FR 3115927 A1 20220506 FR 2011136 A 20201030 Composant électronique à couche de gaz d'électrons bidimensionnel La présente description concerne un composant électronique (300) à gaz d'électrons bidimensionnel (120) , comprenant une région conductrice (330) en contact électrique avec ledit gaz selon une ligne de contact (334) présentant des découpures (336, 338). Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Composant électronique à couche de gaz d'électrons bidimensionnel La présente description concerne de façon générale les composants électroniques, tels que des transistors, comprenant une couche de gaz d'électrons bidimensionnel. Certains transistors comprennent un gaz d'électrons bidimensionnel. Un gaz d'électrons bidimensionnel se forme le long d'une interface entre deux couches semi-conductrices ayant des bandes interdites (en anglais "band gap") différentes et en contact l'une avec l'autre. Dans le gaz d'électrons bidimensionnel, les électrons ont une mobilité relativement élevée, comparée à la mobilité des électrons au sein des couches semiconductrices. Ce type de transistor est appelé transistor à haute mobilité électronique, HEMT (de l'anglais "High Electron Mobility Transistor"). Le transistor comprend des régions de drain/source de part et d'autre du gaz d'électrons bidimensionnel. Le gaz d'électrons bidimensionnel est en contact électrique avec les régions de drain/source. La résistance électrique entre les régions de drain/source et le gaz d'électrons bidimensionnel constitue une résistance d'accès au gaz d'électrons. La résistance d'accès se trouve entre une électrode et le gaz d'électrons bidimensionnel. Cette résistance comprend la résistance de contact entre un métal et une région semiconductrice dopée, une résistance de la région semiconductrice dopée, et une résistance parasite entre la régions semiconductrice dopée et le gaz d'électrons bidimensionnel. Cette résistance d'accès se trouve en série dans la résistance à l'état passant du transistor. D'autres composants, tels que des diodes, peuvent également comprendre un gaz d'électrons bidimensionnel. La résistance électrique entre des régions d'électrode et le gaz d'électrons bidimensionnel, ou résistance d'accès au gaz d'électrons, se trouve en série dans la résistance du composant à son état passant. Il existe un besoin de réduire la résistance à l'état passant des composants comprenant un gaz d'électrons bidimensionnel, tels que les transistors de type HEMT. Pour cela, afin de bénéficier pleinement de la mobilité élevée des électrons du gaz d'électrons bidimensionnel, il est souhaitable de réduire la résistance électrique d'accès entre les régions de drain/source et le gaz bidimensionnel. Il existe en outre un besoin de réduire des variations, en fonction de la température, de caractéristiques d'un composant comprenant un gaz d'électrons bidimensionnel, telles que la résistance à l'état passant d'un transistor de type HEMT. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des composants connus à gaz d'électrons bidimensionnel. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés de fabrication de composants connus à gaz d'électrons bidimensionnel. Un mode de réalisation permet de réduire la résistance électrique entre une région conductrice et un gaz d'électrons bidimensionnel. Un mode de réalisation permet de réduire des variations, en fonction de la température, de la résistance électrique entre une région conductrice et un gaz d'électrons bidimensionnel. Un mode de réalisation prévoit un procédé particulièrement simple, permettant d'obtenir un composant à gaz d'électrons bidimensionnel ayant des résistances parasites particulièrement faibles. Un mode de réalisation prévoit un composant électronique à gaz d'électrons bidimensionnel , comprenant une région conductrice en contact électrique avec ledit gaz selon une ligne de contact présentant des découpures. Selon un mode de réalisation, la région conductrice est une région semiconductrice dopée. Selon un mode de réalisation, le gaz d'électrons bidimensionnel est formé à une interface entre des semiconducteurs de type III–V à bandes interdites différentes. Selon un mode de réalisation, la ligne de contact est inscrite dans une bande. Selon un mode de réalisation, la ligne de contact présente une résistance linéique supérieure : - à une résistance linéique présentée par le gaz d'électrons bidimensionnel sur une même largeur que celle de ladite bande ; et/ou - à une résistance linéique présentée par ladite région conductrice sur une même largeur que celle de ladite bande. Selon un mode de réalisation, la résistance linéique de la ligne de contact est sensiblement indépendante de l'orientation de la portion considérée de la ligne de contact. Selon un mode de réalisation, les découpures sont en créneaux réguliers séparant entre eux un premier ensemble de doigts de la région semiconductrice et un deuxième ensemble de doigts du gaz d'électrons bidimensionnel. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un composant tel que défini ci-dessus. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend le choix de dimensions des découpures sur la base d'une minimisation d'une valeur de résistance de passage entre : - une première portion de la région conductrice située le long d'un des bords de ladite bande ; et - une deuxième portion du gaz d'électrons bidimensionnel située le long de l'autre des bords de ladite bande. Selon un mode de réalisation, la minimisation comprend une modélisation de ladite valeur de résistance par un réseau de résistances connectées en série et/ou en parallèle entre les première et deuxième portions. Selon un mode de réalisation, le réseau de résistances comprend : - des, de préférence trois, premières résistances électriquement en série entre la première portion et un premier nœud ; - des deuxièmes résistances en série entre la deuxième portion et un deuxième nœud, les nombres des premières et deuxièmes résistances étant identiques ; - des troisièmes résistances reliant respectivement des nœuds de connexion en série des premières résistances à des nœuds de connexion en série des deuxièmes résistances ; et - des quatrième et cinquième résistances reliant respectivement la première portion au deuxième nœud et la deuxième portion au premier nœud. Selon un mode de réalisation, les résistances sont calculées par les équations suivantes où i désigne un indice variant de 1 au nombre N de premières résistances, j désigne un indice variant de 2 à N, R1 i , R2 i , R4 1 et R4 désignent les valeurs respectivement des premières, deuxièmes, quatrième et cinquième résistances en partant du côté de première portion, R3 1 , R3 j et R3 N+1 désignent les valeurs respectives des troisièmes résistances en partant du côté de première portion, RC et R2D désignent des résistances par carré respectivement de la région conductrice et du gaz d'électrons bidimensionnel, RL désigne la résistance linéique de la ligne de contact, WC et W2D désignent des demi-largeurs de doigts des premier et deuxième ensembles de doigts, et L i désigne des dimensions dont la somme est égale à la largeur de ladite bande. Selon un mode de réalisation, le nombre N est égal à trois, et les dimensions W i sont sensiblement données par les équations suivantes : où L désigne la largeur de ladite bande. Selon un mode de réalisation : - la largeur de doigts de l'un des premier et deuxième ensembles de doigts est fixée ; et - la minimisation comprend la recherche de valeurs de largeur de doigts de l'autre des premier et deuxième ensembles de doigts, et de largeur de ladite bande, pour lesquelles ladite valeur de résistance est minimale. Un autre mode de réalisation prévoit un transistor comprenant un composant tel que défini ci-dessus ou résultant d'un procédé tel que défini ci-dessus, dans lequel ladite région conductrice est une région de drain ou de source, et une grille a un bord positionné sur une ligne passant dans le plan du gaz d'électrons bidimensionnel, parallèle à ladite bande et située à une distance de ladite bande comprise entre 50 % et 150 % de la largeur de ladite bande. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la représente une vue schématique en coupe d'un exemple de composant à gaz d'électrons bidimensionnel du type auquel s'appliquent les modes de réalisation décrits ; la représente une vue de dessus schématique et partielle d'un exemple d'un mode de réalisation d'un composant à gaz d'électrons bidimensionnel ; la représente, dans le composant de la , des allures schématiques de résistance en fonction d'une dimension ; la représente une vue en coupe partielle et schématique du composant de la . la représente schématiquement, dans le composant de la , une ligne de contact entre une région conductrice et un gaz d'électrons bidimensionnel ; la représente schématiquement un réseau de résistances d'un mode de réalisation d'un modèle de la ligne de la ; la représente, dans le composant de la , des allures schématiques d'une résistance en fonction d'une dimension, obtenues par le modèle de la ; la représente schématiquement une ligne de contact entre une région semiconductrice et un gaz d'électrons bidimensionnel selon un exemple d'un autre mode de réalisation ; et la représente schématiquement un réseau de résistances d'un mode de réalisation d'un modèle de la ligne de la . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, des éléments de transistors, tels qu'une grille ou une prise de contact, ne sont pas décrits en détails, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec de tels éléments des transistors usuels de type HEMT. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La représente une vue schématique en coupe d'un exemple de composant 100 à gaz d'électrons bidimensionnel du type auquel s'appliquent les modes de réalisation décrits. A titre d'exemple, le composant 100 est un transistor. Le transistor 100 peut être utilisé dans des applications d'amplification de radiofréquences, telle que l'amplification en bande Ka (26,5–40 GHz). Le transistor 100 peut aussi être utilisé dans un convertisseur prévu pour être alimenté par un courant et/ou une tension d'alimentation continu ou alternatif, et pour fournir un courant et/ou une tension continu ou alternatif différent du courant/tension d'alimentation. Un tel convertisseur peut être un convertisseur à découpage, dans lequel le transistor 100 est mis successivement à des états passant et bloqué. Le transistor 100 comprend des couches semiconductrices 110 et 115. La couche 115 recouvre la couche 110. Les couches 110 et 115 peuvent être situées sur un support ou substrat, non représenté, par exemple une portion de tranche (en anglais "wafer") semiconductrice telle qu'une tranche de silicium, ou une tranche de carbure de silicium. Les couches 110 et 115 sont des couches de semiconducteurs ayant des bandes interdites différentes. Les semiconducteurs des couches 110 et 115 sont choisis de sorte qu'un gaz d'électrons bidimensionnel 120 se forme à l'interface entre les deux couches 110 et 115 en contact l'une avec l'autre. Plus précisément, le gaz d'électrons bidimensionnel est situé contre l'interface dans l'une des deux couches 110 et 115. Les couches 110 et 115 peuvent également être séparées par une fine couche intermédiaire (non représentée). Par fine, on entend que l'épaisseur de la couche intermédiaire est inférieure à environ 3 nm, par exemple comprise entre 0,5 et 2 nm. De préférence, les semiconducteurs des couches 110 et 115 sont intrinsèques, c’est-à-dire non volontairement dopées ou ayant un niveau de dopage inférieur à 10 16 atomes/cm 3 . De préférence, les semiconducteurs sont de type III-V, c’est-à-dire comprenant au moins un élément chimique de la colonne 13 du tableau de Mendeleïev (comprenant le bore, l'aluminium, le gallium et l'indium) et au moins un élément chimique de la colonne 15 du tableau de Mendeleïev (comprenant notamment l'azote, le phosphore, l'arsenic, l'antimoine et le bismuth). Ces numéros de colonne sont ici définis selon la préconisation de l'Union Internationale de Chimie Pure et Appliquée. A titre de variante, les semiconducteurs comprennent un nitrure de scandium-aluminium (ScAlN). Plus préférentiellement, l'une des couches 110 et 115, par exemple la couche 110, est en nitrure de gallium (GaN), et l'autre des couches 110 et 115, par exemple la couche 115, est en nitrure d'aluminium et de gallium (AlGaN). L'éventuelle couche intermédiaire peut alors être en nitrure d'aluminium (AlN). A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche 115 est comprise entre 3 nm et 30 nm. Le transistor 100 comprend des régions électriquement conductrices de source 130S et de drain 130D. Chacune des régions conductrices 130S et 130D s'étend à partir de la face supérieure 125 (dans l'orientation de la ), dite aussi face avant, de la couche 115. Chacune des régions conductrices 130S et 130D traverse totalement la couche 115, et atteint un niveau situé dans la couche 110. Autrement dit, chacune des régions conductrices 130S et 130D présente un flanc 132S, 132D, en contact avec le gaz d'électrons bidimensionnel 120. Les contacts entre le gaz d'électrons bidimensionnel 120 et les régions conductrices respectives 130S et 130D sont le long de lignes de contact respectives 134S et 134D (correspondant chacune à un point à son intersection avec le plan de la ). Plus précisément, les lignes de contact 134S et 134D sont situées au contact entre l'interface entre couches 110 et 115 et les flancs respectifs 132S et 132D. Dans l'exemple du transistor 100, chacune des régions conductrice 130S, 130D comprend, de préférence est constituée par, une région semiconductrice dopée, par exemple de type de conductivité N. A titre d'exemple, la région semiconductrice dopée est obtenue par implantation de silicium dans les couches 110 et 115. De préférence, le nombre d'atomes implanté pour former la région semiconductrice, c’est-à-dire le niveau de dopage de la région semiconductrice, est supérieur ou égal à, ou de l'ordre de, 10 20 atomes/cm 3 . Le transistor 100 comprend en outre deux prises de contact 140S et 140D sur les régions semiconductrices respectives 130S et 130D. Les prises de contact 140S et 140D sont typiquement en un conducteur métallique. Dans l'exemple représenté, une cavité 142S, 142D s'étend à partir de la face avant de chaque région semiconductrice dopée respective 130S, 130D. Les prises de contact 140S et 140D remplissent les cavités 142S et 142D et dépassent de la face avant 125 de la couche 115. Les prises de contact peuvent traverser une couche d'isolant, non représentée, couvrant la face avant 125. Le transistor 100 comprend en outre une grille 150 située sur la couche 115 entre les régions conductrices 130S et 130D. La grille 150 peut être séparée de la couche 115 par une couche (non représentée) électriquement isolante telle qu'une couche d'oxyde isolant, ou semiconductrice telle qu'une couche de nitrure de gallium dopé de type P. De préférence, la couche 115 comprend, entre la partie de la couche 115 recouverte par la grille 150 et chacune des régions conductrices 130S et 130D, une partie non recouverte par la grille 150, c’est-à-dire située hors de l'aplomb de la grille 150 (dans l'orientation de la ). On a représenté, en relation avec la , un exemple dans lequel le composant 100 est un transistor. Cependant, les modes de réalisation décrits s'appliquent à tout composant à gaz d'électrons bidimensionnel comprenant une ou des régions semiconductrices dopées (telles que les régions 130S et 130D) constituant une ou des régions électriquement conductrices présentant une ou des lignes de contact (telles que les lignes de contact 134S et 134D) avec le gaz d'électrons bidimensionnel. Ainsi, dans un autre exemple, le composant 100 est une diode dans laquelle une région semiconductrice résultant d'une implantation forme une électrode de la diode. La représente une vue de dessus schématique et partielle d'un exemple d'un mode de réalisation d'un composant 300 comprenant un gaz d'électrons bidimensionnel 120. Comme dans le composant 100 de la , le gaz d'électrons bidimensionnel est formé à l'interface entre des couches 110 et 115 (non représentées en ) telles que celles décrites en relation avec la . Le composant 300 comprend une région conductrice 330. Dans l'exemple représenté, le composant 300 est un transistor de type HEMT du type de la , et la région conductrice 330 peut être une région de drain ou de source du transistor 300. La région conductrice 330 peut comprendre, ou être constituée par, une région semiconductrice dopée telle que les régions 130S et 130D décrites ci-dessus en relation avec la . Le composant 300 peut alors comprendre une prise de contact électrique 140 sur la région 330, par exemple identique ou similaire aux prises de contact 140S et 140D ( ). On a représenté un bord 340 de la prise de contact 140, en contact avec la région 330. Dans l'exemple représenté où le composant 300 est un transistor, le transistor 300 comprend une grille 150, dont seul un bord 350 situé du côté de la région 330 est représenté. De préférence, les bords 340 et 350 sont parallèles l'un à l'autre. La région conductrice 330 présente une ligne de contact 334 avec le gaz d'électrons bidimensionnel 120. La ligne de contact 334 correspond typiquement à l'endroit où l'interface entre semiconducteurs, qui forme le gaz d'électrons 120, est délimitée par la région conductrice 330. La ligne de contact 334 présente des découpures, telles que des dentelures et/ou des échancrures. En d'autres mots, la ligne de contact 334 est irrégulière, par exemple en zig-zag ou en serpentin. Autrement dit, la ligne de contact 334 comprend des parties 336 délimitant des portions de la région 330 qui s'avancent en direction du gaz bidimensionnel d'électrons. Entre les parties 336, la ligne de contact 334 comprend des parties 338 délimitant des portions de la région 330 qui sont en retrait. La prévision d'une ligne de contact présentant des découpures permet de réduire la résistance électrique entre la région 330 et le gaz bidimensionnel d'électrons 120, par rapport à une résistance électrique entre une région conductrice et un gaz bidimensionnel d'électrons séparés par une ligne de contact rectiligne ou régulière. Il en résulte, dans le composant 300, une réduction de la résistance d'accès et de la résistance à l'état passant. A titre d'exemple, pour une unité de longueur des bords 340 et 350, la résistance électrique entre la prise de contact 140 et la partie du gaz d'électrons 120 située sous le bord 350 de la grille 150 peut être rendue inférieure à 0,2 Ω.mm grâce aux découpures de la ligne de contact 334 du composant 300, alors qu'elle serait typiquement, dans un composant différent du composant 300 seulement par l'absence de découpures, supérieure à 0,4 Ω.mm. Comme ceci est illustré ci-après en relation avec la , les inventeurs ont constaté que le fait de prévoir des découpures dans la ligne de contact 334 permet de réduire la sensibilité, en fonction de la température, de la résistance électrique de passage entre la région conductrice 330 et le gaz bidimensionnel d'électrons 120. Dans un transistor ou une diode à gaz bidimensionnel d'électrons, on réduit ainsi des variations de résistance à l'état passant en fonction de la température du transistor ou de la diode. On évite ainsi divers problèmes de fonctionnement d'un dispositif électronique comprenant ce transistor ou cette diode. On aurait pu penser réduire la résistance électrique entre une région semiconductrice et un gaz bidimensionnel d'électrons en effectuant, après formation de la région semiconductrice, un recuit à une température élevée, par exemple supérieure à 1400°C. Cependant, ceci aurait posé divers problèmes de réalisation. En particulier, ceci aurait risqué d'endommager l'interface entre les couches 110 et 115 ( ) permettant de former le gaz d'électrons 120. En outre, ceci aurait posé des problèmes de compatibilité avec la fabrication d'autres composants sur un même support ou substrat, tels que des transistors en technologie de type Métal-Oxyde-Semiconducteur Complémentaire, CMOS (en anglais "Complementary Metal-Oxide-Semiconductor"), car une telle température n'est pas standard dans les équipements de fabrication de composants CMOS. En comparaison, les découpures permettent de bénéficier des avantages susmentionnés d'une résistance réduite et de variations réduites de cette résistance en fonction de la température, et en même temps, sans risquer d'endommager l'interface à l'origine du gaz d'électrons, de bénéficier d'une compatibilité de fabrication, sur un même support ou substrat, du composant 300 et de transistors de type CMOS. A titre d'exemple, dans le cas où la région 330 résulte d'une implantation de silicium, un recuit est effectué à une température inférieure à 1100°C. On définit la résistance linéique de chaque partie de la ligne de contact 334 (c’est-à-dire la résistance de cette partie pour une unité de longueur de la ligne de contact) par la résistance entre un bord de la région 330 situé contre cette partie de la ligne de contact 334 et un bord du gaz d'électrons 120 situé contre cette partie de la ligne de contact 334. La résistance linéique des parties de la ligne de contact 334 orientées orthogonalement aux bords 340 et 350 est égale à la résistance linéique des parties de la ligne de contact 334 orientées parallèlement aux bords 340 et 350. Autrement dit, la résistance linéique de la ligne de contact 334 ne dépend pas de l'orientation de la ligne de contact 334. De préférence, la ligne de contact 334 est inscrite, en vue de dessus, dans une bande 360. Autrement dit, chaque partie 336 de la ligne de contact 334 a au moins un point situé sur un bord 362 de la bande 360, et chaque partie 338 de la ligne de contact 334 a au moins un point situé sur un autre bord 364 de la bande 360. Encore en d'autres mots, le ligne de contact 334 fait des allers-retours entre les bords 362 et 364 de la bande 360. Il importe de noter que la bande 360 constitue un repère géométrique, et ne correspond donc, typiquement, à aucun élément matériel du composant 300. La bande 360 est préférentiellement parallèle au bord 350 de la grille 150. De préférence, la largeur de la bande 360 est choisie de telle sorte qu'une résistance linéique (pour une unité de longueur de la bande 360) présentée par le gaz d'électrons sur une même largeur que celle de bande 360 est inférieure à la résistance linéique de la ligne de contact 334 (pour une unité de longueur de la ligne de contact). Plus précisément, cette résistance linéique du gaz d'électrons 120 sur la largeur d'une bande en vue de dessus est celle qu'opposerait le gaz au passage d'un courant d'un bord à l'autre de cette bande. Ceci permet de prévoir une distance LA, en vue de dessus, entre le bord 362 de la bande 360 et le bord 350 de la grille 150, suffisante pour éviter de compliquer la réalisation du composant sans perdre l'avantage, décrit ci-dessus, de réduction de résistance. Par distance en vue de dessus, on entend, dans cet exemple, que la distance LA est définie dans une direction parallèle au plan des couches 110 et 115 entre le bord 362 et une ligne superposée, en vue de dessus, au bord 350 et située dans le plan de l'interface entre les couches 110 et 115. De préférence, la largeur de la bande 360 est choisie de telle sorte qu'une résistance linéique (pour une unité de longueur de la bande 360) présentée par la région conductrice 330 sur une même largeur que celle de bande 360 est inférieure à la résistance linéique de la ligne de contact 334. Plus précisément, cette résistance linéique de la région 330 sur la largeur d'une bande en vue de dessus est celle qu'opposerait la région 330 au passage d'un courant d'un bord à l'autre de cette bande. Ceci permet de prévoir une distance, entre le bord 362 de la bande 360 et le bord 340, suffisante pour éviter de compliquer la réalisation du composant sans perdre l'avantage décrit ci-dessus de réduction de résistance. A titre d'exemple, la résistance linéique de la ligne de contact 334 est comprise entre 0,2 Ω.mm et 0,6 Ω.mm. La bande 360 a une largeur comprise entre 50 nm et 1 µm. Comme ceci est illustré en relation avec la ci-après, ces valeurs varient, en pratique, en fonction de la température de fonctionnement. Aussi, les valeurs de résistance de la présente description sont, sauf précision contraire, définies à 25 degrés Celsius. A titre d'exemple, le gaz d'électrons bidimensionnel 120 a une résistance par carré (c’est-à-dire la résistance que le gaz oppose au passage d'un courant circulant entre les deux bords opposés d'une portion du gaz ayant, en vue de dessus, la forme d'un carré) pouvant être comprise entre 100 Ω par carré (l'unité Ω par carré est couramment notée Ω/sq) et 500 Ω/sq, par exemple égale à 300 Ω/sq. La distance LA séparant, en vue de dessus, la bande 360 du bord 350 de la grille 150 peut être comprise entre 0,1 µm et 1 µm, par exemple égale à 0,3 µm. Cette valeur de 0,3 µm de la distance LA est préférée dans le cas d'une application d'amplification en bande Ka. A titre d'exemple, la région conductrice 330 peut avoir, lorsqu'elle résulte d'une implantation, une résistance par carré comprise entre 50 Ω/sq et 100 Ω/sq, par exemple égale à 70 Ω/sq. La bande 360 peut être située, en vue de dessus, à une distance LB du bord 340 de la prise de contact 140 comprise entre 0,2 µm et 1 µm, de préférence égale à 0,5 µm. L'exemple d'une ligne de contact inscrite dans une bande n'est pas limitatif. Ainsi, dans des variantes, la ligne de contact 334 peut avoir tout forme présentant des découpures. Par exemple, la ligne de contact 334 peut avoir une forme de type fractal, c’est-à-dire que des découpures de la ligne de contact 334 comprennent d'autres découpures similaires ayant des dimensions inférieures. En outre, les découpures peuvent être anguleuses et/ou peuvent présenter des arrondis. Selon l'exemple de mode de réalisation représenté, les découpures sont en créneaux réguliers. Autrement dit, les parties 336 de la ligne de contact 334 comprennent des segments régulièrement situés sur le bord 362 de la bande 360 (c’est-à-dire coïncidants avec le bord 362), les parties 338 de la ligne de contact 334 comprennent des segments régulièrement situés sur le bord 364 de la bande 360, et les segments situés sur les bords 362 et 364 sont reliés entre eux par d'autres segments 380 de la ligne de contact 334 qui s'étendent orthogonalement à la bande 360. De préférence, la bande 360 est rectiligne. Cependant, la bande 360 peut aussi présenter des courbures. La ligne de contact 334 en créneaux forme une séparation entre un ensemble de doigts 372 de la région conductrice 330 et un ensemble de doigts 374 du gaz d'électrons bidimensionnel 120. Autrement dit, les doigts 372 constituent des portions de la région 330 qui s'avancent en direction du gaz bidimensionnel d'électrons 120 et les doigts 374 constituent des portions du gaz bidimensionnel d'électrons qui s'avancent en direction de la région 330. Un avantage d'une ligne de contact 334 en créneaux est sa facilité de réalisation par rapport à d'autres modes de réalisation, par exemple tel que celui décrit ci-après en relation avec les figures 7A et 7B, dans lequel la ligne de contact 334 est en dents de scie. La représente, dans le composant 300 de la , des allures schématiques d'une résistance en fonction d'une longueur des doigts 372 et 374, c’est-à-dire la largeur L(µm) de la bande 360. Plus précisément, la résistance représentée est la résistance linéique R(Ω.mm), pour une unité de longueur de la bande 360, entre les bords 362 et 264 de la bande. La normalisation de la résistance globale se fait par rapport à une longueur de la bande. Ainsi, la résistance représentée correspond à une résistance parasite comprise dans la résistance du composant 300 à l'état passant. Les résistances représentées correspondent à un exemple dans lequel des largeurs respectives W372 et W374 des doigts 372 et 374 (c’est-à-dire les dimensions des doigts 372 et 374 dans la direction de longueur de la bande 360) ont une même valeur égale à 0,25 µm. Plus précisément, on a représenté des résistances linéiques 410 et 420 en fonction de la longueur L des doigts lorsque la température est respectivement de 25°C et de 150°C. Les résistances représentées résultent d'une simulation, dans laquelle, à titre d'exemple : - pour la résistance à 25°C, la résistance par carré du gaz d'électrons 120 est égale à 300 Ω/sq, la résistance linéique de la ligne de contact 334 est égale à 0,4 Ω.mm, et la résistance par carré de la région 330 est égale à 70 Ω/sq ; et - pour la résistance à 150°C, la résistance par carré du gaz d'électrons 120 est égale à 600 Ω/sq, la résistance linéique de la ligne de contact 334 est égale à 0,2 Ω.mm, et la résistance par carré de la région 330 est égale à 70 Ω/sq. Cet exemple illustre, dans l'exemple préféré où la largeur L de la bande 360 est égale à 0,4 µm, la réduction de résistance parasite mentionnée ci-dessus, par rapport à un composant dans lequel la ligne de contact ne présenterait pas de découpures (résistance illustrée ici par la valeur nulle de la largeur L de la bande 360). Dans cet exemple, la distance LB entre la prise de contact 140 et la bade 360 est égale à 0,4 µm. Cet exemple illustre aussi, pour cette largeur préférée de la bande 360, que l'écart entre valeurs de résistance du composant 300 à l'état passant à 25°C et à 150°C est réduit. Par exemple, cet écart est d'environ 0,05 Ω.mm pour W=0,4 µm, alors qu'il serait de 0,2 Ω.mm en l'absence de découpures. Autrement dit, on a réduit les variations de la résistance d'accès, et donc de la résistance à l'état passant, en fonction de la température. La représente une vue en coupe partielle et schématique de l'exemple du composant 300 de la , dans le cas où le composant 300 est un transistor comprenant une grille 150. Le bord 350 de la grille 150 est positionné à l'aplomb d'une ligne 550 (représentée par un point à l'intersection entre la ligne 550 et le plan de figure) située à l'interface entre les couches 110 et 115. Par aplomb, on entend que le bord 350 et la ligne 550 sont alignés dans une direction (verticale de la ) orthogonale au plan des couches 110 et 115. La ligne 550 est parallèle à la bande 360 De préférence, la distance LA entre la ligne 550 et la bande 360 est supérieure à 50 % de la largeur L de la bande 360. Les inventeurs ont observé que, en pratique, la ligne 550 est alors sensiblement équipotentielle, typiquement à une valeur près inférieure, en valeur absolue, à 2,5 % d'une différence entre le potentiel de la région conductrice 330 et le potentiel moyen sur la ligne 550. Il en résulte que le potentiel de grille qui contrôle le canal du transistor est sensiblement uniforme sur toute la surface de la grille 150. Par rapport à des variantes dans lesquelles la distance WA est inférieure à 50 % de la largeur L, ceci permet de contrôler plus facilement toutes les parties du transistor 300 en même temps, ce qui présente l'avantage de faciliter la commande du transistor 300. De préférence, la distance LA entre la ligne 550 et la bande 360 est inférieure à 150 % de la largeur L de la bande 360. Ceci limite la part du gaz d'électrons bidimensionnel 120 dans la résistance à l'état passant et présente l'avantage de limiter la surface occupée par le composant 300. Les figures suivantes concernent plus particulièrement des modes de réalisation d'étapes d'obtention des dimensions des découpures de la ligne de contact 334. Ces dimensions sont typiquement obtenues à une étape de conception du composant 300, comprise dans le procédé de fabrication du composant 300. La représente schématiquement un exemple de la ligne de contact 334 du composant 300 de la . Plus précisément, on a représenté des dimensions des découpures de la ligne de contact 334, résultant, de préférence, d'une minimisation d'une résistance électrique modélisée. Par une telle minimisation, on entend une étape à laquelle on choisit, pour les dimensions des découpures des valeurs des dimensions d'après un modèle, une valeur minimale, ou sensiblement minimale, de la résistance modélisée. De préférence, l'étape de minimisation est effectuée par un dispositif, tel qu'un ordinateur, comprenant une unité de traitement de données telle qu'un microprocesseur. Plus précisément, on prévoit un programme, par exemple stocké dans une mémoire, dont l'exécution par le microprocesseur provoque l'exécution de l'étape de minimisation et la fourniture des dimensions des découpures. De préférence, la résistance électrique modélisée, que l'on minimise, est la résistance entre une portion 630 de la région conductrice 330 située le long du bord 364 de la bande 360, et une portion 620 du gaz d'électrons bidimensionnel 120 située le long du bord 362 ( ) de la bande 360. On obtient ainsi, avantageusement, une valeur minimale, ou sensiblement minimale, des résistances d'accès et donc de la résistance à l'état passant du composant 300. De préférence, les portions 630 et 620 respectives de la région conductrice 330 et du gaz d'électrons 120 délimitent la bande 360 de part et d'autre. Plus préférentiellement, la résistance électrique minimisée est la résistance entre : - une équipotentielle en contact avec le bord 364 au niveau de l'interface entre les couches 110 et 115 ( ) et située dans la région conductrice 330 ; et - une équipotentielle en contact avec le bord 362 et située dans le gaz d'électrons 120 au niveau de l'interface entre les couches 110 et 115. De préférence, la minimisation de résistance est effectuée pour une température modélisée située entre deux températures extrêmes d'une plage de température de fonctionnement, par exemple une température située au milieu de la plage. En variante, on effectue une minimisation pour chacune des deux températures extrêmes de la place, et les dimensions choisies pour les découpures sont situées entre les dimensions obtenues pour les deux températures extrêmes. Dans l'exemple, représenté en , de la ligne de contact 334 en créneaux, les dimensions définissant la forme de la ligne de contact 334 sont la demi-largeur WC des doigts 372 de la région conductrice 330, la demi-largeur W2D des doigts 374 du gaz d'électrons bidimensionnel 120, et la longueur L des doigts 372 et 374. Selon un mode de réalisation, l'une des demi-largeurs WC et W2D est fixée, par exemple la demi-largeur WC est fixée (autrement dit, la largeur des doigts 372 est fixée). Par valeur fixée, on entend une valeur prédéfinie avant minimisation. La minimisation permet d'obtenir les autres dimensions des découpures. Le fait de fixer ainsi l'une des largeurs des doigts permet avantageusement de limiter le nombre d'inconnues à déterminer par minimisation, ce qui simplifie la minimisation. De préférence, la largeur fixée est supérieure ou égale à environ 50 nm, par exemple égale à 50 nm. La largeur fixée a, de préférence, une valeur proche du minimum de largeur réalisable par le procédé de fabrication choisi. De préférence, les doigts dont la largeur est fixée sont ceux, parmi les doigts 372 et 374, dont la résistance par carré est la plus faible. Ceci permet d'obtenir par minimisation une largeur des autres doigts supérieure à celle des doigts dont la largeur est fixée. Selon un autre mode de réalisation, les largeurs de doigts à définir par optimisation sont égales. Par rapport à un procédé où les trois dimensions WC, W2D et L sont obtenues par minimisation de la résistance, on limite le nombre de dimensions à obtenir à seulement deux, ce qui simplifie la recherche de minimum. Selon un autre mode de réalisation, les deux largeurs de doigts sont fixées, par exemples les demi-largeurs WC et W2D sont égales à 25 nm. La valeur de résistance ne dépend alors plus que de la seule longueur L des doigts 372 et 374, et la recherche de minimum est simplifiée. La minimisation peut être effectuée par tout procédé usuel de recherche d'un minimum d'une valeur fonction d'une ou plusieurs variables (ces variables correspondent aux dimensions à obtenir). Ainsi, par exemple, on peut effectuer cette minimisation par tout procédé usuel, de préférence mis en œuvre par ordinateur, de recherche itérative d'un extrémum d'une valeur fonction de deux variables. Le modèle permettant d'obtenir la résistance à minimiser en fonction des dimensions WC, W2D et L peut résulter de toute modélisation, par exemple une modélisation par éléments finis. Cependant, de préférence, la résistance entre les portions 620 et 630 est modélisée par un réseau de résistances connectées en série et/ou en parallèle entre des nœuds définis par les portions respectives 620 et 630. Un exemple de réseau, illustré en , divise la longueur L en plusieurs longueurs Li (L1, L2, L3), i étant un indice variant entre 1 et un nombre N de préférence égal à trois. Par rapport à un mode de réalisation dans lequel la résistance est modélisée par éléments finis, le fait de prévoir un modèle par réseau de résistances permet d'obtenir la résistance à minimiser à partir d'expressions algébriques. L'optimisation est alors avantageusement plus simple et plus rapide à réaliser. La représente schématiquement un réseau de résistances d'un modèle de résistance de la ligne de contact 334 de la , selon un mode de réalisation. Le réseau de résistances comprend, pour chaque segment 380 de la ligne de contact 334 s'étendant entre les bords 362 et 364, un ensemble 640 comprenant : - des résistances R1 i (R1 1 , R1 2 , R1 3 ), en nombre égal à N, électriquement en série (c’est-à-dire reliées en série, de préférence connectées en série) entre la portion 630 et un nœud 650. Les résistances R1 i sont placées dans l'ordre de l'indice i croissant en partant de la portion 630 ; - des résistances R2 i (R2 1 , R2 2 , R2 3 ), en nombre identique à celui des résistances R1 i , en série entre la portion 620 et un nœud 660, placées dans l'ordre de l'indice i croissant du nœud 660 à la portion 620 ; - des résistances R3 j (R3 1 , R3 2 , R3 3 , R3 4 ), j étant un indice variant de 1 à N+1. Les résistances R3 j relient, de préférence connectent, respectivement, des nœuds de connexion N1 i (N1 1 , N1 2 ) en série des résistances R1 i à des nœuds de connexion N2 i (N2 1 , N2 2 ) en série des résistances R2 i . Plus précisément, chaque résistance R3 j relie les bornes, tournées respectivement vers la portion 630 et le nœud 660, des résistances R1 i et R2 i dont l'indice i est égal à l'indice j de la résistance R3 j considérée. La résistance R3 N+1 (R3 4 ) relie la portion 620 au nœud 650 ; et - une résistance R4 1 reliant, de préférence connectant, le nœud 650 à la portion 620 et une résistance R4 2 reliant, de préférence connectant, le nœud 660 à la portion 630. Autrement dit : - les résistances R1 i forment, entre la portion 630 et le nœud 650, une chaîne dans laquelle, dans chaque paire de résistances voisines R1 i et R1 i+1 pour i inférieur à N-1 (paire R1 1 et R1 2 et paire R1 2 et R1 3 ) le nœud N1 i (respectivement N1 1 , N1 2 ) connecte les résistances voisines entre elles. En d'autres mots, chaque résistance R1 i pour i supérieur ou égal à 2 et inférieur ou égal à N-1 (R1 2 ) relie, de préférence connecte, le nœud N1 i-1 (N1 1 ) au nœud N1 i (N1 2 ). La résistance R1 1 relie, de préférence connecte, la portion 630 au nœud N1 1 , et la résistance R1 N (R1 3 ) relie, de préférence connecte, le nœud N1 N-1 (N1 2 ) au nœud 650 ; - les résistances R2 i forment, entre le nœud 660 et la portion 620, une chaîne dans laquelle, dans chaque paire de résistances voisines R2 i et R2 i+1 pour i inférieur à N-1 (paire R2 1 et R2 2 et paire R2 2 et R2 3 ), le nœud N2 i (respectivement N2 1 , N2 2 ) connecte les résistances voisines entre elles. En d'autres mots, chaque résistance R2 i pour i supérieur ou égal à 2 et inférieur ou égal à N-1 (R2 2 ) relie, de préférence connecte, le nœud N2 i-1 (N2 1 ) au nœud N2 i (N2 2 ). La résistance R2 1 relie, de préférence connecte, le nœud 660 au nœud N2 1 et la résistance R2 N (R2 3 ) relie, de préférence connecte, le nœud N2 N-1 (N2 2 ) à la portion 620 ; - chacune des résistances R3 j pour j supérieur ou égal à 2 et inférieur ou égal à N (R3 2 , R3 3 ), relie entre eux, de préférence connecte entre eux, les nœuds N1 j-1 (respectivement N1 1 , N1 2 ) et N2 j-1 (respectivement N2 1 , N2 2 ). Les résistances R3 1 et R3 N+1 (R3 4 ) relient entre eux, de préférence connectent entre eux, respectivement le nœud 660 à la portion 630 et le nœud 650 à la portion 620 ; et - les résistances R4 1 et R4 2 sont respectivement en parallèle des résistances R3 N+1 (R3 4 ) et R3 1 . Ainsi, les ensembles 640 sont en parallèle entre les portions 620 et 630. De préférence, les valeurs des résistances R1 i , R2 i , R3 j , R4 1 et R4 2 sont calculées d'après les égalités (1) suivantes : où l'égalité (1d) est utilisable pour les valeurs de l'indice j comprises entre 2 et N, RC et R2D désignent des résistances par carré respectivement de la région conductrice 330 et du gaz d'électrons bidimensionnel 120, RL désigne la résistance linéique de la ligne de contact 334, et L i désigne des dimensions dont la somme est égale à la longueur L des doigts 372 et 374. Par souci de simplicité, les résistances R1 i , R2 i , R3 j , R4 1 et R4 2 sont ici désignées de la même manière que leurs valeurs respectives. Les rapports entre la longueur L et les dimensions L i sont prédéfinis. De préférence, lorsque le nombre N est égal à trois, les dimensions L i sont sensiblement données, plus préférentiellement sont données, par les égalités (2) suivantes : Autrement dit, les rapports prédéfinis entre la longueur L et les dimensions L 1 , L 2 et L 3 sont alors sensiblement égaux, de préférence égaux, respectivement à 2, à 3 et à 6. Dans une variante, les trois dimensions L 1 , L 2 et L 3 peuvent être égales. Cependant, par rapport à une telle variante, les inventeurs ont constaté que les valeurs ci-dessus des rapports prédéfinis entre la longueur L et les dimensions L 1 , L 2 et L 3 permettent d'optimiser la précision du modèle sans augmenter le nombre des résistances du réseau, c’est-à-dire sans compliquer le modèle. Dans une autre variante, le nombre N est différent de trois. Cependant, les inventeurs ont constaté que le nombre N égal à trois permet un meilleur compromis entre la complexité du modèle et la précision des valeurs des dimensions des découpures obtenues par minimisation de la résistance obtenue par le modèle. Bien que le modèle décrit ci-dessus en relation avec la comprenne un ensemble 640 pour chaque segment 380 de la ligne de contact 334 reliant les deux bords 362 et 364, le modèle peut comprendre un nombre différent d'ensembles 640, par exemple un seul ensemble 640. Dans un exemple, le modèle comprend un seul ensemble par unité de longueur de la bande 360, et les valeurs des résistances données par les égalités (2) sont alors divisées par le nombre de segments 380 par unité de longueur de la bande 360. La représente, dans le composant 300 de la , des allures schématiques de la résistance linéique R(Ω.mm) entre les portions 620 et 630 ( ) en fonction de la longueur L, obtenues par un exemple de modélisation. Plus précisément, dans cet exemple, les valeurs WC et W2D des demi-largeurs des doigts 372 et 374 ( ) sont égales à une même demi-largeur W. Des courbes 710, 712, 714, 716, 718, et 720 représentent l'allure de la résistance linéique modélisée par le modèle de la , pour des valeurs de la demi-largeur W respectivement égales à 0,5 µm, 0,25 µm, 0,2 µm, 0,15 µm, 0,1 µm, et 0,05 µm. Les valeurs des résistances du modèle résultent des égalités (2) et (3) définies ci-dessus. Des symboles carrés 730 représentent des valeurs obtenues par modélisation par éléments finis. Pour chaque symbole carré 730, la modélisation par éléments finis a été effectuée pour même valeur la demi-largeur W que pour la courbe qui est en contact avec le symbole. Les résultats obtenus avec le réseau de résistances du modèle de la sont sensiblement identiques à ceux d'un modèle par éléments finis, et sont, avantageusement, beaucoup plus simples à obtenir. La représente schématiquement la ligne de contact 334 selon un exemple d'un autre mode de réalisation, et la représente schématiquement un réseau de résistances d'un modèle de résistance de la ligne de contact 334 de la , selon un mode de réalisation. Le composant comprenant la ligne de contact 334 des figures 7A et 7B comprend des éléments identiques ou similaires au composant 300 de la . Ces éléments ne sont pas décrits ici à nouveau en détails. Seules les différences sont mises en exergue. La ligne de contact 334 de la , inscrite dans la bande 360 de longueur L, est en dents de scie, c’est-à-dire qu'elle consiste en des segments 810 et 820 chacun reliant les deux bords 362 et 364 de la bande 360. Les segments 810 et les segments 820 se succédant de manière alternée. De préférence, la dent de scie est régulière et symétrique, c’est-à-dire que les segments 810 et 820 font tous un même angle α avec une direction de longueur de la bande 360. Autrement dit, les points de contact successifs de la ligne 334 avec les bords 362 ou 364 sont répétés régulièrement, et la demi-distance W entre les points de contact successifs d'un même bord est égale à L*tan(α). La résistance entre les portions 620 et 630 peut être modélisée selon un modèle comprenant des ensembles 840 en parallèle entre les portions 620 et 630. Chaque ensemble 840 est constitué de trois résistances R81, R82 et R83 en série. La résistance R81 représente la résistance de la région conductrice 330 ( ) entre la portion 630 et la ligne de contact 334. La résistance R82 représente la résistance rencontrée au franchissement de la ligne de contact 334. La résistance R83 représente la résistance du gaz d'électrons bidimensionnel 120 ( ) entre la ligne de contact 334 et la portion 620. Le modèle peut comprendre un ensemble 840 pour chacun des segments 810 et 820. Le modèle peut aussi comprendre un seul ensemble 840 pour chaque unité de longueur de la bande 360. La résistance R entre les portions 620 et 630 selon ce modèle peut être donnée par l'égalité (3) suivante : Où RC et R2D désignent des résistances par carré respectivement de la région conductrice 330 et du gaz d'électrons bidimensionnel 120, RL désigne la résistance linéique de la ligne de contact, et ln désigne la fonction logarithme népérien. On a décrit ci-dessus, en relation avec les figures 5A, 5B ,6, 7A et 7B, des modèles de réseaux de résistance. Les modes de réalisation ne se limitent pas à des réseaux de résistance. Comme mentionné ci-dessus, les dimensions de la ligne de contact 334 peuvent résulter de la minimisation d'une résistance obtenue par un modèle par éléments finis. Les dimensions de la ligne de contact 334 peuvent également résulter de la minimisation d'une résistance obtenue par un modèle de ligne à transmission. Dans un tel modèle, chaque doigt 372, 374 est représenté par une ligne de transmission et on représente le courant s'échappant ou entrant dans la ligne de transmission par la ligne de contact 334. Un tel modèle permet d'obtenir des expressions algébriques simplifiant la minimisation. Cependant, par rapport à un tel modèle de ligne de transmission, les modèles de réseaux de résistances sont plus précis. En effet, les modèles de réseau de résistance permettent de mieux prendre en compte la circulation du courant dans toutes les directions du plan défini par la bande 360. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à la personne du métier. En particulier, on a décrit ci-dessus, des modèles particuliers de réseaux de résistances entre portions 620 et 630. Ces modèles particuliers ne sont pas limitatifs, et, à partir des modèles décrits ci-dessus, la personne du métier est en mesure de mettre en œuvre tout modèle de réseau de résistances permettant de modéliser tout ou partie de la résistance à l'état passant du composant. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Composant électronique (300) à gaz d'électrons bidimensionnel (120) , comprenant une région conductrice (330) en contact électrique avec ledit gaz selon une ligne de contact (334) présentant des découpures (336, 338). Composant selon la revendication 1, dans lequel la région conductrice est une région semiconductrice dopée. Composant selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le gaz d'électrons bidimensionnel (120) est formé à une interface entre des semiconducteurs (110, 115) de type III–V à bandes interdites différentes. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la ligne de contact (334) est inscrite dans une bande (360). Composant selon la revendication 4, dans lequel la ligne de contact (334) présente une résistance linéique (RL) supérieure : à une résistance linéique présentée par le gaz d'électrons bidimensionnel (120) sur une même largeur que celle de ladite bande ; et/ou à une résistance linéique présentée par ladite région conductrice (330) sur une même largeur que celle de ladite bande. Composant selon la revendication 5, dans lequel la résistance linéique (RL) de la ligne de contact (334) est sensiblement indépendante de l'orientation de la portion considérée de la ligne de contact. Composant selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel les découpures (336, 338) sont en créneaux réguliers séparant entre eux un premier ensemble de doigts (372) de la région semiconductrice (330) et un deuxième ensemble de doigts (374) du gaz d'électrons bidimensionnel (120). Procédé de fabrication d'un composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. Procédé selon la revendication 8 dans sa dépendance à l'une quelconque des revendications 4 à 7, comprenant le choix de dimensions (L, WC, W2D) des découpures sur la base d'une minimisation d'une valeur de résistance de passage entre : une première portion (630) de la région conductrice (330) située le long d'un des bords (364) de ladite bande (360) ; et une deuxième portion (620) du gaz d'électrons bidimensionnel (120) située le long de l'autre des bords (362) de ladite bande. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la minimisation comprend une modélisation de ladite valeur de résistance par un réseau de résistances connectées en série et/ou en parallèle entre les première (630) et deuxième (620) portions. Procédé selon la revendication 10 dans sa dépendance à la revendication 7, dans lequel le réseau de résistances comprend : des, de préférence trois, premières résistances (R1 i ) électriquement en série entre la première portion (630) et un premier nœud (650) ; des deuxièmes résistances (R2 i ) en série entre la deuxième portion (620) et un deuxième nœud (660), les nombres (N) des premières et deuxièmes résistances étant identiques ; des troisièmes résistances (R3 j ) reliant respectivement des nœuds de connexion en série des premières résistances à des nœuds de connexion en série des deuxièmes résistances ; et des quatrième (R4 2 ) et cinquième (R4 1 ) résistances reliant respectivement la première portion (630) au deuxième nœud (660) et la deuxième portion (620) au premier nœud (650). Procédé selon la revendication 11, dans lequel les résistances sont calculées par les équations suivantes où i désigne un indice variant de 1 au nombre N de premières résistances, j désigne un indice variant de 2 à N, R1 i , R2 i , R4 1 et R4 désignent les valeurs respectivement des premières, deuxièmes, quatrième et cinquième résistances en partant du côté de première portion, R3 1 , R3 j et R3 N+1 désignent les valeurs respectives des troisièmes résistances en partant du côté de première portion, RC et R2D désignent des résistances par carré respectivement de la région conductrice (330) et du gaz d'électrons bidimensionnel (120), RL désigne la résistance linéique de la ligne de contact (334), WC et W2D désignent des demi-largeurs de doigts des premier et deuxième ensembles de doigts, et L i désigne des dimensions dont la somme est égale à la largeur de ladite bande (360). Procédé selon la revendication 12, dans lequel le nombre N est égal à trois, et les dimensions W i sont sensiblement données par les équations suivantes : où L désigne la largeur de ladite bande (360). Procédé selon la revendication 9 dans sa dépendance à la revendication 7, ou selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel : la largeur de doigts (WC, W2D) de l'un des premier et deuxième ensembles de doigts (372, 374) est fixée ; et la minimisation comprend la recherche de valeurs de largeur de doigts de l'autre des premier et deuxième ensembles de doigts, et de largeur (L) de ladite bande (360), pour lesquelles ladite valeur de résistance est minimale. Transistor comprenant un composant selon la revendication 6 ou 7 ou résultant d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, dans lequel ladite région conductrice (330) est une région de drain ou de source, et une grille (150) a un bord (350) positionné sur une ligne passant dans le plan du gaz d'électrons bidimensionnel (120), parallèle à ladite bande (360) et située à une distance (LA) de ladite bande comprise entre 50 % et 150 % de la largeur (L) de ladite bande.