FR 3151712 A1 20250131 FR 2308151 A 20230727 Un composant micro-onde (40), ledit composant comportant : - au moins un guide d’onde (42) comprenant une zone de propagation (48) d’une onde électromagnétiques, ladite zone de propagation s’étendant le long d’un axe de propagation; - un substrat de support (44) en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique dudit composant; - ledit substrat de support comprenant une première couche réalisée en matériau diélectrique présentant une première surface électriquement conductrice supérieure (44.1) et une première surface électriquement conductrice inférieure (44.2) recouvrant respectivement une face supérieure et une face inférieure dudit substrat de support ; - au moins une zone d’absorption (47) s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant dudit guide d’onde dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes, ladite zone d’absorption étant délimitée par la première surface électriquement conductrice supérieure (44.1), la première surface électriquement conductrice inférieure (44.2) et deux frontières latérales (46) espacées propres à empêcher le passage d’une onde électromagnétique ; - un élément d’alimentation (49.1, 49.2) positionné à l’entrée de ladite zone d’absorption (47) et configuré pour prélever au moins une partie de l’onde électromagnétique provenant de ladite zone de propagation (48) dudit au moins un guide d’onde et pour l’injecter dans ladite zone d’absorption (47). Figure de l’abrégé : Figure 5 Composant micro-onde avec au moins une charge intégrée au substrat de support La présente invention concerne le domaine des composants micro-ondes à base de lignes de transmission micro-ondes, et notamment celui des composants micro-ondes à base de lignes de transmission intégrées au substrat ou guide d’onde intégré au substrat. Dans les systèmes micro-ondes et millimétriques, il est connu d’utiliser des guides d’ondes métalliques rectangulaires 3D (en anglais, RWG, pour rectangular waveguide) pour réaliser des composants micro-ondes à haute performance. Cependant, le RWG est volumineux, coûteux et difficile à intégrer dans des structures planaires. Afin de réduire les coûts de fabrication et permettre la production en série, des composants micro-ondes sont réalisés en utilisant une technologie planaire. La présente un exemple de réalisation d’une ligne de transmission formée par un microruban 5 séparé d’une couche conductrice 3 par une couche diélectrique 2. La zone de propagation 8 est située sous le microruban. L’ensemble peut être supporté par un substrat de support 4. La présente un autre exemple de réalisation de ligne de transmission coplanaire 10 formée par une piste conductrice 11 bordée de chaque côté par une ligne de retour 12, 13. La zone de propagation 18 est située sous la piste centrale 11, dans une couche diélectrique 15 prise en sandwich entre les pistes et une couche conductrice 16. Des vias 16, 17 s’étendent entre les couches conductrices à travers la couche diélectrique 15 pour définir le motif de la zone de propagation. L’ensemble est supporté par un substrat de support 14. Cependant ces composants micro-ondes génèrent des pertes et des fuites d’énergies par rayonnement à haute fréquence. Afin d’améliorer la performance des composants micro-ondes tout en proposant des composants micro-ondes à faible coût, hautement intégrés, compacts et pouvant être produits en masse, des composants micro-ondes basés sur une technologie des guides d’ondes intégrés au substrat (en anglais, SIW pour Substrate integrated waveguide) ont été proposés. La présente une illustration d’un exemple de la structure d’un guide d’onde SIW 20 configuré pour guider une onde électromagnétique le long d’un axe de propagation X-X. Il comporte une couche centrale 21 réalisée dans un matériau diélectrique et de faible épaisseur, une couche conductrice électriquement supérieure 22 et une couche conductrice électriquement inférieure 23 recouvrant les deux faces opposées de la couche centrale diélectrique 21. Les trois couches s’étendent dans un plan XY, défini par l’axe de propagation X-X et par un axe transverse Y-Y orthogonal à l’axe de propagation X-X. La couche conductrice supérieure 22 et la couche conductrice inférieure 23 sont disposées à distance l’une de l’autre, de part et d’autre de la couche diélectrique 21, au contact de la couche diélectrique. Ainsi, les trois couches sont empilées selon un axe Z. Les couches conductrices sont réalisées par exemple en cuivre. La couche diélectrique est réalisée par exemple dans une résine époxy. La couche diélectrique 21 comporte également une pluralité de trous métallisés, chaque trou formant un via 26, 27 entre les première et seconde couches conductrices. La pluralité de vias forme ainsi deux rangées distinctes, à distance de l’une de l’autre. Ainsi, le composant comporte une zone de propagation 28 dans la couche diélectrique 21, délimité, selon l’épaisseur, entre les couches supérieure et inférieure conductrices 22, 23 et, selon la largeur, entre la pluralité de trous métallisés. La zone de propagation 28 s’étend le long de l’axe de propagation X-X, correspondant à une zone dans laquelle sont confinées les ondes électromagnétiques. Le motif que forme la pluralité de trous métallisés définit par conséquent la fonction radiofréquence que réalise le composant micro-onde qui peut être par exemple une ligne de transmission, un filtre, un coupleur, une antenne, un diviseur de puissance ou un combineur de puissance. Le composant comprend également un substrat épais de support 24. Cette technologie bénéficie d’un faible coût de fabrication et est facilement intégrable dans un système basé sur des circuits imprimés. Les composants présentent généralement une structure très légère, tout en autorisant une forte densité d’intégration dans les systèmes. Ainsi, de tels composants SIW sont plus compacts et moins onéreux que les guides d’ondes conventionnels rectangulaires. Récemment, afin de réduire la perte diélectrique du milieu de propagation, tout en continuant à maintenir un faible coût et une intégration élevée, une technologie des guides d’onde intégrés au substrat rempli d’air ou guide d’onde creux (en anglais, AFSIW pour Air-filled Substrate Integrated Waveguide) a été proposée. L’AFSIW ou SIW creux, comme la technologie SIW, est une structure multicouche basée sur la technologie de PCB. La présente une illustration d’un exemple de la structure d’un guide d’ondes AFSIW 30. La structure d’un guide d’ondes AFSIW comporte une couche supérieure 31 en matériau diélectrique et une couche inférieure 32 en matériau diélectrique. Les deux faces de la couche supérieure diélectrique 31 sont recouvertes chacune respectivement par une couche supérieure conductrice 33 et une couche inférieure conductrice 35. Une cavité longitudinale 38 est réalisée dans la couche diélectrique inférieure 32. Les parois latérales internes 38.1, 38.3 et la paroi inférieure 38.2 de la cavité sont métallisées. Ainsi, le composant comporte une zone de propagation 38 dans la couche diélectrique inférieure 32, délimitée, selon l’épaisseur par la couche conductrice inférieure 35 et la paroi inférieure interne 38.2 de la cavité, et, selon la largeur, par les parois latérales internes métallisées 38.1, 38.3 de la cavité. La zone de propagation 38 s’étend le long de l’axe de propagation X-X, correspondant à une zone dans laquelle sont confinées les ondes électromagnétiques. Le motif que forme la cavité définit par conséquent la fonction radiofréquence que réalise le composant micro-onde qui peut être par exemple une ligne de transmission, un filtre, un coupleur, une antenne, un diviseur de puissance ou un combineur de puissance. Le composant peut comprendre en outre un substrat diélectrique 34 qui permet de supporter l’ensemble et le rendre plus rigide. Alternativement, le composant est supporté par la couche inférieure diélectrique 32 qui peut présenter une épaisseur adaptée. Néanmoins, les composants micro-ondes illustrés sur les figures 1 à 4 ne donnent pas entière satisfaction. En effet, lorsque des charges de terminaison sont nécessaires dans une conception d’un circuit radiofréquence, elles sont ajoutées à l'extérieur ou dans la structure manuellement. La structure doit être ensuite blindée manuellement. Ainsi, la terminaison n’est pas entièrement intégrée, et n’est donc pas adaptée à la production de masse. Cette solution entraîne également une augmentation de la taille de la structure en raison de la nécessité d’un système de fixation, et le risque d'une perte d'efficacité liées aux fuites radiofréquences en raison de la présence des interfaces externes. L’introduction de cette étape supplémentaire entraîne également une augmentation du coût de production. En outre, les inventeurs constatent que dans les structures des composants micro-ondes mis en œuvre actuellement, la fonction radiofréquence principale n'utilise qu'un faible pourcentage du volume disponible de la carte de circuit imprimé. En effet, le substrat qui représente une grande partie des circuits imprimés contribue uniquement à accroître la robustesse de la structure globale. Par exemple, comme le montrent les figures 1 à 4, que ce soit de la technologie planaire ou de la technologie à guide d’ondes intégré dans les couches diélectriques, les couches de substrats 4, 14, 24 et 34 ne sont pas exploitées. Leur principale fonction est de supporter le composant micro-onde et de le rendre rigide. Par conséquent, il existe un besoin de trouver une solution permettant d’intégrer facilement des charges de terminaison ou absorbeurs dans des composants micro-ondes à structure planaire, à base de lignes de transmission micro-ondes, et notamment des composants micro-ondes à base de lignes de transmission intégrées au substrat ou guide d’onde intégré au substrat, sans entraîner un surcoût de fabrication, tout en maintenant la performance requise pour ces composants. Résumé La présente divulgation vient améliorer la situation. La présente divulgation concerne un composant micro-onde, ledit composant comportant : - au moins un guide d’onde comprenant une zone de propagation d’une onde électromagnétique, ladite zone de propagation s’étendant le long d’un axe de propagation; - un substrat de support en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique dudit composant; - ledit substrat de support comprenant une première couche réalisée en matériau diélectrique présentant une première surface électriquement conductrice supérieure et une première surface électriquement conductrice inférieure recouvrant respectivement une face supérieure et une face inférieure dudit substrat de support; - au moins une zone d’absorption s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant dudit guide d’onde dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes, ladite zone d’absorption étant délimitée par la première surface électriquement conductrice supérieure, la première surface électriquement conductrice inférieure et deux frontières latérales espacées propres à empêcher le passage d’une onde électromagnétique ; - un élément d’alimentation positionné à l’entrée de ladite zone d’absorption et configuré pour prélever au moins une partie de l’onde électromagnétique provenant de ladite zone de propagation dudit au moins un guide d’onde et pour l’injecter dans ladite zone d’absorption. Les caractéristiques exposées dans les paragraphes suivants peuvent, optionnellement, être mises en œuvre, indépendamment les unes des autres ou en combinaison les unes avec les autres. Les frontières latérales de la zone d’absorption sont formées par une pluralité de trous traversants métallisés s’étendant à travers le substrat de support pour connecter électriquement la première surface électriquement conductrice supérieure et la première surface électriquement conductrice inférieure. La pluralité de trous traversants métallisés définit un motif ayant la forme d’un méandre. La pluralité de trous traversants métallisés définit un motif ayant la forme d’un anneau. La première couche réalisée en matériau diélectrique présente une épaisseur comprise entre 0,2 mm et 10 mm, de préférence entre 0,5 mm et 6 mm. Selon un mode de réalisation, ledit au moins un guide d’onde comprend une deuxième couche en matériau diélectrique présentant une deuxième surface supérieure électriquement conductrice et une deuxième surface inférieure électriquement conductrice, ladite deuxième surface inférieure électriquement conductrice étant en contact électrique avec ladite première surface supérieure électriquement conductrice dudit substrat de support, la zone de propagation étant définie dans ladite deuxième couche en matériau diélectrique et délimitée par la deuxième surface supérieure électriquement conductrice, la deuxième surface inférieure électriquement conductrice et par une pluralité de trous métallisés traversants s’étendant à travers ladite deuxième couche en matériau diélectrique. Selon un exemple de réalisation, ledit élément d’alimentation comprend une première fente réalisée dans la deuxième surface conductrice inférieure et une seconde fente réalisée dans la première surface conductrice supérieure, les deux fentes étant alignées et agencées en regard de l’entrée de la zone d’absorption. De préférence, l’élément d’alimentation comprend un ensemble de marches métallisées réalisées dans le substrat de support, au niveau de l’interface entre le substrat de support et la première surface inférieure conductrice. Selon un autre mode de réalisation, ledit au moins un guide d’onde comprend une deuxième couche en matériau diélectrique présentant une deuxième surface supérieure électriquement conductrice et une deuxième surface inférieure électriquement conductrice, ladite deuxième surface inférieure électriquement conductrice étant en contact électrique avec ladite première surface supérieure électriquement conductrice dudit substrat de support, ladite zone de propagation comprend une cavité interne réalisée dans le substrat de support, les parois latérales et la paroi inférieure de ladite cavité étant métallisées, la zone de propagation étant délimitée par la deuxième surface inférieure électriquement conductrice de la deuxième couche en matériau diélectrique et les parois métallisées de la cavité. Selon un exemple de réalisation, l’élément d’alimentation comprend une zone creuse réalisée dans le substrat de support, ladite zone creuse étant formée à partir d’un prolongement d’une extrémité de la cavité interne du guide d’onde. De préférence, la zone creuse comprend une première extrémité formant une interface avec l’extrémité de la cavité et une seconde extrémité se présentant sous la forme d’une pointe pénétrée dans la zone d’absorption du substrat. De préférence, l’extrémité de la cavité située à l’interface avec la première extrémité de la zone creuse comprend un ensemble de marches métallisées pour réaliser une adaptation d’impédance entre la cavité et la zone d’absorption. Selon un autre exemple de réalisation, ledit élément d’alimentation comprend au moins une fente réalisée dans l’une des parois de la cavité interne du guide d’onde. D’autres caractéristiques, détails et avantages apparaîtront à la lecture de la description détaillée ci-après, et à l’analyse des dessins annexés, sur lesquels : Fig. 1 La est une vue en section d’un composant micro-ondes comprenant une ligne de transmission mircoruban, dans un plan orthogonal à l’axe de propagation X-X ; Fig. 2 La est une vue en section d’un composant micro-ondes comprenant une ligne de transmission coplanaire, dans un plan orthogonal à l’axe de propagation X-X ; Fig. 3 La est une vue en section d’un composant micro-ondes du type SIW, dans un plan orthogonal à l’axe de propagation X-X ; Fig.4 La est une vue en section d’un composant micro-ondes du type AFSIW, dans un plan orthogonal à l’axe de propagation X-X ; Fig.5 La est une vue en section d’un composant micro-ondes de combineur/diviseur de puissance isolé selon un mode de réalisation de l’invention, dans un plan orthogonal à l’axe de propagation X-X ; Fig.6 La présente respectivement : (a) une vue de dessus de la deuxième surface supérieure conductrice supérieure du composant micro-ondes de la , (b) une vue de dessus de la deuxième surface inférieure conductrice, et (c) une vue de dessus de la première surface supérieure conductrice ; Fig.7A La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une configuration d’utilisation normale, avec le signal appliqué au port 1 et le signal sortant au niveau des ports 2 et 3; Fig.7B La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie représentant sensiblement 50% du signal entrant au port 2 est prélevée au niveau de la jonction et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 3 est ainsi isolé et protégé ; Fig.7C La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie représentant sensiblement 50% du signal entrant au port 3 est prélevée au niveau de la jonction et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 2 est ainsi protégé ; Fig.7D La représente une vue de l’amplitude du champ électrique dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure depuis la face inférieure du composant micro-ondes; Fig.8 La est une vue en section d’un coupleur micro-ondes de puissance selon un autre mode de réalisation de l’invention, dans un plan orthogonal à l’axe de propagation X-X ; Fig.9 La présente respectivement : (a) une vue de dessus depuis la surface supérieure de la couche conductrice supérieure de la couche diélectrique supérieure du coupleur de la , (b) une vue de dessus depuis la surface supérieure de la couche conductrice inférieure de la couche diélectrique supérieure du coupleur de la , et (c) une vue de dessus depuis la surface supérieure de la couche conductrice supérieure de la couche diélectrique inférieure du composant micro-ondes de la ; Fig.10A La représente l’amplitude du champ électrique dans le coupleur de puissance de la fonctionnant dans une configuration d’utilisation normale, avec le signal appliqué au port 1 et le signal sortant au niveau des ports 2 et 3; Fig.10B La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie représentant sensiblement 50% du signal provenant du port 3 est prélevée au niveau du port 4 et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 2 est ainsi isolé et protégé; Fig.10C La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie représentant sensiblement 50% du signal provenant du port 2 est prélevée au niveau du port 4 et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 3 est ainsi isolé et protégé ; Fig.10D La représente une vue de l’amplitude du champ électrique dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure depuis la face inférieure du composant micro-ondes; Fig.11 La est une vue en section d’un composant micro-ondes réalisé en technologie SIW creux intégré selon un mode de réalisation de l’invention, dans un plan orthogonal à l’axe de propagation X-X ; Fig. 12 La représente une vue en perspective et de dessus d’une cavité en forme de Y dans un composant micro-ondes SIW creux avec une zone d’absorption intégrée dans le substrat de support selon un mode de réalisation de l’invention ; Fig.13A La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes de la fonctionnant dans une configuration d’utilisation normale, avec le signal appliqué au port 1 et le signal sortant au niveau des ports 2 et 3; Fig.13B La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie de l’énergie du signal provenant du port 3 est prélevée au niveau de la fente et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 2 est ainsi protégé ; Fig.13C La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie de l’énergie du signal provenant du port 2 est prélevée au niveau de la jonction et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 3 est ainsi protégé ; Fig. 14 La représente une vue en perspective de dessus d’une cavité en forme de Y d’un composant micro-ondes SIW creux avec une zone d’absorption intégrée dans le substrat de support selon une variante de la et une vue agrandie de la région centrale du guide ; Fig.15A La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes de la fonctionnant dans une configuration d’utilisation normale, avec le signal appliqué au port 1 et le signal sortant au niveau des ports 2 et 3; Fig.15B La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle le signal provient du port 3 et une partie de l’énergie du signal provenant du port 3 est prélevée au niveau de la zone centrale via la fente et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat de support, le port 2 est ainsi isolé et protégé ; Fig.15C La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle le signal provient du port 2 et une partie de l’énergie du signal provenant du port 2 est prélevée au niveau de la zone centrale via la fente et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 3 est ainsi isolé et protégé. Fig. 16A La est une vue en perspective de dessus d’une cavité en forme de canal d’un composant micro-onde SIW creux sans les couches supérieures, intégrant une zone d’absorption dans le substrat de support selon un autre mode de réalisation, l’extrémité du canal formant un élément d’alimentation débouchant dans une zone d’absorption intégrée dans le substrat diélectrique de support du composant ; Fig. 16B La représente une vue agrandie de dessus de la zone d’adaptation d’impédance et d’alimentation entre la cavité et la zone d’absorption de la ; Fig. 17 La est une représentation de l’amplitude du champ électrique dans l’élément d’alimentation et la zone d’absorption de la lors de l’injection d’un signal provenant d’un port 1 dans la zone d’absorption. La présente invention concerne un composant micro-ondes comportant un guide d’onde comprenant une zone de propagation d’une onde électromagnétique, la zone s’étendant le long d’un axe de propagation dans au moins un matériau diélectrique pour propager un signal entre deux ports. Dans le cadre de la présente invention, le composant micro-ondes ou ligne de transmission mirco-onde désigne tout composant nécessitant l’implémentation d’une charge radiofréquence. Le composant micro-ondes de la présente invention peut être par exemple, un coupleur, un filtre, une antenne, un diviseur, un combineur, ou encore un isolateur. Au sens de la présente divulgation, l’expression « charge radiofréquence» ou « charge de terminaison » désigne des éléments utilisés dans un composant de transmission micro-ondes pour absorber l'énergie et empêcher les signaux RF de se réfléchir à partir d'un port ouvert ou inutilisé. Les ports sont généralement terminés par une charge dont l'impédance caractéristique est la même que celle de la ligne de transmission. Tout système RF à ports multiples, dont les ports ne sont pas tous utilisés, doit être terminé de sorte que tout signal incident sur ces ports soit absorbé. Si un port n'est pas terminé, les signaux peuvent se réfléchir dans le système, ce qui peut introduire des distorsions et d'autres effets indésirables. Les charges sont utilisées dans les coupleurs, les hybrides, les isolateurs, les équipements de test et dans les systèmes où un port doit être terminé. Il existe trois principaux types de terminaisons RF : coaxiale, guide d'ondes et puce. Dans la présente divulgation, les charges sont utilisées pour terminer les ports en guide d'ondes. Dans le cadre de la présente invention, le composant micro-ondes peut être réalisé en technologie planaire pour tout type de ligne de transmission planaire et couvre notamment les composants micro-rubans et les composants coplanaires illustrés sur les figures 1 et 2. Les composants peuvent être également réalisés en technologie stripline. Dans le cadre de la présente invention, le composant micro-ondes peut être réalisé en technologie de guide d’onde intégré au substrat ou « substrate integrated waveguide ». Dans la suite de la description, de tels composant seront désignés par l’expression « composants SIW ». Dans le cadre de la présente invention, le composant micro-ondes peut être réalisé en technologie de guide d’onde creux intégré au substrat. Dans la suite de la description, de tels composant seront désignés par l’expression SIW creux. Selon les modes de réalisation de l’invention, le composant micro-ondes comprend en outre : - un substrat de support en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique dudit composant, le substrat de support présentant une surface électriquement conductrice supérieure et une surface électriquement conductrice inférieure recouvrant une face supérieure et une face inférieure du substrat de support ; - une zone d’absorption s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant du guide d’ondes dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes ; et - un élément d’alimentation positionné à l’entrée de ladite zone d’absorption et configuré pour prélever au moins une fraction de l’onde électromagnétique provenant de ladite zone de propagation dudit au moins un guide d’onde et pour l’injecter dans ladite zone d’absorption. Ainsi, grâce à l’intégration directe de cette zone d’absorption dans le substrat de support, il n’est plus nécessaire d’ajouter à l'extérieur ou dans la structure du composant manuellement la charge RF et de blinder manuellement la structure. Un tel composant peut être adapté à la production de masse et permet de limiter le coût de production. En outre, le fait d’intégrer la charge dans le substrat ne nécessite plus l’utilisation d’un système de fixation pour fixer la charge à la structure du composant, permettant ainsi de limiter la taille de la structure. L’absence d’interfaces permet également de limiter les risques de perte d'efficacité et de compatibilité électromagnétique liées aux fuites radiofréquences. Selon un autre avantage technique, l’intégration de la zone d’absorption dans le substrat permet ainsi d’exploiter le substrat qui représente une grande partie des circuits imprimés. Un exemple d’un premier mode de réalisation d’un composant micro-ondes 40 selon l’invention est illustré sur la . Le composant micro-onde 40 est ici du type à guide intégré au substrat SIW. Le composant 40 comporte un guide d’onde 42 propre à guider une onde électromagnétique le long d’au moins un axe de propagation, l’onde électromagnétique présentant une longueur d’onde prédéterminée, un substrat de support 44 en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique du composant, une zone d’absorption 47 s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant du guide d’ondes dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes, et un élément d’alimentation 49.1, 49.2 positionné à l’entrée de la zone d’absorption et configuré pour prélever au moins une fraction de l’onde électromagnétique provenant de la zone de propagation et pour l’injecter dans la zone d’absorption. Le substrat de support comprend une première couche 44 en matériau diélectrique qui s’étend dans un plan X-Y. La première couche 44 présente une première surface supérieure électriquement conductrice 44.1 et une première surface inférieure électriquement conductrice 44.2. Le guide d’onde 42 comprend une deuxième couche en matériau diélectrique 41 dans laquelle est définie une zone de propagation 48. La deuxième couche en matériau diélectrique 41 s’étend dans le plan XY. La deuxième couche en matériau diélectrique présente une deuxième surface supérieure électriquement conductrice 41.1 et une deuxième surface inférieure électriquement conductrice 41.2. La première couche 44 et la deuxième couche 41 sont disposées à distance l’une de l’autre, de part et d’autre de la deuxième surface inférieure électriquement conductrice 41.2 et de la première surface supérieure électriquement conductrice 44.1 qui sont en contact. Ainsi, la première couche 44 et la deuxième couche 41 forment un empilement. Les surfaces électriquement conductrices sont des revêtements réalisés dans un matériau métallique, par exemple du cuivre. Les première et deuxième couche sont réalisées dans un matériau diélectrique, par exemple une résine époxy. La zone de propagation 48 correspond à une zone du guide d’onde dans laquelle est confinée l’onde électromagnétique lors de sa propagation dans le guide d’onde 42. Le guide d’onde 42 comprend une pluralité de trous traversant métallisés 43 qui s’étendent le long d’un axe vertical Z-Z orthogonal au plan X-Y, pour connecter électriquement la deuxième surface inférieure électriquement conductrice 41.2 et la deuxième surface supérieure électriquement conductrice 41.1 à travers la deuxième couche 41. Chaque trou métallisé forme ainsi un via entre la deuxième surface supérieure conductrice 41.1 et la deuxième surface inférieure conductrice 41.2. Les vias sont disposés le long d’un axe de propagation, selon deux rangées distinctes, à distance l’une de l’autre. La distance entre deux vias successifs d’une même rangée est inférieure à la plus petite des longueurs d’onde des ondes électromagnétiques destinées à se propager dans le guide d’onde, par exemple inférieure ou égale à un cinquième de la plus petite des longueurs d’onde des ondes destinées à se propager dans le guide d’onde. La zone de propagation 48 est ainsi délimitée, selon l’épaisseur, par la deuxième surface supérieure conductrice 41.1, la deuxième surface inférieure conductrice 41.2, et selon la largeur, par les deux rangées de vias disposés de part et d’autre d’un axe de propagation. Le motif que forme les vias définit la fonction RF que réalise le composant micro-ondes. La illustre un exemple de zone de propagation du guide d’onde configurée pour réaliser la fonction de combineur/diviseur. La vue (a) est une vue de dessus de la deuxième surface supérieure conductrice 41.1 du composant micro-ondes. Les trous métallisés sont arrangés pour former une zone de propagation en forme de T. Plus précisément, les vias sont disposés pour former une première zone de propagation 48.1 qui s’étend entre le port 1 et la zone de combinaison 48.4 suivant un axe transversal de propagation Y-Y, une deuxième zone de propagation 48.2 qui s’étend entre le port 2 et la zone de combinaison 48.4 suivant un axe longitudinal de propagation X-X, et une troisième zone de propagation 48.3 qui s’étend entre le port 3 et la zone de combinaison 48.4 suivant l’axe longitudinal de propagation X-X. La zone d’absorption 47 est définie dans le substrat de support et qui correspond à une zone dans laquelle l’onde électromagnétique est absorbée ou atténuée pendant sa propagation. La zone d’absorption est délimitée, selon l’épaisseur, par la première surface électriquement conductrice supérieure 44.1 et la première surface électriquement conductrice inférieure 44.2, selon la largeur, par deux frontières latérales espacées 46. Selon un mode de réalisation, les frontières latérales espacées 46 de la zone d’absorption sont formées par une pluralité de trous traversants métallisés qui s’étendent le long d’un axe vertical Z-Z orthogonal au plan X-Y, à travers le substrat de support 44 pour connecter électriquement la première surface électriquement conductrice supérieure 44.1 et la première surface électriquement conductrice inférieure 44.2. Les trous métallisés 46 sont disposés le long d’un axe de propagation, selon deux rangées distinctes, à distance l’une de l’autre. La distance entre deux trous métallisés successifs d’une même rangée est inférieure à la plus petite des longueurs d’onde des ondes électromagnétiques destinées à se propager dans le substrat de support. Chaque trou métallique présente ici par exemple une forme cylindrique. Selon une variante, il peut présenter une forme rectangulaire. Les trous métallisés viennent modifier localement les conditions aux limites dans le substrat 44 qui contraignent la propagation de l’onde dans le substrat de support 44. Le motif de la zone d’absorption peut être adaptée de sorte que la longueur de la zone d’absorption soit suffisante pour absorber l’onde électromagnétique. Sur la vue (c) de la qui est une vue de dessus de la première surface supérieure conductrice 44.1 du composant micro-ondes, le motif que forment les trous métallisés définit un méandre dans lequel l’onde électromagnétique va être absorbée ou atténuée progressivement pendant sa propagation. En référence à la , l’élément d’alimentation comprend une première fente 49.1 réalisée dans la deuxième surface conductrice inférieure 41.2 et une seconde fente 49.2 réalisée dans la première surface conductrice supérieure 44.1, les deux fentes étant alignées et agencées en regard de la zone de combinaison 48.4 afin de pouvoir prélever au moins une fraction de l’onde électromagnétique provenant du guide d’onde électromagnétique. De préférence, la dimension de la première fente 49.1 est sensiblement plus petite que celle de la deuxième fente 49.2 ou inversement afin d’assurer un alignement entre la première fente et la deuxième fente pour éviter la situation dans laquelle un désalignement entre les deux fentes entraîne une obstruction de l’une des deux fentes. Les deux fentes sont positionnées en regard de l’entrée de la zone d’absorption 47, comme le montre la vue (c) de la . Les deux fentes ont pour fonction de prélever au moins une fraction de l’onde électromagnétique provenant de la zone de propagation 48 et pour l’injecter dans la zone d’absorption 47. Le fonctionnement du composant micro-ondes de combineur 40 de la va maintenant être décrit, en référence aux figures 7A-7D qui représentent l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes. La présente un fonctionnement normal du composant micro-ondes. Le signal est injecté sur le port 1 du composant de combineur/diviseur. Le signal se propage dans la première zone de propagation jusqu’à la zone centrale puis se sépare en deux signaux qui se propagent respectivement dans la deuxième zone de propagation pour sortir via le port 2 et dans la troisième zone de propagation pour sortir via le port 3. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie du signal entrant au port 2 est prélevée au niveau de la zone centrale par l’élément de couplage, à savoir les fentes 49.1, 49.2 et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure. Ainsi, le signal de fuite est fortement annulé au niveau de la zone centrale et le port 3 est ainsi isolé et protégé. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie du signal entrant au port 3 est prélevée au niveau de la zone centrale par l’élément d’alimentation et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure. Ainsi, le signal de fuite est fortement annulé au niveau de la zone centrale et le port 2 est ainsi isolé et protégé. La représente une vue de l’amplitude du champ électrique dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure depuis la face inférieure du composant micro-ondes. On constate que l’amplitude du champ diminue progressivement lors de la propagation de l’onde dans la zone d’absorption jusqu’à son annulation totale. La représente une variante de l’exemple de réalisation de la . Le composant micro-ondes de la diffère de celui de la en ce que le motif formé par les vias permet de réaliser une fonction de couplage. L’élément d’alimentation comprend en outre un élément d’adaptation d’impédance 55 positionné au niveau de l’entrée de la zone d’absorption. Le composant micro-onde 50 est ici du type à guide intégré au substrat SIW. Le composant 50 comporte un guide d’onde 52 propre à guider une onde électromagnétique le long d’au moins un axe de propagation, un substrat de support 54 en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique du composant, une zone d’absorption 57 s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant du guide d’ondes dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes, et un élément d’alimentation 59.1, 59.2, 55 positionné à l’entrée de la zone d’absorption et configuré pour prélever au moins une fraction de l’onde électromagnétique provenant de la zone de propagation et pour l’injecter dans la zone d’absorption. Le substrat de support comprend une première couche 54 en matériau diélectrique qui s’étend dans un plan X-Y. La première couche 54 présente une première surface supérieure électriquement conductrice 54.1 et une première surface inférieure électriquement conductrice 54.2. Le guide d’onde 52 comprend une deuxième couche en matériau diélectrique 51 dans laquelle est définie une zone de propagation 58. La deuxième couche en matériau diélectrique 51 s’étend dans le plan XY. La deuxième couche en matériau diélectrique présente une deuxième surface supérieure électriquement conductrice 51.1 et une deuxième surface inférieure électriquement conductrice 51.2. La première couche 54 et la deuxième couche 51 sont disposées à distance l’une de l’autre, de part et d’autre de la deuxième surface inférieure électriquement conductrice 51.2 et de la première surface supérieure électriquement conductrice 54.1 qui sont en contact. Ainsi, la première couche 54 et la deuxième couche 51 forment un empilement. La zone de propagation 58 correspond à une zone du guide d’onde dans laquelle est confinée l’onde électromagnétique lors de sa propagation dans le guide d’onde 42. Le guide d’onde 52 comprend une pluralité de trous traversant métallisés 53 qui s’étendent le long d’un axe vertical Z-Z orthogonal au plan X-Y, pour connecter électriquement la deuxième surface inférieure électriquement conductrice 51.2 et la deuxième surface supérieure électriquement conductrice 51.1 à travers la deuxième couche 51. Chaque trou métallisé forme ainsi un via entre la deuxième surface supérieure conductrice 51.1 et la deuxième surface inférieure conductrice 51.2. La zone de propagation 58 est ainsi délimitée, selon l’épaisseur, par la deuxième surface supérieure conductrice 51.1, la deuxième surface inférieure conductrice 51.2, et selon la largeur, par les deux rangées de vias disposés de part et d’autre d’un axe de propagation. La illustre un exemple de zone de propagation du guide d’onde configurée pour réaliser la fonction de coupleur. La vue (a) est une vue de dessus de la deuxième surface supérieure conductrice 51.1 du composant micro-ondes. Le composant comporte une première zone de propagation 58.1 qui s’étend entre le port 1 et le port 2 et une seconde zone de propagation 58.2 qui s’étend entre le port 4 et le port 3. Les deux zones de propagation sont ainsi formées par trois rangées de vias sensiblement parallèles. La rangée centrale comporte une zone centrale dépourvue de vias, permettant d’établir un couplage entre les première et seconde zones de propagation. La zone d’absorption 57 est définie dans le substrat de support et qui correspond à une zone dans laquelle l’onde électromagnétique est absorbée ou atténuée pendant sa propagation. La zone d’absorption est délimitée, selon l’épaisseur, par la première surface électriquement conductrice supérieure 54.1 et la première surface électriquement conductrice inférieure 54.2, selon la largeur, par deux frontières latérales espacées 56. Selon un mode de réalisation, les frontières latérales espacées 56 de la zone d’absorption sont formées par une pluralité de trous traversants métallisés qui s’étendent le long d’un axe vertical Z-Z orthogonal au plan X-Y, à travers le substrat de support 54 pour connecter électriquement la première surface électriquement conductrice supérieure 54.1 et la première surface électriquement conductrice inférieure 54.2. Les trous métallisés 56 sont disposés le long d’un axe de propagation, selon deux rangées distinctes, à distance l’une de l’autre. Sur la vue (c) de la qui est une vue de dessus de la première surface supérieure conductrice 54.1 du composant micro-ondes, les trous métallisés forment un motif « C » dans lequel l’onde électromagnétique va être absorbée ou atténuée progressivement pendant sa propagation. La zone d’absorption peut être de différentes formes en fonction du volume disponible dans le substrat de support. L’élément d’alimentation comprend une première fente 59.1 réalisée dans la deuxième surface conductrice inférieure 51.2 et une seconde fente 59.2 réalisée dans la première surface conductrice supérieure 54.1, les deux fentes étant alignées et agencées en regard du port 4 afin de pouvoir prélever au moins une fraction de l’onde électromagnétique provenant du guide d’onde électromagnétique 52. En d’autres termes, le port 4 qui est un port non utilisé est connecté à la zone d’absorption qui est située dans le substrat de support 54. Les deux fentes ont pour fonction de prélever ici la totalité de l’énergie portée par l’onde électromagnétique provenant de la zone de propagation 58 et pour l’injecter dans la zone d’absorption 57. Selon un mode de réalisation, l’élément d’alimentation comprend en outre un élément d’adaptation d’impédance 55 qui se présente sous la forme d’un ensemble de marches métallisées réalisées dans le substrat de support, au niveau de l’entrée de la zone d’absorption. Les fentes et les marches métallisées peuvent être en regard. Le fonctionnement du composant micro-ondes de coupleur 50 de la va maintenant être décrit, en référence aux figures 10A-10D qui représentent l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes. La présente un fonctionnement normal du composant micro-ondes. Le signal est injecté sur le port 1 du composant de combineur/diviseur. Le signal propage dans la première zone de propagation entre le port 1 et le port 2 et dans la seconde zone de propagation entre le port 1 et le port 3. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie représentative de 50% du signal entrant au port 3 est prélevée au niveau du port 4 par l’élément d’alimentation et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure. Ainsi, le signal de fuite est fortement annulé au niveau de la zone de couplage et le port 2 est ainsi isolé et protégé. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie représentative de 50% du signal entrant au port 2 est prélevée au niveau du port 4 par l’élément d’alimentation et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure. Ainsi, le signal de fuite est fortement annulé au niveau de la zone de couplage et le port 3 est ainsi isolé et protégé. La représente une vue de l’amplitude du champ électrique dans la zone d’absorption en forme de « C » réalisée dans la couche de substrat inférieure depuis la face inférieure du composant micro-ondes. On constate que l’amplitude du champ diminue progressivement lors de la propagation de l’onde dans la zone d’absorption jusqu’à son annulation totale. La représente un deuxième mode de réalisation d’un composant 60 selon l’invention. Le composant micro-ondes 60 peut être, par exemple, un filtre, une antenne, un coupleur, un combineur, un diviseur ou un isolateur. Le composant micro-ondes 60 est du type à guide d’onde creux intégré au substrat ou SIW creux. Le composant 60 comporte un guide d’onde 62 propre à guider une onde électromagnétique le long d’au moins un axe de propagation, un substrat de support 64 en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique du composant, une zone d’absorption 67 s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant du guide d’ondes dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes, et un élément d’alimentation 69 positionné à l’entrée de la zone d’absorption et configuré pour prélever au moins une partie de l’onde électromagnétique provenant de la zone de propagation et pour l’injecter dans la zone d’absorption. Le substrat de support comprend une première couche 64 en matériau diélectrique qui s’étend dans un plan X-Y. La première couche 64 présente une première surface supérieure électriquement conductrice 64.1 et une première surface inférieure électriquement conductrice 64.2. Le guide d’onde 62 comprend une deuxième couche en matériau diélectrique 61. La deuxième couche en matériau diélectrique 61 s’étend dans le plan XY. La deuxième couche en matériau diélectrique présente une deuxième surface supérieure électriquement conductrice 61.1 et une deuxième surface inférieure électriquement conductrice 61.2. La première couche 64 et la deuxième couche 61 sont disposées à distance l’une de l’autre, de part et d’autre de la deuxième surface inférieure électriquement conductrice 61.2 et de la première surface supérieure électriquement conductrice 64.1 qui sont en contact. Ainsi, la première couche 64 et la deuxième couche 61 forment un empilement. La zone de propagation 68 correspond à une zone du guide d’onde dans laquelle est confinée l’onde électromagnétique lors de sa propagation dans le guide d’onde 62. Le guide d’onde 62 comprend une cavité interne 63 réalisée dans le substrat de support. Les parois latérales 68.1, 68.2 et la paroi inférieure 68.3 de ladite cavité sont métallisées. La cavité interne est délimitée par la deuxième surface électriquement conductrice inférieure 61.2 et les parois métallisées de la cavité. La zone de propagation 68 est ainsi délimitée, selon l’épaisseur, par la deuxième surface inférieure conductrice 61.2 et la paroi inférieure métallisée de la cavité, selon la largeur, par les deux parois latérales métallisées de la cavité. La cavité interne 63 peut être remplie d’un fluide présentant une constante diélectrique pouvant être différente de la constante diélectrique du substrat. Le fluide est par exemple de l’air ou du vide. En variante, dans le cas où la cavité interne 63 définit un volume fermé étanche, elle est remplie d’azote ou est vide de fluide. La zone d’absorption 67 est définie dans le substrat de support et qui correspond à une zone dans laquelle l’onde électromagnétique est absorbée ou atténuée pendant sa propagation. La zone d’absorption est délimitée, selon l’épaisseur, par la première surface électriquement conductrice supérieure 64.1 et la première surface électriquement conductrice inférieure 64.2, selon la largeur, par deux frontières latérales espacées 66. Selon un mode de réalisation, les frontières latérales espacées 66 de la zone d’absorption sont formées par une pluralité de trous traversants métallisés qui s’étendent le long d’un axe vertical Z-Z orthogonal au plan X-Y, à travers le substrat de support 64 pour connecter électriquement la première surface électriquement conductrice supérieure 64.1 et la première surface électriquement conductrice inférieure 64.2. Les trous métallisés 66 sont disposés le long d’un axe de propagation, selon deux rangées distinctes, à distance l’une de l’autre. Selon l’exemple illustré sur la , l’élément d’alimentation comprend ici une fente 69 réalisée dans la paroi inférieure 68.3 de la cavité 68 pour prélever une partie de l’onde électromagnétique provenant du guide d’onde 62 et l’injecter dans la zone d’absorption 67. Selon une autre variante, la fente 69 peut être réalisée dans l’une des parois latérales 68.1, 68.2 de la cavité 68. Le nombre de fentes n’est pas limitatif. La illustre un exemple de mode de réalisation de la . Le composant micro-ondes 80 peut être un combineur ou diviseur. Le composant micro-ondes 80 est du type à guide d’onde creux intégré au substrat ou SIW creux. Le composant 80 comporte un guide d’onde 82 propre à guider une onde électromagnétique le long d’au moins un axe de propagation et un substrat de support en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique du composant, une zone d’absorption 87 s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant du guide d’ondes dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes, et un élément d’alimentation 89 positionné à l’entrée de la zone d’absorption et configuré pour prélever au moins une fraction de l’onde électromagnétique provenant de la zone de propagation et pour l’injecter dans la zone d’absorption. Le guide d’onde 82 comprend ici une cavité interne 83 en forme de « Y ». Il comporte une première zone de propagation 88.1 qui s’étend entre le port 1 et une zone centrale 88.4, une deuxième zone de propagation 88. 2 qui s’étend entre la zone centrale 88.4 le port 2 et une troisième zone de propagation 88.3 qui s’étend entre la zone centrale 88.4 et le port 3. La zone d’absorption 87 est définie dans le substrat de support et qui correspond à une zone dans laquelle l’onde électromagnétique est absorbée ou atténuée pendant sa propagation. La montre une vue depuis le dessus de la cavité située sous la première surface supérieure conductrice du composant micro-ondes, montrant une vue de la cavité en forme de « Y » et le substrat de support 84. La zone d’absorption 87 comprend une pluralité de trous métallisés 86 formant un méandre dans lequel l’onde électromagnétique va être absorbée ou atténuée progressivement pendant sa propagation. La zone d’absorption forme un méandre pour réduire les dimensions. On peut noter qu’ici, la zone d’absorption est plus large que les exemples précédents afin de tenir compte de la puissance du signal qui est plus importante. L’élément d’alimentation comprend une fente 89 réalisée dans la paroi inférieure de la cavité 83 pour prélever une fraction de l’onde électromagnétique provenant du guide d’onde et l’injecter dans la zone d’absorption. La fente 89 est ici située au niveau de la zone central de jonction 88.4 du guide d’onde en forme de « Y ». Le fonctionnement du composant micro-ondes 80 de la va maintenant être décrit, en référence aux figures 13A -13C qui représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes de la fonctionnant dans une configuration d’utilisation normale. Le signal est injecté dans le port 1 et sort au niveau des ports 2 et 3. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie de l’énergie du signal provenant du port 3 est prélevée au niveau de la fente 89 et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 2 est ainsi isolé et protégé. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle une partie de l’énergie du signal provenant du port 2 est prélevée au niveau de la fente 89 et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 3 est ainsi isolé et protégé. La représente une variante de l’exemple de réalisation de la . Le composant micro-ondes 90 peut être un combineur ou un diviseur. Le composant micro-ondes 90 est du type à guide d’onde creux intégré au substrat ou SIW creux. Le composant 90 comporte un guide d’onde 92 propre à guider une onde électromagnétique le long d’au moins un axe de propagation et un substrat de support en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique du composant, une zone d’absorption 97 s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant du guide d’ondes dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes, et un élément d’alimentation 99 positionné à l’entrée de la zone d’absorption et configuré pour prélever au moins une fraction de l’onde électromagnétique provenant de la zone de propagation et pour l’injecter dans la zone d’absorption. Le guide d’onde 92 comprend une cavité interne métallisée 93 en forme de « Y ». Il comporte une première zone de propagation 98.1 qui s’étend entre le port 1 et une zone centrale 98.4, une deuxième zone de propagation 98. 2 qui s’étend entre la zone centrale 98.4 le port 2 et une troisième zone de propagation 98.3 qui s’étend entre la zone centrale 98.4 et le port 3. La zone d’absorption 97 est définie dans le substrat de support et qui correspond à une zone dans laquelle l’onde électromagnétique est absorbée ou atténuée pendant sa propagation. La montre une vue depuis le dessus de la cavité 93 située sous la première surface supérieure conductrice du composant micro-ondes, montrant une vue de la cavité 93 en forme de « Y » intégrée dans le substrat de support 94. La zone d’absorption 97 est définie par les trous métallisés 96 qui forment ici un anneau dans lequel l’onde électromagnétique va être absorbée ou atténuée progressivement pendant sa propagation. Sur l’exemple montré sur la , l’anneau est centré sensiblement sur la zone centrale de jonction 98.4 du guide d’onde en forme de « Y ». La forme d’anneau permet avantageusement de réduire la surface d’un facteur deux (2) la surface de la zone d’absorption par rapport à une forme en S de la . L’élément d’alimentation comprend une fente 99 réalisée dans la paroi de fond inférieure de la cavité 93 pour prélever une fraction de l’onde électromagnétique provenant du guide d’onde et l’injecter dans la zone d’absorption. Le fonctionnement du composant micro-ondes 90 de la va maintenant être décrit, en référence aux figures 15A -15C qui représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes de la fonctionnant dans une configuration d’utilisation normale d’un diviseur. Le signal est injecté dans le port 1 et sort au niveau des ports 2 et 3. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle le signal est issu du port 3 et une partie de l’énergie du signal provenant du port 3 est prélevée au niveau de la fente 99 et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 2 est ainsi isolé et protégé. La représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes fonctionnant dans une situation dans laquelle le signal est issu du port 2 et une partie de l’énergie du signal provenant du port 2 est prélevée au niveau de la fente 99 et injectée dans la zone d’absorption réalisée dans la couche de substrat inférieure, le port 3 est ainsi isolé et protégé. Les figures 16A et 16B montrent un autre exemple de réalisation d’un composant électronique SIW creux dont le guide d’onde 72 comprend un canal intégré dans le substrat de support 74 du composant. La montre uniquement une vue depuis le dessus du canal 72 situé sous la première surface supérieure conductrice du substrat de support. La zone d’absorption 76 est définie par les trous métallisés et forme un motif « U » dans lequel l’onde électromagnétique va être absorbée ou atténuée progressivement pendant sa propagation. Dans cet exemple de réalisation, l’élément d’alimentation 79 comprend une zone creuse non métallisée formée par le prolongement d’une extrémité du canal qui débouche dans le substrat de support 74. Cette zone creuse comprend ainsi une extrémité en interface avec l’extrémité du canal du guide et une extrémité se présentant sous la forme d’une pointe qui pénètre dans la zone d’absorption 76. Afin de réaliser une adaptation d’impédance entre la cavité 73 du canal qui contient de l’air et la zone d’absorption 76 en matériau diélectrique, un ensemble de marches métallisées 78 est réalisée au niveau de l’extrémité du canal. La zone creuse ou le prolongement de l’extrémité du canal n’est pas métallisé et peut prendre différentes formes géométriques. La frontière entre le canal et l’entrée de la zone d’absorption est marquée par une rangée de vias 75. Sur l’exemple montré ici, chacune des frontières pour définir la zone d’absorption est formée par deux rangées de trous métallisées au lieu d’une seule rangée de trous métallisés afin d’assurer un meilleur blindage électromagnétique de la zone d’absorption. Le fonctionnement du composant micro-ondes de charge de terminaison de la va maintenant être décrit, en référence à la qui représente l’amplitude du champ électrique dans le composant micro-ondes. La représente une vue de l’amplitude du champ électrique dans la zone d’absorption en forme de « U » réalisée dans la couche de substrat de support, sous la première surface supérieure conductrice du composant micro-ondes. Le signal provenant du port 1 est injecté dans la zone d’absorption 77 via l’élément d’alimentation 79. Il passe donc par une transition entre l’air et le matériau du substrat de support. On constate que l’amplitude du champ diminue progressivement lors de la propagation de l’onde dans la zone d’absorption jusqu’à son annulation totale. Les modes de réalisation décrits ci-dessus peuvent être combinés suivant toutes combinaisons techniquement possibles. Grâce aux caractéristiques décrites ci-dessus, le composant micro-ondes de la présente divulgation est simple et permet d’intégrer une charge pour absorber une onde électromagnétique provenant du guide d’onde tout étant compact et de faible coût. Composant micro-onde (40), ledit composant comportant : - au moins un guide d’onde (42) comprenant une zone de propagation (48) d’une onde électromagnétique, ladite zone de propagation s’étendant le long d’un axe de propagation; - un substrat de support (44) en matériau diélectrique adapté pour assurer la rigidité mécanique dudit composant; - ledit substrat de support comprenant une première couche réalisée en matériau diélectrique présentant une première surface électriquement conductrice supérieure (44.1) et une première surface électriquement conductrice inférieure (44.2) recouvrant respectivement une face supérieure et une face inférieure dudit substrat de support ; - au moins une zone d’absorption (47) s’étendant dans le substrat de support pour guider la propagation d’ondes électromagnétiques provenant dudit guide d’onde dans le substrat afin d’absorber l’énergie des ondes ou d’atténuer l’énergie des ondes, ladite zone d’absorption étant délimitée par la première surface électriquement conductrice supérieure (44.1), la première surface électriquement conductrice inférieure (44.2) et deux frontières latérales (46) espacées propres à empêcher le passage d’une onde électromagnétique ; - un élément d’alimentation (49.1, 49.2) positionné à l’entrée de ladite zone d’absorption (47) et configuré pour prélever au moins une partie de l’onde électromagnétique provenant de ladite zone de propagation (48) dudit au moins un guide d’onde et pour l’injecter dans ladite zone d’absorption (47). Composant selon la revendication 1, dans lequel lesdites frontières latérales de la zone d’absorption sont formées par une pluralité de trous traversants métallisés (46, 56, 66, 86, 96) s’étendant à travers le substrat de support (44, 54, 64) pour connecter électriquement la première surface électriquement conductrice supérieure et la première surface électriquement conductrice inférieure. Composant selon l’une des revendications 1 à 2, dans lequel la pluralité de trous traversants métallisés (46, 56, 66, 86, 96) définit un motif ayant la forme d’un méandre. Composant selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la pluralité de trous traversants métallisés (46, 56, 66, 86, 96) définit un motif ayant la forme d’un anneau. Composant selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel la première couche réalisée en matériau diélectrique (44) présente une épaisseur comprise entre 0.2 mm et 10 mm, de préférence entre 0,5 mm et 6 mm. Composant selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel ledit au moins un guide d’onde comprend une deuxième couche en matériau diélectrique (41, 51) présentant une deuxième surface supérieure électriquement conductrice (41.1, 51.1) et une deuxième surface inférieure électriquement conductrice (41.2, 51.2), ladite deuxième surface inférieure électriquement conductrice (41.2, 51.2) étant en contact électrique avec ladite première surface supérieure électriquement conductrice (44.1, 54.1) dudit substrat de support, la zone de propagation (48, 58) étant définie dans ladite deuxième couche en matériau diélectrique (41, 51) et délimitée par la deuxième surface supérieure électriquement conductrice (41.1, 51.1), la deuxième surface inférieure électriquement conductrice (41.2, 51.2) et par une pluralité de trous métallisés traversants (43, 53) s’étendant à travers ladite deuxième couche en matériau diélectrique. Composant selon la revendication 6, dans lequel ledit élément d’alimentation comprend une première fente (49.1, 59.1) réalisée dans la deuxième surface conductrice inférieure (41.2, 51.2) et une seconde fente (49.2, 59.1) réalisée dans la première surface conductrice supérieure (44.1, 54.1), les deux fentes étant alignées et agencées en regard de l’entrée de la zone d’absorption. Composant selon la revendication 7, dans lequel l’élément d’alimentation (55) comprend un ensemble de marches métallisées réalisées dans le substrat de support, au niveau de l’interface entre le substrat de support (54) et la première surface inférieure conductrice (54.2). Composant selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel ledit au moins un guide d’onde comprend une deuxième couche en matériau diélectrique (61) présentant une deuxième surface supérieure électriquement conductrice (61.1) et une deuxième surface inférieure électriquement conductrice (61.2), ladite deuxième surface inférieure électriquement conductrice (61.2) étant en contact électrique avec ladite première surface supérieure électriquement conductrice (64.1) dudit substrat de support, ladite zone de propagation (68) comprend une cavité interne (63) réalisée dans le substrat de support, les parois latérales (68.1, 68.2) et la paroi inférieure (68.3) de ladite cavité étant métallisées, la zone de propagation étant délimitée par la deuxième surface inférieure électriquement conductrice (61.2) et les parois métallisées de la cavité (68.1, 68.2, 68.3). Composant selon la revendication 9, dans lequel l’élément d’alimentation comprend une zone creuse (79) réalisée dans le substrat de support (74), ladite zone creuse étant formée à partir d’un prolongement d’une extrémité de la cavité interne (73) du guide d’onde (72). Composant selon la revendication 10, dans lequel la zone creuse comprend une première extrémité formant une interface avec l’extrémité de la cavité et une seconde extrémité se présentant sous la forme d’une pointe (79) pénétrée dans la zone d’absorption (77) du substrat. Composant selon la revendication 11, dans lequel l’extrémité de la cavité située à l’interface avec la première extrémité de la zone creuse comprend un ensemble de marches métallisées (78) pour réaliser une adaptation d’impédance entre la cavité et la zone d’absorption. Composant selon la revendication 9, dans lequel ledit élément d’alimentation comprend au moins une fente (69, 89, 99) réalisée dans l’une des parois de la cavité interne (83, 93) du guide d’onde.