FR 3134118 A1 20231006 FR 2303049 A 20230329 METHODE POUR ENLEVER DES IMPURETES DE NANOPARTICULES L’invention concerne une méthode d'élimination d'au moins une impureté de nanoparticules à base de métal, comprenant au moins deux étapes de chauffage au cours desquelles: - Au cours de l'étape 1, la température des nanoparticules est augmentée à une température T1, puis maintenue à T1 pendant une durée de chauffage comprise entre 1 seconde et 20 ans, où T1 est compris entre 150 °C et 250 °C, - Au cours de l'étape 2, la température des nanoparticules est augmentée à une température T2, puis maintenue à T2 pendant une durée de chauffage comprise entre 1 seconde et 20 ans, où T2 est compris entre 350 °C et 450 °C. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 METHODE POUR ENLEVER DES IMPURETES DE NANOPARTICULES Domaine de l’invention Le domaine de l’invention est celui de méthode pour purifier des nanoparticules. Contexte technique Les nanoparticules contiennent souvent des impuretés, tel que du cobalt (S. Staniland et al, Nature Nanotechnology, V. 3, P. 158 (2008)) qui doivent être évitées d’après la réglementation. Il apparait donc nécessaire de développer de nouvelles méthodes pour enlever ces impuretés, telle que celle présentée dans cette invention. Description de l’invention L'invention concerne un procédé d'élimination d'au moins une impureté de nanoparticules à base de métal, comprenant au moins deux étapes de chauffage dans lesquelles ou au cours desquelles: - Au cours de l'étape 1, la température des nanoparticules est augmentée à une température T 1 , puis maintenue à T 1 pendant une durée de chauffage comprise entre 1 seconde et 1 mois, où T 1 est compris entre 50 °C et 500 °C, - Au cours de l'étape 2, la température des nanoparticules est augmentée à une température T 2 , puis maintenue à T 2 pendant une durée de chauffage comprise entre 1 seconde et 1 mois, où T 2 est compris entre 200 °C et 500 °C. L'invention concerne le procédé selon l'invention comprenant une étape supplémentaire entre les étapes 1 et 2, préférentiellement appelée étape 3, dans laquelle la température des nanoparticules est augmentée à une température T3 puis est maintenue à T3 pendant un temps de chauffage compris entre 1 seconde et 20 ans, où T3 est compris entre 250 °C et 350 °C. L'invention concerne également un procédé d'élimination d'au moins une impureté de nanoparticules à base de métal, comprenant au moins une étape de chauffage, choisie préférentiellement parmi les étapes 1, 2 et/ou 3. Dans un mode de réalisation de l'invention, la température des nanoparticules est maintenue à la température T1, T2 et/ou T3, pendant une durée de chauffage inférieure à 100 ans, 50 ans, 20 ans, 10 ans, 5 ans, 2 ans, 1 an, 11 mois, 6 mois, 3 mois, 2 mois, 1 mois, 3 semaines, 2 semaines, 1 semaine, 6 jours, 5 jours, 3 jours, 1 jour, 23 heures, 12 heures, 6 heures, 1 heure, 50 minutes, 30 minutes, 20 minutes, 10 minutes, 5 minutes, 2 minutes, 1 minute, 50 secondes, 30 secondes, 10 secondes, 1 seconde, 1 milliseconde ou 1 microseconde. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la température des nanoparticules est maintenue à la température T1, T2 et/ou T3, pendant une durée de chauffage supérieure à 1 microseconde, 1 milliseconde, 1 seconde, 10 secondes, 30 secondes, 50 secondes, 1 minute, 2 minutes, 5 minutes, 10 minutes, 1 heure, 6 heures, 12 heures, 23 heures, 1 jour, 3 jours, 5 jours, 6 jours, 1 semaine, 2 semaines, 3 semaines, 1 mois, 2 mois, 3 mois, 6 mois, 11 mois, 1 an, 2 ans, 5 ans, 10 ans, 20 ans, 50 ans ou 100 ans. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, la température des nanoparticules est maintenue à la température T1, T2 et/ou T3, pendant une durée de chauffage comprise entre 1 microseconde et 100 ans, 1 seconde et 20 ans, 1 seconde et 1 an, 1 seconde et 1 mois, 1 seconde et 1 jour, 1 minute et 1 jour, 5 minutes et 1 jour, 10 minutes et 12 heures, 30 minutes et 6 heures ou entre 30 minutes et 3 heures. Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage est supérieure à la durée pendant laquelle la température est augmentée jusqu'à T1, T2 et/ou T3, de préférence d'un facteur supérieur à 1,001, 1,1, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 . Dans un mode de réalisation de l'invention, T1 est compris entre -273 °C et 250 °C, -200 °C et 250 °C, -100 et 250 °C, 0 et 250 °C, 50 et 250 °C, 150 et 250 °C, ou entre 180 et 220 °C. Dans un mode de réalisation de l'invention, T2 est compris entre 200 et 10 5 , 250 et 10 5 , 300 et 10 5 , 350 et 10 5 , 350 et 10 3 , 350 et 500, 350 et 450, ou entre 360 et 400 °C. Dans certains cas, T3 est compris entre -273 et 10 5 , -200 et 10 3 , -100 et 500, -50 et 200, 0 et 500, 100 et 500, 200 et 500, 200 et 400, ou entre 250 et 350 °C. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, T3 est compris entre T1 et T2. Dans certains cas, T3 est inférieure à T2, préférentiellement d’un facteur supérieur à 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 ou 10 5 . Dans d’autres cas, T3 est supérieure à T1, préférentiellement d’un facteur de plus de 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 ou 10 5 . Dans un mode de réalisation de l'invention, la température des nanoparticules est la température de l'appareil de chauffage ou du four utilisé pour chauffer les nanoparticules et/ou comprenant les nanoparticules, préférentiellement avant, pendant ou après le traitement des nanoparticules par la méthode. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode comprend au moins deux étapes de chauffage désignées étape 1 ou étape 1 de chauffage et étape 2 ou étape 2 de chauffage. Dans un mode de réalisation de l’invention, [T 1 , T 2 ] est l'intervalle de température dans lequel: i) la variation ou la perte en fonction de la température du poids ou de la masse des nanoparticules est la plus grande, ou ii), le dérivé de la variation ou perte en fonction de la température du poids ou de la masse des nanoparticules est la plus grande. Dans un mode de réalisation de l’invention, le rapport [%W(T 2 )-%W(T 1 )]/(T 2 -T 1 ), où %W(T 2 ) and %W(T 1 ) sont les pourcentages en poids des nanoparticules T2 et T1, respectivement, est plus grand que 10 -50 , 10 -30 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 0.01, 0.02, 0.03, 0.05, 0,1, 0,2, 0,3, 0,5, 1, 10 or 105 %/°C. Dans certains cas, ce rapport est important lorsque le pourcentage en masse de carbone dans les nanoparticules, préférentiellement avant le traitement des nanoparticules par ou avec la méthode, est grand, préférentiellement supérieur à 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10-1, 1, 5, 10, 20, 50, 75, 85, 95 ou 100%. Dans un mode de réalisation de l’invention, le rapport [%W(T2)-%W(T1)]/(T2-T1) est plus petit que 10 50 , 10 30 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10, 5, 2, 1, 0,5, 0,05, 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 or 10 -20 %/°C. Dans certains cas, ce rapport est faible lorsque le pourcentage en masse de carbone dans les nanoparticules, préférentiellement avant le traitement des nanoparticules par ou avec la méthode, est faible, préférentiellement inférieur à 100, 95, 80, 70, 50, 30, 20, 10, 5, 2, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 or 10 -20 %. Dans un autre mode de réalisation de l’invention, le rapport [%W(T2)-%W(T1)]/(T2-T1) est plus grand que le rapport [%W(T1)-%W(T 3 , 10 5 or 10 10 , dans certains cas préférentiellement par un facteur de moins de 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2, 1,5, 1,2, 1,1, 1,01, 1,001 ou 1,00001, où %W(T 3 , 10 5 ou 10 10 , dans certains autres cas préférentiellement par un facteur de moins de 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2, 1,5, 1,2, 1,1, 1,01, 1,001 ou 1,00001. Dans certains cas, cette situation se produit lorsque la variation en poids des nanoparticules est plus large entre T1 et T2 qu’entre T Dans un autre mode de réalisation de l’invention, le rapport [%W(T2)-%W(T1)]/(T2-T1) est plus grand que le rapport [%W(T>T2)-%W(T2)]/(T>T2-T2), dans certains cas préférentiellement par un facteur de plus de 1,00001, 1,001, 1,01, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 , dans certains autres cas préférentiellement d’un facteur de moins de 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2, 1,5, 1,2, 1,1, 1,01, 1,001 ou 1,00001, où %W(T>T2) est le pourcentage en poids des nanoparticules à T>T2 et T>T2 est une température plus large que T2, dans certains cas préférentiellement par un facteur de plus de 1,00001, 1,001, 1,01, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 , dans d’autres cas préférentiellement d’un facteur de moins de 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2, 1,5, 1,2, 1,1, 1,01, 1,001 ou 1.00001. Dans certains cas, cette situation se produit lorsque la variation en poids des nanoparticules est plus large entre T1 et T2 qu’entre T2 et T>T2. Dans certains cas, T>T2 est trop grand pour enlever une quantité significative de matière organique, carbone ou matière carbonée. Dans certains autres cas, T>T2 a cristallisé la matière organique, le carbone, ou la matière carbonée des nanoparticules, préférentiellement empêchant son enlèvement des nanoparticules. Dans encore d’autres cas, T>T2 a détruit les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l’invention, T1 est plus grand que T T2. Dans un mode de réalisation de l'invention, la température des nanoparticules est maintenue à une température donnée Ti lorsque la température des nanoparticules varie de moins de 10 5 , 10 3 , 90, 80, 70, 60, 50, 40, 30, 20, 10, 5, 3, 2, 1, 10 -5 , 10 -10 or 10 -20 %. Dans certains cas, ce pourcentage est égal à Timax-Timin/Tiav, où Timax, Timin et Tiav sont les températures maximales, minimales et moyennes atteintes pendant la durée de chauffage ou pendant l’étape de chauffage, de préférence après le maintien de la température la température Ti, qui est préférentiellement T1, T2 et/ou T3. Dans certains cas, ce pourcentage est faible lorsque le four ou l'appareil de chauffage permet de maintenir la température stable sans grandes fluctuations et/ou lorsque les nanoparticules ne sont pas sujettes à des réactions endothermiques et/ou exothermiques. Dans certains cas, la réaction endothermique est une réaction dans laquelle de la chaleur ou de l’énergie est transférée du milieu entourant les nanoparticules aux nanoparticules. Dans d'autres cas, la réaction exothermique est une réaction dans laquelle de la chaleur ou de l'énergie est transférée des nanoparticules au milieu entourant les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l’invention, la température des nanoparticules n’est pas maintenue à une température donnée Ti, lorsque la température des nanoparticules varie de plus de 10 5 , 10 3 , 90, 80, 70, 60, 50, 40, 30, 20, 10, 5, 3, 2, 1, 10-5, 10-10 or 10-20%. Dans certains cas, ce pourcentage est grand lorsque le four ou l’appareil de chauffage ne permet pas de maintenir la température stable sans de grandes fluctuations et/ou lorsque les nanoparticules sont sujettes à des réactions endothermiques et/ou exothermiques. Dans un mode de réalisation de l’invention, la méthode suivant l’invention comprend une étape supplémentaire (étape 3) de chauffage des nanoparticules à une température T3, qui est préférentiellement comprises entre T1 and T2. Dans certains cas, T3 est plus faible que T2, dans certains cas de plus de 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 50, 100 or 103 °C, dans d’autres cas d’un facteur de moins que 10 3 , 100, 50, 10, 5, 2, 1, 0.1 or 0.001 °C. Dans d’autres cas, T3 est plus grand que T1, dans certains cas préférentiellement de plus de 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 50, 100 or 103 °C, dans d’autres cas préférentiellement de moins que 10 3 , 100, 50, 10, 5, 2, 1, 0.1 or 0.001 °C. L’invention se rapporte à une méthode pour enlever au moins une impureté de nanoparticules comprenant du métal, comprenant au moins des étapes de chauffage pendant lesquelles: - Pendant l’étape 1, la température des nanoparticules est préférentiellement augmentée jusqu’à une température T1 et est maintenue à cette température, comprise entre 190 °C et 210 °C, pendant un temps de chauffage compris entre 5 minutes and 24 heures, - Pendant une étape optionnelle, qui est entre l’étape 1 et l’étape 2, la température des nanoparticules est préférentiellement augmentée à une température T3 et est maintenue à cette température comprise entre 290 and 310 °C, pendant un temps de chauffage, compris entre 5 minutes et 24 heures, - Pendant l’étape 2, la température des nanoparticules est préférentiellement augmentée à une température T2 et est maintenue à cette température, comprise entre 370 and 400°C, pendant un temps de chauffage, compris entre 5 minutes et 24 heures. Dans un mode de réalisation de l’invention, la méthode suivant l’invention est une méthode pour enlever des impuretés de nanoparticules ou pour purifier des nanoparticules ou pour traiter des nanoparticules. Dans certains cas, la méthode suivant l’invention peut être précédée par des étapes: i), d’extraction ou isolation de nanoparticules d’un milieu ou de cellules, ii), de fabrication de nanoparticules, iii), de contamination des nanoparticules par des impuretés, carbone, matériau carboné, des parties de cellules ou des cellules entières, des organismes vivants, des endotoxines, des lipopolysaccharides, ou iv) la capture ou l’attirance des impuretés par les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l’invention, les nanoparticules à base de métal sont désignées comme les (les) nanoparticule(s). Dans certains cas, les nanoparticule(s) peuvent désigner les nanoparticule(s) avant le traitement avec la méthode suivant l’invention. Dans certains autres cas, les nanoparticule(s) peuvent désigner les nanoparticule(s) pendant le traitement par la méthode. Dans encore d’autres cas, les nanoparticule(s) peuvent désigner les nanoparticules après le traitement par la méthode suivant l’invention. Dans un mode de réalisation de l’invention, le(les) nanoparticule(s) comprenne(nt) ou est/sont assemblées de plus de 1, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 , 10 50 or 10 100 nanoparticule(s). Dans un autre mode de réalisation de l’invention, le(les) nanoparticule(s) the nanoparticle(s) comprenne(nt) ou est/sont assemblées de moins de 10 100 , 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 100, 50, 10, 5 or 2 nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l’invention, les nanoparticules à base de métal comprennent au moins un métal ou un élément chimique métallique, préférentiellement sélectionné dans le groupe consistant en: Actinium, Aluminium, Americium, Barium, Berkelium, Beryllium, Bismuth, Bohrium, Cadmium, Calcium, Californium, Cérium, Césium, Chromium, Cobalt, Cuivre, Curium, Darmstadtium, Dubnium, Dysprosium, Einsteinium, Erbium, Europium, Fermium, Francium, Gadolinium, Gallium, Or, Hafnium, Hassium, Holmium, Indium, Iridium, Fer, Lanthanum, Lawrencium, Plomb, Lithium, Lutetium, Magnesium, Manganèse, Meitnerium, Mendelevium, Mercure, Molybdenum, Neodymium, Neptunium, Nickel, Niobium, Nobelium, Osmium, Palladium, Platine, Plutonium, Polonium, Potassium, Praseodymium, Promethium, Protactinium, Radium, Rhenium, Rhodium, Roentgenium, Rubidium, Ruthenium, Rutherfordium, Samarium, Scandium, Seaborgium, Argent, Sodium, Strontium, Tantalum, Technetium, Terbium, Thallium, Thorium, Thulium, Etain, Titanium, Tungsten, Ununbium, Ununhexium, Ununpentium, Ununquadium, Ununtrium, Uranium, Vanadium, Ytterbium, Yttrium, Zinc, and Zirconium. Dans un mode de réalisation de l’invention, les nanoparticules à base de métal comprennent ou consistent en des oxydes métalliques, préférentiellement de formule chimique MαOβ, où M est un élément chimique métallique, O est l’oxygène, et α et β sont des coefficients, préférentiellement stœchiométriques. Dans certains cas, α et/ou β est/sont égal/égaux à 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 18, 19, or 20. Dans certains autres cas, α et/ou β est/sont plus large(s) que 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 18, 19, 20, 10 2 , 10 3 ou 10 10 . Dans encore d’autres cas, α et/ou β est/sont plus petit(s) que 10 10 , 10 3 , 10 2 , 20, 19, 18, 17, 16, 15, 14, 13, 12, 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2, 1 ou 0. Dans un mode de réalisation de l’invention, les nanoparticules comprennent un élément chimique prédominant, qui est le métal ou l’oxyde métallique. Dans certains cas, il peut être désigné comme élément chimique prédominant de la nanoparticule. Sa présence ou pourcentage, préférentiellement en masse, qui est préférentiellement la quantité, préférentiellement la masse, de cet élément chimique par quantité, préférentiellement masse, de nanoparticules, peut être plus grand que 10, 50, 75, 90 ou 99%. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’impureté est l’impureté de la nanoparticule ou l’impureté comprise dans la nanoparticule. Dans certains cas, elle peut être désignée comme impureté de la nanoparticule. Sa présence ou pourcentage, préférentiellement en masse, peut être estimée comme une quantité, préférentiellement masse, de cette impureté, par quantité, préférentiellement masse, de la nanoparticule. Dans un mode de réalisation de l’invention, la/les nanoparticule(s) comprend/comprennent aussi un matériau dopant. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’impureté diffère du matériau dopant ou au moins une propriété de l’impureté diffère d’au moins une propriété du matériau dopant. Par exemple, la présence du matériau dopant dans les nanoparticules peut augmenter ou diminuer la coercivité, aimantation rémanente, aimantation à saturation des nanoparticules, préférentiellement par un facteur de plus de 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 5, 10, 10 3 ou 10 6 , comparé à des nanoparticules non-dopées, alors que la présence des impuretés dans les nanoparticules ne change pas la coercivité, l’aimantation rémanente, l’aimantation à saturation des nanoparticules, préférentiellement par un facteur de plus de 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 5, 10, 10 3 or 10 6 , des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’impureté est la même que la matériau dopant ou l’impureté a au moins une propriété en commun avec le matériau dopant. Dans un mode de réalisation de l'invention, l'impureté est ou comprend un élément chimique différent de l'élément chimique prédominant et/ou du matériau dopant. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle la ou les nanoparticules comprend/comprennent: i) l'élément chimique prédominant, ii) l'élément chimique prédominant et l'impureté, iii) l'élément chimique prédominant et le matériau dopant, ou iv), l’élément chimique prédominant, l’impureté et le matériau dopant. Dans un mode de réalisation de l’invention, la(les) nanoparticule(s) ne comprend/comprennent pas au moins une impureté ou comprend/comprennent moins de 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 , 10 -20 , ou 10 -50 impureté(s) ou impureté(s) par gramme de nanoparticules ou gramme d’impuretés par gramme de nanoparticules. Les nanoparticules comprennent préférentiellement une faible concentration en impureté après leur traitement par la méthode. Dans un mode de réalisation de l’invention, la(les) nanoparticule(s) ne comprend/comprennent pas au moins une impureté ou comprend/comprennent plus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 1, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 , ou 10 50 impureté(s) ou impureté(s) par gramme de nanoparticules ou gramme d’impureté(s) par gramme de nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l’invention, la(les) nanoparticule(s) comprend/comprennent une quantité d’impuretés plus faible, préférentiellement d’un facteur plus grand que 0,001, 0,01, 0,1, 1, 10, 100, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 or 10 50 , après qu’avant le traitement par la méthode. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’impureté ou matériau dopant comprend au moins un élément chimique. Dans certains cas, les impuretés peuvent être les mêmes impuretés, c'est-à-dire préférentiellement des impuretés comprenant les mêmes éléments chimiques. Dans certains autres cas, les impuretés peuvent être différentes impuretés, c'est-à-dire préférentiellement des impuretés comprenant au moins un élément chimique différent. Dans certains cas, les éléments chimiques prédominants peuvent être les mêmes éléments chimiques prédominants, c'est-à-dire préférentiellement des éléments chimiques prédominants comprenant les mêmes éléments chimiques. Dans un mode de réalisation de l’invention, le(les) élément(s) chimique(s), le(les) élément(s) chimique(s) prédominant(s), le(les) matériau(x) dopant(s) et/ou le(les) impureté(s) est/sont ou représentent plus de 1, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 , 10 50 ou 10 100 élément(s) chimique(s), élément(s) chimique(s) prédominant(s), matériau(x) dopant(s) et/ou impureté(s). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le(les) élément(s) chimique(s), le(les) élément(s) chimique(s) prédominant(s), le(les) matériau(x) dopant(s) et/ou le(les) impureté(s) est/sont ou représente(nt) moins de 10 100 , 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 100, 50, 10, 5 ou 2 élément(s) chimique(s), élément(s) chimique(s) prédominant(s), matériau(x) dopant(s) et/ou impureté(s). Dans certains cas, le(les) élément(s) chimique(s), le(les) élément(s) chimique(s) prédominant(s), le(les) matériaux dopant(s) et/ou les impuretés, peuvent être compris à l'intérieur de la(des) nanoparticule(s). Dans d'autres cas, le(les) élément(s) chimique(s), le(les) élément(s) chimique(s) prédominant(s), le(les) matériaux dopant(s) et/ou les impuretés, peuvent être compris à la surface de la(des) nanoparticule(s). Dans d'autres cas encore, le(les) élément(s) chimique(s), le(les) élément(s) chimique(s) prédominant(s), le(les) matériaux dopant(s) et/ou les impuretés, peuvent être compris à l'extérieur de la(des) nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, le(les) élément(s) chimique(s), le(les) élément(s) chimique(s) prédominant(s), le(les) matériaux dopant(s) et/ou les impuretés, est/sont compris dans ou occupe(nt) ou est/sont inséré(s) dans: i), la structure cristalline, ii), la structure amorphe, iii), un défaut, et/ou iv), une vacance de la(des) nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, le(les) élément(s) chimique(s), le(les) élément(s) chimique(s) prédominant(s), le(les) matériaux dopant(s) et/ou la(les) impureté(s), est/sont en interactions, tels qu’en interactions électrostatiques, fortes, faibles, nucléaires, métalliques, Van der Waals, Debye, London ou hydrogène avec la(les) nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, le(les) élément(s) chimique(s), le(les) élément(s) chimique(s) prédominant(s), le(les) matériaux dopant(s) et/ou le(les) impureté(s), est/sont situé(s) à une distance de la/des nanoparticule(s), de préférence à partir du centre, de la partie centrale ou de la surface de la(des) nanoparticule(s), qui est inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 100, 10, 5 ou 1 nm. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, le(les) élément(s) chimique(s), élément(s) chimique(s) prédominant(s), matériaux dopant(s), et/ou impureté(s), est/sont localisé(s) à une distance de la/des nanoparticule(s), préférentiellement à partir du centre, de la partie centrale ou de la surface de la(des) nanoparticule(s), qui est supérieure à 0,001, 0,01, 0,1, 1, 10, 100, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 nm. Dans un mode de réalisation de l'invention, le(les) élément(s) chimique(s), préférentiellement compris dans l'impureté, sont choisis dans le groupe consistant en: actinide, actinium, aluminium, américium, antimoine, argon, arsenic, astatine, baryum, béryllium, béryllium, bismuth, bismuth, bohrium, bore , brome, césium, calcium, californium, carbone, cérium, chlore, chrome, cobalt, copernicum, cadmium, cuivre, curium, darmstadtium, dubnium, dysprosium, einsteinium, erbium, europium, fermium, fluorium, fluorium, fluorium, gallium , germanium, or, hafnium, hélium, hessium, holmium, hydrogène, indium, iode, iridium, fer, krypton, lanthanide, lanthane, lawrencium, plomb, lithium, livermorium, lutétium, magnésium, manganèse, meetherium, meitherium, mendélévium, mercure, molybdène , néodyme, néon, néptunium, nickel, niobium, azote, nobelium, osmium, oxygène, palladium, phosphore, platine, plutonium, polonium, potassium, praséodyme, proctactinium, prométhium, radium, radon, rhénium, rhénium, rhodium, rhodium, rongénium, ruthénium, rutherfordium, samarium, sélénium, silicium, argent, sodium, strontium, soufre, scandium, seaborgium, tellure, terbium, thorium, thulium, étain, tantale, technétium, thallium, titane, tungstène, ununoctium, ununpentium, ununpentium, ununseptium, uranium, vanadium, xénon, ytterbium, yttrium, zinc, zirconium et tout dérivé de ces éléments chimiques. Dans un mode de réalisation de l'invention, l'impureté est ou comprend au moins un élément chimique différent d'au moins un élément chimique compris dans l'élément chimique prédominant et/ou le matériau dopant. Par exemple, l’impureté peut être un élément chimique toxique alors que l’élément chimique prédominant et/ou le matériau dopant sont non toxiques. Dans certains cas, la toxicité peut être mesurée à la même concentration pour l’impureté, l’élément chimique prédominant et le matériau dopant. Dans certains cas, la toxicité peut être une toxicité envers une cellule ou un animal, ou une toxicité pouvant détruire, dénaturer, tuer, désassembler au moins une cellule ou un animal. Dans un autre mode de réalisation de l’invention, l’impureté est ou comprend au moins un élément chimique qui est le même qu’au moins un élément chimique compris dans l’élément chimique prédominant et/ou matériau dopant. Par exemple, l’impureté peut être faite du même élément chimique que le matériau dopant ou élément chimique prédominant, mais sous une forme ionique différente. Par exemple, l’impureté peut être constituée de Fe2+, alors que l’élément chimique prédominant peut être constitué de Fe3+. Dans un mode de réalisation de l’invention, le matériau dopant est ou comprend au moins un élément chimique qui est diffèrent d’au moins un élément chimique compris dans l’élément chimique prédominant et/ou impureté. Dans un mode de réalisation de l’invention, le matériau dopant est ou comprend au moins un élément chimique qui est le même qu’au moins un élément chimique compris dans l’élément chimique prédominant et/ou impureté. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’élément chimique prédominant est ou comprend au moins un élément chimique qui est diffèrent d’au moins un élément chimique compris dans l’impureté et/ou matériau dopant. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’élément chimique prédominant est ou comprend au moins un élément chimique qui est le même qu’au moins un élément chimique compris dans l’impureté et/ou matériau dopant. Dans un mode de réalisation de l’invention, l’impureté est du carbone ou du matériau carboné. Dans un mode de réalisation de l’invention, le matériau dopant est du carbone ou du matériau carboné. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage, préférentiellement en masse, du(des) élément(s) chimique(s) prédominant(s) compris à l'intérieur ou à la surface de la(des) nanoparticule(s) est supérieur à 10-40, 10-20, 10-10, 10-5, 10-2, 10-1, 1, 5, 10, 25, 50, 75, 80 ou 90%. Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque les nanoparticules comprennent une faible quantité d’impureté(s) et/ou de matériau dopant. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le pourcentage, préférentiellement en masse, du(des) élément(s) chimique(s) prédominant(s) compris à l'intérieur ou à la surface de la(des) nanoparticule(s) est inférieur à 10 40 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 5, 1, 0,1 ou 0,001%. Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque les nanoparticules comprennent une grande quantité d’impuretés et/ou de matériau dopant. Selon l'invention, ce pourcentage peut dans certains cas être défini comme le rapport entre le nombre d'atomes, la quantité, la masse ou le volume du ou des éléments chimiques prédominants compris dans la ou les nanoparticules, divisé par le nombre total d'atomes, quantité, masse ou volume de tous les éléments chimiques contenus dans la ou les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage, préférentiellement en masse, de la ou des impuretés compris à l'intérieur ou à la surface de la ou des nanoparticules est supérieur à 10-40, 10-20, 10-10, 10-5, 10-2, 10-1, 1, 5, 10, 25, 50, 75, 80 ou 90%. Dans certains cas, cette situation peut se produire avant que les nanoparticules aient été traitées par la méthode ou lorsque le traitement des nanoparticules par la méthode ne conduit pas à une quantité importante d'impuretés éliminées des nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le pourcentage, préférentiellement en masse, de la ou des impuretés compris à l'intérieur ou à la surface de la ou des nanoparticules est inférieur à 10 40 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 5, 1, 0,1 ou 0,001%. Dans certains cas, cette situation peut survenir après que les nanoparticules ont été traitées par la méthode ou lorsque le traitement des nanoparticules par la méthode conduit à une quantité importante d'impuretés éliminées des nanoparticules. Selon l'invention, ce pourcentage peut dans certains cas être défini comme étant le rapport entre le nombre d'atomes, la quantité, la masse ou le volume d'impuretés compris dans la ou les nanoparticules divisé par le nombre total d'atomes, la quantité, masse ou volume de tous les éléments chimiques contenus dans la ou les nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, tous les éléments chimiques compris dans les nanoparticules sont la somme du(des) élément(s) chimique(s) prédominant(s) et de la/des impureté(s) et du matériau dopant compris dans la/les nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, la concentration en impureté(s) comprise(s) à l'intérieur ou à la surface de la/des nanoparticules est inférieure à 10 50 , 10 30 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 500, 100, 50, 10, 1, 10-1, 10-3, 10-5, 10-10 ou 10-50 µg d'impureté(s) par gramme de nanoparticule(s). Dans certains cas, cette situation peut survenir après que les nanoparticules ont été traitées par la méthode ou lorsque le traitement des nanoparticules par la méthode conduit à une quantité importante d'impuretés éliminée des nanoparticules. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, la concentration en impureté(s) comprise(s) à l'intérieur ou à la surface de la(des) nanoparticule(s) est supérieure à 10 -100 , 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 10, 50, 100, 10 3 , 10 5 ou 10 10 µg d’impureté(s) par gramme de nanoparticule(s). Dans certains cas, cette situation peut se produire avant que les nanoparticules aient été traitées par la méthode ou lorsque le traitement des nanoparticules par la méthode ne conduit pas à une quantité importante d'impuretés éliminée des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la concentration du ou des éléments chimiques prédominant(s) compris à l'intérieur ou à la surface de la ou des nanoparticules est inférieure à 10 50 , 10 30 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 500, 100, 50, 10, 1, 10-1, 10-3, 10-5, 10-10 ou 10 -50 µg d’élément chimique prédominant par gramme de nanoparticule(s). Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque la quantité d'impureté(s) et/ou de matériau dopant dans les nanoparticules est importante. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, la concentration d’élément(s) chimique(s) prédominant(s) compris à l'intérieur ou à la surface de la ou des nanoparticules est supérieure à 10-100, 10 -50 , 10-20, 10-10, 10-5, 10-3, 10-2, 10-1, 1, 10, 50, 100, 10 3 , 10 5 ou 10 10 µg d’élément chimiques prédominants par gramme de nanoparticule(s). Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque la quantité d'impureté(s) et/ou de matériau dopant dans les nanoparticules est faible. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le pourcentage, la concentration, le nombre d'atomes, la quantité, la masse ou le volume de l'élément(s) chimique(s) prédominant(s) compris à l'intérieur ou à la surface de la ou des nanoparticules est plus grand, préférentiellement d'un facteur d'au moins 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , que le pourcentage, la concentration, le nombre d'atomes, la quantité, la masse ou le volume d'impureté(s) compris(s) à l'intérieur ou à la surface de la ou des nanoparticules. Dans certains cas, cette situation se produit avant, pendant ou après le traitement des nanoparticules par la méthode. Dans certains cas, le facteur peut être plus important après qu'avant le traitement des nanoparticules par la méthode. Dans certains cas, la surface de la nanoparticule peut désigner au moins un élément chimique, un élément chimique prédominant, une impureté ou un matériau dopant situé à une distance inférieure à 10 9 , 10 6 , 10 3 , 10, 1 ou 0,1 nm de la nanoparticule ou qui est situé dans l'environnement de la nanoparticule. Dans certains autres cas, la surface de la nanoparticule peut désigner au moins un élément chimique, un élément chimique prédominant, une impureté ou un matériau dopant situé à une distance supérieure à 0,1, 1, 5, 10, 10 3 , 10 6 ou 10 9 nm de la nanoparticule. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les nanoparticule(s) selon l'invention comprend ou comprennent un noyau, également désigné comme le noyau, préférentiellement cristallisé, préférentiellement magnétique, de taille préférentiellement comprise entre 0,1 nm et 10 µm. Dans un mode de réalisation de l’invention, le noyau de la nanoparticule est la partie de la nanoparticule qui ne peut être ni éliminée ni détruite par la méthode. Dans certains cas, le noyau peut être oxydé lorsque les nanoparticules sont traitées par la méthode, par exemple d'une composition de magnétite ou d'une composition intermédiaire entre magnétite et maghémite en une composition de maghémite complète ou d'une composition de magnétite ou de maghémite en une composition d'hématite. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode oxyde les nanoparticules en une composition intermédiaire entre magnétite et maghémite ou en une maghémite complète. Une telle composition peut être souhaitée car la maghémite est stable, conduit parfois à un comportement ferrimagnétique et peut être moins toxique que la magnétite. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la méthode oxyde les nanoparticules en hématite. Une telle composition peut dans certains cas être évitée car l'hématite ne conduit pas à un comportement ferrimagnétique. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les nanoparticule(s) comprend ou comprennent un revêtement, également désigné comme le revêtement, qui entoure préférentiellement le noyau de la ou des nanoparticule(s). Le revêtement a de préférence une épaisseur comprise entre 0,1 nm et 10 µm et/ou comprend préférentiellement un pourcentage élevé de matériau carboné. Préférentiellement, le revêtement permet la stabilisation et/ou la distribution homogène de la ou des nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le revêtement peut être retiré et enlevé des nanoparticules par la méthode ou détruit par la méthode. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les nanoparticule(s) est/sont ou est/sont constituée(s) de ou consiste(nt) en ou comprend/comprennent le noyau de la ou des nanoparticule(s). Dans certains cas, la ou les nanoparticule(s) n’est pas ou ne sont pas ou n’est pas ou ne sont pas constituée(s) ou fait(s) du revêtement de la ou des nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les nanoparticule(s) est/sont ou est/sont constituée(s) de ou consiste(nt) en ou comprend/comprennent le revêtement de la ou des nanoparticule(s). Dans certains cas, la ou les nanoparticule(s) n’est pas ou ne sont pas ou n’est pas ou ne sont pas constituée(s) ou faite(s) du noyau de la ou des nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les nanoparticule(s) est/sont ou est/sont constituée(s) de ou consiste(nt) en ou comprend ou comprennent le noyau et le revêtement de la ou des nanoparticule(s). Dans un mode de réalisation de l’invention, la nanoparticule, le noyau et/ou le revêtement comprend ou comprennent moins de 99,99999, 99,99, 99,9, 99, 95, 90, 80, 50, 40, 20 ou 10 pourcent ou pourcent en masse de carbone ou de matière carbonée. Dans un mode de réalisation de l’invention, la nanoparticule, le noyau et/ou le revêtement comprend ou comprennent moins de 99,99999, 99,99, 99,9, 99, 95, 90, 80, 50, 40, 20 ou 10 pourcent ou pourcent en masse d’impuretés. Dans certains cas, la nanoparticule, le noyau et/ou le revêtement peut ou peuvent comprendre un faible pourcentage d'impureté(s) et/ou de matière carbonée après le traitement des nanoparticules par la méthode selon l'invention. Dans un mode de réalisation de l’invention, la nanoparticule, le noyau et/ou le revêtement comprend ou comprennent plus de 0,00001, 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 50 ou 75 pourcent ou pourcent en masse de carbone ou de matière carbonée. Dans un mode de réalisation de l’invention, la nanoparticule, le noyau et/ou le revêtement comprend ou comprennent plus de 0,00001, 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 50 ou 75 pourcent ou pourcent en masse d’impuretés. Dans certains cas, la nanoparticule, le noyau et/ou le revêtement peut ou peuvent comprendre un pourcentage élevé d'impuretés et/ou de matériau carboné avant le traitement des nanoparticules par la méthode selon l'invention. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, le noyau comprend moins de 99,99999, 99,99, 99,9, 99, 95, 90, 80, 50, 40, 20, ou 10 pourcent ou pourcent en masse de carbone ou de matière carbonée tandis que le revêtement comprend plus de 0,00001, 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 50 ou 75 pourcent ou pourcent en masse de carbone ou de matière carbonée. Dans un autre mode de réalisation de l’invention, le noyau comprend moins de 99,99999, 99,99, 99, 99, 99, 95, 90, 80, 50, 40, 20 ou 10 pourcent ou pourcent en masse d’impureté(s) tandis que le revêtement comprend plus de 0,00001, 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 50 ou 75 pourcent ou pourcent en masse d’impureté(s). Dans encore un autre mode de réalisation de l’invention, le noyau comprend plus de 99,99999, 99,99, 99,9, 99, 95, 90, 80, 50, 40, 20 ou 10 pourcent ou pourcent en masse d’élément(s) chimiques(s) prédominant(s) tandis que le revêtement comprend moins de 0,00001, 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 50 ou 75 pourcent ou pourcent en masse d’élément(s) chimiques(s) prédominant(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, le matériau carboné comprend au moins un atome de carbone, préférentiellement mais non nécessairement mélangé ou assemblé avec un autre élément chimique que le carbone. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage de matière carbonée est le rapport entre la quantité, le volume, le nombre d'atomes ou la masse de matière carbonée dans le noyau et/ou revêtement de la ou des nanoparticule(s) divisé par la quantité totale, nombre d'atomes, ou masse, de tous les éléments chimiques compris dans le noyau et/ou revêtement de la ou des nanoparticules. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, le matériau carboné provient de, est produit par ou provient de la ou des cellules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les nanoparticule(s), le noyau et/ou le revêtement de la ou des nanoparticule(s) présente(nt) au moins l'une des propriétés suivantes: (a) un/des comportement(s) ou propriété(s) magnétique(s), diamagnétique(s), superparamagnétique(s), ferromagnétique(s), ferrimagnétique(s), et/ou paramagnétique(s), préférentiellement observé(s) sous l’application d’un champ magnétique d’intensité préférentiellement supérieure à 10 -50 , 10-40, 10-20, 10-10, 10-5, 10-2 ou 10-1 T, préférentiellement observé(s) à des températures plus faible(s) que 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10 2 , 10 ou 1 K. Dans certains cas, le noyau peut avoir différente(s) propriétés(s) magnétique(s) que le revêtement. Par exemple, le noyau peut être ferromagnétique ou superparamagnétique tandis que le revêtement peut être diamagnétique ou paramagnétique. (b), une partie ou structure cristalline comprenant au moins 1, 2, 5, 10, 50, 100, 10 3 , 10 5 , 10 7 , 10 9 , 10 20 ou 10 50 plan(s) cristallin(s) ou structures cristallines ordonnées, pouvant être observée ou mesurée préférentiellement par microscopie électronique. Dans certains cas, le noyau peut avoir une structure cristalline différente de celle du revêtement. Par exemple, le noyau peut comprendre plus de 1, 5, 10, 10 3 ou 10 5 plan(s) cristallin(s) ou structure(s) cristalline(s) ordonnée(s) tandis que le revêtement peut avoir moins de 10 5 , 10 3 , 10, 5 ou 2 plans cristallins ou structures ordonnées. (c), une composition constituée de métal/métaux ou d'oxyde(s) métallique(s), préférentiellement de l'oxyde de fer, très préférentiellement de la maghémite et/ou de la magnétite. Dans certains cas, le noyau comprend une composition différente de celle du revêtement. Par exemple, le noyau comprend plus de 1, 5, 10, 25, 50, 75, 90, 95 ou 99% en poids d’oxyde de fer alors que le revêtement comprend moins de 99, 95, 90, 75, 50, 10, 5 ou 1 pourcent ou pourcent en masse d’oxyde de fer. Ce pourcentage peut être le rapport entre la quantité, le volume, le nombre d'atomes, la masse d'oxyde de fer compris dans le noyau et/ou le revêtement divisé par la quantité totale, le volume total, le nombre total d'atomes, la masse totale de tous les éléments chimique(s) compris dans le noyau et/ou le revêtement. (d), un seul domaine, ou un mono-domaine magnétique, (e), il(s) comprend/comprennent une microstructure magnétique, qui peut être caractérisée par la présence de lignes de champ magnétique, qui peuvent être orientées dans une direction préférentielle, telle qu'un axe de facile aimantation ou une direction cristallographique du noyau de la/des nanoparticule(s), telle que [111], où une telle microstructure magnétique peut, dans certaines conditions, être observable, notamment par holographie électronique, (f), une taille comprise entre 1 nm et 105 µm, 1 nm et 103 µm, 1 nm et 100 µm, 1 nm et 10 µm, 1 nm et 1 µm, 5 nm et 1 µm, 5 et 500 nm, 5 et 250 nm, 5 et 100 nm, 5 et 80 nm, 5 et 60 nm, 10 nm et 1 µm, 10 et 500 nm, 10 et 250 nm, 10 et 100 nm, 10 et 80 nm, 10 et 60 nm, 15 nm et 1 µm, 15 et 500 nm, 15 et 250 nm, 15 et 100 nm, 15 et 80 nm, 15 et 60 nm, 20 nm et 1 µm, 20 et 500 nm, 20 et 250 nm, 20 et 100 nm, 20 et 80 nm ou entre 20 et 60 nm, (g), une taille plus grande que 0,1, 1, 2, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35 ou 40 nm, (h), une taille plus faible que 1010, 105, 104, 2000, 1000, 500, 400, 300, 200, 150, 120, 100, 95, 90, 80, 75, 70, 65, 60, 55, 50, 45, 40, 35, 30, 25, 20, 15, 10 ou 5 nm, (i), un potential zeta, une charge, ou charge de surface comprise entre -1010 mV et 1010 mV, -105 mV et 105 mV, -104 mV et 104 mV, -103 mV, -102 mV et 102 mV, -10 et 10 mV, préférentiellement à pH compris entre 0 and 14, 1 et 13, 2 et 12, 3 et 11, 4 et 10, 5 et 9 ou entre 6 et 8. (j), un potentiel zéta, une charge, ou une charge de surface plus grande que -1050, -1020, -1010, -105, -103, -10, -5, -1, 0, 5, 10, 20, 50, ou 100 mV, préférentiellement à pH plus large que 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12 ou 13. (k), un potential zéta, une charge, ou une charge de surface plus large que -1050, -1020, -1010, -105, -103, -10, -5, -1, 0, 5, 10, 20, 50, ou 100 mV, préférentiellement à pH plus faible que 14, 13, 12, 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, ou 0. (l), un potential zéta, une charge, ou une charge de surface plus faible que 1050, 1020, 1010, 105, 103, 10, 5, 1, 0, -5, -10, -20, -50 ou -100 mV, préférentiellement à pH plus large que 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12 ou 13. (m), un potentiel zéta, une charge, ou une charge de surface plus faible que 1050, 1020, 1010, 105, 103, 10, 5, 1, 0, -5, -10, -20, -50, ou -100 mV, préférentiellement à pH plus faible que n 14, 13, 12, 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2, 1 ou 0. (n), un point isoélectrique compris entre 0 et 14, 1 et 13, 2 et 12, 3 et 11, 4 et 10, 5 et 9 ou entre 6 et 8, (o), un point isoélectrique plus grand que 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12 or 13, et/ou (p), un point isoélectrique plus faible que 14, 13, 12, 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2, 1 ou 0. Dans un mode de réalisation de l'invention, le noyau et/ou revêtement est/sont produit(s) par au moins une cellule productrice de nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les cellules productrice(s) de nanoparticules synthétisent la ou les nanoparticule(s) à l'intérieur de la ou des cellule(s). Préférentiellement, une ou plusieurs nanoparticule(s) est/sont synthétisée(s) à l'intérieur d'une ou de plusieurs cellule(s) lorsqu'elle(s) est/sont synthétisée(s), assemblée(s), cristallisée(s), en tout ou en partie: i), par ou dans ou près ou à l'intérieur d'une partie de la cellule telle qu'une organelle, une vésicule ou un appareil de Golgi, endosome, exosome, ribosome, réticulum endoplasmique, filament d'actine, noyau, peroxysome, microtubule, lysosome, mitochondrie, filament, centrosome, flagelle ou membrane cellulaire, ii) dans une région située à l'intérieur de la ou des cellule(s), ou iii) dans une région située à une distance d'une partie de la ou des cellule(s) inférieure à 10 5 , 10 3 , 100, 10 ou 1 nm. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les cellule(s) productrice(s) de nanoparticules synthétisent la ou les nanoparticule(s) à l'extérieur de la ou des cellules. Préférentiellement, la ou les nanoparticule(s) est ou sont synthétisée(s) en dehors de la ou des cellule(s) lorsqu'elle(s) est ou sont synthétisée(s), assemblée(s), cristallisée(s), partiellement ou totalement: i) dans une région située à l'extérieur de la ou des cellules, ou ii) dans une région située à une distance d'une partie de la ou des cellule(s) plus grande que 1, 10, 100, 10 3 ou 10 5 nm. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les cellule(s) comprend ou comprennent des assemblées de plus de 1, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 , 10 50 ou 10 100 cellule(s), préférentiellement par litre de milieu de croissance. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les cellule(s) comprend ou comprennent des assemblées de moins de 10 100 , 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 100, 50, 10, 5 ou 2 cellules, préférentiellement par litre de milieu de croissance. Dans un mode de réalisation de l’invention, la ou les cellule(s) productrice(s) de nanoparticules est ou sont une ou des cellule(s) eucaryote(s), préférentiellement appartenant à des mammifères, êtres humains, animaux, plantes, arbres, fleurs, branches, champignons, arché, oiseaux, poissons , pigeons, truites, fourmis, abeilles ou insectes. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les cellules produisant des nanoparticules est ou sont une ou des cellule(s) procaryote(s) ou bactérie(s). Dans certains cas, les cellules produisant des nanoparticules peuvent être Mycobacterium, préférentiellement Mycobacterium paratuberculosis, Shewanella, préférentiellement Shewanella oneidensi, Geothrix, préférentiellement Geothrix fermentans. Ces bactéries synthétisent préférentiellement des nanoparticules en dehors des cellules. Dans certains autres cas, les cellules produisant des nanoparticules peuvent être des bactéries magnétotactiques, telles que la souche AMB-1 Magnetospirillum magneticum, la souche coccus MC-1, trois souches de vibrions anaérobies facultatives MV-1, MV-2 et MV-4, le Magnetospirillum. la souche magnétotacticum MS-1, la souche de bactérie magnétotactique MSR-1, la souche Magnetospirillum gryphiswaldense, une spirillum magnétotactique facultativement anaérobique, la souche Magnetospirillum magneticum MGT-1, et une souche anaérobie obligatoire Desulfovibrio magneticus RS-1. Ces bactéries synthétisent préférentiellement des nanoparticules à l'intérieur de la ou des cellule(s). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le noyau et/ou le revêtement n’est pas ou ne sont pas produit(s) par la ou les cellules produisant des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, le noyau de la ou des nanoparticules est produit par la ou les cellules produisant des nanoparticules, tandis que le revêtement de la ou des nanoparticules n'est pas produit par la ou les cellules produisant des nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le revêtement de la ou des nanoparticules est produit par la ou les cellules productrices de nanoparticules, tandis que le noyau de la ou des nanoparticules n'est pas produit par la ou les cellules produisant des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode est précédée d'une ou plusieurs étapes supplémentaires d'isolement ou d'extraction des nanoparticules des cellules produisant des nanoparticules. Dans certains cas, l'étape précédente est une étape de récupération des nanoparticules. Dans certains cas, l'étape précédente est réalisée: i) en mélangeant les cellules, obtenues préférentiellement de l'étape de croissance, avec un détergent tel que KOH ou NaOH, ii), en chauffant les cellules à une température supérieure à -270, - 250, -200, -150, -100, -50, -30, -10, -5, 0, 5, 10, 20, 30, 50, 75, 100, 150, 200, 500, 10 3 , 10 5 ou 10 10 °C ou compris entre -270 et 10 10 , -100 et 10 5 , ou entre 0 et 100 °C, iii), induisant un gradient de température supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10-1, 1, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 °C par heure, minute ou seconde, ou compris entre 10 -50 et 10 10 °C par heure, minute ou seconde, iii), en appliquant un pression sur les cellules, préférentiellement supérieure à 1, 10, 100, 500, 10 3 , 10 4 , 10 5 , 10 6 , 10 7 , 10 8 , 10 9 ou 10 9 atmosphère(s) ou comprise entre 1 et 10 9 atmosphère(s), en utilisant par exemple une presse de French, et/ou iv), sonication des cellules, préférentiellement à une puissance supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -1 , 1, 10, 10 2 , 10 3 , 10 5 ou 10 10 W. Dans un mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules sont des nanoparticules synthétisées chimiquement. Dans certains cas, une synthèse chimique ne fait pas appel à des cellules ou à un organisme vivant pour produire les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la présence d'impureté dans les nanoparticules peut provenir des produits chimiques utilisés pour la synthèse des nanoparticules ou de produits chimiques contenus dans le milieu entourant les nanoparticules tels que des endotoxines ou des métaux lourds. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode selon l'invention comprend les étapes de chauffage au cours ou suivant lesquelles/desquelles: - au cours de l'étape 1, la température des nanoparticules est augmentée, préférentiellement d'une température Ti à une température T1 pendant un lapse de temps ti1, et est maintenue à une température T1, préférentiellement comprise entre 190 ° C et 210 °C, pendant une temps de chauffage t1, préférentiellement compris entre 5 minutes et 24 heures, - au cours de l'étape 2, la température des nanoparticules est préférentiellement augmentée de la température T1 à la température T2 pendant un laps de temps t12, et est préférentiellement maintenue à la température T2, préférentiellement comprise entre 370 et 400 °C pendant un temps de chauffage t2, préférentiellement compris entre 5 minutes et 24 heures. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode selon l'invention comprend les étapes de chauffage suivantes au cours ou suivant lesquelles/desquelles: - au cours de l'étape 1, la température des nanoparticules est augmentée, préférentiellement d'une température Ti à une température T1 pendant un lapse de temps ti1, et est maintenue à une température T1, préférentiellement comprise entre 190 °C et 210 °C, pendant un temps de chauffage t1, préférentiellement compris entre 5 minutes et 24 heures, - lors d'une étape optionnelle intermédiaire entre l'étape 1 et l'étape 2, la température des nanoparticules est augmentée de la température T1 à la température T3 pendant un lapse de temps t13, et est préférentiellement maintenue à la température T3, préférentiellement comprise entre 290 et 310 °C, pendant une durée de chauffage t3, préférentiellement comprise entre 5 minutes et 24 heures, - au cours de l'étape 2, la température des nanoparticules est préférentiellement augmentée de la température T3 jusqu'à la température T2 pendant un lapse de temps t32, et est préférentiellement maintenue à la température T2, préférentiellement comprise entre 370 et 400 °C, lors d'un temps de chauffage t2, préférentiellement compris entre 5 minutes et 24 heures. Dans un mode de réalisation de l'invention, les températures T1 et/ou T2 sont déterminées par: i) mesure de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules en fonction de la température lorsque les nanoparticules sont chauffées entre deux températures, préférentiellement TT T2, ii) mesure, représentation, considération ou examination ou utilisation d’au moins un pic de la dérivée de la variation de ce pourcentage en fonction de la température, iii) estimation ou déduction de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules en fonction de la température, de l'intervalle de température dans lequel cette variation est maximale, où les températures minimale et maximale de cet intervalle sont respectivement T1 et T2, iv) estimation ou déduction de la courbe la dérivée de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules, préférentiellement sur un axe y ou vertical, en fonction de la température, préférentiellement un axe x ou un axe horizontal, d’au moins: a), la position et/ou l'existence d'au moins un pic dans cette courbe, b), la température, préférentiellement T1, correspondant ou se situant au début de ce pic ou en aval de ce pic ou à l'emplacement où le pic commence à afficher une augmentation de la dérivée de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules en fonction de la température ou à l'emplacement où la température T1 est inférieure, de préférence d'un facteur supérieur à 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 7 ou 10 10 , à la température correspondant ou menant à la valeur maximale de ce pic, Tmaxpeak, ou à l’endroit où la température est la plus basse, préférentiellement d’un facteur supérieur à 10 - 10 , 10 -5 , 10 -3 , 10-1, 1, 5, 10 ou 100 °C que Tmaxpeak ou à l'endroit où la température T1 est inférieure, de préférence d'un facteur supérieur à 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 7 ou 10 10 , à la température correspondant à ou conduisant à la valeur minimale de la largeur à mis hauteur (FWHM) de ce pic, TminFWHM, ou à l’endroit où la température est plus basse, préférentiellement d’un facteur supérieur à 10-10, 10-5, 10-3, 10-1, 1, 5, 10 ou 100 °C que TminFWHM., c), la température, préférentiellement T2, correspondant ou se situant à l'extrémité de ce pic ou en amont de ce pic ou à l'emplacement où le pic se termine pour afficher une diminution de la dérivé de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules en fonction de la température ou à l'emplacement où la température T2 est plus grande, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 7 ou 10 10 , que la température correspondant ou menant à la valeur maximale de ce pic, Tmaxpeak, ou à l’emplacement où la température est plus grande, préférentiellement d’un facteur supérieur à 10-10, 10-5, 10-3, 10-1, 1, 5, 10 ou 100 °C que Tmaxpeak ou à l’endroit où la température T2 est plus grande, préférentiellement d’un facteur supérieur à 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 7 ou 10 10 , à la température correspondant ou menant à la valeur maximale de la largeur à mis hauteur (FWHM) de ce pic, TmaxFWHM, ou à l'endroit où la température est plus grande, préférentiellement d'un facteur supérieur à 10-10, 10-5, 10-3, 10-1, 1, 5, 10 ou 100 °C à celui de TmaxFWHM. Dans un mode de réalisation de l'invention, la indique pour le pic de la dérivée de la variation de masse des nanoparticules, la position de TminFWHM, TmaxFWHM, Tmaxpeak, T1, T2, T3, le début/l'aval de ce pic, la fin/l’amont de ce pic, Dans un mode de réalisation de l'invention, la température à laquelle ou pour laquelle ou à laquelle le pic commence à afficher une augmentation de la dérivée de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules en fonction de la température est la température à laquelle ou pour laquelle auquel le pic affiche une pente croissante de la dérivée de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules en fonction de la température. Dans un mode de réalisation de l'invention, la température à laquelle ou pour laquelle ou à laquelle le pic cesse d'afficher une augmentation de la dérivée de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules en fonction de la température est la température à laquelle ou pour laquelle ou pour laquelle auquel le pic affiche une pente décroissante de la dérivée de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules en fonction de la température. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le flux de chaleur des nanoparticules est le flux de chaleur produit par les nanoparticules ou libéré par les nanoparticules ou provenant des nanoparticules, préférentiellement lorsque les nanoparticules sont chauffées avec un appareil de chauffage tel qu'un four. Préférentiellement, le flux thermique peut être mesuré avec un appareil ou en utilisant une méthode thermo-analytique, ou en utilisant l’analyse thermo-différentielle (DTA) ou en utilisant la calorimétrie différentielle à balayage (DSC). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la température Ti (i=1, 2 ou 3) est déterminée par: i) la mesure de la variation du flux de chaleur des nanoparticules en fonction de la température lorsque les nanoparticules sont chauffées entre deux températures TT T2, ii) la mesure, représentation ou considération ou examination ou utilisation d’au moins un pic de la variation du flux de chaleur des nanoparticules en fonction de la température, iii), l’estimation de la température Ti, correspondant ou se situant au début de ce pic ou en aval de ce pic ou à la position où la température où le pic commence à afficher une augmentation de la variation du flux de chaleur des nanoparticules en fonction de la température ou à l'endroit ou à la température où la température Ti est inférieure, de préférence d'un facteur supérieur à 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 7 ou 10 10 , à la température correspondante ou conduisant à la valeur maximale de ce pic, Tmaxheatflux, ou à l'emplacement où la température est inférieure, préférentiellement d'un facteur supérieur à 10-10, 10-5, 10-3, 10-1, 1, 5, 10 ou 100 °C que Tmaxheatflux ou à l'emplacement où la température Ti est inférieure, de préférence d'un facteur supérieur à 1,0001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 7 ou 10 10 , à la température correspondant ou menant à la valeur maximale de la largeur à mi-hauteur (FWHM) de ce pic, TmaxFWHMheatflux, ou à l’endroit où la température est plus basse, de préférence d’un facteur supérieur à 10-10, 10-5, 10-3, 10-1, 1, 5, 10 ou 100 °C que TmaxFWHMheatflux. Dans un mode de réalisation de l'invention, la indique trois pics de flux de chaleur produits lorsque des nanoparticules sont chauffées, avec la position de T1, T2, T3, TminFWHMheatflow, TmawFWHMheatflow, Tmaxheatflow. Dans un mode de réalisation de l'invention, Tmin-imp est la température minimale au-dessus de laquelle: une ou plusieurs impuretés, un matériau carboné ou du carbone sont enlevés ou éliminés des nanoparticules. Dans certains cas, Tmin-imp est la température au-dessus de laquelle plus de 10 -50 , 10-20, 10-10, 10-5, 10-2, 10-1, 1, 5, 10, 50 ou 75 pourcent, préférentiellement pourcentage en masse, de matériau carboné ou de carbone, préférentiellement compris dans les nanoparticules, est enlevé ou éliminé des nanoparticules. Ce pourcentage peut être élevé, par exemple lorsque Tmin-imp est une température seuil au-dessus de laquelle une grande quantité d’impureté(s) est éliminée ou enlevée des nanoparticules. Dans certains autres cas, Tmin-imp est la température au-dessus de laquelle moins de 75, 50, 10, 5, 1, 10-1, 10-2, 10-5, 10-10, 10-20 ou 10 -50 pourcent, préférentiellement pourcent en masse, de matériau carboné ou de carbone, préférentiellement compris dans les nanoparticules, est enlevé ou éliminé des nanoparticules. Ce pourcentage peut être faible, par exemple lorsque la ou les impuretés sont éliminées de manière continue des nanoparticules lorsque celles-ci sont chauffées. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, (Tmin)i est la température des nanoparticules avant ou au début de l'étape i du procédé. Dans certains cas, (Tmin)i peut être la température des nanoparticules avant que les nanoparticules ne soient traitées ou chauffées, de préférence avec l'appareil de chauffage. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, Tmax-nano est la température de chauffage des nanoparticules au-dessus de laquelle les nanoparticules sont détruites ou dénaturées ou oxydées, préférentiellement oxydées pour induire une modification significative de ses propriétés magnétiques, telle qu'une perte de propriétés ferromagnétiques ou ferrimagnétiques. Dans certains cas, Tmax-nano est la température au-dessus de laquelle les nanoparticules sont oxydées, en partie ou en totalité, en hématite ou en un type d'oxyde de fer autre que la maghémite ou la magnétite. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, Tmax-nano est la température des nanoparticules après le traitement des nanoparticules par la méthode ou après le chauffage des nanoparticules, de préférence avec l'appareil de chauffage. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, (Tmax)i est la température des nanoparticules après ou à la fin de l'étape i de la méthode. Dans certains cas, (Tmax)i peut être la température des nanoparticules après le traitement ou le chauffage des nanoparticules, de préférence avec l'appareil de chauffage. Dans un mode de réalisation de l'invention, Tmin-imp et/ou Tmax-nano et/ou (Tmin)i et/ou (Tmax)i est/sont compris entre -273 et 10 10 °C, -273 et 10 3 °C, -250 et 100 °C, -100 et 50 °C, ou 5 et 50 °C. Dans un mode de réalisation de l'invention, Tmin-imp et/ou Tmax-nano et/ou (Tmin)i et/ou (Tmax)i est/sont plus faible(s) que 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10 2 , 10, 5, 1, 0, -10, -50, -100, -200, -250 ou -273 °C. Dans un mode de réalisation de l'invention, Tmin-imp et/ou Tmax-nano et/ou (Tmin)i et/ou (Tmax)i est/sont plus grande(s) que -273, -250, -200, -150, -100, -50, -10, 0, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 °C. Dans un mode de réalisation de l'invention, Tmin-imp est plus faible que Tmax-nano et/ou (Tmin)i est plus faible que (Tmax)i, préférentiellement par un facteur de plus de 1,0001, 1,1, 1,5, 2, 5, 10, 50 ou 100. Dans un mode de réalisation de l'invention, Tmin-imp est plus faible que T1 et/ou T2 et/ou T3, préférentiellement par un facteur de plus de 1,0001, 1,1, 1,5, 2, 5, 10, 50 ou 100. Dans un mode de réalisation de l'invention, (Tmin)i est plus faible que T1 et/ou T2 et/ou T3, préférentiellement par un facteur de plus de 1,0001, 1,1, 1,5, 2, 5, 10, 50 ou 100. Dans un mode de réalisation de l'invention, Tmax-nano est plus grand que T1 et/ou T2 et/ou T3, préférentiellement par un facteur de plus de 1,0001, 1,1, 1,5, 2, 5, 10, 50 ou 100. Dans un mode de réalisation de l'invention, (Tmax)i is larger than T1 and/or T2 and/or T3, préférentiellement par un facteur de plus de 1,0001, 1,1, 1,5, 2, 5, 10, 50 ou 100. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pic de la dérivée de la variation du pourcentage en poids des nanoparticules est une augmentation de cette dérivée, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,1, 1,2, 5, 10, 50. 100, 10 3 , 10 5 , 10 10 ou 10 50 , préférentiellement entre T1 et T3, suivie d'une diminution de cette dérivée, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,1, 1,2, 5, 10, 50, 100, 10 3 , 10 5 , 10 10 ou 10 50 préférentiellement entre T3 et T2. Dans certains cas, T3 peut conduire ou être le maximum du pic de cette dérivée. Dans un mode de réalisation de l'invention, T1 et/ou T2 et/ou T3 sont compris entre -273 et 10 10 , -273 et 10 3 , -250 et 10 3 , -100 et 10 3 , 0 et 103, 20 et 10 3 , 50 et 500, ou entre 300 et 500 °C. Dans un mode de réalisation de l'invention, T1 et/ou T2 et/ou T3 est/sont inférieure(s) à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10 2 , 10, 5, 1, 0, -10, -50, -100, -200, -250 ou -273 °C. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, T1 et/ou T2 et/ou T3 est/sont supérieure(s) à -273, -250, -200, -150, -100, -50, -10, 0, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 °C. Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage t1, t2 et/ou t3 est comprise entre 10 -50 et 10 50 , 10 -20 et 10 20 , 10 -10 et 10 10 , 10 -5 et 10 5 , 10 -3 et 10 3 , 10 -2 et 10 3 , 10 -2 et 100, ou entre 10 -1 et 100 heure(s). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage t1, t2 et/ou t3 est/sont inférieure(s) à 10 50 , 10 30 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 1, 10 -1 , 10 -3 ou 10 -5 heure(s). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage t1, t2 et/ou t3 est supérieure à 10 -50 , 10 -30 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 ou 10 5 heure(s). Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage de variations de température lorsque la température est maintenue à la température T1, T2 ou T3, pendant t1, t2 et/ou t3, est inférieur à 100, 99, 90, 80, 70. 50, 30, 20, 10, 5, 2 ou 1%. Dans certains cas, ce pourcentage peut être T1max-T1min/T1av à l'étape 1, T2max-T2min/T2av à l'étape 2, T3max-T3min/T3av à l'étape 3, où: i), T1max, T1min et T1av sont les températures maximales, minimales et moyennes atteintes pendant le maintien de la température à T1 au cours de t1 de l'étape 1, ii), T2max, T2min et T2av sont les températures maximales, minimales et moyennes atteintes pendant le maintien de la température à T2 au cours de t2 de l'étape 2 , iii), T3max, T3min et T3av sont les températures maximales, minimales et moyennes atteintes pendant le maintien de la température à T3 au cours de t3 de l’étape 3. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage de variations de température lorsque la température est maintenue à la température T1, T2 ou T3, pendant t1, t2 et/ou t3 des étapes 1, 2 et/ou 3, est inférieur à 100, 99, 90, 80, 70, 50, 30, 20, 10, 5, 2, 1, 10 -10 ou 10 -50 %. Dans certains cas, ce pourcentage peut être faible lorsque le four utilisé pour chauffer les nanoparticules permet de maintenir une température stable et/ou lorsque les nanoparticules ne libèrent pas ou n'absorbent pas de chaleur pendant le traitement par la méthode. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage de variations de température lorsque la température est maintenue à la température T1, T2 ou T3, pendant t1, t2 et/ou t3 des étapes 1, 2 et/ou 3, est supérieure à 10 -50 , 10-20, 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 5, 10, 20, 50, 75, 80, 90, 95, 99, 99,9 ou 100% Dans certains cas, ce pourcentage peut être important lorsque les nanoparticules absorbent ou dégagent de la chaleur ou lorsque la température du four utilisé pour chauffer les nanoparticules ne peut pas être stabilisée. L'invention concerne également une méthode d'élimination d'au moins une impureté de nanoparticules à base de métal, dans laquelle, au cours de l'étape i, la température des nanoparticules est augmentée jusqu'à une température Ti et est maintenue à cette température pendant un temps de chauffage ti2P, où cette étape peut être répétée n fois. Dans un mode de réalisation de l'invention, le procédé consiste à chauffer les nanoparticules à n températures différentes T1… Ti… Tn, pendant les durées t1… ti… tn, correspondant aux différentes étapes de chauffage H1… Hi… Hn. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode consiste à chauffer la nanoparticule pendant au moins une étape de chauffage. Dans un mode de réalisation de l'invention, chaque étape de chauffage Hi (1 i) Une première phase au cours de laquelle la température des nanoparticules augmente ou est augmentée, préférentiellement grâce à l’appareil de chauffage, d'une température initiale (Tmin)i à une température finale Ti. Dans d'autres cas, (Tmin)i est inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 5, 1, -10, -50, -100 ou -200 °C. Dans certains cas, (Tmin)i peut être plus petite, préférentiellement d’un facteur supérieur à 1,00001, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 ou 10 5 , préférentiellement de plus de 0,0001, 0,1, 0,2, 0,5, 1, 2, 5, 10, 20, 50, 100, 10 3 ou 10 5 °C, que Ti. Dans d'autres cas, (Tmin)i peut être plus petite que Ti, de préférence d'un facteur inférieur à 10 5 , 10 3 , 100, 50, 20, 10, 5, 2, 1 ou 0,1 °C. La température initiale peut être suffisamment basse pour éviter la fusion, la destruction ou la dénaturation des nanoparticules. Dans certains cas, (Tmin)i est supérieure à -200, -100, -50, -10, 0, 10, 10 2 , 10 3 , 10 5 ou 10 10 °C. La température initiale peut être suffisamment grande pour éviter d'avoir à appliquer un gradient de température trop important pour atteindre la température moyenne de la deuxième phase. Dans certains cas, (Tmin)i est comprise entre -200 et 1010 °C, préférentiellement entre 0 et 103 °C, le plus préférentiellement entre 10 et 100 °C. Dans d'autres cas, Ti est la température de la deuxième phase. Dans certains cas, la température augmente de (Tmin)i à Ti à une vitesse inférieure à 10 50 , 10 30 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2, 1, 10-1, 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 ou 10 -20 °C par minute. Dans certains autres cas, la température augmente de (Tmin)i à Ti à une vitesse supérieure à 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 2, 5, 10 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 °C par minute. Dans certains cas, le temps pendant lequel la température est augmentée de (Tmin)i à Ti, qui est préférentiellement ti1P, est supérieur à 10 -50 , 10- 20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 30 ou 10 50 minute(s). Dans certains autres cas, le temps pendant lequel la température est augmentée de (Tmin)i à Ti est inférieur à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 ou 10 -10 minute (s). Dans certains cas, le gradient de température au cours de la première phase de l'étape i est préférentiellement [Ti-(T min ) i ]/t i1P . Dans certains cas, le gradient de température au cours de la première phase de l'étape i est préférentiellement [Ti-(T min ) i ]/t i1P . Dans certains autres cas, le gradient de température au cours de la première phase de l'étape 1 est égal à ΔT i /δt i , où ΔT i est une ou toute variation de la température se produisant au cours de la première phase de l'étape i et δti est le lapse de temps pendant lequel ΔT i se produit. Dans certains cas, ΔT i /δt i ou (Ti- (T min ) i )/ t i1P est supérieur à 10 -50 , 10 -30 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -3 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 °C par minute. Dans certains autres cas, ΔT i /δt i ou (Ti- (T min ) i )/ t i1P est inférieur à 10 100 , 10 50 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10 2 , 10 ou 1 °C par minute. ii) Une deuxième phase au cours de laquelle la température des nanoparticules reste ou est maintenue, préférentiellement par l'appareil de chauffage et/ou de refroidissement, à une température Ti, pendant un temps ti2P. iii) Une troisième phase optionnelle au cours de laquelle la température des nanoparticules diminue ou est diminuée, de préférence avec l'air ou le gaz de refroidissement ou l’appareil de refroidissement, d'une température initiale T i à une température finale (T f ) i . Dans d'autres cas, (T f ) i est inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 5, 1, -10, -50, -100 ou -200 ° C. La température finale peut être suffisamment basse pour éviter la fusion, la destruction ou la dénaturation des nanoparticules. Dans certains cas, (T f ) i est inférieure à -200, -100, -50, -10, 0, 10, 10 2 , 10 3 , 10 5 ou 10 10 °C. La température finale peut être suffisamment basse pour éviter un gradient de température trop important. Dans certains cas, la température finale est comprise entre -200 et 10 10 °C, préférentiellement entre 0 et 10 3 °C, le plus préférentiellement entre 10 et 100 °C. Dans certains cas, la température diminue de T i à (T f ) i à une vitesse inférieure à 10 50 , 10 30 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 ou 10 -20 °C par minute. Dans d’autres cas, la température diminue de T i à (T f ) i à une vitesse supérieure à 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 °C par minute. Dans certains cas, le temps pendant lequel la température diminue de T i à (T f ) i , qui est préférentiellement t i3P , est supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10-1, 1, 5, 10, 103, 105, 1010, 1030 ou 1050 minute (s). Dans certains autres cas, le temps pendant lequel la température est augmentée de T i à (T f ) i , qui est préférentiellement t i3P , est inférieur à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 ou 10 -10 minute(s). Dans certains cas, t i1P = t ii , t i2P = t i , et/ou t i3P = t if , où i est préférentiellement égal à 1, 2, ou 3. Dans un mode de réalisation de l'invention, Ti est supérieure à -200, -150, -100, -50, -20, -10, -5, 0, 5, 10, 20, 50, 100, 150, 200, 300. 500, 750, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 °C. Dans certains cas, Ti est suffisamment élevée pour éliminer les impuretés ayant au moins l'une des propriétés suivantes: i) une énergie de liaison importante, de préférence une énergie de liaison supérieure à 10-20, 10-10, 10-5, 10-3, 10-1, 1, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 eV ou eV par nanoparticule ou eV par nanoparticule par impureté ou eV par liaison entre nanoparticule et impureté, ii), une localisation à une grande profondeur à l'intérieur des nanoparticules, préférentiellement une localisation à l'intérieur des nanoparticules à une profondeur supérieure à 0,1, 0,5, 1, 5, 10 ou 20 nm, iii), un poids moléculaire élevé, un poids moléculaire préférentiellement supérieur à 10 -50 , 10-20, 10-10, 10-5, 10-1, 1, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 kDa, iv), une grande masse molaire, une masse molaire préférentiellement supérieure à 10 -50 , 10-20, 10-10, 10-5, 10-1, 1, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 grammes par mole d'impureté. Dans un mode de réalisation de l'invention, Ti est compris entre 190 et 210, 150 et 250, 100 et 300, 50 et 350, 0 et 400, -50 et 450, -100 et 500, -150 et 550, -200 et 600. -250 et 650, 290 et 310, 250 et 350, 200 et 400, 150 et 450, 100 et 500, 50 et 550, 0 et 600, -50 et 650, -100 et 700, -150 et 750, -200 et 800, -250 et 850, 370 et 400, 350 et 450, 300 et 500, 200 et 600, 100 et 700, 0 et 800, -100 et 900, ou entre -200 et 1000 ° C. Dans un mode de réalisation de l'invention, la différence entre la température de chauffage de la deuxième phase de l'étape i+1, Ti+1, et la température de chauffage de la deuxième phase de l'étape i, Ti, égale à Ti+1 - Ti, est inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2 ou 1 °C. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la différence entre la température de chauffage de la deuxième phase de l'étape i+1, Ti+1, et la température de chauffage de la deuxième phase de l'étape i, Ti, égale à Ti+1 - Ti, est supérieure à 10-50, 10-20, 10-10, 10-5, 10-3, 10-1, 1, 5, 10, 10 2 , 10 3 , 10 5 ou 10 10 °C. Dans un mode de réalisation de l'invention, (Ti)maxHF est la température conduisant au flux de chaleur maximal, préférentiellement libéré ou produit par les nanoparticules, au cours de l'étape i, préférentiellement au cours de la deuxième phase de l'étape i. Dans un mode de réalisation de l'invention, (Ti)maxW est la température conduisant à la valeur maximale de la dérivée de la variation de la masse ou du poids des nanoparticules en fonction de la température de chauffage, lors de l'étape i, préférentiellement lors de la deuxième phase de l'étape i. Dans un mode de réalisation de l'invention, Ti est plus faible que (Ti)maxHF ou (Ti)maxW, préférentiellement: i), d’un facteur plus grand que 1,00001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 ou 10 5 , ou ii) de plus de 0,001, 0,01, 0,1, 1, 5, 10, 10 2 , 10 3 ou 10 5 °C. Dans certains cas, cette température Ti est T1 ou une température proche de T1 ou une température qui a un effet similaire à T1. Dans un mode de réalisation de l'invention, Ti est plus grand que (Ti)maxHF ou (Ti)maxW, préférentiellement: i), d’un facteur plus grand que 1,00001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 or 10 5 , ou ii) de plus de 0,001, 0,01, 0,1, 1, 5, 10, 10 2 , 10 3 or 10 5 °C. Dans certains cas, cette température Ti est T2 ou une température proche de T2 ou une température qui a un effet similaire à T2. Dans un mode de réalisation de l'invention, Ti est similaire à (Ti)maxHF ou (Ti)maxW, préférentiellement différent de (Ti)maxHF ou (Ti)maxW par: i), un facteur plus faible que 1,00001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 or 10 5 , ou ii) par un facteur plus faible que 0,001, 0,01, 0,1, 1, 5, 10, 10 2 , 10 3 ou 10 5 °C. Dans certains cas, cette température T i est T 3 ou une température proche de T 3 ou une température qui a un effet similaire à T 3 . Dans certains cas, Ti est une température qui est positionnée par rapport aux pics de: i), flux de chaleur en fonction de la température, ii), variation du poids des nanoparticules en fonction de la température, iii), dérivée en fonction de la température de la variation du poids des nanoparticules en fonction de la température, qui est telle que la totalité ou la plupart ou plus de 10 -50 , 10 -30 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50, 75, 90 ou 99% des impuretés sont éliminées ou enlevées des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, Ti varie, préférentiellement au cours de la deuxième phase de l'étape i, de moins de 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10 2 , 50, 20, 10, 5, 2, 1, 10 -1 , 10 -3 ou 10 -5 %. Un faible pourcentage de variation de température peut être souhaité pour éliminer une grande quantité d'impureté(s) à la température Ti. Dans un mode de réalisation de l'invention, Ti varie de plus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 2, 1, 10, 20, 50, 75, 95, 100, 10 3 ou 10 5 %. Un large pourcentage de variation de température peut être obtenu, par exemple lorsque les nanoparticules produisent des réactions chimiques endothermiques ou exothermiques. Dans certains cas, le pourcentage de variation de température peut être: (Ti2Pmax-Ti2Pmin)/Tiav, où Ti2Pmax, Ti2Pmin, et Tiav, sont les températures maximales, minimales, ou moyennes atteintes pendant la deuxième phase de l’étape i. Dans un mode de realization de l’invention, le gradient de temperature de la première, seconde, ou troisième phase de l’étape i, est designée comme étant ΔTi1P/(δti1P), ΔTi2P/(Δti2P), ou ΔTi3P/(δti3P), où ΔTi1P et δti1P sont la variation de température et la durée de la première phase de l’étape i, ΔTi2P et δti2P sont la variation de température et la durée de la seconde phase de l’étape i, ΔTi3P and δti3P sont la variation de température et la durée de la troisième phase de l’étape i Dans un mode de réalisation de l'invention, la première et/ou la deuxième et/ou la troisième phase de l'étape i dure(nt) moins de 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -2 , 10 -5 , 10 -10 , 10 -20 ou 10 -50 seconde(s) ou minute(s) ou heure(s). Dans certains cas, la première et/ou la troisième phase est/sont suffisamment courte(s) pour créer pendant cette/ces phase(s) un large gradient de température. Dans certains autres cas, la première et/ou la troisième phase est/sont suffisamment courte(s) lorsque les nanoparticules doivent être chauffées pendant une courte période pour atteindre la température moyenne de la deuxième phase ou doivent être refroidies pendant une courte période pour atteindre diminution suffisamment importante de la température par rapport à la température moyenne de la deuxième phase. Dans d'autres cas, la deuxième phase est suffisamment courte lorsque le nombre d'impuretés à éliminer est faible. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la première et/ou la deuxième et/ou la ou les troisième(s) phase(s) de l'étape i dure(nt) plus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -1 , 0, 1, 5, 10, 10 2 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 seconde(s) ou minute(s) ou heure(s). Dans certains cas, la première et/ou la troisième phase est/sont suffisamment longue(s) pour éviter un trop grand gradient de température pendant cette/ces phase(s). Dans d'autres cas, la première et/ou la troisième phase est/sont suffisamment longue(s) lorsque les nanoparticules doivent être chauffées pendant une longue période pour atteindre une diminution de température suffisamment par rapport à la température moyenne de la deuxième phase. Dans d'autres cas, la deuxième phase est suffisamment longue lorsque le nombre d'impuretés à éliminer est important. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le gradient de température au cours de la première et/ou de la deuxième et/ou de la troisième phase de l'étape i est/sont inférieur(s) à 10 10 , 10 5 , 10 2 , 50, 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -5 , 10 -10 ou 10 -50 °C par seconde ou par minute ou par heure. Dans certains cas, le ou les gradient(s) de température de la première et/ou de la deuxième phase et/ou de la troisième phase est/sont suffisamment faible(s) pour éviter la destruction, la dénaturation, la dégradation des nanoparticules. Dans certains cas, le ou les gradients de température de la deuxième phase est/sont suffisamment faible(s) pour permettre de maintenir la température à une température moyenne sans trop de fluctuations de température. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le gradient de température au cours de la première et/ou deuxième et/ou troisième phase de l'étape i est supérieurs à 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50, 10 2 , 10 5 , 10 10 ou 10 50 °C par seconde ou par minute ou par heure. Dans certains cas, le gradient de température de la première phase est suffisamment important pour permettre aux nanoparticules d'atteindre rapidement la température moyenne de la deuxième phase. Dans d'autres cas, le gradient de température de la troisième phase est suffisamment important pour permettre aux nanoparticules de diminuer rapidement en température en dessous de la température moyenne de la deuxième phase. Dans d'autres cas encore, le gradient de température de la deuxième phase est important, par exemple lorsque les nanoparticules produisent une réaction exothermique ou endothermique. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, lors de l'étape i, le gradient de température est plus faible, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,0000001, 1,00001, 1,0001, 1,01, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 7 ou 10 9 , ou d’un facteur compris entre 1,000001 et 10 9 , 1,00001 et 10 7 , 1,0001 et 10 5 , 1,01 et 10 3 , 1,1 et 10 3 , 1,5 et 10 3 , 2 et 10 3 , 5 et 10 3 ou 5 et 100, pendant la deuxième phase que pendant la première et/ou la troisième phase(s). Dans certains cas, cette situation se produit lorsque la deuxième phase maintient la température à certaines valeurs sans trop de fluctuations; tandis que les première et troisième phases induisent une plus large augmentation et diminution de température, respectivement. Dans un mode de réalisation de l'invention, les températures moyennes de la seconde phase, Ti, sont déterminées par un instrument tel qu'un TGA (thermogravimétrie) et/ou une DTA (analyse thermique différentielle) et/ou un DSC (calorimètre différentiel à balayage), qui permet détecter la ou les impuretés qui se dissocient, se désassemblent, sont éliminées de la ou des nanoparticules à Ti, de préférence via un mécanisme de combustion ou par la capture par un gaz de la ou des impuretés. Dans certains cas, TGA, DTA, et/ou DSC peuvent être remplacés par un autre instrument ou appareil permettant de mesurer au moins une propriété similaire des nanoparticules que le TGA, le DTA et/ou le DSC. Dans un mode de réalisation de l'invention, la température Ti correspond ou est la température à laquelle la ou les impuretés se dissocient, se désassemblent, est/sont éliminée(s) des nanoparticules, dans laquelle, de manière préférentielle: i) Les impuretés les plus lourdes sont dissociées, désassemblées ou éliminées aux températures les plus élevées Ti et/ou les éléments chimiques les plus légers sont dissociées, désassemblées ou enlevées aux températures les plus basses Ti. ii) Les impuretés liées aux nanoparticules ayant la plus grande énergie de liaison sont dissociées, désassemblées ou enlevées aux températures les plus élevées Ti et/ou les impuretés liées aux nanoparticules ayant la plus faible énergie de liaison sont dissociées, désassemblées ou éliminées aux températures les plus basses Ti. iii) Les impuretés situées à la plus grande profondeur à l'intérieur des nanoparticules sont dissociées, désassemblées ou enlevées aux températures les plus élevées Ti et/ou les impuretés situées à la plus faible profondeur à l'intérieur des nanoparticules sont dissociées, désassemblées ou enlevées aux températures les plus basses Ti. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont dissociées, désassemblées ou enlevées de la ou des nanoparticules lorsque: i) la distance entre les impuretés et la ou les nanoparticules augmente, de préférence d’un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , ou de plus de 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 10 3 ou 10 5 nm, entre avant et après la dissociation, le désassemblage ou l'élimination des impuretés, ii), la présence d'impuretés dans la ou les nanoparticules est détectée avant la dissociation, le désassemblage ou l'élimination des impuretés et n'est pas détectée après dissociation, désassemblage ou élimination de la ou des impuretés, iii), un composé, de préférence gazeux, liquide ou solide, portant ou comprenant la ou les impuretés, préférentiellement sans la nanoparticule, est détecté après la dissociation, désassemblage, ou élimination de la ou des impuretés, et/ou iv), la quantité d'impuretés par quantité, préférentiellement par masse ou gramme de nanoparticule, varie, diminue, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , préférentiellement d’une valeur de plus de 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 50 ou 10 100 µg d’impureté(s) par gramme de nanoparticule(s) à une valeur inférieure à 10 100 , 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 1, 10 -1 , 10 -5 , 10 -10 ou 10 -100 µg d’impureté (s) par gramme de nanoparticule (s), entre avant et après dissociation, désassemblage ou élimination de la/des impureté(s). L'invention concerne également la méthode selon l'invention, suivant laquelle on détermine la température TiTmax, où TiTmax est la température de transformation des réactifs, du carbone, du matériau carboné ou des impuretés, situés préférentiellement à la surface des nanoparticules, en produits, ou gaz CO2, auxquels ou pour lesquels: i) le maximum d'énergie est absorbé par la ou les nanoparticules, ii) le maximum d'énergie est libéré par la ou les nanoparticules, iii), le flux de chaleur provenant de la libération de matière ou de CO2 provenant de la ou des nanoparticules est maximale ou iv), la perte de masse de la ou des nanoparticules est supérieure à 1, 5, 10, 50, 75, 80, 90 ou 95% . Le pourcentage de perte de masse peut dans certains cas être le rapport entre la masse des nanoparticules avant le chauffage des nanoparticules divisée par la masse des nanoparticules après le chauffage des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode selon l'invention comprend une étape de chauffage des nanoparticules à la température Ti, qui présente l'une au moins des propriétés suivantes: i) elle est inférieure à TiTmax, ii) elle est telle que la pente de la variation du flux thermique en fonction de la température, Si, est comprise entre 10-6 et 10-3 W/g.°C, iii), la dérivée de la pente de la variation du flux thermique en tant que la fonction de la température, δSi/δT, est positive, iv), elle est maintenue constante pendant le temps de chauffage ti. Dans un mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage ti est la durée de la seconde phase ti2P. Dans un mode de réalisation de l'invention, Si est plus faible que 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -6 , 10 -9 , 10 -15 ou 10 -30 W/g°C. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, Si est plus large que 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 ou 10 5 W/g°C. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, Si est entre 10 -50 et 10 10 , 10 -50 et 10, 10 -15 et 1, 10 -9 et 10 -1 , ou entre 10 -6 et 10 -3 W/g°C. L'invention concerne également une méthode d'élimination d'au moins une impureté de nanoparticules comprenant les étapes suivantes: - Au cours de l'étape 1, une analyse thermique des nanoparticules est effectuée, de préférence à l'aide d'un appareil d'analyse thermique tel qu'un TGA, un DTA et/ou un DSC. Au cours de cette étape, la température des nanoparticules est augmentée à partir d'une température initiale de l'analyse thermique, tiTA, jusqu'à une température finale de l'analyse thermique, tfTA, à une vitesse rTA. De cette analyse, on déduit au moins une température, préférentiellement Ti, ayant au moins une des propriétés suivantes: i), elle est inférieure à la température TfTA, préférentiellement 700 °C, ii), elle conduit à une pente de la variation du flux thermique en fonction de la température, Si, qui est préférentiellement comprise entre 10-6 et 10-3 W/g°C, iii), elle conduit à une dérivée de la pente de la variation du flux thermique en fonction de la température, δSi/δT, qui est positive. - Au cours de l'étape 2, la température des nanoparticules est augmentée jusqu'à au moins une température, préférentiellement Ti, et est maintenue à Ti pendant une durée de chauffage, préférentiellement ti2P, préférentiellement comprise entre 5 minutes et 24 heures. Dans un mode de réalisation de l'invention, l'analyse thermique comprend une mesure d'au moins: i), la variation de la masse des nanoparticules en fonction de la température, ii), la variation de la dérivée de la masse des nanoparticules en tant que fonction de la température, iii), la variation du flux thermique des nanoparticules en fonction de la température. Dans un mode de réalisation de l'invention, TiTA est Tmin-imp. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, TfTA est Tmax-nano. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, rTA est plus petit que 10 5 , 10 4 , 10 3 , 500, 100, 50, 20, 10, 5, 2, 1, 10 -1 , 10 -3 ou 10 -5 °C par minute. Dans certains cas, une faible valeur de rTA est souhaitée lorsque la libération des impuretés des nanoparticules et/ou la surveillance de cette libération est/sont obtenues pour de faibles valeurs de rTA. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, rTA est supérieur à 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 2, 5, 10, 10 2 , 10 3 ou 10 5 °C par minute. Dans certains cas, une valeur élevée de rTA est souhaitée lorsque la libération des impuretés des nanoparticules et/ou que la surveillance de cette libération est/sont obtenues pour des valeurs élevées de rTA. Dans un mode de réalisation de l'invention, TiTA et/ou TfTA sont supérieures à -250, -200, -150, -100, -50, -20, -10, 0, 5, 10, 50, 100, 200, 300, 500, 700, 10 3 ou 10 5 °C. Dans certains cas, une valeur élevée de TiTA et/ou de TfTA est souhaitée lorsque la libération des impuretés des nanoparticules et/ou la surveillance de cette libération est/sont obtenues pour de faibles valeurs de TiTA et/ou de TfTA. Dans un autre mode de réalisation de l’invention, TiTA et/ou TfTA sont inférieures à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10 2 , 50, 20, 10, 5, 2, 1, 0, -10, -20, -50, -100, -200 ou -250 °C. Dans certains cas, une faible valeur de TiTA et/ou de TfTA est souhaitée lorsque la libération des impuretés des nanoparticules et/ou la surveillance de cette libération est/sont obtenue(s) pour de faibles valeurs de TiTA et/ou de TfTA. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'impureté(s) éliminée(s) des nanoparticules par la méthode est supérieur à 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 25, 50, 75, 80 ou 90%. Dans certains cas, ce pourcentage est important lorsque la méthode selon l'invention est efficace ou lorsque la quantité d'impuretés peut être facilement éliminée des nanoparticules, ou lorsque l'énergie de liaison de l'impureté est inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 5, 1, 10 -1 ou 10 -5 eV, ou lorsque les impuretés sont situées à une profondeur inférieure à 10 3 , 100, 50, 20, 10, 5, 2, 1, 0,1 ou 0,1 0,01 nm, ou lorsque la/les température(s) de chauffage et/ou la durée de chauffage utilisée(s) au cours des étapes de la méthode permettent d’éliminer une grande quantité d’impuretés. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'impureté(s) éliminée(s) des nanoparticules par la méthode est inférieur à 90, 80, 75, 50, 25, 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -2 , 10 -5 , 10 -10 ou 10 -20 %. Dans certains cas, ce pourcentage est faible lorsque la méthode selon l'invention est inefficace ou lorsque la quantité d'impuretés ne peut pas être facilement éliminée des nanoparticules, ou lorsque l'énergie de liaison de l'impureté est supérieure à à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -1 , 1, 5, 10 ou 10 5 eV, ou lorsque les impuretés sont situées à une profondeur à l'intérieur des nanoparticules plus importante de 0,001, 0,1, 1, 5, 10, 20, 50, 10 2 ou 10 3 nm, ou lorsque la ou les températures de chauffage et/ou la durée de chauffage utilisée(s) au cours des étapes de la méthode ne permette(nt) pas d’éliminer une grande quantité d’impuretés. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'impuretés éliminées par la méthode est QIAT/QIBT ou (QIAT-QIBT)/QIBT, où QIAT est la quantité, le nombre, le volume, la masse, des impuretés dans les nanoparticules après le traitement des nanoparticules par la méthode et QIBT est la quantité, le nombre, le volume, la masse, des impuretés dans les nanoparticules avant le traitement des nanoparticules par la méthode. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la quantité d'impureté(s) éliminée des nanoparticules par la méthode est supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 µg d’impureté(s) par gramme de nanoparticule(s). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la quantité d'impureté(s) éliminée des nanoparticules par l'étape de purification est inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 ou 10 -10 µg d’impureté(s) par gramme de nanoparticule(s). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les impuretés qui sont éliminées des nanoparticules par la méthode possèdent au moins l'une des propriétés suivantes: i), un poids moléculaire supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 kDa, ii), une masse molaire supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 grammes d'impuretés par mole d'impuretés, iii), une taille supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 nm. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les impuretés qui sont éliminées des nanoparticules par la méthode selon l'invention possèdent au moins l'une des propriétés suivantes: i) un poids moléculaire inférieur à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 , 10 -20 ou 10 -50 kDa, ii), une masse molaire inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 , 10 -20 ou 10 -50 grammes d'impureté par mole d'impureté, iii), une taille inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 , 10 -20 ou 10 -50 nm. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés qui est ou sont préférentiellement éliminées par la méthode, possèdent une énergie de liaison avec la ou les nanoparticules supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 2 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 eV ou eV par nanoparticule ou eV par nanoparticule par impureté ou eV par liaison entre nanoparticule et impureté. Dans certains cas, l’énergie de liaison peut être importante lorsque l’impureté est profondément insérée à l’intérieur de la nanoparticule, de préférence insérée à une profondeur supérieure à 0,001, 0,1, 1, 5, 10 ou 10 2 nm à l’intérieur de la nanoparticule, comprise dans la structure cristalline de la nanoparticule, en interaction étroite avec la nanoparticule ou dans le noyau d’un élément chimique de la nanoparticule. In another embodiment of the invention, the impurity(ies), which is/are preferentially removed by the method, possess(es) a binding energy with the nanoparticle(s) larger than 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 2 , 10 5 , 10 10 , 10 20 or 10 50 eV or eV per nanoparticle or eV per nanoparticle per impurity or eV per bound between nanoparticle and impurity. In some cases, the binding energy can be large when the impurity is deeply inserted inside the nanoparticle, preferentially inserted at a depth larger than 0.001, 0.1, 1, 5, 10 or 10 2 nm inside the nanoparticle, is comprised in the core of the nanoparticle, is comprised within the crystalline structure of the nanoparticle, is in strong interaction with the nanoparticle, or is in the nucleus of one chemical element of the nanoparticle. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés qui est ou sont préférentiellement éliminée(s) par la méthode selon l'invention, possède(nt) une énergie de liaison avec la ou les nanoparticules inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 1, 5, 10 -1 , 10 -2 , 10 -5 , 10 -10 , 10 -20 , ou 10 -50 eV ou eV par nanoparticule ou eV par nanoparticule par impureté ou eV par liaison entre nanoparticules et impureté. Dans certains cas, l’énergie de liaison peut être faible lorsque l’impureté n’est pas insérée profondément dans la nanoparticule, de préférence insérée à une profondeur inférieure à 10 2 , 10, 5, 1, 0,1 ou 0,001 nm à l’intérieur de la nanoparticule, est comprise dans le revêtement. de la nanoparticule, ne fait pas partie de la structure cristalline de la nanoparticule, n'interagit que faiblement avec la nanoparticule ou ne se trouve pas dans le noyau d'un élément chimique de la nanoparticule. Dans certains cas, l'énergie de liaison de l'impureté peut être l'énergie minimale nécessaire pour désassembler, éliminer, dissocier et/ou séparer l'impureté de la nanoparticule. Il peut s'agir d'une énergie de liaison atomique, l'énergie nécessaire pour dissocier la liaison chimique entre l'impureté et la nanoparticule, l'énergie de liaison nucléaire. Dans certains cas, l’énergie de liaison est l’énergie de liaison entre les nanoparticules et les impuretés, de préférence l’énergie de liaison maximale, moyenne ou minimale estimée pour l’ensemble des nanoparticules et/ou impuretés. Dans certains cas, l'énergie de liaison est l'énergie nécessaire pour détacher, désassembler, désorber ou enlever les impuretés des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés est ou sont éliminée(s) du noyau et/ou du revêtement des nanoparticules. Dans certains cas, ils / ils sont / sont retirés d’une profondeur d’au moins 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10 ou 10 2 nm à l’intérieur du noyau et/ou du revêtement des nanoparticules. Dans d'autres cas, il(s) est/sont éliminé(s) d’une profondeur inférieure à 10 5 , 10 3 , 10, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 nm à l'intérieur du noyau et/ou du revêtement des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, les températures ou variations de température atteintes avant, pendant ou après au moins une étape de la méthode sont générées par un four ou un appareil de chauffage, permettant préférentiellement d'atteindre une température ou une variation de température non produite ou principalement produite par les nanoparticules. Dans un autre appareil de l'invention, les températures ou variations de température atteintes avant, pendant ou après au moins une étape de la méthode sont produites par un refroidissement à l'air ou au gaz ou par un appareil de refroidissement, permettant préférentiellement d'atteindre une température ou une variation de température non produites ou principalement produites par les nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les températures ou les variations de température atteintes avant, pendant ou après au moins une étape, sont produites par les nanoparticules, de préférence par une réaction exothermique ou endothermique des nanoparticules. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle la température des nanoparticules est augmentée, préférentiellement au cours de la première phase de l'étape i, à une vitesse, préférentiellement ri1P, comprise entre 10 -5 et 10 5 °C par minute. Dans un mode de réalisation de l'invention, la vitesse ri1P est comprise entre 10 -50 et 10 10 , 10 -20 et 10 5 , 10 -10 et 10 3 , 10 -5 et 100, 10 -2 et 50, 10 -1 et 20, ou entre 1 et 10 °C par minute. Dans un mode de réalisation de l'invention, ri1P est suffisamment grand pour éviter une stabilisation du four à une température différente de T1, T2 et/ou T3, ce qui pourrait éventuellement modifier la structure des nanoparticules et/ou éventuellement empêcher la libération des impuretés des nanoparticules à T1, T2 et/ou T3. Dans un mode de réalisation de l'invention, ri1P est suffisamment petit pour permettre la stabilisation du four à T1, T2 et/ou T3. L'invention concerne la méthode selon l'invention, dans laquelle le temps de chauffage, t i (en minutes), est proportionnel à la quantité de nanoparticules chauffées, Q nano (en milligrammes): ti = α.Q nano , où α est préférentiellement compris entre 10 -5 et 10 5 . Dans un mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage, ti, est la durée de la deuxième phase. Cela peut être le cas lorsque la durée de la première et/ou de la troisième phase(s) est petite ou inférieure à la durée de la deuxième phase ou lorsque la première et/ou la troisième phase ne sont pas responsables de l'élimination de/des impureté(s). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage, ti, est la durée de la première et/ou de la troisième phase(s). Cela peut être le cas lorsque la durée de la deuxième phase est petite ou inférieure à la durée de la première et/ou de la troisième phase ou lorsque la deuxième phase n'est pas responsable de l'élimination des impuretés. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage, ti, est la somme des durées de la première et/ou de la deuxième et/ou de la troisième phase. Dans un mode de réalisation de l'invention, α est plus petit que 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2, 1, 10 -1 , 10 -5 , 10 -10 ou 10 -50 . Dans un autre mode de réalisation de l'invention, α est plus grand que 10 -50 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -1 , 1, 2, 5, 10, 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 . Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, α est compris entre 10 -50 et 10 50 , 10 -30 et 10 30 , 10 -10 et 10 10 , 10 -5 et 10 5 , 10 -3 et 10 3 , 10 -2 et 100, 10 -2 et 10, 10 -2 et 1, ou entre 10 -1 et 1. Dans un mode de réalisation de l'invention, ke temps de chauffage augmente, préférentiellement par: un facteur de plus de 1,000001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 or 10 10 ou au-dessus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 1, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 minute(s), lorsque la quantité de nanoparticules chauffées augmente préférentiellement d’un facteur de plus de 1,000001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 or 10 10 ou au-dessus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 1, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 gramme de nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage augmente, de préférence d'un facteur supérieur à 1,000001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 ou supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 1, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 minute(s), lorsque la température de chauffage augmente, de préférence d'un facteur supérieur à 1,000001, 1,001 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 ou au-dessus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 1, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 °C. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage augmente, de préférence d'un facteur supérieur à 1,000001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 ou supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 1, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 minute(s), lorsque la température de chauffage diminue, de préférence d'un facteur supérieur à 1,000001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 ou en-dessous de 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 5, 1, 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 , 10 -20 ou 10 -50 °C. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle la durée d'augmentation de la température pour atteindre T1, T2 ou T3 est réduite en réduisant le pourcentage d'humidité des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée d’augmentation de la température pour atteindre Ti, T1, T2 ou T3, préférentiellement ti1P, augmente préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 ou au-dessus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 minute(s) ou d'une valeur qui est inférieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 minute(s) à une valeur supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 minute(s), de préférence lorsque le pourcentage d'humidité dans les nanoparticules est supérieur à ou augmente au-dessus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -1 , 1, 5, 10, 25, 50, 75, 80, 99, 99,9 ou 100%. Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée d'augmentation de la température pour atteindre Ti, T1, T2 ou T3, préférentiellement ti1P, diminue, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 ou en dessous de 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 ou 10 -10 minute(s) ou à partir d’une valeur t i supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 , 10 5 ou 10 10 minute(s) jusqu'à une valeur inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 ou 10 -10 minute(s), de préférence lorsque le pourcentage d'humidité dans les nanoparticules diminue en dessous de 100, 99, 80, 70, 50, 20, 10 , 5, 2, 1 ou 10 -5 , 10 -1 ou 10 -5 %. Dans certains cas, la durée d’augmentation de la température pour atteindre Ti, T1, T2 ou T3 augmente ou est importante lorsque le pourcentage d'humidité dans les nanoparticules augmente ou est important. Dans certains autres cas, la durée d’augmentation de la température pour atteindre Ti, T1, T2 ou T3 diminue ou est faible lorsque le pourcentage d'humidité dans les nanoparticules diminue ou est faible. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'humidité dans les nanoparticules est supérieur à ou augmente au-dessus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -1 , 1, 5, 10, 25, 50, 75, 80, 99, 99,9 ou 100%. Dans certains cas, cette situation peut se produire, préférentiellement avant le traitement des nanoparticules par la méthode, préférentiellement lorsque les nanoparticules ne sont pas lyophilisées ou lorsque le milieu aqueux dans lequel les nanoparticules sont suspendues ou comprises n'est pas éliminé. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'humidité dans les nanoparticules est inférieur à ou diminue en dessous de 100, 99,9, 99, 80, 75, 50, 25, 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -5 , 10 - 10 , 10 -20 ou 10 -50 %. Dans certains cas, cette situation peut survenir, préférentiellement avant le traitement des nanoparticules par la méthode, préférentiellement lorsque les nanoparticules sont lyophilisées ou lorsque le milieu aqueux dans lequel les nanoparticules sont suspendues ou comprises est éliminé. Dans d'autres cas, cette situation peut survenir, préférentiellement après ou pendant le traitement des nanoparticules par la méthode, préférentiellement lorsque le traitement thermique élimine l'eau des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'humidité des nanoparticules, que l'on pourrait également qualifier d'humidité relative (HR), est le rapport entre la pression partielle de vapeur d'eau, préférentiellement des nanoparticules ou du milieu ou environnement entourant les nanoparticules et la pression de vapeur d’eau à l’équilibre, préférentiellement des nanoparticules ou du milieu ou de l’environnement entourant les nanoparticules, à une température donnée, préférentiellement avant, pendant ou après le traitement des nanoparticules par la méthode, préférentiellement des nanoparticules ou du milieu ou de l'environnement entourant les nanoparticules. L'invention concerne également la méthode selon l'invention conduisant à un pourcentage en masse de carbone ou de matière carbonée dans les nanoparticules inférieur à 0,4%. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage en masse de carbone ou de matière carbonée est inférieur à 100, 90, 80, 70, 60, 50, 30, 20, 10, 5, 2, 1, 10-2, 10-5 ou 10-10%. Dans certains cas, cette situation se produit avant le traitement des nanoparticules par la méthode. Dans d'autres cas, cette situation se produit lors du traitement des nanoparticules par la méthode. Dans d'autres cas encore, cette situation se produit après le traitement des nanoparticules par la méthode. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le pourcentage en masse de carbone ou de matériau carboné est supérieur à 10-10, 10-5, 10-2, 1, 2, 5, 10, 20, 30, 30, 50, 70, 80, 90. 95 ou 99%. Dans certains cas, cette situation se produit avant le traitement des nanoparticules par la méthode. Dans d'autres cas, cette situation se produit lors du traitement des nanoparticules par la méthode. Dans d'autres cas encore, cette situation se produit après le traitement des nanoparticules par la méthode. Dans un mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage, préférentiellement ti, le plus préférentiellement ti2P, est augmenté ou fixé à une valeur, préférentiellement supérieure à 10 -100 , 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 2 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 heure(s) jusqu'à ce que le pourcentage en masse de carbone ou de matière carbonée dans la ou les nanoparticules est inférieur à 99, 90, 70, 50, 30, 20, 10, 5, 2, 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%. Dans certains cas, cette situation peut se produire, de préférence lorsqu'il est nécessaire d'augmenter le temps de chauffage ou d'atteindre un temps de chauffage important pour éliminer une grande quantité d'impureté(s) des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la température de chauffage, préférentiellement Ti ou Ti2P, est augmentée ou fixée à une valeur, préférentiellement supérieure à -273, -250, -200, -200, -200, -100, 0, 5, 10, 50, 100 , 200, 300, 400, 500, 10 3 , 10 5 ou 10 9 °C, jusqu'à ce que le pourcentage en masse de carbone ou de matière carbonée dans la ou les nanoparticules soit inférieur à 99, 90, 70, 50, 30, 20 10, 5, 2, 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%. Dans un mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage, préférentiellement ti, le plus préférentiellement ti2P, est diminué ou fixé à une valeur, préférentiellement inférieure à 10 100 , 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 1, 10 -1 , 10 -2 , 10 -5 , 10 -20 ou 10 -50 heure(s) jusqu'à ce que le pourcentage en masse de carbone ou de matière carbonée dans la ou les nanoparticules soit inférieur à 99, 90, 70, 50, 30, 20, 10, 5, 2, 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%. Dans certains cas, cette situation peut se produire, de préférence lorsqu'un temps de chauffage trop long peut détruire ou dénaturer les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la température de chauffage, préférentiellement Ti ou Ti2P, est diminuée ou fixée à une valeur préférentiellement inférieure à 10 9 , 10 5 , 10 3 , 500, 250, 100, 50, 30, 20, 10, 5, 1, -10, -20, -50, -100, -150, -200, -250 ou -273 °C, jusqu'à ce que le pourcentage en masse de carbone ou de matière carbonée dans la ou les nanoparticules soit inférieur à 99, 90, 70, 50, 30, 20, 10, 5, 2, 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%. Dans un mode de réalisation de l'invention, un matériau carboné est un matériau carboné non dénaturé, par exemple un matériau organique non dénaturé, ADN, ARN, protéine, lipide ou enzyme. Dans certains cas, un matériau non dénaturé est un matériau qui n'a pas perdu sa structure primaire, secondaire, tertiaire et/ou quaternaire. Dans certains cas, un matériau non dénaturé est un matériau qui n'a pas perdu son activité ou sa fonction, ni une partie de son activité ou sa fonction. Dans un mode de réalisation de l'invention, un matériau carboné est un matériau carboné dénaturé, par exemple un matériau organique dénaturé, un ADN, un ARN, une protéine, un lipide ou une enzyme. Dans certains cas, un matériau dénaturé est un matériau qui a perdu sa structure primaire, secondaire, tertiaire et/ou quaternaire. Dans certains cas, un matériau dénaturé est un matériau qui n'a pas perdu son activité ou sa fonction, ni une partie de son activité ou sa fonction. Dans un mode de réalisation de l'invention, un matériau carboné est un matériau qui comprend un pourcentage en masse de carbone supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50, 75. 80, 90, 99 ou 100%. Dans un mode de réalisation de l'invention, un matériau carboné est un matériau qui comprend un pourcentage en masse de carbone inférieur à 100, 99, 90, 80, 70, 50, 20, 10, 5, 2, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 ou 10 -10 %. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle le temps de chauffage ti est fixé à une valeur qui mène à un pourcentage en masse d'impureté(s) dans la ou les nanoparticule(s), qui est inférieur à 0,4%, préférentiellement à la suite de l'étape i. Dans un mode de réalisation de l'invention, lorsque le pourcentage en masse d'impureté(s) dans la ou les nanoparticules est inférieur à 0,4%, il est possible d'ajouter un revêtement environnant aux nanoparticules et/ou de stabiliser les nanoparticules et/ou d’éviter l'agrégation de nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, lorsque le pourcentage en masse d'impureté(s) dans les nanoparticules est supérieur à 0,4%, il n'est pas possible d'ajouter un revêtement environnant aux nanoparticules et/ou de stabiliser les nanoparticules et/ou d'éviter agrégation de nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage, préférentiellement ti, le plus préférentiellement ti2P, est augmenté, préférentiellement au-dessus de 10 -100 , 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 2 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 heures, jusqu'à ce que le pourcentage en masse d'impureté(s) dans la ou les nanoparticules soit inférieur à 99, 90, 70, 50, 30, 20, 10 5, 2, 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%. Dans un mode de réalisation de l'invention, le temps de chauffage, préférentiellement ti, le plus préférentiellement ti2P, est diminué ou fixé à une valeur, préférentiellement inférieure à 10 100 , 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 1, 10 -1 , 10 -2 , 10 -5 , 10 -20 ou 10 -50 heure(s) jusqu'à ce que le pourcentage en masse d'impureté(s) dans la ou les nanoparticules soit supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50 ou 75%. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle plus de 50% des impuretés sont éliminées des nanoparticules, ce pourcentage étant égal à QAP/QBP, QAP et QBP étant la quantité d'impureté dans la nanoparticule après et avant le traitement des nanoparticules par la méthode, respectivement. Dans un mode de réalisation de l’invention, QAP/QBP est inférieur à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 100, 50, 20, 10, 5, 2, 1, 10 -1 , 10 -5 , 10 -10 ou 10 -20 %. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, QAP/QBP est supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50, 100, 10 5 , 10 10 ou 10 20 %. Dans certains cas, QAP/QBP peut être supérieur à 1, par exemple si la méthode ne permet pas d'éliminer les impuretés des nanoparticules et/ou si les impuretés sont capturées ou insérées dans les nanoparticules pendant le traitement par la méthode, par exemple lorsque les produits chimiques utilisés dans la méthode comprennent des impuretés qui sont adsorbées à la surface des nanoparticules au cours du traitement. Dans certains autres cas, QAP/QBP peut être inférieur à 1, par exemple lorsque la méthode élimine avec succès les impuretés des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage ti est augmentée ou fixée à une valeur préférentiellement supérieure à 10 -100 , 10 -50 , 10 - 20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 2 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 heure(s) jusqu'à ce que Q AP /Q BP soit inférieur à 99, 90, 70, 50, 30, 20, 10, 5, 2 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%. L'invention concerne également la méthode, préférentiellement purificatrice, selon l'invention, dans lequel plus de 90% en masse de carbone ou de matière carbonée sont éliminés des nanoparticules, ce pourcentage étant égal à (%CAT/%CBT)/%CBT, où %CAT et %CBT sont les pourcentages de carbone ou de matière carbonée après et avant le traitement des nanoparticules avec la méthode, respectivement. Dans certains cas, (%C AT -%C BT )/%C BT est supérieur à 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50, 75, 90, 95 ou 99%. Cela peut être le cas lorsque la méthode, préférentiellement purificatrice, est efficace ou lorsque la quantité de carbone ou de matière carbonée comprise dans la nanoparticule avant traitement des nanoparticules avec la méthode est inférieure à un certain seuil, préférentiellement inférieure à 99, 90 70, 60, 50, 40, 30, 20, 10 ou 1% Dans certains autres cas, (%CAT-%CBT)/%CBT est inférieur à 99, 90, 70, 60, 50, 40, 30, 20, 10 ou 1%. Ceci peut être le cas lorsque la méthode de purification n’est pas efficace ou lorsque la quantité de carbone ou de matériau carboné comprise dans la nanoparticule avant traitement des nanoparticules avec la méthode est supérieure à un certain seuil, préférentiellement supérieure à 99, 90, 70, 60, 50, 40, 30, 20, 10 ou 1%. Dans quelques autres cas encore, (%CAT-%CBT)/%CBT est compris entre 0,1 et 100, 1 et 99, 10 et 99, 50 et 99, ou entre 80 et 99%. Dans un mode de réalisation de l'invention, la température de chauffage, préférentiellement Tiav, est augmentée ou fixée à une valeur préférentiellement supérieure à -250, -200, -150, -100, -50, 0, 10, 50, 100 150, 200, 250, 300, 350, 400, 450, 500, 550, 600, 650, 700, 10 3 , 10 4 ou 10 6 °C jusqu'à ce que Q AP /Q BP soit inférieur à 99, 90, 70, 50 30, 20, 10, 5, 2, 1, 0,1, 0,001 ou 0,0001%. Dans certains cas, la durée et/ou la température de chauffage est/sont augmentée(s) pour enlever les impuretés des nanoparticules, par exemple lorsque les impuretés sont enlevées des nanoparticules à des températures élevées ou pendant un temps de chauffage important. Dans un mode de réalisation de l'invention, la durée de chauffage ti est diminuée ou fixée à une valeur préférentiellement inférieure à 10 100 , 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 1, 10 -1 , 10 -2 , 10 -5 , 10 -20 ou 10 -50 heure(s) jusqu'à ce que ou de telle manière que Q AP /Q BP ait une valeur supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50 ou 75%. Dans un mode de réalisation de l'invention, la température de chauffage, préférentiellement Ti ou Tiav, est diminuée ou fixée à une valeur préférentiellement inférieure à 10 6 , 10 4 , 10 3 , 700, 650, 600, 550, 500, 450, 400. 350, 300, 250, 200, 150, 100, 50, 10, 0, -50, -100, -150, -200 ou -250 °C, de préférence jusqu'à ce que ou de telle manière que Q AP /Q BP ait une valeur supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50 ou 75%. Dans certains cas, la température et/ou le temps de chauffage est/sont diminué(s) ou maintenu(s) en dessous d'un certain seuil pour éliminer les impuretés, par exemple lorsque les impuretés sont éliminées des nanoparticules à basse température. Dans d'autres cas, la température de chauffage et/ou le temps de chauffage est/sont diminué(s) ou maintenu(s) en dessous d'un certain seuil pour éviter la destruction, la dénaturation ou l'oxydation, de préférence un changement de l'état d'oxydation des nanoparticules. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle au moins une étape ou une phase de l'étape i du procédé est réalisée en présence d'oxygène. Dans certains cas, l'oxygène peut être un gaz comprenant de l'oxygène ou de l'oxygène. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle au moins une étape ou une phase de l'étape i de la méthode est réalisée en présence d'un gaz vecteur ou de CO 2 . Dans un mode de réalisation de l'invention, le gaz porteur peut être du CO2 ou un gaz qui transporte les impuretés, le carbone ou le matériau carboné. Dans certains cas, le gaz vecteur ou le CO2 transporte ou élimine plus de 10 -50 , 10 -20 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 5, 10, 25, 50, 75, 80, 90, 99 ou 100% d'impureté(s), de carbone ou de matière carbonée. Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque la durée et/ou la température de chauffage sont telles qu'elles permettent d'éliminer une grande quantité d'impuretés à l'aide du gaz vecteur. Dans certains autres cas, le gaz vecteur ou le CO 2 transporte moins de 100, 99, 90, 80, 75, 50, 25, 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -20 ou 10 -50 % d'impureté(s), de carbone ou de matière carbonée. Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque la durée et/ou la température de chauffage est/sont telle(s) qu’elles ne permettent pas d’éliminer beaucoup d’impuretés à l’aide du gaz vecteur. Dans certains cas, le gaz vecteur ou le CO 2 entraîne ou supprime la ou les impuretés au cours de la deuxième phase de l’étape i, ou entraîne ou élimine davantage d’impuretés, de préférence d’un facteur supérieur à 1,000001, 1,0001, 1.1, 1.2, 1.5, 2. , 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 ou 10 5 , au cours de la deuxième phase de l'étape i qu’au cours de la première ou la troisième phase de l'étape i. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode, préférentiellement la deuxième phase de l'étape i, est une combustion, préférentiellement lorsque le gaz vecteur ou le CO2 est impliqué dans ou est responsable de l'élimination des impuretés des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, le gaz vecteur est de l'air ou est un gaz comprenant un pourcentage en oxygène ou en O2 supérieur à 10 -100 , 10 -50 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1. 5, 10, 20, 50 ou 75%. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'O2 dans le gaz porteur augmente ou est suffisamment grand pour permettre la combustion ou la transformation du matériau carboné, de préférence compris dans ou à la surface des nanoparticules. Dans un mode de réalisation, le gaz vecteur comprend un pourcentage en oxygène ou en O2 inférieur à 99,9, 99, 70, 50, 20, 10, 5, 2 ou 1%. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'O2 dans le gaz porteur est diminué ou est suffisamment bas pour empêcher l'oxydation des nanoparticules ou pour empêcher un changement de l'état d'oxydation des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la méthode selon l'invention n'oxyde pas ou ne modifie pas l'état d'oxydation des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la modification de l'état d'oxydation de la nanoparticule est une modification qui entraîne la perte des propriétés magnétiques des nanoparticules, par exemple une transformation de la maghémite ou de la magnétite en hématite. Dans un mode de réalisation de l'invention, le gaz vecteur comprend un pourcentage en oxygène compris entre 10 -20 et 100%, 10 -10 et 99, 10 -5 et 90, 10 -1 et 80, 1 et 70, ou entre 10 et 50% d'O 2 . Dans un mode de réalisation de l'invention, le gaz porteur comprend moins de 99, 90, 80, 70, 50, 20, 10, 5, 2 ou 1% de gaz rare. Dans certains cas, un pourcentage trop élevé de gaz rares est évité car il pourrait empêcher l’élimination des impuretés des nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, le gaz porteur comprend plus de 1, 2, 5, 10, 20, 50, 70, 80, 90 ou 99% de gaz rare. Dans certains cas, un pourcentage important de gaz rare, préférentiellement mélangé à de l'O2, est souhaité, par exemple pour éviter que celui-ci ne soit inflammable. Dans un mode de réalisation de l'invention, le pourcentage d'un gaz est le pourcentage en volume de ce gaz, préférentiellement lorsque ce gaz est sec. Dans un mode de réalisation de l'invention, la quantité d'impureté éliminée peut être augmentée, de préférence d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 . 10 20 ou 10 50 , lorsque le pourcentage d'O 2 dans le gaz vecteur augmente, de préférence d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 . Dans un mode de réalisation de l'invention, la quantité d'impuretés éliminée peut être diminuée, de préférence d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , lorsque le pourcentage d'O 2 dans le gaz vecteur est diminué d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 . Dans un mode de réalisation de l'invention, la première et/ou la troisième phase est réalisée en présence d'un gaz de concentration inférieure en O2, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , que lors de la deuxième phase, pour empêcher l'élimination des impuretés au cours de la première et/ou de la troisième phase, ou pour éliminer moins d'impuretés, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 au cours de la première et/ou de la troisième phase(s) qu’au cours de la deuxième phase. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle les impuretés éliminées des nanoparticules sont situées à une profondeur inférieure à 100 nm à l'intérieur des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l’invention, la ou les impuretés sont situées à une certaine profondeur dans la nanoparticule, laquelle est supérieure à 0,01, 0,1, 1, 5, 10, 25, 50 ou 75% du diamètre ou de la plus grande dimension de la nanoparticule. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont situées à une certaine profondeur dans la nanoparticule, qui est inférieure à 75, 50, 25, 10, 5, 1, 0,1 ou 0,01% du diamètre ou de la plus grande dimension de la nanoparticule. Selon l'invention, ce pourcentage peut être le rapport entre la profondeur à laquelle l'impureté est située dans la nanoparticule et le diamètre ou la plus grande dimension de la nanoparticule. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont situées à une certaine profondeur dans les nanoparticules, laquelle est supérieure à 0,01, 0,1, 0,5, 1, 5, 10, 15 ou 20 nm. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont situées dans les nanoparticules à une certaine profondeur, inférieure à 100, 50, 20, 5, 2, 1 ou 0,1 nm. Dans certains cas, des impuretés profondes peuvent être localisées à l'intérieur du noyau, préférentiellement le cristal du noyau, des nanoparticules. Dans certains cas, des impuretés peu profondes peuvent être localisées dans le revêtement des nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont situées à une certaine profondeur dans les nanoparticules, qui est comprise entre 0,01 et 10 3 , 0,1 et 500, 0,1 et 100, 0,1 et 50, 0,1 et 20, 0,1 et 10 ou entre 0,1 et 5 nm. Dans certains cas, la profondeur dans les nanoparticules est la distance, mesurée préférentiellement à partir de la surface externe des nanoparticules à la position de la ou des impuretés dans les nanoparticules. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle la température de chauffage et/ou le temps de chauffage sont déterminés en mesurant la température à laquelle la ou les impuretés sont éliminées des nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, un appareil tel que la TGA (analyse par thermogravimétrie) est utilisé pour déterminer la température, préférentiellement Tiav, et/ou le temps de chauffage, préférentiellement ti, pouvant éliminer les impuretés des nanoparticules. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle au moins une impureté est constituée de ou comprend ou provient du carbone ou d'un matériau carboné. Dans un mode de réalisation de l'invention, le matériau carboné est éliminé par le gaz porteur ou le gaz CO2. L'invention concerne également la méthode selon l'invention, dans laquelle au moins une impureté est constituée de ou comprend ou provient d'une cellule, préférentiellement la cellule synthétisant les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, les cellules synthétisant les nanoparticules sont des cellules produisant des nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, au moins une impureté est ou comprend ou provient du milieu ou de l'environnement entourant les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, au moins une impureté est ou comprend ou provient d'endotoxines ou de lipopolysaccharides. Dans un mode de réalisation de l'invention, la ou les impuretés sont ou comprennent ou proviennent des produits chimiques ou des éléments chimiques utilisés pour produire les nanoparticules. L’invention a également pour objet la méthode selon l’invention, dans laquelle au moins une impureté est choisie dans le groupe constitué par les composés qui sont, consistent en ou comprennent ou proviennent des: aldéhydes, anhydrides d’acides, halogénures d’acyle, polymères d’amines aliphatiques, amidines, alcools, amides, amines, acides carboxyliques, cellules, agents CMR, molécules cycliques, molécules cytotoxiques, endotoxines, esters, éthers, acides gras, hydroperoxydes, imines, cétones, lipides, lipopolysaccharides, macromolécules, revêtement de nanoparticules, solvants, solvants , matières organiques, peroxydes, phénols, phosphates, phospholipides, acides phosphoriques, polysaccharides, sulfures, acides sulfoniques, sucres, polymères, polymères d’acides aminés, silice polymérique ou non polymérique, solvants, thiols et leurs dérivés, acides, basiques des dérivés neutres, des dérivés ou des composants chargés positivement, négativement ou neutres d'au moins un de ces composés. L'invention concerne également des nanoparticules de haute pureté obtenues par la méthode selon l'invention. L'invention concerne également des nanoparticules de haute pureté ou des nanoparticules de haute pureté qui ne sont pas obtenues par la méthode. Dans un mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté sont les nanoparticules traitées par la méthode. Dans un mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté sont des nanoparticules comprenant moins de 10 50 , 10 30 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10, 5, 2, 1, 10 -1 , 10 -3 , 10 -5 , 10 -10 µg d’impureté (s) par gramme de nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté sont des nanoparticules qui comprennent un pourcentage en masse d'impureté inférieur à 100, 90, 80, 70, 50, 20, 10, 5, 2, 1, 0,1 ou 0,001%. Dans certains cas, le pourcentage en masse d'impuretés dans les nanoparticules peut être le rapport entre la masse des impuretés dans les nanoparticules et la masse des nanoparticules. L'invention concerne également la ou les nanoparticules de haute pureté selon l'invention, comprenant: i) au moins 0,8 g ou entre 0,8 g et 0,99999999999 g d'oxyde de fer par gramme de nanoparticule ou par gramme de noyau de nanoparticule, ii), éventuellement un matériau dopant à une concentration comprise entre 0,5 et 0,8 g de matériau dopant par gramme de nanoparticule, et iii), des impuretés différentes du fer, de l'oxygène et du matériau dopant, à une concentration inférieure à 0,5 g par gramme de nanoparticule ou par gramme de revêtement de nanoparticule ou compris entre 10-9 g et 0,5 g d'impuretés par gramme de nanoparticule ou par gramme de revêtement de nanoparticule. L'invention concerne également la ou les nanoparticules de haute pureté selon l'invention, dans lesquelles: i) au moins 0,8 g ou entre 0,8 g et 0,99999999999 g d'oxyde de fer par gramme de nanoparticule sont compris dans le noyau de la nanoparticule, ii), éventuellement un matériau dopant à une concentration comprise entre 0,5 et 0,8 g de matériau dopant par gramme de nanoparticule est compris dans le noyau et/ou le revêtement des nanoparticules, iii), des impuretés différentes du fer, de l'oxygène et du matériau dopant, sont comprises dans le revêtement des nanoparticules à une concentration inférieure à 0,5 g par gramme de nanoparticules ou comprise entre 10-9 g et 0,5 g d'impuretés par gramme de nanoparticules ou de revêtement. Dans un mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement les noyaux des nanoparticules de haute pureté, comprennent plus de 10-50, 10-30, 10-20, 10-10, 10-5, 10-3, 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5, 0,7, 0,8, 0,9, 0,99, 0,999 ou 0,9999999999 g d'oxyde de fer par gramme de nanoparticules ou de noyaux de nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement les noyaux des nanoparticules de haute pureté, comprennent moins de 0,9999999999, 0,999, 0,99, 0,9, 0,8, 0,7, 0,5, 0,3, 0,2, 0,1, 10-3, 10-5, 10-10 ou 10-50 g d'oxyde de fer par gramme de nanoparticules ou de noyaux de nanoparticules. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement les noyaux des nanoparticules de haute pureté, comprennent entre 10-50 et 0,9999999999, 0,01 et 0,9999999999, 0,1 et 0,9999999999, 0,5 et 0,9999999999, 0,7 et 0,9999999999, 0,8 et 0,9999999999, 0,8 et 0,9999999999, 0,8 et 0,9999999999, 0,8 et 0,9999999999, 0,8 et 0,9999999999, 0,8 et 0,9999999999, 0,8 et 0,9999999999. 0,9 et 0,9999999999, 0,99999 et 0,9999999999, ou entre 0,9999999 et 0,9999999999 g d'oxyde de fer par gramme de nanoparticule ou de noyau de nanoparticule. Dans un mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement les noyaux des nanoparticules de haute pureté, comprennent plus de 10-50, 10-30, 10-20, 10-10, 10-5, 10-3, 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5, 0,7, 0,8, 0,9, 0,99, 0,999 ou 0,9999999999 g de matériau dopant par gramme de nanoparticules ou de noyaux de nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement les noyaux des nanoparticules de haute pureté, comprennent moins de 0,9999999999, 0,999, 0,99, 0,9, 0,8, 0,7, 0,5, 0,3, 0,2, 0,1, 10-3, 10-5, 10-10 ou 10-50 g de matériau dopant par gramme de nanoparticules ou de noyaux de nanoparticules. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement les noyaux des nanoparticules de haute pureté, comprennent entre 0,000001 et 0,99999, 0,1 et 0,9, 0,2 et 0,8, 0,3 et 0,7, ou entre 0,5 et 0,8 g de matériau dopant par gramme de nanoparticule. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement les noyaux de ces nanoparticules, comprennent moins de matériau dopant que l'oxyde de fer ou matériau prédominant, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,0000000001, 1.1, 1.2, 1.5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 ou 10 100 . Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement les noyaux de ces nanoparticules, comprennent plus de matériau dopant que d'impureté (s), préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,0000000001, 1.1, 1.2, 1.5, 2, 5, 10 , 10 3 , 10 5 , 10 10 ou 10 100 . Dans un mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement le revêtement de ces nanoparticules, comprennent plus de 10-50, 10-30, 10-20, 10-10, 10-5, 10-3, 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5, 0,7, 0,8, 0,9, 0,99, 0,999 ou 0,9999999999 g d'impureté (s) par gramme de nanoparticules ou de revêtement de nanoparticules. Dans certains cas, cette situation peut survenir lorsque la méthode ne permet pas de purifier efficacement les nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté, préférentiellement le revêtement de ces nanoparticules, comprennent moins de 0,9999999999, 0,999, 0,99, 0,9, 0,8, 0,7, 0,5, 0,3, 0,2, 0,1, 10-3, 10-5, 10-10 ou 10-50 g d'impureté(s) par gramme de nanoparticules ou de revêtement de nanoparticules. Dans certains cas, cette situation peut survenir lorsque la méthode permet de purifier efficacement les nanoparticules. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules de haute pureté comprennent moins d'impuretés que de matériau dopant et/ou d'oxyde de fer, de préférence d'un facteur supérieur à 1,0000000001, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 10 ou 10 100 . L'invention concerne également les nanoparticules de haute pureté selon l'invention, dans lesquelles le matériau dopant est choisi dans le groupe constitué par: l'aluminium, l'antimonite, le baryum, le chrome, le cuivre, l'or, le manganèse, l'argent, l'étain, le titane et le zinc. Dans un mode de réalisation de l'invention, comparé aux nanoparticules à forte concentration en impuretés, préférentiellement à plus de 15 000 µg d'impuretés par gramme de nanoparticules, dites N1, les nanoparticules à faible concentration en impuretés, préférentiellement à moins de 15 000 µg d'impuretés par gramme de nanoparticules, désigné par N2, possèdent au moins l’une des propriétés avantageuses suivantes: i) des propriétés magnétiques meilleures, telles qu’une plus grande coercivité, aimantation rémanente, aimantation saturante, préférentiellement d’un facteur plus grand que f, pour N2 que pour N1, ii), un taux d’absorption spécifique (SAR) plus élevé, préférentiellement d’un facteur supérieur à f, pour N2 que pour N1, iii), une distribution en taille des nanoparticules inférieure, préférentiellement d’un facteur supérieur à f, pour N2 que pour N1, iv ), une taille supérieure, préférentiellement d’un facteur supérieur à f, pour N2 que pour N1, v), une toxicité inférieure pour N2 que pour N1 et/ou vi), une amélioration des propriétés médicales, thérapeutiques, diagnostiques ou cosmétiques. pour N2 que pour N1 et/ou vi), une immunogénicité moindre pour N2 que pour N1. Dans un mode de réalisation de l'invention, le facteur f est 1,0000001, 1,00001, 1,0001, 1,01, 1,1, 1,2, 1,5, 2, 5, 10, 10 3 , 10 5 , 10 7 ou 10 9 , ou un facteur compris entre 1,000001 et 10 9 , 1,00001 et 10 7 , 1,0001 et 10 5 , 1,01 et 10 3 , 1,1 et 10 3 , 1,5 et 10 3 , 2 et 10 3 , 5 et 10 3 ou 5 et 100. Dans un mode de réalisation de l'invention, la SAR est proportionnelle à la pente, préférentiellement initiale, de la variation de température en fonction du temps des nanoparticules, (ΔT/δt), préférentiellement entourée d'un milieu tel que l'eau, le matériel biologique, la partie corporelle, ou un tissu, où (ΔT/δt) est préférentiellement estimée en °C/s., où SAR = α (ΔT/δt). Dans certains cas, α=Cv/Cnano, où Cv est la capacité thermique spécifique, préférentiellement de l'eau, du matériel biologique, de la partie du corps ou du tissu, comprenant les nanoparticules, et Cnano est la concentration en nanoparticules ou la quantité ou le nombre de nanoparticules, comprises de préférence dans de l'eau, du matériel biologique, une partie du corps ou des tissus. Dans un mode de réalisation, la SAR est mesurée en exposant les nanoparticules à un rayonnement, de préférence un rayonnement qui produit de la chaleur, préférentiellement un laser, un champ magnétique, un champ magnétique alternatif, une onde acoustique, des ultrasons, une radiofréquence. Dans un mode de réalisation de l'invention, la SAR des nanoparticules est supérieure à 10 -100 , 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10, 10 3 ou 10 5 Watt par gramme de nanoparticules. Dans certains cas, la SAR est importante lorsque l'élimination des impuretés augmente la SAR. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la SAR des nanoparticules est inférieure à 10 100 , 10 50 , 10 30 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 1, 10 -1 , 10 -3 ou 10 -5 watts par gramme de nanoparticules. Dans certains cas, la SAR est faible lorsque l'élimination des impuretés détruit ou dénature partiellement ou totalement les nanoparticules. Dans un mode de réalisation de l'invention, la distribution en taille des nanoparticules est supérieure à 10 -50 , 10 -20 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 10 2 ou 10 5 nm. Dans certains cas, la distribution en taille des nanoparticules est importante lorsque l'élimination des impuretés détruit ou dénature partiellement ou totalement ou même réduit ou augmente la taille des nanoparticules, de préférence par un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 entre avant et après la méthode. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, la distribution en taille des nanoparticules est inférieure à 10 50 , 10 20 , 10 10 , 10 5 , 10 3 , 10 2 , 10, 1, 10 -1 , 10 -2 ou 10 -5 nm. Dans certains cas, la distribution en taille des nanoparticules est faible lorsque l'élimination des impuretés ne détruit pas ou ne dénature pas ou pas totalement ou ne réduit ni n'augmente la taille des nanoparticules, de préférence par un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 entre avant et après la méthode. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules, préférentiellement à une concentration supérieure à 10 -6 , 10 -3 , 10 -1 , 1, 10 mg de nanoparticules par ml ou mm 3 , détruisent plus de 1, 10, 10 3 , 10 6 , 10 9 cellules, de préférence lorsque les nanoparticules et les cellules sont comprises dans un volume inférieur à 1 cm 3 ou 1 mm 3 . Dans certains cas, préférentiellement lorsque la ou les impuretés sont toxiques ou induisent une toxicité, les nanoparticules détruisent davantage de cellules, de préférence d’un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 avant la méthode, lorsque la quantité d’impuretés est la plus grande, qu’après la méthode, lorsque la quantité d’impuretés est la plus faible. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules après la méthode ou après le traitement selon la méthode mènent à une activité améliorée: i), médicale ou thérapeutique, par exemple en permettant la destruction d'un plus grand nombre de cellules pathologiques, de virus, de cellules cancéreuses, ou en étant moins toxiques pour les tissus sains, ii) une activité de diagnostic, par exemple en permettant la détection d'un plus grand nombre de cellules pathologiques, de virus, de cellules cancéreuses, ou en étant moins toxiques pour les tissus sains, et/ou, iii), une activité cosmétique, par exemple en améliorant l’apparence d’un plus grand nombre de cellules ou en étant moins toxique pour les tissus sains. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules après la méthode ou après avoir été traitées par la méthode sont moins immunogènes qu'avant la méthode ou avant d'être traitées par la méthode. Préférentiellement, elles attirent un nombre moins important de cellules immunitaires, préférentiellement sous l'application (ou non) de radiations, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , après qu'avant la méthode. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules après la méthode ou après avoir été traitées par la méthode sont plus immunogènes qu'avant la méthode ou avant d'être traitées par la méthode. Préférentiellement, elles attirent un nombre plus important de cellules immunitaires, préférentiellement sous l'application (ou non) de radiations, préférentiellement d'un facteur supérieur à 1,00001, 1,001, 1,1, 2, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 , 10 5 , 10 10 , 10 20 ou 10 50 , après qu'avant la méthode. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules après la méthode ou après avoir été traitées par la méthode sont moins pyrogènes qu'avant la méthode ou avant d'être traitées par la méthode. Préférentiellement, ils induisent une augmentation de la température, préférentiellement de l'organisme ou de la cellule ou de l'assemblage cellulaire dans lequel ou lesquelles ils sont compris ou administrés, qui est inférieure à 50, 20, 10, 5, 2, 1 ou 0,5 ° C. Préférentiellement, ils induisent une augmentation de la température, préférentiellement de l'organisme ou de la cellule ou de l'ensemble de cellules dans lequel ils sont compris ou administrés, qui est plus faible d'au moins 50, 20, 10, 5, 2, 1, 0,5 ou 0,00001 ° C après la méthode qu'avant la méthode. Dans certains cas, cette situation peut survenir lorsque la ou les impuretés sont pyrogènes ou augmenter la pyrogènicité des nanoparticules. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les nanoparticules après la méthode ou après avoir été traitées par la méthode sont plus pyrogènes qu'avant la méthode ou avant d'être traitées par la méthode. Préférentiellement, elles induisent une augmentation de température, préférentiellement de l'organisme ou de la cellule ou de l'assemblage cellulaire dans lequel elles sont comprises ou administrées, supérieure à 50, 20, 10, 5, 2, 1 ou 0,5 ° C. Préférentiellement, ils induisent une augmentation de la température, préférentiellement de l'organisme ou de la cellule ou de l'assemblage cellulaire dans lequel ils sont compris ou administrés, qui est supérieure d'au moins 50, 20, 10, 5, 2, 1, 0,5 ou 0,00001 °C après la méthode qu'avant la méthode. Dans certains cas, cette situation peut se produire lorsque la ou les impuretés réduisent le pouvoir pyrogène des nanoparticules. L'invention concerne également la ou les nanoparticules obtenues par la méthode selon l'invention, dans lesquelles le rendement de production de nanoparticules est supérieur à 10 -50 , 10 -30 , 10 -10 , 10 -5 , 10 -2 , 10 -1 , 1, 5, 10, 50, 10 2 , 10 3 ou 10 5 mg de nanoparticule(s), préférentiellement par cellule, préférentiellement par litre de milieu ou milieu de pré-croissance et/ou de croissance. L'invention concerne également la ou les nanoparticules obtenues par la méthode selon l'invention, dans laquelle le rendement de production de nanoparticules est inférieur à 10 50 , 10 30 , 10 10 , 10 5 , 10 2 , 10, 5, 1, 10 -1 , 10 -2 , 10 -3 ou 10 -5 mg de nanoparticules, préférentiellement par cellule, préférentiellement par litre de milieu ou milieu de pré-croissance et/ou de croissance. L'invention concerne également la ou les nanoparticules de haute pureté selon l'invention, qui sont des magnétosomes. Dans un mode de réalisation de l'invention, les magnétosomes sont des nanoparticules produites par des bactéries magnétotactiques traitées préférentiellement de la façon suivante: i) extraction et/ou isolation de nanoparticules de la bactérie pour obtenir des magnétosomes comprenant des minéraux cristallisés entourés d'une membrane biologique, ii ), retrait de la membrane biologique, de préférence en utilisant l'étape de purification, iii), recouvrement des magnétosomes d'un revêtement synthétique qui ne provient pas de la bactérie magnétotactique pour la stabilisation, de préférence pour éviter que les magnétosomes ne s'agrègent et/ou ne sédimentent. L'invention concerne également une composition, un médicament, un dispositif médical, une composition de diagnostic, une composition thérapeutique ou une composition cosmétique, comprenant la ou les nanoparticules de haute pureté selon l'invention. Dans encore un autre mode de réalisation de l’invention, la ou les propriétés ou caractéristiques, préférentiellement de la ou des nanoparticules ou de la méthode, décrites dans chaque mode de réalisation individuel ou section ou phrase de cette demande de brevet peuvent être combinées pour aboutir à une combinaison de propriétés ou de caractéristiques, préférentiellement de la ou des nanoparticules ou de la méthode. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, lorsqu'un composé tel que la nanoparticule ou l'élément chimique a une propriété dans une condition 1 (P1) qui est supérieure, plus longue ou plus grande d'un facteur α qu'une propriété dans une condition 2 (P2) , cela signifie que P1 = α P2. Dans encore un autre mode de réalisation de l'invention, lorsqu'un composé tel que la nanoparticule ou l'élément chimique a une propriété dans une condition 1 (P1) plus petite ou plus courte d'un facteur α qu'une propriété dans une condition 2 (P2), cela signifie que P1 = P2/α. : Analyse TGA-DSC de bactéries magnétotactiques entières et de magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques selon la condition 2 de lyse. a), La variation du pourcentage en poids en fonction de la température ainsi que la dérivée de cette variation en fonction de la température pour un échantillon comprenant 3 mg de bactéries magnétotactiques lyophilisées lorsqu'il est chauffé entre 20 °C et 600 °C à une vitesse de 6 °C/min. (b), flux de chaleur en mW en fonction de la température produit par un échantillon comprenant 3 mg de bactéries magnétotactiques lyophilisées lorsqu'il est chauffé entre 20 °C et 600 °C à une vitesse de 6 °C/min. (c), La variation du pourcentage en poids en fonction de la température ainsi que la dérivée de cette variation en fonction de la température pour un échantillon comprenant 3 mg de magnétosomes lyophilisés extraits de bactéries entières selon la condition 2 de lyse lorsque l'échantillon est chauffé entre 20 °C et 600 °C à une vitesse de 6 ° C/min. (d), flux de chaleur en mW en fonction de la température produit par un échantillon comprenant 3 mg de magnétosomes lyophilisés extraits de bactéries entières selon la condition 2 de lyse lorsque l'échantillon est chauffé entre 20 °C et 600 °C à une vitesse de 6 °C/min. En ce qui concerne les figures 1(a) et 1(c), l'axe des y peut être remplacé par le pourcentage en masse conduisant aux mêmes courbes. : Analyse TGA-DSC de magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques selon la condition 3 et de nanoparticules SIGMA synthétisées chimiquement. (a), Variation du pourcentage en poids en fonction de la température ainsi que la dérivée de cette variation en fonction de la température pour un échantillon comprenant 3 mg de magnétosomes lyophilisés extraits de bactéries magnétotactiques selon la condition 3. (b), Flux thermique en mW en fonction de la température produit par un échantillon comprenant 3 mg de magnétosomes lyophilisés extraits de bactéries magnétotactiques selon la condition 3. (c), Variation du pourcentage en poids en fonction de la température ainsi que la dérivée de cette variation en fonction de la température pour un échantillon comprenant 3 mg de nanoparticules SIGMA lyophilisées. (d), Flux de chaleur en mW en fonction de la température produit par un échantillon comprenant 3 mg de nanoparticules SIGMA lyophilisées. En ce qui concerne les Figures 2(a) et 2(c), l'axe des y peut être remplacé par le pourcentage en masse conduisant aux mêmes courbes. : Schéma de principe représentant trois pics différents dus à la variation du flux de chaleur des nanoparticules en fonction de la température. Tmax, TminFWHMheatflow, TmaxFWHMheatflow, sont les températures menant à la valeur maximale du flux thermique (Imax) pour Tmaxheatflow, la valeur du flux thermique égales à Imax/2 pour les températures TminFWHMHeatflow et TmaxFWHMHhF. Les régions de: i), début ou aval du pic de flux de chaleur et ii), fin ou amont du pic sont indiquées. Les emplacements de T1, T2 et T3, par rapport au pic de flux de chaleur, sont indiqués. : Schéma de principe représentant un pic dû à la variation en fonction de la température de la dérivée de la variation en masse des nanoparticules en fonction de la température. Tmax(pic), TminFWHM, TmaxFWHM, sont les températures conduisant à la valeur maximale du flux de chaleur (Imax) pour Tmax(pic), les valeurs du flux de chaleur égales à Imax/2 pour les températures TminFWHM et TmaxFWHM, où TminFWHM : Diagramme schématique représentant un traitement thermique typique utilisé pour chauffer les nanoparticules, où la température des nanoparticules a été augmentée d'une température Ti à une température T1 pendant un temps t11P, puis la température des nanoparticules a été maintenue à la température T1 pendant t12P, la température des nanoparticules a été augmentée de T1 à T3 pendant t31P, puis la température des nanoparticules a été maintenue à une température T3 pendant t32P, puis la température des nanoparticules a été augmentée de T3 à T2 pendant t21P, puis la température des nanoparticules a été maintenue à T2 pendant t22P, puis la température des nanoparticules a été réduite de T2 à Tf pendant t23P. EXEMPLES: MATÉRIEL ET MÉTHODES: Equipements utilisés pour analyser et chauffer les différents échantillons: TGA-DSC: «Analyse thermogravimétrique» (TGA) couplée à la «Calorimétrie différentielle à balayage» (DSC) est utilisée pour mesurer le flux thermique (en mW) ou le pourcentage de perte de masse de poudres contenant des magnétosomes lyophilisés (traités ou non), bactéries entières lyophilisées, ou nanoparticules SIGMA lyophilisées en fonction de la température de chauffage de ces poudres. Pour les mesures, les poudres sont chauffées à une vitesse de 6 °C par minute entre 20 °C et 600 °C. La dérivée du pourcentage de la variation de masse de ces poudres est également représentée en fonction de la température. Les profils en TGA-DSC permettent de définir les températures pour lesquelles le matériau, de préférence un matériau organique, situé dans ou à la surface des magnétosomes ou des nanoparticules sera dégradé, enlevé des nanoparticules, ou transformé. Les analyses TGA et DSC ont été effectuées avec le SDT Q600 (instrument TA), qui consiste en une enceinte fermée, un four avec contrôle de la température, une micro-balance et un thermocouple pour mesurer la température. CHNS: ''Analyseur de carbone élémentaire, d'hydrogène, azote, et de soufre.'' Les mesures CHNS sont effectuées à l'aide d'un analyseur CHNS (Flash Elemental Analyzer EA 1112 de Thermo Fischer Scientific) à l'aide d'une masse de 3 mg par mesure de magnétosomes lyophilisés (conditions de traitement n ° 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11), bactéries entières lyophilisées, nanoparticules SIGMA lyophilisées (non traitées). Les mesures CHNS permettent de déterminer les pourcentages en masse de carbone et d’azote dans les différentes poudres. Four: Un four à moufle (Nabertherm L9/11/B410) est utilisé pour chauffer 30 ou 500 mg de magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques à la suite des conditions n °1 ou 2 sans traitement thermique supérieur à 200 °C ou avec traitement thermique supérieur à 200 °C. (suivant les conditions n ° 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 ou 11). Pour cela, la poudre de 30 ou 500 mg de chaque échantillon est déposée dans un récipient en porcelaine non recouvert et placée au centre du four. Un programme est utilisé pour effectuer les différentes conditions de chauffage. Le four permet de maintenir la température des nanoparticules ou la température à l'intérieur du four à une température donnée de plus ou moins 2 °C, ou le four permet d'obtenir une température stable entre 20 °C et 380 °C avec une fluctuation de 2 °C maximum. Préparation des différents échantillons: Croissance de bactéries magnétotactiques MSR-1 entières: 50 ml de bactéries magnétotactiques MSR-1 achetées auprès de DSMZ ont tout d'abord été divisés en 83 échantillons/Eppendorf de 600 μL, puis congelés à -80 °C. Les bactéries magnétotactiques MSR-1 ont été cultivées dans un fermenteur de 70 litres en quatre étapes. Au cours des trois premières étapes, appelées étapes de pré-croissance, les bactéries ont été amplifiées sans produire une grande quantité de magnétosomes. Au cours de la dernière étape, appelée étape de croissance, les bactéries ont produit des magnétosomes. L'étape 1 de pré-croissance s'est déroulée selon le protocole suivant. Nous avons utilisé une bouteille de 500 ml que nous avons remplie avec 250 ml d’eau déionisée, 1,3 g de lactate de sodium à 60% (2,6 g/l), 0,2 g d’ammonium (0,4 g/L), 0,05 g d’extrait de levure (0,1 g/l), 0,05 g de sulfate de magnésium heptahydraté (0,1 g/L), 0,25 g de phosphate de potassium dibasique trihydraté (0,5 g/L), 250 µL d’une solution de minéral élixir à pH 7 contenant dans 1 litre d’eau désionisée: 15 g d'acide nitriloacétique trisodique, 3 g de sulfate de magnésium heptahydraté, 2 mg de sulfate de manganèse (II) monohydraté, 10 g de chlorure de sodium, 3 mg de nitrate de cobalt (II) hexahydraté, 30 g de chlorure de calcium, 1 g de fer (II) ) sulfate heptahydraté, 3 mg de sulfate de zinc heptahydraté, 2 mg de sulfate de cuivre pentahydraté, 5 mg de potassium disulfate d’aluminium dodécahydraté, 100 mg d’acide borique, 100 mg de molybdate de sodium (VI) dihydraté, 2 mg de chlorure de nickel hexahydraté, 3 mg de sélénite disodique pentahydraté. Nous avons ajouté de l'eau désionisée au milieu de pré-croissance jusqu'à ce que le volume total du milieu de pré-croissance soit de 500 ml. Le milieu de pré-croissance ainsi obtenu a été homogénéisé et filtré à l'aide d'une unité de filtration (avec des filtres d'une taille de pores de 0,45 µm) pour la stérilisation. Un aliquot de 600 µl de bactérie magnétotactique MSR-1 a été décongelé dans un bain-marie à 37 °C pendant 5 min et les bactéries ont été introduites dans 250 ml du milieu de pré-croissance préalablement filtré. Les bactéries ont ensuite été incubées à 29,5 °C pendant 5 jours sans agitation. Pour l’étape de pré-croissance numéro 2, un volume de 3 litres de milieu de pré-croissance a été préparé en mélangeant 500 ml d’eau déionisée avec 7,8 g de lactate de sodium à 60% (2,6 g/L), 1,2 g de chlorure d’ammonium (0,4 g/l), 0,3 g d’extrait de levure (0,1 g/l), 0,3 g de sulfate de magnésium heptahydraté (0,1 g/l), 1,5 g de phosphate de potassium dibasique trihydraté (0,5 g/l), 1500 µL d’une solution de minéral élixir préparé comme décrit précédemment. Le volume final du milieu de pré-croissance a été ajusté avec de l'eau déionisée pour atteindre 3 litres. Le milieu de pré-croissance a été homogénéisé et filtré à l'aide d'une unité de filtration (utilisant des filtres ayant une taille de pores de 0,45 µm) pour stériliser le milieu de pré-croissance. Dans une bouteille de 5 litres, on a introduit 1,5 litre de milieu de pré-croissance avec 250 ml de bactéries provenant de l'étape de pré-croissance 1. L'ensemble du milieu comprenant les bactéries a été agité à 110 tours par minute à une température de 29,5 °C pendant 72 heures. Pour l’étape 3 de pré-croissance, un volume de 8 litres de milieu de pré-croissance a été préparé en mélangeant 1 L d’eau déionisée à 20,8 g de lactate de sodium à 60% (2,6 g/L), 3,2 g de chlorure d’ammonium (0,4 g/L), 0,8 g d’extrait de levure (0,1 g/L), 0,8 g de sulfate de magnésium heptahydraté (0,1 g/L), 4 g de phosphate de potassium dibasique trihydraté (0,5 g/L), 4000 µL d’une solution de minéral élixir préparé comme décrit précédemment. Le volume du milieu de croissance a été ajusté à 8 litres en utilisant de l'eau déionisée. Le milieu de pré-croissance a été homogénéisé et filtré à l'aide d'une unité de filtration (filtres à pores de 0,45 µm) pour stériliser le milieu de pré-croissance. Dans une bouteille de 10 L, 4 L de milieu de pré-croissance ont été introduits avec 1,5 L de bactéries magnétotactiques provenant de l'étape de pré-croissance 2. Le milieu entier a été agité à 110 tours par minute à une température de 29,5 °C pendant 24 heures. Pour démarrer l’étape de croissance dans le fermenteur de 70 litres, un volume de 5 litres de milieu de fermentation a tout d’abord été préparé en mélangeant 2 litres d’eau déionisée, 46,8 g de lactate de sodium à 60% (9,4 g/L), 7,8 g de chlorure d’ammonium (1,5 g/l), 2,3 g d'extrait de levure (0,5 g/l), 0,95 g de sulfate de magnésium heptahydraté (0,19 g/l), 2,3 g de phosphate de potassium dibasique trihydraté (0,5 g/l), 2800 μL d'une solution de minéral élixir préparé comme décrit précédemment. Le volume final du milieu de fermentation a été ajusté à 5 litres avec de l'eau déionisée. Le milieu entier a été homogénéisé et filtré à l'aide d'une unité de filtration (utilisant des filtres à pores de 0,45 µm) pour stériliser le milieu de fermentation. Un volume de 15 litres de milieu alimenté en discontinu a été préparé en mélangeant 5 litres d’eau déionisée avec 1500 g d’acide lactique à 90% (100 g/L), 270 ml d’une solution d’ammoniac à 28% (5 g/L), 90 g de phosphate de potassium dibasique trihydraté (6 g/L), 36 g de sulfate de magnésium heptahydraté (2,4 g/L), 30 g de chlorure de fer hexahydraté (2 g/L), 90 g d’extrait de levure (6 g/L), on prépare comme décrit précédemment 105 ml d’une solution d’élixir minéral. Le volume final du milieu alimenté en batch a été ajusté à 15 litres avec de l'eau désionisée. Le milieu entier a été homogénéisé et filtré à l’aide d’une unité de filtration (filtres à pores de 0,45 µm) pour la stérilisation. Enfin, un volume de 1 mL de polypropylène a été ajouté de manière aseptique dans le milieu de culture après filtration afin d'éviter la formation de mousse susceptible de se produire pour une densité de bactéries supérieure à une densité optique de 2. Après pasteurisation du fermenteur de 70 litres, 10 litres d'eau, 5 litres de milieu de fermentation et 4 ou 8 litres de bactéries résultant de l'étape de pré-croissance 3 ont été introduits dans le fermenteur, de sorte que la densité optique (mesurée à 565 nm) du milieu de croissance comprenant les bactéries était au début de la fermentation entre 0,09 et 0,11. La température du milieu de fermentation a été maintenue à 29,5 °C pendant toute la durée de la fermentation. Le pH du milieu de fermentation a été maintenu à 6,9 pendant toute la durée de la fermentation en ajoutant un milieu Fed-Batch, qui comprend du fer et permet donc la production de magnétosomes en grande quantité. La durée totale de la fermentation était de 75 heures, avec une diminution de la teneur en oxygène de 21% au début de la fermentation à 0,9% 12 heures plus tard. Entre 12 heures et 75 heures, le pourcentage d'oxygène dissous dans le milieu de croissance est maintenu au-dessus de 0% pour permettre la croissance des bactéries et inférieur à 0,9% pour permettre la synthèse de magnétosomes. Pour maintenir cette concentration en oxygène dans le milieu de croissance, une concentration croissante en oxygène a été fournie au milieu de fermentation avec un débit à 0,5 L/min compris entre 0 et 16 heures et un débit compris entre 0,5 L/min et 5 L/min entre 16 et 75 heures tout au long de l'étape de fermentation. 75 heures après le début de l'étape de croissance, c'est-à-dire lorsque la densité optique mesurée à 565 nm atteint un plateau entre 10 et 20, la fermentation est arrêtée en arrêtant l'oxygénation, le Fed-Batch et l'agitation. Les bactéries magnétotactiques sont ensuite collectées et concentrées à l'aide d'un système de filtration tangentielle jusqu'à une densité optique mesurée à 565 nm (OD565nm), comprise entre 100 et 200. Echantillon 0: Un volume de 1 mL de bactéries concentrées est lyophilisé. Une masse de 3 mg de bactéries lyophilisées est utilisée pour l'analyse par TGA-DSC et une autre masse de 12 mg de bactéries lyophilisées est utilisée pour 3 mesures de CHNS. L'échantillon 0 a été préparé à partir de 8 fermentations différentes. Echantillons comprenant des magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques sans traitement thermique supérieur à 200 ° C: Condition 1 de lyse: 100 ml de bactéries magnétotactiques cultivées, concentrées à une DO565nm de 120, ont été mélangés à 400 ml de NaOH 5 M, puis soumis à une sonication et chauffés à 60 °C pendant 1 heure à l'aide d'un bain à ultrasons pour lyser les bactéries. Les magnétosomes traités ont ensuite été isolés des débris bactériens en plaçant un aimant Neodinium une nuit contre la paroi du récipient contenant la suspension de bactéries lysées et en remplaçant le surnageant contenant le milieu et les débris bactériens par du PBS 1X. La suspension résultante a ensuite été soniquée pendant 20 secondes à 10W en présence de PBS IX, placée contre un aimant de Neodinium pendant 15 minutes, le surnageant a été retiré et les magnétosomes traités ont été remis en suspension dans du PBS IX. Cette séquence de sonication et de séparation magnétique a été répétée quatre fois. Pour un fermenteur entier, ce traitement a été répété 10 fois dans 10 volumes différents. On a ainsi obtenu des chaînes de magnétosome pyrogènes extraites de bactéries magnétotactiques MSR-1, c'est-à-dire environ 500 mg de fer dans des magnétosomes compris dans 1,7 ml d'eau. Echantillon 1: Il comprend des magnétosomes obtenus à partir de la condition 1 de lyse. 100 µL de la suspension de magnétosomes résultant de la condition 1 de lyse ont été lyophilisés pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Condition 2 de lyse: les bactéries magnétotactiques concentrées ont été congelées à -80 °C pendant 48 heures. Après décongélation et dilution du concentré avec de l'eau MilliQ pour obtenir une DO565nm de 30, une quantité de KOH a été ajoutée pour obtenir les bactéries concentrées afin d'obtenir une concentration finale en KOH de 1M. Cette solution a été transférée dans un réservoir en polypropylène (PP) et placée dans le bain-marie à 80 °C sous agitation à 150 tours par minute avec un tampon d'agitation mécanique (Fisher Scientific) pendant 30 minutes. Ensuite, le contenu du réservoir a été transféré dans 4 bouteilles en verre de 2 litres. Chaque bouteille a été placée contre un aimant NdFeB pendant 12 heures pour sélectionner magnétiquement les magnétosomes extraits. Les magnétosomes ont ensuite été lavés 6 fois dans des bouteilles de 500 mL par sélection magnétique, jusqu'à obtention d'un surnageant limpide. Les deux premiers lavages ont été effectués avec du PBS 10X, ce qui permet de revenir plus rapidement à un pH neutre par rapport à l'eau. Ensuite, les quatre autres lavages ont été effectués avec de l'eau. Après la lyse, le pH basique du lysat, causé par le KOH, a été ramené à un pH neutre afin de ne pas endommager les magnétosomes. Pour un fermenteur entier, ce traitement a été effectué 5 fois. On a ainsi obtenu des chaînes de magnétosomes pyrogènes extraites de la souche MSR-1, à savoir environ 500 mg de magnétosomes en le fer, dans 1,7 ml. Echantillon 2: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 2 de lyse. 100 µl de la suspension de magnétosomes résultant de la condition 2 de lyse ont été lyophilisés pour effectuer une mesure de 3 mg de poudre de magnétosome avec TGA-DSC et 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Echantillons comprenant du magnétosome extrait de bactéries magnétotactiques et traités au phénol-chloroforme: Condition 3 de traitement: 100 µl de la suspension contenant 30 mg en fer de magnétosomes obtenus à la condition 1 de lyse ont été mélangés à 200 ml d'une solution contenant 1% de Triton X-100 et 1% de SDS. Le mélange a été chauffé pendant une nuit à 50 °C, a été placé contre un aimant de Neodinium, le surnageant a été retiré et remplacé par 80 ml de phénol à pH 8. La suspension obtenue a été chauffée pendant 2 heures sous sonication à 60 °C pendant une nuit à 60 °C sans sonication, placé contre un aimant, le surnageant de la suspension a été retiré et remplacé par 80 ml de chloroforme. La suspension contenant le chloroforme a été placée contre un aimant de Neodinium, le surnageant a été éliminé et le chloroforme résiduel adsorbé à la surface des magnétosomes traités a été éliminé par chauffage de ces magnétosomes pendant 2 heures sous une hotte. Enfin, les noyaux des magnétosomes ainsi obtenus ont été désorbés de la paroi de verre des tubes les contenant en ajoutant 80 ml de NaOH 1 M chauffés pendant 1 heure à 60 °C dans un bain à ultrasons. La suspension contenant les noyaux des magnétosomes a été placée contre un aimant Neodinium. Le surnageant a été retiré et remplacé par de l'eau MilliQ stérile. La suspension a été traitée par ultrasons pendant 20 secondes à 10 W. Cette séquence de lavage a été répétée quatre fois. Des magnétosomes purifiés non pyrogène ont été obtenus dans un petit volume d’eau non-pyrogène. Echantillon 3: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 3 du traitement. 300 µL de la suspension de magnétosomes résultant de la condition 3 du traitement ont été lyophilisés pour effectuer une mesure de 3 mg de poudre de magnétosome avec le TGA-DSC et 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Échantillons comprenant du magnétosome extrait de bactéries magnétotactiques et chauffés à des températures supérieures à 200 ° C: Condition 4 de traitement thermique: 100 µl de la suspension contenant environ 30 mg en fer de magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques MSR-1 à la suite de la condition 2 de lyse ont été lyophilisés, introduits dans un creuset en porcelaine et cuits au four Nabertherm L9/11/B410. Le protocole de chauffage était le suivant. La température du four a été augmentée de 20 °C à 200 °C à une vitesse de 6 °C/min jusqu'à ce que la température du four atteigne 200 °C et que la température de 200 °C dans le four soit maintenue pendant une heure. Ensuite, la température du four a été réduite de 200 °C à 25 °C en 12 heures. Echantillon 4: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 4 du traitement. On a lyophilisé 12 mg de poudre de magnétosome résultant de la condition 4 du traitement pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Condition 5 de traitement thermique: 100 µl de la suspension contenant environ 30 mg en fer de magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques MSR-1 à la suite de la condition 2 de lyse ont été lyophilisés, introduits dans un creuset en porcelaine et cuits au four Nabertherm L9/11/B410. Le protocole de chauffage était le suivant. La température du four a été augmentée de 20 °C à 400 °C à une vitesse de 6 °C/min jusqu'à ce que la température du four atteigne 400 °C. La température dans le four a été maintenue à 400 °C pendant une heure. Ensuite, la température du four a été réduite de 400 °C à 25 °C en 20 heures. Echantillon 5: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 5 du traitement. 12 mg de poudre de magnétosome résultant de la condition 5 du traitement ont été utilisés pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Condition 6 de traitement thermique: 100 µl d'une suspension comprenant 30 mg en fer de magnétosomes préparés selon la condition 2 de lyse ont été lyophilisés, puis introduits dans un creuset en porcelaine et chauffés dans le four Nabertherm L9/11/B410. Le traitement thermique était comme suit. La température du four a été augmentée de 20 °C à 200 °C en 20 minutes à une vitesse de 9 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 200 °C pendant 30 minutes. La température du four a ensuite été augmentée de 200 °C à 300 °C en 10 minutes à une vitesse de 10 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 300 °C pendant 1 heure. Ensuite, la température du four a été réduite de 300 °C à 25 °C en 12 heures. Echantillon 6: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 6 du traitement. 12 mg de poudre de magnétosome résultant de la condition 6 du traitement ont été utilisés pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Condition 7 de traitement thermique: 100 µl d'une suspension comprenant 30 mg en fer de magnétosomes préparés selon la condition 2 de lyse ont été lyophilisés, puis introduits dans un creuset en porcelaine et chauffés dans le four Nabertherm L9/11/B410. Le traitement thermique était comme suit. La température du four a été augmentée de 20 °C à 200 °C en 20 minutes à une vitesse de 9 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 200 °C pendant 30 minutes. La température du four a ensuite été augmentée de 200 °C à 300 °C en 10 minutes à une vitesse de 10 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 300 °C pendant 1 heure. La température du four a ensuite été augmentée de 300 à 380 °C en 10 minutes à une vitesse de 8 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 380 °C pendant 1 heure. La température du four a ensuite été augmentée de 380 °C à 550 °C en 20 minutes à une vitesse de 8,5 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 550 °C pendant 1 heure. Ensuite, la température du four a été réduite de 550 °C à 25 °C en 20 heures. Echantillon 7: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 7 du traitement. 12 mg de poudre de magnétosome résultant de la condition 7 du traitement ont été utilisés pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Condition 8 de traitement thermique: 100 µl de la suspension contenant 30 mg de fer de magnétosomes préparés selon la condition 2 de lyse ont été lyophilisés, puis introduits dans un creuset en porcelaine et cuits au four Nabertherm L9/11/B410. Le traitement thermique était comme suit. La température du four a été augmentée de 20 °C à 200 °C en 20 minutes à une vitesse de 9 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 200 °C pendant 30 minutes. La température du four a ensuite été augmentée de 200 °C à 300 °C en 10 minutes à une vitesse de 10 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 300 °C pendant 1 heure. La température du four a été augmentée de 300 °C à 380 °C en 10 minutes à une vitesse de 8 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 380 °C pendant 1 heure. Ensuite, la température du four a été réduite de 380 °C à 25 °C en 12 heures. Echantillon 8: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 8 du traitement. 12 mg de poudre de magnétosome résultant de la condition 8 de traitement ont été utilisés pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Condition 9 de traitement thermique: 100 µl de la suspension contenant 30 mg en fer de magnétosomes préparés selon la condition 1 de lyse ont été lyophilisés, puis introduits dans un creuset en porcelaine et chauffés au four Nabertherm L9/11/B410. Le traitement thermique était comme suit. La température du four a été augmentée de 20 °C à 200 °C en 20 minutes à une vitesse de 9 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 200 °C pendant 30 minutes. La température du four a ensuite été augmentée de 200 °C à 300 °C en 10 minutes à une vitesse de 10 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 300 °C pendant 1 heure. La température du four a été augmentée de 300 °C à 380 °C en 10 minutes à une vitesse de 8 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 380 °C pendant 1 heure. Ensuite, la température du four a été réduite de 380 °C à 25 °C en 12 heures. Echantillon 9: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 9 du traitement. 12 mg de poudre de magnétosome résultant de la condition 9 de traitement ont été utilisés pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Condition 10 de traitement thermique: 1,7 ml d'une suspension contenant 500 mg en fer de magnétosomes préparés selon la condition n °2 de lyse, ont été lyophilisés puis introduits dans un creuset en porcelaine et chauffés au four Nabertherm L9/11/B410. Le protocole de chauffage était comme suit. La température du four a été augmentée de 20 °C à 200 °C en 2 heures 30 minutes à une vitesse de 1,2 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 200 °C pendant 1 heure. La température du four a ensuite été augmentée de 200 °C à 300 °C en 1h20 à une vitesse de 1,25 °C/min. La température du four a ensuite été maintenue à 300 °C pendant 2 heures. La température du four a ensuite été augmentée de 300 °C à 380 °C en 1 heure 20 minutes à une vitesse de 1 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 380 °C pendant 2 heures. Ensuite, la température du four a été réduite de 380 °C à 25 °C en 12 heures. Echantillon 10: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 10 de traitement. 12 mg de poudre de magnétosome résultant de la condition 10 de traitement ont été utilisés pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Condition 11 de traitement thermique: on lyophilise 1,7 ml d'une suspension contenant 500 mg en fer de magnétosomes préparés selon la condition n ° 1 de lyse, puis on l'introduit dans un creuset en porcelaine et on la chauffe au four Nabertherm L9/11/B410. Le traitement thermique était comme suit. La température du four a été augmentée de 20 °C à 200 °C en 2 heures et 30 minutes à une vitesse de 1,2 °C/min. La température du four a ensuite été maintenue à 200 °C pendant 1 heure. La température du four a ensuite été augmentée de 200 °C à 300 °C en 1h20 à une vitesse de 1,25 °C/min. La température du four a ensuite été maintenue à 300 °C pendant 2 heures. La température du four a ensuite été augmentée de 300 °C à 380 °C en 1 heure 20 minutes à une vitesse de 1 °C/minute. La température du four a ensuite été maintenue à 380 °C pendant 2h. Ensuite, la température du four a été réduite de 380 °C à 25 °C en 12 heures. Echantillon 11: Il comprend des magnétosomes obtenus après la condition 11 du traitement. 12 mg de poudre de magnétosome résultant de la condition 11 du traitement ont été utilisés pour effectuer 3 mesures de 3 mg de poudre de magnétosome avec le CHNS. Ce type de mesures CHNS a été effectué pour 4 cultures différentes en fermenteur. Nanoparticules synthétisées chimiquement (SIGMA, référence: 637106, n° de lot: MKBK2270V): Une poudre de nanoparticules synthétisées chimiquement a été achetée chez SIGMA. Ils ont une taille de 35 ± 13 nm et comprennent, outre de l’oxyde de fer, 198 ppm d’aluminium (Al), 600 ppm de calcium (Ca), 74 ppm de chrome (Cr), 72 ppm de magnésium (Mg), 642,5 ppm de manganèse (Mn), 30 ppm de nickel (Ni), 128 ppm de sodium (Na), 34 ppm de titane (Ti), 8,3 ppm de vanadium (V), 56,5 ppm de zinc (Zn). Échantillon comprenant des nanoparticules SIGMA: une masse de 3 mg de poudre de nanoparticule SIGMA est utilisée pour l'analyse TGA-DSC et une autre masse de 12 mg de poudre de nanoparticule SIGMA est utilisée pour 3 mesures de CHNS. La (a) montre le pourcentage de perte de poids d'un échantillon comprenant 3 mg de bactéries magnétotactiques MSR-1 entières lyophilisées (échantillon 0) en fonction de la température de l'échantillon, lorsque la température de l'échantillon est augmentée de 20 °C à 600 °C à une vitesse de 6 °C par minute, ainsi que la dérivée première de ce pourcentage. Ces mesures ont été effectuées avec un appareil combiné TGA-DTA/DSC, mesurant à la fois le flux thermique en utilisant la calorimétrie différentielle à balayage et les variations de masse en utilisant la thermogravimétrie en fonction de la température. Les mesures CHNS de 3 mg de bactéries magnétotactiques MSR-1 entières lyophilisées (échantillon 0) ont montré qu'elles contenaient un pourcentage élevé de carbone de 44%, avant d'être chauffées ( (a)). Le pourcentage en poids de cet échantillon diminue de 100% à 20 °C à 5,5% à 600 °C, ce qui indique que l’échantillon perd la plus grande partie de sa masse entre 20 et 600 °C. Plus précisément, il apparaît sur la (a) que la pente de la variation du pourcentage de poids en fonction de la température est la plus grande dans deux plages de température: entre 200 et 400 °C (intervalle 1) et entre 400 et 540 °C (intervalle 2). Entre 200 et 400 ° C, la variation en fonction de la température de la pente du pourcentage de poids en fonction de la température affiche un double pic dont les maxima sont à 260 °C et 315 °C. Ce double pic pourrait être dû à la perte par l'ensemble des bactéries magnétotactiques de matière organique, préférentiellement de type 1, pour le pic centré à 260 °C et de matière organique, préférentiellement d'un type différent du type 1 tel que le type 2, pour le pic centré à 315 °C. Entre 400 et 540 °C, la variation en fonction de la température de la pente du pourcentage de variation de poids en fonction de la température affiche un pic. Ce pic pourrait être dû à la perte par les nanoparticules de matériau organique, préférentiellement d'un type différent du type 1 ou du type 2 tel que le type 3. La (b) montre le flux thermique en milliwatt d'un échantillon comprenant 3 mg de bactéries magnétotactiques entières lyophilisées en fonction de la température de l'échantillon, lorsque la température de l'échantillon est augmentée de 20 ° C à 600 ° C à une vitesse de 6 ° C par minute. Ces mesures ont été effectuées avec un appareil TGA-DSC. La (b) montre deux pics avec le flux de chaleur maximum observé à des températures de 330 ° C et 500 ° C. Le pic centré à 330 ° C pourrait être attribué à la combustion de la masse de nanoparticules perdues ou éliminées des nanoparticules ou transformées entre 200 et 400 ° C. Le pic à 500 ° C pourrait être attribué à la combustion de la masse de nanoparticules perdue entre 500 et 540 ° C. La (c) montre le pourcentage de variation du poids d'un échantillon comprenant 3 mg de chaînes de magnétosomes lyophilisées préparées selon la condition 2 de lyse en fonction de la température de l'échantillon, lorsque la température de l'échantillon est augmentée de 20 °C à 600 °C à la vitesse de 6 °C par minute, ainsi que la dérivée première de ce pourcentage. Ces mesures ont été effectuées avec un appareil TGA-DSC. Les mesures CHNS des chaînes de magnétosomes lyophilisées (condition n°2) ont montré qu'elles contiennent un pourcentage de carbone de 7% avant d'être chauffées, ce qui est bien inférieur au pourcentage de carbone de bactéries magnétotactiques entières ( (a)). Le pourcentage en poids de l'échantillon comprenant des chaînes de magnétosomes diminue de 100% à 20 °C à 91,4% à 600 °C, ce qui indique que l'échantillon comprenant des chaînes de magnétosomes perd beaucoup moins en masse, soit 8,6%, que l'échantillon comprenant les bactéries magnétotactiques entre 20 °C et 600 °C. Plus précisément, il apparaît sur la (c) que la pente de la variation du pourcentage en poids des chaînes de magnétosomes en fonction de la température est la plus grande dans la plage de températures de 200 à 400 °C. Entre 200 et 400 ° C, la variation en fonction de la température de la pente du pourcentage en poids des chaînes de magnétosomes en fonction de la température affiche un double pic dont les maximums sont à 260 °C et 315 °C, des positions similaires que ceux du double pic observé avec des bactéries entières. Ce double pic pourrait être dû à la perte par les chaînes de magnétosomes de matériau organique, préférentiellement du matériau organique de type 1, pour le pic centré à 260 °C, et de matériau organique, préférentiellement matériau organique de type 2 pour le pic centré à 315 °C, où cette matière organique provient probablement de la membrane organique entourant le noyau d'oxyde de fer minéral des magnétosomes. La (d) montre le flux thermique en milliwatt d'un échantillon comprenant 3 mg de chaînes de magnétosomes lyophilisées en fonction de la température de l'échantillon, lorsque la température de l'échantillon est augmentée de 20 °C à 600 °C à une vitesse de 6 °C par minute. Ces mesures ont été effectuées avec un appareil TGA-DSC. La (d) montre trois pics avec le flux thermique maximal observé à des températures de 250 °C, 360 °C et 525 °C. Les pics centrés à 250 °C et à 360 °C pourraient être attribués à la combustion de la masse de nanoparticules perdue entre 200 et 400 °C. Le pic à 525 °C pourrait être attribué à la combustion de la masse de nanoparticules perdues au-dessus de 500 °C et/ou à l'oxydation des magnétosomes à partir d'une composition d'oxyde de fer composée de magnétite, de maghémite ou d'une composition intermédiaire entre la magnétite. et de la maghémite en hématite, ce qui pourrait entraîner un dégagement de chaleur éventuellement causé par une réaction exothermique. La (a) montre la variation du pourcentage en poids d'un échantillon comprenant 3 mg de magnétosomes lyophilisés (échantillon 3), préparé selon la condition 3 en fonction de la température de l'échantillon, lorsque la température de l'échantillon est augmentée de 20 °C à 600 °C à raison de 6 °C par minute, ainsi que la dérivée première de ce pourcentage. Ces mesures ont été effectuées avec un appareil TGA-DSC. Les mesures CHNS de magnétosomes lyophilisés préparés selon la condition 3 ont montré qu’ils contenaient un pourcentage de carbone de 4% avant chauffage, ce qui est inférieur au pourcentage de carbone dans les magnétosomes préparés selon la condition 2. Le pourcentage en poids de l’échantillon comprenant des magnétosomes (échantillon 3) diminue de 100% à 20 °C à 95,1% à 600 °C, ce qui indique que l’échantillon 3 comprenant des magnétosomes préparés selon la condition 3 perd moins de poids, c’est-à-dire 4,9%, que l’échantillon 2 contenant des magnétosomes préparé selon la condition 2. Plus précisément, il apparaît sur la (a) que la pente de la variation du pourcentage de poids en fonction de la température est la plus grande dans la plage de températures de 200 à 400 °C. Entre 200 et 400 °C, la variation en fonction de la température de la pente du pourcentage en poids en fonction de la température affiche un pic quadruple dont les maxima sont à 264 °C, 286 °C, 325 et 331 °C. Les deux pics à 264 °C et 325 °C peuvent être associés à des épaulements de pics. Ce quadruple pic pourrait être dû à la perte par les nanoparticules de matériau organique, préférentiellement de type 1, pour le pic centré à 264 °C, de matériau organique, préférentiellement de type 3, pour le pic centré à 286 °C, de matériau, préférentiellement de type 2 pour le pic centré à 325 °C, et de matériau organique, préférentiellement de type 4, pour le pic centré à 331 °C, lorsque ce matériau organique provient probablement d'une matière organique entourant ou se trouvant à la surface du noyau d'oxyde de fer minéral des magnétosomes. La (b) montre le flux thermique en milliwatt d'un échantillon comprenant 3 mg de magnétosomes lyophilisés, préparé conformément à la condition 3 (Sample3), en fonction de la température de l'échantillon, lorsque la température de l'échantillon est augmentée de 20 °C à 600 °C à raison de 6 °C par minute. Ces mesures ont été effectuées avec un appareil TGA-DSC. La (b) montre quatre pics avec le flux thermique maximal observé à des températures de 277 °C, 335 °C, 455 °C et 522 °C. Les pics centrés à 277 °C et à 335 °C pourraient être attribués à la combustion de la masse de nanoparticules perdue entre 200 et 400 °C. Les pics à 455 et 522 °C pourraient être attribués à la combustion de la masse de nanoparticules perdue au-dessus de 500 °C et/ou à l'oxydation des magnétosomes d'une composition d'oxyde de fer composée de magnétite, de maghémite ou d'une composition intermédiaire entre la magnétite et la maghémite en hématite, ce qui pourrait entraîner un écoulement de chaleur éventuellement causé par une réaction exothermique. La (c) montre la variation du pourcentage en poids d'un échantillon comprenant 3 mg de poudre de nanoparticules SIGMA, achetée chez Merck Sigma, en fonction de la température de l'échantillon, lorsque la température de l'échantillon est augmentée de 20 °C à 600 °C à la vitesse de 6 °C par minute, ainsi que la dérivée première de ce pourcentage. Ces mesures ont été effectuées avec un appareil TGA-DSC. Les mesures CHNS de nanoparticules SIGMA lyophilisées ont montré qu’elles contenaient un pourcentage de carbone de 0,3% avant chauffage, ce qui est inférieur au pourcentage de carbone dans les magnétosomes préparés selon la condition 3 (échantillon 3). Le pourcentage en poids de l'échantillon comprenant les nanoparticules SIGMA diminue de 100% à 20 °C à 98,7% à 600 °C, ce qui indique que l'échantillon contenant des nanoparticules SIGMA perd moins de masse, soit 1,3%, que les magnétosomes préparés selon les conditions 2 et 3. Plus précisément, il apparaît sur la (c) que la pente de la variation du pourcentage en poids de nanoparticules SIGMA en fonction de la température est la plus grande dans la plage de températures de 200 à 400 °C. Entre 200 et 400 °C, la variation en fonction de la température de la pente du pourcentage en poids de nanoparticules SIGMA en fonction de la température affiche un pic dont le maximum est à 296 °C. Ce pic pourrait être dû à la perte par les nanoparticules de matériau organique, préférentiellement de type 5, ce matériau organique pouvant provenir d'un matériau organique adsorbé à la surface ou compris dans ou à la surface des nanoparticules SIGMA. La (d) montre le flux thermique en milliwatt d'un échantillon comprenant 3 mg de poudre de nanoparticules SIGMA en fonction de la température de l'échantillon, lorsque la température de l'échantillon est augmentée de 20 °C à 600 °C à une vitesse de 6 °C par minute. Ces mesures ont été effectuées avec un appareil TGA-DSC. La (d) montre deux pics avec le flux de chaleur maximal observé à des températures de 200 °C et 515 °C. Le pic centré à 200 °C pourrait être attribué à la combustion de la masse de nanoparticules perdue entre 200 et 400 °C. Le pic centré à 515 °C pourrait être attribué à la combustion de la masse de nanoparticules perdue au-dessus de 500 °C et/ou à l'oxydation des magnétosomes d'une composition d'oxyde de fer composée de magnétite, de maghémite ou d'une composition intermédiaire magnétite et maghémite en hématite, pouvant entraîner un dégagement de chaleur éventuellement provoqué par une réaction exothermique résultant de l'oxydation. Détermination des différents types d'impuretés, préférentiellement de matières organiques, pouvant être éliminées, libérées ou dissociées des nanoparticules: Chaque température correspondant ou conduisant à la valeur maximale de la dérivée de la variation du pourcentage en poids de magnétosomes ou de nanoparticules Sigma en fonction de la température pourrait être associé à un certain type de matériau organique qui est retiré des nanoparticules. Ainsi, en connaissant les valeurs de ces températures, il est possible de comparer entre différents échantillons, le type de matériau organique pouvant être éliminé des nanoparticules. Détermination des températures auxquelles les magnétosomes ont été chauffés dans le four: Dans les différents échantillons étudiés (bactéries magnétotactiques entières, (a), chaînes de magnétosomes extraites de bactéries magnétotactiques, (c), magnétosomes extraits et chauffés (a)), la majeure partie de la matière organique est extraite ou libérée des magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques entre 200 et 400 °C, c’est-à-dire la variation de poids (%) et la dérivée de la variation du poids (%/°C) sont les plus élevés dans cette plage de température. Nous avons donc choisi de chauffer les magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques à différentes températures comprises entre 200 et 400 °C. Détermination de la méthode de lyse conduisant à la plus faible quantité de carbone dans les magnétosomes: Les magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques avec KOH ont une quantité de carbone inférieure à celle du magnétosome extrait de bactéries magnétotactiques avec NaOH (7,1% avec KaOH, échantillon 2, par rapport à 14% avec NaOH, échantillon 1). Les magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques avec du KOH et chauffés à 200 °C pendant 30 minutes, à 300 °C pendant 1 heure et à 380 °C pendant 1 heure ont un pourcentage de carbone inférieur à celui des magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques avec NaOH et chauffés à 200 °C pendant 30 minutes, 300 °C pendant 1 heure et 380 °C pendant 1 heure (0,3% avec KOH, échantillon 8, comparé à 1% avec NaOH, échantillon 9). Les magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques avec KOH et chauffés à 200 °C pendant 1 heure, à 300 °C pendant 2 heures et à 380 °C pendant 2 heures ont un pourcentage de carbone inférieur à celui des magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques avec NaOH et chauffés à 200 °C pendant 1 heure, 300 °C pendant 2 heures et 380 °C pendant 2 heures (0,23% avec KOH, échantillon 10, comparé à 0,8% avec NaOH). Cela indique que KOH est la meilleure méthode de lyse pour obtenir un faible pourcentage de carbone dans les magnétosomes et donc pour obtenir un niveau élevé de purification. Les magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques à l'aide de NaOH puis purifiés par une méthode chimique au phénol et au chloroforme possèdent un pourcentage de carbone supérieur à celui des magnétosomes extraits de bactéries magnétoatctiques à l'aide de NaOH et chauffés à 200 °C pendant 30 minutes. 300 °C pendant 1 heure et 380 °C pendant 1 heure (1% de carbone avec l'échantillon 9 comparé à 5% de carbone avec l'échantillon 3). Détermination de la température de chauffage conduisant à la plus faible quantité de carbone dans les magnétosomes: Considérant les magnétosomes lysés avec du KOH, les chauffer à 400 ° C pendant 1 heure entraîne une quantité de carbone inférieure à celle obtenue lorsqu’ils sont chauffés à 200 °C pendant 1 heure (3% de carbone à 400 °C, échantillon 5, comparé à 5% de carbone à 200 °C, échantillon 4), indiquant que l'augmentation de la température de chauffage permet d'éliminer plus de carbone. Détermination du nombre d'étapes de chauffage conduisant à la plus faible quantité de carbone dans les magnétosomes: Considérant les magnétosomes lysés avec KOH, les chauffer à deux températures différentes de 200 et 300 °C (échantillon 6) ou trois températures différentes de 200 °C , 300 °C et 380 °C (échantillon 8), permet d’éliminer plus de carbone que les chauffer uniquement à une température (il reste 0,65% de carbone dans les magnétosomes lorsqu’ils sont chauffés à 200 °C et 300 °C, échantillon 6 et il reste 0,3% de carbone dans les magnétosomes lorsqu’ils sont chauffés à 200, 300 et 380 °C, échantillon 8). Ceci suggère que pour atteindre un niveau bas de carbone dans les magnétosomes, ceux-ci peuvent être chauffés à plus de deux températures différentes comprises entre 200 °C et 380 °C, telles que 200 °C, 300 °C et 380 °C. Détermination du temps de chauffage conduisant à la plus faible quantité de carbone dans les magnétosomes: Considérant les magnétosomes lysés avec du KOH et chauffés à 200 °C, 300 °C et 380 °C, augmenter le temps de chauffage à 200 °C de 30 minutes à 1 heure et augmenter la durée de chauffage à 300 °C et à 380 °C de 1 heure à 2 heures, diminuent légèrement le pourcentage de carbone restant dans les magnétosomes après traitement thermique (0,23% pour l’échantillon 10 par rapport à 0,3% pour l’échantillon 8). . En conclusion, nous avons développé une méthode de chauffage de nanoparticules, appelées magnétosomes, produites par des cellules spécifiques appelées bactéries magnétotactiques, qui permet d’atteindre un très faible pourcentage de carbone, similaire à celui trouvé dans les nanoparticules synthétisées chimiquement, qui ne sont pas synthétisées par des cellules. Tableaux: Conditions de traitement pour les différents échantillons (échantillons 0 à 11), y compris la condition de lyse (avec NaOH, KOH ou NaOH + Phénol et chloroforme), la température initiale avant chauffage de l'échantillon (Ti), la température T1, la vitesse ri1 à laquelle la température est augmentée de Ti à T1, la durée t1 pendant laquelle la température est maintenue à T1, la température T2, la vitesse r12 à laquelle la température est augmentée de T1 à T2, la vitesse ri2 à laquelle la température est augmentée de Ti à T2, la durée t2 pendant lequel la température est maintenue à T2, la température T3, la vitesse r13 à laquelle la température est augmentée de T1 à T3, la vitesse r32 à laquelle la température est augmentée T3 à T2, la durée t3 pendant laquelle la température est maintenue à t3, la température T4, la vitesse r34 auquel la température est augmentée de T3 à T4, le temps t4 pendant lequel la température est maintenue à T4, la température finale Tf, la vitesse r1f auquel la température diminue de T1 à Tf, la vitesse r2f à laquelle la température diminue de T2 à Tf, la vitesse r3f à laquelle la température diminue de T3 à Tf, la vitesse r4f à laquelle la température diminue de T4 à Tf. [Tableau 2 ] Pour les différents échantillons (échantillons 3 à 11), les pourcentages en masse de carbone (%C) et d'azote (%N) après traitement des nanoparticules dans les conditions 3 à 11, les pourcentages en masse de carbone et (%Ci) et d'azote (% Ni) pour les magnétosomes extraits de bactéries magnétotactiques après la condition 1 ou 2 avant le traitement thermique (échantillons 4 à 11) ou avant le traitement au phénol-chloroforme (échantillon 3). Valeurs de Δ%C = %Ci-%C, Δ%N = %Ni-%N, (100 Δ%C)/%Ci, 100Δ%N)/ Δ%Ni Δ%Ni Méthode d'élimination d'au moins une impureté de nanoparticules à base de métal, comprenant au moins deux étapes de chauffage au cours desquelles: - Au cours de l'étape 1, la température des nanoparticules est augmentée à une température T 1 , puis maintenue à T 1 pendant une durée de chauffage comprise entre 1 seconde et 1 mois, où T 1 est compris entre 50 °C et 500 °C, - Au cours de l'étape 2, la température des nanoparticules est augmentée à une température T 2 , puis maintenue à T 2 pendant une durée de chauffage comprise entre 1 seconde et 1 mois, où T 2 est compris entre 200 °C et 500 °C. Méthode selon la revendication 1, dans laquelle la température des nanoparticules est augmentée à une vitesse comprise entre 10 -5 et 10 5 °C/min. Méthode selon l'une quelconque des revendications 1 à 2, dans laquelle le temps de chauffage, t i (en minutes), est proportionnel à la quantité de nanoparticules chauffées, Qnano (en milligrammes): t i = α.Qnano, où α est compris entre 10 -5 et 10 5 . Méthode selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la durée d'augmentation de la température pour atteindre T 1 , ou T 2 est diminuée en réduisant le pourcentage d'humidité des nanoparticules. Méthode selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle au moins une étape de la méthode est réalisée en présence d'oxygène. Méthode selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle au moins une impureté est constituée de ou comprend ou provient de carbone ou d'un matériau carboné. Méthode selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle au moins une impureté est constituée de ou comprend ou provient d'une cellule, préférentiellement la cellule synthétisant les nanoparticules. Nanoparticule(s) de haute pureté obtenue(s) par la méthode selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant un pourcentage en masse de carbone ou de matériau carboné inférieur à 50, 20, 10, 5, 2, 1, 10 - 1 , 10 - 3 , 10 -5 ou 10 -10 %, préférentiellement inférieur à 0,4%. Nanoparticule(s) de haute pureté selon la revendication 8, comprenant un noyau et éventuellement un revêtement, le noyau comprenant: i) au moins 0,8 g d'oxyde de fer par gramme de noyau de nanoparticule, ii ), éventuellement un matériau dopant à une concentration comprise entre 0,5 et 0,8 g de matériau dopant par gramme de nanoparticule, et iii), des impuretés différentes du fer, de l'oxygène et du matériau dopant, à une concentration inférieure à 0,5 g d'impuretés par gramme de noyau de nanoparticules. Nanoparticule(s) de haute pureté selon l’une quelconque des revendications 8 à 9, qui est ou sont un ou des magnétosomes. Composition comprenant la ou les nanoparticules selon l'une quelconque des revendications 8 à 10. Dispositif médical comprenant la ou les nanoparticules d'oxyde de fer de haute pureté selon l’une quelconque des revendications 8 à 10.