FR 3143841 A1 20240621 FR 2213584 A 20221216 Titre : Procédé de préparation d’un empilement en vue d’un collage L’invention concerne un procédé de préparation d’un empilement (1) comprenant la fourniture d’un empilement comprenant un substrat (10) surmonté d’une pluralité de structures (1000). Chaque structure comprend un plot (100) comprenant un sommet (101) et au moins un flanc (103), une première couche (200) surmontant le substrat, la première couche recouvrant une partie du flanc du plot, une deuxième couche (300) recouvrant au moins le sommet du plot. La structure comprend une portion de retrait (500) recouvrant une partie supérieure (104) du flanc du plot et formée par au moins l’une parmi la première couche et la deuxième couche, et une portion de recouvrement (600), recouvrant une partie inférieure (105) du flanc et s’étendant depuis la portion de retrait. La portion de retrait est ensuite retirée en laissant en place la portion de recouvrement pour former une protrusion. Figure pour l’abrégé : Fig.2J Procédé de préparation d’un empilement en vue d’un collage La présente invention concerne la préparation d’un substrat, notamment en vue de son collage avec un autre substrat. Elle s’inscrit notamment dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques et microélectroniques. Elle trouve par exemple pour application particulièrement avantageuse le domaine de l’assemblage d’un substrat présentant des éléments à base de cuivre avec un substrat recouvert d’un film de cuivre. ETAT DE LA TECHNIQUE L’assemblage de deux substrats est une opération très courante en microélectronique et optoélectronique. Un tel assemblage peut notamment avoir pour objectif de transférer des éléments, par exemple des photo-éléments tels des pixels, d’un substrat à un autre. Une technique courante pour l’assemblage de deux substrats illustrée aux figures 1A à 1C repose sur un collage direct entre des protrusions 200’ à base d’un diélectrique, par exemple du SiO 2 , se trouvant à la surface d’un premier des deux substrats, et le deuxième substrat 2’. D’autres éléments du premier substrat 1’, typiquement des piliers de cuivre 100’, se trouvent en retrait par rapport aux protrusions 200’ en SiO 2 . Lors de l’étape d’assemblage des deux substrats, une étape de chauffage provoque une dilatation des piliers de cuivre. La dilatation des protrusions en SiO 2 ayant lieu parallèlement est moins importante que celle des piliers de cuivre. De ce fait, moyennant un juste dimensionnement du retrait des piliers par rapport aux protrusions en SiO 2 , les piliers se trouvent à la fin de l’étape de chauffage de niveau avec les protrusions en SiO 2 et au contact de la surface du deuxième substrat. Si ce procédé est fonctionnel dans certains contextes, il n’est cependant pas applicable à tous les substrats, et notamment pas lorsque ces derniers comportent des matériaux dont la température de fusion est inférieure à la température à laquelle le matériau des éléments en retrait peut présenter une expansion volumique. A titre d’exemple, la température de recuit du cuivre est de 350°C tandis que certains matériaux utilisés pouvant nécessiter de tels assemblages présentent des températures de fusion de l’ordre de 250°C. Il est donc impossible de mettre en œuvre cette solution lorsque ces matériaux sont impliqués. L’étape de chauffage peut par ailleurs provoquer des problèmes de distorsions et contraintes mécaniques fortes au sein des substrats lorsque ces derniers contiennent des matériaux présentant des coefficients de dilatation thermique trop différents entre eux. Cela est notamment le cas lorsque le deuxième substrat comprend un support à base de verre recouvert d’un mince film de cuivre. Un autre inconvénient de cette méthode réside en la précision requise dans le dimensionnement du retrait des piliers de cuivre par rapport aux protrusions SiO 2 . En effet, une variation dans la valeur de ce retrait, par exemple du fait d’aléas de fabrication, pourrait provoquer, au moment de la dilatation des piliers de cuivre, des décollements intempestifs au sein des substrats. Un objectif de la présente invention est donc de proposer un procédé de préparation d’un substrat en vue d’un assemblage avec un autre substrat, ce procédé ne nécessitant pas de soumettre le substrat à des températures élevées. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de préparation d’un empilement comprenant les étapes suivantes : fournir un empilement comprenant un substrat surmonté d’une pluralité de structures séparées par des tranchées, chaque structure comprenant : un plot comprenant un sommet et au moins un flanc, une première couche à base d’un premier matériau et surmontant le substrat, la première couche recouvrant une partie au moins du flanc du plot, une deuxième couche à base d’un deuxième matériau et recouvrant au moins le sommet du plot, une portion de retrait, recouvrant, de préférence en étant au contact direct de, une partie supérieure du flanc du plot, la partie supérieure du flanc s’étendant depuis le sommet du plot, la portion de retrait étant formée par au moins l’une parmi la première couche et la deuxième couche, une portion de recouvrement, recouvrant, de préférence en étant au contact direct de, une partie inférieure du flanc du plot et s’étendant depuis la portion de retrait, la portion de recouvrement étant formée par la première couche, retirer la deuxième couche, retirer la portion de retrait en laissant en place la portion de recouvrement de sorte à mettre à découvert la partie supérieure du flanc du plot, la partie supérieure du flanc du plot formant une protrusion au-delà de la portion de recouvrement. La protrusion ainsi formée est propice à un collage sur une autre surface, par exemple la face supérieure d’un support de transfert. Un deuxième aspect de l’invention concerne un empilement comprenant un substrat surmonté d’une pluralité de structures séparées par des tranchées, chaque structure comprenant : un plot comprenant un sommet et au moins un flanc, une première couche à base d’un premier matériau et surmontant le substrat, la première couche recouvrant une partie au moins du flanc du plot, une portion de recouvrement formée par la première couche, recouvrant, de préférence en étant au contact direct de, une partie inférieure du flanc du plot et laissant à découvert une partie supérieure du flanc du plot, la partie supérieure du plot formant une protrusion par rapport à la première couche. Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé de collage ou de report d’au moins un plot compris dans un empilement selon le deuxième aspect de l’invention sur un empilement de réception : Fournir un empilement selon le deuxième aspect de l’invention, Fournir un empilement de réception présentant une face supérieure, Réaliser un collage direct du sommet de l’au moins un plot de l’empilement sur la face supérieure de l’empilement de réception. Les protrusions formées lors du procédé de préparation permettent en effet, lors du procédé de collage, un collage efficace. Tout particulièrement, il n’est pas nécessaire de procéder à une étape de chauffage risquant de provoquer des distorsions et/ou contraintes mécaniques fortes au sein des empilements, comme cela était le cas dans l’art antérieur. Il est éventuellement possible de procéder à un recuit de consolidation après le collage direct pour améliorer l’adhésion entre les sommets des plots et la face supérieure de l’empilement de réception, mais un tel recuit s’effectue à des températures inférieures aux températures pour lesquelles des déformations mécaniques peuvent survenir. Par ailleurs, ce procédé de collage ne nécessite pas un contrôle dimensionnel supérieur au contrôle couramment accessible dans l’industrie. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : Les figures 1A à 1C représentent un procédé d’assemblage de deux substrats selon l’art antérieur. La illustre un empilement selon l’art antérieur comprenant un substrat surmonté de piliers en retrait par rapport à des protrusions à base d’un diélectrique. Les protrusions recouvrent latéralement les piliers. La illustre le retournement de l’empilement selon l’art antérieur et sa mise en vis-à-vis d’un empilement de réception. La illustre l’assemblage des deux empilements et leur collage par chauffage. La illustre notamment la dilatation des piliers. Les figures 2A à 2J illustrent un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention. La représente la fourniture d’un empilement primaire comprenant un substrat et une première couche primaire surmontant le substrat. La illustre la formation d’un premier masque de gravure sur la première couche primaire. La représente la formation de cavités dans la première couche primaire. La illustre la formation d’une troisième couche primaire dans les cavités et sur la première couche primaire. La représente l’amincissement de la troisième couche primaire de sorte à former des plots s’étendant dans les cavités. La représente la formation d’une deuxième couche primaire sur les plots et la première couche primaire. La représente la formation d’un deuxième masque de gravure sur la deuxième couche primaire. La illustre la formation au travers du deuxième masque de gravure de tranchées s’étendant dans la deuxième couche primaire et la première couche primaire. Sont ainsi formées une pluralité de deuxièmes couches à partie de la deuxième couche primaire et une pluralité de premières couches à partir de la première couche primaire. La illustre le retrait du deuxième masque de gravure. La illustre le retrait des deuxièmes couches et d’une partie des premières couches s’étendant, antérieurement au retrait, à partir des deuxièmes couches. Les figures 3A à 3J illustrent un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention. La représente la fourniture d’un empilement comprenant un substrat, une première couche primaire surmontant le substrat et une première sous-couche primaire surmontant la première couche primaire. La représente la formation d’un premier masque de gravure sur la première sous-couche primaire. La représente la formation de cavités secondaires dans la première couche primaire et dans la première sous-couche primaire au travers du premier masque de gravure. La représente la formation d’une troisième couche primaire dans les cavités secondaires et sur la première sous-couche primaire. La illustre l’amincissement de la troisième couche primaire de sorte à former des plots s’étendant dans les cavités secondaires et de niveau avec la première sous-couche primaire. La illustre la formation d’une deuxième sous-couche primaire sur les plots et sur la première sous-couche primaire. La première sous-couche primaire et la deuxième sous-couche primaire forment une deuxième couche primaire. La représente la formation d’un deuxième masque de gravure sur la deuxième couche primaire. La illustre la formation au travers du deuxième masque de gravure de tranchées s’étendant dans la deuxième couche primaire et la première couche primaire. Sont ainsi formées une pluralité de deuxièmes couches à partie de la deuxième couche primaire et une pluralité de premières couches à partir de la première couche primaire. La illustre le retrait du deuxième masque de gravure. La illustre le retrait des deuxièmes couches, formant ainsi une protrusion. Les figures 4A à 4H illustrent un troisième mode de réalisation du procédé selon l’invention. La représente la fourniture d’un empilement comprenant un substrat et une première couche primaire surmontant le substrat. La première couche primaire comprend des cavités. La illustre la formation d’une troisième couche primaire dans les cavités et sur la première couche primaire. La illustre l’amincissement de la troisième couche primaire de sorte à singulariser cette dernière en plot individuels se trouvant en saillie par rapport à la première couche primaire. La représente la formation d’une deuxième couche primaire sur les plots et sur la première couche primaire. La représente la formation d’un deuxième masque de gravure sur la deuxième couche primaire. La illustre la formation au travers du deuxième masque de gravure de tranchées s’étendant dans la deuxième couche primaire et la première couche primaire. Sont ainsi formées une pluralité de deuxièmes couches à partie de la deuxième couche primaire et une pluralité de premières couches à partir de la première couche primaire. La illustre le retrait du deuxième masque de gravure. La illustre le retrait des deuxièmes couches, formant ainsi une protrusion. Les figures 5A et 5B sont des vues de dessus des étapes représentées aux figures 2I, 3I et 4G. La illustre un mode de réalisation dans lequel les plots sont cylindriques à base carrée. La illustre le cas de plots cylindriques circulaires. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les dimensions ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE Avant d’entamer une revue détaillée des modes de réalisation de l’invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple, le substrat présente une face inférieure s’étendant principalement selon un plan transversal défini par une première direction et une deuxième direction, la protrusion présentant une hauteur E prot selon une troisième direction perpendiculaire audit plan transversal, telle que E prot ≤ 0.5*E flanc , de préférence E prot ≤ 0.3*E flanc et de préférence E prot ≤ 0.1*E flanc , E flanc étant la hauteur du flanc prise selon la direction Z. E prot est ainsi mesurée, selon Z, entre une extrémité de la portion de recouvrement et le sommet du plot. Selon un exemple, E prot ≥ 5 nm, de préférence E prot ≥ 10 nm. De préférence, E prot ≤ 50 nm, E prot ≤ 30 nm. Selon un exemple, le retrait de la deuxième couche et le retrait de la portion de retrait s’effectuent lors d’une unique étape de gravure. Selon un mode de réalisation, la portion de retrait est formée uniquement par la première couche. Selon un exemple, préalablement à l’étape de retrait, la première couche s’étend jusqu’au sommet du plot. Notamment, la deuxième couche peut ne pas recouvrir le flanc. Selon un exemple, le retrait de la portion de retrait s‘effectue par contrôle du temps, ainsi de préférence que par la sélectivité de gravure des différents matériaux Selon un mode de réalisation, la portion de retrait est formée en partie au moins par la deuxième couche. Ainsi, la deuxième couche recouvre une partie du flanc. Selon un exemple, la portion de retrait est formée uniquement par la deuxième couche. Cela permet de contrôler très précisément la hauteur de la protrusion obtenue avec le retrait de la couche de retrait. Cela permet d’avoir recours uniquement à des étapes très courantes et parfaitement maîtrisées dans l’industrie. Cela permet également de limiter le nombre d’étapes à mettre en œuvre pour retirer la portion de retrait. Cela se traduit ainsi par un gain de temps et un gain économique. Selon un exemple, le retrait de la portion de retrait comprend la gravure de la deuxième couche sélectivement à la première couche. Le retrait de la portion de retrait s’effectue par exemple par gravure de la deuxième couche avec arrêt sur la première couche. Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la fourniture de l’empilement comprend les étapes suivantes : Former la première couche, Former le plot, Former la deuxième couche, et la formation de la deuxième couche comprend les sous-étapes suivantes : Après la formation de la première couche et préalablement à la formation du plot, former une première sous-couche de la deuxième couche, la première sous-couche surmontant la première couche, Après la formation du plot, former une deuxième sous-couche de la deuxième couche, la deuxième sous-couche surmontant au moins le plot. Selon un mode de réalisation particulier de l’invention, la fourniture de l’empilement comprend les étapes suivantes : Former la première couche, Former le plot, Former la deuxième couche, et la deuxième couche est déposée sur le plot et la première couche après la formation du plot. Selon un exemple, les plots sont formés d’un troisième matériau, le troisième matériau étant à base de l’un parmi du cuivre, de l’aluminium, du tungstène et du titane . Selon un exemple, le premier matériau est à base de l’un parmi : le SiO2, le SiN et le Si. Selon un exemple, le deuxième matériau est à base de l’un parmi le SiN, le SiO2, et le Si . Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt, le report, le collage, l’assemblage ou l’application d’une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant, soit directement à son contact, soit en étant séparée d’elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d’un même matériau ou de matériaux différents. On entend par un substrat, une couche, un dispositif, « à base » d’un matériau M, un substrat, une couche, un dispositif comprenant ce matériau M uniquement ou ce matériau M et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage, des impuretés ou des éléments dopants. Ainsi un matériau à base d’un matériau III-N peut comprendre un matériau III-N additionné de dopants. De même, une couche à base de GaN comprend typiquement du GaN et des alliages d’AlGaN ou d’InGaN. Le terme « matériau III-V » fait référence à un semi-conducteur composé d’un ou plusieurs éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique de Mendeleïev. On compte parmi les éléments de la colonne III le bore, le gallium, l’aluminium ou encore l’indium. La colonne V contient par exemple l’azote, l’arsenic, l’antimoine et le phosphore. On entend par « gravure sélective vis-à-vis de » ou « gravure présentant une sélectivité vis-à-vis de » une gravure configurée pour enlever un matériau A ou une couche A vis-à-vis d’un matériau B ou d’une couche B, et présentant une vitesse de gravure du matériau A supérieure à la vitesse de gravure du matériau B. La sélectivité est le rapport entre la vitesse de gravure du matériau A sur la vitesse de gravure du matériau B. La sélectivité entre A et B est notée SA:B. La rugosité d’une surface est un paramètre caractérisant l’état de cette surface. Elle est le plus souvent associée en tribologie à la profondeur caractéristique des stries sillonnant la surface. La rugosité d’une surface est notée Ra et s’exprime typiquement en µm (1 µm = 10 -6 m) ou nm (1 nm = 10 -9 m). Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes X, Y, Z est représenté en figures 1A, 2A, 3A, 4A, 5A et 5B. Ce repère est applicable par extension aux autres figures. Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de hauteur pour une structure ou un dispositif. La hauteur est prise perpendiculairement au plan transversal XY. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche. Ainsi, une couche présente typiquement une épaisseur selon Z, lorsqu’elle s’étend principalement le long du plan transversal XY, et un élément en saillie, par exemple une tranchée d’isolation, présente une hauteur selon Z. Les termes relatifs « sur », « sous », « sous-jacent » se réfèrent préférentiellement à des positions prises selon la direction Z. Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient « à 10% près, de préférence à 5% près ». Une première étape du procédé selon l’invention consiste en la fourniture d’un empilement 1 comprenant un substrat 10 et une pluralité de structures 1000 surmontant le substrat 10 et séparées par les tranchées 400. Le substrat 10 présente une face inférieure 12 s’étendant principalement dans un plan transversal XY défini par une première direction X et une deuxième direction Y. Le substrat 10 peut également comprendre une couche émettrice 15 comprenant une pluralité d’éléments photoémetteurs. Les éléments photoémetteurs peuvent par exemple être des nanofils ou microfils actifs formant des LED ou micro-LED. Il peut par exemple s’agir de LED standards à deux dimensions (LEDS 2D). Les éléments photoémetteurs présentent typiquement une forme allongée selon une troisième direction Z perpendiculaire au plan transversal XY. Les structures 1000 présentent une forme cylindrique, de préférence celle d’un cylindre droit dont les droites génératrices s’étendent selon la troisième direction Z. Les structures 1000 ont typiquement une section rectangulaire, de préférence carrée, dans un plan parallèle au plan transversal XY, comme représenté sur les figures 5A et 5B. Les structures 1000 sont séparées les unes des autres par des tranchées 400. Ces tranchées sont typiquement rectilignes. Les tranchées 400 peuvent par exemple comprendre une première série de tranchées 400a et une deuxième série de tranchées 400b, les tranchées 400b de la deuxième série étant perpendiculaires aux tranchées 400a de la première série. Les tranchées 400a de la première série s’étendent par exemple selon la première direction X et celles de la deuxième série selon la deuxième direction Y, comme représenté sur les figures 5A et 5B. Chacune des structures 1000 surmontant le substrat 10 comprend un plot 100 présentant un sommet 101 et au moins un flanc 103 présentant une hauteur E flanc selon la troisième direction Z. E flanc est avantageusement supérieure à 500 nm, typiquement sensiblement égale à 1 µm. Le sommet 101 du plot 100 s’étend avantageusement dans un plan dit supérieur 501, de préférence parallèle au plan transversal XY. Le plot 100 a typiquement la forme d’un cylindre, de préférence un cylindre droit dont les droites génératrices définissant une ou plusieurs faces latérales du plot 100 s’étendent de préférence selon la troisième direction Z. Le plot 100 peut par exemple présenter une forme polygonale dans le plan transversal XY. Le plot 100 présente alors plusieurs faces latérales. Dans le cas particulier d’un plot 100 présentant une forme rectangulaire voire carrée dans le plan transversal XY, le plot 100 présente quatre faces latérales 103a, 103b, 103c, 103d, comme représenté sur la . Le plot 100 peut également avoir une forme cylindrique circulaire, comme illustré à la . Il ne présente alors qu’une seule face latérale. Dans le cas d’un plot cylindrique, l’au moins un flanc 103 du plot 100 correspond à une ou la face latérale du plot 100. Le plot 100 est de préférence à base d’un matériau métallique, par exemple du cuivre, de l’aluminium, du tungstène ou encore du titane. Chaque plot 100 recouvre avantageusement au moins un élément photoémetteur compris dans la couche émettrice 15. Les éléments photoémetteurs se trouvent ainsi au droit des plots 100 en projection selon le plan transversal XY. Ils peuvent être en contact direct avec les plots 100, éventuellement par l’intermédiaire d’une couche dite couche contact 16 pouvant par exemple être à base d’aluminium, de titane ou de nitrure de titane. Chacune des structures comprend de plus une première couche 200 présentant une face supérieure 201 s’étendant de préférence dans un plan parallèle au plan transversal XY. Selon un exemple, la première couche 200 surmonte directement le substrat 10, c’est-à-dire que sa face inférieure 202 est au contact du substrat 10. Elle présente une épaisseur E 200 selon la troisième direction Z. La première couche 200 recouvre au moins une partie du flanc 103 du plot 100. Elle est ainsi au contact du plot 100 sur une hauteur E recouvrement non nulle inférieure ou égale à la hauteur du flanc E flanc . Chacune des structures 1000 comprend en outre une deuxième couche 300 recouvrant au moins le sommet 101 du plot 100. Elle peut également recouvrir une partie au moins de la première couche 200. La deuxième couche 300 est de préférence en contact direct avec le sommet 101 du plot 100 et éventuellement la première couche 200. Elle présente une face supérieure 301 s’étendant de préférence dans un plan parallèle au plan transversal XY. L’empilement 1 fourni lors du procédé selon l’invention peut par exemple être obtenu selon les étapes ci-dessous : Fournir un empilement primaire 1a comprenant, comme illustré à la : Le substrat 10, Une première couche primaire 200a à base du premier matériau et recouvrant le substrat 10. Former dans la première couche primaire 200a des cavités 250 traversant entièrement la première couche primaire 200a selon la troisième direction Z. Cette étape est illustrée par les figures 2B et 2C. Remplir les cavités 250 par le troisième matériau, formant ainsi les plots 100 (figures 2E, 4C). Former une deuxième couche primaire 300a à base du deuxième matériau et surmontant les plots 100 et les premières couches 200 (figures 2F, 3A, 3F, 4D). Former les tranchées 400 traversant entièrement la deuxième couche primaire 300a et la première couche primaire 200a selon la troisième direction Z. La formation des tranchées 400 permet de singulariser et former les structures 1000, comme illustré en figures 2H, 3J, 4F. Elles séparent notamment les premières couches 200 formées dans la première couche primaire 200a, et les deuxièmes couches 300 formées dans la deuxième couche primaire 300a, qui feront chacune partie d’une structure 1000. Il est entendu cependant que l’empilement 1 peut être obtenu selon tout autre mode réalisation. Suite à la fourniture de l’empilement 1, une étape de retrait d’une portion de retrait 500 est mise en œuvre au niveau de chaque structure 1000. La portion de retrait 500 est formée par au moins l’une parmi la première couche 200 et la deuxième couche 300. Elle recouvre une partie supérieure 104 du flanc 103 du plot 100. Dit autrement, elle est adjacente, dans un plan parallèle au plan XY, au flanc 103 du plot 100, et ce en tout point de la partie supérieure 104 du flanc 103. La portion de retrait 500 est de préférence au contact direct de la partie supérieure 104 du flanc 103 du plot 100. Dans le cas particulier d’un plot 100 présentant plusieurs flancs, la partie supérieure 104 s’étendant avantageusement dans chacun des flancs 103 du plot 100. La partie supérieure 104 du flanc 103 s’étend depuis le sommet 101 du plot 100. Plus précisément, la partie supérieure 104 s’étend depuis la ou les arêtes du plot 100 délimitant son sommet 101 et son flanc 103. Elle présente selon la troisième direction Z une hauteur E 104 . La portion de retrait 500 s’étend selon la troisième direction Z sur une distance inférieure à la hauteur du flanc 103. On a ainsi E 104 flanc . La portion de retrait 500 peut ainsi s’étendre, selon la troisième direction Z, entre le plan supérieur 501 dans lequel s’étend le sommet 101 des plots 100, et un plan inférieur 502 s’étendant, selon la troisième direction Z, entre le plan transversal XY et le plan supérieur 501. Lors de l’étape de retrait de la portion de retrait 500, une portion de recouvrement 600 est laissée en place. La portion de recouvrement 600 est formée par la première couche 200. Elle recouvre une partie inférieure 105 du flanc 103 du plot 100. Dit autrement, elle est adjacente, dans un plan parallèle au plan XY, au flanc 103 du plot 100, et ce en tout point de la partie inférieure 105 du flanc 103. La portion de recouvrement 600 est de préférence au contact direct de la partie inférieure 105 du flanc 103 du plot 100. La portion de recouvrement 600 s’étend depuis la portion de retrait 500, c’est-à-dire que la partie supérieure 104 et la partie inférieure 105 du flanc 103 du plot 100 sont en contact. La partie inférieure 105 du flanc 103 présente selon la troisième direction Z une hauteur E 105 . Selon un exemple, la portion de retrait 500 et la portion de recouvrement 600 recouvrent ensemble le flanc 103 du plot 100 sur toute la hauteur. On a alors E 104 +E 105 = E flanc . La partie inférieure 105 du flanc 103 est, lors du retrait de la portion de retrait 500, laissée recouverte par la portion de recouvrement 600. Une fois la portion de retrait 500 retirée, la partie supérieure 104 du flanc 103 forme une protrusion au-delà de la portion de recouvrement 600. Le plot 100 est ainsi en saillie selon la troisième direction Z par rapport à au moins une partie restante de la première couche 200 correspondant à la portion de recouvrement 600. La protrusion formée présente une hauteur E prot selon la troisième direction. Avantageusement, E prot est supérieure ou égale à 5 nm. Différents modes de réalisation du procédé selon l’invention vont maintenant être décrit plus en détails. Premier exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention Un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 2A à 2J. Une première étape consiste en la fourniture d’un empilement primaire 1a comprenant le substrat 10 et une première couche primaire 200a surmontant le substrat 10 ( ). Un premier masque de gravure 50 est ensuite déposé sur la face supérieure 201a de la première couche primaire 200a ( ) et un retrait de certaines parties de la première couche primaire 200a est effectué au travers d’ouvertures 55 dans le premier masque de gravure 50, puis, de préférence, ce dernier est retiré ( ). Ce retrait permet de former des cavités 250 dans la première couche primaire 200a. De préférence, le retrait dans la première couche primaire 200a se fait sur toute son épaisseur selon la troisième direction Z. Dit autrement, de préférence, les cavités 250 s’étendent jusqu’à la face supérieure 11 du substrat 10. On obtient ainsi un ensemble comprenant le substrat 10 surmonté par la première couche primaire 200a comprenant les cavités. Les cavités 250 sont ensuite remplies du troisième matériau. Il est par exemple possible de déposer une troisième couche primaire 100a de troisième matériau s’étendant dans les cavités 250, à l’aplomb des cavités 250 selon la troisième direction Z et au-dessus de la première couche primaire 200a ( ). Une partie de la troisième couche primaire 100a peut ensuite être retirée, par exemple par polissage mécano chimique (CMP), de sorte à la rendre de niveau selon la troisième direction Z avec la première couche primaire 200a ( ). Les portions restantes de la troisième couche primaire 100a, séparées par la première couche primaire 200a, constituent les plots 100. Cette façon de procéder, par dépôt puis polissage, permet de réduire voire d’éviter toute saillie ou retrait possible des plots 100 par rapport à la première couche primaire 200a. Comme illustré à la , une deuxième couche primaire 300a est ensuite déposée sur la face supérieure 201a de la première couche primaire 200a et le sommet 101 des plots 100. La deuxième couche primaire 300a présente selon la troisième direction Z une épaisseur E 300a . Avantageusement, E 300a est inférieure ou égale à 200 nm et/ou supérieure ou égale à 20 nm, de préférence sensiblement égale à 60 nm. Un deuxième masque de gravure 60 est ensuite formé sur la deuxième couche primaire 300a ( ). Le deuxième masque de gravure 60 présente des ouvertures 65 se situant à l’aplomb de la première couche primaire 200a. Suite au dépôt du deuxième masque de gravure 60, des tranchées 400 sont formées au travers des ouvertures 65 dans la deuxième couche primaire 300a, la première couche primaire 200a, et éventuellement une portion du substrat 10 ( ). De préférence, le deuxième masque de gravure 60 est ensuite retiré. Les tranchées 400 séparent les structures 1000 décrites précédemment. De préférence, les tranchées traversent toute l’épaisseur selon la troisième direction Z de la deuxième couche primaire 300a et de la première couche primaire 200a. Avantageusement, certaines au moins des tranchées 400 s’étendent dans le substrat 10. Cela peut permettre, selon les applications visées, de singulariser différentes zones du substrat 10, par exemple pour les isoler électriquement les unes des autres. La formation des tranchées 400 permet de diviser la première couche primaire 200a en une pluralité de premières couches 200 et la deuxième couche primaire 300a en une pluralité de deuxième couches 300. On obtient ainsi l’empilement 1 comprenant le substrat 10 surmonté par les structures 1000, chaque structure 1000 comprenant un plot, une première couche 200 et une deuxième couche 300. Dans ce mode de réalisation, dans chaque structure 1000, la première couche 200 et le plot 100 sont sensiblement de niveau selon la troisième direction Z. La deuxième couche 300 ne recouvre pas le flanc 103 du plot 100. Ainsi, comme illustré à la , la portion de retrait 500 est uniquement formée par une partie de la première couche 200. La partie supérieure 104 du flanc 103 du plot 100 est uniquement recouverte par la première couche 200. La partie inférieure 105 du flanc 103, elle, est avantageusement recouverte uniquement par la première couche 200. Avantageusement, dans ce mode de réalisation, lors du retrait de la portion de retrait 500, on retire également une partie de la deuxième couche 300. Il est entendu que le retrait de la deuxième couche 300 s’entend comme le retrait des deuxièmes couches 300 de chaque structure 1000. Cette remarque s’étend à la mention de tous les autres éléments communs à toutes les structures 1000. Le retrait de la portion de retrait 500 se fait par exemple lors de la même étape que le retrait de la deuxième couche 300. Il est par exemple possible de mettre en œuvre une gravure du premier matériau et du deuxième matériau sélective vis-à-vis du troisième matériau formant les plots 100. Cette gravure présente également de préférence une sélectivité entre le premier matériau et le deuxième matériau. Si l’on note V 1 la vitesse de gravure du premier matériau, V 2 la vitesse de gravure du deuxième matériau et V 3 la vitesse de gravure du troisième matériau, on a ainsi de préférence : V 2 > V 1 et V 2 > V 3 . De préférence, V 2 > 10*V 1 et/ou V 2 > 100*V 3 . La sélectivité entre les premier, deuxième et troisième matériau a pour conséquence directe la hauteur E prot de la protrusion formée lors du retrait de la portion de retrait 500. Ainsi, la hauteur E prot peut être contrôlée par le choix de ces matériaux. Ce mode de réalisation se caractérise par sa simplicité de mise en œuvre, notamment car relativement peu d’étapes sont nécessaires à la formation de des protrusions. Toutes les étapes décrites dans le cadre de ce premier mode de réalisation peuvent être mises en œuvre dans d’autres modes de réalisation du procédé selon l’invention. Les avantages que présentent ces étapes sont également transposables à d’autres modes de réalisation. Il est notamment possible d’utiliser une gravure sélective entre le premier, le deuxième et le troisième matériau telle que décrite plus haut pour la formation de la protrusion au cours d’autres variantes du procédé selon l’invention. Deuxième exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention Un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention va maintenant être décrit en référence aux figures 3A à 3J. Une première étape consiste en la fourniture d’un empilement comprenant le substrat 10, une première couche primaire 200a surmontant le substrat 10 et une première sous-couche primaire 310a surmontant la première couche primaire 200a ( ). La première sous-couche primaire 310a est de préférence au contact direct de la première couche primaire 200a. Un premier masque de gravure 50 présentant des ouvertures 55 est ensuite déposé sur la face supérieure 311a de la première sous-couche primaire 310a ( ). Les parties de la première sous-couche primaire 310a et de la première couche primaire 200a se trouvant au droit des ouvertures 55 sont retirées ( ), puis, de préférence, le masque de gravure 50 est retiré. Ce retrait permet de former des cavités secondaires 250’. Les cavités secondaires 250’ s’étendent de préférence jusqu’à la face supérieure 11 du substrat 10. Suite à la formation des cavités secondaires 250’ dans la première couche primaire 200a et dans la première sous-couche primaire 310a, ces dernières sont remplies par le troisième matériau. Comme illustré aux figures 3F et 3G, il est par exemple possible de former une troisième couche primaire 100a s’étendant dans les cavités secondaires 250’, à l’aplomb des cavités secondaire 250’ selon la troisième direction Z et sur la première sous-couche primaire 310a ( ). Le dépôt de la troisième couche primaire 100a est de préférence conforme. La troisième couche primaire 100a peut ensuite être amincie, par exemple par CMP, de sorte qu’elle se trouve de niveau avec la première sous-couche primaire 310a ( ). Une deuxième sous-couche primaire 320a est ensuite formée sur, et de préférence au contact direct de, la face supérieure 311A de la première sous-couche primaire 310a et sur, et de préférence au contact direct de, le sommet 101 des plots 100 ( ). L’ensemble constitué de la première sous-couche primaire 310a et de la deuxième sous-couche primaire 320a est nommé deuxième couche primaire 300a. Des tranchées 400 sont ensuite formées dans la deuxième couche primaire 300a et la première couche primaire 200a. Les tranchées 400 traversent la deuxième couche primaire 300a sur toute son épaisseur. Elles traversent de préférence également la première couche primaire 200a sur toute son épaisseur. La formation des tranchées 400 permet de diviser la première couche primaire 200a en une pluralité de premières couches 200 et la deuxième couche primaire 300a en une pluralité de deuxième couches 300. Plus exactement, la première sous-couche primaire 310a est divisées en une pluralité de premières sous-couches 310 des deuxièmes couches 300, et la deuxième sous-couche primaire 320a est divisées en une pluralité de deuxièmes sous-couches 320 des deuxièmes couches 300. Avantageusement, certaines au moins des tranchées 400 s’étendent dans le substrat 10. Cela peut permettre, selon les applications visées, de singulariser différentes zones du substrat 10, par exemple pour les isoler électriquement les unes des autres. On obtient ainsi l’empilement 1 comprenant le substrat 10 surmonté par les structures 1000, chaque structure 1000 comprenant un plot, une première couche 200 et une deuxième couche 300 ( ). Comme décrit dans le cadre du premier mode de réalisation, les tranchées 400 peuvent être formées au travers d’ouvertures 65 d’un deuxième masque de gravure 60 déposé sur la deuxième couche primaire 300a (figures 3G et 3H). Ce deuxième masque de gravure 60 est avantageusement retiré après la formation des tranchées 400. Dans le cadre du deuxième mode de réalisation, la deuxième couche 300 – plus exactement la première sous-couche 310 de la deuxième couche 300 – recouvre une partie du flanc 103. Préalablement à l’étape de retrait, la première couche 200 s’étend sur une portion seulement du flanc 103 du plot 100 et ne s’étend pas jusqu’au sommet 101 du plot 100. Ainsi, pour une structure 100, la portion de retrait 500 est au moins formée par la première sous-couche 310 de la deuxième couche 300. Selon un exemple avantageux illustré à la , la portion de retrait 500 s’étend uniquement dans la première sous-couche 310 de la deuxième couche 300. Il est cependant également envisageable de retirer une partie de la première couche 200 pour former la protrusion. La portion de retrait 500 est retirée sélectivement par rapport au plot 100 après la formation des tranchées 400. Comme illustré par le passage de la à la , le retrait de la portion de retrait 500 comprend avantageusement le retrait de l’intégralité de la deuxième couche 300, toujours sélectivement par rapport au plot 100. Dans ce deuxième mode de réalisation, les plots 100 se trouvent en saillie par rapport à la première couche primaire 200 dès leur formation. Cela vient du fait que les plots 100 sont formés dans les cavités secondaires 250’, délimitées, dans tout plan parallèle au plan transversal XY, d’une part par la première couche primaire 200a et d’autre part par la première sous-couche primaire 310a. La hauteur E prot de la protrusion obtenue après retrait de la portion de retrait 500 est donc typiquement définie par l’épaisseur E 310a , mesurée selon la troisième direction Z, de la première sous-couche primaire 310a. Notamment, si, pour une structure 1000, la couche de retrait 500 correspond à la première sous-couche 310 de la troisième couche 300, on a sensiblement E prot = E 310a . Un avantage du deuxième mode de réalisation est l’excellent contrôle de la hauteur E prot de la protrusion. Comme mentionné précédemment, cette hauteur peut être définie dès le dépôt de la première sous-couche primaire 310a, or l’épaisseur d’une couche lors de son dépôt est un paramètre très bien maîtrisé dans l’industrie. On peut donc contrôler avec précision E 310a et donc E prot . Ce mode de réalisation peut également permettre de former une protrusion présentant une hauteur E prot particulièrement importante. Le retrait du deuxième matériau formant la portion de retrait 500 sélectivement au troisième matériau formant le plot 100 peut en effet être réalisé sans difficulté sur une hauteur importante, typiquement de 50 à 200 nm. Toutes les étapes décrites dans le cadre de ce deuxième mode de réalisation peuvent être mises en œuvre dans d’autres modes de réalisation du procédé selon l’invention. Les avantages que présentent ces étapes sont également transposables à d’autres modes de réalisation. Il est notamment possible d’utiliser le principe d’un dépôt de la deuxième couche 300 en deux temps (première sous-couche 310 et deuxième sous-couche 320) et de la formation du plot 100 entre la formation première sous-couche primaire 310a et la formation de la deuxième sous-couche primaire 320a au cours d’autres variantes du procédé selon l’invention. Troisième exemple de mise en œuvre du procédé selon l’invention Un troisième exemple de mode de réalisation du procédé selon l’invention va être décrit en référence aux figures 4A à 4H. Les étapes permettant d’obtenir le substrat 10 surmonté de la première couche primaire 200a comprenant des cavités 250 ( ) peuvent être similaires à celles décrites pour le premier mode de réalisation en référence aux figures 2A à 2C. Une troisième couche primaire 100a est ensuite formée dans les cavités 250 et sur la face supérieure 201a de la deuxième couche primaire 200a. La troisième couche primaire 100a est de préférence conforme. Sa face supérieure 101a s’étend de préférence dans un plan parallèle au plan transversal XY. Après la formation de la troisième couche primaire 100a, il est opéré un retrait des portions de la troisième couche primaire 100a surmontant la première couche primaire 200a. Cela permet de mettre à jour la face supérieure 201a de la première couche primaire 200a. Ce retrait permet également de singulariser la troisième couche primaire 100a en plots 100. Ce retrait peut être effectué par amincissement, par exemple par CMP, de la première couche primaire 200a de la troisième couche primaire 100a. Un procédé de CMP peut en effet permettre d’amincir la première couche primaire 200a sélectivement à la troisième couche primaire 100a, moyennant un choix judicieux de la slurry (terme anglais signifiant « boue ») de CMP et du tampon (couramment désigné par le terme anglais de « pad ») de CMP. Selon un autre exemple, ce retrait est effectué, par exemple par gravure humide, au travers d’un masque présentant des ouvertures surplombant la première couche primaire 200a (non représenté sur les figures). Comme illustré à la , une deuxième couche primaire 300a est ensuite formée sur les plots 100 et la première couche primaire 200A. La deuxième couche primaire 300a est de préférence au contact du sommet 101 des plots 100 et de la face supérieure 201A de la première couche primaire 200A. Des tranchées 400 sont ensuite formées dans la deuxième couche primaire 300a et la première couche primaire 200a ( ). Les tranchées 400 traversent la deuxième couche primaire 300a sur toute son épaisseur. Elles traversent de préférence également la première couche primaire 200a sur toute son épaisseur. La formation des tranchées 400 permet de diviser la première couche primaire 200a en une pluralité de premières couches 200 et la deuxième couche primaire 300a en une pluralité de deuxième couches 300. Plus exactement, la première sous-couche primaire 310a est divisées en une pluralité de premières sous-couches 310 des deuxièmes couches 300, et la deuxième sous-couche primaire 320a est divisées en une pluralité de deuxièmes sous-couches 320 des deuxièmes couches 300. On obtient ainsi l’empilement 1 comprenant le substrat 10 surmonté par les structures 1000, chaque structure 1000 comprenant un plot, une première couche 200 et une deuxième couche 300 ( ). Comme décrit dans le cadre du premier mode de réalisation, les tranchées 400 peuvent être formées au travers d’ouvertures 65 d’un deuxième masque de gravure 60 déposé sur la deuxième couche primaire 300a (figures 4E et 4F). Ce deuxième masque de gravure 60 est avantageusement retiré après la formation des tranchées 400. Dans le cadre du troisième mode de réalisation, la deuxième couche 300 recouvre une partie du flanc 103. Préalablement à l’étape de retrait, la première couche 200 s’étend sur une portion seulement du flanc 103 du plot 100 et ne s’étend pas jusqu’au sommet 101 du plot 100. Ainsi, pour une structure 100, la portion de retrait 500 est au moins formée par une partie de la deuxième couche 300. Selon un exemple avantageux illustré à la , la portion de retrait 500 s’étend uniquement dans la deuxième couche 300. Il est cependant également envisageable de retirer une partie de la première couche 200 pour former la protrusion. La portion de retrait 500 est retirée sélectivement par rapport au plot 100 après la formation des tranchées 400. Comme illustré par le passage de la à la , le retrait de la portion de retrait 500 comprend avantageusement le retrait de l’intégralité de la deuxième couche 300, toujours sélectivement par rapport au plot 100. Ce mode de réalisation peut également permettre de former une protrusion présentant une hauteur E prot particulièrement importante, potentiellement plus importante encore qu’en mettant en œuvre le deuxième mode de réalisation décrit précédemment. Le retrait du deuxième matériau formant la portion de retrait 500 sélectivement au troisième matériau formant le plot 100 peut en effet être réalisé sans difficulté sur une hauteur importante, typiquement 50 à 200 nm. Toutes les étapes décrites dans le cadre de ce deuxième mode de réalisation peuvent être mises en œuvre dans d’autres modes de réalisation du procédé selon l’invention. Les avantages que présentent ces étapes sont également transposables à d’autres modes de réalisation. Il est notamment possible d’utiliser le principe d’un amincissement par CMP pour former des plots 100 en saillie par rapport à la troisième couche primaire 100a puis une protection du sommet 101 des plots 100 au cours d’autres variantes du procédé selon l’invention. Dans tous les modes de réalisation précédemment décrits, lors de la formation des tranchées 400, le sommet 101 des plots 100 est recouverte par la deuxième couche primaire 300a. Cela a l’avantage protéger ce sommet 101 et notamment de permettre de conserver son niveau de rugosité de surface, qui pourrait être fortement impacté lors de la formation des tranchées 400. La rugosité de surface obtenue après amincissement de la deuxième couche primaire 300a ou des plots 100, selon le mode de réalisation, peut être contrôlée en ajustant certains paramètres d’amincissement. Notamment, la suspension de CMP, parfois appelée boue de CMP, pâte de CMP ou plus couramment « slurry » (terme anglais signifiant « boue ») de CMP, utilisée lors de l’étape d’amincissement peut être choisie en fonction de la rugosité de surface visée pour les plots 100. Ce choix peut tout particulièrement se faire en fonction de la dimension caractéristique, souvent nanométrique, des particules abrasives contenues dans la suspension de CMP. La suspension de CMP est avantageusement choisie pour que la rugosité de surface des plots 100 soit compatible avec leur collage avec une objet déterminé, en fonction des applications visées. Il peut par exemple s’agir d’un film mince à base du troisième matériau. La rugosité R 101 du sommet 101 des plots 100 est avantageusement inférieure à 2 nm, de préférence inférieure à 1,5 nm. Par ailleurs, une autre caractéristique commune aux modes de réalisations décrits est le fait que l’étape d’amincissement de la troisième couche primaire 100A permettant d’obtenir les plots 1 (passage de la à la dans le premier mode de réalisation, de la à la dans le deuxième mode de réalisation et de la à 4C dans le troisième mode de réalisation) se déroule avant l’étape de formation des tranchées 400. Cela permet d’éviter que, lors d’une étape de CMP subséquente à une étape de singularisation des structures 1000 (i.e. une étape de formation des tranchées 400), des résidus de suspension de CMP ne restent dans les tranchées 400. Ces résidus sont en effet très difficiles à retirer et constituent une pollution pour la suite du procédé. Ils pourraient notamment nuire à la bonne adhésion des plots 100 avec une surface sur laquelle on chercherait à les coller. Les retraits de matière précédemment mentionnés (formation des cavités 250, formation des tranchées 400, retrait de la portion de retrait 500, retrait de la deuxième couche 300…) peuvent être effectués par gravure humide. Le retrait des différents masques de gravure 50, 60 peut notamment se faire par décapage, plus couramment désigné par le terme anglais « stripping ». A travers les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, il apparaît clairement que l’invention propose un procédé de préparation d’un empilement en vue d’un assemblage avec un autre empilement ou substrat simple à mettre en œuvre. Il permet de mettre, au niveau de chaque structure 1000, une portion du plot 100 en protrusion par rapport à la première couche. Ces protrusions peuvent servir au collage ou au transfert de l’empilement sur un autre empilement ou substrat. Notamment, comme mentionné précédemment, le sommet 101 des plots 100 est protégé durant le procédé et conserve une rugosité adaptée à un collage direct. A travers les différents modes de réalisation décrits ci-dessus, il apparaît clairement que l’invention propose un empilement et un procédé de fabrication de cet empilement permettant un transfert efficace de structures d’un empilement à l’autre. La présence de protrusions selon l’invention permet en effet un collage efficace, d’un ou plusieurs plots ou structures vers un empilement de réception, ne nécessitant pas un contrôle dimensionnel supérieur au contrôle couramment accessible dans l’industrie, et ne nécessitant pas d’étape de chauffage risquant de provoquer des distorsions et/ou contraintes mécaniques fortes au sein des empilements. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par l’invention. Procédé de préparation d’un empilement (1) comprenant les étapes suivantes : fournir un empilement (1) comprenant un substrat (10) surmonté d’une pluralité de structures (1000) séparées par des tranchées (400), chaque structure comprenant : un plot (100) comprenant un sommet (101) et au moins un flanc (103), une première couche (200) à base d’un premier matériau et surmontant le substrat (10), la première couche (200) recouvrant une partie au moins du flanc (103) du plot (100), une deuxième couche (300) à base d’un deuxième matériau et recouvrant au moins le sommet (101) du plot (100), une portion de retrait (500), recouvrant une partie supérieure (104) du flanc (103) du plot (100), la partie supérieure (104) du flanc (103) s’étendant depuis le sommet (101) du plot (100), la portion de retrait (500) étant formée par au moins l’une parmi la première couche (200) et la deuxième couche (300), une portion de recouvrement (600), recouvrant une partie inférieure (105) du flanc (103) du plot (100) et s’étendant depuis la portion de retrait (500), la portion de recouvrement (600) étant formée par la première couche, retirer la deuxième couche (300), retirer la portion de retrait (500) en laissant en place la portion de recouvrement (600) de sorte à mettre à découvert la partie supérieure (104) du flanc (103) du plot (100), la partie supérieure (104) du flanc (103) du plot (100) formant une protrusion au-delà de la portion de recouvrement (600). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le substrat (10) présente une face inférieure (12) s’étendant principalement selon un plan transversal (XY) défini par une première direction (X) et une deuxième direction (Y), la protrusion présentant une hauteur E prot selon une troisième direction (Z) perpendiculaire audit plan transversal (XY), telle que E prot ≤ 0.5*E flanc , de préférence E prot ≤ 0.3*E flanc et de préférence E prot ≤ 0.1*E flanc , E flanc étant la hauteur du flanc (103) du plot (100) prise selon la troisième direction (Z). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel E prot ≥ 5 nm, de préférence E prot ≥ 10 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le retrait de la deuxième couche (300) et le retrait de la portion de retrait (500) s’effectuent lors d’une unique étape de gravure. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la portion de retrait (500) est formée uniquement par la première couche (200). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel, préalablement à l’étape de retrait, la première couche (200) s’étend jusqu’au sommet (101) du plot (100). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le retrait de la portion de retrait (500) s‘effectue par contrôle du temps. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la portion de retrait (500) est formée en partie au moins par la deuxième couche (300). Procédé selon la revendication précédente dans lequel la portion de retrait (500) est formée uniquement par la deuxième couche (300). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le retrait de la portion de retrait (500) comprend la gravure de la deuxième couche (300) sélectivement à la première couche (200). Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 10 dans lequel la fourniture de l’empilement (1) comprend les étapes suivantes : Former la première couche (200), Former le plot (100), Former la deuxième couche (300), et dans lequel la formation de la deuxième couche (300) comprend les sous-étapes suivantes : Après la formation d’une première couche primaire (200a) destinée à former la première couche (200) et préalablement à la formation du plot (100), former une première sous-couche primaire (310a) d’une deuxième couche primaire (300a) destinée à former la deuxième couche (300), la première sous-couche primaire (310a) surmontant la première couche primaire (200a), la première sous-couche primaire (310a) étant conformée de sorte à ce qu’après une formation des tranchées (400) séparant les structures (1000) elle forme une première sous-couche (310) de la deuxième couche (300) recouvrant une partie du flanc (103) du plot (100) et formant la portion de retrait (500), Après la formation du plot (100), former une deuxième sous-couche primaire (320a) de la deuxième couche primaire (300a), la deuxième sous-couche primaire (320a) recouvrant la première sous-couche primaire (310a), la deuxième sous-couche primaire (320a) étant conformée de sorte à ce qu’après la formation des tranchées (400) séparant les structures (1000) elle forme une deuxième sous-couche (320) de la deuxième couche (300) surmontant au moins le plot (100). Procédé selon l’une quelconque des revendications 8 à 10 dans lequel la fourniture de l’empilement (1) comprend les étapes suivantes : Former la première couche (200), Former le plot (100), Former la deuxième couche (300), et dans lequel une deuxième couche primaire (300a), conformée de sorte à former la deuxième couche (300) après une formation des tranchées (400) séparant les structures (1000), est déposée : sur le plot (100) et sur une première couche primaire (200a) conformée de sorte à former la première couche (200) après la formation des tranchées (400) après la formation du plot (100). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les plots (100) sont formés d’un troisième matériau, le troisième matériau étant à base de l’un parmi du cuivre, de l’aluminium, du tungstène et du titane. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau est à base de l’un parmi : le SiO 2 , le SiN et le Si. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le deuxième matériau est à base de l’un parmi le SiN, le SiO 2 et le Si. Empilement (1) comprenant un substrat (10) surmonté d’une pluralité de structures (1000) séparées par des tranchées (400), chaque structure comprenant : un plot (100) comprenant un sommet (101) et au moins un flanc (103), une portion de recouvrement (600) formée par une première couche (200) à base d’un premier matériau et surmontant le substrat (10), recouvrant une partie inférieure (105) du flanc (103) du plot (100) et laissant à découvert une partie supérieure (104) du flanc (103) du plot (100), la partie supérieure (104) du plot (100) formant une protrusion par rapport à la première couche (200). Empilement (1) selon la revendication précédente dans lequel la protrusion présente une hauteur E prot supérieure à 5 nm, de préférence supérieure à 10 nm, la hauteur E prot étant prise selon une troisième dimension (Z) perpendiculaire à un plan transversal (XY) dans lequel s’étend principalement une face inférieure (12) du substrat (10). Procédé de collage ou de report d’au moins un plot (100) compris dans un empilement (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes sur un empilement de réception (20) : Fournir un empilement (1) selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, Fournir un empilement de réception (20) présentant une face supérieure (21), Réaliser un collage direct du sommet (101) de l’au moins un plot (100) de l’empilement (1) sur la face supérieure (21) de l’empilement de réception (20).