FR 3143840 A1 20240621 FR 2213807 A 20221219 L’invention concerne un procédé de fabrication de deux substrats dits pseudo-substrats donneurs (1, 2) comprenant chacun au moins deux pavés sur un substrat support, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : - le placement, sur un premier substrat support (3), d’au moins deux pavés (P1, P2), chaque pavé présentant une épaisseur initiale supérieure ou égale à 300 µm, de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur (1) comprenant les au moins deux pavés, - le collage dudit premier pseudo-substrat donneur (1) sur un second substrat support (4) par l’intermédiaire des pavés (P1, P2), - la séparation des pavés en deux portions (P’1, P’2, P’’1, P’’2) d’une première (e1) et d’une seconde (e2) épaisseur de sorte à conserver une première portion (P’1, P’2) desdits pavés présentant la première épaisseur (e1) sur le premier pseudo-substrat donneur et à transférer une seconde portion (P’’1, P’’2) des pavés présentant la seconde épaisseur (e2) sur le second substrat support (4) pour former un deuxième pseudo-substrat donneur (2), la seconde épaisseur (e2) étant comprise entre 20 % et 80 % de l’épaisseur initiale des pavés du premier substrat pseudo-donneur. Figure pour l’abrégé : Fig 2D Procédé de fabrication de deux substrats dits pseudo-substrats donneurs comprenant chacun au moins deux pavés sur un substrat support L’invention concerne un procédé de fabrication de deux substrats dits pseudo-substrats donneurs comprenant chacun au moins deux pavés sur un substrat support. ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la microélectronique, de l’optique ou de l’optoélectronique, la conception de structures multicouches nécessite parfois de transférer une couche d’un substrat donneur sur un substrat support ou substrat receveur. Un procédé de transfert de couche bien connu est le procédé Smart Cut™, dans lequel on forme par implantation d’espèces atomiques dans le substrat donneur une zone de fragilisation délimitant la couche à transférer, on colle le substrat donneur sur le substrat support et on détache le substrat donneur le long de la zone de fragilisation pour transférer la couche du substrat donneur sur le substrat support. Cependant, ce procédé suppose que le substrat donneur et le substrat support présentent une taille identique. Or, si des substrats de silicium sont disponibles avec une taille relativement grande, typiquement un diamètre de 300 mm, d’autres matériaux d’intérêt n’existent actuellement que sous la forme de substrats massifs de plus petite taille, par exemple de 10 ou 15 cm de diamètre. Tel est le cas en particulier des matériaux semi-conducteurs III-V, comprenant les nitrures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d’aluminium (AlN)), les arséniures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs) et l’arséniure d’aluminium (AlAs)), et les phosphures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure d’aluminium (AlP)). Au lieu de transférer une couche entière du substrat donneur, une solution basée sur le procédé Smart Cut™ consiste à prélever d’au moins un substrat donneur un ou plusieurs pavés et de reporter lesdits pavés sur un premier substrat support, pour former un substrat dit pseudo-substrat donneur, former par implantation d’espèces atomiques une zone de fragilisation dans chaque pavé, coller le pseudo-substrat donneur sur un second substrat support par l’intermédiaire des pavés, et détacher chaque pavé le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer une portion de chaque pavé sur le second substrat support. Les premier et second substrats présentent une taille identique. La représente une vue de dessus et une vue en coupe d’un substrat support S sur lequel ont été disposés une pluralité de pavés P1-P9 d’au moins un substrat donneur. Dans cet exemple, les pavés sont au nombre de neuf et sont répartis selon trois lignes et trois colonnes. La fabrication de ladite structure peut être réalisée par la technique dite « Pick and Place » en anglais, dans laquelle ledit substrat donneur est découpé en pavés puis chaque pavé est placé sur la surface du substrat support à l’aide d’un robot. Cependant, dans la mesure où chaque pavé est reporté individuellement sur le premier substrat, cette technique peut être très lente, d’autant plus que la précision recherchée d’alignement des pavés est exigeante. Par ailleurs, les matériaux d’intérêt préalablement cités sont parfois particulièrement onéreux, de sorte qu’il est souhaitable de minimiser les éventuels déchets formés lors du transfert. Or, l’épaisseur des pavés placés sur le substrat support est égale à l’épaisseur du substrat donneur, soit de l’ordre de quelques centaines de micromètres (par exemple une épaisseur comprise entre 200 µm et 700 µm). Au cours du procédé Smart Cut TM , on transfère une portion desdits pavés. L’épaisseur de la portion transférée, de l’ordre du micromètre, est limitée par la profondeur d’implantation des espèces atomiques. Il est ensuite possible de recycler le pseudo-substrat donneur, par différentes opérations de traitement de surface, afin de le réutiliser dans un nouveau procédé de type Smart Cut TM . De telles opérations, visant à rendre compatible l’état des surfaces des pavés issues du procédé Smart Cut TM avec un nouveau collage sur un nouveau substrat support, consomment entre 2 µm et 3 µm d’épaisseur des pavés. Un tel cycle comprenant les opérations de traitement de surface suivi du procédé Smart Cut TM peut en outre être répété plusieurs fois. Cependant, chaque cycle dégrade un peu plus le pseudo-substrat donneur : les défauts liés aux implantations successives s’accumulent, l’uniformité d’épaisseur des pavés du pseudo-substrat donneur diminue. En pratique, le nombre d’utilisations du pseudo-substrat donneur est inférieur au nombre théorique de portions de pavés que l’on pourrait former successivement dans l’épaisseur des pavés. Il en résulte que l’on n’utilise, sur l’ensemble des cycles, que moins d’une centaine de micromètres d’épaisseur de pavés. La solution consistant à couper le substrat donneur dans le sens de l’épaisseur préalablement à la découpe des pavés dans ledit substrat donneur n’est pas satisfaisante pour la plupart des matériaux. A titre d’exemple, le phosphure d’indium (InP), disponible sous la forme de substrat de 100 mm de diamètre et de 625 µm d’épaisseur, est un matériau très cassant. La découpe d’un tel matériau de sorte à former deux substrats de plus faible épaisseur et la manipulation ultérieure desdits substrats sont donc difficilement réalisables industriellement. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION Un but de l’invention est de concevoir un procédé de fabrication de pseudo-substrats donneurs comprenant des pavés déposés sur un substrat support qui soit plus rapide que le procédé « pick and place », les pseudo-substrats donneurs fabriqués par ledit procédé permettant en outre, lorsqu’ils sont utilisés dans un nombre maximal de procédés Smart Cut TM successifs, de générer moins de déchets des matériaux constituant les pavés que les pseudo-substrats donneurs issus directement dudit procédé « pick and place ». A cet effet, l’invention propose un procédé de fabrication de deux substrats dits pseudo-substrats donneurs comprenant chacun au moins deux pavés sur un substrat support, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : - le placement, sur un premier substrat support, d’au moins deux pavés, chaque pavé présentant une épaisseur initiale supérieure ou égale à 100 µm, de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur comprenant les au moins deux pavés, - le collage dudit premier pseudo-substrat donneur sur un second substrat support par l’intermédiaire des pavés, - la séparation des pavés en deux portions d’une première et d’une seconde épaisseur de sorte à conserver une première portion desdits pavés présentant la première épaisseur sur le premier pseudo-substrat donneur et à transférer une seconde portion des pavés présentant la seconde épaisseur sur le second substrat support pour former un deuxième pseudo-substrat donneur, la seconde épaisseur étant comprise entre 20 % et 80 % de l’épaisseur initiale des pavés du premier substrat pseudo-donneur. Le procédé selon l’invention permet de former au moins deux pseudo-substrats donneurs comprenant des pavés agencés sur un substrat support en ne mettant en œuvre qu’une seule fois le procédé de pavage de type « pick and place ». Grâce à l’invention, suite à l’utilisation desdits pseudo-substrats donneurs dans un nombre maximal de procédés Smart Cut TM successifs, ils conduisent à un substrat déchet comprenant des pavés dont l’épaisseur est plus faible que le substrat déchet qui serait obtenu à partir d’un pseudo-substrat donneur fabriqué dans un simple procédé de « pick and place » et utilisé dans le même nombre de procédés Smart Cut TM successifs. Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend en outre la découpe des au moins deux pavés dans un substrat donneur, sur toute l’épaisseur dudit substrat donneur, de sorte que les au moins deux pavés présentent une épaisseur égale à l’épaisseur du substrat donneur dans lequel ils ont été découpés. Dans ce cas, le substrat donneur présente avantageusement un diamètre inférieur aux diamètres du premier substrat support et du deuxième substrat support. Dans certains modes de réalisation, la séparation des pavés est réalisée par découpe mécanique à l’aide d’une lame ou par découpe laser. Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend, préalablement au placement des au moins deux pavés sur le premier substrat support : - le collage d’un premier substrat donneur sur un deuxième substrat donneur de même diamètre que le premier substrat donneur par l’intermédiaire d’une couche de collage, de sorte à former un substrat donneur épais, - la découpe des au moins deux pavés dans le substrat donneur épais, de sorte que l’épaisseur initiale de chacun desdits pavés est égale à l’épaisseur du substrat épais. Dans ce cas, le premier substrat donneur et le deuxième substrat donneur présentent avantageusement un diamètre inférieur aux diamètres du premier substrat support et du deuxième substrat support. La séparation des au moins deux pavés comprend avantageusement une attaque sélective de la couche de collage. La séparation des pavés par attaque sélective de la couche de collage peut être mise en œuvre par laser, par découpe mécanique assistée par une lame, et/ou assistée par traitement chimique. Dans certains modes de réalisation, les au moins deux pavés sont placés successivement sur le premier substrat support à l’aide d’un robot. De manière particulièrement avantageuse, le premier substrat support présente le même diamètre que le deuxième substrat support. Dans certains modes de réalisation, le premier substrat support comprend le même matériau que le deuxième substrat support. De manière particulièrement avantageuse, le premier substrat support et/ou le deuxième substrat support peut comprendre du silicium, du verre, du saphir et/ou du carbure de silicium polycristallin. Dans certains modes de réalisation, chaque pavé comprend : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d’indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d’indium (InA), l’arsénure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phsphure d’indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-X NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxyde de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend en outre : - le collage du premier pseudo-substrat donneur, respectivement du deuxième pseudo-substrat donneur, sur un troisième substrat support, par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur, respectivement du deuxième pseudo-substrat donneur, - la séparation des pavés en deux portions d’une troisième et d’une quatrième épaisseur de sorte à conserver une première portion desdits pavés présentant la troisième épaisseur sur le premier pseudo-substrat donneur, respectivement sur le deuxième pseudo-substrat donneur, et à transférer une deuxième portion des pavés présentant la quatrième épaisseur sur le troisième substrat support pour former un troisième pseudo-substrat donneur. La quatrième épaisseur de la deuxième portion de pavés est avantageusement comprise entre 20 % et 80 % de la première épaisseur, respectivement de la deuxième épaisseur. La séparation des pavés en deux portions des troisième et quatrième épaisseurs est réalisée par découpe mécanique à l’aide d’une lame ou par découpe laser ou toute autre méthode connue de l’homme du métier. Un autre objet de l’invention concerne un procédé de transfert de pavés d’un substrat dit pseudo-substrat donneur vers un substrat receveur comprenant : - la formation d’un pseudo-substrat donneur selon le procédé décrit ci-dessus, - la formation d’une zone de fragilisation par implantation d’espèces atomiques dans chaque pavé du pseudo-substrat donneur pour définir une portion à transférer - le collage du pseudo-substrat donneur, sur un substrat receveur, - le transfert d’une portion des pavés du pseudo-substrat donneur sur le substrat receveur par détachement de chaque pavé le long de la zone de fragilisation. De manière particulièrement avantageuse, la portion transférée de chaque pavé du pseudo-substrat donneur présente une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Le substrat receveur comprend avantageusement du silicium, du verre, du saphir, du SiC, et/ou de l’AlN. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la représente une vue de dessus et une vue en coupe d’un substrat support sur lequel ont été placés une pluralité de pavés d’un substrat donneur, - les figures 2A à 2F représentent un mode de réalisation du procédé de fabrication de pseudo-substrats donneurs selon l’invention dans lequel, on réalise successivement le découpage de pavés dans un substrat donneur ( ), le placement desdits pavés sur un premier substrat support de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur ( ), le collage dudit premier pseudo-substrat donneur avec un deuxième substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur ( ) et la séparation des pavés en deux portions d’une première et d’une seconde épaisseur de sorte à former un deuxième pseudo-substrat donneur ( ), le collage du premier pseudo-substrat donneur sur un troisième substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur ( ) et la séparation des pavés en deux portions d’une troisième et quatrième épaisseur de sorte à former un troisième pseudo-substrat donneur ( ), - les figures 3A à 3G représentent un autre mode de réalisation du procédé selon l’invention dans lequel on réalise successivement le collage d’un premier substrat donneur avec un deuxième substrat donneur par l’intermédiaire d’une couche de collage de sorte à former un substrat donneur épais ( ), la découpe de pavés dans le substrat donneur épais ( ), le collage desdits pavés sur un premier substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur ( ), le collage dudit premier pseudo-substrat donneur avec un deuxième substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur ( ) et la séparation des pavés en deux portions d’une première et d’une seconde épaisseur de sorte à former un deuxième pseudo-substrat donneur ( ), le collage du premier pseudo-substrat donneur sur un troisième substrat support par l’intermédiaire des pavés du premier pseudo-substrat donneur ( ) et la séparation des pavés en deux portions d’une troisième et quatrième épaisseur de sorte à former un troisième pseudo-substrat donneur ( ), - les figures 4A à 4C représentent un procédé d’utilisation desdits pseudo-substrats donneurs comprenant successivement la formation d’une zone de fragilisation dans les pavés d’un desdits pseudo-substrats donneurs par implantations atomiques de sorte à délimiter une portion des pavés à transférer ( ), le collage du pseudo-substrat donneur avec un substrat receveur par l’intermédiaire des pavés implantés ( ) et la découpe du pseudo-substrat donneur le long de la zone de fragilisation de sorte à transférer la portion des pavés délimités par la zone de fragilisation ( ). Pour des raisons de lisibilité, les dessins ne sont pas nécessairement réalisés à l’échelle. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION L’invention concerne un procédé de fabrication d’au moins deux substrats dit pseudo-substrats donneurs. Dans la présente description, on entend par pseudo-substrat donneur, un substrat comprenant des pavés placés sur un substrat support, ledit pseudo-substrat donneur pouvant être utilisé pour transférer des couches minces du matériau actif constituant les pavés sur un substrat receveur, par exemple par un procédé de type Smart Cut TM . L’utilisation d’un tel pseudo-substrat donneur trouve un intérêt particulier lorsque le matériau actif n’est pas disponible sous la forme de substrats de grande taille. Dans le procédé selon l’invention, un premier pseudo-substrat donneur est fabriqué par le placement d’au moins deux pavés sur un substrat support. Les autres pseudo-substrats donneurs sont fabriqués à partir de ce premier substrat pseudo-donneur, en collant le premier pseudo-substrat donneur sur d’autres substrats supports par l’intermédiaire des pavés et en séparant les pavés dudit premier substrat donneur de sorte à en transférer une portion sur chacun des autres substrats supports. Ceci permet avantageusement de s’affranchir d’étapes supplémentaires de placement de pavés. Par la suite, on décrit plus en détails deux modes de réalisation du procédé de fabrication de pseudo-substrats donneurs selon l’invention. L’invention s’étendant à un procédé de transfert de couche active utilisant l’un de ces pseudo-substrats donneurs, on décrit en outre un mode de réalisation d’un tel procédé de transfert. Premier mode de réalisation de fabrication de pseudo-substrats donneurs Les figures 2A à 2F illustrent de manière schématique un premier mode de réalisation particulier du procédé selon l’invention comprenant le placement des pavés P1, P2, P3 sur un premier substrat support 3 de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur 1, le transfert d’une première portion des pavés P1, P2, P3 du premier pseudo-substrat donneur 1 sur un second substrat support 4 de sorte à former un deuxième pseudo-substrat donneur 2, et enfin le transfert d’une deuxième portion desdits pavés sur un troisième substrat support 6 pour former un troisième pseudo-substrat donneur 7. Selon ce premier mode de réalisation, on découpe des pavés P1-P3 dans un substrat donneur 5 tel que représenté sur la . La découpe des pavés P1-P3 peut être réalisée par toute technique connue de l’homme de l’art. Elle peut notamment être réalisée par sciage et/ou clivage, ou encore par découpe laser. Elle peut aussi par exemple être combinée avec une étape de gravure partielle par plasma des traits de découpe, technique connue sous le terme anglais de « plasma dicing ». La découpe des pavés P1-P3 dans le substrat donneur 5 est de préférence réalisée sur toute l’épaisseur dudit substrat donneur 5, de sorte que chaque pavé P1-P3 présente une épaisseur égale à l’épaisseur du substrat donneur 5 dans lequel ils ont été découpés. De manière avantageuse, les pavés P1-P3 sont issus d’un matériau qui n’est pas disponible commercialement sous forme de substrat donneur de grandes dimensions. Ainsi, le substrat donneur 5 peut présenter un diamètre inférieur à 30 cm, par exemple de l’ordre de 10 ou 15 cm. Tel est le cas en particulier des matériaux semi-conducteurs III-V, comprenant les nitrures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d’aluminium (AlN)), les arséniures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs) et l’arséniure d’aluminium (AlAs)), et les phosphures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure d’aluminium (AlP)). Ceci est le cas aussi pour des composés semi-conducteurs IV ou IV-IV, comme par exemple le germanium et le carbure de silicium. Les pavés P1-P3 peuvent également être en un matériau piézoélectrique, par exemple le tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou encore le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN) (liste non limitative). Les pavés P1-P3 peuvent également être en un matériau électriquement isolant, tel que par exemple le diamant, le titanate de strontium (SrTiO3), la zircone yttriée (YSZ), ou encore le saphir. Chaque pavé P1-P3 présente une épaisseur initiale minimale de 100 µm, de préférence une épaisseur initiale comprise entre 300 µm et 600 µm, de préférence encore une épaisseur initiale comprise entre 400 µm et 600 µm, cette épaisseur initiale étant en outre avantageusement égale à l’épaisseur du substrat donneur 5. La illustre le placement des pavés P1-P3 sur le premier substrat support 3 pour former un premier pseudo-substrat donneur 1 comprenant les pavés P1-P3 et le premier substrat support 3. Le premier substrat support 3 présente avantageusement un diamètre supérieur au substrat donneur 5. Le premier substrat support 3 comprend par exemple tout matériau disponible en taille de substrat supérieur au matériau donneur tel que silicium, verre, SiC polycristallin, saphir (Al 2 O 3 ), ou tout autre matériau semi-conducteur disponible en grand diamètre (c’est-à-dire un diamètre supérieur ou égal à 200 ou 300 mm). Compte tenu de la différence de taille entre le substrat donneur 5 et le premier substrat support 3, plusieurs substrats donneurs 5 peuvent être nécessaires pour paver l’ensemble de la surface du premier substrat support 3 selon la densité de pavage souhaitée. Le placement de chaque pavé P1-P3 peut être mis en œuvre par la technique de « Pick and Place », par laquelle un robot saisit un pavé préalablement découpé dans le substrat donneur 5 et le place à un emplacement prédéterminé sur le premier substrat support 3. Les pavés P1-P3 sont donc placés successivement sur le premier substrat support 3. Dans certains modes de réalisation, chaque pavé P1-P3 adhère au premier substrat support 3 par adhésion moléculaire. A cet effet, des traitements de surface des pavés P1-P3 et/ou du premier substrat support 3 peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. Ces traitements peuvent comprendre notamment un nettoyage, le dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), une activation par plasma avant collage et un recuit. Dans d’autres modes de réalisation, le collage des pavés P1-P3 au premier substrat support 3 peut faire intervenir une couche de collage intermédiaire, par exemple une couche de collage polymère, une couche de collage eutectique ou une couche de colle céramique. La illustre le collage du premier pseudo-substrat donneur de la sur un deuxième substrat support 5 par l’intermédiaire des pavés P1-P3. De la même façon que le premier substrat support 3, le deuxième substrat support 4 présente avantageusement un diamètre supérieur au diamètre du substrat donneur 5. Le deuxième substrat support 4 comprend par exemple tout matériau disponible en taille de substrat supérieur au matériau du substrat donneur tel que silicium, verre, SiC polycristallin, Al 2 O 3 , ou tout autre matériau semi-conducteur disponible en grand diamètre et permettant la mise en œuvre d’une étape de collage. Dans un mode de réalisation particulier du collage du premier pseudo-substrat donneur 1 de la sur le deuxième substrat support 4, le deuxième substrat support 4 présente le même diamètre que le premier substrat support 3, par exemple de l’ordre de 300 mm, et/ou le deuxième substrat support 4 comprend le même matériau que le premier substrat support 3. De manière particulièrement avantageuse, chaque pavé P1-P3 adhère au second substrat support 3 par adhésion moléculaire. A cet effet, des traitements de surface des pavés P1-P3 et/ou du second substrat support 4 peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. Selon les matériaux considérés, ces traitements peuvent comprendre notamment un nettoyage, le dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), une activation plasma avant collage, et/ou un polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing »). Par ailleurs, un recuit est généralement mis en œuvre après le collage pour renforcer l’adhésion. Ensuite, en référence à la , les pavés sont séparés en deux portions d’une première et d’une seconde épaisseur e1, e2 de sorte à conserver une première portion P’1-P’3 desdits pavés présentant la première épaisseur e1 sur le premier pseudo-substrat donneur 1 et à transférer une seconde portion P’’1-P’’3 des pavés présentant la seconde épaisseur e2 sur le second substrat support 4 pour former un deuxième pseudo-substrat donneur 2. La seconde épaisseur e2 est comprise entre 20 % et 80 % de l’épaisseur initiale des pavés P1-P3 du premier substrat pseudo-donneur 1, de sorte que la seconde épaisseur e2 est préférentiellement comprise entre 20 µm et 560 µm, de préférence encore entre 200 µm et 400 µm. La séparation des pavés P1-P3 peut être réalisée par découpe mécanique à l’aide d’une lame, par découpe laser ou toute autre technique de découpe compatible avec le matériau à découper. En tout état de cause, la séparation des pavés ne peut être réalisée par le procédé Smart Cut™ car les première et seconde épaisseurs sont bien supérieures à la profondeur d’implantation accessible par les implanteurs disponibles industriellement (ladite profondeur étant de l’ordre de 1 µm). Ainsi, le procédé selon l’invention permet avantageusement de fabriquer deux pseudo-substrats donneurs en mettant en œuvre une seule étape de placement des pavés sur un substrat donneur selon la technique de « pick and place ». Ces étapes de « pick and place » étant longues et fastidieuses, le procédé selon l’invention est plus rapide qu’un procédé qui consisterait à fabriquer chaque pseudo-substrat donneur par le placement de pavés sur un substrat support. Optionnellement, le procédé selon ce mode de réalisation peut comprendre en outre le collage du premier pseudo-substrat donneur 1 (représenté sur la ), sur un troisième substrat support 6, par l’intermédiaire des pavés P’1-P’3 du premier pseudo-substrat donneur 1. De la même façon que le premier substrat support 3 et que le deuxième substrat 4 support, le troisième substrat support 6 présente avantageusement un diamètre supérieur au diamètre du substrat donneur 5. Le troisième substrat support 3 comprend par exemple tout matériau disponible en taille de substrat supérieur au matériau du substrat donneur tel que silicium, verre, SiC polycristallin, saphir ou tout autre matériau semi-conducteur disponible en grand diamètre. Selon un mode de réalisation particulier du collage du troisième substrat support 6 avec le premier pseudo-substrat donneur 1, le troisième substrat support 6 présente le même diamètre que le premier substrat support 3 et le deuxième substrat support 4, et/ou il comprend le même matériau que le premier substrat support 3 et le deuxième substrat support 4. De manière particulièrement avantageuse, chaque portion P’1-P’3 adhère au troisième substrat support 6 par adhésion moléculaire. La découpe engendrant une dégradation de la qualité cristalline du pavé et/ou une surface rugueuse qui n’est pas directement utilisable pour un collage moléculaire, des traitements de surface des pavés P’1-P’3 et/ou du troisième substrat support 6 peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. Ces traitements peuvent comprendre notamment un nettoyage, le dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), une activation plasma avant collage, et/ou un polissage (CMP). L’homme du métier peut choisir la technique la plus adaptée notamment en fonction des matériaux considérés et/ou de la technique de découpe. Cependant, si la technique de collage ne nécessite pas une rugosité particulièrement faible, par exemple lorsqu’une colle polymère est utilisée, il est possible de s’affranchir d’un traitement de surface. Par ailleurs, un recuit est généralement mis en œuvre après le collage pour renforcer l’adhésion. En référence à la , le procédé comprend alors en outre la séparation des pavés P’1-P’3 en deux portions d’une troisième et d’une quatrième épaisseur e3, e4 de sorte à conserver une première portion desdits pavés présentant la troisième épaisseur e3 sur le premier pseudo-substrat donneur 1 et à transférer une deuxième portion des pavés présentant la quatrième épaisseur e4 sur le troisième substrat support 6 pour former un troisième pseudo-substrat donneur 7. La quatrième épaisseur de la deuxième portion de pavés est comprise entre 20 % et 80 % de la première épaisseur, respectivement de la deuxième épaisseur. La quatrième épaisseur de la deuxième portion de pavés est préférentiellement comprise entre 40 µm et 300 µm, de préférence encore entre 100 µm et 250 µm. Dans ce cas également, la séparation des pavés P’1-P’3 en les deux portions des troisième et quatrième épaisseurs e3, e4 est réalisée par découpe mécanique à l’aide d’une scie, par découpe laser ou toute autre technique de découpe compatible avec le matériau à découper. Alternativement ou additionnellement au collage du premier pseudo-substrat donneur 1 avec un troisième substrat support 6 de sorte à former un troisième pseudo-substrat donneur 7, le deuxième pseudo-substrat donneur 2 peut également être collé sur un nouveau substrat support de sorte à former un pseudo-substrat donneur supplémentaire (non représenté). Ainsi, à ce stade du procédé selon l’invention, il est possible de former jusqu’à quatre pseudo-substrats donneurs à partir d’un seul ensemble de substrat donneur et d’une seule étape de placement des pavés, par exemple par « pick and place », qui a été mise en œuvre à l’occasion de la formation du premier pseudo-substrat donneur 1. Le nombre de pseudo-substrats donneurs que l’on peut former à partir du premier pseudo-substrat donneur dépend de l’épaisseur initiale du substrat donneur et de la précision du procédé de découpe. Les substrats pseudo-donneurs ainsi formés peuvent être utilisés pour transférer des portions de pavés de fine épaisseur sur un substrat support par le procédé Smart Cut™. Le procédé de formation des pseudo-substrats donneurs peut être répété jusqu’à atteindre des substrats pseudo-donneurs présentant une épaisseur de pavés comprise entre 50 µm et 200 µm, selon l’épaisseur susceptible d’en être prélevée par le procédé Smart Cut™ et le nombre de recyclages possibles du pseudo-substrat donneur. Deuxième mode de réalisation de fabrication de pseudo-substrats donneurs Les figures 3A à 3G illustrent de manière schématique un deuxième mode de réalisation du procédé selon l’invention comprenant le placement de pavés P11, P12, P13 sur un premier substrat support 13 de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur 11, puis le transfert d’une portion des pavés P11, P12, P13 dudit premier pseudo-substrat donneur 11 sur un second substrat support 14, pour former un deuxième pseudo-substrat donneur 12. Selon ce deuxième mode de réalisation de l’invention, on met en œuvre le collage d’un premier substrat donneur 18 avec un deuxième substrat donneur 19 de même diamètre que le premier substrat donneur 18 par l’intermédiaire d’une couche de collage 20, pour former un substrat donneur épais 15 (représenté sur la ). De manière avantageuse, le premier substrat donneur 18 et le deuxième substrat donneur 19 sont en un matériau qui n’est pas disponible commercialement sous forme de substrat donneur de grandes dimensions. Ainsi, le premier substrat donneur 18 et le deuxième substrat donneur 19 peuvent présenter un diamètre inférieur à 30 cm, par exemple de l’ordre de 10 ou 15 cm. Tel est le cas en particulier des matériaux semi-conducteurs III-V, comprenant les nitrures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d’aluminium (AlN)), les arséniures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, l’arséniure d'indium (InAs), l’arséniure de gallium (GaAs) et l’arséniure d’aluminium (AlAs)), et les phosphures (par exemple pour ce qui est des composés binaires, le phosphure d'indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) et le phosphure d’aluminium (AlP)). Ceci est le cas aussi pour des composés semi-conducteurs IV ou IV-IV, comme par exemple le germanium et le carbure de silicium. Les premier substrat donneur 18 et deuxième substrat donneur 19 peuvent également être en un matériau piézoélectrique, par exemple le tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ou encore le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-x NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxide de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN) (liste non limitative). Les premier substrat donneur 18 et deuxième substrat donneur 19 peuvent également être en un matériau électriquement isolant, tel que par exemple le diamant, le titanate de strontium (SrTiO3), la zircone yttriée (YSZ), ou encore le saphir. Le premier substrat donneur 18 et le deuxième substrat donneur 19 peuvent être en le même matériau ou en un matériau différent. Selon le matériau et le diamètre des premier et deuxième substrats donneurs, l’épaisseur desdits substrats est généralement comprise entre 120 µm et 700 µm. La couche de collage 20 peut être une couche d’oxyde (un collage oxyde / oxyde étant aisé à mettre en œuvre industriellement), une couche de collage polymère, une couche de collage eutectique ou une couche de colle céramique, le matériau de ladite couche de collage étant choisi pour pouvoir supporter l’étape de découpe ultérieure et pour pouvoir être retiré sélectivement vis-à-vis du matériau du premier et du deuxième substrat donneur. En référence à la , on découpe ensuite des pavés P11-P13 dans le substrat donneur épais 15, de sorte que l’épaisseur initiale de chacun desdits pavés P11-P13 est égale à l’épaisseur du substrat épais 15. Chaque pavé P11-P13 présente une épaisseur initiale comprise entre 400 et 1400 µm, de préférence comprise entre 400 µm et 700 µm. La découpe des pavés P11-P13 peut être réalisée par toute technique connue de l’homme de l’art. Elle peut notamment être réalisée par sciage, ou encore par découpe laser. Elle peut aussi par exemple être combinée avec une étape de gravure partielle par plasma des traits de découpe, technique connue sous le terme anglais de « plasma dicing ». En référence à la , on place ensuite les pavés P11-P13 sur le premier substrat support 13 pour former un premier pseudo-substrat donneur 11 comprenant ledit premier substrat support 13 et les pavés P11-P13. De la même façon que dans le premier mode de réalisation, le placement de chaque pavé P11-P13 peut être mis en œuvre par la technique de « Pick and Place », à l’aide d’un robot. Les pavés P11-P13 sont donc placés successivement sur le premier substrat support 13. Chaque pavé P11-P13 peut adhérer au premier substrat support 13 par adhésion moléculaire suite à d’éventuels traitements de surface des pavés P11-P13 et/ou du premier substrat support 13 (nettoyage, dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), activation par plasma avant collage et recuit), ou par l’intermédiaire d’une couche de collage intermédiaire (couche de collage polymère, couche de collage eutectique ou couche de colle céramique). En référence à la , on colle ensuite le premier pseudo-substrat donneur 11 avec un second substrat support 14 par l’intermédiaire des pavés P11-P13, par exemple par adhésion moléculaire. De la même façon que dans le premier mode de réalisation, des traitements de surface des pavés P11-P13 et/ou du second substrat support 14 peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire (nettoyage, dépôt d’une couche de collage tel qu’un oxyde de silicium (SiO 2 ), activation plasma, polissage, etc.). De la même façon que dans le premier mode de réalisation également, le premier substrat support 13 et le deuxième substrat support 14 présentent avantageusement un diamètre supérieur au diamètre du substrat donneur 15. Le premier substrat support 13 et le deuxième substrat support 14 comprennent par exemple tout matériau disponible en taille de substrat supérieur au matériau du substrat donneur tel que silicium, verre, SiC polycristallin, Al 2 O 3 , ou tout autre matériau semi-conducteur disponible en grand diamètre. Eventuellement, le deuxième substrat support 14 présente le même diamètre que le premier substrat support 13, par exemple de l’ordre de 300 mm, et/ou le deuxième substrat support 14 comprend le même matériau que le premier substrat support 3. On sépare ensuite les pavés P11-P13 en deux portions d’une première et d’une seconde épaisseur de sorte à conserver une première portion desdits pavés P11-P13 présentant la première épaisseur sur le premier pseudo-substrat donneur 11 et à transférer une seconde portion des pavés présentant la seconde épaisseur sur le second substrat support 14 pour former un deuxième pseudo-substrat donneur 12. Ainsi, dans ce mode de réalisation également, le procédé permet avantageusement de fabriquer deux pseudo-substrats donneurs en ayant mis en œuvre une seule fois l’étape longue et fastidieuse de placement des pavés sur un substrat support, par exemple par la méthode du « pick and place ». Le procédé selon l’invention est donc plus rapide que celui qui consisterait à systématiquement mettre en œuvre ladite méthode de « pick and place » pour la formation de chaque pseudo-substrat donneur. En référence à la , selon ce deuxième mode de réalisation, la séparation des pavés P11-P13 comprend préférentiellement une attaque sélective de la couche de collage 20. La séparation des pavés par attaque sélective de la couche de collage 20 peut être mise en œuvre par laser, par découpe mécanique assistée par une lame, et/ou assistée par traitement chimique. En tout état de cause, la séparation des pavés ne peut être réalisée par le procédé Smart Cut™ car les première et seconde épaisseurs sont bien supérieures à la profondeur d’implantation accessible par les implanteurs disponibles industriellement (ladite profondeur étant de l’ordre de 1 µm). Après la séparation des pavés, les éventuels résidus de couche de collage sont retirés afin d’exposer la surface libre des pavés. Si nécessaire, un traitement de finition, tel qu’un polissage mécano-chimique et/ou une planarisation, est mis en œuvre pour obtenir un état de surface des pavés adapté pour leur utilisation ultérieure. Selon ce mode de réalisation également, le procédé selon l’invention peut comprendre en outre : - le collage du premier pseudo-substrat donneur 11, respectivement du deuxième pseudo-substrat donneur 12, sur un troisième substrat support 16 par l’intermédiaire des pavés P’11-P’13 du premier pseudo-substrat donneur 11, respectivement du deuxième pseudo-substrat donneur 12 (représenté sur la dans le cas du premier pseudo-substrat donneur 11, non représenté dans le cas du deuxième pseudo-substrat donneur 12), - la séparation des pavés P’11-P’13 en deux portions d’une troisième et d’une quatrième épaisseur e13, e14 de sorte à conserver une première portion desdits pavés présentant la troisième épaisseur sur le premier pseudo-substrat donneur 11, respectivement sur le deuxième pseudo-substrat donneur 12, et à transférer une deuxième portion des pavés présentant la quatrième épaisseur sur le troisième substrat support 16 pour former un troisième pseudo-substrat donneur 17 (représenté sur la dans le cas du deuxième pseudo-substrat donneur 12). Cette variante du procédé selon l’invention permet avantageusement de générer jusqu’à quatre pseudo-substrats donneurs en ayant mis en œuvre une seule fois l’étape de placement des pavés sur un substrat support, de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur. Selon d’autres variantes du procédé, les premier, deuxième, troisième pseudo-substrats donneurs peuvent encore être collés sur d’autres substrats supports, de sorte à générer des pseudo-substrats donneurs supplémentaires. Préférentiellement, tous les pseudo-substrats donneurs issus du procédé de fabrication de pseudo-substrats donneurs selon l’invention présentent une épaisseur de pavés comprise entre 50 et 300 µm. Procédé de transfert de pavés d’un pseudo-substrat donneur vers un substrat receveur L’invention s’étend à un procédé de transfert de pavés d’un pseudo-substrat donneur vers un substrat receveur. Le procédé de transfert de pavés comprend la formation d’un pseudo-substrat donneur selon n’importe lequel des modes de réalisation du procédé de fabrication d’un pseudo-substrat donneur tel que précédemment décrit. A titre d’exemple, le pseudo-substrat donneur peut être le premier pseudo-substrat donneur 1 pris après la formation du deuxième pseudo-substrat donneur 2 (tel que représenté sur la ) ou après la formation du troisième pseudo-substrat donneur 7 (tel que représenté sur la ). A titre d’exemple encore, le pseudo-substrat donneur peut être le deuxième pseudo-substrat donneur 2 (représenté sur la ) ou le troisième pseudo-substrat donneur 7 (représenté sur la ). Alternativement, le pseudo-substrat donneur peut être le premier pseudo-substrat donneur 11 après la formation du deuxième pseudo-substrat donneur 12 (tel que représenté sur la ) ou après la formation du troisième pseudo-substrat donneur 17 (tel que représenté sur la ). Le pseudo-substrat donneur peut aussi être le pseudo-substrat donneur 12 (représenté sur la ) ou le troisième pseudo-substrat donneur 17 (représenté sur la ). Alternativement encore, le pseudo-substrat donneur peut être les premier, deuxième, troisième pseudo-substrats donneur 1, 2, 7 ou les premier, deuxième, troisième pseudo-substrats donneurs 11, 12, 17 après leur utilisation pour la formation de pseudo-substrats donneurs supplémentaires (non représentés) ou lesdits pseudo-substrats donneurs supplémentaires (également non représentés). Préférentiellement, les pavés du pseudo-substrat donneur du procédé de transfert de pavés selon l’invention présentent une épaisseur comprise entre 50 µm et 300 µm. A titre d’exemple, la mise en œuvre de la suite du procédé de transfert de pavés est représentée sur les figures 4A à 4C à partir du premier pseudo-substrat donneur 1 après la formation du deuxième pseudo-substrat donneur 2. En référence à la , le procédé de transfert de pavés selon l’invention comprend la formation d’une zone de fragilisation 101 dans chaque pavé (sur la , les pavés P’1-P’3) du pseudo-substrat donneur préalablement fabriqué (sur la , le pseudo-substrat donneur 1) afin de délimiter une couche superficielle desdits pavés C1, C2, C3 destinée à être transférée sur un substrat receveur 102. Comme schématisé par les flèches, la zone de fragilisation 101 est avantageusement formée par implantation d’espèces atomiques, telles que de l’hydrogène et/ou de l’hélium, dans les pavés, à une profondeur correspondant à l’épaisseur de la couche C1, C2, C3 à transférer. On colle ensuite le pseudo-substrat donneur avec le substrat receveur 102, comme illustré sur la , par l’intermédiaire des pavés. Le substrat receveur 102 présente un diamètre identique au pseudo-substrat donneur, par exemple de l’ordre de 300 mm. Le substrat receveur 102 comprend du silicium, verre, Saphir, SiC, AlN et/ou tout autre matériau semi-conducteur d’intérêt et avec une taille de substrat plus importante que celle du substrat donneur initial. Pour permettre un collage collectif des pavés sur le substrat receveur, les pavés doivent présenter la même épaisseur. A cet effet, il peut être nécessaire de mettre en œuvre, avant le collage, un procédé d’abrasion (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne) de sorte à uniformiser l’épaisseur des pavés, puis de mettre en œuvre un procédé de lissage pour rendre la surface des pavés compatible avec le collage. De manière particulièrement avantageuse, chaque pavé adhère au substrat receveur 102 par adhésion moléculaire. A cet effet, des traitements de surface des pavés et/ou du second substrat support peuvent être mis en œuvre au préalable afin de favoriser une bonne adhésion moléculaire. En référence à la , on détache ensuite les pavés le long de la zone de fragilisation 101, afin de transférer les couches C1, C2, C3 délimitées par ladite zone de fragilisation 101 sur le substrat receveur 102. Les couches transférées C1, C2, C3 présentent généralement une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Avantageusement, un même pseudo-substrat donneur est réutilisé plusieurs fois dans les étapes de formation d’une zone de fragilisation, collage et découpe le long de la zone de fragilisation, de sorte à transférer à chaque mise en œuvre desdites étapes une nouvelle portion des pavés du pseudo-substrat donneur sur un nouveau substrat receveur 102. Entre chaque transfert, la surface des pavés formée lors du détachement le long de la zone de fragilisation 101 est traitée pour atteindre une rugosité et un état de surface permettant un collage de bonne qualité sur le nouveau substrat receveur 102. A titre d’exemple, un tel traitement peut comprendre, selon le matériau des pavés : un polissage mécano-chimique, une abrasion à grain fin, un retrait chimique, un traitement plasma, le dépôt d’une couche lissante, et/ou un traitement thermique. La mise en œuvre d’un tel traitement de surface peut consommer, selon le traitement considéré, une épaisseur de pavés de l’ordre de 0,5 µm à 5 µm. Préférentiellement, on met en œuvre successivement plusieurs cycles de transfert de couches avec le même pseudo-substrat donneur, chaque cycle comprenant les étapes de formation d’une zone de fragilisation, collage, découpe le long de la zone de fragilisation et traitement de surface. Ainsi, un même pseudo-substrat donneur peut être réutilisé entre une et trente fois, de sorte que l’enchainement desdits cycles consomme entre 1 et 6 µm d’épaisseur de pavés au total. La réutilisation du même pseudo-substrat donneur dans plusieurs cycles permet donc de consommer une épaisseur plus grande du matériau, potentiellement rare et coûteux, constituant les pavés, et donc de limiter les déchets dudit matériau. Toutefois, chaque cycle dégradant un peu plus le pseudo-substrat donneur (défauts d’uniformité, modification de la structure cristalline non guérie, dégradation des bords des pavés, casse du pseudo-substrat donneur, le pseudo-substrat donneur ne peut être réutilisé qu’un nombre limité de fois. En pratique, si moins de 50% de la surface des pavés ne peut être collée, on considère que le pseudo-substrat donneur n’est plus utilisable. Ainsi, le procédé de fabrication de pseudo-substrat donneur selon l’invention permet avantageusement de former des pseudo-substrats donneurs présentant une épaisseur de pavés initiale plus faible que le substrat donneur dont ils sont issus constitué du même matériau. A titre d’exemple, le procédé de fabrication de pseudo-substrats donneurs, à partir d’un substrat de phosphure d’indium (InP) de 625 µm d’épaisseur pour 100 mm de diamètre, permet de fabriquer des pseudo-substrats donneurs présentant des pavés d’InP d’épaisseur minimale de 100 µm, de sorte qu’après 15 cycles, on a consommé une épaisseur de 75 µm (à raison de 5 µm par cycle) desdits pavés et qu’on ne met au rebut qu’une épaisseur de 15 µm au lieu d’une épaisseur de 550 µm si on utilisait des pavés dont l’épaisseur initiale était de 625 µm dans le même nombre de cycles. Procédé de fabrication de deux substrats dits pseudo-substrats donneurs (1, 2) comprenant chacun au moins deux pavés sur un substrat support, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : - le placement, sur un premier substrat support (3), d’au moins deux pavés (P1, P2), chaque pavé présentant une épaisseur initiale supérieure ou égale à 100 µm, de sorte à former un premier pseudo-substrat donneur (1) comprenant les au moins deux pavés, - le collage dudit premier pseudo-substrat donneur (1) sur un second substrat support (4) par l’intermédiaire des pavés (P1, P2), - la séparation des pavés en deux portions (P’1, P’2, P’’1, P’’2) d’une première (e1) et d’une seconde (e2) épaisseur de sorte à conserver une première portion (P’1, P’2) desdits pavés présentant la première épaisseur (e1) sur le premier pseudo-substrat donneur et à transférer une seconde portion (P’’1, P’’2) des pavés présentant la seconde épaisseur (e2) sur le second substrat support (4) pour former un deuxième pseudo-substrat donneur (2), la seconde épaisseur (e2) étant comprise entre 20 % et 80 % de l’épaisseur initiale des pavés du premier substrat pseudo-donneur. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la découpe des au moins deux pavés (P1, P2) dans un substrat donneur (5), sur toute l’épaisseur dudit substrat donneur, de sorte que les au moins deux pavés présentent une épaisseur égale à l’épaisseur du substrat donneur dans lequel ils ont été découpés. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le substrat donneur (5) présente un diamètre inférieur aux diamètres du premier substrat support (3) et du deuxième substrat support (4). Procédé selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la séparation des pavés (P1, P2) est réalisée par découpe mécanique à l’aide d’une lame ou par découpe laser. Procédé selon la revendication 1, comprenant préalablement au placement des au moins deux pavés (P1, P2) sur le premier substrat support (3) : - le collage d’un premier substrat donneur (18) sur un deuxième substrat donneur (19) de même diamètre que le premier substrat donneur par l’intermédiaire d’une couche de collage (20), de sorte à former un substrat donneur épais (15), - la découpe des au moins deux pavés (P1, P2) dans le substrat donneur épais (15), de sorte que l’épaisseur initiale de chacun desdits pavés est égale à l’épaisseur du substrat épais. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le premier substrat donneur (18) et le deuxième substrat donneur (19) présentent un diamètre inférieur aux diamètres du premier substrat support (3) et du deuxième substrat support (4). Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 ou 6, dans lequel la séparation des au moins deux pavés (P1, P2) comprend une attaque sélective de la couche de collage (20). Procédé selon la revendication 7, dans lequel la séparation des pavés par attaque sélective de la couche de collage est mise en œuvre par laser, par découpe mécanique assistée par une lame, et/ou assistée par traitement chimique. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel les au moins deux pavés sont placés successivement sur le premier substrat support à l’aide d’un robot. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le premier substrat support présente le même diamètre que le deuxième substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel le premier substrat support comprend le même matériau que le deuxième substrat support. Procédé selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel le premier substrat support et/ou le deuxième substrat support comprend du silicium, du verre, du saphir et/ou du SiC polycristallin. Procédé selon l’une des revendications 1 à 12, dans lequel chaque pavé (P1, P2) comprend : - un matériau semi-conducteur, tel qu’un matériau III-V, notamment le nitrure d’indium (InN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d’aluminium (AlN), l’arséniure d’indium (InA), l’arsénure de gallium (GaAs), l’arséniure d’aluminium (AlAs), le phosphure d’indium (InP), le phosphure de gallium (GaP) ou le phosphure d’aluminium (AlP), ou un matériau IV ou IV-IV, notamment le germanium ou le carbure de silicium (SiC), - un matériau piézoélectrique, tel que le tantalate de lithium (LiTaO 3 ), le niobate de lithium (LiNbO 3 ), le niobate de potassium-sodium (K x Na 1-X NbO 3 ou KNN), le titanate de baryum (BaTiO 3 ), le quartz, le titano-zirconate de plomb (PZT), un composé de niobate de plomb-magnésium et de titanate de plomb (PMN-PT), l’oxyde de zinc (ZnO), le nitrure d’aluminium (AlN) ou le nitrure d’aluminium et de scandium (AlScN), et/ou - un matériau électriquement isolant, tel que le diamant, le titanate de strontium, la zircone yttriée ou le saphir. Procédé selon l’une des revendications 1 à 13, comprenant en outre : - le collage du premier pseudo-substrat donneur (1), respectivement du deuxième pseudo-substrat donneur (2), sur un troisième substrat support (6), par l’intermédiaire des pavés (P’1, P’2, P’’1, P’’2) du premier pseudo-substrat donneur, respectivement du deuxième pseudo-substrat donneur, - la séparation des pavés en deux portions d’une troisième (e3) et d’une quatrième (e4) épaisseur de sorte à conserver une première portion desdits pavés présentant la troisième épaisseur (e3) sur le premier pseudo-substrat donneur (1), respectivement sur le deuxième pseudo-substrat donneur, et à transférer une deuxième portion des pavés présentant la quatrième épaisseur (e4) sur le troisième substrat support (6) pour former un troisième pseudo-substrat donneur (7). Procédé selon la revendication 14, dans lequel la quatrième épaisseur (e4) de la deuxième portion de pavés est comprise entre 20 % et 80 % de la première épaisseur (e1), respectivement de la deuxième épaisseur (e2). Procédé selon l’une des revendications 14 ou 15, dans lequel la séparation des pavés en les deux portions des troisième (e3) et quatrième (e4) épaisseurs est réalisée par découpe mécanique à l’aide d’une lame ou par découpe laser. Procédé de transfert de pavés d’un substrat dit pseudo-substrat donneur vers un substrat receveur comprenant : - la formation d’un pseudo-substrat donneur (1) selon l’une des revendications 1 à 16, - la formation d’une zone de fragilisation (101) par implantation d’espèces atomiques dans chaque pavé (P1, P2) du pseudo-substrat donneur pour définir une portion (C1, C2) à transférer - le collage du pseudo-substrat donneur (1) sur un substrat receveur (102), - le transfert d’une portion (C1, C2) des pavés du pseudo-substrat donneur (1) sur le substrat receveur (102) par détachement de chaque pavé (P1, P2) le long de la zone de fragilisation (101). Procédé selon la revendication 17, dans lequel la portion (C1, C2) transférée de chaque pavé du pseudo-substrat donneur présente une épaisseur comprise entre 30 nm et 1,5 µm. Procédé selon l’une des revendications 17 ou 18, dans lequel le substrat receveur (102) comprend du silicium, du verre, du saphir, du SiC, ou de l’AlN.