FR 3144413 A1 20240628 FR 2214157 A 20221221 Procédé comprenant les étapes suivantes : a) fournir une structure (100) comprenant un substrat de base (110) recouvert de mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N, le substrat de base (110) comprenant une couche support (114), une première couche de GaN non dopée (111), une deuxième couche de GaN dopée (112), les mésas (120) comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée (123), b) relier la structure (100) et une contre-électrode à un générateur, c) plonger la structure (100) et la contre-électrode dans une solution, d) appliquer une tension ou un courant de manière à porosifier partiellement la troisième couche de GaN (123’) des mésas (120), au moins une zone de la couche de GaN fortement dopée n’étant pas porosifiée, chaque zone non porosifiée formant un canal de conduction électrique entre les faces principales de la troisième couche de GaN porosifiée (123’). Figure pour l’abrégé : 5B. PROCEDE DE POROSIFICATION DE MÉSA FACILITANT LA REPRISE DE CONTACT La présente invention se rapporte au domaine général des micro-écrans couleur. L’invention concerne un procédé pour porosifier des mésas (Al,In, Ga)N/(Al,In,Ga)N. L’invention concerne également une structure ainsi obtenue comprenant des mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N porosifiées. L’invention trouve des applications dans de nombreux domaines industriels, et notamment dans le domaine des micro-écrans couleur à base de micro-LEDs. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les micro-écrans couleurs comprennent des pixels formés de sous-pixels bleus, verts et rouges (pixels RGB). Dans la suite de la description, ces sous-pixels seront désignés plus simplement pixel par souci de concision. Les pixels bleus et verts peuvent être fabriqués à base de matériaux nitrures et les pixels rouges à base de matériaux phosphures. Pour combiner sur le même substrat ces trois types de pixels, la technique dite de « pick and place » est généralement utilisée. Cependant, dans le cas des micro-écrans avec des pixels inférieurs à 10 µm, cette technique ne peut plus être utilisée à cause, non seulement, des problèmes d’alignement, mais aussi du temps nécessaire pour réaliser une telle technique à cette échelle. Pour les écrans avec un grand nombre de pixels (définition élevée), cette technique de « pick and place » est problématique en terme de temps. De plus il faut prélever les pixels sur des plaques (‘wafer’) différents, ce qui nécessite des transferts successifs. Des techniques de transfert en parallèle peuvent également utilisées (‘mass transfert’). Une autre solution consiste à réaliser la conversion de couleurs avec des boîtes quantiques (QD pour « Quantum Dot » en langue anglaise) ou des nanophosphores pompés par des µLEDs bleues issues d’une seule plaque (‘wafer’), soit reportés, soit dans une matrice monolithique (cas préféré pour les micro-écrans). Cependant, le contrôle du dépôt de ces matériaux sur des pixels de faibles dimensions est difficile et leur tenue au flux n’est pas suffisamment robuste. Il est donc crucial de pouvoir obtenir les trois pixels RGB de façon native avec la même famille de matériaux et dont la croissance est réalisée sur le même substrat. Pour cela, l’InGaN est le matériau le plus prometteur. Ce matériau peut, en effet, théoriquement couvrir tout le spectre visible en fonction de sa concentration en indium. Les micro-LEDs bleues à base d’InGaN montrent déjà une luminance élevée, bien supérieure à leurs homologues organiques. Pour émettre à des longueurs d’onde dans le vert, les puits quantiques (PQs) de la LED doivent contenir au moins 25% d’indium et pour une émission dans le rouge, il est nécessaire d’avoir au moins 35% d’indium. Malheureusement, la qualité du matériau InGaN au-delà de 20% d’In est dégradée en raison de la faible miscibilité de l’InN dans le GaN, mais aussi en raison de la forte contrainte compressive inhérente à la croissance de la zone active InGaN sur GaN. Il est donc essentiel de pouvoir réduire la contrainte globale dans les structures à base de GaN/InGaN. Actuellement, une des solutions les plus prometteuses consiste à porosifier la couche de GaN, comme décrit par exemple, dans les deux articles de Pasayat et al. (Materials 2020, 13, 213 ; Appl. Phys. Lett. 116 111101 (2020)). Le procédé décrit dans ces articles comprend les étapes suivantes : - fournir un empilement comprenant un substrat en saphir recouvert par une couche de GaN non intentionnellement dopée (GaN nid), une couche de GaN dopée Si n+ (5e10 18 at/cm 3 ) et une couche d’InGaN ou de GaN non intentionnellement dopée, - graver partiellement l’empilement pour former les mésas GaN/InGaN ou GaN/GaN ; l’épaisseur de la couche dopée n’est gravée que partiellement pour que la couche dopée résiduelle en fond de mésa permette la polarisation de la couche dopée de toutes les mésas (‘polarisation ring’ ou polarisation bord de plaque par exemple) - réaliser une étape de porosification électrochimique dans une solution d’acide oxalique (0,3M), la couche de GaN dopée jouant le rôle d’anode et un fil de platine jouant le rôle de cathode. La couche porosifiée de GaN ainsi obtenue peut permettre de faire croitre une structure LED nitrure à base d’InGaN de meilleure qualité cristalline, grâce à la relaxation des mésas poreux générés. D’autres articles citent l’utilisation de GaN poreux pour des dispositifs optoélectroniques, par exemple l’article de Zhang et al. (‘A resonant cavity blue-violet light-emitting diode with conductive nanoporous distributed Bragg reflector’, Phys. Status Solidi A 214, 1600866 (2017)) et l’article de Zhou et al. (‘Thermal transport of nanoporous gallium nitride for photonic applications’, Journal of Applied Physics 125, 155106 (2019)). Pour réaliser un micro-écran à couleur native à base de micro-LEDs rouge, vert, bleu (RGB) tout InGaN avec des mésas poreuses, le procédé comprend, par exemple, les étapes suivantes : - fournir une structure comprenant un substrat recouvert de mésas ( ) : le substrat comprenant une couche support 14, une couche tampon 15, une couche GaN non intentionnellement dopée 11, une couche GaN dopée ou fortement dopée 12, les mésas comprenant une couche GaN porosifiée 23’ et une couche de GaN nid 24 les mésas étant recouvertes par une LED ré-épitaxiée 30 comprenant du n-InGaN 30 et du p-InGan 31, et plus particulièrement au-moins une couche n-InGaN 30, une zone active avec des puits quantiques et une couche supérieure de p-InGaN 31, - former une électrode 21 sur la structure obtenue : l’électrode 21 vient contacter au-moins une partie de la couche de p-InGaN 30 supérieure (si cette électrode est également présente sur les flancs de la LED, elle peut être isolée de l’électrode 21 par une couche diélectrique 22 qui peut recouvrir les flancs des couches 30 et 31 et/ou une partie de la couche 31 par exemple) ; puis reporter l’ensemble sur un substrat final 20 ( ), comportant un via (non représenté), par exemple par collage métal-métal, - retirer le substrat de croissance, puis réaliser une reprise de contact, par exemple une reprise de contact cathode 50 sur le n-GaN avec un oxyde conducteur transparent (TCO) 45 sans métal occultant ( ) ; des couches de passivation 40 peuvent recouvrir le TCO 45. Cependant, comme il y a une réduction de la conduction électrique verticale à travers les mésas porosifiées, il peut être difficile d’injecter du courant dans le n-InGaN à travers les mésas poreux. De même, la dissipation thermique est mauvaise. Ces deux facteurs réduisent la fiabilité du dispositif obtenu. Afin d’améliorer l’intégration, il est possible de réaliser une reprise de contact de l’InGaN sur la cathode après report. Pour cela, deux approches sont envisageables. Dans une première approche ( à 2C), il est possible de retirer complètement la partie poreuse des mésas. Après retrait du substrat de croissance, une gravure est réalisée jusqu’au n-InGaN de la LED 30. Il est alors possible de réaliser une reprise de contact 50 métal sur la cathode. Une couche électriquement isolante 40 protège la LED 30. Cependant, cette première approche présente plusieurs inconvénients : après retrait du support 14, il est difficile de contrôler à l’échelle du substrat (‘wafer’) le retrait de l’ensemble des couches (Al,Ga,In)N pour s’arrêter dans la couche n-InGaN 30 que l’on veut contacter, sans atteindre la couche active de la LED. En effet, l’épitaxie et surtout le(s) procédé(s) de retrait des couches utilisés génèrent une non-uniformité liée à la forte épaisseur de l’empilement à retirer et la tolérance pour s’arrêter dans la couche 30 de n-InGaN est faible du fait de sa faible épaisseur. De plus, la forte topographie de la reprise de contact est difficilement compatible avec une électrode en oxyde transparent conducteur. Le contact 50 de la cathode métallique est occultant, ce qui réduit l’extraction. Dans une deuxième approche représentée sur les figures 3A à 3C, il est possible de retirer partiellement la partie poreuse 23’ des mésas puis de graver localement la couche poreuse 23’ pour prendre contact sur la couche d’InGaN non poreuse de la LED 30. Ceci permettrait d’améliorer l’extraction optique grâce à la présence de poreux résiduel en surface. Pour cela, une gravure localisée du poreux doit être réalisée, avec un arrêt dans la couche de n-InGaN fin. Des problèmes de non-uniformité peuvent en résulter, comme pour la première approche. Le contact de la cathode métallique est toujours occultant, ce qui réduit l’extraction. Dans ces deux procédés de fabrication de matrices de micro LED, on introduit une variation de l’épaisseur (TTV : « total thickness variation ») du GaN, non seulement à l’échelle de la tranche (« wafer ») mais aussi de tranche à tranche. Ces variations d’épaisseurs proviennent à la fois des variations d’épaisseur de l’épitaxie mais surtout des procédés d’amincissement ou des procédés de planarisation utilisés afin d’enlever les couches tampons (« buffer ») de l’épitaxie épaisses de plusieurs microns, du fait des non uniformités des procédés utilisés. Un but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication de micro-LEDs remédiant aux inconvénients de l’art antérieur, et en particulier un procédé permettant de réaliser facilement un contact sur le n-InGaN avec la cathode tout en conservant une bonne extraction. Pour cela, la présente invention propose un procédé de fabrication et de porosification de mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant les étapes suivantes : a) fournir une structure comprenant un substrat de base recouvert de mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N, le substrat de base comprenant une couche support, éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N, une première couche de GaN non dopée, une deuxième couche de GaN dopée, les mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N ayant une première face principale et une deuxième face principale, la troisième couche de (Al,In,Ga)N étant fortement dopée ou la troisième couche de (Al,In,Ga)N comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones, la deuxième partie ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique, une partie de la deuxième couche de GaN dopée pouvant se prolonger dans les mésas, b) relier électriquement la structure et une contre-électrode à un générateur de tension ou de courant, c) plonger la structure et la contre-électrode dans une solution électrolytique, d) appliquer une tension ou un courant entre la structure et la contre-électrode de manière à porosifier partiellement la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée des mésas ou de manière à porosifier la première partie fortement dopée de la troisième couche de (Al,In,Ga)N des mésas, moyennant quoi on obtient une couche de (Al,In,Ga)N comprenant une première partie porosifiée et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones non porosifiées, chaque zone non porosifiée allant de la première face principale à la deuxième face principale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée pour former un canal de conduction électrique. L’invention se distingue fondamentalement de l’art antérieur par la présence d’une ou plusieurs zones non porosifiées dans les mésas. Les zones non porosifiées ont une conductivité électrique plus élevée que les zones porosifiées. Ces zones non porosifiées forment donc des canaux de conduction électriques. Avantageusement, lors de l’étape a), une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée recouvre la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée des mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N ou en ce que, après l’étape d), une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée est déposée sur la troisième couche de (Al,In,Ga)N porosifiée. Avantageusement, la quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée est une couche de GaN. Avantageusement, la structure comprend en outre une couche additionnelle de GaN fortement dopée disposée entre la première couche de GaN non dopée et la deuxième couche de GaN dopée. Selon un premier mode de réalisation avantageuse, l’étape d) est réalisée en arrêtant la tension ou le courant avant la porosification complète de la troisième couche de (Al,In,Ga)N, moyennant quoi la zone non porosifiée correspond à la partie centrale de la couche de (Al,In,Ga)N porosifiée (c’est-à-dire que la partie porosifiée entoure la partie porosifiée). Ceci permet de préserver des zones non porosifiées au cœur des mésas en interrompant la porosification électrochimique avant achèvement. Ainsi, en choisissant les conditions de porosification électrochimique, l’anodisation est partielle: elle s’arrête avant d’avoir porosifié le cœur des mésas. La conductivité du cœur non porosifié reste intacte et forme un canal de conduction privilégié. La relaxation des bords est privilégiée naturellement par les surfaces libres. Selon un deuxième mode de réalisation avantageux, une ou plusieurs zones, ayant une deuxième conductivité, sont formées dans la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée, la deuxième conductivité étant au moins dix fois inférieure à la première conductivité, moyennant quoi lors de l’étape d), la ou les zones ne sont pas porosifiées et forment des canaux de conduction électrique. La deuxième conductivité est obtenue, par exemple, en dégradant localement la conductivité des mésas par implantation ionique. L’implantation ionique permet de « dé-doper » des zones (i.e. de diminuer la conductivité électrique des zones) qui ne seront pas ou peu porosifiées pendant le procédé d’anodisation, très sélectif au dopage. La baisse de conductivité permet de préserver des canaux de conduction. La ou les zones de deuxième conductivité ne sont pas ou peu porosifiées lors de l’étape d). Avantageusement, après l’étape d), le procédé comprend une étape au cours de laquelle un traitement thermique est réalisé, moyennant quoi la deuxième conductivité électrique est augmentée et des zones ayant une troisième conductivité électrique sont obtenues. Ce recuit de guérison permet de récupérer au moins partiellement la conductivité de la zone implantée. La troisième conductivité électrique est supérieure à la deuxième conductivité électrique. Elle est inférieure ou égale à la première conductivité électrique. Selon un autre mode de réalisation, la ou les zones de la troisième couche de (Al,In,Ga)N forment des couronnes, chaque couronne délimitant un cœur ayant de préférence une conductivité électrique au moins dix fois supérieure à la deuxième conductivité électrique, moyennant quoi lors de l’étape d), les cœurs ne sont pas porosifiés et forment des canaux de conduction électrique. Les couronnes s’étendent de la première face principale à la deuxième face principale de la troisième couche de de (Al,In,Ga)N fortement dopée. Ceci permet de créer, au centre des couronnes présentant une conductivité dégradée, des canaux n++ dans les mésas. Le n++ GaN des canaux dans les mésas reste ainsi intact sans implantation ni porosification car il est protégé avec la « coquille » moins dopée, voire non dopée. La coquille de moindre conductivité est, par exemple, obtenue par implantation ionique, notamment par implantation de He. Ainsi, la zone dé-dopée est en forme de tube. Cette option permet de conserver le dopage originel épitaxié. La conductivité électrique au centre de la couronne est, par exemple, identique à la première conductivité électrique. L’épaisseur de la coquille (i.e. l’épaisseur des “murs” du tube) est de préférence d’au moins 250nm. L’épaisseur est définie par les limitations de la lithographie et de l’implantation. La troisième couche de (Al,In,Ga)N de l’étape a) peut être obtenue selon les étapes suivantes : - fournir une couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée ayant une première conductivité électrique, - diminuer localement la conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N, pour former une couche de (Al,In,Ga)N comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones, ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique. La deuxième conductivité est obtenue, par exemple, en dégradant localement la conductivité des mésas par implantation ionique. L’implantation ionique permet de « dé-doper » des zones (i.e. de diminuer la conductivité électrique des zones) qui ne seront pas ou peu porosifiées pendant le procédé d’anodisation, très sélectif au dopage. La baisse de conductivité permet, notamment, de préserver des canaux de conduction. La ou les zones de deuxième conductivité ne sont pas ou peu porosifiées lors de l’étape d). Selon une autre variante de réalisation avantageuse, la troisième couche de (Al,In,Ga)N de l’étape a) est obtenue selon les étapes suivantes : - fournir une couche de (Al,In,Ga)N ayant une deuxième conductivité électrique, - augmenter localement la conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N, pour former une couche de (Al,In,Ga)N comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones, ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique. La conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N peut être augmentée, par exemple, par implantation ionique de Si. Un recuit de guérison peut être également réalisé. Avantageusement, le premier empilement comprend trois groupes de mésas, chaque groupe de mésas étant destiné à former une micro-LED rouge, vert ou bleu, chaque groupe mésas ayant un taux de porosification ou un pourcentage de surface porosifiée différent. L’invention concerne également un procédé de fabrication de micro-LED comprenant les étapes successives suivantes : i) mise en œuvre du procédé de fabrication de mésas tel que défini précédemment, ii) mise en œuvre des étapes e) à g) suivantes : e) sur la structure obtenue à l’étape i), réaliser une reprise d’épitaxie pour former des LED ré-épitaxiées comprenant des couches des couches n-InGaN et une couche d’InGaN dopée p, puis former une électrode de contact (l’électrode de contact étant une électrode dite supérieure avant report et cette même électrode étant dite inférieure après report), une couche de passivation pouvant être positionnée entre l’électrode de contact (anode) et la couche d’InGaN dopée p, la couche de passivation recouvrant localement la couche d’InGaN dopée p, par exemple au niveau des flancs de la couche de la couche d’InGaN dopée p, f) reporter la structure sur un substrat, par exemple par collage métal-métal, g) retirer la couche support, le cas échéant la couche tampon en (Al,Ga)N, la première couche de GaN non dopée et une partie ou la totalité de la deuxième couche de GaN dopée (il est possible d’arrêter la gravure dans cette couche pour que la partie restante fasse partie de la mésa), h) réaliser une reprise de contact sur la zone non porosifiée ou au moins sur une des zones non porosifiées de la couche de (Al,In,Ga)N porosifiée Un tel procédé est particulièrement avantageux car il est possible de : - générer des mésas avec des relaxations différentes pour permettre la coépitaxie en préservant la conduction - utiliser l’implantation ionique à l’échelle mésa ou intra mésa pour faire varier la relaxation (canal monolithique) - utiliser l’implantation ionique à l’échelle mésa ou intra mésa pour faire varier la relaxation (canal cœur-coquille) - choisir la zone implantée pour avoir une uniformité de relaxation et/ou une optimisation pour la circulation de l’électrolyte - diminuer la conductivité sur toute la surface du canal par implantation à partir de n++ (et éventuellement de réaliser un recuit de guérison) - moduler les conditions d’implantation pour diminuer à souhait la conductivité du canal ou de la coquille. L’invention concerne également une structure comprenant un substrat de base recouvert de mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N porosifiées, le substrat de base comprenant une couche support, éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N, une première couche de GaN non dopée et une deuxième couche de GaN dopée, les mésas GaN/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée ayant une première face principale et une deuxième face principale, et, de préférence, une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée, une partie de la deuxième couche de GaN dopée se prolongeant dans les mésas ou une partie de la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée se prolongeant dans le substrat de base, la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée comprenant une ou plusieurs zones non porosifiées, chaque zone non porosifiée allant de la première face principale à la deuxième face principale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée pour former un canal de conduction électrique. Avantageusement, la structure comprend en outre une couche additionnelle de GaN fortement dopée disposée entre la première couche de GaN non dopée et la deuxième couche de GaN dopée. Une telle structure présente de nombreux avantages : - une meilleure tolérance lors de l’étape de gravure, et notamment pour l’arrêt de gravure III-N post report, - une moindre topographie pour la reprise de contact pour la cathode (via + métal ou oxyde transparent conducteur (TCO)), - un bon compromis entre le taux de relaxation et la conduction verticale. L’invention concerne également un dispositif optoélectronique comprend successivement : - un substrat support, recouvert par une électrode inférieure, - une LED ré-épitaxiée comprenant des couches des couches n-InGaN et une couche d’InGaN dopée p, - une couche de GaN non dopée ou faiblement dopée, - une couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée, ayant une première face principale et une deuxième face principale, la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée comprenant une ou plusieurs zones non porosifiées allant de la première face principale à la deuxième face principale pour former un canal de conduction électrique, - une reprise de contact sur la zone non porosifiée ou au moins sur une des zones non porosifiées de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée. Ces zones non porosifiées limitent l’impact sur la perte de charge (Vf plus élevé) et/ou améliorent l’extraction optique en diminuant voire supprimant l’occultation partielle. De plus, le (ou les) canal (canaux) non poreux favorisent la dissipation thermique, ce qui augmente la fiabilité. Ainsi, il est possible de supprimer l’occultation partielle due aux métaux, en prenant le contact cathode à l’aplomb du n-(In,Al,Ga)N exclusivement avec un TCO (i.e. sans métal occultant), et en ajoutant une reprise de contact métallique, par exemple, par une grille placée dans les interpixels permettant d’homogénéiser le potentiel appliqué sur la cathode. De plus, la présence des zones porosifiées permet de : - relâcher les spécifications pour la gravure de l’empilement AlGaN/GaN épais pour accéder électriquement au n-InGaN en limitant la perte de charge, - Réduire la topographie pour la reprise de contact cathode permettant d’utiliser un TCO sans occultation, - moduler la forme et le nombre des zones d’injection non porosifiées pour permettre une relaxation maximale au centre de la mésa et limiter la non-uniformité de relaxation à l’échelle mésa, - améliorer l’extraction optique (cet effet est basé sur un phénomène de diffusion optique dans le cas gros pores). D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront du complément de description qui suit. Il va de soi que ce complément de description n’est donné qu’à titre d’illustration de l’objet de l’invention et ne doit en aucun cas être interprété comme une limitation de cet objet. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d’exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : La La La , précédemment décrite, représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de fabrication et de report d’une micro-LED selon l’art antérieur. La La La , précédemment décrite, représentent, de manière schématique et en coupe, différentes étapes pour former une reprise de contact à partir de la structure de la selon un procédé de l’art antérieur. La La La , précédemment décrite, représentent, de manière schématique et en coupe, différentes étapes pour former une reprise de contact à partir de la structure de la selon un autre procédé de l’art antérieur, La La La La représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une microLED selon un mode de réalisation particulier de l’invention. La La représentent de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une mésa selon un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention, les structures sont représentées en coupe selon la ligne en pointillés des figures 5C et 5D. La La représentent en vue de dessus, les mésas des figures 5A et 5B respectivement, selon la ligne de coupe représentée en pointillé sur les figures 5A et 5B, La La La La représentent de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une mésa selon un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention, les structures sont représentées en coupe selon les lignes en pointillés des figures 6E, 6F, 6G et 6H. La La La La représentent en vue de dessus, les mésas des figures 6A, 6B, 6C et 6D respectivement, selon la ligne de coupe représentée en pointillé sur les figures 6A, 6B, 6C et 6D. La La La La , représentent de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une mésa selon une variante du deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention, les structures sont représentées en coupe selon les lignes en pointillés des figures 7E, 7F, 7G et 7H. La La La La représentent en vue de dessus, les mésas des figures 7A, 7B, 7C et 7D respectivement, selon la ligne de coupe représentée en pointillé sur les figures 7A, 7B, 7C et 7D, La La La représentent de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de fabrication d’une mésa selon un troisième mode de réalisation du procédé selon l’invention, les structures sont représentées en coupe selon les lignes en pointillés des figures 8D, 8E et 8F, La La La , représentent en vue de dessus, les mésas des figures 8A, 8B et 8C respectivement, selon la ligne de coupe représentée en pointillé sur les figures 8A, 8B et 8C. La est un cliché obtenu au microscope électronique à balayage d’une mésa obtenue selon le premier mode de réalisation de l’invention. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n’étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation, tels que « dessus », « dessous », etc. d’une structure s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée sur les figures. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Bien que cela ne soit aucunement limitatif, l’invention trouve particulièrement des applications dans le domaine des micro-écrans couleurs, et plus particulièrement pour la fabrication des pixels rouge vert bleu. Cependant, elle pourrait être utilisée dans le domaine du photovoltaïque ou encore de l’électrolyse de l’eau (« water splitting ») puisque, d’une part, l’InGaN absorbe dans tout le spectre visible et que, d’autre part, ses bandes de valence et de conduction sont autour du domaine de stabilité de l’eau, condition thermodynamique nécessaire à la réaction de décomposition de l’eau. L’invention peut également être intéressante pour la fabrication de LED ou de laser émettant à grande longueur d’onde. Le procédé est particulièrement intéressant pour fabriquer des structures comprenant des mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N porosifiées ayant, notamment, un pas inférieur à 30 µm. Par (Al,In,Ga)N, on entend AlN, AlGaN, InGaN ou GaN. Par la suite, on fait plus particulièrement référence à du GaN poreux, mais avec un tel procédé, il est possible d’avoir, par exemple, de l’InGaN ou du AlGaN poreux. La couche dense en InGaN (en compression) ou la couche dense en AlGaN (en tension) va se relaxer grâce à une structure poreuse quelle que soit sa composition. Nous allons maintenant décrire plus en détail le procédé de porosification de (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N en faisant référence aux figures 4A à 4D, 5A à 5D, 6A à 6H, 7A à 7H et 8A à 8F. Le procédé de porosification de mésas 120 de (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprend les étapes suivantes : a) fournir une structure 100 comprenant un substrat de base 110 recouvert de mésas 120 (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N (figures 5A, 6A-6B, 7A-7B, 8A-8B), le substrat de base 110 comprenant successivement : - une couche support 114, - éventuellement une couche tampon 115 en (Al,Ga)N, notamment dans le cas d’une couche support 114 en silicium, - une première couche de GaN non dopée 111, - avantageusement, une couche additionnelle fortement dopée, - une deuxième couche de GaN dopée 112, les mésas 120 (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N destinée à être partiellement porosifiée, la troisième couche de (Al,In,Ga)N 123 étant fortement dopée ou la troisième couche de (Al,In,Ga)N 123 comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones 125, la deuxième partie ayant une deuxième conductivité au moins dix fois inférieure à la première conductivité, une partie de la deuxième couche de GaN dopée 112 pouvant se prolonger dans les mésas 120, b) relier électriquement la structure 100 et une contre-électrode à un générateur de tension ou de courant, c) plonger la structure 100 et la contre-électrode dans une solution électrolytique, d) appliquer une tension ou un courant entre la structure 100 et la contre-électrode de manière à porosifier partiellement la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123 des mésas 120 ou de manière à porosifier la première partie fortement dopée de la troisième couche de (Al,In,Ga)N 123 des mésas (la ou les zones 125 de la deuxième partie n’étant pas porosifiée), moyennant quoi on obtient une couche de (Al,In,Ga)N comprenant une première partie porosifiée 123’ et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones non porosifiées 125, chaque zone non porosifiée 125 allant de la première face principale à la deuxième face principale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée 123’ pour former un canal de conduction électrique (figures 4A, 5B, 6C, 7C, 8C). Lors de l’étape a), une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée 124 peut recouvrir la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123 des mésas 120 (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N. Alternativement, après l’étape d), une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée 124 peut être déposée sur la troisième couche de (Al,In,Ga)N porosifiée 123’. Après l’étape d), le dopage de la couche de reprise d’épitaxie n’est pas critique puisque la porosification a déjà été faite. La structure 100 fournie à l’étape a) est, par exemple, obtenue en fournissant puis gravant localement un empilement comprenant successivement : - une couche support 114, - éventuellement, une couche tampon 115 en (Al,Ga)N, notamment dans le cas d’une couche support 114 en silicium, - une première couche de nitrure de de gallium GaN non dopée 111, - éventuellement, une couche additionnelle de GaN fortement dopée (non représentée sur les figures), - une deuxième couche de GaN dopée (GaN n) 112, - une troisième couche de GaN fortement dopée (GaN n+ ou GaN n++) 123 ou une troisième couche de GaN comprenant une première partie fortement dopée et une deuxième partie moins dopée 125, et - une quatrième couche en AlN, InGaN ou GaN (noté (Al,In,Ga)N) non intentionnellement dopée (nid) ou faiblement dopée 124 le cas échéant. De préférence, l’empilement est constitué des couches précédemment citées. Autrement dit, il ne comporte pas d’autres couches. Selon un mode de réalisation avantageux, une première partie de la deuxième couche 112 fait partie du substrat de base 110 et une deuxième partie de la deuxième couche 112 fait partie des mésas 120. Les mésas 120 sont formées en gravant une partie de la quatrième couche 124, la troisième couche 123 et une première partie de la deuxième couche dopée 112 (figures 4A, 5A, 6A et 7A). En arrêtant la gravure dans la couche dopée, toute la hauteur de la troisième couche n++ 123 est disponible pour la relaxation. Chaque mésa 120 comprend successivement depuis la base : la deuxième partie de la couche de GaN dopée 112, la troisième couche de GaN 123 et la quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée 124. La première partie de la deuxième couche de GaN dopée 112 protège la couche additionnelle 113 lors de l’étape de porosification. Ainsi, la couche additionnelle n’est pas en contact avec la solution. La première partie de la couche GaN dopée est une couche commune à toutes les mésas. La structuration de l’empilement est, par exemple, réalisée par photolithographie. Ainsi, on obtient une structure 100 comprenant un substrat de base 110 surmonté d’une pluralité de mésas 120 en (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N. Les mésas 120, aussi appelées élévations, sont des éléments en relief. Elles sont obtenues, par exemple, par gravure d’une couche continue ou de plusieurs couches continues superposées, de manière à ne laisser subsister qu’un certain nombre de "reliefs" de cette couche ou de ces couches. La gravure est de préférence réalisée avec un masque dur, par exemple SiO 2 . Après gravure des mésas, ce masque dur est retiré par un procédé chimique humide avant porosification. Il est également possible de retirer ce masque dur après porosification, en le dégageant uniquement, dans les zones servant à la polarisation pour la polarisation électrochimique. Avantageusement, le masque est retiré avant l’étape de porosification. De préférence, les flancs des mésas 120 sont perpendiculaires à cet empilement de couches. La surface des mésas peut être, par exemple, circulaire, hexagonale, carrée ou rectangulaire. La plus grande dimension de la surface des mésas 120 va de 500nm à 500µm, de préférence de 1 à 10µm et encore plus préférentiellement de 3 à 5 µm. Par exemple, la plus grande dimension d’une surface circulaire est le diamètre. L’épaisseur (ou profondeur) des mésas correspond à la dimension de la mésa perpendiculaire à l’empilement sous-jacent. La profondeur des mésas va de 0,3 à 2µm, de préférence de 0,5 à 1µm. L’espacement entre deux mésas 120 consécutives va de 50nm à 20µm. Les mésas 120 peuvent avoir des dopages identiques ou différents. Plus le taux de dopage est élevé, et plus la porosification sera importante à potentiel fixe. La relaxation de la quatrième couche 124 de (Al,In,Ga)N dense dépend du taux de porosification des mésas. Ainsi, des quantités différentes d’indium pourront être intégrées lors de la ré-épitaxie d’InGaN sur la couche dense 124 (grâce à la réduction du « compositionnal pulling effect » (i.e. du poussage des atomes d’In vers la surface, les empêchant de s’incorporer dans la couche). On obtiendra ainsi, après épitaxie de la structure LED complète, des mésas bleues, vertes et rouges (RGB) sur un même substrat, et en une seule étape de croissance, si l’écart entre les niveaux de relaxation des mésas est suffisant. La couche support 114 est, par exemple en saphir ou en silicium. La couche support 114 a, par exemple, une épaisseur allant de 250µm à 2mm. L’épaisseur dépend de la nature de la couche support 114 et de ses dimensions. Par exemple, pour une couche support en saphir de 2 pouces de diamètre, l’épaisseur peut être de 350 µm. Pour une couche support en saphir de 6 pouces de diamètre, l’épaisseur peut être de 1,3mm. Pour une couche support en silicium de 200mm de diamètre, l’épaisseur peut être 1mm. Dans le cas d’une couche support 114 en silicium, une couche tampon (‘buffer’) en (Al,Ga)N est, avantageusement, interposée entre la couche support 114 et la couche nid GaN 111. La première couche 111 est une couche en GaN non dopée. Par non dopée, on entend non intentionnellement dopée (nid). C’est une couche nid pour ne pas être porosifiée. Par GaN non intentionnellement dopée, on entend, sans ajout volontaire d’espèce dopante lors de la croissance du GaN, une concentration inférieure à 1 e 17at/cm 3 . La première couche 111 en GaN nid a, par exemple, une épaisseur allant de 500nm à 5µm. Avantageusement, son épaisseur est entre 1 et 4 µm pour absorber les contraintes liées au désaccord de maille entre le GaN et le substrat. La deuxième couche 112 est une couche en GaN dopée. Par GaN dopée, on entend une concentration entre 6.10 17 at/cm 3 et 5.10 18 at/cm 3 , de préférence entre 8.10 17 at/cm 3 et 2.10 18 at/cm 3 . La deuxième couche 112 en GaN a, par exemple, une épaisseur allant de 300nm à 1µm, préférentiellement entre 400 et 700nm. Elle doit être suffisamment électriquement conductrice pour pouvoir réaliser une reprise de contact sur cette couche lors de l’étape d’anodisation électrochimique. L’épaisseur minimale varie en fonction du taux de dopage. L’épaisseur de la couche 112 sera choisie de manière à protéger, le cas échéant, la couche enterrée fortement dopée lors de l’anodisation. Cette couche électriquement conductrice peut être électriquement connectée au générateur de tension ou de courant. La troisième couche 123 peut être une couche de GaN fortement dopée. Par GaN fortement dopée, on entend une concentration supérieure à 6.10 18 at/cm 3 , de préférence supérieure à 8.10 18 at/cm 3 , voire supérieure à 10 19 at/cm 3 . La concentration est, par exemple, comprise entre 6. 10 18 at/cm 3 et 2 .10 19 at/cm 3 , préférentiellement entre 7.10 18 at/cm 3 et 1.10 19 at/cm 3 dans le cas d’un dopage n au Si. Dans le cas d’un dopage Ge, par exemple par épitaxie aux organométallique en phase vapeur (MOCVD), des taux de dopage plus élevés, typiquement jusqu’à 1.10 20 at/cm 3 peuvent être obtenus. La troisième couche 123 a, par exemple, un dopage dix fois plus élevé que la deuxième couche 112. Elle a une épaisseur comprise entre 200nm et 2 µm, de préférence de 500 nm à 1µm. La troisième couche peut être une couche de GaN 123 comprenant une première partie fortement dopée dans laquelle sont disposées une ou plusieurs zones 125. Le taux de dopage de la ou des zones 125 au moins dix fois inférieur au taux de dopage de la première partie fortement dopée. Nous détaillerons par la suite la fabrication de cette couche structurée de manière à avoir différents taux de dopage. La quatrième couche 124 est une couche (Al,In,Ga)N non intentionnellement dopée ou faiblement dopée. Par (Al,In,Ga)N faiblement dopé, on entend un dopage entre 2.10 17 at/cm 3 et 1.10 18 at/cm 3 . Par non dopée, on entend un taux de dopage inférieur à 1 e 17at/cm 3 , en particulier pour une couche de GaN. Par exemple, dans le cas d’une couche d’InGaN, le dopage est inférieur à 5.10 17 at/cm 3 . La porosification d’une couche dopée donnée dépendra tout d’abord du potentiel appliqué. De plus, si la couche à porosifier est fortement dopée, les couches faiblement dopées (typiquement ayant un dopage inférieur d’au moins une décade par rapport au dopage de la couche à porosifier) ne seront pas porosifiées. Il peut s’agir d’une couche en AlN, AlGaN, InGaN ou GaN. Elle a par exemple une épaisseur entre 10nm et 200nm, de préférence entre 50 et 200nm. Le dopage est suffisamment faible de manière à ce que cette couche ne soit pas porosifiée lors de l’étape d). Cette couche 124 n’est pas ou peu impactée par la porosification et sert de germe pour une reprise de croissance. Cette couche 124 est continue pour assurer la qualité de la couche réépitaxiée, d’une couche d’(In,Ga)N par exemple, sur la structure. La couche additionnelle a une épaisseur comprise, par exemple, entre 500nm à 5 µm, de préférence entre 1µm et 3µm. De préférence, elle a une concentration de dopage supérieure ou égale à 5.10 18 at.cm 3 , de préférence supérieure à 6.10 18 at.cm 3 , encore plus préférentiellement supérieure à 8.10 18 at.cm 3 , voire supérieure à 10 19 at.cm 3 , par exemple de 1,5. 10 19 at.cm 3 . Elle a une concentration en dopage, par exemple, comprise entre 6. 10 18 at/cm 3 et 2 10 19 at/cm 3 , préférentiellement entre 7.10 18 at/cm 3 et 1.10 19 at/cm 3 . La couche additionnelle en GaN fortement dopée peut avoir un dopage identique ou différent de celui de la troisième en couche en GaN fortement dopée. La couche additionnelle en GaN fortement dopée peut avoir une épaisseur identique ou différente de celle de la troisième en couche en GaN fortement dopée. La tension appliquée lors de la porosification sera choisie en fonction des dopages des différentes couches précitées, et notamment de la deuxième couche 112, de la troisième couche 123 et de la couche additionnelle, ainsi que du taux de dopage visé. Les taux de dopage respectifs sont choisis pour qu’à potentiel donné, il y ait une sélectivité entre la zone fortement dopée et la zone faiblement dopée, c’est-à-dire pour que la deuxième couche 112 ne soit pas porosifiée lors de l’étape d) et pour que la troisième 123 soit porosifiée lors de l’étape d). Par la suite, on décrit un dopage de type n, mais il pourrait s’agir d’un dopage de type p. A titre illustratif et non limitatif, selon une variante de réalisation, la structure 100 peut comprendre : - un substrat de base 110 comprenant successivement : une couche support 114 en saphir ou en silicium, éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N, une première couche 111 de GaN non dopée ayant une épaisseur entre 1 et 4µm, une première partie de la deuxième couche 112 de GaN dopée de 500nm (1.10 18 at/cm 3 ), - des mésas 120 GaN/(Al,In,Ga)N comprenant successivement : une deuxième partie de la deuxième couche 112 de GaN dopée de 100nm (1.10 18 at/cm 3 ), une troisième couche 123 de GaN fortement dopée de 800 nm (1.10 19 at/cm 3 ), et une couche de nid (Al,In,Ga)N de 100nm. Selon une autre variante de réalisation, la structure 100 peut comprendre : - un substrat de base 110 comprenant successivement : une couche support 114 en saphir ou en silicium, éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N, une première couche 111 de GaN non dopée ayant une épaisseur entre 1 et 4µm, une couche additionnelle de GaN fortement dopée de 2µm (1.10 19 at/cm 3 ), une première partie de la deuxième couche de GaN dopée de 500nm (1.10 18 at/cm 3 ), - des mésas 120 GaN/(Al,In,Ga)N comprenant successivement : une deuxième partie de la deuxième couche 112 de GaN dopée de 100nm (1.10 18 at/cm 3 ), une troisième couche 123 de GaN fortement dopée de 800 nm (1.10 19 at/cm 3 ), et une quatrième couche 124 de nid (Al,In,Ga)N de 100nm. Lors de l’étape b), la structure 100 et une contre-électrode (CE) sont électriquement reliées à un générateur de tension ou de courant. Le dispositif joue le rôle d’électrode de travail (WE). Par la suite, on le dénommera générateur de tension, mais il pourrait s’agir d’un générateur de courant permettant d’appliquer un courant entre le dispositif et la contre-électrode. La prise de contact est réalisée sur la structure 100. En particulier, la prise de contact peut être réalisée sur le substrat de base 110. La reprise de contact peut être réalisée sur la deuxième couche de GaN dopée 112. La reprise de contact peut être faite sur le fond des mésas, au niveau de la deuxième couche 112, ce qui permet d’utiliser l’étape de gravure pour réaliser également les prises de contact. Il est également possible de prendre contact sur une des autres couches : sur la quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée 124, sur la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123 ou sur la couche additionnelle de GaN fortement dopée. Dans le cas d’une reprise de contact sur couche fortement dopée, son ouverture sera, avantageusement, limitée à une zone préservée de l’électrolyte. La zone de reprise de contact peut également être surmontée d’une couche métallique afin d’améliorer le contact pour la polarisation électrochimique. Ce contact pourra être retiré après la porosification avant la reprise d’épitaxie. La contre-électrode 500 est en un matériau électriquement conducteur, comme par exemple un métal de grande surface développée et inerte à la chimie de l’électrolyte tel qu’un grillage en platine. Lors de l’étape c), les électrodes sont plongées dans un électrolyte, aussi appelé bain électrolytique ou solution électrolytique. L’électrolyte peut être acide ou basique. L’électrolyte est, par exemple, de l’acide oxalique. Il peut également s’agir de KOH, HF, HNO 3 , NaNO 3 ou H 2 SO 4 . Lors de l’étape d), on applique une tension entre la structure 100 et la contre-électrode 500. La tension peut aller de 1 à 30V par exemple. De préférence, elle est de 5 à 15V, et encore plus préférentiellement de 6 à 12V, par exemple de 8 à 10V. La tension est choisie en fonction des taux de dopage des différentes couches, afin d’obtenir la sélectivité recherchée. Elle est appliquée, par exemple, pendant une durée allant de quelques secondes à plusieurs heures. La porosification est complète lorsqu’il n’y a plus de courant à potentiel imposé. A ce moment-là, toute la structure dopée est porosifiée et la réaction électrochimique s’arrête. L’étape d’anodisation électrochimique peut être réalisée sous lumière ultra-violette (UV). Lors de l’étape d), la troisième couche de (Al,In,Ga)N 123 est partiellement porosifiée. Autrement, une ou plusieurs zones 125 de la couche de GaN fortement dopée ne sont pas porosifiées lors de l’étape d). Chaque zone non porosifiée va de la première face principale à la deuxième face principale pour former un canal de conduction électrique à travers la couche de GaN. Le canal de conduction électrique peut avoir la forme d’un canal ou d’un tube par exemple. Ainsi, il est possible de réaliser une reprise de contact sur la couche de GaN au niveau de ce canal de conduction électrique. De plus, en choisissant la position des zones non porosifiées, il est possible de jouer sur la relaxation. Selon un premier mode de réalisation avantageux, représenté sur les figures 5A à 5C, l’étape d) est une étape de porosification incomplète : l’étape d) est réalisée en arrêtant la tension ou le courant avant la porosification complète de la couche de (Al,In,Ga)N, moyennant quoi la zone non porosifiée 125 correspond à la partie centrale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée 123’. La porosification commence sur les flancs des mésas au niveau de la couche de GaN 123 en contact avec l’électrolyte et s’étend vers le centre de la couche de GaN. Au fur et à mesure de la porosification, l’électrolyte progresse vers le cœur. Cette porosification latérale à partir du bord de mésa est contrôlée par la durée de la porosification électrochimique. Le cœur des mésas reste intact (i.e. il n’est pas porosifié). Le cœur des mésas forment des canaux de conduction allant de la première face principale à la deuxième face principale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée 123. Le cœur de la couche n++ GaN ainsi créé présente une conductivité intacte. Ce premier mode de réalisation est particulièrement adapté pour des mésas de dimensions importantes (par exemple supérieures ou égales à 5µm). Selon un deuxième mode de réalisation avantageux, représenté sur les figures 6A à 6H, une ou plusieurs zones 125 ayant une deuxième conductivité électrique sont formées dans la couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123 avant l’étape de porosification. La deuxième conductivité est au moins dix fois inférieure à la deuxième conductivité, moyennant quoi lors de l’étape d), la ou les zones 125 de plus faible conductivité ne sont pas porosifiées. Ces zones sont, par exemple, obtenues par implantation ionique localisée de la couche n++ 123 des mésas afin de former des piliers non poreux. L’implantation conduit à une dégradation de la conductivité de la partie implantée (cette partie est fortement dopée avant implantation et dopée voire faiblement dopée après implantation). De préférence, l’implantation permet de moduler le dopage de l’ordre d’une décade et notamment de le diminuer d’au moins une décade (par exemple pour GaN:Si, le taux de dopage peut passer de 1E 19 at/cm 3 à 1E 18 at/cm 3 ou moins). Lors de l’étape d), cette zone 125 n’est pas ou peu porosifiée car elle est moins conductrice. La zone peut être au centre de la mésa comme représentée sur les figures 6B, 6C, 6F et 6G. Avantageusement, pour ce deuxième mode de réalisation, il est possible, après l’étape d) de porosification, de réaliser un traitement thermique. Il s’agit d’un recuit de guérison des défauts d’implantation. Ce recuit permet de récupérer au moins partiellement la conductivité de la zone implantée non porosifiée et ainsi de former un canal de conduction 125’ de conductivité supérieure (figures 6D et 6H). Selon une variante de réalisation, représentée sur les figures 7A à 7H, il est possible d’implanter plusieurs parties de la couche de (Al,In,Ga)N 123 pour moduler la position des zones porosifiées et des zones non porosifiées 125. Cette variante est particulièrement intéressante car elle permet de préserver la relaxation du cœur et/ou minimiser la dégradation de la surface germe de ré-épi. Comme précédemment, il est possible de réaliser une étape de recuit pour augmenter la conductivité des piliers et avoir une zone de conduction à conductivité améliorée 125’. Selon un troisième mode de réalisation avantageux, représenté sur les figures 8A à 8F, la couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123 est modifiée localement de manière à former, dans la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123, une ou plusieurs zones 125 ayant une conductivité au moins dix fois inférieure à la première conductivité. Ces zones 125 vont de la première face à la deuxième face de la couche 123. Ces zones ont de préférence une forme de tube et protège un cœur 127 situé à l’intérieur du tube (il s’agit de la partie centrale du tube). La partie centrale du tube a, par exemple la même conductivité que la première partie de la couche de (Al,In,Ga)N 123 (c’est-à-dire que l’intérieur des tubes est fortement dopé). Les zones 125 forment un rempart de protection vis-à-vis de l’anodisation pour les zones 127 à protéger. Ainsi, lors de l’étape d), le cœur 127 des tubes n’est pas porosifié et forme des canaux de conduction privilégiés. Ce troisième mode de réalisation consiste, par exemple, à réaliser une implantation ionique localisée de la couche n++ 123 des mésas, de préférence sous forme de couronnes (‘ring’), pour préserver électriquement des piliers n++, au cœur des couronnes, sans dégrader leur conductivité. On obtient ainsi, après l’étape d), une couronne implantée non poreuse entourant un cœur n++ non implanté intact, la couronne étant elle-même en contact avec le reste de la couche non implanté et porosifiée. Les piliers non porosifiés assurent la conduction électrique. Les paramètres de l’implantation sont choisis de manière à dégrader (i.e. à diminuer) la conductivité dans les zones implantées d’au moins un facteur 10. Une valeur plus faible n’empêche pas une bonne conductivité par les canaux restés intacts. Sur les figures 8A à 8F, un seul motif couronne 125/cœur 127 est représenté. Plusieurs motifs peuvent être, avantageusement, définis pour former plusieurs canaux de conduction à travers la couche 123. Le positionnement des motifs cœur/couronne seront, avantageusement, choisis de manière à obtenir une bonne relaxation. Selon le deuxième mode de réalisation et le troisième mode de réalisation, de préférence, les piliers de conduction non poreux ont un diamètre d’au moins 250nm. Le canal est de préférence plein (i.e. en un même matériau). Le canal va de la première face principale de la couche de GaN à le deuxième face principale de la couche de GaN 123. La hauteur du canal correspond à l’épaisseur de la couche de GaN 123. La surface du canal peut avoir une forme ronde, hexagonale, carrée, etc. La plus grande dimension de la surface du canal est, de préférence, d’au moins 0,25µm, notamment par rapport aux facilités de mis en œuvre (dimensions critiques en photolithographie). Le ou les canaux de conduction peuvent être positionnés au centre ou à la périphérie de la mésa. La surface du canal non poreux ou la surface totale des canaux non poreux ainsi que la position du ou des canaux non poreux impactent la relaxation. Dans ces différents modes de réalisation, nous avons décrit que les différentes parties de la couche de (Al,In,Ga)N sont obtenues en fournissant une couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123 ayant une première conductivité électrique, puis en diminuant localement la conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N, pour former une couche comprenant une première partie fortement dopée et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones 125 de plus faible conductivité. Alternativement, il est également possible de former les différentes parties de la couche de (Al,In,Ga)N en fournissant une couche de (Al,In,Ga)N ayant une faible conductivité électrique (par exemple en partant d’une couche non intentionnellement dopée ou faiblement dopée) puis en augmentant localement la conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N d’au moins un facteur 10, pour former une partie fortement dopée. L’augmentation de conductivité est, par exemple, réalisée par implantation de dopants (donneurs pour n). Pour chacune des variantes, il est possible d’obtenir une première partie fortement dopée dans laquelle sont dispersés un ou plusieurs plots 125 moins conducteurs ou dans laquelle sont dispersés une ou plusieurs structures comprenant une couronne 125 moins conductrices entourant un cœur 127 conducteur. Le tableau suivant répertorie plusieurs données sur les mésas. Les valeurs de résistivité sont extraites de la littérature. Canal non poreux 125 : 1E19 at/cm 3 Mésa non poreux : 1E19 at/cm 3 Mésa tout poreux Couche supérieure mésa n-GaN 124 Couche supérieure mésa nid GaN 124 1µm² 0,1µm² 10µm² Poro 10% Poro 70% 1E18 cm -3 1E17 cm -3 1 1 1 1 1 0,1 0,1 1 0,1 10 10 10 10 10 3,0E-03 3,0E-03 3,0E-03 5,0E-02 1,0E+00 1,6E-02 1,3E-01 3,0E+01 3,0E+02 3,0E+00 5,0E+01 1,0E+03 1,6E+00 1,3E+01 100 100 100 100 100 100 100 6 6 6 6 6 6 6 6,0E-06 6,0E-06 6,0E-06 6,0E-06 6,0E-06 6,0E-06 6,0E-06 0,18 1,8 0,018 0,3 6 0,0096 0,078 D’après les valeurs du tableau, il apparait qu’un canal non poreux (ou plusieurs canaux non poreux, d’une surface équivalente de 1µm²) peut réduire fortement la résistance verticale d’une mésa poreuse fortement porosifiée de 10µm² (chute de potentiel dans la mésa réduite de 6V à 0,18V, soit plus d’un facteur 30). Dans ce cas, il est possible de conserver le GaN poreux dans le dispositif après report. La chute de potentiel induite par la couche supérieure 124 de la mésa reste faible par rapport à chute de potentiel de la mésa, ce qui permet de garder la mésa poreuse sans dégradation importante des caractéristiques électro-optiques. Le taux de porosité de la partie porosifiée de la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée 123 est, avantageusement, d’au moins 10%. Il va de préférence de 25% à 70%, de préférence de 25% à 50%, par exemple 45% 50%. La plus grande dimension (la hauteur) des pores peut varier de quelques nanomètres à quelques micromètres. La plus petite dimension (le diamètre) peut varier de quelques nanomètres à une centaine de nanomètres, en particulier de 30 à 70nm. La porosification obtenue (taux de porosité et taille des pores) dépend du dopage de la couche et des paramètres du procédé (tension appliquée, durée, nature et concentration de l’électrolyte, post-traitement chimique ou recuit). La variation de la porosification permet de contrôler le taux d’incorporation / ségrégation. La porosification, et en particulier, la taille des pores, pourra varier ultérieurement, lors de la reprise d’épitaxie en fonction de la température appliquée. Après l’étape d), le procédé comprend, avantageusement, les étapes suivantes : e) sur la structure obtenue à l’étape i), réaliser une reprise d’épitaxie pour former des LED ré-épitaxiées comprenant des couches des couches n-InGaN 130 et une couche d’InGaN dopée p 131 ( ), puis former une électrode de contact de contact 210, un diélectrique 122 pouvant être déposé pour protéger les flancs de la LED, f) reporter la structure obtenue à l’étape f) sur un substrat 200, par exemple par collage métal-métal ( ), g) retirer la couche support 114, le cas échéant la couche tampon en (Al,Ga)N 115, la première couche de GaN non dopée 111 et la totalité ou une partie de la deuxième couche de GaN dopée 112 (de préférence, la partie qui est située en dehors des mésas), h) réaliser une reprise de contact 150 sur la zone non porosifiée 125 ou au moins sur une des zones non porosifiées 125 de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée 123’ ( ). Avantageusement, une couche électriquement isolante 140 protège la couche porosifiée et/ou évite les court-circuits. Lors de l’étape e), l’électrode de contact 210 réflecteur sur p-InGaN est positionnée sur la structure. L’électrode de contact 210 est une électrode dite supérieure avant report et cette même électrode est dite inférieure après report. Une couche de passivation 122 peut être positionnée entre l’électrode de contact 210 (anode) et la couche d’InGaN dopée p 131. La couche de passivation 122 recouvre localement la couche d’InGaN dopée p 131, notamment sur les flancs inclinés de la couche de la couche d’InGaN dopée p 131. Au cours de l’étape e), une épitaxie est réalisée sur les mésas 120, moyennant quoi on obtient une couche épitaxiée au moins partiellement relaxée, et de préférence totalement relaxée. Par exemple, une structure LED tout InGaN peut comprendre : - une couche d’InGaN dopée n de 350nm, formée de 15 x In 0,03 Ga 0,97 N / GaN (épaisseurs 20nm / 1,8nm), - des puits quantiques multiples (MQWs), formés de 5 x In 0,40 Ga 0,60 N / In 0,03 Ga 0,097 N (épaisseurs 2,3nm / 5, 7, 11 nm), - une couche de In 0,03 Ga 0,97 N nid (10nm), - une couche Al 0,1 Ga 0,9 N :Mg (20nm), - une couche de In 0,03 Ga 0,97 N dopée Mg (125nm), - une couche de In 0,03 Ga 0,97 N dopée p+++ (25nm). Le pourcentage de relaxation correspond à : avec a c1 , le paramètre de maille de la couche de départ sur laquelle on reprend l’épitaxie (c’est-à-dire le paramètre de maille de la couche 124), et a c 2 le paramètre de maille de la couche relaxée, La couche est relaxée à 100% si ac 2 correspond au paramètre de maille du matériau massif, de même composition que la couche réépitaxiée. Lorsque a c1 =a c2 le couche est dite contrainte. Par partiellement relaxée, on entend, par exemple, un pourcentage de relaxation supérieur à 50%. Le pourcentage de relaxation dépendra de la mésa finale (par exemple mésa bleue, verte ou rouge). Le taux de dopage des mesas peut être modulé de façon à avoir des taux de porosité et donc des taux de relaxation différents selon les mésas lors de la reprise d’épitaxie d’émetteurs InGaN. Ceci facilite l’obtention de différentes couleurs d’émission selon les mésas, par exemple pour obtenir des émetteurs rouges, verts et bleus par croissance sur un même substrat. Il est également possible d’obtenir différentes couleurs d’émission en changeant le rapport surface porosifiée / non porosifiée ou en combinant les deux. La reprise d’épitaxie sert, de préférence, pour former des LED ré-épitaxiées. La reprise d’épitaxie est réalisée sur la quatrième couche 124 de (Al,In,Ga)N nid ou faiblement dopée des mésas 120. Comme cette couche n’est pas porosifiée lors de l’étape d’anodisation électrochimique, elle reste continue et dense. La reprise d’épitaxie est ainsi facilitée et la couche épitaxiée présente une meilleure tenue. La création de défauts liées à la coalescence des pores est évitée. La couche épitaxiée lors de cette étape e) est, avantageusement, en nitrure de gallium ou en nitrure d’indium et de gallium. Le taux d’incorporation en In varie en fonction de la capacité de relaxation (paramètre de maille a dans le plan). En jouant sur le taux de porosification et sur le taux de surface porosifiée, les mésas peuvent avoir des taux de relaxation différents. Par exemple, il est possible de jouer sur le dédopage différentiel n++ GaN par implantation (He). Le procédé est ainsi plus simple à mettre en œuvre car une seule épitaxie suffit pour former les µLED rouge, vert et bleu. Il n’y a pas besoin de mettre en œuvre des épitaxies successives pour chaque µLED. L’étape f) est, par exemple, obtenue avec un collage métal-métal. Il pourrait également s’agir d’un collage hybride (métal-oxyde). Cette étape permet, notamment, de réaliser l’interconnexion avec un circuit de commande pour moduler dynamiquement l’émission des microLEDs. Lors de l’étape h), la reprise de contact 150 peut être réalisée via la présence d’une couche 145 en oxyde transparent conducteur (TCO). La couche de TCO 145 est par exemple en oxyde d’indium étain (ITO). Il est possible de recouvrir la couche de TCO 145 d’une couche de passivation additionnelle 140 pour la protéger ( ). Exemple illustratif et non limitatif : Une mésa comprenant une couche de GaN dopée n++ a été partiellement porosifiée. La porosification est arrêtée en la stoppant avant son achèvement complet ( ). Le canal central de GaN n++ dans les mésas présente une conductivité intacte. Procédé de porosification de mésas (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant les étapes suivantes : a) fournir une structure (100) comprenant un substrat de base (110) recouvert de mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N, le substrat de base (110) comprenant une couche support (114), éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N (115), une première couche de GaN non dopée (111), une deuxième couche de GaN dopée (112), les mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) ayant une première face principale et une deuxième face principale, la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) étant fortement dopée ou la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones (125), la deuxième partie ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique, une partie de la deuxième couche de GaN dopée 112 pouvant se prolonger dans les mésas 120, b) relier électriquement la structure (100) et une contre-électrode à un générateur de tension ou de courant, c) plonger la structure (100) et la contre-électrode dans une solution électrolytique, d) appliquer une tension ou un courant entre la structure (100) et la contre-électrode de manière à porosifier partiellement la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée (123) des mésas (120) ou de manière à porosifier la première partie fortement dopée de la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) des mésas, moyennant quoi on obtient une couche de (Al,In,Ga)N comprenant une première partie porosifiée (123’) et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones non porosifiées (125), chaque zone non porosifiée (125) allant de la première face principale à la deuxième face principale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’) pour former un canal de conduction électrique. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure comprend en outre une couche additionnelle de GaN fortement dopée disposée entre la première couche de GaN non dopée (111) et la deuxième couche de GaN dopée (112). Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que, lors de l’étape a), une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124) recouvre la troisième couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée (123) ou en ce que, après l’étape d), une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124) est déposée sur la troisième couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’). Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la quatrième couche (124) de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée est une couche de GaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l’étape d) est réalisée en arrêtant la tension ou le courant avant la porosification complète de la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123), moyennant quoi la zone non porosifiée (125) correspond à la partie centrale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la ou les zones (125) de la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) forment des couronnes (125), chaque couronne délimitant un cœur (127) ayant de préférence une conductivité électrique au moins dix fois supérieure à la deuxième conductivité électrique, moyennant quoi lors de l’étape d), les cœurs (127) ne sont pas porosifiés et forment des canaux de conduction électrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, après l’étape d), le procédé comprend une étape au cours de laquelle un traitement thermique est réalisé, moyennant quoi la deuxième conductivité électrique est augmentée et des zones (125’) ayant une troisième conductivité électrique supérieure à la deuxième conductivité électrique sont obtenues. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) de l’étape a) est obtenue selon les étapes suivantes : - fournir une couche de (Al,In,Ga)N fortement dopée ayant une première conductivité électrique, - diminuer localement la conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N, moyennant quoi on forme une couche de (Al,In,Ga)N (123) comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones (125), ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la troisième couche de (Al,In,Ga)N (123) de l’étape a) est obtenue selon les étapes suivantes : - fournir une couche de (Al,In,Ga)N ayant une deuxième conductivité électrique, - augmenter localement la conductivité électrique de la couche de (Al,In,Ga)N, moyennant quoi on forme une couche de (Al,In,Ga)N (123) comprenant une première partie fortement dopée ayant une première conductivité électrique et une deuxième partie formée d’une ou plusieurs zones (125), ayant une deuxième conductivité électrique au moins dix fois inférieure à la première conductivité électrique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que trois groupes de mésas sont formés, chaque groupe de mésas étant destiné à former une micro-LED rouge, vert ou bleu, chaque groupe mésas ayant un taux de porosification ou un pourcentage de surface porosifiée différent. Procédé de fabrication de micro-LED, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : i) mise en œuvre du procédé de porosification de mésas selon l’une quelconque des revendications précédentes, ii) mise en œuvre des étapes e) à g) suivantes : e) sur la structure obtenue à l’étape i), réaliser une reprise d’épitaxie pour former des LED ré-épitaxiées comprenant des couches des couches n-InGaN (130) et une couche d’InGaN dopée p (131), puis former une électrode de contact (210), une couche de passivation (122) pouvant être positionnée entre l’électrode de contact (210) et la couche d’InGaN dopée p (131), la couche de passivation (122) recouvrant localement la couche d’InGaN dopée p (131), f) reporter la structure obtenue à l’étape e) sur un substrat (200), g) retirer la couche support (114), le cas échéant la couche tampon en (Al,Ga)N (115), la première couche de GaN non dopée (111) et la deuxième couche de GaN dopée (112), h) réaliser une reprise de contact (150) sur la zone non porosifiée (125) ou au moins sur une des zones non porosifiées (125) de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’). Structure (100) comprenant un substrat de base (110) recouvert de mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N porosifiées, le substrat de base (110) comprenant une couche support (114), éventuellement une couche tampon en (Al,Ga)N (115), une première couche de GaN non dopée (111) et une deuxième couche de GaN dopée (112), les mésas (120) (Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N comprenant une troisième couche de (Al,In,Ga)N (123’) partiellement porosifiée ayant une première face principale et une deuxième face principale, et, de préférence, une quatrième couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124), la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’) comprenant une ou plusieurs zones (125, 125’) non porosifiées, chaque zone non porosifiée (125, 125’) allant de la première face principale à la deuxième face principale de la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’) pour former un canal de conduction électrique. Structure selon la revendication 12, caractérisé en ce que la structure (100) comprend en outre une couche additionnelle de GaN fortement dopée disposée entre la première couche de GaN non dopée (111) et la deuxième couche de GaN dopée (112). Dispositif optoélectronique comprend successivement : - un substrat support (200), - une électrode inférieure (210), - une LED ré-épitaxiée comprenant des couches des couches n-InGaN (130) et une couche d’InGaN dopée p (131), - une couche de (Al,In,Ga)N non dopée ou faiblement dopée (124), - une couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’), ayant une première face principale et une deuxième face principale, la couche de (Al,In,Ga)N partiellement porosifiée (123’) comprenant une ou plusieurs zones non porosifiées (125, 125’) allant de la première face principale à la deuxième face principale pour former un canal de conduction électrique, - une reprise de contact (150) sur la zone non porosifiée (125) ou au moins sur une des zones non porosifiées (125, 125’) de la couche de (Al,In,Ga)N (123’) partiellement porosifiée.