FR 3116383 A1 20220520 FR 2011744 A 20201117 Boîtier de circuit intégré, comprenant un substrat support (20) supportant une puce électronique (50), un enrobage (40) situé sur le substrat support et enrobant ladite puce électronique, un dissipateur thermique(80) situé au-dessus de ladite puce électronique et au-dessus d’au moins une partie dudit enrobage et fixé sur ledit enrobage par un matériau adhésif (90) et une couche (70) d’un matériau d’interface thermique située entre la puce électronique et le dissipateur thermique, dans lequel l’enrobage (40) comporte une première tranchée (401) entourant ladite puce (50) et située entre la couche (70) de matériau d’interface thermique et le matériau adhésif (90). Figure de l’abrégé : figure 2 Boîtier de circuit intégré avec dissipateur thermiqueet procédé de fabrication Des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention concernent le conditionnement (« packaging » en langue anglaise) de dispositifs électroniques intégrés, notamment les boîtiers pour circuits intégrés et tout particulièrement les boîtiers comportant un dissipateur thermique (« lid » en langue anglaise), par exemple les boîtiers de taille réduite avec une puce électronique retournée, connus par l’homme du métier sous l’acronyme anglo-saxon FCCSP (« Flip Chip Compact Size Package »). Un exemple d’un boîtier de circuit intégré avec dissipateur thermique de l’art antérieur est illustré sur la . Ce boîtier comprend un substrat support 2 supportant une puce électronique 5 retournée. Plus particulièrement, la puce 5 comporte ici des moyens de connexion formés de bosses (« bumps » en langue anglaise) permettant de la connecter électriquement aux pistes métalliques du substrat support 2. Le substrat de support 2 comporte en effet un réseau d’interconnexion qui permet de connecter les moyens de connexion 6 de la puce à des moyens de connexion 3 permettant au substrat support 2 d’être connecté sur une carte de circuit imprimé. Ces moyens de connexion 3 peuvent être par exemple une matrice de billes. La puce électronique 5 est enrobée dans un enrobage 4 situé sur le substrat support 2. La face de la puce électronique 5, opposée à celle comportant les moyens de connexion 6 est recouverte d’une couche 7 d’un matériau d’interface thermique (connu par l’homme du métier sous l’acronyme anglo-saxon TIM : Thermal Interface Material). Le boîtier 1 comporte également un dissipateur thermique (LID) 8 recouvrant d’une part la couche 7 de matériau d’interface thermique et fixé d’autre part sur la face supérieure de l’enrobage 4 par un matériau adhésif 9, par exemple un cordon de colle. Cependant, une telle structure présente certains inconvénients. En effet, lors du montage du dissipateur thermique 8, une partie du matériau d’interface thermique peut s’étaler et venir en contact avec la colle adhésive 9 ce qui peut poser des problèmes d’incompatibilité chimique. Une solution pour réduire ce risque d’étalement du matériau d’interface thermique peut consister à ne pas exercer une pression trop importante sur le dissipateur thermique 8 lors de son montage. Mais, dans ce cas, une telle solution peut conduire à la formation d’une couche de matériau d’interface thermique ayant une épaisseur plus importante que nécessaire ce qui conduit alors à une résistance thermique du matériau d’interface thermique plus importante et donc à une dissipation de chaleur moins efficace. Il existe par conséquent un besoin d’apporter une solution plus satisfaisante à ce problème. Selon un mode de mise en œuvre et de réalisation, il est proposé une nouvelle structure de boîtier permettant de limiter, voire de supprimer, le risque d’étalement du matériau d’interface thermique sur l’enrobage de façon à limiter, voire supprimer, le risque de mélange avec le matériau adhésif fixant le dissipateur thermique sur l’enrobage. Selon un mode de mise en œuvre et de réalisation il est également proposé une nouvelle structure de boîtier permettant un meilleur contrôle de l’épaisseur de la couche de matériau d’interface thermique conduisant à une réduction de la résistance thermique de cette couche et par conséquent à une dissipation de chaleur améliorée. Selon un aspect, il est proposé un boîtier de circuit intégré, comprenant -un substrat support supportant une puce électronique, -un enrobage situé sur le substrat support et enrobant ladite puce électronique, -un dissipateur thermique situé au-dessus de ladite puce électronique et au-dessus d’au moins une partie dudit enrobage et fixé sur ledit enrobage par un matériau adhésif, et -une couche d’un matériau d’interface thermique situé entre la puce électronique et le dissipateur thermique. Dans ce boîtier, l’enrobage comporte avantageusement au moins une première tranchée entourant ladite puce et située entre la couche de matériau d’interface thermique et le matériau adhésif. Ainsi, cette première tranchée forme un obstacle à l’étalement du matériau d’interface thermique et contribue à limiter le risque de mélange de ce matériau d’interface thermique avec le matériau adhésif. En outre le contrôle de l’épaisseur de la couche de matériau d’interface thermique est amélioré, et cette épaisseur peut être réduite par rapport à un boîtier de l’art antérieur, car même si la réduction de cette épaisseur conduit à un débordement d’une partie du matériau d’interface thermique au-delà de la puce, cette partie débordante pourra éventuellement s’écouler dans la première tranchée sans venir au contact du matériau adhésif. Même si cette première tranchée est présente dans l’enrobage, il se peut que dans certains cas une partie du matériau d’interface thermique ne vienne pas s’écouler dans cette tranchée. Cela étant, dans d’autres cas, la première tranchée peut contenir une partie du matériau d’interface thermique, qui se sera étalée lors du montage du dissipateur thermique. La première tranchée est avantageusement continue et est située de préférence au voisinage de la puce électronique. Selon un mode de réalisation, il est particulièrement avantageux que l’enrobage comporte en outre une deuxième tranchée située autour de la première tranchée et contenant au moins une partie du matériau adhésif. Ainsi, cette deuxième tranchée vise à contenir le matériau adhésif et par conséquent contribue, avec la première tranchée, encore plus à éviter un mélange du matériau d’interface thermique et du matériau adhésif lors du montage du dissipateur thermique sur l’enrobage. La deuxième tranchée pourrait être également continue mais en pratique elle peut être discontinue. La deuxième tranchée est par exemple située au voisinage de la périphérie du dissipateur thermique. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de réalisation d’un boîtier de circuit intégré. Ce procédé comprend -une fixation sur un substrat support d’une puce électronique, -une réalisation d’un enrobage sur le substrat support enrobant la puce électronique, -une formation dans ledit enrobage d’une première tranchée entourant ladite puce, -une formation d’une couche de matériau d’interface thermique sur la puce électronique et un montage d’un dissipateur thermique s’étendant au-dessus de la couche de matériau d’interface thermique et fixée sur le substrat support par l’intermédiaire d’un matériau adhésif, la première tranchée étant située entre la puce électronique et le matériau adhésif. La première tranchée est avantageusement continue et située de préférence au voisinage de la puce électronique. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend en outre une formation dans ledit enrobage d’une deuxième tranchée, par exemple discontinue et avantageusement située au voisinage de la périphérie du dissipateur thermique, cette deuxième tranchée étant située autour de la première tranchée. Le procédé selon ce mode de mise en œuvre comprend alors un remplissage de la deuxième tranchée avec le matériau adhésif débordant de l’ouverture de cette deuxième tranchée, et un montage du dissipateur thermique s’étendant au-dessus de la couche de matériau d’interface thermique et de la deuxième tranchée de façon à être fixé sur ledit enrobage par l’intermédiaire du matériau adhésif. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : déjà décrite illustre un art antérieur et et illustrent des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention. Sur la , la référence 10 désigne un boîtier comportant un substrat support 20 équipé sur une de ses faces de moyens de connexion électrique 30 permettant de connecter ce substrat support sur une carte de circuit imprimé par exemple, et supportant sur son autre face une puce 50 retournée. Cette puce 50 est électriquement connectée à des pistes métalliques du substrat support par l’intermédiaire de moyens de connexion 60 tels que des bosses (« bumps »). Le boîtier 10 comporte également un enrobage 40, par exemple en résine, situé sur le substrat support et enrobant la puce électronique 50. La puce électronique 50 est par ailleurs recouverte d’une couche 70 d’un matériau d’interface thermique (TIM) de composition bien connue de l’homme du métier. A titre d’exemple non limitatif, on peut par exemple utiliser le matériau de la société DOW connue sous la dénomination « DOWSIL DA 6534 » qui est un adhésif conducteur présentant une grande conductivité thermique. Le boîtier 10 comporte également un dissipateur thermique 80 situé au-dessus de la couche de matériau d’interface thermique 70 et au-dessus de l’enrobage 40 et fixé sur cet enrobage 40 par l’intermédiaire d’une colle adhésive 90 logée dans une tranchée 402. Une telle colle adhésive est classique et bien connue de l’homme du métier La représente une vue de dessus du boîtier de la dans lequel le dissipateur thermique et la couche de matériau d’interface thermique n’ont pas été représentés. On voit que l’enrobage 40 comporte une première tranchée 401 ménagée autour de la puce électronique 50 au voisinage de celle-ci, ainsi que la deuxième tranchée 402 mentionnée ci-avant. La première tranchée 401 a une profondeur par exemple de l’ordre de 50 micromètres et une largeur L1 de 100 micromètres. Elle est située à une distance d1 de la puce 50 pouvant être comprise entre 50 micromètres et 100 micromètres. On voit que cette première tranchée 401 est continue et entoure complètement la puce 50. La deuxième tranchée 402 est ici quant à elle discontinue et formée de quatre portions. La largeur L2 de chaque portion est de l’ordre de 250 micromètres et la profondeur de chaque portion est de l’ordre 75 micromètres. La deuxième tranchée 402 est située au voisinage de la périphérie du dissipateur thermique. On voit que la première tranchée 401 va servir d’obstacle pour l’étalement éventuel du matériau d’interface thermique lors du montage du dissipateur thermique. A cet égard, la première tranchée 401 peut in fine contenir une partie du matériau d’interface thermique TIM qui se sera légèrement étalé lors du montage du dissipateur thermique, comme matérialisé par la flèche F sur la . En raison de la présence notamment de cette première tranchée 401, on peut plus facilement contrôler l’épaisseur de la couche 70 du matériau d’interface thermique. A cet égard, alors que dans l’art antérieur pour un boîtier du type de celui illustré sur la , on pouvait obtenir une épaisseur de la couche de matériau d’interface thermique de l’ordre de 75 micromètres, il est possible, selon l’invention, de réduire cette épaisseur à 50 micromètres environ ce qui permet d’obtenir une réduction d’environ 33% de la résistance thermique par rapport à la résistance thermique du boîtier de la . On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 4 à 8 pour illustrer un exemple d’un procédé de fabrication d’un boîtier du type de celui de la . Sur la , on a représenté le substrat support 20 équipé de ses moyens de connexion 30 ainsi que la puce 50 retournée et électriquement connectée sur le substrat support par les moyens de connexion 60. Sur la , on forme, de façon classique et connue en soi, typiquement par moulage, l’enrobage 40 enrobant la puce électronique 50. Puis, sur la , on forme, dans l’enrobage 40, la première tranchée 401 autour de la puce 50 et la deuxième tranchée 402 autour de la première tranchée 401. Ces tranchées peuvent être par exemple réalisées par une ablation locale laser de l’enrobage ou par un creusement mécanique partiel de l’enrobage. Puis, comme illustré à la , on dépose la couche de matériau d’interface thermique 70 sur la puce 50 et on dépose dans la deuxième tranchée 402 la colle adhésive 90 de façon qu’elle remplisse cette tranchée 402 en débordant légèrement au-dessus de son orifice de façon à permettre, comme illustré sur la , la fixation du dissipateur thermique 80 lors de son montage au-dessus de la couche de matériau d’interface thermique 70. Boîtier de circuit intégré, comprenant un substrat support (20) supportant une puce électronique (50), un enrobage (40) situé sur le substrat support et enrobant ladite puce électronique, un dissipateur thermique(80) situé au-dessus de ladite puce électronique et au-dessus d’au moins une partie dudit enrobage et fixé sur ledit enrobage par un matériau adhésif (90) et une couche (70) d’un matériau d’interface thermique située entre la puce électronique et le dissipateur thermique, dans lequel l’enrobage (40) comporte une première tranchée (401) entourant ladite puce (50) et située entre la couche (70) de matériau d’interface thermique et le matériau adhésif (90). Boîtier selon la revendication 1, dans lequel la première tranchée (401) contient une partie du matériau d’interface thermique. Boîtier selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première tranchée (401) est continue. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel la première tranchée (401) est située au voisinage de la puce électronique. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’enrobage (40) comporte une deuxième tranchée (402) située autour de la première tranchée (401) et contenant au moins une partie du matériau adhésif (90). Boîtier selon la revendication 5, dans lequel la deuxième tranchée (402) est discontinue. Boîtier selon l’une des revendications 5 ou 6, dans lequel la deuxième tranchée (402) est située au voisinage de la périphérie du dissipateur thermique. Procédé de réalisation d’un boîtier de circuit intégré, comprenant -une fixation sur un substrat support (20) d’une puce électronique (50), -une réalisation d’un enrobage (40) sur le substrat support enrobant la puce électronique, -une formation dans ledit enrobage (40) d’une première tranchée (401) entourant ladite puce, -une formation d’une couche (70) de matériau d’interface thermique sur la puce électronique, et -un montage d’un dissipateur thermique (80) s’étendant au-dessus de la couche de matériau d’interface thermique et fixé sur le substrat support par l’intermédiaire d’un matériau adhésif (90), la première tranchée (401) étant située entre la puce électronique (50) et la matériau adhésif (90). Procédé selon la revendication 8, dans lequel on forme une première tranchée (401) continue. Procédé selon l’une des revendications 8 ou 9, dans lequel on forme la première tranchée (401) au voisinage de la puce électronique. Procédé selon l’une des revendications 8 à 10, comprenant en outre -une formation dans ledit enrobage (40) d’une deuxième tranchée (402) autour de la première tranchée et un remplissage de la deuxième tranchée avec le matériau adhésif (90) débordant de l’ouverture de cette deuxième tranchée, et -un montage du dissipateur thermique (80) s’étendant au-dessus de la couche de matériau d’interface thermique et de la deuxième tranchée de façon à être fixé sur ledit enrobage par l’intermédiaire du matériau adhésif. Procédé selon la revendication 11, dans lequel on forme une deuxième tranchée (402) discontinue. Procédé selon l’une des revendications 11 ou 12, dans lequel on forme la deuxième tranchée (402) au voisinage de la périphérie du dissipateur thermique.