FR 3150662 A1 20250103 FR 2307003 A 20230630 L’invention concerne un dispositif de précharge (3041, Shu, 110, 120, 130, 140, µC) d’une charge, par exemple d’une capacité (Ca), à partir d’une source de tension continue (102) comprenant un premier transistor de sécurité (3041) apte à connecter la charge (Ca) à ladite source de tension continue (102), et un circuit de commande (Shu, 110, 120, 130, 140, µC ) en régime linéaire du premier transistor de sécurité (3041), caractérisé en ce que ledit circuit de commande (Shu, 110, 120, 130, 140, µC) régule le produit du courant de précharge (Ipr) et de la différence de tension entre la tension mesurée aux bornes de ladite source de tension continue (102) et la tension mesurée aux bornes de ladite charge (Ca) par rapport à une consigne de puissance (CP) lors de la commande en régime linéaire du premier transistor de sécurité (3041) durant la précharge de ladite charge (Ca) par ladite source de tension continue (102), ladite consigne de puissance (CP) croissant pendant un premier intervalle de temps depuis une première valeur prédéfinie, par exemple nulle, pour atteindre une valeur constante ou approximativement constante et s’y maintenir pendant un deuxième intervalle de temps consécutif au premier intervalle de temps. Figure pour l’abrégé : Fig. 4 DISPOSITIF DE PRECHARGE ET CONVERTISSEUR DE TENSION DC/DC COMPRENANT UN TEL DISPOSITIF DE PRECHARGE La présente invention concerne un dispositif de précharge et un convertisseur de tension DC/DC comprenant un tel dispositif de précharge. Les véhicules électriques ou hybrides sont équipés d’un réseau d'alimentation en énergie électrique bitension. Dans un réseau de ce type, les deux réseaux de bord ont des tensions continues de service nominales différentes, et un convertisseur continu-continu (plus connu de l'homme de métier sous le vocable anglais de convertisseur DC-DC, DC étant les initiales de "Direct Current", ou "courant continu") réversible agencé entre les deux réseaux est nécessaire pour effectuer les transferts d'énergie de l'un à l'autre. Un problème connu est celui de la charge initiale du réseau de bord ayant la tension nominale la plus élevée par l'autre réseau jusqu'à la tension nominale de ce dernier. Ce problème technique est particulièrement difficile à résoudre quand il s'agit de charger un réseau de bord, le réseau de bord ayant une tension nominale d’au moins 48V et comprenant des condensateurs de forte valeur, par exemple de l’ordre de quelques dizaines de mF, à partir d’un réseau de 12V par exemple, car un appel de courant initial très important, de l’ordre de 400 A ou plus peut se produire. Ce problème technique se présente également lorsque le réseau de bord à une tension supérieure à 48V, par exemple supérieure à 100V, voire supérieure ou égale à 400V. Il convient donc lors de la charge du réseau ayant la tension nominale la plus élevée de limiter ce courant initial afin de ne dégrader ni les composants de ce réseau, ni les composants du convertisseur de tension lui-même. Pour ce faire, il est connu de l’état de la technique, un dispositif de précharge d’une d’une capacité Ch tel que celui représenté à la . Un tel dispositif de précharge comprend un transistor, ici un MOSFET Mo, apte à connecter la charge Ch à une unité de stockage d'énergie électrique, ici une source tensons 102 telle qu’une batterie avec un effet de limitation d’un courant électrique de précharge I Ch pouvant circuler entre l'unité de stockage d'énergie électrique 102 et la capacité Ch, et un circuit de commande 10 en régime linéaire du transistor Mo, ce dispositif de précharge étant caractérisé en ce que circuit de commande 10 est muni d’un dispositif d’asservissement du courant de précharge I Ch à une valeur fixe de référence I ref . Ainsi, le circuit de commande 10 mesure le courant de précharge, par exemple au moyen d’une résistance de shunt Sh et le compare à une valeur fixe de référence, puis en fonction de la comparaison, le dispositif de commande 10 commande en régime linéraire le transistor Mo de sorte à asservir le courant de préchargé I Ch à la valeur de référence désirée. La présente l’évolution du courant de précharge I Ch ainsi que de la température T Mo et de la puissance reçue P re par le transistor Mo pendant la durée de la précharge d’une capacité Ch de 60 mF pour une valeur de référence I ref =18A. Comme on peut le voir sur la , au début de la précharge, le transistor Mo reçoit brutalement une forte puissante P re de l’ordre de 350W qui diminue ensuite au cours de la précharge. Pour assurer le fonctionnement du dispositif de précharge selon l’art antérieur, le transistor Mo doit être dimensionné pour résister à la forte puissante reçue au début de la précharge alors qu’un tel dimensionnement est supérieur à ce qui est nécessaire pendant le reste de la précharge rendant ainsi la fabrication du dispositif de précharge selon l’art antérieur onéreux. De plus, la forte puissance reçue au début de la précharge provoque une élévation importante de la température, ici aux alentours de 150°C, du premier transistor Mo. Une telle solution est donc couteuse et peu satisfaisante d’un point de vue thermique. L’invention a pour but de pallier au moins en partie les problèmes précités. A cet effet, il est proposé, selon un premier aspect de l’invention, un dispositif de précharge d’une charge, par exemple d’une capacité, à partir d’une source de tension continue comprenant un premier transistor de sécurité apte à connecter la charge à ladite source de tension continue et un circuit de commande en régime linéaire du premier transistor de sécurité, caractérisé en ce que ledit circuit de commande régule le produit du courant de précharge et de la différence de tension entre la tension mesurée aux bornes de ladite source de tension continue et la tension mesurée aux bornes de ladite charge par rapport à une consigne de puissance lors de la commande en régime linéaire du premier transistor de sécurité durant la précharge de ladite charge par ladite source de tension continue, ladite consigne de puissance croissant pendant un premier intervalle de temps depuis une première valeur prédéfinie, par exemple nulle, pour atteindre une valeur constante ou approximativement constante et s’y maintenir pendant un deuxième intervalle de temps consécutif au premier intervalle de temps. Ainsi grâce à l’invention, le courant de précharge est régulé de sorte que la puissance reçue par le premier transistor de sécurité augmente de façon contrôlée au début de la précharge et soit dans un deuxième temps approximativement constante pendant toute la durée du reste de la précharge. De cette façon, le premier transistor de sécurité ne reçoit pas une puissance excessive au début de la précharge et son dimensionnement peut être réduit en conséquence. En outre, la régulation de la puissance reçue par le premier transistor de sécurité pendant tout la durée de la précharge permet de réduire son échauffement et ainsi d’améliorer les performances thermiques du dispositif de précharge. Un dispositif de précharge selon l’invention peut en outre comporter une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, prises isolément ou bien selon n’importe quelle combinaison techniquement possible. De façon optionnelle, la régulation de la puissance reçue autour de la consigne de puissance s’effectue pendant une durée prédéterminée. De façon optionnelle, le premier transistor de sécurité est un transistor MOSFET (transistor à effet de champ à grille isolée de l’anglais « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor »), par exemple en silicium (Si-MOSFET) ou en carbure de silicium (SiC-MOSFET), ou un transistor FET (transistor à effet de champ= de l’anglais « Field Effect Transistor »), en nitrure de gallium ou un transistor IGBT (transistor bipolaire à grille isolée de l’anglais « Insulated Gate Bipolar Transistor »). De façon optionnelle, le courant électrique de précharge pouvant circuler entre la source de tension continue et la charge est régulée par comparaison du courant électrique de précharge au ratio de la consigne de puissance et de la différence de tension entre la tension mesurée aux bornes de la source de tension continue et la tension mesurée aux bornes de la charge. De façon optionnelle, le circuit de commande comprend un circuit d’alimentation en tension d’une borne de commande du premier transistor de sécurité, le circuit d’alimentation comprenant une borne de sortie connectée à la borne de commande du premier transistor de sécurité, un montage en parallèle d’une capacité et d’une première résistance, une première source de courant alimentant en courant le montage en parallèle seulement lorsque le courant électrique de précharge est supérieur au ratio, et un circuit suiveur de tension recopiant sur la borne de sortie décalé d’un offset de tension la tension présente sur le montage en parallèle. De façon optionnelle, le circuit suiveur de tension comprend un premier transistor bipolaire de type pnp dont la grille est connectée directement ou par l’intermédiaire d’une résistance à une des bornes du montage en parallèle, dont le collecteur est connecté directement ou par l’intermédiaire d’une résistance à l’autre des bornes du montage en parallèle et dont l’émetteur est connecté directement ou par l’intermédiaire d’une résistance à la borne de sortie et une deuxième source de courant alimentant en courant l’émetteur du premier transistor bipolaire. De façon optionnelle, le montage en parallèle est connecté entre une masse électrique et la grille du premier transistor bipolaire. De façon optionnelle, la deuxième source de courant alimente également en courant la borne de sortie connectée à la borne de commande du premier transistor de sécurité. De façon optionnelle, la deuxième source de courant comprend une borne de référence en tension destinée à être connectée à une tension de référence, un deuxième transistor bipolaire de type pnp, un troisième transistor bipolaire de type pnp, un quatrième transistor bipolaire de type npn, une deuxième et une quatrième résistance, et dans lequel les grilles du deuxième et du troisième transistor bipolaire sont connectée entre elles et au collecteur du deuxième transistor bipolaire, l’émetteur du troisième transistor bipolaire est connecté à la borne de référence en tension par l’intermédiaire d’une source de tension, le collecteur du deuxième transistor bipolaire est connecté à la borne de référence en tension par l’intermédiaire de la deuxième résistance, le collecteur du quatrième transistor bipolaire est connecté au collecteur du troisième transistor bipolaire, l’émetteur du quatrième transistor bipolaire est connecté par l’intermédiaire de la troisième résistance à une masse électrique et la grille du quatrième transistor bipolaire est destiné à recevoir une tension de commande lorsque le dispositif de précharge charge la charge. De façon optionnelle, la première source de courant comprend la borne de référence en tension, le troisième transistor bipolaire, le quatrième transistor bipolaire, la source de tension, la troisième résistance ainsi qu’un cinquième transistor bipolaire de type pnp, et une association en série d’un interrupteur et d’une quatrième résistance et dans lequel la grille du cinquième transistor bipolaire est connectée à la grille du deuxième transistor bipolaire, dans lequel le collecteur du cinquième transistor bipolaire est connecté à l’association en parallèle de la capacité et de la première résistance ainsi qu’à la grille du premier transistor bipolaire, dans lequel l’émetteur du cinquième transistor bipolaire est connectée à la borne de référence en tension par l’intermédiaire de l’association en série de l’interrupteur et de la quatrième résistance et dans lequel l’interrupteur est commandé à l’ouverture lorsque le courant électrique de précharge est supérieur au ratio et à la fermeture sinon. De façon optionnelle, le circuit de commande comprend un dispositif de mesure de la tension aux bornes de la capacité. De façon optionnelle, le circuit de commande comprend un dispositif de mesure du courant électrique de précharge. De façon optionnelle, le circuit de commande comprend un dispositif de mesure de la tension aux bornes de la source de tension continue. De façon optionnelle, dispositif de mesure du courant électrique de précharge comprend en outre une résistance de shunt. De façon optionnelle, la résistance de shunt est connectée en série avec le premier transistor de sécurité. Il est également proposé, selon un deuxième aspect de l’invention un convertisseur de tension comprenant un dispositif de précharge selon le premier aspect de l’invention. De façon optionnelle, le convertisseur de tension comprend : un dispositif de précharge d’une charge à partir d’une source de tension continue selon le premier aspect de l’invention ; une borne de haute tension destinée à présenter une haute tension par rapport à la masse électrique ; une borne de masse destinée à être connectée à la masse électrique ; une borne de basse tension destinée à présenter une basse tension par rapport à la masse électrique ; au moins une cellule de conversion de tension connectée aux bornes de masse, de haute tension et de basse tension pour réaliser une conversion entre la haute tension et la basse tension, ladite au moins une cellule de conversion de tension étant connectée au points de basse tension par l’intermédiaire du premier transistor de sécurité du dispositif de précharge, ladite borne de haute tension étant connectée électriquement audit premier transistor de sécurité par l’intermédiaire de ladite au moins une cellule de conversion de tension lorsque ladite charge est connectée entre la borne de haute tension et la borne de masse et lorsque le dispositif de précharge précharge ladite charge. Un convertisseur de tension selon l’invention peut en outre comporter une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, prises isolément ou bien selon n’importe quelle combinaison techniquement possible. De façon optionnelle, le convertisseur de tension comprend en outre un dispositif de sécurité comprenant ledit premier transistor de sécurité et un deuxième transistor de sécurité montés en série entre ladite au moins une cellule de conversion de tension et ladite borne de basse tension. De façon optionnelle, le deuxième transistor de sécurité est bloqué lorsque le dispositif de précharge précharge ladite charge. De façon optionnelle, le deuxième transistor est dans un état bloqué lorsque le dispositif de précharge précharge ladite charge. Il est également proposé, selon un troisième aspect de l’invention, un engin de mobilité comportant un dispositif de précharge selon le premier aspect de l’invention ou un convertisseur de tension selon le deuxième aspect de l’invention. Un engin de mobilité est par exemple un véhicule terrestre à moteur, un aéronef ou un drone. Un véhicule terrestre à moteur est par exemple un véhicule automobile, une moto, un vélo motorisé, une trottinette à moteur ou un fauteuil roulant motorisé. L’invention sera mieux comprise à l’aide de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple et faite en se référant aux dessins annexés dans lesquels : La est un schéma d’un dispositif de précharge selon l’art antérieur, La présente sous forme de chronogrammes le courant de précharge, la puissance reçue par le premier transistor de sécurité et la température du premier transistor de sécurité lorsqu’une précharge est réalisé par le dispositif de précharge de la , La est un schéma fonctionnel électrique d’un convertisseur de tension DC/DC dans un mode de réalisation de l’invention, La est un circuit électrique illustrant le dispositif de précharge du convertisseur de tension DC/DC de la , La est un schéma d’un interrupteur SW du dispositif de précharge de la , La présente sous forme de chronogrammes le courant de précharge, la puissance reçue par le premier transistor de sécurité et la température du premier transistor de sécurité lorsqu’une précharge est réalisé par le dispositif de précharge de la , et La est un schéma fonctionnel électrique d’un convertisseur de tension DC/DC dans un autre mode de réalisation de l’invention. En référence à la , un convertisseur de tension DC/DC 106 destiné à équiper un engin de mobilité, par exemple un véhicule automobile, va à présent être décrit dans un mode de réalisation de l’invention. Le convertisseur de tension DC/DC 106 comporte tout d’abord une borne de masse B M connectée à une masse électrique M, une borne de haute tension B HT destinée à présenter une haute tension HT, par exemple de 48V, par rapport à la masse électrique M, une borne de basse tension B BT afin de présenter une basse tension BT par rapport à la masse électrique M. Dans l’exemple décrit ici, la borne de basse tension est connectée à la borne + d’une source de tension continue 102, par exemple une batterie, présentant une tension BT entre ses bornes, par exemple de 12V. Le convertisseur de tension DC/DC comporte en outre une capacité C 1 connectée entre la masse électrique M et la borne de basse tension B BT . La capacité C 1 est connectée directement ou par l’intermédiaire de la borne de masse B M à la masse électrique M. Le convertisseur de tension DC/DC comporte en outre une capacité Ca connectée entre la masse électrique M et la borne de haute tension B HT . La capacité Ca est connectée directement ou par l’intermédiaire de la borne de masse B M à la masse électrique M. Le convertisseur de tension DC/DC 106 comporte en outre au moins un nombre N supérieur ou égal à 1 de modules de conversion de tension connectés en parallèle entre la borne de haute tension B HT et la borne de basse tension B BT pour réaliser une conversion entre la haute tension HT et la basse tension BT. Dans l’exemple décrit, le nombre N est égal à deux, i.e. le convertisseur de tension DC/DC 106 comprend deux modules de conversion de tension connectés en parallèle. Chacun de ces deux modules de conversion de tension comprend une cellule de conversion de tension 108 1 - 2 connectée électriquement à la borne de masse B M , à la borne de haute tension B HT et à un point milieu PM 1-2 et un dispositif de sécurité 126 1-2 connecté électriquement au point milieu PM 1- 2 et à la borne de basse tension B BT . Dans l’exemple décrit, chaque cellule 108 1 - 2 est une cellule à commutation. Nous allons maintenant décrire la cellule à commutation 108 1 , la cellule à commutation 108 2 ayant la même structure que la cellule à commutation 108 1 . Cette cellule 108 1 comporte un bras de commutation comportant un interrupteur de côté haut 202 1 et un interrupteur de côté bas 204 1 connectés l’un à l’autre en un point central PC 1 . Le bras de commutation est connecté électriquement entre la borne de haute tension B HT et la borne de masse B M pour recevoir la haute tension HT. Dans l’exemple décrit ici, les interrupteurs 202 1 , 204 1 sont par exemple des interrupteurs à transistor tels que des transistors MOSFET en silicium (Si-MOSFET) ou en carbure de silicium (SiC-MOSFET). Dans l’exemple décrit ici, le transistor 202 1 est de type N, sa source est connectée électriquement au point central PC 1 et son drain à la borne de haute tension B HT . Dans l’exemple décrit ici, le transistor 204 1 est de type N, sa source est connectée électriquement à la borne de masse B M et son drain est connectée électriquement au point central PC 1 . Chaque cellule 108 1 comporte en outre une inductance 208 1 connectant électriquement le point central PC 1 au point milieu PM 1 et une capacité 210 1 connectant le point milieu PM 1 à la masse électrique M, par exemple directement ou bien, comme illustré, en étant connectée à la borne de masse B M . En variante, la cellules 108 1 ne comporte pas de capacité 210 1 . Le dispositif de sécurité 126 1 comporte un premier transistor de sécurité 304 1 . Dans l’exemple décrit ici, le premier transistor de sécurité 304 1 est un transistor MOSFET de Type N dont la source est connectée par l’intermédiaire d’une résistance de shunt au point milieu PM 1 et dont le drain est connecté à la borne de basse tension B BT . De façon optionnelle, le dispositif de sécurité 126 1 peut également comprendre une diode zener Dz et une résistance R gs connectée entre la grille et la source du premier transistor de sécurité 304 1 . Dans ce cas, l’anode de la diode zener Dz est connectée à la source du premier transistor de sécurité 304 1 . Le dispositif de sécurité 126 2 se distingue du dispositif de sécurité 126 1 seulement en ce qu’il est connecté directement au point milieu PM 2 . Le convertisseur de tension DC/DC comporte enfin un dispositif de précharge D pr de la capacité Ca qui va à présent être décrit en référence à la . Le dispositif de précharge comporte la résistance de shunt Shu, le premier transistor de sécurité 304 1 et un circuit de commande en régime linéaire CRlin du premier transistor de sécurité 304 1 . Le premier transistor de sécurité 304 1 est apte à connecter la charge Ca à la source de tension continue 102 lorsque le premier transistor de sécurité 304 1 est commandé en régime linéaire. Le circuit de commande en régime linéaire CRlin du premier transistor de sécurité 304 1 comprend : un dispositif de mesure 110 de la tension aux bornes de la capacité Ca, un dispositif de mesure 120 de la tension aux bornes de la source de tension continue 102, un circuit d’alimentation en tension 140 d’une borne de commande du premier transistor de sécurité 304 1 , un microcontrolleur µC, et un dispositif de mesure du courant électrique de précharge Ipr constitué ici de la résistance de shunt Shu, d’un dispositif de mesure 130 de la tension aux bornes de la résistance de shunt Shu et du microcontrôleur µC. Le microcontrôleur µC reçoit sur ses entrées, la tension mesurée aux bornes de la capacité Ca, la tension mesurée aux bornes de la source de tension 102 et la tension mesurée aux bornes de la résistance de shunt Shu. A partir de cette dernière tension mesurée, le microcontrôleur µC calcule le courant de précharge Ipr (en divisant la tension mesurée aux bornes de la résistance de shunt Shu par la valeur de la résistance de shunt Shu) puis compare cette valeur au ratio Ra d’une consigne de puissance CP, calculée par le microcontrôleur µC, et de la différence entre la tension mesurée aux bornes de la source de tension 102 et la tension mesurée aux bornes de la capacité Ca. Dans l’exemple décrit ici, le microcontrôleur calcul la consigne de puissance CP en fonction du temps d’après l’équation [Math.1] ci-dessous dans laquelle P c est une puissance constante et τ une constante de temps. En d’autres termes, la consigne de puissance CP est définie par une fonction dépendante du temps qui est croissante depuis une première valeur prédéfinie, ici la valeur nulle, et qui possède par ailleurs une asymptote horizontale définie par l’équation CP=P c . Le choix de la constante de temps et de la consigne de puissance CP s’effectue en fonction de la valeur de la capacité Ca à charger et de la valeur de la source de tension continue 102 de sorte que la précharge de la capacité Ca s’effectue pendant une durée prédéterminée. En d’autres termes, les choix précédents sont faits de sorte que la régulation de la puissance reçue par le premier transistor de sécurité 304 1 autour de la consigne de puissance s’effectue pendant une durée prédéterminée. Ainsi la consigne de puissance CP peut se décomposer en deux parties temporels. La première partie temporelle permet d’éviter une évolution trop rapide de la puissance reçue par le premier transistor de sécurité en début de précharge et la deuxième partie temporelle permet de réguler cette puissance reçue autour de la puissance constante PC. En fonction de la comparaison du courant de précharge Ipr au ratio Ra, le microcontrôleur µC commande le circuit d’alimentation en tension 140 qui comprend : une borne de sortie Bs connectée à la borne de commande du premier transistor de sécurité 304 1 , une capacité C, une première source de courant SC1 alimentant en courant I 5 une borne de la capacité C seulement lorsque le courant électrique de précharge Ipr est supérieur au ratio Ra calculé par le microcontroleur µC, et un circuit suiveur de tension recopiant sur la borne de sortie Bs la tension présente sur la borne de la capacité C alimenté par le courant I 5 décalé d’un offset de tension. Dans l’exemple décrit ici, le circuit suiveur de tension comprend un premier transistor bipolaire de type pnp Q 1 et une deuxième source de courant alimentant en courant l’émetteur du premier transistor bipolaire Q 1 . Le premier transistor bipolaire Q 1 a sa grille connectée directement à la borne de la capacité C alimenté par le courant I 5 , son collecteur connecté directement à l’autre des bornes de la capacité C et son émetteur connecté directement à la borne de sortie Bs. En outre, une première résistance R 1 est connectée entre la grille du premier transistor bipolaire Q 1 et la masse M, c’est-à-dire aux bornes de la capacité C. La deuxième source de courant comprend : une borne de référence en tension Br connectée à une tension de référence V CC , par exemple de 36V dans l’exemple décrit ici, un deuxième transistor bipolaire Q 2 et un troisième transistor bipolaire Q 3 de type pnp, les grilles du deuxième transistor bipolaire Q 2 et du troisième transistor bipolaire Q 3 sont connectées entre elles et au collecteur du troisième transistor bipolaire Q 3 , l’émetteur du troisième transistor bipolaire Q 3 est connectée à la borne de référence en tension Br par l’intermédiaire d’une source de tension Sc, l’émetteur du deuxième transistor bipolaire Q 2 est connectée à la borne de référence Br par l’intermédiaire d’une deuxième résistance R 2 , le collecteur du deuxième transistor bipolaire Q 2 est connecté à la borne de sortie Bs, et un quatrième transistor bipolaire Q 4 de type npn dont le collecteur est connectée directement au collecteur du troisième transistor bipolaire Q 3 , dont l’émetteur est connecté par l’intermédiaire d’une troisième résistance R 3 à la masse électrique M et dont la grille reçoit une tension de commande SS fournie par le microcontrôleur µC. Dans l’exemple décrit ici, la source de tension Sc est réalisée au moyen d’un régulateur de tension, par exemple un TL431 dont la cathode est connecté à la borne de référence Bs, dont l’anode est connectée à l’émetteur du troisième transistor bipolaire Q 3 et dont la référence est connectée à la cathode. La première source de courant comprend la borne de référence en tension Br, le troisième transistor bipolaire Q 3 , le quatrième transistor bipolaire Q 4 , la source de tension Sc, la troisième résistance R 3 ainsi qu’un cinquième transistor bipolaire Q 5 de type pnp, un interrupteur SW et une quatrième résistance R 4 . La grille du cinquième transistor bipolaire Q 5 est connectée à la grille du troisième transistor bipolaire Q 3 , le collecteur du cinquième transistor bipolaire Q 5 est connecté à la capacité C ainsi qu’à la grille du premier transistor bipolaire Q 1 . L’émetteur du cinquième transistor bipolaire Q 5 est connectée à la borne de référence en tension Br par l’intermédiaire de l’association en série de l’interrupteur SW et de la quatrième résistance R 4 . Dans l’exemple décrit, l’interrupteur SW est connectée à la borne de référence Br et la quatrième résistance est connectée à l’émetteur du cinquième transistor bipolaire Q 5 . L’interrupteur SW est commandé à l’ouverture ou à la fermeture sur réception d’une commande Off/On émise par le microcontrôleur µC. En référence à la , nous allons maintenant décrire un mode particulier de réalisation de l’interrupteur SW. Dans ce mode particulier de réalisation, l’interrupteur SW comprend un sixième transistor bipolaire Q 6 de type npn, un septième transistor bipolaire Q 7 de type pnp, une cinquième résistance R 5 et une sixième résistance R6. L’émetteur du septième transistor bipolaire Q 7 est connecté à la borne de référence Br. Le collecteur du septième transistor bipolaire Q 7 est connecté à la quatrième résistance R 4 . La grille du septième transistor bipolaire Q 7 est connectée à la borne de référence Br par l’intermédiaire de la sixième résistance R6. Le collecteur du sixième transistor bipolaire Q 6 est connecté à la grille du septième transistor bipolaire Q 7 . L’émetteur du sixième transistor bipolaire Q 6 est connecté à la masse M par l’intermédiaire de la cinquième résistance R 5 . La grille du sixième transistor bipolaire Q 6 étant destiné à recevoir la commande Off/On respectivement sous la forme d’une tension nulle et d’une tension positive de quelques volts. Lorsqu’une tension positive (commande On) est appliquée sur la grille du sixième transistor Q 6 , cette tension se retrouve décalée de la tension grille-émetteur du transistor bipolaire Q 6 aux bornes de la résistance R 5 et provoque l’apparition du courant I 6 . Ce courant I 6 provoque de même l’apparition d’une tension aux bornes de la résistance R6 qui a pour effet de rendre passant le transistor Q 7 et donc de fermer l’interrupteur SW. De même, lorsqu’une tension nulle (commande Off) est appliquée sur la grille du sixième transistor Q 6 , le transistor Q 7 devient bloqué et l’interrupteur SW est ouvert. En référence à la , nous allons maintenant décrire le fonctionnement dynamique du dispositif de précharge. La présente sous forme de chronogrammes le courant de précharge Ipr, la puissance reçue par le premier transistor de sécurité 304 1 et la température du premier transistor de sécurité 304 1 lorsque la précharge de la capacité Ca (identique en valeur à celle de la capacité Ch de la ) est réalisée par le dispositif de précharge. Pendant toute la précharge, les interrupteurs du bras de commutation sont ouvert et la borne de haute tension B HT n’est pas connecté à une source de haute tension mais seulement à la capacité C a . De façon alternative, l’interrupteur de côté haut 202 1 est fermé et l’interrupteur de côté bas 204 1 est ouvert. Au début de la précharge, à l’instant t 0 , la capacité Ca et la capacité C sont déchargées, le premier transistor de sécurité 304 1 est dans un état bloqué et le courant de précharge Ipr est nul. Pour démarrer la précharge, le microcontrôleur µC émet une commande de fermeture On de l’interrupteur SW et une tension de commande SS sur la grille du quatrième transistor bipolaire Q 4 . Le microcontrôleur µC compare alors ce courant de précharge Ipr nul au ratio Ra de la consigne de puissance CP et de la tension mesurée aux bornes de la source de tension 102. Le courant de précharge Ipr étant inférieur à ce ratio, le microcontrôleur µC maintient l’interrupteur SW fermé et la tension de commande SS sur la grille du quatrième transistor bipolaire Q 4 . La tension de commande SS se reporte décalée de la tension grille-émetteur du transistor bipolaire Q 4 aux bornes de la troisième résistance R 3 définissant ainsi la valeur du courant traversant la troisième résistance R 3 . De par le montage des transistors bipolaires Q 2 et Q 3 , la tension au borne de la source de tension Sc se retrouve aux bornes de la deuxième résistance R 2 , ce qui définit la valeur du courant I 2 traversant cette deuxième résistance R 2 . Ce courant I 2 est également, au courant de grille prêt du premier transistor de sécurité 304 1 , le courant s’écoulant entre l’émetteur et le collecteur du premier transistor bipolaire Q 1 . Ainsi la première source de courant permet la polarisation du premier transistor bipolaire Q 1 et l’alimentation en courant de la grille du premier transistor de sécurité 304 1 . De par le montage des transistors bipolaires Q 2 et Q 5 et en tenant compte que l’interrupteur SW est fermé par le microcontrôleur µC, la tension au borne de la source de tension Sc se retrouve aux bornes de la quatrième résistance R 4 , ce qui définit la valeur du courant I 5 traversant cette quatrième résistance R 4 . Ce courant s’écoule par le collecteur du cinquième transistor bipolaire Q 5 et permet ainsi de commencer la charge de la capacité C. La capacité C se chargeant, une tension V1 apparaît aux bornes de cette capacité C. Cette tension V1 décalée de la tension grille-émetteur du premier transistor bipolaire Q 1 se retrouve au niveau de la borne de sortie Bs, c’est-à-dire entre l’émetteur et le collecteur du premier transistor bipolaire Q 1 . Ainsi, une tension de commande se retrouve appliquée entre la grille (au potentiel V1) et la source (au potentiel nul) du premier transistor de sécurité 304 1 de sorte que celui-ci commençant à conduite le courant de précharge Ipr devient non nul. Ce courant de précharge s’écoule à travers la cellule de commutation 108 1 vers la borne de haute tension B HT grâce à la diode intrinsèque du transistor de côté haut 202 1 . Tant que le courant Ipr reste inférieur au ratio Ra, la tension V1 sur la grille du premier transistor de sécurité 304 1 continue à augmenter et la puissance reçue par le premier transistor de sécurité 304 1 reste inférieure à la consigne de puissance CP. Lorsque le courant Ipr devient supérieur au ratio Ra, la puissance reçue par le premier transistor de sécurité 304 1 devient supérieure à la consigne de puissance CP et le microcontrôleur µC émet une commande Off d’ouverture de l’interrupteur SW tout en maintenant la tension de commande SS sur la grille du quatrième transistor bipolaire Q 4 . Ainsi, la deuxième source de courant reste active et la tension V1 reste présente sur la borne de sortie Bs, tandis que la deuxième source de courant devient inactive, i.e. le courant I 5 s’annule et la charge de la capacité C est arrêtée. L’arrêt de la charge de la capacité C fait que la tension sur la grille du transistor 304 1 n’augmente plus de sorte que le courant Ipr n’augmente plus également. Lorsque le courant Ipr redevient inférieur au ratio Ra, la puissance reçue par le premier transistor de sécurité 304 1 redevient inférieure à la consigne de puissance CP et le microcontrôleur µC émet une commande On de fermeture de l’interrupteur SW tout en maintenant la tension de commande SS sur la grille du quatrième transistor bipolaire Q 4 . Ainsi, la deuxième source de courant redevient active et un courant I 5 est à nouveau généré pour charger la capacité C ce qui provoque une augmentation de la tension au niveau de la grille du premier transistor de sécurité 304 1 . Cette augmentation de la tension au niveau de la grille du premier transistor de sécurité 304 1 permet d’augmenter la conduction de ce premier transistor de sécurité 304 1 et le courant Ipr recommence à augmenter. Ainsi, grâce à l’ouverture et à la fermeture successive de l’interrupteur SW, la puissance reçue par le premier transistor de sécurité 304 1 suit l’évolution de la consigne de puissance CP. Durant une première phase de la précharge (entre les instants t o et t 1 ), la puissance reçue par le premier transistor de sécurité 304 1 augmente graduellement, puis durant une deuxième phase de la précharge (entre t 1 et t 2 ), cette puissance reçue oscille autour d’une valeur de puissance proche de la puissance constante P c . Grâce à cette limitation de la puissance reçue par le premier transistor de sécurité 304 1 , l’échauffement de ce premier transistor est limité. Ainsi, grâce à l’invention, il est possible par rapport à l’art antérieur à l’invention de limiter le dimensionnement du premier transistor de sécurité 304 1 et d’améliorer l’efficacité thermique du dispositif de précharge. Lorsque le microcontrôleur détecte que la précharge de la capacité Ca est terminée, i.e. en comparant la tension aux bornes de la capacité Ca à une valeur de tension seuil, le microcontrôleur µC émet une commande Off d’ouverture de l’interrupteur SW et annule la tension de commande SS sur la grille du quatrième transistor bipolaire Q 4 de sorte que le circuit d’alimentation en tension 140 n’alimente plus en tension la borne de commande du premier transistor de sécurité 304 1 et de sorte que la capacité C puisse se décharger à travers la première résistance R 1 . En référence à la , nous allons maintenant décrire un convertisseur de tension 106’ selon un deuxième mode de réalisation de l’invention. Le convertisseur de tension 106’ se distingue du convertisseur de tension 106 en ce qu’il comprend en outre un deuxième transistor de sécurité 304 2 montés en série entre la résistance de shunt Shu et le premier transistor de sécurité 304 1 , le premier résistor de sécurité 304 1 et le deuxième transistor de sécurité 304 2 étant connectés par leur source. Lors de la réalisation de la précharge de la capacité Ca, ce deuxième transistor de sécurité 304 2 est commandé à l’ouverture de sorte qu’il se comporte comme un interrupteur ouvert. En d’autres termes, le courant de précharge passe par la diode intrinsèque du deuxième transistor de sécurité 304 2 pour alimenter la capacité Ca. De façon alternative, lors de la réalisation de la précharge de la capacité Ca, le deuxième transistor de sécurité 304 2 est commandé à la fermeture de sorte qu’il se comporte comme un interrupteur fermé. On notera par ailleurs que l’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation décrits précédemment. Il apparaîtra en effet à l'homme de l'art que diverses modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation décrits ci-dessus, à la lumière de l'enseignement qui vient de lui être divulgué. Par exemple, l’invention peut être mise en œuvre lorsque à la haute tension est supérieure à 48V, par exemple supérieure à 100V, voire supérieure ou égale à 400V. Dans la présentation détaillée de l’invention qui est faite précédemment, les termes utilisés ne doivent pas être interprétés comme limitant l’invention aux modes de réalisation exposés dans la présente description, mais doivent être interprétés pour y inclure tous les équivalents dont la prévision est à la portée de l'homme de l'art en appliquant ses connaissances générales à la mise en œuvre de l'enseignement qui vient de lui être divulgué. Dispositif de précharge (304 1 , Shu, 110, 120, 130, 140, µC) d’une charge, par exemple d’une capacité (Ca), à partir d’une source de tension continue (102) comprenant un premier transistor de sécurité (304 1 ) apte à connecter la charge (Ca) à ladite source de tension continue (102), et un circuit de commande (Shu, 110, 120, 130, 140, µC ) en régime linéaire du premier transistor de sécurité (304 1 ), caractérisé en ce que ledit circuit de commande (Shu, 110, 120, 130, 140, µC) régule le produit du courant de précharge (Ipr) et de la différence de tension entre la tension mesurée aux bornes de ladite source de tension continue (102) et la tension mesurée aux bornes de ladite charge (Ca) par rapport à une consigne de puissance (CP) lors de la commande en régime linéaire du premier transistor de sécurité (304 1 ) durant la précharge de ladite charge (Ca) par ladite source de tension continue (102), ladite consigne de puissance (CP) croissant pendant un premier intervalle de temps depuis une première valeur prédéfinie, par exemple nulle, pour atteindre une valeur constante ou approximativement constante et s’y maintenir pendant un deuxième intervalle de temps consécutif au premier intervalle de temps. Dispositif de précharge (304 1 , Shu, 110, 120, 130, 140, µC) selon la revendication précédente dans lequel le courant électrique de précharge (Ipr) pouvant circuler entre la source de tension continue (102) et la charge (Ca) est régulée par comparaison dudit courant électrique de précharge (Ipr) au ratio (Ra) de ladite consigne de puissance (CP) et de la différence de tension entre la tension mesurée aux bornes de ladite source de tension continue (102) et la tension mesurée aux bornes de ladite charge (Ca). Dispositif de précharge (304 1 , Shu, 110, 120, 130, 140, µC) selon la revendication précédente dans lequel le circuit de commande (Shu, 110, 120, 130, 140, µC) comprend un circuit d’alimentation en tension (140) d’une borne de commande du premier transistor de sécurité (304 1 ), ledit circuit d’alimentation (140) comprenant : une borne de sortie (Bs) connectée à la borne de commande du premier transistor de sécurité (304 1 ), un montage en parallèle d’une capacité (C) et d’une première résistance (R 1 ), une première source de courant alimentant en courant (I 5 ) ledit montage en parallèle seulement lorsque le courant électrique de précharge (Ipr) est supérieur audit ratio (Ra), et un circuit suiveur de tension recopiant sur ladite borne de sortie (Bs) décalé d’un offset de tension la tension présente sur ledit montage en parallèle. Dispositif de précharge (304 1 , Shu, 110, 120, 130, 140, µC) selon la revendication précédente dans lequel ledit circuit suiveur de tension comprend un premier transistor bipolaire de type pnp (Q 1 ) dont la grille est connectée directement ou par l’intermédiaire d’une résistance à une des bornes dudit montage en parallèle, dont le collecteur est connecté directement ou par l’intermédiaire d’une résistance à l’autre des bornes dudit montage en parallèle et dont l’émetteur est connecté directement ou par l’intermédiaire d’une résistance à ladite borne de sortie (Bs) et une deuxième source de courant alimentant en courant l’émetteur du premier transistor bipolaire (Q 1 ). Dispositif de précharge (304 1 , Shu, 110, 120, 130, 140, µC) selon la revendication précédente dans lequel ladite deuxième source de courant comprend une borne de référence en tension (Br) destinée à être connectée à une tension de référence (V CC ), un deuxième transistor bipolaire de type pnp (Q 2 ), un troisième transistor bipolaire de type pnp (Q 3 ), un quatrième transistor bipolaire de type npn (Q 4 ), une deuxième (R 2 ) et une quatrième résistance (R 4 ), et dans lequel les grilles du deuxième (Q 2 ) et du troisième transistor bipolaire (Q 3 ) sont connectée entre elles et au collecteur du deuxième transistor bipolaire (Q 2 ), l’émetteur du troisième transistor bipolaire (Q 3 ) est connecté à ladite borne de référence en tension (Br) par l’intermédiaire d’une source de tension (Sc), le collecteur du deuxième transistor bipolaire (Q 2 ) est connecté à ladite borne de référence en tension (Br) par l’intermédiaire de la deuxième résistance (R 2 ),le collecteur du quatrième transistor bipolaire est connecté au collecteur du troisième transistor bipolaire (Q 3 ), l’émetteur du quatrième transistor bipolaire (Q 4 ) est connecté par l’intermédiaire de la troisième résistance (R 3 ) à une masse électrique (M) et la grille du quatrième transistor bipolaire (Q 4 ) est destiné à recevoir une tension de commande (SS) lorsque ledit dispositif de précharge charge ladite charge. Dispositif de précharge selon la revendication précédente dans lequel ladite première source de courant comprend ladite borne de référence en tension (Br), ledit troisième transistor bipolaire (Q 3 ), ledit quatrième transistor bipolaire (Q 4 ), ladite source de tension (Sc), ladite troisième résistance (R 3 ) ainsi qu’un cinquième transistor bipolaire de type pnp (Q 5 ), et une association en série d’un interrupteur (SW) et d’une quatrième résistance (R 4 ) et dans lequel la grille du cinquième transistor bipolaire (Q 5 ) est connectée à la grille du deuxième transistor bipolaire (Q 2 ), dans lequel le collecteur du cinquième transistor bipolaire (Q 5 ) est connecté à ladite association en parallèle de la capacité (C) et de ladite première résistance (R 1 ) ainsi qu’à la grille du premier transistor bipolaire (Q 1 ), dans lequel l’émetteur du cinquième transistor bipolaire (Q 5 ) est connectée à la borne de référence en tension (Br) par l’intermédiaire de l’association en série de l’interrupteur (SW) et de la quatrième résistance (R 4 ) et dans lequel l’interrupteur (SW) est commandé à l’ouverture lorsque le courant électrique de précharge (Ipr) est supérieur audit ratio (Ra) et à la fermeture sinon. Convertisseur de tension (106) comprenant : un dispositif de précharge (304 1 , Shu, 110, 120, 130, 140, µC ) d’une charge (Ca) à partir d’une source de tension continue (102) selon l’une des revendications précédentes une borne de haute tension (B HT ) destinée à présenter une haute tension (HT) par rapport à la masse électrique (M) ; une borne de masse (B M ) destinée à être connectée à la masse électrique (M) ; une borne de basse tension (B BT ) destinée à présenter une basse tension (BT) par rapport à la masse électrique (M), au moins une cellule de conversion de tension (108 1 , 108 2 ) connectée aux bornes de masse (B M ), de haute tension (B HT ) et de basse tension (B BT ) pour réaliser une conversion entre la haute tension (HT) et la basse tension (BT), ladite au moins une cellule de conversion de tension (108 1 , 108 2 ) étant connectée au points de basse tension par l’intermédiaire du premier transistor de sécurité (304 1 ) du dispositif de précharge (304 1 , Shu, 110, 120, 130, 140, µC), ladite borne de haute tension (B HT ) étant connectée électriquement audit premier transistor de sécurité (304 1 ) par l’intermédiaire de ladite au moins une cellule de conversion de tension lorsque ladite charge est connectée entre la borne de haute tension et la borne de masse et lorsque le dispositif de précharge précharge ladite charge. Convertisseur de tension (106’) selon la revendication précédente comprenant en outre un dispositif de sécurité comprenant ledit premier transistor de sécurité (304 1 ) et un deuxième transistor de sécurité (304 2 ) montés en série entre ladite au moins une cellule de conversion de tension (108 1 , 108 2 ) et ladite borne de basse tension (B BT ). Engin de mobilité comportant un dispositif de précharge (304 1 , Shu, 110, 120, 130, 140, µC) selon l’une des revendications 1 à 6 ou un convertisseur de tension (106) selon l’une des revendications 7 à 8.