FR 3129527 A1 20230526 FR 2112376 A 20211123 L’invention porte sur un dispositif optoélectronique (1) comportant une couche semiconductrice (10) cristalline à base de GeSn et comportant une jonction PIN. Cette formée couche semiconductrice (10) comporte : une portion de base (11) ; une portion intermédiaire (12) monocristalline présentant une valeur moyenne x pi1 de proportion d’étain inférieure à x ps1 , formant ainsi une zone barrière vis-à-vis de porteurs de charge circulant dans une portion supérieure (13) ; et la portion supérieure (13) monocristalline comportant un milieu homogène (13.1) de proportion d’étain x ps1 , et des structures verticales (13.2) présentant une valeur moyenne x ps2 de proportion d’étain supérieure à x ps1 , formant ainsi des zones d’émission ou de réception du rayonnement infrarouge. Figure pour l’abrégé : Fig. 1A Dispositif optoélectronique comportant une couche semiconductrice à base de GeSn présentant une portion monocristalline à structure de bandes directe et une zone barrière sous-jacente. Le domaine de l’invention est celui des dispositifs optoélectroniques d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, et plus particulièrement d’un rayonnement du moyen infrarouge (MWIR, pour Middle Wave InfraRed , en anglais), comportant une couche semiconductrice à base de germanium étain GeSn dans laquelle se situe une jonction semiconductrice PIN. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les dispositifs optoélectroniques d’émission d’un rayonnement infrarouge peuvent comporter une couche semiconductrice optiquement active réalisée à base d’un composé cristallin de la colonne IV du tableau périodique des éléments, par exemple un composé à base de germanium étain GeSn. La couche semiconductrice comporte une jonction semiconductrice, par exemple de type PIN, où est généré l’essentiel du rayonnement infrarouge émis par le dispositif optoélectronique. Le germanium étain Ge 1-x Sn x peut en effet présenter une structure de bandes d’énergie directe propice à l’émission du rayonnement lumineux infrarouge lorsque la proportion atomique d’étain x est suffisante. La réalisation de telle couche semiconductrice à base de GeSn reste cependant délicate, du fait notamment de la différence importante entre le paramètre de maille du germanium (a Ge =5,658Å) et celui de l’étain (a Sn =6,489Å), et de la différence entre la température de fusion du germanium (950°C environ) et celle de l’étain (240°C environ) qui peut conduire à une démixtion de l’étain. Pour fabriquer un tel dispositif optoélectronique, une approche consiste à réaliser une couche semiconductrice de GeSn partiellement relaxée par croissance épitaxiale, à partir d’un pseudo-substrat ( virtual-substrate , en anglais) de germanium. A ce titre, la publication de Wirths et al. intitulée Lasing in direct-bandgap GeSn alloy grown on Si , Nature Photon. 9 , 88-92 (2015) décrit un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique dans lequel une couche semiconductrice en germanium étain GeSn est réalisée par croissance épitaxiale de type CVD à partir d’une couche de nucléation en germanium Ge quasi-relaxée formé sur un substrat de silicium Si. Une couche semiconductrice épaisse en germanium étain GeSn est formée par épitaxie à partir de la couche de nucléation, et présente une épaisseur suffisante pour que les contraintes mécaniques relaxent plastiquement et que le germanium étain, sur au moins une épaisseur de la couche semiconductrice, est quasi-relaxé. Aussi, la couche semiconductrice ainsi réalisée présente une relative bonne qualité cristalline, hormis à l’interface avec la couche de nucléation où la relaxation plastique des contraintes mécaniques a généré des défauts structuraux de type dislocations. Les auteurs montrent qu’une proportion atomique d’étain de 12,6% permet de rendre directe la structure de bandes d’énergie dans une couche semiconductrice de GeSn relaxé et ainsi d’émettre un rayonnement lumineux infrarouge. Cependant, il peut être nécessaire d’obtenir une couche semiconductrice à structure de bandes directe avec une proportion atomique d’étain plus faible. Une autre approche consiste alors à réaliser une couche semiconductrice à base de GeSn subissant des contraintes mécaniques en tension dans le plan principal de la couche. En effet, comme le montre notamment la publication de Wirths et al. intitulée Strain Engineering for Direct Bandgap GeSn Alloys , IEEE 11th International Conference On Group IV Photonics, 2014, la proportion atomique minimale x min d’étain pour que la structure de bandes d’énergie de la couche semiconductrice soit directe dépend du type de contraintes mécaniques subies par la couche semiconductrice (compression ou tension) et de leur intensité. Aussi, la diminution de cette proportion atomique minimale x min d’étain permet de réduire les risques de démixtion de l’étain. A ce titre, la demande internationale WO2018/037189A1 décrit un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique d’émission du rayonnement infrarouge dans une couche semiconductrice à base de GeSn contrainte en tension, celle-ci étant obtenue sous la forme d’une membrane suspendue au-dessus d’un substrat et mise en tension par des bras tenseurs, puis effondrée sur le substrat et assemblée à celui-ci par collage direct. Ce dispositif optoélectronique comporte donc une couche semiconductrice à base de GeSn, dans laquelle se situe une jonction semiconductrice PIN affleurant la face supérieure. Des contacts métalliques de polarisation reposent sur et au contact d’une région dopée de type n et d’une région dopée de type p. La région intrinsèque est située dans une portion de la couche semiconductrice présentant une contrainte en tension, et où la proportion atomique moyenne d’étain est suffisante pour que, compte tenu de la valeur de la contrainte en tension, la structure de bandes d’énergie y soit directe. Cependant, il existe un besoin de disposer d’un dispositif optoélectronique d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, comportant une couche semiconductrice à base de GeSn contrainte en tension et ayant une proportion atomique d’étain suffisante pour que la structure de bandes y soit directe, pouvant être fabriqué sans avoir recours au procédé de mise en tension par réalisation d’une membrane suspendue suivie de son effondrement, ni à des techniques d’ingénierie de la contrainte mécanique par réalisation d’un empilement de couches minces. L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un dispositif optoélectronique d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, comportant une couche semiconductrice à base de GeSn contrainte en tension et ayant une proportion atomique d’étain suffisante pour que la structure de bandes y soit directe, qui présente de bonnes performances, et qui puisse être réalisé sans avoir recours aux procédés cités précédemment, en particulier au procédé décrit dans la demande internationale WO2018/037189A1. Pour cela, l’objet de l’invention est un dispositif optoélectronique d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, comportant : une couche de nucléation ; une couche semiconductrice cristalline à base de GeSn ; et des contacts métalliques de polarisation, situés sur et au contact de régions dopées. La couche semiconductrice s’étend suivant un plan principal, présente une face supérieure opposée à la couche de nucléation, et comporte : une portion de base, s’étendant sur et au contact de la couche de nucléation ; une portion supérieure, s’étendant sur la portion de base, monocristalline, et contrainte en tension d’une valeur moyenne ε ps dans le plan principal, formée d’un milieu homogène, présentant une valeur homogène x ps1 de proportion atomique d’étain, la valeur moyenne ε ps des contraintes en tension et la valeur x ps1 de la proportion atomique d’étain étant telles que la portion supérieure présente une structure de bandes interdites directe ; une jonction semiconductrice PIN, comportant une région dopée de type n, et une région dopée de type p, affleurant la face supérieure, et une région intrinsèque, située dans la portion supérieure, et s’étendant entre les régions dopées. Selon l’invention, la portion supérieure monocristalline comporte, outre le milieu homogène, des structures verticales s’étendant dans le milieu homogène suivant un axe orthogonal au plan principal sur toute l’épaisseur de la portion supérieure, et présentant une valeur moyenne x ps2 de proportion atomique d’étain supérieure à x ps1 , formant ainsi des zones d’émission ou de réception du rayonnement infrarouge. De plus, la couche semiconductrice comporte en outre une portion intermédiaire, située entre et au contact de la portion de base et la portion supérieure suivant un axe orthogonal au plan principal, monocristalline, et comportant une zone s’étendant dans le plan principal sur toute sa largeur et présentant une valeur moyenne x pi1 de proportion atomique d’étain inférieure à x ps1 , formant ainsi une zone barrière vis-à-vis de porteurs de charge circulant dans la portion supérieure. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce dispositif optoélectronique sont les suivants. La portion de base peut présenter une valeur moyenne x pb supérieure à la valeur moyenne x pi1 de la proportion atomique d’étain dans la portion intermédiaire et inférieure à la valeur moyenne x ps2 de la proportion atomique d’étain dans les structures verticales. La valeur moyenne x pb de la proportion atomique d’étain dans la portion de base peut être comprise entre 4% et 10%. La portion de base peut s’étendre jusqu’à une surface de la face supérieure (10a), et entourer la portion intermédiaire et la portion supérieure dans le plan principal, au moins l’une des régions dopées étant situées dans la portion de base. La portion intermédiaire peut recouvrir entièrement la portion de base, les régions dopées étant situées dans la portion supérieure. La couche semiconductrice peut être formée, à partir de la couche de nucléation, d’une zone inférieure et d’une zone supérieure monocristalline, la portion supérieure étant située dans la zone supérieure. La couche de nucléation peut être réalisée en germanium, et peut reposer sur un substrat support de préférence à base de silicium. Le dispositif optoélectronique peut être une diode laser ou une diode électroluminescente adaptée à générer le rayonnement infrarouge, ou une photodiode adaptée à détecter le rayonnement infrarouge. Le dispositif optoélectronique peut former une diode laser, et comporter un guide d’onde dit inférieur réalisé dans la couche de nucléation à base de germanium, un guide d’onde dit actif couplé au guide d’onde inférieur, comportant le milieu à gain et réalisé dans la couche semiconductrice, et au moins un réflecteur de Bragg situé dans le guide d’onde inférieur ou dans le guide d’onde actif. L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes, comportant les étapes suivantes : réalisation de la couche semiconductrice présentant une valeur initiale homogène de la proportion atomique d’étain, égale à la valeur moyenne x pb de la portion de base, par épitaxie à partir de la couche de nucléation ; réalisation des régions dopées dans la couche semiconductrice, espacées l’une de l’autre par la région intrinsèque ; réalisation de la portion intermédiaire et de la portion supérieure, par recuit par laser nanoseconde, en appliquant une impulsion laser sur au moins une surface de la face supérieure où affleure la région intrinsèque, présentant une longueur d’onde, une densité d’énergie et une durée prédéfinies de manière à faire fondre entièrement une partie du composé de la couche semiconductrice sur une profondeur prédéfinie de celle-ci, de préférence au moins égale à 150nm. L’étape de recuit par laser nanoseconde peut être effectuée en éclairant par l’impulsion laser seulement la surface de la face supérieure où affleure la région intrinsèque. L’étape de recuit par laser nanoseconde peut être effectuée en éclairant par l’impulsion laser la face supérieure de la couche semiconductrice où se situe la jonction semiconductrice PIN. Le procédé de fabrication peut comporter, préalablement à l’étape de recuit par laser nanoseconde, une étape d’amorphisation d’au moins la région intrinsèque par implantation ionique d’élément chimiques non dopants de type n ou p, sur une profondeur au moins égale à la profondeur des régions dopées. Seule la région intrinsèque peut être amorphisée lors de l’étape d’amorphisation, avant l’étape de recuit par laser nanoseconde. L’étape de réalisation des régions dopées peut être effectuée de manière à amorphiser les régions dopées. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique selon un mode de réalisation ; La illustre des exemples d’évolution de la proportion atomique d’étain dans le dispositif optoélectronique de la , suivant la ligne de coupe A-A (graphe de gauche) et suivant la ligne de coupe B-B (graphe de droite) ; La illustre des exemples de structure de bandes d'énergie dans le dispositif optoélectronique de la , suivant la ligne de coupe A-A (graphe de gauche) et suivant la ligne de coupe B-B (graphe de droite) ; La illustre des vues en coupe, obtenues par microscopie électronique en transmission à balayage, d’un exemple d’empilement du dispositif optoélectronique de la , formé du substrat support en silicium, de la couche de nucléation en germanium, et de la couche semiconductrice en GeSn, mettant en évidence la portion de base, la portion intermédiaire, et la portion supérieure ; La illustre une vue de dessus, obtenue par microscopie électronique, d’un exemple de la surface de la portion supérieure de la couche semiconductrice du dispositif optoélectronique de la , mettant en évidence le milieu homogène et les structures verticales de la portion supérieure ; Les figures 3A à 3H illustrent des étapes d’un procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon un mode de réalisation similaire à celui de la ; Les figures 4A et 4B sont des vues schématiques et partielles, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique selon des variantes de réalisation. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l’ordre de » signifient à 10% près, et de préférence à 5% près. Par ailleurs, les termes « compris entre … et … » et équivalents signifient que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. L’invention porte sur un dispositif optoélectronique d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, par exemple une diode laser, une diode électroluminescente, ou une photodiode. Le rayonnement infrarouge émis ou reçu est situé dans la gamme spectrale infrarouge, et plus précisément dans la gamme spectrale du moyen infrarouge (longueur d’onde centrale λ comprise de préférence entre 2µm et 6µm environ). Le dispositif optoélectronique comporte une couche semiconductrice à base de germanium étain GeSn qui comporte plusieurs zones ou portions qui se distinguent les unes des autres notamment par la proportion atomique d’étain. Elle comporte en particulier une portion supérieure contrainte en tension et où la proportion atomique d’étain x est suffisante pour que, compte tenu des contraintes en tension, la structure de bandes d’énergie y soit directe. Par couche semiconductrice à base de germanium étain GeSn, on entend une couche réalisée en un composé semiconducteur comprenant au moins du germanium Ge et de l’étain Sn. Le composé semiconducteur à base de GeSn peut être un composé binaire Ge 1-x Sn x , un composé ternaire, par exemple Si y Ge 1-x-y Sn x , voire un composé quaternaire ou plus. On note x la proportion atomique locale ou moyenne d’étain contenu dans le composé semiconducteur. Par portion contrainte, on entend une portion de la couche semiconductrice présentant une contrainte mécanique en tension ou en compression, entraînant une déformation des mailles de son réseau cristallin. La portion est contrainte en tension lorsqu’elle subit une contrainte mécanique qui tend à étirer les mailles du réseau dans un plan. Dans le cadre de l’invention, la portion supérieure de la couche semiconductrice est contrainte en tension dans le plan principal de la couche, ce qui se traduit par le fait que son paramètre de maille présente une valeur effective supérieure à sa valeur naturelle lorsque le composé semiconducteur est relaxé (i.e. non contraint). Dans la suite de la description, la contrainte considérée est orientée dans le plan principal de la couche semiconductrice. Le composé à base de GeSn de la couche semiconductrice présente une structure de bandes d’énergie indirecte en l’absence de contraintes en tension suffisantes et/ou d’une proportion atomique d’étain suffisante. Les contraintes en tension subies dans la portion supérieure et la proportion atomique d’étain y sont suffisantes pour que sa structure de bandes d’énergie soit directe. D’une manière générale, le GeSn présente une structure de bandes d’énergie directe lorsque le minimum d’énergie de la vallée L (ou vallée indirecte) est supérieur ou égal au minimum d’énergie de la vallée Γ (ou vallée directe) de la bande de conduction, autrement dit : ΔE = E min,L -E min, Γ ≥ 0. Par égal, on entend ici que cette différence d’énergie ΔE est de l’ordre de grandeur ou inférieure à kT, où k est la constante de Boltzmann et T la température du matériau. Comme l’a montré Wirths et al. 2014 mentionné précédemment, la proportion atomique minimale d’étain x min pour rendre directe la structure de bandes d’énergie diminue à mesure qu’augmentent les contraintes mécaniques en tension subies par la couche semiconductrice. Dans le cadre de l’invention, la couche semiconductrice à base de germanium étain GeSn comporte une portion de base, une portion intermédiaire et une portion supérieure, où ces deux dernières sont agencées verticalement l’une au-dessus de l’autre suivant l’axe d’épaisseur de la couche semiconductrice. La portion supérieure présente une structure de bandes d’énergie directe. De plus, elle est monocristalline et est formée d’un milieu homogène dans lequel s’étendent des structures verticales formant des puits quantiques (zones d’émission ou de réception du rayonnement infrarouge). Par ailleurs, la portion intermédiaire, située sous la portion supérieure, forme une zone barrière pour les porteurs de charge circulant dans la portion supérieure. La est une vue partielle et schématique, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique 1 selon un mode de réalisation. Le dispositif optoélectronique 1 est ici adapté à émettre un rayonnement lumineux cohérent (diode laser), et peut être de type à rétroaction distribuée (DFB pour Distributed Feedback , en anglais) ou de type à réflecteur de Bragg distribué (DBR pour Distributed Bragg Reflector, en anglais). On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel XYZ, où les axes X et Y forment un plan parallèle au plan principal d’un substrat support 2 sur lequel repose la couche semiconductrice 10, et où l’axe Z est orienté suivant l’épaisseur des couches. Dans la suite de la description, les termes « vertical » et « verticalement » s’entendent comme étant relatifs à une orientation sensiblement parallèle à l’axe Z. Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » s’entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant lorsqu’on s’éloigne du substrat support 2 suivant la direction +Z. Le dispositif optoélectronique 1 comporte une couche semiconductrice 10 à base de GeSn épitaxiée à partir d’une couche de nucléation 3, laquelle repose sur un substrat support 2. La couche semiconductrice 10 présente une face supérieure 10a opposée à la couche de nucléation 3, où affleure au moins une région dopée 14 de type n et une région 16 dopée de type p d’une jonction semiconductrice PIN. Le dispositif optoélectronique 1 comporte ici un substrat support 2, réalisé en un matériau électriquement conducteur ou diélectrique. Ce substrat support 2 peut présenter une épaisseur de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres à quelques centaines de microns, par exemple une épaisseur comprise entre 10µm et 750µm. Il est réalisé ici en silicium, mais peut plus généralement être réalisé en saphir, borosilicate, silice, verre, quartz, entre autres. Le dispositif optoélectronique 1 comporte une couche de nucléation 3 réalisée sur le substrat support 2. En variante, le substrat support 2 et la couche de nucléation 3 peuvent être des zones d’un même substrat ou d’une même couche. La couche de nucléation 3 est réalisée en un matériau cristallin adapté à la nucléation (germination) de la couche semiconductrice 10 à base de GeSn. Le matériau est monocristallin au moins au niveau de la face supérieure (opposée au substrat support 2) de la couche de nucléation 3. Il peut être choisi parmi les éléments ou composés de la colonne IV du tableau de classification périodique, et peut être du germanium comme ici, voire du silicium, de l’étain, ou les composés tels que le GeSn, SiGeSn, SiGe. Il peut également être choisi parmi les composés des colonnes III et IV, tels que le GaP, AlP, AlAs, InP, etc… ou encore peut être choisi parmi les composés des colonnes II et VI, tels que le ZnS, CdTe, etc… Dans cet exemple, la couche de nucléation 3 est une couche de germanium présentant une épaisseur supérieure à l’épaisseur critique à partir de laquelle les contraintes mécaniques subies par la couche relaxent de manière plastique. Le dispositif optoélectronique 1 comporte une couche semiconductrice 10 à base de GeSn, réalisée par épitaxie à partir de la couche de nucléation 3. Elle est réalisée en un composé semiconducteur cristallin à base de GeSn, c’est-à-dire en le composé binaire GeSn comme ici, ou en variante en ses composés ternaires (SiGeSn…) voire quaternaires par exemple. La couche semiconductrice 10 présente une épaisseur supérieure à l’épaisseur critique à partir de laquelle les contraintes mécaniques subies par la couche relaxent de manière plastique. Ainsi, l’épaisseur de la couche semiconductrice 10 peut être au moins égale à 300nm, et par exemple comprise entre 300nm et 2µm. A titre d’exemple, elle est ici égale à 480nm. Aussi, la couche semiconductrice 10 est monocristalline sur une large partie de son épaisseur, en particulier là où se situe notamment la jonction semiconductrice PIN. Autrement dit, elle présente une zone inférieure z inf s’étendant suivant l’axe Z à partir de la couche de nucléation 3 en germanium, et où des défauts structuraux de type dislocations peuvent être présents ; puis une zone supérieure z sup qui ne comporte sensiblement pas de défauts structuraux et donc monocristalline. Cette zone supérieure z sup s’étend à partir de la zone inférieure z inf jusqu’à la face supérieure 10a de la couche semiconductrice 10. La jonction semiconductrice PIN est située dans cette zone supérieure z sup monocristalline. Le composé semiconducteur Ge 1-x Sn x présente une proportion atomique d’étain x qui n’est pas homogène partout dans la couche semiconductrice 10. Ainsi, elle peut être homogène dans certaines zones ou portions de la couche semiconductrice 10, par exemple dans la portion de base 11, et varier verticalement (suivant l’axe d’épaisseur Z) et/ou horizontalement (dans le plan XY) dans certaines zones ou portions de la couche semiconductrice 10, par exemple dans les portions intermédiaire 12 et supérieure 13. De plus, la couche semiconductrice 10 présente des contraintes mécaniques orientées dans le plan XY qui ne sont pas non plus homogènes partout. Ainsi, elle peut présenter des contraintes mécaniques en compression dans certaines zones ou portions, et elle présente des contraintes en tension dans d’autres zones ou portions, en particulier dans la portion supérieure 13. On note ε la valeur locale ou moyenne des contraintes mécaniques subies dans le plan XY, de signe positif (contraintes en compression) ou négatif (contraintes en tension). La couche semiconductrice 10 comporte en particulier plusieurs portions qui se distinguent par leur proportion atomique moyenne d’étain et/ou par les contraintes mécaniques moyennes qu’elles subissent. Par proportion moyenne ou contrainte moyenne, on entend ici la valeur moyenne dans l’ensemble du milieu considéré. Ainsi, la couche semiconductrice 10 comporte une portion de base 11 qui s’étend sur et au contact de la couche de nucléation 3 ; une portion intermédiaire 12 qui s’étend sur et au contact de la portion de base 11 ; et une portion supérieure 13 qui s’étend sur et au contact de la portion intermédiaire 12. Par « s’étendre sur », on entend que la portion est située au-dessus de la portion sous-jacente suivant l’axe Z. Dans ce mode de réalisation, la portion de base 11 s’étend à partir de la couche de nucléation 3 jusqu’à la face supérieure 10a de la couche semiconductrice 10, et entoure donc la portion intermédiaire 12 et la portion supérieure 13 dans le plan XY. En variante, comme décrit en détail en référence à la , la portion de base 11 peut ne s’étendre que sur une partie de l’épaisseur de la couche semiconductrice 10 et être donc recouverte par la portion intermédiaire 12 et la portion supérieure 13. La couche semiconductrice 10 comporte tout d’abord une portion de base 11, qui s’étend sur et au contact de la couche de nucléation 3. La portion de base 11 s’étend dans la zone inférieure (où elle peut comporter des défauts structuraux) et donc à partir de la couche de nucléation 3, et ici dans la zone supérieure et y est donc monocristalline. La portion de base 11 présente une proportion atomique d’étain sensiblement homogène, égale à une valeur moyenne x pb . La proportion atomique moyenne d’étain x pb peut être comprise entre 4% et 20%, et de préférence entre 4% et 10% (donc avec une portion de base 11 présentant un gap indirect), et est ici égale à 8% environ. Elle peut présenter des contraintes mécaniques non nulles, par exemple des contraintes en compression dans la zone inférieure z inf , ou être relaxée ou quasi-relaxée en particulier dans la zone supérieure z sup . Elle peut également être contrainte en compression dans ton son volume (i.e. dans les zones inférieure z inf et supérieure z sup ). La couche semiconductrice 10 comporte ensuite la portion intermédiaire 12, qui s’étend entre (suivant l’axe Z) et au contact de la portion de base 11 et la portion supérieure 13. Dans cet exemple, elle ne s’étend pas sur toute la largeur de la couche semiconductrice 10, et est donc entourée par la portion de base 11 dans le plan XY. Dans cet exemple, la portion supérieure présente une épaisseur égale à 75nm environ. La portion intermédiaire 12 est située dans la zone supérieure z sup , et est donc monocristalline. Par ailleurs, elle présente une proportion atomique d’étain x pi qui varie suivant l’axe Z, et reste ici sensiblement constante dans le plan XY. La proportion atomique d’étain x pi présente en particulier une valeur minimale x pi1 inférieure à une valeur x ps1 d’un milieu homogène 13.1 (présenté plus loin) de la portion supérieure 13. Dans cet exemple, elle varie entre la valeur minimale x pi1 et une valeur maximale x pi2 supérieure à x pi1 . A titre d’exemple, dans le cas où la proportion atomique moyenne d’étain x pb est égale à 8% environ, la valeur minimale x pi1 est égale à 2% environ, et la valeur maximale x pi2 est égale à 10% environ. La couche semiconductrice 10 comporte enfin la portion supérieure 13, qui s’étend sur et au contact de la portion intermédiaire 12. Plus précisément, elle repose entièrement sur la portion intermédiaire 12. Dans cet exemple, elle ne s’étend pas sur toute la largeur de la couche semiconductrice 10, et est donc entourée par la portion de base 11 dans le plan XY. Dans cet exemple, la portion supérieure présente une épaisseur égale à 135nm environ. La portion supérieure 13 est située dans la zone supérieure z sup , et est donc monocristalline. Par ailleurs, elle présente une proportion atomique d’étain x ps qui varie dans le plan XY. Plus précisément, la portion supérieure 13 est formée d’un milieu homogène 13.1 dont la proportion atomique d’étain est homogène et égale à une valeur moyenne x ps1 supérieure à la valeur minimale x pi1 de la portion intermédiaire 12 ; et de structures verticales 13.2 dont la proportion atomique d’étain moyenne x ps2 est supérieure à la valeur x ps1 du milieu homogène 13.1. Dans cet exemple, la proportion atomique d’étain x ps1 du milieu homogène est égal à 7% environ, et la proportion atomique d’étain x ps2 des structures verticales est égale à 16% environ, bien supérieure à la valeur moyenne x pb de la portion de base. Précisons que la portion supérieure 13 est monocristalline malgré la présence des structures verticales 13.2. Les structures verticales 13.2 s’étendent sur toute l’épaisseur de la portion supérieure 13, suivant un axe sensiblement parallèle à l’axe Z. Elles présentent alors une hauteur suivant l’axe Z sensiblement égale à l’épaisseur de la portion supérieure 13. Elles peuvent présenter une forme colonnaire dans le sens où les deux dimensions transversales dans le plan XY sont du même ordre, ou présenter une forme de paroi dans le sens où l’une des dimensions transversales dans le plan XY (longueur) est supérieure, par exemple au moins 5 ou 10 fois supérieure, à l’autre des dimensions transversales (largeur), comme l’illustre la . Cette forme de paroi des structures verticales 13.2 permet d’abaisser le seuil laser par rapport à des colonnes, dans la mesure où les porteurs de charge ont plus de chance de se recombiner dans les puits quantiques. Par ailleurs, les dimensions transversales dans le plan XY peuvent être constantes ou non suivant toute ou partie de leur hauteur. Par ailleurs, la portion supérieure 13 présente des contraintes mécaniques en tension dans le plan XY, d’une valeur moyenne ε ps . A titre d’exemple, les contraintes mécaniques ε ps sont ici égales à -0.4% environ. La valeur moyenne ε ps des contraintes en tension de la portion supérieure 13 et la valeur moyenne x ps1 de la proportion atomique d’étain du milieu homogène 13.1 se traduisent par le fait que la structure de bandes d’énergie est directe dans les structures verticales 13.2, et ici dans toute la portion supérieure 13 (donc aussi dans le milieu homogène 13.1). Notons ici que la mise en tension de la portion supérieure 13 peut être due à la présence des structures verticales 13.2 dans le milieu homogène 13.1, et/ou peut être due au fait que la proportion atomique d’étain du milieu homogène 13.1 est inférieure à celle de la portion de base 11, voire encore peut être due à la zone enrichie en étain et de proportion x pi2 dans la portion intermédiaire 12. La couche semiconductrice 10 comporte une jonction semiconductrice PIN située dans la zone supérieure z sup , et plus précisément une région 14 dopée de type n et une région 16 dopée de type p qui affleurent la face supérieure 10a, entre lesquelles s’étend une région intrinsèque 15 (non intentionnellement dopée par des éléments dopants). Le niveau de dopage des régions dopées 14, 16 peut être par exemple compris entre 5×10 18 cm -3 et 1×10 20 cm -3 , et peut ici être égal à 3×10 19 cm -3 environ. Dans cet exemple, la région 14 dopée n+ et la région 16 dopée p+ sont situées dans la portion de base 11, de part et d’autre de la portion supérieure 13. La région intrinsèque 15 est située dans la portion supérieure 13, c’est-à-dire dans le milieu homogène 13.1 et dans les structures verticales 13.2. Enfin, le dispositif optoélectronique 1 comporte des contacts métalliques 4 qui reposent sur la face supérieure 10a de la couche semiconductrice 10, l’un au contact de la région 14 dopée n+ et l’autre au contact de la région 16 dopée p+. Elles assurent la polarisation électrique de la jonction semiconductrice PIN. En fonctionnement, le dispositif optoélectronique 1 est polarisé en direct par les contacts métalliques 4. Les porteurs de charge sont introduits dans la région 14 dopée n+ et dans la région 16 dopée p+, rejoignent la région intrinsèque 15, traversent le milieu homogène 13.1 et se recombinent dans les structures verticales 13.2. En effet, il apparaît que les structures verticales 13.2 dont la proportion atomique d’étain est x ps2 (ici par ex. 16%) entourées par le milieu homogène 13.1 à x ps1 (ici égale à 7% environ) inférieure à x ps2 forment des puits quantiques entourés par une barrière de potentiel, dans une portion supérieure 13 où la structure de bandes est directe. De plus, le taux de recombinaisons radiatives dans la région intrinsèque 15 est amélioré par le fait que la portion intermédiaire 12 avec sa proportion atomique d’étain à x pi1 (ici égale à 2% environ) inférieure à x ps1 (ici égale à 7% environ) forme une zone barrière pour les porteurs de charge circulant dans la région intrinsèque 15. Par ailleurs, les performances du dispositif optoélectronique 1 sont améliorées par le fait que la région intrinsèque 15 avec ses structures verticales 13.2 est située dans une portion supérieure 13 monocristalline déformée en tension. La illustre un exemple d’évolutions de la proportion atomique d’étain dans la couche semiconductrice 10, et la illustre un exemple de structures de bandes d’énergie dans la couche semiconductrice 10, selon les lignes de coupe A-A (graphes de gauche) et B-B (graphes de droite) représentées sur la . Considérons tout d’abord la ligne de coupe B-B (graphes de droite des et 1C). La proportion atomique d’étain passe de la valeur moyenne x pb dans la portion de base 11, ici égale à 8% environ, à la valeur x ps1 dans le milieu homogène 13.1 de la portion supérieure 13, ici égale à 7% environ, et à la valeur x ps2 supérieure à x ps1 dans les structures verticales 13.2, ici égale à 16% environ. Par ailleurs, la valeur moyenne ε ps des contraintes en tension dans la portion supérieure 13, par exemple ici égale à -0.4% environ, associée à la valeur x ps1 de la proportion atomique d’étain dans le milieu homogène 13.1, conduisent à ce que la structure de bandes d’énergie est directe. Ainsi, le minimum d’énergie E min,L de la bande de conduction de la vallée L (trait en pointillé) est supérieur au minimum d’énergie E min,Γ de la bande de conduction de la vallée Γ (trait continu). De plus, les structures verticales 13.2 de proportion atomique d’étain x px2 entourées du milieu homogène 13.1 de proportion atomique d’étain x ps1 inférieure à x ps2 conduisent à ce que la structure de bandes d’énergie associée forme des puits quantiques entourés d’une barrière de potentiel. Aussi, les structures verticales 13.2 sont des zones de recombinaison radiatives des porteurs de charges injectés par les contacts métalliques, générant ainsi le rayonnement infrarouge. Considérons maintenant la ligne de coupe A-A (graphes de gauche des et 1C). Dans la portion de base 11, la proportion atomique d’étain présente une valeur égale à x pb , ici égale à 8% environ, qui reste sensiblement constante suivant l’axe Z. Dans la portion intermédiaire 12, la proportion atomique d’étain x chute de la valeur x pb jusqu’à une valeur minimale x pi1 , ici égale à 2% environ, puis, dans cet exemple, remonte jusqu’à une valeur maximale x pi2 , ici égale à 10% environ. Enfin, la proportion atomique d’étain diminue jusqu’à la valeur x ps , ici égale à 7% environ, qui reste sensiblement constante suivant l’axe Z dans la portion supérieure 13. Dans le graphe du bas, par souci de clarté, la structure de bandes ne tient pas compte de la zone de la portion intermédiaire 12 à 10% d’étain. Le fait que la portion intermédiaire 12 présente une proportion atomique d’étain x pi1 inférieure à x ps (ici x pi1 =2% inférieure à x ps =7%), se traduit par le fait que cette zone appauvrie en étain de la portion intermédiaire 12 forme une zone barrière pour les porteurs de charge circulant dans la portion supérieure 13, et donc circulant uniquement dans la région intrinsèque 15 de la jonction semiconductrice PIN. Il en résulte une amélioration du taux de recombinaison radiative dans la région intrinsèque 15, et donc une amélioration des performances du dispositif optoélectronique 1. La illustre des vues en coupe d’un exemple expérimental d’une couche semiconductrice 10 en GeSn reposant sur une couche de nucléation 3 en germanium d’un dispositif optoélectronique 1 selon un mode de réalisation. On représente ici plus précisément la couche de nucléation 3 en germanium, puis la portion de base 11, la portion intermédiaire 12 et la portion supérieure 13 de la couche semiconductrice 10 de GeSn, ainsi que deux vues localisées d’une structure verticale 13.2, au niveau de sa racine et de son sommet. Les vues sont réalisées par microscopie électronique en transmission à balayage (STEM pour Scanning Transmission Electron Microscopy en anglais). Dans cet exemple, la portion de base 11 est réalisée en GeSn avec une proportion atomique d’étain x pb homogène de 8% environ. La portion intermédiaire 12 présente une proportion d’étain x pi qui passe de la valeur x pb de 8% à une valeur minimale x pi1 de 2% environ pour remonter jusqu’à une valeur maximale x pi2 de 10% environ, et enfin redescendre à la valeur x ps1 de 7% environ. La portion supérieure 13 est formée du milieu homogène 13.1 où la proportion d’étain x ps1 est homogène et égale à 7% environ, et de structures verticales 13.2 où la proportion d’étain x ps2 est égale à 16% environ. La est une vue de dessus d’un exemple expérimental de portion supérieure 13 formée du milieu homogène 13.1 et des structures verticales 13.2. Cette vue de la surface est réalisée par microscopie électronique à balayage, et présente les structures verticales 13.2 dans la milieu homogène 13.1. Il apparaît des et 2B que les structures verticales 13.2 présentent ici une racine ayant des dimensions transversales (dans le plan XY) plus grandes que dans sa partie supérieure. De plus, la partie supérieure présente ici des dimensions transversales qui restent sensiblement constantes suivant l’axe Z. Enfin, les structures verticales 13.2 ont ici une forme de mur, dans le sens où elles présentent, dans le plan XY, une longueur plus importante que sa largeur, et s’étendent de manière à entourer au moins en partie une zone ou cellule du milieu homogène 13.1. Les figures 3A à 3G illustrent différentes étapes d’un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 1 de la , selon un mode de réalisation. Dans cet exemple, le dispositif optoélectronique 1 est une diode laser. Le procédé met en œuvre une étape de recuit par laser nanoseconde permettant de réaliser les portions intermédiaire 12 et supérieure 13, l’impulsion laser étant ici localisée sur une partie seulement de la face supérieure 10a. En variante, comme indiqué plus loin, elle peut éclairer toute la face supérieure 10a. En référence à la , on réalise un empilement formé du substrat support 2, de la couche de nucléation 3, et de la couche semiconductrice 10 à base de GeSn. Le substrat support 2 est ici une plaque ( wafer en anglais) en silicium, et la couche de nucléation 3 est réalisée en germanium par épitaxie à partir du substrat support 2. La couche de nucléation 3 présente une épaisseur supérieure à son épaisseur critique, de sorte qu’elle est monocristalline au niveau de sa face supérieure. La couche semiconductrice 10 est réalisée ici en Ge 1-x Sn x avec ici x homogène et égal à ce qui sera la proportion atomique moyenne d’étain x pb de la portion de base 11, ici égal à 8% environ. Elle peut être formée par des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, pour Chemical Vapor Deposition en anglais), telles que le dépôt chimique à basse pression (RPCVD, pour Reduce Pressure Chemical Vapor Deposition ), le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD, pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition ), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition ), l’épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE, pour Hydride Vapor Phase Epitaxy ), voire également la pulvérisation cathodique réactive ( sputtering en anglais). Des techniques telles que l’épitaxie par jets moléculaires (MBE, pour Molecular-Beam Epitaxy ) ou l’épitaxie en phase liquide (LPE, pour Liquid Phase Epitaxy ) peuvent également être utilisées. La couche semiconductrice 10 est une couche épaisse, dans le sens où son épaisseur est supérieure à son épaisseur critique de relaxation plastique des contraintes mécaniques, de sorte qu’elle présente la zone inférieure z inf contrainte en compression située au contact de la couche de nucléation 3 en germanium, et la zone supérieure z sup qui ne comporte sensiblement pas de défauts structuraux. La couche semiconductrice 10 de GeSn présente ici une épaisseur égale à 480nm environ. Par ailleurs, la proportion atomique d’étain x ici de 8% de la couche semiconductrice 10 présente une valeur au moins égale à une valeur minimale x min , laquelle est prédéfinie et dépend de la valeur x ps2 que l’on souhaite obtenir dans les structures verticales 13.2, compte tenu de la contrainte en tension ε ps qui sera générée dans la portion supérieure 13. Cette valeur inférieure x min peut être définie préalablement au moyen d’essais expérimentaux. Enfin, la couche semiconductrice 10 présente ici une épaisseur constante, et comporte deux faces sensiblement planes, une face inférieure au contact de la couche de nucléation 3, et la face supérieure 10a opposée. En référence à la , on réalise ici une structuration en épaisseur de la couche de nucléation 3 et de la couche semiconductrice 10, par des opérations de photolithographie et gravure. Il s’agit ici de graver la couche de nucléation 3 et la couche semiconductrice 10, pour former des portions de couche, selon une forme dans le plan XY qui dépend de la fonction optique de ces portions de couche. Par ailleurs, on peut également réaliser au moins une échancrure 20 au niveau de la face supérieure de manière à délimiter ce qui sera la région intrinsèque 15 de la jonction PIN. Par ailleurs, le ou les réflecteurs de Bragg (non représentés) peuvent être réalisés dans la couche de nucléation 3 en germanium ou dans la couche semiconductrice 10 en GeSn. En référence à la qui est une vue de dessus de l’empilement de la , le substrat support 2 peut comporter un guide d’onde intégré (non représenté), et la couche de nucléation 3 et la couche semiconductrice 10 peuvent former des guides d’onde supérieurs couplés optiquement au guide d’onde intégré. Plus précisément, le guide d’onde de la couche semiconductrice 10 est couplé optiquement au guide d’onde intégré par le biais du guide d’onde 21 de la couche de nucléation 3. D’autres structurations sont bien sûr possibles. En référence à la , on réalise l’une des régions dopées de la jonction PIN, ici la région 14 dopée n+. Le dopage est réalisé ici par implantation ionique d’espèces dopantes de type n, par exemple de phosphore, de manière localisée. La région 14 dopée n+ présente ici une profondeur de 135nm environ. En référence à la , on réalise l’autre des régions dopées de la jonction PIN, ici la région 16 dopée p+. Le dopage est réalisé ici par implantation ionique d’espèces dopantes de type p, par exemple de bore, de manière localisée. Les régions 14, 16 dopées n+ et p+ sont espacées l’une de l’autre dans le plan XY par la région intrinsèque 15 (non intentionnellement dopée). La région 14 dopée p+ présente ici aussi une épaisseur de 135nm environ. Un recuit de courte durée ( laser annealing en anglais) peut être effectué pour activer les dopants des régions 14, 16 dopées n+ et p+. En référence à la , on réalise une amorphisation localisée d’une partie de la couche semiconductrice 10, ici dans la région intrinsèque 15. Cette étape est facultative et peut donc être omise. Cette amorphisation localisée est effectuée par implantation ionique d’éléments chimiques non dopants, par exemple ici du germanium ou du silicium. La profondeur d’amorphisation est de préférence au moins égale à la profondeur des régions 14, 16 dopées n+ et p+, et donc ici à 135nm environ. En référence à la , on réalise la portion intermédiaire 12 et la portion supérieure 13, par recuit localisé par laser nanoseconde (NLA pour Nanoseconde Laser Annealing en anglais) d’une partie de la couche semiconductrice 10, et plus précisément de la partie rendue amorphe. Pour cela, la surface supérieure de la partie amorphe de la couche semiconductrice 10 est soumise à une impulsion laser présentant une longueur d’onde, une densité d’énergie minimale et une durée minimale prédéfinies de manière à provoquer la fusion totale de la partie amorphe sur toute sa profondeur et sur toute sa largeur, ainsi que la fusion totale d’une partie du GeSn monocristallin sous-jacent. L’impulsion laser présente une longueur d’onde adaptée à ce que l’impulsion laser soit absorbée au moins en partie par la couche semiconductrice 10, par exemple une longueur d’onde dans l’ultra-violet, par exemple égale à 308nm. Notons ici que la durée d’une impulsion laser est définie comme la largeur à mi-hauteur de l’évolution temporelle de l’intensité optique. Par ailleurs, par fusion totale, on entend que le GeSn est entièrement fondu, et qu’il ne reste pas localement sous forme cristalline. Dans cet exemple, la fusion du GeSn est effectuée sur une profondeur supérieure à 135nm, par exemple sur une profondeur au moins égale à 150nm environ. A titre d’exemple, l’impulsion laser peut durer au moins quelques dizaines ou centaines de nanosecondes, par exemple au moins égale à 145ns (largeur à mi-hauteur de l’impulsion laser) et présenter une densité d’énergie au moins égale à une valeur qui dépend du matériau éclairé (composition chimique, état cristallin, état de surface et contraintes mécaniques, notamment). Ainsi, dans le cas où on souhaite appliquer l’impulsion laser sur la région 14 ayant été dopée n+ et amorphisée par implantation ionique de phosphore avec une dose de 3×10 15 at/cm 2 avec une énergie égale à 50keV ou égale à 70keV, la densité d’énergie de l’impulsion laser peut être respectivement au moins égale à 0.7J/cm 2 ou à 0.8J/cm 2 pour obtenir une fusion totale du GeSn sur une profondeur d’au moins 150nm. Dans la variante où la portion supérieure 13 n’a pas été amorphisée par implantation ionique, la densité d’énergie de l’impulsion laser peut être au supérieure à 0,8 J/cm 2 . Ces valeurs peuvent ainsi être adaptées pour obtenir une fusion totale de la portion de GeSn sur la profondeur voulue. Lorsque le recuit par laser nanoseconde est terminé, une recristallisation du GeSn a lieu, avec un front de cristallisation qui se déplace à partir du GeSn monocristallin non fondu en direction de la face supérieure 10a. Il apparaît alors, d’une manière surprenante, que cela se traduit par la formation de la portion intermédiaire 12 où la proportion atomique d’étain chute jusqu’à la valeur minimale x pi1 , ici égale à 2% environ, et à la formation de la portion supérieure 13 qui est formée du milieu homogène 13.1 avec une proportion atomique d’étain x ps1 ici égale à 7% environ, sensiblement homogène et supérieure à x pi1 , dans lequel se trouve des structures verticales 13.2 avec une proportion atomique d’étain x ps2 ici égale à 16% environ, supérieure à x ps1 . De plus, il apparaît que la portion supérieure 13 est monocristalline malgré la présence des structures verticales 13.2, et qu’elle présente une contrainte en tension d’une valeur ε ps ici égale à -0.4% environ. Ainsi, dans la portion supérieure 13, la contrainte en tension ε ps et la proportion atomique d’étain x ps1 sont telles que la structure de bandes d’énergie est directe, dans le milieu homogène 13.1 et a fortiori dans les structures verticales 13.2. De plus, la structure de bandes d’énergie dans la portion supérieure 13 (et donc dans la région intrinsèque 15) montre que les structures verticales 13.2 forment des puits quantiques adaptés à la génération du rayonnement infrarouge. Enfin, comme indiqué précédemment, dans la portion intermédiaire 12, la zone appauvrie en étain où la proportion atomique d’étain x pi1 (ici 2% environ) est inférieure à x ps1 (ici 7% environ), forme une zone barrière qui s’étend sous toute la portion supérieure 13 et tend à confiner les porteurs de charge dans la portion supérieure 13 et donc dans la région intrinsèque 15. En référence à la , on réalise enfin les contacts métalliques 4, qui reposent sur la face supérieure de la couche semiconductrice 10, l’un au contact de la région 14 dopée n+ et l’autre au contact de la région 16 dopée p+. Ces contacts métalliques sont raccordés à une source électrique et permettent de polariser la diode laser. Ainsi, le procédé permet de fabriquer un dispositif optoélectronique 1, ici une diode laser, où la couche semiconductrice 10 comporte une portion de base 11, une portion intermédiaire 12 dont une zone forme une zone barrière, et une portion supérieure 13 où se situe la région intrinsèque 15 et qui comporte des structures verticales 13.2 formant des puits quantiques. La portion supérieure 13 est monocristalline, contrainte en tension et présente une structure de bandes directe. On obtient donc un dispositif optoélectronique 1 présentant de bonnes performances pour l’émission ou la détection de lumière. Cette couche semiconductrice 10 à base de GeSn, avec ces portions intermédiaire 12 et supérieure 13, n’est donc pas réalisée par des techniques d’ingénierie des contraintes mécaniques ou par une technique de membrane suspendue et mise en tension et ensuite effondrée, comme dans les exemples de l’art antérieur mentionnés précédemment. Notons que l’application d’un recuit par laser nanoseconde à une couche semiconductrice 10 à base de GeSn est décrit dans l’article de Gallucio et al. intitulé Cell formation on stanogermanides using pulsed laser thermal anneal on Ge 0.91 Sn 0.09 , Materials Science in Semiconductor Processing 121 (2021) 105399. Cependant, dans cet article, l’impulsion laser éclaire une couche de nickel qui recouvre la couche semiconductrice 10 de GeSn, et non pas directement cette dernière. Elle présente une densité d’énergie comprise entre 100 et 500 mJ/cm 2 . Cette couche de nickel absorbe le rayonnement laser et assure une conversion thermique provoquant une fusion du GeSn sous-jacent. Si la formation de colonnes verticales riches en étain est observée, il n’y a pas décrit que la couche semiconductrice 10 est mise en tension de manière suffisante pour que la structure de bandes soit directe, ni qu’une portion intermédiaire sous-jacente appauvrie en étain ait été réalisée. Selon un autre mode de réalisation, l’étape d’amorphisation ( ) d’une partie de la couche semiconductrice 10, étant facultative, est omise. Aussi, après les étapes de réalisation des régions 14, 16 dopées n+ et p+, on peut procéder directement à l’étape de recuit par laser nanoseconde. Ce recuit peut être localisé et permet d’obtenir la structure globale illustrée sur la . En variante, il peut être global, dans le sens où il est appliqué à l’ensemble de la face supérieure 10a de la couche semiconductrice 10, et permet d’obtenir une structure similaire à celle de la . La densité d’énergie de l’impulsion laser de longueur d’onde à 308nm est alors adaptée, et peut être supérieure à 0,8/cm 2 environ, avec une durée d’au moins 145ns, pour obtenir une fusion totale du GeSn sur une profondeur au moins égale à 150nm environ. A ce titre, la est une vue partielle et schématique, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique 1 selon une variante de réalisation. Le dispositif optoélectronique 1 se distingue ici de celui de la essentiellement en ce que le recuit par laser nanoseconde n’a pas été effectué de manière localisée, i.e. sur une surface précise de la face supérieure 10a, mais qu’il a été effectué sur toute la face supérieure 10a (les structures verticales 13.2 sont donc également présentes dans les régions dopées 14, 16). Ainsi, la portion intermédiaire 12 s’étend sur toute la largeur de la couche semiconductrice 10, et sépare verticalement la portion de base 11 de la portion supérieure 13. Les régions 14, 16 dopées n+ et p+ sont donc situées dans la portion supérieure 13 et non plus dans la portion de base 11. La zone barrière (appauvrie en étain) de la portion intermédiaire 12 s’étend donc sous la région 14 dopée n+, la région intrinsèque 15 et la région 16 dopée p+. Le dispositif optoélectronique 1 selon cette variante peut être réalisé par un procédé similaire à celui décrit en référence aux à 3H (et qui s’en distingue par le fait que le recuit par laser nanoseconde a été fait sur toute la face supérieure 10a), le recuit par laser nanoseconde étant précédé ou non par une étape d’amorphisation. A ce titre, la est une vue partielle et schématique, en coupe transversale, d’un dispositif optoélectronique 1 selon une variante de réalisation. Le dispositif optoélectronique 1 est ici une diode laser, qui se distingue de celui de la essentiellement en ce que l'une des régions dopées, ici la région 16 dopée p+ est située dans la portion supérieure 13, au-dessus de la région intrinsèque 15. Dans cet exemple, la région 14 dopée n+ est située de part et d’autre, dans le plan XY, de la région intrinsèque 15 et de la région 16 dopée p+. Elle est située dans la portion de base 11 (configuration de la ), mais en variante, elle pourrait être située dans la portion supérieure 13 (configuration de la ). La région 16 dopée p+ est formée d’une zone supérieure de la portion supérieure 13 qui affleure la face supérieure 10a. Un contact métallique 4 repose donc sur et au contact de la région 16 dopée p+ de la portion supérieure 13. Par ailleurs, dans cet exemple, la couche semiconductrice 10 ne comporte pas nécessairement d’échancrure délimitant dans le plan XY la portion supérieure 13 et ici la région intrinsèque 15 et la région 16 dopée p+. Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier. Dispositif optoélectronique (1) d’émission ou de réception d’un rayonnement infrarouge, comportant : une couche de nucléation (3) ; une couche semiconductrice (10) cristalline à base de GeSn, s’étendant suivant un plan principal, présentant une face supérieure (10a) opposée à la couche de nucléation (3), et comportant : une portion de base (11), s’étendant sur et au contact de la couche de nucléation ; une portion supérieure (13), s’étendant sur la portion de base (11), monocristalline, et contrainte en tension d’une valeur moyenne ε ps dans le plan principal, formée d’un milieu homogène (13.1), présentant une valeur homogène x ps1 de proportion atomique d’étain, la valeur moyenne ε ps des contraintes en tension et la valeur x ps1 de la proportion atomique d’étain étant telles que la portion supérieure (13) présente une structure de bandes interdites directe ; une jonction semiconductrice PIN, comportant une région (14) dopée de type n, et une région (16) dopée de type p, affleurant la face supérieure (10a), et une région intrinsèque (15), située dans la portion supérieure (13), et s’étendant entre les régions dopées (14, 16) ; des contacts métalliques (4) de polarisation, situés sur et au contact des régions dopées (14, 16) ; caractérisé en ce que : la portion supérieure (13) monocristalline comporte, outre le milieu homogène (13.1), des structures verticales (13.2) s’étendant dans le milieu homogène (13.1) suivant un axe orthogonal au plan principal sur toute l’épaisseur de la portion supérieure (13), et présentant une valeur moyenne x ps2 de proportion atomique d’étain supérieure à x ps1 , formant ainsi des zones d’émission ou de réception du rayonnement infrarouge ; la couche semiconductrice (10) comporte en outre une portion intermédiaire (12), située entre et au contact de la portion de base (11) et la portion supérieure (13) suivant un axe orthogonal au plan principal, monocristalline, et comportant une zone s’étendant dans le plan principal sur toute sa largeur et présentant une valeur moyenne x pi1 de proportion atomique d’étain inférieure à x ps1 , formant ainsi une zone barrière vis-à-vis de porteurs de charge circulant dans la portion supérieure (13). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1, dans lequel la portion de base (11) présente une valeur moyenne x pb supérieure à la valeur moyenne x pi1 de la proportion atomique d’étain dans la portion intermédiaire (12) et inférieure à la valeur moyenne x ps2 de la proportion atomique d’étain dans les structures verticales (13.2). Dispositif optoélectronique (1) selon la revendication 2, dans lequel la valeur moyenne x pb de la proportion atomique d’étain dans la portion de base (11) est comprise entre 4% et 10%. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la portion de base (11) s’étend jusqu’à une surface de la face supérieure (10a), et entoure la portion intermédiaire (12) et la portion supérieure (13) dans le plan principal, au moins l’une des régions dopées (14 ; 16) étant situées dans la portion de base (11). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la portion intermédiaire (12) recouvre entièrement la portion de base (11), les régions dopées (14, 16) étant situées dans la portion supérieure (13). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche semiconductrice est formée, à partir de la couche de nucléation (3), d’une zone inférieure (z inf ) et d’une zone supérieure (z sup ) monocristalline qui recouvre la zone inférieure (z inf ), la portion supérieure (13) étant située dans la zone supérieure (z sup ). Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de nucléation (3) est réalisée en germanium, et repose sur un substrat support (2) de préférence à base de silicium. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, formant une diode laser ou une diode électroluminescente adaptée à générer le rayonnement infrarouge, ou une photodiode adaptée à détecter le rayonnement infrarouge. Dispositif optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, formant une diode laser, comportant un guide d’onde dit inférieur réalisé dans la couche de nucléation (3) à base de germanium, un guide d’onde dit actif couplé au guide d’onde inférieur, comportant le milieu à gain et réalisé dans la couche semiconductrice (10), et au moins un réflecteur de Bragg situé dans le guide d’onde inférieur ou dans le guide d’onde actif. Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications précédentes, comportant les étapes suivantes : réalisation de la couche semiconductrice (10) présentant une valeur initiale homogène de la proportion atomique d’étain, égale à la valeur moyenne x pb de la portion de base (11), par épitaxie à partir de la couche de nucléation (3) ; réalisation des régions dopées (14, 16) dans la couche semiconductrice (10), espacées l’une de l’autre par la région intrinsèque (15) ; réalisation de la portion intermédiaire (12) et de la portion supérieure (13), par recuit par laser nanoseconde, en appliquant une impulsion laser sur au moins une surface de la face supérieure (10a) où affleure la région intrinsèque (15), présentant une longueur d’onde, une densité d’énergie et une durée prédéfinies de manière à faire fondre entièrement une partie du composé de la couche semiconductrice (10) sur une profondeur prédéfinie de celle-ci, de préférence au moins égale à 150nm. Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel l’étape de recuit par laser nanoseconde est effectuée en éclairant par l’impulsion laser seulement la surface de la face supérieure (10a) où affleure la région intrinsèque (15). Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel l’étape de recuit par laser nanoseconde est effectuée en éclairant par l’impulsion laser la face supérieure (10a) de la couche semiconductrice (10) où se situe la jonction semiconductrice PIN. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 10 à 12, comportant, préalablement à l’étape de recuit par laser nanoseconde, une étape d’amorphisation d’au moins la région intrinsèque (15) par implantation ionique d’élément chimiques non dopants de type n ou p, sur une profondeur au moins égale à la profondeur des régions dopées (14, 16). Procédé de fabrication selon la revendication 11 et 13, dans lequel seule la région intrinsèque (15) est amorphisée lors de l’étape d’amorphisation, avant l’étape de recuit par laser nanoseconde. Procédé de fabrication selon la revendication 12 et 13, dans lequel l’étape de réalisation des régions dopées (14, 16) est effectuée de manière à amorphiser les régions dopées (14, 16).