FR 3125810 A1 20230203 FR 2111683 A 20211103 Procédé de réalisation d’une cavité (126) au sein d’un empilement de matériaux (113), comportant : - réalisation d’une couche de matériau sacrificiel (108) sur une couche inférieure (104) ; - gravure de tranchées à travers la couche de matériau sacrificiel, délimitant latéralement une portion de matériau sacrificiel ; - dépôt d’un matériau de remplissage (120) dans les tranchées ; - réalisation d’un trou de libération (124) à travers une couche supérieure (110) qui est telle que la portion de matériau sacrificiel soit disposée entre la couche supérieure et la couche inférieure ; - gravure de la portion de matériau sacrificiel via le trou de libération et sélectivement vis-à-vis de la couche inférieure, du matériau de remplissage et de la couche supérieure. Figure pour l’abrégé : figure 4. PROCEDE DE REALISATION DE CAVITE AU SEIN D’UN EMPILEMENT DE MATERIAUX L’invention concerne la réalisation d’une ou plusieurs cavités, servant notamment lors de la réalisation de dispositifs microélectroniques tels que des dispositifs MEMS (microsystème électromécanique) ou des résonateurs. État de la technique antérieure La réalisation de dispositifs microélectroniques, tels que des dispositifs MEMS (microsystème électromécanique) ou des résonateurs, sur des cavités est soumise à plusieurs contraintes : - mise en jeu de budgets thermiques importants ; - nécessité d’avoir une très bonne planéité au-dessus de la cavité pour la réalisation du dispositif microélectronique qui peut requérir par exemple la mise en œuvre d’un collage direct (collage moléculaire) ; - bonne maîtrise de la géométrie des cavités réalisées ; - certaines techniques sont à éviter, comme par exemple une gravure préalable à une CMP (planarisation mécano-chimique) avec un contre-masque, une gravure dite « profonde » (profondeur supérieure à la largeur du motif gravé), ou encore un dépôt conforme sur des motifs ayant un rapport d’aspect (« aspect ratio » en anglais) important (forte profondeur et faible largeur). La technique dite SON (« Silicon on Nothing » en anglais, ou silicium sur rien) propose la réalisation de cavités via une gravure de trous ou tranchées dans un substrat, puis un recuit de ce substrat sous atmosphère de H 2 de manière à provoquer une fermeture des trous ou tranchées gravées au niveau de la surface du substrat grâce à une migration du matériau du substrat engendrée par ce recuit. Toutefois, avec un tel procédé, la géométrie des cavités obtenues est très dépendante des conditions de mise en œuvre du recuit. De plus, la surface de matériau sur les cavités obtenues à l’issue de ce procédé n’est pas plane et n’est par exemple pas compatible avec la mise en œuvre ultérieure d’un collage direct. En outre, le matériau formant la paroi supérieure de la cavité formée est nécessairement le semi-conducteur du substrat dans lequel la cavité est réalisée. Enfin, une cavité ainsi réalisée ne peut supporter des budgets thermiques importants. Il est également possible de réaliser des cavités dans un substrat via une gravure depuis la face arrière de ce substrat. Plusieurs difficultés se posent toutefois lors d’une telle réalisation de cavités : profondeur importante de la gravure à réaliser ; protection nécessaire des dispositifs microélectroniques présents en face avant du substrat lors de cette gravure ; risque de casse de membranes formant les parois supérieures des cavités et sur lesquelles les dispositifs microélectroniques sont réalisés. Il est également possible de réaliser un report d’une membrane sur un substrat dans lequel une ou plusieurs cavités sont gravées, la membrane formant alors la paroi supérieure de la ou des cavités. Lorsque ce report est réalisé par collage direct, il nécessite alors la mise en œuvre d’une CMP, ce qui présente des difficultés en raison de la présence de la ou des cavités au niveau de cette surface d’accueil. Lorsque ce report correspond à un report d’un deuxième substrat par collage, des températures importantes sont alors mises en jeu, et une mise au point spécifique à chaque design doit être réalisée. Un dispositif microélectronique sur une cavité peut aussi être réalisé en gravant la cavité dans un substrat, en remplissant cette cavité d’un matériau sacrificiel, puis en réalisant une membrane recouvrant le matériau sacrificiel qui est ensuite supprimé par gravure à travers la membrane. Un tel procédé a toutefois pour inconvénient que la surface supérieure du matériau sacrificiel déposé n’a pas une bonne planéité (présence de « dishing », ou forme d’assiette creuse, malgré la CMP, par exemple de l’ordre de 50 nm pour une cavité de largeur égale à 200 µm). De plus, la surface sur laquelle la membrane est réalisée est très inhomogène en termes de matériaux en raison du matériau sacrificiel présent au niveau de cette surface. Enfin, un tel procédé nécessite la mise en œuvre d’une gravure avec un contre masque préalablement à une CMP du matériau sacrificiel, ce qui conduit, malgré tout, à une mauvaise planéité et complexifie la réalisation de la cavité. Un but de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d’au moins une cavité dans un empilement de matériaux destiné à servir de support à la réalisation d’au moins un dispositif microélectronique, qui ne présente pas les inconvénients des procédés de l’art antérieur décrits ci-dessus. Pour cela, la présente invention propose un procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériaux, comportant : - réalisation d’au moins une couche de matériau sacrificiel sur une couche inférieure, le matériau sacrificiel étant apte à être gravé sélectivement vis-à-vis de la couche inférieure ; - gravure de tranchées au moins à travers la couche de matériau sacrificiel, délimitant latéralement au moins une portion de matériau sacrificiel ; - dépôt d’un matériau de remplissage au moins dans les tranchées tel que le matériau sacrificiel soit apte à être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau de remplissage ; - réalisation d’au moins un trou de libération à travers au moins une couche supérieure qui est telle que la portion de matériau sacrificiel soit disposée entre la couche supérieure et la couche inférieure et que le matériau sacrificiel soit apte à être gravé sélectivement vis-à-vis de la couche supérieure ; - gravure de la portion de matériau sacrificiel via le trou de libération et sélectivement au moins vis-à-vis de la couche inférieure, du matériau de remplissage et de la couche supérieure. Ce procédé a pour avantage de permettre la réalisation de cavités au sein d’empilements de matériaux supportant des budgets thermiques importants. Ce procédé a également pour avantage de former une surface supérieure, sur laquelle un dispositif microélectronique peut être réalisé, qui soit bien plane, notamment du fait que le matériau sacrificiel n’est pas déposé au sein d’une cavité formée au préalable. La surface supérieure obtenue peut notamment être compatible avec la mise en œuvre d’un collage direct. Ce procédé a également pour avantage de permettre une bonne maîtrise de la géométrie de la cavité réalisée du fait que cette géométrie est définie par la réalisation des tranchées à travers la couche de matériau sacrificiel, et éventuellement à travers la couche de matériau supérieure quand elle est présente. Les cavités peuvent ainsi prendre n’importe quelle forme. Ce procédé a également pour avantage de ne pas nécessiter la mise en œuvre d’étapes complexes et contraignantes telles qu’une gravure préalable à une CMP avec un contre-masque, ou une gravure dite « profonde », ou encore un dépôt conforme sur des motifs ayant un rapport d’aspect important. En outre, un tel procédé ne nécessite pas la réalisation de tranchées ayant un rapport d’aspect important (rapport de la profondeur par rapport à la largeur). Enfin, dans ce procédé, l’inhomogénéité des matériaux présents sur la surface sur laquelle un dispositif microélectronique peut être réalisé se résume à la présence du matériau de remplissage présent dans les tranchées, ce qui représente une faible proportion de la surface totale présentée. Pour finir, la limitation en dimensions de la cavité est indépendante de la profondeur de tranchées. La couche de matériau sacrificiel peut être formée par un dépôt pleine plaque sur la couche inférieure. Selon un premier mode de réalisation, le procédé peut être tel que : - la couche supérieure est réalisée sur la couche de matériau sacrificiel avant la gravure des tranchées, et - les tranchées sont gravées également à travers la couche supérieure. La couche supérieure peut être formée par un dépôt pleine plaque sur la couche de matériau sacrificiel. Dans ce premier mode de réalisation, le procédé peut être tel que : - la couche inférieure comporte de l’oxyde de silicium, et - le matériau sacrificiel correspond à du silicium, et - la couche supérieure comporte du nitrure de silicium, et - la gravure de la portion de matériau sacrificiel est mise en œuvre avec un gaz comprenant du XeF 2 . Dans ce premier mode de réalisation, le matériau de remplissage peut correspondre à du dioxyde de silicium. Dans ce cas, le dépôt du matériau de remplissage peut comporter un dépôt de TEOS (Orthosilicate de tétraéthyle) suivi d’un recuit de densification du TEOS. Dans le premier mode de réalisation, le procédé peut être tel que : - le trou de libération est réalisé par photolithographie et gravure de la couche supérieure à travers un masque de gravure, et - le masque de gravure est supprimé après la gravure de la portion de matériau sacrificiel. Cela est avantageux lorsque la gravure de la portion de matériau sacrificiel est mise en œuvre en présence d’un dispositif microélectronique sur la couche supérieure car ce masque de gravure servant à la réalisation du trou de libération peut recouvrir le dispositif microélectronique servir alors de protection du dispositif microélectronique lors de la gravure de la portion de matériau sacrificiel. Dans le premier mode de réalisation, la couche inférieure peut être disposée entre un substrat et la couche de matériau sacrificiel. La couche inférieure peut dans ce cas servir, lors de la gravure de la portion de matériau sacrificiel, de couche d’arrêt de gravure afin de préserver le substrat qui permet le maintien mécanique des différentes couches réalisées. La couche inférieure peut être formée par un dépôt pleine plaque sur le substrat. Selon un deuxième mode de réalisation, la couche supérieure peut être formée sur la couche de matériau sacrificiel après la gravure des tranchées. Dans ce deuxième mode de réalisation, le procédé peut être tel que : - la couche inférieure comporte du silicium, et - le matériau sacrificiel correspond à de l’oxyde de silicium, et - la couche supérieure comporte du silicium, et - la gravure de la portion de matériau sacrificiel correspond à une gravure en phase vapeur de HF. Dans ce deuxième mode de réalisation, le matériau de remplissage peut correspondre à du silicium. Dans ce deuxième mode de réalisation, le procédé peut être tel que : - le matériau de remplissage est également déposée sur la couche de matériau sacrificiel, en dehors des tranchées, et - la couche supérieure est formée par la mise en œuvre d’une planarisation mécano-chimique du matériau de remplissage déposé sur la couche de matériau sacrificiel, la planarisation mécano-chimique étant stoppée lorsqu’une épaisseur restante du matériau de remplissage correspond à l’épaisseur souhaitée de la couche supérieure. Dans ce deuxième mode de réalisation, la couche inférieure peut correspondre à un substrat permettant un maintien mécanique des différentes couches formées lors du procédé et servir, lors de la gravure de la portion de matériau sacrificiel, de couche d’arrêt de gravure. L’invention propose également un procédé de réalisation d’au moins un dispositif microélectronique sur un empilement de matériaux comprenant au moins une cavité, comportant la mise en œuvre d’un procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériaux tel que décrit précédemment, et comportant en outre au moins une réalisation du dispositif microélectronique mise en œuvre entre le dépôt du matériau de remplissage dans les tranchées et la réalisation du trou de libération. Le dispositif microélectronique peut être réalisé en mettant en œuvre plusieurs étapes de dépôt de couches de matériaux, de photolithographie et de gravure desdites couches de matériaux. Le dispositif microélectronique est de type MEMS ou correspond à un résonateur de type FBAR (résonateur acoustique massif à couche). Dans l’ensemble du document, les termes « supérieur », « inférieur » « sur » est utilisé sans distinction de l’orientation dans l’espace des éléments auxquels se rapporte ces termes. Par exemple, dans la caractéristique « sur une face d’une couche », cette face n’est pas nécessairement orientée vers le haut mais peut correspondre à une face orientée selon n’importe quelle direction. En outre, la disposition d’un premier élément sur un deuxième élément doit être comprise comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément directement contre le deuxième élément, sans aucun élément intermédiaire entre les premier et deuxième éléments, ou bien comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément sur le deuxième élément avec un ou plusieurs éléments intermédiaires disposés entre les premier et deuxième éléments. Dans tout le document, le terme « couche » peut désigner une seule couche ou un empilement de plusieurs couches. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d’exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : et représentent les étapes d’un procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériaux, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation ; et représentent les étapes d’un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique, objet de la présente invention, au cours duquel est mis en œuvre le procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériau selon le premier mode de réalisation ; , et représentent les étapes d’un procédé de réalisation d’un résonateur de type FBAR, objet de la présente invention, au cours duquel est mis en œuvre le procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériau selon le premier mode de réalisation ; , et représentent les étapes d’un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique, objet de la présente invention, selon un deuxième mode de réalisation ; , et représentent les étapes d’un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique, objet de la présente invention, au cours duquel est mis en œuvre le procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériau selon le deuxième mode de réalisation. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d’une figure à l’autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n’étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. E xposé détaillé de modes de réalisation particuliers Un procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériaux selon un premier mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec les figures 1 à 4. Ce procédé est mis en œuvre à partir d’un substrat 102 comprenant par exemple du semi-conducteur tel que du silicium. Au moins une couche 104, appelée « couche inférieure », est réalisée sur une des deux faces principales du substrat 102. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, la couche inférieure 104 comporte de l’oxyde de silicium, et est par exemple réalisée par oxydation thermique du substrat 102. Cette oxydation thermique forme également, du côté de l’autre des deux faces principales du substrat 102, au moins une autre couche d’oxyde de silicium 106 sensiblement identique à la couche inférieure 104. L’épaisseur de la couche inférieure 104 est par exemple égale à 500 nm, ou plus généralement comprise entre 100 nm et 1000 nm. Au moins une couche de matériau sacrificiel 108 est ensuite réalisée sur la couche inférieure 104. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, la couche de matériau sacrificiel 108 comporte du silicium, par exemple polycristallin, déposé par exemple par LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur à faible pression) sur la couche inférieure 104. Le matériau sacrificiel de la couche 108 peut être dopé ou non, selon l’application envisagée. L’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108 est choisie telle qu’elle corresponde à la hauteur d’une cavité qui sera formée ultérieurement. L’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108 est par exemple égale à 2 µm, ou plus généralement comprise entre 100 nm et 10000 nm (avec des précautions spécifiques supplémentaires pour la gravure des fortes épaisseurs). Bien que cela ne soit pas visible sur la , le dépôt mis en œuvre pour réaliser la couche de matériau sacrificiel 108 peut former, contre la couche 106, une autre couche identique à la couche de matériau sacrificiel 108. Après le dépôt de la couche de matériau sacrificiel 108, un recuit peut être mis en œuvre afin de relâcher les contraintes s’exerçant dans le matériau sacrificiel de la couche 108. Au moins une couche 110, appelée « couche supérieure », est ensuite réalisée sur la couche de matériau sacrificiel 108. Cette couche supérieure 110 est destinée à former une paroi supérieure de la cavité qui sera formée ultérieurement. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, cette couche supérieure 110 correspond à une couche de nitrure de silicium déposée sur la couche de matériau sacrificiel 108. La température à laquelle la couche supérieure 110 est déposée est par exemple de l’ordre de 800°C. L’épaisseur de la couche supérieure 110 est par exemple égale à 200 nm, ou plus généralement comprise entre 100 nm et quelques micromètres. Bien que cela ne soit pas visible sur la , la mise en œuvre du dépôt de la couche supérieure 110 forme également, contre la couche d’oxyde présente contre la couche 106, une couche de nitrure de silicium identique à la couche supérieure 110. La structure obtenue à ce stade du procédé forme un empilement de matériaux 113 représenté sur la et dans lequel au moins une cavité va être réalisée. Dans cet empilement de matériaux 113, le matériau sacrificiel de la couche 108 est apte à être gravé sélectivement vis-à-vis des matériaux de la couche inférieure 104 et de la couche supérieure 110. Des tranchées 114 sont ensuite réalisées à travers la couche supérieure 110 et la couche de matériau sacrificiel 108. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les tranchées 114 sont réalisées en mettant en œuvre une étape de photolithographie selon le motif souhaité des tranchées 114, puis une gravure à travers toute l’épaisseur de la couche supérieure 110 et une gravure à travers toute l’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108. La gravure est stoppée sur la couche inférieure 104 servant de couche d’arrêt de gravure. Le motif des tranchées 114 est tel qu’elles délimitent latéralement au moins une portion 116 de la couche de matériau sacrificiel 108. Dans l’exemple de réalisation décrit, le volume de la portion 116 correspond au volume souhaité de la cavité qui sera formée ultérieurement. Les tranchées 114 délimitent également une partie 118 de la couche supérieure 110 qui est disposée sur la portion 116 de matériau sacrificiel et qui est destinée à former la paroi supérieure de la cavité. Les tranchées 114 réalisées sont visibles sur la . En outre, bien que cela ne soit pas visible sur la , ces étapes de photolithographie et gravure peuvent être mise en œuvre à travers la partie 118 de la couche supérieure 110 pour former des plots de renfort destinés au soutien de la paroi supérieure de la cavité qui sera formée ultérieurement. De tels plots de renfort permettent notamment un meilleur maintien mécanique de la paroi supérieure de la cavité. Le rapport de forme des tranchées 114, c’est-à-dire le rapport de la largeur (dimension selon l’axe X sur la ) d’une tranchée 114 sur sa hauteur (dimension selon l’axe Z sur la ), est par exemple égal à environ 1 généralement inférieur à 5. Ainsi, dans l’exemple de réalisation décrit ici, la largeur des tranchées est environ égale à la somme des épaisseurs de la couche de matériau sacrificiel 108 et de la couche supérieure 110. Le masque de gravure utilisé pour réaliser les tranchées 114 est ensuite retiré . Un matériau de remplissage 120 est ensuite déposé dans les tranchées 114 (et éventuellement dans les trous servant à la réalisation des plots de renforts). Ce matériau de remplissage 120 est choisi tel que le matériau sacrificiel de la couche 108 puisse être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau de remplissage 120. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le matériau de remplissage 120 correspond à du TEOS. L’épaisseur de TEOS déposé dépend notamment de la profondeur des tranchées 114. Ce matériau de remplissage 120 est également déposé en dehors des tranchées 114, sur la couche supérieure 110, afin de garantir le remplissage des tranchées 114 par le matériau 120. Du fait que le matériau de remplissage 120 corresponde ici à du TEOS, un recuit de densification du matériau de remplissage 120 est ensuite mis en œuvre. Ce recuit de densification est par exemple mis en œuvre à une température d’environ 800°C et sous une atmosphère de dioxygène. Le matériau de remplissage 120 obtenu à l’issue de ce recuit de densification correspond à du dioxyde de silicium. Une CMP est ensuite mise en œuvre afin de supprimer le dioxyde de silicium (matériau de remplissage 120) se trouvant sur la couche supérieure 110, en dehors des tranchées 114. Cette CMP est stoppée sur la couche supérieure 110 afin que le matériau de remplissage 120 restant soit localisé uniquement dans les tranchées 114, et éventuellement dans les trous pour former les plots de maintien (voir ). Au moins un trou de libération 124 est ensuite réalisé à travers au moins la couche supérieure 110, et plus précisément à travers la partie 118 de la couche supérieure 110. Ce trou 124 est ici réalisé par photolithographie et gravure du matériau de la couche supérieure 110 avec arrêt sur le matériau sacrificiel de la portion 116. Le masque de gravure utilisé pour réaliser le trou de libération 124 est ensuite retiré. La portion 116 de matériau sacrificiel est ensuite gravée via le trou de libération 124. Dans l’exemple de réalisation décrit ici dans lequel le matériau sacrificiel de la portion 116 correspond à du silicium, la portion 116 est gravée avec un gaz comprenant du XeF 2 . Cette gravure de la portion 116 forme une cavité 126 délimitée latéralement par le matériau de remplissage 120 déposé dans les tranchées 114, par une paroi de fond formée par la couche inférieure 104, et par une paroi supérieure formée par la partie 118 de la couche supérieure 110. Les couches présentes en face arrière du substrat 102 peuvent être supprimées. La structure finale obtenue est représentée sur la . Un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique au cours duquel est mis en œuvre le procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériau selon le premier mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec les figures 5 à 8. Les étapes précédemment décrites en lien avec les figures 1 et 2 sont mises en œuvre et réalisent les structures représentées sur les figures 5 et 6. Comme précédemment décrit, le matériau de remplissage 120 est ensuite formé dans les tranchées 114. Le dispositif microélectronique 122 est ensuite réalisé sur la couche supérieure 110. Ce dispositif 122 est réalisé en mettant en œuvre plusieurs étapes de dépôt de couches de matériaux, de photolithographie et de gravure de ces couches dont la nature (matériaux) et le nombre dépendent du dispositif 122 réalisé. Le dispositif 122 est par exemple de type MEMS ou correspond à un résonateur de type FBAR. Sur la , le dispositif 122 réalisé est représenté symboliquement sous la forme d’un rectangle. Le procédé est ensuite achevé comme précédemment décrit, c’est-à-dire en réalisant le trou de libération 124 et en gravant la portion 116 via le trou de libération 124. La représente la structure obtenue à l’issue de ce procédé. Les couches présentes en face arrière du substrat 102 peuvent être supprimées. Dans l’exemple de réalisation décrit ci-dessus, le trou de libération 124 est réalisé à travers uniquement la couche supérieure 110. En variante, il est possible que le trou de libération 124 soit également réalisé à travers une ou plusieurs couches du dispositif 122. En variante, il est possible de conserver le masque de gravure ayant servi à réaliser le trou de libération 124 et de retirer ce masque de gravure après avoir gravé la portion 116 de matériau sacrificiel. Cela permet notamment de protéger le dispositif 122 lors de la gravure de la portion 116 et également d’empêcher le dépôt de résidus de gravure sur le dispositif 122. Un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique 122 correspondant à un résonateur de type FBAR, au cours duquel est mis en œuvre le procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériau selon le premier mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec les figures 9 à 16. Comme dans les exemples précédemment décrits en lien avec les figures 1 à 4 et 5 à 8, la couche inférieure 104 est réalisée sur une des deux faces principales du substrat 102. De même, la couche inférieure 104 comporte de l’oxyde de silicium et est par exemple réalisée par oxydation thermique. Cette oxydation thermique forme également, du côté de l’autre des deux faces principales du substrat 102, l’autre couche d’oxyde de silicium 106. La couche de matériau sacrificiel 108 est ensuite réalisée sur la couche inférieure 104 par exemple comme précédemment décrit en lien avec les figures 1 à 4 et 5 à 8. Le dépôt mis en œuvre forme également, sur la couche 106, une autre couche 128 sensiblement identique à la couche de matériau sacrificiel 108. La structure obtenue à ce stade du procédé est représentée sur la . Une couche de protection (non représentée), comprenant par exemple du TEOS, est déposée sur la couche de matériau sacrificiel 108. Cette couche de protection a par exemple une épaisseur égale à 1,5 µm et est par exemple déposée à une température de 480°C. La structure est ensuite retournée afin de réaliser, par exemple par photolithographie et gravure, des marques d’alignement dans la couche 128. Un nettoyage RCA est ensuite mis en œuvre, puis une oxydation thermique est réalisée par exemple à une température de 500°C pour former une couche d’oxyde 130 d’épaisseur ici égale à 500 nm. Une planarisation mécano-chimique est alors mise en œuvre afin de conserver une épaisseur d’oxyde par exemple égale à 300 nm. Un nettoyage peut de nouveau être mis en œuvre, puis une couche 132 de nitrure de silicium peut ensuite être déposée, par exemple à une température de 800°C et avec une épaisseur égale à 100 nm. Le nitrure de silicium déposé sur la couche de protection peut être supprimé, puis la couche de protection peut être supprimée via la mise en œuvre d’une désoxydation. Les étapes mises en œuvre pour réaliser les marques d’alignement et les couches 130 et 132 peuvent être différentes et sont décrites ici à titre d’exemple. La couche supérieure 110 est ensuite réalisée sur la couche de matériau sacrificiel 108 par exemple comme précédemment décrit en lien avec les figures 1 à 4 et 5 à 8. La structure obtenue à ce stade du procédé est représentée sur la et forme l’empilement de matériaux 113 dans lequel la cavité 126 va être réalisée. Les tranchées 114 sont ensuite réalisées à travers la couche supérieure 110 et la couche de matériau sacrificiel 108 par exemple comme précédemment décrit en lien avec les figures 1 à 4 et 5 à 8. Comme dans les précédents exemples de réalisation, ces étapes de photolithographie et gravure peuvent former également des plots de renfort destinés notamment au soutien de la cavité 126 qui sera formée ultérieurement. Comme représenté sur la , le matériau de remplissage 120 est ensuite déposé dans les tranchées 114 par exemple comme précédemment décrit en lien avec les figures 1 à 4 et 5 à 8. Le dispositif microélectronique 122 (comme référencé sur figures 7 et 8) est ensuite réalisé sur la couche supérieure 110. Les étapes ci-dessous décrivent un exemple de réalisation d’un dispositif 122 correspondant à un résonateur FBAR. Ces étapes peuvent être différentes selon le dispositif microélectronique 122 réalisé. Une première couche diélectrique 134, comprenant par exemple de l’oxyde de silicium, est déposée sur la couche supérieure 110 et sur le matériau de remplissage 120 déposé dans les tranchées 114. Des couches de matériaux électriquement conducteurs destinées à former une électrode inférieure 136 du dispositif 122 sont ensuite déposées sur la première couche diélectrique 134. Dans cet exemple de réalisation, ces couches de matériaux électriquement conducteurs correspondent à une couche d’AlN d’épaisseur généralement égale à 20 nm, et une couche de Molybdène d’épaisseur égale 200 nm ou comprise entre 50 et 500 nm en fonction des caractéristiques souhaitées du dispositif. Des étapes de photolithographie et de gravure de ces couches de matériaux électriquement conducteurs sont ensuite mises en œuvre. Les portions restantes de ces couches forment l’électrode inférieure 136. Le masque utilisé pour cette lithographie est ensuite retiré. Une deuxième couche diélectrique 138, comprenant par exemple de l’oxyde de silicium, est déposée sur l’électrode inférieure 136 et autour de celle-ci. Des étapes de lithographie et de gravure de cette deuxième couche diélectrique 138 sont ensuite mises en œuvre. Le masque de gravure utilisé est ensuite retiré, puis une CMP est mise en œuvre avec arrêt sur l’électrode inférieure 136 (voir ). Une couche de matériau piézoélectrique 140 est ensuite déposée sur l’électrode inférieure 136 et la deuxième couche diélectrique 138. Cette couche de matériau piézoélectrique 140 comporte par exemple de l’AlN et a par exemple une épaisseur comprise entre 100 nm à 2000 nm en fonction des caractéristiques souhaitées du dispositif. Une ou plusieurs couches de matériaux électriquement conducteurs destinées à former une électrode supérieure 142 du dispositif 122 sont ensuite déposées sur la couche de matériau piézoélectrique 140. Dans cet exemple de réalisation, cette couche de matériau électriquement conducteur correspond à une couche de Molybdène d’épaisseur comprise entre 50 nm et 500 nm en fonction des caractéristiques souhaitées du dispositif. Des étapes de photolithographie et de gravure de cette couche de matériau électriquement conducteur sont ensuite mises en œuvre. La portion restante de cette couche forme l’électrode supérieure 142. Le masque utilisé pour cette lithographie est ensuite retiré (voir ). Des étapes de photolithographie et de gravure humide de la couche de matériau piézoélectrique 140 avec arrêt sur l’électrode inférieure 136 sont ensuite mise en œuvre afin de former un premier trou 144 permettant l’accès à l’électrode inférieure 136. Le masque de gravure utilisé pour ces étapes est ensuite retiré. Une troisième couche diélectrique, comprenant par exemple du TEOS, est ensuite déposée sur l’ensemble de la structure. Une photolithographie et une gravure de cette troisième couche diélectrique avec arrêt sur l’électrode inférieure 136, l’électrode supérieure 142 et le matériau piézoélectrique 140 sont mises en œuvre telles que des portions restantes 146 de cette troisième couche diélectrique recouvrant les bords latéraux de l’électrode supérieure 142 soient conservées. Le masque de gravure utilisé est ensuite retiré. Des étapes de photolithographie et de gravure sèche de la couche de matériau piézoélectrique 140 avec arrêt sur la deuxième couche diélectrique 138 sont ensuite mises en œuvre de manière à former un deuxième trou 147 à travers la couche de matériau piézoélectrique 140 destiné à servir à la libération de la cavité 126 (voir ). Une couche de passivation 148, comprenant par exemple du SiN et d’épaisseur comprise entre 100 nm à 500 nm en fonction des caractéristiques souhaitées du dispositif, est ensuite déposée sur la structure réalisée. Des étapes de photolithographie et de gravure de la couche de passivation 148 avec arrêt sur l’électrode inférieure 136 et sur l’électrode supérieure 142 sont ensuite mises en œuvre afin de supprimer une partie de cette couche de passivation 148 au niveau du premier trou 144 et sur l’électrode supérieure 142. Le masque de gravure utilisé pour graver la couche de passivation 148 est ensuite supprimé. Une ou plusieurs couches électriquement conductrices sont ensuite déposées sur la structure réalisée. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, ces couches correspondent à un empilement d’une couche de titane, d’une couche de nickel et d’une couche d’or. Ces couches électriquement conductrices sont ensuite gravées afin que les portions restantes de ces couches forment des contacts électriques 150 disposés contre les électrodes inférieure et supérieure 136, 142 au niveau des accès précédemment formés en gravant la couche de passivation 148. Le masque de gravure utilisé est supprimé (voir ). Le trou de libération 124 est ensuite réalisé par photolithographie et gravure à travers la couche de passivation 148, les première et deuxième couches diélectriques 138, 134 et la couche supérieure 110, dans le deuxième trou 147. Le masque de gravure est ensuite supprimé, puis la portion 116 de matériau sacrificiel est supprimée par gravure comme dans les exemples de réalisation précédemment décrits, via le trou de libération 124, formant la cavité 126 (voir ). Un procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériaux selon un deuxième mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec les figures 17 à 19. Comme dans le premier mode de réalisation, le procédé est mis en œuvre à partir d’un substrat 103 similaire au substrat 102 précédemment décrit dans le premier mode de réalisation. La couche de matériau sacrificiel 108 est réalisée directement sur l’une des deux faces principales du substrat 103 qui forme donc à la fois le support mécanique pour l’ensemble des couches de l’empilement de matériaux 113 et la couche inférieure sur laquelle la couche de matériau sacrificiel 108 est réalisée. Dans ce deuxième mode de réalisation, le matériau sacrificiel utilisé correspond à de l’oxyde de silicium et est apte à être gravé sélectivement par rapport au matériau de la couche inférieure, c’est-à-dire au matériau du substrat 103. La couche de matériau sacrificiel 108 est par exemple obtenue en mettant en œuvre une oxydation thermique du substrat 103 ou un dépôt TEOS. Cette couche d’oxyde de silicium est mise en œuvre de manière à ce que l’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108 réalisée corresponde à la hauteur de la cavité 126 qui sera formée ultérieurement. Dans le cas d’une oxydation thermique, la couche se forme également, du côté de l’autre des deux faces principales du substrat 103, l’autre couche d’oxyde de silicium 106 (voir ). Les tranchées 114 sont ensuite réalisées à travers la couche de matériau sacrificiel 108. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, les tranchées 114 sont réalisées en mettant en œuvre une étape de photolithographie selon le motif souhaité des tranchées 114, puis une gravure à travers toute l’épaisseur de la couche de matériau sacrificiel 108. La gravure est stoppée sur le substrat 103. Le motif des tranchées 114 est tel qu’elles délimitent latéralement la portion 116 de la couche de matériau sacrificiel 108 dont le volume correspond au volume souhaité de la cavité 126 qui sera formée ultérieurement. Comme dans le premier mode de réalisation, ces étapes de photolithographie et gravure peuvent servir à la réalisation de plots de renforts destinés au maintien ultérieur de la paroi supérieure de la cavité 126. La géométrie des tranchées 114 est par exemple sensiblement similaire à celle des tranchées 114 précédemment décrites pour le premier mode de réalisation. Le masque utilisé pour la gravure des tranchées 114 est ensuite retiré . Le matériau de remplissage 120 est ensuite déposé dans les tranchées 114 et également sur la couche de matériau sacrificiel 108. Dans l’exemple de réalisation décrit ici, le matériau de remplissage 120 correspond à du silicium, par exemple polycristallin, dopé ou non dopé. L’épaisseur de matériau de remplissage 120 déposée est par exemple égale à 3 µm. Le matériau sacrificiel de la couche 108 est apte à être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau de remplissage 120. Après le dépôt du matériau de remplissage 120, un recuit peut être mis en œuvre afin de relâcher les contraintes présentes dans le matériau de remplissage 120. Une CMP est ensuite mise en œuvre afin de retirer une partie de l’épaisseur du matériau de remplissage 120 présent sur la couche de matériau sacrificiel 108. L’épaisseur restante de matériau de remplissage 120 présent sur la couche de matériau sacrificiel 108 forme la couche supérieure 110 dont une partie 118 est destinée à former la paroi supérieure de la cavité 126 (voir ). Cette CMP permet d’obtenir l’épaisseur souhaitée pour la couche supérieure 110, et également d’avoir une couche supérieure 110 présentant une bonne planéité. L’épaisseur restante du matériau de remplissage 120 formant la couche supérieure 110 est par exemple égale à 200 nm. Comme représenté sur la , au moins un trou de libération 124 est ensuite réalisé à travers au moins la couche supérieure 110. Ce trou 124 est réalisé par photolithographie et gravure avec arrêt sur le matériau sacrificiel de la portion 116. Le masque de gravure utilisé pour réaliser le trou de libération 124 est ensuite retiré. La portion 116 de matériau sacrificiel est ensuite gravée via le trou de libération 124. Dans l’exemple de réalisation décrit ici dans lequel le matériau sacrificiel correspond à de l’oxyde de silicium, la portion 116 est supprimée en mettant en œuvre une gravure en phase vapeur de HF. Cette gravure forme la cavité 126 délimitée latéralement par le matériau de remplissage 120 déposé dans les tranchées 114, par une paroi de fond formée par le substrat 103 (formant la couche inférieure), et par une paroi supérieure formée par la partie 118 de la couche supérieure 110. Les matériaux présents en face arrière du substrat 103 peuvent être supprimés. Un procédé de réalisation d’un dispositif microélectronique au cours duquel est mis en œuvre le procédé de réalisation d’au moins une cavité au sein d’un empilement de matériau selon le deuxième mode de réalisation est décrit ci-dessous en lien avec les figures 20 à 22. Les étapes précédemment décrites en lien avec la sont mises en œuvre et réalisent la structure représentée sur la . Les tranchées 114 sont ensuite réalisées à travers la couche de matériau sacrificiel 108, puis le matériau de remplissage 120 est déposé dans les tranchées 114 et sur la couche de matériau sacrificiel 108. Une CMP permettant la formation de la couche supérieure 110 est ensuite mise en œuvre. Le dispositif microélectronique 122 est ensuite réalisé sur la couche supérieure 110. Comme dans l’exemple de réalisation précédemment décrit, le dispositif 122 est réalisé en mettant en œuvre plusieurs étapes de dépôt de couches de matériaux, de photolithographie et de gravure de ces couches dont les caractéristiques et le nombre dépendent du dispositif 122 réalisé. Sur la , le dispositif 122 réalisé est représenté symboliquement sous la forme d’un rectangle. Le procédé est ensuite achevé comme précédemment décrit, c’est-à-dire en réalisant le trou de libération 124 et en gravant la portion 116 via le trou de libération 124. La représente la structure obtenue à l’issue de ce procédé. Dans l’exemple de réalisation décrit ci-dessus, le trou de libération 124 est réalisé à travers uniquement la couche supérieure 110. En variante, il est possible que le trou de libération 124 soit également réalisé à travers une ou plusieurs couches du dispositif 122. En variante, il est possible de conserver le masque de gravure ayant servi à réaliser le trou de libération 124 et de retirer ce masque de gravure après avoir gravé la portion 116 de matériau sacrificiel. Cela permet notamment de protéger le dispositif 122 lors de la gravure de la portion 116 et également d’empêcher le dépôt de résidus de gravure sur le dispositif 122. Dans tous les exemples de réalisation précédemment décrits, il est possible que le ou les trous de libération 124 réalisés soient obturés après la suppression de la portion 116 de matériau sacrificiel, par exemple par un dépôt d’un ou plusieurs matériaux d’obturation. Dans les exemples de réalisation précédemment décrits, un seul dispositif microélectronique 122 est réalisé au-dessus de la cavité 126. En variante, il est possible que plusieurs dispositifs microélectroniques 122, par exemple de type MEMS ou des résonateurs, soient réalisés au-dessus de la cavité 126. Selon une autre variante, il est possible que le procédé forme simultanément plusieurs cavités 126 au-dessus desquelles un ou plusieurs dispositifs microélectroniques 122 peuvent être réalisés. Procédé de réalisation d’au moins une cavité (126) au sein d’un empilement de matériaux (113), comportant : - réalisation d’au moins une couche de matériau sacrificiel (108) sur une couche inférieure (103, 104), le matériau sacrificiel étant apte à être gravé sélectivement vis-à-vis de la couche inférieure (103, 104); - gravure de tranchées (114) au moins à travers la couche de matériau sacrificiel (108), délimitant latéralement au moins une portion de matériau sacrificiel (116) ; - dépôt d’un matériau de remplissage (120) au moins dans les tranchées (114) tel que le matériau sacrificiel soit apte à être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau de remplissage (120) ; - réalisation d’au moins un trou de libération (124) à travers au moins une couche supérieure (110) qui est telle que la portion de matériau sacrificiel (116) soit disposée entre la couche supérieure (110) et la couche inférieure (103, 104) et que le matériau sacrificiel soit apte à être gravé sélectivement vis-à-vis de la couche supérieure (110) ; - gravure de la portion de matériau sacrificiel (116) via le trou de libération (124) et sélectivement au moins vis-à-vis de la couche inférieure (103, 104), du matériau de remplissage et de la couche supérieure (110). Procédé selon la revendication 1, dans lequel : - la couche supérieure (110) est réalisée sur la couche de matériau sacrificiel (108) avant la gravure des tranchées (114), et - les tranchées (114) sont gravées également à travers la couche supérieure (110). Procédé selon la revendication 2, dans lequel : - la couche inférieure (104) comporte de l’oxyde de silicium, et - le matériau sacrificiel correspond à du silicium, et - la couche supérieure (110) comporte du nitrure de silicium, et - la gravure de la portion de matériau sacrificiel (116) est mise en œuvre avec un gaz comprenant du XeF 2 . Procédé selon l’une des revendications 2 ou 3, dans lequel le matériau de remplissage (120) correspond à du dioxyde de silicium. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le dépôt du matériau de remplissage (120) comporte un dépôt de TEOS suivi d’un recuit de densification du TEOS. Procédé selon l’une des revendications 2 à 5, dans lequel : - le trou de libération (124) est réalisé par photolithographie et gravure de la couche supérieure (110) à travers un masque de gravure, et - le masque de gravure est supprimé après la gravure de la portion de matériau sacrificiel (116). Procédé selon l’une des revendications 2 à 6, dans lequel la couche inférieure (104) est disposée entre un substrat (102) et la couche de matériau sacrificiel (108). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche supérieure (110) est formée sur la couche de matériau sacrificiel (108) après la gravure des tranchées (114). Procédé selon la revendication 8, dans lequel : - la couche inférieure (103) comporte du silicium, et - le matériau sacrificiel correspond à de l’oxyde de silicium, et - la couche supérieure (110) comporte du silicium, et - la gravure de la portion de matériau sacrificiel (116) correspond à une gravure en phase vapeur de HF. Procédé selon l’une des revendications 8 ou 9, dans lequel le matériau de remplissage (120) correspond à du silicium. Procédé selon l’une des revendications 8 à 10, dans lequel : - le matériau de remplissage (120) est également déposée sur la couche de matériau sacrificiel (108), en dehors des tranchées (114), et - la couche supérieure (110) est formée par la mise en œuvre d’une planarisation mécano-chimique du matériau de remplissage (120) déposé sur la couche de matériau sacrificiel (108), la planarisation mécano-chimique étant stoppée lorsqu’une épaisseur restante du matériau de remplissage (120) correspond à l’épaisseur souhaitée de la couche supérieure (110). Procédé de réalisation d’au moins un dispositif microélectronique (122) sur un empilement de matériaux (113) comprenant au moins une cavité (126), comportant la mise en œuvre d’un procédé de réalisation d’au moins une cavité (126) au sein d’un empilement de matériaux (113) selon l’une des revendications précédentes, et comportant en outre au moins une réalisation du dispositif microélectronique (122) mise en œuvre entre le dépôt du matériau de remplissage (120) dans les tranchées (114) et la réalisation du trou de libération (124). Procédé selon la revendication 12, dans lequel le dispositif microélectronique (122) est réalisé en mettant en œuvre plusieurs étapes de dépôt de couches de matériaux, de photolithographie et de gravure desdites couches de matériaux. Procédé selon l’une des revendications 12 ou 13, dans lequel le dispositif microélectronique (122) est de type MEMS ou correspond à un résonateur de type FBAR.