FR 3144389 A1 20240628 FR 2214281 A 20221222 L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite, comprenant : (a) la formation d’un substrat temporaire (20) comprenant un substrat intermédiaire (2) et une pluralité de pavés (P1, P2, P3) d’un premier matériau, (b) l’assemblage du substrat temporaire avec un substrat receveur (3) en un second matériau différent du premier matériau par l’intermédiaire desdits pavés, et (c) le retrait du substrat intermédiaire (2) pour transférer au moins une portion (P’1, P’2, P’3) des pavés sur le substrat receveur. Le substrat receveur comprend une surface principale à partir de laquelle s’étendent des cavités (C1, C2, C3), le substrat receveur étant assemblé au substrat temporaire du côté de ladite surface principale de sorte que chaque pavé soit reçu dans une cavité respective. Après le retrait du substrat intermédiaire, la surface libre des portions de pavés est sensiblement alignée avec la surface principale du substrat receveur. Figure pour l’abrégé : Fig 3F PROCEDE DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE COMPRENANT AU MOINS DEUX PAVES SUR UN SUBSTRAT L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure comprenant au moins deux pavés sur un substrat support. ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la microélectronique, de l’optique ou de l’optoélectronique, la conception de structures multicouches nécessite parfois de transférer des pavés se présentant sous forme de portions d’une couche d’un substrat donneur sur un substrat support ou substrat receveur. Ce type de procédé est généralement appelé procédé de pavage, et met en jeu un transfert partiel d’une couche prélevée dans le substrat donneur pour former un ou plusieurs pavés agencés selon un motif ou à un emplacement prédéterminé sur le substrat support. Un tel pavage peut être rendu nécessaire par une différence de taille entre le substrat donneur et le substrat support. En effet, du fait de cette différence de taille, il n’est pas possible de transférer une couche entière du substrat donneur sur le substrat support. Un procédé de transfert de couche bien connu est le procédé Smart Cut™, dans lequel on forme par implantation d’espèces atomiques dans le substrat donneur une zone de fragilisation délimitant la couche à transférer, on colle le substrat donneur sur le substrat support et on détache le substrat donneur le long de la zone de fragilisation pour transférer la couche du substrat donneur sur le substrat support. Cependant, ce procédé suppose que le substrat donneur et le substrat support présentent une taille identique. Or, si des substrats de silicium sont disponibles avec une taille relativement grande, typiquement un diamètre de 300 mm, d’autres matériaux d’intérêt n’existent actuellement que sous la forme de substrats massifs de plus petite taille, par exemple de 10 ou 15 cm de diamètre. Par ailleurs, ces matériaux d’intérêt sont parfois particulièrement onéreux, de sorte qu’il est souhaitable de minimiser les éventuels déchets formés lors du transfert. Tel est le cas en particulier des matériaux semi-conducteurs III-V, comprenant les nitrures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d’aluminium (AlN)), les arséniures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs) et l’arséniure d’aluminium (AlAs)), et les phosphures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure d’aluminium (AlP)). Au lieu de transférer une couche entière du substrat donneur, une solution basée sur le procédé Smart Cut™ consiste à prélever d’au moins un substrat donneur un ou plusieurs pavés et de reporter lesdits pavés sur un premier substrat, pour former un substrat dit pseudo-donneur, former par implantation d’espèces atomiques une zone de fragilisation dans chaque pavé, coller le substrat pseudo-donneur sur un second substrat par l’intermédiaire des pavés, et détacher chaque pavé le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer une portion de chaque pavé sur le second substrat. Les premier et second substrats présentent une taille identique. La représente une vue de dessus et une vue en coupe d’un substrat support S sur lequel ont été disposés une pluralité de pavés P1-P9 d’au moins un substrat donneur. Dans cet exemple, les pavés sont au nombre de neuf et sont répartis selon trois lignes et trois colonnes. Cependant, un substrat supportant de tels pavés est difficile à utiliser dans les lignes de fabrication conventionnelles de la microélectronique permettant de fabriquer des composants électroniques. De telles lignes de fabrication incluent notamment des équipements de photolithographie, et/ou de métrologie, dont le fonctionnement est perturbé par les différences de hauteur entre la surface principale du substrat et la surface libre des pavés. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Un but de l’invention est de concevoir un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant au moins deux pavés sur un substrat support, qui soit compatible avec les lignes de fabrication conventionnelles de la microélectronique. A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant au moins deux pavés sur un substrat, comprenant : (a) la formation d’un substrat temporaire comprenant un substrat intermédiaire et une pluralité de pavés d’un premier matériau disposés sur le substrat intermédiaire, (b) l’assemblage du substrat temporaire avec un substrat receveur en un second matériau différent du premier matériau par l’intermédiaire desdits pavés, et (c) le retrait du substrat intermédiaire de sorte à transférer au moins une portion des pavés sur le substrat receveur pour former la structure composite, ledit procédé étant caractérisé en ce que le substrat receveur comprend une surface principale à partir de laquelle s’étendent des cavités, le substrat receveur étant assemblé au substrat temporaire du côté de ladite surface principale de sorte que chaque pavé soit reçu dans une cavité respective et en ce que, après le retrait du substrat intermédiaire, la surface libre des portions de pavés soit sensiblement alignée avec la surface principale du substrat receveur. Par « sensiblement alignée » on entend que la surface des pavés et la surface principale du substrat receveur, qui sont des surfaces planes, sont soit coplanaires, soit parallèles et écartées d’une distance (mesurée dans une direction perpendiculaire auxdites surfaces) comprise entre 1% et 10% de l’épaisseur de la portion transférée. Dans le cas d’une distance non nulle, la surface des portions de pavés peut être en relief par rapport à la surface principale du substrat receveur ou, inversement, la surface principale du substrat receveur peut être en relief par rapport à la surface des portions de pavés. En général, on fait en sorte que ladite distance soit inférieure à environ 50 nm. Dans certains modes de réalisation, l’étape (a) de formation du substrat temporaire comprend la formation d’une zone de fragilisation de chaque pavé délimitant une portion de pavé respective à transférer, et l’étape (c) de retrait du substrat intermédiaire comprend le détachement de chaque portion de pavé le long de ladite zone de fragilisation. La formation de ladite zone de fragilisation comprend avantageusement une implantation d’espèces atomiques au sein de chaque pavé. Dans certains modes de réalisation, la formation dudit substrat temporaire comprend le prélèvement de chaque pavé à partir d’au moins un substrat donneur du premier matériau et le placement de chaque pavé sur le substrat intermédiaire, chaque substrat donneur présentant un diamètre inférieur au diamètre du substrat intermédiaire. Dans certains modes de réalisation, le second matériau est avantageusement un matériau semi-conducteur, tel que du silicium ou du carbure de silicium, un matériau piézoélectrique, ou du verre. Dans certains modes de réalisation, le substrat receveur est un substrat de type semi-conducteur sur isolant comprenant successivement un substrat de base, une couche électriquement isolante et une couche du second matériau définissant la surface principale du substrat receveur, et les cavités sont formées dans la couche du second matériau jusqu’à la couche électriquement isolante. De manière alternative, les cavités sont formées dans une région superficielle du substrat receveur constituée du second matériau. Au moins une partie des parois d’au moins une desdites cavités peut avantageusement être recouverte d’un film électriquement isolant, de sorte à isoler électriquement la portion de pavé respective du substrat receveur. Dans d’autres formes d’exécution, le substrat receveur comprend au moins une couche superficielle du second matériau recouverte d’une couche électriquement isolante et les cavités sont formées dans ladite couche électriquement isolante. De préférence, l’assemblage du substrat temporaire sur le substrat receveur peut être réalisé par adhésion moléculaire. De manière particulièrement avantageuse, chaque pavé présente une épaisseur comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm, et la portion transférée de chaque pavé présente une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Chaque cavité peut alors présenter une profondeur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Dans certains modes de réalisation, à l’issue de l’étape (c) de retrait du substrat intermédiaire, la surface libre des portions de pavés est en relief par rapport à la surface principale du substrat receveur, le procédé comprenant en outre une étape de polissage desdites surfaces. Selon des modes de réalisation avantageux, le premier matériau est choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend, avant l’étape (b) d’assemblage du substrat temporaire et du substrat receveur, la formation par épitaxie d’au moins une couche additionnelle d’un troisième matériau sur chaque pavé. Les cavités peuvent être formées par gravure chimique au travers d’un masque présentant des ouvertures à l’emplacement desdites cavités. De manière préférée, chaque cavité est dimensionnée pour recevoir un unique pavé, ladite cavité présentant une forme identique à celle dudit pavé. Un autre objet de l’invention concerne une structure composite comprenant : - au moins deux pavés d’un premier matériau, et - un substrat, dit substrat receveur, en un second matériau distinct du premier matériau, présentant une surface principale, ladite structure composite étant caractérisée en ce que lesdits pavés sont agencés dans des cavités respectives s’étendant dans le substrat receveur à partir de la surface principale, de sorte qu’une surface libre des pavés soit sensiblement alignée avec la surface principale du substrat receveur. Dans certains modes de réalisation, le second matériau est un matériau semi-conducteur massif, tel que du silicium ou du carbure de silicium, un matériau piézoélectrique ou du verre, ou un empilement de plusieurs couches de matériaux semi-conducteurs différents. Dans d’autres modes de réalisation, le substrat receveur est un substrat de type semi-conducteur sur isolant comprenant successivement un substrat de base, une couche électriquement isolante et une couche du second matériau définissant la surface principale du substrat receveur, et les cavités s’étendent dans la couche du second matériau jusqu’à la couche électriquement isolante. Dans d’autres modes de réalisation, les cavités s’étendent dans une région superficielle du substrat receveur constituée du second matériau. Dans certaines formes d’exécution, au moins une partie des parois d’au moins une desdites cavités est recouverte d’un film électriquement isolant. Dans d’autres modes de réalisation, le substrat receveur comprend au moins une couche superficielle du second matériau recouverte d’une couche électriquement isolante et les cavités sont formées dans ladite couche électriquement isolante. De manière particulièrement avantageuse, le premier matériau est choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la est une vue schématique en coupe d’une structure composite selon un mode de réalisation de l’invention ; - les figures 2A à 2D illustrent des étapes de la formation du substrat temporaire ; - les figures 3A à 3H illustrent différentes étapes de préparation du substrat receveur et de transfert des pavés du substrat temporaire sur le substrat receveur, selon un premier mode de réalisation de l’invention ; - les figures 4A à 4F illustrent différentes étapes de préparation du substrat receveur et de transfert des pavés du substrat temporaire sur le substrat receveur, selon un deuxième mode de réalisation de l’invention ; - les figures 5A à 5F illustrent différentes étapes de préparation du substrat receveur et de transfert des pavés du substrat temporaire sur le substrat receveur, selon un troisième mode de réalisation de l’invention. Pour des raisons de lisibilité, les dessins ne sont pas nécessairement réalisés à l’échelle. Par ailleurs, le nombre de pavés schématisés sur les dessins n’est donné qu’à titre d’illustration. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION L’invention propose un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant au moins deux pavés sur un substrat permettant de déposer les pavés dans des cavités dudit substrat, de sorte à faire sensiblement affleurer la surface des pavés avec la surface principale du substrat. Les pavés sont formés d’un premier matériau, qui est de préférence choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Certains de ces matériaux ne sont disponibles que sous forme de substrats de petite dimension, par exemple présentant un diamètre inférieur à 150 ou 200 mm. En revanche, on cherche généralement à former une structure composite présentant la taille la plus grande possible, par exemple de l’ordre de 300 mm. Cette différence de taille entre le substrat du premier matériau et la structure composite est compensée par le fait qu’on ne procède pas à un transfert direct d’une couche du premier matériau sur le substrat de la structure composite, mais que l’on forme un substrat temporaire comprenant un substrat intermédiaire et une pluralité de pavés du premier matériau disposés sur le substrat intermédiaire. Pour former ledit substrat temporaire, on prélève des pavés à partir d’au moins un substrat donneur du premier matériau et on place chaque pavé sur un substrat intermédiaire. Chaque substrat donneur présente typiquement un diamètre inférieur au diamètre du substrat intermédiaire, mais le diamètre du substrat intermédiaire est identique à celui de la structure composite. Selon la densité de pavage à la surface du substrat, il peut être nécessaire d’utiliser plusieurs substrats donneurs. Selon la composition du premier matériau, chaque substrat donneur présente une épaisseur comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm. En principe, notamment pour les matériaux les plus fragiles, on découpe dans chaque substrat donneur des pavés s’étendant sur toute l’épaisseur du substrat donneur. Par conséquent, l’épaisseur des pavés est généralement égale à l’épaisseur du(des) substrat(s) donneur(s), et est donc typiquement comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm. Le placement des pavés sur le substrat intermédiaire peut être réalisé par un robot, dans le cadre d’un procédé connu sous le nom de « Pick and place ». Le substrat intermédiaire servant essentiellement de support mécanique provisoire des pavés avant leur transfert sur un autre substrat pour former la structure composite, le substrat intermédiaire peut être en tout matériau présentant une rigidité suffisante pour supporter les étapes du procédé. Par exemple, mais de manière non limitative, le substrat intermédiaire peut être en silicium. Dans certains modes de réalisation, on peut faire croître au moins une couche additionnelle sur les pavés après leur placement sur le substrat intermédiaire. Ladite couche additionnelle peut être par exemple formée par épitaxie d’un troisième matériau sur le premier matériau. Le troisième matériau peut être identique au premier matériau, auquel cas la couche additionnelle permet d’épaissir les pavés. Dans d’autres applications, le troisième matériau peut être différent du premier matériau. Pour préserver la qualité cristalline de la couche additionnelle, le troisième matériau est de préférence choisi pour présenter un paramètre de maille et un coefficient de dilatation thermique suffisamment proches de ceux du premier matériau. Par exemple, si le premier matériau est InP, le troisième matériau peut être InGaAs, InAlAs, GaAs, … Dans la suite du texte, on appellera « pavé » l’empilement constitué du pavé initialement placé sur le substrat intermédiaire et de la(les) couche(s) additionnelle(s) formées ensuite. Dans certains modes de réalisation, on forme une zone de fragilisation dans chaque pavé de sorte à délimiter une portion de pavé respective destinée à être transférée par la suite sur le substrat de la structure composite. L’épaisseur de ladite portion de pavé à transférer est avantageusement comprise entre 30 nm et 1,5 µm. De manière connue en elle-même, une telle zone de fragilisation peut être formée par implantation d’espèces atomiques au sein de chaque pavé. Lesdites espèces comprennent typiquement de l’hydrogène et/ou de l’hélium. On assemble ensuite le substrat temporaire avec un substrat receveur par l’intermédiaire desdits pavés. Le substrat receveur comprend un second matériau différent du premier matériau. De manière particulièrement avantageuse, le second matériau est choisi parmi les matériaux semi-conducteurs, tels que le silicium ou le carbure de silicium, les matériaux piézoélectriques, ou le verre. Le second matériau peut éventuellement comprendre un empilement de plusieurs matériaux semi-conducteurs différents, par exemple Si/SiGe, Si/SiGe/Si, etc. Le substrat receveur n’est pas nécessairement constitué d’un unique matériau. Ainsi, dans certains modes de réalisation, le substrat receveur peut être un substrat de type semiconducteur sur isolant. Un tel substrat comprend successivement un substrat de base, une couche électriquement isolante et une couche du second matériau. Dans d’autres modes de réalisation, le substrat receveur peut comprendre une couche électriquement isolante, par exemple un oxyde de silicium, recouvrant le second matériau. Selon l’invention, le substrat receveur ne présente pas une surface principale plane mais présente des cavités qui s’étendent dans l’épaisseur du substrat receveur à partir de ladite surface principale. Les cavités présentent, dans le plan de la surface principale du substrat receveur, une taille légèrement supérieure à celle des pavés (cavités et pavés présentant de préférence une forme identique) et sont réparties selon un motif similaire à celui des pavés, chaque cavité étant destinée à recevoir un pavé respectif. Alternativement, une cavité peut être destinée à recevoir plusieurs pavés adjacents. Dans ce cas, la taille de ladite cavité est adaptée pour recevoir l’ensemble des pavés respectifs. Les cavités présentent par ailleurs une profondeur inférieure à l’épaisseur des pavés. Ainsi, lors de l’assemblage du substrat temporaire sur le substrat receveur, chaque pavé est reçu sur au moins une partie de son épaisseur dans une cavité respective et adhère au fond de ladite cavité. Par exemple, dans le cas où les pavés ne comprennent pas de zone de fragilisation, la profondeur des cavités peut être comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm. Dans le cas où les pavés présentent une zone de fragilisation, la profondeur des cavités peut être environ égale à l’épaisseur de la couche à transférer délimitée par la zone de fragilisation. Par exemple, la profondeur des cavités peut être comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Dans certains modes de réalisation, les cavités sont formées par gravure du second matériau, qui se trouve à la surface du substrat receveur. A cet effet, un masque peut être formé au préalable sur la surface du substrat receveur de sorte à recouvrir les zones à protéger. Ledit masque peut être typiquement réalisé en nitrure ou en oxyde de silicium. Le masque présente des ouvertures définissant la surface à graver pour former les cavités. On met ensuite en œuvre la gravure, par exemple une gravure de type humide (l’agent de gravure pouvant être HF, TMAH, KOH) ou sèche (par exemple une gravure ionique réactive, RIE, acronyme du terme anglo-saxon « reactive ion etching ») pour éliminer le second matériau. La durée de la gravure est choisie en fonction de l’épaisseur souhaitée pour les cavités. Dans le cas où le substrat receveur est un substrat de type semiconducteur sur isolant, la couche électriquement isolante sert avantageusement de couche d’arrêt de gravure, de sorte que les cavités s’étendent sur toute l’épaisseur de la couche du second matériau, jusqu’à la couche électriquement isolante. Dans d’autres modes de réalisation, si le second matériau est recouvert d’une couche électriquement isolante, les cavités sont formées par gravure du matériau de ladite couche électriquement isolante. Dans ce cas, le second matériau sert avantageusement de couche d’arrêt de gravure, de sorte que les cavités s’étendent sur toute l’épaisseur de la couche électriquement isolante, jusqu’au second matériau. Les zones restantes de la couche électriquement isolante permettent d’isoler électriquement des pavés adjacents. Dans certains modes de réalisation, après la gravure des cavités, on forme une couche électriquement isolante sur la paroi et le fond des cavités. Une telle couche électriquement isolante peut par exemple être formée par oxydation du second matériau lors d’un recuit dans une atmosphère oxydante. De manière alternative, la couche électriquement isolante peut être formée par un procédé de dépôt, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme du terme anglo-saxon « chemical vapor deposition »). La couche ainsi formée permet d’isoler électriquement les pavés du substrat receveur et d’isoler électriquement des pavés adjacents. La couche d’oxyde peut éventuellement remplir la fonction de couche de collage pour les pavés. Dans le cas où les cavités ont été formées dans une couche électriquement isolante recouvrant le second matériau, il est possible de déposer une couche électriquement isolante additionnelle uniquement sur le fond des cavités, afin d’isoler électriquement les pavés du substrat receveur. Enfin, on retire le substrat intermédiaire de sorte à transférer au moins une portion des pavés sur le substrat receveur pour former la structure composite. Dans certains modes de réalisation, le retrait du substrat intermédiaire peut être réalisé par enlèvement de matière, par exemple en meulant le substrat intermédiaire par sa face opposée au substrat receveur. Dans d’autres modes de réalisation, si les pavés comprennent une zone de fragilisation, on met en œuvre un détachement des pavés le long de la zone de fragilisation, qui peut être initié par une contrainte mécanique, thermique et/ou chimique. On peut alors détacher du substrat receveur le substrat intermédiaire et le reliquat des pavés, la portion des pavés délimitant la zone de fragilisation étant transférée sur le substrat receveur. De préférence, la surface libre des portions de pavés est légèrement en relief par rapport à la surface libre du substrat receveur. Par exemple, la surface libre des portions pavés dépasse d’une hauteur comprise entre 1% et 10% de l’épaisseur totale de la portion transférée de la surface libre du substrat receveur. On peut alors réaliser un polissage de la surface des pavés, pour retirer la zone éventuellement endommagée par l’implantation et pour uniformiser l’épaisseur des pavés. Ledit polissage peut être un polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing »). A l’issue du polissage, la surface libre des pavés est sensiblement alignée avec la surface libre du substrat receveur. Les pavés ou portions de pavés étant logés dans les cavités, la structure composite formée du substrat receveur et des pavés ou portions de pavés présente une surface plane. Lors des étapes ultérieures mises en œuvre sur ladite structure composite, notamment des étapes de photolithographie ou de métrologie, on évite ainsi des défauts d’alignement (connus sous le terme « overlay » dans la terminologie anglo-saxonne) ou des erreurs de mesure. La est une vue schématique en coupe d’une structure composite selon un mode de réalisation de l’invention. Ladite structure comprend des pavés P1, P2, P3 du premier matériau et un substrat 3 du second matériau. Chaque pavé est agencé dans une cavité respective du substrat 3 formée dans la surface principale dudit substrat 3, de sorte que la surface libre des pavés est sensiblement alignée (coplanaire) avec la surface du substrat 3. Comme on le voit mieux dans l’insert qui représente une vue grossie du pavé P3 dans sa cavité, la surface libre de chaque pavé est située à une hauteur h par rapport à la surface du substrat 3. La hauteur h peut être nulle (la surface libre des pavés et la surface principale du substrat étant coplanaires), positive (les pavés étant alors en léger relief par rapport à la surface principale du substrat) ou négative (les pavés étant alors en léger retrait par rapport à la surface principale du substrat). En valeur absolue, la hauteur h est typiquement comprise entre 1 et 10% de l’épaisseur totale de la portion transférée des pavés. Les figures 2A à 2D illustrent des étapes de la formation du substrat temporaire. En référence à la , on découpe des pavés P1, P2, P3 dans un substrat donneur 1 du premier matériau. En général, pour ne pas fragiliser les pavés, les pavés sont découpés dans toute l’épaisseur du substrat donneur. En référence à la , on place chaque pavé P1, P2, P3 sur un substrat intermédiaire 2. Comme indiqué plus haut, ledit substrat intermédiaire a une fonction de support mécanique des pavés avant leur transfert sur le substrat final pour former la structure composite. Le placement des pavés peut être réalisé individuellement (pavé par pavé) au moyen d’un robot. Dans certains modes de réalisation, en référence à la , on peut former une zone de fragilisation 10 dans chaque pavé P1, P2, P3 placé sur le substrat intermédiaire 2, de sorte à délimiter une portion superficielle P’1, P’2, P’3. La zone de fragilisation peut notamment être formée par implantation d’espèces atomiques (schématisée par les flèches) au sein des pavés. Dans certains modes de réalisation, en référence à la , une couche additionnelle 11 peut être formée sur les pavés P1, P2, P3 placés sur le substrat intermédiaire 2. Ladite couche additionnelle peut avantageusement être formée par épitaxie sur chaque pavé. Selon les cas, on utilise comme substrat temporaire dans la suite du procédé de formation de la structure composite le substrat 20 illustré sur les figures 2B, 2C ou 2D. Les modes de réalisation des figures 2C et 2D peuvent éventuellement être combinés. Dans ce cas, on réalise avantageusement la couche additionnelle avant l’implantation des espèces atomiques, afin d’éviter que le budget thermique de croissance de la couche additionnelle ne provoque une fracture prématurée des pavés le long de la zone de fragilisation. Ledit substrat temporaire est destiné à être assemblé à un substrat receveur, afin d’y transférer les pavés ou les portions de pavés. Les figures 3A à 3H illustrent différentes étapes de préparation du substrat receveur et de transfert des pavés du substrat temporaire sur le substrat receveur, dans le cas où le substrat receveur est un substrat de type semiconducteur sur isolant. En référence à la , le substrat receveur 3 comprend successivement un substrat de base 30, une couche électriquement isolante 31, par exemple d’oxyde de silicium (également appelée couche d’oxyde enterrée) et une couche 32 du second matériau. En référence à la , on forme sur la couche 32 un masque 4 présentant des ouvertures à l’emplacement des cavités à former. En référence à la , on grave le second matériau exposé par les ouvertures du masque 4, de préférence sur toute l’épaisseur de la couche 32, pour former des cavités C1, C2, C3. La couche électriquement isolante 31 forme en effet une couche d’arrêt de gravure. En référence à la , on retire le masque 4 de sorte à libérer la surface de la couche 32 restante. Le substrat ainsi obtenu peut être utilisé comme substrat receveur pour recevoir les pavés. Dans un mode de réalisation optionnel, avant l’assemblage du substrat receveur et du substrat temporaire, on peut former une couche électriquement isolante 33 sur les parois des cavités. Ainsi, les parois et le fond des cavités est recouvert du matériau électriquement isolant, ce qui permet d’isoler électriquement les pavés qui vont être transférés dans les cavités des portions de la couche 32 qui s’étendent entre les cavités et du substrat de base 30. En référence à la , on assemble le substrat receveur 3 et le substrat temporaire 20, en mettant en regard les pavés P1, P2, P2 et les cavités C1, C2, C3 correspondantes (sur cette figure, c’est le substrat de la qui a été représenté, mais on pourrait utiliser alternativement le substrat de la ). Comme illustré sur la , l’adhésion des substrats 3 et 20 se fait par l’intermédiaire des pavés et du fond des cavités. En référence à la , on retire le substrat intermédiaire. Dans le mode de réalisation illustré, les pavés présentent une zone de fragilisation 11. Par conséquent, le retrait du substrat intermédiaire et du reste des pavés est réalisé par détachement le long de la zone de fragilisation 11. Seules les portions de pavés P’1, P’2, P’3 sont ainsi transférées sur le substrat receveur. Dans d’autres modes de réalisation (non illustrés), le retrait du substrat intermédiaire peut être réalisé par meulage du substrat par la face opposée au substrat receveur, jusqu’à atteindre la surface principale du substrat 3. Les figures 4A à 4F illustrent différentes étapes de préparation du substrat receveur et de transfert des pavés du substrat temporaire sur le substrat receveur, dans le cas où le substrat receveur est un substrat massif. En référence à la , le substrat receveur 3 est un substrat massif du second matériau. En référence à la , on forme sur le substrat 3 un masque 4 présentant des ouvertures à l’emplacement des cavités à former. En référence à la , on grave le second matériau exposé par les ouvertures du masque 4 pour former des cavités C1, C2, C3. La durée de gravure est ajustée en fonction de la profondeur souhaitée pour les cavités. Ensuite, on retire le masque 4 de sorte à libérer la surface du substrat 3. Le substrat ainsi obtenu peut être utilisé comme substrat receveur pour recevoir les pavés. Dans un mode de réalisation optionnel, illustré sur la , avant l’assemblage du substrat receveur et du substrat temporaire, on peut former une couche électriquement isolante 33 à la surface du substrat 3 de sorte à recouvrir les parois et le fond des cavités. Ladite couche 33 permet d’isoler électriquement les pavés qui vont être transférés dans les cavités du reste du substrat 3. En référence à la , on assemble le substrat receveur 3 et le substrat temporaire 20, en mettant en regard les pavés P1, P2, P2 et les cavités C1, C2, C3 correspondantes (sur cette figure, c’est le substrat de la qui a été représenté, mais on pourrait s’abstenir éventuellement de la couche électriquement isolante 33). L’adhésion des substrats 3 et 20 se fait par l’intermédiaire des pavés et du fond des cavités. En référence à la , on retire le substrat intermédiaire. Dans le mode de réalisation illustré, les pavés présentent une zone de fragilisation 11. Par conséquent, le retrait du substrat intermédiaire et du reste des pavés est réalisé par détachement le long de la zone de fragilisation 11. Seules les portions de pavés P’1, P’2, P’3 sont ainsi transférées sur le substrat receveur. Dans d’autres modes de réalisation (non illustrés), le retrait du substrat intermédiaire peut être réalisé par meulage du substrat par la face opposée au substrat receveur, jusqu’à atteindre la surface principale du substrat 3. Les figures 5A à 5F illustrent différentes étapes de préparation du substrat receveur et de transfert des pavés du substrat temporaire sur le substrat receveur, dans le cas où le substrat receveur comprend un substrat du second matériau recouvert d’une couche électriquement isolante. En référence à la , le substrat receveur 3 comprend un substrat massif 30 du second matériau recouvert d’une couche électriquement isolante 34. En référence à la , on forme sur la couche 34 un masque 4 présentant des ouvertures à l’emplacement des cavités à former. En référence à la , on grave le matériau électriquement isolant exposé par les ouvertures du masque 4, de préférence sur toute l’épaisseur de la couche 34, pour former des cavités C1, C2, C3. Le substrat 30 forme en effet une couche d’arrêt de gravure. En référence à la , on retire le masque 4 de sorte à libérer la surface de la couche 34. Le substrat ainsi obtenu peut être utilisé comme substrat receveur pour recevoir les pavés. En référence à la , on assemble le substrat receveur 3 et le substrat temporaire 20, en mettant en regard les pavés P1, P2, P2 et les cavités C1, C2, C3 correspondantes. L’adhésion des substrats 3 et 20 se fait par l’intermédiaire des pavés et du fond des cavités. En référence à la , on retire le substrat intermédiaire. Dans le mode de réalisation illustré, les pavés présentent une zone de fragilisation 11. Par conséquent, le retrait du substrat intermédiaire et du reste des pavés est réalisé par détachement le long de la zone de fragilisation 11. Seules les portions de pavés P’1, P’2, P’3 sont ainsi transférées sur le substrat receveur. Dans d’autres modes de réalisation (non illustrés), le retrait du substrat intermédiaire peut être réalisé par meulage du substrat par la face opposée au substrat receveur, jusqu’à atteindre la surface principale du substrat 3. Procédé de fabrication d’une structure composite comprenant au moins deux pavés sur un substrat, comprenant : (a) la formation d’un substrat temporaire (20) comprenant un substrat intermédiaire (2) et une pluralité de pavés (P1, P2, P3) d’un premier matériau disposés sur le substrat intermédiaire (2), (b) l’assemblage du substrat temporaire (20) avec un substrat receveur (3) en un second matériau différent du premier matériau par l’intermédiaire desdits pavés (P1, P2, P3), et (c) le retrait du substrat intermédiaire (2) de sorte à transférer au moins une portion (P’1, P’2, P’3) des pavés sur le substrat receveur (3) pour former la structure composite, ledit procédé étant caractérisé en ce que le substrat receveur (3) comprend une surface principale à partir de laquelle s’étendent des cavités (C1, C2, C3), le substrat receveur (3) étant assemblé au substrat temporaire (20) du côté de ladite surface principale de sorte que chaque pavé (P1, P2, P3) soit reçu dans une cavité (C1, C2, C3) respective et en ce que, après le retrait du substrat intermédiaire (2), la surface libre des portions de pavés (P’1, P’2, P’3) soit sensiblement alignée avec la surface principale du substrat receveur (3). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape (a) de formation du substrat temporaire (20) comprend la formation d’une zone de fragilisation (10) de chaque pavé (P1, P2, P3) délimitant une portion (P’1, P’2, P’3) de pavé respective à transférer, et l’étape (c) de retrait du substrat intermédiaire (2) comprend le détachement de chaque portion (P’1, P’2, P’3) de pavé le long de ladite zone de fragilisation (10). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de ladite zone de fragilisation (10) comprend une implantation d’espèces atomiques au sein de chaque pavé (P1, P2, P3). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la formation dudit substrat temporaire (20) comprend le prélèvement de chaque pavé (P1, P2, P3) à partir d’au moins un substrat donneur (1) du premier matériau et le placement de chaque pavé (P1, P2, P3) sur le substrat intermédiaire (2), chaque substrat donneur (1) présentant un diamètre inférieur au diamètre du substrat intermédiaire (2). Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le second matériau est un matériau semi-conducteur, tel que du silicium ou du carbure de silicium, un matériau piézoélectrique, ou du verre. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le substrat receveur (3) est un substrat de type semi-conducteur sur isolant comprenant successivement un substrat de base (30), une couche électriquement isolante (31), et une couche (32) du second matériau définissant la surface principale du substrat receveur, et les cavités (C1, C2, C3) sont formées dans la couche (32) du second matériau jusqu’à la couche électriquement isolante (31). Procédé selon la revendication 5, dans lequel les cavités (C1, C2, C3) sont formées dans une région superficielle du substrat receveur (3) constituée du second matériau. Procédé selon l’une des revendications 6 ou 7, dans lequel au moins une partie des parois d’au moins une desdites cavités (C1, C2, C3) est recouverte d’un film électriquement isolant (33), de sorte à isoler électriquement la portion de pavé (P’1, P’2, P’3) respective du substrat receveur (3). Procédé selon la revendication 5, dans lequel le substrat receveur (3) comprend au moins une couche superficielle du second matériau recouverte d’une couche électriquement isolante (34) et les cavités (C1, C2, C3) sont formées dans ladite couche électriquement isolante (34). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel l’assemblage du substrat temporaire (20) sur le substrat receveur (3) est réalisé par adhésion moléculaire. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel chaque pavé (P1, P2, P3) présente une épaisseur comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm, et la portion (P’1, P’2, P’3) transférée de chaque pavé présente une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Procédé selon la revendication 11, dans lequel chaque cavité (C1, C2, C3) présente une profondeur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel, à l’issue de l’étape (c) de retrait du substrat intermédiaire (2), la surface libre des portions de pavés (P'1, P’2, P’3) est en relief par rapport à la surface principale du substrat receveur (3), le procédé comprenant en outre une étape de polissage desdites surfaces. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le premier matériau est choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Procédé selon l’une des revendications 1 à 14, comprenant, avant l’étape (b) d’assemblage du substrat temporaire (20) et du substrat receveur (3), la formation par épitaxie d’au moins une couche additionnelle (11) d’un troisième matériau sur chaque pavé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 15, dans lequel les cavités (C1, C2, C3) sont formées par gravure chimique au travers d’un masque (4) présentant des ouvertures à l’emplacement desdites cavités. Procédé selon l’une des revendications 1 à 16, dans lequel chaque cavité (C1, C2, C3) est dimensionnée pour recevoir un unique pavé, ladite cavité présentant une forme identique à celle dudit pavé. Structure composite comprenant : - au moins deux pavés (P’1, P’2, P’3) d’un premier matériau, et - un substrat (3), dit substrat receveur, en un second matériau distinct du premier matériau, présentant une surface principale, ladite structure composite étant caractérisée en ce que lesdits pavés (P’1, P’2, P’3) sont agencés dans des cavités (C1, C2, C3) respectives s’étendant dans le substrat receveur (3) à partir de la surface principale, de sorte qu’une surface libre des pavés (P’1, P’2, P’3) soit sensiblement alignée avec la surface principale du substrat receveur (3). Structure selon la revendication 18, dans laquelle le second matériau est un matériau semi-conducteur massif, tel que du silicium ou du carbure de silicium, un matériau piézoélectrique ou du verre, ou un empilement de plusieurs couches de matériaux semi-conducteurs différents. Structure selon la revendication 19, dans laquelle le substrat receveur (3) est un substrat de type semi-conducteur sur isolant comprenant successivement un substrat de base (30), une couche électriquement isolante (31), et une couche (30) du second matériau définissant la surface principale du substrat receveur, et les cavités (C1, C2, C3) s’étendent dans la couche du second matériau jusqu’à la couche électriquement isolante. Structure selon la revendication 19, dans laquelle les cavités (C1, C2, C3) s’étendent dans une région superficielle du substrat receveur (3) constituée du second matériau. Structure selon l’une des revendications 20 ou 21, dans laquelle au moins une partie des parois d’au moins une desdites cavités (C1, C2, C3) est recouverte d’un film électriquement isolant (33). Structure selon la revendication 19, dans laquelle le substrat receveur (3) comprend au moins une couche superficielle du second matériau recouverte d’une couche électriquement isolante (34) et les cavités (C1, C2, C3) sont formées dans ladite couche électriquement isolante (34). Structure selon l’une des revendications 18 à 23, dans laquelle le premier matériau est choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir.