FR 3140707 A1 20240412 FR 2210231 A 20221006 La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant des portions de pavés, comprenant : (a) la formation d’un substrat temporaire (3’) comprenant un substrat support (3) et une pluralité de portions de pavés (P’1-P’3) d’un premier matériau disposées sur le substrat support (3), la formation dudit substrat temporaire comprenant : (i) le prélèvement d’une pluralité de pavés (P1-P3) à partir d’au moins un substrat donneur (2) et le placement de chaque pavé (P1-P3) sur un substrat intermédiaire (1), chaque substrat donneur (2) présentant un diamètre inférieur au diamètre du substrat intermédiaire (1), (ii) la formation d’une zone de fragilisation (11) dans chaque pavé (P1-P3) par implantation d’espèces atomiques, de sorte à délimiter une portion (P’1-P’3) de pavé à transférer, (iii) le collage du substrat intermédiaire (1) sur le substrat support (3) par l’intermédiaire des pavés (P1-P3), et (iv) le détachement des pavés le long de la zone de fragilisation, de sorte à transférer les portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat support (3), (b) l’assemblage du substrat temporaire (3’) avec un substrat receveur en un second matériau différent du premier matériau par l’intermédiaire desdites portions de pavés (P’1-P’3), et (c) le retrait du substrat support (3) de sorte à transférer au moins une partie des portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat receveur (4) pour former la structure composite. Figure pour l’abrégé : [Fig 3] PROCEDE DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT DES PAVES L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant des pavés. ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la microélectronique, de l’optique ou de l’optoélectronique, la conception de structures multicouches nécessite parfois de transférer des pavés se présentant sous forme de portions d’une couche d’un substrat donneur sur un substrat support ou substrat receveur. Ce type de procédé est généralement appelé procédé de pavage, et met en jeu un transfert partiel d’une couche prélevée dans le substrat donneur pour former un ou plusieurs pavés agencés selon un motif ou à un emplacement prédéterminé sur le substrat support. Un tel pavage peut être rendu nécessaire par une différence de taille entre le substrat donneur et le substrat support. En effet, du fait de cette différence de taille, il n’est pas possible de transférer une couche du substrat donneur recouvrant la totalité de la surface du substrat support. Un procédé de transfert de couche bien connu est le procédé Smart Cut™, dans lequel on forme par implantation d’espèces atomiques dans le substrat donneur une zone de fragilisation délimitant la couche à transférer, on colle le substrat donneur sur le substrat support et on détache le substrat donneur le long de la zone de fragilisation pour transférer la couche du substrat donneur sur le substrat support. Cependant, ce procédé suppose que le substrat donneur et le substrat support présentent une taille identique. Or, si des substrats de silicium sont disponibles avec une taille relativement grande, typiquement un diamètre de 300 mm, d’autres matériaux d’intérêt n’existent actuellement que sous la forme de substrats massifs de plus petite taille, par exemple de 10 ou 15 cm de diamètre. Par ailleurs, ces matériaux d’intérêt sont parfois particulièrement onéreux, de sorte qu’il est souhaitable de minimiser les éventuels déchets formés lors du transfert. Tel est le cas en particulier des matériaux semi-conducteurs III-V, comprenant les nitrures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d’aluminium (AlN)), les arséniures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs) et l’arséniure d’aluminium (AlAs)), et les phosphures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure d’aluminium (AlP)). Au lieu de transférer une couche entière du substrat donneur, une solution basée sur le procédé Smart Cut™ consiste à prélever d’au moins un substrat donneur un ou plusieurs pavés et de reporter lesdits pavés sur un support intermédiaire, pour former un substrat dit pseudo-donneur, former par implantation d’espèces atomiques une zone de fragilisation dans chaque pavé, coller le substrat pseudo-donneur sur un substrat receveur par l’intermédiaire des pavés, et détacher chaque pavé le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer une portion de chaque pavé sur le substrat receveur. Le substrat intermédiaire et le substrat receveur présentent une taille identique. Cependant, dans certains cas, le matériau des portions de pavés et le matériau du substrat receveur doivent être soumis à des étapes de procédé différentes et non compatibles entre elles. Par exemple, si le matériau des portions de pavés est un matériau III-V tel que de l’InP et le matériau du substrat receveur est du silicium, les portions de pavés sont destinées à recevoir une ou plusieurs couches additionnelles de matériaux III-V formées par épitaxie, tandis que le substrat receveur est destiné à former des éléments de circuits électroniques selon un procédé CMOS (acronyme du terme anglo-saxon « Complementary Metal Oxide Semiconductor »). Toutefois, une ligne de fabrication CMOS n’est pas apte à inclure de l’épitaxie de matériaux III-V, notamment en raison des risques de contamination de la ligne par les matériaux III-V. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Un but de l’invention est donc de concevoir un procédé permettant de fabriquer une structure comprenant un substrat receveur sur lequel s’étendent des portions de pavés, ladite structure étant composite en ce sens qu’elle combine, pour le substrat receveur et les portions de pavés, des matériaux subissant des traitements différents et non compatibles entre eux. Un objet de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant des portions de pavés, comprenant : (a) la formation d’un substrat temporaire comprenant un substrat support et une pluralité de portions de pavés d’un premier matériau disposées sur le substrat support, la formation dudit substrat temporaire comprenant : (i) le prélèvement d’une pluralité de pavés à partir d’au moins un substrat donneur et le placement de chaque pavé sur un substrat intermédiaire, chaque substrat donneur présentant un diamètre inférieur au diamètre du substrat intermédiaire, (ii) la formation d’une zone de fragilisation dans chaque pavé par implantation d’espèces atomiques, de sorte à délimiter une portion de pavé à transférer, (iii) le collage du substrat intermédiaire sur le substrat support par l’intermédiaire des pavés, et (iv) le détachement des pavés le long de la zone de fragilisation, de sorte à transférer les portions de pavés sur le substrat support, (b) l’assemblage du substrat temporaire avec un substrat receveur en un second matériau différent du premier matériau par l’intermédiaire desdites portions de pavés, et (c) le retrait du substrat support de sorte à transférer au moins une partie des portions de pavés sur le substrat receveur pour former la structure composite. Par « assemblage par l’intermédiaire des portions de pavés », on entend dans le présent texte que l’assemblage du substrat temporaire sur le substrat receveur se fait avec les portions de pavés orientées vers le substrat receveur (le substrat support étant situé du côté des portions de pavés opposé au substrat receveur). Ceci n’implique pas un contact direct des portions de pavés et du substrat receveur. Ainsi, si, comme exposé plus bas, des couches additionnelles ont été formées sur les portions de pavés dans le cadre d’un ou plusieurs traitements des portions de pavés avant l’étape d’assemblage, c’est la couche située à la surface libre des portions de pavés qui est en contact avec le substrat receveur. L’invention permet donc de différer autant que possible l’assemblage de deux substrats non compatibles entre eux lors de la fabrication de la structure composite, en évitant en particulier de traiter les pavés selon des procédés incompatibles avec le matériau du substrat receveur. De manière particulièrement avantageuse, le procédé comprend au moins une étape de traitement des portions de pavés avant l’assemblage desdites portions de pavés sur le substrat receveur. Ledit traitement peut comprendre : - une épitaxie d’une couche d’un troisième matériau sur chaque pavé, - une gravure, - un traitement de surface, - un dopage, - un traitement thermique, et/ou - la formation d’une interconnexion. Dans certains modes de réalisation, ladite étape de traitement des portions de pavés est réalisée à une température supérieure ou égale à 500°C. Dans certains modes de réalisation, le substrat receveur comprend au moins une partie d’un circuit électronique formée avant l’assemblage du substrat temporaire et du substrat receveur. La formation de ladite partie de circuit électronique peut être réalisée en particulier par un procédé CMOS. Le procédé peut comprendre au moins une étape de finalisation du circuit électronique après le transfert des portions de pavés sur le substrat receveur. Par « finalisation », on entend dans le présent texte l’assemblage des transistors, des diodes laser et éléments de puces formés dans les portions de pavés et le substrat receveur pour former des composants électroniques et/ou opto-électroniques. Ces étapes de finalisation sont généralement désignées par le terme de « back-end » dans le domaine de la microélectronique. De manière particulièrement avantageuse, chaque étape de finalisation du circuit électronique est réalisée à une température inférieure à 500°C. Ledit circuit électronique peut avantageusement comprendre au moins un transistor, notamment un transistor à effet de champ, un transistor CMOS, un transistor BiCMOS ou un transistor bipolaire, et/ou au moins une diode, notamment une diode laser ou une diode électroluminescente (LED). Le premier matériau est avantageusement choisi parmi : - les matériaux III-V, tels que le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), - les matériaux piézoélectriques, tels que le tantalate de lithium (LiTaO3), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (KxNa1-xNbO3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), - le germanium ou le carbure de silicium, et - un matériau électriquement isolant tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Le troisième matériau peut alors être choisi parmi : les matériaux III-V, les matériaux piézoélectriques, le carbure de silicium, le silicium germanium (SiGe) et le germanium. Le second matériau est de préférence choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium et les matériaux III-V, notamment l’arséniure de gallium. De manière particulièrement avantageuse, le substrat support et le substrat receveur présentent un diamètre supérieur ou égal à 300 mm. Dans certains modes de réalisation, le retrait du substrat support comprend une élimination dudit substrat par meulage. Dans d’autres modes de réalisation, le retrait du substrat support comprend un détachement dudit substrat vis-à-vis des pavés. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la illustre un mode de réalisation d’une structure composite obtenue par un procédé selon l’invention ; la illustre une variante de ladite structure composite ; - les figures 2A à 2E illustrent respectivement des étapes de prélèvement de pavés d’un substrat donneur, de placement desdits pavés sur un substrat intermédiaire, de formation d’une zone de fragilisation dans lesdits pavés, de collage du substrat intermédiaire sur un substrat support par l’intermédiaire des pavés et de transfert des portions des pavés sur le substrat support suite au détachement des pavés le long de la zone de fragilisation ; - la illustre une étape d’assemblage du substrat temporaire sur le substrat receveur, - la illustre une étape de retrait du substrat support pour transférer les portions de pavés sur le substrat receveur. Pour des raisons de lisibilité des figures, les différents éléments n’ont pas été représentés à l’échelle. Par ailleurs, le nombre de portions de pavés illustrées n’est qu’indicatif. Les signes de référence identiques d’une figure à l’autre désignent les mêmes éléments, qui ne sont donc pas décrits en référence à chaque figure. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION La illustre un exemple d’une structure composite combinant des pavés ou portions de pavés P’1, P’2, P’3 d’un premier matériau et un substrat 4 (dit substrat receveur) formé d’un second matériau différent du premier matériau. De manière avantageuse, les portions de pavés comprennent un matériau qui n’est pas disponible commercialement sous forme de substrat donneur de grandes dimensions. Ainsi, le substrat donneur peut présenter un diamètre inférieur à 30 cm, par exemple de l’ordre de 10 ou 15 cm. Tel est le cas en particulier des matériaux semi-conducteurs III-V, comprenant les nitrures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d’aluminium (AlN)), les arséniures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs) et l’arséniure d’aluminium (AlAs)), et les phosphures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure d’aluminium (AlP)). Les portions de pavés peuvent également comprendre des composés semi-conducteurs IV ou IV-IV, comme par exemple le germanium et le carbure de silicium. Les portions de pavés peuvent également comprendre un matériau piézoélectrique, par exemple le tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou encore le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN) (liste non limitative). Les portions de pavés peuvent également comprendre un matériau électriquement isolant, tel que par exemple le diamant, le titanate de strontium (SrTiO 3 ), la zircone yttriée (YSZ), ou encore le saphir. Le substrat receveur est quant à lui réalisé en un second matériau distinct de celui des pavés, ledit second matériau étant typiquement adapté pour des étapes technologiques différentes et non compatibles avec les étapes technologiques réalisées sur le premier matériau. Dans certains modes de réalisation (cf. ), une couche de collage 40, par exemple une couche diélectrique telle qu’une couche d’oxyde de silicium (SiO 2 ), peut être intercalée entre les portions de pavés P’1-P’3 et le substrat receveur 4. Formation du substrat temporaire Les figures 2A à 2E illustrent de manière schématique la formation d’un substrat temporaire comprenant les pavés placés sur un substrat intermédiaire et le transfert de portions desdits pavés sur un substrat support. En référence à la , on découpe des pavés P1-P3 d’un substrat donneur 2. La découpe des pavés peut être réalisée par toute technique connue de l’homme du métier. Elle peut notamment être réalisée par sciage et/ou clivage, ou encore par découpe laser. Elle peut aussi par exemple être combinée avec une étape de gravure partielle par plasma des traits de découpe, technique connue sous le terme anglais de « plasma dicing »). La illustre le placement des pavés prélevés du substrat donneur 2 de la sur un substrat de base 1 pour former un substrat intermédiaire 1’. Le placement peut être mis en œuvre par la technique de « Pick and Place », par laquelle un robot saisit un pavé préalablement découpé dans le substrat donneur et le place à un emplacement prédéterminé sur le substrat intermédiaire. Dans certains modes de réalisation, chaque pavé adhère au substrat de base 1 par adhésion moléculaire. A cet effet, des traitements de surface des pavés et/ou du substrat de base 1 peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. Ces traitements peuvent comprendre notamment un nettoyage, le dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), une activation par plasma avant collage et un recuit. Dans d’autres modes de réalisation, le collage des pavés au substrat de base 1 peut faire intervenir une couche de collage, par exemple une couche de collage polymère, une couche de collage eutectique ou une couche de colle céramique. Le substrat de base 1 présente avantageusement un diamètre supérieur à celui du substrat donneur 2, par exemple un diamètre de l’ordre de 300 mm. Compte tenu de la différence de taille entre le substrat donneur et le substrat de base 1, plusieurs substrats donneurs peuvent être nécessaires pour paver l’ensemble de la surface du substrat de base 1 selon la densité de pavage souhaitée pour former le substrat intermédiaire 1’. La illustre la formation d’une zone de fragilisation dans lesdits pavés P1-P3 afin de délimiter une portion superficielle desdits pavés destinée à être transférée sur un substrat support 3. Comme schématisé par les flèches, la zone de fragilisation 11 est avantageusement formée par implantation d’espèces atomiques, telles que de l’hydrogène et/ou de l’hélium, dans les pavés, à une profondeur correspondant à l’épaisseur de la couche à transférer. La illustre le collage du substrat intermédiaire 1’ de la sur un substrat support 3 par l’intermédiaire des pavés. De manière particulièrement avantageuse, chaque pavé adhère au substrat support 3 par adhésion moléculaire. A cet effet, des traitements de surface des pavés et/ou du substrat support 3 peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. Ces traitements peuvent comprendre notamment un nettoyage, le dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), une activation plasma avant collage, un polissage et un recuit, préférentiellement à basse température (c’est-à-dire typiquement en dessous de 300°C). Le substrat intermédiaire 1’ et le substrat support 3 présentent un diamètre identique, par exemple de l’ordre de 300 mm. Ensuite, en référence à la , les pavés sont détachés le long de la zone de fragilisation 11, afin de transférer les portions de pavés P’1, P’2, P’3 délimitées par ladite zone de fragilisation sur le substrat support. On forme ainsi un substrat temporaire 3’ comprenant les portions de pavés P’1, P’2, P’3 et le substrat support 3. Les pavés placés sur le substrat de base 1 présentent typiquement une épaisseur comprise entre 20 µm et 1000 µm, de préférence comprise entre 100 µm et 700 µm. La portion transférée de chaque pavé sur le substrat support 3 présente généralement une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Traitement des pavés du substrat temporaire De manière particulièrement avantageuse, la majeure partie des traitements à effectuer sur les portions de pavés sont réalisées sur le substrat temporaire 3’, avant l’assemblage de celui-ci avec le substrat receveur 4. Ceci permet en particulier de surmonter toute incompatibilité des étapes technologiques mises en œuvre sur les portions de pavés d’une part, et sur le substrat receveur d’autre part. Ainsi, tous les traitements des portions de pavés qui risqueraient de porter atteinte au substrat receveur ou à la ligne de fabrication sont réalisés de préférence sur le substrat temporaire, dans un équipement spécifique. En particulier, dans la fabrication des composants électroniques, on distingue classiquement la phase dite de « front end », correspondant à la préparation des substrats pour y former par exemple des transistors ou des diodes lasers et autres éléments de puces et la phase dite de « back end », correspondant à l’assemblage des transistors, des diodes laser et éléments de puces formés à partir desdits substrats pour former des composants électroniques et/ou opto-électroniques. En général, les étapes réalisées à haute température (par exemple supérieure à 500°C) sont effectuées pendant la phase de « front end », et la phase de « back end » n’implique que des températures plus basses (inférieures à 500°C) afin de ne pas endommager les puces. Dans l’invention, de préférence, seuls des traitements qui n’impliquent pas une température supérieure à 500°C et qui ne risquent pas de contaminer le substrat receveur sont réalisés après le transfert des portions de pavés sur le substrat receveur 4. Les traitements impliquant une température supérieure à 500°C et/ou susceptibles de contaminer ou d’endommager le substrat receveur sont réalisés préférentiellement alors que les portions de pavés appartiennent encore au substrat temporaire 3’, avant leur transfert sur le substrat receveur. Selon les applications, différents traitements peuvent être effectués sur les portions de pavés. Dans certains modes de réalisation, le traitement des portions de pavés comprend la formation par épitaxie d’au moins une couche d’un troisième matériau sur chaque portion de pavé. Le troisième matériau peut être identique au premier matériau. Ceci permet notamment d’épaissir les portions de pavés jusqu’à une épaisseur cible. Eventuellement, une couche additionnelle d’un quatrième matériau distinct du troisième matériau peut être formée par épitaxie, la portion de pavé servant de couche germe à la formation de ladite couche additionnelle. A cet effet, le quatrième matériau et les conditions opératoires de l’épitaxie sont choisis pour que la couche additionnelle présente une bonne qualité cristalline. Par exemple, si les portions de pavés sont en un premier matériau III-V (notamment InP, GaN, GaAs...), en saphir ou en germanium, le troisième ou le quatrième matériau peut être un matériau III-V. Si les portions de pavés sont en germanium (respectivement du carbure de silicium), le troisième matériau peut être du germanium ou du silicium germanium (respectivement du carbure de silicium). Si les portions de pavés sont en un matériau piézoélectrique, le troisième ou le quatrième matériau peut être un matériau piézoélectrique. Plus généralement l’homme du métier peut procéder au dépôt par épitaxie d’une pluralité de couches de matériaux pour former un empilement épitaxial complexe. Il pourra appliquer tout son savoir-faire par exemple dans le domaine des épitaxies d’empilements de matériaux III-V ou non sur substrat GaAs, InP, Ge, GaN, SiC, etc. Dans certains modes de réalisation, le traitement appliqué aux portions de pavés peut être une gravure. Une telle gravure peut notamment être mise en œuvre pour délimiter le contour des transistors ou d’autres éléments opto-électroniques tels que des diodes. Elle peut encore être mise en œuvre pour retirer une zone périphérique ou intérieure de chaque portion de pavé, afin par exemple de redimensionner les portions de pavés ou les subdiviser en plusieurs portions de plus petites dimensions, ou pour corriger des défauts d’agencement ou d’alignement des portions de pavés. A cet effet, on forme un film protecteur sur la surface des portions de pavés, de sorte que le fil protecteur recouvre les zones des portions de pavés à préserver, le film protecteur présentant des ouvertures localisées en regard des zones des portions de pavés à retirer. Par « gravure », on entend dans le présent texte une attaque chimique et/ou physique du matériau des pavés, conduisant à une élimination de la zone des pavés non recouverte par le film protecteur. Dans certains modes de réalisation, le traitement des portions de pavés comprend au moins un traitement de surface, tel qu’un polissage, un nettoyage ou encore un dépôt de diélectrique… Un tel traitement de surface peut en particulier permettre d’améliorer l’adhésion ultérieure des portions de pavés sur le substrat receveur notamment dans le cas où l’assemblage du substrat temporaire et du substrat receveur se fait par collage. Un dépôt de diélectrique peut aussi par exemple passiver la surface d’une diode laser. Dans certains modes de réalisation, le traitement des portions de pavés peut comprendre un dopage d’au moins une partie des portions de pavés, afin de conférer à ladite partie des propriétés électriques attendues. Cette opération de dopage peut avoir lieu au cours d’une étape d’épitaxie réalisée sur les portions de pavés, ou être réalisée indépendamment par implantation ionique ou par diffusion par exemple. Dans certains modes de réalisation, le traitement des pavés peut comprendre au moins un traitement thermique. Par exemple, ledit traitement thermique peut comprendre un recuit de lissage des portions de pavés, afin de supprimer les défauts liés au transfert des portions de pavés sur le substrat support. Il peut aussi par exemple accompagner une étape de dopage par implantation ou par diffusion. Dans certains modes de réalisation, le traitement des portions de pavés peut comprendre la formation d’une interconnexion, par exemple par dopage d’une région des pavés et/ou dépôt d’une couche électriquement conductrice sur les pavés. Naturellement, les traitements susmentionnés peuvent être combinés, simultanément ou successivement, l’homme du métier étant à même de choisir l’ordre de réalisation des traitements. Par exemple, une épitaxie d’une couche additionnelle peut être accompagnée d’un dopage de ladite couche. Au final, ces opérations peuvent amener à la réalisation intermédiaire de sous-composants complets. Traitement du substrat receveur Dans certaines applications, le substrat receveur est avantageusement un substrat adapté pour la réalisation de composants électroniques, notamment par un procédé CMOS. Ledit substrat receveur peut ainsi être typiquement un substrat de silicium. Il peut aussi être constitué d’autres matériaux, notamment le germanium, le carbure de silicium et les matériaux III-V, notamment l’arséniure de gallium (GaAs). Le matériau du substrat receveur peut être notamment choisi en fonction du matériau des pavés. A titre d’exemple, on pourra combiner un substrat receveur en GaAs avec un substrat temporaire dont les pavés sont en matériau InP, ou encore combiner un substrat receveur en SiC avec un substrat temporaire dont les pavés sont en matériau diamant. De manière connue en elle-même, le substrat receveur peut être soumis à des opérations de photolithographie, de dopage localisé, de dépôt de couches électriquement isolantes et/ou électriquement conductrices, notamment en vue de fabriquer des transistors. Lesdits transistors peuvent inclure, des transistors à effet de champ, des transistors CMOS, des transistors BiCMOS, des transistors bipolaires, etc. Dans d’autres modes de réalisation, le substrat receveur peut être simplement un substrat semi-conducteur massif ou un substrat de type silicium sur isolant (SOI, acronyme du terme anglo-saxon « Silicon On Insulator »). Dans certaines applications, le substrat receveur est adapté pour la réalisation de dispositifs radiofréquences (RF). Le substrat receveur peut alors présenter une résistivité électrique élevée (par exemple supérieure à 1000 Ω.cm) et/ou inclure une couche de piégeages de charges (dite « trap rich » en anglais). Assemblage du substrat temporaire et du substrat receveur L’assemblage du substrat temporaire et du substrat receveur peut être réalisé par collage par adhésion moléculaire. Dans un mode de réalisation, tel qu’illustré sur la , le substrat receveur 4 peut être recouvert d’une couche de collage 40, par exemple une couche d’oxyde de silicium (SiO 2 ). Dans d’autres modes de réalisation, le collage est direct, sans l’intermédiaire d’une telle couche. L’assemblage peut inclure un recuit à une température adaptée pour renforcer l’adhésion entre les portions de pavés et le substrat receveur (ou la couche de collage le cas échéant). D’autres techniques de collage connues de l’homme du métier sont également envisageables. Retrait du substrat support En référence à la , le substrat support 3 est retiré après l’assemblage du substrat temporaire 3’ sur le substrat receveur 4, de sorte à transférer les portions de pavés P’1-P’3 sur le substrat receveur 4. De préférence, ce retrait est réalisé par meulage (« grinding » en anglais) du substrat support jusqu’à exposer la surface des portions de pavés opposée au substrat receveur 4. Le retrait peut aussi être réalisé par détachement du substrat support vis-à-vis des portions de pavés, par exemple le long d’une ligne de fracture mécanique et/ou par assistance de gravure chimique. A cet effet, l’interface entre les portions de pavés et le substrat support peut être conçue de sorte à favoriser la désolidarisation des pavés dans cette étape de retrait. Eventuellement, des traitements de finition de la surface libre des pavés, notamment de lissage, de polissage, ou de nettoyage, peuvent être mis en œuvre pour favoriser les étapes technologiques à réaliser ultérieurement sur les portions de pavés. Applications La structure composite ainsi obtenue peut être utilisée pour diverses applications. Selon un premier exemple d’application, correspondant à la technologie de communication 6G, la structure composite vise à combiner plusieurs étages de dispositifs radiofréquences fonctionnant dans des gammes de fréquence différentes. Grâce à des empilements de matériaux épitaxiés sur des portions de pavés en InP, des éléments tels que des transistors peuvent être réalisés pour fonctionner à très haute fréquence, typiquement au-delà de 100GHz. Des amplificateurs de puissance ou des amplificateurs faible bruit, tous deux caractérisés par de bonnes performances à haute fréquence peuvent être réalisés. Le substrat receveur, par exemple un substrat de silicium ou un substrat silicium sur isolant (SOI), comprenant optionnellement une ou plusieurs couches de SiGe, permet d’intégrer de manière optimum les autres étages du composant pouvant fonctionner à des fréquences moins élevées, typiquement inférieures à 100GHz. Un autre exemple d’applications reposant sur la même combinaison de portions de pavés en InP, sur lesquelles des empilements épitaxiaux ont été formés, et de substrat receveur en silicium concerne l’intégration de diodes laser Infra-Rouge dans les portions de pavés avec leur circuit de gestion et de lecture en technologie silicium dans le substrat receveur. Des applications très variées sont concernées comme par exemple les interconnexions optiques pour les centres de données (« data centers ») ou encore les LiDARs (acronyme du terme anglo-saxon « Laser Imaging Detection And Ranging ») pour la conduite automobile autonome. Un autre exemple encore concerne les écrans à base de micro-LEDs (µLEDS). Les portions de pavés servent de germe de croissance pour un empilement épitaxial à base de nitrure de gallium pour la réalisation des µLEDs. Le substrat receveur accueille le circuit de gestion et de lecture en technologie silicium des µLEDs. Procédé de fabrication d’une structure composite (4’) comprenant des portions de pavés, comprenant : (a) la formation d’un substrat temporaire (3’) comprenant un substrat support (3) et une pluralité de portions de pavés (P’1-P’3) d’un premier matériau disposées sur le substrat support (3), la formation dudit substrat temporaire (3’) comprenant : (i) le prélèvement d’une pluralité de pavés (P1-P3) à partir d’au moins un substrat donneur (2) et le placement de chaque pavé (P1-P3) sur un substrat intermédiaire (1’), chaque substrat donneur (2) présentant un diamètre inférieur au diamètre du substrat intermédiaire (1’), (ii) la formation d’une zone de fragilisation (11) dans chaque pavé (P1-P3) par implantation d’espèces atomiques, de sorte à délimiter une portion (P’1-P’3) de pavé à transférer, (iii) le collage du substrat intermédiaire (1’) sur le substrat support (3) par l’intermédiaire des pavés (P1-P3), et (iv) le détachement des pavés (P1-P3) le long de la zone de fragilisation (11), de sorte à transférer les portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat support (3), (b) l’assemblage du substrat temporaire (3’) avec un substrat receveur (4) en un second matériau différent du premier matériau par l’intermédiaire desdites portions de pavés (P’1-P’3), et (c) le retrait du substrat support (3) de sorte à transférer au moins une partie des portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat receveur (4) pour former la structure composite. Procédé selon la revendication 1, comprenant au moins une étape de traitement des portions de pavés (P’1-P’3) avant l’assemblage desdites portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat receveur (4). Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit traitement comprend : - une épitaxie d’une couche d’un troisième matériau sur chaque pavé, - une gravure, - un traitement de surface, - un dopage, - un traitement thermique, et/ou - la formation d’une interconnexion. Procédé selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel ladite étape de traitement des portions de pavés (P’1-P’3) est réalisée à une température supérieure ou égale à 500°C. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat receveur (4) comprend au moins une partie d’un circuit électronique formée avant l’assemblage du substrat temporaire (3’) et du substrat receveur (4). Procédé selon la revendication 5, comprenant la formation de ladite partie de circuit électronique par un procédé CMOS. Procédé selon la revendication 6, comprenant au moins une étape de finalisation du circuit électronique après le transfert des portions de pavés (P’1-P’3) sur le substrat receveur (4). Procédé selon la revendication 7, dans lequel chaque étape de finalisation du circuit électronique est réalisée à une température inférieure à 500°C. Procédé selon l’une des revendications 5 à 8, dans lequel ledit circuit électronique comprend au moins un transistor, notamment un transistor à effet de champ, un transistor CMOS, un transistor BiCMOS ou un transistor bipolaire, et/ou au moins une diode, notamment une diode laser ou une diode électroluminescente (LED). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le premier matériau est choisi parmi : - les matériaux III-V, tels que le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), - les matériaux piézoélectriques, tels que le tantalate de lithium (LiTaO3), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (KxNa1-xNbO3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), - le germanium ou le carbure de silicium, et - un matériau électriquement isolant tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Procédé selon la revendication 10 en combinaison avec la revendication 4, dans lequel le troisième matériau est choisi parmi : les matériaux III-V, les matériaux piézoélectriques, le carbure de silicium, le silicium germanium et le germanium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le second matériau est choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium et les matériaux III-V, notamment l’arséniure de gallium. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel le substrat support (3) et le substrat receveur (4) présentent un diamètre supérieur ou égal à 300 mm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le retrait du substrat support (3) comprend une élimination dudit substrat par meulage. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, dans lequel le retrait du substrat support (3) comprend un détachement dudit substrat vis-à-vis des pavés.