémentaire, la surface 250a-2 au fond de l’espace naturel 211 entre électrodes 202 voisines ainsi que le flanc 250a-3 de cet espace naturel 211, assurant ainsi une continuité électrique sur toute la surface du produit intermédiaire. Dans ce cas, même une faible conductivité de la couche 250a suffit pour alimenter le pixel, comme cela sera expliqué ci-dessous en relation avec la FIG. 14 et la FIG. 15 . La FIG. 14 montre la section marquée d-d dans la FIG. 12 , c’est-à-dire directement au bord du pixel. La partie 250-3 de la couche 250 qui couvre le flanc vertical du pixel 202 (et qui est en dehors de la section montrée ici) doit transporter le courant de la partie 206-2 de la couche de l’électrode supérieure (qui est donc connecté via ledit réseau continu formé par cette couche au busbar 217) vers la partie 206-1 afin d’alimenter le dispositif OLED 205. Pour cela, elle dispose de la surface S montrée dans la FIG. 15 qui correspond à celle du flanc 250-3 de la couche 250. Sur cette figure, qui montre le flanc d’une zone émettrice élémentaire verte 202b de la FIG. 12 , on a indiqué les dimensions typiques dans le cas d’un micro-écran AMOLED selon l’invention. Dans un mode de réalisation avantageux, la plus grande dimension de longueur ou de largeur d’une zone émettrice élémentaire 201 se situe entre environ 3 µm et environ 5 µm, et l’épaisseur de l’empilement OLED se situe entre environ 0,3 µm et environ 0,5 µm. Si la couche 250 présente par exemple une résistance au carré de 10 000 Ohm/carré (ce qui est le pire des cas), ladite connexion électrique entre les parties 206-2 et 206-1 présente une résistance de l’ordre de 1 000 Ohm. Comme le pixel 202 dispose de quatre côtés, la résistance résultante est de 250 Ohm. Un courant de pixel typique est de l’ordre de 10 nA, la chute de tension entre les parties 206-2 et 206-1 sera donc de 2 500 nV ou 2,5 µV, ce qui est complètement négligeable. La chute de tension au travers de la surface active de l’écran dépend donc uniquement de la conductivité du réseau formé par la couche 206-2 qui est en général suffisante, comme il s’agit d’une couche métallique (typiquement de l’argent ou de l’aluminium). La couche 206a sert en même temps comme couche d’encapsulation, c’est-à-dire comme protection de l’empilement OLED 205a contre l’oxygène, l’eau, et d’autres substances susceptibles de dégrader les couches OLED. Cette fonction d’encapsulation permet de structurer les couches OLED par des méthodes de photolithographie et de gravure, qui sont des méthodes connus dans le monde du semiconducteur, mais qui n’ont pas encore été utilisées dans la fabrication de micro-afficheurs OLED. Afin de ne pas alourdir cette section 3 « Description d’un dispositif selon l’invention », la description des séquences d’étapes permettant cette structuration des couches OLED est décrite dans une section séparée ci-dessous. Ainsi il est possible de déposer et structurer des empilements OLED 205a,205b,205c de couleur d’émission différente. FIG. 16 et FIG. 17 montrent à titre d’exemple le résultat d’une telle opération pour obtenir des pixels à émission dans le rouge, vert et bleu. Le dispositif montré schématiquement sur FIG. 16 et FIG. 17 peut fonctionner comme un dispositif d’affichage électroluminescent. Il est cependant préférable de compléter ce dispositif par le dépôt de couches d’encapsulation supplémentaires. Un des avantages de la présente invention réside dans la simplification du système d’encapsulation par rapport à ceux connus de l’état de la technique. Un système d’encapsulation de l’état de l’art peut comprendre, tel que décrit par exemple dans les documents WO 2011/128802 ou US 9,082,999, un complexe tri-couche alumine / polymère / alumine. La présente invention permet, dans un mode de réalisation avantageux, de simplifier ce système d’encapsulation en utilisant la couche de TCO 250 comme la première couche d’un système d’encapsulation 282, par exemple d’un complexe tri-couche. Un tel complexe tri-couche format système d’encapsulation 282 peut comprendre, énuméré du haut vers le bas : au moins une couche inorganique transparente 281, une couche de polymère transparente 280, une couche d’oxyde transparente et conducteur 250. Un tel système d’encapsulation peut être déposé par une séquence d’étapes successives de dépôt de couches. Ladite couche inorganique transparente 281 peut être une couche d’oxyde, de préférence en alumine ou en silice. Deux variantes de ce mode de réalisation sont montrées sur la FIG. 18 et la FIG. 19 , respectivement, où les repères 280 et 281 désignent, respectivement, la couche de polymère et la couche inorganique transparente de préférence une couche d’oxyde, cette dernière pouvant être en particulier la silice ou l’alumine. Dans le cas de la FIG. 19 , la couche de polymère 280 est structurée selon l’arrangement des zones émettrices élémentaires. Cette configuration est intéressante en particulier dans le cas où il y avait auparavant une structuration des couches OLED par des méthodes de photolithographie comme décrit ultérieurement. Dans ce cas, les couches de polymère 280a, 280b, 280c peuvent être les résines photosensibles utilisés lors du processus de photolithographie. Cette structure de substrat selon l’invention permet de créer des îlots 225 de zones émettrices élémentaires OLED qui sont hermétiquement isolées et encapsulées autour de l’empilement OLED 205 qui représente la zone la plus fragile du dispositif micro-afficheur 200 ; un tel îlot 225, dont chacun représente une zone émettrice élémentaire unique, est représenté sur la FIG. 19 par la boite aux contours pointillés. Ainsi, l’invention résout non seulement le problème de présenter une technologie de type AMOLED à haute luminance qui peut permettre la fabrication de zones émettrices élémentaires de très petite taille et qui est immunisé contre la diaphonie, mais encore celui de présenter une telle technologie qui aboutit, à l’aide d’un procédé industriel fiable, à un produit bien protégé contre l’oxygène et l’humidité de l’air, et plus généralement à un produit durable. 4.Procédé de structuration des couches OLED par dépôt de zones émettrices élémentaires à couleur d’émission différente On va maintenant décrire, en relation avec les FIG. 20 à FIG. 31 , comment on dépose et structure les trois groupes de zones émettrices élémentaires (sous-pixels). Ces figures montrent pour chacun de ces trois groupes de zones émettrices élémentaires une de ces zones. Pour réaliser un dispositif avec trois groupes de zones émettrices élémentaires (sous-pixels) émettant chacun de la lumière d’une couleur différente (ces groupes étant désignés ici, à titre d’un exemple, qui représente un mode de réalisation avantageux, par les lettres R, G et B (Rouge, vert (Green), Bleu)), il faut trois groupes d’étapes de fabrication. Chaque groupe d’étapes comprend des étapes de dépôt et de structuration d’une couche de photorésist, suivi d’au moins une étape de gravure de l’ensemble de la couche d’encapsulation, de la cathode et de l’empilement OLED, et enfin en option l’enlèvement (« stripping ») du photorésist. Dans le cadre de la présente description, en ce qui concerne le photorésist, on peut utiliser les techniques qui sont usuelles dans le domaine de la microélectronique. Elles comprennent typiquement le dépôt d’une couche de photorésist, son exposition pour la structurer sur la surface, puis son développement. Ces techniques sont connues de l’homme du métier et ne seront pas décrites ici, même si elles ne sont pas couramment utilisées dans le domaine des dispositifs AMOLED. Le point de départ est le produit intermédiaire représenté sur la FIG. 8 . Pour parvenir à ce produit intermédiaire, on approvisionne d’abord un substrat 210 pourvu d’une électrode de commande 202a,202b,202c pour chaque zone émettrice élémentaire (cette électrode de commande 202 étant typiquement l’anode) et d’une couche d’isolant 223 entre deux électrodes 202a,202b,202c voisines. Cette couche d’isolant 223 présente avantageusement un rebord 212 sur la surface de l’électrode 202. Le substrat 210 est typiquement une tranche de silicium avec des circuits structurés selon la technologie CMOS qui sont configurés pour adresser les zones émettrices élémentaires ; cette technologie est connue en tant que telle et ne sera pas expliquée ici. Ce substrat 210 comporte typiquement une couche d’isolant (non représentée sur les figures) qui peut notamment être un oxyde, un nitrure ou un oxynitrure ; on utilise typiquement du Si 3 N 4 . Les contacts électriques entre vers les pixels sont pris par l’intermédiaire de canaux verticaux aménagés à travers cette couche d’isolant par gravure ; cela est également connu et n’est pas représenté sur les figures. Sur cette couche d’isolant est déposée l’électrode 202 de commande des zone émettrices élémentaires, qui est typiquement choisie de manière à être hautement réfléchissante. Dans un mode de réalisation très avantageux, l’électrode 202 de commande présente une épaisseur comprise entre environ 150 nm et environ 800 nm. Une valeur trop grande nuit à la résolution du micro-afficheur car elle oblige d’augmenter l’espace entre deux zones émettrices élémentaires. Il est par ailleurs très avantageux que l’épaisseur de l’électrode 202 de commande soit supérieure à l’épaisseur de l’empilement OLED 205 qui sera déposé sur cette électrode. Ladite électrode inférieure 202 peut comporter une ou plusieurs couches. Elle peut par exemple être en argent, aluminium, cuivre, chrome ou un autre métal à haute réflectivité. Si l’aluminium est utilisé, il est très avantageux de le protéger par une fine couche d’un oxyde transparent conducteur (abrégé TCO, Transparent Conductive Oxide) présentant une forte résistance à la gravure humide et au plasma d’oxygène. Ce TCO est avantageusement sélectionné dans le groupe formé par le SnO 2 , le ZnO, le ITO (Indium Tin Oxyde), le AZO (Aluminium doped Zinc Oxyde), le SnO 2 dopé, ce dopage étant de préférence à l’arsenic et/ou au fluore et/ou à l’azote et/ou au niobium et/ou au phosphore et/ou à l’antimoine et/ou à l’aluminium et/ou au titane. Dans un premier groupe d’étapes, représenté schématiquement sur les FIG. 20 à FIG. 23 , on dépose un premier groupe de zones émettrices élémentaires (sous-pixels), émettant de la lumière d’une première couleur, par exemple rouge. Dans un premier sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 20 , on dépose sur ce substrat 210 successivement : (a) un premier empilement OLED 205a, déposé avec une technique de dépôt directionnelle, c’est-à-dire une technique de dépôt, telle que l’évaporation, qui ne dépose substantiellement que sur une surface horizontale ; (b) une électrode supérieure 206a, et (c) une première couche de TCO 250a. Ladite électrode supérieure 206a présente une polarité opposée à celle de l’électrode de commande 202 ; il s’agit typiquement d’une cathode. Ladite électrode supérieure est typiquement déposée avec une technique de dépôt directionnelle ; elle peut être déposée par une technique conforme. Selon une caractéristique essentielle de l’invention, ladite couche de TCO 250a est déposée à l’aide d’une technique de dépôt conforme, telle que l’ALD ; cela assure qu’elle recouvre et protège aussi la tranche de l’empilement OLED. Cette protection est essentielle lors des étapes ultérieures de gravure. La couche de TCO 250a étant un conducteur électrique, il y a donc une continuité électrique entre la partie horizontale supérieure 250a-1 de la couche de TCO, de sa partie horizontale inférieure 250a-3 située dans l’espace entre les électrodes 202, et de son flanc 250a-3 (i.e., sa partie latérale, qui est sensiblement verticale). Ladite première couche de TCO 250 doit être transparente ; elle peut par exemple être en ZnO, AZO, SnO 2 , ITO. Dans une variante on dépose à ce stade plusieurs couches d’encapsulation transparentes (un tel empilement est compris ici dans l’expression « première couche d’encapsulation »), en utilisant le même matériau ou non ; au moins la première de ces couches doit avoir été déposée par une technique de dépôt conforme, alors que les autres couches le sont préférablement. On note qu’à l’issue du premier sous-groupe d’étapes, l’empilement OLED déposé sur l’électrode 202b du deuxième groupe de zones émettrices élémentaires et sur l’électrode 202c de troisième groupe de zones émettrices élémentaires est un empilement OLED du type premier empilement OLED 205-1. Comme cela sera expliqué ci-dessous, lors des groupes d’étapes ultérieurs, il sera par la suite remplacé par un empilement OLED de type deuxième empilement OLED 205-2, et enfin, pour les emplacements de troisièmes zones émettrices élémentaires, par un empilement OLED de type troisième type d’empilement OLED 205-3. Dans un deuxième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 21 , on aménage sur le premier de ces groupes de zones émettrices élémentaires une couche de polymère 280a qui est typiquement un photorésist. Ce photorésist 280a doit protéger la surface horizontale de la zone émettrice élémentaire, mais aussi son flanc (c’est-à-dire sa surface latérale, qui peut être verticale) ; cela est montré sur la FIG. 21 en coupe b-b. Dans un troisième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 22 , on procède, sur les zones non protégées par le photorésist 280a, à la gravure de l’empilement formé par (récité du haut vers le bas) la couche de TCO 250, l’électrode supérieure 206-1, et l’empilement OLED 205-1, Le procédé de gravure doit être choisi de manière à ce que la gravure s’arrête à la surface horizontale supérieure des électrodes 202b et 202c. Pour la gravure de la couche d’encapsulation et de l’électrode, on utilise typiquement une gravure humide, par exemple une gravure humide habituellement utilisé en microélectronique, à savoir un décapage avec une solution aqueuse d’hydroxyde de tétraméthylammonium (n° CAS : 75-59-2) à 2,38 % massiques ; un tel produit est commercialement disponible, par exemple auprès de la société ThermoFischer Scientific™ (grade électronique, n° de catalogue 44940). Alternativement, on peut également utiliser une méthode de gravure sèche, par exemple par RIE (Reactive-Ion Etching, gravure réactive ionique) ou IBE (Ion Beam Etching, gravure au faisceau d’ions). La gravure de l’empilement OLED est effectuée typiquement par un plasma d’oxygène. Dans un quatrième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 23 , on enlève le photorésist 280a. Cela peut se faire par une technique appropriée, connue de l’homme du métier. Si un plasma d’oxygène est utilisé pour graver une couche déposée directement sur l’électrode ou pour l’enlèvement du photoresist 202, il est préférable d’éviter que la surface supérieure de l’électrode supérieure ne soit en métal (aluminium, Ag, etc.) car le plasma d’oxygène va créer une couche d’alumine isolante. Un métal peut être utilisé à condition de protéger sa surface supérieure par une couche transparente conductrice qui n’est pas attaquée par le plasma d’oxygène ; à ce titre on utilise avantageusement une couche en dioxyde d’étain (SnO 2 ) ou en ITO ; on peut utiliser d’autres matériaux de TCO appropriés. L’étape d’enlèvement du photorésist est optionnelle. On peut garder le photorésist en place, il pourra ainsi servir comme une couche d’encapsulation de la zone d’émission élémentaire. Dans un deuxième groupe d’étapes, représenté schématiquement sur les FIG. 24 à FIG. 27 , on dépose un deuxième groupe de zones émettrices élémentaires (sous-pixels), émettant de la lumière d’une deuxième couleur, qui est différente de ladite première couleur, par exemple verte. Cette figure se réfère à un mode de réalisation dans lequel le photorésist 280a a été enlevé à l’étape précédente. Si le photorésist est resté en place à l’issue du premier groupe d’étapes, le dépôt des zones émettrices élémentaires du deuxième groupe se fait sur sa surface supérieure. Dans un premier sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 24 , on dépose sur ce substrat 210 successivement : (a) un deuxième empilement OLED 205b, déposé avec une technique de dépôt directionnelle ; (b) une électrode supérieure 206b, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour l’électrode supérieure 206a du premier groupe de zones émettrices élémentaires, et (c) une deuxième couche de TCO 250b, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour la première couche de TCO 250a du premier groupe de zones émettrices élémentaires. On note qu’à l’issue du premier sous-groupe d’étapes, l’empilement OLED déposé sur l’électrode 202c du troisième groupe de zones émettrices élémentaires est un empilement OLED 206b du type deuxième empilement OLED. Comme cela sera expliqué ci-dessous, lors des groupes d’étapes ultérieurs, il sera par la suite remplacé par un empilement OLED de type troisième empilement OLED 205c. On note par ailleurs que les zones émettrices élémentaires du premier groupe comportent un empilement dit ici « empilement transitoire » constitue par un empilement OLED 205b de type deuxième empilement OLED, une électrode supérieure 206b et une couche de TCO 250b ; cet empilement transitoire sera enlevé par la suite. La couche de TCO 250b couvre notamment les flancs de l’empilement OLED 205b. Les différentes portions de la couche de TCO 250b sont désignées ici, en fonction de leur position par rapport au dispositif final, par les repères numériques 250b-1, 250b-2, 250b-3, alors qu’il s’agit du même matériau, déposé par une technique conforme. Cette couche peut être continue et s’étend alors sur les trois zones d’émission élémentaires. Dans un deuxième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 25 , on aménage sur un deuxième de ces groupes de zones émettrices élémentaires un photorésist 280b, comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes. Dans un troisième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 26 , on procède, sur les zones non protégées par le photorésist 280b, à la gravure de l’empilement formé par (récité du haut vers le bas) la deuxième couche de TCO 250b, l’électrode supérieure 206-b, et l’empilement OLED 205b. Le procédé de gravure et les matériaux des différentes couches de TCO doivent être choisis de manière à ce que la gravure s’arrête à surface horizontale supérieure de l’électrode 202c et à la couche d’isolant 223 et à la couche de TCO 250a. Ladite couche d’isolant 223 peut être en Al 2 O 3 , qui présente l’avantage de résister à la gravure au plasma d’oxygène qui est avantageusement utilisé pour enlever l’empilement OLED. Dans un quatrième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 27 , on enlève le photorésist 280b, comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes, et avec les mêmes remarques concernant le choix des techniques et de protection de l’électrode supérieure en aluminium contre un éventuel plasma d’oxygène. Cette étape d’enlèvement du photorésist est optionnelle. On peut garder le photorésist en place, il pourra ainsi servir comme une couche d’encapsulation de la zone d’émission élémentaire. Dans un troisième groupe d’étapes, représenté schématiquement sur les FIG. 28 à FIG. 31 , on dépose un troisième groupe de zones émettrices élémentaires (sous-pixels), émettant de la lumière d’une troisième couleur, qui est différente de ladite première couleur et de ladite deuxième couleur, par exemple bleue. Si des photorésists sont restés en place à l’issue du premier et/ou du deuxième groupe d’étapes, le dépôt des zones émettrices élémentaires du troisième groupe se fait sur la surface supérieure de ces photorésists. Dans un premier sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 28 , on dépose sur ce substrat 210 successivement : (a) un troisième empilement OLED 205c, déposé avec une technique de dépôt directionnelle ; (b) une électrode supérieure 206c, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour l’électrode supérieure 206a et/ou 206b du premier et deuxième groupe de zone émettrices élémentaire, et (c) une troisième couche de TCO 250c, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour la première et/ou deuxième couche d’encapsulation 250a,250b du premier et deuxième groupe de zones émettrices élémentaires. On note la présence d’un empilement transitoire sur les zones émettrices élémentaires de première et deuxième groupe. Dans un deuxième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 29 on aménage sur le troisième de ces groupes de zones émettrices élémentaires un photorésist 280c, comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes. Il convient de noter que ce deuxième sous-groupe d’étapes est optionnel : on peut laisser en place les couches 205c, 206c et 250c partout, si l’on accepte une certaine perte de luminosité qui résulte de l’absorption par les couches 205c, 206c et 250c d’une partie de la lumière émise par les couches 205a et 205b. En contrepartie, cela simplifie le procédé de fabrication. Si l’on choisit cette approche, il faut que la couche 205c soit celle avec la longueur d’onde d’émission la plus courte, sinon l’émission dans une couche inférieure pourrait créer une photoluminescence dans la couche c. Dans un troisième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 30 , on procède, sur les zones non protégées par le photorésist 280c, à la gravure de l’empilement formé par (récité du haut vers le bas) la troisième couche de TCO 250c, l’électrode supérieure 206c, et l’empilement OLED 205c. Le procédé de gravure doit être choisi de manière à ce que la gravure s’arrête à la couche de TCO 250a et 250b ; pour graver la couche OLED on utilise avantageusement un plasma d’oxygène. Ce troisième sous-groupe d’étapes est optionnel, pour les mêmes raisons que le deuxième sous-groupe d’étapes que l’on vient de présenter est optionnel. Dans un quatrième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 31 , on enlève le photorésist 280c, comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes, et avec les mêmes remarques concernant le choix des techniques et de protection de l’électrode supérieure en aluminium contre un éventuel plasma d’oxygène. Cette étape d’enlèvement du photorésist est optionnelle. On peut garder le photorésist en place, il pourra ainsi servir comme une couche d’encapsulation de la zone d’émission élémentaire. On obtient ainsi un dispositif de type micro-afficheur OLED, représenté sur la FIG. 31 , avec les trois sous-pixels électriquement et hermétiquement isolés, lesdits sous-pixels présentant des empilements OLED émettant dans une couleur différente, à savoir R (205-1), G (205-2) et B (205-3). L’isolation hermétique, représentée sur la FIG. 31 sous la firme d’îlots 225a,225b,225c, protège l’empilement OLED contre l’atmosphère ambiante. Dans des étapes ultérieures, qui ne sont pas représentées ici, on peut enrober le dispositif de type micro-afficheur d’une ou plusieurs couches d’encapsulation supplémentaires. 5.Avantages de l’invention L’invention présente de nombreux avantages. Elle permet de réaliser des micro-afficheurs OLED avec trois sous-pixels élémentaires, présentant une résolution très fine avec des tailles de zones d’émission élémentaires (sous pixels) en dessous de 20 µm, de préférence en dessous de 10 µm, et encore plus préférentiellement en dessous de 5 µm grâce à la résolution élevée des méthodes de photolithographie utilisées. Ces micro-afficheurs présentent une excellente efficacité et luminosité grâce à l’utilisation d’empilements OLED différents par groupe de sous pixel, qui sont optimisés par rapport à une émission de la couleur primaire du sous-pixel respectif, grâce à la densité surfacique de zones émettrices élémentaires élevée, et grâce à l’absence de filtres de couleur. Ils ont une excellente fiabilité, grâce à la protection totale, y compris latérale, des empilements OLED lors des étapes de gravure et pendant toute la durée de vie du dispositif. Chaque zone d’émission élémentaire étant séparée et isolée des zones d’émission élémentaires voisines, le dispositif évite la diatonie. L’invention, qui a été expliqué ici en détail pour une configuration de zones émettrices élémentaires de type RGB Quad, permet de réaliser des micro-afficheurs OLED avec tous les autres arrangements des sous-pixel possibles, par exemple avec les arrangements RGB Stripe, RGBW Quad, Delta, Honeycomb etc. Le procédé de fabrication utilise les techniques et procédés connus de la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et microélectroniques, ainsi que les procédés courants de la fabrication des OLED. Un avantage particulier du procédé selon l’invention réside dans le fait qu’il n’exige pas que les empilements OLED soient déposés à travers de pochoirs présentant des ouvertures de petites dimensions, c’est-à-dire de la dimension de la zone émettrice élémentaire. Cela est illustré ici par la FIG. 9 qui montre l’ouverture 310 d’un pochoir 300 posé sur la surface du substrat montré sur la FIG. 8 . Dans le procédé selon l’invention, le dépôt de l’empilement OLED est commun à toutes les zones émettrices élémentaires. C’est par la gravure d’une surface partiellement masqué par des plots de photorésist, ce dernier relevant de techniques permettant une résolution latérale nettement meilleure que le pochoir, que l’on obtient des zones émettrices élémentaires de très petites dimensions ; ces dimensions peuvent être d’environ 5 µm ou de manière préférée inférieures à 5 µm, ou même inférieures à 4 µm, ou même inférieures à 3 µm. Dans un mode de réalisation avantageux ces dimensions sont comprises entre environ 2 µm et environ 5 µm. L’électrode supérieure 206 (en règle générale la cathode) est également déposée de manière commune à toutes les zones émettrices élémentaires, à travers l’ouverture 410 d’un pochoir 400 qui est montré schématiquement sur la FIG. 10 . Comme on le voit en comparant la FIG. 10 à la FIG. 7 , l’ouverture couvre la barre de connexion 217 à laquelle l’électrode supérieure 207 est donc raccordée électriquement. Dispositif d’affichage électroluminescent (200) comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat (210), selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires, chacune desdites au moins trois zones émettrices élémentaires appartenant à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, et chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques (205), appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, et ledit empilement OLED (205) étant disposé entre une électrode de commande (202) inférieure et une électrode supérieure (206) transparente, ladite électrode supérieure (206) transparente étant traversée par la lumière émise par l’empilement OLED (205), ledit dispositif d’affichage électroluminescent (200) comprenant des barres de connexion électrique (217) situées en dehors de la matrice des pixels et dédiées à alimenter l’électrode supérieure (206), ledit dispositif d’affichage électroluminescent étant caractérisé en ce que l’électrode supérieure (206) comprend - une première partie (206-1) qui appartient à chaque zone émettrice élémentaire individuellement et qui est physiquement et électriquement séparée de la même première partie (206-1) de toutes les autres zones émettrices élémentaires ; et - une deuxième partie (206-2) située entre les zones émettrices élémentaires et qui forme un réseau électrique connecté au travers de toute la matrice de pixels jusqu’à des barres des connexion (217) et physiquement et électriquement isolé des premières parties (206-1) ; et - une couche d’un matériaux transparent et conducteur (250) qui établit une connexion électrique entre la deuxième partie (206-2) et les premières parties (206-1) de chaque zone émettrice élémentaire permettant ainsi l’alimentation électrique des dispositifs OLED de chaque zone émettrice élémentaire. Dispositif d’affichage électroluminescent comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat (210), selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires, chacune desdites au moins trois zones émettrices élémentaires appartenant à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques (205), appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, ledit empilement OLED (205) étant disposé entre une électrode de commande (202) inférieure et une électrode supérieure (206) transparente, ladite électrode supérieure (206) transparente étant traversée par la lumière émise par l’empilement OLED (205), ledit dispositif d’affichage électroluminescent étant caractérisé en ce que : deux électrodes de commande (202a,202b ; 202b,202c ; 202c, 202a) voisines appartenant à deux zones émettrices élémentaires voisines sont séparées par un espace (211) formant une tranchée et présentant une surface isolante (223) qui couvre au moins les flancs verticaux desdites électrodes de commande voisines et les isole électriquement l’une de l’autre, et deux électrodes de commande voisines appartenant à deux zones émettrices élémentaires voisines sont séparées par un espace formant une tranchée et présentant une surface isolante qui couvre au moins les flancs verticaux desdites électrodes de commande voisines et les isole électriquement l’une de l’autre, pour chacune des zones émettrices élémentaires, l’ensemble de l’empilement OLED avec son électrode supérieure correspondante (205a avec 207a, 205b avec 207b, 205c avec 207c) est séparé des zones émettrices élémentaires voisines par une couche conductrice et transparente (250) qui protège ledit empilement OLED sur sa face supérieure et sur tous ses flancs latéraux contre l’air ambiant, formant ainsi un îlot (225) protégé. Dispositif d’affichage électroluminescent (200) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite couche conductrice transparente (250) a été déposée par une méthode de dépôt conforme, et encapsule l’ensemble représenté par ledit empilement OLED (205) et l’électrode supérieure (206) de façon individuelle, formant pour chaque zone émettrice élémentaire un îlot encapsulé. Dispositif d’affichage électroluminescent (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite couche de matériau transparent et conducteur (250) est réalisée en un matériau sélectionné dans le groupe formé par : le SnO 2 , le ZnO, le ITO, le AZO, tous ces matériaux étant possiblement dopés. Dispositif d’affichage électroluminescent (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que qu’il comprend un système d’encapsulation (282) comprenant, énuméré d’en bas vers le haut, ladite couche (250) d’un matériau transparent et conducteur, au moins une couche d’un matériau polymère (280) en contact avec ladite couche d’un matériau transparent et conducteur (250), et au moins une couche inorganique transparente (281). Dispositif d’affichage électroluminescent (200) selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite couche d’un matériau polymère (280) en contact avec ladite couche d’un matériau transparent et conducteur (250) est structurée selon l’arrangement des zone émettrices élémentaires (202). Dispositif d’affichage électroluminescent (200) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu’une partie dudit matériau transparent et conducteur (250) qui établit une connexion électrique entre la deuxième partie (206-2) et les premières parties (206-1) de chaque zone émettrice élémentaire est orienté selon un plan sensiblement vertical. Procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent (200) comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat (210), selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires dont chacune appartient à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, et chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques (205), appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, et ledit empilement OLED (205) étant disposé entre une électrode de commande (202) inférieure et une électrode supérieure (206) transparente, ladite électrode supérieure (206) transparente étant traversée par la lumière émise par l’empilement OLED (205), et ledit dispositif d’affichage électroluminescent (200) comprenant des barres de connexion électrique (217) dédiées à alimenter l’électrode supérieure (206), et dans lequel procédé : (i) on approvisionne un substrat (210) pourvu d’une électrode de commande (202a,202b,202c) pour chaque zone émettrice élémentaire et d’une couche d’isolant entre deux électrodes de commande voisines, ladite couche d’isolant recouvrant les flancs desdites électrodes de commande voisines ainsi que le substrat entre lesdites deux électrodes de commande voisine, et (ii) dans un premier groupe d’étapes on dépose d’abord un premier empilement OLED (205a), une électrode supérieure (206a) et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une première couche d’un oxyde conducteur transparent (250a), puis on aménage à l’endroit des zones d’émission élémentaires du premier groupe un photorésist (280a) qui protège - la surface horizontale supérieure (250a-1), qui est la surface au-dessus de l’électrode de commande, et - le flanc (250a-2) de l’électrode de commande et - au moins une partie de la surface horizontale inférieure (250a-3) située entre deux électrodes de commande voisines, et ensuite on grave les zones non protégées par le photorésist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande pour les zones d’émission élémentaires non protégées par le photorésist et jusqu’à la surface de la couche d’isolant se trouvant dans l’espace naturel entre deux électrode de commande voisines, et enfin, optionnellement, on enlève ledit photorésist; (iii) dans un deuxième groupe d’étapes, on dépose un deuxième empilement OLED (205b), une électrode supérieure (206b) et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une deuxième couche d’un oxyde conducteur transparent (250b), puis on aménage à l’endroit des zones d’émission élémentaires du deuxième groupe un photorésist (280b), et ensuite on grave les zones non protégées par le photorésist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande pour les zones d’émission élémentaires non protégées par le photorésist et jusqu’à la surface de la couche d’isolant se trouvant dans l’espace naturel entre deux électrode de commande voisines, et enfin, optionnellement, on enlève ledit photorésist; (iv) dans un troisième groupe d’étapes, on dépose un troisième empilement OLED (205c), une électrode supérieure (206bc) et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une troisième couche d’un oxyde conducteur transparent (250c), puis on aménage à l’endroit des zones d’émission élémentaires du deuxième groupe un photorésist (280b), et ensuite on grave les zones non protégées par le photorésist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande pour les zones d’émission élémentaires non protégées par le photorésist et jusqu’à la surface de la couche d’isolant se trouvant dans l’espace naturel entre deux électrode de commande voisines, et enfin, optionnellement, on enlève ledit photorésist. Procédé selon la revendication 8, dans lequel on enlève les photorésists, et dans lequel on dépose à l’issue du troisième groupe d’étapes une couche d’encapsulation (280) polymérique suivie d’une couche inorganique transparente (281), de préférence une couche d’oxyde, et encore plus préférentiellement une couche en alumine ou en silice. Procédé selon la revendication 8, dans lequel on n’enlève pas les photorésists, et dans lequel on dépose à l’issue du troisième groupe d’étapes une couche inorganique transparente (281), de préférence une couche d’oxyde, et encore plus préférentiellement une couche en alumine ou en silice. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 ou procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel ledit arrangement matriciel est de type RGB-Stripe, RGB-Quad, RGBW-Quad, Delta ou Honeycomb.