FR 3113768 A1 20220304 FR 2008792 A 20200828 Procédé de traitement d'un dispositif optoélectronique La présente description concerne un procédé de traitement d'une région (75) d'un dispositif optoélectronique (Pix) comprenant en outre un substrat (76) adjacent à la région à traiter (75). Le dispositif optoélectronique comprend, dans la région à traiter, des éléments programmables configurés pour être modifiés lorsqu'ils sont exposés à un faisceau laser. Le procédé comprend l'exposition d'au moins l'un des éléments programmables au faisceau laser focalisé au travers du substrat. Figure pour l'abrégé : Fig. 7 Procédé de traitement d'un dispositif optoélectronique La présente description concerne de façon générale un procédé de traitement d'un dispositif optoélectronique, notamment un procédé de modification du dispositif optoélectronique après sa fabrication. Par dispositifs optoélectroniques, on entend des dispositifs adaptés pour effectuer la conversion d’un signal électrique en un rayonnement électromagnétique ou inversement, et notamment des dispositifs dédiés à la détection, la mesure ou l’émission d’un rayonnement électromagnétique. Un exemple d'application concerne un écran d'affichage comprenant un support sur lequel sont fixés des dispositifs optoélectroniques distincts, chaque dispositif optoélectronique comprenant au moins une diode électroluminescente pour l'émission de signaux relatifs à un pixel d'image. Un autre exemple d'application concerne un capteur d'images comprenant un support sur lequel sont fixés individuellement des dispositifs optoélectroniques, chaque dispositif optoélectronique comprenant au moins une photodiode pour la capture de signaux relatifs à un pixel d'image. Pour certaines applications, il est nécessaire de prévoir une étape de modification du dispositif optoélectronique après sa fabrication. Un premier exemple d'application correspond au cas d'un dispositif optoélectronique pour lequel une opération d'étalonnage peut être mise en oeuvre après la fabrication du dispositif optoélectronique, l'opération d'étalonnage pouvant entraîner une modification de paramètres de fonctionnement du dispositif optoélectronique. A titre d'exemple, pour un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes pour l'affichage d'un pixel d'image, l'opération d'étalonnage peut permettre le réglage de la balance des blancs du dispositif optoélectronique. Dans ce but, il est connu de prévoir une mémoire dans le dispositif optoélectronique dans laquelle peuvent être écrites des données après l'opération d'étalonnage pour modifier le fonctionnement du dispositif optoélectronique. Pour réaliser l'opération d'écriture dans la mémoire du dispositif optoélectronique, il peut alors être nécessaire de prévoir sur le dispositif optoélectronique des bornes d'accès à cette mémoire. Toutefois, les dimensions souhaitées du dispositif optoélectronique peuvent ne pas permettre la présence de bornes d'accès supplémentaires en plus de celles prévues pour le fonctionnement normal du dispositif optoélectronique. Un deuxième exemple d'application correspond au cas où le dispositif optoélectronique comprend un système de protection du dispositif optoélectronique contre les décharges électrostatiques (ESD, sigle anglais pour ElectroStatic Discharge), notamment les décharges électrostatiques susceptibles de se produire au cours du procédé de fabrication et de manipulation du dispositif optoélectronique. En effet, selon la structure du système de protection, il peut être nécessaire de prévoir une étape de désactivation du système de protection une fois que le dispositif optoélectronique est mis en place pour que le dispositif optoélectronique fonctionne normalement. Pour réaliser l'étape de désactivation du système de protection, il peut alors être nécessaire de prévoir des bornes d'accès spécifiques sur le dispositif optoélectronique. Toutefois, les dimensions souhaitées du dispositif optoélectronique peuvent ne pas permettre la présence de bornes d'accès supplémentaires en plus de celles prévues pour le fonctionnement normal du dispositif optoélectronique. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés de traitement des dispositifs optoélectroniques décrits précédemment, notamment les procédés de modification des dispositifs optoélectroniques après leur fabrication. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique ne comprend pas de bornes d'accès spécifiques pour réaliser le traitement du dispositif optoélectronique. Un mode de réalisation prévoit un procédé de traitement d'une région d'un dispositif optoélectronique comprenant en outre un substrat adjacent à la région à traiter, le dispositif optoélectronique comprenant, dans la région à traiter, des éléments programmables configurés pour être modifiés lorsqu'ils sont exposés à un faisceau laser, le procédé comprenant l'exposition d'au moins l'un des éléments programmables au faisceau laser focalisé au travers du substrat. Selon un mode de réalisation, chaque élément programmable comprend une piste conductrice, le procédé comprenant l'interruption de la piste conductrice d'au moins l'un des éléments programmables par le faisceau laser focalisé. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une mémoire une fois programmable comprenant les éléments programmables, le procédé comprenant l'exposition d'une partie desdits éléments programmables au faisceau laser focalisé. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend un système de protection contre des décharges électrostatiques comprenant les éléments programmables, le procédé comprenant l'exposition de tous les éléments programmables au faisceau laser focalisé. Selon un mode de réalisation, le système de protection comprend un circuit d'interconnexion de composants électroniques et de composants optoélectroniques par l'intermédiaire des éléments programmables. Selon un mode de réalisation, les pistes conductrices sont métalliques ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend des diodes électroluminescentes et/ou des photodiodes. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend l'exposition du dispositif optoélectronique à une impulsion du faisceau laser focalisé, la durée de ladite au moins une impulsion étant comprise entre 0,1 ps et 1000 ps. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend l'exposition du dispositif optoélectronique à ladite au moins une impulsion du faisceau laser focalisé avec une puissance crête comprise entre 300 kW et 100 MW. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend l'exposition du dispositif optoélectronique à ladite au moins une impulsion du faisceau laser focalisé avec une longueur d’onde comprise entre 1,2 µm et 4 µm. Selon un mode de réalisation, le matériau composant le substrat est semiconducteur. Selon un mode de réalisation, le substrat est en silicium, en germanium, ou en un mélange ou alliage de ces composés. Un mode de réalisation prévoit également un dispositif optoélectronique comprenant un substrat et des éléments programmables dans un empilement reposant sur le substrat, au moins l'un des éléments programmables ayant été modifié par un faisceau laser focalisé au travers du substrat. Selon un mode de réalisation, chaque élément programmable comprend une piste conductrice, la piste conductrice d'au moins l'un des éléments programmables ayant été interrompue par le faisceau laser focalisé. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une mémoire une fois programmable comprenant les éléments programmables, une partie desdits éléments programmables ayant été modifiée par le faisceau laser focalisé. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend un système de protection contre des décharges électrostatiques comprenant les éléments programmables, le système de protection étant activé lorsque tous les éléments programmables ne sont pas modifiés par le faisceau laser focalisé. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes ; la figure 2 est une vue de dessus d'un élément programmable du dispositif optoélectronique représenté en figure 1 ; la figure 3 représente un schéma électronique d'une mémoire programmable une fois ; la figure 4 est une vue de dessus d'éléments programmables de la mémoire programmable une fois représentée en figure 3 ; la figure 5 représente un schéma électrique équivalent d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant un système de protection contre les décharges électrostatiques ; la figure 6 représente un schéma électrique équivalent d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant un système de protection contre les décharges électrostatiques ; la figure 7 illustre un mode de réalisation d'un système de traitement d'un dispositif optoélectronique au laser ; et la figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé de la structure d'un pixel d'affichage. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits de commandes de pixels d'affichage sont bien connus de la personne du métier et ne sont pas décrits en détail. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Des modes de réalisation vont être décrits dans le cas d'un dispositif optoélectronique utilisé pour l'affichage d'un pixel d'image, et en particulier un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre pour un dispositif optoélectronique utilisé pour l'acquisition d'un pixel d'image, et en particulier un dispositif optoélectronique comprenant des photodiodes. Un pixel d'une image correspond à l'élément unitaire de l'image affichée par un écran d'affichage. Un dispositif optoélectronique permettant l'affichage d'un pixel d'image est appelé par la suite pixel d'affichage. Lorsque l'écran d'affichage est un écran d'affichage d'images couleur, il comprend en général pour l'affichage de chaque pixel d'image au moins trois composants d’émission et/ou de régulation de l’intensité lumineuse, également appelés sous-pixels d'affichage, qui émettent chacun un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu). La superposition des rayonnements émis par ces trois sous-pixels d'affichage fournit à l'observateur la sensation colorée correspondant au pixel de l'image affichée. On appelle dans ce cas pixel d'affichage de l'écran d'affichage l'ensemble formé par les trois sous-pixels d'affichage utilisés pour l'affichage d'un pixel d'une image. Lorsque l'écran d'affichage est un écran d'affichage d'images monochromes, il comprend en général une seule source lumineuse pour l'affichage de chaque pixel d'image. La figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un pixel d'affichage Pix. Un écran d'affichage peut comprendre de 10 à 10 9 pixels d'affichage Pix. Chaque pixel d'affichage Pix peut occuper en vue de dessus une surface comprise entre 1 µm 2 et 100 mm 2 . L'épaisseur de chaque pixel d'affichage Pix peut être comprise entre 1 µm et 6 mm. Le pixel d’affichage Pix comprend du bas vers le haut en figure 1 : - un circuit électronique 10, appelé circuit de commande par la suite ; et - un circuit optoélectronique 30. Le circuit de commande 10 comprend une face inférieure 12 et une face supérieure 14 opposée à la face inférieure 12, les faces 12 et 14 étant de préférence parallèles. Le circuit de commande 10 comprend en outre des plots conducteurs 16 sur la face inférieure 12. Le circuit de commande 10 peut comprendre un substrat semiconducteur 18, un empilement 20 de couches isolantes recouvrant le substrat 18 et des pistes conductrices 22 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 20 et connectées par des vias conducteurs non représentés. Le circuit de commande 10 peut en outre comprendre des composants électroniques, non représentés en figure 1, notamment des transistors, formés dans et/ou sur le substrat 18. Une couche isolante, non représentée, peut recouvrir le substrat semiconducteur 18 du côté opposé à l'empilement 20 et délimiter la face inférieure 12 du circuit de commande 10. Le circuit de commande 10 peut en outre comprendre des vias conducteurs traversants, non représentés, s'étendant dans le substrat 18, sur toute l'épaisseur du substrat 18, et isolés électriquement du substrat, et permettant de relier électriquement les plots 16 à la face avant du substrat 18. Le substrat semiconducteur 18 est, par exemple, un substrat en silicium, notamment en silicium monocristallin. Les composants électroniques peuvent alors comprendre des transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS (Metal-Oxide Semiconductor). Selon un autre mode de réalisation, le substrat 18 peut correspondre à un substrat non semiconducteur. Selon un mode de réalisation, les composants électroniques peuvent comprendre des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT (sigle anglais pour Thin-Film Transistor), le substrat 18 pouvant alors ne pas être présent. Le circuit optoélectronique 30 est fixé à la face supérieure 14 du circuit de commande 10. A titre de variante, notamment lorsque les composants électroniques comprennent des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT, le circuit de commande 10 peut être formé directement sur le circuit optoélectronique 30. Le circuit optoélectronique 30 comprend un support 32 sur lequel sont formées des diodes électroluminescentes DEL, de préférence au moins trois diodes électroluminescentes. Les diodes électroluminescentes peuvent par exemple être de forme planaire, de formes filaires ou de forme pyramidale. Le circuit optoélectronique 30 peut comprendre des blocs photoluminescents 34 recouvrant les diodes électroluminescentes DEL du côté opposé au circuit de commande 10. Chaque bloc photoluminescent 34 est en vis-à-vis d'au moins l'une des diodes électroluminescentes DEL. Le circuit optoélectronique 30 comprend des éléments conducteurs 36, situés dans le support 32, et connectés aux électrodes des diodes électroluminescentes DEL. Le circuit optoélectronique 30 est relié électriquement au circuit de commande 10 par des plots conducteurs, qui peuvent correspondre aux éléments conducteurs 36, et qui sont au contact de plots conducteurs du circuit de commande 10. De préférence, le circuit optoélectronique 30 comprend seulement les diodes électroluminescentes DEL et les éléments conducteurs 36 de ces diodes électroluminescentes DEL et le circuit de commande 10 comprend la totalité des composants électroniques nécessaires à la commande des diodes électroluminescentes DEL du circuit optoélectronique 30. A titre de variante, le circuit optoélectronique 30 peut également comprendre d'autres composants électroniques en plus des diodes électroluminescentes DEL. Selon un mode de réalisation, l'opération de traitement du pixel d'affichage, mise en oeuvre après la fabrication du pixel d'affichage Pix, comprend un traitement au laser du pixel d'affichage Pix, comme cela est décrit plus en détail par la suite. Dans ce but, le pixel d'affichage Pix comprend au moins un élément programmable 40 susceptible d'être modifié par le traitement au laser. Selon un mode de réalisation, l'élément programmable 40 comprend une piste conductrice susceptible d'être interrompue par un traitement au laser. L'élément programmable 40 peut être prévu dans le circuit de commande 10. Selon un mode de réalisation, l'élément programmable 40 peut être formé au moins en partie par certaines des pistes conductrices 22, notamment par des pistes conductrices du premier niveau de métallisation du circuit de commande 10 qui peuvent être en silicium polycristallin ou par des pistes conductrices d'un autre niveau de métallisation qui peuvent être métalliques. La figure 2 est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un élément programmable 40. L'élément programmable 40 comprend deux plots d'accès 42 et 44 et une piste conductrice 46 s'étendant entre les deux plots d'accès. Les plots d'accès 42 et 44 et la piste conductrice 46 peuvent correspondre à des pistes conductrices 22 du circuit de commande 10 et/ou à des éléments conducteurs 36 du circuit optoélectronique 30. De façon générale, la piste conductrice 46 peut être métallique ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin. Chaque élément programmable 40 une fois programmé se trouve dans l'une de première ou deuxième configurations. Dans la première configuration, la piste 46 n'est pas interrompue et connecte les deux plots 42, 44. Dans la deuxième configuration, la piste 46 est interrompue et ne connecte pas les deux plots 42, 44. Selon un mode de réalisation, l'élément programmable 40 forme une cellule mémoire d'une mémoire une fois programmable ou mémoire OTP (sigle anglais pour One Time Programmable). Dans ce mode de réalisation, après la fabrication du dispositif optoélectronique, la piste 46 de l'élément programmable 40 de chaque cellule mémoire n'est pas interrompue de sorte que l'élément programmable 40 est dans la première configuration. Ceci correspond au stockage dans la cellule mémoire d'une donnée binaire à un premier état. Des opérations d'étalonnage peuvent alors être réalisées pour le dispositif optoélectronique. L'étape de programmation comprend, pour certaines des cellules mémoire, l'interruption de la piste 46 de l'élément programmable 40 de la cellule mémoire pour amener l'élément programmable 40 dans la deuxième configuration. Ceci correspond au stockage dans la cellule mémoire d'une donnée binaire à un deuxième état. La figure 3 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'une mémoire OTP 50. La mémoire OTP 50 comprend une rangée d'éléments programmables 40. Une borne de chaque élément programmable 40 est reliée, par exemple connectée, à un rail 52 de sélection. L'autre borne de chaque élément programmable 40 est connectée à un circuit de lecture, non représenté, par un rail de lecture 54. La programmation de la mémoire 50 est obtenue, pour chaque élément programmable 40, par la destruction sélective ou non de la piste conductrice 46 de cet élément programmable 40. En fonctionnement, la lecture de la donnée numérique stockée dans la mémoire 50 peut être obtenue en mettant le rail 52 à un potentiel de référence et en lisant les potentiels sur les rails de lecture 54. A titre de variante, la mémoire OTP 50 peut comprendre une matrice de cellules mémoire agencées en rangées et en colonnes. Selon un autre mode de réalisation, l'élément programmable 40 fait partie d'un système de protection du pixel d'affichage contre les décharges électrostatiques. Dans ce mode de réalisation, après la fabrication du pixel d'affichage, la piste 46 de chaque élément programmable 40 n'est pas interrompue de sorte que l'élément programmable 40 est dans la première configuration. Le système de protection du pixel d'affichage est alors activé. L'étape de programmation comprend, par traitement au laser, l'interruption de la piste 46 de chaque élément programmable 40. Ceci permet de rendre inactif le système de protection du pixel d'affichage. La figure 4 est une vue de dessus, partielle et schématique, d'éléments programmables 40 de la mémoire 50 de la figure 3 ou d'un système de protection contre les décharges électrostatiques. Les éléments programmables 40 du pixel d'affichage peuvent être formés par des pistes conductrices reposant sur une même couche. Les éléments programmables 40 d'une paire d'éléments programmables adjacents sont espacés d'une distance A afin que chaque élément programmable 40 puisse être programmé séparément de l'élément programmable adjacent. Selon un mode de réalisation, la distance A est supérieure à 2 µm, de préférence supérieure à 5 µm. Selon un mode de réalisation, il n'y a pas d'autres composants électroniques ni de pistes conductrices selon la direction d'empilement des couches de l'empilement 20 au-dessus et au-dessous de la piste conductrice 46 à moins de 10 µm de la piste conductrice 46. Les figures 5 et 6 représentent chacune un mode de réalisation d'un schéma électrique équivalent d'un pixel d'affichage Pix comprenant un système de protection ESD 60. Le pixel d'affichage Pix comprend l'ensemble des éléments du pixel d'affichage représenté en figure 1 et comprend, en outre, un système 60 de protection contre les ESD. Le système de protection 60 vise à former un chemin privilégié pour le passage de courant dans le cas d'une ESD de façon à éviter une dégradation des diodes électroluminescentes DEL du circuit optoélectronique 30 et/ou des composants électroniques du circuit de commande 10. Le système de protection 60 est connecté électriquement à tous les composants électroniques du circuit de commande 10 et/ou du circuit optoélectronique 30 devant être protégés contre les ESD par des liaisons électriques 62 représentées en traits épais sur les figures 5 et 6. Le système de protection 60 est en outre relié à l'un des plots conducteurs 16 du pixel d'affichage Pix qui peut être mis à la masse GND. Selon un mode de réalisation, le système de protection 60 correspond à un court-circuit prévu entre l'un des plots conducteurs 16 et les liaisons électriques 62. A titre de variante, le système de protection 60 peut comprendre un ou plusieurs composants électroniques 64, par exemple une diode. Dans les figures 5 et 6, le circuit optoélectronique 30 comprend au moins trois diodes électroluminescentes DEL, les diodes électroluminescentes DEL étant à électrode d'anode A commune et comprenant des électrodes de cathodes K distinctes. En outre, dans les figures 5 et 6, le circuit de commande 10 comprend, pour chaque diode électroluminescente DEL, un circuit à transistors MOS C de commande de la diode électroluminescente DEL comprenant une borne B qui est connectée à la cathode K de la diode électroluminescente DEL en fonctionnement. En outre, le circuit de commande 10 comprend une borne A' connectée à l'électrode d'anode A commune des diodes électroluminescentes DEL en fonctionnement, une borne GND destinée en fonctionnement à recevoir un potentiel de référence bas, par exemple la masse, et une borne VCC destinée à recevoir en fonctionnement un potentiel de référence haut. Les potentiels haut et bas peuvent être appliqués entre les plots conducteurs 16 du circuit de commande 10 en fonctionnement. Selon un mode de réalisation, les bornes B, A', et VCC peuvent correspondre à des pistes conductrices 22 présentes dans l'empilement 20 du circuit électronique 10. Le système de protection 60 comprend des éléments programmables 40 connectés en série avec les pistes conductrices 62. Avant la programmation, tous les éléments programmables 40 sont dans la première configuration de sorte qu'ils se comportent comme des interrupteurs fermés. Après la programmation, tous les éléments programmables 40 sont dans la deuxième configuration de sorte qu'ils se comportent comme des interrupteurs ouverts. Les éléments programmables 40 sont situés sur le parcours des pistes conductrices 62 aux emplacements où une interruption du chemin électrique est souhaitée après la programmation. Dans le schéma électrique équivalent de la figure 5, le système de protection 60 est connecté aux bornes B, A', et VCC du pixel d'affichage Pix, par exemple par des pistes conductrices de l'un des niveaux de métallisation du circuit électronique 10 et le système de protection 60 est connecté à la borne GND. L'étape de programmation entraîne l'interruption des liaisons électriques 62 entre les bornes B, A', et VCC. Dans le schéma électrique équivalent de la figure 6, le système de protection 60 est connecté aux bornes A et K du pixel d'affichage Pix par exemple par les éléments conducteurs du circuit optoélectronique 30 et le système de protection 60 est connecté à la borne GND du pixel d'affichage Pix. Le système de protection 60 peut en outre être connecté à la borne VCC du pixel d'affichage Pix, par exemple par des pistes conductrices de l'un des niveaux de métallisation du circuit électronique pour assurer que tous les chemins possibles de circulation de courant lors de décharges électrostatiques sont protégés. L'étape de programmation entraîne, pour chaque pixel d'affichage Pix, l'interruption des liaisons électriques 62 entre les bornes A et K. La figure 7 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un système de traitement 70 du pixel d'affichage Pix de la figure 1. Le système de traitement 70 comprend une source laser 71 et un dispositif optique de focalisation 72 ayant un axe optique D. La source 71 est adaptée à fournir un faisceau laser incident 73 au dispositif de focalisation 72 qui fournit un faisceau laser 74 convergent. Le dispositif optique de focalisation 72 peut comprendre un composant optique, deux composants optiques ou plus de deux composants optiques, un composant optique correspondant par exemple à une lentille. De préférence, le faisceau laser incident 73 est sensiblement collimaté selon l'axe optique D du dispositif optique 72. On a représenté en figure 7 une région 75 du pixel d'affichage Pix comprenant les éléments programmables à programmer. De façon générale, pour atteindre la région à traiter 75 le laser doit traverser une portion 76, appelée substrat par la suite, du pixel d'affichage Pix et éventuellement d'un support auquel est fixé le pixel d'affichage Pix. Le substrat 76 comprend une face 77 recevant le faisceau laser. De préférence, la face 77 est plane et polie. Selon un mode de réalisation, le traitement est réalisé alors que le pixel d'affichage Pix n'est pas fixé à un support du côté du circuit de commande 10. Dans ce cas, la face 77 peut correspondre à la face 12 du circuit électronique 10 et le traitement du pixel d'affichage Pix est de préférence réalisé du côté de la face 12 du circuit électronique 10. Selon un autre mode de réalisation, le traitement est réalisé alors que le pixel d'affichage Pix est fixé à un support du côté du circuit de commande 10. Dans ce cas, le traitement du pixel d'affichage Pix peut être réalisé du côté de la face 12 du circuit de commande 10, au travers du support sur lequel repose le circuit électronique 10 ou peut être réalisé au travers du circuit optoélectronique 30. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur du substrat 76 est comprise entre 50 µm et 3 mm. Selon un mode de réalisation, une couche antireflet, non représentée, est prévue sur la face d'exposition 77. Le substrat 76 peut comprendre au moins un matériau semiconducteur, par exemple du silicium, en particulier du silicium monocristallin, et/ou au moins un matériau isolant électriquement, et/ou au moins un matériau conducteur électriquement. Selon un mode de réalisation, le traitement correspond à l'exposition de parties de la région à traiter 75 de façon à permettre, pour chaque partie exposée, la destruction de l'élément programmable situé dans cette partie. La puissance laser peut être adaptée de manière à être suffisamment élevée pour détruire l'élément programmable, et suffisamment faible pour ne pas endommager les éléments voisins. Selon un mode de réalisation, la longueur d'onde du faisceau laser 74 fourni par le système de traitement 70 est supérieure à la longueur d'onde correspondant à l'écart de bandes (bandgap) du matériau composant principalement le substrat 76, de préférence d'au moins 500 nm, plus préférentiellement d'au moins 700 nm. Ceci permet de façon avantageuse de réduire les interactions entre le faisceau laser 74 et le substrat 76 lors de la traversée du substrat 76 par le faisceau laser 74. Selon un mode de réalisation, la longueur d'onde du faisceau laser 74 fourni par le système de traitement 70 n'est pas supérieure à la longueur d'onde correspondant à l'écart de bandes (bandgap) du matériau composant le substrat 76, de préférence de plus 2500 nm. Ceci permet de façon avantageuse de pouvoir fournir plus facilement un faisceau laser formant un spot laser de faibles dimensions. Dans le cas où le substrat 76 est principalement en silicium qui a un écart de bandes de 1,14 eV, ce qui correspond à une longueur d'onde de 1,1 µm, la longueur d'onde du faisceau laser 74 est choisie égale à environ 2 µm. Dans le cas où le substrat 76 est principalement en germanium qui a un écart de bandes de 0,661 eV, ce qui correspond à une longueur d'onde de 1,87 µm, la longueur d'onde du faisceau laser 74 est choisie égale à environ 2 µm ou 2,35 µm. Selon un mode de réalisation, le faisceau laser 74 est polarisé. Selon un mode de réalisation, le faisceau laser 74 est polarisé selon une polarisation rectiligne. Ceci permet de façon avantageuse d'améliorer les interactions du faisceau laser 74 avec la région à traiter 75. Selon un autre mode de réalisation, le faisceau laser 74 est polarisé selon une polarisation circulaire. Ceci permet de façon avantageuse de favoriser la propagation du faisceau laser 74 dans le substrat 76. Selon un mode de réalisation, le faisceau laser 74 est émis par le système de traitement 70 sous la forme d'une impulsion, de deux impulsions ou plus de deux impulsions, chaque impulsion ayant une durée comprise entre 0,1 ps et 1000 ps. La puissance crête du faisceau laser pour chaque impulsion est comprise entre 300 kW et 100 MW. Le fait d'utiliser des impulsions plus longues que des impulsions de durées inférieures strictement à 100 femtosecondes permet de réduire la puissance crête du faisceau laser 74 et donc de réduire les interactions non linéaires du faisceau laser 74 avec le substrat 76. Le fait d'utiliser des impulsions plus courtes que des impulsions nanosecondes permet d'éviter un échauffement indésirable en dehors de la région à traiter 75 susceptible d'entraîner une détérioration des couches voisines de la région à traiter 75. Dans le mode de réalisation dans lequel les éléments programmables font partie d'une mémoire une fois programmable, le traitement de programmation du pixel d'affichage peut être mis en oeuvre une fois que des tests ont été réalisés sur le pixel d'affichage et la programmation de la mémoire OTP peut dépendre du résultat des tests. Selon un mode de réalisation, les tests peuvent comprendre une mesure de propriétés d'affichage du pixel d'affichage, par exemple la balance des blancs, et la donnée ou les données écrites dans la mémoire OTP dépend des mesures réalisées. En fonctionnement, les propriétés d'affichage du pixel d'affichage sont modifiées en fonction des données écrites dans la mémoire OTP qui peuvent être lues par le circuit de commande. Dans le mode de réalisation dans lequel les éléments programmables font partie d'un système de protection contre les décharges électrostatiques, le traitement de programmation du pixel d'affichage peut être mis en oeuvre une fois que le pixel d'affichage est placé sur le support final. De cette façon, une protection contre les décharges électrostatiques est obtenue tout au long de la manipulation du pixel d'affichage. De façon avantageuse, comme le système de protection contre les décharges électrostatiques est rendu inactif après le traitement de programmation, le système de protection contre les décharges électrostatiques peut comprendre essentiellement des pistes conductrices et être de dimensions réduites. La figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé du pixel d'affichage Pix. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 10 du pixel d'affichage Pix comprend de bas en haut en figure 8 : - le substrat semiconducteur 18, par exemple du silicium monocristallin, une couche isolante 78 du côté de la face inférieure 12 et les deux plots conducteurs 16 ; - des transistors MOS 80, formés dans et sur le substrat 18 ; - l'empilement 20 de couches isolantes, par exemple en oxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium, recouvrant le substrat 18 et les pistes conductrices 22 de plusieurs niveaux de métallisation formés entre les couches isolantes de l'empilement 20 dont notamment des plots 82 exposés sur la face supérieure 14 du circuit électronique 10, les pistes conductrices 22 du premier niveau de métallisation pouvant être en silicium polycristallin et former notamment les grilles des transistors MOS 80 et les pistes conductrices 22 des autres niveaux de métallisation pouvant être des pistes métalliques, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre ou en zinc ; et - des vias 84 conducteurs et isolés latéralement, également appelés TSV (sigle anglais pour Through Silicon Vias) traversant le substrat 18 et reliant les plots 16 à des plots 90 du premier niveau de métallisation de l'empilement 20. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 30 du pixel d'affichage Pix comprend de bas en haut en figure 8 : - le support 32 comprenant une face inférieure 86 au contact de la face supérieure 14 et comprenant des plots conducteurs 88 exposés sur la face inférieure 86, au contact des plots 82, et une structure isolante multicouches 92, par exemple en oxyde de silicium et en nitrure de silicium, s'étendant entre les plots 88 et recouvrant les plots 88 et comprenant des ouvertures 93 exposant des portions des plots 88 ; - des microfils ou nanofils 94, appelés fils par la suite (six fils étant représentés), chaque fil 94 étant en contact avec l'un des plots 88 au travers de l'une des ouvertures 93 ; - une couche isolante 96 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque fil 94 et s'étendant sur la couche isolante 92 entre les fils 94 ; - une coque 98 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de chaque fil 94 et s'étendant sur la couche isolante 96 entre les fils 94, la coque 98 comprenant notamment une couche active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente et comportant par exemple des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples ; - une couche conductrice 100 et réfléchissante, s'étendant sur la coque 98 entre les fils 94 ; - une couche 102 formant une électrode recouvrant, pour chaque fil 94, la coque 98 et s'étendant, en outre, sur la couche conductrice 100 entre les fils 94, la couche d'électrode 102 étant adaptée à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes et étant composée d'un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène ; - les blocs photoluminescents 34 recouvrant certains ensembles de diodes électroluminescentes DEL ou des blocs transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes, chaque bloc photoluminescent comprenant des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émise par les diodes électroluminescentes DEL associées, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes DEL associées ; - une couche isolante 106 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 34, la couche isolante 106 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 108 recouvrant les couches isolantes 106, les faces latérales des blocs 34 et la couche d'électrode 102 entre les blocs 104 ; - des murs 110 entre les blocs 104, chaque mur 110 pouvant comprendre un coeur 112 entouré d'un revêtement 114 réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 34 et/ou les diodes électroluminescentes DEL ; - un filtre de couleur 116 recouvrant au moins certains des blocs photoluminescents 34 ; et - une couche d'encapsulation 118 recouvrant l'ensemble de la structure. Chaque fil 94 a par exemple un diamètre moyen, correspondant par exemple au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil 94, compris entre 5 nm et 5 µm, de préférence entre 100 nm et 2 µm, plus préférentiellement entre 200 nm et 1,5 µm et une hauteur supérieure ou égale supérieure à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois le diamètre moyen, notamment supérieure à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Les fils 94 comprennent au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, par exemple du GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes DEL sont adaptées à émettre de la lumière bleue, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Selon un autre mode de réalisation, les diodes électroluminescentes DEL sont par exemple adaptées à émettre un rayonnement dans l'ultraviolet. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière bleue et est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, le mode de réalisation dans lequel les éléments programmables font partie d'une mémoire une fois programmable et le mode de réalisation dans lequel les éléments programmables font partie d'un système de protection contre les décharges électrostatiques peuvent être combinés. Le pixel d'affichage peut alors à la fois comprendre des éléments programmables qui font partie d'une mémoire une fois programmable et des éléments programmables qui font partie d'un système ESD. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, même si des modes de réalisation ont été décrits dans le cas de pixels d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des pyramides de taille micrométrique ou nanométrique, une pyramide étant une structure tridimensionnelle dont une partie est de forme pyramidale ou conique allongée. Cette structure pyramidale peut être tronquée, c’est-à-dire que le haut du cône est absent, laissant place à un plateau. La base de la pyramide est inscrite dans un polygone dont la dimension des côtés est de 100 nm à 10 µm, préférentiellement entre 1 et 3 µm. Le polygone formant la base de la pyramide peut être un hexagone. La hauteur de la pyramide entre la base de la pyramide et le sommet ou le plateau sommital varie de 100 nm à 20 µm, préférentiellement entre 1 µm et 10 µm. En outre, même si des modes de réalisation ont été décrits dans le cas de pixels d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes planaires dans lequel chaque diode électroluminescente est formée par un empilement de couches semiconductrices planes. Procédé de traitement d'une région (75) d'un dispositif optoélectronique (Pix) comprenant en outre un substrat (18 ; 76) adjacent à la région à traiter (75), le dispositif optoélectronique comprenant, dans la région à traiter, des éléments programmables (40) configurés pour être modifiés lorsqu'ils sont exposés à un faisceau laser, le procédé comprenant l'exposition d'au moins l'un des éléments programmables au faisceau laser focalisé (74) au travers du substrat. Procédé selon la revendication 2, dans lequel chaque élément programmable (40) comprend une piste conductrice (46), le procédé comprenant l'interruption de la piste conductrice d'au moins l'un des éléments programmables (40) par le faisceau laser focalisé (74). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend une mémoire une fois programmable (50) comprenant les éléments programmables (40), le procédé comprenant l'exposition d'une partie desdits éléments programmables (40) au faisceau laser focalisé (74). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend un système (60) de protection contre des décharges électrostatiques comprenant les éléments programmables (40), le procédé comprenant l'exposition de tous les éléments programmables (40) au faisceau laser focalisé (74). Procédé selon la revendication 4, dans lequel le système de protection (60) comprend un circuit d'interconnexion de composants électroniques (C) et de composants optoélectroniques (DEL) par l'intermédiaire des éléments programmables (40). Procédé selon la revendication 2, dans lequel les pistes conductrices (46) sont métalliques ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend des diodes électroluminescentes (DEL) et/ou des photodiodes. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant l'exposition du dispositif optoélectronique (Pix) à au moins une impulsion du faisceau laser focalisé (74), la durée de ladite au moins une impulsion étant comprise entre 0,1 ps et 1000 ps. Procédé selon la revendication 8, comprenant l'exposition du dispositif optoélectronique (Pix) à ladite au moins une impulsion du faisceau laser focalisé (74) avec une puissance crête comprise entre 300 kW et 100 MW. Procédé selon la revendication 8 ou 9, comprenant l'exposition du dispositif optoélectronique (Pix) à ladite au moins une impulsion du faisceau laser focalisé (74) avec une longueur d’onde comprise entre 1,2 µm et 4 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le matériau composant le substrat (18 ; 76) est semiconducteur. Procédé selon la revendication 11, dans lequel le substrat (18 ; 76) est en silicium, en germanium, ou en un mélange ou alliage de ces composés Dispositif optoélectronique (Pix) comprenant un substrat (18) et des éléments programmables (40) dans un empilement (20) reposant sur le substrat, au moins l'un des éléments programmables (40) ayant été modifié par un faisceau laser focalisé (74) au travers du substrat. Dispositif optoélectronique selon la revendication 13, dans lequel chaque élément programmable (40) comprend une piste conductrice (46), la piste conductrice d'au moins l'un des éléments programmables (40) ayant été interrompue par le faisceau laser focalisé (74). Dispositif optoélectronique selon la revendication 13 ou 14, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend une mémoire une fois programmable (50) comprenant les éléments programmables (40), une partie desdits éléments programmables (40) ayant été modifiée par le faisceau laser focalisé (74). Dispositif optoélectronique selon la revendication 13 ou 14, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend un système (60) de protection contre des décharges électrostatiques comprenant les éléments programmables (40), le système de protection étant activé lorsque tous les éléments programmables (40) ne sont pas modifiés par le faisceau laser focalisé (74). Dispositif selon la revendication 16, dans lequel le système de protection (60) comprend un circuit d'interconnexion de composants électroniques (C) et de composants optoélectroniques (DEL) par l'intermédiaire des éléments programmables (40). Dispositif optoélectronique selon la revendication 14, dans lequel les pistes conductrices (46) sont métalliques ou en un matériau conducteur électriquement non métallique, notamment du silicium dopé monocristallin ou polycristallin. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 13 à 18, dans lequel le dispositif optoélectronique (Pix) comprend des diodes électroluminescentes (DEL) et/ou des photodiodes. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 13 à 19, dans lequel le matériau composant le substrat (18) est semiconducteur. Dispositif optoélectronique selon la revendication 20, dans lequel le substrat (18) est en silicium, en germanium, ou en un mélange ou alliage de ces composés.