FR 3119055 A1 20220722 FR 2100387 A 20210115 Comparateur dynamique La présente description concerne un comparateur (1) d'une première tension (V+) et d'une deuxième tension (V-), comprenant des première (100) et deuxième (102) branches comportant chacune une même succession de premières (106) et deuxièmes (108) portes alternées en série entre un noeud (104) et une sortie (1002 ; 1022) de la branche (100 ; 102), dans lequel : chaque branche débute par une première porte (106), chaque porte (106 ; 108) a un deuxième noeud (114) recevant une tension de polarisation, le deuxième noeud (114) de chaque première porte (106) de la première branche (100) et de chaque deuxième porte (108) de la deuxième branche (102) reçoit la première tension (V+), le deuxième noeud des autres portes recevant la deuxième tension (V-), et un ordre d'arrivée des fronts sur les sorties (1002 ; 1022) des branches détermine un résultat d'une comparaison. Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Comparateur dynamique La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques, et plus particulièrement les comparateurs dynamiques qui peuvent être prévus dans de tels circuits électroniques. Les comparateurs dynamiques ont pour rôle d'effectuer la comparaison de deux signaux, de manière synchronisée avec un signal, typiquement un signal d'horloge, et de produire un signal binaire dont l'état binaire indique le résultat de cette comparaison. Des comparateurs dynamiques sont par exemple utilisés dans des convertisseurs analogiques-numériques à approximations successives. Dans un tel convertisseur, le comparateur dynamique produit, de manière synchrone, un signal de sortie représentatif de la comparaison d'un signal analogique à une tension de seuil de quantification. Cela permet de quantifier le résidu du signal analogique qui est numérisé par le convertisseur, à chaque étape de la recherche par dichotomie du code numérique associé au signal analogique. A titre d'exemple, un convertisseur analogique-numérique à approximations successives comprend un noeud de distribution de charges auquel sont connectées des premières électrodes d'une pluralité de capacités de valeurs croissantes. Le noeud est chargé avec le signal analogique à numériser alors qu'une tension basse donnée, typiquement une tension nulle, est appliquée sur les deuxièmes électrodes des capacités. Puis, une tension haute est appliquée sur la deuxième électrode de la capacité de plus forte valeur et la tension sur le noeud de distribution de charge est comparée, par un comparateur dynamique, avec une tension de quantification. Si la tension du noeud de distribution de charges est supérieure à la tension de quantification, la deuxième électrode qui était polarisée par la tension haute est repolarisée à la tension basse, sinon la tension haute est maintenue. Puis, ces opérations sont répétées de la capacité la plus forte à la capacité la plus faible, jusqu'à obtenir le code numérique associé au signal analogique à numériser, à partir des polarisations hautes ou basses appliquées sur chacune des deuxièmes électrodes des capacités. Parmi les comparateurs dynamiques, les comparateurs dynamiques à verrouillage ("dynamic latched comparator" en anglais) sont connus. Un comparateur dynamique à verrouillage, par exemple le comparateur dynamique à verrouillage illustré sur la page internet wikipedia anglaise relative aux comparateurs, comprend typiquement deux inverseurs en contre réaction dont les sorties sont initialisées à un niveau haut lors d'une phase préliminaire, et une paire différentielle reliant les inverseurs à la masse, les deux transistors d'entrée de la paire différentielle recevant les deux signaux à comparer. Ainsi, le signal de plus forte valeur reçu par les transistors d'entrée de la paire différentielle induit un courant plus important dans l'inverseur correspondant, ce qui entraine un basculement plus rapide de la sortie de cet inverseur au niveau bas, et le maintien au niveau haut de la sortie de l'autre inverseur. Toutefois, dans un comparateur dynamique à verrouillage, les dispersions de fabrication entre les transistors, en particulier entre les transistors d'entrée de la paire différentielle, conduisent à des erreurs de comparaison, donc à des erreurs de quantification lorsque le comparateur est mis en œuvre dans un convertisseur analogique-numérique à approximations successives. De plus, la capacité grille-drain de chacun des transistors d'entrée de la paire différentielle induit un appel de charges sur l'entrée du comparateur, qui dépend du basculement de l'inverseur du comparateur associé à ce transistor. Cet appel de charges, couramment appelé effet de rebond ("kick-back effect" en langue anglaise), pénalise la précision du comparateur, donc de la quantification d'un signal analogique lorsque le comparateur est mis en œuvre dans un convertisseur analogique-numérique à approximations successives. Parmi les comparateurs dynamiques, les comparateurs dynamiques de type à poursuite de front ("edge pursuit" en anglais) sont également connus. La représente un exemple d'un comparateur dynamique de type à poursuite de front. Plus particulièrement, la correspond à la de l'article de M. Shim et al. intitulé " Edge-Pursuit Comparator: An Energy-Scalable Oscillator Collapse-Based Comparator With Application in a 74.1 dB SNDR and 20 kS/s 15 b SAR ADC" et publié dans IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 52, No. 4, Avril 2017. Le comparateur de la repose sur une structure élémentaire inverseuse composée d’un inverseur CMOS (Métal Oxyde Semiconducteur Complémentaire – "Complementary Metal Oxide Semiconductor" en langue anglaise) standard polarisé par un premier transistor MOS à canal N connecté entre la source du transistor MOS à canal N de l’inverseur et un potentiel de référence, et par un deuxième transistor MOS à canal P connecté entre la source du transistor MOS à canal P de l'inverseur et un potentiel d'alimentation. Les grilles de ces premier et deuxième transistors reçoivent une même tension de polarisation, choisie parmi deux tensions VINP et VINM comparées par le comparateur. En cascadant deux de ces structures élémentaires et en alternant la tension de polarisation VINP ou VINM des structures élémentaires cascadées, par exemple de sorte que la structure élémentaire en amont soit polarisée par la tension VINP et que la structure élémentaire en aval soit polarisée par la tension VINM, on constate les quatre cas suivants : - front d'entrée montant ("E1" en ) sur la structure élémentaire amont et VINP supérieure à VINM ("VINP > VINM" en ) : descente rapide ("F1-d" en ) de la sortie de la structure élémentaire amont et montée rapide ("F1-u" en ) de la sortie de la structure élémentaire aval, - front d'entrée montant sur la structure élémentaire amont et VINP inférieure à VINM : descente lente de la sortie de la structure élémentaire amont et montée lente de sortie de la structure élémentaire aval, - front d'entrée ("E2" en ) descendant sur la structure élémentaire amont et VINP supérieure à VINM ("VINP > VINM" en ) : montée lente ("S2-d" en ) de la sortie de la structure élémentaire amont et descente lente ("S2-u" en ) de la sortie de la structure élémentaire aval, et - front d'entrée descendant sur la structure élémentaire amont et VINP inférieure à VINM : montée rapide de la sortie de la structure élémentaire amont et descente rapide de la sortie de la structure élémentaire aval. Le comparateur de la comprend deux branches, comprenant chacune quatre structures élémentaires. Les deux branches sont rebouclées l'une sur l'autre par deux portes A et B de type NON-ET ("NAND" en langue anglaise), de manière à former une structure en anneau. Dans l'une des branches (la branche du haut en ), les structures élémentaires sont alternativement polarisées par les tensions VINP puis VINM, alors que c'est l'inverse dans l'autre branche (la branche du bas en ). En outre, l'entrée de chaque porte NON-ET qui n'est pas connecté à la sortie d'une branche reçoit un signal de synchronisation START. Le fonctionnement de ce comparateur est le suivant. A l'état initial, le signal START est à l'état bas, d'où il résulte que la sortie de chaque porte A et B est à l'état haut et que la sortie de chaque branche, dont la sortie COMP du comparateur, sont à l'état haut également. Le passage à l'état haut du signal START, c’est-à-dire un front montant sur le signal START, provoque le passage à l'état bas de la sortie de chaque porte A et B, c’est-à-dire qu'un front descendant est fourni à la structure en anneau du comparateur par chacune des portes A et B. Ces deux fronts vont se propager à des vitesses différentes dans l'anneau, qui dépendent des tensions de polarisation VINP et VINM. Les deux fronts se propagent alors dans l'anneau (flèche 11 en ) du comparateur jusqu'à ce que le front rapide rejoigne, ou rattrape, le front lent, ce qui résulte en une stabilisation des sorties des structures élémentaires des deux branches, des sorties des portes A et B, et de la sortie COMP du comparateur. Par exemple, dans la configuration de la , la sortie COMP se stabilise au niveau haut lorsque la tension VINP est supérieure à la tension VINM, et au niveau bas lorsque la tension VINP est inférieure à la tension VINM. Dans un comparateur de type à poursuite de front, la séquence de transitions rapides sur les deux branches tend à moyenner l'effet de rebond. Cela permet de diminuer l'influence négative de cet effet de rebond par rapport au cas d'un comparateur dynamique à verrouillage. De manière similaire, les erreurs de comparaison induites par les dispersions de fabrication, ainsi que le bruit temporel, sont réduits par rapport à un comparateur dynamique à verrouillage. Plus exactement, plus le nombre de structures élémentaires par branche augmente, plus ces erreurs de comparaison et ce bruit temporel sont lissés. Toutefois, un inconvénient du comparateur de la est que le temps de stabilisation de son anneau, donc de sa sortie COMP, augmente avec la diminution de l'écart entre les tensions VINP et VINM qui sont comparées. L'augmentation du temps de stabilisation n'est pas souhaitable, notamment car elle induit une augmentation de la consommation. Il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des comparateurs dynamiques connus. Par exemple, il existe un besoin de pallier tout ou partie des inconvénients des comparateurs dynamiques connus décrits ci-dessus. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des comparateurs dynamiques connus. Par exemple, un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des comparateurs dynamiques connus décrits ci-dessus. Un mode de réalisation prévoit un comparateur dynamique d'une première tension et d'une deuxième tension, comprenant des première et deuxième branches comportant chacune une même succession de premières et deuxièmes portes logiques alternées en série entre un premier noeud et une sortie de ladite branche, dans lequel : chaque branche débute par une première porte, chacune des premières et deuxièmes portes a un deuxième noeud configuré pour recevoir une tension de polarisation, le deuxième noeud de chaque première porte de la première branche et de chaque deuxième porte de la deuxième branche reçoit la première tension(V+) et le deuxième noeud de chaque deuxième porte de la première branche et de chaque première porte de la deuxième branche recevant la deuxième tension, de sorte qu'un front sur le premier noeud se propage dans les première et deuxième branches à des vitesses déterminées par les première et deuxième tensions, et un ordre d'arrivée des fronts propagés par les première et deuxième branches, sur les sorties desdites branches, détermine un résultat d'une comparaison des première et deuxième tensions. Selon un mode de réalisation, chacune des premières et deuxièmes portes met en œuvre une fonction inverseuse. Selon un mode de réalisation, le front sur le premier noeud est un front montant, la tension sur le deuxième noeud de chaque première porte déterminant une vitesse de commutation à l'état bas de ladite porte, et la tension sur le deuxième noeud de chaque deuxième porte déterminant une vitesse de commutation à l'état haut de ladite porte, ou, selon un autre mode de réalisation, le front sur le premier noeud est un front descendant, la tension sur le deuxième noeud de chaque première porte déterminant une vitesse de commutation à l'état haut de ladite porte, et la tension sur le deuxième noeud de chaque deuxième porte déterminant une vitesse de commutation à l'état bas de ladite porte. Selon un mode de réalisation, chacune des premières et deuxièmes portes comprend : au moins un premier transistor MOS configuré pour commuter de ladite porte à l'état haut lorsque ladite porte reçoit un front montant ; et au moins un deuxième transistor MOS configuré pour commuter ladite porte à l'état bas lorsque ladite porte reçoit un front montant, et, en outre : ledit au moins un premier transistor de chaque première porte est polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud de ladite porte et ledit au moins un deuxième transistor de chaque deuxième porte est polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud de ladite porte, lorsque le front sur le premier noeud est un front montant, ou ledit au moins un deuxième transistor de chaque première porte est polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud de ladite porte et ledit au moins un premier transistor de chaque deuxième porte est polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud de ladite porte, lorsque le front sur le premier noeud est un front descendant. Selon un mode de réalisation, chacune des premières et deuxièmes portes comprend un troisième transistor MOS ayant une grille connectée au deuxième noeud de ladite porte, le troisième transistor de chaque première porte étant en série avec ledit au moins un premier transistor lorsque le front sur le premier noeud est un front descendant, ou en série avec ledit au moins un deuxième transistor lorsque le front sur le premier noeud est un front montant, et le troisième transistor de chaque deuxième porte étant en série avec ledit au moins un premier transistor lorsque le front sur le premier noeud est un front montant, ou en série avec ledit au moins un deuxième transistor lorsque le front sur le premier noeud est un front descendant. Selon un mode de réalisation, les premier(s) et deuxième(s) transistors de chaque première et deuxième portes sont mis en œuvre sur semiconducteur sur isolant, éventuellement sur semiconducteur sur isolant complétement déplété, et, en outre : une grille arrière de chaque premier transistor de chaque première porte est connectée au deuxième noeud de ladite première porte et une grille arrière de chaque deuxième transistor de chaque deuxième porte est connectée au deuxième noeud de ladite deuxième porte quand le front sur le premier noeud est un front descendant ; ou une grille arrière de chaque deuxième transistor de chaque première porte est connectée au deuxième noeud de ladite première porte et une grille arrière de chaque premier transistor de chaque deuxième porte est connectée au deuxième noeud de ladite deuxième porte quand le front sur le premier noeud est un front montant. Selon un mode de réalisation, chacune des premières et deuxièmes portes comprend un unique premier transistor et un unique deuxième transistor. Selon un mode de réalisation : chaque première porte comprend : - un premier transistor MOS reliant une sortie de ladite porte à un troisième noeud ; et - un deuxième transistor en série avec un troisième transistor ou un ensemble de troisièmes transistors entre la sortie de ladite porte et un quatrième noeud, chaque troisième transistor ayant une grille connectée à une entrée de ladite porte, et chaque troisième transistor étant polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud de la porte ; chaque deuxième porte comprend : - un quatrième transistor reliant une sortie de ladite porte au quatrième noeud ; et - un cinquième transistor en série avec un sixième transistor ou un ensemble de sixièmes transistors entre la sortie de ladite porte et le troisième noeud, chaque sixième transistor ayant une grille connectée à une entrée de ladite porte, et chaque sixième transistor étant polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud de la porte ; les premier et quatrième transistors sont configurés pour être à l'état passant lorsqu'un premier signal est actif, et les deuxième et cinquième transistors sont configurés pour être à l'état bloqué lorsqu'un deuxième signal est actif ; et le troisième noeud est l'un d'un noeud configuré pour recevoir une tension d'alimentation et d'un noeud configuré pour recevoir une tension de référence, le quatrième noeud étant l'autre desdits noeuds. Selon un mode de réalisation : chaque première porte comprend un septième transistor MOS ayant une grille connectée au deuxième noeud de ladite première porte, le septième transistor étant en série avec le deuxième transistor entre le quatrième noeud et la sortie de ladite première porte ; et chaque deuxième porte comprend un huitième transistor MOS ayant une grille connectée au deuxième noeud de ladite deuxième porte, le huitième transistor étant en série avec le cinquième transistor entre le troisième noeud et la sortie de ladite deuxième porte. Selon un mode de réalisation : chaque troisième transistor de chaque première porte est mis en œuvre sur semiconducteur sur isolant, éventuellement sur semiconducteur sur isolant complétement déplété, et comprend une grille arrière connectée au deuxième noeud de ladite porte ; et chaque cinquième transistor de chaque deuxième porte est mis en en œuvre sur semiconducteur sur isolant, éventuellement sur semiconducteur sur isolant complétement déplété, et comprend une grille arrière connectée au deuxième noeud de ladite porte. Selon un mode de réalisation, chaque première porte comprend un seul troisième transistor et chaque deuxième porte comprend un seul cinquième transistor. Selon un mode de réalisation, le comparateur comprend en outre un circuit de commande configuré pour : commuter le premier signal à l'état actif puis le deuxième signal à l'état actif pendant une phase d'initialisation préalable à une fourniture dudit front sur le premier noeud ; et commuter les premier et deuxième signaux à un état inactif à la fin de la phase d'initialisation. Selon un mode de réalisation : le front sur le premier noeud est un front montant, le troisième noeud étant le noeud d'application de la tension d'alimentation et le quatrième noeud étant le noeud d'application de la tension de référence ; ou le front sur le premier noeud est un front descendant, le troisième noeud étant le noeud d'application de la tension de référence et le quatrième noeud étant le noeud d'application de la tension d'alimentation. Selon un mode de réalisation, le comparateur comprend en outre un circuit de mémorisation comprenant une première entrée connectée à la sortie de la première branche, une deuxième entrée connectée à la sortie de la deuxième branche, et une sortie déterminée par l'ordre d'arrivée, sur les première et deuxième entrées, des fronts propagés par les première et deuxième branches, le circuit de mémorisation comprenant, par exemple : - deux portes NON-ET rebouclées l'une sur l'autre, l'une des deux portes ayant une entrée connectée à la première entrée dudit circuit et l'autre des deux portes ayant une entrée connectée à la deuxième entrée dudit circuit ; ou - deux portes NON-OU rebouclées l'une sur l'autre, l'une des deux portes ayant une entrée connectée à la première entrée dudit circuit et l'autre des deux portes ayant une entrée connectée à la deuxième entrée dudit circuit ; ou - une bascule de type D. Un autre mode de réalisation prévoit un convertisseur analogique numérique comprenant un comparateur tel que décrit. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la , décrite précédemment, représente un exemple d'un comparateur dynamique du type à poursuite de front ; la représente, de manière très schématique et sous la forme de blocs, un exemple d'un comparateur dynamique selon un mode de réalisation ; la représente un exemple de deux portes du comparateur de la selon un mode de réalisation ; la représente un exemple de deux portes du comparateur de la selon une variante de réalisation ; la représente un exemple de deux portes du comparateur de la selon un autre mode de réalisation ; et la représente un exemple de deux portes du comparateur de la selon une autre variante de réalisation ; la représente un exemple d'une variante de réalisation du comparateur de la ; . la représente un exemple d'une structure élémentaire mise en œuvre à partir de deux portes du type de celle de la ; et la représente un autre exemple d'une structure élémentaire mise en œuvre à partir de deux portes du type de celles de la . De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits électroniques usuels dans lesquels un comparateur dynamique est mis en œuvre n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec ces circuits usuels. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Dans la suite de la description, dans une branche de portes logiques en série, on considère qu'une première porte logique de la branche précède, ou est en amont, d'une deuxième porte logique de la branche, lorsqu'un front se propageant dans la branche est d'abord propagé par, ou à travers, la première porte puis par, ou à travers, la deuxième porte, et, à l'inverse, qu'une première porte logique de la branche suit, ou est en avale, d'une deuxième porte logique de la branche lorsqu'un front se propageant dans la branche est d'abord propagé par, ou à travers, la deuxième porte puis par, ou à travers, la première porte. Dit autrement, les termes "amont", "avale", "précédente" et "suivante" appliqués aux portes d'une branche sont définis par rapport au sens de propagation des fronts dans ladite branche. Dans la suite de la description, un front, ou une transition binaire, peut être de deux types ou sens, à savoir le type montant et le type descendant. Un front de type montant, respectivement descendant, sera plus généralement appelé front montant, respectivement front descendant. Dans la suite de la description, on appelle porte logique une porte, ou un circuit, purement combinatoire, c’est-à-dire dépourvue de fonction de mémorisation. La présente demande propose un comparateur dynamique de type "à course de front" ("edge race" en anglais), dans lequel un front est fourni à deux branches concurrentes comprenant chacune une même succession de portes logiques en série, de sorte que ce front soit propagé dans chacune des deux branches. Les portes d'une branche sont polarisées alternativement à partir d'une première tension et d'une deuxième tension à comparer à la première tension, et les portes de l'autre branche sont polarisées de manière complémentaire, c’est-à-dire alternativement à partir de la deuxième tension et de la première tension. Du fait que chacune des première et deuxième tensions détermine les vitesses de propagation d'un front dans chaque porte qu'elle polarise, l'ordre d'arrivée du front propagé par chacune des branches indique si la première tension est ou non supérieure à la deuxième tension. Ce résultat de comparaison des première et deuxième tension peut être mémorisé en prévoyant un circuit de mémorisation connecté aux sorties des deux branches. La représente, de manière schématique et sous la forme de blocs, un mode de réalisation d'un tel comparateur 1. Le comparateur 1 est configuré pour comparer une tension V+ à une tension V-. Le comparateur 1 comprend deux branches 100 et 102, délimitées par des traits en pointillé en . Les branches 100, 102 sont configurées pour propager, de manière concurrente, c’est-à-dire en parallèle, un front reçu sur un noeud 104 du comparateur 1. Ainsi, la branche 100, respectivement 102, comprend une entrée 1001, respectivement 1021, reliée, de préférence connectée, au noeud 104. A titre d'exemple, le signal reçu par le noeud 104 est un signal de synchronisation, par exemple un signal d'horloge clk. Chacune des branches 100 et 102 comprend une même succession de portes logiques 106 et 108 alternées et connectées en série. Les portes 106 et 108 de la branche 100, respectivement 102, sont connectées en série, ou en cascade, entre l'entrée 1001, respectivement 1021, et une sortie 1002, respectivement 1022, de la branche. Chaque branche 100, 102 débute par une porte 106. Dit autrement, la première porte de chaque branche 100, 102 est une porte 106. Chaque porte 106, 108, comprend une entrée 110, et une sortie 112. Chaque porte 106, 108 est configurée pour recevoir un front à propager sur son entrée 110, dite entrée de donnée, et pour propager ce front sur sa sortie 112. Plus particulièrement, lorsqu'elle propage un front, chaque porte 106, 108 est configurée pour que le front fourni par sa sortie 112 soit de type, ou de sens, opposé à celui du front reçu par son entrée 110. Dit autrement, chaque porte 106, 108 met en œuvre une fonction inverseuse entre son entrée 110 et sa sortie 112. Dans chaque branche 100, 102, l'entrée de donnée 110 de chaque porte 106, 108 est connectée à la sortie 112 de la porte 108, 106 immédiatement précédente de la branche, ou à l'entrée 1001, 1021 de la branche 100, 102 lorsque cette porte est la première porte 106 de la branche. De préférence, chaque branche 100, 102 comporte autant de portes 106 que de portes 108, comme c'est notamment le cas en , bien que les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à cet exemple. Dans l'exemple particulier de la , chaque branche 100, 102 comporte deux portes 106 et deux portes 108. Toutefois, le nombre de portes 106 et/ou le nombre de porte 108 par branche peuvent être différents de deux, par exemple être supérieur à deux, ou être égal à 1. Chaque porte 106, 108 comprend un noeud 114, dit entrée de polarisation, configuré pour recevoir une tension de polarisation de la porte. Chaque porte 106, 108 est configurée pour que la vitesse de propagation d'un front par cette porte soit déterminée par la tension de polarisation qu'elle reçoit sur son entrée de polarisation 114. Selon un mode de réalisation, dans lequel le front sur le noeud 104 déclenchant une comparaison des tensions V+ et V- est un front montant, la tension V+ ou V- sur le noeud 114 de chaque porte 106 détermine une vitesse de commutation à l'état bas de cette porte 106, et la tension sur le noeud 114 de chaque porte 108 détermine une vitesse de commutation à l'état haut de cette porte. Dans une variante de réalisation, le front sur le noeud 104 déclenchant une comparaison est un front descendant, la tension sur le noeud 114 de chaque porte 106 détermine une vitesse de commutation à l'état haut de cette porte, et la tension sur le noeud 114 de chaque porte 108 détermine une vitesse de commutation à l'état bas de cette porte. Les portes 106, 108 d'une première branche, la branche 100 dans l'exemple de la , reçoivent alternativement la tension V+ et la tension V- sur leurs noeuds 114 respectifs, les portes 106, 108 de la deuxième branche, la branche 102 dans l'exemple de la , étant polarisées de manière complémentaire aux portes 106, 108 de la première branche, c’est-à-dire que les portes 106, 108 de la deuxième branche reçoivent alternativement la tension V- et la tension V+ sur leurs noeuds 114 respectifs. Dit autrement, dans l'exemple de la , le noeud 114 de chaque porte 106 de la branche 100 et de chaque porte 108 de la branche 102 reçoit la tension V+, et le noeud 114 de chaque porte 108 de la branche 100 et de chaque porte 106 de la branche 102 reçoit la tension V-. Ainsi, lorsque les tensions V+ et V- sont différentes, le front se propage à des vitesses différentes dans les branches 100 et 102. Cela résulte du fait que la vitesse de propagation d'un front par chaque porte 106, 108 dépend de la tension V+ ou V- qu'elle reçoit sur son noeud 114, et que les portes de la branche 100 sont polarisées de manière complémentaire à celles de la branche 102. Du fait qu'une différence entre les tensions V+ et V- à comparer entraîne une différence correspondante de vitesse de propagation entre les branches 100 et 102, l'ordre d'arrivée du front propagé par chaque branche 100, 102, sur la sortie 1001, 1021 de cette branche, permet de déterminer si la tension V+ est ou non supérieure à la tension V-. Selon un mode de réalisation, le comparateur 1 comprend un circuit de mémorisation 116. Le circuit 116 comprend une entrée 1161 reliée, de préférence connectée, à la sortie 1002 de la branche 102, et une entrée 1162 reliée, de préférence connectée, à la sortie 1022 de la branche 102. Le circuit 116 comprend une sortie 1163. La sortie 1163, c’est-à-dire plus exactement son état binaire, est déterminée par l'ordre d'arrivée, sur les entrées 1161 et 1662, des fronts propagés par les branches respectives 100 et 102. Dit autrement, la sortie 1163 fournit un signal binaire OUT dont un premier état binaire indique que le front propagé par la branche 100 a atteint l'entrée 1161 avant que le front propagé par la branche 100 ait atteint l'entrée 1162, et dont un deuxième état binaire indique que le front propagé par la branche 100 a atteint l'entrée 1161 après que le front propagé par la branche 100 ait atteint l'entrée 1162. A titre d'exemple, le circuit 116 peut comprend deux portes NON-ET ("NAND" en anglais) rebouclées l'une sur l'autre, une des deux portes ayant une entrée connectée à l'entrée 1161 du circuit 116, et l'autre des deux portes ayant une entrée connectée à l'entrée 1162 du circuit 116. La sortie 1163 correspond alors à la sortie de l'une ou l'autre des deux portes. Ce circuit 116 est, par exemple, adapté au cas où le front propagé par chaque branche 100, 102 est de type montant lorsqu'il atteint l'entrée 1161, 1162 correspondante du circuit 116. Selon un autre exemple, le circuit 116 comprend deux portes NON-OU ("NOR" en anglais) rebouclées l'une sur l'autre, une des deux portes ayant une entrée connectée à l'entrée 1161 du circuit 116, et l'autre des deux portes ayant une entrée connectée à l'entrée 1162 du circuit 116. La sortie 1163 correspond alors à la sortie de l'une ou l'autre des deux portes. Ce circuit 116 est, par exemple, adapté au cas où le front propagé par chaque branche 100, 102 est de type descendant lorsqu'il atteint l'entrée 1161, 1162 correspondante du circuit 116. Selon encore un autre exemple, le circuit 116 comprend une bascule de type D ("D-flip flop " en anglais) ayant une entrée D de donnée reliée, de préférence connectée, à l'une des entrées 1161 et 1162, et une entrée C de synchronisation reliée, de préférence connectée, à l'autre à l'une des entrées 1161 et 1162. Dans le cas où les fronts propagés reçus sur les entrées 1161 et 1662 sont montants, respectivement descendants, l'entrée C est active sur front montant, respectivement descendant. La sortie 1163 correspond alors à une sortie de la bascule D. La personne du métier saura prévoir d'autres exemples de circuit de mémorisation 116. Un avantage du comparateur 1 par rapport à un comparateur du type de celui de comprenant autant de structures élémentaires inverseuses que le comparateur 1 comprend de portes 106, 108, est que le résultat de la comparaison des tensions V+ et V- est obtenu plus rapidement avec le comparateur 1. En effet, les branches 100 et 102 du comparateur 1 ne sont pas rebouclées l'une sur l'autre comme c'est le cas en . Il en résulte que le nombre de portes 106, 108 traversées par un front dans le comparateur 1 avant d'obtenir le résultat de la comparaison de la tension V+ à la tension V-, est inférieur au nombre de structures élémentaires inverseuses traversées par un front dans le comparateur du type de celui de la avant d'obtenir le résultat de la comparaison de la tension VINP avec la tension VINM. Dit autrement, le temps de réponse du comparateur 1 est inférieur au temps de réponse du comparateur de la . Cela est d'autant plus vrai que les tensions à comparer sont proches l'une de l'autre. En outre, dans le comparateur 1, le type de front, à savoir montant ou descendant, qui est fourni au noeud 104 est généralement connu, d'où il résulte que le type de front reçu par l'entrée 110 de chacune des portes 106 et 108 du comparateur 1 est connu. Comme cela sera décrit ci-dessous, on tire parti de cette connaissance à priori du type de front reçu par chaque porte pour la mise en œuvre de ces dernières. Divers modes de réalisation et variante de réalisation des portes 106 et 108 vont maintenant être décrits. De préférence, toutes les portes 106 sont mises en œuvre de la même façon, exception faite éventuellement de la tension V+ ou V- qu'elles reçoivent sur leurs noeuds 114, les portes 108 étant de préférence toutes mises en œuvre de la même façon, exception faite éventuellement de la tension V+ ou V- qu'elles reçoivent sur leurs noeuds 114. La représente, de manière schématique, un mode de réalisation d'une porte 106 (à gauche sur la ) et d'une porte 108 (à droite sur la ) du comparateur 1 de la . Dans l'exemple de la , les portes 106 et 108 appartiennent à la branche 100 du comparateur 1, et la tension V+, respectivement V-, est reçue par le noeud 114 de la porte 106, respectivement 108. Dans un autre exemple non illustré, les portes 106 et 108 appartiennent à la branche 102, et la tension V-, respectivement V+, est reçue par le noeud 114 de la porte 106, respectivement 108. Chaque porte 106, 108 comprend au moins un transistor MOS 300, de préférence à canal P, configuré pour commuter la porte, c’est-à-dire sa sortie 112, à l'état haut lorsque la porte, c’est-à-dire son entrée 110, reçoit un front descendant. A titre d'exemple, le ou les transistors 300 relient la sortie 112 de la porte à un noeud 301 d'application d'une tension d'alimentation Vdd. En , dans chaque porte 106, 108, le transistor 300, ou l'ensemble des transistors 300 lorsque la porte comprend plusieurs transistors 300, est représenté schématiquement sous la forme d'un bloc 302. A titre d'exemple, lorsque la porte comprend plusieurs transistors MOS 300, ces transistors sont associés en série et/ou en parallèle entre un noeud 3021 relié, par exemple connecté, à la sortie 112, et un noeud 3022 relié au noeud 301. Chaque porte 106, 108 comprend en outre au moins un transistor MOS 303, de préférence à canal N, configuré pour commuter la porte à l'état bas lorsque la porte reçoit un front montant. A titre d'exemple, le ou les transistors 303 relient la sortie 112 de la porte à un noeud 304 d'application d'une tension de référence GND, par exemple la masse. En , dans chaque porte 106, 108, le transistor 303, ou l'ensemble des transistors 303 lorsque la porte comprend plusieurs transistors 303, est représenté schématiquement sous la forme d'un bloc 305. A titre d'exemple, lorsque la porte comprend plusieurs transistors MOS 303, ces transistors sont associés en série et/ou en parallèle entre un noeud 3051 relié, par exemple connecté, à la sortie 112, et un noeud 3052 relié au noeud 304. Dans chaque porte 106, 108, une grille de chaque transistor 300, 303 est, de préférence, connectée à l'entrée 110 de la porte. Selon un premier mode de réalisation, le front appliqué sur le noeud 104 ( ) pour déclencher une comparaison des tensions V+ et V- est un front montant. Dans ce premier mode de réalisation, le ou les transistors 303 de la porte 106 sont alors polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, et le ou les transistors 300 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. Plus particulièrement, dans ce premier mode de réalisation, la porte 106 comprend un transistor MOS 307, de préférence à canal N, pour polariser le ou les transistors 303 à partir de la tension sur le noeud 114. Le transistor 307 a une grille connectée au noeud 114 de la porte 106. En outre, le transistor 307 est en série avec le transistor 303, ou l'ensemble des transistors 303, de la porte 106, entre le noeud 304 et la sortie 112 de la porte 106. De préférence, le transistor 307 a une borne de conduction, par exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au noeud 304, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée, de préférence connectée, au noeud 3052. Dans un autre exemple non illustré, le transistor 307 est disposé entre le bloc 305 et la sortie 112. Toutefois, par rapport à l'exemple où le transistor 307 est disposé entre le noeud 304 et le bloc 305, la sensibilité à l'effet rebond est plus importante dans l'exemple où le transistor 307 est disposé entre le bloc 305 et la sortie 112. En outre, dans ce premier mode de réalisation, la porte 108 comprend un transistor MOS 306, de préférence à canal P, pour polariser le ou les transistors 300 de la porte 108 à partir de la tension sur le noeud 114 de porte 108. Le transistor 306 a une grille connectée au noeud 114 de la porte 108. En outre, le transistor 306 est en série avec le transistor 300, ou l'ensemble des transistors 300, de la porte 108, entre le noeud 301 et la sortie 112 de la porte 108. De préférence, le transistor 306 a une borne de conduction, par exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au noeud 301, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée, de préférence connectée, au noeud 3022. Dans un autre exemple non illustré, le transistor 306 est disposé entre le bloc 302 et la sortie 112. Toutefois, par rapport à l'exemple où le transistor 306 est disposé entre le noeud 301 et le bloc 302, la sensibilité à l'effet rebond est plus importante dans l'exemple où le transistor 306 est disposé entre le bloc 302 et la sortie 112. Selon un premier exemple de mise en œuvre du premier mode de réalisation, comme cela est illustré par la , le ou les transistors 300 de la porte 106 sont également polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, et le ou les transistors 303 de la porte 108 sont également polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. La porte 106 comprend alors, comme la porte 108, un transistor 306, de préférence à canal P, ayant une grille connectée au noeud 114 de la porte 108, et étant en série avec le transistor 300, ou l'ensemble des transistors 300, de la porte 106, entre le noeud 301 et la sortie 112 de la porte 106. En outre, la porte 108 comprend alors, comme la porte 106, un transistor 307, de préférence à canal N, ayant une grille connectée au noeud 114 de la porte 108, et étant en série avec le transistor 303 ou l'ensemble des transistors 303 de la porte 108, entre le noeud 304 et la sortie 112 de la porte 108. Selon un deuxième exemple, non illustré, de mise en œuvre du premier mode de réalisation, le ou les transistors 300, respectivement 303, de la porte 106, respectivement 108, ne sont pas polarisés à partir des tensions V+ et V-. Dans ce deuxième exemple, le transistor 306 de la porte 106 et le transistor 307 de la porte 108 peuvent être omis. Selon un troisième exemple, non illustré, de mise en œuvre du premier mode de réalisation, lorsque le ou les transistors 303 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension V+, respectivement V-, reçue par le noeud 114 de la porte 106, le ou les transistors 300 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension V-, respectivement V+, reçue par un noeud de polarisation supplémentaire de la porte 106. De manière similaire, lorsque le ou les transistors 300 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension V-, respectivement V+, reçue par le noeud 114 de la porte 108, le ou les transistors 303 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension V+, respectivement V-, reçue par un noeud de polarisation supplémentaire de la porte 108. Dans ce troisième exemple, la porte 106 comprend le transistor 306, mais, à la différence de ce qui est illustré en , sa grille est connectée au noeud de polarisation supplémentaire de la porte 106, et la porte 108 comprend le transistor 307, mais, à la différence de ce qui est illustré en , sa grille est connectée au noeud de polarisation supplémentaire de la porte 108. On a considéré ci-dessus des exemples de mise en œuvre d'un premier mode de réalisation où le front appliqué sur le noeud 104 ( ) pour déclencher une comparaison des tensions V+ et V- est un front montant. On considère maintenant un deuxième mode de réalisation dans lequel le front appliqué sur le noeud 104 ( ) pour déclencher une comparaison des tensions V+ et V- est un front descendant. Dans ce deuxième mode de réalisation, le ou les transistors 300 de la porte 106 sont alors polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, et le ou les transistors 303 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. Dans ce deuxième mode de réalisation, la porte 106 comprend alors le transistor 306 en série avec le ou les transistors 300, entre le noeud 301 et la sortie 112 de la porte 106, la porte 108 comprenant le transistor 307 en série avec le ou les transistors 303, entre le noeud 304 et la sortie 112 de la porte 108. La grille du transistor 306 de la porte 106 est connectée au noeud 114 de la porte 106, la grille du transistor 307 de la porte 108 étant connectée au noeud 114 de la porte 108. Selon un premier exemple de mise en œuvre du deuxième mode de réalisation, illustré par la , le ou les transistors 303 de la porte 106 sont également polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, et le ou les transistors 300 de la porte 108 sont également polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. La porte 106 comprend alors le transistor 307, en série avec le ou les transistors 303 de la porte 106, entre le noeud 304 et la sortie 112 de la porte 106, la grille de ce transistor 307 étant connectée au noeud 114 de la porte 106. En outre, la porte 108 comprend alors le transistor 306, en série avec le ou les transistors 300 de la porte 108, entre le noeud 301 et la sortie 112 de la porte 108, la grille de ce transistor 306 étant connectée au noeud 114 de la porte 108. Selon un deuxième exemple, non illustré, de mise en œuvre du deuxième mode de réalisation, le ou les transistors 303, respectivement 300, de la porte 106, respectivement 108, ne sont pas polarisés à partir des tensions V+ et V-. Dans ce deuxième exemple, le transistor 307 de la porte 106 et le transistor 306 de la porte 108 peuvent être omis. Selon un troisième exemple, non illustré, de mise en œuvre du deuxième mode de réalisation, lorsque le ou les transistors 300 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension V+, respectivement V-, reçue par le noeud 114 de la porte 106, le ou les transistors 303 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension V-, respectivement V+, reçue par un noeud de polarisation supplémentaire de la porte 106. De manière similaire, lorsque le ou les transistors 303 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension V-, respectivement V+, reçue par le noeud 114 de la porte 108, le ou les transistors 300 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension V+, respectivement V-, reçue par un noeud de polarisation supplémentaire de la porte 108. Dans ce troisième exemple, la porte 106 comporte le transistor 307, mais, à la différence de ce qui est illustré en , sa grille est connectée au noeud de polarisation supplémentaire de la porte 106, et la porte 108 comprend le transistor 306, mais, à la différence de ce qui est illustré en , sa grille est connectée au noeud de polarisation supplémentaire de la porte 108. Dans les exemples de premier et deuxième modes de réalisation décrits ci-dessus en relation avec la , les transistors 300 et 303 sont par exemple mis en œuvre à partir d'un substrat semiconducteur massif ("bulk" en anglais), à partir d'une structure de type semiconducteur sur isolant (SOI de l'anglais "Semiconductor On Insulator"), ou d'une structure de type semiconducteur sur isolant complétement déplétée (FDSOI de l'anglais "Fully Depleted Semiconductor On Insulator"). La représente, de manière schématique, une variante de réalisation d'une porte 106 (à gauche en ) et d'une porte 108 (à droite en ) du comparateur 1 de la . On considère ici, à titre d'exemple, que ces portes 106 et 108 appartiennent à la branche 100 du comparateur 1, la tension V+, respectivement V-, étant alors reçue par le noeud 114 de la porte 106, respectivement 108. Dans un autre exemple non illustré, ces portes 106 et 108 appartiennent à la branche 102, et la tension V-, respectivement V+, est reçue par le noeud 114 de la porte 106, respectivement 108. En , comme en , chaque porte 106, 108 comprend le ou les transistors 300 (bloc 302) et le ou les transistors 303 (bloc 305). En , chaque transistor 300, 303 de chaque porte 106, 108 est mis en œuvre à partir d'une structure SOI, de préférence à partir d'une structure de type FDSOI. Du fait que les transistors 300 et 303 sont mis en œuvre sur SOI ou sur FDSOI, chacun de ces transistors 300 et 303 dispose d'une grille arrière ("back gate" en anglais) en plus de sa grille avant ("front gate" en anglais) qui est, par exemple, connectée à l'entrée 110 de la porte. Selon une première variante de réalisation, le front appliqué sur le noeud 104 ( ) pour déclencher une comparaison des tensions V+ et V- est un front montant. Dans cette première variante de réalisation, le ou les transistors 303 de la porte 106 sont alors polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, et le ou les transistors 300 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. La grille arrière de chaque transistor 303 de la porte 106 est alors connectée au noeud 114 de la porte 106, la grille arrière de chaque transistor 300 de la porte 108 étant connectée au noeud 114 de la porte 108. En outre, dans cette première variante, les transistors 306 et 307 peuvent être omis comme cela est illustré par la . Il en résulte que les portes 106 et 108 de la sont plus compactes que celles de la . Selon un premier exemple de mise en œuvre de la première variante de réalisation, illustré par la , le ou les transistors 300 de la porte 106 sont également polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, et le ou les transistors 303 de la porte 108 sont également polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. La grille arrière de chaque transistor 300 de la porte 106 est alors connectée au noeud 114 de la porte 106, la grille arrière de chaque transistor 303 de la porte 108 étant connectée au noeud 114 de la porte 108. Selon un deuxième exemple, non illustré, de mise en œuvre de la première variante de réalisation, le ou les transistors 300, respectivement 303, de la porte 106, respectivement 108, ne sont pas polarisés à partir des tensions V+ et V-. Dans ce deuxième exemple, la grille arrière de chaque transistor 300 de la porte 106 n'est pas connectée ou reliée au noeud 114 de la porte 106, et la grille arrière de chaque transistor 303 de la porte 108 n'est pas connectée ou reliée au noeud 114 de la porte 108. Selon un troisième exemple, non illustré, de mise en œuvre de la première variante de réalisation, lorsque le ou les transistors 303 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension V+, respectivement V-, reçue par le noeud 114 de la porte 106, le ou les transistors 300 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension V-, respectivement V+, reçue par un noeud de polarisation supplémentaire de la porte 106. De manière similaire, lorsque le ou les transistors 300 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension V-, respectivement V+, reçue par le noeud 114 de la porte 108, le ou les transistors 303 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension V+, respectivement V-, reçue par un noeud de polarisation supplémentaire de la porte 108. Dans ce troisième exemple, la grille arrière de chaque transistor 300 de la porte 106 est connectée au noeud de polarisation supplémentaire de la porte 106, et la grille arrière de chaque transistor 303 de la porte 108 est connectée au noeud de polarisation supplémentaire de la porte 108. On a considéré ci-dessus des exemples de mises en œuvre d'une première variante de réalisation où le front appliqué sur le noeud 104 ( ) pour déclencher une comparaison des tensions V+ et V- est un front montant. On considère maintenant une deuxième variante de réalisation dans laquelle le front appliqué sur le noeud 104 ( ) pour déclencher une comparaison des tensions V+ et V- est un front descendant. Dans cette deuxième variante de réalisation, le ou les transistors 300 de la porte 106 sont alors polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, et le ou les transistors 303 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. La grille arrière de chaque transistor 300 de la porte 106 est alors connectée au noeud 114 de la porte 106, la grille arrière de chaque transistor 303 de la porte 108 étant connectée au noeud 114 de la porte 108. En outre, dans cette deuxième variante, comme dans la première variante, les transistors 306 et 307 peuvent être omis. Il en résulte que les portes 106 et 108 de la sont plus compactes que celles de la . Selon un premier exemple de mise en œuvre de la deuxième variante de réalisation, illustré par la , le ou les transistors 303 de la porte 106 sont également polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, et le ou les transistors 300 de la porte 108 sont également polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. La grille arrière de chaque transistor 303 de la porte 106 est alors connectée au noeud 114, la grille arrière de chaque transistor 300 de la porte 108 étant connectée au noeud 114 de la porte 108. Selon un deuxième exemple, non illustré, de mise en œuvre de la deuxième variante de réalisation, le ou les transistors 303, respectivement 300, de la porte 106, respectivement 108, ne sont pas polarisés à partir des tensions V+ et V-. Dans ce deuxième exemple, la grille arrière de chaque transistor 303 de la porte 106 n'est pas connectée ou reliée au noeud 114 de la porte 106, la grille arrière de chaque transistor 300 de la porte 108 n'étant pas connectée ou reliée au noeud 114 de la porte 108. Selon un troisième exemple, non illustré, de mise en œuvre de la deuxième variante de réalisation, lorsque le ou les transistors 300 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension V+, respectivement V-, reçue par le noeud 114 de la porte 106, le ou les transistors 303 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension V-, respectivement V+, reçue par un noeud de polarisation supplémentaire de la porte 106. De manière similaire, lorsque le ou les transistors 303 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension V-, respectivement V+, reçue par le noeud 114 de la porte 108, le ou les transistors 300 de la porte 108 sont polarisés à partir de la tension V+, respectivement V-, reçue par un noeud de polarisation supplémentaire de la porte 108. Dans ce cas, la grille arrière de chaque transistor 303 de la porte 106 est connectée au noeud de polarisation supplémentaire, la grille arrière de chaque transistor 300 de la porte 108 étant connectée au noeud de polarisation supplémentaire de la porte 108. On a décrit ci-dessus, en relation avec la , des exemples de mises en œuvre d'un premier et d'un deuxième modes de réalisation des portes 106 et 108, et, en relation avec la , des exemples de mises en œuvre d'une première et d'une deuxième variantes de réalisation des portes 106 et 108. La personne du métier est en mesure de combiner les premier, deuxième et troisième exemples de mise en œuvre du premier mode de réalisation avec, respectivement, les premier, deuxième et troisième exemples de mise en œuvre de la première variante de réalisation, et de combiner les premier, deuxième et troisième exemples de mises en œuvre du deuxième mode de réalisation avec, respectivement, les premier, deuxième et troisième exemples de mise en œuvre de la deuxième variante de réalisation. De préférence, dans les divers exemples des modes de réalisation et variantes décrits ci-dessus en relation avec la et la , chaque porte 106, 108 comprend un unique transistor 300 et un unique transistor 303. Dans ce cas, dans chaque porte 106, 108, une borne de conduction, par exemple la source, du transistor 300 est reliée, de préférence connectée, au noeud 3022, une autre borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 300 est reliée, de préférence connectée, au noeud 3021, une borne de conduction, par exemple la source, du transistor 303 est reliée, de préférence connectée, au noeud 3052, et une autre borne de conduction, par exemple le drain, du transistor 303 est reliée, de préférence connectée, au noeud 3051. Des modes de réalisation d'un comparateur dynamique à course de front ("edge race dynamic comparator" en anglais) ont été décrits ci-dessus en relation avec la , la et la . Dans ces modes de réalisation et variantes, on a considéré que le type du front, à savoir montant ou descendant, qui est appliqué au noeud 104 pour déclencher une comparaison des tensions V+ et V- est connu à l'avance. Toutefois, dans le cas où ce n'est pas le cas, les portes 106 et 108 sont mises en œuvre comme indiqué dans les premiers exemples de mises en œuvre. Il est proposé de tirer encore plus parti de cette connaissance à priori du type de front sur le noeud 104 pour modifier la structure des portes 106, 108 de chaque branche du comparateur afin de réduire la consommation du comparateur. La représente un exemple d'une porte 106 (en haut en ) et d'une porte 108 (à bas en ) du comparateur 1 de la , selon un mode de réalisation où l'on tire profit de la connaissance à priori du type de front sur le noeud 104 du comparateur. Plus particulièrement, la illustre un troisième mode de réalisation dans lequel un front montant est appliqué au noeud 104 ( ) pour déclencher une phase de comparaison des tensions V+ et V-. Dans ce troisième mode de réalisation, lors de la phase de comparaison, la porte 106 reçoit un front montant sur son entrée 110 et la porte 108 reçoit un front descendant sur son entrée 110. Dans l'exemple de la , les portes 106 et 108 appartiennent à la branche 100 du comparateur 1, et la tension V+, respectivement V-, est reçue par le noeud 114 de la porte 106, respectivement 108. Dans un autre exemple non illustré, ces portes 106 et 108 appartiennent à la branche 102, et la tension V-, respectivement V+, est reçue par le noeud 114 de la porte 106, respectivement 108. La porte 106 comprend un transistor MOS 500, par exemple à canal P, reliant la sortie 112 de la porte au noeud 301. A titre d'exemple, le transistor 500 a une borne de conduction, par exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au noeud 301, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée, de préférence connectée à la sortie 112 de la porte. Le transistor 500 est configuré pour être à l'état passant lorsqu'un signal sig1 est actif, c’est-à-dire lorsque le signal binaire sig1 est dans un état binaire correspondant à cet état actif. La porte 106 comprend donc une entrée 118, dite de commande, configurée pour recevoir un signal de commande du transistor 500, la grille du transistor 500 étant connectée à l'entrée 118 de la porte. A titre d'exemple, et comme cela est représenté en , lorsque l'état binaire du signal sig1 correspondant à l'état actif est l'état bas, et lorsque le transistor 500 est à canal P, l'entrée 118 reçoit le signal sig1. La porte 106 comprend en outre un transistor MOS 502, et un transistor MOS 504 ou un ensemble de transistor MOS 504. En , le transistor 504, ou l'ensemble des transistors 504 lorsque la porte 106 comprend plusieurs transistors 504, est représenté schématiquement sous la forme d'un bloc 506. A titre d'exemple, lorsque la porte 106 comprend plusieurs transistors MOS 504, ces transistors sont associés en série et/ou en parallèle entre un noeud 5061 relié, par exemple connecté, à la sortie 112, et un noeud 5062 relié au noeud 304. Selon un autre exemple, lorsque la porte 106 ne comprend qu'un seul transistor 504, celui-ci a une borne de conduction, par exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au noeud 5062, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée, de préférence connectée, au noeud 5061. Le transistor 502 est connecté en série avec le transistor 504 ou avec l'ensemble des transistors 504, entre la sortie 112 et le noeud 304 de la porte 106. La grille de chaque transistor 504 est connectée à l'entrée 110 de la porte. Les transistors 502 et 504 sont, par exemple à canal N. Le transistor 502 a par exemple une borne de conduction, par exemple sa source, reliée au noeud 304, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée au noeud 5062. Le transistor 502 est configuré pour être à l'état bloqué lorsqu'un signal sig2 est actif, c’est-à-dire lorsque le signal binaire sig2 est dans un état binaire correspondant à cet état actif. La porte 106 comprend donc une entrée 120, dite de commande, configurée pour recevoir un signal de commande du transistor 502, la grille du transistor 502 étant connectée à l'entrée 120 de la porte. A titre d'exemple, et comme cela est représenté en , lorsque l'état binaire du signal sig2 correspondant à l'état actif est l'état bas, et lorsque le transistor 502 est à canal N, l'entrée 120 reçoit le signal sig2. La porte 108 comprend un transistor MOS 600, par exemple à canal N, reliant la sortie 112 de la porte au noeud 304. Par exemple, le transistor 600 a une borne de conduction, par exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au noeud 304, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée, de préférence connectée à la sortie 112 de la porte. Le transistor 600 est configuré pour être à l'état passant lorsque le signal sig1 est actif. La porte 108 comprend donc, comme la porte 106, une entrée 118 de commande configurée pour recevoir un signal de commande du transistor 600, la grille du transistor 600 étant connectée à l'entrée 118 de la porte. A titre d'exemple, et comme cela est représenté en , lorsque l'état binaire du signal sig1 correspondant à l'état actif est l'état bas, et lorsque le transistor 600 est canal N, l'entrée 118 de la porte 108 reçoit un signal nsig1 complémentaire du signal sig1. La porte 108 comprend en outre un transistor MOS 602, et un transistor MOS 604 ou un ensemble de transistor MOS 604. En , le transistor 604, ou l'ensemble des transistors 604 lorsque la porte 108 comprend plusieurs transistors 604, est représenté schématiquement sous la forme d'un bloc 606. A titre d'exemple, lorsque la porte 108 comprend plusieurs transistors MOS 604, ces transistors sont associés en série et/ou en parallèle entre un noeud 6061 relié, par exemple connecté, à la sortie 112 de la porte 108, et un noeud 6062 relié au noeud 304. Selon un autre exemple, lorsque la porte 108 ne comprend qu'un seul transistor 604, celui-ci a une borne de conduction, par exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au noeud 6062, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée, de préférence connectée, au noeud 6061. Le transistor 602 est connecté en série avec le transistor 604 ou avec l'ensemble des transistors 604, entre la sortie 112 et le noeud 304 de la porte 108. La grille de chaque transistor 604 est connectée à l'entrée 110 de la porte 108. Les transistors 602 et 604 sont, par exemple, à canal P. Le transistor 602 a par exemple une borne de conduction, par exemple sa source, reliée au noeud 301, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée au noeud 6062. Le transistor 602 est configuré pour être à l'état bloqué lorsque le signal sig2 est actif. La porte 108 comprend donc, comme la porte 106, une entrée 120 de commande configurée pour recevoir un signal de commande du transistor 602, la grille du transistor 602 étant connectée à l'entrée 120 de la porte 108. A titre d'exemple, et comme cela est représenté en , lorsque l'état binaire du signal sig2 correspondant à l'état actif est l'état bas, et lorsque le transistor 602 est à canal P, l'entrée 120 de la porte 108 reçoit un signal nsig2 complémentaire du signal sig2. Dans ce troisième mode de réalisation, le ou les transistors 504 de la porte 106 sont polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 106, le ou les transistors 604 de la porte 108 étant polarisés à partir de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. Dans ce troisième mode de réalisation, la porte 106 comprend un transistor MOS 508, par exemple à canal N, et la porte 108 comprend un transistor 608, par exemple à canal P. Dans la porte 106, le transistor 508 est en série avec le transistor 502, entre le noeud 304 et la sortie 112. Dit autrement, le transistor 508 est en série avec le transistor 502 et le transistor 504 ou l'ensemble des transistors 504. Par exemple, le transistor 508 relie le transistor 502 au bloc 506. Le transistor 508 a alors une borne de conduction, par exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au transistor 502, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée, de préférence connectée, au noeud 5062. La grille du transistor 508 est connectée au noeud 114 de la porte 106. Dans la porte 108, le transistor 608 est en série avec le transistor 602, entre le noeud 301 et la sortie 112 de la porte 108. Dit autrement, le transistor 608 est en série avec le transistor 602 et le transistor 604 ou l'ensemble des transistors 604. Par exemple, le transistor 608 relie le transistor 602 au bloc 606. Le transistor 608 a alors une borne de conduction, par exemple sa source, reliée, de préférence connectée, au transistor 502, et une autre borne de conduction, par exemple son drain, reliée, de préférence connectée, au noeud 6062. La grille du transistor 608 est connectée au noeud 114 de la porte 108. Le fonctionnement des portes 106 et 108, selon ce troisième mode de réalisation, est le suivant. Dans une phase d'initialisation, préalable à chaque mise en œuvre d'une comparaison des tension V+ et V-, le signal sig2 est commuté à l'état actif, par exemple par un circuit de commande du comparateur. Il en résulte que les transistors 502 et 602 commutent à l'état bloqué, ce qui permet d'isoler électriquement la sortie 112 de la porte 106 du noeud 304, et la sortie 112 de la porte 108 du noeud 301. Puis, toujours pendant la phase d'initialisation, le signal sig1 est ensuite commuté à l'état actif, par exemple par le circuit de commande du comparateur, et les transistors 500 et 600 sont commutés à l'état passant. Il en résulte que la sortie 112 de la porte 106 est mise à l'état haut (Vdd) et que la sortie 112 de la porte 108 est mise à l'état bas (GND). On notera que le signal sig1 est commuté à l'état actif après le signal sig2, pour éviter la conduction croisée dans les portes 106 et 108. A la fin de l'étape d'initialisation, les signaux sig1 et sig2 sont commutés à l'état inactif, alors que l'entrée 110 de la porte 106 est à l'état bas (GND) et que l'entrée 110 de la porte 108 est à l'état haut (Vdd). Il en résulte que les transistors 500 et 600 commutent à l'état bloqué, et que les transistors 502 et 602 commutent à l'état passant. Comme l'entrée 110 de la porte 106 est à l'état bas (GND), le ou les transistors 504 sont bloqués. En outre, comme l'entrée 110 de la porte 108 est l'état haut (Vdd), le ou les transistors 604 sont bloqués. La sortie 112 de la porte 106 est donc dans un état de haute impédance et reste à l'état haut (Vdd), la sortie 112 de la porte 108 étant également dans un état de haute impédance et restant à l'état bas (GND). On notera que l'état bloqué des transistors 500 et 600 à la fin de l'étape d'initialisation, alors que les transistors 502 et 602 sont passants, permet d'empêcher la conduction croisée dans les portes 106 et 108. Pendant une phase suivante de comparaison, lorsque l'entrée 110 de la porte 106 reçoit un front montant, son entrée 110 commute à l'état haut (Vdd). Il en résulte que le ou les transistors 504 commutent à l'état passant et tirent la sortie 112 de la porte 106 à l'état bas (GND), à une vitesse qui dépend de la tension sur le noeud 114 de la porte 106. En outre, lorsque l'entrée 110 de la porte 108 reçoit un front descendant, son entrée 110 commute à l'état bas (GND). Il en résulte que le ou les transistors 604 commutent à l'état passant et tirent la sortie 112 de la porte 108 à l'état haut (Vdd), à une vitesse qui dépend de la tension sur le noeud 114 de la porte 108. On notera que l'état bloqué des transistors 500 et 600 pendant la phase de comparaison, alors que les transistors 502 et 602 sont passants, permet d'empêcher la conduction croisée dans les portes 106 et 108. On a décrit ci-dessus, en relation avec la , un troisième mode de réalisation dans lequel, pendant une phase de comparaison des tensions V+ et V-, la porte 106 reçoit un front montant et la porte 108 reçoit un front descendant. Selon un quatrième mode de réalisation, non illustré, une phase de comparaison des tensions V+ et V- est déclenchée par un front descendant sur le noeud 104 ( ). Dans ce quatrième de réalisation, chaque porte 106 est alors mise en œuvre comme la porte 108 selon le troisième mode de réalisation illustré par la , et chaque porte 108 est alors mise en oeuvre comme la porte 106 selon le troisième mode de réalisation illustré par la . La représente un exemple d'une porte 106 (en haut en ) et d'une porte 108 (à bas en ) du comparateur 1 de la , selon une variante de réalisation où l'on tire profit de la connaissance à priori du type de front sur le noeud 104 du comparateur. Plus particulièrement, la illustre une troisième variante de réalisation dans lequel un front montant est appliqué au noeud 104 ( ) pour déclencher une phase de comparaison des tensions V+ et V-. Ainsi, dans cette troisième variante, pendant une phase de comparaison des tensions V+ et V-, la porte 106 reçoit un front montant et la porte 108 reçoit un front descendant. Dans l'exemple de la , les portes 106 et 108 appartiennent à la branche 100 du comparateur 1 de la , le noeud 114 de la porte 106 recevant la tension V+, et le noeud 114 de la porte 108 recevant la tension V-. Dans un autre exemple non illustré, ces portes 106 et 108 appartiennent à la branche 102, et la tension V-, respectivement V+, est reçue par le noeud 114 de la porte 106, respectivement 108. La porte 106, respectivement 108, selon une troisième variante de réalisation illustrée par la comprend nombreux éléments en commun avec la porte 106, respectivement 108, selon le troisième mode de réalisation illustré par la , et seules les différences entre ces portes sont ici mises en exergue. En , chaque transistor 504, respectivement 604, de la porte 106, respectivement 108, est mis en œuvre à partir d'une structure de type SOI, de préférence de type FDSOI. Ces transistors 504 et 604 comprennent alors chacun une grille arrière. La grille arrière de chaque transistor 504 de la porte 106 est connectée au noeud 114 de la porte 106, et la grille arrière de chaque transistor 604 de la porte 108 est connectée au noeud 114 de la porte 108. Dans cette troisième variante, comme cela est illustré par la , le transistor 508 de la porte 106 et le transistor 608 de la porte 108 peuvent être omis. Il en résulte que les portes 106 et 108 de la sont plus compactes que les portes 106 et 108 de la . Le fonctionnement des portes 106 et 108 de la est identique à celui des portes 106 et 108 de la et ne sera pas décrit à nouveau. On a décrit ci-dessus, en relation avec la , une troisième variante de réalisation dans laquelle, pendant une phase de comparaison des tensions V+ et V-, la porte 106 reçoit un front montant et la porte 108 reçoit un front descendant. Selon une quatrième variante de réalisation, non illustrée, une phase de comparaison des tensions V+ et V- est déclenchée par un front descendant sur le noeud 104 ( ), de sorte que, pendant la phase de comparaison, la porte 106 reçoit un front descendant et la porte 108 reçoit un front montant. Dans cette quatrième variante de réalisation, chaque porte 106 est alors mise en œuvre comme la porte 108 selon la troisième variante de réalisation illustrée par la , et chaque porte 108 est alors mise en oeuvre comme la porte 106 selon la troisième variante de réalisation décrite en relation avec la . La troisième variante de réalisation décrite en relation avec la peut être combinée avec le troisième mode de réalisation décrit en relation avec la , la quatrième variante de réalisation pouvant être combinée avec le quatrième mode de réalisation. La mise en œuvre de ces combinaisons est à la portée de la personne du métier. De préférence, dans les troisième et quatrième modes de réalisation décrits en relation avec la , et dans les troisième et quatrième variantes de réalisation décrites en relation avec la , les portes ne comprennent qu'un seul transistor 504 et un seul transistor 604. La représente une variante de réalisation du comparateur 1 de la , dans laquelle les portes 106, 108 du comparateur sont mises en œuvre selon le troisième mode de réalisation décrit en relation avec la , ou selon la troisième variante de réalisation décrite en relation avec la . Dit autrement, en , le front appliqué sur le noeud 104 pour déclencher une phase de comparaison des tensions V+ et V- est un front montant. Le comparateur de la comprend de nombreuses similitudes avec le comparateur de la , et seules les différences entre ces deux comparateurs sont ici mises en exergue. Par rapport au comparateur 1 de la , dans le comparateur 1 de la , les portes 106, 108 comprennent chacune les entrées 118 et 120 de commande. En outre, le comparateur 1 de la comprend un circuit de commande 900 (bloc "CTRL") configuré pour fournir les signaux sig1 et sig2. Le signal nsig1, respectivement nsig2, est obtenu à partir du signal sig1, respectivement sig2, par exemple au moyen d'un inverseur 901, respectivement 902. Les inverseurs 901 et 902 peuvent être externes au circuit 900 comme cela est représenté en , ou, en variante, faire partie de ce circuit 900. A titre d'exemple, le circuit 900 est connecté au noeud 104 pour recevoir ou fournir le signal appliqué sur ce noeud 104, par exemple le signal d'horloge clk. La mise en œuvre du circuit 900 est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. A titre d'exemple, le circuit 116 du comparateur est ici mis en œuvre par deux portes NON-ET 903 et 904 rebouclées l'une sur l'autre, une entrée de la porte 903 étant connectée à l'entrée 1161 du circuit 116, une entrée de la porte 904 étant connectée à l'entrée 1162 du circuit 116 et la sortie de la porte 903 étant connectée à la sortie 1163 du circuit 116. Le comparateur 1 de la illustre le cas où le front appliqué sur le noeud 104 pour déclencher une phase de comparaison des tensions V+ et V- est un front montant, et où les portes 106, 108 sont mises en œuvre selon le troisième mode de réalisation ou selon la troisième variante de réalisation. La mise en œuvre du comparateur 1 dans le cas où le front appliqué sur le noeud 104 pour déclencher une phase de comparaison des tensions V+ et V- est un front descendant, à partir de portes 106 et 108 selon le quatrième mode de réalisation ou selon la quatrième variante de réalisation est à la portée de la personne du métier. Un avantage d'un comparateur dynamique de la est qu'il n'y a aucune conduction croisée dans les portes 106 et 108 du comparateur. Cela est vrai pendant la phase d'initialisation grâce à la commutation du signal sig2 à l'état actif avant que le signal sig1 commute à l'état actif. En effet, l'état actif du signal sig2 entraîne que les transistors 502 et 602 sont à l'état bloqué, et permettent ainsi de couper l'éventuel chemin conducteur qu'il pourrait y avoir, dans chaque porte, entre les noeuds 301 et 304. En outre, cela est également vrai pendant la phase de comparaison grâce à la commutation du signal sig1 à l'état inactif. En effet, l'état inactif du signal sig1 entraîne que les transistors 500 et 600 sont à l'état bloqué, et permettent ainsi de couper l'éventuel chemin conducteur qu'il pourrait y avoir, dans chaque porte, entre les noeuds 301 et 304. On a décrit ci-dessus, en relation avec la et la des modes de réalisation et variantes des portes 106 et 108 du comparateur. Bien que cela ne soit pas revendiqué ici, ces portes peuvent être utilisées pour former des structures élémentaires pouvant être mises en œuvre dans des circuits autres que des comparateurs dynamiques à course de front. La illustre un premier exemple d'une telle structure élémentaire 2. Plus particulièrement, dans ce premier exemple, la structure élémentaire est configurée pour recevoir un front montant. La structure élémentaire 2 correspond alors à la mise en série d'une porte 200 identique à la porte 106 selon le troisième mode de réalisation, et d'une porte 202 identique à la porte 108 selon le troisième mode de réalisation, la sortie 112 de la porte 200 étant connectée à l'entrée 110 de la porte 202. Dans la structure 2, le noeud 114 de la porte 200 et le noeud 114 de la porte 202 reçoivent deux tensions différentes, respectivement V1 et V2. En fonction des valeurs de ces tensions V1 et V2, il est possible de régler le délai introduit par la structure 2 entre la réception d'un front montant par l'entrée de la structure 2, c’est-à-dire l'entrée 110 de la porte 200, et la fourniture d'un front montant correspondant en sortie de la structure, c’est-à-dire sur la sortie 112 de la porte 202. La personne du métier est en mesure de mettre en œuvre la structure 2 de la dans le cas où la porte 200 est identique à la porte 106 selon la troisième variante de réalisation et où la porte 202 est identique à la porte 108 selon la troisième variante de réalisation. La illustre un deuxième exemple d'une telle structure élémentaire 2. Plus particulièrement, dans ce deuxième exemple, la structure élémentaire 2 est configurée pour recevoir un front descendant. La structure élémentaire 2 correspond alors à la mise en série d'une porte 200 identique à la porte 108 selon le troisième mode, et d'une porte 202 identique à la porte 106 selon le troisième mode de réalisation, la sortie 112 de la porte 200 étant connectée à l'entrée 110 de la porte 202. Dit autrement, la structure élémentaire 2 correspond à la mise en série d'une porte 200 identique à la porte 106 selon le quatrième mode de réalisation, et d'une porte 202 identique à la porte 108 selon le quatrième mode de réalisation. Comme en , le noeud 114 de la porte 200 et le noeud 114 de la porte 202 reçoivent deux tensions différentes, respectivement V1 et V2. En fonction des valeurs de ces tensions V1 et V2, il est possible de régler le délai introduit par la structure 2 entre la réception d'un front descendant par l'entrée de la structure 2 et la fourniture d'un front descendant correspondant en sortie de la structure. La personne du métier est en mesure de mettre en œuvre la structure 2 de la dans le cas où la porte 200 est identique à la porte 108 selon la troisième variante de réalisation et où la porte 202 est identique à la porte 106 selon la troisième variante de réalisation. Dit autrement, la personne du métier est en mesure de mettre en œuvre la structure 2 de la dans le cas où la porte 200 est identique à la porte 106 selon la quatrième variante de réalisation, et où la porte 202 est identique à la porte 108 selon la quatrième variante de réalisation. Ainsi, dans les exemples ci-dessus décrit en relation avec la et la , la première porte 200 de la structure 2 comprend : - un premier transistor MOS (500 en , 600 en ) reliant la sortie 112 de la porte 200 à un premier noeud (301 en , 304 en ) ; et - un deuxième transistor (502 en , 602 en ) en série avec un troisième transistor ou un ensemble de troisièmes transistors (504 en , 604 en ), entre la sortie 112 de la porte 200 et un deuxième noeud (304 en , 301 en ), chaque troisième transistor ayant une grille connectée à l'entrée 110 de la porte 200, et la deuxième porte 202 comprend ; - un quatrième transistor (600 en , 500 en ) reliant la sortie 112 de la porte 202 au deuxième noeud (304 en , 301 en ) ; et - un cinquième transistor (602 en , 502 en ) en série avec un sixième transistor ou un ensemble de sixièmes transistors (604 en , 504 en ) entre la sortie 112 de la porte 202 et le premier noeud (301 en , 304 en ), chaque sixième transistor ayant une grille connectée à l'entrée 110 de la porte 202. Dans cette structure 2, les premier et quatrième transistors sont configurés pour être à l'état passant lorsque le signal sig1 est actif, et les deuxième et cinquième transistors sont configurés pour être à l'état bloqué lorsque le signal sig2 est actif, de manière à mettre en œuvre, préalablement à une phase de propagation d'un front, une étape d'initialisation des portes 200 et 202 telle que décrite précédemment en relation avec la . Dans cette structure 2, la sortie 112 de la première porte 200 est connectée à l'entrée 110 de la deuxième porte 202. Dans cette structure 2, le ou les troisièmes transistors de la porte 200 (504 en , 604 en ) sont polarisés à partir de la tension V1 sur le noeud de polarisation 114 de la porte 200, le ou les sixièmes transistors de la porte 202 (604 en , 504 en ) étant polarisés à partir de la tension V2 sur le noeud de polarisation 114 de la porte 200 Plus particulièrement, selon une première mise en œuvre illustrée par la et la , la première porte 200 comprend en outre un septième transistor (508 en , 608 en ) en série avec le ou les troisièmes transistors (504 en , 604 en ), entre le deuxième noeud (304 en , 301 en ) et la sortie 112 de la porte 200, la grille du septième transistor étant connectée au noeud 114 de la porte 200. Selon cette première mise en œuvre, la deuxième porte 202 comprend en outre un huitième transistor (608 en , 508 en ) en série avec le ou les sixièmes transistors (604 en , 504 en ), entre le premier noeud (301 en , 304 en ) et la sortie 112 de la porte 202, la grille du huitième transistor étant connectée au noeud 114 de la porte 202. Selon une deuxième mise en œuvre, non illustrée, chaque troisième transistor (504 en , 604 en ) de la première porte 200 est mis en œuvre à partir d'une structure SOI ou FDSOI, et chaque sixième transistor (604 en , 504 en ) de la deuxième porte 202 est mis en œuvre à partir d'une structure respectivement SOI ou FDSOI. Dans cette deuxième mise en œuvre, la grille arrière de chaque troisième transistor (504 en , 604 en ) de la première porte 200 est connectée au noeud 114 de la porte 200, la grille arrière de chaque sixième transistor (604 en , 504 en ) de la porte 202 étant connectée au noeud 114 de la porte 202. Par rapport à la première mise en œuvre, dans la deuxième mise en œuvre de la structure 2, les septième (508 en , 608 en ) et huitième (608 en , 508 en ) transistors peuvent être omis. La structure 2 proposée ci-dessus peut, par exemple, être utilisée comme élément de retard adapté à introduire un retard donné dans la propagation d'un front d'un type donné préalablement connu. Le retard introduit est déterminé par les tensions V1 et V2. Ce retard peut avantageusement être modifié en modifiant la différence entre les tensions V1 et V2, par exemple lors d'une phase d'étalonnage ou pendant l'utilisation de la structure 2 pour tenir compte d'éventuelles dispersions liées à des variations de température de fonctionnement ou de la tension d'alimentation Vdd. A titre d'exemple, la structure 2 est utilisée comme élément de retard dans un convertisseur d'une durée en un signal numérique (ou TDC de l'anglais "Time to Digital Converter"). Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. En particulier, la personne du métier saura adapter les modes de réalisation et variantes décrits en relation avec la , la , la , la et la au cas où le signal sig1 est actif à l'état haut et/ou au cas où le signal sig2 est actif à l'état haut. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Comparateur dynamique (1) d'une première tension (V+) et d'une deuxième tension (V-), comprenant des première (100) et deuxième (102) branches comportant chacune une même succession de premières (106) et deuxièmes (108) portes logiques alternées en série entre un premier noeud (104) et une sortie (1002 ; 1022) de ladite branche (100 ; 102), dans lequel : chaque branche (100 ; 102) débute par une première porte (106), chacune des premières et deuxièmes portes (106 ; 108) a un deuxième noeud (114) configuré pour recevoir une tension de polarisation, le deuxième noeud (114) de chaque première porte (106) de la première branche (100) et de chaque deuxième porte (108) de la deuxième branche (102) reçoit la première tension(V+) et le deuxième noeud (114) de chaque deuxième porte (108) de la première branche (100) et de chaque première porte (106) de la deuxième branche (102) recevant la deuxième tension (V-), de sorte qu'un front sur le premier noeud (104) se propage dans les première et deuxième branches (100 ; 102) à des vitesses déterminées par les première et deuxième tensions (V+ ; V-), et un ordre d'arrivée des fronts propagés par les première et deuxième branches (100 ; 102), sur les sorties (1002 ; 1022) desdites branches, détermine un résultat d'une comparaison des première et deuxième tensions (V+ ; V-). Comparateur selon la revendication 1, dans lequel chacune des premières et deuxièmes portes (106 ; 108) met en œuvre une fonction inverseuse. Comparateur selon la revendication 2, dans lequel le front sur le premier noeud (104) est un front montant, la tension (V+, V-) sur le deuxième noeud (114) de chaque première porte déterminant une vitesse de commutation à l'état bas de ladite porte, et la tension (V-, V+) sur le deuxième noeud (114) de chaque deuxième porte (108) déterminant une vitesse de commutation à l'état haut de ladite porte, ou, dans lequel le front sur le premier noeud (104) est un front descendant, la tension (V+, V-) sur le deuxième noeud (114) de chaque première porte (106) déterminant une vitesse de commutation à l'état haut de ladite porte, et la tension (V-, V+) sur le deuxième noeud (114) de chaque deuxième porte (108) déterminant une vitesse de commutation à l'état bas de ladite porte. Comparateur selon la revendication 2 ou 3, dans lequel chacune des premières et deuxièmes portes (106 ; 108) comprend : au moins un premier transistor MOS (300) configuré pour commuter de ladite porte à l'état haut lorsque ladite porte reçoit un front montant ; et au moins un deuxième transistor MOS (303) configuré pour commuter ladite porte à l'état bas lorsque ladite porte reçoit un front montant, et dans lequel : ledit au moins un premier transistor (300) de chaque première porte (106) est polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud (114) de ladite porte et ledit au moins un deuxième transistor (303) de chaque deuxième porte (108) est polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud (114) de ladite porte, lorsque le front sur le premier noeud (104) est un front montant, ou ledit au moins un deuxième transistor (303) de chaque première porte (106) est polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud (114) de ladite porte et ledit au moins un premier transistor (300) de chaque deuxième porte (108) est polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud (114) de ladite porte, lorsque le front sur le premier noeud est un front descendant. Comparateur selon la revendication 4, dans lequel, chacune des premières et deuxièmes portes (106, 108) comprend un troisième transistor MOS (306, 307) ayant une grille connectée au deuxième noeud (114) de ladite porte, le troisième transistor (306, 307) de chaque première porte (106) étant en série avec ledit au moins un premier transistor (300) lorsque le front sur le premier noeud (104) est un front descendant, ou en série avec ledit au moins un deuxième transistor (303) lorsque le front sur le premier noeud (104) est un front montant, et le troisième transistor (306, 307) de chaque deuxième porte (108) étant en série avec ledit au moins un premier transistor (300) lorsque le front sur le premier noeud (104) est un front montant, ou en série avec ledit au moins un deuxième transistor (303) lorsque le front sur le premier noeud (104) est un front descendant. Comparateur selon la revendication 4, dans lequel les premier(s) et deuxième(s) transistors (300, 303) de chaque première et deuxième portes (106, 108) sont mis en œuvre sur semiconducteur sur isolant, éventuellement sur semiconducteur sur isolant complétement déplété, et dans lequel : une grille arrière de chaque premier transistor (300) de chaque première porte (106) est connectée au deuxième noeud (114) de ladite première porte (106) et une grille arrière de chaque deuxième transistor (303) de chaque deuxième porte (108) est connectée au deuxième noeud (114) de ladite deuxième porte (108) quand le front sur le premier noeud (104) est un front descendant ; ou une grille arrière de chaque deuxième transistor (303) de chaque première porte (106) est connectée au deuxième noeud (114) de ladite première porte (106) et une grille arrière de chaque premier transistor (300) de chaque deuxième porte (108) est connectée au deuxième noeud (114) de ladite deuxième porte (108) quand le front sur le premier noeud (104) est un front montant. Comparateur selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel chacune des premières et deuxièmes portes (106, 108) comprend un unique premier transistor (300) et un unique deuxième transistor (303). Comparateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : chaque première porte (106) comprend : - un premier transistor MOS (500) reliant une sortie (112) de ladite porte (106) à un troisième noeud (301) ; et - un deuxième transistor (502) en série avec un troisième transistor ou un ensemble de troisièmes transistors (504) entre la sortie (112) de ladite porte (106) et un quatrième noeud (304), chaque troisième transistor (504) ayant une grille connectée à une entrée (110) de ladite porte (106), et chaque troisième transistor (504) étant polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud (114) de la porte (106) ; chaque deuxième porte (108) comprend : - un quatrième transistor (600) reliant une sortie (112) de ladite porte (108) au quatrième noeud (304) ; et - un cinquième transistor (602) en série avec un sixième transistor ou un ensemble de sixièmes transistors (604) entre la sortie (112) de ladite porte (108) et le troisième noeud (301), chaque sixième transistor (604) ayant une grille connectée à une entrée (110) de ladite porte (108), et chaque sixième transistor (604) étant polarisé à partir de la tension sur le deuxième noeud (114) de la porte (108) ; les premier (500) et quatrième (600) transistors sont configurés pour être à l'état passant lorsqu'un premier signal (sig1) est actif, et les deuxième (502) et cinquième (602) transistors sont configurés pour être à l'état bloqué lorsqu'un deuxième signal (sig2) est actif ; et le troisième noeud (301) est l'un d'un noeud (301) configuré pour recevoir une tension d'alimentation (Vdd) et d'un noeud (304) configuré pour recevoir une tension de référence (GND), le quatrième noeud (304) étant l'autre desdits noeuds (301, 304). Comparateur selon la revendication 8, dans lequel : chaque première porte (106) comprend un septième transistor MOS (508) ayant une grille connectée au deuxième noeud (114) de ladite première porte (106), le septième transistor (508) étant en série avec le deuxième transistor (502) entre le quatrième noeud (304) et la sortie (112) de ladite première porte (106) ; et chaque deuxième porte (108) comprend un huitième transistor MOS (608) ayant une grille connectée au deuxième noeud (114) de ladite deuxième porte (108), le huitième transistor (608) étant en série avec le cinquième transistor (602) entre le troisième noeud (301) et la sortie (112) de ladite deuxième porte (108). Comparateur selon la revendication 8, dans lequel : chaque troisième transistor (504) de chaque première porte (106) est mis en œuvre sur semiconducteur sur isolant, éventuellement sur semiconducteur sur isolant complétement déplété, et comprend une grille arrière connectée au deuxième noeud (114) de ladite porte (106) ; et chaque cinquième transistor (604) de chaque deuxième porte (108) est mis en en œuvre sur semiconducteur sur isolant, éventuellement sur semiconducteur sur isolant complétement déplété, et comprend une grille arrière connectée au deuxième noeud (114) de ladite porte (108). Comparateur selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel chaque première porte (106) comprend un seul troisième transistor (504) et dans lequel chaque deuxième porte (108) comprend un seul cinquième transistor (604). Comparateur selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, comprenant en outre un circuit de commande (900) configuré pour : commuter le premier signal (sig1) à l'état actif puis le deuxième signal (sig2) à l'état actif pendant une phase d'initialisation préalable à une fourniture dudit front sur le premier noeud (104) ; et commuter les premier et deuxième signaux (sig1, sig2) à un état inactif à la fin de la phase d'initialisation. Comparateur selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel : le front sur le premier noeud (104) est un front montant, le troisième noeud étant le noeud (301) d'application de la tension d'alimentation (Vdd) et le quatrième noeud étant le noeud (304) d'application de la tension de référence (GND) ; ou le front sur le premier noeud (104) est un front descendant, le troisième noeud étant le noeud (304) d'application de la tension de référence (GND) et le quatrième noeud étant le noeud (301) d'application de la tension d'alimentation (Vdd). Comparateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant en outre un circuit de mémorisation (116) comprenant une première entrée (1161) connectée à la sortie (1002) de la première branche (100), une deuxième entrée (1162) connectée à la sortie (1022) de la deuxième branche (102), et une sortie (1163) déterminée par l'ordre d'arrivée, sur les première et deuxième entrées (1161, 1162), des fronts propagés par les première et deuxième branches (100, 102), le circuit de mémorisation (116) comprenant, par exemple : - deux portes NON-ET (904, 905) rebouclées l'une sur l'autre, l'une des deux portes ayant une entrée connectée à la première entrée (1161) dudit circuit (116) et l'autre des deux portes ayant une entrée connectée à la deuxième entrée (1162) dudit circuit (116) ; ou - deux portes NON-OU rebouclées l'une sur l'autre, l'une des deux portes ayant une entrée connectée à la première entrée dudit circuit et l'autre des deux portes ayant une entrée connectée à la deuxième entrée dudit circuit ; ou - une bascule de type D. Convertisseur analogique numérique comprenant un comparateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.