FR 3127330 A1 20230324 FR 2109961 A 20210922 L’invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin comprenant les étapes suivantes : a) la croissance d’un substrat initial en carbure de silicium poly-cristallin sur un germe en graphite ou en carbure de silicium ; à l’issue de l’étape a), le substrat initial présentant une face avant libre et une face arrière en contact avec le germe, b) la formation d’un film raidisseur en carbone, sur la face avant du substrat initial, le substrat initial présentant, dans le plan de sa face avant et juste avant la formation du film raidisseur, une première taille moyenne de grains de carbure de silicium, c) le retrait du germe, de manière à libérer la face arrière du substrat initial, ce dernier présentant, dans le plan de sa face arrière et juste après le retrait du germe, une deuxième taille moyenne de grains de carbure de silicium, inférieure à la première taille moyenne, d) l’amincissement de la face arrière du substrat initial, jusqu’à une épaisseur pour laquelle le substrat initial présente, dans le plan de sa face arrière amincie, une troisième taille moyenne de grains égale à la première taille moyenne de grains à +/- 30% près, le substrat initial aminci formant le substrat support. Figure à publier avec l’abrégé : Pas de figure PROCEDE DE FABRICATION D’UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs pour composants microélectroniques. Elle concerne en particulier un procédé de fabrication d’un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, particulièrement adapté à l’élaboration d’une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin disposée sur ledit substrat support. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Le SiC est de plus en plus largement utilisé pour la fabrication de dispositifs de puissance innovants, pour répondre aux besoins de domaines montants de l'électronique, comme notamment les véhicules électriques. En effet, les dispositifs de puissance et les systèmes intégrés d'alimentation basés sur du carbure de silicium monocristallin peuvent gérer une densité de puissance beaucoup plus élevée par rapport à leurs homologues traditionnels en silicium, et ce avec des dimensions de zone active inférieures. Les substrats en SiC monocristallin (c-SiC) de haute qualité, destinés à l’industrie microélectronique, restent néanmoins chers et difficiles à approvisionner en grande taille. Il est donc avantageux de recourir à des solutions de transfert de couches, pour élaborer des structures composites comprenant typiquement une couche mince en SiC monocristallin (issue du substrat en c-SiC de haute qualité) sur un substrat support plus bas coût, par exemple en SiC poly-cristallin (p-SiC). Une solution de transfert de couche mince bien connue est le procédé Smart Cut ® , basé sur une implantation d’ions légers et sur un assemblage, par collage direct, au niveau d’une interface de collage. Le document US2019153616 propose un procédé de fabrication d’un substrat support en p-SiC sur lequel peut être reportée une couche mince en c-SiC. Le substrat support comprend des grains de taille moyenne de l’ordre de 10μm et présente un taux de variation de la taille de grain entre ses faces avant et arrière, ramené à son épaisseur, inférieur ou égal à 0,43% ; cette dernière caractéristique permet de limiter la contrainte résiduelle dans le substrat support et donc sa courbure. Le procédé de fabrication implique un premier substrat de base en carbone sur lequel une couche épaisse (typiquement 2mm) en p-SiC est élaborée par dépôt chimique en phase vapeur. Un deuxième substrat de base en p-SiC, d’environ 350μm d’épaisseur, est extrait de la couche épaisse de p-SiC, par retrait du premier substrat de base en carbone et par amincissement mécanique des deux faces de la couche épaisse. Le deuxième substrat de base présente un taux de variation de la taille de grains entre ses faces avant et arrière, ramené à son épaisseur, inférieur ou égal à 0,43%. Une nouvelle couche de p-SiC (typiquement de l’ordre de 400μm) est ensuite formée par dépôt chimique en phase vapeur sur le deuxième substrat de base : séparée du deuxième substrat de base, par exemple par irradiation laser, cette nouvelle couche de p-SiC constitue le substrat support en p-SiC destiné à être utilisé dans une structure composite. Le deuxième substrat de base peut ensuite être réutilisé. En pratique, l’étape consistant à former le deuxième substrat de base peut s’avérer complexe car le retrait du premier substrat de base en carbone induit généralement une courbure de la couche épaisse en p-SiC très importante, qui peut provoquer la casse de ladite couche épaisse, ou tout au moins qui complique, voire empêche la réalisation de l’étape d’amincissement requise pour atteindre l’épaisseur du deuxième substrat de base. En outre, cet amincissement est très substantiel (de l’ordre de 1,5mm) et couteux en matériau p-SiC et en étapes de dépôt et d’amincissement. OBJET DE L’INVENTION La présente invention propose un procédé de fabrication adressant la problématique précitée. Elle concerne un procédé de fabrication d’un substrat support en SiC poly-cristallin, économique et simplifié. Ledit substrat support est en outre particulièrement adapté à la fabrication d’une structure composite comportant une couche mince en c-SiC disposée sur ledit substrat support en p-SiC. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION L’invention concerne un procédé de fabrication d’un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin comprenant les étapes suivantes : a) la croissance d’un substrat initial en carbure de silicium poly-cristallin sur un germe en graphite ou en carbure de silicium ; à l’issue de l’étape a), le substrat initial présentant une face avant libre et une face arrière en contact avec le germe, b) la formation d’un film raidisseur en carbone, sur la face avant du substrat initial, le substrat initial présentant, dans le plan de sa face avant et juste avant la formation du film raidisseur, une première taille moyenne de grains de carbure de silicium, c) le retrait du germe, de manière à libérer la face arrière du substrat initial, ce dernier présentant, dans le plan de sa face arrière et juste après le retrait du germe, une deuxième taille moyenne de grains de carbure de silicium, inférieure à la première taille moyenne, d) l’amincissement de la face arrière du substrat initial, jusqu’à une épaisseur pour laquelle le substrat initial présente, dans le plan de sa face arrière amincie, une troisième taille moyenne de grains égale à la première taille moyenne de grains à +/- 30% près, le substrat initial aminci formant le substrat support. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : le film raidisseur présente une épaisseur comprise entre 100nm et plusieurs millimètres, par exemple 10mm ; le film raidisseur présente une épaisseur comprise entre 100nm et 10μm ; le film raidisseur en carbone présente une structure cristallographique de type diamant ou de type carbone vitreux ; l’étape b) est réalisée par étalement d’une résine polymère comportant des liaisons carbone-carbone préformées dans les trois dimensions, sous forme de couche visqueuse, sur la face avant du substrat initial, et par recuit à une température comprise entre 500°C et 2000°C, pour former le film raidisseur en carbone ; la résine polymère est à base de goudron de houille, de phénol formaldéhyde, d’alcool polyfurfurylique, d’alcool polyvinylique, de polyacrylonitrile, de chlorure de polyvinylidène, et/ou de polystyrène ; l’étape b) est réalisée par dépôt par plasma, dépôt par bombardement d’ions ou dépôt par évaporation ; le procédé de fabrication comprend une étape a’), entre l’étape a) et l’étape b), de rectification de la face avant et/ou d’un pourtour du substrat initial, pour diminuer une rugosité de surface de ladite face et/ou une variation d’épaisseur dudit substrat, et/ou pour régulariser son pourtour ; l’étape a’) comprend un amincissement mécanique ou mécano-chimique ; le procédé de fabrication comprend : - une étape e), après l’étape d), de retrait du film raidisseur, et/ou - une étape, après l’étape d) ou après l’étape e), de traitement thermique à une température supérieure ou égale à 1500°C. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une structure composite, mettant en œuvre le procédé ci-dessus et comprenant en outre une étape f) de transfert d’une couche mince en carbure de silicium monocristallin sur une première ou sur une deuxième face du substrat support, directement ou via une couche intermédiaire, pour former la structure composite. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la couche intermédiaire est formée par le film raidisseur en carbone conservé sur la première face du substrat support ; le transfert de la couche mince est réalisé sur l’une des faces du substrat support et un film additionnel en carbone est disposé sur l’autre face libre du substrat support préalablement au transfert ; le film additionnel est retiré, préférentiellement après que la structure composite ait subi tous traitements thermiques à températures supérieures à 1400°C requis pour sa fabrication ou celle de composants sur et/ou dans ladite structure. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : Les figures 1a à 1f présentent des étapes d’un procédé de fabrication conforme à l’invention ; Les figures 2a à 2d présentent d’autres étapes du procédé de fabrication conforme à l’invention ; Les figures 3a à 3e présentent des variantes d’étapes du procédé de fabrication conforme à l’invention. Les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments de même type. Les figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l’échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l’axe z ne sont pas à l’échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y ; et les épaisseurs relatives des couches entre elles ne sont pas nécessairement respectées sur les figures. Procédé de fabrication d’un substrat support (10) en carbure de silicium poly-cristallin comprenant les étapes suivantes : a) la croissance d’un substrat initial (1) en carbure de silicium poly-cristallin sur un germe (2) en graphite ou en carbure de silicium ; à l’issue de l’étape a), le substrat initial (1) présentant une face avant (1a) libre et une face arrière (1b) en contact avec le germe (2), b) la formation d’un film raidisseur (3) en carbone, sur la face avant (1a) du substrat initial (1), le substrat initial (1) présentant, dans le plan de sa face avant (1a) et juste avant la formation du film raidisseur (3), une première taille moyenne de grains de carbure de silicium, c) le retrait du germe (2), de manière à libérer la face arrière (1b) du substrat initial (1), ce dernier présentant, dans le plan de sa face arrière (1b) et juste après le retrait du germe (2), une deuxième taille moyenne de grains de carbure de silicium, inférieure à la première taille moyenne, d) l’amincissement de la face arrière (1b) du substrat initial (1), jusqu’à une épaisseur pour laquelle le substrat initial (1) présente, dans le plan de sa face arrière amincie (1b’), une troisième taille moyenne de grains égale à la première taille moyenne de grains à +/- 30% près, le substrat initial (1) aminci formant le substrat support (10). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel le film raidisseur (3) présente une épaisseur comprise entre 100nm et plusieurs millimètres, par exemple 10mm. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel le film raidisseur (3) présente une épaisseur comprise entre 100nm et 10μm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le film raidisseur (3) en carbone présente une structure cristallographique de type diamant ou de type carbone vitreux. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape b) est réalisée par étalement d’une résine polymère comportant des liaisons carbone-carbone préformées dans les trois dimensions, sous forme de couche visqueuse, sur la face avant du substrat initial (1), et par recuit à une température comprise entre 500°C et 2000°C, pour former le film raidisseur (3) en carbone. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la résine polymère est à base de goudron de houille, de phénol formaldéhyde, d’alcool polyfurfurylique, d’alcool polyvinylique, de polyacrylonitrile, de chlorure de polyvinylidène, et/ou de polystyrène. Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’étape b) est réalisée par dépôt par plasma, dépôt par bombardement d’ions ou dépôt par évaporation. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant une étape a’), entre l’étape a) et l’étape b), de rectification de la face avant (1a) et/ou d’un pourtour du substrat initial (1), pour diminuer une rugosité de surface de ladite face (1a) et/ou une variation d’épaisseur dudit substrat (1), et/ou pour régulariser son pourtour. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape a’) comprend un amincissement mécanique ou mécano-chimique. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant : - une étape e), après l’étape d), de retrait du film raidisseur, et/ou - une étape, après l’étape d) ou après l’étape e), de traitement thermique à une température supérieure ou égale à 1500°C. Procédé de fabrication d’une structure composite (100), mettant en œuvre le procédé selon l’une des revendications précédentes et comprenant en outre une étape f) de transfert d’une couche mince (20) en carbure de silicium monocristallin sur une première (10a) ou sur une deuxième (10b) face du substrat support (10), directement ou via une couche intermédiaire, pour former la structure composite (100). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la couche intermédiaire est formée par le film raidisseur (3) en carbone conservé sur la première face (10a) du substrat support (10). Procédé de fabrication selon la revendication 11, dans lequel le transfert de la couche mince (20) est réalisé sur l’une des faces (10a ;10b) du substrat support (10) et un film additionnel (5) en carbone est disposé sur l’autre face libre (10b ;10a) du substrat support (10) préalablement au transfert. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel le film additionnel (5) est retiré, préférentiellement après que la structure composite (100) ait subi tous traitements thermiques à températures supérieures à 1400°C requis pour sa fabrication ou celle de composants sur et/ou dans ladite structure (100).