FR 3122525 A1 20221104 FR 2104449 A 20210428 Procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor. L’invention porte sur un procédé de formation des espaceurs d’une grille d’un transistor comprenant : Une fourniture d’une couche active (13) surmontée par une grille (20), une formation d’une couche diélectrique (3) recouvrant la grille et la couche active, ladite couche diélectrique présentant des portions latérales (30l), et des portions basales recouvrant la couche active, une modification anisotrope des portions basales par implantation d’ions à base d’hydrogène selon une direction (Z) parallèle aux flancs latéraux de la grille (22), formant des portions basales modifiées (31b), un recuit désorbant l’hydrogène de la couche active (13) et transformant les portions basales modifiées (31b) en deuxièmes portions basales modifiées (32b). un retrait des portions basales modifiées (32b) par gravure sélective du matériau diélectrique modifié vis-à-vis du matériau diélectrique non modifié et vis-à-vis du matériau semi-conducteur, de façon à former les espaceurs (E) sur les flancs latéraux de la grille. Figure pour l’abrégé : Fig.3C Procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor La présente invention concerne en général les transistors à effet de champs (FET) utilisés par l’industrie de la microélectronique et plus particulièrement la réalisation des espaceurs de grille des transistors de type métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) majoritairement utilisés pour la production de toutes sortes de circuits intégrés. ETAT DE LA TECHNIQUE La technologie à base de transistors Métal-Oxyde-Semiconducteur Complémentaires CMOS (de l’anglais « Complementary Metal Oxide Semiconductor »), basée sur l’utilisation de transistors MOSFET complémentaires de type n et de type p, utilise couramment des substrats de type SOI (de l’anglais « silicon on insulator ») pour accroître les performances des transistors. Un substrat SOI, qui comprend une fine couche superficielle de silicium monocristallin dite topSi reposant sur une couche d’oxyde de silicium enterrée dite BOX (acronyme de l’anglais « buried oxide layer »), permet notamment de réduire drastiquement les capacités parasites des transistors. Cette couche est également qualifiée de couche active. Pour améliorer encore les performances des transistors, il est avantageux que le canal du transistor dans le topSi puisse être complètement déserté de porteurs, c'est-à-dire « fully depleted » (FD), selon le vocable anglais dédié. Pour y parvenir, il est généralement nécessaire que le topSi soit très mince, typiquement d’épaisseur inférieure à 10 nm. Ce type de substrat est ainsi désigné par l’acronyme FDSOI. Une telle épaisseur rend certaines étapes de fabrication des transistors critiques, notamment la formation des espaceurs sur les flancs latéraux de la grille des transistors. Comme illustré aux figures 1A, 1C, les espaceurs sont en effet typiquement formés par gravure anisotrope d’une couche diélectrique 3 recouvrant les grilles 20 des transistors. Cette gravure permet de graver des portions basales 30b de la couche diélectrique 3, qui s’étendent principalement de façon parallèle au plan de base du substrat 1, tout en conservant des portions latérales 30l de la couche diélectrique 3 qui s’étendent sur les flancs 22 latéraux de la grille 20. Ces dernières forment ainsi les espaceurs E de grille des transistors. La gravure anisotrope doit ainsi permettre de retirer les portions basales 30b en exposant le topSi 13, sans endommager le topSi 13 et en conservant les portions latérales 30l. L’arrêt de la gravure à l’interface 131 entre la couche diélectrique 3 et le topSi 13 est une problématique majeure de la formation des espaceurs. Si la gravure est prolongée trop longtemps, le topSi peut être en partie consommé ou endommagé. Au contraire, si elle n’est pas suffisamment prolongée, les espaceurs peuvent présenter des pieds de gravure préjudiciables à la définition précise des dimensions critiques des espaceurs. Pour éviter un compromis difficile à trouver entre ces deux conditions antagonistes lors de la gravure directe des portions basales, le document EP 3107125 B1 prévoit une étape préalable de modification des portions basales 30b par implantation d’ions légers ( ), suivie d’une étape de retrait des portions basales modifiées 31b, sélectivement aux portions latérales non modifiées 30l ( ). Cela permet de relâcher les contraintes sur l’arrêt de gravure. La précision de gravure est ainsi améliorée. En pratique cependant, une telle solution ne s’avère pas optimale. La précision de gravure reste perfectible. Les performances des transistors peuvent encore être améliorées. Un objet de la présente invention est de pallier les limitations des solutions connues. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d’espaceurs permettant une meilleure définition des dimensions critiques des espaceurs. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de formation des espaceurs d’une grille d’un transistor située sur une couche active en un matériau semi-conducteur. Le procédé comprend : une fourniture d’un empilement comprenant la couche active et la grille, ladite grille présentant un sommet et des flancs latéraux, une formation d’une couche diélectrique en un matériau diélectrique de base recouvrant la grille et au moins partiellement la couche active de part et d’autre de la grille, ladite couche diélectrique présentant des portions latérales recouvrant les flancs latéraux de la grille, et des portions basales recouvrant le sommet et la couche active, les portions basales présentant une épaisseur eb, une modification anisotrope des portions basales de ladite couche diélectrique par implantation d’ions à base d’hydrogène selon une direction Z parallèle aux flancs latéraux de la grille, ladite implantation étant réalisée selon toute l’épaisseur eb des portions basales, et au moins en partie dans la couche active, ladite modification anisotrope formant des premières portions basales modifiées à base d’un premier matériau diélectrique modifié et des portions latérales non modifiées à base du matériau diélectrique de base, puis un recuit configuré pour désorber les espèces à base d’hydrogène implantées dans la couche active, ledit recuit transformant les premières portions basales modifiées en des deuxièmes portions basales modifiées à base d’un deuxième matériau diélectrique modifié, puis un retrait des deuxièmes portions basales modifiées par gravure sélective du deuxième matériau diélectrique modifié vis-à-vis du matériau diélectrique de base et vis-à-vis du matériau semi-conducteur, de façon à former les espaceurs sur les flancs latéraux de la grille à partir des portions latérales non modifiées. Avantageusement, la modification anisotrope des portions basales est configurée de sorte à ce que les ions à base d’hydrogène sont implantés selon toute l’épaisseur eb des portions basales, et au moins en partie dans la couche active. Avantageusement, le procédé comprend en outre, après ladite modification anisotrope et avant le retrait des portions basales modifiées, un recuit configuré pour désorber les espèces à base d’hydrogène implantées dans la couche active. Dans le cadre du développement de la présente invention, il a été observé que l’arrêt précis de l’implantation d’ions légers à l’interface entre la couche diélectrique et la couche active est difficile à réaliser en pratique. Ainsi, le procédé divulgué par le document d’art antérieur EP 3107125 B1 présente des points de fonctionnement limités. Les gammes de paramètres de ce procédé selon l’art antérieur sont très restreintes. Cela limite fortement sa mise en œuvre pratique. Il apparaît que l’implantation d’ions légers est le plus souvent : soit pas suffisamment profonde pour modifier suffisamment les portions basales sur toute leur hauteur ; il est alors difficile de retirer les portions basales et les espaceurs ainsi obtenus présentent typiquement un pied de gravure, soit trop profonde et une partie de la couche active sous-jacente aux portions basales est également modifiée ; cette partie de couche active modifiée nuit aux performances des transistors. Contrairement aux solutions connues de l’art antérieur qui visent à supprimer l’implantation d’ions dans la couche active lors de la modification des portions basales, le procédé selon l’invention prévoit volontairement une implantation d’ions à base d’hydrogène jusque dans la couche active, sous l’interface 131 entre la couche diélectrique et la couche active, comme illustré à la . Toute l’épaisseur des portions basales est ainsi modifiée. Cela évite la formation d’un pied de gravure pour les espaceurs, lors du retrait des portions basales modifiées. Le contrôle en dimension des espaceurs est amélioré. Il n’est donc plus nécessaire de contrôler précisément la profondeur d’implantation des ions à base d’hydrogène, dès lors que celle-ci est supérieure ou égale à l’épaisseur eb des portions basales. Les contraintes sur la profondeur d’implantation sont donc avantageusement relâchées dans le procédé selon l’invention. En particulier il est possible d’élargir la gamme d’énergie d’implantation des ions à base d’hydrogène, par rapport au procédé de l’art antérieur. Cela facilite la mise en œuvre du procédé. Le procédé prévoit en outre une guérison de la couche active par un recuit permettant de désorber les ions à base d’hydrogène implantés sous l’interface entre la couche diélectrique et la couche active. La guérison peut uniquement consister à désorber les ions à base d’hydrogène, ou peut en supplément supprimer d’éventuels défauts cristallins occasionnés lors de l’implantation. Ce recuit transforme les premières portions basales modifiées en deuxièmes portions basales modifiées. Les conditions de recuit et/ou le matériau diélectrique de base de la couche diélectrique sont choisis de sorte à conserver une sélectivité de gravure suffisante entre le deuxième matériau diélectrique modifié et le matériau diélectrique de base, de façon à retirer sélectivement les deuxièmes portions basales modifiées vis-à-à-vis des portions latérales non modifiées. Le procédé selon l’invention permet ainsi de réaliser de façon avantageuse des espaceurs sans pied et sans dégrader la couche active sous-jacente. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : Les figures 1A à 1C illustrent schématiquement des étapes d’un procédé de formation d’espaceurs selon l’art antérieur. La illustre la distribution des ions légers selon un profil d’implantation de l’art antérieur. Les figures 3A à 3D illustrent schématiquement des étapes d’un procédé de formation d’espaceurs selon un mode de réalisation de la présente invention. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, sur les schémas de principe, les épaisseurs des différentes couches et portions, et les dimensions des motifs ne sont pas représentatives de la réalité. Procédé de formation d’au moins un espaceur (E) d’une grille (20) d’un transistor située sur une couche active (13) en un matériau semi-conducteur, comprenant : Une fourniture d’un empilement comprenant la couche active (13) et la grille (20), ladite grille (20) présentant un sommet (21) et des flancs latéraux (22), une formation d’une couche diélectrique (3) en un matériau diélectrique de base recouvrant la grille et au moins partiellement la couche active (13) de part et d’autre de la grille (20), ladite couche diélectrique (3) présentant des portions latérales (30l) recouvrant les flancs latéraux (22) de la grille, et des portions basales (30b) recouvrant le sommet (21) et la couche active (13), les portions basales (30b) présentant une épaisseur eb, une modification anisotrope des portions basales (30b) de ladite couche diélectrique (3) par implantation d’ions à base d’hydrogène selon une direction (Z) parallèle aux flancs latéraux (22) de la grille (20), ladite implantation étant réalisée selon toute l’épaisseur eb des portions basales (30b), et au moins en partie dans la couche active (13, 13m), ladite modification anisotrope formant des premières portions basales modifiées (31b) à base d’un premier matériau diélectrique modifié et des portions latérales (30l) non modifiées à base du matériau diélectrique de base, puis un recuit configuré pour désorber les espèces à base d’hydrogène implantées dans la couche active (13, 13m), ledit recuit transformant les premières portions basales modifiées (31b) en des deuxièmes portions basales modifiées (32b) à base d’un deuxième matériau diélectrique modifié, puis un retrait des deuxièmes portions basales modifiées (32b) par gravure sélective du deuxième matériau diélectrique modifié vis-à-vis du matériau diélectrique de base et vis-à-vis du matériau semi-conducteur, de façon à former l’au moins un espaceur (E) sur les flancs latéraux (22) de la grille à partir des portions latérales (30l) non modifiées. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le matériau diélectrique de base est choisi de façon à ce que le deuxième matériau diélectrique modifié présente une sélectivité à la gravure S ≥ 5:1 vis-à-vis dudit matériau diélectrique de base, et de préférence S ≥ 10:1. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau diélectrique de base est à base de SiC. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel, avant la modification anisotrope par implantation d’ions à base d’hydrogène, le matériau diélectrique de base est à base de SiCO et, à l’issue de la modification anisotrope par implantation d’ions à base d’hydrogène, le premier matériau diélectrique modifié est à base de SiOxHy, et, à l’issue du recuit, le deuxième matériau diélectrique modifié est à base de SiOx, x et y étant des entiers naturels non nuls. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le recuit est effectué à une température supérieure ou égale à 150°C ou à une température supérieure ou égale à 600°C. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le recuit est effectué pendant une durée t comprise entre 1min ≤ t ≤ 10 min. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel le retrait des deuxièmes portions basales modifiées (32b) se fait par gravure humide à base d’une solution comprenant de l’acide fluorhydrique (HF). Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la modification anisotrope est effectuée par plasma à couplage inductif à partir d’une espèce hydrogénée, de préférence prise parmi le dihydrogène (H2), le bromure d’hydrogène (HBr) et l’ammoniac (NH3). Procédé selon la revendication précédente dans lequel le plasma est formé en utilisant au moins une espèce X favorisant la dissociation de l’espèce hydrogénée pour former lesdits ions à base d’hydrogène, ladite au moins une espèce X étant prise parmi l’argon, l’azote, le xénon, l’hélium. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel les ions à base d’hydrogène sont implantés avec une énergie d’implantation supérieure à 150 eV et/ou inférieure à 300 eV. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel à l’issue de la modification anisotrope par implantation, le matériau semi-conducteur de la couche active (13) présente une concentration en hydrogène [H]a1, le recuit étant effectué de sorte qu’à l’issue du recuit la concentration en hydrogène [H]a2 est nulle ou inférieure à 0.05 * [H]a1, et de préférence inférieure à 0.02 * [H]a1. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la modification anisotrope par implantation est effectuée dans un réacteur de gravure.