FR 3112422 A1 20220114 FR 2007279 A 20200709 Titre : Procédé de réalisation d’une couche diélectrique sur une structure à base de matériaux III-V L’invention concerne un procédé de réalisation, sur une structure (70) à base d’un matériau III-V, d’une couche diélectrique (71), le procédé comprenant les séquences suivantes effectuées: réaliser un premier film diélectrique (71A) par ALD en effectuant une pluralité de premiers cycles (1A) comprenant chacun au moins: une injection (10A) dans la chambre de réaction (210) d’un précurseur à base d’un premier matériau, une injection (30A) dans la chambre de réaction (210) d’un précurseur à base d’eau (H 2 O) ou d’ozone (O 3 ), réaliser, sur le premier film diélectrique (71A), un deuxième film diélectrique (71B) par ALD assisté par plasma en effectuant une pluralité de deuxièmes cycles (1B) comprenant chacun au moins: une injection (10B) dans la chambre de réaction (210) d’un précurseur à base d’un deuxième matériau, une injection (30B) dans la chambre de réaction (210) d’un précurseur à base d’oxygène (O) ou d’azote (N). Figure pour l’abrégé : Fig.2 Procédé de réalisation d’une couche diélectrique sur une structure en matériaux III-V La présente invention concerne la réalisation d’une couche diélectrique, par exemple à base d’alumine (Al 2 O 3 ) sur une structure, telle qu’une couche ou des nanostructures à base de matériaux III-V. Elle trouve par exemple pour application avantageuse le domaine de la micro-électronique et plus particulièrement les domaines de l’électronique de puissance, des capteurs et de l’optoélectronique. L’une des applications particulièrement avantageuses concerne la réalisation des diélectriques de grille en alumine pour fabriquer des transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs). ETAT DE LA TECHNIQUE L’alumine est un diélectrique de grille classiquement utilisé pour les transistors HEMTs à base de nitrure de gallium (GaN). Habituellement, la réalisation d’une couche alumine s’effectue par dépôt par couche atomique, habituellement désigné par l’acronyme ALD du vocable anglais « atomic layer deposition ». Les techniques d’ALD reposent sur un procédé de croissance autolimitant dans lequel le matériau est déposé couche par couche. Il est ainsi possible de concevoir des films à l’échelle nanométrique. D’une manière générale, la technique ALD consiste à injecter séquentiellement des précurseurs d’une première espèce (réactif A), puis des précurseurs d’une deuxième espèce (réactif B) dans la chambre de réaction d’un réacteur. La figure 1 illustre différentes étapes d’un exemple de cycle 1 de dépôt ALD. Une première étape 10 consiste à injecter le réactif A qui réagit avec la surface découverte du substrat par chimisorption. On effectue ensuite une étape de purge 20 pour éliminer les réactifs A n’ayant pas réagi ainsi que les produits réactionnels. On injecte 30 ensuite le réactif B qui réagit avec la surface découverte par chimisorption. On effectue ensuite une étape de purge 40 pour éliminer les réactifs B n’ayant pas réagi ainsi que les produits réactionnels. Pour obtenir une couche d’épaisseur souhaitée, ce cycle 1 est répété de manière séquentielle. En figure 1, la flèche en pointillés et le nombre N illustrent ce caractère itératif et le nombre de cycles effectués. Le dépôt d’alumine (Al 2 O 3 ) par ALD, peut se faire ; - soit par l’ALD dite « thermique », dans ce cas le précurseur à base d’oxygène est de l’eau (H 2 O) ou de l’ozone (O 3 ) ; - soit par l’ALD dite « plasma», dans ce cas le précurseur à base d’oxygène est un plasma à base de dioxygène (O 2 ). En dépit de l’existence de ces techniques connues de dépôt par ALD, il demeure un besoin consistant à proposer une solution permettant d’améliorer les propriétés d’une couche diélectrique, telle qu’une couche d’alumine déposée par ALD. De manière plus générale, il demeure un besoin consistant à proposer une solution permettant d’améliorer les propriétés d’une couche diélectrique déposée sur une couche ou des nanostructures à base de matériaux III-V, en particulier à base des matériaux III-N et en particulier à base de GaN. Un objet de la présente invention consiste à répondre à au moins l’un de ces besoins. RESUME Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation on prévoit un procédé de réalisation, sur une structure à base d’un matériau III-V, d’une couche diélectrique comprenant au moins un matériau diélectrique susceptible d’être déposé par dépôt par couche atomique (ALD) en utilisant un précurseur à base d’eau (H 2 O), d’ozone (O 3 ) ou de dioxygène (O 2 ). Le procédé comprend les séquences suivantes effectuées dans un réacteur plasma comportant une chambre de réaction à l’intérieur de laquelle est disposée ladite structure: - réaliser un premier film diélectrique par ALD en effectuant une pluralité de premiers cycles comprenant chacun au moins: une injection dans la chambre de réaction d’un précurseur à base d’un premier matériau, une injection dans la chambre de réaction d’un précurseur à base d’eau (H 2 O) ou d’ozone (O 3 ). Le premier film diélectrique comprend au moins le premier matériau et de l’oxygène. - réaliser, sur le premier film diélectrique, un deuxième film diélectrique par ALD assisté par plasma en effectuant une pluralité de deuxièmes cycles comprenant chacun au moins: une injection dans la chambre de réaction d’un précurseur à base d’un deuxième matériau, une injection dans la chambre de réaction d’un précurseur à base d’une espèce donnée, prise parmi l’oxygène et l’azote et la formation dans la chambre de réaction d’un plasma à base de ladite espèce, le deuxième film diélectrique comprenant au moins le deuxième matériau et ladite espèce Il été constaté, que, de manière surprenante, la couche diélectrique ainsi composée d’un film « thermique » surmonté d’un film « plasma » présente des propriétés électriques significativement améliorées. Par ailleurs, la qualité de l’interface entre cette couche diélectrique et la structure qui lui est sous-jacente est également nettement améliorée. Il est probable que ces résultats inattendus soient d’une part dus au fait que le film diélectrique thermique joue le rôle d’une couche protectrice vis-à-vis de la surface de la structure sous-jacente et d’autre part que le dépôt en mode plasma permette d’améliorer les caractéristiques électriques de la couche diélectrique globale. Plus précisément, le film déposé en mode thermique limite l’oxydation par le plasma de la surface exposée de la structure sous-jacente. Au contraire, il semblerait que le dépôt en mode plasma oxyde et passive la structure sous-jacente. Par exemple, dans le cas de la réalisation d’une couche d’alumine sur du GaN, l’alumine thermique évite, voire empêche, l’oxydation de la surface exposée de GaN au niveau de l’interface Al 2 O 3 /GaN, alors que l’alumine plasma aurait tendance à oxyder le GaN. En outre, la présence d’une épaisseur conséquente d’alumine plasma dans la couche diélectrique permet d’améliorer les propriétés électriques de cette dernière. De manière facultative, le procédé peut en outre présenter au moins l’une quelconque des caractéristiques suivantes qui peuvent être prises séparément ou en combinaison : Selon un exemple, le premier matériau est identique au deuxième matériau. Alternativement, le premier matériau est différent du deuxième matériau. Selon un exemple, le plasma à base de ladite espèce est un plasma à base d’oxygène (O) crée à partir d’un précurseur constitué de dioxygène (O 2 ) ou comprenant du dioxygène (O 2 ). Selon un exemple, le plasma à base de ladite espèce est un plasma à base d’azote (N) crée à partir d’un précurseur constitué de diazote (N 2 ) ou comprenant du diazote (N 2 ). Selon un exemple, au moins l’un parmi le premier matériau et le deuxième matériau est pris parmi l’un des matériaux suivants : aluminium (Al), titane (Ti), Tantale (Ta), Zirconium (Zr), Hafnium (Hf), silicium (Si). Selon un exemple, le premier film diélectrique est pris parmi les matériaux suivants : Al 2 O 3 , HfO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , SiO 2 , et SiN. Selon un exemple, le deuxième film diélectrique est pris parmi les matériaux suivants : Al 2 O 3 , HfO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , SiO 2 , SiN et AlN. Selon un exemple, le premier matériau et le deuxième matériau sont de l’aluminium, le premier film diélectrique et le deuxième film diélectrique sont en Al 2 O 3 . Selon un exemple, le précurseur à base du premier matériau et le précurseur à base du deuxième matériau sont pris parmi le triméthylaluminium et le trichlorure d’aluminium. Selon un exemple, le premier film diélectrique présente une épaisseur e 71A et le deuxième film diélectrique présente une épaisseur e 71B , avec e 71A 71B . De préférence, e 71A est compris entre 0,5 et 2 nm. De préférence e 71B >1,5*e 71A , et de préférence e 71B >3*e 71A . Selon un exemple, le premier film diélectrique présente une épaisseur e 71A , telle que e 71A ≥ 0.5 nm. Cette épaisseur permet de limiter efficacement l’oxydation de la surface de la structure sous-jacente la couche électrique. Selon un exemple, le premier film diélectrique présente une épaisseur e 71A , telle que e 71A ≤ 2 nm (10 -9 mètres). Cette épaisseur permet que les caractéristiques de la couche diélectrique soient principalement dictées par la couche réalisée par dépôt plasma. Selon un exemple, le deuxième film diélectrique présente une épaisseur e 71B , telle que e 71B ≥ 5 nm. Cette épaisseur permet que les caractéristiques de la couche diélectrique soient principalement dictées par la couche réalisée par dépôt plasma. Selon un exemple, chaque deuxième cycle comprend, au moins une étape de purge de la chambre de réaction, l’étape de purge comprenant l’injection dans la chambre de réaction d’un gaz neutre, l’au moins une étape de purge étant effectuée à au moins l’un et de préférence à chacun des instants suivants : après l’injection du précurseur à base du deuxième matériau et avant la formation du plasma, et après la formation du plasma. Selon un exemple, chaque deuxième cycle comprend, au moins une étape de stabilisation des gaz présents dans la chambre de réaction, l’étape de stabilisation étant effectuée au moins avant la formation du plasma. Selon un exemple, au cours de certains au moins des premiers cycles, et de préférence au cours de chaque premier cycle, l’injection du précurseur à base du premier matériau est effectuée après l’injection dans la chambre de réaction du précurseur à base d’eau (H 2 O) ou d’ozone (O 3 ). Selon un exemple, au cours de certains au moins des deuxièmes cycles, et de préférence au cours de chaque deuxième cycle, l’injection du précurseur à base du deuxième matériau est effectuée après l’injection dans la chambre de réaction du précurseur à base à base de l’espèce donnée et la formation dans la chambre de réaction d’un plasma. Selon un exemple, la structure est une prise parmi : une couche, une structure en trois dimensions, une pluralité de structures en trois dimensions. Selon un exemple, la structure est à base d’un matériau pris parmi les matériaux III-N. Selon un exemple le matériau peut être du GaN. Ainsi la structure est faite de GaN ou est à base de GaN. Selon un exemple, le deuxième film diélectrique est formé directement au contact du premier film diélectrique. Selon un exemple, le premier film diélectrique est formé directement au contact de la structure. Selon un exemple, la structure est une couche. Elle présente par exemple une face qui s’étend sur toute la plaque. Elle peut présenter une face plane. Alternativement, elle peut épouser la forme de reliefs qui lui sont sous-jacents. Selon un autre exemple, la structure peut ne pas être une couche. Elle peut comprendre une nanostructure ou une pluralité de nanostructures. Une nanostructure est une structure dont au moins une dimension est inférieure à 1 millimètre et de préférence inférieure à 500 nm (10 -9 mètres) et de préférence inférieure à 100 nm. Une nanostructure peut être en trois dimensions (3D). Il peut par exemple s’agir d’un plot ou d’un fils s’étendant selon une direction principale perpendiculaire à une face du substrat de support et présentant, dans un plan perpendiculaire à cette direction principale, une section inférieure à 1 millimètre, de préférence inférieure à 500 nm, et de préférence inférieure à 100 nm. La nano structure peut également être une tranchée ou une nervure. Elle peut également être une structure destinée à faire partie ou à former un dispositif qu’un transistor ou un dispositif micromécanique ou électromécaniques (MEMS, NEMS…) ou encore un dispositif optique ou optoélectronique (MOEMS…). La nanostructure est ponctuelle. Elle ne s’étendant pas sur toute la plaque. Ainsi, une face de la plaque s’étend principalement dans un plan et des nanostructures s’étendent à partir de cette face et selon une direction perpendiculaire à ce plan. C’est nanostructures sont donc discontinues. Selon un exemple, la structure est disposée sur un substrat situé dans la chambre de réaction, et, lors de la formation du plasma, on applique au substrat une tension de polarisation Vbias non nulle. De manière inattendue et particulièrement avantageuse, la polarisation de la structure lors de l’injection du précurseur à base de l’espèce donnée permet d’améliorer considérablement la qualité de la deuxième couche diélectrique. Lorsque la structure est faite de GaN et est destinée former une partie au moins d’un dispositif à base de GaN tel qu’un HEMT, l’application d’une tension de polarisation permet ainsi d’augmenter considérablement les performances de tels dispositifs. Tel est le cas lorsque la couche diélectrique forme un diélectrique de grille pour ce type de transistors. Selon un exemple, la valeur absolue de la tension de polarisation IVbiasI est inférieure ou égale à 160 Volts. Selon un exemple, la valeur absolue de la tension de polarisation IVbiasI est supérieure ou égale à 10 Volts. Selon un exemple, lequel IVbiasI est comprise entre 10 Volts et 130 Volts et de préférence Vbias est comprise entre -10 Volts et -130 Volts. Selon un exemple, IVbiasI est égale à 85 Volts. Selon un exemple, la tension de polarisation Vbias est appliquée pendant au moins 70%, et de préférence 90%, de la durée T O de la formation du plasma. Selon un exemple, la tension de polarisation Vbias est appliquée pendant toute la durée T O de la formation du plasma. Selon un exemple, lequel chaque premier et deuxième cycle comprend, au moins une étape de purge de la chambre de réaction, l’étape de purge comprenant l’injection dans la chambre de réaction d’un gaz neutre, l’au moins une étape de purge étant effectuée à au moins l’un et de préférence à chacun des instants suivants : après l’injection du précurseur à base du premier matériau, après l’injection du précurseur à base d’eau, après l’injection du précurseur à base du deuxième matériau, et avant la formation du plasma, et après la formation du plasma. Selon un exemple, le procédé comprend au moins dix premiers cycles et de préférence au moins cinquante premiers cycles. De préférence il comprend au moins cents premiers cycles et de préférence environ cinq cents premiers cycles. Selon un exemple, le procédé comprend au moins dix deuxièmes cycles et de préférence au moins cinquante deuxièmes cycles. De préférence il comprend au moins cents deuxièmes cycles et de préférence environ cinq cents deuxièmes cycles. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée d’un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels : La figure 1 représente schématiquement un cycle classique d’un dépôt ALD. La figure 2 représente schématiquement un exemple de procédé selon l’invention. Cette figure fait apparaître que ce procédé comprend une première séquence au cours de laquelle un premier cycle est réitéré puis une deuxième séquence au cours de laquelle un deuxième cycle est réitéré. La figure 3 est un schéma d’un dispositif capacitif de type Métal-Isolant-Semi-conducteur comprenant des contacts métalliques (nickel/or), une couche diélectrique, par exemple d’alumine, surmontant une structure, par exemple une couche de GaN. La figure 4 représente de manière schématique un exemple de réacteur de dépôt pouvant être utilisé pour mettre en œuvre le procédé selon l’invention. La figure 5A est un graphe illustrant les caractéristiques capacité – tension (C-V) d’un dispositif tel que celui de la figure 3 et comportant une couche d’alumine thermique uniquement. La figure 5B est un graphe illustrant les mesures des caractéristiques capacité – tension (C-V) de dispositifs tel que celui de la figure 3 et comportant une couche d’alumine plasma uniquement. Ces courbes permettent également de comparer l’impact des tensions de polarisation utilisées pour le dépôt. La figure 6 comporte des graphes, tirés des mesures des figures 5B et 5A et illustrant la tension de la courbe aller pour une capacité donnée, l’hystérésis entre le balayage aller et retour pour une capacité donnée, ainsi que la pente de la courbe aller. La figure 7 est un graphe illustrant les caractéristiques capacité – tension (C-V) de dispositifs comportant une couche d’alumine thermique uniquement ou une couche d’alumine plasma uniquement ou encore une bicouche formée d’un film d’alumine thermique et d’un film d’alumine plasma. La figure 8 comporte des graphes, tirés des mesures de la figure 6 et illustrant la tension de la courbe aller pour une capacité donnée, l’hystérésis entre le balayage aller et retour pour une capacité donnée, ainsi que la pente de la courbe aller. La figure 9 est un graphe illustrant les caractéristiques capacité – tension (C-V) de dispositifs comportant une bicouche d’alumine formée d’un film d’alumine thermique et d’un film d’alumine plasma. Les dispositifs étudiés diffèrent par la proportion relative du film d’alumine plasma par rapport au film d’alumine thermique, ainsi que par la tension de polarisation utilisée pour le dépôt du film d’alumine plasma. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, en figure 3, les épaisseurs des différentes couches ne sont pas représentatives de la réalité. Description des figures Le principe général de la présente invention va maintenant être décrit en référence aux figures 2 et 3. La figure 2 illustre les différentes étapes qui interviennent à chaque réalisation d’une couche diélectrique 71 sur une structure 70 à base d’un matériau III-V. Ces étapes sont répétées plusieurs fois jusqu’à ce que cette couche diélectrique présente l’épaisseur souhaitée. La figure 3 illustre un exemple de structure que l’on peut obtenir en mettant en œuvre le procédé de la figure 2. Le procédé proposé repose sur le dépôt de la couche diélectrique 71 sous forme d’un empilement de deux films 71A et 71B formant ainsi une bicouche 71. Le premier film 71A est déposé en mode dit « thermique », c’est-à-dire avec un précurseur à base d’eau (H 2 O) ou d’ozone (O 3 ). Ce premier film 71A a pour effet de limiter l’oxydation de la surface 70’ de la structure 70 sur laquelle est déposée la couche diélectrique. Le deuxième film 71B est déposé en mode dit « plasma », c’est-à-dire avec formation d’un plasma. Il s’agit d’un plasma à base d’une espèce donnée, prise parmi l’oxygène (O) et l’azote (N). La plasma est formé par injection d’un gaz comprenant ladite espèce. Il peut s’agir par exemple de dioxygène (O 2 ) ou de diazote (N 2 ). Ce deuxième film 71B a pour avantage d’améliorer les propriétés électriques de la couche diélectrique 71 par rapport au dépôt thermique. Ce deuxième film 71B permet donc d’améliorer les performances du dispositif comprenant cette couche diélectrique 71. Préférentiellement, ces deux films 71A, 71B sont réalisés in-situ dans un même réacteur plasma de dépôt configuré pour effectuer des dépôts par couche atomique assisté par plasma (PEALD). Un exemple de réacteur plasma de dépôt sera décrit par la suite en référence à la figure 4. Avant de procéder à la réalisation de ces deux films 71A, 71B, on dispose, dans une chambre de réaction du réacteur, un substrat comprenant la structure 70 destinée à recevoir ces deux films 71A, 71B. Une telle structure 70 est à base d’un matériau III-V, par exemple à base d’un matériau III-N. Dans l’exemple non limitatif illustré en figure 3 et qui va être décrit en détail par la suite, cette structure 70 est à base de GaN. Plus précisément, cette structure 70 sera décrite comme étant une couche de GaN. Toutes les caractéristiques, étapes et effets techniques qui seront décrits par la suite sont parfaitement applicables à une structure à base d’un matériau III-V autre que le GaN. Par ailleurs, toutes les caractéristiques, étapes et effets techniques qui seront décrits par la suite sont parfaitement applicables à une structure, possiblement autre qu’une couche, telle qu’une nanostructure, par exemple en trois dimensions, ou une pluralité de telles structures. Le substrat peut être formé uniquement de cette structure 70 en matériau III-V. De manière alternative, ce substrat peut comprendre une couche de support surmontée au moins d’une telle structure 70. La structure 70 présente une surface libre 70’, exposée aux espèces présentes dans la chambre de réaction. Le procédé comprend les séquences et étapes principales suivantes illustrées en figure 2. Le procédé comprend deux séquences. Une première séquence vise à réaliser le premier film 71A déposé en mode « thermique ». Une deuxième séquence vise à réaliser le deuxième film 71B déposé en mode « plasma». Chacune de ces séquences est détaillée ci-dessous. La première séquence comprend l’itération de plusieurs cycles référencées 1A en figure 2. Chaque cycle 1A comprend au moins les étapes suivantes. Une première étape comprend l’injection 10A dans la chambre de réaction 210 d’un précurseur à base d’un premier matériau. Ce premier matériau est pris parmi l’un des matériaux suivants : aluminium (Al), titane (Ti), Tantale (Ta), Zirconium (Zr), Hafnium (Hf), silicium (Si). Une deuxième étape est une étape de purge 20A. Cette purge 20A est effectuée pour éliminer l’excès du précurseur à base du premier matériau, c’est-à-dire pour évacuer les réactifs du précurseur à base du premier matériau qui n’auraient pas réagi, ainsi que les produits réactionnels. Au cours de cette purge, on injecte dans la chambre de réaction du gaz neutre tel que de l’argon (Ar) ou du diazote (N 2 ). Cette étape, bien qu’avantageuse, est uniquement optionnelle. Une troisième étape comprend une injection 30A dans la chambre de réaction 210 d’un précurseur à base d’eau (H 2 O), de préférence sous forme de vapeur. De manière alternative ou combinée, il peut s’agir d’une injection d’un précurseur à base d’ozone (O 3 ). Une quatrième étape est une étape de purge 40A. Cette purge 40A est effectuée pour éliminer l’excès du précurseur à base d’eau (H 2 O), ainsi que les produits réactionnels ou d’ozone (O 3 ). La flèche en trait plein donne une indication, à titre d’exemple uniquement, des durées relatives du cycle et de chacune de ses étapes. On notera que la première étape est la troisième étape peuvent être inversées en étant chacune accompagnée d’une étape de purge. Ainsi, en alternative aussi qu’illustré en figure 2, le procédé peut être mis en œuvre sur la chronologie suivante : 30A, 40A, 10A, 20A. Chaque cycle 1A permet la formation d’une portion du film diélectrique « thermique ». Au cours de cette séquence, ce cycle 1A est répété N A fois comme l’illustre la figure 2. Au terme de cette séquence, le film 71A diélectrique réalisé présente une épaisseur e 71A . À l’issue de cette première séquence, et donc à l’issue du dernier cycle 1A, on effectue une deuxième séquence. Cette première séquence comprend l’itération de plusieurs cycles référencées 1B en figure 2. Les cycles 1B sont effectués après que tous les cycles 1A ont été effectués et achevés. Chaque cycle 1B comprend au moins les étapes suivantes. Une première étape comprend l’injection 10B dans la chambre de réaction 210 d’un précurseur à base d’un deuxième matériau. Ce deuxième matériau est pris parmi l’un des matériaux suivants : aluminium (Al), titane (Ti), Tantale (Ta), Zirconium (Zr), Hafnium (Hf), silicium (Si). Une deuxième étape est une étape de purge 20B. Cette purge 20B est effectuée pour éliminer l’excès du précurseur à base du deuxième matériau. Typiquement, cette étape comprend l’injection dans la chambre de réaction 210 d’un gaz neutre. Une troisième étape 30B comprend l’injection dans la chambre de réaction d’un précurseur à base d’une espèce donnée, puis la formation d’un plasma 32B dont la chimie comprend cette espèce. Cette espèce peut être de l’oxygène. Dans ce cas, le gaz injecté peut par exemple être du dioxygène ou comprendre du dioxygène. Alternativement, cette espèce peut être de l’azote. Dans ce cas, le gaz injecté peut par exemple être du diazote ou comprendre du diazote. Cette troisième étape 30B, peut comprendre une phase de stabilisation 31B des gaz utilisés pour le plasma à base de l’espèce donnée. Cette phase de stabilisation 31 est effectuée après injection d’un précurseur à base de l’espèce donnée et avant la formation 32B du plasma. Une quatrième étape est une étape de purge 40B. Cette purge 40B est effectuée pour éliminer l’excès du précurseur à base de l’espèce donnée. On notera que la première étape est la troisième étape peuvent être inversées en étant chacune accompagnée d’une étape de purge. Ainsi, en alternative aussi qu’illustré en figure 2, le procédé peut être mis en œuvre sur la chronologie suivante : 30B, 40B, 10B, 20B. Chaque cycle 1B permet la formation d’une portion du film diélectrique «plasma». Au cours de cette séquence, ce cycle 1B est répété N B fois comme l’illustre la figure 2. Au terme de cette séquence, le film 71B diélectrique réalisé présente une épaisseur e 71 B . Toutes les étapes de purge 40A, 20B, 30B peuvent être effectuées de la manière décrite en référence à l’étape de purge 20A. La séquence plasma est effectuée uniquement après la séquence thermique. Typiquement, à l’issue d’un cycle l’épaisseur du film 71A ou 71B formé est inférieure à 1,5 Angström (10 -10 mètres). De préférence cette épaisseur est inférieure à 1,2 Angström. De préférence, cette épaisseur est comprise entre 0,8 Angström et 1,2 Angström. De manière particulièrement avantageuse, la couche diélectrique 71 ainsi réalisée et composée du film thermique 71A surmonté du film plasma 71B présente des propriétés électriques significativement améliorées. Par ailleurs, la qualité de l’interface entre cette couche diélectrique 71 et la structure 70 qui lui est sous-jacente est également nettement améliorée. Ces résultats semblent dus au fait que le film diélectrique thermique 71A joue le rôle d’une couche de passivation vis-à-vis de la surface 70’ de la structure 70 sous-jacente et que le film diélectrique plasma 71B permette d’améliorer les caractéristiques électriques de la couche diélectrique globale. Plus précisément, le film thermique 71A limite l’oxydation par le plasma de la surface exposée 70’ de la structure 70. Au contraire, il semblerait que le dépôt plasma oxyde et passive la structure 70 sous-jacente. Afin de ne pas dégrader les qualités électriques de la couche diélectrique 71 il est préférable que l’épaisseur e 71A du film thermique 71A soit inférieure à l’épaisseur du film diélectrique plasma 71B. Ainsi e 71B >e 71A . De préférence e 71A >0,5 nm. De préférence e 71B >1,5*e 71A , et de préférence e 71B >3*e 71A . De préférence, e 71A est inférieure ou égale à 2 nm. De préférence, l’épaisseur du film plasma e 71B est supérieure ou égale à 5 nm. Cela permet d’avoir une couche diélectrique globale présentant de très bonnes performances électriques. Par ailleurs, afin que le film diélectrique thermique 71A limite efficacement l’oxydation de la structure 70, il faut que son épaisseur e 71A soit suffisante. De préférence e 71A ≥ à 0.5 nm. De préférence elle est égale à 1.2 nm. Selon un mode de réalisation optionnel, lors de la formation 32B du plasma, on applique une polarisation sur la structure 70 à base de matériau III-V, dans cet exemple une couche à base de GaN. En pratique, la chambre de réaction comprend un plateau de réception du substrat. Le plateau est conducteur électriquement et la tension de polarisation est appliquée à ce plateau pour être transmise au substrat et ainsi à la structure 70. L’application de cette tension de polarisation, que l’on peut désigner Vbias par correspondance avec les réacteurs plasma de gravure, apporte des avantages considérables. En particulier, cette polarisation permet d’améliorer la qualité du deuxième film 71B. Les figures 5B, 6, 8, 9 qui seront décrites par la suite en détail, explicitent les avantages conférés par l’application de cette tension de polarisation optionnelle lors de l’étape de formation 32B du plasma. La tension de polarisation appliquée est inférieure à 160 volts de préférence inférieure à 130 volts. On notera que cette tension de polarisation est bien plus faible que les tensions de polarisation habituellement utilisées pour réaliser des gravures ou des implantations par plasma. En outre, ce procédé est de préférence mis en œuvre dans un réacteur plasma de dépôt. Les réacteurs plasma de gravure ne sont pas configurés pour appliquer au substrat des tensions de polarisation aussi faibles. La figure 4 illustre un schéma d’un réacteur plasma qui peut être utilisé pour mettre en œuvre le procédé proposé. De préférence, les séquences de dépôt en mode thermique et en mode plasma sont effectuées in situ dans ce même réacteur. De préférence, le procédé proposé est mis en œuvre dans un réacteur plasma de dépôt. Plus particulièrement dans un réacteur plasma à couplage inductif, habituellement qualifié par son acronyme ICP du vocable anglais Inductively Coupled Plasma. Le réacteur 200 comprend une chambre de réaction 210 à l’intérieur de laquelle est disposé un plateau 220. Ce plateau 220 est configuré pour accueillir le substrat. Le substrat repose sur le plateau 220 par une surface arrière. La surface 70a du substrat, opposée à sa surface arrière, est exposée aux espèces présentes dans la chambre de réaction 210. Dans cet exemple non limitatif, le substrat forme la structure sur laquelle on souhaite déposer la couche diélectrique par exemple une couche d’alumine. Cette surface 70a avant du substrat constitue donc la surface 70’ de la structure 70. Le plateau 220 est électriquement conducteur. De manière relativement classique, le réacteur comprend une entrée 230 des gaz permettant d’injecter à l’intérieur de la chambre 210 les gaz destinés à former la chimie du plasma ainsi que les gaz destinés aux phases de purge. Il comprend également un dispositif de couplage par induction 260, dont une bobine est illustrée en figure 2, et qui permet la formation du plasma. Une paroi de la chambre de réaction 210 est électriquement connectée à la terre 270. Le réacteur 200 comprend également une valve 240 d’isolation de la chambre de réaction 210. Le réacteur 200 comprend également une pompe 250 pour extraire les espèces présentes dans la chambre de réaction 210. De manière avantageuse, ce réacteur 200 comprend un dispositif de polarisation 280 configuré pour permettre l’application de la tension de polarisation au plateau 220 et in fine au substrat 70. Ce dispositif de polarisation 280 comprend un dispositif de contrôle 281 et permet d’appliquer une tension alternative sur le plateau 220. De préférence on prévoit une unité d’adaptation automatique (qualifiée par son vocable anglais d’auto match unit) qui adapte l’impédance dans la chambre et de la source d’ions à celle du générateur radiofréquence. Ce dispositif de polarisation 280 est configuré pour permettre l’application d’une tension de polarisation dont l’amplitude est faible typiquement inférieure à 160 volts, de préférence inférieure à 130 volts. Les effets techniques et avantages du procédé proposé vont maintenant être décrits en détail en référence aux figures 5A à 9. Ces figures 5A à 9 illustrent les propriétés électriques des couches diélectriques réalisées en mettant en œuvre le procédé proposé. Plus précisément, sur les figures 5A, 5B, 7 et 9 ces propriétés sont illustrées par des courbes issues de mesure de la capacité en fonction de la tension sur des dispositifs capacitifs de type Métal-Isolant-Semi-conducteur. Un exemple de ces dispositifs capacitifs est illustré en figure 3. Le dispositif capacitif illustré en figure 3 comprend une couche de GaN, par exemple formant ladite structure 70 assimilable dans cet exemple à un substrat. La structure 70 est surmontée, en étant de préférence directement en contact, d’une couche diélectrique 71 d’alumine. Ainsi, le premier film 71A est une couche d’alumine déposée en mode thermique et le deuxième film 71B est une couche d’alumine déposée en mode plasma. Des plots 72 de nickel et d’or surmontent la couche d’alumine 71. Des pointes 73, 74 sont posées sur les plots 72 pour réaliser les mesures électriques. On notera que selon les propriétés que l’on cherche à mettre en avant dans les exemples ci-dessous, le dispositif capacitif illustré en figure 3 peut ne comprendre que l’un seulement des films 71A et 71B. Tel est le cas pour les courbes des figures 5A, 5B, 6 notamment. Les figures 5A et 5B illustrent la caractéristique capacité/tension (C-V) pour un film d’alumine thermique (figure 5A) et pour un film d’alumine plasma (figure 5B). Pour l’alumine plasma, différentes tensions de polarisation, indiquées sur les courbes 501-505, ont également été appliquées. Ainsi, la courbe 501 correspond à un film d’alumine plasma déposé avec une tension de polarisation nulle; la courbe 502 correspond à un film d’alumine plasma déposé avec une tension de polarisation de -170 volts (V); la courbe 503 correspond à un film d’alumine plasma déposé avec une tension de polarisation de -130V; la courbe 504 correspond à un film d’alumine plasma déposé avec une tension de polarisation de -85V; la courbe 505 correspond à un film d’alumine plasma déposé avec une tension de polarisation de -50V. Pour tous les dépôts des films d’alumine plasma, le nombre N B de cycle (cycle 1B illustré en figure 2) est constant. Dans cet exemple N B = 125. La fréquence de la mesure est 10 kHz, le balayage a été réalisé de -5V à +5V puis de +5V à -5V. La taille des plots mesurés est de 600 µm. Il ressort de ces courbes que les caractéristiques électriques des films d’alumine, dépendent fortement des conditions suivantes : nature du dépôt : dépôt en mode thermique ou dépôt en mode plasma valeur de la tension de polarisation pour le dépôt en mode plasma. Les caractéristiques électriques impactées par ces conditions sont notamment : la tension des courbes, modification de la pente dans le régime de désertion, l’hystérésis et également la capacité maximale. Pour quantifier ces variations, les paramètres suivants ont été extraits des C-V des figures 5A et 5B: la tension de la courbe aller pour une capacité prise arbitrairement à 8x10 -10 F. Cette caractéristique est illustrée par le graphe 601 de la figure 6 dont l’axe des ordonnées est désigné V de la courbe aller , que l’on peut traduire en anglais par V interp,forward , l’hystérésis entre le balayage aller et retour pour la même capacité. Cette caractéristique est illustrée par le graphe 602 de la figure 6 dont l’axe des ordonnées est désigné (Hystérésis V) ; la pente de la courbe aller entre une capacité de 5 et 8x10 -10 F. Cette caractéristique est illustrée par le graphe 603 de la figure 6 dont l’axe des ordonnées est désigné « pente de la courbe avant aller », que l’on peut traduire en anglais par « forward slope ». D’après la figure 6, on constate une nette amélioration des trois paramètres lorsqu’on compare l’alumine thermique avec l’alumine plasma déposée sans tension de polarisation (tension de polarisation=0 V). En effet, en passant de l’alumine thermique à l’alumine plasma on note une augmentation V de la courbe aller (graphe 603) ce qui indique un décalage vers des tensions positives des C-V. C’est l’effet désiré pour obtenir des transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) avec une tension de seuil positive (« normally-off »). On remarque également une diminution de l’hystérésis (graphe 602) et une augmentation de la pente dans le régime de désertion (graphe 601), synonyme d’une amélioration : de la qualité de l’interface Al 2 O 3 /GaN entre l’alumine et la couche de GaN sur laquelle repose l’alumine. de la qualité de l’alumine plasma. Lorsque la tension de polarisation varie de 0 à -170V, V de la courbe aller (graphe 603) augmente jusqu’à une tension de polarisation de -85 V puis diminue fortement. Quant à l’hystérésis (graphe 602) et la pente dans le régime de désertion (graphe 601), tous deux diminuent de façon monotone. Bien qu’une dégradation de la pente, donc de l’interface Al 2 O 3 /GaN, est observée, l’utilisation d’une tension de polarisation de -85V est judicieuse pour décaler positivement les caractéristiques C-V. La figure 8 permet de comparer les propriétés de la bicouche d’alumine comportant le film d’alumine thermique 71A et le film d’alumine plasma 71B aux couches d’alumine obtenues par procédé thermique classique ou plasma classique. Cette figure 8 illustre les mesures C-V pour : de l’alumine déposée par un procédé thermique (courbe 701). un procédé plasma (courbe 702). des procédés combinant dépôt thermique et plasma (courbes 703, 704). L’axe des abscisses indique la fraction d’alumine plasma dans la couche d’alumine globale. Ainsi, lorsque la fraction d’alumine plasma est nulle, cela signifie que la couche d’alumine est entièrement formée par un dépôt thermique. Pour tous ces dépôts, le nombre de cycles total est ici encore de 125. Les dépôts avec plasma (courbes 702, 703, 704) ont été réalisés sans polarisation du substrat (tension de polarisation = 0V). La couche d’alumine de la courbe 703 a été obtenue en effectuant 10 cycles 1A thermique et 115 cycles 1B plasma. La couche d’alumine de la courbe 704 a été obtenue en effectuant 45 cycles 1A thermique et 80 cycles 1B plasma. On constate sur cette figure 8 une variation importante des C-V pour les différentes bicouches testées. Pour quantifier ces variations, les mêmes paramètres que précédemment ont été extraits des C-V de la figure 8 et rassemblés en figure 8 sous forme des graphes 801, 802, 803. Ce graphe permet de constater la nette amélioration des propriétés électriques de la couche d’alumine réalisée en mettant en œuvre le procédé proposé combinant dépôt en mode thermique et dépôt en mode plasma. En effet, la présence d’une fine couche d’alumine thermique formée avant le dépôt de l’alumine plasma permet d’obtenir des performances nettement améliorées. Plus précisément cette structure bi-couche permet d’obtenir une augmentation V de la courbe aller (graphe 803) tout en conservant une excellente pente de la courbe aller (graphe 801) et une très faible hystérésis (graphe 802). Dans cet exemple, la couche d’alumine 71A thermique est fine. Elle est formée en effectuant 10 à 15 cycles. Cela conduit à une épaisseur d’environ 0,8 à 1,2 nm pour cette couche. Il est probable que le film diélectrique thermique, ici de l’alumine thermique, joue le rôle d’une couche protectrice vis-à-vis de la surface 70’ de la structure 70, ici du GaN. Ce film thermique limite l’oxydation de la surface du GaN par le plasma et préserve ainsi l’interface Al 2 O 3 /GaN. Il est alors possible d’améliorer le paramètre V de la courbe aller tout en conservant les avantages de l’alumine plasma vus précédemment (excellente pente et faible hystérésis). Toutefois, lorsqu’une épaisseur trop importante d’alumine thermique est utilisée, les propriétés de la couche diélectrique totale d’alumine se rapprochent de celles de l’alumine thermique et se retrouvent alors dégradées. Ainsi, la couche d’alumine composée des films thermique et plasma permet d’améliorer les qualités électriques de cette couche ainsi que l’interface entre cette couche d’alumine et la structure de GaN sous-jacente. La figure 9 illustre les caractéristiques C-V pour deux couches d’alumine différentes. La courbe 901 illustre la caractéristique C-V pour une couche d’alumine déposée uniquement par voie plasma avec une tension moyenne de polarisation de -130V. Cette couche d’alumine ne comporte donc pas de film d’alumine thermique. La courbe 902 illustre la caractéristique C-V pour une couche d’alumine, formant une bicouche d’alumine thermique et d’alumine plasma. Le film d’alumine thermique a été déposé en effectuant 15 cycles d’alumine thermique. Le film d’alumine plasma a été déposé en effectuant 110 cycles d’alumine plasma avec une tension moyenne de polarisation de -135V. Il ressort de cette figure 9 que, bien qu’une forte tension ait été utilisée, la bicouche d’alumine (courbe 902) présente des propriétés bien supérieures à celle de la couche d’alumine plasma (courbe 901). En particulier, on peut observer un net décalage positif, de 2V, tout en conservant une pente et une hystérésis similaires. Exemples particuliers et variantes de réalisation Les paragraphes qui suivent visent à décrire des exemples particuliers de réalisation de la présente invention et à proposer certaines variantes. Les caractéristiques et les exemples et variantes proposées ci-dessous sont applicables et combinables à chacun des exemples mentionnés précédemment. Injection des précurseurs: Nature des précurseurs Les précurseurs à base d’aluminium couramment utilisés pour l’ALD ou le PEALD peuvent être utilisés tels que le triméthylaluminium ou le trichlorure d’aluminium. Ces précurseurs peuvent être utilisés pour les cycles en mode thermique 1A et en mode plasma 1B. Pour la formation de l’alumine plasma, le précurseur à base de l’espèce donnée peut être du dioxygène (O 2 ). Durée d’injection La durée d’injection des précurseurs doit être suffisamment longue pour saturer la surface exposée. Par exemple, la durée d’injection du précurseur à base d’aluminium est supérieure ou égale à 20 ms. Pour l’alumine thermique, la durée d’injection de l’eau ou de l’ozone est par exemple supérieure à 50 ms (10 -3 secondes), de préférence supérieure ou égale à 100 ms. Pour l’alumine plasma, la durée du plasma à base de dioxygène est par exemple supérieure à 2 s, de préférence supérieure ou égale à 5 s. Ces valeurs permettent d’obtenir une qualité particulièrement élevée pour le film plasma. Pression Lors de la formation de l’alumine thermique, la pression de la chambre durant l’injection des précurseurs (eau ou précurseur, ozone ou à base d’aluminium) est d’au moins 10 mTorr. De préférence la pression est d’environ 80 mTorr. Lors de la formation de l’alumine plasma, la pression de la chambre durant le plasma doit être ajustée de telle sorte à avoir une gaine non-collisionnelle. La pression de la chambre durant l’injection du précurseur à base d’aluminium est d’au moins 10 mTorr. De préférence la pression est d’environ 80 mTorr. La pression de la chambre durant le plasma à base de l’espèce donnée est inférieure à 50 mTorr. Elle est de préférence comprise entre 5 et 20 mTorr. Par exemple, elle est d’environ 15 mTorr. Autres paramètres du plasma La puissance RF- ICP doit être suffisamment importante pour avoir un plasma stable. Cette puissance est de préférence comprise entre 100-300W. De préférence est égale à 300W. La durée de plasma doit être suffisamment longue pour permettre l’oxydation de la couche précédent le plasma. Comme indiqué ci-dessus, l’application d’une tension de polarisation est uniquement optionnelle. Si une tension de polarisation est appliquée, elle est comprise entre -10 V et -160 V, de préférence entre-10 V et -130 V. De préférence, elle est comprise entre -75V et -95V. De préférence elle est de l’ordre de -85V. Etapes de purge Les étapes de purge utilisent un gaz neutre, de préférence du diazote (N 2 ) ou de l’argon (Ar). La durée de purge doit être suffisamment importante pour éliminer les excès de réactif et/ou les sous-produits de la réaction. Typiquement, elle est de plusieurs secondes, environ 1,5 secondes pour l’étape suivant l’injection du précurseur à base d’aluminium. Cette durée de purge est par exemple de : 4 secondes après l’injection de l’eau, Au moins 4 secondes après l’injection de l’ozone, 1,5 seconde après le plasma à base de dioxygène. La gamme de température du substrat sur laquelle repose la structure 70 est de préférence comprise entre 200°C et 350°C. Préférentiellement, la température de substrat est de 300°C. Paramètres de la couche diélectrique formant une bicouche: L’épaisseur d’alumine thermique e 71A est de préférence inférieure à l’épaisseur de l’épaisseur d’alumine plasma e 71B . De préférence, l’épaisseur d’alumine thermique e 71A est inférieure ou égale à 2 nm. Elle est de préférence supérieure ou égale à 0.5 nm. De préférence, elle est égale à 1.2 nm. Ces valeurs permettent d’avoir une protection efficace contre l’oxydation de la couche sous-jacente, typiquement de GaN. De préférence, l’épaisseur d’alumine plasma e 71B est supérieure ou égale à 5 nm. Cela permet d’avoir une couche diélectrique globale présentant de très bonnes performances électriques. Au vu de la description qui précède, il apparaît clairement que le procédé proposé offre une solution particulièrement efficace pour améliorer la qualité d’une couche diélectrique, par exemple d’alumine, et pour améliorer la qualité de l’interface de cette couche diélectrique avec la structure qui lui est sous-jacente. Le procédé proposé est alors particulièrement avantageux pour réaliser des diélectriques de grille en alumine afin de fabriquer des transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs). L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et s’étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. Par exemple, dans les exemples précédents, la couche à base de GaN sur laquelle est formée la couche à base d’alumine est constituée de GaN. Néanmoins, la présente invention s’étend également aux modes de réalisation dans lesquels la couche à base de GaN sur laquelle est formée la couche à base d’alumine est une couche faite d’un nitrure de gallium et d’au moins l’un parmi l’indium et l’aluminium. Ainsi, cette couche à base de GaN peut être du GaN, de l’AlGaN, de l’InGaN ou de l’AlInGaN. L’invention s’étend également aux modes de réalisation dans lesquels la structure sur laquelle la couche diélectrique, par exemple la couche d’alumine, est déposée est à base d’un matériau pris parmi les matériaux III-N autre qu’une couche à base de GaN. Ainsi, tous les exemples, caractéristiques, étapes et avantages techniques mentionnés ci-dessus en référence à une structure à base de GaN sont applicables à une structure à base d’un matériau pris parmi les matériaux III-V. Par ailleurs, bien que dans les exemples décrits en référence aux figures 3 à 8, la couche diélectrique est une couche d’alumine, l’invention s’étend également aux procédés qui permettent la réalisation d’une couche diélectrique autre que l’alumine. Ainsi, ce procédé peut être mis en œuvre pour réaliser une couche faite de l’un des matériaux suivants ou comprenant l’un des matériaux suivants : HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , ou de TiO 2 , SiO 2 , SiN et AlN. Dans ce cas, le précurseur utilisé pour le dépôt thermique pour le dépôt plasma peut être pris parmi l’un des matériaux suivants : Hafnium (Hf), titane (Ti), Zirconium (Zr), Tantale (Ta), silicium (Si). Par ailleurs, bien que dans les exemples décrits en référence aux figures 3 à 8, la couche diélectrique est formée par deux films composés de matériaux identiques (alumine dans cet exemple non limitatif), l’invention s’étend également aux modes de réalisation dans lesquels le premier film est composé d’un matériau différent de celui du deuxième film. Par exemple le couple premier film / deuxième film peut être formé de l’un des couples suivants : Al 2 O 3 /HfO 2 , Al 2 O 3 /ZrO 2 , Al 2 O 3 /TiO 2 , Al 2 O 3 /SiO 2 . Par ailleurs, bien que dans les exemples décrits en référence aux figures 3 à 8, l’espèce donnée sur laquelle est basée la chimie du plasma est à base d’oxygène, l’invention s’étend au cas où ce plasma est à base d’azote. Par ailleurs, dans les exemples décrits ci-dessus la structure est une couche. Néanmoins, tous les exemples, caractéristiques, étapes et avantages techniques mentionnés ci-dessus en référence à une structure formant une couche sont applicables à une structure ne formant pas une couche mais formant une structure ponctuelle, par exemple un relief en trois dimensions. La structure peut être une nanostructure ou comprendre une pluralité de nanostructures. DESCRIPTION DÉTAILLÉE On entend par film diélectrique thermique, film d’alumine thermique ou alumine thermique, respectivement un film diélectrique, un film d’alumine et de l’alumine réalisés par un dépôt dit thermique. On entend par film diélectrique plasma, film d’alumine plasma ou alumine plasma, respectivement un film diélectrique, un film d’alumine et de l’alumine réalisés par un dépôt dit plasma. On entend par un substrat, un film, une couche, un mélange gazeux, un plasma « à base » d’une espèce A, un substrat, un film, une couche, un mélange gazeux, un plasma comprenant cette espèce A uniquement ou cette espèce A et éventuellement d’autres espèces. Ainsi, un substrat comprenant une structure telle qu’une couche ou des nanostructures à base de matériaux III-V peut être : - soit, préférentiellement, un empilement comprenant la structure à base de matériau III-V et une couche, typiquement une couche de support sur laquelle repose la structure, - soit un empilement comprenant uniquement la structure à base de matériau III-V. Dans ce cas, la structure peut être autoportante c’est-à-dire qu’elle supporte son propre poids. En outre un substrat à base d’un matériau III-V désigne également un substrat dont la couche à base du matériau III-V est surmontée d’une ou de plusieurs couches déposées au cours du procédé décrit ci-dessous. Ainsi, une surface exposée du substrat à base du matériau III-V peut être une surface formée par la structure ou formée par une ou plusieurs couches ou films déposés sur la structure. Par ailleurs, un plasma à base d’oxygène peut être basé sur une chimie comprenant uniquement du dioxygène ou comprenant du dioxygène et éventuellement une ou plusieurs autres espèces, par exemple des gaz neutres. De même, un plasma à base d’azote peut être basé sur une chimie comprenant uniquement de l’azote ou comprenant de l’azote et éventuellement une ou plusieurs autres espèces, par exemple des gaz neutres. De manière parfaitement classique, une structure à base d’un matériau III-V est une structure faite, ou comprenant un matériau comprenant au moins une espèce de la colonne III du tableau périodique et au moins une espèce de la colonne V de ce tableau. De même, une structure à base d’un matériau III-N est une structure faite, ou comprenant un matériau comprenant au moins une espèce de la colonne III du tableau périodique et de l’azote (N). Un matériau III-N peut donc par exemple être pris parmi le GaN, l’AlGaN, AlInGaN, l’InN. Plusieurs modes de réalisation de l’invention mettant en œuvre des étapes successives du procédé de fabrication sont décrits ci-après. Sauf mention explicite, l’adjectif « successif » n’implique pas nécessairement, même si cela est généralement préféré, que les étapes se suivent immédiatement, des étapes intermédiaires pouvant les séparer. Par ailleurs, le terme « étape » s’entend de la réalisation d’une partie du procédé, et peut désigner un ensemble de sous-étapes. Par ailleurs, le terme « étape » ne signifie pas obligatoirement que les actions menées durant une étape soient simultanées ou immédiatement successives. Certaines actions d’une première étape peuvent notamment être suivies d’actions liées à une étape différente, et d’autres actions de la première étape peuvent être reprises ensuite. Ainsi, le terme étape ne s’entend pas forcément d’actions unitaires et inséparables dans le temps et dans l’enchaînement des phases du procédé. Le mot « diélectrique » qualifie un matériau dont la conductivité électrique est suffisamment faible dans l’application donnée pour servir d’isolant. Dans la présente invention, un matériau diélectrique présente de préférence une constante diélectrique supérieure à 4. Les espaceurs sont typiquement formés en un matériau diélectrique. Dans la présente invention, on entend par « transistors de type HEMT » (acronyme anglais de « High Electron Mobility Transistor ») des transistors à effet de champ à haute mobilité d'électrons, parfois également désignés par le terme de transistor à effet de champ à hétérostructure. Un tel transistor inclut la superposition de deux couches semi-conductrices ayant des bandes interdites différentes qui forment un puits quantique à leur interface. Des électrons sont confinés dans ce puits quantique pour former un gaz bidimensionnel d’électrons. Pour des raisons de tenue en haute tension et en température, les matériaux de ces transistors sont choisis de façon à présenter une large bande d'énergie interdite. Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec les moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS…) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS…). Il peut s’agir d’un dispositif destiné à assurer une fonction électronique, optique, mécanique etc. Il peut aussi s’agir d’un produit intermédiaire uniquement destiné à la réalisation d’un autre dispositif microélectronique. Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, l’épaisseur d’une couche ou du substrat se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface selon laquelle cette couche ou ce substrat présente son extension maximale. L’épaisseur est ainsi prise selon une direction perpendiculaire aux faces principales du substrat sur lequel repose les différentes couches. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt, le report, le collage, l’assemblage ou l’application d’une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l’une de l’autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d’elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient « à 10% près ». Procédé de réalisation, sur une structure (70) à base d’un matériau III-V, d’une couche diélectrique (71) comprenant au moins un matériau diélectrique susceptible d’être déposé par dépôt par couche atomique (ALD) le procédé comprenant les séquences suivantes effectuées dans un réacteur plasma (200) comportant une chambre de réaction (210) à l’intérieur de laquelle est disposée ladite structure (70): réaliser un premier film diélectrique (71A) par ALD en effectuant une pluralité de premiers cycles (1A) comprenant chacun au moins: une injection (10A) dans la chambre de réaction (210) d’un précurseur à base d’un premier matériau, une injection (30A) dans la chambre de réaction (210) d’un précurseur à base d’eau (H 2 O) ou d’ozone (O 3 ), le premier film diélectrique (71A) comprenant au moins le premier matériau et de l’oxygène, réaliser, sur le premier film diélectrique (71A), un deuxième film diélectrique (71B) par ALD assisté par plasma en effectuant une pluralité de deuxièmes cycles (1B) comprenant chacun au moins: une injection (10B) dans la chambre de réaction (210) d’un précurseur à base d’un deuxième matériau, une injection (30B) dans la chambre de réaction (210) d’un précurseur à base d’une espèce donnée, prise parmi l’oxygène (O) et l’azote (N) et la formation (32B) dans la chambre de réaction (210) d’un plasma à base de ladite espèce, le deuxième film diélectrique (71B) comprenant au moins le deuxième matériau et ladite espèce. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le premier matériau est identique au deuxième matériau. Procédé selon la revendication 1 dans lequel le premier matériau est différent du deuxième matériau. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel au moins l’un parmi le premier matériau et le deuxième matériau est pris parmi l’un des matériaux suivants : aluminium (Al), titane (Ti), hafnium (Hf), Tantale (Ta), zirconium (Zr), silicium (Si). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 dans lequel le premier film diélectrique (71A) est pris parmi les matériaux suivants : Al 2 O 3 , HfO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , SiO 2 , SiN. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 ou 5 dans lequel le deuxième film diélectrique (71B) est pris parmi les matériaux suivants : Al 2 O 3 , HfO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , SiO 2 , SiN et AlN. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 dans lequel le premier matériau et le deuxième matériau sont de l’aluminium, le premier film diélectrique (71A) et le deuxième film diélectrique (71B) sont en Al 2 O 3 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 ou 7 dans lequel, le plasma à base de ladite espèce est un plasma à base d’oxygène (O) crée à partir d’un précurseur constitué de dioxygène (O 2 ) ou comprenant du dioxygène (O 2 ). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 ou 7 dans lequel, le plasma à base de ladite espèce est un plasma à base d’azote (N) crée à partir d’un précurseur constitué de diazote (N 2 ) ou comprenant du diazote (N 2 ). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 ou 7 dans lequel le précurseur à base du premier matériau et le précurseur à base du deuxième matériau sont pris parmi le triméthylaluminium et le trichlorure d’aluminium. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3 ou 7 dans lequel le premier film diélectrique (71A) présente une épaisseur e 71A et le deuxième film diélectrique (71B) présente une épaisseur e 71B , avec e 71A 71B , de préférence e 71B >1,5*e 71A , et de préférence e 71B >3*e 71A . Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7 ou 11, dans lequel le premier film diélectrique (71A) présente une épaisseur e 71A , telle que e 71A ≥ 0.5 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7, 11 ou 12, dans lequel le premier film diélectrique (71A) présente une épaisseur e 71A , telle que e 71A ≤ 2 nm (10 -9 mètres). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, 7, 11, 12 ou 13, dans lequel le deuxième film diélectrique (71B) présente une épaisseur e 71B, telle que e 71B ≥ 5 nm. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel chaque deuxième cycle (1B) comprend, au moins une étape de purge (20B, 40B) de la chambre de réaction (210), l’étape de purge (20B, 40B) comprenant l’injection dans la chambre de réaction (210) d’un gaz neutre, l’au moins une étape de purge (20B, 40B) étant effectuée à au moins l’un et de préférence à chacun des instants suivants : après l’injection du précurseur à base du deuxième matériau et avant la formation (32B) du plasma, et après la formation (32B) du plasma. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel chaque deuxième cycle (1B) comprend, au moins une étape de stabilisation (31B) des gaz présents dans la chambre de réaction (210), l’étape de stabilisation (31B) étant effectuée au moins avant la formation (32B) du plasma. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite structure est disposée sur un substrat (70) situé dans la chambre de réaction (210), et, lors de la formation (32B) du plasma, on applique au substrat (70) une tension de polarisation Vbias non nulle. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la valeur absolue de la tension de polarisation IVbiasI est inférieure ou égale à 160 Volts et de préférence dans lequel IVbiasI est comprise entre 10 Volts et 130 Volts. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel la structure est à base d’un matériau III-N. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la structure est à base de nitrure de gallium (GaN).