FR 3143456 A1 20240621 FR 2213673 A 20221216 L’invention concerne un dispositif (1 p , 1 s ) de transfert d’énergie sans contact, caractérisé en ce que le noyau (4 p , 4 s ) de matériau magnétique possède un profil radial (e p , e s ) d’épaisseur autour de l’axe (20 p , 20 s ) sur la surface plane (40 p , 40 s ), le profil (e p , e s ) d’épaisseur étant supérieur ou égal à une valeur d’épaisseur (e 1p , e 1s ) sur une première plage (R 1p -R 2p , R 1s -R 2s ) de distance radiale contenant un rayon médian (R mp , R ms ) du bobinage (2 p , 2 s ), le profil (e p , e s ) étant décroissant sous la valeur (e 1p , e 1s ), avec une plus grande section axiale (S intp , S ints ) de la première distance intérieure (R 3p , R 3s ) au rayon médian (R mp , R ms ) que du rayon médian (R mp , R ms ) à la deuxième distance extérieure (R 4p , R 4s ). Figure pour l’abrégé : Figure. 4 Dispositif de transfert d’énergie sans contact et coupleur comportant celui-ci L'invention concerne un dispositif de transfert d’énergie sans contact, ainsi qu’un coupleur comportant celui-ci. Le domaine de l’invention concerne notamment les dispositifs de charge sans contact de véhicules automobiles électriques. De tels dispositifs utilisent d’une part sur le réseau et d’autre part sur le véhicule un dispositif de transfert d’énergie sans contact comportant un bobinage et un noyau de matériau magnétique. Pour envoyer de l’énergie au véhicule, le dispositif de transfert d’énergie relié au véhicule est amené à proximité du dispositif de transfert d’énergie relié au réseau électrique. Un premier problème est la grande quantité de matériau magnétique du noyau, que l’on cherche à diminuer, pour des raisons de coût de matière. Toutefois, la diminution de la quantité de matériau magnétique du noyau a pour effet d’augmenter l’induction magnétique dans celui-ci. Or, un deuxième problème est que l’on cherche à diminuer l’induction magnétique dans le matériau magnétique, afin de réduire les pertes dans celui-ci et d’augmenter le rendement énergétique du transfert d’énergie. Un objectif de l’invention est d’obtenir un dispositif de transfert d’énergie sans contact inductif comportant un coupleur, dont le noyau de matériau magnétique est optimisé afin d’obtenir un compromis entre la résolution du premier problème mentionné ci-dessus et la résolution du deuxième problème mentionné ci-dessus. A cet effet, un premier objet de l’invention est un dispositif de transfert d’énergie sans contact, comportant un noyau de matériau magnétique, ayant une surface plane, au moins un bobinage annulaire circulaire, conducteur de l’électricité, ayant une première face annulaire circulaire, qui est située en face d’un côté de couplage d’énergie avec l’extérieur, et une deuxième face annulaire circulaire, qui est éloignée du premier côté de couplage d’énergie, le bobinage annulaire circulaire s’étendant autour d’un axe de révolution entre un rayon intérieur et un rayon extérieur, la deuxième face annulaire circulaire étant en face de la surface plane du noyau de matériau magnétique, une distance constante, non nulle, étant présente entre la surface plane et la deuxième face annulaire circulaire et ce au moins du rayon intérieur au rayon extérieur, caractérisé en ce que le noyau de matériau magnétique possède un profil radial d’épaisseur autour de l’axe de révolution sur la surface plane, le profil radial d’épaisseur étant supérieur ou égal à une première valeur d’épaisseur sur une première plage de distance radiale par rapport à l’axe de révolution, la première plage de distance radiale contenant un rayon médian du bobinage annulaire circulaire, égal à la demi-somme du rayon intérieur et du rayon extérieur, le profil radial d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur depuis la première plage de distance radiale sur une deuxième plage de distance radiale se terminant à une première distance intérieure, non nulle, inférieure au rayon intérieur par rapport à l’axe de révolution, le profil radial d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur depuis la première plage de distance radiale sur une troisième plage de distance radiale se terminant à une deuxième distance extérieure supérieure au rayon extérieur par rapport à l’axe de révolution, avec une plus grande section axiale couverte par le matériau magnétique de la première distance intérieure au rayon médian que du rayon médian à la deuxième distance extérieure. Grâce à l'invention, l’induction magnétique est homogénéisée et abaissée dans le noyau de matériau magnétique, tout en diminuant la quantité de matériau magnétique. Les inventeurs se sont aperçus que le volume de matériau magnétique du noyau pouvait être diminué, tout en diminuant l’induction magnétique dans ce noyau et en augmentant le rendement, par le fait que l’épaisseur de matériau magnétique est plus importante à proximité du rayon médian du bobinage et est diminuée ailleurs, avec un décalage de la section axiale du matériau magnétique vers la première distance intérieure. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le noyau de matériau magnétique possède une plus grande section axiale couverte par le matériau magnétique du rayon intérieur au rayon médian que du rayon médian au rayon extérieur. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le noyau de matériau magnétique est constitué d’éléments discrets parallélépipédiques de matériau magnétique, le profil radial d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur en un premier coin descendant depuis la première plage de distance radiale sur une deuxième plage de distance radiale se terminant à une première distance intérieure, non nulle, inférieure au rayon intérieur par rapport à l’axe de révolution, le profil radial d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur en un deuxième coin descendant depuis la première plage de distance radiale sur une troisième plage de distance radiale se terminant à une deuxième distance extérieure supérieure au rayon extérieur par rapport à l’axe de révolution, avec une plus grande section axiale couverte par les éléments discrets parallélépipédiques de la première distance intérieure au rayon médian que du rayon médian à la deuxième distance extérieure. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le noyau de matériau magnétique est constitué d’éléments discrets parallélépipédiques de matériau magnétique, le profil radial d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur en un premier coin descendant depuis la première plage de distance radiale sur une deuxième plage de distance radiale se terminant à une première distance intérieure, non nulle, inférieure au rayon intérieur par rapport à l’axe de révolution, le profil radial d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur en un deuxième coin descendant depuis la première plage de distance radiale sur une troisième plage de distance radiale se terminant à une deuxième distance extérieure supérieure au rayon extérieur par rapport à l’axe de révolution, avec une plus grande section axiale couverte par les éléments discrets parallélépipédiques du rayon intérieur au rayon médian que du rayon médian au rayon extérieur. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le profil radial d’épaisseur est formé par une partie intérieure tronconique de la première distance intérieure au rayon médian et par une partie extérieure tronconique du rayon médian à la deuxième distance extérieure. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le profil radial d’épaisseur est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1p et f 2p , où où , où R mp est le rayon médian, α p est une première constante prescrite, positive et non nulle, β p est une deuxième constante prescrite, positive et non nulle, R’ 3p est une première valeur de distance prescrite, inférieure ou égale à la première distance intérieure, R est une variable de distance par rapport à l’axe de révolution, R’ 4p est une deuxième valeur de distance prescrite, supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure R 4p , avec R mp - R’ 3p > R’ 4p - R mp > 0. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le profil radial d’épaisseur est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1p et f 2p , où où , où R mp est le rayon médian, R’ 3p est une première valeur de distance prescrite, inférieure ou égale à la première distance intérieure, R est une variable de distance par rapport à l’axe de révolution, R’ 4p est une deuxième valeur de distance prescrite, supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure, avec R mp - R’ 3p > R’ 4p - R mp > 0. Suivant un mode de réalisation de l’invention, et/ou et/ou . Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le premier coin descendant est situé à une troisième distance supérieure au rayon intérieur et inférieure au rayon médian par rapport à l’axe de révolution, le deuxième coin descendant est situé à une quatrième distance supérieure au rayon médian et inférieure au rayon extérieur par rapport à l’axe de révolution. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le profil radial d’épaisseur comporte dans la troisième plage de distance radiale au moins un troisième coin descendant, situé à une première distance déterminée de coin, inférieure au rayon extérieur par rapport à l’axe de révolution, le profil radial d’épaisseur comporte dans la deuxième plage de distance radiale au moins un quatrième coin descendant, situé à une deuxième distance déterminée de coin, inférieure au rayon intérieur par rapport à l’axe de révolution. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact et est destiné à être monté sur une embase au sol. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le profil radial d’épaisseur est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1s et f 2s , où où , où R ms est le rayon médian, α s est une première constante prescrite, positive et non nulle, β s est une deuxième constante prescrite, positive et non nulle, R’ 3s est une première valeur de distance prescrite, inférieure ou égale à la première distance intérieure, R est une variable de distance par rapport à l’axe de révolution, R’ 4s est une deuxième valeur de distance prescrite, supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure, avec R ms - R’ 3s > R’ 4s - R ms > 0. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le profil radial d’épaisseur est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1s et f 2s , où où , où R ms est le rayon médian, R’ 3s est une première valeur de distance prescrite, inférieure ou égale à la première distance intérieure, R est une variable de distance par rapport à l’axe de révolution, R’ 4s est une deuxième valeur de distance prescrite, supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure, avec R ms - R’ 3s > R’ 4s - R ms > 0. Suivant un mode de réalisation de l’invention, et/ou et/ou . Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le premier coin descendant est situé à une troisième distance inférieure au rayon intérieur, le deuxième coin descendant est situé à une quatrième distance supérieure au rayon médian et inférieure au rayon extérieur par rapport à l’axe de révolution. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le profil radial d’épaisseur comporte dans la troisième plage de distance radiale au moins un cinquième coin descendant, situé à une première distance déterminée de coin, supérieure au rayon extérieur par rapport à l’axe de révolution, le profil radial d’épaisseur comporte dans la deuxième plage de distance radiale au moins un sixième coin descendant, situé à une deuxième distance déterminée de coin, inférieure au rayon intérieur par rapport à l’axe de révolution. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact, le premier coin descendant est situé à une troisième distance supérieure au rayon intérieur et inférieure au rayon médian par rapport à l’axe de révolution, le deuxième coin descendant est situé à une quatrième distance supérieure au rayon médian et inférieure au rayon extérieur par rapport à l’axe de révolution. Suivant un mode de réalisation de l’invention, le dispositif de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert de transfert d’énergie sans contact et est destiné à être monté sur une embase d’un véhicule automobile. Un deuxième objet de l’invention est un coupleur de transfert d’énergie sans contact, comportant un premier dispositif de transfert d’énergie sans contact tel que décrit ci-dessus et un deuxième dispositif de transfert d’énergie sans contact tel que décrit ci-dessus, le premier dispositif de transfert d’énergie étant apte à envoyer de l’énergie électromagnétique au deuxième dispositif de transfert d’énergie, sans contact avec le deuxième dispositif de transfert d’énergie, au moins dans une position de couplage, dans laquelle le côté de couplage d’énergie du deuxième dispositif de transfert d’énergie est positionné en face et à distance du côté de couplage d’énergie du premier dispositif de transfert d’énergie, dans laquelle l’axe de révolution du deuxième dispositif de transfert d’énergie est coaxial avec l’axe de révolution du premier dispositif de transfert d’énergie et dans laquelle un courant est envoyé dans le bobinage du premier dispositif de transfert d’énergie. L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif en référence aux figures ci-dessous des dessins annexés. représente une vue schématique d’un véhicule automobile pouvant comporter le dispositif de transfert d’énergie sans contact suivant l’invention et d’une installation au sol pouvant comporter le dispositif de transfert d’énergie sans contact suivant l’invention. représente un circuit électrique d’un véhicule automobile pouvant comporter le dispositif de transfert d’énergie sans contact suivant l’invention et d’une installation au sol pouvant comporter le dispositif de transfert d’énergie sans contact suivant l’invention. représente une vue schématique d’un coupleur pouvant comporter dans son primaire et dans son secondaire le dispositif de transfert d’énergie sans contact suivant l’invention. représente une vue schématique en coupe axiale d’un dispositif de transfert d’énergie sans contact primaire et d’un dispositif de transfert d’énergie sans contact secondaire suivant un premier mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en coupe axiale d’un dispositif de transfert d’énergie sans contact primaire et d’un dispositif de transfert d’énergie sans contact secondaire suivant le premier mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en coupe axiale d’un dispositif de transfert d’énergie sans contact primaire et d’un dispositif de transfert d’énergie sans contact secondaire suivant un deuxième mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en coupe axiale d’un dispositif de transfert d’énergie sans contact primaire et d’un dispositif de transfert d’énergie sans contact secondaire suivant le deuxième mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en plan d’un support faisant partie du dispositif de transfert d’énergie sans contact primaire suivant le deuxième mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en plan d’un support et d’un noyau faisant partie du dispositif de transfert d’énergie sans contact primaire suivant le deuxième mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en plan d’un support et d’un noyau faisant partie du dispositif de transfert d’énergie sans contact primaire suivant le deuxième mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en plan d’un support faisant partie du dispositif de transfert d’énergie sans contact secondaire suivant le deuxième mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en plan d’un support et d’un noyau faisant partie du dispositif de transfert d’énergie sans contact secondaire suivant le deuxième mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en plan d’un support et d’un noyau faisant partie du dispositif de transfert d’énergie sans contact secondaire suivant le deuxième mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en coupe transversale d’un fil de bobinage faisant partie du dispositif de transfert d’énergie sans contact suivant un mode de réalisation de l’invention. représente une vue schématique en perspective d’un élément de matériau magnétique pouvant faire partie du dispositif de transfert d’énergie sans contact suivant un mode de réalisation de l’invention. On décrit ci-dessous plus en détail en référence aux figures 1 à 15 des modes de réalisation du dispositif 1, 1 p , 1 s de transfert d’énergie sans contact suivant l’invention. Le dispositif 1, 1 p , 1 s de transfert d’énergie sans contact peut faire partie d’un coupleur 100 de transfert d’énergie sans contact. Le dispositif 1, 1 p de transfert d’énergie sans contact (dans ce cas appelé premier dispositif 1 p de transfert d’énergie sans contact ou dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact) peut former le primaire du coupleur 100. Un autre dispositif 1, 1 s de transfert d’énergie sans contact (dans ce cas appelé deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie sans contact ou dispositif secondaire 1 s de transfert d’énergie sans contact) peut former le secondaire du coupleur 100. Le dispositif secondaire 1 s de transfert d’énergie sans contact est distinct et séparé du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact. Le dispositif secondaire 1 s de transfert d’énergie sans contact peut occuper par rapport au dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact une position de couplage (représentée à titre d’exemple aux figures 1, 2, 4, 5, 6 et 8), dans laquelle le côté 31 s de couplage d’énergie du deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie est positionné en face et à distance (entrefer 101) du côté 31 p de couplage d’énergie du premier dispositif 1 p de transfert d’énergie et dans laquelle l’axe 20 s de révolution du deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie est coaxial avec l’axe 20 p de révolution du premier dispositif 1 p de transfert d’énergie. L’envoi d’un courant électrique alternatif dans le bobinage 2 p du premier dispositif 1 p de transfert d’énergie permet de transférer de l’énergie électromagnétique de ce bobinage 2 p au bobinage 2 s du deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie lorsque le deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie se trouvent dans la position de couplage par rapport au premier dispositif 1 p de transfert d’énergie. Ainsi représenté à titre d’exemple à la , le dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact peut être monté sur ou fixé à une embase 600 d’un véhicule automobile A. Le dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact peut être monté sur ou fixé à une embase 700 fixée au sol 701. L’envoi du courant électrique alternatif du premier dispositif 1 p de transfert d’énergie (en provenance d’un réseau électrique R el relié à ce premier dispositif 1 p de transfert d’énergie) au deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie dans la position de couplage permet par exemple de recharger en énergie électrique un pack B de batterie électrique (lequel fait partie du véhicule automobile A et est relié au deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie). Le premier dispositif 1 p de transfert d’énergie alimenté par une source de tension ou de courant alternatif génère un flux magnétique d’énergie, reçu par le deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie. Ce deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie a par la loi de Lenz une tension induite à ses bornes et reçoit ainsi de l’énergie électrique du premier dispositif1 p de transfert d’énergie. Le deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie peut alors transférer cette énergie à une charge électrique telle qu’une batterie B par l’intermédiaire de convertisseur(s). À l’inverse, un envoi de courant électrique alternatif du deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie (en provenance du pack B de batterie électrique) dans la position de couplage au premier dispositif 1 p de transfert d’énergie permet d’envoyer un flux magnétique d’énergie depuis le véhicule automobile A au réseau électrique R el . Ainsi représenté à titre d’exemple à la , le deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie peut faire partie d’une installation électrique A S embarquée sur le véhicule automobile A et être relié au pack B de batterie électrique par l’intermédiaire d’un convertisseur CONV2 courant alternatif AC / courant continu DC, dont le côté courant alternatif AC est relié au bobinage secondaire 2 s du deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie par l’intermédiaire d’un condensateur C2 et dont le côté courant continu DC est relié au pack B de batterie électrique. Le premier dispositif 1 p de transfert d’énergie peut faire partie d’une installation électrique R p fixée au sol 701 et être relié au réseau électrique R el par l’intermédiaire d’un convertisseur CONV1 courant continu DC / courant alternatif AC, dont le côté courant alternatif AC est relié par l’intermédiaire d’un condensateur C1 au bobinage primaire 1 p du premier dispositif 1 p de transfert d’énergie et dont le côté courant continu DC est relié au côté courant continu DC d’un autre convertisseur CONV3 courant alternatif AC / courant continu DC. Le côté courant alternatif AC de l’autre convertisseur CONV3 peut être relié au réseau électrique R el . La fréquence des courants électriques alternatifs dans le bobinage 2 p du premier dispositif 1 p de transfert d’énergie et dans le bobinage 2 p au bobinage 2 s du deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie dans la position de couplage est supérieure à la fréquence du réseau électrique R el et peut-être par exemple supérieure ou égale à 10 kHz est inférieure ou égale à 500 kHz. Dans ce qui suit, les références ayant l’indice p se rapportent au premier dispositif 1 p de transfert d’énergie ou dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie, tandis que les références ayant l’indice s se rapportent au deuxième dispositif 1 s de transfert d’énergie ou dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie. Dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact Ainsi que représenté à titre d’exemple aux figures 3 à 13, le dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact comporte un noyau 4 p de matériau magnétique, ayant une surface plane 40 p . Le dispositif 1 p de transfert d’énergie sans contact comporte un bobinage 2 p annulaire circulaire, conducteur de l’électricité. Le bobinage 2 p a une première face 21 p annulaire circulaire, qui est située en face du côté 31 p de couplage d’énergie avec l’extérieur du dispositif 1 p de transfert d’énergie. Le bobinage 2 p a également une deuxième face 22 p annulaire circulaire, qui est située d’un deuxième côté 32 p éloigné du premier côté 31 p de couplage d’énergie. Le bobinage 2 p annulaire circulaire s’étend autour d’un axe 20 p de révolution entre un rayon intérieur R intp de ce bobinage 2 p et un rayon extérieur R extp de ce bobinage 2 p . Le noyau 4 p de matériau magnétique s’étend également autour de l’axe 20 p de révolution. La deuxième face 22 p annulaire circulaire du bobinage 2 p est orientée en face de la surface plane 40 p du noyau 4 p de matériau magnétique. Il y a une distance constante, non nulle, entre la surface plane 40 p du noyau 4 p et la deuxième face 22 p annulaire circulaire du bobinage 2 p et ce au moins du rayon intérieur R intp du bobinage 2 p au rayon extérieur R extp du bobinage 2 p . Ainsi, le noyau 4 p de matériau magnétique possède une unique surface plane 40 p , qui est orientée en face de la deuxième face 22 p annulaire circulaire du bobinage 2 p . Les figures 4 à 7 représentent schématiquement dans un plan de coupe transversale passant par l’axe 20 p de révolution le bobinage 2 p et le noyau 4 p du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact, ainsi que le bobinage 2 s et le noyau 4 s du dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact. Les figures 4 et 5 représentent un premier mode de réalisation du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact et du dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact. Les figures 6 à 13 représentent un deuxième mode de réalisation du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact et du dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact. Suivant l’invention, le noyau 4 p de matériau magnétique possède un profil radial e p d’épaisseur tel que décrit ci-dessous sur la surface plane 40 p , ce profil radial e p d’épaisseur s’étendant autour de l’axe 20 p de révolution et étant pris dans un plan de coupe transversale passant par l’axe 20 p de révolution, ainsi que représenté à titre d’exemples aux figures 4, 5, 6, 7, 9, 10, 12 et 13. Suivant les modes de réalisation représentés aux figures 4 à 10, le noyau 4 p de matériau magnétique est constitué d’éléments discrets (ou pièces) parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique, par exemple parallélépipédiques rectangles, dont un est représenté à titre d’exemple en perspective à la . Les éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique sont fixés les uns aux autres, sans inter espacement, en étant superposés et/ou juxtaposés, ainsi que représenté par exemple aux figures 4 à 7. Les éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique peuvent être en ferrite ou en un autre matériau. Les éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique peuvent être identiques entre eux. Le profil radial e p d’épaisseur a une épaisseur supérieure ou égale à une première valeur d’épaisseur e 1p sur une première plage de distance radiale allant de l’extrémité intérieure R 1p à l’extrémité extérieure R 2p par rapport à l’axe 20 p de révolution, avec R 1p 2p . Par exemple, le profil radial e p d’épaisseur est égal à la première valeur d’épaisseur e 1p constante sur cette première plage R 1p à R 2p de distance radiale. Le rayon médian R mp du bobinage 2 p annulaire circulaire, égal à la demi-somme de son rayon intérieur R intp et de son rayon extérieur R extp (c’est-à-dire R mp = (R intp + R extp )/2), est compris dans la première plage R 1p à R 2p de distance radiale. Suivant les modes de réalisation représentés aux figures 4 à 10, le profil radial e p d’épaisseur possède une épaisseur décroissant sous la première valeur d’épaisseur e 1p en un premier coin C 1p descendant depuis l’extrémité intérieure R 1p de la première plage sur une deuxième plage allant de cette extrémité intérieure R 1p à une première distance intérieure R 3p , non nulle. La première distance intérieure R 3p est inférieure au rayon intérieur R intp par rapport à l’axe 20 p de révolution. Suivant les modes de réalisation représentés aux figures 4 à 10, le profil radial e p d’épaisseur possède une épaisseur décroissant sous la première valeur d’épaisseur e 1p en un deuxième coin C 2p descendant depuis l’extrémité extérieure R 2p de la première plage sur une troisième plage R 2p -R 4p de distance radiale allant de cette extrémité extérieure R 2p à une deuxième distance extérieure R 4p . La deuxième distance extérieure R 4p est supérieure au rayon extérieur R extp par rapport à l’axe 20 p de révolution. Ainsi que représenté à titre d’exemples aux figures 4, 5, 6 et 7, le profil radial e p d’épaisseur du noyau 4 p de matériau magnétique du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact est configuré de telle sorte que la section axiale S intp (appelée section axiale intérieure) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique de la première distance intérieure R 3p au rayon médian R mp est plus grande que la section axiale S extp (appelée section axiale extérieure) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique du rayon médian R mp à la deuxième distance extérieure R 4p autour de l’axe 20 p de révolution. Notamment, le profil radial e p d’épaisseur du noyau 4 p de matériau magnétique du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact est configuré de telle sorte que la section axiale S intp (appelée section axiale intérieure) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique du rayon intérieur R intp au rayon médian R mp est plus grande que la section axiale S extp (appelée section axiale extérieure) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique du rayon médian R mp au rayon extérieur R extp . L’épaisseur de matériau magnétique du noyau 4 p est ainsi plus importante à proximité du rayon médian R mp du bobinage 2 p et est diminuée en dehors de sa première plage, avec la section axiale du matériau magnétique qui est davantage décalée (plus grande) vers la première distance intérieure R 3p que vers la deuxième distance extérieure R 4p autour de l’axe 20 p de révolution. Grâce à cela, on abaisse le volume de matériau magnétique dans l’ensemble du noyau 4 p de matériau magnétique, ce qui abaisse les coûts, tout en rendant plus homogène et en abaissant l’induction magnétique dans ce noyau 4 p de matériau magnétique, ce qui permet d’augmenter le rendement. On parvient ainsi à diminuer la quantité et le coût en matériau magnétique du noyau 4 p , tout en abaissant l’induction magnétique sous une valeur limite prescrite. Dans d’autres modes de réalisation, en variante aux figures 4 à 10, le profil radial e p d’épaisseur est formé par une partie intérieure tronconique de la première distance intérieure R 3p au rayon médian R mp ou de la première valeur R’ 3p de distance prescrite au rayon médian R mp , et par une partie extérieure tronconique du rayon médian R mp à la deuxième distance extérieure R 4p ou du rayon médian R mp à la deuxième valeur de distance prescrite R’ 4p , ainsi que représenté par exemple par les droites de traits interrompus d’inclinaisons différentes, désignées par les référence f 1p et f 2p aux figures 4 et 6, sans comporter de coins et d’éléments discrets 5 p . Le noyau 4 p de matériau magnétique peut alors être formé par un bloc entier de matériau magnétique. Le noyau 4 p de matériau magnétique peut être en ferrite ou en un autre matériau. Suivant un mode de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemple aux figures 3, 5 et 7, le dispositif primaire 1 p de transfert d’énergie sans contact comporte une plaque métallique 7 p de blindage située de l’autre côté du noyau 4 p de matériau magnétique par rapport au bobinage 2 p . Cette plaque métallique 7 p de blindage peut par exemple être en aluminium ou autre. Cette plaque métallique 7 p de blindage peut par exemple être circulaire autour de l’axe 20 p de révolution. Suivant un mode de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemple à la , le bobinage 2 p annulaire circulaire est constitué d’un fil 200, conducteur de l’électricité (ou de plusieurs fils 200 conducteurs de l’électricité, connectés électriquement en parallèle entre eux). Chaque fil 200 conducteur de l’électricité peut comporter plusieurs niveaux n 1 , n 2 , n 3 de toronnage de brins conducteurs de l’électricité et peut être un fil de Litz. Par exemple, à la , chaque fil 200 conducteur de l’électricité comporte le premier niveau n 1 de toronnage de premier brins 201 conducteurs de l’électricité, formant des deuxièmes brins 202 conducteurs de l’électricité, puis le deuxième niveau n 2 de toronnage de ces deuxièmes brins 202 conducteurs de l’électricité, formant des troisièmes brins 203 conducteurs de l’électricité, et le troisième niveau n 3 de toronnage de ces troisièmes brins 203 conducteurs de l’électricité, formant le fil 200 conducteur de l’électricité. Le matériau conducteur d’électricité du bobinage 2 p annulaire circulaire et du fil 200 peut être par exemple du cuivre, et/ou autre. Suivant un mode de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemple aux figures 3, 5 et 7, le bobinage 2 p annulaire circulaire comporte une (ou plusieurs) spire circulaire 23 p conductrice d’électricité autour de l’axe 20 p de révolution, pouvant être réparties suivant l’axe 20 p de révolution et/ou perpendiculairement à de l’axe 20 p de révolution. Suivant des modes de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemples aux figures 4, 5, 6 et 7, permettant d’obtenir la section axiale intérieure S intp mentionnée ci-dessus et la section axiale extérieure S extp mentionnée ci-dessus et d’homogénéiser l’induction magnétique dans le noyau 4 p de matériau magnétique, le profil radial e p d’épaisseur du noyau 4 p du dispositif primaire 1 p de transfert d’énergie sans contact dans la section axiale S intp , S extp passant par l’axe 20 p de révolution est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1p et f 2p sur sa surface plane 40 p , où f 1p est la droite dont l’équation est la suivante : et où f 2p est la droite dont l’équation est la suivante : L'éventuelle différence d’épaisseur de f 1p et de f 2p pour le rayon médian R mp est comprise dans la tolérance à ±10% en dimensions. La première constante α p est prescrite, positive et non nulle. La deuxième constante β p est prescrite, positive et non nulle. La variable R de distance est prise par rapport à l’axe 20 p de révolution. La première valeur R’ 3p de distance prescrite est inférieure ou égale à la première distance intérieure R 3p et peut être positive et non nulle. La deuxième valeur R’ 4p de distance prescrite est supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure R 4p . On choisit R mp - R’ 3p > R’ 4p - R mp > 0. Dans ces équations, les valeurs peuvent être exprimées en mm. Suivant des modes de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemples aux figures 4, 5, 6 et 7, permettant d’obtenir la section axiale intérieure S intp mentionnée ci-dessus et la section axiale extérieure S extp mentionnée ci-dessus et d’homogénéiser l’induction magnétique dans le noyau 4 p de matériau magnétique, le profil radial e p d’épaisseur du noyau 4 p du dispositif primaire 1 p de transfert d’énergie sans contact dans la section axiale S intp , S extp passant par l’axe 20 p de révolution est inscrit à ±10% en dimensions sous le gabarit dimensionnel précité d’épaisseur f 1p et f 2p sur sa surface plane 40 p , où f 1p est la droite dont l’équation est la suivante : et où f 2p est la droite dont l’équation est la suivante : Par exemple, et/ou et/ou . Suivant le premier mode de réalisation du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5 et le deuxième mode de réalisation du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 6 et 7, le premier coin C 1p descendant est situé à la troisième distance R 1p supérieure au rayon intérieur R intp et inférieure au rayon médian R mp par rapport à l’axe 20 p de révolution. Le deuxième coin C 2p descendant est situé à la quatrième distance R 2p supérieure au rayon médian R mp et inférieure au rayon extérieur R extp par rapport à l’axe 20 p de révolution. Par exemple, dans ce premier mode de réalisation du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, le profil radial e p d’épaisseur comporte dans la troisième plage R 2p -R 4p de distance radiale un (ou plusieurs) troisième coin C 5p descendant, situé à une première distance déterminée R 5p de coin, inférieure au rayon extérieur R extp par rapport à l’axe 20 p de révolution. Le profil radial e p d’épaisseur comporte dans la deuxième plage R 1p -R 3p de distance radiale un (ou plusieurs) quatrième coin C 6p descendant, situé à une deuxième distance déterminée R 6 p de coin, inférieure au rayon intérieur R intp par rapport à l’axe 20 p de révolution. Chaque coin (tel que par exemple les coins C 1p , C 2p , C 5p , C 6p mentionnés ci-dessus) est formé par un angle d’un des éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique. Chaque coin peut être à angle droit. Chaque coin peut former un palier ou gradin ou niveau du noyau 4 p de matériau magnétique. Lorsque le noyau 4 p de matériau magnétique est constitué d’éléments discrets parallélépipédiques, le noyau 4 p de matériau magnétique comporte plusieurs couches d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique, empilées l’une sur l’autre, avec la couche la plus basse 41 p ayant la surface plane 40 p . Les bords des couches d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique forment les coins du noyau 4 p de matériau magnétique. Les couches occupent donc une aire décroissante dans les plans perpendiculaires à l’axe 20 p de révolution en partant de la couche la plus basse 41 p . Suivant le premier mode de réalisation du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, le noyau 4 p de matériau magnétique comporte successivement sur la première couche la plus basse 41 p ayant la surface plane 40 p , la deuxième couche 42 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique, la troisième couche 43 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique et la quatrième couche 44 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique. Cette quatrième couche 44 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique est située dans la première plage R 1p à R 2p de distance radiale. Suivant le deuxième mode de réalisation du dispositif 1 p primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 6 et 7, le noyau 4 p de matériau magnétique comporte sur la première couche la plus basse 41 p ayant la surface plane 40 p , la deuxième couche 42 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique. Cette deuxième couche 42 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique est située dans la première plage R 1p à R 2p de distance radiale. La représente schématiquement en vue de dessus la deuxième couche 42 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique dans son plan perpendiculaire à l’axe 20 p de révolution. La représente schématiquement en vue de dessus la première couche la plus basse 41 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique dans son plan perpendiculaire à l’axe 20 p de révolution. Dans les modes de réalisation représentée aux figures 5, 7, 8, 9 et 10, les d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique du noyau 4 p de matériau magnétique sont fixés sur un support 6 p en un matériau non conducteur de l’électricité et non magnétique. Ce support 6 p peut être par exemple en une matière plastique (matière polymérique) ou autre et est rigide. Le support 6 p peut comporter des renfoncements 61 p dans lesquels est logé le noyau 4 p de matériau magnétique. Les renfoncements 61 p du support 6 p ont une forme complémentaire de celle des coins (tels que par exemple des coins C 1p , C 2p , C 5p , C 6p mentionnés ci-dessus) des éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique du noyau 4 p de matériau magnétique. Entre la surface plane 40 p du noyau 4 p de matériau magnétique et la deuxième face 22 p annulaire circulaire du bobinage 2 p est fixée une entretoise 8 p , elle-même fixée au support 6 p pour maintenir constante la distance entre elles. L’entretoise 8 p peut recouvrir toute la deuxième face 22 p annulaire. La représente schématiquement en vue de dessus le support 6 p dans un plan perpendiculaire à l’axe 20 p de révolution. Par exemple, aux figures 8, 9 et 10, le support 6 p a un premier renfoncement 61 p de logement de la première couche la plus basse 41 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique ayant la surface plane 40 p , et un deuxième renfoncement 62 p de logement de la deuxième couche 42 p d’éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique. Les modes de réalisation décrit ci-dessus sur f 1p et f 2p peuvent être appliqués au mode de réalisation à éléments discrets parallélépipédiques 5 p de matériau magnétique ou à la variante mentionnée ci-dessus. Dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact Ainsi que représenté à titre d’exemple aux figures 3 à 13, le dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact comporte un noyau 4 s de matériau magnétique, ayant une surface plane 40 s . Le dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact comporte un bobinage 2 s annulaire circulaire, conducteur de l’électricité. Le bobinage 2 s a une première face 21 s annulaire circulaire, qui est située en face du côté 31 s de couplage d’énergie avec l’extérieur du dispositif 1 s de transfert d’énergie. Le bobinage 2 s a également une deuxième face 22 s annulaire circulaire, qui est située d’un deuxième côté 32 s éloigné du premier côté 31 s de couplage d’énergie. Le bobinage 2 s annulaire circulaire s’étend autour d’un axe 20 s de révolution entre un rayon intérieur R int s de ce bobinage 2 s et un rayon extérieur R exts de ce bobinage 2 s . Le noyau 4 s de matériau magnétique s’étend également autour de l’axe 20 s de révolution. La deuxième face 22 s annulaire circulaire du bobinage 2 s est orientée en face de la surface plane 40 s du noyau 4 s de matériau magnétique. Il y a une distance constante, non nulle, entre la surface plane 40 s du noyau 4 s et la deuxième face 22 s annulaire circulaire du bobinage 2 s , et ce au moins du rayon intérieur R ints du bobinage 2 s au rayon extérieur R exts du bobinage 2 s . Ainsi, le noyau 4 s de matériau magnétique possède une unique surface plane 40 s , qui est orientée en face de la deuxième face 22 s annulaire circulaire du bobinage 2 s . Les figures 4 à 7 représentent schématiquement, dans un plan de coupe transversale passant par l’axe 20 s de révolution, le bobinage 2 s et le noyau 4 s du dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact, ainsi que le bobinage 2 s et le noyau 4 s du dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact. Suivant l’invention, le noyau 4 s de matériau magnétique possède un profil radial e s d’épaisseur tel que décrit ci-dessous sur la surface plane 40 s , ce profil radial e s d’épaisseur s’étendant autour de l’axe 20 s de révolution et étant pris dans un plan de coupe transversale passant par l’axe 20 s de révolution, ainsi que représenté à titre d’exemples aux figures 4, 5, 6, 7, 9, 10, 12 et 13. Suivant les modes de réalisation représentés aux figures 4, 5, 6, 7, 11, 12 et 13, le noyau 4 s de matériau magnétique est constitué d’éléments discrets (ou pièces) parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique, par exemple parallélépipédiques rectangles, dont un est représenté à titre d’exemple en perspective à la . Les éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique sont fixés les uns aux autres, sans inter espacement, en étant superposés et/ou juxtaposés, ainsi que représenté par exemple aux figures 4 à 7. Les éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique peuvent être en ferrite ou en un autre matériau. Les éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique peuvent être identiques entre eux. Le profil radial e s d’épaisseur a une épaisseur supérieure ou égale à une première valeur d’épaisseur e 1 s sur une première plage de distance radiale allant de l’extrémité intérieure R 1 s à l’extrémité extérieure R 2 s par rapport à l’axe 20 s de révolution, avec R 1 s 2 s . Par exemple, le profil radial e s d’épaisseur est égal à la première valeur d’épaisseur e 1 s constante sur cette première plage R 1 s à R 2 s de distance radiale. Le rayon médian R m s du bobinage 2 s annulaire circulaire, égal à la demi-somme de son rayon intérieur R ints et de son rayon extérieur R exts (c’est-à-dire R m s = (R ints + R exts )/2), est compris dans la première plage R 1 s à R 2 s de distance radiale. Suivant les modes de réalisation représentés aux figures 4, 5, 6, 7, 11, 12 et 13, le profil radial e s d’épaisseur possède une épaisseur décroissant sous la première valeur d’épaisseur e 1 s en un premier coin C 1 s descendant depuis l’extrémité intérieure R 1 s de la première plage sur une deuxième plage allant de cette extrémité intérieure R 1 s à une première distance intérieure R 3 s , non nulle. La première distance intérieure R 3 s est inférieure au rayon intérieur R ints par rapport à l’axe 20 s de révolution. Suivant les modes de réalisation représentés aux figures 4, 5, 6, 7, 11, 12 et 13, le profil radial e s d’épaisseur possède une épaisseur décroissant sous la première valeur d’épaisseur e 1 s en un deuxième coin C 2 s descendant depuis l’extrémité extérieure R 2 s de la première plage sur une troisième plage R 2 s -R 4 s de distance radiale allant de cette extrémité extérieure R 2 s à une deuxième distance extérieure R 4 s . La deuxième distance extérieure R 4 s est supérieure au rayon extérieur R exts par rapport à l’axe 20 s de révolution. Ainsi que représenté à titre d’exemples aux figures 4, 5, 6 et 7, le profil radial e s d’épaisseur du noyau 4 s de matériau magnétique du dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact est configuré de telle sorte que la section axiale S ints (appelée section axiale intérieure) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique de la première distance intérieure R 3 s au rayon médian R m s est plus grande que la section axiale S exts (appelée section axiale extérieure) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique du rayon médian R m s à la deuxième distance extérieure R 4 s autour de l’axe 20 s de révolution. Notamment, le profil radial e s d’épaisseur du noyau 4 s de matériau magnétique du dispositif 1 s secondaire de transfert d’énergie sans contact est configuré de telle sorte que la section axiale S ints (appelée section axiale intérieure) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique du rayon intérieur R ints au rayon médian R ms est plus grande que la section axiale S exts (appelée section axiale extérieure) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique du rayon médian R ms au rayon extérieur R exts . L’épaisseur de matériau magnétique du noyau 4 s est ainsi plus importante à proximité du rayon médian R m s du bobinage 2 s et est diminuée en dehors de sa première plage, avec la section axiale du matériau magnétique qui est davantage décalée (plus grande) vers la première distance intérieure R 3 s que vers la deuxième distance extérieure R 4 s autour de l’axe 20 s de révolution. Grâce à cela, on abaisse le volume de matériau magnétique dans l’ensemble du noyau 4 s de matériau magnétique, ce qui abaisse les coûts, tout en rendant plus homogène et en abaissant l’induction magnétique dans ce noyau 4 s de matériau magnétique, ce qui permet d’augmenter le rendement. On parvient ainsi à diminuer la quantité et le coût en matériau magnétique du noyau 4 s , tout en abaissant l’induction magnétique sous une valeur limite prescrite. Dans d’autres modes de réalisation, en variante aux figures 4, 5, 6, 7, 11, 12 et 13, le profil radial e s d’épaisseur est formé par une partie intérieure tronconique de la première distance intérieure R 3s au rayon médian R ms ou de la première valeur R’ 3s de distance prescrite au rayon médian R ms , et par une partie extérieure tronconique du rayon médian R ms à la deuxième distance extérieure R 4s ou du rayon médian R ms à la deuxième valeur de distance prescrite R’ 4s , ainsi que représenté par exemple par les droites de traits interrompus d’inclinaisons différentes, désignées par les référence f 1s et f 2s aux figures 4 et 6, sans comporter de coins et d’éléments discrets 5 s . Le noyau 4 s de matériau magnétique peut alors être formé par un bloc entier de matériau magnétique. Le noyau 4 s de matériau magnétique peut être en ferrite ou en un autre matériau. Suivant un mode de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemple aux figures 3, 5 et 7, le dispositif secondaire 1 s de transfert d’énergie sans contact comporte une plaque métallique 7 s de blindage située de l’autre côté du noyau 4 s de matériau magnétique par rapport au bobinage 2 s . Cette plaque métallique 7 s de blindage peut par exemple être en aluminium ou autre. Cette plaque métallique 7 s de blindage peut par exemple être circulaire autour de l’axe 20 s de révolution. Suivant un mode de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemple à la , le bobinage 2 s annulaire circulaire est constitué d’un fil 200, conducteur de l’électricité (ou de plusieurs fils 200 conducteurs de l’électricité, connectés électriquement en parallèle entre eux). Chaque fil 200 conducteur de l’électricité peut comporter plusieurs niveaux n 1 , n 2 , n 3 de toronnage de brins conducteurs de l’électricité et peut être un fil de Litz. Par exemple, à la , chaque fil 200 conducteur de l’électricité comporte le premier niveau n 1 de toronnage de premier brins 201 conducteurs de l’électricité, formant des deuxièmes brins 202 conducteurs de l’électricité, puis le deuxième niveau n 2 de toronnage de ces deuxièmes brins 202 conducteurs de l’électricité, formant des troisièmes brins 203 conducteurs de l’électricité, et le troisième niveau n 3 de toronnage de ces troisièmes brins 203 conducteurs de l’électricité, formant le fil 200 conducteur de l’électricité. Le matériau conducteur d’électricité du bobinage 2 s annulaire circulaire et du fil 200 peut être par exemple du cuivre, et/ou autre. Suivant un mode de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemple aux figures 3, 5 et 7, le bobinage 2 s annulaire circulaire comporte une (ou plusieurs) spire circulaire 23 s conductrice d’électricité autour de l’axe 20 s de révolution, pouvant être réparties suivant l’axe 20 s de révolution et/ou perpendiculairement à de l’axe 20 s de révolution. Suivant des modes de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemples aux figures 4, 5, 6 et 7, permettant d’obtenir la section axiale intérieure S ints mentionnée ci-dessus et la section axiale extérieure S exts mentionnée ci-dessus et d’homogénéiser l’induction magnétique dans le noyau 4 s de matériau magnétique, le profil radial e s d’épaisseur du noyau 4 s du dispositif secondaire 1 s de transfert d’énergie sans contact dans la section axiale S ints , S exts passant par l’axe 20 s de révolution est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1s et f 2s sur sa surface plane 40 s , où f 1s est la droite dont l’équation est la suivante : et où f 2s est la droite dont l’équation est la suivante : . L'éventuelle différence d’épaisseur de f 1s et de f 2s pour le rayon médian R ms est comprise dans la tolérance à ±10% en dimensions. La première constante α s est prescrite, positive et non nulle. La deuxième constante β s est prescrite, positive et non nulle. La variable R de distance est prise par rapport à l’axe 20 s de révolution. La première valeur R’ 3s de distance prescrite est inférieure ou égale à la première distance intérieure R 3s et peut être positive et non nulle. La deuxième valeur R’ 4s de distance prescrite est supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure R 4s . On choisit R ms - R’ 3s > R’ 4s - R ms > 0. Dans ces équations, les valeurs peuvent être exprimées en mm. Suivant des modes de réalisation de l’invention, ainsi que représenté à titre d’exemples aux figures 4, 5, 6 et 7, permettant d’obtenir la section axiale intérieure S ints mentionnée ci-dessus et la section axiale extérieure S exts mentionnée ci-dessus et d’homogénéiser l’induction magnétique dans le noyau 4 s de matériau magnétique, le profil radial e s d’épaisseur du noyau 4 s du dispositif secondaire 1 s de transfert d’énergie sans contact dans la section axiale S ints , S exts passant par l’axe 20 s de révolution est inscrit à ±10% en dimensions sous le gabarit dimensionnel précité d’épaisseur f 1 s et f 2 s sur sa surface plane 40 s , où f 1 s est la droite dont l’équation est la suivante : et où f 2s est la droite dont l’équation est la suivante : Par exemple, et/ou et/ou . Suivant le premier mode de réalisation du dispositif 1 s primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, le premier coin C 1s descendant est situé à une troisième distance R 1s inférieure au rayon intérieur R ints par rapport à l’axe 20 s de révolution. Le deuxième coin C 2s descendant est situé à une quatrième distance R 2s supérieure au rayon médian R ms et inférieure au rayon extérieur R exts par rapport à l’axe 20 s de révolution. Par exemple, dans ce premier mode de réalisation du dispositif 1 s primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, le profil radial e s d’épaisseur comporte dans la troisième plage R 2 s -R 4 s de distance radiale un (ou plusieurs) cinquième coin C 5 s descendant, situé à une première distance déterminée R 5 s de coin, supérieure au rayon extérieur R exts par rapport à l’axe 20 s de révolution. Le profil radial e s d’épaisseur comporte dans la deuxième plage R 1 s -R 3 s de distance radiale un (ou plusieurs) sixième coin C 6 s descendant, situé à une deuxième distance déterminée R 6 s de coin, inférieure au rayon intérieur R ints par rapport à l’axe 20 s de révolution. Chaque coin (tel que par exemple les coins C 1 s , C 2 s , C 5 s , C 6 s mentionnés ci-dessus) est formé par un angle d’un des éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique. Chaque coin peut être à angle droit. Chaque coin peut former un palier ou gradin ou niveau du noyau 4 s de matériau magnétique. Suivant le deuxième mode de réalisation du dispositif 1 s primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 6 et 7, le premier coin C 1s descendant est situé à une troisième distance R 1s supérieure au rayon intérieur R ints et inférieure au rayon médian R ms par rapport à l’axe 20 s de révolution. Le deuxième coin C 2s descendant est situé à une quatrième distance R 2s supérieure au rayon médian R ms et inférieure au rayon extérieur R exts par rapport à l’axe 20 s de révolution. Lorsque le noyau 4 s de matériau magnétique est constitué d’éléments discrets parallélépipédiques, le noyau 4 s de matériau magnétique comporte plusieurs couches d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique, empilées l’une sur l’autre, avec la couche la plus basse 41 s ayant la surface plane 40 s . Les bords des couches d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique forment les coins du noyau 4 s de matériau magnétique. Les couches occupent donc une aire décroissante dans les plans perpendiculaires à l’axe 20 s de révolution en partant de la couche la plus basse 41 s . Suivant le premier mode de réalisation du dispositif 1 s primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 4 et 5, le noyau 4 s de matériau magnétique comporte successivement sur la première couche la plus basse 41 s ayant la surface plane 40 s , la deuxième couche 42 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique, la troisième couche 43 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique et la quatrième couche 44 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique. Cette quatrième couche 44 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique est située dans la première plage R 1 s à R 2 s de distance radiale. Suivant le deuxième mode de réalisation du dispositif 1 s primaire de transfert d’énergie sans contact, représenté à titre d’exemple aux figures 6 et 7, le noyau 4 s de matériau magnétique comporte sur la première couche la plus basse 41 s ayant la surface plane 40 s , la deuxième couche 42 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique. Cette deuxième couche 42 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique est située dans la première plage R 1 s à R 2 s de distance radiale. La représente schématiquement en vue de dessus la deuxième couche 42 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique dans son plan perpendiculaire à l’axe 20 s de révolution. La représente schématiquement en vue de dessus la première couche la plus basse 41 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique dans son plan perpendiculaire à l’axe 20 s de révolution. Dans les modes de réalisation représentée aux figures 5, 7, 11, 12 et 13, les d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique du noyau 4 s de matériau magnétique sont fixés sur un support 6 s en un matériau non conducteur de l’électricité et non magnétique. Ce support 6 s peut être par exemple en une matière plastique (matière polymérique) ou autre et est rigide. Le support 6 s peut comporter des renfoncements 61 s dans lesquels est logé le noyau 4 s de matériau magnétique. Les renfoncements 61 s du support 6 s ont une forme complémentaire de celle des coins (tels que par exemple des coins C 1 s , C 2 s , C 5 s , C 6 s mentionnés ci-dessus) des éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique du noyau 4 s de matériau magnétique. Entre la surface plane 40 s du noyau 4 s de matériau magnétique et la deuxième face 22 s annulaire circulaire du bobinage 2 s est fixée une entretoise 8 s , elle-même fixée au support 6 s pour maintenir constante la distance entre elles. L’entretoise 8 s peut recouvrir toute la deuxième face 22 s annulaire. La représente schématiquement en vue de dessus le support 6 s dans un plan perpendiculaire à l’axe 20 s de révolution. Par exemple, aux figures 11, 12 et 13, le support 6 s a un premier renfoncement 61 s de logement de la première couche la plus basse 41 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique ayant la surface plane 40 s , et un deuxième renfoncement 62 s de logement de la deuxième couche 42 s d’éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique. Les modes de réalisation décrit ci-dessus sur f 1s et f 2s peuvent être appliqués au mode de réalisation à éléments discrets parallélépipédiques 5 s de matériau magnétique ou à la variante mentionnée ci-dessus. Dans ce qui précède, R intp peut être différent de R ints , et/ou R extp peut être différent de R exts , et/ou R mp peut être différent de R mp , et/ou e 1p peut être différent de e 1s , et/ou R 1p peut être différent de R 1s , et/ou R 2p peut être différent de R 2s , et/ou R mp peut être différent de R ms , et/ou R 3p peut être différent de R 3s , et/ou R 4p peut être différent de R 4s , et/ou S intp peut être différent de S ints , et/ou R’ 3p peut être différent de R’ 3s , et/ou R’ 4p peut être différent de R’ 4s , et/ou R 5p peut être différent de R 5s , et/ou R 6p peut être différent de R 6s . Bien entendu, les modes de réalisation, caractéristiques, possibilités et exemples décrits ci-dessus peuvent être combinés l’un avec l’autre ou être sélectionnés indépendamment l’un de l’autre. Dispositif (1, 1 p , 1 s ) de transfert d’énergie sans contact, comportant un noyau (4, 4 p , 4 s ) de matériau magnétique, ayant une surface plane (40 p , 40 s ), au moins un bobinage (2, 2 p , 2 s ) annulaire circulaire, conducteur de l’électricité, ayant une première face (21 p , 21 s ) annulaire circulaire, qui est située en face d’un premier côté (31 p , 31 s ) de couplage d’énergie avec l’extérieur, et une deuxième face (22 p , 22 s ) annulaire circulaire, qui est éloignée du premier côté (31 p , 31 s ) de couplage d’énergie, l’au moins un bobinage (2, 2 p , 2 s ) annulaire circulaire s’étendant autour d’un axe (20 p , 20 s ) de révolution entre un rayon intérieur (R intp , R int s ) et un rayon extérieur (R extp , R exts ), la deuxième face (22 p , 22 s ) annulaire circulaire étant en face de la surface plane (40 p , 40 s ) du noyau (4, 4 p , 4 s ) de matériau magnétique, une distance constante, non nulle, étant présente entre la surface plane (40 p , 40 s ) et la deuxième face (22 p , 22 s ) annulaire circulaire et ce au moins du rayon intérieur (R intp , R ints ) au rayon extérieur (R extp , R exts ), caractérisé en ce que le noyau (4, 4 p , 4 s ) de matériau magnétique possède un profil radial (e p , e s ) d’épaisseur autour de l’axe (20 p , 20 s ) de révolution sur la surface plane (40 p , 40 s ), le profil radial (e p , e s ) d’épaisseur étant supérieur ou égal à une première valeur d’épaisseur (e 1p , e 1s ) sur une première plage (R 1p -R 2p , R 1s -R 2s ) de distance radiale par rapport à l’axe (20 p , 20 s ) de révolution, la première plage (R 1p -R 2p , R 1s -R 2s ) de distance radiale contenant un rayon médian (R mp , R ms ) du au moins un bobinage (2, 2 p , 2 s ) annulaire circulaire, égal à la demi-somme du rayon intérieur (R intp , R ints ) et du rayon extérieur (R extp , R exts ), le profil radial (e p , e s ) d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur (e 1p , e 1s ) depuis la première plage (R 1 p -R 2 p , R 1s -R 2s ) de distance radiale sur une deuxième plage (R 1p -R 3p , R 1s -R 3s ) de distance radiale se terminant à une première distance intérieure (R 3p , R 3s ), non nulle, inférieure au rayon intérieur (R intp , R ints ) par rapport à l’axe (20 p , 20 s ) de révolution, le profil radial (e p , e s ) d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur (e 1p , e 1s ) depuis la première plage (R 1p -R 2p , R 1s -R 2s ) de distance radiale sur une troisième plage (R 2p -R 4p , R 2s -R 4s ) de distance radiale se terminant à une deuxième distance extérieure (R 4p , R 4s ) supérieure au rayon extérieur (R extp , R exts ) par rapport à l’axe (20 p , 20 s ) de révolution, avec une plus grande section axiale (S intp , S ints ) couverte par le matériau magnétique de la première distance intérieure (R 3p , R 3s ) au rayon médian (R mp , R ms ) que du rayon médian (R mp , R ms ) à la deuxième distance extérieure (R 4p , R 4s ). Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le noyau (4, 4 p , 4 s ) de matériau magnétique possède une plus grande section axiale (S intp , S ints ) couverte par le matériau magnétique du rayon intérieur (R intp , R ints ) au rayon médian (R mp , R ms ) que du rayon médian (R mp , R ms ) au rayon extérieur (R extp , R exts ). Dispositif suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le noyau (4, 4 p , 4 s ) de matériau magnétique est constitué d’éléments discrets parallélépipédiques (5, 5 p , 5 s ) de matériau magnétique, le profil radial (e p , e s ) d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur (e 1p , e 1s ) en un premier coin (C 1p , C 1s ) descendant depuis la première plage (R 1p -R 2p , R 1s -R 2s ) de distance radiale sur une deuxième plage (R 1p -R 3p , R 1s -R 3s ) de distance radiale se terminant à une première distance intérieure (R 3p , R 3s ), non nulle, inférieure au rayon intérieur (R intp , R ints ) par rapport à l’axe (20 p , 20 s ) de révolution, le profil radial (e p , e s ) d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur (e 1p , e 1s ) en un deuxième coin (C 2p , C 2s ) descendant depuis la première plage (R 1p -R 2p , R 1s -R 2s ) de distance radiale sur une troisième plage (R 2p -R 4p , R 2s -R 4s ) de distance radiale se terminant à une deuxième distance extérieure (R 4p , R 4s ) supérieure au rayon extérieur (R extp , R exts ) par rapport à l’axe (20 p , 20 s ) de révolution, avec une plus grande section axiale (S intp , S ints ) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques (5, 5 p , 5 s ) de la première distance intérieure (R 3p , R 3s ) au rayon médian (R mp , R ms ) que du rayon médian (R mp , R ms ) à la deuxième distance extérieure (R 4p , R 4s ). Dispositif suivant l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le noyau (4, 4 p , 4 s ) de matériau magnétique est constitué d’éléments discrets parallélépipédiques (5, 5 p , 5 s ) de matériau magnétique, le profil radial (e p , e s ) d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur (e 1p , e 1s ) en un premier coin (C 1p , C 1s ) descendant depuis la première plage (R 1p -R 2p , R 1s -R 2s ) de distance radiale sur une deuxième plage (R 1p -R 3p , R 1s -R 3s ) de distance radiale se terminant à une première distance intérieure (R 3p , R 3s ), non nulle, inférieure au rayon intérieur (R intp , R ints ) par rapport à l’axe (20 p , 20 s ) de révolution, le profil radial (e p , e s ) d’épaisseur étant décroissant sous la première valeur d’épaisseur (e 1p , e 1s ) en un deuxième coin (C 2p , C 2s ) descendant depuis la première plage (R 1p -R 2p , R 1s -R 2s ) de distance radiale sur une troisième plage (R 2p -R 4p , R 2s -R 4s ) de distance radiale se terminant à une deuxième distance extérieure (R 4p , R 4s ) supérieure au rayon extérieur (R extp , R exts ) par rapport à l’axe (20 p , 20 s ) de révolution, avec une plus grande section axiale (S intp , S ints ) couverte par les éléments discrets parallélépipédiques (5, 5 p , 5 s ) du rayon intérieur (R intp , R ints ) au rayon médian (R mp , R ms ) que du rayon médian (R mp , R ms ) au rayon extérieur (R extp , R exts ). Dispositif suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le profil radial (e p , e s ) d’épaisseur est formé par une partie intérieure tronconique de la première distance intérieure (R 3p , R 3s ) au rayon médian (R mp , R ms ) et par une partie extérieure tronconique du rayon médian (R mp , R ms ) à la deuxième distance extérieure (R 4p , R 4s ). Dispositif suivant l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le dispositif (1 p ) de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le profil radial (e p ) d’épaisseur est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1p et f 2p , où où , où R mp est le rayon médian, α p est une première constante prescrite, positive et non nulle, β p est une deuxième constante prescrite, positive et non nulle, R’ 3p est une première valeur de distance prescrite, inférieure ou égale à la première distance intérieure (R 3p ), R est une variable de distance par rapport à l’axe (20 p ) de révolution, R’ 4p est une deuxième valeur de distance prescrite, supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure R 4p , avec R mp - R’ 3p > R’ 4p - R mp > 0. Dispositif suivant l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le dispositif (1 p ) de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le profil radial (e p ) d’épaisseur est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1p et f 2p , où où , où R m p est le rayon médian, R’ 3 p est une première valeur de distance prescrite, inférieure ou égale à la première distance intérieure (R 3 p ), R est une variable de distance par rapport à l’axe (20 p ) de révolution, R’ 4 p est une deuxième valeur de distance prescrite, supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure (R 4 p ), avec R mp - R’ 3p > R’ 4p - R mp > 0. Dispositif suivant la revendication 7, caractérisé en ce que et/ou et/ou . Dispositif suivant la revendication 3 ou 4 ou l’une quelconque des revendications 6 à 8, lorsqu’elle dépend de la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que le dispositif (1 p ) de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le premier coin (C 1 p ) descendant est situé à une troisième distance (R 1 p ) supérieure au rayon intérieur (R intp ) et inférieure au rayon médian (R m p ) par rapport à l’axe (20 p ) de révolution, le deuxième coin (C 2 p ) descendant est situé à une quatrième distance (R 2 p ) supérieure au rayon médian (R m p ) et inférieure au rayon extérieur (R ext p ) par rapport à l’axe (20 p ) de révolution. Dispositif suivant la revendication 3 ou 4 ou l’une quelconque des revendications 6 à 9, lorsqu’elle dépend de la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que le dispositif (1 p ) de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le profil radial (e p ) d’épaisseur comporte dans la troisième plage (R 2 p -R 4 p ) de distance radiale au moins un troisième coin (C 5p ) descendant, situé à une première distance déterminée (R 5p ) de coin, inférieure au rayon extérieur (R ext p ) par rapport à l’axe (20 p ) de révolution, le profil radial (e p ) d’épaisseur comporte dans la deuxième plage (R 1p -R 3p ) de distance radiale au moins un quatrième coin (C 6p ) descendant, situé à une deuxième distance déterminée (R 6 p ) de coin, inférieure au rayon intérieur (R intp ) par rapport à l’axe (20 p ) de révolution. Dispositif suivant l’une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le dispositif (1 p ) de transfert d’énergie sans contact forme le primaire d’un coupleur (100) de transfert d’énergie sans contact et est destiné à être monté sur une embase (700) au sol (701). Dispositif suivant l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le dispositif (1 s ) de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le profil radial (e s ) d’épaisseur est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1s et f 2s , où où , où R ms est le rayon médian, α s est une première constante prescrite, positive et non nulle, β s est une deuxième constante prescrite, positive et non nulle, R’ 3s est une première valeur de distance prescrite, inférieure ou égale à la première distance intérieure (R 3s ), R est une variable de distance par rapport à l’axe (20 s ) de révolution, R’ 4s est une deuxième valeur de distance prescrite, supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure (R 4s ), avec R m s - R’ 3 s > R’ 4 s - R m s > 0. Dispositif suivant l’une quelconque des revendications 1 à 5, 12, caractérisé en ce que le dispositif (1 s ) de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le profil radial (e s ) d’épaisseur est inscrit à ±10% en dimensions sous un gabarit dimensionnel d’épaisseur f 1 s et f 2 s , où où , où R m s est le rayon médian, R’ 3 s est une première valeur de distance prescrite, inférieure ou égale à la première distance intérieure (R 3 s ), R est une variable de distance par rapport à l’axe (20 s ) de révolution, R’ 4 s est une deuxième valeur de distance prescrite, supérieure ou égale à la deuxième distance extérieure (R 4 s ), avec R ms - R’ 3s > R’ 4s - R ms > 0. Dispositif suivant la revendication 13, caractérisé en ce que et/ou et/ou . Dispositif suivant la revendication 3 ou 4 ou l’une quelconque des revendications 12 à 14, lorsqu’elle dépend de la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que le dispositif (1 s ) de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le premier coin (C 1 s ) descendant est situé à une troisième distance (R 1 s ) inférieure au rayon intérieur (R int s ), le deuxième coin (C 2 s ) descendant est situé à une quatrième distance (R 2 s ) supérieure au rayon médian (R m s ) et inférieure au rayon extérieur (R ext s ) par rapport à l’axe (20 s ) de révolution. Dispositif suivant la revendication 3 ou 4 ou l’une quelconque des revendications 12 à 15, lorsqu’elle dépend de la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que le dispositif (1 s ) de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le profil radial (e s ) d’épaisseur comporte dans la troisième plage (R 2s -R 4s ) de distance radiale au moins un cinquième coin (C 5s ) descendant, situé à une première distance déterminée (R 5s ) de coin, supérieure au rayon extérieur (R exts ) par rapport à l’axe (20 s ) de révolution, le profil radial (e s ) d’épaisseur comporte dans la deuxième plage (R 1s -R 3s ) de distance radiale au moins un sixième coin (C 6s ) descendant, situé à une deuxième distance déterminée (R 6s ) de coin, inférieure au rayon intérieur (R ints ) par rapport à l’axe (20 s ) de révolution. Dispositif suivant la revendication 3 ou 4 ou l’une quelconque des revendications 12 à 14, lorsqu’elle dépend de la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que le dispositif (1 s ) de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur de transfert d’énergie sans contact, le premier coin (C 1 s ) descendant est situé à une troisième distance (R 1 s ) supérieure au rayon intérieur (R int s ) et inférieure au rayon médian (R m s ) par rapport à l’axe (20 s ) de révolution, le deuxième coin (C 2 s ) descendant est situé à une quatrième distance (R 2 s ) supérieure au rayon médian (R m s ) et inférieure au rayon extérieur (R ext s ) par rapport à l’axe (20 s ) de révolution. Dispositif suivant l’une quelconque des revendications 1 à 5, 12 à 17, caractérisé en ce que le dispositif (1 s ) de transfert d’énergie sans contact forme le secondaire d’un coupleur (100) de transfert d’énergie sans contact et est destiné à être monté sur une embase (600) d’un véhicule automobile. Coupleur (100) de transfert d’énergie sans contact, comportant un premier dispositif (1 p ) de transfert d’énergie sans contact suivant l’une quelconque des revendications 6 à 11 et un deuxième dispositif (1 s ) de transfert d’énergie sans contact suivant l’une quelconque des revendications 12 à 18, le premier dispositif (1 p ) de transfert d’énergie étant apte à envoyer de l’énergie électromagnétique au deuxième dispositif (1 s ) de transfert d’énergie, sans contact avec le deuxième dispositif (1 s ) de transfert d’énergie, au moins dans une position de couplage, dans laquelle le côté (31 s ) de couplage d’énergie du deuxième dispositif (1 s ) de transfert d’énergie est positionné en face et à distance du côté (31 p ) de couplage d’énergie du premier dispositif (1 p ) de transfert d’énergie, dans laquelle l’axe (20 s ) de révolution du deuxième dispositif (1 s ) de transfert d’énergie est coaxial avec l’axe (20 p ) de révolution du premier dispositif (1 p ) de transfert d’énergie et dans laquelle un courant est envoyé dans l’au moins un bobinage (2 p ) du premier dispositif (1 p ) de transfert d’énergie.