FR 3157665 A1 20250627 FR 2315298 A 20231226 Procédé de traitement de plots de reprise de contact La présente description concerne un procédé de fabrication d'un circuit électronique comportant, dans l'ordre, la formation d'une ouverture (16) dans un substrat semiconducteur (10) comprenant une première face (10s) et formation d'au moins un plot conducteur électriquement (13) comprenant une première portion (13c) s'étendant sur la première face (10s) et une deuxième portion (13j) recouvrant les flancs de l'ouverture (16) et délimitant un interstice (17) dans l'ouverture (16), le dépôt d'une première couche en une première résine, la première résine étant non-photosensible, la première couche en la première résine recouvrant le plot conducteur électriquement (13) et remplissant l'interstice (17) et réticulation de la première couche en la première résine, la gravure chimique par plasma de la première couche en la première résine pour délimiter un premier bloc (20) de la première résine dans l'interstice (17), et le dépôt d'une première couche de protection (22) sur le premier bloc (20). Figure pour l'abrégé : Fig. 13 Procédé de traitement de plots de reprise de contact La présente description concerne de façon générale le domaine des circuits électroniques, notamment des capteurs d'images, comprenant des plots de reprise de contact, et vise plus particulièrement un procédé de fabrication d'un capteur d'images. Un capteur d'images comprend généralement une pluralité de photodétecteurs, par exemple des photodiodes, intégrés dans et sur un substrat semiconducteur. Les photodétecteurs peuvent être surmontés d'une couche de microlentilles. Cette couche de microlentilles permet de focaliser les rayonnements incidents sur les photodétecteurs. Un capteur d'image peut en outre comprendre des plots de reprise de contact qui s'étendent sur une face du substrat et au travers du substrat semiconducteur, notamment lorsque le capteur d'image est destiné à être éclairé par cette face. De tels plots de reprise de contact conduisent à la présence de reliefs importants qui peuvent notamment perturber les étapes de fabrication qui suivent la formation des plots de reprise de contact, et en particulier la formation de la couche de microlentilles. Il serait souhaitable d'améliorer au moins en partie certains aspects des procédés connus de fabrication d'un capteur d'images comprenant une couche de microlentilles. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des capteurs d'images connus. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un circuit électronique comportant les étapes suivantes dans l'ordre : a) formation d'une ouverture dans un substrat semiconducteur comprenant une première face et une deuxième face opposée à la première face, l'ouverture s'étendant de la première face à la deuxième face, et formation d'au moins un plot conducteur électriquement comprenant une première portion s'étendant sur la première face et une deuxième portion recouvrant les flancs de l'ouverture et délimitant un interstice dans l'ouverture ; b) dépôt d'une première couche en une première résine, la première résine étant non-photosensible, la première couche en la première résine recouvrant le plot conducteur électriquement et remplissant l'interstice et réticulation de la première couche en la première résine ; c) gravure chimique par plasma de la première couche en la première résine pour délimiter un premier bloc de la première résine dans l'interstice ; et d) dépôt d'une première couche de protection sur le premier bloc (20). Selon un mode de réalisation, la première face comprend un enfoncement dans lequel est située la première portion, une rainure étant présente entre la première portion et le flanc de l'enfoncement, la première couche en la première résine remplissant la rainure à l'étape b), et un deuxième bloc de la première résine étant en outre délimité dans la rainure à l'étape c). Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, après l'étape d), les étapes suivantes dans l'ordre : e) formation d'une pluralité de microlentilles dans une deuxième couche en la première résine et recouvrant la première couche de protection, la pluralité de microlentilles ne recouvrant pas ledit au moins un plot conducteur électriquement ; et f) dépôt d'une deuxième couche de protection sur la pluralité de microlentilles et sur la première couche de protection autour de la pluralité de microlentilles. Selon un mode de réalisation, la formation de la pluralité de microlentilles comprend les étapes suivantes dans l'ordre : g) dépôt de la deuxième couche en la première résine recouvrant la première couche de protection ; h) formation d'un masque en une deuxième résine, sur et en contact avec la deuxième couche en la première résine ; i) formation de structurations en forme de microlentilles dans le masque ; et j) transfert desdites structurations dans la deuxième couche en la première résine par gravure physique pour former la pluralité de microlentilles dans la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, après l'étape j), le masque est retiré à l'aide d'un solvant. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, après l'étape f) l'étape suivante : k) retrait de la première couche de protection et de la deuxième couche de protection sur au moins une partie de première portion tout en conservant la première couche de protection et la deuxième couche de protection sur le premier bloc. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, à l'étape k), le retrait de la première couche de protection et de la deuxième couche de protection sur au moins une partie de première portion tout en conservant la première couche de protection et la deuxième couche de protection sur le deuxième bloc. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape a), la formation d'une pluralité de photodétecteurs dans le substrat semiconducteur. Selon un mode de réalisation, le plasma comprend du dioxygène. Selon un mode de réalisation, la première couche de protection est en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON). Selon un mode de réalisation, l'étape b) comprend successivement le dépôt d'une première sous-couche de la première résine ayant une première viscosité, la réticulation de la résine de la première sous-couche, le dépôt d'une deuxième sous-couche de la première résine ayant une deuxième viscosité sur la première sous-couche, et la réticulation de la première résine de la deuxième sous-couche. Selon un mode de réalisation, la première viscosité est inférieure à la deuxième viscosité, la première viscosité étant comprise entre 1 mPa.s et 30 mPa.s, et la deuxième viscosité étant comprise entre 30 mPa.s et 150 mPa.s. Un mode de réalisation prévoit également un circuit électronique comportant : - un substrat semiconducteur comprenant une première face, une deuxième face opposée à la première face, et une ouverture s'étendant de la première face à la deuxième face ; - un plot conducteur électriquement comprenant une première portion s'étendant sur la première face et une deuxième portion recouvrant les flancs de l'ouverture et délimitant un interstice dans l'ouverture ; - un premier bloc en une première résine dans l'interstice, la première résine étant non-photosensible, le premier bloc en la première résine étant réticulé ; et - une première couche de protection recouvrant le premier bloc. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comporte en outre : - une pluralité de photodétecteurs dans et sur le substrat semiconducteur ; - une pluralité de microlentilles en la première résine et recouvrant la première couche de protection, la pluralité de microlentilles ne recouvrant pas ledit au moins un plot conducteur électriquement ; et - une deuxième couche de protection sur la pluralité de microlentilles et sur la première couche de protection autour de la pluralité de microlentilles. Selon un mode de réalisation, la première face comprend un enfoncement dans lequel est située la première portion, une rainure étant présente entre la première portion et le flanc de l'enfoncement, le circuit électronique comprenant un deuxième bloc de la première résine dans la rainure, la première couche de protection recouvrant le deuxième bloc. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 , la FIG. 2 , la FIG. 3 , la FIG. 4 , la FIG. 5 , la FIG. 6 , la FIG. 7 , la FIG. 8 , la FIG. 9 , la FIG. 10 , la FIG. 11 , la FIG. 12 , et la FIG. 13 sont des vues en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images ; et la FIG. 14 est une image obtenue par microscopie électronique à balayage illustrant un autre mode de réalisation d'un capteur d'images. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des photodétecteurs des capteurs d'images décrits, ainsi que de leurs circuits de commande, n'a pas été détaillée, la réalisation de ces éléments étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un circuit électronique correspondant à un capteur d'images va maintenant être décrit. De façon générale, ce mode de réalisation de procédé de fabrication peut être mis en oeuvre pour tout type de circuit électronique comprenant des plots de reprise de contact, les étapes concernant des éléments propres à un capteur d'images n'étant alors pas mises en oeuvre. Les figures 1 à 13 illustrent, de façon schématique et partielle, des dispositifs ou structures obtenus à l'issue d'étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images. Plus particulièrement, la FIG. 1 correspond à une structure de départ comprenant un substrat semiconducteur 10, par exemple un substrat en silicium, dans lequel ont été préalablement formés des photodétecteurs 12. A titre d'exemple, les photodétecteurs 12 sont des photodiodes, par exemple, adaptées à capter un rayonnement infrarouge, visible et/ou ultraviolet. A titre d'exemple, les photodétecteurs 12 sont des photodétecteurs réalisés en technologie CMOS (de l'anglais "Complementary Metal Oxide Semiconductor" – semiconducteur métal oxyde complémentaire). Le substrat 10 comprend une face supérieure 10s et une face inférieure 10i, opposée à la face supérieure 10s. Le substrat 10 peut être recouvert, du côté de la face supérieure 10s, par un ou plus d'un élément, non représentés sur les figures, par exemple une couche diélectrique de protection, des filtres colorés recouvrant les photodétecteurs 12, un écran opaque recouvrant des zones du substrat 10 ne comprenant pas de photodétecteurs 12, etc. Le substrat 10 est recouvert, du côté de la face inférieure 10i, par une structure d'interconnexion 14, comprenant un empilement de couches isolantes entre lesquelles s'étendent des pistes conductrices, non représentées, et au travers desquelles s'étendent des vias conducteurs, non représentés. Selon un mode de réalisation, le substrat 10 a une épaisseur comprise entre 3 µm et 10 µm. Dans cet exemple, le substrat 10 est destiné à être éclairé par sa face supérieure 10s. La structure de départ comprend, en outre, un ou des plots de reprise de contact 13, un seul plot de reprise de contact 13 étant représenté en FIG. 1 . Selon un mode de réalisation, le plot de reprise de contact 13 est isolé électriquement du substrat 10 par au moins une couche isolante, non représentée. Les plots 13 sont disposés hors de l'aplomb des photodétecteurs 12 de façon à ne pas masquer les photodétecteurs 12. A titre d'exemple, en vue de dessus, les photodétecteurs 12 sont situés dans une région centrale du substrat 10, et les plots 13 sont situés en vis-à-vis d'une région périphérique du substrat 10. Chaque plot de reprise de contact 13 comprend une zone de contact 13c qui s'étend dans un enfoncement 15 prévu dans la face supérieure 10s du substrat 10. La zone de contact 13c de chaque plot 13 est destinée à être connectée à un dispositif extérieur, par exemple au moyen d'un fil électriquement conducteur, par exemple un fil métallique. La zone de contact 13c comprend une face supérieure 13s. Le substrat 10 comprend, pour chaque plot de reprise de contact 13, une ouverture traversante 16 qui s'étend de la face supérieure 10s à la face inférieure 10i. L'ouverture 16 débouche dans l'enfoncement 15. Selon un mode de réalisation, l'ouverture 16 a une section droite, vue selon une direction perpendiculaire à la face 10s, sensiblement constante. A titre d'exemple, la section droite de l'ouverture 16 est carrée ou rectangulaire, notamment inscrite dans un rectangle dont le petit côté varie de 2 µm à 10 µm et le grand côté varie de 5 µm à 100 µm. Le plot de reprise de contact 13 comprend une portion de jonction 13j qui s'étend dans l'ouverture traversante 16. A titre d'exemple, la portion de jonction 13j du plot reprise de contact 13 est connectée à un ou des niveaux de métallisation de la structure d'interconnexion 14 disposée du côté de la face inférieure 10i du substrat 10. A titre d'exemple, les plots de reprise de contact 13 sont en un matériau métallique, par exemple en aluminium. La portion de jonction 13j recouvre les flancs de l'ouverture 16. Toutefois, l'ouverture 16 n'est pas complètement remplie par la portion de jonction 13j de sorte qu'un interstice 17 rempli d'air, et débouchant sur l'extérieur, demeure dans l'ouverture 16. A titre d'exemple, la portion de jonction 13j a une épaisseur, mesurée par rapport aux flancs de l'ouverture 16, qui est comprise entre 200 nm et 2 µm, et est par exemple égale à environ 2 µm. A titre d'exemple, la profondeur de l'interstice 17 est comprise entre 3 µm et 10 µm, et est par exemple égale à environ 6 µm. A titre d'exemple, l'épaisseur de la zone de contact 13c est égale à l'épaisseur de la portion de jonction 13j. A titre d'exemple, la profondeur de l'enfoncement 15 est sensiblement égale à l'épaisseur de la zone de contact 13c et est comprise entre 200 nm et 2 µm. A titre d'exemple, les plots de reprise de contact 13 peuvent être utilisés pour l'échange de signaux avec le capteurs d'images et/ou pour l'alimentation électrique du capteur d'images. Selon un autre exemple, l'un des plots de reprise de contact 13 peut faire partie d'une structure de protection tel qu'un anneau de garde (en anglais "seal ring"), auquel cas le plot peut s'étendre sur toute la périphérie du capteur d'images. Selon un mode de réalisation, la face supérieure 10s est plane en dehors des enfoncements 15 et des ouvertures traversantes 16. Une rainure 18 remplie d'air peut être présente dans l'enfoncement 15 entre le flanc de l'enfoncement 15 et le plot de reprise de contact 13. Les figures 2 à 4 illustrent des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes de planarisation de la structure de la FIG. 1 pour obtenir une face sensiblement plane du côté de la face supérieure 10s du substrat 10. La FIG. 2 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation d'une couche de résine 19 du côté de la face supérieure 10s du substrat 10. La couche 19 est, par exemple, déposée pleine plaque sur toute la surface de la face supérieure 10s du substrat 10, par exemple par dépôt à la tournette. La couche 19 recouvre ainsi les plots de reprise de contact 13, et les photodétecteurs 12. La couche de résine 19 remplit notamment, pour chaque plot de reprise de contact 13, l'interstice 17 et la rainure 18 lorsque cette dernière est présente. La couche 19 a, par exemple, en dehors des zones où elle recouvre les plots de reprise de contact 13, une épaisseur comprise entre 1 µm et 6 µm, par exemple de l'ordre de 4 µm. Selon un mode de réalisation, la couche 19 présente une face supérieure 19s sensiblement plane. La résine de la couche 19 est, par exemple, une résine réticulée qui ne peut pas être dissoute dans les solvants liquides usuels de développement et/ou de gravure des résines. La résine de la couche 19 est par exemple une résine non-photosensible. A titre d'exemple, la résine de la couche 19 est choisie de sorte qu'elle puisse être réticulée, par exemple par des UVs ou à partir d'une certaine température, par exemple, de l'ordre de 200 °C. A titre d'exemple, la résine de la couche 19 est choisie de sorte qu'elle puisse être gravée par bombardement d’ions réactifs, également appelé gravure RIE (sigle anglais pour Reactive-ion etching), utilisant un plasma, par exemple à base d'oxygène. A titre d'exemple, la résine de la couche 19 comprend un polymère, par exemple de type acrylique ou de type polyhydroxystyrène. De façon avantageuse, la viscosité de la résine composant la couche 19 est choisie de façon à obtenir un remplissage complet, pour chaque plot de reprise de contact 13, de l'interstice 17, et de la rainure 18 lorsqu'elle est présente, et obtenir une face supérieure 19s sensiblement plane. Selon un mode de réalisation, la couche 19 est réalisée par une seule opération de dépôt. Selon un mode de réalisation, la formation de la couche 19 comprend le dépôt d'une première sous-couche 19a de la résine de la couche 19 ayant une première viscosité, la réticulation de la résine de la première sous-couche 19a, le dépôt d'une deuxième sous-couche 19b de la résine de la couche 19 ayant une deuxième viscosité, et la réticulation de la résine de la deuxième sous-couche 19b. La première sous-couche permet le remplissage des interstices 17. La première viscosité peut être inférieure à la deuxième viscosité. Selon un mode de réalisation, la première viscosité est comprise entre 1 mPa.s et 30 mPa.s, et est par exemple égale à 25 mPa.s. Selon un mode de réalisation, la deuxième viscosité est comprise entre 30 mPa.s et 150 mPa.s, et est par exemple égale à 50 mPa.s. La première viscosité est, de façon avantageuse, adaptée pour faciliter le remplissage des interstices 17. La deuxième viscosité est, de façon avantageuse, adaptée pour faciliter l'obtention de la face supérieure 19s sensiblement plane. La FIG. 3 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de gravure de la couche de résine 19 jusqu'à exposer la face supérieure 10s du substrat 10 et la face supérieure du plot 13 de reprise de contact. L'étape de gravure délimite un bloc 20 du matériau composant la couche 19 dans l'interstice 17 délimité par chaque plot de reprise de contact 13. Lorsque la rainure 19 est présente, l'étape de gravure délimite un bloc 21 du matériau composant la couche 19 dans la rainure 18. Selon un mode de réalisation, la gravure mise en oeuvre lors de cette étape est une gravure par plasma déporté, et donc isotrope (procédé parfois désigné par les termes anglais "dry-stripping" ou "dry-ashing"). Le plasma de gravure chimique utilisé comprend de préférence du dioxygène. A titre d'exemple, le plasma de gravure chimique comprend du dioxygène, du diazote et du dihydrogène. A titre d'exemple, la température du matériau gravé lors de cette étape est comprise entre 80 °C et 200 °C, par exemple de l'ordre de 170 °C. Ce mode de réalisation présente l’avantage d’être sélectif sur le matériau de la face supérieure 10s. Selon un mode de réalisation, la gravure mise en oeuvre lors de cette étape est une gravure par bombardement d'ions, gravure sèche réactive ou gravure par pulvérisation ("dry etching" en anglais). Une telle gravure entraîne un retrait de matière par bombardement, par exemple, en utilisant un plasma à base de dioxygène. La gravure susmentionnée est arrêtée lorsque la face supérieure 10s du substrat 10 ou la face supérieure 13s du plot de reprise de contact 13 est dévoilée. La FIG. 4 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de protection 22 en un matériau électriquement isolant à la surface du dispositif illustré en FIG. 3 . La couche 22 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface supérieure du dispositif de la FIG. 4 . Ainsi, la couche 22 recouvre notamment la face supérieure 13s des plots 13, les blocs 20 et les blocs 21, et la face supérieure 10s du substrat 10. La couche 22 est, par exemple, en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON) ou de l'oxyde de silicium (SiO 2 ) déposé à basse température, par exemple 150 °C. A titre d'exemple, la couche de protection 22 est déposée, par une méthode de dépôt conforme sur la face supérieure du dispositif illustré en FIG. 3 , par exemple par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, de l'anglais "Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). La couche 22 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 30 nm et 200 nm, par exemple de l'ordre de 50 nm. A titre d'exemple, la température lors de la formation de la couche de protection 22 est comprise entre 150 °C et 250 °C, par exemple de l'ordre de 150 °C. Les figures 5 à 7 illustrent des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes de formation de filtres optiques et d'une couche de microlentilles du côté de la face supérieure 10s du substrat 10, en vis-à-vis des photodétecteurs 12. La FIG. 5 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation de filtres optiques 23 sur la couche de protection 22 et d'une étape de formation d'une couche de résine 24 sur les filtres optiques 23 et sur la couche de protection 22 autour des filtres optiques 23. Les filtres optiques 23 sont formés sur la couche de protection 22 à l'aplomb des photodétecteurs 12. Les filtres optiques peuvent comprendre des filtres colorés et/ou des filtres interférentiels. De façon avantageuse, la couche de protection 22 protège les blocs 20 et 21 pendant la formation des filtres optiques 23 ou pendant le recyclage (rework) de ces derniers. La couche de résine 24 est, par exemple, déposée pleine plaque sur toute la surface de la couche de protection 22. La couche 24 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 1 µm et 5 µm, par exemple de l'ordre de 4 µm. Selon un mode de réalisation, la résine de la couche 24 est la même que la résine de la couche 19. La résine de la couche 24 est, par exemple, une résine réticulée qui ne peut pas être dissoute dans les solvants liquides usuels de développement et/ou de gravure des résines. La résine de la couche 24 est par exemple une résine non-photosensible. A titre d'exemple, la résine de la couche 24 est choisie de sorte qu'elle puisse être réticulée, par exemple par des UVs ou à partir d'une certaine température, par exemple, de l'ordre de 200 °C. A titre d'exemple, la résine de la couche 24 est choisie de sorte qu'elle puisse être gravée par gravure RIE, notamment à l'aide d'un plasma à base d'oxygène. A titre d'exemple, la résine de la couche 24 comprend un polymère, par exemple de type acrylique. La FIG. 6 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation d'un masque de gravure 25 sur la face supérieure de la couche de résine 24. Le masque 25 comprend des structurations en forme de microlentilles, destinées à être transférées dans la couche de résine 24 lors d'une étape de gravure ultérieure, de façon à former des microlentilles dans la couche 24. A titre d'exemple, le masque 25 est formé à partir d'une couche de résine photosensible. La résine du masque 25 est par exemple d'abord déposée pleine plaque, sur et en contact avec la face supérieure de la couche 24. A ce stade, la résine du masque 25 présente par exemple une épaisseur sensiblement uniforme sur toute la surface de la structure. Le dépôt de la résine du masque 25 peut être fait par une technique d'enduction à la tournette ou par toute autre technique de dépôt adaptée. La couche de résine du masque 25 est ensuite structurée, par exemple par photolithographie, de façon à former, en vis-à-vis des photodétecteurs 12, des plots de résine 26 disjoints. Dans cet exemple, on prévoit un plot de résine 26 individuel en vis-à-vis de chaque photodétecteur 12 du capteur. Un recuit de fluage est ensuite mis en oeuvre, au cours duquel les plots de résine 26 se déforment pour prendre la forme de microlentilles. Après fluage, les plots de résine 26 sont par exemple disjoints. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. Les plots 26 ont par exemple une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la couche 24. La FIG. 7 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de gravure physique de la couche 24 et du masque 25, conduisant à transférer le motif du masque 25 dans une partie supérieure de la couche 24. La gravure est par exemple arrêtée lorsque toute la résine du masque 25 a été consommée. Ainsi, dans le dispositif illustré en FIG. 7 , la couche 24 comprend des microlentilles 28 en vis-à-vis des photodétecteurs 12. A titre d'exemple, les microlentilles 28 ont une hauteur comprise entre 0,5 µm et 3 µm. A ce stade, les plots de connexion 13 restent recouverts par la résine de la couche 24. Les blocs 20 et 21 étant en une résine non-photosensible réticulée, qui peut être la même résine que celle utilisé pour les microlentilles 28, il n'y a avantageusement pas de dégradation de la résine des blocs 20 et 21 lors de la formation des filtres optiques 23 et des microlentilles 28. Les figures 8 à 13 illustrent des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes de retrait de la résine de la couche de résine 24 en vis-à-vis des plots 13, pour permettre la reprise d'un contact électrique sur les plots 13. La FIG. 8 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de formation d'une couche de masquage 30 en résine sur la face supérieure de la couche 24. A titre d'exemple, la couche 30 est d'abord déposée pleine plaque sur la face supérieure de la couche 24, par exemple en contact avec la face supérieure de la couche 24. La couche 30 est ensuite retirée, par exemple par photolithographie, en vis-à-vis des plots 13, de façon à exposer la portion de la couche de résine 24 revêtant les plots 13. La résine de la couche 30 est, par exemple, une résine photosensible. A titre d'exemple, la couche 30 a une épaisseur supérieure à l'épaisseur maximale de la couche 24. A titre d'exemple, la couche 30 a une épaisseur comprise entre 4 µm et 10 µm, par exemple de l'ordre de 6 µm. La FIG. 9 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de gravure de la couche 24 à travers la couche 30. Lors de cette étape, la couche 30 est utilisée comme un masque de gravure. Plus particulièrement, lors de cette étape, la partie de la couche 24 non recouverte par la couche 30 est retirée de façon à dévoiler la couche de protection 22. La couche de protection 22 peut jouer le rôle de couche d'arrêt de gravure. Selon un mode de réalisation, la gravure mise en oeuvre lors de cette étape est une gravure plasma déporté (procédé parfois désigné par les termes anglais "dry-stripping" ou "dry-ashing"). Cette gravure chimique repose sur l’utilisation de radicaux libres générés par des plasmas déportés. Cette technique de gravure est habituellement utilisée pour retirer, recycler ou décaper, pleine plaque, des couches de résine. Cette technique est en outre parfois utilisée pour effectuer, pleine plaque, des traitements chimiques sur les matériaux exposés. On propose ici de l'utiliser, de façon inhabituelle, pour réaliser une gravure localisée de la couche de résine 24 à travers le masque formé par la couche de résine 30. Cette technique présente l'avantage d'être moins agressive qu'une gravure physique, et ne génère pas de fibres ou filaments à base de produits de la gravure et de carbone sur les flancs de la couche 24. Le plasma de gravure utilisé comprend de préférence du dioxygène. A titre d'exemple, le plasma de gravure chimique comprend du dioxygène, du diazote et du dihydrogène. A titre d'exemple, la température du matériau gravé lors de cette étape est comprise entre 80 °C et 200 °C, par exemple de l'ordre de 170 °C. Selon un mode de réalisation, la gravure mise en oeuvre lors de cette étape est une gravure par bombardement d'ions, gravure sèche réactive ou gravure par pulvérisation ("dry etching" en anglais). Une telle gravure entraîne un retrait de matière par bombardement, par exemple, en utilisant un plasma à base de dioxygène. Le plasma utilisé lors de cette étape de gravure a, par exemple, une composition différente du plasma utilisé lors de la gravure conduisant à la formation des microlentilles 28. Lors de l'étape susmentionnée, les couches 30 et 24 sont consommées simultanément. La gravure susmentionnée est arrêtée lorsque la couche de protection 22 est dévoilée. A ce stade, une partie de la couche 30 subsiste à la surface de la couche 24 en vis-à-vis des microlentilles 28. La FIG. 10 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de retrait de la partie restante de la couche 30 de façon à libérer la face supérieure des microlentilles 28. Cette étape de retrait est par exemple réalisée par une gravure humide par solvant, au moyen d'une solution de gravure permettant de graver sélectivement le matériau de la couche 30 par rapport au matériau de la couche 24. La FIG. 11 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de protection 32 en un matériau électriquement isolant à la surface du dispositif illustré en FIG. 10 . La couche 32 s'étend par exemple de façon continue sur toute la surface supérieure du dispositif de la FIG. 10 . Ainsi, la couche 32 recouvre notamment les microlentilles 28 de la couche 24 et sur la couche de protection 22 notamment sur les plots 13. A titre d'exemple, la couche 32 est en un matériau qui permet de protéger la couche 24 de l'humidité. La couche 32 est, par exemple, en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON) ou un oxyde déposé à basse température, par exemple 150°C. Selon un mode de réalisation, la couche 32 est du même matériau que la couche 22. A titre d'exemple, la couche de protection 32 est déposée, par une méthode de dépôt conforme sur la face supérieure du dispositif illustré en FIG. 10 , par exemple par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). La couche 32 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l'ordre de 150 nm. De façon avantageuse, le procédé de formation de la couche 32 est le même que celui utilisé pour la formation de la couche 22. Les figures 12 à 13 illustrent des dispositifs obtenus à l'issue d'étapes de retrait localisé des couches de protection 22 et 32 en regard de chacun des plots de reprise de contact 13, pour permettre la reprise d'un contact électrique sur les plots 13. La FIG. 12 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de dépôt d'une couche de résine 33 sur la face supérieure du dispositif de la FIG. 11 , et de formation, dans la couche de résine 33, d'ouvertures traversantes 34 exposant, pour chaque plot de reprise de contact 13, une partie de la couche de protection 32 recouvrant la zone de contact 13c du plot de reprise de contact 13 (à titre d'exemple, la partie de la zone de contact 13c à gauche de la portion de jonction 13j en FIG. 12 ). Les ouvertures 34 sont par exemple formées par photolithographie. La FIG. 13 illustre un dispositif obtenu à l'issue d'une étape de gravure de la couche de protection 32 et de la couche de protection 22 dans les ouvertures 34 de la couche de résine 33 qui est utilisé comme masque de gravure suivie d'une étape de retrait de la couche de résine 33. Une ouverture 35 est alors formée dans la couche de protection 32 et de la couche de protection 22, dans le prolongement de chaque ouverture 34, qui expose une partie de la zone de contact 13c du plot de reprise de contact 13. Selon un mode de réalisation, le retrait de la couche de résine 33 peut être réalisé par le même procédé de gravure que celui décrit précédemment en relation avec la FIG. 9 pour la gravure de la couche 24. La couche de protection 32 permet de protéger les microlentilles 28 et les blocs de résine 20 et 21 pendant la gravure de la couche de résine 33. Le bloc de résine 20 est conservé dans l'interstice 17 et le bloc de résine 21 est conservé dans la rainure 18. Ceci permet, de façon avantageuse, d'obtenir une surface supérieure relativement plane, ou en tout cas, présentant des reliefs d'amplitudes réduites, au-dessus de la portion de jonction 13j de chaque plot de reprise de contact 13 et au-dessus de la rainure 18 entourant chaque plot de reprise de contact 13. La FIG. 14 est une image obtenue par microscopie électronique à balayage du circuit électronique de la FIG. 13 , l'interstice 17 étant sensiblement complètement rempli par le bloc de résine 20, non directement visible en FIG. 14 , recouvert par la couche de protection 32, et la rainure 18 étant sensiblement complètement remplie par le bloc de résine 21, non directement visible en FIG. 14 . Dans les modes de réalisation décrit précédemment en relation avec les figures 1 à 14, la zone de contact 13c de chaque plot de reprise de contact 13 est logée dans un enfoncement 15 formé dans la face supérieure 10s du substrat 10 de sorte que la face supérieure de la zone de contact 13c est sensiblement coplanaire avec la face supérieure 10s du substrat 10. A titre de variante, la zone de contact 13c de chaque plot de reprise de contact 13 peut reposer sur la face supérieure 10s du substrat 10 qui est sensiblement plane de sorte que la zone de contact 13c s'élève en relief par rapport à la face supérieure 10s du substrat 10. Un avantage des modes de réalisation décrits précédemment et que, après la formation des blocs 20 et 21 et de la couche de protection 22, la face supérieure du dispositif obtenue est sensiblement plane, ou en tout cas, présente des reliefs d'amplitudes réduites. La mise en oeuvre des étapes ultérieures du procédé de fabrication du capteur d'images est, de façon avantageuse, plus simple. En particulier, la formation de la couche 24 avec une épaisseur sensiblement constante est plus simple, ce qui permet d’éviter un phénomène de striations (i.e une perturbation périodique à longue distance dans l’étalement de la résine pendant son procédé de dépôt par centrifugation) de la ou des résines présentent au-dessus de la matrice des photodetecteurs, au moins dans la zone dans laquelle sont formées les microlentilles 28. Un avantage est que la résine utilisé pour former les blocs de résine 20 et 21 peut être la même que la résine utilisée pour la formation de la couche de microlentilles 28. Les procédés de fabrication, de manipulation, de réticulation, et de gravure de cette résine sont alors de façon avantageuse bien maîtrisés. Dans les modes de réalisation décrit précédemment, la couche de protection 22 est représentée au contact mécanique direct du plot de reprise de contact 13. A titre de variante, le plot de reprise de contact 13 peut être recouvert d'une couche diélectrique, par exemple une couche d'oxyde de silicium, déposée avant le dépôt de la couche 19 de résine. Dans ce cas, lors de la formation de la couche de protection 22 sur le plot de reprise de contact 13, la couche de protection 22 peut venir au contact mécanique direct de la couche diélectrique sur la zone de contact 13c, le bloc 20 étant interposé entre la couche diélectrique et la partie de la couche de protection 22 qui recouvre le bloc 20. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples de dimensions et de matériaux mentionnés ci-dessus. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé de fabrication d'un circuit électronique comportant les étapes suivantes dans l'ordre : a) formation d'une ouverture (16) dans un substrat semiconducteur (10) comprenant une première face (10s) et une deuxième face (10i) opposée à la première face (10s), l'ouverture (16) s'étendant de la première face (10s) à la deuxième face (10i), et formation d'au moins un plot conducteur électriquement (13) comprenant une première portion (13c) s'étendant sur la première face (10s) et une deuxième portion (13j) recouvrant les flancs de l'ouverture (16) et délimitant un interstice (17) dans l'ouverture (16) ; b) dépôt d'une première couche (19) en une première résine, la première résine étant non-photosensible, la première couche (19) en la première résine recouvrant le plot conducteur électriquement (13) et remplissant l'interstice (17) et réticulation de la première couche (19) en la première résine ; c) gravure chimique par plasma de la première couche (19) en la première résine pour délimiter un premier bloc (20) de la première résine dans l'interstice (17) ; et d) dépôt d'une première couche de protection (22) sur le premier bloc (20). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la première face (10s) comprend un enfoncement (15) dans lequel est située la première portion (13c), une rainure (18) étant présente entre la première portion (13c) et le flanc de l'enfoncement (15), la première couche (19) en la première résine remplissant la rainure (18) à l'étape b), et un deuxième bloc (21) de la première résine étant en outre délimité dans la rainure (18) à l'étape c). Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre, après l'étape d), les étapes suivantes dans l'ordre : e) formation d'une pluralité de microlentilles (28) dans une deuxième couche (24) en la première résine et recouvrant la première couche de protection (22), la pluralité de microlentilles (28) ne recouvrant pas ledit au moins un plot conducteur électriquement (13) ; et f) dépôt d'une deuxième couche de protection (32) sur la pluralité de microlentilles (28) et sur la première couche de protection (22) autour de la pluralité de microlentilles (28). Procédé selon la revendication 3, dans lequel la formation de la pluralité de microlentilles (28) comprend les étapes suivantes dans l'ordre : g) dépôt de la deuxième couche (24) en la première résine recouvrant la première couche de protection (22) ; h) formation d'un masque (25) en une deuxième résine, sur et en contact avec la deuxième couche (24) en la première résine ; i) formation de structurations (26) en forme de microlentilles dans le masque (25) ; et j) transfert desdites structurations (26) dans la deuxième couche (24) en la première résine par gravure physique pour former la pluralité de microlentilles (28) dans la deuxième couche (24). Procédé selon la revendication 4, dans lequel, après l'étape j), le masque (25) est retiré à l'aide d'un solvant. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, comprenant en outre, après l'étape f) l'étape suivante : k) retrait de la première couche de protection (22) et de la deuxième couche de protection (32) sur au moins une partie de la première portion (13c) tout en conservant la première couche de protection (22) et la deuxième couche de protection (32) sur le premier bloc (20). Procédé selon la revendication 6 dans son rattachement à la revendication 2, comprenant, à l'étape k), le retrait de la première couche de protection (22) et de la deuxième couche de protection (32) sur au moins une partie de la première portion (13c) tout en conservant la première couche de protection (22) et de la deuxième couche de protection (32) sur le deuxième bloc (21). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant, avant l'étape a), la formation d'une pluralité de photodétecteurs (12) dans le substrat semiconducteur (10). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le plasma comprend du dioxygène. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la première couche de protection (22) est en un oxyde, par exemple en oxynitrure de silicium (SiON). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'étape b) comprend successivement le dépôt d'une première sous-couche (19a) de la première résine ayant une première viscosité, la réticulation de la résine de la première sous-couche (19a), le dépôt d'une deuxième sous-couche (19b) de la première résine ayant une deuxième viscosité sur la première sous-couche (19a), et la réticulation de la première résine de la deuxième sous-couche (19b). Procédé selon la revendication 11, dans lequel la première viscosité est inférieure à la deuxième viscosité, la première viscosité étant comprise entre 1 mPa.s et 30 mPa.s, et la deuxième viscosité étant comprise entre 30 mPa.s et 150 mPa.s. Circuit électronique comportant : - un substrat semiconducteur (10) comprenant une première face (10s), une deuxième face (10i) opposée à la première face (10s), et une ouverture (16) s'étendant de la première face (10s) à la deuxième face (10i) ; - un plot conducteur électriquement (13) comprenant une première portion (13c) s'étendant sur la première face (10s) et une deuxième portion (13j) recouvrant les flancs de l'ouverture (16) et délimitant un interstice (17) dans l'ouverture (16) ; - un premier bloc (20) en une première résine dans l'interstice (17), la première résine étant non-photosensible, le premier bloc (20) en la première résine étant réticulé ; et - une première couche de protection (22) recouvrant le premier bloc (20). Circuit électronique selon la revendication 13, comportant en outre : - une pluralité de photodétecteurs (12) dans et sur le substrat semiconducteur (10) ; - une pluralité de microlentilles (28) en la première résine et recouvrant la première couche de protection (22), la pluralité de microlentilles (28) ne recouvrant pas ledit au moins un plot conducteur électriquement (13) ; et - une deuxième couche de protection (32) sur la pluralité de microlentilles (28) et sur la première couche de protection (22) autour de la pluralité de microlentilles (28). Circuit électronique selon la revendication 13 ou 14 dans lequel la première face (10s) comprend un enfoncement (15) dans lequel est située la première portion (13c), une rainure (18) étant présente entre la première portion (13c) et le flanc de l'enfoncement (15), le circuit électronique comprenant un deuxième bloc (21) de la première résine dans la rainure (18), la première couche de protection (22) recouvrant le deuxième bloc (21).