FR 3131432 A1 20230630 FR 2201495 A 20220221 Procédé de fabrication de substrats (1, 2) démontables, comportant les étapes : a) prévoir : - un premier substrat (1), comprenant des espèces implantées (10) formant une zone plane d’implantation (100) et une surface (S) proximale ; - un second substrat (2), comprenant une surface (20) b) former un ensemble de cavités (200) à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) ; c) assembler les premier et second substrats (1, 2) par un collage direct ; d) appliquer un traitement thermique selon un pour fragiliser la zone plane d’implantation (100) ; l’ensemble de cavités (200) étant agencé de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) fragilisée à l’issue de l’étape d). Figure 1 Procédé de fabrication de substrats démontables L’invention se rapporte au domaine technique de la fabrication de substrats démontables. On parle également de poignées temporaires. L’invention trouve notamment son intérêt dans le transfert d’une couche utile sur un substrat support pour fabriquer un dispositif (ou composant) pour tout type d’applications (électronique, mécanique, optique etc.). État de l’art Les poignées temporaires de l’état de la technique sont principalement de deux types. Des poignées temporaires d’un premier type sont réalisées à base d’un matériau polymère, et sont compatibles uniquement avec des basses températures (typiquement inférieures à 300°C). Des poignées temporaires d’un deuxième type sont compatibles avec de plus hautes températures (typiquement de l’ordre de 500°C à 600°C). Les poignées temporaires connues de l’état de la technique sont classiquement fabriquées à l’aide d’une interface de collage affaiblie entre deux substrats. L’interface de collage affaiblie peut être obtenue avec des surfaces rugueuses, ou avec des matériaux des deux substrats choisis de manière à être physico-chimiquement peu compatibles. Le démontage des deux substrats peut être exécuté ultérieurement à l’aide d’un traitement thermique, ou de manière mécanique par insertion d’une lame suivant l’interface de collage. De telles solutions de l’état de la technique ne sont pas entièrement satisfaisantes, en raison de leur complexité de mise en œuvre. L’invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l’invention a pour objet un procédé de fabrication de substrats démontables, comportant les étapes : a) prévoir : - un premier substrat, comprenant des espèces implantées formant une zone plane d’implantation, le premier substrat comprenant une surface proximale à la zone plane d’implantation ; - un second substrat, comprenant une surface ; b) former un ensemble de cavités à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat ; c) assembler les premier et second substrats par un collage direct entre la surface proximale du premier substrat et la surface du second substrat ; d) appliquer un traitement thermique à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c), selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation ; l’ensemble de cavités étant agencé lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée à l’issue de l’étape d). Ainsi, un tel procédé selon l’invention permet l’obtention de poignées temporaires en utilisant une zone plane d’implantation formée par des espèces implantées, puis fragilisée par un traitement thermique pour démonter ultérieurement les premier et second substrats par l’application d’une contrainte mécanique (e.g. insertion d’une lame à l’interface de collage). Le traitement thermique de l’étape d) permet de maturer les défauts implantés, pouvant générer des défauts de type microfissure ou cloque qui vont grossir et par là-même fragiliser la zone plane d’implantation. L’agencement (par exemple le dimensionnement et/ou la répartition) de l’ensemble de cavités à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat lors de l’étape b) est adapté pour délimiter, à l’issue de l’étape c) : - des zones de collage, faisant face aux murets séparant les cavités et occupant l’espace inter-cavités, les zones de collage étant donc soumises à un effet raidisseur ; - des zones libres, faisant face aux cavités. Plus précisément, l’ensemble de cavités est agencé à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat lors de l’étape b) de sorte que : - les zones de collage présentent une superficie adaptée pour autoriser un collage direct entre les premier et second substrats lors de l’étape c) ; - les zones libres présentent une distribution spatiale adaptée pour interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée à l’issue de l’étape d). Le déclenchement de la fracture (« splitting » en langue anglaise) de la zone plane d’implantation est principalement dû à la maturation de défauts de type microfissure (« microcracks » en langue anglaise). La maturation des défauts de type microfissure est liée aux espèces implantées (classiquement des espèces gazeuses ionisées) subissant un traitement thermique (par exemple à 500°C pendant plusieurs dizaines de minutes), en présence d’un effet raidisseur. Les inventeurs ont constaté que la présence des cavités dans les zones libres, adjacentes aux zones de collage, limitait le développement des microfissures au niveau des régions de collage. Par ailleurs, lorsque les cavités s’étendent à la surface proximale du premier substrat, en-deçà de la zone plane d’implantation, les zones libres ne sont pas soumises à un effet raidisseur, et peuvent donc se déformer à l’intérieur de la ou des cavités leur faisant face lors de la maturation de défauts de type cloque (« blister » en langue anglaise). La maturation de défauts de type cloque est en effet liée aux espèces implantées (classiquement des espèces gazeuses ionisées) subissant un traitement thermique (par exemple à 500°C pendant plusieurs dizaines de minutes), en absence d’un effet raidisseur. La croissance des défauts de type cloque est bornée par le phénomène d’exfoliation correspondant à leur décapsulation. La présence de cavités autorise une expansion verticale des défauts de type cloque. La zone plane d’implantation résiste ainsi à une énergie thermique apportée par le traitement thermique de l’étape d), c'est-à-dire que la zone plane d’implantation n’est pas fracturée par le traitement thermique de l’étape d), mais est suffisamment fragilisée (par la présence de microfissures et le cas échéant de cloques) pour être fracturée ultérieurement par une sollicitation mécanique pour démonter les premier et second substrats, par exemple à l’aide de l’insertion d’une lame entre les premier et second substrats ou par pelage. Le procédé selon l’invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l’invention, le procédé comporte une étape e) consistant à exécuter une fracture mécanique de la zone plane d’implantation fragilisée après l’étape d), de manière à démonter les premier et second substrats. Ainsi, un avantage procuré est la simplicité du démontage des premier et second substrats, par exemple en insérant une lame entre les premier et second substrats. Selon une caractéristique de l’invention, l’ensemble de cavités est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque couple de cavités adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats est autorisé lors de l’étape c) ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée est interdite à l’issue de l’étape d). Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir : (i) des zones de collage présentant une superficie suffisante pour autoriser un collage direct entre les premier et second substrats lors de l’étape c) ; (ii) des zones libres, agencées entre les zones de collage pour interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée à l’issue de l’étape d). Selon une caractéristique de l’invention, le premier seuil est compris entre 500 nm et 3 µm, de préférence compris entre 1 µm et 2 µm. Selon une caractéristique de l’invention, le second seuil est compris entre 5 µm et 200 µm, de préférence compris entre 5 µm et 100 µm, plus préférentiellement compris entre 5 µm et 10 µm. Selon une caractéristique de l’invention, les premier et second substrats présentent une surface de collage à l’issue de l’étape c) ; et l’ensemble de cavités est agencé lors de l’étape b) de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir : (i) des zones de collage présentant une superficie suffisante pour autoriser un collage direct entre les premier et second substrats lors de l’étape c) ; (ii) des zones libres, agencées entre les zones de collage pour interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée à l’issue de l’étape d). Selon une caractéristique de l’invention : - l’ensemble de cavités est formé lors de l’étape b) à la surface proximale du premier substrat de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation ; - l’ensemble de cavités est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité présente au moins une dimension, dans le plan de la surface proximale du premier substrat, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ainsi, un avantage procuré est de borner l’expansion latérale des cloques à l’intérieur des cavités afin d’éviter le phénomène d’exfoliation. Selon une caractéristique de l’invention : - l’ensemble de cavités est formé lors de l’étape b) à la surface du second substrat ; - l’ensemble de cavités est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité présente au moins une dimension, dans le plan de la surface du second substrat, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ainsi, un avantage procuré est de borner l’expansion latérale des cloques à l’intérieur des cavités afin d’éviter le phénomène d’exfoliation. Selon une caractéristique de l’invention : - l’ensemble de cavités est formé lors de l’étape b) : à la surface proximale du premier substrat de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation, et à la surface du second substrat ; - l’ensemble de cavités est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité présente au moins une dimension, dans le plan de la surface proximale du premier substrat et dans le plan de la surface du second substrat, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ainsi, un avantage procuré est de borner l’expansion latérale des cloques à l’intérieur des cavités afin d’éviter le phénomène d’exfoliation. Selon une caractéristique de l’invention, l’ensemble de cavités est formé lors de l’étape b) à la surface proximale du premier substrat de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation. Ainsi, un avantage procuré est de s’affranchir de la présence de cloques, ce qui permet une plus grande tolérance sur la dimension latérale des cavités dans le plan de la surface proximale du premier substrat. L’ensemble de cavités est agencé pour empêcher la propagation latérale des microfissures et par là-même la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée. Selon une caractéristique de l’invention, chaque cavité de l’ensemble occupe la surface proximale du premier substrat et/ou la surface du second substrat de manière à délimiter une ouverture présentant une forme choisie parmi une forme rectangulaire, carrée, triangulaire ou circulaire. Selon une caractéristique de l’invention, le budget thermique de l’étape d) est défini par : - une température du traitement thermique comprise entre 200°C et 900°C, - une durée du traitement thermique comprise entre quelques minutes et quelques dizaines de minutes. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir une zone plane d’implantation résistant à une énergie thermique apportée par un traitement thermique de fracturation ou par un traitement thermique de renforcement de l’interface de collage. La zone plane d’implantation n’est pas fracturée par un tel budget thermique, mais est suffisamment fragilisée (par la présence de microfissures et de cloques) pour être fracturée ultérieurement par une sollicitation mécanique pour démonter les premier et second substrats, par exemple à l’aide de l’insertion d’une lame entre les premier et second substrats. Un tel budget thermique serait suffisant pour fracturer la zone plane d’implantation en l’absence d’un tel ensemble de cavités à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat. Selon une caractéristique de l’invention, l’étape a) comporte une étape préalable consistant à déterminer un rayon moyen d’exfoliation et/ou un rayon minimal d’exfoliation par une analyse statistique d’observations microscopiques, après avoir appliqué au premier substrat un traitement thermique de fracturation de la zone plane d’implantation. Ce traitement thermique est appliqué directement au premier substrat pour déterminer le rayon d’exfoliation dans le cas où les cavités sont formées à la surface du second substrat. Si les cavités sont formées à la surface proximale du premier substrat, ce traitement thermique sera appliqué au premier substrat après un amincissement sur toute sa surface et sur une épaisseur correspondant à la profondeur des cavités. Ainsi, un avantage procuré est d’améliorer la fiabilité du dimensionnement des cavités lors de l’étape b) afin d’obtenir des zones libres, non soumises à un effet raidisseur, pouvant se déformer à l’intérieur de la ou des cavités leur faisant face lors de la maturation de défauts de type cloque lors de l’étape d), tout en bornant l’expansion latérale des cloques à l’intérieur des cavités afin d’éviter le phénomène d’exfoliation. Selon une caractéristique de l’invention, le premier substrat prévu lors de l’étape a) est réalisé dans un matériau choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, de préférence sélectionné parmi Si, Ge, Si-Ge, SiC, un matériau III-V ; - le tantalate de lithium LiTaO 3 , le niobate de lithium LiNbO 3 . L’invention a également pour objet un ensemble pour fabriquer des substrats démontables, comportant : - un premier substrat, comprenant des espèces implantées formant une zone plane d’implantation, le premier substrat comprenant une surface proximale à la zone plane d’implantation ; - un second substrat, comprenant une surface ; - un ensemble de cavités, agencé à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat de manière à : autoriser un collage direct entre la surface proximale du premier substrat et la surface du second substrat ; interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation, après un traitement thermique appliqué aux premier et second substrats collés, selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation. Ainsi, comme évoqué précédemment, l’agencement (par exemple le dimensionnement et/ou la répartition) de l’ensemble de cavités à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat est adapté pour délimiter : - des zones de collage, faisant face aux murets séparant les cavités et occupant l’espace inter-cavités, les zones de collage étant donc soumises à un effet raidisseur ; - des zones libres, faisant face aux cavités. Plus précisément, l’ensemble de cavités est agencé à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat de sorte que : - les zones de collage présentent une superficie adaptée pour autoriser un collage direct entre les premier et second substrats ; - les zones libres présentent une distribution spatiale adaptée pour interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats collés. Le déclenchement de la fracture (« splitting » en langue anglaise) de la zone plane d’implantation est principalement dû à la maturation de défauts de type microfissure (« microcracks » en langue anglaise). La maturation des défauts de type microfissure est liée aux espèces implantées (classiquement des espèces gazeuses ionisées) subissant un traitement thermique (par exemple à 500°C pendant plusieurs dizaines de minutes), en présence d’un effet raidisseur. Les inventeurs ont constaté que la présence des cavités dans les zones libres, adjacentes aux zones de collage, limitait le développement des microfissures au niveau des régions de collage. Par ailleurs, lorsque les cavités s’étendent à la surface proximale du premier substrat, en-deçà de la zone plane d’implantation, les zones libres ne sont pas soumises à un effet raidisseur, et peuvent donc se déformer à l’intérieur de la ou des cavités leur faisant face lors de la maturation de défauts de type cloque (« blister » en langue anglaise). La maturation de défauts de type cloque est en effet liée aux espèces implantées (classiquement des espèces gazeuses ionisées) subissant un traitement thermique (par exemple à 500°C pendant plusieurs dizaines de minutes), en absence d’un effet raidisseur. La croissance des défauts de type cloque est bornée par le phénomène d’exfoliation correspondant à leur décapsulation. La présence de cavités autorise une expansion verticale des défauts de type cloque. La zone plane d’implantation résiste ainsi à une énergie thermique apportée par le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats collés, c'est-à-dire que la zone plane d’implantation n’est pas fracturée par le traitement thermique, mais est suffisamment fragilisée (par la présence de microfissures et le cas échéant de cloques) pour être fracturée ultérieurement par une sollicitation mécanique pour démonter les premier et second substrats, par exemple à l’aide de l’insertion d’une lame entre les premier et second substrats ou par pelage. Selon une caractéristique de l’invention, l’ensemble de cavités est agencé à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat de sorte que chaque couple de cavités adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats est autorisé ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation est interdite après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats collés. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir : (i) des zones de collage présentant une superficie suffisante pour autoriser un collage direct entre les premier et second substrats ; (ii) des zones libres, agencées entre les zones de collage pour interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats collés. Selon une caractéristique de l’invention, les premier et second substrats sont destinés à présenter une surface de collage ; et l’ensemble de cavités est agencé à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. Ainsi, un avantage procuré est d’obtenir : (i) des zones de collage présentant une superficie suffisante pour autoriser un collage direct entre les premier et second substrats ; (ii) des zones libres, agencées entre les zones de collage pour interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats collés. Selon une caractéristique de l’invention : - l’ensemble de cavités est agencé à la surface proximale du premier substrat de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation ; - l’ensemble de cavités est agencé à la surface proximale du premier substrat de sorte que chaque cavité présente au moins une dimension, dans le plan de la surface proximale du premier substrat, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ainsi, un avantage procuré est de borner l’expansion latérale des cloques à l’intérieur des cavités afin d’éviter le phénomène d’exfoliation. Selon une caractéristique de l’invention, l’ensemble de cavités est agencé à la surface du second substrat de sorte que chaque cavité présente au moins une dimension, dans le plan de la surface du second substrat, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ainsi, un avantage procuré est de borner l’expansion latérale des cloques à l’intérieur des cavités afin d’éviter le phénomène d’exfoliation. Selon une caractéristique de l’invention : - l’ensemble de cavités est agencé : à la surface proximale du premier substrat de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation, et à la surface du second substrat ; - l’ensemble de cavités est agencé de sorte que chaque cavité présente au moins une dimension, dans le plan de la surface proximale du premier substrat et dans le plan de la surface du second substrat, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ainsi, un avantage procuré est de borner l’expansion latérale des cloques à l’intérieur des cavités afin d’éviter le phénomène d’exfoliation. Selon une caractéristique de l’invention, l’ensemble de cavités est agencé à la surface proximale du premier substrat de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation. Ainsi, un avantage procuré est de s’affranchir de la présence de cloques, ce qui permet une plus grande tolérance sur la dimension latérale des cavités dans le plan de la surface proximale du premier substrat. L’ensemble de cavités est agencé pour empêcher la propagation latérale des microfissures et par là-même la fracture de la zone plane d’implantation fragilisée. Définitions - Par « substrat », on entend un support physique autoporté, réalisé dans un matériau de base à partir duquel peut être formé un dispositif (ou composant) pour tout type d’applications, notamment électronique, mécanique, optique. Un substrat peut être une « tranche » (également dénommée « plaquette », « wafer » en langue anglaise) qui se présente généralement sous la forme d’un disque issu d’une découpe dans un lingot d’un matériau cristallin. - Par « zone plane », on entend une planéité dans les tolérances usuelles liées aux conditions expérimentales de fabrication, et non une planéité parfaite au sens mathématique du terme. - Par « rayon d’exfoliation », on entend un paramètre, noté R exfo , défini par l’équation : où « ν » désigne le coefficient de Poisson de la couche mince, « E » désigne le module d’Young de la couche mince, « k B » est la constante de Boltzmann, « T » est la température (en K) à laquelle est soumise la couche mince, « α » est la fraction de dose efficace (en %) des espèces implantées, « D » est la dose implantée (en at./cm 2 ) des espèces, « σ » est la contrainte limite de cisaillement, « e » est l’épaisseur de la couche mince, et « x » est l’opérateur de multiplication. La couche mince est la partie du premier substrat s’étendant entre la zone plane d’implantation et la surface du premier substrat à travers laquelle l’implantation des espèces s’est effectuée (surface proximale à la zone plane d’implantation). L’exfoliation correspond à un détachement partiel (local) de la couche mince au niveau de la zone plane d’implantation. Il est délicat de déterminer de manière théorique le rayon d’exfoliation en raison de grandeurs physiques difficilement quantifiables, notamment la contrainte limite de cisaillement. Le rayon d’exfoliation est spécifique à l’implantation effectuée dans le premier substrat. - Par « rayon moyen d’exfoliation », on entend une moyenne arithmétique des rayons d’exfoliation obtenus de manière expérimentale. - Par « prédéterminé », on entend que le rayon moyen d’exfoliation est déterminé avant la conception de l’ensemble de cavités formé à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat. - Le terme « cavité » désigne une cavité superficielle, ouverte, s’étendant à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat, et pouvant être obtenue par gravure. - Par « réparti à la surface », on entend une distribution spatiale de l’ensemble de cavités à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat. - Par « collage direct », on entend un collage (de préférence spontané) issue de la mise en contact direct de deux surfaces, c'est-à-dire en l’absence d’un élément additionnel tel qu’une colle, une cire ou une brasure. L’adhésion provient principalement des forces de van der Waals issues de l’interaction électronique entre les atomes ou les molécules de deux surfaces, des liaisons hydrogène du fait des préparations des surfaces ou des liaisons covalentes établies entre les deux surfaces. Le collage direct est avantageusement exécuté à température et pression ambiantes. Le collage direct peut couvrir un collage par thermocompression ou un collage eutectique selon la nature des deux surfaces mises en contact. - Par « initiation thermique », on entend une initiation de la fracture de la zone plane d’implantation obtenue par une énergie thermique. - Par « fracture mécanique », on entend une fracture de la zone plane d’implantation (fragilisée) obtenue par une énergie mécanique. - Par « autoriser un collage direct », on entend que l’interface de collage (limitée principalement par l’ensemble des surfaces des murets séparant les cavités) possède une énergie d’adhésion suffisante pour coller les premier et second substrats entre eux. - Par « interdire une initiation thermique », on entend qu’une énergie thermique (par exemple apportée par un traitement thermique appliqué à l’assemblage des premier et second substrats) n’est pas suffisante pour initier une fracture de la zone plane d’implantation qui aurait comme effet de séparer les premier et second substrats. - Par « matériau de type III-V », on entend un alliage binaire entre des éléments situés respectivement dans la colonne III et dans la colonne V du tableau périodique des éléments. - Par « matériau semi-conducteur », on entend un matériau présentant une conductivité électrique à 300 K comprise entre 10 -8 S/cm et 10 3 S/cm. - L’expression « occuper un pourcentage de la surface de collage » par l’ensemble de cavités peut être décrite par un taux d’occupation défini par la formule lorsque chaque cavité délimite une ouverture présentant une forme carrée de côté « a », chaque couple de cavités adjacentes étant espacé d’une distance « b » à la surface proximale du premier substrat et/ou à la surface du second substrat. - Par « budget thermique », on entend un apport d’énergie de nature thermique, déterminé par le choix d’une valeur de la température du traitement thermique et le choix d’une valeur de la durée du traitement thermique. - Les valeurs X et Y exprimées à l’aide des expressions « entre X et Y » ou « compris entre X et Y » sont incluses dans la plage de valeurs définie. - Par « faisant face », on entend qu’un élément A fait face à un élément B lorsque les éléments A et B sont en regard l’un de l’autre suivant la normale à la surface de collage des premier et second substrats. - Par « s’étendant en-deçà », on entend que les cavités s’étendent en deçà de la zone plane d’implantation lorsque la profondeur des cavités est strictement inférieure à la profondeur d’implantation des espèces implantées. - Par « s’étendant au-delà », on entend que les cavités s’étendent au-delà de la zone plane d’implantation lorsque la profondeur des cavités est strictement supérieure à la profondeur d’implantation des espèces implantées. D’autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l’exposé détaillé de différents modes de réalisation de l’invention, l’exposé étant assorti d’exemples et de références aux dessins joints. est une vue schématique en coupe, illustrant les premier et second substrats avant collage selon un premier mode de réalisation où l’ensemble de cavités est formé à la surface du second substrat. est une vue schématique en coupe, illustrant le collage direct des premier et second substrats selon le premier mode de réalisation. est une vue schématique en coupe, illustrant la présence de défauts de type cloque après collage des premier et second substrats selon le premier mode de réalisation, lorsque l’assemblage subit un traitement thermique conduisant à une maturation des défauts. est une vue schématique en coupe, illustrant l’insertion d’une lame à l’interface de collage pour démonter les premier et second substrats selon le premier mode de réalisation. est un graphique représentant en abscisses la profondeur d’implantation (en µm) et en ordonnées un rayon d’exfoliation (en µm) obtenu expérimentalement. est une illustration d’une observation microscopique d’arrachements localisés (ou exfoliations) de la surface du premier substrat (i.e. la surface proximale à la zone plane d’implantation), le premier substrat étant soumis à un traitement thermique de fracturation sans effet raidisseur. est une vue schématique en coupe, illustrant les premier et second substrats avant collage selon un deuxième mode de réalisation où l’ensemble de cavités est formé à la surface proximale du premier substrat. est une vue schématique en coupe, illustrant les premier et second substrats avant collage selon un troisième mode de réalisation où l’ensemble de cavités est formé à la surface proximale du premier substrat et à la surface du second substrat. est une vue schématique en coupe, illustrant les premier et second substrats avant collage selon un quatrième mode de réalisation où l’ensemble de cavités est formé à la surface proximale du premier substrat de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation. Il est à noter que les figures 1 à 4, 7 à 9 décrites ci-avant sont schématiques, et ne sont pas à l’échelle par souci de lisibilité et pour en simplifier leur compréhension. Les coupes sont effectuées suivant la normale à la surface de collage. Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. Procédé de fabrication Un objet de l’invention est un procédé de fabrication de substrats 1, 2 démontables, comportant les étapes : a) prévoir : - un premier substrat 1, comprenant des espèces implantées 10 formant une zone plane d’implantation 100, le premier substrat 1 comprenant une surface S proximale à la zone plane d’implantation 100 ; - un second substrat 2, comprenant une surface 20 ; b) former un ensemble de cavités 200 à la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou à la surface 20 du second substrat 2 ; c) assembler les premier et second substrats 1, 2 par un collage direct entre la surface S proximale du premier substrat 1 et la surface 20 du second substrat 2 ; d) appliquer un traitement thermique à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c), selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation 100 ; l’ensemble de cavités 200 étant agencé lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats 1, 2 lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée à l’issue de l’étape d). Etape a) L’étape a) est illustrée aux figures 1, 7 à 9. Les espèces implantées 10 sont avantageusement des espèces gazeuses, comportant de préférence des atomes d’hydrogène ionisé et/ou des atomes d’hélium ionisé. Il est possible d’effectuer une co-implantation entre ces espèces et/ou avec d’autres espèces gazeuses, ou encore d’effectuer une multi-implantation des mêmes espèces gazeuses. Le premier substrat 1 prévu lors de l’étape a) est avantageusement réalisé dans un matériau choisi parmi : - un matériau semi-conducteur, de préférence sélectionné parmi Si, Ge, Si-Ge, SiC, un matériau III-V ; - le tantalate de lithium LiTaO 3 , le niobate de lithium LiNbO 3 . A titre d’exemple non limitatif, lorsque le premier substrat 1 est réalisé en silicium, il est possible d’implanter des atomes d’hydrogène ionisé selon les paramètres suivants : - une énergie comprise entre 120 keV et 200 keV ; - une dose comprise entre 6.10 16 at.cm -2 et 7.10 16 at.cm -2 . Comme illustré aux figures 5 et 6, l’étape a) comporte avantageusement une étape préalable consistant à déterminer un rayon moyen d’exfoliation et/ou un rayon minimal d’exfoliation par une analyse statistique d’observations microscopiques, après avoir appliqué au premier substrat 1 (comprenant les espèces implantées 10) un traitement thermique de fracturation de la zone plane d’implantation 100 (par exemple 1h à 500°C lorsque le premier substrat 1 est réalisé en silicium). Ce traitement thermique est appliqué directement au premier substrat 1 pour déterminer le rayon d’exfoliation dans le cas où les cavités 200 sont formées à la surface 20 du second substrat 2. Si les cavités 200 sont formées à la surface proximale S du premier substrat 1, ce traitement thermique sera appliqué au premier substrat 1 après un amincissement sur toute sa surface et sur une épaisseur correspondant à la profondeur des cavités 200. Le traitement thermique de fracturation de la zone plane d’implantation 100 est exécuté selon un budget thermique similaire au budget thermique de l’étape d). En l’absence d’un effet raidisseur, ce traitement thermique entraîne la formation de cloques 3 et d’arrachements 3’ localisés (exfoliations). Comme illustré à la , des observations en microscopie optique de la surface S (proximale à la zone plane d’implantation 100) du premier substrat 1 permettent d’observer ces cloques 3 et ces exfoliations 3’, les exfoliations 3’ étant aisément repérables par la présence d’un liseré sombre sur leur contour. Une analyse d’image permet de mesurer la surface de ces exfoliations 3’. Les surfaces ainsi mesurées sont converties en rayon (en considérant les défauts comme circulaires). Les dimensions ainsi extraites, en nombre suffisant pour permettre une analyse statistique (i.e. typiquement une population de plusieurs dizaines d’exfoliations), permettent alors de définir leur taille minimum, moyenne, et maximum. La illustre à cet égard le rayon des exfoliations 3’ observées selon ce protocole expérimental pour des premiers substrats 1 de silicium, implantés à une dose fixe, en fonction de l’énergie d’implantation ici traduite en profondeur d’implantation. Etape b) L’étape b) est illustrée aux figures 1, 7 à 9. Selon un premier mode de réalisation illustré à la , l’ensemble de cavités 200 est formé lors de l’étape b) à la surface 20 du second substrat 2. L’ensemble de cavités 200 est dimensionné et réparti lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats 1, 2 lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée à l’issue de l’étape d). Selon un deuxième mode de réalisation illustré à la , l’ensemble de cavités 200 est formé lors de l’étape b) à la surface S proximale du premier substrat 1 de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation 100. L’étape b) est exécutée après la formation de la zone plane d’implantation 100. L’ensemble de cavités 200 est dimensionné et réparti lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats 1, 2 lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée à l’issue de l’étape d). Selon un troisième mode de réalisation illustré à la , l’ensemble de cavités 200 est formé lors de l’étape b) à la surface S proximale du premier substrat 1, de manière à s'étendre en-deçà de la zone plane d’implantation 100, et à la surface 20 du second substrat 2. L’étape b) est exécutée après la formation de la zone plane d’implantation 100. L’ensemble de cavités 200 est dimensionné et réparti lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats 1, 2 lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée à l’issue de l’étape d). Selon un quatrième mode de réalisation illustré à la , l’ensemble de cavités 200 est formé lors de l’étape b) à la surface S proximale du premier substrat 1 de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation 100. L’étape b) est exécutée après la formation de la zone plane d’implantation 100. L’ensemble de cavités 200 est espacé lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats 1, 2 lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée à l’issue de l’étape d). L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque couple de cavités 200 adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats 1, 2 est autorisé lors de l’étape c) ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée est interdite à l’issue de l’étape d). Le premier seuil est avantageusement compris entre 500 nm et 3 µm, de préférence compris entre 1 µm et 2 µm. Le second seuil est avantageusement compris entre 5 µm et 200 µm, de préférence compris entre 5 µm et 100 µm, plus préférentiellement compris entre 5 µm et 10 µm. Les premier et second substrats 1, 2 présentent une surface de collage à l’issue de l’étape c). L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé lors de l’étape b) de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou dans le plan de la surface 20 du second substrat 2, inférieure ou égale au double du rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double du rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Selon le premier mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface 20 du second substrat 2. Selon le deuxième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1. Selon le troisième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1 et dans le plan de la surface 20 du second substrat 2. Selon le quatrième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1, n’est pas un paramètre critique en l’absence de cloques 3. Chaque cavité 200 de l’ensemble occupe la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou la surface 20 du second substrat 2 de manière à délimiter une ouverture présentant une forme avantageusement choisie parmi une forme rectangulaire, carrée, triangulaire ou circulaire. A titre d’exemple non limitatif, chaque cavité 200 peut délimiter une ouverture présentant une forme carrée dont chaque côté est compris entre 10 µm et 30 µm, de préférence compris entre 15 µm et 20 µm. Si le rayon minimum d’exfoliation prédéterminé est de 15 µm, les cavités 200 peuvent avantageusement prendre la forme de carrés avec un côté de 30 µm, de cercles avec un diamètre de 30 µm, ou de lignes avec une largeur de 30 µm. Les cavités 200 peuvent être obtenues par gravure du second substrat 2. A titre d’exemple non limitatif, le second substrat 2 peut être réalisé dans un matériau semi-conducteur, tel que le silicium. En présence de cloques 3, l’ensemble de cavités 200 est avantageusement dimensionné de sorte que chaque cavité 200 possède une profondeur, suivant la normale à la surface 20 du second substrat 2 (et/ou suivant la normale à la surface S proximale du premier substrat 1), supérieure à la flèche maximale des cloques 3, notée H max . La valeur de H max peut être approximée selon la théorie de l’élasticité des plaques et des cloques, développée par Timoshenko, par la formule : où : - « ν » désigne le coefficient de Poisson de la couche mince transférée, - « E » désigne le module d’Young de la couche mince, - « e » est l’épaisseur de la couche mince, - « P 1 » est la pression dans une cloque 3 (dépendant de la dose d’implantation), - « R » est le rayon d’une cloque 3, - « x » est l’opérateur de multiplication. La couche mince est la partie du premier substrat 1 s’étendant entre la zone plane d’implantation 100 et la surface S du premier substrat 1 à travers laquelle l’implantation des espèces 10 s’est effectuée (proximale à la zone plane d’implantation 100) lorsque les cavités 200 sont formées à la surface 20 du second substrat 2. Toutefois, la profondeur de chaque cavité 200 peut être inférieure à la flèche maximale des cloques 3 (i.e. les cloques 3 peuvent ‘toucher le fond des cavités 200’) sans que cela n’affecte la bonne mise en œuvre d’un procédé selon l’invention. Etape c) L’étape c) est illustrée à la . L’étape c) est avantageusement précédée d’une étape consistant à nettoyer les surfaces à coller des premier et second substrats 1, 2, par exemple pour éviter la contamination des surfaces par des hydrocarbures, des particules ou des éléments métalliques. A titre d’exemple non limitatif, il est possible de nettoyer les surfaces à coller à l’aide d’une solution diluée SC1 (mélange de NH 4 OH et de H 2 O 2 ). L’étape c) est avantageusement précédée d’une étape consistant à activer les surfaces à coller des premier et second substrats 1, 2, par exemple par un traitement plasma ou par pulvérisation par faisceau d’ions (IBS pour « Ion Beam Sputtering » en langue anglaise). L’activation des surfaces à coller permet de réduire le premier seuil. L’étape c) est préférentiellement exécutée dans un milieu à atmosphère contrôlée. A titre d’exemple non limitatif, l’étape c) peut être exécutée sous vide poussé tel qu’un vide secondaire inférieur à 10 -2 mbar. Etape d) Le traitement thermique est appliqué à l’assemblage des premier et second substrats 1, 2 obtenu à l’issue de l’étape c). Le traitement thermique est appliqué lors de l’étape d) selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation 100. Plus précisément, dans les premier, deuxième et troisième modes de réalisation illustrés respectivement aux figures 1, 7 et 8, les espèces implantées 10 génèrent des microfissures ou des cloques 3 en réponse au traitement thermique appliqué lors de l’étape d) qui fragilisent la zone plane d’implantation 100. Les cloques 3 générées lors de l’étape d) s’étendent à l’intérieur de l’ensemble de cavités 200. Une ou plusieurs cloques 3 peuvent s’étendre à l’intérieur d’une cavité 200 de l’ensemble. Le traitement thermique de l’étape d) permet de maturer les défauts implantés, générant des microfissures et des cloques 3 qui vont grossir et par là-même fragiliser la zone plane d’implantation 100. Comme illustré à la , des défauts de type cloque 3 apparaissent lors de l’étape d), lorsque l’assemblage est soumis à un traitement thermique. Les zones libres ZL, s’étendant à la surface S du premier substrat 1 (i.e. la surface proximale à la zone plane d’implantation 100), faisant face aux cavités 200, ne sont pas soumises à un effet raidisseur. Les zones libres ZL, non soumises à un effet raidisseur, peuvent alors se déformer à l’intérieur de la ou des cavités 200 leur faisant face, après la maturation de défauts de type cloque 3, de manière à interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée à l’issue de l’étape d). Ce mécanisme est identique pour les deuxième et troisième modes de réalisation illustrés respectivement aux figures 7 et 8. Les zones libres ZL, s’étendant à la surface S proximale du premier substrat 1, faisant face aux cavités 200, ne sont pas soumises à un effet raidisseur. Les zones libres ZL, non soumises à un effet raidisseur, peuvent alors se déformer à l’intérieur de la ou des cavités 200 leur faisant face, après la maturation de défauts de type cloque 3, de manière à interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée à l’issue de l’étape d). Dans le quatrième mode de réalisation illustré à la , les espèces implantées 10 génèrent uniquement des microfissures au niveau des zones de collage en réponse au traitement thermique appliqué lors de l’étape d) qui fragilisent la zone plane d’implantation 100. Le budget thermique de l’étape d) est avantageusement adapté pour fracturer la zone plane d’implantation 100, en l’absence de l’ensemble de cavités 200 à la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou à la surface 20 du second substrat 2. Or, dans l’invention, c’est-à-dire en présence d’un tel ensemble de cavités 200 à la surface S proximale du premier substrat et/ou à la surface 20 du second substrat 2, un tel budget thermique de l’étape d) fragilise la zone plane d’implantation 100 mais ne permet pas d’initier thermiquement la fracture de la zone plane d’implantation 100. A titre d’exemple non limitatif, le budget thermique de l’étape d) peut être défini par : - une température du traitement thermique comprise entre 200°C et 900°C, - une durée du traitement thermique comprise entre quelques minutes et quelques dizaines de minutes. Le budget thermique de l’étape d) dépend notamment du matériau du premier substrat 1 et des conditions d’implantation des espèces implantées 10. Lorsque le premier substrat 1 est réalisé en silicium Si, la température du traitement thermique peut être comprise entre 300°C et 600°C, par exemple de l’ordre de 500°C. Lorsque le premier substrat 1 est réalisé en tantalate de lithium LiTaO 3 , la température du traitement thermique peut être de l’ordre de 200°C. Lorsque le premier substrat 1 est réalisé en phosphure d’indium InP, la température du traitement thermique peut être de l’ordre de 150°C. Le traitement thermique de l’étape d) est avantageusement un recuit thermique. Etape e) Le procédé peut comporter une étape e) consistant à exécuter une fracture mécanique de la zone plane d’implantation 100 fragilisée après l’étape d), de manière à démonter les premier et second substrats 1, 2. Comme illustré à la , l’étape e) peut être exécutée en insérant une lame L entre les premier et second substrats 1, 2, à l’interface de collage, depuis un bord de l’assemblage des premier et second substrats 1, 2. A titre de variante, il est possible de prévoir de laminer sur la couche mince une couche de pelage (par exemple réalisée dans un matériau polymère) qui va servir ensuite à peler mécaniquement la couche mince. Après l’exécution de l’étape e), le premier substrat 1 démonté peut être recyclé et réutilisé. En outre, après l’exécution de l’étape e), la couche mince transférée sur le second substrat 2 peut être soumise à des traitements chimiques et/ou mécaniques pour recouvrer une surface plane, et obtenir une couche utile à partir de laquelle peut être formé un composant pour tout type d’applications, notamment électronique, mécanique, optique. Etapes technologiques Le premier substrat 1 et/ou le second substrat 2 peuvent être soumis à des étapes technologiques, exécutées entre les étapes d) et e), afin de former tout ou partie d’un composant. A titre d'exemples non limitatifs, les étapes technologiques peuvent consister en des étapes d’amincissement, de report de couche, de dépôt de couche, de photolithographie, de gravure etc. Il est à noter que l’amincissement du premier substrat 1 est avantageusement exécuté entre les étapes c) et d). L’assemblage des premier et second substrats 1, 2 peut être solidarisé à un substrat de réception pour la mise en œuvre de certaines étapes technologiques. Ensemble de fabrication Un objet de l’invention est un ensemble pour fabriquer des substrats 1, 2 démontables, comportant : - un premier substrat 1, comprenant des espèces implantées 10 formant une zone plane d’implantation 100, le premier substrat 1 comprenant une surface S proximale à la zone plane d’implantation 100 ; - un second substrat 2, comprenant une surface 20 ; - un ensemble de cavités 200, agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou à la surface 20 du second substrat 2 de manière à : autoriser un collage direct entre la surface S proximale du premier substrat 1 et la surface 20 du second substrat 2 ; interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 après un traitement thermique appliqué aux premier et second substrats 1, 2 collés, selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation 100. L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou à la surface 20 du second substrat 2 de sorte que chaque couple de cavités 200 adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats 1, 2 est autorisé ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation 100 fragilisée est interdite après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats 1, 2 collés. Les premier et second substrats 1, 2 sont destinés à présenter une surface de collage. L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou à la surface 20 du second substrat 2 de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. L’ensemble de cavités 200 est avantageusement agencé de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1 et/ou dans le plan de la surface 20 du second substrat 2, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Selon le premier mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface 20 du second substrat 2. Selon le deuxième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1. Selon le troisième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités 200 est dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1 et dans le plan de la surface 20 du second substrat 2. Selon le quatrième mode de réalisation illustré à la , la dimension latérale des cavités, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1, n’est pas un paramètre critique en l’absence de cloques 3. Selon le premier mode de réalisation illustré à la , l’ensemble de cavités 200 est agencé à la surface 20 du second substrat 2 de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface 20 du second substrat 2, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Selon le deuxième mode de réalisation illustré à la : - l’ensemble de cavités 200 est agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation 100 ; - l’ensemble de cavités 200 est agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Selon le troisième mode de réalisation illustré à la : - l’ensemble de cavités 200 est agencé : à la surface S proximale du premier substrat 1 de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation 100, et à la surface 20 du second substrat 2 ; - l’ensemble de cavités 200 est agencé de sorte que chaque cavité 200 présente au moins une dimension, dans le plan de la surface S proximale du premier substrat 1 et dans le plan de la surface 20 du second substrat 2, inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Selon le quatrième mode de réalisation illustré à la , l’ensemble de cavités 200 est agencé à la surface S proximale du premier substrat 1 de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation 100. Les caractéristiques techniques décrites ci-avant (premier et second substrats 1, 2, espèces implantées 10, rayon moyen d’exfoliation, forme des cavités 200) s’appliquent pour cet objet de l’invention. L’invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L’homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. Procédé de fabrication de substrats (1, 2) démontables, comportant les étapes : a) prévoir : - un premier substrat (1), comprenant des espèces implantées (10) formant une zone plane d’implantation (100), le premier substrat (1) comprenant une surface (S) proximale à la zone plane d’implantation (100) ; - un second substrat (2), comprenant une surface (20) ; b) former un ensemble de cavités (200) à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) ; c) assembler les premier et second substrats (1, 2) par un collage direct entre la surface (S) proximale du premier substrat (1) et la surface (20) du second substrat (2) ; d) appliquer un traitement thermique à l’assemblage obtenu à l’issue de l’étape c), selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation (100) ; l’ensemble de cavités (200) étant agencé lors de l’étape b) de manière à : - autoriser un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) lors de l’étape c) ; - interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) fragilisée à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 1, comportant une étape e) consistant à exécuter une fracture mécanique de la zone plane d’implantation (100) fragilisée après l’étape d), de manière à démonter les premier et second substrats (1, 2). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque couple de cavités (200) adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) est autorisé lors de l’étape c) ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) fragilisée est interdite à l’issue de l’étape d). Procédé selon la revendication 3, dans lequel le premier seuil est compris entre 500 nm et 3 µm, de préférence compris entre 1 µm et 2 µm. Procédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le second seuil est compris entre 5 µm et 200 µm, de préférence compris entre 5 µm et 100 µm, plus préférentiellement compris entre 5 µm et 10 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel les premier et second substrats (1, 2) présentent une surface de collage à l’issue de l’étape c) ; et l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est formé lors de l’étape b) à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation (100) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (S) proximale du premier substrat (1), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est formé lors de l’étape b) à la surface (20) du second substrat (2) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est formé lors de l’étape b) : à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation (100), et à la surface (20) du second substrat (2) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé lors de l’étape b) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (S) proximale du premier substrat (1) et dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Procédé selon l’une des revendications 1 à 6, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est formé lors de l’étape b) à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation (100). Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel l’étape a) comporte une étape préalable consistant à déterminer un rayon moyen d’exfoliation et/ou un rayon minimal d’exfoliation par une analyse statistique d’observations microscopiques, après avoir appliqué au premier substrat (1) un traitement thermique de fracturation de la zone plane d’implantation (100). Ensemble pour fabriquer des substrats (1, 2) démontables, comportant : - un premier substrat (1), comprenant des espèces implantées (10) formant une zone plane d’implantation (100), le premier substrat (1) comprenant une surface (S) proximale à la zone plane d’implantation (100) ; - un second substrat (2), comprenant une surface (20) ; - un ensemble de cavités (200), agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) de manière à : autoriser un collage direct entre la surface (S) proximale du premier substrat (1) et la surface (20) du second substrat (2) ; interdire une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100), après un traitement thermique appliqué aux premier et second substrats (1, 2) collés, selon un budget thermique adapté pour fragiliser la zone plane d’implantation (100). Ensemble selon la revendication 12, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) de sorte que chaque couple de cavités (200) adjacentes est espacé d’une distance comprise entre : - un premier seuil, au-delà duquel un collage direct entre les premier et second substrats (1, 2) est autorisé ; - un second seuil, strictement supérieur au premier seuil, en-deçà duquel une initiation thermique de la fracture de la zone plane d’implantation (100) est interdite après le traitement thermique appliqué aux premier et second substrats (1, 2) collés. Ensemble selon la revendication 12 ou 13, dans lequel les premier et second substrats (1, 2) sont destinés à présenter une surface de collage ; et l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) et/ou à la surface (20) du second substrat (2) de manière à occuper entre 50% et 85% de la surface de collage, de préférence entre 60% et 80% de la surface de collage. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation (100) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (S) proximale du premier substrat (1), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (20) du second substrat (2) de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel : - l’ensemble de cavités (200) est agencé : à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre en-deçà de la zone plane d’implantation (100), et à la surface (20) du second substrat (2) ; - l’ensemble de cavités (200) est agencé de sorte que chaque cavité (200) présente au moins une dimension, dans le plan de la surface (S) proximale du premier substrat (1) et dans le plan de la surface (20) du second substrat (2), inférieure ou égale au double d’un rayon moyen d’exfoliation prédéterminé, de préférence inférieure ou égale au double d’un rayon minimum d’exfoliation prédéterminé. Ensemble selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel l’ensemble de cavités (200) est agencé à la surface (S) proximale du premier substrat (1) de manière à s’étendre au-delà de la zone plane d’implantation (100).