FR 3156051 A1 20250606 FR 2313519 A 20231204 L’invention concerne un procédé d’assemblage de pièces en matériaux à base de carbure de silicium par collage, pré-assemblage avec un mélange d’une résine organique réticulable et de poudre de SiC, puis infiltration de silicium liquide ou d’un alliage non-réactif MSi liquide. Figure pour l’abrégé : Figure 1 PROCÉDÉ D’ASSEMBLAGE DE PIÈCES EN MATÉRIAUX À BASE DE SiC PAR COLLAGE ET INFILTRATION DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION La présente invention est relative à un procédé d’assemblage de pièces en matériaux à base de carbure de silicium par collage et infiltration, afin notamment de réaliser des composants à base de carbure de silicium. Par matériaux « à base de carbure de silicium », on entend généralement un matériau dont la teneur en SiC est supérieure ou égale à 50% en masse, de préférence supérieure ou égale à 80% en masse, de préférence encore de 100% en masse, dans ce dernier cas, on peut dire que le matériau est constitué ou composé de carbure de silicium. Le carbure de silicium peut se présenter sous la forme (i) de fibres de carbure de silicium, (ii) de poudre de carbure de silicium frittée ou liée par un liant en céramique, (iii) sous la forme d’une pièce monolithique en carbure de silicium ou encore (iv) sous la forme d’un composite en carbure de silicium préparé par un dépôt chimique en phase vapeur ( Chemical Vapour Deposition (CVD) en anglais) ou par une infiltration chimique en phase vapeur ( Chemical Vapour Infiltration (CVI) en anglais). Ces matériaux à base de carbure de silicium peuvent être notamment du carbure de silicium pur tel que du carbure de silicium pur α (SiCα) ou β (SiCβ), des substrats en carbure de silicium infiltré de silicium (SiSiC), ou des matériaux composites à base de SiC tels que des matériaux composites à fibres de carbure de silicium, et des matériaux composites à matrice de carbure de silicium à savoir des composites à matrice céramique (CMC) à base de SiC. Le domaine technique de l'invention peut être défini de manière générale comme étant celui de l’assemblage de pièces à base de carbure de silicium SiC. Les assemblages préparés par le procédé selon l’invention peuvent rentrer dans la fabrication de composants de formes complexes nécessitant une bonne tenue mécanique entre les substrats à base de carbure de silicium et, éventuellement, une étanchéité satisfaisante de part et d'autre du joint . ÉTAT DE LA TECHNIQUE Les matériaux à base de carbure de carbure de silicium, tels que les céramiques SiC et les matériaux composites à matrice céramique (CMC) à base de SiC sont des matériaux présentant une grande résistance à l’usure et à l’oxydation aux hautes températures. Cependant, les procédés de préparation de ces matériaux comme le frittage, le dépôt chimique en phase vapeur (ou Chemical Vapour Deposition (CVD) en anglais), l’infiltration chimique en phase vapeur (ou Chemical Vapour Infiltration (CVI) en anglais), l’infiltration de polymères et pyrolyse (ou Polymer Infiltration and Pyrolysis (PIP) en anglais), l’infiltration réactive à l’état fondu (ou Reactive Melt Infiltration (RMI) en anglais) permettent difficilement la fabrication de pièces de grandes dimensions et/ou de formes complexes en en ces matériaux. A l’issue de ces procédés, une opération d’usinage des composants obtenus est nécessaire mais la dureté élevée de ces matériaux en fait des matériaux difficiles à usiner et l’usinage de ces composants est également inacceptable pour des raisons de coût. Il est donc souvent préférable de fabriquer les pièces ou structures de grande dimension et/ou de forme complexe en ces matériaux à partir d'éléments en céramique de forme simple et/ou de petite taille, puis d'assembler ces éléments pour réaliser la structure finale. Une telle technique est notamment nécessaire pour fabriquer des structures du type échangeur de chaleur, et des composants de structure en carbure de silicium ayant une température d’utilisation pouvant aller, par exemple, jusqu’à 900°C voire 1000°C et même 1200°C. Du fait des températures élevées, voisines par exemple de 900°C à 1000°C voire 1200°C, mises en œuvre dans les applications des céramiques et CMC, l'assemblage de ces céramiques et CMC par collage avec des adhésifs organiques est exclu, car les températures d’usage de ce type d’assemblage ne peuvent dépasser au maximum 200°C. Les techniques d’assemblages purement mécaniques, par exemple par agrafage, par rivetage, ou par vissage n’assurent qu’un contact partiel et aléatoire entre les pièces. Les assemblages ainsi obtenus ne peuvent pas être étanches. La tenue mécanique n’est assurée que par les agrafes, les rivets et les vis, ce qui est limité. Pour assurer une bonne tenue mécanique du joint, il est indispensable de créer une bonne adhérence entre les pièces à assembler, ce qui n’est pas possible avec les vis, rivets ou agrafes. En outre, les techniques d’assemblages mécaniques comme le rivetage ne sont pas adaptées aux matériaux céramiques qui sont sensibles aux phénomènes de fissuration causés par des contraintes localisées à la jonction. Par ailleurs, la fusion des céramiques n’a lieu qu’à de très hautes températures, et parfois de manière non congruente en étant associée à une volatilisation de certains composants. Une telle volatilisation existe notamment pour les céramiques SiC. Le soudage par fusion n’est donc pas envisageable, a fortiori en présence de fibres qui seraient dégradées lors du chauffage. En conséquence, les techniques d’assemblage existantes pour les matériaux céramiques et leurs composites céramiques impliquent une diffusion à l’état solide ou le mouillage d’un matériau d’apport en phase liquide. On distingue les techniques d’assemblage à l’état solide et les techniques d’assemblage à l’état liquide. Parmi les techniques d’assemblage à l’état solide, on peut citer les techniques impliquant une liaison directe, les techniques de frittage avec addition d’un matériau d’assemblage, et les techniques de soudage réactif par diffusion. Liaison directe Sans matériau d’apport, les matériaux céramiques peuvent être liés par liaison directe. Ce type de technique fait majoritairement intervenir les phénomènes de diffusion et de déformation plastique dus à l’application de chaleur et de pression. Cette technique peut être appliquée en mettant en œuvre un procédé de pressage à chaud, ou frittage flash (« Spark P lasma S intering » , ou « SPS » en anglais). Frittage avec addition d’un matériau d’assemblage Le procédé de frittage est aussi applicable à l’assemblage de céramiques en ajoutant une poudre entre les éléments à assembler. Pour favoriser l’adhésion du joint au substrat, le frittage peut être un frittage réactif en utilisant des éléments métalliques. Un assemblage homogène est également possible en utilisant une composition de joint identique à celle du substrat céramique. Par exemple, on peut créer un joint en carbure de silicium pour réaliser un assemblage SiC/SiC. L’homogénéité de composition entre le substrat et le joint permet, de plus, d’éviter la formation de contraintes résiduelles due à une différence de propriétés thermomécaniques. Soudage réactif par diffusion Le soudage par diffusion consiste à lier deux éléments à un matériau métallique intermédiaire restant à l’état solide. Sous pression (de l’ordre de 0,1-100 MPa) et à des températures de 50% à 90% de la température de fusion du métal, celui-ci réagit avec le substrat céramique pour former des phases intermédiaires, comme des siliciures et des carbures. La réactivité des couches intermédiaires avec le substrat permet une bonne adhésion chimique entre les matériaux, mais peut induire la formation de phases fragilisant le joint, comme Ni 5 Cr 3 Si 2 et Cr 3 Ni 2 SiC pour des couches de Ni-Cr. La couche intermédiaire peut également être composée d’un alliage à bas point de fusion plaqué sur un cœur métallique plus réfractaire. Lors du traitement thermique, l’alliage fond et mouille la surface du substrat, avant de diffuser dans le cœur métallique resté à l’état solide. Cette variante du procédé de soudage réactif par diffusion, a l’avantage de produire un joint dont la température d’application est supérieure à la température d’assemblage. De plus, celle-ci fait intervenir le phénomène de mouillage, et peut ainsi permettre de réduire la pression d’assemblage jusqu’à des valeurs de l’ordre du kPa. De manière générale, les différentes techniques reposant sur la diffusion, comme la liaison directe, le frittage ou le soudage réactif nécessitent l’application d’une pression, ce qui présente de nombreux inconvénients notamment lorsque mises en œuvre sur des géométries complexes. Ces techniques peuvent détériorer mécaniquement le matériau, être difficilement applicables de manière homogène, nécessiter des outillages complexes d’application de la pression et de maintien en position des pièces. Parmi les techniques d’assemblage à l’état liquide, on peut citer le brasage, les techniques mettant en œuvre des joints en oxydes, et les techniques mettant en œuvre des joints en SiC préparés en réalisant la pyrolyse d’un polymère précéramique. Brasage Le procédé de brasage fait intervenir une couche intermédiaire, intercalaire, composée d’éléments métalliques, qui est chauffée au-dessus de son point de fusion. Cette couche est choisie dans le but de mouiller le substrat céramique. Elle peut être non-réactive ou, au contraire, elle peut réagir avec le substrat céramique pour former des phases intermédiaires. Cette réactivité avec le substrat favorise d’autant plus le mouillage du joint de brasage. Le brasage réactif a l’avantage de ne généralement pas nécessiter l’application d’une pression. La présence dans le joint de phases aux coefficients de dilatation thermique différents de celui du matériau substrat conduit cependant à la formation de contraintes résiduelles lors du refroidissement, qui augmentent avec l’épaisseur du joint. Il en résulte une diminution de la résistance du joint en raison de ces contraintes résiduelles. Une technique de brasage non-réactif est décrite dans les documents [1-3] qui décrivent un procédé d’assemblage de pièces en matériaux à base de SiC par brasage non-réactif avec une composition de brasure non-réactive qui est un alliage binaire ou un alliage tertiaire comprenant un pourcentage atomique élevé de silicium. Le silicium permet de limiter l’attaque réactive de la brasure sur le substrat tout en permettant un bon mouillage de l’alliage sur le SiC. De plus, le silicium et le SiC possèdent des coefficients de dilatation proches, ce qui limite la présence de contraintes résiduelles après assemblage. Ces deux phases sont, par ailleurs, en équilibre chimique. Cependant, les techniques de brasage, et en particulier la technique de brasage non-réactif décrite plus haut, sont réalisées à de hautes températures et elles présentent l’inconvénient de nécessiter un outillage complexe, tels que des moules spécifiques, pour positionner précisément les pièces, puis pour les maintenir en place lors du brasage à ces hautes températures. Joints en oxydes La demande de brevet FR-A1-2 984 784 concerne l’assemblage de pièces à base de SiC par brasage non-réactif sous atmosphère oxydante avec une composition de brasure constituée d’oxydes (Alumine, Silice, CaO, MgO) [4]. Des joints en verres ou en vitrocéramiques sont également utilisés pour l’assemblage de matériaux céramiques. La préparation de ces joints peut notamment être réalisée à partir de suspensions de poudres dans de l’éthanol, et ne nécessite pas systématiquement de pression d’assemblage. Ces joints possèdent des coefficients de dilatation plus importants que le carbure de silicium, mais ils peuvent également présenter des propriétés avantageuses d’auto-cicatrisation à des températures supérieures à leur température de durcissement. Néanmoins, la température d’utilisation de ces joints est limitée à 800°C au maximum, ce qui est très contraignant. Enfin, tout comme le brasage, cette technique présente l’inconvénient de nécessiter un outillage complexe, tels que des moules spécifiques, pour positionner précisément les pièces puis pour les maintenir en place à haute température. Joints en SiC préparés en réalisant la pyrolyse d’un polymère précéramique L’assemblage de composants en carbure de silicium peut aussi être réalisé en utilisant des polymères précurseurs de céramique ou polymères précéramiques. Le polymère est tout d’abord enduit entre des composants en SiC, puis le polymère est réticulé et pyrolysé afin d’obtenir un joint céramique entre les composants. Cette technique permet d’obtenir des compositions de joint proches des matériaux céramiques à assembler et implique ainsi une compatibilité thermique et chimique satisfaisante. Contrairement aux assemblages homogènes par liaison directe ou frittage, cette technique est de plus réalisable sans pression d’assemblage. Les joints ainsi formés présentent cependant de faibles résistances mécaniques dues à la formation de porosités et de fissures lors de la contraction du matériau au cours de la pyrolyse. Ces performances peuvent être améliorées mais cela exige alors l’application d’une pression lors de l’assemblage ou la mise en œuvre de ré-infiltrations et pyrolyses successives ce qui rend le procédé complexe et couteux. Procédé RMI Une technique d’assemblage de SiC ou de composites à base de SiC par infiltration réactive à l’état fondu (« Reactive Melt Infiltration » ou « RMI » en anglais) a aussi été développée [5]. Une suspension de poudre de carbone dans une résine phénolique est d’abord durcie à 110-120°C pour obtenir un réseau poreux. Celui-ci est ensuite infiltré à 1250-1425°C par une phase liquide de silicium ou d’alliage de silicium, moyennant quoi se produit une réaction entre le carbone et le silicium conduisant à la formation de carbure de silicium SiC. Cette technique est réalisée sans pression et permet le pré-assemblage des pièces à basse température lors du durcissement de la suspension de poudre de carbone et de résine [6], ce qui permet d’éviter l’utilisation d’outillage de maintien des pièces à haute température. Cependant, cette technique présente l’inconvénient d’être une technique réactive. En effet, la poudre de carbone et le carbone obtenu via la pyrolyse de la résine qui sont utilisées lors de l’étape de formation du réseau poreux, réagissent ensuite avec le silicium, lors de l’étape d’infiltration, dans une réaction exothermique, provoquant ainsi un échauffement des pièces. Cette exothermicité peut créer un emballement de la réaction et favoriser d’autant plus la création d’un bouchon et donc une mauvaise infiltration, ce phénomène est connu sous l’appellation « shocking-off ». De plus, la largeur du joint qui peut être obtenu par cette technique est limitée, car la réaction qui se produit lors de l’étape d’infiltration conduit à la précipitation de carbures tel que du SiC le long du chemin d’infiltration, ce qui peut conduire à l’obstruction des pores du réseau et au blocage de la propagation du liquide. Le but de la présente invention est, entre autres, de fournir un procédé d’assemblage d’au moins deux pièces en un matériau à base de carbure de silicium, qui ne présente pas les inconvénients, défauts, limitations et désavantages des procédés d’assemblage de l’art antérieur, tels qu’ils ont notamment été décrits plus haut, et qui résolve les problèmes qui se posent dans les procédés de l’art antérieur. Ce but, et d’autres encore, sont atteints, conformément à l’invention, par un procédé d’assemblage d’au moins deux pièces en un matériau à base de carbure de silicium, chacune des pièces comprenant une surface à assembler, dans lequel on réalise les étapes successives suivantes : On intercale une poudre de carbure de silicium et une résine organique réticulable, entre les surfaces à assembler des pièces et au contact desdites surfaces à assembler ; On chauffe le mélange de poudre de carbure de silicium et de résine organique réticulable et les pièces mises en position à une température inférieure à 200°C, de préférence inférieure à 100°C, pour réticuler la résine organique réticulable, et créer entre les surfaces à assembler, un réseau poreux formé par la poudre de carbure de silicium dans lequel sont réparties des particules de carbure de silicium ; On met en contact, sans appliquer de pression, le réseau poreux formé par la poudre de carbure de silicium avec du silicium, ou un alliage non-réactif MSi contenant du silicium et au moins un métal M, et on chauffe les pièces, le réseau poreux formé par la poudre de carbure de silicium, et le silicium ou l’alliage non-réactif MSi pour réaliser : la pyrolyse de la résine organique réticulée et la formation d’un réseau poreux comprenant essentiellement du carbure de silicium; puis la désoxydation du carbure de silicium; puis la fusion du silicium ou de l’alliage non-réactif MSi et l’infiltration du silicium liquide ou de l’alliage non-réactif MSi liquide dans le réseau poreux en carbure de silicium; On refroidit les pièces, moyennant quoi on obtient un joint entre les surfaces à assembler et l’assemblage des deux pièces. Le procédé selon l’invention comprend une suite spécifique d’étapes spécifiques qui n’a jamais été décrite, ni suggérée dans l’art antérieur, notamment tel qu’exposé plus haut. Le procédé selon l’invention peut être défini comme un procédé d’assemblage non-réactif qui comprend notamment deux étapes successives et obligatoires, à savoir les étapes b) et c), à savoir : Dans le procédé selon l’invention, l’étape b) peut être qualifiée d’étape de pré-assemblage, ou collage, à faible température, au cours de laquelle on réalise un collage des pièces à assembler grâce à un mélange d’une poudre de carbure de silicium et d’une résine organique réticulable en créant, entre les surfaces à assembler, un réseau poreux formé par la poudre de carbure de silicium dans lequel sont réparties des particules de carbure de silicium. Ce réseau poreux, formé par la poudre de carbure de silicium dans lequel sont réparties des particules de carbure de silicium, forme un joint entre les pièces à assembler, qui sont ainsi collées, pré-assemblées, assemblées provisoirement, maintenues en place, par l’intermédiaire de ce joint en vue de l’assemblage final définitif qui est réalisé lors de l’étape c) qui suit. L’étape c) peut être qualifiée d’étape d’infiltration, par du Si ou par un alliage non-réactif à base de silicium (MSi), du réseau poreux formé par la poudre de carbure de silicium, obtenu à l’issue de l’étape b). Autrement dit, dans le procédé selon l’invention, on commence par pré-assembler, coller, à faible température, les pièces en un matériau à base de carbure de silicium, puis on réalise un assemblage définitif de ces pièces par un procédé liquide d’infiltration non-réactif. Contrairement au procédé selon l’invention, les techniques de brasage n’incluent pas d’étape de pré-assemblage b). Cette étape b) du procédé selon l’invention permet le positionnement précis des pièces entre elles à basse température et leur maintien en place sans outillage lors de l’infiltration. Ainsi, le procédé selon l’invention ne nécessite pas l’utilisation de moules spécifiques pour la mise en position des pièces à haute température puisque cette réticulation se fait avec les pièces à assembler mises en position et le mélange de poudre de carbure de silicium et de résine organique réticulable à l’interface de ces pièces à assembler. Selon une caractéristique importante du procédé selon l’invention, qui le distingue notamment des techniques d’assemblage à l’état solide, aucune pression n’est appliquée lors de l’étape c) du procédé selon l’invention. De ce fait, le procédé selon l’invention se trouve grandement facilité et ne nécessite pas la mise en œuvre d’appareillages complexes consommateurs d’énergie, pour appliquer une pression aux pièces. Par ailleurs, l’étape a) et/ou l’étape b) et/ou l’étape d) du procédé selon l’invention peuvent également être réalisées sans appliquer de pression aux pièces et en particulier aux surfaces à assembler. A noter toutefois qu’il peut être nécessaire d’appliquer une pression modérée pour maintenir les pièces notamment lors du pré-assemblage (étape b)). Par «pression modérée», on entend une pression inférieure à 20 MPa et, de préférence, comprise entre 5 et 15 MPa. Une telle pression est très faible contrairement à une pression à haute température telle que mise en œuvre dans l’état de la technique. Selon encore une autre caractéristique importante, le procédé selon l’invention est un procédé non-réactif. Tout d’abord, le procédé selon l’invention est un procédé non-réactif du fait qu’il n’utilise pas de poudre de carbone pour la réalisation du réseau poreux principalement composé de poudre de SiC. Le procédé selon l’invention est non-réactif donc on ne forme rien d’autre que le SiC et le Si/MSi déjà présents, aucun nouveau carbure ou composant ternaire n’étant formé. L’absence de réaction évite les risques d’échauffement par exothermicité lors de l’infiltration. Cette absence de réaction présente aussi l’avantage que la largeur du joint pouvant être préparé par le procédé selon l’invention n’est pas limitée, ce qui n’est pas le cas avec la technique d’assemblage par infiltration réactive à l’état fondu (« Reactive Melt Infiltration» ou « RMI » en anglais) décrite plus haut. En effet, la réaction avec le mélange carboné/pré-joint carboné utilisée dans technique d’assemblage par infiltration réactive à l’état fondu (« Reactive Melt Infiltration» ou « RMI » en anglais) décrite dans les documents [5] et [6] conduit à la précipitation de carbures tel que du SiC le long du chemin d’infiltration, ce qui peut conduire à l’obstruction des pores du réseau et au blocage de la propagation du liquide. Ensuite, le procédé selon l’invention est un procédé non-réactif aussi du fait que, lors de l’étape c), il peut mettre en œuvre un alliage non-réactif MSi contenant du silicium et au moins un métal M. Par « alliage non-réactif », on entend que cet alliage ne réagit pas avec le matériau à base de carbure de silicium des pièces à assembler et ne réagit pas avec le réseau poreux essentiellement constitué de la poudre SiC. Cet alliage ne présente donc pas les inconvénients afférents aux alliages réactifs qui réagissent avec le matériau des pièces. A noter que l’infiltrat (Si ou SiM) mis en œuvre dans l’invention peut toutefois réagir avec la faible quantité de carbone issue de la pyrolyse de la résine organique réticulée pour former du SiC. Par «faible quantité», on entend une quantité en carbone inférieure à 10% en masse par rapport à la masse totale du réseau poreux, le reste étant constitué par du SiC d’où les expressions «réseau poreux essentiellement/principalement constitué de SiC (ou de poudre de SiC)» et «réseau poreux essentiellement/principalement composé de SiC (ou de poudre de SiC)». Le procédé selon l’invention présente enfin l’avantage d’inclure les traitements thermiques de préparation du réseau poreux et d’infiltration dans le même cycle réalisé lors de l’étape c). Finalement, on peut estimer que le procédé selon l’invention, présente l’intérêt significatif, par rapport à l’état de l’art antérieur, de permettre l’assemblage non-réactif de pièces, y compris de pièces de formes complexes avec un pré-collage à une faible température. Avantageusement, le matériau à base de carbure de silicium peut être choisi parmi les carbures de silicium pur tels que le carbure de silicium pur α (SiCα) ou β (SiCβ) et les matériaux composites à base de SiC tels que les composites à fibres et/ou à matrice de carbure de silicium. Avantageusement le matériau à base de carbure de silicium peut être choisi parmi le carbure de silicium fritté sans pression ("PLS-SiC") ; le carbure de silicium infiltré Si ("SiSiC" ou "RBSC") ; le carbure de silicium recristallisé poreux ("RSiC") ; le graphite silicium ("C-SiC") constitué de graphite et recouvert par une couche de SiC ; les composites SiC/SiC ; par exemple, à fibres ou à «whiskers»; les composites SiC/SiC à matrice auto-cicatrisante ; les composites C/SiC, par exemple, à fibres ou à «whiskers» de carbone et à matrice SiC ; les monocristaux de SiC; et les composites du SiC avec une matrice SiC ou revêtus de SiC. Par «matériau à base de carbure de silicium», on entend généralement un matériau ayant une teneur en carbure de silicium au moins égale à 50% en masse, de préférence au moins égale à 80% en masse, et de préférence encore égale à 100% en masse. Avantageusement les pièces peuvent être des pièces de géométrie complexe et/ou des pièces de grande taille. L’homme du métier dans ce domaine de la technique sait que les termes «de géométrie complexe» et «de grande taille» ont une signification reconnue et établie et sont largement utilisés. Par «pièces de géométrie complexe», on entend généralement des pièces qui présentent un ou plusieurs parmi des creux, des retraits, des surplombs, des angles, des concavités, des convexités, etc. Par «pièces de grande taille», on entend généralement des pièces d’une taille (définie par leur plus grande dimension) supérieure à 20 cm, de préférence de 1 m à 4 m, ou par un volume supérieur à 1 m 3 , de préférence de 1,5 m 3 à 15 m 3 . Par « résine organique réticulable », on entend une résine comprenant des groupes susceptibles de réagir entre eux pour former plusieurs réseaux tridimensionnels par voie chimique ou physique, par exemple, par chauffage avec création de liaisons chimiques entre les chaînes macromoléculaires de la résine. La résine organique réticulable mise en œuvre dans l’invention peut être choisie parmi l’alcool furfurylique, une résine phénolique et une résine époxy. La résine organique réticulable mise en œuvre dans l’invention est aussi une résine pyrolysable, qui lors de sa pyrolyse donne du carbone. Lors de l’étape a) du procédé selon l’invention, la poudre de carbure de silicium et la résine organique réticulable peuvent être intercalées entre les faces à assembler simultanément ou l’une après l’autre. Lorsqu’elles sont appliquées simultanément, la poudre de carbure de silicium et la résine organique réticulable peuvent être mélangées préalablement et alors se présenter sous forme d’une pâte. La définition et les caractéristiques d’une pâte sont bien connues de l’homme du métier. En variante, elles peuvent être déposées successivement à l’interface entre les pièces sous forme d’une suspension de poudre qui sera séchée avant d’être imprégnée de la résine organique réticulable. Avantageusement, lors de l’étape b) le mélange et les pièces sont chauffées à une température de 50°C à 150°C, par exemple, de 100°C. Avantageusement, lors de l’étape b) le mélange et les pièces sont chauffées pendant une durée suffisante pour réticuler la résine organique réticulable, par exemple, l’alcool furfurylique, cette durée peut être notamment de 15 minutes à 24 heures, par exemple, de 1 heure. Dans un mode de réalisation particulier, préalablement à l’étape c), il est possible de déposer un composé anti-mouillant, comme du nitrure de bore, sur les surfaces non-impliquées dans l’assemblage pour limiter le mouillage du Si ou du MSi à la zone à assembler. Avantageusement, lors de l’étape c) : On chauffe les pièces, le réseau poreux et le silicium jusqu’ à une température de 700°C à 1000°C, par exemple de 800°C, et on observe un premier palier à cette température pendant une durée de 5 minutes à 200°minutes, par exemple de 10 minutes, pour réaliser la pyrolyse de la résine organique réticulable réticulée et la formation d’un réseau poreux; puis On continue à chauffer, jusqu’à une température de 1100 C à 1400 C, par exemple de 1300°C, et on observe un deuxième palier à cette température pendant une durée de 10 minutes à 200 minutes, par exemple de 30 minutes pour réaliser la désoxydation du carbure de silicium ; puis On continue à chauffer jusqu’à une température supérieure à la température de fusion du silicium, de préférence de 1420 C à 1700 C, par exemple de 1500°C, et on observe un troisième palier à cette température pendant une durée de 1 minute à 120 minutes, par exemple de 15 minutes à 30 minutes pour réaliser la fusion du silicium ou de l’alliage non-réactif MSi, l’infiltration du silicium liquide ou de l’alliage non-réactif MSi liquide dans le réseau poreux en carbure de silicium. L’alliage MSi peut être un alliage binaire ou ternaire. Avantageusement, M est choisi parmi les métaux qui ne font pas des carbures et peut donc être choisi parmi le cobalt (Co), le nickel (Ni), l’iridium (Ir), le ruthénium (Ru), le rhénium (Re), le rhodium (Rh), le palladium (Pd), le platine (Pt) et leurs mélanges. Les alliages non-réactifs, peuvent notamment être choisis parmi les alliages contenant, en pourcentages atomiques, plus de 50% de silicium, de préférence plus de 65% de silicium. Des exemples de tels alliages sont décrits dans les documents [1] et [2]. Il peut s’agir d’un alliage binaire, constitué, en pourcentages atomiques de 60 à 66% de silicium et de 34% à 40% de nickel ou d’un alliage ternaire, constitué en pourcentages atomiques de 45% à 65% de silicium, de 28% à 45% de nickel, et de 5% à15% de cobalt. L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, donnée à titre illustratif et non limitatif, de modes de réalisation de l’invention donnée sous la forme d’exemples. Cette description est faite en relation avec les dessins joints. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES La FIG. 1 est une vue schématique en coupe verticale d’une éprouvette préparée par le procédé selon l’invention. La FIG. 2 est une photographie qui montre un outillage ou montage en aluminium de mise en place des pièces à assembler par le procédé selon l’invention. La FIG. 3 est une vue schématique de face qui illustre la mise en place des pièces lors de l’étape d’infiltration du procédé selon l’invention. La FIG. 4 est un graphique qui montre le cycle thermique mis en œuvre au cours de l’étape d’infiltration du procédé selon l’invention. La FIG. 5 est une vue en coupe dans le plan du joint, obtenue par tomographie aux Rayons X du joint obtenu par assemblage de deux pièces en SiC monolithique en mettant en œuvre le procédé selon l’invention (Exemple 1). La FIG. 6 est une vue en coupe transversale, obtenue par microscopie optique du joint obtenu par assemblage de deux pièces en SiC monolithique (Exemple 1). L’échelle portée sur la FIG. 6 représente 20 µm. La FIG. 7 est une vue en coupe dans le plan du joint, obtenue par tomographie aux Rayons X du joint obtenu par assemblage de deux pièces en C f /SiC n mettant en œuvre le procédé selon l’invention (Exemple 2). La FIG. 8 est une vue en coupe transversale, obtenue par microscopie optique du joint obtenue par assemblage de deux pièces en un matériau composite dénommé C f /SiC à matrice de silicium renforcée par des fibres de carbone. (Exemple 2). L’échelle portée sur la FIG. 8 représente 100 µm. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L’INVENTION L’invention va maintenant être décrite en référence aux exemples suivants donnés à titre illustratif et non limitatif. Dans les exemples qui suivent, on réalise l’assemblage de pièces par le procédé selon l’invention qui comprend une étape de pré-assemblage suivie d’une étape d’infiltration. Dans l’exemple 1, on réalise l’assemblage de deux pièces en carbure silicium SiC monolithique fritté. Dans l'exemple 2, on réalise l’assemblage de deux pièces en un matériau composite dénommé C f /SiC à matrice de silicium renforcée par des fibres de carbone Cf. Géométrie des éprouvettes Dans les deux exemples, on utilise le procédé selon l’invention pour assembler deux pièces et former ainsi une éprouvette ayant une géométrie particulière. Cette éprouvette se présente en effet sous la forme d’une petite structure possédant une géométrie en forme de «T» inversé. Cette géométrie en forme de «T» inversé, présentée sur la FIG. 1 , est composée de deux pièces (11, 12) ayant pour dimensions 10 mm x 10 mm x 4 mm et 15 mm x 10 mm x 4 mm respectivement, et d’un joint (13) en contact avec les surfaces (14, 15) assemblées des deux pièces. Cette forme particulière de l’éprouvette implique des contraintes comme la nécessité de positionner précisément les pièces à leur place, une faible surface de contact disponible pour l’assemblage (environ 40 mm²) ainsi qu’une difficulté à appliquer une pression au cours de l’assemblage. Procédé d’assemblage On commence par réaliser un pré-assemblage des pièces ((étape b) du procédé selon l’invention) grâce à un outillage ou montage en aluminium de mise en place des pièces ( FIG. 2 ). Les pièces sont disposées dans ce montage selon la géométrie en forme de «T» inversé, présentée sur la FIG. 1 , et un mélange d’une poudre de SiC (beta-phase, poudre 1 µm, pureté de 99%, Alfa Aesar) et d’alcool furfurylique (Aldrich), est placé entre les surfaces à assembler (14, 15) des deux pièces. Cet outillage comporte des vis de maintien pour maintenir en place les pièces à assembler. Une fois les pièces disposées dans le montage avec la poudre de SiC et l’alcool furfurylique placés entre les surfaces à assembler (14, 15), on introduit alors l’ensemble dans une étuve à 100°C (ce qui est une température faible) pendant 1h afin de réticuler l’alcool furfurylique. A l’issue de cette étape, il se forme, entre les surfaces à assembler (14, 15) des deux pièces, un réseau (ou interface) poreux en alcool furfurylique réticulé. Dans ce réseau, sont réparties des particules de SiC issues de la poudre. On met ensuite en œuvre l’étape c) du procédé selon l’invention, au cours de laquelle on réalise l’infiltration du réseau poreux en alcool furfurylique réticulé obtenu à l’issue de l’étape b). Pour mettre en œuvre cette étape d’infiltration c), on dépose tout d’abord, préalablement à cette étape c), du nitrure de bore (Boron Nitride Spray (HeBoCoat® SL-E 200), henze Boron Nitride Products AG), qui est un composé anti mouillant, autour de la zone du joint entre les deux surfaces (14, 15) à assembler des pièces, pour limiter le mouillage du silicium liquide sur les pièces (11, 12) préassemblées obtenues à l’issue de la première étape ( FIG. 3 ). Autrement dit, on dépose du nitrure de bore, sur une zone (16) de la surface des pièces (11, 12) à assembler, autour du réseau poreux (17) formé par la résine organique réticulée dans lequel sont réparties des particules de carbure de silicium ( FIG. 3 ). Des copeaux de silicium (Copeaux strem Chemicals 93-1496 de pureté 99+%) (infiltrat (18)) est ensuite déposé le long de la zone du joint, au contact du réseau poreux en alcool furfurylique réticulé et poudre de carbure de silicium obtenu à l’issue de l’étape b) ( FIG. 3 ). Les pièces ainsi traitées par le composé anti mouillant et pourvues de l’infiltrat (18) sont placées dans un creuset en graphite disposé dans un four chauffé par induction haute fréquence et pouvant atteindre 2000°C. Un cycle thermique atteignant 1500°C ( FIG. 4 ) permet la fusion du silicium qui infiltre alors le réseau poreux. Ce cycle thermique comprend une première montée en température jusqu’à un premier palier à une température de 800°C qui est observé pendant 10 minutes afin de permettre la pyrolyse de l’alcool furfurylique et former ainsi un réseau poreux composé essentiellement de carbure de silicium et comprenant moins de 10% en masse de carbone. Ensuite, on réalise une deuxième montée en température jusqu’à un deuxième palier à une température de 1300°C, qui est observé pendant 30 minutes pour assurer une désoxydation de la poudre de SiC. On réalise enfin une troisième montée en température jusqu’à une température de 1500°C qui est maintenue pendant 15 minutes (exemple 1, SiC monolithique pour joint fin) ou 30 minutes (exemple 2, C f /SiC pour joint épais) pour que le silicium fonde et infiltre le réseau poreux en SiC. Exemple 1 Dans cet exemple, on réalise l’assemblage de deux pièces monolithiques de carbure de silicium frittées (Boostec®, 1,5% de porosité, disponible auprès de la société MERSEN®) par le procédé selon l’invention décrit plus haut, avec le cycle thermique décrit plus haut et sur la FIG. 4 . Le joint obtenu dans cet exemple en mettant en œuvre le procédé selon l’invention, est dense, comme le montrent la vue en coupe dans le plan du joint, obtenue par tomographie aux Rayons X ( FIG. 5 ), et la vue en coupe transversale du joint, obtenue par microscopie optique ( FIG. 6 ). L’assemblage obtenu a également été caractérisé mécaniquement en traction et a démontré une résistance à la rupture de 76,4 MPa. Un échantillon identique a été testé en cisaillement et a démontré une résistance à la rupture de 88,2 MPa. Exemple 2 Dans cet exemple, on réalise l’assemblage de deux pièces en matériau composite C f /SiC (BJS Ceramics) d’une épaisseur de l’ordre de 4 mm par le procédé selon l’invention décrit plus haut, avec le cycle thermique décrit plus haut et sur la FIG. 4 . Le joint obtenu dans cet exemple en mettant en œuvre le procédé selon l’invention, est dense, comme le montrent la vue en coupe dans le plan du joint, obtenue par tomographie aux Rayons X ( FIG. 7 ), et la vue en coupe transversale du joint, obtenue par microscopie optique ( FIG. 8 ). Un échantillon identique a été testé en traction et le joint a démontré une résistance à la rupture supérieure à celle de la base du T en composite sollicitée en hors-plan. Les exemples fournis ci-dessus démontrent que le procédé selon l’invention peut être effectivement mis en œuvre pour réaliser l’assemblage de céramiques ou de composites à matrice céramiques à base de SiC. Procédé d’assemblage d’au moins deux pièces en un matériau à base de carbure de silicium, chacune des pièces comprenant une surface à assembler, dans lequel on réalise les étapes successives suivantes : On intercale une poudre de carbure de silicium et une résine organique réticulable, entre les surfaces à assembler des pièces et au contact desdites surfaces à assembler ; On chauffe le mélange de poudre de carbure de silicium et de résine organique réticulable et les pièces mises en position à une température inférieure à 200°C, de préférence inférieure à 100°C, pour réticuler la résine organique réticulable, et créer entre les surfaces à assembler, un réseau poreux formé par la poudre de carbure de silicium dans lequel sont réparties des particules de carbure de silicium ; On met en contact, sans appliquer de pression, le réseau poreux formé par la poudre de carbure de silicium avec du silicium, ou un alliage non-réactif MSi contenant du silicium et au moins un métal M, et on chauffe les pièces, le réseau poreux formé par la poudre de carbure de silicium, et le silicium ou l’alliage non-réactif MSi pour réaliser : la pyrolyse de la résine organique réticulée et la formation d’un réseau poreux comprenant essentiellement du carbure de silicium; puis la désoxydation du carbure de silicium ; puis la fusion du silicium ou de l’alliage non-réactif MSi et l’infiltration du silicium liquide ou de l’alliage non-réactif MSi liquide dans le réseau poreux en carbure de silicium; On refroidit les pièces, moyennant quoi on obtient un joint entre les surfaces à assembler et l’assemblage des deux pièces. Procédé selon la revendication 1 dans lequel le matériau à base de carbure de silicium est choisi parmi les carbures de silicium pur tels que le carbure de silicium pur α (SiCα) ou β (SiCβ) et les matériaux composites à base de SiC tels que les composites à fibres et/ou à matrice de carbure de silicium. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau à base de carbure de silicium est choisi parmi le carbure de silicium fritté sans pression ("PLS-SiC") ; le carbure de silicium infiltré Si ("SiSiC" ou "RBSC") ; le carbure de silicium recristallisé poreux ("RSiC") ; le graphite silicium ("C-SiC") constitué de graphite et recouvert par une couche de SiC ; les composites SiC/SiC ; par exemple, à fibres ou à «whiskers» ; les composites SiC/SiC à matrice auto-cicatrisante ; les composites C/SiC, par exemple, à fibres ou à «whiskers» de carbone et à matrice SiC ; les monocristaux de SiC ; et les composites du SiC avec une matrice SiC ou revêtus de SiC. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de carbure de silicium a une teneur en carbure de silicium au moins égale à 50% en masse, de préférence au moins égale à 80% en masse, et de préférence encore égale à 100% en masse. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les pièces sont des pièces de géométrie complexe et/ou des pièces de grande taille. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel La résine organique réticulable est choisie parmi l’alcool furfurylique, une résine phénolique et une résine époxy. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, préalablement à l’étape c), un composé anti-mouillant est déposé sur les surfaces non-impliquées dans l’assemblage pour limiter le mouillage du Si ou du MSi à la zone à assembler. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, lors de l’étape c) : On chauffe les pièces, le réseau poreux et le silicium jusqu’ à une température de 700°C à 1000°C, par exemple de 800°C, et on observe un premier palier à cette température pendant une durée de 5 minutes à 200°minutes, par exemple de 10 minutes, pour réaliser la pyrolyse de la résine organique réticulable réticulée et la formation d’un réseau poreux; puis On continue à chauffer, jusqu’à une température de 1100 C à 1400 C, par exemple de 1300°C, et on observe un deuxième palier à cette température pendant une durée de 10 minutes à 200 minutes, par exemple de 30 minutes pour réaliser la désoxydation du carbure de silicium ; puis On continue à chauffer jusqu’à une température supérieure à la température de fusion du silicium, de préférence de 1420 C à 1700 C, par exemple de 1500°C, et on observe un troisième palier à cette température pendant une durée de 1 minute à 120 minutes, par exemple de 15 minutes à 30 minutes pour réaliser la fusion du silicium ou de l’alliage non-réactif MSi, l’infiltration du silicium liquide ou de l’alliage non-réactif MSi liquide dans le réseau poreux en carbure de silicium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel M est choisi parmi le cobalt (Co), le nickel (Ni), l’iridium (Ir), le ruthénium (Ru), le rhénium (Re), le rhodium (Rh), le palladium (Pd), le platine (Pt) et leurs mélanges.