FR 3152939 A1 20250314 FR 2309581 A 20230912 Transducteur PMUT La présente description concerne un transducteur PMUT (100) comprenant : – une membrane flexible (107) suspendue au-dessus d’une cavité (101) ; – une couche en un matériau piézoélectrique (301) située sur une face de la membrane flexible opposée à la cavité ; – des première et deuxième électrodes (201A, 201B) interposées entre la membrane flexible et la couche en ledit matériau piézoélectrique ; et – des troisième et quatrième électrodes (401B, 401A) disposées d’un côté de la couche en ledit matériau piézoélectrique opposé à la membrane flexible, et situées respectivement en vis-à-vis des première et deuxième électrodes (201A, 201B), dans lequel les première et deuxième électrodes (201A, 201B) sont connectées respectivement aux quatrième et troisième électrodes (401A, 401B). Figure pour l’abrégé : Fig. 4B Transducteur PMUT La présente description concerne de façon générale le domaine des transducteurs ultrasonores, plus particulièrement les transducteurs ultrasonores piézoélectriques à membrane, ou transducteurs PMUT (de l’anglais « Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer » - transducteur ultrasonore piézoélectrique micro-usiné). De façon classique, un transducteur PMUT comprend une membrane flexible suspendue au-dessus d’une cavité, une première électrode, située d’un côté de la membrane flexible opposé à la cavité, une couche en un matériau piézoélectrique, située d’un côté de la première électrode opposé à la membrane flexible, et une deuxième électrode, située d’un côté de la couche en matériau piézoélectrique opposé à la première électrode. Lorsqu’une tension d’excitation appropriée est appliquée entre les électrodes du transducteur, la membrane flexible entre en vibration et émet une onde acoustique ultrasonore. À l’inverse, lorsque le transducteur reçoit une onde acoustique dans une certaine gamme de fréquences, la membrane flexible entre en vibration, conduisant à l’apparition d’une tension entre les électrodes du transducteur. Un transducteur PMUT est classiquement couplé à un circuit électronique de contrôle configuré pour, lors d’une phase d’émission, appliquer une tension d’excitation entre les première et deuxième électrodes du transducteur, de façon à provoquer l’émission d’une onde ultrasonore par le transducteur, et, lors d’une phase de réception, lire la tension produite entre les première et deuxième électrodes du transducteur sous l’effet de l’onde acoustique reçue. Afin d’améliorer les performances des transducteurs PMUT, notamment en termes d’amplitude de vibration, des structures comprenant des réseaux d’électrodes disposées de part et d’autre de la couche en matériau piézoélectrique ont été proposées. De tels transducteurs comprennent typiquement une première électrode, située sous la couche en matériau piézoélectrique, au moins une deuxième électrode, située sur la couche en matériau piézoélectrique, et au moins une troisième électrode, située sur la couche en matériau piézoélectrique. Une première tension d’excitation est alors appliquée entre la deuxième électrode et la première électrode et une deuxième tension d’excitation différente de la première excitation, par exemple une tension de signe opposé à celui de la première tension d’excitation, est appliquée entre la troisième électrode et la première électrode. Toutefois, les transducteurs PMUT de ce type s’avèrent coûteux et complexes à réaliser et à commander. Cela provient en particulier du fait que ces transducteurs PMUT requièrent la mise en œuvre de deux sources d’alimentation distinctes pour permettre d’appliquer deux tensions d’excitation, par exemple opposées, référencées à un même potentiel. Il serait souhaitable de pouvoir disposer d’une structure de transducteur PMUT palliant tout ou partie des inconvénients des structures connues. Pour cela, un mode de réalisation prévoit un transducteur PMUT comprenant : – une membrane flexible suspendue au-dessus d’une cavité ; – une couche en un matériau piézoélectrique située sur une face de la membrane flexible opposée à la cavité ; – des première et deuxième électrodes interposées entre la membrane flexible et la couche en ledit matériau piézoélectrique ; et – des troisième et quatrième électrodes disposées d’un côté de la couche en ledit matériau piézoélectrique opposé à la membrane flexible, et situées respectivement en vis-à-vis des première et deuxième électrodes, dans lequel les première et deuxième électrodes sont connectées respectivement aux quatrième et troisième électrodes. Selon un mode de réalisation : – les première et quatrième électrodes sont destinées à être portées à un même premier potentiel ; et – les deuxième et troisième électrodes sont destinées à être portées à un même deuxième potentiel, différent du premier potentiel. Selon un mode de réalisation, les deuxième et quatrième électrodes entourent respectivement les première et troisième électrodes. Selon un mode de réalisation, les deuxième et quatrième électrodes présentent chacune, en vue de dessus, une forme annulaire. Selon un mode de réalisation, les deuxième et quatrième électrodes présentent chacune, en vue de dessus, une forme de couronne sensiblement circulaire. Selon un mode de réalisation, les première et troisième électrodes présentent chacune, en vue de dessus, une forme de disque. Selon un mode de réalisation, les première et deuxième électrodes sont connectées respectivement aux quatrième et troisième électrodes par des premier et deuxième vias conducteurs. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième vias conducteurs sont situés à l’aplomb de la cavité. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième vias conducteurs sont déportés hors de l’aplomb de la cavité. Selon un mode de réalisation: – les première et deuxième électrodes sont situées sur et en contact avec une face de la membrane flexible opposée à la cavité ; – la couche en ledit matériau piézoélectrique revêt les première et deuxième électrodes ; et – les troisième et quatrième électrodes sont situées sur et en contact avec une face de la couche en ledit matériau piézoélectrique opposée à la membrane flexible. Selon un mode de réalisation, le transducteur comprend en outre : – des première et deuxième pistes conductrices coplanaires aux première et deuxième électrodes ; et – des troisième et quatrième pistes conductrices coplanaires aux troisième et quatrième électrodes. Selon un mode de réalisation, le transducteur comprend en outre un substrat de support dans et sur lequel est formé le transducteur, la cavité s’étendant sur toute l’épaisseur du substrat de support. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d’autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 1 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape d’un procédé de fabrication d’un transducteur PMUT selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 2 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du transducteur PMUT ; la FIG. 3 et la FIG. 3 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 3 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du transducteur PMUT ; la FIG. 4 et la FIG. 4 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 4 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du transducteur PMUT ; la FIG. 5 et la FIG. 5 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 5 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape d’un autre procédé de fabrication d’un transducteur PMUT selon un mode de réalisation ; la FIG. 6 et la FIG. 6 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 6 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du transducteur PMUT ; et la FIG. 7 est une vue en coupe, schématique et partielle, illustrant une structure obtenue à l’issue d’un procédé de fabrication d’un transducteur PMUT selon un mode de réalisation. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les diverses applications dans lesquelles peuvent être mis en œuvre les transducteurs décrits n’ont pas été détaillées, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les applications usuelles de transducteurs ultrasonores, notamment dans des dispositifs d’imagerie ultrasonore et/ou des dispositifs biométriques. Par ailleurs, les circuits de contrôle des transducteurs n’ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec tous ou la plupart des circuits connus de contrôle de transducteurs PMUT, moyennant éventuellement des adaptations à la portée de la personne du métier à la lecture de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l’on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l’on fait référence à deux éléments reliés (en anglais « coupled ») entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l’intermédiaire d’un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l’on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes « avant », « arrière », « haut », « bas », « gauche », « droite », etc., ou relative, tels que les termes « dessus », « dessous », « supérieur », « inférieur », etc., ou à des qualificatifs d’orientation, tels que les termes « horizontal », « vertical », etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l’orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions « environ », « approximativement », « sensiblement », et « de l’ordre de » signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 et la FIG. 1 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 1 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape d’un procédé de fabrication d’un transducteur PMUT 100 selon un mode de réalisation. Lors de cette étape, une cavité 101 est formée dans une couche support rigide 103, par exemple une couche diélectrique, par exemple une couche d’oxyde de silicium. Dans l’exemple représenté, la couche 103 repose, du côté de sa face inférieure, sur la face supérieure d’un substrat de support 105. Le substrat de support 105 est par exemple une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur, par exemple le silicium. À titre de variante, le substrat de support 105 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en verre. La cavité 101 correspond à une ouverture ou un évidement localisé formé dans la couche 103. Dans cet exemple, la cavité 101 s’étend verticalement sur toute l’épaisseur de la couche 103. À titre de variante, la cavité 101 peut s’étendre sur une partie seulement de l’épaisseur de la couche 103. Les parois latérales de la cavité 101 sont formées par une région périphérique non évidée de la couche 103. Dans l’exemple illustré en FIG. 1 , la cavité 101 présente, en vue de dessus, une forme sensiblement circulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif. À titre de variante, la cavité 101 peut présenter, en vue de dessus, une forme quelconque, par exemple rectangulaire, hexagonale, carrée, ovale, etc. Dans l’exemple représenté, une membrane flexible 107 est suspendue au-dessus de la cavité 101. À la périphérie de la cavité 101, la membrane flexible 107 est en contact ou en appui, par sa face inférieure, avec la face supérieure de la région périphérique non évidée de la couche 103. En partie centrale du transducteur, la face inférieure de la membrane flexible 107 est séparée de la face supérieure du substrat 105 par la cavité 101. La membrane flexible 107 est par exemple en le même matériau que la couche 103. À titre de variante, la membrane 107 peut être en un matériau différent de celui de la couche 103. À titre d’exemple, la cavité 101 est formée dans la couche 103 avant que la couche 103 ne soit reportée sur le substrat 105, par exemple par collage du côté de la face supérieure du substrat 105. La FIG. 2 et la FIG. 2 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 2 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du transducteur PMUT 100. Lors de cette étape, des électrodes 201A et 201B sont formées du côté d’une face de la membrane flexible 107 opposée à la cavité 101. Les électrodes 201A et 201B sont disjointes, c’est-à-dire isolées électriquement l’une de l’autre. Dans l’exemple illustré, les électrodes 201A et 201B sont situées sur et en contact avec la face de la membrane flexible 107 opposée à la cavité 101 (la face supérieure de la membrane 107, dans l’orientation de la FIG. 2 ). Dans l’exemple représenté, l’électrode 201A est située en partie centrale du transducteur PMUT 100 et présente, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement circulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, l’électrode 201A pouvant, à titre de variante, présenter un pourtour de forme quelconque. L’électrode 201A constitue par exemple une électrode centrale inférieure du transducteur PMUT 100. Par ailleurs, dans cet exemple, l’électrode 201B présente une forme annulaire entourant l’électrode 201A. Dans l’exemple représenté, l’électrode 201B présente, en vue de dessus, une forme de couronne sensiblement circulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, l’électrode 201B pouvant, à titre de variante, présenter une forme quelconque entourant l’électrode 201A, par exemple une forme annulaire autre qu’une couronne circulaire, par exemple une couronne sensiblement rectangulaire ou carrée. L’électrode 201B constitue par exemple une électrode périphérique inférieure du transducteur PMUT 100. Dans l’exemple représenté, les électrodes 201A et 201B sont sensiblement concentriques et sensiblement centrées par rapport à la cavité 101, le centre de chaque électrode 201A, 201B étant situé sensiblement à l’aplomb du milieu de la cavité 101. Dans l’exemple illustré, les électrodes 201A et 201B sont respectivement connectées à des pistes conductrices 203A et 203B disposées de part et d’autre de la cavité 101, en périphérie du transducteur, à l’aplomb de la région périphérique non évidée de la couche 103. Les pistes conductrices 203A et 203B sont par exemple sensiblement parallèles entre elles et s’étendent latéralement le long d’une direction orthogonale au plan BB de la FIG. 2 , par exemple le long d’une direction de colonne d’une matrice de transducteurs PMUT analogues ou identiques au transducteur 100. À titre d’exemple, les électrodes 201A et 201B et les pistes conductrices 203A et 203B sont formées par une étape de dépôt d’une couche métallique revêtant la couche 103, suivie d’étapes de photolithographie puis gravure de la couche métallique. Dans ce cas, les pistes conductrices 203A et 203B et les électrodes 201A et 201B sont coplanaires. Dans l’exemple représenté, l’électrode 201B présente plus précisément une forme annulaire tronquée, ou d’anneau ouvert, permettant de connecter l’électrode centrale 201A à la piste conductrice 203A sans entrer en contact avec l’électrode périphérique 201B. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la connexion de l’électrode centrale 201A à la piste conductrice 203A pouvant, à titre de variante, être réalisée de façon quelconque, par exemple au moyen de vias conducteurs et d’une piste conductrice située dans un niveau de métallisation différent de celui dans lequel sont formées les électrodes 201A et 201B et les pistes conductrices 203A et 203B. La FIG. 3 et la FIG. 3 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 3 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du transducteur PMUT 100. Au cours de cette étape, une couche 301 en un matériau piézoélectrique est déposée du côté de la face supérieure de la structure précédemment décrite en relation avec les figures 2A et 2B. Dans l’exemple représenté, la couche 301 en matériau piézoélectrique revêt les électrodes 201A et 201B et les pistes conductrices 203A et 203B. Dans cet exemple, les électrodes 201A et 201B et les pistes conductrices 203A et 203B sont interposées entre la membrane flexible 107 et la couche en matériau piézoélectrique 301. À titre de variante, le matériau piézoélectrique peut être déposé localement autour de la cavité 101. Bien que cela n’ait pas été détaillé sur les figures 3A et 3B, une couche diélectrique de remplissage peut être déposée du côté de la face supérieure de la structure préalablement au dépôt de la couche 301 en matériau piézoélectrique, par exemple de sorte à combler tous les espaces libres s’étendant latéralement entre les électrodes 201A et 201B et les pistes conductrices 203A et 203B. Dans ce cas, la couche diélectrique de remplissage affleure par exemple la face supérieure des électrodes 201A et 201B et des pistes conductrices 203A et 203B. Cela permet par exemple à la structure de présenter une face supérieure sensiblement plane préalablement au dépôt de la couche 301 en matériau piézoélectrique, et d’éviter la présence de zones d’air ou de vide entre les électrodes 201A et 201B et les pistes conductrices 203A et 203B. La couche diélectrique de remplissage est par exemple en un matériau électriquement isolant, par exemple un oxyde. À titre de variante, la couche diélectrique de remplissage est en un matériau piézoélectrique analogue ou identique à celui de la couche 301. La FIG. 4 et la FIG. 4 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 4 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du transducteur PMUT 100. Lors de cette étape, des électrodes 401A et 401B sont formées du côté d’une face de la couche en matériau piézoélectrique 301 opposée à la cavité 101. Les électrodes 401A et 401B sont par exemple analogues, respectivement, aux électrodes 201B et 201A. Dans l’exemple représenté, les électrodes 401A et 401B sont disjointes, c’est-à-dire isolées électriquement l’une de l’autre. Dans l’exemple illustré, les électrodes 401A et 401B sont situées sur et en contact avec la face de la couche en matériau piézoélectrique 301 opposée à la cavité 101 (la face supérieure de la couche 301, dans l’orientation de la FIG. 4 ). Dans l’exemple représenté, l’électrode 401B est située en partie centrale du transducteur PMUT 100 et présente, en vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement circulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, l’électrode 401B pouvant, à titre de variante, présenter un pourtour de forme quelconque. L’électrode 401B constitue par exemple une électrode centrale supérieure du transducteur PMUT 100. Dans l’exemple représenté, l’électrode 401B est située en vis-à-vis de l’électrode 201A, les électrodes 401B et 201A étant par exemple sensiblement concentriques. Par ailleurs, l’électrode 401B présente par exemple une forme et des dimensions sensiblement identiques, aux dispersions de fabrication près, à celles de l’électrode 201A. Par ailleurs, dans cet exemple, l’électrode 401A présente une forme annulaire entourant l’électrode 401B. Dans l’exemple représenté, l’électrode 401A présente, en vue de dessus, une forme de couronne sensiblement circulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, l’électrode 401A pouvant, à titre de variante, présenter une forme quelconque entourant l’électrode 401B, par exemple une forme par exemple rectangulaire, hexagonale, carrée, ovale, etc. L’électrode 401A constitue par exemple une électrode périphérique supérieure du transducteur PMUT 100. Dans l’exemple représenté, l’électrode 401A est située en vis-à-vis de l’électrode 201B, les électrodes 401A et 201B étant par exemple sensiblement concentriques. Par ailleurs, l’électrode 401A présente par exemple des dimensions et une forme sensiblement identiques, aux dispersions de fabrication près, à celles de l’électrode 201B. Dans l’exemple représenté, les électrodes 401A et 401B sont sensiblement concentriques et sensiblement centrées par rapport à la cavité 101, le centre de chaque électrode 401A, 401B étant situé sensiblement à l’aplomb du milieu de la cavité 101. Dans l’exemple illustré, les électrodes 401A et 401B sont respectivement connectées à des pistes conductrices 403A et 403B disposées de part et d’autre de la cavité 101, en périphérie du transducteur PMUT 100, à l’aplomb de la région périphérique non évidée de la couche 103. Les pistes conductrices 403A et 403B sont par exemple sensiblement parallèles entre elles et s’étendent latéralement le long d’une direction orthogonale au plan BB de la FIG. 4 , par exemple le long d’une direction de colonne d’une matrice de transducteurs. Dans l’exemple représenté, les pistes conductrices 403A et 403B sont situées respectivement en vis-à-vis des pistes conductrices 203A et 203B. Par ailleurs, les pistes conductrices 403A et 403B présentent par exemple des formes et des dimensions identiques, aux dispersions de fabrication près, à celles des pistes conductrices 203A et 203B, respectivement. À titre de variante, les pistes conductrices 403A et 403B, ou les pistes conductrices 203A et 203B, peuvent être omises. Dans le cas où les pistes 403A et 403B sont omises, les électrodes 401A et 401B sont par exemple connectées respectivement aux pistes conductrices 203A et 203B par des vias conducteurs traversant toute l’épaisseur de la couche 301 en matériau piézoélectrique ou de la couche diélectrique de remplissage. De façon analogue, dans le cas où les pistes conductrices 203A et 203B sont omises, les électrodes 201A et 201B sont par exemple connectées respectivement aux pistes conductrices 403A et 403B par des vias conducteurs traversant toute l’épaisseur de la couche 301 en matériau piézoélectrique. À titre d’exemple, les électrodes 401A et 401B et les pistes conductrices 403A et 403B sont formées par une étape de dépôt d’une couche métallique revêtant la couche en matériau piézoélectrique 301, suivie d’étapes de photolithographie puis gravure de la couche métallique. Dans ce cas, les pistes conductrices 403A et 403B et les électrodes 401A et 401B sont coplanaires. Dans l’exemple représenté, l’électrode 401A présente plus précisément une forme annulaire tronquée, ou d’anneau ouvert, permettant de connecter l’électrode centrale 401B à la piste conductrice 403B sans entrer en contact avec l’électrode périphérique 401A. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la connexion de l’électrode centrale 401B à la piste conductrice 403B pouvant, à titre de variante, être réalisée de façon quelconque, par exemple au moyen de vias conducteurs et d’une piste conductrice située dans un niveau de métallisation différent de celui dans lequel sont formées les électrodes 401A et 401B et les pistes conductrices 403A et 403B. Dans l’exemple illustré, le transducteur PMUT 100 comprend en outre des vias conducteurs 405A et 405B s’étendant verticalement à travers toute l’épaisseur de la couche en matériau piézoélectrique 301. Dans cet exemple, la piste conductrice 203A est connectée à la piste conductrice 403A par le via conducteur 405A, et la piste conductrice 203B est connectée à la piste conductrice 403B par le via conducteur 405A. L’électrode 201A est ainsi connectée à l’électrode 401A par l’intermédiaire des pistes conductrices 203A et 403A et du via conducteur 405A. De façon analogue, l’électrode 201B est connectée à l’électrode 401B par l’intermédiaire des pistes conductrices 203B et 403B et du via conducteur 405B. Dans l’exemple représenté, les vias 405A et 405B sont situés à l’aplomb de la région périphérique non évidée de la couche 103, c’est-à-dire déportés hors de l’aplomb de la cavité 101. Cela permet avantageusement d’éviter ou de limiter l’influence des vias 405A et 405B sur les vibrations de la membrane flexible 107. À titre d’exemple, au moins l’une des électrodes 203A, 403A du transducteur PMUT 100, par exemple l’électrode 203A, est destinée à être portée à un premier potentiel V A , par exemple un potentiel de référence, par exemple la masse. De façon analogue, au moins l’une des électrodes 203B, 403B, par exemple l’électrode 203B, est par exemple destinée à être portée à un deuxième potentiel V B , différent du premier potentiel, par exemple un potentiel d’excitation. Ainsi, l’électrode 401A est soumise à un potentiel différent de celui auquel est soumis l’électrode 201B située en vis-à-vis, et l’électrode 401B est soumise à un potentiel différent de celui auquel est soumis l’électrode 201A située en vis-à-vis. Un avantage du transducteur PMUT 100 tient au fait que les électrodes 201A, 201B, 401A et 401B permettent d’appliquer, à la couche en matériau piézoélectrique 301, des déformations plus importantes que celles qui seraient par exemple obtenues dans un transducteur PMUT analogue au transducteur PMUT 100 mais comprenant uniquement deux électrodes, par exemple les électrodes 201A et 401B, disposées de part et d’autre de la couche 301. Les électrodes 201A, 201B, 401A et 401B permettent par exemple plus précisément d’appliquer, dans une région centrale et dans une région périphérique de la couche 301 en matériau piézoélectrique, respectivement, des champs électriques de signes opposés. Cela provoque, lors de phases d’émission du transducteur PMUT 100, des déformations de la membrane flexible 107 supérieures aux déformations auxquelles sont soumises des membranes flexibles de transducteurs PMUT existants. Par ailleurs, un autre avantage du transducteur PMUT 100 tient au fait qu’une seule tension d’excitation est utilisée pour commander les électrodes 201A, 201B, 401A et 401B. Cela permet, par rapport aux transducteurs PMUT existants comprenant des réseaux d’électrodes disposées de part et d’autre de la couche en matériau piézoélectrique et commandés par au moins deux tensions d’excitation, de réduire le coût et la complexité de réalisation et de commande. Par ailleurs, un avantage du transducteur PMUT 100 tient au fait qu’il permet, lors de phases de réception, de produire, entre les électrodes 203A et 203B ou entre les électrodes 403A et 403B, des tensions supérieures à celles produites par des transducteurs PMUT existants. Le transducteurs PMUT 100 présente par exemple ainsi une sensibilité supérieure à celle des transducteurs PMUT existants. La FIG. 5 et la FIG. 5 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 5 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape d’un autre procédé de fabrication d’un transducteur PMUT 500 selon un mode de réalisation. La structure des figures 5A et 5B comprend des éléments communs avec la structure des figures 2A et 2B. Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. La structure des figures 5A et 5B diffère de la structure des figures 2A et 2B en ce que, dans la structure des figures 5A et 5B, les électrodes 201A et 201B sont respectivement connectées aux pistes conductrices 203A et 203B, situées de part et d’autre de la cavité 101, par des pistes conductrices sensiblement orthogonales aux pistes conductrices 203A et 203B. La FIG. 6 et la FIG. 6 sont des vues respectivement de dessus et en coupe selon le plan BB de la FIG. 6 , schématiques et partielles, illustrant une structure obtenue à l’issue d’une étape ultérieure du procédé de fabrication du transducteur PMUT 500. Lors de cette étape, la couche en matériau piézoélectrique 301 est déposée du côté de la face supérieure de la structure des figures 5A et 5B, de manière analogue à ce qui a été exposé précédemment en relation avec les figures 3A et 3B. Par ailleurs, lors de cette étape, les électrodes 401A et 401B et les pistes conductrices 403A et 403B sont formées sur et en contact avec la face de la couche en matériau piézoélectrique 301 opposée aux électrodes 201A et 201B et aux pistes conductrices 203A et 203B (la face supérieure de la couche 301, dans l’orientation de la FIG. 6 ). Dans l’exemple représenté, les électrodes 401A et 401B sont respectivement connectées aux électrodes 201A et 201B par des vias conducteurs 605A et 605B. Dans l’exemple illustré, les vias conducteurs 605A et 605B s’étendent verticalement à travers toute l’épaisseur de la couche en matériau piézoélectrique 301, à l’aplomb de la cavité 101. À titre de variante, les pistes conductrices 403A et 403B, ou les pistes conductrices 203A et 203B, peuvent être omises, par exemple de façon analogue à ce qui a été décrit ci-dessus pour le transducteur PMUT 100. Dans l’exemple représenté, les électrodes 401A et 401B sont respectivement connectées aux pistes conductrices 403A et 403B, situées de part et d’autre de la cavité 101, par des pistes conductrices sensiblement orthogonales aux pistes conductrices 403A et 403B. Le transducteur PMUT 500 présente des avantages identiques ou analogues à ceux du transducteur PMUT 100. La FIG. 7 est une vue en coupe, schématique et partielle, illustrant une structure obtenue à l’issue d’un procédé de fabrication d’un transducteur PMUT 700 selon un mode de réalisation. Le transducteur 700 de la FIG. 7 comprend des éléments communs avec le transducteur 100 des figures 4A et 4B. Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. En vue de dessus, le transducteur PMUT 700 présente par exemple une structure analogue ou identique à celle illustrée en FIG. 4 pour le transducteur PMUT 100. Le transducteur PMUT 700 de la FIG. 7 diffère du transducteur PMUT 100 des figures 4A et 4B principalement en ce que la cavité 101 du transducteur PMUT 700 est formée dans le substrat de support 105. Dans l’exemple illustré, la cavité 101 s’étend verticalement sur toute l’épaisseur du substrat de support 105. Par ailleurs, dans l’exemple représenté, le transducteur PMUT 700 est dépourvu de la couche de support rigide 103, la membrane flexible 107 comprenant une région centrale située à l’aplomb de la cavité 101 et une région périphérique, entourant la région centrale, disposée sur et en contact avec la face supérieure du substrat de support 105. Bien que cela n’ait pas été détaillé en FIG. 7 , la membrane flexible 107 peut présenter une structure monocouche ou multicouche, par exemple une structure bicouche comprenant une couche de dioxyde de silicium revêtue d’une couche de silicium. Dans l’exemple représenté, la cavité 101 débouche du côté de la face inférieure du substrat de support 105, la cavité 101 n’étant, dans le cas du transducteur PMUT 700, pas obturée contrairement aux cavités 101 des transducteurs PMUT 100 et 500. À titre d’exemple, la couche ou l’empilement de couches destiné à former la membrane flexible 107 est d’abord déposé sur la face supérieure du substrat de support 105. Les électrodes 201A et 201B et les pistes conductrices 203A et 203B sont par exemple ensuite formées du côté de la face supérieure de la membrane flexible 107, par exemple comme exposé précédemment en relation avec les figures 2A et 2B. Des étapes ultérieures de dépôt de la couche 301 en matériau piézoélectrique et de formation des électrodes 401A et 401B et des pistes conductrices 403A et 403B peuvent alors être mises en œuvre, par exemple comme exposé précédemment en relation avec les figures 3A, 3B, 4A et 4B. Enfin, la cavité 101 est par exemple formée dans le substrat de support 105. Le transducteur PMUT 700 présente des avantages identiques ou analogues à ceux des transducteurs PMUT 100 et 500. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, bien que des exemples dans lesquels les électrodes 201A et 401B présentent sensiblement une forme de disque et dans lesquels les électrodes 201B et 401A présentent sensiblement une forme de couronne circulaire entourant le disque formé par l’électrode 201A ou 401B, respectivement, aient été décrits ci-dessus, les modes de réalisation ne se limitent pas à cet exemple mais s’appliquent plus généralement à tout type de structure comprenant : – au moins des première et deuxième électrodes interposées entre la membrane flexible 107 et la couche en matériau piézoélectrique 301 ; et – au moins des troisième et quatrième électrodes disposées d’un côté de la couche 301 opposé à la membrane flexible 107, et situées respectivement en vis-à-vis des première et deuxième électrodes, les première et deuxième électrodes étant connectées respectivement aux quatrième et troisième électrodes. Ainsi, les modes de réalisation ne se limitent pas au cas où le transducteur PMUT 100, 500 ou 700 comprend exactement deux électrodes 201A et 201B interposées entre la membrane flexible 107 et la couche en matériau piézoélectrique 301, et exactement deux électrodes 401A et 401B disposées d’un côté de la couche 301 opposé à la membrane flexible 107, les électrodes 401A et 401B étant situées respectivement à l’aplomb des électrodes 201B et 201A. De manière plus générale, le transducteur PMUT 100, 500 ou 700 peut comporter un nombre entier N, supérieur ou égal à deux, de paires d’électrodes comprenant par exemple des première et deuxième électrodes, les première et deuxième électrodes d’une même paire étant respectivement situées de part et d’autre de la couche 301, chaque première électrode d’une paire étant située à l’aplomb d’une deuxième électrode faisant partie d’une autre paire. Dit autrement, le transducteur PMUT 100, 500 ou 700 peut comprendre un premier groupe de N/2 électrodes interconnectées et un deuxième groupe de N/2 électrodes interconnectées, isolées des électrodes du premier groupe, les électrodes du premier et du deuxième groupe étant par ailleurs disposées, en alternance, de part et d’autre de la couche 301 en matériau piézoélectrique. Dans un cas où le nombre N est strictement supérieur à 2, cela permet notamment d’augmenter la déformation de la membrane flexible 107 pour des modes de résonance d’ordre supérieur au mode de résonance excité dans un cas où le nombre N est égal à 2. Par ailleurs, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à la géométrie exposée en relation avec les figures 1A et 1B, mais s’appliquent plus généralement à tout type de structure de cellule PMUT, par exemple des cellules PMUT dont la cavité 101 présente, en vue de dessus, une forme hexagonale, ovale, rectangulaire, carrée, etc. Par ailleurs, bien qu’un unique transducteur PMUT 100, 500 ou 700 ait été représenté sur les figures, un grand nombre de transducteurs identiques ou similaires, par exemple disposés en matrice selon les lignes et des colonnes, peuvent en pratique être réalisés simultanément et intégrés de façon monolithique dans et sur une même puce. Par ailleurs, la personne du métier est capable, à partir des indications de la présente description, de prévoir un transducteur PMUT comprenant des électrodes et des pistes conductrices analogues ou identiques à celles du transducteur PMUT 500 des figures 6A et 6B et dont la cavité 101 est située dans le substrat de support 105, par exemple de manière analogue au transducteur PMUT 700 de la FIG. 7 . Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples de matériaux et/ou de dimensions mentionnés dans la description. Par ailleurs, bien que cela n’ait pas été détaillé ci-dessus, des vias conducteurs traversant toute l’épaisseur du substrat 105 peuvent en pratique être prévus pour connecter les pistes conductrices 203A et 203B, ou les électrodes 201A et 201B, par exemple dans un cas où les pistes conductrices 203A et 203B sont omises, à des éléments de reprise de contact situés par exemple du côté d’une face du substrat 105 opposée à la cavité 101. Transducteur PMUT (100 ; 500 ; 700) comprenant : – une membrane flexible (107) suspendue au-dessus d’une cavité (101) ; – une couche en un matériau piézoélectrique (301) située sur une face de la membrane flexible opposée à la cavité ; – des première et deuxième électrodes (201A, 201B) interposées entre la membrane flexible et la couche en ledit matériau piézoélectrique ; et – des troisième et quatrième électrodes (401B, 401A) disposées d’un côté de la couche en ledit matériau piézoélectrique opposé à la membrane flexible, et situées respectivement en vis-à-vis des première et deuxième électrodes (201A, 201B), dans lequel les première et deuxième électrodes (201A, 201B) sont connectées respectivement aux quatrième et troisième électrodes (401A, 401B). Transducteur (100 ; 500 ; 700) selon la revendication 1, dans lequel : – les première et quatrième électrodes (201A, 401A) sont destinées à être portées à un même premier potentiel ; et – les deuxième et troisième électrodes (201B, 401B) sont destinées à être portées à un même deuxième potentiel, différent du premier potentiel. Transducteur (100 ; 500 ; 700) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les deuxième et quatrième électrodes (201B, 401A) entourent respectivement les première et troisième électrodes (201A, 401B). Transducteur (100 ; 500 ; 700) selon la revendication 3, dans lequel les deuxième et quatrième électrodes (201B, 401A) présentent chacune, en vue de dessus, une forme annulaire. Transducteur (100 ; 500 ; 700) selon la revendication 4, dans lequel les deuxième et quatrième électrodes (201B, 401A) présentent chacune, en vue de dessus, une forme de couronne sensiblement circulaire. Transducteur (100 ; 500 ; 700) selon la revendication 5, dans lequel les première et troisième électrodes (201A, 401B) présentent chacune, en vue de dessus, une forme de disque. Transducteur (100 ; 500 ; 700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les première et deuxième électrodes (201A, 201B) sont connectées respectivement aux quatrième et troisième électrodes (401A, 401B) par des premier et deuxième vias conducteurs (405A, 405B ; 605A, 605B). Transducteur (500 ; 700) selon la revendication 7, dans lequel les premier et deuxième vias conducteurs (605A, 605B) sont situés à l’aplomb de la cavité (101). Transducteur (100 ; 700) selon la revendication 7, dans lequel les premier et deuxième vias conducteurs (405A, 405B) sont déportés hors de l’aplomb de la cavité (101). Transducteur (100 ; 500 ; 700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel : – les première et deuxième électrodes (201A, 201B) sont situées sur et en contact avec une face de la membrane flexible (107) opposée à la cavité (101) ; – la couche en ledit matériau piézoélectrique revêt les première et deuxième électrodes ; et – les troisième et quatrième électrodes (401A, 401B) sont situées sur et en contact avec une face de la couche en ledit matériau piézoélectrique opposée à la membrane flexible. Transducteur (100 ; 500 ; 700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant en outre : – des première et deuxième pistes conductrices (203A, 203B) coplanaires aux première et deuxième électrodes (201A, 201B) ; et – des troisième et quatrième pistes conductrices (403B, 403A) coplanaires aux troisième et quatrième électrodes (401B, 401A). Transducteur (700) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant en outre un substrat de support (105) dans et sur lequel est formé le transducteur, la cavité (101) s’étendant sur toute l’épaisseur du substrat de support.