FR 3152335 A1 20250228 FR 2308824 A 20230821 Capteur d’images La présente description concerne un capteur d’images comprenant une pluralité de pixels (100), chaque pixel comportant une photodiode non pincée (101) connectée, par un élément de connexion métallique (103), à une zone pincée (105) formée dans un premier substrat semiconducteur. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Capteur d’images La présente description concerne de façon générale le domaine des dispositifs électroniques, plus particulièrement les capteurs d’images et les pixels de capteur d’images. Parmi les pixels des capteurs d’images existants, des pixels comprenant une photodiode non pincée, associée à un circuit de lecture dit « 3T » comportant trois transistors MOS (de l’anglais « Metal Oxide Semiconductor » - métal oxyde semiconducteur), ont été proposés. Ces circuits comportent typiquement un transistor MOS de réinitialisation d’un nœud photosensible, un transistor MOS suiveur et un transistor MOS de sélection du pixel. Le nœud photosensible du pixel, qui correspond à la cathode de la photodiode, est connecté à une électrode de conduction du transistor MOS de réinitialisation et à une électrode de grille du transistor MOS suiveur, les électrodes de conduction du transistor MOS de sélection étant connectées respectivement à une électrode de conduction du transistor MOS suiveur et à une piste conductrice de colonne du capteur d’images. La tension du nœud photosensible est d’abord initialisée lors d’une phase de réinitialisation (« reset », en anglais). Lors d’une phase ultérieure d’exposition, le nœud photosensible subit une dérive en tension provoquée par un courant, produit par la photodiode, proportionnel à un flux lumineux incident. À l’issue de la phase d’exposition, la tension présente au nœud photosensible, à laquelle est soustraite la tension de réinitialisation et qui correspond ainsi sensiblement au signal lumineux intégré par le pixel, est recopiée sur la colonne du capteur d’images (à une tension grille-source près) afin d’être ensuite lue et traitée en pied de colonne. Un inconvénient des pixels de ce type est que la valeur de la tension de réinitialisation est parasitée par un bruit d’échantillonnage, ou bruit kTC. Du fait que la tension parasitée n’est pas corrélée à la tension présente au nœud photosensible à l’issue de la phase d’exposition, la valeur du signal lu par le circuit de lecture est polluée par le bruit kTC. Cela nuit à la qualité des images acquises par le capteur. Par ailleurs, des photosites de capteur d’images de profondeur comprenant une photodiode non pincée associée à un circuit de lecture du type 3T ont été proposés pour réaliser des mesures de distance par temps de vol indirect (« indirect Time of Flight » - iToF, en anglais). Ces photosites de profondeur mettent en œuvre une fonction d’échantillonnage permettant de remonter à une distance entre le capteur et des objets de la scène à imager. L’utilisation d’une photodiode non pincée dans ce type d’application conduit à échantillonner un courant produit par la photodiode. Cela présente de nombreux inconvénients, tels que des couplages parasites, une perte de point de fonctionnement de la structure (par exemple perte d’une tension de polarisation de la photodiode, perte de signal, etc.), une réponse en fréquence dégradée, une valeur échantillonnée bruitée, etc. Cela fausse les mesures de profondeur du capteur d’images et conduit à des résultats difficilement exploitables. Afin de tenter de pallier ces divers inconvénients, des pixels de capteurs d’images comprenant une photodiode pincée (« Pinned PhotoDiode » - PPD, en anglais), associée à un circuit de lecture dit « 4T » comportant quatre transistors MOS, ont été proposés. La photodiode pincée de ces pixels comprend typiquement une région semiconductrice dopée de type N formée dans un substrat semiconducteur dopé de type P et séparée d’une face supérieure du substrat par une fine couche semiconductrice fortement dopée de type P (couche P + ). Par ailleurs, dans ces pixels, le circuit de lecture comporte, outre les transistors MOS décrits précédemment pour le circuit de lecture 3T, un transistor MOS supplémentaire de transfert de charges. Dans ce cas, le circuit de lecture du pixel comporte un nœud mémoire intermédiaire, ou nœud de lecture, interposé entre le nœud photosensible et l’électrode de grille du transistor MOS suiveur. Le nœud photosensible est ainsi dissocié du nœud de lecture, ce qui permet d’utiliser le nœud de lecture comme nœud de stockage de charges. À l’issue d’une phase d’exposition, durant laquelle le nœud photosensible intègre et convertit le flux lumineux incident en paquets de charges, le nœud de lecture est d’abord réinitialisé à une tension de réinitialisation qui est lue et stockée en pied de colonne. Une phase ultérieure de transfert permet ensuite de transférer, au nœud de lecture, les paquets de charges provenant du nœud photosensible. La tension de signal qui en résulte est alors à son tour lue et stockée en pied de colonne. Les tensions de réinitialisation et de signal sont par conséquent corrélées. En retranchant la tension de réinitialisation à la tension de signal, le bruit kTC est éliminé ce qui permet ainsi d’obtenir une image non bruitée. Il peut toutefois s’avérer difficile, voire impossible, de réaliser une photodiode pincée associée à un circuit de lecture 4T, par exemple en raison de contraintes liées à des matériaux ou à des procédés de fabrication mis en œuvre pour former la photodiode. Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des pixels ou de photosites de capteurs d’images existants. Il existe en particulier un besoin de pallier des inconvénients liés à l’utilisation de pixels de capteurs d’images comprenant une diode photosensible, ou photodiode, non pincée. Pour cela, un mode de réalisation prévoit un capteur d’images comprenant une pluralité de pixels, chaque pixel comportant une photodiode non pincée connectée, par un élément de connexion métallique, à une zone pincée formée dans un premier substrat semiconducteur. Selon un mode de réalisation, la photodiode non pincée comprend une région semiconductrice d’anode dopée de type P et une région semiconductrice de cathode dopée de type N. Selon un mode de réalisation, les régions semiconductrices d’anode et de cathode de la photodiode non pincée sont jointives. Selon un mode de réalisation, la photodiode non pincée est formée sur un deuxième substrat semiconducteur différent du premier substrat. Selon un mode de réalisation, la photodiode non pincée est hybridée sur le premier substrat, le premier substrat étant en silicium. Selon un mode de réalisation, l’élément de connexion métallique comprend des pistes conductrices, des vias conducteurs et/ou des éléments de reprise de contact formés dans des premier et deuxième empilements d’interconnexion respectivement situés sur les premier et deuxième substrats. Selon un mode de réalisation, la zone pincée comprend une première région semiconductrice dopée de type N formée dans le premier substrat, le premier substrat étant dopé de type P. Selon un mode de réalisation, une deuxième région semiconductrice dopée de type P, formée dans le premier substrat, est interposée entre une face supérieure du premier substrat et la première région semiconductrice. Selon un mode de réalisation, la deuxième région semiconductrice présente un niveau de dopage supérieur à celui du premier substrat. Selon un mode de réalisation, l’élément de connexion métallique est en contact avec une troisième région semiconductrice dopée de type N s’étendant verticalement dans l’épaisseur du premier substrat depuis sa face supérieure. Selon un mode de réalisation, la première région semiconductrice pénètre à l’intérieur de la troisième région semiconductrice. Selon un mode de réalisation, chaque pixel comporte en outre un transistor connecté entre l’élément de connexion métallique et la zone pincée. Selon un mode de réalisation, le pixel comprend en outre : – au moins une première zone photosensible formée dans le premier substrat et adaptée à capter de la lumière dans une première gamme de longueurs d’onde ; – une quatrième région semiconductrice formée dans le premier substrat à l’aplomb de ladite au moins une zone photosensible, dans laquelle est formée la zone pincée ; – au moins une zone de collecte de charges disposée du côté du deuxième substrat opposé à ladite au moins une première zone photosensible ; – au moins une région de transfert s’étendant depuis ladite au moins une première zone photosensible jusqu’à ladite au moins une zone de collecte de charges ; et – au moins une grille de transfert s’étendant verticalement entre ladite au moins une région de transfert et la quatrième région semiconductrice et bordant latéralement ladite au moins une région de transfert. Selon un mode de réalisation, la photodiode non pincée est adaptée à capter de la lumière dans une deuxième gamme de longueurs d’ondes, différente de la première gamme de longueurs d’ondes. Selon un mode de réalisation, le pixel comporte en outre au moins une autre grille de transfert s’étendant latéralement sur ledit côté du premier substrat opposé à ladite au moins une première zone photosensible et au moins une autre zone de collecte de charges. Selon un mode de réalisation, la zone pincée n’est pas destinée à être soumise à un rayonnement lumineux incident. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d’autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente, de façon schématique et partielle, un exemple de pixel de capteur d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 est une vue de côté et en coupe, schématique et partielle, d’un exemple de zone pincée du pixel de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 est une vue de côté et en coupe, schématique et partielle, d’un exemple de capteur d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 4 , la FIG. 4 , la FIG. 4 et la FIG. 4 sont des graphiques illustrant des étapes de fonctionnement du pixel de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 5 est un graphique illustrant une variante de fonctionnement du pixel de la FIG. 1 ; la FIG. 6 et la FIG. 6 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 6 , schématiques et partielles, d’un pixel de capteur d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 7 représente, de façon schématique et partielle, un exemple de pixel de capteur d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 8 est une vue de côté et en coupe, schématique et partielle, d’un exemple de zone pincée du pixel de la FIG. 7 selon un mode de réalisation ; et la FIG. 9 est un graphique illustrant une étape de fonctionnement du pixel de la FIG. 7 selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits de lecture, ou décodeurs colonnes, les circuits de commande, ou décodeurs lignes, et les applications dans lesquelles peuvent être prévus des capteurs d’images n’ont pas été détaillés, les modes de réalisation et variantes décrits étant compatibles avec les circuits de lecture et les circuits de commande des capteurs d’images usuels, ainsi qu’avec les applications usuelles mettant en œuvre des capteurs d’images. Sauf précision contraire, lorsque l’on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l’on fait référence à deux éléments reliés (en anglais « coupled ») entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l’intermédiaire d’un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l’on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes « avant », « arrière », « haut », « bas », « gauche », « droite », etc., ou relative, tels que les termes « dessus », « dessous », « supérieur », « inférieur », etc., ou à des qualificatifs d’orientation, tels que les termes « horizontal », « vertical », etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l’orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions « environ », « approximativement », « sensiblement », et « de l’ordre de » signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la suite de la description, « lumière visible » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 380 nm et 780 nm et « rayonnement infrarouge » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 780 nm et 15 µm. En outre, « rayonnement infrarouge proche » désigne plus précisément un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 780 nm et 1,7 µm. La FIG. 1 représente, de façon schématique et partielle, un exemple de pixel 100 de capteur d’images selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comprend une diode photosensible ou photodiode 101. La photodiode 101 du pixel 100 est non pincée et comprend par exemple une région semiconductrice d’anode dopée de type P connectée à une électrode d’anode, et une région semiconductrice de cathode dopée de type N connectée à une électrode de cathode. À titre d’exemple, les régions semiconductrices d’anode et de cathode de la photodiode 101 sont jointives, la région d’anode étant en contact avec la région de cathode, et forment une jonction PN. À titre de variante, les régions semiconductrices d’anode et de cathode de la photodiode 101 peuvent être séparées l’une de l’autre, la photodiode 101 comprenant alors par exemple au moins une couche intermédiaire interposée entre les régions d’anode et de cathode, par exemple une couche intermédiaire dans laquelle sont formés des puits quantiques multiples. Selon un mode de réalisation, la photodiode 101 non pincée du pixel 100 est connectée, par un élément de connexion métallique 103, à une zone pincée 105. Plus précisément, dans l’exemple représenté, un nœud 104 correspondant par exemple à l’électrode de cathode de la photodiode 101 est connecté, par l’élément de connexion métallique 103, à la zone pincée 105. La zone pincée 105 est par exemple déportée. Dans l’exemple illustré, la zone pincée 105 est en outre connectée à un circuit de lecture 107. Dans l’exemple représenté, le circuit de lecture 107 est de type « 4T » et comprend quatre transistors MOS : – un transistor MOS de transfert de charges 109, dont une borne de conduction, par exemple la source, est connectée à la zone pincée 105, dont une autre borne de conduction, par exemple le drain, est connectée à un nœud de lecture 110, et dont une borne de commande, ou grille, est connectée à un nœud d’application d’une tension de commande TG ; – un transistor MOS de réinitialisation 111, dont une borne de conduction, par exemple la source, est connectée au nœud de lecture 110, dont une autre borne, par exemple le drain, est connectée à un nœud d’application d’une tension de réinitialisation VRTRST, et dont une borne de commande, ou grille, est connectée à un nœud d’application d’une tension de commande RST ; – un transistor MOS suiveur 113, dont une borne de conduction, par exemple la source, est connectée à un nœud interne 115 du circuit de lecture 107, dont une autre borne de conduction, par exemple le drain, est connectée à un nœud d’application d’une tension VRSTF, et dont une borne de commande, ou grille, est connectée au nœud de lecture 110 ; et – un transistor MOS de sélection 117, dont une borne de conduction, par exemple la source, est connectée à une piste conductrice de colonne Vx du capteur d’images, dont une autre borne de conduction, par exemple le drain, est connectée au nœud interne 115, et dont une borne de commande, ou grille, est connectée à un nœud d’application d’une tension de commande RD. De manière optionnelle, le pixel 100 peut en outre comporter un circuit 119 comprenant un transistor MOS d’initialisation 121 connecté à l’élément de connexion métallique 103, entre la photodiode 101 et la zone pincée 105. Dans ce cas, le transistor MOS 121 comprend une borne de conduction, par exemple la source, connectée à l’élément de connexion métallique 103, une autre borne de conduction, par exemple le drain, connectée à un nœud d’application d’une tension d’initialisation VRSTPH, et une borne de commande, ou grille, connectée à un nœud d’application d’une tension de commande RSTPH. Les tensions TG, VRTRST, RST, VRSTF, RD, VRSTPH et RSTPH sont par exemple référencées à un potentiel de référence (non représenté en FIG. 1 ), par exemple la masse. À titre d’exemple, la photodiode 101 du pixel 100 est destinée à capter de la lumière visible. À titre de variante, la photodiode 101 peut être destinée à capter un rayonnement infrarouge, par exemple un rayonnement infrarouge proche. Le pixel 100 peut, dans ce cas, être un pixel ou un photosite de profondeur dont la photodiode 101 est connectée à un ou plusieurs circuits de lecture du type du circuit 107 précédemment décrit. Le fonctionnement du pixel 100, notamment du circuit de lecture 107, sera exposé plus en détail ci-après. La FIG. 2 est une vue de côté et en coupe, schématique et partielle, d’un exemple de zone pincée 105 du pixel 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, la zone pincée 105 est formée dans un substrat semiconducteur 201, par exemple une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. Dans cet exemple, le substrat semiconducteur 201 est dopé de type P. Le substrat semiconducteur 201 comporte une région semiconductrice 203 dopée de type N. Dans l’orientation de la FIG. 2 , la région 203 s’étend latéralement sous la face supérieure du substrat 201. À titre d’exemple, la région 203 présente un niveau de dopage compris entre 1.10 10 et 1.10 1 8 at./cm 3 . Dans l’exemple illustré, une région semiconductrice 205 dopée de type P est interposée entre la région 203 et la face supérieure du substrat 201. La région 205 permet par exemple de passiver la surface du substrat 201. La région 205 présente par exemple un niveau de dopage supérieur à celui du substrat 201. Par ailleurs, dans l’exemple représenté, l’élément de connexion métallique 103 est en contact avec une région semiconductrice 207 fortement dopée de type N (dopage N + ) s’étendant verticalement dans l’épaisseur du substrat 201 depuis sa face supérieure. Dans l’exemple représenté, la région 203 pénètre à l’intérieur de la région 207. La région 207 présente par exemple un niveau de dopage supérieur à celui de la région 203. Le niveau de dopage de la région 207 est par exemple choisi de sorte à permettre une connexion électrique optimale avec l’élément de connexion métallique 103. À titre d’exemple, la région 207 présente un niveau de dopage compris entre 1.10 17 et 5.10 20 at./cm 3 . Dans l’exemple représenté, le transistor MOS de transfert 109 comprend une région de grille comportant une couche électriquement isolante 209 interposée entre une couche électriquement conductrice 211, faisant par exemple office d’électrode de grille du transistor MOS 109, et la face supérieure du substrat 201. Dans l’exemple illustré, la région de grille s’étend latéralement au-dessus des régions 203 et 205, la région 203 constituant par exemple une région de source du transistor MOS 109, et au-dessus d’une autre région semiconductrice 213 fortement dopée de type N et constituant par exemple une région de drain du transistor MOS 109. La région 213 présente par exemple un niveau de dopage sensiblement égal à celui de la région 207. La région 213 est séparée latéralement des régions 203 et 205 par une partie du substrat 201. Dans l’exemple représenté, une tranchée d’isolation périphérique 215, par exemple une tranchée d’isolation capacitive de type CDTI (de l’anglais « Capacitive Deep Trench Isolation » - tranchée d’isolation capacitive profonde) est formée dans le substrat semiconducteur 201. La tranchée d’isolation périphérique présente par exemple, en vue de dessus, une forme annulaire entourant les régions 203, 205, 207 et 213. Dans l’exemple illustré en FIG. 2 , la zone pincée 105 correspond par exemple à la région 203 dopée de type N interposée verticalement entre la région 205 fortement dopée de type P et le substrat 201 dopé de type P. La zone pincée 105 présente une tension de pincement Vp qui dépend notamment du niveau de dopage, de la géométrie et de l’environnement de la région semiconductrice 203. La zone pincée 105 est par exemple formée dans une partie du capteur d’images non exposée au rayonnement incident destiné à être capté par la photodiode 101 du pixel 100. Le substrat 201 est par exemple dépourvu de zones photosensibles, et la zone pincée 105 n’est par exemple pas destinée à être soumise à un rayonnement lumineux incident. La FIG. 3 est une vue de côté et en coupe, schématique et partielle, d’un exemple de capteur d’images 300 selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, le capteur d’images 300 comprend une pluralité de pixels 100. Les photodiodes 101 des pixels 100 sont par exemple formées sur un substrat 301, par exemple une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple différent du silicium. Dans l’exemple illustré, les photodiodes 101 comprennent deux couches photosensibles 303 et 305, par exemple jointives, formant une jonction PN. À titre d’exemple, les couches 303 et 305 sont en des matériaux sensibles au rayonnement infrarouge proche. Les couches 303 et 305 sont par exemple hybridées sur le substrat 201. Les couches 303 et 305 correspondent par exemple respectivement à des régions semiconductrices d’anode et de cathode de la photodiode 101. Le substrat 301 comprend, du côté de sa face inférieure, dans l’orientation de la FIG. 3 , un empilement d’interconnexion 307 constitué de couches diélectriques et conductrices alternées. Des pistes conductrices sont par exemple formées dans les couches conductrices, ou niveaux de métallisation, les pistes conductrices appartenant à des couches différentes pouvant être connectées entre elles par des vias conducteurs. Dans l’exemple représenté, le substrat 201 dans lequel sont formées les zones pincées 105 des pixels 100 est surmonté d’un empilement d’interconnexion 309, par exemple analogue à l’empilement d’interconnexion 307. Dans l’orientation de la FIG. 3 , l’empilement d’interconnexion 309 est en contact, par sa face supérieure, avec la face inférieure de l’empilement d’interconnexion 307. À titre d’exemple, les empilements d’interconnexion 307 et 309 sont mis en contact et mécaniquement fixés l’un à l’autre par collage moléculaire, par exemple par collage moléculaire hybride. Dans ce cas, des éléments de reprise de contact affleurant la face supérieure de l’empilement d’interconnexion 309 sont par exemple mis en contact avec des éléments de reprise de contact affleurant la face inférieure, dans l’orientation de la FIG. 3 , de l’empilement d’interconnexion 307. Dans l’exemple illustré en FIG. 3 , l’élément de connexion métallique 103 de chaque pixel 100 comprend par exemple des pistes conductrices métalliques, des vias conducteurs et/ou des éléments de reprise de contact formés dans les empilements d’interconnexion 307 et 309. Bien que les éléments de connexion métalliques 103 n’aient pas été détaillés en FIG. 3 afin de ne pas surcharger le dessin, leur réalisation est à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. La figure 4A, la FIG. 4 , la FIG. 4 et la FIG. 4 sont des graphiques illustrant des étapes de fonctionnement du pixel 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. Les figures 4A à 4D illustrent plus précisément des variations d’une tension V en différents endroits du pixel 100. Les figures 4A à 4D illustrent notamment des variations : – d’une tension de commande VPH à laquelle est soumis le nœud 104 ; – de la tension TG appliquée sur la grille du transistor MOS de transfert de charges 109 ; – d’une tension SN à laquelle est soumis le nœud de lecture 110 ; et – de la tension de commande RST appliquée sur la grille du transistor MOS de réinitialisation 111. La FIG. 4 illustre plus précisément une étape préliminaire lors de laquelle des charges photogénérées 401, ici des électrons, sont accumulées au nœud 104 sous l’effet d’un courant IPH produit par la photodiode 101 jusqu’à ce que la tension VPH présente au nœud 104 devienne sensiblement égale à la tension de pincement Vp de la zone pincée 105. Lors de cette étape, les charges accumulées au nœud 104 remplissent le puits de potentiel constitué par l’élément de connexion métallique 103. Les charges accumulées au nœud 104 lors de cette étape ne seront toutefois pas transférées au nœud de lecture 110 lors des étapes ultérieures. Afin d’accélérer ce processus, le transistor MOS d’initialisation 121 optionnel peut être utilisé pour initialiser la tension présente au nœud 104 à une valeur proche de celle de la tension de pincement Vp. La tension d’initialisation VRSTPH peut par exemple être légèrement supérieure à la tension de pincement Vp. À titre de variante, la tension d’initialisation VRSTPH peut être inférieure à la tension de pincement Vp, les charges en excès accumulées au nœud 104 étant par la suite évacuées lors d’une étape ultérieure de réinitialisation. Une fois le puits de potentiel constitué par l’élément de connexion métallique 103 rempli, c’est-à-dire une fois que la tension présente au nœud 104 est sensiblement égale à la tension de pincement Vp, les charges photogénérées commencent à s’accumuler dans la zone pincée 105. La FIG. 4 illustre plus précisément une étape ultérieure de réinitialisation de la zone pincée 105 et du nœud de lecture 110. Lors de cette étape, le transistor MOS de transfert de charges 109 et le transistor MOS de réinitialisation 111 sont commandés à l’état passant de sorte à transférer, vers le nœud de lecture 110, des charges photogénérées préalablement accumulées dans la zone pincée 105 au cours de l’étape précédente. La FIG. 4 illustre plus précisément une étape ultérieure d’exposition, ou phase d’exposition. Lors de cette étape, le transistor MOS de transfert de charges 109 et le transistor MOS de réinitialisation 111 sont commandés à l’état bloqué. La zone pincée 105 se comporte alors comme une zone de collecte de charges photogénérées par la photodiode 101 au cours de l’étape d’exposition. Le puits de potentiel constitué par l’élément de connexion métallique 103 ayant été préalablement rempli lors de l’étape précédemment décrite en relation avec la FIG. 4 , les charges photogénérées au cours de l’étape d’exposition et acheminées par le courant IPH de la photodiode 101 sont accumulées dans la zone pincée 105 et font diminuer sa tension à partir de la tension Vp. La quantité de charges accumulées dans la zone pincée 105 est proportionnelle au courant photonique IPH produit par la photodiode non pincée 101 lors de l’étape d’exposition. La quantité de charges accumulées lors de cette étape est donc proportionnelle à un flux lumineux incident auquel est exposée la photodiode 101. La FIG. 4 illustre plus précisément une étape ultérieure de transfert de charges. Lors de cette étape, le transistor MOS de transfert de charges 109 est commandé à l’état passant et les charges accumulées dans la zone pincée 105 lors de l’étape d’exposition sont alors transférées au nœud de lecture 110. Le nœud de lecture 110 est préalablement initialisé à la tension de réinitialisation VRTRST et la valeur de la tension présente au nœud de lecture 110 est lue sur la piste conductrice de colonne Vx et stockée en pied de colonne, avant de procéder au transfert des charges par l’ouverture du transistor MOS de transfert de charges 109. Une deuxième lecture de la tension présente au nœud de lecture 110 est ensuite effectuée après transfert, et cette valeur est stockée en pied de colonne. Ces deux lectures successives de la tension présente au nœud de lecture 110 permettent la réalisation d’un double échantillonnage corrélé (« Correlated Double Sampling » - CDS, en anglais) permettant d’éliminer le bruit kTC ainsi que tout décalage de tension et/ou bruit fixe du circuit de lecture. En fonction du flux lumineux incident, la tension lue au nœud de lecture 110 du pixel 100 présente : – une zone palier, correspondant à des conditions de faible éclairement (ou de durée d’exposition trop courte) pour lesquelles le puits de potentiel constitué par l’élément de connexion métallique 103 ne peut être comblé lors de l’étape préliminaire ; – une zone linéaire, correspondant à un cas où le flux lumineux incident est suffisant pour que le puits de potentiel soit totalement rempli lors de l’étape préliminaire, les charges photogénérées pouvant alors, au cours de l’étape d’exposition, être stockées dans la zone pincée 105 et la conversion de courant IPH en quantité de charges pouvant s’effectuer ; et – une zone de saturation, correspondant à un cas où le flux lumineux incident est trop important (ou la durée d’exposition trop longue), la zone pincée 105 étant alors complètement remplie de charges jusqu’à saturer, voire déborder, sur les nœuds voisins. La FIG. 5 est un graphique illustrant une variante du fonctionnement du pixel 100 de la FIG. 1 . La FIG. 5 illustre plus précisément un fonctionnement du pixel 100 en mode « cascode ». Le mode de fonctionnement de la FIG. 5 correspond par exemple à un cas où le pixel 100 est dépourvu du transistor MOS de transfert de charges 109, ou à un cas où le transistor MOS 109 est maintenu à l’état passant. Dans ce mode de fonctionnement, après remplissage du puits de potentiel formé par l’élément de connexion métallique 103, les charges photogénérées par la photodiode 101 sont évacuées en permanence vers le nœud de lecture 110 par l’intermédiaire de la zone pincée 105, la zone pincée 105 faisant dans ce cas office de barrière de potentiel. La tension présente sur l’élément de connexion métallique 103 présente alors une valeur Vpol sensiblement constante et approximativement égale à Vp. Le courant sortant de la zone pincée 105 est alors sensiblement égal au courant photogénéré IPH par la photodiode 101. Ainsi, la zone pincée 105 remplit une fonction cascode permettant de polariser en tension la photodiode non pincée 101 tout en transmettant, sur le nœud de lecture 110, le courant photonique IPH qu’elle génère. La FIG. 6 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un pixel 600 de capteur d’images selon un mode de réalisation. La FIG. 6 est une vue en coupe, selon le plan BB de la FIG. 6 , du pixel 600 de la FIG. 6 . Dans l’exemple représenté, le pixel 600 est formé dans et sur un substrat semiconducteur 601, par exemple une plaquette ou un morceau de plaquette en silicium, dans lequel sont formées des zones photosensibles 603. Chaque zone photosensible 603 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 601, depuis une face inférieure 601B du substrat 601 et jusqu’à une profondeur inférieure à l’épaisseur du substrat 601. Dans l’exemple illustré, le pixel 600 comporte plus précisément quatre zones photosensibles 603. Chaque zone photosensible 603 présente, vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement carrée. Les zones photosensibles 603 sont, dans l’exemple représenté, coplanaires et arrangées, en vue de dessus, selon une forme générale sensiblement carrée. Les zones photosensibles 603 sont par exemple formées dans une région du substrat 601 dopée d’un premier type de conductivité, par exemple le type N. Dans l’exemple représenté, le pixel 600 comporte en outre une région 605 formée dans le substrat semiconducteur 601. La région 605 est située à l’aplomb des zones photosensibles 603 (au-dessus des zones photosensibles 603, dans l’orientation de la FIG. 6 ). La région 605 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 601, depuis une face supérieure 601T du substrat 601 opposée à la face inférieure 601B. Vue de dessus, la région 605 présente un pourtour de forme sensiblement carrée. Dans cet exemple, la région 605 présente des dimensions latérales sensiblement égales à celles du carré formé par les quatre zones photosensibles 603. La région 605 est par exemple formée dans une partie du substrat 601 dopée d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, le type P dans cet exemple. À titre d’exemple, la région 605 présente un niveau de dopage compris entre 1.10 10 et 1.10 1 7 at./cm 3 . Dans cet exemple, la région 605 est en contact, par sa face inférieure, avec la face supérieure des zones photosensibles 603 sous-jacentes. Chaque zone photosensible 603 est par exemple destinée à collecter des photons, lors de phases d’illumination du capteur d’images dont fait partie le pixel 600, et à convertir ces photons en paires électron-trou. Les zones photosensibles 603 sont adaptées à capter de la lumière dans une première gamme de longueurs d’ondes. Dans l’exemple illustré, la région 605 du pixel 600 est connectée, par l’élément de connexion métallique 103, à la photodiode 101 de façon analogue au pixel 100 précédemment décrit en relation avec la FIG. 1 . La photodiode 101 est par exemple adaptée à capter de la lumière dans une deuxième gamme de longueurs d’ondes, différente de la première gamme de longueur d’ondes. Les zones photosensibles 603 sont par exemple destinées à capturer des images 2D, et la photodiode 101 est par exemple destinée à capturer des images de profondeur. À titre d’exemple, les zones photosensibles 603 du pixel 600 sont adaptées à capter de la lumière visible, par exemple de la lumière bleue, et la photodiode 101 du pixel 600 est adaptée à capter un rayonnement infrarouge, par exemple un rayonnement infrarouge proche. Dans l’exemple représenté, le pixel 600 comporte en outre une tranchée d’isolation périphérique 607, par exemple une tranchée d’isolation capacitive, délimitant latéralement la région 605 et l’arrangement formé par les zones photosensibles 603. Plus précisément, dans cet exemple, la tranchée d’isolation périphérique 607 entoure entièrement la région 605 et présente, en vue de dessus, un contour de forme sensiblement carrée. La tranchée d’isolation périphérique 607 permet d’isoler électriquement les zones photosensibles 603 et la région 605 du pixel 600 par rapport aux pixels voisins, non représentés en figures 6A et 6B. La tranchée d’isolation périphérique 607 est formée dans le substrat 601. Dans l’orientation de la FIG. 6 , la tranchée d’isolation périphérique 607 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 601 depuis la face supérieure 601T du substrat 601 et jusqu’à la face inférieure 601B du substrat 601. Bien que cela n’ait pas été détaillé en figures 6A et 6B, la tranchée d’isolation périphérique 607 comporte par exemple une région électriquement conductrice dont les parois latérales sont revêtues d’une couche électriquement isolante. La couche électriquement isolante isole électriquement la région électriquement conductrice de la tranchée 607 par rapport au substrat 601. À titre d’exemple, la région électriquement conductrice de la tranchée 607 est en silicium polycristallin, en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique et la couche électriquement isolante de la tranchée 607 est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. À titre d’exemple, la tranchée d’isolation périphérique 607 est une tranchée de type CDTI (de l’anglais « Capacitive Deep Trench Isolation »), ou tranchée profonde d’isolation capacitive. Dans l’exemple représenté, les zones photosensibles 603 du pixel 600 sont séparées les unes des autres par une tranchée d’isolation 609, par exemple une tranchée d’isolation capacitive, par exemple de type CDTI. Dans cet exemple, le pixel 600 comporte plus précisément une tranchée d’isolation 609 présentant, en vue de dessus, une forme générale en croix sensiblement centrée par rapport au pixel 600. Comme illustré en FIG. 6 , la tranchée d’isolation 609 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 601 depuis la face inférieure 601B du substrat 601 jusqu’à la région 605, sans toutefois déboucher du côté de la face supérieure 601T du substrat 601, la tranchée d’isolation 609 présentant par exemple, comme illustré en FIG. 6 , une hauteur sensiblement égale à l’épaisseur des zones photosensibles 603. Dans l’exemple représenté, chaque zone photosensible 603 est ainsi bordée latéralement par la tranchée d’isolation périphérique 607 et par la tranchée d’isolation 609. À titre d’exemple, la tranchée 609 présente une structure analogue à celle de la tranchée 607. Plus précisément, la tranchée 609 peut par exemple présenter une région électriquement conductrice, par exemple une région métallique, ou une région chargée, par exemple en silicium polycristallin chargé, dont les flancs sont revêtus d’une couche électriquement isolante. À titre de variante, la tranchée 609 est une tranchée d’isolation chargée, par exemple de type DTI (de l’anglais « Deep Trench Isolation »), ou tranchée profonde d’isolation chargée. Dans ce cas, la tranchée 609 est par exemple dépourvue de région électriquement conductrice. Dans l’exemple illustré en figures 6A et 6B, le pixel 600 comporte en outre quatre grilles de transfert verticales 610 comprenant chacune une tranchée d’isolation 611, par exemple une tranchée d’isolation capacitive. Dans cet exemple, chaque tranchée d’isolation 611 présente, en vue de dessus, une forme générale en L. Comme illustré en FIG. 6 , chaque tranchée d’isolation 611 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat semiconducteur 601 depuis la face supérieure 601T du substrat 601 jusqu’à l’une des zones photosensibles 603, et pénètre partiellement dans la zone photosensible 603 jusqu’à une profondeur inférieure à celle de la tranchée d’isolation périphérique 607. En d’autres termes, chaque tranchée d’isolation 611 s’interrompt dans l’épaisseur du substrat 601 et ne débouche pas du côté de la face inférieure 601B du substrat 601. À titre d’exemple, chaque tranchée d’isolation 611 présente une profondeur comprise entre 3 et 18 µm. Dans cet exemple, les tranchées d’isolation 611 sont, en vue de dessus, situées aux quatre coins du carré formé par la tranchée d’isolation périphérique 607. Les tranchées d’isolation 611 sont plus précisément disposées de sorte à délimiter des régions du substrat 601 présentant, en vue de dessus, une forme sensiblement carrée. Dans l’exemple illustré en FIG. 6 , des parties du substrat 601 sont intercalées entre les extrémités du L formé par chaque tranchée d’isolation 611 et les parois de la tranchée d’isolation périphérique 607 situées en vis-à-vis. Chaque tranchée d’isolation 611 présente par exemple une structure analogue à celle de la tranchée d’isolation périphérique 607. La région électriquement conductrice de chaque tranchée d’isolation 611 est par exemple électriquement isolée de la région électriquement conductrice de la tranchée d’isolation périphérique 607. Cela permet par exemple de polariser la région électriquement conductrice de chaque tranchée d’isolation 611 indépendamment de la région électriquement conductrice de la tranchée d’isolation périphérique 607. Dans l’exemple représenté, le pixel 600 comporte en outre des zones 613 de collecte de charges disposées du côté du substrat opposé aux zones photosensibles 603, c’est-à-dire du côté de la face 601T du substrat. Les zones de collecte de charges 613 s’étendent verticalement dans l’épaisseur du substrat 601 depuis sa face supérieure 601T, jusqu’à une profondeur inférieure à celle des tranchées d’isolation 611. Dans cet exemple, chaque zone de collecte de charges 613 est entourée par l’une des tranchées d’isolation 611 et par la tranchée d’isolation périphérique 607. À titre d’exemple, chaque zone de collecte de charges 613 présente, vue de dessus, une forme sensiblement carrée. Chaque zone de collecte de charges 613 est par exemple plus fortement dopée du premier type de conductivité, dans cet exemple le type N (N + ), que les zones photosensibles 603. À titre d’exemple, le substrat 601 présente, à l’endroit où est formée chaque zone de collecte de charges 613, un niveau de dopage compris entre 1.10 16 et 5.10 20 at./cm 3 . Dans l’exemple représenté, chaque zone photosensible 603 comporte une région 615 dopée du deuxième type de conductivité, le type P dans cet exemple. Les régions 615 sont par exemple fortement dopées de type P (P + ). Dans cet exemple, les régions 615 s’étendent verticalement dans l’épaisseur du substrat 601 depuis une face des zones photosensibles 603 située du côté de la région 605 jusqu’à une profondeur inférieure à l’épaisseur des zones photosensibles 603. À l’intérieur de chaque zone photosensible 603, la région 615 forme, avec une partie du substrat 601 dopée du premier type de conductivité, le type N dans cet exemple, une photodiode. La région 615 permet en outre de bloquer des transferts de charges depuis les zones photosensibles 603 vers la région 605 du pixel 601. À titre de variante, la région 615 peut être omise, par exemple dans un cas où la grille de transfert verticale 610 est proche de la tranchée d’isolation 609. Dans l’exemple représenté, la région 605 comporte une région 617 dopée du premier type de conductivité, le type N dans cet exemple, surmontée d’une région 618 fortement dopée du deuxième type de conductivité, le type P dans cet exemple. Dans cet exemple, la région 618 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 601 depuis sa face supérieure 601T jusqu’à une profondeur inférieure à l’épaisseur de la région 605. Dans l’exemple illustré en FIG. 6 , la région 618 présente une forme sensiblement carrée et est sensiblement centrée par rapport à la tranchée d’isolation périphérique 607 du pixel 600. Par ailleurs, dans cet exemple, la région 617 s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 601 depuis la région 618 jusqu’à une profondeur inférieure à l’épaisseur de la région 605. La région 617 présente par exemple des dimensions latérales supérieures à celles de la région 618, l’élément de connexion métallique 103 étant en contact avec une partie de la région 617 non située à l’aplomb de la région 618. Les régions 617 et 618 sont par exemple analogues aux régions 203 et 205 précédemment décrites en relation avec la FIG. 2 , la région 617 du pixel 600 de la figure 6 correspondant par exemple à une zone pincée formée dans le substrat 601. Dans l’exemple représenté, le pixel 600 comporte en outre des zones 619 de collecte de charges disposées du côté de la face supérieure 601T du substrat 601. Les zones de collecte de charges 619 s’étendent verticalement dans l’épaisseur du substrat 601 depuis sa face supérieure 601T jusqu’à une profondeur inférieure à l’épaisseur de la région 617. Dans cet exemple, le pixel 600 comporte plus précisément trois zones de collecte de charges 619 situées chacune entre l’un des côtés de la région 617 et l’un des côtés de la tranchée d’isolation périphérique 607. Dans l’exemple représenté, le pixel 600 comporte en outre des grilles de transfert 621, par exemple des grilles de transfert planaires, situées sur et en contact avec la face supérieure 601T du substrat 601. Chaque grille de transfert 621 est par exemple située à l’aplomb d’une partie du substrat 601 comprise entre la région 617 et l’une des zones de collecte de charges 619. À titre de variante, le pixel 600 pourrait comporter des nombres de grilles de transfert 621 et de zones de collecte de charges 619 différents de ceux représentés, par exemple quatre zones de collecte de charges 619 associées respectivement à quatre grilles de transfert 621. Dans cet exemple, les zones photosensibles 603 et la photodiode 101 (non détaillée en figures 6A et 6B) sont destinées à être illuminées depuis la face inférieure 601B du substrat 601. Comme illustré en FIG. 6 , le pixel 600 peut en outre comporter des filtres couleur 623 situés sur et en contact avec la face inférieure 601B du substrat 601. Dans l’exemple représenté, chaque filtre couleur 623 est situé à l’aplomb de l’une des zones photosensibles 603. Certains filtres couleur 623 sont par exemple transparents à une partie uniquement du spectre visible, par exemple à de la lumière bleue, et à au moins une partie du spectre infrarouge, par exemple au rayonnement infrarouge proche, tandis que d’autres filtres couleur 623 sont par exemple transparents à une autre partie du spectre visible, par exemple à de la lumière verte ou rouge, et opaques au rayonnement infrarouge. À cet effet, une couche de résine (non illustrée en figures 6A et 6B) est par exemple prévue à l’aplomb des filtres couleur 623 transparents à la lumière verte ou rouge. Bien que cela n’ait pas été représenté en figures 6A et 6B, le pixel 600 peut en outre comporter une ou plusieurs couches de passivation, par exemple intercalées entre la face inférieure 601B du substrat 601 et les filtres couleur 623, et d’autres éléments optiques tels qu’une ou plusieurs microlentilles. Lors d’une phase d’exposition du pixel 600, des paires électron-trou sont par exemple créées à l’intérieur de chaque zone photosensible 603. Durant cette phase, la région électriquement conductrice de chaque tranchée d’isolation 611 est par exemple portée à un potentiel fixe, par exemple un potentiel négatif, par exemple égal à environ -1,5 V, par un circuit de contrôle (non représenté). Pendant la phase d’exposition du capteur, l’application de ce potentiel sur la région électriquement conductrice de chaque tranchée 611 permet de former une barrière de potentiel dans une région de transfert située à l’intérieur de chaque grille de transfert verticale 610, entre la zone photosensible 603 et la zone de collecte 613. Dans l’exemple représenté, la région de transfert est bordée par les parois latérales internes de la tranchée d’isolation périphérique 607 et de la tranchée d’isolation 611, et s’étend verticalement, dans l’épaisseur du substrat 601, sous la zone de collecte 613. La présence de la barrière de potentiel dans la région de transfert permet, au cours de la phase d’exposition, de bloquer un transfert d’électrons photogénérés depuis la zone photosensible 603 vers la zone de collecte 613. Cette barrière de potentiel résulte de la présence, le long des parois latérales des tranchées d’isolation 607 et 611, d’une couche d’inversion attirant les trous, dans cet exemple. Lors d’une phase de lecture postérieure à la phase d’exposition, la région électriquement conductrice de chaque tranchée d’isolation 611 est par exemple initialisée, dans le cas d’une voie d’échantillonnage, ou maintenue, dans le cas d’une voie de réinitialisation de la photodiode, à un potentiel supérieur au potentiel appliqué pendant la phase d’exposition, par exemple un potentiel positif, par exemple égal à environ 0,5 V, par le circuit de contrôle (non représenté). L’application de ce potentiel sur la région électriquement conductrice de chaque tranchée 611 permet d’abaisser, voire de supprimer, la barrière de potentiel dans la région de transfert entre les zones photosensibles 603 et les zones de collecte de charges 613. La disparition de la barrière de potentiel permet, pendant la phase de lecture, un transfert 625 d’électrons photogénérés depuis les zones photosensibles 603 vers les zones de collecte 613. À titre d’exemple, les zones de collecte de charges 613 sont portées chacune à un potentiel fixe, par exemple un potentiel positif, par exemple égal à environ 2,5 V, lors des phases d’exposition et de lecture. Cela permet d’attirer les électrons photogénérés vers les zones 613 lors de la phase de lecture. En outre, lors d’une phase d’exposition du pixel 600, des charges sont par exemple accumulées à l’intérieur de la région 605 comme exposé précédemment en relation avec les figures 4A à 4B pour la zone pincée 105 du pixel 100. Au cours de cette phase, les charges de la région 605 sont par exemple transférés, tour à tour, vers les différentes zones de collecte de charges 619 du pixel 600. Pour cela, l’une des grilles de transfert planaires 621 est par exemple portée à un premier potentiel permettant de transférer les charges depuis la région 605 vers l’une des zones 619, tandis que les autres grilles 621 sont portées à un deuxième potentiel permettant de bloquer le transfert des électrons vers les autres zones 619. Puis, une autre grille 621 est portée au premier potentiel, les autres grilles étant alors portées au deuxième potentiel, et ainsi de suite jusqu’à ce que toutes les grilles 621 aient été successivement portées au premier potentiel. Lors d’une même phase d’exposition, on ouvre ainsi séquentiellement les grilles 621 du pixel 600, par exemple en appliquant sur ces grilles des signaux de commande déphasés les uns par rapport aux autres, afin de permettre le transfert des charges depuis la région 605 vers une seule zone de collecte 619 à la fois. Cette séquence d’ouverture des grilles de transfert 621 est par exemple répétée à de nombreuses reprises durant la phase d’exposition. Cela permet par exemple au pixel 600 de mettre en œuvre des mesures de distance par temps de vol, par exemple des mesures de temps de vol indirectes (« indirect Time of Flight » - iToF, en anglais). À titre d’exemple, la fréquence d’ouverture de chaque grille de transfert 621 est comprise entre 10 et 300 MHz et chaque phase d’exposition comporte un nombre de périodes d’ouverture des grilles de transfert 621 compris entre dix mille et un million. Au cours de la phase d’exposition, les grilles 621 qui sont portées au deuxième potentiel imposent une barrière de potentiel dans une région de transfert située entre la région 617 de la région 605 et les zones de collecte 619 associées à ces grilles. Cette barrière de potentiel résulte de la présence, sous les grilles de transfert planaires 621 portées au deuxième potentiel, d’une couche d’inversion attirant les trous, dans cet exemple. À l’inverse, la grille 621 qui est portée au premier potentiel abaisse, voire supprime, la barrière de potentiel dans la région de transfert située entre la région 617 et la zone de collecte de charges 619 associée à cette grille. À titre d’exemple, le premier potentiel est positif, par exemple égal à environ 0,5 V, et le deuxième potentiel est inférieur au premier potentiel, par exemple négatif, par exemple égal à environ -2 V. À titre d’exemple, les zones de collecte de charges 619 sont portées chacune à un potentiel fixe de départ, par exemple un potentiel positif, par exemple égal à environ 2,5 V, préalablement à la phase d’exposition. Cela permet d’attirer les charges photogénérées vers les zones 619 lors de la phase d’exposition. Durant la phase d’exposition, le potentiel de chaque zone 619 diminue en fonction d’un nombre d’électrons transférés depuis la région 605 vers cette zone 619. À la fin de la phase d’exposition, le potentiel des zones 619 est par exemple mesuré pour déterminer la quantité totale de charges ayant été intégrées par chaque zone 619 pendant la phase d’exposition. Une fois la mesure terminée, les zones de collecte de charges sont par exemple portées à nouveau au potentiel de départ avant la phase d’exposition suivante. Dans l’exemple représenté où le pixel 600 comporte trois grilles de transfert planaires 621 respectivement associées à trois zones de collecte de charges 619, l’une des grilles de transfert planaires 621 met par exemple en œuvre une fonction de réinitialisation, la zone pincée étant par exemple vidée, ou réinitialisée, en permanence par le maintien à l’état passant de cette grille de transfert 621 lors de phases où aucun échantillon n’est acquis par le pixel 600. La FIG. 7 représente, de façon schématique et partielle, un exemple de pixel 700 de capteur d’images selon un mode de réalisation. Le pixel 700 de la FIG. 7 comprend des élément communs avec le pixel 100 de la FIG. 1 . Ces éléments communs ne seront pas décrits à nouveau ci-après. Le pixel 700 de la FIG. 7 diffère du pixel 100 de la FIG. 1 en ce que le pixel 700 comprend en outre un autre transistor 701, par exemple un transistor MOS, connecté entre l’élément de connexion métallique 103 et la zone pincée 105. Dans l’exemple représenté, le transistor 701 comprend une borne de conduction, par exemple la source, connectée à l’élément de connexion métallique 103, une autre borne de conduction, par exemple le drain, connectée à la zone pincée 105, et une borne de commande, ou grille, connectée à un nœud d’application d’une tension de commande PC. Dans le cas où le pixel 700 comprend le circuit 119 optionnel comportant le transistor MOS d’initialisation 121, la source du transistor 121 est par exemple connectée à la source du transistor 701. Le transistor 701 est par exemple prévu pour pallier le fait que les lignes de champ électrique entre l’élément de connexion métallique 103 et la zone pincée 105 sont fortement dépendantes de la géométrie de la structure et des niveaux de dopage du pixel 700. Le transistor 701 est par exemple commandé à l’état passant de sorte à assurer le passage des charges photogénérées 401 depuis l’élément de connexion métallique 103 vers la zone pincée 105. À titre d’exemple, le niveau de tension du canal du transistor 701 est ajusté par sa tension de grille PC. Cela permet avantageusement de fournir un contrôle externe sur la pente des niveaux de potentiel entre la zone de l’élément de connexion métallique 103 et la zone pincée 105. Cela permet en particulier d’obtenir une pente la plus raide possible dans le cas de petites structures présentant des surfaces de collection de charges faibles. La FIG. 8 est une vue de côté et en coupe, schématique et partielle, d’un exemple de la zone pincée 105 du pixel 700 de la FIG. 7 selon un mode de réalisation. La zone pincée 105 du pixel 700 illustrée en FIG. 8 diffère de la zone pincée 105 du pixel 100 illustrée en FIG. 2 en ce que la zone pincée 105 du pixel 700 comporte le transistor 701 comprenant une région de grille comportant une couche électriquement isolante 709 interposée entre une couche électriquement conductrice 711, faisant par exemple office d’électrode de grille du transistor MOS 701, et la face supérieure du substrat 201. Les couches 709 et 711 du transistor 701 sont par exemple analogues ou identiques aux couches 209 et 211, respectivement, du transistor 109. Dans l’exemple illustré, la région de grille s’étend latéralement au-dessus des régions 203 et 205, la région 203 constituant par exemple une région de drain du transistor MOS 701, et au-dessus de la région 207, la région 207 constituant par exemple une région de source du transistor MOS 701. La région 203 est, dans l’exemple représenté, séparée latéralement de la région 207 par une partie du substrat 201. La FIG. 9 est un graphique illustrant une étape de fonctionnement du pixel 700 de la FIG. 7 selon un mode de réalisation. Les étapes de fonctionnement du pixel 700 sont par exemple analogues à celles du pixel 100 et peuvent être déduites, par la personne du métier, de la description ci-dessus en relation avec les figures 4A à 4D notamment. En particulier, l’étape illustrée en FIG. 9 est par exemple analogue à l’étape de fonctionnement du pixel 100 précédemment décrite en relation avec la FIG. 4 . La FIG. 9 illustre plus précisément une étape préliminaire lors de laquelle les charges photogénérées 401, ici des électrons, sont accumulées au nœud 104 sous l’effet d’un courant IPH produit par la photodiode 101 jusqu’à ce que la tension VPH présente au nœud 104 devienne sensiblement égale à la tension de pincement Vp de la zone pincée 105. Lors de cette étape, le transistor MOS 701 est maintenu à l’état passant, la tension de commande PC appliquée sur sa grille étant, dans l’exemple représenté, supérieure à la tension de pincement Vp. Un avantage des pixels 100, 600 et 700 tient au fait qu’ils permettent d’utiliser une photodiode non pincée associée à un circuit de lecture de type 4T. Cela permet par exemple de réaliser des capteurs d’images comprenant des photodiodes ne pouvant être réalisées avec une structure pincée, par exemple des photodiodes hybridées sur silicium, tout en conservant un mode de fonctionnement par intégration de charges. Cela permet ainsi de réduire le bruit kTC par rapport à un capteur d’images comprenant des photodiodes ou des photosites non pincés associés à un circuit de type 3T. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, la personne du métier est capable d’adapter le circuit de lecture 107 du pixel 100 de la FIG. 1 au pixel 600 des figures 6A et 6B à partir des indications de la présente description. Par ailleurs, la personne du métier est capable de combiner le mode de réalisation du pixel 700 avec celui du pixel 600 c’est-à-dire de prévoir, dans le pixel 600, un transistor connecté entre l’élément de connexion métallique 103 et la région pincée 617. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples particuliers de matériaux et de dimensions mentionnés dans la présente description. Capteur d’images (300) comprenant une pluralité de pixels (100 ; 600 ; 700), chaque pixel comportant une photodiode non pincée (101) connectée, par un élément de connexion métallique (103), à une zone pincée (105) formée dans un premier substrat semiconducteur (201 ; 601). Capteur selon la revendication 1, dans lequel la photodiode non pincée (101) comprend une région semiconductrice d’anode (303) dopée de type P et une région semiconductrice de cathode dopée de type N (305). Capteur selon la revendication 2, dans lequel les régions semiconductrices d’anode (303) et de cathode (305) de la photodiode non pincée (101) sont jointives. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la photodiode non pincée (101) est formée sur un deuxième substrat semiconducteur (301) différent du premier substrat (201 ; 601). Capteur selon la revendication 4, dans lequel la photodiode non pincée (101) est hybridée sur le premier substrat (201), le premier substrat étant en silicium. Capteur selon la revendication 4 ou 5, dans lequel l’élément de connexion métallique (103) comprend des pistes conductrices, des vias conducteurs et/ou des éléments de reprise de contact formés dans des premier (309) et deuxième (307) empilements d’interconnexion respectivement situés sur les premier (201 ; 601) et deuxième (301) substrats. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la zone pincée (105) comprend une première région semiconductrice (203 ; 617) dopée de type N formée dans le premier substrat (201 ; 601), le premier substrat étant dopé de type P. Capteur selon la revendication 7, dans lequel une deuxième région semiconductrice (205 ; 618) dopée de type P, formée dans le premier substrat (201 ; 601), est interposée entre une face supérieure du premier substrat et la première région semiconductrice (203 ; 617). Capteur selon la revendication 8, dans lequel la deuxième région semiconductrice (205 ; 618) présente un niveau de dopage supérieur à celui du premier substrat (201 ; 601). Capteur selon la revendication 7, 8 ou 9, dans lequel l’élément de connexion métallique (103) est en contact avec une troisième région semiconductrice (207) dopée de type N s’étendant verticalement dans l’épaisseur du premier substrat (201) depuis sa face supérieure. Capteur selon la revendication 10, dans lequel la première région semiconductrice (203) pénètre à l’intérieur de la troisième région semiconductrice (207). Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel chaque pixel (700) comporte en outre un transistor (701) connecté entre l’élément de connexion métallique (103) et la zone pincée (105). Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le pixel (600) comprend en outre : – au moins une première zone photosensible (603) formée dans le premier substrat (601) et adaptée à capter de la lumière dans une première gamme de longueurs d’onde ; – une quatrième région semiconductrice (605) formée dans le premier substrat à l’aplomb de ladite au moins une zone photosensible, dans laquelle est formée la zone pincée (105) ; – au moins une zone de collecte de charges (613) disposée du côté (601T) du deuxième substrat opposé à ladite au moins une première zone photosensible ; – au moins une région de transfert s’étendant depuis ladite au moins une première zone photosensible jusqu’à ladite au moins une zone de collecte de charges ; et – au moins une grille de transfert (610) s’étendant verticalement entre ladite au moins une région de transfert et la quatrième région semiconductrice et bordant latéralement ladite au moins une région de transfert. Capteur selon la revendication 13, dans lequel la photodiode non pincée (101) est adaptée à capter de la lumière dans une deuxième gamme de longueurs d’ondes, différente de la première gamme de longueurs d’ondes. Capteur selon la revendication 13 ou 14, dans lequel le pixel (600) comporte en outre au moins une autre grille de transfert (621) s’étendant latéralement sur ledit côté (601T) du premier substrat (601) opposé à ladite au moins une première zone photosensible (603) et au moins une autre zone de collecte de charges (619). Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel la zone pincée (105) n’est pas destinée à être soumise à un rayonnement lumineux incident.