FR 3149424 A1 20241206 FR 2305617 A 20230605 Titre : Procédé de fabrication d’un dispositif à base de carbure de silicium (SiC) cristallin L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif 1 à base de SiC cristallin, de préférence monocristallin, le procédé combinant : l’utilisation d’une couche tampon 3 spécifique, de par ses aspects réfractaire et inerte à la température et de par ses propriétés cristallines proches de celles du SiC, pour faire croître le dispositif 1, et le décollage laser du dispositif 1 en sacrifiant la couche tampon 3, cette dernière présentant une épaisseur permettant une absorption fonctionnelle d’un rayonnement laser de décollage tout en restant suffisamment faible pour ne pas présenter de dislocations susceptibles de se propager au dispositif 1 lors de sa croissance. Le bilan thermique est réduit, par rapport aux méthodes connues et l’intégrité du dispositif 1 est mieux conservée, au moins relativement à ce qui serait observé si un recuit thermique, par exemple à une température supérieure à 400°C, devait être appliqué pour décoller le dispositif 1. Figure pour l’abrégé : Fig. 5 Procédé de fabrication d’un dispositif à base de carbure de silicium (SiC) cristallin La présente invention concerne le domaine de la fabrication de substrats et autres dispositifs comprenant chacun une couche cristalline, de préférence monocristalline, de carbure de silicium (ci-dessous « SiC »). Typiquement de tels substrats et dispositifs (appelés ci-dessous « substrats SiC » et « dispositifs SiC », respectivement) forment ou sont destinés à former tout ou partie de composants de puissance ou de dispositifs intégrant un transistor basé sur la technologie CMOS (pour « Complementary Metal Oxide Semiconductor » selon la terminologie anglo-saxonne). ETAT DE LA TECHNIQUE Le SiC est un matériau semiconducteur couramment utilisé dans l’industrie, notamment pour fabriquer des dispositifs électroniques de puissance. Un substrat dit initial en SiC est le plus adapté à la croissance, notamment épitaxiale, d’une couche monocristalline à base de SiC. Il serait envisageable d’utiliser d’autres substrats initiaux, mais cela poserait différents problèmes parmi lesquels : La difficulté à assurer une croissance épitaxiale du SiC sous un polytype utile pour le dispositif SiC fabriqué (typiquement, le polytype 4H), La dégradation de la qualité de la structure cristalline du SiC crû, notamment du fait de sa différence de paramètres de maille avec le substrat initial choisi, et La présence de contraintes générées dans le substrat initial choisi et le SiC pendant et à la suite de sa croissance. Pour ces différentes raisons, les procédés de croissance d’une couche monocristalline de SiC mettent généralement en œuvre des substrats initiaux en SiC monocristallin ; or il se trouve que le coût de ces substrats initiaux est élevé, de même que le coût des dispositifs SiC existants issus de tels procédés. Afin de réduire les coûts de production liés à la fabrication de substrats et autres dispositifs à base de SiC, la fabrication de substrats de type SiCOI (pour « SiC On Insulator » selon la terminologie anglo-saxonne) par une technologie connue sous l’appellation SmartSiC TM a été développée par Soitec®. Selon cette technologie, les substrats de type SiCOI sont réalisés à partir d’une couche mince de SiC détachée d’un substrat initial monocristallin de SiC par un procédé de type ‘clivage ionique de cristal’ (plus connu en anglais sous l’appellation « Crystal Ion Slicing »). Cependant, le procédé SmartSiC TM nécessite un recuit pour réaliser le détachement/clivage de la couche monocristalline de SiC et cela empêche certaines intégrations, notamment par hybridation desdits substrats de type SiCOI avec un dispositif intégrant un transistor basé sur la technologie CMOS (ci-dessous appelé « dispositif CMOS »). Il est en outre impossible de réaliser l’épitaxie de SiC sur un substrat dans lequel une implantation d’ions selon le procédé SmartSiC TM a été réalisée car une telle épitaxie suppose un bilan thermique qui conduirait au détachement de la couche épitaxiée pendant sa croissance. On pourrait envisager de réaliser l’implantation ionique prévue par le procédé SmartSiC TM à travers des couches à base de SiC déjà crues, donc après la croissance, mais cela endommagerait certainement les propriétés d’un dispositif SiC à travers lequel l’implantation aurait lieu. C’est probablement pour ces raisons que le procédé SmartSiC TM n’est utilisé que pour réaliser des couches minces dite de germination (ou « template » ou « seed layers » en anglais) destinées à la croissance de SiC. En outre, il est impossible de décoller les substrats SiCOI réalisés en mettant en œuvre le procédé SmartSiC TM , tout en les reportant sur des substrats ou dispositifs sensibles à la température, comme un substrat ou dispositif CMOS (pour « Complementary Metal Oxide Semiconductor » selon la terminologie anglo-saxonne), du fait que le détachement des substrats SiCOI au niveau de la zone d’implantation ionique implique un recuit à haute température, typiquement à une température sensiblement égale à 1100°C. Enfin, le coût des substrats SiCOI obtenus par mise en œuvre du procédé SmartSiC TM , même s’il est moins élevé que le coût des substrats SiC obtenus par d’autres méthodes (par exemple, par meulage (ou « grinding » selon la terminologie anglo-saxonne), est toujours non négligeable. Il serait donc souhaitable de proposer un procédé de fabrication de substrats et autres dispositifs à base de SiC cristallin, de préférence monocristallin, dont la mise en œuvre serait d’un coût réduit, notamment depuis un substrat initial en SiC cristallin, de préférence monocristallin, et/ou par rapport au procédé SmartSiC TM . RESUME Pour atteindre au moins l’un de ces objectifs, selon un premier aspect, on prévoit un procédé de fabrication d’un dispositif comprenant au moins une couche dite d’intérêt à base, voire constituée, de carbure de silicium (SiC) cristallin, de préférence monocristallin, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat dit initial à base, voire constitué, de SiC cristallin, de préférence monocristallin, puis Faire croître par épitaxie, sur le substrat initial, une couche dite tampon à base d’un matériau présentant, sous sa forme cristalline, de préférence monocristalline : un paramètre de maille égal, à plus ou moins 6% près, de préférence à plus ou moins 2% près, à un paramètre de maille du SiC cristallin, de préférence monocristallin, à base duquel est constitué le substrat initial, et une température de fusion strictement supérieure à 1600°C, de préférence supérieure à 2000°C, et encore plus préférentiellement supérieure ou sensiblement égale à 2500°C, et jusqu’à ce que la couche tampon présente une épaisseur strictement supérieure à 2 nm, de préférence supérieure ou égale à 4 nm, et strictement inférieure à deux fois, de préférence sensiblement égale ou inférieure à, une épaisseur critique Ec au-delà de laquelle des défauts ou dislocations apparaissent dans la couche tampon crue, Faire croître par épitaxie, sur la couche tampon, au moins la couche d’intérêt, pour obtenir un empilement comprenant successivement le substrat initial, la couche tampon et au moins la couche d’intérêt, l’empilement s’étendant depuis une face arrière portée par le substrat initial jusqu’à une face avant opposée à la face arrière, et Fournir un substrat dit receveur, puis Reporter l’empilement par sa face avant sur le substrat receveur, puis Insoler l’empilement, de préférence par sa face arrière, avec un rayonnement laser présentant une longueur d’onde davantage absorbée par la couche tampon que par le SiC cristallin, de préférence monocristallin, à base duquel est constitué le substrat initial, le rayonnement laser étant configuré pour altérer la couche tampon de sorte à détacher le substrat initial depuis le reste de l’empilement en sacrifiant au moins partiellement la couche tampon, et obtenir ainsi un dispositif comprenant au moins la couche d’intérêt reportée sur le substrat receveur. Le procédé de fabrication tel qu’introduit ci-dessus prévoit ainsi de combiner : l’utilisation, comme couche de germination de SiC sous forme cristalline, de préférence monocristalline, d’une couche tampon spécifique, pour former le dispositif d’intérêt (celui qui comprend au moins la couche d’intérêt à base, voire constituée, de carbure de silicium (SiC) cristallin, de préférence monocristallin, et le décollage laser (ou « laser lift-off » en anglais) du dispositif d’intérêt en sacrifiant au moins en partie la couche tampon. Le bilan thermique s’en trouve réduit, par rapport aux méthodes connues, de sorte que l’intégrité du dispositif d’intérêt, ainsi que, le cas échéant, celle du substrat initial, s’en trouvent relativement inaltérées, au moins relativement à ce qui serait observé si un recuit thermique, par exemple à une température supérieure à 400°C, devait être appliqué pour décoller le dispositif d’intérêt. Notons qu’il ressort de ce qui précède que le procédé tel qu’introduit ci-dessus est de préférence exempt d’une étape de recuit thermique, en particulier pour décoller ledit dispositif. Selon un deuxième de ses aspects, l’invention concerne une utilisation du dispositif fabriqué par mise en œuvre du procédé tel qu’introduit ci-dessus et comprenant la croissance, par épitaxie, de SiC cristallin, de préférence monocristallin, sur la couche d’intérêt du dispositif, la couche d’intérêt consistant en une couche mince. Dans ce cas, le procédé de fabrication permet de fabriquer un dispositif constitué d’une couche mince en SiC cristallin, de préférence monocristallin, utilisable comme couche de germination d’un substrat à base de SiC cristallin, de préférence monocristallin. Selon un troisième de ses aspects, l’invention concerne une utilisation du dispositif fabriqué par mise en œuvre du procédé tel qu’introduit ci-dessus pour obtenir un dispositif épitaxié à base de SiC décollé depuis le substrat receveur. Selon un quatrième de ses aspects, l’invention concerne une utilisation du dispositif fabriqué par mise en œuvre du procédé tel qu’introduit ci-dessus pour assembler le dispositif fabriqué avec un dispositif de type CMOS en tant que substrat receveur, le cas échéant en interconnectant électriquement entre eux le dispositif et le dispositif de type CMOS par des zones de reprise de contact respectives du dispositif et du dispositif de type CMOS, le dispositif de type CMOS étant par exemple à base de silicium. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de mise en œuvre de cette dernière et de quelques variantes qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : Les figures 1A à 1E représentent différentes étapes d’un mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention. Les figures 2A et 2B représentent différentes étapes d’une première variante du mode de mise en œuvre qui est illustré sur les figures 1A à 1E. Les figures 3A et 3B représentent différentes étapes d’une deuxième variante du mode de mise en œuvre qui est illustré sur les figures 1A à 1E. Les figures 4A et 4B représentent différentes étapes d’une troisième variante du mode de mise en œuvre qui est illustré sur les figures 1A à 1E. La représente un ordinogramme d’un autre mode de mise en œuvre du procédé de fabrication selon le premier aspect de l’invention relativement à celui illustré sur les figures 1A à 1E. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs relatives des différentes couches illustrées sur les dessins ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple, le procédé de fabrication peut comprendre en outre, à la suite du détachement du substrat initial depuis le reste de l’empilement, une étape consistant à récupérer le substrat initial, et le cas échéant à le fournir de nouveau. Le substrat initial peut ainsi être réutilisé, le cas échéant après au moins un traitement, par exemple choisi parmi un traitement chimique et un polissage mécano-chimique (ou CMP pour « chemical mechanical polishing » selon la terminologie anglo-saxonne). La possibilité de recycler le substrat initial permet de réduire grandement les coûts liés à la fabrication d’un dispositif à base de SiC cristallin, de préférence monocristallin. Selon un exemple, le matériau à base duquel la couche tampon est constituée peut être choisi parmi : TiN, VN, ZrN, TaN, NbN, et HfN, voire MoN, WN et CrN, et TiC, VC, ZrC, TaC, NbC, et HfC, voire MoC, WC et CrC, Ou un mélange d’au moins deux de ces composés chimiques. Selon un exemple alternatif au précédent, le matériau à base duquel la couche tampon peut être constituée est choisi parmi NbN, HfN et TiN, ou un mélange d’au moins deux de ces composés chimiques. Selon un exemple alternatif aux deux précédents, le matériau à base duquel la couche tampon peut être constituée est le nitrure de niobium (NbN). Selon un exemple, la couche tampon peut être crue en mettant en œuvre au moins l’une parmi : une pulvérisation cathodique réactive (ou « reactive sputtering » en anglais), une ablation laser pulsée (ou PLD pour « Pulsed Laser Deposition » en anglais), une épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour « Molecular Beam Epitaxy » en anglais) ou un dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais « chemical vapor deposition »). Selon un exemple, l’épaisseur de la couche tampon peut être comprise entre 1,5 et 15 nm, de préférence entre 3 et 12 nm, et sera par exemple sensiblement égale à 4 nm ou 10 nm. Selon un exemple, l’épaisseur critique de la couche tampon peut être comprise entre 4 nm et 100 nm, de préférence comprise entre 10 nm et 20 nm, et sera typiquement sensiblement égale à 15 nm. Selon un exemple, l’étape de croissance par épitaxie de ladite au moins une couche d’intérêt peut comprendre la mise en œuvre d’un dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais « chemical vapor deposition »). Selon un exemple, le dispositif peut consister en ladite couche d’intérêt et former une couche de germination (ou « seed layer » en anglais). Selon un exemple alternatif au précédent, l’étape de croissance par épitaxie de ladite au moins la couche d’intérêt peut comprendre, outre la croissance de ladite couche, la croissance d’autres couches pour former, conjointement avec ladite couche d’intérêt, un dispositif épitaxié à base de SiC, comprenant par exemple au moins l’un parmi un composant de puissance et un composant radiofréquence, tels qu’une diode ou un transistor, notamment à effet de champ. Selon cet exemple, la croissance des différentes couches du dispositif peut être réalisée de sorte qu’au moins l’une de ces couches ou au moins une zone d’au moins l’une de ces couches soit dopée, de type N ou de type P, le cas échéant avec des atomes différents d’une couche à une autre ou d’une zone à une autre. Toujours selon cet exemple, chaque couche peut constituer tout ou partie d’un composant à base de SiC ; elle peut notamment ne pas être homogène et comprendre, en plus d’éléments semi-conducteurs, des éléments conducteurs, tels que des pistes conductrices, formant par exemple une couche de redistribution (ou RDL pour « Redistribution Layer » en anglais) et des éléments diélectriques, par exemple à base d’un oxyde d’un matériau semiconducteur, par exemple l’oxyde de silicium ou une résine époxy. Selon un exemple, le report de l’empilement par sa face avant sur le substrat receveur peut comprendre, ou consister en, une étape de collage de l’empilement par sa face avant sur le substrat receveur, l’étape de collage étant de préférence réalisée en mettant en œuvre une technique permettant au collage de résister à des conditions, notamment de température, destinées à être rencontrées lors d’étapes ultérieures de fabrication et/ou de traitement et/ou d’assemblage du dispositif. Le collage de l’empilement, par sa face avant sur le substrat receveur, peut alors être réalisé par l’intermédiaire d’au moins une couche de liaison. En complément ou en alternative, le dispositif épitaxié à base de SiC et le substrat receveur comprenant chacun des zones de reprise de contact affleurantes de la face par laquelle il est opposé à l’autre, l’étape de collage de l’empilement par sa face avant sur le substrat receveur peut comprendre au moins une mise en contact électrique d’une zone de reprise de contact du dispositif épitaxié à base de SiC avec une zone de reprise du substrat receveur, le collage étant par exemple hybride. Selon un exemple, le substrat receveur peut être choisi parmi : Un substrat à base de SiC polycristallin, Un substrat à base d’un matériau présentant un coefficient d’expansion thermique sensiblement égal au coefficient d’expansion thermique du SiC cristallin, de préférence monocristallin, Un substrat intégrant un transistor par exemple basé sur la technologie CMOS, Un substrat à base de silicium, Un substrat métallique, et De préférence lorsque le dispositif est finalisé avant l’étape d’insolation, un substrat comprenant une plaque de base, de la graisse thermique et un dissipateur thermique. Selon un exemple, le matériau à base duquel la couche tampon est formée peut présenter une absorbance d’au moins 10%, de préférence d’au moins 20%, supérieure à une absorbance d’une couche de SiC cristallin, de préférence monocristallin, de même épaisseur que la couche tampon, pour la longueur d’onde choisie du rayonnement laser et pour l’épaisseur critique Ec de la couche tampon. Selon un exemple, la longueur d’onde du rayonnement laser peut être située dans le visible ou l’infrarouge. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d’une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d’elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d’un même matériau ou de matériaux différents. On entend par une couche à base d’un matériau A, une couche comprenant ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux. On entend par un paramètre « sensiblement égal/supérieur/inférieur à » une valeur donnée que ce paramètre est égal/supérieur/inférieur à la valeur donnée, à plus ou moins 20%, voire 10%, près de cette valeur. On entend par un paramètre « sensiblement compris entre » deux valeurs données que ce paramètre est au minimum égal à la plus petite valeur donnée, à plus ou moins 20%, voire 10%, près de cette valeur, et au maximum égal à la plus grande valeur donnée, à plus ou moins 20%, voire 10%, près de cette valeur. Lorsqu’il est fait usage du terme « (mono)cristallin », le fait de mettre « mono » entre parenthèses indique que, si le matériau ainsi qualifié est de préférence parfaitement monocristallin, sa structure cristalline comprend tout de même, et de façon relativement incontournable, des défauts que l’homme du métier cherchera à réduire autant que possible, pour un résultat de meilleure qualité. On entend par « épaisseur critique » d’une couche en croissance épitaxiale, l’épaisseur au-delà de laquelle des défauts ou dislocations apparaissent dans la couche crue. Cette épaisseur peut par exemple être déterminée de la façon indiquée dans l’article de Dai, Y., et al. , intitulé “Engineering of the Curie temperature of epitaxial Sr1−xBaxTiO3 films via strain” et paru, en 2016, dans “Journal of Applied Physics”, vol. 120, p. 114101. La présente invention est réputée s’accommoder de méthodes de mesure de l’épaisseur critique qui seraient plus précises et/ou qui viendraient à être développées. Dans la présente description, un matériau est considéré comme absorbant à une longueur d’onde λ, dès lors qu’il absorbe au moins 20% d’un rayonnement lumineux de longueur d’onde λ, de préférence au moins 50% et avantageusement au moins 70%. Ces pourcentages d’absorption sont cependant donnés à titre indicatif d’un des paramètres à prendre en compte pour évaluer la capacité d’une couche d’un matériau à chauffer sous insolation laser ; d’autres paramètres sont le cas échéant à considérer comme l’épaisseur de la couche (typiquement, quand l’épaisseur de la couche augmente, son absorption augmente aussi) ou la puissance du laser, qui peuvent influer notamment sur les pourcentages d’absorption indiqués. Un matériau peut être considéré comme transparent à une longueur d’onde λ dès lors qu’il transmet au moins 90% d’un rayonnement lumineux de longueur d’onde λ, de préférence au moins 95%. Plusieurs modes de réalisation de l’invention mettant en œuvre des étapes successives du procédé de transfert sont décrites ci-après. Sauf mention explicite, les termes « à la suite de » n’impliquent pas nécessairement, même si cela est généralement préféré, que les étapes se suivent immédiatement, des étapes intermédiaires pouvant les séparer. Par ailleurs, le terme « étape » s’entend de la réalisation d’une partie du procédé, et peut désigner un ensemble de sous-étapes. En outre, le terme « étape » ne signifie pas obligatoirement que les actions menées durant une étape soient simultanées ou immédiatement successives. Certaines actions d’une première étape peuvent notamment être suivies d’actions liées à une étape différente, et d’autres actions de la première étape peuvent être reprises ensuite. Ainsi, le terme étape ne s’entend pas forcément d’actions unitaires et inséparables dans le temps et dans l’enchaînement des phases du procédé. Dans la présente demande de brevet, l’épaisseur d’une couche est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche. Les termes relatifs « sur », « surmonte », « sous », « sous-jacent », « intercalé » se réfèrent, sauf mention contraire, à des positions prises selon la direction normale au plan d’extension principal de la couche. Le procédé de fabrication, selon un mode de réalisation du premier aspect de l’invention, est décrit ci-dessous en référence aux figures 1A à 1E et 5. Plus particulièrement, il s’agit d’un procédé de fabrication 100 d’un dispositif 1 comprenant au moins une couche 11 à base, voire constituée, de carbure de silicium SiC (mono)cristallin. Le procédé 100 prévoit la fourniture 110 d’un substrat initial 2 à base, voire constitué, de SiC (mono)cristallin, et la fourniture 140 d’un substrat receveur 5. Plus particulièrement, le substrat initial 2 peut être constitué d’une tranche ou « wafer » en anglais, ou d’une partie d’une telle tranche, en carbure de silicium SiC (mono)cristallin. Cette étape de fourniture 110 est donc potentiellement conforme à l’étape correspondante du procédé SmartSiC TM . À partir du substrat initial 2, le procédé 100 comprend une étape consistant à faire croître 120 par épitaxie et sur le substrat initial 2, une couche tampon 3 spécifique. Plus particulièrement, la couche tampon 3 est spécifique en ce qu’elle est constituée à base d’un matériau présentant, sous sa forme monocristalline : un paramètre de maille égal, à plus ou moins 6% près, de préférence à plus ou moins 2% près, à un paramètre de maille du SiC (mono)cristallin à base duquel est constitué le substrat initial (2), et une température de fusion strictement supérieure à 1600°C, de préférence supérieure à 2000°C, et encore plus préférentiellement supérieure ou sensiblement égale à 2500°C. Ainsi, le matériau à base duquel la couche tampon 3 est constituée confère à la couche tampon 3 : la capacité à propager la structure cristalline du SiC (mono)cristallin à une couche d’intérêt 11 à base de SiC (mono)cristallin, qui, comme nous le verrons plus bas, est destinée à être crue 130 sur la couche tampon 3, et des aspects réfractaires et inertes à des variations de température significatives, pour y permettre notamment la croissance 130 par épitaxie de la couche d’intérêt 11 à base de SiC (mono)cristallin, sans que ces variations n’induisent un changement de nature ou de composition nominale de la couche tampon 3. La couche tampon 3 est plus particulièrement crue 120 jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur strictement supérieure à 1,5 nm, de préférence supérieure ou égale à 3 nm, et strictement inférieure à deux fois, de préférence sensiblement égale ou inférieure à, une épaisseur critique Ec au-delà de laquelle des défauts ou dislocations apparaissent dans la couche tampon 3 crue 120. Autrement dit, si l’épaisseur de la couche tampon reste inférieure à son épaisseur critique, qui dépend principalement de sa nature (composition) et de sa structure cristalline, l’on s’assure que la structure de la couche tampon 3 est cohérente avec la structure du substrat initial 2. La couche tampon 3 peut par exemple être crue 120 jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur sensiblement égale 4 nm. L’épaisseur de la couche tampon 3 est ainsi bornée inférieurement supérieurement. Typiquement, l’épaisseur de la couche tampon 3 sera sensiblement comprise entre 1,5 nm et 15 nm, de préférence entre 3 et 12 nm, et sera par exemple sensiblement égale à 4 nm ou 10 nm, et/ou la couche tampon 3 sera constituée à base d’un matériau pour lequel l’épaisseur critique Ec de la couche tampon 3 sera comprise entre 4 nm et 100 nm, de préférence comprise entre 10 nm et 20 nm, et sera typiquement sensiblement égale à 15 nm. D’une part, l’épaisseur de la couche tampon 3 doit en effet être suffisante pour permettre une absorption fonctionnelle, d’un rayonnement laser de longueur d’onde déterminée, de sorte que la couche tampon 3 constitue une couche sacrificielle sous insolation par ledit rayonnement laser. D’autre part, l’épaisseur de la couche tampon 3 doit rester suffisamment faible pour ne pas présenter, de défauts et dislocations tels qu’ils se propageraient à la couche d’intérêt 11 lors de sa croissance, ce qui empêcherait l’obtention d’une couche d’intérêt 11 monocristalline ou tout du moins dégraderait la structure monocristalline de ladite couche d’intérêt 11, qui est souhaitée être de la meilleure qualité possible. Plusieurs matériaux peuvent permettre de conférer ces fonctionnalités à la couche tampon 3. Plus particulièrement, le matériau à base duquel la couche tampon 3 est constituée peut être choisi parmi : TiN, VN, ZrN, TaN, NbN, et HfN, voire MoN, WN et CrN, et un mélange d’au moins deux de ces composés chimiques. La table ci-dessous compulse quelques paramètres importants dans le cadre de la mise en œuvre du procédé de fabrication 100, selon un premier aspect l’invention, pour différents nitrures parmi ceux susmentionnés. On peut constater tout d’abord que chacun de ces nitrures présente bien des propriétés réfractaires et inertes à la température, notamment du fait qu’ils présentent tous une température de fusion supérieure à 2000°C. On peut constater également que le paramètre de maille de chacun de ces nitrures ne diffère pas significativement du paramètre de maille du SiC (mono)cristallin ; plus particulièrement, l’ensemble de ces nitrures présente un paramètre de maille égal, à plus ou moins 6% près, au paramètre de maille du SiC (mono)cristallin. Notons encore que l’épaisseur critique Ec déterminée pour chacun de ces nitrures peut être relativement faible, et en particulier inférieure ou égale à quelques nanomètres, pour certains d’entre eux, ce qui n’en fait pas des candidats préférentiels puisqu’une épaisseur critique Ec faible induit une épaisseur faible de la couche tampon 3 et donc une absorption faible du rayonnement laser censé la sacrifier. Il ressort donc de la table ci-dessous que les matériaux que constituent le nitrure de titane et le nitrure de niobium sont les meilleurs candidats parmi les nitrures dont la table fait mention. Matériaux Propriétés thermiques Propriétés cristallines Propriétés optiques Composition Température de fusion (°C) Paramètre de maille (Å) Rapport de paramètres de maille avec SiC Epaisseur critique Ec Absorption (k) à 1200 nm Absorption à Ec et 1200 nm TiN 2930 2,998 -2,50% 4 nm 5 22% VN 2050 2,918 -5,20% 1 nm 3,6 5% ZrN 2980 3,229 5% 1 nm 5% NbN 2573 3,054 -0,70% 15 nm 54% HfN 3310 3,196 3,90% 2 nm 10% TaN 3090 2,906 -5,50% 1 nm 5% Notons ici que, si l’épaisseur critique Ec d’une couche de nitrure de titane est de 4 nm seulement, il est envisageable de faire croître une couche tampon 3 à base de nitrure de titane présentant une épaisseur supérieure à 4 nm, voire allant jusqu’à 8 nm, sans pour autant que des défauts ou dislocations ne s’y créent qui soient tels qu’ils ne permettraient pas la croissance d’une couche d’intérêt 11 monocristalline à base de SiC depuis sa surface exposée. En outre, l’absorbance d’une couche à base de nitrure de titane d’une épaisseur sensiblement inférieure à 8 nm et supérieure à l’absorbance d’une couche de même nature mais d’une épaisseur sensiblement égale à 4 nm, et donc supérieure à 22% (Cf. table 1), ce qui peut être satisfaisant. Notons encore qu’il est possible d’exprimer l’absorbance que doit présenter la couche tampon 3 en rapport avec l’absorbance qu’aurait une couche de même épaisseur en SiC monocristallin, et de poser comme préférentiel que le matériau à base duquel la couche tampon 3 est formée présente une absorbance d’au moins 10%, de préférence d’au moins 20%, supérieure à une absorbance d’une telle couche de SiC monocristallin, pour la longueur d’onde choisie du rayonnement laser et pour l’épaisseur critique Ec de la couche tampon 3. Selon une formulation alternative, le coefficient d’absorption de la couche tampon 3 doit être supérieur au coefficient d’absorption du SiC. Idéalement, la couche tampon 3 doit pouvoir être considérée comme absorbante à la longueur d’onde du rayonnement laser, tandis que l’empilement 10 et le substrat initial 2 doivent pouvoir être considérés comme transparents à la longueur d’onde du rayonnement laser s’ils présentaient la même épaisseur que la couche tampon 3. Si le nitrure de titane TiN et le nitrure d'hafnium HfN semblent être de bons candidats, remplissant le cahier des charges décrit ci-dessus, ils présentent néanmoins une différence de paramètres de maille avec le SiC monocristallin qui induit une épaisseur critique relativement faible ; et il ressort de la table ci-dessus que le meilleur candidat, parmi les nitrures dont la table fait mention, est le nitrure de niobium NbN qui présente à la fois une température de fusion élevée, un paramètre de maille très proche de celui du SiC monocristallin, et donc une épaisseur critique Ec significative laissant envisager de pouvoir faire croître la couche tampon 3 jusqu’à une épaisseur sensiblement égale à 30 nm, à laquelle la couche tampon 3 présenterait une absorbance : supérieure à 54%, alors même qu’une telle absorbance est déjà très satisfaisante, et de nature à garantir la fonctionnalité sacrificielle de la couche tampon 3 sous insolation laser à une longueur d’onde de 1200 nm. Notons que les mesures/données d’absorbance qui sont mentionnées dans la table ci-dessus correspondent à celles obtenues pour un rayonnement laser présentant une longueur d’onde égale à 1200 nm, située dans l’infrarouge. Des rayonnements laser infrarouges présentant d’autres longueurs d’ondes peuvent être envisagés, dès lors qu’ils permettent de sacrifier la couche tampon 3, de préférence sans dégrader l’intégrité des autres couches. Il en va potentiellement de même des rayonnements laser dont les longueurs d’onde se situent dans le spectre visible (typiquement entre 380 et 750 nanomètres). Notons encore que les paramètres discutés dans les paragraphes ci-dessus et compulsés dans la table sont définis à température ambiante, voire à température et pression ambiantes. En alternative ou en complément aux nitrures susmentionnés, la couche tampon 3 peut être constituée à base de certains carbures, et notamment à base de carbures choisis parmi TiC, VC, ZrC, TaC, NbC, et HfC, voire MoC, WC et CrC. Par ailleurs, la couche tampon 3 peut être crue en mettant en œuvre n’importe quelle technique existante de croissance épitaxiale adaptée au cas d’espèce, et notamment au moins l’une parmi : une pulvérisation cathodique réactive (ou « reactive sputtering » en anglais), une ablation laser pulsée (ou PLD pour « Pulsed Laser Deposition » en anglais), une épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour « Molecular Beam Epitaxy » en anglais) ou un dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais « chemical vapor deposition »). Toujours en référence aux figures 1A à 1E et 5, le procédé de fabrication 100 selon le mode de réalisation illustré comprend, à la suite de la croissance 120 épitaxiale de la couche tampon 3, une étape consistant à faire croître 130 par épitaxie, sur la couche tampon 3, au moins la couche d’intérêt 11 susmentionnée. La couche d’intérêt 11 peut être crue en mettant en œuvre, conformément aux compétences ordinaires de la personne du métier, n’importe quelle technique existante de croissance épitaxiale adaptée au cas d’espèce, et typiquement un dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais « chemical vapor deposition »). Notons ici que, si l’étape 130 comprend a minima la croissance épitaxiale d’une couche mince de SiC monocristallin en tant que couche d’intérêt 11, elle peut comprendre d’autres étapes technologiques de la micro-électronique que ce soit avant et/ou après la croissance épitaxiale de la couche mince 11. Il est entendu que, si la couche tampon 3 doit pouvoir supporter des températures, pouvant atteindre jusqu’à 1600°C ou plus, nécessaires à la croissance épitaxiale du SiC, certaines étapes technologiques parmi celles potentiellement comprises par l’étape 130 du procédé de fabrication 100 peuvent nécessiter des températures plus élevées ; la couche tampon 3, et en particulier le matériau à base duquel elle est constituée, seront alors de préférence choisis pour supporter ces températures plus élevées. On comprend déjà ici que le dispositif 1 à fabriquer comprend a minima la couche d’intérêt 11 à base de SiC monocristallin, mais que le dispositif 1 peut comprendre d’autres couches, à base du même matériau semi-conducteur ou à base d’au moins un autre matériau semi-conducteur, de sorte à constituer par exemple un dispositif 1 épitaxié à base de SiC. Et la croissance de chaque couche à base d’un matériau semi-conducteur du dispositif 1 peut être réalisée de sorte qu’elle soit, au moins par zone, dopée, de type N ou de type P, le cas échéant avec des atomes différents d’une couche à une autre ou d’une zone à une autre. Un tel dispositif 1 épitaxié à base de SiC peut ainsi comprendre par exemple : au moins l’un parmi un composant de puissance et un composant radiofréquence, tel qu’une diode ou un transistor, notamment à effet de champ, mais aussi des éléments conducteurs, tels que des pistes conductrices, formant par exemple une couche de redistribution (ou RDL pour « Redistribution Layer » en anglais) et des éléments diélectriques, par exemple à base d’un oxyde d’un matériau semiconducteur, typiquement l’oxyde de silicium ou une résine époxy. Nous reviendrons plus bas sur ce point en référence aux figures 3A, 3B, 4A et 4B. Lorsque le dispositif 1 à fabriquer est constitué de la couche d’intérêt 11 à base de SiC monocristallin, il peut être considéré comme formant une couche de germination (ou « seed layer » en anglais), c’est-à-dire une couche sur laquelle il sera possible de faire croître par épitaxie d’autres couches à base de SiC monocristallin, typiquement pour obtenir un substrat à base de SiC monocristallin. Tel est le mode de réalisation illustré sur les figures 2A et 2B. Quoiqu’il en soit, à la suite de la croissance 130 du dispositif 1, ou à tout le moins d’une partie de ce dispositif 1 que constitue la couche d’intérêt 11, un empilement 10 est obtenu qui comprend successivement le substrat initial 2, la couche tampon 3 et au moins la couche d’intérêt 11 du dispositif 1 à fabriquer, l’empilement 10 s’étendant depuis une face arrière 101 constituée par le substrat initial 2 jusqu’à une face avant 102 opposée à la face arrière 101, et constituée d’une partie au moins du dispositif 1. Toujours en référence aux figures 1A à 1E et 5, le procédé de fabrication 100 selon le mode de réalisation illustré comprend, à la suite de la croissance 130 du dispositif 1, ou à tout le moins d’une partie de ce dispositif 1 que constitue la couche d’intérêt 11, une étape consistant à reporter 150 l’empilement 10 par sa face avant 102 sur le substrat receveur 5 fourni 140. Plus particulièrement, le report de l’empilement 10 par sa face avant 102 sur le substrat receveur 5 peut comprendre, ou consister en, une étape de collage de l’empilement 10 par sa face avant 102 sur le substrat receveur 5. L’étape de collage est de préférence réalisée en mettant en œuvre une technique permettant au collage de résister aux conditions, notamment de température, déjà évoquées plus haut qui sont destinées à être rencontrées notamment lors d’étapes ultérieures de fabrication et/ou de traitement et/ou d’assemblage du dispositif 1. Notons ici que le substrat receveur 5 peut être choisi parmi : Un substrat à base de SiC polycristallin, dont le coût est bien moindre qu’un substrat à base de SiC monocristallin et qui présente avantageusement un coefficient d’expansion thermique proche de SiC monocristallin ; Un substrat à base d’un matériau présentant un coefficient d’expansion thermique sensiblement égal au coefficient d’expansion thermique du SiC (mono)cristallin, voire le substrat à base de SiC (mono)cristallin ; Un substrat intégrant un transistor par exemple basé sur la technologie CMOS ; Un substrat à base de silicium, intégrant potentiellement un transistor par exemple basé sur la technologie CMOS ; un substrat métallique ; à bas coût, ce type de substrat pourrait avoir le cas échéant juste une fonction de support mécanique, de protection de transistors et/ou d’évacuation de la chaleur ; et de préférence lorsque le dispositif 1 est finalisé avant l’étape d’insolation 160, un substrat comprenant une plaque de base (par laquelle l’empilement 10 est destiné à être reporté sur le substrat receveur 5), de la graisse thermique, et un dissipateur thermique ; il pourrait alors s’agir d’un substrat dit d’emballage (ou « packaging substrate » en anglais) et ainsi de reporter l’empilement, par collage, directement sur un substrat d’emballage. Comme l’illustre les figures 1A à 1E, le collage de l’empilement 10 par sa face avant 102 sur le substrat receveur 5 peut être réalisé par l’intermédiaire d’une ou plusieurs couches de liaison 6, conformément aux compétences ordinaires de la personne du métier. Par exemple, une couche de liaison 6 peut être déposée sur la face avant 102 de la couche d’intérêt 11, ou plus généralement du dispositif 1, qui est constituée à base d’une colle, par exemple organique, telle que le BCB ou le SU-8, et une couche de liaison 6 constituée à base d’une même colle ou d’une colle différente peut être déposée sur la surface réceptrice de substrat receveur 5, de sorte que le report 150 consiste à coller les deux couches de liaison 6 entre elles. Dans ce contexte, on comprend que le substrat receveur 5 peut constituer un substrat de transfert ou équivalemment une poignée temporaire (ou « temporary handle » en anglais). Il existe bien d’autres moyens alternatifs à l’exemple précédent de coller l’empilement 10 par sa face avant 102 sur le substrat receveur 5 ; et l’on peut citer à titre d’exemples : un collage direct, un collage eutectique, etc. Le collage adapté sera choisi par l’homme du métier en fonction de l’application, et notamment du besoin de connexion(s) électrique(s) ou non, et/ou de tenue en température. Par exemple, s’il est souhaité de reprendre une épitaxie de SiC après décollement de l’empilement 1 et report sur le substrat receveur 5, on favorisera plutôt un collage direct, qu’un collage par le SU-8 ou le BCB qui ne tient pas la température liée à l’épitaxie de SiC. Toujours en référence aux figures 1A à 1E et 5, le procédé de fabrication 100 selon le mode de réalisation illustré comprend, à la suite du report 150 de l’empilement 10 sur le substrat receveur 5, une étape consistant à insoler 160 l’empilement 10 avec le rayonnement laser susmentionné, présentant une longueur d’onde davantage absorbée par la couche tampon 3 que par le SiC (mono)cristallin à base duquel est constitué le substrat initial 2. La longueur d’onde du rayonnement laser sera typiquement choisie dans la gamme de transparence du SiC (mono)cristallin et/ou par exemple sensiblement égale à 1200 nm. De préférence, et comme l’illustre les figures 1A à 1E, l’insolation 160 de la couche tampon 3 est de préférence réalisée par la face arrière 101 de l’empilement 10, de sorte que la couche d’intérêt 11, et plus généralement le dispositif 1 à fabriquer, ne soit pas directement exposée au rayonnement laser, mais bien plutôt le substrat initial 2 qui est a priori concentré en substrat à base de SiC monocristallin, et donc qui est a priori exempt de fonctionnalités potentiellement affectées négativement par le rayonnement laser susmentionné. Qu’elle soit ou non réalisée par la face arrière 101 de l’empilement 10, l’insolation 160 doit être paramétrée pour conduire au détachement du substrat initial 2 depuis le reste de l’empilement 10 en sacrifiant au moins partiellement la couche tampon 3, et à l’obtention 170 du dispositif 1 comprenant au moins ladite couche d’intérêt 11 et étant reporté sur le substrat receveur 5, avec ou sans couche(s) de liaison 6. Le procédé de fabrication 100 tel que décrit ci-dessus prévoit ainsi le décollement au laser (ou « laser lift-off » en anglais) du dispositif 1 d’intérêt en sacrifiant au moins en partie la couche tampon 3. Plus précisément, l’énergie du rayonnement laser est absorbée par la couche tampon 3, ce qui a pour effet de la chauffer. Sous l’effet de cet échauffement, la couche tampon 3 se décompose au moins partiellement sous forme liquide et gazeuse. La partie gazeuse se dissipe tandis qu’au moins une partie de la partie liquide peut rester au contact de la face supérieure du substrat initial 2 et/ou de la face inférieure de la couche d’intérêt 11. De potentiels résidus, notamment liquides, de la couche tampon 3, peuvent être nettoyés lors d’une étape subséquente non représentée sur les figures. Par exemple, ce nettoyage pourra comprendre des étapes de gravure sèche ou humide et/ou de CMP. Cela permet de retirer entièrement les résidus de couche tampon 3 à la surface du substrat initial 2 et/ou de la couche d’intérêt 11, sans pour autant altérer la surface ou la structure de ces dernières. Cette étape de détachement de la couche d’intérêt 11 par altération de la couche tampon 3 nécessite, comme déjà mentionné plus haut, une couche tampon 3 d’une épaisseur suffisante pour permettre une absorption fonctionnelle du rayonnement laser insolé 160, tout en restant suffisamment faible pour ne pas présenter, de défauts et dislocations telles qu’elles se propageraient au dispositif 1 d’intérêt lors de sa croissance, notamment lors de l’étape 130. Le bilan thermique du procédé de fabrication 100 tel que décrit ci-dessus s’en trouve réduit, par rapport aux méthodes connues, et notamment relativement à la méthode SmartSiC TM (dont le recuit de décollage est typiquement réalisé à un température de 1100°C), de sorte que l’intégrité du dispositif 1 d’intérêt, ainsi que, le cas échéant, celle du substrat initial 2, s’en trouvent relativement inaltérées, au moins relativement à ce qui serait observé si un recuit thermique, par exemple à une température supérieure à 400°C, voire supérieure à 1000°C, devait être appliqué pour décoller le dispositif 1 d’intérêt depuis le substrat initial 2. Notons qu’il ressort de ce qui précède que le procédé 100 tel qu’introduit ci-dessus est de préférence exempt d’une étape de recuit thermique, en particulier pour décoller le dispositif 1 d’intérêt depuis le substrat initial 2. A la suite du détachement 170 du substrat initial 2 depuis le reste de l’empilement 10, le procédé de fabrication 100 selon le mode de réalisation illustré sur la peut comprendre une étape consistant à récupérer 180 le substrat initial 2, et le cas échéant à le fournir 110 de nouveau. Le substrat initial 2 peut ainsi être réutilisé, le cas échéant après au moins un traitement, par exemple choisi parmi un traitement chimique et un polissage mécano-chimique (ou CMP pour « chemical mechanical polishing » selon la terminologie anglo-saxonne). La possibilité de recycler le substrat initial 2 permet de réduire grandement les coûts liés à la fabrication d’un dispositif 1 à base de SiC (mono)cristallin. Le procédé de fabrication 100 tel que décrit ci-dessus en référence aux figures 1A à 1E et 5 peut être utilisé de différentes manières. Sans prétendre être exhaustif, trois utilisations différentes du procédé de fabrication 100 selon le premier aspect de l’invention sont illustrées sur les figures 2A et 2B pour la première, sur les figures 3A et 3B pour la deuxième et sur les figures 4A et 4B pour la troisième. La première utilisation envisagée consiste, comme déjà discuté plus haut, à la réduction du dispositif d’intérêt 1 à la seule couche d’intérêt 11. Dans ce cas, le procédé de fabrication permet de fabriquer un dispositif 1 constitué d’une couche d’intérêt 11 en SiC (mono)cristallin utilisable comme couche de germination, par exemple d’un substrat à base de SiC (mono)cristallin. Dans ce cas, le substrat receveur peut avantageusement être à base de SiC polycristallin, et être le cas échéant encapsulé (une ou plusieurs couches déposées autour ou sur le SiC polycristallin) ; le coût d’un tel substrat receveur est bien moindre qu’un substrat à base de SiC monocristallin et présente avantageusement un coefficient d’expansion thermique proche de celui du SiC monocristallin. De la sorte, des étapes technologiques de la microélectronique qui viendraient à être appliquées sur le dispositif 1 à la suite de son report 150 sur le substrat receveur 5 n’impliqueraient pas nécessairement des différences de dilatation trop significatives entre le dispositif 1 et le substrat receveur 5. Notons que, pour cette première utilisation, le collage entre la couche d’intérêt 11 et le substrat receveur 5 doit être choisi de sorte à résister aux températures nécessairement atteintes pour faire croître du SiC monocristallin, typiquement des températures sensiblement égales, voire légèrement supérieures, à 1600°C. En référence aux figures 3A et 3B, la deuxième utilisation envisagée vise à obtenir, dans un premier temps, un dispositif 1 épitaxié à base de SiC reporté sur le substrat receveur 5. Il peut alors être avantageux que le procédé de fabrication 100 comprenne, à la suite du détachement du substrat initial 2 depuis le reste de l’empilement 10, une étape (non représentée) consistant à décoller le dispositif 1 depuis le substrat receveur 5, le cas échéant en sacrifiant une ou plusieurs couches de liaison 6. Par exemple, au moins une couche de liaison 6 peut être à base d’un polymère réticulable, par exemple sous un rayonnement UV, de sorte d’en diminuer l’énergie d’adhésion, et permettre le décollement du dispositif d’intérêt 1 depuis le substrat receveur 5. Notons que, avant ce décollement, le procédé de fabrication 100 selon le premier aspect de l’invention peut comprendre des étapes technologiques de la micro-électronique visant à compléter, voire finaliser, le dispositif d’intérêt 1, le substrat receveur 5 jouant alors typiquement le rôle d’un substrat de transfert ou équivalemment d’une poignée temporaire et l’interface de collage 6 devant alors résister aux conditions de mise en œuvre desdites étapes technologiques. La deuxième utilisation envisagée vise à donc obtenir, dans un second temps, un dispositif 1 épitaxié à base de SiC détaché de tout autre composant. Il est alors possible de coller le dispositif 1 épitaxié à base de SiC par exemple sur un substrat à base de silicium, notamment pour processer (ou équivalemment traiter par des techniques de la micro-électronique) la face exposée du dispositif 1 épitaxié à base de SiC. En référence aux figures 4A et 4B, la troisième utilisation envisagée consiste en une intégration d’un dispositif 1 épitaxié à base de SiC tel que fabriqué 100, par son assemblage avec un dispositif de type CMOS, notamment en tant que substrat receveur 5. Le cas échéant, l’assemblage emporte l’interconnexion électrique entre eux du dispositif 1 et du dispositif de type CMOS par des zones de reprise de contact respectives du dispositif 1 épitaxié à base de SiC et du dispositif de type CMOS. La ou les couches de liaison 6 tel qu’illustrée(s) sur la comprennent alors de préférence des zones à base d’un matériau diélectrique entourant des zones de reprise de contact électrique. Notons que le dispositif de type CMOS est par exemple à base de silicium, pour montrer qu’il est possible d’assembler alors entre eux des dispositifs à base de matériaux semi-conducteurs différents entre eux. Notons en outre que ce type d’assemblage, réputé relever des compétences ordinaires de la personne du métier, peut avantageusement dans certains cas être réalisé à froid, par exemple par collage hybride. Un transfert d’un dispositif 1 épitaxié à base de SiC sur un dispositif de type CMOS est ainsi permis par la mise en œuvre du procédé de fabrication 100 décrit ci-dessus. Cette possibilité n’est pas offerte par le procédé SmartSiC TM dont le détachement de type Cristal Ion Slicing est nécessairement réalisé à chaud. Il ressort de ce qui précède que le procédé de fabrication 100 selon le premier aspect de l’invention permet au moins l’un parmi : la fourniture de substrats à base de SiC monocristallin de haute qualité et à bas coût, La réalisation à bas coût de dispositifs épitaxiés à base de SiC monocristallin, et L’hybridation de dispositifs épitaxiés à base de SiC monocristallin sur un dispositif de type CMOS notamment à base de silicium. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par l’invention. Procédé de fabrication (100) d’un dispositif (1) comprenant au moins une couche dite d’intérêt (11) à base, voire constituée, de carbure de silicium (SiC) cristallin, de préférence monocristallin, le procédé de fabrication (100) comprenant les étapes suivantes : Fournir (110) un substrat dit initial (2) à base, voire constitué, de SiC cristallin, de préférence monocristallin, puis Faire croître (120) par épitaxie, sur le substrat initial (2), une couche dite tampon (3) à base d’un matériau présentant, sous sa forme cristalline, de préférence monocristalline : un paramètre de maille égal, à plus ou moins 6% près, de préférence à plus ou moins 2% près, à un paramètre de maille du SiC cristallin, de préférence monocristallin, à base duquel est constitué le substrat initial (2), et une température de fusion strictement supérieure à 1600°C, de préférence supérieure à 2000°C, et encore plus préférentiellement supérieure ou sensiblement égal à 2500°C, et jusqu’à ce que la couche tampon (3) présente une épaisseur strictement supérieure à 2 nm, de préférence supérieure ou égale à 4 nm, et strictement inférieure à deux fois, de préférence sensiblement égale ou inférieure à, une épaisseur critique Ec au-delà de laquelle des défauts ou dislocations apparaissent dans la couche tampon (3) crue (120), Faire croître (130) par épitaxie, sur la couche tampon (3), au moins la couche d’intérêt (11), pour obtenir un empilement (10) comprenant successivement le substrat initial (2), la couche tampon (3) et au moins la couche d’intérêt (11), l’empilement (10) s’étendant depuis une face arrière (101) portée par le substrat initial (2) jusqu’à une face avant (102) opposée à la face arrière (101), et Fournir (140) un substrat dit receveur (5), puis Reporter (150) l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5), puis Insoler (160) l’empilement (10), de préférence par sa face arrière (101), avec un rayonnement laser présentant une longueur d’onde davantage absorbée par la couche tampon (3) que par le SiC cristallin, de préférence monocristallin, à base duquel est constitué le substrat initial (2), le rayonnement laser étant configuré pour altérer la couche tampon (3) de sorte à détacher le substrat initial (2) depuis le reste de l’empilement (10) en sacrifiant au moins partiellement la couche tampon (3), et obtenir (170) ainsi un dispositif (1) comprenant au moins la couche d’intérêt (11) reporté sur le substrat receveur (5). Procédé (100) selon la revendication précédente, comprenant en outre, à la suite du détachement du substrat initial (2) depuis le reste de l’empilement (10), une étape consistant à récupérer (180) le substrat initial (2), et le cas échéant à le fournir (110) de nouveau. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base duquel la couche tampon (3) est constituée est choisi parmi : TiN, VN, ZrN, TaN, NbN, et HfN, voire MoN, WN et CrN, et TiC, VC, ZrC, TaC, NbC, et HfC, voire MoC, WC et CrC, Ou un mélange d’au moins deux de ces composés chimiques. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel le matériau à base duquel la couche tampon (3) est constituée est choisi parmi NbN, HfN et TiN, ou un mélange d’au moins deux de ces composés chimiques. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel le matériau à base duquel la couche tampon (3) est constituée est le nitrure de niobium (NbN). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la couche tampon (3) est comprise entre 1,5 et 15 nm, de préférence entre 3 et 12 nm, et sera par exemple sensiblement égale à 4 nm ou 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif (1) consiste en ladite couche d’intérêt (11) et forme une couche de germination. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape de croissance par épitaxie de ladite au moins la couche d’intérêt comprend, outre la croissance de ladite couche (11), la croissance d’autres couches pour former, conjointement avec ladite couche d’intérêt, un dispositif (1) épitaxié à base de SiC, comprenant par exemple au moins l’un parmi un composant de puissance et un composant radiofréquence, tels qu’une diode ou un transistor, notamment à effet de champ. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le report de l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5) comprend, ou consiste en, une étape de collage de l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5), l’étape de collage étant de préférence réalisée en mettant en œuvre une technique permettant au collage de résister à des conditions, notamment de température, destinées à être rencontrer lors d’étapes ultérieures de fabrication et/ou de traitement et/ou d’assemblage du dispositif (1). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le collage de l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5) est réalisé par l’intermédiaire d’au moins une couche de liaison (6). Procédé (100) selon la revendication 8 et la revendication 9, dans lequel, le dispositif (1) épitaxié à base de SiC et le substrat receveur (5) comprenant chacun des zones de reprise de contact affleurants de la face par laquelle il est opposé à l’autre, l’étape de collage de l’empilement (10) par sa face avant (102) sur le substrat receveur (5) comprend au moins une mise en contact électrique d’une zone de reprise de contact du dispositif (1) épitaxié à base de SiC avec une zone de reprise du substrat receveur (5), le collage étant par exemple hybride. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le substrat receveur (5) est choisi parmi : Un substrat à base de SiC polycristallin, Un substrat à base d’un matériau présentant un coefficient d’expansion thermique sensiblement égal au coefficient d’expansion thermique du SiC cristallin, de préférence monocristallin, Un substrat intégrant un transistor par exemple basé sur la technologie CMOS, Un substrat à base de silicium, Un substrat métallique, et de préférence lorsque le dispositif (1) est finalisé avant l’étape d’insolation (160), un substrat comprenant une plaque de base, de la graisse thermique et un dissipateur thermique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base duquel la couche tampon (3) est formée présente une absorbance d’au moins 10%, de préférence d’au moins 20%, supérieure à une absorbance d’une couche de SiC cristallin, de préférence monocristallin, de même épaisseur que la couche tampon, pour la longueur d’onde choisie du rayonnement laser et pour l’épaisseur critique Ec de la couche tampon (3). Utilisation du dispositif (1) fabriqué par mise en œuvre du procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13 comprenant la croissance, par épitaxie, de SiC cristallin, de préférence monocristallin, sur la couche d’intérêt (11) du dispositif (1), la couche d’intérêt (11) consistant en une couche mince. Utilisation du procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13 pour obtenir un dispositif (1) épitaxié à base de SiC décollé depuis le substrat receveur (5). Utilisation du procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13 pour assembler le dispositif (1) fabriqué avec un dispositif de type CMOS en tant que substrat receveur (5), le cas échéant en interconnectant électriquement entre eux le dispositif (1) et le dispositif de type CMOS par des zones de reprise de contact respectives du dispositif (1) et du dispositif de type CMOS, le dispositif de type CMOS étant par exemple à base de silicium.