FR 3154569 A1 20250425 FR 2311378 A 20231020 Capteur d’images La présente description concerne un capteur d’images (100) comprenant une pluralité de photodétecteurs organiques (OPD) formés sur un substrat (101) transparent à un rayonnement d’intérêt des photodétecteurs organiques, chaque photodétecteur organique comportant une région active dont les flancs sont revêtus d’une région opaque (109) au rayonnement d’intérêt du photodétecteur organique. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Capteur d’images La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et plus particulièrement les capteurs d’images. Des capteurs d’images adaptés à former une image d’une scène ont été proposés. Parmi ces capteurs, il existe en particulier des capteurs d’images dits « semi-transparents » comprenant une pluralité de photodétecteurs formés sur un substrat transparent à la lumière visible, le rayonnement d’intérêt des photodétecteurs pouvant se situer en dehors du domaine visible, par exemple dans le proche infrarouge. Les capteurs d’images existants présentent toutefois divers inconvénients. En particulier, le fonctionnement des capteurs d’images semi-transparents existants comprenant une pluralité de photodétecteurs formés sur un substrat transparent à la lumière visible est affecté par des rayonnements parasites provenant du côté d’une face arrière du capteur d’images. Il existe un besoin d’améliorer les capteurs d’images existants. Il serait en particulier souhaitable de pallier tout ou partie des inconvénients des capteurs d’images semi-transparents existants comprenant une pluralité de photodétecteurs formés sur un substrat transparent à la lumière visible. Pour cela, un mode de réalisation prévoit un capteur d’images comprenant une pluralité de photodétecteurs organiques formés sur un substrat transparent à un rayonnement d’intérêt des photodétecteurs organiques, chaque photodétecteur organique comportant une région active dont les flancs sont revêtus d’une région opaque au rayonnement d’intérêt du photodétecteur organique. Selon un mode de réalisation, la région opaque présente, en vue de dessus, une forme annulaire entourant la région active. Selon un mode de réalisation, la région opaque est située sur et en contact avec les flancs de la région active. Selon un mode de réalisation, chaque photodétecteur organique comporte en outre une couche isolante interposée entre les flancs de la région active et la région opaque. Selon un mode de réalisation, la région opaque comprend des premières parties revêtant les flancs de la région active et une deuxième partie s’étendant sur une face supérieure de la région active. Selon un mode de réalisation, les premières parties de la région opaque présentent chacune une largeur strictement supérieure, de préférence au moins cinq fois supérieure, plus préférentiellement au moins dix fois supérieure, à une épaisseur de la deuxième partie de la région opaque. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend en outre, pour chaque photodétecteur organique, un filtre optique situé à l’aplomb de la région active du photodétecteur organique. Selon un mode de réalisation, la région active est située sur et en contact avec une électrode inférieure du photodétecteur organique. Selon un mode de réalisation, chaque photodétecteur organique comprend un empilement actif comprenant la région active interposée entre une couche d’injection d’électrons et une couche d’injection de trous, la couche d’injection de trous étant commune à tous les photodétecteurs organiques du capteur. Selon un mode de réalisation, le substrat est en outre transparent à la lumière visible. Selon un mode de réalisation, la région opaque au rayonnement d’intérêt du photodétecteur organique est en outre opaque à la lumière visible. Selon un mode de réalisation, la région active est adaptée à détecter un rayonnement proche infrarouge. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d’un capteur d’images comprenant les étapes suivantes : a) prévoir un substrat ; et b) former, sur le substrat, une pluralité de photodétecteurs organiques, chaque photodétecteur organique comportant une région active dont les parois sont revêtues d’une région opaque au rayonnement d’intérêt du photodétecteur organique, dans lequel le substrat est transparent à un rayonnement d’intérêt des photodétecteurs organiques. Selon un mode de réalisation, la région active est réalisée avant la région opaque. Selon un mode de réalisation, la région active est réalisée après la région opaque. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d’autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la FIG. 1 est une vue en coupe, schématique et partielle, d’un capteur d’images selon un mode de réalisation ; la FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 illustrent, par des vues de dessus et des vues en coupe, schématiques et partielles, des étapes successives d’un procédé de fabrication du capteur d’images de la FIG. 1 selon un mode de réalisation ; la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 et la FIG. 3 illustrent, par des vues de dessus et des vues en coupe, schématiques et partielles, des étapes successives d’un procédé de fabrication d’un capteur d’images selon un mode de réalisation ; et la FIG. 4 , la FIG. 4 et la FIG. 4 illustrent, par une vue de dessus et des vues en coupe, schématiques et partielles, des étapes successives d’une variante du procédé de fabrication du capteur d’images des figures 3A à 3F. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les applications des capteurs d’images décrits n’ont pas été détaillées, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart des applications usuelles des capteurs d’images, moyennant éventuellement des adaptations à la portée de la personne du métier à la lecture de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l’on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l’on fait référence à deux éléments reliés (en anglais « coupled ») entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l’intermédiaire d’un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l’on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes « avant », « arrière », « haut », « bas », « gauche », « droite », etc., ou relative, tels que les termes « dessus », « dessous », « supérieur », « inférieur », etc., ou à des qualificatifs d’orientation, tels que les termes « horizontal », « vertical », etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l’orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions « environ », « approximativement », « sensiblement », et « de l’ordre de » signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la description qui suit, les qualificatifs « isolant » et « conducteur » signifient respectivement, sauf précision contraire, électriquement isolant et électriquement conducteur. L’expression « transmittance d’une couche » désigne un rapport entre une intensité d’un rayonnement sortant de la couche et une intensité du rayonnement entrant dans la couche. Dans la suite de la description, une couche est dite opaque à un rayonnement lorsque sa transmittance est, pour ce rayonnement, strictement inférieure à 40 %, de préférence inférieure ou égale à 25 %, plus préférentiellement inférieure ou égale à 10 %. Par ailleurs, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque sa transmittance est, pour ce rayonnement, supérieure ou égale à 40 %, de préférence supérieure ou égale à 75 %, plus préférentiellement supérieure ou égale à 90 %. La définition des qualificatifs opaque et transparent(e) qui précède n’est pas limitée au cas d’une couche, mais s’applique plus généralement à tout élément susceptible d’être exposé à un rayonnement, par exemple un substrat, une région, un empilement de plusieurs couches, etc. Par ailleurs, l’expression « rayonnement d’intérêt » désigne, dans la description qui suit, un rayonnement présentant une longueur d’onde correspondant sensiblement à un pic d’absorption maximale d’un élément photosensible, par exemple un photodétecteur ou un pixel de capteur d’images. Un pixel d’une image correspond à l’élément unitaire de l’image captée par un capteur d’images. Lorsque le capteur est un capteur d’images couleur, il comprend en général, pour chaque pixel de l’image couleur à acquérir, au moins trois composants. Ces trois composants font chacun l’acquisition d’un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur, c’est-à-dire dans une plage de longueurs d’onde inférieure à 100 nm (par exemple, le rouge, le vert et le bleu). Chaque composant peut comprendre au moins un photodétecteur. Dans la présente description, l’expression « région active » désigne une région depuis laquelle est captée la majorité d’un rayonnement électromagnétique reçu par un composant optoélectronique. Dans la suite de la description, un composant optoélectronique, notamment un photodétecteur ou un pixel de capteur d’images, est dit organique lorsque la région active du composant optoélectronique est en majorité, de préférence en totalité, en au moins un matériau organique ou en un mélange de matériaux organiques. Dans la présente description, l’expression « lumière visible » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 400 nm et 700 nm et l’expression « rayonnement infrarouge » désigne un rayonnement électromagnétique dont la longueur d’onde est comprise entre 700 nm et 1 mm. Dans le domaine infrarouge, le rayonnement infrarouge proche présente une longueur d’onde comprise entre 700 nm et 1,7 µm. La FIG. 1 est une vue en coupe, schématique et partielle, d’un capteur d’images 100 selon un mode de réalisation. Dans l’exemple représenté, le capteur d’images 100 comprend une pluralité de pixels PIX formés dans et sur un substrat 101. Le substrat 101 est par exemple transparent à la lumière visible. À titre d’exemple, le substrat 101 est en verre. Dans l’exemple illustré, des transistors de commande 103 des pixels PIX sont formés dans le substrat 101. Chaque transistor de commande 103 comprend par exemple deux régions semiconductrices disjointes 103S et 103D affleurant une face 101T du substrat 101 (la face supérieure du substrat 101, dans l’orientation de la FIG. 1 ) correspondant à une face d’éclairement, ou d’illumination, du capteur d’images 100. Chaque transistor de commande 103 comprend en outre, dans cet exemple, une région semiconductrice 103G située à l’aplomb des régions semiconductrices 103S et 103D et disjointe des régions 103S et 103D. Les régions 103S, 103D et 103G sont par exemple respectivement des régions de source, de drain et de grille du transistor de commande 103. À des fins de lisibilité, seuls deux pixels PIX ont été représentés en FIG. 1 . Toutefois, le capteur d’images 100 peut bien entendu comprendre un nombre de pixels PIX supérieur à deux, par exemple plusieurs milliers ou plusieurs millions de pixels PIX. À titre d’exemple, les pixels PIX du capteur d’images 100 peuvent être organisés sous forme d’une matrice, les pixels PIX étant par exemple alors arrangés de façon régulière, à pas sensiblement constant, selon des lignes et des colonnes. Dans l’exemple illustré en FIG. 1 , chaque pixel PIX du capteur d’images 100 comprend en outre un photodétecteur organique (OPD) formé sur le substrat 101. Chaque photodétecteur organique OPD est par exemple sensible au rayonnement proche infrarouge. Le substrat 101 est par exemple transparent au rayonnement d’intérêt des photodétecteurs organiques OPD, par exemple transparent au proche infrarouge. Dans l’exemple représenté, chaque photodétecteur organique OPD comprend une région conductrice 105 s’étendant latéralement sur et en contact avec une partie de la face de la région semiconductrice 103D affleurant la face 101T du substrat 101 (la face supérieure de la région semiconductrice 103D, dans l’orientation de la FIG. 1 ). Dans l’exemple illustré, la région conductrice 105 s’étend en outre latéralement sur et en contact avec une partie de la face 101T du substrat 101. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la région conductrice 105 pouvant, à titre de variante, s’étendre sur et en contact avec toute la face supérieure de la région 103D et/ou ne pas s’étendre sur et en contact avec la face 101T du substrat 101. La région conductrice 105 constitue par exemple une électrode inférieure du photodétecteur OPD. À titre d’exemple, la région conductrice 105 est en un oxyde conducteur, par exemple l’oxyde de tungstène (WO 3 ), l’oxyde de nickel (NiO), l’oxyde de vanadium (V 2 O 5 ) ou l’oxyde de molybdène (MoO 3 ). La région conductrice 105 est par exemple plus précisément en un oxyde conducteur et transparent (« Transparent Conductive Oxide » - TCO, en anglais), par exemple l’oxyde d’indium-étain (« Indium Tin Oxide » - ITO, en anglais), l’oxyde d’aluminium-zinc (« Aluminium Zinc Oxide » - AZO, en anglais) ou l’oxyde de gallium-zinc (« Gallium Zinc Oxide » - GZO, en anglais). À titre de variante, la région conductrice 105 est en un métal, par exemple choisi parmi l’argent, l’aluminium, l’or, le cuivre, le nickel, le titane, le chrome, le tungstène, le plomb, le palladium, le molybdène, le magnésium et le platine, ou en un alliage métallique, par exemple un alliage d’au moins deux des métaux précités, par exemple un alliage de magnésium et d’argent (MgAg). À titre de variante, la région conductrice 105 est en un nitrure, par exemple un nitrure d’au moins l’un des métaux précités, par exemple le nitrure de titane (TiN). Par ailleurs, la région conductrice 105 peut présenter une structure monocouche ou multicouche, par exemple une structure multicouche ITO/Ag/ITO, AZO/Ag/AZO, ou ZnO/Ag/ZnO. Dans l’exemple représenté, chaque photodétecteur OPD comprend en outre un empilement actif 107, par exemple un empilement actif de diode, situé sur et en contact avec une partie de la face de la région conductrice 105 opposée à la face 101T du substrat 101 (la face supérieure de la région conductrice 105, dans l’orientation de la FIG. 1 ). Bien que cela n’ait pas été détaillé en FIG. 1 , l’empilement actif 107 comprend par exemple, dans l’ordre depuis la région conductrice 105, une couche d’injection d’électrons (« Electron Injection Layer » - EIL, en anglais), une région ou couche active, et une couche d’injection de trous (« Hole Injection Layer » - HIL, en anglais). À titre d’exemple, la couche d’injection d’électrons est située sur et en contact avec la région conductrice 105, la région active est située sur et en contact avec la couche d’injection d’électrons, et la couche d’injection de trous est située sur et en contact avec la région active. À titre d’exemple, la couche d’injection d’électrons est en : – un oxyde métallique, par exemple un oxyde de titane ou un oxyde de zinc ; – un système hôte/dopant moléculaire, par exemple l’un des produits commercialisés par la société Novaled sous les appellations NET-5/NDN-1 ou NET-8/MDN-26 ; – un polymère conducteur ou semiconducteur dopé choisi par exemple parmi le polymère PEDOT:Tosylate, qui est un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de tosylate, la polyéthylèneimine (PEI) ou une polyéthylèneimine éthoxylée (PEIE), propoxylée et/ou butoxylée ; – un carbonate, par exemple le carbonate de césium (CsCO 3 ) ; – un polyélectrolyte, par exemple le poly[9,9-bis(3'-(N,N-diméthylamino)propyl)-2,7-fluorène-alt-2,7-(9,9-dioctyfluorène)] (PFN), le poly[3-(6- triméthylammoniumhexyl)thiophène] (P3TMAHT) ou le poly[9,9-bis(2-éthylhexyl)fluorène]-b-poly[3-(6-triméthylammoniumhexyl] thiophène (PF2/6-b-P3TMAHT) ; ou – un mélange d’au moins deux de ces matériaux. La couche d’injection d’électrons présente par exemple une épaisseur de l’ordre de quelques nanomètres, par exemple comprise entre 2 et 10 nm, dans le cas où la couche est en un polymère tel que le PEI ou le PEIE, ou de quelques dizaines de nanomètres, dans le cas où la couche est en un oxyde métallique. À titre d’exemple, la région active et la couche d’injection d’électrons de chaque photodétecteur organique OPD forment un empilement présentant une épaisseur de l’ordre de plusieurs centaines de nanomètres, par exemple comprise entre 200 nm et 1 µm. La région active de chaque photodétecteur OPD est par exemple adaptée à détecter un rayonnement proche infrarouge. La région active présente par exemple une épaisseur de l’ordre de plusieurs centaines de nanomètres, par exemple comprise entre 300 et 600 nm, par exemple égale à environ 350 nm. À titre d’exemple, la région active peut comprendre des petites molécules, des oligomères ou des polymères. Il peut s’agir de matériaux organiques ou inorganiques, notamment des boîtes quantiques. La région active peut comprendre un matériau semiconducteur ambipolaire, ou un mélange d’un matériau semiconducteur de type N et d’un matériau semiconducteur de type P, par exemple sous forme de couches superposées ou d’un mélange intime à l’échelle nanométrique de façon à former une hétérojonction en volume. Des exemples de polymères semiconducteurs de type P adaptés à la réalisation de la région active des photodétecteurs organiques OPD sont le poly(3-hexylthiophène) (P3HT), le poly[N-9’-heptadécanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4,7-di-2-thiényl-2’,1’,3’-benzothiadiazole)] (PCDTBT), le poly[(4,8-bis-(2-éthylhexyloxy)-benzo[1,2-b;4,5-b’] dithiophène)-2,6-diyl-alt-(4-(2-éthylhexanoyl)-thieno[3,4-b] thiophène))-2,6-diyl] (PBDTTT-C), le poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4-phénylène-vinylène] (MEH-PPV) ou le poly[2,6-(4,4-bis-(2-éthylhexyl)-4 H -cyclopenta [2,1- b ;3,4- b ′]dithiophène)- alt -4,7(2,1,3-benzothiadiazole)] (PCPDTBT). Des exemples de matériaux semiconducteurs de type N adaptés à la réalisation de la région active sont les fullerènes, notamment le C60, le [6,6]-phényl-C 61 -butanoate de méthyle ([60]PCBM), le [6,6]-phényl-C 71 -butanoate de méthyle ([70]PCBM), le pérylène diimide, l’oxyde de zinc (ZnO), des nanocristaux permettant la formation de boîtes quantiques (« quantum dots », en anglais), ou des petites molécules non-fullerènes (« Non-Fullerene Acceptor » - NFA, en anglais), par exemple le Y5 (2,2’-((2Z,2’Z)-((12,13-bis(2-ethylhexyl)-3,9-diundecyl-12,13-dihydro[1,2,5]thiadiazolo[3,4e]thieno[2’’,3’’:4’,5’] thieno[2’,3’:4,5]pyrrolo[3,2-g] thieno[2’,3’:4,5]thieno[3,2-b]indole-2,10-diyl)bis(methanylylidene))bis(3-oxo-2,3-dihydro1H-indene-2,1-diylidene))dimalononitrile). La couche d’injection de trous présente par exemple une épaisseur de l’ordre d’une ou plusieurs centaines de nanomètres, par exemple comprise entre 80 nm et 1 µm, par exemple égale à environ 100 nm. À titre d’exemple, la couche d’injection de trous est en un matériau transparent au rayonnement qu’elle reçoit. La couche d’injection de trous peut être en : – un polymère conducteur ou semiconducteur dopé, par exemple le matériau commercialisé par la société Sigma-Aldrich sous l’appellation « Plexcore OC RG-1100 » ou « Plexcore OC RG-1200 », le polymère PEDOT:PSS ou une polyaniline ; – un système hôte/dopant moléculaire, par exemple le produit commercialisé par la société Novaled sous l’appellation NHT-5/NDP-2 ou NHT-18/NDP-9 ; – un polyélectrolyte, par exemple le Nafion ; – un oxyde métallique, par exemple un oxyde de molybdène, un oxyde de vanadium, de l’ITO, ou un oxyde de nickel ; ou – un mélange de deux ou de plus de deux de ces matériaux. La couche d’injection de trous peut présenter une structure monocouche ou multicouche, par exemple une structure MoOx/Ag ou MoOx/ITO. Des exemples d’oxydes conducteurs transparents adaptés à la réalisation de la couche d’injection de trous sont l’oxyde d’indium-étain (« Indium Tin Oxide » - ITO, en anglais), l’oxyde d’aluminium-zinc (« Aluminium Zinc Oxide » - AZO, en anglais), l’oxyde de gallium-zinc (« Gallium Zinc Oxide » - GZO, en anglais), le nitrure de titane (TiN), l’oxyde de molybdène (MoO 3 ) et l’oxyde de tungstène (WO 3 ). Un exemple de polymère conducteur adapté à la réalisation de la couche d’injection de trous est le polymère connu sous la dénomination PEDOT:PSS, qui est un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de polystyrène sulfonate de sodium et la polyaniline, également appelée PAni. Un exemple de structure multicouche adaptée à la réalisation de la couche d’injection de trous est une structure multicouche d’AZO et d’argent de type AZO/Ag/AZO. Bien que cela n’ait pas été représenté, une couche de transport d’électrons (« Electron Transport Layer » - ETL, en anglais), interposée entre la couche d’injection d’électrons et la région active, et/ou une couche de transport de trous (« Hole Transport Layer » - HTL, en anglais), interposée entre la région active et la couche d’injection de trous, peuvent en outre être prévues dans l’empilement actif 107 de chaque photodétecteur organique OPD. Selon un mode de réalisation, chaque photodétecteur organique OPD du capteur d’images 100 comprend en outre une région 109 revêtant les flancs, ou parois latérales, de la région active du photodétecteur. Les flancs de la région active du photodétecteur sont, de préférence, intégralement revêtus de la région 109. Dans l’exemple représenté, la région 109 revêt intégralement les flancs de l’empilement actif 107 du photodétecteur OPD. Chaque région 109, symbolisée par deux rectangles hachurés situés de part et d’autre de l’empilement actif 107 de l’un des photodétecteurs organiques OPD, est opaque au rayonnement d’intérêt du photodétecteur. Chaque région 109 est par exemple en outre opaque à la lumière visible. Dans l’exemple illustré, la région opaque 109 présente une hauteur, ou épaisseur, sensiblement égale à celle de l’empilement actif 107 du photodétecteur OPD dont elle revêt les flancs. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, la région opaque 109 pouvant, à titre de variante, présenter une hauteur, ou épaisseur, strictement supérieure à celle de l’empilement actif 107. Dans l’exemple représenté, la région opaque 109 de chaque photodétecteur organique OPD est située sur et en contact avec une partie de la face de la région conductrice 105 opposée au substrat 101 (la face supérieure de la région conductrice 105, dans l’orientation de la FIG. 1 ). Dans l’exemple illustré en FIG. 1 , les parois latérales, ou flancs, de la région opaque 109 sont alignés verticalement par rapport aux parois latérales, ou flancs, de la région conductrice 105 sous-jacente. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les flancs de la région opaque 109 pouvant, à titre de variante, être déportés latéralement par rapport à l’aplomb des flancs de la région conductrice 105. Dans ce cas, la région opaque 109 peut : être intégralement située sur et en contact avec la région conductrice 105 ; ou s’étendre latéralement sur et en contact avec une partie de la face 101T du substrat 101, la région opaque 109 étant, dans ce cas, située sur et en contact avec les flancs de la région conductrice 105. La région opaque 109 de chaque photodétecteur OPD présente par exemple une hauteur, ou épaisseur, comprise entre 500 nm et 2 µm, par exemple égale à environ 1 µm. Par ailleurs, la région opaque 109 présente par exemple une largeur comprise entre quelques nanomètres et quelques dizaines de nanomètres, par exemple égale à environ 10 nm. À titre d’exemple, la région opaque 109 est en une résine colorée, par exemple une résine SU-8 colorée ou noire. La région opaque 109 est par exemple en une résine noire absorbant dans le domaine visible et le proche infrarouge. Dans l’exemple représenté, le capteur d’images 100 comprend en outre une couche isolante 111 revêtant les parois latérales, ou flancs, des photodétecteurs organiques OPD et la face des photodétecteurs organiques OPD opposée au substrat 101 (la face supérieure des photodétecteurs organiques OPD, dans l’orientation de la FIG. 1 ). Plus précisément, dans l’exemple illustré, la couche isolante 111 est située sur et en contact avec : des parties de la face 101T du substrat 101 non revêtues des couches isolantes 105 et des régions opaques 109, dans le cas où les régions opaques 109 s’étendent latéralement sur et en contact avec la face 101T du substrat 101 ; les flancs des régions conductrices 105, dans le cas où les régions opaques 109 ne s’étendent pas latéralement sur et en contact avec la face 101T du substrat 101 ; les flancs des régions opaques 109 ; et les faces des régions opaques 109 et des empilements actifs 107 opposées au substrat 101 (les faces supérieures des régions opaques 109 et des empilements actifs 107, dans l’orientation de la FIG. 1 ). La couche isolante 111 est par exemple transparente au rayonnement d’intérêt des photodétecteurs organiques OPD du capteur d’images 100. À titre d’exemple, la couche isolante 111 est en une colle époxy, en un diélectrique organique, en polystyrène, en une résine acrylate, en une résine connue sous la dénomination commerciale SU8 ou en une combinaison d’au moins deux de ces matériaux. Dans l’exemple illustré, chaque pixel PIX comporte en outre un filtre optique 113 surmontant le photodétecteur organique OPD sous-jacent. Dans l’exemple représenté, chaque filtre optique 113 est plus précisément situé à l’aplomb de l’empilement actif 107 et de la région opaque 109 de l’un des photodétecteurs organiques OPD. Les flancs de chaque filtre optique 113 sont par exemple, comme illustré en FIG. 1 , sensiblement alignés verticalement par rapport aux flancs de la région opaque 109 du photodétecteur organique OPD sous-jacent. Dans ce cas, le filtre optique 113 est sensiblement centré latéralement par rapport au photodétecteur organique OPD sous-jacent et présente, en vue de dessus, une surface sensiblement égale à la somme des surfaces de l’empilement actif 107 et de la région opaque 109 du photodétecteur. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, les flancs de chaque filtre optique 113 pouvant, à titre de variante, ne pas être alignés verticalement par rapport aux flancs de la région opaque 109 du photodétecteur organique OPD sous-jacent. Dans ce cas, le filtre optique 113 est par exemple décentré latéralement par rapport au photodétecteur organique OPD sous-jacent et/ou présente, en vue de dessus, une surface strictement supérieure à la somme des surfaces de l’empilement actif 107 et de la région opaque 109 du photodétecteur. De préférence, chaque filtre optique 113 s’étend latéralement au-delà de l’aplomb de l’empilement actif 107 sous-jacent. Cela permet un filtrage optimal des rayonnements incidents. Dans l’exemple représenté, chaque filtre optique 113 est séparé du photodétecteur organique OPD sous-jacent par une partie de la couche isolante 111. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque filtre optique 113 pouvant, à titre de variante, être situé sur et en contact avec la région opaque 109 sous-jacente et avec l’empilement actif 107 sous-jacent, dans le cas où l’empilement actif 107 et la région opaque 109 présentent des épaisseurs sensiblement identiques. Les filtres optiques 113 transmettent majoritairement le rayonnement d’intérêt du photodétecteur organique OPD sous-jacent et absorbent les autres rayonnements. À titre d’exemple, chaque filtre optique 113 est un filtre absorbant la lumière visible et transmettant le rayonnement infrarouge (« IR pass filter », en anglais), par exemple dans un cas où le capteur d’images 100 est un capteur infrarouge. À titre de variante, chaque filtre optique 113 est par exemple un filtre couleur, par exemple dans un cas où le capteur d’images 100 est un capteur d’images couleur. Un avantage du capteur d’images 100 tient au fait que la présence des régions opaques 109 revêtant les régions actives des photodétecteurs organiques OPD permet d’éviter, ou de limiter, le fait que des rayonnements parasites, provenant du côté d’une face du substrat 101 opposée à la face 101T (la face inférieure du substrat 101, dans l’orientation de la FIG. 1 ), ne viennent perturber le fonctionnement des photodétecteurs organiques OPD du capteur d’images 100. Les rayonnements parasites, qui ne traversent pas les filtres optiques 113, comprennent par exemple des rayonnements infrarouge et/ou de la lumière visible. En particulier, les régions opaques 109 permettent avantageusement d’éviter, ou de limiter, des phénomènes de photogénération de charges indésirables dans la région active des photodétecteurs organiques OPD lors de phases d’exposition du capteur d’images 100. Le capteur d’images 100 présente par exemple un rapport signal sur bruit supérieur à celui d’un capteur d’images dépourvu des régions opaques 109. La FIG. 2 , la FIG. 2 , la FIG. 2 et la FIG. 2 illustrent, par des vues de dessus et des vues en coupe, schématiques et partielles, des étapes successives d’un procédé de fabrication du capteur d’images 100 de la FIG. 1 selon un mode de réalisation. Dans ce procédé, la région opaque 109 de chaque photodétecteur organique OPD est formée préalablement à la réalisation de l’empilement actif 107. Les figures 2A et 2B illustrent plus précisément, respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe selon le plan BB de la FIG. 2 , une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des régions opaques 109. À titre d’exemple, une couche en le matériau destiné à former les régions opaques 109 est déposée du côté de la face 101T du substrat 101, la couche revêtant ainsi les faces supérieures et latérales des régions conductrices 105 et les parties de la face 101T du substrat 101 non revêtues des régions conductrices 105. La couche est par exemple ensuite structurée, par exemple par photolithographie, de manière à ne conserver que les régions opaques 109. L’étape de photolithographie peut être suivie d’une étape de gravure, par exemple dans un cas où la couche en le matériau destiné à former les régions opaques 109 n’est pas photosensible. Dans l’exemple représenté, chaque région opaque 109 présente, en vue de dessus, une forme annulaire rectangulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque région opaque 109 pouvant, à titre de variante, présenter, en vue de dessus, une forme annulaire quelconque, par exemple ovale, circulaire, carrée, etc. La région opaque 109 présente par exemple un pourtour de forme sensiblement identique à celle de la région conductrice 105 sous-jacente. Dans l’exemple illustré, une piste conductrice 203G interconnecte les régions 103G des transistors de commande 103 des pixels PIX d’une même ligne. Les pistes conductrices 203G sont par exemple parallèles entre elles et isolées les unes des autres. Dans cet exemple, une piste conductrice 203S interconnecte les régions 103S des transistors de commande 103 des pixels PIX d’une même colonne. Les pistes conductrices 203S sont par exemple parallèles entre elles et isolées les unes des autres. À titre d’exemple, les pistes conductrices 203S sont sensiblement orthogonales aux pistes conductrices 203G et isolées des pistes conductrices 203G. Bien que cela n’ait pas été détaillé sur les figures, les pistes conductrices 203G et 203S sont par exemple connectées respectivement à des circuits de commande et de lecture du capteur d’images 100. Les circuits de commande et de lecture du capteur d’images 100 sont par exemple adaptés à mettre en œuvre des étapes successives de réinitialisation, d’exposition et d’acquisition. La réalisation de ces circuits et la mise en œuvre de ces étapes est à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Les figures 2C et 2D illustrent plus précisément, respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe selon le plan BB de la FIG. 2 , une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des empilements actifs 107. À titre d’exemple, des première, deuxième et troisième couches, destinées respectivement à former la couche d’injection d’électrons, la région active et la couche d’injection de trous, sont successivement déposées du côté de la face 101T du substrat 101 au cours de cette étape. L’empilement constitué des première, deuxième et troisième couches est par exemple ensuite structuré, par exemple par photolithographie puis gravure, de sorte à conserver des parties des première, deuxième et troisième couches entourées, ou bordées, par les régions opaques 109. Ces parties des première, deuxième et troisième couches sont destinées à former les empilements actifs 107 des photodétecteurs organiques OPD du capteur d’images 100. Dans l’exemple représenté, des parties des première, deuxième et troisième couches s’étendant latéralement en dehors des espaces délimités par les régions opaques 109 sont en outre conservées à l’issue de la structuration. Dans l’exemple illustré en FIG. 2 , ces parties des première, deuxième et troisième couches forment, en vue de dessus, un quadrillage reliant tous les empilements actifs 107 entre eux. Cela permet par exemple de former une électrode supérieure commune à tous les empilements actifs 107 du capteur d’images 100, l’électrode supérieure commune correspondant dans ce cas à la troisième couche de l’empilement, c’est-à-dire à la couche destinée à former les couches d’injection de trous des photodétecteurs organiques OPD. Bien que cela n’ait pas été illustré, la couche isolante 111 est par exemple ensuite déposée du côté de la face 101T du substrat 101, puis les filtres optiques 113 sont réalisés. À titre d’exemple, les filtres optiques 113 sont formés par dépôt d’une couche du côté de la face 101T du substrat 101 puis structuration de la couche, par exemple par photolithographie. L’étape de photolithographie peut être suivie d’une étape de gravure, par exemple dans un cas où la couche en le matériau destiné à former les filtres optiques 113 n’est pas photosensible. Une structure identique ou analogue à celle illustrée en FIG. 1 est ainsi obtenue. La FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 , la FIG. 3 et la FIG. 3 illustrent, par des vues de dessus et des vues en coupe, schématiques et partielles, des étapes successives d’un procédé de fabrication d’un capteur d’images 300 selon un mode de réalisation. Le procédé de fabrication du capteur d’images 300 décrit ci-dessous en relation avec les figures 3A à 3F diffère par exemple du procédé de fabrication du capteur d’images 100 principalement en ce que, dans le cas du capteur d’images 300, les régions opaques 109 sont formées postérieurement aux empilements actifs 107. Les figures 3A et 3B illustrent plus précisément, respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe selon le plan BB de la FIG. 3 , une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des empilements actifs 107. À titre d’exemple, des première, deuxième et troisième couches, destinées respectivement à former la couche d’injection d’électrons, la région active et la couche d’injection de trous, sont successivement déposées du côté de la face 101T du substrat 101. L’empilement constitué des première, deuxième et troisième couches est par exemple ensuite structuré, par exemple par photolithographie puis gravure, de sorte à conserver des parties des première, deuxième et troisième couches situées à l’aplomb des régions conductrices 105. Ces parties des première, deuxième et troisième couches sont destinées à former les empilements actifs 107 des photodétecteurs organiques OPD du capteur d’images 100. De manière analogue à ce qui a été exposé précédemment pour le capteur d’images 100 en relation avec les figures 2C et 2D, des parties des première, deuxième et troisième couches s’étendant latéralement au-delà de l’aplomb des régions conductrices 105 sont en outre conservées à l’issue de la structuration. Dans l’exemple illustré en FIG. 3 , ces parties des première, deuxième et troisième couches forment, en vue de dessus, un quadrillage reliant tous les empilements actifs 107 entre eux. Cela permet par exemple de former une électrode supérieure commune à tous les empilements actifs 107, l’électrode supérieure commune correspondant dans ce cas à la troisième couche de l’empilement, c’est-à-dire à la couche destinée à former les couches d’injection de trous des photodétecteurs organiques OPD. Les figures 3C et 3D illustrent plus précisément, respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe selon le plan BB de la FIG. 3 , une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des régions opaques 109. À titre d’exemple, une couche tampon 301 est déposée du côté de la face 101T du substrat 101, la couche tampon 301 revêtant ainsi les faces supérieures et latérales des empilements actifs 107, les faces latérales et des parties des faces supérieures des régions conductrices 105 non revêtues des empilements actifs 107, et les parties de la face 101T du substrat 101 non revêtues des régions conductrices 105. La couche tampon 301 est par exemple ensuite structurée, par exemple par photolithographie puis éventuellement gravure, de sorte à conserver uniquement des parties de la couche tampon 301 revêtant les faces latérales et supérieures des empilements actifs 107. À titre d’exemple, dans le cas où la couche tampon 301 est en résine SU-8, la structuration de la couche s’effectue par développement. À titre d’exemple, la couche tampon 301 est une couche isolante, par exemple une couche en le même matériau que la couche isolante 111 du capteur d’images 100. La couche tampon 301 est par exemple destinée à protéger les régions opaques 109 vis-à-vis des empilements actifs 107, par exemple dans un cas où le matériau des régions opaques 109 n’est pas compatible avec au moins l’un des matériaux des empilements actifs 107. La couche tampon 301 présente par exemple une épaisseur comprise entre 1 et 2 µm, par exemple égale à environ 1,2 µm. À titre de variante, par exemple dans un cas où les matériaux et les solvants mis en œuvre dans le procédé de dépôt et de structuration des régions opaques 109 sont compatibles avec les matériaux des empilements actifs 107, la couche tampon 301 peut être omise. À titre d’exemple, une couche en le matériau destiné à former les régions opaques 109 est ensuite déposée du côté de la face 101T du substrat 101, la couche revêtant ainsi les parties de la couche tampon 301, des parties des faces supérieures des régions conductrices 105 non revêtues des empilements actifs 107 ou des parties de la couche tampon 301, et les parties de la face 101T du substrat 101 non revêtues des régions conductrices 105. La couche est par exemple ensuite structurée, par exemple par photolithographie puis éventuellement gravure, de manière à ne conserver que les régions opaques 109. Dans l’exemple représenté, chaque région opaque 109 présente, en vue de dessus, une forme annulaire rectangulaire. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque région opaque 109 pouvant, à titre de variante, présenter, en vue de dessus, une forme annulaire quelconque, par exemple ovale, circulaire, carrée, etc. La région opaque 109 présente par exemple un pourtour de forme sensiblement identique à celle de la région conductrice 105 sous-jacente. Les figures 3E et 3F illustrent plus précisément, respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe selon le plan BB de la FIG. 3 , une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des filtres optiques 113. À titre d’exemple, une couche en le matériau des filtres optiques 113 est déposée du côté de la face 101T du substrat 101. La couche est ensuite par exemple structurée, par exemple par photolithographie puis éventuellement gravure, de sorte à conserver uniquement des parties de la couche situées sur les faces supérieures de la couche tampon 301 et des régions opaques 109. Les figures 3E et 3F illustrent un exemple dans lequel chaque filtre optique 113 présente des dimensions latérales sensiblement égales à celle d’une structure formée par les régions opaques 109 et la couche tampon 301 sous-jacente. Cet exemple n’est toutefois pas limitatif, chaque filtre optique 113 pouvant, à titre de variante, présenter des dimensions latérales strictement supérieures à celles de cette structure. De préférence, chaque filtre optique 113 est sensiblement centré par rapport à l’empilement actif 107 sous-jacent, et présente des dimensions latérales strictement supérieures à celles de l’empilement actif 107 sous-jacent. Cela permet de s’assurer que l’intégralité du rayonnement provenant du côté de la face 101T du substrat 101 traverse le filtre optique 113 avant de parvenir à l’empilement actif 107. Bien que cela n’ait pas été représenté, une autre couche tampon peut être interposée entre les régions isolantes 109 et les filtres optiques 113. La FIG. 4 , la FIG. 4 et la FIG. 4 illustrent, par une vue de dessus et des vues en coupe, schématiques et partielles, des étapes successives d’une variante du procédé de fabrication du capteur d’images 300 des figures 3A à 3F. Selon cette variante, les régions opaques 109 s’étendent latéralement sur les empilements actifs 107 des photodétecteurs organiques OPD. La région opaque 109 de chaque photodétecteur organique OPD s’étend sur et en contact avec la face supérieure de la couche tampon 301 sous-jacente, ou sur et en contact avec la face supérieure de l’empilement actif 107, dans le cas où la couche tampon 301 est omise. Les figures 4A et 4B illustrent plus précisément, respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe selon le plan BB de la FIG. 4 , une structure obtenue à l’issue d’une étape de formation des régions opaques 109, par exemple à partir de la structure précédemment décrite en relation avec les figures 3A et 3B. Les parties de la couche tampon 301 sont par exemple formées comme décrit ci-dessus en relation avec les figures 3C et 3D. À titre d’exemple, une couche en le matériau destiné à former les régions opaques 109 est ensuite déposée du côté de la face 101T du substrat 101, la couche revêtant ainsi les parties de la couche tampon 301, des parties des faces supérieures des régions conductrices 105 non revêtues des empilements actifs 107 ou des parties de la couche tampon 301, et les parties de la face 101T du substrat 101 non revêtues des régions conductrices 105. La couche est par exemple ensuite structurée, par exemple par photolithographie puis éventuellement gravure, de manière à ne conserver que les régions opaques 109. Dans l’exemple représenté, chaque région opaque 109 comprend des parties verticales revêtant les flancs de l’empilement actif 107 et une partie horizontale, ou partie supérieure, revêtant la face supérieure de l’empilement actif 107 sous-jacent. Dans cet exemple, chaque région opaque 109 revêt en particulier une face de la région active du photodétecteur organique OPD sous-jacent sensiblement parallèle à la face 101T du substrat 101 (la face supérieure de la région active, dans l’orientation de la FIG. 4 ). Les parties verticales de chaque région opaque 109 sont, dans l’exemple représenté, sensiblement orthogonales à la face 101T du substrat 101. La partie horizontale de chaque région opaque 109, surmontant la région active, permet de faire office de filtre global pour les photodétecteurs organiques OPD. Dans l’exemple représenté, les parties horizontales des régions opaques 109 présentent une épaisseur e, ou hauteur, strictement inférieure à une largeur W des parties verticales des régions opaques 109. À titre d’exemple, la largeur W des parties verticales des régions opaques 109 est égale à environ 10 µm. À titre d’exemple, la largeur W des parties verticales des régions opaques 109 est au moins cinq fois inferieure, de préférence au moins dix fois inférieure, à l’épaisseur e des parties horizontales des régions opaques 109. La FIG. 4 illustre plus précisément, par une vue en coupe selon le plan BB de la FIG. 4 , une structure obtenue à l’issue d’une étape de dépôt de la couche isolante 111 et de formation des filtres optiques 113. Un capteur d’images 400 analogue au capteur d’images 300 est ainsi obtenu. La couche isolante 111 et les filtres optiques 113 du capteur d’images 400 sont par exemple réalisés comme décrit précédemment pour le capteur d’images 100. Les capteurs d’images 300 et 400 présentent des avantages analogues à ceux du capteur d’images 100. En particulier, la présence des régions opaques 109 permet aux capteurs d’images 300 et 400 de présenter une sensibilité réduite aux rayonnements provenant d’un côté du substrat 101 opposé à la face 101T. Selon les matériaux considérés, le procédé de formation d’au moins certaines couches ou régions des capteurs d’images 100, 300 et 400 peut correspondre à un procédé dit additif, par exemple par impression directe du matériau composant les couches ou régions organiques aux emplacements souhaités notamment sous forme de sol-gel, par exemple par impression par jet d’encre, héliographie, sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation (« spray coating », en anglais) ou dépôt de gouttes (« drop casting », en anglais). Selon les matériaux considérés, le procédé de formation des couches ou régions des capteurs d’images peut correspondre à un procédé dit soustractif, dans lequel le matériau composant les couches ou régions organiques est déposé sur la totalité de la structure et dans lequel les portions non utilisées sont ensuite retirées, par exemple par photolithographie ou ablation laser. Il peut s’agir notamment de procédés du type dépôt à la tournette (« spin coating », en anglais), revêtement par pulvérisation, héliographie, revêtement par filière (« slot-die coating », en anglais), revêtement à la lame (« blade-coating », en anglais), flexographie ou sérigraphie. Lorsque les couches ou régions sont métalliques, le métal est, par exemple, déposé par évaporation ou par pulvérisation cathodique sur l’ensemble du support et les couches ou régions métalliques sont délimitées par gravure. De façon avantageuse, au moins certaines des couches ou régions des capteurs d’images 100, 300 et 400 peuvent être réalisées par des techniques d’impression. Les matériaux de ces couches ou régions décrites précédemment peuvent être déposés sous forme liquide, par exemple sous forme d’encres conductrices et semiconductrices à l’aide d’imprimantes à jet d’encre ou de dispositifs de dépôt à la tournette, de revêtement à la lame ou de revêtement par filière. Par matériaux sous forme liquide, on entend ici également des matériaux en gel déposables par des techniques d’impression. Des étapes de recuit sont éventuellement prévues entre les dépôts des différentes couches ou régions, mais les températures de recuit peuvent ne pas dépasser 150 °C, et le dépôt et les éventuels recuits peuvent être réalisés à la pression atmosphérique. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, l’adaptation des modes de réalisation décrits au cas où la couche tampon 301 est omise est à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples particuliers de matériaux et de dimensions mentionnés dans la présente description. Capteur d’images (100 ; 300 ; 400) comprenant une pluralité de photodétecteurs organiques (OPD) formés sur un substrat (101) transparent à un rayonnement d’intérêt des photodétecteurs organiques, chaque photodétecteur organique comportant une région active dont les flancs sont revêtus d’une région opaque (109) au rayonnement d’intérêt du photodétecteur organique. Capteur (100 ; 300 ; 400) selon la revendication 1, dans lequel la région opaque (109) présente, en vue de dessus, une forme annulaire entourant la région active. Capteur (100 ; 400) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la région opaque (107) est située sur et en contact avec les flancs de la région active. Capteur (300 ; 400) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chaque photodétecteur organique (OPD) comporte en outre une couche isolante (301) interposée entre les flancs de la région active et la région opaque (109). Capteur (400) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la région opaque (109) comprend des premières parties revêtant les flancs de la région active et une deuxième partie s’étendant sur une face supérieure de la région active. Capteur (400) selon la revendication 5, dans lequel les premières parties de la région opaque (109) présentent chacune une largeur (W) strictement supérieure, de préférence au moins cinq fois supérieure, plus préférentiellement au moins dix fois supérieure, à une épaisseur (e) de la deuxième partie de la région opaque. Capteur (100 ; 300 ; 400) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre, pour chaque photodétecteur organique (OPD), un filtre optique (113) situé à l’aplomb de la région active du photodétecteur organique. Capteur (100 ; 300 ; 400) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la région active est située sur et en contact avec une électrode inférieure (105) du photodétecteur organique (OPD). Capteur (100 ; 300 ; 400) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque photodétecteur organique (OPD) comprend un empilement actif (107) comprenant la région active interposée entre une couche d’injection d’électrons et une couche d’injection de trous, la couche d’injection de trous étant commune à tous les photodétecteurs organiques du capteur. Capteur (100 ; 300 ; 400) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat (101) est en outre transparent à la lumière visible. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la région opaque (109) au rayonnement d’intérêt du photodétecteur organique (OPD) est en outre opaque à la lumière visible. Capteur (100 ; 300 ; 400) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la région active est adaptée à détecter un rayonnement proche infrarouge. Procédé de fabrication d’un capteur d’images (100 ; 300 ; 400) comprenant les étapes suivantes : a) prévoir un substrat (101) ; et b) former, sur le substrat, une pluralité de photodétecteurs organiques (OPD), chaque photodétecteur organique comportant une région active dont les parois sont revêtues d’une région opaque (109) au rayonnement d’intérêt du photodétecteur organique, dans lequel le substrat est transparent à un rayonnement d’intérêt des photodétecteurs organiques. Procédé selon la revendication 13, dans lequel la région active est réalisée avant la région opaque (109). Procédé selon la revendication 13, dans lequel la région active est réalisée après la région opaque (109).