FR 3145571 A1 20240809 FR 2301091 A 20230206 Procédé de revêtement d’un substrat par de l’oxyde d’aluminium La présente invention concerne un procédé de revêtement d’un substrat (12) par de l’oxyde d’aluminium alpha par la technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance, dans lequel on utilise une cible (11) d’aluminium et dans lequel le revêtement du substrat est effectué sous atmosphère contenant un mélange d’argon et d’oxygène, à une pression inférieure ou égale à 10 Pa, la polarisation de la cible étant contrôlée durant le revêtement en imposant à celle-ci la superposition d’une polarisation continue à un potentiel (Vc) compris entre -300 V et 0 V et d’une polarisation pulsée dont les pulses ont un potentiel (Vp) compris entre -1200 V et -400 V et une fréquence comprise entre 50 Hz et 5000 Hz. Figure pour l’abrégé : Fig. 2. Procédé de revêtement d’un substrat par de l’oxyde d’aluminium La présente invention se rapporte au domaine général des revêtements en oxyde d’aluminium (également dénommé alumine) et plus particulièrement des revêtements pour alliages métalliques, et encore plus particulièrement elle concerne un procédé de revêtements d’un substrat par un oxyde d’aluminium. . Différents alliages métalliques tels que les alliages de titane, TiAl, ou les alliages base nickel nécessitent une protection contre l’oxydation et/ou la corrosion pour maintenir leurs performances à des températures d’emploi plus élevées. Parmi les nombreuses solutions qui peuvent être envisagées, une couche d’alumine alpha est la meilleure solution possible dans la majorité des cas. En effet, l’alumine alpha présente d’excellentes performances de résistance à l’oxydation et à la corrosion. De plus, le coefficient de diffusion de l’oxygène dans sa forme cristalline alpha est faible, ce qui la rend relativement imperméable à l’oxygène. C’est aussi la forme d’alumine la plus stable à haute température. Cependant, le domaine de température nécessaire usuellement pour faire croître de l’alumine alpha (germinations homogène et hétérogène) est de l’ordre de 900°C et plus. En effet l’oxyde d’aluminium alpha est classiquement élaboré par dépôt chimique en phase vapeur (« Chemical Vapor Deposition » ou « CVD »), dépôt physique en phase vapeur (« Physical Vapor Deposition » ou « PVD ») ou par sol-gel. Les méthodes de CVD et sol-gel utilisent toutes deux des températures supérieures à 1000°C pour la stabilisation de la phase alpha de l’oxyde d’aluminium. Cette température n’est pas compatible avec la plupart des alliages métalliques et limite donc énormément le choix des substrats. La PVD regroupe diverses techniques qui permettent de stabiliser la phase alpha désirée à des températures de chauffage des substrats inférieures à 1000°C (de 480 °C à 580 °C), même si, généralement, le revêtement possède des phases mixtes d’oxyde d’aluminium métastables telles que la phase gamma. C’est le cas par exemple de la pulvérisation cathodique magnétron (Magnetron sputtering) réactive ou non (températures de 480 °C à 580 °C), de la pulvérisation cathodique magnétron pulsée en réactif (température de 760°C), ou encore de la pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance (HIPIMS) mais sur un substrat en cermet (température de 650°C). L’utilisation de la co-pulvérisation a aussi été employée afin de favoriser la croissance de la phase alpha et limiter celle de gamma par ajout d’un dopant comme le chrome, tout en réduisant la température utilisée (500°C). Il a également été proposé d’utiliser une sous couche d’oxyde de chrome jouant sur le fait qu’il y a une faible variation des paramètres de mailles entre les 2 phases (température 450°C). De manière générale, pour déposer une alumine bien cristallisée, il faut utiliser des températures supérieures à 300°C pour les phases métastables et plutôt supérieures à 500°C pour l’alumine alpha ou alors recourir à des post-traitements thermiques. Cette température reste encore trop haute pour certains alliages tels que les alliages de titane, TiAl, et selon la technique de dépôt utilisée, ne garantit pas d’obtenir une couche d’alumine alpha bien cristallisée. Pour résumer, les solutions existantes basées sur l’utilisation de la pulvérisation cathodique magnétron en réactionnel ou encore la pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance (HIPIMS) ne permettent pas l’élaboration d’oxyde d’aluminium alpha à des températures inférieures à celle dégradant le substrat métallique ( La seule solution qui permette aujourd’hui la croissance d’une couche d’alumine sur le substrat, en particulier dans le cas de TiAl, est le recours à l’effet halogène, comme le décrit par exemple la demande de brevet WO2020/229747, qui nécessite de fait l’usage de gaz halogénés, ce qui peut poser des problèmes de toxicité. Ainsi il existe un besoin de trouver un nouveau procédé permettant le dépôt d’une couche d’alumine alpha sur un substrat de géométrie complexe, tel qu’une aube de turbine, à une température compatible avec la plupart des alliages métalliques et en particulier inférieure à 850°C et même inférieure à 500°C, sans utilisation de gaz halogénés et ayant des vitesses de dépôt suffisamment importantes. L’invention repose sur l’utilisation de la technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance (HiPIMS acronyme anglais pour High Power Impulse Magnetron Sputtering) pour réaliser un dépôt d’alumine alpha par une maitrise fine des paramètres procédé. La technique HiPIMS a pour avantage entre autres, de permettre la densification des revêtements réalisés, d’augmenter l’adhérence avec le substrat et de par la maitrise des paramètres du procédé d’être capable de maitriser la structure des phases déposées et leur microstructure. Elle évite en outre l’utilisation de gaz halogénés et présente une vitesse de dépôt importante. Elle présente en outre un impact environnemental bien moindre que les méthodes dites par « voies humides ». Bien que largement documentée, cette technique n’a jamais été développée pour déposer le revêtement d’oxyde d’aluminium et il n’était pas évident qu’elle lui soit applicable. En effet le gaz réactif utilisable est très différent de celui décrit dans l’art antérieur, ce qui nécessite une modification importante des paramètres procédé utilisés. Ainsi, le gaz réactif utilisé dans la présente invention est l’oxygène qui a la particularité d’être un gaz électronégatif, quand les principaux gaz plasmagènes (comme l’azote) sont des gaz électropositifs. Cela signifie que l’oxygène introduit des ions négatifs dans la décharge. Cela modifie drastiquement la gestion de l’énergie couplée dans la décharge puisqu’il faut considérer deux distributions d’ions, une positive et l’autre négative. C’est pour cela que la transposition de la technique connue de l’art antérieur au procédé selon l’invention n’est absolument pas évidente. Cette technique permet d’obtenir une alumine alpha très difficile à obtenir à basse température. La présente invention concerne donc un procédé de revêtement d’un substrat par de l’oxyde d’aluminium par technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance, dans lequel on utilise une cible d’aluminium et dans lequel le revêtement du substrat est effectué sous atmosphère contenant un mélange d’argon et d’oxygène, à une pression inférieure ou égale à 10 Pa, la polarisation de la cible étant contrôlée durant le revêtement en imposant à celle-ci la superposition d’une polarisation continue à un potentiel compris entre -300 V et 0 V, avantageusement entre – 250 V et – 50 V, plus avantageusement entre -250V et -100V, en particulier entre -250 V et -150 V, plus particulièrement un potentiel de -200 V, et d’une polarisation pulsée dont les pulses ont un potentiel compris entre -1200 V et -400 V et une fréquence comprise entre 50 Hz et 5000 Hz. Dans la présente demande, les expressions « compris(e) entre ... et ... », doit s'entendre bornes incluses sauf mention explicite du contraire. L’invention repose sur l’emploi d’une technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance (désignée par l’acronyme « HiPIMS » dans la littérature en langue anglaise pour « High-Power Impulse Magnetron Sputtering ») dans laquelle la cible est polarisée de manière particulière afin de former un revêtement d’oxyde d’aluminium, en particulier d’oxyde d’aluminium alpha. La polarisation continue permet de maintenir un plasma résiduel lorsque les pulses ne sont pas appliqués, et ainsi de limiter l’énergie supplémentaire à apporter pour initier le plasma permettant de former le revêtement. La polarisation pulsée permet alors une augmentation importante de la réactivité du plasma et ainsi la création d’espèces chargées dans le plasma en un nombre bien supérieur à celui obtenu en l’absence de la polarisation continue. La présence d’un plasma résiduel maintenu par la polarisation continue permet également de diminuer les instabilités électriques susceptibles d’apparaître pendant l’application des pulses. Cela permet de maîtriser finement la microstructure du revêtement d’oxyde d’aluminium obtenu. Avantageusement, l’oxyde d’aluminium du revêtement est un oxyde d’aluminium métastable (tel que l’oxyde d’aluminium kappa ou l’oxyde d’aluminium thêta ou l’oxyde d’aluminium gamma, en particulier l’oxyde d’aluminium gamma), un oxyde d’aluminium alpha ou un mélange de ces oxydes (un oxyde mixte), avantageusement il s’agit d’un oxyde d’aluminium alpha. Le procédé peut permettre le revêtement d’un substrat par au moins une couche continue d’oxyde d’aluminium, en particulier une couche mince (de l’ordre du micron), selon les conditions opératoires choisies. Il est également possible de déposer plusieurs couches d’oxyde d’aluminium de structure stable ou non, par exemple une couche d’oxyde d’aluminium gamma et une couche d’oxyde d’aluminium alpha, ou de déposer une couche mixte afin de créer des architectures spécifiques en alternant des zones riches en alpha-Al 2 O 3 avec des zones riches en gamma-Al 2 O 3 ou de réaliser des couches avec des gradients de compositions. Avantageusement la couche déposée est majoritairement (c’est-à-dire plus de 50 % en masse) constituée d’oxyde d’aluminium alpha, en particulier elle est constituée essentiellement d’oxyde d’aluminium alpha, plus particulièrement elle est constituée exclusivement d’oxyde d’aluminium alpha. Dans un mode de réalisation, le substrat est revêtu par au moins par une couche d’oxyde d’aluminium alpha (c’est-à-dire exclusivement d’oxyde d’aluminium alpha, sans aucune trace d’autres oxydes d’aluminium), en particulier en imposant à la cible la superposition d’une polarisation continue à un potentiel compris entre -300 V et 0 V, en particulier entre -250V et -150V et d’une polarisation pulsée dont les pulses ont un potentiel compris entre -1200 V et -400 V, en particulier entre -900 V et -700 V, et une fréquence comprise entre 50 Hz et 5000 Hz, en particulier entre 100 Hz et 300 Hz. Un tel revêtement d’oxyde d’aluminium alpha est particulièrement avantageux dans la mesure où il présente d’excellentes performances de résistance à l’oxydation et à la corrosion. De plus, l’oxyde d’aluminium alpha a une très faible prise d’oxygène ce qui le rend relativement imperméable à l’oxygène. C’est aussi la forme d’alumine la plus stable à haute température. Le substrat selon l’invention est en particulier un substrat métallique tel que par exemple de l’acier. De façon avantageuse il s’agit d’un substrat métallique comprenant du titane et/ou de l’aluminium, tel que l’inconel 718, plus particulièrement en alliage de titane et/ou d’aluminium, encore plus particulièrement en alliage titane-aluminium, par exemple à base d'aluminure de titane, comme un alliage gamma-TiAl. Le substrat métallique selon l’invention peut constituer en une pièce de turbomachine, et par exemple une pièce de turbomachine aéronautique. Il peut ainsi s’agir d’une pièce d’aéronef. Le substrat est avantageusement destiné à être utilisé en atmosphère oxydante et à une température supérieure ou égale à 800°C. Le substrat peut par exemple être une pièce de turbine. Il peut par exemple s'agir d'une aube de turbine ou d'un secteur d'anneau de turbine. Il peut ainsi s’agir d’une pièce à géométrie complexe, c’est-à-dire non plane, en particulier 3D. Mais le procédé peut également être mis en œuvre sur un substrat à géométrie plane. Dans le cadre de la présente invention, le substrat peut être polarisé positivement ou négativement, avantageusement négativement, plus avantageusement à un potentiel de -100 V. L’application d’un tel potentiel permet d’accélérer (polarisation positive) ou de ralentir (polarisation négative) les espèces chargées électriquement. Dans un mode de réalisation avantageux, le substrat n’est pas polarisé. Le substrat peut être chauffé durant le revêtement, par exemple à une température inférieure à 500°C, avantageusement inférieure ou égale à 450°C, en particulier de 400°C. En variante, le substrat peut ne pas être chauffé durant le revêtement et donc se trouver à température ambiante (20°C). La température du substrat peut ainsi par exemple être supérieure ou égale à 20°C durant le revêtement, par exemple comprise entre 20°C et 499 °C, voire comprise entre 30°C et 450°C, en particulier entre 350°C et 450°C. La température permet d’apporter au substrat de l’énergie thermique, et ainsi de permettre une certaine mobilité des atomes favorisant la recombinaison des atomes se déposant à la surface du substrat. Dans un mode de réalisation, la teneur volumique d’oxygène dans l’atmosphère est comprise entre 10 % et 90 % et la teneur volumique d’argon dans l’atmosphère est comprise entre 90 % et 10 %. Avantageusement la teneur volumique d’oxygène dans l’atmosphère est comprise entre 10 % et 50 % et la teneur volumique d’argon dans l’atmosphère est comprise entre 90 % et 50 %, plus avantageusement la teneur volumique d’oxygène dans l’atmosphère est comprise entre 10 % et 20 % et la teneur volumique d’argon dans l’atmosphère est comprise entre 90 % et 80 %, de façon particulièrement avantageuse, la teneur volumique d’oxygène dans l’atmosphère est de 10 % et la teneur volumique d’argon dans l’atmosphère est de 80 %. La polarisation pulsée du procédé selon l’invention est caractérisée par le potentiel de ses pulses Vp, la durée des pulses T1, et la durée T2 pendant laquelle aucun pulse n’est appliqué correspondant à la durée entre deux pulses consécutifs. La polarisation pulsée comprend une succession de pulses alternant avec des phases de non-application des pulses. Chaque pulse présente un palier à un potentiel Vp compris entre -1200 V et -400 V, avantageusement entre -1000 V et -50 0V, en particulier entre -900 V et -700 V, plus particulièrement Vp= -800V. La durée T1 de chaque pulse peut être comprise entre 1 µs et 500 µs, avantageusement entre 5 µs et 100 µs, plus avantageusement entre 10 µs et 30 µs, encore plus avantageusement T1 = 20 µs. La polarisation pulsée de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance est périodique avec une fréquence de pulses comprise entre 50 Hz et 5000 Hz, avantageusement entre 50 Hz et 600 Hz, plus avantageusement entre 100 Hz et 300 Hz, en particulier la fréquence est de 200 Hz. Le rapport cyclique de la polarisation pulsée, correspondant au rapport entre la durée des pulses et la période de la polarisation pulsée, soit en l’espèce T1/(T1+T2) peut être compris entre 0,1 % et 50 %, avantageusement entre 0,2 % et 10 %, plus avantageusement entre 0,5 % et 0,8 %, en particulier entre 0,6 % et 0,7 %. Les pulses peuvent avoir une forme en créneau ou une forme de pic avec un sommet à un potentiel compris entre -1200 V et -400 V, avantageusement une forme en créneau. Le procédé est mis en œuvre à une pression inférieure ou égale à 10 Pa, par exemple comprise entre 0,5 Pa et 10 Pa, avantageusement entre 4 Pa et 6 Pa. En particulier la pression est égale à 5 Pa. L’épaisseur du revêtement d’oxyde d’aluminium obtenu peut être comprise entre 20 nm et 9 µm, avantageusement entre 0,5 µm et 1,5 µm, en particulier elle est de 1 µm. La durée durant laquelle le substrat est revêtu peut être comprise entre 5 minutes et 5 heures, avantageusement entre 1 heure et 3 heures. En particulier la durée est de 2 heures. Dans un mode de réalisation avantageux, la vitesse de dépôt du revêtement est comprise entre 1 nm/min et 50 nm/min, avantageusement entre 9 nm/min et 11 nm/min, en particulier elle est de 10 nm/min. La présente invention sera mieux comprise à la lumière de la description des figures et des exemples qui suivent. Les exemples sont donnés à titre indicatif, non limitatif. La décrit schématiquement un dispositif permettant la réalisation d’un exemple de procédé de revêtement selon l’invention. La décrit schématiquement la polarisation de la cible au cours du temps lors d’un procédé de revêtement selon l’invention. La représente schématiquement un dispositif permettant de réaliser un dépôt par pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance selon un mode de réalisation de l’invention. Le dispositif comprend une chambre 101 destinée à recevoir le gaz plasmagène constitué d’un mélange d’argon et d’oxygène. Le dispositif comprend en outre une source de gaz plasmagène (non représentée) en communication avec la chambre 101. La chambre 101 comprend une cible 11 d’aluminium constituant la cathode et un substrat 12 à recouvrir constituant l’anode. Dans un mode de réalisation, la cible 11 comprend de l’aluminium à raison de plus de 99 % en pourcentages atomiques, et de préférence à raison de plus de 99,9 % en pourcentages atomiques. Le substrat 12 à revêtir est conducteur de l’électricité et sa nature peut varier selon l’application recherchée comme indiqué plus haut. Durant le revêtement, la cible 11 est polarisée comme décrit plus haut en superposant une polarisation continue et une polarisation pulsée. La polarisation de la cible 11 est imposée par l’ensemble d’alimentation électrique 102. L’ensemble d’alimentation électrique 102 comprend un générateur de pulses de tension 13 et un générateur de tension continue 14 connectés électriquement à la cible 11. Le générateur de pulses de tension 13 permet d’imposer la polarisation pulsée à la cible 11. Le générateur de tension continue 14 permet d’imposer la polarisation continue à la cible 11. Cet ensemble 102 peut également comprendre un organe de mesure du courant 16 connecté à un dispositif de coupure du courant 15. Pendant l’utilisation, si la valeur du courant mesurée par l’organe de mesure du courant 16 est supérieure à une valeur seuil, le dispositif de coupure du courant 15 est configuré pour couper l’alimentation de la cible 11 et arrêter ainsi le procédé. L’association de l’organe de mesure du courant 16 et du dispositif de coupure du courant 15 permet de prévenir tout risque d’endommagement du revêtement ou du dispositif du fait de la création d’un arc électrique dans la chambre 101. Une telle association d’éléments 15 et 16 est connue en soi. Dans la chambre 101, l’application d’une tension entre la cible 11 et le substrat 12 en présence d’une atmosphère comprenant de l’azote permet de créer un plasma. Des électrons sont générés par la cible 11 et peuvent ioniser par collision les atomes constitutifs du plasma. Il est possible d’introduire dans la chambre 101 à proximité de la cible 11 un ou plusieurs aimants permanents, non représentés, dont le champ magnétique confine les électrons générés à proximité de la cible 11 et augmente la probabilité que la collision entre un électron et un atome du plasma y ait lieu. Lorsqu’une telle collision a lieu, une espèce de haute énergie est générée, et cette dernière peut venir bombarder la cible 11 et arracher, par choc élastique, des particules de la cible 11. Les particules de la cible 11 ainsi arrachées peuvent alors se déposer sur le substrat 12 pour former le revêtement. Le substrat 12 peut être chauffé durant le revêtement par un organe de chauffage non représenté. En variante, le substrat 12 peut ne pas être chauffé durant le revêtement. La représente la polarisation 203 imposée à la cible au cours du temps. Comme figuré, la polarisation 203 imposée à la cible correspond à la superposition d’une polarisation continue 201 de valeur Vc, et d’une polarisation pulsée 202 ayant des pulses au potentiel Vp. La polarisation pulsée 202 est caractérisée par le potentiel de ses pulses Vp, la durée des pulses T1, et la durée T2 pendant laquelle aucun pulse n’est appliqué correspondant à la durée entre deux pulses consécutifs. La polarisation pulsée 202 comprend une succession de pulses alternant avec des phases de non-application des pulses. Chaque pulse présente un palier à un potentiel Vp compris entre -1200 V et -400 V. La polarisation pulsée 202 peut être périodique. Le rapport cyclique de la polarisation pulsée, correspondant au rapport entre la durée des pulses et la période de la polarisation pulsée, soit en l’espèce T1/(T1+T2). On a représenté une forme de pulses en créneau mais ces derniers pourraient en variante avoir une forme de pic avec un sommet à un potentiel compris entre -1200 V et -400 V. EXEMPLE Exemple 1 : dépôt d’oxyde d’alumine alpha sur un substrat en Inconel 718 Le procédé selon l’invention mis en œuvre a les caractéristiques suivantes : - Vc : -200 V ; - Vp : -800 V ; - température du substrat : température ambiante (20°C) ; - polarisation du substrat : 0 V ; - teneur volumique oxygène et argon : 10 % et 90 % ; - durée des pulses T1 : 20 µs ; - durée entre deux pulse T2 : 10 µs ; - forme des pulses : en créneau… ; - fréquence des pulses : 200 Hz ; - pression : 5 Pa ; - matériau du substrat : Inconel 718 ; - durée du procédé : 120min ; - épaisseur du revêtement : 1 µm ; - type de revêtement : oxyde d’aluminium alpha uniquement ; - pureté cible : aluminium à 99,999% Les résultats de la Diffraction des Rayons X (angles rasants (0,1 – 0,2 et 0,3°) diffractomètre D8 Bruker® à géométrie Bragg-Brentano θ − 2θ équipé d’un détecteur X’Celerator utilisant un faisceau standard Cu Kα1 (tension de travail 40 kV, intensité de travail 40 mA)) sur Inconel 718 après un dépôt à température ambiante montre donc la présence uniquement d’une monocouche d’oxyde d’aluminium alpha. Il n’y a pas de trace d’une autre phase cristalline de l’oxyde d’aluminium alpha. Exemple 2 : dépôt d’oxyde d’alumine alpha sur un substrat en TiAl Le procédé selon l’invention mis en œuvre a les mêmes caractéristiques que dans l’exemple 1 à l’exception des différences suivantes : - température du substrat : température de 400°C ; - matériau du substrat : TiAl Les résultats de la Diffraction des Rayons X (angles rasants ; (0,1 – 0,2 et 0,3°) diffractomètre D8 Bruker® à géométrie Bragg-Brentano θ − 2θ équipé d’un détecteur X’Celerator utilisant un faisceau standard Cu Kα1 (tension de travail 40 kV, intensité de travail 40 mA)) sur TiAl après un dépôt à une température de 400 °C montre donc la présence uniquement d’une monocouche d’oxyde d’aluminium alpha. Il n’y a pas de trace d’une autre phase cristalline de l’oxyde d’aluminium alpha et alpha’. En conclusion, ce procédé permet de réaliser des couches minces (de l’ordre du micron) d’oxydes d’aluminium majoritairement alpha ou alpha pur (homogène ou avec un gradient contrôlé) à basse température ( Procédé de revêtement d’un substrat (12) par de l’oxyde d’aluminium par technique de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance, dans lequel on utilise une cible (11) d’aluminium et dans lequel le revêtement du substrat est effectué sous atmosphère contenant un mélange d’argon et d’oxygène, à une pression inférieure ou égale à 10 Pa, la polarisation de la cible étant contrôlée durant le revêtement en imposant à celle-ci la superposition d’une polarisation continue à un potentiel (Vc) compris entre -300 V et 0 V et d’une polarisation pulsée dont les pulses ont un potentiel (Vp) compris entre -1200 V et -400 V et une fréquence comprise entre 50 Hz et 5000 Hz. Procédé de revêtement selon la revendication 1, caractérisé en ce que la durée des pulses est comprise entre 1 µs et 500 µs. Procédé de revêtement selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le substrat (12) est chauffé à une température inférieure à 500 °C, avantageusement inférieure ou égale à 450 °C, en particulier de 400 °C. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le substrat (12) est à température ambiante. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le substrat (12) est métallique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le substrat (12) est en alliage de titane, avantageusement en alliage à base d’aluminure de titane. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le substrat (12) est une pièce d’aéronef, avantageusement une pièce de turbine. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l’oxyde d’aluminium est un oxyde d’aluminium métastable, un oxyde d’aluminium alpha ou un mélange de ces oxydes, avantageusement un oxyde d’aluminium alpha. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8 caractérisé en ce que la vitesse de dépôt du revêtement est comprise entre 1nm/min et 50 nm/min, avantageusement elle est de 10 nm/min. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la teneur volumique d’oxygène dans l’atmosphère est comprise entre 10% et 90 % et la teneur volumique d’argon dans l’atmosphère est comprise entre 90% et 10%.