FR 3135563 A1 20231117 FR 2204617 A 20220516 MÉMOIRE RÉSISTIVE À PERFORMANCES CONFIGURABLES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS L’invention propose un procédé d’initialisation d’une mémoire résistive comprenant un matériau à base de titane (11) et un premier matériau à changement de phase (12), le procédé comprenant une étape de circulation d’un courant électrique pour fusionner une partie du matériau à base de titane et une partie du premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche résultant dans la formation d’un deuxième matériau à changement de phase (20) comprenant du titane. Figure à publier avec l’abrégé : Figure 8 MÉMOIRE RÉSISTIVE À PERFORMANCES CONFIGURABLES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION Le domaine technique de l’invention est celui des mémoires résistives et plus particulièrement des mémoires à changement de phase, dite PCRAM pour « Phase Change Random Access Memory » en anglais. ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les mémoires résistives peuvent offrir un stockage de longue durée tout en minimisant leur consommation énergétique. En effet, ces mémoires sont non-volatiles, et l’information est donc encodées dans une valeur de résistance de la mémoire et une énergie électrique n’est nécessaire que lors de la lecture de l’information (c’est-à-dire la mesure de la valeur de résistance) ou lors de l’écriture de l’information dans la mémoire résistive (aussi appelée commutation). Les mémoires résistives sont donc de bonnes candidates pour stocker une information pérenne dans un dispositif ou un circuit intégré. Elles sont par exemple réalisées au niveau d’un bloc fonctionnel métier d’un dispositif ou d’un circuit intégré, aussi appelé « back end of line » en anglais, pour stocker des informations sur une longue durée (tels que des instructions de calcul ou des résultats de calcul). Les récents développements de mémoires résistives concernent entre autres la réduction de l’amplitude du courant de commutation, permettant d’améliorer la vitesse de commutation des mémoires résistive. L’article [« Thermal Barrier Phase Change Memory » J. Shen & al., ACS Appl. Mater. Interfaces, Jan. 2019, 11, 5, 5336–5343] divulgue par exemple une mémoire résistive dont la durée de commutation est réduite. La mémoire résistive divulguée comprend une pluralité de couches en matériau à changement de phase, en l’occurrence du Sb 2 Te 3 , séparées par des couches semi-métalliques, en l’occurrence en TiTe 2 . Cet agencement de bicouches Sb 2 Te 3 /TiTe 2 permet d’obtenir un courant de commutation réduit d’environ 85 % et offre ainsi une durée de commutation réduite à environ 10 ns. Ce type de mémoire peut donc être envisagé en tant que mémoire vive et peut être réalisé dans un bloc fonctionnel logique d’un dispositif ou d’un circuit intégré, aussi appelé « front end of line » en anglais. Si une mémoire résistive Sb 2 Te 3 /TiTe 2 peut présenter une durée de commutation réduite, grâce à la réduction du courant de commutation, elle présente en revanche une dégradation de la pérennité du stockage d’information (dite aussi pérennité de rétention), ce qui fait qu’elle ne peut plus être considérée pour du stockage de longue durée au niveau du bloc métier. Il est donc nécessaire, lors de la fabrication d’un dispositif ou d’un circuit intégré, de réaliser différents types de mémoires résistives afin d’obtenir soit un stockage pérenne, soit une vitesse de commutation élevée. La fabrication du dispositif ou du circuit intégré est donc plus complexe car elle requiert le dépôt de matériaux différents et donc des étapes de masquage et démasquage supplémentaires selon les matériaux déposés et ciblés. Il existe donc un besoin de fournir une mémoire résistive dont ses performances puissent être ajustées. L’invention résout, au moins partiellement, les problèmes évoqués précédemment, en proposant un procédé d’initialisation d’une mémoire résistive afin de modifier ses performances et plus particulièrement sa vitesse de commutation ou son niveau de rétention. Pour cela, l’invention concerne un procédé d’initialisation d’une mémoire résistive non-initialisée, ladite mémoire résistive non-initialisée comprenant : au moins une première couche, comprenant un matériau à base de titane, ledit matériau à base de titane étant conducteur ; au moins une deuxième couche, s’étendant sur ladite au moins une première couche, comprenant un premier matériau à changement de phase, ledit premier matériau à changement de phase étant apte à être dopé par du titane ; le procédé comprenant une étape de circulation d’un courant électrique, dit courant d’initialisation, dans chacune des première et deuxième couches, le courant d’initialisation étant dimensionné pour générer un gradient de température au sein de chaque première et deuxième couches impliquant la fusion d’une partie au moins du matériau à base de titane de chaque première couche sur toute son épaisseur et d’une partie au moins du premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche, ladite fusion résultant dans la formation, à partir du premier matériau à changement de phase et du matériau à base de titane, d’un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane. Par mémoire résistive, on entend une mémoire pouvant présenter au moins deux états, la lecture de l’état courant de la mémoire pouvant être réalisée par une mesure de sa résistance. Par matériau à base de titane, on entend un matériau dont l’un des constituants est le titane. Il s’agit par exemple d’un alliage de titane, tel que le TiTe. Par matériau conducteur, on entend conducteur électrique et avantageusement conducteur thermique. La résistivité électrique du matériau à base de titane est par exemple inférieure à 1000 µΩ·cm, voire inférieure ou égale à 700 µΩ·cm. La résistivité est préférentiellement mesurée à une température inférieure à 700 °C, voire inférieure ou égale à 400 °C. Par matériau à changement de phase, on entend un matériau apte à commuter sous l’action d’un paramètre tel qu’un courant électrique, d’un premier état à un deuxième état ou du deuxième état au premier état, le premier état présentant une résistivité et le deuxième état présentant une deuxième résistivité, différente de la première résistivité. Le premier état correspond par exemple à une première phase dudit matériau et le deuxième état correspond par exemple à une deuxième phase dudit matériau. La première phase pouvant être une phase cristalline, la deuxième phase pouvant être une phase amorphe. Par apte à être dopé par de titane, on entend que du titane peut interagir électroniquement avec le premier matériau à changement de phase et modifier au moins une propriété de commutation dudit premier matériau à changement de phase. Un matériau à changement de phase dopé au moyen de titane voit par exemple sa température de changement de phase abaissée. Par circulation d’un courant électrique, on entend le passage d’un courant électrique dans chacune des première et deuxième couches. Par générer un gradient de température, on entend modifier localement la température desdites couches par l'apport d'une quantité de chaleur dissipée par effet Joule. Par fusion d’une partie au moins d’un matériau à base de titane d’une première couche sur toute son épaisseur, on entend qu’une portion au moins dudit matériau à base de titane passe à l’état fondu, ladite portion atteignant deux faces de ladite couche première couche, lesdites deux faces étant opposées l’une à l’autre. Par formation d’un deuxième matériau à changement de phase, on entend le mélange des matériaux fondus, en l’occurrence du matériau à base de titane et du premier matériau à changement de phase, et la combinaison du premier matériau à changement de phase fondu avec du titane provenant dudit matériau à base de titane fondu. La mémoire résistive non-initialisée permet de stocker une information dans le premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche. La circulation du courant d’initialisation dans la mémoire résistive permet de former une région dite « active » dans la mémoire, comprenant le deuxième matériau à changement de phase. Le deuxième matériau à changement de phase comprend le premier matériau à changement de phase dopé par du titane provenant du matériau à base de titane. La région active peut stocker une information, elle présente toutefois une vitesse de commutation plus élevée que la vitesse de commutation du premier matériau à changement de phase. La vitesse de commutation dépend de la concentration de titane dopant le premier matériau à changement de phase, qui dépend elle-même du volume de la région active, qui dépend elle-même du courant ayant circulé dans les deux couches. Ainsi, la circulation d’un courant électrique prédéterminé dans la mémoire résistive permet donc de configurer les performances de ladite mémoire. Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé d’initialisation selon l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : le deuxième matériau à changement de phase présente une concentration de titane, provenant du matériau à base de titane, le courant d’initialisation étant choisi pour contrôler ladite concentration ; ledit procédé comprend une étape de détermination d’un courant d’initialisation minimal associé à une concentration maximale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase, ladite concentration maximale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase étant strictement inférieure à la concentration du titane dans le matériau à base de titane pur, le courant d’initialisation utilisé lors de l’étape de circulation étant supérieure ou égal au courant d’initialisation minimal ; le courant d’initialisation minimal est supérieur ou égal à un courant de lecture et à un courant de commutation de la mémoire résistive initialisée ; ledit procédé comprend une étape de détermination d’un courant d’initialisation maximal, le courant d’initialisation maximal étant associé à une concentration minimale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase, ladite concentration minimale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase étant inférieure ou égale à 1/100, le courant d’initialisation utilisé lors de l’étape de circulation étant inférieur ou égal au courant d’initialisation maximal ; la mémoire résistive non-initialisée présente au moins une région active intermédiaire, chaque région active intermédiaire étant disposée entre une première couche et une deuxième couche, chaque région active intermédiaire comprenant au moins un troisième matériau à changement de phase comprenant du titane, le courant d’initialisation circulant également dans chacune des région active intermédiaire, le courant d’initialisation étant dimensionné pour générer également un gradient de température au sein de chaque région active intermédiaire impliquant également la fusion d’une partie au moins du troisième matériau à changement de phase de chaque région active intermédiaire, ladite fusion résultant dans la formation, à partir du premier matériau à changement de phase et du matériau à base de titane et du troisième matériau à changement de phase, d’un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane ; ledit procédé comprend une étape de solidification du deuxième matériau à changement de phase de manière à former au moins une région solide, dite « région active », comprenant une partie au moins du deuxième matériau à changement de phase ; le matériau à base de titane comprend un premier élément, dit « élément porteur », neutre vis-à-vis des propriétés de commutation du premier matériau à changement de phase, l’élément porteur étant préférentiellement du germanium, de l’antimoine ou du tellure ; le matériau à base de titane comprend des impuretés, introduites de manière intentionnelle ou non, pouvant exercer une influence sur les propriétés électroniques du premier matériau à changement de phase, lesdites impuretés étant avantageusement du carbone ou de l’azote ; le matériau à base de titane est choisi de sorte que la fusion d’une partie au moins de chaque première couche dissocie également une partie au moins des constituants dudit matériau à base de titane ; par dissocier, on entend que la liaison chimique d’une partie des constituants dudit matériau peut être rompue ; la dissociation des constituants dudit matériau à base de titane peut également être obtenue par l’échauffement dudit matériau au moyen d’une impulsion électrique présentant préférentiellement une intensité inférieure à 100 mA, voire inférieure à 10 mA et de manière encore préférée, inférieure ou égale à 5 mA ; l’impulsion électrique présentant préférentiellement une durée inférieure à 10 µs, voire inférieure à 1 µs et de manière encore préférée inférieure à 500 ns ; le matériau à base de titane présente une résistivité inférieure à 1000 µΩ·cm et préférentiellement inférieure ou égale à 700 µΩ·cm ; le premier matériau à changement de phase comprend une concentration de titane inférieure à la concentration de titane du matériau à base de titane pur, le premier matériau à changement de phase comprenant une concentration de titane préférentiellement nulle ; le matériau à base de titane comprend une concentration en titane telle qu’un traitement thermique dudit matériau à une température inférieure ou égale à 400 °C modifie sa résistivité de moins de 70 %, voire de moins de 40 %, la concentration en titane étant préférentiellement comprise entre 25 % et 65 %, voire entre 40 % et 50 %, par exemple égale à 45 % ; le premier matériau à changement de phase est un alliage, préférentiellement stœchiométrique ; par alliage stœchiométrique, on entend que les coefficients stœchiométriques de chaque constituant dudit alliage sont des entiers naturels ; un alliage stœchiométrique est également thermodynamiquement stable et ne donnent pas lieu à une séparation de phases, par exemple pendant un étape de fabrication ou une étape de programmation ; le premier matériau à changement de phase est un alliage binaire ou un alliage ternaire comprenant du germanium, de l’antimoine, du tellure, du gallium ou du sélénium ; ledit premier matériau à changement de phase peut également comprendre des traces, introduites de manière intentionnelle ou non, d’azote, de carbone, de bore, d’oxygène ou encore de silicium ; les premières et deuxièmes couches présentent chacune une température de fusion comprise dans ]400 °C ; 1000 °C] et préférentiellement comprise dans [450 °C ; 700 °C] ; autrement dit, le matériau à base de titane et le premier matériau à changement de phase présentent chacun une température de fusion comprise dans ]400 °C ; 1000 °C[ et préférentiellement comprise dans [450 °C ; 700 °C] ; l’épaisseur de chaque deuxième couche est supérieure à l’épaisseur de chaque première couche et préférentiellement supérieure à quatre fois, voire vingt fois, l’épaisseur de chaque première couche, l’épaisseur de chaque première couche étant préférentiellement comprise entre 0,5 nm et 20 nm et l’épaisseur de chaque deuxième couche étant préférentiellement comprise entre 10 nm et 200 nm ; la mémoire résistive non-initialisée comprend une première électrode et une deuxième électrode, la première électrode étant en contact avec une première couche, la deuxième électrode s’étendant sur une deuxième couche, la première électrode présentant une largeur inférieure à une largeur de chaque première couche, la deuxième électrode présente une largeur supérieure à la largeur de la première électrode ; par en contact, on entend qu’il n’y a pas d’élément intermédiaire entre la première électrode et la première couche en contact ; la mémoire résistive non-initialisée comprend une première électrode, une deuxième électrode, deux deuxièmes couches et une première couche, chacune des deuxièmes couches s’étendant sur une des faces de la première couche, la première électrode étant en contact avec une des deux deuxièmes couches, la deuxième électrode étant en contact avec une autre des deux deuxième couches, les première et deuxième électrodes présentant chacune une largeur supérieure ou égale à la largeur de la première couche; la mémoire résistive comprend une alternance de premières et deuxième couches. L’invention concerne également une mémoire (2) initialisée obtenue après la mise en œuvre du procédé d’initialisation selon l’invention, ladite mémoire résistive initialisée comprenant : au moins une première couche, comprenant un matériau à base de titane ; au moins une deuxième couche, s’étendant sur ladite au moins une première couche, comprenant un premier matériau à changement de phase ; et au moins une région active, chaque région active étant disposée entre une première couche et une deuxième couche, chaque région active comprenant un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane. La concentration en titane du deuxième matériau à changement de phase est avantageusement supérieure à la concentration en titane du premier matériau à changement de phase et avantageusement inférieure à la concentration en titane de matériau à base de titane. L’invention concerne enfin un procédé de stockage d’un message dans un ensemble de mémoires résistives non-initialisées, chaque mémoire résistive non-initialisée comprenant : une première couche, comprenant un matériau à base de titane, ledit matériau à base de titane étant conducteur ; une deuxième couche, s’étendant sur la première couche et comprenant un premier matériau à changement de phase, ledit premier matériau à changement de phase étant apte à être dopé par du titane ; l’ensemble de mémoires résistives non-initialisées comprenant un premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées et un deuxième sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées, distincts du premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées, le procédé de stockage comprenant une étape d’initialiser chaque mémoire résistive du premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisée par la mise en œuvre du procédé d’initialisation selon l’invention, le message stocké étant formé par les mémoires résistives non-initialisées ou par les mémoires résistives initialisées. On obtient ainsi des mémoires initialisées au moyen d’un « fort » courant et des mémoires non initialisées. Les mémoires initialisées vont être utilisées pour être programmées dans l’état voulu (« SET » ou « RESET ») avec un courant d’écriture (dit également de « programmation ») inférieur au courant d’initialisation. Les mémoires non-initialisées vont être insensibles au courant de programmation, c’est à dire qu’elles vont rester dans leur état « non-initialisée ». Avantageusement, le procédé de stockage comprend une étape de programmation de chaque mémoire non-initialisée du deuxième sous-ensemble et de chaque mémoire initialisée du premier sous-ensemble. Ainsi, les mémoires, qu’elles soient initialisées ou non, stockent un faux message. Il est ainsi plus difficile de déterminer le vrai message qui est stocké dans l’ensemble des mémoires. L’invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l’examen des figures qui l’accompagnent. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique. , , , représentent schématiquement des premier, deuxième, troisième et quatrième modes de réalisation d’une mémoire résistive non-initialisée selon l’invention. représente une mesure de la résistivité de quatre couches d’alliage de titane présentant des stœchiométries différentes. représente une distribution cumulée de l’état d’un ensemble de mémoires résistives non-initialisée selon l’invention en fonction de la résistance. représente la variation de la résistivité en fonction de la température de trois couches d’alliage de titane présentant des stœchiométries différentes. et représentent schématiquement un premier et un deuxième mode de réalisation d’une mémoire résistive initialisée obtenue à l’issue d’une mise en œuvre d’un procédé d’initialisation selon l’invention. représente schématiquement un taux de dilution d’un matériau à base de titane dans une région active d’une mémoire résistive obtenue à l’issue d’un procédé d’initialisation selon l’invention, en fonction d’une dimension de cette région active. représente schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé d’initialisation selon l’invention. représente schématiquement une étape du procédé d’initialisation selon l’invention. représente schématiquement une mesure de la résistance d’une mémoire résistive selon l’invention lors de la mise en œuvre du procédé d’initialisation et après sa mise en œuvre. , , représentent schématiquement une mesure de la résistance de deux mémoires résistives selon l’invention en fonction d’un courant appliqué et d’une durée d’application d’un courant. représente schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé de stockage selon l’invention. DESCRIPTION DÉTAILLÉE L’invention vise à fournir une mémoire résistive dont les performances et plus particulièrement la vitesse d’écriture ou le niveau de rétention sont configurés (que l’on nommera également initialiser). L’invention concerne notamment un procédé d’initialisation d’une mémoire dite « non-initialisée ». Les , , et représentent schématiquement, selon une vue en coupe, une mémoire résistive non-initialisée 1 (également appelée mémoire) mise en œuvre par ledit procédé de l’invention. Ladite mémoire résistive non-initialisée comprend au moins une première couche 11 et au moins une deuxième couche 12. Dans ces modes de réalisation, la mémoire 1 comprend également une première électrode 13 et une deuxième électrode 14, lesdites première et deuxième électrodes 13, 14 étant séparées par chaque première et deuxième couches 11, 12. Dans les et , la première couche est disposée sur la première électrode 13. La deuxième électrode est disposée sur la deuxième couche 12. La deuxième couche 12 s’étend sur la première couche 11. Dans la , la mémoire 1 comprend une alternance de premières et deuxièmes couches 11, 12. Une des premières couches 11 est disposée sur la première électrode 13. La deuxième électrode est disposée sur une des deuxièmes couches 12. Dans cette alternance, chaque deuxième couche 12 s’étend sur une des première couche 11. Dans la , la mémoire 1 comprend deux deuxièmes couches 12 et une première couche 11. Chaque deuxième couche 12 s’étend sur une des faces de la première couche 11. Une deuxième couche 12 s’étend sur l’électrode inférieure 13, au contact de celle-ci. La première couche 11 s’étend alors sur la deuxième couche 12 qui est en contact avec l’électrode 13. De manière commune aux modes de réalisation des , , et , chaque première couche 11 comprend un matériau à base de titane. Le matériau à base de titane est conducteur électrique. Il présente par exemple une résistivité inférieure à 1000 µΩ·cm et de manière avantageuse inférieure ou égale à 700 µΩ·cm. La faible résistivité du matériau à base de titane améliore la progressivité de l’initialisation de la mémoire 1 (c’est-à-dire la configuration de ses performances, comme décrit ci-dessous) et donc son contrôle. À l’inverse, un alliage présentant isolant rend difficile le contrôle de l’initialisation de la mémoire 1. En effet, un alliage présentant un caractère isolant requiert une tension de claquage pouvant être élevée et pouvant dégrader la mémoire 1 lors de son initialisation. Il est donc préférable de les éviter. De manière commune aux modes de réalisation des , , et , chaque deuxième couche 12 comprend un premier matériau à changement de phase. Par matériau à changement de phase, on entend un matériau pouvant présenter une phase amorphe ou une phase cristalline selon son historique thermique. Il s’agit préférentiellement de phases solides et stables sur une plage de température pouvant être étendue autour de la température ambiante. Les matériaux à changement de phase considérés dans un contexte de stockage d’information sont ceux présentant une différence de résistivité mesurable entre les phases amorphe et cristalline. La différence de résistivité entre les deux phases est par exemple de 300 % ou plus. Une phase amorphe présent d’ailleurs généralement une résistivité supérieure à une phase cristalline. Ainsi, encoder une information dans la résistance du premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche 12 revient à modifier la phase dans laquelle ce dernier se trouve. La différence de résistivité entre les phases cristalline et amorphe est choisie de sorte qu’elle soit aisément mesurable, permettant de déterminer l’information qui est stockée dans la mémoire non-initialisée. En représentation binaire, on appelle par exemple état haut, un état de basse résistance (donc haute conductance) du premier matériau à changement de phase, correspondant par exemple une phase cristalline dudit premier matériau. On appelle alors état bas, un état de haute résistance (basse conductance) du premier matériau à changement de phase, correspondant par exemple à une phase amorphe dudit premier matériau. Le changement de phase, et donc de résistivité, dans une deuxième couche 12 peut-être induit par la circulation d’une impulsion de courant électrique qui chauffe localement le premier matériau à changement de phase. Selon l’amplitude et la forme de l’impulsion de courant électrique, le premier matériau à changement de phase de ladite deuxième couche 12 réalise soit : une trempe dans la phase amorphe ; soit une cristallisation dans la phase cristalline. Par forme de l’impulsion, en entend la variation d’amplitude du courant au cours du temps. Par exemple, une impulsion dite « rectangulaire » peut présenter une montée du courant (également appelé « rise » en anglais) à une amplitude maximale pendant une première durée, le maintien de cette amplitude maximale pendant une deuxième durée et une descente ou « chute » (également appelé « fall » en anglais) à un courant nul pendant une troisième durée. L’amplitude maximale du courant permet d’échauffer le premier matériau à changement de phase à une température permettant le changement de phase. Le temps de maintien et le temps de chute ont, par exemple, un impact sur la vitesse de refroidissement du matériau à changement de phase et peuvent donc induire une trempe ou une cristallisation du premier matériau à changement de phase. Un temps de maintien et un temps de chute élevés permettent par exemple la cristallisation du premier matériau à changement, tandis qu’un temps de maintient faible et un temps de chute faibles permettent de tremper le premier matériau à changement de phase. On entendra par « vitesse de cristallisation » l’inverse du temps nécessaire à la cristallisation du premier matériau à changement de phase. On entendra par « vitesse de trempe » l’inverse du temps nécessaire à la trempe du premier matériau à changement de phase. On entendra par « température de transition », une température à atteindre pour cristalliser ou tremper le premier matériau à changement de phase de la deuxième couche. La température de transition est à différencier d’une « température de fusion » à laquelle le premier matériau à changement de phase, initialement solide, fond. À la température de transition correspond un courant électrique à appliquer pour chauffer le premier matériau à changement de phase et permettre ensuite sa cristallisation ou sa trempe. De plus, plus le courant électrique est élevé et plus la quantité de premier matériau à changement de phase susceptible de subir une cristallisation ou une trempe est élevée. La vitesse de cristallisation de la mémoire résistive est limitée par l’amplitude du courant nécessaire pour atteindre la température de transition. Elle peut également être limitée par le processus physique de cristallisation en tant que tel. La vitesse de trempe de la mémoire résistive est également limitée de la même manière. Le procédé d’initialisation permet de modifier les vitesses de cristallisation et de trempe de la mémoire non-initialisée 1 par l’ajout de titane dans le premier matériau à changement de phase. Pour cela, il est attendu que le premier matériau à changement de phase soit apte à être dopé au moyen de titane. En effet, certains éléments additionnels tels que le titane, que l’on nommera dopants, combinés avec certains matériaux à changement de phase, modifient la température de transition et les vitesses de cristallisation et/ou de trempe de ces matériaux à changement de phase. Ladite température de transition tend alors à diminuer tandis que les vitesses de cristallisation et/ou de trempe tendent à augmenter. La combinaison de titane avec le premier matériau à changement de phase (suite à l’initialisation de la mémoire) permet donc de réduire le courant à appliquer pour réaliser la cristallisation ou la trempe dudit matériau, permettant d’augmenter la vitesse d’écriture d’une information dans la mémoire résistive. Si l’ajout de titane dans le premier matériau permet d’augmenter les vitesses de cristallisation et de trempe, il réduit en revanche le niveau de rétention de la mémoire. La mémoire résistive 1, non-initialisée, le premier matériau à changement de phase est libre de titane et ladite mémoire 1 présente un niveau de rétention élevé. Lorsque la mémoire résistive 1 est initialisée (principes et procédés décrits en référence aux à ), le premier matériau contient du titane et ladite mémoire 1 présente une vitesse de cristallisation et/ou de trempe élevée. Chaque première couche 11 de la mémoire 1 joue alors le rôle de réservoir de titane de manière à pouvoir modifier les performances (niveau de rétention ou vitesse de fonctionnement) de la mémoire résistive 1. Il est avantageux que le premier matériau à changement de phase soit choisi pour son aptitude à être dopé au moyen de titane. Enfin d’améliorer le phénomène de dopage, il est avantageux que le matériau à base de titane et le premier matériau à changement de phase présentent une bonne miscibilité, une fois fondus. De cette manière, le matériau à changement de phase résultant du mélange de ces deux matériaux présente alors une bonne homogénéité structurelle et électronique. La représente schématiquement, selon une vue en coupe, un premier mode de réalisation la mémoire résistive non-initialisée 1. Dans ce mode de réalisation, la mémoire 1 ne comprend qu’une première couche 11 et une deuxième couche 12. Les première et deuxième électrodes 13, 14 sont séparées par la première couche 11 et la deuxième couche 12. La première couche 11 est en contact avec la première électrode 13 et est électriquement reliée à cette dernière. La deuxième couche 12 est au contact de la première couche 11 et est reliée électriquement à cette dernière. La deuxième électrode 14 est au contact de la deuxième couche 12 et est reliée électriquement à cette dernière. Les première et deuxième électrodes 13, 14 ainsi que les première et deuxième couches 11, 12 sont donc reliées électriquement en série de sorte qu’un courant électrique puisse circuler entre les deux électrodes 13, 14 et à travers les première et deuxièmes couches 11, 12. La première couche 11 s’étend par exemple sur un substrat isolant S, comprenant par exemple un matériau diélectrique. Le plan des couches P correspond alors à la surface du substrat isolant S. La première couche 11 présente une épaisseur A pouvant être comprise entre 0,5 nm et 20 nm. L’épaisseur A de la première couche se mesure perpendiculairement au plan des couches P. La deuxième couche 12 s’étend sur la première couche 11, c’est à dire parallèlement au plan des couches P. La deuxième couche 12 présente une épaisseur B, mesurée perpendiculairement au plan des couches P. Elle peut être comprise entre 10 nm et 200 nm. L’épaisseur B de la deuxième couche 12 est avantageusement supérieure à l’épaisseur A de la première couche 11 et préférentiellement supérieure à quatre fois, voire vingt fois, l’épaisseur A de la première couche 11. Il est judicieux de garantir une épaisseur B de la deuxième couche qui soit suffisamment importante pour garantir une isolation thermique suffisante au niveau de la deuxième électrode 14. Une bonne isolation permet de réduire l’amplitude du courant nécessaire pour programmer la mémoire 1. Une épaisseur B de la deuxième couche d’environ 50 nm permet d’obtenir une isolation suffisante. En revanche, il est préférable d’éviter que cette épaisseur B soit trop importante car elle peut rendre difficile l’intégration de la mémoire 1. Dans le mode de réalisation de la , la première électrode 13, également appelée électrode « inférieur », est orientée perpendiculairement au plan des couches P. Elle traverse par exemple le substrat S, de la même manière qu’un via conducteur, pour déboucher à la surface dudit substrat S. Elle peut également être disposée dans une tranchée pratiquée dans le substrat S et disposée sous la première couche 11. La première couche 11 s’étend alors au contact de substrat S et de la première électrode 13. La première couche 11 est ainsi reliée électriquement à la première électrode 13. La première couche 11 peut présenter une largeur N comprise entre 50 nm et 300 nm. Elle peut également présenter une profondeur (non matérialisée sur les à car perpendiculaire aux plans de coupe) également comprise entre 50 nm et 300 nm. L’électrode inférieure 13 présente une largeur L, mesurée parallèlement au plan des couches P. La largeur L de l’électrode inférieure 13 est avantageusement inférieure à la largeur N (ou la profondeur) de la première couche 11. De cette manière, la première électrode 13 peut être en contact avec une portion centrale 111 de la première couche 11. Par portion centrale 111, on entend une portion de la première couche 11 éloignée du flanc 112 de ladite première couche 11. Le contact de la première électrode 13 au niveau d’une portion centrale 111 de la première couche 11 permet de faciliter l’initialisation de la mémoire 1, comme décrit ci-dessous. La largeur L de l’électrode inférieure 13 est par exemple comprise entre 1 nm et 50 nm. L’électrode inférieur 13 peut également présenter une profondeur (également non matérialisée sur les à car perpendiculaire aux plans de coupe) avantageusement comprise entre 50 nm et 300 nm. Selon une implémentation préférentielle, la première couche présente une largeur × profondeur égale à 300 × 300 nm. L’électrode inférieure 13 présente alors une largeur × profondeur égale à 5 × 50 nm. La deuxième électrode 14, pouvant également être appelée électrode « supérieure », s’étend directement au contact de la deuxième couche 12, parallèlement au plan des couches P. La deuxième électrode 14 présente une largeur M, sensiblement égale à la largeur N de la première couche 11. Elle peut également présenter une profondeur sensiblement égale à la profondeur de la première couche 11. La deuxième électrode 14 est donc plus large que l’électrode inférieure 13. Par sensiblement égale, on entend égale à 20 % près, voire avantageusement à 10 % près. L’intérêt des dimensions sensiblement égales étant de simplifier des étapes de fabrication (tel que la délimitation de la mémoire 1). La fabrication d’une mémoire 1 selon le mode de réalisation de la peut être réalisée par formation successive, à partir du substrat S et de l’électrode inférieure 13 (qui est déjà intégrée au substrat S), de la première couche 11, de la deuxième couche 12 et de l’électrode supérieure 14. L’épaisseur de l’électrode supérieure 14 est d’ailleurs avantageusement comprise entre 10 nm et 100 nm. La mémoire 1 est ensuite délimitée au moyen d’une gravure. La mémoire 1 peut présenter, vue de dessus, une forme circulaire ou rectangulaire. La délimitation de la mémoire 1 est avantageusement réalisée de manière à placer la portion centrale 111 de la première couche 11 à l’aplomb de l’électrode inférieure 13. Les première et deuxième couches 11, 12 peuvent être réalisées par dépôt physique en phase vapeur (PVD pour « Physical vapor deposition » en anglais) et/ou par dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Deposition » en anglais) et/ou par dépôt de couches atomiques (ALD pour « Atomic Layer Deposition » en anglais). Les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 peuvent également être formées par PVD ou CVD et par exemple à partir de TiN. La représente schématiquement, selon une vue en coupe, un deuxième mode de réalisation la mémoire 1. À la différence du mode de réalisation de la , l’électrode inférieure 13 ne traverse pas le substrat isolant S mais s’étend sur ce dernier et est donc parallèlement au plan des couches P. La première couche 11 s’étend alors de tout son long au contact de l’électrode inférieure 13. La largeur L de la première électrode 13 est égale à celle de la première couche 11 et de l’électrode supérieure 14. Les profondeurs de l’électrode inférieure 13 et de la première couche 11 sont alors sensiblement égale. On ne distingue donc plus de portion centrale de la première couche 11 dans ce mode de réalisation. La fabrication d’une mémoire 1 selon le mode de réalisation de la diffère de la fabrication précédemment décrite en ce que l’électrode inférieure 13 est déposée avant la première couche 11, par exemple directement sur le substrat S. La délimitation de la mémoire 1 diffère également en ce qu’elle peut délimiter dans un même temps l’intégralité de la mémoire 1, comprenant notamment la délimitation de l’électrode inférieure 13. La représente schématiquement, selon une vue en coupe, un troisième mode de réalisation la mémoire 1. À la différence du mode de réalisation de la , la mémoire 1 comprend une alternance de premières et deuxièmes couches 11, 12. Chaque première couche 11 comprend le matériau à base de titane. Chaque deuxième couche 12 comprend le premier matériau à changement de phase. Les premières couches 11 présentent avantageusement la même épaisseur A à 20 % près, voire à 10 % près. De la même manière, les deuxièmes couches 12 présentent également avantageusement la même épaisseur B à 20 % près, voire à 10 %. L’alternance des premières et deuxièmes couches 11, 12 forme un nombre n entier de bicouches. L’alternance est donc de type [M1/M2]× n où M1 représente chaque première couche et M2 représente chaque deuxième couche. L’alternance des premières et deuxièmes couches 11, 12 s’étend entre l’électrode inférieure 13 et l’électrode supérieure 14. Une première couche 11 s’étend d’ailleurs sur l’électrode inférieure 13, au contact de cette dernière. L’électrode supérieure 14 s’étend sur une deuxième couche 12 de ladite alternance [M1/M2]× n . De cette manière, ladite alternance relie électriquement l’électrode inférieure 13 à l’électrode supérieure 14. La représente schématiquement, selon une vue en coupe, un quatrième mode de réalisation la mémoire résistive non-initialisée 1. À la différence du mode de réalisation de la , la mémoire 1 comprend deux deuxièmes couches 12. Une des deuxièmes couches 13 s’étend par exemple sur l’électrode inférieure 13, au contact de celle-ci. La première couche 11 s’étend alors sur cette deuxième couche 12. Les deux deuxièmes couches 12 présentent sensiblement la même épaisseur B (mesurée perpendiculairement au plan des couches). Dans ce mode de réalisation, la première couche 11 n’est plus en contact direct avec l’électrode inférieure 13 mais est reliée électriquement à cette dernière par l’intermédiaire d’une des deuxièmes couches 12. Les deuxièmes couches 12 comprennent avantageusement le même premier matériau à changement de phase. Dans ce mode de réalisation, les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 présentent chacune une largeur L, M égale à la largeur N de la première couche. Dans un développement de ce mode de réalisation, les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 présentent une largeur L, M supérieure ou égale à la largeur N de la première couche. Il en est de même pour les profondeurs des électrodes inférieure, supérieure 13, 14 et de la première couche 11. Les deux deuxièmes couches 12 présentent également les même largeur N et profondeurs que la première couche 11. De manière commune aux modes de réalisation des , , et , le premier matériau à changement de phase peut comprendre un alliage binaire ou un alliage ternaire. Chaque élément dudit alliage appartient alors préférentiellement à l’un des groupes d’éléments IIIB, IVB, VB ou VIB du tableau périodique des éléments. Ces groupes comprennent par exemple les éléments Ga, Ge, Sb, Te, Se. Le premier matériau à changement de phase peut donc être du GeSbTe, du GeSb, du GeTe ou du SbTe. Chaque élément dudit alliage binaire ou ternaire est préférentiellement un métalloïde, comprenant par exemple les Ge, Sb et Te. Il s’agit d’ailleurs préférentiellement d’un alliage dit « stœchiométrique » en ce que les coefficients stœchiométriques de chaque constituant (par exemple des Ge, Sb et Te) sont des entiers naturels. Dans un mode de réalisation préféré, le premier matériau à changement de phase est un chalcogénure et en particulier un alliage ternaire de type Ge x Sb y Te z (où x, y, et z sont des coefficients stœchiométriques). Le premier matériau chalcogénure peut présenter une stœchiométrie {x, y, z} = {2, 2, 5} et forme donc le Ge 2 Sb 2 Te 5 . Cet alliage particulier est connu comme « GST225 ». D’autres alliages de type Ge x Sb y Te z peuvent être mis en œuvre, tel que le GeTe, le Sb 2 Te 3 , le Ge 1 Sb 2 Te 4 (appelé « GST124 ») ou encore Ge 1 Sb 4 Te 7 (appelé « GST147 »). Le premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12 peut également comprendre des traces, intentionnelles ou non, d’un élément ayant une influence sur le comportement électronique du premier matériau à changement de phase. Il s’agit par exemple de traces de carbone ou d’azote. De manière commune aux modes de réalisation des , , et , chaque première couche 11 comprend un matériau à base de titane. Chaque première couche 11 joue alors le rôle de réservoir de titane pouvant être mélangé avec le premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche 12. Le mélange du titane provenant de la première couche avec une partie du premier matériau à changement de phase permet ainsi de former un deuxième matériau à changement de phase, présentant une vitesse de commutation plus élevée que le premier matériau à changement de phase. Le matériau à base de titane peut comprendre un premier élément complémentaire au titane, dit « élément porteur ». L’élément porteur est préférentiellement neutre vis-à-vis des propriétés électroniques du premier matériau à changement de phase. Il peut s’agir d’un des éléments du premier matériau à changement de phase, par exemple appartenant à l’un des groupes d’éléments IIIB, IVB, VB ou VIB du tableau périodique des éléments. Lorsque le premier matériau à changement de phase est un alliage ternaire de type « GST », l’élément peut être du tellure Te, auquel cas le matériau à base de titane est l’alliage Ti p Te q (où p et q sont des coefficients de mélange des éléments en pourcentage atomique). Ledit matériau à base de titane peut également comprendre un ou plusieurs autres éléments porteurs. Par exemple, lorsque le premier matériau à changement de phase est un GST, ledit matériau à base de titane peut être l’alliage TiSbTe. Le matériau à base de titane peut également comprendre des impuretés. Les impuretés sont préférentiellement actives vis-à-vis des propriétés électroniques du premier matériau à changement de phase. Il peut s’agir d’azote ou de carbone, auquel cas le matériau à base de titane de la première couche 11 peut être un alliage Ti p C r ou un alliage Ti p N r (où r est également un coefficient de mélange en pourcentage atomique). Le matériau à base de titane peut également comprendre un élément porteur et des impuretés tels que décrits précédemment. Ledit matériau peut donc être de la forme Ti p Te q C r ou Ti p Te q N r . Le caractère conducteur du matériau à base de titane permet de faciliter la configuration des performances de la mémoire résistive et améliore la reproductibilité de la configuration sur un ensemble de mémoire résistive selon l’invention. De manière préférée, la résistivité du matériau à base de titane de chaque première couche 11 est inférieure à 1000 µΩ·cm. Le mélange des éléments du matériau à base de titane peut être ajusté de sorte que ce dernier présente un caractère conducteur. Par exemple, l’alliage TiTe 2 présente une résistivité d’environ 4000 µΩ·cm, ce qui en fait un mauvais candidat pour former une première couche 11. De plus, l’alliage de TiTe 2 présente un caractère semi-métallique, ce qui peut réduire le contrôle et la reproductibilité de la configuration des performances de la mémoire (la résistivité tend à décroître en fonction de la température). L’alliage TiTe présente en revanche une résistivité inférieure à 1000 µΩ·cm et peut donc constituer un bon candidat pour former une première couche 11. Plus la résistivité du matériau à base de titane d’une première couche 11 est proche de la résistivité de l’électrode inférieure et meilleure est la reproductibilité de la configuration des performances de la mémoire. La résistivité du matériau à base de titane de chaque première couche 11 est d’ailleurs avantageusement inférieure à 700 µΩ·cm. La représente par exemple une mesure de la résistivité d’un exemple de matériau à base de titane, une fois déposé sous forme de couche mince (présentant une épaisseur inférieure à 20 nm), en fonction du pourcentage atomique de Ti. Le matériau à base de titane considéré est l’alliage Ti p Te q (où q = 1 – p). Quatre pourcentages atomiques p différents sont considérés : Ti 20 Te 80 ; Ti 25 Te 75 ; Ti 40 Te 60 ; Ti 45 Te 55 . La représente la résistivité en fonction du pourcentage atomique du titane (celle du tellure pouvant en être déduite). La résistivité décroît à mesure que le pourcentage de titane augmente dans l’alliage. Ainsi, les alliages Ti 40 Te 60 et Ti 45 Te 55 peuvent constituer de bons candidats pour former une première couche 11 de la mémoire résistive non-initialisée 1. La montre une distribution cumulée de la valeur de la résistance d’un ensemble de mémoires résistives non-initialisée 1. Ledit ensemble compte en l’occurrence 4096 mémoires (4 k-octets). Chacune des 4096 mémoires comprend une première couche 11 et une deuxième couche 12 (mode de réalisation similaire à celui illustré par la ). La première couche 11 de chaque mémoire 1 comprend du TiTe et la deuxième couche 12 de chaque mémoire 1 comprend du GST225. L’alliage de TiTe, grâce à son caractère métallique et notamment sa faible résistivité, influence peu le comportement de chaque mémoire 1. La distribution cumulée des valeurs de résistance présente ainsi une transition abrupte, indiquant que toutes les mémoires présentent des valeurs de résistances similaires. L’effet d’avoir une distribution très peu dispersée garantie de réaliser une initialisation avec des mémoires ayant des morphologies très proche les unes des autres. Les mémoires initialisées au moyen d’un même courant électrique d’initialisation présenteront donc une variabilité de comportement faible. La faible résistivité du matériau à base de titane permet à la première couche 11 de jouer le rôle d’électrode et d’améliorer la distribution du champ électrique au niveau de la deuxième couche 12. Il en résulte une homogénéisation du comportement de chaque mémoire résistive non-initialisée 1, se traduisant par une distribution cumulée des résistances. Il est également avantageux que le matériau à base de titane soit stable même lorsqu’il subit un recuit thermique. En effet, la mémoire résistive non-initialisée 1 peut être réalisée au niveau d’un bloc logique d’un circuit intégré (« front end of line » en anglais). La fabrication du bloc métier (« back end of line » en anglais) peut mettre en œuvre un ou plusieurs recuits jusqu’à une température pouvant atteindre 400 °C. Il est donc avantageux que le matériau à base de titane conserve ses propriétés électriques, comme par exemple son caractère conducteur, après un recuit thermique jusqu’à 400 °C. À ce titre, il est avantageux que le matériau à base de titane de chaque première couche 11 et le premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche 12 présentent alors une température de fusion supérieure à 400 °C et préférentiellement supérieure à 450 °C. La représente par exemple la variation de résistivité observable sur trois matériaux à base de titane, et notamment des alliages Ti p Te q , lors d’un recuit jusqu’à 400 °C ainsi que la résistivité finale R F de deux des alliages recuits. Les alliages considérés sont Ti 25 Te 75 ; Ti 40 Te 60 ; Ti 45 Te 55 . Chaque courbe représente la résistivité lors de la montée en température du recuit. Chaque alliage montre une réduction de sa résistivité à mesure que la température augmente. La réduction de la résistivité lors du recuit n’est pas due au caractère métallique de chaque alliage qui présente plutôt une augmentation de la résistivité à partir d’une certaine température. La réduction de la résistivité lors du recuit est due ici à l’amélioration de la qualité cristalline des alliages en jeu. Deux des alliages considérés Ti 40 Te 60 et Ti 45 Te 55 montrent une réduction modérée lors de la montée en température. La résistivité après recuit R F pour les deux alliages précités est également reportée R F (Ti 40 Te 60 ), R F (Ti 45 Te 55 ). La résistivité après recuit Rf de l’alliage Ti 25 Te 75 n’est pas reportée car sa valeur sort des plages considérées [10 2 µΩ·cm ; 10 4 µΩ·cm]. L’alliage Ti 40 Te 60 présente une stabilité suffisante après recuit pour former une première couche 11 d’une mémoire résistive non-initialisée 1. En effet sa résistivité varie de moins de 70 %. La variation de résistivité de l’alliage Ti 45 Te 55 après recuit est toutefois moindre, puisqu’inférieure à 40 %. De manière générale, un alliage conducteur, présentant un pourcentage (ou une stœchiométrie) de titane comprise entre 40 % et 50 %, constitue un candidat acceptable pour former une première couche 11. Un pourcentage de titane de 45 % étant toutefois préférée. Un deuxième matériau à changement de phase peut être formée à partir du mélange du matériau à base de titane fondu avec le premier matériau à changement de phase fondu. Une bonne miscibilité du matériau à base de titane avec le premier matériau à changement de phase lorsque ceux-ci sont fondus permet d’ailleurs de former un deuxième matériau à changement de phase homogène. Le deuxième matériau à changement de phase est particulier en ce qu’il comprend du titane. Le titane provient notamment du matériau à base de titane se dissociant au moins partiellement. On entend par dissociation que les liaisons chimiques d’une partie des constituants dudit matériau à base de titane sont rompues, notamment à cause de la température. Le deuxième matériau à changement de phase comprend dont du premier matériau à changement de phase dopé avec du titane provenant du matériau à base de titane. Au moins une région 20, dite « région active », est formée par le deuxième matériau à changement de phase. Les et représentent schématiquement, en coupe, deux modes de réalisation d’une mémoire résistive 2, dite « initialisée », obtenue à l’issue de la mise en œuvre du procédé d’initialisation selon l’invention (décrit ci-dessous), c’est-à-dire comprenant au moins une région active 20. Une mémoire initialisée 2 est une mémoire dont les performances ont été configurées. Chaque région active 20 peut être obtenue par la circulation d’un courant électrique dans les première et deuxième couches 11, 12. Le courant électrique échauffe alors lesdites couches 11, 12, notamment pas effet Joule, et un gradient thermique s’établit au sein de la mémoire initialisée. Lorsque le courant électrique atteint un seuil, la température au sein des premières et deuxième couches 11, 12 est telle que chacune d’elles fusionne, au moins en partie, créant une ou plusieurs volumes (ou bulles) de matériau fondu en leur sein. La percolation des volumes de matériau fondu dans l’épaisseur de chaque première couche et au niveau de l’interface entre les première et deuxième couches permet de former un volume dans laquelle du matériau à base de titane et du premier matériau à changement de phase se mélangent et se combinent. La solidification dudit volume forme ainsi au moins une région active 20, comprenant une partie au moins du deuxième matériau à changement de phase (c’est-à-dire le premier matériau à changement de phase dopé au moyen d’une concentration de titane). La miscibilité du matériau à base de titane avec le premier matériau à changement de phase permet aux deux matériaux de former un volume de matériaux fondus homogène qui formera, après sa solidification, une région active 20. De plus, l’aptitude du titane du matériau à base de titane à se combiner avec le premier matériau à changement de phase permet ainsi de former un deuxième matériau à changement de phase dont les propriétés électriques sont différentes de celles du premier matériau à changement de phase. Une région active 20 peut stocker une information, c’est-à-dire commuter d’un état de basse résistivité à un état de haute résistivité). Grâce au titane, la vitesse de cristallisation du deuxième matériau à changement de phase est augmentée par rapport à la vitesse de cristallisation du premier matériau à changement de phase (sans titane). La vitesse de commutation dans un état de haute ou de basse résistivité est donc plus élevée. La vitesse de commutation d’une région active 20 est donc plus élevée que la vitesse de commutation d’une deuxième couche (ou de la mémoire 1 non-initialisée de manière globale). De plus, le courant de commutation de la région active (permettant de chauffer le deuxième matériau à sa température de transition) est plus faible que le courant de commutation d’une deuxième couche 12. Une région active 20 peut donc être commutée sans commuter une deuxième couche 12. Le titane du matériau à base de titane peut être apte à se combiner spontanément avec le premier matériau à changement de phase, par exemple par insertion, sans nécessairement requérir la dissociation de l’alliage. La combinaison du titane avec le premier matériau à changement de phase peut toutefois requérir la dissociation d’une partie du matériau à base de titane, par exemple pour que les atomes de titane puissent se combiner par insertion ou substitution avec le premier matériau. Les forces de liaisons au sein du matériau à base de titane peuvent être suffisamment faibles pour qu’une fois fondu, le matériau se dissocie partiellement et libère des atomes de titane. L’énergie de liaison du titane au sein de son matériau est, par exemple, choisie de sorte qu’elle soit inférieure ou égale à la chaleur latente de liquéfaction du premier matériau à changement de phase. De la sorte, lorsque suffisamment d’énergie apportée à la mémoire non-initialisée 1 est suffisante pour faire fondre le premier matériau à changement de phase, une partie du matériau à base de titane est alors dissocié en laissant libre des atomes de titane. La dissociation du matériau à base de titane peut également être réalisée au moyen d’un échauffement complémentaire, obtenu au moyen d’une impulsion électrique. L’amplitude de l’impulsion électrique mise en œuvre pour la dissociation du matériau à base de titane est avantageusement inférieure ou égale à l’amplitude d’un courant d’initialisation (décrit ci-après) permettant la fusion du matériau à base de titane et du premier matériau à changement de phase. L’amplitude de l’impulsion électrique est préférentiellement inférieure à 100 mA, afin de ne pas dégrader les matériaux de la mémoire non-initialisée 1. De manière préférée, une amplitude inférieure à 10 mA, voire inférieure ou égale à 5 mA, est suffisante. L’impulsion électrique présente une durée préférentiellement inférieure à 10 µs, voire inférieure à 1 µs et de manière encore préférée inférieure à 500 ns. Chaque région active 20 est disposée entre les électrodes supérieure et inférieure 14, 13. Dans les modes de réalisation des et , une région active 20 présente une forme hémisphérique (dite dôme) de rayon R. Sa base est parallèle au plan des couches P et coïncide avec la surface du substrat S. La première couche 11 et la région active 20 reposent également sur le même plan. Lorsque l’électrode inférieure 13 traverse le substrat S, comme c’est le cas dans les et , la région active 20 est disposée à l’aplomb de l’électrode inférieure 13 et contre cette électrode. La région active 20 est d’ailleurs, de par son mécanisme de formation, localisée au niveau de sa zone de contact avec l’électrode inférieure 13. Le rayon R de la région active 20 est avantageusement supérieur à l’épaisseur A de la première couche 11 (afin de permettre un mélange du matériau à base de titane avec du premier matériau). Dans l’exemple de la , le rayon R est inférieur à l’épaisseur totale A + B des première et deuxième couches 11, 12. Dans l’exemple de la , le rayon R est supérieur à l’épaisseur totale A + B des première et deuxième couches 11, 12. Dans ce dernier cas, la région active 20 connecte les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 entre elles. Dans ces deux exemples, la première couche 11 diffère de la mémoire non-initialisée 1 en ce qu’elle entoure une portion 21 de la région active 20 (c’est-à-dire que cette dernière la traverse dans l’épaisseur, de part en part) dite « portion de dôme inférieure ». En d’autres termes, la région active 20 traverse la première couche 11. Grâce à cela, les courants de lecture et/ou de programmation traversent préférentiellement la région active 20, de sorte que la conduction électrique dans la région active 20 soit peu influencée par la première couche 11 restante. La deuxième couche 12 de la mémoire initialisée 2 diffère également de la mémoire 1 en ce qu’elle entoure également une portion 22 de la région active 20, dite portion « portion de dôme supérieure ». Lors de l’application d’un courant entre les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 de la mémoire résistive non-initialisée 1, ledit courant circule dans la première couche 11 et dans la deuxième couches 12. L’échauffement dans chaque couche dépend de la densité de courant en chaque point desdites couches 11, 12. L’électrode inférieure 13 traversante, telle qu’illustrée sur les , , et , concentre le courant électrique au niveau du point de contact entre ladite électrode inférieure13 et une première couche 11 et plus particulièrement au niveau d’une portion centrale 111 d’une première couche 11. La densité de courant est concentrée au niveau de la portion centrale 111 et au voisinage de cette portion 111. Les courbes d’iso-densité peuvent présenter une forme sensiblement hémisphérique à partir de l’électrode inférieure 13. La densité de courant, lorsqu’elle dépasse une densité critique, provoque la fusion des matériaux et crée un volume de matériaux fondus. L’interface entre les milieux solides et le milieu liquide (c’est-à-dire la surface du volume de matériau fondu) suit également les courbes d’iso-densité et peut également montrer une forme sensiblement hémisphérique à partir de l’électrode inférieure 13. Selon l’amplitude du courant appliqué entre les électrodes inférieure et supérieure 13, 14, la surface du volume de matériaux fondus peut atteindre la deuxième couche 12. Une partie des atomes de titane du matériau à base de titane se combine alors avec le matériau à changement de phase pour former le deuxième matériau à changement de phase, présentant des propriétés électriques différentes du premier matériau à changement de phase. La solidification du volume de matériau fondu (par exemple, suite à l’arrêt du courant) finalise la formation de la région active 20 telle qu’illustrée aux et . La région active 20 présente ainsi un deuxième matériau à changement de phase, solidifié et contenant du titane. Ledit titane forme par exemple un nouvel alliage avec le premier matériau à changement de phase. La région active 20 permet ainsi de stocker une information en l’encodant dans une valeur de résistivité du deuxième matériau à changement de phase. En effet, le deuxième matériau à changement de phase de la région active 20 peut présenter, au même titre que le premier matériau à changement de phase, une phase amorphe ou une phase cristalline. En revanche, le titane combiné avec le premier matériau à changement de phase tend augmenter la vitesse de cristallisation et/ou de trempe du deuxième matériau à changement de phase (et donc la vitesse de commutation de la région active 20). Ainsi, la présence de la région active 20, disposée entre les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 permet de stocker une information dans la mémoire initialisée 2. À la différence d’une mémoire 1 non-initialisée, la vitesse de commutation de l’information est améliorée. Le deuxième matériau à changement de phase dans la région active 20, illustré dans les et , comprend un volume de la première couche 11 correspondent à la portion inférieure 21 de la région active 20 et un volume de la deuxième couche 12 correspondant à la portion supérieure 22 de la région active 20. Le deuxième matériau à changement de phase présente une concentration de titane. Ladite concentration de titane est proportionnelle à untaux de dilution du matériau à base de titane dans le deuxième matériau à changement de phase. Ledit taux de dilution est égal au rapport du volume de la portion inférieure 21 de la région active par le volume totale de la région active 20. Il dépend donc du volume de la région active 20 et donc d’une dimension de la région active 20, telle que son rayon R. Dans l’exemple de la , la région active 20 présente une forme hémisphérique et son volume total dépendant dépend de son rayon R. Le taux de dilution du matériau à base de titane dans la région active 20 correspond au volume de la portion inférieure 21 de la région active 20 par rapport au volume total de la région active 20. Le volume de la portion inférieure 21 de la région active 20 est donné par Ainsi, le taux de dilution du matériau à base de titane dans le premier matériau à changement de phase est égal à Le taux de dilution dépend donc directement du rapport de l’épaisseur A de la première couche 11 par la dimension de la région active 20, en l’occurrence son rayon R. La illustre la variation du taux de dilution D du matériau à base de titane dans le premier matériau à changement de phase, tel que calculé ci-dessus en fonction du rapport A/R. Plus le rayon de la région active 20 est grand (rapport A/R faible) et plus le matériau à base titane est dilué dans une quantité de premier matériau à changement de phase. À l’inverse, plus le rayon de la région active 20 est faible (rapport A/R grand) et plus le matériau à base de titane est concentré. La mémoire non-initialisée 1 considérée pour réaliser ce calcul présente une épaisseur B de la deuxième couche infinie (permettant d’obtenir un rapport A/R de 0 et une valeur [0 ; 0]). Il en résulte qu’une région active 20 présentant une grande dimension présente un deuxième matériau à changement de phase combinant une faible concentration de titane. À l’inverse une région active 20 présentant une faible dimension présente un deuxième matériau à changement de phase combinant une forte concentration de titane. Une région active 20 de faible dimension présente donc une vitesse de cristallisation et/ou trempe élevée (puisque les propriétés du matériau à changement de phase sont fortement impactées) tandis qu’une région active 20 de grande dimension présente une vitesse de cristallisation et/ou trempe faible. La dimension de la région active 20 dépend de la dimension du volume total de matériaux fondus. Cette dernière dépend des paramètres menant à sa formation, tel que la densité de courant dans chaque couche. En effet, une densité de courant modérée créera un volume de matériaux fondus de petite taille tandis qu’une densité de courant élevée créera un volume de grande taille. La densité de courant dans les première et deuxième couches 11, 12 est proportionnelle à l’amplitude du courant appliqué sur ces couches. C’est donc en contrôlant l’amplitude du courant appliqué qu’il est possible de contrôler la dimension de la région active 20. Le contrôle de l’amplitude du courant permet donc de contrôler le taux de dilution du matériau à base de titane dans la région active 20. Ainsi, le contrôle de l’amplitude du courant permet donc de contrôler la concentration de titane dans le deuxième matériau à changement de phase. Il est avantageux que la première couche 11 présente une épaisseur A inférieure à l’épaisseur B de la deuxième couche 12. Ainsi, la dilution du matériau à base de titane dans le premier matériau est plus efficace. L’épaisseur B de la deuxième couche 12 est par exemple quatre fois supérieure, voire vingt fois supérieure, à l’épaisseur A de la première couche 11. Lorsque l’épaisseur A de la première couche 11 est supérieure à l’épaisseur B de la deuxième couche B, la variation de la concentration de titane en fonction d’une dimension de la région active est plus faible. Ce cas de figure peut améliorer le contrôle de la concentration de titane lorsque le courant d’initialisation est difficilement contrôlé. En revanche, la dimension minimale de la région active pour permettre une dilution du matériau à base de titane est d’autant plus élevée que l’épaisseur A de la première couche 11 est élevée. Le courant minimum à appliquer pour former la région active 20 est donc également plus élevé. La dilution du matériau à base de titane est également réalisée de manière efficace lorsque le premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12 comprend une concentration initiale de titane (c’est-à-dire avant mélange) qui soit inférieure à la concentration initiale de titane du matériau à base de titane de la première couche 11. Ainsi, la fusion et le mélange des deux matériaux (premier matériau et matériau à base de titane) tend à diluer le titane plutôt que le concentrer. Le premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12 comprend par exemple une concentration de titane nulle. La représente schématiquement un procédé 3 d’initialisation d’une mémoire 1. La mise en œuvre de ce procédé permet d’obtenir une mémoire résistive initialisée 2 telle qu’illustrée aux ou . Le procédé d’initialisation 3 comprend une étape de circulation 32 d’un courant électrique, dit courant d’initialisation, entre les première et deuxième électrodes 13, 14 de la mémoire résistives 1 de manière à former la région active 20. Le courant d’initialisation étant choisi de manière à fusionner une partie du matériau à base de titane de la première couche 11 de la mémoire résistive 1 et une partie du premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12 de la mémoire résistive non-initialisée 1. Il s’en suit mécaniquement un mélange des matériaux fondus ; et un dopage du premier matériau fondu avec du titane de manière à former le deuxième matériau à changement de phase. La fusion est notamment rendue possible par l’établissement d’un gradient thermique dans les premières et deuxième couches 11, 12. Le procédé 3 d’initialisation comprend également une étape de solidification 33 du deuxième matériau à changement de phase pour former la région active 20. La solidification 33 est par exemple obtenue par l’arrêt du courant d’initialisation. Le mélange des matériaux fondus et la combinaison du titane avec le premier matériau peuvent avoir lieu de manière concomitante pendant toute la durée d’application du courant d’initialisation. Pour que le courant d’initialisation mis en œuvre ne soit pas trop élevé et ne dégrade pas la mémoire 1, il est avantageux que la température de fusion des première et deuxième couches 11, 12 soit inférieure à 1000 °C et de manière encore préférée inférieure à 700 °C. Le procédé d’initialisation 3, tel qu’illustré à la , peut également comprendre une étape préliminaire 31 de détermination du courant d’initialisation. Le courant d’initialisation est par exemple compris entre deux courants extrémaux. Une mise en œuvre de l’étape de détermination 31 est illustrée à la . Elle met, par exemple, en œuvre une mémoire résistive non-initialisée dite « sacrificielle » car l’initialisation de cette mémoire est réalisée au-delà des courants extrémaux (afin de pouvoir déterminer lesdits courants). La montre schématiquement une courbe de résistance qu’il est possible de mesurer aux bornes de la mémoire sacrificielle en fonction du courant appliqué. La résistance présente un premier plateau à faible courant jusqu’à ce que le courant appliqué atteigne un courant dit « courant d’initialisation minimal ». À partir de ce courant minimal, la courbe de résistance présente un premier coude. La courbe de résistance présente également une zone dans laquelle la variation présente une pente continue avant de présenter un second coude jusqu’à atteindre un courant dit « courant d’initialisation maximal ». La courbe de résistance présente ensuite un plateau, pouvant avoir une pente légère ou diminuante. Au-delà du deuxième coude, la courbe peut également présenter une chute de résistance lorsque la région active 20 connecte les électrodes inférieure et supérieure 13, 14 entre elles. La fusion des matériaux influence peu la mesure résistance aux bornes du mémoire. En effet, tant que les matériaux restent purs, ils ne provoquent pas de changement de tendance de la courbe de résistance. Le premier coude correspond donc au mélange du matériau à base de titane de la première couche 11 avec le premier matériau à changement de phase de la deuxième couche 12. Le courant d’initialisation est donc choisi supérieur ou égale au courant d’initialisation minimal, pour permettant de créer un volume fondu mélangeant le matériau à base de titane et le premier matériau à changement de phase. Le courant d’initialisation minimal indique que le volume de matériaux fondus présente une dimension supérieure à l’épaisseur A de la première couche 11. Le premier coude correspond par exemple à la portion de courbe de la observable pour un rapport A/R supérieur à 0,8 et comprenant également un coude. À mesure que le courant augmente, la dimension du volume de matériau fondu augmente, diluant d’autant le matériau à base de titane. La variation linéaire de la résistance offre ainsi une progressivité et un bon contrôle de la taille du volume fondu (et donc de la dilution du matériau à base de titane). Il s’agit d’une plage optimale d’initialisation dans laquelle il peut être judicieux de choisir le courant d’initialisation. Le deuxième coude intervient lorsque le mécanisme atteint un régime de saturation. D’une part, la dilution du matériau à base de titane peut être élevée et l’augmentation du volume de matériaux fondus dilue moins efficacement le matériau à base de titane. D’autre part, l’augmentation du volume de matériaux fondus peut montrer une saturation, parce qu’elle a atteint une limite à son expansion, telle que les flancs des première et/ou deuxième couches 11, 12 ou l’une des électrodes 13, 14. La détermination 31 des courants d’initialisation minimal et maximal peut être scindée en deux sous-étapes correspond à la détermination d’un courant d’initialisation respectivement minimal et maximal. La détermination desdits courants extrêmaux peut également être réalisée de manière séquentielle, en augmentant le courant par paliers, lesdits paliers pouvant être espacés d’une durée pendant laquelle aucun courant n’est appliqué, permettant par exemple le refroidissement et la solidification de la région active 20. La détermination 31 des courants d’initialisation minimal et maximal peut également être réalisée par analyse de la composition de la région active 20. Une série de mémoires 1 peut être initialisée en appliquant des courants différents (par exemple de manière arbitraire). Une analyse de la composition de chaque mémoire initialisée 2 et plus particulièrement de chaque région active 20 permet de déterminer les courants d’initialisation minimal et maximal. Par exemple, il peut être attendu que le courant d’initialisation minimal permette de former une région active 20 présentant une concentration de titane maximale dans le deuxième matériau à changement de phase, cette concentration de titane dans le deuxième matériau étant strictement inférieure à la concentration initiale de titane dans le matériau à base de titane pur (c’est à dire avant mélange) et avantageusement strictement supérieure à la concentration de titane dans le premier matériau à changement de phase pur. Il peut également être attendu que le courant d’initialisation maximal permette de former une région active 20 présentant une concentration de titane minimal dans le deuxième matériau à changement de phase, cette concentration étant préférentiellement inférieure ou égale à 1/100, mais avantageusement strictement supérieure à la concentration de titane dans le premier matériau à changement de phase pur. L’application 32 du courant d’initialisation et la solidification 33 de la région active 20 peuvent être réalisées, séquentiellement, plusieurs fois. L’amplitude du courant d’initialisation peut par exemple augmenter à chaque fois. Ainsi, la dimension de région active 20 augmente à chaque réalisation de l’application du courant d’initialisation. Ce mode de mise en œuvre permet d’approcher, de manière graduelle, des performances souhaitées. En revanche, le mode de formation de la région active 20 ne permet pas d’initialiser la mémoire en appliquant un courant d’initialisation dont l’amplitude est inférieure à une amplitude déjà employée. D’ailleurs, appliquer un courant supérieur au courant d’initialisation employé pour initialiser une mémoire 2 peut entrainer une initialisation complémentaire de cette mémoire 2. Il est donc avantageux de lire ou commuter la mémoire initialisée avec un courant plus faible que celui utilisé pour réaliser l’initialisation. Autrement dit, Il est avantageux d’initialiser la mémoire 2 avec un courant d’initialisation supérieur ou égal au courant de lecture et au courant de commutation afin d’éviter une initialisation complémentaire non souhaitée de la mémoire lors de sa lecture ou de sa commutation. La mémoire à initialiser peut d’ailleurs être dans un état d’initialisation intermédiaire. Cet état d’initialisation intermédiaire est par exemple obtenu après une première initialisation. La mémoire résistive dans un état d’initialisation intermédiaire présente alors une région active dite « intermédiaire ». Cette région active intermédiaire comprend par exemple un troisième matériau à changement de phase comprenant également du titane. Cette région active intermédiaire est par exemple obtenue par une première fusion des première et deuxième couches. Le troisième matériau à changement de phase intermédiaire présente alors une concentration de titane supérieure à la concentration sera atteint dans le deuxième matériau à changement de phase. La circulation 32 d’un courant d’initialisation génère également un gradient de température au sein de la région active intermédiaire impliquant sa fusion et le mélange du troisième matériau à changement de phase avec le matériau à base de titane de la première couche (également partiellement fondu) et avec le premier matériau à changement de phase (également partiellement fondu). Il en résulte la formation d’un deuxième matériau à changement de phase à partir du premier matériau à changement de phase, du matériau à base de titane et du troisième matériau à changement de phase. La région active 20 formée par le deuxième matériau à changement de phase présente d’ailleurs une dimension (telle que son rayon) supérieure à une dimension de la région active intermédiaire. La représente une mesure de la résistance moyenne d’un ensemble de 4096 mémoires non-initialisées 1 lors de différents modes d’utilisation ou lors de leur initialisation. Le courant appliqué sur chacune des mémoires est une impulsion présentant, séquentiellement, une montée de 10 ns à une amplitude maximale, un maintien de cette amplitude maximale pendant une durée de 300 ns et une chute de 10 ns. Une première courbe de résistance, dite courbe d’initialisation, mesurée lors de l’initialisation 3 de chaque mémoire, est représentée par des carrés (également indiquée par « INIT » dans la ). La courbe d’initialisation présente en partie la même tendance que la courbe discutée en référence à la . Elle présente notamment un premier plateau pour des valeurs de courant faibles (inférieurs à 1,3 mA), un premier coude observable pour un courant compris entre 1,3 mA et 1,6 mA et une partie linéaire entre 1,6 mA et 1,8 mA. Le courant maximal appliqué est le courant d’initialisation. Dans cet exemple, le courant d’initialisation est de 1,8 mA. À l’issue de l’initialisation 3 (comprenant ici une étape de circulation 32 du courant d’initialisation et une étape de refroidissement/solidification 33 du deuxième matériau à changement de phase formé), chaque mémoire résistive 1 est initialisée et présente une région active 20 dans laquelle une information peut être encodée. Une deuxième courbe de résistance, dite courbe de contrôle, représentée par des losanges (également indiquée par « ctrl » dans la figure), présente la variation de résistance de chaque mémoire initialisée 2 à l’issu de leur initialisation, lorsque le courant diminue du courant d’initialisation (1,8 mA) à un courant nul. La courbe de contrôle ne présente pas la même tendance que la courbe d’initialisation, preuve du changement de comportant de chaque mémoire résistive. Une troisième courbe de résistance représentée par des cercles (également indiquée par « SET » sur la figure) présente la variation de la résistance de chaque mémoire initialisée 2 lorsque le courant appliqué augmente. La troisième courbe se superpose à la courbe de contrôle, montrant que les mémoires sont stables et qu’elles présentent le même comportant. Le caractère conducteur du matériau à base de titane de la première couche permet de réaliser une initialisation 3 contrôlée de chaque mémoire résistive et ainsi configurer correctement leurs performances. En effet, une première couche isolante ne permet en revanche pas de contrôler correctement la circulation 32 du courant d’initialisation sur chaque mémoire 1. Par exemple, il est nécessaire d’appliquer une tension élevée aux bornes d’un matériau isolant pour réaliser un claquage et permettre la circulation d’un courant suffisant pour réaliser l’initialisation. Or, il devient difficile de contrôler le courant circulant dans la mémoire au moment du claquage. Cette manière d’opérer réduit le contrôle de l’initialisation et résulte en une grande dispersion de performances au sein de l’ensemble des mémoires 1. Il est d’ailleurs avantageux que la première couche 11 présente un caractère métallique. En effet, un matériau présentant un caractère isolant, semiconducteur ou semi-métallique montre une dépendance en température différente d’un matériau présentant un caractère métallique. Par exemple, à mesure que la température augmente, un matériau présentant un caractère métallique voit sa résistivité augmenter de manière monotone à partir d’une certaine température. Ainsi, à mesure que le courant d’initialisation augmente et que la température augmente dans la première couche, la résistivité de la première couche augmente. Le caractère métallique de la première couche freine l’augmentation de courant et de température et permet de contrôler facilement et précisément le courant d’initialisation qui circule dans la mémoire. À l’inverse, à mesure que la température augmente, un matériau présentant un caractère semi-métallique voit sa résistivité diminuer à partir d’une certaine température. Ainsi, à mesure que le courant d’initialisation augmente et que la température augmente dans la première couche 11, la résistivité de la première couche décroît. Le caractère semi-métallique de la première couche accélère alors l’augmentation de courant et de température et peut entraîner un emballement de sorte que le courant d’initialisation puisse former une région active trop grande, voire dégrader les première et/ou deuxième couches. Le phénomène est plus intense lorsqu’il s’agit d’un matériau présentant un caractère isolant ou semiconducteur. La forte non-linéarité de la résistivité de ces matériaux en fonction de la tension et de la température augmente davantage le risque d’emballement et donc de dégradation de la mémoire. La troisième courbe de résistance de la montre une tendance caractéristique du comportement de mémoires résistives à changement de phase dans un état de basse résistance aussi dit état « haut » ou état « programmé » ou encore état « SET » en anglais. Une quatrième courbe de résistance, représentée par des triangles (également indiquée par « RESET » sur la figure), présente la variation de la résistance de chaque mémoire initialisée 2 après la commutation de toutes les mémoires 2 dans un état de haute résistance, aussi dit état « bas » ou état « effacé » ou encore état « RESET » en anglais. À la différence de la troisième courbe, la quatrième courbe montre effectivement une tendance caractéristique du comportement de mémoires résistives dans un état bas. La indique également un exemple de courant de lecture pouvant être utilisé pour lire l’état de résistivité d’une mémoire initialisée, ainsi qu’une plage de courant de commutation de la région active 20 de chaque mémoire initialisée 2. Le courant d’initialisation employé est supérieur au courant de lecture et au courant de commutation maximal. Les , et montrent les différences de comportement entre deux mémoires résistives initialisées 2 au moyen de deux courants d’initialisation différents. Une première mémoire 2 a été initialisée au moyen d’un courant d’initialisation de 1,5 mA et une deuxième mémoire 2 a été initialisée au moyen d’un courant d’initialisation de 1,8 mA. Chacune des première et deuxième mémoires 2 comprend donc une région active 20. Toutefois, la région active 20 de la première mémoire, ayant été formée avec un courant plus faible que la deuxième mémoire, présente une concentration de titane qui est supérieure à celui de la région active 20 de la deuxième mémoire. La montre deux courbes de résistance en fonction du courant appliqué aux bornes des deux mémoires résistives 2, lorsqu’elles sont dans un état de basse résistance (état haut ou « SET). La première mémoire, initialisée avec un courant d’initialisation moindre, présente une résistance plus faible que la deuxième mémoire, initialisée avec le courant le plus élevé. La variation de la résistance en fonction du courant présente également une pente différente entre les deux mémoires, la première mémoire (initialisée à 1,5 mA) affichant une pente plus faible que la deuxième mémoire (initialisée à 1,8 mA). Les et montrent une mesure de la résistance des deux mémoires lorsqu’elles sont dans un état de haute résistance (indiqué « RESET » sur les figures) ou dans un état de basse résistance (indiqué « SET » sur les figures), la commutation pour passer d’un état à l’autre étant réalisée avec différentes durées de chute (aussi appelée « fall time » en anglais). La durée de chute correspond à une durée pendant laquelle le courant mis en œuvre pour réaliser la commutation décroît jusqu’à une valeur nulle. La montre la variation de résistance pour la première mémoire (initialisée avec un courant d’initialisation de 1,5 mA) tandis que la montre la variation de résistance pour la deuxième mémoire (initialisée avec un courant d’initialisation de 1,8 mA). Le rapport de la valeur de résistance de l’état de haute résistance par la valeur de résistance de l’état de basse résistance est appelé « fenêtre de programmation ». Les deux figures montrent que la fenêtre de programmation augmente fortement à mesure que la durée de chute croît. L’augmentation de la durée de chute améliore la cristallisation du deuxième matériau de la région active 20 et réduit donc la résistivité associée (c’est-à-dire la fenêtre de programmation). La deuxième mémoire présente une fenêtre de programmation plus étendue que la première mémoire. En revanche, résistance SET équivalente (représentée par les traits pointillés), la première mémoire nécessite une durée de chute de 10 ns tandis que la deuxième mémoire nécessite un temps de chute de 10 000 ns. La première mémoire, initialisée avec un courant d’initialisation de 1,5 mA présente une vitesse de commutation (en l’occurrence une vitesse de programmation) plus élevée que la deuxième mémoire. La première mémoire peut donc être utilisée en lieu et place d’une mémoire vive de type statique (ou SRAM pour « Static Random Access Memory » en anglais) ou dynamique (ou DRAM pour « Dynamic Random Access Memory » en anglais). Elle peut être connectée à une unité de calcul. À la différence d’une SRAM ou d’une DRAM, une mémoire résistive initialisée, dont le mécanisme de stockage est basé sur la capacité de la région active à changer de phase, présente une consommation électrique faible (car ne nécessite pas une alimentation en continue pour conserver un état), une latence réduite et une densité d’intégration élevée. À l’inverse, la deuxième mémoire, initialisée avec un courant d’initialisation plus élevé, par exemple de 1,8 mA, présente une vitesse d’écriture faible mais offre une sensibilité à la recristallisation plus faible, donc un meilleur niveau de stockage. La représente schématiquement un mode de mise en œuvre d’un procédé de stockage 4 d’un message dans un ensemble de mémoires résistives. Ce procédé de stockage utilise la capacité qu’ont les mémoires non-initialisées 1 selon l’invention d’être initialisée pour stocker le message, sans toutefois offrir une lecture aisée de ce message en l’absence de clé de chiffrement. Le procédé de stockage 4 tire avantage de la faible différence de résistivité entre une mémoire initialisée et une mémoire non-initialisée lorsqu’elles sont dans un même état de résistance (par exemple de haute résistance ou de basse résistance). La différence de résistance peut être inférieure à 20 %, voire inférieure à 10 %. Pour cela, l’ensemble de mémoires non-initialisées comprend un premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées selon l’invention et un deuxième sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées selon l’invention. Les deux sous-ensembles sont distincts l’un de l’autre. C’est-à-dire que chacune des mémoires non-initialisées de l’ensemble fait partie exclusivement du premier sous-ensemble précité ou exclusivement du deuxième sous-ensemble précité. Le procédé de stockage 4 comprend une première étape 41 d’initialisation de chaque mémoire du premier sous-ensemble par la mise en œuvre du procédé d’initialisation 3 tel que décrit précédemment. Chaque mémoire initialisée est alors, à faible courant, dans un état initialisé. Le message stocké est alors formé par les mémoires non-initialisées ou par les mémoires initialisées. La faible différence de résistance entre une mémoire initialisée et une mémoire non-initialisée dans un même état de résistance (haut ou base) ne permet pas de déterminer quelle mémoire porte l’information. Il est alors nécessaire de connaître la clé de chiffrement ayant permis de former les premier et deuxième sous-ensembles pour déterminer le message stocké. Pour rappel, une mémoire non-initialisée, ou également « vierge », est une mémoire ne comprenant pas de région active. À l’inverse, une mémoire initialisée est une mémoire comprenant une région active. Le procédé de stockage 4 peut également comprendre une deuxième étape 42 consistant à programmer, par exemple aléatoirement, chaque mémoire non-initialisée du deuxième sous-ensemble et chaque mémoire initialisée du premier sous-ensemble. Par programmation d’une mémoire, on entend la commutation de cette mémoire dans un état de basse résistance ou de haute résistance. Ainsi, les mémoires, qu’elles soient initialisées ou non, stockent un faux message dans leurs états de résistance respectifs, permettant de cacher le vrai message à stocker dans l’état initialisé ou non. Il est ainsi plus difficile de déterminer le vrai message qui est stocké dans l’ensemble des mémoires. De plus, sans connaissance exact des paramètres ayant permis de programmer les mémoires du deuxième sous-ensemble (tels que son amplitude ou la vitesse de cristallisation des dispositifs), il est difficile de forcer la lecture du message chiffrer en tentant de reprogrammer chaque mémoire résistive afin de distinguer les mémoires des mémoires programmées. En effet, les mémoires initialisées présentant un courant de commutation inférieur au courant de commutation des mémoires non-initialisées. La reprogrammation des toutes les mémoires tendrait alors à effacer le message stocker plutôt que le révéler. Procédé d’initialisation (3) d’une mémoire résistive non-initialisée (1), ladite mémoire résistive non-initialisée (1) comprenant : au moins une première couche (11), comprenant un matériau à base de titane, ledit matériau à base de titane étant conducteur ; au moins une deuxième couche (12), s’étendant sur ladite au moins une première couche (11), comprenant un premier matériau à changement de phase, ledit premier matériau à changement de phase étant apte à être dopé par du titane ; le procédé (3) comprenant une étape de circulation (32) d’un courant électrique, dit courant d’initialisation, dans chacune des première et deuxième couches (11, 12), le courant d’initialisation étant dimensionné pour générer un gradient de température au sein desdites première et deuxième couches (11, 12) impliquant la fusion d’une partie au moins du matériau à base de titane de chaque première couche (11) sur toute son épaisseur et d’une partie au moins du premier matériau à changement de phase de chaque deuxième couche (12), ladite fusion résultant dans la formation, à partir du premier matériau à changement de phase et du matériau à base de titane, d’un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane. Procédé d’initialisation (3) selon la revendication précédente, dans lequel le deuxième matériau à changement de phase présente une concentration de titane, provenant du matériau à base de titane fondu, le courant d’initialisation étant choisi pour contrôler ladite concentration. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une étape de détermination (31) d’un courant d’initialisation minimal associé à une concentration maximale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase, ladite concentration maximale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase étant strictement inférieure à la concentration du titane dans le matériau à base de titane pur, le courant d’initialisation utilisé lors de l’étape de circulation (32) étant supérieure ou égal au courant d’initialisation minimal. Procédé d’initialisation (3) selon la revendication précédente, comprenant une étape de détermination d’un courant d’initialisation maximal, le courant d’initialisation maximal étant associé à une concentration minimale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase, ladite concentration minimale de titane dans le deuxième matériau à changement de phase étant strictement inférieure ou égale à 1/100, le courant d’initialisation utilisé lors de l’étape de circulation (32) étant inférieur ou égal au courant d’initialisation maximal. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la mémoire résistive non-initialisée (1) présente au moins une région active intermédiaire, chaque région active intermédiaire étant disposée entre une première couche (11) et une deuxième couche (12), chaque région active intermédiaire comprenant au moins un troisième matériau à changement de phase comprenant du titane, le courant d’initialisation circulant également dans chacune des région active intermédiaire, le courant d’initialisation étant dimensionné pour générer également un gradient de température au sein de chaque région active intermédiaire impliquant également la fusion d’une partie au moins du troisième matériau à changement de phase de chaque région active intermédiaire, ladite fusion résultant dans la formation, à partir du premier matériau à changement de phase et du matériau à base de titane et du troisième matériau à changement de phase, d’un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de titane de chaque première couche (11) comprend un premier élément, dit « élément porteur », neutre vis-à-vis des propriétés de commutation du premier matériau à changement de phase. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de titane de chaque première couche (11) comprend des impuretés pouvant exercer une influence sur des propriétés électroniques du premier matériau à changement de phase. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de titane présente une résistivité inférieure à 1000 µΩ·cm. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le matériau à base de titane comprend une concentration en titane telle qu’un traitement thermique dudit matériau à base de titane à une température inférieure ou égale à 400 °C modifie sa résistivité de moins de 70 %. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau à changement de phase est un alliage binaire ou un alliage ternaire comprenant du germanium, de l’antimoine, du tellure, du gallium ou du sélénium. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, dans lequel chaque première et deuxième couches (11, 12) présentent une température de fusion comprise dans ]400 °C ; 1000 °C[. Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la mémoire résistive non-initialisée (1) comprend une première électrode (13) et une deuxième électrode (14), la première électrode (13) étant en contact avec une première couche (11), la deuxième électrode s’étendant sur une deuxième couche (12), la première électrode (13) présentant une largeur inférieure à une largeur de chaque première couche (11), la deuxième électrode (14) présente une largeur supérieure à la largeur de la première électrode (13). Procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications 1 à 11, dans lequel la mémoire résistive non-initialisée (1) comprend une première électrode (13), une deuxième électrode (14), deux deuxièmes couches (12) et une première couche (11), chacune des deuxièmes couches (12) s’étendant sur une des faces de la première couche (11), la première électrode (13) étant en contact avec une des deux deuxièmes couches (12), la deuxième électrode (14) étant en contact avec une autre des deux deuxième couches (12), les première et deuxième électrodes (13, 14) présentant chacune une largeur supérieure ou égale à la largeur de la première couche. Mémoire résistive (2) initialisée obtenue après la mise en œuvre du procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications précédentes, ladite mémoire résistive initialisée comprenant : au moins une première couche (11), comprenant un matériau à base de titane ; au moins une deuxième couche, s’étendant sur ladite au moins une première couche, comprenant un premier matériau à changement de phase ; et au moins une région active (20), chaque région active étant disposée entre une première couche et une deuxième couche, chaque région active comprenant un deuxième matériau à changement de phase comprenant du titane. Procédé de stockage (4) d’un message dans un ensemble de mémoires résistives non-initialisées, chaque mémoire résistive non-initialisée comprenant : au moins une première couche, comprenant un matériau à base de titane, ledit matériau à base de titane étant conducteur ; au moins une deuxième couche, s’étendant sur ladite au moins une première couche et comprenant un premier matériau à changement de phase, ledit premier matériau à changement de phase étant apte à être dopé par du titane ; l’ensemble de mémoires résistives non-initialisées comprenant un premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées et un deuxième sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées, distincts du premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisées, le procédé de stockage (4) comprenant une étape d’initialiser (41) chaque mémoire résistive du premier sous-ensemble de mémoires résistives non-initialisée par la mise en œuvre du procédé d’initialisation (3) selon l’une des revendications 1 à 13, le message stocké est formé par les mémoires résistives non-initialisées ou par les mémoires résistives initialisées.