FR 3138000 A1 20240119 FR 2305878 A 20230609 Capteur d'image et procédé de fabrication de celui-ci Un procédé de fabrication comporte les étapes suivantes. Une couche de lentille est formée au-dessus d'un substrat. Une couche de masque dur à motif est formée sur la couche de lentille. La couche de lentille est gravée pour transférer un motif de la couche de masque dur à motif sur la couche de lentille de sorte qu'une pluralité de lentilles soit définie, dans lequel les lentilles sont des microlentilles ou des lentilles à méta-surface. Une couche de revêtement est formée pour recouvrir la pluralité de lentilles et le substrat. Des parties de la couche de revêtement sont gravées pour former une première paroi latérale inclinée et une deuxième paroi latérale inclinée, dans lequel la première paroi latérale inclinée est au-dessus de la deuxième paroi latérale inclinée, dans lequel une extension de la première paroi latérale inclinée sur le substrat est espacée d'une extension de la deuxième paroi latérale inclinée sur le substrat. Capteur d'image et procédé de fabrication de celui-ci La présente description concerne un capteur d'image et un procédé de fabrication du capteur d'image. Dans le domaine des capteurs d'image à métal-oxyde-semiconduteur complémentaire (CMOS) (qui peuvent également être appelés CIS), une matrice de lentilles peut être disposée au-dessus d'éléments photosensibles pour recevoir une lumière externe. Toutefois, un processus de gravure peut endommager un substrat sous un matériau de lentille pendant la formation de la matrice de lentilles. De plus, des éléments disposés au-dessus de la matrice de lentilles peuvent provoquer un déséquilibre de contrainte entre les éléments et la matrice de lentilles, d'où il résulte qu'un fléchissement de la tranche peut survenir. Par conséquent, il est nécessaire de résoudre les problèmes précédents. Le procédé de fabrication d'un capteur d'image de la présente description peut résoudre les problèmes mentionnés précédemment dans le processus de fabrication, améliorant ainsi la performance du capteur d'image. Le capteur d'image de la présente description a une inclinaison plus douce pour résoudre un déséquilibre de contrainte au niveau de la limite entre une matrice de lentilles et des éléments disposés au-dessus de la matrice de lentilles. Un aspect de la présente description est de prévoir procédé de fabrication d'un capteur d'image. Le procédé de fabrication comporte les étapes suivantes. Un substrat est prévu. Une couche de lentille est formée au-dessus du substrat. Une couche de masque dur à motif est formée sur la couche de lentille. La couche de lentille est gravée pour transférer un motif de la couche de masque dur à motif sur la couche de lentille de sorte qu'une pluralité de lentilles soit définie, dans lequel les lentilles sont des microlentilles ou des lentilles à méta-surface. Une couche de revêtement est formée pour recouvrir la pluralité de lentilles et le substrat. Des parties de la couche de revêtement sont gravées pour former une première paroi latérale inclinée et une deuxième paroi latérale inclinée, dans lequel la deuxième paroi latérale inclinée est au-dessus de la première paroi latérale inclinée, dans lequel une extension de la première paroi latérale inclinée sur le substrat est espacée d'une extension de la deuxième paroi latérale inclinée sur le substrat. Une couche de filtre à bande passante ayant plusieurs films est formée de façon conforme sur la couche de revêtement et recouvre le substrat. Selon certains modes de réalisation de la présente description, avant la formation de la couche de lentille au-dessus du substrat, le procédé comporte en outre les étapes suivantes. Une couche de résine photosensible avec une troisième paroi latérale inclinée et ayant une tranchée sur le substrat est formée. La couche de lentille avec une quatrième paroi latérale inclinée est formée dans la tranchée. La couche de résine photosensible est retirée, dans lequel un angle entre la troisième paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est supérieur à 90 degrés, et un angle entre la quatrième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est inférieur à 90 degrés. Selon certains modes de réalisation de la présente description, après la formation de la couche de lentille au-dessus du substrat, le procédé comporte en outre les étapes suivantes. Une couche de remplissage est formée sur le substrat et entoure la couche de lentille, dans lequel une surface supérieure de la couche de lentille est sensiblement coplanaire avec une surface supérieure de la couche de remplissage. La couche de masque dur à motif est formée sur la couche de remplissage. La couche de remplissage est gravée pour transférer le motif de la couche de masque dur à motif sur la couche de remplissage, de sorte qu'une partie restante de la couche de remplissage et une couche sous-jacente soit définie, dans lequel la couche sous-jacente est disposée entre la pluralité de lentilles et le substrat, et la couche sous-jacente est connectée à la partie restante. Selon certains modes de réalisation de la présente description, après la définition de la partie restante de la couche de remplissage et de la couche sous-jacente, le procédé comporte en outre les étapes suivantes. Une couche de protection est formée pour recouvrir la pluralité de lentilles et pour exposer la partie restante de la couche de remplissage. La partie restante de la couche de remplissage est retirée. La couche de protection est retirée. Un film antireflet est formé sur des surfaces supérieures de la pluralité de lentilles. Selon certains modes de réalisation de la présente description, après la définition de la partie restante de la couche de remplissage et de la couche sous-jacente, le procédé comporte en outre les étapes suivantes. Une couche de protection est formée pour recouvrir la pluralité de lentilles et une première partie de la partie restante de la couche de remplissage, dans lequel une deuxième partie de la partie restante de la couche de remplissage est exposée. La deuxième partie de la partie restante de la couche de remplissage est retirée. La couche de protection est retirée. Un film antireflet est formé sur des surfaces supérieures de la pluralité de lentilles et une surface supérieure de la première partie de la partie restante de la couche de remplissage. Selon certains modes de réalisation de la présente description, avant la formation de la couche de lentille au-dessus du substrat, une couche sous-jacente est formée sur le substrat. Selon certains modes de réalisation de la présente description, pendant l'étape de formation de la couche de revêtement pour recouvrir la pluralité de lentilles et le substrat et l'étape de gravure des parties de la couche de revêtement pour former la première paroi latérale inclinée et la deuxième paroi latérale inclinée, le procédé comporte en outre les étapes suivantes. Une première couche de revêtement est formée pour recouvrir la pluralité de lentilles et le substrat. Une partie de la première couche de revêtement est gravée pour exposer une partie du substrat et pour former une troisième paroi latérale inclinée. Une deuxième couche de revêtement est formée sur la première couche de revêtement et la partie du substrat pour former la première paroi latérale inclinée sur un sommet de la couche de revêtement. Une partie de la deuxième couche de revêtement est gravée pour former la deuxième paroi latérale inclinée sur un fond de la couche de revêtement. Selon certains modes de réalisation de la présente description, un angle entre la deuxième paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés, et un angle entre la troisième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés. Selon certains modes de réalisation de la présente description, pendant l'étape de gravure des parties de la couche de revêtement pour former la première paroi inclinée et la deuxième paroi inclinée, le procédé comporte en outre les étapes suivantes. Une première partie de la couche de revêtement est gravée pour former la première paroi latérale inclinée sur un sommet de la couche de revêtement, dans lequel un angle entre la première paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés. Une deuxième partie de la couche de revêtement est gravée pour former la deuxième paroi latérale inclinée sur un fond de la couche de revêtement, dans lequel un angle entre la deuxième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés. Un aspect de la présente description est de prévoir un capteur d'image. Le capteur d'image comporte un substrat, une pluralité de lentilles, une couche de revêtement, et une couche de filtre passe-bande. La pluralité de lentilles est disposée sur le substrat, dans lequel la pluralité de lentilles sont des microlentilles ou des lentilles à méta-surface. La couche de revêtement est disposée sur la pluralité de lentilles et le substrat. La couche de revêtement a une première paroi latérale inclinée et une deuxième paroi latérale inclinée, et la première paroi latérale inclinée est au-dessus de la deuxième paroi latérale inclinée. Une extension de la première paroi latérale inclinée sur le substrat est séparée d'une extension de la deuxième paroi latérale inclinée sur le substrat. La couche de filtre passe-bande ayant plusieurs films est déposée de façon conforme sur la couche de revêtement et recouvre le substrat. Selon certains modes de réalisation de la présente description, le capteur d'image comporte en outre un film antireflet disposé sur des surfaces supérieures des lentilles. Selon certains modes de réalisation de la présente description, le capteur d'image comporte en outre une couche de remplissage disposée sur le substrat et qui entoure la pluralité de lentilles, dans lequel une épaisseur de la couche de remplissage est dans une plage allant de 0,1 µm à 100 µm. Selon certains modes de réalisation de la présente description, le capteur d'image comporte en outre un film antireflet disposé sur des surfaces supérieures des lentilles et une surface supérieure de la couche de remplissage. Selon certains modes de réalisation de la présente description, le capteur d'image comporte en outre une couche sous-jacente disposée entre la pluralité de lentilles et le substrat, dans lequel une épaisseur de la couche sous-jacente est dans une plage allant de 0,01 µm à 100 µm. Selon certains modes de réalisation de la présente description, un matériau des lentilles est un a-Si, SiH, GeH, Ge, GeO ou GeSiH. Selon certains modes de réalisation de la présente description, un matériau de la couche sous-jacente est différent d'un matériau des lentilles. Selon certains modes de réalisation de la présente description, un matériau de la couche sous-jacente est identique à un matériau des lentilles, et une épaisseur de la couche sous-jacente est dans une plage allant de 0,01 µm à 100 µm. Selon certains modes de réalisation de la présente description, une distance entre une partie la plus externe de la deuxième paroi latérale inclinée et une partie la plus externe de la couche sous-jacente est dans une plage allant de 40 µm à 100 µm. Selon certains modes de réalisation de la présente description, lorsque la pluralité de lentilles sont des microlentilles, une extension des microlentilles sur le substrat est dans une extension de la couche sous-jacente sur le substrat. Selon certains modes de réalisation de la présente description, un angle entre la première paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés, dans lequel un angle entre la deuxième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés. Des aspects de la présente description seront mieux compris grâce à la description détaillée qui suit, lue avec les figures jointes. On notera que, conformément à une pratique courante dans l'industrie, divers éléments ne sont pas dessinés à l'échelle. En pratique, les dimensions des divers éléments peuvent être arbitrairement accrues ou réduites pour la clarté de l'exposé. Les figures 1A à 1L sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image selon certains modes de réalisation de la présente description. Les figures 2A à 2C sont une succession de vues en coupe transversale d'une fabrication d'une couche de revêtement du capteur d'image de la selon des variantes de mode de réalisation de la présente description. Les figures 3A à 3F sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image selon certains modes de réalisation de la présente description. La est une vue en coupe transversale d'un capteur d'image selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 3A à 3F. Les figures 5A à 5F sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image selon certains modes de réalisation de la présente description. La est une vue en coupe transversale d'un capteur d'image selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 5A à 5F. Les figures 7A à 7E sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image selon certains modes de réalisation de la présente description. La est une vue en coupe transversale d'un capteur d'image selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 7A à 7E. Les figures 9 à 11 sont des vues en coupe transversale de capteurs d'image selon certains modes de réalisation de la présente description. La est une vue de dessus d'une région du capteur d'image représenté dans la . Les figures 13A, 13B et 13C sont des vues de dessus d'une lentille à méta-surface de la . La description qui suit prévoit de nombreux modes de réalisation, ou exemples, différents pour mettre en œuvre différentes caractéristiques de l'objet proposé. Des exemples particuliers de composants et d'agencements sont décrits ci-dessous pour simplifier la présente description. Ceux-ci sont bien entendu seulement des exemples et ne sont pas destinés à être limitatifs. Par exemple, la formation d'un premier élément sur ou sous un deuxième élément dans la description qui suit peut inclure des modes de réalisation dans lesquels les premier et deuxième éléments sont formés en contact direct et peut également inclure des modes de réalisation dans lesquels des éléments supplémentaires peuvent être formés entre les premier et deuxième éléments, de sorte que les premier et deuxième éléments puissent ne pas être en contact direct. De plus, la présente description peut répéter des références numériques et/ou alphabétiques dans les divers exemples. Cette répétition a pour objet de simplifier et clarifier et n'impose pas par elle-même de relation entre les divers modes de réalisation et/ou configurations discutés. On notera que bien que les termes premier, deuxième, etc. peuvent être utilisés ici pour décrire divers éléments, ces éléments ne devraient pas être limités par ces termes. Ces termes sont utilisés seulement pour différencier un élément d'un autre. Par exemple, un premier élément pourrait être appelé deuxième élément et, de façon similaire, un deuxième élément pourrait être appelé premier élément, sans s'écarter de la portée des modes de réalisation. Tel qu'utilisé ici, l'expression "et/ou" inclut une quelconque et toutes les combinaisons d'un ou de plusieurs des éléments associés listés. En outre, des termes relatifs à l'espace, tels que "sous", "en-dessous", "inférieur", "supérieur" et analogues, peuvent être utilisés ici pour faciliter la description pour décrire une relation d'un élément ou d'une caractéristique par rapport à un (des) autre(s) élément(s) ou caractéristique(s) tel(s) que représenté(s) dans les figures. Les termes relatifs à l'espace sont destinés à englober différentes orientations du dispositif utilisé ou en fonctionnement en plus de l'orientation représentée dans les figures. L'appareil peut être orienté autrement (tourné de 90 degrés ou selon une autre orientation) et les descripteurs relatifs à l'espace utilisés ici peuvent de façon similaire être interprétés de façons correspondantes. La présente invention décrit 7 modes de réalisation de capteurs d'image (représentés dans les figures 1L, 4, 6 et 8 à 11) et deux types de lentilles dans ces 7 modes de réalisation qui sont des microlentilles ou des lentilles à méta-surface. Dans les capteurs d'image des figures 1L, 4 et 6, les lentilles 180 sont des microlentilles. Dans les capteurs d'image des figures 8 à 11, les lentilles 750 sont des lentilles à méta-surface. Des modes de réalisation des procédés et des structures de la présente description seront décrits en détail ci-dessous. On notera que des étapes supplémentaires peuvent être prévues avant, pendant et après des processus représentés par les figures qui suivent, et certaines des étapes décrites ci-dessous peuvent être remplacées ou supprimées, pour des modes de réalisation supplémentaires du processus. L'ordre des étapes peut être modifié. Les figures 1A à 1L sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image 1000A selon certains modes de réalisation de la présente description. Comme cela est représenté dans la , un substrat 110 est prévu et comporte une matrice de circuits photosensibles intégrée dans le substrat 110. La matrice de circuits photosensibles comporte une pluralité d'éléments photosensibles 112. L'élément photosensible 112 peut être une photodiode ou des diodes à avalanche à photon unique (SPAD), mais n'est pas limité à cela. La matrice de circuits photosensibles est configurée pour détecter une lumière externe. Une couche de résine photosensible 120 est disposée sur le substrat 110 et une tranchée 130 est formée dans la couche de résine photosensible 120. En d'autres termes, le substrat 110 et la couche de résine photosensible 120 forment la tranchée 130. On notera que la couche de résine photosensible 120 et la tranchée 130 définissent une zone de matrice de lentilles AA dans laquelle une pluralité de lentilles (incluant des microlentilles ou des lentilles à méta-surface) sera formée, et une région périphérique PA est une région sans lentille. Comme cela est représenté dans la , la couche de résine photosensible 120 a un angle obtus θ1 entre une paroi latérale inclinée 122 de la couche de résine photosensible 120 et une surface supérieure 114 du substrat 110 de sorte que la paroi latérale inclinée 122 soit tournée vers la surface supérieure 114 du substrat 110. L'angle obtus θ1 est supérieur à 90 degrés. Dans certains modes de réalisation, un matériau de la couche de résine photosensible 120 peut être une résine photosensible de type positif ou une résine photosensible de type négatif. Dans un mode de réalisation, le motif de la couche de résine photosensible 120 peut être formé par un processus de lithographie. La paroi latérale inclinée 122 peut être formée en réglant la distance focale de photolithographie, mais n'est pas limité à cela. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de lentille 140 est formée au-dessus du substrat 110. En particulier, une première partie 140a de la couche de lentille 140 est formée sur la surface supérieure 114 du substrat 110, et une deuxième partie 140b de la couche de lentille 140 est formée sur une surface supérieure 124 de la couche de résine photosensible 120, de sorte qu'une tranchée 150 soit formée au-dessus du substrat 110. On notera que la première partie 140a et la deuxième partie 140b de la couche de lentille 140 sont formées simultanément. Dans certains modes de réalisation, une épaisseur de la première partie 140a est identique à une épaisseur de la deuxième partie 140b. Dans certains modes de réalisation, la couche de lentille 140 peut être formée par un dépôt physique en phase vapeur (PVD), un dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), ou un autre processus de dépôt approprié. Pendant le processus de dépôt de la couche de lentille 140, la couche de résine photosensible 120 peut être utilisée comme avancées de sorte que la première partie 140a de la couche de lentille 140 ait une paroi latérale inclinée 142. La première partie 140a a un angle aigu θ2 entre la paroi latérale inclinée 142 de la première partie 140a et la surface supérieure 114 du substrat 110 de sorte que la paroi latérale inclinée 142 soit tournée vers la paroi latérale inclinée 122. L'angle aigu θ2 est inférieur à 90 degrés. La première partie 140a est de forme trapézoïdale. Dans certains modes de réalisation, une pente de la paroi latérale inclinée 122 est supérieure à une pente de la paroi latérale inclinée 142. Comme cela est représenté dans la , un intervalle d'air est présent entre la paroi latérale inclinée 122 et la paroi latérale inclinée 142. Dans certains modes de réalisation, la couche de lentille 140 est formée par un matériau inorganique incluant a-Si, SiH, GeH, Ge, GeO, GeSiH ou un autre matériau approprié. Comme cela est représenté dans la et dans la , la couche de résine photosensible 120 et la deuxième partie 140b de la couche de lentille 140 sont retirées de la zone périphérique PA. Dans certains modes de réalisation, le processus de retrait est effectué par un processus de décollage. En particulier, la structure représentée dans la est trempée dans une solution aqueuse qui a une solubilité ou une capacité de gonflement relativement élevées pour la couche de résine photosensible 120 par rapport à la couche de lentille 140. Par conséquent la première partie 140a de la couche de lentille 140 est maintenue sur le substrat 110. Le processus de décollage de la présente description peut réduire la contrainte de film pour éviter un déséquilibre de contrainte et un fléchissement de la tranche. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de remplissage 160 est formée sur le substrat 110 et entoure la première partie 140a de la couche de lentille 140. En d'autres mots, la couche de remplissage 160 remplit la zone dépourvue de la première partie 140a de la couche de lentille 140. Une surface supérieure 144 de la première partie 140a de la couche de lentille 140 est sensiblement coplanaire avec une surface supérieure 162 de la couche de remplissage 160. En particulier, la couche de remplissage 160 recouvre et contacte la paroi latérale inclinée 142 de la couche de lentille 140. Dans certains modes de réalisation, un matériau de la couche de remplissage 160 peut être une résine photosensible, telle qu'une résine photosensible transparente. Dans certains modes de réalisation, le motif de la couche de remplissage 160 peut être réalisé par un processus de lithographie. Le processus de lithographie réalise une topographie plane de sorte que la couche de lentille 140 ait une première partie uniforme 140a. Une épaisseur de dépôt de la couche de remplissage 160 peut être réglée en fonction de l'épaisseur de la première partie 140a de la couche de lentille 140. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de masque dur à motif 170 est formée sur la première partie 140a de la couche de lentille 140. En particulier, la couche de masque dur à motif 170 a une première partie 170a ayant des profils hémisphériques et une deuxième partie 170b sous la première partie 170a. La deuxième partie 170b est un film plan disposé sur la surface supérieure 144 de la première partie 140a de la couche de lentille 140 et la surface supérieure 162 de la couche de remplissage 160. La première partie 170a de la couche de masque dur à motif 170 a un profil de surface d'une matrice de microlentilles. Dans certains modes de réalisation, un matériau de la couche de masque dur à motif 170 peut être une résine photosensible. Dans certains modes de réalisation, le motif de la couche de masque dur à motif 170 peut être formé par un processus de lithographie. Dans certains modes de réalisation, les positions de la première partie 170a peuvent être définies en premier, puis les profils hémisphériques formés. Comme cela est représenté dans la , chacun des profils hémisphériques de la couche de masque dur à motif 170 correspond à chacun des éléments photosensibles 112. On notera que le nombre de profils hémisphériques et le nombre d'éléments photosensibles 112 sont représentés essentiellement pour clarifier et ne sont pas destinés à limiter la présente description. Comme cela est représenté dans la et dans la , la couche de lentille 140 est gravée pour transférer un motif de la couche de masque dur à motif 170 (comportant la première partie 170a et la deuxième partie 170b) sur la couche de lentille 140 de sorte qu'une pluralité de lentilles 180 soit définie. La couche de lentille 140 est gravée par un processus de gravure E. En particulier, pendant le processus de gravure E, la couche de remplissage 160 est également gravée pour transférer le motif de la deuxième partie 170b de la couche de masque dur à motif 170 sur la couche de remplissage 160 de sorte que la pluralité de lentilles 180 ait une couche sous-jacente 182 et qu'une partie restante 160a de la couche de remplissage 160 soit définie. La couche sous-jacente 182 est disposée entre les lentilles 180 et le substrat 110. La couche sous-jacente 182 est disposée entre les lentilles 180 et le substrat 110 et la couche sous-jacente 182 est connectée à la partie restante 160a de la couche de remplissage 160. Comme les lentilles 180 et la couche sous-jacente 182 sont formées en gravant la couche de lentille 140, les matériaux des lentilles 180 et la couche sous-jacente 182 sont identiques au matériau de la couche de lentille 140, par exemple, un matériau inorganique (tel que a-Si, SiH, GeH, Ge, GeO ou GeSiH). Dans un tel mode de réalisation, la couche de remplissage 160 et la couche sous-jacente 182 peuvent également être utilisées comme couches de protection pour éviter que le substrat 110 en-dessous ne soit endommagé pendant le processus de gravure E. Dans certains modes de réalisation, le processus de gravure E est un processus de gravure sèche. Dans certains modes de réalisation, une épaisseur de la partie restante 160a de la couche de remplissage 160 est dans une plage allant de 0,1 µm à 100 µm, par exemple 10, 20, 50 ou 80 µm. Une épaisseur de la couche sous-jacente 182 peut être réglée par la longueur focale pendant le processus de gravure E. Dans certains modes de réalisation, l'épaisseur de la couche sous-jacente 182 est dans une plage allant de 0,01 µm à 100 µm, par exemple 0,1, 1, 10, 20, 50 ou 80 µm. Dans certains modes de réalisation, l'épaisseur de la partie restante 160a est similaire à une épaisseur de la couche sous-jacente 182. Dans certains modes de réalisation, l'épaisseur de la partie restante 160a est identique à l'épaisseur de la couche sous-jacente 182. Dans certains modes de réalisation, l'épaisseur de la partie restante 160a est légèrement plus mince que l'épaisseur de la couche sous-jacente 182. On se réfère toujours à la . La couche sous-jacente 182 est un film plan disposé sur la surface supérieure 114 du substrat 110. Les lentilles 180, la couche sous-jacente 182, et la partie restante 160a sont toutes disposées sur la surface supérieure 114 du substrat 110. Dans ce mode de réalisation, les lentilles 180 sont des microlentilles. Dans certains modes de réalisation, un diamètre/largeur des microlentilles 180 est dans une plage allant de 1 µm à 100 µm. Dans certains modes de réalisation, une hauteur H des microlentilles 180 est dans une plage allant de 0,1 µm à 50 µm. Comme la couche de masque dur à motif 170 a le profil de surface de la matrice de microlentilles, les lentilles 180 ont également le profil de surface de la matrice de microlentilles. Les lentilles 180 sont disposées au-dessus des éléments photosensibles 112 et chacune des lentilles 180 correspond à chacun des éléments photosensibles 112. On se référera de nouveau à la . Une extension P1 de la première partie 170a de la couche de masque dur à motif 170 sur le substrat 110 est dans une extension P2 de la première partie 140a de la couche de lentille 140 sur le substrat 110. L'extension P2 de la première partie 140a de la couche de lentille 140 sur le substrat 110 chevauche une extension P3 de la couche de remplissage 160 sur le substrat 110. Comme cela est représenté dans la , la couche sous-jacente 182 saille depuis les fonds des lentilles périphériques 180. En d'autres termes, une extension P4 des lentilles 180 sur le substrat 110 est dans une extension P5 de la couche sous-jacente 182 sur le substrat 110. Les figures 1G à 1L sont une succession de vues en coupe transversale du procédé de fabrication du capteur d'image 1000A après la . On notera que la zone de matrice de lentilles AA est toujours une zone qui comporte une pluralité de lentilles (incluant des microlentilles ou des lentilles à méta-surface), et la zone périphérique PA est une zone sans lentille. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de revêtement 192 est formée pour recouvrir la pluralité de lentilles 180 et le substrat 110. En particulier, la couche de revêtement 192 est agencée dans à la fois la zone de matrice de lentilles AA et la zone périphérique PA. La couche de revêtement 192 recouvre des surfaces supérieures 184 des lentilles 180, une surface supérieure 162 et une surface latérale 164 de la partie restante 160a et la surface supérieure 114 du substrat 110. La couche de revêtement 192 a une surface supérieure plane 193. Comme cela est représenté dans la et dans la , une partie de la couche de revêtement 192 est gravée pour exposer une partie 110a du substrat 110 et pour former la paroi latérale inclinée 194. Dans certains modes de réalisation, la paroi latérale inclinée 194 est formée par un processus de lithographie et un processus de gravure. Dans certains modes de réalisation, un angle θ3 entre la paroi latérale inclinée 194 et la surface supérieure 114 du substrat 110 est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés, tels que 30, 40 ou 50 degrés. Dans certains modes de réalisation, une distance D1 entre une partie la plus externe de la paroi latérale inclinée 194 et une partie la plus externe de la couche sous-jacente 182 est dans une plage allant de 20 µm à 50 µm, par exemple de 30 ou 40 µm. On notera que "partie la plus externe" est ici une direction vers la zone périphérique PA. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de revêtement 196 est formée sur la couche de revêtement 192 et la partie 110a du substrat 110 pour former une paroi latérale inclinée 197 sur un sommet de la couche de revêtement 192. En particulier, la couche de revêtement 196 est une doublure sur la couche de revêtement 192 de sorte que la couche de revêtement 196 ait la paroi latérale inclinée 197 au-dessus de la paroi latérale inclinée 194 de la couche de revêtement 192. Comme cela est représenté dans la et dans la , une portion de la couche de revêtement 196 est gravée pour former la paroi latérale inclinée 198 sur un fond de la couche de revêtement 196. Dans certains modes de réalisation, la paroi latérale inclinée 198 est formée par un processus de lithographie et un processus de gravure. La paroi latérale inclinée 197 est au-dessus de la paroi latérale inclinée 198. Dans certains modes de réalisation, un angle θ4 entre la paroi latérale inclinée 198 et une surface supérieure 114 du substrat 110 est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés, par exemple, 30, 40 ou 50 degrés. Dans certains modes de réalisation, une distance D2 entre une partie la plus externe de la paroi latérale inclinée 198 et une partie la plus externe de la paroi latérale inclinée 197 est dans une plage allant de 20 µm à 50 µm, par exemple, 30 ou 40 µm. Dans certains modes de réalisation, une distance D3 entre la partie la plus externe de la paroi latérale inclinée 198 et la partie la plus externe de la couche sous-jacente 182 est dans une plage allant de 40 µm à 100 µm, par exemple 50, 60, 70, 80 ou 90 µm. Dans certains modes de réalisation, une extension P6 de la paroi latérale inclinée 197 de la couche de revêtement 196 sur le substrat 110 est espacée d'une extension P7 de la paroi latérale inclinée 198 de la couche de revêtement 196 sur le substrat 110. Dans certains modes de réalisation, une largeur de la couche de revêtement 196 est supérieure à une largeur de la couche de revêtement 192. Dans certains modes de réalisation, un matériau de la couche de revêtement 192 et/ou de la couche de revêtement 196 peut être un diélectrique ou un polymère transparent, tel qu'une résine, du verre tourné, du dioxyde de silicium, etc. En d'autres mots, chacune parmi la couche de revêtement 192 et la couche de revêtement 196 peut être une couche de polymère et/ou une couche de diélectrique. Dans certains modes de réalisation, la couche de revêtement 192 et/ou de la couche de revêtement 196 peut être formée par un processus d'implantation d'ions ou un autre processus de revêtement approprié. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de résine photosensible 2000 et une couche de filtre à bande-passante 2100 sont formées sur le substrat 110. En particulier, le filtre à bande-passante 2100 comporte une première partie 2100a et une deuxième partie 2100b. La première partie 2100a de la couche de filtre à bande-passante 2100 est disposée de façon conforme sur la couche de revêtement 196 et la surface supérieure 114 du substrat 110. La deuxième partie 2100b de la couche de filtre à bande-passante 2100 est disposée sur la couche de résine photosensible 2000. La première partie 2100a entoure et scelle la couche de revêtement 196. Dans certains modes de réalisation, un matériau de la couche de résine photosensible 2000 peut être une résine photosensible du type positif ou une résine photosensible du type négatif. Dans certains modes de réalisation, le motif de la couche de résine photosensible 2000 peut être formé par un processus de lithographie. La couche de résine photosensible 2000 a un angle obtus entre une paroi latérale inclinée 2002 de la couche de résine photosensible 2000 et de la surface supérieure 114 du substrat 110. On se référera de nouveau à la . On notera que la première partie 2100a et la deuxième partie 2100b de la couche de filtre à bande-passante 2100 sont formées en même temps. La couche de filtre à bande-passante 2100 comporte plusieurs films et chaque film peut être formé par PVD ou par un autre processus de dépôt approprié. Dans certains modes de réalisation, un matériau de la couche de filtre à bande-passante 2100 comporte a-Si, SiO2, Nb2O5, GeO2, TiO2, etc. Pendant le processus de dépôt de la couche de filtre à bande-passante 2100, la couche de résine photosensible 2000 peut être utilisée comme avancée de sorte que la première partie 2100a adjacente à la couche de résine photosensible 2000 ait une paroi latérale inclinée 2102. La première partie 2100a a un angle aigu entre la paroi latérale inclinée 2102 de la première partie 2100a et la surface supérieure 114 du substrat 110. Comme cela est représenté dans la , un espace d'air est présent entre la paroi latérale inclinée 2102 et la paroi latérale inclinée 2002. La structure de la couche de filtre à bande-passante 2100 peut être réglée en fonction de la longueur d'onde de fonctionnement du capteur d'image. Comme cela est représenté dans la et dans la , dans certains modes de réalisation, la couche de résine photosensible 2000 et la deuxième partie 2100b de la couche de filtre à bande-passante 2100 sont retirées par un processus de décollage. En conséquence, le capteur d'image 1000A ayant des microlentilles 180, la couche sous-jacente 182 et la partie restante 160a de la couche de remplissage 160 sont formés, comme cela est représenté dans la . Les lentilles 180 sont configurées pour recevoir une lumière externe. Dans certains modes de réalisation, un indice de réfraction de la couche de revêtement 196 et/ou de la couche de revêtement 192 est dans une plage allant de 1,1 à 1,6, par exemple 1,2, 1,3, 1,4 ou 1,5. Dans certains modes de réalisation, un indice de réfraction des lentilles 180 est dans une plage allant de 1,7 à 4,5, par exemple 2,5, 3,3 ou 3,8. Dans certains modes de réalisation, l'indice de réfraction de la couche de revêtement 196 et/ou de la couche de revêtement 192 est entre l'indice de réfraction des lentilles 180 et l'indice de réfraction de l'air. La différence d'indice de réfraction entre la couche de revêtement 196 et les lentilles 180 est importante, assurant ainsi une bonne performance au capteur d'image 1000A. Comme les couches de revêtement ont des parois latérales inclinées, la première partie 2100a de la couche de filtre à bande-passante 2100 a également des parois latérales inclinées. Les parois latérales inclinées (telles que les parois latérales inclinées 197, 198) des couches de revêtement rendent lisses les bords des couches de revêtement, de sorte que les couches de revêtement soient mieux recouvertes par la couche de filtre à bande-passante 2100 qui a plusieurs films. De plus, les parois latérales inclinées de la couche de filtre à bande-passante 2100 aident à réduire la contrainte au niveau des limites des plusieurs films de la couche de filtre à bande-passante 2100, évitant ainsi la délamination entre des matériaux différents. Autrement dit, une épaisseur du capteur d'image 1000A depuis la zone de matrice de lentille AA jusqu'à la zone périphérique PA est progressivement réduite. Le capteur d'image 1000A a une topographie plate et peut éviter un déséquilibre de contraintes sur les bords des plusieurs films entre une matrice de microlentilles (telles que les lentilles 180) et des éléments disposés au-dessus de la matrice de microlentilles qui conduirait à un fléchissement de la tranche, assurant ainsi de bonnes performances optiques. Les figures 2A à 2C sont une succession de vues en coupe transversale de fabrication d'une couche de revêtement du capteur 1000A de la selon des variantes de mode de réalisation de la présente description. En particulier, les étapes de fabrication des figures 1G à 1J pourraient être remplacées par les étapes de fabrication des figures 2A à 2C. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de revêtement 2300 est formée pour recouvrir la pluralité de lentilles 180 et le substrat 110. Une épaisseur de la couche de revêtement 2300 de la peut être supérieure à une épaisseur de la couche de revêtement 192 de la . Un matériau de la couche de revêtement 2300 peut être identique au matériau de la couche de revêtement 192 et/ou de la couche de revêtement 196. Comme cela est représenté dans la et dans la , une partie de la couche de revêtement 2300 est gravée pour former une paroi latérale inclinée 2302 sur un sommet de la couche de revêtement 2300. Dans certains modes de réalisation, un angle θ5 entre la paroi latérale inclinée 2302 et la surface supérieure 114 du substrat 110 est dans une plage allant d 20 degrés à 60 degrés, par exemple 30, 40 ou 50 degrés. Dans certains modes de réalisation, une profondeur de gravure d de la paroi latérale inclinée 2302 peut être la moitié, le tiers ou les deux tiers d'une épaisseur totale de la couche de revêtement 2300 en fonction de la longueur de la paroi latérale inclinée 2302. Dans certains modes de réalisation, une distance D4 entre une partie la plus externe de la paroi latérale inclinée 2302 et la partie la plus externe de la couche sous-jacente 182 est dans une plage allant de 20 µm à 50 µm, par exemple 30 ou 40 µm. Comme cela est représenté dans la et dans la , une partie de la couche de revêtement 2300 est gravée pour former la paroi latérale inclinée 2304 sur un fond de la couche de revêtement 2300. Dans certains modes de réalisation, un angle θ6 entre la paroi latérale inclinée 2304 et la surface supérieure 114 du substrat 110 est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés, par exemple 30, 40 ou 50 degrés. Dans certains modes de réalisation, une distance D5 entre une partie la plus externe de la paroi latérale inclinée 2304 et la partie la plus externe de la paroi latérale inclinée 2302 est dans une plage allant de 20 µm à 50 µm, par exemple 30 ou 40 µm. Dans certains modes de réalisation, une distance D6 entre la partie la plus externe de la paroi latérale inclinée 2304 et la partie la plus externe de la couche sous-jacente 182 est dans une plage allant de 40 µm à 100 µm, par exemple 50, 60, 70, 80 ou 90 µm. On se référera de nouveau à la . La couche de revêtement 2300 pourrait être constituée d'une première couche de revêtement 2300a et d'une deuxième couche de revêtement 2300b. La deuxième couche de revêtement 2300b est disposée sur la première couche de revêtement 2300a. La première couche de revêtement 2300a a la paroi latérale inclinée 2304 et la deuxième couche de revêtement 2300b a la paroi latérale inclinée 2302. Une largeur de la première couche de revêtement 2300a est supérieure à une largeur de la deuxième couche de revêtement 2300b. La paroi latérale inclinée 2302 de la deuxième couche de revêtement 2300b est au-dessus de la paroi latérale inclinée 2304 de la première couche de revêtement 2300a. Une extension P8 de la paroi latérale inclinée 2302 de la deuxième couche de revêtement 2300b sur le substrat 110 est espacé d'une extension P9 de la paroi latérale inclinée 2304 de la première couche de revêtement 2300a sur le substrat 110. Après la formation de la couche de revêtement 2300 dans la , l'exécution des étapes de la à 1L se poursuit de sorte que le capteur d'image 1000A de la soit formé. La fabrication de la couche de revêtement 196 ou de la couche de revêtement 2300 du capteur d'image 1000A (ainsi que des capteurs d'image 1000B à 1000C, 8000A à 8000D) peut être effectuée par les étapes des figures 1C à 1J ou par les étapes des figures 2A à 2C. Les parois latérales inclinées de la couche de revêtement 196 et de la couche de revêtement 2300 peuvent être formées par 2 fois un processus de lithographie et 2 fois un processus de gravure pour lisser les bords de la couche de revêtement. Par conséquent, les parois latérales inclinées peuvent assurer une pente douce pour réduire la contrainte dans des angles des plusieurs films de la couche de filtre à bande-passante 2100 (voir la ). Les figures 3A à 3F sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image 1000B selon certains modes de réalisation de la présente description. La est une vue en coupe transversale du capteur d'image 1000B selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 3A à 3F. Le procédé de fabrication du capteur d'image 1000B comporte les étapes des figures 1A à 1L et des figures 2A à 2C telles que décrites précédemment, dans lesquelles la fabrication de la couche de revêtement peut être effectuée par les étapes des figures 1G à 1J ou par les étapes des figures 2A à 2C. Les références numériques sont répétées ici pour montrer des caractéristiques identiques ou similaires représentées dans les figures précédentes, la description précédente s'applique de façon égale aux modes de réalisation décrits ci-dessous, et ses détails ne seront pas décrits de nouveau. Comme cela est représenté dans la et dans la , après la définition des lentilles 180 avec la couche sous-jacente 182 et de la partie restante 160a de la couche de remplissage 160, une couche de protection 310 est formée pour recouvrir les lentilles 180 et pour exposer la partie restante 160a de la couche de remplissage 160. En particulier, la couche de protection 310 est formée dans la zone de matrice de lentilles AA. Dans certains modes de réalisation, le motif de la couche de protection 310 peut être formée par un processus de lithographie. Dans certains modes de réalisation, un matériau de la couche de protection 310 peut être une résine photosensible du type positif ou négatif. Comme cela est représenté dans la et dans la , la partie restante 160a de la couche de remplissage 160 est retirée. La surface supérieure 114 du substrat 110 est exposée. Dans certains modes de réalisation, la partie restante 160a est retirée par un processus de gravure sèche. Comme cela est représenté dans la et dans la , la couche de protection 310 est retirée de sorte que les lentilles 180 et la couche sous-jacente 182 soient exposées. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de résine photosensible 320 est formée sur la surface supérieure 114 du substrat 110. En particulier, la couche de résine photosensible 320 est formée dans la zone périphérique PA et entoure les lentilles 180 et la couche sous-jacente 182. La couche de résine photosensible 320 a un angle obtus entre une paroi latérale inclinée 322 de la couche de résine photosensible 320 et la surface supérieure 114 du substrat 110. La formation et le matériau de la couche de résine photosensible 320 peuvent être identiques ou similaires à ceux de la couche de résine photosensible 120 de la . Comme cela est représenté dans la et dans la , un film antireflet 330 est formé sur les surfaces supérieures 184 des lentilles 180. En particulier, le film antireflet 330 comporte une première partie 330a et une deuxième partie 330b. La première partie 330a est formée sur les surfaces supérieures 184 des lentilles 180, et la deuxième partie 330b est formée sur une surface supérieure 324 de la couche de résine photosensible 320. On notera que la première partie 330a et la deuxième partie 330b du film antireflet 330 sont formées simultanément. Le film antireflet 330 est un film mince qui double les lentilles 180. Dans certains modes de réalisation, le film antireflet 330 peut être formé par un dépôt physique en phase vapeur (PVD) ou par un autre processus de dépôt approprié. Comme cela est représenté dans la et dans la , la couche de résine photosensible 320 et la deuxième partie 330b du film antireflet 330 sont retirées de la zone périphérique PA. Dans certains modes de réalisation, le processus de retrait est mis en œuvre par un processus de décollage. Le processus de décollage de la présente description peut réduire la contrainte de film pour éviter un déséquilibre de contrainte et un fléchissement de la tranche. Après la formation des lentilles 180 avec la première partie du film antireflet 330, l'exécution des étapes des figures 1G à 1L ou des étapes des figures 2A à 2C se poursuit de sorte que le capteur d'image 1000B de la soit formée. Les figures 5A à 5F sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image 1000C selon certains modes de réalisation de la présente description. La est une vue en coupe transversale du capteur d'image 1000C selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 5A à 5F. Le procédé de fabrication du capteur d'image 1000C comporte les étapes des figures 1A à 1L et des figures 2A à 2C comme cela a été mentionné précédemment, la fabrication de la couche de revêtement pouvant être effectuée par les étapes des figures 1G à 1J ou par les étapes des figures 2A à 2C. Comme cela est représenté dans la et dans la , après la définition des lentilles 180 avec la couche sous-jacente 182 et de la partie restante 160a de la couche de remplissage 160, une couche de protection 510 est formée pour recouvrir les lentilles 180 et une première partie 166 de la partie restante 160a de la couche de remplissage 160, dans lequel une deuxième partie 167 de la partie restante 160a de la couche de remplissage 160 est exposée. En particulier, la couche de protection 510 est formée dans la zone de matrice de lentilles AA et une partie de la zone périphérique PA. La première partie 166 est disposée entre la couche sous-jacente 182 et la deuxième partie 167. La formation et le matériau de la couche de protection 510 peuvent être identiques ou similaires à ceux de la couche de protection 310 de la . On se référera à la et à la , la deuxième partie 167 de la partie restante 160a de la couche de remplissage 160 est retirée et la surface supérieure 114 du substrat 110 est exposée. En d'autres mots, la première partie 166 de la partie restante 160a est maintenue entre la couche de protection 510 et le substrat 110. Dans certains modes de réalisation, la deuxième partie 167 est retirée par un processus de gravure sèche. On se référera à la et à la , la couche de protection 510 est retirée de sorte que les lentilles 180, la couche sous-jacente 182, et la première partie 166 de la partie restante 160a soient exposées. On se référera à la et à la , une couche de résine photosensible 520 est formée sur la surface supérieure 114 du substrat 110. En particulier, la couche de résine photosensible 520 est formée dans la zone périphérique PA et entoure les lentilles 180, la couche sous-jacente 182, et la première partie 166. La couche de résine photosensible 520 a un angle obtus entre une paroi latérale inclinée 522 de la couche de résine photosensible 520 et la surface supérieure 114 du substrat 110. La formation et le matériau de la couche de résine photosensible 520 peuvent être identiques ou similaires à ceux de la couche de résine photosensible 120 de la . On se référera à la et à la , un film antireflet 530 est formé sur des surfaces supérieures 184 des lentilles 180 et une surface supérieure 162 de la première partie 166 de la partie restante 160a de la couche de remplissage 160. Plus particulièrement, le film antireflet 530 est également formé sur une surface supérieure de la couche sous-jacente 182. Le film antireflet 530 comporte une première partie 530a et une deuxième partie 530b. La première partie 530a est formée sur les lentilles 180 et la première partie 166, et la deuxième partie 530b est formée sur une surface supérieure 524 de la couche de résine photosensible 520. La formation et le matériau du film antireflet 530 peuvent être identiques ou similaires à ceux du film antireflet 330 de la . On se référera à la et à la , la couche de résine photosensible 520 et la deuxième partie 530b du film antireflet 530 sont retirées de la zone périphérique PA. Dans certains modes de réalisation, le processus de retrait est effectué par un processus de décollage. Le processus de décollage de la présente description peut réduire la contrainte du film pour éviter un déséquilibre de contrainte et un fléchissement de la tranche. Après la formation des lentilles avec la première partie 530a du film antireflet 530, l'exécution des étapes des figures 1G à 1L ou des étapes des figures 2A à 2C se poursuivent de sorte que le capteur d'image 1000C de la soit formé. Les figures 7A à 7E sont une succession de vues en coupe transversale d'un procédé de fabrication d'un capteur d'image 8000A selon certains modes de réalisation de la présente description. La est une vue en coupe transversale du capteur d'image 8000A selon le procédé de fabrication représenté dans les figures 7A à 7E. Comme cela est représenté dans la , la couche de résine photosensible 120 est déposée sur le substrat 110. Une première partie 710a d'une couche sous-jacente 710 est disposée sur la surface supérieure 114 du substrat 110, et une deuxième partie 710b de la couche sous-jacente 710 est disposée sur la surface supérieure 124 de la couche de résine photosensible 120. Une première partie 720a d'une couche de lentille 720 est disposée sur la première partie 710a de la couche sous-jacente 710 et une deuxième partie 720b de la couche de lentille 720 est disposée sur la deuxième partie 710b de la couche sous-jacente 710. En d'autres termes, dans la zone de matrice de lentilles AA, avant la formation de la couche de lentille 720 au-dessus du substrat 110, la couche sous-jacente 710 est formée sur le substrat 110. La couche sous-jacente 710 peut être formée par PVD ou par tout autre processus de dépôt approprié. Dans certains modes de réalisation, un matériau de la couche sous-jacente 710 est différent du matériau de la couche de lentille 720. Dans certains modes de réalisation, un indice de réfraction (n) et un coefficient d'extinction (k) de la couche sous-jacente 710 sont différents de ceux de la couche de lentille 720. La formation et le matériau de la couche de lentille 720 peuvent être identiques ou similaires à ceux de la couche de lentille 140 de la . Comme cela est représenté dans la et dans la , la couche de résine photosensible 120 est retirée. En particulier, la deuxième partie 710b de la couche sous-jacente 710 et la deuxième partie 720b de la couche de lentille 720 sont également retirées. Dans certains modes de réalisation, le processus de retrait est effectué par un processus de décollage. Le processus de décollage de la présente description peut réduire la contrainte du film pour éviter un déséquilibre de contrainte et un fléchissement de la tranche. Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de remplissage 730 est formée sur le substrat 110 et entoure la première partie 710a de la couche sous-jacente 710 et la première partie 720a de la couche de lentille 720. La formation et le matériau de la couche de remplissage 730 peuvent être identiques ou similaires à ceux de la couche de remplissage 160 de la . Comme cela est représenté dans la et dans la , une couche de masque dur à motif 740 est formée sur la première partie 720a de la couche de lentille 720 et de la couche de remplissage 730. En particulier, la couche de masque dur à motif 740 a un profil de méta-surface sur la première partie 720a de la couche de lentille 720 et un profil de film plan de la couche de remplissage 730. La formation et le matériau de la couche de masque dur à motif 740 peuvent être identiques ou similaires à ceux de la couche de masque dur à motif 170 de la . Comme cela est représenté dans la et dans la , la couche de lentille 720 est gravée pour transférer un motif de la couche de masque dur à motif 740 (incluant la méta-surface et le film plan) sur la couche de lentille 720 de sorte qu'une pluralité de lentilles 750 soit définie. La première partie 710a de la couche sous-jacente 710 peut être utilisée comme couche d'arrêt de gravure pour protéger le substrat 110. Dans certains modes de réalisation, les lentilles 750 sont des lentilles à méta-surfaces. Les lentilles à méta-surfaces 750 sont constituées de plusieurs nanostructures (piliers). Les lentilles 750 sont agencées en une matrice à méta-surface (voir la ). La couche de lentille 720 est gravée par un processus de gravure E. En particulier, dans le processus de gravure E, la couche de remplissage 730 est également gravée pour transférer le motif du film plan de la couche de masque dur à motif 740 sur la couche de remplissage 730 de sorte qu'une partie restante 730a de la couche de remplissage 730 soit définie. Comme la méta-surface des lentilles 750 est formée en gravant la couche de lentille 720, le matériau de la méta-surface des lentilles 750 est identique au matériau de la couche de lentille 720, par exemple, un matériau inorganique (tel que a-Si, SiH, GeH, Ge, GeO ou GeSiH). Dans un tel mode de réalisation, la couche de remplissage 730 et la couche sous-jacente 710 peuvent être utilisées comme couches de protection pour éviter d'endommager le substrat 110 sous-jacent pendant le processus de gravure E. Après la formation des lentilles 750 avec la méta-surface, l'exécution des étapes des figures 1G à 1L ou des étapes des figures 2A à 2C se poursuivent de sorte que le capteur d'image 8000A de la soit formé. Les figures 9 à 11 sont des vues en coupe transversale de capteurs d'image 8000B, 8000C, 8000D selon certains modes de réalisation de la présente description. On se référera à la et à la . Les différences entre le capteur d'image 8000A de la et le capteur d'image 8000B de la sont la partie restante 730a de la couche de remplissage 730. En particulier, le capteur d'image 8000B est dépourvu de la partie restante 730a. On se référera à la et à la . Les différences entre le capteur d'image 8000A de la et le capteur d'image 8000C de la sont la première partie 710a de la couche sous-jacente 710. En particulier, le capteur d'image 8000C est dépourvu de la première partie 710a de la couche sous-jacente 710. On se référera à la et à la . Les différences entre le capteur d'image 8000A de la et le capteur d'image 8000D de la sont la première partie 710a de la couche sous-jacente 710 et la partie restante 730a de la couche de remplissage 730. En particulier, le capteur d'image 8000D est dépourvu de la première partie 710a de la couche sous-jacente 710 et de la partie restante 730a de la couche de remplissage 730. On se référera de nouveau à la , à la , à la et aux figures 8 à 11. Dans les capteurs d'image 1000A, 1000B, 1000C de la , de la , de la , respectivement, une lentille 180 correspond à un élément photosensible 112. Dans les capteurs d'image 8000A à 8000D des figures 8 à 11, respectivement, une lentille 750 (incluant plusieurs piliers) correspond à un élément photosensible 112. Par conséquent, une lentille 180 ou une lentille 750 peut être considérée comme une taille de pixel p. La est une vue de dessus d'une région A du capteur d'image 8000A représenté dans la . En particulier, une vue en coupe transversale selon une ligne A-A' de la est la région A de la , la représentant essentiellement les lentilles 750 et la partie restante 730a de la couche de remplissage 730 et d'autres éléments sont omis pour clarifier. Comme cela est représenté dans la , les lentilles 750 sont agencées selon une matrice à méta-surface, les nombres de colonnes et de lignes n'étant pas limités par la matrice représentée dans la . La , la et la sont des vues de dessus de la lentille à méta-surface 750 de la . On notera qu'une forme de chaque pilier dans les lentilles à méta-surface 750 est ronde en vue de dessus. Comme cela est représenté dans la , les piliers sont agencés en carré. Comme cela est représenté dans la , les piliers ont un agencement hexagonal. Comme cela est représenté dans la , les piliers ont un agencement circulaire. D'autres agencements des piliers sont également inclus dans la présente description. Les lentilles 180 dans les capteurs d'image 1000A à 1000C mentionnés précédemment sont des microlentilles. Les lentilles 750 dans les capteurs d'image 8000A à 8000D mentionnés précédemment sont des lentilles à méta-surface. La longueur d'onde de travail des capteurs d'image 1000A à 1000C et 8000A à 8000D peuvent être dans une plage allant de 780 à 1500 nm, par exemple 800 à 2500 nm ou 1100 à 2000 nm. Dans certains modes de réalisation, les capteurs d'image de la présente description sont adaptés à des applications en lumière infrarouge proche. Les procédés de fabrication des capteurs d'image décrits peuvent éviter d'endommager le substrat sous le matériau de lentille pendant la formation de la matrice de lentilles (ce qui inclut la matrice de microlentilles et la matrice de lentilles à méta-surface), améliorant ainsi les performances des capteurs d'image. De plus, des épaisseurs des capteurs d'image décrits depuis la zone de matrice de lentilles jusqu'à la zone périphérique sont progressivement diminuées, de sorte à pouvoir éviter un déséquilibre de contrainte entre une matrice de lentilles (telles que les lentilles 180 et 750) et des éléments disposés au-dessus de la matrice de lentilles et la délamination entre des matériaux différents, assurant ainsi de bonnes performances optiques. La présente description a été décrite telle que précédemment, toutefois, cela n'est pas destiné à limiter la présente description. La personne du métier peut apporter de nombreuses modifications, remplacements, et variations sans s'écarter de l'esprit, ni de la portée de la présente description. Par conséquent, la portée de protection de la présente description peut être l'objet de la portée de la revendication jointe dans la demande et ses équivalents structurels. Procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant : la fourniture d'un substrat ; la formation d'une couche de lentille au-dessus du substrat ; la formation d'une couche de masque dur à motif sur la couche de lentille ; la gravure de la couche de lentille pour transférer un motif de la couche de masque dur à motif sur la couche de lentille de sorte qu'une pluralité de lentilles soit définie, dans lequel les lentilles sont des microlentilles ou des lentilles à méta-surface ; la formation d'une couche de revêtement pour recouvrir la pluralité de lentilles et le substrat ; la gravure de parties de la couche de revêtement pour former une première paroi latérale inclinée et une deuxième paroi latérale inclinée, dans lequel la première paroi latérale inclinée est au-dessus de la deuxième paroi latérale inclinée, dans lequel une extension de la première paroi latérale inclinée sur le substrat est espacée d'une extension de la deuxième paroi latérale inclinée sur le substrat ; et la formation conforme d'une couche de filtre à bande passante ayant plusieurs films sur la couche de revêtement et recouvrant le substrat. Procédé de fabrication du capteur d'image selon la revendication 1, dans lequel, avant la formation de la couche de lentille au-dessus du substrat, le procédé comprend en outre : la formation d'une couche de résine photosensible avec une troisième paroi latérale inclinée et ayant une tranchée sur le substrat ; la formation de la couche de lentille avec une quatrième paroi latérale inclinée dans la tranchée ; et le retrait de la couche de résine photosensible, dans lequel un angle entre la troisième paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est supérieur à 90 degrés, et un angle entre la quatrième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est inférieur à 90 degrés. Procédé de fabrication du capteur d'image selon la revendication 2, dans lequel, après la formation de la couche de lentille au-dessus du substrat, le procédé comprend en outre : la formation d'une couche de remplissage sur le substrat et entourant la couche de lentille, dans lequel une surface supérieure de la couche de lentille est sensiblement coplanaire avec une surface supérieure de la couche de remplissage ; la formation de la couche de masque dur à motif sur la couche de remplissage ; et la gravure de la couche de remplissage pour transférer le motif de la couche de masque dur à motif sur la couche de remplissage, de sorte qu'une partie restante de la couche de remplissage et une couche sous-jacente soient définies, dans lequel la couche sous-jacente est disposée entre la pluralité de lentilles et le substrat, et la couche sous-jacente est connectée à la partie restante. Procédé de fabrication du capteur d'image selon la revendication 3, dans lequel, après la définition de la partie restante de la couche de remplissage et de la couche sous-jacente, le procédé comprend en outre : la formation d'une couche de protection pour recouvrir la pluralité de lentilles et exposer la partie restante de la couche de remplissage ; le retrait de la partie restante de la couche de remplissage ; le retrait de la couche de protection ; et la formation d'un film antireflet sur des surfaces supérieures de la pluralité de lentilles. Procédé de fabrication du capteur d'image selon la revendication 3, dans lequel, après la définition de la partie restante de la couche de remplissage et de la couche sous-jacente, le procédé comprend en outre : la formation d'une couche de protection pour recouvrir la pluralité de lentilles et une première partie de la partie restante de la couche de remplissage, dans lequel une deuxième partie de la partie restante de la couche de remplissage est exposée ; le retrait de la deuxième partie de la partie restante de la couche de remplissage ; le retrait de la couche de protection ; et la formation d'un film antireflet sur des surfaces supérieures de la pluralité de lentilles et une surface supérieure de la première partie de la partie restante de la couche de remplissage. Procédé de fabrication du capteur d'image selon la revendication 1, dans lequel, avant la formation de la couche de lentille au-dessus du substrat, une couche sous-jacente est formée sur le substrat. Procédé de fabrication du capteur d'image selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche de revêtement pour recouvrir la pluralité de lentilles et le substrat et la gravure des parties de la couche de revêtement pour former la première paroi latérale inclinée et la deuxième paroi latérale inclinée, comprend en outre : la formation d'une première couche de revêtement pour recouvrir la pluralité de lentilles et le substrat ; la gravure d'une partie de la première couche de revêtement pour exposer une partie du substrat et pour former une troisième paroi latérale inclinée, dans lequel un angle entre la troisième paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés ; la formation d'une deuxième couche de revêtement sur la première couche de revêtement et la partie du substrat pour former la première paroi latérale inclinée sur un sommet de la couche de revêtement ; et la gravure d'une partie de la deuxième couche de revêtement pour former la deuxième paroi latérale inclinée sur un fond de la couche de revêtement, dans lequel un angle entre la deuxième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés. Procédé de fabrication du capteur d'image selon la revendication 1, dans lequel la gravure des parties de la couche de revêtement pour former la première paroi inclinée et la deuxième paroi inclinée comprend en outre : la gravure d'une première partie de la couche de revêtement pour former la première paroi latérale inclinée sur un sommet de la couche de revêtement, dans lequel un angle entre la première paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés ; et la gravure d'une deuxième partie de la couche de revêtement pour former la deuxième paroi latérale inclinée sur un fond de la couche de revêtement, dans lequel un angle entre la deuxième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés. Capteur d'image, comprenant : un substrat ; une pluralité de lentilles disposée sur le substrat, dans lequel la pluralité de lentilles sont des microlentilles ou des lentilles à méta-surface ; une couche de revêtement disposée sur la pluralité de lentilles et le substrat, dans lequel la couche de revêtement a une première paroi latérale inclinée et une deuxième paroi latérale inclinée, et la première paroi latérale inclinée est au-dessus de la deuxième paroi latérale inclinée, dans lequel une extension de la première paroi latérale inclinée sur le substrat est séparée d'une extension de la deuxième paroi latérale inclinée sur le substrat ; et une couche de filtre passe-bande ayant plusieurs films déposée de façon conforme sur la couche de revêtement et recouvrant le substrat. Capteur d'image selon la revendication 9, comprenant en outre une couche de remplissage et un film antireflet, dans lequel la couche de remplissage est disposée sur le substrat et entoure la pluralité de lentilles, une épaisseur de la couche de remplissage est dans une plage allant de 0,1 µm à 100 µm, et le film antireflet est disposé sur des surfaces supérieures des lentilles et une surface supérieure de la couche de remplissage. Capteur d'image selon la revendication 9, comprenant en outre une couche sous-jacente disposée entre la pluralité de lentilles et le substrat, dans lequel une épaisseur de la couche sous-jacente est dans une plage allant de 0,01 µm à 100 µm. Capteur d'image selon la revendication 11, dans lequel un matériau des lentilles est un a-Si, SiH, GeH, Ge, GeO ou GeSiH, un matériau de la couche sous-jacente est identique à ou différent d'un matériau des lentilles, une épaisseur de la couche sous-jacente est dans une plage allant de 0,01 µm à 100 µm, et une distance entre une partie la plus externe de la deuxième paroi latérale inclinée et une partie la plus externe de la couche sous-jacente est dans une plage allant de 40 µm à 100 µm, dans lequel, lorsque la pluralité de lentilles sont des microlentilles, une extension des microlentilles sur le substrat est dans une extension de la couche sous-jacente sur le substrat. Capteur d'image selon la revendication 9, dans lequel un angle entre la première paroi latérale inclinée et une surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés, dans lequel un angle entre la deuxième paroi latérale inclinée et la surface supérieure du substrat est dans une plage allant de 20 degrés à 60 degrés.