FR 3154397 A1 20250425 FR 2311305 A 20231019 L'invention concerne notamment un procédé de revêtement d’un substrat (1) en matériau composite à matrice céramique par au moins un revêtement (4) formant une barrière environnementale, qui comprend les étapes suivantes : E1 : formation d’une sous-couche (2) de liaison à base de silicium au-dessus de dudit substrat (1) en matériau composite à matrice céramique ; E2 : formation d’un revêtement (4) formant barrière environnementale au-dessus de ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium, caractérisé en ce qu’il comprend une étape additionnelle Eadd de formation d’au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) au-dessus ou en-dessous de ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium. Figure 2. Procédé de revêtement d’un substrat en matériau composite à matrice céramique par au moins un revêtement, et pièce correspondante DOMAINE TECHNIQUE GENERAL La présente invention concerne notamment un procédé de revêtement d’un substrat en matériau composite à matrice céramique par au moins un revêtement formant barrière environnementale, notamment pour l’aéronautique. ETAT DE LA TECHNIQUE L’amélioration du rendement des moteurs aéronautiques et le respect des réglementations sur les rejets atmosphériques impliquent une augmentation des températures d’utilisation des turboréacteurs. Pour y parvenir, les matériaux composites à matrice céramique (en abrégé CMC pour « Ceramic Matrix Composite ») à base de carbure de silicium SiC/SiC sont en particulier développés afin d’être intégrés dans les turbines haute pression de nouvelle génération, en lieu et place des superalliages métalliques. Du fait de leur densité plus faible et de leur meilleure tenue à la température, ces matériaux permettent de réduire la masse du moteur et également d’augmenter la température de combustion. Cependant, ces matériaux composites à matrice céramique (ci-après désignés CMC) sont sensibles aux phénomènes d’oxydation/corrosion dans les domaines des hautes températures visées. En effet, en présence de vapeur d’eau, le SiC réagit avec l’espèce oxydante en formant de la silice selon l’équation 1 reproduite ci-dessous, puis cette dernière réagit avec la vapeur d’eau en formant un produit de réaction volatil sous la forme d’hydroxydes Si(OH) 4(g) , selon l’équation 2 ci-dessous : [Chem. 1] SiC (s) +3H 2 O(g)→ SiO 2 (s)+3H 2 +CO (g) (Equation 1); [Chem. 2] SiO 2(s) + 2H 2 O (g) →Si(OH) 4 (g) (Equation 2 ), équations au sein desquelles (s) signifie solide et (g) signifie gaz. Cette oxydation/récession consomme progressivement le composite à matrice céramique et limite sa durée de vie. Des revêtements de type barrière environnementale (en abrégé EBC pour « Environmental Barrier Coating ») en disilicate de terre rare ont été développés et implémentés pour protéger les matériaux composites à matrice céramique SiC/SiC de l’environnement oxydant/corrosif, lequel est notamment constitué par les CMAS (pour oxydes de Calcium, Magnésium, Aluminium et Silicium : CaO-MgO-Al 2 O 3 -SiO 2 ). Ces barrières limitent partiellement la diffusion des espèces oxydantes, mais une couche de silice (SiO 2 ) peut se former en surface du composite à matrice céramique. La formation de cette couche d’oxyde est problématique car elle s’accompagne de la formation d’espèces gazeuses (CO (g) ) qui s’accumulent sous le revêtement et forment des pores dégradant l’adhérence composite/revêtement. Pour pallier cet inconvénient et en atmosphère oxydante sous air sec, une couche de liaison à base de silicium (Si) dite intermédiaire est déposée en surface du composite à matrice céramique. Elle joue le rôle de couche sacrificielle car elle s’oxyde à la place du CMC en formant une couche protectrice de silice dite « passivante » (encore appelée TGO pour « Thermally Grown Oxide ») selon l’équation 3 : [Chem. 3] SiC (s) +1,5 O 2(g) → SiO 2(s) +CO (g) (Equation 3 ) Cette couche en silicium limite la température d’utilisation des barrières environnementales, en raison du point de fusion du silicium qui est de 1414°C. La FIG. 1 annexée présente l’architecture actuelle d’un système de barrière environnementale. Sur cette figure, le substrat en CMC et les différentes couches qui le recouvrent sont représentées de manière purement symbolique et leurs épaisseurs respectives ne sont pas représentées à l’échelle. Sur cette figure : la référence 1 désigne un substrat en CMC tel qu’une pièce aéronautique. La référence 2 désigne une couche de Si, qualifiée de couche de liaison, couche d’accroche ou sous-couche. Elle assure la liaison mécanique entre les deux couches situées au-dessus et au-dessous d’elle, ainsi qu’une protection contre l’oxydation du substrat. La référence 3 désigne une couche de silice, qualifiée de couche d’oxyde ou TGO, qui constitue une dernière barrière contre l’oxydation. La référence 4 désigne une couche en disilicate de terres rares, qualifiée de couche supérieure ou « top coat », qui constitue une barrière contre l’oxydation et une protection contre la volatilisation. Elle constitue la barrière environnementale. Cependant, on constate que l’oxydation du silicium en silice (cristallisée sous forme de cristobalite) s’accompagne d’une expansion volumique de l’ordre de 120 %. Au refroidissement, la transformation de phase de la cristobalite (de la phase β en phase α), accompagnée d’une contraction volumique de l’ordre de 4 - 5 % entraîne le développement de contraintes, lesquelles provoquent la fissuration de la couche d’oxyde. Une exposition continue au cyclage thermique mène à la propagation de ces fissures et à une délamination du revêtement. Ce mécanisme d’endommagement a été identifié comme le plus critique. La fragilisation de l’interface couche 3/couche 4, du fait de la croissance de la couche de cristobalite au cours de l’exposition à l’atmosphère oxydante/corrosive limite la durée de vie des barrières environnementales. Le degré de fragilisation de cette interface dépend de la durée et de la température de vieillissement. De plus, les disilicates de terre rare sont semi-transparents aux températures de fonctionnement visées et aux longueurs d’ondes en dessous de 5 µm, ce qui mène à l’absorption et à la propagation du flux thermique jusqu’au substrat, par transfert radiatif. Cela peut entrainer une cinétique d’oxydation accélérée de la couche de liaison. La présente invention vise à s’affranchir de ces inconvénients. PRESENTATION DE L'INVENTION A cet effet, l'invention se rapporte à un procédé de revêtement d’un substrat en matériau composite à matrice céramique par au moins un revêtement formant une barrière environnementale, qui comprend les étapes suivantes : E1 : formation d’une sous-couche de liaison à base de silicium au-dessus de dudit substrat en matériau composite à matrice céramique ; E2 : formation d’un revêtement formant barrière environnementale au-dessus de ladite sous-couche de liaison à base de silicium, caractérisé en ce qu’il comprend une étape additionnelle Eadd de formation d’au moins une couche de TaN en phase hexagonale au-dessus ou en-dessous de ladite sous-couche de liaison à base de silicium. Ainsi, grâce à l’introduction de ladite au moins une couche de nitrure de tantale en phase hexagonale, on obtient une réflexion d’une fraction élevée du flux radiatif auquel est soumis le substrat en CMC, ce qui permet de diminuer la température de l’interface substrat/barrière environnementale. De plus, on observe une résistance accrue de l’ensemble à l’oxydation et à la corrosion aux températures élevées d’intérêt. Enfin, quand le nitrure de tantale est présent sous la forme de plusieurs couches distinctes, on réduit la propagation de fissures par la multiplication d’interfaces. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de ce procédé, prises seules ou selon une combinaison quelconque techniquement compatible, d’au moins deux d’entre elles : - ladite étape additionnelle Eadd est mise en œuvre de manière à former ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale en-dessous de ladite sous-couche de liaison à base de silicium, de sorte que ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale est intercalée entre ladite sous-couche de liaison à base de silicium et ledit substrat en matériau composite à matrice céramique ; - ladite étape additionnelle Eadd est mise en œuvre de manière à former ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale au-dessus de ladite sous-couche de liaison à base de silicium, de sorte que ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale est intercalée entre ladite sous-couche de liaison à base de silicium et ledit revêtement formant barrière environnementale ; - l’on forme, entre ladite sous-couche de liaison à base de silicium et ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale, au moins une couche de tantale métallique ; - ladite étape additionnelle Eadd est mise en œuvre par un procédé de pulvérisation cathodique en régime d’impulsion de haute puissance ; - ladite étape additionnelle Eadd est mise en œuvre jusqu’à l’obtention d’une couche d’épaisseur comprise entre 1 nanomètre et 50 micromètres, de préférence entre 20 nanomètres et 5 micromètres ; - ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale présente une réflectivité hémisphérique minimale de 50% dans le domaine des longueurs d’onde comprises entre 0,1 et 6 micromètres ; - ladite étape additionnelle Eadd comprend la formation d’au moins deux couches distinctes de TaN en phase hexagonale ; - ladite sous-couche de liaison à base de silicium est formée de silicium, de silicium dopé avec du bore, de silicium dopé avec de l’oxyde d’hafnium, des terres rares consistant en de l’yttrium, de l’ytterbium et du gadolinium avec ajouts de dopants consistant en du zirconium, de l’hafnium, du tantale, de l’azote, de l’aluminium, SiAlON, Si-HfB2, SiC-HfO2, ou SiC-HfO2-HfB2 ; - ladite étape E1 est mise en œuvre en mettant en œuvre l’un des procédés suivants : dépôt par évaporation physique PVD, projection plasma à pression atmosphérique APS, flamme à grande vitesse en voie poudre HVOF, projection plasma à basse pression LPPS, projection plasma sous atmosphère inerte IPS, dépôt par évaporation chimique CVD, Aluminisation en Phase Vapeur APVS, frittage flash, dépôt électrolytique, barbotine, sol-gel ; - ledit revêtement formant barrière environnementale est choisi parmi les disilicates de terre rare Re 2 Si 2 O 7 , où Re = Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Yb, Dy, Ho, Er, Tm, Tb, Lu) et les disilicates co-dopés correspondants, les silicates de terre rare Re 2 SiO 5 et les silicates co-dopés correspondants, l’aluminosilicate de baryum et de strontium (BaO) x .(SrO) 1-x .Al 2 O 3 .2SiO 2 avec 0 ≤ x ≤ 1), les silicates de terre rare dopé au hafnium, le hafnium dopé par des terres rares, la mullite, les spinelles MgAl 2 O 4 , les garnets (Y 3 Al 5 O 12 ), les zircones partiellement/totalement stabilisées et éventuellement dopées, les phases delta de A 4 B 3 O 12 où A = yttrium, lanthane ou lutétium et où B = zirconium ou hafnium, les composites incluant Y 2 O 3 en combinaison avec ZrO 2 et/ou Al 2 O 3 et/ou TiO 2 , les hexa-aluminates, des pérovskites complexes, ainsi que les mélanges d’au moins deux de ces composants ; - ladite étape E2 est mise en œuvre par l’un des procédés suivants : projection plasma à pression atmosphérique APS, projection plasma sous vide, projection plasma, y compris sous très faible pression, projection plasma de suspensions SPS, projection plasma de solutions SPPS, flamme à grande vitesse en voie poudre HVOF, flamme à grande vitesse en voie liquide HVSFS, évaporation sous faisceaux d’électron EB-PVD, dépôt phase vapeur PVD, sol-gel, barbotine, électrophorèse, ou frittage flash ; - ledit substrat est constitutif d’une pièce de turbomachine, telle qu’une aube, un distributeur et ou un secteur d’anneau de la turbine haute pression. L’invention se rapporte également à une pièce comportant un substrat en matériau composite à matrice céramique, notamment pour l’aéronautique, qui comporte : - une sous-couche de liaison à base de silicium au-dessus dudit substrat en matériau composite à matrice céramique ; - un revêtement formant barrière environnementale au-dessus de ladite sous-couche de liaison à base de silicium ; caractérisée par le fait qu’elle comporte également au moins une couche de TaN en phase hexagonale au-dessus ou en-dessous de ladite sous-couche de liaison à base de silicium. Selon un mode de réalisation possible, ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale est intercalée entre ladite sous-couche de liaison à base de silicium et ledit substrat en matériau composite à matrice céramique. Selon un autre mode de réalisation possible, ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale est intercalée entre ladite sous-couche de liaison à base de silicium et ledit revêtement formant barrière environnementale. Selon encore une variante, elle comporte, entre ladite sous-couche de liaison à base de silicium et ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale, au moins une couche de tantale métallique. DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, des modes de réalisation possibles. Sur ces dessins : FIG. 1 illustre de manière schématique et comme indiqué plus haut, un empilement de couches comprenant une barrière environnementale, au-dessus d’un substrat en CMC, conformément à l’art antérieur ; FIG. 2 illustre de manière schématique un empilement de couches comprenant une barrière environnementale, au-dessus d’un substrat en CMC, empilement obtenu selon un mode de réalisation de la présente invention ; FIG. 3 illustre de manière schématique un empilement de couches comprenant une barrière environnementale, au-dessus d’un substrat en CMC, empilement obtenu selon un autre mode de réalisation de la présente invention ; FIG. 4 est un graphique qui montre en fonction de la longueur d’onde de la lumière incidente, le pourcentage de transmission d’un film en nitrure de tantale hexagonal fabriqué par une technique RF (radiofréquence) et par un procédé HIPIMS ; FIG. 5 illustre de manière schématique un empilement de couches comprenant une barrière environnementale, au-dessus d’un substrat en CMC, empilement obtenu selon encore un autre mode de réalisation de la présente invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Dans la description détaillée qui suit, on envisage la formation d'une barrière environnementale sur la surface d’un substrat en matériau CMC contenant du silicium. Il est toutefois rappelé que l'invention est applicable à une pièce en matériau composite à matrice céramique contenant du silicium et, plus généralement, à une pièce dont au moins une partie adjacente est revêtue d’une couche de silicium. Le substrat en matériau CMC contenant du silicium comprend un renfort fibreux qui peut être en fibres de carbone (C) ou en fibres de céramique, par exemple en fibres de SiC. L’objet de l’invention consiste généralement en un procédé de revêtement d’un substrat en matériau composite à matrice céramique par au moins un revêtement formant barrière environnementale, qui comprend les étapes suivantes, lesquelles sont connues en soi : - E1 : formation d’une sous-couche de liaison à base de silicium au-dessus dudit substrat en matériau composite à matrice céramique ; - E2 : formation d’un revêtement formant barrière environnementale au-dessus de ladite sous-couche à base de silicium, Selon l’invention, ce procédé se caractérise en ce qu’il comprend une étape additionnelle Eadd de formation d’au moins une couche de TaN en phase hexagonale au-dessus ou en-dessous de ladite sous-couche de liaison à base de silicium. Un premier mode de réalisation comprend le fait de revêtir un substrat composite à matrice céramique (SiC / SiC) préalablement revêtu d’une sous-couche de liaison, par un revêtement à forte réflectivité qui résiste à l’oxydation / corrosion sous vapeur d’eau à haute température, de par sa composition chimique et sa microstructure dense et homogène, puis d’une couche ou d’un empilement de couches dites de barrière environnementale ( c'est-à-dire résistant à l’oxydation, à la corrosion, aux sables fondus de type CMAS (CaO-MgO-Al2O3-SiO2), à l’érosion particulaire, etc.). Un tel empilement permet d’augmenter la durée globale des matériaux composite à matrice céramique (SiC / SiC). Un autre mode de réalisation comprend le fait de fonctionnaliser un substrat composite à matrice céramique (SiC / SiC) par un revêtement à forte réflectivité résistant à l’oxydation / corrosion sous vapeur d’eau à haute température de par sa composition chimique et sa microstructure dense et homogène, puis d’une sous-couche de liaison, et enfin d’une couche ou d’un empilement de couches dites de barrière environnementale (c'est-à-dire résistant à l’oxydation, à la corrosion, aux sables fondus de type CMAS (CaO-MgO-Al2O3-SiO2), à l’érosion particulaire, etc.). Un tel empilement permet d’augmenter la durée globale des matériaux composite à matrice céramique (SiC / SiC). Conformément à l’invention, ce revêtement à forte réflectivité résistant à l’oxydation / corrosion à haute température est constitué de nitrure de tantale dans sa phase hexagonale. Préférentiellement, l’étape Eadd de formation de ce nitrure de tantale est réalisé par le procédé de pulvérisation cathodique magnétron en régime d’impulsion de haute puissance (également connu sous l’acronyme HIPIMS pour « High Power Impulse Magnetron Sputtering »). Un tel procédé est décrit dans le document FR 3097237. Pour rappel, ce procédé de revêtement d’un substrat par du nitrure de tantale par technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance, réside dans le fait qu’on utilise une cible de tantale et que le revêtement du substrat est effectué sous atmosphère contenant de l’azote, la polarisation de la cible étant contrôlée durant le revêtement en imposant à celle-ci la superposition d’une polarisation continue à un potentiel compris entre -300 V et -100 V et d’une polarisation pulsée dont les pulses ont un potentiel compris entre -1200 V et -400 V. On peut, bien entendu, faire usage d’un autre procédé de dépôt. Toutefois, l’avantage du procédé HIPIMS réside dans sa capacité à maîtriser la cristallinité du matériau déposé (c'est-à-dire le nitrure de tantale dans sa forme allotropique hexagonale) en fonction de plusieurs paramètres, dont la composition en azote du plasma, la température, les paramètres électriques de la décharge, etc. Selon un mode de réalisation possible, le revêtement de TaN présente une épaisseur de 1 nanomètre à 50 micromètres, préférentiellement de 50 nanomètres à 5 micromètres. Un tel revêtement permet d’obtenir une réflectivité hémisphérique minimale de 50 % dans le domaine des longueurs d’onde d’intérêt, c'est-à-dire de 0,1 à 6 micromètres. La FIG. 4 annexée illustre le pourcentage de transmission T d’un film en TaN en phase hexagonale d’une épaisseur de 10 nanomètres sur une plage de mesures de longueurs d’onde comprise entre de 0 à 10 000 nanomètres. On constate que la réflectivité (1 - Transmission) de ce film est supérieure à 50% pour des longueurs d’onde considérées. Cette propriété spécifique permet donc de diminuer la cinétique d’oxydation de la sous-couche de liaison par effet de réduction de la température à l’interface sous-couche de liaison / revêtement TaN. Une fois la protection environnementale écaillée, cette couche en TaN à forte réflectivité et anti-oxydation/corrosion à haute température prendra le relais pour, à minima, augmenter la durée de vie du substrat en CMC. Cela s’explique par la stabilité thermique de ce revêtement, sa compatibilité en termes de coefficient de dilatation thermique, qui est proche de celui du substrat en CMC, ainsi que par sa résistance à l’oxydation et à la corrosion. Selon un mode de réalisation possible, le revêtement en TaN peut être déposé sous forme d’au moins deux couches superposées et distinctes, de façon à multiplier les interfaces, ce qui limite la propagation des fissures créées par les cycles thermiques en fonctionnement. Selon un mode de réalisation possible, la sous-couche de liaison à base de silicium est formée de silicium, de silicium dopé avec du bore, de silicium dopé avec de l’oxyde d’hafnium, des terres rares consistant en de l’yttrium, de l’ytterbium et du gadolinium avec ajouts de dopants consistant en du zirconium, de le hafnium, du tantale, de l’azote, de l’aluminium, SiAlON, Si-HfB 2 , SiC-HfO 2 , ou SiC-HfO 2 -HfB 2 . Selon un mode de réalisation possible, l’étape E1 précitée peut être mise en œuvre, mais pas exclusivement, par l’un des procédés suivants : dépôt par évaporation physique PVD (pour Phycical Vapor Deposition), projection plasma à pression atmosphérique APS (pour Atmospheric Plasma Spraying), flamme à grande vitesse en voie poudre HVOF(pour high Velocity Oxygen Fuel), projection plasma à basse pression LPPS (pour Low Pressure Plasma Spraying), projection plasma sous atmosphère inerte IPS (pour Inert Plasma Spraying), dépôt par évaporation chimique CVD (pour Chemical Vapor Deposition), Aluminisation en Phase Vapeur APVS, frittage flash, dépôt électrolytique, slurry, sol-gel. Selon un mode de réalisation possible, le revêtement formant couche environnementale est choisi parmi les disilicates de terre rare Re 2 Si 2 O 7 , où Re = Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Yb, Dy, Ho, Er, Tm, Tb, Lu) et les disilicates co-dopés correspondants, les silicates de terre rare Re 2 SiO 5 et les silicates co-dopés correspondants, l’aluminosilicate de baryum et de strontium (BaO) x .(SrO) 1-x .Al 2 O 3 .2SiO 2 avec 0 ≤ x ≤ 1), les silicate de terre rare dopé au hafnium, le hafnium dopé par des terres rares, la mullite, les spinelles MgAl 2 O 4 , les garnets (Y 3 Al 5 O 12 ), les zircones partiellement/totalement stabilisées et éventuellement dopées, les phases delta de A 4 B 3 O 12 où A = yttrium, lanthane ou lutétium et où B = zirconium ou hafnium, les composites incluant Y 2 O 3 en combinaison avec ZrO 2 et/ou Al 2 O 3 et/ou TiO 2 , les hexa-aluminates, des pérovskites complexes, ainsi que les mélanges d’au moins deux de ces composants. Selon un mode de réalisation possible, l’étape E2 précitée est mise en œuvre par l’un des procédés suivants : projection plasma à pression atmosphérique APS, projection plasma sous vide, projection plasma, y compris sous très faible pression, projection plasma de suspensions SPS (pour Suspension Plasma Spraying), projection plasma de solutions SPPS (pour Solution Precursor Plasma Spraying), flamme à grande vitesse en voie poudre HVOF, flamme à grande vitesse en voie liquide HVSFS (pour High Velocity Suspension Flame Spray), évaporation sous faisceaux d’électron EB-PVD (pour Electron Beam Pysical vapor deposition), dépôt phase vapeur PVD, sol-gel, slurry électrophorèse, ou frittage flash. Aux figures 2, 3 et 4 sont représentés trois exemples d’empilements de couches obtenus conformément au procédé selon l’invention. Exemple 1 (figure 2) Dans cet exemple, la référence 1 désigne un substrat en CMC. La référence 5 désigne la couche de nitrure de tantale en phase hexagonale déposée selon l’étape Eadd du présent procédé, tandis que les références 2 et 4 désignent respectivement la sous-couche de liaison à base de silicium mise en œuvre selon l’étape E1 et le revêtement formant barrière environnementale mis en œuvre selon l’étape E2, laquelle est à base de disilicate d’ytterbium. Ici, l’étape Eadd est mise en œuvre avant l’étape E1. Dans cet exemple, la sous-couche 2 a une épaisseur de 80 micromètres et est élaborée par projection plasma sous-vide, tandis que le revêtement a une épaisseur de 1000 micromètres et est réalisé par projection plasma conventionnelle sous air. La couche 5 a une épaisseur de 1 micromètre et est élaborée en ayant recours au procédé HIPIMS précité. Exemple 2 (figure 3) Dans cet exemple, la référence 1 désigne un substrat en CMC. La référence 5 désigne la couche de nitrure de tantale en phase hexagonale déposée selon l’étape Eadd du présent procédé, tandis que les références 2 et 4 désignent respectivement la sous-couche de liaison à base de silicium mise en œuvre selon l’étape E1 et le revêtement formant barrière environnementale mis en œuvre selon l’étape E2, laquelle est à base de disilicate d’ytterbium. Contrairement à l’exemple précédent, l’étape Eadd est mise en œuvre après l’étape E1 et avant l’étape E2. Dans cet exemple, la sous-couche 2 a une épaisseur de 80 micromètres et est élaborée par projection plasma sous-vide, tandis que le revêtement a une épaisseur de 1000 micromètres et est réalisé par projection plasma conventionnelle sous air. La couche 5 a une épaisseur de 1 micromètre et est élaborée en ayant recours au procédé HIPIMS précité. Exemple 3 (figure 5) Cet exemple présente les mêmes caractéristiques que l’exemple précédent. Il s’en distingue toutefois par le fait qu’une couche 6 de tantale métallique est insérée entre la couche 2 et la couche 5 afin de limiter la diffusion de l’azote du nitrure de tantale vers le silicium et la formation de nitrure de silicium SiN. La technique selon l’invention fournit donc les fonctionnalités et avantages suivants : - la réflexion d’une fraction élevée du flux radiatif permettant de diminuer la température d’interface substrat SiC/SiC – système barrière environnementale ; - la résistance à l’oxydation et à la corrosion aux températures d’intérêt ; - éventuellement de réduire la propagation des fissures grâce aux multiples interfaces générées au sein de ce revêtement lorsqu’il est déposé sous forme multicouche provoquée par les cycles thermiques. Ces fonctionnalités s’ajoutent à celles fournies par la barrière environnementale dont on augmente ainsi la durée de vie. Procédé de revêtement d’un substrat (1) en matériau composite à matrice céramique par au moins un revêtement (4) formant une barrière environnementale, qui comprend les étapes suivantes : E1 : formation d’une sous-couche (2) de liaison à base de silicium au-dessus dudit substrat (1) en matériau composite à matrice céramique ; E2 : formation d’un revêtement (4) formant barrière environnementale au-dessus de ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium, caractérisé en ce qu’il comprend une étape additionnelle Eadd de formation d’au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) au-dessus ou en-dessous de ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite étape additionnelle Eadd est mise en œuvre de manière à former ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) en-dessous de ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium, de sorte que ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) est intercalée entre ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium et ledit substrat (1) en matériau composite à matrice céramique. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ladite étape additionnelle Eadd est mise en œuvre de manière à former ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) au-dessus de ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium, de sorte que ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) est intercalée entre ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium et ledit revêtement (4) formant barrière environnementale. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait que l’on forme, entre ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium et ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5), au moins une couche de tantale métallique (6). Procédé selon l’une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que ladite étape additionnelle Eadd est mise en œuvre par un procédé de pulvérisation cathodique en régime d’impulsion de haute puissance. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait que ladite étape additionnelle Eadd est mise en œuvre jusqu’à l’obtention d’une couche d’épaisseur comprise entre 1 nanomètre et 50 micromètres, de préférence entre 20 nanomètres et 5 micromètres. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) présente une réflectivité hémisphérique minimale de 50% dans le domaine des longueurs d’onde comprises entre 0,1 et 6 micromètres. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que ladite étape additionnelle Eadd comprend la formation d’au moins deux couches distinctes de TaN en phase hexagonale (5). Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait que ladite sous-couche de liaison à base de silicium est formée de silicium, de silicium dopé avec du bore, de silicium dopé avec de l’oxyde d’hafnium, des terres rares consistant en de l’yttrium, de l’ytterbium et du gadolinium avec ajouts de dopants consistant en du zirconium, du hafnium, du tantale, de l’azote, de l’aluminium, SiAlON, Si-HfB 2 , SiC-HfO 2 , ou SiC-HfO 2 -HfB 2 . Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait que ladite étape E1 est mise en œuvre en mettant en œuvre l’un des procédés suivants : dépôt par évaporation physique PVD, projection plasma à pression atmosphérique APS, flamme à grande vitesse en voie poudre HVOF, projection plasma à basse pression LPPS, projection plasma sous atmosphère inerte IPS, dépôt par évaporation chimique CVD, Aluminisation en Phase Vapeur APVS, frittage flash, dépôt électrolytique, barbotine, sol-gel. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que ledit revêtement (4) formant barrière environnementale est choisi parmi les disilicates de terre rare Re 2 Si 2 O 7 , où Re = Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Yb, Dy, Ho, Er, Tm, Tb, Lu) et les disilicates co-dopés correspondants, les silicates de terre rare Re 2 SiO 5 et les silicates co-dopés correspondants, l’aluminosilicate de baryum et de strontium (BaO) x .(SrO) 1-x .Al 2 O 3 .2SiO 2 avec 0 ≤ x ≤ 1), les silicates de terre rare dopé au hafnium, le hafnium dopé par des terres rares, la mullite, les spinelles MgAl 2 O 4 , les garnets (Y 3 Al 5 O 12 ), les zircones partiellement/totalement stabilisées et éventuellement dopées, les phases delta de A 4 B 3 O 12 où A = yttrium, lanthane ou lutétium et où B = zirconium ou hafnium, les composites incluant Y 2 O 3 en combinaison avec ZrO 2 et/ou Al 2 O 3 et/ou TiO 2 , les hexa-aluminates, des pérovskites complexes, ainsi que les mélanges d’au moins deux de ces composants. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que ladite étape E2 est mise en œuvre par l’un des procédés suivants : projection plasma à pression atmosphérique APS, projection plasma sous vide, projection plasma, y compris sous très faible pression, projection plasma de suspensions SPS, projection plasma de solutions SPPS, flamme à grande vitesse en voie poudre HVOF, flamme à grande vitesse en voie liquide HVSFS, évaporation sous faisceaux d’électron EB-PVD, dépôt phase vapeur PVD, sol-gel, barbotine, électrophorèse, ou frittage flash. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que ledit substrat (1) est constitutif d’une pièce de turbomachine, telle qu’une aube, un distributeur et ou un secteur d’anneau de la turbine haute pression. Pièce comportant un substrat (1) en matériau composite à matrice céramique, notamment pour l’aéronautique, qui comporte : - une sous-couche (2) de liaison à base de silicium au-dessus dudit substrat en matériau composite à matrice céramique ; - un revêtement (4) formant barrière environnementale au-dessus de ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium ; caractérisée par le fait qu’elle comporte également au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) au-dessus ou en-dessous de ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium. Pièce selon la revendication 14, caractérisée par le fait que ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) est intercalée entre ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium et ledit substrat (1) en matériau composite à matrice céramique. Pièce selon la revendication 14, caractérisée par le fait que ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5) est intercalée entre ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium et ledit revêtement (4) formant barrière environnementale. Pièce selon la revendication 16, caractérisée par le fait qu’elle comporte, entre ladite sous-couche (2) de liaison à base de silicium et ladite au moins une couche de TaN en phase hexagonale (5), au moins une couche de tantale métallique (6).