FR 3131085 A1 20230623 FR 2114036 A 20211220 PROCÉDÉ D’ACTIVATION THERMIQUE D’UNE COUCHE DE PASSIVATION Un aspect de l’invention concerne un procédé d’activation thermique d’une couche de passivation (10) disposée sur une cellule photovoltaïque (20). La cellule photovoltaïque (20) comprenant une première face (20a), une deuxième face (20b) opposée à la première face et des surfaces latérales (20c) reliant les première et deuxième faces. La couche de passivation (10) recouvre au moins une des surfaces latérales (20c) de la cellule photovoltaïque (20). Le procédé comprend une étape d’exposition de la première face (20a) à un rayonnement électromagnétique (30) émis par une source de rayonnement (40). Le rayonnement électromagnétique (30) est appliqué sur la première face (20a) selon une ligne. La ligne balaye une partie au moins de la première face (20a) et est orientée par rapport à la première face (20a) de sorte à obtenir une zone de surchauffe englobant une partie au moins de la couche de passivation (10). Figure à publier avec l’abrégé : Figure 1 PROCÉDÉ D’ACTIVATION THERMIQUE D’UNE COUCHE DE PASSIVATION La présente invention est relative à la fabrication de modules photovoltaïques. L’invention concerne plus particulièrement un procédé d’activation thermique d’une couche de passivation disposée sur une ou plusieurs surfaces latérales d’une cellule photovoltaïque. Ce procédé d’activation thermique trouve une application particulièrement avantageuse avec des sous-cellules photovoltaïques obtenues par découpage de cellules photovoltaïques entières. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Un module photovoltaïque comprend une multitude de cellules photovoltaïques identiques connectées en série et/ou en parallèle. Un format de module répandu comprend 60 cellules carrées (ou « pseudo-carrées »), de 156 mm de côté, réparties en six chaînes (« strings » en anglais) de dix cellules connectées en série. Les six chaînes de cellules photovoltaïques sont également connectées en série. La tension de circuit ouvert aux bornes du module est alors égale à 60 fois la tension de seuil d’une cellule photovoltaïque. Le courant électrique du module correspond approximativement au courant fourni par chaque cellule photovoltaïque (en pratique, les cellules photovoltaïques n’ont pas exactement les mêmes performances et le courant électrique est limité par la cellule la moins performante du module). Avec les dernières technologies de cellules photovoltaïques, notamment les technologies TopCON (pour « tunneling oxide passivated contact » en anglais), PERC (pour « passivated emitter and rear cell » en anglais) et SHJ (« silicon heterojunction »), le courant d’une cellule monofaciale de 156 mm x 156 mm en superficie atteint des valeurs élevées, de l’ordre de 9 A pour une irradiance solaire de 1000 W/m 2 . Ces valeurs de courant sont augmentées d’environ 20 % lorsqu’on utilise une cellule bifaciale, du fait du rayonnement solaire diffus capté en face arrière de la cellule. Ce fort courant électrique circule dans les éléments d’interconnexion entre les cellules du module et occasionne des pertes résistives importantes. Afin de réduire ces pertes résistives, une solution consiste à assembler des modules avec des cellules photovoltaïques de superficie plus faible, et donc de courant plus faible. Ces cellules de plus faible superficie sont généralement des fractions de cellule photovoltaïque communément appelées « sous-cellules » et obtenues par découpage de cellules photovoltaïques de pleine taille (ex. 156 mm x 156 mm). La découpe d’une cellule photovoltaïque crée de nouveaux bords qui, à la différence de la face avant et de la face arrière de la cellule, ne sont pas recouverts par des couches de passivation. Par ailleurs, la découpe (au laser par exemple) est susceptible de créer des défauts et d’introduire des impuretés à proximité du plan de coupe. Ces défauts et impuretés diminuent la durée de vie des porteurs de charge libres en agissant comme centres de recombinaison des paires électron-trou, ce qui se traduit par une diminution du rendement de la cellule. Ce phénomène est particulièrement prononcé pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction, qui possèdent par nature très peu de défauts de surface et où la création de quelques défauts localisés suffit à réduire les performances électriques de la cellule de manière significative. Pour optimiser les performances des sous-cellules photovoltaïques, il est donc nécessaire de passiver également les bords nouvellement créés de ces sous-cellules. Une technique consiste à former une couche de passivation en alumine (Al 2 O 3 ) par dépôt de couches atomiques (ou ALD, pour « atomic layer deposition » en anglais) sur une ou plusieurs parois latérales des sous-cellules photovoltaïques. La demande internationale WO2020/127896 décrit par ailleurs la formation d’une couche de passivation par dépôt spatial de couches atomiques (SALD) simultanément sur plusieurs sous-cellules photovoltaïques. Une fois la couche de passivation déposée, une étape dite « d’activation » de la passivation est généralement accomplie par recuit thermique pour améliorer de manière significative l’effet de passivation. En effet, ce recuit forme des charges fixes qui créent un effet de champ et fait diffuser des atomes d’hydrogène qui comblent des liaisons pendantes aux interfaces. La demande internationale WO2012/220079 décrit le découpage d’une cellule photovoltaïque en plusieurs sous-cellules appelées « shingle » (car destinées à être interconnectées en se chevauchant légèrement, comme des tuiles ou des bardeaux sur un toit) et le dépôt d’une couche de passivation (par exemple en Al 2 O 3 ) sur les bords découpés des sous-cellules. Le dépôt est suivi d’un recuit d’activation à 400 °C. Enfin, l’article [« Low-thermal budget flash light annealing for Al 2 O 3 surface passivation », D. K. Simon et al., Physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, Vol. 9, No. 11, pp. 631-635, 2015] décrit le dépôt d’une couche de passivation en Al 2 O 3 sur chacune des deux faces principales d’un substrat en silicium et un recuit par flash de lumière pour activer thermiquement les deux couches de passivation. Le recuit est accompli en exposant les deux faces principales du substrat à des flashs de lumière (de durée égale à 1,8 ms) produits par une lampe au xénon. Lors de l’exposition, le substrat est placé dans une atmosphère de dihydrogène (H 2 ) chauffée à une température de 200 °C. D’une manière générale, l’activation thermique d’une couche de passivation disposée sur une cellule photovoltaïque est d’autant plus efficace que la température du recuit est élevée. Cependant, la cellule photovoltaïque peut être dégradée si sa température excède une valeur seuil, typiquement de l’ordre de 250 °C pour une cellule à hétérojonction de silicium (SHJ) et de l’ordre de 500 °C pour une cellule à homojonction de silicium (par exemple de type TopCON ou PERC). Il existe un besoin d’activer thermiquement une couche de passivation disposée sur au moins une surface latérale d’une cellule photovoltaïque, tout en réduisant le risque de dégrader la cellule photovoltaïque. Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un procédé d’activation thermique d’une couche de passivation disposée sur une cellule photovoltaïque, la cellule photovoltaïque comprenant une première face, une deuxième face opposée à la première face et des surfaces latérales reliant les première et deuxième faces, la couche de passivation recouvrant au moins une des surfaces latérales de la cellule photovoltaïque, le procédé comprenant une étape d’exposition de la première face à un rayonnement électromagnétique émis par une source de rayonnement, le procédé d’activation thermique étant remarquable en ce que le rayonnement électromagnétique est appliqué sur la première face selon une ligne, en ce que la ligne balaye une partie au moins de la première face et en ce que la ligne est orientée par rapport à la première face de sorte à obtenir une zone de surchauffe englobant une partie au moins de la couche de passivation. Par « activation thermique », on entend notamment la formation de charges fixes dans la couche de passivation (ces charges fixes créant un effet de champ qui repousse l’un des deux types de porteurs de charge libres vers le substrat de la cellule photovoltaïque) et/ou la saturation des liaisons pendantes en surface du substrat en silicium cristallin de la cellule photovoltaïque (qui sont responsables d’un grand nombre de recombinaisons de paires électron-trou). De préférence, la première face comprend : un premier bord appelé bord d’attaque ; un deuxième bord appelé bord de fuite et opposé au premier bord ; et des troisième et quatrième bords reliant les premier et deuxième bords. Dans un premier mode de mise en œuvre du procédé d’activation, la couche de passivation recouvre la surface latérale bordée par le bord de fuite et la ligne comprend un segment de droite orienté perpendiculairement à une médiane de la première face, la médiane passant par le bord d’attaque et le bord de fuite. Selon une variante de mise en œuvre, la couche de passivation comprend une première portion recouvrant la surface latérale bordée par le bord de fuite et une deuxième portion recouvrant la surface latérale bordée par le bord d’attaque. La ligne balaye la première face dans un premier sens lors d’une première phase et dans un deuxième sens opposé lors d’une deuxième phase. Dans un deuxième mode de mise en œuvre, la couche de passivation comprend une première portion recouvrant la surface latérale bordée par le bord de fuite et une deuxième portion recouvrant la surface latérale bordée par l’un des troisième et quatrième bords. La ligne comprend un segment de droite incliné par rapport à une médiane de la première face d’un angle strictement inférieur à 90° en valeur absolue, la médiane passant par le bord d’attaque et le bord de fuite. Dans un troisième mode de mise en œuvre, la couche de passivation comprend une première portion recouvrant la surface latérale bordée par le troisième bord et une deuxième portion recouvrant la surface latérale bordée par le quatrième bord. La ligne est une ligne brisée comprenant un premier segment de droite incliné par rapport à une médiane de la première face d’un premier angle positif et un deuxième segment de droite incliné par rapport à la médiane d’un deuxième angle négatif, la médiane passant par le bord d’attaque et le bord de fuite, le premier angle et le deuxième angle étant inférieurs à 90° en valeur absolue, de préférence inférieurs à 45° en valeur absolue. Selon un développement de ce troisième mode de mise en œuvre, le premier angle et le deuxième angle sont compris entre 10° et 20° en valeur absolue. Selon un autre développement, le premier angle et le deuxième angle sont égaux en valeur absolue. Le procédé d’activation selon l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : la cellule photovoltaïque et la source de rayonnement sont animées d’un mouvement relatif de translation ; la ligne balaye toute la superficie de la première face ; la densité surfacique d’énergie reçue en tout point de la première face est comprise entre 1 kJ/m 2 et 1000 kJ/m 2 , avantageusement entre 10 kJ/m 2 et 100 kJ/m 2 ; le rayonnement électromagnétique présente une irradiance supérieure ou égale à 1 kW/m 2 , de préférence comprise entre 100 kW/m 2 et 5000 kW/m 2 ; la cellule photovoltaïque et la source de rayonnement sont en mouvement relatif de translation à une vitesse de déplacement comprise entre 1 cm/s et 100 cm/s, de préférence supérieure ou égale à 2 cm/s ; et la ligne présente une largeur comprise entre 0,1 mm et 100 mm, de préférence comprise entre 1 mm et 10 mm. Un deuxième aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques passivées, comprenant les étapes suivantes : découper des cellules photovoltaïques pour former une pluralité de sous-cellules photovoltaïques, chaque sous-cellule photovoltaïque comprenant une première face, une deuxième face opposée à la première face et des surfaces latérales reliant les première et deuxième faces, au moins une des surfaces latérales de chaque sous-cellule photovoltaïque, dite additionnelle, résultant du découpage d’une cellule photovoltaïque ; déposer une couche de passivation sur au moins une surface latérale additionnelle des sous-cellules photovoltaïques ; activer thermiquement la couche de passivation des sous-cellules photovoltaïques en suivant un procédé d’activation thermique selon le premier aspect de l’invention. De préférence, les cellules photovoltaïques sont découpées en demi-cellules ou en sous-unités de superficie inférieure à celle d’une demi-cellule. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures suivantes. représente schématiquement un procédé d’activation thermique de couche de passivation selon un premier aspect de l’invention, ce procédé comprenant le balayage d’une cellule photovoltaïque par une ligne de rayonnement électromagnétique. représente un premier mode de mise en œuvre du procédé d’activation par balayage selon l’invention. montre la température maximale atteinte dans l’épaisseur d’une cellule photovoltaïque pour chaque point d’une face exposée au rayonnement électromagnétique, au cours d’un procédé d’activation selon la . représente un deuxième mode de mise en œuvre du procédé d’activation par balayage selon l’invention. montre la température maximale atteinte dans l’épaisseur d’une cellule photovoltaïque pour chaque point de la face exposée, au cours d’un procédé d’activation selon la . représente un troisième mode de mise en œuvre du procédé d’activation par balayage selon l’invention. montre la température maximale atteinte dans l’épaisseur de la cellule photovoltaïque pour chaque point de la face exposée, au cours d’un procédé d’activation selon la . représente l’amplitude de la surchauffe dans une portion adjacente à un bord de fuite de la cellule photovoltaïque, en fonction de la vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique. représente la largeur de la portion surchauffée en fonction de la vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique. représente les températures en deux points de la cellule photovoltaïque et la différence de température entre ces deux points, en fonction de la densité surfacique d’énergie apportée à la cellule photovoltaïque, lorsque la face de de la cellule photovoltaïque est entièrement balayée par le rayonnement électromagnétique. représente la largeur de la portion surchauffée en fonction de la vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique, pour différentes séries de calculs. , et représentent des étapes d’un procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques selon un deuxième aspect de l’invention. Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l’ensemble des figures. Procédé d’activation thermique d’une couche de passivation (10) disposée sur une cellule photovoltaïque (20), la cellule photovoltaïque (20) comprenant une première face (20a), une deuxième face (20b) opposée à la première face et des surfaces latérales (20c) reliant les première et deuxième faces, la couche de passivation (10) recouvrant au moins une des surfaces latérales (20c) de la cellule photovoltaïque (20), le procédé comprenant une étape d’exposition de la première face (20a) à un rayonnement électromagnétique (30) émis par une source de rayonnement (40), caractérisé en ce que le rayonnement électromagnétique (30) est appliqué sur la première face (20a) selon une ligne (60), en ce que la ligne (60) balaye une partie au moins de la première face (20a), et en ce que la ligne (60) est orientée par rapport à la première face (20a) de sorte à obtenir une zone de surchauffe (71, 72) englobant une partie au moins de la couche de passivation (10). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la cellule photovoltaïque (20) et la source de rayonnement (40) sont animées d’un mouvement relatif de translation. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel la première face (20a) comprend : un premier bord (21) appelé bord d’attaque ; un deuxième bord (22) appelé bord de fuite et opposé au premier bord (21) ; et des troisième et quatrième bords (23, 24) reliant les premier et deuxième bords (21, 22). Procédé selon la revendication 3, dans lequel : la couche de passivation (10) recouvre la surface latérale (20c) bordée par le bord de fuite (22) ; et la ligne (60) comprend un segment de droite (61) orienté perpendiculairement à une médiane (M) de la première face (20a), la médiane passant par le bord d’attaque (21) et le bord de fuite (22). Procédé selon l’une des revendications 3 et 4, dans lequel : la couche de passivation (10) comprend une première portion recouvrant la surface latérale (20c) bordée par le bord de fuite (22) et une deuxième portion recouvrant la surface latérale (20c) bordée par le bord d’attaque (21) ; et la ligne (60) balaye la première face (20a) dans un premier sens lors d’une première phase et dans un deuxième sens opposé lors d’une deuxième phase. Procédé selon la revendication 3, dans lequel : la couche de passivation (10) comprend une première portion recouvrant la surface latérale (20c) bordée par le bord de fuite (22) et une deuxième portion recouvrant la surface latérale (20c) bordée par l’un des troisième et quatrième bords (23-24) ; et la ligne (60) comprend un segment de droite (61’) incliné par rapport à une médiane (M) de la première face d’un angle (α) strictement inférieur à 90° en valeur absolue, la médiane (M) passant par le bord d’attaque (21) et le bord de fuite (22). Procédé selon la revendication 3, dans lequel : la couche de passivation (10) comprend une première portion recouvrant la surface latérale (20c) bordée par le troisième bord (23) et une deuxième portion recouvrant la surface latérale (20c) bordée par le quatrième bord (24) ; et la ligne (60) est une ligne brisée comprenant un premier segment de droite (62a) incliné par rapport à une médiane (M) de la première face (20a) d’un premier angle positif (α 1 ) et un deuxième segment de droite (62b) incliné par rapport à la médiane (M) d’un deuxième angle négatif (α 2 ), la médiane (M) passant par le bord d’attaque (21) et le bord de fuite (22), le premier angle (α 1 ) et le deuxième angle (α 2 ) étant inférieurs à 90° en valeur absolue, de préférence inférieurs à 45° en valeur absolue. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le premier angle (α 1 ) et le deuxième angle (α 2 ) sont compris entre 10° et 20° en valeur absolue. Procédé selon l’une des revendications 7 et 8, dans lequel le premier angle (α 1 ) et le deuxième angle (α 2 ) sont égaux en valeur absolue. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la ligne (60) balaye toute la superficie de la première face (20a). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la densité surfacique d’énergie (Q) reçue en tout point de la première face (20a) est comprise entre 1 kJ/m 2 et 1000 kJ/m 2 , avantageusement entre 10 kJ/m 2 et 100 kJ/m 2 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le rayonnement électromagnétique (30) présente une irradiance (E) supérieure ou égale à 1 kW/m 2 , de préférence comprise entre 100 kW/m 2 et 5000 kW/m 2 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la cellule photovoltaïque (20) et la source de rayonnement (40) sont en mouvement relatif de translation à une vitesse de déplacement (V) comprise entre 1 cm/s et 100 cm/s, de préférence supérieure ou égale à 2 cm/s. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la ligne (60) présente une largeur (L) comprise entre 0,1 mm et 100 mm, de préférence comprise entre 1 mm et 10 mm. Procédé de fabrication de sous-cellules photovoltaïques (200) passivées, comprenant les étapes suivantes : découper (S1) des cellules photovoltaïques (100) pour former une pluralité de sous-cellules photovoltaïques (200), chaque sous-cellule photovoltaïque comprenant une première face (200a), une deuxième face (200b) opposée à la première face (200a) et des surfaces latérales (200c, 200c’) reliant les première et deuxième faces, au moins une (200c’) des surfaces latérales de chaque sous-cellule photovoltaïque (200), dite additionnelle, résultant du découpage d’une cellule photovoltaïque (100) ; déposer (S2) une couche de passivation (210) sur au moins une surface latérale additionnelle (200c’) des sous-cellules photovoltaïques (200) ; activer (S2) thermiquement la couche de passivation (210) des sous-cellules photovoltaïques (200) en suivant un procédé d’activation thermique selon l’une quelconque des revendications 1 à 14. Procédé de fabrication selon la revendication 15, dans lequel les cellules photovoltaïques (100) sont découpées en demi-cellules (200) ou en sous-unités de superficie inférieure à celle d’une demi-cellule.