FR 3126545 A1 20230303 FR 2109100 A 20210831 Capteur d’image avec circuit de commande La présente description concerne un capteur d’image (2) comprenant une matrice (100) de pixels (10) dans et sur un substrat (40a) ; un circuit de commande (20) configuré pour appliquer au substrat (40a) : pendant une première phase (R), un potentiel (Vpixsub2) de masse (GND) ; et pendant une deuxième phase (I), un potentiel (Vpixsub1) positif par rapport au potentiel de masse. Figure pour l'abrégé : Fig. 2B Capteur d’image avec circuit de commande La présente description concerne de façon générale les capteurs et, plus particulièrement, les capteurs d’images. Les capteurs et notamment les capteurs d’image sont de plus en plus répandus et équipent de nombreux dispositifs électroniques tels que des téléphones portables (smartphones). Des circuits de pixels de capteurs d’image comprennent, notamment dans le cas des capteurs d'image à obturation globale, une ou plusieurs grilles de transfert permettant le transfert des tensions ou charges entre des sites de stockage dans les pixels. Afin d’éviter d’importants courants de fuite lors de ce transfert, il est souvent souhaitable de piloter les grilles avec des tensions commutant entre des niveaux positifs et négatifs. L’inconvénient d’un tel pilotage est qu’il nécessite la génération d’une puissance élevée par le circuit d’alimentation fournissant ces tensions, en particulier pour des fréquences de commutation importantes. Il en résulte une consommation importante. Il existe un besoin d’amélioration des capteurs d'image connus. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des capteurs d'image connus, en particulier des capteurs d'image de type à temps de vol indirect et/ou à obturation globale. Un mode de réalisation prévoit un capteur d’image comprenant : une matrice de pixels dans et sur un substrat ; un circuit de commande configuré pour appliquer au substrat : pendant une première phase, un potentiel de masse ; et pendant une deuxième phase, un potentiel positif par rapport au potentiel de masse. Un mode de réalisation prévoit un procédé de commande d’un tel capteur d’image, le capteur d’image comprenant : une matrice de pixels dans et sur un substrat ; un circuit de commande ; procédé dans lequel le circuit de commande est configuré pour appliquer au substrat : pendant une première phase, un potentiel de masse ; et pendant une deuxième phase, un potentiel positif par rapport au potentiel de masse. Selon un mode de réalisation, chaque pixel comprend : une première zone adaptée à générer des charges à partir d’une excitation lumineuse, et au moins deux ensembles comprenant chacun : une deuxième zone adaptée à stocker les charges provenant de la première zone ; et une première grille de transfert adaptée à contrôler un transfert de charges entre la première zone et la deuxième zone. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est configuré pour permettre, pour chaque première grille de transfert de chaque ensemble de chaque pixel : une mise à l'état passant de la première grille de transfert en lui appliquant un troisième potentiel, et une mise à l'état bloqué de la première grille de transfert en lui appliquant un quatrième potentiel inférieur au troisième potentiel. Selon un mode de réalisation, le premier potentiel est déterminé de sorte que la première grille de transfert soit bloquée lorsque le premier potentiel est appliqué au substrat et que le quatrième potentiel est appliqué à la première grille de transfert, le quatrième potentiel étant égal ou inférieur au potentiel du substrat. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est configuré pour abaisser, entre la deuxième phase et la première phase, le quatrième potentiel. Selon un mode de réalisation, chaque pixel comporte un deuxième circuit reliant les ensembles de mémoire à au moins une ligne conductrice, le deuxième circuit comprenant une deuxième grille de transfert, pilotée par le circuit de commande et adaptée à permettre un transfert des charges stockées au niveau des deuxièmes zones vers un nœud de détection; le circuit de commande étant configuré pour abaisser, entre la deuxième phase et la première phase, un cinquième potentiel appliqué à la deuxième grille de transfert, de la valeur du premier potentiel. Selon un mode de réalisation, le deuxième circuit comprend : un premier transistor dont le drain est relié au premier nœud de détection ; un deuxième transistor dont une grille de commande est reliée au premier nœud ; un troisième transistor connecté entre la ligne conductrice à une source du deuxième transistor, et le circuit de commande est configuré pour abaisser, de la valeur du premier potentiel, entre la deuxième phase et la première phase : un sixième potentiel appliqué à la deuxième grille de transfert; et un septième et un huitième potentiels de commande du premier transistor. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande comprend : un quatrième transistor de type PMOS adapté à être commandé indépendamment d’un cinquième transistor de type NMOS, le drain du quatrième transistor étant relié au drain du cinquième transistor au niveau d’un deuxième nœud, la source du quatrième transistor étant en outre reliée à un rail de tension d’alimentation ; la source du cinquième transistor étant en outre reliée à la masse ; un premier interrupteur connecté entre le deuxième nœud et un quatrième nœud ; un deuxième interrupteur connecté entre la masse et le quatrième nœud ; une deuxième capacité connectée entre un troisième nœud et le quatrième nœud, une source de tension adaptée à fournir le premier potentiel, la source étant connectée entre la masse et un troisième interrupteur ; le troisième interrupteur étant connecté entre la source de tension et le troisième nœud (N3); un quatrième interrupteur connecté entre la masse et le troisième nœud (N3) ; et la première grille de transfert est reliée au deuxième nœud. Selon un mode de réalisation, entre la deuxième phase et la première phase, le quatrième transistor et le cinquième transistor sont pilotés de sorte que le quatrième transistor soit dans un état bloqué et que le cinquième transistor soit dans un état passant ; puis le quatrième transistor et le cinquième transistor sont pilotés indépendamment de sorte à être dans un état bloqué ; puis le troisième interrupteur est mis dans un état non passant ; puis le deuxième interrupteur est mis dans un état non passant ; puis les premier et quatrième interrupteurs sont mis dans un état passant. Selon un mode de réalisation, la première phase et la deuxième phase sont alternées dans le temps, et entre la première phase et la deuxième phase, les premier et quatrième interrupteurs sont mis dans un état non passant ; puis le deuxième interrupteur est mis dans un état passant ; puis le troisième interrupteur est mis dans un état passant ; puis le quatrième transistor et le cinquième transistor sont pilotés pour être conducteurs de manière alternée. Selon un mode de réalisation, la deuxième phase correspond à une phase de transfert et de stockage de charges générées par la première zone de chaque pixel dans au moins une desdites deuxièmes zones dudit pixel ; et la première phase correspond à une phase de lecture d’un état représentatif des charges stockées au niveau des zones mémoires. Selon un mode de réalisation, le capteur d’image est de type à temps de vol indirect. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la illustre, de manière schématique, un capteur d’image selon un mode de réalisation de la présente description ; la est un chronogramme représentant un exemple des signaux de pilotage dans le capteur d’image de la ; la est un chronogramme représentant les signaux de pilotage dans le capteur d’image de la selon un mode de réalisation de la présente description ; la est une vue en coupe du capteur d'image de la selon un mode de réalisation de la présente description ; la est une vue en coupe du capteur d'image de la selon un autre mode de réalisation de la présente description ; la représente de manière schématique un exemple de pixel dans un capteur d'image selon un mode de réalisation de la présente description ; la représente de manière schématique, un circuit de commande du capteur d'image des figures 1 et 4 selon un mode de réalisation de la présente description ; et la est un chronogramme représentant un exemple des signaux dans le circuit de commande de la . Capteur d’image (2) comprenant : une matrice (100) de pixels (10) dans et sur un substrat (40a) ; un circuit de commande (20) configuré pour appliquer au substrat (40a) : pendant une première phase (R), un potentiel (Vpixsub2) de masse (GND) ; et pendant une deuxième phase (I), un potentiel (Vpixsub1) positif par rapport au potentiel de masse. Procédé de commande d’un capteur d’image, le capteur d’image (2) comprenant : une matrice (100) de pixels (10) dans et sur un substrat (40a) ; un circuit de commande (20) ; procédé dans lequel le circuit de commande (20) est configuré pour appliquer au substrat (40a) : pendant une première phase (R), un potentiel (Vpixsub2) de masse (GND) ; et pendant une deuxième phase (I), un potentiel (Vpixsub1) positif par rapport au potentiel de masse (GND). Capteur d’image selon la revendication 1, dans lequel chaque pixel (10) comprend : une première zone (PD) adaptée à générer des charges à partir d’une excitation lumineuse, et au moins deux ensembles (E1, E2) comprenant chacun : une deuxième zone (mem1, mem2) adaptée à stocker les charges provenant de la première zone (PD) ; et une première grille de transfert (TGmem1, TGmem2) adaptée à contrôler un transfert de charges entre la première zone (PD) et la deuxième zone (mem1, mem2). Capteur d’image selon la revendication 3, dans lequel le circuit de commande (20) est configuré pour permettre, pour chaque première grille de transfert (TGmem1, TGmem2) de chaque ensemble (E1, E2) de chaque pixel (10) : une mise à l'état passant de la première grille de transfert (TGmem1, TGmem2) en lui appliquant un troisième potentiel (VTGmemHI1, VTGmemHI2), et une mise à l'état bloqué de la première grille de transfert (TGmem1, TGmem2) en lui appliquant un quatrième potentiel (VTGmemLO1, VTGmemLO2) inférieur au troisième potentiel (VTGmemHI1, VTGmemHI2). Capteur d’image selon la revendication 4, dans lequel le premier potentiel (Vpixsub1) est déterminé de sorte que la première grille de transfert (TGmem1, TGmem2) soit bloquée lorsque le premier potentiel (Vpixsub1) est appliqué au substrat (40a) et que le quatrième potentiel (VTGmemLO1, VTGmemLO2) est appliqué à la première grille de transfert (TGmem1, TGmem2), le quatrième potentiel étant égal ou inférieur au potentiel du substrat (40a). Capteur d’image selon la revendication 5, dans lequel le circuit de commande (20) est configuré pour abaisser, entre la deuxième phase (I) et la première phase (R), le quatrième potentiel (VTGmemLO1, VTGmemLO2). Capteur d’image selon l’une quelconque des revendications 3 à 6, dans lequel chaque pixel (10) comporte un deuxième circuit (30) reliant les ensembles de mémoire (E1, E2) à au moins une ligne conductrice (Vx), le deuxième circuit (30) comprenant une deuxième grille de transfert (TGread1, TGread2), pilotée par le circuit de commande (20) et adaptée à permettre un transfert des charges stockées au niveau des deuxièmes zones (mem1, mem2) vers un nœud de détection (SN); dans lequel le circuit de commande (20) est configuré pour abaisser, entre la deuxième phase (I) et la première phase (R), un cinquième potentiel (VTGReadLO1, VTGReadLO2) appliqué à la deuxième grille de transfert (TGread1, TGread2), de la valeur du premier potentiel (Vpixsub1). Capteur d’image selon la revendication 7, dans lequel le deuxième circuit (30) comprend : un premier transistor (RST) dont le drain est relié au premier nœud de détection (SN) ; un deuxième transistor (SF) dont une grille de commande est reliée au premier nœud (SN) ; un troisième transistor (TRS) connecté entre la ligne conductrice (Vx) à une source du deuxième transistor (SF), et dans lequel le circuit de commande (20) est configuré pour abaisser, de la valeur du premier potentiel (Vpixsub1), entre la deuxième phase (I) et la première phase (R) : un sixième potentiel (VTGReadHI1, VTGReadHI2) appliqué à la deuxième grille de transfert (TGRead1, TGread2); et un septième et un huitième potentiels (RSTHI, RSTLO) de commande du premier transistor (RST). Capteur d’image selon l’une quelconque des revendications 3 à 8, dans lequel le circuit de commande (20) comprend : un quatrième transistor (T4) de type PMOS adapté à être commandé indépendamment d’un cinquième transistor (T5) de type NMOS, le drain du quatrième transistor (T4) étant relié au drain du cinquième transistor (T5) au niveau d’un deuxième nœud (N2), la source du quatrième transistor (T4) étant en outre reliée à un rail de tension d’alimentation (VDD) ; la source du cinquième transistor (T5) étant en outre reliée à la masse (GND) ; un premier interrupteur (K1) connecté entre le deuxième nœud (N2) et un quatrième nœud (N4) ; un deuxième interrupteur (K3) connecté entre la masse (GND) et le quatrième nœud (N4) ; une deuxième capacité (C1) connectée entre un troisième nœud (N3) et le quatrième nœud (N4), une source de tension (21) adaptée à fournir le premier potentiel (Vpixsub1), la source (21) étant connectée entre la masse et un troisième interrupteur (K4) ; le troisième interrupteur (K4) étant connecté entre la source de tension (21) et le troisième nœud (N3); un quatrième interrupteur (K2) connecté entre la masse (GND) et le troisième nœud (N3) ; et dans lequel la première grille de transfert (TGmem1, TGmem2) est reliée au deuxième nœud (N2). Capteur d’image selon la revendication 9, dans lequel, entre la deuxième phase (I) et la première phase (R), le quatrième transistor (T4) et le cinquième transistor (T5) sont pilotés de sorte que le quatrième transistor (T4) soit dans un état bloqué et que le cinquième transistor (T5) soit dans un état passant ; puis le quatrième transistor (T4) et le cinquième transistor (T5) sont pilotés indépendamment de sorte à être dans un état bloqué ; puis le troisième interrupteur (K4) est mis dans un état non passant ; puis le deuxième interrupteur (K3) est mis dans un état non passant ; puis les premier et quatrième interrupteurs (K1, K2) sont mis dans un état passant. Capteur d’image selon la revendication 10, dans lequel la première phase (I) et la deuxième phase (R) sont alternées dans le temps, et dans lequel, entre la première phase (R) et la deuxième phase (I), les premier et quatrième interrupteurs (K1, K2) sont mis dans un état non passant; puis le deuxième interrupteur (K3) est mis dans un état passant ; puis le troisième interrupteur (K4) est mis dans un état passant ; puis le quatrième transistor (T4) et le cinquième transistor (T5) sont pilotés pour être conducteurs de manière alternée. Capteur d’image selon l’une quelconque des revendications 3 à 11, dans lequel la deuxième phase (I) correspond à une phase de transfert et de stockage de charges générées par la première zone (PD) de chaque pixel (10) dans au moins une desdites deuxièmes zones (mem1, mem2) dudit pixel (10) ; et dans lequel la première phase (R) correspond à une phase de lecture d’un état représentatif des charges stockées au niveau des zones mémoires (mem1, mem2). Capteur d’image selon l’une quelconque des revendications 1, 3 à 12, dans lequel le capteur d’image est de type à temps de vol indirect.