FR 3131802 A1 20230714 FR 2200190 A 20220111 Support de puce La présente description concerne un procédé de fabrication d'un support comprenant une cavité, comprenant : - la formation d'un mur entourant la cavité, le mur comprenant au moins un premier niveau (N1, N2), la formation de chaque premier niveau (N1, N2) comprenant la formation d'une couche de première résine (48) autour d'un premier bloc (46, 50), le premier bloc étant en un matériau différent de la première résine ; et - le retrait du ou des premiers blocs. Figure pour l'abrégé : Fig. 4C Support de puce La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les supports de puces électroniques. Les puces électroniques sont présentes dans de nombreux dispositifs électroniques. Les puces sont souvent placées, pendant une ou plusieurs étapes de fabrication ou pendant leur fonctionnement, dans une structure de support comprenant une cavité, la puce étant située dans la cavité. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des supports de puces connus. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un support comprenant une cavité, comprenant la formation d'un mur entourant la cavité, le mur comprenant au moins un premier niveau, la formation de chaque premier niveau comprenant la formation d'une couche de première résine autour d'un premier bloc, le premier bloc étant en un matériau différent de la première résine, et le retrait du ou des premiers blocs. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation d'une base du support sur laquelle repose le mur, la formation de la base comprenant la formation d'au moins un deuxième niveau, la formation de chaque deuxième niveau comprenant la formation d'une couche de première résine s'étendant en regard de l'emplacement de la cavité. Selon un mode de réalisation, la formation de la base comprend la formation de vias métalliques traversant la base en regard de la cavité. Selon un mode de réalisation, la formation d'au moins certains niveaux comprend la croissance de pistes métalliques et de vias métalliques. Selon un mode de réalisation, le ou les blocs sont en le même matériau que les pistes et vias. Selon un mode de réalisation, les niveaux sont formés sur une plaque au moins partiellement métallique. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes niveaux sont formés sur la plaque avant les premiers niveaux. Selon un mode de réalisation, la plaque constitue la base du support. Selon un mode de réalisation, les premiers niveaux sont formés sur la plaque avant les deuxièmes niveaux. Selon un mode de réalisation, le ou les blocs sont formés par une portion de la plaque. Selon un mode de réalisation, le mur comprend plusieurs niveaux et tous les blocs ont des mêmes dimensions horizontales. Selon un mode de réalisation, au moins une paroi latérale d'au moins un bloc est incliné par rapport au plan du fond de la cavité. Selon un mode de réalisation, les blocs des premiers niveaux les plus proches du fond de la cavité ont au moins une dimension horizontale inférieure à celle des blocs dans les autres premiers niveaux. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend le remplissage de la cavité par une deuxième résine différente de la première résine. Un autre mode de réalisation prévoit un dispositif obtenu par le procédé tel que décrit précédemment, la cavité ayant une hauteur supérieure à 30 µm. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente un mode de réalisation d'un support de puce électronique ; la représente un exemple d'application du mode de réalisation de la ; la représente un autre exemple du mode de réalisation de la ; la représente une étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une étape d'un autre mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une autre étape d'un autre mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente une étape d'un autre mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; la représente un autre mode de réalisation d'un support de puce électronique ; la représente un autre mode de réalisation d'un support de puce électronique ; la représente un autre mode de réalisation d'un support de puce électronique ; la représente un autre mode de réalisation d'un support de puce électronique ; la représente un autre mode de réalisation d'un support de puce électronique ; et la représente un autre mode de réalisation d'un support de puce électronique. Procédé de fabrication d'un support (10, 54, 58, 60, 64) comprenant une cavité (16), comprenant : la formation d'un mur (14) entourant la cavité (16), le mur comprenant au moins un premier niveau (N1, N2), la formation de chaque premier niveau (N1, N2) comprenant la formation d'une couche de première résine (48) autour d'un premier bloc (46, 50), le premier bloc étant en un matériau différent de la première résine ; et le retrait du ou des premiers blocs. Procédé selon la revendication 1, comprenant la formation d'une base (12) du support sur laquelle repose le mur (14), la formation de la base comprenant la formation d'au moins un deuxième niveau (N3, N4), la formation de chaque deuxième niveau comprenant la formation d'une couche de première résine s'étendant en regard de l'emplacement de la cavité (16). Procédé selon la revendication 2, dans lequel la formation de la base comprend la formation de vias métalliques (66) traversant la base en regard de la cavité (16). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la formation d'au moins certains niveaux comprend la croissance de pistes (18) métalliques et de vias (20) métalliques. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le ou les blocs (46, 50) sont en le même matériau que les pistes (18) et vias (20). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les niveaux (N1, N2, N3, N4) sont formés sur une plaque (44, 62). Procédé selon la revendication 6, dans lequel les deuxièmes niveaux (N3, N4) sont formés sur la plaque (44, 62) avant les premiers niveaux (N1, N2). Procédé selon la revendication 6, dans lequel la plaque (62) constitue la base du support. Procédé selon la revendication 6 ou 8, dans lequel les premiers niveaux (N1, N2) sont formés sur la plaque (44, 62) avant les deuxièmes niveaux (N3, N4). Procédé selon la revendication 9, dans lequel le ou les blocs (46, 50) sont formés par une portion de la plaque (44). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le mur comprend plusieurs niveaux (N1, N2) et tous les blocs (46, 50) ont des mêmes dimensions horizontales. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel au moins une paroi latérale d'au moins un bloc (46, 50) est incliné par rapport au plan du fond de la cavité (16). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les blocs (46) des premiers niveaux (N2) les plus proches du fond de la cavité ont au moins une dimension horizontale inférieure à celle des blocs (50) dans les autres premiers niveaux (N1). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant le remplissage de la cavité par une deuxième résine différente de la première résine. Dispositif obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, la cavité (16) ayant une hauteur supérieure à 30 µm.