FR 3152916 A1 20250314 FR 2309563 A 20230912 Titre Transistor à effet de champ à jonction et procédé de fabrication associé L’invention consiste premièrement en un transistor à effet de champ (FET) à jonction 1 exclusivement en SiC, ou « SiC JFET ». Il est de préférence fabriqué selon une approche top-down et sa fabrication se prête à une production en série. Les performances électriques du SiC JFET 1 proposé ont été évaluées à sec et en milieu liquide. Une preuve de concept pour l’utilisation du SiC JFET proposé en tant que biocapteur 0 est validée par la mesure de pH. Le SiC JFET proposé atteint des sensibilités allant jusqu’à 495 mV/pH, soit presque 100 fois plus que la limite théorique de Nernst. Par conséquent, il est d’usage adapté à diverses applications de détection biochimique in vitro et in vivo , car il satisfait aux performances généralement requises en la matière telles que la sensibilité et la stabilité chimique, notamment à long terme. Figure pour l’abrégé : Fig. 4 Transistor à effet de champ à jonction et procédé de fabrication associé La présente invention concerne le domaine des biocapteurs. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse le domaine des diagnostics. ETAT DE LA TECHNIQUE Les transistors à effet de champ à base de Silicium (Si) ont été intensément développés au cours des dernières années et se sont révélés très prometteurs pour des applications de détection biochimique basées sur des mesures électriques sans marquage, en temps réel, sélectives et très sensibles. Néanmoins, la faible biocompatibilité et l’inertie chimique limitée du Si sont les principaux freins au développement et à la commercialisation de biocapteurs à base de transistors à effet de champ (FET) pour des applications in vitro et in vivo à long terme. Plus particulièrement, la fiabilité limitée des transistors à effet de champ à base de Si entrave l’utilisation de ces dispositifs dans des applications de détection à longue durée, et ce tout particulièrement lorsque l’environnement de détection est ‘rude’, ce qui est le cas du corps humain. Le Si sous toutes ses formes (nanofil, forme massique (bulk), etc.) ne remplit pas les conditions de fiabilité requise car ce matériau souffre à la fois d’un manque de stabilité chimique à long terme, notamment lorsque mis dans des environnements physiologiques, et d’un manque de biocompatibilité. Ces lacunes des biocapteurs à base de Si peuvent être tolérées lorsque les biocapteurs sont destinés à des applications de détection à usage unique, mais pas dans le cas de détections à long terme telles que des détections in vitro et in vivo . Par exemple, de nombreux efforts ont été consacrés au développement de capteurs de potentiel hydrogène (pH) à base de Si pour un contrôle in vivo en continu. Des transistors à effet de champ sensibles aux ions à base de Si ont ainsi été développés qui échouent encore aujourd’hui à satisfaire aux standards requis pour les applications visées. Ainsi, le remplacement du Si par un autre matériau, éventuellement semi-conducteur, offrant de façon inhérente une robustesse chimique, des propriétés électriques comparables à celles du Si, ainsi qu’une biocompatibilité satisfaisante apparaît aujourd’hui comme une absolue nécessité. À cet égard, le Carbure de Silicium (SiC) semble être un matériau alternatif de choix, en raison de ses excellentes propriétés mécaniques, électriques et chimiques combinées à sa biocompatibilité. Il a en effet été montré que le SiC présente une inertie chimique supérieure à celle du Si lorsque immergé dans des solutions physiologiques, ainsi qu’une plus grande biocompatibilité que le Si. De plus, l’utilisation du SiC bénéficie également de la compatibilité avec les techniques de micro-usinage du Si. Ainsi, le SiC est désormais pressenti pour remplacer le Si dans le développement de biocapteurs, du fait de ses caractéristiques supérieures au Si, notamment pour des applications à usages multiples ou des applications à long terme. Awais et al. se sont déjà intéressés à ce matériau prometteur et ont étudié l’effet du pH sur les caractéristiques de transport d’un transistor à effet de champ basé sur des nanofils de SiC (Cf. M. Awais, Habeeb Mousa, K. Teker, Effect of pH on transport characteristics of silicon carbide nanowire field-effect transistor (SiCNW-FET), Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 32 (2021) 3431-3436). Cet article rapporte la fabrication d’un FET comportant des nanofils de SiC qui ont été transférés sur un substrat SOI (pour ‘silicon-on-insulator’ en anglais) pour la mesure du pH. La méthode de fabrication proposée s’inscrit dans une approche ascendante (ou « bottom-up » en anglais) puisque les nanofils de SiC sont transférés, puis connectés. Cela entraîne des problèmes de non reproductibilité des signaux entre les nanofils qui ne sont jamais tout à fait identiques, ni connectés de la même manière. En outre, il serait intéressant de proposer une méthode de fabrication de FET à base de SiC qui puisse être implémentée à l'échelle d’une plaque (ou « wafer » en anglais), de manière homogène. Ceci contribuerait à réduire les risques de non-reproductibilité des signaux. Un objet de la présente invention est donc de proposer un transistor à effet de champ à jonction qui permette de pallier les insuffisances de l’art antérieur et/ou fabriqué selon un procédé potentiellement pleine plaque et permettant de réduire, voire annihiler, les risques de non-reproductibilité des signaux. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, un premier aspect concerne un transistor à effet de champ à jonction comprenant : Un substrat à base de carbure de silicium (SiC) et présentant un dopage d’un premier type, Sur le substrat, une première couche cristalline à base de SiC et présentant un dopage d’un second type différent du premier, Sur une première partie de la première couche cristalline : au moins un canal cristallin à base de SiC et présentant un dopage du premier type, sur une première extrémité de chaque canal cristallin, un contact ohmique de source à base de SiC et présentant un dopage du premier type, et sur une seconde extrémité de chaque canal cristallin, un contact ohmique de drain à base de SiC et présentant un dopage du premier type, Sur une deuxième partie de la première couche cristalline, adjacente à la première partie, au moins deux pads de reprise de contact ohmique, Entre chaque contact ohmique de source et au moins un premier desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique, au moins une première piste conductrice s’étendant sur la première couche cristalline, et Entre chaque contact ohmique de drain et au moins un deuxième desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique, différent dudit au moins un premier, au moins une deuxième piste conductrice s’étendant sur la première couche cristalline. Un deuxième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’au moins un transistor à effet de champ à jonction, le procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir un empilement comprenant : Un substrat à base de carbure de silicium (SiC) et présentant un dopage d’un premier type, Sur le substrat, une première couche cristalline à base SiC et présentant un dopage d’un second type différent du premier, Sur la première couche cristalline, une deuxième couche cristalline à base de SiC et présentant un dopage du premier type, et Sur la deuxième couche cristalline, une troisième couche cristalline à base de SiC et présentant un dopage du premier type, Déposer, sur la troisième couche cristalline, une première couche conductrice d’électricité, Graver, à travers la première couche conductrice d’électricité servant de masque de gravure, la troisième couche cristalline pour exposer une partie de la deuxième couche cristalline et former au moins un contact ohmique de source et un contact ohmique de drain, et Graver la première couche conductrice d’électricité de sorte à former : au moins deux pads de reprise de contact ohmique, entre chaque contact ohmique de source et au moins un premier desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique, au moins une première piste conductrice s’étendant sur la première couche cristalline, et entre chaque contact ohmique de drain et au moins un deuxième desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique, différent dudit au moins un premier, au moins une deuxième piste conductrice s’étendant sur la première couche cristalline, puis Graver la partie exposée de la deuxième couche cristalline pour former au moins un canal cristallin. Un troisième aspect de l’invention concerne un biocapteur sensible aux ions comprenant au moins un transistor à effet de champ à jonction selon le premier aspect de l’invention. Un quatrième aspect de l’invention concerne une utilisation d’un biocapteur sensible aux ions selon le troisième aspect de l’invention pour mesure du potentiel hydrogène (pH) d’un analyte. Un transistor à effet de champ (FET) à jonction exclusivement, ou essentiellement, en SiC (ci-dessous « SiC JFET ») est ainsi proposé. Il peut avantageusement être fabriqué selon une approche top-down. Les performances électriques du SiC JFET selon le premier aspect de l’invention ont été évaluées et sont satisfaisantes, avec une sensibilité allant au-delà de la limite théorique de Nernst. Par conséquent, le SiC JFET selon le premier aspect de l’invention est d’usage adapté à diverses applications de détection biochimique in vitro et in vivo , car il satisfait aux performances généralement requises en la matière telles que la sensibilité et la stabilité chimique. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : FIG. 1 La FIG. 1 représente schématiquement une vue partielle en coupe d’un transistor à effet de champ selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention et d’un biocapteur comprenant ledit transistor à effet de champ. FIG. 2 FIG. 2 Les figures 2A et 2B sont des représentations schématiques des phénomènes de protonation et de déprotonation observables dans un transistor à effet de champ selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention, au niveau de sa double couche électrique ou EDL (pour « electric double-layer » en anglais), selon que l’analyte considéré est à faible pH ( FIG. 2 ), par exemple inférieur à 3, ou à fort pH ( FIG. 2 ), par exemple supérieur à 8. FIG. 3 La FIG. 3 représente graphiquement le décalage de la caractéristiques de transfert courant-tension d’une solution tampon dans lequel d’un canal cristallin présentant un dopage de type n du transistor à effet de champ selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention. FIG. 4 La FIG. 4 représente schématiquement une vue en coupe d’un transistor à effet de champ selon un autre mode de réalisation du premier aspect de l’invention relativement à celui illustré sur la FIG. 1 . FIG. 5 La FIG. 5 représente schématiquement une vue en perspective d’un transistor à effet de champ selon un autre mode de réalisation du premier aspect de l’invention. FIG. 6 La FIG. 6 représente schématiquement une vue en perspective d’une variante du transistor à effet de champ illustré sur la FIG. 5 . FIG. 7 La FIG. 7 représente graphiquement la sensibilité au pH d’un transistor à effet de champ tel qu’illustré sur la FIG. 1 . FIG. 8 La FIG. 8 représente schématiquement une vue en coupe d’un empilement de couches semi-conductrices à base de SiC fourni initialement pour fabriquer un transistor à effet de champ selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention en mettant en œuvre un procédé de fabrication selon un mode de mise en œuvre du deuxième aspect de l’invention. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs des différentes couches illustrées ne sont pas nécessairement représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple du premier aspect de l’invention, le transistor comprend en outre, entre les extrémités de chaque canal cristallin ou de plusieurs canaux cristallins, une paroi, de préférence à base de PDMS, formant un réceptacle pour un analyte. Selon un autre exemple du premier aspect de l’invention, alternatif ou complémentaire du précédent, le transistor comprend en outre, entre les extrémités de chaque canal cristallin ou de plusieurs canaux cristallins, des parois, de préférence à base de PDMS, formant un canal fluidique de circulation pour un analyte. Selon un exemple du deuxième aspect de l’invention, la partie exposée de la deuxième couche cristalline est gravée pour former une pluralité de canaux cristallins parallèles et disjoints entre eux. Selon un autre exemple du deuxième aspect de l’invention, alternatif ou complémentaire du précédent, le procédé comprend en outre une étape consistant à : Déposer une couche de passivation sur une partie au moins d’un pourtour extérieur de la partie exposée de la deuxième couche cristalline. Selon un exemple du troisième aspect de l’invention, le biocapteur comprend au moins une zone de réception d’un analyte, chaque zone de réception étant située sur une surface exposée d’un canal cristallin d’au moins un, de préférence de chaque, transistor à effet de champ à jonction. Selon un autre exemple du troisième aspect de l’invention, alternatif ou complémentaire du précédent, le biocapteur comprend en outre une électrode de référence destinée à être au moins en partie immergée dans un analyte. On entend par un substrat, un film, une couche, « à base » d’un matériau A, un substrat, un film, une couche comprenant ce matériau A uniquement ou ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage, des impuretés ou des éléments dopants. Dans la présente invention des types de dopage n ou p peuvent être indiqués, par exemple sur les figures. Ces dopages sont des exemples non limitatifs. L’invention couvre tous les modes de réalisation dans lesquels les dopages sont inversés. Ainsi, si un exemple de réalisation mentionne pour une couche un dopage p ou n , la présente description décrit alors, implicitement au moins, l’exemple inverse dans lequel la couche présente un dopage n ou p , respectivement. Les gammes de dopage, exprimées en concentration volumétrique, préférentiellement associées aux différents types de dopage indiqués dans la présente demande sont les suivantes : dopage p++ ou n++ : supérieur à 1 x 10 20 cm -3 , dopage p+ ou n+ : 1 x 10 18 cm -3 à 9 x 10 19 cm -3 , dopage p ou n : 1 x 10 17 cm -3 à 1 x 10 18 cm -3 , et dopage p - ou n - : 1 x 10 15 à 9 x 10 16 . Les exemples de réalisation décrits dans la suite indiquent un dopage « de type n ou de type p ». Un dopage de type n comprend un dopage n -, n , n+ ou n++ , et un dopage de type p comprend un dopage p -, p , p+ ou p++ . On parlera dans ce document de dopage pour désigner indifféremment un dopage de type n ou de type p . On entend par un paramètre « sensiblement égal/supérieur/inférieur à » une valeur donnée que ce paramètre est égal/supérieur/inférieur à la valeur donnée, à plus ou moins 20 %, voire 10 %, près de cette valeur. On entend par un paramètre « sensiblement compris entre » deux valeurs données que ce paramètre est au minimum égal à la plus petite valeur donnée, à plus ou moins 20 %, voire 10 %, près de cette valeur, et au maximum égal à la plus grande valeur donnée, à plus ou moins 20 %, voire 10 %, près de cette valeur. En référence aux figures 1 et 4, un premier aspect de l’invention concerne un transistor à effet de champ à jonction ou JFET 1. Ce dernier peut constituer un biocapteur 0 ou être compris par un biocapteur 0. Par exemple, le JFET 1 selon le mode de réalisation illustré sur la FIG. 1 peut être associé à une électrode de référence 2 pour constituer un biocapteur 0. L’électrode de référence 2 est alors destinée à être au moins en partie immergée dans un analyte 4 testé. Elle est par exemple à base d’argent (Ag) et de chlorure d’argent (AgCl). Par exemple, le JFET 1 selon le mode de réalisation illustré sur la FIG. 4 peut constituer un biocapteur 0 en étant ou pas associé à un autre élément. Toujours en référence aux figures 1 et 4, le JFET 1 proposé comprend un substrat 11, une première couche cristalline 12, au moins un canal cristallin 13, un contact ohmique de source 14 et un contact ohmique de drain 15, tous constitués à base de carbure de silicium (SiC). Le substrat 11 peut être cristallin ou amorphe. La première couche cristalline 12, chaque canal cristallin 13, le contact ohmique de source 14 et le contact ohmique de drain 15, voire le cas échéant le substrat 11, présentent de préférence une structure cristalline hexagonale ; il est d’usage de nommer le polytype correspondant « 4H-SiC ». Le substrat 11, la première couche cristalline 12, chaque canal cristallin 13, le contact ohmique de source 14 et le contact ohmique de drain 15 présentent des dopages adaptés, de façon connue, à la réalisation de la jonction du JFET 1. Typiquement, le substrat 11 est cristallin et présente un dopage de type n , et plus particulièrement de concentration volumétrique n +, par exemple égale à 10 19 cm -3 ; la première couche cristalline 12 présente un dopage de type p , et plus particulièrement de concentration volumétrique p +, par exemple supérieure à 10 19 cm -3 ; chaque canal cristallin 13 présente un dopage de type n , et plus particulièrement de concentration volumétrique n -, par exemple égale à 9 x 10 1 6 cm -3 ou de concentration volumétrique n , par exemple égale à 1,5 x 10 17 cm -3 ; les contacts ohmiques 14 et 15 présentent un dopage de type n , et plus particulièrement de concentration volumétrique n +, par exemple égale à 10 19 cm -3 . Les types de dopage peuvent toutefois être inversés et les concentrations volumétriques peuvent être modifiées/adaptées, de préférence dans les gammes de dopage ci-dessus indiquées. La première couche cristalline 12 s’étend sur le substrat 11. Sur une première partie 121 de la première couche cristalline 12, s’étend chaque canal cristallin 13. Sur l’une respective de deux extrémités 131 et 132 de chaque canal cristallin 13 s’étendent : le contact ohmique de source 14, et le contact ohmique de drain 15. Sur une deuxième partie 122 de la première couche cristalline 12, adjacente (ou non superposée) à la première partie 121, s’étendent au moins deux pads de reprise de contact ohmique 16 et 17. Ces derniers peuvent être constitués à base d’au moins l’un parmi le Chrome, le Nickel et l’Aluminium, ou leur mélange. En outre, et en référence à la FIG. 5 , entre chaque contact ohmique de source 14 et au moins un premier pad de reprise de contact ohmique 16, au moins une première piste conductrice 18 s’étend sur la première couche cristalline 12, et entre chaque contact ohmique de drain 15 et un deuxième pad de reprise de contact ohmique 17, différent du premier 16, au moins une deuxième piste conductrice 19 s’étend sur la première couche cristalline 12. Les pistes conductrices 18 et 19 peuvent être constituées à base d’au moins l’un parmi le Chrome, le Nickel et l’Aluminium. Les pistes conductrices 18 et 19 peuvent présenter : une épaisseur sensiblement comprise entre 100 et 200 μm, de préférence entre 100 et 150 μm, par exemple égale à 110 μm, et/ou une largeur sensiblement comprise entre 0,8 et 15 μm, de préférence entre 8 et 12 μm, par exemple égale à 10 μm. Ainsi, les figures 1 et 4 sont des représentations schématiques et partielles en coupe de modes de réalisation du JFET 1 proposé, qui peuvent avantageusement être fabriqués par mise en œuvre d’un procédé descendant (top-down) par des étapes technologiques connues et bien maîtrisées, y compris industriellement. Plus particulièrement, le JFET 1 proposé, au moins selon ses deux modes de réalisation illustrés sur les figures 1 et 4, peut être fabriqué à partir d’un empilement 10, tel qu’illustré sur la FIG. 8 , comprenant : Un substrat 11 tel qu’introduit ci-dessus, Sur le substrat 11, une première couche cristalline 12 telle qu’introduite ci-dessus, Sur la première couche cristalline 12, une deuxième couche cristalline 130 à base de SiC et présentant un dopage de type n , et plus particulièrement de concentration volumétrique n - (dans l’exemple illustré) ou n , destinée à former, par mise en œuvre du procédé selon le deuxième aspect de l’invention, le ou les canaux cristallins 13, et Sur la deuxième couche cristalline 130, une troisième couche cristalline 140 à base de SiC et présentant un dopage de type n , et plus particulièrement de concentration volumétrique n + , destinée à former, par mise en œuvre du procédé selon le deuxième aspect de l’invention, les contacts ohmiques de source 14 et de drain 15. Il peut donc s’agir d’un empilement 10 d’une structure de trois couches epitaxiées sur un substrat 4H-SiC de dopage n +. La couche supérieure 140 de cet empilement peut être fortement dopée pour former les contacts ohmiques 14 et 15. Sous cette couche supérieure, une couche 130 de dopage n - est destinée à servir de canal de conduction drain-source 13 entre un contact ohmique de source 14 et un contact ohmique de drain 15. Sous la couche 130, et sur le substrat 11, la couche 12 de dopage p + est destinée à remplir deux fonctions : d’une part celle de grille arrière du JFET 1, d’autre part celle d’isolation de chaque canal cristallin 13 relativement au substrat 11, ainsi que le cas échéant relativement à d’éventuels autres dispositifs, en formant deux jonctions dos à dos dont une jonction p + n - entre la première couche cristalline 12 et chaque canal cristallin 13 et une jonction p + n + entre la première couche cristalline 12 et le substrat 11. Dans le mode de réalisation illustré sur la FIG. 1 , l’électrode de référence 2 forme une grille supérieure, qui, en combinaison avec la grille arrière susmentionnée, permet au biocapteur 0 ainsi proposé de former un FET sensible aux ions (ou ISFET pour « Ion-Sensitive FET » en anglais) à deux grilles, ou DGISFET (pour « Dual-Gate ISFET » en anglais). Notons toutefois que le JFET 1 selon son mode de réalisation illustré sur la FIG. 1 peut être utilisé dans des configurations de mesure ne nécessitant pas d’électrode de référence 2. En comparaison, le JFET 1 selon le mode de réalisation illustré sur la FIG. 4 forme un ISFET essentiellement à base de SiC, et ne nécessite pas, lui non plus, une électrode de référence 2. Des valeurs d’épaisseurs des différentes couches sont indiquées, à titre purement illustratif, sur les figures 1 et 4. Plus généralement : Le substrat 11 peut présenter une épaisseur comprise entre 200 et 300 μm, de préférence entre 230 et 250 μm ; et/ou La première couche cristalline 12 peut présenter une épaisseur comprise entre 1 et 3 μm, de préférence entre 2 et 2,5 μm ; et/ou La deuxième couche cristalline 130 et/ou chaque canal cristallin 13 peuvent présenter une épaisseur comprise entre 0,2 et 0,6 μm, de préférence entre 0,25 et 0,5 μm ; et/ou La troisième couche cristalline 140 et/ou les contacts ohmiques de source 14 et de drain 15 peuvent présenter une épaisseur comprise entre 0,4 et 0,8 μm, de préférence entre 0,45 et 0,55 μm. Le design du JFET 1 selon le premier aspect de l’invention est illustré sur les figures 5 et 6 avec plus de recul que sur les figures 1 et 4. Les canaux cristallins 13 y apparaissent comme des microfils. Chaque microfil peut typiquement présenter : une longueur sensiblement comprise entre 200 et 400 μm, de préférence entre 300 et 330 μm, par exemple égale à 300 μm et/ou une épaisseur sensiblement comprise entre 0,2 et 0,6 μm, de préférence entre 0,25 et 0,5 μm, par exemple égale à 0,3 μm. En ce qui concerne la largeur des microfils, elle a été choisie, pour les besoins de la preuve de concept susmentionnée, égale à 0,8 μm, 1 μm et 1,3 μm, afin de tester l’influence de ce paramètre. Toutefois, la largeur des microfils n’est pas limitée à ces exemples et peut être sensiblement comprise entre 0,1 et 1,5 μm. Le mécanisme de détection du JFET 1 selon le premier aspect de l’invention, ainsi que du biocapteur 0 qu’il constitue ou qui le comprend, est similaire à celui des ISFET à base de silicium (Si) connus de l’art antérieur. La variation de pH de l’analyte 4, ici typiquement un électrolyte liquide, comprenant par exemple des biomolécules chargées, résulte en une variation de la charge de surface de la façon illustrée sur les figures 2A et 2B, qui dépend de la valeur du pH de l’analyte 4 et du pH de point de charge nulle de l’oxyde de surface 41, que l’on peut noter pH pzc (avec l’indice « pzc » pour « point of zero charge » en anglais). Ceci peut être expliqué par la protonation ou la déprotonation des groupes SiC/SiO x -OH sur la surface de l’oxyde natif 41 du canal cristallin 13, qui dépend du pH de l’analyte 4. Une telle protonation ainsi qu’une telle déprotonation amènent automatiquement à un certain réarrangement de la distribution des ions en strates dans l’analyte 4 et affecte la double couche électrique (ou EDL pour « electrical double layer » en anglais) du JFET 1. Cette double couche électrique impose un certain potentiel de surface à la surface de l’oxyde natif 41, ce qui déclenche la détection du pH de l’analyte 4 comme dans les ISFET à base de Si connus de l’art antérieur. Si le pH de l’analyte 4 est inférieur au pH pzc de l’oxyde de surface 41, la surface est protonnée (elle est chargée positivement) ; plus particulièrement, à bas niveaux de pH, les groupes SiC-OH sont protonés en SiC-OH 2 + , ce qui résulte en une charge positive à la surface de l’oxyde natif 41 et déclenche une accumulation d’électrons dans le canal cristallin 13 sous-jacent. Si le pH de l’analyte 4 est supérieur au pH pzc de l’oxyde de surface 41, la surface est déprotonnée (elle est chargée négativement) ; plus particulièrement, à des hauts niveaux de pH, les groupes SiC-OH sont déprotonés en SiC-O - , ce qui résulte en une charge négative à la surface de l’oxyde natif 41 et déclenche un amincissement de la zone appauvrie du canal cristallin 13 sous-jacent. De la sorte, les changements de charge à la surface de l’oxyde natif 41 et l’appauvrissement du canal cristallin 13 décale la caractéristique de transfert de la façon illustrée sur la FIG. 3 . La fabrication par le procédé descendant susmentionné consiste tout d’abord à fournir l’empilement 10 décrit ci-dessus, puis, comme déjà mentionné plus haut, en des étapes technologiques connues et bien maîtrisées, y compris industriellement. Ces étapes sont décrites ci-dessous de façon succincte étant donnée leur aspect ordinaire pour la personne du métier. La première de ces étapes peut consister à déposer, sur la troisième couche cristalline 140, une première couche conductrice d’électricité. Une étape suivante peut consister à graver, à travers la première couche conductrice d’électricité servant de masque de gravure, la troisième couche cristalline 140, précédemment déposée, pour exposer une partie de la deuxième couche cristalline 130 et former au moins un contact ohmique de source 14 et un contact ohmique de drain 15. Une autre étape, suivant le dépôt de la première couche conductrice d’électricité, peut consister à graver la première couche conductrice d’électricité de sorte à former : Lesdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique 16, 17, Entre chaque contact ohmique de source 14 et au moins un premier 16 desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique 16, 17, au moins une première piste conductrice 18 s’étendant sur la première couche cristalline 12, et Entre chaque contact ohmique de drain 15 et au moins un deuxième 17 desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique 16, 17, différent dudit au moins un premier 16, au moins une deuxième piste conductrice 19 s’étendant sur la première couche cristalline 12. Le procédé de fabrication peut ensuite consister à graver la partie exposée de la deuxième couche cristalline 130 pour former chaque canal cristallin 13. Plus particulièrement, la partie exposée de la deuxième couche cristalline 130 peut être gravée pour former une pluralité de canaux cristallins 13 parallèles et disjoints entre eux, tels qu’illustrés sur la FIG. 5 . Plus particulièrement, les étapes susmentionnées peuvent consister à déposer un schéma métallique, par exemple à base de Nickel, pour servir de masque de gravure plasma pour graver la troisième couche cristalline 140 (et former les contacts ohmiques de source 14 et de drain 15) et comme métallisation de contact ohmique des lignes de d’interconnexion(s) électrique(s), de source et de drain, et des pads de reprise de contact ohmique 16, 17. Après la gravure plasma et un éventuel recuit thermique, un deuxième schéma métallique, par exemple à base d’Aluminium, peut être déposé pour servir de masque de gravure plasma pour définir le ou les canaux cristallins dans la deuxième couche cristalline 130, et plus particulièrement au niveau de la zone précédemment exposée de cette couche. En outre, et en référence à la FIG. 6 , la surface du JFET 1 tel qu’illustré sur la FIG. 5 , peut avantageusement être passivée, par exemple avec une couche d’oxyde de silicium 33, en laissant libre l’accès aux pads 16 et 17 et aux canaux cristallins 13. Pour les mesures, notamment de pH, réalisées avec le JFET 1 selon l’un quelconque des modes de réalisation du premier aspect de l’invention pour apporter la preuve de concept susmentionnée, le JFET 1 a été mis en contact avec un mandrin de station de sonde mécanique à travers lequel le potentiel de grille arrière, V BG (voir par exemple la FIG. 1 ), est appliqué au JFET 1. Deux sondes ont été utilisées pour la polarisation de la source et du drain. Pour les mesures de pH réalisées, deux configurations de l’analyte 4 sur la surface de détection du ou des canaux cristallins 13 ont été testées : une configuration statique, illustrée sur la FIG. 1 , mettant à contribution une paroi 31, par exemple à base de PDMS, formant un réceptacle pour l’analyte 4, et une configuration dynamique, illustrée sur la FIG. 4 , mettant en œuvre des parois, par exemple à base de PDMS, formant un canal (micro)fluidique 32 de circulation pour l’analyte 4. La configuration dynamique peut plus particulièrement impliquée, en combinaison avec le canal (micro)fluidique 32, un système potentiellement automatisé, de mise en circulation, éventuellement continue, de l’analyte 4. Parmi les principaux avantages liés à la configuration dynamique, l’on compte : celui de pouvoir conserver une stabilité maximale de l’installation électrique de mesure, en particulier à travers la stabilité des sondes, celui d’un nettoyage automatique de la surface de détection, et celui de pouvoir changer l’analyte 4 circulant dans le canal micro)fluidique 32. Dans la configuration statique, le JFET 1 est intégré avec un simple contenant pour liquide illustré par la paroi référencée 31 sur la FIG. 1 sur le dessus du JFET 1. Ce contenant scelle le biocapteur 0 (notamment pour éviter des épanchements d’analyte 4), empêche que l’analyte 4 vienne en contact avec les pads 16 et 17, et permet à une goutte d’analyte 4 d’être déposée, par exemple à l’aide d’une (micro)pipette, et maintenue sur la surface de détection, au moins pendant la mesure. Il est en outre plus immédiat, dans cette configuration statique, d’intégrer l’électrode de référence 2, au besoin. Ainsi, un JFET 1 exclusivement, ou essentiellement, en SiC est proposé qui peut avantageusement être conçu et fabriqué selon une approche top-down. Son procédé de fabrication se prête à une production en série. Les performances électriques du SiC JFET 1 selon le premier aspect de l’invention ont été évaluées à sec et en milieu liquide. Une preuve de concept pour l’utilisation du SiC JFET 1 selon le premier aspect de l’invention en tant que biocapteur est validée par la mesure de pH. Le SiC JFET selon le premier aspect de l’invention atteint des sensibilités allant jusqu’à 495 mV/pH, soit presque 100 fois plus que la limite théorique de Nernst. La sensibilité élevée obtenue est justifiée notamment par la modélisation du couplage capacitif entre la grille supérieure et la grille arrière. Par conséquent, le SiC JFET 1 selon le premier aspect de l’invention est d’usage adapté à diverses applications de détection biochimique in-vitro et in-vivo , car il satisfait aux performances généralement requises en la matière telles que la sensibilité et la stabilité chimique, notamment à moyen ou long terme. Plus particulièrement, le JFET 1 selon le premier aspect de l’invention est pleinement adapté à une utilisation en tant que biocapteur sensible aux ions 0 pour une mesure du potentiel hydrogène (pH) d’un analyte 4, en particulier, mais pas uniquement : in -vivo dans un environnement biologique ou in -vitro dans un environnement à pH inférieur à 3 ou supérieur à 8. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. Transistor à effet de champ à jonction (1) comprenant : Un substrat (11) à base de carbure de silicium (SiC) et présentant un dopage d’un premier type, Sur le substrat (11), une première couche cristalline (12) à base de SiC et présentant un dopage d’un second type différent du premier, Sur une première partie (121) de la première couche cristalline (12) : au moins un canal cristallin (13) à base de SiC et présentant un dopage du premier type, sur une première extrémité (131) de chaque canal cristallin (13), un contact ohmique de source (14) à base de SiC et présentant un dopage du premier type, et sur une seconde extrémité (132) de chaque canal cristallin (13), un contact ohmique de drain (15) à base de SiC et présentant un dopage du premier type, Sur une deuxième partie (122) de la première couche cristalline (12), adjacente à la première partie (121), au moins deux pads de reprise de contact ohmique (16, 17), Entre chaque contact ohmique de source (14) et au moins un premier (16) desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique (16, 17), au moins une première piste conductrice (18) s’étendant sur la première couche cristalline (12), et Entre chaque contact ohmique de drain (15) et au moins un deuxième (17) desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique (16, 17), différent dudit au moins un premier (16), au moins une deuxième piste conductrice (19) s’étendant sur la première couche cristalline (12). Transistor (1) selon la revendication 1, comprenant en outre, entre les extrémités de chaque canal cristallin ou de plusieurs canaux cristallins (13), une paroi (31), de préférence à base de PDMS, formant un réceptacle pour un analyte (4). Transistor (1) selon la revendication 1, comprenant en outre, entre les extrémités (131, 132) de chaque canal cristallin ou de plusieurs canaux cristallins (13), des parois, de préférence à base de PDMS, formant un canal fluidique (32) de circulation pour un analyte (4). Procédé de fabrication d’au moins un transistor à effet de champ à jonction (1) comprenant les étapes suivantes : Fournir un empilement (10) comprenant : Un substrat (11) à base de carbure de silicium (SiC) et présentant un dopage d’un premier type, Sur le substrat (11), une première couche cristalline (12) à base de SiC et présentant un dopage d’un second type différent du premier, Sur la première couche cristalline (12), une deuxième couche cristalline (130) à base de SiC et présentant un dopage du premier type, et Sur la deuxième couche cristalline (130), une troisième couche cristalline (140) à base de SiC et présentant un dopage du premier type, Déposer, sur la troisième couche cristalline (140), une première couche conductrice d’électricité, Graver, à travers la première couche conductrice d’électricité servant de masque de gravure, la troisième couche cristalline (140) pour exposer une partie de la deuxième couche cristalline (130) et former au moins un contact ohmique de source (14) et un contact ohmique de drain (15), et Graver la première couche conductrice d’électricité de sorte à former : au moins deux pads de reprise de contact ohmique (16, 17), Entre chaque contact ohmique de source (14) et au moins un premier (16) desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique (16, 17), au moins une première piste conductrice (18) s’étendant sur la première couche cristalline (12), et Entre chaque contact ohmique de drain (15) et au moins un deuxième (17) desdits au moins deux pads de reprise de contact ohmique (16, 17), différent dudit au moins un premier (16), au moins une deuxième piste conductrice (19) s’étendant sur la première couche cristalline (12), puis Graver la partie exposée de la deuxième couche cristalline (130) pour former au moins un canal cristallin (13). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la partie exposée de la deuxième couche cristalline (130) est gravée pour former une pluralité de canaux cristallins (13) parallèles et disjoints entre eux. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, comprenant en outre une étape consistant à : Déposer une couche de passivation (33) sur une partie au moins d’un pourtour extérieur de la partie exposée de la deuxième couche cristalline (130) gravée. Biocapteur sensible aux ions (0) comprenant au moins un transistor à effet de champ à jonction (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3. Biocapteur sensible aux ions (0) selon la revendication précédente, comprenant au moins une zone de réception d’un analyte (4), chaque zone de réception étant située sur une surface exposée d’un canal cristallin (13) d’au moins un, de préférence de chaque, transistor à effet de champ à jonction (1). Biocapteur sensible aux ions (0) selon l’une des deux revendications précédentes, comprenant en outre une électrode de référence (2) destinée à être au moins en partie immergée dans un analyte (4). Utilisation d’un biocapteur sensible aux ions (0) selon l’une quelconque des revendications 7 à 9, pour une mesure du potentiel hydrogène (pH) d’un analyte (4), notamment in-vivo dans un environnement biologique ou in-vitro dans un environnement à pH inférieur à 3 ou supérieur à 8.