FR 3121279 A1 20220930 FR 2110667 A 20211008 Conformément à un mode de réalisation, un dispositif semi-conducteur 1 comprend un empilement de couches comprenant un substrat conducteur CS contenant un matériau semi-conducteur et comprenant une première surface principale S1 dotée d'un ou plusieurs évidements TR et une deuxième surface principale S2 opposée à la première surface principale S1, une couche conductrice 20b recouvrant au moins une partie de la première surface principale S1 et des parois latérales et des surfaces inférieures du ou des évidements TR, et une couche diélectrique 30 interposée entre le substrat conducteur CS et la couche conductrice 20b, la couche conductrice 20b et une portion du substrat conducteur CS adjacente à la couche diélectrique 30 étant une électrode supérieure et une électrode inférieure d'un condensateur C, respectivement, une couche isolante disposée 60a sur le condensateur C ou sur la deuxième surface principale S2, et une inductance L1 disposée sur la couche isolante 60a au niveau d'une position du condensateur C. Figure 2 Dispositif semi-conducteur Domaine Les modes de réalisation décrits ici concernent d'une façon générale un dispositif semi-conducteur. Arrière-plan Une combinaison d'un condensateur et d'une inductance est parfois utilisée dans un filtre LC. Un filtre LC permet à des composants dans une bande de fréquence spécifique d'un signal électrique depuis ou vers un circuit intégré (IC) de passer à travers tout en bloquant les composants dans l'autre bande de fréquence sous forme de bruit. La est une vue de dessus d'un dispositif semi-conducteur conformément à un mode de réalisation ; La est une vue en coupe transversale du dispositif semi-conducteur représenté sur la , prise le long de la ligne II-II ; La est une vue en coupe transversale montrant un exemple d'un boîtier de circuit intégré comprenant le dispositif semi-conducteur représenté sur les Figures 1 et 2 ; La est un schéma de circuit équivalent du boîtier de circuit intégré représenté sur la ; La est une vue en coupe transversale montrant un procédé dans la fabrication du dispositif semi-conducteur représenté sur les Figures 1 et 2 ; La est une vue en coupe transversale montrant un autre procédé dans la fabrication du dispositif semi-conducteur représenté sur les Figures 1 et 2 ; La est une vue en coupe transversale montrant encore un autre procédé dans la fabrication du dispositif semi-conducteur représenté sur les Figures 1 et 2 ; La est une vue en plan montrant une inductance conformément à une modification ; et La est un schéma de circuit équivalent d'un boîtier de circuit intégré conformément à une modification. Dispositif semi-conducteur comprenant : un empilement de couches comprenant un substrat conducteur contenant un matériau semi-conducteur et comprenant une première surface principale dotée d'un ou plusieurs évidements et une deuxième surface principale opposée à la première surface principale, une couche conductrice recouvrant au moins une partie de la première surface principale et des parois latérales et des surfaces inférieures du ou des évidements, et une couche diélectrique interposée entre le substrat conducteur et la couche conductrice, la couche conductrice et une portion du substrat conducteur adjacente à la couche diélectrique étant une électrode supérieure et une électrode inférieure d'un condensateur, respectivement ; une couche isolante disposée sur le condensateur ou sur la deuxième surface principale ; et une inductance disposée sur la couche isolante au niveau d'une position du condensateur. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel la première surface principale est dotée d'une pluralité d'évidements à titre du ou des évidements, ou est dotée d'un ou plusieurs évidements de telle manière qu'une pluralité de saillies en forme de pilier soient formées. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel la première surface principale est dotée d'une pluralité de tranchées disposées dans la direction de la largeur à titre du ou des évidements. Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'inductance est une inductance à méandres ou une inductance en spirale. Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche isolante est disposée sur le condensateur, et l'inductance fait face au condensateur avec la couche isolante interposée entre eux. Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'une parmi l'électrode supérieure et l'électrode inférieure est connectée à une extrémité de l'inductance. Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre : une première borne de connexion externe connectée à une extrémité de l'inductance et à l'une parmi l'électrode supérieure et l'électrode inférieure ; une deuxième borne de connexion externe connectée à une autre parmi l'électrode supérieure et l'électrode inférieure ; et une troisième borne de connexion externe connectée à une autre extrémité de l'inductance. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 7, dans lequel la première borne de connexion externe, la deuxième borne de connexion externe, et la troisième borne de connexion externe sont disposées de manière à faire face à la première surface principale. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 7 ou 8, comprenant en outre des conducteurs de jonction disposés sur la première borne de connexion externe, la deuxième borne de connexion externe et la troisième borne de connexion externe. Boîtier de circuit intégré comprenant : une puce semi-conductrice comprenant un circuit intégré ; et le dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, la première borne de connexion externe étant connectée au circuit intégré. Boîtier de circuit intégré selon la revendication 10, dans lequel le dispositif semi-conducteur est joint à la puce semi-conductrice par jonction en puce retournée. Boîtier de circuit intégré selon la revendication 10 ou 11, comprenant en outre une carte de câblage sur laquelle la puce semi-conductrice est montée.