FR 3149231 A1 20241206 FR 2305428 A 20230531 Empilement de couches dont la teinte, dans le domaine visible, change Cet empilement comportant dans l’ordre : - un miroir inférieur (12) comportant une couche métallique (20), - une couche transparente (14) composée d’un ou plusieurs matériaux diélectriques transparents dans le domaine du visible, l’épaisseur de cette couche transparente étant supérieure à 10 nm, et - un miroir supérieur (16 ; 58). Le miroir inférieur comprend une couche (22) réalisée dans un matériau à changement de phase dont l’épaisseur est comprise entre 10 nm et 250 nm. La couche (22) en matériau à changement de phase est située au-dessus de la couche métallique et forme la face du miroir inférieur en contact avec la couche transparente. Fig. 1 Empilement de couches dont la teinte, dans le domaine visible, change L’invention concerne un empilement de couches dont la teinte, dans le domaine visible, change en réponse à un traitement thermique. De tels empilements ont, par exemple, été divulgués dans les documents suivants : - WO2017215363A1, et - Weiling DONG et al. : «Wide Bandgap Phase Change Material Tuned Visible Photonics ». In : Advanced Functional Materials 29(6), 8/02/2019. Par la suite, l’article de Weiling Dong est désigné par la référence « Dong2019 ». Comme expliqué dans les documents précédents, de tels empilements sont utiles pour fabriquer les pixels d’un écran ou fabriquer du papier électronique sur lequel il est possible d’imprimer une image puis de l’effacer pour en imprimer une nouvelle de très nombreuses fois. Pour cela, les empilements connus comportent une couche en matériau à changement de phase dont la phase change entre une phase amorphe et une phase cristalline en réponse à un traitement thermique. Le changement de phase modifie l’indice de réfraction du matériau à changement de phase, ce qui modifie la teinte (« hue » en anglais) de l’empilement. Plus précisément, il a déjà été observé qu’il est intéressant que l’empilement comporte une cavité optique. Pour cela, des empilements connus, comme ceux décrits dans la demande WO2017215363A1 et dans l’article Dong2019, comportent, dans l’ordre, un miroir inférieur, une couche transparente et un miroir supérieur. Ces empilements avec une cavité optique permettent notamment d’obtenir une plus grande variété de teintes par rapport à un empilement dépourvu de miroir supérieur et donc dépourvu de cavité optique. Jusqu’à présent, dans les empilements avec une cavité optique, la couche en matériau à changement de phase est soit utilisée pour former le miroir supérieur, comme dans la demande WO2017215363A1, soit utilisée pour former la couche transparente comme dans l’article Dong2019. Ces empilements connus permettent d’obtenir une grande variété de teintes. Par contre, la différence entre la teinte obtenue lorsque le matériau à changement de phase est dans sa phase amorphe et la teinte obtenue lorsque le matériau à changement de phase est dans sa phase cristalline n’est pas très importante. L’invention vise à remédier à cet inconvénient en proposant un empilement qui conserve les avantages des empilements comportant une cavité optique tout en permettant d’obtenir des teintes plus différenciées entre les phases amorphe et cristalline du matériau à changement de phase. L’invention est a donc pour objet un empilement de couches dont la teinte, dans le domaine visible, change en réponse à un traitement thermique, cet empilement comportant dans l’ordre : - un miroir inférieur comportant une couche métallique, - une couche transparente composée d’un ou plusieurs matériaux diélectriques transparents dans le domaine du visible, l’épaisseur de cette couche transparente étant supérieure à 10 nm, et - un miroir supérieur, au moins l’un des miroirs inférieur et supérieur étant partiellement réfléchissant, un des miroirs et de la couche transparente comprenant une couche réalisée dans un matériau à changement de phase dont l’épaisseur est comprise entre 10 nm et 250 nm, et la différence entre les parties réelles des indices de réfraction du matériau à changement de phase et de la couche transparente est supérieure à 0,2, dans lequel la couche en matériau à changement de phase est située dans le miroir inférieur au-dessus de la couche métallique et forme la face du miroir inférieur en contact avec la couche transparente. Les modes de réalisation de cet empilement peuvent comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : 1) Le matériau à changement de phase est un matériau choisi dans le groupe composé des matériaux suivants et de leur alliage : Sb 2 S 3 , GeTe, Ge 2 Sb 2 Te 5 , GeSe 2 , Sb 2 Te 3 , Bi 2 Te 3 , Sb 2 Se 3 , VO 2 . 2) Le matériau à changement de phase est le trisulfure d’antimoine de formule chimique Sb 2 S 3 . 3) L’épaisseur de la couche en matériau à changement de phase est comprise entre 10 nm et 50 nm. 4) Le miroir supérieur comporte une couche métallique en argent. 5) Le miroir supérieur comporte une couche métallique en titane. 6) L’épaisseur de la couche métallique du miroir supérieur est comprise entre 3 nm et 40 nm. 7) L’épaisseur de la couche métallique du miroir inférieur est supérieure à 50 nm. 8) L’écart entre les teintes de l’empilement lorsque la couche en matériau à changement de phase est entièrement dans une phase amorphe et lorsque la couche en matériau à changement de phase est entièrement dans une phase cristalline, est supérieur, en valeur absolue, à 50° lorsque cet écart est mesuré à l’aide d’un cercle chromatique où le rouge primaire est à 0°, le vert primaire est à 120°, le bleu primaire est à 240°, et les mélanges, à des angles intermédiaires, en proportion des deux primaires qui les composent. 9) L’empilement comporte une couche superficielle transparente déposée sur le miroir supérieur du côté opposé à la couche transparente interposée entre les miroirs inférieur et supérieur. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication de l’empilement ci-dessus, dans lequel les différentes couches de l’empilement sont déposées, sur un substrat, les unes sur les autres, par un procédé d’évaporation par canon à électrons. L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la est une illustration schématique, en perspective de l’architecture d’un premier mode de réalisation d’un empilement capable de changer de teinte en réponse à un traitement thermique, - les figures 2 et 3 sont des illustrations schématiques, en perspective, respectivement, d’un deuxième et d’un troisième modes de réalisation de l’empilement de la . Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. Dans la suite de cette description, les caractéristiques et fonctions bien connues de l’homme du métier ne sont pas décrites en détails. Dans cette description, dans un chapitre I, les définitions et la terminologie utilisées dans ce texte sont présentées. Ensuite, dans un chapitre II, des exemples détaillés de modes de réalisation sont décrits en référence aux figures. Dans un chapitre III, des variantes de ces modes de réalisation sont introduits. Enfin, les avantages des différents modes de réalisation sont précisés dans un chapitre IV. Chapitre I : Définitions et terminologie L’expression « élément réalisé en matériau A » ou « élément en matériau A » désigne un élément dans lequel le matériau A représente au moins 70 %, en masse, de cet élément et de préférence, au moins 90 % ou 95 % en masse de cet élément. L’expression « matériau PCM » désigne un matériau à changement de phase à transition solide-solide, où l’acronyme PCM signifie « Phase Change Material ». Dans ce texte, un changement de phase d’un matériau désigne un changement depuis une phase solide amorphe vers une phase solide cristalline de ce matériau ainsi que le changement en sens inverse, c’est-à-dire depuis la phase solide cristalline vers la phase solide amorphe. L’expression « conducteur électrique » désigne un matériau dont la conductivité électrique, à 20 °C, est supérieure à 10 6 S/m et, de préférence, supérieure à 10 7 S/m. L’expression « température ambiante » désigne une température comprise entre 15 °C et 35 °C et, typiquement, égale à 25 °C. Le spectre visible ou le domaine visible est formé des ondes électromagnétiques dont les longueurs d’onde sont comprises entre 380 nm et 760 nm. Par « lumière » on désigne un rayonnement électromagnétique dont la plage de fréquence s’étend au moins sur tout le spectre visible. Par exemple, la lumière peut être la lumière naturelle sur la terre. Un matériau transparent est un matériau dont le coefficient d’extinction est inférieur à 10 -3 à la longueur d’onde d’intérêt. Les symboles « n r » et « k » désignent, respectivement, la partie réelle et la partie imaginaire de l’indice de réfraction d’un matériau dans le domaine visible. Dès lors, l’expression « l’indice de réfraction n r » désigne seulement la partie réelle de l’indice de réfraction et l’expression « coefficient d’extinction k » désigne seulement la partie imaginaire de l’indice de réfraction. L’indice de réfraction n r et le coefficient d’extinction k sont susceptibles de dépendre de la longueur d’onde considérée. Dans le domaine de l’informatique, une teinte est codée par une direction repérée sur un cercle chromatique qui présente les couleurs sous la forme la plus pure possible. Sur ce cercle chromatique le rouge primaire est à 0°, le vert primaire est à 120°, le bleu primaire est à 240°, et les mélanges, à des angles intermédiaires, en proportion des deux primaires qui les composent. Dans ce texte, l’écart entre une première et une seconde teintes est exprimé sous la forme d’un angle en degrés. Cet angle est égal à la différence entre un premier et second angles. Les premier et second angles sont égaux aux angles sur le cercle chromatique qui codent, respectivement, les première et seconde teintes. Les figures sont orientées par rapport à un repère orthogonal XYZ, où les directions X et Y sont horizontales et la direction Z est verticale. Les termes tels que « au-dessus », « au-dessous », « haut », « bas », « supérieur », « inférieur » sont définis par rapport à la direction Z. Chapitre II : Exemples de modes de réalisation La représente un empilement 2 de couches comportant une face teintée 4 dont la teinte, dans le domaine visible, change en réponse à un traitement thermique. Ce changement de teinte est réversible. L’empilement 2 comporte, empilés les uns sur les autres en allant du bas vers le haut : - un substrat 10, - un miroir inférieur 12, - une couche transparente 14, - un miroir supérieur 16, et - une couche superficielle transparente 18. La couche transparente 14 forme une cavité optique et plus précisément une cavité de Fabry-Perot. A cet effet, la couche 14 est réalisée dans un ou plusieurs matériaux diélectriques transparents dans le domaine du visible. Par exemple, ici, la couche transparente 14 est réalisée en dioxyde de silicium. L’épaisseur e 14 de la couche transparente 14 est comprise entre 10 nm et 500 nm ou entre 50 nm et 500 nm ou encore entre 100 nm et 500 nm. L’épaisseur e 14 est le premier paramètre qui détermine la teinte de la face 4. A titre d’illustration, l’épaisseur e 14 est ici égale à 350 nm. Le miroir 16 est un miroir partiellement réfléchissant. Un miroir partiellement réfléchissant est un miroir qui est traversé par une partie de la lumière incidente. A cet effet, le coefficient de transmission du miroir 16 est supérieur à 5 %. A l’inverse, le miroir 16 réfléchit au moins 10% de la lumière incidente et, de préférence, entre 20 % et 80 % de la lumière incidente. A cet effet, le miroir 16 est formé d’une couche métallique d’épaisseur e 16 . L’épaisseur e 16 dépend des propriétés optiques du métal utilisé pour réaliser la couche 16. Toutefois, l’épaisseur e 16 est généralement comprise entre 5 nm et 100 nm. Dans le cas où le métal utilisé est du titane ou de l’argent, l’épaisseur e 16 est par exemple comprise entre 5 nm et 30 nm. Par exemple, dans ce mode de réalisation, la couche métallique est réalisée en titane et son épaisseur est égale à 10 nm. La couche superficielle 18 isole le miroir 16 de l’environnement extérieur afin de le protéger, en particulier, contre l’oxydation. La couche 18 peut en plus modifier légèrement les teintes de la face 4. La face supérieure de la couche 18 forme la face teintée 4 de l’empilement 2. La couche 18 est réalisée en matériau transparent. Par exemple, cette couche superficielle 18 est réalisée dans un matériau choisi parmi ceux utilisables pour réaliser la couche 14. A titre d’exemple, ici, la couche 18 est réalisée en dioxyde de silicium et son épaisseur e 18 est de 25 nm. Le miroir 12 réfléchit plus de 50 % et, de préférence, plus de 80 % ou plus de 95 % de la lumière incidente dans le domaine visible. A cet effet, il comporte, empilées l’une sur l’autre dans la direction Z et en allant du bas vers le haut, une couche métallique 20 et une couche 22 en matériau PCM. L’épaisseur e 20 de la couche métallique 20 est supérieure à 30 nm et, de préférence, supérieure ou égale à 100 nm pour garantir que la lumière ne traverse pas la couche métallique et donc s’affranchir de la nature du substrat 10. Ici, la couche 20 est réalisée en argent. La couche 22 est réalisée dans un matériau à changement de phase à transition solide-solide. Un tel matériau PCM peut basculer, de façon réversible, entre une phase solide amorphe et une phase solide cristalline. Un tel matériau PCM présente une température Tc et une température Tm qui lui sont propres. La température Tc est la température au-delà de laquelle le matériau PCM bascule de sa phase amorphe vers sa phase cristalline. La température Tm est la température de fusion du matériau PCM. La température Tc est inférieure, souvent d’au moins 100°C, à la température Tm. Ici, le matériau PCM présente une température Tc qui est supérieure à la température ambiante. Ainsi, chacune des phases du matériau PCM est stable à la température ambiante. Dès lors, la phase dans laquelle se trouve le matériau PCM reste inchangée en absence d’apport extérieur d’énergie et, en particulier, en absence de traitement thermique. De préférence, la température Tc est supérieure à 100°C ou 150°C. Typiquement, la transition de la phase amorphe vers la phase cristalline est provoquée en utilisant un premier traitement thermique. Le premier traitement thermique est une impulsion électrique ou une impulsion laser qui élève la température du matériau PCM au-dessus de sa température Tc et en-dessous de sa température Tm puis maintient la température du matériau PCM entre les températures Tc et Tm pendant une durée ΔTc avant de redescendre en-dessous de la température Tc. La durée ΔTc est choisie suffisamment longue, par exemple, pour laisser assez de temps pour que le matériau PCM cristallise entièrement. A l’inverse, si la durée ΔTc est choisie trop courte, seule une cristallisation partielle du matériau PCM se produit. La transition de la phase cristalline vers la phase amorphe est provoquée en utilisant un second traitement thermique différent du premier traitement thermique. Ici, le second traitement thermique est une impulsion électrique ou une impulsion laser qui élève la température du matériau PCM au-dessus de sa température Tm puis la maintient au-dessus de la température Tm pendant une durée ΔTm avant de redescendre en-dessous de la température Tm. La durée ΔTm est choisie suffisamment longue pour rendre le matériau PCM complètement amorphe. Généralement, la durée ΔTm est beaucoup plus courte que la durée ΔTc. A l’issue de la durée ΔTm, la température du matériau PCM redescend rapidement en-dessous de la température Tc. Cette baisse de la température est suffisamment rapide pour que le matériau PCM ne re-cristallise pas en se refroidissant. Par exemple, la baisse de température est de 1°C/ns. L’indice de réfraction du matériau PCM change substantiellement, dans le domaine visible, lorsque ce matériau PCM change de phase. Ici, un changement de l’indice de réfraction est considéré comme substantiel si, pour au moins une longueur d’onde du domaine visible, le changement de l’indice de réfraction n r ou du coefficient d’extinction k est supérieur à 10 % ou 20 %. Autrement dit, il existe une longueur d’onde du domaine visible, pour laquelle la valeur de l’indice n r ou du coefficient k augmente ou diminue de 10 % ou 20 % en réponse au changement de phase. L’indice n r de la couche 22 est différent de l’indice n r de la couche transparente 14. A cet effet, l’écart, en valeur absolue, entre les indices n r des couches 14 et 22 est supérieur à 0,2 ou 0,3. De préférence, pour avoir, en même temps, une large gamme de teintes possibles tout en obtenant des teintes très différentes pour les phases amorphe et cristalline du matériau PCM, le matériau PCM est du trisulfure d’antimoine de formule chimique Sb 2 S 3 . Les températures Tc et Tm de ce matériau PCM sont environ égales, respectivement, à 270°C et 550°C. L’épaisseur e 22 de la couche 22 est typiquement comprise entre 10 nm et 250 nm ou entre 10 nm et 200 nm. Dans le cas du matériau Sb 2 S 3 , de préférence, l’épaisseur e 22 est comprise entre 10 nm et 200 nm et, encore plus avantageusement, entre 10 nm et 50 nm. L’épaisseur e 22 est le second paramètre qui, en combinaison avec l’épaisseur e 14 , détermine les teintes de la face 4. Ici, l’épaisseur e 22 est égale à 24 nm. De préférence, le miroir 12 comporte également une barrière 24 de diffusion entre les couches 20 et 22. Cette barrière 24 évite que, lors de la fabrication de l’empilement 2, les couches 20 et 22 se mélangent. Cette barrière 24 n’a pas d’effet sur les teintes de la face 4. A cet effet, l’épaisseur de cette barrière 24 est très fine, c’est-à-dire inférieure à 5 nm. A titre d’exemple, la barrière 24 est réalisée en dioxyde de silicium et son épaisseur est comprise entre 1 nm et 2,5 nm. Le substrat 10 sert de support et n’a pas d’incidence sur les teintes de la face 4 dès lors que la couche 20 ne peut pas être traversée par la lumière. Par exemple, le substrat 10 est en silicium. L’épaisseur du substrat 10 est typiquement supérieure à 500 µm ou 700 µm ou 1 mm. Une fine couche d’adhérence est généralement prévue entre le substrat 10 et la couche 20 pour augmenter l’adhérence de la couche 20 sur le substrat 10. Par exemple, cette couche d’adhérence est réalisée en chrome et son épaisseur est égale à 5 nm. Pour fabriquer l’empilement 2, les différentes couches sont déposées, sur le substrat 10, les unes sur les autres, par un procédé d’évaporation par canon à électrons (« Electron Beam Deposition » en anglais). Par exemple, une machine de dépôt commercialisée sous le nom de « SYRUSpro 710 » de la société Buhler-Leybold Optics® est utilisée. Pendant le dépôt, un vide d’environ 5x10 -7 mbars est réalisé. La vitesse de dépôt utilisée pour les couches métalliques est de 0,1 nm/s et la vitesse de dépôt pour les autres couches est de 0,2 nm/s. Après la fabrication de l’empilement, le matériau PCM est entièrement dans sa phase amorphe. Lorsque les épaisseurs e 14 , e 16 , e 18 et e 22 sont égales, respectivement, à 350 nm, 10 nm, 25 nm et 24 nm, la teinte de la face 4 est alors magenta vif. Ici, les teintes de la face 4 sont toutes observées à la lumière visible dans une direction d’observation perpendiculaire à la face 4. Il est souligné que la teinte de la face 4 varie en fonction de l’angle entre la direction normale à la face 4 et la direction d’observation. Ensuite, pour obtenir différents états de cristallisation de la couche 22, l’empilement 2 fabriqué est chauffé à une température T comprise entre les températures Tc et Tm pendant une durée ΔTc avant d’être refroidi. Ici, pour chauffer l’empilement 2, celui-ci est déposé sur une plaque chauffée à 300°C. Pour refroidir l’empilement 2, celui-ci est simplement retiré de la plaque chauffante et laissé refroidir à température ambiante. Dans ces conditions, pour une durée ΔTc égale à 2 min, la couche 22 est entièrement cristallisée. La teinte de la face 4 est alors vert pale. Pour une durée ΔTc égale à 30 s, la couche 22 est seulement partiellement cristallisée. La teinte de la face 4 est alors bleu. Ce mode de réalisation permet d’atteindre un écart entre les teintes de la face 4 obtenues lorsque la couche 22 est entièrement en phase amorphe et lorsque la couche 22 est entièrement en phase cristalline, supérieur à 50° ou 60°. Ici, l’écart maximum atteint est d’environ 65°. D’autres tests ont été réalisés en utilisant une impulsion laser dirigée sur la face 4 pour chauffer le matériau PCM. A titre d’illustration, l’impulsion laser utilisée est une impulsion laser générée à l’aide d’un laser femtoseconde. La durée de l’impulsion est de 150 fs et sa longueur d’onde est de 515 nm. L’énergie de chaque impulsion a été ajustée pour ne pas endommager l’empilement. Les impulsions laser ont été répétées pendant 10 s à une fréquence d’environ 1 MHz. Au niveau du point d’impact de l’impulsion laser, la teinte de la face 4 est vert pale. Immédiatement autour de ce point d’impact, la teinte est bleue. Enfin, les zones de la face 4 éloignées du point d’impact sont restées de couleur magenta. La représente un empilement 32 identique à l’empilement 2 sauf que le miroir 16 en titane est remplacé par un miroir 36 en argent pour amplifier la différence de teintes entre la phase complètement amorphe et la phase complètement cristalline de la couche 22. Par exemple, l’épaisseur de la couche métallique en argent est identique à l’épaisseur de la couche métallique en titane de l’empilement 2. Ce mode de réalisation permet d’atteindre un écart entre les teintes de la face 4 lorsque la couche 22 est entièrement en phase amorphe et lorsque la couche 22 est entièrement en phase cristalline, supérieur à 70° ou 80°. Par exemple, ici, l’écart maximum atteint est d’environ 93°. La représente un empilement 52 identique à l’empilement 2 sauf que : - le substrat 10 est remplacé par un substrat 54 en matériau transparent, - le miroir inférieur 12 réfléchissant est remplacé par un miroir inférieur 56 partiellement réfléchissant, et - le miroir supérieur 16 partiellement réfléchissant est remplacé par un miroir réfléchissant 58. Le substrat 54 est, par exemple, réalisé en verre tel que le verre connu sous l’appellation « verre B270® ». Le miroir 56 est identique au miroir 12 sauf que la couche métallique 20 est remplacée par une couche métallique 60 plus fine pour que le miroir 56 soit partiellement réfléchissant. Par exemple, la couche métallique 60 est identique à la couche métallique 16 ou 36. Le miroir 58 est identique au miroir 16 ou 36 sauf que la couche métallique est plus épaisse. Par exemple, l’épaisseur de la couche métallique du miroir 58 est supérieure à 50 nm ou 100 nm. Dans le cas de l’empilement 52, la lumière rentre dans la cavité optique en traversant le substrat 54 et le miroir 56. La face teintée 4 est alors la face inférieure du substrat 54. Dans ce cas, le substrat 54 est à la fois utilisé comme substrat et pour protéger le miroir 56. Chapitre III : Variantes : Variante du miroir inférieur : En variante, les miroirs inférieur et supérieur sont tous les deux partiellement réfléchissant et laissent donc passer au moins 5 % ou 10 % de la lumière incidente. La couche métallique 20 peut être réalisée dans l’un des métaux suivants ou dans un alliage de ces métaux : Au, Pt, Al, Cu, Ti et Ag. La couche 22 en matériau PCM peut être réalisée en utilisant d’autres matériaux à changement de phase que le Sb 2 S 3 . Par exemple, le matériau à changement de phase est choisi dans le groupe composé des matériaux à changement de phase suivant et leurs alliages : Sb 2 S 3 , GeTe, Ge 2 Sb 2 Te 5 , GeSe 2 , Sb 2 Te 3 , Bi 2 Te 3 , Sb 2 Se 3 , VO 2 . Le matériau à changement de phase peut également être dopé. La couche en matériau PCM peut être formée d’une superposition de plusieurs sous-couches chacune réalisées dans un matériau à changement de phase respectif. Par exemple, la couche en matériau à changement de phase peut être formée d’une sous-couche en GeTe ou en Sb 2 Te 3 et d’une sous-couche en Sb 2 S 3 . En appliquant un traitement thermique approprié, la phase de chacune de ces sous-couches peut être contrôlées indépendamment de la phase des autres sous-couches. Cela permet d’augmenter encore plus le nombre de teintes possibles pour la face 4 obtenues en réponse à un traitement thermique. D’autres matériaux sont utilisables pour former la barrière 24 de diffusion. Par exemple, la barrière 24 est réalisée en Si 3 N 4 et son épaisseur est de 5 nm. Autres variantes : Le substrat 10 peut être réalisé dans d’autres matériaux comme du verre (silice) ou en polymère. Dans le cas d’un substrat en polymère, le substrat peut alors être flexible. La couche d’adhérence entre le substrat 10 et la couche 20 peut être réalisée dans un autre matériau ou omise. D’autres matériaux sont possibles pour la couche transparente 14. Par exemple, en variante, la couche transparente est réalisée en Nb 2 O 5 , TiO 2 , HfO 2 , Ta 2 O 5 ou bien encore ITO (Indium Tin Oxide). L’ITO est un matériau à la fois transparent dans le domaine visible et électriquement conducteur. Ainsi, dans ce cas, la couche transparente peut aussi être utilisée comme une électrode permettant de conduire une impulsion électrique utilisée pour chauffer le matériau PCM. Dans un tel cas, la couche métallique 20 ou 60 est, par exemple, utilisée pour former l’autre électrode. Dans ces conditions, l’empilement décrit ici peut être utilisé pour former les pixels d’un écran. Par exemple, l’agencement de ces pixels est identique à l’un de ceux décrits dans la demande WO2017215363. La couche transparente 14 peut aussi être formée par un empilement de plusieurs sous-couches chacune dans un matériau transparent respectif. La couche métallique du miroir supérieure 16 ou 36 ou 58 peut être réalisée dans l’un des métaux suivants ou dans un alliage de ces métaux : Au, Pt, Al, Cu, Ti et Ag. Dans une variante simplifiée, la couche superficielle 18 est omise. Il est aussi possible d’ajouter des couches barrières entre les couches décrites précédemment. De telles couches barrières peuvent être utilisées pour améliorer l’adhésion des couches entre elles, pour éviter des phénomènes de diffusion entre matériaux. Par contre, ces couches barrières n’ont pas d’impact significatif sur les propriétés optiques de l’empilement. En effet, leurs épaisseurs sont toujours très faibles, c’est-à-dire inférieures à 5 nm voire inférieures à 1 nm. Par exemple, de telles couches barrières peuvent être réalisées dans l’un des matériaux suivants : Cr, MgO ou autres. Plusieurs des variantes décrites ci-dessus peuvent être combinées dans un même mode de réalisation. Chapitre IV : Avantages des modes de réalisation décrits : Le fait de placer la couche en matériau PCM entre la couche métallique 20 ou 60 et la couche transparente 14 permet d’obtenir des variations de teintes plus importantes entre la phase amorphe et la phase cristalline du matériau PCM. En particulier, les variations de teintes obtenues sont plus importantes que lorsque le matériau PCM est utilisé pour former la couche transparente ou le miroir supérieur. De plus, cette augmentation de la différence entre les teintes obtenues n’est pas réalisée au détriment de la possibilité d’avoir un très grand nombre de teintes différentes en jouant sur les épaisseurs de la couche 22 en matériau PCM et de la couche transparente 14. Le fait que le matériau PCM soit du Sb 2 S 3 permet d’obtenir un nombre de teintes différentes encore plus grand qu’avec d’autres matériaux PCM. Le fait de choisir l’épaisseur de la couche en Sb 2 S 3 entre 10 nm et 50 nm permet d’augmenter encore plus la différence entre les teintes obtenues avec les phases, respectivement, amorphe et cristalline. Le fait de réaliser le miroir supérieur en argent permet d’accroître la luminosité et la saturation des couleurs. Cela permet aussi d’augmenter encore plus la différence entre les teintes correspondant, respectivement, aux phases amorphe et cristalline du matériau PCM. Empilement de couches dont la teinte, dans le domaine visible, change en réponse à un traitement thermique, cet empilement comportant dans l’ordre : - un miroir inférieur (12 ; 56) comportant une couche métallique (20 ; 60), - une couche transparente (14) composée d’un ou plusieurs matériaux diélectriques transparents dans le domaine du visible, l’épaisseur de cette couche transparente étant supérieure à 10 nm, et - un miroir supérieur (16 ; 58), au moins l’un des miroirs inférieur et supérieur étant partiellement réfléchissant, un des miroirs et de la couche transparente comprenant une couche (22) réalisée dans un matériau à changement de phase dont l’épaisseur est comprise entre 10 nm et 250 nm, et la différence entre les parties réelles des indices de réfraction du matériau à changement de phase et de la couche transparente est supérieure à 0,2, caractérisé en ce que la couche (22) en matériau à changement de phase est située dans le miroir inférieur au-dessus de la couche métallique et forme la face du miroir inférieur en contact avec la couche transparente. Empilement selon la revendication 1, dans lequel le matériau à changement de phase est un matériau choisi dans le groupe composé des matériaux suivants et de leur alliage : Sb 2 S 3 , GeTe, Ge 2 Sb 2 Te 5 , GeSe 2 , Sb 2 Te 3 , Bi 2 Te 3 , Sb 2 Se 3 , VO 2 . Empilement selon la revendication 2, dans lequel le matériau à changement de phase est le trisulfure d’antimoine de formule chimique Sb 2 S 3 . Empilement selon la revendication 3, dans lequel l’épaisseur de la couche (22) en matériau à changement de phase est comprise entre 10 nm et 50 nm. Empilement selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le miroir supérieur (16) comporte une couche métallique en argent. Empilement selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le miroir supérieur (36) comporte une couche métallique en titane. Empilement selon la revendication 5 ou 6, dans lequel l’épaisseur de la couche métallique du miroir supérieur (16 ; 36) est comprise entre 3 nm et 40 nm. Empilement selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’épaisseur de la couche métallique (20) du miroir inférieur (12) est supérieure à 50 nm. Empilement selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’écart entre les teintes de l’empilement lorsque la couche (22) en matériau à changement de phase est entièrement dans une phase amorphe et lorsque la couche en matériau à changement de phase est entièrement dans une phase cristalline, est supérieur, en valeur absolue, à 50° lorsque cet écart est mesuré à l’aide d’un cercle chromatique où le rouge primaire est à 0°, le vert primaire est à 120°, le bleu primaire est à 240°, et les mélanges, à des angles intermédiaires, en proportion des deux primaires qui les composent. Empilement selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l’empilement comporte une couche superficielle transparente (18) déposée sur le miroir supérieur du côté opposé à la couche transparente interposée entre les miroirs inférieur et supérieur. Procédé de fabrication d’un empilement conforme à l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les différentes couches de l’empilement sont déposées, sur un substrat (10), les unes sur les autres, par un procédé d’évaporation par canon à électrons.