FR 3116338 A1 20220520 FR 2011768 A 20201117 Le procédé de mesure de luminosité ambiante collabore avec une source de lumière perturbatrice (DSP) commandée périodiquement dans des phases d’illumination (ILL) et des phases d’extinction (EXT). Le procédé comprend des phases d’acquisition (ACQ_i, ACQ_i+1) d’un signal optique successives et synchronisées avec les phases d’extinction (EXT) de la source de lumière perturbatrice, et chaque phase d’acquisition (ACQ_i) comprend une accumulation de charges photogénérée (INTG) par au moins un pixel photosensible (PX) comportant une photodiode pincée (PPD), et un transfert (TRS) des charges photogénérées accumulées vers un nœud d’intégration (FD_INT), le procédé comprenant, pour chaque pixel, une intégration (Vout) des charges transférées sur le nœud d’intégration au cours d’une série de phases d’acquisition successives. Figure de l’abrégé : figure 2 Procédé de mesure d’une luminosité ambiante et dispositif intégré correspondant Des modes de mise en œuvre et de réalisation concernent les mesures de luminosité ambiante, usuellement « ALS » pour « Ambient Light Sensing » en anglais. Les mesures de luminosité ambiante sont usuellement mises en œuvre pour des dispositifs afficheurs, tels que des écrans de télévision ou des téléphones mobiles multifonction (ou « smartphone » selon l’anglicisme usité), afin d’adapter l’intensité de la lumière émise par l’afficheur à la luminosité de son environnement. Les dispositifs de mesure de luminosité ambiante comportent typiquement des photodétecteurs comprenant une photodiode commandée par un commutateur du type transistor MOS (acronyme de la désignation parfaitement connue de l’homme de l’art « Métal Oxyde Semiconducteur »). Une contrainte d’intégration des dispositifs de mesure de luminosité ambiante est apparue avec la conception de téléphones mobiles multifonction ayant un écran occupant la quasi-totalité de la surface d’usage, et ne laissant pas d’espace libre pour intégrer les dispositifs de mesure de luminosité ambiante. Les dispositifs classiques de mesure de luminosité ambiante peuvent être intégrés derrière l’écran afficheur, mais alors la mesure de la luminosité est gênée par la luminosité de l’écran qui masque le signal optique ambiant de l’environnement. Cette problématique existe en fait dès lors que l’appareil mesurant la luminosité ambiante génère lui-même une source de lumière perturbatrice pouvant s’ajouter à la lumière ambiante dans le champ de vision des photodétecteurs du dispositif de mesure de luminosité ambiante. Le filtrage des signaux en résultant peut être très délicat et engendre typiquement une importante perte en précision. A cet égard, il est proposé premièrement de commander des phases d’acquisition de la mesure de la luminosité ambiante successives et synchronisées avec des phases d’extinction périodiques de la source de lumière perturbatrice. Les mesures résultant d’une série de telles phases d’acquisition successives sont intégrées, de sorte que leur cumul fournisse une mesure complète de la luminosité ambiante. Cela étant, dans les dispositifs classiques, la commutation des transistor MOS introduit un bruit thermique (« bruit en kT/C ») non-négligeable par rapport à l’intensité du signal généré, à chaque acquisition de la série, et le bruit est en outre cumulé lors intégrations successives. A cet égard, il est proposé deuxièmement des phases d’acquisition comprenant chacune une accumulation de charges photogénérée par au moins un pixel photosensible comportant une photodiode pincée, et un transfert des charges photogénérées accumulées vers un nœud d’intégration. Selon un aspect, il est ainsi proposé un procédé de mesure de luminosité ambiante collaborant avec une source de lumière perturbatrice commandée périodiquement dans des phases d’illumination et des phases d’extinction. Le procédé comprend des phases d’acquisition d’un signal optique successives et synchronisées avec les phases d’extinction de la source de lumière perturbatrice. Chaque phase d’acquisition comprend une accumulation de charges photogénérée par au moins un pixel photosensible comportant une photodiode pincée, et un transfert des charges photogénérées accumulées vers un nœud d’intégration. Et, le procédé comprend, pour chaque pixel, une intégration des charges transférées sur le nœud d’intégration au cours d’une série de phases d’acquisition successives. Typiquement, une photodiode pincée (« pinned diode » selon les termes anglais usuel), ou photodiode désertée (« depleted »), comprend par exemple deux jonctions p-n dans un substrat semiconducteur agencées pour que les deux zones de charge d’espace respectives se rejoignent et forment une région de cathode complétement désertée commune aux deux jonctions. La région de cathode est en conséquence adaptée pour stocker une accumulation des charges photogénérées. Ainsi, un transfert des charges photogénérées dans une photodiode pincée n’introduit pas de bruit et la série de phases d’acquisitions successives et synchronisées avec les phases d’extinction de la source de lumière perturbatrice engendre, après intégration, un signal précis, et non bruité. En particulier, on fait la distinction entre un mécanisme de transfert de charges accumulées dans une photodiode pincée et un mécanisme de conduction d’un courant débité par une photodiode via un transistor à l’état passant. En effet, le mécanisme de conduction à travers la résistance à l’état passant du transistor introduit un bruit thermique en « kTR » (l’expression « bruit en kT/C » provenant de la simplification de la composante « R » par l’expression d’une impédance en « 1/RC »), tandis que le mécanisme de transfert de charges accumulées dans une photodiode pincée, qui n’est pas une conduction de courant, n’est pas sujet au bruit thermique. Par exemple, le transfert des charges photogénérées vers le nœud d’intégration comprend un abaissement d’une barrière de potentiel électrostatique permettant une diffusion des charges photogénérées vers le nœud d’intégration. Selon un mode de mise en œuvre, chaque phase d’acquisition commence par une réinitialisation déchargeant ledit au moins un pixel de charges parasitiques accumulées hors de ladite phase d’acquisition. Avantageusement, la réinitialisation comprend un abaissement d’une barrière de potentiel électrostatique permettant une diffusion des charges parasitiques vers un nœud de réinitialisation. En effet, hors des phases d’acquisition, les pixels photosensibles peuvent accumuler des charges parasitiques issues notamment de la source de lumière perturbatrice. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une réception d’un signal de commande externe représentatif des phases d’extinction de la source de lumière perturbatrice, et les phases d’acquisition sont synchronisées avec les commandes des phases d’extinction du signal de commande externe. En d’autres termes, dans ce mode de mise en œuvre, le procédé collabore avec la source de lumière perturbatrice par un partage du signal de commande de la source de lumière perturbatrice, et cela est possible notamment dans le cas où le dispositif de mesure de luminosité ambiante et la source perturbatrice sont intégrés dans un même appareil, tel qu’un téléphone mobile multifonction. Cela étant, le signal de commande externe peut dériver du signal commandant effectivement la source de lumière perturbatrice, et a minima généré pour être représentatif des phases d’extinctions. Selon un autre aspect, il est proposé un dispositif intégré de mesure de luminosité ambiante, adapté pour collaborer avec une source de lumière perturbatrice commandée périodiquement dans des phases d’illumination et des phases d’extinction. Le dispositif comporte au moins un pixel photosensible comprenant une photodiode pincée, un circuit intégrateur pour chaque pixel photosensible, et des moyens de commande configurés -pour cadencer des phases d’acquisition d’un signal optique successives et synchronisées avec les phases d’extinction de la source de lumière perturbatrice, et -pour commander, dans chaque phase d’acquisition, une accumulation de charges photogénérées par ledit au moins pixel photosensible, et un transfert des charges photogénérées accumulées vers un nœud d’intégration du circuit intégrateur, le circuit intégrateur étant configuré pour intégrer les charges transférées sur le nœud d’intégration au cours d’une série d’acquisitions successives. Selon un mode de réalisation, chaque pixel comporte une grille de transfert entre la photodiode pincée et le nœud d’intégration, et les moyens de commande sont configurés pour commander le transfert des charges photogénérées en générant un potentiel sur la grille de transfert adapté pour abaisser une barrière de potentiel électrostatique et permettre une diffusion des charges photogénérées vers le nœud d’intégration. Selon un mode de réalisation, les moyens de commande sont configurés pour commander, au commencement de chaque phase d’acquisition, une réinitialisation déchargeant ledit au moins un pixel de charges parasitiques accumulées hors de ladite phase d’acquisition. Avantageusement, chaque pixel comporte une deuxième grille de transfert entre la photodiode pincée et un nœud de réinitialisation, et les moyens de commande sont configurés pour commander la réinitialisation en générant un potentiel sur la deuxième grille de transfert adapté pour abaisser une barrière de potentiel électrostatique et permettre une diffusion des charges photogénérées vers le nœud de réinitialisation. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une entrée adaptée pour recevoir un signal de commande externe représentatif des phases d’extinction de la source de lumière perturbatrice, et les moyens de commande sont configurés pour cadencer les phases d’acquisition de façon synchronisée avec les commandes des phases d’extinction du signal de commande externe. Selon un autre aspect, un système, tel qu’un téléphone mobile multifonction, comporte un écran d’affichage électroluminescent et un dispositif de mesure de luminosité ambiante tel que défini ci-avant, l’écran d’affichage électroluminescent étant la source de lumière perturbatrice et étant situé dans le champ de vision des pixels du dispositif de mesure de luminosité ambiante. D’autres avantages et caractéristiques apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés, sur lesquels : ; ; ; illustrent des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention. La représente un dispositif intégré DIS de mesure de luminosité ambiante « ALS » pour « Ambient Light Sensor » usuellement en anglais. Le dispositif DIS comporte un réseau d’au moins un pixel photosensible PX, comprenant néanmoins usuellement quelques dizaines de pixels, par exemple entre 1 et 50 pixels. Dans le cadre de la mesure de luminosité ambiante, chaque pixel PX est par exemple destiné à détecter une composante dite « multispectrale » du signal optique incident, en particulier au moyen de filtres optiques respectifs. Les composantes multispectrales peuvent comporter les couleurs primaires du visibles, c’est-à-dire le rouge, le vert et le bleu, mais aussi d’autres couleurs non-primaires, le spectre visible entier (lumière blanche) et éventuellement des composantes infrarouges et ultraviolettes. Chaque pixel PX est couplé à un circuit intégrateur respectif C_INT tel que décrit ci-après en relation avec la . Le dispositif DIS comporte en outre des moyens de commande CMD configurés pour générer des signaux de commande pour mettre en œuvre les fonctionnalités du dispositif DIS, c’est-à-dire en particulier une acquisition du signal optique incident, la lecture et le traitement des signaux photogénérés, et la conversion des signaux en données numériques exploitables par un utilisateur. Parmi les signaux de commande générés par les moyens de commande CMD, des signaux de tension V1, V2, S_TG1, S_TG2 sont générés en particulier pour cadencer les phases d’acquisition, et distribués dans les pixels PX tel que décrit ci-après en relation avec les figures 2 et 3. Les moyens de commande CMD sont par exemple réalisés de façon matérielle par un circuit logique du type machine d’état. En outre, le dispositif DIS est prévu pour collaborer avec une source de lumière perturbatrice générant un signal optique parasite dans le champ de détection des pixels. En particulier, la source de lumière perturbatrice est commandée périodiquement dans des phases d’illumination ILL ( ) et des phases d’extinction EXT ( ). La source de lumière perturbatrice DSP ( ) peut être commandée par un système SYS ( ) incluant également le dispositif de mesure de luminosité ambiante DIS. Afin de mesurer la luminosité ambiante en collaboration avec la source de lumière perturbatrice, le dispositif DIS comprend par exemple une entrée adaptée pour recevoir un signal de commande externe S_DSP, représentatif des phases d’illumination et des phases d’extinction de la source de lumière perturbatrice. Cela permet aux moyens de commande CMD de cadencer les phases d’acquisition ACQ_i de façon synchronisée avec les commandes des phases d’extinction EXT du signal de commande externe S_DSP de la manière décrite ci-après en relation avec la . On se réfère maintenant à la . La illustre schématiquement le circuit d’un pixel photosensible PX et d’un circuit intégrateur C_INT appartenant au dispositif intégré DIS de mesure de luminosité ambiante décrit en relation avec la . Le pixel PX comprend une photodiode pincée PPD, ou photodiode désertée, formée par deux jonctions bipolaire p-n dans un substrat semiconducteur, par exemple au moyen d’un caisson de type n formé dans un substrat de type p, et d’une couche surfacique de type p. Les deux jonction bipolaires p-n sont agencées pour que les deux zones de charge d’espace respectives se rejoignent et forment une région de cathode (resp. d’anode, pour des conductivités inversées) complétement désertée commune aux deux jonctions, lorsque la photodiode est au repos dans un état réinitialisé. La région de cathode (resp. d’anode) commune est en conséquence adaptée pour collecter et accumuler des charges photogénérées Le pixel comporte en outre une grille de transfert TG1, c’est-à-dire sommairement une grille de transistor, entre la région de cathode de la photodiode pincée PPD et un nœud de diffusion flottant FD_INT (« floating diffusion » usuellement en anglais), appelé nœud d’intégration. Le nœud d’intégration FD_INT comporte par exemple une région dopée de type n permettant un couplage électrique avec le circuit intégrateur C_INT, par exemple par un contact ohmique. Le circuit intégrateur C_INT peut typiquement comporter un amplificateur opérationnel AMP, dont la sortie est bouclée sur l’entrée inverseuse (-) par l’intermédiaire d’un élément capacitif Cfb de rétroaction, et dont l’entrée suiveuse (+) est portée à un potentiel de référence V1 généré par les moyens de commande CMD. Ainsi, les courants ou les quantités de charges injecté(e)s sur l’entrée inverseuse (-) sont directement stocké(e)s par l’élément capacitif Cfb, et le signal de sortie Vout en tension résulte de leurs intégrations par le mécanisme classique et connu en soi de ce type de circuit intégrateur C_INT. On notera également que l’entrée inverseuse (-) dans ce montage est « virtuellement » au potentiel V1. L’entrée inverseuse (-) de l’amplificateur opérationnel AMP est couplée avec le nœud d’intégration FD_INT, par exemple par contact ohmique. Par ailleurs, le pixel PX comporte une deuxième grille de transfert TG2, entre la région de cathode de la photodiode pincée PPD et un deuxième nœud de diffusion flottant FD_RST, appelée nœud de réinitialisation FD_RST. Le nœud de réinitialisation FD_RST est porté à un potentiel V2 généré par les moyens de commande CMD. Des courbes de potentiel électrostatique Vsc dans les régions semiconductrices des différents éléments FD_RST, TG2, PPD, TG1, FD_INT du pixel PX sont représentées sous le schéma électrique du pixel PX. L’abscisse (horizontalement dans l’orientation de la ) des courbes de potentiel électrostatique Vsc correspond à la position, alignée verticalement, des différents éléments FD_RST, TG2, PPD, TG1, FD_INT du schéma électrique du pixel PX. La courbe en trait plein correspond à des conditions de photogénération de charges INTG, et les parties en trait interrompu correspondent aux changements dans le potentiel électrostatique dans des conditions de transfert de charges TRS et de réinitialisation RST. Dans les conditions de photogénération de charges INTG, la première grille de transfert TG1 et la deuxième grille de transfert TG2 sont portées à un potentiel nul ou négatif, créant des barrières de potentiel encadrant la photodiode pincée PPD. Ainsi des charges photogénérées Qintg sont localisées et stockées dans la région de cathode de la photodiode pincée PPD, encadrée par les barrières de potentiel. Dans les conditions de transfert de charges TRS, la première grille de transfert TG1 est portée à un potentiel positif adapté pour abaisser la barrière de potentiel entre la photodiode pincée PPD et le nœud d’intégration FD_INT de façon à permettre un transfert des charges photogénérées Qintg par diffusion vers le niveau le plus bas. A cet égard, la tension V1, se répercutant sur l’entrée inverseuse de l’amplificateur AMP du circuit intégrateur C_INT, est générée de sorte que le niveau du nœud d’intégration FD_INT soit le plus bas. La tension V1 est par exemple de sensiblement 1,8V. Ainsi, les charges transférées Qtrs sur le nœud d’intégration FD_INT sont intégrées par le circuit intégrateur C_INT et converties en tension de sortie Vout. La première grille de transfert TG1 peut alors être ramenée au potentiel initial, nul ou négatif, afin de remonter la barrière de potentiel entre la photodiode pincée PPD et le nœud d’intégration FD_INT. Dans les conditions de réinitialisation RST, la deuxième grille de transfert TG2 est portée à un potentiel positif adapté pour abaisser la barrière de potentiel entre la photodiode pincée PPD et le nœud de réinitialisation FD_RST de façon à permettre un transfert des charges photogénérées Qintg par diffusion vers le nœud de réinitialisation FD_RST, au niveau le plus bas imposé par le signal V2. La tension V2 est par exemple de sensiblement 2,5V. De façon similaire au mécanisme de transfert TRS, les charges photogénérés diffusent vers le nœud de réinitialisation FD_RST, cette fois afin d’être évacuées du pixel PX. Etant donné que la photodiode pincée PPD est complétement désertée, aucune charge mobile n’est présente dans la photodiode après la réinitialisation RST, et le mécanisme de réinitialisation RST n’introduit pas de bruit, c’est-à-dire pas de charge résiduelle parasite. Comme il est usuel dans le domaine des semiconducteurs et connu de l’homme du métier, on entend par « barrière de potentiel » un voisinage d’un maximum local d’énergie potentiel électrostatique d’une particule chargée. Ainsi, les niveaux absolus d’une barrière de potentiel dépendent du signe la charge de la particule chargée. Si les particules photogénérées sont chargées positivement, une barrière de potentiel correspond à un maximum local du potentiel électrostatique, tandis que si les particules photogénérées sont chargées négativement, une barrière de potentiel correspond à un minimum local du potentiel électrostatique. Et, par les termes du type « niveau (le plus) bas » et « remonter le niveau » on considère le niveau de l’énergie potentielle électrostatique d’une particule chargée. L’orientation de l’axe de potentiel électrostatique Vsc correspond ainsi à une photogénération de charges de signe négatif, c’est-à-dire des électrons, ce qui est le cas d’une photodiode pincée du type pnp. Cela étant, des photogénération de charges de signe positif, c’est-à-dire des trous, dans le cas d’une photodiode pincée du type npn serait parfaitement envisageable en alternative aux exemples décrits en relation avec les figures 2 et 3, avec notamment avec des commandes de polarisations adaptées. On se réfère désormais à la . La illustre temporellement la génération, par les moyens de commande CMS, des signaux de commande cadençant des phases d’acquisition ACQ_i, ACQ_i+1 d’un signal optique incident par le pixel PX décrit en relation avec la . Les moyens de commande CMD reçoivent le signal de commande externe S_DSP, commandant les phases d’illumination ILL et les phases d’extinction EXT de la source de lumière perturbatrice DSP ( ). Le signal de commande externe S_DSP n’est pas nécessairement la commande effective de la source de lumière perturbatrice, mais est au moins représentatif des phases d’extinction EXT, par exemple communiquées par les niveaux bas du signal S_DSP. D’autres manières de communiquer l’information des phases d’extinction EXT par le signal de commande externe S_DSP pourraient être envisagées dans le cadre de la collaboration entre le dispositif de mesure de luminosité ambiante DSP et la source de lumière perturbatrice. Un premier signal de commande S_TG1 correspond au potentiel appliqué sur la première grille de transfert TG1, et un deuxième signal de commande S_TG2 correspond au potentiel appliqué sur la deuxième grille de transfert TG2. Les niveaux hauts du premier signal de commande S_TG1 et du deuxième signal de commande S_TG2 sont adaptés pour abaisser la barrière de potentiel située respectivement entre la photodiode pincée PPD et le nœud d’intégration FD_INT et entre la photodiode pincée PPD et le nœud de réinitialisation FD_RST. Les niveaux bas sont adaptés pour permettre ou pour former les barrières de potentiel respectives. Les moyens de commande CMD sont configuré pour cadencer des phases d’acquisition ACQ_i, ACQ_i+1 successives et synchronisées avec les phases d’extinction EXT successives de la source de lumière perturbatrice. Chaque phase d’acquisition ACQ_i, ACQ_i+1 commence avantageusement par une réinitialisation RST commandant un abaissement de la barrière de potentiel électrostatique entre la photodiode pincée PPD et le nœud de réinitialisation FD_RST, au moyen du deuxième signal de commande S_TG2. Ainsi, des charges parasitiques accumulées avant la phase d’acquisition ACQ_i, ACQ_i+1 peuvent être évacuées par diffusion vers le nœud de réinitialisation FD_RST. Ensuite, la photogénération de charges INTG se fait dans la photodiode pincée PPD, par excitation du signal optique incident. Etant donné que la source de lumière perturbatrice est éteinte EXT pendant la photogénération, le signal optique incident est fidèlement représentatif de la luminosité ambiante. En outre, la photodiode pincée PPD ayant avantageusement été vidée des charges parasitiques, les charges photogénérées s’accumulent dans la photodiode PPD à partir d’une référence vierge et non bruitée. A l’issu de la photogénération INTG, les charges photogénérées sont transférées TRS par un abaissement de la barrière de potentiel électrostatique entre la photodiode pincée PPD et le nœud d’intégration FD_INT, au moyen du premier signal de commande S_TG1. La phase d’acquisition ACQ_i est ainsi synchronisée avec une phase d’extinction EXT de la source de lumière perturbatrice, et est adapté au temps disponible lors de la phase d’extinction EXT. Ainsi, en considérant que la réinitialisation et le transfert durent sensiblement 10µs (micro seconde) chacun, si la phase d’extinction ECT offre une fenêtre d’une durée de sensiblement 220µs, alors la phase de photogénération peut être activée pendant une durée de sensiblement 200µs. Pendant une telle durée, la quantité de charges photogénérées peut correspondre à quelque femto ampères (fA) c’est-à-dire de l’ordre de 10 -15 A, si la luminosité ambiante est faible. Une telle quantité de charge est trop faible pour constituer une mesure représentativement la luminosité ambiante, et une série de l’ordre d’une centaine de phases d’acquisition ACQ_i, ACQ_i+1 sont commandées successivement lors d’une centaine de phases d’extinction EXT successives, les intégrations des charges transférées sur le nœud d’intégration au cours de chaque phase d’acquisition ACQ_i, ACQ_i+1 de la série permettant de constituer par cumul une mesure complète de la luminosité ambiante. Cela correspond à un temps d’exposition cumulé de sensiblement 20ms (milli secondes). Dans le cas où les phases d’illumination ILL ont une durée de l’ordre de par exemple 2ms, le temps total pour effectuer la mesure de luminosité ambiante pendant une série de phase d’extinctions EXT est de sensiblement 220ms, ce qui est largement tolérable du point de vue la sensibilité humaine, et au vu des variantions typiquement plus lentes de la luminosité ambiante. La illustre un exemple d’application avantageux du dispositif intégré de mesure de luminosité ambiante DIS décrit précédemment en relation avec les figures 1 à 3, dans un système électronique SYS. Le système SYS est par exemple un appareil électronique tel qu’un téléphone mobile multifonction, une tablette tactile, ou un ordinateur portable, et comporte notamment un écran d’affichage électroluminescent DSP, le dispositif de mesure de luminosité ambiante DIS, ainsi qu’une caméra de photographie CAM. Un avantage commercial réside dans ce type d’appareils lorsque l’écran d’affichage électroluminescent DSP occupe la totalité ou presque de la surface sur laquelle il est monté, au point de ne pas prévoir un espace libre pouvant accueillir le dispositif de mesure de luminosité ambiante DIS. Une ouverture circulaire, prévue pour intégrer la caméra de photographie CAM sur la face de l’écran, nuit à cet avantage mais est néanmoins tolérée. Ce type de structure est par exemple permis par la technologie de diode électroluminescente organique « OLED » (pour « Organic Light Emitting Diode » en anglais). Le dispositif de mesure de luminosité ambiante DIS doit quant à lui être intégré derrière l’écran DSP, et avoir dans son champ de vision les diodes électroluminescentes organiques OLED, émettant un signal lumineux intense et ne faisant pas partie de la luminosité ambiante. En conséquence, l’écran d’affichage électroluminescent DSP est une source de lumière perturbatrice pour le dispositif de mesure de luminosité ambiante DIS. Les écrans d’affichage OLED, ainsi que les écrans d’affichages à diode électroluminescentes « LED » classiques, génèrent toujours le signal lumineux par clignotements (usuellement désigné « flickering » en anglais) imperceptibles par l’œil humain. En d’autres termes, les écrans d’affichage OLED ou LED en activité sont commandés périodiquement dans des phases d’illumination ILL et des phases d’extinction EXT. Le dispositif de mesure de luminosité ambiante DIS étant adapté pour collaborer avec la source de lumière perturbatrice DSP de la façon décrite ci-avant en relation avec les figures 1 à 3, peut mesurer précisément la luminosité ambiante, notamment sans bruit électronique ni bruit optique, lors des phases d’acquisition ACQ_i, ACQ_i+1 successives et synchronisées avec les phases d’extinction EXT de l’écran d’affichage DSP, par exemple de technologie « LED » ou « OLED ». Procédé de mesure de luminosité ambiante collaborant avec une source de lumière perturbatrice (DSP) commandée périodiquement dans des phases d’illumination (ILL) et des phases d’extinction (EXT), le procédé comprenant des phases d’acquisition (ACQ_i, ACQ_i+1) d’un signal optique successives et synchronisées avec les phases d’extinction (EXT) de la source de lumière perturbatrice, dans lequel chaque phase d’acquisition (ACQ_i) comprend une accumulation de charges photogénérées (INTG) par au moins un pixel photosensible (PX) comportant une photodiode pincée (PPD), et un transfert (TRS) des charges photogénérées accumulées vers un nœud d’intégration (FD_INT), le procédé comprenant, pour chaque pixel, une intégration (Vout) des charges transférées sur le nœud d’intégration au cours d’une série de phases d’acquisition successives (ACQ_i, ACQ_i+1). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le transfert (TRS) des charges photogénérées vers le nœud d’intégration (FD_INT) comprend un abaissement d’une barrière de potentiel électrostatique (TG1) permettant une diffusion des charges photogénérées vers le nœud d’intégration. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel chaque phase d’acquisition (ACQ_i) commence par une réinitialisation (RST) déchargeant ledit au moins un pixel (PX) de charges parasitiques accumulées hors de ladite phase d’acquisition. Procédé selon la revendication 3, dans lequel la réinitialisation (RST) comprend un abaissement d’une barrière de potentiel électrostatique (TG2) permettant une diffusion des charges parasitiques vers un nœud de réinitialisation. Procédé selon l’une des revendications précédentes, comprenant une réception d’un signal de commande externe (S_DSP) représentatif des phases d’extinction (EXT) de la source de lumière perturbatrice (DSP), dans lequel phases d’acquisition (ACQ_i) sont synchronisées avec les commandes des phases d’extinction (EXT) du signal de commande externe. Dispositif intégré de mesure de luminosité ambiante (DIS), adapté pour collaborer avec une source de lumière perturbatrice (DSP) commandée périodiquement dans des phases d’illumination (ILL) et des phases d’extinction (EXT), le dispositif comportant au moins un pixel photosensible (PX) comprenant une photodiode pincée (PPD), un circuit intégrateur (C_INT) pour chaque pixel photosensible (PX), et des moyens de commande (CMD) configurés pour cadencer des phases d’acquisition (ACQ_i, ACQ_i+1) d’un signal optique successives et synchronisées avec les phases d’extinction (EXT) de la source de lumière perturbatrice, et pour commander, dans chaque phase d’acquisition (ACQ_i), une accumulation (INTG) de charges photogénérées par ledit au moins pixel photosensible (PX), et un transfert (TRS) des charges photogénérées accumulées vers un nœud d’intégration (FD_INT) du circuit intégrateur, le circuit intégrateur (C_INT) étant configuré pour intégrer les charges transférées sur le nœud d’intégration au cours d’une série d’acquisitions successives (ACQ_i, ACQ_i+1). Dispositif selon la revendication 6, dans lequel chaque pixel (PX) comporte une grille de transfert (TG1) entre la photodiode pincée (PPD) et le nœud d’intégration (FD_INT), et les moyens de commande (CMD) sont configurés pour commander le transfert des charges photogénérées en générant un potentiel (S_TG1) sur la grille de transfert (TG1) adapté pour abaisser une barrière de potentiel électrostatique et permettre une diffusion des charges photogénérées vers le nœud d’intégration (FD_INT). Dispositif selon l’une des revendications 6 ou 7, dans lequel les moyens de commande (CMD) sont configurés pour commander, au commencement de chaque phase d’acquisition (ACQ_i), une réinitialisation (RST) déchargeant ledit au moins un pixel (PX) de charges parasitiques accumulées hors de ladite phase d’acquisition. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel chaque pixel (PX) comporte une deuxième grille de transfert (TG2) entre la photodiode pincée (PPD) et un nœud de réinitialisation (FD_RST), et les moyens de commande (CMD) sont configurés pour commander la réinitialisation (RST) en générant un potentiel (S_TG2) sur la deuxième grille de transfert (TG2) adapté pour abaisser une barrière de potentiel électrostatique et permettre une diffusion des charges photogénérées vers le nœud de réinitialisation (FD_RST). Dispositif selon l’une des revendications 6 à 8, comprenant une entrée adaptée pour recevoir un signal de commande externe (S_DSP) représentatif des phases d’extinction (EXT) de la source de lumière perturbatrice (DSP), dans lequel les moyens de commande (CMD) sont configurés pour cadencer les phases d’acquisition (ACQ_i) de façon synchronisée avec les commandes des phases d’extinction (EXT) du signal de commande externe (S_DSP). Système (SYS) comportant un écran d’affichage électroluminescent (DSP) et un dispositif de mesure de luminosité ambiante (DIS) selon l’une des revendications 6 à 10, l’écran d’affichage électroluminescent (DSP) étant la source de lumière perturbatrice et étant situé dans le champ de vision des pixels (PX) du dispositif de mesure de luminosité ambiante (DIS).