FR 3123160 A1 20221125 FR 2105186 A 20210518 Boitier à antenne La présente description concerne un boitier comprenant, dans un niveau supérieur (18) : un empilement (24) comprenant des couches isolantes (26, 28, 30) et des éléments conducteurs (32, 38) ; un élément (42), en plastique, reposant sur l'empilement et définissant une première cavité (44) ; et une antenne (14), comprenant une première piste conductrice (36) dans l'empilement et une deuxième piste conductrice (54) sur une paroi de l'élément. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Boitier à antenne La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les dispositifs comprenant une antenne située dans un boîtier et leurs procédés de fabrication. Une antenne est un élément permettant de rayonner (émetteur) ou de capter (récepteur) les ondes électromagnétiques. L'antenne est un élément fondamental dans un système radioélectrique. Un mode de réalisation prévoit un boitier comprenant, dans un niveau supérieur, un empilement comprenant des couches isolantes et des éléments conducteurs ; un élément, en plastique, reposant sur l'empilement et définissant une première cavité ; et une antenne, comprenant une première piste conductrice dans l'empilement et une deuxième piste conductrice sur une paroi de l'élément. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un boitier comprenant, de manière à former un niveau supérieur : la formation d'un empilement comprenant des couches isolantes et des éléments conducteurs et comprenant une première piste conductrice faisant partie d'une antenne ; la formation d'un élément, en plastique, reposant sur l'empilement et définissant une première cavité entre l'élément et l'empilement ; et la formation d'une deuxième piste conductrice reposant sur une paroi de l'élément. Selon un mode de réalisation, la première cavité est remplie d'un premier matériau ayant une permittivité diélectrique inférieure à 20. Selon un mode de réalisation, le boitier définit une deuxième cavité entourant la première cavité. Selon un mode de réalisation, la deuxième cavité est séparée de la première cavité par un mur s'étendant de sur toute la hauteur de la première cavité et reposant sur l'empilement. Selon un mode de réalisation, la deuxième cavité comprend une troisième piste conductrice s'étendant sur au moins une paroi de la deuxième cavité. Selon un mode de réalisation, la troisième piste conductrice comprend une première partie s'étendant sur un deuxième mur de l'élément, à partir de l'empilement, et une deuxième partie s'étendant sur le fond de la deuxième cavité. Selon un mode de réalisation, la deuxième partie de la troisième piste conductrice est coplanaire au plan de la deuxième piste conductrice. Selon un mode de réalisation, la deuxième partie de la troisième piste conductrice s'étend dans un plan différent du plan de la deuxième piste conductrice. Selon un mode de réalisation, la troisième piste conductrice est reliée électriquement à la première piste conductrice. Selon un mode de réalisation, la deuxième cavité est remplie d'un deuxième matériau diffèrent du premier matériau remplissant la première cavité. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après la formation de l'élément, le remplissage des première et deuxième cavités par les premier et deuxième matériaux respectivement. Selon un mode de réalisation, le boitier comprend un niveau inférieur fixé au niveau supérieur et définissant, entre le niveau supérieur et le niveau inférieur, une troisième cavité. Selon un mode de réalisation, le boitier comprend une quatrième piste conductrice s'étendant dans l'empilement entre la première piste conductrice et la troisième cavité. Selon un mode de réalisation, l'élément est dans un matériau thermoplastique, dopé par un composé inorganique métallique non conducteur. Selon un mode de réalisation, l'élément est formé par un procédé de structuration directe par laser. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la est une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique ; la est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif électronique ; et la représente un exemple de procédé de fabrication d'une partie du mode de réalisation de la . Boitier comprenant, dans un niveau supérieur (18) : un empilement (24) comprenant des couches isolantes (26, 28, 30) et des éléments conducteurs (32, 38) ; un élément (42), en plastique, reposant sur l'empilement et définissant une première cavité (44) ; et une antenne (14), comprenant une première piste conductrice (36) dans l'empilement et une deuxième piste conductrice (54) sur une paroi de l'élément. Boitier selon la revendication 1, dans lequel la première cavité (44) est remplie d'un premier matériau (56) ayant une permittivité diélectrique inférieure à 20. Boitier selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le boitier définit une deuxième cavité (46) entourant la premier cavité (44). Boitier selon la revendication 3, dans lequel la deuxième cavité (46) est séparée de la première cavité (44) par un mur (48) s'étendant de sur toute la hauteur de la première cavité et reposant sur l'empilement (24). Boitier selon la revendication 3 ou 4, dans lequel la deuxième cavité (46) comprend une troisième piste conductrice (58) s'étendant sur au moins une paroi de la deuxième cavité (46). Boitier selon la revendication 5, dans lequel la troisième piste conductrice (58) comprend une première partie s'étendant sur un deuxième mur (52) de l'élément (42), à partir de l'empilement, et une deuxième partie s'étendant sur le fond de la deuxième cavité. Boitier selon la revendication 6, dans lequel la deuxième partie de la troisième piste conductrice (58) est coplanaire au plan de la deuxième piste conductrice (54). Boitier selon la revendication 6, dans lequel la deuxième partie de la troisième piste conductrice (58) s'étend dans un plan différent du plan de la deuxième piste conductrice (54). Boitier selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel la troisième piste conductrice (58) est reliée électriquement à la première piste conductrice (36). Boitier selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, dans lequel la deuxième cavité est remplie d'un deuxième matériau (47) diffèrent du premier matériau (56) remplissant la première cavité. Boitier selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le boitier comprend un niveau inférieur (16) fixé au niveau supérieur (18) et définissant, entre le niveau supérieur (18) et le niveau inférieur (16), une troisième cavité. Boitier selon la revendication 11, dans lequel le boitier comprend une quatrième piste conductrice (40) s'étendant dans l'empilement (24) entre la première piste conductrice (58) et la troisième cavité (22). Boitier selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel l'élément (42) est dans un matériau thermoplastique, dopé par un composé inorganique métallique non conducteur. Procédé de fabrication d'un boitier comprenant, de manière à former un niveau supérieur (18), : - la formation d'un empilement (24) comprenant des couches isolantes (26, 28, 30) et des éléments conducteurs (32, 38) et comprenant une première piste conductrice (36) faisant partie d'une antenne (14) ; - la formation d'un élément (42), en plastique, reposant sur l'empilement et définissant une première cavité (44) entre l'élément et l'empilement ; et - la formation d'une deuxième piste conductrice (54) reposant sur une paroi de l'élément. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le boitier définit une deuxième cavité (46) entourant la premier cavité (44), le procédé comprenant, après la formation de l'élément (42), le remplissage des première et deuxième cavités par des premier et deuxième matériaux respectivement, la deuxième cavité étant remplie d'un deuxième matériau (47) diffèrent du premier matériau (56) remplissant la première cavité. Procédé selon la revendication 14 ou 15 appliqué au boitier selon l'une quelconque des revendications 1 à 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, dans lequel l'élément (42) est formé par un procédé de structuration directe par laser.