FR 3147390 A1 20241004 FR 2303050 A 20230329 La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif électro-optique (50) comprenant les étapes de fabrication d’un guide d’onde optique (5) dans un substrat électro-optique (1) par échange protonique recuit comprenant a) exposition d’une zone d’une surface (2) du substrat (1) à une source de protons de façon à créer une couche (3) modifiée par échange protonique b) recuit thermique du substrat de façon à créer un guide d’onde optique (5) dans une zone de diffusion (4) et dépôt d’une paire d’électrodes (6, 7), le guide d’onde optique (5) s’étendant longitudinalement entre ladite paire d’électrodes (6, 7). Selon l’invention, le procédé comporte, après l’étape de recuit thermique, une étape d’usinage d’un résidu de ladite couche (3) pour former une zone usinée (10, 11, 12) située au moins en partie entre ladite paire d’électrodes (6, 7). Figure pour l’abrégé : Fig. 9 Procédé de fabrication d’un dispositif électro-optique intégré et dispositif électro-optique ainsi obtenu Domaine technique de l'invention La présente invention concerne le domaine technique des dispositifs électro-optiques et leur procédé de fabrication. Elle concerne en particulier un procédé de fabrication d’un dispositif électro-optique intégré sur substrat électro-optique. L’invention concerne aussi un dispositif électro-optique intégré ayant une réponse électro-optique stabilisée en fonction du temps et de la fréquence de modulation. L’invention trouve des applications dans un modulateur optique de phase, modulateur optique d’intensité de type interféromètre de Mach-Zehnder. L’invention trouve aussi des applications dans un coupleur directionnel actif. Etat de la technique Dans le domaine ci-dessus, il est connu de fabriquer et utiliser un dispositif électro-optique intégré sur un substrat électro-optique planaire, le dispositif électro-optique comprenant un guide d’onde optique et un système d’électrodes adapté pour moduler un faisceau lumineux se propageant dans le guide d’onde optique en appliquant une tension électrique aux bornes du système d’électrodes. Différents matériaux peuvent être utilisés pour la fabrication de dispositifs électro-optiques intégrés. Le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le tantalate de lithium (LiTaO 3 ) et l’antimoniate de lithium (LiSbO 3 ) sont des matériaux particulièrement intéressants car ils présentent un effet électro-optique de Pockels. En disposant des électrodes à proximité du guide d’onde intégré, il est possible de moduler l’indice du guide d’onde optique et ainsi de moduler la phase d’un signal optique se propageant dans le guide d’onde. Dans un dispositif électro-optique intégré où les électrodes sont séparées d’une dizaine de microns, l’application d’une tension de seulement quelques volts suffit pour générer un champ électrique et induire la modulation de phase souhaitée. Différentes technologies de fabrication de dispositifs électro-optiques intégrés sur substrat de niobate de lithium ont été développées, telles que la diffusion de titane (Ti) et l’échange protonique recuit (APE pour Annealed Proton Exchange en anglais). La technologie d’échange protonique comporte une première étape dans laquelle un cristal biréfringent de niobate de lithium est placé dans un bain d’acide benzoïque porté à une température inférieure à 250°C (en dessous de la température d’ébullition de l'acide benzoïque), pour remplacer des ions lithium (Li + ) par des protons (ou ions H + ) à partir de la surface exposée au bain d’acide. Cette opération d’échange protonique (PE pour Proton Exchange en anglais) entraîne la formation d'une couche 3 modifiée par échange protonique s’étendant sur la zone exposée à l’acide depuis la surface 2 du substrat jusqu’à une faible profondeur P3 dans le substrat 1 (voir ). La couche 3 présente une différence d’indice optique de réfraction de l’ordre de 0,1 avec le substrat. Le profil d’indice de réfaction de la couche 3 est en forme de marche dans les directions X et Z. La couche 3 est limitée latéralement à une largeur W3 est comprise en général entre 1µm et 10 µm. La profondeur P3 est inférieure ou égale à 500 nm. En effet, la température étant peu élevée, le phénomène d’échange protonique ne peut pas diffuser très loin dans le substrat. Cette première étape est suivie d’une étape de recuit thermique à une température inférieure à 500°C. Pendant l’étape de recuit, la température étant plus élevée, les protons, ou ions hydrogènes, de la couche 3 modifiée par échange protonique peuvent s'échanger avec les ions lithium dans une zone de diffusion 4 autour de l’emplacement initial de la couche 3. Le recuit permet de créer un gradient d’indice de réfraction dans la zone de diffusion 4 sous la surface du cristal et ainsi de former un guide d’onde optique 5. La zone de diffusion 4 s’étend dans le substrat jusqu’à une grande profondeur P4, pouvant atteindre plusieurs microns, en fonction de la température et de la durée du recuit (voir ). La zone de diffusion 4 a une largeur W4 supérieure à la largeur W3 de la couche 3 modifiée par échange protonique. La largeur W4 est généralement comprise entre 1µm et 10 µm. La largeur W4 et respectivement la profondeur P4 sont ici mesurées au maximum du gradient d’indice de réfraction divisé par le nombre e dans la base des logarithmes népériens (ou exponentielle (-1)), suivant la direction Z et respectivement X. Après l’étape de recuit thermique, la fabrication du dispositif électro-optique intégré comprend une étape de dépôt d’une paire d’électrodes. Cette paire d’électrodes permet d’appliquer un champ électrique dans le guide d’onde optique 5 de façon à commander le dispositif électro-optique, par exemple pour la modulation électro-optique d’une onde optique se propageant dans le guide d’onde optique 5. L’échange protonique sur un cristal biréfringent de niobate de lithium a pour effet à la fois d’augmenter l’indice extraordinaire du cristal, ce qui crée du guidage pour une onde polarisée suivant l’axe extraordinaire du cristal, et de réduire l’indice ordinaire du cristal, si bien qu’une onde polarisée suivant l’axe ordinaire n’est pas guidée. Dans les dispositifs électro-optiques comprenant un guide d’onde optique formé par échange protonique sur niobate de lithium, la configuration habituelle est une coupe X, l’axe X du cristal biréfringent uniaxe de niobate de lithium étant perpendiculaire à la surface du substrat, tandis que les axes Y et Z du cristal sont parallèles à la surface. La direction de propagation du guide d’onde est parallèle à l’axe Y et le mode TE (transverse électrique, i.e. champ électrique parallèle à la surface du substrat) est parallèle à la direction Z. Dans ce cas, le guide d’onde optique par échange protonique ne guide que l’état de polarisation TE, l’état de polarisation croisée TM (transverse magnétique, i.e. champ magnétique parallèle à la surface du substrat et donc champ électrique perpendiculaire à la surface du substrat) se propageant librement dans le substrat. La technique d’échange protonique sur niobate de lithium permet ainsi de fabriquer un guide d’onde polarisant sur circuit optique intégré. Des électrodes disposées des deux côtés du guide d’onde optique 5 permettent d’appliquer un champ électrique parallèle à l’axe Z dans le guide d’onde optique 5. Il existe aussi des dispositifs électro-optiques comprenant un guide d’onde optique formé par échange protonique sur niobate de lithium (ou tantalate de lithium ou antimoniate de lithium), suivant une coupe Z, l’axe Z du cristal biréfringent uniaxe de niobate de lithium étant perpendiculaire à la surface du substrat, tandis que les axes X et Y du cristal sont parallèles à la surface. La direction de propagation du guide d’onde est parallèle à l’axe Y, et le mode TE (transverse électrique, i.e. champ électrique parallèle à la surface du substrat) est parallèle à la direction Z. Une électrode recouvre le guide d’onde tandis que l’autre électrode est disposée à côté du guide d’onde ou sur une face opposée du substrat. Ces électrodes permettent d’appliquer un champ électrique parallèle à l’axe Z dans le guide d’onde optique 5. De plus, dans ce cas, l’électrode métallique recouvrant le guide d’onde absorbe le mode TM de l’onde électro-magnétique se propageant dans le guide d’onde optique 5 tandis qu’elle transmet le mode TE parallèle à l’axe Z. Cependant, le comportement des dispositifs électro-optiques intégrés fabriqués en APE est dégradé dans des conditions particulières d’utilisation comme le vide et/ou la température. Par exemple, un modulateur électro-optique de phase fabriqué par APE a une fonction de transfert définie par le rapport entre une tension appliquée V m aux bornes des électrodes du modulateur et le déphasage optique Φ m induit, avec V m /Φ m = Vπ /π où le signal Vπ est aussi appelé tension demi-onde (Vπ). Or ce signal Vπ fluctue avec l’environnement, notamment avec la température et/ou le vide. De plus, la réponse à basse fréquence (entre 100 Hz et 1 kHz) et très basse fréquence (entre 0.0 Hz et 100 Hz) d’un dispositif électro-optique fabriqué en APE est assimilée dans certaines applications à une dérive lente des points de fonctionnement ou à une hystérésis mesurable dans la fonction de transfert du dispositif électro-optique. Différentes solutions à la dérive temporelle d’un modulateur optique de phase intégré ont déjà été proposées. Par exemple, le brevet US 8,463,081 propose de combiner en série une portion de guide d’onde optique formée par diffusion de titane et une autre portion de guide d’onde optique formée par APE, les deux portions ayant des dérives temporelles de signe opposé. Toutefois, la compensation n’est pas parfaite mais dépend de la température et de la fréquence du signal appliqué à basse et très basse fréquence. Un des buts de l’invention est de proposer un moyen pour stabiliser la réponse électro-optique d’un dispositif électro-optique intégré, en fonction du temps et/ou de la fréquence du signal de modulation appliqué aux électrodes d’un tel dispositif électro-optique intégré. Il est souhaitable de réduire la dérive lente des points de fonctionnement à basse fréquence et très basse fréquence. Il est aussi souhaitable de supprimer ou limiter l’hystérésis de la fonction de transfert d’un tel dispositif électro-optique intégré. En particulier, dans un modulateur électro-optique de phase basé sur un dispositif électro-optique intégré, il est souhaitable de réduire les fluctuations du signal Vπ avec l’environnement, notamment avec la température et/ou le vide. Un autre but de l’invention est de proposer un procédé de fabrication simple d’un tel dispositif électro-optique intégré ayant une réponse électro-optique instantanée, stable dans le temps et/ou en fonction de la fréquence de modulation électrique, et indépendante des variations ambiantes de température et/ou de pression. Présentation de l'invention Dans ce contexte, la présente invention propose un procédé de fabrication d’un dispositif électro-optique. Plus particulièrement, on propose selon l’invention un procédé de fabrication d’un dispositif électro-optique comprenant les étapes suivantes : fabrication d’un guide d’onde optique dans un substrat électro-optique par échange protonique recuit comprenant les étapes de :a) exposition d’une zone d’une surface du substrat à une source de protons de façon à créer dans le substrat une couche modifiée par échange protonique, ladite couche s’étendant sur ladite zone depuis la surface du substrat jusqu’à une faible profondeur (P3) dans le substrat, et b) recuit thermique du substrat de façon à diffuser des ions hydrogène de ladite couche dans une zone de diffusion s’étendant dans le substrat autour de ladite couche jusqu’à une grande profondeur (P4) de façon à créer un guide d’onde optique dans la zone de diffusion ; et dépôt d’une paire d’électrodes, le guide d’onde optique s’étendant longitudinalement entre ladite paire d’électrodes. Selon l’invention, le procédé comporte, après l’étape de recuit thermique, une étape d’usinage d’un résidu de ladite couche pour former une zone usinée située au moins en partie entre ladite paire d’électrodes. Ainsi, l’étape d’usinage permet d’enlever au moins partiellement un résidu de la couche modifiée par échange protonique, dont les propriétés électro-optiques sont endommagées par l’échange protonique. L’enlèvement de ce résidu permet de réduire ou même de supprimer des dérives temporelles et/ou en fréquence du dispositif électro-optique, lorsqu’une tension électrique est appliquée entre les bornes des électrodes. D’autres caractéristiques non limitatives et avantageuses du système conforme à l’invention, prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles, sont les suivantes : - la zone usinée s’étend dans le substrat jusqu’à une profondeur supérieure ou égale à la faible profondeur ; - la zone usinée s’étend sur au moins une partie d’une surface de dépôt de ladite paire d’électrodes ; - la zone usinée s’étend sur toute une largeur du substrat prise transversalement à une direction longitudinale du guide d’onde optique ; - la zone usinée est limitée à une zone du guide d’onde entre ladite paire d’électrodes ; - l’étape d’usinage est adaptée pour former plusieurs zones usinées disposées en série suivant une direction longitudinale du guide d’onde optique, lesdites plusieurs zones usinées étant situées au moins en partie entre ladite paire d’électrodes ; - la zone usinée s’étend sur toute la surface du substrat ; - l’étape d’usinage est effectuée par gravure humide, gravure par plasma, par laser, par rodage ou polissage mécanique ; - le procédé comprend une étape de dépôt d’une couche diélectrique, la couche diélectrique étant disposée sur la zone usinée en surface du substrat et/ou entre le substrat et au moins une électrode de la paire d’électrodes. L’invention concerne aussi un dispositif électro-optique obtenu selon l’un quelconque des modes de réalisation décrits. En particulier, l’invention concerne un tel dispositif électro-optique, utilisé dans un modulateur électro-optique de phase, un modulateur optique d’intensité un interféromètre de Mach-Zehnder et/ou un coupleur directionnel actif à ondes évanescentes. Bien entendu, les différentes caractéristiques, variantes et formes de réalisation de l'invention peuvent être associées les unes avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où elles ne sont pas incompatibles ou exclusives les unes des autres. De plus, diverses autres caractéristiques de l'invention ressortent de la description annexée effectuée en référence aux dessins qui illustrent des formes, non limitatives, de réalisation de l'invention et où : est une vue en coupe transverse d’un substrat électro-optique à l’intérieur duquel est formée une couche modifiée par échange protonique avant recuit ; est une vue en coupe transverse du substrat électro-optique après recuit pour former une zone de diffusion ; est une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE et des électrodes ; est un graphique illustrant schématiquement la réponse d’un modulateur électro-optique fabriqué par APE en fonction de la fréquence, selon l’art antérieur (en trait plein) et selon la présente divulgation (en tirets) ; est un graphique illustrant schématiquement la tension demi-onde, caractéristique de la fonction de transfert d’un modulateur électro-optique fabriqué par APE en fonction de la fréquence, selon l’art antérieur (en trait plein) et selon la présente divulgation (en tirets) ; est un graphique illustrant schématiquement, à gauche, la tension appliquée aux bornes d’un modulateur électro-optique fabriqué par APE en fonction du temps, et à droite, un exemple de déphasage produit respectivement selon l’art antérieur (en trait plein) et selon la présente divulgation (en tirets) ; est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un premier exemple ; est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un deuxième exemple ; est une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique intégré selon le premier ou le deuxième exemple ; est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un troisième exemple ; est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un quatrième exemple ; est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un cinquième exemple ; est une vue de dessus d’un dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE, des électrodes et une zone usinée selon un sixième exemple ; est une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique intégré selon l’un quelconque des troisième à sixième exemples ; est une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique intégré selon une variante de l’un quelconque des troisième à sixième exemples ; est une vue en coupe transverse d’une variante de dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE et des électrodes ; est une vue en coupe transverse d’une autre variante de dispositif électro-optique intégré comprenant un guide d’onde optique formé par APE et des électrodes. Il est à noter que sur ces figures les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différentes variantes peuvent présenter les mêmes références. Description détaillée La représente schématiquement un dispositif électro-optique intégré en vue de coupe transverse, c’est-à-dire perpendiculairement à la surface 2 du substrat électro-optique 1 et transversalement à une direction longitudinale du guide d’onde optique 5. Le dispositif électro-optique intégré comprend un guide d’onde optique 5 formé par APE et des électrodes 6,7. Le substrat électro-optique 1 est par exemple un substrat de niobate de lithium (LiNbO 3 ). En variante, le substrat 1 est un substrat de tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou d’antimoniate de lithium (LiSbO 3 ). A titre d’exemple nullement limitatif, le substrat est dans une configuration coupe X, l’axe X du cristal étant perpendiculaire à la surface du substrat, tandis que les axes Y et Z du cristal sont parallèles à la surface, l’axe Y étant parallèle à la direction de propagation du guide d’onde optique. En variante, le substrat est dans une configuration coupe Z, l’axe Z du cristal étant perpendiculaire à la surface du substrat, tandis que les axes X et Y du cristal sont parallèles à la surface, l’axe Y étant parallèle à la direction de propagation du guide d’onde optique (voir figures 16-17). Comme décrit en lien avec les figures 1 et 2, une couche 3 modifiée par échange protonique est formée dans le substrat 1. Lors du recuit thermique, une zone de diffusion 4 s’étend dans le substrat 1 autour de l’emplacement initial de la couche 3. La zone de diffusion 4 présente un gradient d’indice de réfraction qui permet de former un guide d’onde optique 5. Le guide d’onde optique 5 est limité par le gradient d’indice et par la surface 2 du substrat 1. La largeur W4 du guide d’onde optique 5 est généralement comprise entre 1 micromètre (µm) et 10 micromètres (µm). Le guide d’onde optique 5 s’étend par exemple longitudinalement suivant la direction Y. De façon connue, le guide d’onde optique 5 peut être rectiligne ou comporter une courbure et/ou une jonction à plusieurs branches, par exemple une jonction Y à deux branches. Le guide d’onde optique 5 est adapté pour guider une onde optique monomode de façon à ce qu’elle se propage suivant la direction longitudinale du guide d’onde optique 5, par exemple ici suivant l’axe Y. Sur la on a représenté schématiquement l’étendue spatiale du mode fondamental 15 d’une onde optique se propageant dans le guide d’onde optique 5. Le dispositif électro-optique illustré sur la est dans une configuration de coupe X et propagation Y. Le dispositif électro-optique intégré comprend un système d’électrodes comprenant au moins une paire d’électrodes 6, 7 conductrices. L’électrode 6 est déposée sur un côté du guide d’onde optique 5 et l’électrode 7 est déposée sur un côté opposé du guide d’onde optique 5. La paire d’électrodes 6, 7 est en général déposée sur la surface 2 du substrat 1. En variante, une couche diélectrique 24, par exemple de dioxyde de silicium (SiO 2 ) ou de nitrure de silicium (SiN), est disposée entre la surface 2 du substrat 1 et chaque électrode 6, 7. L’épaisseur de la couche diélectrique 24 est par exemple comprise entre 100nm et 2µm. La couche diélectrique 24 sert de protection de la surface du guide d’onde optique 5. La couche diélectrique 24 permet aussi d’isoler l'onde optique des électrodes métalliques par exemple si le guide d’onde optique est très proche ou risque d’être en partie en contact avec une électrode, en particulier pour des électrodes très large bande (fonctionnant dans la gamme de 0 à plusieurs dizaines de GHz). Pour la clarté de l’exposé, on considère un guide d’onde optique 5 rectiligne et une paire d’électrodes 6, 7 rectilignes. Le guide d’onde optique 5 s’étend longitudinalement entre ladite paire d’électrodes 6, 7. La distance entre les deux électrodes 6, 7 est généralement supérieure ou égale à la largeur W4 du guide d’onde optique 5. Par exemple, la distance D entre les deux électrodes 6, 7 est comprise entre 1 micromètre (µm) et 10 µm. La longueur L6 des électrodes dans la direction Y est en général comprise entre quelques millimètres et jusqu’à plusieurs centimètres. Les électrodes ont la même largeur ou peuvent avoir une largeur différente. Le guide d’onde optique 5 est centré ou non entre les deux électrodes 6, 7. De façon optionnelle, une autre électrode est disposée sur la face arrière 9 du substrat 1, c’est à dire la face opposée à la face 2 avant où le guide d’onde optique est formé par APE. En lien avec la figure 3, nous allons maintenant expliquer le fonctionnement électro-optique du dispositif électro-optique intégré. Une tension électrique est appliquée aux bornes de la paire d’électrodes 6,7. Par exemple, on applique une tension positive sur l’électrode 6 et une tension négative sur l’électrode 7. En variante, l’une des deux électrodes est à la masse. Des lignes 14 de champ électrique apparaissent entre la paire d’électrodes 6, 7. En particulier, des lignes 14 du champ électrique orientées parallèlement à l’axe Z traversent le guide d’onde optique 5. De façon connue, la modulation de la tension électrique appliquée entre les électrodes 6, 7 permet de moduler le déphasage optique d’une onde optique se propageant dans le guide d’onde optique 5. Toutefois, le fonctionnement électro-optique du dispositif électro-optique peut présenter certaines dérives, illustrées sur les figures 4 à 6. Sur la , on a représenté schématiquement en trait plein une courbe 16 de réponse d’un modulateur électro-optique de phase fabriqué par APE en fonction de la fréquence selon l’art antérieur. Plus précisément, la courbe 16 représente le ratio entre le déphasage optique ΔΦ induit dans l’onde optique se propageant dans le guide d’onde optique 5 et la tension appliquée V en fonction de la fréquence de modulation f. A haute fréquence, par exemple au-dessus de 1 kHz, le ratio ± ΔΦ/V est constant. Par contre, à basse fréquence et très basse fréquence, le ratio ± ΔΦ/V diminue drastiquement. La réponse du modulateur électro-optique de phase fabriqué par APE selon l’art antérieur dépend de la fréquence de modulation, ce qui n’est pas souhaitable. Sur la , on a représenté schématiquement en trait plein une courbe 18 de tension demi-onde (ou signal Vπ) d’un modulateur électro-optique de phase ou d'intensité fabriqué par APE en fonction de la fréquence, selon l’art antérieur. Plus précisément, la courbe 18 représente le signal Vπ en fonction de la fréquence de modulation f de la tension appliquée aux bornes des électrodes 6, 7. A haute fréquence, le signal Vπ est constant. Par contre, à basse fréquence et très basse fréquence, le signal Vπ augmente fortement. Cette courbe 18 indique également que la réponse du modulateur électro-optique de phase ou d'intensité fabriqué par APE selon l’art antérieur dépend défavorablement de la fréquence de modulation f. Sur la , on a représenté à gauche une courbe 20 de tension V appliquée entre les électrodes 6,7 en fonction du temps. La tension V augmente graduellement par paliers puis diminue progressivement aussi par paliers. Sur la , on a représenté à droite une courbe 21 du déphasage optique ΔΦ induit dans l’onde optique se propageant dans le guide d’onde optique 5 en fonction du temps c’est-à-dire en fonction des valeurs de tension appliquée V. Sur la courbe 21 du déphasage optique induit, on observe par exemple une marche de forme exponentielle négative lorsque la tension augmente et une marche de forme exponentielle positive lorsque la tension diminue. Dans tous les cas, à chaque marche de tension montante ou descendante, on n’atteint une valeur stable de déphasage optique induit qu’après un temps qui peut aller d'une milliseconde à plusieurs heures et même au-delà. Il découle de la présente divulgation que ces dérives lentes du point de fonctionnement d’un modulateur électro-optique en fonction du temps et/ou de la fréquence de modulation peuvent être grandement réduites en usinant une partie du substrat dans une zone correspondant à un résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique située entre la paire d’électrodes 6, 7. Sans être lié par une théorie, une interprétation physique est que lors de l’étape d’échange protonique, une partie des ions lithium du substrat 1, par exemple de niobate de lithium, est substituée par des protons ou ions H + pour former la couche 3 modifiée par échange protonique. En coupe transverse, suivant l’axe X, la couche 3 modifiée par échange protonique présente un profil d’indice optique de réfraction en forme de marche jusqu’à la profondeur P3. Le taux de substitution dans la couche 3 peut atteindre 60% ou plus d’ions H + . Il en résulte que la structure cristalline de la couche 3 modifiée par échange protonique est dégradée par comparaison avec la structure cristalline du substrat 1 autour de l’emplacement initial de la couche 3 modifiée par échange protonique. Dans la zone de la couche 3, le fort taux d’échange ionique induit localement une perte des propriétés électro-optiques du niobate de lithium, nécessaire à toute modulation électro-optique. Lors de l’étape de recuit thermique inférieure à 500°C, la zone de diffusion 4, qui forme le guide d’onde optique 5 s’étend dans le substrat 1. Pendant le recuit thermique, des ions H + provenant de la couche 3 sont échangés avec des ions lithium à plus grande profondeur, par exemple jusqu’à une profondeur de plusieurs microns en fonction de la température et de la durée du recuit. Le recuit permet d’obtenir un gradient d’indice optique de réfraction dans le substrat et ainsi de former le guide d’onde optique 5. En coupe transverse, suivant l’axe X, la zone de diffusion 4 présente en général un profil d’indice optique de réfraction assimilable à une semi-Gaussienne. La profondeur P4 correspond au maximum divisé par le nombre e dans la base des logarithmes népériens (ou exponentielle (-1)) de ce profil semi-Gaussien suivant l’axe X. De manière analogue, la largeur W4 du guide d’onde optique 5 correspond au maximum divisé par le nombre e de ce profil suivant l’axe Z. Lors du recuit thermique, le taux de substitution des ions dans la zone de diffusion est plus faible, en général inférieur à 15%. Ce faible taux de substitution des ions lithium permet de conserver les propriétés électro-optiques du cristal. Suite au recuit thermique, le taux de substitution des ions lithium dans la zone correspondant à l’emplacement de la couche 3 modifiée par échange protonique a diminué. Néanmoins, la structure cristalline à l’emplacement de la couche 3 modifiée par échange protonique reste dégradée. Le dispositif électro-optique fabriqué classiquement par APE présente des propriétés cristallines différentes dans le substrat 1, dans la zone de diffusion 4 et dans la zone correspondant à la couche 3 modifiée par échange protonique. Comme illustré sur la , les lignes 14 de champ électrique traversent non seulement la zone de diffusion 4 mais aussi une zone sous la surface du substrat qui correspondant à un résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique. La réponse électro-optique du dispositif électro-optique dépend non seulement des propriétés électro-optiques de la zone de diffusion 4 mais aussi de la zone correspondant à l’emplacement de la couche 3 modifiée par échange protonique. La dégradation cristalline de la zone de la couche 3 conduit à une augmentation de sa conductivité électrique lorsque le dispositif électro-optique ainsi fabriqué est placé à une température chaude, par exemple d’environ 50°C, cet effet étant accéléré et amplifié lorsque la température augmente et lorsque le dispositif électro-optique est placé sous vide chaud. La présente divulgation propose une étape supplémentaire dans le procédé de fabrication d’un dispositif électro-optique par APE, cette étape supplémentaire, après l’étape de recuit thermique, comprenant l’usinage d’au moins une partie du résidu de la couche 3 dans une zone située ou destinée à être placée entre la paire d’électrodes 6, 7, de façon à diminuer ou éliminer le résidu de la couche 3 dans la zone usinée. La profondeur P de la zone usinée est de l’ordre de la faible profondeur P3 de la couche 3 modifiée par échange protonique. En pratique, la profondeur P peut être inférieure, égale ou légèrement supérieure à la faible profondeur P3. Par exemple, la profondeur P de la zone usinée est telle que : 0,02*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3, et de préférence 0,50*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3 et de manière encore plus préférentielle 0,90*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3. Par exemple, pour une profondeur P3 de 500 nm, la profondeur P de la zone usinée est d’environ 500 nm ± 50 nm. L’étape d’usinage est effectuée sur une faible profondeur P pour conserver la majeure partie de la zone de diffusion 4. Cette étape d’usinage du résidu de ladite couche 3 peut être effectuée par différentes techniques : par exemple usinage mécanique de type rodage et/ou polissage de la surface du substrat ou d’une partie de la surface du substrat, ablation de surface par impulsions laser, gravure humide ou gravure sèche par plasma. Cette étape d’usinage du résidu de ladite couche 3 peut être effectuée sur une plaque intégrant plusieurs dispositifs électro-optiques fabriqués par lots ou sur puce individuelle obtenue par exemple après découpe d’une telle plaque, chaque puce comportant un seul dispositif électro-optique. L’étape d’usinage du résidu de la couche 3 peut être effectuée avant ou après le dépôt des électrodes 6, 7 sur une plaque complète ou sur puce individuelle. L’étape d’usinage du résidu de ladite couche 3 peut être effectuée avant ou après report d’une puce sur une embase ou dans un boitier électronique. Les figures 7 à 15 illustrent différents exemples de réalisation d’un dispositif électro-optique selon la présente divulgation. Sur les figures 7 à 15, on a représenté une zone usinée 10 ou plusieurs zones usinées 10, 11, 12 sur chaque dispositif électro-optique. Sur la , le dispositif électro-optique 50 en vue de dessus comporte un guide d’onde optique 5 formé par échange protonique recuit dans un substrat électro-optique 1, une paire d’électrodes 6, 7 disposées parallèlement aux deux côtés longitudinaux du guide d’onde optique 5. Le dispositif électro-optique comporte une zone usinée 10 qui s’étend ici entre les deux électrodes 6, 7 sur une largueur W et sur une longueur L. La largueur W de la zone usinée 10 est ici inférieure ou égale à la distance D entre les deux électrodes 6, 7. La longueur L de la zone usinée 10 est ici égale à la longueur L6 des électrodes 6, 7. De façon avantageuse, la largeur W est supérieure ou égale à la largeur W3 initiale de la couche 3 modifiée par échange protonique. L’usinage du résidu de ladite couche 3 sur cette largeur W et sur toute la longueur L6 des électrodes 6, 7 permet de supprimer entièrement les dérives en fréquence et temporelles du dispositif électro-optique, comme détaillé ci-dessous. Dans cette configuration, l’usinage de la zone usinée 10 peut être effectué avant ou après dépôt des électrodes. Toutefois, lorsque cet usinage est effectué après le dépôt des électrodes, des précautions sont requises pour ne pas endommager les électrodes 6, 7. La montre un deuxième exemple de dispositif électro-optique, selon une variante de la . La zone usinée 10 a ici une longueur L inférieure à la longueur L6 des électrodes 6, 7, par exemple telle que 0,5*L6 ≤ L La montre une vue en coupe transverse du dispositif électro-optique 50 de la ou 8. La zone usinée 10 correspond ici à une zone en creux dans le substrat, en dessous de la surface 2 initiale du substrat. La zone usinée 10 a une profondeur P. Par exemple, la profondeur P est comprise entre 10nm et 550nm pour une profondeur P3 de 500 nm. La profondeur P de la zone usinée est inférieure, égale ou légèrement supérieure à la faible profondeur P3 de la couche 3 modifiée par échange protonique. Dans tous les cas, la profondeur P de la zone usinée est inférieure à la profondeur initiale P4 de la zone de diffusion. Par conséquent, en dessous de la zone usinée entre les électrodes 6,7, la zone de diffusion 5 a une profondeur égale à P4-P. La zone usinée 10 du dispositif électro-optique 50 de la , 8 ou 9 peut être usinée avant ou après le dépôt des électrodes 6, 7. La montre un troisième exemple de dispositif électro-optique 50. La zone usinée 10 a ici une longueur L inférieure à la longueur L6 des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est ici supérieure à la largeur totale T des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est par exemple égale à la largeur du substrat 1, ce qui facilite l’utilisation d’un usinage mécanique. La zone usinée est alors façonnée avant le dépôt des électrodes. La montre un quatrième exemple de dispositif électro-optique 50. La zone usinée 10 a ici une longueur L égale à la longueur L6 des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est ici supérieure à la largeur totale T des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est par exemple égale à la largeur du substrat 1 ce qui facilite l’utilisation d’un usinage mécanique. La montre un cinquième exemple de dispositif électro-optique 50. La zone usinée 10 a ici une longueur L supérieure à la longueur L6 des électrodes 6, 7. La largueur W de la zone usinée 10 est ici supérieure à la largeur totale des électrodes 6, 7. La zone usinée 10 s’étend ici par exemple sur toute la surface du substrat 1. La zone usinée 10 peut être façonnée par gravure, rodage et/ou polissage de la surface de façon à ce que le dispositif électro-optique ait une surface plane en dehors des électrodes. L’usinage de toute la surface permet d'assurer l'élimination de toutes les parties résiduelles de la couche 3 modifiée par échange protonique. De plus, l’usinage de toute la surface 2 est facile à mettre en œuvre car c'est un usinage pleine plaque sans masquage. En variante, le dispositif électro-optique 50 illustré sur l’une quelconque des figures 10 à 12 comporte une zone usinée ou plusieurs zones usinées disjointes situées en dehors des électrodes 6, 7. Par exemple, sur la ou 11, le dispositif peut aussi être façonné en formant une zone usinée située entre les deux électrodes 6, 7 et deux zones usinées à l’extérieur des électrodes 6, 7. Dans ce cas, la zone usinée ou les zones usinées disjointes peuvent être façonnées avant ou après le dépôt des électrodes 6,7. La montre un sixième exemple de dispositif électro-optique 50 comprenant plusieurs zones usinées 10, 11, 12 disposées en série suivant la direction longitudinale Y du guide d’onde optique 5. Plus précisément, une zone usinée 10 s’étend sur une longueur L inférieure à la longueur L6 des électrodes 6,7 et sur une largeur W supérieure à la largeur totale des électrodes 6, 7, par exemple sur la largeur du substrat 1. Une autre zone usinée 11 s’étend sur une longueur L1 inférieure à la longueur L6 des électrodes 6,7 et sur une largeur W1 inférieure ou égale à la distance D entre les deux électrodes 6, 7. Encore une autre zone usinée 12 s’étend longitudinalement sur une longueur L2 en partie entre les électrodes 6, 7 et en partie au-delà des électrodes 6,7. La zone usinée 12 s’étend transversalement sur une largeur W2 supérieure à la distance D entre les deux électrodes 6, 7 et inférieure ou égale à la largeur totale T des électrodes 6, 7. Les zones usinées 10, 11, 12 peuvent être usinées en une seule fois, par la même technique d’usinage, ou être fabriquées séquentiellement en mettant en œuvre différentes techniques d’usinage précitées. Par exemple la zone usinée 11 peut être façonnée après le dépôt des électrodes, dans la cas où des dérives temporelles ou en fréquence subsistent, pour limiter encore ces dérives. La montre une vue en coupe transverse d’un dispositif électro-optique 50 tel que par exemple illustré sur l’une des figures 10 à 13. De façon avantageuse, la zone usinée 10, 11 et/ou 12 est façonnée avant le dépôt des électrodes 6, 7. La zone usinée 10, 11 et/ou 12 est dans cet exemple usinée sur une largeur W supérieure à la largeur totale T des électrodes, et de préférence sur toute la largeur du substrat 1. Par exemple, la ou les zones usinées sont ici formées en enlevant une couche d’épaisseur P sur toute la largeur du substrat après l’étape de recuit thermique et avant l’étape de dépôt des électrodes. Dans la coupe transverse, on observe que l’usinage de la surface a supprimé une couche d’épaisseur P du guide d’onde optique 5, où se trouvait le résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique. Ici aussi, en dessous de la zone usinée entre les électrodes 6,7, la zone de diffusion 5 a une profondeur égale à P4-P. La montre une vue en coupe transverse d’un exemple de dispositif électro-optique 50 tel qu’illustré sur l’une des figures 10 à 13. Ici, la zone usinée 10, 11 et/ou 12 est façonnée avant ou après le dépôt des électrodes 6, 7. La zone usinée 10, 11 et/ou 12 est dans cet exemple façonnée sur une largeur W inférieure ou égale à la distance D entre les électrodes. En option, on usine aussi des zones latérales en dehors des électrodes, entre la largeur totale T et la largeur du substrat. Par exemple, la ou les zones usinées sont ici formées en enlevant une bande centrale d’épaisseur P sur toute la longueur ou sur une partie de la longueur des électrodes et éventuellement deux bandes latérales après l’étape de recuit thermique et avant ou après l’étape de dépôt des électrodes. Dans la coupe transverse, on observe que l’usinage de la surface a supprimé une couche d’épaisseur P du guide d’onde optique 5, où se trouvait le résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique. Après dépôt des électrodes 6, 7, le dispositif électro-optique présente un creux entre les électrodes 6, 7 dans la zone usinée 10. Dans cet exemple, les électrodes 6, 7 sont situées à une hauteur supérieure à P par rapport au guide d’onde optique. De façon optionnelle, après fabrication de la zone usinée, le procédé comporte une étape supplémentaire de dépôt d’une couche diélectrique 24, par exemple de dioxyde de silicium (SiO 2 ) ou de nitrure de silicium (SiN). La couche diélectrique 24 est disposée en surface du substrat après usinage, entre chaque électrode 6, 7 et le substrat 1. En variante, la couche diélectrique 24 s’étend non seulement sous les électrodes mais sur toute la surface du substrat. De façon alternative ou complémentaire, le procédé comporte une autre étape de dépôt d’une couche diélectrique 24, par exemple de dioxyde de silicium (SiO 2 ) ou de nitrure de silicium (SiN). Les deux électrodes 6, 7 sont déposées sur cette couche diélectrique 24. La couche diélectrique 24 permet de protéger la surface du guide d’onde optique 5. La couche diélectrique 24 permet aussi d’isoler l'onde optique circulant dans le guide d’onde optique vis à vis des électrodes métalliques. La présence d’un résidu de la couche correspondant à la couche 3 modifiée par échange protonique après recuit thermique peut être détectée et mesurée par différentes techniques de caractérisation telles que : la profilométrie optique ou par contact, la spectrométrie Raman, la spectroscopie de masse d’ions secondaires (SIMS pour « secondary-ion mass spectrometry » en anglais), la diffraction de rayons X (« X-ray rocking curves » en anglais), la microscopie électronique en transmission (TEM pour « transverse electron microscopy » en anglais), la spectroscopie à transformée de Fourier (FTIR) ou l’ellipsométrie UV. Ces techniques permettent d’évaluer la profondeur P d’usinage à effectuer. La profondeur P d’usinage est en général inférieure à 500 nm. Le contrôle de la profondeur P d’usinage peut être effectué par vérification de la profondeur usinée pendant la fabrication ou éventuellement par mesure de la conductivité de surface avant/après gravure. De plus, on contrôle le fonctionnement électro-optique du dispositif après la fabrication. On obtient ainsi un dispositif électro-optique 50 intégré comportant au moins une zone usinée 10, 11, 12 sur une faible profondeur P, la zone usinée 10, 11, 12 étant située au moins en partie entre la paire d’électrodes 6, 7. La zone usinée est adaptée pour supprimer au moins en partie un résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique dans une zone située au moins en partie entre ladite paire d’électrodes 6, 7. Dans certains modes de réalisation, la zone usinée reste vide et peut former un creux par rapport à la surface du substrat. Dans d’autres modes de réalisation, la zone usinée est au moins partiellement comblée par une couche diélectrique par exemple. Enfin, dans d’autres modes de réalisation, la zone usinée s’étend sur toute la surface du substrat qui présente alors le même relief de surface qu’un dispositif électro-optique non usiné. Le procédé s’applique aussi à un dispositif électro-optique comprenant un guide d’onde optique formé par échange protonique sur niobate de lithium (ou tantalate de lithium ou antimoniate de lithium), suivant une coupe Z, comme illustré sur les figures 16-17. Dans ce cas, une électrode 6 est en contact avec le guide d’onde optique 5. L’autre électrode 7 est disposée à côté du guide d’onde optique 5 sur la même face que l’électrode 6 (voir ) ou sur la face opposée 9 du substrat 1 (voir ). Dans cette configuration de coupe Z, une différence de potentiel électrique appliquée entre les deux électrodes génère un champ électrique E orienté suivant l’axe Z dans le guide d’onde optique 5. Selon la présente divulgation, en configuration de coupe Z, de manière analogue avec la configuration coupe X, après l’étape de recuit thermique, on usine au moins une partie du résidu de la couche 3 dans une zone destinée à être placée en contact avec l’électrode 6, et entre la paire d’électrodes 6, 7, de façon à diminuer ou éliminer le résidu de la couche 3 dans la zone usinée. La profondeur P de la zone usinée est de l’ordre de la faible profondeur P3 de la couche 3 modifiée par échange protonique. En pratique, la profondeur P peut être inférieure, égale ou légèrement supérieure à la faible profondeur P3. Par exemple, la profondeur P de la zone usinée est telle que : 0,02*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3, et de préférence 0,50*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3 et de manière encore plus préférentielle 0,90*P3 ≤ P ≤ 1,10*P3. Par exemple, pour une profondeur P3 de 500 nm, la profondeur P de la zone usinée est d’environ 500 nm±50 nm. L’étape d’usinage est effectuée sur une faible profondeur P pour conserver la majeure partie de la zone de diffusion 4. Dans la configuration de coupe Z, l’étape d’usinage est nécessairement effectuée avant l’étape de dépôt de l’électrode 6. L’étape d’usinage peut être réalisée sur toute la surface 2 du substrat, après l’étape de recuit thermique, de façon à obtenir une surface plane avant le dépôt de l’électrode 6, comme par exemple illustré sur la . En variante, comme illustré sur la figures 16, l’usinage est appliqué sur une surface limitée en largeur et/ou en longueur de la face 2 du substrat, au-dessus du guide d’onde optique 5. L’usinage partiel ou étendu sur toute la surface peut s’appliquer aussi bien que l’électrode 7 soit située sur la même face 2 que l’électrode 6 ou sur la face opposée 9. On obtient ainsi un dispositif électro-optique en configuration de coupe X ou de coupe Z, dans lequel au moins une partie du résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique est enlevée dans une zone située ou destinée à être placée entre la paire d’électrodes 6, 7. De façon non-intuitive, cet usinage superficiel et qui peut être limité localement à une petite portion du substrat entre la paire d’électrodes, permet d’obtenir une grande amélioration de la réponse du dispositif électro-optique, que ce soit en fonction du temps, de la température, de la pression (par exemple sous vide) ou à basse et très basse fréquence de modulation. Sur les figures 4 à 6, on a représenté schématiquement les effets techniques obtenus sur un dispositif électro-optique intégré obtenu par échange protonique recuit selon le procédé de la présente divulgation avec une étape d’usinage. Sur la , on a représenté schématiquement en trait tireté une courbe 17 de réponse en fonction de la fréquence d’un modulateur électro-optique de phase fabriqué par APE et usiné selon la présente divulgation. On observe que le ratio du déphasage optique ΔΦ induit sur la tension appliquée V reste constant à basse fréquence et très basse fréquence. Le ratio ± ΔΦ/V est indépendant de la fréquence de modulation f, notamment à basse fréquence et très basse fréquence. Sur la , on a représenté schématiquement en trait tireté une courbe 19 de tension demi-onde (ou signal Vπ) d’un modulateur électro-optique de phase fabriqué par APE et usiné selon la présente divulgation. On observe que le signal Vπ reste constant à basse fréquence et très basse fréquence. La courbe 19 du signal Vπ est indépendant de la fréquence de modulation f, notamment à basse fréquence et très basse fréquence. Sur la , on a représenté à droite une courbe 22 du déphasage optique ΔΦ induit dans l’onde optique se propageant dans le guide d’onde optique 5 en fonction du temps c’est-à-dire en fonction des valeurs de tension appliquée V suivant la courbe 20. Sur la courbe 22 du déphasage optique induit, on observe des marches instantanées lorsque la tension augmente ou lorsque la tension diminue. On obtient ainsi la valeur du déphasage optique souhaitée instantanément à chaque changement de valeur de tension appliquée aux électrodes 6, 7. Une interprétation possible de ces améliorations de la réponse électro-optique du dispositif électro-optique avec zone usinée selon la présente divulgation est la suivante. La conductivité électrique de la structure cristalline dégradée à l’emplacement de la couche 3 modifiée par échange protonique peut varier en fonction de la température ou sous vide chaud par exemple. Comme illustré sur la , le mode fondamental 15 de l’onde guidée par le guide d’onde optique 5 s’étend jusqu’à la surface du substrat et recouvre en partie l’emplacement où se situe le résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique. Lorsqu’une tension est appliquée entre les électrodes 6, 7 les lignes 14 de champ électrique traversent les différentes zones qui ont des conductivités électriques différentes : le substrat 1, la zone de diffusion 4 et la zone où se situe un résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique. Les propriétés physiques de ces zones sont différentes. En particulier, leur conductivité varie différemment en fonction des conditions environnementales, notamment la température et la pression. L’augmentation de la conductivité du résidu de la couche 3 modifiée par échange protonique est différente de celle du guide d’onde optique 5 et du substrat. Cette différence de variation de conductivité modifie le recouvrement électro-optique et ainsi la réponse en fonction de la fréquence de modulation appliquée aux électrodes. L’usinage du résidu sur une zone déterminée et peu profonde du substrat 1 entre les électrodes 6, 7 permet de supprimer au moins partiellement le résidu de la couche 3. Cet usinage superficiel, sur une profondeur P dans les proportions indiquées en détail ci-dessus, ne perturbe pas le guidage de l’onde monomode dans le guide d’onde optique 5. Le dispositif électro-optique ainsi obtenu trouve avantageusement des applications dans un modulateur électro-optique de phase, un modulateur optique d’intensité et/ou un interféromètre de Mach-Zehnder. Le dispositif électro-optique ainsi obtenu trouve aussi des applications dans un coupleur directionnel actif à ondes évanescentes, comme par exemple un coupleur actif 2x2 sur substrat de niobate de lithium comprenant des électrodes disposées dans la zone de couplage par ondes évanescentes. Procédé de fabrication d’un dispositif électro-optique (50) comprenant les étapes suivantes : fabrication d’un guide d’onde optique (5) dans un substrat (1) électro-optique par échange protonique recuit comprenant les étapes de : a) exposition d’une zone d’une surface (2) du substrat (1) à une source de protons de façon à créer dans le substrat une couche (3) modifiée par échange protonique, ladite couche (3) s’étendant sur ladite zone depuis la surface (2) du substrat jusqu’à une faible profondeur (P3) dans le substrat, et b) recuit thermique du substrat de façon à diffuser des ions hydrogène de ladite couche (3) dans une zone de diffusion (4) s’étendant dans le substrat autour de ladite couche (3) jusqu’à une grande profondeur (P4) de façon à créer un guide d’onde optique (5) dans la zone de diffusion (4) ; dépôt d’une paire d’électrodes (6, 7), le guide d’onde optique (5) s’étendant longitudinalement entre ladite paire d’électrodes (6, 7) ; caractérisé en ce que le procédé comporte, après l’étape de recuit thermique, une étape d’usinage d’un résidu de ladite couche (3) pour former une zone usinée (10, 11, 12) située au moins en partie entre ladite paire d’électrodes (6, 7). Procédé selon la revendication 1 dans lequel la zone usinée (10, 11, 12) s’étend dans le substrat (1) jusqu’à une profondeur supérieure ou égale à la faible profondeur (P3). Procédé selon la revendication 1 ou 2 dans lequel la zone usinée (10, 12) s’étend sur au moins une partie d’une surface de dépôt de ladite paire d’électrodes. Procédé selon l’une des revendications 1 à 3 dans lequel la zone usinée (10, 11, 12) s’étend sur toute une largeur du substrat (1) prise transversalement à une direction longitudinale du guide d’onde optique (5). Procédé selon la revendication 1 ou 2 dans lequel la zone usinée (10) est limitée à une zone du guide d’onde (5) entre ladite paire d’électrodes (6, 7). Procédé selon l’une des revendications 1 à 5 dans lequel l’étape d’usinage est adaptée pour former plusieurs zones usinées (10, 11, 12) disposées en série suivant une direction longitudinale du guide d’onde optique (5), lesdites plusieurs zones usinées (10, 11, 12) étant situées au moins en partie entre ladite paire d’électrodes (6, 7). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4 dans lequel la zone usinée (10) s’étend sur toute la surface du substrat. Procédé selon l’une des revendications 1 à 7 dans lequel l’étape d’usinage est effectuée par gravure humide, gravure par plasma, par laser, par rodage ou polissage mécanique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8 comprenant une étape de dépôt d’une couche diélectrique (24), la couche diélectrique (24) étant disposée sur la zone usinée (10) en surface du substrat (1) et/ou entre le substrat et au moins une électrode de la paire d’électrodes (6, 7). Dispositif électro-optique (50) obtenu selon le procédé de l’une des revendications 1 à 9. Dispositif électro-optique selon la revendication 10, utilisé dans un modulateur électro-optique de phase, un modulateur optique d’intensité, un interféromètre de Mach-Zehnder et/ou un coupleur directionnel actif à ondes évanescentes.