FR 3143588 A1 20240621 FR 2213770 A 20221219 Procédé comprenant les étapes suivantes : a) fournir un premier substrat (111) recouvert par un premier cordon (121) comprenant un premier élément, b) fournir un deuxième substrat (112) recouvert par un deuxième cordon (122) comprenant un deuxième élément, c) mettre en contact le premier cordon (121) et le deuxième cordon (122), et réaliser un traitement thermique pour former une phase eutectique alliant le premier élément et le deuxième élément, moyennant quoi on forme un cordon de scellement (123) à base de d’un alliage eutectique et on scelle le premier substrat (111) au deuxième substrat (112), la formation de la phase eutectique étant accompagnée de la formation de coulures (123’), au moins l’un du premier substrat (111) et du deuxième substrat (112) étant recouvert localement par une couche de mouillabilité (130), moyennant quoi lors de l’étape c), les coulures (123’) d’alliage eutectique se forment sur la couche de mouillabilité (130). Figure pour l’abrégé : 3B . PROCEDE DE SCELLEMENT eutectique de deux substrats La présente invention se rapporte au domaine général de la microélectronique et, plus particulièrement, de celui de l’encapsulation (ou ‘packaging’) d'un dispositif microélectronique tel qu'un microsystème de type MEMS (« Micro-Electro-Mechanical Systems »), NEMS («Nano-Electro-Mechanical Systems »), MOEMS (« Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems »), ou encore NOEMS (« Nano-Opto-Electro-Mechanical Systems »), consistant à encapsuler, ou enfermer, ce dispositif dans une cavité hermétique dont l'atmosphère est contrôlée. L’invention concerne un procédé de scellement hermétique de deux substrats. L’invention concerne également un dispositif obtenu par un tel procédé. L’invention trouve des applications dans de nombreux domaines industriels, par exemple dans le domaine de l’automobile, des téléphones portables ou encore pour les consoles de jeux vidéo. L’invention est particulièrement intéressante puisqu’elle permet de sceller hermétiquement les substrats avec un alliage eutectique tout en évitant les risques de court-circuit ou de blocage mécanique des structures mobiles. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les dispositifs microélectroniques de type MEMS, NEMS, MOEMS ou encore NOEMS sont des capteurs ou actionneurs de taille nanométrique ou micrométrique. Ils sont fabriqués via les procédés de la microélectronique. L'encapsulation de ces dispositifs microélectroniques permet d'une part de les protéger vis-à-vis des éléments extérieurs (humidité, pollution particulaire, éléments réactifs comme l'oxygène), et d'autre part de contrôler l'atmosphère (pression, composition du gaz encapsulé, etc.) régnant dans la cavité dans laquelle ces dispositifs sont encapsulés. La pression d'encapsulation régnant dans la cavité est variable suivant l'application envisagée et est, typiquement, comprise entre 1 bar et 10 -3 mbar. Différents types de scellement peuvent être mis en œuvre pour cette encapsulation: thermo-compression, scellement eutectique, scellement anodique etc… Actuellement, le scellement eutectique semble être le plus prometteur. Typiquement, comme représenté sur les figures 1A et 1B, dans le procédé de scellement eutectique, les constituants de l’alliage sont déposés séparément sur les faces des substrats 11, 12 à assembler. Sur le premier substrat 11, un premier cordon 21 de matériau est formé. Sur le deuxième substrat 12, un deuxième cordon 22 de matériau est formé ( ). Lors du scellement, les deux substrats 11, 12 sont mis en contact intime et une température est appliquée à l’ensemble du système. La fusion apparait à la température eutectique si la composition relative des deux matériaux correspond à la concentration eutectique. Dans la phase liquide, un liquide homogène composé des deux matériaux est présent entre les deux faces. Puis la solidification de la brasure va donner lieu à la formation d’un matériau composé d’une démixtion des matériaux utilisés pour faire la fusion eutectique dans la limite de leur solubilité respective. Ce matériau sera ensuite appelé matériau eutectique même s’il n’est pas formé par une seule phase. Ce matériau eutectique est alors entre les deux substrats 11, 12 et permet la fermeture mécanique de l’interface pour former l’assemblage final. Le matériau eutectique ainsi passé par un état liquide avant de se solidifier et former un cordon hermétique 23 autour des puces à encapsuler ( ). Or, le passage en phase liquide peut s’accompagner d’écoulement de matériau eutectique en dehors de la zone du cordon de scellement ( ). Ces coulures 23’, qui se solidifient, peuvent engendrer de possibles blocages mécaniques des structures mobiles, et/ou générer des court-circuits entre différentes zones du dispositif. Il est donc nécessaire de maîtriser la fuite de la brasure liquide. Par exemple, dans la thèse de Thèse V. Lumineau (2018 « Etude de la réalisation de scellement des MEMS par l’alliage eutectique Al-Ge »), il a été proposé de former des butées attenantes aux cordons. Ces butées limitent le rapprochement des deux plaques à assembler et donc l’écrasement du bicouche Al-Ge. Cependant, pour que cette solution fonctionne, il est nécessaire de mettre des butées pleines de chaque côté du cordon à une certaine distance. Cependant, cette solution ne peut être appliquée à tous les dispositifs à cause des contraintes de compacité des différentes structures par exemple. Un but de la présente invention est de proposer un procédé de scellement eutectique remédiant aux inconvénients de l’art antérieur et permettant de sceller hermétiquement deux substrats, tout en évitant les phénomènes de court-circuits et de blocage mécanique. Pour cela, la présente invention propose un procédé de scellement eutectique de deux substrats comprenant les étapes suivantes : a) fournir un premier substrat ayant une première face recouverte par un premier cordon en un premier matériau, et éventuellement par un ou plusieurs dispositifs microélectroniques, le premier matériau comprenant un premier élément, b) fournir un deuxième substrat ayant une première face recouverte par un deuxième cordon en un deuxième matériau, et éventuellement par un ou plusieurs dispositifs microélectroniques, le deuxième matériau comprenant un deuxième élément, apte à former un alliage eutectique avec le premier élément, c) mettre en contact le premier cordon et le deuxième cordon, et réaliser un traitement thermique pour former une phase eutectique alliant le premier élément du premier cordon et le deuxième élément du deuxième cordon, moyennant quoi on forme un cordon de scellement à base de l’alliage eutectique et on scelle le premier substrat au deuxième substrat, la formation de la phase eutectique étant accompagnée de la formation de coulures d’alliage eutectique. Il est également possible d’utiliser un premier cordon comprenant le premier matériau et le deuxième matériau, par exemple sous la forme d’un multicouche, et/ou un deuxième cordon comprenant le premier matériau et le deuxième matériau, par exemple sous la forme d’un multicouche. Il est ainsi possible de former une configuration symétrique. Il est également possible de former une configuration asymétrique, par exemple, en ayant un premier cordon comprenant le premier matériau et un deuxième cordon comprenant le deuxième matériau sur lequel on a déposé une partie du premier matériau. Dans ce cas, le premier matériau sur la première face du premier substrat est plus fin pour garder la concentration eutectique avant la fusion. Selon une autre variante de réalisation, la configuration asymétrique est obtenue en ayant un deuxième cordon comprenant le deuxième matériau et un premier cordon comprenant le premier matériau sur lequel on a déposé une partie du deuxième matériau. Dans ce cas, le deuxième matériau sur la première face du deuxième substrat est plus fin pour garder la concentration eutectique avant la fusion. Il est possible de modifier la répartition des matériaux sur une seule des deux faces ou sur les deux faces. Avantageusement, on choisira une configuration conduisant à la formation d’un flux atomique au travers de l’interface de collage, c’est-à-dire une configuration asymétrique. Dans ce procédé, au moins l’un du premier substrat et du deuxième substrat est recouvert localement par une couche de mouillabilité, l’angle de contact d’une goutte d’alliage eutectique sur la couche de mouillabilité étant inférieur d’au moins 20° et de préférence d’au moins 40°, d’une part, à l’angle de contact d’alliage eutectique sur la première face du premier substrat et, d’autre part, à l’angle de contact d’alliage eutectique sur la première face du deuxième substrat, moyennant quoi lors de l’étape c), les coulures d’alliage eutectique vont préférentiellement aller sur la couche de mouillabilité. L’invention se distingue fondamentalement de l’art antérieur par la mise en œuvre d’au moins une zone de mouillabilité préférentielle de l’alliage eutectique en face du substrat. Le matériau eutectique formé lors de l’étape c) présente une meilleure mouillabilité sur la couche de mouillabilité que sur les faces des premier et deuxième substrats. Ainsi, au lieu de mettre une barrière « physique » (comme les butées dans l’art antérieur), on utilise une barrière dite « énergétique » avec une face à forte énergie de surface pour le métal liquide et une zone de mouillage à plus basse énergie de surface. Le métal liquide va mouiller cette zone de mouillage comme s’il tombait dans un puit de potentiel. En intégrant de façon judicieuse une couche de mouillabilité préférentielle, les coulures de matériau eutectique seront guidées et maintenues dans une zone « non risquée » pour la fonctionnalité de la puce. Par exemple, dans le cas de l’alliage eutectique Al-Ge, la mouillabilité de cet alliage est meilleure sur une face métallique que sur une face de type diélectrique. Le positionnement d’une couche de mouillabilité métallique en contact ou à proximité de l’emplacement du cordon de scellement permet de contenir les coulures dans le cas d’un substrat ayant une face en un matériau diélectrique. On choisira notamment un substrat pour lequel l’angle de contact de goutte d’alliage eutectique est supérieur ou égal à 90°, de préférence supérieur ou égal à 100°. On choisira, par exemple, une couche de mouillabilité pour laquelle l’angle de contact de goutte est inférieur ou égal à 70°, de préférence inférieur ou égal à 60° et encore plus préférentiellement inférieur ou égal à 40°. Avec ce procédé de scellement, l’alliage métallique en fusion adhère sur les faces des substrats à assembler et les coulures sont contenues au niveau de la couche de mouillabilité. La cavité ainsi scellée est hermétique et l’assemblage présente une bonne tenue mécanique. Avantageusement, la couche de mouillabilité (aussi appelée couche de mouillage) est une couche métallique. De préférence, la couche métallique est en un métal choisi parmi W, Ti, Al, Au et Cu. Selon une autre variante avantageuse, la couche de mouillabilité est une couche de nitrure métallique, comme TiN, WN, AlN. Selon une autre variante avantageuse la couche de mouillabilité est une couche de semi-conducteur comme le Si, le Ge, le SiC, l’AsGa, l’InP. Avantageusement, la première face du premier substrat est en un matériau diélectrique, de préférence du SiO 2 ou du Si 3 N 4 , en un matériau semi-conducteur ou en nitrure métallique comme TiN, WN, AlN (la couche de mouillabilité sera alors de préférence en métal) et/ou la première face du deuxième substrat est en un matériau diélectrique, de préférence du SiO 2 ou du Si 3 N 4 , ou en un matériau semi-conducteur ou en nitrure métallique comme TiN, WN, AlN (la couche de mouillage sera alors de préférence en métal). Avantageusement, l’alliage eutectique est choisi parmi Al-Ge, Au-In, Au-Sn, Au-Si, Bi-Sn et Au-Ge. Avantageusement, le premier matériau est choisi parmi AlSi ou AlCu pour l’alliage eutectique AlGe, Au pour l’alliage eutectique Au-In, Au-Sn ou Au-Si et/ou le deuxième matériau est choisi parmi Ge pour l’alliage eutectique Al-Ge, Sn pour l’alliage eutectique Au-Sn ou Bi-Sn, Si pour l’alliage eutectique Au-Si. Le premier élément a un volume V1 et le deuxième élément a un volume V2. Les volumes V1 et V2 sont choisis de manière à former un alliage eutectique avec les relatives concentrations donné par V1 et V2. Les volumes et les compositions relatives des deux éléments sont choisis de manière à correspondre à la concentration eutectique. Selon un premier mode de réalisation avantageux, le premier cordon est disposé sur la première couche de mouillabilité, la couche de mouillabilité dépassant soit d’un côté du premier cordon soit de part et d’autre du premier cordon et/ou le deuxième cordon est disposé sur la deuxième couche de mouillabilité, la couche de mouillabilité dépassant soit d’un côté du deuxième cordon soit de part et d’autre du deuxième cordon. Selon un deuxième mode de réalisation avantageux, la/les couche(s) de mouillabilité est/sont déportée(s) par rapport au premier cordon et/ou par rapport au deuxième cordon, la/les couche(s) de mouillabilité étant connectée(s) au premier cordon et/ou au deuxième cordon par des traverses éventuellement. Les traverses sont avantageusement en un même matériau que la couche de mouillabilité. L’invention concerne également un dispositif ainsi obtenu. Le dispositif comprend un premier substrat et un deuxième substrat scellé l’un à l’autre par un cordon de scellement à base d’un alliage eutectique, au moins l’un du premier substrat et du deuxième substrat étant recouvert localement par une couche de mouillabilité, l’angle de contact d’une goutte d’alliage eutectique sur la couche de mouillabilité étant inférieur, d’une part, à l’angle de contact d’alliage eutectique sur la première face du premier substrat et, d’autre part, à l’angle de contact d’alliage eutectique sur la première face du deuxième substrat, des coulures de l’alliage eutectique étant piégées sur la couche de mouillabilité. Avantageusement, la couche de mouillabilité est une couche métallique, de préférence choisie parmi W, Ti, Al, Au et Cu, la première face du premier substrat est en un matériau diélectrique, de préférence du SiO 2 , ou en un matériau semi-conducteur et/ou la première face du deuxième substrat est en un matériau diélectrique, de préférence du SiO 2 , ou en un matériau semi-conducteur. Avantageusement, l’alliage eutectique est choisi parmi Al-Ge, Au-In, Au-Sn, Au-Si, Bi-Sn et Au-Ge. Selon un premier mode de réalisation avantageux, le cordon de scellement est disposé sur la couche de mouillabilité, la couche de mouillabilité dépassant soit d’un côté du cordon de scellement soit de part et d’autre du cordon de scellement. Selon un deuxième mode de réalisation avantageux, la couche de mouillabilité est déportée localement par rapport au cordon de scellement, la couche de mouillabilité étant connectée au cordon de scellement par des traverses. Les traverses sont, avantageusement, en un même matériau que la couche de mouillabilité. D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront du complément de description qui suit. Il va de soi que ce complément de description n’est donné qu’à titre d’illustration de l’objet de l’invention et ne doit en aucun cas être interprété comme une limitation de cet objet. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d’exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : Les figures 1A Les figures 1B, précédemment décrites, représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de scellement eutectique selon l’art antérieur, La , précédemment décrite, est un cliché montrant des coulures d’un alliage eutectique résultant d’un procédé de l’art antérieur, tel que représenté sur les figures 1A et 1B, La La , représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de scellement eutectique selon un mode de réalisation particulier de l’invention, La La , représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de scellement eutectique selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention, La La , représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de scellement eutectique selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention, La La , représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de scellement eutectique selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention, La représente, de manière schématique et en vue de dessus, un cordon disposé sur une couche de mouillabilité, selon un mode de réalisation particulier de l’invention, La La , représentent, de manière schématique, différentes étapes d’un procédé de scellement eutectique selon un autre mode de réalisation particulier de l’invention ; la couche de mouillabilité et le cordon représenté en coupe sur la correspondent à ceux de la , selon la coupe définie par le trait en tirés, La représente, de manière schématique et en vue de dessus, un cordon de matériau disposé sur une couche de mouillabilité, selon un mode de réalisation particulier de l’invention. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n’étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation, tels que « dessus », « dessous », etc. d’une structure s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée sur les figures. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Nous allons maintenant décrire plus en détail le procédé de scellement eutectique de deux substrats en faisant référence aux figures 3A et 3B, 4A et 4B, 5A et 5B, 6A et 6B, 7, 8A et 8B, 9 annexées. Le procédé de scellement eutectique de deux substrats comprend les étapes suivantes : a) fournir un premier substrat 111 ayant une première face recouverte par un premier cordon 121 en un premier matériau, et éventuellement par un ou plusieurs dispositifs microélectroniques 140, le premier matériau comprenant un premier élément, b) fournir un deuxième substrat 112 ayant une première face recouverte par un deuxième cordon 122 en un deuxième matériau, et éventuellement par un ou plusieurs dispositifs microélectroniques 140, le deuxième matériau comprenant un deuxième élément, apte à former un alliage eutectique avec le premier élément, c) mettre en contact le premier cordon 121 et le deuxième cordon 122, d) réaliser un traitement thermique pour former une phase eutectique alliant le premier élément fourni par le premier cordon et le deuxième élément fourni par le deuxième cordon, moyennant quoi on forme un cordon de scellement 123 à base de l’alliage eutectique et on scelle le premier substrat 111 au deuxième substrat 112 avec le cordon de scellement 123. Le cordon de scellement 123 obtenu et les deux substrats 121, 122 délimitent une cavité hermétique dans laquelle sont, avantageusement, disposés un ou plusieurs dispositifs microélectroniques 140. La pression d'encapsulation régnant dans la cavité est variable suivant l'application envisagée et est, typiquement, comprise entre 10 -3 mbar et 1 bar (soit entre 0,1 Pa et 100000 Pa). Dans ce procédé, au moins l’un du premier substrat 111 fourni à l’étape a) et du deuxième substrat 112 fourni à l’étape b) est recouvert localement par une couche de mouillabilité 130, moyennant quoi lors de l’étape c), les coulures 123’ de l’alliage eutectique se forment sur la couche de mouillabilité 130 et sont contenues au moins partiellement, et de préférence, totalement au niveau de cette couche 130. Chaque substrat 111, 112 fourni à l’étape a) et à l’étape b) comprend deux faces principales parallèles l’une à l’autre. La première face de premier substrat 111 est destinée à être mise en regard de la première face du deuxième substrat 112. Les substrats 111 et 112 peuvent être constitués majoritairement du même matériau ou les substrats 111 et 112 peuvent être constitués de matériaux différents. Ces matériaux peuvent être choisi parmi Si, Ge, InP, AsGa, Al 2 O 3 , SiC, GaN, LNO, LTO. Le premier substrat 111 et/ou le deuxième substrat 112 peuvent comprendre un substrat support recouvert par une couche mince. La couche mince forme alors la première face du premier substrat ou la première face du deuxième substrat. La première face du premier substrat 111 et/ou la première face du deuxième substrat 112 peuvent être en un matériau diélectrique SiO 2 , Si 3 N 4 ou d’un nitrure métallique comme le TiN, le WN ou l’AlN. De préférence, la première face du premier substrat 111 et/ou la première face du deuxième substrat 112 sont en oxyde, par exemple SiO 2 . Il peut s’agir d’une couche d’oxyde natif, d’une couche d’oxyde thermique ou d’une couche d’oxyde déposée. Ainsi, il est possible d’avoir un premier substrat 111 comprenant un substrat support en Si recouvert par une couche mince de SiO 2 . Il en va de même pour le deuxième substrat 112. La première face du premier substrat 111 et/ou la première face du deuxième substrat 112 peuvent être de nature identique ou de natures différents. Le premier substrat et le deuxième substrat ont, par exemple, chacun une épaisseur comprise entre 300µm et 1000µm. Un ou plusieurs dispositifs microélectronique 140 peuvent être disposés sur la première face du premier substrat 111 et/ou sur la première face du deuxième substrat 112. Les dispositifs microélectroniques du premier substrat 111 peuvent être identiques ou différents de ceux présent sur le deuxième substrat 112. Par dispositif microélectronique, on entend un composant microélectronique, comme par exemple, un microsystème de type MEMS (« Micro-Electro-Mechanical Systems »), NEMS (« Nano-Electro-Mechanical Systems »), MOEMS (« Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems »), ou encore NOEMS (« Nano-Opto-Electro-Mechanical Systems »). Par exemple, il peut s’agir de micro-détecteur infrarouge, transistor, microbatterie, capacité, supra-capacité, composant photovoltaïque, accéléromètre, capteur de pression, microphone, antenne, gyromètre ou gyroscope, tout autre dispositif jugé nécessaire pour la réalisation de l’objet final. Le premier matériau du premier cordon 121 peut être choisi parmi AlSi ou AlCu pour l’alliage eutectique AlGe, Au pour l’alliage eutectique Au-In, Au-Sn ou Au-Si. Le deuxième matériau du deuxième cordon 122 peut être choisi parmi Ge pour l’alliage eutectique Al-Ge, Sn pour l’alliage eutectique Au-Sn ou Bi-Sn, Si pour l’alliage eutectique Au-Si. De préférence, le premier matériau comprend de l’aluminium et le deuxième matériau comprend du germanium pour former l’alliage eutectique AlGe. Le premier matériau peut être constitué du premier élément et/ou le deuxième matériau peut être constitué du deuxième élément. Par exemple, le premier matériau peut être de l’aluminium et le deuxième matériau du germanium. Il est également possible comme décrit précédemment d’avoir des configurations symétriques ou asymétriques. Il est possible, par exemple, d’avoir un premier cordon sous la forme d’un multicouche comprenant une couche d’aluminium recouverte par une fine couche de germanium (par exemple la fine couche a une épaisseur de 10nm) et un deuxième cordon constitué de germanium. Il est possible de déposer une couche additionnelle sur la première face du premier substrat et le premier matériau et/ou sur la première face du deuxième substrat et le deuxième matériau. Par exemple, il est possible de déposer une fine couche de Ge sur de l’aluminium lui-même déposé sur une couche de SiO 2 . La couche de mouillage peut être déposée ultérieurement. Par exemple, il est possible de déposer une couche de Ge de 10 nm sur l’aluminium. La présence de la couche de Ge favorise la réaction entre l’aluminium et le Germanium en facilitant le début de la réaction sur l’aluminium malgré la présence d’une couche d’oxyde d’aluminium qui peut se former. Lorsque toute la surface du substrat est recouverte par cette couche de Ge, les dispositifs sont formés sur cette couche. Il est également possible de retirer une partie de la couche de Ge et éventuellement une partie de la couche d’aluminium si nécessaire. Cette couche est en général déposée juste avant l’étape de collage. De préférence, la couche de mouillabilité 130 est une couche métallique. Avantageusement, la couche de mouillabilité est en W, Ti, Al, Au ou Cu. Selon un mode de réalisation très avantageux, la couche de mouillabilité 130 est une couche métallique, la première face du premier substrat 111 est en un matériau diélectrique, semi-conducteur ou en un nitrure métallique et la première face du deuxième substrat 112 est en un matériau diélectrique, semi-conducteur ou en un nitrure métallique. La mouillabilité de l’eutectique est meilleure sur la couche de mouillabilité 130 que sur la première face du premier substrat 111 ou sur la première face du deuxième substrat 112. Ainsi, l’alliage eutectique restera sur la couche de mouillabilité 130 plutôt que de s’écouler sur les substrats. Par la mouillabilité de l’eutectique est meilleure, on entend que l’angle de contact de la goutte d’eutectique sur la première face du premier substrat 111 ou sur la première face du deuxième substrat 112 est supérieur d’au moins 20° et de préférence d’au moins 40° à l’angle de contact de la goutte d’eutectique sur la couche de mouillabilité 130. Par exemple, l’angle de contact de la goutte d’AlGe sur une face en SiO 2 est supérieur à 110° (thèse V. Lumineau). L’oxyde de silicium n’est donc pas mouillé par l’alliage eutectique Al-Ge. Ainsi, une couche de mouillabilité 130 pour laquelle l’angle de contact de la goutte d’AlGe sur cette couche est inférieur ou égal à 90°, de préférence inférieur ou égal à 70° sera avantageusement choisie. Afin de déterminer l’angle de contact de la goutte de l’alliage eutectique, la méthode utilisée est, par exemple, celle décrite dans la thèse de V. Lumineau. La mesure d’angle de contact est celle de la goutte posée : on observe la forme d’une goutte de l’alliage eutectique formé sur une face plane pour une température supérieure à sa température de fusion. Pour cela, l’alliage est placé dans un creuset en alumine qui se termine par un capillaire de diamètre 0,6 mm. Une fois la fusion opérée et la température expérimentale atteinte, un piston permet de former une goutte à l’extrémité du capillaire. Le creuset est ensuite descendu vers la face solide à étudier et la goutte est déposée. Les observations sont réalisées in situ , en température, à l’aide d’une caméra (25 images/s) et à travers un hublot. L’enregistrement vidéo de l’étalement de la goutte permet ensuite la mesure et le calcul des paramètres intrinsèques des gouttes via le logiciel Drop Shape Analysis. Un système de pompage permet d’obtenir un vide poussé pouvant aller jusqu’à 5.10 -7 mbar (soit 5.10 -5 Pa). La couche de mouillabilité 130 peut être disposée selon plusieurs configurations. La couche de mouillabilité 130 peut être disposée entre le premier substrat 111 et le premier cordon 121 (figures 4A et 4B), et/ou entre le deuxième substrat 112 et le deuxième cordon 122 (figures 3A et 3B). La couche de mouillabilité 130 dépasse du cordon de manière 121, 122 à avoir une face libre pour contenir la coulure 123’. La couche de mouillabilité 130 peut dépasser de part et d’autre du cordon 121, 122. Alternativement, elle peut dépasser uniquement d’un côté du cordon 121, 122. La zone de débord de la couche de mouillabilité 130 peut être comprise entre quelques dizaines de nanomètres à quelques centaines de micromètres. La couche de mouillabilité 130 peut dépasser de part et d’autre du cordon 121, 122 qui la recouvre (figures 3A et 3B, 4A et 4B). Alternativement, la couche de mouillabilité peut dépasser uniquement d’un côté du cordon (figures 5A et 5B, 6A et 6B, 7). Avantageusement, la couche de mouillabilité 130 dépasse uniquement à l’extérieur de la cavité formée par le cordon de scellement 123 et les deux substrats pour guider les coulures d’eutectique 123’ à l’extérieur de la cavité contenant le ou les dispositifs microélectroniques puce et les préserver. Selon une autre variante de réalisation, la couche de mouillabilité 130 peut être disposée à côte du cordon 121, 122 (figures 8A et 8B, 9). Elle peut être en contact du cordon 121, 122 ou être déportée par rapport au cordon 121, 122 (i.e. la couche de mouillabilité ne touche pas le cordon). Par exemple, la couche de mouillabilité 130 forme une ceinture autour du cordon. Des traverses (ou ‘ponts’) peuvent permettre de faciliter l’évacuation des coulures vers la couche de mouillabilité. Les traverses peuvent être en un matériau identique ou différent de celui de la couche de mouillabilité. Préférentiellement, la couche de mouillabilité 130 est située uniquement à l’extérieur du cordon de scellement (i.e. à l’extérieur de la cavité) et est disjointe du cordon de scellement. Une seule couche de mouillabilité 130 a été décrite. Il est également possible d’avoir une couche de mouillabilité sur chaque substrat 111, 112. Alternativement, le premier substrat 111 et le deuxième substrat 112 sont chacun recouverts localement par une couche de mouillabilité 130, moyennant quoi lors de l’étape c), les coulures 123’ de l’alliage eutectique se forment sur les couches de mouillabilité 130 et sont contenues au moins partiellement, et de préférence, totalement au niveau de ces couches. L’utilisation de deux couches de mouillabilité permet de mieux confiner le matériau eutectique et ainsi le stabiliser. Une telle configuration peut également permettre de réduire les dimensions de ces couches par rapport à une unique couche de mouillabilité, ce qui est particulièrement avantageux pour miniaturiser les dispositifs. Les deux couches pouvant être disposées sur chaque substrat de manière identique ou de manière différentes. La taille de la couche de mouillabilité 130 sera déterminée en fonction de la taille des cordons. Sa taille sera choisie de manière à pouvoir contenir les coulures. Lors de l’étape c), les deux cordons 121, 122, voire les deux substrats 111, 112, sont mis en contact intime l’un avec l’autre puis le traitement thermique est réalisé. Le traitement peut être réalisé sous atmosphère contrôlée (vide, atmosphère inerte) et/ou avec une pression mécanique pour contacter l’ensemble de la face. Par exemple, on pourra appliquer une force supérieure ou égale à 2kN ou 10kN ou même 30kN. La température est choisie en fonction de l’alliage eutectique. La température est choisie de manière à atteindre, voire dépasser, la température de fusion de l’alliage eutectique, pour former une brasure à base de l’alliage eutectique entre les substrats 111, 112 à assembler. De préférence, la température appliquée est inférieure à la température de fusion du premier cordon 121, et à la température de fusion du deuxième cordon 122. Par exemple, pour réaliser l’alliage eutectique Al-Ge, on appliquera une température supérieure à 425°C (température de fusion de l’alliage eutectique). Le cordon de scellement 123 est en un alliage eutectique comprenant deux éléments, l’un provenant du premier élément du premier cordon et l’autre provenant du deuxième élément du deuxième cordon. Cet alliage est également appelé brasure. La formation du cordon 123 en alliage eutectique assure la forte tenue mécanique du scellement. Le cordon de scellement 123 a, par exemple, une largeur comprise entre 30µm et 200µm. La largeur sera choisie de manière à être suffisamment élevée pour permettre une bonne herméticité tout en étant assez faible pour autoriser une miniaturisation. La somme des épaisseurs de premiers et deuxième matériaux est comprise en générale entre 100nm et 10µm. Préférentiellement elle sera de 1µm. L’utilisation de couche de mouillage peut être combinée avec l’utilisation de butée mécanique comme décrit dans l’art antérieur. Le procédé précédemment décrit permet de réaliser des assemblages dont l’épaisseur est inférieure à 10 μm. De plus, le scellement présente peu de défectivité de type trou aux interfaces par rapport à la thermocompression, ce qui est intéressant pour les assemblages nécessitant une atmosphère contrôlée. Procédé de scellement eutectique de deux substrats (111, 112) comprenant les étapes suivantes : a) fournir un premier substrat (111) ayant une première face recouverte par un premier cordon (121) en un premier matériau, et éventuellement par un ou plusieurs dispositifs microélectroniques (140), le premier matériau comprenant un premier élément, b) fournir un deuxième substrat (112) ayant une première face recouverte par un deuxième cordon (122) en un deuxième matériau, et éventuellement par un ou plusieurs dispositifs microélectroniques (140), le deuxième matériau comprenant un deuxième élément, apte à former un alliage eutectique avec le premier élément, c) mettre en contact le premier cordon (121) et le deuxième cordon (122), et réaliser un traitement thermique pour former une phase eutectique alliant le premier élément du premier cordon (121) et le deuxième élément du deuxième cordon (122), moyennant quoi on forme un cordon de scellement (123) à base de l’alliage eutectique et on scelle le premier substrat (111) au deuxième substrat (112), la formation de la phase eutectique étant accompagnée de la formation de coulures (123’) d’alliage eutectique, Procédé caractérisé en ce que au moins l’un du premier substrat (111) et du deuxième substrat (112) est recouvert localement par une couche de mouillabilité (130), l’angle de contact d’une goutte d’alliage eutectique sur la couche de mouillabilité (130) étant inférieur d’au moins 20° et de préférence d’au moins 40°, d’une part, à l’angle de contact d’alliage eutectique sur la première face du premier substrat (111) et, d’autre part, à l’angle de contact d’alliage eutectique sur la première face du deuxième substrat (112), moyennant quoi lors de l’étape c), les coulures (123’) d’alliage eutectique se forment sur la couche de mouillabilité (130). Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier cordon (121) comprend le premier matériau et le deuxième matériau, le premier cordon (121) étant par exemple sous la forme d’un multicouche, et/ou en ce que le deuxième cordon (122) comprend le premier matériau et le deuxième matériau, le deuxième cordon (122) étant par exemple sous la forme d’un multicouche. Procédé selon l’une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce que la couche de mouillabilité (130) est une couche métallique, de préférence choisie parmi W, Ti, Al, Au et Cu, ou une couche de nitrure métallique, par exemple une couche de TiN, AlN ou WN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première face du premier substrat (111) est en un matériau diélectrique, de préférence du SiO 2 ou en Si 3 N 4 , en un matériau semi-conducteur ou en nitrure métallique et/ou en ce que la première face du deuxième substrat (112) est en un matériau diélectrique, de préférence du SiO 2 ou en Si 3 N 4 , en un matériau semi-conducteur ou en nitrure métallique. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’alliage eutectique est choisi parmi Al-Ge, Au-In, Au-Sn, Au-Si, Bi-Sn et Au-Ge. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le premier matériau est choisi parmi AlSi ou AlCu pour l’alliage eutectique AlGe, Au pour l’alliage eutectique Au-In, Au-Sn ou Au-Si et/ou en ce que le deuxième matériau est choisi parmi Ge pour l’alliage eutectique Al-Ge, Sn pour l’alliage eutectique Au-Sn ou Bi-Sn, Si pour l’alliage eutectique Au-Si. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le premier cordon (121) est disposé sur la couche de mouillabilité (130), la couche de mouillabilité (130) dépassant soit d’un côté du premier cordon (121) soit de part et d’autre du premier cordon (121) ou en ce que le deuxième cordon (122) est disposé sur la couche de mouillabilité (130), la couche de mouillabilité (130) dépassant soit d’un côté du deuxième cordon (122) soit de part et d’autre du deuxième cordon (122). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la couche de mouillabilité (130) est déportée par rapport au premier cordon (121) ou par rapport au deuxième cordon (122), la couche de mouillabilité (130) étant connectée au premier cordon (121) ou au deuxième cordon (122) par des traverses. Dispositif comprenant un premier substrat (111) et un deuxième substrat (112) scellé l’un à l’autre par un cordon de scellement (123) à base d’un alliage eutectique, au moins l’un du premier substrat (111) et du deuxième substrat (112) étant recouvert localement par une couche de mouillabilité (130), l’angle de contact d’une goutte d’alliage eutectique sur la couche de mouillabilité (130) étant inférieur, d’une part, à l’angle de contact d’alliage eutectique sur la première face du premier substrat (111) et, d’autre part, à l’angle de contact d’alliage eutectique sur la première face du deuxième substrat (112), des coulures (123’) de l’alliage eutectique étant disposées sur la couche de mouillabilité (130). Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche de mouillabilité (130) est une couche métallique, de préférence choisie parmi W, Ti, Al, Au et Cu, ou une couche en nitrure métallique, par exemple une couche de TiN, AlN ou WN, et en ce que la première face du premier substrat (111) est en un matériau diélectrique, de préférence du SiO 2 ou en Si 3 N 4 , en un matériau semi-conducteur ou en un nitrure métallique et/ou en ce que la première face du deuxième substrat (112) est en un matériau diélectrique, de préférence du SiO 2 ou en Si 3 N 4 , ou en un matériau semi-conducteur ou en un nitrure métallique. Dispositif selon l’une des revendications 9 à 10, caractérisé en ce que l’alliage eutectique est choisi parmi Al-Ge, Au-In, Au-Sn, Au-Si, Bi-Sn et Au-Ge. Dispositif selon l’une des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que le cordon de scellement (123) est disposé sur la couche de mouillabilité (130), la couche de mouillabilité (130) dépassant soit d’un côté du cordon de scellement (123) soit de part et d’autre du cordon de scellement (123). Dispositif selon l’une des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que la couche de mouillabilité (130) est déportée localement par rapport au cordon de scellement (123), la couche de mouillabilité (130) étant connectée au cordon de scellement (123) par des traverses.