FR 3146760 A1 20240920 FR 2310030 A 20230922 Un assemblage optoélectronique comprend une carte de circuit imprimé (PCB), un substrat de circuit intégré (CI) monté fonctionnellement sur la PCB, le substrat CI comprenant au moins l’un parmi des éléments actifs et des éléments passifs, un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) monté fonctionnellement sur une première surface du substrat CI, un détecteur optique monté fonctionnellement adjacent au VCSEL sur la première surface du substrat CI, et un composé de moulage formé sur le substrat CI encapsulant une pluralité de côtés du VCSEL et une pluralité de côtés du détecteur optique, dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL est confiné à l’intérieur du substrat CI. ASSEMBLAGE OPTOÉLECTRONIQUE DOMAINE Les modes de réalisation décrits ici concernent le domaine des dispositifs optiques utilisés dans des systèmes optiques et des procédés de fabrication de dispositifs optiques. Plus particulièrement, les modes de réalisation décrits dans la présente invention concernent des assemblages électroniques optiques utilisés dans des dispositifs, des systèmes et des procédés optiques. CONTEXTE Sauf indication contraire, les matériaux décrits dans la présente invention ne sont pas de la technique antérieure aux revendications de la présente demande et ne sont pas admis comme étant de la technique antérieure par inclusion dans la présente section. Les dispositifs optiques existants utilisent des ensembles d’éléments électroniques optiques pour former des assemblages électroniques optiques qui sont produits et exploités de manière inefficace. Actuellement, la production de dispositifs optiques mis en œuvre avec des assemblages électroniques optiques nécessite des systèmes de montage séparés pour les éléments électroniques optiques individuels. Dans certains cas, chacun parmi les éléments électroniques optiques individuels est monté sur son propre substrat, par exemple, un sous-état de circuit intégré (CI), puis les substrats individuels nécessitent l’interfaçage de substrats d’éléments optiques séparés utilisant un substrat de jonction séparé, par exemple, une carte de circuit imprimé (PCB). Cependant, l’utilisation de substrats de montage séparés génère des espacements (espaces) relativement grands entre les éléments électroniques optiques individuels et se traduit par un profil de l’ensemble global, dans les directions verticale et horizontale en raison, par exemple, de tolérances plus grandes dans les techniques de fabrication des PCB et des tracés qui l’accompagnent. En conséquence, des améliorations par rapport aux dispositifs optiques de la technique antérieure utilisant des boîtiers d’éléments électroniques optiques ensemble dans des assemblages électroniques optiques sont souhaitées. L’objet revendiqué dans la présente invention n’est pas limité à des mises en œuvre qui résolvent d’éventuels inconvénients ou qui fonctionnent uniquement dans des environnements tels que ceux décrits ci-dessus. Au contraire, ce contexte n’est fourni que pour illustrer un exemple de domaine technologique dans lequel certaines mises en œuvre décrites ici peuvent être mises en pratique. Ces avantages et d’autres de la présente invention deviendront plus pleinement apparents à partir de la description détaillée de l’invention ci-dessous. RÉSUMÉ Ce résumé est fourni pour présenter une sélection de concepts sous une forme simplifiée qui sont décrits plus en détail ci-dessous dans la description détaillée. Ce résumé n’est pas destiné à identifier les caractéristiques clés ou les caractéristiques essentielles de l’objet revendiqué, ni à être utilisé comme une aide pour déterminer la portée de l’objet revendiqué. Des modes de réalisation concernent un dispositif émetteur-récepteur optique, un procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique et un assemblage optoélectronique. Dans un exemple, un dispositif émetteur-récepteur optique comprend une carte de circuit imprimé (PCB), un substrat de circuit intégré (CI) monté sur la PCB par une première pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB et une première surface de substrat CI, le substrat CI comprenant au moins l’un parmi des éléments actifs et des éléments passifs, un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) monté sur une seconde surface du substrat CI, opposée à la première surface du substrat CI, avec une deuxième pluralité de connecteurs électriques entre eux, et un détecteur optique monté adjacent au VCSEL sur la seconde surface du substrat CI avec une troisième pluralité de connecteurs électriques entre eux, dans lequel le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI et la seconde surface du substrat CI et une pluralité de couches d’interconnexion s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction, et au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL est confiné dans le substrat CI. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, l’au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL confiné dans le substrat CI comprend une pluralité de chemins de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL, chacun étant confiné dans le substrat CI. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, la première pluralité de connexions électriques comprend une pluralité de connexions de puce à effondrement commandé (C4s). Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend des liaisons brasées et la troisième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs sous-jacents au détecteur optique est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs sous-jacents au VCSEL. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, la pluralité de piliers conducteurs comprend du cuivre. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, une largeur de la pluralité de piliers conducteurs est comprise entre environ 40 µm et environ 120 µm. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le rapport entre la pluralité de piliers conducteurs est compris entre environ 30 et environ 120 µm. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, un composé thermiquement conducteur est disposé entre le VCSEL et la seconde surface du substrat CI. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le détecteur optique est séparé du VCSEL par un espace ayant une largeur comprise entre environ 300 et environ 500 µm. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, un composé de moulage s’étend dans l’espace. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le composé de moulage formé sur la seconde surface du substrat CI recouvre une pluralité de côtés du VCSEL et une pluralité de côtés du détecteur optique. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, une surface supérieure du composé de moulage est sous une surface supérieure du VCSEL et une surface supérieure du détecteur optique. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le VCSEL est un VCSEL à émission arrière. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le VCSEL comprend des matériaux III-V. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, le détecteur optique comprend des matériaux InP. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, un sommet du VCSEL et un sommet du détecteur optique sont sensiblement coplanaires. Dans un autre aspect de l’invention, dans le dispositif émetteur-récepteur optique, une distance entre une surface inférieure du VCSEL et la seconde surface du substrat CI est comprise entre environ 50 µm et environ 100 µm. Dans un autre exemple, un procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique comprend le montage d’un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) sur une première surface d’un substrat de circuit intégré (CI) à l’aide d’une première pluralité de connecteurs électriques entre eux, le substrat CI comprenant au moins un parmi des éléments actifs et des éléments passifs, montant un détecteur optique adjacent au VCSEL sur la première surface du substrat CI à l’aide d’une seconde pluralité de connecteurs électriques entre eux, et couvrant une pluralité de côtés du VCSEL et une pluralité de côtés du détecteur optique avec un composé de moulage. Dans un autre aspect de l’invention, le procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique comprend le montage du substrat CI sur une carte de circuit imprimé (PCB) à l’aide d’une troisième pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB et une seconde surface du substrat CI, opposée à la première surface du substrat CI. Dans un autre aspect de l’invention, dans le procédé de fabrication d’un dispositif émetteur-récepteur optique, une surface supérieure du composé de moulage est en dessous d’une surface supérieure du VCSEL et d’une surface supérieure du détecteur optique. Dans un autre aspect de l’invention, dans le procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique, le VCSEL est un VCSEL à émission arrière. Dans un autre aspect de l’invention, dans le procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique, le VCSEL comprend des matériaux III-V. Dans un autre aspect de l’invention, dans le procédé de fabrication du dispositif émetteur-récepteur optique, le détecteur optique comprend des matériaux InP. Dans un autre aspect de l’invention, dans le procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique, un sommet de VCSEL et un sommet de détecteur optique sont sensiblement coplanaires. Dans un autre aspect de l’invention, le procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique, une distance entre une surface inférieure du VCSEL et la seconde surface du substrat CI est comprise environ entre 50 µm et environ 100 µm. Dans un autre aspect de l’invention, dans le procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique, le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs s’étendant verticalement de la première surface du substrat CI à une seconde surface du substrat CI, opposée à la première surface du substrat CI, et une pluralité de couches conductrices s’étendant horizontalement. Dans un autre aspect de l’invention, dans le procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique, au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL est confiné à l’intérieur du substrat CI. Dans un autre aspect de l’invention, le procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique comprend la formation, avant le montage du détecteur optique, d’un composé thermiquement conducteur entre le VCSEL et la première surface du substrat CI. Dans un autre exemple, un assemblage optoélectronique comprend une carte de circuit imprimé (PCB), un substrat de circuit intégré (CI) monté fonctionnellement sur la PCB, le substrat CI comprenant au moins l’un parmi des éléments actifs et des éléments passifs, un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) monté fonctionnellement sur une première surface du substrat CI, un détecteur optique monté fonctionnellement adjacent au VCSEL sur la première surface du substrat CI, et un composé de moulage formé sur le substrat CI encapsulant une pluralité de côtés du VCSEL et une pluralité de côtés du détecteur optique, dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL est confiné à l’intérieur du substrat CI. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI et une seconde surface du substrat CI, et une pluralité de couches d’interconnexion s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, l’au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique et le VCSEL confiné dans le substrat CI est réalisé par la pluralité de piliers conducteurs et la pluralité de couches d’interconnexion. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs sous-jacents au détecteur optique est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs sous-jacents au VCSEL. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, un sommet de VCSEL et un sommet de détecteur optique sont sensiblement coplanaires. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, une première distance entre une surface inférieure du VCSEL et la première surface du substrat CI se situe dans une plage d’environ 50 µm à environ 100 µm. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le substrat CI est monté fonctionnellement sur la PCB par une première pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB et une seconde surface du substrat CI, opposée à la première surface du substrat CI. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, la première pluralité de connexions électriques comprend une pluralité de connexions de puce à effondrement commandé (C4s). Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le VCSEL est monté fonctionnellement sur la première surface du substrat CI par une deuxième pluralité de connecteurs électriques entre eux, dans lequel le détecteur optique est monté fonctionnellement adjacent au VCSEL sur une seconde surface du substrat CI, opposée à la première surface du substrat CI, par une troisième pluralité de connecteurs électriques entre eux. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend des liaisons brasées et la troisième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le détecteur optique est séparé du VCSEL par un espace ayant une largeur dans une plage d’environ 300 µm à environ 500 µm. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le composé de moulage s’étend dans l’espace. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, une surface supérieure du composé de moulage est sous une surface supérieure du VCSEL et une surface supérieure du détecteur optique. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le VCSEL est un VCSEL à émission arrière. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le VCSEL comprend des matériaux III-V. Dans un autre aspect de l’invention, dans l’assemblage optoélectronique, le détecteur optique comprend des matériaux InP. Des caractéristiques et avantages supplémentaires de l’invention seront exposés dans la description qui suit, et seront en partie évidents à partir de la description, ou pourront être appris par la pratique de l’invention. Les caractéristiques et avantages de l’invention peuvent être réalisés et obtenus au moyen des instruments et des combinaisons particulièrement indiqués dans les revendications annexées. Ces caractéristiques et d’autres de la présente invention deviendront plus pleinement apparentes à partir de la description suivante et des revendications annexées, ou pourront être apprises par la pratique de l’invention telle qu’exposée ci-après. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Pour clarifier davantage les avantages et caractéristiques ci-dessus et d’autres de la présente invention, une description plus particulière de l’invention sera rendue en référence à des modes de réalisation spécifiques de celle-ci qui sont illustrés dans les dessins annexés. Il convient de noter que ces dessins ne représentent que des modes de réalisation typiques de l’invention et ne doivent donc pas être considérés comme limitant sa portée. L’invention sera décrite et expliquée avec une spécificité et des détails supplémentaires grâce à l’utilisation des dessins annexés dans lesquels : la est un diagramme en coupe illustrant un exemple de dispositif optoélectronique comprenant un émetteur-récepteur ; et la est une vue agrandie d’un exemple de dispositif optoélectronique comprenant l’émetteur-récepteur. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Il convient de noter que les figures et les descriptions de la présente invention peuvent avoir été simplifiées pour illustrer des éléments qui sont pertinents pour une bonne compréhension des présents modes de réalisation, tout en éliminant, à des fins de clarté, d’autres éléments trouvés dans un dispositif optique, un système utilisant un dispositif optique, et un procédé de fabrication d’un dispositif optique. L’homme du métier reconnaîtra que d’autres éléments peuvent être souhaitables et/ou requis afin de mettre en œuvre les présents modes de réalisation. Cependant, comme ces éléments sont bien connus dans le domaine, et du fait qu’ils ne facilitent pas une meilleure compréhension des présents modes de réalisation, ils ne sont pas abordés dans le présent document. Il convient également de relever que les dessins compris ici ne fournissent que des représentations schématiques des structures actuellement préférées de la présente invention et que les structures tombant dans la portée des présents modes de réalisation peuvent comprendre des structures différentes de celles montrées dans les dessins. On se référera dans ce cas aux dessins dans lesquels des structures similaires sont pourvues de désignations de référence similaires. Comme indiqué précédemment, dans les dispositifs optiques existants utilisant des chemins de communication d’émission et de réception séparées, deux circuits intégrés (CI) sont mis en œuvre, un CI est mis en œuvre pour la génération de lumière et un autre CI est mis en œuvre pour la détection de lumière. En général, un « chemin de signal » typique au niveau du système peut comprendre séquentiellement un CI de transmission, un dispositif de génération de lumière, un capteur optique et un CI de réception. Cependant, de nombreuses applications nécessitent une synchronisation entre le CI de transmission et le CI de réception pour permettre une synchronisation et une communication précises. En conséquence, la performance du système est dégradée par la latence et la synchronisation entre le CI de réception et le CI de transmission. Dans une solution conventionnelle, ce chemin de signal implique la mise en œuvre d’une ou plusieurs tracés au niveau de la PCB, ce qui fait perdre à la fois du temps de traitement et augmente la consommation d’énergie. En conséquence, des améliorations par rapport aux dispositifs optiques de la technique antérieure ayant une synchronisation plus étroite entre les circuits de réception et de transmission sont souhaitées, ce qui se traduit par une latence réduite et des performances améliorées au niveau du système. Comme indiqué précédemment, les procédés existants pour produire des lentilles optiques solides comprenant des matériaux optiques solides. En général, la production de lentilles optiques est limitée par les matériaux et procédés utilisés pour fabriquer des lentilles optiques solides, dans lesquels l’échelle de production ne peut pas être augmentée de manière rentable. À moins que des agencements spécifiques décrits dans la présente invention ne s’excluent mutuellement, les diverses mises en œuvre décrites ici peuvent être combinées en totalité ou en partie pour améliorer la fonctionnalité du système ou pour produire des fonctions complémentaires. De même, des aspects des mises en œuvre peuvent être mis en œuvre dans des agencements autonomes. Ainsi, la description ci-dessus a été donnée à titre d’exemple uniquement et des modifications de détail peuvent être apportées dans le cadre de la présente invention. En ce qui concerne l’utilisation de pratiquement tous les termes au pluriel ou au singulier ici, l’homme du métier peut traduire du pluriel au singulier ou du singulier au pluriel selon le contexte ou l’application. Les diverses permutations singulier/pluriel peuvent être expressément énoncées ici par souci de clarté. Une référence à un élément au singulier n’est pas destinée à signifier « un et un seul » sauf indication contraire, mais plutôt « un ou plusieurs ». De plus, rien de ce qui est divulgué ici n’est destiné au public, qu’une telle divulgation soit ou non explicitement citée dans la description ci-dessus. En général, les termes utilisés ici, et plus particulièrement dans les revendications annexées (comme le corps des revendications annexées), sont généralement destinés à être des termes « ouverts » (par exemple, le terme « comprenant » doit être interprété comme « comprenant, mais sans s’y limiter », le terme « ayant » doit être interprété comme « ayant au moins », le terme « comprend » doit être interprété comme « comprend, mais sans s’y limiter », etc.). De plus, dans les cas où une convention analogue à « au moins l’un de A, B et C, etc. » est utilisé, en général, une telle construction est entendue dans le sens où l’homme du métier comprendrait la convention (par exemple, « un système ayant au moins l’un de A, B et C » comprendrait, mais sans s’y limiter, les systèmes qui comprennent A seul, B seul, C seul, A et B ensemble, A et C ensemble, B et C ensemble, ou A, B et C ensemble, etc.). De plus, une expression présentant deux ou plusieurs termes alternatifs, que ce soit dans la description, les revendications ou les dessins, doit être comprise comme comprenant l’un des termes, l’un parmi les termes ou les deux termes. Par exemple, l’expression « A ou B » sera comprise comme comprenant les possibilités « A » ou « B » ou « A et B ». La présente invention peut être réalisée sous d’autres formes spécifiques sans s’écarter de son esprit ou de ses caractéristiques essentielles. Les modes de réalisation décrits ne doivent être considérés à tous égards qu’à titre illustratif et non limitatif. La portée de l’invention est donc indiquée par les revendications annexées plutôt que par la description précédente. Tous les changements qui entrent dans le sens et la plage d’équivalence des revendications doivent être englobés dans leur portée. La est un schéma en coupe illustrant un exemple de dispositif optoélectronique. Dans la , le dispositif optoélectronique 100 comprend une carte de circuit imprimé (PCB) 110, un substrat de circuit intégré (CI) 120, un dispositif de génération de lumière 130 et un dispositif de détection de lumière 140, dans lequel le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 sont encapsulés dans un composé de moulage optionnel 150. Le dispositif optoélectronique 100 peut être considéré comme un émetteur-récepteur monolithique qui traite à la fois les opérations de commande du dispositif de génération de lumière 130 et les opérations de réception du dispositif de détection de lumière 140. Dans la , la lumière 160a générée par le dispositif de génération de lumière 130 est émise depuis une surface supérieure du dispositif de génération de lumière 130 et réfléchie par le ou les éléments 170. Ensuite, la lumière réfléchie 160 b est reçue par le dispositif de détection de lumière 140. Sur la base de divers paramètres opérationnels associés à la lumière transmise 160a et à la lumière réfléchie reçue 160b, des aspects particuliers des éléments 170 peuvent être caractérisés. Dans certaines mises en œuvre, le dispositif optoélectronique 100 peut être utilisé dans une configuration de détection et de télémétrie par la lumière (LiDAR) en tant que procédé de balayage et de détection à distance qui utilise des impulsions de lumière transmises et réfléchies 160a et 160b pour mesurer des distances (distances variables), ainsi que pour créer des représentations 3D réalistes, précises et rapides d’objets et d’environnements proches. Dans la , le dispositif de génération de lumière 130 peut comprendre un (ou plusieurs) parmi divers dispositifs laser configurés pour produire des types spécifiques de lumière ayant des caractéristiques particulières. Par exemple, le dispositif de génération de lumière 130 peut comprendre un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) ayant une configuration d’émission arrière ou avant. Le dispositif de génération de lumière 130 peut également comprendre un laser à émission latérale. Il est souhaitable que le dispositif de génération de lumière 130 ait des temps de montée extrêmement courts afin de permettre des séquences d’impulsions rapides dans la gamme des nanosecondes et moins. Dans la , le dispositif de détection de lumière 140 peut comprendre un (ou plusieurs) parmi divers dispositifs de détection de lumière différents configurés pour recevoir des types spécifiques de lumière ayant des caractéristiques particulières afin de produire des signaux électriques qui correspondent à la lumière reçue. Par exemple, le dispositif de détection de lumière 140 peut comprendre l’un parmi un dispositif à couplage de charge (CCD) et un capteur à pixels actifs, tel qu’un capteur d’image métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS). Dans certaines mises en œuvre, le dispositif de détection de lumière 140 peut être réalisé à partir de combinaisons de matériaux du groupe III-V, tels que InP, ou peut être un dispositif de détection SiGe. De plus, le dispositif de détection de lumière 140 peut comprendre une diode à avalanche à photon unique (SPAD). Dans certaines mises en œuvre, le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 peuvent être fabriqués à partir de matériaux identiques ou de matériaux différents. Par exemple, l’un ou les deux parmi le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 peuvent être constitués de matériaux à base de Si et/ou de matériaux à base d’InP. La carte PCB 110 est connectée électriquement et mécaniquement au substrat CI 120 par le biais d’un système de connexion de puce et un sous-remplissage prévu entre les (premières) surfaces opposées de la carte PCB 110 et du substrat CI 120. Le substrat CI 120 est généralement composé de silicium et peut comprendre un CI CMOS avec un ou plusieurs composants actifs ou passifs, par exemple, des diodes, des transistors, des condensateurs, des résistances, des micro-dispositifs de commande, des circuits d’alimentation, des circuits de sécurité oculaire, etc., de sorte que le substrat CI 120 peut être appelé substrat CI « actif », « passif » ou combiné 120. De plus, le substrat CI (CI CMOS), comporte des trous d’interconnexion à travers du silicium (TSV), qui permettent des connexions électriques entre le haut et le bas du CI. L’utilisation de TSV minimise la longueur du chemin électrique et thermique du circuit imprimé au dispositif CMOS et au VCSEL et/ou au dispositif de détection. La PCB 110 peut être en plastique, en fibre de verre ou en composite de résine avec des pistes métalliques qui permettent l’interconnexion entre le dispositif optoélectronique 100 et d’autres composants et connexions électriques sur la PCB 110 comme des micro-dispositifs de commande externes, des dispositifs d’alimentation, des signaux d’horloge, des déclencheurs externes, des interfaces, etc. Dans certaines mises en œuvre, le système de connexion de puce peut comprendre une connexion de puce à effondrement commandé (C4) ou une connexion de puce (C2). Par exemple, des billes de soudure 112 et une couche de liaison (sous-remplissage) 114 peuvent être utilisées pour fournir à la fois les connexions électriques et/ou mécaniques entre la PCB 110 et le substrat CI 120. Dans la , le substrat CI 120 comprend une pluralité de chemins conducteurs 122a et 122b entre des surfaces opposées (première et seconde surfaces) du substrat CI 120, généralement appelées TSV. Dans certaines mises en œuvre, la pluralité de chemins conducteurs 122a et 122b peuvent avoir des régions d’extrémité exposées au niveau des première et seconde surfaces opposées du substrat CI 120, et peuvent comprendre des chemins conducteurs qui ne s’étendent à aucune des première et seconde surfaces opposées du substrat CI 120. En particulier, certains parmi les chemins conducteurs 122a et 122b peuvent être mis en œuvre pour interconnecter électriquement des couches de redistribution (couches d’interconnexion) dans le substrat CI 120 sans être exposées au niveau des première et seconde surfaces opposées du substrat CI 120, ou peuvent avoir des régions d’extrémité exposées au niveau d’une seule des première et seconde surfaces opposées du substrat CI 120. Dans certaines mises en œuvre, des piliers conducteurs 132 peuvent être disposés entre le dispositif de génération de lumière 130 et le substrat CI 120. Les piliers conducteurs 132 peuvent comprendre un métal ou un alliage métallique, tel que du cuivre, et peuvent être répartis sous la forme d’un réseau sur le substrat CI 120, ainsi que sur le dispositif de génération de lumière 130 et/ou le dispositif de détection de lumière 140. Chacun des piliers conducteurs 132 peut comprendre un pilier électriquement conducteur 134a et une bosse en cuivre 134b reliés électriquement et mécaniquement par une connexion intermédiaire 136, telle qu’une soudure. La est représentative des piliers conducteurs 132 pour à la fois le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140. Bien que la puisse illustrer que les piliers électriquement conducteurs 134a ont un diamètre supérieur à un diamètre des bosses en cuivre 134b, à la fois les piliers électriquement conducteurs 134a et les bosses en cuivre 134b peuvent avoir des diamètres sensiblement identiques ou différents. L’utilisation de piliers électriquement conducteurs 134a et des bosses en cuivre 134b pour établir les connexions électriques entre le dispositif de génération de lumière 130 et le substrat CI 120 permet de réduire la résistance et les parasites, ce qui accélère le temps de montée et de descente des impulsions électriques et optiques. Dans certaines mises en œuvre, les piliers conducteurs 132 peuvent être répartis dans un premier réseau entre le substrat CI 120 et le dispositif de génération de lumière 130 et dans un second réseau entre le substrat CI 120 et le dispositif de détection de lumière 140. Par exemple, les piliers conducteurs 132 répartis dans le premier réseau et le second réseau peuvent avoir un pas compris entre 30 µm et 120 µm. Dans certaines mises en œuvre, le pas entre les piliers conducteurs 132 dans le premier réseau peut être différent du pas entre les piliers conducteurs 132 dans le second réseau sur la base, en partie, d’un nombre requis de connexions électriques au (entre) dispositif de génération de lumière 130 et au dispositif de détection de lumière 140, ainsi que les connexions électriques nécessaires à la PCB 110. Par exemple, le pas entre les piliers conducteurs 132 dans le second réseau sous-jacent au dispositif de détection de lumière 140 peut être dans une plage de 1 µm à 5 µm, et le pas entre les piliers conducteurs 132 dans le premier réseau sous-jacent au dispositif de génération de lumière 130 peut être dans une plage de 70 µm à 100 µm. En particulier, étant donné que le dispositif de détection de lumière 140 peut comprendre un réseau sensiblement large d’éléments de détection de lumière, un plus grand nombre de piliers conducteurs 132 sous-jacents au dispositif de détection de lumière 140 peut être requis par rapport au nombre de piliers conducteurs 132 nécessaires pour le dispositif de génération de lumière 130. En conséquence, le pas entre les piliers conducteurs 132 sous-jacents au dispositif de détection de lumière 140 peut être inférieur au pas entre les piliers conducteurs 132 sous-jacents au dispositif de génération de lumière 130. Dans certaines mises en œuvre, le pas entre les piliers conducteurs 132 sous-jacents au dispositif de détection de lumière 140 peut être dans une plage de 1 µm à 5 µm et un autre type de technologie d’interconnexion électrique peut devoir être utilisé, par exemple une liaison hybride Cu-Cu ou l’équivalent pour permettre des considérations de pas serré. De plus, le substrat CI 120 peut comprendre une pluralité de couches d’interconnexion conductrices et de couches de redistribution 124a et 124b formées à l’intérieur du substrat CI 120, ainsi que le long des première et seconde surfaces opposées du substrat CI 120. En général, les couches d’interconnexion sont des couches de métallisation à l’intérieur du substrat CI et sont formées dans le cadre du processus de fabrication du substrat CI, par exemple par le biais d’un processus CMOS, tandis que les couches de redistribution sont des routages métalliques ajoutés après le processus de fabrication principal du substrat CI pour simplifier les connexions établies à l’extérieur du substrat CI 120. Cependant, à des fins de simplicité de la présente divulgation, les couches d’interconnexion et les couches de redistribution seront généralement appelées couches de redistribution 124a et 124b et leurs emplacements et interconnexions respectifs, par exemple, à l’intérieur du substrat CI 120 ou sur une surface du substrat CI, donneront suffisamment d’indications sur leur fabrication et leur utilisation à une personne ou à une compétence ordinaire, compte tenu de la suite de la présente divulgation. La pluralité de couches de redistribution conductrices 124a et 124b s’étendent le long d’une direction sensiblement normale à une direction dans laquelle les chemins conducteurs 122a et 122b s’étendent. Ici, les billes de soudure 112 seraient connectées électriquement et mécaniquement aux couches de redistribution conductrices 124a et 124b formées sur la première surface du substrat CI 120. Ici, par exemple, la couche de redistribution conductrice 124a comprend une interconnexion métallique du substrat CI 120, et la couche de redistribution conductrice 124b comprend un routage métallique ajouté au substrat CI 120 lors d’un traitement ultérieur afin de simplifier la connexion à d’autres composants. Les couches de redistribution conductrices 124a et 124b sont configurées pour fournir des chemins de communication électrique entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 et un quelconque élément actif ou passif intégré dans le substrat CI en silicium 120, tels que ceux identifiés ci-dessus, ainsi que pour fournir des chemins de communication électrique entre le dispositif de génération de lumière 130, le dispositif de détection de lumière 140 et la PCB 110. Dans certaines mises en œuvre, les couches de redistribution conductrices 124b peuvent comprendre des couches conductrices qui fournissent des chemins de communication électrique exclusive entre un ou plusieurs parmi le dispositif de génération de lumière 130, le dispositif de détection de lumière 140, ainsi que des éléments actifs et passifs intégrés dans le substrat CI 120. Par exemple, les chemins de communication électrique exclusive peuvent fournir une communication électrique confinée entre le dispositif de génération de lumière 130, le dispositif de détection de lumière 140 et les éléments actifs et passifs intégrés dans le substrat CI 120, sans qu’il soit nécessaire d’inclure la PCB 110 pour aider à faire passer des signaux électriques exclusivement entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140. De plus, certaines parmi les couches de distribution conductrices 124b peuvent fournir des chemins de communication directe entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140, tandis que d’autres parmi les couches de distribution conductrices 124b, telles que celles sur la surface inférieure du substrat CI 120, peuvent fournir une communication entre les éléments actifs et passifs intégrés dans le substrat CI 120 vers l’extérieur du substrat CI 120, par exemple, à travers la PCB 110. Des signaux de puissance et de masse peuvent être fournis directement au dispositif de génération de lumière 130 et au dispositif de détection de lumière 140 par une ou plusieurs des couches de redistribution conductrices 124b. Les couches de redistribution conductrices 124b peuvent fournir des chemins de communication indirecte entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 par des connexions électriques avec certains parmi les chemins conducteurs 122a et 122b qui sont soit intégrés dans le substrat CI 120 (et ne s’étendent pas jusqu’aux surfaces opposées du substrat CI) ou avec certains des chemins conducteurs 122a et 122b qui s’étendent entre les surfaces opposées du substrat CI 120. Dans certaines mises en œuvre, les couches de distribution conductrices 124b ainsi que les chemins conducteurs 122a et 122b assurent la communication directe entre le dispositif de génération de lumière 130, le dispositif de détection de lumière 140 et un quelconque autre élément actif ou passif dans le substrat CI 120 pour fournir un chemin de communication le plus court possible. En conséquence, le bruit parasite peut être réduit en n’ayant pas à utiliser la PCB 110 pour communiquer entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140, et une impédance/des parasites plus faibles permettent des temps de montée et de descente plus rapides des impulsions électriques et optiques. De plus, une zone occupée par le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 (empreinte) est réduite, c’est-à-dire qu’il n’est pas nécessaire d’avoir de la place sur la PCB 110 pour connecter le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140. De plus, la nomenclature des matériaux pour un utilisateur final est réduite par rapport aux configurations conventionnelles, ce qui permet une communication plus rapide entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140. Dans la , le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 sont montés sur la seconde surface du substrat CI 120 avec une pluralité de connexions électriques 132. Dans certaines mises en œuvre, une distance entre une surface inférieure du dispositif de génération de lumière 130 et la (seconde) surface opposée du substrat CI se situe dans une plage de 50 à 100 µm. Ainsi, par rapport aux distances classiques, cette distance réduite permet une résistance moindre et des parasites moindres. Dans certaines mises en œuvre, le dispositif de génération de lumière 130 est monté sur la seconde surface du substrat CI 120 avant que le dispositif de détection de lumière 140 ne soit monté sur la seconde surface du substrat CI 120. Par exemple, le dispositif de génération de lumière 130 est monté sur la seconde surface du substrat CI 120 et les connexions électriques 132 peuvent être formées à l’aide d’un processus de refusion de soudure. Ensuite, le dispositif de détection de lumière 140 peut être monté sur la seconde surface du substrat CI 120 à l’aide d’un processus de prise et de placement mettant en œuvre un processus de liaison directe ou de liaison par fusion. Par exemple, le dispositif de détection de lumière 140 peut être monté sur la seconde surface du substrat CI 120 à l’aide d’un processus de liaison hybride Cu-Cu, dans lequel le dispositif de génération de lumière 130 monté sur la seconde surface du substrat CI 120 n’est pas dégradé. Le brevet américain numéro 11,189,985 décrit la liaison hybride. En particulier, le ou les processus utilisés pour monter le dispositif de détection de lumière 140 sur la seconde surface du substrat CI 120 ne comprennent pas de plages de température qui pourraient éventuellement endommager les connexions électriques précédemment établies entre les interconnexions électriques entre le dispositif de génération de lumière 130 et le substrat CI 120. En utilisant des étapes séparées pour monter le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 sur la seconde surface du substrat CI 120, un intervalle d’espacement 101 formé entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 peut être réduit au minimum. L’espacement 101 peut avoir une distance d comprise entre ~300 µm à ~500 µm. En général, des substrats et/ou des boîtiers séparés sont utilisés pour monter chacun des dispositifs de génération et de détection de lumière sur une PCB. Cependant, en montant à la fois le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 sur un seul substrat, comme sur la seconde surface du substrat CI 120, la distance d’espacement d peut être sensiblement réduite, améliorant ainsi les caractéristiques optiques de la solution d’émetteur-récepteur optique pour certains types d’applications de détection 3D, ainsi que la minimisation du bruit et/ou la réduction des pertes I2R car le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 sont des ordres de grandeur plus proches. Dans la , le composé de moulage 150 est formé sur la seconde surface du substrat CI et recouvre partiellement ou sensiblement les côtés 130a du dispositif de génération de lumière 130 et les côtés 140a du dispositif de détection de lumière 140. De plus, une partie 150a du composé de moulage 150 est formée entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 à l’intérieur de l’espacement 101. En conséquence, la rigidité mécanique entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 peut être augmentée et la stabilité mécanique du dispositif optoélectronique 100 peut être améliorée. Cela représente l’avantage supplémentaire de fixer les emplacements relatifs du dispositif de génération de lumière 130 et du dispositif de détection de lumière 140 au moment de la fabrication du sous-ensemble optique 180, ce qui peut permettre un alignement plus précis, reproductible et stable du dispositif de génération de lumière 130 et du dispositif de détection de lumière 140. De plus, comme illustré à la , le composé de moulage 150 peut être disposé entre une surface inférieure du dispositif de génération de lumière 130 et la seconde surface du substrat CI 120. En conséquence, cela peut en outre fournir une stabilité mécanique entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140, ainsi qu’entre le dispositif de génération de lumière 130 et le substrat CI 120, et améliore encore la stabilité du dispositif optoélectronique 100. Dans certaines mises en œuvre, le dispositif de génération de lumière 130 peut produire de l’énergie thermique sous forme de chaleur pendant le fonctionnement. Par exemple, le dispositif de génération de lumière 130 peut être formé à partir de combinaisons de matériaux III-V, qui ont un coefficient de dilatation thermique (CTE) plus élevé que le substrat CI 120. Par conséquent, un système de gestion thermique peut être mis en œuvre pour empêcher les dommages causés par la chaleur générée pendant le fonctionnement du dispositif de génération de lumière 130. De plus, un système de gestion thermique peut être mis en œuvre pour assurer un fonctionnement correct du dispositif de génération de lumière 130, tel que la prévention des décalages de longueur d’onde et de puissance optique dus aux augmentations de température. Dans certaines mises en œuvre, un matériau à conductivité thermique élevée peut être prévu entre le dispositif de génération de lumière 130 et le substrat CI 120. Par exemple, une fois que les connexions électriques 132 ont été établies entre le dispositif de génération de lumière 130 et le substrat CI 120, et avant le placement du dispositif de détection de lumière 140 et avant que le composé de moulage ne soit formé, le matériau à haute conductivité thermique peut être fourni entre le dispositif de génération de lumière 130 et la seconde surface du substrat CI 120 et pour s’étendre entre les piliers électriquement conducteurs 134 du dispositif de génération de lumière 130 et les piliers électriquement conducteurs 122 du substrat CI 120. Par conséquent, la chaleur générée pendant le fonctionnement du dispositif de génération de lumière 130 peut être transmise à travers le substrat CI 120, ainsi que le composé de moulage 150. Dans la , une surface supérieure du composé de moulage 150 est illustrée comme étant sous les surfaces supérieures du dispositif de génération de lumière 130 et du dispositif de détection de lumière 140. Bien que cela ne soit pas représenté, une couche de protection peut être prévue recouvrant les surfaces supérieures du dispositif de génération de lumière 130 et du dispositif de détection de lumière 140, telle qu’une couche de SiN. De plus, des éléments optiques, par exemple un filtre de diffusion et/ou des éléments de focalisation, peuvent être prévus au-dessus du dispositif de génération de lumière 130, ainsi qu’au-dessus du dispositif de détection de lumière 140. Dans la , les surfaces supérieures du dispositif de génération de lumière 130 et du dispositif de détection de lumière 140 peuvent être représentées comme étant sensiblement coplanaires. Certains modes de réalisation peuvent bénéficier du fait que les surfaces supérieures sont sensiblement coplanaires. Cependant, les surfaces supérieures du dispositif de génération de lumière 130 et du dispositif de détection de lumière 140 peuvent ne pas être sensiblement coplanaires et peuvent être mutuellement décalées. Suite aux configurations représentées sur les et 1B, une synchronisation plus étroite entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 est obtenue. En particulier, en fournissant une configuration dans laquelle la communication entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection de lumière 140 est mise en œuvre sans utiliser la PCB 110, ou une dépendance réduite à celle-ci pour les connexions électriques, la latence est réduite et les performances au niveau du système sont améliorées. La structure globale de l’assemblage/dispositif optoélectronique représentée sur les et 1B permet une synchronisation plus étroite entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection optique 140 étant donné que les chemins de signal sont raccourcis entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection optique 140, par rapport à un système conventionnel avec une puce de génération de lumière discrète et une puce de réception de lumière discrète montée sur une carte de circuit imprimé (PCB). La structure globale permet également une distance beaucoup plus petite entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection optique 140 qu’un système conventionnel avec la source de lumière et le dispositif de détection de lumière emballés séparément. Dans les et 1B, la distance minimale est limitée par des règles de conception de processus à l’échelle de la puce (de l’ordre de quelques centaines de microns) plutôt que par des règles de conception de circuits imprimés (de l’ordre de quelques millimètres) La structure globale présente des avantages systémiques liés à la fois des caractéristiques fonctionnelles optiques et électriques améliorées par rapport à une distance de séparation entre le dispositif de génération de lumière 130 et le dispositif de détection optique 140. À moins que des agencements spécifiques décrits ici ne s’excluent mutuellement, les diverses mises en œuvre décrites ici peuvent être combinées en totalité ou en partie pour améliorer la fonctionnalité du système ou pour produire des fonctions complémentaires. De même, des aspects des mises en œuvre peuvent être mis en œuvre dans des agencements autonomes. Ainsi, la description ci-dessus a été donnée à titre d’exemple uniquement et des modifications de détail peuvent être apportées dans le cadre de la présente invention. En ce qui concerne l’utilisation de pratiquement tous les termes au pluriel ou au singulier ici, l’homme du métier peut traduire du pluriel au singulier ou du singulier au pluriel selon le contexte ou l’application. Les diverses permutations singulier/pluriel peuvent être expressément énoncées ici par souci de clarté. Une référence à un élément au singulier n’est pas destinée à signifier « un et un seul » sauf indication contraire, mais plutôt « un ou plusieurs ». De plus, rien de ce qui est divulgué ici n’est destiné à être dédié au public, qu’une telle divulgation soit ou non explicitement citée dans la description ci-dessus. En général, les termes utilisés ici, et plus particulièrement dans les revendications annexées (comme le corps des revendications annexées), sont généralement destinés à être des termes « ouverts » (par exemple, le terme « comprenant » doit être interprété comme « comprenant, mais sans s’y limiter », le terme « ayant » doit être interprété comme « ayant au moins », le terme « comprend » doit être interprété comme « comprend, mais sans s’y limiter », etc.). De plus, dans les cas où une convention analogue à « au moins l’un de A, B et C, etc. » est utilisé, en général, une telle construction est entendue dans le sens où l’homme du métier comprendrait la convention (par exemple, « un système ayant au moins l’un de A, B et C » comprend, mais sans s’y limiter, les systèmes qui comprennent A seul, B seul, C seul, A et B ensemble, A et C ensemble, B et C ensemble, ou A, B et C ensemble, etc.). De plus, une expression présentant deux ou plusieurs termes alternatifs, que ce soit dans la description, les revendications ou les dessins, doit être comprise comme comprenant l’un des termes, l’un parmi les termes ou les deux termes. Par exemple, l’expression « A ou B » sera comprise comme comprenant les possibilités « A » ou « B » ou « A et B ». La présente invention peut être réalisée sous d’autres formes spécifiques sans s’écarter de son esprit ou de ses caractéristiques essentielles. Les modes de réalisation décrits ne doivent être considérés à tous égards qu’à titre illustratif et non limitatif. La portée de l’invention est donc indiquée par les revendications annexées plutôt que par la description précédente. Tous les changements qui entrent dans le sens et la plage d’équivalence des revendications doivent être englobés dans leur portée. Dispositif émetteur-récepteur optique, comprenant : une carte de circuit imprimé (PCB) (110) ; un substrat de circuit intégré (CI) (120) monté sur la PCB (110) par une première pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB (110) et une première surface du substrat CI (120), le substrat CI (120) comprenant au moins un parmi des éléments actifs et des éléments passifs ; un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) (130) monté sur une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI, avec une deuxième pluralité de connecteurs électriques entre eux ; et un détecteur optique (140) monté adjacent au VCSEL (130) sur la seconde surface du substrat CI (120) avec une troisième pluralité de connecteurs électriques entre eux ; dans lequel le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs (132) s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI (120) et une seconde surface du substrat CI (120), et une pluralité de couches d’interconnexion (124a, 124b) s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction, et dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) est confiné à l’intérieur du substrat CI (120). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel l’au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) confiné dans le substrat CI (120) comprend une pluralité de chemins de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130), chacun étant confiné dans le substrat CI (120). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel la première pluralité de connexions électriques comprend une pluralité de connexions de puce à effondrement commandé (C4s). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend des liaisons brasées et la troisième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au détecteur optique (140) est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au VCSEL (130). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel la pluralité de piliers conducteurs (132) comprend du cuivre. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel une largeur de la pluralité de piliers conducteurs (132) est comprise entre environ 40 µm et environ 120 µm. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 7, dans lequel un pas entre la pluralité de piliers conducteurs (132) est compris entre environ 30 et environ 120 µm. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, comprenant également un composé thermiquement conducteur disposé entre le VCSEL (130) et la seconde surface du substrat CI (120). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel le détecteur optique (140) est séparé du VCSEL (130) par un espace ayant une largeur comprise entre environ 300 et environ 500 µm. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 10, comprenant également un composé de moulage (150) qui s’étend dans l’espace. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 11, dans lequel le composé de moulage (150) formé sur la seconde surface du substrat CI (120) recouvre une pluralité de côtés du VCSEL (130) et une pluralité de côtés du détecteur optique (140). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 12, dans lequel une surface supérieure du composé de moulage (150) est en dessous d’une surface supérieure du VCSEL (130) et d’une surface supérieure du détecteur optique (140). Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel le VCSEL (130) est un VCSEL à émission arrière. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel le VCSEL (130) comprend des matériaux III-V. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel le détecteur optique (140) comprend des matériaux InP. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel un sommet de VCSEL (130) et un sommet de détecteur optique (140) sont sensiblement coplanaires. Dispositif émetteur-récepteur optique selon la revendication 1, dans lequel une distance entre une surface inférieure du VCSEL (130) et la seconde surface du substrat CI (120) est comprise entre environ 50 µm à environ 100 µm. Procédé de fabrication d’un émetteur-récepteur optique, comprenant : le montage d’un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) (130) sur une première surface d’un substrat de circuit intégré (CI) (120) à l’aide d’une première pluralité de connecteurs électriques entre eux, le substrat CI (120) comprenant au moins un parmi des éléments actifs et des éléments passifs ; le montage d’un détecteur optique (140) adjacent au VCSEL (130) sur la première surface du substrat CI (120) à l’aide d’une deuxième pluralité de connecteurs électriques entre eux, et dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) est confiné à l’intérieur du substrat CI (120) ; et la couverture d’une pluralité de côtés du VCSEL (130) et d’une pluralité de côtés du détecteur optique (140) avec un composé de moulage (150). Procédé selon la revendication 19, comprenant également le montage du substrat CI (120) sur une carte de circuit imprimé (PCB) (110) à l’aide d’une troisième pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB (110) et une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI (120). Procédé selon la revendication 19, dans lequel le détecteur optique (140) est séparé du VCSEL (130) par un espace ayant une largeur comprise entre ~300 µm et ~500 µm. Procédé selon la revendication 21, dans lequel le composé de moulage (150) s’étend dans l’espace. Procédé selon la revendication 19, dans lequel la première pluralité de connecteurs électriques comprend un processus de refusion de soudure et la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu. Procédé selon la revendication 19, dans lequel le substrat CI comprend une pluralité de piliers conducteurs (132) s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI et une seconde surface du substrat CI, et une pluralité de couches d’interconnexion (124a, 124b) s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction. Procédé selon la revendication 24, dans lequel un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au détecteur optique (140) est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au VCSEL (130). Procédé selon la revendication 19, dans lequel une surface supérieure du composé de moulage (150) est en dessous d’une surface supérieure du VCSEL (130) et d’une surface supérieure du détecteur optique (140). Procédé selon la revendication 19, dans lequel le VCSEL (130) est un VCSEL à émission arrière. Procédé selon la revendication 19, dans lequel le VCSEL (130) comprend des matériaux III-V. Procédé selon la revendication 19, dans lequel le détecteur optique (140) comprend des matériaux InP. Procédé selon la revendication 19, dans lequel un sommet de VCSEL (130) et un sommet de détecteur optique (140) sont sensiblement coplanaires. Procédé selon la revendication 19, dans lequel une distance entre une surface inférieure du VCSEL (130) et la première surface du substrat CI (120) est comprise entre environ 50 µm et environ 100 µm. Procédé selon la revendication 19, dans lequel un substrat CI (120) comprend une pluralité de piliers conducteurs (132) s’étendant verticalement de la première surface du substrat CI (120) à une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI (120), et une pluralité de couches conductrices s’étendant horizontalement. Procédé selon la revendication 32, dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) est confiné à l’intérieur du substrat CI (120). Procédé selon la revendication 19, comprenant également la formation, avant le montage du détecteur optique (140), d’un composé thermiquement conducteur entre le VCSEL (130) et la première surface du substrat CI (120). Assemblage optoélectronique comprenant : une carte de circuit imprimé (PCB) (110) ; un substrat de circuit intégré (CI) (120) monté fonctionnellement sur la PCB (110), le substrat CI (120) comprenant au moins l’un parmi des éléments actifs et des éléments passifs ; un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) (130) monté fonctionnellement sur une première surface du substrat CI (120) ; un détecteur optique (140) monté fonctionnellement adjacent au VCSEL (130) sur la première surface du substrat CI (120) ; et un composé de moulage (150) formé sur le substrat CI (120) encapsulant une pluralité de côtés du VCSEL (130) et une pluralité de côtés du détecteur optique (140), dans lequel au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (120) est confiné à l’intérieur du substrat CI (120). Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le substrat CI (120) comprend : une pluralité de piliers conducteurs (132) s’étendant le long d’une première direction entre la première surface du substrat CI (120) et une seconde surface du substrat CI (120), et une pluralité de couches d’interconnexion (124a, 124b) s’étendant le long d’une seconde direction sensiblement normale à la première direction. Assemblage optoélectronique selon la revendication 36, dans lequel l’au moins un chemin de communication électrique entre le détecteur optique (140) et le VCSEL (130) confiné dans le substrat CI (120) est réalisé par la pluralité de piliers conducteurs (132) et la pluralité de couches d’interconnexion (124a, 124b). Assemblage optoélectronique selon la revendication 36, dans lequel un premier pas entre un premier groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au détecteur optique (140) est inférieur à un second pas entre un second groupe de la pluralité de piliers conducteurs (132) sous-jacents au VCSEL (130). Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel un sommet du VCSEL (130) et un sommet du détecteur optique (140) sont sensiblement coplanaires. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel une première distance entre une surface inférieure du VCSEL (130) et la première surface du substrat CI (120) est comprise entre environ 50 µm et environ 100 µm. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le substrat CI (120) est monté fonctionnellement sur la PCB (110) par une première pluralité de connexions électriques disposées entre une première surface de la PCB (110) et une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI (120). Assemblage optoélectronique selon la revendication 41, dans lequel la première pluralité de connexions électriques comprend une pluralité de connexions de puce à effondrement commandé (C4s). Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le VCSEL (130) est monté fonctionnellement sur la première surface du substrat CI (120) par une seconde pluralité de connecteurs électriques entre eux, et dans lequel le détecteur optique (140) est monté fonctionnellement adjacent au VCSEL (132) sur une seconde surface du substrat CI (120), opposée à la première surface du substrat CI (120), par une troisième pluralité de connecteurs électriques entre eux. Assemblage optoélectronique selon la revendication 43, dans lequel la deuxième pluralité de connecteurs électriques comprend des liaisons brasées et la troisième pluralité de connecteurs électriques comprend une liaison hybride Cu-Cu. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le détecteur optique (140) est séparé du VCSEL (130) par un espace ayant une largeur comprise entre ~300 µm et ~500 µm. Assemblage optoélectronique selon la revendication 45, dans lequel le composé de moulage (150) s’étend dans l’espace. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel une surface supérieure du composé de moulage (150) est en dessous d’une surface supérieure du VCSEL (130) et d’une surface supérieure du détecteur optique (140). Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le VCSEL (130) est un VCSEL à émission arrière. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le VCSEL (130) comprend des matériaux III-V. Assemblage optoélectronique selon la revendication 35, dans lequel le détecteur optique (140) comprend des matériaux InP.