FR 3113983 A1 20220311 FR 2008983 A 20200904 Capteur d’images La présente description concerne un capteur d’images comprenant une pluralité de pixels (100) formés dans et sur un substrat semiconducteur (104), chaque pixel comportant : – une zone photosensible (102) formée dans le substrat semiconducteur ; – une zone de stockage (110T, 110B) formée dans le substrat semiconducteur ; et – un premier transistor de transfert (112T, 112B) entre la zone photosensible et la zone de stockage, dans lequel le premier transistor de transfert comporte une grille (118) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis une face supérieure du substrat semiconducteur, à l’intérieur d’une tranchée d’isolation (106) délimitant la zone de stockage. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Capteur d’images La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et, plus particulièrement, les capteurs d’images. On connaît des capteurs d’images, par exemple du type décrit dans la demande de brevet US2019086519, dont les pixels comportent une zone photosensible, ou zone de détection, séparée d’au moins une zone de stockage par un transistor de transfert. Il existe un besoin d’améliorer les capteurs d’images existants. Il serait notamment souhaitable d’obtenir des capteurs d’images présentant une faible sensibilité à la lumière parasite (« Parasitic Light Sensitivity » - PLS, en anglais). Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des capteurs d’images connus. Un mode de réalisation prévoit un capteur d’images comprenant une pluralité de pixels formés dans et sur un substrat semiconducteur, chaque pixel comportant : – une zone photosensible formée dans le substrat semiconducteur ; – une zone de stockage formée dans le substrat semiconducteur ; et – un premier transistor de transfert entre la zone photosensible et la zone de stockage, dans lequel le premier transistor de transfert comporte une grille s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis une face supérieure du substrat semiconducteur, à l’intérieur d’une tranchée d’isolation délimitant la zone de stockage. Selon un mode de réalisation, la tranchée d’isolation est une tranchée d’isolation capacitive comportant une région métallique électriquement isolée du substrat semiconducteur. Selon un mode de réalisation, la grille du premier transistor de transfert de chaque pixel est électriquement isolée du substrat semiconducteur et de la région métallique. Selon un mode de réalisation : – la région métallique est destinée à être portée à un potentiel fixe ; et – la grille est destinée à être portée à un potentiel variable, dont un premier niveau commande la mise à l’état passant du premier transistor de transfert et dont un deuxième niveau commande la mise à l’état bloqué du premier transistor de transfert. Selon un mode de réalisation, la grille est en un métal ou en un alliage métallique. Selon un mode de réalisation, la grille est en silicium polycristallin. Selon un mode de réalisation, le capteur est configuré pour évaluer des distances par temps de vol. Selon un mode de réalisation, la zone de stockage est séparée du premier transistor de transfert par un deuxième transistor de transfert. Selon un mode de réalisation, le deuxième transistor de transfert comporte une grille s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis la face supérieure du substrat semiconducteur, à l’intérieur de la tranchée d’isolation délimitant la zone de stockage. Un mode de réalisation prévoit un procédé de commande d’un capteur tel que décrit, le procédé comprenant, pour chaque pixel, les étapes suivantes : a) mettre le deuxième transistor de transfert à l’état passant ; b) mettre le premier transistor de transfert à l’état passant ; c) après les étapes a) et b), mettre le premier transistor de transfert à l’état bloqué ; et d) après l'étape c), mettre le deuxième transistor de transfert à l’état bloqué. Selon un mode de réalisation, les étapes a) et b) sont effectuées simultanément. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation et modes de mise en œuvre particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un pixel d’un capteur d’images selon un premier mode de réalisation ; la figure 2 est une vue en coupe, schématique et partielle, du pixel de la figure 1 selon le plan AA de la figure 1 ; la figure 3 est une vue en coupe, schématique et partielle, d’une variante du pixel de la figure 1 selon le plan AA de la figure 1 ; la figure 4 est un graphique illustrant une étape d’un procédé de commande d’un pixel selon un premier mode de mise en œuvre ; la figure 5 est un graphique illustrant une autre étape du procédé de commande d’un pixel selon le premier mode de mise en œuvre ; la figure 6 est un graphique illustrant encore une autre étape du procédé de commande d’un pixel selon le premier mode de mise en œuvre ; la figure 7 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’une autre variante du pixel de la figure 1 ; la figure 8 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel de la figure 1 ; la figure 9 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel de la figure 1 ; la figure 10 est une vue de dessus, schématique et partielle, de deux pixels du type de celui exposé en relation avec la figure 9 ; la figure 11 est une vue de dessus, schématique et partielle, de deux pixels du type de celui exposé en relation avec la figure 7 ; la figure 12 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel de la figure 1 ; la figure 13 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel de la figure 1 ; la figure 14 est une vue de dessus, schématique et partielle, de deux pixels du type de celui exposé en relation avec la figure 13 ; la figure 15 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’une variante des deux pixels de la figure 14 ; la figure 16 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un pixel d’un capteur d’images selon un deuxième mode de réalisation ; la figure 17 est un graphique illustrant une étape d’un procédé de commande d’un pixel selon un deuxième mode de mise en œuvre ; la figure 18 est un graphique illustrant une étape d’un procédé de commande d’un pixel selon un troisième mode de mise en œuvre ; la figure 19 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’une variante du pixel de la figure 16 ; la figure 20 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’une autre variante du pixel de la figure 16 ; la figure 21 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel de la figure 16 ; la figure 22 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel de la figure 16 ; et la figure 23 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel de la figure 16. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation et modes de mise en œuvre peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation et modes de mise en œuvre décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits de contrôle et de lecture des pixels ne seront pas détaillés, les modes de réalisation et modes de mise en œuvre décrits étant compatibles avec les circuits de contrôle et de lecture de pixels usuels, ou la réalisation de ces circuits étant à la portée de la personne du métier à partir des indications de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la présente description, on appelle sensibilité à la lumière parasite, ou PLS, une caractéristique d’un capteur d’images liée typiquement à une absorption de lumière parasite dans des zones mémoire ou des zones de stockage de pixels du capteur (PLS optique) ou à un transfert intempestif, vers ces zones mémoire ou de stockage, de porteurs générés dans une zone de photoconversion des pixels du capteur (PLS électrique). Dans le cas d’une forte sensibilité à la lumière parasite, les pixels du capteur présentent généralement un faible rapport signal sur bruit. La figure 1 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un exemple d'un pixel 100 d’un capteur d’images selon un premier mode de réalisation. La figure 2 est une vue en coupe, schématique et partielle, du pixel 100 selon le plan AA de la figure 1. Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte une zone photosensible 102. La zone photosensible 102 est par exemple destinée à collecter des photons lors de phases d’illumination du capteur d’images dont fait partie le pixel 100, et à convertir ces photons en paires électron-trou. Vue de dessus, la zone photosensible 102 est située au centre du pixel 100 et présente une forme sensiblement rectangulaire. La zone photosensible 102 est par exemple formée dans un substrat 104. À titre d’exemple, le substrat 104 est une plaquette ou un morceau de plaquette en un matériau semiconducteur dopé d’un premier type de conductivité, par exemple en silicium dopé de type N. Le substrat 104 présente par exemple, à l’endroit où est formée la zone photosensible 102, un taux de dopage compris entre 1 x 10 14 at./cm 3 et 1 x 10 16 at./cm 3 . Le substrat 104 peut en outre comporter, en surface, une région dopée d’un deuxième type de conductivité, c'est-à-dire du type P dans cet exemple. Dans ce cas, le substrat 104 présente par exemple un dopage de surface compris entre 1 x 10 18 at./cm 3 et 1 x 10 20 at./cm 3 . La région du substrat 104 dopée du deuxième type de conductivité est par exemple portée à un potentiel de référence V REF . Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre une tranchée d’isolation périphérique 106, par exemple une tranchée d’isolation capacitive. La tranchée d’isolation périphérique 106 permet par exemple d’isoler électriquement la zone photosensible 102 du pixel 100 par rapport aux zones photosensibles des pixels voisins, non représentés en figure 1. La tranchée d’isolation périphérique 106 est par exemple formée dans le substrat semiconducteur 104. Comme illustré en figure 2, la tranchée d’isolation périphérique 106 s’étend par exemple verticalement dans l’épaisseur du substrat 104 depuis une face supérieure 104T du substrat 104. La tranchée d’isolation périphérique 106 présente par exemple une largeur W comprise entre 50 nm et 400 nm. À titre d’exemple, la tranchée d’isolation périphérique 106 présente une profondeur comprise entre 1 µm et 20 µm. Vue de dessus, la tranchée d’isolation périphérique 106 entoure la zone photosensible 102. La tranchée d'isolation périphérique 106 présente par exemple, vue de dessus, un pourtour de forme sensiblement rectangulaire ou carrée. Dans l’orientation de la figure 1, la tranchée d’isolation périphérique 106 comporte plus particulièrement une partie horizontale supérieure 106T, une partie horizontale inférieure 106B, une partie verticale gauche 106L et une partie verticale droite 106R. Dans l’exemple représenté, les parties 106T, 106B, 106L et 106R correspondent chacune à l’un des quatre côtés du rectangle ou du carré formé par la tranchée d’isolation périphérique 106. Les parties verticales gauche 106L et droite 106R de la tranchée d’isolation périphérique 106 délimitent longitudinalement la zone photosensible 102. Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation périphérique 106 comprend en outre deux autres parties horizontales 108T et 108B. Comme illustré en figure 1, les parties 108T et 108B sont intercalées entre les parties horizontales supérieure 106T et inférieure 106B. Dans l’exemple représenté, les parties 108T et 108B s’étendent horizontalement dans le substrat 104, depuis la partie verticale droite 106R de la tranchée 106, en direction de la partie verticale gauche 106L de la tranchée 106. Les parties 108T et 108B sont par exemple parallèles entre elles, et parallèles aux parties horizontales 106T et 106B de la tranchée 106. Dans l’exemple représenté, les parties 108T et 108B s’étendent verticalement dans l’épaisseur du substrat 104 depuis sa face supérieure 104T. Les parties 108T et 108B présentent par exemple une profondeur semblable à celle des parties 106T, 106B, 106L et 106R. Dans l’exemple représenté, les parties 108T et 108B de la tranchée 106 délimitent transversalement la zone photosensible 102. En vue de dessus, les extrémités des parties 108T et 108B situées en regard de la partie 106L sont par exemple chacune séparées de la partie 106L par une distance L1. À titre d’exemple, la distance L1 est comprise entre 50 nm et 400 nm, par exemple de l'ordre de 260 nm. La partie 108T est par exemple séparée de la partie 106T par une distance L2. À titre d’exemple, la distance L2 est comprise entre 50 nm et 400 nm. La partie 108B est par exemple séparée de la partie 106B par la distance L2. Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation périphérique 106 comporte une région électriquement conductrice 106C. À titre d’exemple, la région électriquement conductrice 106C est en silicium polycristallin, en un métal, par exemple le cuivre, ou en un alliage métallique. Dans l’exemple représenté, la tranchée d’isolation périphérique 106 comporte en outre une couche électriquement isolante 106I revêtant les parois latérales et la face inférieure de la région électriquement conductrice 106C, et isolant électriquement la région 106C du substrat 104. À titre d’exemple, la couche électriquement isolante 106I est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. Dans l’exemple représenté, la région électriquement conductrice 106C et la couche électriquement isolante 106I sont communes aux parties 106T, 106B, 106L, 106R, 108T et 108B de la tranchée d’isolation périphérique 106. La région électriquement conductrice 106C de la tranchée 106 peut être polarisée. Dans le cas où le substrat 104 est de type N, la région 106C est par exemple portée à un potentiel fixe V0, par exemple égal à environ 3,5 V. Cela tend à provoquer une accumulation de trous le long des parois latérales de la tranchée 106. Cette accumulation de trous permet notamment d’éviter que des trous photogénérés dans la zone 102 ne soient piégés à l’interface entre le substrat 104 et la tranchée 106. Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre une première zone de stockage de charges ou zone mémoire 110T et une deuxième zone de stockage de charges ou zone mémoire 110B. La première zone de stockage 110T est intercalée entre les parties 106T et 108T de la tranchée d’isolation périphérique 106, tandis que la deuxième zone de stockage 110B est intercalée entre les parties 106B et 108B de la tranchée d’isolation périphérique 106. Les zones de stockage 110T et 110B du pixel 100 sont par exemple des portions du substrat 104 dopées du premier type de conductivité. À titre d’exemple, les zones de stockage 110T et 110B présentent un taux de dopage compris entre 1 x 10 16 at./cm 3 et 1 x 10 19 at./cm 3 . Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre des premiers transistors de transfert (pouvant aussi être appelés premières grilles de transfert) 112T et 112B. Les premiers transistors de transfert 112T et 112B du pixel 100 permettent notamment de contrôler des transferts de charges latéraux depuis la zone photosensible 102 vers les zones de stockage 110T et 110B. Le transistor de transfert 112T comporte une partie 114T, formée à l’angle de la tranchée d’isolation périphérique 106 où s’intersectent les parties 106L et 106T, et une autre partie 116T, formée à l’extrémité de la partie 108T située en regard de la partie 106L. De façon analogue, le transistor de transfert 112B comporte une partie 114B, formée à l’angle de la tranchée d’isolation périphérique 106 où s’intersectent les parties 106L et 106B, et une autre partie 116B, formée à l’extrémité de la partie 108B située en regard de la partie 106L. Les parties 116T et 116B se prolongent respectivement le long des parties 108T et 108B sur une distance L3. À titre d’exemple, la distance L3 est sensiblement égale à la largeur W de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans l’orientation de la figure 1, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend verticalement, à l’intérieur de la partie 106L, depuis l’angle supérieur gauche de la tranchée 106 jusqu’au niveau du bord horizontal inférieur de la partie 108T. En outre, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’angle supérieur gauche de la tranchée 106 jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 116T du transistor de transfert 112T. De façon analogue, la partie 114B du transistor de transfert 112B s’étend verticalement, à l’intérieur de la partie 106L, depuis l’angle inférieur gauche de la tranchée 106 jusqu’au niveau du bord horizontal supérieur de la partie 108B. En outre, la partie 114B du transistor de transfert 112B s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106B, depuis l’angle inférieur gauche de la tranchée 106 jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 116B du transistor de transfert 112B. À titre d’exemple, les transistors de transfert 112T et 112B sont respectivement séparés des zones de stockage 110T et 110B par une distance comprise entre 50 nm et 300 nm. Les parties 114T et 116T du transistor de transfert 112T et les parties 114B et 116B du transistor de transfert 112B sont séparées chacune par une portion de substrat 104, appelée région ou canal de transfert du transistor 112T, respectivement 112B, présentant par exemple un taux de dopage de type N compris entre 1 x 10 16 at./cm 3 et 1 x 10 19 at./cm 3 . Dans l’exemple représenté, les parties 114T et 116T du transistor de transfert 112T et les parties 114B et 116B du transistor de transfert 112B comportent chacune une région 118 formée dans la tranchée d’isolation périphérique 106. La région 118 s’étend verticalement dans l’épaisseur de la tranchée d’isolation périphérique 106 depuis la face supérieure 104T du substrat 104. La région 118 forme une grille de chaque transistor de transfert 112T, 112B. Vue en coupe, la région 118 présente par exemple une hauteur comprise entre 0,2 µm et 1,5 µm. À titre d’exemple, la région 118 est en un métal ou en un alliage métallique, par exemple en cuivre. En variante, la région 118 est en silicium polycristallin dopé. Dans l’exemple représenté, la région 118 est électriquement isolée par rapport à la région conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106 et par rapport au substrat 104. Plus précisément, les flancs de la région 118 sont par exemple bordés par la couche isolante 106I de la tranchée d’isolation périphérique 106 et par une couche électriquement isolante 120. Dans l’exemple représenté, la couche 120 revêt en outre la face inférieure de la région 118. À titre d’exemple, la couche électriquement isolante 120 est en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. Les régions 118 de chaque partie 114T, 116T, 114B, 116B d’un même transistor de transfert 112T, 112B sont par exemple équivalentes à des armatures d’un condensateur métal-oxyde semiconducteur, ou condensateur MOS. Dans l’exemple représenté, le pixel 100 comporte en outre des deuxièmes transistors de transfert (pouvant aussi être appelés deuxièmes grilles de transfert) 122T et 122B. Les transistors de transfert 122T et 122B comprennent chacun une grille conductrice planaire formée sur la face supérieure 104T du substrat 104 et isolée du substrat 104 par une couche diélectrique. Dans l’exemple représenté, le deuxième transistor de transfert 122T sépare la première zone de stockage 110T d’un premier nœud de lecture 124T. De façon analogue, le deuxième transistor de transfert 122B sépare la deuxième zone de stockage 110B d’un deuxième nœud de lecture 124B. Les transistors de transfert 122T, 122B du pixel 100 permettent respectivement de contrôler des transferts de charges depuis les zones de stockage 110T, 110B vers les nœuds de lecture 124T, 124B. À titre d’exemple, les nœuds de lecture 124T et 124B présentent un taux de dopage supérieur à celui des zones de stockage 110T et 110B. Les zones du substrat 104 ne faisant pas partie de la zone photosensible 102 peuvent être revêtues d’une couche écran non représentée en un matériau opaque, par exemple un métal. Plus précisément, les premiers transistors de transfert 112T et 112B, les zones de stockage 110T et 110B, les deuxièmes transistors de transfert 122T et 122B et les nœuds de lecture 124T et 124B peuvent être revêtus de la couche écran. On limite ainsi une photogénération indésirable de charges en dehors de la zone photosensible 102. Comme illustré en figure 2, des électrodes 126 peuvent être formées en surface de chaque région électriquement conductrice 118. Les électrodes 126 permettent par exemple de polariser les régions électriquement conductrices 118 de façon indépendante par rapport à la région électriquement conductrice 106C. En outre, les électrodes 126 permettent de contrôler la polarisation de la grille du transistor de transfert 112T indépendamment de celle de la grille du transistor de transfert 112B. Les électrodes 126 permettent notamment de contrôler un état passant ou bloqué de chaque transistor de transfert 112T, 112B. Les électrodes 126 permettent par exemple d’appliquer à la grille de chaque transistor de transfert 112T, 112B un potentiel variable, dont un premier niveau V O N commande une commutation vers l’état passant du transistor de transfert 112T, 112B et dont un deuxième niveau V O FF commande une commutation vers l’état bloqué du transistor de transfert 112T, 112B. Les potentiels V ON et V OFF sont définis par rapport au dopage du substrat 104 et par rapport au potentiel de référence V REF appliqué dans la région de surface du substrat 104 dopée du deuxième type de conductivité. Lorsque les électrodes 126 du transistor de transfert 112T, 112B sont portées au potentiel V O FF , cela permet de créer une barrière de potentiel dans la région de transfert, c'est-à-dire dans la partie du substrat 104 située entre les deux portions de grille verticale de ce transistor de transfert. La barrière de potentiel, qui s’étend verticalement dans l’épaisseur du substrat 104, tend alors à empêcher la collecte, par la zone de stockage 110T, 110B, des porteurs photogénérés dans la zone photosensible 102. En revanche, lorsque les électrodes 126 du transistor de transfert 112T, 112B sont portées au potentiel V O N , cela permet d’abaisser la barrière de potentiel créée dans la région de transfert. Les porteurs photogénérés dans la zone photosensible 102 peuvent alors être transférés depuis la zone photosensible 102 afin d’être collectés par la zone de stockage 110T, 110B. Dans l’exemple représenté, le transfert des porteurs photogénérés dans le substrat 104 via les transistors de transfert verticaux 112T, respectivement 112B est un transfert majoritairement horizontal. Autrement dit, le transfert des porteurs photogénérés dans le substrat 104 s’effectue à une profondeur sensiblement constante. Le pixel 100 peut comporter d’autres éléments non représentés en figures 1 et 2. À titre d’exemple, le pixel 100 peut notamment comporter un circuit de réinitialisation et un circuit anti-éblouissement. Le capteur dont fait partie le pixel 100 est par exemple un capteur configuré pour évaluer des distances par temps de vol (« Time of Flight » - ToF, en anglais). Ce capteur comporte par exemple une source lumineuse, par exemple un laser, destinée à illuminer une scène. La source lumineuse émet par exemple un signal lumineux L E périodique, par exemple un signal sinusoïdal ou créneau, en direction de la scène. Dans un cas où le signal lumineux L E est réfléchi en direction du capteur par un objet de la scène, un signal lumineux L R est par exemple reçu par le pixel 100. Le signal lumineux L R présente par exemple un déphasage φ par rapport au signal lumineux L E émis par la source. L’évaluation du déphasage φ permet de calculer le temps de vol, qui peut ensuite être converti en une estimation de distance de l’objet par rapport au capteur. Afin de mesurer le déphasage φ, on peut par exemple échantillonner le signal L R en transférant, alternativement et à intervalles réguliers, des charges photogénérées dans la zone photosensible 102 vers les zones de stockage 110T et 110B. À titre d’exemple, on fait en sorte que la durée totale pour réaliser au moins trois transferts successifs soit égale à une période des signaux L E et L R . Pour cela, on peut par exemple capturer deux images successives en utilisant le pixel 100, ou utiliser simultanément le pixel 100 et un autre pixel comportant deux zones de stockage, par exemple un pixel semblable au pixel 100. Ces transferts successifs sont par exemple répétés un grand nombre de fois, par exemple au moins 100 000 fois. Les charges accumulées dans la zone de stockage 110T sont ensuite par exemple lues en transférant, vers le nœud 124T, les charges de la zone 110T. De façon analogue, les charges accumulées dans la zone de stockage 110B sont par exemple lues en transférant, vers le nœud 124B, les charges de la zone 110B. Un avantage du pixel 100 tient au fait que la région électriquement conductrice 106C de la tranchée d’isolation périphérique 106 permet d’assurer une fonction d’isolation optique. Plus précisément, la région électriquement conductrice 106C permet d’isoler optiquement la zone photosensible 102 du pixel 100 par rapport aux zones photosensibles de pixels voisins, non représentés en figure 1. La région électriquement conductrice 106C permet en outre d’isoler optiquement la zone photosensible 102 par rapport aux zones de stockage 110T et 110B. On évite ainsi l’apparition de charges photogénérées dans les zones de stockage 110T et 110B du pixel 100, qui nuiraient au fonctionnement du capteur. Dans le cas où la région électriquement conductrice 106C est en un métal ou en un alliage métallique, le pixel 100 présente notamment une PLS optique moindre que celle des pixels existants qui présentent des tranchées d’isolation en silicium polycristallin, en bloquant plus efficacement la lumière parvenant au pixel 100 sous une incidence oblique. A titre d'exemple, les transistors de transfert 112T et 112B sont conçus pour présenter des dimensions inférieures à la longueur d’onde de détection par les nœuds de lecture 124T et 124B. Cela permet de réduire encore davantage la PLS optique du pixel 100. Un autre avantage du pixel 100 tient au fait que la polarisation du transistor de transfert 112T, 112B par l’électrode 126 permet de former, dans l’épaisseur du substrat 104, une couche d’inversion faisant apparaître une barrière de potentiel élevée sur toute la hauteur du transistor de transfert. Les transistors de transfert 112T et 112B permettent notamment un blocage des porteurs photogénérés plus efficace que celui que l’on obtiendrait par exemple avec des transistors de transfert formés en surface 104T du substrat 104. On obtient ainsi un pixel 100 présentant une PLS électrique moindre que dans le cas d’un pixel qui présenterait des transistors de transfert formés en surface du substrat 104. La figure 3 est une vue en coupe, schématique et partielle, d’une variante du pixel 100 de la figure 1. Le pixel de la figure 3 comprend des éléments communs avec le pixel 100 des figures 1 et 2. Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Le pixel de la figure 3 diffère du pixel 100 des figures 1 et 2 principalement en ce que, dans le pixel de la figure 3, la région 118 électriquement conductrice n’affleure pas la face supérieure 104T du substrat 104. Dans l’exemple représenté, la face supérieure de la région 118 est revêtue d’une couche 302 électriquement isolante. La couche 302 est par exemple en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium. Les électrodes 126 traversent la couche 302 électriquement conductrice pour contacter la face supérieure de la région 118. Un avantage de cette variante tient au fait que les régions électriquement conductrices 118 situées de part et d’autre de la région de transfert présentent une surface moindre que dans le pixel 100 des figures 1 et 2. On obtient ainsi par exemple un transistor de transfert présentant une capacité électrique inférieure à celle du transistor de transfert 112T du pixel 100. Cela permet par exemple d’appliquer au transistor de transfert 112T des fréquences de commutation plus élevées que dans le cas du pixel 100. Un autre avantage de la variante illustrée en figure 3 réside dans le fait que la couche 302 électriquement isolante agit comme une couche de passivation de surface. Cela permet notamment une réduction de courant d’obscurité. Les figures 4 à 6 illustrent des étapes successives d’un exemple d’un premier mode de mise en œuvre d’un procédé de commande d’un pixel, par exemple le pixel 100 de la figure 1. La figure 4 est un graphique illustrant une étape du procédé de commande du pixel 100 de la figure 1 selon le premier mode de mise en œuvre. Le graphique de la figure 4 illustre plus particulièrement, par une courbe 400, un exemple de variation de potentiel électrostatique V le long du plan de coupe BB de la figure 1. La courbe 400 comporte : – une portion 402 correspondant à la couche d’inversion formée le long des parois de la tranchée d’isolation périphérique 106 ; – une portion 404 correspondant à la zone photosensible 102 ; – des portions 406, 408 et 410 correspondant à des régions d’un canal en forme de coude situé entre les parties 114T et 116T du transistor de transfert 112T, l’écart de potentiel entre les portions 406, 408 et 410 étant obtenu en ajustant des profils de dopage de ces régions et/ou la géométrie du transistor de transfert 112T (distance entre les régions 118) ; – une portion 412 correspondant à la zone de stockage 110T ; – une portion 414 correspondant au transistor de transfert planaire 122T ; et – une portion 416 correspondant au nœud de lecture 124T. Plus précisément, dans l’exemple représenté : – la portion 406 correspond à une zone du substrat 104 située entre l’extrémité de la partie 108T et la partie verticale gauche 106L de la tranchée d’isolation périphérique 106, c'est-à-dire à une première partie du canal en forme de coude située à l’entrée du transistor de transfert 112T ; – la portion 408 correspond à une autre zone du substrat 104 située entre la partie 116T et le coude situé dans l’angle supérieur gauche de la tranchée 106, c'est-à-dire à une deuxième partie du canal en forme de coude ; et – la portion 410 correspond à encore une autre zone du substrat 104 située entre la partie 116T du transistor de transfert 112T et la partie horizontale supérieure 106T de la tranchée d’isolation périphérique 106, c’est-à-dire à une troisième partie du canal en forme de coude située à la sortie du transistor de transfert 112T. La figure 4 illustre plus particulièrement une étape du procédé de commande du pixel 100 dans laquelle des charges, ici des trous symbolisés par des cercles, sont photogénérées dans la zone photosensible 102. Dans l’exemple représenté, le transistor de transfert 112T est à l’état bloqué. Le transistor de transfert 112T forme par exemple une barrière de potentiel empêchant les trous d’être transférés depuis la zone photosensible 102 vers la zone de stockage 110T du pixel 100. La figure 5 est un graphique illustrant une autre étape du procédé de commande du pixel 100 selon le premier mode de mise en œuvre. La figure 5 illustre plus particulièrement une étape du procédé de commande du pixel 100 dans laquelle les charges sont transférées depuis la zone photosensible 102 en direction de la zone de stockage 110T. Dans l’exemple représenté, le transistor de transfert 112T est à l’état passant. Les trous sont alors par exemple transférés depuis la zone photosensible 102 vers le coude du transistor de transfert 112T, symbolisé par la portion 408 de la courbe 400. La figure 6 est un graphique illustrant encore une autre étape du procédé de commande du pixel 100 selon le premier mode de mise en œuvre. La figure 6 illustre plus particulièrement une étape du procédé de commande du pixel 100 dans laquelle les charges sont transférées depuis le transistor de transfert 112T vers la zone de stockage 110T. Dans l’exemple représenté, le transistor de transfert 112T est à l’état bloqué. Les trous sont alors par exemple transférés depuis le coude du transistor de transfert 112T vers la zone de stockage 110T. Bien que cela ne soit pas représenté, d’autres étapes, par exemple de transfert depuis la zone de stockage 110T vers le nœud de lecture 124T, peuvent ensuite avoir lieu. La figure 7 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’une autre variante du pixel 100 de la figure 1. Dans la variante illustrée en figure 7, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’angle supérieur gauche de la tranchée 106 jusqu’à l’aplomb du bord vertical gauche de la partie 116T du transistor de transfert 112T. À la différence du pixel 100 de la figure 1, la partie 114T du transistor de transfert 112T du pixel illustré en figure 7 ne se prolonge pas jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 116T. La figure 8 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel 100 de la figure 1. Dans la variante illustrée en figure 8, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend verticalement, à l’intérieur de la partie 106L, depuis l’angle supérieur gauche de la tranchée 106 jusqu’au niveau du bord horizontal inférieur de la partie 108T. À la différence du pixel 100 de la figure 1, la partie 114T du transistor de transfert 112T du pixel illustré en figure 8 ne se prolonge pas horizontalement à l’intérieur de la partie 106T. La figure 9 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel 100 de la figure 1. Dans la variante illustrée en figure 9, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’angle supérieur gauche de la tranchée 106 jusqu’au niveau du bord vertical droit de la partie 116T. À la différence du pixel 100 de la figure 1, la partie 114T du transistor de transfert 112T du pixel illustré en figure 9 ne se prolonge pas verticalement à l’intérieur de la partie 106L. La figure 10 est une vue de dessus, schématique et partielle, de deux pixels du type de celui exposé en relation avec la figure 9. Dans l’exemple représenté, les deux pixels sont juxtaposés de sorte qu’ils partagent une partie verticale 106V commune de la tranchée d’isolation périphérique 106. Le pixel de gauche est par exemple symétrique au pixel de droite par rapport à la partie verticale 106V. Cela permet de réduire la surface occupée par les pixels. Dans l’orientation de la figure 10, en référence au pixel de la figure 9, la partie 106V correspond à la partie 106L du pixel de gauche et à la partie 106L du pixel de droite. La figure 11 est une vue de dessus, schématique et partielle, de deux pixels du type de celui exposé en relation avec la figure 7. Dans l’exemple représenté, les deux pixels sont juxtaposés de sorte qu’ils partagent une partie horizontale 106H commune de la tranchée d’isolation périphérique 106. Cela permet de réduire la surface occupée par les pixels. Dans l’orientation de la figure 11, en référence au pixel de la figure 7, la partie 106H correspond à la partie 106B du pixel du haut et à la partie 106T du pixel du bas. Dans l’exemple représenté, les parties 114T et 114B des transistors de transfert 112T et 112B des pixels partagent une région métallique 118 commune. La figure 12 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel 100 de la figure 1. Dans l’exemple représenté, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend dans le substrat 104 depuis la partie horizontale supérieure 106T de la tranchée d’isolation périphérique 106. Plus précisément, la partie 114T forme une excroissance pénétrant par exemple dans le substrat 104 de façon sensiblement perpendiculaire à la partie horizontale supérieure 106T. Dans l’exemple représenté, la partie 116T du transistor de transfert 112T s’étend dans le substrat 104 depuis la partie verticale gauche 106L de la tranchée d’isolation périphérique 106. Plus précisément, la partie 116T forme une excroissance pénétrant par exemple dans le substrat 104 de façon sensiblement perpendiculaire à la partie verticale gauche 106L. Les parties 114T et 116T du transistor de transfert 112T séparent la zone photosensible 102T du nœud de lecture 124T, formé dans le coin supérieur gauche du pixel 100 dans cet exemple. La figure 13 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel 100 de la figure 1. Dans l’exemple représenté, les parties 114T et 116B du transistor de transfert 112T s’étendent dans le substrat 104 depuis la partie horizontale supérieure 106T de la tranchée d’isolation périphérique 106. Plus précisément, les parties 114T et 116B forment chacune une excroissance pénétrant par exemple dans le substrat 104 de façon sensiblement perpendiculaire à la partie horizontale supérieure 106T. Les parties 114T et 116T du transistor de transfert 112T séparent la zone photosensible 102T du nœud de lecture 124T, formé dans une zone centrale supérieure du pixel 100 dans cet exemple. Dans les exemples illustrés en figures 12 et 13, les charges photogénérées sont transférées directement depuis la zone photosensible sur le nœud de lecture 124T par le transistor de transfert vertical 112T, sans stockage intermédiaire dans une zone mémoire. Autrement dit, par rapport à l'exemple de la figure 1, la zone mémoire 110T (respectivement 110B) et le transistor de transfert planaire 122T (respectivement 122B) sont supprimés. Ces variantes correspondent par exemple à un cas où le pixel 100 met en œuvre une mémorisation en tension. Dans ce cas, le nœud de lecture 124T correspond à une zone de stockage du pixel. Bien que cela ne soit pas représenté en figures 12 et 13, une capacité additionnelle peut par exemple être ajoutée sur chaque nœud de lecture 124T afin de conférer au pixel 100 une dynamique plus importante. La figure 14 est une vue de dessus, schématique et partielle, de deux pixels du type de celui exposé en relation avec la figure 13. Dans l’exemple représenté, les deux pixels sont juxtaposés de façon analogue à ce qui a été précédemment exposé en relation avec la figure 10, c'est-à-dire de sorte qu’ils partagent la partie verticale 106V commune de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans l’orientation de la figure 14, en référence au pixel de la figure 13, la partie 106V correspond à la partie 106R du pixel de gauche et à la partie 106L du pixel de droite. Dans l’exemple représenté, les transistors de transfert 112T des deux pixels présentent une partie 114C commune. La partie 114C est formée dans la partie verticale 106V de la tranchée d’isolation périphérique 106. Dans cet exemple, les pixels partagent une grille 118 commune. De part et d’autre de la partie 114C sont formées des parties 116L et 116R des transistors de transfert 112T, analogues à la partie 116T précédemment décrite en relation avec la figure 13. Les parties 114C, 116L et 116R sont par exemple parallèles entre elles. Dans ce cas, les transistors de transfert 112T des deux pixels adjacents sont par exemple pilotés de façon synchrone. Dans l’orientation de la figure 14, le nœud de lecture 124T du pixel de gauche est séparé de la zone photosensible 102 par un canal délimité par les parties 116L et 114C de son transistor de transfert 112T. De façon analogue, le nœud de lecture 124T du pixel de droite est séparé de la zone photosensible 102 par un autre canal délimité par les parties 114C et 116R de son transistor de transfert 112T. La partie 114C commune aux deux pixels adjacents permet notamment de prévoir une zone photosensible 102 plus grande que dans un cas par exemple où les pixels seraient juxtaposés sans partie 114C commune. On augmente ainsi la sensibilité du capteur. La figure 15 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’une variante des deux pixels de la figure 14. Par rapport aux pixels de la figure 15, les parties 116L et 116R des transistors de transfert 112T des deux pixels pénètrent davantage dans le substrat 104 en direction du centre de la zone photosensible 102. Cela permet un blocage plus efficace des porteurs entre la zone photosensible 102 et les nœuds de lecture 124T. Les pixels exposés ci-dessus en relation avec les figures 12 à 15 font par exemple partie d’un capteur à obturation globale (« global shutter », en anglais) ou d’un capteur de distance par temps de vol. La figure 16 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’un exemple d'un pixel 1300 d’un capteur d’images selon un deuxième mode de réalisation. Le pixel 1300 de la figure 16 comprend des éléments communs avec le pixel 100 de la figure 1. Ces éléments communs ne seront pas détaillés à nouveau ci-après. Le pixel 1300 de la figure 16 diffère du pixel 100 de la figure 1 principalement en ce que le pixel 1300 comporte, outre les premiers transistors de transfert 112T et 112B, des troisièmes transistors de transfert (pouvant aussi être appelés troisièmes grilles de transfert) 1302T et 1302B. Les transistors de transfert 1302T et 1302B sont des transistors verticaux similaires aux transistors 112T, respectivement 112B décrits précédemment. Les troisièmes transistors de transfert 1302T et 1302B du pixel 1300 permettent notamment d'améliorer le contrôler des transferts de charges depuis la zone photosensible 102 vers les zones de stockage 110T et 110B. Le transistor de transfert 1302T comporte une partie 1304T, formée dans la partie horizontale supérieure 106T de la tranchée d’isolation périphérique 106, et une autre partie 1306T, formée dans la partie 108T. De façon analogue, le transistor de transfert 1302B comporte une partie 1304B, formée dans la partie horizontale inférieure 106B de la tranchée d’isolation périphérique 106, et une autre partie 1306B, formée dans la partie 108B. Dans l’orientation de la figure 16, la partie 1304T du transistor de transfert 1302T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’aplomb du bord vertical gauche de la partie 116T du premier transistor de transfert 112T jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 1306T du troisième transistor de transfert 1302T. De façon analogue, la partie 1304B du transistor de transfert 1302B s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106B, depuis l’aplomb du bord vertical gauche de la partie 116B du premier transistor de transfert 112B jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 1306B du troisième transistor de transfert 1302B. En outre, dans l’exemple représenté, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend verticalement, à l’intérieur de la partie 106L, depuis le niveau du bord horizontal supérieur de la partie 108T jusqu’au niveau du bord horizontal inférieur de la partie 108T. De façon analogue, la partie 114B du transistor de transfert 112B s’étend verticalement, à l’intérieur de la partie 106L, depuis le niveau du bord horizontal supérieur de la partie 108B jusqu’au niveau du bord horizontal inférieur de la partie 108B. Dans l’exemple représenté, la partie 116T du premier transistor de transfert 112T est séparée de la partie 1306T du troisième transistor de transfert 1302T par une distance L4. À titre d’exemple, la distance L4 est comprise entre 50 nm et 300 nm. La partie 116B du premier transistor de transfert 112B est par exemple séparée de la partie 1306B du troisième transistor de transfert 1302B par la distance L4. Dans l’exemple représenté, les premiers transistors de transfert 112T, 112B présentent une surface inférieure aux troisièmes transistors de transfert 1302T, 1302B. Cela permet par exemple de commuter les premiers transistors de transfert 112T, 112B entre l’état passant et l’état bloqué à une fréquence de commutation supérieure à celle des troisièmes transistors de transfert 1302T, 1302B. La figure 17 est un graphique illustrant une étape d’un procédé de commande d’un pixel, par exemple le pixel 1300 de la figure 16, selon un deuxième mode de mise en œuvre. Dans l’exemple représenté : - les portions 402, 404, 412, 414, 416 sont inchangées par rapport à ce qui a été exposé précédemment en relation avec les figures 4 à 6 ; – la portion 406 correspond à une région du substrat 104 située entre les grilles 118 verticales du premier transistor de transfert 112T ; – la portion 408 correspond à une région du substrat 104 située entre les grilles verticales 118 du troisième transistor de transfert 1302T ; et – la portion 410 correspond à une région du substrat 104 située entre le troisième transistor de transfert 1302T et la zone de stockage 110T. Durant les premières étapes de ce procédé, le premier transistor de transfert 112T et le troisième transistor de transfert 1302T sont mis à l’état passant. Le troisième transistor 1302T est par exemple supposé passant au moment de la mise à l’état passant du premier transistor de transfert 112T. À titre d’exemple, les premier et troisième transistors de transfert 112T, 1302T sont mis à l’état passant simultanément. On obtient alors une courbe de potentiel analogue à celle de la figure 5. Le procédé se poursuit ensuite par l’étape illustrée en figure 17. La figure 17 illustre plus particulièrement une étape du procédé de commande du pixel 1300 dans laquelle les charges sont transférées depuis le premier transistor de transfert 112T vers le troisième transistor de transfert 1302T. Au cours de cette étape, le premier transistor de transfert 112T est à l’état bloqué et le troisième transistor de transfert 1302T est maintenu à l’état passant. Après cette étape, le transistor de transfert 1302T est commandé à l'état bloqué (le transistor 112T étant maintenu bloqué). Les charges photogénérées sont ainsi transférées dans la zone de stockage 110T. On obtient ainsi une courbe de potentiel analogue à celle de la figure 6. Le deuxième mode de mise en œuvre correspond à un cas dans lequel : – le premier transistor de transfert 112T et le troisième transistor de transfert 1302T sont pilotés de manière synchrone ; - le premier transistor de transfert 112B et le troisième transistor de transfert 1302B sont pilotés de manière synchrone ; et – les transistors de transfert 112T et 1302T peuvent être pilotés de manière asynchrone par rapport aux transistors de transfert 112B et 1302B. Dans ce mode de mise en œuvre, les premiers transistors de transfert 112T, 112B et les troisièmes transistors de transfert 1302T, 1302B sont mis à l’état passant, par exemple simultanément, au cours d’une même étape. La figure 18 est un graphique illustrant une étape d’un procédé de commande d’un pixel, par exemple le pixel 1300 de la figure 16, selon un troisième mode de mise en œuvre. La première étape de ce procédé est par exemple analogue à celle précédemment décrite en relation avec la figure 4. Durant cette première étape, le premier transistor de transfert 112T et le troisième transistor de transfert 1302T sont maintenus à l’état bloqué. La figure 18 illustre plus particulièrement une autre étape du procédé de commande du pixel 1300, dans laquelle le troisième transistor de transfert 1302T est à l’état passant (conduisant à abaisser le potentiel de la région 408) tandis que le premier transistor de transfert 112T est maintenu à l’état bloqué. Dans l’exemple représenté, les charges photogénérées sont contenues dans la zone photosensible 102. Après cette étape, le transistor de transfert 112T est commandé à l'état passant (le transistor 1302T étant maintenu passant). On obtient alors une courbe de potentiel analogue à celle de la figure 5. Ensuite, le procédé se poursuit de façon identique ou similaire à ce qui a été décrit ci-dessus en relation avec la figure 17. Le troisième mode de mise en œuvre correspond à un cas dans lequel les premiers transistors de transfert 112T, 112B et les troisièmes transistors de transfert 1302T, 1302B sont pilotés de manière asynchrone. Dans ce mode de mise en œuvre, la mise à l’état passant et la mise à l’état bloqué des troisièmes transistors de transfert 1302T, 1302B sont par exemple déphasées par rapport à la mise à l’état passant et la mise à l’état bloqué des premiers transistors 112T, 112B. Un avantage du troisième mode de mise en œuvre tient au fait qu’il permet de transférer des charges depuis la zone photosensible 102 vers l’une des zones de stockage 110T, 110B alors que le transfert vers l’autre zone de stockage 110B, 110T n’est pas encore achevé. La figure 19 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’une variante du pixel 1300 de la figure 16. Dans la variante illustrée en figure 19, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’angle supérieur gauche de la tranchée 106 jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 116T. Dans l’exemple représenté, la partie 1304T du transistor de transfert 1302T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’aplomb du bord vertical gauche de la partie 1306T jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 1306T. La figure 20 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’une autre variante du pixel 1300 de la figure 16. Dans la variante illustrée en figure 20, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend verticalement, à l’intérieur de la partie 106L, depuis le niveau du bord horizontal supérieur de la partie 108T jusqu’au niveau du bord horizontal inférieur de la partie 108T. Dans l’exemple représenté, la partie 1304T du transistor de transfert 1302T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’angle supérieur gauche de la tranchée d’isolation périphérique 106 jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 1306T. La figure 21 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel 1300 de la figure 16. Dans la variante illustrée en figure 21, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’aplomb du bord vertical gauche de la partie 116T jusqu’au niveau du bord vertical droit de la partie 116T. Dans l’exemple représenté, la partie 1304T du transistor de transfert 1302T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’aplomb du bord vertical gauche de la partie 1306T jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 1306T. La figure 22 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel 1300 de la figure 16. Dans la variante illustrée en figure 21, la partie 114T du transistor de transfert 112T s’étend verticalement, à l’intérieur de la partie 106L, depuis le niveau du bord horizontal supérieur de la partie 108T jusqu’au niveau du bord horizontal inférieur de la partie 108T. Dans l’exemple représenté, la partie 1304T du transistor de transfert 1302T s’étend horizontalement, à l’intérieur de la partie 106T, depuis l’aplomb du bord vertical droit de la partie 116T jusqu’à l’aplomb du bord vertical droit de la partie 1306T. La figure 23 est une vue de dessus, schématique et partielle, d’encore une autre variante du pixel 1300 de la figure 16. La variante illustrée en figure 23 correspond par exemple à un cas analogue aux variantes exposées en relation avec la figure 12, dans lequel le pixel 1300 met en œuvre une mémorisation en tension. Dans l’exemple représenté, les parties 106T et 106B de la tranchée d’isolation périphérique 106 ne se prolongent pas horizontalement jusqu’à intersecter la partie 106R. Les parties 106T et 106B sont respectivement connectées aux parties 108T et 108B par des parties verticales 2000T et 2000B. Les parties 2000T et 2000B sont par exemple perpendiculaires aux parties 108T et 108B. Dans cet exemple, les zones mémoire 110T et 110B et lestransistors de transfert planaires 122T et 122B sont omis. Divers modes de réalisation, modes de mise en œuvre et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation, modes de mise en œuvre et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, les variantes exposées en relation avec les figures 10 et 11 peuvent être combinées. En outre, les variantes du pixel 100 exposées en relation avec les figures 7 à 11 peuvent être adaptées au mode de réalisation du pixel 1300 de la figure 16 et aux variantes décrites en relation avec les figures 19 à 23. Bien que l’on ait décrit ci-dessus des exemples d’application à un capteur de mesure de distance par temps de vol, les modes de réalisation et modes de mise en œuvre exposés sont transposables par la personne du métier à d’autres types de capteurs, par exemple des capteurs comportant une unique zone de stockage 110T ou 124T, par exemple des capteurs à obturation globale. En outre, la personne du métier est capable d’adapter les modes de réalisation et modes de mise en œuvre ci-dessus à des types de conductivité opposés à ceux décrits. Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation, modes de mise en œuvre et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, la personne du métier est capable d’adapter le nombre, la position et la surface des transistors de transfert verticaux en fonction de l’application visée. Capteur d’images comprenant une pluralité de pixels (100 ; 1300) formés dans et sur un substrat semiconducteur (104), chaque pixel comportant : – une zone photosensible (102) formée dans le substrat semiconducteur ; – une zone de stockage (110T, 110B ; 124T, 124B) formée dans le substrat semiconducteur ; et – un premier transistor de transfert (112T, 112B) entre la zone photosensible et la zone de stockage, dans lequel le premier transistor de transfert comporte une grille (118) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur, depuis une face supérieure (104T) du substrat semiconducteur, à l’intérieur d’une tranchée d’isolation (106) délimitant la zone de stockage. Capteur selon la revendication 1, dans lequel la tranchée d’isolation (106) est une tranchée d’isolation capacitive comportant une région (106C) métallique électriquement isolée du substrat semiconducteur (104). Capteur selon la revendication 2, dans lequel la grille (118) du premier transistor de transfert (112T, 112B) de chaque pixel (100 ; 1300) est électriquement isolée du substrat semiconducteur (104) et de la région métallique (106C). Capteur selon la revendication 2 ou 3, dans lequel : – la région métallique (106C) est destinée à être portée à un potentiel fixe (V0) ; et – la grille (118) est destinée à être portée à un potentiel variable, dont un premier niveau (V ON ) commande la mise à l’état passant du premier transistor de transfert (112T, 112B) et dont un deuxième niveau (V OFF ) commande la mise à l’état bloqué du premier transistor de transfert. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la grille (118) est en un métal ou en un alliage métallique. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la grille (118) est en silicium polycristallin. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, configuré pour évaluer des distances par temps de vol. Capteur selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la zone de stockage (110T, 110B ; 124T, 124B) est séparée du premier transistor de transfert (112T, 112B) par un deuxième transistor de transfert (1302T, 1302B). Capteur selon la revendication 8, dans lequel le deuxième transistor de transfert (1302T, 1302B) comporte une grille (118) s’étendant verticalement dans le substrat semiconducteur (104), depuis la face supérieure (104T) du substrat semiconducteur, à l’intérieur de la tranchée d’isolation (106) délimitant la zone de stockage (110T, 110B ; 124T, 124B). Procédé de commande d’un capteur selon la revendication 8 ou 9 comprenant, pour chaque pixel (1300), les étapes suivantes : a) mettre le deuxième transistor de transfert (1302T, 1302B) à l’état passant ; b) mettre le premier transistor de transfert (112T, 112B) à l’état passant ; c) après les étapes a) et b), mettre le premier transistor de transfert (112T, 112B) à l’état bloqué ; et d) après l'étape c), mettre le deuxième transistor de transfert (1302T, 1302B) à l’état bloqué. Procédé selon la revendication 10, dans lequel les étapes a) et b) sont effectuées simultanément.