FR 3129037 A1 20230512 FR 2111760 A 20211105 Dispositif de filtrage reconfigurable et système d’acquisition de signaux radiofréquence s intégrant un tel dispositif de filtrage Ce dispositif (20), qui comporte une ligne de transmission (23), entre une entrée une sortie (1, 2), et un résonateur, se caractérise par : une première piste micro-ruban (28), un premier composant de type microsystème électromécanique - MEMS (27), et une seconde piste micro-ruban (26), connectés en série entre la ligne de transmission et un point de masse, ainsi qu’un second composant MEMS (25), connecté en parallèle de la seconde piste micro-ruban (26), les premier et second composants MEMS fonctionnant en interrupteur et étant commandés par un circuit de commande (50, 51) de l’état ouvert ou fermé de chacun des premier et second MEMS permettant de placer le dispositif de filtrage soit dans une mode de fonctionnement « passe-tout », soit dans un mode de fonctionnement « coupe-bande » autour d’une fréquence caractéristique (F 0 ) du résonateur (24). Figure pour l'abrégé : Figure 1 Dispositif de filtrage reconfigurable et système d’acquisition de signaux radiofréquences intégrant un tel dispositif de filtrage La présente invention a pour domaine celui du filtrage des signaux hyperfréquences. L’essor des télécommunications dans divers domaines est venu surcharger le spectre électromagnétique de nombreux signaux qui constituent autant de signaux parasites pour des applications telles que la réception pour un système radar ou encore l’écoute pour un système de guerre électronique. Il est par conséquent nécessaire de rejeter les signaux dans certaines bandes spécifiques de fréquence. Pour cela, il est connu d’utiliser des filtres reconfigurables ou accordables en fréquence. Par exemple, on connait des commutateurs radiofréquences, aussi dénommés «switch RF », tels que des commutateurs « PIN » ou des commutateurs électromécaniques, permettant d’aiguiller le signal à filtrer vers un dispositif de filtrage plutôt qu’un autre, en fonction du traitement que l’on souhaite appliquer à ce signal. Il est également connu d’utiliser des diodes varactor. Une diode varactor est aussi dénommée varicap, « tuning diodes », « voltage variable capacitor », parametric diodes, ou encore « variable capacitor diodes ». Comme représenté sur la , un dispositif de filtrage à diode varactor 10 présente une borne d’entrée 1, sur laquelle est appliqué le signal à filtrer, et une borne de sortie 2, sur laquelle est délivré le signal filtré. Le filtre comporte une ligne de transmission 13 reliant la borne d’entrée 1 à la borne de sortie 2. Un résonateur 14 est connecté entre un nœud A de la ligne de transmission 13 et un nœud B, qui est porté à un potentiel de référence, comme un potentiel de masse. Le résonateur 14 comporte, en série, une piste quart d’onde 16 et une diode varactor 18. L’article de A.A. Latip et al., « Tuning circuit using varactor diode for tunable bandstop resonator », 2011 IEEE, décrit un tel dispositif de filtrage à diode varactor. En particulier, cet article présente un circuit électrique équivalent d’une telle diode varactor. Cependant, la multiplication de tels dispositifs de filtrage dans les chaînes d’émission et de réception d’un système d’acquisition des signaux radiofréquences (système radar ou de guerre électronique) vient diminuer la sensibilité et augmenter l’encombrement. En conséquence, le but de la présente invention est de résoudre ces problèmes en proposant notamment un dispositif de filtrage présentant une meilleure sensibilité et un volume réduit. Pour cela, l’invention a pour objet un dispositif de filtrage reconfigurable comportant : une borne d’entrée sur laquelle est appliqué un signal à filtrer ; une borne de sortie sur laquelle est délivré un signal filtré ; une ligne de transmission reliant la borne d’entrée et la borne de sortie, et un résonateur connecté, via une première capacité, à la ligne de transmission et, via une seconde capacité, à un premier nœud porté à un potentiel de référence, caractérisé en ce que le résonateur comporte : une première piste micro-ruban , connectée d’une part à la première capacité et d’autre part à un premier nœud intermédiaire ; une seconde piste micro-ruban, connectée d’une part à un second nœud intermédiaire et d’autre part à la seconde capacité ; un premier composant de type microsystème électromécanique - MEMS connecté entre le premier nœud intermédiaire et le second nœud intermédiaire de manière à être placé en série entre les première et seconde pistes micro-ruban ; un second composant MEMS, connecté entre le second nœud intermédiaire et un second nœud porté au potentiel de référence de manière à être placé en parallèle de la seconde pistes micro-ruban, les premier et second composants MEMS fonctionnant en interrupteur et étant commandés par un dispositif de commande de l’état ouvert ou fermé de chacun des premier et second MEMS permettant de placer le dispositif de filtrage soit dans une mode de fonctionnement « passe-tout », soit dans un mode de fonctionnement « coupe-bande » autour d’une fréquence caractéristique du résonateur. Suivant des modes particuliers de réalisation, le dispositif de filtrage comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - une pluralité de résonateurs, les résonateurs étant similaires et connectés en parallèle le long de la ligne de transmission, le dispositif de commande permettant de sélectionner le nombre de résonateur(s) dans le mode de fonctionnement coupe-bande de manière à ajuster un niveau de réjection du dispositif de filtrage. - la pluralité de résonateurs comportant une première pluralité de premiers résonateurs caractérisés par une première fréquence caractéristique, la pluralité de résonateurs comporte une seconde pluralité de seconds résonateurs, les seconds résonateurs étant caractérisés par une seconde fréquence caractéristique, le dispositif de commande permettant de sélectionner le nombre de résonateur(s) dans le mode de fonctionnement coupe-bande de manière à ajuster un niveau de réjection du dispositif de filtrage autour de la première fréquence caractéristique ou autour de la seconde fréquence caractéristique. - la première capacité et/ou la seconde capacité est une capacité Métal - Isolant - Métal. - la première piste micro-ruban du résonateur présente une première impédance et la seconde piste micro-ruban du résonateur présente une seconde impédance, les première et seconde impédances étant différentes pour que le résonateur présente un saut d’impédance. - le premier composant MEMS et/ou le second composant MEMS du résonateur est du type composant MEMS capacitif. - les premier et second composants MEMS comportent respectivement une membrane suspendue par ses extrémités au-dessus d’un contact, l’application par le dispositif de commande d’un potentiel d’actionnement sur la membrane et/ou le contact permettant de déformer la membrane de manière à établir une continuité électrique entre la membrane et le contact. - le dispositif de commande comporte un tronçon de ligne résistive permettant de porter le contact au potentiel d’actionnement. - une portion d’extrémité du tronçon de ligne résistive, située à proximité du contact, est conformée en méandre de manière à présenter, pour le contact, une résistance élevée. L’invention a également pour objet un système d’acquisition des signaux hyperfréquences dont les voies d’émission et/ou de réception intègrent un dispositif de filtrage conforme au dispositif précédent. L’invention et ses avantages seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre de deux modes de réalisation particuliers, donnés uniquement à titre d’exemple non limitatif, cette description étant faite en se référant aux dessins annexés sur lesquels : La est un schéma électrique équivalent dans le domaine haute fréquence d’un premier mode de réalisation d’un dispositif de filtrage selon l’invention ; La représente deux graphes des paramètres S ij (dB) en fonction de la fréquence F (GHz) du signal appliqué sur la borne d’entrée pour le dispositif de filtrage de la en fonction du mode de fonctionnement sélectionné ; La est un schéma d’une réalisation physique du dispositif de filtrage de la ; La est un schéma électrique équivalent dans le domaine haute fréquence d’un second mode de réalisation d’un dispositif de filtrage selon l’invention ; La représente deux graphes des paramètres S ij (dB) en fonction de la fréquence F (GHz) du signal appliqué sur la borne d’entrée pour le dispositif de filtrage de la , en fonction du mode de fonctionnement sélectionné ; La représente schématiquement les voies d’émission et de réception d’un système radar intégrant un ou plusieurs dispositif(s) de filtrage selon l’invention ; et, La est un schéma de réalisation d’un dispositif de filtrage à diode varactor selon l’état de la technique. La présente invention met en œuvre des composants MEMS (« MicroElectroMechanical systems » en anglais). Un composant MEMS est un microsystème électromécanique de dimensions micrométriques, qui est fabriqué à partir de matériaux semi-conducteurs. Il comprend au moins un élément mécanique et utilise l’électricité comme source d’énergie. Il est adapté pour réaliser une fonction particulière (actionneur, capteur, interrupteur, etc.). Selon un premier mode de réalisation, dont un schéma électrique équivalent pour un fonctionnement dans le domaine hyperfréquence est représenté sur la , le dispositif de filtrage 20 comporte une borne d’entrée 1 sur laquelle est appliqué le signal à filtrer et une borne de sortie 2 sur laquelle est délivré le signal filtré. Le dispositif de filtrage 20 comporte une ligne de transmission 23 reliant la borne d’entrée 1 à la borne de sortie 2. Le dispositif de filtrage 20 comporte un résonateur 24 connecté en dérivation de la ligne de transmission 23 entre un nœud A et un nœud B. Le nœud B est porté à un potentiel de référence (comme un potentiel de masse). Le résonateur 24 est caractérisé par une fréquence caractéristique F 0 de résonance. Dans le mode de réalisation de la , le résonateur 24 comporte : - une capacité 29, connectée entre le nœud A et un nœud C ; - une première ligne de transmission 28, connectée entre le nœud C et un nœud D ; - un premier composant MEMS 27, connecté entre le nœud D et un nœud E ; - une seconde ligne de transmission 26, connectée entre le nœud E et le nœud B ; - un second dispositif MEMS 25, connecté en parallèle de la seconde ligne de transmission 26, entre le nœud E et un nœud B’, qui est porté au potentiel de référence; et, - des circuits de commande 50 et 51 de l’état des premier et second composants MEMS. Les première et seconde lignes de transmission, 28 et 26, sont des tronçons de piste micro-ruban. La première ligne de transmission 28 est conformée pour présenter une impédance Z 1 et introduire une longueur électrique θ 1 à la fréquence de résonance F 0 . La seconde ligne de transmission 26 est conformée pour présenter une impédance Z 2 et introduire une longueur électrique θ 2 à la fréquence de résonance F 0 . Les impédances des deux lignes de transmission, 28 et 26, sont différentes de manière à introduire un saut d’impédance, ayant l’avantage de repousser les harmoniques de la fréquence caractéristique F 0 vers des fréquences élevées, hors du domaine de fréquence d’intérêt. C’est au niveau de ce saut d’impédance que sont placés le premier composant MEMS 27, aussi dénommé MEMS série, et le second composant MEMS 25, ou MEMS « court-circuit » (« shunt »). Les premier et second composants MEMS réalisent une fonction d’interrupteur commandé. Ils possèdent respectivement deux états : un état « ouvert » (ou bloquant) et un état « fermé » (ou passant). Les composants MEMS utilisés dans le résonateur 24 sont de préférence des composants MEMS capacitifs, c’est-à-dire que dans l’état fermé ils se comportent comme un condensateur résiduel et non pas comme un interrupteur parfait. En fonction des états des composants MEMS, 27 et 25, le dispositif de filtrage 20 est placé soit dans un premier mode de fonctionnement, soit dans un second mode de fonctionnement. Ainsi, en commandant le premier composant MEMS 27 dans l’état fermé et le second composant MEMS 25 dans l’état ouvert, le dispositif 20 est placé dans un mode « coupe-bande » (ou « rejecteur ») des signaux dans une bande de fréquence ΔF 0 autour de la fréquence caractéristique F 0 . En commandant le premier composant MEMS dans l’état ouvert et le second composant MEMS dans l’état fermé, le dispositif de filtrage 20 est placé dans un mode passe-tout, au moins sur le domaine de fréquence d’intérêt. On notera que le premier composant MEMS « série » pourrait théoriquement suffire pour obtenir un dispositif de filtrage dont le mode de fonctionnement soit commandable. Cependant, en pratique le second composant MEMS « shunt » est nécessaire pour améliorer les performances, notamment pour améliorer l’isolation lorsque le premier composant MEMS « série » est dans l’état ouvert. Ce comportement est représenté sur la . Le paramètre de transmission S 21 correspond à la puissance transmise depuis la borne d’entrée 1 vers la borne de sortie 2 du dispositif 20, tandis que le paramètre de réflexion S 11 représente la puissance réfléchie par le dispositif de filtrage 20 sur la borne d’entrée 1. Le graphe de la partie haute de la représente les paramètres S 21 et S 11 en fonction de la fréquence du dispositif de filtrage 20 en mode coupe-bande : le paramètre S 21 est faible autour de la fréquence caractéristique F 0 de sorte que les signaux à filtrer présentant une fréquence à l’intérieur de la bande ΔF 0 sont fortement atténués, i.e. ne sont pas retransmis vers la borne de sortie 2. La puissance réfléchie par le dispositif 20 est alors maximale (S 11 atteint un maximum proche de la valeur nulle sur la bande ΔF 0 ) et les signaux à filtrer de la bande ΔF 0 sont rejetés. Le graphe de la partie basse de la représente les paramètres S 21 et S 11 en fonction de la fréquence (F) du dispositif de filtrage 20 en mode passe-tout : le paramètre S 21 est sensiblement uniforme et proche de la valeur unité sur l’ensemble du domaine de fréquence d’intérêt, alors que le paramètres S 1 1 reste bas (inférieur à -10 dB) sur l’ensemble de ce domaine. Dans le mode passe-tout, la seconde ligne de transmission 26 est désactivée de manière à réduire fortement la longueur électrique globale du résonateur 24. La position d’implantation des composants MEMS est également définie de manière à obtenir un compromis entre la fréquence caractéristique F 0 et les performances électriques du dispositif de filtrage. Le saut d’impédance présent entre les deux lignes de transmission ajoute de la flexibilité dans la conception du dispositif de filtrage, notamment vis-à-vis de la sélectivité du dispositif de filtrage et du rejet des remontées parasites, en particulier de rejeter les harmoniques de la fréquence de résonnance en dehors du domaine de fréquence d’intérêt. La capacité 29 est de préférence une capacité MIM, pour Métal - Isolant - Métal. Une capacité MIM est une capacité dite planaire réalisée par la superposition de deux couches de conducteur entre lesquelles est insérée une couche de diélectrique. Il s’agit donc d’une capacité semi-localisée aux dimensions extrêmement réduites et donc facilement intégrable. L’utilisation d’une telle capacité présente les avantages suivants : - isolation de la composante continue du signal de commande des MEMS (comme cela sera décrit ci-dessous) vers les bornes d’entrée 1 et de sortie 2 du dispositif de filtrage, ce qui permet de protéger les composants électroniques en aval et en amont du dispositif de filtrage ; - augmentation de la sélectivité du filtre, c’est-à-dire diminution de la largeur de la bande ΔF 0 . - éjection des remontées parasites (harmoniques) hors du domaine de fonctionnement souhaité. La est une implémentation physique du dispositif de filtrage 20 de la . Le dispositif de filtrage 20 comporte une ligne 23 entre les bornes d’entrée 1 et de sortie 2. La ligne 23 est connectée à la couche supérieure de la capacité MIM 29. La couche inférieure de la capacité MIM 29 est connectée à une première extrémité de la première ligne de transmission 28, la seconde extrémité de la première ligne de transmission 28 portant un contact 33 du premier composant MEMS capacitif 27. Le premier composant MEMS capacitif 27 est constitué par une membrane 31 souple de forme oblongue, dont les extrémités sont portées par un étrier 32, de sorte que, dans l’état ouvert, la membrane 31 soit maintenue suspendue au-dessus et à distance du contact 33. Lorsque la première ligne de transmission 28 est portée à un potentiel d’actionnement prédéfini (par exemple +40V) appliqué par un premier dispositif de polarisation, la force électrostatique entre le contact 33 et la membrane 31 est telle que cette dernière est attirée et vient presque se coller contre le contact 33, assurant ainsi une continuité électrique (tout au moins d’un point de vue radiofréquence puisque la capacité résiduelle coupe la composante continue) entre la première ligne de transmission 28 et l’étrier 32. Le second composant MEMS capacitif 25 est constitué par une membrane 41 souple de forme oblongue dont les extrémités sont ici supportées par des plots, respectivement 45 et 47, portés au potentiel de référence (ces plots sont par exemple connectés au moyen de vias métallisés à un plan de masse sous-jacent). Dans l’état ouvert, la membrane 41 est suspendue au-dessus d’un contact 43, disposé de manière à établir une continuité électrique entre d’une part l’étrier 32 du premier composant MEMS capacitif 27 et d’autre part une première extrémité de la seconde ligne de transmission 26, dont la seconde extrémité est reliée, à travers une capacité 49, de préférence MIM, à un plot 48 porté au potentiel de référence (nœud B). Lorsque la seconde ligne de transmission 26 est portée à un potentiel d’actionnement prédéfini (par exemple +40V) par un second dispositif de polarisation, l’étrier 32 se retrouve au même potentiel que le contact 33, de sorte que le premier composant MEMS capacitif 27 bascule dans l’état ouvert. Simultanément, la force électrostatique entre le contact 43 et la membrane 41 permet de déplacer cette dernière et de l’amener à proximité immédiate du contact 43, assurant ainsi une continuité électrique (tout au moins d’un point de vue radiofréquence puisque la capacité résiduelle coupe la composante continue) entre l’étrier 32 du premier composant MEMS capacitif 27 et les plots 45 et 47, permettant de porter l’étrier 32 au potentiel de référence, la seconde ligne de transmission 26 étant alors court-circuitée. Une capacité 49 doit être ajoutée entre l’extrémité du résonateur et le nœud B (constitué par le plot 48 relié au potentiel de référence) pour jouer le rôle de capacité de découplage permettant de porter la seconde ligne 26 au potentiel d’actionnement. Dans le domaine hyperfréquence, la présence de cette capacité de découplage (de valeur élevée) n’a pas d’effet, contrairement à la capacité 29. Comme circuits de polarisation, on choisit des circuits RC composés d’un tronçon de ligne résistif mis en méandre afin d’accentuer l’effet résistif au voisinage de la ligne de transmission utilisée pour piloter l’état du composant MEMS associé à cette ligne et d’une capacité MIM ramenée à la masse. Ainsi, le premier circuit de polarisation est constitué par un tronçon de ligne 52a et 52b entre un premier circuit de commande 50 et la première ligne de transmission 28. Avantageusement, l’extrémité du tronçon de ligne est conformée en méandre de manière à présenter une résistance, R1, importante, au voisinage de la première ligne de transmission 28 de manière à ne pas perturber la fonction résonateur. De plus, une capacité 54, de préférence MIM, est connectée entre le tronçon de ligne et un via métallisé 56 relié au plan de masse. Par exemple, la couche supérieure de la capacité MIM 54 est connectée aux première et seconde portions 52a et 52b du tronçon de ligne, tandis que la couche inférieure de la capacité MIM 54 est connectée au via 56. Le second circuit de polarisation est constitué d’un tronçon de ligne 53a et 53b entre un second circuit de commande 51 et la seconde ligne de transmission 26. Avantageusement, l’extrémité du tronçon de ligne est conformée en méandre de manière à présenter une résistance, R2, importante au voisinage de la seconde ligne de transmission 26 de manière à ne pas perturber la fonction résonateur. De plus, une capacité 55, de préférence MIM, est connectée entre le tronçon de ligne et un via métallisé 57 relié au plan de masse. Par exemple, la couche supérieure de la capacité MIM 55 est connectée aux première et seconde portions 53a et 53b du tronçon de ligne, tandis que la couche inférieure de la capacité MIM 55 est connecté au via 57. La représente un second mode de réalisation du dispositif de filtrage selon l’invention. Le dispositif 100 comporte, disposé en série entre une entrée 1 et une sortie 2, un premier module 101 et un second module 102. Les premier et second modules sont séparés par un élément d’adaptation d’impédance 61. Le premier module 101 est constitué de la mise en parallèle d’une pluralité de n résonateurs 20-1, …, 20-n-1, 20-n, entre la ligne de transmission et la masse. Les résonateurs sont identiques entre eux et chaque résonateur est similaire au dispositif 20 de la . Les différents résonateurs sont identiques entre eux et leurs paramètres sont choisis pour qu’ils présentent tous la même fréquence F 0 et la même bande de réjection ΔF 0 . Entre deux résonateurs successifs, la ligne de transmission intègre un élément d’adaptation d’impédance. Ainsi, la ligne d’adaptation comporte des éléments 60-1, … 60-n-1. Chaque élément d’adaptation est par exemple constitué de la mise en série de composants d’impédance adaptée 62, 63, 64. De manière similaire, le second module 102 est constitué d’une pluralité de m résonateurs, 120-1, …, 120-m-1, 120-m, disposés en parallèle entre la ligne de transmission et la masse. Entre deux résonateurs successifs est interposé un élément d’ajustement d’impédance. Ainsi, la ligne de transmission comporte des éléments 160-1, …, 160-m-1, 160-m. Les différents résonateurs sont identiques et choisis de manière à ce qu’ils présentent une même fréquence F 1 et la même bande de réjection ΔF 1 . Le dispositif 100 est équipé de premier et second circuits de polarisation, 150 et 151, propres à piloter l’état de chacun des résonateurs 20-1 à120-m individuellement. Ainsi, le dispositif 100 peut fonctionner en mode passe-tout à condition que tous les résonateurs du premier module 101 soient dans le mode passe-tout et tous les résonateurs du second module 102 soient dans le mode passe-tout. Le dispositif 100 peut fonctionner dans un mode coupe-bande autour de la fréquence F 0 . Pour cela, tous les résonateurs du second module 102 sont dans le mode passe-tout et tout ou partie des résonateurs du premier module 101 sont dans le mode coupe-bande. Le niveau de réjection peut être ajusté en sélectionnant le nombre de résonateurs qui sont placés dans le mode coupe-bande et le nombre de résonateurs qui sont placés dans le mode passe-tout. De manière similaire, le dispositif 100 peut fonctionner dans un mode coupe-bande autour de la fréquence F 1 . Pour cela, tous les résonateurs du premier module 101 sont placés dans le mode passe-tout, tandis que tout ou partie des résonateurs du second module 102 sont placés dans le mode coupe-bande. Le nombre de résonateurs dans le mode coupe-bande détermine le niveau de réjection du dispositif de filtrage 100. Le comportement du dispositif de filtrage de la pour chaque mode de fonctionnement est illustré par les graphes de la donnant les paramètres S ij en fonction de la fréquence F du signal appliquée sur l’entrée 1 du dispositif 100. Le graphe en partie basse de la représente le fonctionnement du dispositif 100 dans le mode passe-tout. Le paramètre S 21 est sensiblement constant sur tout le domaine de fréquence, tandis que le paramètre S 1 1 reste bas sur l’ensemble du domaine de fréquence. Cela signifie que le dispositif 100 laisse passer l’intégralité de la puissance quelle que soit la fréquence du signal entrant à filtrer. Le graphe de la partie haute de la représente le mode coupe-bande autour de la fréquence F 0 . Les différentes courbes représentent le paramètre S 21 en fonction du nombre de résonateurs utilisés pour atténuer le signal dans la bande ΔF 0 . La courbe S 21 (1) correspond au cas où seul le premier résonateur 20-1 est placé dans le mode coupe-bande, la courbe S 21 (n-1) correspond au cas où les n-1 premiers résonateurs 20-1 sont placés dans le mode coupe-bande, et la courbe S 21 (n) correspond au cas où les n résonateurs 20-1 sont placés dans le mode coupe-bande. Le graphe de la partie centrale de la représente le mode coupe-bande autour de la fréquence F 1 . Les différentes courbes représentent le paramètre S 21 en fonction du nombre de résonateurs utilisés pour atténuer le signal dans la bande ΔF 1 . La courbe S’ 21 (1) correspond au cas où seul le premier résonateur 120-1 est placé dans le mode coupe-bande, la courbe S’ 21 (m-1) correspond au cas où les m-1 premiers résonateurs 20-1 sont placés dans le mode coupe-bande, et la courbe S 21 (m) correspond au cas où les m résonateurs sont placés dans le mode coupe-bande. La représente schématiquement un système radar intégrant un ou plusieurs dispositif(s) de filtrage selon l’invention. Le système 300 comporte de manière connue en soi un module de traitement du signal 310, une voie d’émission 320, une antenne 330, une voie de réception 340 et un duplexeur 350 interposé entre la voie d’émission 320 et l’antenne 330 d’une part et l’antenne 330 et la voie de réception 340 d’autre part. La voie d’émission 320 comporte successivement par exemple un composant de conversion numérique analogique CNA, un amplificateur, un premier filtre 322, un mélangeur, un second filtre 324 puis un amplificateur forte puissance HPA. Le mélangeur prend en compte un signal d’horloge délivré par une horloge locale OL. De manière similaire, la ligne de réception 340 comporte un amplificateur à bas bruit LNA suivi d’un troisième filtre 342, lui-même suivi d’un mélangeur dont le signal de sortie est envoyé à un quatrième filtre 344. Le signal est ensuite amplifié en traversant un amplificateur avant d’être numérisé au moyen d’un convertisseur analogique numérique CAN. Le mélangeur de la voie de réception prend en compte le signal d’horloge d’un oscillateur local OL. De préférence, le troisième filtre 342 est un dispositif de filtrage selon l’invention, que ce soit le dispositif 20 de la ou le dispositif 100 de la . Alternativement, les premier, second, troisième et/ou quatrième filtres 322, 324, 342 et/ou 344 sont des dispositifs de filtrage selon l’invention. La commande de l’état courant du dispositif de filtrage permet de supprimer telle ou telle région du domaine de fréquence de l’application dans lequel on risque d’avoir des signaux parasites. Dispositif de filtrage reconfigurable (20) comportant : - une borne d’entrée (1) sur laquelle est appliqué un signal à filtrer ; - une borne de sortie (2) sur laquelle est délivré un signal filtré ; - une ligne de transmission (23) reliant la borne d’entrée (1) et la borne de sortie (2), et - un résonateur connecté, via une première capacité (29), à la ligne de transmission (23) et, via une seconde capacité (49), à un premier nœud (B) porté à un potentiel de référence, caractérisé en ce que le résonateur (24) comporte : - une première piste micro-ruban (28), connectée d’une part à la première capacité (29) et d’autre part à un premier nœud intermédiaire (D) ; - une seconde piste micro-ruban (26), connectée d’une part à un second nœud intermédiaire (E) et d’autre part à la seconde capacité ; - un premier composant de type microsystème électromécanique - MEMS (27), connecté entre le premier nœud intermédiaire (D) et le second nœud intermédiaire (E) de manière à être placé en série entre les première et seconde pistes micro-ruban ; - un second composant MEMS (25), connecté entre le second nœud intermédiaire (E) et un second nœud (B’) porté au potentiel de référence de manière à être placé en parallèle de la seconde pistes micro-ruban, les premier et second composants MEMS fonctionnant en interrupteur et étant commandés par un dispositif de commande (50, 51) de l’état ouvert ou fermé de chacun des premier et second MEMS permettant de placer le dispositif de filtrage soit dans une mode de fonctionnement « passe-tout », soit dans un mode de fonctionnement « coupe-bande » autour d’une fréquence caractéristique (F 0 ) du résonateur (24). Dispositif de filtrage reconfigurable (120) selon la revendication 1, comportant une pluralité de résonateurs (20-1, 20-n-1, 20-n), les résonateurs étant similaires et connectés en parallèle le long de la ligne de transmission, le dispositif de commande permettant de sélectionner le nombre de résonateur(s) dans le mode de fonctionnement coupe-bande de manière à ajuster un niveau de réjection du dispositif de filtrage. Dispositif de filtrage reconfigurable (120) selon la revendication 2, dans lequel, la pluralité de résonateurs comportant une première pluralité de premiers résonateurs caractérisés par une première fréquence caractéristique (F 0 ), la pluralité de résonateurs comporte une seconde pluralité de seconds résonateurs (120-1, 120-m-1, 120-m), les seconds résonateurs étant caractérisés par une seconde fréquence caractéristique (F 1 ), le dispositif de commande permettant de sélectionner le nombre de résonateur(s) dans le mode de fonctionnement coupe-bande de manière à ajuster un niveau de réjection du dispositif de filtrage autour de la première fréquence caractéristique ou autour de la seconde fréquence caractéristique. Dispositif de filtrage reconfigurable (20) selon l’une quelconque des revendication précédentes, dans lequel la première capacité (29) et/ou la seconde capacité (49) est une capacité Métal - Isolant - Métal. Dispositif de filtrage reconfigurable (20) selon l’une quelconque des revendication précédentes, dans lequel la première piste micro-ruban du résonateur présente une première impédance et la seconde piste micro-ruban du résonateur présente une seconde impédance, les première et seconde impédances étant différentes pour que le résonateur présente un saut d’impédance. Dispositif de filtrage reconfigurable (20) selon l’une quelconque des revendication précédentes, dans lequel le premier composant MEMS et/ou le second composant MEMS du résonateur est du type composant MEMS capacitif. Dispositif de filtrage reconfigurable (20) selon la revendication 6, dans lequel les premier et second composants MEMS comportent respectivement une membrane suspendue par ses extrémités au-dessus d’un contact, l’application par le dispositif de commande d’un potentiel d’actionnement sur la membrane et/ou le contact permettant de déformer la membrane de manière à établir une continuité électrique entre la membrane et le contact. Dispositif de filtrage reconfigurable (20) selon la revendication 7, dans lequel le dispositif de commande comporte un tronçon de ligne résistive permettant de porter le contact au potentiel d’actionnement. Dispositif de filtrage reconfigurable (20) selon la revendication 8, dans lequel une portion d’extrémité du tronçon de ligne résistive, située à proximité du contact, est conformée en méandre de manière à présenter, pour le contact, une résistance élevée. Système d’acquisition de signaux radiofréquences intégrant un dispositif de filtrage, caractérisé en ce que ledit dispositif de filtrage est un dispositif conforme à l’une quelconque des revendications précédentes.