FR 3133447 A1 20230915 FR 2202135 A 20220311 Ce micro-bolomètre d’imagerie infrarouge (10a) intégrant une membrane (20) montée en suspension au-dessus d’un substrat (11) au moyen de bras de soutien fixés sur des clous d’ancrage (14), comprend : – une couche de support (13) s’étendant au sein de la membrane (20) et des bras de soutien ; – des électrodes (16) disposées sur la couche de support (13) et au contact avec les clous d’ancrage (14), chaque électrode (16) s’étendant au sein d’un bras de soutien ; – un matériau thermo-résistif (18) disposé au sein la membrane (20) en contact électrique avec les électrodes (16) ; et – au moins une couche d’encapsulation supérieure (15) des bras de soutien et du matériau thermo-résistif (18) ; – une couche d’encapsulation latérale (33) des bras de soutien disposée au contact des bords latéraux desdits bras de soutien, ladite couche d’encapsulation latérale (33) étant résistante à la gravure à base de dioxygène et/ou à base d’acide fluorhydrique. Figure pour l’abrégé : Fig 2a MICRO-BOLOMETRE D’IMAGERIE INFRAROUGE Domaine de l’invention La présente invention a trait au domaine de la détection de rayonnements électromagnétiques et, plus précisément, à la détection de rayonnements infrarouges. L’invention concerne un micro-bolomètre d’imagerie infrarouge présentant une grande sensibilité. Etat antérieur de la technique Dans le domaine des détecteurs mis en œuvre pour l’imagerie infrarouge, il est connu d'utiliser des dispositifs agencés sous forme matricielle, susceptibles de fonctionner à température ambiante, c'est-à-dire ne nécessitant pas de refroidissement à de très basses températures, contrairement aux dispositifs de détection appelés "détecteurs quantiques" qui eux, nécessitent un fonctionnement à très basse température. Ces détecteurs utilisent traditionnellement la variation d'une grandeur physique d'un matériau ou assemblage de matériaux approprié(s) en fonction de la température, au voisinage de 300K. Dans le cas particulier des détecteurs micro-bolométriques, les plus couramment utilisés, cette grandeur physique est la résistivité électrique, mais d’autres grandeurs peuvent être exploitées, telle la constante diélectrique, la polarisation, la dilatation thermique, l’indice de réfraction, etc. Un tel détecteur non refroidi associe généralement : – des moyens d'absorption du rayonnement thermique et de conversion de celui-ci en chaleur ; – des moyens d'isolation thermique du détecteur, de telle sorte à permettre à celui-ci de s'échauffer sous l'action du rayonnement thermique ; – des moyens de thermométrie qui, dans le cadre d'un détecteur micro-bolométrique, mettent en œuvre un élément résistif dont la résistance varie avec la température ; – et des moyens de lecture des signaux électriques fournis par les moyens de thermométrie. Les détecteurs destinés à l'imagerie thermique, ou infrarouge, sont classiquement réalisés sous la forme d'une matrice de détecteurs élémentaires, formant des points d’image ou pixels, selon une ou deux dimensions. Pour garantir l’isolation thermique des détecteurs, ces derniers sont suspendus au-dessus d’un substrat via des bras de soutien. Le substrat comporte usuellement des moyens d'adressage séquentiel des détecteurs élémentaires et des moyens d'excitation électrique et de pré-traitement des signaux électriques générés à partir de ces détecteurs élémentaires. Ce substrat et les moyens intégrés sont communément désignés par le terme « circuit de lecture ». Pour obtenir une scène par l'intermédiaire de ces détecteurs, cette scène est captée à travers une optique adaptée sur la matrice de détecteurs élémentaires, et des stimuli électriques cadencés sont appliqués par l'intermédiaire du circuit de lecture à chacun des détecteurs élémentaires, ou à chaque rangée de tels détecteurs, afin d'obtenir un signal électrique constituant l'image de la température atteinte par chacun desdits détecteurs élémentaires. Ce signal est traité de manière plus ou moins élaborée par le circuit de lecture, puis éventuellement par un dispositif électronique extérieur au boîtier afin de générer l'image thermique de la scène observée. Plus précisément, un détecteur élémentaire est constitué d’une membrane maintenue en suspension fixe au-dessus du substrat par les bras de soutien. La membrane intègre un matériau thermo-résistif qui réalise une transduction des rayonnements infrarouges, formant les moyens de thermométrie. La mesure de la résistance électrique du matériau thermo-résistif est réalisée par deux électrodes, par exemple métallique, s’étendant sous le matériau thermométrique et dans les bras de soutien. Outre la lecture du signal aux bornes du matériau thermo-résistif, les électrodes peuvent également avoir pour fonction d’absorber au moins une partie du flux infrarouge pour le transformer en chaleur et le transmettre au matériau thermo-résistif. Dans ce cas, la quantité de rayonnement infrarouge absorbée est dépendante de la surface de cet absorbeur. Pour optimiser l’absorption du rayonnement infrarouge, les électrodes couvrent un maximum de surface dans l’empreinte du pixel. En pratique, la surface des électrodes est limitée par celle de la membrane. L’épaisseur et la résistivité électrique des électrodes est ajustée de façon à ce que son impédance effective par carré soit adaptée à celle du vide : Z 0 = 377 ohm/carré. Les détecteurs élémentaires sont classiquement formés sur un substrat de silicium qui inclut le circuit de lecture. A l’aide des procédés de dépôt de couches métalliques ou diélectriques, des procédés de photolithographie et des procédés de gravure de la microélectronique, une couche sacrificielle est réalisée sur le substrat, puis une membrane sensible au rayonnement infrarouge est réalisée sur cette couche sacrificielle tout en structurant cette membrane de manière à assurer une continuité électrique entre celle-ci et le circuit de lecture. Selon différentes approches, la couche sacrificielle est réalisée en polyimide ou en oxyde de silicium car ces matériaux peuvent être gravés à l’aide d’un procédé isotrope permettant de retirer ladite couche sacrificielle sous la membrane et laisser cette membrane dans un état suspendu au-dessus du substrat. Cette propriété est nécessaire pour le fonctionnement des détecteurs élémentaires. Les procédés de gravure classiquement mis en œuvre sont les procédés plasma à base de dioxygène ou les procédés de gravure à base d’acide fluorhydrique, respectivement dédiés à la suppression d’une couche sacrificielle en polyimide ou en oxyde de silicium. La membrane est réalisée à l’aide d’au moins un matériau thermorésistif généralement obtenu par un dépôt formé d’un alliage de silicium et de germanium, ou d’un dépôt composé d’oxyde de vanadium. Cette couche peut également inclure des éléments tels que l’azote, le bore, le carbone… Pour structurer la membrane, d’autres matériaux sont nécessaires, et cette membrane est donc le résultat d’un empilement comprenant le matériau thermorésistif, agrémenté d’un ou plusieurs matériaux diélectriques et des électrodes réalisées par un dépôt métallique. Cet empilement est structuré en plusieurs séquences de dépôt, photolithographie, et gravure de manière à réaliser le détecteur élémentaire, également appelé micro-bolomètre. Les figures 1a à 1f illustrent un procédé de réalisation d’un micro-bolomètre 100 de l’état de la technique, tel que par exemple décrit dans le document EP 3 182 081. Une première étape, illustrée sur la , consiste à déposer et à structurer une couche sacrificielle 12 et une couche de support 13 sur un substrat 11 intégrant le circuit de lecture. La structuration de ces deux couches 12, 13 permet d’obtenir des ouvertures dans lesquelles des clous d’ancrage 14 peuvent être formés. Tel qu’illustré sur la , la formation des clous d’ancrage 14 dans les ouvertures vise à obtenir un plot conducteur s’étendant au moins jusqu’au niveau de la face supérieure de la couche de support 13. Au moins deux électrodes 16 sont ensuite déposées et structurées sur la couche de support 13 et sur la partie supérieure du clou d’ancrage 14 . Lorsque la couche de support 13 sur laquelle les électrodes 16 sont déposées présente une faible résistivité électrique, il est nécessaire d’éloigner d’une distance d1 les extrémités 37 des électrodes 16 , afin de limiter les courants de fuites entre lesdites électrodes 16 . Cette distance d1 peut représenter environ 50% du pas pixel, c’est-à-dire 50% de la distance entre les clous d’ancrage 14 . Un matériau thermo-résistif 18 est ensuite déposé sur la couche de support 13 et sur les électrodes 16 de sorte à assurer une continuité électrique entre lesdites électrodes 16 . Une gravure de ce matériau thermo-résistif 18 permet de délimiter son emplacement au centre du micro-bolomètre 100 , c’est-à-dire dans la zone destinée à former la membrane 20 de celui-ci, tel qu’illustré sur la . La gravure du matériau thermo-résistif 18 est classiquement réalisée par gravure ionique réactive, également appelée gravure RIE pour « Reactive -Ion Etching » dans la littérature anglo-saxonne, en arrêtant la gravure sur les deux électrodes 16 . Cette étape de gravure constitue une difficulté technique car les deux électrodes 16 sont souvent particulièrement fines, avec une épaisseur typiquement inférieure à 20 nanomètres. Or, la gravure RIE mise en œuvre pour délimiter l’emplacement du matériau thermo-résistif 18 risque, si elle n’est pas parfaitement calibrée, de détériorer les électrodes 16 et de diminuer les performances du micro-bolomètre 100 . Tel qu’illustré sur la , une couche d’encapsulation supérieure 19 0 est ensuite déposée sur les électrodes 16 et sur le matériau thermo-résistif 18. Cette couche d’encapsulation supérieure 190 permet de former une protection supérieure et latérale au matériau thermo-résistif 18, ainsi qu’une protection supérieure aux électrodes 16. En effet, pour obtenir un faible coefficient de bruit basse fréquence, il est connu d’utiliser un matériau thermo-résistif 18 réalisé en oxyde de vanadium. Cependant, l’oxyde de vanadium est sensible à l’acide fluorhydrique classiquement utilisé lors de l’étape de retrait d’une couche sacrificielle 12 réalisée en dioxyde de silicium. Ainsi, il est souvent nécessaire de protéger le matériau thermo-résistif 18 , au moins pour que l’étape de retrait de la couche sacrificielle ne détériore pas ledit matériau. Pour ce faire, la couche d’encapsulation supérieure 190 est classiquement déposée pour encapsuler le matériau thermo-résistif 18 . Cette couche d’encapsulation supérieure 190 a également pour fonction d’encapsuler les électrodes 16 afin d’assurer la tenue mécanique de la membrane 20 en fonction de l’application recherchée, c’est-à-dire en fonction de la résistance aux chocs recherchée du micro-bolomètre 100 . Par ailleurs, il est recherché de limiter la conduction thermique des bras de soutien 21 pour isoler la membrane 20 de la température du substrat 11 . Ainsi, pour chaque micro-bolomètre 100 , il existe une épaisseur idéale des bras de soutien 21 et de la couche d’encapsulation supérieure 190 pour laquelle les bras de soutien 21 présentent une épaisseur minimale et donc une conductance thermique minimale, tout en respectant les contraintes mécaniques recherchées. Pour obtenir un micro-bolomètre 100 présentant une sensibilité élevée, il est recherché une conductance thermique faible des bras de soutien 21 et une surface importante de captation des rayonnements infrarouges. Pour ce faire, les électrodes 16 réalisent de préférence la fonction d’absorbeur des rayonnements infrarouges. Outre les électrodes 16 , un autre matériau absorbeur peut également être déposé sur la couche d’encapsulation supérieure 190 , au-dessus de la membrane, tel que décrit par exemple dans le document EP 3 870 945. Ainsi, l’association des électrodes 16 et du matériau absorbeur permet d’obtenir une surface importante de captation des rayonnements infrarouges. Cependant, le dépôt d’un tel matériau absorbeur nécessite de déposer la couche d’encapsulation supérieure 190 en deux étapes, avant et après le dépôt dudit matériau absorbeur, afin d’éviter que ce dernier soit déposé directement sur le matériau thermométrique 18 et afin de le protéger de la gravure de la couche sacrificielle 12 . Après le dépôt complet de cette couche d’encapsulation supérieure 190 , en une ou deux étapes, les couches 13 , 16 et 19 0 sont ensuite gravées selon le motif souhaité pour former les bras de soutien 21 de la membrane 20 . Enfin, l’étape 1f illustre le retrait de la couche sacrificielle 12 , libérant ainsi la membrane 20 en suspension sur les clous d’ancrage 14 par l’intermédiaire des bras de soutien 2 1 . Lors de cette étape de libération, le matériau thermométrique 18 et l’éventuel matériau absorbeur sont protégés de la gravure de la couche sacrificielle 12 par la couche de support 13 et la couche d’encapsulation supérieure 190 . Ces couches 13 et 190 sont donc sélectionnées pour résister au procédé de gravure mis en œuvre pour obtenir le retrait de la couche sacrificielle 12 , par exemple la gravure à base de dioxygène ou à base d’acide fluorhydrique, alors que le matériau thermométrique 18 et l’éventuel matériau absorbeur peuvent être sélectionnés respectivement pour leurs performances de transduction thermique-électrique et de captation des rayonnements infrarouges. De même, les motifs des bras de soutien 21 de la membrane 20 étant formés avant l’étape de libération, la gravure attaque également les parois latérales des bras de soutien 21 , si bien que les électrodes 16 et tous les matériaux éventuellement intégrés dans les bras de soutien 21 , entre les couches 13 et 190 , doivent également résister à la gravure de la couche sacrificielle 12 . Cette contrainte limite grandement les possibilités de formation des bras de soutien 21 et, dans certains cas, il n’est pas possible d’utiliser les matériaux les plus performants en termes de résistivité électrique, de résistance thermique et/ou de résistance mécanique pour former lesdits bras de soutien 21 en raison de cette contrainte de résistance à la gravure de la couche sacrificielle 12 , notamment lorsque cette dernière est réalisée en oxyde de silicium et que la gravure met en œuvre de l’acide fluorhydrique. Le problème technique que l’invention entend résoudre consiste à obtenir un micro-bolomètre d’imagerie infrarouge dans lequel les matériaux intégrés dans les bras de soutien sont protégés de la gravure de la couche sacrificielle de sorte à pouvoir utiliser des matériaux plus performants en termes de résistivité électrique, de résistance thermique et/ou de résistance mécanique pour former les bras de soutien, améliorant ainsi les performances du micro-bolomètre. Pour répondre à ce problème technique, l’invention propose de former les bras de soutien avec une couche d’encapsulation latérale des bras de soutien résistante à la gravure de la couche sacrificielle, c’est-à-dire résistance à la gravure à base de dioxygène et/ou à base d’acide fluorhydrique, de sorte à protéger les matériaux intégrés dans les bras de soutien. Ainsi, l’invention concerne un micro-bolomètre d’imagerie infrarouge intégrant une membrane montée en suspension au-dessus d’un substrat au moyen de bras de soutien fixés sur des clous d’ancrage, le micro-bolomètre comprenant : – une couche de support s’étendant au sein de la membrane et des bras de soutien ; – des électrodes disposées sur la couche de support et au contact avec les clous d’ancrage, chaque électrode s’étendant au sein des bras de soutien ; – un matériau thermo-résistif disposé au sein la membrane en contact électrique avec les électrodes ; et – au moins une couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien et du matériau thermo-résistif. L’invention se caractérise en ce que le micro-bolomètre comprend également une couche d’encapsulation latérale des bras de soutien disposée au contact des bords latéraux desdits bras de soutien, ladite couche d’encapsulation latérale étant résistante à la gravure à base de dioxygène et/ou à base d’acide fluorhydrique. En réalisant l’encapsulation des bras de soutien, l’invention permet d’utiliser des matériaux très performants en termes de résistivité électrique, de résistance thermique et/ou de résistance mécanique à l’intérieur des bras de soutien. Par exemple, le matériau constitutif des électrodes peut être sensible au retrait de la couche sacrificielle sans risquer d’être détérioré par l’étape de suppression de ladite couche sacrificielle. Par exemple, il est désormais possible d’utiliser le titane sous sa forme métallique pour former les électrodes bien que ce matériau ne soit pas compatible avec une gravure à base d’acide fluorhydrique. De même, il est possible d’intégrer dans les bras de soutien, de part et d’autre des électrodes, deux couches de matériaux dont la résistivité électrique est suffisamment élevée pour permettre le rapprochement des électrodes au centre de la membrane en limitant les courants de fuites. Pour ce faire, ces deux couches résistives sont en continuité l’une avec l’autre entre les extrémités des électrodes présentes au sein de la membrane de sorte à former une barrière isolante entre lesdites extrémités. Ainsi, ce mode de réalisation permet d’obtenir une surface de captation importante sans utiliser un matériau absorbeur déposé sur le matériau thermométrique. Dans ce mode de réalisation, le micro-bolomètre comprend également : – une couche résistive inférieure disposée entre la couche de support et les électrodes ; et – une couche résistive supérieure disposée entre les électrodes et la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien ; les couches résistives inférieure et supérieure étant en continuité l’une avec l’autre entre des extrémités des électrodes s’étendant au sein de la membrane, constituant ce faisant une barrière isolante entre les électrodes, permettant ainsi d’augmenter la surface des électrodes s’étendant au sein de la membrane. Au sens de l’invention, une couche « résistive » correspond à une couche présentant une résistivité électrique au moins 10 000 fois supérieure à celle du matériau thermo-résistif. Par exemple, le matériau thermo-résistif peut être réalisé en un alliage amorphe riche en silicium, en oxyde de vanadium, en oxyde de titane ou en oxyde de nickel. Ainsi, le matériau thermo-résistif peut présenter une résistivité électrique comprise entre 0,1 et 100 Ohm.cm. Au contraire, les couches résistives inférieure et supérieure peuvent présenter une résistivité électrique supérieure à 10 4 Ohm.cm. La résistivité électrique des couches résistives vise principalement à éviter les courants de fuites susceptibles de se produire entre les extrémités des électrodes s’étendant au sein de la membrane. Ainsi, la résistivité électrique peut être recherchée en fonction de la proximité souhaitée d’implantation des électrodes. Outre les propriétés de résistivité électrique des couches résistives inférieure et supérieure, ces couches peuvent également être dimensionnées, en termes d’épaisseur ou de matériau constitutif, pour répondre aux besoins de résistance thermique et de résistance mécanique des bras de soutien. Pour répondre à ces différentes contraintes, les couches résistives inférieure et supérieure peuvent être réalisées en dioxyde d'hafnium, en nitrure de silicium, en oxyde de silicium, en oxynitrure de silicium, en nitrure de bore, en nitrure d’aluminium, en carbure de silicium, en carbonitrure de silicium, en borure de silicium, en oxyborure de silicium, en boronitrure de silicium, en borocarbure de silicium, ou en oxycarbure de silicium. Au sens de l’invention, et dans la suite de la description, la « hauteur » du micro-bolomètre correspond à la dimension perpendiculaire au plan du substrat sur lequel est fixé le micro-bolomètre. Ainsi, la couche de support forme une couche d’encapsulation « inférieure » de la membrane et des bras de soutien ; elle correspond à la couche la plus proche du substrat et elle s’étend dans un plan inférieur de la membrane et des bras de soutien, parallèle au plan du substrat. La couche d’encapsulation « supérieure » correspond, quant à elle, à la couche d’encapsulation la plus éloignée du substrat, et elle s’étend dans un plan supérieur de la membrane et des bras de soutien, également parallèle au plan du substrat. L’invention peut utiliser plusieurs couches d’encapsulation supérieures différentes : une couche d’encapsulation supérieure pour la membrane et une couche d’encapsulation supérieure pour les bras de soutien. En outre, la couche résistive « inférieure » correspond à la couche placée au contact des électrodes la plus proche du substrat, et la couche résistive « supérieure » correspond à la couche placée au contact des électrodes la plus éloignée du substrat. La couche d’encapsulation « latérale » des bras de soutien correspond à l’épaisseur de matière présente sur le pourtour latéral des bras de soutien, entre la couche de support et la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien. La couche d’encapsulation latérale s’étend donc dans un plan perpendiculaire aux plans de la couche d’encapsulation inférieure et de la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien. Préférentiellement, la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien et la couche d’encapsulation latérale sont de natures ou d’épaisseurs distinctes. Par exemple, la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien peut être réalisée en nitrure de bore, en alumine, en carbure de silicium ou en nitrure d’aluminium, alors que la couche d’encapsulation latérale peut être réalisées en un alliage amorphe riche en silicium, typiquement comportant au moins 25% de silicium, potentiellement allié avec de l’azote, du bore, du carbone ou de l’hydrogène. Alternativement, la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien et la couche d’encapsulation latérale des bras de soutien sont réalisées en un même matériau, typiquement un alliage amorphe riche en silicium. Le nitrure de bore, l’alumine, le nitrure d’aluminium, le carbure de silicium ainsi qu’un alliage amorphe riche en silicium présentent la propriété de résister à une gravure à base d’acide fluorhydrique (HF) classiquement utilisée pour retirer une couche sacrificielle réalisée en oxyde de silicium (SiOx). En variante, pour une couche sacrificielle réalisée en polyimide (PI) classiquement retirée par plasma oxygéné (O 2 ), il est possible d’utiliser des couches d’encapsulation réalisées en nitrure de silicium (SiN) ou en oxyde de silicium (SiO2). Lorsque les différentes couches d’encapsulation sont réalisées dans le même matériau, il est possible de distinguer ces différentes couches par leur épaisseur respective. Par épaisseur, on entend : – s’agissant de la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien , la dimension perpendiculaire au plan du substrat dans lequel s’inscrit le micro-bolomètre ; et – s’agissant de la couche d’encapsulation latérale des bras de soutien, une dimension parallèle audit plan du substrat ; cette dernière épaisseur est typiquement mesurée à la base de la couche d’encapsulation latérale. Par ailleurs, la couche d’encapsulation latérale des bras de soutien peut présenter un ergot faisant saillie par rapport à la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien d’au moins 10 nanomètres. Cette forme caractéristique peut résulter de la réalisation de la couche d’encapsulation latérale indépendamment de la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien. Brève description des figures L’invention sera bien comprise à la lecture de la description qui suit, dont les détails sont donnés uniquement à titre d’exemple, et développée en relation avec les figures annexées, dans lesquelles des références identiques se rapportent à des éléments identiques : – Les illustrent les étapes de réalisation d’un micro-bolomètre de l’état de la technique ; – La est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un premier mode de réalisation de l’invention ; – La est un agrandissement partiel de la vue schématique en section de la ; – La est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un second mode de réalisation de l’invention ; et – La est une vue schématique en section d’un micro-bolomètre selon un troisième mode de réalisation de l’invention. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge (10a-10c) intégrant une membrane (20) montée en suspension au-dessus d’un substrat (11) au moyen de bras de soutien (21) fixés sur des clous d’ancrage (14), le micro-bolomètre (10a-10c) comprenant : – une couche de support (13) s’étendant au sein de la membrane (20) et des bras de soutien (21) ; – des électrodes (16) disposées sur la couche de support (13) et au contact avec les clous d’ancrage (14), chaque électrode (16) s’étendant au sein d’un bras de soutien (21) ; – un matériau thermo-résistif (18) disposé au sein la membrane (20) en contact électrique avec les électrodes (16) ; et – au moins une couche d’encapsulation supérieure (15, 19) des bras de soutien et du matériau thermo-résistif (18) ; caractérisé en ce que le micro-bolomètre (10a-10c) comprend également une couche d’encapsulation latérale (33) des bras de soutien disposée au contact des bords latéraux desdits bras de soutien (21), ladite couche d’encapsulation latérale (33) étant résistante à la gravure à base de dioxygène et/ou à base d’acide fluorhydrique. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon la revendication 1, dans lequel la couche d’encapsulation supérieure (15) des bras de soutien et la couche d’encapsulation latérale (33) des bras de soutien sont de natures distinctes. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche d’encapsulation supérieure (15) des bras de soutien et la couche d’encapsulation latérale (33) des bras de soutien sont d’épaisseurs distinctes. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon l’une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche d’encapsulation latérale (33) des bras de soutien présente un ergot (50) faisant saillie par rapport à la couche d’encapsulation supérieure (15) des bras de soutien d’au moins 10 nanomètres. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon la revendication 1, dans lequel la couche d’encapsulation latérale (33) des bras de soutien et la couche d’encapsulation supérieure (15) des bras de soutien sont réalisées en un alliage amorphe riche en silicium. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel le micro-bolomètre (10a-10c) comprend également : – une couche résistive inférieure (34) disposée entre la couche de support (13) et les électrodes (16) ; et – une couche résistive supérieure (35) disposée entre les électrodes (16) et la couche d’encapsulation supérieure des bras de soutien (15) ; les couches résistives inférieure et supérieure étant en continuité l’une avec l’autre entre des extrémités (37) des électrodes (16) s’étendant au sein de la membrane (20), constituant ce faisant une barrière isolante (36) entre les électrodes, permettant ainsi d’augmenter la surface des électrodes (16) s’étendant au sein de la membrane (20). Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon la revendication 6, dans lequel les couches résistives inférieure et supérieure présentent une résistivité électrique supérieure à 10 4 Ohm.cm. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon l’une des revendications 6 et 7, dans lequel les couches résistives inférieure et supérieure sont réalisées en dioxyde d'hafnium, en nitrure de silicium, en oxyde de silicium, en oxynitrure de silicium, en nitrure de bore, en nitrure d’aluminium, en carbure de silicium, en carbonitrure de silicium, en borure de silicium, en oxyborure de silicium, en boronitrure de silicium, en borocarbure de silicium ou en oxycarbure de silicium. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel le matériau thermo-résistif (18) est réalisé en un alliage amorphe riche en silicium, en oxyde de vanadium, en oxyde de titane ou en oxyde de nickel. Micro-bolomètre d’imagerie infrarouge selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel les électrodes (16) sont réalisées en métal, choisi dans le groupe comprenant le titane, le cuivre, le chrome, le cobalt et l’aluminium.