FR 3144392 A1 20240628 FR 2214273 A 20221222 Titre : Procédé de collage de deux couches réduisant les contraintes L’invention concerne un procédé de collage d’une couche à base d’un premier matériau et d’une couche à base d’un deuxième matériau. Le procédé comprend une étape de fourniture d’un empilement (1) comprenant une première couche (100) à base du premier matériau, de préférence à base de silicium, et une deuxième couche (200) à base du deuxième matériau. Le premier matériau et le deuxième matériau sont de préférence distincts. La première couche présente une première face supérieure (101). Le procédé prévoit ensuite une étape de formation dans la première couche, à partir de sa première face supérieure et sur toute son épaisseur, d’un réseau de tranchées (120). L’empilement est ensuite soumis à un recuit de consolidation. Figure pour l’abrégé : Fig. 1C Procédé de collage de deux couches réduisant les contraintes La présente invention concerne le collage de deux couches, dont de préférence une à base de silicium, impliquant un recuit de consolidation. Elle s’inscrit notamment dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques et microélectroniques. Elle trouve par exemple pour application particulièrement avantageuse le domaine des technologies d’affichage. ETAT DE LA TECHNIQUE Le collage, notamment le collage direct, est une technique couramment utilisée dans le domaine des systèmes optoélectroniques, des systèmes micro-électromécaniques ou encore des circuits intégrés. Le collage direct consiste à coller deux éléments, classiquement deux plaques (ou wafers en anglais), sans couche intermédiaire. Par exemple, le collage direct hydrophile se déroule typiquement en trois étapes : un prétraitement des wafers, un collage préalable à température ambiante et enfin un recuit de consolidation à haute température, typiquement à une température supérieure à 100°C. Ce recuit de consolidation permet de renforcer les liaisons moléculaires entre les deux plaques (forces de Van der Waals, liaisons hydrogène, liaisons covalentes…), ces liaisons étant très faibles après le simple collage à température ambiante. Il est donc nécessaire à une adhésion satisfaisante des deux plaques entre elles. Cette étape présente cependant un inconvénient majeur. En effet, il est fréquent que les deux plaques soient composées de matériaux présentant des coefficients d’expansion thermique (CTE) très différents. En conséquence, lors du recuit de consolidation, le niveau de stress à l’interface entre les deux plaques, et plus généralement dans l’empilement formé par les deux plaques, est très élevé, ce qui mène à des phénomènes de délamination de l’empilement, voire à sa rupture. Cet inconvénient est d’autant plus gênant que les matériaux impliqués présentent des coefficients d’expansion thermique différents et que leur collage nécessite une température de recuit de consolidation élevée. Une solution parfois utilisée consiste à amincir au moins une des deux couches de façon à permettre une certaine relaxation des contraintes engendrées par le recuit de consolidation, mais cette technique ne permet pas de s’affranchir des problèmes de dégradation de façon satisfaisante. La présente invention vise donc à proposer une solution permettant de limiter la dégradation de l’empilement lors du recuit de consolidation. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de collage d’une couche à base d’un premier matériau et d’une couche à base d’un deuxième matériau comprenant les étapes suivantes : Fournir un empilement comprenant une couche à base d’un premier matériau, de préférence à base de silicium, dite première couche, et une couche à base d’un deuxième matériau, dite deuxième couche, le premier matériau étant de préférence différent du deuxième matériau, la première couche présentant une épaisseur initiale e 100,ini , la première couche présentant une première face inférieure en regard d’une face de la deuxième couche, dite deuxième face supérieure, et une première face supérieure opposée à la première face inférieure, Former dans la première couche, à partir de la face supérieure de la première couche et sur toute son épaisseur, un réseau de tranchées, et Soumettre l’empilement à un recuit de consolidation. L’étape de formation de tranchées dans la première couche permet une relaxation des contraintes dans l’empilement, ces contraintes étant dues à la différence entre les coefficients de dilatation thermique (CTE) du premier matériau et du deuxième matériau. L’étape de recuit de l’empilement, pouvant par exemple être effectué à une température supérieure à 100°C, voire supérieure à 200°C, permet ensuite une consolidation de l’empilement. Le procédé permet ainsi d’obtenir un empilement solide tout en minimisant les phénomènes de délamination et de rupture. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : Les figures 1A à 1F illustrent les étapes du procédé selon un mode de réalisation de l’invention. La représente la fourniture d’un empilement comprenant au moins une première et une deuxième couche. La illustre une étape d’amincissement de la première couche. La illustre une étape de formation de tranchées dans la première couche ainsi que dans une première couche active faisant partie de l’empilement. La illustre une étape de recuit de l’empilement. La illustre une étape d’amincissement de la première couche. La illustre une étape de remplissage des tranchées par un matériau de remplissage. La représente un mode de réalisation alternatif du procédé selon l’invention et plus précisément une étape de formation de tranchées dans la première couche sans que ces tranchées ne s’étendent dans la première couche active. Les figures 2B et 2C illustrent un mode de réalisation du procédé selon l’invention dans lequel la première couche active comprend des zones de reprises de contact électrique enterrées. La illustre une vue de dessus du réseau de tranchées. La illustre une vue en coupe des première et deuxième couches et première et deuxième couches actives, dans le cas où la première couche active comprend une pluralité de photo-éléments et la deuxième couche active une électronique de commande des photo-éléments. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les dimensions ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un mode de réalisation, le premier matériau présente un coefficient de dilatation thermique α 1 et le deuxième matériau présente un coefficient de dilatation thermique α 2 , α 1 et α 2 étant distincts, de préférence avec │(α 1 -α 2 )/α 1 │≥k*α 1 , avec k≥1,7. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après l’étape de formation du réseau de tranchées, une étape de remplissage des tranchées avec une couche de remplissage. Cela permet la planarisation de l’empilement de sorte à poursuivre d’autres étapes habituelles de la microélectronique. Selon un mode de réalisation, l’étape de remplissage des tranchées est réalisée après l’étape de recuit. Selon un mode de réalisation, la couche de remplissage est à base d’un matériau diélectrique. Le matériau diélectrique peut être organique ou minéral. Parmi les matériaux diélectriques envisageables, on trouve notamment les polymères, par exemple le polyimide. Il est également possible d’opter pour le SiO2, matériau diélectrique minéral. Selon un exemple avantageux, le recuit de consolidation est réalisé à une température de recuit T recuit supérieure à 100°C. Selon un exemple avantageux, la température de recuit T recuit est supérieure à 200°C. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant l’étape de fourniture de l’empilement, l’étape suivante : Réaliser un collage de la première couche sur la deuxième couche à une température de collage T collage inférieure à 100°C, de préférence inférieure à 40°C. Selon un exemple avantageux, la température de recuit T recuit est supérieure à la température de collage T collage . Selon un mode de réalisation, l’étape de collage comprend la mise en œuvre d’au moins une technique parmi le collage par fusion direct, le collage hydrophile direct et le collage eutectique. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après l’étape de fourniture de l’empilement et avant l’étape de formation du réseau de tranchées, l’étape suivante : Amincir la première couche à partir de la première face supérieure jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur intermédiaire e 100,inter . Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après l’étape de recuit, une étape d’amincissement de la première couche jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur finale e 100,finale . Cela permet d’atteindre des niveaux d’épaisseurs de l’empilement ne pouvant pas être atteints lorsque l’on l’amincit pleine plaque. Selon un mode de réalisation, le premier matériau est à base de l’un au moins parmi le saphir et le GaN. Selon un mode de réalisation, le réseau de tranchées comprend un ensemble de tranchées parallèles entre elles s’étendant selon une deuxième direction et présentant selon une première direction normale à la deuxième direction une dimension dite largeur de tranchée l 120,X , et dans lequel les tranchées s’étendant selon la deuxième direction sont séparées deux à deux par des îlots présentant chacun selon la première direction une dimension dite première dimension d’îlot l 1 1 0,X , le rapport l 1 1 0,X /l 120,X étant dit premier rapport de forme. Selon un mode de réalisation, le premier rapport de forme est inférieur à 10, de préférence inférieur à 4. Selon un mode de réalisation, le premier rapport de forme est supérieur à 0,1, de préférence supérieur à 0,25. Selon un mode de réalisation, l’empilement comprend en outre une première couche active et une deuxième couche active au contact respectivement de la face inférieure de la première couche et de la face supérieure de la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, la première couche active comprend une pluralité de photo-éléments, chaque photo-élément étant configuré pour pouvoir émettre un faisceau lumineux. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche active comprend une électronique de commande des photo-éléments de la première couche active. Selon un mode de réalisation, l’électronique de commande comprend des transistors CMOS. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, avant l’étape de fourniture de l’empilement, l’étape suivante : Réaliser un collage de la première couche active sur la deuxième couche active à une température de collage T collage inférieure à 100°C, de préférence inférieure à 40°C. Selon un mode de réalisation, la première couche active comprend des zones métalliques de reprise de contact électrique et l’étape de formation du réseau d’îlots et de tranchées est configurée pour mettre à jour une partie au moins de certains au moins des zones de reprise de contact électrique. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche active comprend des zones métalliques de reprise de contact électrique et l’étape de formation du réseau d’îlots et de tranchées est configurée pour mettre à jour une partie au moins de certains au moins des zones de reprise de contact électrique. On entend par un film à base d’un matériau A, un film comprenant ce matériau A et éventuellement d’autres matériaux. On entend par photo-élément un élément apte à émettre ou à recevoir un faisceau lumineux. Un photo-élément peut par exemple être une structure 3D active, par exemple un fil ou nanofil actif. Une structure 3D est dite active lorsqu’elle comprend une région active et qu’elle est connectée électriquement, lui permettant ainsi d’émettre un rayonnement lumineux. On entend par fil ou par nanofil une structure 3D de forme allongée selon la direction longitudinale. La dimension longitudinale de la structure 3D, selon Z sur les figures, est supérieure, et de préférence très supérieure, aux dimensions transverses de la structure 3D, dans le plan XY sur les figures. La dimension longitudinale est par exemple au moins cinq fois, et de préférence au moins dix fois, supérieure aux dimensions transverses. Un nanofil est un fil présentant des dimensions transverses inférieures à 1 µm (1 µm = 10 -6 m). Dans la présente demande de brevet, les termes « diode électroluminescente », « LED » ou simplement « diode » sont employés en synonymes. Une « LED » peut également s’entendre d’une « micro-LED ». Une « micro-LED » est une LED dont les dimensions n’excèdent pas 100 µm. Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient, lorsqu’ils se rapportent à une valeur, « à 20% près » voire « à 10% près » de cette valeur ou, lorsqu'ils se rapportent à une orientation angulaire, « à 20° près » voire « à 10° près » de cette orientation. Ainsi, une direction sensiblement normale à un plan signifie une direction présentant un angle de 90±20° voire de 90±10° par rapport au plan. Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes X, Y, Z est représenté sur les figures annexées. Le procédé selon un mode de réalisation de l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 1A à 1F. Comme illustré en , une première étape consiste à fournir un empilement 1 comprenant au moins une première couche 100 et une deuxième couche 200. La première couche 100 est à base d’un premier matériau, et de préférence à base de silicium. La première couche 100 peut par exemple être à base de l’un parmi les matériaux suivants : Si, SiC, SiGe. La première couche 100 présente une première face supérieure 101 et une première face inférieure 102 s’étendant toutes les deux principalement dans des plans parallèles au plan XY du repère orthogonal. Elle présente, selon la direction Z, une épaisseur initiale e 100 , ini . L’épaisseur initiale est typiquement supérieure à 500 µm, par exemple sensiblement égale à 750 µm, valeur classique dans l’industrie microélectronique. La deuxième couche 200 présente elle aussi une face supérieure 201 et une face inférieure 202 s’étendant toutes les deux principalement dans des plans parallèles au plan XY du repère orthogonal. La face supérieure 201 de la deuxième couche 200 et la face inférieure 102 de la première couche 100 se trouvent en regard l’une de l’autre. La deuxième couche 200 peut par exemple être à base de l’un parmi les matériaux suivants : Sa, GaN, du verre…. Notons que, si la méthode proposée montre essentiellement son intérêt lorsque les premier et deuxième matériaux ont des coefficients d’expansion thermique différents entre eux, et donc lorsque les premier et deuxième matériaux sont différents entre eux, elle peut néanmoins tout à fait être réalisée avec des première et deuxième couches à base d’un même matériau. L’empilement peut également comprendre, comme illustré à la , une première couche active 150 et/ou une deuxième couche active 250. Ces deux couches actives 150, 250 sont typiquement des couches structurées. Avantageusement, la première couche active 150 comprend une pluralité de LED. Chacune de ces LED peut être formée par une pluralité de photo-éléments 155 pouvant être des structures à trois dimensions (3D) tels que des nanofils. On entend par « photo-élément » un élément actif, c’est-à-dire apte à émettre un rayonnement, mais il est entendu que chacun de ces éléments peut être électriquement alimenté ou non et ainsi être « allumé » ou « éteint ». Un photo-élément actif ou nanofil actif comprend une région active et est typiquement connecté électriquement. Cette région active est le lieu de recombinaisons radiatives de paires électron-trou permettant d’obtenir un rayonnement lumineux présentant une longueur d’onde principale. La région active comprend typiquement une pluralité de puits quantiques, par exemple formés par des couches émissives à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AlN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGap, AlGaAs, GaAs, InGaAs, AlIlAs, ou d’une combinaison de plusieurs de ces matériaux. Avantageusement, la deuxième couche active 250 comprend une électronique de pilotage 255 ou électronique de commande 255 des LED comprises dans la première couche active 150. Cette électronique de pilotage 255 est typiquement une électronique à base de transistors CMOS (transistors Complémentaires Métal-Oxyde-Semiconducteur) 256. Alternativement, il peut s’agir d’une électronique à base de transistors en couches minces TFT. On prévoit avantageusement, au sein de l’électronique de commande 255, la présence de plots de connexion en regard des photo-éléments 155 de la première couche active 150. Une étape facultative (non illustrée sur les figures) consiste, préalablement à l’étape de fourniture de l’empilement, à réaliser un collage de la première couche 100 sur la deuxième couche 200. Il peut notamment s’agir d’un collage réalisé pleine plaque : la première couche 100 et la deuxième couche 200 peuvent présenter des dimensions de plaquettes microélectroniques (par exemple un diamètre de 200 ou 300 mm) et être collées l’une à l’autre chacune sur l’intégralité de l’une de ses deux faces. Cette étape de collage est typiquement réalisée à une température de collage T collage inférieure à 100°C. On parlera par exemple de collage à température ambiante pour une température de collage T collage inférieure à 40°C. Si l’empilement 1 comprend la première couche active 150 et la deuxième couche active 250 préalablement décrites, on prévoit plutôt une étape de collage entre ces deux couches actives 150 et 250. Le collage de ces deux couches – la première couche 100 et la deuxième couche 200 ou bien la première couche active 150 et la deuxième couche active 250 – peut être un collage direct (ou, en anglais, « direct bonding ») ou bien un collage indirect (ou, en anglais, « indirect bonding »). Dans le cas d’un collage direct, il est par exemple possible de mettre en œuvre un procédé de collage direct par fusion ou « fusion bonding ». Dans le cas particulier de deux couches présentant une surface à base de silicium, cette technique se base classiquement sur la présence de molécules d’eau à la surface des deux couches à coller. Lors de la mise en contact des deux couches, des liaisons hydrophiles se forment entre les deux surfaces mises en contact. On parle alors de collage direct hydrophile. Le collage par fusion peut également s’appliquer à un collage dit hybride entre deux couches présentant chacune en surface au moins deux matériaux distincts (par exemple du cuivre et du SiO2). Il est entendu que toute autre technique de collage se déroulant à basse température, c’est-à-dire typiquement à une température inférieure à 100°C, est également envisageable. Une étape facultative représentée à la consiste à pré-amincir la première couche 100 à partir de sa face supérieure 101. Cette étape permet de réduire l’épaisseur de la première couche 100 d’une épaisseur initiale e 100,in i à une épaisseur intermédiaire e 100,inter . Ce pré-amincissement peut être réalisé par meulage ou polissage mécano-chimique de la première couche 100 à partir de sa face supérieure 101. Cette étape facultative de pré-amincissement est effectuée avant l’étape de formation de tranchées décrite ci-dessous. Elle permet une première relaxation des contraintes dues à la différence de CTE entre la première couche 100 et la deuxième couche 200. Elle apporte une certaine souplesse à la première couche 100. Elle facilite également la formation de tranchées dans la première couche 100 et en améliore la précision. L’épaisseur intermédiaire e 100,inter de la première couche 100 après pré-amincissement est avantageusement supérieure à 300 µm. Cela permet de limiter l’affaiblissement de l’interface entre la première couche 100 et la deuxième couche 200 (ou la première couche active 150 et la deuxième couche active 250). En effet, à ce stade du procédé, ces couches n’adhèrent entre elles que grâce à des liaisons faibles (Van der Waals, liaisons hydrogènes…) encore non consolidées. Un amincissement trop important de la première couche 100 pourrait conduire à un phénomène de délamination. Maintenir une épaisseur de première couche 100 supérieure à 300 µm avant le recuit de consolidation des liaisons (qui sera décrit plus avant ci-dessous) permet de conserver une bonne qualité structurelle des différentes couches, et notamment de la première couche 100. La illustre une deuxième étape, consistant en la formation d’un réseau de tranchées 120 dans la première couche 100. Les tranchées 120 sont formées à partir de la première face supérieure 101 de la première couche 100 et s’étendent sur toute son épaisseur. Ainsi, la profondeur des tranchées, prise selon la direction Z, peut être sensiblement égale à e 100,ini , ou à e 100,inter si l’étape facultative de pré-amincissement de la première couche 100 préalablement à la formation des tranchées est mise en œuvre. Le réseau de tranchées 120 peut comprendre des tranchées 120 sensiblement parallèles entre elles et s’étendant principalement selon la direction Y, comme représenté sur la . Il peut également comprendre un ensemble de tranchées 120 sensiblement parallèles entre elles et s’étendant principalement selon une direction distincte de la direction Y, typiquement la direction X, normale à la direction Y. Cet exemple est illustré à la . Les tranchées 120 s’étendant principalement selon la direction Y présentent chacune une largeur de tranchée notée l 120 ,X , prise selon la dimension X. Les tranchées 120 s’étendant principalement selon la direction X présentent elles chacune une largeur de tranchée secondaire notée l 120 ,Y , prise selon la dimension Y. La largeur de tranchée l 120,X et la largeur de tranchée secondaire l 120,Y sont typiquement égales entre elles. Elles sont par exemple comprises entre 5 µm et 100 µm, de préférence entre 10 µm et 30 µm. Les tranchées 120 sont séparées par des îlots 110 formés par les parties restantes de la première couche 100 après formation des tranchées 120. Les îlots 110 présentent donc, à ce stade du procédé et selon la direction Z, une dimension égale à celle des tranchées 120 : e 100,ini ou e 100,inter , dépendant de la mise en œuvre ou non de l’étape de pré-amincissement de la première couche 100. Selon la direction X, les îlots 110 présentent une dimension dite première dimension d’îlot l 110,X . Par construction, cette première dimension est égale à l’écartement entre deux tranchées 120 consécutives s’étendant selon la direction Y. Si le réseau de tranchées 120 comprend également un ensemble de tranchées 120 s’étendant selon la direction X, les îlots 110 sont, dans le plan XY, de forme rectangulaire et de préférence carrée et présentent selon la direction Y une dimension dite deuxième dimension d’îlot l 110, Y . Cette deuxième dimension est par construction égale à l’écartement entre deux tranchées 120 consécutives s’étendant selon la direction Y. La première dimension d’îlot l 110,X et la deuxième dimension d’îlot l 110, Y sont avantageusement égales entre elles. Une telle symétrie permet en effet une uniformité dans la relaxation mécanique de la première couche 100 qu’apporte la formation de tranchées 120. Dans ce cas, les îlots 110 présentent, dans le plan XY, une forme carrée. On définit par ailleurs un premier rapport de forme défini par le rapport entre la première dimension d’îlot l 1 1 0,X et la largeur de tranchée l 120,X . Ce premier rapport de forme est avantageusement supérieur à 1 et/ou inférieur à 100. On définit également un deuxième rapport de forme égal au rapport entre la deuxième dimension d’îlot l 110,Y et la largeur de tranchée secondaire l 120,Y , lui aussi avantageusement supérieur à 1 et/ou inférieur à 100. Ces rapports de forme sont de préférence sensiblement égaux entre eux. Les tranchées 120 – et, par construction, les îlots 110 – peuvent être formés de différentes manières. Il est par exemple possible de former les tranchées 120 de façon mécanique en utilisant une lame de découpe (« blade dicing » en anglais). Il est également envisageable de procéder à une découpe laser (« laser dicing » en anglais) ou une découpe plasma (« plasma dicing » en anglais) pour former ces tranchées 120. Dans tous les cas, la formation des tranchées 120 peut être suivie d’une étape de retrait de potentiels résidus dus à cette formation. Une troisième étape, illustrée à la , consiste à soumettre l’empilement 1 à un recuit de consolidation. Ce recuit de consolidation est typiquement effectué à une température supérieure à 100°C, de préférence supérieure à 200°C et avantageusement supérieure à 400°C. Il permet de consolider le collage de la première couche 100 et de la deuxième couche 200 ou de la première couche active 150 et de la deuxième couche active 250. Un simple collage des deux couches – la première couche 100 et la deuxième couche 200 ou bien la première couche active 150 et la deuxième couche active 250 – sans recuit de consolidation ne permet en effet pas toujours d’obtenir un niveau d’adhésion entre elles suffisamment élevé pour les applications visées ou les étapes technologiques à suivre. L’énergie d’adhésion entre les deux couches impliquées passe typiquement d’une valeur inférieure à 1 J/m² avant le recuit de consolidation à une valeur sensiblement égale ou supérieure à 5 J/m² après ce recuit. La représente une étape facultative de post-amincissement de la première couche 100. Cette étape permet de réduire son épaisseur de l’épaisseur initiale e 100,ini (ou de l’épaisseur intermédiaire e 100,inter si un pré-amincissement de la première couche 100 a été effectué préalablement à la formation des tranchées 120) à une épaisseur finale e 100,finale . L’épaisseur finale e 100,finale constitue une épaisseur cible étant préférentiellement choisie en fonction des applications visées. Elle est de préférence inférieure à 200 µm, typiquement sensiblement égale à 150 µm. Pour des applications dans des puces électroniques particulièrement fines, l’épaisseur finale peut être fixée à une valeur inférieure à 20 µm, avantageusement inférieure à 15 µm. Cette étape de post-amincissement permet d’atteindre des niveaux d’épaisseurs ne pouvant pas être atteints par un amincissement classique réalisé pleine plaque. La illustre une étape facultative de remplissage des tranchées 120 avec une couche de remplissage 300. La couche de remplissage 300 est préférentiellement à base d’un ou plusieurs polymères, comme par exemple un polyimide. Un tel remplissage permet d’aplanir l’empilement 1 de sorte à pouvoir réaliser, suite à la mise en œuvre du procédé, d’autres étapes classiques de microélectronique. Il est à noter que l’étape de remplissage des tranchées peut être réalisé après, de préférence avant, l’étape de post-amincissement décrite précédemment. Dans le cas où le remplissage est effectué avant l’amincissement, on peut ensuite amincir simultanément les îlots de la première couche 100 et la couche de remplissage 300. Avantageusement, l’étape de remplissage est mise en œuvre après le recuit de consolidation. Cependant, dans le cas où la couche de remplissage 300 est constituée de matériaux dont la température de fusion est supérieure à la température de recuit T recuit , l’étape de remplissage des tranchées 120 peut également être effectuée avant le recuit de consolidation. Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, l’étape de formation des tranchées 120 dans la première couche 100 est immédiatement suivie par ou réalisée de façon simultanée avec une étape de formation de tranchées additionnelles 120’ dans la première couche active 150 et dans la deuxième couche active 250. Il est possible que toutes les tranchées 120 soient prolongées par une tranchée additionnelle 120’ sous-jacente, comme cela est illustré à la . Il est également envisageable de sélectionner les tranchées 120 à partir desquelles sont formées les tranchées additionnelles 120’. Dans tous les cas, on peut ainsi procéder au « dicing » de la première couche active 150 et de la deuxième couche active 250 de façon à former des « smart pixels » ou « pixels intelligents », chacun composé d’une portion de la première couche active 150 et d’une portion de la deuxième couche active 250, en regard. Le ou les éléments de commande compris dans la portion de première couche active 150 permet alors de contrôler les photo-éléments 155 compris dans la portion de deuxième couche active 250 se situant en regard. Selon un mode de réalisation de l’invention, la première couche active 150 comprend des contacts électriques enterrés et connectés électriquement à des zones métalliques de reprise de contact électrique 160, telles qu’illustrées en . De manière avantageuse, on prévoit que l’étape de formation des tranchées 120 permette de mettre à jour ces zones de reprise 160. Il est à noter que la présence de ces zones de reprise 160 est particulièrement avantageuse lors de la formation des tranchées 120 dans la première couche 100. En effet, la présence de métal provoque un arrêt de la gravure ( ). La gravure est donc limitée de façon physique par les zones de reprise 160 et non par des calculs théoriques de temps de gravure, calculs dépendant de nombreux paramètres et pouvant être imprécis. On améliore ainsi la précision de la formation des tranchées 120. Les contacts électriques enterrés et les zones de reprise 160 peuvent permettre la réalisation de tests électriques dans l’empilement 1. Ces zones de reprise 160 pourront ensuite être retirées. Plusieurs méthodes sont pour cela envisageables (laser, lame de découpe…). Les zones de reprise 160 peuvent par exemple être des couches de redistribution d’un circuit intégré, couramment désignées par l’acronyme anglais « RDL » (pour « Redistribution Layers »). L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par l’invention. Procédé de collage d’une couche à base d’un premier matériau et d’une couche à base d’un deuxième matériau comprenant les étapes suivantes : Fournir un empilement (1) comprenant une couche à base d’un premier matériau, de préférence à base de silicium, dite première couche (100), et une couche à base d’un deuxième matériau, dite deuxième couche (200), le premier matériau étant de préférence différent du deuxième matériau, la première couche (100) présentant une épaisseur initiale e 100,in i , la première couche (100) présentant une première face inférieure (102) en regard d’une face de la deuxième couche (200), dite deuxième face supérieure (201), et une première face supérieure (101) opposée à la première face inférieure (102), Former dans la première couche (100), à partir de la première face supérieure (101) de la première couche (100) et sur toute son épaisseur, un réseau de tranchées (120), et Soumettre l’empilement (1) à un recuit de consolidation. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel le premier matériau présente un coefficient de dilatation thermique α 1 et le deuxième matériau présente un coefficient de dilatation thermique α 2 , α 1 et α 2 étant distincts, de préférence avec │(α 1 -α 2 )/α 1 │≥k*α 1 , avec k≥1,7. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’étape de formation du réseau de tranchées (120), l’étape suivante : Remplir les tranchées (120) avec une couche de remplissage (300). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’étape de remplissage des tranchées (120) est réalisée après l’étape de recuit. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la couche de remplissage (300) est à base d’un matériau diélectrique, par exemple un polymère. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le recuit de consolidation est réalisé à une température de recuit T recuit supérieure à 100°C. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la température de recuit T recuit est supérieure à 200°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, avant l’étape de fourniture de l’empilement (1), l’étape suivante : Réaliser un collage de la première couche (100) sur la deuxième couche (200) à une température de collage T collage inférieure à 100°C, de préférence inférieure à 40°C. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la température de recuit T recuit est supérieure à la température de collage T collage . Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel l’étape de collage comprend la mise en œuvre d’au moins une technique parmi le collage par fusion direct, le collage hydrophile direct et le collage eutectique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’étape de fourniture de l’empilement et avant l’étape de formation du réseau de tranchées (120), l’étape suivante : Amincir la première couche (100) à partir de la première face supérieure (101) jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur intermédiaire e 100,inter . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre, après l’étape de recuit, l’étape suivante : Amincir la première couche (100) jusqu’à ce qu’elle présente une épaisseur finale e 100, final e . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le deuxième matériau est à base de l’un au moins parmi le saphir et le GaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le réseau de tranchées (120) comprend un ensemble de tranchées parallèles entre elles s’étendant selon une deuxième direction (Y) et présentant selon une première direction (X) normale à la deuxième direction (Y) une dimension dite largeur de tranchée l 120,X , et dans lequel les tranchées s’étendant selon la deuxième direction (Y) sont séparées deux à deux par des îlots (110) présentant chacun selon la première direction (X) une dimension dite première dimension d’îlot l 1 1 0,X , le rapport l 1 1 0,X /l 120,X étant dit premier rapport de forme. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le premier rapport de forme est inférieur à 10, de préférence inférieur à 4. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le premier rapport de forme est supérieur à 0,1, de préférence supérieur à 0,25. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 et 11 à 16, dans lequel l’empilement (1) comprend en outre une première couche active (150) et une deuxième couche active (250) au contact respectivement de la face inférieure (102) de la première couche (100) et de la face supérieure (201) de la deuxième couche (200). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la première couche active (150) comprend une pluralité de photo-éléments (155), chaque photo-élément (155) étant configuré pour pouvoir émettre un faisceau lumineux. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la deuxième couche active (250) comprend une électronique de commande (255) des photo-éléments de la première couche active (150). Procédé selon la revendication précédente dans lequel l’électronique de commande comprend des transistors CMOS (256). Procédé selon l’une quelconque des quatre revendications précédentes comprenant en outre, avant l’étape de fourniture de l’empilement (1), l’étape suivante : Réaliser un collage de la première couche active (150) sur la deuxième couche active (250) à une température de collage T collage inférieure à 100°C, de préférence inférieure à 40°C. Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la première couche active (150) comprend des zones métalliques de reprise de contact électrique (160) et dans lequel l’étape de formation du réseau d’îlots (110) et de tranchées (120) est configurée pour mettre à jour une partie au moins de certains au moins des zones de reprise de contact électrique (160).