FR 3154233 A1 20250418 FR 2310915 A 20231011 Procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques de formes diverses, à partir d’une cellule photovoltaïque (C0) à contact arrière interdigité, comportant un substrat (1) à base de silicium cristallin, le procédé combinant une ablation (A1) par irradiation laser (L) d’une première partie du substrat (1) avec une gravure chimique sélective d’une seconde partie (S2) du substrat (1). Figure 4 Procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques L’invention se rapporte au domaine technique des cellules photovoltaïques. Plus précisément, l’invention concerne la fabrication de sous-cellules photovoltaïques présentant une grande variété de formes, par exemple des formes carrées, rectangulaires, triangulaires, circulaires etc. L’invention trouve son application dans la fabrication de cellules photovoltaïques à base de silicium cristallin dont la face avant, destinée à être exposée à un rayonnement solaire, est dépourvue de contacts électriques. En d’autres termes, l’invention trouve son application dans la fabrication de cellules photovoltaïques à contact arrière, en particulier avec : - une architecture à contact arrière interdigité (IBC pour « Interdigitated Back Contact » en langue anglaise) ; - une architecture de type TOPCon (« Tunnel Oxide Passivated Contact ») à contact arrière interdigité, où le contact arrière passivé comporte un film d’oxyde tunnel recouvert d’une alternance de couches de silicium polycristallin dopées de type n et de type p ; - une architecture de type hétérojonction silicium amorphe/silicium cristallin à contact arrière interdigité ; - une architecture à émetteur traversant (EWT pour « Emitter Wrap Through » en langue anglaise). État de l’art Un premier procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques, connu de l’état de la technique, utilise une technique de clivage laser. Plus précisément, pour une architecture à contact arrière interdigité, une première variante (clivage induit par laser, LIC pour « Laser Induced Cleavage » en langue anglaise) du premier procédé comporte les étapes : A 01 ) utiliser une cellule photovoltaïque comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées, la première surface étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement de couches actives, formé sur la première surface du substrat ; - une alternance de zones dopées de type n et de type p (formant des zones de collecte d’électrons et de trous), s’étendant suivant une direction transversale à la normale à la seconde surface du substrat ; - des premier et second ensembles de plots métalliques, respectivement en contact avec les zones dopées de type n et avec les zones dopées de type p ; B 01 ) appliquer une irradiation laser à la cellule photovoltaïque de manière à : - obtenir localement des ablations d’une première partie du substrat ; - tracer un contour délimitant des sous-cellules photovoltaïques ; - conserver une seconde partie du substrat, s’étendant dans le prolongement des ablations ; C 01 ) séparer les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape B 01 ) par une sollicitation mécanique. La première partie du substrat ablatée lors de l’étape B 01 ) permet de fragiliser les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape B 01 ), de sorte qu’il est possible de les séparer par sollicitation mécanique lors de l’étape C 01 ). Une telle première variante du premier procédé, impliquant des sillons non-traversants, est peu adaptée à l’obtention de formes autres que carrées ou rectangulaires pour les sous-cellules photovoltaïques. En d’autres termes, une telle première variante du premier procédé n’est adaptée que lorsque le contour délimite des portions rectilignes. En effet, lors de l’étape C 01 ) de séparation des sous-cellules photovoltaïques par sollicitation mécanique, une fissure va être créée et se propager le long des directions préférentielles de clivage, ce qui va induire une casse des sous-cellules photovoltaïques. Une deuxième variante (clivage direct par laser, LDC pour « Laser Direct Cleavage » en langue anglaise) du premier procédé comporte les étapes : A’ 01 ) utiliser une cellule photovoltaïque comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées, la première surface étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement de couches actives, formé sur la première surface du substrat ; - une alternance de zones dopées de type n et de type p (formant des zones de collecte d’électrons et de trous), s’étendant suivant une direction transversale à la normale à la seconde surface du substrat ; - des premier et second ensembles de plots métalliques, respectivement en contact avec les zones dopées de type n et avec les zones dopées de type p ; B’ 01 ) appliquer un clivage laser à la cellule photovoltaïque de manière à : - obtenir localement des ablations de la totalité du substrat ; - tracer un contour délimitant des sous-cellules photovoltaïques. Les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape B’ 01 ) sont séparées spontanément. Une telle deuxième variante du premier procédé, impliquant des sillons traversants, est adaptée à l’obtention de formes diverses pour les sous-cellules photovoltaïques, contrairement à la première variante. Toutefois, les première et deuxième variantes d’un tel premier procédé de l’état de la technique ne sont pas entièrement satisfaisantes dans la mesure où l’irradiation laser appliquée lors des étapes B 01 ) et B’ 01 ) créé des défauts, en particulier une amorphisation du silicium sur les bords des sous-cellules photovoltaïques qui rend délicate, voire impossible, la passivation ultérieure de ces bords. La passivation des surfaces du substrat est un enjeu majeur du secteur photovoltaïque, permettant de limiter les recombinaisons entre porteurs, ce qui se traduit par une amélioration significative de l’efficacité. Par « passivation », on entend la réduction des recombinaisons des porteurs aux surfaces du substrat. En effet, une surface d’un substrat en silicium cristallin présente une densité de défauts (e.g. liaisons pendantes, impuretés, discontinuité du cristal etc.) pouvant entraîner des pertes non négligeables liées à la recombinaison en surface des porteurs dans le cas d’une application photovoltaïque. Un deuxième procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques, connu de l’état de la technique, utilise une technique de séparation thermique au laser (TLS pour « Thermal Laser Separation » en langue anglaise). Plus précisément, pour une architecture à contact arrière interdigité, le deuxième procédé comporte les étapes : A 02 ) utiliser une cellule photovoltaïque comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées, la première surface étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement de couches actives, formé sur la première surface du substrat ; - une alternance de zones dopées de type n et de type p (formant des zones de collecte d’électrons et de trous), s’étendant suivant une direction transversale à la normale à la seconde surface du substrat ; - des premier et second ensembles de plots métalliques, respectivement en contact avec les zones dopées de type n et avec les zones dopées de type p ; B 02 ) appliquer une technique de séparation thermique au laser à la cellule photovoltaïque de manière à : - obtenir localement des propagations de fissures au travers de la totalité du substrat, les fissures définissant préférentiellement un axe passant entre des couples adjacents de plots métalliques, chaque couple de plots métalliques comprenant un plot métallique du premier ensemble et un plot métallique du second ensemble ; - tracer un contour délimitant des sous-cellules photovoltaïques. Les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape B 0 2 ) sont séparées spontanément. Un tel deuxième procédé de l’état de la technique permet, à l’issue de l’étape B 0 2 ), d’obtenir des bords de sous-cellules photovoltaïques pouvant être passivés. Toutefois, un tel deuxième procédé de l’état de la technique n’est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où il est peu adapté pour l’obtention de formes diverses pour les sous-cellules photovoltaïques, en particulier lorsque le contour ne délimite pas des portions rectilignes. L’homme du métier recherche donc une solution permettant d’obtenir des formes diverses (i.e. n’impliquant pas uniquement des portions rectilignes) pour les sous-cellules photovoltaïques, avec des bords pouvant être aisément passivés. L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de fabrication d’au moins une sous-cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a) utiliser une cellule photovoltaïque comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées, la première surface étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement de couches actives, formé à la première surface du substrat ; - au moins une alternance de zones de collecte d’électrons et de trous, formée à la seconde surface du substrat ; - des premier et second ensembles de plots métalliques, respectivement en contact avec les zones de collecte d’électrons et avec les zones de collecte de trous ; b) former une couche diélectrique s’étendant sur les premier et second ensembles de plots métalliques ; c) appliquer un rayonnement laser à la cellule photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement des ablations d’une première partie du substrat ; - tracer un contour délimitant au moins une sous-cellule photovoltaïque ; - conserver une seconde partie du substrat, s’étendant dans le prolongement des ablations, et adaptée pour conserver une tenue mécanique de ladite au moins une sous-cellule photovoltaïque délimitée par le contour tracé ; d) graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie du substrat s’étendant dans le prolongement des ablations obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser ladite au moins une sous-cellule photovoltaïque délimitée à l’issue de l’étape c), et de manière à conserver pour la ou chaque sous-cellule photovoltaïque au moins un couple de plots métalliques adjacents comprenant un plot métallique du premier ensemble et un plot métallique du second ensemble ; l’agent de gravure étant choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique ; e) séparer ladite au moins une sous-cellule photovoltaïque fragilisée à l’issue de l’étape d). Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet d’obtenir au moins une sous-cellule photovoltaïque de formes diverses (n’impliquant pas nécessairement que des portions rectilignes) avec des bords pouvant être aisément passivés, grâce à la combinaison des étapes c) et d). En effet, l’ablation laser de l’étape c) permet de tracer un contour de forme variée, pouvant être par exemple rectiligne ou curviligne. L’étape d), quant à elle, permet de : (i) fragiliser la ou les sous-cellules photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape c), et (ii) supprimer une grande partie des défauts liés à l’amorphisation du silicium (provoquée par l’irradiation laser) sur les bords de la ou des sous-cellules photovoltaïques, grâce à la gravure chimique. Une telle étape d), réduisant considérablement les défauts d’amorphisation du silicium, facilite ainsi une passivation ultérieure des bords de la ou des sous-cellules photovoltaïques par rapport à l’état de la technique. La couche diélectrique formée lors de l’étape b) agit comme un masque de gravure. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une sous-cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a) utiliser une cellule photovoltaïque comprenant : - un substrat, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces opposées, la première surface étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement de couches actives, formé à la première surface du substrat ; - une zone de collecte d’électrons et une zone de collecte de trous, formées à la seconde surface du substrat ; - des premier et second plots métalliques, respectivement en contact avec la zone de collecte d’électrons et avec la zone de collecte de trous ; b) former une couche diélectrique s’étendant sur les premier et second plots métalliques ; c) appliquer un rayonnement laser à la cellule photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement des ablations d’une première partie du substrat ; - tracer un contour délimitant une sous-cellule photovoltaïque ; - conserver une seconde partie du substrat, s’étendant dans le prolongement des ablations, et adaptée pour conserver une tenue mécanique de la sous-cellule photovoltaïque délimitée par le contour tracé ; d) graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie du substrat s’étendant dans le prolongement des ablations obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser la sous-cellule photovoltaïque délimitée à l’issue de l’étape c), et de manière à conserver pour la sous-cellule photovoltaïque les premier et second plots métalliques ; l’agent de gravure étant choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique ; e) séparer la sous-cellule photovoltaïque fragilisée à l’issue de l’étape d). Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet d’obtenir une unique sous-cellule photovoltaïque de formes diverses (n’impliquant pas nécessairement que des portions rectilignes) avec des bords pouvant être aisément passivés, grâce à la combinaison des étapes c) et d). En effet, l’ablation laser de l’étape c) permet de tracer un contour de forme variée, pouvant être par exemple rectiligne ou curviligne. L’étape d), quant à elle, permet de : (i) fragiliser l’unique sous-cellule photovoltaïque délimitées à l’issue de l’étape c), et (ii) supprimer une grande partie des défauts liés à l’amorphisation du silicium (provoquée par l’irradiation laser) sur les bords de l’unique sous-cellule photovoltaïque, grâce à la gravure chimique. Une telle étape d), réduisant considérablement les défauts d’amorphisation du silicium, facilite ainsi une passivation ultérieure des bords de l’unique sous-cellule photovoltaïque par rapport à l’état de la technique. La couche diélectrique formée lors de l’étape b) agit comme un masque de gravure. Le procédé selon l’invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l’invention, le rayonnement laser est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations longitudinales définissant un axe passant entre des couples adjacents de plots métalliques, chaque couple comprenant un plot métallique du premier ensemble et un plot métallique du second ensemble. Les ablations longitudinales de la première partie du substrat définissent un axe passant physiquement entre des couples adjacents de plots métalliques lorsque le rayonnement laser est appliqué du côté de la seconde surface du substrat. Les ablations longitudinales de la première partie du substrat définissent un axe passant virtuellement entre des couples adjacents de plots métalliques lorsque le rayonnement laser est appliqué du côté de la première surface du substrat. Il est à noter que, pour un rayonnement laser appliqué du côté de la première surface du substrat, il n’est pas nécessaire que les ablations longitudinales définissent un axe virtuel passant entre des couples adjacents de plots métalliques. En d’autres termes, l’axe virtuel peut pointer vers un plot métallique. L’application du rayonnement laser du côté de la première surface du substrat est donc moins contraignant en termes d’alignement et présente moins de risques d’altérer la qualité des zones de collecte d’électrons et de trous. Selon une caractéristique de l’invention, les ablations longitudinales sont des ablations longitudinales de la couche diélectrique et de la première partie du substrat. Ainsi, il peut être avantageux d’appliquer le rayonnement laser du côté de la seconde surface du substrat selon l’architecture de cellule photovoltaïque utilisée lors de l’étape a). L’obtention d’ablations longitudinales, définissant un axe passant préférentiellement entre des couples adjacents de plots métalliques, est facilitée dans la mesure où la procédure d’alignement est plus facile à mettre en œuvre par rapport au cas où le rayonnement laser est appliqué du côté de la première surface du substrat. Selon une caractéristique de l’invention : - l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie du substrat est totalement gravée chimiquement ; - l’étape e) consiste en une séparation spontanée de la ou des sous-cellules photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d). Ainsi, un avantage procuré est de s’affranchir d’opérations dédiées à la séparation de la ou des sous-cellules photovoltaïques. Selon une caractéristique de l’invention : - l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie du substrat est partiellement gravée chimiquement ; - l’étape e) est exécutée par une technique de séparation choisie parmi un choc thermique, une sollicitation mécanique, un traitement par ultrasons. Ainsi, un avantage procuré est de réduire le temps d’opération liée à la gravure chimique de la seconde partie du substrat. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape d) consiste à immerger la cellule photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape c) dans un bain de gravure. Ainsi, un avantage procuré est la simplicité de mise en œuvre du procédé. Selon une caractéristique de l’invention : - la couche diélectrique formée lors de l’étape b) est réalisée dans un oxyde de silicium ; - l’étape d) est exécutée de sorte que l’agent de gravure est choisi parmi une solution d’hydroxyde de potassium KOH, une solution d’hydroxyde de tétraméthylammonium TMAH, une solution d’hydroxyde de sodium NaOH. Ainsi, un avantage procuré par de tels agents de gravure est d’autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à un oxyde de silicium. Selon une caractéristique de l’invention, le rayonnement laser est appliqué lors de l’étape c) suivant une direction parallèle à la normale aux première et seconde surfaces du substrat. Ainsi, un avantage procuré est d’optimiser le volume utile de la cellule photovoltaïque utilisée lors de l’étape a) pour fabriquer une ou des sous-cellules photovoltaïques. Selon une caractéristique de l’invention, le rayonnement laser appliqué lors de l’étape c) est un rayonnement impulsionnel possédant une fluence et une durée d’impulsion adaptées pour obtenir une ablation de la première partie du substrat. Selon une caractéristique de l’invention, la ou les sous-cellules photovoltaïques séparées à l’issue de l’étape e) présentent des bords latéraux exposés ; le procédé comportant une étape f) consistant à passiver les bords latéraux exposés. Ainsi, un avantage procuré est de limiter les recombinaisons entre les porteurs, ce qui se traduit par une amélioration significative de l’efficacité. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape f) comporte une étape consistant à former un oxyde d’aluminium sur les bords latéraux exposés, par un dépôt de couches atomiques (ALD pour « Atomic Layer Deposition » en langue anglaise). Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir former une couche de passivation de bonne qualité, après une activation de la passivation (par exemple par un recuit ou par un traitement du type exposition lumineuse « Light Soaking »), malgré une potentielle forte rugosité de surface des bords latéraux exposés. Selon une caractéristique de l’invention : - l’étape b) comporte une étape consistant à former une couche diélectrique additionnelle s’étendant sur l’empilement de couches actives ; - l’agent de gravure avec lequel est exécutée l’étape d) est choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique et à la couche diélectrique additionnelle. Ainsi, un avantage procuré est de protéger l’empilement de couches actives de la gravure chimique lors de l’étape d) lorsque la couche active superficielle de l’empilement peut être attaquée par l’agent de gravure utilisé lors de l’étape d). La couche diélectrique additionnelle agit alors comme un masque de gravure. Selon une caractéristique de l’invention, le rayonnement laser est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations longitudinales de l’empilement de couches actives et de la première partie du substrat. Ainsi, il peut être avantageux d’appliquer le rayonnement laser du côté de la première surface du substrat selon l’architecture de cellule photovoltaïque utilisée lors de l’étape a). Il est également possible d’appliquer le rayonnement laser à la fois du côté de la première surface du substrat et du côté de la seconde surface du substrat. Selon une caractéristique de l’invention, le rayonnement laser est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations longitudinales de la couche diélectrique additionnelle, de l’empilement de couches actives, et de la première partie du substrat. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que : - l’alternance de zones de collecte d’électrons et de trous s’étend sous la seconde surface du substrat ; - la zone de collecte d’électrons et la zone de collecte de trous s’étendent sous la seconde surface du substrat ; - les premier et second ensembles de plots métalliques sont formés sur la seconde surface du substrat ; - les premier et second plots métalliques sont formés sur la seconde surface du substrat. Ainsi, la cellule photovoltaïque utilisée lors de l’étape a) possède une architecture à contact arrière interdigité (IBC pour « Interdigitated Back Contact » en langue anglaise) à homojonction. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) est exécutée de sorte que : - la seconde surface du substrat est recouverte au moins partiellement d’un film d’oxyde tunnel ; - l’alternance de zones de collecte d’électrons et de trous s’étend sur le film d’oxyde tunnel ; - la zone de collecte d’électrons et la zone de collecte de trous s’étendent sur le film d’oxyde tunnel ; - les premier et second ensembles de plots métalliques sont formés respectivement sur les zones de collecte d’électrons et sur les zones de collecte de trous ; - les premier et second plots métalliques sont formés respectivement sur la zone de collecte d’électrons et sur la zone de collecte de trous. Ainsi, la cellule photovoltaïque utilisée lors de l’étape a) possède une architecture de type TOPCon (« Tunnel Oxide Passivated Contact ») à contact arrière interdigité. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape d) est suivie d’une gravure partielle de la couche diélectrique, de préférence à l’aide d’une solution d’acide fluorhydrique. Ainsi, cette étape de gravure partielle permet notamment d’ajuster les épaisseurs de la couche diélectrique afin d’obtenir des propriétés optiques optimales (e.g. propriété anti-reflet). Définitions - Par « substrat », on entend un support physique, autoporté, destiné à la fabrication d’une cellule photovoltaïque. Le substrat peut être une tranche (« wafer » en langue anglaise) découpée dans un lingot de silicium cristallin. - Par « silicium cristallin », on entend la forme multicristalline ou la forme monocristalline du silicium, excluant donc le silicium amorphe. - Par « à base de », on entend que le silicium cristallin est le matériau principal et majoritaire composant le substrat. - Par « couche active », on entend une couche (ou zone) possédant un rôle dans le fonctionnement de la cellule photovoltaïque, par exemple un rôle de séparation des charges, un rôle de passivation électrique des surfaces du substrat, un rôle optique d’anti-reflets, un rôle de sous-cellule (autre que le silicium cristallin) dans le cas d’une multi-jonction etc. - Par « plot », on entend un plot de contact électrique. - Par « zone de collecte d’électrons », on entend une zone conçue pour extraire des électrons de la cellule photovoltaïque. A titre d'exemples non limitatifs, la zone de collecte d’électrons peut être : (i) une zone du substrat, en silicium cristallin, comportant des dopants de type n ; (ii) une couche de silicium polycristallin, dopée de type n, formée sur une couche d’oxyde tunnel, la couche d'oxyde tunnel possédant un rôle de passivation ; (iii) une couche mince de silicium amorphe dopée de type n ; (iv) une couche mince introduisant une courbure de bande favorable à l’extraction des électrons. - Par « zone de collecte de trous », on entend une zone conçue pour extraire des trous de la cellule photovoltaïque. A titre d'exemples non limitatifs, la zone de collecte de trous peut être : (i) une zone du substrat, en silicium cristallin, comportant des dopants de type p ; (ii) une couche de silicium polycristallin, dopée de type p, formée sur une couche d’oxyde tunnel, la couche d’oxyde tunnel possédant un rôle de passivation ; (iii) une couche mince de silicium amorphe dopée de type p ; (iv) une couche mince introduisant une courbure de bande favorable à l’extraction des trous. - Par « zone dopée de type n », on entend une zone réalisée dans un matériau semi-conducteur (e.g. silicium cristallin du substrat, silicium polycristallin d’une couche formée sur un film d’oxyde tunnel) comportant des dopants de type n, c'est-à-dire des espèces introduites qui donnent un électron à la bande de conduction du matériau semi-conducteur. - Par « zone dopée de type p », on entend une zone réalisée dans un matériau semi-conducteur (e.g. silicium cristallin du substrat, silicium polycristallin d’une couche formée sur un film d’oxyde tunnel) comportant des dopants de type p, c'est-à-dire des espèces introduites qui acceptent un électron de la bande de conduction du matériau semi-conducteur. - Par « alternance », on entend que les zones de collecte d’électrons (e.g. zones dopées de type n) et les zones de collecte de trous (e.g. zones dopées de type p) sont espacées de manière à se succéder tour à tour de manière répétée. On peut ainsi obtenir des alternances n/p/n/p etc. ou p/n/p/n etc. La cellule photovoltaïque peut comporter plusieurs alternances ne démarrant pas par le même type de dopage. Par exemple, une première alternance peut être n/p/n/p tandis qu’une deuxième alternance peut être p/n/p/n. - Par « formé à la première surface du substrat », on entend que l’empilement de couches actives est formé sur la première surface du substrat, et peut comporter des zones s’étendant sous la première surface du substrat, par exemple des zones fortement dopées assurant un rôle de passivation électrique de la première surface du substrat. - Par « formée à la seconde surface du substrat », on entend que la ou les alternances de zones de collecte d’électrons et de trous sont formées soit : (i) sous la seconde surface du substrat ; ou (ii) sur la seconde surface du substrat, un film d’oxyde tunnel étant de préférence intercalé entre la seconde surface du substrat et les zones de collecte d’électrons et de trous. - Par « film d’oxyde tunnel », on entend un film d’oxyde suffisamment fin pour permettre le transport des charges électriques (i.e. électrons, trous) en son sein par effet tunnel ou par la présence de chemins de conduction localisés (appelés communément « pinholes » en langue anglaise). - Par « semi-conducteur », on entend un matériau présentant une conductivité électrique à 300 K comprise entre 10 -6 S/cm et 10 3 S/cm. - Par « diélectrique », on entend une couche réalisée dans un matériau présentant une conductivité électrique à 300 K inférieure ou égale à 10 -6 S/cm. - Par « ablation », on entend une éjection de matière à partir d’un matériau traversé par le rayonnement laser selon une fluence donnée. - Par « axe passant entre des couples adjacents de plots métalliques », on entend : (i) un axe passant virtuellement (dans le prolongement de l’ablation longitudinale) entre des couples adjacents de plots métalliques lorsque l’ablation traverse la première surface du substrat ; (ii) un axe passant physiquement entre des couples adjacents de plots métalliques lorsque l’ablation traverse la seconde surface du substrat. - Par « couple adjacent de plots métalliques », on entend que chaque couple possède des plots métalliques distincts d’un couple adjacent. En d’autres termes, un même plot métallique ne peut appartenir à deux couples adjacents. - Par « contour », on entend tout ou partie de l’ensemble des surfaces délimitant les sous-cellules photovoltaïques. Un contour partiel est une partie de l’ensemble des surfaces délimitant les sous-cellules photovoltaïques. Un contour total est l’ensemble des surfaces délimitant les sous-cellules photovoltaïques. - Par « sous-cellule photovoltaïque », on entend une cellule photovoltaïque obtenue à partir d’une division de la cellule photovoltaïque initiale, utilisée lors de l’étape a). Toutes les sous-cellules photovoltaïques obtenues à partir de la cellule photovoltaïque initiale utilisée lors de l’étape a) ne sont pas nécessairement fonctionnelles. - Par « tenue mécanique », on entend que les sous-cellules photovoltaïques, délimitées à l’issue de l’étape c), résistent à la rupture en réponse à une sollicitation mécanique. - Par « au moins partiellement », on entend que la seconde partie du substrat est partiellement ou totalement gravée chimiquement lors de l’étape d). - Par « gravure sélective », on entend que le silicium du substrat peut être gravé sans attaquer significativement le matériau de la couche diélectrique (et le cas échéant de la couche diélectrique additionnelle). En pratique, l’agent de gravure est choisi de sorte que la vitesse de gravure du silicium est au moins 3 fois supérieure (préférentiellement 5 fois supérieure, plus préférentiellement 10 fois supérieure) à celle du matériau de la couche diélectrique (et le cas échéant de la couche diélectrique additionnelle). - Par « séparation spontanée », on entend une rupture des sous-cellules photovoltaïques sans sollicitation extérieure. - Par « oxyde de silicium », on entend un oxyde de formule brute Si x O y . - Par « passiver », on entend la réduction des recombinaisons des porteurs aux surfaces du substrat. En effet, les bords d’un substrat en silicium cristallin présentent une densité de défauts (e.g. liaisons pendantes, impuretés, discontinuité du cristal…) pouvant entraîner des pertes non négligeables liées à la recombinaison en surface des porteurs dans le cas d’une application photovoltaïque. - Par « oxyde d’aluminium », on entend un oxyde de formule brute Al x O y . D’autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l’exposé détaillé de différents modes de réalisation de l’invention, l’exposé étant assorti d’exemples et de références aux dessins joints. FIG. 1 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape a) d’un procédé selon l’invention, pour une architecture à contact arrière interdigité. FIG. 2 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape b) d’un procédé selon l’invention, pour une architecture à contact arrière interdigité. FIG. 3 est une vue schématique en coupe, illustrant virtuellement (en traits pointillés) la première partie du substrat qui va être ablatée lors de l’étape c) du côté de la première surface du substrat, et la seconde partie du substrat, dans le prolongement des ablations, qui sera conservée à l’issue de l’étape c). FIG. 4 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape c) d’un procédé selon l’invention, lorsque la première partie du substrat est ablatée du côté de la première surface du substrat. FIG. 5 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé selon l’invention, la gravure chimique de la seconde partie du substrat étant partielle. FIG. 6 est une vue schématique en coupe, illustrant virtuellement (en traits pointillés) la première partie du substrat qui va être ablatée lors de l’étape c) du côté de la seconde surface du substrat, et la seconde partie du substrat, dans le prolongement des ablations, qui sera conservée à l’issue de l’étape c). FIG. 7 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape c) d’un procédé selon l’invention, lorsque la première partie du substrat est ablatée du côté de la seconde surface du substrat. FIG. 8 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé selon l’invention, la gravure chimique de la seconde partie du substrat étant partielle. FIG. 9 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape d) d’un procédé selon l’invention, la gravure chimique de la seconde partie du substrat étant totale. FIG. 10 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape e) d’un procédé selon l’invention après une gravure chimique partielle de la seconde partie du substrat. FIG. 11 est une vue schématique en coupe, illustrant une sous-cellule photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape e). FIG. 12 est une vue schématique en coupe, analogue à la FIG. 11 , illustrant une étape f) d’un procédé selon l’invention, dans laquelle les bords latéraux exposés de la sous-cellule photovoltaïque sont passivés. FIG. 13 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape b) d’un procédé selon l’invention, comportant une étape consistant à former une couche diélectrique additionnelle s’étendant sur l’empilement de couches actives. FIG. 14 est une vue schématique en coupe, illustrant une étape b) d’un procédé selon l’invention, pour une architecture de type TOPCon (« Tunnel Oxide Passivated Contact ») à contact arrière interdigité. Il est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques, et ne sont pas nécessairement à l’échelle par souci de lisibilité et pour en simplifier leur compréhension. Les coupes sont effectuées selon la normale aux première et seconde surfaces du substrat. Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. Un objet de l’invention est un procédé de fabrication d’au moins une sous-cellule C1 photovoltaïque, comportant les étapes : a) utiliser une cellule C0 photovoltaïque comprenant : - un substrat 1, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées, la première surface 10 étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement 2 de couches actives, formé à la première surface 10 du substrat 1 ; - au moins une alternance 3 de zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous, formée à la seconde surface 11 du substrat 1 ; - des premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques, respectivement en contact avec les zones de collecte 30 d’électrons et avec les zones de collecte 31 de trous ; b) former une couche diélectrique 4 s’étendant sur les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques ; c) appliquer un rayonnement laser L à la cellule photovoltaïque C0 obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement des ablations A1 d’une première partie S1 du substrat 1 ; - tracer un contour délimitant au moins une sous-cellule C1 photovoltaïque ; - conserver une seconde partie S2 du substrat 1, s’étendant dans le prolongement des ablations A1, et adaptée pour conserver une tenue mécanique de ladite au moins une sous-cellule C1 photovoltaïque délimitée par le contour tracé ; d) graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie S2 du substrat 1 s’étendant dans le prolongement des ablations A1 obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser ladite au moins une sous-cellule C1 photovoltaïque délimitée à l’issue de l’étape c), et de manière à conserver pour la ou chaque sous-cellule C1 photovoltaïque au moins un couple P1, P2 de plots métalliques adjacents comprenant un plot métallique du premier ensemble P1 et un plot métallique du second ensemble P2 ; l’agent de gravure étant choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique 4 ; e) séparer ladite au moins une sous-cellule C1 photovoltaïque fragilisée à l’issue de l’étape d). L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une sous-cellule C1 photovoltaïque, comportant les étapes : a) utiliser une cellule C0 photovoltaïque comprenant : - un substrat 1, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées, la première surface 10 étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement 2 de couches actives, formé à la première surface 10 du substrat 1 ; - une zone de collecte 30 d’électrons et une zone de collecte 31 de trous, formées à la seconde surface 11 du substrat 1 ; - des premier et second plots P1, P2 métalliques, respectivement en contact avec la zone de collecte 30 d’électrons et avec la zone de collecte 31 de trous ; b) former une couche diélectrique 4 s’étendant sur les premier et second plots P1, P2 métalliques ; c) appliquer un rayonnement laser L à la cellule C0 photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement des ablations A1 d’une première partie S1 du substrat 1 ; - tracer un contour délimitant une sous-cellule C1 photovoltaïque ; - conserver une seconde partie S2 du substrat 1, s’étendant dans le prolongement des ablations A1, et adaptée pour conserver une tenue mécanique de la sous-cellule C1 photovoltaïque délimitée par le contour tracé ; d) graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie S2 du substrat 1 s’étendant dans le prolongement des ablations A1 obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser la sous-cellule C1 photovoltaïque délimitée à l’issue de l’étape c), et de manière à conserver pour la sous-cellule C1 photovoltaïque les premier et second plots P1, P2 métalliques ; l’agent de gravure étant choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique 4 ; e) séparer la sous-cellule C1 photovoltaïque fragilisée à l’issue de l’étape d). Etape a) La cellule C0 photovoltaïque utilisée lors de l’étape a) peut comprendre : - un substrat 1, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées, la première surface 10 étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement 2 de couches actives, formé à la première surface 10 du substrat 1 ; - au moins une alternance 3 de zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous, formée à la seconde surface 11 du substrat 1 ; - des premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques, respectivement en contact avec les zones de collecte 30 d’électrons et avec les zones de collecte 31 de trous. La cellule C0 photovoltaïque utilisée lors de l’étape a) peut comprendre : - un substrat 1, à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces 10, 11 opposées, la première surface 10 étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement 2 de couches actives, formé à la première surface 10 du substrat 1 ; - une unique zone de collecte 30 d’électrons et une unique zone de collecte 31 de trous, formées à la seconde surface 11 du substrat 1 ; - des premier et second plots P1, P2 métalliques, respectivement en contact avec l’unique zone de collecte 30 d’électrons et avec l’unique zone de collecte 31 de trous. Le substrat 1 est à base de silicium cristallin. Le substrat 1 est avantageusement réalisé à base de silicium monocristallin. Le substrat 1 peut être dopé de type n ou dopé de type p, selon l’architecture de la cellule C0 photovoltaïque. Le substrat 1 peut également être intrinsèque. La première surface 10 du substrat 1 et/ou la seconde surface 11 du substrat 1 peuvent être texturées. La première surface 10 du substrat 1 est destinée à former la face avant de la cellule C0 photovoltaïque. La seconde surface 11 du substrat 1 est destinée à former la face arrière de la cellule C0 photovoltaïque. L’empilement 2 de couches actives comporte avantageusement une couche de passivation, conçue pour passiver la première surface 10 du substrat 1. A titre d'exemple non limitatif, la couche de passivation peut être réalisée dans un oxyde d’aluminium. L’empilement 2 de couches actives comporte avantageusement au moins une couche anti-reflets, formée sur la couche de passivation. A titre d'exemple non limitatif, la couche anti-reflets peut être réalisée dans un nitrure de silicium, de préférence hydrogéné. Les couches actives sont avantageusement des couches minces, dont l’épaisseur est préférentiellement inférieure à 1 µm. L’empilement 2 de couches actives peut comporter au moins une zone fortement dopée formée sous la première surface 10 du substrat 1, et assurant un rôle de passivation électrique de la première surface 10 du substrat 1. Dans le cas d’une architecture à contact arrière interdigité, lorsque le substrat 1 est dopé, la zone fortement dopée est dopée du même type de conductivité que celui du substrat 1. Autrement dit, lorsque le substrat 1 est dopé de type n, la zone fortement dopée est dopée n++. Lorsque le substrat 1 est dopé de type p, la zone fortement dopée est dopée p++. L’alternance 3 de zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous forme une région de séparation de charges. Les zones de collecte 30 d’électrons sont avantageusement des zones dopées de type n. Les zones de collecte 31 de trous sont avantageusement des zones dopées de type p. Selon une première architecture de cellule photovoltaïque, l’étape a) est exécutée de sorte que : - l’alternance 3 de zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous s’étend sous la seconde surface 11 du substrat 1 ; - les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques sont formés sur la seconde surface 11 du substrat 1. Selon une variante, l’unique zone de collecte 30 d’électrons et l’unique zone de collecte 31 de trous s’étendent sous la seconde surface 11 du substrat 1. Les premier et second plots P1, P2 métalliques sont formés sur la seconde surface 11 du substrat 1. Les zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous sont avantageusement des zones respectivement dopées de type n et de type p. Les zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous peuvent former des caissons s’étendant sous la seconde surface 11 du substrat 1. Les zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous s’étendent sous la seconde surface 11 du substrat 1, préférentiellement suivant une direction transversale à la normale à la seconde surface 11 du substrat 1. La première architecture est une architecture à contact arrière interdigité à homojonction. Selon une deuxième architecture de cellule photovoltaïque, l’étape a) est exécutée de sorte que : - la seconde surface 11 du substrat 1 est recouverte au moins partiellement d’un film 5 d’oxyde tunnel ; - l’alternance 3 de zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous s’étend sur le film 5 d’oxyde tunnel ; - les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques sont formés respectivement sur les zones de collecte 30 d’électrons et sur les zones de collecte 31 de trous. Selon une variante, l’unique zone de collecte 30 d’électrons et l’unique zone de collecte 31 de trous s’étendent sur le film 5 d’oxyde tunnel. Les premier et second plots P1, P2 métalliques sont formés respectivement sur l’unique zone de collecte 30 d’électrons et sur l’unique zone de collecte 31 de trous. La seconde surface 11 du substrat 1 est au moins partiellement recouverte d’un film 5 d’oxyde tunnel. En d’autres termes, la seconde surface 11 du substrat 11 est recouverte totalement ou partiellement d’un film 5 d’oxyde tunnel. Les zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous sont avantageusement des couches de silicium polycristallin respectivement dopées de type n et de type p. Les zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous s’étendent sur le film 5 d’oxyde tunnel suivant une direction transversale à la normale à la seconde surface 11 du substrat 1. La deuxième architecture est une architecture de type TOPCon à contact arrière interdigité. Dans la deuxième architecture, les zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous sont avantageusement séparées entre elles par un matériau de séparation 7, tel qu’une couche de silicium polycristallin intrinsèque. Les couches de silicium polycristallin (dopées de type n, dopées de type p, intrinsèques) sont préférentiellement recouvertes par un matériau diélectrique (non illustré sur la FIG. 14 par souci de simplicité) ouvert au niveaux des plots métalliques. Il est à noter que d’autres architectures sont envisageables, en particulier une architecture à émetteur traversant (EWT pour « Emitter Wrap Through » en langue anglaise) connue de l’homme du métier. Les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques sont réalisés dans un matériau métallique, pouvant être par exemple l’argent Ag, le cuivre Cu, ou l’aluminium Al. Les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques peuvent être formés par sérigraphie. D’autres techniques de métallisation sont envisageables pour former les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques. On peut citer par exemple un dépôt physique en phase vapeur, un dépôt par jet d’encre, un dépôt par évaporation sous vide, une électrodéposition. La cellule C0 photovoltaïque utilisée lors de l’étape a) peut comporter des mires d’alignement, formées par exemple par impression, afin de faciliter ultérieurement l’alignement du rayonnement laser L lors de l’étape c) par rapport aux couples P1, P2 adjacents de plots métalliques. Etape b) La couche diélectrique 4 formée lors de l’étape b) s’étend sur les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques de manière à recouvrir en totalité les premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques. La couche diélectrique 4 formée lors de l’étape b) peut être réalisée dans un oxyde de silicium. Toutefois, d’autres matériaux diélectriques sont envisageables. On peut citer par exemple un oxynitrure de silicium Si x O y N z , un nitrure de silicium Si x N y , un oxyde d’aluminium Al x O y . La couche diélectrique 4 peut être formée lors de l’étape b) par une technique de dépôt connue de l’homme du métier. On peut citer par exemple un dépôt physique en phase vapeur (PVD pour « Phase Vapor Deposition » en langue anglaise), un dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise), un dépôt de couches atomiques (ALD pour « Atomic Layer Deposition » en langue anglaise), un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD pour « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise), un dépôt chimique en phase vapeur à pression sous-atmosphérique (LPCVD pour « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise) etc. Plus précisément, la technique de dépôt est avantageusement choisie pour présenter un taux de conformité (ratio entre la largeur des flancs de la couche diélectrique 4 déposée et l’épaisseur en surface de la couche diélectrique 4 déposée) suffisant pour permettre de suivre la topologie de surface des premier et second ensembles P1, P2 de plots métalliques. À cet égard, on privilégiera un dépôt par ALD ou un dépôt par LPCVD qui présentent des taux de conformité proches de 1. En d’autres termes, la technique de dépôt est avantageusement choisie pour avoir une couche diélectrique 4 la plus couvrante possible. Il est possible de combiner plusieurs techniques de dépôt pour former la couche diélectrique 4 lors de l’étape b). Par exemple, la formation de la couche diélectrique 4 peut débuter avec un dépôt ALD, pour la conformité excellente, et continuer avec un dépôt PECVD, pour la vitesse de dépôt importante. La couche diélectrique 4 formée lors de l’étape b) peut présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 1 µm, de préférence comprise entre 10 nm et 200 nm. L’étape b) peut comporter une étape consistant à former une couche diélectrique additionnelle 4’ s’étendant sur l’empilement 2 de couches actives. La couche diélectrique additionnelle 4’ peut être réalisée dans un oxyde de silicium. Toutefois, d’autres matériaux diélectriques sont envisageables. On peut citer par exemple un oxynitrure de silicium Si x O y N z , un nitrure de silicium Si x N y , un oxyde d’aluminium Al x O y . La couche diélectrique 4 et la couche diélectrique additionnelle 4’ formées lors de l’étape b) peuvent respectivement être réalisées dans des premier et second matériaux diélectriques. Les premier et second matériaux diélectriques peuvent être identiques. Toutefois, les premier et second matériaux diélectriques peuvent être différents. Par ailleurs, il est également possible de combiner plusieurs matériaux diélectriques pour former la couche diélectrique 4 ou la couche diélectrique additionnelle 4’. Le rôle principal de la couche diélectrique 4 et de la couche diélectrique additionnelle 4’ est de former une couche barrière protectrice contre l’attaque chimique de l’étape d). En d’autres termes, la couche diélectrique 4 et la couche diélectrique additionnelle 4’ agissent comme un masque de gravure. Cependant, la couche diélectrique 4 et la couche diélectrique additionnelle 4’ peuvent avoir des fonctions additionnelles. On peut citer par exemple une fonction de protection contre le rayonnement UV, une fonction de couche tampon pour protéger les couches actives superficielles etc. Etape c) Le rayonnement laser L est avantageusement appliqué à la cellule photovoltaïque C0 lors de l’étape c) de manière à : - obtenir localement des ablations A1 longitudinales d’une première partie S1 du substrat 1, les ablations A1 longitudinales définissant un axe Z passant entre des couples P1, P2 adjacents de plots métalliques, chaque couple P1, P2 de plots métalliques comprenant un plot métallique du premier ensemble P1 et un plot métallique du second ensemble P2 ; - tracer un contour délimitant la ou les sous-cellules C1 photovoltaïques ; - conserver une seconde partie S2 du substrat 1, s’étendant dans le prolongement des ablations A1 longitudinales, et adaptée pour conserver une tenue mécanique de la ou des sous-cellules C1 photovoltaïques délimitées par le contour tracé. Selon une variante, le rayonnement laser L est appliqué à la cellule photovoltaïque C0 lors de l’étape c) de manière à : - obtenir localement des ablations A1 d’une première partie S1 du substrat 1 ; - tracer un contour délimitant une unique sous-cellule C1 photovoltaïque ; - conserver une seconde partie S2 du substrat 1, s’étendant dans le prolongement des ablations A1, et adaptée pour conserver une tenue mécanique de l’unique sous-cellule C1 photovoltaïque délimitée par le contour tracé. Le rayonnement laser L est avantageusement appliqué lors de l’étape c) suivant une direction parallèle à la normale aux première et seconde surfaces 10, 11 du substrat 1. Le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) est avantageusement un rayonnement impulsionnel possédant une fluence et une durée d’impulsion adaptées pour obtenir une ablation de la première partie S1 du substrat 1. En d’autres termes, le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) doit atteindre le substrat 1 afin de mettre à nu le silicium cristallin. La durée d’impulsion peut être de l’ordre de la nanoseconde ou de la picoseconde. La vitesse de balayage du rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) est également ajustée pour obtenir la profondeur d’ablation souhaitée, pouvant être par exemple de l’ordre de 25 microns. Plusieurs irradiations successives peuvent également être envisagées. La largeur de la zone amorphisée du silicium par l’irradiation laser peut être de l’ordre de 5 microns. Le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) peut posséder une longueur d’onde appartenant à l’infrarouge, ou au spectre visible (e.g. vert, bleu). À titre d’exemple non limitatif, la longueur d’onde peut être de 1024 nm. Le rayonnement laser L appliqué lors de l’étape c) peut former une zone irradiée présentant un diamètre de l’ordre de 30 microns. Selon un premier mode de mise en œuvre, le rayonnement laser L est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations A1 longitudinales de la couche diélectrique 4 et de la première partie S1 du substrat 1, les ablations A1 longitudinales définissant un axe Z passant entre des couples P1, P2 adjacents de plots métalliques, chaque couple P1, P2 de plots métalliques comprenant un plot métallique du premier ensemble P1 et un plot métallique du second ensemble P2. Selon un deuxième mode de mise en œuvre, le rayonnement laser L est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations A1 longitudinales de l’empilement 2 de couches actives et de la première partie S1 du substrat 1. Les ablations A1 longitudinales de l’empilement 2 de couches actives et de la première partie S1 du substrat peuvent définir un axe Z passant virtuellement entre des couples P1, P2 adjacents de plots métalliques. Toutefois, l’axe Z virtuel peut pointer un plot métallique. L’application du rayonnement laser L du côté de la première surface 10 du substrat 1 est donc moins contraignant en termes d’alignement et présente moins de risques d’altérer la qualité des zones de collecte 30, 31 d’électrons et de trous. Selon un troisième mode de mise en œuvre, le rayonnement laser L est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations A1 longitudinales de la couche diélectrique 4, de l’empilement 2 de couches actives, et de la première partie S1 du substrat 1. Lorsqu’une couche diélectrique additionnelle 4’, s’étendant sur l’empilement 2 de couches actives, est formée lors de l’étape b), alors le rayonnement laser L est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations A1 longitudinales de la couche diélectrique additionnelle 4’, de l’empilement 2 de couches actives, et de la première partie S1 du substrat 1. Etape d) La seconde partie S2 du substrat 1, s’étendant dans le prolongement des ablations A1, est au moins partiellement gravée chimiquement avec un agent de gravure de manière à fragiliser la ou les sous-cellules C1 photovoltaïques délimitées à l’issue de l’étape c), et de manière à conserver au moins un couple P1, P2 de plots métalliques adjacents comprenant un plot métallique du premier ensemble P1 et un plot métallique du second ensemble P2. Selon une variante, la seconde partie S2 du substrat 1, s’étendant dans le prolongement des ablations A1, est au moins partiellement gravée de manière à fragiliser l’unique sous-cellule C1 photovoltaïque délimitée à l’issue de l’étape c), et de manière à conserver pour l’unique sous-cellule C1 photovoltaïque les premier et second plots P1, P2 métalliques. L’agent de gravure est choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique 4. Lorsqu’une couche diélectrique additionnelle 4’, s’étendant sur l’empilement 2 de couches actives, est formée lors de l’étape b), alors l’agent de gravure avec lequel est exécutée l’étape d) est avantageusement choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique 4 et à la couche diélectrique additionnelle 4’. Selon un premier mode de mise en œuvre, l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie S2 du substrat 1 est totalement gravée chimiquement. Selon un deuxième mode de mise en œuvre, l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie S2 du substrat 1 est partiellement gravée chimiquement. L’étape d) consiste avantageusement à immerger la cellule C0 photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape c) dans un bain de gravure. Lorsque la couche diélectrique 4 formée lors de l’étape b) est réalisée dans un oxyde de silicium, l’étape d) est avantageusement exécutée de sorte que l’agent de gravure est choisi parmi une solution d’hydroxyde de potassium KOH, une solution d’hydroxyde de tétraméthylammonium TMAH, une solution d’hydroxyde de sodium NaOH. À titre d’exemple non limitatif, l’étape d) peut être exécutée à une température de 80°C avec une solution d’hydroxyde de potassium KOH comme agent de gravure, présentant un pourcentage massique de 2,5 %. L’étape d) peut être suivie d’une étape de gravure partielle de la couche diélectrique 4 et le cas échéant de la couche diélectrique additionnelle 4’, par exemple à l’aide d’une solution d’acide fluorhydrique HF. L’étape de gravure partielle peut être exécutée avant ou après l’étape e). Cette étape de gravure partielle permet notamment d’ajuster les épaisseurs de la couche diélectrique 4, et le cas échéant de la couche diélectrique additionnelle 4’, afin d’obtenir des propriétés optiques optimales (e.g. propriété anti-reflet). Etape e) La ou les sous-cellules C1 photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d) sont séparées lors de l’étape e). Lorsque l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie S2 du substrat 1 est totalement gravée chimiquement, l’étape e) consiste en une séparation spontanée de la ou des sous-cellules C1 photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d). Lorsque l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie S2 du substrat 1 est partiellement gravée chimiquement, l’étape e) est avantageusement exécutée par une technique de séparation choisie parmi un choc thermique, une sollicitation mécanique, un traitement par ultrasons. L’homme du métier sait ajuster les paramètres du choc thermique, de la sollicitation mécanique, et du traitement par ultrasons afin d’obtenir une séparation physique. La ou les sous-cellules C1 photovoltaïques séparées à l’issue de l’étape e) présentent des bords latéraux BL exposés. La ou les sous-cellules C1 photovoltaïques présentent avantageusement un ratio P/S supérieur ou égal à 8,9 10 -2 mm -1 , où « P » est le périmètre de la sous-cellule C1 photovoltaïque, et « S » est l’aire de la surface de la sous-cellule C1 photovoltaïque. Etape f) Le procédé comporte avantageusement une étape f) consistant à passiver les bords latéraux BL exposés. En d’autres termes, l’étape f) consiste à former une couche de passivation 6 sur chacun des bords latéraux BL exposés. L’étape f) comporte avantageusement une étape consistant à former un oxyde d’aluminium 6 sur les bords latéraux BL exposés, par un dépôt de couches atomiques, préalablement à une étape d’activation de la passivation par un recuit ou par un traitement du type exposition lumineuse « Light Soaking ». Toutefois, d’autres couches de passivation 6 (matériaux de passivation différents) peuvent être formées sur les bords latéraux BL exposés, y compris par d’autres techniques de dépôt. L’invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L’homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. Procédé de fabrication d’au moins une sous-cellule (C1) photovoltaïque, comportant les étapes : a) utiliser une cellule (C0) photovoltaïque comprenant : - un substrat (1), à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées, la première surface (10) étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement (2) de couches actives, formé à la première surface (10) du substrat (1) ; - au moins une alternance (3) de zones de collecte (30, 31) d’électrons et de trous, formée à la seconde surface (11) du substrat (1) ; - des premier et second ensembles (P1, P2) de plots métalliques, respectivement en contact avec les zones de collecte (30) d’électrons et avec les zones de collecte (31) de trous ; b) former une couche diélectrique (4) s’étendant sur les premier et second ensembles (P1, P2) de plots métalliques ; c) appliquer un rayonnement laser (L) à la cellule (C0) photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement des ablations (A1) d’une première partie (S1) du substrat (1) ; - tracer un contour délimitant au moins une sous-cellule (C1) photovoltaïque ; - conserver une seconde partie (S2) du substrat (1), s’étendant dans le prolongement des ablations (A1), et adaptée pour conserver une tenue mécanique de ladite au moins une sous-cellule (C1) photovoltaïque délimitée par le contour tracé ; d) graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie (S2) du substrat (1) s’étendant dans le prolongement des ablations (A1) obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser ladite au moins une sous-cellule (C1) photovoltaïque délimitée à l’issue de l’étape c), et de manière à conserver pour la ou chaque sous-cellule (C1) photovoltaïque au moins un couple (P1, P2) de plots métalliques adjacents comprenant un plot métallique du premier ensemble (P1) et un plot métallique du second ensemble (P2) ; l’agent de gravure étant choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique (4) ; e) séparer ladite au moins une sous-cellule (C1) photovoltaïque fragilisée à l’issue de l’étape d). Procédé de fabrication d’une sous-cellule (C1) photovoltaïque, comportant les étapes : a) utiliser une cellule (C0) photovoltaïque comprenant : - un substrat (1), à base de silicium cristallin, présentant des première et seconde surfaces (10, 11) opposées, la première surface (10) étant destinée à être exposée à un rayonnement solaire ; - un empilement (2) de couches actives, formé à la première surface (10) du substrat (1) ; - une zone de collecte (30) d’électrons et une zone de collecte (31) de trous, formées à la seconde surface (11) du substrat (1) ; - des premier et second plots (P1, P2) métalliques, respectivement en contact avec la zone de collecte (30) d’électrons et avec la zone de collecte (31) de trous ; b) former une couche diélectrique (4) s’étendant sur les premier et second plots (P1, P2) métalliques ; c) appliquer un rayonnement laser (L) à la cellule (C0) photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape b) de manière à : - obtenir localement des ablations (A1) d’une première partie (S1) du substrat (1) ; - tracer un contour délimitant une sous-cellule (C1) photovoltaïque ; - conserver une seconde partie (S2) du substrat (1), s’étendant dans le prolongement des ablations (A1), et adaptée pour conserver une tenue mécanique de la sous-cellule (C1) photovoltaïque délimitée par le contour tracé ; d) graver chimiquement, avec un agent de gravure, au moins partiellement la seconde partie (S2) du substrat (1) s’étendant dans le prolongement des ablations (A1) obtenues à l’issue de l’étape c), de manière à fragiliser la sous-cellule (C1) photovoltaïque délimitée à l’issue de l’étape c), et de manière à conserver pour la sous-cellule (C1) photovoltaïque les premier et second plots (P1, P2) métalliques ; l’agent de gravure étant choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique (4) ; e) séparer la sous-cellule (C1) photovoltaïque fragilisée à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le rayonnement laser (L) est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations (A1) longitudinales définissant un axe (Z) passant entre des couples (P1, P2) adjacents de plots métalliques, chaque couple (P1, P2) comprenant un plot métallique du premier ensemble (P1) et un plot métallique du second ensemble (P2). Procédé selon la revendication 3, dans lequel les ablations (A1) longitudinales sont des ablations (A1) longitudinales de la couche diélectrique (4) et de la première partie (S1) du substrat (1). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel : - l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie (S2) du substrat (1) est totalement gravée chimiquement ; - l’étape e) consiste en une séparation spontanée de la ou des sous-cellules (C1) photovoltaïques fragilisées à l’issue de l’étape d). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel : - l’étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie (S2) du substrat (1) est partiellement gravée chimiquement ; - l’étape e) est exécutée par une technique de séparation choisie parmi un choc thermique, une sollicitation mécanique, un traitement par ultrasons. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape d) consiste à immerger la cellule (C0) photovoltaïque obtenue à l’issue de l’étape c) dans un bain de gravure. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel : - la couche diélectrique (4) formée lors de l’étape b) est réalisée dans un oxyde de silicium ; - l’étape d) est exécutée de sorte que l’agent de gravure est choisi parmi une solution d’hydroxyde de potassium KOH, une solution d’hydroxyde de tétraméthylammonium TMAH, une solution d’hydroxyde de sodium NaOH. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le rayonnement laser (L) est appliqué lors de l’étape c) suivant une direction parallèle à la normale aux première et seconde surfaces (10, 11) du substrat (1). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le rayonnement laser (L) appliqué lors de l’étape c) est un rayonnement impulsionnel possédant une fluence et une durée d’impulsion adaptées pour obtenir une ablation de la première partie (S1) du substrat (1). Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel la ou les sous-cellules (C1) photovoltaïques séparées à l’issue de l’étape e) présentent des bords latéraux (BL) exposés ; le procédé comportant une étape f) consistant à passiver les bords latéraux (BL) exposés. Procédé selon la revendication 11, dans lequel l’étape f) comporte une étape consistant à former un oxyde d’aluminium (6) sur les bords latéraux (BL) exposés, par un dépôt de couches atomiques. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel : - l’étape b) comporte une étape consistant à former une couche diélectrique additionnelle (4’) s’étendant sur l’empilement (2) de couches actives ; - l’agent de gravure avec lequel est exécutée l’étape d) est choisi de manière à autoriser une gravure sélective du silicium par rapport à la couche diélectrique (4) et à la couche diélectrique additionnelle (4’). Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le rayonnement laser (L) est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations (A1) longitudinales de l’empilement (2) de couches actives et de la première partie (S1) du substrat (1). Procédé selon la revendication 14 en combinaison avec la revendication 13, dans lequel le rayonnement laser (L) est appliqué lors de l’étape c) de manière à obtenir localement des ablations (A1) longitudinales de la couche diélectrique additionnelle (4’), de l’empilement (2) de couches actives, et de la première partie (S1) du substrat (1). Procédé selon l’une des revendications 1 à 15, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que : - l’alternance (3) de zones de collecte (30, 31) d’électrons et de trous s’étend sous la seconde surface (11) du substrat (1) lorsque la revendication 16 dépend de la revendication 1 ; - la zone de collecte (30) d’électrons et la zone de collecte (31) de trous s’étendent sous la seconde surface (11) du substrat (1) lorsque la revendication 16 dépend de la revendication 2 ; - les premier et second ensembles (P1, P2) de plots métalliques sont formés sur la seconde surface (11) du substrat (1) lorsque la revendication 16 dépend de la revendication 1 ; - les premier et second plots (P1, P2) métalliques sont formés sur la seconde surface (11) du substrat (1) lorsque la revendication 16 dépend de la revendication 2. Procédé selon l’une des revendications 1 à 15, dans lequel l’étape a) est exécutée de sorte que : - la seconde surface (11) du substrat (1) est recouverte au moins partiellement d’un film (5) d’oxyde tunnel ; - l’alternance (3) de zones de collecte (30, 31) d’électrons et de trous s’étend sur le film (5) d’oxyde tunnel lorsque la revendication 17 dépend de la revendication 1 ; - la zone de collecte (30) d’électrons et la zone de collecte (31) de trous s’étendent sur le film (5) d’oxyde tunnel lorsque la revendication 17 dépend de la revendication 2 ; - les premier et second ensembles (P1, P2) de plots métalliques sont formés respectivement sur les zones de collecte (30) d’électrons et sur les zones de collecte (31) de trous lorsque la revendication 17 dépend de la revendication 1 ; - les premier et second plots (P1, P2) métalliques sont formés respectivement sur la zone de collecte (30) d’électrons et sur la zone de collecte (31) de trous lorsque la revendication 17 dépend de la revendication 2. Procédé selon l’une des revendications 1 à 17, dans lequel l’étape d) est suivie d’une gravure partielle de la couche diélectrique (4), de préférence à l’aide d’une solution d’acide fluorhydrique.