FR 3131801 A1 20230714 FR 2200145 A 20220110 Interrupteur Radio Fréquence La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant un interrupteur radio fréquence (10), le procédé comprenant : a. la formation d'une première couche de siliciure (29) sur une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (16, 18, 22) ; b. la formation d'une troisième couche isolante (26) sur la première couche (29) ; c. la formation dans la troisième couche isolante (26) d'une cavité (32) atteignant la première couche de siliciure (29) ; d. la formation d'une quatrième couche métallique (34) dans la cavité (32) en contact avec la première couche de siliciure (29) ; e. un recuit non oxydant ; et f. le remplissage de la cavité (32) par un matériau conducteur (38). Figure pour l'abrégé : Fig. 4 Interrupteur Radio Fréquence La présente description concerne de façon générale les interrupteurs radio fréquence et leurs procédés de fabrication. Un interrupteur est un composant ou dispositif électronique permettant ou non la connexion entre deux noeuds d'un circuit. Un interrupteur radio fréquence est un interrupteur adapté à commuter, c’est-à-dire à alterner entre les états ouvert et fermé, à une fréquence comprise dans la gamme des radio fréquences. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des interrupteurs radio fréquence connus. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant un interrupteur radio fréquence, le procédé comprenant : la formation d'une première couche de siliciure sur une deuxième couche conductrice ou semiconductrice ; la formation d'une troisième couche isolante sur la première couche ; la formation dans la troisième couche isolante d'une cavité atteignant la première couche de siliciure ; la formation d'une quatrième couche métallique dans la cavité en contact avec la première couche de siliciure ; un recuit non oxydant ; et le remplissage de la cavité par un matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, l'interrupteur est un transistor. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche conductrice ou semiconductrice est un des éléments parmi la région de drain du transistor, la région de source du transistor, et la grille du transistor. Selon un mode de réalisation, l'interrupteur est capable de commuter à une fréquence supérieure à 100 MHz. Selon un mode de réalisation, la quatrième couche métallique recouvre entièrement les parois et le fond de la cavité. Selon un mode de réalisation, la première couche de siliciure est en un alliage de silicium et de cobalt. Selon un mode de réalisation, la quatrième couche métallique est en titane. Selon un mode de réalisation, le matériau conducteur est du tungstène. Selon un mode de réalisation, les étapes d et e sont séparées par la formation d'une cinquième couche conductrice recouvrant la quatrième couche métallique. Selon un mode de réalisation, la cinquième couche conductrice est en nitrure de titane. Selon un mode de réalisation, le recuit est effectué dans de l'azote. Selon un mode de réalisation, la durée du recuit est comprise entre 30 secondes et 10 minutes. Selon un mode de réalisation, le recuit est effectuée à une température comprise entre 700°C et 800°C. Selon un mode de réalisation, le recuit est effectué à une température sensiblement égale à 765°C pendant sensiblement 30 secondes. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente schématiquement un exemple de dispositif comprenant un interrupteur radio fréquence ; la représente un dispositif après une étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif du type du dispositif de la ; la représente un dispositif après une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif du type du dispositif de la ; et la représente un dispositif après une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif du type du dispositif de la . Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant un interrupteur radio fréquence (10), le procédé comprenant : la formation d'une première couche de siliciure (29) sur une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (16, 18, 22) ; la formation d'une troisième couche isolante (26) sur la première couche (29) ; la formation dans la troisième couche isolante (26) d'une cavité (32) atteignant la première couche de siliciure (29) ; la formation d'une quatrième couche métallique (34) dans la cavité (32) en contact avec la première couche de siliciure (29) ; un recuit non oxydant ; et le remplissage de la cavité (32) par un matériau conducteur (38). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'interrupteur (10) est un transistor. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la deuxième couche conductrice ou semiconductrice est un des éléments parmi la région (16, 18) de drain du transistor, la région (16, 18) de source du transistor, et la grille (22) du transistor. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'interrupteur (10) est capable de commuter à une fréquence supérieure à 100 MHz. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la quatrième couche métallique (34) recouvre entièrement les parois et le fond de la cavité (32). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la première couche de siliciure (29) est en un alliage de silicium et de cobalt. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la quatrième couche métallique (34) est en titane. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le matériau conducteur (38) est du tungstène. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les étapes d et e sont séparées par la formation d'une cinquième couche conductrice (36) recouvrant la quatrième couche métallique. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la cinquième couche conductrice (36) est en nitrure de titane. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le recuit est effectué dans de l'azote. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la durée du recuit est comprise entre 30 secondes et 10 minutes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le recuit est effectuée à une température comprise entre 700°C et 800°C. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le recuit est effectué à une température sensiblement égale à 765°C pendant sensiblement 30 secondes.