FR 3144329 A1 20240628 FR 2214369 A 20221223 Selon un aspect, il est proposé un microcontrôleur comprenant un circuit générateur de tension de référence (BDGP) comportant : - un premier transistor (Q1) et un deuxième transistor (Q2) montés en diode, - une première résistance variable (R1), - un amplificateur opérationnel (AOP), - une deuxième résistance variable (R2), - un miroir de courant (CMR), - au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) raccordée au deuxième transistor (Q2) par l’intermédiaire d’au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3), - unité de contrôle (UC) configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) et pour adapter la valeur résistive de la première résistance (R1) et de la deuxième résistance (R2) de manière à maintenir la tension de référence (VREF) indépendante de la température. Figure pour l’abrégé : Figure 2 MICROCONTRÔLEUR COMPRENANT UN CIRCUIT GÉNÉRATEUR DE TENSION DE RÉFÉRENCE Des modes de réalisation concernent les microcontrôleurs et plus particulièrement ceux comprenant un circuit générateur de tension de référence indépendante de la température. Un microcontrôleur est généralement configuré pour répondre à une application dédiée. Le microcontrôleur comprend plusieurs modules électroniques configurés pour mettre en œuvre des fonctionnalités dans le cadre de l’application auquel répond ce microcontrôleur. Un microcontrôleur peut comprendre un circuit générateur de tension de référence. Ce circuit est généralement désigné par l’expression anglosaxonne « bandgap voltage reference ». Un tel circuit est configuré pour générer une tension de référence indépendante de la température absolue. Cette tension de référence peut être par la suite utilisée par différents modules électroniques du microcontrôleur. Par ailleurs, ce circuit peut également générer des courants de polarisation, des courants dépendants de la température absolue et des courants de référence. Le microcontrôleur peut présenter plusieurs modes de fonctionnement afin d’adapter sa consommation électrique selon ses besoins. Le microcontrôleur comprend par exemple un mode de fonctionnement, dit de fonctionnement normal, et un autre mode de fonctionnement dit de basse consommation. Le mode de fonctionnement normal correspond à un mode dans lequel les modules du microcontrôleur sont alimentés électriquement de manière à mettre en œuvre leurs fonctionnalités pour répondre à l’application pour laquelle le microcontrôleur est dédié. Par exemple, dans le mode de fonctionnement normal, les modules électroniques alimentés peuvent être des modules de traitement numérique, une mémoire flash, ou encore des modules périphériques analogiques tels qu’un convertisseur analogique-numérique, un convertisseur numérique-analogique et une unité de gestion d’alimentation (en anglais « power management unit »). Le mode de basse consommation correspond à un mode dans lequel la plupart des modules du microcontrôleur ne sont pas alimentés électriquement. Ce mode de basse consommation est utilisé lorsque l’application pour laquelle le microcontrôleur est dédié ne requiert pas la mise en œuvre des fonctionnalités des modules du microcontrôleur pendant un certain temps. Par exemple, dans le mode de basse consommation, seul le circuit générateur de tension de référence et un circuit de surveillance d’alimentation sont alimentés. Ce circuit de surveillance d’alimentation se sert alors de la tension de référence pour la comparer avec la tension d’alimentation. Le mode de basse consommation vise à minimiser la consommation électrique du microcontrôleur lorsque les fonctionnalités du microcontrôleur ne sont pas mises en œuvre. Dans le mode de fonctionnement normal, au moins certains des modules électroniques alimentés requièrent généralement de recevoir une tension de référence plus précise que celle requise par les quelques modules alimentés dans le mode de basse consommation. Le mode de basse consommation requiert généralement de minimiser la consommation électrique du circuit générateur de tension de référence. Les modes de fonctionnement du microcontrôleur peuvent donc avoir des besoins opposés en termes de précision de la tension de référence et de consommation électrique du circuit générateur de tension de référence. Afin de répondre à ces besoins opposés, le microcontrôleur peut comprendre deux circuits générateurs de tension de référence. Un premier circuit générateur de tension de référence peut alors être optimisé pour fournir une tension de référence précise pour le mode de fonctionnement normal, et un deuxième circuit générateur de tension de référence peut être optimisé pour consommer relativement peu d’électricité pour le mode de basse consommation. Cette solution présente l’inconvénient d’utiliser deux circuits générateurs de tension de référence qui encombrent le microcontrôleur et qui sont coûteux à fabriquer. En variante, il est possible de prévoir un unique circuit générateur de tension de référence pouvant fonctionner par intermittence selon différents rapports cycliques selon le mode de fonctionnement du microcontrôleur. Un tel circuit générateur de tension de référence présente l’inconvénient d’avoir une structure complexe et d’utiliser de nombreux composants électroniques pour adapter son rapport cyclique de fonctionnement. Il existe donc un besoin de proposer un circuit générateur de tension de référence de structure simple et adaptée pour générer une tension de référence précise lorsque le microcontrôleur est dans son mode de fonctionnement normal et pour réduire sa consommation électrique lorsque le microcontrôleur est dans son mode de basse consommation. Selon un aspect, il est proposé un microcontrôleur comprenant un circuit générateur de tension de référence comportant : - un premier transistor et un deuxième transistor montés en diode, - une première résistance variable, le premier transistor et le deuxième transistor étant configurés pour générer un courant proportionnel à la température absolue dans cette première résistance, - un amplificateur opérationnel présentant une première entrée connectée au premier transistor par l’intermédiaire de la première résistance variable, et une deuxième entrée connectée au deuxième transistor, - une deuxième résistance variable présentant une première borne connectée au deuxième transistor et à la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel et une deuxième borne configurée pour délivrer une tension de référence, - un miroir de courant commandé par une sortie de l’amplificateur opérationnel et configuré pour recopier le courant proportionnel à la température absolue dans la deuxième résistance, - au moins une branche additionnelle de recopie de courant raccordée au deuxième transistor par l’intermédiaire d’au moins un commutateur, ladite au moins une branche additionnelle étant configurée pour recopier le courant proportionnelle à la température absolue et l’injecter au travers du deuxième transistor, - une unité de contrôle configurée pour commander ledit au moins un commutateur de ladite au moins une branche additionnelle et pour adapter la valeur résistive de la première résistance et de la deuxième résistance de manière à maintenir la tension de référence indépendante de la température. L’unité de contrôle permet alors d’injecter plus ou moins de courant au travers du deuxième transistor. L’injection d’une plus grande quantité de courant au travers du deuxième transistor permet d’avoir un courant plus précis et permet de réduire un impact d’une tension de décalage (« tension d’offset ») de l’amplificateur opérationnel sur la tension de référence générée par le circuit générateur de tension de référence. L’injection d’une plus faible quantité de courant au travers du deuxième transistor permet de réduire la consommation électrique du circuit générateur de tension de référence. Un tel circuit générateur de tension de référence est configuré pour réduire l’impact de la tension de décalage de l’amplificateur opérationnel pour améliorer la précision de la tension de référence, ou pour réduire sa consommation électrique selon les besoins du microcontrôleur. Un tel circuit générateur de tension de référence présente une structure simple et est peu coûteux à fabriquer. En outre, du fait que l’impact de la tension de décalage peut être limité, il est possible d’utiliser un amplificateur opérationnel de taille réduite et présentant une plus grande tension de décalage. De la sorte, il est possible de réduire la taille du circuit générateur de tension de référence. Un tel circuit générateur de tension de référence occupe alors moins d’espace dans le microcontrôleur. Dans un mode de réalisation avantageux, le microcontrôleur comprend en outre plusieurs modules électroniques, le microcontrôleur présentant plusieurs modes de fonctionnement permettant d’alimenter sélectivement lesdits modules électroniques, l’unité de contrôle étant configurée pour commander ledit au moins un commutateur de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant selon le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur de manière à injecter plus ou moins de courant au travers dudit deuxième transistor en fonction de ce mode de fonctionnement. Un tel circuit générateur de tension est donc configuré pour adapter son fonctionnement en fonction du mode de fonctionnement du microcontrôleur. Un tel microcontrôleur présente donc l’avantage d’utiliser un même circuit de génération de tension de référence pour générer une tension de référence pour différents modes de fonctionnement du microcontrôleur. De préférence, l’unité de contrôle est configurée pour commander ledit au moins un commutateur de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant de manière à augmenter le courant injecté au travers dudit deuxième transistor lorsque le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur requiert d’augmenter une précision de ladite tension de référence. Ce mode de fonctionnement actif du microcontrôleur peut être un mode de fonctionnement normal. Avantageusement, l’unité de contrôle est configurée pour commander ledit au moins un commutateur de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant de manière à réduire le courant injecté au travers dudit deuxième transistor lorsque le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur requiert de réduire une consommation électrique du microcontrôleur. Ce mode de fonctionnement actif du microcontrôleur peut être un mode de basse consommation. Dans un mode de réalisation avantageux, l’unité de contrôle est configurée pour commander ledit au moins un commutateur et pour adapter la valeur résistive de la première résistance et de la deuxième résistance selon le mode de fonctionnement du microcontrôleur à partir d’une table de correspondance associant les différents modes de fonctionnement du microcontrôleur à une commande dudit au moins un commutateur et à des valeurs résistives de la première résistance et de la deuxième résistance. De préférence, le premier transistor est un transistor bipolaire présentant un émetteur connecté à la première résistance, une base et un collecteur connectés à un point froid. En outre, le deuxième transistor est un transistor bipolaire présentant un émetteur connecté à la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel et la première borne de la deuxième résistance, une base et un collecteur connectés à un point froid, le premier transistor et le deuxième transistor présentant des tailles différentes. Avantageusement, la taille du premier transistor est N fois plus grande que la taille du deuxième transistor, N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2, par exemple égal à 8. Dans un mode de réalisation avantageux, le miroir de courant comprend un premier transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P et un deuxième transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P, ce premier transistor comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension d’alimentation et un drain connecté à la première entrée de l’amplificateur opérationnel et à la première résistance, ce deuxième transistor comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension et un drain connecté à la deuxième résistance, ce premier transistor et ce deuxième transistor étant identiques. De préférence, ladite au moins une branche de recopie de courant comprend un transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension et un drain connecté à la première borne de la deuxième résistance par l’intermédiaire dudit au moins un commutateur, ce transistor étant identique au premier transistor et au deuxième transistor du miroir de courant. Avantageusement, la première entrée de l’amplificateur opérationnel est une entrée inverseuse et la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel est une entrée non inverseuse. Dans un mode de réalisation avantageux, le microcontrôleur comprend en outre un élément capacitif présentant une première borne connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel et une deuxième borne configurée pour recevoir une tension d’alimentation. Avantageusement, le microcontrôleur comprend en outre un capteur de température comportant : - un transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension d’alimentation, et un drain, et - une résistance présentant une première borne connectée au drain de ce transistor et une deuxième borne connectée à un point froid. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : illustrent des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention. La illustre un microcontrôleur MCU comprenant différents modules électroniques MD1, MD2, MD3 et un circuit générateur de tension de référence BDGP. Ici, seulement trois modules électroniques MD1, MD2, MD3 sont représentés. Néanmoins, il est possible de prévoir plus de modules électroniques. Par exemple, les modules électroniques MD1, MD2, MD3 peuvent comprendre des modules électroniques tels qu’un convertisseur analogique-numérique, une unité de gestion d’alimentation, un régulateur de tension, et un circuit de réinitialisation. Le circuit générateur de tension de référence BDGP est configuré pour générer une tension de référence VREF indépendante de la température (le circuit générateur de tension de référence est désigné en anglais par l’expression « bandgap voltage reference »). Cette tension de référence peut ensuite être utilisée par certains modules électroniques MD2, MD3 du microcontrôleur MCU. La tension de référence est notamment indépendante de la température sur une plage de température pouvant être comprise entre -40°C à 140°C. La tension de référence peut être de 1,2 Volts. Par ailleurs, le microcontrôleur MCU présente plusieurs modes de fonctionnement permettant d’alimenter électriquement lesdits modules électroniques MD1, MD2, MD3 de manière sélective. Le microcontrôleur MCU comprend par exemple un mode de fonctionnement, dit de fonctionnement normal, et un autre mode de fonctionnement, dit de basse consommation. Le mode de fonctionnement normal correspond à un mode dans lequel au moins la plupart des modules électroniques MD1, MD2, MD3 du microcontrôleur MCU sont alimentés électriquement. Le mode de basse consommation correspond à un mode dans lequel la plupart des modules électroniques MD1, MD2, MD3 du microcontrôleur MCU ne sont pas alimentés électriquement. En particulier, le mode de fonctionnement normal correspond à un mode dans lequel les modules électroniques du microcontrôleur MCU sont alimentés électriquement de manière à mettre en œuvre leurs fonctionnalités pour répondre à une application pour laquelle le microcontrôleur MCU est dédié. Par exemple, dans le mode de fonctionnement normal, les modules électroniques alimentés peuvent être des modules de traitement numérique, une mémoire flash, ou encore des modules périphériques analogiques tels qu’un convertisseur analogique-numérique, un convertisseur numérique-analogique et une unité de gestion d’alimentation (en anglais « power management unit »). Le mode de basse consommation correspond à un mode dans lequel la plupart des modules électroniques du microcontrôleur MCU ne sont pas alimentés électriquement. Ce mode de basse consommation est utilisé lorsque l’application pour laquelle le microcontrôleur MCU est dédié ne requiert pas la mise en œuvre des fonctionnalités des modules du microcontrôleur MCU pendant un certain temps. Par exemple, dans le mode de basse consommation, seul le circuit générateur de tension de référence et un circuit de surveillance d’alimentation sont alimentés. Ce circuit de surveillance d’alimentation se sert alors de la tension de référence pour la comparer avec la tension d’alimentation. Le mode de basse consommation vise à minimiser la consommation électrique du microcontrôleur MCU lorsque les fonctionnalités du microcontrôleur MCU ne sont pas mises en œuvre. Dans le mode de fonctionnement normal, au moins certains des modules électroniques alimentés requièrent généralement de recevoir une tension de référence plus précise que celle requise par les quelques modules alimentés dans le mode de basse consommation. Le mode de basse consommation requiert généralement de minimiser la consommation électrique du circuit générateur de tension de référence. Le circuit générateur de tension de référence est configuré pour adapter son fonctionnement au mode de fonctionnement actif du microcontrôleur de façon à améliorer la précision de la tension de référence lorsque le microcontrôleur est dans son mode de fonctionnement normal et de façon à réduire sa consommation électrique lorsque le microcontrôleur est dans son mode de basse consommation. La illustre un mode de réalisation du circuit générateur de tension de référence BDGP. Le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend un amplificateur opérationnel AOP, deux transistors bipolaires Q1, Q2 et un miroir de courant CMR comportant deux transistors M1 et M2 de type PMOS (c’est-à-dire des transistors à effet de champ à grille métal-oxyde (« MOSFET ») à canal de type P). Le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend également deux résistances variables R1, R2. Le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend également une unité de contrôle UC configurée pour contrôler la valeur résistive de chaque résistance variable R1, R2 via une commande RV, comme cela est décrit dans la suite. Ici, le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend l’unité de contrôle, néanmoins, en variante il est possible de prévoir une unité de contrôle située en dehors de ce circuit générateur de tension de référence BDGP. Les transistors Q1, Q2 présentent chacun une base, un émetteur et un collecteur. Chaque transistor Q1, Q2 est monté en diode. En particulier, la base de chaque transistor Q1, Q2 est connectée à son collecteur et à un point froid, notamment à une masse GND. Les transistors Q1 et Q2 peuvent présenter des tailles différentes. La taille d’un transistor bipolaire Q1, Q2 correspond à la surface de l'émetteur de ce transistor bipolaire. Le rapport de tailles entre les transistors Q1 et Q2 est notamment égal à N. Le transistor Q1 présente alors une taille N fois plus grande que celle du transistor Q2. Par exemple N peut être supérieur ou égal à 2, par exemple égal à 8. L’amplificateur opérationnel AOP présente une entrée inverseuse connectée à l’émetteur du transistor Q1 par l’intermédiaire de la résistance variable R1. L’amplificateur opérationnel AOP présente également une entrée non inverseur connectée à l’émetteur du transistor Q2. Le transistor M1 présente une grille connectée à une sortie de l’amplificateur opérationnel AOP de manière à recevoir le signal Pg généré par l’amplificateur opérationnel AOP, une source configurée pour recevoir une tension VDD et un drain connecté à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel AOP et à la résistance variable R1. Le transistor M2 présente une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel AOP de manière à recevoir le signal Pg généré par l’amplificateur opérationnel AOP, une source configurée pour recevoir une tension VDD et un drain connecté à l’entrée non inverseuse de l’amplificateur opérationnel AOP et à l’émetteur du deuxième transistor bipolaire Q2 par l’intermédiaire de la résistance variable R2. Chaque résistance variable R1, R2 comporte plusieurs éléments résistifs pouvant être activés ou désactivés de manière à ajuster la valeur résistive de cette résistance variable R1, R2. En particulier, chaque résistance variable R1, R2 peut être commandée numériquement par l’unité de contrôle UC. Chaque résistance variable R1, R2 peut notamment comprendre des transistors de type MOSFET contrôlés par l’unité de contrôle UC de manière à activer ou désactiver individuellement les éléments résistifs de cette résistance variable R1, R2. Le circuit générateur de tension de référence BDGP présente une sortie connectée à un nœud entre le drain du transistor M2 et la résistance variable R2. Cette sortie permet de générer une tension VREF indépendante de la température. L’amplificateur opérationnel AOP présente une tension continue de décalage Vos (en anglais « offset »). Cette tension de décalage Vos impacte la tension de référence VREF générée en sortie du circuit générateur de tension de référence BDGP. Le circuit générateur de tension de référence BDGP est configuré pour ajuster le courant injecté dans le transistor bipolaire Q2 pour limiter l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel AOP sur la tension de référence VREF. En particulier, le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend plusieurs branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3. Ces branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 sont parallèles les unes par rapport aux autres entre l’alimentation et l’émetteur du transistor bipolaire Q2. Par exemple, dans le mode de réalisation illustré à la , le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend trois branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3. Néanmoins, il est possible de prévoir un circuit générateur de tension de référence comprenant plus ou moins de branches de recopie de courant. Le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend notamment un nombre de branches de recopie de courant correspondant au nombre de modes de fonctionnement du microcontrôleur MCU. Chaque branche de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 comprend un transistor M3, M4, M5 de type PMOS. Ainsi, une première branche de recopie de courant BRCH1 comprend un transistor M3 de type PMOS, la deuxième branche de recopie de courant BRCH2 comprend un transistor M4 de type PMOS et la troisième branche de recopie de courant BRCH3 comprend un transistor M5 de type PMOS. Les transistors M3, M4, M5 présentent chacun une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel AOP de manière à recevoir le signal Pg généré par l’amplificateur opérationnel AOP, une source configurée pour recevoir une tension VDD et un drain connecté à l’entrée non inverseuse de l’amplificateur opérationnel AOP et à l’émetteur du deuxième transistor bipolaire Q2. De préférence, les transistors M1, M2, M3, M4 et M5 sont identiques. Le circuit générateur de tension de référence BDGP comprend également un élément capacitif CC entre l’alimentation et les grille des transistors M3, M4 et M5. L’élément capacitif CC permet d’assurer une stabilité du circuit générateur de tension de référence BDGP. En outre, les branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 sont connectées à l’émetteur du transistor Q2 par l’intermédiaire de commutateurs INT1, INT2, INT3. Ces commutateurs sont commandés par l’unité de contrôle UC. Les commutateurs INT1, INT2, INT3 sont commandés par l’unité de contrôle UC de manière à ajuster la quantité de courant injecté au travers du transistor bipolaire Q2. En particulier, le courant injecté au travers du transistor bipolaire Q2 s’exprime selon la formule suivante : , où est la différence de tensions entre la tension au travers du transistor Q1 et la tension au travers du transistor Q2, Vos est la tension de décalage de l’amplificateur opérationnel AOP, R1 est la valeur résistive de la résistance R1, k B est une constante est la constante de Boltzmann, q est la charge d’un électron, T est la température, N correspond au rapport entre la taille des transistors bipolaires Q1 et Q2, et M est le nombre de branches de recopie de courant parallèles utilisées pour injecter du courant au travers du transistor bipolaire Q2 (en fonction des commutateurs INT1, INT2, INT3 fermés). Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 1, M est compris entre 0 et 3. La tension de référence VREF générée par le circuit générateur de tension de référence BDGP s’exprime alors par l’expression : , où Vd est la tension de diode du transistor bipolaire Q2, R2 est la valeur résistive de la résistance R2. L’augmentation du nombre M de branches de recopie de courant connectées au transistor Q2 permet d’injecter plus de courant au travers du transistor bipolaire Q2 de façon à augmenter la différence de tensions ΔVbe pour réduire l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel AOP. La différence de tensions est proportionnelle à la température absolue (désignée par l’acronyme « PTAT » de l’anglais « proportional to absolute temperature ») et la tension de diode est complémentaire à la température absolue (désignée par l’acronyme « CTAT » de l’anglais « complementary to absolute temperature ») Afin de maintenir la tension de référence indépendante de la température absolue lorsque le nombre M de branches de recopie de courant utilisées pour injecter du courant au travers du transistor bipolaire Q2 varie, l’unité de contrôle est configurée pour adapter la valeur du rapport en fonction du nombre M de branches de recopie de courant en adaptant la valeur résistive des résistances R1 et R2. En particulier, les commutateurs INT1, INT2, INT3 permettent de définir différentes configurations en faisant varier le nombre M de branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 utilisées pour injecter du courant au travers du transistor bipolaire Q2. Chacune de ces configurations est associée à un couple de valeurs résistives des résistances R1 et R2 permettant de maintenir la tension de référence indépendante de la température absolue. L’unité de contrôle UC est configurée pour adapter les valeurs résistives RV des résistances en fonction de la configuration choisie à l’aide des commutateurs INT1, INT2, INT3. La configuration définie à l’aide des commutateurs INT1, INT2, INT3 est choisie en fonction du mode de fonctionnement actif du microcontrôleur MCU. En particulier, l’unité de contrôle UC est configurée pour recevoir le mode de fonctionnement actif OPM du microcontrôleur MCU et pour générer une première commande CMD pour commander les commutateurs INT1, INT2, INT3 et une deuxième commande RV pour adapter la valeur résistive des résistances R1 et R2. En particulier, un processeur du microcontrôleur peut être configuré pour générer un signal indiquant le mode de fonctionnement actif OPM sur demande de l’utilisateur du microcontrôleur et pour transmettre ce signal à l’unité de contrôle UC. Afin d’améliorer cette précision dans le mode de fonctionnement normal, l’unité de contrôle UC est configurée pour commander les commutateurs INT1, INT2, INT3 de façon à augmenter le nombre M de branches de recopie de courant connectées au transistor Q2 pour injecter plus de courant au travers du transistor Q2 pour réduire l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel AOP sur la tension de référence VREF. Par exemple, l’unité de contrôle UC peut être configurée pour fermer les commutateurs INT1, INT2 et INT3 afin d’utiliser l’ensemble des branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 pour injecter du courant au travers du transistor Q2. L’unité de contrôle UC adapte alors la valeur résistive des résistances R1 et R2 en fonction du nombre M de branches de recopie de courant utilisées pour injecter plus de courant au travers du transistor Q2 de façon à maintenir la tension de référence VREF indépendante de la température. Afin de réduire la consommation du circuit générateur de tension de référence dans le mode de basse consommation, l’unité de contrôle UC est configurée pour commander les commutateurs INT1, INT2, INT3 pour réduire le courant injecté au travers du transistor Q2 en déconnectant au moins une partie des branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3. Par exemple, l’unité de contrôle UC peut être configurée pour ouvrir l’ensemble des commutateurs INT1, INT2 et INT3 afin de déconnecter l’ensemble des branches de recopie de courant BRCH1, BRCH2, BRCH3 pour réduire le courant injecté au travers du transistor bipolaire Q2. L’unité de contrôle UC adapte alors la valeur résistive RV des résistances R1 et R2 pour maintenir la tension de référence VREF indépendante de la température. Les valeurs résistives des résistances R1 et R2 adaptées pour les différentes configurations pouvant être définies à l’aide des commutateurs INT1, INT2 et INT3 sont déterminées par simulation par exemple. En particulier, plus le nombre M de branches de recopie de courant utilisées pour injecter du courant dans le transistor bipolaire Q2 est grand, plus il convient de réduire la valeur du rapport . Le circuit générateur de tension de référence BDGP est donc configuré pour réduire l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel AOP pour améliorer la précision de la tension de référence. Il est donc possible d’utiliser un amplificateur opérationnel AOP de taille réduite et présentant une plus grande tension de décalage Vos. De la sorte, il est possible de réduire la taille du circuit générateur de tension de référence. Un tel circuit générateur de tension de référence occupe alors moins d’espace dans le microcontrôleur. Un tel circuit générateur de tension de référence BDGP permet également d’adapter sa consommation électrique en fonction du mode de fonctionnement du microcontrôleur. En outre, un tel circuit générateur de tension de référence BDGP présente l’avantage de présenter une structure simple. Le microcontrôleur MCU peut également comprendre un capteur de température TEMPS tel qu’illustré à la . Le capteur de température comprend un transistor M6 à effet de champ à grille isolée à canal de type P comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel AOP du circuit générateur de tension de référence BDGP de manière à recevoir le signal Pg généré par l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension VDD et un drain. Le capteur de température comprend également une résistance Rs présentant une première borne connectée au drain de ce transistor M6 et une deuxième borne connectée à la masse GND. La résistance Rs est alors traversée par un courant proportionnel à la température absolue (PTAT) ou bien indépendant de la température absolue (ZTAT). La tension V_TEMPS au travers de la résistance Rs est ainsi également proportionnelle à la température absolue. Il est ainsi possible de mesurer cette température à partir de la tension V_TEMPS. Un tel capteur de température est plus précis du fait que l’impact de la tension de décalage Vos de l’amplificateur opérationnel sur le courant traversant la résistance Rs est limité grâce au circuit générateur de tension de référence BDGP décrit précédemment. Microcontrôleur comprenant un circuit générateur de tension de référence (BDGP) comportant : - un premier transistor (Q1) et un deuxième transistor (Q2) montés en diode, - une première résistance variable (R1), le premier transistor (Q1) et le deuxième transistor (Q2) étant configurés pour générer un courant proportionnel à la température absolue dans cette première résistance (R1), - un amplificateur opérationnel (AOP) présentant une première entrée connectée au premier transistor par l’intermédiaire de la première résistance variable, et une deuxième entrée connectée au deuxième transistor, - une deuxième résistance variable (R2) présentant une première borne connectée au deuxième transistor (Q2) et à la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel et une deuxième borne configurée pour délivrer une tension de référence (VREF), - un miroir de courant (CMR) commandé par une sortie de l’amplificateur opérationnel et configuré pour recopier le courant proportionnel à la température absolue dans la deuxième résistance (R2), - au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) raccordée au deuxième transistor (Q2) par l’intermédiaire d’au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3), ladite au moins une branche additionnelle (BRCH1, BRCH2, BRCH3) étant configurée pour recopier le courant proportionnelle à la température absolue et l’injecter au travers du deuxième transistor (Q2), - une unité de contrôle (UC) configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) de ladite au moins une branche additionnelle (BRCH1, BRCH2, BRCH3) et pour adapter la valeur résistive de la première résistance (R1) et de la deuxième résistance (R2) de manière à maintenir la tension de référence (VREF) indépendante de la température. Microcontrôleur selon la revendication 1, comprenant en outre plusieurs modules électroniques (MD1, MD2, MD3), le microcontrôleur (MCU) présentant plusieurs modes de fonctionnement permettant d’alimenter sélectivement lesdits modules électroniques (MD1, MD2, MD3), l’unité de contrôle (UC) étant configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) selon le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur (MCU) de manière à injecter plus ou moins de courant au travers dudit deuxième transistor (Q2) en fonction de ce mode de fonctionnement. Microcontrôleur selon la revendication 2, dans lequel l’unité de contrôle (UC) est configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) de manière à augmenter le courant injecté au travers dudit deuxième transistor (Q2) lorsque le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur (MCU) requiert d’augmenter une précision de ladite tension de référence. Microcontrôleur selon l’une quelconque des revendications 2 ou 3, dans lequel l’unité de contrôle (UC) est configurée pour commander ledit au moins un commutateur de ladite au moins une branche additionnelle de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) de manière à réduire le courant injecté au travers dudit deuxième transistor (Q2) lorsque le mode de fonctionnement actif du microcontrôleur (MCU) requiert de réduire une consommation électrique du microcontrôleur (MCU). Microcontrôleur selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel l’unité de contrôle est configurée pour commander ledit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) et pour adapter la valeur résistive de la première résistance (R1) et de la deuxième résistance (R2) selon le mode de fonctionnement du microcontrôleur (MCU) à partir d’une table de correspondance associant les différents modes de fonctionnement (OPM) du microcontrôleur à une commande dudit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3) et à des valeurs résistives de la première résistance (R1) et de la deuxième résistance (R2). Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le premier transistor (Q1) est un transistor bipolaire présentant un émetteur connecté à la première résistance (R1), une base et un collecteur connectés à un point froid (GND), et dans lequel le deuxième transistor (Q2) est un transistor bipolaire présentant un émetteur connecté à la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel et la première borne de la deuxième résistance (R2), une base et un collecteur connectés à un point froid (GND), le premier transistor (Q1) et le deuxième transistor (Q2) présentant des tailles différentes. Microcontrôleur selon la revendication 6, dans lequel la taille du premier transistor (Q1) est N fois plus grande que la taille du deuxième transistor (Q2), N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2. Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 7, dans lequel le miroir de courant (CMR) comprend un premier transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P (M1) et un deuxième transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P (M2), ce premier transistor (M1) comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension d’alimentation (VDD) et un drain connecté à la première entrée de l’amplificateur opérationnel (AOP) et à la première résistance (R1), ce deuxième transistor (M2) comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension (VDD) et un drain connecté à la deuxième résistance (R2), ce premier transistor (M1) et ce deuxième transistor (M2) étant identiques. Microcontrôleur selon la revendication 8, dans lequel ladite au moins une branche de recopie de courant (BRCH1, BRCH2, BRCH3) comprend un transistor à effet de champ à grille isolée à canal de type P (M3, M4, M5) comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension (VDD) et un drain connecté à la première borne de la deuxième résistance (R2) par l’intermédiaire dudit au moins un commutateur (INT1, INT2, INT3), ce transistor étant identique au premier transistor (M1) et au deuxième transistor (M2) du miroir de courant (CMR). Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel la première entrée de l’amplificateur opérationnel (AOP) est une entrée inverseuse et la deuxième entrée de l’amplificateur opérationnel (AOP) est une entrée non inverseuse. Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant en outre un élément capacitif (CC) présentant une première borne connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel (AOP) et une deuxième borne configurée pour recevoir une tension d’alimentation (VDD). Microcontrôleur selon l’une des revendications 1 à 11, comprenant en outre un capteur de température comportant : - un transistor (Ms) à effet de champ à grille isolée à canal de type P comprenant une grille connectée à la sortie de l’amplificateur opérationnel, une source configurée pour recevoir une tension d’alimentation (VDD), et un drain, et - une résistance (Rs) présentant une première borne connectée au drain de ce transistor et une deuxième borne connectée à un point froid (GND).