FR 3112243 A1 20220107 FR 2006988 A 20200702 Dispositif optoélectronique comprenant un substrat (150) et un empilement de couches organiques (370) comprenant au moins une couche active disposée entre une surface réfléchissante et une surface semi-réfléchissante disposées face à face à une distance donnée et formant une cavité optique. Le dispositif comprend au moins trois groupes de pixels (367a, b, c) dont chaque groupe est caractérisé par une cavité de longueur optique différente. Cette cavité comprend un nombre de bicouches disposées entre ledit substrat et ledit empilement de couches organiques, chaque bicouche étant formée d’une première couche (156, 3561, 3562) transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur, et d’une deuxième couche (160, 360, 3601, 3602) transparente et conductrice d’un deuxième matériau transparent et conducteur, en contact direct avec ladite première couche transparente et conductrice. Le premier matériau est différent du deuxième matériau. Pour un premier groupe (367c) de pixels le nombre de bicouches est de zéro, pour un deuxième groupe (367b) de pixels, il est de un, pour un troisième groupe (367a) de pixels, il est de deux ou de un, et pour chaque groupe additionnel de pixels, si présent, il augmente de un. Pour chacune de ces bicouches ladite première couche conductrice et transparente présente une résistance plus faible à un traitement de gravure humide que ladite deuxième couche conductrice et transparente. DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE MATRICIEL EN COUCHES MINCES Domaine technique de l’invention L’invention relève du domaine de la microélectronique et plus précisément du domaine des dispositifs optoélectroniques en couches minces. Plus précisément, elle concerne un dispositif optoélectronique matriciel en couche minces présentant des couches actives qui sont des couches organiques, au sens chimique du terme. Ces dispositifs optoélectroniques peuvent être des écrans d’affichage de type OLED (Organic Light Emitting Device) ou des capteurs optiques dont les couches actives sont des couches organiques. Ils présentent une structure nouvelle avec une cavité optique de longueur optique différente pour chaque groupe de pixels de couleur différente. L’invention concerne également un procédé nouveau pour fabriquer ces produits nouveaux. Etat de la technique On connaît des micro-afficheurs matriciels de type OLED qui présentent une taille de pixel inférieure à environ 20 µm, typiquement entre 6 µm et 12 µm. Dans un micro-afficheur couleur, chaque pixel est composé de plusieurs groupe de pixels dont la taille est inférieure à environ 10 µm, et qui est actuellement typiquement de l’ordre de 3 µm à 6 µm. Dans ces micro-afficheurs, la couleur des groupe de pixels rouge (abrégé R), vert (abrégé G (« green »)) et bleu (abrégé B) est générée par un empilement OLED à émission blanche commun à la matrice entière, chaque pixel étant doté de son filtre couleur spécifique. Certes, on connaît des empilements OLED conçus pour générer directement de la lumière rouge, verte ou bleue. Cependant, on ne peut pas les utiliser pour la fabrication de micro-afficheurs OLED, pour plusieurs raisons. Tout d’abord, dans les micro-afficheurs OLED, la taille des pixels RGB est si petite qu’il n’est actuellement pas possible, avec une fiabilité industrielle suffisante, de structurer les empilements OLED au niveau des pixels R, G et B, de manière à obtenir des pixels qui émettent directement de la lumière de couleur voulue. En effet, la structuration des dépôts de couches OLED peut se faire par évaporation sous vide à travers un masque, mais avec une taille supérieure à environ 20 µm seulement. Par ailleurs, le fait de déposer un empilement OLED commun à la matrice entière (i.e. sur une tranche de silicium comportant plusieurs dispositifs micro-afficheurs avec une résolution de la dimension du dispositif qui est de quelques millimètres) permet d’utiliser un procédé de dépôt simple et facile à contrôler, avec un bon rendement industriel. Et enfin, les matériaux et procédés pour réaliser les filtres colorés sont disponibles, bien connus et éprouvés industriellement, dans la mesure où ils sont déjà utilisés pour les imageurs de type CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor). L’utilisation d’un empilement OLED commun, si elle est actuellement inévitable pour les micro-afficheurs OLED, présente cependant l’inconvénient d’une faible efficacité optique. En effet, la transmission optique des filtres dans la bande passante est entre 50% et 70% seulement. Par ailleurs, pour un émetteur blanc, on ne peut pas bénéficier d’un gain dans la direction normale par l’effet de cavité, contrairement à ce qui se fait pour des émetteurs RGB séparés. Au contraire, on se trouve typiquement dans une configuration dite à émission par le haut (en anglais « top emission »), i.e. avec une émission dans la direction opposée au substrat. Dans ce cas le dispositif OLED consiste essentiellement en une électrode réfléchissante en bas, l’empilement des couches organiques (OLED), et une électrode semi-transparente en haut. Cet ensemble forme une cavité optique, qui malheureusement va absorber une partie du spectre blanc émis par l’empilement OLED. Il existe de nombreux documents brevet qui témoignent de l’importance et de la difficulté de ce problème connu depuis le début des années 90. Beaucoup d’inventeurs ont utilisé le principe d’incorporer des cavités optiques dans une structure OLED blanche ou d’une couleur donnée, pour en extraire des bandes spectrales par interférence, et pour ainsi, soit générer des primaires RGB par interférence, soit d’améliorer l’efficacité des systèmes à filtre coloré ou des systèmes avec des OLED RGB structurés au niveau du pixel. A titre d’exemple, EP 0 616 488 A (Hitachi) de 1993 décrit, pour une configuration d’émission par le bas, i.e. à travers le substrat (en anglais « bottom emission »), un dispositif OLED avec au moins deux cavités optiques qui définissent les longueurs d’onde respectives d’émission. L’émetteur OLED met en œuvre un seul empilement qui génère un spectre suffisamment large pour couvrir toutes les différentes cavités optiques. La cavité optique comprend un miroir semi-transparent formé par un système multicouches diélectrique et une électrode réfléchissante sur la partie opposé au substrat, la cathode étant en oxyde transparent conducteur (abrégé TCO, en anglais « Transparent Conductive Oxide », qui est en l’occurrence en oxyde d’indium dopé à l’étain, abrégé ITO, en anglais « Indium Tin Oxyde »). L’épaisseur optique de la cavité est modulée, soit par l’épaisseur de l’anode transparente, soit par un espaceur optique en silice qui est ajouté entre le miroir semi-transparent et la cathode. Ce brevet pionnier a suscité plusieurs perfectionnements. A ce titre, JP 2003 142 277 A (Pioneer) décrit un dispositif de type « bottom emission » similaire, avec des émetteurs RGB structurés ; l’épaisseur de l’anode en ITO est différente selon la couleur du groupe de pixels, et l’interférence est déterminée par la position de l’émetteur par rapport au réflecteur. US 6 639 250 B1 (Seiko Epson and Cambridge Display Technology) propose pour un dispositif de type émission par le bas (« bottom emission » en anglais) une approche similaire, qui utilise des miroirs diélectriques des deux côtés pour former la cavité optique. Chaque groupe de pixels RGB dispose de sa propre microcavité utilisant un système de multicouches diélectriques semi-transparentes, un système de multicouches réflectrices, et une couche diélectrique d’épaisseur ajustable (« gap adjustment layer ») située au-dessus de l’empilement OLED. Ce dispositif présente une structure multicouches d’une très grande complexité, et il n’est pas clair comment on peut structurer (pixeliser) la couche diélectrique ajustable et le système de multicouches réflectrices. EP 1 450 419 B1 (Kodak) décrit des dispositifs de type « top emission » et « bottom émission » avec une structure dans laquelle la cavité optique est définie par deux miroirs métalliques. Un empilement OLED avec émission optique à spectre large est placé entre un réflecteur semi-transparent et une électrode réfléchissante, incluant une couche de modulation de phase transparente conductrice (appelée « phase layer », en TCO, par exemple ITO) qui permet la modulation de la cavité optique associée. Cette couche de modulation de phase est déposée par évaporation ou pulvérisation cathodique, puis structurée par des moyens de photolithographie conventionnelle afin de la laisser sur les pixels d’un groupe de pixels d’une couleur visée. Ensuite le procédé est réitéré avec une deuxième couche pour les pixels d’un groupe de pixels d’une autre couleur visée. Ainsi on peut réaliser avec deux séquences de photolithographie des groupes de pixels R, G et B : le groupe de pixels B n’a pas de couche de modulation de phase, le groupe de pixels G une, le groupe de pixels R deux. Pour les dispositifs de type émission par le bas on ajoute une couche de réduction d’absorption entre le substrat et l’électrode-semi-transparente. Cette approche nécessite la gravure de plusieurs couches de TCO, ce qui est complexe. Par ailleurs, le contrôle de l’uniformité de l’épaisseur des couches TCO déposées par pulvérisation cathodique ou évaporation parait très difficile avec une précision compatible avec les exigences d’une cavité optique. EP 1 672 962 B1 (Sony) décrit un dispositif de type émission par le haut similaire à celui du document précédent. L’électrode inférieure comprend trois couches de TCO : une couche de contact en ITO, une couche de résonance agissant comme réflecteur, et une autre couche dont l’épaisseur dépend de la couleur visée. Cette électrode est structurée (pixellisée) en faisant intervenir des procédés de la microélectronique. Le contrôle de l’épaisseur des couches de TCO est critique ; cette couche peut être déposée par pulvérisation cathodique (avec un contrôle de l’épaisseur qui semble insuffisant) ou par ALD (Atomic Layer Deposition), une technique qui permet un contrôle très précis de l’épaisseur, mais qui n’offre qu’un choix de matériaux restreint (ZnO, AZO (oxyde de zinc dopé à l’aluminium) ou SnO 2 ). Cependant, le dépôt de la couche de TCO par ALD présente deux inconvénients spécifiques à cette structure : D’une part, étant donné que le TCO doit être déposé sur une résine photosensible, le dépôt par ALD, à cause de sa parfaite conformité, est déposé aussi sur les flancs verticaux de la résine, avec une tendance à créer des parois verticales qui résistent à l’enlèvement du photorésist. D’autre part, la gravure de couches déposées par ALD s’avère très critique : Certains types de TCO susceptibles d’être déposés par ALD comme le ZnO ou le AZO se gravent très facilement, par contre les couches sont attaquées en particulier pendant l’enlèvement (stripping) de la résine, donc un contrôle précis de leur épaisseur n’est pas possible. D’autres types de TCO comme le SnO 2 forment en revanche des couches très dures qui ne sont pas attaquées par le développeur de la résine photosensible, ni pendant le stripping, et elles sont très difficiles à graver. Ce document décrit une variante qui évite les problèmes liés au dépôt du TCO sur résine photosensible, en utilisant trois matériaux différents et trois méthodes de gravures différentes pour chacune des trois couches de TCO, les matériaux étant choisis de manière à permettre une gravure sélective. Le procédé est alors très complexe, et le choix de matériaux est très limité. US 2009/0283 786 (Seiko Epson) décrit une autre approche similaire à celle de EP 1 450 419. Le dispositif décrit un dispositif OLED avec une cavité optique d’épaisseur différente pour les groupes de pixels R, G, B, l’épaisseur de la cavité étant modulée par l’épaisseur d’une couche d‘ITO ; la structuration de cette couche d’ITO n’est pas décrite. Une couche à bas indice de réfraction est déposée au-dessus de l’électrode supérieure pour améliorer la pureté de la couleur. US 2012/022 9014 (Seiko Epson) décrit encore une autre approche, similaire à celle de EP 1 672 962 B1, avec une, deux ou trois couches de TCO selon la couleur du groupe de pixels. Pour éviter une différence de hauteur trop importante il est proposé de déposer une couche de lissage diélectrique. Le problème de cette structure est la faible ouverture optique des pixels. Le procédé de structuration de ces couches n’est pas décrit. Une approche différente est proposée dans la demande de brevet US 2006/0138 945 (Samsung). La partie pixellisée de la cavité optique se trouve en dehors du dispositif OLED, au-dessus de l’électrode supérieure. Les espaceurs transparents d’une épaisseur choisie sont créés par une technique d’impression par transfert thermique. Cette technique ne semble pas être d’une fiabilité industrielle suffisante pour des pixels d’une taille de quelques micromètres ; par ailleurs on aimerait éviter de faire un dépôt au-dessus de l’empilement OLED par une technique qui implique une pression mécanique et/ou un échauffement significatif, car l’empilement OLED est assez fragile. Un autre inconvénient de cette approche réside dans l’absorption optique de l’électrode supérieure en TCO. Encore une autre approche est décrite dans US 2012/0241 782 A1 (Sony). L’épaisseur de la cavité optique est modulée par une structuration d’une couche de transport de trous qui fait partie de l’empilement OLED. Cela ne résout pas le problème de la grande difficulté industrielle de structurer en pixels le dépôt des couches organiques formant l’empilement OLED pour une taille de pixels inférieure à une vingtaine de µm. US 2016/0211 479 (Seiko Epson) introduit l’idée de moduler l’épaisseur des cavités optiques avec des couches transparentes diélectriques (telles que SiO 2 ou SiN) pixellisées. Plusieurs modes de réalisation pour la modulation de l’épaisseur sont décrits : on peut utiliser une couche de TCO (par exemple ITO), ou une couche diélectrique (telle que de la silice) disposée entre le réflecteur inférieur et l’électrode en ITO. Cependant, aucun procédé pour structurer cette couche de TCO et cette couche de diélectrique en groupes de pixels n’est décrit. Le dépôt d’une couche diélectrique nécessite en plus d’aménager des trous de contact avec l’électrode inférieure, ce qui complique le procédé de fabrication d’un tel dispositif. Une réalisation plus concrète de cette idée est décrite dans US 2015/006 0811A1 (Seiko Epson) pour une structure avec une couche transparente (SiO 2 ou SiN) dans une structure réflecteur / espaceur / électrode transparente (ITO) / empilement OLED / électrode semi-transparente. On note que l’ITO a une absorbance optique non négligeable. US 9 972 804B2 (Seiko Epson) donne une autre variante de ce concept. A titre d’alternative, le document US 2016/0211 479 précité propose de moduler l’épaisseur de la couche d’injection de trous de l’empilement OLED ; cela pose de nouveau le problème de la structuration de cette couche en pixels de taille inférieure à une vingtaine de µm. On constate que l’état de la technique n’offre pas de solution satisfaisante pour générer les couleurs primaires RGB par interférence à partir d’un empilement OLED blanc commun aux pixels RGB. Le même problème se pose pour d’autres dispositifs optoélectroniques, tel que des capteurs optiques dont la couche photosensible est un empilement OLED ; un tel dispositif est décrit dans WO 2017/029 223 (Technische Universität Dresden). Le but de la présente invention est de proposer un dispositif optoélectronique, notamment un micro-afficheur OLED, qui présente des groupes de pixels pour les couleurs primaires RGB de très petite taille (de l’ordre de 3 µm à 5 µm) à partir d’un empilement OLED d’émission blanche commun, de préférence en géométrie type émission par le haut (« top-emission » en anglais). Ce dispositif doit présenter une bonne efficacité optique, et doit pouvoir être fabriqué avec un procédé industriel fiable qui présente un bon rendement industriel, et qui permet d’obtenir une bonne homogénéité au travers du substrat. Objets de l’invention Selon l’invention le problème est résolu par un dispositif optoélectronique qui présente des pixels, dans lequel un empilement photoactif de couches est disposé entre les deux réflecteurs d’une cavité optique, et dans lequel l’épaisseur optique de ladite cavité optique est modulée à l’échelle du pixel. Une telle structure permet la génération (dans le cas d’un dispositif émissif) ou la détection (dans le cas d’un dispositif de détection) de lumière d’une couleur donnée à l’intérieur de la cavité optique, ladite couleur étant déterminée par la longueur optique de la cavité spectrale. Ledit dispositif optoélectronique comprend donc une pluralité de groupes de pixels qui se distinguent par la longueur optique de leur cavité optique. Selon une caractéristique essentielle de l’invention, la cavité optique comprend, pour au moins un des groupes de pixels, une bicouche formée par deux couches transparentes et conductrice différentes, qui se distinguent par leur résistance à un traitement de gravure humide (qui présentent, autrement dit, une vitesse de gravure différente par rapport à un bain liquide) ; cela permet au cours du procédé de fabrication du dispositif la gravure humide sélective de celle des deux couches qui présente la visse de gravure la plus élevée. Plus précisément, chacune desdites bicouches est formée d’une première couche transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur, et d’une deuxième couche transparente et conductrice d’un deuxième matériau transparent et conducteur, en contact direct avec ladite première couche transparente et conductrice, ledit premier matériau étant différent dudit deuxième matériau. Pour chacune de ces bicouches ladite première couche conductrice et transparente, comptée à partir du substrat du dispositif optoélectronique, présente une résistance plus faible à un traitement de gravure humide que ladite deuxième couche conductrice et transparente. Un premier objet de l’invention est un dispositif optoélectronique comprenant un substrat et un empilement de couches organiques comprenant au moins une couche active pouvant être une couche émettrice de lumière ou une photodiode, disposée entre une surface réfléchissante, ou entre la surface d’une couche transparente déposée directement sur ladite surface réfléchissante, et une surface semi-transparente et semi-réfléchissante disposées face à face à une distance donnée et formant une cavité optique d’une longueur optique d donnée, et ledit dispositif étant caractérisé en ce qu’il comprend au moins trois groupes de pixels dont chaque groupe est caractérisé par une cavité de longueur optique différente, ladite cavité comprenant un nombre de bicouches disposées entre ledit substrat et ledit empilement de couches organiques, chaque bicouche étant formée d’une première couche transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur, et d’une deuxième couche transparente et conductrice d’un deuxième matériau transparent et conducteur, en contact direct avec ladite première couche transparente et conductrice, ledit premier matériau étant différent dudit deuxième matériau, et ledit dispositif étant caractérisé en ce que : pour un premier groupe de pixels le nombre de bicouches est de zéro ; pour un deuxième groupe de pixels, le nombre de bicouches est de un, pour un troisième groupe de pixels, le nombre de bicouches est de deux ou de un, mais dans ce dernier cas, ladite première couche de la bicouche associé au troisième groupe de pixels est plus épaisse que celle du deuxième groupe de pixels, pour chaque groupe additionnel de pixels, si présent, le nombre de bicouches augmente de un par rapport au groupe précédent ou reste le même, mais dans ce dernier cas, ladite première couche de la bicouche associée au groupe additionnel de pixels est plus épaisse que celle du précédent groupe de pixels, sachant que le comptage des groupes en premier, deuxième, troisième et, le cas échéant, ainsi de suite, suit un ordre de la valeur de d croissant ; et ledit dispositif étant caractérisé en ce que pour chacune de ces bicouches ladite première couche conductrice et transparente, comptée à partir dudit substrat, présente une résistance plus faible à un traitement de gravure humide que ladite deuxième couche conductrice et transparente. Ladite surface réfléchissante peut être couverte d’une couche dudit deuxième matériau transparent et conducteur. Ledit traitement de gravure humide est un traitement avec une solution aqueuse d’hydroxyde de tétraméthylammonium à 2,38 % massiques à température ambiante. Dans un mode de réalisation très avantageux, dans chacune desdites bicouches, ladite première couche transparente et conductrice présente une vitesse de gravure spécifique V1 qui au moins dix fois supérieure, de préférence au moins cent fois supérieure, et encore plus préférentiellement au moins mille fois supérieure que la vitesse de gravure spécifique V2 de ladite deuxième couche transparente. Lesdits matériaux transparent et conducteurs sont typiquement des oxydes d’au moins un élément métallique (TCO – Transparent Conductive Oxyde). Ledit premier matériau transparent et conducteur (appelé ici aussi « TCO dur ») peut être sélectionné dans le groupe formé par : le ZnO ; les oxydes dopés à base de ZnO, le dopage étant de préférence au gallium et /ou à l’aluminium et/ou au bore et/ou au béryllium ; l’oxyde d’indium ; les oxydes dopés à base d’oxyde d’indium, le dopage étant de préférence à l’étain. Ledit deuxième matériau transparent et conducteur (appelé ici aussi « TCO doux ») peut être sélectionné dans le groupe formé par : le SnO 2 , le SnO 2 dopé, le dopage étant de préférence à l’arsenic et/ou au fluore et/ou à l’azote et/ou au niobium et/ou au phosphore et/ou à l’antimoine. Selon un mode de réalisation avantageux, ledit empilement de couches organiques est en contact direct avec, d’une part, ladite surface réfléchissante ou une couche transparente déposée sur ladite surface réfléchissante, et/ou, d’autre part, avec ladite surface semi-réfléchissante. Ledit empilement de couches organique forme un revêtement continu sur l’ensemble des pixels. Typiquement, une couche semi-transparente et conductrice est déposée au-dessus dudit empilement de couches organiques ; elle agit comme électrode supérieure. Ledit empilement de couches organiques, et de préférence aussi ladite couche semi-transparente en conductrice, forment chacune un revêtement continu sur l’ensemble des pixels. L’adressage individuel des pixels peut se faire alors par l’intermédiaire de l’électrode inférieure, qui est structurée au niveau du pixel (« pixellisée »). Ledit substrat du dispositif optoéletronique est avantageusement un substrat de type CMOS, pourvu de circuits permettant un adressage ou une lecture individuel des pixels. Le Dispositif optoélectronique selon l’invention peut être réalisé sous la forme d’un dispositif émissif, qui est typiquement micro-afficheur OLED, dans lequel l’empilement organique comprend une couche électroluminescente, ou sous la forme dispositif de détection, qui est typiquement un capteur de lumière multi-spectral. Dans ce dernier cas l’empilement organique comprend une photodiode. Un autre objet de la présente invention est un procédé de fabrication pour un dispositif optoélectronique selon l’invention, dans lequel : on dépose d’abord une première couche transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur sur ladite première surface réfléchissante ou sur une couche transparente et conductrice d’un deuxième matériau déposée sur ladite première surface réfléchissante ; on dépose un premier masque qui délimite un deuxième et un troisième groupe de pixels et protège leur emplacements ; on enlève par gravure humide ladite première couche transparente et conductrice aux endroits non protégés par ledit premier masque, ces endroits non protégés comprenant l’emplacement prévu pour un premier groupe de pixels, et on enlève ledit premier masque ; on dépose une première couche transparente et conductrice d’un deuxième matériau transparent, on dépose une deuxième couche transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur ; on dépose un deuxième masque qui délimite ledit troisième groupe de pixels et protège leurs emplacements ; on enlève par gravure humide ladite couche transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur aux endroits non protégés par ledit deuxième masque, ces endroits non protégés comprenant l’emplacement prévu pour ledit deuxième et ledit premier groupe de pixels, et on enlève ledit deuxième masque ; on dépose une deuxième couche transparente et conductrice d’un deuxième matériau transparent et conducteur ; on dépose un troisième masque qui délimite lesdits premier, deuxième et troisième groupe de pixels et protège leur emplacement ; on enlève par gravure sèche lesdites première et deuxième couche d’un deuxième matériau transparent et conducteur ainsi que ladite couche réfléchissante et, si elle est présente, ladite couche dudit deuxième matériau transparent et conducteur la recouvrant aux endroits non protégés par ledit troisième masque. Dans un tel procédé de fabrication pour un dispositif optoélectronique avec trois groupes de pixels, on peut poursuivre le procédé par les étapes suivantes: on dépose un élément de remplissage dans chaque espace entre deux pixels voisins ; on dépose un empilement de couches organiques commun à tous les pixels, on dépose au-dessus dudit empilement de couches organiques une couche électrode semi-réfléchissante, commune à tous les pixels. Avantageusement, le dépôt des couches transparentes et conductrices dudit deuxième matériau transparent et conducteur est effectué par la technique de dépôt de couches atomiques. Le dépôt des masques se fait par le dépôt d’une résine photosensible, selon des techniques micro-lithographiques connues de l’homme du métier. Brève description des figures Les figures 1 à 7 illustrent à titre de comparaison un mode de réalisation d’un procédé et dispositif qui ne fait pas partie de l’état de la technique, mais qui ne résout pas le problème posé. Les figures 1 à 6 représentent de manière schématique une coupe transversale à travers un dispositif optoélectronique à différents stades de sa fabrication ; ce dispositif présente trois groupe de pixels. Les figures 8 à 39 illustrent certains aspects du procédé et dispositif selon l’invention. Elles représentent de manière schématique une coupe transversale à travers des dispositifs optoélectroniques selon l’invention à différents stades de leur fabrication. La illustre en six épisodes une première séquence d’étapes d’un procédé pour fabriquer un dispositif de type micro-afficheur OLED présentant trois groupes de pixels. La illustre une deuxième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une troisième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une quatrième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une cinquième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une sixième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La représente une micrographie électronique à balayage d’un dispositif qui représente l’étape à l’issue de la . La largeur de chaque pixel est de l’ordre de 4,5 µm. La illustre une première séquence d’étapes d’un procédé selon l’invention pour fabriquer un dispositif de type micro-afficheur OLED selon l’invention, présentant deux groupes de pixels. La illustre une deuxième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une troisième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une quatrième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une cinquième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une sixième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une septième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une huitième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une vue plus détaillée de l’empilement des couches organiques d’un dispositif de type micro-afficheur OLED selon l’invention, similaire à celui présenté sur les figures 8 à 15. La illustre une variante du dispositif montré sur la . La illustre une autre variante du dispositif montré sur la . La illustre encore une autre variante du dispositif montré sur la . La illustre une première séquence d’étapes d’un mode de réalisation du procédé selon l’invention pour fabriquer un dispositif de type micro-afficheur OLED selon l’invention, présentant trois groupes de pixels. La illustre une deuxième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une troisième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une quatrième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une cinquième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une sixième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une septième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une huitième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une vue plus détaillée de l’empilement des couches organiques d’un dispositif de type micro-afficheur OLED selon l’invention, similaire à celui présenté sur les figures 20 à 27. La illustre une variante du dispositif montré sur la . La illustre une autre variante du dispositif montré sur la . La illustre une autre variante du dispositif montré sur la . La illustre encore une autre variante du dispositif montré sur la . La illustre une première séquence d’étapes d’un autre mode de réalisation du procédé selon l’invention pour fabriquer un dispositif de type micro-afficheur OLED selon l’invention, présentant trois groupes de pixels. La illustre une deuxième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une troisième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une quatrième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une cinquième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une sixième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . La illustre une septième séquence d’étapes de procédé qui fait suite à celles de la . Les signes de références suivants sont utilisés sur les figures et dans la description : 10 Substrat (typiquement de type CMOS) 11 Isolant (nitrure et/ou oxyde de silicium) 12 Electrode inférieure 13 Première couche (inférieure) de nitrure de titane (TiN) 14 Couche d’aluminium 15 Deuxième couche (supérieure) de nitrure de titane (TiN) 16,18,20 Première, deuxième, troisième couche de TCO 17,19,21 Première, deuxième, troisième couche de photorésist 22 Photorésist gap fill 23 Empilement OLED 24 Electrode commune semi-transparente 25,26,27 Pixel 150,350,450,550,750 Substrat (typiquement de type CMOS), incluant des circuits de commande des ou pixels, dans le cas d’un dispositif OLED, ou de lecture dans le cas d’un dispositif capteur 151,351,451,551,751 Isolant (typiquement nitrure et/ou oxyde de silicium) 152,352,452,552,752 Electrode inférieure 153 Couche métallique de 152 154 Deuxième couche (supérieure) de nitrure de titane 152 155 Première couche (inférieure) de nitrure de titane 152 156,456 Première couche de TCO (TCO dit « doux ») 157,257 Couches de TCO 156,160 formant espaceur optique 158 Résine photosensible (photerésist) 160,360,460,560 Deuxième couche de TCO (TCO dit « dur ») 162,362,3620,762,7620 Résine photosensible (photorésist) 164,364,764 Elément de remplissage entre pixels (« gap-fill ») 166,266,366,466 Electrode supérieure 167,367,467,567,767 Pixel 168,1680 Groupe de pixels 170,1700,270,370,470 Empilement OLED 171,175,179 Premier, deuxième et troisième ensemble de 170 1751,1752,572 Couches émettrices d’un empilement OLED 2701,2702 1 er et 2 ème ensemble d’un empilement OLED tandem 271,276 ; 571 Premier ensemble de couches de 270 et de 570 272,278 ; 575 Deuxième ensemble de couches de 270 et de 570 273,279 ; 579 Troisième ensemble de couches de 270 et de 570 27,574 Couche de génération de charges 3561,3562;4561,4562;5561,5562 ;7561,7562 Première couche de TCO (doux) 3601,3602;4601,4602;5601,5602 ;7601,7602 Deuxième couche de TCO (dur) 570 Empilement OLED tandem 5701,5702 1 er et 2 ème empilement de couches d’un empilement OLED tandem 570 5710,5711,5712 Couches émettrices d’un empilement OLED 5781,5782 1 ère et 2 ème couche émissive d’un empilement OLED 680 Couche de TCO (dur) 690 Couche de lissage 695 Filtre de couleur Description détaillée Tentatives infructueuses de résoudre le problème posé Les inventeurs se sont rendus compte que les solutions basées sur l’utilisation de couches diélectriques structurées comme espaceurs optiques nécessitent des procédés complexes, tels que la réalisation des vias conductrices (en électronique, dans un circuit intégré, un via est un trou métallisé au travers d’une couche isolante qui permet d'établir une liaison électrique entre deux niveaux de métal) ou le recours à des procédés de type transfert thermique. Pour la même raison, les inventeurs ont écarté l’utilisation des éléments de type multicouche diélectrique. Les inventeurs ont essayé de prendre comme point de départ les solutions basées sur l’utilisation des couches transparentes conducteurs (TCO, par exemple ITO, ZnO, SnO 2 ) comme espaceur optique, comme décrits notamment dans le document EP 1 450 419 cité ci-dessus. Cependant, la réalisation pratique de la structure décrite dans ce document s’est avérée difficile, pour plusieurs raisons : Premièrement, pour pouvoir garantir des couleurs primaires stables au travers du substrat (qui est typiquement une tranche de silicium d’un diamètre de 200 mm ou de 300 mm, avec des circuits préparés par la technologie CMOS qui sont configurés pour adresser les pixels), il faut une très bonne homogénéité de l’épaisseur des cavités optiques, de l’ordre de 1 % à 2%, qui est difficilement atteignable avec des méthodes des dépôt tel que décrites l’état de la technique, comme la pulvérisation cathodique ou le dépôt chimique à partir de vapeurs (CVD, i.e. Chemical Vapor Deposition, ou PECVD, i.e. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Par contre, l’utilisation de la technique ALD (Atomic Layer Deposition) permet d’obtenir une telle homogénéité de l’épaisseur. Cependant, elle ne peut être appliquée qu’à un nombre limité de matériaux TCO, tels que le ZnO, le AZO (qui est une variante plus conductrice du ZnO), ainsi que le SnO 2 . Deuxièmement, la réalisation de trois couches de TCO structurées pour former des groupes de pixels avec trois épaisseurs optiques différentes s’avère assez difficile. Comme indiqué ci-dessus, EP 1 672 962 comporte la description détaillée d’un procédé basé sur trois étapes de dépôt et de photolithographie de résine, une gravure et un stripping de ces trois couches de résine. Avec quelques ajouts et modifications, on peut traduire cela dans un schéma de procédé représenté sur la par les images 1(a) à 1(f). Le point de départ est un substrat de type CMOS (par exemple sur une tranche de silicium), avec en dernier niveau le métal pour former les pixels, ici de l’aluminium revêtu d’une fine couche de TiN comme protection contre l’oxydation. Dans une première séquence d’étapes illustrée sur la , on a pris comme point de départ (état (a)) un substrat de type CMOS 10 revêtu d’une couche de Si3N4 ou de SiO2 11 (environ 200 nm) et d’une couche de base d’électrode 12 réfléchissante ; ladite électrode de base comportait une couche d’aluminium (environ 200 nm) prise en sandwich entre une première couche de TiN 13 (environ 50 nm), inférieure, et une deuxième couche de TiN 15 (environ 7 nm), supérieure. Sur la deuxième couche de TiN 15 on a déposé successivement trois couches de TCO 16 , 18 , 20 (AZO ou ZnO) par ALD (états(b),(d), (f)), avec intercalage du dépôt et de la lithographie (états (c),(e)) de trois couches 17 , 19 , 21 de résines photosensibles (plus couramment appelée « photorésist ») , afin de réaliser les trois groupes de pixels (R, G et B). La montre le résultat après la troisième étape de photolithographie. On note que la ne montre, dans un souci de simplification, que deux pixels appartenant chacun à un groupe différent, alors que les figures 3 à 6 montrent effectivement les trois groupes de pixels. Dans une deuxième séquence d’étapes illustrée sur les figures 3 et 4, on a procédé à la gravure sèche de toutes les couches incluant l’électrode réfléchissante 12 , en utilisant les trois couches de résine photosensible (photorésist) 17 , 19 , 21 comme masque afin de graver les couches TCO 16 , 18 , 20 selon la nature du pixel et afin de séparer les pixels ; cela est illustré sur la . On a ensuite décapé le photorésist par un procédé connu sous la désignation « stripping humide » ( ). Dans une troisième séquence d’étapes illustré sur la , on a déposé et délimité par lithographie une résine photosensible 22 pour remplir l’espace entre les pixels et pour planariser la surface. Dans une quatrième séquence d’étapes illustrées sur la on a déposé un empilement OLED 23 à émission blanche avec une électrode commune 24 semi-transparente en haut. Les épaisseurs et les positions des émetteurs étaient optimisés afin de réaliser des cavités optiques pour d’extraire des primaires R, G, B avec une efficacité optimum. On obtient ainsi trois groupes de pixels 25,26,27 R,G,B, adressables individuellement par l’intermédiaire des circuits qui font partie du substrat CMOS ; ces circuits ainsi que la manière d’établir le contact entre eux et l’électrode inférieure des pixels 12 sont connus, ne font pas partie de l’invention et ne seront pas précisés ici. On a trouvé trouve que ce procédé n’est pas utilisable en production industrielle, pour trois raisons. Tout d’abord, le contrôle de l’épaisseur final des couches TCO n’est pas satisfaisant. Bien que le dépôt par ALD permette de contrôler l’épaisseur des couches TCO avec une précision de 1% - 2%, et conduise à une très bonne uniformité sur la superficie du substrat, cette épaisseur est réduite pendant le procédé de structuration. C’est en particulier l’étape de décapage (stripping) du photorésist (i.e. l’étape qui conduit à la structure montrée sur la ) qui attaque la couche TCO d’une façon difficilement contrôlable. En fait, le procédé de gravure sèche (RIE ou IBE) durcit le photorésist, qui nécessite alors un décapage humide assez puissant afin de pouvoir enlever la résine ; ce décapage humide attaque aussi le TCO. Ensuite, on observe que le bord du pixel est dégradé. En effet, pendant l’étape qui mène de l’état (c) à l’état (d) de la , et pendant l’étape qui mène de l’état e) de la à l’état f, le dépôt du TCO se fait en partie sur les flancs verticaux des plots de photorésist 17 et 19,. Comme le dépôt par ALD est parfaitement conforme, cela conduit à une formation de parois verticales en TCO qui résistent en partie au stripping du photorésist. Cela est visible sur la qui représente une micrographie électronique à balayage : on voit clairement des boites rectangulaires avec des parois verticales de TCO, alors que l’intérieur des boîtes est vide ; chacune de ces boites représente un pixel. Pour enlever ces parois verticales, une gravure humide supplémentaire est nécessaire, qui dégrade l’uniformité du TCO au bord du pixel. Cela nuit aux caractéristiques optiques des pixels, et plus généralement à la fiabilité du dispositif optoélectronique. Et enfin, on observe que la caractéristique du pixel OLED est dégradée. Par rapport à une utilisation du métal de pixel d’origine (Al/TiN), on trouve que la tension d’opération de l’OLED (déposé sur la structure avec des couches TCO structurés) est augmentée de 1 V à 2 V, ce qui dû à une mauvaise injection des porteurs (trous) de la couche TCO dans l’OLED. Afin d’améliorer le contrôle d’épaisseur, on a utilisé un autre type de TCO, en occurrence le SnO 2 qui s’est révélé être significativement plus résistant au décapage humide que les TCO de type ZnO ou AZO. Un autre avantage du SnO 2 est qu’il ne dégrade pas les caractéristiques des empilements OLED. En revanche, les inventeurs n’ont pas été en mesure de trouver une méthode de gravure humide permettant d’enlever complètement les parois verticales crées pendant le procédé de dépôt ALD. Par conséquent, cette approche nouvelle ne permet pas de résoudre le problème posé : cette combinaison des enseignements des documents EP 1 450 419 et EP 1 672 962 conduit dans impasse. Description de certains modes de réalisation de l’invention On retient de l’expérience décrit ci-dessus que pour développer un procédé qui permet un bon contrôle de l’épaisseur finale et une bonne homogénéité du pixel sans dégradation du bord il faut modifier la structure du dispositif. On retient par ailleurs qu’il faut éviter des dépôts de TCO par ALD sur du photorésist, car cela engendre la formation des parois verticaux au bord du pixel, et qu’il faut éviter de durcir le photorésist par une gravure sèche, ce qui le rend très résistant au décapage. Selon une caractéristique essentielle de la présente invention, on utilise comme espaceur optique un empilement d’au moins deux couches de TCO différents, qui se distinguent par leur résistance à la gravure, notamment à la gravure humide : le TCO dit « dur » est plus résistant à la gravure que le TCO dit « doux ». Les TCO doux, parmi lesquels se trouvent notamment le ZnO et l’AZO, se gravent très bien en gravure humide avec ensuite un décapage sec (stripping sec) du photorésist, par exemple au plasma O 2 , et cela n’impacte pas leur épaisseur. Par contre, il faut les protéger pendant l’étape de gravure sèche pour séparer les pixels, et pendant le décapage (stripping) humide du photorésist. On note que leur utilisation comme anode pour l’OLED entraine aussi une augmentation de la tension d’opération. Les TCO durs, parmi lesquels se trouve notamment le SnO 2 , sont très résistants notamment à la gravure humide, et on peut les graver uniquement par gravure sèche. En plus, ils fonctionnent bien comme anode pour l’empilement OLED, avec une parfaite conservation de la tension d’opération comparé à une anode en Al/TiN. Selon cette caractéristique essentielle de l’invention on utilise comme espaceur optique principalement une couche de TCO doux, mais on protège cette couche par une fine couche de TCO dur qui assure aussi l’interface vers l’empilement de couches organiques du dispositif (couches OLED ou couches photosensibles). Le concept de TCO « doux » et « dur » se réfère ici à un traitement de décapage humide (appelé aussi traitement de « gravure » humide) de référence, habituellement utilisé en microélectronique, à savoir un décapage avec une solution aqueuse d’hydroxyde de tétraméthylammonium (n° CAS : 75-59-2) à 2,38 % massiques ; un tel produit est commercialement disponible, par exemple auprès de la société ThermoFischer Scientific™ (grade électronique, n° de catalogue 44940. Cette gravure humide est typiquement effectuée à température ambiante. Selon ce concept de TCO « doux » et « dur », un TCO « dur » est un TCO qui résiste significativement mieux à un tel traitement de gravure humide qu’un TCO « doux », cette résistance pouvant être exprimée par la vitesse de gravure spécifique dans des conditions identiques. Dans le cadre de la présente invention, quelle que soit la nature chimique de ces couches de TCO, il faut les sélectionner l’une par rapport à l’autre de manière à ce que cette différence en résistance audit traitement de gravure humide de référence soit respectée. Bien évidemment, l’invention n’est pas limitée à des TCO qui sont « durs » et « doux » par rapport à ce traitement de référence indiqué ci-dessus. Dans le procédé selon l’invention on peut utiliser d’autres produits et procédés de gravure, qui doivent cependant être sélectionnes de manière à ce que les TCO qui sont, l’un par rapport à l’autre, respectivement, « doux » et « dur » dans les conditions du traitement de référence, soient aussi, l’un par rapport à l’autre, respectivement, « doux « et « dur » dans les conditions du traitement de gravure choisi. Au sein du même dispositif optoélectronique selon l’invention, il n’est pas nécessaire que toutes les couches de TCO « dur » aient la même composition, chimique, et que toutes les couches de TCO « doux » aient la même composition, pourvue que dans les conditions de gravure humide sélectionnées dans le procédé selon l’invention qui sont utilisées par une étape donnée, les couches de TCO concernées se comportent comme une couche de TCO dur et comme une couche de TCO doux. On sait que la résistance d’un TCO peut dépendre de la technique de dépôt. Dans le cadre de la présente invention, une technique de dépôt avantageuse, est la technique de dépôt de couches atomiques (ALD, Atomic Layer Deposition). De manière préférée, dans le cadre de la présente invention le TCO dur, le TCO doux et le traitement de gravure sont choisies de manière à ce que la vitesse de gravure du TCO dur soit inférieure au dixième de la vitesse de gravure du TCO doux, de manière plus préférée inférieure au centième, et de manière encore plus préférée inférieure au millième. Pour le TCO doux la vitesse de gravure (exprimée typiquement en nm/min) doit être adaptée au procédé de gravure humide utilisé. Si la vitesse de gravure est trop élevée, le temps entre la fin de la gravure et le rinçage risque d’induire une surgravure difficile à contrôler ; la vitesse de gravure dépend de la nature chimique du TCO, de son procédé de dépôt et de la nature du traitement de gravure (notamment de l’agent de gravure, de sa concentration et de la température). Typiquement, les TCO « doux » utilisables pour réaliser la présente invention sont des TCO à base de ZnO, ce ZnO pouvant être dopé, par exemple au gallium (oxyde appelé GZO), à l’aluminium (AZO), au bore, et/ou au béryllium. Un autre système de TCO « doux » typique est le TCO à base d’oxyde d’indium, qui peut être dopé, notamment à l’étain ; un tel oxyde connu sous le sigle ITO (Indium Tin Oxyde) est largement utilisé en microélectronique et optoélectronique. Typiquement, les TCO « durs » utilisables pour réaliser la présente invention sont des TCO à base de SnO 2 , ce SnO 2 pouvant être dopé, par exemple à l’arsenic, au fluore, à l’azote, au niobium, au phosphore, à l’antimoine. Nous décrivons ici un premier mode de réalisation avec deux groupes de pixels de couleur différente, désignés ici par R et G. En référence à la , on approvisionne un substrat 150, en l’occurrence une tranche de silicium avec des circuits structurées selon la technologie CMOS qui sont configurés pour adresser les pixels (ou lire la tension ou le courant des pixels dans le cas d’un capteur) ; cette technologie est connue en tant que telle et ne sera pas expliquée ici. Ce substrat 150 comporte une couche d’isolant 151 qui peut notamment être un oxyde, un nitrure ou un oxynitrure ; on utilise typiquement du Si3N4. Les contacts électriques entre vers les pixels sont pris par l’intermédiaire de canaux verticaux aménagés à travers cette couche d’isolant par gravure; cela est également connu. Sur cette couche d’isolant 151 est déposée l’électrode réfléchissante inférieure 152. Cette électrode inférieure 152 peut comporter une ou plusieurs couches. Elle peut par exemple être en argent, aluminium, cuivre, chrome ou un autre métal à haute réflectivité, et dans ce cas une seule couche peut être suffisante. Elle peut aussi comporter plusieurs couches, comme cela a été décrit ci-dessus et comme cela est illustré sur la . A ce titre, elle peut comporter par exemple une couche métallique 153 (typiquement de l’aluminium) pris en sandwich entre une première couche 155 (inférieure) et une deuxième couche 154 (supérieure). Cette première 155 et deuxième 154 couches sont conductrices, et au moins ladite deuxième couche est aussi transparente 154 si elle n’est pas en matériau métallique ; elles peuvent être en nitrure de titane, avec une épaisseur typiquement d’environ 50 nm pour la couche inférieure 155 et d’environ 7 nm pour la couche supérieure 154. On aboutit donc ainsi pour l’électrode inférieure 152 à une structure TiN / métal / TiN (par exemple TiN/Al/TiN). Alternativement, la deuxième couche (supérieure) 154 peut être en argent ; cette variante est préférée par rapport au nitrure de titane car l’argent présente une très bonne réflectivité optique, et l’interface avec le TCO qui sera déposé sur ladite couche supérieure 154 dans la séquence d’étapes qui suit sera de bonne qualité. Ladite couche d’argent peut aussi être déposée au-dessus de ladite deuxième couche (supérieure) 154 en nitrure, ce qui donne une structure TiN / métal / TiN / argent, par exemple TiN/Al/TiN/Ag, énuméré d’en bas vers le haut. Dans une première séquence d’étapes du procédé selon l’invention illustrée de manière schématique sur la , on dépose sur cette électrode réfléchissante inférieure 152 une première couche 156 de TCO. Cette couche de TCO doit être facile à graver par gravure humide, elle est ainsi appelée ici une couche de TCO « doux », par opposition à une couche de TCO résistante à une gravure humide, qui est appelée ici une couche de TCO « dur ». D’une manière générale, dans le cadre de la présente invention, on peut intercaler entre la surface supérieure de l’électrode réfléchissante inférieure 152 et ladite première couche de TCO 156 (en TCO « doux ») une fine couche de TCO « dur » (non montrée sur les figures) qui protège l’électrode inférieure 152. A titre de TCO doux on peut utiliser par exemple une couche d’AZO, de ZnO ou de ITO, et à titre de TCO « dur » une couche de SnO2. Comme cela est illustré sur la , dans une deuxième séquence d’étapes on crée sur cette couche 156 de TCO doux un dépôt structuré 158 de résine photosensible, par des procédés photolithographiques connus de l’homme du métier. L’espacement d1 entre deux zones voisines 158a,158b de photorésist correspond à l’espacement entre deux pixels voisins. Sur cette , comme pour les figures qui suivent, afin de ne pas surcharger ces figures, l’électrode inférieure 152 n’est plus représentée avec ses trois couches qui sont la première couche (inférieure) de nitrure 155, la couche métallique 153 et la deuxième couche (supérieure) de nitrure 154, mais comme une seule couche avec le repère numérique 152. Dans une troisième séquence d’étapes on procède à la gravure humide de la couche 156 de TCO doux. Dans le cas mentionné ci-dessus où on a intercalé entre la surface supérieure de l’électrode inférieure et la première couche de TCO doux une couche de TCO dur, cette dernière n’est pas enlevée par ledit traitement de gravure humide. Ensuite on enlève, par un procédé à sec, qui est typiquement un plasma d’oxygène, le photorésist 158 ; il en résulte la structure montrée schématiquement sur la . Dans une quatrième étape on dépose une deuxième couche 160 de TCO. Cette couche doit être significativement plus résistante à la gravure humide que la couche de TCO doux 156 ; pour cette raison cette couche est appelée une couche de TCO « dur ». Comme indiqué ci-dessus, on peut utiliser par exemple une couche de SnO 2 . La structure qui en résulte est illustrée schématiquement sur la . Cette couche doit être très fine, elle présente avantageusement une épaisseur comprise entre 3 nm et 12 nm. Dans une cinquième séquence d’étapes on crée sur cette couche 160 de TCO dur un dépôt 162 structuré de photorésist, de manière à ce que l’espacement d2 entre deux zone voisines 162a, 162b de photorésist corresponde à l’espacement entre deux pixels R,G voisins. Cela est illustré schématiquement sur la . On note que ce dépôt structuré de photorésist comprend un dépôt 162a qui est déposé au-dessus de la couche structurée 156 de TCO doux, et un autre dépôt 162b photorésist qui est déposé entre deux zones voisines 156a, 156b de TCO doux. Dans une sixième séquence d’étapes on procède à la gravure sèche de l’ensemble des couches 160 de TCO dur, d’éventuels résidus de la couche TCO douce 156 et de l’électrode réfléchissante 152 pour séparer les pixels, suivi d’un décapage humide du photorésist 162 . Ladite gravure sèche est avantageusement effectuée par RIE (Reactive-Ion Etching, gravure réactive ionique) ou IBE (Ion Beam Etching, gravure au faisceau d’ions). On obtient ainsi une structure illustrée schématiquement sur la . Dans une septième séquence d’étapes on dépose un élément de remplissage 164 dans l’espace entre deux pixels voisins, par exemple par des techniques photolithographiques. Cela est illustré schématiquement sur la . Dans une huitième séquence d’étapes on dépose sur cette surface structurée l’empilement OLED 170 , commun à tous les pixels, et une électrode supérieure semi-réfléchissante 166 (appelée aussi « top electrode ») qui est également commune à tous les pixels. Cela est illustré schématiquement sur la figure 15, qui montre schématiquement deux groupes de pixels 168a , 168b , formé chacun de deux types de pixels 167a , 167b de couleur différente. Ladite électrode supérieure 166 doit être semi-réfléchissante et semi-transparente ; elle forme l’un des deux réflecteurs de la cavité optique. Dans le cas d’un micro-afficheur OLED à émission par le haut (« top emission »), c’est à travers elle que la lumière générée par l’empilement OLED quitte le dispositif optoélectronique; comme cela sera expliqué en plus grand détail ci-dessous, si le dispositif optoélectronique selon l’invention est un détecteur, c’est à travers elle que la lumière entre dans le dispositif pour être détecté par l’empilement organique qui se trouve alors à la place de l’empilement OLED. On obtient ainsi un dispositif optoélectronique avec deux groupes de pixels 167a , 167b , chaque groupe de pixels présentant une cavité optique d’épaisseur optique différente, désignés d R et d G , respectivement. Les cavités optiques sont formées entre l’électrode inférieure 152 du pixel, qui est réfléchissante, et l’électrode semi-transparente et semi-réfléchissante 166 en haut. L’empilement organique peut être selon la destination du dispositif optoélectronique un empilement émissif de type OLED ou un empilement de type photodiode organique. En l’occurrence, l’un des pixels 167a est formé sur une couche TCO qui est formée à partir de deux couches 156 , 160 de matériaux TCO différents, l’un 156 doux, l’autre 160 dur, alors que l’autre des pixels 167b sont formés sur une couche TCO qui n’est formée qu’à partir d’une seule couche 160 de TCO, qui est une couche dure. On note que même si la couche de TCO peut être composée de deux couches 156,160 chimiquement différentes, elle agit dans ce dispositif optoélectronique comme un espaceur optique unique, et dans cette fonction elle ici est désignée par le numéro de référence 157 (visible sur la ) ; le fait qu’elle soit composée de deux couches chimiquement différentes 156,160 et de dureté différente est motivé uniquement par des considérations pratiques en relation avec la production industrielle de dispositifs optoélectroniques à haut rendement optique et fiables. L’indice de réfraction des deux couches de TCO 156,160 est avantageusement proche pour limiter la perte de lumière par réflexions multiples. Ce dispositif peut être utilisé pour réaliser un écran d’affichage avec deux couleurs primaires, par exemple rouge (R) et vert (G). Il peut également être utilisé pour réaliser un détecteur de lumière répondant dans deux zones spectrales différentes ; dans ce cas tous les chemins optiques sont inversés et l’empilement OLED 170 émetteur de lumière sera remplacé par un empilement de couches détecteur de lumière. On montre sur la de manière plus précise et agrandie les couches de l’empilement OLED 170 pour les deux groupes de pixels, 167a (R) et 167b (G). Cet empilement OLED comporte une deuxième électrode (top-électrode) 166 et une ou plusieurs couches d‘encapsulation (non montrées sur les figures) afin de protéger le dispositif. Ladite électrode supérieure 166 doit être semi-transparente car c’est à travers elle que la lumière émise par ledit dispositif optoélectronique quitte le dispositif s’il s’agit d’un émetteur de lumière, et c’est à travers elle que la lumière qui doit être détectée par ledit dispositif entre dans le dispositif s’il s’agit d’un détecteur de lumière. La fait également apparaître une représentation plus fine de l’empilement OLED, qui est représenté ici avec trois ensembles de couches : un premier ensemble 171 comporte successivement, énuméré d’en bas vers le haut, une couche d’injection de trous (abrégée HIL, Hole Injection Layer), une couche de transport de trous (appelée HTL, Hole Transport Layer), et une couche de blocage d’électrons (abrégée EBL, Electron Blocking Layer). Un deuxième ensemble 175 de couches comporte la ou les couches émissives (abrégée EML, Emissive Layer). Un troisième ensemble 179 de couches comporte successivement und couche de blocage de trous (abrégée HBL, Hole Blocking Layer), une couche de transport d’électrons (abrégée ETL, Electron Transport Layer) et une couche d’injection d’électrons (abrégée EIL, Electron Injection Layer). Les épaisseurs optiques d R et d G , ainsi que la position optique d’intensité maximum de la couche émettrice 175 , z y sont choisies de façon à former pour les pixels du groupe G 167b une cavité qui permet d’extraire un maximum de lumière verte en direction de la normale, et pour les pixels du groupe R 167a un maximum de lumière rouge. Pour cela on peut réaliser un empilement OLED 170 émettant par exemple un spectre avec un pic dans la zone jaune (yellow, abrégé ici Y) du spectre visible. Au lieu d’utiliser un empilement OLED 170 avec un pic d’émission dans la zone jaune du spectre visible, on peut aussi utiliser un empilement OLED 1700 à deux couches émettrices 1751,1752 différentes, en occurrence R et G ; un tel dispositif est illustré sur la . Dans ce cas, les épaisseurs dR et dG, ainsi que la position d’intensité maximum des couches émettrices 1751,1752, désignée respectivement zR et zG , sont à optimiser afin d’obtenir une émission maximum à la normale pour les deux groupes de pixels 1670a,1670b. Il est également possible d’utiliser un empilement OLED du type tandem, soit avec deux cellules Y (illustré de manière schématique sur la ), soit avec une cellule R et une cellule G (illustré de manière schématique sur la ). Dans le dernier cas, l’ordre des cellules G et R peut être aussi inversé (non montré sur les figures). Dans ces cas, les épaisseurs dR et dG, ainsi que la position d’intensité maximum des couches émettrices, zY1 et zY2 ou zR et zG sont à optimiser afin d’obtenir une émission maximum à la normale pour les deux groupes de pixel. La structure des empilements de type tandem est illustrée sur les figures 18 et 19 ; sur ces deux figures les numéros de références qui désignent la même chose que sur les figures 8 à 17 ont été augmentés de 100. Les empilements OLED 270 de type tandem comprennent deux ensembles d’empilements 2701,2702, séparés par une couche 274 de génération de charges (abrégé CGL, Charge Generation Layer). Chacun des deux ensembles d’empilement 2701,2702 comporte les trois ensembles de couches présentés en relation avec la , à savoir (d’en bas vers le haut) : un premier ensemble 271,276 de couches EBL, HTL et HIL, un deuxième ensemble 272,278 comportant la couche émissive EML, et un troisième ensemble 273,279 comprenant les couches EIL, HBL, ETL. On définit les épaisseurs optiques d I , I=R, G comme la somme des épaisseurs e multipliés avec l’index optique n de toutes les couches qui se trouvent entre la surface supérieure de l’électrode 152 et la surface inférieure de l’electrode166. Par exemple par rapport à la on obtient : d R = n 156 * e 156 + n 160 * e 160 + n 171 * e 171 + n 175 * e 175 + n 179 * e 179 d G = n 160 * e 160 + n 171 * e 171 + n 175 * e 175 + n 179 * e 179 . Dans ces équations l’indice de chaque paramètre se réfère au repère numérique utilisé sur la . De la même façon, on définit la position optique de l’émission zJ, J=Y, R, G comme la somme des épaisseurs e multipliés avec l’index optique n de toutes les couches qui se trouvent entre la position de l’intensité maximum d’émission de la couche émettrice correspondante et la surface inférieure de l’électrode 166. Par exemple par rapport à la on obtient, sous l’hypothèse que l’intensité maximum d’émission de la couche émettrice 175 se trouve au milieu de la couche : z Y = 0.5*n 175 * e 175 + n 179 * e 179 Dans cette équation l’indice de chaque paramètre se réfère au repère numérique utilisé sur la . A titre d’exemple, si l’on fixe dans la géométrie de la les épaisseurs optiques dG à 102 nm, dR à 130 nm et l’épaisseur e160 de la couche de TCO dur 160 à 4 nm, la couche 156 de TCO doux doit avoir une épaisseur optique de 28 nm ce qui corresponde à une épaisseur physique de 15,5 nm si son index optique est de 1,8, sachant que l‘empilement organique 170 et la couche de TCO dur 160 sont communs à tous les pixels (et ont dont la même épaisseur pour le pixel 167a et le pixel 167b). En relation avec les figures 20 à 27, nous décrivons maintenant un deuxième mode de réalisation avec trois groupes de pixels 367a , 367b, 367c de couleur différente, désignés ici par R, G et B. Les numéros de référence qui désignent la même chose que sur les figures 8 à 17 ont été augmentés de 200. La première partie du procédé est analogue à ce qui a été décrit précédemment pour le dispositif à deux couleurs, jusqu’à la quatrième séquence d’étapes incluse, avec un jeu de masques de photolithographie adapté à une géométrie à trois groupes de pixels différents. On obtient ainsi après la quatrième séquence d’étapes un produit intermédiaire représenté schématiquement sur la . Aux emplacements 367a, 367b des groupes de-pixels R et G il présente une couche structurée de TCO, comprenant une première couche 3561 de TCO doux et une première couche 3601 de TCO dur. A l’emplacement 367c du groupe du pixel B on n’a pas de couche TCO doux. On dépose ensuite une deuxième couche 3562 de TCO doux sur l’ensemble de la structure, comme cela est illustré sur la . Dans la prochaine étape on dépose à l’emplacement 367a du groupe de pixels R une couche de photorésist 332a, par des techniques photolithographiques connues. Cela est illustré sur la . Ensuite on effectue une gravure humide pour enlever de manière sélective ladite deuxième couche de TCO doux 3562 aux endroits accessibles, i.e. non protégées par le photorésist 332a. La couche de TCO dur 3601 protège la première couche de TCO doux 3561 de l’emplacement 367b du groupe de pixels G. Ensuite on enlève le photorésist 332a par un procédé de gravure sèche, typiquement au plasma d’oxygène. Ensuite on dépose une deuxième couche 3602 de TCO dur sur l’ensemble de la structure, pour aboutir à la structure illustrée sur la . Sur cette deuxième couche 3602 on dépose, à l’aide de techniques photolithographiques connues, une couche structurée 3620 de photorésist, comme indiqué sur la . Cette couche de photorésist 3620a, 3620b, 3620c protège chaque groupe de pixels 367a, 367b, 367c pendant la gravure sèche pour séparer les pixels. Cette gravure sèche a pour objet d’enlever l’ensemble des couches de TCO dur 3601 et 3602, d’éventuels résidus de TCO doux ainsi que la ou les couches de l’électrode réfléchissante 352 aux endroits non protégés par le photorésist, c’est-à-dire à l’espace entre les pixels. Ladite gravure sèche peut être une gravure au faisceau d’ions, comme mentionnée ci-dessus. On enlève ensuite la couche de photorésist 3620 par un procédé de décapage humide et obtient ainsi la structure illustrée sur la . On dépose ensuite un élément de remplissage 364, par exemple en résine photosensible, dans l’espace entre deux pixels voisins, comme décrit ci-dessus ; le résultat est illustré sur la . Sur cette structure on dépose d’abord l’empilement OLED 370, puis l’électrode commune 366, qui doit être semi-transparente. On obtient ainsi trois groupes de pixels 367a,367b,367c avec des espaceurs optiques d’épaisseur optique différente pour chacun des trois groupes de pixels . Ce dispositif est illustré sur la . Ce dispositif peut être utilisé pour réaliser un écran d’affichage avec trois couleurs primaires, par exemple rouge (R), vert (G) et bleu (B), afin réaliser un écran couleur du type connu sous l’appellation « full color ». Pour cela, plusieurs modes de réalisation sont possibles. On peut par exemple réaliser un empilement OLED 470 comprenant une ensemble 575 de trois couches émissives différentes 5712,5710,5711 émettant un spectre blanc avec trois pics dans le domaine bleu, vert et rouge du spectre, qui est protégé par une deuxième électrode (top-électrode) semi-transparente 466, et par une ou plusieurs couches d‘encapsulation (non montrées sur les figures) afin de protéger le dispositif. Un tel dispositif est montré de manière schématique sur la . Dans cet exemple, les trois couches émettrices 5712,5710,5711 formant l’ensemble 575 de couche organiques se succèdent directement, la première 5712 et la troisième 5711 (compté du bas) étant en contact avec, respectivement, un premier ensemble 571 et un troisième 579 ensemble de couches organiques, qui ont les mêmes fonctions que les ensembles 171 et 179 expliqués ci-dessus en relation avec la . Le résultat est donc un dispositif avec trois groupes des pixels 467a , 467b , 467c , chaque groupe de pixel étant caractérisé par une cavité optique d’épaisseur optique différente, désignée d R, d G et d B respectivement. Les cavités sont formées entre l’électrode 452 du pixel qui est réfléchissante, et l’électrode semi-transparente et semi réfléchissante 466 en haut. Les épaisseurs d R, d G et d B ainsi que la position d’intensité maximum de la couche émettrice, z w sont choisi de façon à former pour le groupe de pixels B 467c une cavité qui permet d’extraire, à partir de la lumière générée par l’empilement OLED, qui peut être une lumière blanche, un maximum de lumière bleue en direction de la normale, pour le groupe de pixels G 467b un maximum de lumière verte, et pour le groupe de pixels R 467a et un maximum de lumière rouge. On note que sur cette figure, le paramètre z W se réfère à une émission blanche qui résulte de l’émission émanant des couches émissives de lumière de couleur bleue 5712 , verte 5710 et rouge 5711 . Pour chacune de ces trois couches, on peut définir la position d’intensité maximum de la couche émettrice, désignée ci-dessous par les paramètres z B , z G et z R , respectivement ; ces paramètres ne sont pas portés sur la afin de ne pas la surcharger. On peut également générer l’émission blanche avec une combinaison d’un émetteur bleu et d’un émetteur jaune (non montré sur les figures). Il est également possible d’utiliser une structure OLED de type tandem, soit avec une cellule émettrice de lumière bleue B et une cellule émettrice de lumière jaune Y, soit avec une cellule émettrice de lumière B et une cellule émettrice de lumière rouge et verte RG. La première variante est illustrée sur la , la deuxième sur la . Dans la cellule tandem de la , l’empilement OLED 570 comprend deux empilements OLED 5701,5702 séparés par une couche de génération de charges 574. Le premier empilement 5701 (compté à partie du substrat) présente la succession de couches 571 HIL,HTL et EBL qui a été décrite ci-dessus, puis une couche émissive 572 (en l’occurrence avec la couleur d’émission bleu), puis la succession de couches 573 EIL, ETL, HBL qui a déjà été décrite ci-dessus. Le deuxième empilement 5702 présente la même structure fonctionnelle, avec les couches la succession de couches 576 HIL, HTL, EBL, une couche émissive 578 de couleur d’émission (jaune) différente de celle de l’empilement 5701 , et la succession de couches 579 EIL, ETL, HBL. La couche semi-réfléchissante et conductrice 566 , commune à tous les pixels, forme à la fois le réflecteur supérieur de la cavité optique et électrode supérieure commune du dispositif. La cellule de la présente une structure similaire, sauf que dans le deuxième empilement OLED 5702, la couche émissive 578 n’est pas caractérisée par une couleur d’émission jaune, mais elle est réalisée sous la forme de deux couches émissives 5781,5782 dont la première émet dans le rouge, la deuxième dans le vert. L’ordre des cellules B et Y ou B et RG peut être aussi inversé par rapport à ce qui est montré dans ces figures. Les épaisseurs d R, d G et d B , ainsi que la position d’intensité maximum des couches émettrices, z Y et z B ou z RG et z B peuvent être optimisées afin d’obtenir une émission maximum à la normale pour les trois groupes de pixels. Comme déjà expliqué avant, on définit les épaisseurs optiques d I , I=R, G, B comme la somme des épaisseurs e multipliés avec l’index optique n de toutes les couches qui se trouvent entre la surface supérieure de l’électrode 452 / 552 et la surface inférieure de l’électrode 466 / 566 . Par exemple par rapport à la on obtient : d R = n 5561 * e 5561 + n 5601 * e 5601 + n 5562 * e 5562 + n 5602 * e 5602 + n 570 * e 570 d G = n 5561 * e 5561 + n 5601 * e 5601 + n 5602 * e 5602 + n 570 * e 570 d G = n 5601 * e 5601 + n 5602 * e 5602 + n 570 * e 570 Dans ces équations l’indice de chaque paramètre se réfère au repère numérique utilisé sur la . De la même façon, on définit la position optique de l’émission zJ, J=Y,R,G,RG,W comme la somme des épaisseurs e multipliés avec l’index optique n de toutes les couches qui se trouvent entre la position de l’intensité maximum d’émission de la couche émettrice correspondante et la surface inférieure de l’électrode 466/566. Par exemple, par rapport à la on obtient, sous l’hypothèse que l’intensité maximum d’émission des couches émettrices 572/578 se trouve au milieu de la couche: Z RG = 0.5*n 578 * e 578 + n 579 * e 579 Z B = 0.5*n 572 * e 572 + n 573 * e 573 + n 574 * e 574 + n 576 * e 576 + n 578 * e 578 + n 579 * e 579 Dans ces équations l’indice de chaque paramètre se réfère au repère numérique utilisé sur la . Les tableaux 1 à 3 montrent le résultat d’une optimisation des principaux paramètres pour différentes configurations. Cette optimisation vise les meilleurs performances électro-optiques, notamment un compris entre émission, efficacité et spectre d’émission CIE, pour déterminer les paramètres clé du dispositif, à savoir les épaisseurs dR, dG et dB et la position d’intensité maximum des couches émettrices zW (lumière blanche pour la géométrie de la ), ou zB et zY (pour la géométrie de la ), ou zB , zG et zR (pour la géométrie de la ). Cette optimisation se base sur une valeur moyenne de l’indice optique des couches formant l’empilement organique de 1,7981 à la longueur d’onde de 500 nm, sachant que les indices optiques des différentes couches organiques sont très proches. Elle se base également sur un indique optique à 500 nm du TCO doux (AZO dans cet exemple) de 1,92448293 et du TCO dur (SnO2 dans cet exemple) de 2,027. Les références 8, 9, 14 et 15 se réfèrent à une émission de premier ordre pour le pixel jaune (Y) et à une émission de second ordre pour le pixel bleu (B). [Table 1] Géométrie de la (cellule simple RGB) Ainsi, selon un premier mode de réalisation particulier qui se prête notamment aux micro-afficheurs, le dispositif optoélectronique selon l’invention possède au moins trois groupes de pixels, qui sont, respectivement, des pixels R (rouge), G (vert) et B (bleu), les pixels de chaque groupe possédant une couche émettrice ou (une couche photosensible dans le cas où ledit dispositif est un photodétecteur), qui émet (ou détecte) dans le spectre rouge, vert ou bleu, respectivement, avec une épaisseur optique d B comprise entre environ 110 nm et environ 160 nm, une épaisseur optique d G comprise entre environ 160 nm et environ 220 nm, une épaisseur optique d R comprise entre environ 190 nm et environ 240 nm, un paramètre désignant la position optique d’intensité maximum de lumière blanche z W compris entre environ 50 nm et environ 130 nm (de préférence entre environ 60 nm et environ 115 nm), un paramètre désignant la position optique d’intensité maximum de lumière bleue z B compris entre environ 40 nm et environ 100 nm (de préférence entre environ 45 nm et environ 90 nm), un paramètre désignant la position optique d’intensité maximum de lumière verte z G compris entre environ 60 nm et environ 130 nm (de préférence entre environ 65 nm et environ 120 nm), et un paramètre désignant la position optique d’intensité maximum de lumière rouge z R compris entre environ 65 nm et environ 140 nm (de préférence entre environ 70 nm et environ 130 nm). Dans une variante avantageuse de ce mode de réalisation, l’épaisseur optique d B est comprise entre environ 120 nm et environ 155 nm, l’épaisseur optique d G est comprise entre environ 175 nm et environ 215 nm, l’épaisseur optique d R est comprise entre environ 195 nm et environ 230 nm, le paramètre z W est compris entre entre environ 60 nm et environ 115 nm (de préférence entre environ 75 nm et environ 100 nm), le paramètre z B est compris entre environ 45 nm et environ 90 nm (de préférence entre environ 55 nm et environ 80 nm), le paramètre z G est compris entre environ 65 nm et environ 120 nm (de préférence entre environ 70 nm et environ 110 nm) et le paramètre z R est compris entre environ 70 nm et environ 130 nm (de préférence entre environ 80 nm et environ 120 nm). Selon un deuxième mode de réalisation particulier qui se prête notamment aux micro-afficheurs, le dispositif optoélectronique selon l’invention possède au moins trois groupes de pixels, qui sont, respectivement, des pixels R (rouge), G (vert) et B (bleu), les pixels de chaque groupe ayant une structure de type tandem dans laquelle la cellule du bas possède une couche émettrice (ou une couche photosensible) qui émet (ou détecte) dans le spectre bleu, et la cellule du haut possède une couche émettrice (ou une couche photosensible) qui émet (ou détecte) dans le spectre jaune ou rouge et vert, avec une épaisseur optique d B comprise entre environ 110 nm et environ 160 nm (de préférence entre environ 120 nm et environ 155 nm), une épaisseur optique d G comprise entre environ 160 nm et environ 220 nm (de préférence entre environ 175 nm et environ 215 nm), une épaisseur optique d R comprise entre environ 190 nm et environ 240 nm (de préférence entre environ 195 nm et environ 230 nm), un paramètre désignant la position optique d’intensité maximum de lumière bleue z B compris entre environ 40 nm et environ 90 nm (de préférence entre environ 45 nm et environ 85 nm), et un paramètre désignant la position optique d’intensité maximum de lumière jaune (ou rouge et verte) z Y compris entre environ 60 nm et environ 140 nm (de préférence entre environ 65 nm et environ 130 nm). Dans une variante avantageuse de ce mode de réalisation, l’épaisseur optique d B est comprise entre environ 120 nm et environ 155 nm, l’épaisseur optique d G est comprise entre environ 175 nm et environ 215 nm, l’épaisseur optique d R est comprise entre environ 195 nm et environ 230 nm, le paramètre z B est compris entre environ entre environ 45 nm et environ 85 nm (de préférence entre environ 55 nm environ 80 nm), et le paramètre z Y est compris entre environ 65 nm et environ 130 nm (de préférence entre environ 80 nm et environ 115 nm). Selon un troisième mode de réalisation particulier qui se prête notamment aux micro-afficheurs, le dispositif optoélectronique selon l’invention possède au moins trois groupes de pixels, qui sont, respectivement, des pixels R (rouge), G (vert) et B (bleu), les pixels de chaque groupe ayant une structure de type tandem dans laquelle la cellule du bas possède une couche émettrice (ou une couche photosensible) qui émet (ou détecte) dans le specte bleu, et la cellule du haut possède une couche émettrice (ou une couche photosensible) qui émet (ou détecte) dans le spectre jaune ou rouge et vert, avec une épaisseur optique d B comprise entre environ 320 nm et environ 390 nm (de préférence entre environ 330 nm et environ 375 nm), une épaisseur optique d G comprise entre environ 425 nm et environ 500 nm (de préférence entre environ 450 nm et environ 490 nm), une épaisseur optique d R comprise entre environ 500 nm et environ 575 nm (de préférence entre environ 510 nm et environ 565 nm), un paramètre désignant la position optique d’intensité maximum de lumière bleue z B compris entre environ 45 nm et environ 100 nm (de préférence entre environ 50 nm et environ 95 nm), et un paramètre désignant la position optique d’intensité maximum de lumière jaune (ou rouge et vert) z Y compris entre environ 120 nm et environ 390 nm (de préférence entre environ 130 nm et environ 375 nm). Dans une variante avantageuse de ce mode de réalisation, l’épaisseur optique d B est comprise entre environ 335 nm et environ 375 nm), une épaisseur optique d G comprise entre 450 nm et environ 490 nm), une épaisseur optique d R comprise entre environ 510 nm et environ 565 nm), un paramètre z B compris entre environ 55 nm et environ 90 nm (de préférence entre environ 60 nm et environ 85 nm), et un paramètre z Y compris entre environ 130 nm et environ 375 nm (de préférence entre environ 135 nm et environ 370 nm). En relation avec les figures 33 à 39, nous décrivons maintenant un autre mode de réalisation avec trois groupes de pixels 767a , 767b, 767c de couleur différente, désignés ici par R, G et B. Les numéros de référence qui désignent la même chose que sur les figures 20 à 27 ont été augmentés de 400. Le point de départ est le produit intermédiaire représenté schématiquement sur la . Il peut être obtenu par une variante du procédé décrit en relation avec le produit intermédiaire montré sur la en utilisant un jeu de masques de photolithographie adapté à ce nouveau mode de réalisation. On obtient ainsi après la quatrième séquence d’étapes un produit intermédiaire représenté schématiquement sur la . A l’emplacement 767b du groupe de pixels G il présente une couche structurée de TCO, comprenant une première couche 7561 de TCO doux et une première couche 7601 de TCO dur. Aux emplacements 767a et 767c des groupes de pixels R et B, respectivement, on n’a pas de couche TCO doux la en dessous de ladite première couche 7601 de TCO dur. On dépose ensuite une deuxième couche 7562 de TCO doux sur l’ensemble de la structure, comme cela est illustré sur la . Dans une prochaine étape on dépose à l’emplacement 767a du groupe de pixels R une couche de photorésist 762a, par des techniques photolithographiques connues. Cela est illustré sur la . Ensuite on effectue une gravure humide pour enlever de manière sélective ladite deuxième couche de TCO doux 7562 aux endroits accessibles, i.e. non protégées par le photorésist 762a. La couche de TCO dur 7601 protège la première couche de TCO doux 7561 de l’emplacement 767b du groupe de pixels G. Ensuite on enlève le photorésist 762a par un procédé de decapage sèche, typiquement au plasma d’oxygène. Ensuite on dépose une deuxième couche 7602 de TCO dur sur l’ensemble de la structure, pour aboutir à la structure illustrée sur la . Sur cette deuxième couche 7602 on dépose, à l’aide de techniques photolithographiques connues, une couche structurée 7620 de photorésist, comme indiqué sur la . Cette couche structurée de photorésist comprend ici trois zones 7620a, 7620b, 7620c et protège ainsi chaque groupe de pixels 767a, 767b, 767c pendant la gravure sèche pour séparer les pixels. Cette gravure sèche a pour objet d’enlever aux endroits non protégés par le photorésist 7620 l’ensemble des couches de TCO dur 7601 et 7602, d’éventuels résidus de TCO doux, ainsi que la ou les couches de l’électrode réfléchissante 752 aux endroits non protégés par le photorésist, c’est-à-dire à l’espace entre les pixels. Ladite gravure sèche peut être une gravure au faisceau d’ions, comme mentionnée ci-dessus. On enlève ensuite la couche de photorésist 7620 par un procédé de décapage humide et obtient ainsi la structure illustrée sur la . On dépose ensuite un élément de remplissage 764, par exemple en résine photosensible, dans l’espace entre deux pixels voisins, comme décrit ci-dessus ; le résultat est illustré sur la . Sur cette structure on dépose ensuite l’empilement OLED et puis l’électrode commune, qui doit être semi-transparente. On obtient ainsi trois groupes de pixels avec des espaceurs optiques d’épaisseur optique d différente pour chacun des trois groupes de pixels. Ce dispositif n’est pas illustré par une figure ; il est similaire à celui de la , sauf pour ce qui concerne l’empilement de couches de TCO dur et doux sur le pixel 367a. Ce dispositif peut être utilisé pour réaliser un écran d’affichage avec trois couleurs primaires, par exemple rouge (R), vert (G) et bleu (B), afin réaliser un écran couleur du type connu sous l’appellation « full color », comme cela a été décrit ci-dessus. L’invention peut être réalisée dans de nombreuses autres variantes. Une première variante est illustrée sur la : on a intercalé une fine couche 680 de TCO dur (tel que du SnO2) entre l’électrode de pixel 552 (i.e. l’électrode inférieure qui est réfléchissante) et la première couche de TCO doux 3561 (qui peut être en AZO). Dans un deuxième variante, qui est compatible avec toutes les autres variantes et tous les modes de réalisation décrits ici, on ajoute des filtres colorés 695a , 695b , 695c appropriés. Cela est illustré de manière schématique sur la . La présence de filtres colorés ne conduit pas à une perte significative d’intensité lumineuse car la lumière émise par chaque pixel n’est pas blanche mais de couleur (ce qui résulte de l’effet technique des cavités optiques de longueurs optiques différentes). L’avantage est une meilleure définition et un meilleur contrôle des couleurs générées par chaque groupe de pixels. A cet égard, il convient de noter que la lumière émise par les pixels peut comporter une faible composante du deuxième (voire même du troisième) ordre ; en particulier, la lumière bleue comporte toujours une composante de lumière rouge, ce qui correspond au pic de deuxième ordre ; cette composante d’ordre supérieure est avantageusement absorbée par un filtre qui ne laisse passer que la lumière du premier ordre. Dans l’exemple de la , les filtres colorés 695a, 695b, 695c sont posées sur une couche de lissage 690 transparente, qui est une option ; elle peut être en matière polymérique. Il est très avantageux de prévoir un système d’encapsulation (non montré sur les figures) sur l’électrode supérieur 166 , 266, 366, 466 . Il comprend au moins une couche, et de préférence plusieurs couches. Il comprend une première couche d’alumine, déposée par une technique de dépôt conforme qui est de préférence la technique dite de dépôt de couches atomique (ALD, Atomic Layer Deposition). Il peut comprendre une deuxième couche de polymère Il peut comprendre une troisième couche d’alumine, également par ALD. Cette séquence de couches alternées d’alumine et de polymère peut être répétée une ou plusieurs fois, la dernière couche étant de préférence une couche d’alumine ou de l’oxyde de titane. Un tel système d’encapsulation protège le dispositif conte l’humidité et l’oxygène, qui risqueraient de dégrader certaines des couches, et en particulier les couches faisant partie de l’empilement organique. Comme indiqué ci-dessus, le dispositif optoélectronique selon l’invention peut être réalisé sous la forme d’un dispositif d’émission de lumière de type OLED ; il peut s’agir d’un micro-afficheur. La meilleure luminosité obtenue selon l’invention engendre une consommation électrique réduite et une durée de vie plus longue. Un tel micro-afficheur à haute luminance peut être utilisé par exemple dans des lunettes de type réalité augmentée ou dans des dispositifs de type HUD (Afficheur tête haute, en anglais Head-Up Display). Il est réalisé avantageusement avec au moins trois groupes de pixels de couleur différente. Le dispositif optoélectronique selon l’invention peut également être réalisé comme un capteur optique multispectral, à base de photodiodes organiques. Un tel capteur transforme la lumière incidente en un signal électrique, qui est généré par un empilement photoactif de couches, qui sont de préférence des couches organiques. Dans un mode de réalisation (non illustré sur les figures), cet empilement photoactif de couches comprend au moins un premier matériau, qui est un donneur d’électrons, et un deuxième matériau, qui est un accepteur d’électrons. En fonction du choix des matériaux et de la longueur optique des cavités un tel capteur peut être réalisé pour répondre dans différents domaines du spectre lumineux, par exemple dans le domaine visible et/ou dans le domaine du proche infrarouge. Un tel capteur est utile notamment dans le domaine spectral du proche infra-rouge, qui s’étend typiquement entre environ 780 nm et environ 10 µm. Pour réaliser un tel capteur, lesdits matériaux sont caractérisés par le fait que la différence entre l’énergie du niveau occupé le plus haut (HOMO – Highest Occupied Molecular Oribital) dudit premier matériau et l’énergie du niveau inoccupé le plus bas (LUMO – Lowest Unoccupied Molecular Orbital) dudit deuxième matériau est inférieure à environ 1,6 eV. Ledit premier matériau peut par exemple être une phthalocyanine (telle que la phthalocyanine de zinc ou de fer) ou une amine aromatique (telle que la N,N,N′,N′-Tetrakis(4-methoxyphenyl)benzidine, abrégée MeO-TPD, n° CAS 122738-21-0) ou encore un polythiophène (tel que le Poly[2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophène], abrégé PBTTT, n° CAS 888491-19-8). Ces matériaux peuvent être déposés sous vide. Ledit deuxième matériau peut être un fullerène, tel que le C60 ; ces matériaux peuvent également être déposés sous vide. Un tel dispositif optoélectronique peut être réalisé sous la forme d’un spectromètre (en prévoyant une pluralité de groupes de pixels dont chaque groupe présente une cavité optique de longueur différente), et/ou sous la forme d’une caméra à résolution spatiale et spectrale, en prévoyant une pluralité de pixels constitués chacun d’une pluralité de groupes de pixels avec une cavité optique de longueur différente. Dispositif optoélectronique comprenant un substrat (150) et un empilement de couches organiques (370) comprenant au moins une couche active pouvant être une couche émettrice de lumière (575, 578, 572) ou une photodiode, disposée entre une surface réfléchissante, ou entre la surface d’une couche transparente (680) déposée directement sur ladite surface réfléchissante, et une surface semi-réfléchissante disposées face à face à une distance donnée et formant une cavité optique d’une longueur optique d donnée, et ledit dispositif étant caractérisé en ce qu’il comprend au moins trois groupes de pixels (367a,b,c) dont chaque groupe est caractérisé par une cavité de longueur optique d différente, ladite cavité comprenant un nombre de bicouches disposées entre ledit substrat et ledit empilement de couches organiques, chaque bicouche étant formée d’une première couche (156,3561,3562) transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur, et d’une deuxième couche (160,360,3601,3602) transparente et conductrice d’un deuxième matériau transparent et conducteur, en contact direct avec ladite première couche transparente et conductrice, ledit premier matériau étant différent dudit deuxième matériau, et ledit dispositif étant caractérisé en ce que : pour un premier groupe (367c) de pixels le nombre de bicouches est de zéro ; pour un deuxième groupe (367b) de pixels, le nombre de bicouches est de un, pour un troisième groupe (367a) de pixels, le nombre de bicouches est de deux ou de un, mais dans ce dernier cas, ladite première couche de la bicouche associée au troisième groupe de pixels est plus épaisse que celle du deuxième groupe de pixels, pour chaque groupe additionnel de pixels, si présent, le nombre de bicouches augmente de un par rapport au groupe précédent ou reste le même, mais dans ce dernier cas, ladite première couche de la bicouche associée au groupe additionnel de pixels est plus épaisse que celle du précédent groupe de pixels ; sachant que le comptage des groupes en premier, deuxième, troisième et, le cas échéant, ainsi de suite, suit un ordre de la valeur de d croissant, et ledit dispositif étant caractérisé en ce que pour chacune de ces bicouches ladite première couche conductrice et transparente, comptée à partir dudit substrat, présente une résistance plus faible à un traitement de gravure humide que ladite deuxième couche conductrice et transparente. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite surface réfléchissante est couverte d’une couche (680) dudit deuxième matériau transparent et conducteur. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit traitement de gravure humide est un traitement avec une solution aqueuse d’hydroxyde de tétraméthylammonium à 2,38 % massiques à température ambiante. Dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel dans chacune desdites bicouches, ladite première couche transparente et conductrice présente une vitesse de gravure spécifique V1 qui au moins dix fois supérieure, de préférence au moins cent fois supérieure, et encore plus préférentiellement au moins mille fois supérieure que la vitesse de gravure spécifique V2 de ladite deuxième couche transparente. Dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que : ledit premier matériau transparent et conducteur est sélectionné dans le groupe formé par : le ZnO ; les oxydes dopés à base de ZnO, le dopage étant de préférence au gallium et /ou à l’aluminium et/ou au bore et/ou au béryllium ; l’oxyde d’indium ; les oxydes dopés à base d’oxyde d’indium, le dopage étant de préférence à l’étain, et / ou caractérisé en ce que ledit deuxième matériau transparent et conducteur est sélectionné dans le groupe formé par : le SnO 2 , le SnO 2 dopé, le dopage étant de préférence à l’arsenic et/ou au fluore et/ou à l’azote et/ou au niobium et/ou au phosphore et/ou à l’antimoine. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit empilement de couches organiques (370) est en contact direct avec, d’une part, ladite surface réfléchissante ou une couche transparente (680) déposée sur ladite surface réfléchissante, et/ou, d’autre part, avec ladite surface semi-réfléchissante (166,266,366,466). Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que ledit empilement de couches organique forme une revêtement continu sur l’ensemble des pixels, et de préférence en ce qu’il comprend une couche (166,266,366) semi-transparente et conductrice, déposée au-dessus dudit empilement de couches organiques (370), qui forme également un revêtement continu sur l’ensemble des pixels. Dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ledit substrat (150) est un substrat de type CMOS pourvu de circuits permettant un adressage individuel ou une lecture individuelle des pixels. Dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu’il s’agit d’un micro-afficheur OLED ou d’un capteur de lumière multi-spectral. Procédé de fabrication pour un dispositif optoélectronique selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel : on dépose d’abord une couche (156,3561) transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur sur ladite première surface réfléchissante ou sur une couche transparente et conductrice d’un deuxième matériau déposée sur ladite première surface réfléchissante, on dépose un premier masque qui délimite un deuxième et un troisième groupe de pixels (367b, 367a) et protège leur emplacement, on enlève par gravure humide ladite première couche transparente et conductrice (156,3561) aux endroits non protégés par ledit premier masque, ces endroits non protégés comprenant l’emplacement prévu pour un premier groupe de pixels (376c), et on enlève ledit premier masque, on dépose une première couche (3601) transparente et conductrice d’un deuxième matériau transparent, on dépose une couche (3562) transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur, on dépose un deuxième masque (332a) qui délimite ledit troisième groupe de pixels (367a) et protège leurs emplacements, on enlève par gravure humide ladite couche (3562) transparente et conductrice d’un premier matériau transparent et conducteur aux endroits non protégés par ledit deuxième masque, ces endroits non protégés comprenant l’emplacement prévu pour ledit deuxième (367b) et ledit premier(367c) groupe de pixels (376c), et on enlève ledit deuxième masque, on dépose une deuxième couche (3602) transparente et conductrice d’un deuxième matériau transparent et conducteur, on dépose un troisième masque (3620a, 3620b, 3620c) qui délimite lesdits premier, deuxième et troisième groupe de pixels et protège leur emplacement, on enlève par gravure sèche lesdites première (3601) et deuxième (3602) couche d’un deuxième matériau transparent et conducteur ainsi que couche réfléchissante (152) et, si elle est présente, ladite couche (680) dudit deuxième matériau transparent et conducteur la recouvrant aux endroits non protégés par ledit troisième masque. Procédé fabrication pour un dispositif optoélectronique avec trois groupes de pixels selon la revendication 10, dans lequel on poursuit le procédé par les étapes suivantes: on dépose un élément de remplissage (364) dans chaque espace entre deux pixels voisins, on dépose un empilement (370) de couches organiques commun à tous les pixels, on dépose au-dessus dudit empilement de couches organiques une couche électrode semi-réfléchissante (366), commune à tous les pixels Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 11, dans lequel le dépôt des couches transparentes et conductrices dudit deuxième matériau transparent et conducteur est effectué par la technique de dépôt de couches atomiques.