FR 3128818 A1 20230505 FR 2111632 A 20211102 Titre : Procédé de croissance verticale d’un matériau III-V L’invention concerne un procédé de croissance d’un matériau III-V comprenant une fourniture d’un empilement comprenant une couche cristalline en matériau III-V, une première couche de masquage surmontant la couche de germination, la première couche de masquage présentant au moins une première ouverture, une formation d’au moins une couche, un dépôt d’une deuxième couche de masquage recouvrant une face supérieure de la couche sacrificielle, une formation d’au moins une deuxième ouverture dans la deuxième couche de masquage, un retrait de la couche sacrificielle sélectivement à la première couche de masquage et à la deuxième couche de masquage, une croissance par épitaxie d’un matériau à base du matériau III-V à partir de la couche de germination, une formation d’au moins une troisième ouverture dans la deuxième couche de masquage et une croissance par épitaxie d’au moins un matériau à base du matériau III-V à partir de la première couche épitaxiée. Figure pour l’abrégé : Fig.12 Procédé de croissance verticale d’un matériau III-V La présente invention concerne la croissance de matériaux III-V, tels que le GaN. Elle permet avantageusement la croissance de matériaux III-V pour réaliser des dispositifs micro-électroniques dits verticaux. Elle trouve par exemple pour application particulièrement avantageuse le domaine de l’électronique de puissance. ETAT DE LA TECHNIQUE Les composants électroniques de puissance, typiquement à base de GaN, sont actuellement confectionnés à partir de dispositifs dits latéraux, comme les transistors à électron à haute mobilité, connus sous le terme anglais de « High Electron Mobility Transistor » (HEMT), ou à partir de dispositifs dits verticaux réalisés principalement sur des substrats de GaN. Les dispositifs verticaux présentent de nombreux avantages. Du fait de leurs dimensions, ils occupent moins de superficie que les dispositifs latéraux, et rencontrent également moins de problèmes liés à la présence de pièges. Cependant, les solutions actuelles pour obtenir ces dispositifs verticaux présentent de nombreux inconvénients. Une solution consiste à faire croître verticalement une couche de GaN à partir de substrats de GaN, également désignés substrats autoporteur ou free-standing GaN substrats. Cette solution permet d’obtenir de bonnes performances. En revanche, cette solution présente comme inconvénient que ces substrats de GaN sont très coûteux et sont uniquement disponibles dans de petites dimensions, typiquement des substrats de 5 cm (5.10 -2 m) de diamètre. Une alternative à la croissance sur substrat de GaN est la croissance sur substrat silicium (« GaN sur silicium »), qui a l’avantage d’être plus économique et de permettre d’accéder à des substrats de grands diamètres. Cette alternative présente en revanche deux inconvénients majeurs. Les couches de GaN ainsi obtenues présentent des densités de dislocation très élevées, de l’ordre de 10 9 cm -2 . Par ailleurs, du fait de la différence entre le paramètre de maille du GaN et celui du silicium, il est difficile d’obtenir des couches très épaisses, pourtant nécessaires à la fabrication de dispositifs verticaux. La présente invention vise donc à réduire les inconvénients mentionnés ci-dessus liés à la croissance de couches épaisses de matériaux III-V, et par exemple la croissance de couches épaisses de matériaux III-N et plus particulièrement de GaN sur un substrat de silicium. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre les objectifs mentionnés ci-dessus, un premier aspect de l’invention concerne un procédé de croissance d’un matériau III-V comprenant : Une fourniture d’un empilement comprenant une couche cristalline en matériau III-V dite couche de germination, une première couche de masquage surmontant la couche de germination, la première couche de masquage présentant au moins une première ouverture exposant une partie d’une face supérieure de la couche de germination, Une formation d’au moins une couche sacrificielle remplissant la première ouverture et s’étendant depuis la première ouverture sur au moins une première région d’une face supérieure de la première couche de masquage, Un dépôt d’une deuxième couche de masquage recouvrant une face supérieure de la couche sacrificielle et recouvrant au moins une deuxième région de la face supérieure de la première couche de masquage, la deuxième région étant non recouverte par la couche sacrificielle, Une formation d’au moins une deuxième ouverture dans la deuxième couche de masquage de sorte à rendre accessible une partie de la face supérieure de la couche sacrificielle, Un retrait de la couche sacrificielle sélectivement par rapport à la première couche de masquage et à la deuxième couche de masquage, de sorte à former au moins une cavité, Une croissance par épitaxie d’un matériau à base du matériau III-V à partir de la couche de germination dans la première ouverture et dans la cavité, de sorte à former au moins une première couche épitaxiée s’étendant dans la première ouverture et dans la cavité et présentant une face supérieure s’étendant principalement dans un plan XY, Une formation d’au moins une troisième ouverture dans la deuxième couche de masquage sur une portion permettant d’exposer une partie de la face supérieure l’au moins une première couche épitaxiée, Une croissance par épitaxie d’au moins un matériau à base du matériau III-V à partir de la première couche épitaxiée, la direction privilégiée de la croissance étant normale au plan XY, de sorte à former au moins une deuxième couche épitaxiée s’étendant depuis l’au moins une première couche épitaxiée. Le confinement lors de la croissance de la première couche épitaxiée, ainsi que la forme en coude de cette dernière, permet d’éviter la propagation des dislocations et d’obtenir une première couche épitaxiée présentant une densité de défauts très faible, propice à la croissance verticale, à partir de cette même première couche épitaxiée, d’une deuxième couche épitaxiée épaisse et présentant elle-même peu de défauts. Ainsi, le procédé permet de réaliser une croissance verticale d’un matériau III-V en évitant les problèmes liés à la propagation des dislocations. Selon un autre aspect, l’invention porte sur un dispositif microélectronique, comprenant un empilement de couches selon une direction verticale, ledit empilement comprenant, à partir d’une surface inférieure dudit empilement, une couche de germination cristalline en un matériau III-V, une première couche cristalline à base de ce même matériau et une deuxième couche cristalline à base de ce même matériau, caractérisé en ce que la première couche cristalline présente une zone qui forme saillie, en projection dans le plan XY, par rapport à la deuxième couche. De préférence, la première couche s’étend selon une direction Z normale au plan XY sur une épaisseur H 110 et la deuxième couche s’étend selon cette direction Z sur une épaisseur H 120 , avec H 120 >2*H 110 et de préférence H 120 >3*H 110 . De préférence la couche de germination et la première couche épitaxiée d’une part, et la première couche épitaxiée et la deuxième couche épitaxiée d’autre part, sont en contact. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : Les figures 1 à 12 représentent les étapes principales d’un exemple de procédé de réalisation. La représente un empilement comprenant une couche cristalline d’un matériau III-V, dite couche de germination et une première couche de masquage surmontant la couche de germination. Les figures 2 à 12 présentent des étapes appliquées à l’empilement illustré en . La illustre un exemple de structure que l’on peut obtenir, et qui comporte une couche épaisse épitaxiée de matériau III-V. Les figures 13 et 14 illustrent un mode de réalisation alternatif, permettant de réduire les risques de dopage parasite de la couche épitaxiée de matériau III-V. Les figures 15 et 16 illustrent des situations défavorables pour la conduction électrique verticale et le confinement des défauts pouvant se produire lors de la croissance de la première et de la deuxième couche épitaxiée respectivement, lorsque le procédé n’est pas mis en œuvre. Les figures 17 et 21 illustrent différents exemples de formes de couches sacrificielles pouvant être adoptées dans le cadre de la mise en œuvre du procédé, ces formes permettant d’obtenir des formes variées de couche épitaxiée de matériau III-V. Les figures 22 à 27 illustrent plusieurs modes de réalisation pour confectionner des composants micro-électroniques de puissance tels que des diodes p-n, ou des LEDs. Les figures 22 à 24 illustrent des étapes de réalisation d’une diode p-n. Les figures 25 à 27 illustrent des étapes spécifiques à la réalisation d’une LED. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les dimensions et épaisseurs des différentes couches ne sont pas représentatives de la réalité. Procédé de croissance d’un matériau III-V comprenant : Une fourniture d’un empilement (1) comprenant une couche cristalline en matériau III-V dite couche de germination (100), une première couche de masquage (210) surmontant la couche de germination (100), la première couche de masquage (210) présentant au moins une première ouverture (310) exposant une partie (102) d’une face supérieure (101) de la couche de germination (100), Une formation d’au moins une couche sacrificielle (30) remplissant la première ouverture (310) et s’étendant depuis la première ouverture (310) sur au moins une première région (213) d’une face supérieure (211) de la première couche de masquage (210), Un dépôt d’une deuxième couche de masquage (220) recouvrant une face supérieure (31) de la couche sacrificielle (30) et recouvrant au moins une deuxième région (214) de la face supérieure (211) de la première couche de masquage (210), la deuxième région (214) étant non recouverte par la couche sacrificielle (30), Une formation d’au moins une deuxième ouverture (320) dans la deuxième couche de masquage (220) de sorte à rendre accessible une partie (32) de la face supérieure (31) de la couche sacrificielle (30), Un retrait de la couche sacrificielle (30) sélectivement par rapport à la première couche de masquage (210) et à la deuxième couche de masquage (220), de sorte à former au moins une cavité (40), Une croissance par épitaxie d’un matériau à base du matériau III-V à partir de la couche de germination (100) dans la première ouverture (310) et dans la cavité (40), de sorte à former au moins une première couche épitaxiée (110) s’étendant dans la première ouverture (310) et dans la cavité (40) et présentant une face supérieure (111) s’étendant principalement dans un plan XY, Une formation d’au moins une troisième ouverture (330) dans la deuxième couche de masquage (220) sur une portion permettant d’exposer une partie (112) de la face supérieure (111) l’au moins une première couche épitaxiée (110), Une croissance par épitaxie d’au moins un matériau à base du matériau III-V à partir de la première couche épitaxiée (110), la direction privilégiée de la croissance étant normale au plan XY, de sorte à former au moins une deuxième couche épitaxiée (120) s’étendant depuis l’au moins une première couche épitaxiée (110). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel selon une coupe parallèle au plan XY, la première ouverture (310) présente une dimension L 310 et la face supérieure (111) de la première couche épitaxiée (110) présente une dimension L 111 , avec L 111 >5*L 310 , de préférence L 111 >10*L 310 et de préférence L 111 >20*L 310 . Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première couche épitaxiée (110) présente une épaisseur H 110 et la deuxième couche épitaxiée (120) présente une épaisseur H 120 , avec H 120 >2*H 110 , de préférence H 120 >3*H 110 et de préférence H 120 >5*H 110 , les épaisseurs H 120 et H 110 étant prises selon une direction Z perpendiculaire au plan XY. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant, après la formation de la première couche épitaxiée (110) et avant la formation de la troisième ouverture (330) dans la deuxième couche de masquage (220), un dépôt d’une troisième couche de masquage (230) sur la deuxième couche de masquage (220), et une formation dans la troisième couche de masquage (230) d’au moins une quatrième ouverture (340) présentant des flancs (231) et configurée pour exposer une partie de la deuxième couche de masquage (220), les flancs (231) de la troisième couche de masquage (230) étant conservés lors de la croissance de la deuxième couche épitaxiée (120) à partir de la première couche épitaxiée (110). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel une couche de protection (50) est déposée au moins sur les flancs (231) de la troisième couche de masquage (230), et de préférence sur des flancs (223) définissant la troisième ouverture (330) de la deuxième couche de masquage (220), avant l’étape de croissance de la deuxième couche épitaxiée (120), cette couche de protection (50) recouvrant les flancs (231) de la troisième couche de masquage (230), et de préférence les flancs (223) de la deuxième couche de masquage (220), durant l’étape de croissance de la deuxième couche épitaxiée. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la cavité (40) présente une portion de section triangulaire selon une coupe parallèle au plan XY, ladite portion s’étendant depuis l’aplomb de la première ouverture (310). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la croissance de la première couche épitaxiée (110) se fait dans toutes les directions du plan XY. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la première ouverture (310) est située à l’aplomb d’un centre de la cavité (40). Procédé selon l’une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel la cavité (40) est de forme hexagonale. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant : un dopage parmi un dopage de type N ou de type P de la première couche épitaxiée (110), un dopage de l’autre type parmi un dopage de type N ou de type P d’une deuxième zone dopée (1002) de la deuxième couche épitaxiée (120), la deuxième zone dopée s’étendant depuis face supérieure (121) de la deuxième couche épitaxiée (120). Procédé selon la revendication précédente, comprenant en outre : une réalisation d’une première électrode (2001) en contact électrique avec la deuxième couche épitaxiée (120), une réalisation d’une deuxième électrode (2002) en contact électrique avec la première couche épitaxiée (110). Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l’empilement forme une jonction PN. Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre une formation de puits quantiques au sein de la deuxième couche épitaxiée (120), de sorte à fabriquer une LED. Procédé selon l’une quelconque des trois revendications précédentes prises en combinaison avec l’une quelconque des revendications 4 à 5, dans lequel la première électrode (2001) est déposée dans une cinquième ouverture (350) préalablement réalisée dans la troisième couche de masquage (230) et dans la deuxième couche de masquage (220) de sorte à exposer une partie de la face supérieure (111) de la première couche épitaxiée (110) et la rendre accessible depuis une face supérieure (232) la troisième couche de masquage (230). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau III-V de la première couche épitaxiée (110) et le matériau III-V de la deuxième couche épitaxiée (120) sont des matériaux III-N, et de préférence sont des matériaux à base de nitrure de gallium et de préférence sont faits de nitrure de gallium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel : la première couche de masquage (210) présente une pluralité de premières ouvertures (310) exposant chacune une partie (102) de la face supérieure (101) de la couche de germination (100), l’étape de formation d’au moins une couche sacrificielle (30) est effectuée de sorte à former une pluralité de couches sacrificielles (30), disjointes les unes des autres, remplissant chacune au moins une première ouverture (310), la deuxième couche de masquage (220) recouvre la pluralité de couches sacrificielles (30), l’étape de formation d’au moins une deuxième ouverture (320) est effectuée de sorte à rendre accessible une partie (32) de la face supérieure (31) de chacune des couches sacrificielles (30), l’étape de formation d’au moins une deuxième ouverture (320) est effectuée de sorte à former une pluralité de deuxièmes ouvertures (320), de sorte à rendre accessible une partie (32) de la face supérieure (31) de chaque couche sacrificielle (30), l’étape de retrait de chaque couche sacrificielle (30) sélectivement à la première couche de masquage (210) et à la deuxième couche de masquage (220), est effectuée de sorte à former au moins une pluralité de cavités (40), l’étape de croissance par épitaxie du matériau III-V à partir de la couche de germination (100) est effectuée de sorte à former une pluralité de premières couches épitaxiées (110), chaque première couche épitaxiée (110) étant située dans une cavité (40), la formation d’au moins une troisième ouverture (330) est effectuée de sorte à exposer une partie (112) de la face supérieure (111) de chaque première couche épitaxiée (110), l’étape de croissance par épitaxie du matériau III-V à partir de l’au moins une première couche épitaxiée (110) est effectuée de sorte à former une deuxième couche épitaxiée (120) s’étendant depuis chaque première couche épitaxiée (110). Dispositif microélectronique, comprenant un empilement de couches selon une direction verticale (z), ledit empilement comprenant, à partir d’une surface inférieure (500) dudit empilement, une couche de germination (100) cristalline en un matériau III-V, une première couche (110) cristalline à base de ce même matériau et une deuxième couche (120) cristalline à base de ce même matériau, comprenant de plus une première couche de masquage (210) et une deuxième couche de masquage (220), caractérisé en ce que la première couche (110) présente une zone (113) qui forme saillie, en projection dans un plan XY normal à la direction verticale (z), par rapport à la deuxième couche (120), la couche de germination (100) et la première couche épitaxiée (110) d’une part, et la première couche épitaxiée (110) et la deuxième couche épitaxiée (120) d’autre part, sont en contact. Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel la première couche (110) s’étend selon la direction verticale (z) sur une épaisseur H 110 et la deuxième couche (120) s’étend selon la direction verticale (z) sur une épaisseur H 120 , avec H 120 >2*H 110 et de préférence H 120 >3*H 110 . Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel la première couche (110) présente une première zone dopée (1001), de dopage de type N ou de type P, et la deuxième couche (120) présente à sa surface une deuxième zone dopée (1002), de dopage de l’autre type parmi le type N ou le type P. Dispositif selon la revendication précédente, comportant une première électrode (2001) en contact avec la deuxième zone dopée (1002), et une deuxième électrode (2002) en contact avec la première zone dopée (1001) et dans lequel, de préférence la deuxième couche épitaxiée (120) est entourée d’une quatrième couche de masquage (240), et la deuxième électrode (2002) s’étend au travers de la quatrième couche de masquage (240, 230) et depuis une face supérieure (2342) de la quatrième couche de masquage (240, 230) jusqu’à la première zone dopée (1001).