FR 3113772 A1 20220304 FR 2008660 A 20200825 L’invention porte sur un procédé de transfert d’une couche semiconductrice (2) d’un substrat donneur (1) comprenant un plan de fragilisation (F) vers un substrat receveur (3) comprenant une face de collage (4) qui présente des cavités ouvertes (C). Ce procédé comprend la réalisation, par mise en contact du substrat donneur et de la face de collage du substrat receveur, d’un assemblage dans lequel lesdites cavités sont enterrées et la séparation de l’assemblage par fracture le long du plan de fragilisation. La face de collage du substrat receveur comporte en dehors des cavités ouvertes une surface de collage qui vient en contact avec le substrat donneur lors de la réalisation de l’assemblage. Ladite surface de collage comprenant une région dépourvue de cavités (5, 6) en bordure de la face de collage du substrat receveur et un espace inter-cavités qui occupe de 15 à 50 % de la face de collage du substrat receveur. Figure pour l’abrégé : Figure 1 Procédé de transfert d’une couche mince sur un substrat receveur comportant des cavités et une région dépourvue de cavités en bordure d’une face de collage Le domaine de l’invention est celui de la conception de substrats contenant des cavités enterrées. L’invention concerne plus particulièrement le transfert d’une couche mince pour la suspendre sur des cavités initialement ouvertes et ainsi sceller ces cavités. La fabrication de cavités enterrées passe par la suspension d’une couche mince (de quelques nanomètres à quelques microns d’épaisseur) sur des cavités de tailles et géométries variables, de quelques microns pour des applications de type résonateur microélectromécanique à quelques centaines de microns pour des applications de type assemblage ( packaging ) microélectronique. Le procédé le plus courant pour réaliser cette suspension est celui de l’amincissement d’un substrat de silicium ou encore d’un silicium sur isolant (SOI). D’autres procédés font appel à des technologies de collage, perçage d’un substrat et attaque chimique du substrat pour usiner les cavités. Ces techniques, bien que maitrisées, sont problématiques en termes de coût (consommation complète d’un substrat Si ou pire d’un substrat SOI), de temps (procédé d’amincissement long) et d’épaisseur de couche mince. La technologie Smart Cut™ est une technique largement développée depuis environ deux décennies pour permettre le transfert de couches minces de matériaux semi-conducteurs. Selon cette technique, des espèces ioniques telles que de l’hydrogène et/ou de l’hélium sont implantées dans un substrat donneur afin d’y former un plan de fragilisation. Le substrat donneur est par la suite mis en contact avec un substrat support, par exemple par collage direct. Cette technique fait ensuite appel au développement des défauts générés au niveau du plan de fragilisation. Ce développement implique un apport énergétique, généralement réalisé au moyen d’un traitement thermique de quelques centaines de degrés, 500°C typiquement, pendant quelques dizaines de minutes. Cela conduit à la formation d’une couche confinée de microfissures au sein de laquelle va s’initier et se propager une fracture. Cette fracture sépare le substrat donneur le long du plan de fragilisation et une couche mince du substrat donneur est ainsi transférée sur le substrat support. Lors du recuit de fracture du procédé Smart Cut™, l’espèce introduite au préalable par implantation ionique pour former le plan de fragilisation réagit et forme des défauts à une certaine profondeur dans le substrat donneur. Ces défauts sont pressurisés et de deux types dépendant de l’application ou non d’un effet raidisseur. En présence d’un effet raidisseur, apporté par un substrat collé au substrat donneur ou par un dépôt épais sur celui-ci, les défauts se développent sous la forme de microfissures qui se propagent préférentiellement latéralement et peuvent atteindre des tailles de quelques centaines de microns. En l’absence d’un effet raidisseur en revanche, la surface du substrat étant laissée libre, les défauts se développent sous la forme de cloques qui se propagent horizontalement et verticalement, leur croissance étant bornée par le phénomène d’exfoliation correspondant à leur décapsulation. La publication de C-H Yun et N.W.Cheung, « Fabrication of Silicon and Oxide Membranes Over Cavities Using Ion-Cut Layer Transfer”, Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 9, no. 4, december 2000, montre qu’une membrane d’épaisseur donnée ne peut être transférée avec succès que sur des cavités dont la taille est inférieure à une taille limite. Cela est lié au fait que, dans la cavité, il n’y a pas d’effet raidisseur. Une cloque peut donc se développer en entraînant une déformation de la membrane, laquelle peut se briser (exfoliation) ce qui conduit à l’échec local du transfert. La taille maximale des cloques, et donc la taille des exfoliations, est ainsi critique dans le procédé de transfert sur cavités car ce mode de croissance est présent dans les cavités lors du recuit de fracture. Ainsi, s’il y a une exfoliation avant le passage de la fracture, la cavité sera systématiquement percée. Par ailleurs, la Demanderesse a pu observer qu’à conditions d’implantation, de collage et de traitement thermique identiques, une fracturation et donc le transfert d’un film peuvent être obtenus avec un substrat receveur présentant une importante surface de collage avec le substrat donneur alors qu’aucune fracture ne peut être obtenue, y compris en augmentant le temps de traitement thermique, dans le cas où le substrat receveur est entièrement couvert de cavités et n’offre donc pour le collage avec le substrat donneur que l’espace inter-cavités présent entre les cavités et la région périphérique d’exclusion connue sous le nom de wafer edge exclusion . L’invention a pour objectif de proposer une technique de scellement de cavités au moyen d’un report par Smart Cut™ d’une couche mince d’un substrat donneur sur un substrat receveur, le substrat receveur étant couvert de multiples cavités et présentant une surface de collage restreinte. A cet effet, l’invention porte sur un procédé de transfert d’une couche semiconductrice d’un substrat donneur comprenant un plan de fragilisation vers un substrat receveur comprenant une face de collage qui présente des cavités ouvertes. Le procédé comprend la réalisation, par mise en contact du substrat donneur et de la face de collage du substrat receveur, d’un assemblage dans lequel lesdites cavités sont enterrées et la séparation de l’assemblage par fracture le long du plan de fragilisation. La face de collage du substrat receveur comporte en dehors des cavités ouvertes une surface de collage qui vient en contact avec le substrat donneur lors de la réalisation de l’assemblage. Cette surface de collage comprend une région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage du substrat receveur et un espace inter-cavités qui occupe de 15 à 50 % de la face de collage du substrat receveur. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants : - une dimension de ladite région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage du substrat receveur est d’au moins 100 µm ; - ladite région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage du substrat receveur présente une surface d’au moins 1 mm² ; - ladite région dépourvue de cavités prend la forme d’une portion d’anneau en bordure de la face de collage du substrat receveur ; - l’espace inter-cavités occupe de 20 à 40% de la face de collage du substrat receveur ; - une dimension caractéristique des cavités est inférieure ou égale à un rayon moyen d’exfoliation déterminé par analyse statistique d’observations microscopiques d’arrachements localisés de la surface du substrat donneur soumis à un traitement thermique de fracturation ; - la dimension caractéristique des cavités est inférieure ou égale à un rayon minimum d’exfoliation déterminé par ladite analyse statistique ; - une distance de séparation entre cavités contiguës est telle que la somme de la dimension caractéristique des cavités et de ladite distance de séparation est inférieure à 100 µm ; - ladite distance de séparation est supérieure à 1 µm ; - le substrat receveur présente un bord chanfreiné et la région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage débouche sur ledit bord chanfreiné ; - le substrat receveur est dépourvu de bord chanfreiné et dans lequel la région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage est présente le long du bord du substrat receveur. L’invention porte également sur un substrat apte à permettre la mise en œuvre du procédé, notamment un substrat comprenant une face de collage présentant des cavités ouvertes, destiné à servir de substrat receveur dans un procédé de transfert d’une couche semiconductrice d’un substrat donneur présentant un plan de fragilisation vers le substrat receveur, ledit procédé comprenant la réalisation, par mise en contact du substrat donneur et de la face de collage du substrat receveur, d’un assemblage dans lequel lesdites cavités sont enterrées et la séparation de l’assemblage par fracture le long du plan de fragilisation. La face de collage présente en dehors des cavités ouvertes une surface de collage qui vient en contact avec le substrat donneur lors de la réalisation de l’assemblage, ladite surface de collage comprenant une région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage du substrat receveur et un espace inter-cavités qui occupe de 15 à 50 % de la face du substrat receveur. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : est un schéma illustrant les différentes étapes d’un procédé selon l’invention ; est un schéma d’un substrat receveur conforme à l’invention ; est un schéma d’un autre substrat receveur conforme à l’invention ; illustre une observation microscopique d’arrachements localisés de la surface du substrat donneur soumis à un traitement thermique de fracturation sans effet raidisseur ; représente un rayon d’exfoliation en fonction de la profondeur d’implantation tel que déterminé au moyen d’une observation microscopique du type de celle de la figure 4. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DES MODES DE RÉALISATION En référence à la figure 1, l'invention porte un substrat receveur destiné à être utilisé dans un procédé de transfert d’une couche semiconductrice 2 d’un substrat donneur 1 vers un substrat receveur 3. Une face 4 du substrat receveur 3, dite face de collage, comporte une pluralité de cavités ouvertes C, par exemple issues de gravure, qui peuvent potentiellement présenter des tailles et/ou des géométries différentes. Les cavités peuvent par exemple être de géométrie carrée, rectangulaire, circulaire ou triangulaire. Le transfert de la couche semiconductrice 2 sur la face de collage 4 du substrat receveur vise à sceller tout ou partie de ces cavités. De sorte que l’invention trouve application à la fabrication de tout type de dispositif s’appuyant sur l’utilisation d’une membrane suspendue, comme par exemple les transducteurs ultrasoniques micro-usinés de type capacitif (cMUT pour « capacitive Micromachined Ultrasonic Transducers »). L’invention porte également sur un procédé de transfert exploitant un tel substrat receveur, la couche semiconductrice 2 pouvant être une couche de silicium, de phosphure d’indium, de germanium, de tantalate de lithium ou d’arséniure de gallium Le procédé selon l’invention comprend une étape (A) de formation d'un plan de fragilisation F dans l'épaisseur du substrat donneur 1 au moyen d'une implantation d'espèces ioniques, par exemple de l’hydrogène et/ou de l'hélium. Ce plan de fragilisation F délimite une portion superficielle du substrat donneur qui va former la couche mince à transférer 2 d'une partie massive du substrat donneur. Le substrat donneur 1 peut être recouvert d’une couche préalablement déposée sur celui-ci, par exemple une couche diélectrique ou une couche contrainte. Le substrat donneur 1 peut également comprendre une structure multicouche, par exemple une structure multicouche multi-matériaux (par exemple un dépôt d’oxyde ou de nitrure de silicium, des dépôts métalliques fins ou d’autre dépôts fonctionnels). Ces dépôts peuvent être réalisés avant l’implantation ionique (tout en restant compatibles avec celle-ci) ou après l’implantation ionique (dans ce cas, ils ne doivent pas faire appel à des budgets thermiques pouvant entrainer la maturation des défauts au niveau de la zone implantée ; ils sont ainsi typiquement réalisés à une température inférieure à 400°C, préférentiellement inférieure ou égale à 350°C). Le procédé comprend une étape (B) de fourniture du substrat receveur 3 dont la représentation sur la figure 1 est purement illustrative. Le procédé comprend ensuite une étape de réalisation (C), par mise en contact du substrat donneur 1 et de la face de collage 4 du substrat receveur 3, d’un assemblage dans lequel tout ou partie des cavités sont enterrées. La mise en contact des substrats 1,3 est ainsi réalisée de telle manière que la couche mince 2 vienne sceller tout ou partie des cavités. Le procédé comprend ensuite une étape de séparation de l’assemblage (D) par fracture le long du plan de fragilisation F. Cette séparation est obtenue au moyen d’un apport énergétique, généralement réalisé au moyen d’un traitement thermique. Cette séparation conduit au transfert de la couche mince 2 du substrat donneur 1 vers le substrat receveur 3. Dans le cadre de ses recherches sur l’application de la technologie Smart Cut™ au scellement de cavités micrométriques, la Demanderesse a pu constater que la maturation des défauts à proximité des cavités est ralentie voire inhibée. Elle a également pu observer, selon les conditions d’implantation et la taille des cavités, la formation de cloques dans les cavités pouvant venir jusqu’à remplir complètement les cavités. Ces différents types de défauts sont illustrés sur la figure 1 où D1 représente une région au niveau de laquelle des microfissures se développent de manière conventionnelle, où D2 représente une région au niveau de laquelle des cloques se développent dans les cavités et où D3 représente une région au niveau de laquelle la croissance des microfissures est ralentie voire inhibée du fait de la proximité des cavités. L’idée à la base de la présente invention est de disposer d’un substrat receveur, certes majoritairement doté de cavités, mais qui présente une surface suffisante pour assurer la génération et la croissance de microfissures du type D1 et initier ainsi la fracture à une position choisie. Pour ce faire, selon l’invention, en dehors des cavités ouvertes la face de collage 4 du substrat receveur comporte (de préférence consiste en) une surface de collage qui vient en contact avec le substrat donneur lors de l’étape (B) de réalisation de l’assemblage, ladite surface de collage comprenant (de préférence consistant en) au moins une région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage du substrat receveur et un espace inter-cavités (correspondant à l’ensemble des surfaces horizontales des murets séparant les cavités et excluant la région dépourvue de cavités en bordure) qui occupe de 15 à 50 % de la face du substrat receveur. Le substrat receveur est ainsi principalement couvert de cavités, la surface de collage permettant néanmoins d’assurer l’apparition et la croissance de microfissures et d’initier la fracture à une position choisie, en l’occurrence au niveau de la bordure de la face de collage. Les figures 2 et 3 représentent des exemples de réalisation de substrats receveurs conformes à l’invention. Le bord de plaque chanfreiné du substrat receveur de la figure 2 a fait l’objet d’un détourage tandis que le bord de plaque chanfreiné 7 du substrat receveur de la figure 3 n’a pas fait l’objet d’un détourage. Dans un cas comme dans l’autre, le substrat receveur comprend une région dépourvue de cavités 5, 6 en bordure de la face de collage du substrat receveur. Cette région est en ainsi présente le long du bord du substrat sur la figure 2 tandis qu’elle débouche sur le bord chanfreiné du substrat sur la figure 3, lequel bord chanfreiné ne fait pas partie de la face de collage du substrat receveur mise en contact avec le substrat donneur à l’étape (C). Ainsi, dans l’invention, par bordure de la face de collage on entend la région périphérique extérieure de la face de collage (i.e. son pourtour) qui vient en contact avec le substrat donneur lors de l’étape (C). Le reste de la face de collage de chacun des substrats receveurs des figures 2 et 3 est occupé par des cavités qui sont ici de dimensions et d’espacement essentiellement constants. L’initiation de la fracture étant un évènement statistique essentiellement aléatoire, plus la surface de la région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage du substrat receveur est importante et plus le déclenchement de la fracture a une probabilité de survenir. On prévoit ainsi de préférence que cette région de bordure région dépourvue de cavités présente une surface d’au moins 1 mm², de préférence d’au moins 3 mm², encore de préférence d’au moins 5 mm², par exemple de 6 mm². La région dépourvue de cavités en bordure de la face de collage présente de préférence des dimensions dont la plus petite est supérieure ou égale à 100 µm. Comme représenté sur les figures 2 et 3, la région 5, 6 dépourvue de cavités en bordure de la face de collage du substrat receveur peut prendre la forme d’une portion d’anneau. Lorsque cette région prend la forme d’une portion d’anneau, c’est par exemple sa dimension radiale (i.e. son épaisseur) qui en forme la dimension le plus petite et qui est ainsi de préférence supérieure ou égale à 100 µm. La dimension circonférentielle de la portion d’anneau (i.e. sa longueur annulaire) est quant à elle de préférence d’au plus un quart du périmètre du substrat receveur. Prenant l’exemple de cavités carrées de côté a séparées les unes des autres d’une distance b (largeur de la surface horizontale des murets rectilignes séparant les cavités), l’espace inter-cavités occupe globalement (i.e. sans prendre en compte la région périphérique d’exclusion du substrat receveur ni la région de bordure dépourvue de cavités) un pourcentage de la surface de la face de collage correspondant au ratio . Pour assurer un collage efficace tout en laissant la fracture s’initier préférablement au niveau de la région de bordure dépourvue de cavité, ce ratio est de préférence compris entre 15 et 50%, encore plus de préférence entre 20 et 40%. Pour éviter la rupture de la couche mince 2 lors de la maturation des défauts ou au passage de la fracture, les cavités présentent préférentiellement un dimensionnement adapté aux dimensions d’exfoliation du substrat donneur. Le rayon d’exfoliation R exfo peut être défini selon l’équation suivante , avec υ le coefficient de Poisson, E le module d’Young, k B la constante de Boltzman, T la température (K), α la fraction de dose efficace (%), Dose la dose implantée (at/cm²), σ crit la constante limite de cisaillement et e l’épaisseur de la couche mince. Ce rayon dépend donc de la dose implantée, de la température de traitement thermique et de l’épaisseur (donc de l’énergie d’implantation) mais également de grandeurs difficilement quantifiables comme la contrainte limite de cisaillement σ crit . Il est par conséquent préférable de déterminer cette dimension expérimentalement en soumettant un substrat donneur implanté à un traitement thermique de type fracturation (par exemple 1h à 500°C dans le cas d’un substrat donneur en silicium). En l’absence d’un effet raidisseur, ce recuit entraine la formation de cloques (« blisters ») et d’arrachements localisés (exfoliations). Comme représenté sur la figure 4, des observations en microscopie optique de la surface du substrat donneur permettent d’observer ces cloques BLI et ces exfoliations EXFO, ces dernières étant aisément repérables par la présence d’un liseré sombre sur leur contour. Une analyse d’image permet de mesurer la surface de ces exfoliations EXFO. Les surfaces ainsi mesurées sont converties en rayon (considérant les défauts comme circulaires). Les dimensions ainsi extraites, en nombre suffisant pour permettre une analyse statistique (i.e. typiquement une population de plusieurs dizaines d’exfoliations), permettent alors de définir leur taille minimum (R min exfo ), moyenne (R avg exfo ) et maximum (R max exfo ). La figure 5 illustre à cet égard le rayon R exfo des exfoliations observées selon ce protocole expérimental pour des substrats de silicium implantés à une dose fixe, en fonction de l’énergie d’implantation ici traduite en profondeur d’implantation PI. On prévoit de préférence qu’une dimension caractéristique des cavités est égale au rayon moyen, avantageusement inférieure à celui-ci et plus avantageusement encore égale ou inférieure à un rayon miminum d’exfoliation R min exfo déterminé par analyse statistique d’observations microscopiques d’arrachements localisés de la surface du substrat donneur soumis à un traitement thermique de fracturation. Par exemple si ce rayon minimum est de 15 µm, les cavités peuvent avantageusement prendre la forme de carrés de 15x15 µm², des cercles de diamètre 15 µm ou des lignes de 15 µm de largeur. L’espace inter-cavités est quant à lui dimensionné de préférence de telle manière que la distance de séparation entre cavités contiguës soit telle que la somme de ladite dimension caractéristique et de ladite distance de séparation est inférieure à 100 µm, voire inférieure à 80 µm, voire encore inférieure à 50 µm. A l’inverse, cette distance de séparation est de préférence choisie suffisamment grande, typiquement supérieure à 1 µm, par exemple de l’ordre de 7 µm, pour permettre un collage efficace entre les deux substrats, en fonction de la méthode de collage envisagée. Procédé de transfert d’une couche semiconductrice (2) d’un substrat donneur (1) comprenant un plan de fragilisation (F) vers un substrat receveur (3) comprenant une face de collage (4) qui présente des cavités ouvertes (C), comprenant la réalisation, par mise en contact du substrat donneur et de la face de collage du substrat receveur, d’un assemblage dans lequel lesdites cavités sont enterrées et la séparation de l’assemblage par fracture le long du plan de fragilisation, caractérisé en ce que la face de collage du substrat receveur comporte en dehors des cavités ouvertes une surface de collage qui vient en contact avec le substrat donneur lors de la réalisation de l’assemblage, ladite surface de collage comprenant une région dépourvue de cavités (5, 6) en bordure de la face de collage du substrat receveur et un espace inter-cavités qui occupe de 15 à 50 % de la face de collage du substrat receveur. Procédé selon la revendication 1, dans lequel une dimension de ladite région dépourvue de cavités (5, 6) en bordure de la face de collage du substrat receveur est d’au moins 100 µm. Procédé selon la revendication 2, dans lequel ladite région dépourvue de cavités (5, 6) en bordure de la face de collage du substrat receveur présente une surface d’au moins 1 mm². Procédé selon l’une des revendications 2 et 3, dans lequel ladite région dépourvue de cavités (5, 6) prend la forme d’une portion d’anneau en bordure de la face de collage du substrat receveur. Procédé selon l’une des revendications 1 à 4, dans lequel l’espace inter-cavités occupe de 20 à 40% de la face de collage du substrat receveur. Procédé selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel une dimension caractéristique des cavités est inférieure ou égale à un rayon moyen d’exfoliation déterminé par analyse statistique d’observations microscopiques d’arrachements localisés de la surface du substrat donneur soumis à un traitement thermique de fracturation. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la dimension caractéristique des cavités est inférieure ou égale à un rayon minimum d’exfoliation déterminé par ladite analyse statistique. Procédé selon l’une des revendications 6 et 7, dans lequel une distance de séparation entre cavités contiguës est telle que la somme de la dimension caractéristique des cavités et de ladite distance de séparation est inférieure à 100 µm. Procédé selon la revendication 8, dans lequel ladite distance de séparation est supérieure à 1 µm. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat receveur présente un bord chanfreiné et dans lequel la région dépourvue de cavités (5, 6) en bordure de la face de collage débouche sur ledit bord chanfreiné. Procédé selon l’une des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat receveur est dépourvu de bord chanfreiné et dans lequel la région dépourvue de cavités (5, 6) en bordure de la face de collage est présente le long du bord du substrat receveur. Substrat (3) comprenant une face de collage (4) présentant des cavités ouvertes (C), destiné à servir de substrat receveur dans un procédé de transfert d’une couche semiconductrice (2) d’un substrat donneur (1) présentant un plan de fragilisation (F) vers le substrat receveur, ledit procédé comprenant la réalisation, par mise en contact du substrat donneur et de la face de collage du substrat receveur, d’un assemblage dans lequel lesdites cavités sont enterrées et la séparation de l’assemblage par fracture le long du plan de fragilisation, caractérisé en ce que la face de collage présente en dehors des cavités ouvertes une surface de collage qui vient en contact avec le substrat donneur lors de la réalisation de l’assemblage, ladite surface de collage comprenant une région dépourvue de cavités (5, 6) en bordure de la face de collage du substrat receveur et un espace inter-cavités qui occupe de 15 à 50 % de la face du substrat receveur.