FR 3121277 A1 20220930 FR 2103058 A 20210326 Le procédé comprend les étapes successives suivantes : - on dépose un matériau de frittage (26) sur l'un parmi un composant électronique (28) et un substrat (30), - on chauffe le matériau (26) de façon à placer une température du matériau dans un pic exothermique préalable qui précède un pic exothermique de frittage sans que la température du matériau atteigne un maximum du pic exothermique préalable, - on fixe au matériau (26) l'autre parmi le composant (28) et le substrat (30) de sorte que le matériau est interposé entre le composant et le substrat, et - on presse le matériau (26) à chaud de façon à réaliser un fluage du matériau. Figure de l’abrégé : Fig. 4 Procédé pour assembler un composant électronique à un substrat DOMAINE DE L’INVENTION L'invention concerne l’assemblage des composants électroniques à un substrat par le biais d’un frittage au moyen d’un matériau comprenant par exemple de l’argent ou du cuivre. ETAT DE LA TECHNIQUE Le frittage à base d’argent est utilisé pour l’assemblage de composants électroniques, qu’il s’agisse de puces de puissance ou de composants passifs. Les procédés de frittage connus sont généralement classés en deux catégories : - le frittage sans pression à partir d’une couche de frittage argent de nature visqueuse à liquide, préalablement appliquée sur un substrat. On applique le composant à assembler en exerçant une faible pression de l’ordre de quelques centaines de grammes ; et - le frittage avec pression au moyen d’un film solide appliqué sur le substrat ou la puce préalablement à l’assemblage du substrat et de la puce par le moyen d’une forte pression. Le frittage nécessite en général plusieurs étapes, qui incluent le dépôt du matériau, son conditionnement en température et le frittage proprement dit incluant éventuellement un pré-frittage. L’invention concerne notamment l’assemblage simultané de pièces simples entre deux substrats, incluant des composants électroniques avec différentes épaisseurs ou des ensembles de composants électroniques pouvant eux-mêmes être issus de l'assemblage d’un premier empilement. Elle concerne aussi l’assemblage de composants dits fins. On considère en effet notamment des composants d’épaisseur fine en comparaison avec la diagonale ou la plus grande dimension en surface du composant. Un critère critique à prendre en compte à cet égard est typiquement celui de composants ou de substrats dont la surface encastrée avec un autre élément, indéformable ou non, donne un produit diagonale fois épaisseur 3 inférieur à 2,3.10 -2 mm 4 (cette grandeur est proportionnelle au moment quadratique de la liaison). Par exemple, supposons que l’on tente d’assembler une puce fine (de dimension 5*5*0.1 mm 3 , donnant donc un critère de 0,9.10 -3 mm 4 ) sur un substrat rigide en céramique avec un frittage sans pression. La densification du matériau de frittage à base d'argent se produit de manière classique du centre vers la périphérie de la puce. Or elle provoque un rétreint du frittage. La puce se trouve alors mise en flexion, avec des lignes de liaison du matériau de frittage ayant une épaisseur parfois inférieure à 5 µm. On cherche donc à garantir à la fois une épaisseur de ligne de liaison (en anglais bond line thickness ou BLT) au niveau du matériau de frittage qui soit acceptable, par exemple supérieure à 50 µm, et une planéité de la puce après frittage sur sa diagonale meilleure que 10 µm. Il s’agit en effet d’éviter que la mise en flexion et l’apparition d’efforts normaux à la surface du substrat entraînent des contraintes en arrachement au cours du vieillissement de la liaison. La fiabilité de l’assemblage serait en effet alors dégradée, phénomène que l’on nomme défiabilisation. Le procédé que l’on cherche à obtenir devrait donc être aussi utilisable pour des composants vérifiant le critère critique. Les documents écrivant des procédés de frittage sans pression concernent généralement le cas dans lequel des puces sont assemblées collectivement sur une seule face. Si besoin, un frittage à double face peut être mis en œuvre avec des pâtes de frittage argent sous forme visqueuse au moyen de procédés sans pression mais cela ne donne pas des assemblages fiables sur le long terme. On observe en effet le développement d’efforts différentiels en flexion diminuant la durée de vie de l’assemblage. Le document WO2014135151 concerne l’assemblage à double face de puces de tailles diverses en une seule étape avec pression et utilisation d’un matelas en silicone sur les deux faces permettant l’appui simultané sur plusieurs surfaces. Ce processus entraîne cependant l’apparition de cavités dans le matériau de frittage car il reste difficile d’exercer une pression partout avec un film rigide d’épaisseur relativement faible (inférieure à 50 µm). Le document EP-3 408 863 propose d’insérer des pièces intercalaires entre les puces et les substrats supérieur ou inférieur pour compenser les différences de hauteur dues aux chaines de cotes différentes de chaque site d’assemblage et permettre un assemblage sous pression simultané de plusieurs sites. Il permet d’utiliser des films et de compenser les hauteurs avec peu d’apparition de cavités mais il est difficile à industrialiser pour certaines configurations des épaisseurs à compléter. Le document US 2017 0092611 prévoit l’utilisation d'un film solide ou formé sur le substrat par un dépôt direct. Ce procédé sous pression peu élevée reste cependant délicat à employer pour les mêmes raisons que ci-dessus en cas de besoin de compensation de fortes épaisseurs de marches. Le document US 2009 0025967 décrit l’utilisation d’une couche de matériau de frittage argent sous la forme d’un film visqueux pour maîtriser l'épaisseur de la ligne de liaison (BLT) sous la puce. Il s'agit d'un procédé classique sans pression avec l’application d’une couche de matériau de frittage, la mise en place de la puce puis le frittage. Il divulgue de sécher le matériau dans un four avant d’effectuer le frittage. Le document US 2009 0162557 divulgue le dépôt par sérigraphie ou par distribution du matériau de frittage, son séchage sans la puce (appelé pré-frittage) entre 200 et 250°C puis les étapes classiques de rapprochement de la puce et du substrat, et de frittage. Le séchage est effectué en élevant la température par incréments jusqu’à atteindre une température cible maintenue pendant une certaine durée. Le matériau est ramené à température ambiante avant l’assemblage et le frittage. Le document US-8 835 299 évoque le fait d’insérer entre une puce à assembler et un substrat un film incluant des nanoparticules d’argent séché. Le film est déposé sur le substrat ou la puce puis séché entre 150 et 250°C. Par la suite, la puce est appliquée sur le substrat avec une pression et une température proche du point d’évaporation du solvant contenant les particules d’argent pour permettre un frittage sous pression en une seule passe. Dans le document US 2011/0084369, on décrit l’application d’un matériau de frittage sur un substrat puis son traitement thermique à une température pouvant être inférieure à 150°C (paragraphe 32) ou allant jusqu’à 200°C, sur une durée considérée comme suffisante pour faire évaporer les solvants. Enfin le document US 2019 047044 au nom de la demanderesse décrit un procédé de frittage en deux étapes avec une première étape de pré-frittage sur l’ensemble complet des deux constituants de la liaison et du joint réalisée entre 200 et 300°C. Ces documents, pour la plupart, sont issus de la mouvance de la première phase de l’utilisation du frittage argent, autour des années 2010-2014, à une époque où les puces n’étaient pas aussi fines, et donc pas concernées par le besoin actuel. La création d’un film solide à partir d’une pâte a été prévue justement pour améliorer la densification du frittage par l’ajout de la pression. Aujourd’hui, de moins en moins de clients achètent des films à fritter en argent et on se dirige vers le frittage sans pression pour des raisons de coût et de mise en œuvre simplifiée. Cependant, les puces fines engendrent le stockage sous la puce de solvants n’ayant pas pu s’évacuer, stockage occasionnant des cavités. Et la fiabilité des assemblages en cyclage thermique est mauvaise en raison de la non-maîtrise du BLT. Nous sommes donc confrontés à une problématique nouvelle en raison de la qualité moyenne de la densification sur ce type de puce du matériau de frittage en conjonction avec la non-maîtrise du BLT. Un but de l'invention est donc d’améliorer l’assemblage du composant au substrat, d'augmenter la qualité de la densification du matériau de frittage et d’obtenir une épaisseur de ligne de liaison au niveau du matériau de frittage qui soit acceptable, même en présence de composants vérifiant le critère critique. A cet effet, on prévoit selon l'invention un procédé pour assembler un composant électronique à un substrat, comprenant les étapes successives suivantes : - on dépose un matériau de frittage sur l'un parmi un composant électronique et un substrat, - on chauffe le matériau de façon à placer une température du matériau dans un pic exothermique préalable qui précède un pic exothermique de frittage sans que la température du matériau atteigne un maximum du pic exothermique préalable, - on fixe au matériau l'autre parmi le composant et le substrat de sorte que le matériau est interposé entre le composant et le substrat, et - on presse le matériau à chaud de façon à réaliser un fluage du matériau. Ainsi les deux premières étapes permettent la transformation du matériau d’une pâte liquide en un film apte à fluer sous l’action de la pression et de la température de manière contrôlée entre plusieurs surfaces pour venir se conformer au volume qui lui est dédié. Cette pâte ainsi conditionnée est ensuite frittée, éventuellement par une étape mixte (frittage avec puis sans pression, ou frittage avec pression uniquement). Même en présente d'un niveau de pression plus faible et à température ambiante, ce procédé permet de faire adhérer le composant au substrat sans initiation d’un frittage ou pré-frittage puisqu'il ne se produit pas d’initialisation de ponts (par exemple entre les flocons d’argent qui restent dissociés les uns des autres) dans la pâte séchée lors du premier chauffage. Cette adhérisation permet la manipulation du ou des substrats munis de leurs composants pour la réalisation de modules 3D sans risque d’occasionner un décollement des composants. Le procédé permet l'assemblage des puces fines. Il permet aussi l’assemblage de plusieurs puces en simultané entre deux substrats, incluant des composants électroniques de différentes épaisseurs ou des ensembles de composants électroniques pouvant eux-mêmes être issus de l'assemblage d’un premier empilement. L'invention permet d’augmenter le BLT jusqu’à 60 µm au moins tout en garantissant une planéité à 10 µm au maximum. Elle permet de réaliser le frittage sur une surface rendue plane et rigide mais active au frittage dès le départ, avec l’aide de la pression, puisqu'on assure un maintien du composant à une cote précise en hauteur. L'invention offre notamment la possibilité de compenser les différences de hauteurs dans le cadre d’une architecture 3D en sandwich puisque le matériau de frittage une fois séché devient une pâte visqueuse rendue utilisable sous pression. Cette solution est plus souple que l'utilisation d'un film rapporté, laquelle n'est pas possible dans tous les cas, notamment en cas de marche importante de l’ordre de 30 µm entre deux surfaces à assembler, et si on veut respecter un taux de vides inférieur à 3%. Enfin le procédé permet d’obtenir des épaisseurs comprises entre quelques dizaines de microns et quelques millimètres lors de la distribution du matériau sur un même module, pour assurer le recouvrement de marches de manière industrielle. L’invention est applicable aux assemblages devant être réalisés par frittage argent tels que ceux mis en œuvre dans les aéronefs pour les modules de puissance, les modules à haute température et à grande exigence de fiabilité et les capteurs. L’invention est notamment avantageuse compte-tenu de la tendance selon laquelle de plus en plus d’organes des avions sont de nature électrique. On peut prévoir que le procédé de l'invention présente en outre au moins l’une des caractéristiques suivantes : - l'étape de dépôt a lieu de sorte qu’une épaisseur de matériau est comprise entre 60 µm et 140 µm ; - l'étape de dépôt a lieu en disposant le matériau en boustrophédon ; - l'étape de dépôt a lieu en formant avec le matériau des boudins en contact mutuel, par exemple sur une hauteur maximale 10 µm, les boudins présentant par exemple un diamètre compris entre 100 et 300 µm ; - l'étape de dépôt a lieu en déposant le matériau sur le substrat de sorte que, à l’issue du procédé, le matériau dépasse de bords du composant, notamment sur une distance comprise entre 10 et 150 µm des bords du composant ; - l'étape de dépôt a lieu en déposant le matériau sur le composant en retrait de bords du composant, notamment en retrait de 20 à 50 µm des bords du composant ; - la première étape de chauffage a lieu pendant une durée comprise entre 10 et 40 minutes ; - la première étape de chauffage a lieu à une température comprise entre 140° C et 150°C ; - la première étape de chauffage a lieu sous air ou dans un environnement comprenant au moins 90% d'azote ; - la première étape de chauffage a lieu sous une pression inférieure à la pression atmosphérique ; - le substrat étant un premier substrat, le pressage du matériau a lieu entre le premier substrat et un composant ou un deuxième substrat, notamment à température ambiante et dans un environnement sous une pression de gaz comprise entre 0.4 et 2 MPa ; - durant le pressage : on mesure une pression d’un organe en appui sur le matériau et on détermine si la pression varie sur une amplitude prédéterminée, par exemple comprise entre 5 % et 15 %, pendant une durée prédéterminée, par exemple inférieure à 30 secondes, et/ou on mesure une position de l’organe en appui sur le matériau et on détermine si la position varie sur une amplitude prédéterminée, par exemple comprise entre 30 % et 40 %, pendant une durée prédéterminée, par exemple inférieure à 30 secondes; - on effectue en outre une étape de frittage du matériau ; et - un élément parmi le composant et le substrat présente une surface de contact avec le matériau, à l’issue du procédé, telle que D * E = -2 mm 4 où : - D désigne une plus grande diagonale de la surface de contact, et - E désigne une épaisseur maximale de l’élément. On prévoit également selon l’invention un procédé de test d’un matériau de frittage, dans lequel : - on chauffe un échantillon de test d’un matériau de frittage en l’exposant à une température croissante, et - durant le chauffage, on mesure une température du matériau et on détecte une première valeur de température de chauffage correspondant à un début d'un pic exothermique préalable qui précède un pic exothermique de frittage et une deuxième valeur de température de chauffage correspondant à un maximum du pic exothermique préalable. On prévoit aussi selon l’invention un procédé pour assembler un composant électronique à un substrat, comprenant les étapes successives suivantes : - on met en œuvre le procédé de test selon l'invention, - on dépose une portion du matériau sur l'un parmi un composant électronique et un substrat, - on chauffe la portion en l’exposant à une température supérieure à la première valeur et inférieure à la deuxième valeur, - on fixe à la portion l'autre parmi le composant et le substrat de sorte que la portion est interposée entre le composant et le substrat, et - on presse la portion à chaud de façon à réaliser un fluage du matériau. On prévoit enfin selon l’invention une installation pour assembler un composant électronique à un substrat, l’installation comprenant : - un support, - un organe apte à exercer une pression, - des moyens de chauffage, et - des moyens aptes à commander l’exécution d’un procédé selon l'invention. DESCRIPTION DES FIGURES Nous allons maintenant présenter des modes de réalisation de l'invention à titre d'exemples non-limitatifs à l'appui des dessins sur lesquels : la est un graphique montrant l’évolution de la masse d’un matériau de frittage (mesurée par thermogravimétrie) repérée sur l’axe des ordonnées à gauche, en fonction de la température de chauffage qu’on lui applique en abscisse et l’évolution de son énergie (par une mesure de calorimétrie différentielle à balayage) sur l’axe des ordonnées à droite, en fonction de cette même variable ; la est un graphique des domaines de stabilité thermodynamique de l’argent et de son oxyde en fonction de la température et de la pression partielle en oxygène ; la est un graphique similaire à celui de la pour un deuxième matériau de frittage ; la montre deux étapes du procédé selon l’invention mis en œuvre dans une installation selon l’invention ; la est une vue en plan du matériau de frittage tel que mis en place avant séchage ; la est une vue en coupe du serpentin formé par le matériau de la ; et la est une vue d’une structure sandwich réalisée au moyen de l’invention. Présentation générale Dans le procédé selon l’invention, on exécute les étapes successives suivantes : - on dépose un matériau de frittage sur l'un parmi un composant électronique et un substrat, - on chauffe le matériau de façon à placer une température du matériau dans un pic exothermique préalable qui précède un pic exothermique de frittage sans que sa température atteigne un maximum du pic exothermique préalable, - on fixe au matériau l'autre parmi le composant et le substrat de sorte que le matériau est interposé entre eux, et - on presse le matériau à chaud de façon à réaliser son fluage, avant de procéder à son frittage. L’objectif de la première étape de chauffage est d’obtenir une pâte séchée qui puisse ensuite être mise en œuvre sous pression pour la faire fluer sous un composant jusqu’à l’épaisseur choisie. L’activation du matériau est obtenue par le séchage de la partie enduite avec le matériau, seule, à une température comprise entre 140 et 150 °C. Ce séchage peut se faire sous air, sous gaz neutre ou sous vide avec extraction. Il s’agit d’un séchage au pic exothermique préalable pendant un temps ne dépassant pas 40 minutes. En dessous de ce pic, il n’est pas possible d’appliquer une pression sur la pâte (car la pâte chasse sous l’action de la pression). Au-dessus de ce pic, lors de l’étape de fluage ultérieure lors du frittage, la pression ou l’altitude du bras servant à exercer une pression ne sont pas en mesure de varier de la quantité souhaitée et le frittage n’est pas effectif. La plupart du temps, dans ce cas, la puce est fissurée. Des analyses couplées par calorimétrie différentielle à balayage (DSC) et par thermogravimétrie (TGA) ont été menées. Elles ont été effectuées sous air et sous argon afin de déterminer quel rôle joue la combustion des solvants dans leur élimination. Ainsi, la montre l’évolution de la masse du matériau de frittage (mesurée par TGA) repérée sur l’axe des ordonnées à gauche, en fonction de la température de chauffage qu’on lui applique en abscisse. De même, elle montre l’évolution de son énergie par la mesure de DSC sur l’axe des ordonnées à droite, en fonction de cette même variable. La courbe de DSC est exprimée en μV/mg et non en mW/mg. Ces analyses couplées DSC/TGA portent ici sur une pâte de frittage à base d’argent sous air. Il s’agit de la pâte commercialisée par la société Henkel sous le nom LOCTITE ABLESTIK SSP 2020. Les creusets utilisés étaient en alumine. On expose le matériau à un chauffage progressif avec une vitesse de montée en température de 10°C/min. Que l’expérience soit faite sous air ou sous argon, la courbe de TGA montre que la perte de masse de cette pâte n°1 (et donc l’évacuation des solvants) s’effectue en deux temps : une première perte de masse, majeure, débute à 130°C dans les deux cas (première bosse 2 visible sur la figure) et une seconde, mineure, s’observe au-delà de 250°C. La perte de masse majeure coïncide à partir de 130°C avec deux petits pics sur la courbe de DSC. Le premier 6 est plutôt endothermique, l’autre 8 est exothermique. La petite taille des pics 6, 8 peut s’expliquer par le fait que, thermiquement, les deux phénomènes, plus ou moins simultanés, se compensent. Concernant le premier pic 6, la perte de masse qui s’initialise à 130°C est représentative de l’évaporation des solvants et c’est une donnée fournie par le fabricant. Elle se poursuit en pratique jusqu’à 170.8°C. Dans cette zone, le solvant reste présent et bloque clairement la formation d’oxyde d'argent (Ag 2 0 3 ) qui pourrait avoir lieu sinon en dessous de 150°C. La illustre en effet les domaines de stabilité thermodynamique de l’argent et de son oxyde en fonction de la température et de la pression partielle en oxygène. Elle montre que, dans une atmosphère composée de 20% d’oxygène, l’oxyde d’argent n’est pas thermodynamiquement stable au-delà de 150°C. En dessous de cette température, bien que thermodynamiquement possible, la réaction d’oxydation de l’argent ne se produit pas car elle est cinétiquement bloquée, ce qui est le cas sur la grâce à la présence d’un composé de protection organique dans la pâte. Le premier (et petit) pic exothermique 8 qui apparaît sur la à partir de 151,2°C et qui a son maximum à 170.8°C n’est mentionné ni par le fabricant ni dans la littérature. On le retrouve sur une analyse similaire faite sous air sur une pâte à fritter d’une autre marque, elle aussi à base d’argent, et illustrée à la . Il s’agit de la pâte commercialisée par la société Heraeus sous le nom Magic® DA295A. (Des analyses similaires peuvent être faites sur une pâte commercialisée sous le nom Argomax® Alpha® par la société MacDermid Alpha Electronics Solutions et sur une pâte commercialisée sous le nom Quicksinter® par la société Indium Corporation). Ici le premier pic exothermique 8 démarre à 192.4 et a son maximum à 198.7°C. Là encore, il n’est pas mentionné par le fabricant. Dans tous les cas, seule l’évaporation des solvants à 130°C est mentionnée par les fabricants ou la littérature. Or, entre 130°C et 170°C, d’autres phénomènes majeurs sont présents. Au-delà de 130°C et en dessous de 170°C, on se retrouve avec des flocons d’argent non oxydés ayant une taille comprise entre quelques centaines de nanomètres et quelques dizaines de microns et des traces de solvants. La DSC couplée à la TGA montre clairement que, sous air, lors de la perte de masse majeure, il y a concurrence entre un phénomène exothermique et un phénomène endothermique (combustion et évaporation). En revanche, sous argon, la perte de masse principale correspond à un pic endothermique. Cela signifie que, sous gaz neutre, la perte de masse principale se fait plus par évaporation que par décomposition des solvants. Cependant, cette concurrence des phénomènes qui apparaissent dans cette zone, mais potentiellement à des températures différentes suivant les pâtes, donne naissance au pic exothermique 8 de la courbe de DSC qui est le marqueur de l’activation des paillettes d’argent pour un fluage ou un frittage ultérieur. On observe que ce pic exothermique 8 précède immédiatement le pic exothermique principal 10 associé au frittage. Si on dépasse une température de 170°C, au-delà du premier pic exothermique 8 donc, le frittage commence à se produire (la pâte est rendue solide mais pas encore suffisamment densifiée), de sorte que la pâte n'est plus conformable aux surfaces en présence par une application de pression et de température, pour un fluage ou par besoin d’adhérence. A l’inverse, si on interrompt la première étape de chauffage avant le démarrage du pic exothermique 8 avec un minimum à 151.2°C mais un début d’apparition du phénomène vers 140°C sur la et vers 192.4°C sur la , la pression appliquée lors du frittage ne permet pas un fluage contrôlé du matériau. En effet, on fait face alors à un épanchement incontrôlé de la pâte comme si l’on appliquait la pression sur une pâte liquide non séchée. Il n’est pas alors possible d’obtenir une pâte qui soit conformable en surface (fluage horizontal) et en épaisseur (fluage vertical). Pour contrôler ce fluage sur le volume qui lui est dédié, il faut appliquer la pression sur un joint qui a subi un séchage préalable en conformité avec la définition de ce pic exothermique préalable 8. Lors d’une expérimentation, le pic exothermique préalable 8 est à déterminer sous air car il n’apparaît pas dans la DSC sous gaz neutre ou sous vide. Sur la base de ces éléments, on met en œuvre l’invention comme suit à titre d’exemple. Premier mode de réalisation Nous allons décrire un premier mode de réalisation de l’invention. On met en œuvre le procédé dans une installation 20 comme celle de la . Elle comprend : - un support ou bâti 22, - un organe tel qu’un bras 24 monté mobile par rapport au support apte à exercer une pression, - une platine 21 fixée à l’extrémité inférieure du bras et s’étendant en regard du support, - des moyens de chauffage 27, et - des moyens de commande 29 aptes à commander l’exécution du procédé. Dépôt du matériau Dans une première étape, on dépose un matériau de frittage 26 sur l'un parmi un composant électronique 28 et un substrat 30, par exemple le substrat 30. L'étape de dépôt a lieu ici en disposant le matériau en boustrophédon suivant un serpentin continu comme illustré à la , en formant avec le matériau des boudins en contact mutuel comme illustré à la , par exemple sur une hauteur maximale R de 10 µm. Les boudins présentent par exemple un diamètre B compris entre 100 et 300 µm. L'étape de dépôt a lieu en l’espèce de sorte qu’une épaisseur de matériau est comprise entre 60 µm et 140 µm. On dépose le matériau sur le substrat de sorte que, à l’issue du procédé, le matériau dépasse des bords du composant 28, notamment sur une distance comprise entre 10 et 150 µm des bords du composant. Le diamètre des serpentins de pâte dépend de l’épaisseur finale à atteindre en fin de frittage. Il ne conditionne pas les étapes du procédé car, une fois séchée en conformité avec le pic exothermique préalable 8, la pâte 26 se conforme au besoin, autorisant un aplanissement total des serpentins (on n'observe pas de cavité sous les composants) pour former un unique parallélépipède rectangle de surface et d'épaisseur définies. On peut ainsi obtenir des épaisseurs de couche de liaison variables, comprises entre 1 et 10 mm. La pâte est choisie parmi des références commerciales. Le matériau de frittage est étalé par distribution automatique ou manuelle à température ambiante. On préfère en effet le mettre en place par distribution plutôt que par sérigraphie car son application par sérigraphie ne permet pas de limiter les remontées sur plusieurs dizaines de microns en hauteur lors du démoulage de l’écran de sérigraphie. Par ailleurs, la distribution donne une très bonne maitrise du taux de cavités en fin de frittage, notamment un taux inférieur à 1% sur la surface du composant. Activation d u matériau par séchage préalable Ensuite, on chauffe le matériau 26 de façon à placer la température du matériau dans la phase croissante du pic exothermique préalable 8 qui précède le pic exothermique de frittage 10 sans que la température du matériau atteigne le maximum du pic exothermique préalable 8 (170,8°C sur la ). Cette première étape de chauffage a lieu en l’espèce pendant une durée comprise entre 10 et 40 minutes à une température comprise entre 140° C et 150°C. Ce chauffage a lieu au choix sous air ou dans un environnement comprenant au moins 90% d'azote, éventuellement sous une pression inférieure à la pression atmosphérique. Fixation Ensuite, on fixe au matériau 26 le composant 28 de sorte que le matériau est interposé entre le composant 28 et le substrat 30. Si le substrat est destiné à un assemblage avec un composant et un autre substrat (ce qui est le cas d'une structure 3D en sandwich comme celle de la ), le composant est aligné avec le matériau puis pressé sur celui-ci à température ambiante entre 0.4 et 2 MPa pour permettre son adhérence sur le substrat pour la manipulation manuelle ou automatique de l’ensemble formé par le substrat et le composant. L’ensemble peut ainsi être retourné, déplacé et manipulé pour permettre les opérations ultérieures en vue d'obtenir la structure 3D. Dans d’autres cas, le composant 28 est simplement mis en contact avec le matériau 26 sur le substrat puis l’étape de frittage proprement dite est effectuée. Fluage Ensuite, en effet, dans l'installation 20 de la , on applique une pression sur le matériau 26 et on le chauffe de façon à réaliser son fluage. La pression est obtenue comme illustré à la en pressant le matériau au moyen du bras 24 entre le composant 28 et le support 22, contre le substrat 30. Cela produit alors le fluage de la pâte. Durant cette étape, on mesure une pression du bras 24 en appui sur le matériau 26 et on détermine si la pression varie sur une amplitude prédéterminée, par exemple comprise entre 5 % et 15 %, pendant une durée prédéterminée, par exemple inférieure à 30 secondes. Le fluage est acceptable en l’espèce lorsque la pression mesurée a varié entre 5 à 15% de sa valeur originale puis se stabilise en moins de 30 secondes. De plus, on mesure une position du bras 24 en appui sur le matériau 26 et on détermine si sa position varie sur une amplitude prédéterminée pendant une durée prédéterminée. La position mesurée est ici la distance de la platine 21 à la face du substrat 30 recevant le matériau 26. La variation de position correspond donc à la variation d'épaisseur de la pâte. On considère en l'espèce que le fluage est acceptable lorsque cette distance a varié entre 30 et 40 % de la distance avant le début du frittage (par exemple elle passe de 100 µm à une valeur située entre 60 et 70 µm) dans un temps qui ne dépasse pas 30 secondes. La variation de distance h a été illustrée sur la . Ces étapes sont effectuées grâce à des moyens d'asservissement classiques. Une fois cette étape réalisée, le matériau est prêt à être fritté dans une étape ultérieure de chauffage pour que le composant soit fermement fixé au substrat. L’invention est applicable notamment lorsque le composant 28 est dit fin, à savoir présente une surface de contact avec le matériau, à l’issue du procédé, telle que D * E = -2 mm 4 où : - D désigne une plus grande diagonale de la surface de contact, et - E désigne une épaisseur maximale de l’élément. L’invention est également applicable à la réalisation d’une structure sandwich ou 3D comme celle de la . Cette structure comprend ici deux substrats 30 entre lesquels sont interposés deux composants 28 de dimensions différentes l'un de l'autre. En particulier, les deux composants 28 diffèrent par leur hauteur. Une couche de matériau de frittage 26 est interposée entre le premier composant 28, à gauche sur la figure, et le substrat inférieur, et une autre couche 28 est interposée entre ce même composant et le substrat supérieur 30. Deux autres couches de matériau de frittage 26 sont pareillement interposées entre le composant de droite 28 et les substrats respectifs 30. L'agencement peut comprendre un plus grand nombre de composants interposés entre les deux substrats de cette façon. Ou encore, un plus grand nombre de composants peuvent être empilés les uns avec les autres dans un même empilement avec interposition d'une couche de matériau de frittage entre deux composants, entre les deux substrats. Pour réaliser l'agencement de la , on dispose les deux couches inférieures de matériau de frittage 26 sur le substrat inférieur 30 puis on effectue l'étape de séchage de ce matériau. Ensuite on installe les deux composants 28 et on applique par-dessus les deux autres couches de matériau de frittage. On procède ensuite à une nouvelle étape de séchage. On applique ensuite le substrat supérieur 30. Pour cela, on presse les composants entre les deux substrats, notamment à température ambiante et dans un environnement sous une pression de gaz comprise entre 0.4 et 2 MPa. On effectue ensuite le fluage simultané de toutes les couches de matériau 26. Pour cela, on place un matelas en silicone sous la platine et l’on presse l’ensemble des composants, par exemple sous 250°C/10 MPa. Durant cette dernière étape, la pression appliquée par le bras permet de maintenir un parallélisme entre les deux faces des substrats en regard l'une de l'autre et donc de rattraper les différences de hauteur entre les composants 28. On procède ensuite au frittage du matériau. Deuxième mode de réalisation Dans ce deuxième mode, on met en œuvre d'abord un procédé de test d’un matériau de frittage. On chauffe un échantillon de test du matériau de frittage en l’exposant à une température croissante. Durant le chauffage, on mesure une température du matériau. On détecte une première valeur de température de chauffage correspondant à un début (151,2°C sur la ) d'un pic exothermique préalable 8 qui précède un pic exothermique de frittage 10. Cette valeur est un minimum local. On détecte aussi une deuxième valeur de température de chauffage correspondant à un maximum du pic exothermique préalable 8 (170,8°C sur la ). Ces tests sont menés par exemple comme les analyses précitées. Ensuite, on met en œuvre un procédé pour assembler un composant électronique à un substrat d'une façon similaire au premier mode de réalisation. Le procédé comprend cette fois les étapes successives suivantes : - on dépose une portion du matériau 26 sur l'un parmi un composant électronique 28 et un substrat 30, - on chauffe la portion 26 en l’exposant à une température supérieure à la première valeur et inférieure à la deuxième valeur, - on fixe à la portion l'autre parmi le composant et le substrat de sorte que la portion est interposée entre le composant et le substrat, et - on presse à chaud la portion de façon à réaliser un fluage du matériau. On réalise ensuite le frittage. On pourra apporter à l’invention de nombreuses modifications sans sortir du cadre de celle-ci. Procédé pour assembler un composant électronique à un substrat, comprenant les étapes successives suivantes : - on dépose un matériau de frittage (26) sur l'un parmi un composant électronique (28) et un substrat (30), - on chauffe le matériau (26) de façon à placer une température du matériau dans un pic exothermique préalable (8) qui précède un pic exothermique de frittage (10) sans que la température du matériau atteigne un maximum du pic exothermique préalable, - on fixe au matériau (26) l'autre parmi le composant (28) et le substrat (30) de sorte que le matériau est interposé entre le composant et le substrat, et - on presse le matériau (26) à chaud de façon à réaliser un fluage du matériau. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de dépôt a lieu de sorte qu’une épaisseur du matériau (26) est comprise entre 60 µm et 140 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de dépôt a lieu en disposant le matériau (26) en boustrophédon. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de dépôt a lieu en formant avec le matériau (26) des boudins (32) en contact mutuel, par exemple sur une hauteur maximale (R) de 10 µm, les boudins présentant par exemple un diamètre (B) compris entre 100 et 300 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de dépôt a lieu en déposant le matériau (26) sur le substrat (30) de sorte que, à l’issue du procédé, le matériau dépasse des bords du composant (28), notamment sur une distance comprise entre 10 et 150 µm des bords du composant (28). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 dans lequel l'étape de dépôt a lieu en déposant le matériau (26) sur le composant (28) en retrait de bords du composant, notamment en retrait de 20 à 50 µm des bords du composant. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première étape de chauffage a lieu à une température comprise entre 140° C et 150°C. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première étape de chauffage a lieu pendant une durée comprise entre 10 et 40 minutes. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel, le substrat (30) étant un premier substrat, le pressage du matériau a lieu entre le premier substrat et un deuxième substrat (30). Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel durant le pressage : - on mesure une pression d’un organe (24) en appui sur le matériau (26) et on détermine si la pression varie sur une amplitude prédéterminée, par exemple comprise entre 5 % et 15 %, pendant une durée prédéterminée, par exemple inférieure à 30 secondes, et/ou - on mesure une position de l’organe (24) en appui sur le matériau et on détermine si la position varie sur une amplitude prédéterminée, par exemple comprise entre 30 % et 40 %, pendant une durée prédéterminée, par exemple inférieure à 30 secondes. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel on effectue en outre une étape de frittage du matériau. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel un élément parmi le composant (28) et le substrat (30) présente une surface de contact avec le matériau (26), à l’issue du procédé, telle que D * E = -2 mm 4 où : - D désigne une plus grande diagonale de la surface de contact, et - E désigne une épaisseur maximale de l’élément. Procédé de test d’un matériau de frittage, dans lequel : - on chauffe un échantillon de test d’un matériau de frittage (26) en l’exposant à une température croissante, et - durant le chauffage, on mesure une température du matériau (26) et on détecte une première valeur de température de chauffage correspondant à un début d'un pic exothermique préalable (8) qui précède un pic exothermique de frittage (10) et une deuxième valeur de température de chauffage correspondant à un maximum du pic exothermique préalable. Procédé pour assembler un composant électronique à un substrat, comprenant les étapes successives suivantes : - on met en œuvre le procédé de la revendication précédente, - on dépose une portion du matériau (26) sur l'un parmi un composant (28) électronique et un substrat (30), - on chauffe la portion en l’exposant à une température supérieure à la première valeur et inférieure à la deuxième valeur, - on fixe à la portion l'autre parmi le composant (28) et le substrat (30) de sorte que la portion est interposée entre le composant et le substrat, et - on presse la portion à chaud de façon à réaliser un fluage du matériau. Installation (20) pour assembler un composant électronique à un substrat, l’installation comprenant : - un support (22), - un organe (24) apte à exercer une pression, - des moyens de chauffage (27), et - des moyens (29) aptes à commander l’exécution d’un procédé selon au moins l’une quelconque des revendications 1 à 12 et 14.