FR 3161062 A1 20251010 FR 2403448 A 20240403 L’invention concerne un procédé de préparation d’une structure composite comprenant les étapes suivantes : 1) la fourniture d’une structure composite comprenant une couche de croissance en carbure de silicium monocristallin dont une face libre s’étend selon un plan principal et disposée sur un substrat support, la couche de croissance étant délimitée par un pourtour périphérique et présentant une orientation cristallographique telle qu’il existe : - un angle de désorientation entre un plan cristallographique donné et la face libre, - une direction de désorientation, projection d’un axe normal à la face libre, sur le plan cristallographique, et - une direction de référence, projection de la direction de désorientation sur le plan principal ; 2) la formation d’une tranchée dans la couche de croissance, la tranchée présentant une bordure intérieure qui s’étend à distance et continûment le long du pourtour périphérique, suivant un contour tel que, en définissant quatre points cardinaux (Nord-Sud-Ouest-Est) sur le pourtour périphérique, avec la direction Ouest-Est correspondant à la direction de référence : - le contour passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud suit une forme générale du pourtour périphérique, - le contour passant par les points cardinaux Nord-Est-Sud est en dents de scie. L’invention concerne également une structure composite susceptible d’être élaborée par le procédé de préparation précité. Figure à publier avec l’abrégé : pas de figure PROCEDE DE PREPARATION D’UNE STRUCTURE COMPOSITE POUR LA FABRICATION D’UNE COUCHE EN CARBURE DE SILICIUM HOMOEPITAXIEE, ET STRUCTURE COMPOSITE ASSOCIEE DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs, notamment les structures composites comprenant une couche active en carbure de silicium (SiC) élaborée par homoépitaxie sur une surface libre en SiC. Elle porte en particulier sur un procédé de fabrication permettant de limiter la formation de défauts étendus de type barres de dislocation de plan basal (bBPD pour « bar BPD » selon la terminologie anglosaxonne) dans ladite couche. Elle concerne également une structure composite sur laquelle une couche active d’excellente qualité peut être homoépitaxiée. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le carbure de silicium (SiC) est un matériau particulièrement intéressant pour la fabrication de dispositifs de puissance, radiofréquences ou encore des dispositifs opérant à très hautes températures. Pour élaborer ces dispositifs, il est habituel de faire croitre une couche active 150 en SiC (par exemple de polytype 4H ou 6H) sur la surface d’une structure composite 100 incluant une couche mince 10 (en SiC monocristallin) reportée sur un substrat support 20 (avantageusement en SiC polycristallin ou monocristallin de moindre qualité), comme illustré sur la FIG. 1 . Une structure composite 100 peut notamment être élaborée par une technique connue de transfert de couche mince telle que le procédé Smart Cut TM . Lors de l’homoépitaxie de la couche active 150 sur une structure composite 100, la demanderesse a observé la formation et l’extension progressive de défauts de type barres de dislocation de plan basal (bBPD). Il s’agit d’un défaut complexe caractérisé par la présence d’une série de dislocations de plan basal (BPD), créées durant l’épitaxie, à proximité d’une discontinuité de la couche mince 10 ; cette discontinuité peut exister au niveau de défauts ponctuels (notamment bulle ou trou), ou au niveau du pourtour périphérique de la couche mince 10 transférée. Des inclusions locales de polytype, formées au cours de l’épitaxie sur des discontinuités de la couche de croissance 10, sont en général à l’origine des défauts étendus bBPD ( FIG. 2 ). Les défauts bBPD apparaissent lorsque l’épaisseur de la couche active 150 dépasse une épaisseur critique (typiquement entre 5 μm et 10 μm) et leur extension dépend des budgets thermiques appliqués à la structure. A titre d’exemple, pour une structure composite 100 comprenant une couche mince 10 en SiC-4H transférée sur un substrat support 20 en SiC 3C polycristallin, les défauts bBPD sont alignés selon la direction [1 -1 0 0]. La FIG. 3 présente trois cartographies correspondant à la face libre d’une couche active 150 homoépitaxiée sur la couche mince 10 d’une structure composite 100, (a) pour une épaisseur de couche active 150 de 10 μm, (b) pour une épaisseur de couche active 150 complétée à 20 μm, (c) pour une épaisseur de couche active 150 encore complétée jusqu’à 30 μm. Il apparaît clairement que des défauts bBPD (de couleur foncée sur les cartographies) augmentent en densité et en extension sur la surface de la couche active 150, avec l’augmentation de l’épaisseur de la couche active 150. Ces défauts sont très critiques car ils peuvent, entre autres, causer la détérioration des dispositifs élaborés par la suite dans la couche active 150, par un mécanisme de dégradation bipolaire. OBJET DE L’INVENTION La présente invention porte sur un procédé de préparation d’une structure composite, particulièrement adaptée pour la fabrication d’une couche active en carbure de silicium monocristallin, par homoépitaxie, ledit procédé permettant de limiter la densité de défauts étendus de type barres de dislocation de plan basal (bBPD) dans ladite couche. Le procédé de préparation comprend en particulier une étape de formation d’une tranchée périphérique dans la couche de croissance de la structure composite ; cette tranchée présente une géométrie particulière dans le plan de la couche et permet de former une barrière locale évitant ou limitant l’extension de défauts bBPD vers l’intérieur de la couche active. L’invention concerne également une structure composite munie de ladite tranchée. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de préparation d’une structure composite comprenant les étapes suivantes : 1) la fourniture d’une structure composite comprenant une couche de croissance en carbure de silicium monocristallin dont une face libre s’étend selon un plan principal et disposée sur un substrat support, la couche de croissance étant délimitée par un pourtour périphérique et présentant une orientation cristallographique telle qu’il existe : - un angle de désorientation entre un plan cristallographique donné et la face libre, - une direction de désorientation, projection d’un axe normal à la face libre, sur le plan cristallographique, et - une direction de référence, projection de la direction de désorientation sur le plan principal ; 2) la formation d’une tranchée dans la couche de croissance, la tranchée présentant une bordure intérieure qui s’étend à distance et continûment le long du pourtour périphérique suivant un contour tel que, en définissant quatre points cardinaux Nord, Sud, Ouest, Est, sur le pourtour périphérique, avec la direction Ouest-Est correspondant à la direction de référence : - le contour passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud suit une forme générale du pourtour périphérique, - le contour passant par les points cardinaux Nord-Est-Sud est en dents de scie. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la structure composite se présente sous forme d’une plaquette globalement circulaire et le contour passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud est circulaire ; le contour entre les points cardinaux Nord et Est comprend des premiers segments formant chacun un angle compris entre 0° et 90° avec la direction de référence, et des deuxièmes segments normaux à la direction de référence ; le contour entre les points cardinaux Est et Sud comprend des troisièmes segments formant chacun un angle compris entre 0° et -90° avec la direction de référence et des deuxièmes segments normaux à la direction de référence ; la tranchée traverse en profondeur la totalité de la couche de croissance ; le pourtour périphérique de la couche de croissance se situe en moyenne entre 0,5mm et 2mm du bord périphérique du substrat support de la structure composite ; la bordure intérieure de la tranchée se situe à plus de 0,1mm, à plus de 0,5mm, à plus de 1mm, à plus de 2mm, à plus de 3mm, voire à plus de 5mm du pourtour périphérique de la couche de croissance ; la tranchée présente une largeur, entre la bordure intérieure et une bordure extérieure, comprise entre 0,1μm et 1000μm ; la tranchée s’étend depuis sa bordure intérieure, au moins jusqu’au pourtour périphérique, voire jusqu’à un bord périphérique du substrat support ; la tranchée est réalisée par abrasion mécanique, par abrasion laser, par gravure humide ou par gravure sèche de la couche de croissance et potentiellement d’une partie du substrat support. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une couche active en carbure de silicium monocristallin par homoépitaxie sur une structure composite issue du procédé de préparation précité, le procédé de fabrication comprenant : 3) la croissance épitaxiale de la couche active sur la couche de croissance. L’invention concerne enfin une structure composite comprenant une couche de croissance en carbure de silicium monocristallin, dont une face libre s’étend selon un plan principal, la couche de croissance étant disposée sur un substrat support, délimitée par un pourtour périphérique et présentant une orientation cristallographique telle qu’il existe : - un angle de désorientation entre un plan cristallographique donné et la face libre, - une direction de désorientation, projection d’un axe normal à la face libre, sur le plan cristallographique, et - une direction de référence, projection de la direction de désorientation sur le plan principal. La structure composite comprenant une tranchée dans la couche de croissance, la tranchée présentant une bordure intérieure qui s’étend à distance et continûment le long du pourtour périphérique suivant un contour tel que, en définissant quatre points cardinaux Nord, Sud, Ouest, Est, sur le pourtour périphérique, avec la direction Ouest-Est correspondant à la direction de référence, le contour passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud suit une forme générale du pourtour périphérique, et le contour passant par les points cardinaux Nord-Est-Sud est en dents de scie. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la structure composite se présente sous forme d’une plaquette globalement circulaire et le contour passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud est circulaire ; le contour entre les points cardinaux Nord et Est comprend des premiers segments formant chacun un angle compris entre 0° et 90° avec la direction de référence et des deuxièmes segments normaux à la direction de référence ; le contour entre les points cardinaux Est et Sud comprend des troisièmes segments formant chacun un angle compris entre 0° et -90° avec la direction de référence et des deuxièmes segments normaux à la direction de référence ; la couche de croissance présente une épaisseur, et la tranchée présente une profondeur au moins égale à ladite épaisseur ; les premiers segments et/ou les troisièmes segments sont rectilignes ; les premiers segments et/ou les troisièmes segments sont courbés ; le plan cristallographique est le plan (0 0 0 1) et la direction de désorientation est la direction cristallographique [1 1 -2 0] ; le plan cristallographique est le plan (0 0 0 -1) et la direction de désorientation est la direction cristallographique [-1 -1 2 0] ; l’angle de désorientation est de 4°. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : FIG. 1 La FIG. 1 présente la section d’une structure composite avant et après croissance d’une couche active homoépitaxiée ; FIG. 2 La FIG. 2 présente une image de défaut étendu, obtenue par imagerie par photoluminescence, après croissance d’une couche active sur la couche de croissance d’une structure composite : on peut voir en bas à gauche de l’image une zone irrégulière (la région noire étant la couronne de la structure composite, dépourvue de couche active) et le départ d’un défaut étendu bBPD ; FIG. 3 La FIG. 3 présente trois cartographies de la surface d’une couche active, à différentes étapes de sa croissance sur la couche mince d’une structure composite : (a) après 10μm de croissance, (b) après 20μm de croissance, (c) après 30μm de croissance ; les zones foncées correspondent à des défauts étendus bBPD (réseau de BPD, SSF, dislocations partielles) ; les cartographies ont été obtenues sur un équipement de type SICA88 ; FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 Les figures 4a, 4b, 4c, 4d, 4e présentent des sous-étapes du procédé de préparation d’une structure composite conformément à la présente invention ; FIG. 5 La FIG. 5 présente un schéma représentant l’angle de désorientation, la direction de désorientation et la direction de référence, dans une couche de croissance d’une structure composite conforme à l’invention ; FIG. 6 La FIG. 6 présente des schémas en coupe du bord de cinq structures composites conformes à l’invention, représentant cinq options différentes de tranchée périphérique ; FIG. 7 FIG. 7 Les figures 7a et 7b présentent chacune une vue de dessus d’une structure composite conforme à l’invention ; FIG. 8 FIG. 8 Les figures 8a et 8b présentent des cartographies de surface de couches actives homoépitaxiées sur des couches de croissance de structures composites tests, non conformes à une structure composite selon l’invention ; FIG. 9 La FIG. 9 présente un schéma explicatif montrant la formation de défauts triangulaires en aval d’une tranchée, en considérant la direction de croissance par marches (correspondant à la direction de référence). DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION La présente invention concerne un procédé de préparation d’une structure composite 100, particulièrement adaptée à la fabrication d’une couche active 150 en carbure de silicium monocristallin, par homoépitaxie sur la couche de croissance 10 de ladite structure composite 100. Le procédé selon l’invention vise à procurer une couche active 150 de qualité améliorée en mettant en œuvre une barrière locale dans la couche de croissance 10, apte à bloquer l’extension des défauts bBPD vers le centre de la couche active 150. Cette barrière locale est définie pour prendre en compte une spécificité des structures composites 100, à savoir que la couche de croissance 10 comporte un pourtour périphérique 10c irrégulier, lequel est une source majeure de défauts initiaux susceptibles de donner lieu aux défauts étendus bBPD après épitaxie de la couche active 150. La première étape du procédé correspond à la fourniture d’une structure composite 100 comprenant une couche de croissance 10 en carbure de silicium monocristallin, dont une face libre 10a s’étend selon un plan principal (x,y). La couche de croissance 10 est disposée sur un substrat support 20. La structure composite 100 se présente typiquement sous la forme d’une plaquette circulaire (« wafer » selon la terminologie anglo-saxonne) de diamètre de 100mm, 150mm, 200mm, voire plus, comme cela est habituellement le cas dans le domaine des semiconducteurs et de la microélectronique. L’épaisseur de la structure 100 s’étend selon l’axe z sur les figures. Comme indiqué en introduction, la structure composite 100 peut être élaborée par une technique de transfert de couches telle que le procédé Smart Cut TM . Dans une première sous-étape a), on fournit un substrat donneur 1 en carbure de silicium monocristallin et un substrat support 20 ( FIG. 4 ). Le SiC monocristallin peut être de polytype 4H, 6H ou 3C. Le substrat donneur 1 se présente préférentiellement sous la forme d’une plaquette de diamètre identique à ou très proche de celui du substrat support 20 avec lequel il sera ultérieurement assemblé, et d’épaisseur comprise typiquement entre 300 μm et 800 μm. Il présente une face avant 1a et une face arrière 1b. La rugosité de surface de la face avant 1a est avantageusement choisie inférieure à 1nm RMS, voire inférieure à 0,5nm RMS, mesurée par microscopie à force atomique (AFM) sur un scan de 20 μm x 20 μm. Le type de dopage et la résistivité du substrat donneur 1 sont définis en fonction de l’application et des dispositifs visés. Le substrat support 20 correspond au support mécanique de la future structure composite 100. Il est avantageusement formé en carbure de silicium polycristallin (p-SiC) ou en SiC monocristallin de moindre qualité cristalline. Ses propriétés électriques (son type et niveau de dopage) peuvent également être choisies en fonction de l’application visée. La deuxième sous-étape b) comprend l’implantation d’espèces légères dans un substrat donneur 1, pour former un plan fragile enterré 11 délimitant, avec une face avant 1a du substrat donneur 1, la couche superficielle à transférer 10’ ( FIG. 4 ). Les espèces légères sont préférentiellement de l’hydrogène et/ou de l’hélium, et sont implantées dans le substrat donneur 1, à une profondeur cohérente avec l’épaisseur de la couche de croissance 10 visée. Ces espèces légères vont former, autour de la profondeur déterminée, des microcavités distribuées dans une fine couche parallèle à la surface libre 1a du substrat donneur 1, soit parallèle au plan (x,y) sur les figures. On appelle cette fine couche le plan fragile enterré 11 par souci de simplification. L’énergie d’implantation des espèces légères est choisie de manière à atteindre la profondeur visée. Par exemple, des ions hydrogène seront implantés à une énergie comprise entre 10 keV et 250 keV, et à une dose comprise entre 5 E 16/cm 2 et 1 E 17/cm 2 , pour délimiter une couche superficielle 10’ présentant une épaisseur de l’ordre de 100nm à 1500nm. La dose et l’énergie d’implantation peuvent bien sûr varier en fonction de l’espèce légère choisie. Notons qu’une couche de protection pourra être déposée sur la face avant 1a du substrat donneur 1, préalablement à l’étape d’implantation ionique. Cette couche de protection peut être composée par un matériau tel que l’oxyde de silicium ou le nitrure de silicium par exemple. Elle peut être retirée préalablement à la sous-étape suivante. La troisième sous-étape c) correspond à l’assemblage du substrat support 20, du côté de sa face avant 20a, avec le substrat donneur 1 implanté, également du côté de sa face avant 1a ( FIG. 4 ). Les dimensions latérales dans le plan principal (x,y) du substrat support 20 (son diamètre en particulier) sont les mêmes que celles de la structure composite 100. Le substrat support 20 présente une épaisseur typiquement comprise entre environ 50 μm et plusieurs centaines de micromètres, par exemple entre 50 μm et 650 μm, ou entre 100 μm et 450 μm, ou encore entre 200 μm et 350 μm. L’assemblage est fait par collage direct, par adhésion moléculaire, le long d’une interface de collage 40. Optionnellement, une couche intermédiaire (non représentée) peut être formée sur la face avant 1a du substrat donneur 1, avant ou après l’introduction des espèces légères, et en tout état de cause, avant la phase d’assemblage. Cette couche intermédiaire peut être en un matériau diélectrique, semi-conducteur ou métallique (tel que par exemple oxyde de silicium, silicium, carbure de silicium, tungstène, titane, etc). De manière optionnelle, une couche intermédiaire peut également être déposée sur la face 20a à assembler du substrat support 20, préalablement à l’assemblage ; elle peut être choisie de même nature ou de nature différente de la couche intermédiaire évoquée pour le substrat donneur 1. Une couche intermédiaire peut éventuellement être déposée sur l’un et l’autre des deux substrats 1,20 à assembler. La (ou les) couche(s) intermédiaire(s) est(sont) destinée(s) à être enterrée(s) dans l’ensemble collé 50 après assemblage, et à terme, dans la structure composite 100. Le collage direct par adhésion moléculaire ne nécessite pas une matière adhésive, car des liaisons s’établissent à l’échelle atomique entre les surfaces assemblées. Plusieurs types de collage par adhésion moléculaire existent, qui diffèrent notamment par leurs conditions de température, de pression, d’atmosphère ou de traitements préalables à la mise en contact des surfaces. On peut citer le collage à température ambiante avec ou sans activation préalable par plasma des surfaces à assembler, le collage par diffusion atomique (« Atomic diffusion bonding » ou ADB selon la terminologie anglo-saxonne), le collage avec activation de surface (« Surface-activated bonding » ou SAB), etc. La sous-étape d’assemblage peut comprendre, préalablement à la mise en contact des faces 1a,20a à assembler, des séquences classiques de nettoyages par voie chimique (par exemple, nettoyage RCA), d’activation de surface (par exemple, par plasma oxygène ou azote) ou autres préparations de surface (telles que le nettoyage par brossage (« scrubbing »)), susceptibles de favoriser la qualité de l’interface de collage 40 (faible défectivité, forte énergie d’adhésion). Il faut noter que la présence d’un chanfrein, au niveau du bord périphérique 20c du substrat support 20 et du bord périphérique du substrat donneur 1, génère une couronne périphérique non collée (non représentée sur la FIG. 4 ), couronne dans laquelle la couche superficielle 10’ ne sera pas transférée. La quatrième sous-étape d) correspond à une séparation le long du plan fragile enterré 11 pour former une structure composite intermédiaire 100’ comprenant la couche superficielle 10’ après transfert et le substrat support 20, d’une part, et le reste du substrat donneur 1’, d’autre part ( FIG. 4 ). La séparation le long du plan fragile enterré 11 s’opère habituellement par l’application d’un traitement thermique à une température comprise entre 800°C et 1200°C. Un tel traitement thermique induit le développement des cavités et microfissures dans le plan fragile enterré 11, et leur mise sous pression par les espèces légères présentes sous forme gazeuse, jusqu’à la propagation d’une fracture le long dudit plan fragile 11. Alternativement ou conjointement, une sollicitation mécanique peut être appliquée à l’ensemble collé et en particulier au niveau du plan fragile enterré 11, de manière à propager ou aider à propager mécaniquement la fracture menant à la séparation. La surface libre 10’a de la couche superficielle 10’ est habituellement rugueuse après séparation : par exemple, elle présente une rugosité comprise entre 5nm et 100nm RMS. La couche superficielle 10’ est délimitée, dans le plan (x,y) par un pourtour périphérique 10’c, en retrait par rapport au bord périphérique 20c du substrat support 20. Comme évoqué précédemment, ce pourtour périphérique 10’c peut être dentelé et irrégulier ; en moyenne, il est espacé du bord périphérique 20c d’une distance (largeur de la couronne périphérique non collée) comprise typiquement entre 0,5mm et 2mm. Enfin, la cinquième sous-étape e) de finition comprend l’application de traitements thermique(s), mécanique(s) et/ou chimique(s) à la surface libre 10’a de la couche superficielle 10’, pour former la structure composite 100 munie de la couche de croissance 10 en carbure de silicium monocristallin ( FIG. 4 ). En particulier, cette sous-étape e) peut comprendre un traitement de lissage mécano-chimique de la surface libre 10’a de la couche superficielle 10’. Un enlèvement par exemple compris entre 50nm et 300nm permet de restaurer efficacement l’état de surface de la couche menant typiquement à une rugosité inférieure ou égale à 0,5nm RMS, voire inférieure ou égale à 0,1nm RMS (scan AFM 10x10μm 2 ou 20x20μm 2 ). La sous-étape e) peut également comprendre au moins un traitement thermique à une température comprise entre 1200°C et 1800°C. Un tel traitement thermique est appliqué pour évacuer les espèces légères résiduelles de la couche superficielle 10’ et pour favoriser le réarrangement de son réseau cristallin, formant ainsi une couche de croissance 10 de haute qualité. Il permet en outre de renforcer l’interface de collage 40. A ce stade du procédé, la couche de croissance 10 de la structure composite 100 présente une première épaisseur typiquement comprise entre quelques dizaines de nm et quelques centaines de nm, par exemple, entre 50nm et 1000nm. La couche de croissance 10 est délimitée par un pourtour périphérique 10c présentant des irrégularités. En général, ledit pourtour périphérique 10c se situe, en moyenne, entre 0,5mm et 2mm du bord périphérique 20c du substrat support 20 de la structure composite 100. On notera que la distance entre le pourtour périphérique 10c et le bord 20c peut varier, en deçà de 0,5mm ou au-delà de 2mm, selon les structures. La couche de croissance 10, en SiC monocristallin, présente une orientation cristallographique telle qu’il existe un angle de désorientation α entre un plan cristallographique PC donné et la face libre 10a de la couche de croissance 10, ou autrement dit, un angle de désorientation α entre la normale n PC au plan cristallographique PC et la normale z (axe z du repère orthonormé illustré sur les figures) à la face libre 10a ( FIG. 5 ). Cet angle de désorientation α peut par exemple être de 4°. On peut définir une direction de désorientation DD, qui correspond à la projection de l’axe z normal à la face libre 10a, sur le plan cristallographique PC. On définit enfin une direction de référence DR, projection de la direction de désorientation DD sur le plan principal (x,y). Du fait de la désorientation de la face libre 10a par rapport à un plan cristallographique PC, l’homoépitaxie de la couche active 150 sur la couche mince 10 va s’opérer par croissance de marches (marche atomique sous forme de bicouche Si-C, ou marches de quelques nanomètres de hauteur dans un mécanisme de « step-bunching »), marches dont le plan de base est parallèle au plan cristallographique PC. La direction de référence DR traduit la direction de croissance des marches dans le plan principal (x,y). Il apparaitra dans la deuxième étape du procédé en quoi la définition de la direction de référence DR est utile. A titre d’exemple, le plan cristallographique PC peut être le plan (0 0 0 1) et la direction de désorientation DD est la direction cristallographique [1 1 -2 0] ; la direction de référence DR est alors la projection de la direction cristallographique [1 1 -2 0] dans le plan principal (x,y). Selon un autre exemple, le plan cristallographique PC peut être le plan (0 0 0 -1) et la direction de désorientation DD est la direction cristallographique [-1 -1 2 0]. Selon encore d’autres exemples, le plan cristallographique PC pourrait être le plan (1 1 -2 0) ou encore le plan (1 0 -1 0), avec des directions de désorientation DD et des directions de référence DR associées. Le procédé selon l’invention comprend ensuite une deuxième étape correspondant à la formation d’une barrière locale dans la couche de croissance 10. Cette barrière locale correspond à une tranchée 131 réalisée dans la couche de croissance 10. La tranchée 131 présente une bordure intérieure 130 (bord de la tranchée 131 situé du côté du centre de la structure composite 100) et peut présenter une bordure extérieure 132 (bord de la tranchée 131 situé du côté du bord périphérique de la structure composite 100). Dans le plan principal (x,y), la bordure intérieure 130 s’étend à distance (vers l’intérieur de la couche 10) et continument le long du pourtour périphérique 10c ( FIG. 6 , FIG. 7 ). Préférentiellement, elle se situe à plus de 0,1mm, à plus de 0,5mm, à plus de 1mm, à plus de 2mm, à plus de 3mm, voire à plus de 5mm du pourtour périphérique 10c de la couche de croissance 10, en direction du centre de la structure 100. Lorsqu’elle est délimitée par une bordure intérieure 130 et une bordure extérieure 132, la tranchée 131 présente typiquement une largeur, dans le plan principal (x,y), comprise entre 0,1μm et 1000μm, par exemple 60μm ( FIG. 6 (i), (ii), (iii)). Alternativement, la tranchée 131 peut correspondre à un détourage, délimité par une bordure intérieure 130 et s’étendant jusqu’au pourtour périphérique 10c, voire au-delà, par exemple jusqu’au bord périphérique 20c du substrat support 20 ( FIG. 6 , (iv), (v)). Selon une première variante, cette tranchée 131 traverse en profondeur la totalité de la couche de croissance 10 ( FIG. 6 (i), (iv)). Elle peut éventuellement s’étendre dans le substrat support 20 de la structure composite 100 : la profondeur de la tranchée 131 pourra alors être de quelques dizaines de micromètres, par exemple 30μm ( FIG. 6 (ii), (v)). Selon une deuxième variante, la tranchée 131 présente une profondeur inférieure à l’épaisseur de la couche de croissance 10, par exemple quelques centaines de nm ( FIG. 6 (iii)). La tranchée 131 peut être réalisée par abrasion mécanique (sciage, rodage), par abrasion laser, par gravure humide ou par gravure sèche de la couche de croissance 10 (et éventuellement du substrat support 20). Elle peut être réalisée à différents moments au cours de la fabrication de la structure composite 100. La tranchée 131 peut être formée dans la structure composite 100 à l’issue de la sous-étape e) de finition précédemment décrite. Alternativement, elle peut être formée dans la structure composite intermédiaire 100’, avant d’opérer la sous-étape e) de finition. Enfin, selon une autre alternative, la tranchée 131 peut être réalisée dans le substrat donneur 1, du côté de sa face à assembler 1a, lors de la sous-étape a) ou après la sous-étape b) d’implantation. Formée dans le substrat donneur 1, sur une profondeur supérieure ou égale à l’épaisseur de la couche superficielle 10’ qui sera reportée, la tranchée 131 va être « transférée » dans la couche superficielle 10’ de la structure composite intermédiaire 100’ et, par conséquent, dans la couche de croissance 10 de la structure composite 100 obtenue. Selon la présente invention, la bordure intérieure 130 de la tranchée 131 présente, dans le plan principal (x,y), un contour particulier et asymétrique. Pour décrire ce contour, il convient de définir quatre points cardinaux (Nord, Sud, Ouest, Est), disposés sur le pourtour périphérique 10c, avec la direction Ouest-Est correspondant à la direction de référence DR, comme illustré sur la FIG. 7 . Ces points cardinaux N, S, O, E vont servir de repère pour définir les caractéristiques du contour de la bordure intérieure 130 dans le plan principal (x,y). Ainsi orientée, la couche de croissance 10 de la structure composite 100 est munie d’une tranchée 131 avec une bordure intérieure 130 dont le contour côté Ouest 130 NOS , passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud, suit une forme générale du pourtour périphérique 10c. Par exemple, dans le cas d’une structure composite 100 se présentant sous forme de plaquette globalement circulaire, le pourtour périphérique a une forme générale circulaire : le contour côté Ouest 130 NOS est donc circulaire. Sur les figures 7a et 7b, qui illustrent une structure composite sous forme de plaquette circulaire munie d’un méplat (au Sud), le contour côté Ouest 130 NOS suit la forme générale du pourtour périphérique 10c, à savoir, circulaire sur une partie et plan sur une autre partie. Le contour côté Est 130 NES , passant par les points cardinaux Nord-Est-Sud, est, quant à lui, en dents de scie. Ce contour asymétrique particulier a été déterminé à partir d’observations, faites par la demanderesse, quant à la propagation asymétrique des défauts étendus bBPD à partir de l’irrégularité formée par une tranchée. Dans un premier test, une tranchée 121 circulaire le long de tout le pourtour périphérique 10c de la couche mince 10 a été réalisée : la FIG. 8 (i) montre une cartographie de surface après une homoépitaxie de 10μm d’épaisseur, la FIG. 8 (ii) montre une cartographie de la même structure après une épitaxie supplémentaire de 10μm (soit une épaisseur de couche active 150 de 20μm). On observe une forte extension des défauts bBPD, dans la portion Nord-Est-Sud de la couche, à partir de la bordure intérieure de la tranchée 121, alors que la portion Nord-Ouest-Sud de la couche apparaît beaucoup moins impactée. Dans un deuxième test, trois tranchées 121’ circulaires, définissant trois cercles inscrits dans le pourtour 10c de la couche mince 10, ont été réalisées : la FIG. 8 (i) montre une cartographie de surface après une homoépitaxie de 10μm d’épaisseur, la FIG. 8 (ii) montre une cartographie de la même structure après une épitaxie supplémentaire de 10μm (soit une épaisseur de couche active 150 de 20μm). On observe une extension des défauts bBPD, à partir de la bordure intérieure de la tranchée 121’, vers l’intérieur des trois cercles, plus importante dans leurs demi-portions Est respectives ; alors que l’extension des défauts bBPD, à partir de la bordure extérieure de la tranchée 121’, vers l’extérieur des trois cercles, est plus importante dans leurs demi-portions Ouest respectives. Une explication avancée par la demanderesse est qu’une tranchée 121,121’ formée dans la couche de croissance 10 est une irrégularité au niveau de laquelle se forment des défauts triangulaires T (fautes d’empilement et inclusions de type 3C-SiC ou autre) lors d’une homoépitaxie. Considérant une direction de croissance des marches donnée (traduite par la direction de référence DR dans la plan principal (x,y)), les défauts triangulaires T vont se former en aval de la tranchée 121,121’. Il est fait l’hypothèse que ces défauts triangulaires T procurent une barrière efficace à la propagation de défauts bBPD en aval de la tranchée 121,121’, alors que les défauts étendus bBPD peuvent se propager aisément en amont de la tranchée 121,121’, où les défauts triangulaires T sont absents, comme cela est illustré sur la FIG. 9 . Ainsi, l’invention vise à former une tranchée 131, dont le contour est défini de sorte que la bordure intérieure 130 de la tranchée 131 (orientée vers le centre de la couche de croissance 10) comporte des défauts triangulaires T (générés lors de l’homoépitaxie) aptes à former une barrière locale efficace pour bloquer la propagation des défauts bBPD vers ledit centre. Cette barrière permet de bloquer non seulement les potentiels défauts étendus qui démarreraient de la tranchée 131, mais également ceux initiés par le pourtour périphérique 10c irrégulier de la couche de croissance 10. Cet objectif est atteint en particulier en effectuant le contour asymétrique précité et illustré sur la FIG. 7 , dans lequel le contour côté Ouest 130 NOS , passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud, suit la forme générale du pourtour périphérique 10c (par exemple, circulaire) et dont le contour côté Est 130 NES , passant par les points cardinaux Nord-Est-Sud, est en dents de scie. Préférentiellement, le contour 130 NES , entre les points cardinaux Nord et Est, comprend des premiers segments S1 formant chacun un angle β compris entre 0° et 90° avec la direction de référence DR et des deuxièmes segments S2 normaux à la direction de référence DR ( FIG. 7 ). De plus, le contour 130 NES , entre les points cardinaux Est et Sud, comprend des troisièmes segments S3 formant chacun un angle γ compris entre 0° et -90° avec la direction de référence DR et des deuxièmes segments S2 normaux à la direction de référence DR. Les premier segments S1 et/ou les troisièmes segments S3 peuvent être rectilignes ou courbés. Lorsque les segments sont courbés, les angles β et γ sont définis entre la direction de référence et le segment passant par les points de départ et d’arrivée de chaque segment courbé. Notons que les deuxièmes segments S2 pourraient éventuellement être eux aussi courbés. A la suite du procédé de préparation décrit, un procédé de fabrication d’une couche active 150 en carbure de silicium monocristallin peut être implémenté, en effectuant une troisième étape correspondant à la croissance épitaxiale de la couche active 150 sur la couche de croissance 10 de la structure composite 100, munie de sa tranchée 131. La couche active 150 présente une deuxième épaisseur, typiquement supérieure ou égale à 5µm, à 10µm, voire à 30µm. Cette croissance épitaxiale de carbure de silicium est réalisée dans la gamme de températures classiques, à savoir entre 1500°C et 1900°C. La discontinuité physique que constitue la tranchée 131 induit une croissance épitaxiale localement perturbée, avec des défauts triangulaires majoritairement disposés sur la bordure intérieure 130 de la tranchée 131 (orientée vers le centre de la couche de croissance 10) : cela forme un « mur » qui permet le blocage du glissement des dislocations BPD vers le centre de la couche active 150 épitaxiée. La perturbation de la croissance épitaxiale liée à la tranchée 131 demeure néanmoins locale et le reste de la couche active 150 croît selon la structure cristalline de la couche de croissance 10. L’invention concerne aussi la structure composite 100 comprenant la couche de croissance 10, disposée sur le substrat support 20, et la tranchée 131 formée dans ladite couche de croissance 10. Comme évoqué précédemment en référence au procédé de préparation de la structure composite 100, la couche de croissance 10 est délimitée par un pourtour périphérique 10c et présente une orientation cristallographique telle qu’il existe : - un angle de désorientation α entre un plan cristallographique PC donné et sa face libre 10a, - une direction de désorientation DD, projection d’un axe (z) normal à la face libre, sur le plan cristallographique PC, et - une direction de référence DR, projection de la direction de désorientation DD sur le plan principal (x,y). La bordure intérieure 130 de la tranchée 131 s’étend à distance (vers le centre de la couche) et continûment le long du pourtour périphérique 10c, suivant un contour particulier tel que, en définissant quatre points cardinaux (Nord, Sud, Ouest, Est) sur ledit pourtour périphérique 10c, avec la direction Ouest-Est correspondant à la direction de référence DR, le contour 130 NOS passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud suit la forme générale du pourtour périphérique 10c (par exemple, circulaire), et le contour 130 NES passant par les points cardinaux Nord-Est-Sud est en dents de scie ( FIG. 7 ). Dit autrement, la géométrie du contour de la bordure intérieure 130 est définie de sorte que, connaissant la direction de référence DR, des défauts triangulaires T se forment majoritairement sur ladite bordure intérieure 130 (orientée vers le centre de la couche de croissance 10), au cours de la croissance épitaxiale. Cela permet de bloquer les défauts bBPD initiés par le pourtour périphérique 10c de la couche de croissance 10 ou par la tranchée 131 elle-même. Avantageusement, le contour entre les points cardinaux Nord et Est comprend des premiers segments S1 formant chacun un angle β compris entre 0° et 90° avec la direction de référence DR et des deuxièmes segments S2 normaux à la direction de référence DR ; en outre, le contour entre les points cardinaux Est et Sud comprend des troisièmes segments S3 formant chacun un angle γ compris entre 0° et -90° avec la direction de référence DR et des deuxièmes segments S2 normaux à la direction de référence DR ( FIG. 7 ). L’invention concerne également la structure composite 100 munie de la couche active 150 crue par homoépitaxie sur la couche de croissance 10, et dont la tranchée 131 permet l’obtention d’une excellente qualité de couche active 150, car dépourvue ou très faiblement impactée par une propagation de défauts étendus bBPD dans la région centrale de la structure (région à l’intérieur du contour de la tranchée 131). Bien entendu, l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation et aux exemples décrits, et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l’invention tel que défini par les revendications. Procédé de préparation d’une structure composite (100) comprenant les étapes suivantes : 1) la fourniture d’une structure composite (100) comprenant une couche de croissance (10) en carbure de silicium monocristallin dont une face libre (10a) s’étend selon un plan principal (x,y) et disposée sur un substrat support (20), la couche de croissance (10) étant délimitée par un pourtour périphérique (10c) et présentant une orientation cristallographique telle qu’il existe : - un angle de désorientation (α) entre un plan cristallographique (PC) donné et la face libre (10a), - une direction de désorientation (DD), projection d’un axe (z) normal à la face libre (10a), sur le plan cristallographique (PC), et - une direction de référence (DR), projection de la direction de désorientation (DD) sur le plan principal (x,y) ; 2) la formation d’une tranchée (131) dans la couche de croissance (10), la tranchée (131) présentant une bordure intérieure (130) qui s’étend à distance et continûment le long du pourtour périphérique (10c) suivant un contour tel que, en définissant quatre points cardinaux (Nord-Sud-Ouest-Est) sur le pourtour périphérique (10c), avec la direction Ouest-Est correspondant à la direction de référence (DR) : - le contour (130 NOS ) passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud suit une forme générale du pourtour périphérique (10c), - le contour (130 NES ) passant par les points cardinaux Nord-Est-Sud est en dents de scie. Procédé de préparation selon la revendication précédente, dans lequel la structure composite (100) se présente sous forme d’une plaquette circulaire et le contour (130 NOS ) passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud est circulaire. Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes, dans lequel : - le contour entre les points cardinaux Nord et Est comprend des premiers segments (S1) formant chacun un angle (β) compris entre 0° et 90° avec la direction de référence (DR) et des deuxièmes segments (S2) normaux à la direction de référence (DR), et - le contour entre les points cardinaux Est et Sud comprend des troisièmes segments (S3) formant chacun un angle (γ) compris entre 0° et -90° avec la direction de référence (DR) et des deuxièmes segments (S2) normaux à la direction de référence (DR). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la tranchée (131) traverse en profondeur la totalité de la couche de croissance (10). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le pourtour périphérique (10c) de la couche de croissance (10) se situe en moyenne entre 0,5mm et 2mm du bord périphérique (20c) du substrat support (20) de la structure composite (100). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la bordure intérieure (130) de la tranchée (131) se situe à plus de 0,1mm, à plus de 0,5mm, à plus de 1mm, à plus de 2mm, à plus de 3mm, voire à plus de 5mm du pourtour périphérique (10c) de la couche de croissance (10). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la tranchée présente une largeur, entre la bordure intérieure (130) et une bordure extérieure (132), comprise entre 0,1μm et 1000μm. Procédé de préparation selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel la tranchée (131) s’étend depuis sa bordure intérieure (130), au moins jusqu’au pourtour périphérique (10c), voire jusqu’à un bord périphérique (20c) du substrat support (20). Procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la tranchée (131) est réalisée par abrasion mécanique, par abrasion laser, par gravure humide ou par gravure sèche de la couche de croissance (10) et potentiellement d’une partie du substrat support (20). Procédé de fabrication d’une couche active (150) en carbure de silicium monocristallin par homoépitaxie sur une structure composite (100) issue du procédé de préparation selon l’une des revendications précédentes, le procédé de fabrication comprenant : 3) la croissance épitaxiale de la couche active (150) sur la couche de croissance (10). Structure composite (100) comprenant une couche de croissance (10) en carbure de silicium monocristallin, dont une face libre (10a) s’étend selon un plan principal (x,y), la couche de croissance (10) étant disposée sur un substrat support (20), délimitée par un pourtour périphérique (10c) et présentant une orientation cristallographique telle qu’il existe : - un angle de désorientation (α) entre un plan cristallographique (PC) donné et la face libre (10a), - une direction de désorientation (DD), projection d’un axe (z) normal à la face libre (10a), sur le plan cristallographique (PC), et - une direction de référence (DR), projection de la direction de désorientation (DD) sur le plan principal (x,y), la structure composite (100) comprenant une tranchée (131) dans la couche de croissance (10), la tranchée (131) présentant une bordure intérieure (130) qui s’étend à distance et continûment le long du pourtour périphérique (10c) suivant un contour tel que, en définissant quatre points cardinaux (Nord-Sud-Ouest-Est) sur le pourtour périphérique (10c), avec la direction Ouest-Est correspondant à la direction de référence (DR), le contour (130 NOS ) passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud suit une forme générale du pourtour périphérique (10c), et le contour (130 NES ) passant par les points cardinaux Nord-Est-Sud est en dents de scie. Structure composite (100) selon la revendication précédente, se présentant sous forme d’une plaquette circulaire et dans laquelle le contour (130 NOS ) passant par les points cardinaux Nord-Ouest-Sud est circulaire. Structure composite (100) selon l’une des revendications 11 et 12, dans laquelle : - le contour entre les points cardinaux Nord et Est comprend des premiers segments (S1) formant chacun un angle (β) compris entre 0° et 90° avec la direction de référence (DR) et des deuxièmes segments (S2) normaux à la direction de référence (DR), et - le contour entre les points cardinaux Est et Sud comprend des troisièmes segments (S3) formant chacun un angle (γ) compris entre 0° et -90° avec la direction de référence (DR) et des deuxièmes segments (S2) normaux à la direction de référence (DR). Structure composite (100) selon la revendication précédente, dans laquelle la couche de croissance (10) présente une épaisseur, et la tranchée (131) présente une profondeur au moins égale à ladite épaisseur. Structure composite (100) selon l’une des deux revendications précédentes, dans laquelle les premiers segments (S1) et/ou les troisièmes segments (S3) sont rectilignes. Structure composite (100) selon l’une des revendications 13 et 14, dans laquelle les premiers segments (S1) et/ou les troisièmes segments (S3) sont courbés. Structure composite (100) selon l’une des revendications 11 à 16, dans laquelle le plan cristallographique (PC) est le plan (0 0 0 1) et la direction de désorientation (DD) est la direction cristallographique [1 1 -2 0]. Structure composite (100) selon l’une des revendications 11 à 16, dans laquelle le plan cristallographique (PC) est le plan (0 0 0 -1) et la direction de désorientation (DD) est la direction cristallographique [-1 -1 2 0]. Structure composite (100) selon l’une des revendications 11 à 18, dans laquelle l’angle de désorientation (α) est de 4°.