FR 3143798 A1 20240621 FR 2213999 A 20221220 Dispositif quantique destiné à former une matrice de boites quantiques et procédé de fabrication associé Un aspect de l’invention concerne une dispositif quantique (DQ) configuré pour pouvoir former une matrice de boites quantiques (QD), le dispositif (DQ) comprenant pour cela : une couche active (CA) réalisée dans un matériau semi-conducteur ; une pluralité de premières grilles (G1) disposées selon une pluralité de lignes (LI) ; une pluralité de deuxièmes grilles (G2) disposées selon un pluralité de colonnes (CO) perpendiculaires aux lignes (LI) de la pluralité de lignes (LI) ; une pluralité de troisièmes grilles (G3), chaque troisième grille (G3) de la pluralité de troisièmes grilles (G3) étant disposée à l’intersection d’une ligne de la pluralité de lignes (LI) et d’une colonne de la pluralité de colonnes (CO), chaque troisième grille (G3) étant séparée des troisièmes grilles (G3) les plus proches, sur une ligne (LI) par une première grille (G1) et sur une colonne (CO) par une deuxième grilles (G2) ; la couche active (CA) comprenant des ouvertures (OU) sur toute l’épaisseur de la couche active (CA) disposées entre les lignes (LI) de la pluralité de lignes (LI) et les colonnes (CO) de la pluralité de colonnes (CO). Figure à publier avec l’abrégé : Figure 1 Dispositif quantique destiné à former une matrice de boites quantiques et procédé de fabrication associé DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui de l’informatique quantique. La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant des moyens pour former une matrice de boites quantiques et en particulier un dispositif permettant de contrôler le potentiel chimique au sein de chaque boite quantique et le couplage entre des boites quantiques adjacentes, ce contrôle se faisant de manière locale, tout en garantissant l’absence de particule chargée en dehors des boites quantiques. La présente invention concerne également un procédé de fabrication permettant d’obtenir un tel dispositif. ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Dans le domaine de l’informatique quantique, il est connu d’utiliser des boites quantiques dans lesquelles une ou plusieurs particules chargées peuvent être piégées pour être manipulées. Pour cela, le confinement des particules chargées doit se faire dans les trois dimensions de l’espace. Dans l’état de la technique, un tel confinement peut être obtenu de deux manières (qui peuvent être utilisées en combinaison) : de manière structurelle (par alternance de matériaux selon au moins une dimension de l’espace) et/ou de manière électrostatique par l’application d’un potentiel sur une portion de matériau conducteur (par exemple à l’aide d’une électrode de grille). De manière générale, les boites quantiques sont agencées sous la forme d’une matrice de boites quantiques ce qui permet une meilleure inter-connectivité entre boites quantiques et donc, par exemple, une exécution plus efficace des algorithmes de correction d’erreurs quantiques (voir par exemple Fowler, Phys. Rev. A, 2012). Une matrice de boites quantiques a par exemple été proposée dans le document Li et al., Science, 2018. Dans ce document, les auteurs proposent une structure comprenant trois niveaux de grilles : selon les lignes, les colonnes et les diagonales de la matrice de boites quantiques, ces niveaux de grille permettant de contrôler le potentiel chimique dans chaque boite quantique ainsi que les barrières de potentiel (ou couplage tunnel) entre les boites quantiques adjacentes. En revanche, le dispositif ne permet pas de contrôler totalement la position des particules chargées et, en particulier, d’interdire la présence de ces dernières en dehors des boites quantiques, c’est à dire entre les lignes et les colonnes de la matrice de boites quantiques. De plus, l’utilisation de trois niveaux de grilles implique un écrantage des niveaux de grille supérieurs par les niveaux de grille inférieurs ce qui entraîne une forte disparité entre les différents niveaux de grille (la grille de premier niveau apparaît continue alors que les grilles de deuxième et troisième niveau prennent la forme d’une ligne pointillée). Une autre architecture a été proposée dans le document FR3066297. Dans cette dernière, la couche active de la matrice de boites quantiques est structurée de sorte à interdire la présence de particules chargées en dehors des boites quantiques, c’est à dire entre les lignes et les colonnes de la matrice de boites quantiques. Par ailleurs, le dispositif proposé comprend également une pluralité de grilles permettant de contrôler les barrières de potentiel entre les boites quantiques adjacentes de la matrice de boites quantiques. En revanche, compte tenu de la difficulté d’implantation, le dispositif proposé ne comprend pas de grille permettant un contrôle local du potentiel chimique au sein de chaque boite quantique. En outre, le contrôle des grilles est réalisé à l’aide de vias ce qui permet une bonne homogénéité entre les grilles, mais impose en revanche des contraintes très strictes en termes d’alignement relatif des différents niveaux de grilles, et rendant donc le procédé de fabrication complexe à mettre en œuvre. Il existe donc un besoin d’un dispositif permettant d’obtenir à la fois un contrôle électrostatique homogène, un contrôle local (c’est à dire par une grille située au-dessus de l’élément à contrôler) du potentiel chimique au sein de chaque boite quantique et un moyen de garantir l’absence de charge électrique entre les lignes et les colonnes de la matrice. Il existe en outre un besoin d’un procédé permettant d’obtenir un tel dispositif sans imposer des contraintes très strictes d’alignement lors de la fabrication. L’invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en proposant un dispositif permettent d’obtenir à la fois un contrôle électrostatique homogène, le contrôle local (c’est à dire par une grille située directement au-dessus de l’élément à contrôler) du potentiel chimique au sein de chaque boite quantique et un moyen de garantir l’absence de particule chargée entre les lignes et les colonnes de la matrice. Elle y parvient grâce notamment à la mise en œuvre d’un procédé permettant de réaliser les grilles ainsi que les motifs entre les lignes et les colonnes de la matrice de boites quantiques de manière auto-alignée et sur un seul niveau de lithographie. Pour cela, un premier aspect de l’invention concerne un dispositif quantique configuré pour former une matrice de boites quantiques, le dispositif comprenant : Une couche active réalisée dans un matériau semi-conducteur ; Une pluralité de premières grilles disposées selon une pluralité de lignes ; Une pluralité de deuxièmes grilles disposées selon une pluralité de colonnes perpendiculaires aux lignes de la pluralité de lignes ; Une pluralité de troisièmes grilles, chaque troisième grille de la pluralité de troisièmes grilles étant disposée à l’intersection d’une ligne de la pluralité de lignes et d’une colonne de la pluralité de colonnes, chaque troisième grille étant séparée des troisièmes grilles les plus proches, sur une ligne par une première grille et sur une colonne par une deuxième grille ; la couche active comprenant des ouvertures sur toute l’épaisseur de la couche active disposées entre les lignes de la pluralité de lignes et les colonnes de la pluralité de colonnes. Grâce au dispositif selon l’invention, il est possible d’obtenir un dispositif permettant un contrôle électrostatique homogène, un contrôle local (par une grille située directement au-dessus de l’élément à contrôler) du potentiel chimique au sein de chaque boite quantique et un moyen de garantir l’absence de charge électrique entre les lignes et les colonnes de la matrice. Plus particulièrement, dans le dispositif selon l’invention, une boite quantique pourra être formée au-dessous de chaque troisième grille de sorte à former une matrice de boites quantiques. En effet, chaque première grille de la pluralité de premières grilles permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier la barrière de potentiel séparant deux parties de la couche active situées sous deux troisièmes grilles adjacentes selon les lignes. De même, chaque deuxième grille de la pluralité de deuxièmes grilles permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier la barrière de potentiel séparant deux parties de la couche active situées sous deux troisièmes grilles adjacentes selon les colonnes. De plus, les premières grilles et les deuxièmes grilles permettent d’effectuer cette modification de manière locale, ces dernières n’étant pas « écrantée » par une couche conductrice (autrement dit, il n’y a pas de couche conductrice entre l’oxyde des premières grilles et des deuxièmes grilles et la couche active). Aussi, grâce au contrôle des barrières de potentiel exercé par les premières grilles et les deuxièmes grilles, il est possible de réaliser un confinement électrostatique des particules chargées au-dessous des troisièmes grilles de la pluralité de troisièmes grilles pour former une boite quantique sous chaque troisième grille. Ce confinement électrostatique est en outre complété par un confinement structurel obtenu grâce aux ouvertures présentes dans la couche active, puisqu’aucune particule chargée ne peut se trouver au niveau desdites ouvertures. Par ailleurs, dans chaque boite quantique, le ou les particules chargées présentes sont associées à un potentiel chimique. Or, chaque troisième grille n’étant pas « écrantée » par une couche conductrice (autrement dit, il n’y a pas de couche conductrice entre l’oxyde des troisièmes grilles et la couche active), chaque troisième grille de la pluralité de troisièmes grilles permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier le potentiel chimique des particules chargées présentes dans boite quantique associée à la troisième grille considérée. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le dispositif selon le premier aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. Dans un mode de réalisation, le dispositif est réalisé à partir d’un substrat de type « silicium sur isolant » (ou SOI pour Silicon On Insulator en anglais), la couche active étant réalisée dans la couche de silicium du substrat située au-dessus de l’oxyde. Dans un mode de réalisation, le dispositif est réalisé à partir d’un substrat de silicium massif. Avantageusement, le substrat comprend une couche de silicium epitaxiée recouverte d’un oxyde thermique. Dans ce mode de réalisation, la couche active étant réalisée dans la couche de silicium, de préférence epitaxiée. Dans un mode de réalisation, le dispositif est réalisé à partir d’une hétérostructure Si/SiGe, la couche active étant réalisée dans la couche Si. Dans un mode de réalisation, le dispositif est réalisé à partir d’une hétérostructure Ge/SiGe, la couche active étant réalisée dans la couche Ge. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend des espaceurs disposés de sorte à séparer chaque premières grilles, deuxièmes grilles et troisièmes grilles des premières grilles, deuxièmes grilles et troisièmes grilles adjacentes. Dans un mode de réalisation, chaque première grille, deuxième grille et troisième grille comprend une électrode de grille et un oxyde de grille, et le matériau de l’électrode et de l’oxyde de grille des premières grilles, des deuxièmes grilles et des troisièmes grilles sont identiques. Dans un mode de réalisation, l’oxyde des premières, deuxièmes et/ou troisièmes grilles est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou bien l’Al 2 O 3 . Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de l’oxyde des premières grilles, deuxièmes grilles et/ou troisièmes grilles est comprise entre 5 nm et 10 nm. Dans un mode de réalisation, les électrodes des premières grilles, deuxièmes grilles et/ou troisièmes grilles sont réalisées dans un matériau conducteur choisi parmi le Ti, le TiN, du poly-Si ou bien encore le W. Un deuxième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur à partir d’un substrat comportant une couche semi-conductrice, dite couche active, au niveau d’une première surface dudit substrat (c’est-à-dire sur une première surface dudit substrat ou proche de la première surface dudit substrat), le procédé comprenant : Une étape de dépôt d’une première couche diélectrique sur la première surface ; Une étape de dépôt d’une couche support sur la première couche diélectrique ; Une étape de gravure de la couche support de sorte à former une matrice de premiers piliers formant une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes ; Une étape de dépôt conforme d’une deuxième couche diélectrique sur la matrice de premiers piliers, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier et ses plus proches voisins ; Une étape de gravure de la deuxième couche diélectrique de sorte à exposer la première couche diélectrique entre chaque premier pilier de la matrice de premiers piliers selon les diagonales de ladite matrice de premiers piliers ; Une étape de dépôt d’une première couche conductrice de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape de gravure de la deuxième couche diélectrique ; une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente de sorte à obtenir une matrice de deuxièmes piliers conducteurs au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape de gravure de la deuxième couche diélectrique, l’arrêt du polissage se faisant sur la couche support de sorte que les deuxièmes piliers conducteurs ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape et forment les troisièmes grilles ; Une étape de retrait sélectif de la deuxième couche diélectrique de sorte à ne conserver sur la première couche diélectrique que la matrice de premiers piliers et la matrice de deuxièmes piliers ; Une étape de dépôt conforme d’une troisième couche diélectrique sur la matrice de premiers piliers et la matrice de deuxièmes piliers, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier et les deuxièmes piliers plus proches voisins dudit premier pilier ; Une étape de gravure de la troisième couche diélectrique de sorte à exposer la première couche diélectrique entre chaque premier pilier de la matrice de premiers piliers selon les lignes et les colonnes de ladite matrice de premiers piliers ; Une étape de dépôt d’une deuxième couche conductrice de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape de gravure de la troisième couche diélectrique ; une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de troisièmes piliers conducteur au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape de gravure de la troisième couche diélectrique, l’arrêt du polissage se faisant sur la couche support de sorte que les troisièmes piliers conducteurs ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape et forment les premières grilles et les deuxièmes grilles ; Une étape de retrait sélectif des premiers piliers de la pluralité de premiers piliers de sorte à exposer la première couche diélectrique au niveau de l’emplacement desdits premiers piliers ; Une étape de gravure sélective de la première couche diélectrique et de la couche active sur la totalité de leur épaisseur au niveau de l’emplacement desdits premiers piliers retirés lors de l’étape précédente de sorte à obtenir une pluralité d’ouvertures dans la couche active. Grâce au procédé selon l’invention, il est possible d’obtenir un dispositif selon l’invention par auto-alignement en n’ayant recours qu’à un seul niveau de lithographie. Le procédé est ainsi grandement simplifié par rapport aux procédés de l’état de la technique dans lesquels plusieurs niveaux de lithographie (et donc pour lesquels un alignement précis est nécessaires) et/ou un écrantage partiel des grilles sont présents. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé selon le deuxième aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. Dans un mode de réalisation, le substrat est un substrat de type « silicium sur isolant » et la couche active est réalisée dans la couche de silicium du substrat située au-dessus de l’oxyde. Dans un mode de réalisation, le matériau de la première couche diélectrique est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou bien encore l’Al 2 O 3 . Dans un mode de réalisation, le matériau de la couche support est un matériau diélectrique. Dans un mode de réalisation, la distance d séparant deux premiers piliers voisins et la hauteur h des premiers piliers à l’issue de l’étape de gravure de la couche support de sorte à former une matrice de premiers piliers sont choisis de sorte que h> d/2. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend, à l’issue de l’étape de gravure de la deuxième couche diélectrique, une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l’étape de gravure de la troisième couche diélectrique, une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend, après l’étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape de dépôt d’une deuxième couche conductrice, une étape de sur polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape de polissage mécano-chimique précédente. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend, à l’issue de l’étape de gravure sélective de la première couche diélectrique et de la couche active, une étape de dépôt d’une quatrième couche diélectrique suivie d’une étape de polissage mécano-chimique de ladite couche, l’arrêt du polissage se faisant sur les deuxièmes et troisièmes piliers. L’invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l’examen des figures qui l’accompagnent. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. La montre une représentation schématique d’un dispositif selon l’invention. Les à montrent une représentation schématique de différents substrats susceptibles d’être utilisés dans un dispositif ou un procédé selon l’invention. La montre une représentation schématique d’un substrat de type SOI utilisé dans un procédé selon l’invention et servant dans les illustrations des différentes étapes du procédé. La à la montrent une représentation schématique des étapes du procédé selon l’invention (la ou les étapes associées à chaque figure sont notées entre parenthèses). DESCRIPTION DÉTAILLÉE Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique. Dispositif quantique destiné à former une matrice de boites quantiques Un premier aspect de l’invention illustré à la concerne un dispositif quantique DQ configuré pour former une matrice de boites quantiques QD. Pour cela, le dispositif DQ comprend une couche active CA réalisée dans un matériau semi-conducteur. De préférence, cette couche CA est une couche de silicium (Si) ou de germanium (Ge), mais d’autres matériaux semi-conducteurs peuvent être envisagés. C’est dans cette couche active CA que seront formées les boites quantiques QD. Pour mémoire, une boite quantique QD est formée par un puits de potentiel électrostatique dans lequel il est possible de piéger une ou plusieurs particules chargées, par exemple un ou plusieurs trous ou un ou plusieurs électrons. Le dispositif QD selon l’invention comprend également une pluralité de premières grilles G1 disposées selon une pluralité de lignes LI, au-dessus de la couche active CA. Le dispositif selon l’invention comprend également une pluralité de deuxièmes grilles G2 disposées selon une pluralité de colonnes CO perpendiculaires aux lignes LI de la pluralité de lignes LI, au-dessus de la couche active CA. Le dispositif DQ selon l’invention comprend en outre une pluralité de troisièmes grilles G3, chaque troisième grille G3 de la pluralité de troisièmes grilles G3 étant disposée à l’intersection d’une ligne LI de la pluralité de lignes LI et d’une colonne CO de la pluralité de colonnes CO, au-dessus de la couche active CA, chaque troisième grille G3 étant séparée des troisièmes grilles G3 les plus proches, sur une ligne LI par une première grille G1 et sur une colonne CO par une deuxième grille G2. Enfin, dans le dispositif DQ selon l’invention, la couche active CA comprend des ouvertures OU sur toute l’épaisseur de la couche active CA, lesdites ouvertures étant disposées entre les lignes LI de la pluralité de lignes LI et les colonnes CO de la pluralité de colonnes CO (ainsi les ouvertures OU forment également une matrice décalée par rapport à la matrice de boites quantiques QD). Ainsi, dans le dispositif DQ selon l’invention, une boite quantique QD pourra être formée au-dessous de chaque troisième grille G3 de sorte à former une matrice de boites quantiques QD. En effet, chaque première grille G1 de la pluralité de premières grilles G1 permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier la barrière de potentiel séparant deux parties de la couche active CA situées sous deux troisièmes grilles G3 adjacentes selon les lignes. De même, chaque deuxième grille G2 de la pluralité de deuxièmes grilles G2 permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier la barrière de potentiel séparant deux parties de la couche active CA situées sous deux troisièmes grilles G3 adjacentes selon les colonnes CO. De plus, les première grilles G1 et les deuxièmes grilles G2 permettent d’effectuer cette modification de manière locale, ces dernières G1, G2 étant au-dessus de la couche active CA (autrement dit, il n’y a pas de couche conductrice entre l’oxyde des première grilles G1 et des deuxièmes grilles G2 et la couche active CA). Aussi, grâce au contrôle des barrières de potentiel exercé par les première grilles G1 et les deuxième grilles G2, il est possible de réaliser un confinement électrostatique des particules chargées au-dessous des troisièmes grilles G3 de la pluralité de troisièmes grilles G3 pour former une boite quantique QD sous chaque troisième grille G3. Ce confinement électrostatique est en outre complété par un confinement structurel obtenu grâce aux ouvertures OU présentes dans la couche active, puisqu’aucune particule chargée ne peut se trouver au niveau desdites ouvertures OU. Par ailleurs, dans chaque boite quantique QD, le ou les particules chargées présentes sont associées à un potentiel chimique. Or, chaque troisième grille G3 étant au-dessus de la partie de la couche active CA dans laquelle est formée une boite quantique (autrement dit, il n’y a pas de couche conductrice entre l’oxyde des troisièmes grilles G3 et la couche active CA), chaque troisième grille G3 de la pluralité de troisièmes grilles G3 permet, lorsqu’on lui applique un potentiel électrique, de modifier le potentiel chimique des particules chargées présentes dans boite quantique QD associée à la troisième grille G3 considérée. Dans un mode de réalisation, l’oxyde des premières G1, deuxièmes G2 et/ou troisièmes grilles G3 est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou bien l’Al 2 O 3 . Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de l’oxyde des premières grilles G1, deuxièmes grilles G2 et/ou troisièmes grilles G3 est comprise entre 5 nm et 10 nm. Dans un mode de réalisation, les électrodes des premières grilles G1, deuxièmes grilles G2 et/ou troisièmes grilles G3 sont réalisées dans un matériau conducteur choisi parmi le Ti, le TiN ou bien encore le W. Dans un mode de réalisation, le dispositif selon l’invention est réalisé dans un substrat de type SOI et la couche active est une couche de silicium. Dans ce mode de réalisation, les premières, deuxièmes et troisièmes grilles G1, G2, G3 sont au contact direct de la couche active CA. Dans un mode de réalisation alternatif, le dispositif est réalisé à partir d’un substrat de silicium massif. Avantageusement, le substrat comprend une couche de silicium épitaxiée (notée 28 Si sur la figure) recouverte par un oxyde thermique (noté SiO 2 sur la figure), cette couche de silicium épitaxiée étant déposée sur la couche de silicium intrinsèque (noté i Si sur la figure) du substrat de silicium massif. Un tel substrat est illustré à la . Dans ce mode de réalisation, la couche active CA est réalisée dans la couche de silicium, avantageusement la couche de silicium epitaxiée. Les dimensions indiquées sur la figure sont bien entendu données à titre purement illustratif. Dans un mode de réalisation alternatif, le dispositif est réalisé à partir d’une hétérostructure Si/SiGe. Un substrat comprenant une telle hétérostructure est illustré à la . Cette dernière comprend une couche dont la concentration en Ge évolue de manière linéaire (notée Si 1-x Ge x sur la figure) sur laquelle repose une couche de SiGe (notée Si 0.7 Ge 0.3 ), un puit quantique destiné aux électrons formé dans une couche de Si (notée 28 Si sur la figure), un espaceur en SiGe (noté Si 0.7 Ge 0.3 sur la figure) situé sur la couche de Si et une couche de silicium (notée Si Cap sur la figure). Dans ce mode de réalisation, la couche active est réalisée dans la couche Si. Les dimensions indiquées sur la figure sont bien entendu données à titre purement illustratif. Dans un mode de réalisation alternatif, le dispositif est réalisé à partir d’une hétérostructure Ge/SiGe. Un substrat comprenant une telle hétérostructure est illustré à la . Cette dernière comprend une couche dont la concentration en Si évolue de manière linéaire (notée Si 1-x Ge x sur la figure) sur laquelle repose une couche de SiGe (notée Si 0.2 Ge 0.8 ), un puit quantique destiné aux trous formé dans une couche de Ge (notée Ge sur la figure), un espaceur en SiGe (noté Si 0.2 Ge 0.8 sur la figure) situé sur la couche de Ge et une couche de silicium (noté Si Cap sur la figure). Dans ce mode de réalisation, la couche active est réalisée dans la couche Ge. Les dimensions indiquées sur la figure sont bien entendu données à titre purement illustratif. Procédé de fabrication d’un dispositif quantique comportant une matrice d’îlots Un deuxième aspect de l’invention illustré aux à concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur selon l’invention à partir d’un substrat SB comportant une couche semi-conductrice, dite couche active CA, sur une première surface dudit substrat SB ou proche de la première surface. On entend par proche de la première surface que la distance séparant la couche active de la première surface est inférieure à la distance séparant la couche active de la deuxième surface du substrat opposée à la première surface. De préférence la distance séparant la couche active CA de la première surface du substrat SB est inférieure à 500 nm, de préférence inférieure à 200 nm, voire inférieure à 100 nm. Dans un mode de réalisation, l’épaisseur de la couche active CA est comprise entre 5 et 20 nm, par exemple égale à 10 nm. Dans un mode de réalisation, la couche active CA est en silicium, le substrat étant de préférence un substrat de type SOI (pour Silicon-On-Insulator en anglais). Dans un mode de réalisation alternatif, le substrat est un substrat de type SiMOS tel que décrit précédemment. Dans un mode de réalisation alternatif, le substrat comprend une hétérostructure Si/SiGe tel que décrite précédemment au niveau de sa première surface. Dans un mode de réalisation alternatif, le substrat comprend une hétérostructure Ge/SiGe tel que décrite précédemment au niveau de sa première surface. Le procédé selon l’invention comprend une étape E1 de dépôt d’une première couche diélectrique D1 sur la première surface. Lorsque la couche active CA est au niveau de cette première surface (comme illustré aux à , alors ce dépôt est effectué sur la couche active CA. Dans un mode de réalisation, le matériau de la première couche diélectrique D1 est choisi parmi le SiO 2 , le HfO 2 ou bien encore l’Al 2 O 3 . Dans un mode de réalisation, la première couche diélectrique D1 est réalisée dans un matériau diélectrique à haute permittivité. Dans un mode de réalisation, le première couche diélectrique D1 comporte plusieurs sous-couches diélectriques. Par exemple, elle comporte une première sous-couche de SiO 2 assurant une bonne qualité d’interface avec la couche sur laquelle elle est déposée (par exemple la couche active de Si), puis une deuxième sous-couche de HfO 2 ou d’Al 2 O 3 . Il ne s’agit bien entendu que d’un exemple et d’autres combinaisons peuvent être envisagées. Le procédé comprend ensuite une étape E2 de dépôt d’une couche support SP sur la première couche diélectrique D1. Dans un mode de réalisation, le matériau de la couche support SP est un matériau diélectrique, par exemple du nitrure de silicium. Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape E3 de gravure de la couche support de sorte à former une matrice de premiers piliers PI formant une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes. De préférence, la distance d séparant deux premiers piliers PI voisins et la hauteur h des premiers piliers PI sont choisis de sorte que h > d/2. De préférence, la hauteur h des premiers piliers est comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple égale à 200 nm. Le procédé comprend également une étape E4 de dépôt conforme d’une deuxième couche diélectrique D2 sur la matrice de premiers piliers PI, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier PI et ses plus proches voisins. Dans un mode de réalisation, la couche diélectrique D2 est en SiO 2 . Dans un mode de réalisation, le deuxième couche diélectrique D2 comporte plusieurs sous-couches diélectriques. Le procédé comprend ensuite une étape E5 de gravure de la deuxième couche diélectrique D2 de sorte à exposer la première couche diélectrique D1 entre chaque premier pilier PI de la matrice de premiers piliers PI selon les diagonales de ladite matrice de premier piliers PI, la première couche diélectrique D1 servant de couche d’arrêt à la gravure. Dans un exemple de réalisation, la deuxième couche diélectrique D2 est une couche de SiO 2 et la première couche diélectrique D1 (servant de couche d’arrêt) est une couche de HfO 2 ou d’Al 2 O 3 . La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes est illustrée à la , les zones exposées de la première couche diélectrique D1 étant marquées par un cercle en pointillé dans la représentation de dessus en bas de la figure. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend également une étape E6 de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E5 précédente. Bien que facultative, cette étape E6 permet d’aplanir la surface de la structure et ainsi d’améliorer la qualité du dépôt de la couche conductrice C1 décrit dans la suite. En outre, réaliser le polissage mécano-chimique en deux temps permet d’éviter tout problème de sélectivité avec le polissage mécano-chimique effectué à l’issue du dépôt de la couche conductrice C1 décrit dans la suite. Le procédé selon l’invention comprend ensuite une étape E7 de dépôt d’une première couche conductrice C1 de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape E5 de gravure de la deuxième couche diélectrique D2. Ainsi, au niveau de ces ouvertures, la couche conductrice C1 est en contact direct avec la première couche diélectrique D1. Dans un mode de réalisation, le matériau de la couche conductrice C1 est choisi parmi le Ti, TiN ou bien encore W. Le procédé selon l’invention comprend en outre une étape E8 de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E7 précédente de sorte à obtenir une matrice de deuxièmes piliers PC1 conducteurs au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape E5 de gravure de la deuxième couche diélectrique D2. Lors de cette étape E8, l’arrêt du polissage se fait sur la couche support SP de sorte que les deuxième piliers PC1 ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape E8. La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes ou trois étapes (lorsque l’étape E6 facultative de polissage mécano-chimique est mise en œuvre) est illustrée à la . Dans la structure finale obtenue à l’issue du procédé selon l’invention, les deuxièmes piliers PC1 conducteurs viendront former les troisièmes grilles G3 de la permettant de contrôler le potentiel chimique des particules chargées au niveau des boites quantiques QD. Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape E9 de retrait sélectif de la deuxième couche diélectrique D2 de sorte à ne conserver sur la première couche diélectrique (D1) que la matrice de premiers piliers PI et la matrice de deuxièmes piliers PC1. Lors de cette étape de retrait, la première couche diélectrique D1 est préservée et sert de couche d’arrêt. Le procédé comprend ensuite une étape E10 de dépôt conforme d’une troisième couche diélectrique D3 sur la matrice de premiers piliers PI et sur la matrice de deuxièmes piliers PC1, l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier PI et les deuxièmes piliers PC2 plus proches voisins dudit premier pilier PI. Le procédé comprend également une étape E11 de gravure de la troisième couche diélectrique D3 de sorte à exposer la première couche diélectrique D1 entre chaque premier pilier PI de la matrice de premiers piliers PI selon les lignes et les colonnes de ladite matrice de premiers piliers PI. La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes est illustrée à la , les zones exposées de la première couche diélectrique D1 étant marquées par un cercle en pointillé. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E11 précédente (non représentée sur les figures). Bien que facultative, cette étape permet d’aplanir la surface de la structure et ainsi d’améliorer la qualité du dépôt de la couche conductrice C2 décrit dans la suite. En outre, réaliser le polissage mécano-chimique en deux temps permet d’éviter tout problème de sélectivité avec le polissage mécano-chimique effectué à l’issue du dépôt de la couche conductrice C2 décrit dans la suite. Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape E12 de dépôt d’une deuxième couche conductrice C2 de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape E11 de gravure de la troisième couche diélectrique D3. Ainsi, au niveau de ces ouvertures, la deuxième couche conductrice C2 est en contact direct avec la première couche diélectrique D1. Dans un mode de réalisation, le matériau de la deuxième couche conductrice C2 est choisi parmi le Ti, TiN ou bien encore W. Le procédé comprend ensuite une étape E13 de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de troisièmes piliers PC2 conducteurs, lesdits troisièmes piliers PC2 conducteurs étant en contact direct avec la première couche diélectrique D1 au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape E11 de gravure de la troisième couche diélectrique D3. Lors de cette étape E13, l’arrêt du polissage se fait sur la couche support SP de sorte que les troisième piliers PC2 ne sont plus connectés entre eux à l’issue de cette étape E13. Dans un mode de réalisation, afin de s’assurer de la bonne déconnexion des troisièmes piliers entre eux, une étape E14 de sur polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape E13 est mise en œuvre. On entend par « sur polissage » le fait de continuer le polissage alors que la couche d’arrêt a été atteinte. En effet, la détection de l’atteinte des couches d’arrêt par le polissage se fait de façon automatique par détection physique d’un signal de polissage de la couche d’arrêt. Or, s’il existe des non-uniformités d’épaisseur à l’échelle de la plaque, il se peut que le signal soit détecté alors que la couche d’arrêt n’a pas été atteinte sur l’ensemble de la plaque, mais seulement sur une partie. Le « sur polissage » permet donc de poursuivre le polissage suffisamment longtemps après que le signal a été détecté de sorte que toutes les zones de la plaque soient polies suffisamment. La structure obtenue à l’issue de cette étape E13 ou de ces deux étapes (lorsque l’étape E14 facultative de sur polissage est mise en œuvre) est illustré à la . Dans la structure finale, les troisième piliers PC2 conducteurs viendront former les premières grilles G1 et les deuxièmes grilles G2 de la permettant de contrôler la barrière de potentiel entre deux boites quantiques QD adjacentes. Comme illustré à la , le procédé comprend ensuite une étape E15 de retrait sélectif des premiers piliers PI de la pluralité de premiers pilier PI de sorte à exposer la première couche diélectrique D1 au niveau de l’emplacement desdits premiers piliers PI. Lorsque le matériau des premiers piliers est un diélectrique, par exemple du SiN, cette étape de retrait peut être mise en œuvre par un procédé de gravure humide sélective, par exemple à base de H 3 PO 4 . Comme illustré à la , le procédé comprend également une étape E16 de gravure sélective (par rapport aux matériaux conducteurs des piliers conducteurs PC1, PC2) de la première couche diélectrique D1 et d’une partie du substrat comprenant la couche active CA sur la totalité de l’épaisseur de la coucha active CA au niveau de l’emplacement des premiers piliers PI retirés lors de l’étape E15 précédente de sorte à former des ouvertures OU dans la couche active CA. Lorsque le substrat est de type SOI, alors la couche active de Si est gravée sur toute son épaisseur lors de cette étape E16. Lorsque le substrat est de type SiMOS, alors la couche de SiO 2 et la couche de Si (couche active) sont gravées sur toute leur épaisseur lors de cette étape E16. Lorsque le substrat comprend une hétérostructure Si/SiGe, alors la couche Si cap, l’espaceur en SiGe et la couche de Si (couche active CA) sont gravées sur toute leur épaisseur lors de cette étape E16. Lorsque le substrat comprend une hétérostructure Ge/SiGe, alors la couche Si cap, l’espaceur en SiGe et la couche de Ge (couche active CA) sont gravées sur toute leur épaisseur lors de cette étape E16. En retirant la couche active CA (et les couches situées au-dessus lorsque cela est nécessaire), on s’assure que les particules chargées ne pourront pas se situées dans cette zone, ce qui facilite leur confinement au niveau des boites quantiques formées en-dessous des deuxièmes piliers PC1 conducteurs. Dans la structure finale, les ouvertures ainsi réalisées correspondent aux ouvertures OU de la permettant de s’assurer de l’absence de particule chargée entre les lignes LI et les colonnes CO. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend une étape E17 de dépôt d’une quatrième couche diélectrique suivie d’une étape E18 de polissage mécano-chimique de ladite couche, l’arrêt du polissage se faisant sur les deuxièmes et troisièmes piliers PC1, PC2. La structure obtenue à l’issue de ces deux étapes est illustrée à la . Comme le montrent la et la , dans le dispositif ainsi obtenu, les troisièmes grilles G3 présentent de préférence une symétrie centrale et la répartition des premières grilles G1 et deuxièmes grilles G2 adjacentes à chaque troisième grille G3 se fait selon cette symétrie. De même, le premières, deuxièmes et troisièmes grilles G1,G2,G3 sont préférentiellement réparties de manière symétrique par rapport à l’axe associé à chaque ligne LI et l’axe associé à chaque colonne CO. Dispositif quantique (DQ) configuré pour former une matrice de boites quantiques (QD), le dispositif (DQ) comprenant : Une couche active (CA) réalisée dans un matériau semi-conducteur ; Une pluralité de premières grilles (G1) disposées selon une pluralité de lignes (LI) ; Une pluralité de deuxièmes grilles (G2) disposées selon une pluralité de colonnes (CO) perpendiculaires aux lignes (LI) de la pluralité de lignes (LI) ; Une pluralité de troisièmes grilles (G3), chaque troisième grille (G3) de la pluralité de troisièmes grilles (G3) étant disposée à l’intersection d’une ligne de la pluralité de lignes (LI) et d’une colonne de la pluralité de colonnes (CO), chaque troisième grille (G3) étant séparée des troisièmes grilles (G3) les plus proches, sur une ligne (LI) par une première grille (G1) et sur une colonne (CO) par une deuxième grille (G2) ; la couche active (CA) comprenant des ouvertures (OU) sur toute l’épaisseur de la couche active (CA) disposées entre les lignes (LI) de la pluralité de lignes (LI) et les colonnes (CO) de la pluralité de colonnes (CO). Dispositif selon la revendication précédente caractérisé en ce que la couche active (CA) est réalisée dans une couche de silicium d’un substrat (SB) de type « silicium sur isolant ». Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la couche active (CA) est réalisée dans le silicium d’un substrat de silicium massif. Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la couche active (CA) est réalisée dans la couche Si d’une hétérostructure Si/SiGe. Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la couche active (CA) est réalisée dans la couche Ge d’une hétérostructure Ge/SiGe. Dispositif selon l’une des revendications précédentes comprenant des espaceurs disposés de sorte à séparer chaque premières grilles (G1), deuxièmes grilles (G2) et troisièmes grilles (G3) des premières grilles (G1), deuxièmes grilles (G2) et troisièmes grilles (G3) adjacentes. Dispositif selon l’une des revendications précédentes dans lequel chaque première grille (G1), deuxième grille (G2) et troisième grille (G3) comprend une électrode de grille et un oxyde de grille, et le matériau de l’électrode des premières grilles (G1), des deuxièmes grilles (G2) et des troisièmes grilles (G3) est identique et l’oxyde de grille des premières grilles (G1), des deuxièmes grilles (G2) et des troisièmes grilles (G3) est identique. Procédé de fabrication du dispositif quantique selon l’une des revendications précédentes à partir d’un substrat (SB) comportant une couche semi-conductrice, dite couche active (CA), au niveau d’une première surface dudit substrat (SB), le procédé comprenant : Une étape (E1) de dépôt d’une première couche diélectrique (D1) sur la première surface ; Une étape (E2) de dépôt d’une couche support (SP) sur la première couche diélectrique (D1) ; Une étape (E3) de gravure de la couche support (SP) de sorte à former une matrice de premiers piliers (PI) formant une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes ; Une étape (E4) de dépôt conforme d’une deuxième couche diélectrique (D2) sur la matrice de premiers piliers (PI), l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier (PI) et ses plus proches voisins ; Une étape (E5) de gravure de la deuxième couche diélectrique (D2) de sorte à exposer la première couche diélectrique (D1) entre chaque premier pilier (PI) de la matrice de premiers piliers (PI) selon les diagonales de ladite matrice de premier piliers (PI) ; Une étape (E7) de dépôt d’une première couche conductrice (C1) de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape (E5) de gravure de la deuxième couche diélectrique (D2) ; une étape (E8) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente de sorte à obtenir une matrice de deuxièmes piliers (PC1) conducteurs (PC1) au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape (E5) de gravure de la deuxième couche diélectrique (D2), l’arrêt du polissage se faisant sur la couche support (SP) de sorte que les deuxièmes piliers (PC1) conducteurs ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape (E8) et forment les troisièmes grilles (G3) ; Une étape (E9) de retrait sélectif de la deuxième couche diélectrique (D2) de sorte à ne conserver sur la première couche diélectrique (D1) que la matrice de premiers piliers (PI) et la matrice de deuxièmes piliers (PC1) ; Une étape (E10) de dépôt conforme d’une troisième couche diélectrique (D3) sur la matrice de premier piliers (PI) et la matrice de deuxièmes piliers (PC1), l’épaisseur déposée étant choisie de sorte à combler l’espace entre chaque premier pilier (PI) et les deuxièmes piliers (PC2) plus proches voisins dudit premier pilier (PI) ; Une étape (E11) de gravure de la troisième couche diélectrique (D3) de sorte à exposer la première couche diélectrique (D1) entre chaque premier pilier (PI) de la matrice de premiers piliers (PI) selon les lignes et les colonnes de ladite matrice de premiers piliers (PI) ; Une étape (E12) de dépôt d’une deuxième couche conductrice (C2) de sorte à combler les ouvertures réalisées lors de l’étape (E11) de gravure de la troisième couche diélectrique (D3) ; une étape (E13) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape précédente, de sorte à obtenir une matrice de troisièmes piliers (PC2) conducteur au niveau des ouvertures réalisées lors de l’étape (E11) de gravure de la troisième couche diélectrique (D3), l’arrêt du polissage se faisant sur la couche support (SP) de sorte que les troisièmes piliers (PC2) conducteurs ne sont plus en contact entre eux à l’issue de cette étape (E13) et forment les premières grilles (G1) et les deuxièmes grilles (G2) ; Une étape (E15) de retrait sélectif des premiers piliers (PI) de la pluralité de premiers piliers (PI) de sorte à exposer la première couche diélectrique (D1) au niveau de l’emplacement desdits premiers piliers (PI) ; Une étape (E16) de gravure sélective de la première couche diélectrique (D1) et de la couche active (CA) sur la totalité de leur épaisseur au niveau de l’emplacement desdits premiers piliers (PI) retirés lors de l’étape (E15) précédente de sorte à obtenir une pluralité d’ouvertures (OU) dans la couche active (CA). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le substrat (SB) est un substrat de type « silicium sur isolant » et la couche active (CA) est réalisée dans la couche de silicium du substrat (SB). Procédé selon la revendication 8 ou 9 dans lequel le matériau de la première couche diélectrique (D1) est choisi parmi le SiO2, le HfO2 ou bien encore l’Al2O3. Procédé selon l’une des revendications 8 à 10 dans lequel le matériau de la couche support (SP) est un matériau diélectrique. Procédé selon l’une des revendications 8 à 11 dans lequel la distance d séparant deux premiers piliers (PI) voisins et la hauteur h des premiers piliers (PI) à l’issue de l’étape (E3) de gravure de la couche support (SP) de sorte à former une matrice de premiers piliers (PI) sont choisis de sorte que h> d/2. Procédé selon l’une des revendications 8 à 12 comprenant, à l’issue de l’étape (E5) de gravure de la deuxième couche diélectrique (D2), une étape (E6) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape (E5) précédente. Procédé selon l’une des revendications 8 à 13 comprenant, avant l’étape (E11) de gravure de la troisième couche diélectrique (D3), une étape (E12) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape (E11) précédente. Procédé selon l’une des revendications 8 à 14 comprenant, après l’étape (E15) de polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape de dépôt d’une deuxième couche conductrice (C2), une étape (E16) de sur polissage mécano-chimique de la structure obtenue à l’issue de l’étape (E15) de polissage mécano-chimique précédente.