FR 3126542 A1 20230303 FR 2108992 A 20210827 Procédé de fabrication d'un circuit électronique pour auto-assemblage à un autre circuit électronique La présente description concerne un procédé de fabrication d'un circuit électronique (30) comprenant : - un support (32), - un site d’assemblage (31) présentant une première surface protubérante par rapport audit support destinée à être assemblé à un site d’assemblage d’un autre circuit électronique par un procédé d'auto-assemblage, et - une zone périphérique (39) autour dudit site d’assemblage, le site d’assemblage (31) comportant au moins un niveau, chaque niveau comportant des plots conducteurs (34) et des poteaux isolants (380) entre les plots conducteurs, ; ledit procédé de fabrication comprenant la formation dudit au moins un niveau du site d’assemblage, les contours, dans au moins une direction (X) du plan principal (XY), de chaque niveau du site d’assemblage et les bords, dans la au moins une direction (X), des plots conducteurs et des poteaux isolants du même niveau étant définis en une même étape de photolithographie dudit procédé. Figure pour l'abrégé : Fig. 3F Procédé de fabrication d'un circuit électronique pour auto-assemblage à un autre circuit électronique La présente description concerne de façon générale l'intégration tridimensionnelle de composants microélectroniques, et concerne plus particulièrement la fabrication de circuits électroniques aptes à être assemblés l’un sur l’autre par un procédé d’auto-assemblage. Pour réaliser l'intégration tridimensionnelle de composants microélectroniques, plusieurs techniques existent, et en particulier l'approche dite « puce à plaque » (« Die-to-Wafer » en anglais). Cette technique vise à utiliser les puces fonctionnelles d'une plaque et à les reporter, après découpe, sur une autre plaque qui peut également être préalablement fonctionnalisée, c’est-à-dire préparée en vue de son assemblage avec la puce. L'alignement de puces sur une plaque peut être obtenu avec des machines robotisées permettant le prélèvement et le positionnement des puces, une à une, pour leur assemblage sur la plaque. Cette technique et les machines associées sont connues sous la terminologie anglo-saxonne « pick-and-place ». Cependant, du fait de la baisse des dimensions en intégration tridimensionnelle, induisant une augmentation de l’exigence de la précision d’alignement entre la puce et la plaque (par exemple erreur d’alignement inférieure à 1 µm voire à 0,5 µm), combinée avec des exigences de cadence d’assemblage (par exemple supérieure à 10000 puces par heure), cette technique devient de moins en moins adaptée. En outre, sa mise en oeuvre implique l'utilisation de machines généralement coûteuses et complexes. Les techniques d'auto-assemblage sont de plus en plus envisagées comme alternatives ou en complément à la robotique, et notamment à la technique pick-and-place. Un procédé d'auto-assemblage connu, permettant d’aligner puis d’assembler un circuit électronique sur un support, consiste à utiliser un fluide comme média d'auto-alignement, notamment une goutte de liquide. Le circuit électronique à assembler peut être une puce (« die » ou « chip » en anglais) et correspondre à un circuit intégré. Le support correspond généralement à un autre circuit électronique, qui peut être une puce de circuit intégré ou une plaque de circuits intégrés, qui peut être désignée par raccourci par le terme « plaque » (« wafer » en anglais). Un procédé d'auto-assemblage d'un circuit électronique sur un support peut être basé sur le confinement d'une goutte d'un liquide, par exemple de l’eau, sur une surface à forte mouillabilité (que l’on peut désigner par surface « hydrophile ») située sur le support et correspondant à l'emplacement souhaité du circuit électronique. Le circuit électronique peut ensuite être disposé sur la goutte de liquide, ce qui permet son alignement vis-à-vis de son emplacement sur le support. La surface à forte mouillabilité peut être entourée d'une surface à faible mouillabilité (que l’on peut désigner par surface « hydrophobe »), afin de favoriser le confinement de la goutte de liquide sur la surface hydrophile. La mouillabilité d'un matériau peut être caractérisée par l'angle de contact θ (visible sur la ) d'une goutte de liquide sur le matériau (l’angle θ est visible sur la ). Plus l'angle de contact est faible, plus la mouillabilité du matériau est élevée. La représente un exemple de support 100 et de circuit électronique 200 adaptés pour être assemblés l’un à l’autre par un procédé d’auto-assemblage. Le support 100 présente sur sa face supérieure 100A un site d'assemblage 110 à forte mouillabilité entourée par une zone périphérique 190 à faible mouillabilité. Par exemple, les bords 110A, 110B du site d’assemblage 110 forment une marche par rapport à la zone périphérique 190. Le site d'assemblage 110 forme une protubérance sur un substrat 120 et comporte plusieurs plots conducteurs 140 affleurant en surface et séparés par des poteaux isolants 130. De la même manière que le support 100, le circuit électronique 200 comporte au niveau de sa face avant 200A, qui correspond à la face destinée à être solidarisée à la face supérieure 100A du support 100, un site d’assemblage 210 protubérant, dont les dimensions correspondent sensiblement à celles du site d'assemblage 110 du support. Le site d’assemblage 210 est entouré par une zone périphérique 290 à faible mouillabilité. Par exemple, les bords 210A, 210B du site d’assemblage 210 forment une marche par rapport à la zone périphérique 290 qui peut correspondre aussi aux bords du circuit électronique 200. De même que pour le support 100, le site d'assemblage est disposé sur un substrat 220 et comporte des plots conducteurs 240 affleurant en surface et séparés par des poteaux isolants 23H0. Pour assembler le circuit électronique 200 au support 100, une goutte G d'un liquide, par exemple de l'eau, est disposée sur le site d'assemblage 110 du support. Le circuit électronique 200 est alors approché du site d'assemblage 110 jusqu'à ce que son site d’assemblage 210 vienne au contact de la goutte. Dans cette phase d'approche, le circuit électronique peut être décalé voire incliné par rapport à la zone d'assemblage. Les forces exercées par la goutte sur le circuit électronique déplacent alors le circuit électronique 200 jusqu'à l'alignement souhaité par rapport au site d'assemblage 110, généralement sans qu'aucune action extérieure ne soit nécessaire. Une fois le circuit électronique aligné sur le support, une étape de fixation du circuit électronique au support peut être mis en œuvre, après évaporation du liquide. Par convention, on considère que l’étape de fixation est une étape comprise dans le procédé d’auto-assemblage. Pour certaines applications, l’étape de fixation peut comprendre, ou consister en, une étape de thermocompression ou de collage moléculaire. Le collage moléculaire (ou « collage direct ») est induit par l'ensemble des forces attractives d'interaction électronique entre les atomes ou molécules des deux surfaces à coller et permet ainsi de solidariser les deux surfaces via une mise en contact direct sans faire appel à un matériau de collage. En particulier, on cherche à réaliser une étape de fixation hybride dans un procédé d’auto-assemblage, permettant d'assembler un circuit électronique sur un support, tout en assurant une interconnexion électrique entre le circuit électronique et le support. Par raccourci, on pourra parler, dans l’ensemble de la présente description, de procédé d’auto-assemblage hybride. En particulier, l’étape de fixation peut comprendre, ou consister en, une étape de collage moléculaire hybride. Dans l’exemple représenté, un procédé d’auto-assemblage hybride doit permettre de fixer le circuit électronique 200 au support 100 en alignant non seulement les sites d’assemblage 110, 210 l’un par rapport à l’autre, mais également pour mettre en contact les plots conducteurs 240 du circuit électronique 200 avec les plots conducteurs 140 du support 100. Toutefois, avec les procédés d’auto-assemblage connus, il peut être difficile de réaliser un alignement correct des sites d’assemblage, tout en respectant l’alignement des plots conducteurs. Cette exigence d’alignement des plots est encore plus cruciale lorsque les pas entre les plots conducteurs diminuent et/ou que la largeur des plots conducteurs diminue. Il existe donc le besoin d’une solution permettant d’auto-assembler un circuit électronique sur un autre circuit électronique, qui permette l’alignement des circuits électroniques l’un par rapport à l’autre tout en assurant l’alignement de plots conducteurs du circuit électronique avec ceux de l’autre circuit électronique, et ce, quelques soient les pas entre les plots conducteurs et/ou les largeurs desdits plots conducteurs. Il est, en outre, souhaitable que la solution soit compatible avec les techniques classiques de fabrication et/ou d’assemblage de circuits électroniques. Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des solutions connues d'auto-assemblage, en proposant un procédé de fabrication d’un circuit électronique adapté pour être assemblé par un procédé d’auto-assemblage avec fixation hybride à un autre circuit électronique. Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un circuit électronique s’étendant selon un plan principal et comprenant : - un support, - un site d’assemblage sur ledit support, ledit site d’assemblage présentant une première surface protubérante par rapport audit support destinée à être assemblée à un site d’assemblage d’un autre circuit électronique par un procédé d'auto-assemblage, et - une zone périphérique autour dudit site d’assemblage ; le site d’assemblage comportant au moins un niveau, chaque niveau comportant des plots conducteurs et des poteaux isolants entre les plots conducteurs, lesdits plots conducteurs et lesdits poteaux isolants affleurant à ladite première surface dudit site d’assemblage ; ledit procédé de fabrication comprenant la formation dudit au moins un niveau du site d’assemblage ; les contours, dans au moins une direction du plan principal, de chaque niveau du site d’assemblage et les bords, dans la au moins une direction, des plots conducteurs et des poteaux isolants du même niveau étant définis en une même étape de photolithographie dudit procédé ; ladite étape de photolithographie étant adaptée à former un motif en résine dimensionné pour former, après une étape de gravure à partir d’une face d’une structure recouverte par ledit motif, lesdits contours et lesdits bords. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication comprend, pour chaque niveau du site d’assemblage, une étape de gravure, ultérieure à l’étape de photolithographie, ladite étape de gravure étant réalisée à partir de la face de la structure recouverte par le motif en résine formant masque de gravure. Selon un mode de réalisation, le motif en résine formé pour chaque niveau du site d’assemblage est dimensionné pour que les poteaux isolants comprennent des poteaux isolants aux bords du site d’assemblage plus larges dans la au moins une direction du plan principal que les poteaux isolants situés entre lesdits bords. Selon un mode de réalisation, le motif en résine formé pour au moins le premier niveau du site d’assemblage est dimensionné pour former sur la zone périphérique du support des poteaux complémentaires dans la couche isolante. Selon un mode de réalisation particulier, les poteaux complémentaires sont configurés pour diminuer la mouillabilité de la zone périphérique par rapport à la mouillabilité du site d’assemblage. Par exemple, les poteaux complémentaires présentent une largeur dans une direction du plan principal comprise entre 0,5 µm et 1 µm, une hauteur comprise entre 50 nm et 2 µm, et deux poteaux complémentaires adjacents sont distants d’un écartement compris entre 0,5 µm et 2 µm dans ladite direction. Selon un mode de réalisation, la formation d’un premier niveau du site d’assemblage comprend : - une étape de formation d’une couche isolante en un premier matériau diélectrique sur le support ; puis - une étape de photolithographie adaptée pour former un motif en résine sur la couche isolante ; puis - une étape de gravure depuis la face de la couche isolante recouverte par le motif formant masque de gravure, de manière à former une pluralité de tranchées dans ladite couche isolante séparées entre elles par des poteaux isolants en le premier matériau diélectrique ; puis - une étape de retrait du motif ; puis - une étape de formation d’une couche conductrice en un premier matériau métallique sur la face gravée de la couche isolante de manière à au moins remplir les tranchées, le premier matériau métallique inséré dans les tranchées formant des plots conducteurs séparés entre eux par les poteaux isolants ; puis - une étape de polissage, par exemple mécanochimique, de la couche conductrice, ladite étape de polissage étant adaptée à faire affleurer les plots conducteurs au même niveau que les poteaux isolants de la couche isolante gravée. Le premier matériau métallique est par exemple du cuivre ou du cobalt. Selon un mode de réalisation, la formation d’un premier niveau du site d’assemblage comprend : - une étape de formation d’une couche conductrice en un deuxième matériau métallique sur le support ; puis - une étape de photolithographie adaptée pour former un motif en résine sur la couche conductrice ; puis - une étape de gravure depuis la face de la couche conductrice recouverte par le motif formant masque de gravure, de manière à former une pluralité de tranchées dans la couche conductrice et des plots conducteurs en le deuxième matériau métallique séparés entre eux par lesdites tranchées ; puis - une étape de retrait du motif ; puis - une étape de formation d’une couche isolante en un deuxième matériau diélectrique sur la face gravée de la couche conductrice de manière à au moins remplir les tranchées, le deuxième matériau diélectrique inséré dans lesdites tranchées formant des poteaux isolants isolant les plots conducteurs entre eux ; puis - une étape de polissage, par exemple mécanochimique, de la couche isolante, ladite étape de polissage étant adaptée à faire affleurer les poteaux isolants au niveau des plots conducteurs. Le deuxième matériau métallique est par exemple de l’aluminium, du tungstène, ou un alliage à base d’aluminium et de cuivre ou d’aluminium et de silicium. Selon un mode de réalisation, la formation du premier niveau du site d’assemblage comprend, préalablement à l’étape de formation de la couche isolante en le premier matériau diélectrique ou de la couche conductrice en le deuxième matériau métallique, une étape de formation d’une couche d’arrêt de gravure sur le support, par exemple une couche en nitrure de silicium. Selon un mode de réalisation, les étapes de formation du premier niveau du site d’assemblage sont réitérées au moins une fois de manière à former un autre niveau de site d’assemblage comprenant d’autres plots conducteurs et d’autres poteaux isolants, lesdits autres plots conducteurs, respectivement lesdits autres poteaux isolants, étant disposés au droit des plots conducteurs, respectivement des poteaux isolants, du niveau du site d’assemblage précédemment formé. Selon un exemple, ledit procédé comprend une étape préalable de formation d’une couche d’arrêt de gravure sur le niveau du site d’assemblage précédemment formé. Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication comprend une étape complémentaire de photolithographie adaptée à recouvrir le site d'assemblage d'un motif complémentaire en résine, ledit motif complémentaire débordant d’une dimension par exemple comprise entre 1 nm et 1 µm, par exemple 300 nm, de part et d’autre dudit site d’assemblage au-dessus de la zone périphérique. Selon un mode de réalisation particulier, le procédé de fabrication comprend, ultérieurement à l’étape complémentaire de photolithographie, une étape complémentaire de gravure, de préférence humide, d’une partie de la au moins une couche conductrice localisée sur la zone périphérique. Selon un mode de réalisation particulier, le procédé de fabrication comprend une étape, ultérieure à l’étape complémentaire de photolithographie et, le cas échéant, à l’étape complémentaire de gravure, de formation d'une couche, d’épaisseur par exemple comprise entre 1 et 300 nm, en un matériau hydrophobe sur la zone périphérique, le matériau hydrophobe étant par exemple un matériau fluoré, de préférence fluorocarboné. Un mode de réalisation prévoit un circuit électronique s’étendant selon un plan principal et comprenant : - un support ; - un site d’assemblage sur ledit support, ledit site d’assemblage présentant une première surface protubérante par rapport audit support destinée à être assemblé à un site d’assemblage d’un autre circuit électronique par un procédé d'auto-assemblage ; et - une zone périphérique tout autour dudit site d’assemblage ; le site d’assemblage comportant au moins un niveau, chaque niveau comportant des plots conducteurs et des poteaux isolants entre les plots conducteurs, lesdits plots conducteurs et lesdites poteaux isolants affleurant à ladite première surface dudit site d’assemblage ; les contours, dans au moins une direction du plan principal, de chaque niveau du site d’assemblage et les bords, dans la au moins une direction, des plots conducteurs et des poteaux isolants du même niveau étant définis en une même étape de photolithographie, adaptée à former un motif en résine dimensionné pour former, après une étape de gravure à partir d’une face d’une structure recouverte par ledit motif, lesdits contours et lesdits bords ; les contours du site d’assemblage, dans la au moins une direction du plan principal, comportant des poteaux isolants. Un mode de réalisation prévoit un procédé d’auto-assemblage d'un premier circuit électronique et d’un deuxième circuit électronique, les premier et deuxième circuits électroniques étant fabriqués par le procédé de fabrication selon un mode de réalisation, le procédé d’auto-assemblage comprenant : - une étape de dépôt d'une goutte d'un liquide sur la première surface du site d’assemblage du premier circuit électronique ; puis - la mise en contact de la première surface du site d’assemblage du deuxième circuit électronique avec la première surface du site d’assemblage, revêtue de la goutte de liquide, du premier circuit électronique ; puis - une étape de fixation, par exemple par collage moléculaire hybride ou thermocompression, du site d’assemblage du deuxième circuit électronique au site d’assemblage du premier circuit électronique. Selon un mode de réalisation, le deuxième circuit électronique est découpé de manière à former une puce de circuit intégré, préalablement à l’étape de mise en contact, le premier circuit électronique étant une plaque de circuits intégrés. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente un exemple de circuit électronique et de support destinés à être assemblés par un procédé d’auto-assemblage ; la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant un procédé d’auto-assemblage d’un circuit électronique sur un support ; la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d’un circuit électronique selon un mode de réalisation ; la est une vue en coupe illustrant un procédé d’auto-assemblage de deux circuits électroniques obtenus par le procédé de fabrication des figures 3A à 3F ; la est une vue de dessus du circuit électronique obtenu par le procédé des figures 3A à 3F ; la , la et la sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d’un circuit électronique selon un autre mode de réalisation ; la représente une variante du procédé de fabrication des figures 4A à 4C ; la et la sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d’un circuit électronique selon un autre mode de réalisation ; la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d’un circuit électronique selon un autre mode de réalisation ; la , la , la et la sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d’un circuit électronique selon un autre mode de réalisation. Procédé de fabrication d'un circuit électronique (30, 40, 50, 50’, 60) s’étendant selon un plan principal (XY) et comprenant : - un support (32, 42, 52, 62), - un site d’assemblage (31, 41, 51, 61) sur ledit support, ledit site d’assemblage présentant une première surface (31S) protubérante par rapport audit support destinée à être assemblée à un site d’assemblage (31’) d’un autre circuit électronique (30’) par un procédé d'auto-assemblage, et - une zone périphérique (39, 49, 59, 69) autour dudit site d’assemblage ; le site d’assemblage (31, 41, 51, 61) comportant au moins un niveau, chaque niveau comportant des plots conducteurs (34, 44, 54, 54’, 64) et des poteaux isolants (380, 480, 580, 580’, 680) entre les plots conducteurs, lesdits plots conducteurs et lesdits poteaux isolants affleurant à ladite première surface dudit site d’assemblage ; ledit procédé de fabrication comprenant la formation dudit au moins un niveau du site d’assemblage ; les contours, dans au moins une direction (X) du plan principal (XY), de chaque niveau du site d’assemblage et les bords, dans la au moins une direction (X), des plots conducteurs et des poteaux isolants du même niveau étant définis en une même étape de photolithographie dudit procédé ; ladite étape de photolithographie étant adaptée à former un motif en résine (301) dimensionné pour former, après une étape de gravure à partir d’une face d’une structure recouverte par ledit motif, lesdits contours et lesdits bords. Procédé de fabrication selon la revendication 1, comprenant, pour chaque niveau (511, 511’) du site d’assemblage (31, 41, 51, 61), une étape de gravure, ultérieure à l’étape de photolithographie, ladite étape de gravure étant réalisée à partir de la face de la structure recouverte par le motif en résine (301) formant masque de gravure. Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, le motif en résine formé pour chaque niveau (511, 511’) du site d’assemblage (41, 51, 61) étant dimensionné pour que les poteaux isolants (480, 580, 580’, 680) comprennent des poteaux isolants (481, 581, 581’, 681) aux bords du site d’assemblage (41, 51, 61) plus larges dans la au moins une direction (X) du plan principal (XY) que les poteaux isolants (482, 582, 582’, 682) situés entre lesdits bords. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 3, le motif en résine formé pour au moins le premier niveau (511, 511’) du site d’assemblage (41, 51) étant dimensionné pour former sur la zone périphérique (49, 59) du support (42, 52) des poteaux complémentaires (483, 583, 583’) dans la couche isolante (48, 58, 58’). Procédé selon la revendication 4, les poteaux complémentaires (483) étant configurés pour diminuer la mouillabilité de la zone périphérique (49) par rapport à la mouillabilité du site d’assemblage (41), par exemple les poteaux complémentaires présentant une largeur (A) dans une direction (X) du plan principal (XY) comprise entre 0,5 µm et 1 µm, une hauteur (H) comprise entre 50 nm et 2 µm, et deux poteaux complémentaires adjacents étant distants d’un écartement (B) compris entre 0,5 µm et 2 µm dans ladite direction. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, la formation d’un premier niveau (511) du site d’assemblage (31, 41, 51) comprenant : - une étape de formation d’une couche isolante (38, 48, 58) en un premier matériau diélectrique sur le support (32, 42, 52) ; puis - une étape de photolithographie adaptée pour former un motif (301) en résine sur la couche isolante (38, 48, 58) ; puis - une étape de gravure depuis la face de la couche isolante (38, 48, 58) recouverte par le motif formant masque de gravure, de manière à former une pluralité de tranchées (306, 406) dans ladite couche isolante séparées entre elles par des poteaux isolants (380, 480, 580) en le premier matériau diélectrique ; puis - une étape de retrait du motif (301) ; puis - une étape de formation d’une couche conductrice (304, 404, 504) en un premier matériau métallique sur la face gravée de la couche isolante (38, 48, 58) de manière à au moins remplir les tranchées, le premier matériau métallique inséré dans les tranchées formant des plots conducteurs (34, 44, 54) séparés entre eux par les poteaux isolants ; puis - une étape de polissage, par exemple mécanochimique, de la couche conductrice (304, 404, 504), ladite étape de polissage étant adaptée à faire affleurer les plots conducteurs (34, 44, 54) au même niveau que les poteaux isolants (380, 480, 580) de la couche isolante gravée ; le premier matériau métallique étant par exemple du cuivre ou du cobalt. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, la formation d’un premier niveau du site d’assemblage (61) comprenant : - une étape de formation d’une couche conductrice (604) en un deuxième matériau métallique sur le support (62) ; puis - une étape de photolithographie adaptée pour former un motif en résine sur la couche conductrice (604) ; puis - une étape de gravure depuis la face de la couche conductrice (604) recouverte par le motif formant masque de gravure, de manière à former une pluralité de tranchées (606) dans la couche conductrice (604) et des plots conducteurs (64) en le deuxième matériau métallique séparés entre eux par lesdites tranchées ; puis - une étape de retrait du motif ; puis - une étape de formation d’une couche isolante (68) en un deuxième matériau diélectrique sur la face gravée de la couche conductrice (604) de manière à au moins remplir les tranchées (606), le deuxième matériau diélectrique inséré dans lesdites tranchées formant des poteaux isolants (680) isolant les plots conducteurs (64) entre eux ; puis - une étape de polissage, par exemple mécanochimique, de la couche isolante (68), ladite étape de polissage étant adaptée à faire affleurer les poteaux isolants (680) au niveau des plots conducteurs (64) ; le deuxième matériau métallique étant par exemple de l’aluminium, du tungstène, ou un alliage à base d’aluminium et de cuivre ou d’aluminium et de silicium. Procédé de fabrication selon la revendication 6 ou 7, la formation du premier niveau du site d’assemblage (31, 41, 51, 61) comprenant, préalablement à l’étape de formation de la couche isolante (38, 48, 58) en le premier matériau diélectrique ou de la couche conductrice (604) en le deuxième matériau métallique, une étape de formation d’une couche d’arrêt de gravure (37, 47, 57, 67) sur le support (32, 42, 52, 62), par exemple une couche en nitrure de silicium. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 6 à 8, les étapes de formation du premier niveau (511) du site d’assemblage (51) étant réitérées au moins une fois de manière à former un autre niveau (511’) de site d’assemblage comprenant d’autres plots conducteurs (54’) et d’autres poteaux isolants (580’), lesdits autres plots conducteurs, respectivement lesdits autres poteaux isolants, étant disposés au droit des plots conducteurs, respectivement des poteaux isolants, du niveau du site d’assemblage précédemment formé ; ledit procédé comprenant par exemple une étape préalable de formation d’une couche d’arrêt de gravure (57’) sur le niveau du site d’assemblage précédemment formé. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 9, comprenant une étape complémentaire de photolithographie adaptée à recouvrir le site d'assemblage (31, 41, 51, 61) d'un motif complémentaire (305, 405, 505, 605) en résine, ledit motif complémentaire débordant d’une dimension par exemple comprise entre 1 nm et 1 µm, par exemple 300 nm, de part et d’autre dudit site d’assemblage au-dessus de la zone périphérique (39, 49, 59, 69). Procédé de fabrication selon la revendication 10 dans sa dépendance à l’une des revendications 6 à 9, comprenant, ultérieurement à l’étape complémentaire de photolithographie, une étape complémentaire de gravure, de préférence humide, d’une partie (304B, 404B, 504B, 504B’, 604B) de la au moins une couche conductrice (304, 404, 504, 504’, 604) localisée sur la zone périphérique (39, 49, 59, 69). Procédé de fabrication selon la revendication 10 ou 11, comprenant une étape, ultérieure à l’étape complémentaire de photolithographie et, le cas échéant, à l’étape complémentaire de gravure, de formation d'une couche (35), d’épaisseur par exemple comprise entre 1 et 300 nm, en un matériau hydrophobe sur la zone périphérique (39), le matériau hydrophobe étant par exemple un matériau fluoré, de préférence fluorocarboné. Circuit électronique (30, 40, 50, 60) s’étendant selon un plan principal (XY) et comprenant : - un support (32, 42, 52, 62) ; - un site d’assemblage (31, 41, 51, 61) sur ledit support, ledit site d’assemblage présentant une première surface (31S) protubérante par rapport audit support destinée à être assemblé à un site d’assemblage (31’) d’un autre circuit électronique (30’) par un procédé d'auto-assemblage ; et - une zone périphérique (39, 49, 59, 69) tout autour dudit site d’assemblage ; le site d’assemblage (31, 41, 51, 61) comportant au moins un niveau (511, 511’), chaque niveau comportant des plots conducteurs (34, 44, 54, 54’, 64) et des poteaux isolants (380, 480, 580, 580’, 680) entre les plots conducteurs, lesdits plots conducteurs et lesdites poteaux isolants affleurant à ladite première surface dudit site d’assemblage ; les contours, dans au moins une direction (X) du plan principal (XY), de chaque niveau du site d’assemblage et les bords, dans la au moins une direction (X), des plots conducteurs et des poteaux isolants du même niveau étant définis en une même étape de photolithographie, adaptée à former un motif en résine dimensionné pour former, après une étape de gravure à partir d’une face d’une structure recouverte par ledit motif, lesdits contours et lesdits bords ; les contours du site d’assemblage, dans la au moins une direction du plan principal, comportant des poteaux isolants. Procédé d’auto-assemblage d'un premier circuit électronique (30) et d’un deuxième circuit électronique (30’), les premier et deuxième circuits électroniques étant fabriqués selon le procédé selon l’une des revendications 1 à 12, le procédé d’auto-assemblage comprenant : - une étape de dépôt d'une goutte d'un liquide sur la première surface (31S) du site d’assemblage (31) du premier circuit électronique (30) ; puis - la mise en contact de la première surface du site d’assemblage (31’) du deuxième circuit électronique (30’) avec la première surface du site d’assemblage (31), revêtue de la goutte de liquide, du premier circuit électronique (30) ; puis - une étape de fixation, par exemple par collage moléculaire hybride ou thermocompression, du site d’assemblage (31’) du deuxième circuit électronique (30’) au site d’assemblage (31) du premier circuit électronique (30). Procédé d’auto-assemblage selon la revendication 14, le deuxième circuit électronique (30’) étant découpé de manière à former une puce de circuit intégré préalablement à l’étape de mise en contact, le premier circuit électronique (30) étant une plaque de circuits intégrés.