FR 3129489 A1 20230526 FR 2112413 A 20211123 PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE L’ETAT DE SANTE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES A SEMI-CONDUCTEURS Un procédé de mesure de l’état de santé à un instant t d’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs comportant au moins une borne d'entrée et une borne de sortie d’un courant électrique d’une intensité I entre lesquelles s’établit une tension électrique V, présentant un point de coefficient de température nul ZCP indépendant de la température, le procédé utilisant un capteur d’intensité de courant électrique, un capteur de tension électrique et un processeur échangeant des informations avec ces capteurs, comprend : a- une première étape de détermination , à un instant initial t0, d’une première intensité I,ZCP(t0) lorsque la tension électrique V est égale à une tension V,ZCP0 ; b- une deuxième étape de mesure d’une deuxième intensité I,ZCP(t1) à au moins un instant t1 ultérieur, lorsque la tension V à l’instant t1 est égale à la tension V,ZCP0 ; c- une étape de calcul par le processeur d’un indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique de puissance et dont la valeur est une fonction de la variation de la valeur de l’intensité I,ZCP(t) entre l’état « instant initial » et l’état « instant t1 ». Figure pour l’abrégé : figure 3 PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE L’ETAT DE SANTE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES A SEMI-CONDUCTEURS DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention se rapporte à un procédé et un dispositif de mesure de l’état de santé de composants électroniques. Plus précisément, l’invention se rapporte à un procédé de suivi de la dégradation par fatigue thermique de composants électroniques de puissance à semi-conducteurs pouvant être bipolaires, tels que les diodes de puissance, ou mixtes tels que les composants IGBT (transistor bipolaire à grille isolée, « Insulated Gate Bipolar Transistor »). ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE Les composants électroniques utilisés dans le domaine de l’électronique de puissance permettent de gérer l’énergie électrique ou de réaliser une conversion d’énergie électrique. Les utilisations de ces composants sont très variées. On les retrouve notamment dans les véhicules électriques (voiture électrique, bus, train, métro, …) ou dans le domaine de la production d’énergie renouvelable, par exemple dans les éoliennes ou les panneaux photovoltaïques, mais aussi les réseaux de transport et embarqués (« Flexible Alternating Current Transmission System » ( FACTS ou encore système de transmission flexible en courant alternatif) , Smart Grids.), la variation de vitesse, ainsi que des applications pour un public plus large (électroménager, informatique…). Ils sont utilisés dans de très larges gammes de puissance et sont le plus souvent soumis à un cyclage en température d’amplitude éventuellement importante. La fatigue thermique liée à leurs conditions d’utilisation est le principal facteur de vieillissement des composants de puissance. Ce phénomène de vieillissement thermique peut être compris à l’aide de l’exemple qui suit. Un module IGBT, qui fait partie de la catégorie des composants électroniques à semi-conducteurs mixtes, est représenté sur la . On peut observer sur cette figure que la puce est connectée aux bornes de connexion vers l’extérieur du module par l’intermédiaire d’un fil de liaison (ou fil de « bonding ») en métal, par exemple en aluminium. Lors du fonctionnement du module, la température des différents éléments qui le constituent a tendance à varier, cycliquement ou non, avec une amplitude qui peut atteindre plusieurs dizaines de degrés. Les coefficients de dilatation thermique de ces éléments étant différents, les variations de température provoquent des déformations différentes de ces éléments. Ceci peut alors induire des fissures dans l’un ou l’autre de ces éléments, notamment le fil de « bonding », voire une rupture de l’association entre deux de ces éléments, par exemple au niveau de l’interface puce – fil de « bonding ». Ces différents phénomènes se traduisent dans un premier temps par une dégradation des performances du composant, notamment en termes de rendement énergétique, et dans un second temps par une défaillance du composant. Le module IGBT comporte un support diffuseur de chaleur, qui permet d’évacuer la chaleur produite en cours de fonctionnement dans les différentes parties du module et notamment au niveau de la puce et limiter les variations de température au sein du module. Toutefois, cela ne suffit pas à empêcher ces variations de température et donc le vieillissement thermomécanique du module. Les phénomènes de vieillissement sont ici décrits à titre d’exemple pour un module IGBT mais on observe des phénomènes analogues pour tous les composants à semi-conducteurs de puissance. Pour tous les domaines d’utilisation cités plus haut (systèmes de transport à traction électrique, variation de vitesse ou conversion d’énergie), le suivi de l’état de vieillissement de ces composants est un enjeu majeur puisqu’il permet d’optimiser les opérations de maintenance. Des opérations de diagnostic préalables à ces opérations de maintenance peuvent être effectuées sur un site dédié et équipé, ce qui nécessite de déplacer le dispositif vers ce site en interrompant son utilisation. Il est aussi possible de réaliser les diagnostics in situ, pendant l’utilisation du composant. Ainsi, les diagnostics peuvent être effectués pendant le roulage d’un véhicule ou entre deux périodes de roulage successives sans pour autant déplacer le véhicule. Dans les cas où il n’est pas souhaitable ou possible de déplacer le dispositif que le composant électronique de puissance équipe, il est connu de mettre en œuvre des méthodes de mesure et de contrôle de la température. Ainsi, la demande de brevet européenne EP2564163A2 divulgue un capteur optique permettant le contrôle de la température dans un module semi-conducteur, tel qu’un module IGBT, de manière à en prévenir les défaillances. Cette méthode permet de limiter les variations de température au niveau des composants mais ne fournit pas un indicateur du vieillissement de ce composant. De manière plus commune, et notamment en vue d’établir des diagnostics in situ, différents indicateurs du vieillissement des composants électroniques ont été proposés, parmi lesquels une tension émetteur-collecteur à l’état passant (notée Vce ON pour un composant IGBT) ou une durée de commutation. De tels indicateurs sont notamment décrits dans l’article "Physics-of-Failure, Condition Monitoring, and Prognostics of Insulated Gate Bipolar Transistor Modules: A Review", H. Oh, B. Han, P. McCluskey, C. Han and B. D. Youn, IEEE Transactions on Power Electronics , vol. 30, no. 5, pp. 2413-2426, May 2015, ou encore dans l’article "Accurate Online Junction Temperature Estimation of IGBT Using Inflection Point Based Updated I–V Characteristics", A. Arya, A. Chanekar, P. Deshmukh, A. Verma and S. Anand, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 9, pp. 9826-9836, Sept. 2021 . La plupart de ces indicateurs nécessitent la mesure complémentaire de la température du composant de puissance. Ainsi, la mesure de Vce ON doit, pour être pertinente, être effectuée à température de jonction maitrisée. La mesure de température est effectuée, de manière directe ou indirecte, avec des capteurs dont la mise en œuvre et l’étalonnage sont complexes lorsque la précision du capteur est élevée, comme le montre la table 1 p.9827 de l’article "Accurate Online Junction Temperature Estimation of IGBT Using Inflection Point Based Updated I–V Characteristics". Pour surmonter ces limitations, d’autres indicateurs de l’état de santé des composants électroniques, indépendants de la température - ou tout au moins ne nécessitant pas de mesure de température - sont donc recherchés. L’article "On-line Health Monitoring of Wire-Bonded IGBT Power Modules using On-State Voltage at Zero-Temperature-Coefficient", N. Degrenne and S. Mollov, PCIM Europe 2018; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management , 2018, pp. 1-7, divulgue une méthode de suivi de la dégradation d’un module IGBT basée sur le point ZCP de ce module (ce point étant noté ZTC dans cet article). Tous les composants de puissance bipolaires ou mixtes présentent à l’état passant un coefficient de température négatif à basse température, c’est-à-dire qu’une augmentation de la température à intensité de courant électrique de collecteur Ic constante se traduit par une augmentation de la tension collecteur-émetteur, notée Vce, tandis qu’à haute température, ils présentent un coefficient de température positif. Entre ces deux comportements existe un point ZCP (« Zero Coefficient Point »), c’est-à-dire un point de la caractéristique statique courant-tension (Ic,Vce) du composant (pris dans un état de santé donné) pour lequel la tension émetteur-collecteur V,ZCP correspondant à l’intensité du courant de collecteur I,ZCP est indépendante de la température à laquelle cette caractéristique tension-courant a été tracée. On peut visualiser ce point sur la de la présente demande et sur la figure 10 de l’article "On-line Health Monitoring of Wire-Bonded IGBT Power Modules using On-State Voltage at Zero-Temperature-Coefficient". Le point ZCP évolue en fonction de l’usure du composant électronique de puissance, mais cette évolution n’était pas documentée précisément jusqu’à ce jour, de sorte que l’exploitation de ce point reposait sur des hypothèses non démontrées. Ainsi, les auteurs du document "On-line Health Monitoring of Wire-Bonded IGBT Power Modules using On-State Voltage at Zero-Temperature-Coefficient" font l’hypothèse a priori que l’intensité du courant de collecteur I,ZCP est indépendante de l’état de santé du composant alors que la tension V,ZCP augmente au fur-et-à-mesure de son vieillissement. Ils proposent sur la base de cette hypothèse de réaliser de manière répétée des mesures de la tension V,ZCP à I,ZCP fixée à une valeur déterminée par un étalonnage initial du composant, au début de son utilisation. Toutefois, cette hypothèse semble incorrecte à la lumière de la publication "Accurate Online Junction Temperature Estimation of IGBT Using Inflection Point Based Updated I–V Characteristics", A. Arya, A. Chanekar, P. Deshmukh, A. Verma and S. Anand, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 9, pp. 9826-9836, Sept. 2021 . Cette publication propose un capteur de température pour un composant électronique par mesure indirecte de bonne précision. Ce document suggère par la même occasion la possibilité d’un suivi de l’état de santé d’un tel composant au moyen d’une mesure de résistance. Cette proposition est elle aussi basée sur l’hypothèse que l’intensité du courant de collecteur I,ZCP (notée dans cet article Ic,inf) est indépendante de l’état de santé du composant. Cette hypothèse est notamment rappelée au paragraphe III.A.2) : « the value of Ic,inf is assumed to be same for HIVC [healthy charachteristic] and DIVC [degraded characteristic] ». Cependant, les mesures présentées sur les figures 14 a et 14 b vont à l’encontre de cette hypothèse. On peut observer sur cette figure le point de coefficient de température nul, et en particulier que l’intensité du courant en ce point dépend de l’état d’usure du composant. Il est donc probable que les indicateurs proposés dans les deux articles précédemment décrits ne sont pas d’une précision satisfaisante. L’invention vise ainsi à proposer un procédé de suivi en temps réel de la dégradation de l’état d’un composant électronique de puissance à semi-conducteurs pouvant être bipolaire ou mixte, ce procédé étant peu coûteux, facile à mettre en œuvre, et exploitable dans une optique de maintenance prédictive. Ainsi l’invention se rapporte à un procédé de mesure de l’état de santé à un instant t d’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs, comportant au moins une borne d'entrée et une borne de sortie d’un courant électrique d’une intensité I, entre lesquelles s’établit une tension électrique V, le composant électronique présentant, , un point de coefficient de température nul ZCP qui est indépendant de la température, le procédé utilisant un capteur d’intensité de courant électrique, un capteur de tension électrique et un processeur échangeant des informations avec les capteurs d’intensité de courant électrique et de tension électrique, le procédé comprenant : a- une première étape de détermination, à un instant initial t0, d’une première intensité I,ZCP(t0) lorsque la tension électrique V est égale à une tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant initial », b- une deuxième étape de mesure d’une deuxième intensité I,ZCP(t1) à au moins un instant t1ultérieur, lorsque la tension V à l’instant t1 est égale à la tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant t1 » c- une étape de calcul par le processeur d’un indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique de puissance et dont la valeur est une fonction de la variation de la valeur de l’intensité I,ZCP(t) entre l’état « instant initial » et l’état « instant t1 ». Grâce à ces dispositions, le suivi de l’état de santé du composant électronique est simplifié avec une meilleure sensibilité pour le diagnostic. Notamment, il ne nécessite qu’un capteur de tension électrique et un capteur d’intensité de courant électrique. Il n’est pas nécessaire de mettre en œuvre un capteur de température. Selon différents aspects, il est possible de prévoir l’une et/ou l’autre des caractéristiques ci-dessous prises seules ou en combinaison. Selon une réalisation, aucun capteur de température n’est mis en œuvre ni aucune estimation de température n’est nécessaire pour les étapes a, b et c du procédé, l’indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique étant indépendant de la température. L’information sur la température n’est en effet pas nécessaire dans la mesure où le point de coefficient de température nul est par définition indépendant de la température à laquelle le composant fonctionne à laquelle la ou les caractéristiques courant-tension (I,V) sont établies. Il n’est en conséquence pas non plus nécessaire de maintenir la température du composant électronique à une valeur adaptée à la mesure comme dans certains procédés de l’art antérieur. Ainsi, le procédé ne nécessite pas de mesure de température, ce qui entraîne une diminution des coûts de mise en œuvre. Selon une réalisation, le procédé de mesure comprend avant l’étape a : i - une étape comprenant au moins deux séries de mesures de l’intensité de courant électrique I par le capteur d’intensité de courant électrique et de la tension électrique V par le capteur de tension électrique, les séries de mesures (I,V) étant prises à des températures différentes ii - une étape de calcul par le processeur, d’une valeur de tension électrique V,ZCP0 et d’une valeur de courant électrique I,ZCP0 au point de coefficient de température nul ZCP, à partir des mesures de l’étape i, le point de coefficient de température nul ZCP étant le point de croisement des deux séries de mesures (I, V) de l’étape i , l’intensité I,ZCP(t0) et la tension V,ZCP(t0) à l’instant initial étant égales respectivement à I,ZCP0 et V,ZCP0. Grâce à cette disposition, le point de coefficient de température nul peut être déterminé avec une bonne précision, ce qui permet d’améliorer la précision du procédé de suivi de l’état de santé du composant électronique Selon une réalisation du procédé de mesure, l’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs, est embarqué ou installé dans un système électrique en fonctionnement, le procédé de mesure de l’état de santé du composant étant réalisé en exploitation du système électrique. Ainsi, le suivi de santé n’est pas limité à une étude ex situ du composant électronique et le suivi de santé est adapté pour toutes les utilisations du composant électronique. Selon une réalisation, la mesure de la tension électrique V,ZCP est effectuée à l’étape b avec une précision relative qui dépend du type du composant électronique de puissance, cette précision relative ayant une valeur inférieure à 5%. Il a en effet été observé qu’un indicateur de l’état de santé du composant électronique suivant l’invention, basé sur le point de coefficient de température nul, fournit une indication de précision suffisante dès lors que la tension V,ZCP(t0) mesurée à l’étape b diffère de moins de 5% de la tension V,ZCP0 mesurée à l’étape a. Selon une réalisation possible, le procédé de mesure de l’état de santé du composant, notamment pour déterminer l’évolution de son vieillissement et de sa dégradation, est mis en œuvre de manière itérative au cours du temps par différentes mesures d’intensité I,ZCP(ti) à différents instants ti, ces intensités I,ZCP(ti) étant mesurées lorsque la tension V à ces différents instants ti est égale à la tension V,ZCP0, et étant comparées à l’intensité I,ZCP(t0) à l’instant initial t0. Ainsi, le procédé du suivi de santé comprend des mesures successives permettant de déterminer l’indicateur quantitatif de dégradation D à des instants successifs. Il et permet donc de suivre l’évolution de l’état de santé du composant électronique. Selon une réalisation, la dégradation concerne la dégradation des interconnexions électriques des composants. Ainsi, le suivi de santé reflète l’état des interconnexions électroniques. Il est donc localisé permettant de réparer l’interconnexion dégradée ou de remplacer le composant concerné. L’invention se rapporte aussi à un dispositif de mesure de l’état de santé à un instant t d’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs, comportant au moins une borne d'entrée et une borne de sortie du courant électrique d’une intensité I, entre lesquelles s’établit une tension électrique V, le composant électronique présentant un point de coefficient de température nul ZCP indépendant de la température, le dispositif comprenant un capteur d’intensité de courant électrique, un capteur de tension électrique et un processeur échangeant des informations avec lesdits capteurs, configurés pour la mise en œuvre des étapes suivantes : a- une première étape de détermination , à un instant initial t0, d’une première intensité I,ZCP(t0) lorsque la tension V est égale à une tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant initial » b- une deuxième étape de mesure d’une deuxième intensité I,ZCP(t1) à au moins un instant t1 ultérieur, lorsque la tension V à l’instant t1 est égale à la tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant t1 » ; c- une étape de calcul par le processeur d’un indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique de puissance et dont la valeur est une fonction de la variation de la valeur de l’intensité I,ZCP(t) entre l’état « instant initial » et l’état « instant t1 ». Grâce à ces dispositions, le dispositif peut être disposé à l’intérieur d’un système pour suivre l’état de santé en continu d'un ou de plusieurs composants et il ne comprend pas nécessairement de capteur de température. Selon une réalisation du dispositif de mesure, l’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs est bipolaire ou mixte. Ainsi, le dispositif de mesure permet d’étudier l’état de santé de composants électroniques complexes. L’invention se rapporte également à un module électronique de puissance intégrant un dispositif de mesure pour au moins deux composants électroniques en parallèle et/ou série. Ainsi, le dispositif de mesure peut être disposé dans un système et permet le suivi de santé d’un composant électronique constitué de plusieurs composants placés en parallèle ou en série, en même temps ou séparément. L’invention se rapporte en outre à un système embarquant : un ou plusieurs modules électroniques de puissance, le dispositif de mesure d’au moins un composant électronique de puissance intégré dans chaque module fournissant un indicateur de dégradation. Ainsi, ces systèmes sont autonomes et permettent de suivre l’état de santé de chacun de leurs composants ou de leurs groupes de composants sans devoir utiliser un moyen externe. L’invention se rapporte en outre à un système embarquant : un ou plusieurs modules électroniques de puissance, le dispositif de mesure d’au moins un composant électronique de puissance intégré dans chaque module fournissant au moins un indicateur de dégradation d’au moins un composant électronique de puissance de ce module. L’invention se rapporte encore à un système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance suivant les modes de réalisation précédent, le système étant un système de gestion de l’énergie électrique et/ou de conversion d'énergie électrique pour les énergies renouvelables ou un système de transports à traction électrique ou un système stationnaire. L’invention se rapporte aussi à un programme de calcul comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé de mesure de l’état de santé d’un composant électronique de puissance à semi-conducteurs selon l’un des modes réalisations précédents lorsque le programme est exécuté par un processeur. Ainsi, le suivi de l’état de santé peut être éventuellement automatisé et ne nécessite pas l’intervention d’une personne. Selon une réalisation du programme de calcul, le procédé de mesure de l’état de santé est appliqué au système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance selon l’un des modes de réalisation précédent, et si le procédé de mesure renvoie un indicateur quantitatif de dégradation supérieur à une valeur seuil prédéterminée, le programme de calcul applique le procédé de mesure à chaque composant électronique de puissance à semi-conducteurs du système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance Ainsi, le procédé de mesure permet de vérifier l’état de santé global, avant d’appliquer le procédé de mesure à chaque composant pour pouvoir identifier le composant subissant une dégradation, la première mesure permet d’économiser du temps de calcul lorsque l’état de santé global ne présente pas de dégradation. Le franchissement d'un seuil, préalablement fixé sur l'indicateur quantitatif D de la dégradation d’un composant électronique, peut notamment être détecté automatiquement et générer une alerte pour l'utilisateur. L’invention concerne aussi un procédé de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs comportant au moins une borne d’entrée et une borne de sortie et présentant un point de coefficient de température nul à la date t, le procédé comprenant : a1- on mesure une intensité d’un courant électrique traversant la borne d’entrée I,ZCP(t) à la date t au point de coefficient de température nul du composant électronique en régime permanent au moyen d’un capteur d’intensité de courant électrique, une tension électrique V entre la borne d’entrée et la borne de sortie étant égale à une tension entre ces bornes au point de coefficient de température nul V,ZCP. b1- on calcule au moyen d’un premier processeur configuré pour recevoir des informations du capteur d’intensité de courant électrique un indicateur quantitatif de l’état de santé du composant électronique à partir de l’intensité du courant électrique traversant la borne d’entrée I,ZCP(t) mesurée. Dans un mode de réalisation du procédé de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs, aucun capteur de température n’est mis en œuvre pour les étapes a1 et b1. Dans un mode de réalisation, le procédé de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs comprend avant l’étape a : i1 - on fixe successivement la température du composant électronique pris dans un état initial à au moins deux températures différentes au moyen d’un dispositif de contrôle de la température et on mesure à chacune des au moins deux températures au moyen d’un capteur de tension électrique au moins deux tensions électriques V entre les bornes d’entrée et de sortie pour deux intensités de courant électrique traversant la borne d’entrée différentes, lesdites intensités de courant électrique étant mesurées au moyen d’un capteur d’intensité de courant électrique ; ii1 - on calcule, au moyen d’un processeur configuré pour recevoir des informations desdits capteurs de tension électrique et d’intensité de courant électrique une valeur de la tension électrique V,ZCP au point de coefficient de température nul à partir desdites intensités de courant électrique et tensions électriques mesurées. Dans un mode de réalisation du procédé de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs, on calcule en outre au moyen dudit second processeur une valeur de l’intensité I,ZCP,in du courant électrique traversant la borne d’entrée au point de coefficient de température nul du composant électronique pris dans l’état initial à partir desdites intensités de courant électrique et tensions électriques mesurées à l’étape i1. Selon un mode de réalisation du procédé de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs, l’indicateur quantitatif de l’état de santé du composant est une fonction de l’intensité du courant électrique traversant la borne d’entrée I,ZCP(t) à la date t. Selon un mode de réalisation du procédé de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs, on fournit de plus une valeur de l’intensité I,ZCP,in du courant électrique traversant la borne d’entrée au point de coefficient de température nul du composant électronique pris dans un état initial et dans lequel l’indicateur quantitatif de l’état de santé du composant est une fonction seulement de l’intensité du courant électrique traversant la borne d’entrée I,ZCP(t) à la date t et de l’intensité du courant électrique traversant la borne d’entrée à l’état initial I,ZCP,in. Selon un mode de réalisation du procédé de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs , la tension électrique entre les bornes d’entrée et de sortie au point de coefficient de température nul V,ZCP est fixée à une précision relative dont la valeur est inférieure à 5%. Selon un mode de réalisation du procédé de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs, on met en œuvre de manière itérative au cours du temps le procédé de mesure. L’invention porte encore sur un dispositif de mesure de l’état de santé à une date t d’un composant électronique à semi-conducteurs comportant au moins une borne d’entrée et une borne de sortie et présentant un point de coefficient de température nul, le dispositif comprenant un capteur d’intensité de courant électrique et un au moins un processeur configurés pour la mise en œuvre des étapes suivantes : a1 - on mesure une intensité d’un courant électrique traversant la borne d’entrée I,ZCP(t) à la date t au point de coefficient de température nul du composant électronique en régime permanent au moyen du capteur d’intensité de courant électrique, une tension électrique entre les bornes d’entrée et de sortie étant égale à une tension entre les bornes d’entrée et de sortie au point de coefficient de température nul V,ZCP. b1- on calcule au moyen du processeur un indicateur quantitatif de l’état de santé du composant électronique à partir de l’intensité du courant électrique traversant la borne d’entrée I,ZCP(t) mesurée. Des modes de réalisation de l’invention seront décrits ci-dessous par référence aux dessins, décrits brièvement ci-dessous : représente un module IGBT selon l’état de la technique. représente les caractéristiques statiques (Ic, Vce) schématiques d'un module IGBT , à deux températures T1 et T2, telles que T1 représente dans le plan (Vce, Ic) la position du point ZCP d’un module IGBT en fonction de la dégradation de ce module, obtenue à partir d’une simulation de ce module. représente dans le plan (Vce, Ic) la position du point ZCP d’un module IGBT en fonction de la dégradation de ce module, obtenue en conditions réelles, ainsi que les positions de ce point obtenues à partir d’une simulation de ce module. représente, pour un module IGBT, la variation relative d’un indicateur de vieillissement selon l’état de la technique, à savoir la tension Vce mesurée à une température égale à 55°C et à un courant de 100A, en fonction du vieillissement de ce module, c’est-à-dire du nombre de cycles en température auquel il a été soumis. représente, pour un module IGBT, la variation relative de l’indicateur de vieillissement suivant l’invention, à savoir l’intensité I,ZCP mesurée à une tension V,ZCP égale à 1,14 V, en fonction du vieillissement de ce module, c’est-à-dire du nombre de cycles en température auquel il a été soumis. représente, pour un module IGBT, l’indicateur de vieillissement suivant l’invention I,ZCP de la en fonction de l’indicateur de vieillissement de l’art antérieur (tension Vce) de la . représente les variations de l’indicateur de vieillissement I,ZCP suivant l’invention en fonction de la température de mesure, cet indicateur étant mesuré à cinq valeurs de V,ZCP fixées à au plus 5% de la valeur exacte de V,ZCP , ainsi que celles de l’indicateur de vieillissement de l’art antérieur (tension Vce). représente le point ZCP d’un module IGBT portant la référence SKIM63 (300A, 1200 V) comprenant quatre puces en parallèle, obtenu pour le module non dégradé (ZCP-sain) et pour le module dégradé (ZCP-degr). Sur les dessins, des références identiques désignent des objets identiques ou similaires. Procédé de mesure de l’état de santé à un instant t d’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs comportant au moins une borne d'entrée et une borne de sortie d’un courant électrique d’une intensité I, entre lesquelles s’établit une tension électrique V, le composant électronique présentant un point de coefficient de température nul ZCP qui est indépendant de la température, le procédé utilisant un capteur d’intensité de courant électrique, un capteur de tension électrique et un processeur échangeant des informations avec lesdits capteurs, le procédé comprenant : a- une première étape de détermination , à un instant initial t0, d’une première intensité I,ZCP(t0) lorsque la tension électrique V est égale à une tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant initial » ; b- une deuxième étape de mesure d’une deuxième intensité I,ZCP(t1) à au moins un instant t1 ultérieur, lorsque la tension V à l’instant t1 est égale à la tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant t1 » ; c- une étape de calcul par le processeur d’un indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique de puissance et dont la valeur est une fonction de la variation de la valeur de l’intensité I,ZCP(t) entre l’état « instant initial » et l’état « instant t1 ». Procédé de mesure suivant la revendication 1, dans lequel aucun capteur de température n’est mis en œuvre ni aucune estimation de température n’est nécessaire pour les étapes a, b et c, l’indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique étant indépendant de la température. Procédé de mesure suivant l’une des revendications 1 à 2, dans lequel le procédé de mesure comprenant avant l’étape a : i- une étape comprenant au moins deux séries de mesures de l’intensité de courant électrique I par le capteur d’intensité de courant électrique et de la tension électrique V par le capteur de tension électrique, les séries de mesures (I,V) étant prises à des températures différentes ; ii - une étape de calcul par le processeur, d’une valeur de tension électrique V,ZCP0 et d’une valeur de courant électrique I,ZCP0 au point de coefficient de température nul ZCP, à partir des mesures de l’étape i, le point de coefficient de température nul ZCP étant le point de croisement des deux séries de mesures (I, V) de l’étape i , l’intensité I,ZCP(t0) et la tension V,ZCP(t0) à l’instant initial étant égales respectivement à I,ZCP0 et V,ZCP0. Procédé de mesure suivant l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs, est embarqué ou installé dans un système électrique en fonctionnement , le procédé de mesure de l’état de santé du composant étant réalisé en exploitation du système électrique. Procédé de mesure suivant l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la mesure de la tension électrique V,ZCP est effectuée à l’étape b avec une précision relative qui dépend du type du composant électronique de puissance, cette précision relative ayant une valeur inférieure à 5%. Procédé de mesure suivant l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le procédé de mesure de l’état de santé du composant pour déterminer l’évolution de son vieillissement et de sa dégradation est mis en œuvre de manière itérative au cours du temps par différentes mesures d’intensité I,ZCP(ti) à différents instants ti, ces intensités I,ZCP(ti) étant mesurées lorsque la tension V à ces différents instants ti est égale à la tension V,ZCP0, et étant comparées à l’intensité I,ZCP(t0) à l’instant initial t0. Procédé de mesure suivant l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la dégradation concerne la dégradation des interconnexions électriques des composants. Dispositif de mesure de l’état de santé à un instant t d’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs, comportant au moins une borne d'entrée et une borne de sortie du courant électrique d’une intensité I, entre lesquelles s’établit une tension électrique V, le composant électronique présentant un point de coefficient de température nul ZCP indépendant de la température, le dispositif comprenant un capteur d’intensité de courant électrique, un capteur de tension électrique et un processeur échangeant des informations avec lesdits capteurs, configurés pour la mise en œuvre des étapes suivantes : a- une première étape de détermination , à un instant initial t0, d’une première intensité I,ZCP(t0) lorsque la tension V est égale à une tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant initial » ; b- une deuxième étape de mesure d’une deuxième intensité I,ZCP(t1) à au moins un instant t1 ultérieur, lorsque la tension V à l’instant t1 est égale à la tension V,ZCP0, le composant électronique de puissance étant dans un état « instant t1 » ; c- une étape de calcul par le processeur d’un indicateur quantitatif D de la dégradation du composant électronique de puissance et dont la valeur est une fonction de la variation de la valeur de l’intensité I,ZCP(t) entre l’état « instant initial » et l’état « instant t1 ». Dispositif de mesure selon la revendication 8, caractérisé en ce que l’au moins un composant électronique de puissance à semi-conducteurs est bipolaire ou mixte. Module électronique de puissance intégrant un dispositif de mesure selon l’une des revendications 8 à 9 pour au moins deux composants électroniques en parallèle et/ou série. Système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance selon la revendication 10, le dispositif de mesure de l’état de santé d’au moins un composant électronique de puissance intégré dans chaque module fournissant un indicateur quantitatif de dégradation. Système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance selon la revendication 11, le système étant un système de gestion de l’énergie électrique et/ou de conversion d'énergie électrique pour les énergies renouvelables ou un système de transports à traction électrique ou un système stationnaire. Programme de calcul comprenant des instructions de code de programme pour l’exécution des étapes du procédé de mesure de l’état de santé d’un composant électronique de puissance à semi-conducteurs selon l’une quelconque des revendications 1 à 7 lorsque ledit programme est exécuté par un processeur. Programme de calcul selon la revendication 13, dans lequel le procédé de mesure de l’état de santé est appliqué au système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance selon l’une quelconque des revendications 11 à 12, dans lequel si le procédé de mesure renvoie un indicateur quantitatif de dégradation supérieur à une valeur seuil prédéterminée, le programme de calcul applique le procédé de mesure à chaque composant électronique de puissance à semi-conducteurs du système embarquant un ou plusieurs modules électroniques de puissance.