FR 3142844 A1 20240607 FR 2212675 A 20221202 Le dispositif électronique intégré, comprend un guide d’onde (10) possédant une première entrée/sortie pour recevoir/délivrer une onde radiofréquence (OND) et configuré pour guider cette onde radiofréquence depuis la première entrée/sortie vers une deuxième entrée/sortie ou depuis la deuxième entrée/sortie vers la première entrée/sortie. Une puce électronique (2) comporte une face avant électriquement connectée sur un niveau de métal d’un substrat support (3A) qui comporte un système d’antenne patch. La puce est entourée par un matériau d’enrobage (40) électriquement isolant, disposé entre le système d’antenne patch et la première entrée/sortie du guide d’onde qui est au moins en contact avec ledit matériau d’enrobage. La puce électronique est configurée pour coopérer électriquement avec le module d’antenne patch de façon à faire émettre ladite onde radiofréquence par le système d’antenne patch vers la première entrée/sortie (ES1) à travers le matériau d’enrobage ou à traiter un signal électrique provenant du système d’antenne patch et résultant de la réception par le système d’antenne patch de l’onde radiofréquence délivrée par la première entrée/sortie (ES1) via le matériau d’enrobage (40). Figure pour l’abrégé : Fig 7 Dispositif éléctronique intégré pour l’émission/réception d’une onde radiofréquence Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent les dispositifs électroniques intégrés capables d’émettre/recevoir une onde ou signal radiofréquence, ayant par exemple une fréquence supérieure à 50 GHz, par exemple 63 GHz voire plus. De tels dispositifs peuvent s’appliquer au domaine de la 5G et être utilisés par exemple mais non limitativement dans le domaine automobile, en particulier au sein de radars embarqués dans des véhicules automobiles. Actuellement de tels dispositifs comprennent une puce électronique dont la face avant est connectée sur une face arrière d’un substrat stratifié (« laminate substrate »), la puce étant par ailleurs enrobé dans une couche de résine. La face avant du substrat stratifié comporte une antenne patch et est connecté sur une face arrière d’une carte de circuit imprimé. Un premier guide d’onde est formé dans la carte de circuit imprimé en regard de l’antenne et un deuxième guide d’onde, aligné sur le premier, est rapporté et fixé sur la face avant de la carte de circuit imprimé. Dans certains cas un radiateur est fixé sur la face arrière de la couche de résine pour faciliter la dissipation thermique du dispositif lors de son fonctionnement. Une telle structure de dispositif est complexe à réaliser, notamment en termes d’alignement des guides d’ondes et de l’antenne, présente une hauteur relativement importante et présente un coût de fabrication important. Il existe par conséquent un besoin de proposer un dispositif visant à remédier aux inconvénients mentionnés ci-dessus. Selon un mode de réalisation il est proposé un dispositif intégré plus compact et plus simple à réaliser. Selon un aspect il est proposé un dispositif électronique intégré, comprenant -un guide d’onde possédant une première entrée/sortie pour recevoir/délivrer une onde radiofréquence, ayant par exemple une fréquence supérieure à 50 GHz, et configuré pour guider cette onde radiofréquence depuis la première entrée/sortie vers une deuxième entrée/sortie ou depuis la deuxième entrée/sortie vers la première entrée/sortie, -une puce électronique comportant une face avant électriquement connectée sur un niveau de métal d’un substrat support qui comporte un système d’antenne patch, ladite puce étant entourée par un matériau d’enrobage électriquement isolant disposé entre le système d’antenne patch et la première entrée/sortie du guide d’onde qui est au moins en contact avec ledit matériau d’enrobage, -la puce électronique étant configurée pour coopérer électriquement avec le module d’antenne patch de façon à faire émettre ladite onde radiofréquence par le système d’antenne patch vers la première entrée/sortie à travers le matériau d’enrobage ou à traiter un signal électrique provenant du système d’antenne patch et résultant de la réception par le système d’antenne patch de l’onde radiofréquence délivrée par la première entrée/sortie via le matériau d’enrobage. L’épaisseur du matériau d’enrobage à travers lequel l’onde radiofréquence est destinée à circuler, est avantageusement choisie en fonction de la fréquence de l’onde radiofréquence. Selon une variante de cet aspect, le guide d’onde est un élément fixé au moins sur ledit matériau d’enrobage, par exemple au moyen d’une colle. Selon un mode de réalisation de cet aspect : -le matériau d’enrobage forme une couche ayant une face supérieure sur laquelle est fixée une première partie métallique du guide d’onde incluant la première entrée/sortie, -la puce électronique a une face arrière située dans le même plan que la face supérieure de la couche d’enrobage, et -le guide d’onde comporte une deuxième partie métallique fixée sur la face arrière de la puce. Le guide d’onde assure donc ici également une fonction de dissipation thermique. Selon un mode de réalisation de cette variante : -le substrat support est un substrat stratifié (« laminate substrate ») comportant un empilement de plusieurs niveaux de métal séparés par des couches diélectriques, la puce est connectée sur le niveau de métal, dit niveau de métal 1, le plus proche du matériau d’enrobage, et -le système d’antenne patch comporte un élément d’antenne situé sur le niveau de métal 1 en vis-à-vis de la première entrée/sortie du guide d’onde et électriquement connecté à la puce par une piste métallique. Selon une autre variante de cet aspect le dispositif intégré est intégralement fabriqué en utilisation la technologie MIS : « Molded Integrated Substrate » selon une terminologie bien connue de l’homme du métier. Ainsi selon une telle variante : -le substrat support est du type substrat moulé intégré (substrat du type MIS : « Molded Integrated Substrate ») comportant un empilement de niveaux de métal séparés par des couches diélectriques du type résine de moulage, l’empilement comportant un niveau supérieur de niveau de métal 1 sur lequel est connectée la puce électronique, -le système d’antenne patch comporte un élément d’antenne situé sur le niveau de métal 1 en vis-à-vis de la première entrée/sortie du guide d’onde et électriquement connecté à la puce par une piste métallique, -le matériau d’enrobage est également du type résine de moulage (la résine de moulage peut avoir une composition différente de celle du substrat support, et être typiquement adaptée à la transmission de l’onde radiofréquence) et enrobe la puce électronique à l’exception de sa face arrière opposée à sa face avant, et -le guide d’onde comporte une première partie métallique incluant la première entrée/sortie et au contact du matériau d’enrobage, une deuxième partie métallique au contact la face arrière de la puce, et un volume intérieur contenant un matériau diélectrique également du type résine de moulage (qui peut être identique à celle formant le matériau d’enrobage). L’utilisation de la technologie MIS permet de rendre encore plus compact le dispositif intégré et d’adapter facilement si nécessaire la composition des différentes résines de moulage en fonction de leur emplacement dans le dispositif. Comme indiqué ci-avant, quelle que soit la variante, le dispositif peut être adapté pour l’émission/réception de l’onde radiofréquence ayant une fréquence supérieure à 50 GHz, par exemple égale à 63GHz ou 77 GHz. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’un dispositif électronique intégré, comprenant : -une formation d’un substrat support comportant un empilement de niveau de métal séparées par des couches diélectriques ainsi qu’un système d’antenne patch, -une connexion électrique d’une face avant d’une puce électronique sur un niveau de métal du substrat, et une connexion électrique entre la puce et le système d’antenne patch, -une formation d’un matériau d’enrobage électriquement isolant entourant la puce électronique, -une formation d’un guide d’onde possédant une première entrée/sortie pour recevoir/délivrer une onde radiofréquence depuis/vers le système d’antenne patch via le matériau d’enrobage disposé entre le système d’antenne patch et la première entrée/sortie du guide d’onde, le guide d’onde étant configuré pour guider cette onde radiofréquence depuis la première entrée/sortie ou une deuxième entrée/sortie vers la deuxième entrée/sortie ou la première entrée/sortie. On choisit avantageusement l’épaisseur du matériau d’enrobage à travers lequel l’onde radiofréquence est destinée à circuler, en fonction de la fréquence de l’onde radiofréquence. On peut choisir une fréquence supérieure ou égale à 50 GHz. Selon une variante de cet autre aspect, la formation du guide d’onde comprend une fixation de ce guide d’onde au moins sur ledit matériau d’enrobage. Selon un mode de mise en œuvre de cette variante : -la puce a une face arrière opposée à la face avant, -la formation du matériau d’enrobage comprend la formation d’une couche de ce matériau ayant une face supérieure située dans le même plan que la face arrière de la puce, et -la formation du guide d’onde comprend une fixation sur la face supérieure de la couche du matériau d’enrobage, d’une première partie métallique du guide d’onde incluant la première entrée/sortie, et une fixation sur la face arrière de la puce d’une deuxième partie métallique du guide d’onde. Selon un mode de mise en œuvre de cette variante : -le substrat support est un substrat stratifié, et on connecte la puce sur le niveau de métal, dit niveau de métal 1, le plus proche du matériau d’enrobage, -le système d’antenne patch comporte un élément d’antenne situé sur le niveau de métal 1 en vis-à-vis de la première entrée/sortie du guide d’onde et on connecte électriquement cet élément d’antenne à la puce par une piste métallique. Selon une autre variante de cet autre aspect, la formation du substrat support, la formation du matériau d’enrobage entourant la puce et la formation du guide d’onde comprennent l’utilisation d’une technologie de fabrication du type substrat moulé intégré (technologie MIS) comportant -des étapes de croissance de métal sur des couches du type résines de moulage, -des étapes de recouvrement des couches de métal ainsi formées par d’autres couches du type résines de moulage, -des étapes d’amincissement de ces autres couches du type résines de moulage et -un ou plusieurs renouvellements éventuels de certaines au moins de ces étapes. Selon un mode de mise en œuvre : -la formation du substrat support comprend une formation de l’empilement de niveaux de métal séparés par des couches diélectriques du type résine de moulage, l’empilement comportant un niveau supérieur de niveau de métal 1 sur lequel on connecte la face avant de la puce électronique, -le système d’antenne patch comporte un élément d’antenne situé sur le niveau de métal 1 en vis-à-vis de la première entrée/sortie du guide d’onde et on connecte électriquement cet élément d’antenne à la puce par une piste métallique, -la formation du matériau d’enrobage comporte un entourage de la puce électronique avec un matériau également du type résine de moulage à l’exception de la face arrière de la puce opposée à sa face avant, et -la formation du guide d’onde comporte une formation d’une première partie métallique incluant la deuxième entrée/sortie et au contact du matériau d’enrobage, d’une deuxième partie métallique au contact la face arrière de la puce, et une formation au sein d’un volume intérieur du guide d’onde d’un matériau diélectrique également du type résine de moulage. Selon un autre aspect il est proposé un dispositif intégré obtenu par le procédé selon l’une ou l’autre des variantes mentionnées ci-avant. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels :     , et illustrent schématiquement des modes de mise en œuvre et de réalisation de l’invention. Sur la , la référence DIS désigne un dispositif électronique intégré destiné à émettre ou recevoir une onde électromagnétique radiofréquence OND ayant une fréquence typiquement supérieure à 50GHz, par exemple égale à 63GHz ou 77GHz. Le dispositif DIS comprend un guide d’onde 1, une puce électronique 2 et un substrat support 3. Ce substrat support 3 est ici un substrat stratifié (« laminate substrate ») de structure classique et bien connue de l’homme du métier. Plus précisément, ce substrat support 3 comporte un empilement de plusieurs niveaux de métal (seulement deux niveaux M1 et M2 sont représentés ici à des fins de simplification) séparés par des couches diélectriques 30. Les niveaux de métal comportent des pistes métalliques, par exemple en cuivre, et les couches diélectriques comportent par exemple une résine époxy avec éventuellement des fibres de verre. Il convient également de noter que la couche diélectrique 31 du substrat support 3, qui recouvre le niveau de métal M1, est une couche diélectrique plus fine que les couches diélectriques 30 et est communément désignée par l’homme du métier sous la dénomination anglosaxonne de « solder mask ». Le dispositif DIS comporte également un système d’antenne patch, selon une dénomination bien connue de l’homme du métier, ou antenne planaire, comportant un élément d’antenne 50 situé au niveau de métal M1 qui est le niveau de métal supérieur le plus proche de la face supérieure du substrat 1, également désigné par le terme « « niveau de métal 1 ». Comme illustré très schématiquement sur la , cet élément d’antenne 50 est ici un élément annulaire circulaire. Mais, il pourrait être également de tout autre forme, par exemple un élément annulaire rectangulaire. Il n’est pas nécessairement annulaire et pourrait être par exemple un élément plein de forme quelconque. Cet élément d’antenne 50 est électriquement connecté à la puce 2 par l’intermédiaire d’une piste métallique 500 située au niveau de métal M1. Le niveau de métal M2 peut comporter un plan de masse pour le système d’antenne patch. La puce 2 est montée retournée sur le niveau de métal M1. En d’autres termes, la face avant 20 de la puce 2 est ici connectée sur des pistes métalliques du niveau de métal M1 par des billes de connexion métalliques 23 et la puce 2 ainsi que les billes de connexion 23 sont enrobées dans un matériau d’enrobage 4, par exemple une résine de moulage. Dans l’exemple de réalisation illustré sur la , la résine de moulage 4 forme une couche entourant la puce électronique 2 en laissant découverte la face arrière 21 de cette puce 2. La couche de résine 4 a une face supérieure 410 située ici dans le même plan que la face arrière 21 de la puce. Le guide d’onde 1 comporte une partie inférieure métallique 11, par exemple sous forme d’un disque. Cette partie inférieure comporte une première partie 111 reposant sur la face supérieure 410 de la couche de résine 4 et une deuxième partie 112 reposant sur la face arrière 21 de la puce 2. Le guide d’onde assure donc également une fonction de dissipation thermique en raison notamment du contact entre la deuxième partie métallique 112 avec la face arrière de la puce. Le guide d’onde 1 comporte également une partie métallique externe 13 comportant une paroi verticale cylindrique 131 et une paroi supérieure, par exemple en forme de disque, 132. Les parois inférieure 11 et supérieure 132 pourraient être, en variante, rectangulaires. La paroi verticale 131 repose également sur la couche d’enrobage 4. Le guide d’onde 1 comporte enfin dans cet exemple une partie centrale verticale 12 raccordée à la deuxième partie 112 et possédant une extrémité libre située dans l’ouverture ménagée par la paroi supérieure 132. Le volume annulaire 14 du guide d’onde, délimité par la paroi verticale 131 et la partie inférieure 11 du guide d’onde est ici rempli d’air mais pourrait être rempli par un autre matériau diélectrique, par exemple identique au matériau diélectrique 150 contenu dans le volume 15 délimité par la paroi verticale 131, la paroi supérieure 132, la paroi inférieure 11 et la paroi verticale centrale 12. A titre indicatif, ce matériau diélectrique 150 peut être une résine de moulage, de l’air ou du téflon par exemple. Le volume 16 du guide d’onde, délimité par l’ouverture de la paroi supérieure 132 et l’extrémité de la paroi verticale 12 est également ici rempli d’air. L’ouverture du guide d’onde délimité par la partie inférieure 11 et la partie inférieure de la paroi verticale 131 forme une première interface d’entrée/sortie ES1 tandis que l’ouverture délimitée par la paroi supérieure 132 et l’extrémité de la paroi verticale 12 forme une deuxième entrée/sortie ES2. Ainsi, le guide d’onde 1 est configuré pour guider l’onde électromagnétique radiofréquence OND entre la première entrée/sortie ES1 et la deuxième entrée/sortie ES2 et inversement. Plus précisément, en fonctionnement, lorsque des moyens de traitement de la puce 2 (non représentés ici) transmettent un signal électrique à l’élément d’antenne 50, celle-ci irradie et transmet l’onde électromagnétique radiofréquence qui traverse la couche d’enrobage 4, pénètre dans le guide d’onde à travers la première entrée/sortie ES1, est guidée dans le guide d’onde 1 et ressort par la deuxième entrée/sortie ES2. Inversement, lorsque l’onde OND est reçue par la deuxième entrée/sortie ES2, elle est guidée dans le guide d’onde 1 pour ressortir par la première entrée/sortie ES1 puis traverse l’enrobage 2 et est reçue par l’élément d’antenne 50 qui transmet alors un signal électrique correspondant aux moyens de traitement de la puce 2. L’homme du métier saura choisir la composition de la résine d’enrobage 4 de façon à ce qu’elle puisse permettre aisément le passage de l’onde électromagnétique OND. A titre d’exemple non limitatif, on pourra choisir par exemple une résine d’enrobage du type résine epoxy contenant des inclusions (« fillers » en anglais) de silice intégrées dans la masse de la matrice epoxy, par exemple commercialisée par la société japonaise Sumitomo. Par ailleurs, l’épaisseur EP de la couche de résine d’enrobage 4 est avantageusement choisie en fonction de la fréquence de l’onde électromagnétique OND. L’homme du métier saura ajuster cette épaisseur EP en fonction de la fréquence choisie. A titre indicatif, l’épaisseur EP peut être de l’ordre de 300 à 400 micromètres pour une fréquence d’onde de 77 GHz. Elle peut être de l’ordre de 550 microns pour une fréquence de 63 GHz. Plus la fréquence de l’onde va être faible et plus cette épaisseur EP va être importante. Le guide d’onde 1 peut être de toute forme en termes de section (circulaire ou rectangulaire) et il n’y a pas forcément la même forme entre l’élément d’antenne 50 et la section du guide d’onde 1 même si le guide d’onde, collé sur le substrat 3 est aligné en vis-à-vis sur l’élément d’antenne 50. Par ailleurs, la deuxième interface d’entrée/sortie ES2 peut être prolongée par un connecteur ou un autre guide d’onde ou un autre élément d’antenne dans un autre guide d’onde. En outre, bien que dans l’exemple illustré sur la , le guide d’onde présente des parties verticales et horizontales, il est tout à fait possible de n’avoir qu’une verticalité c’est-à-dire un guide qui va rayonner selon un axe perpendiculaire à l’élément d’antenne 50 dans la continuité de cet élément d’antenne. On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 3 à 6 pour décrire un mode de mise en œuvre d’un procédé de fabrication d’un dispositif selon l’invention permettant en particulier d’obtenir le dispositif de la . Comme illustré sur la , on procède tout d’abord à la formation du substrat support 3. Une telle formation est bien connue en soi par l’homme du métier. Dans le cas présent, ou seulement deux niveaux de métallisation M1 et M2, par exemple en cuivre, sont représentés à des fins de simplification, on forme tout d’abord la couche diélectrique inférieure en résine époxy dans laquelle sont éventuellement rajoutées des fibres de verre, puis on forme le niveau de métallisation M2. On forme ensuite la couche diélectrique qui recouvre le niveau de métallisation M2 puis on forme le niveau de métallisation M1 comportant notamment la formation de l’élément d’antenne 50. De façon classique et connue en soi, les niveaux de métal M1 et M2 peuvent être laminés « pleine plaque » sur la couche diélectrique sous-jacente puis gravés pour obtenir les pistes de ces niveaux et l’élément d’antenne. En variante les pistes et l’élément d’antenne pourraient être obtenus par exemple par croissance électrolytique de cuivre. On recouvre ensuite partiellement le niveau de métallisation M1 par la couche diélectrique 31 (« solder mask ») de façon à former une cavité CV dans laquelle, comme illustré sur la , on vient positionner la puce 2 retournée avec sa face avant 20 dirigée vers le niveau de métallisation M1. Les billes de connexion 23 sont soudées sur les pistes métalliques du niveau de métal M1. Puis, comme illustré sur la , on enrobe de façon classique et connue en soi, la puce électronique 2 et les billes de connexion 23 par la résine d’enrobage 4. Une fois la résine de moulage solidifiée, on procède à un amincissement de cette résine, par exemple par un polissage mécanochimique de façon à former la couche de résine 4 qui entoure la puce 2 en laissant découverte la face arrière 21 de cette puce 2. Puis, comme illustré sur la , on fournit le guide d’onde 1 qui est un composant discret fabriqué séparément et l’on vient coller dans une étape ST6, le guide d’onde 1 sur la couche de résine d’enrobage 4 et sur la face arrière de la puce 2. Ce collage s’effectue au moyen d’une colle classique, par exemple une colle thermiquement conductrice. On se réfère maintenant plus particulièrement à la pour décrire un dispositif intégré DIS1 pour l’émission/réception d’une onde électromagnétique OND, selon une variante de l’invention. Comme il sera explicité plus en détails ci-après, le dispositif DIS1 se distingue du dispositif DIS de la notamment par le fait que la formation du substrat support, la formation du matériau d’enrobage entourant la puce et la formation du guide d’onde comprennent l’utilisation d’une technologie de fabrication du type substrat moulé intégré (MIS). Les éléments du dispositif DIS1, illustrés sur la , ayant des structures et/ou des fonctions analogues à celles d’éléments du dispositif DIS illustrés sur la , portent les mêmes références que ces éléments illustrés sur la , et seront pas tous décrits en référence à cette . Les différences entre la et la sont maintenant décrites. Le substrat support 3A du dispositif DIS1 est ici un substrat support du type substrat moulé intégré (MIS) comportant un empilement de niveaux de métal M1, M2 (là encore seuls deux niveaux de métal sont représentés à des fins de simplification) séparés par des couches diélectriques 300 du type résine de moulage. L’empilement des niveaux de métal comporte un niveau supérieur de niveau de métal M1, dit niveau de métal 1, comportant l’élément d’antenne 50, et sur lequel est connecté la puce électronique 2 par l’intermédiaire des billes de connexion 23. Là encore, le système d’antenne patch comporte l’élément d’antenne 50 situé sur le niveau de métal 1 M1 en vis-à-vis de la première entrée/sortie ES1 du guide d’onde, électriquement isolé par des parties 400 de résine de moulage, et est électriquement connecté à la puce par une piste métallique. Le matériau d’enrobage 40 est également du type résine de moulage. Cependant, bien qu’il soit également du type de résine de moulage, la résine de moulage 40 peut être de composition différente de la résine de moulage formant les couches diélectriques 300. En effet, cette résine de moulage 40 est particulièrement adaptée à la transmission de l’onde électromagnétique. Là encore, le matériau d’enrobage 40, du type résine de moulage, enrobe la puce électronique 20 et les billes de connexion 23 à l’exception de la face arrière 21. La résine de moulage 40 peut être par exemple identique à la résine 4 utilisée dans le dispositif DIS de la . Par ailleurs, comme pour le dispositif DIS de la , l’épaisseur EP de la couche de résine d’enrobage 40 est avantageusement choisie en fonction de la fréquence de l’onde électromagnétique OND. Le guide d’onde 10 comporte là encore la première partie métallique 111 incluant la première entrée/sortie ES1 au contact du matériau d’enrobage 40 et la deuxième partie métallique 112 au contact de la face arrière 21 de la puce de façon à faciliter la dissipation thermique de la puce lors de son fonctionnement. Par ailleurs, le volume intérieur du guide d’onde contient un matériau diélectrique également du type de résine de moulage qui peut être également le matériau 40. Ceci est particulièrement avantageux car on n’a pas dans ce cas de discontinuité entre le matériau d’enrobage 40 entourant la puce 2 et le matériau diélectrique 40 situé à l’intérieur du guide d’onde 10. On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 8 à 10 pour décrire un mode de mise en œuvre d’une variante du procédé permettant notamment l’obtention du dispositif DIS1 de la . Comme indiqué ci-avant, la formation du substrat support 3A, la formation du matériau d’enrobage 40 entourant la puce et la formation du guide d’onde 10 du dispositif DIS1 comprennent l’utilisation d’une technologie de fabrication du type substrat moulé intégré (MIS) comportant : des étapes de croissance de métal sur des couches du type résine de moulage, des étapes de recouvrement des couches de métal ainsi formées par d’autres couches du type résine de moulage, pouvant avoir des compositions identiques ou différentes, des étapes d’amincissement de ces autres couches du type résine de moulage, et un ou plusieurs renouvellements éventuels de certaines au moins de ces étapes. D’une façon générale, les étapes de croissance de métal peuvent être faites par un dépôt électrolytique ou (éventuellement autocatalytique) de cuivre (« plating »). En ce qui concerne une résine de moulage, celle-ci peut être tout d’abord préparée sous forme d’un matériau visqueux avec les éléments de composition choisis compte tenu de la fonction de la résine. Puis on procède à un dépôt d’une couche préliminaire de résine qui peut s’effectuer par exemple par injection de la résine visqueuse à 171°C avec une pression de transfert de 8MPa et une pression sur l’élément à recouvrir de 350kN. Ce chauffage conduit à une solidification de la résine et on finit cette solidification en mettant la résine dans une étuve à 175°C par exemple pendant 2 heures. On obtient alors la résine de moulage souhaitée. L’amincissement de la couche de résine peut s’effectuer par exemple par un polissage mécanochimique. Comme illustré plus particulièrement sur la , la fabrication du dispositif comporte tout d’abord une formation du substrat support 3A dans une étape ST90. Cette formation du substrat support 3A comporte tout d’abord une croissance électrolytique de métal sur un support temporaire de façon à former des contacts pour une connexion électrique du futur substrat support 3A vers l’extérieur. Puis on procède à un recouvrement par de la résine, à un amincissement de la résine pour reprendre les contacts. On répète ces étapes, comme indiqué ci-avant, pour former les niveaux de vias et de métal successifs ainsi que les couches diélectriques enrobant les niveaux de vias et séparant les niveaux de métal. On procède ensuite à une croissance du niveau de métal M2 sur la couche de résine inférieure 300 puis une formation de la couche de résine 300 sur le niveau de métal M2. On procède ensuite à une croissance du niveau de métal M1 sur la couche de résine 300 sous-jacente. Puis, on recouvre le niveau de métal M1 par de la résine de moulage que l’on amincit ensuite pour former les parties 400 de résine de moulage entourant l’élément d’antenne 50 ( ) et découvrir le niveau de métal M1. Dans une étape ST91, on retourne la puce 2 que l’on connecte sur des pistes du niveau de métal M1, comportant la piste reliée à l’élément d’antenne 50. Puis, on procède dans l’étape ST92 à un enrobage de la puce 2 par de la résine de moulage que l’on amincit ensuite pour former le matériau d’enrobage 40 ( ) et découvrir la face arrière 21 de la puce 2. Dans une étape ST93, on fait croître ensuite un niveau de métal MT1 ( ) de façon à former les parties 131A, 111 et 112 du guide d’onde. Puis on recouvre ce niveau de métal MT1 ainsi formé par de la résine (étape ST94) que l’on amincit pour former la partie 40A ( ) de la résine de moulage et découvrir le niveau de métal MT1. Dans l’étape ST95 ( ) on fait croître ensuite un niveau de métal MT2 pour former les parties 131B et 12A du guide d’onde ( ). Puis, de nouveau, dans une étape ST96, on enrobe le niveau de métal MT2 par de la résine de moulage que l’on amincit pour former les parties 40B du matériau diélectrique du guide d’onde et découvrir le niveau de métal MT2. Dans l’étape ST97, on fait croître un niveau de métal MT3 de façon à former les parties 132 et 12B du guide d’onde. Puis, on enrobe le niveau de métal MT3 par de la résine que l’on amincit pour former la région 40C de la résine diélectrique du guide d’onde et découvrir le niveau de métal MT3. On retire ensuite le support temporaire mentionné précédemment. Dispositif électronique intégré, comprenant -un guide d’onde (1 ; 10) possédant une première entrée/sortie (ES1) pour recevoir/délivrer une onde radiofréquence (OND) et configuré pour guider cette onde radiofréquence depuis la première entrée/sortie vers une deuxième entrée/sortie (ES2) ou depuis la deuxième entrée/sortie (ES2) vers la première entrée/sortie (ES1), -une puce électronique (2) comportant une face avant (20) électriquement connectée sur un niveau de métal (M1) d’un substrat support (3 ; 3A) qui comporte un système d’antenne patch, ladite puce étant entourée par un matériau d’enrobage électriquement isolant (4 ; 40) disposé entre le système d’antenne patch et la première entrée/sortie du guide d’onde qui est au moins en contact avec ledit matériau d’enrobage, -la puce électronique (2) étant configurée pour coopérer électriquement avec le module d’antenne patch de façon à faire émettre ladite onde radiofréquence par le système d’antenne patch vers la première entrée/sortie à travers le matériau d’enrobage ou à traiter un signal électrique provenant du système d’antenne patch et résultant de la réception par le système d’antenne patch de l’onde radiofréquence délivrée par la première entrée/sortie via le matériau d’enrobage. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel l’épaisseur (EP) du matériau d’enrobage à travers lequel l’onde radiofréquence est destinée à circuler, est choisie en fonction de la fréquence de l’onde radiofréquence. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le guide d’onde (1) est un élément fixé au moins sur ledit matériau d’enrobage. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel -le matériau d’enrobage forme une couche (4) ayant une face supérieure (410) sur laquelle est fixée une première partie métallique du guide d’onde incluant la première entrée/sortie, -la puce électronique a une face arrière (21) située dans le même plan que la face supérieure (410) de la couche d’enrobage, et -le guide d’onde comporte une deuxième partie métallique (112) fixée sur la face arrière de la puce. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, dans lequel -le substrat support est un substrat stratifié (3) comportant un empilement de plusieurs niveaux de métal séparés par des couches diélectriques, la puce est connectée sur le niveau de métal, dit niveau de métal 1, le plus proche du matériau d’enrobage, et -le système d’antenne patch comporte un élément d’antenne (50) situé sur le niveau de métal 1 (M1) en vis-à-vis de la première entrée/sortie du guide d’onde et électriquement connecté à la puce par une piste métallique (500). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel -le substrat support (3A) est du type substrat moulé intégré comportant un empilement de niveaux de métal séparés par des couches diélectriques du type résine de moulage (300), l’empilement comportant un niveau supérieur dit niveau de métal 1 (M1) sur lequel est connectée la puce électronique, -le système d’antenne patch comporte un élément d’antenne (50) situé sur le niveau de métal 1 en vis-à-vis de la première entrée/sortie du guide d’onde et électriquement connecté à la puce par une piste métallique, -le matériau d’enrobage (40) est également du type résine de moulage et enrobe la puce électronique à l’exception de sa face arrière opposée à sa face avant, et -le guide d’onde (10) comporte une première partie métallique incluant la première entrée/sortie et au contact du matériau d’enrobage, une deuxième partie métallique au contact la face arrière de la puce, et un volume intérieur contenant un matériau diélectrique (40) également du type résine de moulage. Dispositif selon l’une des revendications précédentes, adapté pour l’émission/réception de l’onde radiofréquence ayant une fréquence supérieure à 50 GHz. Procédé de fabrication d’un dispositif électronique intégré, comprenant : -une formation d’un substrat support (3 ; 3A) comportant un empilement de niveau de métal séparées par des couches diélectriques ainsi qu’un système d’antenne patch, -une connexion électrique d’une face avant d’une puce électronique (2) sur un niveau de métal (M1) du substrat support, et une connexion électrique entre la puce et le système d’antenne patch, -une formation d’un matériau d’enrobage (4 ; 40) électriquement isolant entourant la puce électronique, -une formation d’un guide d’onde (1 ; 10) possédant une première entrée/sortie pour recevoir/délivrer une onde radiofréquence depuis/vers le système d’antenne patch via le matériau d’enrobage disposé entre le système d’antenne patch et la première entrée/sortie du guide d’onde, le guide d’onde étant configuré pour guider cette onde radiofréquence depuis la première entrée/sortie ou une deuxième entrée/sortie vers la deuxième entrée/sortie ou la première entrée/sortie. Procédé selon la revendication 8, dans lequel on choisit l’épaisseur (EP) du matériau d’enrobage à travers lequel l’onde radiofréquence est destinée à circuler, en fonction de la fréquence de l’onde radiofréquence. Procédé selon la revendication 9, dans lequel on choisit une fréquence supérieure ou égale à 50 GHz. Procédé selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel la formation du guide d’onde (1) comprend une fixation de ce guide d’onde au moins sur ledit matériau d’enrobage. Procédé selon la revendication 11, dans lequel -la puce a une face arrière opposée à la face avant, -la formation du matériau d’enrobage (4) comprend la formation d’une couche de ce matériau ayant une face supérieure située dans le même plan que la face arrière de la puce, et -la formation du guide d’onde(1) comprend une fixation sur la face supérieure de la couche du matériau d’enrobage, d’une première partie métallique du guide d’onde incluant la première entrée/sortie, et une fixation sur la face arrière de la puce d’une deuxième partie métallique du guide d’onde. Procédé selon l’une des revendications 8 à 12, dans lequel -le substrat support (3) est un substrat stratifié, et on connecte la puce sur le niveau de métal, dit niveau de métal 1, le plus proche du matériau d’enrobage, -le système d’antenne patch comporte un élément d’antenne situé sur le niveau de métal 1 en vis-à-vis de la première entrée/sortie du guide d’onde et on connecte électriquement cet élément d’antenne à la puce par une piste métallique. Procédé selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel la formation du substrat support (3A), la formation du matériau d’enrobage (40) entourant la puce et la formation du guide d’onde (10) comprennent l’utilisation d’une technologie de fabrication du type substrat moulé intégré comportant -des étapes de croissance de métal sur des couches du type résines de moulage, -des étapes de recouvrement des couches de métal ainsi formées par d’autres couches du type résines de moulage, -des étapes d’amincissement de ces autres couches du type résines de moulage et -un ou plusieurs renouvellements éventuels de certaines au moins de ces étapes. Procédé selon la revendication 14, dans lequel -la formation du substrat support (3A) comprend une formation de l’empilement de niveaux de métal séparés par des couches diélectriques du type résine de moulage, l’empilement comportant un niveau supérieur de niveau de métal 1 sur lequel on connecte la face avant de la puce électronique, -le système d’antenne patch comporte un élément d’antenne situé sur le niveau de métal 1 en vis-à-vis de la première entrée/sortie du guide d’onde et on connecte électriquement cet élément d’antenne à la puce par une piste métallique, -la formation du matériau d’enrobage (40) comporte un entourage de la puce électronique avec un matériau également du type résine de moulage à l’exception de la face arrière de la puce opposée à sa face avant, et -la formation du guide d’onde (10) comporte une formation d’une première partie métallique incluant la deuxième entrée/sortie et au contact du matériau d’enrobage, d’une deuxième partie métallique au contact la face arrière de la puce, et une formation au sein d’un volume intérieur du guide d’onde d’un matériau diélectrique également du type résine de moulage. Dispositif intégré obtenu par le procédé selon l’une des revendications 8 à 13. Dispositif intégré obtenu par le procédé selon l’une des revendications 14 et 15.