FR 3147663 A1 20241011 FR 2303527 A 20230407 Boîtier de circuit intégré (1) comprenant un substrat-porteur (2) et un dissipateur thermique (4) comportant une paroi latérale (41) fixée sur une face de montage (21) du substrat-porteur (2) par des moyens de fixation (60, 61), dans lequel les moyens de fixation (60, 61) sont logés dans des logements (51) de la paroi latérale (41) et traversent le substrat-porteur (2) à travers des premiers orifices (50), les moyens de fixation (60, 61) et les premiers orifices (50) étant configurés pour permettre une fixation de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) et un déplacement relatif des moyens de fixation (60,61) par rapport aux premiers orifices (50). Figure pour l’abrégé : Fig 1 DISSIPATEUR THERMIQUE FIXE SUR LE SUBSTRAT D’UN BOITIER DE CIRCUITS INTEGRES Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent le domaine de l’électronique, notamment le domaine du conditionnement (« packaging » en anglais) de circuits intégrés et plus particulièrement la fixation de dissipateurs thermiques sur le substrat-porteur de boîtiers de circuits intégrés. Un type de boîtier de circuits intégrés, par exemple un boîtier de type « CLGA » (pour « Ceramic Land Grid Array » en anglais qui signifie « matrice de pastilles en céramique » en français) comprend un dissipateur thermique permettant de dissiper la chaleur produite par la puce d’un circuit intégré lors de son fonctionnement vers l’extérieur du boîtier. Le dissipateur thermique est typiquement fixé sur un substrat-porteur du boîtier par l’intermédiaire d’une colle formant des liaisons chimiques entre le dissipateur et le substrat-porteur à hautes températures, par exemple lors de recuits thermiques du boîtier. Toutefois, le matériau du substrat-porteur présente parfois un coefficient thermique d’expansion (également connu par l’acronyme « CTE » pour « Coefficient of Thermal Expansion » en anglais) relativement faible par rapport à celui du matériau du dissipateur thermique de telle manière que ce dernier exerce des contraintes mécaniques sur le substrat-porteur. Ces contraintes se produisent notamment à des températures pour lesquelles le dissipateur thermique se dilate, par exemple lors des recuits thermiques du boîtier, et sont typiquement proportionnelles à l’écart entre les coefficients thermiques d’expansion respectifs du dissipateur et du substrat-porteur. En particulier, ces contraintes peuvent être à l’origine d’une déformation du substrat-porteur qui peut alors présenter une courbure à ses extrémités et ne pas reprendre sa forme plate initiale après diminution de la température. L’écart entre les coefficients thermique d’expansion est notamment relativement élevé pour le cas d’un dissipateur thermique métallique, par exemple en cuivre, et d’un substrat-porteur en céramique. La déformation du substrat-porteur a notamment été constatée suite à une fixation de dissipateurs thermiques en cuivre dont le coefficient thermique d’expansion est de 17×10 -6 K -1 sur des substrats de boîtiers de type CLGA généralement en céramique tel que l’Alumine (Al 2 O 3 ) dont le coefficient thermique d’expansion est de 12×10 -6 K -1 . Par conséquent, un substrat-porteur déformé ne convient pas au montage du boîtier sur une carte de circuit imprimé puisque des espaces vides peuvent apparaître entre les extrémités recourbées du boîtier et la carte de circuit imprimé une fois le boîtier monté sur la carte. Il existe donc un besoin de trouver une solution permettant d’empêcher une déformation du substrat-porteur lors de la fixation du dissipateur thermique sur le substrat-porteur. Selon un aspect, il est proposé un boîtier de circuit intégré comprenant un substrat-porteur et un dissipateur thermique comportant une paroi latérale fixée sur une face de montage du substrat-porteur par des moyens de fixation. Les moyens de fixation sont logés dans des logements de la paroi latérale et traversent le substrat-porteur à travers des premiers orifices. Les moyens de fixation et les premiers orifices sont configurés pour permettre une fixation de la paroi latérale sur la face de montage et un déplacement relatif des moyens de fixation par rapport aux premiers orifices. En d’autres termes, le dissipateur thermique est maintenu fixé au substrat-porteur par des moyens de fixation dont le déplacement n’est pas complétement restreint par les premiers orifices. En particulier, les moyens de fixation se déplacent librement dans le sens de la dilatation du dissipateur thermique pour empêcher le dissipateur d’exercer des contraintes mécaniques sur le substrat-porteur durant sa dilatation. Et, lorsque le dissipateur thermique reprend sa forme initiale, c’est-à-dire lorsqu’il se rétracte, les moyens de fixation peuvent revenir à leur position initiale pour éviter que d’autres contraintes mécaniques s’appliquent sur le substrat-porteur lorsque le dissipateur se rétracte. Ainsi, le boîtier selon cet aspect comprend un dissipateur fixé sur un substrat-porteur ne se déformant pas lors d’une dilatation du dissipateur thermique même avec des écarts significatifs entre les coefficients thermiques d’expansion du substrat-porteur et du dissipateur thermique. Un tel boîtier selon cet aspect ne présente donc pas de courbure au niveau de ses extrémités. En particulier, le substrat-porteur peut posséder, par exemple pour un certain type de céramique, un coefficient d’expansion thermique compris entre 10×10 -6 K -1 et 12×10 -6 K -1 et le dissipateur thermique peut posséder un coefficient d’expansion thermique compris entre 15×10 -6 K -1 et 17×10 -6 K -1 Selon un mode de réalisation, le substrat-porteur comporte une face inférieure opposée à la face de montage et les moyens de fixation comprennent des rivets comprenant chacun une première extrémité logée dans un logement correspondant et une deuxième extrémité sous la face inférieure du substrat-porteur. La distance entre la première extrémité et la deuxième extrémité est égale à l’épaisseur du substrat-porteur augmentée d’un jeu permettant à la fois un maintien de la paroi latérale fixée à la face de montage du substrat-porteur et un déplacement de chaque rivet dans les premiers orifices. Les rivets permettent une fixation rapide et fiable du dissipateur thermique sur le substrat-porteur et sont suffisamment longs pour donner du jeu et faciliter le déplacement des rivets dans les premiers orifices. Selon un mode de réalisation, le substrat-porteur comporte une face inférieure opposée à la face de montage et les logements présentent un filetage et les moyens de fixation comprennent des vis adaptées pour être vissées dans les logements filetés en laissant un jeu entre les têtes de vis et la face inférieure du substrat-porteur. Les vis sont avantageusement utilisées en alternative des rivets pour fixer le dissipateur thermique sur le substrat-porteur et peuvent être resserrées ou desserrées, voire retirées complétement pour être par exemple remplacées par de nouvelles vis. Selon un mode de réalisation, la valeur du jeu (J) est comprise entre 10 et 20 µm Cette gamme de jeu permet aux moyens de fixation de se déplacer librement tout en évitant de créer des espaces trop importants entre la paroi latérale du dissipateur et la face de montage du substrat-porteur. Selon un mode de réalisation, les premiers orifices présentent une forme oblongue. Selon un mode de réalisation, la paroi latérale du dissipateur thermique est de forme annulaire à section carrée ou rectangulaire, et le substrat-porteur comporte quatre premiers orifices respectivement situés en regard des quatre zones de coins de la paroi latérale. Ce nombre de premiers orifices et donc de moyens de fixation est suffisant pour fixer une paroi latérale ayant une telle forme de façon fiable sur la face de montage du substrat-porteur sans risque de générer des contraintes mécaniques sur le substrat-porteur lors de la dilatation du dissipateur thermique. Selon un mode de réalisation, l’axe de chaque premier orifice dans le plan de la face de montage fait un angle de 45° par rapport à la direction des deux bords de la paroi latérale adjacents à ce premier orifice. La forme oblongue en combinaison avec l’angle de 45°, permet d’orienter le déplacement des moyens de fixation de sorte qu’ils se déplacent dans le sens de la dilatation ou de la contraction du dissipateur thermique et fournit une plus grande liberté de mouvement au dissipateur réduisant ainsi les contraintes sur le substrat-porteur. Les moyens de fixation peuvent ainsi se déplacer suivant l’axe des premiers orifices. Selon un mode de réalisation, les moyens de fixation sont thermiquement conducteurs. Les moyens de fixation permettent ainsi de former un chemin à travers le substrat-porteur pour dissiper la chaleur générée par les puces électroniques en fonctionnement dans le boîtier. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’un boîtier de circuit intégré, comprenant : - une fourniture d’un substrat-porteur comprenant une face de montage, - une fourniture d’un dissipateur thermique comprenant une paroi latérale, - une formation de logements dans la paroi latérale du dissipateur thermique, – une formation de premiers orifices dans le substrat-porteur, - une fixation de la paroi latérale sur la face de montage du substrat-porteur par des moyens de fixation, les moyens de fixation étant logés dans les logements de la paroi latérale du dissipateur et traversant le substrat-porteur à travers les premiers orifices de façon à permettre un déplacement relatif des moyens de fixation par rapport aux premiers orifices. Selon un mode de mise en œuvre, le substrat-porteur comporte une face inférieure opposée à la face de montage et la fixation de la paroi latérale sur la face de montage comprend un rivetage par des rivets comprenant chacun une première extrémité logée dans un logement correspondant et une deuxième extrémité sous la face inférieure du substrat-porteur, la distance entre la première extrémité et la deuxième extrémité étant égale à l’épaisseur du substrat-porteur augmentée d’un jeu permettant à la fois un maintien de la paroi latérale fixée à la face de montage du substrat-porteur et un déplacement de chaque rivet dans les premiers orifices. Selon un mode de mise en œuvre, le substrat-porteur comporte une face inférieure opposée à la face de montage, la formation des logements dans la paroi latérale du dissipateur thermique comprend un filetage des logements et la fixation de la paroi latérale sur la face de montage comprend un vissage par des vis dans les logements filetés en laissant un jeu entre les têtes de vis et la face inférieure du substrat-porteur. Selon un mode de mise en œuvre, la valeur du jeu est comprise entre 10 et 20 µm Selon un mode de mise en œuvre, on réalise les premiers orifices de sorte qu’ils présentent une forme oblongue. Selon un mode de mise en œuvre, on fournit le dissipateur thermique dont la paroi latérale est de forme annulaire à section carrée ou rectangulaire, et on forme quatre premiers orifices dans le substrat-porteur respectivement situés en regard des quatre zones de coin de la paroi latérale. Selon un mode de mise en œuvre, l’axe de chaque premier orifice dans le plan de la face de montage fait un angle de 45° par rapport à la direction des deux bords de la paroi latérale adjacents à ce premier orifice. Selon un mode de mise en œuvre, on réalise les moyens de fixation de sorte qu’ils sont thermiquement conducteurs. Selon un mode de mise en œuvre, le substrat-porteur possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 10×10 -6 K -1 et 12×10 -6 K -1 et le dissipateur thermique possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 15×10 -6 K -1 et 17 ×10 -6 K -1 D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de mode de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : ; ; ; et illustrent schématiquement des modes de mise en œuvre et de réalisation de l’invention. La illustre schématiquement une vue en coupe d’un boîtier de circuit intégré 1 selon un mode de réalisation. Le boîtier 1 comporte un substrat-porteur 2 comprenant une face de montage 21 et une face inférieure 20 opposée à la face de montage. Le substrat-porteur 2 est de structure classique et connue en soi, et peut avoir une composition différente selon le type de boîtier. Le substrat-porteur 2 comporte des pistes conductrices, typiquement en cuivre, intégrées dans une ou plusieurs couches de matériau diélectrique. Dans le cas d’un boîtier de type « CLGA », le matériau diélectrique est typiquement de la céramique tel que de l’Alumine (Al 2 O 3 ) ou du nitrure d’aluminium (AlN). En particulier, le substrat-porteur 2 peut comporter de la céramique cuite à basse température désignée par l’acronyme « LTCC » (pour « Low Temperature Co-Fired Ceramic » en anglais) de type GL773 commercialisée par la société japonaise Kyocera dont le coefficient d’expansion thermique est compris entre 10×10 -6 K -1 et 12×10 -6 K -1 , par exemple 12×10 -6 K -1 Le substrat-porteur 2 comporte des premiers orifices 50 s’étendant dans l’épaisseur Esub du substrat-porteur 2 entre la face de montage 21 et la face inférieure 20 du substrat-porteur 2. L’épaisseur Esub du substrat-porteur 2 est par exemple comprise entre 3 et 4mm . Le boîtier de circuit intégré 1 comporte également au moins une puce électronique 3 et un dissipateur thermique 4. La ou les puces électroniques 3 peuvent être montées et connectées à la face de montage 21 du substrat-porteur 2 de façon classique et connue en soi, par exemple par soudure de billes de connexion. Le dissipateur thermique 4 comporte une paroi latérale 41 et une paroi supérieure 40. La paroi latérale 41 est fixée sur la face de montage 21 du substrat-porteur 2 par des moyens de fixation 60 et la paroi supérieure 40 est ici fixée sur la puce électronique 3 par l’intermédiaire d’un matériau d’interface préférentiellement thermiquement conducteur 7. La paroi latérale 41 comprend des logements 51, par exemple des orifices s’étendant partiellement dans la paroi latérale 41 et alignées avec les premiers orifices 50 du substrat-porteur 2. En outre, le dissipateur thermique 4 est en métal, par exemple en cuivre (Cu), et possède alors un coefficient thermique d’expansion égal à 17×10 -6 K -1 . Par conséquent, la dilatation du dissipateur thermique 4 est plus importante que celle du substrat-porteur à hautes températures, notamment lors de recuits thermiques du boîtier et aurait exercée des contraintes mécaniques sur le substrat-porteur si la paroi latérale avait été fixée à la face de montage par de la colle par exemple comme dans l’art antérieur. Selon l’invention, les moyens de fixation et les premiers orifices 50 sont configurés pour permettre une fixation de la paroi latérale 41 sur la face de montage 21 et un déplacement relatif des moyens de fixation par rapport aux premiers orifices 50, dans le plan de la face de montage 21. En particulier, les moyens de fixation traversent le substrat-porteur 2 à travers les premiers orifices 50 et sont logés dans les logements 51 de la paroi latérale 41. Autrement dit, le dissipateur thermique 4 est maintenu fixé au substrat-porteur 2 par des moyens de fixation dont le déplacement n’est pas complétement restreint par les premiers orifices 50. Les moyens de fixation, se déplaçant librement dans le sens de la dilatation du dissipateur thermique 4, empêchent le dissipateur 4 d’exercer des contraintes mécaniques sur le substrat-porteur 2 durant sa dilatation, à hautes températures par exemple. Et, lorsque le dissipateur thermique 4 reprend sa forme initiale, c’est-à-dire lorsqu’il se rétracte notamment lors d’une diminution de la température, les moyens de fixation peuvent revenir à leur position initiale pour éviter que d’autres contraintes mécaniques s’appliquent sur le substrat-porteur 2. Ainsi, le substrat-porteur 2 du boîtier 1 selon cet aspect ne se déforme pas lors d’une dilatation ou une contraction du dissipateur thermique 4 même en présence des écarts mentionnés ci-dessus entre les coefficients thermiques d’expansion du substrat-porteur 2 et du dissipateur thermique 4. Par ailleurs, le substrat-porteur 2 de ce boîtier 1 ne présente pas de courbure à ses extrémités et demeure plat de sorte que, lorsque le boîtier 1 est fixé sur une carte de circuit imprimé, l’espace entre la face inférieure 20 du substrat-porteur et la carte de circuit imprimé est minimisé. Les moyens de fixation, tels que représentés sur la , comprennent des rivets 60 comprenant chacun une première extrémité 601 et une deuxième extrémité 602 ainsi qu’un corps 600 joignant la première extrémité 601 et la deuxième extrémité 602. La première extrémité 601 de chaque rivet 60 est logée dans un logement correspondant 51 de la paroi latérale 41 et la deuxième extrémité 602 de chaque rivet 60 est située sous la face inférieure 20 du substrat-porteur 2. Avantageusement, la distance Lfix entre la première extrémité 601 et la deuxième extrémité 602 est égale à l’épaisseur Esub du substrat-porteur porteur 2 augmentée d’un jeu J. Le jeu J permet à la fois un maintien de la paroi latérale 41 fixée à la face de montage 21 du substrat-porteur 2 et un déplacement de chaque rivet 60 dans les premiers orifices 50. La valeur du jeu J est avantageusement comprise entre 10 et 20 µm . Cette gamme de jeu J permet aux rivets 60 de se déplacer librement tout en évitant de créer des espaces trop importants entre la paroi latérale 41 du dissipateur 4 et la face de montage 21 du substrat-porteur 2. L’homme du métier saura adapter les dimensions des rivets 60 et des premiers orifices 50 pour obtenir de telles valeurs de jeu J et pour permettre le déplacement relatif des rivets par rapport aux premiers orifices 50. En outre, la première extrémité 601 et la deuxième extrémité 602 des rivets 60 sont configurées pour maintenir la paroi latérale 41 fixée à la face de montage 21 et ne se déplacent que très légèrement suivant la hauteur du substrat-porteur 2. De façon avantageuse, les rivets 60 sont thermiquement conducteurs et permettent ainsi de former un chemin à travers le substrat-porteur 2 pour dissiper la chaleur générée par les puces électroniques 3 en fonctionnement dans le boîtier 1. La illustre schématiquement une vue en coupe d’un boîtier de circuit intégré 1 selon une variante. Le dissipateur thermique et le substrat-porteur, analogues à ceux décrits précédemment, ont les mêmes références. Selon cette variante, seuls les logements 51 de la paroi latérale 41 et les moyens de fixation ont été changés de sorte que les logements 51 présentent un filetage et les moyens de fixation comprennent des vis 61. Les vis 61 sont adaptées pour être vissées dans les logements 51 filetés en laissant un jeu J entre les têtes de vis 602 et la face inférieure 20 du substrat-porteur 2. Tout ce qui a été décrit précédemment pour le boîtier 1 de la , notamment les avantages liés à la fixation de la paroi latérale sur la face de montage et au déplacement relatif des moyens de fixation par rapport aux premiers orifices, s’applique au boîtier 1 de la . Plus particulièrement, les vis 61 traversent le substrat-porteur 2 à travers les premiers orifices 50 et présentent une extrémité filetée 611 vissée dans le logement fileté 51 correspondant. En outre, le jeu J entre les têtes de vis 602 et la face inférieure 20 peut être compris dans la même gamme de valeur, entre 10 et 20 µm, que le jeu décrit précédemment en relation avec la . L’homme du métier saura également adapter les dimensions des vis 61 par rapport aux dimensions des premiers orifices 50 pour obtenir de telles valeurs de jeu J et pour permettre le déplacement relatif des vis 61 par rapport aux premiers orifices 50. Les vis 61 peuvent être resserrées ou desserrées, par exemple pour ajuster la valeur du jeu J, voire retirées complétement pour être remplacées par de nouvelles vis. De façon avantageuse, les vis 61 sont également thermiquement conductrices et permettent ainsi de former un chemin à travers le substrat-porteur 2 pour dissiper la chaleur générée par les puces électroniques 3 en fonctionnement dans le boîtier 1. La illustre schématiquement une vue en coupe du boîtier 1 décrit précédemment en relation avec la selon l’axe III-III. La paroi latérale 41 du dissipateur thermique 4 est de forme annulaire à section carrée ou rectangulaire et comprend quatre logements 51 situés dans les quatre zones de coins de la paroi latérale 41. Chaque logement 51 permet de bloquer le déplacement des moyens de fixation par rapport à la paroi latérale 41. Le logement présente par exemple une ouverture dans la paroi latérale 41 débouchant sur une cavité dans laquelle est logée la deuxième extrémité 602 du rivet 60 et étant suffisamment étroite de manière à retenir la deuxième extrémité 602 dans la cavité. Dans l’alternative illustrée à la , le filetage des logements 51 permet de retenir l’extrémité filetée 611 de la vis 61 et de bloquer ainsi le déplacement de la vis 61 par rapport à la paroi latérale 41. La illustre une vue du dessous du boîtier 1 décrit précédemment en relation avec la . Le substrat-porteur 2 comporte quatre premiers orifices 50 respectivement situés en regard des quatre zones de coins de la paroi latérale 41. Les premiers orifices 50 présentent de préférence une forme oblongue de longueur Lft, supérieure au diamètre du corps 600 des rivets 60 de sorte que les rivets 60 puissent se déplacer librement, dans le plan de la face de montage 21, lors d’une dilatation ou une contraction du dissipateur thermique 4. L’axe de chaque premier orifice 50 dans le plan de la face de montage 21 fait un angle de 45° par rapport à la direction des deux bords de la paroi latérale 41 adjacents à ce premier orifice 50. Les rivets 60 peuvent ainsi se déplacer suivant l’axe des premiers orifices 50. La forme oblongue des premiers orifices 50, en combinaison avec l’angle de 45°, permet d’orienter le déplacement des rivets 60 dans le sens de la dilatation ou de la contraction du dissipateur thermique 4 et fournit plus de liberté de mouvement au dissipateur 4. Le nombre de logements 51 et de premiers orifices 50 ainsi que leur forme et positionnement respectif dans la paroi latérale 41 et dans le substrat-porteur 2 peuvent varier et dépendre par exemple de la forme de la paroi latérale 41 du dissipateur à fixer sur la face de montage 21 du substrat-porteur 2. La illustre un mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’un boîtier de circuit intégré 1. Un tel procédé de fabrication est par exemple utilisé pour fabriquer un boîtier 1 tel que représenté à la ou à la . Le procédé comprend une fourniture 100 d’un substrat-porteur 2 comprenant une face de montage 21 et une face inférieure 20 opposée à la face de montage 21. Le substrat-porteur 2 a une épaisseur Esub et comporte des pistes conductrices, typiquement en cuivre, intégrées dans une ou plusieurs couches de matériau diélectrique qui peut être de la céramique tel que de l’Alumine (Al 2 O 3 ) ou du nitrure d’aluminium (AlN). Le coefficient d’expansion thermique d’un tel substrat-porteur 2 d’un tel boîtier vaut environ 12×10 -6 K -1 . Le procédé comprend également une fourniture 101 d’un dissipateur thermique 4 comprenant une paroi latérale 41, par exemple de forme annulaire à section carrée ou rectangulaire. En outre, le dissipateur thermique 4 est en métal, par exemple en cuivre (Cu), et possède un coefficient thermique d’expansion environ égal à 17×10 -6 K -1 . Le procédé comprend, en outre, une formation 102 de logements 51 dans la paroi latérale 41 du dissipateur thermique 4 et une formation 103 de premiers orifices 50 dans le substrat-porteur 2. Plus particulièrement, la formation 102 de logements 51 dans la paroi latérale 41 comprend un filetage des logements 51 dans le cas de la fabrication du boîtier 1 décrit en relation avec la . Avantageusement, on forme quatre premiers orifices 50 dans le substrat-porteur 2 et quatre logements 51 dans la paroi latérale 41 de sorte que les premiers orifices 50 soient respectivement situés en regard des quatre zones de coin de la paroi latérale 41 et alignés avec les logements 51 respectifs lors de la fixation de la paroi latérale 41. En outre, les premiers orifices 50 présentent une forme oblongue. La formation 103 des premiers orifices 50 peut être réalisée en parallèle des étapes de fourniture 101 du dissipateur et de formation 102 de logements 51 ou bien éventuellement bien avant ou après l’étape 101 et/ou l’étape 102. Le procédé comprend ensuite une fixation 104 de la paroi latérale 41 sur la face de montage 21 du substrat-porteur 2 par des moyens de fixation tels que des rivets 60 ou des vis 61, qui peuvent être thermiquement conducteurs. Les moyens de fixation sont logés dans les logements 51 de la paroi latérale 41 du dissipateur 4 et traversent le substrat-porteur 2 à travers les premiers orifices 50 de façon à permettre un déplacement relatif des moyens de fixation par rapport aux premiers orifices 50. Dans le cas d’une fabrication du boîtier 1 décrit précédemment en relation avec la , la fixation 104 comprend un rivetage par des rivets 60 comprenant chacun une première extrémité 601 logée dans un logement correspondant 51 et une deuxième extrémité 602 sous la face inférieure 20 du substrat-porteur 2. La distance Lfix entre la première extrémité 601 et la deuxième extrémité 602 est égale à l’épaisseur Esub du substrat-porteur augmentée d’un jeu J permettant à la fois un maintien de la paroi latérale 41 fixée à la face de montage 21 du substrat-porteur 2 et un déplacement de chaque rivet 60 dans les premiers orifices 50. Dans le cas d’une fabrication du boîtier 1 décrit précédemment en relation avec la , la fixation 104 comprend un vissage par des vis 61 dans les logements 51 filetés en laissant un jeu J entre les têtes de vis 602 et la face inférieure 20 du substrat-porteur 2. La valeur du jeu J est de préférence comprise entre 10 et 20 µm. L’axe de chaque premier orifice 50 dans le plan de la face de montage 21 fait un angle de 45° par rapport à la direction des deux bords de la paroi latérale 41 adjacents à ce premier orifice 50. Boîtier de circuit intégré (1) comprenant un substrat-porteur (2) et un dissipateur thermique (4) comportant une paroi latérale (41) fixée sur une face de montage (21) du substrat-porteur (2) par des moyens de fixation (60, 61), dans lequel les moyens de fixation (60, 61) sont logés dans des logements (51) de la paroi latérale (41) et traversent le substrat-porteur (2) à travers des premiers orifices (50), les moyens de fixation (60, 61) et les premiers orifices (50) étant configurés pour permettre une fixation de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) et un déplacement relatif des moyens de fixation (60,61) par rapport aux premiers orifices (50). Boîtier selon la revendication 1, dans lequel le substrat-porteur (2) comporte une face inférieure (20) opposée à la face de montage (21) et les moyens de fixation comprennent des rivets (60) comprenant chacun une première extrémité (601) logée dans un logement correspondant (51) et une deuxième extrémité (602) sous la face inférieure (20) du substrat-porteur (2), la distance (Lfix) entre la première extrémité (601) et la deuxième extrémité (602) étant égale à l’épaisseur (Esub) du substrat-porteur augmentée d’un jeu (J) permettant à la fois un maintien de la paroi latérale (41) fixée à la face de montage (21) du substrat-porteur (2) et un déplacement de chaque rivet (60) dans les premiers orifices (50). Boîtier selon la revendication 1, dans lequel le substrat-porteur (2) comporte une face inférieure (20) opposée à la face de montage (21) et les logements (51) présentent un filetage et les moyens de fixation comprennent des vis (61) adaptées pour être vissées dans les logements (51) filetés en laissant un jeu (J) entre les têtes de vis (602) et la face inférieure (20) du substrat-porteur (2). Boîtier selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel la valeur du jeu (J) est comprise entre 10 et 20 µm . Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les premiers orifices (50) présentent une forme oblongue. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la paroi latérale (41) du dissipateur thermique (4) est de forme annulaire à section carrée ou rectangulaire, et le substrat-porteur (2) comporte quatre premiers orifices (50) respectivement situés en regard des quatre zones de coins de la paroi latérale (41). Boîtier selon les revendications 5 et 6, dans lequel l’axe de chaque premier orifice (50) dans le plan de la face de montage (21) fait un angle de 45° par rapport à la direction des deux bords de la paroi latérale (41) adjacents à ce premier orifice (50). Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel les moyens de fixation (60, 61) sont thermiquement conducteurs. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le substrat-porteur (2) possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 10×10 -6 K -1 et 12×10 -6 K -1 et le dissipateur thermique (4) possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 15×10 -6 K -1 et 17×10 -6 K -1 Procédé de fabrication d’un boîtier de circuit intégré (1), comprenant : - une fourniture (100) d’un substrat-porteur (2) comprenant une face de montage (21), - une fourniture (101) d’un dissipateur thermique (4) comprenant une paroi latérale (41), - une formation (102) de logements (51) dans la paroi latérale (41) du dissipateur thermique (4), – une formation (103) de premiers orifices (50) dans le substrat-porteur (2), - une fixation (104) de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) du substrat-porteur (2) par des moyens de fixation (60, 61), les moyens de fixation (60, 61) étant logés dans les logements (51) de la paroi latérale (41) du dissipateur (4) et traversant le substrat-porteur (2) à travers les premiers orifices (50) de façon à permettre un déplacement relatif des moyens de fixation (60, 61) par rapport aux premiers orifices (50). Procédé selon la revendication 10, le substrat-porteur (2) comportant une face inférieure (20) opposée à la face de montage (21), dans lequel la fixation (104) de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) comprend un rivetage par des rivets (60) comprenant chacun une première extrémité (601) logée dans un logement correspondant (51) et une deuxième extrémité (602) sous la face inférieure (20) du substrat-porteur (2), la distance (Lfix) entre la première extrémité (601) et la deuxième extrémité (602) étant égale à l’épaisseur (Esub) du substrat-porteur augmentée d’un jeu (J) permettant à la fois un maintien de la paroi latérale (41) fixée à la face de montage (21) du substrat-porteur (2) et un déplacement de chaque rivet (60) dans les premiers orifices (50). Procédé selon la revendication 10, le substrat-porteur (2) comportant une face inférieure (20) opposée à la face de montage (21), dans lequel la formation (102) des logements (51) dans la paroi latérale (41) du dissipateur thermique (4) comprend un filetage des logements (51) et la fixation (104) de la paroi latérale (41) sur la face de montage (21) comprend un vissage par des vis (61) dans les logements (51) filetés en laissant un jeu (J) entre les têtes de vis (602) et la face inférieure (20) du substrat-porteur (2). Procédé selon l’une des revendications 11 ou 12, dans lequel la valeur du jeu (J) est comprise entre 10 et 20 µm Procédé selon l’une des revendications 10 à 13, dans lequel on réalise les premiers orifices (50) de sorte qu’ils présentent une forme oblongue. Procédé selon l’une des revendications 10 à 14, dans lequel on fournit le dissipateur thermique (4) dont la paroi latérale (41) est de forme annulaire à section carrée ou rectangulaire, et on forme quatre premiers orifices (50) dans le substrat-porteur (2) respectivement situés en regard des quatre zones de coin de la paroi latérale (41). Procédé selon l’une des revendications 14 ou 15, dans lequel l’axe de chaque premier orifice (50) dans le plan de la face de montage (21) fait un angle de 45° par rapport à la direction des deux bords de la paroi latérale (41) adjacents à ce premier orifice (50). Procédé selon l’une des revendications 10 à 16, dans lequel on réalise les moyens de fixation (60, 61) de sorte qu’ils sont thermiquement conducteurs. Procédé selon l’une des revendications 10 à 17, dans lequel le substrat-porteur (2) possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 10×10 -6 K -1 et 12×10 -6 K -1 et le dissipateur thermique (4) possède un coefficient d’expansion thermique compris entre 15×10 -6 K -1 et 17×10 -6 K -1