FR 3144481 A1 20240628 FR 2214514 A 20221226 Le circuit optoélectronique (20) comprenant une première borne d’alimentation (A 1 ) et une deuxième borne de référence (A 2 ), la première borne d’alimentation (A 1 ) et la deuxième borne de référence (A 2 ) étant destinées à être connectées à une source de tension délivrant au circuit optoélectronique (20) une tension variable (V ALIM ) contenant une alternance de phases positives croissantes et de phases positives décroissantes. Le circuit optoélectronique (20) comprend : des ensembles de diodes électroluminescentes (D i ) reliés entre eux dans un montage en série ; une pluralité de composants de conduction (SW i ) où chaque composant de conduction (SW i ) est associé à l’un unique des ensembles de diodes électroluminescentes (D i ) ; une pluralité de circuits de liaison (L i ) ; et un circuit de commande (28) comprenant un amplificateur de différence et autant d’étages de sortie que de composants de conduction (SW i ) que comprend le circuit optoélectronique (20). Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 1 CIRCUIT OPTOELECTRONIQUE COMPRENANT DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES Domaine technique de l’invention La présente invention concerne un circuit optoélectronique comprenant plusieurs ensembles de diodes électroluminescentes permettant d’émettre de la lumière lorsque le circuit optoélectronique est alimenté, le circuit optoélectronique comprenant une première borne d’alimentation et une deuxième borne de référence, la première borne d’alimentation et la deuxième borne de référence étant destinées à être connectées à une source de tension délivrant au circuit optoélectronique une tension variable contenant une alternance de phases positives croissantes et de phases positives décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant lesdits ensembles de diodes électroluminescentes montés en série et reliés à la première borne d’alimentation ainsi qu’une pluralité de composants de conduction. Etat de la technique antérieure Il est connu de devoir pouvoir alimenter un circuit optoélectronique comprenant des ensembles de diodes électroluminescentes avec une tension variable, par exemple alternative, notamment une tension sinusoïdale, comme la tension du secteur. La tension appliquée à chaque ensemble des diodes électroluminescentes doit être supérieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes de cet ensemble pour que celles-ci émettent de la lumière. Le nombre de diodes électroluminescentes émettant de la lumière augmente progressivement lors d’une phase croissante de la tension d’alimentation et diminue progressivement lors d’une phase décroissante de la tension d’alimentation. Un inconvénient est qu’il est possible d’avoir une alternance de phases croissantes d’émission de la lumière, de phases décroissantes d’émission de la lumière et de phases d’absence d’émission de la lumière par le circuit optoélectronique lorsque la tension d’alimentation est insuffisante et ne permet alors d’alimenter aucune des diodes électroluminescentes. Cela crée de potentiels effets scintillants visibles à l’œil nu et des inconforts visuels ainsi que des effets stroboscopiques impliquant un changement de perception du mouvement des objets. Le document EP3223590B1 décrit un circuit optoélectronique qui permet de résoudre ce problème en réduisant la durée d’absence d’émission de lumière, voire de la supprimer. Pour cela, il est prévu de maintenir le courant parcourant les diodes électroluminescentes à une valeur sensiblement continue. Mais il en résulte que la valeur de la puissance dans les diodes électroluminescentes augmente en même temps que la tension appliquée par la source de tension. Cette variation de la puissance représente un inconvénient vis-à-vis de certains règlements administratifs et normatifs de plus en plus stricts en la matière, qui tentent de limiter les effets stroboscopiques. Objet de l’invention La présente invention a pour but de proposer un circuit optoélectronique du type précité qui réponde à tout ou partie des inconvénients évoqués ci-dessus en lien avec l’état de la technique. Notamment, le but de l’invention est de proposer un circuit optoélectronique du type précité qui réponde à au moins l’un des objectifs suivants : éviter les phases d’émission croissantes et décroissantes de la lumière, éviter des moments d’extinctions des ensembles de diodes, apporter un confort visuel, présenter une consommation électrique limitée, présenter des effets de chauffe limités. Ce but peut être atteint grâce à la mise en œuvre d’un circuit optoélectronique comprenant une première borne d’alimentation et une deuxième borne de référence, la première borne d’alimentation et la deuxième borne de référence étant destinées à être connectées à une source de tension délivrant au circuit optoélectronique une tension variable contenant une alternance de phases positives croissantes et de phases positives décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant : des ensembles de diodes électroluminescentes reliés entre eux dans un montage en série, lequel montage en série étant relié à la première borne d’alimentation, une pluralité de composants de conduction où chaque composant de conduction est associé à l’un unique des ensembles de diodes électroluminescentes, chaque composant de conduction présentant une conductance électrique variable en fonction d’un signal de commande, chaque composant de conduction comportant une première borne, une deuxième borne et une troisième borne, une pluralité de circuits de liaison, la deuxième borne de référence étant reliée à chaque ensemble de diodes électroluminescentes par l’un desdits circuits de liaison, chaque circuit de liaison d’une part comprenant l’un desdits composants de conduction et au moins un composant résistif monté en série avec ledit composant de conduction dudit circuit de liaison, d’autre part étant configuré de sorte que la première borne du composant de conduction est reliée à l’ensemble de diodes électroluminescentes qui lui est associé et qu’une première borne de connexion du composant résistif est connectée à la deuxième borne du composant de conduction dudit circuit de liaison et qu’une deuxième borne de connexion du composant résistif est reliée à la deuxième borne de référence, un circuit de commande comprenant un amplificateur de différence et autant d’étages de sortie que de composants de conduction que comprend le circuit optoélectronique, chacun desdits étages de sortie étant relié à la troisième borne de l’un desdits composants de conduction, le circuit de commande étant adapté à fournir, pour chaque circuit de liaison, le signal de commande à partir de la comparaison entre d’une part une première tension prise entre un premier potentiel, entre la première borne de connexion du composant résistif et la deuxième borne du composant de conduction de ce circuit de liaison, et la deuxième borne de référence, et d’autre part au moins une deuxième tension identique pour tous les composants de conduction, le circuit de commande étant adapté pour asservir la première tension à la deuxième tension décalée d’une troisième tension, différente pour chaque étage de sortie du circuit de commande. Ce circuit optoélectronique permet avantageusement, à puissance sensiblement constante, de limiter la consommation énergétique et les problématiques de chauffe, tout en évitant les risques de périodes de variation d’émission de la lumière, favorisant ainsi le confort visuel à l’utilisation en évitant tout effet stroboscopique inconfortable. Certains aspects préférés de ce circuit optoélectronique, mais non limitatifs, sont les suivants. Selon un mode de réalisation, les ensembles de diodes électroluminescentes sont connectés entre eux de sorte à constituer un circuit d’émission de lumière dans lequel les ensembles de diodes électroluminescentes sont en série entre eux, le circuit d’émission de lumière ayant une première extrémité connectée électriquement à la première borne d’alimentation et une deuxième extrémité reliée à un nœud ; le circuit optoélectronique comprend autant de composants résistifs que d’ensembles de diodes électroluminescentes, et lesdits composants résistifs sont montés en série entre eux, entre le nœud et la deuxième borne de référence. Selon un mode de réalisation, les ensembles de diodes électroluminescentes sont classés par rangs croissants d’un premier ensemble de diodes électroluminescentes à la première extrémité du circuit d’émission de lumière à un dernier ensemble de diodes électroluminescentes à la deuxième extrémité du circuit d’émission de lumière ; pour chaque circuit de liaison du circuit optoélectronique à l’exclusion du dernier ensemble de diodes électroluminescentes (c’est-à-dire l’ensemble de diodes électroluminescentes ayant le rang le plus élevé), la deuxième borne du composant de conduction est reliée à une liaison électrique raccordant deux composants résistifs montés en série entre eux. Selon un mode de réalisation, pour chaque composant de conduction, le circuit de commande est adapté à asservir la première tension à la deuxième tension diminuée de la troisième tension qui est décroissante avec le rang de l’ensemble de diodes électroluminescentes auquel est relié le composant de conduction. Selon un mode de réalisation, l’amplificateur de différence reçoit en entrée une tension différentielle correspondant à la différence entre la première tension et la deuxième tension. Selon un mode de réalisation, l’amplificateur de différence est adapté à fournir un premier courant et un deuxième courant, le circuit de commande comprenant un premier miroir de courant à plusieurs sorties adapté à recopier, pour chaque composant de conduction, le premier courant ou un troisième courant multiplié par un premier facteur de recopie, et un deuxième miroir de courant à plusieurs sorties adapté à recopier, pour chaque composant de conduction, le deuxième courant ou le troisième courant multiplié par un deuxième facteur de recopie, le rapport entre le premier facteur de recopie et le deuxième facteur de recopie étant différent pour chaque composant de conduction. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique comprend, pour chaque composant de conduction, un condensateur relié au composant de conduction ou intégré au composant de conduction, le premier miroir de courant comprenant un circuit de charge du condensateur et le deuxième miroir de courant comprenant un circuit de décharge du condensateur. Selon un mode de réalisation, l’amplificateur de différence comprend une paire différentielle comprenant un premier transistor recevant la première tension et un deuxième transistor recevant la deuxième tension. Selon un mode de réalisation, le premier transistor peut être un transistor MOS dont la grille reçoit la première tension et le deuxième transistor peut être un transistor MOS dont la grille reçoit la deuxième tension. Selon un mode de réalisation, chaque composant de conduction comprend un transistor MOS. Selon un mode de réalisation, le premier miroir de courant comprend, pour chaque composant de conduction, un premier bloc de recopie relié à la grille du transistor MOS du composant de conduction et adapté à fournir le premier courant multiplié par le premier facteur de recopie et le deuxième miroir de courant comprend, pour chaque composant de conduction, un deuxième bloc de recopie relié à la grille du transistor MOS du composant de conduction et adapté à fournir le deuxième courant multiplié par le deuxième facteur de recopie. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique comprend une capacité montée entre la première borne d’alimentation et la deuxième borne de référence et permettant à la tension variable de rester à une valeur supérieure à une tension de seuil du premier ensemble de diodes électroluminescentes monté entre la première borne d’alimentation et le premier composant de conduction. La capacité montée en entrée permet d’éviter les risques de périodes d’absence d’émission de la lumière et donc d’éviter tout effet stroboscopique inconfortable. Selon un mode de réalisation, la troisième tension varie en fonction de la température. Description sommaire des dessins D’autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de modes de réalisation préférés de celle-ci, donnée à titre d’exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : La représente un schéma électrique d’un mode de réalisation d’un circuit optoélectronique conforme à l’invention. La représente un schéma électrique d’un mode de réalisation du circuit de commande utilisé dans le circuit optoélectronique de la . La représente un cas particulier du mode de réalisation de la où N est égal à 3. La représente des chronogrammes de tension, de courants et de puissance au cours du fonctionnement du mode de réalisation du circuit optoélectronique conforme à l’invention de la . Description détaillée Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf précision contraire, l’expression « sensiblement » signifie à 10% près, de préférence à 5% près. Par ailleurs, dans la présente description, on utilise le terme « connecté » pour désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d’une piste conductrice, et le terme « relié », pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant alors « connecté ») soit une liaison via un ou plusieurs composants intermédiaires (résistance, condensateur, etc.). La représente un schéma électrique d’un mode de réalisation d’un circuit optoélectronique 20 comprenant une première borne d’alimentation A 1 et une deuxième borne de référence A 2 , la première borne d’alimentation A 1 et la deuxième borne de référence A 2 étant destinées à être connectées à une source de tension délivrant au circuit optoélectronique 20 une tension variable V ALIM contenant une alternance de phases positives croissantes et de phases positives décroissantes. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 20 peut comprendre un circuit redresseur 12 recevant une tension d’alimentation V IN entre deux bornes IN 1 et IN 2 et fournissant la tension variable V ALIM redressée entre la première borne d’alimentation A 1 et la deuxième borne de référence A 2 . A titre de variante, le circuit optoélectronique 20 peut recevoir directement une tension redressée, le circuit redresseur 12 pouvant alors ne pas être présent. Le potentiel à la deuxième borne de référence A 2 peut correspondre à un potentiel de référence bas Voff, par exemple 0V, par rapport auquel sont référencées les tensions du circuit optoélectronique 20. Sauf indication contraire, les potentiels sont référencés dans la suite de la description par rapport au potentiel de référence bas Voff. Un potentiel de référence haut, appelé Von, peut être fourni à partir de la tension variable V ALIM au niveau de la première borne d’alimentation A 1 . Le circuit optoélectronique 20 comprend des ensembles de diodes électroluminescentes D i reliés entre eux dans un montage en série, lequel montage en série étant relié à la première borne d’alimentation A 1 . Le nombre i des ensembles de diodes électroluminescentes D i est un entier variant de 1 à N, où N est un nombre entier compris entre 2 et 200. Chacun des ensembles de diodes électroluminescente D 1 à D N comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire. De préférence, chaque ensemble de diodes électroluminescentes D i est composé de la mise en série et/ou en parallèle d’au moins deux diodes électroluminescentes élémentaires. Les ensembles de diodes électroluminescentes D i , i variant de 1 à N, peuvent comprendre le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires ou des nombres différents de diodes électroluminescentes élémentaires. Le circuit optoélectronique 20 comprend une pluralité de composants de conduction SW i où chaque composant de conduction SW i est associé à l’un unique des ensembles de diodes électroluminescentes D i . Chaque composant de conduction SW i présente une conductance électrique variable en fonction d’un signal de commande S i et comporte une première borne B1 i , une deuxième borne B2 i et une troisième borne B3 i . Chaque composant de conduction SW i est adapté à assurer le pilotage d’un ensemble de diodes électroluminescentes D i qui lui est associé. Dans le présent exemple de réalisation, chaque composant de conduction SW i est associé à l’un unique des ensembles de diodes électroluminescentes D i et chaque ensemble de diodes électroluminescentes D i est associé à l’un unique des composants de conduction SW i . Par conséquent, le nombre d’ensembles de diodes électroluminescentes D i est identique au nombre de composants de conduction SW i . Sur la , pour i variant de 1 à N, on appelle I i le courant circulant dans le composant de conduction SW i . Le circuit optoélectronique 20 comprend également une pluralité de circuits de liaison L i , la deuxième borne de référence A 2 étant reliée à chaque ensemble de diodes électroluminescentes D i par l’un desdits circuits de liaison L i , chaque circuit de liaison L i d’une part comprenant l’un desdits composants de conduction SW i et au moins un composant résistif R i monté en série avec ledit composant de conduction SW i dudit circuit de liaison L i , d’autre part étant configuré de sorte que la première borne B1 i du composant de conduction SW i est reliée à l’ensemble de diodes électroluminescentes D i qui lui est associé et qu’une première borne de connexion Bc1 i du composant résistif R i est connectée à la deuxième borne B2 i du composant de conduction SW i dudit circuit de liaison L i et qu’une deuxième borne de connexion Bc2 i du composant résistif R i est reliée à la deuxième borne de référence A 2 .Le circuit optoélectronique 20 comprend un circuit de commande 28 comprenant un amplificateur de différence 30 et autant d’étages de sortie que de composants de conduction SW i que comprend le circuit optoélectronique 20, chacun desdits étages de sortie étant relié à la troisième borne B3 i de l’un desdits composants de conduction SW i , le circuit de commande 28 étant adapté à fournir, pour chaque circuit de liaison L i , le signal de commande S i à partir de la comparaison entre d’une part une première tension V SOURCE prise entre un premier potentiel, entre la première borne de connexion Bc1 i du composant résistif R i et la deuxième borne B2 i du composant de conduction SW i de ce circuit de liaison L i , et la deuxième borne de référence A 2 , et d’autre part au moins une deuxième tension V REF identique pour tous les composants de conduction SW i , le circuit de commande 28 étant adapté pour asservir la première tension V SOURCE à la deuxième tension V REF décalée d’une troisième tension V OFFSETi , différente pour chaque étage de sortie du circuit de commande 28. Afin d’expliquer le fonctionnement du circuit optoélectronique 20, on considère un circuit optoélectronique ayant une structure simplifiée. La représente un cas particulier du mode de réalisation de la où N est égal à 3. Le circuit de commande 28 comprend trois étages de sortie reliés aux trois composants de conduction SW 1 , SW 2 et SW 3 au niveau des troisièmes bornes respectivement B3 1 , B3 2 et B3 3 . Une capacité C 1 montée à l’entrée du circuit optoélectronique 20 entre la première borne d’alimentation A 1 et la deuxième borne de référence A 2 permet de maintenir la tension variable V ALIM à une valeur supérieure à la tension de seuil du premier ensemble de diodes électroluminescentes D 1 . Ce montage permet de garantir que le premier ensemble de diodes électroluminescentes D 1 soit toujours passant et que le circuit optoélectronique émette de la lumière de manière continue, indépendamment de la variation de la tension variable V ALIM . Dans ce qui suit, on met l’accent sur le fonctionnement du circuit optoélectronique 20 simplifié de la . Lorsque la valeur de la tension variable V ALIM est inférieure à la somme des tensions de seuil des ensembles de diodes D 1 et D 2 , seul l’ensemble de diodes D 1 est passant. Le circuit de commande 28 fournit au circuit de liaison L 1 (comprenant R 1 et SW 1 ) le signal de commande S 1 à partir de la comparaison entre la première tension V SOURCE (prise entre un premier potentiel entre la première borne de connexion Bc1 1 et la deuxième borne B2 1 et la deuxième borne de référence A 2 ) et la deuxième tension V REF . Le circuit de commande 28 permet d’asservir la première tension V SOURCE à la deuxième tension V REF décalée de la troisième tension V OFFSET1 . Dans ce cas, les trois composants de conduction sont passants. Lorsque la valeur de la tension variable V ALIM devient supérieure à la somme des tensions de seuil des ensembles de diodes D 1 et D 2 mais reste inférieure à la somme des tensions de seuil des ensembles de diodes D 1 , D 2 et D 3 , seuls les ensembles de diodes D 1 et D 2 sont passants. Le circuit de commande 28 fournit au circuit de liaison L 2 (comprenant R 1 , R 2 et SW 2 ) le signal de commande S 2 à partir de la comparaison entre la première tension V SOURCE (prise entre un premier potentiel entre la première borne de connexion Bc1 2 et la deuxième borne B2 2 et la deuxième borne de référence A 2 ) et la deuxième tension V REF . Le circuit de commande 28 permet d’asservir la première tension V SOURCE à la deuxième tension V REF décalée de la troisième tension V OFFSET2 . Dans ce cas, les composants de conduction SW 2 et SW 3 sont passants et SW 1 est bloqué. Lorsque la valeur de la tension variable V ALIM est supérieure à la somme des tensions de seuil des ensembles de diode D 1 , D 2 et D 3 , tous les ensembles de diodes D 1 , D 2 et D 3 sont passants. Le circuit de commande 28 fournit au circuit de liaison L 3 (comprenant R 1 , R 2 , R 3 et SW 3 ) le signal de commande S 3 à partir de la comparaison entre la première tension V SOURCE (prise entre un premier potentiel entre la première borne de connexion Bc1 3 et la deuxième borne B2 3 et la deuxième borne de référence A 2 ) et la deuxième tension V REF . Le circuit de commande 28 permet d’asservir la première tension V SOURCE à la deuxième tension V REF décalée de la troisième tension V OFFSET 3 . Dans ce cas, les composants de conduction SW 1 et SW 2 sont bloqués et SW 3 est passant. Considérons maintenant à nouveau le circuit optoélectronique 20 de la . Chaque composant de conduction SW i est un circuit dont la résistance électrique équivalente varie entre une valeur maximale et une valeur minimale en fonction du signal de commande S i qu’il reçoit à partir du circuit de commande 28. Lorsque la résistance électrique équivalente du composant de conduction SW i est à sa valeur maximale, le composant de conduction SW i est sensiblement équivalent à un interrupteur ouvert. Selon ce mode de réalisation, pour i variant de 1 à N, lorsqu’un composant de conduction SW i est passant, les composants de conduction SW i à SW i-1 sont bloqués et les composants de conduction SW i+1 à SW N sont passants. Selon un mode de réalisation, le signal de commande S i de chaque composant de conduction SW i est un signal qui peut varier de façon continue entre une première valeur et une deuxième valeur. Selon les modes de réalisation, la résistance électrique équivalente du composant de conduction SW i peut diminuer ou augmenter lorsque le signal de commande S i varie de la première valeur à la deuxième valeur. Les premières et deuxièmes valeurs des signaux de commande S i , i variant de 1 à N, peuvent ne pas être les mêmes pour tous les composants de conduction SW i . Selon un mode de réalisation, les ensembles de diodes électroluminescentes D i sont connectés entre eux de sorte à constituer un circuit d’émission de lumière dans lequel les ensembles de diodes électroluminescentes D i sont en série entre eux, le circuit d’émission de lumière ayant une première extrémité connectée électriquement à la première borne d’alimentation A 1 et une deuxième extrémité reliée à un nœud A 3 ; le circuit optoélectronique 20 comprend autant de composants résistifs R i que d’ensembles de diodes électroluminescentes D i , et lesdits composants résistifs R i sont montés en série entre eux, entre le nœud A 3 et la deuxième borne de référence A 2 . Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes D i sont classés par rangs croissants d’un premier ensemble de diodes électroluminescentes D i à la première extrémité du circuit d’émission de lumière à un dernier ensemble de diodes électroluminescentes D i à la deuxième extrémité du circuit d’émission de lumière ; pour chaque circuit de liaison L i du circuit optoélectronique 20 à l’exclusion du dernier ensemble de diodes électroluminescentes D N , la deuxième borne B2 i du composant de conduction SW i est reliée à une liaison électrique raccordant deux composants résistifs R i montés en série entre eux. Selon le présent mode de réalisation, la pluralité de circuits de liaison L i peut se présenter de la manière suivante : le circuit L 1 , reliant A 2 à D 1 , comprend R 1 et SW 1 , le circuit L 2 , reliant A 2 à D 2 , comprend R 1 et R 2 associés entre eux dans un montage en série et SW 2 , le circuit L 3 , reliant A 2 à D 3 , comprend R 1 , R 2 et R 3 associés entre eux dans un montage en série et SW 3 , ……. le circuit L N , reliant A 2 à D N , comprend R 1 , R 2 …. R N associés entre eux dans un montage en série et SW N . Lesdits composants résistifs R i sont destinés à être parcourus par un courant I SOURCE , correspondant au courant alimentant les ensembles de diodes électroluminescentes D i passants. Dans une phase ascendante de la tension variable V ALIM , le nombre des ensembles de diodes électroluminescentes D i passants augmente progressivement lorsque la valeur de la tension variable V ALIM devient supérieure à la valeur de la tension de seuil de l’ensemble de diodes électroluminescentes D i considéré. De même, dans une phase descendante de la tension variable V ALIM , le nombre des ensembles de diodes électroluminescentes D i passants diminue progressivement lorsque la valeur de la tension variable V ALIM devient inférieure à la valeur de la tension de seuil de l’ensemble de diodes électroluminescentes D i considéré. Ainsi, le nombre de composants résistifs R i et d’ensemble de diodes électroluminescentes D i passants varie proportionnellement avec la tension variable V ALIM . L’augmentation du nombre de composants résistifs R i permet alors avantageusement de limiter la valeur du courant I SOURCE lorsqu’il y a une augmentation de la valeur de la tension variable V ALIM . Par conséquent, le présent montage des composants résistifs R i permet de maintenir la puissance des ensembles de diodes électroluminescentes D i à une valeur sensiblement constante indépendamment de la variation de la tension variable V ALIM . La représente des chronogrammes, obtenus par simulation, de la tension variable V ALIM , du courant I SOURCE , des courants I 1 , I 2 , I 3 et I 4 circulant dans les composants de conduction SW i dans un cas particulier où N est égal à 4 et de la puissance P LED des ensembles de diodes électroluminescentes D i . On voit que sur une phase descendante de la tension variable V ALIM , la valeur du courant I SOURCE , circulant dans les ensembles de diodes électroluminescentes D i passants et dans les composants résistifs R i faisant partie du circuit de liaison L i considéré, augmente progressivement. Cette augmentation est liée à la diminution du nombre de composants résistifs R i qui varie proportionnellement avec la tension variable V ALIM . De même, sur une phase ascendante de la tension variable V ALIM , la valeur du courant I SOURCE , circulant dans les ensembles de diodes électroluminescentes D i passants et dans les composants résistifs R i , diminue progressivement. Cette diminution est liée à l’augmentation du nombre de composants résistifs R i qui varie proportionnellement avec la tension variable V ALIM . Cela permet d’avoir une puissance dans les ensembles de diodes électroluminescentes D i sensiblement constante indépendamment de la valeur de tension variable V ALIM , comme on peut le voir sur le chronogramme de la puissance P LED . Selon un mode de réalisation, pour chaque composant de conduction SW i , le circuit de commande 28 est adapté à asservir la première tension V SOURCE à la deuxième tension V REF diminuée de la troisième tension V OFFSET i qui est décroissante avec le rang de l’ensemble de diodes électroluminescentes D i auquel est relié le composant de conduction SW i . La deuxième tension V REF peut être fournie au circuit optoélectronique 20 par un circuit 26, selon le mode de réalisation soit interne ou externe au circuit optoélectronique 20. La deuxième tension V REF peut être également obtenue à partir d’un signal de modulation fourni au circuit optoélectronique 20 par un circuit externe. La deuxième tension V REF ou le signal de modulation peut être fourni par un variateur, notamment un variateur pouvant être actionné par un utilisateur ou un capteur de luminosité. Selon un mode de réalisation, l’amplificateur de différence 30 reçoit en entrée une tension différentielle correspondant à la différence entre la première tension V SOURCE et la deuxième tension V REF . La représente un schéma électrique d’un mode de réalisation du circuit de commande 28 utilisé dans le circuit optoélectronique 20. L’amplificateur de différence 30 est adapté à fournir un premier courant Id 1 et un deuxième courant Id 2 , le circuit de commande 28, comprenant un premier miroir de courant 32, 34 à plusieurs sorties adapté à recopier, pour chaque composant de conduction SW i , le premier courant Id 1 ou un troisième courant multiplié par un premier facteur de recopie, et un deuxième miroir de courant 36 à plusieurs sorties adapté à recopier, pour chaque composant de conduction SW i , le deuxième courant Id 2 ou le troisième courant multiplié par un deuxième facteur de recopie, le rapport entre le premier facteur de recopie et le deuxième facteur de recopie étant différent pour chaque composant de conduction SW i . Selon un mode de réalisation, pour chaque composant de conduction SW i , un condensateur est relié au composant de conduction SW i ou intégré au composant de conduction SW i , le premier miroir de courant 34 comprenant un circuit T sup -i de charge du condensateur et le deuxième miroir de courant 36 comprenant un circuit de décharge T inf -i du condensateur. Selon un mode de réalisation, l’amplificateur de différence 30 comprend une paire différentielle comprenant un premier transistor T 1 recevant la première tension V SOURCE et un deuxième transistor T 2 recevant la deuxième tension V REF . Le premier transistor T 1 peut être un transistor MOS dont la grille reçoit la première tension V SOURCE et la source est reliée à la borne d’une source de courant I diff , comme on peut le voir sur la , et l’autre borne de la source de courant I diff peut être reliée à la source du potentiel de référence haut Von. Le deuxième transistor T 2 peut être un transistor MOS dont la grille reçoit la deuxième tension V REF et la source est reliée à la source de courant I diff . Le courant au drain du transistor T 1 correspond au premier courant Id 1 et le courant au drain du transistor T 2 correspond au deuxième courant Id 2 . Selon un mode de réalisation, les transistors T 1 et T 2 ont les mêmes caractéristiques, en particulier le même facteur de forme W/L. On appelle facteur de forme du canal d’un transistor le rapport entre la largeur et la longueur du canal. Le premier miroir de courant 32 peut comprendre deux transistors T 3 et T 4 , par exemple des transistors MOS à canal N. Le drain du transistor T 3 est relié au drain du transistor T 1 et la source du transistor T 3 est reliée à la source du potentiel de référence bas Voff, et sa grille est reliée au drain. La source du transistor T 4 est reliée à la source du potentiel de référence bas Voff et sa grille est reliée à la grille du transistor T 3 . Selon un mode de réalisation, les deux transistors T 3 et T 4 ont les mêmes caractéristiques, notamment le même facteur de forme, et le courant circulant dans le transistor T 4 est donc égal au courant Id 1 circulant dans T 3 . Le premier miroir de courant 34 peut comprendre un transistor T 5 , par exemple un transistor MOS à canal P, dont le drain est relié au drain du transistor T 4 , dont la source est reliée à la source du potentiel de référence haut Von, et dont la grille est reliée au drain. Le premier miroir de courant 34 peut comprendre en outre pour chaque composant de conduction SW i , i variant de 1 à N, un dudit circuit T sup -i . Le circuit T sup -i peut par exemple être un transistor MOS à canal P, dont la source est reliée à la source du potentiel de référence haut Von, dont la grille est reliée à la grille du transistor T 5 , et dont le drain est relié à la troisième borne B3 i du composant de conduction SW i . Selon un mode de réalisation, les transistors T sup -i peuvent ne pas avoir les mêmes caractéristiques les uns par rapport aux autres et par rapport au transistor T 5 . On appelle R sup -i le rapport entre le facteur de forme de canal du transistor T sup -i et le facteur de forme de canal du transistor T 5 . En particulier, R sup -i peut être différent de R sup - j , avec i différent de j. On appelle IG i le courant au drain du transistor T sup -i . Le deuxième miroir de courant 36 peut comprendre un transistor T 6 , par exemple un transistor MOS à canal N, dont le drain est relié au drain du transistor T 2 , dont la source est reliée à la source du potentiel de référence bas Voff, et dont la grille est reliée au drain. Le deuxième miroir de courant 36 peut comprendre en outre pour chaque composant de conduction SW i , i variant de 1 à N, un dudit circuit T inf -i . Le circuit T inf -i peut par exemple être un transistor MOS à canal N, dont la source est reliée à la source du potentiel de référence bas Voff, dont la grille est reliée à la grille du transistor T 6 , et dont le drain est relié à la troisième borne B3 i du composant de conduction SW i . Selon un mode de réalisation, les transistors T inf -i peuvent ne pas avoir les mêmes caractéristiques les uns par rapport aux autres et par rapport au transistor T 6 . On appelle R inf -i le rapport entre le facteur de forme de canal du transistor T inf -i et le facteur de forme de canal du transistor T 6 . En particulier, R inf -i peut être différent de R inf - j , avec i différent de j. On appelle IG’ i le courant au drain du transistor T sup -i . Selon un mode de réalisation, chaque composant de conduction SW i comprend un transistor MOS. Le signal de commande S i est le potentiel à la grille du transistor MOS du composant de conduction SW i au niveau de sa troisième borne B3 i . Le drain du transistor MOS correspond la première borne B1 i et la source du transistor MOS correspond à la deuxième borne B2 i . Selon un autre mode de réalisation, le composant de conduction SW i peut comprendre deux transistors MOS, ce qui permet avantageusement d’augmenter la vitesse de commutation du composant de conduction SW i . A titre de variante, le composant de conduction SW i peut correspondre à un transistor autre qu’un transistor MOS, à un relais, à un microsystème électromécanique et de façon générale à tout élément dont la conductivité électrique peut être commandée en tension ou en courant. Selon un mode de réalisation, le premier miroir de courant 34 comprend, pour chaque composant de conduction SW i , un premier bloc de recopie T sup -i relié à la grille du transistor MOS du composant de conduction SW i et adapté à fournir le premier courant Id 1 multiplié par le premier facteur de recopie et le deuxième miroir de courant 36 comprend, pour chaque composant de conduction SW i , un deuxième bloc de recopie T inf -i relié à la grille du transistor MOS du composant de conduction SW i et adapté à fournir le deuxième courant Id 2 multiplié par le deuxième facteur de recopie. Selon un mode de réalisation et dans une phase ascendante de la tension variable V ALIM , alors que les ensembles de diodes électroluminescentes D 1 à D i-1 sont passantes, que les ensembles de diodes électroluminescentes D i à D N sont bloquées, que les signaux de commande S 1 à S i-2 sont à Voff, que les signaux S i à S N sont à Von et que le signal S i-1 est à une valeur de tension permettant au seul composant de conduction SW i-1 d’imposer le courant I SOURCE dans les ensembles de diodes électroluminescentes, lorsque la tension aux bornes de l’ensemble de diodes électroluminescentes D i devient supérieure à la tension de seuil de l’ensemble de diodes électroluminescentes D i , celui-ci devient passant et un courant commence à circuler dans l’ensemble de diodes électroluminescentes D i , le composant de conduction SW i et les composants résistifs R i . Ceci se traduit par une diminution temporaire de l’impédance totale équivalente entre la première borne d’alimentation A 1 et le nœud A 3 , et donc une augmentation temporaire de la tension V SOURCE . Cette augmentation de la tension V SOURCE entraîne une diminution du courant Id 1 traversant le transistor T 1 de la paire différentielle 30. De ce fait, le courant reproduit par chaque transistor T sup -i diminue pour i variant de 1 à N. Etant donné qu’il existe une capacité équivalente à chaque troisième borne B3 i , i variant de 1 à N, pouvant correspondre à un condensateur distinct ou à une capacité parasite d’un autre composant électronique, la tension à la troisième borne B3 i-1 diminue jusqu’à atteindre sensiblement le potentiel Voff tandis que la tension à la troisième borne B3 i diminue également jusqu’à son point d’équilibre, permettant au composant de conduction SW i d’imposer seul la tension V SOURCE à V REF -V OFFSETi . Le composant de conduction SW i-1 s’ouvre donc et simultanément le composant de conduction SW i devient de plus en plus passant. Tout le courant circule alors dans le composant de conduction SW i . Le circuit de commande 28 asservit alors la tension V SOURCE à la tension V REF diminuée de V OFFSETi par le composant de conduction SW i , la tension de décalage V OFFSETi entre la tension V SOURCE et la tension V REF étant plus faible que la tension de décalage V OFFSETi-1 . Dans le cas où chaque composant de conduction SW i comprend un transistor MOS dont la grille reçoit le signal S i , ceci signifie que la tension à la grille du transistor SW i-1 diminue et le transistor SW i-1 devient de moins en moins passant jusqu’à atteindre son état non passant. A l’équilibre, le potentiel à la troisième borne B3 i est égal à la somme de la tension V SOURCE et de la tension grille-source du transistor SW i . Selon un mode de réalisation et dans une phase descendante de la tension variable V ALIM , alors que les ensembles de diodes électroluminescentes D 1 à D i sont passantes, que les diodes électroluminescentes D i+1 à D N sont bloquées, que les signaux S 1 à S i-1 sont à Voff, que les signaux S i+1 à S N sont à Von et que le signal S i est à une valeur de tension permettant au seul composant de conduction SW i d’imposer le courant I SOURCE dans les ensembles de diodes électroluminescentes, lorsque la tension aux bornes de l’ensemble de diodes électroluminescentes D i diminue et devient inférieure à la tension de seuil de l’ensemble de diodes électroluminescentes D i , celui-ci commence à se bloquer. Ceci se traduit par une augmentation temporaire de l’impédance totale équivalente entre la première borne d’alimentation A 1 et le nœud A 3 , et donc une diminution temporaire de la tension V SOURCE . Cette diminution de la tension V SOURCE entraîne une augmentation du courant Id 1 traversant le transistor T 1 de la paire différentielle 30. De ce fait, le courant reproduit par chaque transistor T sup -i augmente. Etant donné qu’il existe une capacité équivalente à chaque troisième borne B3 i , la tension à la troisième borne B3 i augmente jusqu’à atteindre sensiblement le potentiel Von tandis que la tension à la troisième borne B3 i -1 augmente également jusqu’à son point d’équilibre permettant au composant de conduction SW i-1 d’imposer seul la tension V SOURCE à V REF -V OFFSETi-1 . Le composant de conduction SW i se ferme donc totalement et le composant de conduction SW i -1 devient de plus en plus passant. Tout le courant circule alors dans le composant de conduction SW i-1 . Le circuit de commande 28 asservit alors la tension V SOURCE à la tension V REF diminuée de V OFFSETi-1 par le composant de conduction SW i-1 , la tension de décalage V OFFSETi-1 étant plus élevée que la tension de décalage V OFFSETi . Dans le cas où chaque composant de conduction SW i comprend un transistor MOS dont la grille reçoit le signal S i , ceci signifie que la tension à la grille du transistor SW i-1 augmente et que le transistor SW i-1 devient de plus en plus passant et le transistor SW i atteint son état complètement passant. En outre, dans les modes de réalisation décrits précédemment, chaque transistor T sup -i est adapté à recopier le courant Id 1 multiplié par le facteur de recopie R sup -i et chaque transistor T inf -i est adapté à recopier le courant Id 2 multiplié par le facteur de recopie R inf -i . A titre de variante, chacun des transistors T inf -i et T sup -i peuvent être adaptés à recopier un courant de référence, par exemple un courant constant. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 20 comprend une capacité C 1 montée entre la première borne d’alimentation A 1 et la deuxième borne de référence A 2 et permettant à la tension variable V ALIM de rester à une valeur supérieure à une tension de seuil de l’ensemble de diodes électroluminescentes D 1 relié à la première borne d’alimentation A 1 . La capacité C 1 en entrée du circuit optoélectronique 20 permet avantageusement d’éviter les risques de périodes d’absence d’émission de la lumière et donc d’éviter tout effet stroboscopique inconfortable. Selon un mode de réalisation, la troisième tension V OFFSETi varie en fonction de la température. La tension de décalage V OFFSETi peut soit augmenter lorsque la température augmente soit diminuer lorsque la température augmente. Dans le cas où la tension de décalage V OFFSETi diminue lorsque la température augmente, une augmentation de la température se traduit par une diminution du courant parcourant les composants résistifs R i et donc une diminution de la puissance thermique fournie par le circuit optoélectronique 20. On obtient ainsi une protection du circuit optoélectronique 20 contre un emballement thermique. Circuit optoélectronique (20) comprenant une première borne d’alimentation (A 1 ) et une deuxième borne de référence (A 2 ), la première borne d’alimentation (A 1 ) et la deuxième borne de référence (A 2 ) étant destinées à être connectées à une source de tension délivrant au circuit optoélectronique (20) une tension variable (V ALIM ) contenant une alternance de phases positives croissantes et de phases positives décroissantes, le circuit optoélectronique (20) comprenant : des ensembles de diodes électroluminescentes (D i ) reliés entre eux dans un montage en série, lequel montage en série étant relié à la première borne d’alimentation (A 1 ), une pluralité de composants de conduction (SW i ) où chaque composant de conduction (SW i ) est associé à l’un unique des ensembles de diodes électroluminescentes (D i ), chaque composant de conduction (SW i ) présentant une conductance électrique variable en fonction d’un signal de commande (S i ), chaque composant de conduction (SW i ) comportant une première borne (B1 i ), une deuxième borne (B2 i ) et une troisième borne (B3 i ), une pluralité de circuits de liaison (L i ), la deuxième borne de référence (A 2 ) étant reliée à chaque ensemble de diodes électroluminescentes (D i ) par l’un desdits circuits de liaison (L i ), chaque circuit de liaison (L i ) d’une part comprenant l’un desdits composants de conduction (SW i ) et au moins un composant résistif (R i ) monté en série avec ledit composant de conduction (SW i ) dudit circuit de liaison (L i ), d’autre part étant configuré de sorte que la première borne (B1 i ) du composant de conduction (SW i ) est reliée à l’ensemble de diodes électroluminescentes (D i ) qui lui est associé et qu’une première borne de connexion (Bc1 i ) du composant résistif (R i ) est connectée à la deuxième borne (B2 i ) du composant de conduction (SW i ) dudit circuit de liaison (L i ) et qu’une deuxième borne de connexion (Bc2 i ) du composant résistif (R i ) est reliée à la deuxième borne de référence (A 2 ), un circuit de commande (28) comprenant un amplificateur de différence (30) et autant d’étages de sortie que de composants de conduction (SW i ) que comprend le circuit optoélectronique (20), chacun desdits étages de sortie étant relié à la troisième borne (B3 i ) de l’un desdits composants de conduction (SW i ), le circuit de commande (28) étant adapté à fournir, pour chaque circuit de liaison (L i ), le signal de commande (S i ) à partir de la comparaison entre d’une part une première tension (V SOURCE ) prise entre un premier potentiel, entre la première borne de connexion (Bc1 i ) du composant résistif (R i ) et la deuxième borne (B2 i ) du composant de conduction (SW i ) de ce circuit de liaison (L i ), et la deuxième borne de référence A 2 , et d’autre part au moins une deuxième tension (V REF ) identique pour tous les composants de conduction (SW i ), le circuit de commande (28) étant adapté pour asservir la première tension (V SOURCE ) à la deuxième tension (V REF ) décalée d’une troisième tension (V OFFSET i ), différente pour chaque étage de sortie du circuit de commande (28). Circuit optoélectronique (20) selon la revendication 1, dans lequel : les ensembles de diodes électroluminescentes (D i ) sont connectés entre eux de sorte à constituer un circuit d’émission de lumière dans lequel les ensembles de diodes électroluminescentes (D i ) sont en série entre eux, le circuit d’émission de lumière ayant une première extrémité connectée électriquement à la première borne d’alimentation (A 1 ) et une deuxième extrémité reliée à un nœud (A 3 ) ; le circuit optoélectronique (20) comprend autant de composants résistifs (R i ) que d’ensembles de diodes électroluminescentes (D i ) ; lesdits composants résistifs (R i ) étant montés en série entre eux, entre le nœud (A 3 ) et la deuxième borne de référence (A 2 ). Circuit optoélectronique (20) selon la revendication 2, dans lequel : les ensembles de diodes électroluminescentes (D i ) sont classés par rangs croissants d’un premier ensemble de diodes électroluminescentes (D i ) à la première extrémité du circuit d’émission de lumière à un dernier ensemble de diodes électroluminescentes (D i ) à la deuxième extrémité du circuit d’émission de lumière ; pour chaque circuit de liaison (L i ) du circuit optoélectronique (20) à l’exclusion du dernier ensemble de diodes électroluminescentes (D N ), la deuxième borne (B2 i ) du composant de conduction (SW i ) est reliée à une liaison électrique raccordant deux composants résistifs (R i ) montés en série entre eux. Circuit optoélectronique (20) selon la revendication 3, dans lequel, pour chaque composant de conduction (SW i ), le circuit de commande (28) est adapté à asservir la première tension (V SOURCE ) à la deuxième tension (V REF ) diminuée de la troisième tension (V OFFSET i ) qui est décroissante avec le rang de l’ensemble de diodes électroluminescentes (D i ) auquel est relié le composant de conduction (SW i ). Circuit optoélectronique (20) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l’amplificateur de différence (30) reçoit en entrée une tension différentielle correspondant à la différence entre la première tension (V SOURCE ) et la deuxième tension (V REF ). Circuit optoélectronique (20) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l’amplificateur de différence (30) est adapté à fournir un premier courant (Id 1 ) et un deuxième courant (Id 2 ), le circuit de commande (28) comprenant un premier miroir de courant (32, 34) à plusieurs sorties adapté à recopier, pour chaque composant de conduction (SW i ), le premier courant (Id 1 ) ou un troisième courant multiplié par un premier facteur de recopie, et un deuxième miroir de courant (36) à plusieurs sorties adapté à recopier, pour chaque composant de conduction (SW i ), le deuxième courant (Id 2 ) ou le troisième courant multiplié par un deuxième facteur de recopie, le rapport entre le premier facteur de recopie et le deuxième facteur de recopie étant différent pour chaque composant de conduction (SW i ). Circuit optoélectronique (20) selon la revendication 6, comprenant, pour chaque composant de conduction (SW i ), un condensateur relié au composant de conduction (SW i ) ou intégré au composant de conduction (SW i ), le premier miroir de courant (34) comprenant un circuit (T sup -i ) de charge du condensateur et le deuxième miroir de courant (36) comprenant un circuit de décharge (T inf -i ) du condensateur. Circuit optoélectronique (20) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l’amplificateur de différence (30) comprend une paire différentielle comprenant un premier transistor (T 1 ) recevant la première tension (V SOURCE ) et un deuxième transistor (T 2 ) recevant la deuxième tension (V REF ). Circuit optoélectronique (20) selon la revendication 8, dans lequel le premier transistor (T 1 ) est un transistor MOS dont la grille reçoit la première tension (V SOURCE ) et dans lequel le deuxième transistor (T 2 ) est un transistor MOS dont la grille reçoit la deuxième tension (V REF ). Circuit optoélectronique (20) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel chaque composant de conduction (SW i ) comprend un transistor MOS. Circuit optoélectronique (20) selon la revendication 10 et l’une des revendications 6 ou 7, dans lequel le premier miroir de courant (34) comprend, pour chaque composant de conduction (SW i ), un premier bloc de recopie (T sup -i ) relié à la grille du transistor MOS du composant de conduction (SW i ) et adapté à fournir le premier courant (Id 1 ) multiplié par le premier facteur de recopie et dans lequel le deuxième miroir de courant (36) comprend, pour chaque composant de conduction (SW i ), un deuxième bloc de recopie (T inf -i ) relié à la grille du transistor MOS du composant de conduction (SW i ) et adapté à fournir le deuxième courant (Id 2 ) multiplié par le deuxième facteur de recopie. Circuit optoélectronique (20) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant une capacité (C 1 ) montée entre la première borne d’alimentation (A 1 ) et la deuxième borne de référence (A 2 ) et permettant à la tension variable (V ALIM ) de rester à une valeur supérieure à une tension de seuil de l’ensemble de diodes électroluminescentes (D 1 ) relié à la première borne d’alimentation (A 1 ). Circuit optoélectronique (20) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la troisième tension (V OFFSETi ) varie en fonction de la température.