FR 3124891 A1 20230106 FR 2107027 A 20210630 Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant : a) une étape de formation d'une matrice de cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule étant séparée des cellules voisines d'une même ligne de la matrice et des cellules voisines d'une même colonne de la matrice par une même première distance (L1), et b) une étape de gravure, dans chaque ligne ou chaque colonne, d'une cellule mémoire sur N, N étant au moins égale à 2. Figure pour l'abrégé : Fig. 3 Mémoire à changement de phase La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques, et plus particulièrement les mémoires à changement de phase. Les matériaux à changement de phase sont des matériaux qui peuvent basculer, sous l'effet de la chaleur, entre une phase cristalline et une phase amorphe. Comme la résistance électrique d'un matériau amorphe est significativement supérieure à la résistance électrique d'un matériau cristallin, ce phénomène peut être utile pour définir deux états de mémoire, par exemple 0 et 1, différenciés par la résistance mesurée à travers le matériau à changement de phase. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des mémoire à changement de phase connues. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant : a) une étape de formation d'une matrice de cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule étant séparée des cellules voisines d'une même ligne de la matrice et des cellules voisines d'une même colonne de la matrice par une première distance, et b) une étape de gravure, dans chaque ligne ou chaque colonne, d'une cellule mémoire sur N, N étant au moins égal à 2. Selon un mode de réalisation, N est égal à 5. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape a), la formation d'une matrice de vias conducteurs, chaque via étant séparé des vias voisins d'une même ligne et des vias voisins d'une même colonne de la matrice par une deuxième distance. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend la formation, sur la matrice de vias, d'un empilement comprenant une couche en un matériau résistif, une couche en un matériau à changement de phase et une couche conductrice. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend la gravure de l'empilement de manière à délimiter les cellules de la matrice, chaque cellule comprenant une portion de la couche en un matériau résistif, une portion de la couche en un matériau à changement de phase et une portion de la couche conductrice. Selon un mode de réalisation, l'étape b) comprend la formation d'une cavité découvrant le via sur lequel était formée chaque cellule gravée. Selon un mode de réalisation, l'étape b) comprend la gravure de lignes de cellules, les lignes gravées étant séparées les unes des autres par N-1 lignes de cellules non gravées. Selon un mode de réalisation, l'étape b) comprend la gravure d'une cellule sur N sur chaque ligne et sur chaque colonne. Selon un mode de réalisation, les cellules formées lors de l'étape a) sont identiques. Un autre mode de réalisation prévoit une mémoire à changement de phase comprenant une pluralité de cellules mémoire à changement de phase arrangées en lignes et en colonnes, dans laquelle chaque ligne, ou colonne, comprend des groupes de cellules mémoire, les cellules d'un même groupe étant séparées deux à deux d'une même première distance, les groupes étant séparés deux à deux par une troisième distance. Selon un mode de réalisation, la troisième distance est égale à la somme de deux fois la première distance et de la dimension de la cellule mémoire dans la direction de la ligne, ou de la colonne. Un autre mode de réalisation prévoit une mémoire telle que décrite précédemment, obtenue par le procédé décrit précédemment. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente un dispositif résultant d'une étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase ; la représente un dispositif résultant d'une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase ; la représente un dispositif résultant d'une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase ; la représente schématiquement plusieurs agencements des cavités du mode de réalisation de la ; la représente un dispositif résultant d'une autre étape d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase ; et la représente un dispositif résultant d'une étape alternative de l'étape de la . Procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant : a) une étape de formation d'une matrice de cellules mémoire à changement de phase (22), chaque cellule (22) étant séparée des cellules (22) voisines d'une même ligne de la matrice et des cellules (22) voisines d'une même colonne de la matrice par une première distance (L1), et b) une étape de gravure, dans chaque ligne ou chaque colonne, d'une cellule mémoire sur N, N étant au moins égal à 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel N est égal à 5. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant, avant l'étape a), la formation d'une matrice de vias conducteurs (14), chaque via (14) étant séparé des vias (14) voisins d'une même ligne et des vias (14) voisins d'une même colonne de la matrice par une deuxième distance. Procédé selon la revendication 3, dans lequel l'étape a) comprend la formation, sur la matrice de vias (14), d'un empilement comprenant une couche en un matériau résistif (16), une couche en un matériau à changement de phase (18) et une couche conductrice (20). Procédé selon la revendication 4, dans lequel l'étape a) comprend la gravure de l'empilement de manière à délimiter les cellules (22) de la matrice, chaque cellule comprenant une portion de la couche (16) en un matériau résistif, une portion de la couche (18) en un matériau à changement de phase et une portion de la couche conductrice (20). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape b) comprend la formation d'une cavité (30) découvrant le via (14) sur lequel était formée chaque cellule gravée. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape b) comprend la gravure de lignes (37) de cellules, les lignes gravées étant séparées les unes des autres par N-1 lignes de cellules non gravées. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape b) comprend la gravure d'une cellule sur N sur chaque ligne et sur chaque colonne. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les cellules (22) formées lors de l'étape a) sont identiques. Mémoire à changement de phase comprenant une pluralité de cellules mémoire à changement de phase (22) arrangées en lignes et en colonnes, dans laquelle chaque ligne, ou colonne, comprend des groupes de cellules mémoire, les cellules d'un même groupe étant séparées deux à deux d'une même première distance (L1), les groupes étant séparés deux à deux par une troisième distance (L2). Mémoire selon la revendication 10, dans laquelle la troisième distance (L2) est égale à la somme de deux fois la première distance (L1) et de la dimension de la cellule mémoire dans la direction de la ligne, ou de la colonne. Mémoire selon la revendication 10 ou 11, obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.