FR 3154500 A1 20250425 FR 2311293 A 20231019 L’invention concerne un dispositif de détection d’un court-circuit dans un transistor comportant un transistor (1) comportant une source (S), un drain (D) et une grille (G) et un circuit intégré de pilotage (2) configuré pour détecter un court-circuit par comparaison entre une tension appliquée à une borne dite borne DESAT et un premier seuil de tension prédéfini. Le dispositif est configuré pour que la tension appliquée à la borne DESAT reflète la tension entre le drain (D) et la source (S). Le dispositif comporte en outre un circuit externe (7) au circuit intégré de pilotage (2), le circuit externe (7) étant configuré de sorte que, lorsque la tension à la borne DESAT (V cdesat ) dépasse un deuxième seuil de tension, inférieur au premier seuil de tension, ledit circuit externe (7) provoque une baisse de la tension entre la grille et la source du transistor. L’invention porte aussi sur le procédé correspondant. figure pour l’abrégé : figure 3 Dispositif de détection de court-circuit dans un transistor et procédé correspondant DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine de l’électronique de puissance et en particulier des onduleurs et de leur contrôle. Elle s’intéresse à la détection du phénomène de court-circuit dans les transistors dans certains systèmes d’électronique de puissance, par exemple les onduleurs, et à la protection de ces systèmes en cas de court-circuit. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Dans un onduleur, des transistors sont utilisés pour commuter le courant entre une source d'alimentation continue et une charge (par exemple, un moteur ou un système de conversion d'énergie). Les onduleurs sont basés sur une structure trois bras pont, et chaque bras de pont est constitué de deux transistors (un haut et un bas) reliés en série. Leur état de commutation contrôle la direction et la magnitude du courant qui circule dans la charge. Lorsque le transistor est cassé en court-circuit, il ne peut plus commuter efficacement entre l’état bloqué (ouvert) et l’état passant (fermé) ; cela entraîne une situation de court-circuit du bras de pont. Ainsi, dans une situation où un transistor (par exemple de type IGBT ou MOSFET) utilisé dans un onduleur ne peut plus contrôler correctement le courant qui le traverse, le transistor peut se retrouver en court-circuit. La détection de court-circuit dans un bras de pont est cruciale pour assurer la sécurité et la fiabilité de l'onduleur. Un court-circuit peut provoquer un important courant de surcharge à travers les transistors, ce qui peut les endommager de manière irréversible. Cela peut entraîner des dysfonctionnements importants dans le système d'onduleur et, par extension, dans le système électrique ou électronique plus large auquel il est connecté. Des stratégies de détection de court-circuit, de contrôle et de protection sont connues. Ces stratégies utilisent ce qu’on appelle couramment une fonction "DESAT" (pour « désaturation ») qui permet de détecter si un court-circuit se produit dans un bras de pont de l'onduleur, et de commander une coupure adaptée du court-circuit en ouvrant de manière appropriée le transistor non endommagé du bras de pont. Cette fonction se fonde sur une mesure en continue des courants et/ou des tensions aux bornes de transistors. Ainsi, généralement, la fonction DESAT compare la tension aux bornes du transistor (ou plus précisément une tension qui reflète la tension aux bornes du transistor) à un seuil prédéfini. En particulier, la tension entre les bornes drain et source (ou collecteur et émetteur) du transistor est mesurée ou évaluée. Lorsqu’un court-circuit se produit, une tension importante apparait aux bornes du transistor (entre le drain et la source ou le collecteur et l’émetteur du transistor). Lorsqu'un court-circuit est détecté, des mesures de protection sont prises. Ces mesures peuvent inclure l’ouverture du transistor concerné, ainsi que la mise en place de mécanismes de limitation du courant. Ainsi, la coupure du courant de court-circuit doit être réalisée plus lentement qu’une coupure réalisée en fonctionnement normal (en l’absence de court-circuit), afin de limiter la surtension générée lors de la coupure. Cette surtension est causée par une brusque augmentation du courant, pouvant atteindre soudainement dix à quinze fois le courant nominal. Il en résulte un risque d’avalanche (voir ci-après), un risque d’emballement thermique, et donc un risque de dégradation du transistor. Deux approches sont couramment utilisées pour mettre en œuvre cette fonction. Selon une première approche, un circuit de détection et désaturation externe peut être utilisé. Dans ce cas, un circuit dédié, comportant des mesures de courant et des comparateurs de tension est ajouté au système. Ce circuit surveille activement les signaux électriques et réagit quand un court-circuit est détecté. En particulier, lorsqu’une tension importante apparaît aux bornes d’un transistor de puissance, cette tension est détectée par le circuit analogique externe, ce qui active un circuit de coupure pour couper le courant de court-circuit. Cette coupure est avantageusement réalisée de manière progressive, comme expliqué plus en détail ci-après. Selon une deuxième approche, la fonction peut être intégrée à l’onduleur, par exemple au niveau du circuit intégré de pilotage de la borne de grille (ou base) du transistor. Ce circuit intégré est parfois appelé « pilote de grille » ou « gate driver » ou simplement « driver » selon la terminologie anglophone couramment utilisée. Ainsi, certains drivers intègrent directement la fonction DESAT. Cette approche simplifie le processus, car les signaux nécessaires sont accessibles via le driver. Selon cette approche, le driver comporte généralement une borne dédiée à la fonction de désaturation. Sur cette borne, une tension représentative de la tension entre le drain et la source (ou collecteur et émetteur) est lue. Cette tension est en pratique la tension aux bornes d’un condensateur de filtrage 5, et est réduite comparativement à la tension entre le drain et la source par une résistance et une diode de blocage dont les caractéristiques sont prédéterminées. La tension à cette borne permet de déterminer si une situation de court-circuit se produit et si la coupure doit être commandée selon une stratégie de désaturation contrôlée. D’autres approches sont connues, par exemple une détection indirecte d’une situation de court-circuit par une mesure de courant. Une telle approche est développée par exemple dans le document US20140307495. Dans les onduleurs des chaînes de traction automobiles électriques, des transistors de type IGBT ou MOSFET sont couramment utilisés. Les transistors IGBT sont fréquemment utilisés pour les véhicules électriques, fonctionnant avec une architecture à haute tension. Les transistors de type MOSFET sont plus couramment utilisés dans les systèmes électriques de véhicules hybrides ou sur des architectures de moindre puissance, souvent de moindre tension. Tandis que l’utilisation d’une fonction DESAT est répandue, voire quasiment généralisée, dans les systèmes utilisant des transistors IGBT, elle est généralement absente des systèmes utilisant des MOSFETs. Dans le cas des onduleurs utilisant des MOSFETs, le risque de court-circuit aggravé est fréquemment traité en confinant l’onduleur de sorte que le risque d’incendie reste limité au seul onduleur. Cette approche est cependant imparfaite, en ce qu’elle nécessite la création d’un confinement au feu fiable, et qu’elle entraine potentiellement une destruction complète de l’onduleur en cas de court-circuit. Il est néanmoins tout à fait possible de mettre en place une fonction DESAT quel que soit le type de transistor utilisé, notamment des MOSFETs. Néanmoins, les caractéristiques des transistors dépendent de leur technologie. Par exemple, les MOSFETs et les IGBTs ont des caractéristiques de commutation différentes et des caractéristiques statiques différentes, notamment, la caractéristique directe (courant de drain Id en fonction de la tension drain-source Vds) est différente dans les MOSFETs et les IGBTs, ce qui justifie un seuil de protection plus bas sur un MOSFET. La fonction DESAT doit donc être adaptée à la technologie de transistor utilisée. Par exemple, dans le cadre d’un IGBT, en cas de court-circuit, la tension augmente extrêmement rapidement, mais, dans certains cas d’utilisation normaux et transitoires, le courant au travers de l’IGBT peut être deux à trois fois supérieur au courant nominal du système, ce qui se traduit par une montée de la tension aux bornes de l’IGBT. On doit donc adopter un seuil de tension relativement élevé pour la fonction DESAT associée à des IGBTs. Cela permet une détection fiable d’un court-circuit, tout en en évitant les fausses détections (faux-positifs). Les MOSFETs nécessitent par contre l’emploi d’un seuil de tension bien plus bas. L’utilisation d’une fonction DESAT adaptée à des IGBTs sur un système comportant des MOSFETs conduirait à des courant très élevés en cas de court-circuit suivi d’une désaturation, et donc à une inefficacité de la fonction DESAT. Ainsi, pour la protection des onduleurs utilisant des MOSFETs, il est possible d’utiliser un circuit externe de protection, configuré pour avoir un seuil de détection plus bas que pour des IGBTs. Si on souhaite néanmoins bénéficier des avantages d’une fonction DESAT intégrée au driver dans un onduleur utilisant des MOSFETs, il n’est pas possible d’utiliser les drivers simples qui sont généralement conçus pour assurer une fonction DESAT pour des transistors de type IGBT. Ainsi, dans ce cas, il faut soit créer un driver spécialisé, ce qui est coûteux et ne fait pas sens dans le cadre d’une gamme d’onduleurs dont certains comportent des IGBTs et d’autres des MOSFETs, soit utiliser un driver paramétrable ou programmable, notamment pour ce qui concerne le seuil de tension utilisé. Un tel driver paramétrable est coûteux et complexe (ce qui augmente le temps de développement et de mise au point du logiciel du driver en particulier). De manière générale, il n’existe pas de solution permettant d’utiliser une même référence de driver dans des onduleurs de technologies différentes, adaptés à fonctionner à des tensions diverses telles que 48 V, 400 V et 800 V. La présente invention vise à remédier à tout ou partie des inconvénients de l’état de la technique cités ci-dessus. À cet effet, l’invention porte sur un dispositif détection d’un court-circuit dans un transistor comportant un transistor comportant une source, un drain et une grille, et un circuit intégré de pilotage connecté au transistor et configuré pour détecter un court-circuit par comparaison entre une tension appliquée à une borne dite borne DESAT du circuit intégré de pilotage et un premier seuil de tension prédéfini. Le dispositif est configuré de sorte que la tension appliquée à la borne DESAT reflète la tension entre le drain (D) et la source (S). Le dispositif comporte en outre un circuit externe au circuit intégré de pilotage, le circuit externe étant configuré de sorte que, lorsque la tension à la borne DESAT dépasse un deuxième seuil de tension, inférieur au premier seuil de tension, ledit circuit externe provoque une baisse de la tension entre la grille et la source du transistor. En ajoutant un circuit externe au circuit intégré de pilotage, le dispositif selon la présente invention permet l’obtention d’une désaturation et d’une ouverture du transistor en deux phases. L’ouverture du transistor s'effectue d'abord par décharge de la grille à travers une faible résistance d’un circuit externe, ce qui fait baisser le courant de grille du transistor et déclenche rapidement la coupure du court-circuit, alors même que la tension à la borne DESAT du circuit intégré de pilotage n’a pas atteint un premier seuil de tension permettant la détection d’une situation de court-circuit. Dans un second temps, lorsque la tension drain-source a suffisamment augmenté pour que la tension mesurée à la borne DESAT du circuit intégré de pilotage atteigne ledit premier seuil, le circuit intégré de pilotage indique à un microcontrôleur du système qu’il détecte un court-circuit. Le contrôle s’effectue alors classiquement par le circuit intégré de pilotage, par exemple par une commande contrôlée de l’ouverture du transistor de puissance (par exemple par un pilotage selon un « two level turn-off » ou un « soft turn-off », comme expliqué ci-après). Cela permet d’utiliser un circuit intégré de pilotage simple, avec un transistor auquel il n’est normalement pas adapté. Typiquement, un circuit intégré de pilotage dont le seuil de détection de saturation est adapté aux IGBTs peut ainsi être utilisé avec des MOSFETs, tout en garantissant une protection adéquate du système en cas de court-circuit du transistor. La borne DESAT du circuit intégré de pilotage peut être liée au drain du transistor via une résistance et une diode. Le circuit externe peut comporter un comparateur et un transistor de niveau logique, agencés de sorte que le comparateur compare la tension à la borne DESAT (V cdesat ) au deuxième seuil de tension, et pilote la fermeture du transistor de niveau logique lorsque la tension à la borne DESAT (V cdesat ) dépasse ledit deuxième seuil de tension. Le circuit externe peut comporter une résistance et lorsque le transistor de niveau logique est passant, la grille G du transistor se décharge via la résistance et via le transistor de niveau logique, ce qui déclenche l’ouverture du transistor. Le circuit externe peut comporter un pont diviseur qui détermine le deuxième seuil de tension. Le transistor considéré peut en être un MOSFET. Le premier seuil de tension peut notamment être compris entre 6V et 9V et le deuxième seuil de tension est inférieur au premier seuil de tension. Le deuxième seuil de tension peut notamment être compris entre 2V et 3V. Lorsqu’un court-circuit est détecté par ledit circuit intégré de pilotage (2), le circuit intégré de pilotage peut commander une ouverture du transistor selon un procédé de coupure à deux niveaux ou de coupure progressive. Le dispositif peut comporter un microprocesseur de commande de l’onduleur, et lorsqu’un court-circuit est détecté par le circuit intégré de pilotage, ledit circuit intégré de pilotage émet un signal à destination du microprocesseur. Le microprocesseur commande alors (éventuellement après une temporisation) l’application d’un mode refuge de l’onduleur. L’invention porte aussi sur un onduleur comportant un dispositif tel que décrit ci-dessus. L’invention porte enfin sur un procédé de protection d’un dispositif d’électronique de puissance comportant un transistor comportant une source, un drain et une grille ; un circuit intégré de pilotage du transistor comportant une borne dite borne DESAT liée au transistor de sorte que la tension appliquée à ladite borne DESAT reflète la tension drain entre le drain et la source, le procédé comportant les étapes de : lorsque la tension à la borne DESAT dépasse un seuil de tension, dit deuxième seuil de tension, la grille du transistor est déchargée au travers d’une résistance afin de faire baisser la tension entre la grille et la source, ce qui déclenche une ouverture du transistor ; puis lorsque la tension à la borne DESAT dépasse un seuil de tension, dit premier seuil de tension, qui est supérieur audit deuxième seuil de tension, le circuit intégré de pilotage commande une ouverture du transistor selon un procédé de coupure à deux niveaux ou de coupure progressive. Dans un tel procédé, lorsque la tension à la borne DESAT dépasse un seuil de tension un signal est envoyé par le circuit intégré de pilotage à un microcontrôleur qui commande alors l’application d’un mode refuge de l’onduleur. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres avantages, buts et caractéristiques particulières de la présente invention ressortiront de la description non limitative qui suit d’au moins un mode de réalisation particulier des dispositifs et procédés objets de la présente invention, en regard des dessins annexés, dans lesquels : la FIG. 1 représente une partie de circuit électrique illustrant un mode de détection d’un court-circuit dans un transistor conforme à l’état de la technique, grâce à un driver intégrant une fonction DESAT, la FIG. 2 est un graphique représentant l’évolution de diverses tensions et courants dans le transistor quand un transistor de type MOSFET est associé à une protection intégrée à un driver intégrant une fonction DESAT conçue pour un IGBT ; la FIG. 3 représente une partie d’un circuit électrique, correspondant à la partie montrée à la FIG. 1 , selon un mode de réalisation de l’invention ; la FIG. 4 représente sur un graphique similaire à celui de la FIG. 2 , l’effet de l’application du circuit de la FIG. 3 . DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L’INVENTION La présente description est donnée à titre d’exemple de réalisation non limitatif. La FIG. 1 illustre comment la problématique de la désaturation peut être traitée dans un onduleur selon l’état de la technique à l’aide d’un circuit intégré de pilotage ou driver intégrant une fonction DESAT pour la détection et le traitement de la situation de court-circuit d’un transistor. Le circuit comporte un transistor 1. S’agissant d’un transistor équipant un onduleur, ledit onduleur comporte généralement six transistors pour un onduleur triphasé. Les transistors sont alors séparés en deux groupes, trois transistors coté « bas », c’est-à-dire placés entre la masse et charge électrique, par exemple le moteur commandé par l’onduleur, et trois côté « haut », c’est-à-dire placés entre la source électrique et la charge. En l’occurrence, les mesures prises vis-à-vis de la désaturation sont illustrées pour un transistor, ici côté bas, mais elles s’appliquent de la même manière à chaque transistor de l’onduleur considéré. Dans le système représenté, le transistor est un IGBT (transistor bipolaire à grille isolée, selon l’acronyme anglophone d’« insulated-gate bipolar transistor »), et comporte donc trois bornes, à savoir un émetteur E, un collecteur C, et une base B. Le transistor 1 est piloté par un circuit intégré de pilotage 2 ou driver. Le circuit intégré de pilotage 2 présente un certain nombre de bornes, en l’occurrence vingt-deux bornes référencées P1 à P22 dans l’exemple représenté. Les branchements et fonctions de ces différentes bornes ne sont ici pas détaillés. Néanmoins, dans l’exemple représenté, une des bornes (ici la borne P13) permet la commande du transistor via un circuit d’attaque de grille 6, et une des bornes (ici la borne P15) dite borne DESAT est dédiée à la détection d’une situation de court-circuit et à une fonction de désaturation, comme expliqué ci-après. Ce circuit intégré de pilotage 2 est adapté à un fonctionnement sous haute tension, c’est-à-dire par exemple avec une source d’énergie électrique ayant une tension nominale de 400 V ou 800 V. En cas de court-circuit, la tension entre le collecteur et l’émetteur V CE augmente fortement. Afin de détecter une telle situation, la borne P15 est ici reliée au collecteur C du transistor 1 par un circuit électrique très simple, composé d’une résistance 3 et d’une diode 4. La tension V cdesat , qui est la tension aux bornes d’un condensateur 5 placé entre la résistance 3 et la masse (ou potentiel de l’émetteur ou de la source), reflète la mesure de tension entre le drain et la source (dans le cas d’un MOSFET) ou entre le collecteur et l’émetteur (dans le cas d’un IGBT). Elle est mesurée au niveau de la borne P15 du driver. Par « reflète », on entend qu’il existe de manière générale une fonction, en particulier une fonction bijective, entre la tension drain - source et la tension à la borne DESAT. Généralement, la tension à la borne DESAT correspond à la tension entre le drain et la source à une constante (ou « offset ») près. La tension V cdesat mesurée à la borne P15 est comparée à un premier seuil de tension, appelé seuil de DESAT, généralement situé entre 6V et 9V selon le driver considéré. Lorsque la tension V cdesat mesurée dépasse le premier seuil ou seuil de DESAT, ce qui traduit le fait que la tension entre le collecteur et l’émetteur dépasse un certain seuil, le circuit intégré de pilotage 2 considère que le bras de pont concerné est en situation de court-circuit. Une mesure pouvant être prise par le circuit intégré de pilotage consiste alors à couper le courant de court-circuit selon un procédé de coupure à deux niveaux, généralement désigné par l’expression anglophone « two level turn off » (TLTO). Le but du TLTO est d'assurer une ouverture efficace des transistors en deux étapes pour assurer une coupure en douceur et contrôlée des dispositifs de commutation. Une autre solution est de réaliser une coupure progressive, ou « soft turn-off ». Une autre broche du circuit intégré de pilotage 2, ici la broche P8, envoi le signal de court-circuit au microcontrôleur. Ensuite, le microcontrôleur gère le mode de protection de l’onduleur. Ainsi, lors d’une désaturation du transistor, dans une première étape, la tension aux bornes du transistor (tension grille-source V gs ) est réduite rapidement à un niveau intermédiaire. Cela permet de limiter le courant de court-circuit et le ramener à des valeurs raisonnables afin de poursuivre la coupure. Dans une deuxième étape, après la réduction de la tension, le transistor est complètement désactivé en coupant le courant de commande ou en appliquant une tension nulle ou négative. Ces stratégies permettent d’éviter une coupure trop rapide qui se traduirait par un pic de tension extrêmement élevé et potentiellement destructeur pour le transistor. Si on considère le dispositif de la FIG. 1 et qu’on souhaite l’utiliser pour protéger un onduleur utilisant des transistors de type MOSFET (pour « Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor », ce qui signifie en français « Transistor à effet de champ à oxyde métalique-semiconducteur »), qui sont typiquement utilisés sous une tension nominale moindre que les IGBTs, par exemple 48V, ce dispositif s’avère généralement inefficace car inadapté. La FIG. 2 illustre cela. La FIG. 2 représente un exemple des évolutions temporelles de diverses tensions et courants dans un transistor, obtenus expérimentalement sur un transistor MOSFET situé du côté bas d’une des phases du module de puissance, en l’occurrence la phase U (soit la première phase dans un système à trois phases U, V, W), avec une tension de la source électrique en courant continu du système réglée à 52V. La courbe C1 représente la tension V cdesat , qui est appliquée à la borne P15 du circuit intégré de pilotage 2 comme expliqué ci-dessus. L’échelle est de 2V par division. La courbe C2 représente la tension entre la grille et la source du transistor. L’échelle est de 2V par division. La courbe C3 est la tension entre le drain et la source du transistor. L’échelle est de 20V par division. La courbe C4 représente l’intensité du courant traversant le transistor. L’échelle est de 2kA par division. On définit T=0 comme l’instant auquel la tension entre la grille et la source atteint le seuil de conduction du transistor, soit 2V dans l’exemple représenté. Le seuil de DESAT du driver (ou premier seuil) est de 6V. Au moment où C1 atteint le premier seuil, la fonction de protection est activée. Ici, le courant de court-circuit est détecté à T = 3,4µs. Néanmoins, un seuil de DESAT de l’ordre de 2V à 3V étant plus adapté à un transistor MOSFET dans les conditions d’utilisation précitées, l’emploi d’un driver avec un tel seuil de détection pour sa fonction DESAT conduit à perdre environ 1,5 µs pour cette détection. Ainsi l’ouverture du MOSFET de puissance commence à être pilotée (voir l’évolution de C2) à T=3,6µs. D’autre part, au moment de la coupure, la tension drain-source, Vds, (courbe C3) atteint environ 110V, et le courant traversant le transistor atteint 11.5kA (courbe C4). Ces valeurs peuvent être au-delà des caractéristiques admissibles pour le transistor. Dans ces conditions, le MOSFET risque d’opérer dans une zone d’avalanche. Pour mémoire, l’avalanche se produit lorsque la tension appliquée aux bornes du transistor atteint un niveau critique appelé "tension de claquage en avalanche". Lorsque cette tension est dépassée, des charges électriques sont accélérées à des énergies élevées dans le matériau semi-conducteur du transistor, provoquant la libération d'électrons supplémentaires. Cela peut conduire à une augmentation rapide du courant à travers le transistor, ce qui peut endommager le dispositif si le courant n'est pas contrôlé. Les phénomènes d'avalanche sont généralement indésirables car ils peuvent provoquer des dégradations irréversibles dans le composant et entraîner des dysfonctionnements ou des défaillances. La FIG. 3 représente, selon une vue similaire à celle de la FIG. 1 , un exemple de circuit selon un mode de réalisation de la présente invention. Le circuit de base est identique à celui de la FIG. 1 , et comporte ainsi un transistor 1, un circuit intégré de pilotage 2 ou driver, une résistance 3, une diode 4, un condensateur de filtrage 5 et un circuit d’attaque de grille 6 agencés comme expliqué en référence à la FIG. 1 . Dans le circuit représenté à la FIG. 3 , le transistor 1 est de type MOSFET. Il comporte donc une source S, un drain D, et une grille G. Le circuit intégré de pilotage 2 est de type identique à celui de la FIG. 1 , avec un seuil de DESAT (ou premier seuil) du driver de 6V. Le circuit représenté à la FIG. 3 se distingue de celui de la FIG. 1 , par la présence d’un circuit externe 7, vis-à-vis du circuit intégré de pilotage 2. Le circuit externe 7 vise à déclencher une commande d’ouverture du transistor dès qu’un seuil de tension (deuxième seuil de tension) est atteint au niveau de la borne DESAT du circuit intégré de pilotage 2. Le deuxième seuil de tension est inférieur au premier seuil de tension, dans la mesure où il s’agit de détecter au plus tôt une situation de court-circuit afin de protéger le transistor. Le deuxième seuil de tension peut ainsi être fixé à environ 2V, ou environ 3V (tandis que le premier seuil de tension est généralement entre 6V et 9V, par exemple ici 6V comme indiqué ci-avant). Dans l’exemple de circuit externe 7 ici représenté, ce circuit est fondé sur un comparateur de tension 8 à savoir un comparateur à collecteur ouvert. Il comporte également un transistor de niveau logique 9 (en l’occurrence un MOSFET). Il comporte enfin un ensemble de résistances (R H , R L , R sink , R sc ). Les résistances R H et R L forment un pont diviseur permettant de fixer le deuxième seuil de tension V ref . Lorsqu'un court-circuit se produit dans le bras de pont concerné, la tension drain-source Vds augmente. Cette tension drain-source est observée – comme dans le circuit de la FIG. 1 – via le circuit comportant la résistance 3 et la diode 4, par observation de la tension V cdesat mesurée à la borne P15 du circuit intégré de pilotage 2. En outre, grâce au circuit externe 7, dès que la tension à la borne P15 dépasse le deuxième seuil de tension V ref , par exemple de 2V (donc avant même que le premier seuil de tension ne soit atteint), la sortie du comparateur passe à l'état haut, ce qui déclenche le transistor de niveau logique 9. Le transistor de niveau logique 9 permet alors le passage d’un courant et commence à décharger la capacité Cgs (interposée en la grille et la source) et à décharger la grille du transistor 1 vers l'état bas avec une faible résistance Rsc. La baisse du courant et de la tension de la grille déclenche ainsi la phase d'ouverture du transistor 1, avant même que la tension V cdesat mesurée à la borne de DESAT du circuit intégré n’atteigne le premier seuil. La tension drain-source continue néanmoins d’augmenter et corolairement la tension V cdesat mesurée à la borne de DESAT jusqu'à atteindre le premier seuil de tension, par exemple 6V. Le circuit intégré de pilotage 2 reconnait alors une situation de court-circuit et envoie un signal correspondant. Le circuit intégré de pilotage commande alors une ouverture maîtrisée du transistor selon un procédé de TLTO ou un « soft turn-off ». Comme dans l’art antérieur selon la FIG. 1 , une alerte est donc envoyée au microcontrôleur de l’onduleur via une broche du circuit intégré de pilotage 2, ici la broche P8. Le microcontrôleur commande alors le mode de fonctionnement de l’onduleur pour passer dans un mode « refuge », visant à protéger le système, par exemple un mode dit « ASC » (selon l’acronyme anglais de « Active Short Circuit » signifiant « court-circuit actif ») ou « freewheeling » (signifiant « roue libre »). Dans ce mode ASC, les interrupteurs électroniques de l’étage de puissance situés d’un même côté des ponts en H formés dans l’onduleur, sont fermés de sorte qu’ils autorisent le passage d’un courant. Les pôles de la machine électrique (typiquement au nombre de trois pour un moteur à trois phases) sont alors en situation de court-circuit. Le mode ASC peut être couplé à un moyen dit de décharge active, permettant une dissipation du courant et une chute de la tension dans le système. L’application du mode ASC évite en particulier le passage du courant dans les condensateurs de l’onduleur, et provoque une baisse de tension dans le système, ce qui protège les composants électroniques du système, et en particulier les condensateurs de l’onduleur. Dans le mode dit « freewheeling », les interrupteurs électroniques sont tous en état ouvert et ne sont pas commandés. Par ailleurs, le circuit intégré de pilotage 2 décharge le condensateur 5 pour remettre sa tension à zéro. Au niveau du comparateur 8, la tension au niveau de la borne de DESAT du driver repasse en dessous du deuxième seuil de tension V ref . La sortie du comparateur passe à l'état bas, ce qui provoque le blocage du transistor de niveau logique 9. Ainsi, la grille du transistor 1 (transistor de puissance) ne se décharge plus via la résistance R sc et c'est le circuit intégré de pilotage 2 qui commande alors la grille du transistor 1 pour poursuivre le processus d'ouverture dudit transistor 1. Concernant les composants électroniques utilisés dans le circuit externe 7, on peut noter les grandes règles de conception suivantes. Pour le comparateur 8, il convient d’utiliser avantageusement un comparateur rapide, avec des délais de propagation rapides, compatibles de la tenue en court-circuit du transistor, de préférence inférieurs à 500 ns, et plus préférentiellement inférieurs à 300 ns. Pour le transistor de niveau logique 9, on utilise de préférence un MOSFET ayant une faible tension de seuil, un courant pic de drain suffisant pour supporter le courant de décharge de la grille par la résistance R sc , une tension drain - source supérieure à la tension maximale de la grille et une faible charge de grille. Pour le réseau de résistances, on note que la combinaison de R L et R H doit limiter le courant injecté dans le driver. La résistance R L est fixée selon le deuxième seuil de tension souhaité, selon la technologie de transistor utilisée et la tension nominale de l’onduleur. La résistance R sink doit limiter le courant dans le comparateur et assure une charge suffisante pour la commande du transistor de niveau logique. La résistance R sc est choisie de sorte qu’un compromis est obtenu permettant à la tension drain-source de rester en dessous d’une tension maximale admissible aussi bien dans la première phase d’ouverture du transistor commandée par le circuit externe que lors de la deuxième phase au cours de laquelle le driver et le microcontrôleur ont repris la main sur le pilotage du transistor. Les résistances utilisées sont précisément calibrées, selon de faibles tolérances. Le dispositif de la FIG. 3 s’avère ainsi parfaitement efficace pour assurer une fonction de protection en cas de court-circuit d’un transistor de puissance de type MOSFET avec un circuit intégré de pilotage 2 qui intègre une fonction DESAT adaptée aux IGBTs. Bien évidemment, l’Homme du métier pourrait envisager certaines modifications du circuit externe 7 présenté à la FIG. 3 à titre d’exemple, afin de réaliser le même objectif, sans sortir du cadre de la présente invention. L’efficacité de ce système est illustrée à la FIG. 4 . Les courbes C1 à C4 représentent les mêmes paramètres, avec les mêmes échelles que les courbes C1 à C4 de la FIG. 2 . En comparant les résultats présentés avec ceux présentés à la FIG. 2 (en l’absence du circuit externe 7), on remarque que le comportement du transistor de puissance s’est amélioré en court-circuit. Ainsi, comme on le voit sur la courbe C2 dès l’instant T=3,0 µs, le circuit externe fait chuter la tension entre la grille et la source du transistor V gs , ce qui correspond à une commande d’ouverture du transistor. La tension au niveau de la borne DESAT, correspondant à la courbe C1, continue à augmenter jusqu’à dépasser le premier seuil de tension auquel le circuit intégré de pilotage détermine qu’une situation de court-circuit se produit, et reprend la main pour commander l’ouverture du transistor, par exemple selon un principe de TLTO. On constate que dans l’exemple représenté à la FIG. 4 , qui est identique à celui de la FIG. 2 à l’exception de la présence du circuit externe 7, le courant de pic a été limité à 9kA (voir courbe C4) et la tension drain-source est réduite d’environ 15V et ne dépasse pas 95V, ce qui est par exemple compatible d’un transistor pouvant admettre un pic de tension maximal de 100V. En conséquence, le semi-conducteur de puissance opère dans une zone sûre. La présente invention permet ainsi l’utilisation d’un circuit intégré de pilotage (ou driver) ayant une fonction intégrée de détection d’un court-circuit et de désaturation utilisant un premier seuil de tension avec un transistor nécessitant un seuil de détection plus faible, tout en assurant une protection adéquate du circuit. Le cas d’application typique est l’utilisation d’un driver adapté aux IGBTs dans un circuit à haute tension (par exemple 400V ou 800V) avec un transistor de type MOSFET dans un circuit à basse tension (par exemple 48V). Pour cela, l'ouverture du transistor de puissance en cas de court-circuit s'effectue d'abord par décharge de la grille à travers une faible résistance d’un circuit externe, ce qui permet de déclencher rapidement la coupure du court-circuit et limiter le pic de courant. Ensuite, le circuit intégré de pilotage et le microcontrôleur du système reprennent le contrôle et commandent une ouverture contrôlée du transistor de puissance (par exemple par un pilotage selon un « two level turn-off » ou un « soft turn-off »). Globalement, la détection du court-circuit est améliorée et la surtension est atténuée. La tension drain-source peut ainsi être maintenue en dessous de sa valeur nominale maximale pour éviter l'avalanche et donc le claquage du MOSFET de puissance. Au final, la présente invention permet d’utiliser une même référence de driver simple, non programmable, sur plusieurs variantes d’onduleurs, que l’alimentation électrique du circuit ait une tension nominale de 48V, 400V, ou 800V, etc. Cela est avantageux notamment dans un contexte industriel ou une gamme d’onduleurs différents est utilisée, par exemple pour un constructeur automobile, en ce que cela permet de rendre commun plus de composants sur l’ensemble d’une gamme, de limiter les développements, de rendre plus fiables les architectures fonctionnant à basse tension, tout en limitant les risques de défaillances logicielles. Dispositif de détection d’un court-circuit dans un transistor comportant : un transistor (1) comportant une source (S), un drain (D) et une grille (G), un circuit intégré de pilotage (2) connecté au transistor et configuré pour détecter un court-circuit par comparaison entre une tension appliquée à une borne dite borne DESAT du circuit intégré de pilotage (2) et un premier seuil de tension prédéfini, le dispositif étant configuré de sorte que la tension appliquée à la borne DESAT reflète la tension entre le drain (D) et la source (S), caractérisé en ce que le dispositif comporte en outre un circuit externe (7) au circuit intégré de pilotage (2), le circuit externe (7) étant configuré de sorte que, lorsque la tension à la borne DESAT (V cdesat ) dépasse un deuxième seuil de tension, inférieur au premier seuil de tension, ledit circuit externe (7) provoque une baisse de la tension entre la grille et la source du transistor. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la borne DESAT du circuit intégré de pilotage est liée au drain du transistor via une résistance (3) et une diode (4). Dispositif selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel le circuit externe comporte un comparateur (8) et un transistor de niveau logique (9), agencés de sorte que le comparateur compare la tension à la borne DESAT (V cdesat ) au deuxième seuil de tension, et pilote la fermeture du transistor de niveau logique (9) lorsque la tension à la borne DESAT (V cdesat ) dépasse ledit deuxième seuil de tension. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le circuit externe (7) comporte une résistance (Rsc) et dans lequel lorsque le transistor de niveau logique (9) est passant, la grille G du transistor (1) se décharge via ladite résistance (Rsc) et via le transistor de niveau logique (9), ce qui déclenche l’ouverture du transistor (1). Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le circuit externe (7) comporte un pont diviseur qui détermine le deuxième seuil de tension. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le transistor 1 est un MOSFET. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier seuil de tension est compris entre 6V et 9V et dans lequel le deuxième seuil de tension est inférieur au premier seuil de tension. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel le deuxième seuil de tension est compris entre 2V et 3V. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel lorsqu’un court-circuit est détecté par ledit circuit intégré de pilotage (2), le circuit intégré de pilotage commande une ouverture du transistor selon un procédé de coupure à deux niveaux ou de coupure progressive. Dispositif selon la revendication 9, comportant un microprocesseur de commande d’un onduleur, dans lequel lorsqu’un court-circuit est détecté par le circuit intégré de pilotage (2), ledit circuit intégré de pilotage émet un signal à destination du microprocesseur et dans lequel le microprocesseur commande l’application d’un mode refuge de l’onduleur, à savoir un mode de court-circuit actif ou un mode de roue libre. Onduleur comportant un dispositif selon l’une des revendications précédentes. Procédé de protection d’un dispositif d’électronique de puissance comportant un transistor comportant une source (S), un drain (D) et une grille (G), un circuit intégré de pilotage (2) du transistor comportant une borne dite borne DESAT liée au transistor de sorte que la tension appliquée à ladite borne DESAT reflète la tension drain entre le drain (D) et la source (S) ; le procédé comportant les étapes de : lorsque la tension à la borne DESAT dépasse un seuil de tension, dit deuxième seuil de tension, la grille du transistor est déchargée au travers d’une résistance afin de faire baisser la tension entre la grille et la source, ce qui déclenche une ouverture du transistor ; puis lorsque la tension à la borne DESAT dépasse un seuil de tension, dit premier seuil de tension, qui est supérieur audit deuxième seuil de tension, le circuit intégré de pilotage commande une ouverture du transistor selon un procédé de coupure à deux niveaux ou de coupure progressive. Procédé selon la revendication 12, dans lequel lorsque la tension à la borne DESAT dépasse un seuil de tension un signal est envoyé par le circuit intégré de pilotage à un microcontrôleur de commande d’un onduleur qui commande alors l’application d’un mode refuge de l’onduleur, à savoir un mode de court-circuit actif ou un mode de roue libre.