FR 3114251 A1 20220325 FR 2009597 A 20200922 Dispositif de fabrication (10) d’une couche cristalline de conversion à partir d’une solution de croissance, comprenant une première paroi (11) et un substrat (14) définissant entre eux une cavité de croissance cristalline (13) ; un dispositif d’entrée/sortie (12) de la solution contrôlant, dans le temps, au moins l’alimentation ou l’extraction de la solution de croissance vers et depuis la cavité de croissance cristalline (13) ; un dispositif de mise en température (15) créant un profil de température (15b) dans la cavité de croissance cristalline (13), le substrat (14) ou la première paroi (11) ; le profil de température (15b) contrôlant une formation libre de la couche cristalline de conversion sur une épaisseur supérieure à 1 micromètre, selon une direction principalement transversale à ladite face de formation (14a) ; l’ensemble de l’épaisseur de la couche cristalline de conversion étant obtenue par la formation libre de la couche cristalline de conversion. Figure 3 Dispositif et procédé de fabrication d’une couche cristalline de conversion à partir d’une solution La présente invention concerne un dispositif de fabrication d’une couche cristalline de conversion par voie liquide. L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’une couche cristalline de conversion mettant en œuvre un tel dispositif. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Dans le domaine des détecteurs de rayonnement X, gamma ou encore de particules chargées ou non chargées, notamment dans le domaine de l’imagerie médicale ou nucléaire, il est important de détecter le plus précisément la quantité de rayonnement émise, reçue ou transmise, comme typiquement celle reçue par le patient ou celle traversant le patient. Il est ainsi nécessaire de disposer d’une couche cristalline épaisse, c’est-à-dire supérieure à 1 micromètre, de cristal de conversion pour absorber le maximum de rayonnement. Suivant les applications visées, il est également nécessaire que la couche cristalline de conversion présente une surface de plusieurs millimètres carrés à plusieurs dizaines de centimètres carrés. Dans ce contexte, il est connu de réaliser des dépôts sous forme liquide, par exemple par centrifugation à la tournette ou bien par des méthodes appelées en anglais « slot-die » ou encore « doctor blade ». Mais si ces méthodes sont adaptées pour obtenir des couches minces ayant des épaisseurs inférieures au micromètre, elles ne permettent pas d’obtenir des couches épaisses présentant des épaisseurs supérieures à plusieurs dizaines de micromètres. Une solution connue pour obtenir une couche cristalline de conversion épaisse consiste à utiliser une solution sursaturée entre deux plaques d’un réacteur afin d’obtenir la croissance contrainte de cristal entre ces deux plaques pour obtenir une couche cristalline de conversion. Cette technique est appelée en anglais « space-limited inverse temperature crystallization ». En outre, un problème de cette solution est que la température et la répartition de la solution sursaturée ne sont pas maîtrisées précisément, cela entraînant une croissance incluant des défauts structuraux. De plus, dans ce cas, l’épaisseur de la couche est fixée par la distance entre les plaques. Ce manque de contrôle est d’autant plus limitant que cette approche favorise la croissance dans le plan de la couche à produire. Ainsi, l’obtention de couches de grande surface nécessite des croissances sur des dizaines de centimètres carrés ce qui, sans contrôle de la répartition et de la température de la solution est incompatible avec l’élaboration de couches de la qualité nécessaire à la détection des rayonnements ionisants. La présente invention a pour but de répondre à tout ou partie des problèmes présentés ci-avant. Notamment, un but est de fournir une solution répondant à tout ou partie des objectifs suivants : - obtenir une couche épaisse, de qualité satisfaisante, de cristaux de conversion directement dans un dispositif optoélectronique ; - obtenir une répartition de solution et de température contrôlées ; - obtenir une couche épaisse, de qualité satisfaisante, de cristaux de conversion sur une grande surface de préférence supérieure à quelques centimètres carrés et encore plus de préférence supérieure à une dizaine de centimètres carrés. Ce but peut être atteint grâce à un dispositif de fabrication permettant de fabriquer une couche cristalline de conversion à partir d’une solution de croissance de couche cristalline de conversion, le dispositif de fabrication comprenant : - une première paroi et un substrat définissant entre eux une cavité de croissance cristalline ; - au moins un dispositif d’entrée/sortie de la solution de croissance contrôlant, dans le temps, au moins une fonction choisie dans le groupe comprenant l’alimentation et l’extraction de la solution de croissance respectivement vers et depuis la cavité de croissance cristalline ; - un dispositif de mise en température créant un profil de température dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la cavité de croissance cristalline, le substrat et la première paroi ; le profil de température contrôlant une formation libre de la couche cristalline de conversion sur une épaisseur supérieure à 1 micromètre, depuis tout ou partie d’une face de formation du substrat tournée vers l’intérieur de la cavité de croissance cristalline, selon une direction principalement transversale à ladite face de formation ; l’ensemble de l’épaisseur de la couche cristalline de conversion étant obtenue par la formation libre de la couche cristalline de conversion. Certains aspects préférés mais non limitatifs sont les suivants. Dans une mise en œuvre du dispositif, la première paroi est fixée de façon étanche au substrat de sorte que la solution de croissance, introduite dans la cavité de croissance cristalline par ledit au moins un dispositif d’entrée/sortie, est extraite de la cavité de croissance cristalline uniquement par au moins un élément choisi dans le groupe comprenant ledit au moins un dispositif d’entrée/sortie et une évacuation par un écoulement spontané agencée dans la première paroi ou dans une portion du substrat située au niveau de la cavité de croissance . Dans une mise en œuvre du dispositif, le dispositif de mise en température comprend des éléments permettant de modifier le profil de température dans le temps. Dans une mise en œuvre du dispositif, le dispositif de mise en température comprend des éléments permettant de configurer le profil de température dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la cavité de croissance cristalline, le substrat et la première paroi. Dans une mise en œuvre du dispositif, le profil de température créé par le dispositif de mise en température comprend au moins une température inférieure à une température du substrat. Dans une mise en œuvre du dispositif, le profil de température créé par le dispositif de mise en température comprend au moins une température supérieure à une température du substrat. Dans une mise en œuvre du dispositif, tout ou partie du dispositif de mise en température est agencé dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la première paroi, le dispositif d’entrée/sortie de précurseur liquide du cristal de conversion et une deuxième paroi formée au niveau d’une face extérieure du substrat opposée à la face de formation. Dans une mise en œuvre du dispositif, le dispositif de mise en température comprend une pluralité de zones de contrôle, chaque zone de contrôle ayant une température de zone modifiable par le dispositif de mise en température, de façon indépendante d’une zone de contrôle à une autre zone de contrôle. Dans une mise en œuvre, le dispositif de fabrication comprend une pluralité de dispositifs d’entrée/sortie de la solution de croissance de cristal de conversion distincts agencés de part et d’autre du substrat, parallèlement à la face de formation. Dans une mise en œuvre du dispositif, au moins un dispositif d’entrée/sortie de précurseur liquide de cristal de conversion est agencé en regard de la face de formation. Dans une mise en œuvre du dispositif, tout ou partie de la face de formation comprend une couche de germination du cristal de conversion. Dans une mise en œuvre du dispositif, au moins une partie du substrat est formée d’au moins un pixel ; et la couche de germination comprend une pluralité de grains cristallins percolant ou non percolant ; et, au niveau dudit au moins un pixel, la couche de germination comporte au moins un grain cristallin de la pluralité de grains cristallins. Dans une mise en œuvre du dispositif, la couche de germination propose une orientation cristallographique principale selon un axe {n00} n étant un entier compris entre 1 et 4 inclus. Dans une mise en œuvre du dispositif, la couche de germination propose une orientation cristallographique principale selon un axe du groupe comprenant un axe {110} et un axe {111}. Dans une mise en œuvre du dispositif, le profil de température créé par le dispositif de mise en température est configuré pour obtenir la formation de la couche cristalline de conversion uniquement sur une partie limitée de la face de formation du substrat sans contact avec la première paroi, la partie restante de la face de formation restant dépourvue de cristal de conversion. Dans une mise en œuvre du dispositif, au moins un dispositif d’entrée/sortie de solution de croissance traverse au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la première paroi et le substrat. Dans une mise en œuvre du dispositif, la couche cristalline de conversion à former est une pérovskite d’un type du groupe comprenant ABX 3 , A’ 2 C 1+ D 3+ X 6 , A 4+ X 6 ou A 2 3+ X 9 ; A, A’, C, D et B étant des cations et X étant un anion d’halogène. Dans une mise en œuvre du dispositif, la couche cristalline de conversion à former est une pérovskite hybride organique-inorganique de formule respectant la neutralité électronique A ) 1-(y2+…+yn) A ( y2 …A (n) yn B ) 1-(z2+…+zm) B ( z2 …B (m) zm X ) 3-(x2+…+xp) X ( x2 …X (p) xp où A (n) et B (m) correspondent à des cations et X (n) correspond à un anion d’halogène. Dans une mise en œuvre du dispositif, l’épaisseur de la couche cristalline de conversion à fabriquer est supérieure ou égale à 100 micromètres. L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’une couche cristalline de conversion à partir d’une solution de croissance de couche cristalline de conversion sur un substrat, le procédé étant mis en œuvre dans un tel dispositif de fabrication, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) contrôle, dépendant du temps, d’au moins une fonction choisie dans le groupe comprenant l’alimentation et l’extraction de la solution de croissance par un dispositif d’entrée/sortie de solution de croissance du dispositif de fabrication vers et depuis une cavité de croissance cristalline définie entre une première paroi du dispositif de fabrication et le substrat ; b) création d’un profil de température par un dispositif de mise en température dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la cavité de croissance cristalline, le substrat, et la première paroi ; c) configuration du profil de température pour contrôler une formation libre de la couche cristalline de conversion suivant une épaisseur supérieure à 1 micromètre, depuis tout ou partie d’une face de formation du substrat tournée vers l’intérieur de la cavité de croissance cristalline, selon une direction principalement transversale à ladite face de formation, l’ensemble de l’épaisseur de la couche cristalline de conversion étant obtenue par la formation libre de la couche cristalline de conversion. Dans une mise en œuvre du procédé, à l’étape c), la configuration du profil de température est modifiée dans le temps. Dans une mise en œuvre du procédé, à l’étape c), le profil de température est formé dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la cavité de croissance cristalline, le substrat et la première paroi. Dans une mise en œuvre du procédé, à l’étape c), le profil de température est configuré pour obtenir la formation de la couche cristalline de conversion uniquement sur une partie limitée de la face de formation du substrat sans contact avec la première paroi, la partie restante de la face de formation étant dépourvue de cristal de conversion. Dans une mise en œuvre du procédé, à l’étape a), plusieurs solutions de croissance de nature différente sont alimentées dans la cavité de croissance cristalline par le dispositif d’entrée/sortie de façon séquentielle. Dans une mise en œuvre du procédé, le dispositif de fabrication comprend une pluralité de dispositifs d’entrée/sortie et dans lequel, à l’étape a), plusieurs solutions de croissance de nature différente sont alimentées, dans la cavité de croissance cristalline, chacune par un des dispositifs d’entrée/sortie différent, en même temps ou de façon séquentielle. D’autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de modes de réalisation préférés de celle-ci, donnée à titre d’exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : La figure 1 illustre une vue en coupe d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel un dispositif d’entrée/sortie est agencé dans la première paroi et dans lequel la première paroi est fixée de façon étanche au substrat par un joint. La figure 2 illustre une vue en coupe d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel un dispositif d’entrée/sortie est agencé dans la première paroi en regard de la face de formation et deux dispositifs d’entrée/sortie sont disposés de part et d’autre du substrat parallèlement à la face de formation. La figure 3 illustre une vue en coupe d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel deux dispositifs d’entrée/sortie sont disposés de part et d’autre du substrat parallèlement à la face de formation et dans lequel une couche cristalline de conversion est en cours de formation. La figure 4 illustre une vue en coupe d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel le dispositif de mise en température est agencé selon une surface inférieure à celle du substrat. La figure 5 illustre une vue en coupe d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel le dispositif de mise en température comprend plusieurs zones de contrôle. La figure 6 illustre une vue en coupe d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel la face de formation comprend en tout ou partie une couche de germination de la couche cristalline de conversion. La figure 7 illustre une vue transversale d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel un profil de température est mis en évidence entre la première paroi et le substrat. La figure 8 illustre une vue en coupe d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel un profil de température est mis en évidence entre la première paroi et le substrat. La figure 9 illustre une vue en perspective d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel deux dispositifs d’entrée/sortie sont disposés de part et d’autre du substrat parallèlement à la face de formation. La figure 10 illustre une vue en perspective d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel quatre dispositifs d’entrée/sortie sont disposés de part et d’autre du substrat parallèlement à la face de formation. La figure 11 illustre une vue en perspective d’un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention dans lequel quatre dispositifs d’entrée/sortie sont disposés de part et d’autre du substrat parallèlement à la face de formation et dans lequel deux dispositifs d’entrée/sortie sont agencés en regard de la face de formation et à travers la première paroi. La figure 12 illustre un ordinogramme d’un exemple de procédé de fabrication selon un autre aspect de l’invention. La figure 13 illustre un exemple de dispositif de fabrication selon l’invention où le précurseur liquide circule dans un accumulateur puis dans un système de pompage avant d’être filtré et injecté dans la cavité de croissance cristalline, le retentât retenu par la filtration étant reversé dans l’accumulateur. La figure 14 illustre, en vue de dessus, un exemple de substrat comprenant une pluralité de pixels recouverts en partie d’une couche de germination avec des grains cristallins percolant. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS Sur les figures 1 à 14 annexées et dans la suite de la description, des éléments identiques ou similaires en terme fonctionnel sont repérés par les même références. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures pour en faciliter la compréhension. Par ailleurs, les différents modes ou exemples et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent, au contraire, être combinés entre eux. L’invention porte en premier lieu sur un dispositif de fabrication 10 permettant de fabriquer une couche cristalline de conversion par voie liquide. Les domaines d’application visés sont en particulier la fabrication de détecteurs de rayons X ou gamma pour la radiographie médicale, le contrôle non destructif, la sécurité, le nucléaire, et la détection dans les grands instruments scientifiques d’astronomie et de physique des particules. Toutefois ces domaines ne sont pas limitatifs. Par exemple, la fabrication de scintillateurs pour la conversion des photons X ou gamma en photons visibles peut être envisagée. Tout comme la fabrication de détecteurs dans d’autres longueurs d’onde du rayonnement électromagnétique comme par exemple les photons visibles de longueur d’onde comprise entre 400 et 800 nanomètres ou proche-infrarouge de longueur d’onde supérieure à 800 nanomètres. Par couche cristalline de conversion, il convient de comprendre qu’un ou plusieurs cristaux produisent par exemple une réponse électrique lorsque des photons ou des particules chargées ou non-chargées les traversent. Les cristaux composant la couche de conversion peuvent également, suivant l’application et leur nature physique, être choisis pour leur capacité à absorber des rayonnements énergétiques comme des rayons X, gamma ou des particules chargées ou non, et les convertir en un autre rayonnement plus facilement mesurable. Les termes « couche cristalline » représentent une couche monocristalline ou polycristalline. Une couche monocristalline est ainsi constituée d’un seul grain avec une seule orientation cristalline. Une couche polycristalline est constituée d’un assemblage de grains d’orientations cristallines différentes. Par les termes « à partir d’une solution de croissance », qui sont équivalents aux termes « par voie liquide », il convient de comprendre que la couche cristalline de conversion est obtenue à partir d’un ou plusieurs éléments précurseurs dissouts (appelé soluté) dans un ou plusieurs solvants, le tout étant sous forme liquide et appelé solution de croissance de la couche cristalline de conversion dans la suite du texte. En faisant varier des paramètres comme la température de la solution de croissance, il est alors possible de favoriser la croissance de la couche cristalline de conversion. Dans le texte, les termes « solution de croissance » et « précurseur liquide » sont équivalents. Le principe, pour qu’il y ait formation de la couche cristalline de conversion sous forme solide, est que le précurseur dissout soit configuré pour être en état de sursaturation, cet état pouvant être induit par une température donnée. Ainsi, la concentration en soluté (qui est le précurseur de la couche cristalline de conversion dissout dans la solution) doit être légèrement supérieure, de l’ordre de quelques pourcents, par exemple 5%, à la limite de solubilité dans le solvant formant ainsi la solution de croissance qui se trouve dans l’état sursaturé. Dans cet état, la formation de cristaux de conversions à partir de la solution de croissance est thermodynamiquement favorable. La configuration de la sursaturation du soluté dans la solution de croissance a pour paramètres la température, la concentration en soluté du cristal de conversion, la nature du solvant, l’utilisation d’un non-solvant ou la pression. Les conditions permettant la croissance sont connues de l’homme de l’art. Dans le cas de l’utilisation de la température comme force motrice, il est possible d’obtenir la cristallisation par augmentation de température dans le cas d’une solubilité rétrograde. Dans ce cas, la solubilité diminue lorsque la température augmente. Dans le cas d’une solubilité directe, la cristallisation est obtenue par diminution de la température. Ainsi en configurant précisément les profils de température dans le dispositif de fabrication, il est possible de choisir où et quand la cristallisation de la couche cristalline de conversion peut avoir lieu. Il peut être avantageux à l’inverse, de maintenir provisoirement le soluté dans un état de sous-saturation, où la concentration en soluté de cristal de conversion est légèrement inférieure, de l’ordre de 1%, à la limite de solubilité du soluté de de cristal de conversion dans le solvant. Cet état permet de dissoudre partiellement les cristaux de conversions de la couche cristalline qui se seraient déjà formés ou une éventuelle couche de germination 17. Cette dissolution partielle permet d’éliminer préférentiellement certains défauts structuraux. Ainsi, une surface cristalline avec moins de défauts et de contraintes est avantageusement obtenue avant de réaliser une phase de croissance ultérieure où le soluté (précurseur de la couche cristalline de conversion) est dans un état de sursaturation. La couche cristalline de conversion à fabriquer peut être une pérovskite hybride alliant une partie organique et une partie inorganique comme CH 3 NH 3 PbBr 3 . Il peut également s’agir d’une pérovskite tout inorganique comme CsPbBr3. Elle a avantageusement une formule chimique générale ABX3, y compris des compositions mixtes telles que A ( 1) 1-(y2+…+yn) A (2) y2 …A (n) yn B (1) 1-(z2+…+zm) B (2) z2 …B (m) zm X (1) 3-(x2+…+xp) X (2) x2 …X (p) xp respectant la règle de neutralité électronique. A (n) correspondant à des cations organiques ou inorganiques, B (m) correspondant à des ions métalliques (exemple : Pb 2+ , Sn 2+ ) et X (p) correspondant à des anions halogènes (Cl - , Br - , I - ) de sorte que les rayons ioniques mis en jeu sur chaque site A, B et X conduisent à la formation de structures d’octaèdres joints par des sommets. Les indices n, m, et p étant des entiers. Les indices x, y et z étant les différents pourcentages molaires. Quelques exemples de compositions sont donnés ci-après: MAPbI 3 , MAPbCl 3 , MAPbI 3-x Br x , MAPbBr 3-x Cl x , MA y GA 1-y PbI 3 , FAPbBr 3 , CsPbBr 3 , Cs 2 AgBiBr 6 , CsFAPbI 3 , Cs y FA 1-y PbI 3-x Br x , Cs 1-y-z MA y FA z PbI 3-x Br x . MA correspondant au methylammonium [CH 3 NH 3 ] + , FA correspondant au formamidinium [HC(NH 2 ) 2 ] + et GA correspondant au guanidinium [C(NH 2 ) 3 ] + . D’autres structures de pérovskites sont également possibles comme A’ 2 C 1+ D 3+ X 6 , A 2 B 4+ X 6 ou A 3 B 2 3+ X 9 avec A, A’, C, D et B des cations, B étant notamment un cation métallique, et X un anion d’halogène. A, A’, B, C, D, X pouvant être un élement simple ou un mélange d’au moins deux éléments. La couche cristalline de conversion à fabriquer dont la formule est explicitée ci-dessus peut également être dopée par des additifs ioniques ou non ioniques, organiques ou non organiques. Le cristal de conversion à fabriquer peut également être formée selon d’autres compositions s’apparentant à des pérovskites comme selon les termes anglais : vacancy-ordered double perovskite, 2D layered perovskite, perovskite-like materials, defect perovskites, elpasolites, double perovskite. Enfin, d’autres types de matériaux peuvent composer la couche cristalline de conversion comme les matériaux de types Ruddlesden−Popper, Dion-Jacobson, Chalcogenures ou encore Rudorffites. Le solvant utilisé peut être un mélange de solvant. Le solvant est de préférence de type polaire et aprotique. Il peut être par exemple du N,N diméthylformamide, du Diméthyl sulfoxide, de la gamma-Butyrolactone, de l’acétonitrile, de la N-methyl-2-pyrrolidone, etc… Comme illustré sur les figures 1 à 6, le dispositif de fabrication 10 comprend une première paroi 11 et un substrat 14 définissant entre eux une cavité de croissance cristalline 13. La cavité de croissance cristalline 13 est alimentée en solution de croissance. Cette solution de croissance est introduite et évacuée de la cavité de croissance cristalline 13. Le substrat 14 peut être une surface inerte servant uniquement de support ou bien être une surface fonctionnalisée d’un dispositif optoélectronique comme illustré sur la figure 14, une matrice de pixels actifs ou passifs de détecteurs contenant des transistors. Dans un exemple illustré sur les figures 1 à 6, la première paroi 11 est fixée de façon étanche au substrat 14 de sorte que la solution de croissance, contrôlée en alimentation dans la cavité de croissance cristalline 13 par un dispositif d’entrée/sortie 12, est extraite de la cavité de croissance cristalline 13 uniquement par le dispositif d’entrée/sortie 12 fonctionnant alors en contrôle d’extraction ou par une évacuation par écoulement spontané, par exemple sous la forme d’un orifice de débordement ou de siphonage, agencée dans la première paroi 11 ou par exemple sous la forme d’un siphon agencé dans une portion du substrat 14 située au niveau de la cavité de croissance 13 et prévu à cet effet. Par les termes « écoulement spontané » on entend écoulement libre et naturel, sans dispositif visant à modifier l’écoulement. Un avantage en découlant est un coût de mise en œuvre inférieur. En d’autres termes, il ne doit pas y avoir de fuites de solution non voulues entre la première paroi 11 de la cavité de croissance cristalline 13 et le substrat 14, c’est-à-dire à la jonction entre les deux. Par exemple, un joint peut être mis en place entre la première paroi 11 et le substrat 14. Ce joint est préférentiellement inerte chimiquement vis-à-vis du solvant utilisé pour dissoudre le précurseur liquide. Sa matière peut, par exemple être du TEFLON © ou encore du KALREZ © . Dans un autre exemple, il est possible de déposer un joint de colle comme de la silicone ou de souder la première paroi 11 sur le substrat 14 au moyen d’un thermoplastique chimiquement inerte à bas point de fusion comme du polypropylène pour faire la jonction. Dans ce cas, le joint doit être fabriqué puis détruit à chaque nouvelle croissance. Dans le cas où le joint doit être détruit, il peut être enlevé mécaniquement, chimiquement, thermiquement ou à l’aide de lumière. Dans un exemple, le joint est fixé sur la première paroi 11 mais pas sur le substrat 14. Cela permet de déplacer la première paroi 11 sur le substrat 14 entre chaque croissance. Dans un exemple non illustré, un système de maintien permet de maintenir mécaniquement en place au moins la première paroi 11 et le substrat 14 pour éviter les fuites entre la première paroi 11 et le substrat 14 en maintenant une pression au niveau de l’intersection entre la première paroi 11 et le substrat 14. Il peut s’agir d’une bride, d’un dispositif de vissage ou encore d’un poids par exemple. Dans l’invention, la croissance a lieu uniquement sur une face du substrat et dans la zone d’intérêt. Il y a absence de cristallisation en face arrière ou sur les bords du substrat, par exemple germination hétérogène sur les arêtes du substrat, comme cela pourrait être le cas de manière incontrôlée si le substrat était totalement immergé. La première paroi 11 peut être formée dans un matériau comme du verre, un fluoropolymère (PTFE®) ou du polypropylène. Comme illustré sur les figures 1 à 6 et 8 à 11, le dispositif de fabrication 10 comprend également au moins un dispositif d’entrée/sortie 12 de la solution de croissance qui contrôle dans le temps au moins une fonction parmi l’alimentation ou l’extraction de la solution de croissance, respectivement vers et depuis la cavité de croissance cristalline 13. Par entrée et sortie de la solution de croissance, il faut entendre que celle-ci est respectivement injectée ce qui équivaut au terme « alimentée », ou aspirée ce qui correspond au terme « extraite », vers et depuis la cavité de croissance cristalline par un dispositif d’entrée/sortie 12 réalisant les différentes fonctions séquentiellement ou par différents dispositifs d’entrée/sortie 12 réalisant chacun une seule des fonctions. De façon équivalente, le débit d’entrée et de sortie de solution de croissance peut être modifié pour ajuster l’apport en précurseur dissout, c’est à dire le soluté, au niveau du substrat, dans la cavité de croissance cristalline 13 et/ou au niveau de chacune des faces de la couche cristalline de conversion lors de sa formation. Un même dispositif d’entrée/sortie 12 peut réaliser les deux fonctions d’injection et d’aspiration séquentiellement. Dans un exemple, un seul dispositif d’entrée/sortie 12 est agencé dans la paroi de la cavité de croissance cristalline 13 pour injecter la solution de croissance et une évacuation libre de liquide, c’est-à-dire par un écoulement spontané non contrôlé, autrement dit toujours ouverte, agencée dans la première paroi 11 ou dans le substrat 14, est prévue pour évacuer la solution de la cavité de croissance cristalline 13. De préférence, plusieurs dispositifs d’entrée/sortie 12 sont formés à travers les parois de la cavité de croissance cristalline 13 et chacun n’effectue qu’une seule fonction d’injection ou d’extraction de liquide. Les buses injectrices et les buses d’évacuation ainsi formées sont réparties spatialement et peuvent être synchronisées temporellement de manière à favoriser la circulation de liquide dans la cavité de croissance cristalline 13. Dans le texte, les termes « buses » et « dispositif d’entrée/sortie » sont équivalents. La variation dans le temps consiste, par exemple, dans le changement de la fonction d’alimentation vers la fonction d’évacuation ou d’extraction de la solution de croissance au fur et à mesure de la croissance du cristal de conversion, ou encore dans le changement du débit de la solution de croissance, ou encore dans le changement de mode passant (injection, extraction ou évacuation) à l’état bloqué. De préférence, la variation dans le temps consiste à ouvrir et fermer des dispositif d’entrée/sortie 12 ne réalisant qu’une seule fonction parmi l’injection ou l’évacuation ou l’extraction, indépendamment et de manière spatiale, en fonction de la localisation de la buse, et temporellement (injection ou évacuation ou extraction), afin de brasser de manière adéquate le flux de liquide dans la cavité. L’avantage est de pouvoir adapter le flux et l’arrangement spatial du précurseur liquide en fonction de l’avancement de la croissance du cristal de conversion. En effet, cette croissance de la couche cristalline modifie l’écoulement de la solution de croissance au-dessus et autour de la couche cristalline de conversion en formation. Dans un exemple illustré sur les figures 2 à 6 et 8 à 11, une pluralité de dispositifs d’entrée/sortie 12 de la solution de croissance sont agencés de part et d’autre du substrat 14, parallèlement à la face de formation 14a. Les dispositifs d’entrée/sortie 12 peuvent être doublés ou triplés ou être constitués d’une multitude d’orifices à la manière d’une douche. Les dispositifs d’entrée/sortie de précurseur liquide 12 peuvent être localisés sur toutes les faces de la cavité 13 de réaction, et indépendamment de leur caractère injectant ou extrayant. Dans un autre exemple illustré sur les figures 2 et 11, au moins un dispositif d’entrée/sortie 12 de solution de croissance est agencé en regard de la face de formation 14a. Dans cet exemple également, les dispositifs d’entrée/sortie 12 peuvent être doublés ou triplés ou être constitués d’une multitude d’orifices à la manière d’une douche. Ceci permet d’homogénéiser la croissance. Il peut ainsi être envisagé d’injecter de la solution de croissance via des dispositifs d’entrée/sortie 12 agencés latéralement à travers la première paroi 11 de la cavité de croissance cristalline et évacuer la solution de croissance par un dispositif d’entrée/sortie 12 agencé en regard de la face de formation 14a. Ainsi, en fonction notamment de l’arrangement des dispositifs entrée/sortie 12 dans le dispositif de fabrication 10, du débit ou encore de la pression, la solution de croissance entre et sort de la cavité de croissance cristalline, de sorte que cette circulation maintienne préférentiellement une concentration homogène en précurseur dissout du cristal de conversion sur la totalité du front de croissance, c’est à dire à l’interface solution-surface de la couche cristalline de conversion en formation. Cela est particulièrement avantageux pour de larges surfaces supérieures à 20 cm 2 et permet d’obtenir des couches cristallines de conversion avec une distribution aussi homogène que possibles des joints de grains et une bonne homogénéité au niveau de l’épaisseur des grains. Il est possible de réaliser la croissance de la couche cristalline de conversion avec le précurseur liquide sous pression de manière d’une part à avoir un autre paramètre que la température susceptible de jouer sur la solubilité, et d’autre part de favoriser la circulation de la solution de croissance dans la cavité de croissance cristalline 13. Ainsi, cela permettrait d’éviter des problèmes éventuels d’alimentation en soluté (précurseurs) au niveau de l’interface couche cristalline-solution de croissance (front de croissance) qui peuvent générer des instabilités de croissance. La croissance de la couche cristalline de conversion peut être arrêtée ou diminuée par la variation de débit de la solution de croissance et/ou par un changement de température. Préférentiellement, le ou les dispositifs d’entrée/sortie 12 sont agencés et pilotés pour que le précurseur liquide puisse circuler sur le front de croissance qui est la surface de la couche cristalline épaisse de conversion parallèle au plan du substrat, du début à la fin de la croissance de la couche cristalline épaisse de conversion. Ainsi le précurseur liquide circule sur la surface de la couche cristalline de conversion sur une surface équivalente à la zone de détection visée. En effet, la croissance est réalisée avantageusement, de par l’objet de l’invention, in situ directement dans le dispositif de détection ou de conversion de rayonnement. Ceci est avantageux par rapport à des dispositifs qui contraindrait la croissance mécaniquement entre deux plaques. En effet, dans ces dispositifs, la solution ne peut pas circuler sur la surface de la couche cristalline de conversion recouvrant la zone de détection, mais peut seulement circuler au niveau des fronts latéraux de croissance de la couche cristalline. Le dispositif d’entrée/sortie 12 peut par exemple être constitué par des buses d’entrées et de sorties de solution positionnées de manière à garantir un flux de solution de croissance suffisant et homogène sur toute la surface de croissance de la couche cristalline de conversion. Un tel arrangement permet de minimiser les zones mortes, sans renouvellement de fluide contrairement à des systèmes conçus pour la croissance entre plaques par exemple. Il peut également être envisagé que plusieurs solutions de croissance ou solutés, c’est-à-dire les précurseurs dissouts, de nature différente puissent être introduits par des dispositifs d’entrée/sortie 12 différents en même temps ou de façon séquentielle, ou par un même dispositif d’entrée/sortie 12 de façon séquentielle. Autrement dit, il est possible que l’introduction, dans la cavité de croissance cristalline 13, de deux précurseurs liquides différents, c’est à dire des solutions de croissance de nature différente, puissent se faire l’une après l’autre sans purge entre les deux. Dans un autre exemple, il est possible d’injecter d’abord une première solution de croissance liquide seule, puis la première solution de croissance et une deuxième solution de croissance liquide de nature différente sont injectées en même temps par des dispositifs d’entrée/sortie 12 différents ou par un même dispositif d’entrée/sortie 12, puis la deuxième solution de croissance est injectée seule. Une première couche cristalline de conversion d’une première nature serait déposée jusqu’à une certaine épaisseur puis, la ligne d’alimentation de solution purgée par un gaz neutre par exemple. Ensuite, en changeant de nature de précurseur/solution de croissance, une deuxième couche cristalline de conversion d’une deuxième nature serait obtenue au-dessus. Cet exemple permettrait de déposer plusieurs composés l’un sur l’autre à condition que les paramètres de maille cristalline respectifs le permettent. Si la ligne est purgée avec un gaz neutre (Ar, N 2 ) entre chaque composition, la transition d’un cristal à l’autre ne serait pas polluée par un éventuel contact avec l’air ambiant. Dans le cas des pérovskites, il serait possible de déposer par exemple et dans un ordre à définir par l’homme du métier, des multicouches à base de MAPbI 3 , MAPbBr 3 , MAPbCl 3 ou tout autre composition de pérovskite comme des solutions solides. Cette configuration multicouche serait avantageuse pour modifier l’interface aux contacts d’éventuelles électrodes contenues sur le substrat 14 à l’endroit du substrat où la croissance est envisagée en modifiant localement aux interfaces les niveaux de bandes de valence et de conduction et ainsi les barrières énergétiques à l’injection des charges électriques. Cela permet également de passiver la surface de la couche épaisse de cristal de conversion obtenue en faisant cristalliser une structure pérovskite moins sensible à l’environnement comme par exemple une pérovskite du type Phenethylammonium ou Buthylammonium halogeno-plombate BA 2 PbX 4 . La couche en contact avec le substrat pourrait également avoir des propriétés mécaniques adaptées pour minimiser les contraintes mécaniques dues aux différences de dilatation liées à la température, entre le substrat 14 et une couche épaisse de pérovskite obtenue. Dans un exemple, la solution de croissance ne remplit pas complètement la cavité de croissance cristalline 13. La hauteur de la solution de croissance peut également être aménagée. Cela peut permettre de réguler voire arrêter la croissance de la couche cristalline de conversion si besoin. Dans un autre exemple, le dispositif d’entrée/sortie 12 permet également d’injecter un gaz, inerte (argon, azote) par exemple, dans la solution de croissance au niveau de la cavité de croissance cristalline 13 ou au préalable à l’alimentation de la solution de croissance dans la cavité de croissance cristalline 13. Cela permet de dégazer et de purger la ligne d’alimentation des dispositifs d’entrée/sortie 12 et d’un éventuel accumulateur 70 du dispositif de fabrication, le tout avec un gaz neutre avant de réaliser la croissance de la couche cristalline de conversion. Cela permet de contrôler les conditions telles que le taux d’humidité, d’oxygène ou encore d’ozone. Le dispositif de fabrication 10 comprend en outre un dispositif de mise en température 15 pour créer un profil de température 15b au moins dans la cavité de croissance cristalline 13 et/ou le substrat 14 et/ou la première paroi 11. Un exemple de profil de température 15b est représenté schématiquement sur les figures 7 et 8. Le profil de température 15b peut consister en un gradient de température agencé entre le substrat 14 et la première paroi 11 ou encore entre la couche cristalline de conversion en formation et la première paroi 11. Le profil de température peut être variable et ajusté dans le temps. Par exemple, il peut être adapté au fur et à mesure de l’évolution de la croissance la couche cristalline de conversion soit de façon prédéterminée soit par suivi continu d’épaisseur. Ainsi, la croissance peut être contrôlée en temps réel à l’aide d’un suivi caméra permettant de mesurer en continu l’épaisseur de la couche en train de croitre ou avec la méthode interférométrique de Fizeau. Dans cette configuration, une boucle de rétroaction sur les températures des zones locales peut être mises en place de manière à contrôler l’homogénéité de croissance sur toute la surface désirée et au cours du temps. Le profil de température 15b contrôle la formation libre la couche cristalline de conversion sur une épaisseur supérieure à 1 micromètre, depuis tout ou partie d’une face de formation 14a du substrat 14 tournée vers l’intérieur de la cavité de croissance cristalline 13, selon une direction préférentiellement transversale à ladite face de formation 14a. Dans un exemple avantageux, la température de croissance est inférieure à 80°C de manière à minimiser les dilatations thermiques différentiels entre le substrat et la couche épaisse du cristal de conversion. Dans le texte, une formation libre équivaut à une formation sans limitations ou contraintes physiques extérieures en vis-à-vis. La formation libre est par exemple distincte d’une formation de cristal obtenue entre deux plaques en vis-à-vis et distantes d’un espace faible dans lequel la croissance serait confinée et guidée parallèlement aux deux plaques. De telles limitations peuvent entrainer des contraintes mécaniques de par le confinement de la couche cristalline entre les deux plaques lors de variations de température ce qui est néfaste pour la qualité cristalline. Ainsi, une formation libre est différente d’une formation, d’un cristal ou d’un polycristal, contrainte mécaniquement entre deux parois et ne permettant qu’une direction de croissance ou certaines directions de croissance possibles. En d’autres termes, une formation libre est obtenue lorsque la couche cristalline de conversion croît à partir d’un substrat mais sans rencontrer de paroi, agencée en vis-à-vis du substrat, contraignant sa croissance au moins en épaisseur. Dans la présente invention, l’ensemble de l’épaisseur de la couche cristalline de conversion est obtenu par la formation libre de la couche cristalline de conversion. Ceci permet avantageusement d’obtenir une croissance de la couche cristalline transversalement au substrat et non parallèlement au substrat. Cet arrangement est également avantageux pour obtenir une couche cristalline in situ directement et transversalement à un ou des endroits donnés du substrat. Le terme « formation » est équivalent à une croissance, une homoépitaxie, une hétéroépitaxie ou encore une cristallisation conduisant à la formation d’une couche polycristalline. Dans un exemple illustré sur la figure 5, le dispositif de mise en température 15 permet de fixer de manière très précise ; 0,1°C et de préférence 0,01°C ; la température sous le substrat et/ou dans la première paroi et/ou dans les dispositifs d’entrée/sortie 12 ainsi qu’éventuellement dans les arrivées solutions de croissance auxquelles ils sont reliés. Comme illustré sur les figures 7 et 8, cet arrangement permet de réguler la température de la solution de croissance avant l’entrée dans la cavité de croissance cristalline 13 ainsi que de configurer la géométrie thermique de la zone de croissance. Il permet d’entretenir la croissance, au cours du temps, en paramétrant la température de la solution de croissance dans la cavité de croissance cristalline 13 par exemple en maintenant la température au-dessus de l'équilibre de saturation, dans le cas d'une solubilité rétrograde, ou une température inférieure à la température de saturation, dans le cas d'une solubilité directe. Ainsi, le profil de température 15b créé par le dispositif de mise en température 15 peut comprendre, dans le cas d’une solubilité directe, au moins une température inférieure à une température du substrat 14. Dans un exemple, il permet également d’établir, dans la cavité de croissance cristalline 13, un gradient de température normal au substrat. Le profil de température, générant un profil de sursaturation de la solution, peut également être modulé dans le temps et/ou dans l’espace pour s’adapter à l’avancée de la croissance de la couche cristalline de conversion. Ainsi, le profil de sursaturation peut être déplacé dans la cavité de croissance cristalline 13 au fur et à mesure que la couche cristalline de conversion croît. La modulation dans le temps du gradient de température permet d’entretenir la croissance normale au substrat, la durée de la croissance permet de fixer l’épaisseur de la couche cristalline. Cette épaisseur peut également être fixée par la position de la limite de saturation fixée dans la cavité par le gradient thermique. La couche cristalline de conversion, une fois formée a préférentiellement une épaisseur supérieure à 1 micromètres, de préférence supérieure à 100 micromètres et encore plus de préférence supérieure à 300 micromètres. Dans le cas des détecteurs de rayons X à conversion directe, l’épaisseur du cristal de conversion à fabriquer peut être définie de manière à absorber plus de 85% du rayonnement incident à l’énergie visée pour l’application. Par exemple, pour absorber les rayons X de manière équivalente à 600 micromètres de CsI (85% d’absorption des rayons X à RQA5 et 50% à RQA9), il convient de former une couche cristalline de conversion d’une épaisseur de 600 micromètres de CH 3 NH 3 PbI 3 ou de 1300 micromètres de CH 3 NH 3 PbBr 3 à RQA 5 (spectre de rayons X centré sur 50keV d’après la norme IEC62220-1), et une épaisseur de 450 micromètres de CH 3 NH 3 PbI 3 ou 800 micromètres de CH 3 NH 3 PbBr 3 à RQA9 (spectre de rayons X centré sur 70keV d’après la norme IEC62220-1). Le profil de température peut également être adapté, comme sur la figure 8, pour limiter la possibilité de croissance de la couche cristalline de conversion sur les côtés de la couche cristalline de conversion. Le profil de température peut être ainsi agencé de sorte que la solution ne soit en état de sursaturation que selon une direction transversale au substrat 14 mais pas sur les côtés de la couche cristalline de conversion. Cela est avantageux pour obtenir une couche cristalline de conversion épaisse de plusieurs micromètres, et préférentiellement de plusieurs centaines de micromètres, tout en maintenant la couche cristalline de conversion selon une empreinte prévue à un endroit précis du substrat 14. Ainsi, dans un exemple illustré sur la figure 3, le dispositif de mise en température 15 est configuré pour obtenir la formation de la couche cristalline de conversion uniquement sur une partie limitée de la face de formation 14a du substrat 14 sans contact avec la première paroi 11, la partie restante de la face de formation 14a restant dépourvue de cristal de conversion. Un rapport d’aspect allant jusqu’à 1 pour 1400 entre l’épaisseur du cristal de conversion et son étendue sur le substrat peut ainsi être avantageusement obtenu. Dans un exemple, la couche cristalline obtenue peut atteindre 300 microns d’épaisseur pour une dimension latérale de 40 centimètres. Il ne serait pas aisé d’obtenir un tel rapport d’aspect, avec une technique ne comprenant pas de moyens pour générer un profil de température permettant de guider la croissance de la couche cristalline de conversion selon une configuration particulière. Dans un exemple illustré sur la figure 5, tout ou partie du dispositif de mise en température 15 est agencé dans au moins la première paroi 11 et/ou le dispositif d’entrée/sortie 12 de précurseur liquide du cristal de conversion et/ou une deuxième paroi 16 formée au niveau d’une face extérieure du substrat 14 opposée à la face de formation 14a. Cet arrangement permet avantageusement d’ajuster précisément le profil de température dans le temps et dans l’espace. Ainsi, la solution de croissance peut être ajustée en température de façon différenciée entre son interface avec la couche cristalline en cours de formation et son interface avec la première paroi 11 pour favoriser la croissance uniquement au niveau de la couche cristalline de conversion. Il est également possible de configurer, et modifier dans le temps et l’espace, le profil de température pour privilégier la croissance la couche cristalline de conversion dans le sens de l’épaisseur. Le dispositif de mise en température 15 comprend, dans un exemple complémentaire, une pluralité de zones de contrôle 15a, chaque zone de contrôle 15a ayant une température de zone modifiable par le dispositif de mise en température 15, de façon indépendante d’une zone de contrôle 15a à une autre zone de contrôle 15a. Cet arrangement permet avantageusement d’ajuster précisément le profil de température dans le temps et dans l’espace. Ces zones de contrôle 15a peuvent être disposées selon toutes les directions de l’espace. Dans un exemple, le dispositif de mise en température 15 est équipé d’un module de type Peltier permettant d’obtenir des températures plus basses que celles du précurseur liquide ou de refroidir celui-ci. Lors de la cristallisation, la sursaturation de la solution de croissance peut être maintenue en faisant varier sa température au cours du temps. De manière avantageuse, la croissance/cristallisation de la couche peut se faire à température constante et à concentration constante. Dans ce cas, il est nécessaire de compenser la chute de concentration en soluté/précurseur liée à la croissance de la couche lors du passage dans la cavité de croissance. En effet, la concentration en précurseur dissout diminue car une partie cristallise à la surface de la couche. Ainsi, dans un exemple illustré sur la figure 13, la solution de croissance peut être obtenue par dissolution d’un corps nourricier, formé par exemple d’une pérovskite solide en excès, dans une chambre de réaction annexe à la cavité de croissance cristalline, qui peut être un accumulateur 70. Une différence de température constante doit alors être maintenue entre l’accumulateur 70 et la cavité de croissance cristalline 13. La solution de croissance est aspirée par un système de pompage 71 puis filtré 72 avant d’alimenter la cavité de croissance cristalline 13. Ensuite la solution de croissance retourne par circulation vers l’accumulateur 70 ou elle est à nouveau enrichie en précurseur/soluté et ainsi de suite en circuit fermé. Le retentât 73 (qui est retenu par le filtre) est réintroduit dans l’accumulateur 70. Cette configuration du dispositif de fabrication 10 permet d’obtenir que 100% du corps nourricier dissout dans l’accumulateur 70 soit déposé sur le substrat sous la forme de cristaux de conversion, ce qui implique un gain en coût de fabrication ainsi qu’un meilleur contrôle des premiers instants de la cristallisation de la couche cristalline de conversion. Le dispositif de fabrication étant en circuit fermé, il permet aisément de contrôler l’atmosphère par exemple les taux d’humidité, d’oxygène ou encore d’ozone. Il peut également être avantageux de monter ou abaisser la température du précurseur liquide avant son injection dans la cavité de réaction 13 afin d’accélérer la croissance par exemple. La croissance sur le substrat 14 peut être réalisée sans traitement spécifique du substrat, et amorcée spontanément par la différence de température sur le substrat. Elle peut être aussi avantageusement initiée à partir d’une couche de germination 17 formée au préalable. Dans un exemple illustré sur la figure 6, tout ou partie de la face de formation 14a comprend ainsi une couche de germination 17 de cristal de conversion. Cette couche de germination permet d’amorcer la croissance de la couche cristalline de conversion par homoépitaxie ou hétéroépitaxie ce qui limite la croissance spontanée sur des surfaces non voulues. Cette couche de germination est de même nature ou de nature différente de la couche cristalline de conversion. Dans le cas où une couche de germination est utilisée, les grains la constituant doivent être orientés de manière à favoriser la croissance selon l’axe cristallin désiré dans l’axe normal au plan du substrat. Par exemple, pour le MAPbBr3, si l’homme du métier souhaite que l’axe à faire croitre perpendiculairement au substrat soit l’orientation {100}, il convient d’orienter au mieux, c’est-à-dire selon une orientation cristalline principale, les grains de la couche de germination dans cet axe. Par au mieux, il est entendu que, sur la base d’un diffractogramme de rayons X en θ/2θ, le ratio des aires du pic {nn0}/{n00} et {nnn}/{n00} avec n=1, 2, 3, 4, est inférieur à 2%, de préférence inférieur à 0,5%, et encore plus de préférence inférieur à 0,1%. La couche de germination peut être continue ou discontinue c’est-à-dire être composée de grains cristallins (17a) percolants ou non percolants. L’axe principal à faire croitre peut-être différent comme par exemple {110} ou {111}, mais les ratios à respecter restent identiques. Par orientation cristalline principale, il convient de comprendre de façon équivalente « orientation préférentielle ». L’invention permet avantageusement de contrôler les conditions propices pour la croissance de la couche cristalline de conversion notamment par l’adaptation de la géométrie thermique et le renouvellement de solution dans la cavité. Le dispositif de fabrication tel que décrit permet avantageusement d’obtenir une croissance homogène de tous les grains de la couche de germination 17. Par homogène on entend que tous les grains, quelle que soit leurs positions sur le substrat, présentent la même vitesse d’avancement des faces de croissance. Ainsi, si l’orientation des grains formant la couche de germination est contrôlée de sorte qu’ils présentent tous une même direction cristallographique perpendiculairement au substrat (symétrie globale C n n=1, 2, 3, …, ∞), alors le nombre de grains dans la couche épaisse finale cristalline de conversion est égale au nombre de grains de la couche de germination. Tous les grains croissant à la même vitesse et dans la même direction, aucun ne prend l’ascendant sur ses voisins. Cela présente deux avantages principaux : le front de croissance global de la couche est plan et les joints de grains sont verticaux et en nombre égal à ceux de la couche de germination. L’homogénéité d’épaisseur de la couche cristalline de conversion participe ainsi favorablement à l’homogénéité du rendement de conversion photoélectrique des détecteurs. Ainsi, il est possible de contrôler le nombre de grains dans la couche épaisse, en maitrisant correctement ceux présent dans la couche de nucléation. En particulier, les grains peuvent avoir des dimensions latérales allant de quelques microns à plusieurs centaines de microns. Ils peuvent être percolant ou disjoints. Le paramètre important est la densité de grains par unité de surface. Dans la couche épaisse cristalline de conversion, les joints de grains sont des zones qui se comportent différemment du reste de la couche d’un point de vue électronique notamment par la présence de défauts structuraux qui engendrent des pièges électroniques ou des zones de migration ionique. Dans le cas où la couche cristalline de conversion est réalisée sur un détecteur formé de pixels 14c par exemple, si ces zones correspondant aux joints de grains traversent plusieurs pixels 14c, ces pixels 14c peuvent se comporter différemment des autres, et la présence des joints de grains peut devenir visible dans l’image de radiographie aux rayons X par exemple. Dans ce sens, il serait favorable que la couche cristalline comporte plusieurs grains par pixels 14c de manière à homogénéiser les performances de pixels 14c à pixels 14c et de ne pas voir ressortir sur les images la trace de joints de grains. En d’autres termes, cela revient à moyenner sur chaque pixel les perturbations électroniques liées au joints de grains. Les pixels 14c peuvent avoir des dimensions latérales de quelques microns à plusieurs centaines de microns. Ces dimensions sont typiquement de 80 microns à 200 microns pour les applications médicales. Il est avantageux d’avoir au moins un grain par pixel sur la face de la couche épaisse en contact avec le pixel, de préference 2 ou 3 grains qui appartiennent à au moins un pixel ce qui correspond à une densité supérieure à 80 grains/mm² pour un pixel carré de 150 micromètres de côté. Une densité encore plus préférentielle est supérieure à 5 grains appartenant à un pixel ce qui correspond à une densité supérieure à 200 grains /mm² pour un pixel carré de 150 micromètres de côté. Le contrôle de la densité de grain par pixel peut être réalisé en maitrisant les conditions de dépôt de la couche de nucléation, par exemple la vitesse de séchage de la couche. L’invention permet avantageusement de réaliser la cristallisation de la couche cristalline de conversion avec un volume de précurseur liquide en contact avec le substrat plus faible que dans le cas classique d’immersion du substrat dans une solution. Ce gain est encore plus marqué dans le cas de la réalisation présentée figure 13 où plusieurs couches peuvent être élaborées successivement avec une même solution sans en compromettre la pureté, contrairement au cas où les substrats seraient immergés. Ceci représente des gains en temps d’élaboration et en coût de production significatifs. Dans un exemple, Il est possible de recuire le substrat 14 en température dans la cavité de croissance cristalline 13 sous atmosphère contrôlée ou sous vide avant la mise en contact avec le précurseur liquide. Cela permet d’éliminer les molécules d’eau adsorbées sur la surface du substrat 14. Un dispositif optoélectronique, non illustré, peut être fabriqué à partir de la couche cristalline de conversion obtenue avec le dispositif de fabrication 10 de l’invention. Afin de fabriquer ce dispositif optoélectronique, une électrode supérieure est déposée. De préférence, l’électrode est déposée de manière continue sur au moins toute la surface de la matrice active recouverte par la couche cristalline de conversion. Dans un exemple, une seule électrode supérieure est commune à tous les pixels de la matrice. Cette électrode peut avoir la même nature que l’électrode inférieure constituant la partie du substrat sur laquelle la couche cristalline de conversion est obtenue ou être d’une nature différente comme pour un dispositif photodiode. Il est possible d’utiliser des métaux (Au, Cr, Pt, Pd, Ag), des oxydes conducteurs (ITO, AZO, GZO), des matériaux organiques conducteurs (PEDOT-PSS, PANI, graphène, encre carbone) ou une superposition de ces matériaux. Il est également possible d’utiliser une ou plusieurs couches d’interfaces sur l’électrode pour fixer le travail de sortie et la compatibilité chimique avec la pérovskite (PEIE, C60, MoO 3 , V 2 O 5 , BCP, SPIRO). L’électrode supérieure est ensuite connectée électriquement au circuit extérieur par exemple via un fil conducteur ou une ligne conductrice faite par impression. La couche cristalline de conversion peut être finalement encapsulée à l’air, ou sous atmosphère inerte (N 2 , Ar), ou sous atmosphère anhydre. Ceci peut être réalisé à l’aide d’un capot de verre collé sur une surface du substrat, qui n’est pas recouverte par la couche cristalline de conversion, à l’aide d’un cordon de colle, ou à l’aide d’un adhésif comme une colle ou un adhésif sensible à la pression et d’un film plastique comportant des couches barrières. L’encapsulation est transparente ou opaque à la lumière visible mais laisse passer les rayonnements à détecter. Les plots de contact de la matrice de pixels sont ensuite connectés à une électronique de lecture à l’aide de flexibles et de colles de type ACF pour Anisostropic Conductive Film. La matrice peut être caractérisée avec les méthodes de lecture usuelles des d’imageurs pixellisés. L’invention porte également sur un procédé de fabrication d’une couche cristalline de conversion à partir d’une solution de croissance, autrement dit par voie liquide, sur le substrat 14. Le procédé est mis en œuvre dans un dispositif de fabrication 10 comme celui des exemples exposés ci-avant. Comme illustré sur la figure 12, le procédé comprend les étapes suivantes : a) contrôle, dépendant du temps et de la position des buses, de l’alimentation et de l’extraction de la solution de croissance par le dispositif d’entrée/sortie 12 du dispositif de fabrication 10 vers et depuis la cavité du réacteur / de croissance 13 définie entre la première paroi 11 du dispositif de fabrication 10 et le substrat 14 ; b) création d’un profil de température 15b par le dispositif de mise en température 15 dans au moins la cavité de croissance cristalline 13 et/ou le substrat 14, et/ou la première paroi 11 ; c) configuration du profil de température 15b pour contrôler une formation libre d’une couche cristalline de conversion suivant une épaisseur supérieure à 1 micromètre, depuis tout ou partie de la face de formation 14a du substrat 14 tournée vers l’intérieur de la cavité de croissance cristalline 13, selon une direction préférentiellement transversale à ladite face de formation 14a. Ce procédé permet avantageusement de contrôler la formation de la couche cristalline de conversion avec une répartition homogène des joints de grains et pour qu’ils atteignent une épaisseur supérieure à 1 micromètre et plus préférentiellement supérieure à 100 micromètres comme détaillé dans les paragraphes précédents. Le procédé de l’invention permet également d’orienter la croissance de la couche cristalline de conversion transversalement par rapport au substrat 14 à partir d’une surface définie du substrat 14. La couche cristalline de conversion croît ainsi préférentiellement, c’est à dire principalement, dans une seule direction transversale au substrat 14. Par le terme « principalement », il convient de comprendre, de façon équivalente, que plus de 80% de la masse cristallisée est formée par croissance dans la direction transversale, et de préférence plus de 95%. Des cristaux parasites peuvent en effet croître de façon erratique sur les bords du substrat de façon non voulue. Le procédé de l’invention se différencie ainsi des procédés de croissance réalisant une croissance contrainte entre deux surfaces proches. En effet, pour recouvrir des surfaces de plus de quelques centimètres carrés, ces procédés réalisent une croissance principalement selon une direction parallèle aux deux surfaces et non pas une croissance principalement selon une direction transversale au substrat, la croissance selon une direction transversale aux deux surfaces étant dans ce cas impossible car bloquée par les deux surfaces. Dans un exemple, à l’étape c), la configuration du profil de température 15b est modifiée dans le temps. Cela permet d’adapter par exemple les conditions de saturation du précurseur liquide au fur et mesure que la couche cristalline de conversion s’épaissit. Dans un exemple supplémentaire, à l’étape c), le profil de température 15b est formé dans au moins la cavité de croissance cristalline 13 et/ou le substrat 14 et/ou la première paroi 11. Cet arrangement permet notamment de contrôler finement le profil de température pilotant la croissance de la couche cristalline de conversion. En effet, la croissance dépend, par la mise en sursaturation de la solution de croissance, des valeurs locales de la température à l’interface couche cristalline – solution. Dans une mise en œuvre additionnelle, à l’étape c), le profil de température 15b est configuré pour obtenir la formation de la couche cristalline de conversion uniquement sur une partie limitée de la face de formation 14a du substrat 14 sans contact avec la première paroi 11, la partie restante de la face de formation 14a étant dépourvue de cristal de conversion. Cette configuration permet de limiter la génération de cristaux parasites créant des court-circuit. Elle permet également de privilégier la croissance de la couche cristalline de conversion selon son épaisseur seulement. Dans une mise en œuvre supplémentaire, à l’étape a), plusieurs solutions de croissance de nature différente sont alimentées dans la cavité de croissance cristalline 13 par le dispositif d’entrée/sortie 12 de façon séquentielle. Dans une mise en œuvre, le dispositif de fabrication 10 comprend une pluralité de dispositifs d’entrée/sortie 12 et dans lequel, à l’étape a), plusieurs solutions de croissance de nature différente sont alimentées, dans la cavité de croissance cristalline 13, chacune par un des dispositifs d’entrée/sortie 12 différent, en même temps ou de façon séquentielle. Ces mises en œuvre permettent avantageusement de modifier l’interface aux contacts d’éventuelles électrodes contenues sur le substrat 14 à l’endroit du substrat où la croissance est envisagée en modifiant localement aux interfaces les niveaux de bandes de valence et de conduction et ainsi les barrières énergétiques à l’injection des charges électriques. Cela permet également de passiver la surface de la couche épaisse de cristal de conversion obtenue en faisant cristalliser une structure pérovskite moins sensible à l’environnement. La couche en contact avec le substrat pourrait également avoir des propriétés mécaniques adaptées pour minimiser les contraintes mécaniques dues aux différences de dilatation liées à la température, entre le substrat 14 et une couche épaisse de pérovskite obtenue. Dispositif de fabrication (10) permettant de fabriquer une couche cristalline de conversion à partir d’une solution de croissance de couche cristalline de conversion, le dispositif de fabrication (10) comprenant : - une première paroi (11) et un substrat (14) définissant entre eux une cavité de croissance cristalline (13) ; - au moins un dispositif d’entrée/sortie (12) de la solution de croissance contrôlant, dans le temps, au moins une fonction choisie dans le groupe comprenant l’alimentation et l’extraction de la solution de croissance respectivement vers et depuis la cavité de croissance cristalline (13) ; - un dispositif de mise en température (15) créant un profil de température (15b) dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la cavité de croissance cristalline (13), le substrat (14) et la première paroi (11) ; le profil de température (15b) contrôlant une formation libre de la couche cristalline de conversion sur une épaisseur supérieure à 1 micromètre, depuis tout ou partie d’une face de formation (14a) du substrat (14) tournée vers l’intérieur de la cavité de croissance cristalline (13), selon une direction principalement transversale à ladite face de formation (14a) ; l’ensemble de l’épaisseur de la couche cristalline de conversion étant obtenue par la formation libre de la couche cristalline de conversion. Dispositif de fabrication (10) selon la revendication 1, dans lequel la première paroi (11) est fixée de façon étanche au substrat (14) de sorte que la solution de croissance, introduite dans la cavité de croissance cristalline (13) par ledit au moins un dispositif d’entrée/sortie (12), est extraite de la cavité de croissance cristalline (13) uniquement par au moins un élément choisi dans le groupe comprenant ledit au moins un dispositif d’entrée/sortie (12) et une évacuation par un écoulement spontané agencée dans la première paroi (11) ou dans une portion du substrat (14) située au niveau de la cavité de croissance (13). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel le dispositif de mise en température (15) comprend des éléments permettant de modifier le profil de température (15b) dans le temps. Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le dispositif de mise en température (15) comprend des éléments permettant de configurer le profil de température (15b) dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la cavité de croissance cristalline (13), le substrat (14) et la première paroi (11). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le profil de température (15b) créé par le dispositif de mise en température (15) comprend au moins une température inférieure à une température du substrat (14). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le profil de température (15b) créé par le dispositif de mise en température (15) comprend au moins une température supérieure à une température du substrat (14). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel tout ou partie du dispositif de mise en température (15) est agencé dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la première paroi (11), le dispositif d’entrée/sortie (12) de précurseur liquide du cristal de conversion et une deuxième paroi (16) formée au niveau d’une face extérieure du substrat (14) opposée à la face de formation (14a). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le dispositif de mise en température (15) comprend une pluralité de zones de contrôle (15a), chaque zone de contrôle (15a) ayant une température de zone modifiable par le dispositif de mise en température (15), de façon indépendante d’une zone de contrôle (15a) à une autre zone de contrôle (15a). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant une pluralité de dispositifs d’entrée/sortie (12) de la solution de croissance de cristal de conversion distincts agencés de part et d’autre du substrat (14), parallèlement à la face de formation (14a). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel au moins un dispositif d’entrée/sortie (12) de précurseur liquide de cristal de conversion est agencé en regard de la face de formation (14a). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel tout ou partie de la face de formation (14a) comprend une couche de germination (17) du cristal de conversion. Dispositif de fabrication (10) selon la revendication 11, dans lequel au moins une partie du substrat (14) est formée d’au moins un pixel (14c), dans lequel la couche de germination (17) comprend une pluralité de grains cristallins (17a) percolant ou non percolant, et dans lequel, au niveau dudit au moins un pixel (14c), la couche de germination (17) comporte au moins un grain cristallin de la pluralité de grains cristallins. Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 11 ou 12, dans lequel la couche de germination (17) propose une orientation cristallographique principale selon un axe {n00} n étant un entier compris entre 1 et 4 inclus. Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 11 ou 12, dans lequel la couche de germination (17) propose une orientation cristallographique principale selon un axe du groupe comprenant un axe {110} et un axe {111}. Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel le profil de température (15b) créé par le dispositif de mise en température (15) est configuré pour obtenir la formation de la couche cristalline de conversion uniquement sur une partie limitée de la face de formation (14a) du substrat (14) sans contact avec la première paroi (11), la partie restante de la face de formation (14a) restant dépourvue de cristal de conversion. Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel au moins un dispositif d’entrée/sortie (12) de solution de croissance traverse au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la première paroi (11) et le substrat (14). Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel la couche cristalline de conversion à former est une pérovskite d’un type du groupe comprenant ABX 3 , A’ 2 C 1+ D 3+ X 6 , A 2 B 4+ X 6 ou A 3 B 2 3+ X 9 ; A, A’, C, D et B étant des cations et X étant un anion d’halogène. Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel la couche cristalline de conversion à former est une pérovskite hybride organique-inorganique de formule respectant la neutralité électronique A (1) 1-(y2+…+yn) A (2) y2 …A (n) yn B (1) 1-(z2+…+zm) B (2) z2 …B (m) zm X (1) 3-(x2+…+xp) X (2) x2 …X (p) xp où A (n) et B ( m ) correspondent à des cations et X (n) correspond à un anion d’halogène. Dispositif de fabrication (10) selon l’une quelconque des revendications 1 à 18, dans lequel l’épaisseur de la couche cristalline de conversion à fabriquer est supérieure ou égale à 100 micromètres. Procédé de fabrication d’une couche cristalline de conversion à partir d’une solution de croissance de couche cristalline de conversion sur un substrat (14), le procédé étant mis en œuvre dans un dispositif de fabrication (10) selon l’une des revendications 1 à 19, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) contrôle, dépendant du temps, d’au moins une fonction choisie dans le groupe comprenant l’alimentation et l’extraction de la solution de croissance par un dispositif d’entrée/sortie (12) de solution de croissance du dispositif de fabrication (10) vers et depuis une cavité de croissance cristalline (13) définie entre une première paroi (11) du dispositif de fabrication (10) et le substrat (14); b) création d’un profil de température (15b) par un dispositif de mise en température (15) dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la cavité de croissance cristalline (13), le substrat (14), et la première paroi (11) ; c) configuration du profil de température (15b) pour contrôler une formation libre de la couche cristalline de conversion suivant une épaisseur supérieure à 1 micromètre, depuis tout ou partie d’une face de formation (14a) du substrat (14) tournée vers l’intérieur de la cavité de croissance cristalline (13), selon une direction principalement transversale à ladite face de formation (14a), l’ensemble de l’épaisseur de la couche cristalline de conversion étant obtenue par la formation libre de la couche cristalline de conversion Procédé de fabrication selon la revendication 20, dans lequel, à l’étape c), la configuration du profil de température (15b) est modifiée dans le temps. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 20 ou 21, dans lequel, à l’étape c), le profil de température (15b) est formé dans au moins un élément choisi dans le groupe comprenant la cavité de croissance cristalline (13), le substrat (14) et la première paroi (11). Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 20 à 22, dans lequel, à l’étape c), le profil de température (15b) est configuré pour obtenir la formation de la couche cristalline de conversion uniquement sur une partie limitée de la face de formation (14a) du substrat (14) sans contact avec la première paroi (11), la partie restante de la face de formation (14a) étant dépourvue de cristal de conversion. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 20 à 23, dans lequel, à l’étape a), plusieurs solutions de croissance de nature différente sont alimentées dans la cavité de croissance cristalline (13) par le dispositif d’entrée/sortie (12) de façon séquentielle. Procédé de fabrication selon l’une quelconque des revendications 20 à 23, dans lequel le dispositif de fabrication (10) comprend une pluralité de dispositifs d’entrée/sortie (12) et dans lequel, à l’étape a), plusieurs solutions de croissance de nature différente sont alimentées, dans la cavité de croissance cristalline (13), chacune par un des dispositifs d’entrée/sortie (12) différent, en même temps ou de façon séquentielle.