FR 3152671 A1 20250307 FR 2308975 A 20230828 Circuit de protection contre les décharges électrostatiques La présente description concerne un circuit de protection contre les décharges électrostatiques (210) d'un premier transistor (101) comprenant : - N diodes (D210-1, …, D210-N) en série entre des bornes de conduction dudit premier transistor ; - un deuxième transistor (T213) en série avec un troisième transistor (T211) entre les bornes de conduction dudit premier transistor, et une borne de commande dudit troisième transistor (T211) étant reliée à une anode desdites N diodes (D210-1, …, D210-N) ; - un premier inverseur (INV210) reliant les bornes de commande desdits premier et deuxième transistors ; - un quatrième transistor (T212) en parallèle avec ledit premier transistor, une borne de commande dudit quatrième transistor étant relié au point milieu entre lesdits deuxième et troisième transistors ; et - un condensateur (C211) disposé entre la borne de commande dudit quatrième transistor (T212), et une borne de conduction dudit premier transistor (101). Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Circuit de protection contre les décharges électrostatiques La présente description concerne de façon générale les circuits et dispositifs électroniques, et leur protection contre les décharges électrostatiques. La présente description concerne plus particulièrement un circuit de protection contre les décharges électrostatiques. La protection des circuits électroniques contre les décharges électrostatiques est un enjeu important pour assurer la fiabilité et la longévité des circuits électroniques, et en particulier des circuits intégrés. Un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques est un dispositif que l'on dispose entre deux noeuds d'un circuit à protéger contre des décharges électrostatiques. Sur le circuit physique, ces deux noeuds sont généralement matérialisés par des plots de connexion. Ces deux noeuds peuvent être, par exemple, les noeuds d'entrée et de sortie d'un dispositif électronique, ou des noeuds d'alimentation d'un dispositif électronique. Il serait souhaitable de pouvoir améliorer, au moins en partie, certains aspects des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques connus. Il existe un besoin pour des circuits de protection contre les décharges électrostatiques plus performants. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des circuits connus de protection contre les décharges électrostatiques. Un mode de réalisation prévoit un circuit de protection contre les décharges électrostatiques d'un premier transistor d'un premier type comprenant : - N diodes en série entre une première et une deuxième bornes de conduction dudit premier transistor, N étant un entier, la tension de déclenchement des N diodes étant supérieure, quelle que soit la température, à une tension d'alimentation ; - un deuxième transistor du premier type en série avec un troisième transistor d'un deuxième type différent du premier type entre les première et deuxième bornes de conduction dudit premier transistor, et une borne de commande dudit troisième transistor étant reliée à une anode desdites N diodes ; - un premier inverseur reliant une borne de commande dudit premier transistor à une borne de commande dudit deuxième transistor ; - un quatrième transistor en parallèle avec ledit premier transistor, une borne de commande dudit quatrième transistor étant relié au point milieu entre lesdits deuxième et troisième transistors ; et - un premier condensateur disposé entre la borne de commande dudit quatrième transistor, et la première borne de conduction dudit premier transistor. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, une première résistance reliant ladite anode desdites N diodes et la première borne de conduction dudit premier transistor. Selon un mode de réalisation, N est compris entre dix et vingt. Selon un mode de réalisation, N est égal à quatorze. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend en outre, une deuxième résistance reliant ladite borne de commande dudit quatrième transistor à ladite deuxième borne de conduction dudit premier transistor. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, un cinquième transistor reliant ladite deuxième résistance à ladite deuxième borne de conduction dudit premier transistor. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, un deuxième condensateur disposé en série avec le premier condensateur. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, une première diode disposée entre noeud milieu desdits premier et deuxième condensateurs, et ladite deuxième borne de conduction dudit premier transistor. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, une deuxième diode disposée en parallèle de ladite deuxième résistance. Selon un mode de réalisation, ladite première borne de conduction dudit premier transistor est adapté à recevoir une tension de référence. Selon un mode de réalisation, la tension de référence est la masse. Selon un mode de réalisation, lesdits premier, deuxième, troisième, quatrième transistors sont des transistors de même technologie. Selon un mode de réalisation, le cinquième transistor est de même technologie que lesdits premier, deuxième, troisième, quatrième transistors. Circuit selon la revendication 12 ou 13, dans lequel lesdits premier, deuxième, troisième, quatrième transistors sont des transistors MOS à dérive. Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant ledit premier transistor et un circuit de protection contre les décharges électrostatiques décrit précédemment. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 représente, schématiquement et partiellement sous forme de blocs, une partie d'un dispositif électronique ; la FIG. 2 représente un schéma électrique d'un premier mode de réalisation d'un circuit de protection contre les décharges électrostatiques ; la FIG. 3 représente un schéma électrique d'un deuxième mode de réalisation d'un circuit de protection contre les décharges électrostatiques ; la FIG. 4 représente un schéma électrique d'un troisième mode de réalisation d'un circuit de protection contre les décharges électrostatiques ; la FIG. 5 représente un schéma électrique d'un quatrième mode de réalisation d'un circuit de protection contre les décharges électrostatiques ; et la FIG. 6 représente un schéma électrique d'un cinquième mode de réalisation d'un circuit de protection contre les décharges électrostatiques. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La FIG. 1 représente, schématique et partiellement sous forme de blocs, une partie d'un dispositif électronique équipé 100 d'un mode de réalisation d'un circuit 110 de protection contre les décharges électrostatiques. Le dispositif électronique 100 comprend un transistor 101 à protéger. Le transistor 101 peut être de différentes technologies décrites ci-après. Le transistor 101 comprend une première borne de conduction reliée, de préférence connectée, à un noeud de sortie OUT100 du dispositif 100, et une deuxième borne de conduction reliée, de préférence connectée, à un noeud de référence GND100 adaptée à recevoir une tension de référence, par exemple la masse. Le transistor 101 comprend, en outre, une borne de commande. Le transistor 101 est, de plus, caractérisé par sa tension de claquage entre ses bornes de conduction BVDSS101, c’est-à-dire la tension limite que le transistor 101 accepte entre ses bornes de conduction. Selon un premier exemple, le transistor 101 peut être un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), ou transistor MOSFET, ou transistor MOS. De plus, le transistor 101 est un transistor MOS à canal N, ou transistor MOS de type N, ou transistor NMOS. Dans ce cas, la borne de drain du transistor 101 est reliée, de préférence connectée, au noeud OUT100, et la borne de source du transistor 101 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. Selon un deuxième exemple, le transistor 101 peut être un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde à dérive (drift metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), ou un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde à extension de drain, ou transistor MOSFET à dérive, ou transistor MOSFET à extension de drain, ou transistor Drift MOSFET, ou transistor MOS à dérive, ou transistor MOS drift. De plus, le transistor 101 est un transistor MOS à dérive à canal N, ou transistor MOS drift de type N, ou transistor NMOS drift. Un transistor NMOS drift est un transistor NMOS dont la région de drain dopée de type N n'est pas en contact direct avec la région de formation de canal, mais est en contact par l'intermédiaire d'une région de dérive de drain, ou région étendue de drain, dopée de type N plus faiblement, avec la région de formation de canal. Un transistor NMOS drift présente une tension de claquage entre ses bornes de conduction plus grande qu'un transistor NMOS classique de dimensions similaires. Selon un exemple particulier, le transistor 101 comprend une tension BVDSS de l'ordre de 20 V, par exemple égale à 17 V. Dans ce cas, la borne de drain du transistor 101 est reliée, de préférence connectée, au noeud OUT100, et la borne de source du transistor 101 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. En FIG. 1 , le transistor 101 est représenté par le symbole électrique d'un transistor NMOS drift. Il est à noter qu'il existe aussi des transistors MOS drift à canal P, ou transistor MOS drift de type P, ou transistor PMOS drift. Un transistor PMOS drift est un transistor PMOS dont la région de drain dopée de type P n'est pas en contact direct avec la région de formation de canal, mais est en contact par l'intermédiaire d'une région de dérive de drain, ou région étendue de drain, dopée profondément de type P, avec la région de formation de canal. Selon un troisième exemple, le transistor 101 est un transistor bipolaire de type NPN. Dans ce cas, la borne de collecteur du transistor 101 est reliée, de préférence connectée, au noeud OUT100, et la borne d'émetteur du transistor 101 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. Selon un exemple, le dispositif électronique 100 comprend, en outre, un circuit inverseur 102. Une borne d'entrée du circuit inverseur 102 est reliée, de préférence connectée, à un noeud d'entrée IN100 du dispositif 100, et une borne de sortie du circuit 102 est reliée, de préférence connectée, à la borne de commande du transistor 101. Le circuit inverseur 102 est adapté à être alimenté par une tension d'alimentation VDD101, et à être relié au noeud de référence GND100. Selon un exemple préféré, la tension d'alimentation VDD101 est la tension d'alimentation générale du dispositif 100. Selon un exemple, le dispositif électronique 100 comprend, en outre, une résistance 103 de rappel (pull-up resistance) dont une borne de conduction est reliée, de préférence connectée, au noeud de sortie OUT100. Une deuxième borne de conduction de la résistance 103 est adaptée à être alimenté par une tension d'alimentation VDD102 qui peut être différente de la tension d'alimentation VDD101. Selon un exemple, la tension d'alimentation VDD102 peut être supérieure à la tension d'alimentation VDD101. Selon un exemple, la tension d'alimentation VDD102 est une tension d'alimentation auxiliaire du dispositif 100. Comme dit précédemment, et selon un mode de réalisation, le dispositif électronique 100 comprend, en outre, un circuit 110 de protection contre les décharges électrostatiques. Le circuit 110 est monté de façon à absorber une décharge électrostatique survenant entre les noeuds OUT100 et GND100. Plus particulièrement, le circuit 100 est adapté à protéger le transistor 101 quelles que soient les variations de fabrication, de tension, et de température, et en particulier quelles que soient les conditions de température. Plusieurs modes de réalisation du circuit 110 sont décrits en détails en relation avec les figures 2 à 6. La FIG. 2 représente, schématique et partiellement sous forme de blocs, une partie d'un dispositif électronique équipé 200 d'un mode de réalisation d'un circuit 210 de protection contre les décharges électrostatiques du type du circuit 110 décrit en relation avec la FIG. 1 . La partie du dispositif 200 décrite en relation avec la FIG. 2 est similaire à la partie du dispositif 100 décrite en relation avec la FIG. 1 . Les éléments communs aux dispositifs 100 et 200 ne sont décrits en détail de nouveau ici, et seules les différences entre les dispositifs 100 et 200 sont mises en exergue. Ainsi, le dispositif 200 comprend le transistor 101, l'inverseur 102, la résistance 103 (non représentée en FIG. 2 ), et les noeuds IN100, OUT100, et GND100. Le dispositif 200 se différencie du dispositif 100 en ce qu'il comprend un circuit de protection 210 contre les décharges électrostatiques à la place du circuit 110. Le circuit 210 comprend deux transistors T211 et T212 de même technologie que le transistor 101. Selon l'exemple représenté en FIG. 2 , les transistors T211 et T212 sont des transistors MOS drift comme le transistor 101. De plus, le transistor T212 est du même type que le transistor 101, c'est-à-dire de type N, et le transistor T211 est du type opposé au transistor 101, c'est-à-dire de type P. Le transistor T211 comprend une borne de source reliée, de préférence connectée au noeud de sortie OUT100, et une borne de drain reliée, de préférence connectée, à un noeud A210. Le transistor T211 comprend une borne de grille reliée, de préférence connectée, à un noeud B210. Le transistor T212 comprend une borne de source reliée, de préférence connectée au noeud de référence GND100, et une borne de drain reliée, de préférence connectée, au noeud de sortie OUT100. Le transistor T212 comprend une borne de grille reliée, de préférence connectée, au noeud A210. Selon un mode de réalisation, le transistor T211 est un transistor de déclenchement du circuit 210, et le transistor T212 est un transistor de puissance adapté à diriger une décharge électrostatique vers le noeud de référence GND100. Pour cela, les transistors T211 et T212 ont, respectivement, des tensions de claquage entre leurs bornes de conduction BVDSS211 et BVDSS212 chacune égale à la tension de claque BVDSS211 du transistor 101. Le circuit 210 comprend, en outre, une résistance R211 disposée entre le noeud de sortie OUT100 et le noeud B210. La résistance est dimensionnée pour adapter la valeur de la tension d'une décharge électrostatique au niveau de tension acceptable par la grille du transistor T211. Autrement dit, la valeur de la résistance est adaptée à rendre le transistor T211 passant uniquement pendant l'apparition d'une décharge électrostatique. Le circuit 210 comprend, en outre, N diodes D210-1 à D210-N, N étant un entier, disposées en série entre le noeud B210 et le noeud de référence GND100. On dit ici que deux diodes sont disposées en série, si l'anode d'une première diode est reliée à la cathode d'une deuxième diode. Dans le cas du circuit 210, la cathode de la diode D210-1 est reliée, de préférence connectée, au noeud B210, et l'anode de la diode D210-N est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. Selon un mode de réalisation, l'entier N est compris entre 10 et 30, par exemple entre 10 et 20, de préférence égal à 14. En pratique, les diodes D210-1 à D210-N peuvent être des transistors montés en diode. Les diodes D210-1 à D210-N sont utilisées, avec la résistance R211, comme mode de déclenchement statique du circuit 210. Selon un mode de réalisation, la somme des tensions de seuil, appelée tension de déclenchement, des diodes D210-1 à D210-N est inférieure aux tensions d'avalanche des transistors T211 et T212, et est supérieure à la tension d'alimentation VDD100. Le circuit 210 comprend, en outre, un condensateur C211, un transistor T213 et un circuit inverseur INV211. Une première borne de conduction du condensateur C211 est reliée, de préférence connectée, au noeud de sortie OUT100, et une deuxième borne de conduction du condensateur C211 est reliée, de préférence connectée, au noeud A210. Le transistor T213 est de la même technologie et du même type du transistor 101. Autrement dit, en FIG. 2 , le transistor T213 est un transistor NMOS drift. La borne de drain du transistor T213 est reliée, de préférence connectée, au noeud A210, et la borne de source du transistor T213 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. Une borne d'entrée du circuit inverseur INV211 est reliée, de préférence connectée, à la borne de sortie du circuit inverseur 102, et une borne de sortie du circuit INV211 est reliée, de préférence connectée, à la borne de commande du transistor T213. Le circuit inverseur INV211 est adapté à recevoir la tension d'alimentation VDD101, et à être relié au noeud de référence GND100. Dit autrement, le transistor T213 est reliée en série avec le transistor T211 entre les noeuds OUT100 et GND100. On dit ici que deux transistors sont reliés en série entre deux noeuds, si une première borne de conduction d'un transistor est reliée, de préférence connectée à une première borne de conduction de l'autre transistor. Le condensateur C211 est utilisé pour améliorer la rapidité de déclenchement du transistor T212 au moment de l'apparition d'une décharge électrostatique, et permettant de mettre en oeuvre un couplage capacitif au niveau de la borne de commande du transistor T212.. Le transistor T213 et l'inverseur INV211 permettent d'empêcher le déclenchement du transistor T212 lorsque le transistor 101 est déclenché volontairement, c'est-à-dire lors de l'apparition d'un front montant sur la tension entre les noeuds OUT100 et GND100, c'est-à-dire sur la tension de sortie du transistor 101, qui n'est pas une décharge électrostatique. Un avantage du circuit 210 est qu'il permet de fournir une protection contre les décharges électrostatiques rapide d'exécution, et une protection adaptée à des tensions allant jusqu'à 17 V. La FIG. 3 représente, schématiquement et partiellement sous forme de blocs, une partie d'un dispositif électronique équipé 300 d'un mode de réalisation d'un circuit 310 de protection contre les décharges électrostatiques du type du circuit 110 décrit en relation avec la FIG. 1 . La partie du dispositif 300 décrite en relation avec la FIG. 3 est similaire aux parties des dispositifs 100 et 200 décrites en relation avec les figures 1 et 2. Ainsi, le dispositif 300 comprend le transistor 101, l'inverseur 102, la résistance 103 (non représentée en FIG. 3 ), et les noeuds IN100, OUT100, et GND100. La différence entre les dispositifs 100 et 200, et le dispositif 300 est que le dispositif 300 comprend un circuit 310 de protection contre les décharges électrostatiques à la place des circuits 110 et 210. Le circuit 310 est similaire au circuit 210 décrit en relation avec la FIG. 2 . Les éléments communs aux circuits 210 et 310 ne sont pas décrits en détails de nouveau ici. Seules les différences entre les circuits 210 et 310 sont mises en exergue. Ainsi, le circuit 310 comprend : - les transistors T211 et T212 ; - les diodes D210-1 à D210-N ; - la résistance R211 ; - le transistor T213 ; et - le circuit inverseur INV201. La différence entre le circuit 310 et le circuit 210 est que le condensateur C211 du circuit 210 est remplacé par deux condensateurs C311 et C312 disposés en série entre les noeud OUT100 et A210. Selon un exemple, les condensateurs C311 et C312 ont chacun une capacité de l'ordre de 16 pF, ce qui équivaut à une capacité équivalente pour les deux condensateurs C311 et C312 de l'ordre de 8 pF. Un avantage de ce mode de réalisation est qu'il permet d'améliorer la prise en charge des hautes tensions. En effet, l’utilisation d’une seule capacité peut s’avérer insuffisante par rapport à la gestion de la haute tension sur le noeud OUT100. La FIG. 4 représente, schématiquement et partiellement sous forme de blocs, une partie d'un dispositif électronique équipé 400 d'un mode de réalisation d'un circuit 410 de protection contre les décharges électrostatiques du type du circuit 110 décrit en relation avec la FIG. 1 . La partie du dispositif 400 décrite en relation avec la FIG. 4 est similaire aux parties des dispositifs 100, 200 et 300 décrites en relation avec les figures 1 à 3. Ainsi, le dispositif 400 comprend le transistor 101, l'inverseur 102, la résistance 103 (non représentée en FIG. 4 ), et les noeuds IN100, OUT100, et GND100. La différence entre les dispositifs 100, 200, 300 et le dispositif 400 est que le dispositif 500 comprend un circuit 410 de protection contre les décharges électrostatiques à la place des circuits 110, 210, 310. Le circuit 410 est similaire au circuit 210 décrit en relation avec la FIG. 2 . Les éléments communs aux circuits 210 et 410 ne sont pas décrits en détails de nouveau ici. Seules les différences entre les circuits 210 et 410 sont mises en exergue. Ainsi, le circuit 410 comprend : - les transistors T211 et T212 ; - les diodes D210-1 à D210-N ; - la résistance R211 ; - le condensateur C211 ; - le transistor T213 ; et - le circuit inverseur INV201. La différence entre le circuit 410 et le circuit 210 est que le circuit 410 comprend, en outre, une résistance R412. Selon un mode de réalisation, une première borne de conduction de la résistance R412 est reliée, de préférence connectée, au noeud A210, et une deuxième borne de conduction de la résistance R412 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. Selon un exemple, la résistance R412 a une résistivité comprise entre 1 et 100 kOhm, par exemple de l'ordre de 49 kOhm. Un avantage de ce mode de réalisation est que l'ajout de la résistance R412 forme un circuit de déclenchement de type RC (Résistance-Condensateur) avec le condensateur C211 du transistor T212. La FIG. 5 représente, schématiquement et partiellement sous forme de blocs, une partie d'un dispositif électronique équipé 500 d'un mode de réalisation d'un circuit 510 de protection contre les décharges électrostatiques du type du circuit 110 décrit en relation avec la FIG. 1 . La partie du dispositif 500 décrite en relation avec la FIG. 5 est similaire aux parties des dispositifs 100, 200, 300 et 400 décrites en relation avec les figures 1 à 4. Ainsi, le dispositif 500 comprend le transistor 101, l'inverseur 102, la résistance 103 (non représentée en FIG. 5 ), et les noeuds IN100, OUT100, et GND100. La différence entre les dispositifs 100, 200, 300, 400 et le dispositif 500 est que le dispositif 500 comprend un circuit 510 de protection contre les décharges électrostatiques à la place des circuits 110, 210, 310 et 410. Le circuit 510 est similaire au circuit 410 décrit en relation avec la FIG. 4 . Les éléments communs aux circuits 510 et 410 ne sont pas décrits en détails de nouveau ici. Seules les différences entre les circuits 410 et 510 sont mises en exergue. Ainsi, le circuit 510 comprend : - les transistors T211 et T212 ; - les diodes D210-1 à D210-N ; - la résistance R211 ; - le condensateur C211 ; - la résistance R412 ; - le transistor T213 ; et - le circuit inverseur INV201. La différence entre le circuit 510 et le circuit 410 est que le circuit 510 comprend, en outre, un transistor T511 permettant d'activer ou de désactiver l'effet de la résistance R412. Le transistor T511 est de la même technologie et du même type que le transistor 101. En FIG. 5 , le transistor T511 est donc un transistor NMOS drift. Le transistor T511 est reliée en série avec la résistance R412 entre les noeuds A210 et GND100. Pour cela, une borne de drain du transistor T511 est reliée, de préférence connectée, à la deuxième borne de conduction de la résistance R12, et une borne de source du transistor T511 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. La borne de commande du transistor T511, c'est-à-dire la borne de grille du transistor T511, est reliée, de préférence connectée, à la sortie du circuit inverseur 102. Un avantage de ce mode de réalisation est que le transistor T511 permet de ne pas activer la résistance R412 lors de l'apparition d'un front montant voulu en sortie du transistor 101 à protéger. Autrement dit, le transistor T511 permet d'éviter de mettre en oeuvre le circuit510 quand le transistor 101 présente un front montant voulu en sortie. La FIG. 6 représente, schématiquement et partiellement sous forme de blocs, une partie d'un dispositif électronique équipé 600 d'un mode de réalisation d'un circuit 610 de protection contre les décharges électrostatiques du type du circuit 110 décrit en relation avec la FIG. 1 . La partie du dispositif 600 décrite en relation avec la FIG. 6 est similaire aux parties des dispositifs 100, 200, 300, 400 et 500 décrites en relation avec les figures 1 à 5. Ainsi, le dispositif 600 comprend le transistor 101, l'inverseur 102, la résistance 103 (non représentée en FIG. 6 ), et les noeuds IN100, OUT100, et GND100. La différence entre les dispositifs 100, 200, 300, 400, 500, et le dispositif 600 est que le dispositif 600 comprend un circuit 610 de protection contre les décharges électrostatiques à la place des circuits 110, 210, 310, 410 et 510. Le circuit 610 est similaire au circuit 310 décrit en relation avec la FIG. 3 et au circuit 410 décrit en relation avec la FIG. 4 . Les éléments communs aux circuits 310, 410 et 610 ne sont pas décrits en détails de nouveau ici. Seules les différences entre les circuits 310, 410 et 610 sont mises en exergue. Plus particulièrement, le circuit 610 est une combinaison des circuits 310 et 410. Ainsi, le circuit 510 comprend : - les transistors T211 et T212 ; - les diodes D210-1 à D210-N ; - la résistance R211 ; - les condensateurs C311 et C312 ; - la résistance R412 ; - le transistor T213 ; et - le circuit inverseur INV201. Selon un mode de réalisation, le circuit 610 pourrait comprendre, en outre, le transistor T511 décrit en relation avec la FIG. 5 . Le circuit 610 comprend, en outre, deux diodes D611 et D612. Une borne de cathode de la diode D611 est reliée, de préférence connectée, au noeud A210, et une borne d'anode de la diode D611 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. Une borne de cathode de la diode D612 est reliée, de préférence connectée, au noeud milieu entre les condensateurs C311 et C312, et une borne d'anode de la diode D612 est reliée, de préférence connectée, au noeud de référence GND100. Un avantage de ce mode de réalisation est que les diodes D611 et D612 est qu'elle permet de réduire, et parfois d'éviter, l'apparition d'un effet d'antenne lors de la fabrication du circuit 610. Un effet d'antenne est un effet d'accumulation de charges dans la grille du transistor de puissance T212 pendant la réalisation de certaines opérations de gravure, en particulier des gravures plasma. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Circuit de protection contre les décharges électrostatiques (110 ; 210 ; 310 ; 410 ; 510 ; 610) d'un premier transistor (101) d'un premier type comprenant : - N diodes (D210-1, …, D210-N) en série entre une première et une deuxième bornes de conduction dudit premier transistor (101), N étant un entier, la tension de déclenchement des N diodes (D210-1, …, D210-N) étant supérieure, quelle que soit la température, à une tension d'alimentation (VDD100) ; - un deuxième transistor (T213) du premier type en série avec un troisième transistor (T211) d'un deuxième type différent du premier type entre les première et deuxième bornes de conduction dudit premier transistor (101), et une borne de commande dudit troisième transistor (T211) étant reliée à une anode desdites N diodes (D210-1, …, D210-N) ; - un premier inverseur (INV210) reliant une borne de commande dudit premier transistor (101) à une borne de commande dudit deuxième transistor (T213) ; - un quatrième transistor (T212) en parallèle avec ledit premier transistor (101), une borne de commande dudit quatrième transistor (T212) étant relié au point milieu entre lesdits deuxième et troisième transistors (T213, T211) ; et - un premier condensateur (C211 ; C311) disposé entre la borne de commande dudit quatrième transistor (T212), et la première borne de conduction dudit premier transistor (101). Circuit selon la revendication 1, comprenant, en outre, une première résistance (R211) reliant ladite anode desdites N diodes (D210-1, …, D210-N) et la première borne de conduction dudit premier transistor (101). Circuit selon la revendication 1 ou 2, dans lequel N est compris entre dix et vingt. Circuit selon la revendication 3, dans lequel N est égal à quatorze. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant, en outre, une deuxième résistance (R412) reliant ladite borne de commande dudit quatrième transistor (T212) à ladite deuxième borne de conduction dudit premier transistor (101). Circuit selon la revendication 5, comprenant, en outre, un cinquième transistor (T511) reliant ladite deuxième résistance (R412) à ladite deuxième borne de conduction dudit premier transistor (101). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, en outre, un deuxième condensateur (C312) disposé en série avec le premier condensateur (C311). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprend, en outre, une première diode (D612) disposée entre noeud milieu desdits premier et deuxième condensateurs (C311, C312), et ladite deuxième borne de conduction dudit premier transistor (101). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant, en outre, une deuxième diode (D611) disposée en parallèle de ladite deuxième résistance (R412). Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel ladite première borne de conduction dudit premier transistor (101) est adapté à recevoir une tension de référence. Circuit selon la revendication 10, dans lequel la tension de référence est la masse. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel lesdits premier, deuxième, troisième, quatrième transistors (101, T211, T212, T213) sont des transistors de même technologie. Circuit selon la revendication 12 dans son rattachements à la revendication 6, dans lequel le cinquième transistor (T511) est de même technologie que lesdits premier, deuxième, troisième, quatrième transistors (101, T211, T212, T213). Circuit selon la revendication 12 ou 13, dans lequel lesdits premier, deuxième, troisième, quatrième transistors (101, T211, T212, T213) sont des transistors MOS à dérive. Dispositif électronique (100 ; 200 ; 300 ; 400 ; 500 ; 600) comprenant ledit premier transistor (101) et un circuit de protection contre les décharges électrostatiques (110 ; 210 ; 310 ; 410 ; 510 ; 610) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.