FR 3114928 A1 20220408 FR 2010245 A 20201007 Alimentation à découpage La présente description concerne une alimentation à découpage (2) configurée pour fournir un potentiel de sortie (Vout) continu sur un premier noeud (103) à partir d'un potentiel d'entrée (Vbat) continu, l'alimentation à découpage comprenant : un deuxième noeud (102) configuré pour recevoir le potentiel d'entrée (Vbat) ; un troisième noeud (101) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un premier (T1) et un deuxième (T2) transistors MOS de découpage ; un premier circuit (D L ) de commande du premier transistor (T1) ; et un deuxième circuit de commande (D H ) du deuxième transistor (T2), dans laquelle les premier et deuxième circuits (D L , D H ) sont alimentés à partir du potentiel de sortie (Vout). Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Alimentation à découpage La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques, et concerne plus particulièrement les alimentations à découpage ("Switched Mode Power Supply") ou SMPS. Dans une alimentation à découpage, aussi appelée convertisseur à découpage, un potentiel d'alimentation, fourni à une entrée de l'alimentation à découpage, est découpé (ou haché) en commutant des transistors MOS ("Metal Oxide Semiconductor" – métal oxyde semiconducteur) de manière à mettre en oeuvre des phases d'accumulation d'énergie dans un élément inductif ou inductance et des phases de restitution, à une charge connectée en sortie de l'alimentation à découpage, de l'énergie accumulée dans cet élément inductif. Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des alimentations à découpage connues, par exemple des alimentations à découpage connues de type élévateur ("step up" ou "boost" en anglais) fournissant un potentiel de sortie continu (DC) plus élevé qu'un potentiel d'entrée continu. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des alimentations à découpage connues, par exemple des alimentations à découpage connues de type élévateur. Un mode de réalisation prévoit une alimentation à découpage configurée pour fournir un potentiel de sortie continu sur un premier noeud à partir d'un potentiel d'entrée continu, l'alimentation à découpage comprenant : un deuxième noeud configuré pour recevoir le potentiel d'entrée ; un troisième noeud configuré pour recevoir un potentiel de référence ; un premier et un deuxième transistors MOS de découpage ; un premier circuit de commande du premier transistor ; et un deuxième circuit de commande du deuxième transistor, dans laquelle les premier et deuxième circuits sont alimentés à partir du potentiel de sortie. Selon un mode de réalisation, dans laquelle une valeur de consigne du potentiel de sortie est supérieure à une valeur du potentiel d'entrée. Selon un mode de réalisation, l'alimentation à découpage comprend un régulateur de tension à faible chute configuré pour fournir un potentiel intermédiaire à partir du potentiel de sortie, les premier et deuxième circuits étant alimentés à partir du potentiel intermédiaire. Selon un mode de réalisation, le potentiel intermédiaire est plus faible que le potentiel de sortie et, de préférence, plus élevé que le potentiel d'entrée. Selon un mode de réalisation : le premier transistor est connecté entre le troisième noeud et un quatrième noeud ; et le deuxième transistor est connecté entre le quatrième noeud et le premier noeud, l'alimentation à découpage comprenant en outre une inductance reliant le deuxième noeud au quatrième noeud. Selon un mode de réalisation, l'alimentation à découpage comprend une pompe de charge configurée pour fournir, à un cinquième noeud, un potentiel d'alimentation égal à une somme du potentiel intermédiaire et du potentiel du quatrième noeud, le premier circuit étant alimenté par le potentiel intermédiaire et le deuxième circuit étant alimenté par le potentiel d'alimentation. Selon un mode de réalisation, la pompe de charge comprend : une diode ayant une première électrode, de préférence une anode, connectée à un noeud de sortie du régulateur configuré pour fournir le potentiel intermédiaire, et une deuxième électrode, de préférence une cathode, connectée au cinquième noeud, ou un transistor MOS ayant une source connectée au noeud de sortie, un drain connecté au cinquième noeud, et une grille recevant un signal de commande; et une capacité connectée entre le quatrième noeud et le cinquième noeud. Selon un mode de réalisation, la pompe de charge comprend en outre un circuit de commande du régulateur configuré pour fournir une valeur de consigne du potentiel intermédiaire au régulateur. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande du régulateur est configuré pour sélectionner la valeur de consigne du potentiel intermédiaire parmi plusieurs valeurs de consigne en fonction d'un mode de fonctionnement de l'alimentation à découpage sélectionné parmi plusieurs modes de fonctionnement. Selon un mode de réalisation, le régulateur comprend : un troisième transistor MOS ayant une première borne de conduction reliée, de préférence connectée, au premier noeud et une deuxième borne de conduction configurée pour fournir le potentiel intermédiaire ; et un amplificateur opérationnel ayant une première entrée, de préférence inverseuse, configurée pour recevoir un potentiel représentatif de la valeur de consigne du potentiel intermédiaire, une deuxième entrée, de préférence non inverseuse, reliée à ladite deuxième borne et configurée pour recevoir un potentiel représentatif d'une valeur courante du potentiel intermédiaire, et une sortie reliée, de préférence connectée, à une borne de commande du troisième transistor. Selon un mode de réalisation, le régulateur comprend en outre : une capacité connectée entre la deuxième borne et le troisième noeud ; une résistance reliant la deuxième borne et la deuxième entrée de l'amplificateur ; et une source de courant connectée entre le troisième noeud et la deuxième entrée de l'amplificateur, de préférence, le régulateur comprenant en outre une diode connectée entre la deuxième borne et le deuxième noeud. Selon un mode de réalisation, le premier noeud est configuré pour être connecté à une première électrode d'une capacité de sortie dont une deuxième électrode est connectée au troisième noeud, l'alimentation à découpage comprenant en outre un troisième circuit reliant le deuxième noeud au premier noeud, le troisième circuit étant configuré pour précharger la capacité de sortie à partir du potentiel d'entrée, le troisième circuit comprenant, de préférence, un interrupteur reliant le deuxième noeud au premier noeud. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième transistors MOS sont à canal N. Un mode de réalisation prévoit un procédé mis en œuvre dans une alimentation à découpage, le procédé comprenant une étape consistant à alimenter électriquement un premier circuit de commande d'un premier transistor MOS de découpage de l'alimentation à découpage et un deuxième circuit de commande d'un deuxième transistor MOS de découpage de l'alimentation à découpage à partir d'un potentiel de sortie de l'alimentation à découpage, l'alimentation à découpage étant de préférence une alimentation à découpage telle que décrite ci-dessus. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend : une étape consistant à générer, avec un régulateur de tension à faible chute, un potentiel intermédiaire à partir du potentiel de sortie, les premier et deuxième circuits étant alimentés électriquement à partir du potentiel intermédiaire ; une étape consistant à sélectionner un mode de fonctionnement de l'alimentation à découpage parmi plusieurs modes de fonctionnement ; et une étape consistant à fournir une valeur de consigne du potentiel intermédiaire au régulateur, la valeur de consigne étant déterminée par le mode de fonctionnement sélectionné. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 illustre un exemple d'une alimentation à découpage de type élévateur ; la figure 2 illustre un mode de réalisation d'une alimentation à découpage de type élévateur ; et la figure 3 représente, de manière plus détaillée, un mode de réalisation d'une partie de l'alimentation à découpage de la figure 2. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits et systèmes électroniques usuels comprenant une alimentation à découpage n'ont pas été décrits, les modes de réalisation, les modes de mise en œuvre et les variantes décrits étant compatibles avec ces circuits et systèmes usuels. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, tous les potentiels sont référencés par rapport à un même potentiel de référence, typiquement le potentiel de masse GND. La figure 1 illustre un exemple d'une alimentation à découpage 1, l'alimentation à découpage 1 étant de type élévateur. L'alimentation à découpage 1 comprend un noeud 101 configuré pour recevoir un potentiel de référence, typiquement la masse GND. L'alimentation à découpage 1 comprend un noeud 102 configuré pour recevoir un potentiel d'entrée Vbat continu. Le potentiel Vbat potentiel est positif. A titre d'exemple, le potentiel Vbat est fourni par une batterie d'un système électronique comprenant l'alimentation à découpage 1. L'alimentation à découpage 1 comprend un noeud 103. L'alimentation à découpage 1 est configurée pour fournir un potentiel de sortie Vout continu sur le noeud 103. Le potentiel Vout est positif. Dans ce cas où l'alimentation à découpage 1 est de type élévateur, l'alimentation à découpage 1 est configurée pour fournir le potentiel Vout égal à une valeur de consigne Vref supérieure à la valeur du potentiel Vbat. Les noeuds 101 et 103 sont destinés à être connectés à des électrodes ou bornes respectives d'une capacité de sortie Cout. En figure 1, la capacité Cout est connectée entre les noeuds 101 et 103. La capacité Cout peut ou non faire partie de l'alimentation à découpage 1. L'alimentation à découpage 1 comprend deux transistors MOS de découpage T1 et T2. Les transistors T1 et T2 sont ici à canal N. Les transistors T1 et T2 sont connectés en série entre les noeuds 101 et 103. Plus particulièrement, le transistor T1 a une borne de conduction, par exemple sa source, connectée au noeud 101, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, connectée à un noeud 104, le transistor T2 ayant une borne de conduction, par exemple sa source, connectée au noeud 104, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, connectée au noeud 103. L'alimentation à découpage 1 comprend une inductance L. Dans ce cas où l'alimentation à découpage 1 est de type élévateur, l'inductance L relie le noeud 102 au noeud 104. Dit autrement, l'inductance L a une première borne ou électrode connectée au noeud 102 et une deuxième borne ou électrode reliée connectée au noeud 104 de connexion entre les transistors T1 et T2. Les transistors T1 et T2 sont commandés de manière à mettre en œuvre des phases d'accumulation d'énergie dans l'inductance L, et des phases de restitution de l'énergie accumulée dans l'inductance L à la capacité Cout. Plus particulièrement, lors d'une phase d'accumulation d'énergie dans l'inductance L, les transistors T1 et T2 sont respectivement fermé (passant) et ouvert (bloqué). Un courant circule alors dans l'inductance L, depuis le noeud 102 au potentiel Vbat vers le noeud 101 au potentiel GND, le noeud 104 étant au même potentiel que le noeud 101 si la chute de tension dans le transistor T1 est négligée. Lors d'une phase de restitution, à la capacité Cout, de l'énergie accumulée dans l'inductance L, les transistors T1 et T2 sont respectivement bloqué et passant. Un courant circule alors dans l'inductance L, depuis le noeud 102 vers le noeud 103, le noeud 104 étant au même potentiel que le noeud 103 si la chute de tension dans le transistor T2 est négligée. L'alimentation à découpage 1 comprend un circuit de commande D H du transistor T2 et un circuit de commande D L du transistor T1. Le circuit D L est configuré pour fournir un signal de commande cmd1, typiquement un potentiel, à une borne de commande ou grille du transistor T1, le circuit D H étant configuré pour fournir un signal de commande cmd2, typiquement un potentiel, à une borne de commande ou grille du transistor T2. Le signal cmd1, respectivement cmd2, est un signal périodique commuté entre un niveau haut pour lequel, dans cet exemple, le transistor T1, respectivement T2, est bloqué et un niveau bas pour lequel, dans cet exemple, le transistor T1, respectivement T2, est bloqué. Par exemple, les signaux cmd1 et cmd2 sont des signaux modulés en largeur d'impulsion ("Pulse Width Modulation") ou signaux PWM, le rapport cyclique des signaux cmd1 et cmd2 déterminant alors la durée d'une phase d'accumulation d'énergie par rapport à la durée d'une phase de restitution d'énergie. Les signaux cmd1 et cmd2 peuvent également être modulés en fréquence d'impulsion ("Pulse Frequency Modulation") ou signaux PFM. Les circuits D L et D H sont configurés pour générer les signaux de commandes cmd1 et cmd2 des transistors T1 et T2 à partir d'un ou plusieurs signaux de commande fournis par un circuit de commande CTRL de l'alimentation à découpage 1. Dit autrement, le circuit D L est un circuit de commande rapprochée ("driver" en anglais) du transistor T1, et le circuit D H est un circuit de commande rapprochée du transistor T2. Dans cet exemple, le circuit CTRL fourni un signal de commande cmd1' au circuit D L et un signal de commande cmd2' au circuit D H . Les signaux cmd1' et cmd2' sont par exemple des signaux PWM ou PFM. Plus particulièrement, les transistors T1 et T2 sont commandés de manière que la valeur du potentiel Vout soit égale à la valeur de consigne Vref. Pour cela, l'alimentation à découpage 1 comprend un circuit COMP configuré pour fournir un signal sig_comp représentatif de l'écart entre la valeur courante du potentiel Vout et la valeur de consigne Vref. Le signal sig_comp est reçu par le circuit CTRL qui détermine les signaux cmd1' et cmd2', par exemple leurs rapports cycliques, à partir du signal sig_comp, pour que le potentiel Vout soit égal à la valeur Vref. Bien que l'on ait représenté en figure 1 que le circuit COMP reçoit le potentiel Vout et la valeur de consigne Vref, de manière connue le circuit COMP peut également recevoir un signal représentatif de cette valeur de consigne Vref, par exemple un potentiel ayant une valeur proportionnelle et inférieure à la valeur de consigne Vref, et un signal représentatif de la valeur du potentiel Vout, par exemple un potentiel ayant une valeur proportionnelle et inférieure à celle du potentiel Vout. Dans l'alimentation à découpage 1, les circuits D L et D H sont alimentés à partir du potentiel Vbat. Il en résulte que le niveau haut du signal cmd1 et le niveau haut du signal cmd2 dépendent de la valeur du potentiel Vbat. Plus particulièrement, le circuit D L est alimenté par le potentiel Vbat et le circuit D H est alimenté par un potentiel Vbat+CP. Le potentiel Vbat+CP est obtenu à partir du potentiel Vbat, de manière que la différence entre le potentiel Vbat et le potentiel du noeud 101 soit égale à la différence entre le potentiel Vbat+CP et le potentiel du noeud 104. Ainsi, dans l'alimentation à découpage 1, lorsque le signal cmd1 est au potentiel Vbat et que le transistor T1 est passant, la différence de potentiel entre la grille et la source du transistor T1 est égale à Vbat. En outre, lorsque le signal cmd2 est au potentiel Vbat+CP et que le transistor T2 est passant alors que le transistor T1 est bloqué, la différence de potentiel entre la grille et la source du transistor T2 est égale à Vbat. Les transistors de découpage d'une alimentation à découpage, par exemple les transistors T1 et T2 de l'alimentation à découpage 1, sont généralement dimensionnés de manière que leur résistance à l'état passant soit inférieure ou égale à une valeur visée. En effet, le rendement de l'alimentation à découpage diminue lorsque la résistance à l'état passant de ces transistors de découpage augmente. La résistance à l'état passant d'un transistor MOS peut être réduite en augmentant la différence de potentiel appliquée entre sa source et sa grille pour le rendre passant, ou en augmentant les dimensions du transistor. Dans le cas où, comme dans l'alimentation à découpage 1, cette différence de potentiel entre la source et la grille des transistors T1 et T2 est égale à Vbat, c’est-à-dire à la différence de potentiel entre les noeuds 102 et 101, si ce potentiel Vbat est trop faible pour que la résistance à l'état passant des transistors T1 et T2 soit inférieure ou égale à la valeur visée, il faut augmenter les dimensions des transistors de découpage, donc de l'alimentation à découpage, ce qui n'est pas souhaitable, par exemple quand la surface disponible pour mettre en œuvre ces dispositifs est limitée, par exemple pour limiter le coût de ces dispositifs. En outre, lorsque le potentiel d'entrée d'une alimentation à découpage est fourni par une batterie, la valeur de ce potentiel peut diminuer pendant l'utilisation de l'alimentation à découpage, à cause d'une décharge progressive de la batterie. Il en résulte que la résistance à l'état passant des transistors de découpage de l'alimentation à découpage augmente pendant l'utilisation de l'alimentation à découpage, ce qui n'est pas souhaitable, par exemple car les dispositifs doivent alors être dimensionnés pour le pire cas, c’est-à-dire quand le potentiel Vbat est minimum. L'inventeur propose ici de tirer profit du fait que le potentiel de sortie Vout d'une alimentation à découpage de type élévateur soit supérieur à son potentiel d'entrée Vbat, pour alimenter électriquement des circuits de commande des transistors de découpage de l'alimentation à découpage à partir du potentiel Vout. Cela permet notamment d'augmenter la différence de potentiel appliquée entre la grille et la source d'un transistor de découpage pour le rendre passant par rapport au cas où son circuit de commande est alimenté à partir du potentiel d'entrée Vbat de l'alimentation à découpage. La figure 2 illustre un mode de réalisation d'une alimentation à découpage 2 de type élévateur. L'alimentation à découpage 2 est similaire à l'alimentation à découpage 1 de la figure 1, et seules les différences entre ces deux alimentations à découpage 1 et 2 sont ici mises en exergue. Ainsi, tous ce qui a été indiqué pour l'alimentation à découpage 1 s'applique, sauf indication contraire, à l'alimentation à découpage 2. En figure 2, le circuit COMP et le circuit CTRL de l'alimentation à découpage 2 n'ont pas été représentés. L'alimentation à découpage 2 diffère de l'alimentation à découpage 1 en ce que ses circuits D L et D H ne sont pas alimentés à partir du potentiel Vbat, mais à partir du potentiel Vout. Pour cela, l'alimentation à découpage 2 comprend un régulateur de tension à faible chute ("Low Drop Out") LDO. Le régulateur de tension LDO est configuré pour fournir un potentiel intermédiaire VLDO à partir du potentiel Vbat. Dans cet exemple, le potentiel VLDO est positif. Plus particulièrement, le régulateur LDO est configuré pour fournir le potentiel VLDO à une valeur égale à une valeur de consigne LDO_ref. Le potentiel VLDO est inférieur ou égal au potentiel Vout, ou, dit autrement, la valeur de consigne LDO_ref est inférieure ou égale à la valeur de consigne Vref. Selon un mode de réalisation, le potentiel VLDO est supérieur au potentiel Vbat, ou, dit autrement, la valeur de consigne LDO_ref est supérieure à la valeur du potentiel Vbat. Le régulateur LDO comprend une borne 200 reliée, de préférence connectée, au noeud 103 pour recevoir le potentiel Vout, et une borne 202 configurée pour fournir le potentiel VLDO. Le régulateur LDO comprend en outre une borne 204 configurée pour recevoir un signal représentatif de la valeur de consigne LDO_ref. Le signal représentatif de la valeur LDO_ref est fourni par un circuit de commande LDO CTRL du régulateur LDO, ce circuit LDO CTRL pouvant faire partie du circuit CTRL (non représenté en figure 2, voir la figure 1). Dans ce mode de réalisation, les deux circuits D L et D H sont alimentés à partir du potentiel VLDO. Plus particulièrement, le circuit D L est alimenté par le potentiel VLDO, et le circuit D H est alimenté par un potentiel VLDO+CP obtenu à partir du potentiel VLDO. Plus particulièrement, le potentiel VLDO+CP est généré de sorte que la différence entre le potentiel VLDO et le potentiel du noeud 101 est égale à la différence entre le potentiel VLDO+CP et le potentiel du noeud 104. L'alimentation à découpage 2 comprend une pompe de charge ("Charge Pump" en langue anglaise) CP configurée pour fournir le potentiel VLDO+CP à partir du potentiel VLDO. Dit autrement, la pompe de charge CP est configurée pour fournir un potentiel VLDO+CP égal au potentiel VLDO plus le potentiel du noeud 104. Dit encore autrement, la pompe de charge CP est configurée pour fournir le potentiel VLDO+CP de sorte que la différence entre le potentiel VLDO et le potentiel du noeud 101 est égale à la différence entre le potentiel VLDO+CP et le potentiel du noeud 104. Selon un mode de réalisation, la pompe de charge CP comprend une diode D et une capacité C1. La diode D a une électrode, de préférence son anode, connectée au noeud 202 de sortie du régulateur LDO, et une autre électrode, de préférence sa cathode, connectée à un noeud 206 de sortie de la pompe de charge CP. La capacité C est connectée entre le noeud 104 et le noeud 206. Le noeud 206 est configuré pour fournir le potentiel VLDO+CP. Le circuit D H est connecté au noeud 206 pour recevoir le potentiel VLDO+CP. Plus particulièrement, le circuit D H est en outre connecté au noeud 104, de manière à être alimenté par la différence de potentiel entre les noeuds 206 et 104. Selon une variante de réalisation, la diode D est remplacée par un transistor, par exemple un transistor MOS, qui présente une tension de seuil plus faible que celle de la diode D et qui est alors commandé de manière adéquate par un signal issu du bloc CTRL et qui a sa source et son drain reliés, de préférence connectés, aux noeuds respectifs 202 et 206. Dans l'alimentation à découpage 2, le niveau haut du potentiel cmd1 est égal au potentiel VLDO et le niveau bas du potentiel cmd1 est égale au potentiel GND, le niveau haut du potentiel cmd2 étant égal au potentiel VLDO+CP et le niveau bas du potentiel cmd2 étant égal au potentiel du noeud 104. Ainsi, lorsque le potentiel cmd1 est commuté au niveau haut pour rendre passant le transistor T1, la différence de potentiel entre la grille et la source du transistor T1 est égale au potentiel VLDO, c’est-à-dire à la différence de potentiel entre les noeuds 202 et 101, et, lorsque le potentiel cmd2 est commuté au niveau haut pour rendre passant le transistor T2, la différence de potentiel entre la grille et la source du transistor T2 est égale au potentiel VLDO, c’est-à-dire à la différence de potentiel entre les noeuds 202 et 101. Il est donc possible de choisir une valeur de consigne VLDO_ref permettant d'obtenir une résistance à l'état passant des transistors T1 et T2 qui est inférieure ou égale à une valeur donnée, sans augmenter les dimensions des transistors T1 et T2. En outre, par rapport au cas de l'alimentation à découpage 1, lorsque la valeur du potentiel Vbat est modifiée, cela n'entraîne pas de modification du potentiel VLDO tant que le potentiel Vout est maintenu à une valeur supérieure à la valeur de consigne LDO_ref du potentiel VLDO. Selon un mode de réalisation, l'alimentation à découpage 2 est configurée pour fonctionner selon un mode de fonctionnement sélectionné parmi plusieurs modes de fonctionnement. Chacun des ces modes de fonctionnement correspond à une valeur de consigne VLDO_ref différente fournie par le circuit LDO CTRL. Dit autrement, chacun de ces modes de fonctionnement détermine, ou correspond à, un compromis différent entre la valeur de la résistance à l'état passant des transistors T1 et T2 et le vieillissement des transistors T1 et T2. En effet, plus la valeur de consigne VLDO_ref est élevée, plus la différence de potentiel appliquée entre la source et la grille des transistors T1 et T2 à l'état passant est élevée, d'où il résulte une accélération du vieillissement des transistors en même temps qu'une diminution de la valeur de leurs résistances à l'état passant. Selon un mode de réalisation, comme cela est représenté en figure 2, l'alimentation à découpage 2 comprend un circuit PRELOAD configuré pour précharger la capacité Cout à partir du potentiel Vbat. Le circuit PRELOAD relie le noeud 102 au noeud 103. Ce type de circuit permet de limiter le courant d'appel tiré par la capacité Cout lorsque la différence de potentiel entre ses bornes est inférieure à la différence de potentiel entre les noeuds 102 et 101, par exemple lorsque la différence de potentiel entre les bornes de la capacité Cout est nulle. De préférence, le circuit PRELOAD comprend un interrupteur, par exemple un interrupteur à courant limité, reliant le noeud 102 au noeud 103. A titre d'exemple, cet interrupteur est mis en œuvre par un transistor MOS à canal P avec un dispositif de tirage ("pull up" en anglais) pour commuter le potentiel appliqué sur la grille et sur le caisson ("body" en anglais) de ce transistor, entre le potentiel Vbat et le potentiel Vout. La prévision d'un tel circuit PRELOAD permet également de faciliter le démarrage du régulateur LDO et les premières commutations à l'état passant des transistors T1 et T2. La figure 3 représente, de manière plus détaillée, un exemple de mode de réalisation du régulateur LDO de l'alimentation à découpage 2. Le régulateur LDO comprend un transistor MOS T3, dans cet exemple à canal P, ayant une borne de conduction, de préférence sa source, reliée, de préférence connectée, au noeud 103 et une borne de conduction, de préférence son drain, connectée au noeud 202 et configurée pour fournir le potentiel VLDO. Le régulateur LDO comprend en outre un amplificateur opérationnel 300 ayant une première entrée 301, de préférence inverseuse (-), configurée pour recevoir un signal, typiquement un potentiel, représentatif de la valeur de consigne LDO_ref, une deuxième entrée 302, de préférence non inverseuse (+), reliée au noeud 202, donc au drain du transistor T3, pour recevoir un potentiel représentatif d'une valeur courante du potentiel VLDO, et une sortie 303 reliée, de préférence connectée, à une borne de commande ou grille du transistor T3. Lorsque la valeur courante du potentiel VLDO s'écarte de sa valeur de consigne VLDO_ref, cela entraîne une modification du potentiel de sortie de l'amplificateur 300, donc de la différence de potentiel entre la grille et la source du transistor T3. Il en résulte une modification de la chute de tension entre les bornes de conduction du transistor T3, donc du potentiel VLDO du noeud 202, permettant de ramener la valeur courante du potentiel VLDO vers sa valeur de consigne LDO_ref. Dans l'exemple représenté, le régulateur LDO comprend une capacité C2 connectée entre le noeud 202 et le noeud 101. La capacité C2 permet de lisser, ou moyenner, les variations transitoires de la valeur courante du potentiel VLDO. Dans l'exemple représenté, le régulateur LDO comprend une résistance R connectée entre le noeud 202 et l'entrée 302 de l'amplificateur 300, ainsi qu'une source de courant 304 connectée entre l'entrée 302 et le noeud 101. La source 304 fournit un courant de polarisation à la résistance R. Le potentiel sur l'entrée 302 est donc égal au potentiel VLDO moins la chute de tension dans la résistance R, cette chute de tension étant déterminée par la valeur de la résistance R et par la valeur du courant délivré par la source 304. On notera que, dans cet exemple, la valeur de consigne LDO_ref du potentiel VLDO peut être modifiée en modifiant le courant délivré par la source 304 alors que le potentiel sur l'entrée 301 du régulateur LDO est laissé inchangé. Comme cela est représenté dans l'exemple de la figure 3, le régulateur LDO peut comprendre en outre une diode D1 reliant le noeud 202 au noeud 102. La diode D1 est configurée pour que le potentiel du noeud 202 soit au moins égal au potentiel Vbat lorsque le potentiel Vout est inférieur au potentiel Vbat. La diode D1 a une première électrode, dans cet exemple sa cathode, reliée, de préférence connectée, au noeud 202, et une deuxième électrode, dans cet exemple son anode, reliée, de préférence connectée, au noeud 104. La prévision de la diode D1 permet de faciliter le démarrage du régulateur LDO et les premières commutations à l'état passant des transistors T1 et T2 (figure 2). La diode D1 peut être prévue, que l'alimentation à découpage 2 (figure 2) comprenne ou non le circuit PRELOAD. On notera que cette diode D1 peut être supprimée, notamment si elle limite les modes de fonctionnement demandés par le circuit LDO CTRL (figure 2) On a décrit ci-dessus des modes de réalisation et variantes dans lesquels les deux transistors T1 et T2 sont à canal N. En effet, pour des dimensions identiques, des niveaux de dopages de source, de drain et de canal identiques, et une même différence de potentiel (en valeur absolue) entre sa source et sa grille, un transistor à canal N présente une résistance à l'état passant plus faible que celle d'un transistor à canal P. Toutefois, dans le cas où le transistor T2 est un transistor MOS à canal P dont la source est reliée ou connectée au noeud 103 et dont le drain est relié ou connecté au noeud 104, son circuit de commande D H peut également être alimenté à partir du potentiel Vout. Dans ce cas, l'alimentation à découpage 2 comprend un deuxième régulateur de tension à faible chute configuré pour fournir un potentiel d'alimentation supplémentaire égal au potentiel Vout moins le potentiel VLDO, c’est-à-dire ayant une valeur égale à Vref moins LDO-ref. Le circuit D H est alors alimenté par la différence entre le potentiel Vout et le potentiel d'alimentation supplémentaire. Dans ce cas, le niveau haut du potentiel cmd2 est égal au potentiel Vout, et le niveau bas du potentiel cmd2 est égal au potentiel Vout-VLDO, le transistor T2 étant passant, respectivement bloqué, lorsque le potentiel cmd2 est au niveau bas, respectivement haut. Lorsque le potentiel cmd2 est au niveau bas (transistor T2 passant), la différence de potentiel entre la grille et la source du transistor T2 est égale, en valeur absolue, au potentiel VLDO. Par ailleurs, bien que l'on ait décrit ici le cas où les potentiels Vout et VLDO sont positifs par rapport au potentiel de référence GND, dans le cas où le potentiel Vout est négatif par rapport au potentiel de référence GND, les transistors T1 et T2 à canal N sont remplacés par des transistors MOS à canal P, et le régulateur LDO fourni alors un potentiel VLDO négatif par rapport au potentiel de référence GND. La mise en œuvre d'une telle variante de réalisation est à la portée de la personne du métier, par exemple en prévoyant de mettre en œuvre les transistors dans un substrat de type N afin d'éviter des mises en conduction des diodes entre le substrat et les caissons où sont mis en œuvre les transistors. En outre, la personne du métier est en mesure de mettre en œuvre les modes de réalisation et variantes décrits dans le cas où l'alimentation à découpage 2 de type abaisseur ("step down" ou "buck" en anglais), c’est-à-dire qu'elle est configurée pour fournir un potentiel Vout ayant une valeur plus faible que celle du potentiel Vbat. En effet, l'alimentation des circuits de commande D H et D L avec un potentiel VLDO plus faible que le potentiel Vbat permet alors de contrôler le vieillissement des transistors T1 et T2 dans le cas où le potentiel Vbat est trop élevé pour alimenter les circuits D H et D L , par exemple dans le cas où le potentiel Vbat est supérieur à 4 fois la tension de seuil des transistors T1 et T2. Plus généralement, quel que soit le type de l'alimentation à découpage, la personne du métier est en mesure de prévoir d'alimenter des circuits de commande de transistors MOS de découpage de cette alimentation à découpage à partir d'un potentiel intermédiaire, ce potentiel intermédiaire étant généré par un régulateur de tension à faible chute à partir du potentiel de sortie de l'alimentation à découpage. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. En particulier, la mise en œuvre des circuits D H , D L , CTRL, COMP et LDO CTRL, est à la portée de la personne du métier. Alimentation à découpage (2) configurée pour fournir un potentiel de sortie (Vout) continu sur un premier noeud (103) à partir d'un potentiel d'entrée (Vbat) continu, l'alimentation à découpage comprenant : un deuxième noeud (102) configuré pour recevoir le potentiel d'entrée (Vbat) ; un troisième noeud (101) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un premier (T1) et un deuxième (T2) transistors MOS de découpage ; un premier circuit (D L ) de commande du premier transistor (T1) ; et un deuxième circuit de commande (D H ) du deuxième transistor (T2), dans laquelle les premier et deuxième circuits (D L , D H ) sont alimentés à partir du potentiel de sortie (Vout). Alimentation à découpage selon la revendication 1, dans laquelle une valeur de consigne (Vref) du potentiel de sortie (Vout) est supérieure à une valeur du potentiel d'entrée (Vbat). Alimentation à découpage selon la revendication 1 ou 2, comprenant un régulateur de tension à faible chute (LDO) configuré pour fournir un potentiel intermédiaire (VLDO) à partir du potentiel de sortie (Vout), les premier et deuxième circuits (D L , D H ) étant alimentés à partir du potentiel intermédiaire (VLDO). Alimentation à découpage selon la revendication 3, dans laquelle le potentiel intermédiaire (VLDO) est plus faible que le potentiel de sortie (Vout) et, de préférence, plus élevé que le potentiel d'entrée (Vbat). Alimentation à découpage selon la revendication 3 ou 4, dans laquelle : le premier transistor (T1) est connecté entre le troisième noeud (101) et un quatrième noeud (104) ; et le deuxième transistor (T2) est connecté entre le quatrième noeud (104) et le premier noeud (103), l'alimentation à découpage (2) comprenant en outre une inductance (L) reliant le deuxième noeud (102) au quatrième noeud (104). Alimentation à découpage selon la revendication 5, comprenant une pompe de charge (CP) configurée pour fournir, à un cinquième noeud (206), un potentiel d'alimentation (VLDO+CP) égal à une somme du potentiel intermédiaire (VLDO) et du potentiel du quatrième noeud (104), le premier circuit (D L ) étant alimenté par le potentiel intermédiaire (VLDO) et le deuxième circuit (D H ) étant alimenté par le potentiel d'alimentation (VLDO+CP). Alimentation à découpage selon la revendication 6, dans laquelle la pompe de charge (CP) comprend : une diode (D) ayant une première électrode, de préférence une anode, connectée à un noeud de sortie (202) du régulateur (LDO) configuré pour fournir le potentiel intermédiaire (VLDO), et une deuxième électrode, de préférence une cathode, connectée au cinquième noeud (206), ou un transistor MOS ayant une source connectée au noeud de sortie (202), un drain connecté au cinquième noeud (206), et une grille recevant un signal de commande; et une capacité (C1) connectée entre le quatrième noeud (204) et le cinquième noeud (206). Alimentation à découpage selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, comprenant en outre un circuit de commande (CLRL LDO) du régulateur (LDO) configuré pour fournir une valeur de consigne (LDO_ref) du potentiel intermédiaire (VLDO) au régulateur (LDO). Alimentation à découpage selon la revendication 8, dans laquelle le circuit de commande (CTRL LDO) du régulateur (LDO) est configuré pour sélectionner la valeur de consigne (LDO_ref) du potentiel intermédiaire (VLDO) parmi plusieurs valeurs de consigne en fonction d'un mode de fonctionnement de l'alimentation à découpage (2) sélectionné parmi plusieurs modes de fonctionnement. Alimentation à découpage selon la revendication 8 ou 9, dans laquelle le régulateur (LDO) comprend : un troisième transistor MOS (T3) ayant une première borne de conduction reliée, de préférence connectée, au premier noeud (103) et une deuxième borne de conduction (202) configurée pour fournir le potentiel intermédiaire (VLDO) ; et un amplificateur opérationnel (300) ayant une première entrée (301), de préférence inverseuse, configurée pour recevoir un potentiel représentatif de la valeur de consigne (LDO_ref) du potentiel intermédiaire (VLDO), une deuxième entrée (302), de préférence non inverseuse, reliée à ladite deuxième borne (202) et configurée pour recevoir un potentiel représentatif d'une valeur courante du potentiel intermédiaire (VLDO), et une sortie (303) reliée, de préférence connectée, à une borne de commande du troisième transistor (T3). Alimentation à découpage selon la revendication 10, dans lequel le régulateur (LDO) comprend en outre : une capacité (C2) connectée entre la deuxième borne (202) et le troisième noeud (101) ; une résistance (R) reliant la deuxième borne (202) et la deuxième entrée (302) de l'amplificateur (300) ; et une source de courant (304) connectée entre le troisième noeud (101) et la deuxième entrée (302) de l'amplificateur (300), de préférence, le régulateur (LDO) comprenant en outre une diode (D1) connectée entre la deuxième borne (202) et le deuxième noeud (102). Alimentation à découpage selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans laquelle le premier noeud (103) est configuré pour être connecté à une première électrode d'une capacité de sortie (Cout) dont une deuxième électrode est connectée au troisième noeud (101), l'alimentation à découpage (2) comprenant en outre un troisième circuit (PRELOAD) reliant le deuxième noeud (102) au premier noeud (103), le troisième circuit (PRELOAD) étant configuré pour précharger la capacité de sortie (Cout) à partir du potentiel d'entrée (Vbat), le troisième circuit (PRELOAD) comprenant, de préférence, un interrupteur reliant le deuxième noeud (102) au premier noeud (103). Alimentation à découpage selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans laquelle les premier et deuxième transistors MOS (T1, T2) sont à canal N. Procédé mis en œuvre dans une alimentation à découpage (2) comprenant une étape consistant à alimenter électriquement un premier circuit de commande (Dl) d'un premier transistor MOS de découpage (T1) de l'alimentation à découpage (2) et un deuxième circuit de commande (DH) d'un deuxième transistor MOS de découpage (T2) de l'alimentation à découpage (2) à partir d'un potentiel de sortie (Vout) de l'alimentation à découpage (2), l'alimentation à découpage (2) étant de préférence une alimentation à découpage (2) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13. Procédé selon la revendication 14, comprenant : une étape consistant à générer, avec un régulateur de tension à faible chute (LDO), un potentiel intermédiaire (VLDO) à partir du potentiel de sortie (Vout), les premier et deuxième circuits (D L , D H ) étant alimentés électriquement à partir du potentiel intermédiaire (VLDO) ; une étape consistant à sélectionner un mode de fonctionnement de l'alimentation à découpage (2) parmi plusieurs modes de fonctionnement ; et une étape consistant à fournir une valeur de consigne (LDO_ref) du potentiel intermédiaire (VLDO) au régulateur (LDO), la valeur de consigne (LDO_ref) étant déterminée par le mode de fonctionnement sélectionné.