FR 3154726 A1 20250502 FR 2311622 A 20231026 Procédé de densification d’une préforme poreuse Un procédé de densification d’une préforme poreuse (20) comprend les étapes suivantes : - dépôt d’une première phase de matrice carbure dans la préforme poreuse par infiltration chimique en phase gazeuse, - dépôt d’une deuxième phase de matrice dans la deuxième partie (22) par infiltration avec une composition à base de silicium fondu (206), la deuxième partie (22) étant chauffée à une température supérieure à la température de fusion de la composition tandis que la première partie (21) est maintenue à une température inférieure à la température de fusion de la composition pendant le dépôt de la deuxième phase de matrice. Figure pour l’abrégé : Fig. 2. Procédé de densification d’une préforme poreuse L'invention concerne la fabrication de pièces en matériau composite à matrice céramique (CMC) à base de carbure. Un procédé bien connu pour la fabrication de pièces en matériau CMC comprend les étapes suivantes : - consolidation d’une préforme poreuse réalisée par infiltration chimique en phase gazeuse (CVI) d’une phase de carbure, par exemple de SiC, - injection d’une barbotine de poudre de céramique, par exemple de SiC, dans la préforme poreuse (« Slurry Cast » ou « Slurry Transfer Molding ») afin de fractionner la porosité dans la préforme, - infiltration de la préforme avec une composition à base de silicium fondu de manière à combler la porosité encore présente dans la préforme, processus de densification connu sous la désignation processus MI ("Melt Infiltration"). Un tel procédé est notamment décrit dans le document US2019337859. Cependant, les pièces en matériau CMC réalisées avec ce procédé présentent une quantité de silicium libre introduit lors de l’étape d’infiltration qui limite la thermostabilité du matériau car le silicium commence à fluer dès 1300°C. Cela limite la température d’utilisation de la pièce, et ce même si seule une partie de celle-ci est exposée à des températures élevées comme c’est le cas par exemple pour une aube de turbine de turbomachine dont la partie de pale est soumise à des chargements thermomécaniques élevés car elle est présente dans la veine tandis que la partie de pied est exposée à des températures moins élevées. Il existe, par conséquent, un besoin pour fabriquer des pièces en matériau composite à matrice céramique à base carbure qui permet d’élever la température maximale d’utilisation de ces pièces tout en maîtrisant le coût et le temps de fabrication. A cet effet, la présente invention propose un procédé de densification d’une préforme poreuse comprenant au moins une première partie et une deuxième partie, le procédé comprenant les étapes suivantes : - dépôt d’une première phase de matrice carbure dans la préforme poreuse par infiltration chimique en phase gazeuse (CVI), - dépôt d’une deuxième phase de matrice dans la deuxième partie de la préforme poreuse par infiltration de ladite deuxième partie avec une composition à base de silicium fondu, la deuxième partie étant chauffée à une température supérieure à la température de fusion de la composition à base de silicium tandis que la première partie est maintenue à une température inférieure à la température de fusion de la composition à base de silicium pendant le dépôt de la deuxième phase de matrice. On obtient ainsi une pièce en matériau composite CMC à matrice hybride avec une ou plusieurs parties dont la matrice est obtenue uniquement par CVI et qui présentent, par conséquent, un très faible taux de silicium libre et une ou plusieurs autres parties dont la matrice est composée d’une phase CVI et d’une phase siliciure qui présentent un taux de silicium libre plus élevé. Il est ainsi possible de réaliser des pièces en matériau composite CMC en minimisant la présence de silicium libre dans la ou les zones de la pièce les plus sollicitées thermiquement. On élève ainsi la température d’utilisation de telles pièces tout en réduisant leur coût et leur temps de fabrication. En effet, la densification par CVI est un processus long et énergivore en comparaison à une densification par siliciuration, c’est-à-dire par infiltration avec une composition à base de silicium fondu. En réservant une densification purement CVI à la ou aux seules parties de la pièce finale destinées à être exposées à de hautes températures, il est possible de compléter la densification de la ou des autres parties de la pièce par siliciuration qui est un processus bien plus court et moins couteux qu’une CVI. Selon une caractéristique particulière du procédé de l’invention, lors du dépôt de la deuxième phase de matrice, la deuxième partie de la préforme est mise en contact avec la composition à base de silicium fondu, la préforme étant placée dans un four comprenant une composition à base de silicium, le four comprenant en outre un système de chauffage configuré pour chauffer localement la composition de silicium et la deuxième partie de la préforme à une température supérieure à la température de fusion de la composition à base de silicium. Une portion de la première partie de la préforme adjacente à la deuxième partie de la préforme peut être en outre soumise à un flux de refroidissement afin de faciliter la formation d’un front de solidification stoppant la progression de la composition à base de silicium fondu dans la première partie. Selon une autre caractéristique particulière du procédé de l’invention, lors du dépôt de la première phase de matrice par infiltration chimique en phase gazeuse, la première partie de la préforme poreuse est chauffée à une température supérieure à la température à laquelle est chauffée la deuxième partie de ladite préforme poreuse. Selon une autre caractéristique particulière du procédé de l’invention, lors du dépôt de la première phase de matrice par infiltration chimique en phase gazeuse, les première et deuxième parties de la préforme poreuse sont chauffées à la même température et la deuxième partie de la préforme poreuse présente une épaisseur supérieure à l’épaisseur de la première partie de ladite préforme poreuse. La deuxième partie de la préforme poreuse présente de préférence une épaisseur au moins 50 % supérieure à l’épaisseur de la première partie de la préforme poreuse. L’épaisseur de la deuxième partie de la préforme poreuse est par exemple comprise entre 150 % et 400 % de l’épaisseur de la première partie de la préforme poreuse. Selon une autre caractéristique particulière du procédé de l’invention, la première partie de la préforme poreuse présente, après le dépôt de la première phase de matrice carbure par infiltration chimique en phase gazeuse, un taux de porosité inférieur ou égal à 15 %, de préférence inférieur ou égal à 5 %, voire inférieur ou égal à 1 %. Selon une autre caractéristique particulière du procédé de l’invention, la première partie de la préforme poreuse correspond à une partie de préforme de pale d’une aube de turbomachine tandis que la deuxième partie de la préforme poreuse correspond à une partie de pied de l’aube de turbomachine. Selon une autre caractéristique particulière du procédé de l’invention, la préforme poreuse est réalisée en une seule pièce par tissage tridimensionnel ou par drapage de couches unidirectionnelles. FIG. 1 La FIG. 1 est une vue schématique en coupe d’une installation de traitement par infiltration chimique en phase gazeuse utilisée pour la mise en œuvre d’un procédé selon l’invention, FIG. 2 La FIG. 2 est une vue schématique en coupe d’un four de traitement par infiltration d’une composition à base de silicium fondu utilisé pour la mise en œuvre d’un procédé selon l’invention, FIG. 3 La FIG. 3 est une vue schématique d’une pièce en matériau composite CMC à matrice hybride obtenue après traitement dans respectivement l’installation de la FIG. 1 et le four de la FIG. 2 . L'invention s'applique d’une manière générale à la densification de préformes poreuses combinant une infiltration chimique en phase gazeuse ou CVI d’une matrice à base carbure et une infiltration par une composition à base de silicium fondu (« melt infiltration »). L’invention s’applique donc à la fabrication de pièces en matériau composite à matrice céramique (CMC) à base carbure tel que le matériau SiC/SiC, SiC/SiBC ou SiC/SiC-SiBC. Le procédé de densification débute par le dépôt d’une première phase de matrice carbure dans une préforme poreuse 20 par infiltration chimique en phase gazeuse (CVI) comme représentée sur la FIG. 1 . La préforme poreuse 20 correspond à une texture fibreuse qui a été éventuellement mise en forme. Pour la réalisation des préformes poreuses 20, on peut utiliser par exemple des fils en fibres SiC tels que ceux commercialisés par la société japonaise Nippon Carbon sous la dénomination "Hi-Nicalon S". La préforme poreuse peut être également réalisée à partir d’une des textures suivantes: - tissage tridimensionnel (3D) ou tissage multicouches, - tissu bidimensionnel (2D), - tresse, - tricot, - feutre, - nappe unidirectionnelle (UD) de fils ou câbles ou nappe multidirectionnelle (nD) obtenue par superposition de plusieurs nappes UD dans des directions différentes. La préforme poreuse peut également être réalisée par une combinaison de plusieurs des textures citées précédemment. On peut aussi utiliser une préforme poreuse formée de plusieurs couches superposées de tissu UD ou 2D, tresse, tricot, feutre, nappes, câbles ou autres, lesquelles couches sont liées entre elles par exemple par couture, par implantation de fils ou d'éléments rigides ou par aiguilletage. Dans le cas où la préforme est réalisée en tout ou partie par tissage tridimensionnel, ou tissage multicouche, le tissage peut être de type interlock mais d'autres armures de tissage tridimensionnel ou multicouche peuvent être utilisées comme par exemple des armures multi-toile ou multi-satin. On pourra se référer au document WO 2006/136755. Le traitement CVI est un processus bien connu de densification de préformes poreuses pour réaliser des pièces en matériau composite CMC. La ou les préformes à densifier sont placées dans une chambre de réaction d'une installation CVI où elles sont chauffées. Un gaz réactif contenant un ou plusieurs précurseurs gazeux du matériau constitutif de la matrice est introduit dans la chambre de réaction. La température et la pression dans l’installation sont réglées pour permettre au gaz réactif de diffuser au sein de la porosité des préformes et y former un dépôt du matériau constitutif de la matrice par décomposition d'un ou plusieurs constituants du gaz réactif ou par réaction entre plusieurs constituants, ces constituants formant le précurseur de la matrice. Le processus est réalisé sous pression réduite, afin de favoriser la diffusion des gaz réactifs dans les préformes. La température de transformation du ou des précurseurs pour former le matériau de la matrice, tel qu’un carbure, est dans la plupart des cas comprise entre 900°C et 1200°C. Par exemple, un tel processus est décrit dans le brevet US 9 845 534. Comme illustrée sur la FIG. 1 , une préforme poreuse 20 est placée dans une installation ou four de traitement par infiltration chimique en phase gazeuse ou CVI 100 délimitée par une enceinte 110 comprenant ici une paroi latérale cylindrique 111, une paroi de fond 112 et une paroi supérieure 113. L’installation de traitement CVI 100 comprend une entrée de gaz 101 présente à une première extrémité de l’installation, une chambre de préchauffage 150, une chambre de réaction 120 et une sortie de gaz 130. L’entrée de gaz 101 comprend un port 102 relié à une conduite de gaz réactif 140. La chambre de préchauffage 150 comprend plusieurs plateaux multi-perforés 151, 152 et 153 et est présente entre l’entrée de gaz 101 et une première extrémité 121 de la chambre de réaction 120. La sortie d’évacuation de gaz 130 est présente à une deuxième extrémité 122 de l’installation opposée à la première extrémité. L’Installation de traitement CVI peut bien entendu comprendre plusieurs entrées de gaz. Dans l’exemple décrit ici, la sortie d’évacuation de gaz 130 comprend un module d’appauvrissement de phase gazeuse comportant des évents 131 reliés à une conduite d’évacuation de gaz (non représentée sur la FIG. 1 ) connectée à l’enceinte 110 de l’installation. Toujours dans l’exemple décrit ici, une seule préforme poreuse 20 est présente dans la chambre de réaction 120 de l’installation. De manière connue, il est toutefois possible de placer plusieurs préformes poreuses dans la chambre de réaction. Dans ce cas, un chargement de plusieurs préformes est préparé en avance et placé dans la chambre de réaction de l’installation. L’installation de traitement CVI 100 comprend encore des moyens de chauffage. Dans l’exemple décrit ici, le chauffage de l’installation est réalisé par induction. Plus précisément, la paroi latérale cylindrique 111 de l’enceinte 110 comprend un induit, ou suscepteur 1110, par exemple en graphite, qui est couplé avec des inducteurs 1112 et 1113 situés à l'extérieur de l’installation et formés d'au moins une bobine d'induction chacun. Un isolant 1111 est interposé entre les inducteurs 1112 et 1113 et le suscepteur 1110. De façon bien connue, le chauffage de l’installation de traitement CVI 100 est assuré par l'échauffement du suscepteur 1110 lorsque les inducteurs 1112 et 1113 sont alimentés avec une tension alternative. A cet effet, la ou les bobines de chaque inducteur sont reliées à un générateur de tension alternative (non représenté). Le champ magnétique créé par les inducteurs 1112 et 1113 induit dans le suscepteur 1110 un courant électrique qui provoque par effet Joule l'échauffement de celui-ci, la ou les préforme poreuses présentes à l’intérieur de l’enceinte 110 étant chauffées par rayonnement. Les inducteurs 1112 et 1113 délimitent respectivement des première et deuxième zones de chauffage 132 et 133 dans l’enceinte 110. Le chauffage de l’installation de traitement CVI 100 peut être assuré par d’autres moyens tels que des moyens de chauffage électriques constitués par exemple de résistances chauffantes noyées dans la paroi latérale de l’enceinte. Les moyens de chauffage peuvent également être agencés pour délimiter plus de deux zones de chauffage. Conformément à l’invention, la préforme poreuse 20 comprend une première partie 21 et une deuxième partie 22, la première partie 21 étant destinée à être densifiée seulement par le dépôt d’une première phase de matrice carbure par CVI. A cet effet, la première partie 21 de la préforme poreuse 20 est positionnée dans la première zone de chauffage 132 tandis que la deuxième partie 22 de la préforme est positionnée dans la deuxième zone de chauffage 133. La température dans les première et deuxième zones de chauffage 132 et 133 étant pilotée respectivement par les inducteurs 1112 et 1113, il est possible de chauffer la première partie 21 de la préforme présente dans la première zone de chauffage 132 à une température supérieure à la température à laquelle est chauffée la deuxième partie 22 de la préforme 20 dans la deuxième zone de chauffage 133 et ainsi favoriser la cinétique de dépôt de la phase de matrice dans la première partie 21 de la préforme. En d’autres termes, en chauffant la première partie 21 à une température supérieure à la température à laquelle est chauffée la deuxième partie 22 pendant la CVI, une quantité de matrice carbure plus importante est déposée dans la première partie 21 pour un même temps de traitement CVI de la préforme poreuse 20. Dans le cas de moyens de chauffage électriques constitués par exemple de résistances chauffantes noyées dans la paroi latérale de l’enceinte, les moyens de chauffage électriques sont configurés pour chauffer la première zone de chauffage 132 à une température supérieure à la température de chauffage de la deuxième zone de chauffage 133. Un flux gazeux 11, contenant un précurseur gazeux de carbure, par exemple du méthyltrichlorosilane (MTS) ou du monométhylsilane (MMS) donnant du SiC par décomposition, est admis dans la chambre de réaction 120 à travers la conduite de gaz réactif 140 et le port d’injection 102. Le flux gazeux 11 est préchauffé durant sa circulation dans la chambre de préchauffage 150 avant son introduction dans la chambre de réaction 120. Le flux gazeux 11 circule au travers de la préforme poreuse 20 présente dans la chambre de réaction depuis la chambre de préchauffage 150 jusqu’à la sortie de gaz 130. Les sous-produits 12 issus de la décomposition du flux gazeux 10 sont évacués par la sortie de gaz 130. Une matrice de SiC est déposée dans la porosité de la préforme 20 par décomposition du flux gazeux 11. Les températures de traitement CVI programmées dans les première et deuxième zones de chauffage 132 et 133 sont maintenues sur une durée déterminée correspondant au niveau de densification CVI que l’on souhaite atteindre dans les première et deuxième parties 21 et 22 de la préforme poreuse 20, cette durée étant en général calculée en fonction de la cinétique de dépôt et d’un taux de porosité cible. La première phase de matrice carbure peut notamment correspondre à une matrice de carbure de silicium (SiC), un système ternaire Si-B-C (SiBC), ou une combinaison des deux (SiC/SiBC). Pour le dépôt d’une phase de matrice SiC par CVI, on peut utiliser par exemple du monométhylsilane (MMS) ou du méthytrichlorosilane (MTS), comme indiqué précédemment, donnant du SiC par décomposition. Pour le dépôt d’une phase SiBC par CVI, la phase gazeuse est constituée d'un mélange de précurseurs des éléments Si, B et C auxquels est ajouté un élément réducteur tel l'hydrogène H₂. Les éléments carbone et silicium peuvent être générés par des précurseurs appartenant respectivement aux familles des hydrocarbures et des silanes ou chlorosilanes. L'élément bore est généré par un borane ou un halogénure, tel le trichlorure de bore (BCl₃). A la fin du traitement CVI, la deuxième partie 22 de la préforme poreuse 20 peut présenter un taux de porosité plus élevé que la première partie 21 de la préforme poreuse 20. De préférence, la première partie 21 présente un taux de porosité inférieur ou égal à 15 %, de préférence inférieur ou égal à 5 %, voire inférieur à 1 %tandis que la deuxième partie 22 présente encore un taux de porosité supérieur ou égal à 15 %, de préférence compris entre 15 % et 35 %. La densification de la première partie par dépôt de la première phase de matrice carbure par CVI peut être éventuellement complétée par un dépôt supplémentaire réalisé après le dépôt d’une deuxième phase de matrice dans la deuxième partie 22 de la préforme poreuse 20 comme décrit ci-après. Un chauffage local de la première partie 21 de la préforme poreuse 20 à une température supérieure à la température de chauffage de la deuxième partie 22 de la préforme peut être également réalisé en utilisant un suscepteur local 160, par exemple un cylindre en graphite, qui va admettre les courants induits issus de l’inducteur 1112 et chauffer ainsi préférentiellement la première partie 21 de la préforme poreuse 20. Dans ce cas, l’installation de traitement CVI peut ne comprendre qu’un seul inducteur. Dans le cas où la deuxième partie de la préforme poreuse présente une épaisseur supérieure à l’épaisseur de la première partie de ladite préforme poreuse, il est possible de chauffer les deux parties à la même température pendant le traitement CVI. En effet, en raison de la différence d’épaisseur, le taux de densification de la première partie, c’est-à-dire le taux de comblement de la porosité, sera plus important que le taux de densification de la deuxième partie plus épaisse, et ce pour une cinétique de dépôt identique dans toute la préforme poreuse. A la fin du traitement CVI, la deuxième partie de la préforme poreuse présente un taux de porosité plus élevé que la première partie de la préforme poreuse 20. Dans ce cas, la deuxième partie de la préforme poreuse présente de préférence une épaisseur au moins 50 % supérieure à l’épaisseur de la première partie de la préforme poreuse. L’épaisseur de la deuxième partie de la préforme poreuse est par exemple comprise entre 150 % et 400 % de l’épaisseur de la première partie de la préforme poreuse.. Dans ce cas également, l’installation de traitement CVI peut ne comprendre qu’un seul inducteur ou un seul chauffage résistif, cet élément de chauffage étant commun pour les première et deuxième parties de la préforme poreuse 20. Une fois le traitement CVI terminé, on procède au dépôt d’une deuxième phase de matrice dans la deuxième partie 22 de la préforme poreuse 20 par infiltration de ladite deuxième partie avec une composition à base de silicium fondu. La FIG. 2 montre une vue en coupe d’un four 200 selon un mode de réalisation de l’invention pouvant être utilisé pour infiltrer la deuxième partie 22 de la préforme poreuse avec une composition à base de silicium fondu. Le four 200 comprend une enceinte 210 hermétique à l’intérieur de laquelle est présent un creuset 204 ayant un volume interne contenant une composition à base de silicium fondu 206. On entend ici par « composition à base de silicium » une composition comprenant du silicium en une teneur massique minimale de 85%. La composition à base de silicium peut notamment comprendre un alliage de silicium. Elle peut comprendre du bore en une teneur massique comprise entre 1% et 15%. Le creuset 204 peut être en un matériau céramique. Le four 200 est ici muni d’un système de chauffage par induction 240 comprenant une bobine d’induction 242 et un suscepteur 244 qui sont disposés autour du creuset 204 et de la deuxième partie 22 de la préforme poreuse 20 dans l’enceinte 210 du four. Le système de chauffage comprend en outre, de façon connue, un générateur haute fréquence 236 relié à la bobine 242 de façon à générer un champ magnétique variable à l’aide de la bobine. Le suscepteur 244 peut par exemple être un cylindre en graphite. Le four 200 peut en outre être muni d’une pompe à vide 238 en communication fluidique avec l’intérieur de l’enceinte 210, de façon à réaliser une infiltration sous vide. On notera qu’un autre type de four que celui illustré peut être utilisé, en particulier le four peut comprendre un système de chauffage résistif au lieu d’un système inductif. Le four 200 comprend un dispositif de mesure de la masse de la préforme 20 correspondant ici à une balance 220 du type peson, à laquelle la préforme 20 est suspendue par le biais de la tige d’interface 221. Le four 200 comprend en outre un dispositif de déplacement comprenant ici un vérin 224 ayant une tige 226 sur laquelle est monté le creuset 204. Dans cet exemple, le vérin 224 est situé à l’extérieur de l’enceinte 210 du four 200, au-dessous de l’enceinte 210. De la sorte, le vérin 224 permet de déplacer le creuset 204 avec un mouvement de translation verticale à l’intérieur de l’enceinte 210 du four, notamment en direction de la deuxième partie 22 de la préforme 20. Ainsi, le creuset 204 est mobile en translation verticale dans l’enceinte 210. Dans une variante non illustrée, le creuset peut être monté fixe dans le four, et la préforme peut être mobile en translation verticale. Dans l’exemple illustré, le four 200 comprend également un système de contrôle 228 de la position relative entre la préforme et le creuset, qui est configuré pour commander le vérin 224 en fonction de l’évolution de la masse de la préforme 20 telle que mesurée par la balance 220. Le système de contrôle 228 peut recevoir en entrée des signaux électriques provenant de la balance 220, et envoyer des signaux de commande en sortie au vérin 224. L’infiltration de la deuxième partie 22 de la préforme 20 est réalisée par mise en contact de ladite deuxième partie avec la composition à base de silicium fondu 206 qui infiltre la porosité de la préforme par capillarité. La mise en contact peut être directe, c’est-à-dire que la préforme est directement trempée dans le bain de la composition à base de silicium fondu, ou indirecte en mettant la préforme en contact avec un ou plusieurs drains (non représentés sur la FIG. 2 ) eux-mêmes en contact avec le bain de la composition à base de silicium fondu qui est alors acheminée jusqu’à la préforme par capillarité. La mise en contact ou non de la préforme avec la composition à base de silicium fondu et, par conséquent, le contrôle de l’infiltration de la préforme par le métal fondu sont réalisés par la commande du vérin 224. L’infiltration de la deuxième partie 22 de la préforme 20 par la composition à base de silicium fondu 206 se termine lorsque la balance 220 mesure une prise de masse prédéterminée correspondant au niveau de densification souhaité de la deuxième partie 22. Conformément à l’invention, durant l’infiltration par la composition à base de silicium fondu, la deuxième partie 22 est chauffée à une température supérieure à la température de fusion de la composition à base de silicium tandis que la première partie 21 est maintenue à une température inférieure à la température de fusion de la composition à base de silicium. A cet effet, le système de chauffage de chauffage par induction 240 est configuré pour chauffer localement la composition de silicium et la deuxième partie de la préforme à une température supérieure à la température de fusion de la composition à base de silicium. Plus précisément, le suscepteur 244 présente une hauteur H 244 de manière à entourer le creuset 204 et la deuxième partie 22 de la préforme 20 dans sa position d’infiltration, c’est-à-dire lorsque la deuxième partie 22 est en contact direct ou indirect via un ou plusieurs drains avec le bain de la composition à base de silicium fondu 206. De cette manière, la composition à base de silicium et la deuxième partie 22 de la préforme peuvent être chauffées à une température supérieure à la température de fusion de la composition à base de silicium, la première partie 21 de la préforme située en dehors du suscepteur 244 étant maintenue à une température inférieure à la température de fusion de la composition à base de silicium pendant le dépôt de la deuxième phase de matrice. La composition à base de silicium fondu 206 s’infiltre par capillarité dans la deuxième partie 22 puis se solidifie au contact de la première partie 21 qui est à une température inférieure à la température de fusion de la composition. Il se forme alors un front de solidification à l’interface entre les première et deuxième parties 21 et 22 qui empêche la progression de la composition à base de silicium fondu dans la première partie 21. Dans le cas d’un four utilisant un autre type de chauffage comme par exemple un système de chauffage résistif, celui-ci est configuré pour chauffer seulement la composition à base de silicium et la deuxième partie 22 de la préforme à une température supérieure à la température de fusion de la composition à base de silicium. Après infiltration de la deuxième partie 22 avec une composition à base de silicium fondu, on obtient, comme illustrée sur la FIG. 3 , une pièce 30 comprenant une première partie 31 correspondant à la première partie 21 de la préforme 20 densifiée seulement par la première phase de matrice carbure déposée par CVI et une deuxième partie 32 correspondant à la deuxième partie 22 de la préforme 20 densifiée à la fois par la première phase de matrice carbure et par la deuxième phase de matrice à base de silicium. La première partie 31 obtenue avec le procédé de l’invention présente un faible taux volumique de silicium libre typiquement inférieur ou égal à 15 %, préférentiellement inférieur à 5 %, et possiblement inférieur à 1 %., bien inférieur à celui de la deuxième partie 32. Le taux volumique de silicium libre final dans la deuxième partie 32 est équivalent au taux de porosité de celle-ci. La première partie 31 peut donc être exposée à des températures très élevées supérieures à 1300°C sans risque de dégradation du matériau de la pièce. Comme illustré sur la FIG. 2 , au moins une portion de la première partie 21 de la préforme 20 adjacente à la deuxième partie 22 de la préforme peut être soumise à un flux de refroidissement afin de faciliter la formation du front de solidification à l’interface entre les première et deuxième parties 21 et 22. Dans ce cas, le four 200 comprend en outre un conduit 250 relié à une source de refroidissement (non représentée sur la FIG. 2 ) pour projeter un flux de refroidissement 261 sur la portion de la première partie 21 de la préforme 20 adjacente à la deuxième partie 22. Le procédé de l’invention trouve une application avantageuse dans la fabrication de pièces en matériau composite dont seulement une ou plusieurs parties sont destinées à être soumises à de hautes températures, typiquement supérieures à 1300°C, comme c’est le cas par exemple d’une aube de turbine de turbomachine dont la partie de pale est soumise à des chargements thermomécaniques élevés car elle est présente dans la veine tandis que la partie de pied est exposée à des températures moins élevées. Dans ce cas, la première partie de la préforme poreuse correspond à une partie de préforme de pale d’une aube de turbomachine et la deuxième partie de la préforme poreuse correspond à une partie de pied de l’aube de turbomachine. Le procédé de l’invention peut bien entendu être appliqué à la fabrication d’autres types de pièces en matériau composite comme des secteurs d’anneau de turbine qui comportent une base annulaire ou baignoire plus épaisse que ses brides ou pattes de fixation ou des secteurs de distributeur qui comportent des portions de pale plus fines que les plateformes interne et externe. Procédé de densification d’une préforme poreuse (20) comprenant au moins une première partie (21) et une deuxième partie (22), le procédé comprenant les étapes suivantes : - dépôt d’une première phase de matrice carbure dans la préforme poreuse par infiltration chimique en phase gazeuse, - dépôt d’une deuxième phase de matrice dans la deuxième partie (22) de la préforme poreuse (20) par infiltration de ladite deuxième partie avec une composition à base de silicium fondu (206), la deuxième partie (22) étant chauffée à une température supérieure à la température de fusion de la composition à base de silicium tandis que la première partie (21) est maintenue à une température inférieure à la température de fusion de la composition à base de silicium pendant le dépôt de la deuxième phase de matrice. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, lors du dépôt de la deuxième phase de matrice, la deuxième partie (22) de la préforme poreuse (20) est mise en contact avec la composition à base de silicium fondu (206), la préforme poreuse (20) étant placée dans un four (200) comprenant une composition à base de silicium, le four comprenant en outre un système de chauffage (240) configuré pour chauffer localement la composition de silicium et la deuxième partie (22) de la préforme poreuse à une température supérieure à la température de fusion de la composition à base de silicium. Procédé selon la revendication 2, dans lequel au moins une portion de la première partie (21) de la préforme poreuse (20) adjacente à la deuxième partie (22) de la préforme poreuse est soumise à un flux de refroidissement (251). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, lors du dépôt de la première phase de matrice par infiltration chimique en phase gazeuse, la première partie (21) de la préforme poreuse (20) est chauffée à une température supérieure à la température à laquelle est chauffée la deuxième partie (22) de ladite préforme poreuse. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, lors du dépôt de la première phase de matrice par infiltration chimique en phase gazeuse, les première et deuxième parties (21, 22) de la préforme poreuse (20) sont chauffées à la même température et dans lequel la deuxième partie (22) de la préforme poreuse présente une épaisseur supérieure à l’épaisseur de la première partie (21) de ladite préforme poreuse. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la deuxième partie (22) de la préforme poreuse (20) présente de préférence une épaisseur au moins 50 % supérieure à l’épaisseur de la première partie (21) de la préforme poreuse. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la première partie (21) de la préforme poreuse (20) correspond à une partie de préforme de pale d’une aube de turbomachine et dans lequel la deuxième partie (22) de la préforme poreuse correspond à une partie de pied de l’aube de turbomachine. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la première partie (21) de la préforme poreuse (20) présente, après le dépôt de la première phase de matrice carbure par infiltration chimique en phase gazeuse, un taux de porosité inférieur ou égal à 15 %, de préférence inférieur ou égal à 5 %, plus préférentiellement inférieur ou égal à 1 %. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la préforme poreuse (20) est réalisée en une seule pièce par tissage tridimensionnel ou par drapage de couches unidirectionnelles.