FR 3120452 A1 20220909 FR 2101993 A 20210302 L’invention porte sur un émetteur optoélectronique à balayage angulaire, comportant un réseau de plusieurs cavités résonantes (20 i ) s’étendant chacune longitudinalement suivant un premier axe (X), adaptées chacune à émettre par leur face d’émission un faisceau lumineux élémentaire à une fréquence de résonance f r(i) propre à chaque cavité résonante 20 i , en réponse à un signal optique d’excitation impulsionnel adapté à éclairer et exciter simultanément toutes les cavités résonantes 20 i ; et configurées pour présenter une variation des fréquences de résonance f r(i) d’une cavité résonante 20 i à l’autre, suivant un deuxième axe (Y) du réseau perpendiculaire au premier axe (X), le balayage angulaire de l’émetteur optoélectronique (1) se produisant alors dans un plan perpendiculaire à celui du substrat (3) et contenant le deuxième axe (Y). Figure pour l’abrégé : fig.1 Emetteur optoélectronique à balayage angulaire rapide Le domaine de l’invention est celui des émetteurs optoélectroniques adaptés à émettre un faisceau lumineux en espace libre qui effectue en champ lointain un balayage d’un secteur angulaire en un temps très court, par exemple inférieur à la nanoseconde. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Il existe des émetteurs optoélectroniques permettant d’émettre en espace libre un faisceau lumineux suivant une direction principale prédéfinie. Ils trouvent une application notamment dans le domaine de la détection et de l’estimation de distance par laser (LIDAR), mais également dans les domaines des communications optiques en espace libre, des écrans holographiques et de l’imagerie médicale, entre autres. A titre d’exemple, il peut s’agir des émetteurs optoélectroniques à antenne réseau à commande de phase (OPA, pour Optical Phased Array , en anglais). Les émetteurs optoélectroniques de ce type comportent habituellement une source optique d’émission d’un signal optique cohérent et monochromatique qui est ensuite distribué dans une pluralité de guides d’onde. Chaque guide d’onde comporte un déphaseur et un émetteur élémentaire formant une antenne optique. Les antennes optiques émettent un faisceau lumineux élémentaire en espace libre, par exemple par diffraction, ces faisceaux lumineux interférant ensuite entre eux pour former un faisceau lumineux principal. Celui-ci présente un diagramme de rayonnement en champ lointain dont la direction principale est fonction notamment de la phase relative appliquée par les déphaseurs aux faisceaux lumineux se propageant dans la pluralité de guides d’onde. Pour obtenir un balayage rapide d’un secteur angulaire par le faisceau lumineux principal, par exemple un balayage d’un secteur angulaire de l’ordre de 10mrad en une durée de l’ordre de la nanoseconde voire moins, il serait nécessaire d’imposer aux faisceaux lumineux élémentaires une phase relative présentant une variation temporelle très courte. Or, ceci est particulièrement difficile voire impossible à obtenir avec des déphaseurs à effet thermo-optique ou même avec des déphaseurs à effet électro-réfractif. Par ailleurs, un tel émetteur optoélectronique nécessiterait une gestion complexe de la variation temporelle de la phase relative à imposer, et pourrait présenter une consommation énergétique importante. Notons qu’il existe également des émetteurs optiques comportant un dispositif mécanique permettant d’effectuer le balayage angulaire, comme décrit par exemple dans le document EP2397882A1. Cependant, la vitesse de balayage reste relativement faible du fait des contraintes inhérentes aux éléments du dispositif mécanique (guidage en rotation par roulements à billes ou pivots flexibles, moteur couple, etc…). L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un émetteur optoélectronique permettant d’effectuer un balayage rapide d’un secteur angulaire prédéfini, en un temps de l’ordre de la nanoseconde voire moins, par un faisceau lumineux principal à divergence angulaire faible vis-à-vis de la largeur angulaire du secteur balayé. Pour cela, l’objet de l’invention est un émetteur optoélectronique à balayage angulaire, comportant un réseau de plusieurs cavités résonantes, reposant sur un substrat définissant un plan principal, les cavités résonantes étant : agencées parallèlement les unes aux autres et s’étendant chacune longitudinalement suivant un premier axe du réseau, formées chacune d’un empilement de deux réflecteurs opposés et d’une couche intercalaire située entre les réflecteurs, et présentant une face d’émission opposée au substrat, adaptées chacune à émettre par la face d’émission un faisceau lumineux dit élémentaire à une fréquence de résonance f r(i) propre à chaque cavité résonante, en réponse à un signal optique d’excitation impulsionnel adapté à éclairer et exciter simultanément toutes les cavités résonantes, configurées pour présenter une variation des fréquences de résonance f r(i) d’une cavité résonante à l’autre, suivant un deuxième axe du réseau perpendiculaire au premier axe, le balayage angulaire de l’émetteur optoélectronique se produisant alors dans un plan perpendiculaire à celui du substrat et contenant le deuxième axe. Certains aspects préférés mais non limitatifs de cet émetteur optoélectronique sont les suivants. Les cavités résonantes peuvent être configurées de sorte que la variation des fréquences de résonance f r(i) est monotone. La variation des fréquences de résonance f r(i) peut résulter d’une variation suivant le deuxième axe du réseau : d’une épaisseur des couches intercalaires, d’une cavité résonante à l’autre, l’épaisseur étant définie suivant un axe perpendiculaire au plan principal, et/ou d’un indice de réfraction des couches intercalaires, d’une cavité résonante à l’autre. L’émetteur optoélectronique peut comporter une source optique adaptée à émettre le signal optique d’excitation de manière à éclairer et à exciter simultanément toutes les cavités résonantes, le signal optique d’excitation présentant chacune une largeur spectrale Δf e centrée sur une fréquence centrale f e , la largeur spectrale Δf e et la fréquence centrale f e étant prédéfinies de manière à couvrir la gamme des fréquences de résonance f r(i) des différentes cavités résonantes. Les cavités résonantes peuvent être des plots distincts les uns des autres répartis sur le substrat et délimités chacun par des flancs latéraux sensiblement perpendiculaires au substrat. La variation des fréquences de résonance f r(i) peut également résulter d’une variation suivant le deuxième axe du réseau d’une largeur des cavités résonantes suivant le deuxième axe du réseau. En variante, les cavités résonantes peuvent être des zones d’un même empilement formé des réflecteurs et de la couche intercalaire, l’empilement étant recouvert par une couche mince opaque à la longueur d’onde des faisceaux lumineux élémentaires, la couche mince optique comportant des ouvertures traversantes définissant une surface d’émission des cavités résonantes. Les cavités résonantes peuvent présenter une largeur L y suivant le deuxième axe du réseau et une longueur L x suivant le premier axe du réseau, la longueur L x et la largeur L y étant respectivement supérieure et inférieure à une dimension latérale d m d’un mode résonant dans une cavité résonante planaire de dimensions infinies dans le plan principal, la dimension latérale d m étant prédéfinie en fonction d’une longueur d’onde de résonance d’une cavité résonante de référence du réseau, de l’épaisseur et de l’indice de réfraction de sa couche intermédiaire, et des coefficients de réflectivité des deux réflecteurs. Les cavités résonantes peuvent être réalisées à base de composés diélectriques ou semiconducteurs III-V. Par ailleurs, les réflecteurs peuvent être des miroirs de Bragg. La couche intercalaire d’une cavité résonante centrale du réseau peut présenter une épaisseur égale à k×λ r(0) /2n, où k est un entier, λ r(ic) est la longueur d’onde de résonance de la cavité résonante centrale, et n est l’indice de réfraction de la couche intercalaire correspondante. Une cavité résonante centrale est une cavité résonante située au centre du réseau. L’émetteur optoélectronique peut présenter une vitesse angulaire de balayage prédéfinie en fonction d’un écart entre les fréquences de résonance de deux cavités résonantes adjacentes, d’une longueur d’onde de résonance d’une cavité résonante centrale du réseau, et d’un pas d’agencement spatial des cavités résonantes suivant le deuxième axe du réseau. L’émetteur optoélectronique peut présenter une largeur d’un secteur angulaire balayé par le faisceau lumineux principal prédéfinie en fonction d’une longueur d’onde de résonance d’une cavité résonante centrale du réseau et d’une largeur des cavités résonantes suivant le deuxième axe du réseau. L’émetteur optoélectronique peut présenter une largeur angulaire du faisceau lumineux principal prédéfinie en fonction de la largeur du secteur angulaire et d’un nombre total des cavités résonantes. L’émetteur optoélectronique peut présenter une période de balayage d’un secteur angulaire prédéfinie en fonction d’un écart entre les fréquences de résonance de deux cavités résonantes adjacentes. L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’un émetteur optoélectronique selon l’une quelconque des caractéristiques précédentes, dans lequel la variation des fréquences de résonance est induite par une variation d’épaisseur de la couche intercalaire des cavités résonantes suivant le deuxième axe du réseau, le procédé comportant une étape de réalisation d’un empilement destiné à former le réseau de cavités résonantes, l’empilement étant réalisé dans un réacteur, sur une platine, à partir d’une position qui est décalée latéralement vis-à-vis d’un axe de rotation de la platine par rapport à une position de référence pour laquelle l’épaisseur de la couche intercalaire présente une épaisseur uniforme. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : la est une vue schématique et partielle, en coupe, d’un émetteur optoélectronique à balayage angulaire selon un mode de réalisation ; les figures 2A et 2B sont des vues en perspective, schématiques et partielles, de deux configurations différentes du réseau de cavités résonantes de l’émetteur optoélectronique selon un mode de réalisation, c’est-à-dire en configuration structurée ( ) et en configuration planaire non structurée ( ) ; les figures 3A à 3C sont des exemples d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain d’une ou plusieurs cavités résonantes en configuration structurée (cf. ), pour une cavité résonante unique ( ), pour un réseau de cavités résonantes sans variation de la fréquence de résonance d’une cavité résonante à l’autre ( ), et pour un réseau de cavités résonantes avec une variation de la fréquence de résonance d’une cavité résonante à l’autre ( ) ; les figures 4A à 4C sont des exemples d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain d’une ou plusieurs cavités résonantes en configuration planaire non structurée (cf. ), pour une cavité résonante unique ( ), pour un réseau de cavités résonantes sans variation de la fréquence de résonance d’une cavité résonante à l’autre ( ), et pour un réseau de cavités résonantes avec une variation de la fréquence de résonance d’une cavité résonante à l’autre ( ) ; la est une vue en coupe, schématique et partielle, d’un réacteur d’épitaxie par jets moléculaires (MBE) illustrant le positionnement d’un substrat de croissance permettant de réaliser une couche intercalaire présentant une variation monotone de son épaisseur ; la est une vue en coupe, schématique et partielle, d’un réseau de cavités résonantes selon une configuration structurée (cf. ), pour lesquelles l’épaisseur de la couche intercalaire présente une variation monotone suivant un axe du réseau. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l’ordre de » signifient à 10% près, et de préférence à 5% près. Par ailleurs, les termes « compris entre … et … » et équivalents signifient que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. L’invention porte sur un émetteur optoélectronique permettant d’émettre un faisceau lumineux principal de faible divergence angulaire, suivant une direction principale prédéfinie en champ lointain qui effectue un balayage rapide d’un secteur angulaire donné, en un temps très court, par exemple de l’ordre de la nanoseconde voire moins. Autrement dit, l’émetteur optoélectronique est adapté à émettre un faisceau lumineux dont le diagramme de rayonnement en champ lointain montre au moins un pic d’intensité suivant une direction principale qui varie dans le temps. On appelle « diagramme de rayonnement en champ lointain » la répartition angulaire du faisceau lumineux principal en champ lointain émis par l’émetteur optoélectronique. Ce faisceau lumineux principal est formé par interférence entre les faisceaux lumineux élémentaires émis par un réseau de cavités optiques résonantes. Le diagramme de rayonnement en champ lointain de l’émetteur optoélectronique se distingue ainsi des diagrammes de rayonnement en champ proche des cavités résonantes (émetteurs élémentaires). Le champ lointain (zone de Fraunhofer) correspond à une distance D cl supérieure à deux fois le rapport entre le carré d’une grande dimension L de la taille globale de l’émetteur optoélectronique sur la longueur d’onde de résonance λ r d’une cavité résonante, autrement dit : D cl > 2×L 2 /λ r . La est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un émetteur optoélectronique 1 selon un premier mode de réalisation. On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel orthogonal XYZ, où les axes X et Y forment un plan parallèle au plan principal du substrat 3 sur lequel repose un réseau 2 de cavités résonantes 20 i , et où l’axe Z est orienté suivant l’épaisseur des cavités résonantes 20 i et suivant la direction d’émission des cavités résonantes 20 i . Dans la suite de la description, les termes « inférieur » et « supérieur » s’entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant suivant la direction +Z. D’une manière générale, l’émetteur optoélectronique 1 selon l’invention comporte un réseau 2 de cavités optiques résonantes 20 i reposant sur un substrat 3. Les cavités résonantes 20 i sont agencées parallèlement les unes aux autres et s’étendent chacune longitudinalement suivant un premier axe du réseau (ici l’axe X). Chaque cavité résonante 20 i est formée d’un empilement de deux réflecteurs opposés 21.1, 21.2 et d’une couche intercalaire 22 située entre les réflecteurs 21.1, 21.2, et présente une face d’émission opposée au substrat 3. Elles sont adaptées chacune à émettre par la face d’émission, en réponse à un signal optique d’excitation, un faisceau lumineux dit élémentaire à une fréquence de résonance f r(i) propre à chaque cavité résonante 20 i . De plus, elles sont configurées pour présenter une variation, de préférence monotone, des fréquences de résonance f r(i) suivant un deuxième axe du réseau (ici l’axe Y) perpendiculaire au premier axe X. Le balayage angulaire de l’émetteur optoélectronique 1 se produit alors dans un plan perpendiculaire à celui du substrat 3 et contenant le deuxième axe Y. Une source optique 10 est adaptée à émettre le signal optique d’excitation de manière à éclairer et exciter simultanément toutes les cavités résonantes 20 i . Notons que les cavités résonantes 20 i dont il s’agit ici sont les cavités destinées à être éclairées et excitées par le signal optique d’excitation. Le réseau peut comporter davantage de cavités résonantes que les N cavités résonantes 20 i en question. Le signal optique d’excitation est formé d’impulsions laser présentant chacune une largeur spectrale Δf e centrée sur une fréquence centrale f e , la largeur spectrale Δf e et la fréquence centrale f e étant prédéfinies de manière à couvrir la gamme des fréquences de résonance f r(i) . Aussi, la source optique 10 émet un signal optique d’excitation qui éclaire et excite toutes les cavités résonantes 20 i de manière simultanée. En réponse, les cavités résonantes 20 i émettent chacune un faisceau lumineux élémentaire suivant l’axe vertical Z (angle d’inclinaison θ=0°). Du fait de la variation de la fréquence de résonance f r(i) d’une cavité résonante 20 i à l’autre, un déphasage apparaît entre les faisceaux lumineux élémentaires. Aussi, en champ lointain, un faisceau lumineux principal se forme par interférence entre les faisceaux lumineux élémentaires, lequel présente un angle d’inclinaison θ(t) vis-à-vis de l’axe vertical Z qui varie dans le temps. Le faisceau lumineux principal balaie alors un secteur angulaire prédéfini en un temps réduit, de manière répétitive, à mesure que l’intensité du faisceau lumineux principal décroît. La source optique 10 est ainsi adaptée à émettre un signal optique d’excitation (faisceau lumineux de pompe) permettant d’éclairer et d’exciter simultanément toutes les cavités résonantes 20 i . Le signal optique d’excitation prend la forme d’impulsions laser de largeur spectrale Δf e centrée sur une fréquence centrale f e . La durée de chaque impulsion laser (Δt e =1/Δf e ) peut être de l’ordre de la femtoseconde à la nanoseconde. La largeur spectrale Δf e et la fréquence centrale f e sont prédéfinies de manière à couvrir la gamme des fréquences de résonance f r(i) , c’est-à-dire que l’éclairement des cavités résonantes 20 i se traduit par une injection de lumière dans les cavités résonantes 20 i et donc par une excitation de ces dernières. Pour cela, la fréquence centrale f e est de préférence choisie égale à la moyenne des fréquences de résonance f r des cavités résonantes 20 i , autrement dit : f e = moy(f r(i) ) i=-M,M . De plus, la largeur spectrale Δf e est au moins égale à la largeur G r = |f r(M) -f r(-M) | de la gamme de fréquences de résonance des cavités résonantes 20 i . De préférence, la largeur spectrale Δf e est comprise entre G r et 3×G r . Dans cet exemple, la source optique 10 comporte une source laser 11, par exemple, dans le cas d’une émission dans le domaine du proche infrarouge (entre 0.7 et 2µm), de type à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL, pour Vertical-Cavity Surface Emitting Laser , en anglais), voire de type à émission par la tranche (EEL, pour Edge Emitting Laser , en anglais). Notons que la source optique 10 peut être réalisée de manière monolithique avec la structure formée du substrat 3 et du réseau 2 de cavités résonantes 20 i , ou peut être un élément distinct de cette structure et couplée à celle-ci par un montage optique. La source optique 10 peut également comporter des éléments optiques de mise en forme du signal optique d’excitation émis par la source laser 11, par exemple ici un expanseur de faisceau associé à une lentille de collimation 12. Ainsi, on élargit la dimension latérale du signal optique d’excitation de manière à éclairer simultanément toutes les cavités résonantes 20 i . De plus, la source optique 10 peut comporter un élément optique adapté à rendre constante la distribution angulaire de l’intensité du faisceau lumineux de pompe, pour obtenir un profil plat d’intensité, et non plus un profil gaussien. Bien entendu, ces différents éléments optiques peuvent être distincts ou confondus. Dans cet exemple, on a représenté une lentille de collimation 12 (configuration en optique en espace libre), mais cette lentille et ces différents éléments optiques peuvent présenter une configuration en optique guidée, et être par exemple un réseau de matrices de diffraction, intégré sur un substrat et couplé optiquement à la source laser 11. Dans cet exemple, le signal optique d’excitation est émis en direction du réseau 2 de cavités résonantes 20 i au travers du substrat 3, lequel est alors transparent à la longueur d’onde λ e du signal optique d’excitation. Le signal optique d’excitation est de préférence orienté de manière orthogonale au substrat 3 (suivant l’axe Z). En variante, il peut être incliné par rapport à ce dernier mais contenu dans un plan orthogonal au premier axe X du réseau des cavités résonantes 20 i de sorte que chaque cavité résonante est éclairée de manière uniforme sur toute sa longueur. Il peut également être incliné mais contenu dans un plan orthogonal au deuxième axe Y du réseau des cavités résonantes 20 i , ce qui se traduit par une modification de l’angle d’émission de chaque faisceau élémentaire et donc du plan dans lequel le balayage en champ lointain se produit. Dans le cas d’un éclairement en face arrière, une couche antireflet (non représentée) peut être disposée sur la face arrière du substrat 3, ou entre le substrat 3 et les cavités résonantes 20i, et les réflectivités des réflecteurs 21.1 et 21.2 sont de préférence identiques. En variante, les cavités résonantes 20i peuvent être éclairées en face avant par le signal optique d’excitation, la face avant du substrat 3 étant celle où reposent les cavités résonantes 20i. Dans ce cas, le signal optique d’excitation est incliné par rapport à l’axe Z et peut être contenu dans le plan XZ. Le réflecteur 21.1 peut alors avoir une réflectivité très élevée de sorte que les cavités résonantes 20i ne rayonnent que d’un côté (celui de la direction +Z). Dans cette variante, les cavités résonantes 20i présentent de préférence la configuration structurée décrite plus loin en référence à la , de sorte que le mode résonant dans chaque cavité résonante 20i est bien défini latéralement et est guidé verticalement. L’émetteur optoélectronique 1 comporte un réseau 2 de cavités résonantes 20 i , reposant sur un substrat 3. Elles s’étendent longitudinalement suivant le premier axe X du réseau, et sont agencées parallèlement les unes aux autres dans le plan XY. Par parallèlement, on entend que les cavités résonantes 20 i s'étendent longitudinalement dans le plan XY en présentant une inclinaison relative nulle, entre deux cavités résonantes adjacentes, voire inférieures à quelques degrés. Les cavités résonantes 20 i sont adaptées à émettre chacune, en réponse au signal optique d’excitation, un faisceau lumineux élémentaire à une fréquence résonance f r(i) , et sont configurées de sorte qu’elles présentent une variation de la fréquence de résonance f r(i) d’une cavité résonante 20 i à l’autre, suivant le deuxième axe Y du réseau, ce deuxième axe Y étant contenu dans le plan XY et perpendiculaire au premier axe X. Les cavités résonantes 20 i sont des cavités optiques de type Fabry-Pérot, et sont formées chacune d’au moins une couche intercalaire 22 située entre deux réflecteurs 21.1, 21.2, ici deux miroirs de Bragg, reposant sur le substrat 3. Elles présentent une face d’émission principale du faisceau lumineux élémentaire, cette face d’émission étant opposée au substrat 3. Le substrat 3 est un support sur lequel repose le réseau 2 de cavités résonantes 20 i . Il est formé d’une couche principale épaisse, de préférence rigide, réalisée en un ou plusieurs matériaux. La couche principale peut être une plaque semiconductrice ( wafer , en anglais) présentant par exemple une épaisseur d’une à plusieurs centaines de microns. Elle peut ici être réalisée en un composé semiconducteur cristallin, par exemple ici en GaAs. Dans cet exemple où le signal optique d’excitation est transmis au travers du substrat 3, celui-ci est réalisé en un matériau transparent à la longueur d’onde d’excitation. Autrement dit, le matériau du substrat 3 présente un taux de transmission à la longueur d’onde d’excitation au moins égal à 50%, de préférence au moins égal à 90%, voire davantage. Dans le cas d’un éclairement en face arrière, une couche antireflet (non représentée) peut être disposée sous les cavités résonantes. Les miroirs de Bragg 21.1, 21.2 sont de préférence identiques d’une cavité résonante 20 i à l’autre, en termes de composition et d’épaisseur. Ils peuvent être formés d’une alternance de couches diélectriques ou semiconductrices quart d’onde ayant respectivement un indice de réfraction élevé et un indice de réfraction faible. Les couches quart d’onde peuvent être réalisées, à titre purement illustratif, à partir des composés semiconducteurs GaAs et AlAs, et de leurs alliages. Les composés semiconducteurs peuvent être amorphes ou cristallins. Elles peuvent également être réalisées par exemple à partir de SiO 2 et de TiO 2 . La couche intercalaire 22 est réalisée en un matériau non absorbant à la longueur d’onde du faisceau lumineux élémentaire émis par la cavité résonante 20 i correspondante. Autrement dit, la couche intercalaire 22 présente un taux d’absorption très faible à cette longueur d’onde, de sorte que les pertes induites dans la couche intercalaire 22 sont négligeables par rapport aux pertes intrinsèques de la cavité résonante 20 i dues notamment à la transmission des réflecteurs 21.1 et 21.2. Le matériau de la couche intercalaire 22 peut être un matériau diélectrique, par exemple un empilement de type SiO 2 /TiO 2 , ou un matériau semiconducteur cristallin par exemple de type IV, III-V ou II-VI. A titre d’exemple, la couche intercalaire 22 peut être réalisée en GaAs. La couche intercalaire 22 peut être réalisée en un même matériau (et donc en une seule couche), ou être formée d’un empilement de différents matériaux. Par ailleurs, elle présente un indice de réfraction n (i) et une épaisseur e (i) suivant l’axe Z. Dans le cas où la couche intercalaire 22 est réalisée en plusieurs matériaux (sans interface à saut d’indice important), l’indice de réfraction n (i) peut être un indice moyen défini par une moyenne (par ex. arithmétique) des indices des différentes couches pondérés par leurs épaisseurs. L’épaisseur e (i) est de préférence constante suivant le premier axe X du réseau (suivant la longueur L x , dans le cas où les cavités résonantes sont semi-infinies). Elle peut varier suivant le deuxième axe Y du réseau, comme décrit plus loin. L’épaisseur e (i) est choisie autour de k×λ r(0) /2n, où k est un entier, λ r(0) est la longueur d’onde d’une cavité résonante 20 i de rang i=0 (cavité centrale située au centre du réseau), et n est l’indice de réfraction de la couche intercalaire 22. Comme indiqué plus loin, l’entier k est de préférence choisi égal à plusieurs dizaines, par exemple égal à 30 environ, ou à 60 ou 70 environ, ceci pour augmenter le facteur de qualité des cavités résonantes 20 i . Chaque cavité résonante 20 i présente des dimensions longitudinale et transversale dans le plan XY, ici une longueur L x suivant le premier axe X du réseau, et une largeur L y suivant le deuxième axe Y du réseau, et une épaisseur e (i) suivant l’axe Z. Les longueur L x et largeur L y sont de préférence identiques d’une cavité résonante 20 i à l’autre. Comme représenté sur les figures 2A et 2B, le réseau 2 de cavités résonantes 20 i est de préférence un réseau monodimensionnel dans le sens où la longueur L x est bien supérieure à la largeur L y (cavités résonantes 20 i semi-infinies). En variante (non représentée), le réseau peut être bidimensionnel dans le sens où les cavités résonantes 20 i sont agencées les unes par rapport aux autres suivant les axes X et Y. Les longueur L x et largeur L y sont prédéfinies en fonction d’une dimension latérale d m d’un mode résonant d’une cavité Fabry-Pérot planaire (i.e. de dimensions infinies dans le plan XY). Plus précisément, la largeur L y est inférieure à cette dimension latérale d m , et la longueur L x est ici supérieure à cette dimension latérale d m , voire au moins égale à 5×d m , voire au moins égale à 10×d m , voire davantage, et supérieure à l’épaisseur e (i) , voire au moins égale à 5×e (i) , voire au moins égale à 10×e (i) , voire davantage. Dans le cas d’un réseau bidimensionnel, la longueur L x serait alors également inférieure à la dimension latérale d m . La dimension latérale d m du mode résonant dans une cavité optique planaire (de dimensions infinies dans le plan XY) de type Fabry-Pérot dépend des coefficients de réflexion R 1 et R 2 des réflecteurs, de l’épaisseur e, de l’indice de réfraction n de la couche intercalaire 22, et de la longueur d’onde de résonance λ r (avec λ r = c/f r , avec c la vitesse de la lumière dans le vide). Ici, l’épaisseur e et la longueur d’onde λ r peuvent correspondre à celles d’une cavité résonante de référence 20 ir du réseau, par exemple de la cavité centrale 20 i=0 . La dimension latérale d m peut être déterminée à partir de l’expression indiquée dans le document Benisty et al intitulé Impact of Planar Microcavity Effects on Light Extraction – Part I: Basic Concepts and Analytical Trends , IEEE J. Quantum Electron. Vol.34, pp.1612-1631, 1998 : Ainsi, le mode résonant supporté par chaque cavité résonante 20 i est ici confiné principalement suivant le deuxième axe Y du réseau et non pas suivant le premier axe X (les cavités résonantes 20 i sont dites unidimensionnelles). Par ailleurs, pour que les fréquences de résonance f r(i) varient de manière monotone d’une cavité résonante 20 i à l’autre, les cavités résonantes 20 i présentent une variation d’une même propriété physique d’intérêt, cette propriété physique étant une propriété des cavités résonantes 20 i qui participe à définir la fréquence de résonance f r . La propriété d’intérêt peut être choisie parmi l’épaisseur e et/ou l’indice de réfraction n de la couche intercalaire 22, et/ou la largeur L y de la cavité résonante 20 i . Dans l’exemple de la , la propriété physique d’intérêt est l’épaisseur e(i) des cavités résonantes 20i. L’épaisseur e(i) varie d’une cavité résonante 20i à l’autre, de manière continue voire par paliers. Autrement dit, dans le cas d’une variation continue, l’épaisseur e(i) peut varier selon un gradient ∇ye(i) suivant le deuxième axe Y du réseau, lequel peut être constant. Aussi, l’épaisseur e(y) varie au sein de chaque cavité résonante 20i suivant le deuxième axe Y du réseau. Dans ce cas, on considère que l’épaisseur e(i) associée à la cavité résonante 20i d’indice i est la valeur moyenne de son épaisseur e(y). Bien entendu, d’autres définitions de l’épaisseur e(i) sont possibles, comme par exemple la valeur minimale ou maximale que présente l’épaisseur e(y) dans la cavité résonante considérée. Par ailleurs, dans le cas d’une variation par paliers, l’épaisseur e(y) peut présenter une valeur constante suivant le deuxième axe Y du réseau au sein d’une cavité résonante, cette valeur constante variant d’une cavité résonante 20i à l’autre. La variation de la propriété physique d’intérêt des cavités résonantes 20 i , par exemple ici de l’épaisseur e (i) , est une variation de préférence monotone, par exemple croissante ou strictement croissante. Par ailleurs, l’écart relatif que présente la propriété physique d’intérêt, ici l’épaisseur e (i), entre deux cavités résonantes 20 i adjacentes i et i+1 est faible, dans la mesure où l’écart relatif souhaité de fréquence de résonance f r(i) d’une cavité résonante 20 i à l’autre est faible, par exemple de l’ordre de 1% voire moins. A titre d’exemple, l’écart Δ entre les fréquences de résonance f r(0) , f r(1) de deux cavités résonantes 20 i adjacentes de rang 0 et 1 peut être égal à 5 GHz, et la fréquence de résonance f r(0) peut être égal à 3×10^5 GHz, ce qui conduit à un écart relatif Δ/f r(0) inférieur à 0.002%. Dans le cas où la propriété physique d’intérêt est l’épaisseur e (i) de la couche intercalaire 22, et où elle varie au sein de chaque cavité résonante 20 i suivant le deuxième axe Y du réseau, l’écart relatif est suffisamment faible pour que l’on considère que les deux miroirs de Bragg 21.1, 21.2 sont parallèles l’un à l’autre. La est une vue en perspective, schématique et partielle, d’un réseau 2 de cavités résonantes 20i reposant sur un substrat 3, selon une première variante de réalisation, dans laquelle le réseau présente une configuration dite structurée. Les cavités résonantes 20i ont en effet été obtenues par gravure localisée d’une couche initiale, et forment des plots distincts les uns des autres dans le plan XY. Dans cet exemple, les cavités résonantes 20i présentent une variation de l’épaisseur de la couche intercalaire 22 suivant le deuxième axe Y du réseau. Cependant, par souci de clarté, cette variation d’épaisseur n’est pas représentée. Dans cette configuration structurée, les cavités résonantes 20 i sont des plots distincts les uns des autres, c’est-à-dire qu’ils sont physiquement séparés dans le plan XY. Chaque cavité résonante 20 i présente un flanc latéral orienté de manière sensiblement verticale, de sorte que les miroirs de Bragg 21.1, 21.2 et la couche intercalaire 22 présentent les mêmes longueur L x et largeur L y . La couche intercalaire 22 présente ici une épaisseur e(x,y) qui est constante suivant le premier axe X, et qui varie suivant le deuxième axe Y du réseau. Les couches intercalaires 22 ont été obtenues par gravure localisée d’une couche initiale. L’épaisseur e(x,y) de cette couche initiale est constante suivant le premier axe X du réseau, et présente un gradient ∇ y e(x,y) constant suivant le deuxième axe Y. Les cavités résonantes 20 i sont agencées spatialement suivant le deuxième axe Y du réseau, de manière périodique, avec un pas P. A titre d’exemple, les cavités résonantes 20 i présentent une largeur L y égale à 20µm environ et sont agencées selon un pas P égal à 40µm environ. Notons que, d’une manière générale, l’agencement des cavités résonantes 20 i peut être périodique ou non. Dans cet exemple, dans la mesure où le signal optique d’excitation est transmis par le substrat 3 suivant la direction +Z, la surface du substrat 3 située entre les cavités résonantes 20 i est revêtue par une couche mince opaque 5 au signal optique d’excitation. Par opaque, on entend que la couche mince est réalisée en un matériau absorbant ou réfléchissant à la longueur d’onde des impulsions laser. A titre d’exemple, la couche mince opaque 5 peut être réalisée en or. Les cavités résonantes 20 i présentent ici un facteur de qualité Q très élevé, par exemple de l’ordre de 100000 voire davantage, qui est de préférence sensiblement identique d’une cavité résonante 20 i à l’autre. Aussi, le diagramme de rayonnement en champ lointain de chaque cavité résonante 20 i est très étroit autour de la direction d’émission (ici l’axe Z) du faisceau lumineux élémentaire. Le facteur de qualité Q peut être déterminé à partir de la relation suivante : Par ailleurs, le temps de stockage τ de la lumière dans la cavité résonante 20 i est proportionnel au facteur de qualité Q. Il exprime le fait que l’énergie lumineuse E(t) stockée dans une cavité résonante 20 i décroît de manière exponentielle en e -t/τ . Aussi, un facteur de qualité Q de l’ordre de 100000 correspond à un temps de stockage τ de l’ordre de quelques dizaines ou centaines de picosecondes. Le temps de stockage τ est proportionnel au facteur de qualité Q par la relation suivante : La est une vue en perspective, schématique et partielle, d’un réseau 2 de cavités résonantes 20i reposant sur le substrat 3, selon une deuxième variante de réalisation, dans laquelle le réseau présente une configuration planaire bidimensionnelle non structurée. Le réseau 2 de cavités résonantes 20i se distingue ici de celui illustré sur la en ce que les cavités résonantes 20i sont des zones distinctes d’un empilement 4 non structuré. Autrement dit, un empilement 4 continu, c’est-à-dire non structuré par gravure localisée, comporte les deux miroirs de Bragg 21.1, 21.2 et la couche intercalaire 22. L’empilement planaire 4 peut présenter une longueur égale à Lx suivant le premier axe X et une largeur Ly suivant le deuxième axe Y de l’ordre de P×N. Une couche mince opaque 5 recouvre partiellement le miroir de Bragg supérieur 21.2, et comporte des ouvertures traversantes 6 qui délimitent les cavités résonantes 20i dans le plan XY. Autrement dit, les ouvertures traversantes 6 présentent une longueur L x et une largeur L y . Elles sont agencées ici de manière périodique au pas P suivant le deuxième axe Y du réseau. Les ouvertures traversantes 6 définissent les cavités résonantes 20 i . La variation de fréquence de résonance f r(i) est induite par une variation d’une propriété physique d’intérêt suivant le deuxième axe Y du réseau, cette propriété physique d’intérêt pouvant par exemple être l’épaisseur e(y) et/ou l’indice de réfraction n(y) de la couche intercalaire 22. Les figures 3A à 3C illustrent différents exemples d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain de l’émetteur optoélectronique 1 en configuration structurée (cf. ), pour une cavité résonante unique ( ), pour un réseau 2 de cavités résonantes 20i sans variation des fréquences de résonance ( ), et pour un réseau 2 de cavités résonantes 20i avec variation des fréquences de résonance ( ). L’intensité optique est représentée en échelle logarithmique, et la largeur de chaque niveau de gris correspond à un facteur 5. On peut définir une expression de l’intensité du faisceau lumineux en champ lointain pour une cavité résonante unique, en fonction de l’angle d’inclinaison θ, dans le cas où le signal optique d’excitation présente un profil d’intensité uniforme. Dans ce cas, la lumière est injectée dans la cavité résonante principalement dans le mode transverse fondamental. En tenant compte du champ optique en cos(πy/L y ) de ce mode transverse, on peut ainsi écrire l’intensité du faisceau lumineux en champ lointain en fonction de l’angle d’inclinaison θ par rapport à l’axe Z, émis par la cavité résonante unique : On peut ensuite, en sommant l’amplitude du faisceau lumineux élémentaire par chacune des cavités résonantes 20 i , décrire l’évolution temporelle en fonction de l’angle d’inclinaison θ de l’intensité du faisceau lumineux principal émis par l’émetteur optoélectronique 1 en champ lointain, par l’expression suivante : avec où λ r(0) est la longueur d’onde de résonance de la cavité résonante située sensiblement au centre du réseau (rang i=0). La illustre un exemple d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain pour une cavité résonante unique. Dans cet exemple, la cavité résonante est semi-infinie (longueur Lx grande devant la dimension latérale dm du mode résonant) suivant le deuxième axe Y du réseau. La largeur Ly est égale à 20µm. Une impulsion laser est reçue l’instant t=0, et la cavité résonante émet en réponse un faisceau lumineux élémentaire à la fréquence de résonance fr=3×10^14 Hz (longueur d’onde λr=1µm). Le temps de stockage τ est ici égal à 200ps. On remarque que l’intensité du faisceau lumineux élémentaire en champ lointain décroît exponentiellement au cours du temps. Par ailleurs, la distribution angulaire ne change pas au cours du temps : la direction principale d’émission D pe du faisceau lumineux reste orientée suivant la direction +Z. Aussi, l’angle d’inclinaison θ(t) est stationnaire et reste égal à zéro. La illustre un exemple d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain pour un réseau 2 de cavités résonantes 20i ne présentant pas de variation des fréquences de résonance (ces dernières sont égales d’une cavité résonante 20i à l’autre). Les cavités résonantes 20i présentent les mêmes caractéristiques que celle décrite en référence à la . Elles sont agencées de manière périodique suivant le deuxième axe Y du réseau avec un pas P égal à 40µm. Dans cet exemple, M est égal à 9, de sorte que le réseau comporte 19 cavités résonantes (N=2×M+1=19). En champ lointain, le faisceau lumineux principal est formé par interférence entre les faisceaux lumineux élémentaires. On remarque que le faisceau lumineux principal présente une distribution angulaire plus piquée, c’est-à-dire plus étroite, autour de l’axe principal d’émission D pe . Cette réduction de la divergence du cône d’émission du faisceau lumineux principal est due à la mise en réseau des cavités résonantes 20 i et à l’interférence entre les faisceaux lumineux élémentaires. Par ailleurs, ici également, la distribution angulaire ne change pas au cours du temps : la direction principale d’émission D pe du faisceau lumineux reste orientée suivant la direction +Z. Aussi, l’angle d’inclinaison θ(t) est stationnaire et reste égal à zéro. Notons ici que le diagramme de rayonnement du faisceau lumineux principal, où l’intensité présente un pic pour une valeur nulle de l’angle d’inclinaison θ=0, est ici représentatif d’un réseau comportant un nombre impair de cavités résonantes 20 i . Dans le cas d’un nombre pair de cavités résonantes 20 i , le faisceau lumineux principal présente deux pics d’intensité situés de part et d’autre de l’angle d’inclinaison θ=0. Le illustre un exemple d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain pour un réseau 2 de cavités résonantes 20i. Les cavités résonantes 20i présentent les mêmes caractéristiques que celles décrites en référence à la , hormis le fait que les fréquences de résonance fr(i) présentent une variation monotone d’une cavité résonante 20i à l’autre, avec un écart Δ constant égal à 5×10^9Hz. On remarque que le faisceau lumineux principal présente également une distribution angulaire très piquée autour de la direction principale d’émission Dpe. Cependant, à la différence de l’exemple de la , la direction principale d’émission Dpe n’est plus stationnaire et orientée suivant la direction +Z, mais varie linéairement en fonction du temps. Aussi, l’angle d’inclinaison θ(t) varie entre une valeur nulle et une valeur maximale, ici 25mrad, en un temps égal à 200ps environ. Le secteur angulaire est balayé plusieurs fois, à mesure que l’intensité optique décroît en fonction du temps. Les figures 4A à 4C illustrent différents exemples d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain de l’émetteur optoélectronique 1 en configuration planaire non structurée (cf. ), pour une cavité résonante unique ( ), pour un réseau 2 de cavités résonantes 20i sans variation des fréquences de résonance ( ), et pour un réseau 2 de cavités résonantes 20i avec une variation des fréquences de résonance ( ). Ici également, l’intensité optique est représentée en échelle logarithmique et la largeur de chaque niveau de gris correspond à un facteur 5. On peut définir une expression de l’intensité du faisceau lumineux en champ lointain en fonction de l’angle d’inclinaison θ pour une cavité résonante unique, dans le cas où le signal optique d’excitation présente un profil d’intensité uniforme. Dans ce cas, à la différence de la configuration de la , la cavité résonante est dimensionnée par l’ouverture traversante 6 de la couche mince opaque 5 située sur sa face d’émission, et non pas par une bordure physique d’un plot reposant sur le substrat 3. Puisque le signal optique d’excitation injecte un champ uniforme dans le plan de la cavité, on peut écrire l’évolution temporelle de l’intensité du faisceau lumineux en champ lointain en fonction de l’angle d’inclinaison θ par rapport à l’axe Z, émis par la cavité résonante unique de la façon suivante : On peut ensuite, comme précédemment, décrire l’évolution temporelle de l’intensité I p (t,θ) du faisceau lumineux principal émis par l’émetteur optoélectronique 1 en champ lointain, en fonction de l’angle d’inclinaison θ que forme la direction principale d’émission D pe vis-à-vis de l’axe vertical Z dans le plan YZ. La illustre un exemple d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain pour une cavité résonante unique 20i. Dans cet exemple, la cavité résonante 20i est formée au sein de l’empilement planaire 4. Le miroir de Bragg supérieur 21.2 est revêtu d’une couche mince opaque 5, qui présente une ouverture traversante 6 (fente) de largeur Ly de 20µm et de longueur Lx supérieure à la dimension latérale dm. Une impulsion laser est reçue l’instant t=0, et la cavité résonante émet en réponse un faisceau lumineux élémentaire à la fréquence de résonance fr=3×10^14 Hz (longueur d’onde λr=1µm). Le temps de stockage τ est ici égal à 200ps environ. L’évolution temporelle de l’intensité du faisceau lumineux élémentaire en champ lointain est similaire à celle de la . La direction principale d’émission Dpe du faisceau lumineux reste ici également orientée suivant la direction +Z : l’angle d’inclinaison θ(t) est stationnaire et reste égal à zéro. L’intensité optique décroît de manière exponentielle en fonction du temps. La illustre un exemple d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain du faisceau lumineux principal formé par un réseau 2 de cavités résonantes 20i qui ne présente pas de variation des fréquences de résonance (fréquences fr(i) égales entre elles). Les cavités résonantes 20i présentent les mêmes caractéristiques que celles décrites en référence à la , si ce n’est qu’elles sont définies par des ouvertures traversantes 6 pratiquées dans la couche mince opaque 5. Les ouvertures sont de largeur Ly de 20µm, et d’une longueur Lx supérieure à la dimension latérale dm. Elles sont agencées périodiquement, suivant le deuxième axe Y du réseau, avec un pas P de 40µm. Dans cet exemple, M est égal à 9, de sorte que le réseau comporte 19 cavités résonantes. En champ lointain, le faisceau lumineux principal est formé par interférence entre les faisceaux lumineux élémentaires. Le faisceau lumineux principal présente une distribution angulaire ayant un pic centré sur la direction principale d’émission D pe . La distribution angulaire ne change pas au cours du temps : la direction principale d’émission D pe du faisceau lumineux reste orientée suivant la direction +Z. Aussi, l’angle d’inclinaison θ(t) est stationnaire et reste égal à zéro. Le illustre un exemple d’évolution temporelle du diagramme de rayonnement en champ lointain pour un réseau 2 de cavités résonantes 20i. Les cavités résonantes 20i présentent les mêmes caractéristiques que celles décrites en référence à la , hormis le fait que les fréquences de résonance fr(i) présentent une variation monotone d’une cavité résonante 20i à l’autre, avec un écart Δ constant égal à 5×10^9 Hz. On remarque que le faisceau lumineux principal présente également une distribution angulaire très piquée autour de la direction principale d’émission Dpe. Cependant, à la différence de l’exemple de la , la direction principale d’émission Dpe n’est plus stationnaire et orientée suivant la direction +Z, mais varie linéairement en fonction du temps. Aussi, l’angle d’inclinaison θ(t) varie entre une valeur nulle et une valeur maximale, ici 25mrad, en un temps égal à 200ps environ. Le secteur angulaire est balayé plusieurs fois, à mesure que l’intensité optique décroît en fonction du temps. Ainsi, l’émetteur optoélectronique 1 est adapté à émettre un faisceau lumineux qui effectue en champ lointain un balayage très rapide d’un secteur angulaire. Le secteur angulaire peut être de l’ordre de quelques dizaines de milliradians, et le temps de balayage (cadence) peut être inférieur à la nanoseconde. Le faisceau lumineux principal présente une faible divergence angulaire autour de la direction principale d’émission D pe . Le balayage angulaire est obtenu par la variation monotone de la fréquence de résonance des cavités résonantes 20 i , et ne nécessite pas l’emploi d’un dispositif mécanique pour effectuer ce balayage angulaire. Il ne nécessite pas non plus l’utilisation de déphaseurs pour appliquer une phase relative entre les signaux optiques éclairant les différentes cavités résonantes 20 i . Il se distingue ainsi des émetteurs optoélectroniques à antenne réseau à commande de phase en ce que le signal optique d’excitation est identique pour toutes les cavités résonantes 20 i , et en ce que les cavités résonantes 20 i présentent une variation d’une propriété physique d’intérêt, cette variation étant à l’origine de la variation spatiale des fréquences de résonance et se traduit par l’apparition d’une phase relative entre les faisceaux lumineux élémentaires au cours de leur propagation en espace libre. Au contraire, dans le cas des émetteurs optoélectroniques à antenne réseau à commande de phase, chaque antenne optique reçoit un signal optique d’excitation différent de celui de l’antenne optique adjacente (déphasage). De plus, les antennes optiques présentent toutes les mêmes propriétés physiques. Notons que l’émetteur optoélectronique 1 selon l’invention peut présenter une variation monotone linéaire ou non linéaire des fréquences de résonance d’une cavité résonante 20 i à l’autre. Par ailleurs, les cavités résonantes 20 i peuvent être agencées de manière périodique ou non suivant le deuxième axe Y du réseau. Enfin, les cavités résonantes 20 i peuvent présenter une largeur L y identique ou non d’une cavité résonante 20 i à l’autre. Quoi qu’il en soit, ces différents ajustements des caractéristiques du réseau de cavité résonante conduisent également à ce que l’interférence entre les faisceaux lumineux élémentaires (orientés suivant l’axe vertical Z) provoque la formation d’un faisceau lumineux principal en champ lointain ayant une inclinaison θ(t) qui varie au cours du temps. La loi g de variation angulaire θ=g(t) peut varier selon les différents ajustements mentionnés précédemment. Notons également que les caractéristiques du balayage angulaire peuvent être ajustées en fonction d’un ensemble de paramètres. Ces paramètres peuvent être le nombre M (ou le nombre N total de cavités résonantes 20 i ), la largeur L y , le pas P, le temps de stockage τ (ou le facteur de qualité Q), et l’écart Δ entre les fréquences de résonance f r(i) des cavités résonantes 20 i adjacentes. Il apparaît en effet que les caractéristiques suivantes peuvent s’exprimer en fonction de ces paramètres par les relations : La vitesse angulaire dθ/dt de balayage : dθ/dt = λ r(0) Δ/2πP. La taille L θ du secteur angulaire balayé : L θ = ±0.6×λ r(0) /L y dans le cas des cavités résonantes 20 i en configuration structurée (cf. fig.2A), ou : L θ = ±0.44×λ r(0) /L y dans le cas des cavités résonantes 20 i en configuration planaire non structurée (cf. fig.2B). La largeur angulaire δθ du faisceau lumineux principal : δθ = L θ /N = 3λ r(0) /4NL y . La période de balayage T θ du secteur angulaire : T θ = 2π/Δ. Il est alors possible d’ajuster telle ou telle caractéristique du balayage angulaire en fonction des paramètres en question. Le procédé de fabrication d’un émetteur optoélectronique 1 selon l’invention dépend notamment du choix de la propriété physique d’intérêt (épaisseur et/ou indice de réfraction de la couche intercalaire 22, largeur des cavités résonantes 20 i ) à faire varier pour obtenir la variation spatiale de la fréquence de résonance d’une cavité résonante 20 i à l’autre. D’une manière générale, les cavités résonantes 20 i peuvent être réalisées par des techniques de dépôt de couches minces. Ainsi, les cavités résonantes 20 i peuvent être réalisées en un ou des matériaux diélectriques, ou en un ou des matériaux semiconducteurs. A titre d’exemple, elles peuvent être réalisées en des composés semiconducteurs cristallins III-V, par exemple à base d’arsenic As, au moyen d’une technique de croissance épitaxiale telle que l’épitaxie par jets moléculaires (MBE, pour Molecular Beam Epitaxy , en anglais), voire par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, pour Metal Organic Chemical Vapor Deposition , en anglais). Les couches des miroirs de Bragg 21.1, 21.2 peuvent également être réalisées à partir de composés diélectriques amorphes déposés par CVD, par exemple à partir de SiO 2 et de TiO 2 . A titre d’exemple, le substrat 3 peut ainsi être réalisé en GaAs. Les miroirs de Bragg peuvent être réalisés en une alternance de couches minces cristallines de GaAs et de AlAs, par exemple en une alternance de 24 paires d’une couche mince de GaAs de 65nm d’épaisseur et d’une couche mince de AlAs de 80nm d’épaisseur pour le miroir de Bragg inférieur 21.1, et en une alternance de 20 paires d’une couche mince de AlAs de 80nm d’épaisseur et d’une couche mince de GaAs de 65nm d’épaisseur pour le miroir de Bragg supérieur 21.2. La couche intercalaire 22 peut être réalisée en GaAs d’une épaisseur de 8580nm d’épaisseur. On note ici que la couche intercalaire 22 présente une épaisseur égale à k×λ r(0) /2n, où k est un entier, et n est l’indice de réfraction du GaAs à la longueur d’onde λ r(0) . Il est avantageux que k soit grand, par exemple égal à 60 environ, et non pas égal à 2 comme c’est habituellement le cas dans les cavités résonantes 20 i utilisées par exemple dans les lasers à émission par la surface. Ainsi, une valeur élevée de l’épaisseur de la couche intercalaire 22 participe à obtenir un facteur de qualité Q important (et donc un temps de stockage τ important). La illustre de manière schématique et partielle un réacteur MBE 30 qui peut être utilisé pour réaliser une couche intercalaire 22 dont l’épaisseur présente une variation monotone suivant un axe prédéfini, dans le but d’obtenir la variation monotone des fréquences de résonance des cavités résonantes 20i. Cette variation de l’épaisseur suivant un axe prédéfini est obtenue par le fait de placer le substrat de manière excentrée par rapport à l’axe de rotation de l’échantillon. La est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, d’un réseau 2 de cavités résonantes 20i selon la configuration structurée de la , mettant en évidence la variation de l’épaisseur e(i) des cavités résonantes 20i selon le deuxième axe Y du réseau. En référence à la , le réacteur MBE 30 comporte une enceinte 31 dans laquelle est située une platine 32 de support sur laquelle la couche intercalaire 22 est destinée à être réalisée. La platine 32 est destinée à tourner sur elle-même lors de la phase de dépôt. Des sources d’évaporation 33 des éléments chimiques sont disposées en regard de la platine 32, par exemple une source de Ga et une source d’As. Le réacteur MBE 30 est configuré pour que la zone de croissance épitaxiale optimale soit située dans une zone centrale Z c de la platine 32, de sorte que la couche déposée présente une épaisseur uniforme dans le plan XY. Aussi, dans le but d’obtenir une couche intercalaire 22 présentant une variation monotone de son épaisseur suivant un axe donné, on place le substrat 3 de croissance de manière décalée vis-à-vis de la zone centrale Z c . Aussi, si une épaisseur e en y=0 (situé sur l’axe de rotation de la platine 32) de la couche intercalaire 22 correspond à une fréquence de résonance f r (y=0) pour une cavité résonante d’ordre O de sorte que l’on a : f(y=0) = O×c/(n×e(y=0)), on sait alors que la fréquence de résonance f r (y) va varier suivant le deuxième axe Y du réseau selon la relation : f(y) = O×c/(n×e(y)). Dans le cas de la configuration structurée ( ), on tient avantageusement compte du fait que le confinement latéral du mode résonant induit un décalage de la fréquence de résonance fr par rapport au cas où le mode résonant n’est pas confiné dans le plan XY. La fréquence de résonance fr s’exprime alors de la manière suivante, en fonction de l’indice i de la cavité résonante : L’écart Δ entre les fréquences de résonance de deux cavités résonantes 20 (i) , 20 (i+1) adjacentes peut s’écrire, au premier ordre (i.e. dans le cas souhaité où le gradient d’épaisseur ∇ y e(y) est très faible) : Une fois obtenu l’empilement des miroirs de Bragg et de la couche intercalaire 22, les cavités résonantes 20 i peuvent être formées par gravure localisée de l’empilement planaire 4 (configuration structurée de la ). Notons que, en variante ou en complément, la variation monotone des fréquences de résonance des cavités résonantes 20 i peut, dans cette configuration structurée, être obtenue en faisant varier la largeur L y des cavités résonantes 20 i . En effet, comme le montre l’équation (8) ci-dessus, la largeur L y impacte le confinement latéral du mode résonant et donc la fréquence de résonance. Par ailleurs, en variante ou en complément, il est possible d’obtenir la variation monotone des fréquences de résonance des cavités résonantes 20 i en faisant varier l’indice de réfraction local de la couche intercalaire 22 des cavités résonantes 20 i . A titre d’exemple, une telle variation monotone peut être obtenue par effet thermo-optique, au moyen d’un chauffage local par effet Joule de chaque cavité résonante par une chaufferette. La chaufferette peut être un fil conducteur situé au pied de chaque cavité résonante, par exemple dans une couche intermédiaire disposée suivant l’axe Z entre le substrat 3 et les cavités résonantes 20 i . Enfin, en variante ou en complément, la variation de l’indice de réfraction local du matériau de la couche intercalaire 22, d’une cavité résonante 20 i à l’autre, peut être obtenue par l’injection d’un plasma électrons-trous dans le matériau semiconducteur par pompage optique. Une deuxième source optique d’un signal de pompe éventuellement continu, et un modulateur spatial d’intensité, peuvent être disposés en regard du réseau 2 de cavités résonantes 20 i , en face avant ou en face arrière de celui-ci, de manière à injecter des paires électron-trou dans les différentes cavités résonantes 20 i , et générer ainsi une variation de l’indice de réfraction du matériau de la couche intercalaire 22 d’une cavité résonante 20 i à l’autre. Dans le cas d’un réseau bidimensionnel de cavités résonantes identiques, ces approches peuvent permettre de définir la direction selon laquelle on introduit une variation de la fréquence de résonance, et donc le plan dans lequel le balayage en champ lointain est obtenu. Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier. Emetteur optoélectronique (1) à balayage angulaire, comportant : un réseau (2) de plusieurs cavités résonantes (20 i ), reposant sur un substrat (3) définissant un plan principal, les cavités résonantes (20 i ) étant : agencées parallèlement les unes aux autres et s’étendant chacune longitudinalement suivant un premier axe (X) du réseau, formées chacune d’un empilement de deux réflecteurs opposés (21.1, 21.2) et d’une couche intercalaire (22) située entre les réflecteurs (21.1, 21.2), et présentant une face d’émission opposée au substrat (3), adaptées chacune à émettre par la face d’émission un faisceau lumineux dit élémentaire à une fréquence de résonance f r(i) propre à chaque cavité résonante (20 i ), en réponse à un signal optique d’excitation impulsionnel adapté à éclairer et exciter simultanément toutes les cavités résonantes (20 i ), configurées pour présenter une variation des fréquences de résonance f r(i) d’une cavité résonante (20 i ) à l’autre, suivant un deuxième axe (Y) du réseau perpendiculaire au premier axe (X), le balayage angulaire de l’émetteur optoélectronique (1) se produisant alors dans un plan perpendiculaire à celui du substrat (3) et contenant le deuxième axe (Y). Emetteur optoélectronique (1) selon la revendication 1, dans lequel les cavités résonantes (20 i ) sont configurées de sorte que la variation des fréquences de résonance f r(i) est monotone. Emetteur optoélectronique (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la variation des fréquences de résonance f r(i) résulte d’une variation suivant le deuxième axe (Y) du réseau : d’une épaisseur des couches intercalaires (22), d’une cavité résonante (20 i ) à l’autre, l’épaisseur étant définie suivant un axe perpendiculaire au plan principal, et/ou d’un indice de réfraction des couches intercalaires (22), d’une cavité résonante (20 i ) à l’autre. Emetteur optoélectronique (1) selon la revendication 1, comportant une source optique (10) adaptée à émettre le signal optique d’excitation de manière à éclairer et à exciter simultanément toutes les cavités résonantes (20 i ), le signal optique d’excitation présentant chacune une largeur spectrale Δf e centrée sur une fréquence centrale f e , la largeur spectrale Δf e et la fréquence centrale f e étant prédéfinies de manière à couvrir la gamme des fréquences de résonance f r(i) des différentes cavités résonantes (20 i ). Emetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les cavités résonantes (20 i ) sont des plots distincts les uns des autres répartis sur le substrat (3) et délimités chacun par des flancs latéraux sensiblement perpendiculaires au substrat (3). Emetteur optoélectronique (1) selon la revendication 5, dans lequel la variation des fréquences de résonance f r(i) résulte d’une variation suivant le deuxième axe (Y) du réseau d’une largeur (L y ) des cavités résonantes (20 i ) suivant le deuxième axe (Y) du réseau. Emetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les cavités résonantes (20 i ) sont des zones d’un même empilement (4) formé des réflecteurs (21.1, 21.2) et de la couche intercalaire (22), l’empilement (4) étant recouvert par une couche mince (5) opaque à la longueur d’onde des faisceaux lumineux élémentaires, la couche mince optique (5) comportant des ouvertures traversantes (6) définissant une surface d’émission des cavités résonantes (20 i ). Emetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les cavités résonantes (20 i ) présentent une largeur L y suivant le deuxième axe (Y) du réseau et une longueur L x suivant le premier axe (X) du réseau, la longueur L x et la largeur L y étant respectivement supérieure et inférieure à une dimension latérale d m d’un mode résonant dans une cavité résonante planaire de dimensions infinies dans le plan principal, la dimension latérale d m étant prédéfinie en fonction d’une longueur d’onde de résonance d’une cavité résonante de référence (20 ir ) du réseau (2), de l’épaisseur et de l’indice de réfraction de sa couche intermédiaire (22), et des coefficients de réflectivité des deux réflecteurs (21.1, 21.2). Emetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les cavités résonantes sont réalisées à base de composés diélectriques ou semiconducteurs III-V, et/ou dans lequel les réflecteurs (21.1, 21.2) sont des miroirs de Bragg. Emetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche intercalaire (22) d’une cavité résonante centrale (20 ic ) du réseau (2) présente une épaisseur égale à k×λ r(0) /2n, où k est un entier, λ r(ic) est la longueur d’onde de résonance de la cavité résonante centrale (20 ic ), et n est l’indice de réfraction de la couche intercalaire (22) correspondante. Emetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, présentant une vitesse angulaire de balayage (∂ t θ) prédéfinie en fonction d’un écart (Δ) entre les fréquences de résonance de deux cavités résonantes (20 i ) adjacentes, d’une longueur d’onde de résonance (λ r(0) ) d’une cavité résonante centrale (20 ic ) du réseau (2), et d’un pas (P) d’agencement spatial des cavités résonantes (20 i ) suivant le deuxième axe (Y) du réseau. Emetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, présentant une largeur (L θ ) d’un secteur angulaire balayé par le faisceau lumineux principal prédéfinie en fonction d’une longueur d’onde de résonance (λ r(0) ) d’une cavité résonante centrale (20 ic ) du réseau (2) et d’une largeur (L y ) des cavités résonantes (20 i ) suivant le deuxième axe (Y) du réseau. Emetteur optoélectronique (1) selon la revendication 12, présentant une largeur angulaire (δθ) du faisceau lumineux principal prédéfinie en fonction de la largeur du secteur angulaire (L θ ) et d’un nombre total (N) des cavités résonantes (20 i ). Emetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 13, présentant une période de balayage (T θ ) d’un secteur angulaire prédéfinie en fonction d’un écart (Δ) entre les fréquences de résonance de deux cavités résonantes (20 i ) adjacentes. Procédé de fabrication d’un émetteur optoélectronique (1) selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la variation des fréquences de résonance est induite par une variation d’épaisseur de la couche intercalaire (22) des cavités résonantes (20 i ) suivant le deuxième axe (Y) du réseau (2), le procédé comportant une étape de réalisation d’un empilement (4) destiné à former le réseau (2) de cavités résonantes (20 i ), l’empilement (4) étant réalisé dans un réacteur (30), sur une platine (31), à partir d’une position qui est décalée latéralement vis-à-vis d’un axe de rotation de la platine (31) par rapport à une position de référence pour laquelle l’épaisseur de la couche intercalaire (22) présente une épaisseur uniforme.