FR 3113982 A1 20220311 FR 2009188 A 20200910 L’invention porte sur un procédé d’assemblage par hybridation de deux composants microélectroniques l’un à l’autre au moyen de plots d’interconnexion. Au moins la moitié des plots d’interconnexion présentent une forme oblongue ainsi qu’un agencement tel que chacun d’eux est orthogonal à au moins un premier plot d’interconnexion adjacent de forme oblongue. Figure pour l’abrégé : Fig.2A procédé d’assemblage par hybridation de deux composants microélectroniques Le domaine de l’invention est celui de l’assemblage par hybridation de deux composants microélectroniques l’un à l’autre, face contre face, c’est-à-dire par une technique de « puce retournée » ( flip chip , en anglais). ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Il est souvent nécessaire d’assembler par hybridation deux composants microélectroniques l’un à l’autre, c’est-à-dire de les assembler mécaniquement tout en assurant une connexion électrique entre eux. Les composants microélectroniques peuvent être aussi bien des dispositifs électroniques tels qu’un circuit intégré assurant la lecture et/ou le traitement de signaux électriques, que des dispositifs optoélectroniques tels qu’une matrice de diodes électroluminescentes ou de photodiodes. Les composants microélectroniques sont assemblés au niveau de leur face de connexion respective, sur lesquelles chaque composant microélectronique comporte une matrice de N*M éléments d’interconnexion (par exemple des plots d’interconnexion). Le procédé d’assemblage comporte alors une étape d’alignement des plots d’interconnexion du premier composant microélectronique avec ceux du deuxième composant microélectronique, puis une étape de mise en contact et d’application d’une force d’appui verticale, à une température dite d’hybridation supérieure à la température ambiante dans le cadre de la thermocompression, réalisant ainsi un lien mécanique entre les deux composants microélectroniques par déformation et éventuellement fusion (ou inter-diffusion) des plots d’interconnexion de l’un et/ou de l’autre des composants microélectroniques. Cependant, il apparaît qu’un désalignement relatif entre les plots d’interconnexion peut apparaître, notamment du fait de la différence entre les coefficients de dilatation thermique des deux composants microélectroniques, ou lorsque l’outil de presse n’est pas parfaitement centré vis-à-vis du composant microélectronique à rapprocher du second. A ce titre, comme l’illustre schématiquement la figure 1A, les composants microélectroniques 10, 20 sont, dans un premier temps, disposés en regard l’un de l’autre, de telle sorte que les plots d’interconnexion respectifs 12, 22 sont alignés et superposés deux à deux. Les plots d’interconnexion 12, 22 sont ici espacés les uns des autres de manière périodique suivant un pas d’interconnexion p. Dans cet exemple, les plots d’interconnexion 12, 22 sont des billes réalisées en un matériau ductile, par exemple de l’indium ou de l’aluminium (entre autres), voire un alliage eutectique tel que SnAg ou SnAgCu. Puis, comme l’illustre la figure 1B, les plots d’interconnexion 12, 22 sont mis en contact deux à deux par l’application d’une force d’appui verticale et une montée en température à la valeur d’hybridation. Les matériaux ductiles des plots d’interconnexion 12, 22 se déforment alors. Cependant, il y a un risque d’apparition d’un désalignement relatif non nul ΔL entre les plots d’interconnexion 12, 22 lors de leur déformation. En effet, dans le cas d’une répartition non homogène de la force d’appui appliqué ici sur le composant microélectronique 10, des contraintes en cisaillement sont générées qui provoque un glissement relatif des plots d’interconnexion 12, 22 dans le plan XY, se traduisant alors par un désalignement relatif ΔL qui peut conduire à un court-circuit électrique entre des plots d’interconnexion 12, 22 adjacents, en particulier lorsque le pas d’interconnexion p est faible. Différentes solutions existent qui proposent de structurer les plots d’interconnexion. Ainsi, à titre d’exemple, les documents JP2008-060483 et JP2012-231093 prévoient de structurer les premiers plots de sorte que leur hauteur augmente en s’éloignant du centre de la matrice de plots d’interconnexion, et de structurer les deuxièmes plots pour que leur hauteur soit le complémentaire de celle des premiers plots. Une telle structuration des plots d’interconnexion permet de générer, lors de l’étape d’appui, une contrainte en cisaillement supplémentaire qui vient s’opposer à celle issue de la différence de coefficients de dilatation thermique, limitant ainsi le désalignement relatif. Cependant, il existe un besoin de disposer d’un tel procédé d’assemblage par hybridation qui limite les risques de désalignement relatif entre les plots d’interconnexion sans toutefois complexifier le procédé lors de la réalisation des plots d’interconnexion. L’invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l’art antérieur, et plus particulièrement de proposer un procédé d’assemblage par hybridation de composants microélectroniques qui limite les risques de désalignement relatif entre les plots d’interconnexion sans nécessiter une structuration complexe des plots d’interconnexion. Pour cela, l’objet de l’invention est un procédé d’assemblage par hybridation d’un premier composant microélectronique à un deuxième composant microélectronique, comportant respectivement des premiers plots d’interconnexion et des deuxièmes éléments d’interconnexion destinés à être mis en contact deux à deux, le procédé comportant les étapes suivantes : réalisation des premiers plots d’interconnexion en un matériau ductile sur une première face de connexion du premier composant microélectronique, de sorte qu’au moins la moitié des premiers plots d’interconnexion présentent une forme oblongue dans un plan parallèle à la première face de connexion, et un agencement tel que chacun d’eux est orthogonal à au moins un premier plot d’interconnexion adjacent de forme oblongue ; mettre en contact les premiers plots d’interconnexion avec les deuxièmes éléments d’interconnexion, et exercer une force d’appui pour rapprocher et donc hybrider les composants microélectroniques l’un vers l’autre. Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants. Chaque premier plot d’interconnexion de forme oblongue est de préférence orienté de manière orthogonale à ses premiers plots d’interconnexion adjacents de forme oblongue. Les premiers plots d’interconnexion de forme oblongue sont de préférence agencés en quinconce. Les premiers plots d’interconnexion peuvent présenter une forme oblongue rectangulaire. Les deuxièmes éléments d’interconnexion peuvent être situés sur une deuxième face de connexion du deuxième composant microélectronique, et peuvent être choisis parmi : des plots de forme oblongue dans un plan parallèle à la deuxième face de connexion (21) ; des plots ou des billes de forme cylindrique ; et des microtubes. Les deuxièmes éléments d’interconnexion sont de préférence des plots de forme oblongue, agencés en miroir des premiers plots d’interconnexion, de sorte que, lors de l’étape de mise en contact et d’appui, un premier plot d’interconnexion et un deuxième plot d’interconnexion en contact l’un de l’autre présentent une même orientation. Les deuxièmes éléments d’interconnexion peuvent être réalisés en un matériau ductile d’une valeur inférieure à la ductilité des premiers plots d’interconnexion. Les deuxièmes éléments d’interconnexion peuvent présenter des dimensions transversales de longueur et de largeur supérieures ou égales à celles des premiers plots d’interconnexion. Lors de l’étape de mise en contact et d’appui, la température peut être la température ambiante, ou peut être supérieure à la température ambiante. Au moins 75% voire au moins 90% des premiers plots d’interconnexion présentent de préférence une forme oblongue et un agencement tel que chacun d’eux est orthogonal à au moins un premier plot d’interconnexion adjacent de forme oblongue. D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : les figures 1A et 1B, déjà décrites, sont des vues schématiques en coupe transversale de deux étapes d’un procédé d’assemblage par hybridation de composants microélectroniques, mettant en évidence un désalignement relatif des plots d’interconnexion lors de l’étape de mise en contact et d’appui ; la figure 2A est une vue schématique et partielle, en vue de dessus, du premier composant microélectronique selon un mode de réalisation illustrant en particulier la forme oblongue et l’orientation des premiers plots d’interconnexion ; la figure 2B est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, des premier et deuxième composants microélectroniques disposés en vis-à-vis, lors d’une étape de mise en contact et d’appui du procédé d’assemblage par hybridation selon un mode de réalisation ; les figures 3A à 3C sont des vues schématiques et partielles en coupe transversale des premier et deuxième composants microélectroniques, où les deuxièmes éléments d’interconnexion sont des billes (fig.3A), des microtubes (fig.3B) ou des plots en un matériau dur (fig.3C). EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l’échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l’ordre de » signifient à 10% près, et de préférence à 5% près. Par ailleurs, les termes « compris entre … et … » et équivalents signifient que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. L’invention porte sur un procédé d’assemblage par hybridation de composants microélectroniques de manière à assurer une fixation mécanique ainsi qu’une connexion électrique des composants microélectroniques entre eux. Un tel procédé permet de limiter le désalignement relatif entre les éléments d’interconnexion lors de l’étape de mise en contact et d’appui. Par désalignement relatif, on entend la distance, dans le plan parallèle aux faces de connexion, entre le centre ou le barycentre d’un premier élément d’interconnexion (du premier composant microélectronique) vis-à-vis du centre ou du barycentre d’un deuxième élément d’interconnexion (du deuxième composant microélectronique) avec lequel il était initialement aligné. Les composants microélectroniques peuvent comporter des circuits intégrés et/ou des éléments optiquement actifs tels que des diodes électroluminescentes ou des photodiodes. A titre d’exemple, le premier composant est un composant optoélectronique comportant une matrice de diodes électroluminescentes ou de photodiodes, et le deuxième composant comporte un circuit intégré formant un circuit de lecture destiné à appliquer un signal de commande ou de lecture aux diodes électroluminescentes ou aux photodiodes, ou inversement. Un composant microélectronique peut être réalisé à partir d’une plaque semiconductrice ( wafer , en anglais), et présenter des dimensions de largeur, longueur ou diamètre, sensiblement égales voire inférieures à celles de la plaque semiconductrice. Les premier et deuxième composants microélectroniques comportent chacun NxM éléments d’interconnexion électrique par lesquels l’assemblage mécanique et la connexion électrique entre les composants microélectroniques sont obtenus. Les valeurs N et M peuvent être identiques ou différentes. Les NxM éléments d’interconnexion sont situés sur une face de connexion du composant microélectronique, et sont espacés les uns des autres, de préférence de manière périodique suivant un pas d’interconnexion p. Le pas p est ici considéré comme identique suivant l’axe des N plots et suivant celui des M plots, mais il peut être différent. Les éléments d’interconnexion des composants microélectroniques sont réalisés en au moins un matériau électriquement conducteur. La figure 2A est une vue schématique et partielle, en vue de dessus, d’un premier composant microélectronique 10 selon un mode de réalisation, et la figure 2B est une vue schématique et partielle, en coupe transversale, du premier composant microélectronique 10 et d’un deuxième composant microélectronique 20 au cours d’un procédé d’assemblage par hybridation selon un mode de réalisation. On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel XYZ, où les axes X et Y forment un plan parallèle à la face de connexion de composant microélectronique 20 inférieur, lorsque les deux composants microélectroniques 10, 20 sont disposés en vis-à-vis l’un de l’autre lors de l’étape de mise en contact et appui, et où l’axe Z est orienté du composant microélectronique 20 inférieur vers le composant microélectronique 10 supérieur. Le premier composant électronique 10 peut être réalisé à base d’un matériau semiconducteur, par exemple à base d’un élément ou d’un composé III-V, IV, II-VI, tel que le silicium Si, le germanium Ge, le silicium germanium SiGe, le nitrure de gallium GaN, le tellurure de mercure cadmium CdHgTe, etc… Il comporte, par exemple, une matrice de diodes (non représentées) électriquement connectées à la matrice des premiers plots d’interconnexion 12. Il présente une face de connexion 11 au niveau de laquelle se trouvent les premiers plots d’interconnexion 12. La face de connexion 11 peut être une face d’une couche réalisée en un matériau électriquement isolant, traversée par des vias conducteurs (non représentés) raccordant les plots d’interconnexion 12 à la matrice de diodes. Dans cet exemple, des pistes de connexion 13 reposent sur la face de connexion 11 et sont au contact de vias conducteurs. Les pistes de connexion 13 peuvent être réalisées en au moins un matériau métallique, par exemple en un empilement de couches en or Au, platine Pt et titane Ti. Les plots d’interconnexion 12 reposent sur la face de connexion 11 et sont au contact des pistes de connexion 13. Par plot, on entend un volume plein en au moins un matériau délimité latéralement par une ligne de contact avec la surface sur laquelle il repose. Ils sont réalisés en au moins un matériau électriquement conducteur et ductile, c’est-à-dire en un matériau apte à se déformer sous l’application d’une force d’appui, à la température d’hybridation. La température d’hybridation peut être la température ambiante (hybridation dite à froid) ou supérieure à celle-ci (hybridation dite par thermocompression). Le matériau ductile peut être choisi parmi l’aluminium Al, l’indium In, l’or Au, l’argent Ag, l’étain Sn, le zinc Zn, le bismuth Bi, l’antimoine Sb, le plomb Pb et leurs alliages, par exemple SnAgCu, SnAg, AgCu, SnCu, AuSn, entre autres. Ils sont agencés de manière périodique suivant un pas d’interconnexion p, lequel est de préférence inférieur ou égal à 50µm, par exemple de l’ordre de 10µm. Au moins la moitié des plots d’interconnexion 12 présentent une forme oblongue, c’est-à-dire d’une forme plus longue que large dans le plan XY, et sont agencés de sorte que chacun d’eux est orthogonal à au moins un plot d’interconnexion 12 adjacent de forme oblongue. De préférence, c’est le cas pour au moins 75% des plots d’interconnexion 12, voire pour au moins 90% voire pour tous les plots d’interconnexion 12. Ils sont donc allongés suivant un grand axe a 1 (longueur), et présentent un petit axe b 1 (largeur) orthogonal à la longueur a 1 , avec a 1 /b 1 ≥ 1.1, et de préférence a 1 /b 1 ≥ 1.6. Les plots d’interconnexion 12 présentent une section droite, dans le plan XY, de forme sensiblement polygonale, par exemple rectangulaire comme illustré sur la fig.2A, voire une forme ovale. Une forme polygonale peut présenter des coins arrondis (cf. fig.2A). Le grand axe a 1 est de préférence rectiligne. Les plots d’interconnexion 12 présente une épaisseur, suivant l’axe Z, qui peut être sensiblement constante. De plus, chaque premier plot d’interconnexion 12 de forme oblongue est orienté de manière à être orthogonal à au moins un plot d’interconnexion 12 adjacent, lui-même de forme oblongue. Par orthogonal, on entend que les grands axes a 1 des plots d’interconnexion 12 adjacents forment un angle d’inclinaison de 90°, à au plus 10% près. Dans l’exemple de la fig.2A, les plots d’interconnexion 12 sont agencés en quinconce, de sorte qu’un plot d’interconnexion 12 de forme oblongue orienté suivant un premier axe donné, par exemple suivant l’axe Y, est adjacent de quatre plots d’interconnexion 12 de forme oblongue et orientés suivant un axe orthogonal au premier axe, par exemple suivant l’axe X. D’autres agencements sont bien sûr possibles. Deux plots d’interconnexion 12 adjacents peuvent être espacés d’une distance d, laquelle peut être inférieure ou égale à p/2, voire à p/5, voire moins. De préférence, les éléments d’interconnexion 22 du deuxième composant microélectronique 20 (appelés deuxièmes éléments d’interconnexion) sont des plots de forme oblongue, et sont réalisés en un matériau ductile, de préférence moins ductile que les premiers plots 12. A titre d’exemple, lorsque les premiers plots d’interconnexion 12 sont réalisés en or Au les deuxièmes plots d’interconnexion 22 peuvent être réalisés en l’alliage SnAg. De préférence, les deuxièmes plots d’interconnexion 22 présentent une même forme que les premiers plots d’interconnexion 12, par exemple une forme rectangulaire dans le plan XY. De préférence, ils sont agencés dans le plan XY en miroir des premiers plots d’interconnexion 12, de sorte que, lors de l’étape de mise en contact et d’appui, un premier plot d’interconnexion 12 et un deuxième plot d’interconnexion 22 en contact l’un de l’autre présentent une même orientation, ce qui permet de maximiser les surfaces en contact. Les deuxièmes plots d’interconnexion 22 peuvent présenter des dimensions égales voire de préférence légèrement plus grandes que celles des premiers plots d’interconnexion 12. Ainsi, pour un pas d’interconnexion p, et des premiers plots d’interconnexion 12 de forme rectangulaire de longueur a 1 et de largeur b 1 , l’espacement d 1 des premiers plots 12 peut être de l’ordre de 3p/10, alors que l’espacement d 2 des deuxièmes plots 22 de longueur a 2 et de largeur b 2 peut être de l’ordre de p/5. Le procédé d’assemblage par hybridation comporte ainsi une étape de réalisation des premiers plots d’interconnexion 12 et des deuxièmes plots d’interconnexion 22, par exemple par une technique de photolithographie classique. Dans cet exemple, le premier composant microélectronique 10 est réalisé à base de silicium et comporte une matrice de photodiodes adaptées à détecter dans le visible. On dépose une couche isolante reposant sur la face arrière de la matrice de photodiodes, par exemple une couche réalisée à base d’un oxyde de silicium et/ou d’un nitrure de silicium. On réalise des ouvertures traversantes débouchant sur des pistes métalliques situées sur la face arrière de la matrice de photodiodes, qui sont remplies en un matériau métallique pour réaliser des vias conducteurs, par exemple en tungstène, cuivre ou aluminium, entre autres. Cette étape peut mettre en œuvre un procédé damascène. La face libre de la couche isolante forme la face de connexion 11 du premier composant microélectronique 10. Des pistes de connexion 13 peuvent être réalisées sur la face de connexion 11, en contact avec les vias conducteurs. Les pistes de connexion 13 peuvent être réalisées en au moins un matériau électriquement conducteur choisi parmi le cuivre Cu, le titane Ti, le nitrure de titane TiN, le tungstène W, le nitrure de tungstène WN, le molybdène Mo, l’or Au, le chrome Cr, le nickel Ni, le platine Pt, le palladium Pd, et leurs alliages. A titre d’exemple, elles peuvent être un empilement d’une couche d’or, d’une couche de platine et d’une couche de titane. On réalise ensuite les plots d’interconnexion 12. Pour cela, on dépose au moins une résine photosensible de manière à réaliser un maillage entourant les pistes de connexion 13. La résine photosensible peut présenter une largeur, dans le plan XY, qui augmente vers le haut, de sorte que les plots d’interconnexion 12 présentent in fine des dimensions transversales a 1 et b 1 , dans le plan XY, qui diminue en s’éloignant de la face de connexion 11. On dépose ensuite le matériau ductile de manière à remplir les ouvertures délimitées par la résine photosensible. La résine photosensible est ensuite supprimée, de sorte que l’on obtient alors une matrice de premiers plots d’interconnexion 12, agencés par exemple en quinconce au pas d’interconnexion p, et présentant une forme oblongue de longueur a 1 et de largeur b 1 . De préférence, comme indiqué précédemment, les deuxièmes plots d’interconnexion 22 peuvent être réalisés de manière identique ou similaire, en un matériau ductile légèrement plus dur et présentant des dimensions a 2 et b 2 supérieures à celles des premiers plots d’interconnexion 12. Les deuxièmes plots d’interconnexion 22 sont agencés en miroir des premiers plots d’interconnexion 11, de manière à maximiser les surfaces en contact lors de l’étape de mise en contact et d’appui. Lors d’une étape suivante, on aligne les deux composants microélectroniques 10, 20 l’un au-dessus de l’autre, de manière à superposer deux à deux les premiers plots d’interconnexion 12 avec les deuxièmes plots d’interconnexion 12. On applique une force d’appui suivant l’axe Z de manière à rapprocher les deux composants microélectroniques 10, 20 l’un vers l’autre, par exemple au moyen d’un outil de pression (non représenté). Cela entraîne la mise en contact des premiers plots d’interconnexion 12 avec les deuxièmes plots d’interconnexion 22, puis la déformation d’au moins les premiers plots d’interconnexion 12. La connexion électrique est alors établie entre les premiers plots d’interconnexion 12 et les deuxièmes éléments d’interconnexion 22. Cette étape peut être une hybridation « à froid », c’est-à-dire à température ambiante (autour de 20°C). Elle peut également être une hybridation « à chaud », c’est-à-dire à une température supérieure à la température ambiante, dans le but d’augmenter la ductilité du matériau des premiers plots d’interconnexion. On parle alors de thermocompression. Du fait de la forme oblongue des premiers plots d’interconnexion 12 et de leur orientation orthogonale entre plots adjacents, on limite ainsi tout glissement relatif entre les composants microélectroniques 10, 20. En effet, un glissement éventuel orienté suivant l’axe X sera freiné/bloqué par les plots d’interconnexion 12 orientés suivant l’axe X, et un glissement éventuel orienté suivant l’axe Y sera freiné/bloqué par les plots d’interconnexion 12 orientés suivant l’axe Y. Un glissement suivant une autre direction sera freiné/bloqué par les plots d’interconnexion 12 orientés suivant l’axe X et par ceux orientés suivant l’axe Y. Les plots d’interconnexion 22 participent également, du fait de leur forme oblongue et leur agencement en miroir vis-à-vis des plots d’interconnexion 12, à limiter tout glissement éventuel. Ainsi, avec un tel procédé d’assemblage par hybridation, on limite le désalignement relatif entre les composants microélectroniques 10, 20, et on réduit les risques de court-circuit électrique. En effet, la forme oblongue et l’agencement relatif orthogonal des premiers plots d’interconnexion 12, et avantageusement des deuxièmes plots d’interconnexion 22, permettent de contenir le glissement en direction d’un plot d’interconnexion adjacent, ce qui supprime tout risque de contact direct entre les plots d’interconnexion adjacents. De plus, on remarque que ce procédé d’assemblage par hybridation permet, paradoxalement, d’obtenir un faible pas d’interconnexion p alors même que l’on a augmenté la surface de matériau ductile dans le plan XY (en comparaison, par exemple, aux billes d’indium de l’art antérieur). Des modes de réalisation particuliers viennent d’être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l’homme du métier. Ainsi, les éléments d’interconnexion du deuxième composant microélectronique 20 peuvent présenter une forme cylindrique, par exemple être des plots cylindriques ou des microbilles comme l’illustré sur la fig.3A. En variante, ils peuvent être des microtubes comme l’illustré sur la fig.3B similaires à ceux décrits dans le document WO2018/033689. En variante encore, ils peuvent être des plots réalisés en un matériau dur (non ductile à la température d’hybridation) comme illustré sur la fig.3C. Procédé d’assemblage par hybridation d’un premier composant microélectronique (10) à un deuxième composant microélectronique (20), comportant respectivement des premiers plots d’interconnexion (12) et des deuxièmes éléments d’interconnexion (22) destinés à être mis en contact deux à deux, le procédé comportant les étapes suivantes : réalisation des premiers plots d’interconnexion (12) en un matériau ductile sur une première face de connexion (11) du premier composant microélectronique (10), de sorte que : au moins la moitié des premiers plots d’interconnexion (12) présentent une forme oblongue dans un plan parallèle à la première face de connexion (11), et un agencement tel que chacun d’eux est orthogonal à au moins un premier plot d’interconnexion (12) adjacent de forme oblongue ; mettre en contact les premiers plots d’interconnexion (12) avec les deuxièmes éléments d’interconnexion (22), et exercer une force d’appui pour rapprocher et donc hybrider les composants microélectroniques (10, 20) l’un vers l’autre. Procédé d’assemblage selon la revendication 1, dans lequel chaque premier plot d’interconnexion (12) de forme oblongue est orienté de manière orthogonale à ses premiers plots d’interconnexion (12) adjacents de forme oblongue. Procédé d’assemblage selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les premiers plots d’interconnexion (12) de forme oblongue sont agencés en quinconce. Procédé d’assemblage selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les premiers plots d’interconnexion (12) présentent une forme oblongue rectangulaire. Procédé d’assemblage selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les deuxièmes éléments d’interconnexion (22) sont situés sur une deuxième face de connexion (21) du deuxième composant microélectronique (20), et sont choisis parmi : des plots de forme oblongue dans un plan parallèle à la deuxième face de connexion (21) ; des plots ou des billes de forme cylindrique ; et des microtubes. Procédé d’assemblage selon la revendication 5, dans lequel les deuxièmes éléments d’interconnexion (22) sont des plots de forme oblongue, agencés en miroir des premiers plots d’interconnexion (12), de sorte que, lors de l’étape de mise en contact et d’appui, un premier plot d’interconnexion (12) et un deuxième plot d’interconnexion (22) en contact l’un de l’autre présentent une même orientation. Procédé d’assemblage selon la revendication 6, dans lequel les deuxièmes éléments d’interconnexion (22) sont réalisés en un matériau ductile d’une valeur inférieure à la ductilité des premiers plots d’interconnexion (12). Procédé d’assemblage selon la revendication 6 ou 7, dans lequel les deuxièmes éléments d’interconnexion (22) présentent des dimensions transversales de longueur et de largeur supérieures ou égales à celles des premiers plots d’interconnexion (12). Procédé d’assemblage selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel, lors de l’étape de mise en contact et d’appui, la température est la température ambiante, ou est supérieure à la température ambiante. Procédé d’assemblage selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel au moins 75% voire au moins 90% des premiers plots d’interconnexion (12) présentent une forme oblongue et un agencement tel que chacun d’eux est orthogonal à au moins un premier plot d’interconnexion (12) adjacent de forme oblongue.