FR 3163768 A1 20251226 FR 2406727 A 20240621 L’invention concerne un procédé d’oxydation d’une couche de silicium comportant les étapes suivantes : fourniture d’un substrat comprenant une couche de silicium ; au moins une implantation d’atomes de soufre dans au moins une zone de la couche de silicium ; oxydation humide de ladite couche de silicium implantée. Procédé d’oxydation d’une couche de silicium La présente invention concerne de manière générale le domaine de la micro-électronique. Elle concerne plus particulièrement un procédé d’oxydation d’une couche de silicium. ÉTAT DE LA TECHNIQUE L’oxydation est une étape très importante dans la réalisation des circuits intégrés au silicium. Elle est utilisée pour différentes applications, notamment pour la création de zones d’isolation entre différents composants d’une structure intégrée. Il convient dès lors de bien maitriser les procédés d’oxydation. On connait différentes techniques permettant d’obtenir un oxyde de silicium telles que par exemple l’oxydation thermique, en présence d’oxygène, dite oxydation sèche, ou l’oxydation thermique en présence de vapeur d’eau, dite oxydation humide. L’oxydation thermique implique l'exposition du silicium à haute température (généralement entre 800°C et 1200°C) en présence d'oxygène (phase sèche) ou de vapeur d'eau (phase humide). L'oxygène réagit avec le silicium pour former de l'oxyde de silicium SiO2 à la surface. Il peut être intéressant de chercher à moduler la vitesse d’oxydation du silicium soit en la ralentissant soit plus classiquement en l’augmentant de façon à obtenir plus rapidement une épaisseur d’oxyde donnée. On connait des méthodes permettant de moduler la vitesse d’oxydation thermique du silicium. Ainsi, le dopage du silicium avec des éléments tels que le phosphore ou le bore permet d’accélérer la vitesse d'oxydation et d’obtenir un ratio d’oxydation compris entre 0,5 et 2 : on entend par ratio d’oxydation le rapport entre l’épaisseur d’oxyde obtenue avec dopage et l’épaisseur d’oxyde obtenue dans les mêmes conditions opératoires sans dopage. La présente invention vise à accélérer la vitesse d’oxydation thermique du silicium en proposant un procédé permettant notamment d’atteindre des ratios d’oxydation bien supérieurs à 2 tout en conservant une bonne qualité de la couche oxydée. L’invention concerne alors un procédé d’oxydation d’une couche de silicium comportant les étapes suivantes : implantation d’atomes de soufre dans au moins une zone de la couche de silicium ; oxydation humide de ladite couche de silicium implantée. On entend par oxydation humide une étape d’oxydation réalisée en présence de vapeur d’eau à une température plus élevée que la température ambiante, préférentiellement supérieure à 700°C. Cette oxydation humide peut se faire soit en présence exclusivement de vapeur d’eau soit sous atmosphère mixte incluant à la fois de la vapeur d’eau et du dioxygène ou de la vapeur d’eau et de chlorure d’hydrogène gazeux. De façon particulièrement surprenante, les inventeurs se sont rendu compte que la combinaison d’un dopage par des atomes de soufre dans le silicium et de l’utilisation d’une oxydation humide permettait d’obtenir une accélération importante de l’oxydation comparée aux techniques connues et d’obtenir des ratios d’oxydation bien supérieurs à 2. Pour ce faire, il convient que l’oxydation se fasse sous atmosphère de vapeur d’eau (i.e. une atmosphère sèche ne donne pas les mêmes résultats) et que l’implantation des atomes de soufre soit réalisée dans le silicium. Il est donc essentiel de réaliser une zone implantée en soufre, appelée aussi caisson par la suite, directement dans le silicium. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le procédé d’oxydation selon l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : l’étape d’implantation d’atomes de soufre est réalisée de sorte à obtenir une concentration en soufre dans la zone implantée strictement inférieure 5.10 21 at/cm 3 et préférentiellement strictement inférieure à 3.10 21 at/cm 3 . le substrat comprenant une couche de silicium comporte en outre une couche d’oxyde sur la couche de silicium, l’implantation étant alors réalisée de façon à ce que les atomes de soufre soit implantés sous la couche d’oxyde. l’oxydation humide est réalisée : en présence de vapeur d’eau ou sous atmosphère incluant à la fois de la vapeur d’eau et du dioxygène ou sous atmosphère incluant de la vapeur d’eau et de chlorure d’hydrogène gazeux. l’oxydation humide est réalisée à une température strictement supérieure à 700°C. l’implantation d’atomes de soufre est réalisée sur une épaisseur supérieure ou égale à 10nm. le procédé comporte une pluralité d’étapes d’implantation réalisées successivement et présentant des doses d’implantation et/ou des tensions d’accélération différentes de sorte à obtenir une concentration en soufre uniforme sur une épaisseur donnée. Le procédé selon un premier mode de réalisation comporte : une étape de masquage d’au moins une zone de la couche de silicium, l’implantation d’atomes de soufre est réalisée dans au moins une zone de la couche de silicium non masquée, une étape de retrait du masque précédant l’étape d’oxydation humide de ladite couche de silicium. Le procédé selon un second mode de réalisation dans lequel le substrat comprenant une couche de silicium est un substrat de type silicium sur isolant SOI, ledit procédé étant mis en œuvre pour la réalisation d’au moins une zone locale d’isolation telle qu’une tranchée d’isolation par exemple, comportant les étapes suivantes : une étape de masquage d’au moins une zone de la couche de silicium, l’implantation d’atomes de soufre est réalisée dans au moins une zone de la couche de silicium non masquée destinée à former la zone locale d’isolation, de façon à ce que les atomes de soufre soient implantés sous la couche d’oxyde, oxydation humide de ladite couche de silicium implantée, retrait de l’oxyde avec arrêt sur la couche de silicium. L’invention a également pour objet un dispositif comportant un substrat SOI oxydé par le procédé selon l’invention présentant au moins une zone locale d’isolation comportant du soufre. Selon un mode de réalisation, le dispositif selon l’invention comporte un transistor formé sur la couche de silicium supérieure du substrat SOI. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : La FIG. 1 représente, sous forme d’un logigramme, les différentes étapes du procédé selon l’invention, Les FIG. 2 , FIG. 3 et FIG. 4 représentent les différentes étapes du procédé de la FIG. 1 , La FIG. 5 représente un profil de concentration en atomes de soufre implantés lors de la mise en œuvre du procédé selon l’invention, La FIG. 6 montre l’épaisseur d’oxyde obtenu pour des échantillons réalisés avec différentes épaisseurs de la couche implantée avec le soufre après oxydation à différentes températures, La FIG. 7 représente, sous forme d’un logigramme, les différentes étapes du procédé selon l’invention, Les FIG. 8 , FIG. 9 et FIG. 10 représentent les différentes étapes du procédé de la FIG. 7 , La FIG. 11 montre l’épaisseur d’oxyde obtenu pour des échantillons réalisés avec différentes épaisseurs de la couche implantée avec le soufre et une épaisseur d’oxyde initial après oxydation à différentes températures, La FIG. 12 montre l’épaisseur d’oxyde obtenu pour des échantillons réalisés avec une même épaisseur de la couche implantée avec le soufre à des concentrations différentes de soufre après oxydation à 850°C pendant différentes durées, La FIG. 13 montre l’évolution de l’épaisseur d’oxyde formé en fonction du temps pour différents échantillons, La FIG. 14 montre l’évolution de la vitesse d’oxydation pour différents échantillons, Les FIG. 15 et FIG. 16 illustrent des exemples d’application du procédé d’oxydation selon l’invention. Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l’ensemble des figures. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L’INVENTION La FIG. 1 représente un logigramme illustrant les différentes étapes du procédé 100 d’oxydation d’une couche de silicium selon un premier mode de réalisation de l’invention. Comme le montre la FIG. 2 , le procédé 100 débute par une étape 101 de fourniture d’un substrat 200 comportant une couche de silicium. Ici, le substrat 200 est un substrat bulk intégralement en Si monocristallin de sorte que la couche de Si et le substrat sont confondus. Toutefois, comme nous le verrons par la suite, l’invention ne se limite au substrat bulk Si et la couche de silicium peut par exemple être une couche de silicium monocristallin appartenant à un substrat de type silicium sur isolant SOI (« Silicon On Insulator ») ou une couche de silicium déposée sur un empilement quelconque de couches. Le procédé selon l’invention se poursuit par une étape 102 ( FIG. 3 ) correspondant à la réalisation d’un caisson 201 d’atomes de soufre dans la couche de Si 200. En d’autres termes, au moins une zone 201 de la couche de Si est dopée par des atomes de soufre sur une épaisseur e donnée mesurée perpendiculairement au plan de la couche de Si. La réalisation du caisson de soufre 201 dans la couche de silicium est obtenue par au moins une étape d’implantation ionique d’atomes de soufre dans la couche de Si 200. Selon l’épaisseur e recherchée, il pourra s’avérer utile de réaliser plusieurs implantations successives d’atomes de soufre dans la couche de Si 200 afin d’obtenir une concentration homogène en soufre sur toute l’épaisseur e (désignée également par le terme profondeur). A titre illustratif, la FIG. 5 montre le profil 300 de concentration en atomes de soufre (en at/cm 3 ) implantés pour obtenir une concentration homogène de 10 21 at/cm 3 sur une profondeur de 150 nm. Un tel profil 300 est obtenu au moyen de trois implantations successives d’ions soufre dans la couche de Si : Une première implantation 301 avec une tension d’accélération de 80kV, une dose de 1,5.10 1 6 cm -2 , un angle de tilt de 0° et un angle de twist de 0°, Une seconde implantation 302 avec une tension d’accélération de 24kV, une dose de 5.10 1 5 cm -2 , un angle de tilt de 7° et un angle de twist de 27°, Une troisième implantation 303 avec une tension d’accélération de 2,25kV, une dose de 2,5.10 1 5 cm -2 , un angle de tilt de 7° et un angle de twist de 27°. Pour mémoire, on peut définir les deux angles d’implantation nécessaires pour paramétrer le faisceau ionique par rapport au réseau cristallin. Ces angles sont le tilt T et le twist R. Le tilt T est l’angle entre le faisceau d’ions et la normale à la surface du substrat cible. Le twist R est l’angle entre le faisceau incident et l’axe du méplat ou notch du substrat. Le procédé 100 se poursuit par une étape 103 ( FIG. 4 ) d’oxydation de la couche de silicium 200 surplombée par le caisson de soufre 201 correspondant à une couche de silicium dopée au soufre. Selon l’invention, l’oxydation est une oxydation thermique (à une température supérieure ou égale à 700°C) humide (i.e. en présence d’une atmosphère de vapeur d’eau). La couche de silicium 200 et le caisson 201 réagissent avec l’élément oxydant pour former une couche 203 de SiO 2 en consommant le silicium. L’interface Si/SiO 2 va se retrouver au-dessous de la surface initiale 204 du caisson de soufre 203 et pénétrer dans la couche de silicium initiale non dopée au soufre. De façon connue, la fraction d’ épaisseur de la couche d’oxyde située au-dessous de la surface initiale 204 représente environ 46% de l’épaisseur totale d’oxyde et la fraction d’épaisseur d’oxyde située au-dessus de la surface initiale 204 représente environ 54% de l’épaisseur totale d’oxyde. Selon une première expérimentation et afin de montrer les avantages du procédé selon l’invention, des échantillons Q2, Q3 et Q4 ont été réalisés avec différentes épaisseurs e de la couche 201 implantée avec le soufre. L’échantillon Q1 sera considéré dans ce qui suit comme un échantillon de référence sans implantation de soufre. L’échantillon Q2 a une épaisseur d’implantation de 10nm. L’échantillon Q3 a une épaisseur d’implantation de 50nm et l’échantillon Q4 a une épaisseur d’implantation de 150nm. La concentration de soufre dans les échantillons Q2, Q3 et Q4 est égale à 10 21 at/cm 3 . Chacun des échantillons Q1, Q2, Q3 et Q4 est ensuite soumis à une oxydation humide pendant 1h à trois températures différentes, respectivement, 850°C, 950°C et 1050°C. La FIG. 6 montre l’épaisseur d’oxyde obtenu pour chacun des échantillons après oxydation à chacune des températures précitées. Pour chacune des représentations, la référence à 0nm correspond à la surface initiale du caisson de soufre pour les échantillons Q2, Q3 et Q4 et à la surface initiale de la couche de silicium pour l’échantillon Q1 de référence (i.e. sans implantation). La zone oxydée est à chaque fois décomposée en deux parties : l’épaisseur d’oxyde formé dans le caisson de soufre et l’épaisseur d’oxyde formé au-dessus de la surface initiale supérieure du caisson de soufre (ou au-dessus de la surface initiale supérieure de la couche de Si dans le cas de l’échantillon Q1) et au-dessous de la surface initiale inférieure du caisson de soufre (ou au-dessous de la surface initiale inférieure de la couche de Si dans le cas de l’échantillon Q1). Sous chaque épaisseur des échantillons Q2, Q3 et Q4 est représenté un facteur multiplicateur correspondant au ratio entre l’épaisseur d’oxyde de l’échantillon donné et l’épaisseur d’oxyde de l’échantillon de référence Q1. Quelle que soit la température d’oxydation, on observe que le ratio augmente lorsque l’épaisseur du caisson de soufre augmente, ledit ratio étant systématiquement strictement supérieur à 1. Ainsi, la présence du soufre permet, pour une même durée d’oxydation, d’avoir une épaisseur plus importante d’oxyde que dans le cas de l’échantillon de référence. De plus, on accélère la croissance de l’oxyde avec l’épaisseur du caisson qui augmente : à titre illustratif, à 850°C, le ratio est de 1,7 pour un caisson de 10nm et passe à 5,2 pour un caisson de 150nm. Le procédé selon l’invention permet donc de moduler efficacement la vitesse d’oxydation thermique du silicium et d’atteindre des ratios d’oxydation bien supérieurs à 2. De façon connue, on observe que la vitesse d’oxydation augmente avec la température à laquelle est réalisée l’oxydation. On notera en outre que l’utilisation d’une oxydation sèche ne permet pas d’obtenir les mêmes résultats. La FIG. 7 représente un logigramme illustrant les différentes étapes du procédé 400 d’oxydation d’une couche de silicium selon un second mode de réalisation de l’invention. Comme le montre la FIG. 8 , le procédé 400 débute par une étape 401 de fourniture d’un substrat 500 comportant une couche de silicium 501 (ici sous la forme d’un substrat bulk intégralement en Si monocristallin) dont la surface supérieure est oxydée (présence d’une couche d’oxyde 502) sur une épaisseur e1, ici égale à 20nm. Le procédé 400 selon l’invention se poursuit par une étape 402 ( FIG. 9 ) correspondant à la réalisation d’un caisson 503 d’atomes de soufre dans l’empilement formé par la couche de Si 501 et la couche d’oxyde 502. On notera que sur la FIG. 9 , la zone implantée en soufre recouvre à la fois l’épaisseur e1 d’oxyde et une partie de l’épaisseur de la couche de Si (nous verrons dans ce qui suit l’importance de cette caractéristique). En d’autres termes, au moins une zone 504 de la couche de Si non oxydée est dopée par des atomes de soufre. L’épaisseur e2 totale du caisson de soufre 503 est mesurée perpendiculairement au plan de la couche de Si. Comme précédemment, la réalisation du caisson de soufre 503 est obtenue par au moins une étape d’implantation ionique d’atomes de soufre dans la couche de Si 501 et la couche d’oxyde 502 la surplombant. Comme évoqué pour le premier mode de réalisation, selon l’épaisseur e2 recherchée, il pourra s’avérer utile de réaliser plusieurs implantations successives d’atomes de soufre dans la couche de Si 501 afin d’obtenir une concentration homogène en soufre sur toute l’épaisseur e2. Le procédé 400 se poursuit par une étape 403 ( FIG. 10 ) d’oxydation de la couche de silicium 501 surplombée par le caisson de soufre 504 correspondant à une couche de silicium dopée au soufre et la couche d’oxyde implantée en soufre. Selon l’invention, l’oxydation est une oxydation thermique (à une température supérieure ou égale à 800°C) humide (i.e. en présence d’une atmosphère de vapeur d’eau). La couche de silicium 501 et le caisson 504 réagissent avec l’élément oxydant pour former une couche 505 de SiO 2 en consommant le silicium. Selon une seconde expérimentation et afin d’illustrer les propriétés de ce second mode de réalisation, des échantillons Q2, Q3 et Q4 ont été réalisés avec différentes épaisseurs e2 de la couche 503 implantée avec le soufre (toujours avec une couche d’oxyde initiale d’épaisseur e1 égale à 20nm). L’échantillon Q1 sera considéré dans ce qui suit comme un échantillon de référence sans implantation de soufre mais avec une couche d’oxyde initiale de 20nm d’épaisseur. L’échantillon Q2 a une épaisseur d’implantation de 10nm. L’échantillon Q3 a une épaisseur d’implantation de 50nm et l’échantillon Q4 a une épaisseur d’implantation de 150nm. La concentration de soufre dans les échantillons Q2, Q3 et Q4 est égale à 10 21 at/cm 3 . Chacun des échantillons Q1, Q2, Q3 et Q4 est ensuite soumis à une oxydation humide pendant 1h à trois températures différentes, respectivement, 850°C, 950°C et 1050°C. La FIG. 11 montre l’épaisseur d’oxyde obtenu pour chacun des échantillons après oxydation à chacune des températures précitées. Pour chacune des représentations, la référence à 0nm correspond à la surface initiale de la couche d’oxyde initiale pour les échantillons Q1, Q2, Q3 et Q4. L’objectif de ces expérimentations est de voir si l’accélération de l’oxydation grâce au soufre se fait uniquement dans le silicium ou si on observe le même phénomène dans la couche d’oxyde initiale implantée en soufre. La zone oxydée est à chaque fois décomposée en trois parties : l’épaisseur d’oxyde formé dans le caisson de soufre, l’épaisseur d’oxyde initiale et l’épaisseur d’oxyde formé au-dessus de la surface supérieure de la couche d’oxyde initiale et au-dessous de la surface inférieure du caisson de soufre (ou au-dessous de la surface inférieure de la couche d’oxyde initiale dans le cas de l’échantillon Q1). Sous chaque épaisseur des échantillons Q2, Q3 et Q4 est représenté le facteur multiplicateur correspondant au ratio entre l’épaisseur d’oxyde de l’échantillon donné et l’épaisseur d’oxyde de l’échantillon de référence Q1. Quelle que soit la température d’oxydation, on observe que le ratio est égal à 1 lorsque le caisson de soufre est exclusivement formé dans l’oxyde initial (i.e. l’épaisseur du caisson de soufre est égale à 10nm, donc inférieure à l’épaisseur d’oxyde initiale égale à 20nm). En d’autres termes, dans le cas où l’implantation de soufre se fait uniquement dans l’oxyde initial, on observe aucun effet sur l’accélération de l’oxydation. C’est donc bien la présence du soufre dans la couche de silicium non oxydée qui provoque l’accélération de l’oxydation. Cette constatation est confirmée par les autres ratios qui sont strictement supérieur à 1 lorsque l’épaisseur du caisson de soufre augmente de manière à ce que le soufre soit présent dans le silicium. A titre illustratif, à 850°C, le ratio est de 2,3 pour un caisson de 50nm (50nm étant bien supérieur à l’épaisseur d’oxyde initial de 20nm) et passe à 4,9 pour un caisson de 150nm (150nm étant également supérieur à l’épaisseur d’oxyde initial de 20nm). Le procédé selon l’invention permet donc de moduler efficacement la vitesse d’oxydation thermique du silicium et d’atteindre des ratios d’oxydation bien supérieurs à 2 lorsque le soufre est implanté dans le silicium (le caisson doit donc avoir une épaisseur strictement supérieure à l’épaisseur d’oxyde initial). Comme précédemment et de façon connue, on observe également que la vitesse d’oxydation augmente avec la température à laquelle est réalisée l’oxydation. Les inventeurs ont par ailleurs analysé l’effet de la concentration en soufre dans le caisson implanté sur le procédé selon l’invention. Ainsi, selon une troisième expérimentation et en référence à la FIG. 3 , des échantillons Q2, Q3 et Q4 ont été réalisés avec une même épaisseur de couche implantée 201 de 150nm et différentes concentrations de soufre dans cette couche. L’échantillon Q1 sera considéré dans ce qui suit comme un échantillon de référence. L’échantillon Q2 a une concentration de soufre égale à 5.10 2 0 at/cm 3 . L’échantillon Q3 a une concentration de soufre égale à 2.10 2 1 at/cm 3 . L’échantillon Q4 a une concentration de soufre égale à 5.10 2 1 at/cm 3 . Chacun des échantillons Q1, Q2, Q3 et Q4 est ensuite soumis à une oxydation humide à 850°C respectivement pendant 1h, 30min et 15min. La FIG. 12 montre l’épaisseur d’oxyde obtenu pour chacun des échantillons après oxydation pour chaque durée d’oxydation précitée. Pour chacune des représentations, la référence à 0nm correspond à la surface initiale du caisson de soufre pour les échantillons Q2, Q3 et Q4 et à la surface initiale de la couche de silicium pour l’échantillon Q1 de référence (i.e. sans implantation). On observe ainsi sur la FIG. 12 qu’au-delà d’une certaine concentration, l’oxydation est moins efficace et qu’il se produit un phénomène de délamination. Ainsi, de façon préférentielle, la concentration en soufre dans la zone implantée est strictement inférieure 5.10 21 at/cm 3 (concentration en soufre pour laquelle la délamination est observée en FIG. 12 ) et préférentiellement strictement inférieure à 3.10 21 at/cm 3 . Pour toutes les autres concentrations, on observe un ratio d’oxydation strictement supérieur à 1 et donc une accélération de l’oxydation liée à la présence du soufre. Des caractérisations électriques de type C(V) semble montrer que les oxydes obtenus via l’implantation de soufre selon l’invention possèdent des propriétés électriques similaires à celles des oxydes obtenus sans soufre : en d’autres termes, les oxydes obtenus via l’implantation de soufre selon l’invention semblent ne présenter aucune dégradation électrique comparée aux oxydes obtenus sans soufre. La FIG. 13 montre l’évolution de l’épaisseur d’oxyde formé en fonction du temps pour les échantillons Q1, Q2 et Q3 ainsi que pour un échantillon supplémentaire ayant une concentration de soufre égale à 1.10 2 1 at/cm 3 . La FIG. 14 montre l’évolution de la vitesse d’oxydation pour les échantillons Q1, Q2 et Q3 de la FIG. 12 . On observe ainsi une accélération de l’oxydation lors des premières minutes de la formation de l’oxyde et une saturation de la vitesse d’oxydation à partir d’une certaine profondeur. En d’autres termes, le bénéfice lié au dopage par le soufre concernant l’augmentation de la vitesse d’oxydation est particulièrement visible lors des premières minutes d’oxydation. Les figures 15 et 16 illustrent des exemples d’application du procédé d’oxydation selon l’invention. La FIG. 15 montre l’utilisation du procédé selon l’invention dans le cadre d’une technologie LOCOS ou "Local Oxidation of Silicon" (Oxydation Locale du Silicium). Pour ce faire, on part d’un substrat de silicium 600. Conformément à l’invention, on procède alors à l’implantation de caissons de soufre 602 (ici deux caissons de soufre 602 sont représentés). La réalisation de l’implantation est précédée d’une étape de masquage définissant des zones masquées 601. Les opérations de masquage sont obtenues par lithographie LOCOS pour la réalisation de masques (par exemple en résine) pour protéger certaines régions du substrat 600. L’étape d’implantation est suivie d’une étape de retrait de la résine, par exemple par décapage ou stripping selon la terminologie anglaise. Selon l’invention, les zones de silicium implantées au soufre 602 et les zones de silicium non implantées 601 sont alors soumises à une oxydation humide de façon à obtenir une couche 603 de silicium oxydée avec des zones 604 d’oxydation plus épaisses aux endroits où se trouvent les caissons de soufre 602. Les zones d’oxydation 604 plus épaisses permettront notamment d’assurer une isolation entre des composants et sont obtenus par un nombre réduit d’étapes. La FIG. 16 montre l’utilisation du procédé selon l’invention dans le cadre d’une technologie STI (Shallow Trench Isolation). Pour ce faire, on part d’un substrat de silicium 600 du type silicium sur isolant SOI(« Silicon On Insulator ») 700 incluant une couche de silicium monocristallin 703 surmontant une couche isolante enterrée 702 communément désignée par l’homme du métier sous la dénomination anglo-saxonne de « BOX » surmontant une région inférieure 701 de silicium. Conformément à l’invention, on procède alors à l’implantation de caissons de soufre 705 (ici deux caissons de soufre 705 sont représentés). Comme mentionné précédemment, pour que le procédé selon l’invention soit efficace, il est souhaitable que l’implantation en soufre ne se fasse pas uniquement dans l’oxyde 702 ; c’est la raison pour laquelle, l’implantation en soufre est ici réalisée dans la couche de Si supérieure 703, dans la couche d’oxyde enterrée 702 mais aussi dans la couche de Si 701. La réalisation de l’implantation est précédée d’une étape de masquage définissant des zones masquées 704. Les opérations de masquage sont obtenues par lithographie STI pour la réalisation de masques de résine pour définir les motifs non implantés (zones masquées 704). L’étape d’implantation est suivie d’une étape de retrait de la résine, par exemple par décapage ou stripping selon la terminologie anglaise. Selon l’invention, les zones de silicium et d’oxyde implantées au soufre 705 et les zones de silicium et d’oxyde non implantées 704 sont alors soumises à une oxydation humide de façon à obtenir une couche 706 de silicium oxydée avec des zones 707 d’oxydation plus épaisses (i.e. avec une croissance plus importante vers le haut et le bas) aux endroits où se trouvent les caissons de soufre 705. Les zones 707 d’oxydation épaisse sont ensuite soumise à un polissage mécano-chimique de type CMP (pour Chemical Mechanical Polishing selon la terminologie anglaise) avec arrêt sur la surface supérieure de la couche de Si supérieure 703 pour éliminer l’excès de matériau oxydé en surface et obtenir des zones isolantes 708 planarisées. Un nettoyage humide peut également être réalisé pour éliminer les résidus de matériau et préparer la surface à d’autres processus de fabrication ultérieur. Les zones 707 peuvent notamment servir de tranchées d’isolation permettant par exemple d’isoler un transistor réalisé sur la couche supérieure de Si 703 d’autres transistors. On notera que des durées équivalentes sont représentées sur chacune des figures 6, 11 et 12 : elles illustrent la durée d’oxydation nécessaire applicable à un échantillon de référence pour arriver à la même épaisseur d’oxydation que pour l’échantillon implanté au soufre dans les mêmes conditions d’oxydation. Procédé d’oxydation d’une couche de silicium comportant les étapes suivantes : fourniture (101) d’un substrat (200) comprenant une couche de silicium ; au moins une implantation (102) d’atomes de soufre dans au moins une zone (201) de la couche de silicium ; oxydation humide (103) de ladite couche de silicium implantée. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l’étape d’implantation d’atomes de soufre est réalisée de sorte à obtenir une concentration en soufre dans la zone implantée strictement inférieure 5.10 21 at/cm 3 et préférentiellement strictement inférieure à 3.10 21 at/cm 3 . Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que l’oxydation humide est réalisée : en présence de vapeur d’eau ou sous atmosphère incluant à la fois de la vapeur d’eau et du dioxygène ou sous atmosphère incluant de la vapeur d’eau et de chlorure d’hydrogène gazeux. Procédé selon l’une des revendications précédentes dans lequel le substrat comprenant une couche de silicium comporte en outre une couche d’oxyde sur la couche de silicium, l’implantation étant alors réalisée de façon à ce que les atomes de soufre soit implantés sous la couche d’oxyde. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que l’oxydation humide est réalisée à une température strictement supérieure à 700°C. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce que l’implantation d’atomes de soufre est réalisée sur une épaisseur supérieure ou égale à 10nm. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’il comporte une pluralité d’étapes d’implantation réalisées successivement et présentant des doses d’implantation et/ou des tensions d’accélération différentes de sorte à obtenir une concentration en soufre uniforme sur une épaisseur donnée. Procédé selon l’une des revendications précédentes caractérisé en ce qu’il comporte : une étape de masquage d’au moins une zone de la couche de silicium, l’implantation d’atomes de soufre est réalisée dans au moins une zone de la couche de silicium non masquée, une étape de retrait du masque précédant l’étape d’oxydation humide de ladite couche de silicium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7 dans lequel le substrat comprenant une couche de silicium est un substrat de type silicium sur isolant SOI, ledit procédé étant mis en œuvre pour la réalisation d’au moins une zone locale d’isolation, telle qu’une tranchée d’isolation par exemple, comportant les étapes suivantes : une étape de masquage d’au moins une zone de la couche de silicium, l’implantation d’atomes de soufre est réalisée dans au moins une zone de la couche de silicium non masquée destinée à former la zone locale d’isolation, de façon à ce que les atomes de soufre soient implantés sous la couche d’oxyde, oxydation humide de ladite couche de silicium implantée, retrait de l’oxyde avec arrêt sur la couche de silicium. Dispositif comportant un substrat SOI oxydé par le procédé selon la revendication précédente présentant au moins une zone locale d’isolation comportant du soufre. Dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce qu’il comporte un transistor formé sur la couche de silicium supérieure du substrat SOI.