FR 3154541 A1 20250425 FR 2311268 A 20231018 Dispositif d’affichage électroluminescent (200) comprenant une matrice de pixels, chaque pixel étant formé de trois zones émettrices élémentaires (201a,201b,201c) comprenant chacune un empilement OLED (205a,b,c) de couleur différente, et dont chacune est protégée par un photoresist (280), deux électrodes de commande (202a,b ; 202b,c ; 202c,a) voisines appartenant à deux zones émettrices (201a,b ; 201b,c ; 201c,a) voisines appartenant chacune à un groupe de zones émettrices élémentaires différent sont séparées par une tranchée (211) et présentant une surface isolante (223) couvrant les flancs desdites électrodes voisines, et deux électrodes de commande (202a,a ; 202b,b, 202c,c) voisines appartenant à deux zones émettrices (201a,a ; 201b,b ; 201c,c) voisines appartenant chacune au même groupe sont séparées par une tranchée (211) remplie d’un élément de remplissage (203), dans chaque groupe de zones émettrices élémentaires l’ensemble de l’empilement OLED avec son électrode supérieure est séparé des ensembles voisins par une couche d’encapsulation (290). DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A MATRICE ACTIVE, PRESENTANT UNE RESOLUTION AMELIOREE Domaine technique de l’invention L’invention se rattache au domaine des dispositifs et composants optoélectroniques, et plus précisément aux dispositifs électroluminescents de type OLED (Organic Light Emitting Device). Elle concerne plus particulièrement l'amélioration de l’efficacité et de la luminance de la gamme de couleur d’affichage ainsi que de la résolution d’un écran d’affichage de type OLED. Elle permet de fabriquer des micro-écrans à très haute résolution spatiale, c’est-à-dire avec une densité de pixels et sous-pixels particulièrement élevée, et avec une excellente fiabilité industrielle. Etat de la technique Les dispositifs à base de diodes électroluminescentes organiques (OLED, « Organic Light Emitting Diode ») sont des produits bien établis pour fabriquer des systèmes d’éclairage et des écrans d’affichage minces. Les écrans d’affichage à base d’OLED comprennent en général une structure matricielle de pixels individuels, qui est contrôlée par une grille de pistes conductrices verticales et horizontales ; cette structure peut permettre un adressage individuel des pixels. Cela est illustré de manière schématique sur la FIG. 1 qui sera expliquée ci-dessous. Dans les écrans couleur chaque pixel est subdivisé en sous-pixels de différentes couleurs (typiquement trois ou quatre, dont les couleurs primaires rouge, vert et bleu, et éventuellement un sous-pixel blanc) qui coopèrent pour émettre un point lumineux (pixel) de couleur voulue. FIG. 2 montre trois exemples connus de disposition de sous-pixels de couleurs différentes pour former un pixel capable d’afficher la couleur voulue. Dans un écran d’affichage à base d’OLED, la couleur d’un pixel ou sous-pixel peut être générée de deux manières différentes. Dans un premier mode de réalisation, on utilise une diode OLED qui émet de la lumière blanche, et on fait passer la lumière blanche émise à travers un filtre de couleur. La FIG. 3 montre une coupe transversale d’un tel écran, qui représenté la géométrie dite « top emission », i.e., émission par le haut, le « haut » étant la face opposée au substrat, ou autrement dit, la face dirigée vers l’observateur. Au-dessus des électrodes des sous-pixels est déposé un empilement OLED qui couvre toute la surface de la matrice et qui (dans cet exemple) émet de la lumière blanche. Les couleurs primaires RGB (Red-Green-Blue) ou RGBW (Red-Green-Blue-White) des sous-pixels sont dans ce cas générées par des filtres colorés situés au-dessus de l’empilement OLED. Ces filtres colorés peuvent être des résines photosensibles. Ces résines peuvent être déposées directement sur le système d’encapsulation, ou, alternativement, elles peuvent être déposées sur une tranche de verre, qui est fixée par collage sur l’électrode supérieure du dispositif. Ce mode de réalisation présente deux avantages. D’abord, on peut utiliser une même couche OLED commune, non structurée au niveau de la matrice, pour tous les sous-pixels, la couleur étant générée par les filtres. Un autre avantage est qu’il est possible de réaliser des sous-pixels à adressage actif de très petite taille, ce qui permet d’améliorer la résolution spatiale de l’écran. Ce mode de réalisation présente cependant deux inconvénients : Premièrement, le filtre coloré absorbe une fraction significative de l’intensité lumineuse émise par le pixel. Pour une intensité lumineuse ciblée il faut donc augmenter l’émission lumineuse de la diode OLED. Sachant que la durée de vie opérationnelle des dispositifs OLED diminue avec l'augmentation de la densité de courant ou de la luminance, car le grand nombre de trous et d'électrons traversant la couche organique provoque des réactions secondaires électrochimiques des composés organiques qui finissent par dégrader ces composés organiques, il serait souhaitable de ne pas augmenter l’intensité lumineuse émise par la diode OLED au-delà d’une certaine valeur. Deuxièmement, la netteté d’affichage d’un tel dispositif est limitée par le phénomène de diaphonie, qui sera expliqué ci-dessous. Une autre façon de réaliser les couleurs primaires est de structurer les couches OLED en sous-pixels avec des couleurs d’émission différentes. C’est un deuxième mode de réalisation bien connu, qui n’utilise pas de filtres colorés et évite ainsi le premier problème de perte d’intensité lumineuse. Comme le procédé de structuration des couches OLED est assez complexe et la résolution spatiale atteignable assez limitée, on préfère même dans ce cas garder un maximum de couches communes (i.e. des couches couvrant toute la surface de la matrice), en général les couches des transports des porteurs de charges, et de ne structurer que les couches émettrices. Cependant, comme dans le premier mode de réalisation, on observe que les pixels ou sous-pixels voisins peuvent interagir, par couplage capacitif ou par des courants parasites passant notamment à travers des couches conductrices communes de l’empilement OLED, dans le plan des couches conductrices. Un exemple pour ce courant parasite dans le plan des couches conductrices est illustré sur la FIG. 4 qui sera expliquée ci-dessous. Cette interaction indésirable entre des pixels voisins est connue de l’homme du métier sous le nom « crosstalk » (diaphonie) ; elle conduit surtout à la modification indésirable des couleurs dans le cas des écrans couleur. Les aspects théoriques du phénomène de diaphonie dans les dispositifs OLED ont été étudiés depuis longtemps (voir par exemple la publication de D. Braun « Crosstalk in passive matrix polymer LED displays » parue en 1998 dans la revue Synthetic Metals 92, p. 107-113). Ce problème devient plus perceptible lorsque la taille du sous-pixel diminue. Hormis la correction numérique des conséquences de la diaphonie (qui revient à accepter le phénomène de diaphonie et de diminuer son impact sur l’image), on connaît différentes approches pour lutter contre la diaphonie à la source, c’est-à-dire pour diminuer le phénomène physique au niveau du pixel ou sous-pixel. Pour diminuer la diaphonie, WO 2019/193290 (MicroOled) propose une méthode pour délimiter deux pixels voisins par un élément de remplissage à surface isolante qui sépare leurs électrodes de base ainsi que leurs couches OLED. On sait que les empilements OLED sont sensibles contre les espèces gazeuses de l’atmosphère, principalement l’oxygène et la vapeur d’eau, qui dégradent l’interface entre l’électrode et les films organiques formant l’empilement OLED. Un sous-pixel dégradé finit par ne plus émettre de la lumière : il apparaît comme un point noir. Les dispositifs optoélectroniques à base d’OLED doivent donc être encapsulés pour protéger les empilements OLED contre l’atmosphère ambiante. Dans le cas où les couleurs de l’écran sont générées par des filtres colorés, la tranche de verre sur laquelle les filtres sont déposés sert comme une protection surfacique de l’empilement OLED, la colle pouvant assurer un enrobage latéral. Il est connu de séparer chaque pixel pour l’isoler des autres pixels qui l’entourent, pour éviter les problèmes de court-circuit liés à l’humidité dans les couches d’encapsulation. Le document EP 2 927 985 (Universal Display Corp.) décrit une structure dans laquelle chaque pixel est hermétiquement scellé et isolé de ses pixels voisins. La fabrication d’une telle structure nécessite des étapes de procédé nombreuses et complexes. Il est également connu de délimiter les zones de pixel par des éléments séparateurs supplémentaires, tels que des murs, comme décrit dans le document US 9 419 245 (Japan Display Inc.). Les procédés décrits dans ces deux documents sont complexes et engendrent un surcoût significatif. La structure d’un dispositif de l’état de la technique, qui permet d’obtenir une forte intensité lumineuse, est montre schématiquement sur la FIG. 5 , qui sera discutée ci-dessous en plus grand détail. Il présente trois zones émettrices élémentaires (sous-pixels) de couleur différente et n’a pas besoin de filtres colorés, ce qui assure une excellente efficacité et luminosité du dispositif. Les sous-pixels étant séparés aussi au niveau de leurs couches OLED, il n’y a pratiquement pas de diaphonie, et la netteté de l’image est bonne. Ce dispositif présente de nombreux avantages fonctionnels. Cependant, les couches OLED desdits sous-pixels étant différentes, elles doivent être déposées séparément, et on ne connaît malheureusement pas de procédé industriel avec lequel on pourrait miniaturiser ce dispositif avec une taille de la zone émettrice élémentaire (sous-pixel) inférieure à environ 20 µm. Compte tenu de ce qui précède, un objectif de la présente invention est de remédier, au moins partiellement, aux inconvénients de l’art antérieur évoqués ci-dessus, et de proposer une architecture pour dispositif d’affichage OLED de type micro-écran d’affichage en couleurs, qui dispose d’une excellente luminosité, de préférence en utilisant des zones émettrices élémentaires de couleur, et qui permet de réduire de manière significative, et de préférence supprimer, les courants parasites latéraux, même pour des pixels de très petite taille (typiquement inférieure à 5 µm) ou pour des structure à espace inter-pixel très faible. Cette architecture doit être compatible avec une encapsulation efficace. Un autre objectif est de proposer un procédé de fabrication d’un tel dispositif, qui soit industriellement fiable et simple. Objets de l’invention Selon l’invention le problème est résolu par une nouvelle architecture de dispositif électroluminescent de type OLED à émission par le haut (top emission), et par un nouveau procédé pour le fabriquer. Dans ce procédé on utilise des moyens de photolithographie et de gravure afin de structurer l’empilement des couches OLED. Dans ce procédé, on évite l’enlèvement (stripping) de photoresists pour ne pas fragiliser les couches OLED. Au lieu d’enlever les photoresists, on les intègre dans le système d’encapsulation. Un premier objet de l’invention est un dispositif d’affichage électroluminescent comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat, selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires, chacune desdites au moins trois zones émettrices élémentaires appartenant à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques, appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, ledit empilement OLED étant disposé entre une électrode de commande et une électrode supérieure transparente, ladite électrode supérieure transparente étant traversée par la lumière émise par l’empilement OLED, ledit dispositif d’affichage électroluminescent étant caractérisé en ce que : deux électrodes de commande voisines appartenant à deux zones émettrices élémentaires voisines qui appartiennent chacune à un groupe de zones émettrices élémentaires différent sont séparées par un espace formant une tranchée et présentant une couche ou surface isolante qui couvre au moins les flancs verticaux desdites électrodes voisines et les isole électriquement l’une de l’autre, et deux électrodes de commande voisines appartenant à deux zones émettrices élémentaires voisines qui appartiennent chacune au même groupe de zones émettrices élémentaires sont séparées par un espace formant une tranchée, ledit espace étant rempli d’un élément de remplissage qui isole lesdites électrodes de commande voisines électriquement l’une de l’autre et remplit l’espace naturel entre lesdites deux électrodes, dans chaque groupe de zones émettrices élémentaires, l’ensemble de l’empilement OLED avec son électrode supérieure correspondante est séparé des ensembles voisins appartenant à un autre groupe par une première couche d’encapsulation qui protège ledit empilement OLED sur sa face supérieure et ses flancs latéraux contre l’air ambiant, formant ainsi des ilots protégés, chaque îlot comprenant des ensembles d’empilements OLED d’un même groupe, avec leur électrode supérieure, chaque zone émettrice élémentaire étant protégée par un photoresist. Ce dispositif selon l’invention comprend plusieurs groupes de zones émettrices élémentaires, chaque groupe se distinguant d’un autre groupe par sa couleur d’émission. Chacun de ces groupes comporte un empilement OLED différent, sélectionné de manière à émettre de la lumière de la couleur voulue. Ainsi, la couleur de la lumière émise par les zones émettrices élémentaires n’est pas générée par un filtre coloré qui diminue l’intensité de la lumière émise par le dispositif d’affichage électroluminescent, mais la totalité de la lumière émise par chaque zone émettrice élémentaire présente directement la couleur voulue. En dehors des avantages que présente la présence des couches de photorésist pour le procédé de fabrication des dispositifs selon l’invention, la protection des zones élémentaires par un photorésist améliore la qualité de leur encapsulation par rapport à l’air ambient qui est susceptible de dégrader les couches organiques du dispositif OLED. Dans des modes de réalisation particuliers : ledit dispositif comprend une couche d’encapsulation supplémentaire qui recouvre la face supérieure dudit dispositif ainsi que les flancs latéraux des photoresists, sachant que ladite couche d’encapsulation supplémentaire se situe au-dessus de ladite première couche d’encapsulation, et au-dessus des couches de photorésist ; lesdites couleurs d’émission sont rouge, bleu et vert ; la largeur dudit espace formant tranchée est comprise entre 0,3 µm et 1,0 µm, et/ou la profondeur dudit espace formant tranchée est comprise entre environ 150 nm et environ 850 nm, et de préférence entre 150 nm et 450 nm ; l’épaisseur desdites électrodes de commande est comprise entre environ 150 nm et environ 800 nm, et de préférence entre 150 nm et 450 nm ; l’épaisseur desdites électrodes de commande est supérieure à l’épaisseur des empilements OLED ; ledit élément de remplissage remplit l’espace naturel entre deux électrodes de commande voisines de manière à ce que ladite électrode supérieure soit sensiblement plane ; le pas des zones émettrices élémentaires est inférieur à environ 20 µm, de préférence inférieur à environ 15 µm, plus préférentiellement inférieur à environ 10 µm, et encore plus préférentiellement compris entre environ 1 µm et environ 5 µm, et / ou la largeur de l’espace entre des électrodes de commande est inférieur à environ 1 µm, et de préférence compris entre environ 0,3 µm et environ 1,0 µm ; sur l’élément de remplissage à surface isolante, l’angle alpha par rapport à la surface supérieure horizontale de l’électrode ne dépasse en aucun endroit une valeur qui est d’environ 40°, de préférence d’environ 30°, plus préférentiellement d’environ 25°, et encore plus préférentiellement d’environ 20°, sachant qu’il peut s’agir d’un angle positif ou négatif ; au moins un des photoresist est un filtre coloré capable d’atténuer ou d’éliminer les ondes de lumière de deuxième ordre émise par la zone émettrice élémentaire au-dessus de laquelle il a été déposé. Un deuxième objet de l’invention est un procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat, selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires, chacune desdites au moins trois zones émettrices élémentaires appartenant à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques, appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, dans lequel procédé : on approvisionne un substrat pourvu d’une électrode de commande pour chaque zone émettrice élémentaire et d’une couche d’isolant entre deux électrodes voisines, et pourvu d’éléments de remplissage entre deux zones émettrices élémentaires voisines appartenant au même groupe de zones émettrices élémentaires, dans un premier groupe d’étapes on dépose d’abord un premier empilement OLED, une électrode supérieure et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une première couche d’encapsulation, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission élémentaires du premier groupe un premier photoresist qui protège la surface horizontale et le flanc de ladite couche d’encapsulation à l’endroit desdites zones d’émission élémentaires du premier groupe, et on grave les zones non protégées par le photoresist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande, dans un deuxième groupe d’étapes on dépose sur ledit substrat d’abord un deuxième empilement OLED, une deuxième électrode supérieure et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une deuxième couche d’encapsulation, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission du deuxième groupe un deuxième photoresist qui protège la surface horizontale et le flanc de ladite couche d’encapsulation à l’endroit desdites zones d’émission élémentaires du deuxième groupe, et on grave les zones non protégées par lesdits premier et deuxième photoresists jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande pour les zones d’émission élémentaire du troisième groupe, et jusqu’à la surface de la première couche d’encapsulation pour les zone d’émission élémentaire du premier groupe. Dans un troisième groupe d’étapes on dépose sur ledit substrat d’abord un troisième empilement OLED, une troisième électrode supérieure et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une troisième couche d’encapsulation, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission du troisième groupe un troisième photoresist qui protège la surface horizontale et le flanc de ladite couche d’encapsulation à l’endroit desdites zones d’émission élémentaires du troisième groupe, et on grave les zones non protégées par lesdits premier, deuxième et troisième photoresists. Après la dernière étape, on peut encore déposer une couche d’encapsulation supplémentaire sur tout le substrat. Avantageusement, toutes les couches d’encapsulation sont déposées par une technique conforme qui est de préférence le ALD. Brève description des figures Les figures 1 à 6 représentent de manière schématique un dispositif optoélectronique de type afficheur OLED, et illustrent des aspects généraux, connus, des dispositifs et afficheurs OLED. Les figures 7 à 31 illustrent des aspects et modes de réalisation de l’invention, et n’ont pas pour vocation à limiter la portée de l’invention. Plus particulièrement, les figures 15 à 17 illustrent la structure d’un dispositif d’affichage OLED selon l’invention, et les figures 8 à 27 illustrent en plus grand détail des étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage OLED selon l’invention. FIG. 1 montre le schéma électrique d’un écran matriciel de type OLED de type connu. FIG. 2 montre trois exemples connus de disposition de sous-pixels de couleurs différentes pour former un pixel capable d’afficher la couleur voulue. FIG. 3 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un afficheur OLED selon l’état de la technique avec un OLED à émission blanche et des filtres de couleur. Cette figure montre plusieurs pixels. FIG. 4 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un afficheur OLED similaire à celui de la FIG. 3 , dans lequel chaque pixel est formé de trois sous-pixels. La figure montre un seul pixel avec ses trois sous-pixels. FIG. 5 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un afficheur OLED similaire à celui de la FIG. 4 , dans un mode de réalisation avec des sous-pixels émettant chacun dans une couleur différente, et qui n’utilise pas de filtres de couleur. FIG. 6 reproduit la FIG. 5 du document WO 2019/193290. FIG. 7 montre une vue du haut (top-view) d’un produit intermédiaire selon l’invention, fabriqué en utilisant des étapes du procédé selon l’invention. FIG. 8 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-x selon la ligne A-A indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente le produit intermédiaire de la FIG. 7 . FIG. 9 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente le même produit intermédiaire de la FIG. 7 . FIG. 10 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-x selon la ligne A-A indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente une étape postérieure à celle du produit intermédiaire de la FIG. 8 . FIG. 11 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente une étape postérieure à celle du produit intermédiaire de la FIG. 9 . FIG. 12 montre une vue du haut (top-view) d’un produit intermédiaire selon l’invention, fabriqué en utilisant des étapes du procédé selon l’invention, à un stade de fabrication qui correspond à celui de la FIG. 10 et FIG. 11 . FIG. 13 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-x selon la ligne A-A indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente le produit intermédiaire de la FIG. 12 après une séquence d’étapes additionnelle de fabrication. FIG. 14 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente le même produit intermédiaire de la FIG. 13 . FIG. 15 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-x selon la ligne A-A indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente le produit intermédiaire de la FIG. 12 après une séquence d’étapes additionnelle de fabrication. Cet empilement représente un produit intermédiaire dans la fabrication d’un dispositif optoélectronique de type afficheur OLED selon l’invention. FIG. 16 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente le même produit intermédiaire de la FIG. 13 . FIG. 17 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches sur un substrat après une séquence d’étapes additionnelles de fabrication en partant du produit intermédiaire de la FIG. 15 . FIG. 18 illustre une première séquence d’étapes d’un mode de réalisation du procédé selon l’invention pour fabriquer un dispositif de type microafficheur OLED selon l’invention, présentant trois groupes de pixels. FIG. 19 illustre une deuxième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 18 . FIG. 20 illustre une troisième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 19 . FIG. 21 illustre une quatrième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 20 . FIG. 22 illustre une cinquième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 21 . FIG. 23 illustre une sixième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 22 . FIG. 24 illustre une septième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 23 . FIG. 25 illustre une huitième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 24 . FIG. 26 illustre une neuvième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 24 , et qui correspond au produit intermédiaire de la FIG. 15 . FIG. 27 illustre une dixième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la FIG. 26 , selon une variante du procédé selon l’invention, et qui correspond au produit intermédiaire de la FIG. 16 . FIG. 28 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente une variante du produit intermédiaire de la FIG. 7 ; cette coupe est analogue à celle de la FIG. 9 . FIG. 29 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente une étape postérieure à celle du produit intermédiaire de la FIG. 28 ; cette coupe est analogue à celle de la FIG. 11 . FIG. 30 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un dispositif selon l’invention, selon l’une de ses variantes. FIG. 31 montre un dessin d’après une image obtenue par microscopie électronique à balayage sur une coupe transversale d’un dispositif qui illustre la variante montrée sur la FIG. 30 . Les repères numériques suivants sont utilisés sur ces figures et dans la description qui suit : 10 Afficheur OLED de type connu 12 Unité de matrice de pixels 14 Diode OLED 16 Circuit de commande pour 14 18,20 Transistors de 16 22 Condensateur de 16 30 Circuit de commande pour les lignes 32 Circuit d‘adressage vidéo 34 Circuit d’alimentation électrique 36 Unité de commande 38 Piste conductrice d’une ligne de balayage 40 Piste conductrice d’une colonne 42 Piste conductrice d’alimentation des colonnes de pixels 50,51-54 Pixel (50), sous-pixels (51-54) 70 Dispositif afficheur OLED de type connu 71 Substrat de 70 72-74 Electrodes de commande des sous-pixels 75 Elément de remplissage (gap-fill) 76 Empilement de couches organiques formant un OLED 77 Couche d’encapsulation 78 Couverture protectrice (tranche de verre) 80 Couche électroluminescente de 76 81,82 Couches de transport de charge de 76 83,84 Première (83) et deuxième (84) couche d’injection et de transport de charges 85 Electrode commune de 76 90 Pixel 91-93 Filtres colorés 95-97 Couches électroluminescentes émettant en couleur pour sous-pixels 98a,b,c Electrodes d’adressage pour 95,96,97 99 Electrode commune 100 Afficheur OLED 101a,b,c Sous-pixels 102a,b,c Electrodes de commande des sous-pixels 101 104 Séparateur 105 Empilement OLED 106 Couche d’injection supérieure 107 Electrode conforme (commune aux sous-pixels 101) 108 Couche de lissage 109 Filtre coloré 110 Substrat de 100 111 Espace naturel (gap) entre électrodes voisines 102 112 Rebord de 123 sur 102 113 Pixel de 100 123 Elément de remplissage à surface isolante 200 Afficheur OLED selon l’invention 201a,b,c Sous-pixels 202a,b,c Electrode de commande de 201a,b,c 203 Elément de remplissage à surface isolante 205a,b,c Empilement de couches organiques formant un OLED 207a,b,c Electrode supérieure 210 Substrat de 200 211 Espace naturel (gap) entre sous-pixels voisins 212 Rebord de 223 sur 202 213 Rebord de 203 sur 202 217 Barre de connexion 223 Couche d’isolant 225 a,b,c Ilot de zone émettrice élémentaire (colonne) 280a,b,c Photoresist 290a,b,c Couche d’encapsulation du sous-pixel 291 Couche d’encapsulation supplémentaire Description détaillée de l’invention Dans la présente description, l’expression « zone d’émission élémentaire » désigne la plus petite zone d’émission qui soit individuellement adressable. Dans le cas des écrans couleur dans lesquels plusieurs zones d’émission élémentaires forment un pixel, l’homme du métier utilise habituellement le terme « sous-pixel » pour désigner une telle zone d’émission élémentaire. Le terme « photoresist », couramment utilisé par l’homme du métier francophone, désigne une résine photosensible. Le terme « isolant » se réfère à l’isolation électrique. L’expression « on grave une zone non protégée par un photoresist » (et ses expressions équivalentes) signifie que la gravure peut viser aussi une zone sur laquelle se trouve un photoresist, ledit photoresist étant enfoui sous une ou plusieurs couches, sachant que lors de ladite gravure, lesdites couches peuvent être enlevées, totalement ou partiellement de cette gravure. En particulier, cette « gravure d’une zone non protégée par un photoresist » peut conduire à dénuder un photoresist qui était préalablement enfoui sous une couche pouvant être gravée dans ces conditions de gravure, mais cette gravure doit alors se faire dans des conditions telles qu’elle s’arrête sur le photoresist. L’expression indiquant qu’une (première) couche se situe « au-dessus » d’une autre (deuxième) couche ne doit pas être comprise comme impliquant que la deuxième couche doit nécessairement être déposée directement au-dessus de la première couche : il peut y avoir une ou plusieurs autres couches (intermédiaires) entre ladite première et ladite deuxième couche. Par ailleurs, les termes « au-dessous » et « au-dessus » se réfèrent au substrat du dispositif d’affichage électroluminescent, qui est ici, par définition, « en bas ». FIG. 1 montre de manière schématique le circuit d’un afficheur OLED 10 de type connu qui comprend une unité de matrice de pixels 12 capable de produire une image, et une unité de commande 36. Les diodes OLED 14 et leurs circuits de commande 16 sont disposés de manière à former des pixels dans l’unité de matrice de pixels 12, ladite matrice de pixels comportant des lignes (horizontales) et des colonnes (verticales). Chaque circuit de commande 16 d’un pixel 12 comprend une pluralité de transistors 18,20 réalisés typiquement en technologie CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor) dans le cas des micro-écrans, ou des transistors en couche mince (connus sous le nom TFT (Thin Film Transistor)), et un condensateur 22. L’unité de commande 36 commande un circuit de commande pour les lignes 30 et un circuit d’adressage vidéo 32, ainsi qu’un circuit d’alimentation électrique 34 pour l’adressage des colonnes de pixel. L’unité de commande 36 assure l’adressage des circuits de pixel et contrôle l’émission lumineuse des diodes OLED 14. Le circuit de commande des lignes 30 est relié aux pistes conductrices 38 adressant les lignes de balayage de la matrice de pixel. Il sélectionne les lignes de balayage 38 selon un signal en provenance de l’unité de contrôle 36, et applique une tension pour allumer les transistors 18 se trouvant sur la ligne de balayage 38 sélectionnée. Le circuit d’adressage vidéo 32 est relié à des pistes conductrices 40 adressant les colonnes du signal vidéo. Le circuit d’adressage vidéo 32 reçoit un signal vidéo de l’unité de contrôle 36 et envoie une tension sur les pistes conducteurs vidéo 40 des colonnes selon les pistes conductrices des lignes sélectionnées par le du circuit de commande 30 correspondant. Ce signal de tension est inscrit dans le condensateur 22 à travers le transistor 18 de la diode OLED 14 de la ligne de pixel sélectionnée. Le transistor 20 de commande envoie un courant correspondant à la tension enregistrée à la diode OLED 14, et de ce fait la diode OLED 14 de la ligne sélectionnée 38 émet de la lumière. Le circuit d’alimentation électrique 34 est relié aux pistes conductrices d’alimentation 42 des colonnes de pixel ; il alimente les diodes OLED 14 par l’intermédiaire des pistes conductrices d’alimentation 42 et des transistors 20 de la ligne de pixels sélectionnée. Ce principe d’adressage d’une diode OLED formant un pixel dans une matrice de pixels, connu de WO 2019/193 290 A1 (Microoled), peut être appliqué, de manière également connue en tant que telle, à l’adressage d’une diode OLED formant un sous-pixel dans une matrice de pixels d’un dispositif d’affichage à couleurs, dans lequel chaque pixel comprend une pluralité de sous-pixels (le plus souvent trois ou quatre) de couleurs différentes ; cela sera expliqué ici en relation avec la FIG. 2 qui montrent trois exemples pour la disposition géométrique de ces sous-pixels 51,52,53,54 pour former un pixel 50 capable d’afficher la couleur voulue. Sur ces figures les sous-pixels sont de couleurs rouge 51, bleue 52 et verte 53, et peuvent comprendre, comme sur la figure de droite, en plus un sous-pixel blanc 54 pour augmenter la luminosité du pixel 50. L’arrangement de la figure de gauche est connu sous le sigle « RGB Stripe », c’est le plus répandu. L’arrangement de la figure du milieu est connu sous le sigle « RGB quad », et celui de la droite sous le sigle « RGBW quad ». Le principe d’adressage qui vient d’être décrit en relation avec les FIG. 1 et FIG. 2 est l’un des principes d’adressage qui peuvent être mis en œuvre en relation avec la présente invention. La couleur peut être obtenue par le contrôle de la couleur émise par les couches OLED formant les sous-pixels ou par des filtres colorés qui modifient la couleur blanche de la lumière émise par les sous-pixels, comme cela sera expliqué ci-dessous en relation avec les FIG. 3 , FIG. 4 et FIG. 5 qui montrent de manière schématique des microafficheurs OLED selon l’état de la technique ; elles illustrent le problème que la présente invention cherche à résoudre. Sur la FIG. 3 est montré une vue schématique globale de la structure du dispositif 70 : on distingue le substrat 71 (typiquement de type CMOS, les circuits et composants d’adressage ne sont pas montrés), les électrodes de commande 72,73,74 des sous-pixels séparés par un élément de remplissage (« gap-fill ») 75, l’empilement de couches organiques OLED 76 apte à émettre une lumière blanche, la couche d’encapsulation 77, les filtres colorés de couleur bleue 91, rouge 92 et verte 93 formant un pixel 90, la tranche de verre 78 comme couverture protectrice. La taille des sous-pixels est typiquement de l’ordre de 3,5 µm à 5 µm. On note que dans ce dispositif selon l’état de la technique, la couche OLED 76 s’étend sur la totalité de pixels du dispositif. La FIG. 4 montre une vue agrandie d’un dispositif similaire à celui représenté sur la FIG. 3 ; cette vue se limite à un seul pixel 90. Les sous-pixels sont définis, d’une part, par les électrodes 72,73,74 qui permettent leur adressage individuel, et par les filtres colorés correspondants 91,92,93 qui modifient la lumière émise par l’empilement OLED 76 à émission blanche qui s’étend sur toute la surface du dispositif. L’espace entre deux électrodes de commande de sous-pixel voisines 72,73 peut être rempli par un élément de remplissage 75. Ledit empilement OLED 76 comprend ici la couche électroluminescente 80 proprement dite, qui est prise en sandwich entre deux couches de transport de charge 81, 82. Plus précisément, dans un dispositif typique, la couche 81 comprend une couche d’injection et de transport de trous, et la couche 82 une couche d’injection et de transport d’électrons. Mais il est aussi possible d’utiliser un empilement dit « inverse », dans ce cas la couche 82 comprend une couche d’injection et de transport de trous, et la couche 81 une couche d’injection et de transport d’électrons. Les couches 81 et 82 peuvent comprendre respectivement une seule couche qui remplit à la fois les deux fonctions l’injection et transport des charges respectives, ou plusieurs couches, par exemple une couche pour l’injection et une autre pour le transport des charges respectives. Une électrode commune 85 évacue les charges. Ce dispositif selon l’état de la technique présente des courants parasites ; cela est illustré sur la FIG. 4 . En effet, si lors de l’allumage d’un sous-pixel (par exemple 73) le courant principal traverse (marqué par une flèche épaisse) directement la couche OLED dans le sens le plus court (i.e. vertical par rapport au substrat 71), une partie du courant se propage selon d’autres chemins de conduction, dans la mesure où ces chemins de conduction présentent une résistivité suffisamment faible. Ainsi on observe un courant parasite qui se propage dans la couche de transport de charges 81, à savoir dans le plan du substrat, et qui ensuite traverse la couche OLED dans le sous-pixel voisin 72 ou 73. Ce courant parasite est marqué sur la FIG. 4 par deux flèches pointillées. Il conduit à une émission lumineuse parasite dans les sous-pixels voisins, qui modifie la résolution d’image de l’afficheur et diminue la fidélité de sa couleur. La présente invention cherche à fournir un moyen pour diminuer ce courant parasite. La FIG. 5 montre un autre dispositif de type connu dans lequel la couleur d’un pixel 90 n’est pas générée, comme dans les dispositifs de la FIG. 4 et de la FIG. 5 , par un élément OLED à émission blanche assorti à des filtres colorés pour chacun des trois sous-pixels, mais par des trois sous-pixels dotés de couches électroluminescentes 95,96,97 qui émettent directement en rouge, bleu et vert. Dans ce mode de réalisation, chaque sous-pixel 95,96,97 dispose de sa propre électrode d’adressage 98a,b,c, mais la première couche d’injection et de transport de charges 83 (par exemple des trous), et/ou la deuxième couche d’injection et de transport de charges (par exemple d’électrons) 84 et l’électrode commune 99 sont communes pour simplifier la fabrication dispositif. Le problème des courants parasites est le même que celui décrit en relation avec la FIG. 4 ; la contribution de la première couche d’injection et de transport de charges (par exemple de trous) 81 est prépondérante dans ces courants parasites. En termes d’efficacité lumineuse, le dispositif de la FIG. 5 est significativement meilleur que celui de la FIG. 3 . En revanche, sa fabrication industrielle peut s’avérer assez difficile, dans la mesure où les matériaux organiques qui constituent un dispositif OLED sont en général déposés par un procédé d’évaporation thermique sous vide. Pour générer des sous-pixels de couleur différente, comme dans le dispositif de la FIG. 5 , on utilise un pochoir (appelé « shadow mask » en anglais) qui est placé proche du substrat sur lequel on veut réaliser le dispositif OLED et qui a des ouvertures qui correspondent à la position d’un premier type de sous pixel pendant la réalisation du dépôt d’un premier type d’empilement de couches, par exemple pour un OLED rouge. Ensuite on répète l’opération pour un deuxième type d’empilement, par exemple pour un OLED vert, en utilisant un deuxième pochoir ayant des ouvertures qui correspondent à la position du deuxième type de sous-pixel. Ensuite on peut effectuer une troisième opération de ce type afin de réaliser un troisième type de sous pixel, par exemple avec un OLED bleu, à l’aide d’un troisième pochoir. Cette méthode ne permet pas de produire des sous-pixels de taille inférieure à environ 20 µm avec un procédé suffisamment fiable, sachant que pour les micro-écrans on aurait besoin d’une taille de sous-pixel de l’ordre de 2 µm à 5 µm. Dans le domaine du semi-conducteur, des structures de cette taille sont réalisées par des méthodes de photolithographie et de gravure, mais comme les matériaux organiques utilisés dans des dispositifs OLED sont extrêmement sensibles entre autres à l’eau et à l’oxygène, les procédés de photolithographie ne peuvent pas être utilisés tels quels pour structurer ces matériaux organiques. On observe que lorsque l’on essaie de transposer les méthodes de photolithographie et de gravure connues du domaine des semi-conducteurs à la fabrication de micro-afficheurs OLED, l’empilement OLED est attaqué latéralement, c’est-à-dire dans sa tranche qui n’est pas protégée, lors des opérations de gravure. Cette attaque conduit à une dégradation localisée de l’empilement OLED, qui risque de se propager latéralement. Dans un cas favorable, cela va simplement réduire la surface émissive du sous-pixel (ce qui n’est déjà pas souhaitable, à plus forte raison que cette propagation est un processus évolutif, et toute diminution de la surface émissive va conduire à une augmentation de la densité de courant du dispositif pour compenser la perte de luminance, ce qui va diminuer la durée de vie opérationnelle du dispositif). Dans un cas défavorable, cela finit par détruire complètement le sous-pixel, qui apparait alors comme un point noir. Selon une caractéristique essentielle de la présente invention, les tranches et bords des zones émettrices élémentaires (sous-pixels) sont protégés de tous les côtés. Le point de départ de l’invention est le dispositif de la FIG. 5 du document WO 2019/193290, qui est reproduite ici sur la FIG. 6 , avec des repères numériques ajustés. Cette figure montre un pixel 113 d’un dispositif afficheur OLED 100 déposé sur un substrat 110 (typiquement de type CMOS) avec trois sous-pixels 101a,101b,101c dont chacun est commandé par une électrode de commande 102a,102b,102c individuelle. L’empilement OLED blanc 105, qui est commun à l’ensemble des pixels de l’écran en question, est séparé entre deux sous-pixels voisins 101a, 101b ; 101b, 101c ; 101c, 101a par un séparateur 104 qui occupe l’espace naturel 111 (appelé aussi le « gap ») entre les électrodes 102a,102b ; 102b,102c ; 102c, 102a de deux sous-pixels 101a,101b ; 101b,101c ; 101c, 101a voisins. Ce séparateur 104, qui se présente comme une tranchée, comprend un élément de remplissage 123 à surface isolante. L’élément de remplissage 123 présente un rebord 112 qui s’étend sur une petite partie de l’électrode de commande 102, formant la bordure de cette dernière. L’électrode conforme 107 est commune à tous les sous-pixels, tout comme la couche d’injection supérieure 106, cette dernière étant optionnelle. Cette structure de l’état de la technique résout de manière très satisfaisante le problème de la diaphonie, mais dans la mesure où elle utilise des zones émettrices élémentaires (sous-pixels) 101a,101b,101c avec le même empilement OLED d’émission blanche pour former un pixel 113, dont la lumière traverse des filtres colorés 109 (aménagés sous la forme d’une plaque qui est posée sur une couche de lissage 108) afin de générer de couleurs élémentaires R, G et B en sortie du dispositif 100, elle ne résout pas le problème de fournir un dispositif très efficace et très lumineux. On voudrait pouvoir fabriquer un dispositif de structure similaire, mais sans filtres colorés et avec des empilements OLED émettant une couleur différente pour chaque groupe de sous-pixels, par exemple les trois couleurs élémentaires rouge, bleu et vert. On voudrait pouvoir fabriquer ce dispositif sous la forme d’un micro-afficheur avec une taille des zones émettrices élémentaires inférieure à 20 µm, de préférence inférieure à 5 µm, et encore plus préférentiellement comprise entre environ 1 µm et environ 5 µm. Pour atteindre cet objectif il fallait inventer un nouveau procédé de fabrication d’un micro-afficheur ; les inventeurs de la présente demande y sont parvenus. On va maintenant expliquer le dispositif selon l’invention, qui sera décrit par sa structure, par son procédé de fabrication, et à différents stades de sa fabrication. Ce dispositif, tel qu’il est représenté ici, comprend trois groupes de zones émettrices élémentaires (sous-pixel). La FIG. 7 montre une vue du haut (top-view) d’un produit intermédiaire selon l’invention, fabriqué en utilisant des étapes du procédé selon l’invention. La structure du substrat avec ses différentes couches structurées déposées est montrée de manière schématique sur deux figures qui représentent le même produit intermédiaire de la FIG. 7 , et qui montrent de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, à savoir la FIG. 8 qui représente une coupe dans un plan z-x selon la ligne A-A indiquée sur la FIG. 7 , et la FIG. 9 qui représente une coupe dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 . Ce produit intermédiaire comprend un substrat 210 (qui comprend typiquement des circuits d’adressage de type matrice active, réalises selon la technologie TFT ou CMOS, bien connues de l‘homme du métier), et des électrodes 202a,202b,202c de sous-pixels séparés par un espace naturel 211 (« gap ») qui présente la forme d’une tranchée. Dans cette tranchée, une couche isolante 223 est déposé par une méthode de dépôt conforme, c’est-à-dire une méthode qui recouvre l’ensemble de la surface, qu’elle soit horizontale, verticale ou en surplomb. A cette fin on peut utiliser la technique de dépôt atomique (Atomic Layer Deposition, ALD) ou la technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le matériau de cette couche d’isolation est avantageusement sélectionné dans le groupe formé par Si 3 N 4 , SiO 2 et Al 2 O 3 . Parmi ces trois matériaux on préfère le Al 2 O 3 . Ladite couche isolante 223 couvre au moins les surfaces verticales des électrodes 202 et typiquement les surfaces de toute l’espace 211 naturel entre les électrodes 202. Dans un mode de réalisation avantageux elle recouvre légèrement aussi le bord du pixel (c’est-à-dire la surface horizontale supérieure) des électrodes 202, formant ainsi un rebord 212 sur l’électrode de commande 202. Comme cela est visible sur la FIG. 7 et sur la FIG. 9 , l’espace naturel (tranchée) 211 entre les électrodes 202 est rempli par un élément de remplissage 203 à surface isolante, mais uniquement l’espace horizontal (i.e. selon un axe x) entre deux sous-pixels. L’espace vertical (i.e. selon un axe y) entre deux sous-pixels ne contient pas d’élément de remplissage et forme une tranchée qui va de haut jusqu’en bas de la matrice formée par l’ensemble des (sous-)pixels. La surface dudit élément de remplissage 203 consiste typiquement en un photoresist ou un matériau diélectrique tel que le SiO 2 , Si 3 N 4 ou autre ; alternativement ledit élément de remplissage 203 tout entier consiste en un tel matériau diélectrique. A l’instar de la couche isolante 223, l’élément de remplissage 203 peut présenter un rebord 213 sur l’électrode de commande 202, pour les mêmes raisons. Comme cela est visible sur la FIG. 7 , le substrat comprend également des barres de connexion 217 en haut en bas de la matrice, sous la forme de lignes métalliques horizontales (bus bar), pour la connexion de l’électrode supérieure du dispositif d’affichage OLED, comme cela sera expliqué ci-dessous en relation avec la FIG. 12 . Cette structure de substrat permet de créer par la suite des îlots 225 de zones émettrices élémentaires OLED qui sont complètement isolés et encapsulés ; un tel îlot 225 est représenté sur la FIG. 10 par la boite aux contours pointillés. Sur la FIG. 7 ces îlots présentent une forme de colonne verticale qui traverse la zone active de haut en bas, comme cela ressort également de la comparaison entre la FIG. 10 et la FIG. 11 ; ces deux figures seront expliquées ci-dessous. La fonction de l’élément de remplissage 203 est ici d’assurer la continuité de l’électrode supérieure 207 le long de la colonne verticale (y). On se réfère maintenant à la FIG. 10 et à la FIG. 11 , qui montrent toutes les deux le même dispositif au même stade intermédiaire de fabrication. A l’instar des FIG. 8 et FIG. 9 , la FIG. 10 représente une coupe dans un plan z-x selon la ligne A-A indiquée sur la FIG. 7 , et la FIG. 11 représente une coupe dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 . En revanche, les FIG. 10 et FIG. 11 représentent un stade de fabrication plus avancé que celui représenté sur la FIG. 7 , à savoir un stade de fabrication qui suit celui des FIG. 8 et FIG. 9 . Comme cela est montré sur la FIG. 10 , on dépose d’abord un premier empilement des couches organiques 205a qui forme l’empilement OLED (i.e. une diode OLED capable d’émettre de la lumière), typiquement par la méthode d’évaporation thermique ; cette technique pour déposer les couches d’un empilement OLED forme actuellement le standard dans l’industrie des dispositifs OLED. Il s’agit d’un dépôt directif, c’est-à-dire les couches vont se former principalement sur les surfaces horizontales, mais pas sur les surfaces verticales, comme indiqué dans la FIG. 10 . L’empilement OLED 205a est complété par une électrode supérieure 207a qui doit être transparente. Comme cela ressort de la comparaison entre la FIG. 10 et la FIG. 11 , l’électrode supérieure 207a est commune pour chaque groupe de sous-pixels dans une colonne. Comme mentionné ci-dessus, les couches organiques qui forment un empilement OLED sont très sensibles notamment à l’eau et à l’oxygène, et il faut les protéger contre ces molécules. A cette fin, on dépose sur l’empilement OLED 205a une couche d’encapsulation 290a du sous-pixel 201a qui couvre la topographie entière du dispositif, notamment à la fois les surfaces horizontales et verticales. Elle consiste typiquement en une fine couche d’un matériau isolant transparent. Son épaisseur est avantageusement comprise entre environ 10 nm et environ 30 nm. Son matériau est de préférence sélectionné dans le groupe formé par Si 3 N 4 , SiO 2 et Al 2 O 3 . Ces matériaux présentent l’avantage de bien résister à l’étape de la gravure destinée à enlever l’empilement OLED ; cette gravure pouvant être réalisée par un plasma d’oxygène. Cette couche d’encapsulation 290a du sous-pixel 201a est avantageusement déposée par une méthode de dépôt conforme telle que PECVD ou ALD. On obtient ainsi un espace hermétiquement isolé autour du dispositif OLED de l’ensemble des sous-pixels dans chaque colonne 225a, 225b, 225c (appelé ici aussi « îlot ») ; ces sous-pixels appartiennent au même groupe de sous-pixels (par exemple au groupe des sous-pixels rouge ou au groupe des sous-pixels bleus). Afin de connecter l’électrode supérieure 207a à la barre de connexion 217 (appelée aussi « busbar »), le dépôt des matériaux organiques de l’empilement OLED 205 ne devrait pas dépasser trop sur les barres de connexion 217, et le dépôt de la couche d’électrode 207 doit couvrir au moins partiellement les barres de connexion 217. La FIG. 12 montre une vue d’en haut sur le substrat après le dépôt de la couche 207. Ce dispositif intermédiaire présente plusieurs avantages et améliorations par rapport à l’état de la technique. Premièrement, il permet une excellente isolation électrique des couches OLED entre sous-pixels voisins, et conduit donc à une réduction de la diaphonie qui est de de même qualité que celle décrite dans WO 2019/193290. Deuxièmement, la structure des couches organiques de l’empilement OLED sous forme d’îlots hermétiquement isolés améliore la fiabilité du dispositif. Notamment, un défaut ponctuel (par exemple une rentrée d’eau à travers un trou d’aiguille (pinhole) dans la couche d’encapsulation) ne peut pas se propager plus loin que la dimension d’un sous-pixel dans la direction horizontale car il sera arrêté par l’espace naturel 211 entre sous-pixels voisin qui a été aménagé en forme de tranchée. Les îlots 225 isolés permettent une structuration de la couche OLED avec des méthodes de photolithographie, ce qui permet de réaliser par exemple le dispositif selon la FIG. 13 et la FIG. 14 . Ledit dispositif est un dispositif innovant par rapport à l’état de la technique, avec trois groupes de sous-pixels 201a,201b,201c dont chacun comporte un empilement OLED différent (rouge 205a, vert 205b et bleu 205c) ; ce dispositif peut être fabriqué avec une résolution spatiale améliorée pouvant atteindre une taille de zone émettrice élémentaire d’une taille inférieure à 5 µm. Ce dispositif présente une matrice à trois groupes de sous-pixel 201a,201b,201c de type RGB, sans filtre coloré, avec une excellente résolution. Dans la pratique industrielle, il s’est avéré que ce procédé est assez complexe, dans la mesure où il comprend différentes étapes de gravure et d’enlèvement de résines photosensibles ; ce procédé est susceptible de fragiliser des couches de l’empilement OLED et du système d’encapsulation. Ainsi on souhaiterait minimiser les séquences d’étapes de stripping de résines (comprenant une séquence de plusieurs étapes individuelles). Par ailleurs, les gravures qui doivent s’arrêter sur la couche d’encapsulation des sous-pixels voisins, sont assez délicates à contrôler, et on souhaiterait les minimiser. La solution que les inventeurs ont trouvé à ce problème conduit à une nouvelle architecture qui, non seulement est plus facile à mettre en œuvre de manière industrielle, mais encore renforce l’efficacité du système d’encapsulation. Cette solution sera expliquée ci-dessous en relation avec les figures 15 à 27. Selon l’invention, on protège dans le dispositif selon FIG. 13 et FIG. 14 chaque sous-pixel 201a,201b,201c par un photoresist 280a,280b,280c, comme cela est illustré dans le plan z-x sur la FIG. 15 . FIG. 16 montre la figure correspondante dans le plan z-y. Selon l’invention, ce photoresist 280a,280b,280c est voué à rester en place dans le dispositif fini, et pour cette raison il doit présenter une bonne transparence optique dans la gamme spectrale du sous-pixel qu’il recouvre. Le procédé selon l’invention, qui sera expliqué ci-dessous en grand détail, présente une solution industrielle à la question de savoir comment on peut arriver à déposer ledit photoresist 280a,280b,280c sur chaque sous-pixel 201a,201b,201c. Le dépôt et la structuration de ce photoresist peut se faire à l’aide de procédés connus de l’homme du métier familier des techniques de fabrication de circuits microélectroniques. Il est possible d’adapter le type de résine utilisée à la couleur d’émission du sous-pixel, afin de minimiser l’absorption optique par la couche de photoresist. On peut utiliser par exemple des résines photoresist de type SU-8 ou de type TELR, qui sont des produits connus. Selon l’invention, cette couche de photoresist 280a,280b,280c agit comme encapsulation du sous-pixel qu’elle recouvre, c’est-à-dire elle le protège contre les molécules qui risquent de dégrader les couches formant l’empilement OLED 205a,205b,205c, ces molécules sont notamment l’oxygène et l’eau, qui sont contenus dans l’air ambiant. Afin de renforcer cette encapsulation, il est avantageux d’ajouter au-dessus du photoresist 280a,208b,280c une couche d’encapsulation 291 dite couche d’encapsulation supplémentaire, de préférence continue (i.e. commune aux sous-pixels formant le pixel), qui est avantageusement une fine couche inorganique, diélectrique et transparente supplémentaire, comme cela est illustré sur la FIG. 17 . Cette couche d’encapsulation supplémentaire 291 peut être en Al 2 O 3 , par exemple. Il est avantageux qu’elle soit déposée par une méthode conforme, car dans ce cas elle recouvre également le flanc du photoresist, comme cela est illustré sur la FIG. 17 . Nous décrivons maintenant un procédé de fabrication selon l’invention d’un dispositif selon l’invention, en partant d’un produit intermédiaire selon la FIG. 18 , comprenant sur un substrat 201 successivement les électrodes 202a,202b,202c, les empilements OLED 205a du premier groupe de zones émettrices élémentaires, les électrodes supérieures 207, et la couche d’encapsulation 290 du sous-pixel. Un premier groupe d’étapes, représenté schématique sur les figures FIG. 18 à FIG. 20 , permet d’aménager sur le produit intermédiaire illustré sur FIG. 18 (qui est identique à celui représenté sur FIG. 10 et FIG. 11 ), un premier photoresist. Dans un premier sous-groupe d’étapes, dont le résultat est représenté schématiquement sur la FIG. 19 , on aménage un premier photoresist 280a sur un premier groupe de zone émettrices élémentaires 201a (sous-pixels) émettant de la lumière d’une première couleur, par exemple rouge. Ce photoresist 280a doit protéger la surface horizontale de la zone émettrice élémentaire 201a, mais aussi son flanc (c’est-à-dire sa surface latérale, qui peut être verticale). Il est structuré selon des méthodes connus. Dans un deuxième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 20 , on procède, sur les zones non protégées par le photoresist 280a, à la gravure de l’empilement formé par (récité du haut vers le bas) la couche d’encapsulation 290a du sous-pixel, l’électrode supérieure 207a, et l’empilement OLED 205a. Le procédé de gravure doit être choisi de manière à ce que la gravure s’arrête à la surface horizontale supérieure des électrodes 202b et 202c. Pour la gravure de la couche d’encapsulation 290 et de l’électrode supérieure 207, on utilise typiquement une gravure humide, par exemple une gravure humide habituellement utilisé en microélectronique, à savoir un décapage avec une solution aqueuse d’hydroxyde de tétraméthylammonium (n° CAS : 75-59-2) à 2,38 % massiques ; un tel produit est commercialement disponible, par exemple auprès de la société ThermoFischer Scientific™ (grade électronique, n° de catalogue 44940). Alternativement, on peut également utiliser une méthode de gravure sèche, par exemple par RIE (Reactive-Ion Etching, gravure réactive ionique) ou IBE (Ion Beam Etching, gravure au faisceau d’ions). La gravure de l’empilement OLED est effectuée typiquement par un plasma d’oxygène. Un deuxième groupe d’étapes, représenté schématique sur les figures FIG. 21 à FIG. 23 , permet d’aménager sur le produit intermédiaire illustré sur FIG. 20 un deuxième photoresist. Dans un premier sous-groupe d’étapes, dont le résultat est représenté schématiquement sur la FIG. 21 , on dépose sur ce substrat 210 successivement : (a) un deuxième empilement OLED 205b, déposé avec une technique de dépôt directionnelle ; (b) une électrode supérieure 207b, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour l’électrode supérieure du premier groupe de zones émettrices élémentaires, et (c) une deuxième couche d’encapsulation 290b de sous-pixel, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour la première couche d’encapsulation 290a du premier groupe de zones émettrices élémentaires. On note qu’à l’issue de ce premier sous-groupe d’étapes, l’empilement OLED déposé sur l’électrode 202c du troisième groupe de zones émettrices élémentaires est un empilement OLED du type deuxième empilement OLED 205b. Comme cela sera expliqué ci-dessous, lors des groupes d’étapes ultérieurs, il sera par la suite remplacé par un empilement OLED de type troisième empilement OLED 205c. On note par ailleurs que les zones émettrices élémentaires du premier groupe 201a comportent un empilement dit ici « empilement transitoire » constitue par un empilement OLED 205b de type deuxième empilement OLED, une électrode supérieure 207b et une couche d’encapsulation 290b; cet empilement transitoire sera enlevé par la suite. La couche d’encapsulation 290 couvre notamment les flancs de l’empilement OLED. Elle est désignée ici, en fonction de sa position par rapport au dispositif final, par les repères numériques 290a,290b,290c alors qu’il peut s’agir du même matériau. Elle peut être continue et s’étend alors sur les trois zones d’émission élémentaires 201a,201b,201c. Dans un deuxième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est représenté schématiquement sur la FIG. 22 , on aménage un deuxième photoresist sur le deuxième groupe de zone émettrices élémentaires 202b (sous-pixels), comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes. Dans un troisième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 23 , on procède, sur les zones non protégées par le photoresist, c’est-à-dire à l’endroit des sous-pixels 201a et 201c (visible sur la FIG. 17 ), à la gravure de l’empilement formé par (récité du haut vers le bas) la couche d’encapsulation 290b, l’électrode supérieure 207b, et l’empilement OLED 205b, comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes. A l’issue de ces sous-groupes d’étapes, le premier photoresist 280a ainsi que la surface horizontale supérieure de l’électrode 202c du troisième groupe de zones d’émission élémentaires 201c sont dénudés. Un troisième groupe d’étapes, représenté schématique sur les figures FIG. 24 à FIG. 27 , permet d’aménager sur le produit intermédiaire illustré sur FIG. 23 un troisième photoresist. Dans un premier sous-groupe d’étapes, dont le résultat est représenté schématiquement sur la FIG. 24 , on dépose sur ce substrat 210 successivement : (a) un troisième empilement OLED 205c, déposé avec une technique de dépôt directionnelle ; (b) une électrode supérieure 207c, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour l’électrode supérieure du premier groupe de zones émettrices élémentaires, et (c) une troisième couche d’encapsulation 290c, préférablement avec le même matériau que celui utilisé pour la première et/ou deuxième couche d’encapsulation du premier ou deuxième groupe de zones émettrices élémentaires. Comme expliqué en relation avec le premier groupe d’étapes, la couche d’encapsulation couvre notamment les flancs de l’empilement OLED. Elle est désignée ici, en fonction de sa position par rapport au dispositif final, par les repères numériques 290a,290b,290c alors qu’il peut s’agir du même matériau. Elle peut être continue et s’étend alors sur les trois zones d’émission élémentaires. Dans un deuxième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est représenté schématiquement sur la FIG. 25 , on aménage un troisième photoresist 280c sur le troisième groupe de zones émettrices élémentaires 201c (sous-pixels), comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes. Dans un troisième sous-groupe d’étapes, dont le résultat est illustré sur la FIG. 26 , on procède, sur les zones non protégées par un photoresist, à la gravure de l’empilement formé par (récité du haut vers le bas) la couche d’encapsulation, l’électrode supérieure, et l’empilement OLED, comme cela a été décrit en relation avec le premier groupe d’étapes. A l’issue de ces sous-groupes d’étapes, le premier, deuxième et troisième photoresist sont dénudés. On arrive ainsi au dispositif 200 microafficheur OLED selon l‘invention, qui présente la topographie que celui la FIG. 15 , mais obtenu par un procédé différent qui préserve mieux l’intégrité des empilements OLED ; ce dispositif 200 présente un système d’encapsulation plus efficace que celui de la FIG. 15 . Dans un quatrième sous-groupe d’étapes, qui est optionnel et dont le résultat est illustré sur la FIG. 27 on dépose une couche d’encapsulation supplémentaire 291 sur l’ensemble de la surface supérieure du dispositif. Ce dépôt recouvre le photoresist 280a,280b,280c. Il est avantageusement réalisé avec une technique de dépôt conforme, capable de déposer ladite couche d’encapsulation aussi sur le flanc du photoresist 280a,280b,280c. Le matériau de cette couche d’encapsulation supplémentaire 291 peut être le même que celui des couches d’encapsulation 290a,290b,290c individuelles de chaque sous-pixel, ou il peut s’agir d’un matériau différent. Ladite couche d’encapsulation supplémentaire 291 peut être réalisée en plusieurs couches successives (non montré sur les figures), en utilisant le même matériau ou des matériaux différents. La présente invention peut être réalisée avec plusieurs variantes, qui font toutes partie de l’invention. Selon une première variante, les photoresists 280a,280b,280c peuvent être des filtres colorés, pour améliorer la pureté spectrale de la lumière émise par les zones émettrices élémentaires 201a,201b,201c. En particulier, un tel filtre coloré peut être sélectionné de manière à absorber uniquement la lumière de deuxième ordre émise par l’empilement OLED d’une zone émettrice élémentaire. Une deuxième variante est montrée schématiquement sur les FIG. 28 , FIG. 29 et FIG. 30 . Elle est compatible avec toutes les autres variantes de l’invention. Cette variante concerne le positionnement de la couche isolante 223 par rapport à l’élément de remplissage 203 : on dépose d’abord l’élément de remplissage 203 dans l’espace naturel 211 entre deux électrode 202 voisines appartenant au même groupe de zone émettrices élémentaires, et ensuite la couche isolante 223. Cette variante présente l’avantage d’éviter l’attaque de l’élément de remplissage 203 lors de la gravure des empilements OLED, ce qui est particulièrement avantageux. La FIG. 28 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente une variante du produit intermédiaire de la FIG. 7 ; cette coupe est analogue à celle de la FIG. 9 . Dans cette variante la coupe A-A correspond à la FIG. 8 . FIG. 29 montre de manière schématique une coupe transversale perpendiculaire d’un empilement structuré de couches, représentée dans un plan z-y selon la ligne B-B indiquée sur la FIG. 7 , sur un substrat qui représente une étape postérieure à celle du produit intermédiaire de la FIG. 18 . Dans cette variante, la coupe A-A correspond à la FIG. 10 . Une troisième variante est illustrée sur les FIG. 30 et FIG. 31 : elle est compatible avec toutes les autres variantes de l’invention. Cette variante concerne l’élément de remplissage à surface isolante 203 (appelé aussi « gap fill ») qui remplit l’espace naturel 211 entre deux électrodes du même groupe 202a,202a ; 202b,202b ; 202c, 202c voisines. Comme cela a été dit ci-dessus, l’élément de remplissage 203 présente avantageusement un rebord 213 sur l’électrode de commande 202, et l’épaisseur des électrodes de commande 202 est avantageusement supérieure à celle des empilements OLED 205. Ces épaisseurs, ainsi que celle dudit élément de remplissage 203, sont avantageusement choisies de manière à éviter que sur l’élément de remplissage à surface isolante 203, l’angle alpha par rapport à la surface supérieure horizontale de l’électrode 202 ne dépasse en aucun endroit une valeur X qui est d’environ 40°, de préférence d’environ 30°, plus préférentiellement d’environ 25°, et encore plus préférentiellement d’environ 20°, sachant qu’il peut s’agir d’un angle positif ou négatif. Cette définition de l’angle alpha est clarifiée sur la FIG. 30 sur laquelle, pour deux géométries différentes, on a indiqué l’angle alpha le plus grand. Ainsi, l’élément de remplissage 203 agit comme élément de lissage pour le dépôt de la couche d’électrode commune 207. Cette électrode commune 207 est déposée par une technique de dépôt directionnelle, et cela engendre un risque de discontinuité électrique dans le cas où à un quelconque point sur la surface de l’électrode de commande, l’angle alpha dépasse une valeur d’environ 40° (en positif ou en négatif) par rapport à la surface supérieure horizontale de l’électrode de commande. Cela s’explique par le fait qu’une technique de dépôt directionnelle ne dépose pas la même épaisseur de matière sur une surface horizontale que sur une surface pentue (et ne dépose rien du tout sur une surface verticale). La FIG. 31 montre un dessin schématique d’après une image obtenue par microscopie électronique à balayage d’une section transversale correspondante. Dispositif d’affichage électroluminescent (200) comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat (210), selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires (201a,201b,201c), chacune desdites au moins trois zones émettrices élémentaires appartenant à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, chaque zone d’émission élémentaire (201a,201b,201c) comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques (205a,205b,205c), appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, ledit empilement OLED (205a,205b,205c) étant disposé entre une électrode de commande (202a,202b,202c) et une électrode supérieure (207a,207b,207c) transparente, ladite électrode supérieure (207a,207b,207c) transparente étant traversée par la lumière émise par l’empilement OLED (205a,205b,205c), ledit dispositif d’affichage électroluminescent (200) étant caractérisé en ce que : deux électrodes de commande (202a,202b ; 202b,202c ; 202c, 202a) voisines appartenant à deux zones émettrices élémentaires (201a,201b ; 201b,201c ; 201c,201a) voisines qui appartiennent chacune à un groupe de zones émettrices élémentaires différent sont séparées par un espace (211) formant une tranchée et présentant une couche ou surface isolante (223) qui couvre au moins les flancs verticaux desdites électrodes voisines et les isole électriquement l’une de l’autre, et deux électrodes de commande (202a,202a ; 202b,202b, 202c,202c) voisines appartenant à deux zones émettrices élémentaires (201a,201a ; 201b,201b ; 201c,201c) voisines qui appartiennent chacune au même groupe de zones émettrices élémentaires sont séparées par un espace (211) formant une tranchée, ledit espace étant rempli d’un élément de remplissage (203) qui isole lesdites électrodes de commande voisines électriquement l’une de l’autre et remplit l’espace naturel entre lesdites deux électrodes, dans chaque groupe de zones émettrices élémentaires (201a,201b,201c), l’ensemble de l’empilement OLED avec son électrode supérieure correspondante (205a avec 207a, 205b avec 207b, 205c avec 207c) est séparé des ensembles voisins appartenant à un autre groupe par une couche d’encapsulation (290a,290b,290c) de sous-pixel qui protège ledit empilement OLED sur sa face supérieure et ses flancs latéraux contre l’air ambiant, formant ainsi des ilots (225) protégés, chaque îlot comprenant des ensembles d’empilements OLED d’un même groupe, avec leur électrode supérieure, chaque zone émettrice élémentaire (201a,201b,201c) étant protégée par un photoresist (280a,280b,280c). Dispositif (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu’il comprend une couche d’encapsulation supplémentaire (291) qui recouvre la face supérieure dudit dispositif ainsi que les flancs latéraux des photoresists (280a,280b,280c). Dispostif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ladite couche isolante (223) a été déposée au-dessus dudit élément de remplissage (203). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que lesdites couleurs d’émission sont rouge, bleu et vert. Dispositif selon l’une quelconque des revendication 1 à 4, caractérisé en ce que la largeur dudit espace formant tranchée est comprise entre 0,3 µm et 1,0 µm. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la profondeur dudit espace formant tranchée est comprise entre environ 150 nm et environ 850 nm, et de préférence entre 150 nm et 450 nm. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l’épaisseur desdites électrodes de commande (202a,202b,202c) est comprise entre environ 150 nm et environ 800 nm, et de préférence entre 150 nm et 450 nm. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l’épaisseur desdites électrodes de commande (202a,202b,202c) est supérieure à l’épaisseur des empilements OLED (205a,205b,205c). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que ledit élément de remplissage (203) remplit l’espace naturel entre deux électrodes de commande (202) voisines de manière à ce que ladite électrode supérieure (207) soit sensiblement plane. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le pas des zones émettrices élémentaires est inférieur à environ 20 µm, de préférence inférieur à environ 15 µm, plus préférentiellement inférieur à environ 10 µm, et encore plus préférentiellement compris entre environ 1 µm et environ 5 µm, et en ce que la largeur de l’espace entre des électrodes de commande est inférieur à environ 1 µm, et de préférence compris entre environ 0,3 µm et environ 1,0 µm. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que sur l’élément de remplissage à surface isolante (203), l’angle alpha par rapport à la surface supérieure horizontale de l’électrode (202) ne dépasse en aucun endroit une valeur qui est d’environ 40°, de préférence d’environ 30°, plus préférentiellement d’environ 25°, et encore plus préférentiellement d’environ 20°, sachant qu’il peut s’agir d’un angle positif ou négatif. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu’au moins un des photoresist (280a,280b,280c) est un filtre coloré capable d’atténuer ou d’éliminer les ondes de lumière de deuxième ordre émise par la zone émettrice élémentaire (201a,201b,201c) au-dessus de laquelle il a été déposé. Procédé de fabrication d’un dispositif d’affichage électroluminescent comprenant une matrice de pixels électroluminescents formée d’une pluralité de pixels déposés sur un substrat (210), selon un arrangement matriciel en lignes et en colonnes, chaque pixel étant formé d’au moins trois zones émettrices élémentaires, chacune desdites au moins trois zones émettrices élémentaires appartenant à un groupe de zones émettrices élémentaires différent qui se distingue des zones émettrices élémentaires appartenant à d’autres groupes par sa couleur d’émission, chaque zone d’émission élémentaire comprenant un empilement électroluminescent de couches organiques (205a,205b,205c), appelé « empilement OLED », qui comprend au moins une couche organique émettrice de lumière, dans lequel procédé : on approvisionne un substrat (210) pourvu d’une électrode de commande (202a,202b,202c) pour chaque zone émettrice élémentaire et d’une couche ou surface isolante (223) entre deux électrodes (202a,202b,202c) voisines, et pourvu d’éléments de remplissage (203) entre deux zones émettrices élémentaires voisines appartenant au même groupe de zones émettrices élémentaires, dans un premier groupe d’étapes on dépose d’abord un premier empilement OLED (205a), une électrode supérieure (207a) et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une première couche d’encapsulation (290a) de sous-pixel, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission élémentaires du premier groupe un premier photoresist (280a) qui protège la surface horizontale et le flanc de ladite première couche d’encapsulation (290a) de sous-pixel à l’endroit desdites zones d’émission élémentaires du premier groupe, et on grave les zones non protégées par le photoresist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande (202b et 202c), dans un deuxième groupe d’étapes on dépose sur ledit substrat d’abord un deuxième empilement OLED (205b), une électrode supérieure (207b) et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une deuxième couche d’encapsulation (290b) de sous-pixel, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission du deuxième groupe un deuxième photoresist (280b) qui protège la surface horizontale et le flanc de ladite deuxième couche d’encapsulation (290b) de sous-pixel à l’endroit desdites zones d’émission élémentaires du deuxième groupe, et on grave les zones non protégées par ledit deuxième (290b) photoresist jusqu’à la surface supérieure de l’électrode de commande (202c) pour les zones d’émission élémentaire du troisième groupe, dans un troisième groupe d’étapes on dépose sur ledit substrat d’abord un troisième empilement OLED (205c), une électrode supérieure (207c) et, à l’aide d’une technique de dépôt conforme, une troisième couche d’encapsulation (290c) de sous-pixel, puis on aménage à l’endroit des zones d’émission du troisième groupe un troisième photoresist (280c) qui protège la surface horizontale et le flanc de ladite troisième couche d’encapsulation (290c) de sous-pixel à l’endroit desdites zones d’émission élémentaires du troisième groupe, et on grave les zones non protégées par ledit troisième (280c) photoresist. Procédé selon la revendication 13, dans lequel on dépose, après la dernière étape, une couche d’encapsulation supplémentaire (291) sur tout le substrat. Procédé selon la revendication 13 ou 14, dans lequel toutes les couches d’encapsulation (290a, 290b, 290c) de sous-pixel sont déposées par une technique conforme qui est de préférence la technique ALD.