FR 3126509 A1 20230303 FR 2108931 A 20210826 Diffuseur optique La présente description concerne un diffuseur optique comprenant : - une première couche (202) dans laquelle est formée une piste (120) conductrice électriquement ; et - une deuxième couche (201), sur laquelle repose ladite première couche (202), et dans laquelle sont formés au moins deux piliers (204) conducteurs électriquement s'étendant sur toute l'épaisseur de ladite deuxième couche (201), la deuxième couche (202) comporte au moins une première région (201N) située sous ladite piste conductrice ne comportant pas de pilier. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Diffuseur optique La présente description concerne de façon générale les systèmes et dispositifs électroniques et optiques. La présente description s'applique, plus particulièrement, à des dispositifs électroniques et optiques protégés contre les décharges électrostatiques, et, en particulier, aux diffuseurs optiques protégés contre les décharges électrostatiques. La plupart des dispositifs électroniques et des dispositifs électroniques et optiques, ou dispositif électro-optiques, sont susceptibles d'être endommagés par des décharges électrostatiques. Les diffuseurs optiques sont des dispositifs optiques permettant de diffuser la lumière provenant d'une source, et peut comporter, dans certains cas, des composants électroniques, et donc être un dispositif électro-optique. Il existe un besoin de palier tout ou partie des inconvénients des diffuseurs optiques connus. Il existe un besoin pour des dispositifs électroniques et optiques mieux protégés contre les décharges électrostatiques. Il existe un besoin pour des diffuseurs optiques mieux protégés contre les décharges électrostatiques. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des diffuseurs optiques connus. Un mode de réalisation prévoit un diffuseur optique comprenant : - une première couche dans laquelle est formée une piste conductrice électriquement ; et - une deuxième couche, sur laquelle repose ladite première couche, et dans laquelle sont formés au moins deux piliers conducteurs électriquement s'étendant sur toute l'épaisseur de ladite deuxième couche, la deuxième couche comporte au moins une première région située sous ladite piste conductrice ne comportant pas de pilier. Selon un mode de réalisation, ladite première région est située sous ladite piste conductrice et s'étend aussi à la périphérie de ladite piste conductrice. Selon un mode de réalisation, ladite première région est sous ladite piste conductrice et à une distance maximale de 1,2 µm de ladite piste conductrice. Selon un mode de réalisation, chacun desdits piliers est inscrit dans un cylindre de révolution ayant un diamètre compris 100 et 500 nm. Selon un mode de réalisation, lesdits piliers sont disposés en réseau et espacés les uns des autres d'un pas. Selon un mode de réalisation, le pas est supérieur ou égal à 400 nm. Selon un mode de réalisation, le ou lesdits piliers sont en un matériau choisi parmi le groupe comprenant : le silicium amorphe, le silicium polycristallin, et tout autre matériau ayant un indice optique différent de celui du matériau de la deuxième couche. Selon un mode de réalisation, la piste conductrice électriquement comprend une partie conductrice en un premier matériau entourée d'une couche d'encapsulation en un deuxième matériau. Selon un mode de réalisation, la partie conductrice a une largeur comprise entre 200 et 400 nm. Selon un mode de réalisation, la partie conductrice a une largeur de l'ordre de 320 nm. Selon un mode de réalisation, la couche d'encapsulation a une largeur comprise entre 400 et 800 nm. Selon un mode de réalisation, la couche d'encapsulation a une largeur de l'ordre de 570 nm. Selon un mode de réalisation, le premier matériau est choisi parmi le groupe comprenant : le cuivre et l'oxyde d'indium-étain. Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau est du nitrure de silicium. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un diffuseur optique décrit précédemment. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente une vue de dessus schématique d'un mode de réalisation diffuseur optique ; la représente, schématiquement, une vue en coupe d'une partie du mode de réalisation de la ; et la représente, schématiquement, une vue de dessus d'une partie du mode de réalisation de la . Diffuseur optique (100) comprenant : - une première couche (202) dans laquelle est formée une piste (120) conductrice électriquement ; et - une deuxième couche (201), sur laquelle repose ladite première couche (202), et dans laquelle sont formés au moins deux piliers (204) conducteurs électriquement s'étendant sur toute l'épaisseur de ladite deuxième couche (201), la deuxième couche (202) comporte au moins une première région (201N) située sous ladite piste conductrice (120) ne comportant pas de pilier. Diffuseur selon la revendication 1, dans lequel ladite première région (201N) est située sous ladite piste conductrice (120) et s'étend aussi à la périphérie de ladite piste conductrice (120). Diffuseur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ladite première région (201N) est sous ladite piste conductrice (120) et à une distance maximale de 1,2 µm de ladite piste conductrice (120). Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel chacun desdits piliers (204) est inscrit dans un cylindre de révolution ayant un diamètre compris 100 et 500 nm. Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel lesdits piliers (204) sont disposés en réseau et espacés les uns des autres d'un pas. Diffuseur selon la revendication 5, dans lequel le pas est supérieur ou égal à 400 nm. Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le ou lesdits piliers (204) sont en un matériau choisi parmi le groupe comprenant : le silicium amorphe, le silicium polycristallin, et tout autre matériau ayant un indice optique différent de celui du matériau de la deuxième couche (201). Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la piste (120) conductrice électriquement comprend une partie conductrice (301) en un premier matériau entourée d'une couche d'encapsulation (302) en un deuxième matériau. Diffuseur selon la revendication 8, dans lequel la partie conductrice (301) a une largeur comprise entre 200 et 400 nm. Diffuseur selon la revendication 8 ou 9, dans lequel la partie conductrice (301) a une largeur de l'ordre de 320 nm. Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel la couche d'encapsulation (302) a une largeur comprise entre 400 et 800 nm. Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel la couche d'encapsulation (302) a une largeur de l'ordre de 570 nm. Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel le premier matériau est choisi parmi le groupe comprenant : le cuivre et l'oxyde d'indium-étain (ITO). Diffuseur selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, dans lequel le deuxième matériau est du nitrure de silicium. Procédé de fabrication d'un diffuseur optique (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.