FR 3152888 A1 20250314 FR 2309657 A 20230913 L’invention concerne un dispositif de mémorisation (6) d’un état de décharge profonde de batterie pour un système de gestion des accumulateurs de batterie, ledit dispositif (6) comprenant au moins un relais (R) bistable configuré pour prendre une première position et une deuxième position, ledit relais (R) bistable étant configuré pour commuter : – dans la première position si une valeur de tension (V 1 ) indicative d’un état de décharge profonde de batterie est inférieure ou égale à une première valeur seuil ; – dans la deuxième position si une valeur de tension (V 2 ) indicative d’un état de décharge profonde de batterie est supérieure à une deuxième valeur seuil ; ledit relais (R) bistable étant configuré pour réguler, en fonction de sa position, la valeur du courant de charge à destination de ladite batterie. Figure à publier avec l’abrégé : [Fig. 2] DISPOSITIF DE MÉMORISATION POUR SYSTÈME DE GESTION DES ACCUMULATEURS DE BATTERIE ET SYSTÈME DE GESTION DES ACCUMULATEURS DE BATTERIE ÉQUIPÉ D’UN TEL DISPOSITIF Le contexte technique de la présente invention est celui des batteries électriques, et notamment des batteries à fort courant électrique, notamment un courant supérieur à 50 A, et préférentiellement supérieur à 500 A, par exemple pour des applications aéronautiques et/ou aérospatiales. Une batterie comprend généralement plusieurs modules de batterie formant un ensemble qui peut par ailleurs être relié à un bus externe permettant la remontée des données vers un système de supervision, système généralement désigné sous le terme de système de gestion d’accumulateurs de batterie (ou « Battery Management System » en langue anglaise). Le système de gestion d’accumulateurs de batterie est notamment configuré pour mesurer diverses grandeurs physiques relatives à la batterie, et aux modules de batterie, telles que des tensions, courants, températures, résistances internes, etc., mais comprend aussi des circuits de protection pour éviter que la batterie ne fonctionne dans des conditions anormales de fonctionnement, conditions qui peuvent endommager la batterie et causer des dégâts humains et/ou matériels. On entend généralement par conditions anormales de fonctionnement : les surtensions, les surintensités, les sous-tensions, une température trop élevée de la batterie, des courts-circuits, etc. c’est-à-dire l’ensemble des paramètres ne correspondant pas à une plage nominale de fonctionnement de la batterie. Les systèmes de gestion d’accumulateurs comprennent ainsi des dispositifs de sécurité, tels qu’un dispositif de disjonction configuré pour couper les liaisons électriques de la batterie avec l’extérieur (et donc l’isoler électriquement) dans le cas où surviennent ces conditions anormales de fonctionnement. Une autre des problématiques liée aux batteries électriques est le fait que celles-ci peuvent présenter un état de « décharge profonde », c’est-à-dire lorsque la batterie est complètement déchargée, ou chargée à moins de 10%, les cellules ou accumulateurs de la batterie présentant alors une tension très faible à leurs bornes, par exemple inférieure à 1 Volt. Dans cet état de décharge profonde, il y a un risque de réduction de la capacité de la batterie, mais également d’une dégradation de ses électrodes, et un risque lié au fait que la batterie puisse prendre feu, voire exploser, lorsqu’on recharge celle-ci avec un courant de charge trop important et/ou dans des conditions de températures inadéquates (par exemple inférieure à 10°C ou supérieure à 60°C). Ainsi, les batteries actuelles, et plus particulièrement leur système de gestion des accumulateurs, sont configurées pour mémoriser des données, grandeurs physiques, etc., dans des mémoires volatiles (ou encore vives ou non-permanentes), données indicatives d’un état physique ou électrique de la batterie, mais ces données sont généralement perdues lorsque la batterie est complètement déchargée et que celle-ci n’est plus en mesure d’alimenter en électricité la ou les mémoires dudit système de gestion des accumulateurs destinées à la mémorisation de cet état. Cette perte d’information est donc dangereuse, car la réactivation et la recharge d’une batterie en état de décharge profonde nécessitent des précautions particulières, d’autant plus qu’une batterie peut se décharger de façon imprévue, par exemple suite à la non-déconnexion d’un appareil électrique, et il n’y a donc aucun moyen de savoir si la batterie est en état de décharge profonde. La présente invention se propose ainsi de remédier à au moins un des inconvénients précités en proposant un nouveau type de dispositif de mémorisation d’un état de décharge profonde de batterie pour un système de gestion des accumulateurs de batterie, ledit dispositif comprenant au moins un relais bistable configuré pour prendre une première position et une deuxième position, ledit relais bistable étant configuré pour commuter : – dans la première position si une valeur de tension indicative d’un état de décharge profonde de batterie est inférieure ou égale à une première valeur seuil ; – dans la deuxième position si une valeur de tension indicative d’un état de décharge profonde de batterie est supérieure à une deuxième valeur seuil ; ledit relais bistable étant configuré pour réguler, en fonction de sa position, la valeur du courant de charge à destination de ladite batterie. Un tel dispositif de mémorisation permet la mémorisation par l’intermédiaire du relais bistable, et notamment sa position, d’un état de décharge profonde de la batterie, mémorisation permanente et modifiable (ou réinscriptible), ceci indépendamment de l’alimentation électrique dudit relais bistable. De plus, ledit relais bistable permet avantageusement de réguler le courant de charge de la batterie, par exemple pour limiter la valeur du courant de charge tant que la batterie peut être considérée dans un état de décharge profonde. Ce type de dispositif de mémorisation présente également l’avantage d’être robuste, peu onéreux, peu énergivore et adapté à des applications aéronautiques ou aérospatiales. Selon une caractéristique possible, ledit relais bistable est configuré pour conserve sa position, donc la première position ou la deuxième position, en absence d’alimentation électrique, ceci par exemple lorsque la batterie est dans un état déchargé et ne peut plus alimenter le système de gestion des accumulateurs de batterie, et donc ledit relais bistable. La position du relais bistable est avantageusement conservée quel que soit l’état de la batterie et/ou du système de gestion des accumulateurs de batterie (pas de perte d’état donc), permettant ainsi de conserver dans le temps une information relative à un état de la batterie, tel qu’ici un état de décharge profonde de la batterie. Selon une autre caractéristique possible, ledit dispositif comprend un montage pont en H configuré pour contrôler la polarité aux bornes du relais bistable de façon à faire commuter ledit relais bistable de la première position à la deuxième position et inversement. Un montage pont en H est un montage simple permettant un contrôle facile et efficace du relais bistable, et notamment de la commutation dudit relais. Selon une autre caractéristique possible, ledit montage pont en H comprend quatre éléments de commutation. Lesdits éléments commutations, tels que des interrupteurs, permettent par leur ouverture et fermeture de faire commuter ledit relais d’une première position vers une deuxième position et inversement. Selon une autre caractéristique possible, lesdits éléments de commutation sont des transistors. Lesdits éléments de commutation sont avantageusement des transistors, par exemple des transistors à effet de champs, fonctionnant par exemple en régime linéaire, et faisant office d’interrupteur, dont l’ouverture et la fermeture est commandée par une tension. Selon une autre caractéristique possible, lesdits transistors sont des transistors de type MOSFET qui présentent chacun une grille, une source et un drain. Lesdits transistors sont par exemple des transistors MOSFET à canal N et/ou à canal P. Selon une autre caractéristique possible, ledit dispositif comprend quatre diodes Schottky, chacune associée à l’un desdits transistors faisant office d’élément de commutation. Chacune des diodes Schottky est donc connectée aux bornes drain-source d’un desdits transistors, afin notamment pour jouer le rôle de diode de roue libre (et donc protéger le transistor contre des surtensions destructrices). Plus particulièrement, les diodes Schottky présentent une cathode et une anode, la cathode de la diode Schottky étant connectée à la source du transistor, et l’anode de la diode Schottky étant connectée au drain du transistor. Selon une autre caractéristique possible, ledit dispositif comprend au moins deux portes logiques alimentées respectivement en entrée par une valeur de tension indicative d’un état de décharge profonde de batterie, chacune desdites portes logiques étant reliée à au moins un élément de commutation. Lesdites portes logiques sont avantageusement reliées à la grille d’un transistor faisant office d’élément de commutation, et sont donc configurées pour ouvrir ou fermer ledit interrupteur en fonction de leur valeur de tension d’entrée. Lesdites portes logiques présentent par ailleurs l’avantage d’avoir une consommation électrique statique très faible (de l’ordre de quelques microwatts). Selon une autre caractéristique possible, une desdites portes logiques est configurée pour permettre la fermeture d’au moins un élément de commutation lorsque la valeur de tension indicative d’un état de décharge profonde de batterie est inférieure ou égale à une première valeur seuil et faire commuter le relais dans la première position, tandis que l’autre porte logique est configurée pour permettre la fermeture d’au moins un autre élément de commutation lorsque la valeur de tension indicative d’un état de décharge profonde de batterie est supérieure à une deuxième valeur seuil et faire commuter le relais dans la deuxième position. La première et la deuxième valeur seuil peuvent être différentes ou identiques, par exemple pour six cellules de 3,3 V montées en série, on considère qu’il y a décharge profonde lorsque la tension aux bornes de cet ensemble de cellules est inférieure ou égale à 14 V, tandis que la tension de sortie de décharge profonde est supérieure ou égale à 13,5 V. Selon une autre caractéristique possible, lesdits éléments de commutation sont fermés lorsque lesdites portes logiques sont alimentées en entrée par des valeurs de tension respectivement inférieure ou égale à la première valeur seuil et supérieure à la deuxième valeur seuil. Selon une autre caractéristique possible, dans la première position, ledit relais bistable limite le courant de charge de la batterie à une valeur de courant prédéterminée, par exemple une valeur de courant de charge d’environ 0,5 A. Avantageusement, le dispositif selon l’invention est configuré pour limiter la valeur du courant de charge destiné à charger ladite batterie, si celle-ci est dans un état de décharge profonde, dés que la batterie est sortie de cet état de décharge profonde, le relais bascule dans la deuxième position, et il n’y a alors plus de limitation du courant de charge (sous réserve des propriétés physiques des composants électroniques). L’invention se rapporte également à un système de gestion des accumulateurs de batterie, caractérisé en ce que ledit système comprend un dispositif de commande de verrouillage tel que défini ci-dessus. L’invention concerne en outre une batterie électrique, avantageusement pour les applications aéronautiques, caractérisée en ce que ladite batterie comprend un système de gestion des accumulateurs de batterie tel que défini ci-dessus. D’autres caractéristiques et avantages de l’invention apparaîtront encore au travers de la description qui suit d’une part, et de plusieurs exemples de réalisation donnés à titre indicatif et non limitatif en référence aux dessins schématiques annexés d’autre part, sur lesquels : – la FIG. 1 illustre une vue très schématique et de côté d’une batterie électrique selon l’invention équipée d’un système de gestion des accumulateurs de batterie ; – la FIG. 2 illustre une vue schématique d’un dispositif de mémorisation d’un état de décharge profonde de batterie destiné à être intégré au système de gestion de la FIG. 1 . Bien entendu, les caractéristiques, les variantes et les différentes formes de réalisation de l’invention peuvent être associées les unes avec les autres, selon diverses combinaisons, dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres. On pourra notamment imaginer des variantes de l’invention ne comprenant qu’une sélection de caractéristiques décrites par la suite de manière isolée des autres caractéristiques décrites, si cette sélection de caractéristiques est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l’invention par rapport à l’état de la technique antérieur. En particulier toutes les variantes et tous les modes de réalisation décrits sont combinables entre eux si rien ne s’oppose à cette combinaison sur le plan technique. Par ailleurs, sur les différentes figures, les éléments communs à plusieurs figures conservent la même référence. La FIG. 1 illustre une vue très schématique et fonctionnelle d’une batterie 1 électrique, par exemple une batterie lithium-ion avantageusement destinée à des applications aéronautiques ou aérospatiales, qui comprend des accumulateurs 2 de batterie, un système de gestion 3 des accumulateurs de batterie relié auxdits accumulateurs, système 3 également désigné sous l’acronyme anglais « BMS » pour « Battery Management System », ainsi qu’un circuit de communication 4 relié audit système de gestion 3 et configuré pour échanger des informations avec l’extérieur (informations relatives à l’environnement, à la batterie, à l’avion, etc.) Ledit système de gestion 3 de gestion est généralement intégré à ladite batterie 1, afin de surveiller les différentes grandeurs physiques ou électriques caractéristiques d’une batterie 1, et/ou de ses accumulateurs 2, par exemple une tension, une résistance interne, etc. Ledit système 3 de gestion est également configuré pour empêcher le fonctionnement de la batterie 1 en dehors de sa plage nominale de fonctionnement, c’est-à-dire que le système est configuré pour détecter des conditions anormales de fonctionnement de la batterie (ou de ses modules), telles qu’une surintensité, une surtension (notamment lors de sa charge), une sous-tension (notamment lors de sa décharge), une surchauffe, etc. Un tel système 3 peut également comprendre un circuit de verrouillage (non représenté) configuré pour empêcher l’utilisation de la batterie 1, et donc son fonctionnement, notamment si une condition anormale de fonctionnement est précédemment survenue. La FIG. 2 illustre ainsi une vue très schématique d’un dispositif de mémorisation 6 d’un état de décharge profonde de batterie selon l’invention destiné à être intégré audit système de gestion 3 des accumulateurs de batterie. Ledit dispositif 6 de mémorisation comprend ainsi au moins un relais R bistable configuré pour prendre une première position et une deuxième position, ledit relais R bistable étant configuré pour commuter : – dans la première position si une valeur de tension V 1 indicative d’un état de décharge profonde de batterie 1 est inférieure ou égale à une première valeur seuil V S1  ; – dans la deuxième position si une valeur de tension V 2 indicative d’un état de décharge profonde de batterie 1 est supérieure à une deuxième valeur seuil V S 2 . On notera que la première V S1 et la deuxième V S2 valeur seuil peuvent être différentes ou identiques. De plus, ledit relais R bistable est configuré pour réguler, en fonction de sa position, la valeur du courant de charge à destination de ladite batterie 1. Par ailleurs, ledit dispositif 6 comprend avantageusement un montage pont en H, montage référencé 8, configuré pour contrôler la polarité aux bornes du relais R bistable de façon à faire commuter ledit relais R bistable de la première position à la deuxième position et inversement. Plus particulièrement ledit montage 8 comprend au moins : – une première branche 81 et une seconde branche 82 connectée en parallèle l’une de l’autre ; – quatre éléments de commutation T 1 à T 4 , respectivement désignés premier, deuxième, troisième et quatrième transistor, ceux-ci faisant office d’interrupteur, dont l’ouverture et la fermeture (ou état passant/non-passant) sont commandées par une tension ; – quatre diodes Schottky D 1 à D 4 , respectivement désignées première, deuxième, troisième et quatrième diode, chacune étant connectée aux bornes d’un desdits transistors T 1 à T 4 . On notera que lesdits transistors sont par exemple des transistors à effet de champs de type MOSFET (acronyme anglais pour « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor », c’est-à-dire un transistor à effet de champ à grille isolé). La première branche 81 comporte ainsi le premier transistor T 1 et le quatrième transistor T 4 . Les premier et quatrième transistors T 1 et T 4 sont montés en série entre deux points de contact N 1 et N 2 reliés respectivement à la batterie (ou à une carte électronique du système 3) et à une masse électrique G. Les premier et quatrième transistors T 1 et T 4 de la première branche 81 sont en outre reliés entre eux en un premier point milieu M 1 du montage pont en H 8. La seconde branche 82 comporte le deuxième transistor T 2 et le troisième transistor T 3 . Les deuxième et troisième transistors T 2 et T 3 sont montés en série entre deux points de contact N 1 et N 2 reliés respectivement à la batterie (ou à une carte électronique du système 3) et à une masse électrique G. Les deuxième et troisième transistors T 2 et T 3 de la seconde branche 82 sont en outre reliés entre eux en un second point milieu M 2 du montage pont en H 8. Ledit relais R bistable est relié aux premier et second points milieux M 1 et M 2 des première et seconde branches 81 et 82 du pont en H 8. Par ailleurs, chacun desdits transistors T 1 à T 4 comprend (ou présente) une grille, une source et un drain. En outre, chacune desdites diodes Schottky D 1 à D 4 comprend (ou présente) une cathode et une anode. Ainsi, les sources respectives des deuxième et quatrième transistors T 2 et T 4 sont connectées au point de contact N 2 qui est relié à la masse électrique G, tandis que les drains des deuxième et quatrième transistors T 2 et T 4 sont connectés respectivement au deuxième et au premier point milieu M 2 et M 1 . De plus, les sources respectives des premier et troisième transistors T 1 et T 3 sont connectées respectivement au premier et au deuxième point milieu M 1 et M 2 , tandis que les drains des premier et troisième transistors T 1 et T 3 sont connectés au point de contact N 1 relié à la batterie 1. Les première, deuxième, troisième et quatrième diodes Schottky D 1 à D 4 sont ainsi connectées respectivement aux bornes du premier, deuxième, troisième et quatrième transistor T 1 à T 4 , respectivement l’anode de la diode D 1 , D 2 , D 3 ou D 4 étant connectée à la source du transistor T 1 , T 2 , T 3 ou T 4 , et la cathode de la diode D 1 , D 2 , D 3 ou D 4 étant connectée au drain du transistor T 1 , T 2 , T 3 ou T 4 . Chacune des diodes Schottky D 1 à D 4 est donc associée à l’un desdits transistors T 1 , T 2 , T 3 ou T 4 faisant office d’élément de commutation, afin jouer le rôle de diode de roue libre. Ledit dispositif 6 comprend en outre au moins deux portes logiques LG 1 et LG 2 , respectivement désignées première et deuxième porte logique, alimentées respectivement en entrée par une tension V 1 et V 2 indicative d’un état de la batterie 1, notamment si celle-ci présente un état de décharge profonde ou non, chacune desdites portes logiques étant reliée à au moins un transistor T 1 ou T 2 . Plus particulièrement, la première tension V 1 indicative d’un état de la batterie 1 alimente la première porte logique LG 1 , au niveau de son entrée, et le deuxième transistor T 2 , au niveau de sa grille. Tandis que la deuxième tension V 2 indicative d’un état de la batterie 1 alimente la deuxième porte logique LG 2 , au niveau de son entrée, et le quatrième transistor T 4 , au niveau de sa grille. Les sorties des première et deuxième portes logiques LG 1 et LG 2 sont, quant à elles, respectivement connectées à la grille du premier transistor T 1 et à la grille du troisième transistor T 3 . Lesdites portes logiques LG 1 et LG 2 sont donc configurées pour ouvrir ou fermer respectivement le premier et le troisième transistor T 1 et T 3 faisant ici office d’élément de commutation (ou d’interrupteur) en fonction de leur valeur des tensions d’entrée V 1 et V 2 . Les portes logiques LG 1 et LG 2 sont par exemple des portes logiques du type inverseuse configurées pour alimenter respectivement la grille du premier transistor T 1 et troisième transistor T 3 qui sont avantageusement des transistors de type canal P. Ainsi, les portes logiques LG 1 et LG 2 sont configurées pour alimenter la grille des transistors T 1 et T 3 avec une tension positive, par exemple d’environ 1V, pour rendre lesdits transistors passants (c’est-à-dire faisant office d’interrupteurs fermés). Les portes logiques LG 1 et LG 2 délivrent une tension positive en sortie, seulement lorsque la tension au niveau de leur entrée respective indique un état de décharge profonde de la batterie, ou une sortie de décharge profonde. On notera par ailleurs que le dispositif 6 comprend : – au moins quatre condensateurs C 1 à C 4 , respectivement désignés premier, deuxième, troisième et quatrième condensateur ; – au moins deux résistances R 1 et R 2 , respectivement désignées première et deuxième résistance. Le premier condensateur C 1 est connecté, d’une part, à la sortie de la première porte logique LG 1 et à la grille du premier transistor T 1 , et d’autre part, à la masse G. Le troisième condensateur C 3 est, quant à lui, connecté, d’une part, à la sortie de la deuxième porte logique LG 2 et à la grille du troisième transistor T 3 , et d’autre part, à la masse G. Ces condensateurs C 1 et C 3 permettent de limiter, voire éviter, une montée trop rapide de la tension au niveau de la grille du transistor, respectivement du premier et du troisième transistor T 1 et T 3 . La première résistance R 1 et le deuxième condensateur C 2 sont, quant à eux, montés pour former un premier circuit RC parallèle connecté, d’une part, à la grille du deuxième transistor T 2 et, d’autre part, à la masse G. La deuxième résistance R 2 et le quatrième condensateur C 4 sont, quant à eux, montés pour former un deuxième circuit RC parallèle connecté, d’une part, à la grille du quatrième transistor T 4 et, d’autre part, à la masse G. Les premier et deuxième circuits RC parallèle sont configurés pour limiter l’apparition de surtension au niveau de la grille du transistor, respectivement le deuxième et le quatrième transistor T 2 et T 4 , mais également permettre la fermeture transitoire du transistor T 2 ou T 4 lorsque la valeur de tension V 1 ou V 2 est inférieure ou supérieure à des valeurs prédéterminées. Plus particulièrement, la première et la deuxième résistance R 1 et R 2 permettent notamment la fermeture respectivement du deuxième et quatrième transistor T 2 et T 4 . Tandis que le deuxième et le quatrième condensateur C 2 et C 4 permettent d’amortir, voire d’éviter, l’apparition d’oscillation de la tension au niveau de la grille du transistor T 2 et T 4 . Ainsi, lorsque la tension V 1 est inférieure ou égale à une valeur seuil V S1 , la première porte logique LG 1 est configurée pour commander la fermeture, ou rendre passant, les premier et deuxième transistors T 1 et T 2 (les troisième et quatrième transistors T 3 et T 4 étant ouverts ou non-passants), cela entrainant la commutation du relais R bistable dans la première position. La commutation du relais R dans la première position s’opère lorsque la valeur de tension V 1 est inférieure ou égale à une valeur prédéterminée (par exemple la première valeur seuil V S1 ), valeur prédéterminée qui est indicative que ladite batterie 1 est dans un état de décharge profonde. De plus, lorsque la tension V 2 est supérieure à une valeur seuil V S 2 , la deuxième porte logique LG 2 est configurée pour commander la fermeture, ou rendre passant, les troisième et quatrième transistors T 3 et T 4 (les premier et deuxième transistors T 3 et T 4 étant ouverts ou non-passants), cela entrainant la commutation du relais R bistable dans la deuxième position. La commutation du relais R dans la deuxième position s’opère lorsque la valeur de tension V 2 est supérieure à une valeur prédéterminée (par exemple la deuxième valeur seuil V S 2 ), valeur prédéterminée indicative que ladite batterie 1 n’est pas ou plus dans un état de décharge profonde. On notera également que lorsque ces conditions sur les valeurs de tension V 1 et V 2 qui alimentent le montage pont en H 6 ne sont pas respectées, les différents transistors T 1 à T 4 sont ouverts, c’est-à-dire non passants, et qu’il ne peut y avoir commutation dudit relais R d’une position à une autre. Par ailleurs, en l’absence d’alimentation électrique, le relais R est dans un état statique, la dernière position dans laquelle est commuté le relais R est conservée jusqu’à ce que ledit relais R soit alimenté d’une des manières adéquates décrite ci-avant. Par ailleurs, ledit relais R est avantageusement configuré pour limiter le courant de charge de la batterie 1 à une valeur de courant prédéterminée, par exemple inférieure ou égale à 0,5 A, lorsque ledit relais R est dans la première position. Néanmoins, lorsque ledit relais R est dans la deuxième position, ladite batterie 1 peut être rechargée par l’intermédiaire de ses bornes de puissances, donc à des valeurs de courant élevées. Dispositif de mémorisation (6) d’un état de décharge profonde de batterie pour un système de gestion des accumulateurs de batterie, ledit dispositif (6) comprenant au moins un relais (R) bistable configuré pour prendre une première position et une deuxième position, ledit relais (R) bistable étant configuré pour commuter : – dans la première position si une valeur de tension (V 1 ) indicative d’un état de décharge profonde de batterie est inférieure ou égale à une première valeur seuil (V S1 ) ; – dans la deuxième position si une valeur de tension (V 2 ) indicative d’un état de décharge profonde de batterie est supérieure à une deuxième valeur seuil (V S 2 ) ; ledit relais (R) bistable étant configuré pour réguler, en fonction de sa position, la valeur du courant de charge à destination de ladite batterie. Dispositif (6) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit dispositif (6) comprend un montage pont en H (8) configuré pour contrôler la polarité aux bornes du relais (R) bistable de façon à faire commuter ledit relais (R) bistable de la première position à la deuxième position et inversement. Dispositif (6) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit montage pont en H (8) comprend quatre éléments de commutation (T 1 -T 4 ). Dispositif (6) selon la revendication précédente, caractérisé en ce que lesdits éléments de commutation (T 1 -T 4 ) sont des transistors. Dispositif (6) selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que ledit dispositif comprend au moins deux portes logiques (LG 1 , LG 2 ) alimentées respectivement en entrée par une valeur de tension indicative d’un état de décharge profonde de batterie, chacune desdites portes logiques (LG 1 , LG 2 ) étant reliée à au moins un d’élément de commutation (T 1 , T 3 ). Dispositif (6) selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu’une desdites portes logiques (LG 1 ) est configurée pour fermer au moins un élément de commutation (T 1 ) lorsque la valeur de tension (V 1 ) indicative d’un état de décharge profonde de batterie est inférieure ou égale à une valeur seuil (V S1 ) et faire commuter le relais (R) dans la première position, tandis que l’autre porte logique (LG 2 ) est configurée pour fermer un autre élément de commutation (T 3 ) lorsque la valeur de tension (V 2 ) indicative d’un état de décharge profonde de batterie est supérieure à une valeur seuil (V S1 ) et faire commuter le relais dans la deuxième position. Dispositif (6) selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que lesdits éléments de commutation (T 1 -T 4 ) sont fermés lorsque lesdites portes logiques (LG 1 , LG 2 ) sont alimentées en entrée par des valeurs de tension (V 1 , V 2 ) respectivement inférieure ou égale à la première valeur seuil et supérieure à la deuxième valeur seuil (V S1 , V S2 ). Dispositif (6) selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, dans la première position, ledit relais (R) bistable limite le courant de charge de la batterie à une valeur de courant prédéterminée. Système de gestion (3) des accumulateurs de batterie, caractérisé en ce que ledit système (3) comprend un dispositif (6) de mémorisation d’un état de décharge profonde de batterie selon l’une quelconque des revendications précédentes. Batterie électrique (1), caractérisée en ce que ladite batterie (1) comprend un système de gestion (3) des accumulateurs de batterie selon la revendication précédente.