FR 3153691 A1 20250404 FR 2310461 A 20230929 Dispositif optoélectronique La présente description concerne un dispositif comprenant au moins un ensemble (10) de pixels, l'ensemble comprenant au moins un premier pixel (14) générant une donnée évènementielle et au moins un deuxième pixel (12) générant une donnée d'intensité lumineuse, chaque premier et deuxième pixel comprenant une portion d'une couche, ladite portion formant une photodiode, le dispositif comprenant en outre une première puce (16) comprenant un premier substrat (20) et un premier réseau d'interconnexion (22), et une deuxième puce (18) comprenant un deuxième substrat (28) et un deuxième réseau d'interconnexion (30), les première et deuxième puces étant fixées l'une à l'autre par les réseaux d'interconnexion, la couche (40) étant située sur une première face du deuxième substrat opposée à une deuxième face du deuxième substrat sur laquelle est situé le réseau d'interconnexion. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif optoélectronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et plus précisément les dispositifs optoélectroniques. Les caméras évènementielles, comme les caméras standards, comprennent une pluralité de pixels, chaque pixel étant configuré pour fournir une valeur correspondant à un emplacement d'une scène observée. Cependant, contrairement à une caméra standard, c’est-à-dire une caméra dont chaque pixel est configuré pour fournir périodiquement une valeur d'intensité lumineuse correspondant à l'emplacement, une caméra évènementielle est configurée pour fournir une information indiquant une modification de l'intensité lumineuse. Les caméras évènementielles sont donc configurées pour fournir une image évènementielle d'une scène. Les caméras standards sont donc configurées pour fournir une image d'intensité lumineuse d'une scène. Ainsi, une caméra standard est une caméra synchrone permettant d'obtenir à une fréquence de trame une succession d'images comprenant autant de valeurs d'intensité que de pixels. Une caméra évènementielle est une caméra synchrone ou asynchrone fournissant, pour chaque pixel, une information indiquant le changement de luminosité de l'emplacement correspondant dans la scène. Lorsque la scène est immobile, une caméra standard continue de fournir, périodiquement, toutes les valeurs d'intensité, alors qu'une caméra évènementielle ne fournit pas de valeur, indiquant l'absence de changement. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant au moins un ensemble de pixels, l'ensemble comprenant au moins un premier pixel générant une donnée évènementielle et au moins un deuxième pixel générant une donnée d'intensité lumineuse, chaque premier et deuxième pixel comprenant une portion d'une couche, ladite portion formant une photodiode, le dispositif comprenant en outre une première puce comprenant un premier substrat et un premier réseau d'interconnexion, et une deuxième puce comprenant un deuxième substrat et un deuxième réseau d'interconnexion, les première et deuxième puces étant fixées l'une à l'autre par les réseaux d'interconnexion, la couche étant située sur une première face du deuxième substrat opposée à une deuxième face du deuxième substrat sur laquelle est situé le réseau d'interconnexion. Selon un mode de réalisation, le dispositif est une caméra évènementielle. Selon un mode de réalisation, la première puce comprend au moins une partie d'un circuit de commande du premier pixel et la deuxième puce comprend le circuit de commande du au moins un deuxième pixel. Selon un mode de réalisation, une partie du circuit de commande du premier pixel est dans la deuxième puce. Selon un mode de réalisation, les première et deuxième puces sont fixées par collage moléculaire. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une pluralité d'ensembles de pixels agencés en matrice. Selon un mode de réalisation, chaque ensemble comprend quatre deuxièmes pixels entourant un premier pixel. Selon un mode de réalisation, chaque ensemble comprend huit deuxièmes pixels entourant un premier pixel. Selon un mode de réalisation, chaque ensemble comprend trois deuxièmes pixels et un premier pixel agencés en matrices. Selon un mode de réalisation, la couche est continue. Selon un mode de réalisation, la couche recouvre entièrement la première face du deuxième substrat. Selon un mode de réalisation, le matériau de la couche est homogène. Selon un mode de réalisation, la couche est en contact avec le deuxième substrat. Selon un mode de réalisation, la couche est une couche de boites quantiques ou boites quantiques colloïdales. Selon un mode de réalisation, la couche est en un matériau perovskite photosensible à base de plomb ou d'étain ou une hétérojonction volumique composée de semiconducteurs organiques photosensibles. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la FIG. 2 représente une vue en perspective du mode de réalisation de la FIG. 1 ; la FIG. 3 représente un exemple de circuit de commande de pixels ; la FIG. 4 représente une variante d'agencement d'un ensemble de pixels ; et la FIG. 4 représente une autre variante d'agencement d'un ensemble de pixels. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique. La FIG. 2 représente une vue en perspective du mode de réalisation de la FIG. 1 . Plus précisément, la FIG. 1 représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la FIG. 2 . Les figures 1 et 2 représentent un ensemble 10 de pixels du dispositif optoélectronique. L'ensemble 10 correspond par exemple à une partie d'un dispositif de capture d'image, par exemple d'une caméra. L'ensemble 10 comprend au moins un pixel 12 et au moins un pixel 14. Plus précisément, l'ensemble 10 comprend au moins un pixel 12 de caméra évènementielle et au moins un pixel 14 de caméra standard. Le pixel 14 est par exemple un pixel de type "global shutter", ou un pixel de type "rolling shutter". L'ensemble 10 permet donc d'obtenir des données évènementielles et des données de luminosité standard. La caméra est donc une caméra évènementielle, ou caméra neuromorphique ("event-based camera" en anglais). Dans l'exemple des figures 1 et 2, l'ensemble 10 comprend uniquement un pixel 12 et quatre pixels 14. Le pixel 12 est entouré par les pixels 14. Le dispositif, c’est-à-dire par exemple la caméra, comprend une pluralité d'ensemble 10, de préférence agencés en matrice. Le dispositif comprend une première puce 16 et une deuxième puce 18. La première puce 16 comprend un substrat semiconducteur 20 et un réseau d'interconnexion 22. Le substrat 20 comprend une face supérieure 20a et une face inférieure 20b. Similairement, le réseau d'interconnexion comprend une face supérieure 22a et une face inférieure 22b. Le réseau d'interconnexion 22 est fixé sur le substrat 20. Plus précisément, la face inférieure 22b du réseau d'interconnexion 22 est fixée sur la face supérieure 20a du substrat 20. Le substrat 20 est par exemple en silicium. Des composants électroniques, non représentés en figures 1 et 2, sont formés dans et sur le substrat 20. Par exemple, des composants électroniques sont formés au niveau de la face supérieure du substrat 20. Le substrat 20 comprend au moins une partie du circuit de commande du pixel 12. Autrement dit, au moins une partie des composants électroniques formant le circuit de commande du pixel 12 sont situés dans et sur le substrat 20. Par exemple, le substrat comprend un amplificateur, des circuits logiques, des cellules mémoire et un circuit de lecture, synchrone ou asynchrone, du pixel 12. Certains composants peuvent être communs à plusieurs pixels. Le réseau d'interconnexion 22 comprend un empilement de couches isolantes, des pistes métalliques 24 situées dans les couches isolantes, et des vias conducteurs 26 situés dans les couches isolantes et reliant entre elles les pistes conductrices. La couche inférieure de l'empilement de couches isolantes est située en contact avec le substrat 20, et en particulier avec la face supérieure du substrat 20. La couche supérieure de l'empilement, c’est-à-dire la couche isolante du réseau d'interconnexion la plus éloignée du substrat 20, comprend par exemple des pistes 28 métalliques. Les pistes 28 affleurent la face supérieure 22a du réseau d'interconnexion. Similairement, la deuxième puce 18 comprend un substrat semiconducteur 28 et un réseau d'interconnexion 30. Le substrat 28 comprend une face supérieure 28a et une face inférieure 28b. Similairement, le réseau d'interconnexion comprend une face supérieure 30a et une face inférieure 30b. Le réseau d'interconnexion 30 est fixé sur le substrat 28. Plus précisément, la face inférieure 30b du réseau d'interconnexion 30 est fixée sur la face supérieure 28a du substrat 28. Le substrat 28 est par exemple en silicium. Des composants électroniques, non représentés en figures 1 et 2, sont formés dans et sur le substrat 28. Par exemple, des composants électroniques sont formés au niveau de la face supérieure du substrat 28. Le substrat 28 comprend, de préférence entièrement, les circuits de commandes des pixels 14. En particulier, le substrat 28 comprend de préférence les circuits de lecture des pixels 14. Le substrat 28 comprend par exemple une partie du circuit de commande du pixel 12. Le réseau d'interconnexion 30 comprend un empilement de couches isolantes, des pistes métalliques 32 situées dans les couches isolantes, et des vias conducteurs 34 situés dans les couches isolantes et reliant entre elles les pistes conductrices. La couche inférieure de l'empilement de couches isolantes est située en contact avec le substrat 28, et en particulier avec la face supérieure du substrat 28. La couche supérieure de l'empilement, c’est-à-dire la couche isolante du réseau d'interconnexion la plus éloignée du substrat 28, comprend par exemple des pistes métalliques 36. Les pistes 36 affleurent la face supérieure 30a du réseau d'interconnexion. Les puces 16 et 18 sont fixées l'une à l'autre. Plus précisément, les réseaux 22 et 30 sont fixés l'un à l'autre. Plus précisément, la face supérieure 22a du réseau 22 et la face supérieure 30a du réseau 30 sont fixés l'un à l'autre. Dans l'exemple des figures 1 et 2, les puces 16 et 18 sont fixées par collage moléculaire. Ainsi, les pistes 28 et 36 sont placées de manière à être en contact les unes avec les autres. Alternativement, les puces 16 et 18, plus précisément les faces supérieures 22a et 30a, peuvent être fixées d'une autre par une autre manière, par exemple par des billes de soudure, par exemple des billes de soudure entre les pistes 28 et 36. Les puces 16 et 18 sont ainsi reliées électriquement. Autrement dit, les substrats 20 et 28 sont reliés électriquement par l'intermédiaire de vias 26, de pistes 24, de pistes 28, de pistes 36, de pistes 32 et de vias 34. L'ensemble 10 comprend en outre une couche 40. La couche 40 comprend par exemple des points quantiques, ou boites quantiques, (QD, "quantum dots" en anglais). La couche 40 comprend par exemple des boites quantiques colloïdales (CQD, "colloidal quantum dots" en anglais). La couche 40 peut, alternativement, être en des matériaux perovskites photosensibles à base de plomb ou d'étain. Autrement dit, la couche 40 est par exemple en un matériau ayant une formule de type ABX3, dans laquelle l'élément A est parmi les éléments suivants : Methylammonium, formamidinium ou césium, dans laquelle l'élément B est parmi les éléments suivants : plomb ou étain, et dans laquelle l'élément X est un halide, c’est-à-dire un élément parmi les éléments suivants : iode, chlore ou brome. Les boites quantiques de la couche 40 pouvent être faites de perovskites, par exemple de perovskites photosensibles à base de plomb ou d'étain comme décrit précédemment, ou passivées avec des perovskites photosensibles à base de plomb ou d'étain. La couche 40 peut aussi être une hétérojonction volumique composée de semiconducteurs organiques photosensibles tels que le PDPP3T et les fullerènes. La couche 40 est située sur la puce 18, plus précisément sur le substrat 28, plus précisément sur la face inférieure 28b du substrat 28. La couche 40 est par exemple en contact avec au moins une partie du substrat 28. Autrement dit, la couche 40 et le substrat 28 ne sont pas séparés par un réseau d'interconnexion. La couche 40 est une couche continue. La couche 40 recouvre de préférence entièrement la face 28b. Autrement dit, la couche 40 ne comprend de préférence aucune ouverture découvrant la face 28b. La couche 40 est commune à l'ensemble de pixels 10. De préférence, la couche 40 est communes à tous les pixels du dispositif. La couche 40 comprend des boites quantiques. Les boites quantiques de la couche 40 sont par exemple situées dans une couche en un matériau autre qu'un matériau semiconducteur, par exemple dans un matériau isolant électriquement, par exemple dans une résine. Par boite quantique, on entend que chaque boite quantique forme une zone de confinement par effet quantique dans toutes les dimensions, c’est-à-dire dans les trois dimensions de l'espace. Chaque boite quantique a donc de préférence des dimensions, dans toutes les directions, de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres, autrement dit inférieure à 100 nm, de préférence comprises entre 2 nm et 15 nm. Chaque boite quantique comprend un coeur en un matériau semiconducteur, par exemple en sulfure de plomb. Ledit coeur a de préférence des dimensions dans toutes les directions de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres, autrement dit inférieure à 100 nm. Chaque boite quantique comprend en outre des ligands s'étendant à partir du coeur. Les ligands sont de préférence en des molécules aliphatiques organiques ou des molécules organométalliques et inorganiques. Du fait de leur charge nette et de leur moment dipolaire, les ligands modifient le dopage effectif des couches de boites quantiques ainsi que leur affinité électronique. Par exemple, les ligands des boites quantiques de la couche 40 peuvent être des molécules agissant comme des dopants de type N, par exemple des molécules organiques telles que des thiolates. La couche 40 constitue des photodiodes. Autrement dit, la couche 40 génère des charges, dans la couche, lorsque des rayons lumineux à une longueur d'onde de fonctionnement de la couche 40, dépendant des boites quantiques, sont absorbés par la couche 40. Les matériaux composant les boites quantiques et les dimensions de chaque boite quantique, en particulier les dimensions du coeur semiconducteur, déterminent les longueurs d'onde d'absorption des boites quantique, c’est-à-dire les longueurs d'onde de fonctionnement de la photodiode. Les longueurs d'onde de fonctionnement correspondent par exemple à l'infrarouge proche, c’est-à-dire des longueurs d'onde comprises entre 700 nm et 1,6 mm. Les longueurs d'onde de fonctionnement peuvent aussi correspondre à l'infrarouge moyen, c’est-à-dire des longueurs d'onde comprises entre 1,6 µm et 4 µm ou au visible, c'est-à-dire des longueurs d'onde comprises entre 300 nm et 700 nm. Il est possible de choisir une longueur d'onde de fonctionnement parmi une gamme de longueur d'onde plus large que la gamme de longueurs d'onde possible avec une photodiode standard, c’est-à-dire une photodiode ne comprenant pas de couche de boites quantique. En effet, les couches de boites quantiques correspondent à une courbe d'absorption ayant un pic significativement localisé sur une longueur d'onde, ladite longueur d'onde dépendant des matériaux de la boite quantique et pouvant être n'importe quelle longueur d'onde d'une gamme de longueurs d'onde comprenant au moins les longueurs d'onde de 300 nm à 4 µm. Par exemple, la couche 40 comprend un unique type de boites quantiques. Autrement dit, toutes les boites quantiques de la couche 40 ont par exemple un coeur en un même matériau et des ligands en le même matériau. De préférence la couche 40 est homogène. Autrement dit, la composition de la couche 40 est de préférence identique dans l'ensemble de la couche 40. La couche 40 comprend différentes régions 42, 44. Chaque pixel 14 comprend une région 44. Chaque pixel 12 comprend une région 42. Chaque région 42 la portion de la couche 40 générant des charges pour le pixel 12 correspondant. Similairement, chaque région 14 est la portion de la couche 40 générant des charges pour le pixel 14 correspondant. Chaque pixel comprend par exemple des moyens d'attirer les charges générées dans toute la région. Par exemple, chaque pixel comprend une première couche extractrice d'électrons, ou électrode, respectivement de trous, non représentée, en contact avec la face inférieure de la couche 40. Chaque pixel comprend par exemple une deuxième couche extractrice, ou électrode, de trous, respectivement d'électrons, en contact avec la face supérieure de la couche 40. La deuxième couche extractrice est transparentes aux longueurs d'onde de fonctionnement du pixel recouvert par ladite deuxième couche. Les première et deuxième couches extractrices sont par exemple en silicium dopé, par exemple formé par des régions dopées du substrat 28 dans le cas de la première couche, ou en un oxyde métallique, par exemple en TiOx, ZnO, AZO, IGZO, MoOx, CoO, CuOx NiOx. Par exemple, chaque pixel comprend un moyen d'attirer les charges vers les circuits situés dans les substrats 20 et 28 correspondant audit pixel. Ainsi, lors du fonctionnement du dispositif, des charges sont générées dans l'ensemble de la couche 40. Les charges situées dans chaque région 42, 44 sont attirées par lesdits moyens vers les circuits correspondant au pixel associé à la régions 42, 44. Les régions 42 ont par exemple une forme de rectangle, de préférence un carré, ayant un coin biseauté. Les coins biseautés des quatre régions 42 sont tournés vers le même point, c’est-à-dire vers le centre de l'ensemble de manière à ce que les parties de la couche 40 situées au centre de l'ensemble, entre les coins biseautés, forment la régions 44. Ainsi, les régions 42 comprennent, dans une même ligne de pixels, deux côtés parallèles, l'un étant plus court que l'autre, les côtés courts étant en contact l'un avec l'autre. De même les régions 42 comprennent, dans une même colonne de pixels, c’est-à-dire dans la direction opposée à la direction des lignes, deux côtés parallèles, l'un étant plus court que l'autre, les côtés courts étant en contact l'un avec l'autre. Chaque région 42 comprend en outre un côté reliant les côtés les plus courts de ladite région 42, ledit côté correspondant un côté de la région 44. La région 44 est ainsi un quadrilatère en vue de dessus. Ainsi, la région 44 est entièrement entourée de région 42. Les ensembles 10 sont par exemple agencés en matrice dans le dispositif. De préférence, chaque ensemble 10 comprend des pixels distincts des pixels des autres ensembles. Ainsi, chaque pixel 14 est par exemple séparé du pixel 14 d'un autre ensemble par des pixels 12 de deux ensembles 10. Dans un mode de fonctionnement du dispositif, les pixels peuvent fonctionner de manière non simultanée, de manière à pouvoir générer à des instants différents les images événementielle et d'intensité lumineuse. Lorsque seule l'image évènementielle est générée, seuls les capteurs évènementiels fonctionnent, toutes les charges étant alors collectées par une couche d'extraction de charges située dans les pixels correspondant. Cela est permis, entre autres par la continuité de la couche 40. Cela permet d'accroitre la sensibilité et la vitesse du capteur évènementiel, sans perte d’information spatiale et de repliement spectral. Dans un autre mode de fonctionnement, le capteur évènementiel est éteint et les charges photo générées dans les pixels évènementiels sont réparties entre les pixels adjacents. On peut aussi faire fonctionner, dans un autre mode de fonctionnement, de façon simultanée les deux types de capteurs, le champ électrique généré par chaque électrode permettant la collection des charges sans interférence électrique (« electrical cross-talk ») entre les pixels. La FIG. 3 représente un exemple de circuit de commande de pixels. Plus précisément, la FIG. 3 représente schématiquement un pixel 12 ainsi qu'un pixel 14. Le pixel 12 comprend une photodiode 50. La photodiode 50 correspond à la portion 42 de la couche 40 associée audit pixel 12. La photodiode 50 comprend une borne, par exemple la cathode, reliée, de préférence connectée, par exemple par l'intermédiaire de caissons dopés du substrat 28 de la puce 18, à un noeud d'application d'une tension de polarisation Vbias. Le pixel 12 comprend en outre un circuit de commande du pixel 12. Le circuit de commande du pixel 12 comprend un circuit 52 de commande (RS/GS) de la photodiode 50. Chaque photodiode 50, c’est-à-dire chaque pixel 12, comprend par exemple un circuit 52. Le circuit 52 est situé dans le substrat 28, de préférence entièrement dans le substrat 28. La photodiode 50 du pixel est relié, de préférence connecté, au circuit 52. Un circuit 54 est situé dans le substrat 28. Le circuit 54 est un convertisseur analogique numérique. Le circuit 54 est de préférence entièrement dans le substrat 28. Le circuit 54 est par exemple commun à plusieurs pixels 12, par exemple communs à tous les pixels 12 d'un ensemble 10, par exemple uniquement aux pixels 12 d'un ensemble 10. Le circuit 54 est par exemple relié, de préférence connecté, au circuit 52. Un circuit 56 est situé dans le substrat 28. Le circuit 56 est un circuit de lecture de pixel, par exemple le circuit de lecture de l'ensemble 10. Le circuit 56 est de préférence entièrement dans le substrat 28. Le circuit 56 est par exemple commun à plusieurs pixels 12, par exemple communs à tous les pixels 12 d'un ensemble 10, par exemple uniquement aux pixels 12 d'un ensemble 10. Le circuit 56 est par exemple relié, de préférence connecté, au circuit 54. Le circuit 56 fournit, sur une sortie 58, une valeur représentative de l'illumination d'un ou plusieurs pixels 12, par exemple des pixels 12 de l'ensemble 10. Le pixel 14 comprend une photodiode 60. La photodiode 60 correspond à la portion 44 de la couche 40 associée audit pixel 14. La photodiode 60 comprend une borne, par exemple la cathode, reliée, de préférence connectée, par exemple par l'intermédiaire de caissons dopés du substrat 28 de la puce 18, à un noeud d'application d'une tension de polarisation Vbias. Le pixel 14 comprend un circuit de commande du pixel 14. Le circuit de commande du pixel 14 comprend par exemple un circuit 62 ayant pour fonction d'appliquer un logarithme à la valeur obtenu par la photodiode 60. Le circuit 62 est par exemple relié, de préférence connecté, à l'anode de la photodiode 60. Le circuit 62 est par exemple situé, de préférence entièrement, dans le substrat 28. Le pixel 14 comprend un circuit 64. Le circuit 64 est un amplificateur, par exemple de type drain commun. Le circuit 64 est par exemple relié, de préférence connecté, au circuit 62. Le circuit 64 est par exemple situé, de préférence entièrement, dans le substrat 28. Le circuit de commande du pixel 14 comprend en outre d'autres composants situés dans le substrat 20. Le circuit de commande du pixel 14 comprend par exemple un amplificateur 66 relié, de préférence connecté, au circuit 64. Le circuit de commande du pixel 14 comprend en outre un circuit logique 68, par exemple un filtre passe haut, associé à une mémoire 70. Le circuit 68 est relié, de préférence connecté, à l'amplificateur 66, de manière à recevoir en entrée le signal amplifié par l'amplificateur 66. La mémoire 70 est configuré pour contenir une valeur obtenue par le circuit logique 68. Similairement, le circuit de commande du pixel 14 comprend un autre circuit logique 72, par exemple un filtre passe haut, associé à une mémoire 74. Le circuit 72 est relié, de préférence connecté, à l'amplificateur 66, de manière à recevoir en entrée le signal amplifié par l'amplificateur 66. La mémoire 74 est configuré pour contenir une valeur obtenue par le circuit logique 72. Selon un mode de réalisation, l'amplificateur 66 est par exemple configuré pour pouvoir être réinitialisé, la réinitialisation dépendant par exemple des valeurs de sortie des circuits 68 et 72. Par exemple, le pixel 17 peut comprendre un circuit logique non représenté, par exemple une porte OU. Ledit circuit logique est par exemple dans la puce 16. Ledit circuit logique comprend par exemple une entrée reliée, de préférence connectée, à la sortie du circuit 68, une autre entrée reliée, de préférence connectée, à la sortie du circuit 72 et une sortie reliée, de préférence connectée, à une entrée de l'amplificateur 66. Par exemple, lorsque le circuit logique non représenté fourni une première valeur binaire, l'amplificateur est réinitialisé. Le pixel 14 comprend en outre un circuit 76 de traitement de données et un circuit de lecture 78. Le circuit 76 est par exemple relié, de préférence connecté, aux mémoires 70 et 74 et le circuit 78 est par exemple relié, de préférence connecté, au circuit 76. Les circuit 76 et 78 sont par exemple commun à plusieurs pixels 14. Ainsi, le substrat 28 comprend le circuit de commande des pixels 12, de préférence tout le circuit de commande des pixels 12. Le substrat 20 ne comprend de préférence pas de composant du circuit de commande des pixels 12. Le substrat 20 comprend au moins une partie du circuit de commande du pixel 14. Le substrat 28 peut par exemple comprend une partie du circuit de commande du pixel 14. Les composants des circuits de commande situés dans les différents substrats sont reliés les uns les autres par les réseaux d'interconnexion 22 et 30. En particulier, les composants du circuit de commande du pixel 14 situés sur les substrats 20 et 28 sont reliés entre eux par les réseaux d'interconnexion 22 et 30. La FIG. 4 représente une variante d'agencement d'un ensemble de pixels. Plus précisément, la FIG. 4 représente une vue de dessus d'une couche 40 d'un ensemble de pixels 12 et 14 tel que l'ensemble des figures 1 et 2. Dans l'exemple de la FIG. 4 , l'ensemble de pixels comprend un pixel 14 et trois pixels 12, les pixels étant agencés en matrice. L'ensemble comprend ainsi une colonne de deux pixels 12 et une colonne comprenant un pixel 14 et un pixel 12. L'ensemble de pixels est par exemple agencé en matrice avec d'autres ensembles identiques. Chaque pixel 14 est ainsi entouré de pixels 12 du même ensemble et des ensembles voisins. La FIG. 4 représente une autre variante d'agencement d'un ensemble de pixels. Plus précisément, la FIG. 4 représente une vue de dessus d'une couche 40 d'un ensemble de pixels 12 et 14 tel que l'ensemble des figures 1 et 2. Dans l'exemple de la FIG. 4 , l'ensemble de pixels comprend un pixel 14 et huit pixels 12, les pixels étant agencés en matrice. L'ensemble comprend ainsi deux colonnes de trois pixels 12 et une colonne comprenant un pixel 14 et deux pixels 12, de telle manière que le pixel 14 soit entouré par les pixels 12. L'ensemble de pixels est par exemple agencé en matrice avec d'autres ensembles identiques. Chaque pixel 14 est ainsi séparé des pixels 14 voisins par au moins deux pixels 12. Un avantage des modes de réalisation décrits est que la taille des pixels n'est pas limitée par la distance nécessaire par les procédés de fabrication de vias, comme cela est le cas dans des dispositifs dans lesquels la photodiode est reliée au substrat par le réseau d'interconnexion. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que les circuits de commande, divisés sur plusieurs puces, permettent de rapprocher les pixels. Un autre avantage des modes de réalisation décrits précédemment est que le dispositif peut fournir une image évènementielle et une image d'intensité lumineuse, par exemple de manière non simultanée, les pixels événementiels et standards pouvant être lus indépendamment. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible de former un écran complet, par l'utilisation d'une couche de boites quantiques. Autrement dit, des charges peuvent être générées sur toute la surface de l'écran. Il n'existe pas de zone entre les pixels dans lesquelles des charges ne peuvent être générées. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que la gamme de longueurs d'onde possibles est plus importante, dépendant du choix des boites quantiques. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif comprenant au moins un ensemble (10) de pixels, l'ensemble comprenant au moins un premier pixel (14) générant une donnée évènementielle et au moins un deuxième pixel (12) générant une donnée d'intensité lumineuse, chaque premier et deuxième pixel comprenant une portion d'une couche, ladite portion formant une photodiode (50, 60), le dispositif comprenant en outre une première puce (16) comprenant un premier substrat (20) et un premier réseau d'interconnexion (22), et une deuxième puce (18) comprenant un deuxième substrat (28) et un deuxième réseau d'interconnexion (30), les première et deuxième puces étant fixées l'une à l'autre par les réseaux d'interconnexion, la couche (40) étant située sur une première face du deuxième substrat opposée à une deuxième face du deuxième substrat sur laquelle est situé le réseau d'interconnexion. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le dispositif est une caméra évènementielle. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première puce (16) comprend au moins une partie d'un circuit de commande du premier pixel (14) et la deuxième puce (18) comprend le circuit de commande du au moins un deuxième pixel (12). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel une partie du circuit de commande du premier pixel (14) est dans la deuxième puce (18). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les première et deuxième puces sont fixées par collage moléculaire. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le dispositif comprend une pluralité d'ensembles de pixels agencés en matrice. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel chaque ensemble comprend quatre deuxièmes pixels (12) entourant ledit au moins un premier pixel (14). Dispositif selon la revendication 6, dans lequel chaque ensemble comprend huit deuxièmes pixels (12) entourant ledit au moins un premier pixel (14). Dispositif selon la revendication 6, dans lequel chaque ensemble comprend trois deuxièmes pixels (12) et ledit au moins un premier pixel (14) agencés en matrices. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche (40) est continue. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la couche (40) recouvre entièrement la première face du deuxième substrat. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le matériau de la couche (40) est homogène. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la couche (40) est en contact avec le deuxième substrat. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la couche est une couche de boites quantiques ou boites quantiques colloïdales. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la couche est en un matériau perovskite photosensible à base de plomb ou d'étain ou une hétérojonction volumique composée de semiconducteurs organiques photosensibles.