FR 3152058 A1 20250214 FR 2308685 A 20230811 L’invention concerne un système de contrôle de dépôt de couches minces par croissance en phase gazeuse dans un réacteur (10) de dépôt, la phase gazeuse correspondant à un état gazeux ou un état plasma, le système de contrôle comportant : - une source de lumière (2) continue ; et - un spectromètre (4) configuré pour analyser une lumière émise par la source de lumière (2) en mesurant l’absorbance optique d’au moins une espèce de la phase gazeuse traversée par ladite lumière, le spectromètre (4) comportant un étage de dispersion (400), l’étage de dispersion étant un réseau de diffraction de type échelle, le spectromètre (4) étant dépourvu d’étage de séparation des ordres de diffraction. Figure pour l’abrégé : Fig. 4 Système de contrôle de dépôt de couches minces comportant une source de lumière continue et un spectromètre. L’invention se rapporte au dépôt de couches minces. Elle concerne plus particulièrement un système de contrôle d’un tel dépôt. Une couche mince est un élément dont une des dimensions, l'épaisseur, est nanométrique ou micrométrique, allant de quelques plans atomiques à quelques milliers de plans atomiques. Les couches minces sont obtenues par dépôt d'un matériau sur un substrat. Le dépôt de couches minces intervient dans de nombreux domaines industriels (optique, chimie, mécanique, micro-optoélectronique, énergies renouvelables). Les procédés de dépôt de couches minces utilisent des technologies connues, notamment : épitaxie par jets moléculaires (EJM), systèmes de type ablation laser, pulvérisation cathodique ou évaporation par faisceau électronique, systèmes de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), etc. Les performances de nombreux composants/dispositifs et leurs coûts de fabrication dépendent directement du niveau de contrôle des procédés de dépôt de couches minces. Différents systèmes de contrôle de la croissance de couches minces existent. L’un des principes consiste à déterminer la composition de la phase gazeuse utilisée pour le dépôt de couche mince (directement liée à la composition et à la vitesse de croissance de la couche mince) en mesurant l’absorbance optique des espèces qui la composent. Autrement dit, il s’agit de mesurer le rapport de l’intensité d’un faisceau optique partiellement transmis par la phase gazeuse (notée I dans la suite) à celle du faisceau optique incident (notée I 0 dans la suite). Les espèces composant la phase gazeuse présentent un certain nombre de raies d’absorption dans des gammes spectrales spécifiques, comme illustré sur la . Cette figure donne les forces de raie de plusieurs espèces d’intérêt pour la fabrication de couches minces, notamment pour des applications en micro-optoélectronique. La force de raie caractérise la propension d’une espèce chimique à absorber un rayonnement optique à une longueur d’onde donnée : à concentration égale dans la phase gazeuse, l’absorption optique augmente linéairement avec la force de raie. Les capteurs OFM pour ‘’optical flux monitoring’’ reposent sur ce principe de mesure d’absorbance optique et comprennent pour ce faire une source de lumière et un spectromètre d’absorption atomique. On connaît par exemple le document US20150284851 divulguant un tel capteur OFM. Les capteurs OFM utilisent comme source de lumière des lampes à cathode creuse (HCL pour ‘’hollow cathode lamp’’). Un exemple de capteur OFM selon l’art antérieur est représenté à la . Ces lampes émettent un ensemble de raies caractéristiques d’un seul élément. Leur spectre d’émission est discret : les raies sont séparées les unes des autres par des régions spectrales où l’intensité émise est nulle. Les lampes HCL présentent certains inconvénients qui impactent fortement les performances du capteur. Premièrement, le caractère discret du spectre d’émission des lampes HCL ne permet pas de déduire l’intensité incidente d’une mesure du fond non absorbé puisque ce fond est nul. La mesure de l’intensité incidente est cependant nécessaire pour corriger les dérives de l’intensité de la source. Pour un capteur OFM, la mesure de l’intensité incidente s’effectue généralement comme illustré sur la . La lumière émise par la lampe HCL est séparée en deux voies : un faisceau de mesure Meas et un faisceau de référence Ref. Le faisceau de mesure Meas effectue un passage dans le gaz à analyser. Le faisceau de référence Ref passe, par exemple, en dehors du réacteur. Les deux voies sont ensuite analysées dans un système d’analyse de lumière. L’intensité de la voie Meas correspond à I, celle de la voie Ref à I 0 . La montre deux voies. Ce nombre de voies dépend du nombre d’éléments à mesurer. Il y a autant de voies Meas et Ref qu’il y a d’éléments à mesurer. La détermination des intensités I et I 0 nécessite ainsi la mise en place de voies supplémentaires de mesure et de référence pour chaque espèce. Cela complique grandement l’architecture du capteur. Par ailleurs, comme les voies de référence et de mesure empruntent des trajets optiques différents, la sensibilité aux dérives est forte. En outre, les lampes HCL émettent un faible flux de photons par unité de surface, et produisent un faisceau étendu et relativement divergent, dont une grande partie est perdue dans les éléments de faible ouverture numérique du trajet optique (fibres, spectromètre, notamment). Par conséquent, le nombre de photons arrivant sur le détecteur est limité, ce qui limite le rapport signal sur bruit de la mesure (SNR) avec un impact sur la précision et la sensibilité du capteur. Les performances des capteurs OFM classiques sont également intrinsèquement limitées par le principe même de la mesure : la longueur d’interaction entre le faisceau lumineux et la phase gazeuse à analyser, limitée à quelques dizaines de centimètres, conduit à des absorbances relativement faibles, et donc à des incertitudes de mesure relativement élevées. Les meilleures incertitudes relatives sur le contrôle de la composition et des vitesses de croissance rapportées pour des capteurs OFM sont de l’ordre de la dizaine de % et au mieux de quelques % (cf. [Y. Du et al. 2014]), pour des vitesses de croissance de l’ordre de quelques monocouches par minute. Cela est bien en deçà des précisions requises pour les procédés de dépôt de couches minces (incertitude sur l’épaisseur et la composition inférieure au %). Enfin, les lampes HCL sont encombrantes, relativement instables, assez coûteuses et de durée de vie limitée. L’invention vise à fournir un système de contrôle de dépôt de couches minces plus performant et plus précis dans le contrôle de la croissance des couches minces. L’invention propose à cet effet un système de contrôle de dépôt de couches minces par croissance en phase gazeuse dans un réacteur de dépôt, la phase gazeuse correspondant à un état gazeux ou un état plasma. Le système de contrôle comporte : une source de lumière continue ; et un spectromètre configuré pour analyser une lumière émise par la source de lumière en mesurant l’absorbance optique d’au moins une espèce de la phase gazeuse traversée par ladite lumière. Le spectromètre comporte un étage de dispersion, l’étage de dispersion étant un réseau de diffraction de type échelle. Le spectromètre est dépourvu d’étage de séparation des ordres de diffraction. Grâce à sa configuration et notamment à l’utilisation d’un spectromètre échelle sans étage de séparation des ordres de diffraction, l’invention permet d’obtenir une très grande résolution spectrale (de l’ordre du pm) grâce au réseau échelle tout en maximisant le rapport signal sur bruit de la mesure (SNR). L’étage de séparation des ordres de diffraction conduisant à une atténuation importante et donc à une dégradation du rapport signal sur bruit de la mesure, est supprimé. La suppression de l’étage de séparation des ordres de diffraction est rendue possible par la très faible largeur spectrale des raies d’absorption à mesurer. Du fait de cette très faible largeur spectrale, la probabilité que deux raies différentes issues de deux ordres de diffraction différents soient superposées à la sortie du monochromateur (ce qui perturberait la mesure) est extrêmement faible. La superposition des ordres de diffraction à la sortie du monochromateur permet d’obtenir une plage spectrale d’inspection simultanée SIR (pour “simultaneous inspection range”) très grande, de l’ordre de la centaine de nanomètres ou plus, ce qui est nécessaire pour les capteurs multi-espèces. Cette très large gamme spectrale d’analyse est obtenue en maintenant une très grande résolution spectrale. Un tel système d’analyse de lumière original permet de remplacer les lampes atomiques à spectre discret utilisées dans les capteurs OFM de l’art antérieur par une ou plusieurs sources à spectre continu. Ce type de sources est plus fiable, plus stable, plus facile à intégrer dans un système optique et présente une durée de vie bien supérieure aux lampes HCL. L’utilisation d’une source de lumière continue simplifie et fiabilise considérablement la procédure de mesure de l’intensité de référence, rendant le système de contrôle plus simple et permettant un contrôle des dérives très efficace. Des caractéristiques préférées particulièrement commodes du système de contrôle de dépôt de couches minces selon l’invention sont présentées ci-dessous. L’étage de dispersion est configuré pour disperser à des ordres de diffraction compris entre 10 et 100. La source de lumière est une diode électroluminescente, une diode superluminescente, ou une lampe à arc. Le spectromètre est muni d’une caméra, de préférence une caméra CCD ou CMOS. Le système de contrôle comporte en outre une cavité optique. La cavité optique comporte au moins deux miroirs et est configurée de sorte qu’une lumière émise par la source de lumière se trouve piégée dans la cavité optique et interagisse avec la phase gazeuse donnant lieu au dépôt de couches minces. La cavité optique entoure la phase gazeuse. La cavité optique est confocale. Les miroirs sont assemblés sur des accès optiques du réacteur, lesdits miroirs étant disposés à l’intérieur ou à l’extérieur du réacteur. La longueur de la cavité optique est choisie de sorte que la largeur spectrale des raies d’absorption mesurées par le spectromètre recouvre un nombre minimum de modes de résonnance, ledit nombre minimum étant de préférence égal à 10. D’autres particularités et avantages de l’invention apparaîtront encore dans la description ci-après en référence aux dessins annexés, donnés à titre d’exemple non limitatifs : la représente des exemples de sources de lumière et des intensités de transition de certains éléments dans la gamme UV-visible ; la représente un capteur OFM de l’art antérieur ; la représente un système de contrôle de dépôt de couches minces selon un premier mode de réalisation de l’invention ; la représente le système de contrôle de dépôt de couches minces selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ; et la représente schématiquement des signaux mesurés sur une caméra du système de contrôle ainsi que leur intensité. L’invention a pour but de déterminer la composition d’une phase gazeuse utilisée pour le dépôt de couches minces en mesurant l’absorbance optique d’espèces composant la phase gazeuse. On entend par phase gazeuse un état gazeux ou un état plasma. Le gaz peut être en particulier en régime moléculaire. La phase gazeuse correspond à l’ambiance contenant les précurseurs dans laquelle est placé un substrat pour la croissance. Cela peut en effet être un gaz ou un plasma dont la pression est comprise entre 10 -5 Torr et la pression atmosphérique, pour les procédés de croissance de type évaporation, pulvérisation, CVD ou ablation laser, mais aussi un ensemble de jets moléculaires dont la pression peut descendre jusqu’à 10 -10 Torr ou moins, pour les procédés de croissance de type épitaxie par jets moléculaires. L’invention utilise pour la détermination de la composition de la phase gazeuse, un système de contrôle 1 de dépôt de couches minces schématisé en figures 3 et 4. Chacune de ces deux figures représente de manière schématique un mode de réalisation selon l’invention. Le système de contrôle 1 est utilisé dans un réacteur 10 de dépôt en phase gazeuse. Le système de contrôle 1 de dépôt de couches comporte au moins une source de lumière 2. Dans les exemples illustrés, le système de contrôle 1 comporte deux sources de lumière 2. La source de lumière 2 est spectralement continue. On entend par source de lumière continue une source dont l’intensité varie continûment sur une plage spectrale grande devant la largeur spectrale des raies d’absorbance à mesurer. Autrement dit, la source de lumière peut être toute source continue dont l’intensité varie continûment sur une plage spectrale de quelques centaines de picomètres à plusieurs centaines de nanomètres de large. Par exemple, la source de lumière 2 est une LED (diode électroluminescente). La largeur spectrale typique de la LED est d’environ 10 nm. Alternativement, la source de lumière 2 est une SLED (diode superluminescente). La largeur spectrale typique de la SLED varie entre quelques nm à 10 nm. La source de lumière peut également être une lampe à arc, par exemple lampe à Xe, lampe à mercure, lampe au deuterium, lampes halogènes, lampes spectrales au Neon, sources type LDLS, etc. La largeur spectrale d’une lampe à arc est typiquement de plusieurs centaines de nm. Bien entendu, la source de lumière 2 peut être tout autre type de source continue. La donne, en partie haute, la radiance spectrale de quelques sources de lumière en fonction de la longueur d’onde. En particulier, la radiance spectrale de LEDs, de trois SLEDs et différentes lampes à arc (lampe au xenon Xe, et LDLS pour ‘’laser driven light sources’’). La radiance spectrale d’une lampe HCL est également représentée pour comparaison. Comme visible sur cette figure, la largeur spectrale des diodes LED/SLED, de l’ordre de la dizaine de nm, les rend beaucoup moins spécifiques que les lampes HCL. Ainsi, une seule source de lumière continue de l’invention couvre plusieurs raies de plusieurs espèces. Plusieurs sources de lumière 2 de nature différentes peuvent être utilisées dans le système de contrôle 1. Une combinaison unique de trois ou quatre sources de lumière continue (par exemple trois ou quatre diodes LED/SLED) permet de couvrir de nombreuses espèces et est adaptée pour un grand nombre de matériaux. La très large gamme spectrale couverte par une seule lampe à arc permet par ailleurs de mesurer l’absorbance de toutes les espèces d’intérêt. Le système de contrôle 1 ainsi configuré (ayant une ou plusieurs sources de lumière continues) est plus flexible que les systèmes de contrôle ou capteurs de l’art antérieur utilisant des lampes HCL. En outre, grâce à l’invention, il est plus rarement nécessaire d’ajouter ou de changer une source de lumière pour changer de matériau déposé. Par ailleurs, contrairement aux lampes HCL limitées aux seuls éléments monoatomiques, les sources continues permettent de mesurer n’importe quelle espèce atomique ou moléculaire, et rendent le système de contrôle applicable à de nombreuses techniques de croissance. Par ailleurs, les sources de lumière continues, et notamment les diodes SLED, sont plus brillantes que les lampes HCL. Elles présentent une radiance spectrale plus grande que les lampes HCL. Cela permet de limiter les pertes optiques sur le trajet optique et contribue à améliorer le rapport signal sur bruit (SNR) du système de contrôle 1. Les sources de lumière continues sont également stables et faciles à intégrer dans un système optique. Elles sont plus faciles à changer si nécessaires car elles sont disponibles en version fibrée. Plus spécifiquement, les diodes LED/SLED sont compactes et leur durée de vie est plus grande que les lampes HCL. Les diodes LED/SLED sont en outre disponibles dans une large gamme spectrale et permettent de couvrir toute la gamme d’intérêt typiquement comprise entre 350 et 700 nm. Leur coût est également raisonnable voire faible pour les LED. Les lampes à arc présentent également l’avantage de couvrir une très large gamme spectrale. Elles présentent un intérêt particulier pour les raies les plus éloignées dans l’ultraviolet. L’utilisation de sources de lumière continues permet également d’utiliser le fond continu non absorbé pour la mesure de l’intensité du faisceau de référence. L’intensité du faisceau de mesure et l’intensité du faisceau de référence sont mesurées sur la même voie optique. Elles sont donc soumises aux mêmes dérives et sont intrinsèquement compensées en temps réel. Ceci est optimal pour la stabilité et la reproductibilité du système de contrôle. Par ailleurs, ce schéma simplifie considérablement l’architecture du système de contrôle qui ne nécessite plus de voies de référence. Le système de contrôle 1 de dépôt de couches selon l’exemple de réalisation de la , comporte en outre une cavité optique 3 et un système d’analyse de lumière 4. La cavité optique 3 entoure la phase gazeuse donnant lieu au dépôt de couches minces. A cet effet, la cavité optique 3 est configurée de sorte qu’une lumière émise par la source de lumière 2 se trouve piégée dans la cavité optique et interagisse avec la phase gazeuse. La cavité optique 3 comprend au moins deux miroirs 31. La phase gazeuse à analyser se situant dans la cavité optique, la lumière est réfléchie par les miroirs. Ainsi, au lieu d’interagir une seule fois avec le gaz comme dans les systèmes OFM existants, la lumière effectue un grand nombre d’aller-retours (jusqu’à 1000 passages). Cela augmente considérablement la longueur d’interaction lumière/gaz, et par conséquent l’absorbance et donc le rapport signal sur bruit de la mesure (SNR), conduisant ainsi à une forte réduction de l’incertitude de mesure. Une précision sur la mesure de la vitesse de croissance meilleure que le % est ainsi facilement atteinte, même à faible vitesse de croissance. Les miroirs 31 de la cavité optique 3 peuvent être disposés à l’intérieur du réacteur 10 ou à l’extérieur du réacteur 10. Les miroirs 31 sont assemblés sur des accès optiques (non schématisés) du réacteur 10. Par exemple, les miroirs 31 peuvent être assemblés au réacteur 10 au moyen de brides de montage. Les brides de montage sont de préférence protégées de dépôts parasites pouvant se former sur les miroirs 31 et qui altéreraient les propriétés optiques de la cavité optique 3. Les brides de montage sont par exemple placées en retrait de la phase gazeuse. Alternativement ou en complément, des systèmes de pompage différentiel à proximité des miroirs peuvent être installés pour éviter les dépôts parasites. Alternativement ou en complément, les brides de montage peuvent être chauffantes pour éviter les dépôts parasites. Les réflectivités R des miroirs 31 peuvent être différentes. De préférence, les miroirs ont la même valeur de réflectivité R. La réflectivité optimale des miroirs 31 dépend de l’ordre de grandeur de l’absorbance à mesurer. Si plusieurs raies présentant des absorbances très différentes sont à mesurer simultanément, un compromis doit être fait sur la réflectivité R. Les rayons de courbure R C des miroirs 31 peuvent être différents. De préférence, les miroirs 31 ont la même valeur de rayon de courbure R C. Le rayon de courbure R C est choisi de sorte que la cavité optique 3 soit stable optiquement. La cavité optique 3 présente une longueur L. La longueur L de la cavité optique 3 est comprise entre quelques dizaines de cm et 3 m. La cavité optique 3 présente un intervalle spectral libre ISL cav dépendant de la longueur L de la cavité. L’intervalle spectral libre ISL cav diminue lorsque la longueur L augmente. La longueur L de la cavité optique 3 et donc l’intervalle spectral libre ISL cav sont configurés de sorte que la largeur spectrale des raies d’absorption mesurées par le système d’analyse de lumière 4 recouvre un nombre minimum de modes de résonance. De préférence, l’intervalle spectral libre ISL cav doit être suffisamment petit afin que la largeur spectrale de la raie d’absorption à mesurer contienne au moins 10 modes de résonnance de la cavité. Cela permet de moyenner le bruit lié à la discrétisation de la raie d’absorption. La largeur spectrale des raies à mesurer est comprise entre 2 et 10 GHz. Selon un exemple avantageux, la cavité optique 3 est confocale. Le rayon de courbure R C est égal à la longueur L de la cavité optique 3. Pour une cavité confocale, l’intervalle spectral libre ISL cav est donné par l’expression c/2L, où c est la vitesse de la lumière. Une cavité optique 3 de longueur L supérieure à 30 cm permet minimiser l’intervalle spectral libre ISL cav et ainsi de respecter la condition susmentionnée d’au moins 10 modes de résonnance de la cavité. Une répartition spectrale optimale des modes de la cavité optique 3 est notamment obtenue. Comme visible sur la , les signaux Meas1, Meas2 sont envoyés dans le réacteur 10. Les signaux Meas1, Meas2 traversent la phase gazeuse à analyser. Le système d’analyse de lumière 4 est configuré pour analyser la lumière émise par chaque source de lumière 2 et traversant la cavité optique 3 en mesurant l’absorbance optique d’au moins une espèce de la phase gazeuse traversée par la lumière. Le système d’analyse de lumière 4 est un spectromètre. Le spectromètre comprend un monochromateur 40. Les signaux Meas1, Meas2 sont séparés spectralement par le monochromateur 40. Le monochromateur 40 comporte un réseau de diffraction 400 de type échelle. Par rapport aux spectromètres échelle connus, le spectromètre 4 selon l’invention est dépourvu d’étage de séparation des ordres de diffraction ou étage de dispersion secondaire. Autrement dit, le réseau de diffraction 400 comprend uniquement un étage de dispersion principal. L’étage de dispersion principal est optimisé pour des ordres de diffraction très élevées, typiquement compris entre 10 et 100. Cela confère au spectromètre une très forte résolution (de l’ordre du pm) compatible avec la mesure des raies d’absorption des phases gazeuses des systèmes de dépôt de couches minces. Dans les spectromètres type échelle de l’art antérieur, l’étage de séparation des ordres de diffraction est ajouté afin de séparer les différents ordres de diffraction sont fortement superposés spectralement à la sortie de l’étage de dispersion principal. L’étage de séparation des ordres de diffraction peut être un prisme ou un réseau. L’étage de séparation des ordres de diffraction nécessite une restriction spatiale supplémentaire du faisceau (fente supplémentaire) qui coupe une partie importante de la lumière incidente, conduisant à une réduction du flux de photons arrivant sur le détecteur et à une forte réduction du rapport signal sur bruit de la mesure SNR. Le spectromètre 4 selon l’invention surmonte cela étant dépourvu de l’étage de séparation des ordres de diffraction, et donc également de la fente associée. Tous les ordres de diffraction sont donc superposés en sortie du spectromètre. Cependant, la largeur spectrale des raies à mesurer étant faible, la probabilité que les ordres de diffraction soient superposés est extrêmement faible et la mesure est possible. Le monochromateur 40 présente une longueur focale F avec une fente d’entrée de largeur s. La résolution du système d’analyse de lumière 4, ou résolution instrumentale Δi, est aussi proche que possible de la largeur spectrale de la raie à mesurer. De préférence, la résolution instrumentale Δi est inférieure à la largeur spectrale de la raie à mesurer. La résolution instrumentale Δi est notamment de l’ordre de quelques dixièmes de pm à quelques pm en fonction des espèces chimiques et de la nature de la phase gazeuse. Cela permet de maintenir un bon ratio signal sur bruit SNR de la mesure. Le spectromètre est muni d’une caméra 41. La caméra 41 est configurée pour mesurer les signaux à la sortie du monochromateur 40. Les figures 3 et 4 montrent un exemple avec deux signaux mesurés Meas1, Meas2. La longueur d’onde de la lumière incidence pour chaque source de lumière 2 est respectivement notée , . Pour le spectre, seul celui pour une première voie correspondant à l’une des sources de lumière 2 est représenté à la . Le signal de référence pour la première voie est noté I R1 et le signal de mesure I M1 . A chaque position spectrale correspondant à une raie d’absorption, le signal est réduit par rapport à la ligne de base à cause de l’absorption de la phase vapeur. Aucune voie de référence n’est nécessaire ici. L’intensité de référence (I R1 pour la première voie par exemple) est directement déduite du spectre mesuré par ajustement de la ligne de base. Ceci simplifie grandement le montage par rapport aux capteurs à lampes HCL, et fiabilise le signal de référence, qui subit par construction les mêmes dérives que le signal de mesure (I M1 pour la première voie par exemple). La caméra 41 peut être une caméra CCD ou une caméra CMOS. La caméra 41 présente préférentiellement un bruit de lecture inférieure à quelques e- RMS, et un courant d’obscurité faible ( La superposition des ordres de diffraction à la sortie du spectromètre 4 permet d’observer simultanément (i.e. sans tourner le réseau) sur la caméra 41 une très large gamme spectrale, potentiellement de plusieurs centaines de nanomètres. Cela permet donc d’obtenir une plage d’inspection simultanée SIR (pour “simultaneous inspection range”) très grande, typiquement de plusieurs centaines de nm. Comme la résolution spectrale est également très grande (de l’ordre du pm) grâce au réseau échelle, la solution selon l’invention permet d’analyser simultanément avec une très forte résolution les raies de toutes les espèces potentiellement présentes dans la phase gazeuse des systèmes de dépôt de couches minces. La représente un deuxième mode de réalisation du système de contrôle 1. Dans cet exemple, par rapport au premier mode de réalisation de la , le système de contrôle 1 ne comporte pas de cavité optique 3. L’apport de la cavité optique 3 lorsque l’absorbance à mesure est forte, i.e. forte vitesse de croissance, est relativement modéré. La cavité optique 3 peut donc être retirée du système de contrôle 1 afin de le simplifier et réduire son coût. Comme visible sur la figure 5, le monochromateur 40 présente un intervalle spectral libre ISL res correspondant à la largeur spectrale d’un ordre de diffraction. Si la largeur spectrale de la lumière injectée dans le monochromateur 40 contenant le réseau échelle 400 correspond à , alors la lumière est dispersée sur k ordres de diffraction. En l’absence d’étage secondaire dans le spectromètre, les k ordres de diffraction sont superposés en sortie du monochromateur 40. L’intervalle spectral libre ISL res augmente quand la longueur d’onde λ de la lumière incidence augmente. Pour un réseau échelle blazé à 63.43° comportant 100 traits/mm, l’intervalle spectral libre ISL res est de l’ordre de 10 nm lorsque la longueur d’onde λ de la lumière incidente est à 400 nm. De préférence, les largeurs spectrales des sources sont réduites, par exemple au moyen de filtres optiques, afin d’être inférieures à l’intervalle spectral libre ISL res du monochromateur 40. En effet, l’intensité de référence est dans ce cas multipliée par un facteur k, et le bruit poissonnien associé est multiplié par un facteur , ce qui peut dégrader le rapport SNR du système de contrôle. A cet égard, les sources de lumière de type LED ou SLED, dont les largeurs spectrales sont proches de l’intervalle spectral libre ISL res du monochromateur 40, sont particulièrement adaptées car elles ne nécessitent pas un tel filtrage spectral. Le système de contrôle selon l’invention permet, grâce au système d’analyse de lumière permet de combiner haute résolution et grande gamme spectrale en une acquisition sur une caméra. Ce système d’analyse permet de remplacer les lampes HCL par des sources à spectre continu plus fiables, plus stables et plus faciles à intégrer dans un système optique. Un gain considérable sur l’incertitude de mesure de la vitesse de croissance et de la composition est obtenu par rapport aux capteurs OFM de l’art antérieur. Par exemple avec une diode LED, un gain d’un facteur d’au moins 10 à 20 est obtenu par rapport aux capteurs OFM de l’art antérieur. Ce gain considérable s’ajoute aux nombreux avantages déjà détaillés plus haut : architecture plus simple et plus robuste, système de contrôle plus stable et plus reproductible, mesure de l’intensité incidente plus fiable et plus simple, possibilité de mesurer tout type d’espèce gazeuse dans la plupart des réacteurs de dépôt, et coûts de fonctionnement réduit. Bibliographie [Y. Du et al. 2014] : Du, Yingge, et al. "Self-corrected sensors based on atomic absorption spectroscopy for atom flux measurements in molecular beam epitaxy." Applied Physics Letters 104.16 (2014): 163110. Système de contrôle de dépôt de couches minces par croissance en phase gazeuse dans un réacteur (10) de dépôt, la phase gazeuse correspondant à un état gazeux ou un état plasma, le système de contrôle comportant : une source de lumière (2) continue ; et un spectromètre (4) configuré pour analyser une lumière émise par la source de lumière (2) en mesurant l’absorbance optique d’au moins une espèce de la phase gazeuse traversée par ladite lumière, le spectromètre (4) comportant un étage de dispersion (400), l’étage de dispersion étant un réseau de diffraction de type échelle, le spectromètre (4) étant dépourvu d’étage de séparation des ordres de diffraction. Système de contrôle selon la revendication 1, dans lequel l’étage de dispersion (400) est configuré pour disperser à des ordres de diffraction compris entre 10 et 100. Système de contrôle selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel la source de lumière (2) est une diode électroluminescente, une diode superluminescente, ou une lampe à arc. Système de contrôle selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel le spectromètre est muni d’une caméra (41), de préférence une caméra CCD ou CMOS. Système de contrôle selon l’une des revendications 1 à 4, comportant en outre une cavité optique (3), la cavité optique (3) comportant au moins deux miroirs (31) et étant configurée de sorte qu’une lumière émise par la source de lumière (2) se trouve piégée dans la cavité optique (3) et interagisse avec la phase gazeuse donnant lieu au dépôt de couches minces. Système de contrôle selon la revendication 5, dans lequel la cavité optique (3) entoure la phase gazeuse. Système de contrôle selon la revendication 5 ou la revendication 6, dans lequel la cavité optique (3) est confocale. Système de contrôle selon l’une des revendications 5 à 7, dans lequel les miroirs sont assemblés sur des accès optiques du réacteur (10), lesdits miroirs (31) étant disposés à l’intérieur ou à l’extérieur du réacteur (10). Système de contrôle selon l’une des revendications 5 à 8, dans lequel la longueur (L) de la cavité optique (3) est choisie de sorte que la largeur spectrale des raies d’absorption mesurées par le spectromètre (4) recouvre un nombre minimum de modes de résonnance, ledit nombre minimum étant de préférence égal à 10.