FR 3152104 A1 20250214 FR 2308550 A 20230808 L’invention concerne un procédé (100) de fabrication d’un circuit imprimé comprenant un substrat portant une couche de cuivre, et un dissipateur thermique, ledit procédé (100) comprenant les étapes suivantes : - dépôt (110) d’une couche intermédiaire d’épaisseur comprise entre 50 µm et 2 mm sur une surface dudit dissipateur thermique par pulvérisation à froid de particules de cuivre ; - assemblage à chaud (160) du substrat et du dissipateur thermique, de telle sorte que la couche intermédiaire soit comprise entre la couche de cuivre et le dissipateur thermique. Figure pour l’abrégé : Fig.2 Procédé de fabrication d’un circuit imprimé comprenant un substrat portant une couche de cuivre Domaine technique de l’invention La présente invention concerne de manière générale la fabrication de circuits imprimés. Elle concerne plus précisément un procédé de fabrication d’un circuit imprimé comprenant un dissipateur thermique et un substrat portant une couche de cuivre. Etat de la technique Un circuit imprimé comporte en général un substrat, par exemple en bakélite ou en céramique, et des pistes en cuivre situées sur ce substrat pour établir des connexions électriques entre les composants électroniques fixés sur le substrat. Certains de ces composants, lors de leur fonctionnement, chauffent fortement, si bien qu’on équipe le circuit imprimé d’un dissipateur thermique pour évacuer la chaleur produite par ce composant. On connaît différentes solutions à cet égard, dont l’une consiste à fixer le dissipateur thermique sur une couche en cuivre portée par le substrat, au niveau du composant qui chauffe, mais de l’autre côté du substrat. Typiquement, cette solution consiste à assembler à chaud, par exemple par soudage, le dissipateur thermique à la couche de cuivre portée par le substrat. Lorsque le dissipateur thermique est en cuivre, cet assemblage se fait sans difficulté. Toutefois, le prix du cuivre étant élevé, on préfère utiliser un dissipateur en aluminium, lequel sera en outre plus léger. Mais alors, l’assemblage sera plus compliqué étant donnée la différence entre les températures qui sont propres au soudage de l’aluminium et du cuivre. Ainsi, cet assemblage peut provoquer un endommagement de la couche de cuivre portée par le substrat ou du dissipateur thermique. Présentation de l'invention Afin de remédier à l’inconvénient précité de l’état de la technique, la présente invention propose un procédé de fabrication tel que défini en introduction, comprenant les étapes suivantes : - dépôt d’une couche intermédiaire d’épaisseur comprise entre 50 µm et 2 mm sur une surface du dissipateur thermique par pulvérisation à froid de particules de cuivre ; - assemblage à chaud du substrat et du dissipateur thermique, de telle sorte que la couche intermédiaire soit comprise entre la couche de cuivre et le dissipateur thermique. Ainsi, suivant l’invention, un revêtement par pulvérisation à froid (ou « cold spray » en anglais) est déposé sur la face du dissipateur thermique. Cette opération n’endommage pas le dissipateur thermique puisqu’elle est réalisée à basse température (i.e. inférieure à 200°C). En outre, la couche intermédiaire obtenue permet de protéger le dissipateur thermique lors de l’étape d’assemblage à chaud. De manière avantageuse, le matériau projeté à froid est le même que celui porté par le substrat, à savoir du cuivre, si bien que l’assemblage à chaud peut se faire à une température idéale, ce qui limite également l’endommagement des éléments assemblés. D’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives du procédé de fabrication, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles sont listées ci-dessous. Dans un mode de réalisation, lesdites particules de cuivre sont pures à 99.95% en poids (de cuivre). Dans un mode de réalisation, les particules de cuivre présentent une granulométrie comprise entre 10 µm et 60 µm. Dans un mode de réalisation, le dissipateur thermique portant avant l’étape d’assemblage un revêtement qui comprend au moins ladite couche intermédiaire, lors de l’étape d’assemblage, le revêtement et la couche de cuivre du substrat présentent une des températures inférieures à 230 °C. Dans un mode de réalisation, le dissipateur thermique portant avant l’étape d’assemblage un revêtement qui comprend au moins ladite couche intermédiaire, ledit procédé comprend, avant l’étape d’assemblage, une étape de traitement préliminaire d’une face externe du revêtement comportant au moins un des traitements suivants : - usinage mécanique ; - nettoyage par ultrasons utilisant une solution organique ; - nettoyage avec une solution aqueuse ; - nettoyage par jet d’air ; - élimination de particules oxydées par trempage dans une solution comprenant un acide ou par exposition à un acide; - dégraissage par solvant ou dégraissage alcalin. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend au moins une autre étape de dépôt d’au moins une couche additionnelle sur la couche intermédiaire, ladite au moins une couche additionnelle et la couche intermédiaire formant une partie au moins d’un revêtement porté par le dissipateur thermique, ladite au moins une couche additionnelle comprenant : - une couche d’étain présentant une épaisseur comprise entre 5,00 µm et 2,00 mm, et/ou - une couche en nickel présentant une épaisseur comprise entre 5,00 µm et 50,00 µm. Dans ce cas, lequel ladite au moins une autre étape de dépôt de la couche additionnelle peut être réalisée par pulvérisation à froid d’un mélange de particules. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend une étape d’usinage d’une surface externe de la couche de cuivre portée par le substrat pour fournir une face substrat présentant au moins une des caractéristiques suivantes : - une rugosité moyenne inférieure à 100 µm ; - une planéité inférieure ou égale à 20 µm. Dans un mode de réalisation, le dissipateur thermique portant avant l’étape d’assemblage un revêtement qui comprend au moins ladite couche intermédiaire, ledit procédé comprend en outre une étape d’ajout d’un flux de soudure entre le revêtement et la couche de cuivre ; Dans un mode de réalisation, l’assemblage à chaud étant réalisé par soudage, le soudage du substrat au dissipateur thermique est obtenu par dépôt d’un élément de soudure entre un revêtement porté par le dissipateur thermique avant l’étape d’assemblage et comprenant ladite couche intermédiaire et une face extérieure de la couche de cuivre portée par le substrat, ledit élément de soudure présentant, après l’étape de soudage, une épaisseur comprise entre 75 µm et 250 µm. Dans un mode de réalisation, l’assemblage à chaud étant réalisé par frittage, le frittage du substrat au dissipateur thermique est obtenu par dépôt d’un élément de frittage entre un revêtement, porté par le dissipateur thermique avant l’étape d’assemblage et comprenant ladite couche intermédiaire, et une face extérieure de la couche de cuivre portée par le substrat, ledit élément de frittage présentant, après l’étape de frittage, une épaisseur comprise entre 50µm et 400µm. Bien entendu, les différentes caractéristiques, variantes et formes de réalisation de l'invention peuvent être associées les unes avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres. Description détaillée de l'invention La description qui va suivre en regard des dessins annexés, donnés à titre d’exemples non limitatifs, fera bien comprendre en quoi consiste l’invention et comment elle peut être réalisée. Sur les dessins annexés : est une représentation schématique de profil d’un circuit imprimé fabriqué selon un procédé conforme à l’invention. est une représentation schématique du procédé selon l’invention. Dans la présente divulgation, chaque étape peut être réalisée sur toute une surface considérée ou sur une ou plusieurs parties de la surface considérée. Cela dépend notamment du circuit imprimé devant être fabriqué. Par soucis de concision, dans les exemples décrits, les étapes sont réalisées sur toute la surface considérée sauf si cela est précisé autrement. La illustre ainsi un exemple de réalisation d’un circuit imprimé 1. Ce circuit imprimé 1 comprend un substrat 20, au moins un composant électronique (ici une puce 30) situé d’un côté du substrat 20, et un dissipateur thermique 10 situé de l’autre côté du substrat, au niveau de la puce 30. Avant de décrire comment ce circuit imprimé sera fabriqué, on décrira le circuit imprimé 1 à l’état assemblé. Le dissipateur thermique 10 pourrait être réalisé dans des matériaux différents, pour autant qu’ils soient de bons conducteurs thermiques. Ici, il est réalisé en aluminium (et plus précisément en alliage d’aluminium). Il comporte typiquement une embase à partir de laquelle s’étendent des ailettes de refroidissement. Le substrat 20 est quant à lui réalisé dans un matériau électriquement non conducteur. Ce substrat 20 se présente sous la forme d’une plaque plane, avec deux faces principales 24, 25. Dans cet exemple, le substrat porte sur l’une de ses faces principales 25, celle tournée vers le dissipateur thermique 10, une couche de cuivre 21 plane. De préférence, cet ensemble « substrat et couche de cuivre » est du type à brasure actif, aussi connu sous le nom anglais « Active Metal Braze » (AMB). Ainsi, le substrat 20 est formé d’une plaque de céramique 20, par exemple en SiC ou Si3N4, sur laquelle est soudée la couche de cuivre 21. Dans un mode préféré, le substrat 20 porte également sur son autre face principale 24 une autre couche 22 sur laquelle est connectée la puce 30 à refroidir. Le circuit imprimé 1 illustré en comprend un revêtement 40 positionné en sandwich entre le dissipateur thermique 10 et la couche de cuivre 21. Le revêtement 40 comprend au moins une couche de cuivre 41 (également appelée « couche intermédiaire) » obtenue par projection à froid directement sur une face de l’embase du dissipateur thermique 10. Dans un premier mode de réalisation, le revêtement 40 pourrait être constitué de cette seule la couche de cuivre 41, auquel cas cette dernière sera directement en contact de la couche de cuivre 21 portée par le substrat 20. De manière optionnelle, le revêtement 40 peut comprendre au moins une couche additionnelle positionnée sur la couche de cuivre 41 projetée sur le dissipateur thermique 10. Dans l’exemple illustré, le revêtement 40 comprend une première couche additionnelle 42 en nickel positionnée sur la couche de cuivre 41 fixée au dissipateur thermique. Le revêtement 40 comprend également une deuxième couche additionnelle 43 en étain, ici positionnée entre la première couche additionnelle 42 en nickel et la couche de cuivre 21 portée par le substrat 20. Ici, on notera qu’on parle de couche de cuivre, d’étain et de nickel. Ces couches sont en pratique plus précisément formées dans des alliages comprenant respectivement une teneur de plus de 50% de cuivre, étain et nickel. Il va maintenant être décrit à l’aide de la un mode de réalisation d’un procédé 100 selon l’invention, permettant d’assembler le circuit imprimé illustré en . Dans la suite de cet exposé, on emploiera le terme « surface externe du revêtement 44 » pour décrire la surface du revêtement qui est à l’air libre et qui est située du côté opposé au dissipateur thermique 10. Ce revêtement 40 pouvant comporter plusieurs couches successivement superposées les unes aux autres, la surface externe d’une couche pourra être à l’air libre à un premier instant, puis recouverte ensuite (auquel cas elle ne sera plus qualifiée d’externe). De manière similaire, on emploiera l’expression « surface externe 26 de la couche de cuivre 21 » pour désigner la surface de la couche de cuivre 21 portée par le substrat 20, qui est à l’air libre. Au début du procédé, on considérera que le substrat 20 porte déjà la couche de cuivre 21 et optionnellement l’autre couche de cuivre 22 comprenant la puce 30. De manière avantageuse, le procédé 100 comprend initialement, et de manière optionnelle, une étape d’usinage mécanique 101 d’une surface plane 11 du dissipateur thermique 10. Le procédé 100 comprend ensuite une étape 110 de dépôt de la couche de cuivre 41 sur la surface plane 11 du dissipateur thermique 10 (ici sur toute la surface plane 11 du dissipateur thermique). Bien entendu, dans une variante et en fonction du circuit imprimé à fabriquer, l’étape de dépôt 110 peut être réalisée sur une ou plusieurs parties de la surface plane 11. L’étape de dépôt 110 est réalisée par pulvérisation à froid de particules comprenant du cuivre, aussi connue sous le nom anglais de « Cold Spay », sur une épaisseur comprise entre 50,00 µm et 2,00 mm. Par pulvérisation à froid, on entend un procédé de dépôt de matériaux réalisé par un dispositif de dépôt de pulvérisation à froid dans lequel des particules, de préférence de taille micrométrique à l'état solide, sont accélérées à des vitesses allant jusqu'à 1 200 m/s pour déposer un revêtement sur une surface par un processus d'impaction dans lequel les particules sont déformées. Les particules de poudre sont accélérées à des vitesses élevées par injection en amont d'un flux de gaz à grande vitesse développé par une buse de Laval convergente-divergente comprise dans le dispositif de dépôt de pulvérisation à froid. Ainsi, l’étape de dépôt 110 est réalisée par un dispositif de dépôt par pulvérisation à froid décrit ci-dessus dans lequel les particules de cuivre sont accélérées et projetées sur la surface plane du dissipateur thermique 10. De préférence, les particules utilisées correspondent à une poudre de cuivre projetée en mono-composant. Dans un mode préféré, les particules de cuivre sont pures à 99,95% en poids et présente moins de 0,05% en poids de dioxygène (i.e. 500 ppm de dioxygène). Une telle caractéristique permet d’obtenir une couche intermédiaire à très haute teneur en cuivre (i.e. presque pure), ce qui permet d’améliorer ses performances thermiques, ainsi que de très bonnes propriétés mécaniques. Les particules de cuivre sont de préférence de forme sphérique et présentent dans cet exemple une granulométrie comprise entre 10,00 µm et 60,00 µm. De préférence, les particules de cuivre présentent une taille similaire, par exemple de 38,00 µm ± 15 µm. Ces particules peuvent par exemple être obtenues par atomisation au gaz. Par exemple, la pulvérisation à froid est réalisée par un dispositif connu de pulvérisation à froid comme décrit ci-dessus qui utilise comme gaz de traitement par pulvérisation à froid de l'azote gazeux chauffé à une température comprise entre 400°C et 850°C et à une pression comprise entre 35 bar et 60 bar. Dans un mode de réalisation particulier, un débit d'alimentation des particules de cuivre est compris entre 100 g/min et 450 g/min et la distance de projection, définie entre la surface plane du dissipateur thermique et l’extrémité de la buse de Laval convergente-divergente du dispositif de pulvérisation à froid, est comprise entre 5 mm et 45 mm. De manière optionnelle, le procédé 100 illustré en comprend après l’étape de dépôt 110, une étape de traitement préliminaire 120 d’une face externe du revêtement 40 (à ce stade, le revêtement ne comporte qu’une seule couche, celle en cuivre projetée). L’étape de traitement préliminaire 120 peut comprendre une étape d’usinage mécanique 121 de la surface externe de la couche de cuivre 41 afin d’obtenir une rugosité moyenne de surface et/ou une planéité moyenne désirées. En pratique, dans cette étape, on usine mécaniquement la surface externe pour qu’elle présente une rugosité moyenne inférieure à 100 µm et/ou une planéité inférieure ou égale à 20 µm. Cette étape d’usinage mécanique peut être réalisée par meulage ou par fraisage de la surface du revêtement 40. Après cette étape d’usinage, l’étape de traitement préliminaire 120 comprendre une étape de nettoyage 122 de la surface usinée. Cette étape de nettoyage 122 peut être réalisée en utilisant une solution aqueuse. En pratique, on rince à l’eau la surface externe de la couche de cuivre 41. Dans une variante, l’étape de nettoyage peut être un nettoyage par ultrasons en utilisant une ou des solutions légèrement acides ou alcalines disponibles commercialement pour le nettoyage par ultrasons du cuivre (Cu) et de ses alliages ou un ou des solvants organiques tel que l’acétone, alcool isopropylique ou des terpènes pour enlever les contaminants organiques. Dans une autre variante, l’étape de nettoyage peut être effectuée par projection d’air, par exemple avec de buses plates ou d’orifices circulaires trouvées commercialement pour projections d’aire d’entre 0,1 et 10 MPa et avec des débits d’air compris entre 1 et 500 Nl/min. Une telle étape de nettoyage 122 permet d’enlever les particules de cuivre qui ont été usinées à l’étape d’usinage mécanique 121. Après l’étape de nettoyage 122 ou directement après l’étape de dépôt si aucun usinage n’est réalisé, l’étape de traitement préliminaire 120 peut comprendre une étape d’élimination 123 de particules oxydées par trempage dans une solution comprenant un acide. Typiquement, seule la surface externe de la couche de cuivre 41 est trempée dans une solution acide pendant une période temporelle dont la durée est fonction de l’acide utilisé et/ou de la couche de cuivre déposée sur le dissipateur thermique à l’étape de dépôt 110. La durée de cette période temporelle peut être d’environ 5,00 secondes à 5,00 minutes. De préférence, l’acide utilisé est un acide inorganique ou un mélange d’acides inorganiques. Typiquement, la solution d’acide utilisée dans cette étape 123 peut comprendre : - de l’acide chloridrique dilué ; - de l’acide sulfurique ; ou un mélange de ces acides précités. Après l’utilisation de l’acide, l’étape d’élimination 123 comprend une étape de nettoyage 124 de la surface externe de la couche de cuivre 41 trempée dans l’acide avec une solution aqueuse. Ici, la surface du revêtement est par exemple rincée avec de l’eau désionisée afin d’éliminer les résidus d’acide inorganique présents sur la surface du revêtement 40. Le procédé 100 peut également comprendre une étape d’usinage mécanique 130 de la surface de la couche de cuivre 21 portée par le substrat 20 afin d’obtenir une rugosité moyenne de cette surface et/ou une planéité moyenne satisfaisantes. En pratique, dans cette étape d’usinage mécanique 130, on usine mécaniquement la surface externe pour qu’elle présente une rugosité moyenne inférieure à 100 µm et/ou une planéité inférieure ou égale à 20 µm. Une telle étape d’usinage mécanique 130 permet d’obtenir sur la surface de la couche de cuivre 21 une rugosité et/ou une planéité similaire à celles de la surface externe de la couche de cuivre 41. Ceci permet d’améliorer leurs propriétés d’adhérence. Comme précédemment, cette étape d’usinage mécanique peut être réalisée par meulage ou par fraisage de la surface du la couche de cuivre 21. Lorsque la surface externe de la couche de cuivre 21 a été usinée mécaniquement, l’étape d’usinage 130 comprend de préférence une étape de nettoyage 131 de la surface usinée. Cette étape de nettoyage 131 peut être réalisée en utilisant une solution aqueuse. En pratique, on rince à l’eau la surface de la couche de cuivre 21. Dans une variante, l’étape de nettoyage 131 peut être un nettoyage par ultrasons en utilisant une ou des solutions légèrement acides ou alcalines disponibles commercialement pour le nettoyage par ultrasons du cuivre (Cu) et de ses alliages ou un ou des solvants organiques tel que l’acétone, l’alcool isopropylique ou des terpènes pour l’enlever les contaminants organiques. Dans une autre variante, l’étape de nettoyage peut être effectuée par jet d’air. Optionnellement, le procédé peut comprendre une autre étape de dépôt 140 au cours de laquelle au moins une couche additionnelle 42, 43 est déposée sur la couche de cuivre 41. Dans la suite, on considérera alors que le revêtement 40 comprend non seulement la couche de cuivre 41, mais aussi la ou les couches additionnelles qui la recouvrent. Ici, dans l’exemple présenté, cette autre étape de dépôt 140 comprend une première opération de dépôt 141 d’une couche en nickel 42 sur la couche en cuivre 41 déposée à l’étape de dépôt 110. Par couche en nickel, on entend une couche à haute teneur en nickel, à savoir une couche fait d’au moins 99,95% en poids de nickel, le reste de la composition étant constitué d’éléments résiduels présents dans de concentrations typiquement d’ordre de la dizaine de ppm. Ces éléments résiduels peuvent comprendre de l’aluminium (Al), du carbone (C), du chrome (Cr), du Fer (Fe), de manganèse (Mn) ou du titane (Ti). Ici, la couche en nickel 42 est directement déposée sur la surface de la couche de cuivre 41 fixée au dissipateur thermique. Typiquement, La couche en nickel 42 déposée présente une épaisseur supérieure ou égale à 5,00 µm, ici comprise entre 5,00µm et 50,00µm. Cette étape est notamment réalisée lorsque les étapes suivantes du procédé 100 (décrites ci-dessous) ne sont pas réalisées directement après l’étape de dépôt 110. Typiquement, cela peut se produire lorsque le dissipateur thermique recouvert de la couche de cuivre (du revêtement 40) est stocké pendant une certaine période temporelle. Typiquement, cette période temporelle peut être d’un ou deux ans. En effet, cette couche de nickel 42 permet d’éviter la formation excessive de composés intermétalliques de type Cu3Sn ou Cu6Sn5 fragiles, qui auraient un impact négatif lors de l’assemblage du dissipateur thermique au substrat décrit ci-dessous. En pratique, cette couche de nickel 42 peut être déposée par électrolyse ou, de préférence, par pulvérisation à froid d’un mélange de particules. Dans le cas de la pulvérisation à froid d’un mélange de particules, cette première opération de dépôt 141 est réalisée de manière similaire à l’étape de dépôt 110 décrite ci-dessus mis à part que dans ce cas, le mélange de particules comprend essentiellement du nickel. De préférence, les particules utilisées dans cette première opération de dépôt 141 peuvent comprendre du nickel présent à 99,95% en poids dans le mélange de particules. Dans un mode préféré, le mélange de particules comprend 99,95% en poids de nickel et 0,05% d’éléments résiduels comme décrits ci-dessus. Une telle caractéristique permet d’obtenir une couche comprise dans le revêtement 40 à haute teneur en nickel, ce qui améliore les propriétés décrites ci-dessus. Cette autre étape de dépôt 140 comprend ici en outre une deuxième opération de dépôt 142 d’une couche en étain 43. Par couche en étain 43, on entend une couche à haute teneur en étain, à savoir une couche fait d’au moins 99,95% en poids d’étain. Ici, la couche en étain 43 est déposée sur la couche en nickel 42 précédent déposée. Bien entendu, dans le cas où l’autre étape de dépôt 140 ne comprend pas la première opération de dépôt 141 décrite ci-dessus, la couche d’étain 43 est dans ce cas directement déposée sur la couche en cuivre 41 fixée au dissipateur thermique 10. La couche en étain 43 présente une épaisseur comprise entre 5, 00 µm et 2,00 mm. Elle est de préférence utilisée dans le cas d’un assemblage à chaud par soudage ou brasage car elle permet de protéger la couche de cuivre 41 fixée au dissipateur thermique 10. Elle permet également une bonne mouillabilité. Cette couche d'étain 43 peut être déposée par trempage ou par galvanoplastie. Mais de manière avantageuse, la deuxième opération de dépôt est réalisée par pulvérisation à froid d’un mélange de particules. Dans le cas de la pulvérisation à froid d’un mélange de particules, cette deuxième opération de dépôt 142 est réalisée de manière similaire à l’étape de dépôt 110 décrit ci-dessus mis à part que dans ce cas, le mélange de particules comprend de l’étain et optionnellement du plomb. De préférence, le mélange de particules utilisé dans la deuxième opération de dépôt 142 peut comprendre des particules d’étain. Elle peut également comprendre de manière optionnelle des particules de plomb. Notamment dans la présente divulgation, le mélange de particules utilisé dans cette étape comprend entre 50% et 99,99 % en poids d’étain (i.e. particules d’étain), et optionnellement entre 35% et 50% en poids de plomb (i.e. particules de plomb). Dans un mode préféré, le mélange de particules comprend 99.95% en poids d’étain et 0,05% d’éléments résiduels comme décrits ci-dessus. Une telle caractéristique permet d’obtenir une couche intermédiaire à haute teneur en étain, ce qui améliore les propriétés décrites ci-dessus. Dans une variante, le mélange de particules peut comprendre au moins 50% en poids d’étain et optionnellement 40% de plomb. Si la couche d'étain 43 est déposée par pulvérisation à froid, cette deuxième opération de dépôt 142 peut être réalisée immédiatement après l’étape de dépôt 110 de la couche de cuivre 41 sur le dissipateur thermique 10. Dans ce cas, il n’est pas nécessaire de réaliser les étapes d’élimination 123, ce qui améliore la facilité d’implémentation du procédé 100 puisqu’aucune étape utilisant de l’acide n’est réalisée. Cette deuxième opération de dépôt 142 est donc couramment utilisée dans le cas d’une production de masse du circuit imprimé puisque le procédé 100 est dépourvu de contraintes liées à la manipulation des solutions acides à l'échelle industrielle. De manière optionnelle, le procédé 100 comprend également une autre étape préliminaire 150 comportant une étape de nettoyage 151 de la surface externe 26 de la couche de cuivre 21 et de la surface externe 44 du revêtement 40. Une telle étape est similaire à l’étape de nettoyage 122 décrite plus haut. Elle favorise l’assemblage du dissipateur thermique 10 au substrat 20, notamment car elle offre une bonne mouillabilité dans le cas d’un soudage ou une bonne aptitude au frittage. Cette étape de nettoyage 151 peut comprendre, par exemple, un rinçage au jet d'air sec pour éliminer toute poussière ou tout débris. Cette étape de nettoyage peut également être suivie par une étape d'élimination 152 des particules oxydées par trempage dans une solution comprenant un acide. Cette étape d’élimination 152 est réalisée de manière similaire à l’étape d’élimination 123 décrite plus haut. Cette autre étape préliminaire 150 peut également comprendre une étape de dégraissage 153 par solvant alcalin de la surface externe 44 du revêtement 40 et de la surface externe 26 de la couche de cuivre 21 portant le substrat 20 pour éliminer des substances présentes sur les surfaces à assembler. Typiquement, une telle étape permet d’éliminer toute trace de graisse, d'huile ou de substance organique présente sur les surfaces à assembler. A titre d’exemple, cette étape 153 peut être réalisée par condensation de vapeur de solvants du type trichloréthylène, ou par immersion dans un ou des solvants liquides comme dans de l’alcool isopropylique ou des solutions de détergent alcalin. Les surfaces doivent ensuite être rincées ou nettoyées soigneusement avec de l’eau pour enlever toute trace de solutions utilisées préalablement. Le procédé 100 comprend ensuite une étape d’assemblage à chaud 160 du substrat 20 et du dissipateur thermique 10. Cette étape est réalisée en rapportant les deux éléments l’un sur l’autre de telle sorte que le revêtement 40 se retrouve entre le dissipateur thermique 10 et la couche de cuivre 21 portée par le substrat 20. Ainsi, si aucune couche additionnelle n’a été déposée (si l’étape de dépôt 140 n’a pas été mise en œuvre), alors on assemble à chaud la couche intermédiaire 41 déposée à l’étape de dépôt 110 à la surface du substrat 20 portant la couche de cuivre 21. A l’inverse, si au moins une couche additionnelle 42, 43 a été déposée à l’étape de dépôt 140 (par exemple la couche d’étain 43 et/ou de nickel 42 décrite ci-dessus), on assemble à chaud la couche de cuivre 21 portée par le substrat 20 à la couche additionnelle du revêtement 40 déposée en dernier, ici typiquement sur la couche en étain 43 déposée à la deuxième opération de dépôt 142. On dira ensuite que le substrat 20 et le dissipateur thermique 10 sont assemblés en les rapportant l’un contre l’autre (directement ou en ajoutant entre eux une matière pour cet assemblage). Dans la présente divulgation, l’étape d’assemblage à chaud 160 est de préférence effectuée par soudage ou frittage. A ce sujet, on considérera que le brasage est une catégorie de soudage. On va maintenant décrire les opérations réalisées lors de l’assemblage à chaud par soudage. Soudage Cette partie décrit les étapes pouvant être réalisées dans l’étape d’assemblage à chaud 160 utilisant une opération de soudage. Il va alors être décrit une opération de soudage 170 ainsi qu’une étape préliminaire 1700 à l’opération de soudage. Dans le cas où l’étape d’assemblage 160 est réalisée par soudage, l’étape préliminaire 1700 à l’opération de soudage 170 peut comprendre une étape d’ajout d’un flux de soudure 1710 entre les deux faces externes 44, 26 du revêtement 40 et de la couche de cuivre 21. Le flux de soudure peut être typiquement sous forme de pâte ou de liquide et être appliqué par immersion. Dans le cas où il n’est pas sous forme de pâte, ce flux de soudure peut être appliqué par toute technique connue de l’homme du métier. Ce flux de soudure peut être un flux organique non corrosif à base de colophane. Dans le cas du soudage, il est préférable que les surfaces externes 26, 44 assemblées soient exemptes d'oxydation. A cet effet, on comprend que les étapes d’élimination 123, 152 de particules oxydées décrite plus haut peuvent être réalisées juste avant l’opération de soudage. En combinaison ou en alternative, ces étapes d’élimination 123, 152 peuvent être réalisées par exposition des surfaces externes 26, 44 à l'acide formique, par exemple au sein du four qui sera ensuite utilisé dans l’étape d’assemblage à chaud 160. Le soudage du substrat 20 au dissipateur thermique 10 est obtenu par dépôt d’un élément de soudure (étape 1720) appliqué entre la face externe 44 du revêtement 40 porté par le dissipateur thermique 10 et la face externe 26 de la couche de cuivre 21 portée par le substrat. En pratique, on applique l’élément de soudure sur l’une des deux surfaces externes, c’est-à-dire soit sur la surface externe 44 du revêtement soit sur la surface externe 26 de la couche en cuivre 21 portée par le substrat 20. L’élément de soudure peut être appliqué sur toute la surface externe ou sur une ou plusieurs parties de la surface externe. Dans la présente divulgation, l’élément de soudure comprend au moins un des matériaux suivants : étain, plomb, argent ou est un mélange de ces matériaux. Typiquement, l’élément de soudure peut être un alliage eutectique de type 60Sn-40Pb ou un alliage eutectique 62,5Sn-36,1Pb-1,4Ag. L’élément de soudure appliqué présente, après l’étape de soudage, une épaisseur comprise entre 75,00 µm et 250,00 µm. Typiquement, l’élément de soudure déposé peut être sous forme de pâte. Dans ce cas, les deux surfaces à assembler sont espacées l’une de l’autre pour permettre l’application de l’élément de soudure sur une des surfaces à assembler. Dans ce cas, l’élément de soudure peut être appliqué de différentes manières, par exemple par impression au pochoir, ou par sérigraphie ou par une technique de distribution en vrac, etc. Dans ce cas, après la soudure, l’élément de soudure peut présenter une épaisseur comprise entre 80,00 µm à 250,00 µm. Après application de l’élément de soudure sous forme de pâte, les surfaces à assembler sont ensuite rapprochées et mises en contact (i .e. assemblage à froid) avant l'opération de soudage. En alternative, l’élément de soudure peut être un film. Dans ce cas, le film peut typiquement être coupé par préformage pour présenter des dimensions similaires aux surfaces externes 26, 44 à assembler. Dans ce cas, on dépose le film entre les deux surfaces externes 26, 44 et on assemble à froid le dissipateur thermique 10 avec le substrat 20 (i.e. on rapproche les éléments) avant l’opération de soudure. Dans cette variante, l’élément de soudure peut présenter, après l’étape de soudage, une épaisseur comprise entre 75,00 µm et 250,00 µm. Dans une autre variante, l’étape d’assemblage à chaud 160 comprend avant l’opération de soudure, un assemblage à froid du substrat 20 et du dissipateur thermique 10 en laissant un espace suffisant entre ces éléments (i.e. les deux surfaces externes 26, 44 à assembler) pour permettre l’insertion de l’élément de soudure par capillarité. En pratique, ceci peut être réalisé par un processus automatisé tel que le brasage par refusion en phase de condensation/vapeur réalisé lors de l’opération de soudage. Dans ce cas, l’élément de soudure peut présenter, après l’opération de soudage, une épaisseur comprise entre 75 µm et 150 µm. On comprend ainsi que l’étape d’assemblage à chaud 160 comprend, avant l’opération de soudage170, une étape d’assemblage à froid 1730 du dissipateur thermique et du substrat. En pratique, on rapproche le substrat 20 et le dissipateur thermique 10 pour qu’ils forment un seul ensemble ou élément. L’élément de soudure peut déjà être positionné au contact d’une des surfaces à assembler lors de cette étape d’assemblage à froid ou peut être inséré après notamment lors de l’opération de soudage 170. En effet, comme cela a été explicité plus haut, l’implémentation de cette étape d’assemblage à froid 1730 dépend de l’élément de soudure utilisé. Puis il est prévu une étape de préchauffage 1740 de la surface externe 44 du revêtement (recouverte ou non par l’élément de soudure) et de la surface externe 26 de la couche de cuivre 21. L’élément de soudure est un consommable présentant une température d’état liquide inférieure à 450°C. Ainsi, en pratique, les surfaces assemblées à froid sont chauffées, par exemple dans un four, ou par technologie laser (typiquement basée sur un rayonnement infrarouge), ou par refusion en phase vapeur ou autre, jusqu'à une température de soudage et pendant une période temporelle appropriée afin d’assurer une bonne mouillabilité. Cette étape de préchauffage 1740 est réglée pour que les surfaces à assembler par soudure atteignent une température comprise entre 100°C et 120°C, de préférence à une vitesse de moins de 4°C/s. Lorsque les surfaces à assembler atteignent cette températures, l’étape préchauffage 1740 se poursuit pour que les surfaces à assembler présentent une température maintenue temporellement à une même valeur. Autrement dit, les surfaces à assembler présentent une température stable, c’est-à-dire qui ne varie pas de plus de 5°C pendant moins d’une minute. En pratique, les surfaces à assembler présentent une température comprise entre 120°C et 170°C. Cette température peut être sélectionnée en fonction du flux de soudure. Les surfaces à assembler restent à l’état solide. Après, l’opération de soudage 170 proprement dite débute. Pour cela, on chauffe l’élément de soudure à une température supérieure de 15°C à 30°C à la température de fusion de l’élément de soudage. Typiquement, si l’élément de soudage est un élément de soudage eutectique de formule 63Sn-37Pb, sa température de fusion est de 183°C. Il faudra donc chauffer cet élément de soudure de sorte qu’il présente une température d’au moins 198°C, de préférence comprise entre 198°C et 213°C. Pour un élément de soudure sans plomb comme par exemple en SnAgCu (correspondant à un alliage sans plomb SAC), la température de fusion d’un tel alliage est autour de 220°C. Par conséquent, il devra être chauffé à environ 235°C. Dans le cas de la soudure, l’étape d’assemblage à chaud 160 comprend ensuite une étape de refroidissement 171 après l’opération de soudage 170. Typiquement, on arrête de chauffer les éléments assemblés et on diminue leur température, de préférence à une vitesse inférieure ou égale à 4°C/s pour éviter des chocs thermiques endommagent les matériaux du circuit imprimé. Le temps total de l’étape d’assemblage à chaud 160 est généralement compris entre 3 et 6 minutes. Dans le cas où un flux de soudure a été utilisé, en fonction du flux effectivement utilisé, l’élément assemblé complet devra ensuite être nettoyé en utilisant un ou des solvants chimiques commerciales dans des conditions connues par l’homme de métier. Une telle étape permet d’éviter de la corrosion ou de courts circuits lors du fonctionnement du circuit imprimé. Frittage On peut maintenant décrire les opérations réalisées lors de l’assemblage à chaud 160 par une opération de frittage 180. Cette opération de frittage 180 est précédée d’une étape préliminaire 1800. Cette étape préliminaire 1800 comprend une étape 1810 d’ajout d’un flux de soudure entre la face externe 44 du revêtement 40 et la face externe 26 de la couche de cuivre 21. Dans ce cas, les surfaces assemblées doivent être exemptes d'oxydation et de particules. A cet effet, on comprend que les étapes d’élimination 123, 152 de particules oxydées décrites plus haut peuvent être réalisées. Comme décrit précédemment, ce flux de soudure peut être typiquement sous forme de pâte et être appliqué par immersion. Alternativement ou additionnellement, l’étape préliminaire 1800 comprend au moins une des étapes suivantes : - une étape d’activation 1820 par plasma de la surface externe du revêtement 40 ; - une étape d’activation 1830 de la face externe de la couche de cuivre 21. L’activation permet d’obtenir une surface exempte de contaminants inorganiques et organiques. Dans la présente divulgation, le frittage du substrat au dissipateur thermique est obtenu par dépôt d’un élément de frittage (étape de dépôt 1840) appliqué entre la surface externe 44 du revêtement 40 et la surface externe 26 de la couche de cuivre 21. L’élément de frittage présente, après l’opération de frittage 180, une épaisseur comprise entre 50.00 µm et 400.00 µm. Cet élément de frittage peut être déposé sur toute la surface externe considérée ou sur une ou plusieurs parties de la surface externe considérée. Typiquement, l’élément de frittage peut être sous forme de pâte, par exemple une pâte contenant des nanoparticules de cuivre, cette dernière pouvant être déposée sur une des faces externes 26, 44 à assembler. Dans ce cas, dans l’étape de dépôt 1840, les deux faces à assembler sont espacées l’une de l’autre pour permettre l’application de l’élément de frittage sur une des faces à assembler. Après le dépôt de l’élément de frittage, cette pâte est ensuite séchée (étape 1850), par exemple par chauffage dans un four sous atmosphère protectrice. Les faces à assembler peuvent ensuite être mises en contact et assemblées par une étape d’assemblage à froid 1860 avant l'opération de frittage 180 proprement dite. Dans une variante, l’élément de frittage est sous la forme d’un film. Dans ce cas, le film peut typiquement être coupé par préformage pour présenter des dimensions similaires aux surfaces de contact à assembler. Dans ce cas, on dépose le film entre la face du revêtement et couche de cuivre portée par le substrat et on assemble à froid le dissipateur thermique avec le substrat (i.e. on rapproche les éléments) avant l’opération de frittage 180. On comprend ainsi que l’étape d’assemblage à chaud 160 comprend, avant l’opération de frittage 180, une étape d’assemblage à froid 1860 du dissipateur thermique et du substrat. En pratique, on rapproche le substrat et le dissipateur thermique pour qu’ils forment un seul ensemble ou élément. A la suite, le procédé comprend les opérations nécessaires au frittage. Dans ce cas, l’étape d’assemblage à chaud comprend une étape de préchauffage 1870 de l’élément de frittage. Pour cela, après l’assemblage à froid 1860, les faces assemblées sont préchauffées, par exemple dans un four, de préférence sous atmosphère protectrice, ou par technologie infrarouge ou par conduction thermique. Typiquement, cette étape de préchauffage 1870 est réglée pour que les surfaces à assembler par frittage atteignent une température comprise entre 130°C et 170°C, de préférence à une vitesse inférieure ou égale à 5°C/s. Ensuite, l’opération de frittage 180 peut débuter. Ici, les pièces à assembler sont, de préférence transférées sous atmosphère protectrice dans un four dans lequel sera réalisé l’opération de frittage. Les pièces sont ensuite chauffées jusqu'à atteindre une température de frittage. Typiquement, les faces à assembler présentent une température comprise entre 120°C et 170°C. Dans un mode de réalisation préféré, lorsque la température de frittage est atteinte, l’opération de frittage 180 comprend une étape d’application d’une force de pression sur la surface libre du substrat 20 (côté puce) et/ou sur une face libre du dissipateur thermique 10. La température exercée dépend du temps de réalisation de l’opération de frittage et de la pression appliquée à l’ensemble dans cette opération. Le temps de frittage et la pression sont interdépendants. Typiquement, l’opération de frittage peut atteindre des valeurs de température entre 180°C et 250 °C et des valeurs de pression entre 5 MPa et 30 MPa. L’étape d’assemblage à chaud comprend ensuite une étape de refroidissement 181 après l’opération de frittage 180. Typiquement, on arrête de chauffer les éléments assemblés, et on diminue leur température, de préférence à une vitesse inférieure ou égale à 5°C/s pour éviter des chocs thermiques endommagent les matériaux du circuit imprimé. Procédé (100) de fabrication d’un circuit imprimé (1) comprenant un substrat (20) portant une couche de cuivre (21), et un dissipateur thermique (10), ledit procédé (100) comprenant les étapes suivantes : - dépôt (110) d’une couche intermédiaire (41) d’épaisseur comprise entre 50 µm et 2 mm sur une surface (11) dudit dissipateur thermique (10) par pulvérisation à froid de particules de cuivre ; - assemblage à chaud (160) du substrat (20) et du dissipateur thermique (10), de telle sorte que la couche intermédiaire (41) soit comprise entre la couche de cuivre et le dissipateur thermique (10). Procédé (100) selon la revendication 1, dans lequel, les particules de cuivre sont pures à 99.95% en poids. Procédé (100) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les particules de cuivre présentent une granulométrie comprise entre 10 µm et 60 µm. Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, le dissipateur thermique (10) portant avant l’étape d’assemblage (160) un revêtement (40) qui comprend au moins ladite couche intermédiaire (41), lors de l’étape d’assemblage (160), le revêtement (40) et la couche de cuivre du substrat (20) présentent des températures inférieures à 230 °C. Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, le dissipateur thermique (10) portant avant l’étape d’assemblage (160) un revêtement (40) qui comprend au moins ladite couche intermédiaire (41), ledit procédé (100) comprend, avant l’étape d’assemblage (160), une étape de traitement préliminaire (120, 150) d’une face externe (44) du revêtement (40) comportant au moins un des traitements suivants : - usinage mécanique (121) ; - nettoyage (122, 151) par ultrasons utilisant une solution organique ; - nettoyage (122, 124, 151) avec une solution aqueuse ; - nettoyage (122, 151) par jet d’air ; - élimination (123, 152) de particules oxydées par trempage dans une solution comprenant un acide ou par exposition à un acide; - dégraissage (153) par solvant ou dégraissage alcalin. Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel ledit procédé (100) comprend au moins une autre étape de dépôt (140) d’au moins une couche additionnelle (42, 43) sur la couche intermédiaire (41), ladite au moins une couche additionnelle (42, 43) et la couche intermédiaire (41) formant une partie au moins d’un revêtement (40) porté par le dissipateur thermique (10), ladite au moins une couche additionnelle (42, 43) comprenant : - une couche d’étain (43) présentant une épaisseur comprise entre 5,00 µm et 2,00 mm, et/ou - une couche en nickel (42) présentant une épaisseur comprise entre 5,00 µm et 50.00 µm. Procédé (100) selon la revendication 6, dans lequel ladite au moins une autre étape de dépôt (140) de la couche additionnelle est réalisée par pulvérisation à froid d’un mélange de particules. Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, ledit procédé (100) comprend une étape d’usinage (130) d’une surface externe (26) de la couche de cuivre (21) portée par le substrat (20) pour fournir une face (26) présentant au moins une des caractéristiques suivantes : - une rugosité moyenne inférieure à 100 µm ; - une planéité inférieure ou égale à 20 µm. Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel, le dissipateur thermique (10) portant avant l’étape d’assemblage (160) un revêtement (40) qui comprend au moins ladite couche intermédiaire (41), ledit procédé comprend en outre une étape d’ajout d’un flux de soudure entre le revêtement (40) et la couche de cuivre (21). Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, l’assemblage à chaud (160) étant réalisé par soudage (170), le soudage (170) du substrat (20) au dissipateur thermique (10) est obtenu par dépôt (1720) d’un élément de soudure entre un revêtement (40) porté par le dissipateur thermique (10) avant l’étape d’assemblage (160) et comprenant ladite couche intermédiaire (41) et une face extérieure (26) de la couche de cuivre portée par le substrat (20), ledit élément de soudure présentant, après l’étape de soudage, une épaisseur comprise entre 75 µm et 250 µm. Procédé (100) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, l’assemblage à chaud (160) étant réalisé par frittage (180), le frittage (180) du substrat (20) au dissipateur thermique (10) est obtenu par dépôt (1840) d’un élément de frittage entre un revêtement (40), porté par le dissipateur thermique (10) avant l’étape d’assemblage (160) et comprenant ladite couche intermédiaire (41), et une face extérieure (26) de la couche de cuivre portée par le substrat (20), ledit élément de frittage présentant, après l’étape de frittage (180), une épaisseur comprise entre 50 µm et 400 µm.