FR 3130112 A1 20230609 FR 2113025 A 20211206 Titre : Procédé de formation d’une couche à base d’un matériau piézoélectrique et dispositif à onde acoustique de surface utilisant une telle couche L’invention porte sur un procédé de formation d’une couche (30) à base de niobate de lithium ou de tantalate de lithium, dite couche LN/LT, comprenant les étapes suivantes : - Fournir un substrat (10) à base de silicium, - Former sur le substrat (10) une couche de nucléation (20), - Former par épitaxie la couche LN/LT (30) sur la couche de nucléation (20). Le procédé est caractérisé en ce que la couche de nucléation (20) est choisie à base de matériau III-N. L’invention porte également sur un dispositif (1) à onde acoustique de surface comprenant une telle couche de nucléation (20). Figure pour l’abrégé : Fig.1A Procédé de formation d’une couche à base d’un matériau piézoélectrique et dispositif à onde acoustique de surface utilisant une telle couche La présente invention concerne, en général, un dispositif à onde acoustique de surface, et plus particulièrement, un procédé de réalisation de la couche à base d’un matériau piézoélectrique formant le cœur de ce dispositif. ETAT DE LA TECHNIQUE Les résonateurs basés sur une structure de type « onde acoustique de surface » dite SAW (acronyme de « Surface Acoustic Wave ») sont historiquement utilisés pour réaliser des filtres RF. Le cœur des résonateurs SAW est composé d’un matériau piézoélectrique qui influence les propriétés finales du filtre. Le niobate de lithium (LiNbO3) est utilisé depuis plusieurs années en tant que matériau piézoélectrique. Ses propriétés intrinsèques, comme son coefficient de couplage piézoélectrique, pourrait permettre au filtre de résonner à haute fréquence, par exemple à des fréquences supérieures à 5 GHz. Cependant, la synthèse en couche mince de ce matériau est complexe et les exigences liées à sa qualité sont élevées. La couche mince de LiNbO3 doit notamment présenter une haute qualité cristalline et une stœchiométrie contrôlée. Elle doit également présenter une orientation cristalline contrôlée et permettant de maximiser la vitesse de propagation des ondes. Des solutions permettant de synthétiser du LiNbO3 en couches minces sur un substrat saphir ont été développées. Les applications liées à ces solutions restent cependant limitées. La réalisation de couches minces de LiNbO3 sur un substrat à base de silicium présente un enjeu considérable. Cela permettrait d’envisager une nouvelle génération de dispositifs multifonctionnels comprenant des dispositifs électro-optiques, acoustiques, microélectroniques et/ou de récupération d'énergie en co-intégration sur un même substrat. Une solution consiste à reporter une couche mince de LiNbO3 depuis un substrat donneur, typiquement à partir d’un substrat de LiNbO3 monocristallin, vers un substrat receveur, typiquement un substrat de silicium avec une couche d’oxyde superficielle. Cette solution mettant en œuvre de nombreuses étapes techniques présente un coût significatif. La gamme d’épaisseurs de couche mince atteignable, typiquement supérieure à 200 nm, est également limitée par les contraintes techniques de report. Le document US7005947 B2 propose une autre solution consistant à former une couche tampon à base d’un oxyde de terres rares sur le substrat à base de silicium, avant d’épitaxier une couche à base de niobate de lithium. Cette solution est néanmoins complexe à mettre en œuvre. Le coût de fabrication d’une telle couche reste élevé. Dans une optique de co-intégration, la compatibilité de ce procédé doit également être améliorée. Il existe donc un besoin consistant à réaliser une couche à base de niobate de lithium sur un substrat à base de silicium, qui présente une qualité cristalline compatible avec les applications visées, tout en limitant les coûts de réalisation. Un objectif de la présente invention est de répondre au moins en partie à ce besoin. En particulier, un objectif de la présente invention est de proposer un procédé de formation d’une couche de niobate de lithium sur substrat silicium, qui présente un coût et/ou une compatibilité optimisée vis-à-vis des procédés existants. Un autre objectif de la présente invention est de proposer un dispositif, typiquement à onde acoustique de surface, bénéficiant d’une telle couche de niobate de lithium. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de formation d’une couche dite couche LN/LT, à base d’un matériau du type ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le lithium (Li), le plomb (Pb), et B étant au moins un deuxième élément chimique pris parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta), le procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat à base de silicium, de préférence cristallin, de préférence orienté selon (111), Former sur le substrat une couche de nucléation, Former par épitaxie la couche LN/LT sur la couche de nucléation. Avantageusement, la couche de nucléation est choisie en un matériau réfractaire à base de nitrure. Dans le cadre du développement de la présente invention, un cahier des charges pour la couche de nucléation a été établi. La couche de nucléation doit de préférence présenter les propriétés suivantes : Avoir une structure cristalline et/ou un paramètre de maille compatible avec un substrat à base de silicium. Cela permet par exemple d’épitaxier la couche de nucléation sur le substrat. Avoir une structure cristalline et/ou un paramètre de maille proche ou compatible avec le niobate de lithium ou le tantalate de lithium. Cela permet d’épitaxier la couche LN/LT sur la couche de nucléation. Avoir un coefficient de dilatation thermique proche du niobate de lithium ou du tantalate de lithium. Cela permet de limiter l’apparition de fissures due aux variations de températures lors de la formation de la couche LN/LT. Pouvoir bloquer la diffusion des atomes de Li dans le Si. Cela permet d’éviter une perte de stœchiométrie de la couche LN/LT. Confiner une onde acoustique, notamment en vue de garantir de hautes performances pour des dispositifs électro-acoustiques. Un préjugé technique de l’état de la technique est qu’une telle couche de nucléation doit nécessairement être à base d’oxyde afin d’éviter une perte de stœchiométrie de la couche LN/LT due à une diffusion de l’oxygène depuis la couche LN/LT vers la couche de nucléation. Au contraire, pour répondre à ce cahier des charges, la couche de nucléation est choisie selon la présente invention en un matériau réfractaire à base de nitrure. Cette couche de nucléation en un matériau réfractaire à base de nitrure est dénommée dans la suite couche de nucléation à base de nitrure réfractaire, par souci de concision. Dans le cadre du développement de la présente invention, il a en effet été observé qu’une telle couche de nucléation à base de nitrure réfractaire permet, de manière parfaitement inattendue, l’épitaxie de la couche LN/LT dans de bonnes conditions. De façon surprenante, il a été également observé qu’une telle couche de nucléation permet de bloquer à la fois la diffusion d’oxygène et la diffusion du lithium vers le substrat à base de silicium. Il en résulte que la couche LN/LT épitaxiée sur une telle couche de nucléation conserve la stœchiométrie requise. Par ailleurs, les différentes structures cristallines et les paramètres de maille des nitrures réfractaires, typiquement les nitrures III-N, sont parfaitement compatibles avec celles et ceux des matériaux LN/LT et du silicium. Une telle couche de nucléation peut donc avantageusement être épitaxiée sur un substrat à base de silicium, puis permettre l’épitaxie de la couche LN/LT. La présente invention propose ainsi une solution permettant de synthétiser une couche mince LN/LT directement sur un substrat à base de silicium – c’est-à-dire sans étape de report – par l’intermédiaire de la couche de nucléation à base de nitrure réfractaire. Grâce à la couche de nucléation à base de nitrure réfractaire, cette couche LN/LT est stœchiométrique et de haute qualité cristalline. La couche de nucléation à base de nitrure réfractaire permet en outre un bon confinement de l’onde acoustique dans la couche LN/LT. La couche de nucléation à base de nitrure réfractaire permet ainsi d’épitaxier une couche mince LN/LT présentant les propriétés requises pour une application de type filtre SAW haute fréquence. Selon un autre aspect de l’invention, on prévoit un dispositif à onde acoustique de surface (SAW) comprenant, en empilement selon une direction z verticale : un substrat à base de silicium, de préférence cristallin, une couche de nucléation sur ledit substrat, une couche LN/LT sur la couche de nucléation, ladite couche LN/LT étant à base d’un matériau du type ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le lithium (Li), le plomb (Pb), et B étant au moins un deuxième élément chimique pris parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta), et une électrode disposée sur la couche LN/LT. Avantageusement, la couche de nucléation du dispositif SAW est à base d’un nitrure réfractaire. Les avantages mentionnés ci-dessus s’appliquent mutatis mutandis . Un tel dispositif est en outre directement intégrable en technologie silicium. Il peut être facilement co-intégré avec d’autres dispositifs microélectroniques ou optoélectroniques ou encore avec des microsystèmes (opto-) électromécaniques (MEMS ou MOEMS, acronymes respectifs de « Microelectromechanical systems » et « Microoptoelectromechanical systems »). La couche LN/LT est à base du matériau ABO3, de préférence à base de LiNbO3 ou de LiTaO3, ou d’un mélange Li(Nb,Ta)O3, ou encore à base de (K,Na)NbO3. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : La illustre en coupe transverse un dispositif selon un mode de réalisation la présente invention. La illustre en vue de dessus le dispositif selon le mode de réalisation illustré à la . La illustre en coupe transverse un dispositif selon un autre mode de réalisation la présente invention. La illustre un spectre de diffraction des rayons X obtenu à partir d’une couche LN/LT épitaxiée sur une couche de nucléation à base d’AlN selon un mode de réalisation la présente invention. La illustre une analyse de type « rocking curve » obtenue à partir d’une couche LN/LT épitaxiée sur une couche de nucléation à base d’AlN selon un mode de réalisation la présente invention. La illustre une analyse de type « phi scan » obtenue à partir d’une couche LN/LT épitaxiée sur une couche de nucléation à base d’AlN sur un substrat silicium selon un mode de réalisation la présente invention. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, sur les schémas de principe, les épaisseurs des différentes couches et portions, et les dimensions des motifs ne sont pas représentatives de la réalité. Procédé de formation d’une couche (30) dite couche LN/LT, à base d’un matériau ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le lithium (Li), le plomb (Pb), et B étant au moins un deuxième élément chimique pris parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : Fournir un substrat (10) à base de silicium, Former sur le substrat (10) une couche de nucléation (20), Former par épitaxie la couche LN/LT (30) sur la couche de nucléation (20), Le procédé étant caractérisé en ce que la couche de nucléation (20) est choisie en un matériau réfractaire à base de nitrure. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau réfractaire à base de nitrure est pris parmi les nitrures réfractaires III-N à base d’un élément du groupe III, tels que le nitrure de bore BN, le nitrure d’aluminium AlN, le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’indium InN, et leurs alliages, par exemple AlGaN, ou les nitrures réfractaires de transition à base d’un métal de transition, tels que le nitrure de titane TiN, le nitrure de tantale TaN, le nitrure de Niobium NbN, le nitrure de zirconium ZrN, le nitrure d’hafnium HfN, le nitrure de vanadium VN. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau réfractaire à base de nitrure est un nitrure réfractaire III-N pris parmi le nitrure de gallium GaN, le nitrure d’aluminium AlN, et l’alliage AlGaN. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau de type ABO3 de la couche LN/LT (30) est choisi parmi : le niobate de lithium (LiNbO3), le tantalate de lithium (LiTaO3), ou un alliage Li(Nb,Ta)O3. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche de nucléation (20) est configurée de sorte que ladite couche de nucléation (20) présente une épaisseur e2 inférieure ou égale à 200 nm, de préférence inférieure ou égale à 50 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche LN/LT (30), est configurée de sorte que ladite couche LN/LT (30) présente, après épitaxie, une épaisseur e3 comprise entre 50 nm et 500 nm, par exemple de l’ordre de 200 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche de nucléation (20) et la formation de la couche LN/LT (30) sont effectuées par ablation laser pulsée successivement au sein d’un même réacteur sans remise à l’air entre lesdites formations. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (10) à base de silicium est formé d’un matériau pris parmi : le silicium, le SiC, le SiGe. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (10) est à base de silicium orienté selon (111), la couche de nucléation (20) est à base de nitrure d’aluminium AlN orienté selon (0001), et la couche LN/LT (30) est orientée selon (0001). Dispositif (1) comprenant, en empilement selon une direction dite verticale (z), un substrat (10) à base de silicium, une couche de nucléation (20) sur ledit substrat (10), une couche (30) dite couche LN/LT sur ladite couche de nucléation (20), la couche LN/LT étant à base d’un matériau du type ABO3, O étant l’oxygène, A étant au moins un premier élément chimique pris parmi le sodium (Na), le potassium (K), le baryum (Ba), le lithium (Li), le plomb (Pb), et B étant au moins un deuxième élément chimique pris parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), le niobium (Nb), le tantale (Ta), ledit dispositif (1) comprenant en outre au moins une électrode (40, 41, 42) supérieure disposée sur la couche LN/LT (30), le dispositif (1) étant caractérisé en ce que la couche de nucléation (20) est en un matériau réfractaire à base de nitrure. Dispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel la couche LN/LT (30) est directement au contact de la couche de nucléation (20). Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 10 à 11, dans lequel le matériau réfractaire à base de nitrure est pris parmi les nitrures réfractaires III-N à base d’un élément du groupe III, ou les nitrures réfractaires de transition à base d’un métal de transition. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel la couche LN/LT (30) présente une épaisseur e3 comprise entre 50 nm et 500 nm, de sorte que le dispositif (1) forme un résonateur à couche mince piézoélectrique, par exemple du type filtre à onde acoustique de surface. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 10 à 13, comprenant en outre, sur l’électrode (40, 41, 42) supérieure et la couche LN/LT (30), une couche (50) de compensation de température, par exemple à base de SiO2. Dispositif (1) selon l’une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel le substrat (10) à base de silicium est monocristallin.