FR 3118291 A1 20220624 FR 2013514 A 20201217 Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant une matrice (15) de diodes électroluminescentes axiales (LED), les diodes électroluminescentes comprenant chacune une zone active (20) configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique dont le spectre d'émission comprend un maximum à une première longueur d'onde, la matrice formant un cristal photonique configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité dudit rayonnement électromagnétique à au moins une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial La présente demande concerne un dispositif optoélectronique, notamment un écran d'affichage ou un dispositif de projection d'images, comprenant des diodes électroluminescentes à base de matériaux semiconducteurs, et leurs procédés de fabrication. Une diode électroluminescente à base de matériaux semiconducteurs comprend généralement une zone active qui est la région de la diode électroluminescente depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. La structure et la composition de la zone active sont adaptées pour obtenir un rayonnement électromagnétique ayant les propriétés souhaitées. En particulier, il est généralement recherché l'obtention d'un rayonnement électromagnétique à spectre étroit, idéalement sensiblement monochromatique. On s'intéresse plus particulièrement ici à des dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial, c’est-à-dire des diodes électroluminescentes comprenant chacune un élément semiconducteur tridimensionnel s'étendant selon une direction privilégiée et comprenant la zone active à une extrémité axiale de l'élément semiconducteur tridimensionnel. Des exemples d'éléments semiconducteurs tridimensionnels sont des microfils ou nanofils comprenant un matériau semiconducteur comportant majoritairement au moins un élément du groupe III et un élément du groupe V (par exemple du nitrure de gallium GaN), appelé par la suite composé III-V, ou comportant majoritairement au moins un élément du groupe II et un élément du groupe VI (par exemple de l'oxyde de zinc ZnO), appelé par la suite composé II-VI. De tels dispositifs sont, par exemple, décrits dans les demandes de brevet français FR 2 995 729 et FR 2 997 558. Il est connu de réaliser une zone active comprenant un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. Un puits quantique unique est réalisé en interposant, entre deux couches d'un premier matériau semiconducteur, par exemple un composé III-V, notamment du GaN, respectivement dopé de type P et N, une couche d'un deuxième matériau semiconducteur, par exemple un alliage du composé III-V et d'un troisième élément, notamment le InGaN, dont la bande interdite est différente du premier matériau semiconducteur. Une structure de puits quantiques multiples comprend un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques et de couches barrières. La longueur d'onde du rayonnement électromagnétique émis par la zone active du dispositif optoélectronique dépend notamment de la bande interdite du deuxième matériau formant le puits quantique. Lorsque le deuxième matériau est un alliage du composé III-V et d'un troisième élément, par exemple le InGaN, la longueur d'onde du rayonnement émis dépend notamment du pourcentage atomique du troisième élément, par exemple l'indium. En particulier, plus le pourcentage atomique d'indium est élevé, plus la longueur d'onde est élevée. Un inconvénient est que lorsque le pourcentage atomique d'indium dépasse un seuil, il est observé des différences de paramètres de mailles entre les couches de GaN et de InGaN du puits quantique qui peuvent entraîner la formation de défauts non radiatifs dans la zone active, tels que des dislocations et/ou des effets de séparation d'alliage, ce qui entraîne une diminution importante du rendement quantique de la zone active du dispositif optoélectronique. Il existe donc une longueur d'onde maximale du rayonnement émis par un dispositif optoélectronique dont la zone active comprend un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples à base de composés III-V ou II-VI. En particulier, la réalisation de diodes électroluminescentes en composés III-V ou II-VI émettant dans le rouge peut être donc difficile. Toutefois, l'utilisation de matériaux à base de composés III-V ou II-VI est souhaitable dans la mesure où il existe des procédés de croissance par épitaxie de tels matériaux sur des substrats de grandes dimensions et à coût réduit. Il est connu de recouvrir une diode électroluminescente d'un matériau photoluminescent adapté à convertir le rayonnement électromagnétique émis par la zone active en un rayonnement électromagnétique à une longueur d'onde différente. Toutefois, de tels matériaux photoluminescents peuvent présenter un coût élevé, avoir un rendement de conversion faible, et présenter des performances qui se dégradent dans le temps. En outre, il peut être difficile de réaliser une diode électroluminescente tridimensionnelle de type axial à base de composés III-V ou II-VI dont la zone active a un spectre d'émission ayant les propriétés souhaitées, en particulier comprenant une bande étroite autour de la fréquence d'émission cible. Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier au moins en partie les inconvénients des dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est que la zone active de chaque diode électroluminescente comprend un empilement de couches de matériaux semiconducteurs à base de composés III-V ou II-VI. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le dispositif optoélectronique comprenne des diodes électroluminescentes configurées pour émettre un rayonnement lumineux dans le rouge sans utilisation de matériaux photoluminescents. Un autre objet d'un mode de réalisation est la formation de diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial à base de composés III-V ou II-VI dont les zones actives ont un spectre d'émission ayant les propriétés souhaitées, en particulier comprenant une bande étroite autour de la fréquence d'émission cible. Un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant une matrice de diodes électroluminescentes axiales, les diodes électroluminescentes comprenant chacune une zone active configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique dont le spectre d'émission comprend un maximum à une première longueur d'onde, la matrice formant un cristal photonique configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité dudit rayonnement électromagnétique à au moins une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un premier filtre optique recouvrant au moins une première partie de ladite matrice de diodes électroluminescentes, le premier filtre optique étant configuré pour bloquer ledit rayonnement amplifié sur une première plage de longueurs d'onde comprenant la première longueur d'onde et à laisser passer ledit rayonnement amplifié sur une deuxième plage de longueurs d'onde comprenant la deuxième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le spectre d'émission de la zone active présente de l'énergie à la deuxième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le cristal photonique est configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité dudit rayonnement électromagnétique à au moins une troisième longueur d'onde différente des première et deuxième longueurs d'onde. Selon un mode de réalisation, le spectre d'émission de la zone active présente de l'énergie à la troisième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un deuxième filtre optique recouvrant au moins une deuxième partie de ladite matrice de diodes électroluminescentes, le deuxième filtre optique étant configuré pour bloquer ledit rayonnement amplifié sur une troisième plage de longueurs d'onde comprenant les première et deuxième longueurs d'onde et à laisser passer ledit rayonnement amplifié sur une quatrième plage de longueurs d'onde comprenant la troisième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le cristal photonique est configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité dudit rayonnement électromagnétique à au moins une quatrième longueur d'onde différente des première, deuxième, et troisième longueurs d'onde. Selon un mode de réalisation, le spectre d'émission de la zone active présente de l'énergie à la quatrième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un troisième filtre optique recouvrant au moins une troisième partie de ladite matrice de diodes électroluminescentes, le troisième filtre optique étant configuré pour bloquer ledit rayonnement amplifié sur une cinquième plage de longueurs d'onde comprenant les première, deuxième, et troisième longueurs d'onde et pour laisser passer ledit rayonnement amplifié sur une sixième plage de longueurs d'onde comprenant la quatrième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un support sur lequel reposent les diodes électroluminescentes, chaque diode électroluminescente comprenant un empilement d'une première portion semiconductrice reposant sur le support, de la zone active en contact avec la première portion semiconductrice et d'une deuxième portion semiconductrice en contact avec la zone active. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une couche réfléchissante entre le support et les premières portions semiconductrices des diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, la couche réfléchissante est en métal. Selon un mode de réalisation, les deuxièmes portions semiconductrices des diodes électroluminescentes sont recouvertes d'une couche conductrice et au moins en partie transparente au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont séparées par un matériau isolant électriquement. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant une matrice de diodes électroluminescentes axiales, les diodes électroluminescentes comprenant chacune une zone active configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique dont le spectre d'émission comprend un maximum à une première longueur d'onde, la matrice formant un cristal photonique configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité du rayonnement électromagnétique par les diodes électroluminescentes à au moins une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, la formation des diodes électroluminescentes de la matrice comprend les étapes suivantes : - formation de deuxièmes portions semiconductrices sur un substrat, les premières portions semiconductrices étant séparées les unes des autres du pas de la matrice ; - formation d'une zone active sur chaque première portion semiconductrice ; et - formation d'une première portion semiconductrice sur chaque zone active. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de retrait du substrat. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; la est une vue en perspective, partielle et schématique, du dispositif optoélectronique représenté en ; la représente schématiquement un exemple d'agencement des diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique représenté en ; la représente schématiquement un autre exemple d'agencement des diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique représenté en ; la représente, de façon schématique, des courbes d'évolution d'intensités lumineuses du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique de la illustrant une configuration à une résonance ; la représente, de façon schématique, des courbes d'évolution d'intensités lumineuses illustrant une configuration à deux résonances ; la représente, de façon schématique, des courbes d'évolution d'intensités lumineuses illustrant une configuration à trois résonances ; la illustre un procédé de sélection du rayonnement émis dans une configuration à deux résonances ; la illustre un procédé de sélection du rayonnement émis dans une configuration à trois résonances ; la illustre une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté en ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté en ; la est une carte en niveaux de gris de l'intensité lumineuse émise à une première longueur d'onde par une diode électroluminescente d'un cristal photonique du dispositif optoélectronique en fonction du pas du cristal photonique et du diamètre de la diode électroluminescente ; la est une carte en niveaux de gris de l'intensité lumineuse émise à une deuxième longueur d'onde par une diode électroluminescente d'un cristal photonique du dispositif optoélectronique en fonction du pas du cristal photonique et du diamètre de la diode électroluminescente ; la est une carte en niveaux de gris de l'intensité lumineuse émise à une troisième longueur d'onde par une diode électroluminescente d'un cristal photonique du dispositif optoélectronique en fonction du pas du cristal photonique et du diamètre de la diode électroluminescente ; la représente une courbe d'évolution de l'intensité lumineuse des diodes électroluminescentes en fonction de la longueur d'onde mesurée lors d'un premier essai ; et la représente une courbe d'évolution de l'intensité lumineuse des diodes électroluminescentes en fonction de la longueur d'onde mesurée lors d'un deuxième essai. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les dispositifs optoélectroniques considérés comprennent éventuellement d'autres composants qui ne seront pas détaillés. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Dans la suite de la description, la transmittance interne d'une couche correspond au rapport entre l'intensité du rayonnement sortant de la couche et l'intensité du rayonnement entrant dans la couche. L'absorption de la couche est égale à la différence entre 1 et la transmittance interne. Dans la suite de la description, une couche est dite transparente à un rayonnement lorsque l’absorption du rayonnement au travers de la couche est inférieure à 60 %. Dans la suite de la description, une couche est dite absorbante à un rayonnement lorsque l'absorption du rayonnement dans la couche est supérieure à 60 %. Lorsqu'un rayonnement présente un spectre de forme générale "en cloche", par exemple de forme gaussienne, ayant un maximum, on appelle longueur d'onde du rayonnement, ou longueur d'onde centrale ou principale du rayonnement, la longueur d'onde à laquelle le maximum du spectre est atteint. Dans la suite de la description, l'indice de réfraction d'un matériau correspond à l'indice de réfraction du matériau pour la plage de longueurs d'onde du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Sauf indication contraire, l'indice de réfraction est considéré sensiblement constant sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement utile, par exemple égal à la moyenne de l'indice de réfraction sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Par diode électroluminescente axiale, on désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée, par exemple cylindrique, selon une direction privilégiée, dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 2,5 µm, de préférence entre 50 nm et 2,5 µm. La troisième dimension, appelée dimension majeure, est supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 5 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 µm, de préférence comprises entre 100 nm et 1 µm, plus préférentiellement entre 100 nm et 800 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque diode électroluminescente peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Les figures 1 et 2 sont respectivement une vue en coupe latérale et une vue en perspective, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 10 à diodes électroluminescentes. Le dispositif optoélectronique 10 comprend, du bas vers le haut en : - un support 12 ; - une première couche d'électrode 14 reposant sur le support 12 et ayant une face supérieure 16 ; - une matrice 15 de diodes électroluminescentes axiales LED reposant sur la face 16, chaque diode électroluminescente axiale comprenant, de bas en haut en , une portion semiconductrice inférieure 18, non représentée en , en contact avec la couche d'électrode 14, une zone active 20, non représentée en , en contact avec la portion semiconductrice inférieure 18, et une portion semiconductrice supérieure 22, non représentée en , en contact avec la zone active 20 ; - une couche isolante 24 s'étendant entre les diodes électroluminescentes LED, sur toute la hauteur des diodes électroluminescentes LED ; - une deuxième couche d'électrode 26, non représentée en , recouvrant les diodes électroluminescentes LED au contact des portions semiconductrices supérieures 22 des diodes électroluminescentes LED ; et - un revêtement 28, non représenté en , recouvrant la deuxième couche d'électrode 26, et délimitant une face d'émission 30 du dispositif optoélectronique 10. Chaque diode électroluminescente LED est dite axiale dans la mesure où la zone active 20 est dans le prolongement de la portion semiconductrice inférieure 18 et la portion semiconductrice supérieure 22 est dans le prolongement de la zone active 20, l'ensemble comprenant la portion semiconductrice inférieure 18, la zone active 20, et la portion semiconductrice supérieure 22 s'étendant selon un axe Δ, appelé axe de la diode électroluminescente axiale. De préférence, les axes Δ des diodes électroluminescentes LED sont parallèles et orthogonaux à la face 16. Le support 12 peut correspondre à un circuit électronique. La couche d'électrode 14 peut être métallique, par exemple en argent, en cuivre ou en zinc. L'épaisseur de la couche d'électrode 14 est suffisante pour que la couche d'électrode 14 forme un miroir. A titre d'exemple, la couche d'électrode 14 a une épaisseur supérieure à 100 nm. La couche d'électrode 14 peut recouvrir complètement le support 12. A titre de variante, la couche d'électrode 14 peut être divisée en parties distinctes de façon permettre la commande séparée de groupes de diodes électroluminescentes de la matrice de diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, la face 16 peut être réfléchissante. La couche d'électrode 14 peut alors présenter une réflexion spéculaire. Selon un autre mode de réalisation, la couche d'électrode 14 peut présenter une réflexion lambertienne. Pour obtenir une surface présentant une réflexion lambertienne, une possibilité est de créer des irrégularités sur une surface conductrice. A titre d'exemple, lorsque la face 16 correspond à la face d'une couche conductrice reposant sur une base, une texturation de la surface de la base peut être réalisée avant le dépôt de la couche métallique pour que la face 16 de la couche métallique, une fois déposée, présente des reliefs. La deuxième couche d'électrode 26 est conductrice et transparente. Selon un mode de réalisation, la couche d'électrode 26 est une couche d'oxyde transparent et conducteur (TCO), tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, sigle anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé ou non à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène. A titre d'exemple, la couche d'électrode 26 a une épaisseur comprise entre 5 nm et 200 nm, de préférence entre 20 nm et 50 nm. La couche isolante 24 peut être en un matériau inorganique, par exemple en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium. La couche isolante 24 peut être en un matériau organique, par exemple un polymère isolant à base de benzocyclobutène (BCB). Le revêtement 28 peut comprendre un filtre optique, ou des filtres optiques disposés les uns à côté des autres, comme cela sera décrit plus en détail par la suite. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 1 et 2, toutes les diodes électroluminescentes LED ont la même hauteur. L'épaisseur de la couche isolante 24 est par exemple choisie égale à la hauteur des diodes électroluminescentes LED de telle manière que la face supérieure de la couche isolante 24 est coplanaire avec les faces supérieures des diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, les portions semiconductrices inférieures 18 et supérieures 22 et les zones actives 20 sont, au moins en partie, en un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur est choisi parmi le groupe comprenant les composés III-V, les composés II-VI, et les semiconducteurs ou composés du groupe IV. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples d'éléments du groupe IV comprennent l'azote (N), le phosphore (P) ou l'arsenic (As). Des exemples de composés III-N sont GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (O) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMgO, CdZnO, CdZnMgO, CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le composé III-V ou II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Des exemples de matériaux semiconducteurs du groupe IV sont le silicium (Si), le carbone (C), le germanium (Ge), les alliages de carbure de silicium (SiC), les alliages silicium-germanium (SiGe) ou les alliages de carbure de germanium (GeC). Les portions semiconductrices inférieures 18 et supérieures 22 peuvent comprendre un dopant. A titre d'exemple, pour des composés III-V, le dopant peut être choisi parmi le groupe comprenant un dopant de type P du groupe II, par exemple, du magnésium (Mg), du zinc (Zn), du cadmium (Cd) ou du mercure (Hg), un dopant du type P du groupe IV, par exemple du carbone (C) ou un dopant de type N du groupe IV, par exemple du silicium (Si), du germanium (Ge), du sélénium (Se), du souffre (S), du terbium (Tb) ou de l'étain (Sn). De préférence, la portion semiconductrice inférieure 18 est en GaN dopé P et la portion semiconductrice supérieure 22 est en GaN dopé N. Pour chaque diode électroluminescente LED, la zone active 20 peut comporter des moyens de confinement. A titre d'exemple, la zone active 20 peut comprendre un puits quantique unique. Elle comprend alors un matériau semiconducteur différent du matériau semiconducteur formant les portions semiconductrices inférieure 18 et supérieure 22 et ayant une bande interdite inférieure à celle du matériau formant les portions semiconductrices inférieure 18 et supérieure 22. La zone active 20 peut comprendre des puits quantiques multiples. Elle comprend alors un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques et de couches barrières. Sur les figures 1 et 2, chaque diode électroluminescente LED a la forme d'un cylindre à base circulaire d'axe Δ. Toutefois, chaque diode électroluminescente LED peut avoir la forme d'un cylindre d'axe Δ à base polygonale, par exemple carrée, rectangulaire ou hexagonale. De préférence, chaque diode électroluminescente LED a la forme d'un cylindre à base hexagonale. On appelle hauteur H de la diode électroluminescente LED la somme de la hauteur h1 de la portion semiconductrice inférieure 18, de la hauteur h2 de la zone active 20, de la hauteur h3 de la portion semiconductrice supérieure 22, de l'épaisseur de la couche d'électrode 26, et de l'épaisseur du revêtement 28. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes LED sont agencées pour former un cristal photonique. Douze diodes électroluminescentes LED sont représentées à titre d'exemple en . En pratique, la matrice 15 peut comprendre entre 7 et 100000 diodes électroluminescentes LED. Les diodes électroluminescentes LED de la matrice 15 sont agencées en lignes et en colonnes (3 lignes et 4 colonnes étant représentées à titre d'exemple en ). Le pas 'a' de la matrice 15 est la distance entre l'axe d'une diode électroluminescente LED et l'axe d'une diode électroluminescente LED proche, de la même ligne ou d'une ligne adjacente. Le pas a est sensiblement constant. Plus précisément, le pas a de la matrice est choisi de telle manière que la matrice 15 forme un cristal photonique. Le cristal photonique formé est par exemple un cristal photonique 2D. Les propriétés du cristal photonique formé par la matrice 15 sont choisies avantageusement pour que la matrice 15 des diodes électroluminescentes forme une cavité résonante dans le plan perpendiculaire à l'axe Δ et une cavité résonante selon l'axe Δ notamment pour obtenir un couplage et augmenter l'effet de sélection. Ceci permet que l'intensité du rayonnement émis par l'ensemble des diodes électroluminescentes LED de la matrice 15 par la face d'émission 30 soit amplifié pour certaines longueurs d'onde par rapport à un ensemble de diodes électroluminescentes LED qui ne formerait pas un cristal photonique. Les figures 3 et 4 représentent schématiquement des exemples d'agencements des diodes électroluminescentes LED de la matrice 15. En particulier, la illustre un agencement dit en maillage carré et la illustre un agencement dit en maillage hexagonal. Les figures 3 et 4 représentent chacune trois lignes de quatre diodes électroluminescentes LED. Dans l'agencement illustré en , une diode électroluminescente LED est située à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne, les lignes étant perpendiculaires aux colonnes. Dans l'agencement illustré en , les diodes sur une ligne sont décalées de la moitié du pas a par rapport aux diodes électroluminescentes sur la ligne précédente et la ligne suivante. Dans les modes de réalisation illustrés sur les figures 3 et 4, chaque diode électroluminescente LED a une section droite circulaire de diamètre D dans un plan parallèle à la face 16. Dans le cas d'un agencement en réseau hexagonal ou d'un agencement en réseau carré, le diamètre D peut être compris entre 0,05 µm et 2 µm. Le pas a peut être compris entre 0,1 µm et 4 µm. En outre, selon un mode de réalisation, la hauteur H de la diode électroluminescente LED est choisie pour que chaque diode électroluminescente LED forme une cavité résonante selon l'axe Δ à la longueur d'onde centrale λ souhaitée du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique 10. Selon un mode de réalisation, la hauteur H est choisie sensiblement proportionnelle à k*(λ/2)*neff, neff étant l'indice de réfraction effectif de la diode électroluminescente dans le mode optique considéré et k étant un entier positif. L'indice de réfraction effectif est par exemple défini dans l'ouvrage "Semiconductor Optoelectronic Devices : Introduction to Physics and Simulation" de Joachim Piprek. Dans le cas où les diodes électroluminescentes sont réparties en groupes de diodes électroluminescentes émettant à des longueurs d'onde centrales différentes, la hauteur H peut être néanmoins la même pour toutes les diodes électroluminescentes. Elle peut alors être déterminée à partir des hauteurs théoriques qui permettraient d'obtenir des cavités résonantes pour les diodes électroluminescentes de chaque groupe, et est par exemple égale à la moyenne de ces hauteurs théoriques. Selon un mode de réalisation, les propriétés du cristal photonique, formé par la matrice 15 des diodes électroluminescentes LED, sont sélectionnées pour augmenter l'intensité lumineuse émise par la matrice 15 de diodes électroluminescentes LED à au moins une longueur d'onde cible. Selon un mode de réalisation, la zone active 20 de chaque diode électroluminescente LED présente un spectre d'émission dont le maximum est à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde cible. Toutefois, le spectre d'émission de la zone active 20 recouvre la longueur d'onde cible, c'est-à-dire que l'énergie du spectre d'émission de la zone active 20 à la longueur d'onde cible n'est pas nulle. La représente, de façon schématique, en fonction de la longueur d'onde λ, une courbe d'évolution C1 (en trait plein) de l'intensité lumineuse I émise par les zones actives 20 des diodes électroluminescentes LED considérées isolément, une courbe d'évolution C2 (en traits tiretés) du facteur d'amplification dû au couplage avec le cristal photonique et une courbe d'évolution C3 (en pointillés) de l'intensité lumineuse émise par la matrice 15 de diodes électroluminescentes. La courbe C1 a une forme générale "en cloche" et présente un sommet à une longueur d'onde centrale λC. La courbe C2 correspond à un pic de résonance étroit centré sur une longueur d'onde cible λT1. La courbe C3 comprend un sommet S à la longueur d'onde centrale λC et un pic P1 à la longueur d'onde cible λT1. En particulier, la largeur de bande de la courbe C3 à mi-hauteur pour le sommet S peut être supérieure à la largeur de bande de la courbe C3 à mi-hauteur pour le pic P1, par exemple d'un facteur 2, en particulier d'un facteur variant de 8 à 15, par exemple égal à 10. Selon un mode de réalisation, l'obtention d'un dispositif optoélectronique 10 émettant un rayonnement lumineux à spectre étroit à la longueur d'onde cible λT1 peut être obtenu en filtrant le rayonnement émis par la matrice 15 de diodes électroluminescentes LED pour bloquer les longueurs d'onde inférieures à la longueur d'onde cible λT1. Ceci peut être obtenu en prévoyant un filtre optique dans le revêtement 28. En , la partie bloquée du spectre du rayonnement émis par la matrice 15 de diodes électroluminescentes est hachurée. Le spectre du rayonnement émis par la face d'émission 30 du dispositif optoélectronique 10 comprend alors principalement le pic P1. Ceci permet de façon avantageuse de former une zone active 20 émettant un rayonnement d'intensité maximale à une longueur d'onde centrale λ C différente de la longueur d'onde cible λ T1 . Ceci permet, en outre, de façon avantageuse de pouvoir utiliser une zone active 20 émettant un rayonnement dont la bande d'émission à mi-hauteur est supérieure à celle du rayonnement cible. Ceci permet en outre de façon avantageuse de faciliter la fabrication de la zone active 20. En effet, à titre d'exemple, lorsque la zone active 20 comprend une couche en InGaN, la longueur d'onde centrale du rayonnement émis augmente avec la proportion d'indium. Toutefois, pour obtenir une longueur d'onde d'émission correspondant au rouge, il faudrait obtenir une proportion d'indium supérieure à 16 %, ce qui se traduit par une chute du rendement quantique de la zone active. Le fait d'utiliser une zone active 20 émettant un rayonnement d'intensité maximale à une longueur d'onde centrale λ C inférieure à la longueur d'onde cible λ T1 permet d'utiliser une zone active 20 avec un rendement quantique amélioré. Ceci permet en outre d'obtenir un rayonnement à la longueur d'onde cible λ T1 en utilisant une zone active 20, émettant un rayonnement d'intensité maximale à la longueur d'onde centrale λ C , qui est plus facile à fabriquer, sans devoir utiliser de matériaux photoluminescents. En outre, la hauteur h1 de la portion semiconductrice inférieure 18 et la hauteur h2 de la portion semiconductrice supérieure 22 sont de façon avantageuse déterminées pour que l'intensité lumineuse du pic à la longueur d'onde cible λ T1 soit maximale. La est une figure analogue à la à la différence que la courbe d'évolution C2 du facteur d'amplification dû au cristal photonique comprend deux pics de résonance étroits centrés respectivement sur les longueurs d'onde cible λT1 et λT2. La courbe C3 comprend alors le sommet S à la longueur d'onde centrale λC, le pic P1 à la longueur d'onde cible λT1, et un pic P2 à la longueur d'onde cible λT2. La est une figure analogue à la à la différence que la courbe d'évolution C2 du facteur d'amplification dû au cristal photonique comprend trois pics de résonance étroits centrés respectivement sur les longueurs d'onde cible λT1, λT2, et λT3. La courbe C3 comprend le sommet S à la longueur d'onde centrale λC, le pic P1 à la longueur d'onde cible λT1, le pic P2 à la longueur d'onde cible λT2 et un pic P3 à la longueur d'onde cible λT3, représentée en sensiblement égale à la longueur d'onde centrale λC. Les figures 8 et 9 illustrent le principe de filtrage du rayonnement émis par la matrice 15 de diodes électroluminescentes pour les configurations respectivement à deux pics de résonance et à trois pics de résonance. Comme cela a été décrit précédemment en relation avec la , l'obtention d'un dispositif optoélectronique émettant un rayonnement lumineux à spectre étroit centrée sur la longueur d'onde cible λT1 peut être obtenu en bloquant la partie non souhaitée du spectre d'émission des diodes électroluminescentes. A titre d'exemple, sur les figures 8 et 9, la partie bloquée du spectre du rayonnement émis par la matrice 15 de diodes électroluminescentes est hachurée et seul l'un des pics de résonance est conservé. Le filtrage du rayonnement émis par la matrice de diodes électroluminescentes peut être réalisé par tout moyen. Selon un mode de réalisation, le filtrage est obtenu en recouvrant les diodes électroluminescentes d'une couche d'un matériau coloré. Selon un autre mode de réalisation, le filtrage est obtenu en recouvrant les diodes électroluminescentes d'un filtre interférentiel. Selon un mode de réalisation, dans une configuration d'émission comprenant au moins deux pics de résonance, les diodes électroluminescentes de la matrice de diodes électroluminescentes peuvent être réparties en premier et deuxième groupes de diodes électroluminescentes. Un premier filtrage est mis en oeuvre pour les diodes électroluminescentes du premier groupe pour conserver seulement le premier pic de résonance et un deuxième filtrage est mis en oeuvre pour les diodes électroluminescentes du deuxième groupe pour conserver seulement le deuxième pic de résonance. Un dispositif optoélectronique configuré pour l'émission d'un premier rayonnement à une première longueur d'onde cible et d'un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d'onde cible peut ainsi être obtenu alors que les zones actives des diodes électroluminescentes et les matrices des diodes électroluminescentes des premier et deuxième groupes ont la même structure. Selon un mode de réalisation, dans une configuration d'émission comprenant au moins trois pics de résonance, les diodes électroluminescentes peuvent être réparties en premier, deuxième, et troisième groupes de diodes électroluminescentes. Un premier filtrage est mis en oeuvre pour les diodes électroluminescentes du premier groupe pour conserver seulement le premier pic de résonance. Un deuxième filtrage est mis en oeuvre pour les diodes électroluminescentes du deuxième groupe pour conserver seulement le deuxième pic de résonance. Un troisième filtrage est mis en oeuvre pour les diodes électroluminescentes du troisième groupe pour conserver seulement le troisième pic de résonance. Un dispositif optoélectronique configuré pour l'émission d'un premier rayonnement à une première longueur d'onde cible, d'un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d'onde cible, et d'un troisième rayonnement à une troisième longueur d'onde cible peut ainsi être obtenu alors que les zones actives des diodes électroluminescentes et les matrices des diodes électroluminescentes des premier, deuxième, et troisième groupes ont la même structure. Ceci permet notamment la réalisation de sous-pixels d'affichage pour un pixel d'affichage d'un écran d'affichage d'une image couleur. Selon un mode de réalisation, le rayonnement après filtrage du premier groupe de diodes électroluminescentes correspond à de la lumière bleue, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 430 nm à 480 nm. Selon un mode de réalisation, le rayonnement après filtrage du deuxième groupe de diodes électroluminescentes correspond à de la lumière verte, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, le rayonnement après filtrage du troisième groupe de diodes électroluminescentes correspond à de la lumière rouge, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 600 nm à 720 nm. De façon avantageuse, des zones actives 20 ayant la même structure et la même composition peuvent être utilisées pour fabriquer des dispositifs optoélectroniques pouvant émettre des rayonnements à spectres étroits à des longueurs d'onde cibles différentes. Ceci permet de s'affranchir, lors de la conception d'un nouveau dispositif optoélectronique, de la conception d'une nouvelle structure pour les zones actives, avec toutes les difficultés de mise au point industrielle que cela implique, et donc de simplifier le procédé de conception d'un nouveau dispositif optoélectronique. En effet, toutes les diodes électroluminescentes peuvent être réalisées avec la même structure, de sorte que les étapes initiales du procédé de fabrication au moins jusqu'à la fabrication des diodes électroluminescentes peuvent être communes pour la fabrication de différents dispositifs optoélectroniques. Les figures 10A à 10G sont des vues en coupe, partielles et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 10 représenté en . La illustre la structure obtenue après les étapes de formation décrites ci-après. Une couche de germination 42 est formée sur un substrat 40. Des diodes électroluminescentes LED sont ensuite formées à partir de la couche de germination 42. Plus précisément, les diodes électroluminescentes LED sont formées de telle manière que les portions semiconductrices supérieures 22 soient en contact avec la couche de germination 42. La couche de germination 42 est en un matériau qui favorise la croissance des portions semiconductrices supérieures 22. Pour chaque diode électroluminescente LED, la zone active 20 est formée sur la portion semiconductrice supérieure 22 et la portion semiconductrice inférieure 18 est formée sur la zone active 20. De plus, les diodes électroluminescentes LED sont situées de manière à former la matrice 15, c'est-à-dire à former des lignes et des colonnes avec le pas souhaité de la matrice 15. Seule une ligne est partiellement représentée sur les figures 10A à 10G. Un masque non représenté peut être formé avant la formation des diodes électroluminescentes sur la couche de germination 42 de manière à découvrir uniquement les parties de la couche de germination 42 aux emplacements où seront situées les diodes électroluminescentes. A titre de variante, la couche de germination 42 peut être gravée, avant la formation des diodes électroluminescentes, de manière à former des plots situés aux emplacements où seront formées les diodes électroluminescentes. Le procédé de croissance des diodes électroluminescentes LED peut être un procédé du type ou une combinaison de procédés du type dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Deposition) ou dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), également connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (ou MOVPE, acronyme anglais pour Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE, acronyme anglais pour Molecular-Beam Epitaxy), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), l'épitaxie par couche atomique (ALE, acronyme anglais pour Atomic Layer Epitaxy) ou l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE, acronyme anglais pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) peuvent être utilisés. Toutefois, des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, par exemple, le dépôt en bain chimique (CBD, sigle anglais pour Chemical Bath Deposition), les procédés hydrothermiques, la pyrolise d’aérosol liquide ou l’électrodépôt. Les conditions de croissance des diodes électroluminescentes LED sont telles que toutes les diodes électroluminescentes de la matrice 15 se forment sensiblement à la même vitesse. Ainsi, les hauteurs des portions semiconductrices inférieure 18 et supérieure 22 et la hauteur de la zone active 20 sont sensiblement identiques pour toutes les diodes électroluminescentes de la matrice 15. Selon un mode de réalisation, la hauteur de la portion semiconductrice supérieure 22 est supérieure à la valeur h3 voulue. En effet, il peut être difficile de contrôler avec précision la hauteur de la portion semiconductrice supérieure 22 notamment en raison du début de croissance de la portion semiconductrice supérieure 22 depuis la couche de germination 42. De plus, la formation du matériau semiconducteur directement sur la couche de germination 42 peut causer des défauts cristallins dans le matériau semiconducteur juste au-dessus de la couche de germination 42. On peut donc vouloir retirer une partie de la portion semiconductrice supérieure 22 pour obtenir une hauteur constante avant formation de la zone active 20. La illustre la structure obtenue après la formation de la couche 24 du matériau de remplissage, par exemple un matériau isolant électriquement, par exemple de l'oxyde de silicium. La couche 24 est par exemple formée en déposant une couche de matériau de remplissage sur la structure représentée en , la couche ayant une épaisseur supérieure à la hauteur des diodes électroluminescentes LED. La couche de matériau de remplissage est ensuite partiellement retirée de manière à être planarisée pour découvrir les faces supérieures des portions semiconductrices inférieures 18. La face supérieure de la couche 24 est alors sensiblement coplanaire avec la face supérieure de chaque portion semiconductrice inférieure 18. A titre de variante, le procédé peut comprendre une étape de gravure au cours de laquelle les portions semiconductrices inférieures 18 sont partiellement gravées. Le matériau de remplissage est choisi de telle manière que le cristal photonique formé par la matrice 15 ait les propriétés voulues, c'est-à-dire qu'il améliore sélectivement en longueur d'onde l'intensité du rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED. La illustre la structure obtenue après le dépôt de la couche d'électrode 14 sur la structure obtenue à l'étape précédente. La illustre la structure obtenue après la fixation au support 12 de la couche 14, par exemple par collage métal-métal, par thermocompression ou par brasure avec utilisation d'une eutectique du côté du support 12. La illustre la structure obtenue après le retrait du substrat 40 et de la couche de germination 42. De plus, la couche 24 et les portions semiconductrices supérieures 22 sont gravées de telle manière que la hauteur de chaque portion semiconductrice supérieure 22 ait la valeur h3 souhaitée. Cette étape permet, de façon avantageuse, de contrôler exactement la hauteur des diodes électroluminescentes et de retirer les parties des portions semiconductrices supérieures 22 pouvant avoir des défauts cristallins. La illustre la structure obtenue après le dépôt de la couche d'électrode 26. La illustre la structure obtenue après la formation d'au moins un filtre optique sur tout ou partie de la structure représentée en . A titre d'exemple, dans une configuration à trois pics de résonance telle que décrite précédemment, on a représenté des premier, deuxième, et troisième filtres optiques FR, FG, FB, placés respectivement sur des premier, deuxième, et troisième groupes de diodes électroluminescentes LED. La illustre une variante du procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté en , dans laquelle une étape de gravure partielle de l'extrémité libre de chaque portion semiconductrice supérieure 22 des diodes électroluminescentes LED est mise en oeuvre avant la formation de la couche d'électrode 26. L'étape de gravure partielle peut comprendre la formation de flancs inclinés 44 à l'extrémité libre des portions semiconductrices supérieures 22. Ceci permet de modifier légèrement les propriétés du cristal photonique. Ceci permet donc de modifier de façon fine la position des pics de résonance de l'amplification due au cristal photonique. Des simulations et des essais ont été réalisés. Pour ces simulations et pour ces essais, pour chaque diode électroluminescente LED, la portion semiconductrice inférieure 18 était en GaN dopé de type P. La portion semiconductrice supérieure 22 était en GaN dopé de type N. L'indice de réfraction des portions semiconductrices inférieure et supérieure 18 et 22 était compris entre 2,4 et 2,5. La zone active 20 correspondait à une couche de InGaN. La hauteur h2 de la zone active 20 était égale à 40 nm. La couche d'électrode 14 était en aluminium. La couche isolante 24 était en polymère à base de BCB. L'indice de réfraction de la couche isolante 24 était compris entre 1,45 et 1,56. Pour les simulations, une réflexion spéculaire sur la face 16 a été considérée. La hauteur des portions semiconductrices inférieure 18 et supérieure 22 n'est pas un paramètre déterminant dans la mesure où cela ne modifie sensiblement pas la position des pics de résonance, même si cela a un impact sur l'intensité de ces pics de résonance. Les figures 12, 13, et 14 sont des cartes en niveaux de gris de l'intensité lumineuse du rayonnement émis dans une direction inclinée de 5 degrés par rapport à une direction orthogonale à la face d'émission 30 respectivement à une première, deuxième, et troisième longueur d'onde de la matrice 15 de diodes électroluminescentes LED en fonction du pas 'a' du cristal photonique et du diamètre 'D' de chaque diode électroluminescente. Pour les simulations, la première longueur d'onde était de 450 nm (couleur bleue), la deuxième longueur d'onde était de 530 nm (couleur verte), et la troisième longueur d'onde était de 630 nm (couleur rouge). Chacune des cartes de niveaux de gris comprend des zones plus claires qui correspondent à des pics de résonance. De telles zones à pics résonance sont indiquées, de façon schématique, par des contours B en traits pleins en , par des contours G en traits pointillés en et par des contours R en traits mixtes en . Ceci signifie donc, à titre d'exemple, qu'en sélectionnant le pas 'a' du cristal photonique et le diamètre 'D' des diodes électroluminescentes pour se situer dans l'une des régions délimitées par les contours B en , le spectre d'émission de la matrice 15 de diodes électroluminescentes LED, obtenu sans filtrage, présente au moins un pic de résonance à la longueur d'onde de 450 nm. En , on a superposé les contours B de la aux contours G. Ceci signifie donc, à titre d'exemple, qu'en sélectionnant le pas 'a' du cristal photonique et le diamètre 'D' des diodes électroluminescentes pour se situer dans l'une des régions délimitées à la fois par les contours B et G en , le spectre d'émission de la matrice 15 de diodes électroluminescentes LED, obtenu sans filtrage, présente au moins un pic de résonance à la longueur d'onde de 450 nm et un pic de résonance à la longueur d'onde de 530 nm. En , on a superposé les contours B de la et les contours G de la aux contours R. Ceci signifie donc, à titre d'exemple, qu'en sélectionnant le pas 'a' du cristal photonique et le diamètre 'D' des diodes électroluminescentes pour se situer dans l'une des régions délimitées à la fois par les contours B, G, et R en , le spectre d'émission de la matrice 15 de diodes électroluminescentes LED, obtenu sans filtrage, présente au moins un pic de résonance à la longueur d'onde de 450 nm, un pic de résonance à la longueur d'onde de 530 nm, et un pic de résonance à la longueur d'onde de 630 nm. Il est à noter qu'une optimisation peut être réalisée en faisant varier les hauteurs h1 et h3. Pour les essais, les diodes électroluminescentes étaient à base hexagonale. De façon approximative, il a été considéré que les simulations effectuées pour des diodes électroluminescentes à base circulaire avec un rayon donné sont équivalentes à des simulations pour lesquelles les diodes électroluminescentes seraient à base hexagonale, avec un cercle circonscrit à la section droite hexagonale ayant un rayon égal à 1,1 fois le rayon donné. Les portions semiconductrices inférieures 18 et supérieures 22 et les zones actives 20 de toutes les photodiodes ont été réalisées simultanément par MOCVD. Un premier essai a été réalisé avec les paramètres suivants : hauteur H égale à environ 1 µm, pas 'a' du cristal photonique égal à 400 nm, et diamètre du cercle circonscrit à la base hexagonale des diodes électroluminescentes d'environ 270 nm +/- 25 nm. En considérant un diamètre corrigé d'environ 297 nm sur la simulation de la , une résonance est attendue à la longueur d'onde de 630 nm. La représente une courbe d'évolution CR de l'intensité lumineuse I, en unité arbitraire, de la matrice 15 de diodes électroluminescentes en fonction de la longueur d'onde λ pour le premier essai. Un pic d'intensité est bien obtenu pour une longueur d'onde égale à environ 644 nm. Un deuxième essai a été réalisé avec les mêmes dimensions de base que le premier essai, avec des conditions de croissance épitaxiale pour la formation des zones actives (20) qui ont été modifiées de manière à diminuer légèrement le diamètre moyen global de chaque diode électroluminescente pour entrer dans les contours R, G, et B sur la simulation de la . Par rapport au premier test, les paramètres modifiés étaient l'épaisseur de la barrière quantique de la zone active qui a été augmentée, le débit In/III qui a été augmentée et la température qui a été augmentée. La représente une courbe d'évolution CRGB de l'intensité lumineuse I, en unité arbitraire, de la matrice 15 de diodes électroluminescentes en fonction de la longueur d'onde pour le deuxième essai. Trois pics de résonance sont bien obtenus respectivement aux longueurs d'onde de 450 nm, 590 nm, et 700 nm. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à la personne du métier. En particulier, le revêtement 28 décrit précédemment peut comprendre des couches supplémentaires autres qu'un filtre optique ou des filtres optiques. En particulier, le revêtement 28 peut comprendre une couche anti-reflet, une couche de protection, etc. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif optoélectronique (10) comprenant une matrice (15) de diodes électroluminescentes axiales (LED), les diodes électroluminescentes comprenant chacune une zone active (20) configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique dont le spectre d'émission comprend un maximum à une première longueur d'onde (λ C ), la matrice formant un cristal photonique configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité dudit rayonnement électromagnétique à au moins une deuxième longueur d'onde (λ T1 ) différente de la première longueur d'onde. Dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre un premier filtre optique (F R ) recouvrant au moins une première partie de ladite matrice (15) de diodes électroluminescentes (LED), le premier filtre optique étant configuré pour bloquer ledit rayonnement amplifié sur une première plage de longueurs d'onde comprenant la première longueur d'onde (λ C ) et à laisser passer ledit rayonnement amplifié sur une deuxième plage de longueurs d'onde comprenant la deuxième longueur d'onde (λ T1 ). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le spectre d'émission de la zone active (20) présente de l'énergie à la deuxième longueur d'onde (λ T1 ). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le cristal photonique est configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité dudit rayonnement électromagnétique à au moins une troisième longueur d'onde (λ T2 ) différente des première et deuxième longueurs d'onde (λ C , λ CT1 ). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le spectre d'émission de la zone active (20) présente de l'énergie à la troisième longueur d'onde (λ T2 ). Dispositif selon la revendication 4 ou 5, comprenant en outre un deuxième filtre optique (F G ) recouvrant au moins une deuxième partie de ladite matrice (15) de diodes électroluminescentes (LED), le deuxième filtre optique étant configuré pour bloquer ledit rayonnement amplifié sur une troisième plage de longueurs d'onde comprenant les première et deuxième longueurs d'onde (λ C , λ CT1 ) et à laisser passer ledit rayonnement amplifié sur une quatrième plage de longueurs d'onde comprenant la troisième longueur d'onde (λ T2 ). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, dans lequel le cristal photonique est configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité dudit rayonnement électromagnétique à au moins une quatrième longueur d'onde (λ T3 ) différente des première, deuxième, et troisième longueurs d'onde (λ C , λ CT1 , λ CT2 ). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel le spectre d'émission de la zone active (20) présente de l'énergie à la quatrième longueur d'onde (λ T3 ). Dispositif selon la revendication 7 ou 8, comprenant en outre un troisième filtre optique (F B ) recouvrant au moins une troisième partie de ladite matrice (15) de diodes électroluminescentes (LED), le troisième filtre optique étant configuré pour bloquer ledit rayonnement amplifié sur une cinquième plage de longueurs d'onde comprenant les première, deuxième, et troisième longueurs d'onde (λ C , λ CT1 , λ CT2 ) et pour laisser passer ledit rayonnement amplifié sur une sixième plage de longueurs d'onde comprenant la quatrième longueur d'onde (λ T3 ). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant un support (12) sur lequel reposent les diodes électroluminescentes (LED), chaque diode électroluminescente comprenant un empilement d'une première portion semiconductrice (18) reposant sur le support, de la zone active (20) en contact avec la première portion semiconductrice et d'une deuxième portion semiconductrice (22) en contact avec la zone active (20). Dispositif selon la revendication 10, comprenant une couche réfléchissante (14) entre le support (12) et les premières portions semiconductrices (18) des diodes électroluminescentes (LED). Dispositif selon la revendication 11, dans lequel la couche réfléchissante (14) est en métal. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel les deuxièmes portions semiconductrices (22) des diodes électroluminescentes (LED) sont recouvertes d'une couche (26) conductrice électriquement et au moins en partie transparente au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes (LED). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel les diodes électroluminescentes (LED) sont séparées par un matériau isolant électriquement (24). Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (10) comprenant une matrice (15) de diodes électroluminescentes axiales (LED), les diodes électroluminescentes comprenant chacune une zone active (20) configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique dont le spectre d'émission comprend un maximum à une première longueur d'onde (λ C ), la matrice formant un cristal photonique configuré pour former un pic de résonance amplifiant l'intensité du rayonnement électromagnétique par les diodes électroluminescentes à au moins une deuxième longueur d'onde (λ T1 ) différente de la première longueur d'onde. Procédé selon la revendication 15, dans lequel la formation des diodes électroluminescentes (LED) de la matrice (15) comprend les étapes suivantes : - formation de deuxièmes portions semiconductrices (22) sur un substrat (40), les premières portions semiconductrices étant séparées les unes des autres du pas de la matrice ; - formation d'une zone active (20) sur chaque première portion semiconductrice ; et - formation d'une première portion semiconductrice (18) sur chaque zone active. Procédé selon la revendication 16, comprenant une étape de retrait du substrat (40).