FR 3130476 A1 20230616 FR 2113241 A 20211209 L’invention porte sur un procédé de caractérisation électrique de cellules composant un module photovoltaïque. Ce procédé comprend la réalisation (MES) de mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules en fonction d’une tension appliquée au module. Ce procédé comprend par ailleurs la détermination (R1), à partir des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules dans une première plage de tension appliquée au module, de relations hiérarchiques ou de relations analytiques entre des premiers paramètres électriques caractéristiques des cellules. Ce procédé comprend en outre la détermination (R2), à partir des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules dans une deuxième plage de tension appliquée au module, de relations hiérarchiques ou de relations analytiques entre des deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules. Figure pour l’abrégé : Figure 8 Procédé de caractérisation électrique de cellules d’un module photovoltaïque Le domaine de l’invention est celui de la caractérisation des modules photovoltaïques afin par exemple d’en optimiser les processus de fabrication ou d’en étudier le vieillissement. L’invention porte plus particulièrement sur une caractérisation électrique de cellules composant un module photovoltaïque au moyen de l’observation d’une lumière émise par phénomène d’électroluminescence. Un module photovoltaïque se compose de cellules individuelles connectées en série ou en série-parallèle afin d’obtenir la puissance recherchée par augmentation de la tension plutôt que par augmentation du courant qui est source de perte par effet Joule. Cette disposition est commune à toutes les technologies de module photovoltaïque, que le module soit composé de cellules silicium ou bien de cellules en couches minces à base de CIGS, CdTe ou Pérovskite. La caractérisation d’un module photovoltaïque peut être réalisée en menant des mesures électriques de type courant-tension I-V qui permettent de quantifier la puissance du module ainsi que ses caractéristiques électriques essentielles que sont la résistance série, la résistance parallèle, le courant de recombinaison, voire le facteur d’idéalité. Ces caractéristiques sont obtenues de manière globale pour le module. Une fois le module fabriqué, la caractérisation individuelle des cellules est impossible par cette méthode. On notera que si la caractérisation individuelle des cellules est possible avant assemblage pour les modules à cellules silicium, cela reste impossible pour les modules à cellules en couches minces. Or on cherche à connaître les caractéristiques électriques ci-dessus mentionnées cellule par cellule afin de pouvoir étudier le module non seulement juste après fabrication, mais également après vieillissement accéléré ou en production. L’imagerie d’électroluminescence est une autre méthode de caractérisation qui permet d’identifier des zones de faible/forte recombinaisons électroniques et/ou de rupture mécanique (fissures) et ainsi de porter un jugement qualitatif cellule par cellule, sans quantification. L’identification des causes de la moindre performance d’un module photovoltaïque constitué de la mise en série de cellules individuelles (ou de champs de modules mis en série) n’est cependant pas aisée à partir de la réalisation d’une seule image d’électroluminescence ou bien photoluminescence. En particulier, la distinction de l’effet de la résistance parallèle (également dénommée résistance shunt ) ou du courant de recombinaison dans l’obscurité (caractéristique des défauts électroniques) n’est pas alors pas faisable. Il est connu qu’une image d’électroluminescence à faible tension met en évidence les zones de shunt (fuite de courant) d’un dispositif photovoltaïque (cellule ou module). En revanche, dans le cas d’un module associant des cellules en série, la mesure à une seule tension basse ne permet pas d’arbitrer avec certitude entre une plus faible résistance parallèle dans le cas où le courant de recombinaison dans l’obscurité serait également plus faible pour la même cellule. De même, une image à forte tension ne permet pas de distinguer une perte d’intensité d’électroluminescence due à une résistance série plus élevée ou un courant de recombinaison dans l’obscurité plus élevée et encore moins une combinaison des deux sources de perte. L’invention a pour objectif de fournir une solution qui puisse permettre d’obtenir une évaluation quantitative des caractéristiques électriques individuelles des différentes cellules composant un module photovoltaïque. A cet effet, l’invention propose un procédé de caractérisation électrique de cellules composant un module photovoltaïque qui comprend une étape de réalisation de mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules en fonction d’une tension appliquée au module. Ce procédé comprend par ailleurs une étape de détermination, à partir des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules dans une première plage de tension appliquée au module, de relations hiérarchiques ou de relations analytiques entre des premiers paramètres électriques caractéristiques des cellules. Ce procédé comprend en outre une étape de détermination, à partir des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules dans une deuxième plage de tension appliquée au module, de relations hiérarchiques ou de relations analytiques entre des deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants : les cellules étant connectées en série pour former une unique branche de cellules, les étapes de détermination comprennent la détermination de relations analytiques entre les premiers et les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules ; les cellules étant réparties en plusieurs branches parallèles et étant connectées en série sur chaque branche, les étapes de détermination comprennent, pour chacune des branches, la détermination de relations analytiques entre les premiers et les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules de la branche ; les étapes de détermination comprennent la détermination de relations hiérarchiques entre les premiers et les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules ; les étapes de détermination comprennent chacune une hiérarchisation des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules respectivement dans la première plage de tension appliquée au module et dans la deuxième plage de tension appliquée au module ; il comprend en outre une étape d’estimation, à l’aide des relations hiérarchiques ou des relations analytiques, de paramètres d’un modèle électrique du module incluant les premiers et les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules ; l’estimation des paramètres du modèle électrique du module comprend la résolution d’un problème d’optimisation exploitant en tant que contraintes lesdites relations hiérarchiques ou lesdites relations analytiques, les paramètres ainsi estimés permettant de mettre en correspondance, pour chacune des cellules, les mesures d’intensité lumineuse réalisées pour la cellule avec une intensité lumineuse calculée pour la cellule à partir du modèle électrique du module ; les paramètres du modèle électrique incluent un ou plusieurs paramètres électriques caractéristiques du module ; le premier paramètre électrique caractéristique d’une cellule est une résistance de fuite de la cellule, le deuxième paramètre électrique est un courant d’obscurité de la cellule et la première plage de tension couvre des tensions plus faibles que les tensions couvertes par la deuxième plage de tension ; il comprend en outre la détermination d’une résistance série de chacune des cellules ; les mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules sont des mesures d’intensité moyenne. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : est un schéma d’un modèle électrique d’une cellule d’un module photovoltaïque ; est un schéma d’un modèle électrique d’un module photovoltaïque composé de quatre cellules connectées en série ; représente l’intensité d’électroluminescence des cellules d’un module dont l’une des cellules est affectée d’une résistance parallèle plus faible que celle des autres cellules du module, en fonction de la tension appliquée au module ; représente l’intensité d’électroluminescence des cellules d’un module dont l’une des cellules est affectée d’un courant de recombinaison plus élevé que celui des autres cellules du module, en fonction de la tension appliquée au module ; représente des mesures d’intensité d’électroluminescence pour différentes cellules d’un module, à partir desquelles des relations hiérarchiques ou analytiques entre des paramètres électriques des cellules peuvent être déterminées ; représente des mesures d’intensité d’électroluminescence pour différentes cellules d’un module ; , donnée à titre de comparaison avec la , représente l’intensité d’électroluminescence des cellules telle que découlant d’un modèle électrique dont les paramètres électriques sont issus d’un exemple de résolution d’un problème d’optimisation ; est un schéma représentant l’enchaînement des principales étapes d’un mode de réalisation possible du procédé selon l’invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L’invention a pour objet un procédé de caractérisation électrique de cellules composant un module photovoltaïque, ce procédé comprenant la détermination de paramètres électriques caractéristiques de chacune des cellules (par exemple résistance parallèle, résistance série, facteur(s) d’idéalité, courant de recombinaison dans l’obscurité). On a à cet égard représenté sur la un exemple de modèle électrique (i.e. un circuit équivalent) d’une cellule d’un module photovoltaïque qui inclut ici une diode D ainsi que la résistance série Rs et la résistance parallèle Rp caractéristiques de la cellule. Un modèle avec deux diodes est possible. La illustre quant à elle un modèle électrique d’un module composé de quatre cellules en série ayant chacune pour circuit équivalent le modèle de la . L’invention est basée sur le constat réalisé par les inventeurs que certains paramètres électriques des cellules constituant le module ont des effets sur l’intensité d’électroluminescence, et ce pour des plages de tension différentes. Avec plusieurs images d’électroluminescence obtenues en faisant varier la tension appliquée au module, il est ainsi possible d’obtenir une évaluation d’un module qui traite de l’ensemble de ses paramètres électriques à l’échelle des cellules, et notamment de déterminer des relations hiérarchiques ou analytiques entre les paramètres électriques caractéristiques des cellules. Une modélisation réalisée par les inventeurs a permis d’établir l’évolution comparée de l’intensité d’électroluminescence d’une cellule (dite défectueuse) affectée par une résistance parallèle plus faible comparée aux autres, toutes choses égales par ailleurs. Cette modélisation est basée sur un module à quatre cellules connectées en série dont l’une est défectueuse et dont les trois autres présentent une résistance parallèle de référence prise égale à 1000 Ω. La représente ainsi l’intensité moyenne d’électroluminescence EL de la cellule défectueuse (en unité arbitraire) en fonction de la tension V appliquée au module (en Volt), et ce pour différentes valeurs de résistance parallèle de la cellule défectueuse. Ainsi, la résistance parallèle de la cellule défectueuse est de 1000 Ω pour la courbe Dref, de 500 Ω pour la courbe D1 et de 50 Ω pour la courbe D3. La représente également l’intensité moyenne d’électroluminescence EL de chacune des trois autres cellules en fonction de la tension V appliquée au module, et ce pour les différentes valeurs de résistance parallèle de la cellule défectueuse. Ainsi, la résistance parallèle de la cellule défectueuse est de 1000 Ω pour la courbe Aref, de 500 Ω pour la courbe A1 et de 50 Ω pour la courbe A2. On constate de la qu’à faible tension (de 0 à 4V environ), la cellule à faible résistance parallèle voit son intensité d’électroluminescence diminuer, mais également que l’intensité d’électroluminescence des autres cellules augmente en regard ce qui n’est pas intuitif. Une modélisation similaire a permis de comparer l’effet d’un courant de recombinaison plus élevé dans une cellule (dite défectueuse) que dans les autres (pour lesquelles le courant de recombinaison est de 6.10 -14 A). La représente ainsi l’intensité moyenne d’électroluminescence EL de la cellule défectueuse en fonction de la tension V appliquée au module, et ce pour différentes valeurs de courant de recombinaison de la cellule défectueuse. Ainsi, le courant de recombinaison de la cellule défectueuse est de 10 -14 A pour la courbe Eref, de 6.10 -12 A pour la courbe E1 et de 10 -10 A pour la courbe E2. La représente également l’intensité moyenne d’électroluminescence EL de chacune des trois autres cellules en fonction de la tension V appliquée au module, et ce pour les différentes valeurs de courant de recombinaison de la cellule défectueuse. Ainsi, le courant de recombinaison de la cellule défectueuse est de 10 -12 A pour la courbe B1 et de 10 -10 A pour la courbe B2. On constate de la que sur une plage de tension entre 2V et 5V, la cellule défectueuse à fort courant de recombinaison présente une intensité d’électroluminescence moins intense que celle des autres cellules mais aussi et encore que l’intensité d’électroluminescence des cellules à plus faible courant de recombinaison en est d’autant plus augmentée. Exploitant ces constats, et en référence à la , le procédé selon l’invention comprend : une étape MES de réalisation de mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules (par exemple une intensité d’électroluminescence moyenne par cellule) en fonction d’une tension appliquée au module ; une étape R1 de détermination, à partir des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules dans une première plage de tension appliquée au module, de relations hiérarchiques ou de relations analytiques entre des premiers paramètres électriques caractéristiques des cellules ; un étape de détermination (R2), à partir des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules dans une deuxième plage de tension appliquée au module, de relations hiérarchiques ou de relations analytiques entre des deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules. La réalisation des mesures comprend ainsi l’enregistrement ordonné d’un ensemble d’images d’électroluminescence sur une plage de tension étendue, par exemple de 0V à Voc+20% où Voc désigne la tension circuit ouvert. Ces images sont ensuite exploitées pour déterminer une intensité d’électroluminescence par cellule en fonction de la tension appliquée au module, par exemple une intensité moyenne par cellule. Par ailleurs, le premier paramètre électrique caractéristique d’une cellule peut être une résistance de fuite de la cellule, le deuxième paramètre électrique peut être un courant d’obscurité de la cellule et la première plage de tension peut couvrir des tensions plus faibles que les tensions couvertes par la deuxième plage de tension. Il est connu que la luminescence EL émise par un module/une cellule peut se modéliser sous la forme suivante en fonction de l’énergie E des photons et de l’emplacement r sur le module/cellule et en fonction de la tension V aux bornes du module/cellule, étant le rendement quantique externe, l’émission du corps noir (loi de Planck), le rendement quantique de la caméra utilisée, q la charge élémentaire, k la constante de Boltzmann et T la température en Kelvin. Plusieurs hypothèses peuvent être faites pour simplifier cette expression. Supposer constant. On obtient alors pour chaque cellule en fonction de la tension aux bornes de la diode de la cellule i du module ; Supposer que les des cellules du modèle sont proportionnels entre eux par exemple sous la forme . On obtient alors pour chaque cellule en fonction de la tension aux bornes de la diode de la cellule i du module. Cette méthode permet une modélisation plus réaliste, mais nécessite de mesurer ou évaluer le coefficient . Détermination de relations analytiques De la relation énoncée précédemment, il ressort que la tension aux bornes de chaque diode « i » de chaque cellule « i » (source de la luminescence ) s’écrit (1), A représentant la constante. Considérant un module constitué de m cellules connectées en série pour former une unique branche de cellules, supposant que la constante A est commune à toutes les cellules et sachant que la tension aux bornes du module est égale à la somme des tensions aux bornes des « m » diodes, la constante A se calcule alors selon , pour une tension V mod telle que . Un calcul similaire peut permettre de déterminer A dans le cas d’un module composé de cellules en série-parallèle. Au cours de l’étape R1, il est possible, dans une première plage de tension appliquée au module couvrant des tensions plus faibles que la tension de circuit ouvert Voc, de déterminer des relations analytiques entre les résistances parallèles des cellules. A faible tension, le modèle électrique de la diode se simplifie de la manière suivante avec le courant parcourant la cellule i, le courant parcourant le module et la résistance parallèle de la cellule i. On peut alors montrer la relation analytique suivante pour tout couple de cellules (i,j) : (2). D’autre part, la résistance parallèle totale du module est égale à la somme des résistances parallèles des cellules en série : . On a alors , ce qui amène à (3). La valeur peut être déterminée au moyen d’une mesure et d’une analyse courant-tension du module. Dans le cas d’un module constituée d’une unique branche de cellules en série, la relation hiérarchique est complètement explicitée. Elle peut être calculée pour plusieurs valeurs de tension afin d’améliorer sa précision. Dans le cas d’un module avec deux branches en parallèle de cellules en série, la résistance parallèle totale dans l’équation (3) doit être remplacée par la résistance totale de la branche dans laquelle se trouve la cellule concernée avec et et Ainsi, dans le cas de figure d’un module série-parallèle dans lequel les cellules sont réparties en plusieurs branches parallèles et sont connectées en série sur chaque branche, le calcul explicite ne peut pas être conduit jusqu’au bout et une résolution numérique tel que décrite ci-après peut alors être réalisée. Notamment, les relations analytiques (2) (qui ne sont alors valables que pour les cellules au sein d’une même branche) ainsi que l’égalité des tensions entre les branches peuvent être exploitées en tant que contraintes à la résolution d’un problème d’optimisation. Lors de l’étape R2, il est possible, dans une deuxième plage de tension appliquée au module couvrant des tensions plus fortes que la tension de circuit ouvert Voc, de déterminer des relations analytiques entre les courants d’obscurité des cellules. Pour cela, il est supposé dans un premier temps que la résistance série de chaque cellule, et donc du module, est négligeable. A forte tension, le modèle électrique de chaque diode peut être simplifié sous la forme et la relation hiérarchique entre les courants d’obscurité de deux cellules en série (i,j) au sein d’un module est donnée par (4), avec n i le facteur d’idéalité de la diode i et son courant d’obscurité. Le plus souvent, à forte tension, n i =n=constante et la relation (4) devient (5) La relation analytique s’exprime alors au moyen des mesures d’électroluminescence selon (6) L’égalité des courants permet d’obtenir (7) Dans cette plage de forte tension, l’effet de la résistance série peut être significatif. Dans ce cas, l’équation (7) devient (8) Le courant d’obscurité du module et sa résistance série Rs mod ule peuvent être déterminés au moyen d’une mesure et d’une analyse courant-tension du module. Ici aussi, la relation analytique entre les courants de recombinaison dans l’obscurité des différentes cellules est complètement explicitée. Dans certains cas plus complexes (facteur d’idéalité différents d’une cellule à l’autre, module mixte parallèle/série), la méthode reste similaire. Détermination de relations hiérarchiques Une hiérarchisation des intensités d’électroluminescence par cellule permet une qualification relative et une hiérarchisation de chacune des cellules qui composent le module et d’un ou plusieurs de leurs paramètres électriques. Cette hiérarchisation est notamment réalisée dans plusieurs plages de tension appliquée au module. Notamment, cette hiérarchisation est réalisée, lors de l’étape R1, dans la première plage de tension pour déterminer des relations hiérarchiques entre les premiers paramètres électriques caractéristiques de chacune des cellules et, lors de l’étape R2, dans la deuxième plage de tension pour déterminer des relations hiérarchiques entre les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques de chacune des cellules. La illustre à cet égard l’intensité d’électroluminescence moyenne I1, I2, I3, I4 de chacune de quatre cellules composant un module en fonction de la tension V appliquée au module. Ces cellules présentent les caractéristiques suivantes : Résistance série (Ohm) Résistance parallèle (Ohm) Courant d’obscurité (A) Facteur d’idéalité Cellule 1 (courbe I1) 2.6 200 6e-14 1.6 Cellule 2 (courbe I2) 2.6 1000 6e-12 1.6 Cellule 3 (courbe I3) 2.6 1000 6e-14 1.6 Cellule 4 (courbe I4) 2.6 100 6e-11 1.6 En comparant ces intensités dans un plage de faibles tensions (de 0 à 2V), on constate que l’intensité d’électroluminescence I2 et I3 des cellules 2 et 3 est similaire tandis que celle I1 de la cellule 1 est inférieure à celle I2, I3 des cellules 2 et 3 et que celle I4 de la cellule 4 est inférieure à celle de la cellule 1. On peut en déduire que les résistances de fuite Rp1 et Rp3 des cellules 1 et 3 sont similaires tandis que la résistance de fuite Rp1 de la cellule 1 leur est inférieure et que la résistance de fuite Rp4 de la cellule 4 est elle-même inférieure à celle de la cellule 1, soit : Rp4 En comparant par ailleurs les intensités dans une plage de tensions plus élevées (de 4 à 6V), on constate que l’intensité d’électroluminescence I1 et I3 des cellules 1 et 3 est similaire tandis que celle I2 de la cellule 2 est inférieure à celle des cellules 1 et 3 et que celle I4 de la cellule 4 est inférieure à celle I2 de la cellule 2. On peut en déduire que les courants d’obscurité Io1 et Io3 des cellules 1 et 3 sont similaires tandis que le courant d’obscurité de la cellule 2 leur est supérieur et que le courant d’obscurité Io4 de la cellule 4 est lui-même supérieur à celui de la cellule 2, soit : Io1 =Io3 Exploitation des relations hiérarchiques ou analytiques dans le cadre d’une résolution numérique Dans un mode de réalisation possible, le procédé selon l’invention exploite les relations hiérarchiques (tout type de module) ou les relations analytiques (typiquement celles déterminées pour un module série-parallèle) pour estimer les valeurs du ou des paramètres électriques caractéristiques des cellules composant le module. Cette estimation peut notamment être réalisée en venant exploiter les relations hiérarchiques ou analytiques en tant que contraintes sur les valeurs du ou des paramètres électriques caractéristiques des cellules que l’on cherche à déterminer. Plus précisément, le procédé selon ce mode de réalisation comprend une étape FIT au cours de laquelle ces valeurs sont déterminées en venant résoudre un problème d’optimisation exploitant lesdites relations hiérarchiques ou analytiques en tant que contraintes, cette résolution visant à déterminer des paramètres d’un modèle électrique du module (par exemple un modèle de diodes en série conformément à la ) qui permettent de mettre en correspondance les mesures d’intensité lumineuse (issues de l’étape MES) avec une intensité lumineuse calculée à partir du modèle électrique du module, lesdits paramètres du modèle électrique incluant les paramètres électriques caractéristiques des cellules. L’intensité calculée à partir du modèle électrique forme ici une intensité théorique que l’on cherche à aligner, via l’optimisation des paramètres du modèle électrique, à l’intensité réelle issue des mesures. En d’autres termes, la résolution du problème d’optimisation sous contraintes permet de déterminer les valeurs des différents paramètres électriques de chaque cellule (par exemple la résistance parallèle, la résistance série et le courant de recombinaison dans l’obscurité) de sorte que l’intensité d’électroluminescence théoriquement engendrée par le modèle électrique exploitant ces valeurs soit suffisamment proche (par exemple au sens d’une erreur quadratique) des mesures. Dans ce cadre, les expressions simplifiées énoncées précédemment (comme par exemple la relation ) permettent de déterminer l’intensité d’électroluminescence engendrée par le modèle électrique pour des valeurs données des paramètres électriques caractéristiques des différentes cellules. Plus particulièrement, l’intensité d’électroluminescence d’une cellule est fonction de la tension aux bornes de la diode de la cellule, tension qui découle du modèle et des valeurs des paramètres électriques caractéristiques des différentes cellules et qui peut par exemple être déterminée au moyen d’un logiciel de simulation de circuit électrique tel que LTSpice® La représente des mesures d’intensité d’électroluminescence Cm1, Cm2, Cm3, Cm4 pour différentes cellules d’un module tandis que la représente l’intensité d’électroluminescence des cellules Cd1, Cd2, Cd3, Cd4 telle que découlant du modèle électrique dont les paramètres électriques sont issus de la résolution du problème d’optimisation. On constate pour chacune des cellules une bonne adéquation entre les mesures et l’intensité découlant du modèle électrique du module. Dans un mode de réalisation possible, le modèle électrique a également pour paramètres un ou plusieurs paramètres électriques caractéristiques du module. Dans ce mode de réalisation, les contraintes à la résolution du problème d’optimisation peuvent également comprendre le ou les paramètres électriques caractéristiques du module. Ce ou ces paramètres peuvent par exemple être déterminées au moyen d’une mesure et d’une analyse courant-tension du module ou encore faire l’objet d’une résolution analytique en retenant les expressions suivantes : , et Quantification de la résistance série La quantification de la résistance série Rs i d’une cellule i peut quant à elle s’opérer de la manière suivante en faisant appel à des relations mises en évidence dans la publication Ory et al, « Extended quantitative characterization of solar cell from calibrated voltage-dependent electroluminescence imaging » (J. Appl. Phys. 129, 043106 (2021)). Les courbes d’électroluminescence sont ajustées selon le modèle suivant, ce qui permet d’obtenir des paramètres intermédiaires et . La relation suivante est applicable d’après la publication citée : * . L’invention n’est pas limitée au procédé précédemment décrit mais s’étend également à un système de caractérisation électrique de cellules composant un module photovoltaïque, pouvant comprendre un système d’acquisition des images d’électroluminescence, et comprenant un processeur configuré pour mettre en œuvre les étapes de détermination R1, R2 (et le cas échéant de résolution du problème d’optimisation FIT) du procédé précédemment décrit ainsi qu’à un produit programme d’ordinateur comprenant des instructions qui, lorsque le programme est exécuté par un ordinateur, conduisent celui-ci à mettre en œuvre les étapes de détermination R1, R2 (et le cas échéant de résolution du problème d’optimisation FIT) du procédé précédemment décrit. Procédé de caractérisation électrique de cellules composant un module photovoltaïque, comprenant les étapes de : réalisation (MES) de mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules en fonction d’une tension appliquée au module ; détermination (R1), à partir des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules dans une première plage de tension appliquée au module, de relations hiérarchiques ou de relations analytiques entre des premiers paramètres électriques caractéristiques des cellules ; détermination (R2), à partir des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules dans une deuxième plage de tension appliquée au module, de relations hiérarchiques ou de relations analytiques entre des deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les cellules sont connectées en série pour former une unique branche de cellules et dans lequel les étapes de détermination (R1, R2) comprennent la détermination de relations analytiques entre les premiers paramètres électriques caractéristiques des cellules et la détermination de relations analytiques entre les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les cellules sont réparties en plusieurs branches parallèles et sont connectées en série sur chaque branche et dans lequel les étapes de détermination (R1, R2) comprennent, pour chacune des branches, la détermination de relations analytiques entre les premiers paramètres électriques caractéristiques des cellules de la branche et la détermination de relations analytiques entre les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules de la branche. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les étapes de détermination (R1, R2) comprennent la détermination de relations hiérarchiques entre les premiers paramètres électriques caractéristiques des cellules et la détermination de relations hiérarchiques entre les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules. Procédé selon la revendication 4, dans lequel les étapes de détermination (R1, R2) comprennent chacune une hiérarchisation des mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules respectivement dans la première plage de tension appliquée au module et dans la deuxième plage de tension appliquée au module. Procédé selon l’une des revendications 3 à 5, comprenant en outre une étape d’estimation, à l’aide des relations hiérarchiques de la revendication 3 ou des relations analytiques de la revendication 4, de paramètres d’un modèle électrique du module incluant les premiers et les deuxièmes paramètres électriques caractéristiques des cellules. Procédé selon la revendication 6, dans lequel l’estimation des paramètres du modèle électrique du module comprend la résolution (FIT) d’un problème d’optimisation exploitant en tant que contraintes lesdites relations hiérarchiques ou lesdites relations analytiques, les paramètres ainsi estimés permettant de mettre en correspondance, pour chacune des cellules, les mesures d’intensité lumineuse réalisées pour la cellule avec une intensité lumineuse calculée pour la cellule à partir du modèle électrique du module. Procédé selon l’une des revendications 6 et 7, dans lequel lesdits paramètres du modèle électrique incluent un ou plusieurs paramètres électriques caractéristiques du module. Procédé selon l’une des revendications 1 à 8, dans lequel chacun des premiers paramètres électriques caractéristiques d’une cellule est une résistance de fuite de la cellule, chacun des deuxièmes paramètres électriques est un courant d’obscurité de la cellule et la première plage de tension couvre des tensions plus faibles que les tensions couvertes par la deuxième plage de tension. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, comprenant en outre la détermination d’une résistance série de chacune des cellules. Procédé selon l’une des revendications 1 à 10, dans lequel les mesures d’intensité lumineuse émise par électroluminescence par chacune des cellules sont des mesures d’intensité moyenne. Système de caractérisation électrique de cellules composant un module photovoltaïque, comprenant un processeur configuré pour mettre en œuvre les étapes de détermination du procédé selon l’une des revendications 1 à 11. Produit programme d’ordinateur comprenant des instructions qui, lorsque le programme est exécuté par un ordinateur, conduisent celui-ci à mettre en œuvre les étapes de détermination du procédé selon l’une des revendications 1 à 11.