FR 3150039 A1 20241220 FR 2306180 A 20230616 L'invention concerne un procédé de réalisation d'une puce (40) de dépôt de films minces, comportant : a) - la formation, sur un substrat (4) en un matériau isolant ou semi-conducteur, d'une pluralité d’électrodes de mesure (2), chaque électrode ayant une partie centrale et des bords inclinés vers la surface du substrat (4); b) - la formation d'un masque (6) de dépôt, définissant une fenêtre (8) de dépôt, ce masque comportant des échancrures (10) au voisinage du substrat et de ladite fenêtre. Figure pour l’abrégé : Figure 1B PROCEDE DE MESURE DE LA RESISTANCE ET DE LA CAPACITANCE DE FILMS MINCES EN COURS DE DEPOT DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE L’invention concerne le domaine de la mesure de résistance et/ou de capacitance et/ou d’inductance en cours de dépôt ou en cours d’oxydation de couches minces, par exemple d’épaisseur supérieure à environ 1 nm à 3 nm (ou même d’épaisseur supérieure, par exemple jusqu’à 200 nm), métalliques, en présence ou non de gaz réactifs (par exemple oxygène et/ou azote) semiconductrice ou même isolantes. L’invention permet un ajustement des propriétés, par exemple de conduction électrique, de ces couches minces, et de résoudre les problèmes de reproductibilité afférents à ce type de dépôt, notamment lorsque des caractéristiques précises de conductivité ou de résistance et/ou d’inductance supraconductrice (que l’on peut ajuster via la résistance du film à température ambiante) et/ou de capacitance sont requises pour des dispositifs électroniques. Actuellement, selon les techniques connues pour maîtriser la reproductibilité des jonctions tunnel en Aluminium ou de l’aluminium granulaire (lequel est fortement non reproductible), on fabrique un grand nombre d’échantillons et on les sélectionne ou les ajuste a posteriori . Par ailleurs, les principales méthodes de mesure in-situ sont des méthodes optiques (interférométrie, ellipsométrie), qui sont peu fiables pour déterminer une résistance, très coûteuses, et nécessitent un équipement de dépôt spécifique avec accès optiques ; en outre de tels équipements ne sont pas compatible avec certaines machines existantes. Les techniques connues manquent de reproductibilité en ce qui concerne la mesure de la conduction électrique de films obtenus par dépôt de couches minces, notamment en présence d’oxygène et/ou d’azote et/ou d’hydrogène . C’est le cas, notamment, de l’aluminium granulaire (comportant des grains d’aluminium dans une matrice d’Al 2 O 3 ) et des jonctions tunnel par exemple Al-AlO x -Al. On connait un dispositif de la société Telemark qui propose une mesure résistive : https://telemark.com/sheet-resistance-monitor/ Mais ce dispositif ne permet pas de résoudre le problème mentionné car la puce grâce à laquelle le film mince est mesuré n’est pas assez bien adaptée, pour plusieurs raisons, entre autres : - il s’agit d’un PCB classique dont la rugosité de surface ne garantit pas la continuité de films très minces, - les plots de contact sont en général assez épais sur ce type de PCB, le film en cours de dépôt ne peut donc pas recouvrir ces plots dès lors que leur épaisseur est très faible (de l’ordre de quelques nm par exemple), - la zone de dépôt du film sur le PCB n’est pas précisément définie, et on doit donc recourir à un coefficient géométrique correctif présentant de nombreuses incertitudes pour remonter à la résistance par carré du film déposé ; - le bloc de maintien du PCB est épais, fait de l’ombrage au flux de matière pendant le dépôt, et ne peut être fixé dans une position proche de l’échantillon d’intérêt, ni à une température identique à ce dernier, ce qui rend peu probable que le PCB mesuré ait exactement la même résistance par carré que l’échantillon d’intérêt ; notons que la température de la plaque joue un rôle sur la croissance des films. Un problème qui se pose donc est celui du manque de reproductibilité de la conduction électrique de films obtenus par dépôt de couches minces, notamment en présence d’oxygène (ou d’un autre gaz réactif). Cela concerne par exemple l’aluminium granulaire (comportant des grains d’aluminium dans une matrice d’Al 2 O 3 ) et jonctions tunnel Al-AlO x -Al. On retrouve le même problème pour : - les dépôts de métaux (par exemple titane ou chrome) sensibles au vide résiduel et aux contaminants ; - les dépôts d’alliages par co-évaporation ou co-sputtering (ou co-pulvérisation), par exemple les dépôts en Niobium-silicium, ou en Yttrium-silicium, ou en Nickel – Chrome ; - les dépôts de matériaux diélectriques ou isolant. Un problème qui se pose également est celui du manque de reproductibilité du taux d’oxydation de jonctions tunnel formées par dépôt d’une couche métallique, suivi d’une oxydation, suivie immédiatement d’un 2 ème dépôt de couche métallique, par exemple lors de la formation de jonctions tunnel Al-AlO x -Al, ou lors de la formation de jonctions Nb-Al-AlO x -Al-Nb. Un autre problème qui se pose est celui du manque de reproductibilité de la gravure d’une couche d’oxyde par faisceau d’ion, par exemple pour la reprise de contact sur film pré-déposé s’oxydant à l’air (Al, Nb…). L’invention vise à résoudre tout ou partie de ces problèmes. Elle concerne d’abord un procédé de réalisation d'un support, ou d’une puce, de dépôt de films, en particulier du type des films minces, comportant : a) - la formation, sur un substrat en un matériau isolant ou semi-conducteur, d'une pluralité d’électrodes de mesure, chaque électrode ayant une partie centrale, des bords inclinés ou avec une pente vers la surface du substrat ; b) - la formation d'un masque de dépôt, non conducteur, définissant une fenêtre de dépôt, ce masque comportant des échancrures au voisinage du substrat et de ladite fenêtre de dépôt. Un support de dépôt, ou puce selon l’invention permet par exemple de contrôler la fabrication d’un film, notamment d’un film mince, en mesurant en temps réel et à l'aide des électrodes l’évolution d'une grandeur électrique, par exemple la conductivité ou la résistance électrique du film en cours de formation, en connectant des moyens de mesure de cette grandeur sur les plots de contact. De préférence chaque électrode a un plot de contact à l'une de ses extrémités. De préférence encore, les électrodes sont, au moins dans la fenêtre de dépôt, parallèles entre elles. Les bords des électrodes, inclinés vers la surface du substrat avec une pente, de préférence une pente douce, par exemple à 45°, permettent de réaliser un dépôt uniforme d’un film mince sans rupture de celui-ci. De préférence les électrodes sont réalisées dans un matériau ne s’oxydant pas pour permettre le contact électrique avec le film mince déposé par-dessus. Sur le pourtour de la fenêtre de dépôt, le bord du masque isolant est suspendu par les échancrures pour éviter la continuité du dépôt de matière entre le bas (le dépôt réalisé sur le substrat et les électrodes) et le haut du masque, ce qui fausserait toute mesure réalisée avec les électrodes. L’utilisation d’électrodes sous le film en cours de dépôt permet d'effectuer des mesures directement en contact du film. Selon un exemple l'invention permet de contrôler la formation de jonctions Josephson in-situ pour les technologies quantiques, en mesurant en temps réel la résistance d’un film d’aluminium déjà déposé, pour déterminer la proportion oxydée du film (ne conduisant plus le courant électrique), suivre la croissance de l’oxyde et stopper l’oxydation sur une consigne de résistance. Selon un autre exemple l’invention permet de contrôler la reproductibilité de la résistance de surface de films d’aluminium granulaire (Aluminium évaporé en présence d’oxygène à une pression partielle de quelques 10 -6 mbars). Cela peut se faire soit en arrêtant l’évaporation sur une consigne de résistance mesurée en temps réel, soit en comparant la courbe de résistance en fonction de l’épaisseur à une courbe de référence, et en ajustant en temps réel le flux d’oxygène ou le taux d’évaporation de l’aluminium pour suivre cette courbe de référence. Un procédé selon l'invention peut comporter en outre une étape de réalisation d'une résistance ou électrode, dite de protection, entre le masque et le substrat, de préférence de forte valeur de résistance (supérieure à 1 MΩ, par exemple comprise entre 1 et 10 MΩ), par exemple en chrome. Cette résistance - si elle est présente - peut être électriquement connectée en parallèle du film à déposer. Elle permet notamment de vérifier la présence et le bon contact du substrat de mesure in-situ avant que le dépôt ne soit commencé. Elle permet aussi d’éviter de passer un fort courant dans le film mince à peine déposé, ce qui, dans le cas de certains matériaux, les échauffe et modifie leurs propriétés. Cette résistance a par exemple une épaisseur comprise entre 3 et 100 nm, par exemple 10 nm. De préférence, cette résistance n'est pas située dans la fenêtre de dépôt. Le substrat est par exemple en silicium ou en quartz ou en saphir. Il a de préférence une surface, sur laquelle un dépôt est à réaliser, de rugosité R A comprise par exemple entre 0,01 nm et 1 nm. Les électrodes de mesure peuvent être par exemple en Ti/Au. Un procédé selon l'invention peut comporter en outre une étape de réalisation d'une couche de protection du substrat, avantageusement une couche de protection sur chacune des 2 faces dudit substrat. Cette protection peut être mise en œuvre avant découpe du substrat en supports ou puces de dépôt individuels/ individuelles à usage unique. Un procédé selon l'invention peut comporter en outre une étape préalable de planarisation de la surface du substrat. De préférence, la fenêtre de dépôt a une orientation transverse, par exemple perpendiculaire, à celle d’au moins une partie des électrodes de mesure. Par exemple, les électrodes sont réalisées par évaporation sous angle, par exemple variable ou fixe (avec une rotation planétaire). Selon une réalisation les électrodes ont des bords, formant des pentes latérales douces, avec un angle avec la surface du substrat inférieur à 80°, par exemple compris entre 15° et 60° (ou 50°). L’invention concerne également un support, ou une puce, de dépôt de film mince, comportant : a) un substrat en matériau isolant ou semi-conducteur, b) une pluralité d’électrodes de mesure réalisées sur ledit substrat, chaque électrode ayant une partie centrale et des bords inclinés et/ou avec une pente vers la surface du substrat ; c) un masque de dépôt, non conducteur, définissant une fenêtre de dépôt, ce masque comportant des échancrures au voisinage du substrat et de ladite fenêtre. Ce substrat présente les avantages exposés ci-dessus en lien avec le procédé de réalisation. Une telle puce de dépôt peut comporter en outre une résistance de protection, de résistance de préférence supérieure à 1 MΩ. Cette résistance est par exemple réalisée en chrome. Elle peut être d'épaisseur par exemple comprise entre 3 nm et 10 nm ou même 100 nm. Le substrat est par exemple en silicium ou en chrome ou en saphir. Les électrodes de mesure sont par exemple en Ti/Au. Une puce de dépôt selon l'invention peut comporter en outre un film ou une couche, par exemple en plastique, de protection, notamment contre les rayures et les poussières. Selon une réalisation préférée, la fenêtre de dépôt a une orientation perpendiculaire à celle d’au moins une partie des électrodes de mesure. Dans une puce de dépôt selon l'invention, les électrodes peuvent avoir des bords, formant des pentes latérales avec un angle avec la surface du substrat inférieur à 80°, par exemple compris entre 15° et 60° (ou 50°). L'invention concerne également un procédé de dépôt d’une couche, par exemple une couche mince, par exemple d’épaisseur comprise entre 1 nm et 100 nm ou même 200 nm . Un tel procédé comporte une étape de dépôt d'une couche dans la fenêtre de dépôt d’un support ou d’une puce de dépôt selon l'invention, et une mesure, de préférence pendant ledit dépôt, d’au moins une grandeur électrique, par exemple la conductivité et/ou la résistance électrique à fréquence nulle (ou en courant continu ou en DC), ou plus généralement l’impédance électrique à fréquence finie (ou en courant alternatif ou en AC) qui donne accès simultanément à la résistance et/ou la capacitance et/ou l’inductance aux bornes d’au moins 2 électrodes de mesure. De la mesure de résistance, connaissant la géométrie du fil mesuré, on peut déduire une résistivité ou une résistance par carré, qui est une propriété intrinsèque du film ne dépendant pas de la géométrie. On peut déposer un film isolant pour réaliser par exemple une capacitance, auquel cas on mesure son impédance à fréquence finie. Un dépôt peut ainsi être réalisé, en partie sur le substrat, en partie sur les électrodes, ces dernières permettant de mesurer ladite grandeur électrique, par exemple la résistance électrique et/ou la capacitance et/ou l’inductance du dépôt ou de la couche déposée. Dans un tel procédé, le dépôt de la couche peut par exemple être obtenu par pulvérisation, ou par technique de dépôt chimique en phase vapeur ou par évaporation par canon à électrons ou par co-évaporation ou par co-pulvérisation. Un procédé de dépôt selon l'invention permet de réaliser : - une couche métallique formée d’un élément choisi par exemple parmi l’or, l’argent, le cuivre, le platine, l’iridium, le titane, le vanadium, le niobium, le tantale, le chrome… - ou une couche métallique comportant un élément métallique en présence d’un gaz réactif (oxygène, et/ou azote et/ou hydrogène), comme par exemple l’aluminium granulaire (Al + O 2 ), ou les nitrures d’aluminium, ou le titane ou de niobium ou les hydrures de silicium ; - ou un dépôt d’un alliage en Niobium-silicium, ou en Yttrium-silicium, ou en Nickel – Chrome ; - ou une jonction tunnel constituée de deux dépôts métalliques séparés par une barrière d’isolant, par exemple une jonction Josephson en Al-AlO x -Al, ou en Nb-Al-AlO x -Al-Nb; - ou une couche isolante ou semiconductrice comme par exemple Si, ou Si-O, ou Si-H, ou Ge ; dans ce cas on peut utiliser une mesure simultanée de la capacitance et de la résistance de la couche. L'invention concerne également un procédé de gravure d’une couche réalisée dans la fenêtre de dépôt d’un substrat ou d’une puce de dépôt selon l’invention, comportant une étape de gravure de cette couche, et de mesure d’au moins une grandeur électrique aux bornes d’au moins 2 électrodes de mesure. Un tel procédé permet par exemple de graver une couche d'oxyde sur une couche de matériau, par exemple pour pouvoir reprendre un contact électrique. La gravure est par exemple réalisée par faisceau d'ion ou plasma réactif. Selon une réalisation particulière d'un procédé selon l'invention, la mesure d'au moins une grandeur électrique peut être effectuée à l'aide d'un micro-connecteur, par exemple un connecteur micro-USB. Le dépôt ou la gravure de la couche peut être arrêté(e) lorsque ladite grandeur électrique atteint une valeur cible. On peut, au cours d’un dépôt, ajuster les conditions de celui-ci (par exemple de pression et/ou de température) en fonction des résultats de la mesure réalisée en temps réel par l'invention. L’invention concerne également la réalisation d’un film ou d’une couche mince, tout en effectuant, simultanément au dépôt de ce film ou de cette couche, un dépôt sur une puce selon l’invention et/ou selon un procédé selon l’invention. L’invention permet donc de répliquer, pour la puce et/ou le procédé selon l’invention, les conditions mises en œuvre pour le dépôt d’intérêt, qui est réalisé en parallèle, et ainsi de contrôler l’évolution de ce dernier, notamment du point de vue de la conductivité du film déposé. La couche déposée dans un procédé selon l’invention ou sur une puce selon l’invention a par exemple une épaisseur comprise entre 1 nm et 200 nm. -Les figures 1A-1B représentent des étapes de réalisation d’un procédé selon l'invention ; -La représente un dépôt obtenu par un procédé selon l’invention ; -La représente une variante de réalisation d’un procédé selon l’invention ; -La représente un dépôt réalisé sur une puce obtenue par la variante de procédé selon l'invention ; - les figures 2A – 2C représentent un substrat de dépôt ( ), réalisé conformément à l'invention, un film déposé ( ), et un agrandissement de celui-ci ( ) ; - la représente une pluralité de puces selon l'invention réalisées sur un « wafer » ; - la est une vue d'une puce individuelle réalisée conformément à l’invention ; - la est une vue d’un exemple d’utilisation du dispositif selon l’invention, comportant la puce insérée dans un connecteur micro USB et reliée à un instrument de mesure, placée à côté de 3 autres échantillons d’intérêt, sur lesquels le film en couche mince est déposé simultanément ; - les figures 5A – 5D représentent diverses mesures réalisées à l'aide notamment d'un dispositif selon l'invention (figures 5A, B, D). EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE L’INVENTION Des étapes d’un mode de réalisation d’un procédé selon l’invention vont être expliquées en lien avec les figures 1A – 1B. Ce procédé conduit à la réalisation d’un support ou d’une puce sur laquelle il sera ensuite possible de réaliser un dépôt. Des électrodes 2 ( , qui est une vue dans un plan YZ), par exemple en Ti/Au, sont réalisées sur un substrat 4, par exemple en Silicium recouvert d’une couche de SiO 2 (par exemple de 500 nm d’épaisseur). On réalise au moins 2 de ces électrodes, mais de préférence (pour des raisons de précision) on en réalise un nombre plus élevé, par exemple 4 électrodes. De préférence, chacune de ces électrodes à des bords 2 1 , 2 2 ( ), formant des pentes latérales douces, avec un angle α : cet angle est mesuré dans le plan (yOz), au bord des électrodes, entre la face inférieure de l’électrode 2 (interface avec le substrat 4) et sa face supérieure (interface avec l’air), par exemple compris entre 15° et 50°. Autrement dit, l'épaisseur de chaque électrode diminue progressivement depuis le sommet de celle-ci jusqu’à la surface du substrat 4. Pour réaliser cette inclinaison, on peut réaliser une évaporation sous angle avec un angle variable, ou un angle fixe et une rotation planétaire. Cette inclinaison permet de réaliser ultérieurement un dépôt 20 (voir ) continu, à la fois à la surface du substrat 4 et des électrodes 2, pour former, dès les premiers nanomètres déposés, une continuité électrique entre toutes les électrodes 2, permettant ainsi la mesure in-situ. Dans leur partie la plus épaisse, ces électrodes 2 ont par exemple une épaisseur de quelques dizaines de nm, par exemple encore comprise entre 10 nm et 50 nm , par exemple encore d’environ 40 nm, plus généralement d’épaisseur inférieure à 100 nm ou à 200 nm. De préférence, les extrémités de ces électrodes opposées à la fenêtre de dépôt forment des plots de contact 2c en vue de la connexion à des moyens d'alimentation et/ou de mesure (voir figures 2A). Sur le même substrat, muni des électrodes 2 ( , qui est une vue dans le plan XoZ), on réalise un dépôt d’un masque 6 en résine , afin de définir une fenêtre 8 de dépôt. Ce masque comporte des échancrures 10 dans la partie proche du substrat et de la zone 8 dans laquelle le dépôt sera effectué. Les échancrures 10 sont protégées du dépôt par un surplomb 61 du masque 6 en résine. Ainsi le dépôt de matière sera interrompu au niveau des échancrures 10 et le film mesuré aura une géométrie définie par la fenêtre 8 ; la matière déposée sur le masque 6 ne sera pas connectée électriquement à la matière déposée sur le substrat ; de tels dépôts latéraux parasiteraient et fausseraient la mesure de la résistance. Le matériau de la partie inférieure du masque est retiré par gravure sélective dans la région au voisinage du substrat 4 et à proximité de la fenêtre 8 de dépôt. La forme de ce masque définit la géométrie du dépôt à réaliser ultérieurement et dont on souhaitera mesurer une grandeur électrique in-situ, en cours de croissance, grâce aux électrodes 2. Cette géométrie bien définie contribue à une très bonne précision dans la mesure de la conductivité de ce dépôt (le cas échéant, de sa résistance par carré ou de sa susceptance), par exemple à mieux que 1%. La représente un dépôt 20 réalisé sur la puce de la , dans une vue en coupe selon le plan YOZ ( ). On notera que la vue en coupe de la est indépendante de la variante (avec ou sans résistance de protection). Ainsi, on définit une région 8 pour un futur dépôt, au-dessus des électrodes 2 et à la surface du substrat 4, entre les bords du masque 6 en résine. C'est ce dépôt dont on mesurera la résistance, par exemple pendant un procédé d'évaporation, et à l'aide des électrodes 2. La géométrie de ce dépôt est ainsi définie de manière précise, notamment grâce aux échancrures 10, ce qui permet une très bonne mesure de la résistivité du film évaporé. Une réalisation particulièrement avantageuse est celle d'une région de dépôt qui s'étend selon un axe X, perpendiculairement à la direction Y selon laquelle les électrodes 2 s’étendent dans la région de mesure. En variante ( ), on réalise, après la formation des électrodes 2 mais avant la formation du masque 8, une ou des résistance(s) 12 dite de protection, de valeur de préférence élevée, par exemple supérieure à 1 MOhm, éventuellement inférieure à 100 MOhms. Cette résistance est par exemple en Cr. Son épaisseur peut être de l’ordre de quelques nm, par exemple comprise entre 4 nm et 10nm, ou même supérieure (par exemple jusqu’à 100 nm). Cette résistance est déposée sur les électrodes 2, en travers et par-dessus ces dernières, et elle sera électriquement connectée en parallèle d’un film déposé. Elle permet de vérifier la présence et le bon contact de la puce de mesure in-situ avant que le dépôt ne soit commencé. Elle permet aussi de limiter le courant passant dans le film mince durant les premiers nanomètres de dépôt, ce qui, dans le cas de certains matériaux, les échauffe et modifie leurs propriétés. La représente un dépôt 20 réalisé sur la puce de la , dans une vue en coupe selon le même plan XOZ que la . Le dépôt 20 a une géométrie définie par la forme du masque 8. Quelle que soit la réalisation, on a ainsi formé une puce 40 de dépôt. Cette puce comporte le substrat 4, les électrodes 2, optionnellement la ou les résistance(s) 12, et la fenêtre 8 de dépôt, délimitée par le masque 6. Elle a par exemple des dimensions de 3,5 mm × 7 mm x 350µm, permettant de l’insérer dans un connecteur de type micro USB femelle, dont les dimensions intérieures sont d’environ 3,6 mm de large, 3,6 mm de profondeur et 0,7mm d’épaisseur. Quand la puce est insérée dans un tel connecteur, les contacts ressort du connecteur reposent sur les plots de contact 2c, et la partie comportant la fenêtre de dépôt 8 est découverte. Un dépôt peut être réalisé sur cette puce, par exemple par évaporation par canon à électrons, ou par pulvérisation, ou par co-évaporation ou par co-pulvérisation ou dépôt chimique en phase vapeur. Préalablement à tout dépôt, y compris celui des électrodes 2, la surface du substrat 4 peut être soumise à un procédé en vue d’en réduire la rugosité, par exemple afin d’obtenir une rugosité R A comprise entre 0,01 nm et 1 nm. Cette étape contribue à une bonne continuité des films minces, tels que le film 20, qui ont une épaisseur nanométrique, par exemple comprise entre 5 nm et 50 nm, et qui seront réalisés sur la puce. La représente une puce 40 selon l'invention, prête à accueillir un dépôt dans la fenêtre 8. La coupe selon le plan I correspond aux figures 1A et 1C (resp. avant et après dépôt du film 20), la coupe selon le plan II correspond à la (après dépôt du film 20), la coupe selon le plan III correspond aux figures 1B et 1D (avant dépôt du film 20). Sur cette , on voit 4 conducteurs ou électrodes 2 différent(e)s qui, au moins dans la zone de dépôt 8, s'étendent parallèlement entre eux/elles et suivant la direction X, et le masque 6 de résine qui définit la fenêtre 8 de dépôt, laquelle s'étend suivant la direction Y perpendiculaire à X. Les électrodes 2 les plus extérieures peuvent être reliées, par les plots 2c de contact, à une source 14 de courant et une tension peut être mesurée avec un dispositif 16 de mesure de tension connecté aux deux autres électrodes ; en variante, une des deux électrodes situées d’un même côté du support de dépôt (par rapport au milieu du support dans la direction y) peut être connectée à une borne positive d’une source de courant, l’autre électrode du même côté à la borne positive d’un voltmètre. Les électrodes situées de l’autre côté du support seront connectées à la borne négative de la source de courant et du voltmètre ; en variante, pour une mesure utilisant seulement deux électrodes, les plots 2c de contact peuvent être reliés à une source de tension et un courant peut être mesuré avec un dispositif tel qu’un ampèremètre. Si une résistance 12 de protection a été réalisée comme expliqué ci-dessus en lien avec les figures 1C et 1D, elle peut être utilisée pour tester la présence et le positionnement de la puce dans un dispositif de mesure, avant même le dépôt de l’échantillon. Avantageusement, les extrémités 2e 2c des électrodes 2 à connecter à une source 14 de courant et au dispositif 16 de mesure de tension sont plus larges pour faciliter les contacts. L’invention permet donc de réaliser une puce 40 de dépôt et de mesure, laquelle comporte des électrodes 2 qui vont permettre de réaliser une mesure de la couche mince d'intérêt déposée ultérieurement ; ainsi, on obtient une valeur très précise de la conductivité (ou par exemple de la résistance) de cette couche mince. Les figures 2B et 2C représentent des agrandissements successifs d’une puce 40 de dépôt (ou puce) selon l’invention, sur lesquelles on reconnait la zone 8 de dépôt et le masque 6 ou des parties de celui-ci, notamment en où l’échancrure 10 est visible. Ces figures ont été obtenues à partir de photos réalisées au microscope électronique à balayage 15keV, dans les conditions expérimentales suivantes : - Substrat 4 de 350µm, Si/SiO 2 de 500 nm d'épaisseur ; - électrodes 2 de titane et d'or de 40 nm d'épaisseur ; - résine du masque 6 : LOL2000- S 1813 d’épaisseur respective 200nm et 1.4µm ;. La région entre les électrodes 2 et le masque 6 dans la fenêtre de dépôt 8 désigne la partie du film dont la résistance est mesurée pendant l'évaporation. Comme on le voit sur la , dans cet exemple, un fil de rapport d’aspect de 5 carrés est déposé. De telles puces sont de préférence réalisées collectivement. Ainsi, comme on le voit en , une pluralité de puces individuelles 40 (jusqu'à plusieurs dizaines, par exemple environ 50) peuvent être réalisées sur un « wafer » 32 d’un diamètre de par exemple 2 pouces. Chaque puce est de préférence à usage unique. Le substrat 32 ainsi réalisé, comportant une pluralité de puces 40, peut être protégé par une couche 30 de protection ( ), par exemple une couche d’adhésif du type utilisé en salle blanche, de préférence sur ses deux faces ; la ne montre pas la couche 30 sur la surface du dessus pour permettre de voir les puces individuelles 40. Ce substrat peut ensuite être découpé, par exemple à la scie diamant, en puces 40 à usage unique. Une telle puce est visible en . On peut ainsi obtenir jusqu'à plusieurs dizaines, par exemple environ 50, de telles puces individuelles sur un « wafer » 32, par exemple de 2 pouces. L’empreinte de chaque puce est de préférence aux dimensions d’un connecteur micro-USB 42, comme on le comprend en et des dimensions qui ont déjà été indiquées ci-dessus. Cet encombrement très réduit permet de fixer mécaniquement le support de mesure, incluant la puce, le connecteur et son câble, au plus proche de l’échantillon à déposer, en évitant les problèmes d’ombrage et d’inhomogénéité spatiale. En variante, un autre type de connecteur (de type « pogo », ou lamelles à ressort) peut être utilisé ; cependant l’USB offre une excellente compacité pour un système combinant les fonctions de maintien et de connexion électrique. Un tel connecteur et ses fils peuvent être intégrés dans un boitier sans perturber le dépôt. A chaque dépôt, l’utilisateur retire l'éventuelle couche 30 de protection d’une des puces, et glisse celle-ci dans le connecteur (comme en ). En moins d’une minute le dispositif est installé et prêt à mesurer. L’utilisateur peut vérifier que la puce est correctement insérée grâce à la résistance 12 de protection, si celle-ci est présente. La mesure peut être effectuée simplement par exemple à l’aide d’un pont RLC (non représenté sur les figures), qui peut être de type commercial, facilement interfaçable sur les équipements de dépôt, pour arrêter le dépôt lorsqu’une consigne de résistance est atteinte. En variante, on peut mesurer avec un multimètre DC, de type SMU ; cette 2e méthode est plus précise, et peut être mise en œuvre quand on souhaite mesurer par exemple de très faibles couches d’oxyde sur un matériau très conducteur. On a donné ci-dessus l'exemple d'un substrat 4 en silicium, mais on peut utiliser un substrat d’un autre matériau ayant une structure cristalline, par exemple du quartz ou du saphir. La nucléation des films en couches minces sur un substrat cristallin, ainsi que la résistivité des couches minces obtenues, dépend des paramètres de maille du substrat et de ceux du matériau déposé ; on choisit donc un substrat cristallin de paramètre de maille adapté au dépôt à réaliser. Choisir le même substrat pour le dépôt et pour la mesure in-situ permet de reproduire le plus fidèlement le résultat. Comme expliqué ci-dessus, dans une variante d'un procédé et d’un dispositif selon l'invention, on réalise une résistance 12 de protection, par exemple en Cr. Cette résistance permet, d'une part de limiter le courant dans la couche en cours de croissance et ainsi d’éviter un échauffement (et un recuit) de cette couche, lié à sa mesure électrique et, d'autre part, de s’assurer de la présence et du bon fonctionnement du substrat de mesure avant début du dépôt. Cependant, étant connectée en parallèle de la couche qui sera déposée, elle impose une limite supérieure à la valeur mesurable de la résistance du film déposé, typiquement du même ordre de grandeur que la résistance 12. On pourra utiliser un substrat sans résistance 12 de protection dans les cas où l’on souhaite mesurer de très fortes valeurs de résistance de surface, et le cas échéant utiliser des équipements de mesure plus précis, avec limitation de courant et /ou amplificateur intégrés. Les figures 5A – 5D représentent différentes mesures de différentes caractéristiques, effectuées notamment à l'aide d'un support de dépôt selon l'invention, pendant une évaporation d'une couche d'aluminium à une vitesse de 1 nm/s, sous une pression partielle d'oxygène de 2.10 -5 mbar sur un substrat de Si / SiO 2 : – La représente la mesure de la résistance, effectuée avec un pont de type LCR819 et divisé par le nombre de carrés (ici 5, voir par exemple ), fournissant ainsi la résistance par carré Rc de la couche déposée en fonction du temps t. Les premiers points de l’acquisition (avant 3.5s) sont au-delà de la gamme de mesure de l'appareil, et/ou avant que le film soit continu électriquement ; – La représente l'épaisseur déposée e, mesurée avec une balance à quartz, en fonction du temps ; on voit qu’un dépôt selon l’invention peut être réalisé pour une épaisseur comprise entre quelques nm, entre par exemple 5 nm et 30 nm ou 40 nm ; – la représente la résistance par carré Rc en fonction de l'épaisseur déposée e (deux quantités enregistrées simultanément lors du dépôt). La mesure électrique est possible à partir d’une épaisseur de 3.5nm. Le premier point mesuré correspond à une résistance de 20MΩ, en limite haute de la gamme de mesure de l'appareil utilisé pour cette expérience. – La représente la résistivité du film en fonction de son épaisseur e, cette résistivité étant calculée comme le produit de Rc et t. Le dépôt du film est arrêté lorsque la valeur cible de 260 Ω de la résistance par carré est obtenue, valeur cible représentée par la courbe 44 en traits interrompus sur les figures 5A, 5C et 5D. Une puce selon l’invention peut être reliée, par exemple par un connecteur tel que mentionné dans cette description, à un appareil de mesure lui-même interfacé sur un ordinateur ou micro-ordinateur qui permet de collecter et/ou traiter et/ou mémoriser des données mesurées, notamment des données de conductivité (incluant donc des données de capacitance et/ou d’inductance) ou de résistance et/ou d’épaisseur et éventuellement de les afficher sur des moyens de visualisation tel qu’un écran. Ces figures montrent que la grandeur électrique mesurée (ici la résistance) peut converger vers une valeur cible assez rapidement ; l’invention est donc tout à fait adaptée à une mise en œuvre pratique, pour réaliser des films d’épaisseur par exemple comprise entre quelques nm et 100 nm ou même d’épaisseur de l’ordre de quelques centaines de nm. En fait, l’épaisseur que l’on peut déposer est surtout limitée par la hauteur des échancrures 10 (telles qu’illustrées en ). Par ailleurs, la précision des caractéristiques finales du dispositif dépendra de la résistivité des couches et de la précision de l’appareil de mesure. Par exemple, si on utilise une résine 6 de type LOL2000 dans laquelle les échancrures 10 peuvent avoir jusqu’à 200nm de hauteur, on sera limité à un dépôt d’une épaisseur de 200 nm environ afin de ne pas réaliser un contact électrique sur les bords du masque. D’une manière générale, on peut déposer des films ayant une épaisseur dans toute la gamme d’épaisseurs utilisées couramment dans les applications aux circuits quantiques. De plus, il est possible de mettre des fils et un boitier de mesure dans le vide ou l’ultra-vide du système de dépôt, par exemple un évaporateur, sans le détériorer. On prend garde, en fonction des matériaux constitutifs des éléments présents sur la puce, à ne pas chauffer au-dessus d’une température limite pour ne pas déformer ces éléments. Par exemple, pour des électrodes en Au, ainsi que pour la résine S1813 utilisée pour le masque 6, on préfère ne pas chauffer le boitier de mesure au-dessus d’une température limite, ici d’environ 150°C. Quelle que soit la réalisation, Il est possible de refroidir l’échantillon de mesure in-situ si le dépôt se fait à froid, sans limite sur la température basse. L’invention permet par exemple de contrôler in-situ la fabrication d’un film, en effectuant, simultanément au dépôt de ce film, un dépôt sur une puce selon l’invention et/ou selon un procédé selon l’invention. L’invention permet de répliquer, pour la puce et/ou le procédé selon l’invention, les conditions mises en œuvre pour le dépôt d’intérêt, qui est réalisé en parallèle, et ainsi de contrôler l’évolution de ce dernier, notamment du point de vue de la conductivité du film déposé. L’invention permet par exemple de contrôler in-situ la fabrication de jonctions Josephson pour les circuits quantiques, en mesurant en temps réel le taux d’oxydation de surface d’un film d’aluminium déjà déposé et en stoppant l’oxydation sur une consigne de résistance. Une autre application est le contrôle de la reproductibilité de la résistance de surface de films d’aluminium granulaire (Aluminium évaporé en présence d’oxygène à une pression partielle de quelques 10 -6 mbar). Cela peut se faire soit en arrêtant l’évaporation sur une consigne de résistance mesurée en temps réel, soit en comparant la courbe de résistance en fonction de l’épaisseur à une courbe de référence, et en ajustant en temps réel le flux d’oxygène ou le taux d’évaporation de l’aluminium pour suivre cette courbe de référence. L'invention a été décrite ci-dessus dans le cas d’un dépôt. Une autre application de l’invention est le suivi de la résistance d’une couche en cours de gravure, par exemple par un faisceau d’ion ou un plasma réactif. L’invention permet par exemple d’arrêter la gravure lorsque la couche d’oxyde de surface est éliminée ou, plus généralement, lorsque les propriétés de conduction désirées sont atteintes ; la couche gravée est formée par un procédé selon l'invention, c'est-à-dire en contrôlant sa résistance cours de sa formation. Ceci permet par exemple une bonne reprise de contact sur une couche fabriquée au préalable et ayant subi des étapes de lithographie, un vieillissement et /ou une oxydation à l’air. Pour cela la puce a de préférence le même historique de fabrication que l’échantillon d’intérêt. Quelle que soit l’application, il est possible, pendant le dépôt et/ou l’oxydation et/ou la gravure, de réguler les paramètres de la machine de dépôt en fonction des valeurs électriques observées. Un domaine d’application de l'invention concerne les circuits quantiques intégrant des supraconducteurs, des jonctions Josephson, ou plus généralement des films minces (déposés par exemple par canon à électron), dont on veut maîtriser la résistance de surface, la valeur de capacitance, ou la valeur d’inductance avec une précision meilleure que 1%, que 0,1 % ou que 0,01 %. L’invention peut également s’appliquer à tout type de dépôt de films en couches minces (par exemple par pulvérisation, ou par dépôt chimique en phase vapeur) pour lesquels une telle précision est requise. De nombreuses méthodes de dépôt sont compatibles avec une mesure de résistance et avec l’introduction dans la machine de dépôt des câbles et connecteurs permettant une mesure selon l’invention. En fonction de la méthode de dépôt, on pourra filtrer les signaux mesurés, ou vérifier que les matériaux du porte-puce ne sont pas dégradés par des espèces réactives d’un plasma, etc. Procédé de réalisation d'une puce (40) de dépôt de films minces, comportant : a) - la formation, sur un substrat (4) isolant ou semi-conducteur, d'une pluralité d’électrodes de mesure (2), chaque électrode ayant une partie centrale et des bords (2 1 , 2 2 ) inclinés vers la surface du substrat (4); b) - la formation d'un masque (6) de dépôt, non conducteur, définissant une fenêtre (8) de dépôt, ce masque comportant des échancrures (10) au voisinage du substrat et de ladite fenêtre de dépôt. Procédé selon la revendication 1, comportant en outre une étape de réalisation d'une électrode (12) de protection entre le masque (6) et le substrat (4). Procédé selon la revendication 2, l'électrode de protection ayant une résistance supérieure à 1 MΩ. Procédé selon la revendication 2 ou 3, l'électrode de protection étant en chrome et/ou d'épaisseur comprise entre 3 nm et 100 nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, le substrat (4) étant en silicium ou en quartz ou en saphir. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, le substrat ayant une surface de rugosité R A comprise entre 0,01 nm et 1 nm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, les électrodes (2) de mesure étant en Ti/Au. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, comportant en outre une étape de réalisation d'une couche (30) de protection du substrat. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, la fenêtre (8) de dépôt ayant une orientation perpendiculaire à celle d’au moins une partie des électrodes (2) de mesure. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, les électrodes (2) étant réalisées par évaporation sous angle. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, les électrodes (2) ayant des bords (2 1 , 2 2 ), formant des pentes latérales, avec un angle, avec la surface du substrat, inférieur à 80°, par exemple compris entre 15° et 60°. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, comportant une étape préalable de planarisation de la surface du substrat (4). Puce (40) de dépôt de film mince, comportant : a) un substrat (4) en un matériau isolant ou semi-conducteur b) sur ledit substrat (4) une pluralité d’électrodes (2) de mesure, chaque électrode ayant une partie centrale et des bords (21, 22) inclinés vers la surface du substrat (4); c) un masque non conducteur (6) de dépôt, définissant une fenêtre (8) de dépôt, ce masque comportant des échancrures (10) au voisinage du substrat et de ladite fenêtre de dépôt. Puce selon la revendication 13, comportant en outre une électrode (12) de protection entre le masque (6) et le substrat (4). Puce selon la revendication 14, l'électrode de protection ayant une résistance supérieure à 1 MΩ. Puce selon la revendication 14 ou 15, l’électrode de protection étant en chrome et/ou d'épaisseur comprise entre 3 nm et 10 nm. Puce selon l’une des revendications 13 à 16, le substrat (4) étant en silicium ou en chrome ou en saphir. Puce selon l’une des revendications 13 à 17, les électrodes (2) de mesure étant en Ti/Au. Puce selon l’une des revendications 13 à 18, comportant en outre une couche (30) de protection du substrat . Puce selon l’une des revendications 13 à 19, la fenêtre (8) de dépôt ayant une orientation perpendiculaire à celle d’au moins une partie des électrodes (2) de mesure. Puce selon l’une des revendications 13 à 20, les électrodes (2) ayant des bords (2 1 , 2 2 ), formant des pentes latérales, avec un angle inférieur à 80°, par exemple compris entre 15° et 60°. Procédé de dépôt d’une couche, dite couche mince, comportant une étape de dépôt d'une couche dans la fenêtre (8) de dépôt d’une puce selon l’une des revendications 13 à 21, et de mesure d’au moins une grandeur électrique aux bornes d’au moins 2 électrodes (2) de mesure. Procédé selon la revendication 22, le dépôt de la couche étant obtenu par pulvérisation, ou par dépôt chimique en phase vapeur ou par canon à électrons ou par co-évaporation ou par co-pulvérisation. Procédé selon l'une des revendications 22 ou 23, la couche déposée formant : - une couche métallique formée d’un élément choisi parmi l’or, l’argent, le cuivre, le platine, l’iridium, le titane, le vanadium, le niobium, le tantale, le chrome; - ou une couche métallique formée d’un élément en présence d’un gaz réactif (oxygène et/ou azote et/ou hydrogène), comme par exemple l’aluminium granulaire , ou les nitrures d’aluminium, ou de titane ou de niobium, ou les hydrures de silicium ; - ou un dépôt d’un alliage en Niobium-silicium, ou en Yttrium-silicium, ou en Nickel – Chrome ; - ou une jonction tunnel comportant deux dépôts métalliques séparés par une barrière d’isolant, par exemple une jonction Josephson en Al-AlO x -Al, ou en Nb-Al-AlO x -Al-Nb ; - ou une couche isolante ou semiconductrice comme par exemple Si, ou Si-O, ou Si-H, ou Ge ; dans ce cas on peut utiliser une mesure simultanée de la capacitance et de la résistance de la couche. Procédé selon l'une des revendications 22 à 24, la couche déposée ayant une épaisseur comprise entre 1 nm et 200 nm. Procédé de gravure d’une couche réalisée dans la fenêtre (8) d’une puce selon l’une des revendications 13 à 21, comportant une étape de gravure de cette couche, et de mesure d’au moins une grandeur électrique aux bornes d’au moins 2 électrodes (2) de mesure. Procédé selon l’une des revendications 22 à 26, le dépôt ou la gravure de la couche étant arrêté lorsque ladite grandeur électrique atteint une valeur cible. Procédé selon l'une des revendications 22 à 27, la mesure d'au moins une grandeur électrique étant effectuée à l'aide d'un micro-connecteur, par exemple un connecteur micro-USB. Procédé selon l'une des revendications 22 à 28, au moins une grandeur électrique mesurée étant la conductivité ou la résistance électrique d’une couche en cours de dépôt ou en cours de gravure et réalisée en partie sur le substrat (4), en partie sur les électrodes (2).