FR 3132978 A1 20230825 FR 2201575 A 20220222 Dispositif électronique à dissipateur de chaleur La présente description concerne un dispositif électronique (10) comprenant une puce (14) et un dissipateur de chaleur (12), le dissipateur de chaleur étant constitué d'une première couche métallique s'étendant sur une face arrière et des faces latérales de la puce, la puce et le dissipateur étant latéralement entouré d'une deuxième couche de résine (22). Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif électronique à dissipateur de chaleur La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et plus précisément les dispositifs électroniques comprenant un dissipateur de chaleur, et leurs procédés de fabrication. Un dissipateur thermique est un élément destiné à évacuer la chaleur résultant de l'effet Joule dans un élément semiconducteur d'un dispositif électronique. La présence et l'efficacité des dissipateurs de chaleur est particulièrement importante dans des dispositifs de puissance. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques à dissipateur de chaleur connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant une puce et un dissipateur de chaleur, le dissipateur de chaleur étant constitué d'une première couche métallique s'étendant sur une face arrière et des faces latérales de la puce, la puce et le dissipateur étant latéralement entouré d'une deuxième couche de résine. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant une puce et un dissipateur de chaleur, le dissipateur de chaleur étant constitué d'une première couche métallique s'étendant sur une face arrière et des faces latérales de la puce, le procédé comprenant une étape a) de formation d'une deuxième couche de résine entourant latéralement la puce et le dissipateur. Selon un mode de réalisation, le dissipateur est en un matériau ayant une conductivité thermique supérieure à 100 W/mK. Selon un mode de réalisation, au moins une partie de la portion du dissipateur s'étendant sur la face arrière de la puce n'est pas recouverte par la deuxième couche de résine. Selon un mode de réalisation, le dissipateur est séparé de la puce par une troisième couche en un matériau d'interface thermique. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape a), une étape b), au cours de laquelle le matériau de la troisième couche est déposé sur la face arrière de la puce. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape a), une étape c) de formation du dissipateur de chaleur, comprenant un fond et des parois latérales. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après les étapes b) et c et avant l'étape a), une étape d) au cours de laquelle le dissipateur est placé sur la puce. Selon un mode de réalisation, l'étape a) est effectuée par un procédé de type boitier intégré dans une plaque (Panel Embedded Packaging, ou PEP). Selon un mode de réalisation, la face avant de la puce est recouverte d'un empilement de quatrième couches isolantes comprenant des pistes conductrices. Selon un mode de réalisation, l'empilement recouvre une face avant de la deuxième couche de résine. Selon un mode de réalisation, la puce est reliée, par une ou plusieurs pistes conductrices, à au moins une piste conductrice affleurant la face avant de l'empilement. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un dispositif comprenant un dissipateur de chaleur ; la illustre une étape de fabrication du mode de réalisation de la ; la illustre une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la ; la illustre une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la ; et la illustre une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la . Dispositif électronique (10) comprenant une puce (14) et un dissipateur de chaleur (12), le dissipateur de chaleur étant constitué d'une première couche métallique s'étendant sur une face arrière et des faces latérales de la puce, la puce (14) et le dissipateur étant latéralement entouré d'une deuxième couche de résine (22). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le dissipateur (12) est en un matériau ayant une conductivité thermique supérieure à 100 W/mK. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel au moins une partie de la portion du dissipateur (12) s'étendant sur la face arrière de la puce (14) n'est pas recouverte par la deuxième couche de résine (22). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le dissipateur (12) est séparé de la puce (14) par une troisième couche (16) en un matériau d'interface thermique. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la face avant de la puce est recouverte d'un empilement de quatrième couches (24) isolantes comprenant des pistes conductrices (26). Dispositif selon la revendication 5, dans lequel l'empilement (24) recouvre une face avant de la deuxième couche de résine (22). Dispositif selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la puce (14) est reliée, par une ou plusieurs pistes conductrices, à au moins une piste conductrice affleurant la face avant de l'empilement. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique (10) comprenant une puce (14) et un dissipateur de chaleur (12), le dissipateur de chaleur étant constitué d'une première couche métallique s'étendant sur une face arrière et des faces latérales de la puce, le procédé comprenant une étape a) de formation d'une deuxième couche de résine (22) entourant latéralement la puce (14) et le dissipateur (12). Procédé selon la revendication 8, appliqué à la fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4. Procédé selon la revendication 9, dans son rattachement à la revendication 4, comprenant, avant l'étape a), une étape b), au cours de laquelle le matériau de la troisième couche (16) est déposé sur la face arrière de la puce (14). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, comprenant, avant l'étape a), une étape c) de formation du dissipateur de chaleur (12), comprenant un fond et des parois latérales. Procédé selon les revendications 10 et 11, comprenant, après les étapes b) et c et avant l'étape a), une étape d) au cours de laquelle le dissipateur (12) est placé sur la puce (14). Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel l'étape a) est effectuée par un procédé de type boitier intégré dans une plaque (Panel Embedded Packaging, ou PEP).