FR 3120984 A1 20220923 FR 2110161 A 20210927 Conformément à un mode de réalisation, un procédé de gravure comprend la formation d'une première couche 90 sur un substrat 10 ayant une surface principale comprenant des première et deuxième régions adjacentes l'une à l'autre, la première couche comprenant une portion recouvrant la première région et ayant une pluralité d'ouvertures ou une ou plusieurs ouvertures définissant une pluralité de portions en forme d'îlot, et la première couche comprenant en outre une portion sous la forme d'une couche continue recouvrant la deuxième région, la formation d'une couche de catalyseur 80 sur une ou plusieurs portions de la surface principale exposée dans les ouvertures par un placage, la formation d'une deuxième couche 95 pour recouvrir une portion de la couche de catalyseur 80 adjacente à une frontière entre les première et deuxième régions et exposer une portion de la couche de catalyseur 80 éloignée de la frontière, et la gravure du substrat 10 en présence de la couche de catalyseur 80 et de la deuxième couche 95. Figure 1 Procédé de gravure Domaine Les modes de réalisation décrits ici concernent d'une façon générale un procédé de gravure. Arrière-plan La gravure chimique assistée par un métal (MacEtch) est un procédé de gravure d'une surface de semi-conducteur utilisant un métal noble en tant que catalyseur. Conformément à la MacEtch, par exemple, un évidement ayant un rapport d'aspect élevé peut être formé sur un substrat semi-conducteur. La est une vue de dessus montrant un exemple d'un condensateur qui peut être fabriqué par un procédé conformément à des premier et deuxième modes de réalisation ; La est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne II-II du condensateur représenté sur la ; La est une vue en coupe transversale montrant une étape d'un procédé de fabrication de condensateur conformément au premier mode de réalisation ; La est une vue en coupe transversale montrant une autre étape du procédé de fabrication de condensateur conformément au premier mode de réalisation ; La est une vue de dessus montrant une structure obtenue par l'étape de la ; La est une vue en coupe transversale montrant encore une autre étape du procédé de fabrication de condensateur conformément au premier mode de réalisation ; La est une vue en coupe transversale montrant encore une autre étape du procédé de fabrication de condensateur conformément au premier mode de réalisation ; La est une vue de dessus montrant une structure obtenue par l'étape de la ; La est une vue en coupe transversale montrant encore une autre étape du procédé de fabrication de condensateur conformément au premier mode de réalisation ; La est une vue en coupe transversale montrant encore une autre étape du procédé de fabrication de condensateur conformément au premier mode de réalisation ; La est une vue en coupe transversale montrant une structure obtenue par les étapes des Figures 9 et 10 ; La est une micrographie électronique montrant un exemple d'une structure obtenue quand une deuxième couche est omise ; La est une micrographie électronique montrant un exemple d'une structure obtenue quand une deuxième couche est présente ; La est une vue en coupe transversale montrant une étape d'un procédé de fabrication de condensateur conformément à un deuxième mode de réalisation ; La est une vue de dessus montrant une structure obtenue par l'étape de la ; La est une vue en coupe transversale montrant une autre étape du procédé de fabrication de condensateur conformément au deuxième mode de réalisation ; La est une vue en coupe transversale montrant encore une autre étape du procédé de fabrication de condensateur conformément au deuxième mode de réalisation ; et La est une vue en coupe transversale montrant un exemple modifié du procédé de fabrication de condensateur conformément au deuxième mode de réalisation. Procédé de gravure comprenant : la formation d'une première couche (90) sur un substrat (CS), le substrat contenant un matériau semi-conducteur et ayant une surface principale (S1), la surface principale (S1) comprenant une première région (A1)et une deuxième région (A2) adjacentes l'une à l'autre, la première couche (90) recouvrant la première région (A1) et la deuxième région (A2), une portion de la première couche recouvrant la première région étant dotée d'une pluralité d'ouvertures ou d'une ou plusieurs ouvertures définissant une pluralité de portions en forme d'îlot, et une portion de la première couche recouvrant la deuxième région étant une couche continue ; la formation d'une couche de catalyseur (80) contenant un métal noble sur une ou plusieurs portions de la surface principale exposée dans la pluralité d'ouvertures ou la ou les ouvertures par un procédé de placage ; la formation d'une deuxième couche (96) pour recouvrir une portion de la couche de catalyseur (80) adjacente à une frontière entre la première région (A1) et la deuxième région (A2) et exposer une portion de la couche de catalyseur éloignée de la frontière ; et la gravure du substrat avec un agent de gravure contenant un oxydant et du fluorure d'hydrogène en présence de la couche de catalyseur et de la deuxième couche (96). Procédé de gravure selon la revendication 1, dans lequel la première couche (90) est dotée, en tant que pluralité d'ouvertures (90S), d'une pluralité de fentes disposées dans la direction de la largeur. Procédé de gravure selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le substrat est gravé en présence de la première couche (90) en plus de la couche de catalyseur (80) et de la deuxième couche (96). Procédé de gravure selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième couche (96) est formée de façon que la largeur d'une portion de celle-ci située sur la première région (A1) soit située dans la plage allant de 20 µm à 100 µm. Procédé de gravure comprenant : la formation d'une couche de masque (98) sur un substrat, le substrat contenant un matériau semi-conducteur et ayant une surface principale, la surface principale comprenant une première région (A1) et une deuxième région (A2) adjacentes l'une à l'autre, la couche de masque comprenant une première portion (98a) et une deuxième portion (98b), la première portion recouvrant la première région et étant dotée d'une pluralité d'ouvertures ou d'une ou plusieurs ouvertures définissant une pluralité de portions en forme d'îlot, la deuxième portion étant une couche continue recouvrant la deuxième région, et la hauteur (H2A) de la deuxième portion au niveau d'une position adjacente à une frontière entre la première région et la deuxième région par rapport à la surface principale étant supérieure à la hauteur (H1) de la première portion par rapport à la surface principale (S1) ; la formation d'une couche de catalyseur (80) contenant un métal noble sur une ou plusieurs portions de la surface principale exposée dans la pluralité d'ouvertures ou la ou les ouvertures par un procédé de placage ; et la gravure du substrat avec un agent de gravure contenant un oxydant et du fluorure d'hydrogène en présence de la couche de catalyseur (80) et de la couche de masque (98). Procédé de gravure selon la revendication 5, dans lequel la couche de masque (98) est dotée, en tant que pluralité d'ouvertures, d'une pluralité de fentes (90S) disposées dans la direction de la largeur. Procédé de gravure selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la formation de la couche de masque comprend : la formation d'une première couche (90) sur le substrat, la première couche (90) recouvrant la première région (A1) et la deuxième région (A2), une portion de la première couche recouvrant la première région étant dotée de la pluralité d'ouvertures ou d'une ou plusieurs ouvertures qui définissent la pluralité de portions en forme d'îlot, et une portion de la première couche recouvrant la deuxième région étant une couche continue ; la formation d'une deuxième couche de façon que la portion de la première couche recouvrant la première région soit exposée et que la deuxième couche recouvre la deuxième région de la première couche au moins au niveau d'une position adjacente à la frontière. Procédé de gravure selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel le rapport de la hauteur de la deuxième portion au niveau de la position adjacente à la frontière par rapport à la surface principale à la hauteur de la première portion par rapport à la surface principale est situé dans la plage allant de 2 à 5. Procédé de gravure selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel le rapport : de la hauteur de la deuxième portion par rapport à la première portion à la distance dans une direction parallèle à la surface principale depuis : une portion la plus élevée de la deuxième portion par rapport à la surface principale à la pluralité d'ouvertures ou de la ou des ouvertures est de préférence situé dans la plage allant de 1 à 4. Procédé de gravure selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel une couche particulaire formée de particules contenant le métal noble est formée en tant que couche de catalyseur. Procédé pour fabriquer un corps structurel, comprenant la formation d'un ou plusieurs évidements sur le substrat par le procédé de gravure selon l'une quelconque des revendications 5 à 10. Procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur, comprenant : la formation d'un ou plusieurs évidements sur le substrat par le procédé de gravure selon l'une quelconque des revendications 5 à 10 ; la formation d'une électrode inférieure sur des parois latérales du ou des évidements ; la formation d'une couche diélectrique sur l'électrode inférieure ; et la formation d'une électrode supérieure sur la couche diélectrique.