FR 3125167 A1 20230113 FR 2107409 A 20210708 DISPOSITIF MÉMOIRE COMPRENANT UN ÉLÉMENT MÉMOIRE RÉSISTIF ET UN TRANSISTOR DE SÉLECTION Un aspect de l’invention concerne un dispositif mémoire comprenant un élément mémoire résistif (10) et un transistor de sélection (30) de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif (10). Le transistor de sélection comprend une région de canal (31), une couche isolante enterrée (39), une grille arrière (38’) séparée de la région de canal (31) par la couche isolante enterrée (39). Le dispositif mémoire comprend en outre un circuit de polarisation de la grille arrière (38’) du transistor de sélection (30), le circuit de polarisation étant configuré pour appliquer une polarisation arrière directe au transistor de sélection (30) lors d’une opération de programmation ou d’initialisation de l’élément mémoire résistif (10). Figure à publier avec l’abrégé : Figure 2A DISPOSITIF MÉMOIRE COMPRENANT UN ÉLÉMENT MÉMOIRE RÉSISTIF ET UN TRANSISTOR DE SÉLECTION La présente invention est relative au domaine des mémoires résistives à accès aléatoire RRAM (pour « Resistive Random Access Memories » en anglais). L’invention concerne plus particulièrement un dispositif mémoire de type 1T1R comprenant un élément mémoire résistif et un transistor de sélection connecté en série avec l’élément mémoire résistif. L’invention concerne également un circuit mémoire comprenant une pluralité de cellules mémoire 1T1R agencées sous la forme d’une matrice. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Les mémoires résistives, en particulier les mémoires résistives à base d’oxyde (OxRAM, pour « Oxide-based Random Access Memories »), sont des mémoires non-volatiles ayant pour but de remplacer les mémoires de type Flash. En plus d’une forte densité d’intégration, elles présentent une vitesse de fonctionnement élevée, une grande endurance et une bonne compatibilité avec les procédés de fabrication utilisés actuellement dans l’industrie microélectronique, en particulier avec le procédé de fin de ligne (BEOL, pour « Back-End Of Line » en anglais) de la technologie CMOS. Les mémoires résistives comprennent une multitude de cellules mémoire agencées sous la forme d’une matrice. Dans une configuration dite « 1T1R » représentée par les figures 1A-1B, chaque cellule mémoire (appelée également point mémoire) comprend un élément mémoire résistif 10 (« 1R ») et un transistor de sélection 20 (« 1T ») connecté en série avec l’élément mémoire résistif 10. L’élément mémoire résistif 10 est constitué d’un empilement M-I-M (Métal-Isolant-Métal) comprenant une couche de matériau actif à résistance électrique variable 11 disposée entre deux électrodes métalliques 12a-12b. Dans un élément de type OxRAM, le matériau actif est généralement un oxyde de métal de transition (ex. HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 ...). L’élément mémoire résistif 10 peut commuter de manière réversible entre deux états de résistance, qui correspondent à des valeurs logiques « 0 » et « 1 » utilisées pour coder un bit d’information. Dans certains cas, plus de deux états de résistance peuvent être générés, ce qui permet de stocker plusieurs bits d’information dans une même cellule mémoire. L’information est écrite dans la cellule mémoire en basculant l’élément mémoire résistif 10 d’un état fortement résistif (ou « HRS », pour « High Resistance State » en anglais) à un état faiblement résistif (« LRS », pour « Low Resistance State »). À l’inverse, pour effacer l’information de la cellule mémoire, l’élément mémoire résistif 10 est basculé de l’état faiblement résistif vers l’état fortement résistif. Dans les mémoires résistives de type filamentaire telles que les OxRAM ou les mémoires à pont conducteur (CBRAM, pour « Conductive-Bridge Random-Access Memory » en anglais), le changement de résistance de l’élément mémoire est gouverné par la formation et la rupture d’un filament conducteur de section nanométrique entre les deux électrodes. Immédiatement après sa fabrication, un élément mémoire de type OxRAM est dans un état vierge caractérisé par une résistance (dite initiale) très élevée, bien supérieure à la résistance de l’élément mémoire lorsqu’il est dans l’état fortement résistif. La couche d’oxyde est en effet isolante dans son état initial. Pour que l’élément mémoire puisse être utilisé, il est nécessaire d’accomplir une étape d’initialisation dite de « forming ». Cette étape consiste en un claquage partiellement réversible de l’oxyde afin de générer pour la première fois le filament conducteur (et donc placer l’élément mémoire dans l’état faiblement résistif). Après ce claquage, la couche d’oxyde initialement isolante devient active et l’élément mémoire peut commuter entre l’état faiblement résistif et l’état fortement résistif par des opérations d’effacement et d’écriture. L’étape de forming est accomplie en appliquant entre les deux électrodes de l’élément mémoire une tension (dite de « forming ») de valeur bien supérieure à la tension nominale de fonctionnement de l’élément mémoire (utilisée lors des cycles d’écriture-effacement suivants), par exemple une tension de l’ordre de 2,5 V pour une tension nominale de l’ordre de 1,5 V. Le transistor de sélection 20 sert notamment à polariser l’élément mémoire résistif 10 de manière à initialiser, programmer ou lire la cellule mémoire. Il peut jouer également le rôle de limiteur de courant. En effet, il est nécessaire de limiter le courant électrique qui traverse l’élément mémoire résistif 10 pour ne pas le dégrader lors de l’étape d’initialisation et pour contrôler la taille du filament (obtenu après une opération d’écriture), dont dépend les propriétés de l’élément mémoire (dispersion des états de résistance, fenêtre mémoire, endurance, tenue en température…). Le transistor de sélection 20 peut être un transistor à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET) formé dans un substrat en silicium massif 21 (substrat « bulk »). Le transistor de sélection 20 comprend alors une région de source 22, une région de drain 23 et une région de canal 24 disposée entre la région de source 22 et la région de drain 23. La région de canal 24 est surmontée d’une structure de grille 25 comprenant une électrode de grille 25a et un diélectrique de grille 25b. Le document [« OxRAM for embedded solutions on advanced node: scaling perspectives considering statistical reliability and design constraints”, J. Sandrini et al., 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), p. 30.5.1-30.5.4, 2019] décrit une autre cellule mémoire 1T1R comprenant un élément mémoire résistif de type OxRAM et un transistor de sélection en technologie silicium sur isolant complétement déplété (ou FDSOI, pour « Fully Depleted Silicon On Insulator »). Dans ce document, il est montré que les besoins de l’élément OxRAM en termes de courant de programmation et de tension de forming peuvent être satisfaits par un transistor FDSOI. La taille d’une cellule mémoire 1T1R est principalement dictée par la surface du substrat (silicium massif ou SOI) occupée par le transistor de sélection, plutôt que par les dimensions de l’élément mémoire. Cela est dû aux besoins en courant et en tension de l’élément mémoire (qui doivent être satisfaits par le transistor de sélection) et au fait que l’élément mémoire est formé dans la partie dite « back-end » du circuit, autrement dit dans les niveaux d’interconnexion disposés sur le substrat. Pour augmenter la densité des mémoires résistives, il est donc nécessaire de réduire la surface occupée par le transistor de sélection de chaque cellule mémoire. Cette réduction s’effectue au détriment du courant que le transistor de sélection est capable de délivrer. Or les performances de l’élément mémoire comme la fenêtre mémoire se dégradent pour des courants de programmation inférieurs à 100 µA. Il existe donc un besoin de réduire la surface occupée par le transistor de sélection dans une cellule mémoire 1T1R sans toutefois diminuer les performances de l’élément mémoire résistif auquel il est connecté. Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un dispositif mémoire comprenant un élément mémoire résistif et un transistor de sélection de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif, le transistor de sélection comprenant une région de canal, une couche isolante enterrée et une grille arrière séparée de la région de canal par la couche isolante enterrée, le dispositif mémoire comprenant en outre un circuit de polarisation de la grille arrière du transistor de sélection, le circuit de polarisation étant configuré pour appliquer une polarisation arrière directe (ou FBB, pour « Forward Back-Bias » en anglais) au transistor de sélection lors d’une opération de programmation ou d’initialisation de l’élément mémoire résistif. Un transistor FDSOI à grille arrière, aussi appelé à corps et oxyde enterré ultraminces ou UTBB (pour « Ultra Thin Body and BOX » en anglais), est capable de fournir le même courant qu’un transistor MOS sur substrat massif (ou qu’un transistor FDSOI à oxyde enterrée épais), tout en occupant une surface plus faible. En effet, en appliquant une polarisation en face arrière du transistor (technique appelée « back-biasing » en anglais), il est possible de moduler dynamiquement la tension de seuil du transistor et donc sa capacité à fournir du courant. Le courant délivré par le transistor de sélection UTBB FDSOI peut ainsi être augmenté ponctuellement, typiquement lors des opérations de programmation ou lors d’une opération d’initialisation (étape dite de « forming »). Dans un mode de réalisation préférentiel du dispositif mémoire, le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer une polarisation arrière inverse (ou RBB, pour « Reverse Back-Bias » en anglais) au transistor de sélection lors d’une opération de lecture de l’élément mémoire résistif. La consommation électrique du dispositif mémoire est ainsi réduite. Avantageusement, le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer une polarisation arrière inverse au transistor de sélection en dehors des opérations de programmation, d’initialisation et de lecture de l’élément mémoire résistif. De préférence, l’élément mémoire résistif est de type OxRAM, CBRAM ou PCRAM. Un deuxième aspect de l’invention concerne un circuit mémoire comprenant une pluralité de cellules mémoire, chaque cellule mémoire comprenant un élément mémoire résistif et un transistor de sélection de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif, le transistor de sélection comprenant une région de canal, une couche isolante enterrée et une grille arrière séparée de la région de canal par la couche isolante enterrée. Le circuit mémoire comprend en outre un circuit de polarisation de la grille arrière des transistors de sélection, le circuit de polarisation étant configuré pour appliquer une polarisation arrière directe au transistor de sélection d’au moins une cellule mémoire lors d’une opération de programmation ou d’initialisation de ladite au moins une cellule mémoire. Avantageusement, le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer une polarisation arrière inverse au transistor de sélection de ladite au moins une cellule mémoire lors d’une opération de lecture de ladite au moins une cellule mémoire. Avantageusement, le circuit de polarisation est en outre configuré pour, lors d’une opération de lecture d’une cellule mémoire, appliquer une polarisation arrière inverse au transistor de sélection de plusieurs cellules mémoire adjacentes à la cellule mémoire lue. De préférence, les transistors de sélection des cellules mémoire sont agencés en lignes et en colonnes, les lignes de transistors forment plusieurs groupes de transistors, chaque groupe de transistors comprenant au moins deux lignes de transistors consécutives, et le circuit mémoire comprend des régions distinctes de silicium dopé appelées caissons, chaque caisson comprenant les grilles arrière des transistors de sélection appartenant à un seul et même groupe de transistors. Dans un premier mode de réalisation du circuit mémoire, les caissons sont dopés d’un même type de conductivité et espacés les uns des autres. Les transistors de sélection peuvent être tous de type NMOS soit tous de type PMOS. Dans un deuxième mode de réalisation, le circuit mémoire comprend des caissons dopés d’un premier type de conductivité et au moins un caisson dopé d’un deuxième type de conductivité opposé, les caissons dopés du premier type de conductivité et ledit au moins un caisson dopé du deuxième type de conductivité étant disposés en alternance. Les caissons dopés du premier type de conductivité et ledit au moins un caisson dopé du deuxième type de conductivité peuvent être adjacents ou séparés par des tranchées d’isolation électrique. De préférence, tous les transistors de sélection d’un groupe associé à un caisson dopé de type N sont de type NMOS et tous les transistors de sélection d’un groupe associé à un caisson dopé de type P sont de type PMOS. Avantageusement, chaque groupe de transistors comprend entre 16 et 256 lignes de transistors consécutives. Chaque groupe de transistors peut comprendre une ou plusieurs paires de lignes de transistors consécutives et, pour chaque paire, les transistors de sélection appartenant à une même colonne peuvent partager une même région choisie parmi la région de source et la région de drain. Dans un mode de réalisation particulier, le circuit de polarisation est configuré pour appliquer un potentiel de polarisation arrière directe à un premier caisson lors d’une opération de programmation ou d’initialisation d’une ou plusieurs cellules mémoire appartenant au groupe associé au premier caisson. Selon un développement de ce mode de réalisation, le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer un potentiel de polarisation arrière inverse à au moins un deuxième caisson distinct du premier caisson. Un troisième aspect de l’invention concerne un procédé de fonctionnement d’un circuit mémoire comprenant une pluralité de cellules mémoire, chaque cellule mémoire comprenant un élément mémoire résistif et un transistor de sélection de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif, le transistor de sélection comprenant une région de canal, une couche isolante enterrée, une grille arrière séparée de la région de canal par la couche isolante enterrée. Le procédé comprend une opération de programmation ou d’initialisation d’au moins une cellule mémoire, lors de laquelle une polarisation arrière directe est appliquée au transistor de sélection de ladite au moins une cellule mémoire. De préférence, le procédé comprend en outre une opération de lecture de ladite au moins cellule mémoire, lors de laquelle une polarisation arrière inverse est appliquée au transistor de sélection de ladite au moins une cellule mémoire. Avantageusement, le procédé comprend en outre l’application d’une polarisation arrière inverse aux transistors de sélection des cellules mémoire en dehors des opérations de programmation, d’initialisation et de lecture des cellules mémoire. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures suivantes. La est une vue en coupe schématique d’une cellule mémoire 1T1R selon l’art antérieur. La est un schéma électrique équivalent de la cellule mémoire 1T1R de la . La est une vue en coupe schématique d’une cellule mémoire 1T1R appartenant à un dispositif mémoire selon un premier aspect de l’invention. La est un schéma électrique équivalent de la cellule mémoire 1T1R de la . La représente schématiquement un circuit mémoire comprenant plusieurs cellules mémoire 1T1R agencées en lignes et en colonnes, selon un deuxième aspect de l’invention. La représente l’agencement des transistors de sélection dans un premier mode de réalisation du circuit mémoire. La représente l’agencement des transistors de sélection dans un deuxième mode de réalisation du circuit mémoire. La est une vue en coupe partielle du circuit mémoire selon le plan de coupe A-A des figures 4 et 5. La est une vue en coupe partielle du circuit mémoire selon le plan de coupe B-B de la . La est un graphique représentant l’augmentation de surface causée par la répartition des lignes de transistors en groupes, en fonction du nombre de lignes de transistors par groupe. La est un graphique représentant la diminution des courants de fuite du circuit mémoire lors de la lecture d’une cellule mémoire, en fonction du nombre de lignes de transistors par groupe. Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l’ensemble des figures. Dispositif mémoire comprenant un élément mémoire résistif (10) et un transistor de sélection (30) de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif (10), le transistor de sélection comprenant une région de canal (31) et une couche isolante enterrée (39), caractérisé en ce que le transistor de sélection (30) comprend en outre une grille arrière (38’) séparée de la région de canal (31) par la couche isolante enterrée (39) et en ce que le dispositif mémoire comprend en outre un circuit de polarisation de la grille arrière (38’) du transistor de sélection (30), le circuit de polarisation étant configuré pour appliquer une polarisation arrière directe au transistor de sélection (30) lors d’une opération de programmation ou d’initialisation de l’élément mémoire résistif (10). Dispositif mémoire selon la revendication 1, dans lequel l’élément mémoire résistif (10) est de type OxRAM, CBRAM ou PCRAM. Circuit mémoire (300) comprenant une pluralité de cellules mémoire (200), chaque cellule mémoire comprenant un élément mémoire résistif (10) et un transistor de sélection (30) de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif, le transistor de sélection comprenant une région de canal (31) et une couche isolante enterrée (39), caractérisé en ce que le transistor de sélection (30) comprend en outre une grille arrière (38’) séparée de la région de canal (31) par la couche isolante enterrée (39) et en ce que le circuit mémoire (300) comprend en outre un circuit de polarisation de la grille arrière (38’) des transistors de sélection (30), le circuit de polarisation étant configuré pour appliquer une polarisation arrière directe au transistor de sélection (30) d’au moins une cellule mémoire (200) lors d’une opération de programmation ou d’initialisation de ladite au moins une cellule mémoire. Circuit mémoire (300) selon la revendication 3, dans lequel : les transistors de sélection (30) des cellules mémoire (200) sont agencés en lignes (Li) et en colonnes (Ci) ; les lignes (Li) de transistors forment plusieurs groupes (Gi) de transistors, chaque groupe de transistors comprenant au moins deux lignes (Li) de transistors consécutives ; le circuit mémoire comprenant des régions distinctes de silicium dopé appelées caissons (38), chaque caisson comprenant les grilles arrière (38’) des transistors de sélection (30) appartenant à un seul et même groupe de transistors (Gi). Circuit mémoire (300) selon la revendication 4, dans lequel les caissons (38) sont dopés d’un même type de conductivité et espacés les uns des autres. Circuit mémoire (300) selon la revendication 4, comprenant des caissons (38a) dopés d’un premier type de conductivité et au moins un caisson (38b) dopé d’un deuxième type de conductivité opposé, les caissons (38a) dopés du premier type de conductivité et ledit au moins un caisson (38b) dopé du deuxième type de conductivité étant disposés en alternance. Circuit mémoire (300) selon la revendication 6, dans lequel les caissons (38a) dopés du premier type de conductivité et ledit au moins un caisson (38b) dopé du deuxième type de conductivité sont adjacents ou séparés par des tranchées d’isolation électrique. Circuit mémoire (300) selon l’une quelconque des revendications 4 à 7, dans lequel chaque groupe de transistors (Gi) comprend une ou plusieurs paires de lignes de transistors consécutives et dans lequel, pour chaque paire, les transistors de sélection (30) appartenant à une même colonne (Ci) partagent une même région choisie parmi la région de source (32) et la région de drain (33). Circuit mémoire (300) selon l’une quelconque des revendications 4 à 8, dans lequel le circuit de polarisation est configuré pour appliquer un potentiel de polarisation arrière directe (V BB ) à un premier caisson (38) lors d’une opération de programmation ou d’initialisation d’une ou plusieurs cellules mémoire (200) dont le transistor de sélection (30) appartient au groupe (Gi) associé au premier caisson. Circuit mémoire (300) selon la revendication 9, dans lequel le circuit de polarisation est en outre configuré pour appliquer un potentiel de polarisation arrière inverse (V BB ) à au moins un deuxième caisson (38) distinct du premier caisson. Procédé de fonctionnement d’un circuit mémoire (300) comprenant une pluralité de cellules mémoire (200), chaque cellule mémoire comprenant un élément mémoire résistif (10) et un transistor de sélection (30) de type FDSOI connecté en série avec l’élément mémoire résistif, le transistor de sélection (30) comprenant une région de canal (31), une couche isolante enterrée (39), une grille arrière (38’) séparée de la région de canal (31) par la couche isolante enterrée (39), le procédé comprenant une opération de programmation ou d’initialisation d’au moins une cellule mémoire, lors de laquelle une polarisation arrière directe est appliquée au transistor de sélection (30) de ladite au moins une cellule mémoire (200). Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre une opération de lecture de ladite au moins cellule mémoire (200), lors de laquelle une polarisation arrière inverse est appliquée au transistor de sélection (30) de ladite au moins une cellule mémoire (200). Procédé selon l’une des revendications 11 à 12, comprenant en outre l’application d’une polarisation arrière inverse aux transistors de sélection (30) des cellules mémoire (200) en dehors des opérations de programmation, d’initialisation et de lecture des cellules mémoire.