FR 3123661 A1 20221209 FR 2105790 A 20210602 L’invention concerne une tête de dépôt chimique d’un substrat tubulaire en phase vapeur comprenant : une première ouverture pour recevoir un premier précurseur, une deuxième ouverture pour recevoir un deuxième précurseur, une troisième ouverture pour recevoir un flux gazeux inerte, un premier réseau de conduits de distribution reliant la première ouverture à un premier groupe d’orifices s’étendant sur une section interne de la tête, un deuxième réseau de conduits de distribution reliant la deuxième ouverture à un deuxième groupe d’orifices s’étendant sur la section interne de la tête, un troisième réseau de conduits de distribution reliant la troisième ouverture à un troisième groupe d’orifices s’étendant sur la section interne de la, un orifice du premier ou du deuxième groupe d’orifices étant adjacent de part et d’autre à un orifice du troisième groupe d’orifices, le premier, deuxième et troisième réseaux de conduits de distribution ayant respectivement au moins une première, deuxième et troisième préchambre de détente, le substrat tubulaire exécutant un mouvement relatif de va-et-vient. Figure pour l’abrégé : Fig. 1 Tête de dépôt pour les revêtements tubulaires/non planaires. L'invention porte sur une tête de dépôt de couches minces en phase vapeur, et plus particulièrement d’une tête de dépôt adaptée à la mise en œuvre de la technique SALD – dépôt de couches atomiques spatial (de l’anglais « Spatial Atomic Layer Deposition »). L’invention porte également sur un système de dépôt de couches minces comprenant une telle tête. Le dépôt de couches atomiques (ALD, de l’anglais « Atomic Layer Deposition ») est une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, de l’anglais « Chemical Vapor Deposition ») mise au point dans les années 1960-70 qui offre la possibilité unique de dépôt de couches minces de haute qualité à basse température, avec contrôle d’épaisseur précise, une uniformité exceptionnelle et une excellente couverture même en présence de marches ayant un rapport d’aspect important. Cela est dû à la nature spontanément auto-limitée de la croissance par ALD, qui s’effectue directement et de façon sélective sur la surface de l’échantillon lors de l’exposition séquentielle de différents précurseurs transportés par des flux de gaz inerte (typiquement N 2 ou Ar). Ainsi, tandis que dans les techniques traditionnelles de dépôt chimique en phase vapeur les précurseurs sont injectés en même temps réagissent sur le substrat par activation thermique ou plasma, dans le cas de l’ALD les précurseurs sont injectés par des impulsions consécutives, séparées dans le temps par des purges avec du gaz inerte ou du « vide », permettant ainsi la surface nature sélective et spontanément résolutive de la technique. Depuis les années 1990, l’ALD est devenue la technique de choix dans les industries des semi-conducteurs et des écrans de grandes dimensions. Plus tard, l’avènement des nanosciences et des nanotechnologies a élargi l’utilisation de l’ALD aux laboratoires de recherche. Malgré ses atouts uniques, l’ALD présente deux inconvénients majeurs qui ont limité son application industrielle: la lenteur du dépôt et la nécessité d’opérer sous vide. En conséquence, l’ALD est aujourd'hui uniquement utilisé dans les industries où aucune autre technique n’est disponible. L’ALD spatial (SALD) apporte une solution au problème de la lenteur de l’ALD « conventionnel ». Cette technique, initialement proposée par T. S. Suntola et al. dans le brevet US 4,389,973, consiste à séparer les précurseurs dans l’espace plutôt que dans le temps. Ainsi, dans le SALD, les précurseurs sont délivrés en permanence en correspondance de portions différentes de la surface du substrat, séparées par une zone de gaz inerte, tandis que l’échantillon se déplace de l’emplacement d’un précurseur à l’autre en passant par la zone de gaz inerte. Cela permet d’augmenter le taux de dépôt jusqu’à deux ordres de grandeur. Par ailleurs, il a été démontré qu’en agençant la tête de dépôt SALD à proximité immédiate (100 µm ou moins) de la surface de dépôt et en l’équipant d’ouvertures d’aspiration des gaz, il est possible d’opérer à pression ambiante, et donc en dehors d’une enceinte à vide. On parle alors de SALD à pression ambiante (AP-SALD). Néanmoins, aujourd’hui l’ALD spatial présente une limitation puisque cette technique de dépôt est principalement adaptée à une application sur surface plane ou partiellement plane, c’est-à-dire une surface flexible pouvant être aplanie et pour le dépôt poudré. Or, déposer des couches minces sur des substrats de forme non planaire et, plus particulièrement de forme tubulaire est très avantageux puisque les substrats tubulaires présentent plusieurs avantages par rapport aux substrats planaires. En effet, le rapport surface/volume est plus élevé, traduisant une meilleure application du revêtement, et ces types de substrats peuvent facilement être utilisés dans une configuration modulaire, favorisant l’applicabilité industrielle de ces derniers. Cependant, le dépôt de couches minces sur des substrats tubulaires par les techniques traditionnelles, à savoir l’ALD traditionnel et l’ALD spatiale, de dépôt de couches minces est complexe et coûteux. En outre, le fait d’utiliser une conception SALD ou ADL spatiale adaptée à la conception tubulaire permettrait d’utiliser les avantages de ce type de technologie pour ces types de substrat non planaires. Or, aujourd’hui, aucune technologie basée sur de l’ALD spatiale n’est adaptée au revêtement des tubes. Dans le cas de la pulvérisation et du dépôt laser pulsé, une configuration spéciale doit être ajoutée au système pour assurer le dépôt total de la surface. Cela implique un élément rotatif et une source de chauffage qui maintient la température du substrat constante à incorporer. De plus, ces techniques impliquent l’utilisation du « vide » pour le dépôt. Dans le cas de l’ALD, si un tube est utilisé, des étapes supplémentaires doivent être effectuées car la chambre entière est exposée aux précurseurs. Les tubes doivent alors être scellés pour éviter le dépôt à l’extérieur et à l’intérieur. A l’inverse, d’autres techniques permettent de remplacer l’ALD et l’ALD spatial pour des substrats tubulaires. Les techniques telles que l’enduction par immersion, l’enduction par pulvérisation ou l’électrodéposition offrent une procédure moins coûteuse pour le dépôt de films à l’échelle macroscopique sur des tubes, mais elles nécessitent des traitements post-thermiques pour le frittage des films et les films ne sont pas complètement homogènes, conformes et denses. Enfin, ces technologies sont limitées en termes d’épaisseur minimale réalisable du revêtement. De plus, comme énoncé précédemment, ces techniques ne sont applicables que pour du dépôt de films à l’échelle macroscopique sur des tubes. L’invention vise à pallier tout ou partie des problèmes cités plus haut en proposant une nouvelle tête de dépôt pour les revêtements tubulaires et non planaires qui peut être utilisé pour le dépôt dans les processus de dépôt de vapeur (CVD) et de dépôt de couche atomique ALD y compris ALD spatial. Cette tête de dépôt présente notamment l’avantage de pouvoir fonctionner en plein air et sans obligation d’un vide autour du substrat. L’invention permet de déposer des couches minces conformes sur des substrats tubulaires avec un contrôle parfait de l’épaisseur et de l’homogénéité. L’invention propose ainsi un dispositif simple et peu coûteux fournissant des films de haute qualité pour répondre aux exigences industrielles. A cet effet, l’invention a pour objet une tête de dépôt chimique d’un substrat tubulaire en phase vapeur comprenant : une première ouverture pour recevoir un premier flux gazeux en entrée transportant un premier précurseur, une deuxième ouverture pour recevoir un deuxième flux gazeux en entrée transportant un deuxième précurseur, une troisième ouverture pour recevoir un troisième flux gazeux inerte en entrée, un premier réseau de conduits de distribution reliant la première ouverture du premier flux gazeux à un premier groupe d’orifices s’étendant sur une section interne de la tête de dépôt, un deuxième réseau de conduits de distribution reliant la deuxième ouverture du deuxième flux gazeux à un deuxième groupe d’orifices s’étendant sur la section interne de la tête de dépôt, un troisième réseau de conduits de distribution reliant la troisième ouverture du troisième flux gazeux inerte à un troisième groupe d’orifices s’étendant sur la section interne de la tête de dépôt, un orifice du premier ou du deuxième groupe d’orifices étant adjacent de part et d’autre à un orifice du troisième groupe d’orifices selon un axe de révolution R de la tête de dépôt, le premier, deuxième et troisième réseaux de conduits de distribution ayant respectivement au moins une première, deuxième et troisième préchambre de détente comprises dans la tête de dépôt, le substrat tubulaire exécutant un mouvement relatif de va-et-vient selon l’axe de révolution R de la tête de dépôt. Selon un aspect de l’invention, l’au moins une première, deuxième et troisième préchambre de détente s’étendent successivement dans une direction de l’axe de révolution R de la tête de dépôt. Selon un aspect de l’invention, l’au moins une première préchambre de détente du premier réseau de conduits de distribution est reliée au premier groupe d’orifices par l’intermédiaire d’un premier canal, le volume interne du premier canal étant inférieur au volume de l’au moins une première préchambre de détente du premier réseau de conduits de distribution, l’au moins une deuxième préchambre de détente du deuxième réseau de conduits de distribution est reliée au deuxième groupe d’orifices par l’intermédiaire d’un deuxième canal, le volume interne du deuxième canal étant inférieur au volume de l’au moins une deuxième préchambre de détente du deuxième réseau de conduits de distribution, dans laquelle l’au moins une préchambre de détente du troisième réseau de conduits de distribution est reliée au troisième groupe d’orifices par l’intermédiaire d’un troisième canal, le volume interne du troisième canal étant inférieur au volume de l’au moins une troisième préchambre de détente du troisième réseau de conduits de distribution. Selon un aspect de l’invention, les premier, deuxième et troisième conduits de distribution sont non sécants entre eux. Selon un aspect de l’invention la tête de dépôt comprend un quatrième conduit de distribution relié à un quatrième groupe d’orifices s’étendant sur la section interne de la tête de dépôt, le quatrième conduit permettant l’évacuation du troisième flux gazeux inerte vers une quatrième ouverture d’évacuation de la tête de dépôt. Selon un aspect de l’invention, les orifices des premier, deuxième et troisième groupes d’orifices sont des fentes rectilignes et parallèles entre elles. Selon un aspect de l’invention, une distance de dépôt entre les orifices des premier, deuxième et troisième groupes d’orifices et le substrat tubulaire, inséré dans la tête de dépôt, est inférieure à deux cents micromètres. Selon un aspect de l’invention, une distance de dépôt entre les orifices des premier, deuxième et troisième groupes d’orifices et le substrat tubulaire, inséré dans la tête de dépôt, est supérieure à cinquante micromètres. Selon un aspect de l’invention, la tête de dépôt comprend une première face d’accueil de flux comprenant la première, deuxième et troisième ouvertures et une deuxième face d’accueil du flux comprenant une première, deuxième et troisième ouvertures secondaires du flux, miroirs respectives de la première, deuxième et troisième ouverture de la première face d’accueil selon un plan P traversant perpendiculairement l’axe de révolution R de la tête de dépôt. Selon un aspect de l’invention, le premier flux gazeux est un précurseur oxydant. Selon un aspect de l’invention, le premier flux gazeux est un précurseur métallique. L’invention a également trait à un système de dépôt chimique d’un substrat tubulaire en phase vapeur comprenant au moins deux têtes de dépôt. L’invention a également trait à un produit programme d’ordinateur comprenant des instructions exécutables par ordinateur qui, lorsqu'elles sont exécutées par un processeur, amènent le processeur à commander un appareil de fabrication additive pour fabriquer la tête de dépôt. L’invention a également trait à un procédé de fabrication de la tête de dépôt par fabrication additive, le procédé comprenant les étapes suivantes: obtenir un fichier électronique représentant une géométrie d'un produit dans lequel le produit est la tête de dépôt et commander un appareil de fabrication additive pour fabriquer, sur une ou plusieurs étapes de fabrication additive, le produit selon la géométrie spécifiée dans le fichier électronique. L’invention sera mieux comprise et d’autres avantages apparaîtront à la lecture de la description détaillée d’un mode de réalisation donné à titre d’exemple, description illustrée par le dessin joint dans lequel : la représente une vue schématique d’une tête de dépôt selon l’invention ; la représente une vue schématique de coupe de la tête de dépôt selon l’invention; la représente une vue schématique de côté de la tête de dépôt selon l’invention; la représente une vue schématique de la tête de dépôt selon une variante de l’invention; la représente un procédé de fabrication de la tête de dépôt selon l’invention. Par souci de clarté, les mêmes éléments porteront les mêmes repères dans les différentes figures. La représente une vue schématique d’une tête de dépôt 1 chimique apte à déposer, en phase vapeur, une couche de revêtement sur un substrat 2 tubulaire selon l’invention. La tête de dépôt 1 prend la forme d’un cylindre de rayon R1 s’étendant selon un axe de révolution R et dont une section est comprise entre une surface interne 15 (comme représenté en ) et une surface externe 13 (comme représenté en ) permettant l’insertion du substrat tubulaire 2. La tête de dépôt 1 comprend : une première ouverture 10 pour recevoir un premier flux gazeux en entrée transportant un premier précurseur, préférentiellement un gaz chargé en un premier précurseur, par exemple un précurseur oxydant tel de la vapeur d’eau (H 2 O), une deuxième ouverture 12 pour recevoir un deuxième flux gazeux en entrée transportant un deuxième précurseur, préférentiellement un gaz chargé un deuxième précurseur, par exemple un précurseur métallique ou un composé organométallique tel que Al(CH 3 ) 3 , une troisième ouverture 14 pour recevoir un troisième flux gazeux inerte ou un gaz inerte en entrée, tel de l’azote N 2 ou de l’argon Ar. La tête de dépôt 1 peut comprendre également une quatrième ouverture 18 d’évacuation d’un quatrième flux gazeux. Plus précisément, la quatrième ouverture 18 permet l’évacuation du gaz inerte introduit dans la troisième ouverture 14. Les première 10, deuxième 12, troisième 14 et quatrième 18 ouvertures sont comprises sur une première face d’accueil 16, de forme circulaire. Dans une configuration préférentielle, la première face d’accueil 16 est perpendiculaire à l’axe de révolution R. La première ouverture 10, la deuxième ouverture 12 et la troisième ouverture 14 précèdent respectivement chacune un premier volume d’entrée 101, un deuxième volume d’entrée 121 et un troisième volume d’entrée 141. Le premier volume d’entrée 101, le deuxième volume d’entrée 121 et le troisième volume d’entrée 141 prennent la forme d’un cylindre creux débutant contre la première face d’accueil 16 respectivement au niveau de la première ouverture 10, de la deuxième ouverture 12 et de la troisième ouverture 14 et s’étendant parallèlement à l’axe de révolution R. En outre, la tête de dépôt 1 peut comprendre une cinquième ou une sixième ouverture (non représentées) dans le cas de dépôt de matériaux plus complexes avec différents métaux, de sorte que différents précurseurs puissent être injectés. De plus, la tête de dépôt 1 comprend un orifice d’insertion 20 du substrat tubulaire 2 positionné au centre de la première face d’accueil 16 et coïncide avec l’axe de révolution R. Cet orifice d’insertion 20 se poursuit donc dans la tête de dépôt 1 de sorte à prendre la forme d’un « cylindre vide» permettant l’insertion complète du substrat tubulaire 2. A titre indicatif, l’orifice d’insertion 20 prend une forme similaire au substrat tubulaire 2. Ainsi, pour un substrat tubulaire 2 de forme cylindrique, l’orifice d’insertion 20 peut avoir une forme circulaire de sorte à obtenir le cylindre creux énoncé précédemment. Néanmoins, il peut être envisagé d’avoir un orifice d’insertion 20 de forme octogonale ou ovale afin d’avoir une forme complémentaire avec un substrat tubulaire 2 de forme potentiellement octogonale ou ovale. La tête de dépôt comprend, comme représenté en , également un premier réseau de conduits 100 de distribution reliant la première ouverture 10 du premier flux gazeux à un premier groupe d’orifices 102, un deuxième réseau de conduits 120 de distribution reliant la deuxième ouverture 12 du deuxième flux gazeux à un deuxième groupe d’orifices 122 et un troisième réseau de conduits 140 de distribution reliant la troisième ouverture 14 du troisième flux gazeux inerte à un troisième groupe d’orifices 142. Chaque orifice du premier 102, deuxième 122 et troisième 142 groupes d’orifices s’étend sur une section interne 15de la tête de dépôt 1 et est aligné selon l’axe de révolution R. A titre indicatif, le premier volume d’entrée 101, le deuxième volume d’entrée 121 et le troisième volume d’entrée 141 sont respectivement compris dans le premier réseau de conduits 100 de distribution, le deuxième réseau de conduits 120 de distribution et le troisième réseau de conduits 140 de distribution. Les premier 100, deuxième 120 et troisième 140 conduits de distribution sont non sécants entre eux. De plus, un orifice du premier 102 ou du deuxième 122 groupe d’orifices est uniquement adjacent, de part et d’autre selon l’axe de révolution R, à un orifice du troisième groupe 142 d’orifices. Ainsi, chaque orifice du premier groupe 102 d’orifices est adjacent selon l’axe de révolution R à deux orifices, de part et d’autre, du troisième groupe 142 d’orifices. Et de manière similaire, chaque orifice du deuxième groupe 122 d’orifices est adjacent selon l’axe de révolution R à deux orifices, de part et d’autre, du troisième groupe 142 d’orifices. En effet, cette disposition des orifices permet d’assurer la séparation entre le premier précurseur et le deuxième précurseur par l’action du gaz inerte. Ainsi, lorsque le premier précurseur est apposé contre le substrat tubulaire 2 par l’intermédiaire du premier groupe d’orifices 102, le premier précurseur est limité de chaque côté par le gaz inerte, qui devient un limiteur spatial, lui-même apposé contre le substrat tubulaire 2 par l’intermédiaire du troisième groupe d’orifices 142. Et, de façon similaire, lorsque le deuxième précurseur est apposé contre le substrat tubulaire 2 par l’intermédiaire du deuxième groupe d’orifices 122, le deuxième précurseur est limité de chaque côté par le gaz inerte lui-même apposé contre le substrat tubulaire 2 par l’intermédiaire du troisième groupe d’orifices 142. Ainsi, le premier précurseur et le deuxième précurseur ne sont jamais mis en contact lorsque ces derniers sont apposés sur le substrat tubulaire 2. Le premier 100, deuxième 120 et troisième 140 réseaux de conduits de distribution ont respectivement au moins une première 104, deuxième 124 et troisième 144 préchambre de détente comprise dans la tête de dépôt 1. La première préchambre de détente 104, la deuxième préchambre de détente 124 et la troisième préchambre de détente 144 prennent la forme d’un anneau creux disposé à l’intérieur de la tête de dépôt 1 et ayant un rayon R2 inférieur au rayon R1 du cylindre creux formé par la tête de dépôt 1. Ainsi, l’au moins une première préchambre de détente 104 est directement connectée à la première ouverture 10 par l’intermédiaire du premier volume d’entrée 101 de manière à pouvoir détendre le premier précurseur qui a précédemment été introduit par la première ouverture 10 et qui a traversé le premier volume d’entrée 101. De manière similaire, au moins une deuxième préchambre de détente 124 est directement connectée à la deuxième ouverture 12 par l’intermédiaire du deuxième volume d’entrée 121 de manière à pouvoir détendre le deuxième précurseur qui a précédemment été introduit par la deuxième ouverture 12 et qui a traversé le deuxième volume d’entrée 121 et l’au moins une troisième préchambre de détente 144 est directement connectée à la troisième ouverture 14 par l’intermédiaire du deuxième volume d’entrée 141 de manière à pouvoir détendre le gaz inerte qui a précédemment été introduit par la troisième ouverture 14 et qui a traversé le troisième volume d’entrée 121. A titre indicatif, l’au moins une première préchambre de détente 104, l’au moins une deuxième préchambre de détente 124 et troisième préchambre de détente 144 s’étendent successivement dans la direction de l’axe de révolution R de la tête de dépôt 1 et forment ainsi une succession d’anneaux creux de même rayon R2 selon l’axe de révolution R. En outre, l’au moins une première préchambre de détente 104 du premier réseau de conduits 100 de distribution est reliée au premier groupe d’orifices 102 par l’intermédiaire d’au moins un premier canal 106. De manière similaire, l’au moins une deuxième préchambre de détente 124 du deuxième réseau de conduits 120 de distribution est reliée au deuxième groupe d’orifices 122 par l’intermédiaire d’au moins un deuxième canal 126 et l’au moins une troisième préchambre de détente 144 du troisième réseau de conduits 140 de distribution est reliée au troisième groupe d’orifices 142 par l’intermédiaire d’au moins un troisième canal 146. Le volume interne de l’au moins un premier canal 106 est inférieur au volume de l’au moins une première préchambre de détente 104 du premier réseau de conduits 100 de distribution, le volume interne de l’au moins un deuxième canal 126 est inférieur au volume de l’au moins une deuxième préchambre de détente 124 du deuxième réseau de conduits 120 de distribution, et le volume interne de l’au moins un troisième canal 146 est inférieur au volume de l’au moins une troisième préchambre de détente 144 du troisième réseau de conduits 140 de distribution. Il est alors possible, pour un homme du métier, de pouvoir définir un premier ratio entre le volume de l’au moins un premier canal 106 et le volume de l’au moins une première préchambre de détente 104, un deuxième ratio entre le volume de l’au moins un deuxième canal 126 et le volume de l’au moins une deuxième préchambre de détente 124 et un troisième ratio entre le volume de l’au moins un troisième canal 146 et l’au moins une troisième préchambre de détente 144. Les premier, deuxième et troisième ratios peuvent ainsi être identiques ou différents selon la configuration de la tête de dépôt 1, en sachant qu’une égalité entre le premier et le deuxième ratio ne signifie pas une égalité des volumes des premier 106 et deuxième 126 canaux et des première 104 et deuxième 124 préchambre de détente. A titre indicatif, afin d’avoir une distribution homogène de la pression dans les premier 100, deuxième 120 et troisième 140 conduits de distribution, le premier, deuxième et troisième ratio doivent être supérieurs ou égaux à 0,71 et peuvent être compris, dans une configuration préférentielle, entre 1,36 et 41,89. De cette manière, une distribution homogène de la pression permet d’assurer une distribution homogène des premier et deuxième précurseurs et du gaz inerte dans les premier 100, deuxième 120 et troisième 140 conduits de distribution de sorte à ce que tous les premier 106, deuxième 126 et troisième 146 canaux soient tous irrigués. Néanmoins, les dimensions de cette configuration sont à titre indicatif. En effet, cette distribution est aussi fonction du nombre de conduits et de la taille de la tête de dépôt 1 Le premier groupe d’orifices 102, le deuxième groupe d’orifices 122 et le troisième groupe d’orifices 142 peuvent prendre la forme de fentes rectilignes et parallèles entre elles. Le premier groupe d’orifices 102, le deuxième groupe d’orifices 122 et le troisième groupe d’orifices 142 font ainsi face au substrat tubulaire 2 lorsque le substrat tubulaire 2 est inséré dans l’orifice d’insertion 20 de la tête de dépôt 1. De cette manière, le premier précurseur peut être apposé, par l’intermédiaire du premier groupe d’orifices 102, contre le substrat tubulaire 2. Tout comme le deuxième précurseur, qui peut être apposé contre le substrat tubulaire 2 par l’intermédiaire du deuxième groupe d’orifices 122 et du gaz inerte qui peut être apposé contre le substrat tubulaire 2 par l’intermédiaire du troisième groupe d’orifices 142. En outre, afin d’optimiser le revêtement du substrat tubulaire 2 par le premier et/ou le deuxième précurseur, limités par le gaz inerte, les orifices des premier 102, deuxième 122 et troisième 142 groupes d’orifices et le substrat tubulaire 2, inséré dans la tête de dépôt 1, sont distants d’une distance de dépôt inférieure à deux cents micromètres et supérieure à cinquante micromètres afin de permettre d’apposer le premier et/ou deuxième précurseur. En outre, cette distance de dépôt est aussi fonction du débit de précurseur ou de gaz inerte, du dimensionnement du substrat tubulaire 2 ou encore de la technique de dépôt comme par exemple en CVD ou en ALD. En fonction de la configuration souhaitée, la tête de dépôt 1 peut être adaptée. Ainsi, la distance de dépôt des précurseurs et du gaz inerte et le dimensionnement des premier 100, deuxième 120 et troisième 140 conduits de distribution sont ajustés pour contrôler le type de dépôt souhaité sur le substrat tubulaire 2, à savoir faire du dépôt ALD ou du dépôt CVD. La tête de dépôt 1 comprend également un quatrième conduit 180 de distribution relié à la quatrième ouverture d’évacuation 18. Plus précisément, le quatrième conduit 180 de distribution est formé d’au moins un quatrième canal 186 permettant au surplus de gaz inerte se trouvant au niveau du substrat tubulaire 2 d’être évacué par l’intermédiaire d’un quatrième groupe d’orifices 182 connectés à l’au moins un quatrième canal 186 et s’étendant sur la section interne 15 de la tête de dépôt 1. A l’autre extrémité de l’au moins un quatrième canal 186 se trouve un réservoir 184 d’évacuation du gaz inerte qui est lui-même relié à la quatrième ouverture 18 d’évacuation du gaz inerte. A l’image d’une préchambre de détente, le réservoir 184 comprend un volume creux susceptible de contenir le surplus de gaz inerte avant son évacuation par la quatrième ouverture 18 d’évacuation comme représenté sur la . De manière générale, un orifice du quatrième groupe d’orifices 182 est placé entre un orifice du premier 102 ou du deuxième 122 groupe d’orifice et un orifice 142 du troisième groupe d’orifice. De cette manière, il y a toujours une évacuation du surplus de gaz inerte et/ou des précurseurs. En outre, le substrat tubulaire 2, installé dans la tête de dépôt 1 par l’intermédiaire de l’orifice d’insertion 20, doit exécuter un mouvement relatif de « va-et-vient » selon l’axe de révolution R de la tête de dépôt par rapport à la tête de dépôt 1. Ce mouvement de va-et-vient se traduit par une oscillation transversale selon l’axe de révolution R et plus précisément, et de manière successive, d’une première translation T1 dans une direction de l’axe de révolution R et d’une deuxième translation T2 dans une direction opposée à la direction de l’axe de révolution R. En effet, ce mouvement de va-et-vient relatif par rapport à la tête de dépôt 1 est nécessaire afin de permettre un recouvrement optimal du substrat tubulaire 2 inséré dans la tête de dépôt 1 par le premier et le deuxième précurseur séparés par le gaz inerte. Ainsi, le substrat tubulaire 2 peut subir ce mouvement de « va-et-vient » alors que la tête de dépôt 1 est fixe ou alors, selon une autre configuration de recouvrement, la tête de dépôt 1 peut subir ce mouvement de « va-et-vient » afin de recouvrir le substrat tubulaire 2 qui est alors fixe. Il peut aussi être envisagé que la tête de dépôt 1 et le substrat tubulaire 2 subissent ce mouvement de « va-et-vient » de manière déphasée. Dans certain cas de recouvrement, un seul mouvement de « va-et-vient » peut être nécessaire pour effectuer le dépôt du revêtement sur le substrat tubulaire 2 comme par exemple dans le cas d’un ajout d’un revêtement peu épais contre le substrat tubulaire 2. Selon une configuration de la tête de dépôt 1, la tête de dépôt 1 comprend la première face d’accueil 16 de flux comprenant la première 10, deuxième 12, troisième 14 et quatrième 18 ouvertures et une deuxième face d’accueil 160 du flux de forme identique à la première face d’accueil 16, perpendiculaire à l’axe de révolution R et parallèle à la première face d’accueil 16. La seconde face d’accueil 160 peut comprendre, à l’image de la première face d’accueil 16, une première ouverture secondaire, une deuxième ouverture secondaire et troisième ouverture secondaire du flux, miroirs respectives de la première 10, deuxième 12 et troisième 14 ouvertures de la première face d’accueil 16 selon un plan P traversant perpendiculairement l’axe de révolution R de la tête de dépôt 1. Ainsi, la première ouverture secondaire permet l’introduction du premier précurseur, la deuxième ouverture secondaire permet l’introduction du deuxième précurseur et la troisième ouverture secondaire permet l’introduction du gaz inerte. Cette configuration permet ainsi de limiter la pression nécessaire pour introduire les différents flux dans la tête de dépôt puisque chaque flux est introduit selon les deux extrémités, à savoir la première face d’accueil 16 et la deuxième face d’accueil 160, de la tête de dépôt 1 et non plus une seule extrémité. Selon une autre configuration de la tête de dépôt 1 représentée en , nécessitant un revêtement d’une partie interne 40 d’un substrat tubulaire creux 4, il peut être envisagé que la tête de dépôt 1 soit insérée dans le substrat tubulaire creux 4. Dans ce cas, les orifices du premier groupe d’orifices 102, du deuxième groupe d’orifices 122 et du troisième groupe d’orifices 142 sont positionnés sur une face externe 13, s’étendant sur la section du cylindre représenté par la tête de dépôt 1, de manière à toujours faire face au substrat tubulaire creux 4 lorsque la tête de dépôt 1 y est insérée. Dès lors, le mouvement de va-et-vient nécessaire au dépôt du premier et du deuxième précurseur étant relatif entre la tête de dépôt 1 et le substrat tubulaire creux 4, l’homme du métier peut choisir entre effectuer un mouvement de va-et-vient sur le substrat tubulaire creux 4 en maintenant la tête de dépôt 1 immobile ou sur la tête de dépôt 1 en maintenant le substrat tubulaire creux 4 immobile. En outre, la tête de dépôt 1 selon l’invention présente aussi l’avantage de pouvoir être empilée à une autre tête de dépôt 1 selon l’axe de révolution R de façon à former un système de dépôt chimique pour un substrat tubulaire 2 en phase vapeur comprenant au moins deux têtes de dépôt 1. Ainsi, il peut être envisagé d’aligner selon l’axe de révolution R et d’empiler plusieurs têtes de dépôt 1 afin d’ajuster le système de dépôt chimique en phase vapeur à des substrats tubulaires 2 ayant différentes longueurs. Ainsi, pour un substrat tubulaire creux 4, il peut être envisagé d’introduire une tête de dépôt 1 dans la partie interne 40 et d’utiliser une autre tête de dépôt 1 permettant, comme présenté en , dans laquelle le substrat tubulaire creux 4 est introduit afin d’effectuer un recouvrement selon deux faces, à savoir une face interne dans la partie interne 40 et une face externe du substrat tubulaire creux 4. De plus, la tête de dépôt 1, selon l’invention, peut être réalisée d’une seule pièce par fabrication additive. Le recours à la fabrication additive permet notamment une plus grande liberté dans la forme des conduits de distribution, à savoir les premier et deuxième précurseurs et le gaz inerte, et d’évacuation des flux, qui sont des simples creux ménagés dans la tête de dépôt 1. Il permet également d’éviter les tâches d’assemblage et soudure, consommatrices de temps et sources de défauts, et d’obtenir une miniaturisation plus poussée de la tête de dépôt 1. Un objet de l’invention est également un procédé de fabrication 500 de la tête de dépôt 1 par fabrication additive représenté en . Le procédé de fabrication 500 comprend les étapes suivantes : obtenir (étape 501) un fichier électronique représentant une géométrie d'un produit dans lequel le produit est la tête de dépôt, commander (étape 502) un appareil de fabrication additive pour fabriquer, sur une ou plusieurs étapes de fabrication additive, le produit selon la géométrie spécifiée dans le fichier électronique. Ainsi, comme énoncé précédemment, en fonction de la configuration souhaitée, c’est-à-dire un fonctionnement ALD ou CVD, la tête de dépôt 1 peut être adaptée par l’intermédiaire d’une fabrication additive du produit. Des exemples selon la divulgation peuvent être formés en utilisant un procédé de fabrication additive. Un exemple courant de fabrication additive est l'impression 3D. Cependant, d'autres méthodes de fabrication additive sont disponibles. Le prototypage rapide ou la fabrication rapide sont également des termes qui peuvent être utilisés pour décrire des procédés de fabrication additive. Tel qu'utilisé ici, «fabrication additive» se réfère généralement à des procédés de fabrication dans lesquels des couches successives de matériau(x) sont disposées les unes sur les autres pour «construire» couche par couche ou «fabriquer de manière additive», un composant tridimensionnel. Ceci est comparé à certains procédés de fabrication soustractifs (tels que le fraisage ou le perçage), dans lesquels le matériau est successivement retiré pour fabriquer la pièce. Les couches successives fusionnent généralement ensemble pour former un composant monolithique qui peut avoir une variété de sous-composants intégrés. En particulier, le procédé de fabrication peut permettre à un exemple de la divulgation d'être formé intégralement et inclure une variété de caractéristiques qui ne sont pas possibles lors de l'utilisation de procédés de fabrication antérieurs. Les procédés de fabrication additive décrits ici permettent la fabrication à n'importe quelle taille et forme appropriées avec diverses caractéristiques qui peuvent ne pas avoir été possibles en utilisant des procédés de fabrication antérieurs. La fabrication additive peut créer des géométries complexes sans utiliser aucun type d'outils, de moules ou de montages, et avec peu ou pas de déchets. Au lieu d'usiner des composants à partir de billettes solides de plastique ou de métal, dont une grande partie est découpée et jetée, le seul matériau utilisé dans la fabrication additive est ce qui est nécessaire pour façonner la pièce, à savoir la tête de dépôt 1. Les techniques de fabrication additive appropriées selon la présente divulgation comprennent, par exemple, la modélisation par dépôt fondu (Fused Deposition Modeling ou FDM), le frittage laser sélectif (Selective Laser Sintering ou SLS), l'impression 3D telle que par jet d'encre et laserjet, la stéréolithographie (Sterolithography ou SLA), le frittage laser sélectif direct (Sterolithography ou DSLS) , frittage par faisceau d'électrons (Electron Beam Sintering ou EBS), fusion par faisceau d'électrons (Electron Beam Sintering ou EBM), mise en forme de filet par laser (Laser Engineered Net Shaping ou LENS), fabrication additive de faisceau d'électrons (Electron Beam Additive Manufacturing ou EBAM), fabrication de forme de filet au laser (Laser Net Shape Manufacturing ou LNSM), dépôt direct de métal (Direct Metal Deposition ou DMD), traitement numérique de la lumière (Digital Light Processing ou DLP), traitement numérique continu de la lumière (Continuous Digital Light Processing ou CDLP), fusion laser sélective directe (Direct Selective Laser Melting ou DSLM), fusion laser sélective (Selective Laser Melting ou SLM), fusion laser directe des métaux (Direct Metal Laser Melting ou DMLM), frittage laser direct des métaux (Direct Metal Laser Sintering ou DMLS), projection de matière (Material Jetting ou MJ), projection de nanoparticules (NanoParticle Jetting ou NPJ), dépôt à la demande (Drop On Demand ou DOD), jet de liant (Binder Jetting ou BJ), Multi Jet Fusion (MJF), fabrication d’objets stratifiés (Laminated Object Manufacturing ou LOM) et autres procédés connus. Les procédés de fabrication additive décrits ici peuvent être utilisés pour former des composants en utilisant n'importe quel matériau approprié. Par exemple, le matériau peut être plastique, composite, polymère, époxy, résine photopolymère, métal ou tout autre matériau approprié qui peut être sous forme solide, liquide, poudre, feuille, fil ou toute autre forme appropriée ou combinaisons de ceux-ci. Plus spécifiquement, selon des modes de réalisation exemplaires du présent objet, les composants fabriqués de manière additive décrits ici peuvent être formés en partie, en totalité ou dans une certaine combinaison de matériaux. Ces matériaux sont des exemples de matériaux appropriés pour une utilisation dans des procédés de fabrication additive qui peuvent être appropriés pour la fabrication d'exemples décrits ici. Comme indiqué ci-dessus, le procédé de fabrication additive décrit ici permet à un seul composant d'être formé à partir de plusieurs matériaux. Ainsi, les exemples décrits ici peuvent être formés à partir de tout mélange approprié des matériaux ci-dessus. Par exemple, un composant peut comprendre plusieurs couches, segments ou pièces qui sont formés en utilisant différents matériaux, procédés et/ou sur différentes machines de fabrication additive. De cette manière, des composants peuvent être construits qui ont des matériaux et des propriétés de matériaux différents pour répondre aux exigences de toute application particulière. De plus, bien que les composants décrits ici soient entièrement construits par des procédés de fabrication additive, il doit être apprécié que dans des modes de réalisation alternatifs, tout ou partie de ces composants peuvent être formés par moulage, usinage et/ou tout autre procédé de fabrication approprié. En effet, toute combinaison appropriée de matériaux et de procédés de fabrication peut être utilisée pour former ces composants. Les procédés de fabrication additive fabriquent généralement des composants sur la base d'informations tridimensionnelles (3D), par exemple un modèle informatique tridimensionnel (ou fichier de conception), du composant. En conséquence, les exemples décrits ici comprennent non seulement des produits ou composants tels que décrits ici, mais également des procédés de fabrication de tels produits ou composants via la fabrication additive et des logiciels, micrologiciels ou matériels informatiques pour contrôler la fabrication de tels produits via la fabrication additive. La structure du produit, à savoir de la tête de dépôt 1, peut être représentée numériquement sous la forme d'un fichier de conception. Un fichier de conception, ou fichier de conception assistée par ordinateur (CAO), est un fichier de configuration qui code une ou plusieurs configurations de surface ou volumétrique de la forme du produit. Autrement dit, un fichier de conception représente la disposition géométrique ou la forme du produit. Les fichiers de conception peuvent prendre n'importe quel format de fichier maintenant connu ou développé ultérieurement. Par exemple, les fichiers de conception peuvent être au format Stereolithography ou «Standard Tessellation Language» (.stl) qui a été créé pour les programmes de stéréolithographie CAO de 3D Systems, ou au format Additive Manufacturing File (.amf), qui est une société américaine de mécanique Norme des ingénieurs (ASME) qui est un format basé sur un langage de balisage extensible (XML) conçu pour permettre à tout logiciel de CAO de décrire la forme et la composition de tout objet tridimensionnel à fabriquer sur n'importe quelle imprimante de fabrication additive. D'autres exemples de formats de fichiers de conception incluent les fichiers AutoCAD (.dwg), les fichiers Blender (.blend), les fichiers Parasolid (.x_t), les fichiers 3D Manufacturing Format (.3mf), les fichiers Autodesk (3ds), les fichiers Collada (.dae) et Fichiers Wavefront (.obj), bien que de nombreux autres formats de fichiers existent. Les fichiers de conception peuvent être produits à l'aide d'un logiciel de modélisation (par exemple, la modélisation CAO) et/ou en scannant la surface d'un produit pour mesurer la configuration de la surface du produit. Une fois obtenu, un fichier de conception peut être converti en un ensemble d'instructions exécutables par ordinateur qui, une fois exécutées par un processeur, amènent le processeur à contrôler un appareil de fabrication additive pour produire la tête de dépôt 1 selon la disposition géométrique spécifiée dans le fichier de conception. La conversion peut convertir le fichier de conception en tranches ou couches qui doivent être formées séquentiellement par l'appareil de fabrication additive. Les instructions (également connues sous le nom de code géométrique ou «code G») peuvent être calibrées en fonction de l'appareil de fabrication additive spécifique et peuvent spécifier l'emplacement précis et la quantité de matériau à former à chaque étape du processus de fabrication. Comme discuté ci-dessus, la formation peut se faire par dépôt, par frittage ou par toute autre forme de procédé de fabrication additive. Le code ou les instructions peuvent être traduits entre différents formats, convertis en un ensemble de signaux de données et transmis, reçus sous la forme d'un ensemble de signaux de données et convertis en code, stockés, etc., si nécessaire. Les instructions peuvent être une entrée du système de fabrication additive et peuvent provenir d'un concepteur de pièces, d'un fournisseur de propriété intellectuelle (PI), d'une société de conception, de l'opérateur ou du propriétaire du système de fabrication additive, ou d'autres sources. Un système de fabrication additive peut exécuter les instructions pour fabriquer le produit en utilisant l'une quelconque des technologies ou procédés décrits ici. Les fichiers de conception ou les instructions exécutables par ordinateur peuvent être stockés dans un support de stockage lisible par ordinateur (transitoire ou non) (par exemple, mémoire, système de stockage, etc.) stockant un code, ou des instructions lisibles par ordinateur, représentatives du produit à fabriquer. Comme noté, le code ou les instructions lisibles par ordinateur définissant le produit qui peut être utilisé pour générer physiquement la tête de dépôt 1, lors de l'exécution du code ou des instructions par un système de fabrication additive. Par exemple, les instructions peuvent inclure un modèle 3D défini avec précision du produit et peuvent être générées à partir de l'un des nombreux systèmes logiciels de conception assistée par ordinateur (CAO) bien connus tels qu'AutoCAD®, TurboCAD®, DesignCAD 3D Max, etc. En variante, un modèle ou prototype du composant peut être scanné pour déterminer les informations tridimensionnelles du composant. Un autre objet de l’invention est un produit programme d’ordinateur, le programme d’ordinateur comprenant des instructions exécutables par ordinateur qui, lorsqu'elles sont exécutées par un processeur, amènent le processeur à commander un appareil de fabrication additive pour fabriquer la tête de dépôt 1. En conséquence, en commandant un appareil de fabrication additive selon les instructions exécutables par ordinateur, l'appareil de fabrication additive peut être chargé d'imprimer une ou plusieurs parties de la tête de dépôt 1. Ceux-ci peuvent être imprimés sous forme assemblée ou non assemblée. Da manière préférentielle, la tête de dépôt 1 est imprimée sous forme assemblée soit en une seul pièce. Par exemple, différentes sections du produit peuvent être imprimées séparément (sous forme de kit de pièces non assemblées), puis assemblées. En variante, et de manière préférentielle, les différentes pièces peuvent être imprimées sous forme assemblée. À la lumière de ce qui précède, les modes de réalisation comprennent des procédés de fabrication par fabrication additive. Cela comprend les étapes d'obtention d'un fichier de conception représentant le produit et l'instruction d'un appareil de fabrication additive de fabriquer le produit sous une forme assemblée ou non assemblée selon le fichier de conception. L'appareil de fabrication additive peut comprendre un processeur qui est configuré pour convertir automatiquement le fichier de conception en instructions exécutables par ordinateur pour contrôler la fabrication du produit. Dans ces modes de réalisation, le fichier de conception lui-même peut provoquer automatiquement la production du produit une fois entré dans le dispositif de fabrication additive. En conséquence, dans ce mode de réalisation, le fichier de conception lui-même peut être considéré comme des instructions exécutables par ordinateur qui amènent l'appareil de fabrication additive à fabriquer le produit. En variante, le fichier de conception peut être converti en instructions par un système informatique externe, les instructions exécutables par ordinateur résultantes étant fournies au dispositif de fabrication additive. Compte tenu de ce qui précède, la conception et la fabrication des implémentations du sujet et les opérations décrites dans cette spécification peuvent être réalisées à l'aide de circuits électroniques numériques, ou dans un logiciel, un micrologiciel ou du matériel informatique, y compris les structures décrites dans cette spécification et leurs équivalents structurels, ou en combinaisons d'un ou plusieurs d'entre eux. Par exemple, le matériel peut inclure des processeurs, des microprocesseurs, des circuits électroniques, des composants électroniques, des circuits intégrés, etc. Les implémentations du sujet décrit dans cette spécification peuvent être réalisées en utilisant un ou plusieurs programmes informatiques, c'est-à-dire un ou plusieurs modules d'instructions de programmes informatiques, codés sur un support de stockage informatique pour exécution par ou pour commander le fonctionnement d'un appareil de traitement de données. En variante ou en plus, les instructions de programme peuvent être codées sur un signal propagé généré artificiellement, par exemple, un signal électrique, optique ou électromagnétique généré par machine pour coder des informations à transmettre à un appareil récepteur approprié pour exécution par un appareil de traitement de données. Un support de stockage informatique peut être, ou être inclus dans, un dispositif de stockage lisible par ordinateur, un substrat de stockage lisible par ordinateur, une matrice ou un dispositif de mémoire à accès aléatoire ou série, ou une combinaison d'un ou plusieurs d'entre eux. De plus, alors qu'un support de stockage informatique n'est pas un signal propagé, un support de stockage informatique peut être une source ou une destination d'instructions de programme informatique codées dans un signal propagé artificiellement généré. Le support de stockage informatique peut également être, ou être inclus dans, un ou plusieurs composants ou supports physiques séparés (par exemple, plusieurs CD, disques ou autres dispositifs de stockage). Bien que la technologie de fabrication additive soit décrite ici comme permettant la fabrication d'objets complexes en construisant des objets point par point, couche par couche, typiquement dans une direction verticale, d'autres procédés de fabrication sont possibles et dans le cadre du présent sujet. Par exemple, bien que la description ici se réfère à l'addition de matériau pour former des couches successives, l'homme du métier appréciera que les procédés et structures décrits ici peuvent être mis en pratique avec n'importe quelle technique de fabrication additive ou autre technologie de fabrication. On peut également citer le moulage par injection ou la fabrication par coulée d’élastomère basse pression. Tête de dépôt (1) chimique d’un substrat tubulaire (2) en phase vapeur comprenant : une première ouverture (10) pour recevoir un premier flux gazeux en entrée transportant un premier précurseur, une deuxième ouverture (12) pour recevoir un deuxième flux gazeux en entrée transportant un deuxième précurseur, une troisième ouverture (14) pour recevoir un troisième flux gazeux inerte en entrée, un premier réseau de conduits (100) de distribution reliant la première ouverture (10) du premier flux gazeux à un premier groupe d’orifices (102) s’étendant sur une section interne (15) de la tête de dépôt (1), un deuxième réseau de conduits (120) de distribution reliant la deuxième ouverture (12) du deuxième flux gazeux à un deuxième groupe d’orifices (122) s’étendant sur la section interne (15) de la tête de dépôt (1), un troisième réseau de conduits (140) de distribution reliant la troisième ouverture (14) du troisième flux gazeux inerte à un troisième groupe d’orifices (142) s’étendant sur la section interne (15) de la tête de dépôt (1), un orifice du premier ou du deuxième groupe d’orifices (102 ; 122) étant adjacent de part et d’autre à un orifice du troisième groupe d’orifices (142) selon un axe de révolution R de la tête de dépôt (1), le premier, deuxième et troisième réseaux de conduits (100, 120, 140) de distribution ayant respectivement au moins une première, deuxième et troisième préchambre de détente (104, 124, 144) comprises dans la tête de dépôt (1), le substrat tubulaire (2) exécutant un mouvement relatif de va-et-vient selon l’axe de révolution R de la tête de dépôt (1). Tête de dépôt (1) selon la revendication 1, dans laquelle l’au moins une première, deuxième et troisième préchambre de détente (104, 124, 144) s’étendent successivement dans une direction de l’axe de révolution R de la tête de dépôt (1). Tête de dépôt (1) selon la revendication 1, dans laquelle l’au moins une première préchambre de détente (104) du premier réseau de conduits (100) de distribution est reliée au premier groupe d’orifices (102) par l’intermédiaire d’un premier canal (106), le volume interne du premier canal (106) étant inférieur au volume de l’au moins une première préchambre de détente (104) du premier réseau de conduits (100) de distribution, dans laquelle l’au moins une deuxième préchambre de détente (124) du deuxième réseau de conduits de distribution (120) est reliée au deuxième groupe d’orifices (122) par l’intermédiaire d’un deuxième canal (126), le volume interne du deuxième canal (126) étant inférieur au volume de l’au moins une deuxième préchambre de détente (124) du deuxième réseau de conduits de distribution (120), dans laquelle l’au moins une préchambre de détente (144) du troisième réseau de conduits de distribution (140) est reliée au troisième groupe d’orifices (142) par l’intermédiaire d’un troisième canal (146), le volume interne du troisième canal (146) étant inférieur au volume de l’au moins une troisième préchambre de détente (144) du troisième réseau de conduits de distribution (140). Tête de dépôt (1) selon l’une des revendications 1 à 3, dans laquelle les premier, deuxième et troisième conduits de distribution (100, 120, 140) sont non sécants entre eux. Tête de dépôt (1) selon l’une des revendications 1 à 4, comprenant un quatrième conduit (180) de distribution relié à un quatrième groupe d’orifices (182) s’étendant sur la section interne (15) de la tête de dépôt (1), le quatrième conduit (180) permettant l’évacuation du troisième flux gazeux inerte vers une quatrième ouverture d’évacuation (18) de la tête de dépôt (1). Tête de dépôt (1) selon l’une des revendications 1 à 5, dans laquelle les orifices des premier, deuxième et troisième groupes d’orifices (102, 122, 142) sont des fentes rectilignes et parallèles entre elles. Tête de dépôt (1) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle une distance de dépôt entre les orifices des premier, deuxième et troisième groupes d’orifices (102, 122, 142) et le substrat tubulaire (2), inséré dans la tête de dépôt (1), est inférieure à deux cents micromètres. Tête de dépôt (1) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle une distance de dépôt entre les orifices des premier, deuxième et troisième groupes d’orifices (102, 122, 142) et le substrat tubulaire (2), inséré dans la tête de dépôt (1), est supérieure à cinquante micromètres. Tête de dépôt (1) selon l’une des revendications précédentes, comprenant une première face d’accueil (16) de flux comprenant la première, deuxième et troisième ouvertures (10, 12, 14) et une deuxième face d’accueil (160) du flux comprenant une première, deuxième et troisième ouvertures secondaires du flux, miroirs respectives de la première, deuxième et troisième ouverture (10, 12, 14) de la première face d’accueil (16) selon un plan P traversant perpendiculairement l’axe de révolution R de la tête de dépôt (1). Tête de dépôt (1) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le premier flux gazeux est un précurseur oxydant. Tête de dépôt (1) selon l’une des revendications précédentes, dans laquelle le deuxième flux gazeux est un précurseur métallique. Système de dépôt chimique d’un substrat tubulaire (2) en phase vapeur comprenant au moins deux têtes de dépôt (1) selon l’une des revendications précédentes. Produit programme d’ordinateur, ledit programme d’ordinateur comprenant des instructions exécutables par ordinateur qui, lorsqu'elles sont exécutées par un processeur, amènent le processeur à commander un appareil de fabrication additive pour fabriquer la tête de dépôt selon l’une quelconque des revendications 1 à 11. Procédé de fabrication de la tête de dépôt selon l’une quelconque des revendications 1 à 11 par fabrication additive, le procédé comprenant les étapes suivantes: obtenir (étape 501) un fichier électronique représentant une géométrie d'un produit dans lequel le produit est la tête de dépôt et commander (étape 502) un appareil de fabrication additive pour fabriquer, sur une ou plusieurs étapes de fabrication additive, le produit selon la géométrie spécifiée dans le fichier électronique.