FR 3144397 A1 20240628 FR 2214234 A 20221222 Titre de l’invention : Dispositif à multicouche pour la détection des rayonnements et procédé de dépôt par sublimation L’invention concerne Structure photodétectrice comprenant : une structure planaire d’absorption pour convertir un rayon incident en des porteurs de charges électriques photogénérées ; une électrode inférieure pour collecter les porteurs de charges électriques photo générées ; une électrode supérieure ; ladite structure planaire d’absorption étant confinée entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure et comprenant : une couche d’absorption en un premier matériau composé ABX 3 ; une couche d’interface en un second matériau composé AB 2 X 5 disposée entre d’une part la couche d’absorption et d’autre part l’électrode supérieure ou l’électrode inférieure; Figure pour l’abrégé : Fig. 2a Dispositif à multicouche pour la détection des rayonnements et procédé de dépôt par sublimation Champ d’application La présente invention concerne le domaine des dispositifs optoélectroniques pour la détection de rayonnement par effet photoélectrique. Plus particulièrement, l’invention concerne les structures planaires multicouches d’absorption de rayonnements et un procédé de fabrication par sublimation. Problème soulevé Les dispositifs optoélectroniques sont généralement constitués par assemblage d’une ou plusieurs structures photo détectrices à base de couches semiconductrices transformant un flux de photons incidents en porteurs de charges photo générés, et d’un circuit de lecture pour traiter le signal électrique issu des structures photo détectrices du dispositif optoélectronique. Le temps de réponse d’un dispositif optoélectronique consiste à la vitesse d’établissement du signal électrique de lecture à partir des porteurs de charges photo générés suite à son illumination par un rayon incident. Il s’agit d’une caractéristique technique fondamentale qui détermine les performances du dispositif optoélectronique. Dans ce contexte, le temps de réponse dépend directement du facteur d’absorption de la structure photo détectrice mais aussi de la mobilité des charges dans le volume de la zone d’absorption et plus particulièrement au niveau de ses interfaces. L’invention se propose de résoudre un problème technique dans ce domaine consistant à concevoir une structure photo détectrice pour un dispositif optoélectronique tout en améliorant le temps de réponse et la mobilité des charges par rapport aux solutions de l’état de l’art. Pour mieux cerner le problème soulevé par l’invention, nous allons commencer par décrire la structure d’un dispositif de détection de rayonnement selon l’état de l’art. La illustre une vue en coupe d’un exemple de pixel appartenant à un dispositif optoélectronique D0 détecteur de rayonnements à titre d’exemple non limitatif. Le dispositif D0 de détection de rayonnements est un système hybride optoélectronique, comprenant : d’une part, une partie optique formée par une pluralité de structures photodétectrices Pxl 0 arrangées en lignes et en colonnes et d’autre part une partie électronique consistant en un circuit de lecture intégré 12. Ce circuit de lecture peut constituer le substrat du dispositif D0 ou être lui-même réalisé sur un substrat 11. Chaque pixel comprend une électrode inférieure dédiée 13 connectée au circuit de lecture 12 pour permettre une lecture individualisée de chaque pixel. Le circuit intégré de lecture 12 est constitué d’une pluralité de transistors et de couches minces en matériau conducteurs, semi-conducteurs ou diélectriques. Il peut être réalisé selon la technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) et sert alors également de substrat 11, ou selon la technologie TFT (Thin Film Transistor à base de silicium amorphe), déposée sur le substrat 11 ou suivant tout autre type de technologie.La structure photodétectrice Pxl 0 du dispositif D0 est réalisée par un empilement de couches en matériaux sur un support Sup. Le support Sup comprend le circuit de lecture 12 et le substrat 11. L’axe de la structure photodétectrice Δ est l’axe perpendiculaire au plan horizontal (x,y) formé par la surface supérieure du support Sup. Le structure photodétectrice Pxl 0 comprend une structure planaire d’absorption SPA 0 pour convertir un rayon incident R 0 en des porteurs de charges électriques photogénérées ; une électrode inférieure 13 pour collecter les porteurs de charges électriques photogénérées et une électrode supérieure 16. La structure planaire d’absorption SPA 0 et l’électrode supérieure 16 sont communs entre les structures photodétectrices Pxl 0 du dispositif D0. La pixellisation est réalisée par les électrodes inférieures 13 distinctes et formant une matrice. La structure planaire d’absorption SPA 0 convertit le flux de photons incidents avec une longueur d’onde λ en porteurs de charges négatives « électrons » dans la bande de conduction de la structure SPA 0 et/ou de charges positives « trous » dans la bande de valence de la structure SPA 0 . Une tension électrique V1 est appliquée entre l’électrode supérieure 16 et l’électrode inférieure 13 permet de déplacer les charges photogénérées vers l’électrode inférieure 13. La quantité de porteurs de charges photogénérées collectées par l’électrode détermine l’amplitude du signal de lecture associé au pixel Pxl 0 généré par le circuit de lecture 12. Les matériaux utilisés pour réaliser la structure planaire d’absorption SPA 0 et l’épaisseur de la structure planaire d’absorption sont déterminées par (ou adaptées en fonction de) l’énergie du rayonnement utilisé dans l’application visée. Dans ce contexte, la structure planaire d’absorption SPA 0 est constituée d’une couche d’absorption 15 en un premier matériau composé ABX 3, avec: A choisi parmi un premier groupe de cations inorganiques comprenant le césium Cs, le rubidium Rb, le potassium K ou un alliage desdits éléments du premier groupe de cations inorganiques ; B choisi parmi un second groupe de cations inorganiques comprenant le plomb Pb, l’étain Sn, le germanium Ge , le silicium Si ou un alliage desdits éléments du second groupe de cations inorganiques ; X choisi parmi un groupe d’halogènes comprenant le brome Br, l’iode I, le chlore Cl ou un alliage desdits éléments du groupe de cations. Ce choix de matériau composé pour la couche d’absorption 15 présente une solution émergente. En effet, le choix de matériau de type ABX 3 permet de détecter des rayonnements dans les domaines de fréquences X, gamma et du visible avec une bonne sensibilité de détection (par exemple S>1 µC.mGy -1 .cm -2 pour le rayonnement X). Cependant, le dispositif D0 selon l’état de l’art présente un temps de réponse (ie temps d’établissement ou disparition du photocourant) relativement lent supérieur à 50 ms. Cet inconvénient réduit les performances des solutions existantes dans le contexte des applications nécessitant des temps d’intégration courts (typiquement L’inconvénient du temps de réponse trop lent dans ce type de structure s’explique par la présence de défauts structurels au niveau de l’interface entre la couche d’absorption en ABX 3 et les électrodes de la structure photodétectrice Pxl 0 . Un problème technique à résoudre dans ce domaine consiste donc à concevoir une structure photo-détectrice comprenant une couche d’absorption en ABX 3 tel que défini précédemment en améliorant le temps de réponse de ladite structure par rapport aux solutions de l’état de l’art. Réponse au problème et apport solution Pour pallier les limitations des solutions existantes en ce qui concerne la réduction du temps de réponse d’une structure photo-détectrice comprenant une couche d’absorption en ABX 3 , l’invention propose plusieurs modes de réalisation d’une structure planaire d’absorption modifiée comprenant en outre une couche d’interface en un second matériau composé AB 2 X 5 disposée entre d’une part la couche d’absorption et d’autre part l’électrode supérieure ou l’électrode inférieure . Plus spécifiquement, l’invention propose des solutions compatibles avec les applications visées avec un meilleur temps de réponse. En effet, l’insertion d’une couche d’interface AB 2 X 5 permet d’inhiber l’effet des défauts au niveau de l’interface de la couche d’absorption en ABX 3 avec les couches adjacentes et plus a particulièrement les électrodes de la structure photodétectrice. La solution selon l’invention permet alors d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique. La structure photo-détectrice selon l’invention permet de concevoir des dispositifs optoélectroniques répondant aux besoins dans des domaines d’applications divers tel que l’imagerie pour le médical (radiologie, mammographie, tomographie…), l’inspection industrielle non-destructive, le domaine géophysique (analyse nature du sol pour la recherche pétrolière), le domaine de la sécurité publique (contrôle des bagages, véhicules), le domaine de la recherche fondamentale et l’énergie photovoltaïque. L’invention propose en outre plusieurs modes de réalisation d’un procédé de fabrication de la structure photodétectrice selon l’invention basé sur la technique de « dépôt par sublimation dans l’espace rapproché » CSS (acronyme de l’expression en anglais Close-Space Sublimation). L’utilisation de la technique de « dépôt par sublimation dans l’espace rapproché » est bien maitrisée pour réaliser des couches minces en en ABX 3 . D’une manière générale, un dépôt d’une couche en un matériau par sublimation est possible lorsque son diagramme de phase binaire solide-liquide soit congruent et que le dépôt se fasse à l’équilibre thermodynamique. Dans les solutions de l’état de l’art, l’obtention de ces conditions spécifiques est maîtrisée pour les couches en ABX 3 (pour la couche d’absorption) mais pas pour les couches en AB 2 X 5 (pour au moins une couche d’interface). En réponse à ce problème technique supplémentaire, l’invention propose un procédé de fabrication d’une structure photodétectrice selon l’invention en exploitant les périodes transitoires vers l’équilibre thermodynamique lors d’un « dépôt par sublimation dans l’espace rapproché » CSS à partir d’une cible en ABX 3 . Dans la section suivante, les différentes caractéristiques de l’invention sont exposées pour un exemple illustratif et non limitatif dans lequel l’élément A est le césium Cs, l’élément B est le plomb Pb et l’élément X est le brome Br. Nous soulignons que l’invention ne se limite pas à cette combinaison d’éléments chimiques et que les caractéristiques et les avantages de la structure photodétectrice selon l’invention et celles du procédé selon l’invention restent valables pour les différentes combinaisons de matériaux à partir du premier groupe de cations inorganiques pour A, du second groupe de cations inorganiques pour B et du groupe d’halogènes pour X. Le choix des matériaux et des épaisseurs des couches est déterminé par le domaine d’application de la structure photodétectrice selon l’invention. L’avantage lié à l’amélioration du temps de réponse par l’association de la couche d’interface AB 2 X 5 avec la couche d’absorption ABX 3 ne se limite pas à l’exemple d’illustration exposé ci-dessous. Résumé /Revendications L’invention a pour objet une structure photodétectrice comprenant : une structure planaire d’absorption pour convertir un rayon incident en des porteurs de charges électriques photogénérées ; une électrode inférieure pour collecter les porteurs de charges électriques photogénérées ; une électrode supérieure ; Ladite structure planaire d’absorption étant confinée entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure et comprenant : une couche d’absorption en un premier matériau composé ABX 3 ; une couche d’interface en un second matériau composé AB 2 X 5 disposée entre d’une part la couche d’absorption et d’autre part l’électrode supérieure ou l’électrode inférieure ; A étant choisi parmi un premier groupe de cations inorganiques comprenant le césium, le rubidium, le potassium ou un alliage desdits éléments du premier groupe de cations inorganiques ; B étant choisi parmi un second groupe de cations inorganiques comprenant le plomb, l’étain, le germanium, le silicium ou un alliage desdits éléments du second groupe de cations inorganiques ; X étant choisi parmi un groupe d’halogènes comprenant le brome, l’iode , le chlore ou un alliage desdits éléments du groupe de cations. Selon un aspect particulier de l’invention, la structure photo détectrice comprend en outre une couche de protection en un matériau inerte chimiquement par rapport à la structure planaire d’absorption et isolant électriquement. Ladite couche de protection étant confinée entre la structure planaire d’absorption et l’électrode inférieure. L’invention a également pour objet un dispositif de détection de rayonnements X ou γ comprenant au moins un pixel. L’au moins pixel comprend la structure photo-détectrice selon l’invention. Selon un aspect particulier de l’invention, le dispositif de détection de rayonnements X ou γ comprend en outre un circuit de lecture disposé sur un substrat configuré pour générer un signal de lecture à partir des porteurs de charges électriques collectés par l’électrode inférieure. Ledit circuit de lecture étant assemblé à la structure photo détectrice par un couplage direct ou indirect. Selon un aspect particulier de l’invention, le dispositif de détection de rayonnements X ou γ destiné à recevoir le rayon incident du coté du substrat. Le substrat, le circuit de lecture et l’électrode inférieure sont transparents à la longueur d’onde du rayon incident. Selon un aspect particulier de l’invention, la couche d’absorption présente une épaisseur comprise entre 50µm et 2000µm. Selon un aspect particulier de l’invention, la couche d’interface présente une épaisseur comprise entre 10nm et 50µm. Selon un aspect particulier de l’invention, la couche d’absorption est en CsPbBr 3 et la couche d’interface est en CsPb 2 Br 5 . L’invention a également pour objet une cellule photovoltaïque comprenant la structure photo-détectrice selon l’invention. Selon un aspect particulier de l’invention, la couche d’absorption dans la cellule photovoltaïque présente une épaisseur comprise entre 0.1µm et 1µm. Selon un aspect particulier de l’invention, la couche d’interface présente une épaisseur comprise entre 5nm et 0.1µm. Selon un aspect particulier de l’invention, la couche d’absorption est en CsPb 3 et la couche d’interface est en CsPb 25 ; avec x compris entre 0 et 0,5. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’une structure photo-détectrice selon l’invention comprenant les étapes suivantes : ii) réaliser une structure planaire d’absorption par la technique de sublimation dans l’espace rapproché à partir d’une source du premier matériau composé ABX 3 sur la face supérieure d’un support ; la source étant préchauffée à une première température comprise entre 350°C et 500°C ; le support étant préchauffé à une seconde température inférieure ou égale à la première température ; iii) déposer une électrode supérieure sur la structure planaire d’absorption. Selon un aspect particulier de l’invention, l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption comprenant les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface disposée en dessous de la couche d’absorption : ii.a) monter le support en face de la source d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché ; ii.b) commander la seconde température à une différence de température par rapport à la première température supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min ; ii.c) déposer la couche d’absorption constituée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source pendant un régime permanent correspondant à un équilibre thermodynamique. Selon un aspect particulier de l’invention, l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption comprend les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface disposée en dessous de la couche d’absorption : ii.a’) monter le support en face de la source d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché ; ii.b’) commander la seconde température à une différence de température par rapport à la première température supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min ; ii.c’) augmenter la seconde température pour obtenir une différence de température par rapport à la première température inférieure à 200°C de manière à déposer la couche d’absorption composée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source. Selon un aspect particulier de l’invention, l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption comprend les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface disposée au dessus de la couche d’absorption : ii.a’’) monter le support en face de la source d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché ; ii.b’’) commander la seconde température à une différence de température par rapport à la première température inférieure à 200°C de manière à déposer la couche d’absorption constituée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source ; ii.c’’) désactiver le dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché et démonter le support ; ii.d’’) suite au refroidissement de la source, remonter le support en face de la source dudit dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché ; ii.e’’) commander la seconde température à une différence de température par rapport à la première température supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min. Description Détaillée D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description qui suit en relation aux dessins annexés suivants. la illustre une vue en coupe d’un exemple d’une structure photodétectrice selon l’état de l’art. Cette figure a déjà été décrite. la illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice selon un premier mode de réalisation de l’invention appartenant à un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ. la illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice selon un deuxième mode de réalisation de l’invention appartenant à un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ. la illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice selon un troisième mode de réalisation de l’invention appartenant à un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ. la illustre la réponse de la structure photodétectrice selon l’invention par rapport à celle de la structure photodétectrice selon l’état de l’art suite à l’exposition d’une impulsion de rayonnement. la illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice d’un quatrième mode de réalisation de l’invention appartenant à une cellule photovoltaïque. la illustre un procédé de fabrication pour réaliser un dispositif optoélectronique comprenant au moins une structure photodétectrice selon l’invention. la illustre un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché configuré pour la fabrication de la structure photodétectrice selon l’invention. la illustre les sous-étapes selon un premier mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption selon l’invention. la illustre les sous-étapes selon un deuxième mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption selon l’invention. la illustre les sous-étapes selon un troisième mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption selon l’invention. La illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice Pxl 1 selon un premier mode de réalisation de l’invention appartenant à un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ. Le dispositif D1 de détection de rayonnements comprend une partie optique formée par une structure photodétectrice Pxl 1 et une partie électronique consistant en un circuit de lecture intégré 12 réalisé sur un substrat 11. La partie optique est configurée pour convertir un rayon incident Rα à une quantité de porteurs de charges photogénérés. La partie électronique est configurée pour convertir les charges photogénérées à un signal électronique de lecture. Dans l’exemple illustré, le dispositif D1 est destiné à détecter un rayon incident Rα du côté de la face inférieure du substrat 11. Le substrat 11 et le circuit de lecture 12 forment un support Sup sur lequel la partie optique formée par un ou plusieurs pixels est réalisée. Le circuit intégré de lecture 12 est réalisé au moyen d’une pluralité de transistors selon la technologie TFT (Thin Film Transistor à base de silicium amorphe) et de couches minces en matériau conducteurs, semi-conducteurs ou diélectriques déposés sur le substrat 11. Les matériaux utilisés pour la réalisation des composants du circuit intégré de lecture 12 sont transparents à la gamme de fréquence du rayon incident Rα. L’assemblage entre la partie optique et la partie électronique peut être réalisé par couplage direct ou par couplage indirect. Le couplage direct consiste à un dépôt direct des couches constituant la structure photodétectrice Pxl 1 sur la partie électronique constituant le support Sup. Le couplage indirect consiste à un assemblage de la partie optique déjà fabriquée à la partie électronique déjà fabriquée par des techniques d’hybridation tels que le collage hybride, la puce retournée (flip-chip en anglais), le câblage par fil (wire-bond) ou tout autres techniques spécifiques pour coupler électriquement et optiquement deux parties ayant des fonctions différentes (par exemple, le circuit de lecture 12 et la structure photo détectrice Pxl 1 ). Le substrat 11 est réalisé en un matériau transparent à la gamme de fréquence du rayon incident Rα plus particulièrement les rayons X ou γ. À titre d’exemple, le substrat 11 est réalisé en verre, ou en plastique, ou en polymide, ou en un semiconducteur ou en métal ou en un empilement de plusieurs couches des matériaux précités. La structure photodétectrice Pxl 1 comprend une structure planaire d’absorption SPA 1 pour absorber les photons du rayon incident et les convertir en charges photogénérés et une électrode supérieure 16 et une électrode inférieure 13 pour collecter lesdites charges et les acheminer vers le circuit de lecture 12. Avantageusement, la structure photodétectrice Pxl 1 comprend une couche de protection 14 confinée entre l’électrode inférieure 13 et la structure planaire d’absorption SPA 1 . La couche de protection 14 est réalisée en un matériau inerte chimiquement par rapport à la structure planaire d’absorption SPA 1 . L’insertion de la couche de protection 14 permet d’empêcher les réactions chimiques induisant une dégradation de l’électrode inférieure 13 par des atomes provenant de la structure planaire d’absorption SPA 1 et inversement. Dans le cas où le dispositif D1 comprend une pluralité de pixels Pxl 1 formant une matrice, il est envisageable d’utiliser une couche de protection 14 commune à tous les pixels de ladite matrice. La mise en commune de la couche de protection 14 permet de simplifier le procédé de fabrication. Dans ce cas, la couche de protection est réalisée en un matériaux inerte chimiquement mais aussi isolant électriquement pour éviter de court-circuiter les pixels entre eux. La couche de protection 14 est réalisée en oxyde de zircone stabilisé à l'oxyde d'yttrium (ZrO 2 :Y 2 O 3 ) qui est un oxyde inerte chimiquement par rapport au CsPbBr 3 et isolant électriquement (ou peu conducteur) selon le plan (X,Y) parallèle à la surface sur support Sup. On note que la couche de protection 14 n’empêche pas le transfert des porteurs de charges (électrons et/ou trous) de la structure d’absorption SPA 1 l’électrode inférieure 13 selon l’axe du pixel Δ. À titre d’exemple, la couche de protection 14 présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 1000nm, de préférence 200nm. La structure planaire d’absorption SPA 1 comprend une couche d’absorption 15 en CsPbBr 3 apte à absorber des photons des rayons X et/ou gamma et une couche d’interface 17 en CsPb 2 Br 5 . La couche d’interface 17 est placée entre la couche d’absorption 15 et l’électrode inférieure 13. Dans le cas d’utilisation d’une couche de protection 14 sur la l’électrode inférieure 13, la couche d’interface 17 est confinée entre ladite couche de protection 14 et la couche d’absorption 15. D’une manière générale, la couche d’interface 17 est placée au niveau de l’interface inférieure de la couche d’absorption 15. La couche d’interface 17 en CsPb 2 Br 5 permet un gain considérable en temps de réponse du dispositif optoélectronique D1 selon l’invention. La couche d’interface 17 présente une épaisseur significativement inférieure à celle de la couche d’absorption 15. Pour un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ, l’épaisseur de la couche d’absorption 15 en CsPbBr 3 est comprise entre 50µm et 2000µm. L’épaisseur de la couche d’interface 17 est comprise entre 10nm et 50µm. L’Homme du métier adapte le dimensionnement de l’épaisseur de la couche d’absorption 15 selon l’application visée. Plus particulièrement, lorsque le dispositif de détection D1 est destiné à la mammographie, la valeur moyenne du spectre d’énergie absorbée est de 20keV. Ainsi, la couche d’absorption 15 présente une épaisseur comprise entre 50µm et 200µm, de préférence égale à 100µm. Alternativement, lorsque le dispositif de détection D1 est destiné à la radiologie médicale avec une valeur moyenne du spectre d’énergie absorbée de 50keV, la couche d’absorption 15 présente une épaisseur comprise entre 300µm et 1500µm, de préférence égale à 1000µm. Alternativement, lorsque le dispositif de détection D1 est destiné à la radiologie médicale avec une valeur centrale du spectre d’énergie absorbée de 90keV, la couche d’absorption 15 présente une épaisseur comprise entre 800µm et 2500µm, de préférence égale à 2000µm. Pour ces trois applications, ce sont principalement les modes de fonctionnement dynamiques qui sont visées, en particulier la tomosynthèse pour la mammographie, et la fluoroscopie et la tomographie pour la radiologie. L’électrode inférieure 13 est réalisée un matériau conducteur électriquement et transparent à la gamme de fréquence visée par le détecteur D1. Cela est particulièrement nécessaire dans le cas le dispositif D1 est destiné à détecter un rayon incident Rα du côté de la face inférieure du substrat 11. À titre d’exemple, l’électrode inférieure 13 est réalisée en oxyde d’indium-étain (ITO pour l’anglais indium tin oxyde). À titre d’exemple, l’électrode inférieure 13 présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 1000 nm, préférentiellement de 200 nm. L’électrode supérieure 16 est réalisée en un métal ou un oxyde transparent conducteur (ITO par exemple) à une épaisseur comprise entre 50 nm et 1000 nm (préférentiellement 200 nm) Alternativement, l’électrode supérieure 16 est composée d’un empilement de couches métalliques, d’oxyde transparent conducteur et de couches diélectriques (PMMA par exemple) afin de limiter les courants de fuite.Nous rappelons qu’une tension électrique V1 est appliquée entre l’électrode supérieure 16 et l’électrode inférieure 13 pour collecter les charges photogénérés vers l’électrode inférieure 13. La structure photodétectrice Pxl 1 permet ainsi d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique D1 destiné à la détection de rayonnements de type X et/ou γ. Cela est obtenu grâce à l’insertion de la couche d’interface 17 en CsPb 2 Br 5 entre l’électrode inférieure 13 (couche de collection des charges) et la couche d’absorption 15 (couche de génération des charges). La illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice Pxl 2 selon un deuxième mode de réalisation de l’invention appartenant à un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ. La structure photodétectrice Pxl 2 diffère de la structure photodétectrice Pxl 1 (1 er mode de réalisation) par l’intégration d’une seconde couche d’interface 18 en plus de la couche d’interface 17. La couche d’interface 18 en CsPb 2 Br 5 est confinée entre l’électrode supérieure 16 et la couche d’absorption 15 en CsPbBr 3 . Ainsi, la structure photodétectrice Pxl 2 comprend une structure planaire d’absorption SPA 2 composé d’une couche d’absorption 15 confinée entre deux couches d’interfaces 17 et 18. La seconde couche d’interface 18 présente les mêmes caractéristiques et avantages techniques que la première couche d’interface 17 appliqués à l’interface entre la couche d’absorption 15 et l’électrode supérieure 16. Ce mode de réalisation permet d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique D1 pour un rayon incident du coté de l’électrode inférieure 13 mais aussi du coté de l’électrode supérieure 16. La illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice Pxl 3 selon un troisième mode de réalisation de l’invention appartenant à un dispositif de détection D1 de rayonnements X ou γ. La structure photodétectrice Pxl 3 diffère de la structure photodétectrice Pxl 1 (premier mode de réalisation) par le suivant : La structure planaire d’absorption SPA 3 comprend une couche d’interface 18 en CsPb 2 Br 5 est confinée entre l’électrode supérieure 16 et la couche d’absorption 15 en CsPbBr 3 . Ainsi, la structure planaire d’absorption SPA 3 est composée d’une couche d’absorption 15 en CsPbBr 3 sur laquelle repose la couche d’interface 18 en CsPb 2 Br 5 . La couche d’interface 18 présente les mêmes caractéristiques et avantages techniques que la couche d’interface 17 décrite précédemment. Ce mode de réalisation permet d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique D1 pour un rayon incident du côté de l’électrode supérieure 16. D’une manière générale, l’amélioration du temps de réponse du dispositif D1 est optimale lorsque la couche d’interface 17,18 est disposée entre la couche d’absorption 15 et l’électrode placée du côté d’incidence des rayonnements. Avantageusement, l’insertion de la couche d’interface 17 entre la couche absorption 15 et électrode où la collection des charges photogénérées est réalisée permets d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique. La illustre la réponse de la structure photodétectrice Pxl 1 selon le premier mode de réalisation par rapport à celle de la structure photodétectrice Pxl 0 selon l’état de l’art suite à l’exposition d’une impulsion de rayonnement de type rayon X. La réponse des deux structures photodétectrices Pxl 0 et Pxl 1 est évaluée par la mesure de la densité du photocourant (en A.mm -2 ) dans les structures planaires d’absorption SPA 0 et SPA 1 . Chacune des structures photodétectrices Pxl 0 et Pxl 1 est exposée à une impulsion en rayon X pendant 100ms avec l’application d’une tension V 1 =5V. La première courbe C0 correspond à la réponse de la structure photodétectrice Pxl 0 selon l’état de l’art. La première courbe C0 présente un temps de réponse supérieur à 50ms en front montant (soit supérieur à la moitié de la durée de l’impulsion). La première courbe C0 présente un temps de réponse supérieur à 75ms en front descendant (soit supérieur à la moitié de la durée de l’impulsion). La seconde courbe C1 correspond à la réponse de la structure photodétectrice Pxl 1 selon le premier mode de réalisation de l’invention. La seconde courbe C1 présente un temps de réponse inférieur à 5ms en front montant. La seconde courbe C1 présente un temps de réponse inférieur à 5ms en front descendant. La structure photodétectrice Pxl 1 présente ainsi une amélioration considérable du temps de réponse. Plus spécifiquement, Cette amélioration est avantageuse dans le contexte des applications de détection en temps réel. Les structures photodétectrices Pxl 2 et Pxl 3 ont aussi présenté des résultats d’amélioration du temps de réponse par rapport à la structure Pxl 0 de l’état de l’art. La structure photodétectrice selon l’invention est compatible aussi à des applications dans le domaine des générateurs photovoltaïques afin d’améliorer la collection des charges photogénérées et ainsi améliorer le rendement énergétique du générateur photovoltaïque. La illustre une vue en coupe d’une structure photodétectrice PV d’un quatrième mode de réalisation de l’invention appartenant à une cellule photovoltaïque D2. Similairement aux modes de réalisation de l’invention, La cellule photovoltaïque D2 comprend une structure photodétectrice PV montée sur un support Sup. À titre d’exemple, le support est un substrat en un matériau semiconducteur, de préférence en silicium et la cellule solaire est une cellule solaire à hétérojonction de silicium. La structure photodétectrice PV comprend une électrode supérieure 16, une électrode inférieure 13 et une structure planaire d’absorption SPA 4 confinée entre les deux électrodes 13 et 16. Les électrodes 13 et 16 sont des multicouches composées de semiconducteurs et de métaux, permettant d’injecter sélectivement des électrons ou des trous. À titre d’exemple, l’électrode inférieure 13 est composée d’ITO et l’électrode supérieure 16 est composée d’un empilement C 60 /PCB/Ag. La structure planaire d’absorption SPA 4 comprend une couche d’absorption 15 et une couche d’interface 17 placée entre la couche d’absorption 15 et l’électrode inférieure 13. Alternativement, La structure planaire d’absorption SPA 4 comprend une couche d’absorption 15 et une couche d’interface 17 placée entre la couche d’absorption 15 et l’électrode supérieure16. Alternativement, la structure planaire d’absorption SPA 4 comprend une couche d’absorption 15 confinée entre d’une part une première couche d’interface 17 placée du coté de l’électrode inférieure 13 et d’autre part une seconde couche d’interface 18 placée du coté de l’électrode supérieure 16. Pour une compatibilité avec une application en photovoltaïque, la couche d’absorption 15 est réalisée en en CsPb(I 1-x Br x ) 3 et la couche d’interface 17, 18 est en CsPb 2 (I 1-x Br x ) 5 ; avec x compris entre 0 et 0,5. La couche d’absorption 15 présente une épaisseur comprise entre 0.1µm et 1µm, de préférence 0.3µm. Une couche d’interface 17,18 présente une épaisseur comprise entre 0.005µm et 0.1µm, de préférence 0.01µm. D’une manière générale, dans une structure planaire d’absorption comprenant une couche d’absorption en ABX 3, l’insertion d’une couche d’interface en AB 2 X 5 disposée entre ladite couche d’absorption 15 et une électrode 13,16 permet d’améliorer le temps de réponse du dispositif optoélectronique selon l’invention. Nous rappelons que les matériaux utilisés pour implémenter l’invention sont définis de la manière suivante selon les applications visées : A est choisi parmi un premier groupe de cations inorganiques comprenant le césium Cs, le rubidium Rb, le potassium K ou un alliage desdits éléments du premier groupe de cations inorganiques ; B est choisi parmi un second groupe de cations inorganiques comprenant le plomb Pb, l’étain Sn, le germanium Ge , le silicium Si ou un alliage desdits éléments du second groupe de cations inorganiques ; X est est choisi parmi un groupe d’halogènes comprenant le brome Br, l’iode I, le chlore Cl ou un alliage desdits éléments du groupe de cations. L’invention propose en outre un procédé P1 de fabrication d’une matrice de structures photodétectrices selon l’invention. Les étapes de ce procédé sont illustrées à la . La première étape i) consiste à déposer la couche de protection 14 sur la face supérieure du support Sup (circuit de lecture 12+ substrat 11 par exemple) comprenant une matrice de plusieurs électrodes inférieure 13 distinctes préalablement fabriqué. Le dépôt de la couche de protection 14 est réalisable par des techniques de dépôt usuelles dans le domaine des micro et nanotechnologies. Il s’agit d’une étape optionnelle permettant d’empêcher les réactions chimiques induisant une dégradation de l’électrode inférieure 13. La deuxième étape ii) consiste à déposer une structure planaire d’absorption SPA selon l’un quelconque des différents modes de réalisation décrit précédemment. Cette étape est réalisée par la technique de sublimation dans l’espace rapproché CSS à partir d’une source S1 du premier matériau composé ABX 3 sur la couche de protection 14. La illustre un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché configuré pour la fabrication de la structure photodétectrice selon l’invention. D’une manière générale, le support Sup sur lequel au moins une couche en ABX 3 sera déposée, est placé au regard d’une source S1 en en ABX 3 à une distance comprise entre 1mm et 20mm de préférence égale à 5mm. La source S1 est préchauffée à une première température T1 comprise entre 350°C et 500°C via le thermostat Th1. Le support Sup est préchauffé à une seconde température T2. L’ensemble est placé dans une chambre fermée à une pression comprise entre 10 -4 Pa et 10 Pa, de préférence égale à 1 Pa. D’une manière générale, afin de déposer une couche en un matériau prédéterminé par la technique de sublimation dans l’espace rapproché CSS, on utilise une source S1 en phase pure dudit matériau prédéterminé. La source peut être obtenue par mécano-synthèse. Les deux températures T1 et T2 sont maintenues à des valeurs proches avec une différence comprise entre 50°C et 150°C. Ce paramétrage « standard » est bien maitrisé pour des couches en ABX 3 . Il s’agit d’un paramétrage dans lequel, le système est placé dans une configuration d’équilibre thermodynamique ou de quasi-équilibre thermodynamique. L’équilibre thermodynamique permet de réaliser un dépôt d’une couche en ABX 3 à partir d’une source en ABX 3 par sublimation. En effet, la différence de consigne de température ΔT entre la source S1 et le support sup est de l’ordre de 100°C (entre 50°C et 150°C). La distance entre la source S1 et le support sup étant faible, le matériau transporté en phase vapeur n’a pas le temps de refroidir et donc refroidit lentement sur la surface du support sup. On se situe donc proche de l’équilibre thermodynamique et un dépôt d’une couche en ABX 3 à partir d’une source en ABX 3 est réalisé. Cependant, Il a été démontré que le dépôt d’une couche en AB 2 X 5 par un paramétrage « standard » avec une source en AB 2 X 5 n’est pas possible. Dans ce contexte, l’invention propose une solution à travers plusieurs modes de réalisations de la troisième étape iii) afin de réaliser la structure planaire d’absorption selon l’invention. Les différents sous-étapes pour l’exécution de la troisième étape iii) selon l’invention seront détaillées ultérieurement. La troisième étape iii) consiste à déposer l’électrode supérieure 16 sur la face supérieure de la structure planaire d’absorption SPA préalablement fabriquée. La illustre les sous-étapes ii.a) – ii.c) selon un premier mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption SPA selon l’invention. Ce mode réalisation permet de réaliser une couche d’interface 17 en AB 2 X 5 disposée en dessous de la couche d’absorption 15 en ABX 3. La première sous-étape ii.a) consiste à monter le support sup au regard de la source S1 d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché CSS. La source S1 est un échantillon en phase pure du ABX 3 . La source S1 est préchauffée à une première température T1 comprise entre 350°C et 500°C via le thermostat Th1. La deuxième sous-étape ii.b) est destinée à déposer une couche en AB 2 X 5 à partir de la source S1 en ABX 3 en se plaçant hors équilibre thermodynamique du matériau ABX 3 . Pour cela, le thermostat T2 est configuré pour commander la seconde température T2 à une valeur inférieure à la première température T1 La différence de température ΔT par rapport à la première température T1 est supérieure ou égale à 200°C. Cela déclenche une phase transitoire pendant laquelle l’ensemble est hors-équilibre thermodynamique. Cela induit un dépôt d’une couche en AB 2 X 5 à partir de la source S1 durant le régime transitoire à partir de la source en ABX 3 par sublimation. La couche déposée en AB 2 X 5 correspond à la couche d’interface 17 décrite précédemment. La durée du régime transitoire est comprise entre 1min et 10min. Cette technique s’explique par le mécanisme suivant : En augmentant la différence de consigne de température ΔT (>=200°C), Les particules subissent un refroidissement brutal lorsqu’elles rentrent en contact avec la surface du support sup. L’adhésion des particules provenant de la source S1 et déposées sur support sup ne se fait pas à l’équilibre thermodynamique et une phase en AB 2 X 5 apparait sous ces conditions particulières. Les conditions générales de pression et de distances restent inchangées par rapport à un dépôt « standard ». À titre d’exemple illustratif et non limitatif, la source S1 est préchauffée à T1=475°C et le support sup est préchauffé à T2=100°C. Cela permet de déposer une d’interface 17 en AB 2 X 5 pendant 5min pour une épaisseur de 2µm. On souligne que le support sup est placé à quelques millimètres de la source S1 ce qui permet un transfert de chaleur entre les deux entités tout au long de la deuxième sous étape ii.b). De plus, l’apport de matière sublime réchauffe le support sup. Cet échange thermique va augmenter la température réelle T2 de support sup au-delà de la température consigne. Ainsi, la différence de température ΔT va progressivement se réduire pour atteindre une valeur inférieure à 200°C. Cela induit un passage aux conditions d’un dépôt « standard » tel que décrit précédemment, correspondant à un régime permanent d’équilibre thermodynamique. Ainsi, la troisième sous-étape ii.c) est déclenchée spontanément via le passage du régime transitoire au régime permanent d’équilibre thermodynamique. La troisième sous-étape ii.c) consiste à déposer la couche d’absorption 17 en ABX 3 à partir de la source S1 pendant ledit régime permanent correspondant à un équilibre thermodynamique. Dans ce cas, le support n’est pas chauffé à une température comparable à celle de la source S1. Ainsi, ce mode de réalisation présente l’avantage d’éviter la dégradation des composants du circuit de lecture 12 (températures limites pour les transistors par exemple). On obtient ainsi à l’issue des sous-étapes ii.a) – ii.c) une structure planaire d’absorption SPA comprenant l’empilement suivant cet ordre : une couche d’interface 17 en AB 2 X 5 disposée en dessous de la couche d’absorption 15 en ABX 3. Alternativement, la illustre les sous-étapes ii.a’) – ii.c’) selon un deuxième mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption selon l’invention. Ce mode réalisation permet aussi de réaliser une couche d’interface 17 en AB 2 X 5 disposée en dessous de la couche d’absorption 15 en ABX 3. La première sous-étape ii.a’) est identique à la sous-étape ii.a) décrite dans le premier mode de réalisation. La deuxième sous-étape ii.b’) est identique à la sous-étape ii.b) décrite dans le premier mode de réalisation. La troisième sous-étape ii.c’) consiste à déposer la couche d’absorption 17 en ABX 3 à partir de la source S1. À la différence de la troisième sous-étape ii.c) du premier mode de réalisation, le thermostat T2 est configuré pour commander la seconde température T2 à une valeur inférieure ou égale à la première température T1 de manière à obtenir différence de température ΔT par rapport à la première température T1 strictement inférieure à 200°C, de préférence comprise entre 50°C et 150°C. On se place ainsi dans les conditions d’un dépôt « standard » pour déposer la couche d’absorption 15 en ABX 3 à partir de la source S1 en ABX 3 . Ce mode de réalisation présente l’avantage d’obtenir une structure cristallographique plus robuste de la couche d’absorption 15 par rapport au dépôt à basse température du premier mode de réalisation. On obtient ainsi à l’issue des sous-étapes ii.a’) – ii.c’) une structure planaire d’absorption SPA comprenant l’empilement suivant cet ordre : une couche d’interface 17 en AB 2 X 5 disposée en dessous de la couche d’absorption 15 en ABX 3. Alternativement, la illustre les sous-étapes ii.a’’) – ii.e’’) selon un troisième mode de réalisation l’invention pour réaliser la structure planaire d’absorption SPA selon l’invention. Ce mode réalisation permet de réaliser une couche d’interface 18 en AB 2 X 5 disposée au dessus de la couche d’absorption 15 en ABX 3 . La première sous-étape ii.a’’) consiste à monter le support sup au regard de la source S1 d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché CSS. La source S1 est un échantillon en phase pure du ABX 3 . La source S1 est préchauffée à une première température T1 comprise entre 350°C et 500°C via le thermostat Th1. La deuxième sous-étape ii.b’’) consiste à commander la seconde température T2 à une différence de température ΔT par rapport à la première température T) inférieure à 200°C de manière à déposer la couche d’absorption 15 constituée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source S1. Avantageusement, la différence de température ΔT est comprise entre 50°C et 150°C pour améliorer la robustesse de la structure cristallographique de la couche d’absorption 15 déposée Ensuite, la troisième sous-étape ii.c’’) consiste à désactiver le dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) et démonter le support sup. Cela est nécessaire pour refroidir le support sup mais aussi la source S1. Il s’agit d’une étape de réinitialisation de l’état thermodynamique du système composé du support, de la source et de la chambre du dispositif de dépôt. La réinitialisation de l’état thermodynamique du système peut se faire en baissant significativement la température à une valeur inférieure à 200°C et/ou en augmentant la pression (dans la chambre du dispositif de dépôt par sublimation pour arrêter la sublimation. Suite à la sous-étape de refroidissement, la quatrième sous- étape ii.d’’) consiste à remonter le support sup en face de la source S1 dudit dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché CSS afin de déclencher le dépôt de la couche d’interface 18. Enfin, la sous-étape ii.e’’) consiste à déposer la couche d’interface 18 de manière identique à celle décrite par la deuxième sous-étape ii.b) du premier mode de réalisation. On obtient ainsi à l’issue des sous-étapes ii.a’’) – ii.e’’) une structure planaire d’absorption SPA comprenant l’empilement suivant cet ordre : la couche d’absorption 15 en ABX 3 disposée en dessous de la couche d’interface 17 en AB 2 X 5 . La structure planaire d’absorption SPA 1 décrite dans la peut être intégralement réalisée par le premier ou le second mode de réalisation du procédé de fabrication. La structure planaire d’absorption SPA 3 décrite dans la peut être intégralement réalisée par le troisième mode de réalisation du procédé de fabrication. La structure planaire d’absorption SPA 2 décrite dans la peut être intégralement réalisée par le premier ou le second mode de réalisation du procédé de fabrication (pour réaliser la couche d’interface 17) en combinaison avec le troisième mode de réalisation du procédé de fabrication (pour réaliser la couche d’interface 18). Structure photodétectrice (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 , PV) comprenant : une structure planaire d’absorption (SPA 1 ) pour convertir un rayon incident en des porteurs de charges électriques photogénérées ; une électrode inférieure (13) pour collecter les porteurs de charges électriques photogénérées ; une électrode supérieure (16) ; ladite structure planaire d’absorption (SPA) étant confinée entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure et comprenant : une couche d’absorption (15) en un premier matériau composé ABX 3 ; une couche d’interface (17,18) en un second matériau composé AB 2 X 5 disposée entre d’une part la couche d’absorption (15) et d’autre part l’électrode supérieure (16) ou l’électrode inférieure (13) ; A étant choisi parmi un premier groupe de cations inorganiques comprenant le césium (Cs), le rubidium (Rb), le potassium (K) ou un alliage desdits éléments du premier groupe de cations inorganiques ; B étant choisi parmi un second groupe de cations inorganiques comprenant le plomb (Pb), l’étain (Sn), le germanium (Ge) , le silicium (Si) ou un alliage desdits éléments du second groupe de cations inorganiques ; X étant choisi parmi un groupe d’halogènes comprenant le brome (Br), l’iode (I), le chlore (Cl) ou un alliage desdits éléments du groupe de cations. Structure photo détectrice (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 , PV) selon la revendication 1 comprenant en outre une couche de protection (14) en un matériau inerte chimiquement par rapport à la structure planaire d’absorption (SPA) et isolant électriquement ; ladite couche de protection étant confinée entre la structure planaire d’absorption (SPA) et l’électrode inférieure (13). Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ comprenant au moins un pixel (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 ), l’au moins pixel (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 ) comprenant la structure photo-détectrice (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 ) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon la revendication 3 comprenant en outre un circuit de lecture (12) disposé sur un substrat (11) configuré pour générer un signal de lecture à partir des porteurs de charges électriques collectés par l’électrode inférieure (13) ; ledit circuit de lecture (12) étant assemblé à la structure photo détectrice (Pxl 1 , Pxl 2 , Pxl 3 ) par un couplage direct ou indirect. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon la revendication 4 destiné à recevoir le rayon incident du coté du substrat (11) dans lequel le substrat (11), le circuit de lecture (12) et l’électrode inférieure (13) sont transparents à la longueur d’onde du rayon incident. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon l’une quelconque des revendications 3 à 5 dans lequel la couche d’absorption (15) présente une épaisseur comprise entre 50µm et 2000µm. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon l’une quelconque des revendications 3 à 6 dans lequel la couche d’interface (17, 18) présente une épaisseur comprise entre 10nm et 50µm. Dispositif de détection (D1) de rayonnements X ou γ selon l’une quelconque des revendications 3 à 7 dans lequel la couche d’absorption (15) est en CsPbBr 3 et la couche d’interface (17, 18) est en CsPb 2 Br 5 . Cellule photovoltaïque (D2) comprenant la structure photo-détectrice (PV) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2. Cellule photovoltaïque (D2) selon la revendication 9 dans laquelle la couche d’absorption (15) présente une épaisseur comprise entre 0.1µm et 1µm. Cellule photovoltaïque (D2) selon l’une quelconque des revendications 9 ou 10 dans laquelle la couche d’interface (17) présente une épaisseur comprise entre 5nm et 0.1µm. Cellule photovoltaïque (D2) selon la revendication 9 dans laquelle la couche d’absorption (15) est en CsPb(I 1-x Br x ) 3 et la couche d’interface (17, 18) est en CsPb 2 (I 1-x Br x ) 5 ; avec x compris entre 0 et 0,5. Procédé de fabrication (P1) d’une structure photo-détectrice (Pxl, PV) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2 comprenant les étapes suivantes : ii) réaliser une structure planaire d’absorption (SPA) par la technique de sublimation dans l’espace rapproché (CSS) à partir d’une source (S1) du premier matériau composé ABX 3 sur la face supérieure d’un support (Sup); la source (S1) étant préchauffée à une première température (T1) comprise entre 350°C et 500°C ; le support (sup) étant préchauffé à une seconde température (T2) inférieure ou égale à la première température (T1) ; iii) déposer une électrode supérieure (16) sur la structure planaire d’absorption (SPA). Procédé de fabrication (P1) selon la revendication 13 dans lequel l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption (SPA) comprenant les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface (17) disposée en dessous de la couche d’absorption (15) : ii.a) monter le support (sup) en face de la source (S1) d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) ; ii.b) commander la seconde température (T2) à une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface (17) en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source (S1) pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min ; ii.c) déposer la couche d’absorption (17) constituée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source (S1) pendant un régime permanent correspondant à un équilibre thermodynamique. Procédé de fabrication (P1) selon la revendication 13 dans lequel l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption (SPA) comprend les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface (17) disposée en dessous de la couche d’absorption (15) : ii.a’) monter le support (sup) en face de la source (S1) d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) ; ii.b’) commander la seconde température (T2) à une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface (17) en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source (S1) pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min ; ii.c’) augmenter la seconde température (T2) pour obtenir une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) inférieure à 200°C de manière à déposer la couche d’absorption (17) composée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source (S1). Procédé de fabrication (P1) selon la revendication 13 dans lequel l’étape ii) de réalisation de la structure planaire d’absorption (SPA) comprend les sous-étapes suivantes pour réaliser une couche d’interface (18) disposée au dessus de la couche d’absorption (15) : ii.a’’) monter le support (sup) en face de la source (S1) d’un dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) ; ii.b’’) commander la seconde température (T2) à une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) inférieure à 200°C de manière à déposer la couche d’absorption (17) constituée du premier matériau composé ABX 3 à partir de la source (S1) ; ii.c’’) désactiver le dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) et démonter le support (sup) ; ii.d’’) suite au refroidissement de la source (S1), remonter le support (sup) en face de la source (S1) dudit dispositif de dépôt par sublimation dans l’espace rapproché (CSS) ; ii.e’’) commander la seconde température (T2) à une différence de température (ΔT) par rapport à la première température (T1) supérieure ou égale à 200°C pour déposer la couche d’interface (17) en un second matériau composé AB 2 X 5 à partir de la source (S1) pendant un régime transitoire correspondant à un non-équilibre thermodynamique ; la durée du régime transitoire étant comprise entre 1min et 10min.