FR 3147046 A1 20240927 FR 2302693 A 20230322 Dispositif électronique La présente description concerne un dispositif comprenant une puce (12) fixée sur un support (16), la puce comprenant un premier plot de connexion (14a) et deux deuxièmes plots de connexion (14b), le support comprenant un troisième plot de connexion (18a) et deux quatrièmes plots de connexion (18b), le dispositif comprenant un empilement (24) comprenant des première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices et des quatrièmes couches isolantes (26, 28, 30), les première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices étant séparées les unes des autres par les quatrième couches isolantes, la deuxième couche conductrice (34) étant située entre les première (32) et troisième (36) couches conductrices, les première et troisième couches conductrices reliant ensemble les deuxièmes et quatrièmes plots, la deuxième couche reliant les premier et troisième plots. Figure pour l'abrégé : Fig. 1A Dispositif électronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les dispositifs comprenant une puce fixée sur, et reliée électriquement à, un support. De nombreux dispositifs comprennent des supports sur lesquelles sont situées une ou plusieurs puces. Plusieurs puces sont par exemple situées sur chaque support, le support permettant de former des liaisons électriques entre les différentes puces. Chaque puce est ainsi reliée électriquement au support sur lequel elle est située. De telles liaisons sont effectuées par des fils conducteurs nus (wire-bond en anglais). Cependant, l'utilisation de fils conducteurs sans blindage entraine des phénomènes de diaphonie et de perte d’intégrité des signaux. Il existe un besoin pour des dispositifs comprenant une puce sur un support dans lequel la liaison électrique entre la puce et le support entraine moins d'interférences et de pertes. Un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant une puce fixée sur un support, la puce comprenant un premier plot de connexion et deux deuxièmes plots de connexion, le support comprenant un troisième plot de connexion et deux quatrièmes plots de connexion, le dispositif comprenant un empilement comprenant des première, deuxième et troisième couches conductrices et des quatrièmes couches isolantes, les première, deuxième et troisième couches conductrices étant séparées les unes des autres par les quatrième couches isolantes, la deuxième couche conductrice étant située entre les première et troisième couches conductrices, les première et troisième couches conductrices reliant ensemble les deuxièmes et quatrièmes plots, la deuxième couche reliant les premier et troisième plots. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant une puce fixée sur un support, la puce comprenant un premier plot de connexion et deux deuxièmes plots de connexion, le support comprenant un troisième plot de connexion et deux quatrièmes plots de connexion, le procédé comprenant la fabrication d'un empilement comprenant des première, deuxième et troisième couches conductrices et des quatrièmes couches isolantes, les première, deuxième et troisième couches conductrices étant séparées les unes des autres par les quatrième couches isolantes, la deuxième couche conductrice étant située entre les première et troisième couches conductrices, les première et troisième couches conductrices reliant ensemble les deuxièmes et quatrièmes plots, la deuxième couche reliant les premier et troisième plots. Selon un mode de réalisation, les premier et troisième plots sont configurés pour recevoir un signal de données et les deuxièmes et troisième plots sont configurés pour recevoir une tension de référence. Selon un mode de réalisation, la tension de référence est la masse. Selon un mode de réalisation, le plan comprenant les premier et troisième plots est situé entre le plan comprenant un des deuxièmes plots et un des quatrièmes plots et un plan comprenant l'autre deuxième plot et l'autre quatrième plot. Selon un mode de réalisation, le troisième plot est plus éloigné de la puce que les quatrièmes plots. Selon un mode de réalisation, la couche inférieure de l'empilement est une des quatrièmes couches isolantes. Selon un mode de réalisation, la quatrième couche isolante située entre les première et deuxième couches conductrices comprend des portions non recouvertes par deuxième couche conductrice et la quatrième couche isolante située entre les deuxième et troisième couches conductrices, chacune desdites portions étant au moins partiellement recouverte par la troisième couche conductrice. Selon un mode de réalisation, les première, deuxième et troisième couches conductrices sont en or ou en cuivre. Selon un mode de réalisation, la couche supérieure de l'empilement est une des quatrièmes couches isolantes. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième plots sont situés sur une face supérieure de la puce et les troisième et quatrième plots sont situés sur une face supérieure du support. Selon un mode de réalisation, l'empilement s'étend sur une face latérale de la puce. Selon un mode de réalisation, l'empilement est formé par un procédé de fabrication additive. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication additive est un parmi projections de gouttes ou dépôt de fil fondu. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la , la , la et la représentent un mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la , la et la représentent une étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D ; la , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D ; la , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D ; la , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D ; la , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D ; la , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D ; et la , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La , la , la et la représentent un mode de réalisation d'un dispositif électronique 10. Plus précisément, la représente une vue de dessus du dispositif 10. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan D-D d'une partie du dispositif de la . Le dispositif 10 comprend une puce 12. La puce 12 comprend des plots de contact 14a, 14b sur une face supérieure. Les plots de contact 14a, 14b sont configurés pour être reliés à des sources de tension. Plus précisément, les plots 14a sont configurés pour recevoir un signal de données et les plots 14b sont configurés pour recevoir une tension de référence, par exemple la masse. La puce 12 est fixées sur un support 16, de préférence sur une face supérieure du support 16. Le support 16 est par exemple un empilement de couches isolantes et de couches conductrices. Le support 16 est par exemple en un substrat laminé. Le support 16 est par exemple en résine. Les moyens de fixation de la puce 12 sur le support 16 ne sont pas représentés dans les figures 1A à 1D. La puce 12 est par exemple fixée sur le support par une couche de fixation, par exemple une couche adhésive. Le support 16 comprend, au niveau de la face supérieure du support, par exemple sur la face supérieure du support, des plots de contact 18a et 18b. Les plots de contact 18a, 18b sont configurés pour être reliés électriquement aux plots 14a, 14b. De préférence, chaque plot 18a, 18b est relié électriquement à un plot 14a, 14b. Les plots 18a et 18b sont en outre reliés, par exemple par des éléments de connexion non représentés présents dans le support, à des sources de tension. Dans l'exemple des figures 1A à 1D, le support comprend deux plots 18b et un plot 18a, ainsi que deux plots 14b et un plot 14a. Le plot 18a est configuré pour transmettre un signal de données à la puce, plus précisément au plot 14a. Les plots 18b sont configurés pour être reliés à une tension de référence, de préférence la masse, et aux plots 14b. Les plots 18a et 18b sont situées de telle manière que le plan comprenant le plot 18a et le plot 14a auquel le plot 18a est relié est situé entre les plans comprenant chacun un des plots 18b et le plot 14b auquel ledit plot 18b est relié. Dans l'exemple des figures 1A à 1D, les plots 18b sont alignés, autrement dit situés sensiblement à égale distance de la puce 12. Le plots 18a n'est par exemple pas alignés avec les plots 18b. Autrement dit, le plot 18a n'est pas situé entre les plots 18b. par exemple, la distance entre le plot 18a et la puce 12 est supérieure à la distance entre chacun des plots 18b et la puce 12. Les plots 14a, 14b sont par exemple alignés, comme représentés dans les figures 1A à 1D. Autrement dit, les plots 14a, 14b sont par exemple à égale distance de la face de la puce la plus proche des plots 18a et 18b. Le dispositif 10 comprend par exemple une couche de protection 20 recouvrant partiellement le support 16. Dans l'exemple des figures 1A à 1D, la couche 20 recouvre partiellement la face supérieure du support 16 et comprend en particulier une ouverture 22 dans laquelle sont situés la puce 12 et les plots 18a et 18b. Le dispositif 10 comprend un empilement 24. La représente une vue en coupe de l'empilement 24 selon le plan de coupe D-D. L'empilement 24 comprend une alternance de couches isolantes 26, 28 et 30, représentées avec des hachures dans les figures 1A à 1D, et de couches conductrices 32, 34, 36. Les couches conductrices sont par exemple en métal, par exemple en cuivre ou en or. L'empilement comprend deux couches conductrices 32, 36 configurées pour relier les plots 18b entre eux et aux plots 14b configurés pour recevoir la tension de référence. L'empilement comprend en outre une couche conductrice 34, situées entre les deux couches 32, 36. La couche 34 est configurée pour relier le plot 18a et le plot 14a configuré pour recevoir le signal de données. Les couches conductrices sont séparées les unes des autres par les couches isolantes. Plus précisément, l'empilement 24 comprend la couche inférieure 26 isolante. La couche 26 est la couche la plus proche du support 16. La couche isolante s'étend sur la face supérieure du support 16, sur la face supérieure de la puce 12 et sur la face latérale de la puce 12 située entre les plots 14a, 14b et les plots 18a, 18b. De préférence, la couche 26 s'étend jusqu'aux plots 18a, 18b et jusqu'au plots 14. L'empilement 24 comprend la couche 32 conductrice recouvrant partiellement la couche 26. La couche 32 s'étend sur la couche 26, sur les plots 18b et sur les plots 14b. La couche 32 est en contact avec les plots 14b et les plots 18b. De préférence, la couche 32 repose uniquement sur la couche 26 et sur les plots 14b, 18b. La couche 32 est configurée pour ne pas être en contact physique ou électrique avec les plots 14a et 18a. L'empilement comprend la couche isolante 28 recouvrant la couche 32. La couche 28 recouvre par exemple entièrement la couche 32, les plots 18b et 14b étant partiellement découverts. Alternativement, la couche 28 recouvre par exemple entièrement la couche 32 à l'exception des portions de la couche 32 situées sur les plots 14b et 18b. L'empilement 24 comprend la couche 34 conductrice recouvrant partiellement la couche 28. La couche 34 s'étend sur la couche 28, sur les plots 18a et 14a. La couche 34 est en contact avec les plots 14a et les plots 18a. De préférence, la couche 34 repose uniquement sur la couche 28 et sur les plots 14a, 18a. La couche 34 est configurée pour ne pas être en contact physique ou électrique avec les plots 14b et 18b. La couche 34 s'étend sur une portion de la couche 28 située entre d'autres portions de la couche 28. Autrement dit, la couche 28 comprend des portions situées de part et d'autre de la portion de la couche 28 sur laquelle s'étend la couche 34. L'empilement comprend la couche isolante 30 recouvrant la couche 34. La couche 30 recouvre par exemple entièrement la couche 34. La couche 30 recouvre par exemple les plots 18b et 14b. La couche 30 ne recouvre pas entièrement la couche 28. Autrement dit, des portions de la couche 28 situées de part et d'autre de la couche 34 ne sont pas recouverts par la couche 30. L'empilement comprend la couche conductrice 36. La couche 36 recouvre de préférence entièrement la couche 30. La couche conductrice 36 est séparée de la couche 34 par la couche 30. La couche 36 recouvre au moins partiellement les portions de la couche 28 situées de part et d'autre de la portion de la couche 28 sur laquelle la couche 34 est située. La couche 34 est ainsi entourée de couches conductrices polarisées à la tension de référence. Autrement dit, les faces supérieure et latérales de la couche 34 sont recouvertes de la couche 36 et la face inférieure de la couche 34 est en regard de la couche 32. La couche 36 est par exemple recouverte d'une couche isolante non représentée. La couche isolante non représentée est par exemple en le même matériau que les couches 26, 28, 30. La couche isolante non représentée est par exemple une couche de passivation. Si la couche 36 est en cuivre, la couche isolante non représentée est par exemple configurée pour éviter l'oxydation. Lors du fonctionnement du dispositif, plus précisément, lorsqu'un signal est transmis entre la puce et le support, les couches conductrices 32 et 36 sont polarisées à la tension de référence. La couche 34 sur laquelle est transmis le signal de donnée est ainsi entourée de couches conductrices polarisé à la tension de référence. L'empilement 24 fonctionne ainsi comme un câble coaxial. La dispersion du signal est ainsi fortement limitée par les couches conductrices polarisée à la tension de référence. Les figures 2A, 2B, 2C, 3A, 3B, 3C, 4A, 4B, 4C, 5A, 5B, 5C, 6A, 6B, 6C, 7A, 7B, 7C, 8A, 8B et 8C représentent des étapes, de préférence successives, d'un procédé de fabrication du mode de réalisation des figures 1A à 1D. Au cours du procédé de fabrication, l'empilement 24 est formé par un procédé de fabrication additive, c’est-à-dire un procédé de fabrication d'une structure par formation de couches successives. Les couches de l'empilement 24 sont par exemple formée par projections de gouttes via un procédé de fusion par laser d’une couche porteuse vers la surface receveuse, ou encore par dépôt de matière via une projection mécanique de type vis sans fin ou encore par vibration. La , la et la représentent une étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. Plus précisément, la représente une vue de dessus d'une structure résultant d'une première étape du procédé de fabrication du dispositif 10. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la . Au cours de cette étape, la puce 12 et le support 16 sont formés indépendamment. Ainsi, la puce 12 est formée de telle manière à comprendre les plots 14a et 14b sur une face supérieure. La puce 12 comprend par exemple des éléments de fixation sur une face inférieure. Par exemple, la face inférieure comprend des plots métalliques adaptés à être soudés ou des régions métalliques adaptés à un collage moléculaire. Le support 16 est formé de manière à comprendre les plots 18a et 18b et à relier les plots 18a et 18b à des moyens d'application de tensions. La puce 12 est ensuite fixée sur le support 16. La fixation peut être effectuée par un moyen quelconque, par exemple par application d'une couche de fixation, par collage moléculaire ou par soudure. L'étape des figures 2A, 2B et 2C comprend en outre la formation de la couche de protection 20. La couche 20 recouvre partiellement la face supérieure du support 16. La couche 20 ne recouvre pas les emplacements des plots 18a, 18b, de la puce 12 et de l'empilement 24. La , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. Plus précisément, la représente une vue de dessus d'une structure résultant de l'étape des figures 2A, 2B, 2C. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la . Au cours de cette étape, la couche inférieure 26 de l'empilement 24 est formée sur la structure résultant de l'étape des figures 2A, 2B et 2C. La couche 26 isolante est par exemple la première couche formée par le procédé de fabrication additive. La couche 26 est par exemple formée par une projection de gouttes, de type jet d'encre. Les gouttes sont en un matériau isolant, par exemple en polymère ou résine époxy. La couche 26 recouvre, de préférence entièrement, la portion de la face supérieure du support 16 située entre les plots 18b et la puce 12. La couche 26 entoure par exemple latéralement les plots 18b. Dans l'exemple des figures 2A, 2B et 2C, la couche 26 s'étend jusqu'au plot 18a. La couche 26 recouvre au moins partiellement la face latérale de la puce 12 située entre les plots 14b et les plots 18b. La couche 26 recouvre les portions de ladite face latérale entre les plots 14b et les plots 18b. La couche 26 s'étend jusqu'aux plots 14b. La , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. Plus précisément, la représente une vue de dessus d'une structure résultant de l'étape des figures 3A, 3B, 3C. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la . Au cours de cette étape, la couche conductrice 32 de l'empilement 24 est formée sur la structure résultant de l'étape des figures 3A, 3B et 3C. La couche 32 est formée, comme la couche 26, par le procédé de fabrication additive. La couche 32 est par exemple formée par une projection de gouttes, de type jet d'encre. La couche 32 est par exemple en métal, par exemple en cuivre ou en or. La couche 32 s'étend de manière à être en contact avec les plots 14b et les plots 18b. La couche 32 s'étend de manière à ne pas être en contact avec les plots 14a et 18a. La couche 32 s'étend de préférence uniquement sur la couche 26 et sur les plots 14b et 18b. De préférence, la couche 32 n'est pas en contact avec la face supérieure du support 16. De préférence, la couche 32 est séparée de la face supérieure du support 16 par la couche 26 et par les plots 14b et 18b. La , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. Plus précisément, la représente une vue de dessus d'une structure résultant de l'étape des figures 4A, 4B, 4C. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la . Au cours de cette étape, la couche isolante 28 de l'empilement 24 est formée sur la structure résultant de l'étape des figures 4A, 4B et 4C. La couche 28 est formée, comme la couche 26 et la couche 32, par le procédé de fabrication additive. La couche 28 est par exemple formée par une projection de gouttes, de type jet d'encre. Les gouttes sont en un matériau isolant, par exemple en polymère ou résine époxy. La couche 28 recouvre, de préférence entièrement, la portion de la face supérieure de la couche 32 située entre les plots 18b et la puce 12. La couche 28 recouvre, de préférence entièrement, la portion de la face supérieure de la couche 32 située entre le plot 18a et le plot 14a. La couche 32 ne recouvre de préférence pas entièrement la portion de la couche 32 située sur les plots 14b et 18b. Au moins une portion de chaque plot 18b, 14b, ou de la portion de couche 32 sur ledit plot 18b, 14b, n'est pas recouverte par la couche 28. La couche 28 ne recouvre de préférence pas les plots 14a et 18a. La couche 28 ne recouvre pas entièrement les plots 14a et 18a. La , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. Plus précisément, la représente une vue de dessus d'une structure résultant de l'étape des figures 5A, 5B, 5C. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la . Au cours de cette étape, la couche conductrice 34 de l'empilement 24 est formée sur la structure résultant de l'étape des figures 5A, 5B et 5C. La couche 34 est formée, comme les autres couches de l'empilement 24, par le procédé de fabrication additive. La couche 34 est par exemple formée par une projection de gouttes, de type jet d'encre. La couche 34 est par exemple en métal, par exemple en cuivre ou en or. La couche 34 conductrice recouvre partiellement la couche 28. La couche 34 s'étend sur la couche 28, sur les plots 18a et 14a. La couche 34 est en contact avec les plots 14a et les plots 18a. De préférence, la couche 34 repose uniquement sur la couche 28 et sur les plots 14a, 18a. La couche 34 est configurée pour ne pas être en contact physique ou électrique avec les plots 14b et 18b. La couche 34 s'étend sur une portion de la couche 28 située entre d'autres portions de la couche 28. Autrement dit, la couche 28 comprend des portions situées de part et d'autre de la portion de la couche 28 sur laquelle s'étend la couche 34. La , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. Plus précisément, la représente une vue de dessus d'une structure résultant de l'étape des figures 6A, 6B, 6C. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la . Au cours de cette étape, la couche isolante 30 de l'empilement 24 est formée sur la structure résultant de l'étape des figures 6A, 6B et 6C. La couche 30 est formée, comme les autres couches de l'empilement 24, par le procédé de fabrication additive. La couche 28 est par exemple formée par une projection de gouttes, de type jet d'encre. Les gouttes sont en un matériau isolant, par exemple en polymère ou résine époxy. La couche 30 recouvre par exemple entièrement la couche 34. Dans l'exemple des figures 7A à 7C, la couche 30 recouvre entièrement les portions de la couche 34 situées entre le plan des plots 14b et le plan des plots 18b. La couche 30 recouvre par exemple les plots 18b et 14b. La couche 30 ne recouvre pas entièrement la couche 28. Autrement dit, des portions 42 de la couche 28 situées de part et d'autre de la couche 34 ne sont pas recouvertes par la couche 30. La , la et la représentent une autre étape d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1A à 1D. Plus précisément, la représente une vue de dessus d'une structure résultant de l'étape des figures 7A, 7B, 7C. La représente une vue en coupe selon un plan A-A du dispositif de la . La représente une vue en coupe selon un plan C-C du dispositif de la . Au cours de cette étape, la couche conductrice 36 de l'empilement 24 est formée sur la structure résultant de l'étape des figures 7A, 7B et 7C. La couche 36 est formée, comme les autres couches de l'empilement 24, par le procédé de fabrication additive. La couche 36 est par exemple formée par une projection de gouttes, de type jet d'encre. La couche 36 est par exemple en métal, par exemple en cuivre ou en or. La couche 36 recouvre de préférence entièrement la couche 30. La couche conductrice 36 est séparée de la couche 34 par la couche 30. La couche 36 recouvre au moins partiellement les portions 42 de la couche 28 situées de part et d'autre de la portion de la couche 28 sur laquelle la couche 34 est située. La couche 34 est ainsi entourée de couches conductrices polarisées à la tension de référence, par exemple la masse. Autrement dit, les faces supérieure et latérales de la couche 34 sont recouvertes de la couche 36 et la face inférieure de la couche 34 est en regard de la couche 32. Le procédé comprend par exemple la formation d'une couche isolante non représentée recouvrant la couche 36. La couche isolante non représentée est par exemple en le même matériau que les couches 26, 28, 30. La couche isolante non représentée est par exemple une couche de passivation. Si la couche 36 est en cuivre, la couche isolante non représentée est par exemple configurée pour éviter l'oxydation. Un avantage des modes de réalisation décrits précédemment est que le signal transmis est moins dispersé, en particulier en comparaison avec une liaison filaire. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif comprenant une puce (12) fixée sur un support (16), la puce comprenant un premier plot de connexion (14a) et deux deuxièmes plots de connexion (14b), le support comprenant un troisième plot de connexion (18a) et deux quatrièmes plots de connexion (18b), le dispositif comprenant un empilement (24) comprenant des première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices et des quatrièmes couches isolantes (26, 28, 30), les première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices étant séparées les unes des autres par les quatrième couches isolantes, la deuxième couche conductrice (34) étant située entre les première (32) et troisième (36) couches conductrices, les première et troisième couches conductrices reliant ensemble les deuxièmes et quatrièmes plots, la deuxième couche reliant les premier et troisième plots. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les premier (14a) et troisième (18a) plots sont configurés pour recevoir un signal de données et les deuxièmes (14b) et troisième (18b) plots sont configurés pour recevoir une tension de référence. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel la tension de référence est la masse. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le plan comprenant les premier (14a) et troisième (18a) plots est situé entre le plan comprenant un des deuxièmes plots (14b) et un des quatrièmes plots (18b) et un plan comprenant l'autre deuxième plot (14b) et l'autre quatrième plot (18b). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le troisième plot (18a) est plus éloigné de la puce (12) que les quatrièmes plots (18b). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche inférieure de l'empilement est une des quatrièmes couches isolantes. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la quatrième couche isolante (28) située entre les première (32) et deuxième (34) couches conductrices comprend des portions (42) non recouvertes par deuxième couche conductrice (34) et la quatrième couche isolante (30) située entre les deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices, chacune desdites portions étant au moins partiellement recouverte par la troisième couche conductrice (36). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les première, deuxième et troisième couches conductrices sont en or ou en cuivre. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche supérieure de l'empilement est une des quatrièmes couches isolantes. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les premier (14a) et deuxième (14b) plots sont situés sur une face supérieure de la puce et les troisième (18a) et quatrième (18b) plots sont situés sur une face supérieure du support (16). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'empilement (24) s'étend sur une face latérale de la puce. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant une puce (12) fixée sur un support (16), la puce comprenant un premier plot de connexion (14a) et deux deuxièmes plots de connexion (14b), le support comprenant un troisième plot de connexion (18a) et deux quatrièmes plots de connexion (18b), le procédé comprenant la fabrication d'un empilement (24) comprenant des première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices et des quatrièmes couches isolantes (26, 28, 30), les première (32), deuxième (34) et troisième (36) couches conductrices étant séparées les unes des autres par les quatrième couches isolantes, la deuxième couche conductrice (34) étant située entre les première (32) et troisième (36) couches conductrices, les première et troisième couches conductrices reliant ensemble les deuxièmes et quatrièmes plots, la deuxième couche reliant les premier et troisième plots. Procédé selon la revendication 12 appliqué à un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11. Procédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l'empilement (24) est formé par un procédé de fabrication additive. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le procédé de fabrication additive est un parmi projections de gouttes ou dépôt de fil fondu.