FR 3133703 A1 20230922 FR 2302477 A 20230317 D'une façon générale, conformément à un mode de réalisation, il est mis à disposition un procédé de fabrication d'une structure. Le procédé comprend la formation d'un évidement dans un substrat semi-conducteur ; l'oxydation d'au moins une surface intérieure de fond de l'évidement ; et la fourniture d'un liquide capable de dissoudre un oxyde d'un matériau de substrat semi-conducteur au moins à la surface intérieure de fond de l'évidement. Fig 2 Procédé de fabrication d'une structure et procédé de fabrication d'un condensateur Domaine Des modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé de fabrication d'une structure et un procédé de fabrication d'un condensateur. Arrière-plan La gravure est connue en tant que procédé pour former un trou ou une rainure dans une galette de semi-conducteur. En tant que gravure, on connaît le procédé MacEtch (gravure chimique assistée par un métal). Le procédé MacEtch est un procédé de gravure d'un substrat semi-conducteur utilisant par exemple un métal noble en tant que catalyseur. Dans le cas où une tranchée ayant un rapport d'aspect élevé est formé dans une galette de Si par le procédé MacEtch, du Si sous une forme allongée aciculaire reste sur la surface de fond de la tranchée. Ce Si aciculaire peut provoquer des fissures au moment de la formation d'une couche diélectrique, d'une couche isolante, d'une électrode, ou analogue, sur la tranchée lors de la fabrication d'un condensateur. Par exemple, s'il se produit une fissure dans la couche diélectrique, une défaillance due à une fuite survient. De plus, il y a comme problème que le Si de forme aciculaire provoque une diminution des caractéristiques de tension de tenue du fait de la concentration de champ électrique au niveau d'une portion de coin dans le condensateur. La est une vue schématique illustrant un exemple d'un traitement de formation d'évidement dans un procédé d'un mode de réalisation La est une vue schématique illustrant un exemple d'un état après le traitement de formation d'évidement dans le procédé du mode de réalisation. La est une vue schématique illustrant un exemple d'un traitement d'oxydation dans le procédé du mode de réalisation. La est une vue schématique illustrant un exemple d'un traitement d'élimination d'oxyde dans le procédé du mode de réalisation. La est une vue schématique illustrant un traitement dans le procédé de fabrication du condensateur du mode de réalisation. La est une vue schématique illustrant un exemple d'un traitement de formation d'un oxyde contenant des impuretés dans le procédé du mode de réalisation. La est une vue schématique illustrant un exemple d'un traitement d'oxydation dans le procédé du mode de réalisation. La est une vue schématique illustrant un exemple du traitement d'élimination d'oxyde dans le procédé du mode de réalisation. La est une vue schématique illustrant un traitement dans le procédé de fabrication d'un condensateur selon le mode de réalisation. La est une micrographie électronique à balayage montrant une section transversale au voisinage du fond d'une tranchée après le traitement de gravure dans le procédé du mode de réalisation. La est une micrographie électronique à balayage montrant une section transversale au voisinage du fond d'une tranchée dans un condensateur qui est fabriqué par le procédé du mode de réalisation. La est une vue schématique illustrant un traitement d'élimination d'oxyde par le procédé de l'exemple comparatif. Procédé de fabrication d'une structure, comprenant : la formation d'un évidement (2) dans un substrat semi-conducteur (1) ; l'oxydation d'au moins une surface intérieure de fond (2a) de l'évidement (2) ; et la fourniture d'un liquide capable de dissoudre un oxyde d'un matériau de substrat semi-conducteur (1) au moins à la surface intérieure de fond (2a) de l'évidement (2). Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 1, dans lequel la formation de l'évidement (2) dans le substrat semi-conducteur (1) est effectuée par gravure utilisant un catalyseur qui comprend un métal noble. Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 2, dans lequel la gravure utilisant un catalyseur qui comprend un métal noble est une gravure chimique assistée par un métal. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'oxydation est une oxydation thermique, une oxydation anodique, ou une photo-oxydation. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat semi-conducteur (1) est un substrat de Si, et l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur est un oxyde de Si. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le liquide qui est capable de dissoudre l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur (1) comprend du fluorure d'hydrogène. Procédé de fabrication d'une structure, comprenant : la formation d'un évidement (2) dans un substrat semi-conducteur (1) ; la fourniture d'un oxyde contenant des impuretés au moins à une surface intérieure de fond (2a) de l'évidement (2) ; le chauffage du substrat semi-conducteur (1) en présence d'oxygène gazeux ; et la fourniture d'un liquide capable de dissoudre un oxyde d'un matériau de substrat semi-conducteur (1) au moins à la surface intérieure de fond (2a) de l'évidement (2). Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 7, dans lequel la formation de l'évidement (2) dans le substrat semi-conducteur (1) est effectuée par gravure utilisant un catalyseur qui comprend un métal noble. Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 8, dans lequel la gravure utilisant un catalyseur qui comprend un métal noble est une gravure chimique assistée par un métal. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel l'oxyde contenant une impureté est formé par dépôt chimique en phase vapeur, dépôt chimique en phase vapeur basse pression, ou implantation ionique. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel l'oxyde contenant une impureté comprend, en tant qu'impureté, au moins l'une parmi une impureté de type P et une impureté de type N. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel le substrat semi-conducteur (1) est un substrat de Si, et l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur est un oxyde de Si. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications 7 à 12, dans lequel le liquide qui est capable de dissoudre l'oxyde du matériau de substrat semi-conducteur comprend du fluorure d'hydrogène. Procédé de fabrication d'un condensateur, comprenant : la fabrication d'une structure comprenant un substrat semi-conducteur (1) comprenant un évidement par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13 ; et la formation d'une couche conductrice (13) ou d'une couche diélectrique (14) dans l'évidement (2) du substrat semi-conducteur (1).