FR 3153490 A1 20250328 FR 2310178 A 20230926 La présente invention porte sur un substrat céramique (11) pour un module de puissance (10) comportant au moins une portion de substrat (23.1, 23.1') réalisée dans un matériau céramique isolant, dénommée "portion de substrat isolante", et au moins une portion de substrat (23.2, 23.2') réalisée dans un matériau céramique capacitif, dénommée "portion de substrat capacitive", pour assurer au moins une fonction de condensateur. Figure pour abrégé : Figure 2 SUBSTRAT CÉRAMIQUE AYANT UNE FONCTION DE CONDENSATEUR ET MODULE DE PUISSANCE CORRESPONDANT La présente invention porte sur un substrat céramique métallisé ayant une fonction de condensateur, notamment une fonction de condensateur de découplage ainsi que sur le module de puissance correspondant. L'invention trouve une application dans le domaine de l'électronique de puissance, notamment avec des modules de puissance ayant une fonction de conversion de signaux électriques, tels que des onduleurs pour des machines électriques tournantes. La FIG. 1 montre un onduleur standard 1 utilisé pour commander une machine électrique tournante 2. L'onduleur comporte six éléments de commutation S1 à S6 et une capacité de découplage Cdc. On distingue trois bras de commutation B1-B3 associés chacun à une phase a, b, c de la machine électrique tournante. Chaque bras de commutation B1-B3 comporte deux éléments de commutation, à savoir un élément de commutation haut et un élément de commutation bas, connectés respectivement à une borne de tension positive +Vdc et à une borne de tension négative -Vdc d'une source de tension Vin et ayant une borne commune connectée à la phase de la machine électrique. Ainsi, l'élément de commutation haut et l'élément de commutation bas peuvent connecter sélectivement, à haute fréquence, la phase correspondante au potentiel d'alimentation positif +Vdc et au potentiel d'alimentation négatif -Vdc. Un élément de commutation peut par exemple prendre la forme d’un transistor (IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, HEMT High Electron Mobility Transistor, MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ou autre) avec ou sans une diode de roue libre en parallèle. Les éléments de commutation sont commandés en tout ou rien par des signaux fournis par des circuits de commande et de contrôle. Lors de son fonctionnement en commutation, un bras de commutation B1-B3 présente une tension et un courant ayant de fortes oscillations dont les amplitudes s’atténuent jusqu’à disparition, engendrant ainsi des phases transitoires de surtension ou surintensité. Le phénomène de surtension provient de la présence d’inductances parasites liées aux connexions inhérentes entre les différents composants. Ces inductances impliquent l’apparition de surtension et peuvent amener à la destruction des semi-conducteurs formant les éléments de commutation si la marge de tenue en tension n’est pas suffisante. Des valeurs d’inductance de l’ordre de quelques nanohenry à quelques dizaines de nanohenry impactent fortement la performance des composants électroniques notamment pour les fonctions nécessitant une forte variation du courant en fonction du temps lors de leur commande en régime tout ou rien. Pour prévenir ces surtensions, leur prise en compte implique un surdimensionnement des éléments du circuit électrique afin d’assurer d’une part le fonctionnement correct du bras de commutation B1-B3, et d’autre part que la valeur transitoire de tension obtenue n’entraine pas la destruction des composants électroniques constituant le bras de commutation B1-B3. L’ajout d'un condensateur Cdc dit "de découplage" en parallèle des bras de commutation B1-B3 permet d’atténuer ces oscillations et donc de dimensionner au plus juste les constituants du circuit électrique. Toutefois, ces condensateurs de découplage sont des composants supplémentaires à ajouter dans le circuit qui augmentent le volume et le poids du système ainsi que la longueur des chemins parcourus par le courant. L'invention vise à remédier efficacement aux inconvénients précités en proposant un substrat céramique pour un module de puissance comportant au moins une portion de substrat isolante réalisée dans un matériau céramique isolant, et au moins une portion de substrat capacitive réalisée dans un matériau céramique capacitif, pour assurer au moins une fonction de condensateur. L'invention permet ainsi, grâce à l'intégration de la fonction de condensateur au substrat céramique, de limiter les oscillations dues aux commutations par la réduction des longueurs des chemins parcourus par le courant, et ainsi réduire l’impact sur la comptabilité électromagnétique (CEM) et le dimensionnement du filtre en sortie de convertisseur. L'invention permet de faciliter l’intégration, et d'améliorer la compacité et l’efficacité de conversion du module de puissance. Selon une réalisation de l'invention, la portion de substrat isolante et la position de substrat capacitive s'étendent dans une épaisseur du substrat. Selon une réalisation de l'invention, la portion de substrat isolante et la portion de substrat capacitive sont co-frittées de façon à former un élément monobloc. Selon une réalisation de l'invention, la portion de substrat isolante porte au moins une piste conductrice pour la connexion avec un composant électronique et/ou une interconnexion et la portion de substrat capacitive porte au moins une piste conductrice pour la connexion avec un composant électrique et/ou une interconnexion. Selon une réalisation de l'invention, ledit substrat céramique comporte au moins une pastille constituée par la portion de substrat isolant et la portion de substrat capacitive. Selon une réalisation de l'invention, la portion de substrat isolante est constituée par une première pastille et la portion de substrat capacitive est constituée par une deuxième pastille, la première pastille et la deuxième pastille étant assemblées entre elles l'une au-dessus de l'autre. Selon une réalisation de l'invention, l'une des portions de substrat choisie parmi la portion de substrat isolante et la portion de substrat capacitive présente une forme cylindrique et l'autre portion de substrat choisie parmi la portion de substrat isolante et la portion de substrat capacitive présente une forme annulaire s'étendant autour de la portion de substrat de forme cylindrique. Selon une réalisation de l'invention, la portion de substrat de forme cylindrique et la portion de substrat de forme annulaire sont coaxiales l'une par rapport à l'autre. L'invention a également pour objet un module de puissance comportant: - un substrat céramique tel que précédemment défini, et - au moins un composant électronique monté sur le substrat céramique. Selon une réalisation de l'invention, la portion de substrat isolante et la portion de substrat capacitive sont reliées électriquement à un potentiel de référence commun. Selon une réalisation de l'invention, le potentiel de référence commun est un dissipateur thermique. Selon une réalisation de l'invention, le module de puissance prend la forme d'un bras de commutation d'un onduleur comportant deux éléments de commutation et le substrat céramique comporte deux portions de substrat capacitives ayant chacune une fonction de condensateur de découplage associée à un des éléments de commutation. La présente invention sera mieux comprise et d’autres caractéristiques et avantages apparaîtront encore à la lecture de la description détaillée qui suit comprenant des modes de réalisation donnés à titre illustratif en référence avec les figures annexées, présentées à titre d’exemples non limitatifs, qui pourront servir à compléter la compréhension de la présente invention et l’exposé de sa réalisation et, le cas échéant, contribuer à sa définition, sur lesquelles: FIG. 1 La FIG. 1 , déjà décrite, est un schéma électrique d'un onduleur triphasé classique pour une machine électrique tournante; FIG. 2 La FIG. 2 est une représentation schématique en coupe d'un module de puissance équivalent aux bras B1, B2 ou B3 de la FIG. 1 selon l'invention comportant un substrat céramique métallisé ayant une fonction de condensateur; FIG. 3 FIG. 3 FIG. 3 Les figures 3a, 3b et 3c sont respectivement des vues en perspective, en coupe transversale et de dessus d'un premier mode de réalisation d'un bras de commutation selon l'invention; FIG. 4 FIG. 4 FIG. 4 Les figures 4a, 4b et 4c sont respectivement des vues en perspective, en coupe transversale et de dessus d'un deuxième mode de réalisation d'un bras de commutation selon l'invention; FIG. 5 FIG. 5 FIG. 5 Les figures 5a, 5b et 5c sont respectivement des vues en perspective, en coupe transversale et de dessus d'un troisième mode de réalisation d'un bras de commutation selon l'invention. FIG. 6 La FIG. 6 est un schéma électrique équivalent des bras de commutation des différents modes de réalisation selon l'invention; FIG. 7 FIG. 7 Les figures 7a et 7b sont des représentations graphiques des signaux de tension et de courant d'un élément de commutation haut d'un bras de commutation respectivement sans et avec un condensateur de découplage intégré au substrat céramique selon l'invention. Il est à noter que les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation présentent les mêmes références. Ainsi, sauf mention contraire, de tels éléments disposent de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. La FIG. 2 est une vue schématique en coupe d’un module de puissance 10 comportant un substrat 11 assurant diverses fonctions, en particulier une fonction de maintien mécanique de puces semi-conductrices ou d’autres composants électroniques 13, une fonction de connexions électriques, une fonction d'accueil d’un capot de protection et/ou une fonction d’accueil d'une solution d’encapsulation, ainsi qu’une fonction d'échange de chaleur avec un dispositif de refroidissement. Le substrat 11 peut être assemblé sur une semelle 12 constituant un dissipateur thermique, notamment dans le cas d’un substrat céramique métallisé. A cet effet, le substrat 11 comporte une couche de métallisation 15 fixée sur la semelle 12 par brasage ou frittage. Les composants électroniques 13 sont constitués, par exemple, par des puces en matériau semi-conducteur de puissance, telles que des éléments de commutation. Les composants électroniques 13 sont montés sur le substrat 11. Les composants électroniques 13 peuvent être brasés sur le substrat 11. Des interconnexions électriques 14 sont réalisées, notamment, entre les composants électroniques 13 et des pistes conductrices du substrat 11 et entre les composants électroniques 13 et des bornes de puissance 16. Les bornes de puissance 16 peuvent être brasées sur le substrat 11. Sur la FIG. 2 , les zones de brasures sont référencées 17. Les interconnexions électriques 14 sont réalisées de préférence via un procédé de câblage par fil, également connue sous la dénomination anglo-saxonne de "wire bonding". Selon une telle technologie, un fil électrique, également dénommé pont, est soudé, par exemple par ultrasons, entre deux éléments à connecter électriquement entre eux. Les interconnexions électriques 14 peuvent également être réalisées au moyen de clips rapportés par frittage. Une carte électronique de commande 18 portant des composants électroniques 9 peut être fixée de façon surélevée par rapport au substrat 11 au moyen de supports mécaniques 19. La carte électronique de commande 18 comporte des bornes de commande 20. L'ensemble ainsi constitué est noyé dans un matériau d'encapsulation 21 permettant de protéger les composants électroniques 9, 13 contre des agressions provoquées par un environnement dans lequel se situe le module de puissance 10. Classiquement, le matériau d'encapsulation 21 peut prendre la forme d'un gel, d'une résine époxy et/ou d'un enrobage d'un matériau isolant adapté à être appliqué sur les composants électroniques 9, 13. Le matériau d'encapsulation 21 est également connu sous la dénomination anglo-saxonne de "coating". Un boîtier 22 vient fermer l’ensemble ainsi constitué. Le boîtier 22 peut porter une partie des bornes de puissance 16 et/ou des bornes de commande 20. Le substrat céramique 11 comporte au moins une portion de substrat 23.1 réalisée dans un matériau céramique isolant dénommée "portion de substrat isolante" et au moins une portion 23.2 réalisée dans un matériau céramique capacitif dénommée "portion de substrat capacitive" assurant au moins une fonction de condensateur, notamment une fonction de condensateur de découplage associée à un composant électronique. La portion de substrat isolante 23.1 et la portion de substrat capacitive 23.2 s'étendent dans une épaisseur E du substrat 11. L'épaisseur E est définie par l'ensemble des couches du substrat céramique 11 réalisées dans un matériau céramique. Aucun élément mécanique de type boîtier n’est interposé entre la portion de substrat isolante 23.1 et la portion de substrat capacitive 23.2. La portion de substrat capacitive 23.2 présente une capacité comprise entre 1nF et 1 µF, notamment entre 10nF et 500nF. Le matériau céramique capacitif peut par exemple être un matériau céramique de structure pérovskite, notamment les titanates, en particulier un matériau de type BaTiO 3 , SrTiO 3 , une solution solide de ces deux matériaux ou des composites ayant une matrice à base de ces matériaux. De préférence, la portion de substrat isolante 23.1 présente une capacité inférieure à 100pF. Le matériau céramique isolant peut par exemple être de l'alumine, du nitrure d'aluminium, du nitrure de silicium ou un composite ayant une matrice à base de ces matériaux. La portion de substrat capacitive 23.2 et la portion de substrat isolante 23.1 sont de préférence co-frittées de façon à former un élément monobloc. La technique de frittage est de préférence la technique de type SPS pour "Spark Plasma Sintering" selon la terminologie anglo-saxonne. En variante, toute autre technique de frittage adaptée à l'application peut être mise en œuvre. Ainsi les deux portions de substrat 23.1, 23.2 peuvent être réalisées ensemble par un compactage à chaud de différentes natures de poudres de céramique. Alternativement, la portion de substrat isolante 23.1 et la portion de substrat capacitive 23.2 peuvent être réalisées indépendamment l'une de l'autre et être assemblées entre elles par collage ou brasage. En variante, une couche de métal, notamment destinée à former une piste conductrice, peut être co-frittée avec la portion de substrat isolante 23.1 et/ou la portion de substrat capacitive 23.2. Dans le mode de réalisation des figures 3a, 3b et 3c, le module de puissance 10 prend la forme d'un bras de commutation B1-B3 comportant deux éléments de commutation, à savoir un élément de commutation haut 13.1 destiné à être connecté électriquement au potentiel positif +Vdc d'une source de tension et un élément de commutation bas 13.2 destiné à être connecté électriquement au potentiel négatif -Vdc de la source de tension. Une première pastille 24.1 associée à l'élément de commutation haut 13.1 comporte une portion céramique isolante 23.1 et une portion céramique capacitive 23.2. ayant une fonction de condensateur de découplage. Une deuxième pastille 24.2 associée à l'élément de commutation bas 13.2 comporte une portion céramique isolante 23.1' et une portion céramique capacitive 23.2' ayant une fonction de condensateur de découplage. Les deux portions 23.1 et 23.2 ou 23.1' et 23.2' d'une même pastille 24.1, 24.2 constituent une pièce monobloc. Les deux portions 23.1 et 23.2 ou 23.1' et 23.2' d'une même pastille 24.1, 24.2 sont disposées de façon adjacentes l'une par rapport à l'autre et présentent sensiblement une même épaisseur E. Chaque pastille 24.1, 24.2 peut être réalisée par frittage de deux matériaux céramiques anisotropes. Une pastille 24.1, 24.2 présente une forme ronde, en particulier la forme d'un cylindre plat, c’est-à-dire un cylindre ayant une épaisseur au moins deux fois inférieure à son diamètre. Chaque portion de substrat 23.1, 23.2, 23.1' et 23.2' présente une forme de demi-cylindre plat. En variante, les pastilles 24.1, 24.2 peuvent présenter une forme carrée ou toute autre forme adaptée à l'application. Comme on peut le voir sur la FIG. 3 , une borne 25.1 reliée au potentiel électrique positif +Vdc de la source de tension et une extrémité d'une interconnexion 14.1 sont connectées électriquement sur une piste conductrice 26.1 portée par une face supérieure de la portion de substrat capacitive 23.2 de la première pastille 24.1. L'autre extrémité de l'interconnexion 14.1 et un drain de l'élément de commutation haut 13.1 sont connectés électriquement à une piste conductrice 26.2 portée par une face supérieure de la portion de substrat isolante 23.1 de la première pastille 24.1. Une interconnexion 14.2 est connectée électriquement d'une part à la source de l'élément de commutation haut 13.1 et d'autre part sur une piste conductrice 26.3 portée par une face supérieure de la portion de substrat isolante 23.1' de la deuxième pastille 24.2. Le drain de l'élément de commutation bas 13.2 est également connecté électriquement à la piste conductrice 26.3 de la portion de substrat isolante 23.1' de la deuxième pastille 24.2. Une interconnexion 14.3 est connectée électriquement d'une part à la source de l'élément de commutation bas 13.2 et d'autre part à une piste conductrice 26.4 portée par une face supérieure de la portion de substrat capacitive 23.2' de la deuxième pastille 24.2. Une borne 25.2 reliée au potentiel électrique négatif -Vdc de la source de tension est également connectée électriquement sur la piste conductrice 26.4. La phase PH est prélevée sur le potentiel électrique de la piste conductrice 26.3. Par ailleurs, la portion de substrat isolante 23.1 et la portion de substrat capacitive 23.2 de la première pastille 24.1 sont connectées électriquement à un potentiel de référence commun 30. La portion de substrat isolante 23.1' et la portion de substrat capacitive 23.2' de la deuxième pastille 24.2 sont connectées électriquement au potentiel de référence commun 30. Le potentiel de référence commun 30 est de préférence constitué par un dissipateur thermique 12. La connexion est effectuée de préférence via une piste conductrice 26.5, 26.6, 26.7, 26.8 déposée sur une face inférieure d'une portion de substrat 23.1, 23.2, 23.1', 23.2' correspondante qui est brasée ou soudée sur le dissipateur thermique 12. La première pastille 24.1 et la deuxième pastille 24.2 sont ainsi connectées électriquement au potentiel de référence commun 30. Dans le mode de réalisation des figures 4a, 4b et 4c, le module de puissance 10 prend la forme d'un bras de commutation B1-B3 comportant deux éléments de commutation 13.1, 13.2, à savoir un élément de commutation haut 13.1 destiné à être connecté électriquement au potentiel positif +Vdc d'une source de tension et un élément de commutation bas 13.2 destiné à être connecté électriquement au potentiel négatif -Vdc de la source de tension. Un premier ensemble de pastilles 31.1 associé à l'élément de commutation haut 13.1 comporte une pastille 23.1 réalisée dans un matériau céramique isolant (constituant la portion de substrat isolante) dite "pastille isolante" et une pastille 23.2 réalisée dans un matériau céramique capacitif (constituant la portion de substrat capacitive) ayant une fonction de condensateur de découplage dite "pastille capacitive". Un deuxième ensemble de pastilles 31.2 associé à l'élément de commutation bas 13.2 comporte une pastille 23.1' réalisée dans un matériau céramique isolant (constituant la portion de substrat isolante) dite "pastille isolante" et une pastille 23.2' réalisée dans un matériau céramique capacitif (constituant la portion de substrat capacitive) ayant une fonction de condensateur de découplage dite "pastille capacitive". Les pastilles 23.1, 23.1', 23.2, 23.2' présentent une forme ronde, notamment une forme de cylindre plat mais pourraient en variante présenter une autre forme. Les pastilles 23.1, 23.1', 23.2, 23.2' d'un même ensemble de pastilles 31.1, 31.2 peuvent présenter des diamètres différents. Une des pastilles, en l'occurrence la pastille située sur le dessus présente un diamètre inférieur à celui de la pastille inférieure montée contre le dissipateur thermique 12, de sorte que la piste conductrice disposée sur la face supérieure de la pastille inférieure peut être réalisée autour de la pastille supérieure. L'épaisseur E du substrat 11 correspond alors à la somme des épaisseurs E de deux pastilles d'un ensemble de pastilles 31.1, 31.2 donné. Comme on peut le voir sur la FIG. 4 , une borne 25.1 reliée au potentiel électrique positif +Vdc de la source de tension et une extrémité d'une interconnexion 14.1 sont connectées électriquement sur une piste conductrice 26.1 portée par une face supérieure de la pastille capacitive 23.2 du premier ensemble de pastilles 31.1. L'autre extrémité de l'interconnexion 14.1 et un drain de l'élément de commutation haut 13.1 sont connectés électriquement à une piste conductrice 26.2 portée par une face supérieure de la pastille isolante 23.1 du premier ensemble de pastilles 31.1. Les pistes conductrices 26.1, 26.2 peuvent être co-frittées respectivement avec la portion de substrat conductrice et la portion de substrat isolante. Une interconnexion 14.2 est connectée électriquement d'une part à la source de l'élément de commutation haut 13.1 et d'autre part sur une piste conductrice 26.3 portée par une face supérieure de la pastille isolante 23.1' du deuxième ensemble de pastilles 31.2. Le drain de l'élément de commutation bas 13.2 est également connecté électriquement à la piste conductrice 26.3 de la pastille isolante 23.1' du deuxième ensemble de pastilles 31.2. Une interconnexion 14.3 est connectée électriquement d'une part à la source de l'élément de commutation bas 13.2 et d'autre part à une piste conductrice 26.4 portée par une face supérieure de la pastille capacitive 23.2' du deuxième ensemble de pastilles 31.2. Une borne 25.2 reliée au potentiel électrique négatif -Vdc de la source de tension est également connectée électriquement sur la piste conductrice 26.4. La phase PH est prélevée sur le potentiel électrique de la piste conductrice 26.3. La pastille capacitive 23.2 du premier ensemble de pastilles 31.1 est connectée électriquement à un potentiel de référence commun 30. La pastille capacitive 23.2' du deuxième ensemble de pastilles 31.2 est connectée électriquement au potentiel de référence commun 30. Le potentiel de référence commun 30 est de préférence constitué par un dissipateur thermique 12. La connexion est effectuée de préférence via une piste conductrice 26.5, 26.6 disposée sur une face inférieure des pastilles 23.2, 23.2' qui est brasée ou de préférence frittée sur le dissipateur thermique 12. Le premier ensemble de pastilles 31.1 et le deuxième ensemble de pastilles 31.2 sont ainsi connectés électriquement au potentiel de référence commun 30. Cette solution présente l'avantage de pouvoir être réalisée facilement par une technique de frittage d’un matériau unique par pastille mais limite l’intégration finale compte tenu de l'encombrement des ensembles de pastilles 31.1, 31.2. Dans le mode de réalisation des figures 5a, 5b et 5c, le module de puissance 10 prend la forme d'un bras de commutation B1-B3 comportant deux éléments de commutation 13.1, 13.2, à savoir un élément de commutation haut 13.1 destiné à être connecté électriquement au potentiel positif +Vdc d'une source de tension et un élément de commutation bas 13.2 destiné à être connecté électriquement au potentiel négatif -Vdc de la source de tension. Une première pastille 24.1 associée à l'élément de commutation haut 13.1 comporte une portion de substrat isolante 23.1 et une portion de substrat capacitive 23.2. ayant une fonction de condensateur de découplage. Une deuxième pastille 24.2 associée à l'élément de commutation bas 13.2 comporte une portion de substrat isolante 23.1' et une portion de substrat capacitive 23.2'. ayant une fonction de condensateur de découplage. Les pastilles 24.1, 24.2 présentent une forme ronde mais pourrait en variante présenter une forme carrée ou toute autre forme adaptée à l'application. En l'occurrence, une des portions de substrat choisie parmi la portion de substrat isolante 23.1 et la portion de substrat capacitive 23.2 présente une forme cylindrique, notamment une forme de cylindre plat, c’est-à-dire de faible épaisseur par rapport à son diamètre. L'autre portion de substrat choisie parmi la portion de substrat isolante 23.1 et la portion de substrat capacitive 23.2 présente une forme annulaire de façon à s'étendre autour de la portion de substrat de forme cylindrique. A cet effet, la portion de substrat de forme annulaire présente un diamètre interne égal au diamètre externe de la portion de substrat de forme cylindrique plate. Une périphérie externe de la portion de substrat de forme cylindrique plate est en contact avec une périphérie interne de la portion de substrat de forme annulaire. Les deux portions de substrat 23.1, 23.2 sont coaxiales l'une par rapport à l'autre. La portion de substrat de forme cylindrique plate et la portion de substrat de forme annulaire présentent sensiblement une même épaisseur E. Par "sensiblement", on entend le fait qu'un écart entre les deux épaisseurs est inférieur à 10% de la plus grande épaisseur. Une pastille 24.1, 24.2 peut être obtenue par frittage simultané de la portion de substrat isolante 23.1 et de la portion de substrat capacitive 23.2. Cette solution permet d’obtenir une intégration optimale d'un condensateur à l'intérieur d'un module de puissance. Comme on peut le voir sur la FIG. 5 , une borne 25.1 reliée au potentiel électrique positif +Vdc de la source de tension et une extrémité d'une interconnexion 14.1 sont connectées électriquement sur une piste conductrice 26.1 portée par une face supérieure de la portion de substrat isolante 23.1 de forme annulaire de la première pastille 24.1. L'autre extrémité de l'interconnexion 14.1 et un drain de l'élément de commutation haut 13.1 sont connectés électriquement à une piste conductrice 26.2 portée par une face supérieure de la portion de substrat capacitive 23.2 de forme cylindrique de la première pastille 24.1. Une interconnexion 14.2 est connectée électriquement d'une part à la source de l'élément de commutation haut 13.1 et d'autre part sur une piste conductrice 26.3 portée par une face supérieure de la portion de substrat isolante 23.1' de forme cylindrique de la deuxième pastille 24.2. Le drain de l'élément de commutation bas 13.2 est également connecté électriquement à la piste conductrice 26.3 de la portion de substrat isolante 23.1' de la deuxième pastille 24.2. Une interconnexion 14.3 est connectée électriquement d'une part à la source de l'élément de commutation bas 13.2 et d'autre part à une piste conductrice 26.4 portée par une face supérieure de la portion de substrat capacitive 23.2' de forme annulaire de la deuxième pastille 24.2. Une borne 25.2 reliée au potentiel électrique négatif -Vdc de la source de tension est également connectée électriquement sur la piste conductrice 26.4. La phase PH est prélevée sur le potentiel électrique de la piste conductrice 26.3. Les pistes conductrices 26.1, 26.4 présentent une forme annulaire mais pourrait alternativement présenter n'importe quelle autre géométrie tant que les pistes conductrices sont isolées électriquement les unes des autres. Par ailleurs, la portion de substrat isolante 23.1 et la portion de substrat capacitive 23.2 de la première pastille 24.1 sont connectées électriquement à un potentiel de référence commun 30. La portion de substrat isolante 23.1’ et la portion de substrat capacitive 23.2’ de la deuxième pastille 24.2 sont connectées électriquement à un potentiel de référence commun 30. Le potentiel de référence commun 30 est de préférence constitué par un dissipateur thermique 12. La connexion peut être effectuée via une piste conductrice unique 26.5 déposée sur une face inférieure des portions de substrat 23.1, 23.2, 23.1', 23.2' qui est brasée ou de préférence frittée sur le dissipateur thermique 12. La première pastille 24.1 et la deuxième pastille 24.2 sont ainsi connectées électriquement au potentiel de référence commun 30. La FIG. 6 montre un schéma électrique équivalent des différents modes de réalisation des bras de commutation B1-B3 des figures précédentes. Ce schéma met en évidence que le premier condensateur de découplage C1 formé par la portion de substrat capacitive 23.2 est connecté d'une part à la borne positive +Vdc de la source de tension et au drain de l'élément de commutation haut 13.1 et d'autre part au potentiel de référence commun 30. Le deuxième condensateur de découplage C2 formé par la portion de substrat capacitive 23.2' est connecté d'une part à la borne négative -Vdc de la source de tension et à la source de l'élément de commutation bas 13.2 et d'autre part au potentiel de référence commun 30. Le premier condensateur C1 et le deuxième condensateur C2 ont chacun une capacité de 50nF pour une capacité totale de découplage de 100nF. Par ailleurs, une diode de roue libre D1, D2 est intégrée ou rapportée par rapport à chaque élément de commutation 13.1, 13.2. Les figures 7a et 7b sont des représentations graphiques des signaux de tension Vh et de courant Ih de l'élément de commutation haut 13.1 (cf. FIG. 6 ) d'un bras de commutation B1-B3 respectivement sans et avec un condensateur de découplage intégré au substrat céramique 11 selon l'invention. La FIG. 7 met en évidence que l'absence de condensateur de découplage engendre un signal de tension Vh aux bornes du transistor 13.1 et diode D1 ayant une forte surtension et des oscillations haute fréquence ainsi qu'un signal de courant Ih traversant le transistor 13.1 (la diode D1 est bloquée) ayant des oscillations haute fréquence. La FIG. 7 met en évidence que l'intégration des condensateurs de découplage 23.2 (C1) et 23.2' (C2) dans le substrat 11 selon l'invention engendre un signal de tension Vh aux bornes du transistor 13.1 et diode D1sans surtension ayant des oscillations basse fréquence ainsi qu'un signal de courant Ih traversant le transistor 13.1 (la diode D1 est bloquée) ayant de très faibles oscillations. Bien entendu, la portion de substrat capacitive 23.2, 23.2' peut avoir une fonction autre qu'une fonction de condensateur de découplage, comme par exemple une fonction de stockage d'énergie électrique, une fonction de lissage ou toute autre fonction qu'un condensateur peut avoir dans un circuit électrique. Bien entendu, les différentes caractéristiques, variantes et/ou formes de réalisation de la présente invention peuvent être associées les unes avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres. En outre, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits précédemment et fournis uniquement à titre d'exemple. Elle englobe diverses modifications, formes alternatives et autres variantes que pourra envisager l'homme du métier dans le cadre de la présente invention et notamment toutes combinaisons des différents modes de fonctionnement décrits précédemment, pouvant être pris séparément ou en association. Substrat céramique (11) pour un module de puissance (10) caractérisé en ce que le dit substrat céramique (11) comporte au moins une portion de substrat isolante (23.1, 23.1') réalisée dans un matériau céramique isolant, et au moins une portion de substrat capacitive (23.2, 23.2') réalisée dans un matériau céramique capacitif, pour assurer au moins une fonction de condensateur. Substrat céramique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la portion de substrat isolante (23.1, 23.1') et la position de substrat capacitive (23.2, 23.2') s'étendent dans une épaisseur (E) du substrat (11). Substrat céramique selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la portion de substrat isolante (23.1, 23.1') et la portion de substrat capacitive (23.2, 23.2') sont co-frittées de façon à former un élément monobloc. Substrat céramique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la portion de substrat isolante (23.1, 23.1') porte au moins une piste conductrice (26) pour la connexion avec un composant électronique et/ou une interconnexion (14) et la portion de substrat capacitive (23.2, 23.2') porte au moins une piste conductrice (26) pour la connexion avec un composant électrique et/ou une interconnexion (14). Substrat céramique selon l'une quelconque des revendication 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une pastille constituée par la portion de substrat isolant (23.1) et la portion de substrat capacitive (23.2). Substrat céramique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la portion de substrat isolante (23.1) est constituée par une première pastille (24.1) et la portion de substrat capacitive est constituée par une deuxième pastille (24.2), la première pastille (24.1) et la deuxième pastille (24.2) étant assemblées entre elles l'une au-dessus de l'autre. Substrat céramique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'une des portions de substrat choisie parmi la portion de substrat isolante (23.1) et la portion de substrat capacitive (23.2) présente une forme cylindrique et l'autre portion de substrat choisie parmi la portion de substrat isolante (23.1) et la portion de substrat capacitive (23.2) présente une forme annulaire s'étendant autour de la portion de substrat de forme cylindrique. Substrat céramique selon la revendication 7, caractérisé en ce que la portion de substrat (23.1, 23.2) de forme cylindrique et la portion de substrat (23.1, 23.2) de forme annulaire sont coaxiales l'une par rapport à l'autre. Module de puissance (10) comportant: - un substrat céramique (11) défini selon l'une quelconque des revendications précédentes, et - au moins un composant électronique (13) monté sur le substrat céramique (11). Module de puissance selon la revendication 9, caractérisé en ce que la portion de substrat isolante (23.1) et la portion de substrat capacitive (23.2) sont reliées électriquement à un potentiel de référence commun (30). Module de puissance selon la revendication 10, caractérisé en ce que le potentiel de référence commun (30) est un dissipateur thermique (12). Module de puissance selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce qu'il prend la forme d'un bras de commutation (B1-B3) d'un onduleur comportant deux éléments de commutation (13.1, 13.2) et en ce que le substrat céramique (11) comporte deux portions de substrat capacitives (23.2, 23.2') ayant chacune une fonction de condensateur de découplage associée à un des éléments de commutation (13.1, 13.2).