FR 3124311 A1 20221223 FR 2106356 A 20210616 Le capteur photosensible (CP) comprend au moins un pixel (PX) comportant une région photosensible (PPD) dans un premier matériau semiconducteur (M1), une région de lecture (SN) dans un deuxième matériau semiconducteur (M2), et une grille de transfert (TG) en regard des parties du premier matériau semiconducteur (M1) et du deuxième matériau semiconducteur (M2) situées entre la région photosensible (PPD) et la région de lecture (SN). Le premier matériau semiconducteur (M1) et le deuxième matériau semiconducteur (M2) ont des bandes interdites différentes et sont en contact l’un avec l’autre, formant une hétérojonction (HJ) en regard de la grille de transfert (TG). Figure pour l’abrégé : Fig 1 Capteur photosensible et procédé de fabrication correspondant. Des modes de réalisation et de mise en œuvre concernent les capteurs photosensibles, en particulier les capteurs photosensibles capables de détecter des rayonnements dans une gamme dite d’infrarouges à « onde courte », usuellement désignés par l’acronyme « SWIR » des termes anglosaxons « Short Wavelength InfraRed ». Les rayonnements dans la gamme SWIR ont usuellement des longueurs d’ondes comprises entre 1µm (micromètre) et 2,5µm, et sont impossible à détecter avec des dispositif semiconducteur en silicium. En effet, l’énergie des photons de la gamme SWIR est inférieure à l’écart énergétique entre la bande de valence et la bande de conduction (appelé bande interdite, ou « band gap » voire « gap » en anglais) du silicium. Par conséquent, les capteurs photosensibles adaptés aux rayonnements de la gamme SWIR utilisent classiquement des matériaux semiconducteurs ayant une bande interdite plus étroite, usuellement désignés par l’anglicisme « matériaux faible gap », tel que par exemple l’arséniure d’indium-galium InGaAs. Ce type de matériau est usuellement désigné par les termes « matériau de type III-V » ou « composé III-V », du fait de l’appartenance de ses constituants aux groupes III et V du tableau périodique des éléments. Cela étant, les circuits de lecture et de gestion des capteurs photosensible sont classiquement formés en silicium. Par conséquent, une technique d’intégration hybride par des liaison en cuivre entre le circuit de lecture en silicium et l’élément photosensible en matériau III-V, doit classiquement être mise en œuvre. Or, dans les intégrations hybrides classiques, un nœud de lecture (ou nœud de mémoire), servant à stocker les charges photogénérées par l’élément photosensible, est prévu dans la partie en silicium. Par conséquent, la lecture du nœud de lecture est classiquement faite en tension, ce qui introduit des problèmes de bruits à la réinitialisation, en raison d’une impossibilité de soustraire le bruit temporel (bruit dit kTC) du nœud de lecture, par exemple au moyen d’une technique de double échantillonnage corrélé. Ainsi, il existe un besoin de proposer des capteurs photosensibles adaptés pour la gamme de longueurs d’onde SWIR, présentant peu de bruit, un transfert de charge rapide et selon une architecture peu encombrante. Selon un aspect, il est proposé à cet égard un capteur photosensible comprenant au moins un pixel comportant une région photosensible dans un premier matériau semiconducteur, une région de lecture dans un deuxième matériau semiconducteur, et une grille de transfert en regard des parties du premier matériau semiconducteur et du deuxième matériau semiconducteur situées entre la région photosensible et la région de lecture, le premier matériau semiconducteur et le deuxième matériau semiconducteur ayant des bandes interdites différentes et étant en contact l’un avec l’autre, formant une hétérojonction en regard de la grille de transfert. En d’autres termes, il est proposé un capteur photosensible à hétérojonction, dans lequel la région photosensible peut être couplée avec une région de lecture par l’intermédiaire d’un transfert de charges commandé par la grille de transfert. Fournir une grille de transfert entre une région photosensible et une région de lecture constitue le fondement de la technologie de pixels dits 4T (à 4 transistors), dans laquelle la région de lecture bénéficie d’une lecture à double échantillonnages corrélés. Le capteur est en effet avantageusement configuré pour qu’un signal de commande appliqué sur la grille de transfert engendre un transfert de charges de la région photosensible vers un nœud de lecture de la région de lecture. Selon un mode de réalisation, le premier matériau semiconducteur et le deuxième matériau semiconducteur sont choisis de sorte que le niveau énergétique de la bande de conduction du premier matériau semiconducteur est supérieur au niveau énergétique de la bande de conduction du deuxième matériau semiconducteur, et de sorte que le niveau énergétique de la bande de valence du premier matériau semiconducteur est supérieur au niveau énergétique de la bande de valence du deuxième matériau semiconducteur. Ce type d’agencement de matériaux semiconducteurs dont les niveaux d’énergie sont positionnés tel que défini ci-dessus, est usuellement qualifié « de type II ». Dans cette configuration, il existe une « descente » de potentiel (c’est-à-dire un échelon décroissant) au niveau de l’hétérojonction, à la fois entre les niveaux d’énergie des bandes de conduction respectives et entre les niveaux d’énergie des bandes de valence respectives, dans le sens du premier matériau semiconducteur vers le deuxième matériau semiconducteur. A contrario, il existe une barrière de potentiel (c’est-à-dire un échelon croissant) à la fois entre les bandes de conduction respectives et entre les bandes de valence respectives, dans le sens du deuxième matériau semiconducteur vers le premier matériau semiconducteur. En d’autres termes, le premier et le deuxième matériau semiconducteur sont choisis de sorte que des charges peuvent circuler dans le sens du premier matériau semiconducteur vers le deuxième matériau semiconducteur, tandis qu’une barrière de potentiel s’oppose à la circulation des charges dans le sens du deuxième matériau semiconducteur vers le premier matériau semiconducteur. Cette configuration résulte à un transfert ne subissant pas ou peu de bruit électrique et pas ou peu de rémanence consécutive à un transfert de charges incomplet ou à un retour de charges (usuellement « lag » en anglais). Selon un mode de réalisation, le premier matériau semiconducteur est choisi pour être photosensible dans une gamme de longueurs d’onde d’intérêt, et le deuxième matériau semiconducteur est choisi pour ne pas être photosensible dans la gamme de longueurs d’onde d’intérêt. On rappelle sommairement qu’un matériau semiconducteur peut être photosensible dans une gamme de longueurs d’onde correspondant à des photons d’énergie supérieure ou égale à la largeur de la bande interdite du semiconducteur (c’est-à-dire à la différence entre le niveau d’énergie de la bande de conduction et le niveau d’énergie de la bande de valence du semiconducteur). Ainsi, dans ce mode de réalisation, la région de lecture ne réagit intrinsèquement pas avec le signal détecté dans la région photosensible, et la région de lecture ne peut pas générer des charges parasitiques dues à une exposition au signal à détecter. Cela permet de fournir une mesure encore plus précise, tout en offrant des facilités de réalisation étant donné qu’il n’est pas nécessaire de prévoir des structures classiques d’écrans bloquant la transmission du signal à détecter vers la région de lecture. Selon un mode de réalisation, la gamme de longueurs d’onde d’intérêt est située entre 700 nm et 1800nm. Selon un mode de réalisation, le premier matériau semiconducteur est de l’antimoniure d’arséniure de gallium « GaAsSb », et le deuxième matériau semiconducteur est du phosphure d’indium « InP ». En effet, ce choix de matériau semiconducteurs permet avantageusement d’offrir simultanément toutes les configurations des modes de réalisation définis ci-avant, et en outre ces matériaux présentent des structures cristallines compatibles l’une avec l’autre. Selon un mode de réalisation, le premier matériau semiconducteur et le deuxième matériau semiconducteur sont dopés du même type dans les parties situées entre la région photosensible et la région de lecture. Selon un mode de réalisation, la région photosensible est configurée pour générer des charges par effet photoélectrique, et la région de lecture est configurée pour stocker des charges par effet capacitif. Selon un mode de réalisation, la région photosensible comporte des régions dopées du premier matériau agencées pour former deux jonctions PN ayant des zones de charge d’espace respectives se rejoignant de manière à former une région commune complétement désertée. Ce type de réalisation de région photosensible est usuellement appelée « photodiode pincée » ou « diode pincée » (« pinned photodiode » selon le terme anglais usuel), ou encore diode déplétée. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’un capteur photosensible comprenant au moins une fabrication d’un pixel comprenant : - une formation d’un premier matériau semiconducteur et d’un deuxième matériau semiconducteur ayant des bandes interdites différentes et étant en contact l’un avec l’autre, formant une hétérojonction ; - une formation d’une grille de transfert en regard de l’hétérojonction et de parties du premier matériau semiconducteur et du deuxième matériau semiconducteur situées de part et d’autre de l’hétérojonction ; - une formation d’une région photosensible dans le premier matériau semiconducteur ; - une formation d’une région de lecture dans le deuxième matériau semiconducteur ; la région photosensible et la région de lecture étant formées de part et d’autre des parties du premier matériau semiconducteur et du deuxième matériau semiconducteur en regard de la grille de transfert. Selon un mode de mise en œuvre, le premier matériau semiconducteur et le deuxième matériau semiconducteur sont choisis de sorte que le niveau énergétique de la bande de conduction du premier matériau semiconducteur est supérieur au niveau énergétique de la bande de conduction du deuxième matériau semiconducteur, et de sorte que le niveau énergétique de la bande de valence du premier matériau semiconducteur est supérieur au niveau énergétique de la bande de valence du deuxième matériau semiconducteur. Selon un mode de mise en œuvre, le premier matériau semiconducteur est choisi pour être photosensible dans une gamme de longueurs d’onde d’intérêt, et le deuxième matériau semiconducteur est choisi pour ne pas être photosensible dans la gamme de longueurs d’onde d’intérêt. Selon un mode de mise en œuvre, la gamme de longueurs d’onde d’intérêt est située entre 700 nm et 1800 nm. Selon un mode de mise en œuvre, le premier matériau semiconducteur est de l’antimoniure d’arséniure de gallium « GaAsSb », et le deuxième matériau semiconducteur est du phosphure d’indium « InP ». Selon un mode de mise en œuvre, la formation du premier matériau semiconducteur et du deuxième matériau semiconducteur comprend un dopage du même type du premier matériau et du deuxième matériau. Selon un mode de mise en œuvre, la formation de la région photosensible comprend une implantation de dopants dans le premier matériau adaptée pour former une jonction PN apte à générer des charges par effet photoélectrique, et la formation de la région de lecture comprend une implantation de dopants dans le deuxième matériau adaptée pour stocker des charges par effet capacitif. Selon un mode de mise en œuvre, la formation de la région photosensible comprend en outre une deuxième implantation de dopants dans le premier matériau adaptée pour former une deuxième jonction PN de sorte que les deux jonctions PN de la région photosensible ont des zones de charge d’espace respectives se rejoignant et formant une région commune complétement désertée. Selon un mode de mise en œuvre, ladite formation du premier matériau semiconducteur et du deuxième matériau semiconducteur comprend : - une gravure d’une cavité dans un substrat semiconducteur du deuxième matériau ; - une croissance par hétéro-épitaxie du premier matériau dans la cavité. Selon un mode de mise en œuvre, ladite formation du premier matériau semiconducteur et du deuxième matériau semiconducteur comprend : - une croissance par hétéro-épitaxie d’une épaisseur du premier matériau sur une surface d’un substrat semiconducteur du deuxième matériau ; - une gravure d’une cavité dans l’épaisseur du premier matériau jusqu’à découvrir le deuxième matériau ; - une croissance par homo-épitaxie du deuxième matériau dans la cavité. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : illustrent des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention. La illustre un pixel PX d’un capteur photosensible CP, sous la forme d’un schéma électrique (partie du haut de la ) et dans une vue en coupe schématique d’un dispositif semiconducteur comportant un exemple de réalisation du pixel PX (partie du bas de la ). Le pixel PX comporte une région photosensible PPD, une région de lecture SN et une grille de transfert TG entre la région photosensible PPD et la région de lecture SN. La région photosensible PPD est réalisée dans un premier matériau semiconducteur M1, tandis que la région de lecture SN est réalisée dans un deuxième matériau semiconducteur M2, différent du premier matériau semiconducteur M1. Le premier matériau semiconducteur M1 et le deuxième matériau semiconducteur M2 ont ainsi des bandes interdites différentes et sont en contact l’un avec l’autre, ce qui forme une hétérojonction HJ au niveau de leur zone de contact. La grille de transfert TG est située en regard de l’hétérojonction HJ et des parties du premier matériau semiconducteur M1 et du deuxième matériau semiconducteur M2 situées entre la région photosensible PPD et la région de lecture SN, de part et d’autre de l’hétérojonction HJ. La région photosensible PPD est configurée pour générer des charges par effet photoélectrique, par exemple lors d’une phase d’intégration au cours de laquelle la région photosensible PPD est irradiée par un signal lumineux. Dans cet exemple, la région photosensible PPD est une réalisation de photodiode pincée (« pinned photodiode » selon le terme anglais usuel), également appelée « diode pincée » ou encore « diode déplétée », c’est-à-dire une réalisation comportant des régions dopées dans le premier matériau 100, 102, 104 agencées pour former deux jonctions PN ayant des zones de charge d’espace respectives se rejoignant de manière à former une région commune complétement désertée 102. En effet, la photodiode pincée PPD est formée dans un caisson semiconducteur 100 dans le premier matériau M1 et dopé d’un premier type, par exemple le type P. Dans cet exemple, le caisson 100 a été incorporé à un substrat 200 formé dans le deuxième matériau M2. La photodiode PPD comporte une première région 102 implantée dans le caisson 100 et dopée d’un deuxième type opposé au premier type, par exemple le type N, ainsi qu’une deuxième région 104 implantée plus localement en surface du caisson 100 et dopée du premier type, typiquement fortement dopée. La première région dopée 102, c’est-à-dire la région de cathode dans le cas du type N, est ainsi « pincée » entre les deux jonctions PN formées entre le caisson 100 et la première région dopée 102 et entre la première région dopée 102 et la deuxième région dopée 104. Les profondeurs d’implantation des régions implantée 102, 104 et les concentrations des dopants du caisson 100 et des régions implantées 102, 104 sont prévues pour que les régions de charge d’espace se rejoignent dans la première région implantée 102. En conséquence, la première région implantée 102, commune aux deux jonctions PN, est complétement désertée de porteurs minoritaires. En alternative, la région photosensible PPD pourrait être une réalisation de photodiode « simple », c’est-à-dire une seule jonction PN, dans une réalisation sensiblement identique à la réalisation décrite ci-dessus, mais sans la deuxième région implantée 104. La région de lecture SN est configurée pour stocker des charges par effet capacitif, par exemple lors d’une phase de lecture à la suite de la phase d’intégration. La région de lecture SN est formée dans le substrat 200, réalisé dans le deuxième matériau M2 et dopé du premier type de conductivité, par exemple le type P ; et la région de lecture SN comporte une région 202 implantée dans le substrat 200 et dopée du deuxième type, par exemple le type N. La région de lecture SN est ainsi représentée par le schéma d’une diode. La valeur capacitive intrinsèque de la diode SN peut être suffisante pour permettre un stockage des charges voulues. Si la valeur capacitive intrinsèque de la diode SN n’est pas suffisante, un élément capacitif annexe, par exemple un élément capacitif du type « MOS » (acronyme bien connu de l’homme de l’art désignant les structures « Métal-Oxide-Semiconducteur »), peut être couplé à la région implantée 202 pour augmenter la capacité de stockage de charges. En particulier, la fonction de stockage des charges par la région de lecture SN permet une mise en œuvre comprenant les phases d’intégration et de lecture non-simultanées et bien distinctes dans le temps. C’est le cas notamment de l’acquisition à obturation globale (ou « global shutter » en anglais) dans laquelle la phase d’intégration est faite dans le même intervalle de temps pour tous les pixels du capteur, tandis que la phase de lecture peut être faite séquentiellement, à des instants différents, dans les régions de lecture SN. La grille de transfert TG est configurée pour engendrer un canal conduction adapté pour transférer des charges photogénérées dans la région photosensible PPD vers la région de lecture SN, par exemple à l’issue de la phase d’intégration, et au commencement de la phase de lecture. La grille de transfert TG comporte à cet égard une réalisation d’une région conductrice 300, par exemple en métal, séparée des matériaux semiconducteurs M1, M2 par une épaisseur de matériau diélectrique 302. La structure de grille 300, 302 est formée sur une face appelée face avant FA du premier matériau semiconducteur M1 et du deuxième matériau semiconducteur M2. La face avant FA est typiquement la face sur laquelle sont réalisées les implantations. En particulier, les bords latéraux de la région de grille 300 délimitent les zones d’implantation des régions implantées 102, 104 et 202 (par un procédé dit auto-aligné décrit ci-après en relation avec les figures 4A-4E et 5A-5D). La structure de grille 300, 302 est située en regard de l’hétérojonction HJ, et des régions semiconductrices situées de part et d’autre de l’hétérojonction HJ. Plus précisément, la structure de grille 300, 302 est située en regard de la partie 100 du premier matériau semiconducteur M1 située entre les régions implantées 102, 104 de la diode pincée PPD et l’hétérojonction HJ ; et d’autre part en regard de la partie 200 du deuxième matériau semiconducteur M2 située entre la région implantée 202 de la région de lecture SN et l’hétérojonction HJ. Ainsi, par application d’un potentiel de commande sur la région conductrice de grille 300, un canal de conduction peut être formée dans les régions semiconductrices en regard de la grille de transfert TG. On notera à cet égard que le caisson 100 formé dans le premier matériau semiconducteur M1 et le substrat 200 formé dans le deuxième matériau semiconducteur M2 sont dopés du même type, par exemple le type P, pour le moins dans les parties situées entre la région photosensible PPD et la région de lecture SN. En outre, pour permettre le transfert des charges de la région photosensible PPD vers la région de lecture SN, les premier et deuxième matériaux semiconducteur M1, M2 sont avantageusement choisis pour présenter un diagramme de bande avantageux en matière de transfert des charges. On se réfère à cet égard aux figures 2 et 3. La illustre le schéma électrique (partie du haut de la ) du pixel PX décrit ci-avant en relation avec la , et un graphique représentant les niveaux de potentiels V présents dans les différentes régions et matériaux semiconducteurs du pixel PX (partie du bas de la ). La droite en trait interrompu HJ positionne un repère correspondant à la position de l’hétérojonction HJ entre le premier matériau semiconducteur M1 et le deuxième matériau semiconducteur M2, telle qu’illustré sur la . Les positions relatives des niveaux de potentiels V du graphique correspondent à l’exemple où le premier type de dopage est le type P, c’est-à-dire lorsque le premier matériau M1 du caisson 100 et le deuxième matériau M2 du substrat 200 sont dopés de type P. Ainsi, dans cet exemple, les charges photogénérées sont des électrons, et une barrière de potentiel est formée par une variation spatiale décroissante du potentiel, tandis qu’un puits de potentiel, ou une « descente » de potentiel (par opposition à une « barrière »), sont formés par une variation spatiale croissante du potentiel. Dans le cas où la région photosensible PPD est une photodiode pincée, l’absence de charge mobile dans la région complétement désertée produit un effet de réinitialisation constant à un niveau V1 appelé « potentiel de déplétion ». Le niveau du potentiel V2 dans la partie du caisson 100 entre la région photosensible PPD et l’hétérojonction HJ définit une barrière de potentiel pour des charges photogénérées QP dans la région photosensible PPD. Le niveau du potentiel V3 dans la partie du substrat 200 entre l’hétérojonction HJ et la région photosensible PPD est supérieur au niveau V2, afin de définir une « descente » pour des charges photogénérées QP transférées vers le nœud de lecture. Le niveau du potentiel V4 sur le nœud de lecture SN est supérieur aux niveaux V2, V3 et au niveau du potentiel de déplétion V1 de la photodiode pincée PPD, formant un « puits » de potentiel pour les charges transférées QT. Pour mettre en œuvre un transfert des charges photogénérées QP dans la région photosensible PPD vers la région de lecture SN, la grille de transfert TG est portée à un potentiel positif supérieur aux seuils d’inversion du premier matériau M1 et du deuxième matériau M2. Les niveaux des potentiels V2, V3 présents entre la région photosensible PPD et la région de lecture SN sont augmentés aux niveaux respectifs V2b, V3b, supérieurs au niveau V1 et inférieurs au niveau V4 et présentant la même différence entre eux. En conséquence, les charges photogénérées QP sont transférées vers le nœud de lecture SN, et lorsque le potentiel de grille de transfert est porté à un niveau inférieur au seuil, les charges transférées QT dans le nœud de lecture sont piégées par la barrière de potentiel entre V4 et V3. Cette configuration, en particulier le fait que le potentiel V3 dans la deuxième matériau M2 soit supérieur au potentiel V2 dans le premier matériau M1, permet avantageusement un transfert peu ou pas bruité et avec peu ou pas de retard (usuellement « lag » en anglais). Cette configuration est notamment obtenue lorsque le niveau énergétique de la bande de conduction du premier matériau semiconducteur est supérieur au niveau énergétique de la bande de conduction du deuxième matériau semiconducteur, et que le niveau énergétique de la bande de valence du premier matériau semiconducteur est supérieur au niveau énergétique de la bande de valence du deuxième matériau semiconducteur. Ce type d’agencement de matériaux semiconducteurs est usuellement qualifié « de type II ». On se réfère à cet égard à la . La représente le diagramme de bande d’une hétérojonction de type II, formée par de l’antimoniure d’arséniure de gallium « GaAsSb », et du phosphure d’indium « InP ». L’antimoniure d’arséniure de gallium GaAsSb a une stœchiométrie de 0,49 d’antimoine Sb et 0,51 d’arsenic As par unité de galium Ga, « GaAs 0.51 Sb 0.49 ». Dans les réalisations de pixels PX décrites précédemment en relation avec les figures 1 et 2, le premier matériau semiconducteur M1 est avantageusement de l’antimoniure d’arséniure de gallium GaAsSb et le deuxième matériau semiconducteur M2 est avantageusement du phosphure d’indium InP. En effet, d’une part ces matériaux présentent une structure de bande de type II, l’énergie de la bande de conduction EC1 du GaAsSb étant supérieure de ΔE C à l’énergie de la bande de conduction EC2 du InP ; et l’énergie de la bande de valence EV1 du GaAsSb étant supérieure de ΔE V à l’énergie de la bande de valence EC2 du InP. D’autre part, bande interdite du GaAsSb a une largeur de 0,72eV (électron-Volt) tandis que la bande interdite du InP a une largeur de 1,35eV. Par conséquent, l’InP présente un effet photoélectrique pour des signaux dont la longueur d’onde est inférieure à 920nm (nanomètres) tandis que le GaAsSb présent un effet photoélectrique pour des signaux dont la longueur d’onde est inférieure à 1750nm. Par conséquent, pour des longueurs d’onde comprises entre 920nm et 1750nm, le premier matériau M1 (GaAsSb) est photosensible tandis que le deuxième matériau M2 (InP) n’est pas photosensible. Le premier matériau semiconducteur M1 peut ainsi être choisi pour être photosensible dans une gamme de longueurs d’onde d’intérêt, et le deuxième matériau semiconducteur M2 pour ne pas être photosensible dans la gamme de longueurs d’onde d’intérêt. Dans l’exemple du GaAsSb et InP, la gamme de longueurs d’onde d’intérêt est par exemple située entre 920nm et 1750nm. En outre, le GaAsSb et l’InP présentent une bonne compatibilité de maille cristalline et peuvent ainsi être formés conjointement de manière stable. Les à 4E illustrent des résultats d’étapes d’un procédé de fabrication du pixel PX du capteur photosensible CP décrit précédemment en relation avec les figures 1 et 2. La représente un substrat semiconducteur 400 formé dans le deuxième matériau semiconducteur. Dans cet exemple, le deuxième matériau est le phosphure d’indium InP. Le substrat 400 est dopé du type P, par exemple par implantation, ou par adjonction in situ, d’impuretés de Zinc Zn. La représente le résultat d’une gravure d’une cavité 410 dans le substrat semiconducteur 400. La gravure peut par exemple être du type gravure sèche, telle qu’une gravure au plasma ou une gravure par ions réactifs « RIE » (acronymes des termes anglais « Reactive Ion Etching »). La représente le résultat d’une croissance par hétéro-épitaxie du premier matériau semiconducteur 420 dans la cavité 410 ouverte dans le substrat 400. Dans cet exemple, le premier matériau est l’antimoniure d’arséniure de gallium GaAsSb. Ainsi un caisson 420 du premier matériau est incorporé dans deuxième matériau du substrat 400. Le caisson 420 du premier matériau est dopé du type P, par exemple in situ, par introduction d’impuretés de carbone C lors de sa formation. L’hétéro-épitaxie désigne une technique de croissance d’un cristal (GaAsSb), typiquement en phase vapeur, sur un cristal (InP) de nature chimique différente. Les structures cristallines du GaAsSb et du InP présentent un bon accord de maille entre elles, ce qui est avantageux en matière de risque de dislocation entre le premier matériau et le deuxième matériau. On a ainsi formé un premier matériau semiconducteur 420 et un deuxième matériau semiconducteur 400 ayant des bandes interdites différentes et étant en contact l’un avec l’autre, formant une hétérojonction HJ. Après croissance du premier matériau 420, un aplanissement peut éventuellement être prévu pour niveler dans un même plan, appelé face avant FA, les surfaces du premier matériau semiconducteur 420 et du deuxième matériau semiconducteur 400. La représente le résultat d’une formation d’une grille de transfert TG en regard de l’hétérojonction HJ et de parties du premier matériau semiconducteur Pt1 et du deuxième matériau semiconducteur Pt2 situées de part et d’autre de l’hétérojonction HJ. A cet égard, une couche diélectrique 432 a été formée sur la face avant FA du substrat 400 et du caisson 420, ainsi qu’une couche conductrice 430 sur la couche diélectrique 420. L’empilement des couches 430, 432 est ensuite masqué et gravé dans les parties non-recouvertes par le masque. La partie non-gravée de l’empilement des couches 430, 432 constitue la grille de transfert TG, et est située regard de l’hétérojonction HJ, et de parties du premier matériau semiconducteur Pt1 et du deuxième matériau semiconducteur Pt2 situées de part et d’autre de l’hétérojonction HJ. La représente le résultat d’une formation de la région photosensible PPD dans le premier matériau semiconducteur 420 et de la région de lecture SN dans le deuxième matériau semiconducteur 400. La formation de la région photosensible PPD comprend une première implantation de dopants 422 de type N, dans le caisson 420 de type P. Une première jonction PN est ainsi formée entre la région de dopée de type N 422 et le caisson 420, qui pourrait être apte à générer des charges par effet photoélectrique, dans le cadre d’une réalisation de photodiode simple. La formation de la région photosensible PPD comprend avantageusement en outre une deuxième implantation de dopants 424 du type P, en surface du caisson 420. Une deuxième jonction PN est ainsi formée entre la région 422 dopée de type N et la région 424 dopée de type P. Les concentrations et les profondeurs des implantations de dopants 420, 422, 424 pour former la région photosensible PPD sont prévues de sorte que les deux jonctions PN ont des zones de charge d’espace respectives se rejoignant et formant une région complétement désertée 422. La formation de la région de lecture SN comprend une implantation de dopants 402 de type N dans le deuxième matériau 400, par exemple des impuretés de silicium Si. La région implantée 402 est adaptée pour stocker des charges par effet capacitif. Le procédé peut éventuellement prévoir une formation d’un élément capacitif supplémentaire, par exemple un élément capacitif conventionnel du type MOS, couplé avec la région de lecture SN afin d’augmenter la capacité de stockage de charges. Lors des implantations des régions 422, 424 et 402, la grille de transfert ainsi formée en regard de l’hétérojonction HJ constitue un masque opaque aux impuretés implantées. Les bords latéraux de la grille de transfert TG délimitent ainsi les zones d’implantations des régions 422, 424 et 402, de manière auto-alignée. Les figures 5A à 5D illustrent des résultats d’étapes d’un procédé de fabrication alternatif du pixel PX du capteur photosensible CP décrit précédemment en relation avec les figures 1 et 2. La représente un substrat semiconducteur 500 formé dans le deuxième matériau semiconducteur, par exemple du phosphure d’indium InP, dopé de type P. Une épaisseur du premier matériau 510, par exemple de l’antimoniure d’arséniure de galium GaAsSb formé par une croissance hétéro-épitaxiée, recouvre la surface du substrat 500. La représente le résultat d’une gravure d’une cavité 520 dans l’épaisseur du premier matériau 510, jusqu’à découvrir le deuxième matériau 500. La représente le résultat d’une croissance par homo-épitaxie du deuxième matériau 502 dans la cavité 520, à partir de la surface découverte du deuxième matériau 500. On a ainsi formé un caisson 510 dans le premier matériau en contact avec un caisson dans le deuxième matériau 502, formant ainsi une hétérojonction HJ entre eux. La représente le résultat d’une formation de la région de lecture SN et de la région photosensible PPD selon une alternative de photodiode « simple ». Dans cette alternative, la deuxième implantation de type P (424 – ) n’est pas réalisée, l’unique implantation de la région de type N 512 forme une simple jonction PN avec le caisson 510. L’implantation de la région de lecture de type N 402 dans le caisson 502 est faite de façon analogue à l’étape décrite en relation avec la . L’alternative de réalisation de la photodiode « simple » décrite en relation avec la n’a pas de lien particulier avec l’alternative de formation des caissons 510, 502 de matériaux semiconducteurs différents, décrite en relation avec les figures 5A, 5B et 5C. En résumé, il a été présenté un capteur photosensible à hétérojonction, dans lequel la région photosensible PPD, formée dans un premier matériau semiconducteur, peut être couplée avec une région de lecture SN, formée dans un deuxième matériau semiconducteur différent du premier, par l’intermédiaire d’un transfert de charges commandé par la grille de transfert TG au travers de l’hétérojonction HJ. Fournir une grille de transfert TG entre une région photosensible et une région de lecture SN constitue le fondement de la technologie de pixels dits 4T (à 4 transistors), dans laquelle la région de lecture SN bénéficie d’une lecture à double échantillonnages corrélés. Sommairement, le double échantillonnage corrélé est une technique comprenant un échantillonnage d’un niveau de référence du nœud de lecture, incluant notamment le bruit de réinitialisation, avant le transfert des charges et comprenant un échantillon du niveau de signal incluant notamment le bruit de réinitialisation et le signal. Le bruit de réinitialisation peut donc être soustrait pour ne conserver que la valeur du signal du nœud de lecture SN. Le capteur photosensible CP peut comprendre une pluralité de tels pixels PX agencés dans une matrice photosensible, en particulier dans une réalisation d’un imageur dédié à la gamme des infrarouges à courte longueur d’onde, usuellement « SWIR » pour « Short Wavelength InfraRed » en anglais. L’imageur dans la gamme SWIR comportant le capteur photosensible CP tel que décrit ci-avant peut par exemple être destiné à des mesures par temps de vol (usuellement « time of flight » en anglais), c’est-à-dire une acquisition d’une cartographie de profondeurs résultant de la durée écoulée entre l’instant d’émission d’un signal éclairant une scène, par exemple dans la gamme SWIR, et l’instant de réception de ce signal réfléchi par des éléments de la scène. Un imageur de mesure par temps de vol comportant le capteur photosensible CP tel que décrit ci-avant peut par exemple être appliquée dans le cadre de capteurs de voitures autonomes, ou d’une mesure d’identification biométrique telle que la forme d’un visage. Capteur photosensible (CP) comprenant au moins un pixel (PX) comportant une région photosensible (PPD) dans un premier matériau semiconducteur (M1), une région de lecture (SN) dans un deuxième matériau semiconducteur (M2), et une grille de transfert (TG) en regard des parties du premier matériau semiconducteur (M1) et du deuxième matériau semiconducteur (M2) situées entre la région photosensible (PPD) et la région de lecture (SN), le premier matériau semiconducteur (M1) et le deuxième matériau semiconducteur (M2) ayant des bandes interdites différentes et étant en contact l’un avec l’autre, formant une hétérojonction (HJ) en regard de la grille de transfert (TG). Capteur photosensible selon la revendication 1, dans lequel le premier matériau semiconducteur (M1) et le deuxième matériau semiconducteur (M2) sont choisis de sorte que le niveau énergétique de la bande de conduction du premier matériau semiconducteur (EC1) est supérieur au niveau énergétique de la bande de conduction du deuxième matériau semiconducteur (EC2), et de sorte que le niveau énergétique de la bande de valence du premier matériau semiconducteur (EV1) est supérieur au niveau énergétique de la bande de valence du deuxième matériau semiconducteur (EV2). Capteur photosensible selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau semiconducteur (M1) est choisi pour être photosensible dans une gamme de longueurs d’onde d’intérêt, et le deuxième matériau semiconducteur (M2) est choisi pour ne pas être photosensible dans la gamme de longueurs d’onde d’intérêt. Capteur photosensible selon la revendication 3, dans lequel la gamme de longueurs d’onde d’intérêt est située entre 700 nm et 1800 nm. Capteur photosensible selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau semiconducteur (M1) est de l’antimoniure d’arséniure de gallium « GaAsSb », et le deuxième matériau semiconducteur (M2) est du phosphure d’indium « InP ». Capteur photosensible selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau semiconducteur (M1) et le deuxième matériau semiconducteur (M2) sont dopés du même type dans les parties situées entre la région photosensible (PPD) et la région de lecture (SN). Capteur photosensible selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la région photosensible (PPD) est configurée pour générer des charges par effet photoélectrique, et la région de lecture (SN) est configurée pour stocker des charges par effet capacitif. Capteur photosensible selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la région photosensible (PPD) comporte des régions dopées du premier matériau (100, 102, 104) agencées pour former deux jonctions PN ayant des zones de charge d’espace respectives se rejoignant de manière à former une région commune complétement désertée (102). Procédé de fabrication d’un capteur photosensible comprenant au moins une fabrication d’un pixel comprenant : - une formation d’un premier matériau semiconducteur (420) et d’un deuxième matériau semiconducteur (400) ayant des bandes interdites différentes et étant en contact l’un avec l’autre, formant une hétérojonction (HJ) ; - une formation d’une grille de transfert (TG) en regard de l’hétérojonction (HJ) et de parties du premier matériau semiconducteur (Pt1) et du deuxième matériau semiconducteur (Pt2) situées de part et d’autre de l’hétérojonction (HJ) ; - une formation d’une région photosensible (PPD) dans le premier matériau semiconducteur (420) ; - une formation d’une région de lecture (SN) dans le deuxième matériau semiconducteur (400) ; la région photosensible (PPD) et la région de lecture (SN) étant formées de part et d’autre des parties du premier matériau semiconducteur (Pt1) et du deuxième matériau semiconducteur (Pt2) en regard de la grille de transfert (TG). Procédé selon la revendication 9, dans lequel le premier matériau semiconducteur (420) et le deuxième matériau semiconducteur (400) sont choisis de sorte que le niveau énergétique de la bande de conduction du premier matériau semiconducteur (EC1) est supérieur au niveau énergétique de la bande de conduction du deuxième matériau semiconducteur (EC2), et de sorte que le niveau énergétique de la bande de valence du premier matériau semiconducteur (EV1) est supérieur au niveau énergétique de la bande de valence du deuxième matériau semiconducteur (EV2). Procédé selon l’une des revendications 9 ou 10, dans lequel le premier matériau semiconducteur (420) est choisi pour être photosensible dans une gamme de longueurs d’onde d’intérêt, et le deuxième matériau semiconducteur (400) est choisi pour ne pas être photosensible dans la gamme de longueurs d’onde d’intérêt. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la gamme de longueurs d’onde d’intérêt est située entre 700nm et 1800nm. Procédé selon l’une des revendications 9 à 12, dans lequel le premier matériau semiconducteur (420) est de l’antimoniure d’arséniure de gallium « GaAsSb », et le deuxième matériau semiconducteur (400) est du phosphure d’indium « InP ». Procédé selon l’une des revendications 9 à 13, dans lequel la formation du premier matériau semiconducteur (420) et du deuxième matériau semiconducteur (400) comprend un dopage du même type du premier matériau et du deuxième matériau. Procédé selon l’une des revendications 9 à 14, dans lequel la formation de la région photosensible (PPD) comprend une implantation de dopants (422) dans le premier matériau (420) adaptée pour former une jonction PN apte à générer des charges par effet photoélectrique, et la formation de la région de lecture (SN) comprend une implantation de dopants (402) dans le deuxième matériau (400) adaptée pour stocker des charges par effet capacitif. Procédé selon la revendication 15, dans lequel la formation de la région photosensible (PPD) comprend en outre une deuxième implantation de dopants (424) dans le premier matériau (420) adaptée pour former une deuxième jonction PN de sorte que les deux jonctions PN de la région photosensible (PPD) ont des zones de charge d’espace respectives se rejoignant et formant une région commune complétement désertée (422). Procédé selon l’une des revendications 9 à 16, dans lequel ladite formation du premier matériau semiconducteur (420) et du deuxième matériau semiconducteur (400) comprend : - une gravure d’une cavité (410) dans un substrat semiconducteur du deuxième matériau (400) ; - une croissance par hétéro-épitaxie du premier matériau (420) dans la cavité (410). Procédé selon l’une des revendications 9 à 16, dans lequel ladite formation du premier matériau semiconducteur (510) et du deuxième matériau semiconducteur (500) comprend : - une croissance par hétéro-épitaxie d’une épaisseur du premier matériau (510) sur une surface d’un substrat semiconducteur du deuxième matériau (500) ; - une gravure d’une cavité (520) dans l’épaisseur du premier matériau (510) jusqu’à découvrir le deuxième matériau (500) ; - une croissance par homo-épitaxie du deuxième matériau (502) dans la cavité (520).