FR 3143895 A1 20240621 FR 2213765 A 20221219 L’invention concerne un dispositif de protection (1) de surtension rapide et de surtension lente disposé en parallèle d’un canal de génération d’un courant alternatif (L1-L2), le dispositif de protection (1) comprenant : Une première source de courant (S1) comprenant une entrée (S11) et une sortie (S12), l’entrée (S11) de la première source de courant (S1) étant reliée à une première borne (L1) du canal de génération, Une deuxième source de courant (S2) comprenant une entrée (S21) et une sortie (S22), l’entrée (S21) de la deuxième source de courant (S2) étant reliée à une deuxième borne (L2) du canal de génération, la sortie (S22) de la deuxième source de courant (S2) étant reliée à la sortie (S12) de la première source de courant (S1). Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Protection surtension non inductive pour une génération électrique AC sans distorsion et disponible L’invention concerne la protection des charges connectées à un canal de génération électrique alternatif. Plus précisément, l’invention s’intéresse à la protection contre les surtensions dans un réseau électrique alternatif. L’invention trouve un intérêt particulier dans le domaine de l’aéronautique dans lequel la sécurité des circuits et réseaux électriques alternatifs est primordial mais trouve également un intérêt dans le domaine de la génération d’électricité dans un réseau nécessitant par exemple l’utilisation d’une machine selfique. Dans un réseau électrique alternatif, différents types de surtensions peuvent être détectés de manière éphémère ou plus durable. Et, ces surtensions peuvent endommager les équipements électriques ou électroniques et amener à des évènements catastrophiques en particulier pour les systèmes associés à une disponibilité importante et un taux de panne faible. Actuellement, deux types de surtension peuvent être identifiés : Les surtensions « rapides » pour lesquels le temps de réaction pour compenser la surtension doit être court sous peine de grandement impacter le réseau électrique, Les surtensions « lentes » induisant une génération plus importante d’énergie mais ne nécessitant pas un temps de réaction faible de gestion de la surtension dans le réseau. Habituellement les protections contre les surtensions rapides et les surtensions lentes sont réalisées par des systèmes de protections différents. Ainsi, afin de protéger le réseau électrique alternatif contre une surtension rapide, un utilisateur peut décider d’incorporer dans le circuit : Une diode Zener Transil ou un écreteur actif qui présente un temps de réaction très faible, à savoir inférieur à la nanoseconde, mais ne permet d’absorber qu’une faible quantité d’énergie. En outre, ce type de composant présente une tolérance vis-à-vis de la surtension inférieure à 5%, c’est-à-dire que la surtension ne doit pas être très élevée par rapport à la tension habituellement mesurable dans le réseau et génère des perturbations hautes fréquences lors de leur utilisation, Une varistance oxyde de zinc qui présente un temps de réaction faible, compris entre une dizaine de nanosecondes et une centaine de nanosecondes mais ne peut absorber qu’une faible quantité d’énergie également. De plus, ce type de composant présente une tolérance vis-à-vis de la surtension relativement plus élevée par rapport à la diode zener mais toujours faible. Néanmoins, à l’inverse de la diode zener, la varistance ZNO présente l’intérêt de ne pas générer de perturbation dans le réseau, Un éclateur à gaz qui présente, quant à lui, un temps de réaction relativement plus important par rapport aux composants cités précédemment, à savoir de quelques microsecondes à la milliseconde mais qui présente l’intérêt d’absorber une forte quantité d’énergie pendant la surtension. En outre, sa tolérance par rapport à la surtension est alors également importante par rapport aux composants cités précédemment. Néanmoins, ce composant présente l’inconvénient de rendre le réseau indisponible, Et enfin, une résistance crowbar peut également être envisagée. Ce composant présente un temps de réaction et une capacité à absorber l’énergie équivalent aux caractéristiques de l’éclateur à gaz. Néanmoins, ce composant présente une tolérance à la surtension équivalente à la varistance ZNO et induit à une indisponibilité du réseau électrique lors de son utilisation. Néanmoins, aucun de ces composants ne permet de protéger le réseau lorsque d’une surtension lente, générant une énergie importante dans le réseau, apparait. Dès lors, afin de protéger le circuit lors d’une surtension lente, l’homme du métier peut décider d’ajouter au circuit une résistance commutée permettant d’absorber l’énergie générer. Néanmoins, ce composant génère également une surtension à l’ouverture. Ainsi, il n’existe actuellement pas de composant permettant de composant une surtension rapide et une surtension lente et l’homme du métier se retrouve dans l’obligation d’ajouter plusieurs composants dans son réseau, ce qui n’est parfois pas envisageable lorsque l’espace disponible est faible. L’invention vise à pallier tout ou partie des problèmes cités plus haut en proposant un dispositif de protection contre les surtensions rapides et les surtensions lentes qui ne génère pas de distorsion et ne réduit pas la puissance disponible du réseau électrique. En outre, ce dispositif de protection se caractérise avantageusement par un temps de réaction faible, à savoir inférieur à la microseconde et sa capacité à écrêter les surtensions positives et négatives de façon indépendantes. A cet effet, l’invention a pour objet un un dispositif de protection de surtension rapide et de surtension lente disposé en parallèle d’un canal de génération d’un courant alternatif, le dispositif de protection comprenant : Une première source de courant comprenant une entrée et une sortie, l’entrée de la première source de courant étant reliée à une première borne du canal de génération, Une deuxième source de courant comprenant une entrée et une sortie, l’entrée de la deuxième source de courant étant reliée à une deuxième borne du canal de génération, la sortie de la deuxième source de courant étant reliée à la sortie de la première source de courant. Selon un aspect de l’invention, la première source de courant et/ou la deuxième source de courant sont configurées pour générer un courant proportionnel à une tension mesurable à la première source de courant ou à la deuxième source de courant. Selon un aspect de l’invention, le dispositif de protection de surtension comprend un détecteur de surtension configuré pour détecter un niveau de surtension entre la première borne et la deuxième borne du canal de génération, le niveau de surtension étant une valeur de tension entre la première borne et la deuxième borne du canal de génération supérieure à une première valeur de tension seuil prédéfinie. Selon un aspect de l’invention, la première source de courant comprend : un premier transistor, le premier transistor comprenant : une première borne reliée à la première borne du canal de génération, une deuxième borne reliée à la première borne du canal de génération, une troisième borne reliée à la deuxième source de courant, une première diode comprenant une cathode reliée à la première borne du premier transistor et une anode reliée à la troisième borne du premier transistor, une première résistance disposée entre la première borne du canal de génération et la deuxième borne du premier transistor et reliée au détecteur de surtension, un premier dispositif de régulation du courant relié au détecteur de surtension, disposé entre la première résistance et la deuxième borne du premier transistor et configuré pour limiter le courant traversant le premier transistor à une valeur de courant prédéfinie. Selon un aspect de l’invention, la première source de courant comprend un premier dispositif d’activation du premier dispositif de régulation relié au détecteur de surtension configuré pour basculer d’un état désactivé, dans lequel le premier dispositif de régulation est inactif, à un état activé, dans lequel le premier dispositif de régulation est actif, lorsque le détecteur de surtension détecte le niveau de surtension, le premier dispositif d’activation comprenant : Un premier détecteur de tension auxiliaire configuré pour déterminer une valeur de tension entre la première borne et la deuxième borne du canal de génération, Un premier détecteur de courant disposé entre la troisième borne du premier transistor et la deuxième source de courant configuré pour déterminer une valeur de courant à la troisième borne du premier transistor, le premier dispositif d’activation étant configuré pour basculer de l’état activé à l’état désactivé lorsque la valeur de tension déterminée par le premier détecteur de tension auxiliaire est inférieure à une deuxième valeur de tension prédéfinie et lorsque la valeur de courant déterminer par le premier détecteur de courant est nulle. Selon un aspect de l’invention, la deuxième source de courant comprend : un deuxième transistor, le deuxième transistor comprenant : une première borne reliée à la deuxième borne du canal de génération, une deuxième borne reliée à la deuxième borne du canal de génération, une troisième borne reliée à la première source de courant, une deuxième diode comprenant une cathode reliée à la première borne du deuxième transistor et une anode reliée à la troisième borne du deuxième transistor, une deuxième résistance disposée entre la deuxième borne du canal de génération et la deuxième borne du deuxième transistor et reliée au détecteur de surtension, un deuxième dispositif de régulation du courant relié au détecteur de surtension, disposé entre la deuxième résistance et la deuxième borne du deuxième transistor et configuré pour limiter le courant traversant le deuxième transistor à une valeur de courant prédéfinie. Selon un aspect de l’invention, la deuxième source de courant comprend un deuxième dispositif d’activation du deuxième dispositif de régulation relié au détecteur de surtension configuré pour basculer d’un état désactivé, dans lequel le deuxième dispositif de régulation est inactif, à un état activé, dans lequel le deuxième dispositif de régulation est actif, lorsque le détecteur de surtension détecte le niveau de surtension, le deuxième dispositif d’activation comprenant : Un deuxième détecteur de tension auxiliaire configuré pour déterminer une valeur de tension entre la première borne et la deuxième borne du canal de génération, Un deuxième détecteur de courant disposé entre la troisième borne du deuxième transistor et la première source de courant configuré pour déterminer une valeur de courant à la troisième borne du deuxième transistor, le deuxième dispositif d’activation étant configuré pour basculer de l’état activé à l’état désactivé lorsque la valeur de tension déterminée par le deuxième détecteur de tension auxiliaire est inférieure à une troisième valeur de tension prédéfinie et lorsque la valeur de courant déterminer par le deuxième détecteur de courant est nulle. Selon un aspect de l’invention, le premier transistor est un transistor bipolaire. Selon un aspect de l’invention, le deuxième transistor est un transistor bipolaire. Selon un aspect de l’invention, le dispositif de protection comprend un dispositif d’ouverture du dispositif de protection. Selon un aspect de l’invention, le dispositif de protection une première unité de protection, la première unité de protection comprenant la première source de courant et la deuxième source de courant, le dispositif de protection comprenant au moins une unité de protection additionnelle comprenant une première source de courant additionnelle identique à la première source de courant et une deuxième source de courant additionnelle identique à la deuxième source de courant, l’au moins une unité de protection additionnelle étant disposée en dérivation de la première unité de protection. L’invention sera mieux comprise et d’autres avantages apparaîtront à la lecture de la description détaillée d’un mode de réalisation donné à titre d’exemple, description illustrée par le dessin joint dans lequel : la représente une vue schématique d’un dispositif de protection de surtension rapide et de surtension lente selon l’invention ; la représente une vue agrandie du dispositif de protection de la ; la représente une vue structurelle du dispositif de protection de la ; la représente le dispositif de protection selon une première variante ; la représente le dispositif de protection selon une deuxième variante; la représente un chronogramme de l’impact du dispositif de protection sur la machine électrique selon l’invention ; la représente un chronogramme du comportement ondulatoire dans un canal de génération électrique en l’absence du dispositif de protection selon l’invention ; la représente un chronogramme du comportement ondulatoire dans un canal de génération électrique en présence du dispositif de protection selon l’invention. Par souci de clarté, les mêmes éléments porteront les mêmes repères dans les différentes figures. La représente ainsi une vue schématique d’un dispositif de protection 1 de surtension rapide et de surtension lente disposé en parallèle d’un canal de génération d’un courant alternatif L1-L2 entre une première borne L1 et une deuxième borne L2. Comme énoncé précédemment, le courant entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 au niveau du canal de génération L1-L2 est un courant alternatif, ce qui veux dire que le sens du courant électrique peut se faire de la première borne L1 en direction de la deuxième borne L2 ou de la deuxième borne L2 en direction de la première borne L1. Le dispositif de protection 1 est donc disposé selon son propre canal 10 parallèle au canal de génération L1-L2. Le dispositif de protection 1 comprend une première source de courant S1 comprenant une entrée S11 et une sortie S12. Et, l’entrée S11 de la première source de courant S1 est reliée à la première borne L1 du canal de génération L1-L2. Le dispositif de protection 1 comprend également une deuxième source de courant S2 qui comprend aussi une entrée S21 et une sortie S22. Et, l’entrée S21 de la deuxième source de courant S2 est reliée à la deuxième borne L2 du canal de génération L1-L2 alors que la sortie S22 de la deuxième source de courant S2 est reliée à la sortie S12 de la première source de courant S1. Cette disposition présente ainsi l’avantage de pouvoir réguler toute surtension positive ou négative en fonction du sens du courant. Autrement dit, la première source de courant S1 et la deuxième source de courant S2 sont positionnées en série sur le canal 10. Et, la deuxième source de courant S2 est positionnée de sorte à être opposée à la première source de courant S1. La deuxième source de courant S2 est ainsi positionnée « tête bêche » par rapport à la première source de courant S1. Ainsi, lorsque le sens du courant se fait de la première borne L1 en direction de la deuxième borne L2, alors la première source de courant S1 est active car dans le sens du courant alors que la deuxième source de courant S2 est, quant à elle, opposée au sens du courant et donc inactive. A l’inverse, lorsque le sens du courant se fait de la deuxième borne L2 en direction de la première borne L1, alors la deuxième source de courant S2 est active car dans le sens du courant alors que la première source de courant S1 est, quant à elle, opposée au sens du courant et donc inactive. En variante, la première source de courant S1 et/ou la deuxième source de courant S2 peuvent être un moyen actif de génération de courant commandé. Plus précisément, la tension mesurable au niveau du canal de génération L1-L2 étant identique à la tension mesurable au niveau du canal 10. Si une surtension est détectée entre la première borne L1 et la deuxième borne L2, cette surtension est également détectée au niveau du dispositif de protection 1. Or, le courant étant proportionnelle à la tension aux bornes du canal de génération L1-L2 et dans le canal 10, le dispositif de protection 1 permet, en adaptant le courant, de réguler la tension dans le dispositif de protection 1 et dans le canal de génération L1-L2. Autrement dit, lorsque le sens du courant électrique se fait de la première borne L1 à la deuxième borne L2 et qu’une surtension est détectée au niveau du canal de génération L1-L2, alors la première source de courant S1 permet de générer un courant électrique dans le canal 10 de sorte à réguler la tension sur ce même canal 10 et donc également dans le canal de génération L1-L2 de sorte à limiter la surtension. Et, lorsque le sens du courant électrique se fait de la deuxième borne L2 à la première borne L1 et qu’une surtension est détectée au niveau du canal de génération L1-L2, alors la deuxième source de courant S2 permet de générer un courant électrique dans le canal 10 de sorte à réguler la tension sur ce même canal 10 et donc également dans le canal de génération L1-L2 de sorte à limiter la surtension. Le dispositif de protection 1 permet donc de limiter la tension dans le circuit, à savoir le canal de génération L1-L2 et le canal 10, en régulant le courant traversant le dispositif de protection 1 dans un délai très court, inférieur à la nanoseconde. La représente une vue agrandie du dispositif de protection 1. La première source de courant S1 comprend un premier transistor T1 relié à la première borne L1. Le premier transistor T1 comprend : une première borne T11 reliée à la première borne L1 du canal de génération L1-L2, une deuxième borne T12 reliée également à la première borne L1 du canal de génération L1-L2, et une troisième borne T13 reliée à la deuxième source de courant S2. Le premier transistor T1 est un transistor IGBT de puissance. Il peut également être envisagé que le premier transistor T1 soit un transistor bipolaire. Dès lors, la première borne T11 du transistor bipolaire est alors un collecteur, la deuxième borne T12 du transistor bipolaire est alors une base et la troisième borne T13 du transistor bipolaire est un émetteur. Il peut également être envisagé que le premier transistor T1 soit un transistor de type MOS. Dès lors, la première borne T11 du transistor MOS est alors un drain, la deuxième borne T12 du transistor MOS est alors une grille et la troisième borne T13 du transistor MOS est une source. La première source de courant S1 comprend également une première diode 31 disposé entre la première borne T11 du premier transistor T1 et la troisième borne T13 du premier transistor T1. Autrement dit, la première diode 31 comprend une cathode 311 reliée à la première borne T11 du premier transistor T1 et une anode 312 reliée à la troisième borne T13 du premier transistor T1. Ainsi, comme dit précédemment, lorsque le sens du courant est de la première borne L1 à la deuxième borne L2, alors le courant en provenance de la première borne L1 traverse seulement le transistor de puissance T1 qui est passant puisque la première diode 31, et plus précisément la cathode 311 est bloquée. Ainsi, afin de pouvoir détecter l’éventuelle surtension dans le canal de génération L1-L2 et dans le canal 10, le dispositif de protection 1 comprend un premier détecteur de surtension 21 configuré pour détecter un niveau de surtension OvH entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 du canal de génération L1-L2. Le niveau de surtension OvH est une valeur de tension entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 du canal de génération L1-L2 supérieure à une première valeur de tension seuil prédéfinie. A titre d’exemple indicatif, la première valeur de tension seuil peut être de 200 Volts pour une génération de 115 Vac. Le premier détecteur de surtension 21 est disposé de sorte à mesurer la tension entre la première borne L1 et la deuxième borne T12 du premier transistor T1. Il peut également être envisagé que le premier détecteur de surtension 21 soit disposé de sorte à mesurer la tension entre la première borne L1 et la première borne T11 du premier transistor T1. En outre, la première source de courant S1 comprend une première résistance R1 de sorte à permettre de connaître le potentiel électrique entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 dans le canal de génération électrique L1-L2. Il peut être envisagé, dans une configuration préférentielle, que le premier détecteur de surtension 21 soit relié à la première résistance R1 afin de faciliter la mesure de la tension dans le canal 10. La première source de courant S1 comprend également un premier dispositif de régulation 41 du courant relié au premier détecteur de surtension 21 et configuré pour réguler le courant traversant le premier transistor T1 à une valeur de courant proportionnelle à la tension présente entre la première borne L1 et la deuxième borne L2, avec une valeur maximale de 20 ampères par exemple. De plus, la première source de courant S1 comprend un premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 relié au premier détecteur de surtension 21 configuré pour basculer d’un état désactivé, dans lequel le premier dispositif de régulation 41 est inactif, à un état activé, dans lequel le premier dispositif de régulation 41 est actif, lorsque le premier détecteur de surtension 21 détecte le niveau de surtension OvH. Autrement dit, le premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 est un dispositif d’état configuré pour basculer entre deux états : un état activé et un état désactivé. Lorsque le premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 est dans l’état activé, alors le premier dispositif d’activation 51 permet au premier dispositif de régulation 41 de réguler le courant traversant la première source de courant S1 et le canal 10 de la première borne L1 à la deuxième borne L2. Et, lorsque le premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 est dans l’état désactivé, alors le premier dispositif d’activation 51 bloque le premier dispositif de régulation 41 dans sa régulation du courant dans le canal 10 de la première borne L1 à la deuxième borne L2 de sorte que la première source de courant S1 et, plus particulièrement le premier dispositif de régulation 41, n’applique pas de régulation dans le canal 10. Dès lors, le premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 bascule dans un état activé lorsque le premier détecteur de surtension 21 détecte le niveau de surtension OvH et dans l’état désactivé lorsqu’aucune surtension n’est détectée par le premier détecteur de surtension 21. Le premier dispositif d’activation 51 comprend un premier détecteur de tension auxiliaire 61 configuré pour déterminer une valeur de tension entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 du canal de génération L1-L2. Plus précisément, le premier détecteur de tension auxiliaire 61 peut être configuré pour mesurer la tension entre la deuxième borne T12 du premier transistor T1 et la deuxième borne L2. Pour ce faire, une première résistance auxiliaire R1’ peut être positionnée entre la deuxième borne T12 du premier transistor T1 et la deuxième borne L2 de sorte à permettre au premier détecteur de tension auxiliaire 61 de mesurer la tension aux bornes de la première résistance auxiliaire R1’. Autrement dit, la première résistance auxiliaire R1’ permet de donner une image de la tension entre la deuxième borne T12 du premier transistor T1 et la deuxième borne L2. Le premier détecteur de tension auxiliaire 61 permet ainsi de générer une première condition C1 à la bascule du premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 entre l’état activé et l’état désactivé. Cette première condition C1 de bascule s’interprète comme la mesure d’une tension par le premier détecteur de tension auxiliaire 61 dont la valeur absolue est inférieure à une deuxième valeur de tension seuil prédéfinie. A titre d’exemple indicatif, la deuxième valeur de tension seuil peut être de 170 Volts pour une génération de 115 Vac. La première source de courant S1 peut également comprendre une première résistance de régulation R1’’ configurée pour mesurer le potentiel électrique entre la première borne L1 et une borne C se trouvant entre la première source de courant S1 et la deuxième source de courant S2. Cette première résistance de régulation permet alors de générer une proportionnalité entre la tension mesurable entre la première borne L1 et cette borne C et le courant traversant la première source de courant S1. Le premier dispositif d’activation 51 comprend également un premier détecteur de courant 71 disposé entre la troisième borne T13 du premier transistor T1 et la deuxième source de courant S2 et configuré pour déterminer une valeur de courant à la troisième borne T13 du premier transistor T1. Le premier détecteur de courant 71 permet ainsi d’avoir une mesure fiable du courant en sortie du premier transistor T1. Le premier détecteur de courant 71 permet ainsi de générer une deuxième condition C2 à la bascule du premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 entre l’état activé et l’état désactivé. Cette deuxième condition C2 de bascule s’interprète comme la mesure d’un courant par le premier détecteur de courant 71 nul en sortie du premier transistor T1. Il peut être envisagé que le premier détecteur de courant 71 soit reliée à une première résistance de transistor reliée à la troisième borne T13 du premier transistor T1. La première résistance de transistor est une résistance de faible valeur permettant de donner une image du courant traversant la première source de courant S1. Ainsi, le premier dispositif d’activation 51 est configuré pour basculer de l’état activé à l’état désactivé lorsque la valeur de tension déterminée par le premier détecteur de tension auxiliaire 61 est inférieure à la deuxième valeur de tension prédéfinie et lorsque la valeur de courant déterminée par le premier détecteur de courant 71 est nulle. Autrement dit, le premier dispositif d’activation 51 ne peut basculer de l’état activé à l’état désactivé que lorsque la première condition C1 et la deuxième condition C2 sont respectés toutes les deux. Dès lors, lorsque la première condition C1 et la deuxième condition C2 sont respectées, alors le premier dispositif de régulation 41 est inactif traduisant ainsi un état de fonctionnement nominal dans le canal de génération électrique L1-L2 et dans le canal 10 et une absence de surtension. A l’inverse, l’unique condition permettant au premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 de basculer de l’état inactivé à l’état activé est la détection d’une valeur de tension par le premier détecteur de surtension 21 supérieure à la première valeur de tension seuil et donc un niveau de surtension OvH. Dès lors, le premier dispositif de régulation 41 est actif traduisant ainsi un état de disfonctionnement dans le canal de génération électrique L1-L2 et dans le canal 10 et la présence d’une surtension. En effet, la présence d’une mesure de tension inférieure à la deuxième valeur de tension seuil permet ainsi de mettre en lumière le fait que la tension entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 permet de ne pas dégrader les composants entre la première borne L1 et la deuxième borne L2. Et, la présence d’une annulation du courant entre à la sortie du premier transistor T1 traduit ainsi une inversion du sens du courant entre la première borne L1 et la deuxième borne L2. Et, de manière similaire, la deuxième source de courant S2 comprend un deuxième transistor T2 relié à la deuxième borne L2. Le deuxième transistor T2 comprend : une première borne T21 reliée à la deuxième borne L2 du canal de génération L1-L2, une deuxième borne T22 reliée également à la deuxième borne L2 du canal de génération L1-L2, et une troisième borne T23 reliée à la première source de courant S1. Le deuxième transistor T2 est un transistor de puissance. Il peut également être envisagé que le deuxième transistor T2 soit un transistor bipolaire. Dès lors, la première borne T21 du transistor bipolaire est alors un collecteur, la deuxième borne T22 du transistor bipolaire est alors une base et la troisième borne T23 du transistor bipolaire est un émetteur. Il peut également être envisagé que le deuxième transistor T2 soit un transistor de type MOS. Dès lors, la première borne T21 du transistor MOS est alors un drain, la deuxième borne T22 du transistor MOS est alors une grille et la troisième borne T23 du transistor MOS est une source. La deuxième source de courant S2 comprend également une deuxième diode 32 disposé entre la première borne T21 du deuxième transistor T2 et la troisième borne T23 du deuxième transistor T2. Autrement dit, la deuxième diode 32 comprend une cathode 321 reliée à la première borne T21 du deuxième transistor T2 et une anode 322 reliée à la troisième borne T23 du deuxième transistor T2. Ainsi, lorsque le sens du courant est de la deuxième borne L2 à la première borne L1, alors le courant en provenance de la deuxième borne L2 traverse seulement le deuxième transistor T2 qui est passant puisque la deuxième diode 32 est bloquante. Plus précisément, lorsque le courant est dirigé de la première borne L1 à la deuxième borne L2, alors le courant traverse le premier transistor T1 qui est passant, alors que la première diode 31 est bloquante, puis la deuxième diode 32 qui est passante, alors que le deuxième transistor T2 est bloquant, avant d’arriver au niveau de la deuxième borne L2. A l’inverse, lorsque le courant est dirigé de la deuxième borne L2 à la première borne L1, alors le courant traverse le deuxième transistor T2 qui est passant, alors que la deuxième diode 32 est bloquante, puis la première diode 31 qui est passante, alors que le premier transistor T1 est bloquant, avant d’arriver au niveau de la première borne L1. Ainsi, afin de pouvoir détecter l’éventuelle surtension dans le canal de génération L1-L2 et dans le canal 10 lorsque le courant est dirigé de la deuxième borne L2 à la première borne L1, le dispositif de protection 1 comprend un deuxième détecteur de surtension 22 configuré pour détecter un deuxième niveau de surtension OvH’ entre la deuxième borne L2 et la première borne L1 du canal de génération L1-L2. Le deuxième niveau de surtension OvH’ est une valeur de tension entre la deuxième borne L2 et la première borne L1 du canal de génération L1-L2 supérieure à une troisième valeur de tension seuil prédéfinie. A titre d’exemple indicatif, la troisième valeur de tension seuil peut être peut être de -200 Volts pour une génération de 115 Vac. En effet, la tension étant mesurée de la deuxième borne L2 à la première borne L1, la tension est négative par rapport au canal de génération électrique L1-L2. Selon une configuration préférentielle, le premier détecteur de surtension 21 et le deuxième détecteur de surtension 22 sont compris dans un unique détecteur de surtension comprenant différents capteur de mesure de tension au niveau du premier transistor T1 et du deuxième transistor T2. Cette configuration présente l’avantage de permettre de limiter l’encombrement dans le dispositif de protection 1. En outre, il peut également être envisagé que la valeur absolue de la troisième valeur de tension seuil soit identique à la valeur absolue de la première valeur de tension seuil de sorte que l’unique détecteur de surtension soit configuré pour mesurer la valeur absolue de la tension dans le canal de génération électrique L1-L2, et ce qu’importe le sens du courant. Dès lors, la valeur absolue du niveau de surtension OvH est identique à la valeur absolue du deuxième niveau de surtension OvH’ de sorte que la tension est estimée comme acceptable lorsque la mesure de la valeur de la tension par l’unique détecteur de surtension ou par le premier détecteur de surtension 21 ou par le deuxième détecteur de surtension 22 est comprise entre la première valeur de tension seuil et la troisième valeur de tension seuil. Le deuxième détecteur de surtension 22 est disposé de sorte à mesurer la tension entre la deuxième borne L2 et la deuxième borne T22 du deuxième transistor T2. Il peut également être envisagé que le deuxième détecteur de surtension 22 soit disposé de sorte à mesurer la tension entre la deuxième borne L2 et la première borne T21 du deuxième transistor T2. En outre, la deuxième source de courant S2 comprend une deuxième résistance R2 de sorte à permettre de connaître le potentiel électrique entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 dans le canal de génération électrique L1-L2. Il peut être envisagé, dans une configuration préférentielle, que le deuxième détecteur de surtension 22 soit relié à la deuxième résistance R2 afin de faciliter la mesure de la tension dans le canal 10. Il peut également être envisagé, comme cité précédemment, que l’unique détecteur de surtension soit relié à la première résistance R1 et à la deuxième résistance R2. La deuxième source de courant S2 comprend également un deuxième dispositif de régulation 42 du courant relié au deuxième détecteur de surtension 22 et configuré pour limiter le courant traversant le deuxième transistor T2 à une valeur de courant prédéfinie, avec une valeur maximale de 20 ampères par exemple. Selon une configuration préférentielle, le deuxième dispositif de régulation 42 est disposé entre la deuxième résistance R2 et la deuxième borne T22 du deuxième transistor T2. Néanmoins toute autre disposition peut être envisagée tant que le deuxième dispositif de régulation 42 du courant est relié au deuxième détecteur de surtension 22. En variante, le premier dispositif de régulation 41 et le deuxième dispositif de régulation 42 peuvent être compris dans un unique dispositif de régulation permettant de limiter l’encombrement dans le dispositif de protection 1. De plus, la deuxième source de courant S2 comprend un deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 relié au deuxième détecteur de surtension 22 configuré pour basculer d’un état désactivé, dans lequel le deuxième dispositif de régulation 42 est inactif, à un état activé, dans lequel le deuxième dispositif de régulation 42 est actif, lorsque le deuxième détecteur de surtension 22 détecte le deuxième niveau de surtension OvH’. Autrement dit, le deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 est un dispositif d’état configuré pour basculer entre deux états : un état activé et un état désactivé. Lorsque le deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 est dans l’état activé, alors le deuxième dispositif d’activation 52 permet au deuxième dispositif de régulation 42 de réguler le courant traversant la deuxième source de courant S2 et le canal 10 de la deuxième borne L2 à la première borne L1. Et, lorsque le deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 est dans l’état désactivé, alors le deuxième dispositif d’activation 52 bloque le deuxième dispositif de régulation 42 dans sa régulation du courant dans le canal 10 de la deuxième borne L2 à la première borne L1 de sorte que la deuxième source de courant S2 et, plus particulièrement le deuxième dispositif de régulation 42, n’applique pas de régulation dans le canal 10. Dès lors, le deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 bascule dans un état activé lorsque le deuxième détecteur de surtension 22 détecte le deuxième niveau de surtension OvH’ et dans l’état désactivé lorsqu’aucune surtension n’est détectée par le deuxième détecteur de surtension 22. Le deuxième dispositif d’activation 52 comprend un deuxième détecteur de tension auxiliaire 62 configuré pour déterminer une valeur de tension entre la deuxième borne L2 et la première borne L1 du canal de génération L1-L2. Plus précisément, le deuxième détecteur de tension auxiliaire 62 peut être configuré pour mesurer la tension entre la deuxième borne T22 du deuxième transistor T2 et la première borne L1. Pour ce faire, une deuxième résistance auxiliaire R2’ peut être positionnée entre la deuxième borne T22 du deuxième transistor T2 et la première borne L1 de sorte à permettre au deuxième détecteur de tension auxiliaire 62 de mesurer la tension aux bornes de la deuxième résistance auxiliaire R2’. Autrement dit, la deuxième résistance auxiliaire R2’ permet de donner une image de la tension entre la deuxième borne T22 du deuxième transistor T2 et la première borne L1. Le deuxième détecteur de tension auxiliaire 62 permet ainsi de générer également la première condition C1 à la bascule du deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 entre l’état activé et l’état désactivé. Et, de manière similaire, la première condition C1 de bascule s’interprète comme la mesure d’une tension par le deuxième détecteur de tension auxiliaire 62 dont la valeur absolue est inférieure à la deuxième valeur de tension seuil prédéfinie. La deuxième source de courant S2 peut également comprendre une deuxième résistance de régulation R2’’ configurée pour mesurer le potentiel électrique entre la deuxième borne L2 et la borne C se trouvant entre la première source de courant S1 et la deuxième source de courant S2. Cette deuxième résistance de régulation R2’’ permet alors de générer une proportionnalité entre la tension mesurable entre la deuxième borne L2 et cette borne C et le courant traversant la deuxième source de courant S1. Le deuxième dispositif d’activation 52 comprend également un deuxième détecteur de courant 72 disposé entre la troisième borne T23 du deuxième transistor T2 et la première source de courant S1 et configuré pour déterminer une valeur de courant à la troisième borne T23 du deuxième transistor T2. Le deuxième détecteur de courant 72 permet ainsi d’avoir une mesure fiable du courant en sortie du deuxième transistor T2. Il peut être envisagé que le deuxième détecteur de courant 72 soit reliée à une deuxième résistance de transistor reliée à la troisième borne T23 du deuxième transistor T2. La deuxième résistance de transistor est une résistance de faible valeur permettant de donner une image du courant traversant la deuxième source de courant S2. Le deuxième détecteur de courant 72 permet ainsi de générer la deuxième condition C2 à la bascule du deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 entre l’état activé et l’état désactivé. De manière similaire, la deuxième condition C2 de bascule s’interprète comme la mesure d’un courant par le deuxième détecteur de courant 72 nulle en sortie du deuxième transistor T2. Dès lors, la deuxième condition C2 est active lorsqu’une mesure de courant égale à zéro est observée entre le premier transistor T1 et le deuxième transistor T2, traduisant une inversion du sens du courant entre le premier transistor T1 et le deuxième transistor T2. Ainsi, le deuxième dispositif d’activation 52 est configuré pour basculer de l’état activé à l’état désactivé lorsque la valeur absolue de la tension déterminée par le deuxième détecteur de tension auxiliaire 62 est inférieure à la deuxième valeur de tension et lorsque la valeur de courant déterminée par le deuxième détecteur de courant 72 est nulle. Autrement dit, le deuxième dispositif d’activation 52 ne peut basculer de l’état activé à l’état désactivé que lorsque la première condition C1 et la deuxième condition C2 sont respectés toutes les deux, les validations de ces deux conditions, à savoir la première condition C1 et la deuxième condition C2, étant respectivement transmises par le deuxième détecteur de tension auxiliaire 62 et par le deuxième détecteur de courant 72. A l’inverse, le premier dispositif d’activation 51 bascule de l’état activé à l’état inactivé seulement lorsque la première condition C1 et la deuxième condition C2 sont respectés ensembles, les validations de ces deux conditions, à savoir la première condition C1 et la deuxième condition C2, étant respectivement transmises par le premier détecteur de tension auxiliaire 61 et par le deuxième détecteur de courant 71. Dès lors, lorsque la première condition C1 et la deuxième condition C2 sont respectées, alors le deuxième dispositif de régulation 42 est inactif traduisant ainsi un état de fonctionnement nominal dans le canal de génération électrique L1-L2 et dans le canal 10 et une absence de surtension. A l’inverse, l’unique condition permettant au deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 de basculer de l’état inactivé à l’état activé est la détection d’une valeur absolue de tension par le deuxième détecteur de surtension 22 supérieure à la première valeur de tension seuil et donc un niveau de surtension OvH. Autrement dit, le deuxième dispositif de régulation 42 peut basculer de l’état inactivé à l’état activé seulement si la valeur de tension mesurée par le deuxième détecteur de surtension 22 est inférieure à la troisième valeur de tension seuil, dans le cas où . Dès lors, le deuxième dispositif de régulation 42 est actif traduisant ainsi un état de disfonctionnement dans le canal de génération électrique L1-L2 et dans le canal 10 et la présence d’une surtension. En outre, le dispositif de protection 1 peut également comprendre un dispositif d’ouverture 8 du dispositif de protection 1. Ce dispositif d’ouverture 8 assure une fonction de protection du canal de génération L1-L2 par rapport à une éventuelle surtension générer par le dispositif de protection 1 suite à un disfonctionnement de la première source de courant S1 ou de la deuxième source de courant S2. Le dispositif d’ouverture 8 est ainsi configuré pour ouvrir le canal 10 de sorte à ne plus permettre une transmission du courant dans le canal 10. A titre d’exemple indicatif, le dispositif d’ouverture 8 peut être un interrupteur commandé, un disjoncteur ou encore, selon un aspect préférentiel, un fusible. Le dispositif d’ouverture 8 peut être positionné aléatoirement dans le canal 10, c’est-à-dire entre la première borne L1 et la première source S1, ou entre la première source S1 et la deuxième source S2 ou encore entre la deuxième source S2 et la deuxième borne L2. La représente ainsi une vue structurelle du dispositif de protection 1. Ainsi, il peut être envisagé le premier détecteur de surtension 21, le premier détecteur de tension auxiliaire 61, le premier détecteur de courant 71 et que le premier dispositif de régulation du courant 41 soient des amplificateurs opérationnels. Et, de manière identique, le deuxième détecteur de surtension 22, le deuxième détecteur de tension auxiliaire 62, le deuxième détecteur de courant 72 et le deuxième dispositif de régulation du courant 42 peuvent également être des amplificateurs opérationnels. En variante, un ensemble de transistors peut être envisagé. Ainsi, l’ensemble dispositif d’ouverture 8, première source de courant S1 et deuxième source de courant S2, formant le canal 10 notamment, forment ainsi une première unité de protection 1’. Dès lors, il peut être envisagé que le dispositif de protection 1 comprenne pluralité d’unités de protection, comme représenté en figure 4 avec une deuxième unité de protection additionnelle 1’’ et une unité de protection additionnelle . Chaque unité de protection additionnelle comprend ainsi une structure équivalente à la première unité de protection 1’, c’est-à-dire que chaque unité de protection additionnelle comprend une première source de courant additionnelle S3 identique à la première source de courant S1, une deuxième source de courant additionnelle S4 identique à la deuxième source de courant S2 et un dispositif d’ouverture additionnel 8’. Et, comme dans la première unité de protection 1’, la première source de courant additionnelle S3 est dans un sens opposé à la deuxième source de courant additionnelle S4. Chaque unité de protection additionnelle 1’’ à est disposée en dérivation de la première unité de protection 1’ et du canal de génération électrique L1-L2 de sorte à réguler le courant efficacement et limiter toute surtension détectée. En effet, la surtension générée entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 présente une énergie définie. L’utilisation de plusieurs unités de protection, comprenant la première unité de protection 1’ comme présentée en figures 1 à 3, et une ou plusieurs unités de protection additionnelles 1’’ à , présente l’avantage de répartir l’absorption de l’énergie générée par cette surtension sur plusieurs canaux sans ajouter de composant dédier à cette absorption. Ainsi, à titre d’exemple indicatif, pour une surtension générant une énergie équivalente à une valeur de cent watts, il est possible d’envisager l’utilisation d’une seule unité de protection 1’. Et, pour une surtension générant, par exemple, une énergie équivalente à une valeur d’environ deux cents watts, il peut alors être envisagé d’ajouter une unité de protection additionnelle 1’’. Le dispositif de protection 1 comprend alors deux unités de protection 1’ et 1’’ mises en parallèle l’une de l’autre et également en parallèle du canal de génération électrique L1-L2. En outre, l’utilisation de plusieurs unités de protection additionnelles présente également l’avantage de permettre au dispositif de protection 1 de fonctionner même si l’une des unités de protection additionnelles ne fonctionne pas correctement et qu’il est nécessaire d’ouvrir le canal de l’unité de protection additionnelle défectueuse par le biais du dispositif d’ouverture additionnel 8’ de l’unité de protection additionnelle défectueuse. En outre, dans le cas d’un fonctionnement d’une machine électrique en plusieurs phases, comme représenté en figure 5, il peut être envisagé que chaque phase comprenne un ensemble d’une ou plusieurs unités de protection afin de protéger chaque phase de la machine électrique contre une éventuelle surtension. Ainsi, une première phase N1 formée entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 peut comprendre un premier ensemble de protection P1 formé par la première unité de protection 1’ et éventuellement d’une ou plusieurs unités de protection additionnelles 1’’ à . Et, pour une deuxième phase N2 de la machine électrique formée entre la deuxième borne L2 et une troisième borne L3, il peut également être envisagé d’incorporer un deuxième ensemble de protection P2 formé par une deuxième unité de protection principale 2’ et éventuellement d’une ou plusieurs unités de protection additionnelles 2’’ à . Et, de manière similaire, chaque phase Nx formée entre deux bornes peut comprendre un ensemble de protection Px identique. La représente un chronogramme de l’évolution dans le temps d’une surtension détectée par le dispositif de protection 1. La première ligne de ce chronogramme représente la tension mesurée par le premier détecteur de surtension 21 ou par le deuxième détecteur de surtension 22, en fonction du sens du courant, ainsi que par le premier détecteur de tension auxiliaire 61 ou par le deuxième détecteur de tension auxiliaire 62, en fonction du sens du courant, dans le canal de génération électrique L1-L2 entre la première charge L1 et la deuxième charge L2. Sur cette première ligne du chronogramme est également représentée la première valeur de tension seuil permettant de détecter un niveau de surtension OvH et la deuxième valeur de tension seuil permettant de détecter une valeur de tension nominal et la fin de la surtension mesurée. Ainsi, comme représenté sur la première ligne du chronogramme, une surtension est détectée avec une mesure de tension, par le premier détecteur de surtension 21 ou par le deuxième détecteur de surtension 22, en fonction du sens du courant, supérieure à la première valeur de tension seuil. La deuxième ligne du chronogramme de la est une représentation binaire de l’annulation du courant mesuré par le premier détecteur de courant 71 ou par le deuxième détecteur de courant 72 dans le dispositif de protection 1, et plus particulièrement dans le canal 10. Plus précisément, ce signal est un représentation en créneau dont chaque front représente une annulation du courant dans le canal 10 permettant ainsi d’être en accord avec la deuxième condition C2 afin de permettre la bascule du premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 ou du deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 entre l’état activé et l’état désactivé. Dès lors, la deuxième condition C2 est respectée à chaque front du créneau. La troisième ligne du chronogramme est également une représentation binaire de la détection de la part du premier détecteur de tension auxiliaire 61 ou du deuxième détecteur de tension auxiliaire 62, en fonction du sens du courant, d’une tension inférieure à la deuxième valeur de tension seuil. Plus précisément, le signal binaire est dans une position haute lorsque la tension mesurée par le premier détecteur de tension auxiliaire 61 ou le deuxième détecteur de tension auxiliaire 62 est inférieure à la deuxième valeur de tension seuil et dans une position basse lorsque la tension mesurée est supérieure à la deuxième valeur de tension seuil. Autrement dit, la troisième ligne de ce chronogramme est une représentation binaire du respect de la première condition C1 permettant la bascule du premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 ou du deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 entre l’état activé et l’état désactivé. Dès lors, la première condition C1 est respectée lorsque le signal est dans sa position haute. Ainsi, la deuxième ligne et la troisième ligne du chronogramme de la sont des représentations graphiques des conditions cumulatives, à savoir la première condition C1 et la deuxième condition C2 permettant la bascule du premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 ou du deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 entre l’état activé et l’état désactivé. Dès lors, la deuxième condition C2 est respectée à chaque front du créneau. Dès lors, cette bascule entre l’état activé et l’état désactivé s’effectue lorsque simultanément, un front est détecté dans le signal créneau de la deuxième ligne et que le signal de la troisième ligne est dans sa position haute. La quatrième ligne du chronogramme de la représente la détection d’un niveau de surtension OvH par le premier détecteur de surtension 21 ou par le deuxième détecteur de surtension 22, en fonction du sens du courant dans le canal de génération électrique L1-L2. Cette détection se fait par le biais d’une représentation binaire dans laquelle une position haute représente une surtension détectée et une position basse représente l’absence d’une détection de surtension. Dès lors, la bascule de l’état inactivé à l’état activé du premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 ou du deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 se fait lorsque ce niveau de surtension est détecté, c’est-à-dire lorsque le signal bascule en position haute. La cinquième ligne du chronogramme de la représente alors la durée pendant laquelle le premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 ou le deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 est dans l’état activé ou dans l’état désactivé. Plus précisément, cette représentation binaire permet d’indiquer que lorsque le signal est dans une position haute, alors le premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 ou le deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 est dans l’état activé à la suite d’une détection d’une surtension alors que lorsque le signal est dans une position basse, alors premier dispositif d’activation 51 du premier dispositif de régulation 41 ou le deuxième dispositif d’activation 52 du deuxième dispositif de régulation 42 est dans l’état désactivé suite à la détection simultanée de la première condition C1 et de la deuxième condition C2. Enfin, la cinquième ligne du chronogramme de la représente la valeur de la tension entre la première borne L1 et la deuxième borne L2 suite à une surtension, mettant en évidence la limitation de la surtension détectée sur un temps réduit par le biais du dispositif de protection 1. Les figures 7A et 7B présentent ainsi des formes d’ondes associées à la tension mesurée dans le canal de génération électrique L1-L2 traversé par un courant alternatif. Plus précisément, la présente une situation dans laquelle le canal de génération électrique L1-L2 fonctionne sans apport du dispositif de protection alors que la représente une situation dans laquelle le canal de génération électrique L1-L2 est suppléé, en cas de surtension, par le dispositif de protection 1. Dès lors, le dispositif de protection 1 permet de limiter tout pic de surtension détecté au-delà des seuils et de sorte à ne pas impacter les composants électriques présents dans le canal de génération électrique L1-L2. Le dispositif de protection 1 proposé a donc pour objectif, par un moyen unique, de s’affranchir des surtensions rapides et lentes sans distorsion et sans réduire la puissance disponible du réseau électrique. La modularité de ce moyen permet de rendre cette fonction de protection disponible et adaptable aux énergies plus ou moins importances à absorber. Ce dispositif de protection 1 se caractérise par : sa rapidité, inférieure à la micro seconde, pour les surtensions impulsives nommées « rapides », sa distorsion faible, inférieure à 2%, pour les surtensions nommées « lentes » c’est-à-dire à la fréquence de la génération électrique, c’est-à-dire pour des plages de fréquence d’environ 50/60Hz, 400/800 Hz par exemple, sa capacité à écrêter les surtensions positives et négatives de façon indépendante, sans impact sur la puissance disponible du canal de génération, c’est-à-dire avec une déconnexion de la protection lorsque la surtension est dans le gabarit souhaité, sans générer lui-même de surtension lors de sa déconnexion, une protection unique qui protège aussi bien des surtensions rapides que des surtensions lentes, une redondance permettant d’assurer la disponibilité de la fonction de protection, une modularité permettant d’adapter le dispositif de protection 1 à l’énergie à absorber en fonction de la surtension et du temps plus ou moins important dans le canal de génération, la présence d’un dispositif de sécurité, c’est-à-dire d’un élément qui s’ouvre si la fonction de protection est en court-circuit, sa capacité à réaliser une régulation automatique pour garantir la disponibilité de la fonction de protection. Dispositif de protection (1) de surtension rapide et de surtension lente disposé en parallèle d’un canal de génération d’un courant alternatif (L1-L2), le dispositif de protection (1) comprenant : Une première source de courant (S1) comprenant une entrée (S11) et une sortie (S12), l’entrée (S11) de la première source de courant (S1) étant reliée à une première borne (L1) du canal de génération, Une deuxième source de courant (S2) comprenant une entrée (S21) et une sortie (S22), l’entrée (S21) de la deuxième source de courant (S2) étant reliée à une deuxième borne (L2) du canal de génération, la sortie (S22) de la deuxième source de courant (S2) étant reliée à la sortie (S12) de la première source de courant (S1). Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 1, dans lequel la première source de courant (S1) et/ou la deuxième source de courant (S2) sont configurées pour générer un courant proportionnel à une tension mesurable à la première source de courant (S1) ou à la deuxième source de courant (S2). Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 1 ou 2, comprenant un détecteur de surtension (21-22) configuré pour détecter un niveau de surtension entre la première borne (L1) et la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), le niveau de surtension étant une valeur de tension entre la première borne (L1) et la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2) supérieure à une première valeur de tension seuil prédéfinie. Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 3, dans lequel la première source de courant (S1) comprend : un premier transistor (T1), le premier transistor (T1) comprenant : une première borne (T11) reliée à la première borne (L1) du canal de génération (L1-L2), une deuxième borne (T12) reliée à la première borne (L1) du canal de génération (L1-L2), une troisième borne (T13) reliée à la deuxième source de courant (S2), une première diode (31) comprenant une cathode (311) reliée à la première borne (T11) du premier transistor (T1) et une anode (312) reliée à la troisième borne (T13) du premier transistor (T1), une première résistance (R1) disposée entre la première borne (L1) du canal de génération (L1-L2) et la deuxième borne (T12) du premier transistor (T1) et reliée au détecteur de surtension (21-22), un premier dispositif de régulation (41) du courant relié au détecteur de surtension (21-22), disposé entre la première résistance (R1) et la deuxième borne (T12) du premier transistor (T1) et configuré pour limiter le courant traversant le premier transistor (T1) à une valeur de courant prédéfinie. Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 4, dans lequel la première source de courant (S1) comprend un premier dispositif d’activation (51) du premier dispositif de régulation (41) relié au détecteur de surtension (21-22) configuré pour basculer d’un état désactivé, dans lequel le premier dispositif de régulation (41) est inactif, à un état activé, dans lequel le premier dispositif de régulation (41) est actif, lorsque le détecteur de surtension (21-22) détecte le niveau de surtension, le premier dispositif d’activation (51) comprenant : Un premier détecteur de tension auxiliaire (61) configuré pour déterminer une valeur de tension entre la première borne (L1) et la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), Un premier détecteur de courant (71) disposé entre la troisième borne (T13) du premier transistor (T1) et la deuxième source de courant (S2) configuré pour déterminer une valeur de courant à la troisième borne (T13) du premier transistor (T1), le premier dispositif d’activation (51) étant configuré pour basculer de l’état activé à l’état désactivé lorsque la valeur de tension déterminée par le premier détecteur de tension auxiliaire (61) est inférieure à une deuxième valeur de tension prédéfinie et lorsque la valeur de courant déterminer par le premier détecteur de courant (71) est nulle. Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 3, dans lequel la deuxième source de courant (S2) comprend : un deuxième transistor (T2), le deuxième transistor (T2) comprenant : une première borne (T21) reliée à la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), une deuxième borne (T22) reliée à la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), une troisième borne (T23) reliée à la première source de courant (S1), une deuxième diode (32) comprenant une cathode (321) reliée à la première borne (T21) du deuxième transistor (T2) et une anode (322) reliée à la troisième borne (T23) du deuxième transistor (T2), une deuxième résistance (R2) disposée entre la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2) et la deuxième borne (T22) du deuxième transistor (T2) et reliée au détecteur de surtension (21-22), un deuxième dispositif de régulation (42) du courant relié au détecteur de surtension (2), disposé entre la deuxième résistance (R2) et la deuxième borne (T22) du deuxième transistor (T2) et configuré pour limiter le courant traversant le deuxième transistor (T2) à une valeur de courant prédéfinie. Dispositif de protection (1) de surtension selon la revendication 6, dans lequel la deuxième source de courant (S2) comprend un deuxième dispositif d’activation (52) du deuxième dispositif de régulation (42) relié au détecteur de surtension (21-22) configuré pour basculer d’un état désactivé, dans lequel le deuxième dispositif de régulation (42) est inactif, à un état activé, dans lequel le deuxième dispositif de régulation (42) est actif, lorsque le détecteur de surtension (21-22) détecte le niveau de surtension, le deuxième dispositif d’activation (52) comprenant : Un deuxième détecteur de tension auxiliaire (62) configuré pour déterminer une valeur de tension entre la première borne (L1) et la deuxième borne (L2) du canal de génération (L1-L2), Un deuxième détecteur de courant (72) disposé entre la troisième borne (T32) du deuxième transistor (T2) et la première source de courant (S1) configuré pour déterminer une valeur de courant à la troisième borne (T32) du deuxième transistor (T2), le deuxième dispositif d’activation (52) étant configuré pour basculer de l’état activé à l’état désactivé lorsque la valeur de tension déterminée par le deuxième détecteur de tension auxiliaire (62) est inférieure à une troisième valeur de tension prédéfinie et lorsque la valeur de courant déterminer par le deuxième détecteur de courant (72) est nulle. Dispositif de protection (1) selon l’une des revendications 4 ou 5, dans lequel le premier transistor (T1) est un transistor bipolaire. Dispositif de protection (1) selon l’une des revendications 6 ou 7, dans lequel le deuxième transistor (T2) est un transistor bipolaire. Dispositif de protection (1) selon l’une des revendications précédentes, comprenant un dispositif d’ouverture (8) du dispositif de protection. Dispositif de protection (1) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une première unité de protection, la première unité de protection comprenant la première source de courant (S1) et la deuxième source de courant (S2), le dispositif de protection (1) comprenant au moins une unité de protection additionnelle comprenant une première source de courant additionnelle (S3) identique à la première source de courant (S1) et une deuxième source de courant additionnelle (S4) identique à la deuxième source de courant (S2), l’au moins une unité de protection additionnelle étant disposée en dérivation de la première unité de protection.