FR 3133699 A1 20230922 FR 2202466 A 20220321 Mémoire morte programmable La présente description concerne un cellule mémoire morte programmable (10) comprenant une première couche isolante (22) située entre un caisson semiconducteur (12) et une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (24), la première couche isolante (22) comprenant une partie périphérique (22b) et une partie centrale (22a), la partie périphérique (22b) ayant une épaisseur supérieure à l'épaisseur de la partie centrale (22a). Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Mémoire morte programmable La présente description concerne de façon générale les cellules mémoire et plus précisément les cellules mémoire du type mémoire morte programmable. Une mémoire morte programmable (en anglais PROM pour Programmable Read Only Memory, ou OTP pour One Time Programmable) est un type de mémoire morte qui peut être programmée une seule fois. Il existe plusieurs types de mémoires PROM dont un type dit fusible correspondant à des cellules mémoires dans lesquelles une couche isolante est endommagée par un claquage électrique. La cellule mémoire contient donc une première valeur binaire lorsque l'isolant n'est pas endommagé et une autre valeur binaire lorsque l'isolant est endommagé. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des mémoires mortes programmables connues. Un mode de réalisation prévoit une cellule mémoire morte programmable comprenant une première couche isolante située entre un caisson semiconducteur et une deuxième couche conductrice ou semiconductrice, la première couche isolante comprenant une partie périphérique et une partie centrale, la partie périphérique ayant une épaisseur supérieure à l'épaisseur de la partie centrale. Selon un mode de réalisation, le caisson est en contact avec la première couche et la deuxième couche est en contact avec la première couche. Selon un mode de réalisation, le caisson et la deuxième couche ne sont pas en contact. Selon un mode de réalisation, les épaisseurs des parties centrale et périphérique de la première couche sont sensiblement constantes. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la partie périphérique de la première couche est au moins une fois et demi plus élevée que l'épaisseur de la partie centrale de la première couche. Selon un mode de réalisation, le caisson comprend des première et deuxième régions, la deuxième région étant plus fortement dopée que la première région, la partie centrale étant en contact avec la deuxième région. Selon un mode de réalisation, la deuxième région entoure une portion de la première région, la partie centrale reposant uniquement sur la deuxième région et sur ladite portion de la première région. Selon un mode de réalisation, une portion périphérique de la deuxième région est recouverte par la partie périphérique. Selon un mode de réalisation, la portion de la deuxième région n'étant pas recouverte par la partie centrale est recouverte par la partie périphérique. Selon un mode de réalisation, la concentration de dopants de la deuxième région est au moins deux fois supérieure à celle de la première région. Selon un mode de réalisation, la plus petite dimension, dans le plan de la face supérieure du caisson, de la portion de la partie centrale de la première couche située en regard de la deuxième région est au moins égale à 0,5 µm. Selon un mode de réalisation, le caisson comprend une troisième région, plus fortement dopée que la deuxième région, entourant la deuxième région et comprenant au moins une portion non recouverte par la première couche. Selon un mode de réalisation, la cellule comprend au moins un contact conducteur en contact avec la troisième région. Selon un mode de réalisation, le rapport entre la largeur de la partie périphérique et la partie centrale est supérieure ou égale à 2. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche recouvre uniquement la première couche. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente un mode de réalisation d'une cellule mémoire d'une mémoire morte programmable ; et la représente une vue du mode de réalisation de la dans le plan B-B de la ; et la est une vue du mode de réalisation de la dans le plan B-B de la . Cellule mémoire morte programmable (10) comprenant une première couche isolante (22) située entre un caisson semiconducteur (12) et une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (24), la première couche isolante (22) comprenant une partie périphérique (22b) et une partie centrale (22a), la partie périphérique (22b) ayant une épaisseur supérieure à l'épaisseur de la partie centrale (22a). Cellule selon la revendication 1, dans laquelle le caisson (12) est en contact avec la première couche (22) et la deuxième couche (24) est en contact avec la première couche (22). Cellule selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le caisson (12) et la deuxième couche (24) ne sont pas en contact. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle les épaisseurs des parties centrale (22a) et périphérique (22b) de la première couche (22) sont sensiblement constantes. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle l'épaisseur de la partie périphérique (22b) de la première couche (22) est au moins une fois et demi plus élevée que l'épaisseur de la partie centrale (22a) de la première couche (22). Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle le caisson (12) comprend des première (16) et deuxième (18) régions, la deuxième région (18) étant plus fortement dopée que la première région (16), la partie centrale (22a) étant en contact avec la deuxième région (18). Cellule selon la revendication 6, dans laquelle la deuxième région (18) entoure une portion (20) de la première région (16), la partie centrale (22a) reposant uniquement sur la deuxième région (18) et sur ladite portion (20) de la première région (16). Cellule selon la revendication 6 ou 7, dans laquelle une portion périphérique de la deuxième région (18) est recouverte par la partie périphérique (22b). Cellule selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans laquelle la portion de la deuxième région (18) n'étant pas recouverte par la partie centrale (22a) est recouverte par la partie périphérique (22b). Cellule selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, dans laquelle la concentration de dopants de la deuxième région (18) est au moins deux fois supérieure à celle de la première région (16). Cellule selon l'une quelconque des revendications 6 à 10, dans laquelle la plus petite dimension, dans le plan de la face supérieure du caisson (12), de la portion de la partie centrale (22a) de la première couche (22) située en regard de la deuxième région (18) est au moins égale à 0,5 µm. Cellule selon l'une quelconque des revendications 6 à 11, dans laquelle le caisson (12) comprend une troisième région (14), plus fortement dopée que la deuxième région (18), entourant la deuxième région (18) et comprenant au moins une portion non recouverte par la première couche (22). Cellule selon la revendication 12, comprenant au moins un contact conducteur (28) en contact avec la troisième région (14). Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans laquelle le rapport entre la largeur de la partie périphérique (22b) et la partie centrale (22a) est supérieure ou égale à 2. Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans laquelle la deuxième couche (24) recouvre uniquement la première couche (22).