FR 3115893 A1 20220506 FR 2011235 A 20201102 Selon un aspect, la présente description concerne un système d’émission de lumière non refroidi (100) comprenant un dispositif (400) d’émission de lumière comprenant au moins un premier ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs (403) apte à émettre de la lumière et optimisé pour fonctionner à une température nominale; et une chaufferette (460) s’étendant le long de ladite première zone active (401) et étant située à une distance maximale prédéterminée de ladite première zone active (401), ladite chaufferette étant configurée pour produire, en fonctionnement, un échauffement de ladite première zone active; des moyens (500) de détermination de la température du dispositif; et une unité de commande (600) configurée pour mettre en fonctionnement ladite chaufferette (460) uniquement lorsque ladite température du dispositif est strictement inférieure à une température consigne prédéterminée, inférieure ou égale à ladite température nominale, l’échauffement produit par la chaufferette permettant une élévation de la température du dispositif jusqu’à environ la valeur de la température consigne. FIG. 3A Systèmes d’émission de lumière non refroidi L'invention concerne des systèmes d’émission de lumière non refroidis, et notamment des systèmes d’émission de lumière non refroidis pour des systèmes de télécommunication. Etat de la technique Les systèmes de télécommunication comprennent en général des dispositifs optiques à semi-conducteurs permettant d’émettre un signal optique qui peut être modulé. Selon la distance sur laquelle le signal optique doit être transporté, ces dispositifs peuvent comprendre : des lasers continus (LC), des lasers à modulation directe (LMD) qui présentent une zone active permettant l’émission d’un signal optique directement modulé et des lasers à modulation externe (LME) comprenant une zone active permettant l’émission d’un signal optique (ci-après « partie laser » ou simplement « laser ») et une zone active permettant la modulation de ce signal optique (ci-après « partie modulateur » ou simplement « modulateur »). Le modulateur d’un LME est par exemple un modulateur à électro-absorption (MEA). De manière générale, une zone est dite « active » dans un dispositif optique à semi-conducteurs lorsqu’elle est susceptible de générer une modification d’une propriété optique d’un faisceau lumineux lorsqu’il est soumis à une source de courant ou de tension. Une zone active est ainsi par exemple configurée pour l’émission de lumière ou la modulation de lumière. Le laser d’un LMD ou d’un LME est notamment caractérisé par deux grandeurs, la courbe de gain du laser g(λ) qui représente le gain du laser en fonction de la longueur d’onde et la longueur d’onde d’émission du laser. Pour une puissance laser de sortie optimale, le laser est optimisé pour un fonctionnement à une température nominale pour laquelle le maximum de la courbe de gain est proche de la longueur d’onde d’émission du laser et a un niveau suffisant pour permettre une puissance de sortie adaptée aux applications. Lorsque le laser est placé dans un environnement soumis à des variations de température, la longueur d’onde correspondant au maximum de gain du laser et la longueur d’onde d’émission du laser varient de façon différente avec la température du dispositif. Ainsi, comme montré sur la , lorsque la température du dispositif s’écarte de la température nominale, la longueur d’onde d’émission du laser se trouve décalée par rapport au maximum de gain du laser. Cela implique une augmentation du courant de seuil du laser et une diminution de la puissance optique émise par le laser, ce qui est néfaste pour les applications. De plus le gain tend à diminuer lorsque la température du dispositif s’éloigne de la température nominale de fonctionnement, ce qui dégrade aussi la puissance optique. Dans le cas d’un LME, les performances du modulateur sont notamment caractérisées par une courbe d’évolution de la puissance optique transmise par le modulateur (courbe d’extinction) à une longueur d’onde de fonctionnement (par exemple la longueur d’onde démission du laser) en fonction d’une tension d’alimentation du modulateur. La courbe d’extinction varie aussi avec la température. En particulier, comme illustré sur la , pour une utilisation à une température nominale, la courbe d’extinction 202 est raide et configurée pour que deux tensions d’alimentation du modulateur, par exemple 0V et -1V, permettent de commuter entre deux états du modulateur correspondant à deux niveaux d’absorption différents : un état laissant passer la lumière à la longueur d’onde de fonctionnement (état passant, faible absorption par le modulateur) et un état laissant peu passer la lumière à la longueur d’onde de fonctionnement (état bloquant, forte absorption par le modulateur). En revanche, pour une température s’écartant de la température nominale, le modulateur peut absorber une trop grande partie de la lumière qu’il reçoit du laser dans l’état passant, ce qui réduit la puissance de sortie du LME (comme montré par la courbe 204), ou ne pas absorber assez de lumière dans l’état bloquant (comme montré par la courbe 206), ce qui implique d’utiliser une tension d’alimentation plus grande (par exemple -2V au lieu de -1V) et donc une plus grande consommation d’énergie. Les dispositifs optiques précités sont donc en général intégrés dans un système d’émission de lumière refroidi dans lequel ils sont assortis d’un système de régulation de température (par exemple un système thermoélectrique à effet Peltier) pouvant chauffer et refroidir les parties lasers et/ou modulateurs des dispositifs et assurant qu’elles soient maintenues à la température nominale. En pratique, une température nominale choisie est souvent autour de 45°C car une telle température se trouve au milieu d’une gamme habituelle de variations de température auquel est soumis l’environnement du dispositif. Cependant, dans ces systèmes, la régulation de température contribue fortement à la consommation électrique globale. En particulier la fonction de refroidissement est très consommatrice d’énergie lorsque la variation de température recherchée est élevée, ce qui est souvent le cas dans des installations contenant un grand nombre d’appareil alimentés électriquement. De ce fait, des systèmes dépourvus d’une fonction de refroidissement en température, appelés systèmes non refroidis dans la présente description, sont préférés pour des applications comme des réseaux d'accès qui doivent être bas coût, ou des centres de données qui consomment beaucoup d’énergie. Dans ces systèmes, on cherche donc à limiter les variations de performances du dispositif d’émission de lumière lorsque le système est placé dans un environnement soumis à des variations typiques de température, par exemple une gamme de température s’étendant entre environ 0°C et environ 85°C pour les LMDs, et entre 20°C et 70°C pour les LMEs. Dans l’état de l’art, plusieurs solutions sont proposées pour réduire les problèmes techniques évoqués ci-dessus et obtenir un dispositif émettant un signal optique dont les caractéristiques ne sont pas trop dégradées lors de variations de température, sans pour autant requérir le refroidissement du dispositif. Le document N. Sasada et al. [Réf. 1], divulgue une technique pour maintenir le gain d’un laser élevé à haute température qui consiste à optimiser une zone active d’un dispositif d’émission de lumière. Cette solution permet par exemple d’atteindre un fonctionnement de la partie laser d’un dispositif optique jusqu’à 80°C avec un gain suffisant. Cependant la technique ne résout pas le problème de variation de la longueur d’onde d’émission de la partie laser par rapport à la courbe de gain, qui dégrade malgré tout la puissance d’émission du laser lors d’une variation de température. Le document Y. Nakai et al. [Réf. 2], divulgue une solution pour minimiser les variations de la courbe d’extinction du MEA d’un LME. Dans cette solution, la zone active qui constitue le MEA est optimisée pour former une structure verticale à multi-puits quantiques permettant d’obtenir une courbe d'extinction du MEA très raide, de sorte que les performances de modulation restent correctes malgré les variations de température. Cette solution permet d'atteindre de bonnes performances dans la plage de température 20-70°C ; néanmoins, à température élevée, l’absorption du modulateur devient trop grande et à basse température la tension de modulation du MEA doit être accrue pour obtenir une commutation satisfaisante. Par ailleurs, afin de réduire les variations d’extinction du MEA avec la température, il a été proposé d’implémenter une chaufferette le long d’un MEA optimisé à haute température, comme divulgué dans le document brevet EP 1 281 998 [Réf. 3]. Cependant ce dernier document ne s’intéresse pas au maintien des performances d’un laser lors d’une variation de température. Un objectif de la présente description est de proposer un nouveau système d’émission de lumière non refroidi permettant de résoudre les problèmes de l’état de l’art. Dans la présente description, le terme « comprendre » signifie la même chose que « inclure » ou « contenir », et est inclusif ou ouvert et n’exclut pas d’autres éléments non décrits ou représentés. En outre, dans la présente description, le terme « environ » ou « sensiblement » est synonyme de (signifie la même chose que) une marge inférieure et/ou supérieure de 10%, par exemple 5%, de la valeur respective. Selon un premier aspect, la présente description concerne un système d’émission de lumière non refroidi comprenant : - un dispositif d’émission de lumière comprenant : - au moins un premier ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs configuré pour former au moins une première zone active apte à émettre de la lumière, ladite première zone active étant optimisée pour fonctionner à une température nominale ; et - une chaufferette, s’étendant au moins le long de ladite première zone active, et située à une distance maximale prédéterminée de ladite première zone active, ladite chaufferette étant configurée pour produire, en fonctionnement, un échauffement de ladite première zone active ; - des moyens de détermination de la température du dispositif ; et - une unité de commande configurée pour mettre en fonctionnement ladite chaufferette uniquement lorsque ladite température du dispositif est strictement inférieure à une température consigne prédéterminée, inférieure ou égale à ladite température nominale, l’échauffement produit par la chaufferette permettant une élévation de la température du dispositif jusqu’à environ la valeur de la température consigne. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la distance maximale entre la zone active et la chaufferette est une distance inférieure ou égale à 100 micromètres, par exemple une distance inférieure ou égale à 100 micromètres sur au moins 70% de la longueur de la première zone active, préférentiellement entre environ 5 micromètres et environ 20 micromètres. Une telle distance permet à la chaufferette de pouvoir chauffer efficacement la première zone active tout en laissant un espace suffisant entre une électrode de contact du laser et la chaufferette pour éviter une conduction électrique entre ces deux composants. Dans la présente description, la température du dispositif est entendue comme étant la température moyenne du dispositif ; cette température peut être considérée comme sensiblement égale à la température de la ou des zones actives du dispositif, aussi appelée température de jonction du dispositif par l’homme du métier. Dans la présente description, la température nominale du dispositif est la température du dispositif pour laquelle le dispositif a été optimisé lors de la fabrication afin de fonctionner de façon optimale, c’est-à-dire la température du dispositif pour laquelle le dispositif émet la puissance optique la plus élevée. Cette température est en général indiquée par le fabricant. En l’absence d’échauffement de la ou des zones actives par la chaufferette, la température du dispositif avoisine une température extérieure au dispositif, c’est-à-dire une température d’un environnement dans lequel est placé le dispositif, ou sensiblement plus haute du fait de l’échauffement du dispositif lié à son fonctionnement. Ainsi, la température du dispositif est sujette aux variations de la température extérieure et peut s’écarter de la température nominale de fonctionnement, ce qui dégrade les performances du dispositif. La mise en fonctionnement de la chaufferette uniquement lorsque la température du dispositif est strictement inférieure à une température consigne prédéterminée, inférieure ou égale à la température nominale, permet une amélioration des performances du système par rapport à un système de l’art antérieur tout en maintenant une consommation électrique réduite. La température consigne est une température sélectionnée pour que le dispositif ait un fonctionnement se rapprochant du fonctionnement optimal lorsque la chaufferette est en fonctionnement, c’est à dire une température du dispositif plus proche de la température nominale que la température du dispositif qui serait obtenue si le dispositif ne disposait pas de chaufferette, ou que la chaufferette n’était pas en fonctionnement. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ladite température consigne est environ égale à la température nominale de fonctionnement du dispositif. Cela est particulièrement avantageux dans le cas où la température nominale de fonctionnement est environ égale à une valeur maximale estimée de la température de l’environnement. En effet, l’échauffement de la ou des zones actives maintient le dispositif à la température nominale de fonctionnement et les variations de performances du dispositif lors de variations de la température extérieure sont annulées. En particulier, la longueur d’onde d’émission du dispositif lors de variations de la température extérieure reste stable, ce qui rend possible l’utilisation de canaux de télécommunications plus resserrés en longueur d’onde afin d’augmenter le débit global d’un réseau de télécommunications optiques. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ladite température consigne est strictement inférieure à ladite température nominale de fonctionnement du dispositif. Cela permet de limiter la gamme de variation de la température du dispositif par rapport à la gamme de variation de la température extérieure et de réduire la surconsommation électrique de la chaufferette car la gamme de température extérieure pour laquelle la chaufferette est en fonctionnement est restreinte. On améliore ainsi les performances du dispositif par rapport à un dispositif de l’art antérieur tout en réduisant la surconsommation électrique de la chaufferette. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les moyens de détermination de la température du dispositif comprennent un capteur de température. Selon un ou plusieurs exemples, le capteur de température est en contact thermique avec ladite au moins une première zone active du dispositif. En vertu de ce contact thermique, le capteur permet de mesurer précisément la température du dispositif. Pour cela, le capteur peut par exemple être disposé sur une même embase que le dispositif d’émission de lumière. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, le capteur de température est isolé thermiquement de ladite au moins une première zone active du dispositif. Le capteur permet alors de mesurer la température extérieure. Comme la température du dispositif est sensiblement égale à la température extérieure lorsque la chaufferette n’est pas en fonctionnement, la mesure de la température extérieure permet ainsi d’estimer la température du dispositif et de déterminer s’il est utile de mettre la chaufferette en fonctionnement. Le capteur de température peut par exemple être placé dans un même boîtier que le dispositif, mais à une distance suffisamment grande du dispositif pour que l’échauffement produit par la chaufferette n’influence pas la mesure de température par le capteur de température. Dans d’autres exemples de réalisation, le capteur peut être séparé physiquement du dispositif par un matériau thermiquement isolant de sorte que l’échauffement produit par la chaufferette n’influence pas la mesure de température par le capteur de température. L’isolation thermique est typiquement suffisante si le capteur n’est pas chauffé de plus de 5°C en raison de l’échauffement de la chaufferette. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, et notamment dans des exemples de réalisation où le capteur de température mesure la température extérieure, il est utile d’effectuer une calibration préalable de l’unité de commande pour déterminer une puissance électrique à fournir à la chaufferette pour que l’échauffement produit par la chaufferette élève la température du dispositif jusqu’à la température consigne. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, les moyens de détermination de la température du dispositif comprennent un dispositif de mesure de la longueur d’onde (ou de la fréquence) de la lumière émise par le dispositif d’émission de lumière. Comme la longueur d’onde émise par le dispositif d’émission de lumière dépend de la température du dispositif, la mesure de ladite longueur d’onde permet de déterminer la température du dispositif et d’en déduire s’il est utile que la chaufferette soit mise en fonctionnement. Pour cela la température du dispositif déduite de la mesure de longueur d’onde est comparée à la valeur de la température consigne et, si la température du dispositif est strictement inférieure à la température consigne, la chaufferette est mise en fonctionnement. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ledit premier ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs est configuré pour former, en outre, une deuxième zone active apte à recevoir et moduler la lumière émise par ladite première zone active, ladite deuxième zone active étant optimisée pour fonctionner à ladite température nominale ; et ladite chaufferette s’étend en outre le long de ladite deuxième zone active et est disposée à ladite distance maximale de ladite deuxième zone active, ladite chaufferette étant configurée, en outre, pour produire un échauffement de ladite deuxième zone active. Cela permet de chauffer la première zone active et la deuxième zone active du dispositif pour que la température du dispositif se rapproche de la température nominale de fonctionnement. Cela permet en particulier d’améliorer les performances d’un dispositif d’émission de lumière comprenant à la fois un laser et un modulateur lors d’une variation de température extérieure. Selon d’autres exemples de réalisation, le dispositif peut comprendre un deuxième ensemble de couches en matériau semi-conducteurs pour former une deuxième zone active apte à recevoir et moduler la lumière émise par ladite première zone active, ladite deuxième zone active étant optimisée pour fonctionner à ladite température nominale, et la chaufferette s’étend en outre le long de ladite deuxième zone active et est disposée à ladite distance maximale de ladite deuxième zone active, ladite chaufferette étant configurée, en outre, pour produire un échauffement de ladite deuxième zone active. Ledit deuxième ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs est disposé de sorte à pouvoir recevoir la lumière émise par le premier ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs. L’agencement des premier et deuxième ensembles de couches en matériaux semi-conducteurs peut être, par exemple, fabriqué à l’aide de la technique « butt-joint », c’est-à-dire que les premier et deuxième ensembles de couches en matériaux semi-conducteurs sont agencés bout à bout, avec leur zones actives alignées l’une par rapport à l’autre et en contact selon une technique connu de l’homme du métier. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ladite deuxième zone active forme un modulateur à électro-absorption. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ladite première zone active constitue un laser à réseau de Bragg distribué. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la chaufferette comprend une bande métallique disposée sur une couche externe dudit ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs. Les déposants ont montré que la bande métallique permet un échauffement de la ou des zones actives du dispositif, par exemple par effet Joule. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, la chaufferette est réalisée dans des couches de l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs et forme une diode PN ou PIN. Les déposants ont montré que cette diode PN ou PIN produit un échauffement dans l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs facilitant l’échauffement de la ou des zones actives du dispositif. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ladite chaufferette comprend au moins une masse reliée électriquement avec une masse dudit ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs et au moins un contact électrique isolé électriquement de ladite masse. Cela permet de n’avoir qu’une masse commune pour le dispositif, ce qui simplifie la connexion électrique et le pilotage du dispositif Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ladite chaufferette est contrôlée par une consigne de commande en courant. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, ladite chaufferette est contrôlée par une consigne de commande en tension. Selon un deuxième aspect, la présente description concerne un procédé de contrôle de la température dans un système d’émission de lumière non-refroidi selon le premier aspect, ledit procédé comprenant : - le choix d’une température consigne inférieure ou égale à ladite température nominale du dispositif ; - la détermination de la température du dispositif; - la mise en fonctionnement de la chaufferette par l’unité de commande uniquement lorsque ladite température du dispositif est strictement inférieure à ladite température consigne, l’échauffement produit par la chaufferette permettant une élévation de la température du dispositif jusqu’à environ la valeur de la température consigne. Selon un ou plusieurs exemples de réalisation, le procédé comprend en outre une calibration préalable de l’unité de commande, ladite calibration comprenant l’établissement d’une caractéristique puissance-échauffement qui caractérise l’élévation de la température du dispositif en fonction d’une puissance électrique fournie à la chaufferette par l’unité de commande pour produire un échauffement. Brève description des figures D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à la lecture de la description, illustrée par les figures suivantes : , déjà décrite, représente la puissance spectrale de la partie « laser » d’un exemple de dispositif d’émission de lumière selon l’état de la technique pour une température variant de 20°C à 80°C ; , déjà décrite, représente schématiquement une courbe de la puissance transmise (courbe d’extinction) de la partie « modulateur » d’un exemple de dispositif d’émission de lumière selon l’état de la technique dans le cas d’une utilisation à une température nominale, par exemple 45°C, dans le cas d’une température très supérieure à la température nominale, par exemple 80°C, et dans le cas d’une température très inférieure à la température nominale, par exemple 20°C. représente un schéma d’un exemple d’un système d’émission de lumière selon la présente description, dans lequel les moyens de détermination de la température du dispositif comprennent un capteur de température isolé thermiquement de la zone active du dispositif d’émission de lumière ; représente un schéma d’un exemple d’un système d’émission de lumière selon la présente description, dans lequel les moyens de détermination de la température du dispositif comprennent un capteur de température en contact thermique avec la zone active du dispositif d’émission de lumière ; représente schématiquement une vue de dessus d’un exemple de dispositif d’émission de lumière, selon la présente description, dans lequel la chaufferette comprend une bande métallique ; représente schématiquement une vue en coupe du dispositif d’émission de lumière illustré sur la ; représente schématiquement une vue en coupe d’un exemple de dispositif d’émission de lumière selon la présente description, dans lequel la chaufferette comprend une diode PN ; représente schématiquement une vue de dessus d’un exemple de dispositif d’émission de lumière selon la présente description comprenant deux zones actives. Description détaillée de l’invention Sur les figures, certains éléments ne sont pas représentés à l'échelle pour une meilleure visibilité. Les FIGS. 3A-3B représentent de façon schématique des systèmes 100 d’émission de lumière non-refroidis selon la présente description, comprenant un dispositif 400 d’émission de lumière avec une chaufferette 460, une unité de commande 600 et des moyens de détermination de la température du dispositif, comprenant par exemple un capteur de température 500. Le dispositif 400 d’émission de lumière est un dispositif à base de matériaux semi-conducteurs configuré pour émettre de la lumière. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif 400 peut effectuer une ou plusieurs fonctions optiques, par exemple, émettre de la lumière continue ou émettre de la lumière modulée. Les dispositifs d’émission de lumière selon la présente description sont des dispositifs comprenant des matériaux semiconducteurs formant une ou plusieurs zones actives permettant l’émission de lumière. Selon la présente description, le fonctionnement d’une ou plusieurs zones actives du dispositif est optimisé à une température nominale donnée et le dispositif est muni d’une chaufferette de sorte que, lorsque la température du dispositif est inférieure à une température consigne, on chauffe la ou les zones actives du dispositif pour élever la température du dispositif jusqu’à ladite température consigne, en général proche de la température nominale. En pratique, dans un dispositif d’émission de lumière selon la présente description, on pourra prévoir une température nominale « élevée », c’est-à-dire une température nominale supérieure aux températures nominales utilisées majoritairement dans les dispositifs selon l’état de l’art, par exemple une température supérieure à environ 45°C, préférentiellement supérieure ou égale à environ 70°C. L’unité de commande 600 comprend par exemple un circuit électronique configuré pour envoyer des signaux électriques au dispositif 400 d’émission de lumière afin de contrôler des fonctions optiques du dispositif 400. En particulier, l’unité de commande 600 peut activer ou désactiver l’émission de lumière, ou la modulation de la lumière émise. L’unité de commande 600 est en outre configurée pour fournir une puissance électrique permettant l’activation ou non de la chaufferette et l’échauffement de la chaufferette produisant l’élévation de température du dispositif jusqu’à la température consigne. Le dispositif 400 peut être fixé sur une embase 303 configurée pour permettre la connexion entre des électrodes du dispositif 400 et les signaux électriques émis par l’unité de commande 600. Le dispositif 400 peut être fixé sur l’embase 303 au moyen d’une couche de soudure qui peut comprendre, par exemple, un alliage Or-Etain. L’embase 303 peut comprendre du Nitrure d’Aluminium (AlN) ou du Silicium et a des dimensions de quelques mm² (par exemple entre environ 4 mm² et environ 2 mm²). Le système 100 d’émission de lumière non-refroidi peut inclure un boîtier optique 301 (par exemple de type TOSA d’après l’acronyme anglais de « Transmit Optical Sub-Assembly ») comprenant par exemple l’embase 303 sur laquelle est agencé le dispositif 400 et, optionnellement, le capteur de température 500, le boitier étant configuré pour permettre le couplage optique du signal optique (la lumière) émis par le dispositif 400 avec des composants optiques (non représentés), par exemple des fibres optiques. L’unité de commande 600 est agencée à l’extérieur du boitier. De façon générale, la chaufferette 460 est configurée pour être mise en fonctionnement lorsque la température du dispositif est strictement inférieure à une température consigne, par exemple entre environ 40°C et environ 85°C pour une température nominale comprise entre environ 60°C et environ 85°C, et produire un échauffement permettant d’élever la température du dispositif jusqu’à la température consigne. Les moyens de détermination de la température du dispositif sont configurés pour estimer ou mesurer la température du dispositif et activer ou non l’échauffement de la chaufferette. Les moyens de détermination de la température du dispositif peuvent comprendre un capteur 500 permettant une mesure de température, par exemple une thermistance. Dans certains modes de réalisations, dont un exemple est illustré sur la , les moyens comprennent un capteur 500 de température agencé dans le boîtier optique 301 mais thermiquement isolé du dispositif 400, et plus précisément de la zone active du dispositif. En particulier, le capteur de température n’est pas fixé sur l’embase 303 pour éviter un contact thermique avec le dispositif 400. Le capteur mesure donc la température de l’environnement dans lequel est placé le boîtier 301, c’est-à-dire la température extérieure. En l’absence de chauffage par la chaufferette, la température du dispositif est sensiblement égale à la température extérieure et le capteur de température 500 permet d’estimer la température du dispositif. Lorsque la chaufferette est en fonctionnement et chauffe le dispositif, la température du dispositif peut être évaluée à partir de la calibration préalable de détermination de la caractéristique puissance injectée dans la chaufferette – échauffement du dispositif. Dans certains modes de réalisation, dont un exemple est illustré sur la , les moyens peuvent comprendre un capteur de température placé directement sur l’embase 303 et en contact thermique avec la ou les zones actives du dispositif pour permettre la mesure précise de la température du dispositif. Dans d’autres mode de réalisation, les moyens 500 de détermination de la température du dispositif peuvent comprendre un dispositif (non représenté sur les figures) qui mesure la longueur d’onde émise par le dispositif et donne en sortie une estimation de la température du dispositif à partir de ladite mesure la longueur d’onde. Dans des modes de réalisation du dispositif où les moyens de détermination comprennent un capteur de température isolée thermiquement de la ou les zones actives du dispositif, une calibration préalable du dispositif peut être effectuée pour établir la puissance électrique que l’unité de commande va fournir à la chaufferette pour que l’échauffement de la chaufferette puisse augmenter la température du dispositif jusqu’à la valeur de la température consigne. La calibration peut être effectuée en déterminant une caractéristique puissance-échauffement qui caractérise l’élévation de la température du dispositif en fonction de la puissance électrique fournie à la chaufferette par l’unité de commande. La caractéristique peut par exemple être obtenue en mesurant les variations de température du dispositif en fonction de la puissance électrique fournie à la chaufferette par l’unité de commande. Pour cela, il est possible de procéder en injectant plusieurs valeurs de courant I dans la chaufferette avec l’unité de commande et en mesurant, pour chacune, la tension U aux bornes de la chaufferette ainsi que la longueur d’onde émise par le dispositif afin d’en déduire un coefficient α caractérisant la variation de la longueur d’onde λ avec la puissance électrique fournie par l’unité de commande UI (le coefficient α pouvant s’exprimer en nm/W). Ainsi, en utilisant le coefficient α et un coefficient de variation de la longueur d’onde émise avec la température du dispositif (par exemple égale à 0.09nm/°C), il est possible de calculer l’élévation de température du dispositif en °C en fonction de la puissance électrique fournie par l’unité de commande (en W), et d’obtenir la caractéristique de l’échauffement contrôlé par l’unité de commande en °C/W. Dans le cas notamment où l’on dispose d’un capteur de température en contact thermique avec la ou les zone(s) active(s), il est possible de procéder sans calibration préalable, en mesurant directement les variations de la température du dispositif en fonction de la puissance fournie à la chaufferette par l’unité de commande. Selon un ou plusieurs exemples, la température nominale est supérieure à environ 45°C, préférentiellement supérieure ou égale à 70°C, et il est possible de choisir une température consigne environ égale à ladite température nominale. Ainsi, dans le cas par exemple d’une température nominale égale à 70° et d’une variation de la température du dispositif de 70°C à 20°C, due à une utilisation dans un environnement froid, la chaufferette produit un échauffement d’environ 50°C pour retrouver la température nominale de fonctionnement de 70°C et restituer les performances de fonctionnement nominales du dispositif 400 selon la présente description. Les déposants ont observé que, lorsque la température consigne est choisie environ égale à la température nominale de fonctionnement du dispositif 400, l’échauffement produit par la chaufferette 460 selon les modalités ci-dessus permet d’améliorer les performances du dispositif 400 en limitant les variations de la longueur d’onde et de la puissance émise par le dispositif 400 par rapport au fonctionnement à température nominale. En particulier, un maintien de la longueur d’onde d’émission du dispositif lors de variation de température extérieure permet d’utiliser des canaux de télécommunications plus resserrés en longueur d’onde et donc d’augmenter le débit global d’un réseau de télécommunications. De façon alternative, les déposants ont montré qu’il est possible de choisir une température consigne strictement inférieure à la température nominale. La compensation de la variation de température du dispositif 400 n’est alors que partielle mais suffit à améliorer les performances du dispositif 400 par rapport à un dispositif selon l’état de la technique et permet par ailleurs de réduire la consommation électrique de la chaufferette 460 (et donc du dispositif 400), ce qui est avantageux pour les applications décrites ci-dessus. Il est ainsi possible de choisir une température consigne pour sélectionner la gamme de température du dispositif sur laquelle la chaufferette 460 est en fonctionnement et donc de choisir la consommation électrique maximale désirée. Par exemple, dans le cas d’une gamme de variation de la température extérieure entre 20°C et 70°C, et pour un dispositif ayant une température nominale égale à 70°C, il est possible dans un premier mode de fonctionnement, de choisir une température consigne environ égale à la température nominale, c’est-à-dire environ égale à 70°C, ainsi la chaufferette 460 est en fonctionnement sur toute la gamme de température extérieure (entre 20°C et 70°C). Par exemple pour une efficacité de 50°C/W de la chaufferette 460, celle-ci consomme au maximum environ 1W, car elle doit en particulier produire un échauffement de la zone active de 50°C lorsque la température extérieure est de 20°C. Dans un deuxième mode de fonctionnement, si la température consigne choisie est égale à 40°C (c’est-à-dire strictement inférieure à la température nominale), alors la gamme de température du dispositif sur laquelle la chaufferette 460 est en fonctionnement est réduite à une gamme de température extérieure entre 20°C et 40°C. La chaufferette ne consomme alors au maximum qu’environ 400 mW car il est, au maximum, nécessaire de produire un échauffement de la zone active de seulement 20°C pour atteindre 40°C, lorsque la température extérieure est à 20°C. Les FIGS. 4A-4B représentent un premier exemple de dispositif 400 d’émission de lumière selon la présente description dans une vue de dessus et dans une section perpendiculaire à la direction de propagation de la lumière dans le dispositif . Selon les exemples illustrés sur les FIGS. 4A-4B, le dispositif 400 est un dispositif de type LC ou LMD comprenant une partie laser mais pas de partie pouvant moduler la lumière émise par la partie laser (comme, par exemple, un MEA). De façon générale, le dispositif 400 comprend un ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403, ledit ensemble de couches formant notamment une zone active 401 configurée pour l’émission de lumière. Comme représenté sur la , l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403 comprend une couche inférieure 413, une couche 423 dans laquelle est formée la zone active 401 et une couche supérieure 404 opposée à la couche inférieure par rapport à la couche 423. L’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403 peut former par exemple une structure de type jonction PIN avec des matériaux semi-conducteurs dopés P ou dopés N et une zone active 401 configurée pour émettre de la lumière. La lumière émise par la zone active 401 est guidée le long de la zone active par contraste d’indice avec la couche 423 qui peut comprendre des matériaux différents des matériaux de la couche supérieure 404, comme par exemple du matériau semi-isolant (InP dopé au Fer par exemple), ou des matériaux identiques à la couche 404 (InP dopé P). Dans la présente description, on appelle aussi laser ou partie laser, ledit ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403 qui forme notamment ladite zone active 401 permettant d’émettre de la lumière. Le laser est alimenté électriquement dans cet exemple via deux électrodes, l’une étant l’électrode de contact électrique 407 pour l’alimentation électrique du laser et l’autre étant la masse électrique du dispositif, par exemple la couche inférieure 413, opposée au contact 407 par rapport à la couche 423 Le dispositif 400 comprend en outre une chaufferette 460 configurée pour chauffer la zone active 401 et permettre une élévation de la température du dispositif jusqu’à la température consigne, selon les modes de fonctionnement décrits par exemple ci-dessus. La chaufferette 460 est disposée le long de la zone active 401, par exemple à une distance au plus égale à environ 100 micromètres sur plus d’environ 70% de la longueur de la zone active 401. Les déposants ont observé qu’en plaçant la chaufferette tout le long de la zone active 401 du dispositif, il est possible de maintenir une température homogène sur toute la longueur de la zone active 401 afin, en particulier, de conserver un indice de réfraction constant dans la zone active 401. Un indice de réfraction constant permet notamment de conserver une longueur d’émission laser stable pour le dispositif. Les déposants ont observé que la distance optimale entre la chaufferette 460 et la zone active 401 résulte d’un compromis. On recherche une distance la plus petite possible pour optimiser l’efficacité de l’échauffement de la couche active 401 mais suffisante pour éviter un contact électrique entre la chaufferette 460 et l’électrode 407. Les déposants ont observé qu’une distance comprise entre environ 5 micromètres et 100 micromètres entre la chaufferette et la zone active 401 peut satisfaire audit compromis. La chaufferette 460 peut être fabriquée suivant différentes technologies. Dans l’exemple des FIGS. 4A-4B, la chaufferette 460 est par exemple une bande métallique de surface disposée sur l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403, par exemple en Ni-Cr, avec deux points de contact électrique 421, 422 à chaque extrémité de la chaufferette 460. Les deux points de contact électrique 421, 422 sont configurés pour recevoir une commande électrique en tension ou en courant servant au pilotage de la chaufferette 460, au moyen d’une unité de commande non représentée sur les FIGS. 4A-4B (voir et ). La commande électrique permet en particulier d’activer la production d’un échauffement par effet Joule dû à la résistance électrique de la bande métallique. Selon d’autres modes de réalisation, la mise en fonctionnement de la chaufferette peut aussi être effectuée par alimentation en tension par la zone de contact électrique 422, le contact électrique 421 étant relié à la masse électrique du composant. Dans d’autres modes de réalisation, dont un exemple est illustré dans la , la chaufferette forme une diode 504 qui est réalisée dans l’ensemble 403 de couches en matériaux semi-conducteurs, par exemple une diode de type PN ou PIN, parallèle au guide d’onde formé par la zone active 401 et réalisée dans les couches de matériaux semiconducteurs du dispositif. La diode consomme une puissance électrique lorsqu’on lui injecte un courant ou une tension électrique. La diode est réalisée pour préférentiellement n’émettre très peu ou pas de photons, de sorte que la consommation électrique se traduit par un auto-échauffement par effet Joule, permettant ainsi de chauffer la zone active 401 situé à proximité. La diode est dans cet exemple alimentée électriquement via deux électrodes, une électrode de surface 507 agencée du même côté de l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403 que ladite électrode de contact 407 et une électrode de masse agencée du côté opposé, par exemple la couche inférieure 413 de l’ensemble 403 de couches en matériaux semi-conducteurs. Les déposants ont montré que la diode 504 a l’avantage de pouvoir produire un échauffement en profondeur dans l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403. C’est-à-dire que contrairement à une bande métallique chauffant essentiellement une surface externe de l’ensemble de couches 403, puis par conduction thermique, la zone active 401, la diode PN chauffe l’intérieur de l’ensemble de couches 403, et donc chauffe de manière plus efficace la zone active 401. La représente un deuxième exemple de dispositif d’émission de lumière. Comme dans le premier exemple illustré sur les FIGS. 4A-4B, le dispositif comprend un ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403. Dans cet exemple cependant, l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403 est configuré pour former en plus de la première zone active 401 une deuxième zone active 484 configurée pour recevoir et moduler la lumière émise par la première zone active 401. Sur la , un trait en pointillés 490 est indiqué pour indiquer une délimitation entre la première zone active 401 et la deuxième zone active 484. Dans cet exemple, la deuxième zone active 484 est alimentée électriquement par deux électrodes. Une desdites électrodes est une électrode de contact de modulation 480 configurée pour recevoir un signal électrique variable en tension ou en courant pilotant la modulation de la lumière émise par la première zone active 401. L’autre électrode est la masse de la deuxième zone active 484 (non visible sur la ), et peut être reliée électriquement à la masse de la première zone active 401. Le dispositif selon le deuxième exemple peut être configuré pour former un dispositif de type LME, comprenant une première zone active 401 émettant de la lumière (partie laser) et une deuxième zone active 484 produisant une modulation de cette lumière (partie modulateur). Dans la présente description, une modulation de la lumière émise par l’ensemble 403 est entendue comme la modification d’un paramètre de la lumière, par exemple la phase ou l’amplitude. Dans l’exemple de la , la chaufferette 460 s’étend le long de la première zone active 401 et de la deuxième zone active 484 afin de pouvoir produire, selon les modalités présentées ci-dessus, un échauffement simultané et homogène des deux zones actives 401, 484. Les déposants ont montré que l’échauffement simultané des deux zones actives 401, 484 permet, d’une part, de limiter les variations de la longueur d’onde d’émission et de la puissance de la lumière émise par le dispositif 400 et, d’autre part, de maintenir une courbe d’extinction satisfaisante. Ceci permet donc au dispositif de conserver des performances optimales lors d’une variation de température extérieure, notamment en termes de puissance optique et de profondeur de modulation de cette puissance optique. Dans les et , pour illustrer le positionnement du guide d’onde 401 et des premières et deuxième zones actives par rapport à la chaufferette 460, le guide d’onde 401 et les zones actives sont visibles par transparence bien qu’ils ne soient pas agencés sur la couche supérieure du premier ensemble de couches en matériaux conducteurs 403, comme visible sur la . Dans un cas général, le guide d’onde 401 n’est pas toujours visible sur une vue de dessus du dispositif 400. Dans certains modes de réalisation du dispositif 400 comprenant un guide d’onde 401 de type enterré, la présence et la disposition du guide d’onde 401 peut cependant être identifiée indirectement sur une vue de dessus du dispositif par une variation de relief sur la surface visible du dispositif 400. Selon le premier et le deuxième exemple, l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs 403 est optimisé pour fonctionner avantageusement à une température nominale haute, par exemple autour de 70°C. L’optimisation peut comprendre, par exemple, un choix de structures particulières pour les zones actives 401, 484. En particulier, lesdites zones actives peuvent être configurées pour produire un fort confinement des électrons dans leur bande de conduction pour limiter l’impact de la température du dispositif sur les performances du dispositif. L’optimisation peut aussi être effectuée en choisissant des structures comprenant des matériaux avec une bande d’énergie interdite permettant un gain d’émission laser ou une courbe d’extinction optimale à haute température. De façon générale, l’ensemble de couches en matériau semi-conducteurs 403 peut être configuré pour former différents types de zone actives, comme, par exemple, un réseau de Bragg distribué. Par ailleurs, de façon alternative à l’exemple de la , une deuxième zone active peut être formée par un deuxième ensemble de couches en matériau semi-conducteurs (non représenté sur les figures), disposé de sorte à pouvoir recevoir la lumière émise par le premier ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs. L’agencement des premier et deuxième ensembles de couches en matériaux semi-conducteurs peut être, par exemple, fabriqué à l’aide de la technique dite « butt-joint », c’est-à-dire que les premier et deuxième ensembles de couches en matériaux semi-conducteurs sont agencés bout à bout, avec leur zones actives alignés l’une par rapport à l’autre et en contact selon une technique connu de l’homme du métier. Dans cet exemple, la chaufferette s’étend en outre le long de la deuxième zone active formée par ledit deuxième ensemble de couches en matériau semi-conducteurs. Bien que décrits à travers un certain nombre d’exemples de réalisation, les systèmes d’émission de lumière selon la présente description comprennent différentes variantes, modifications et perfectionnements qui apparaîtront de façon évidente à l’homme de l’art, étant entendu que ces différentes variantes, modifications et perfectionnements font partie de la portée de l’invention telle que définie par les revendications qui suivent. Références [Réf. 1] SASADA, Noriko, NAKAJIMA, Takayuki, SEKINO, Yuji, et al. Wide-Temperature-Range (25–80° C) 53-Gbaud PAM4 (106-Gb/s) Operation of 1.3-μm Directly Modulated DFB Lasers for 10-km Transmission. Journal of Lightwave Technology, 2019, vol. 37, no 7, p. 1686-1689. [Réf. 2] NAKAI, Yoshihiro, NAKANISHI, Akira, YAMAGUCHI, Yoriyoshi, et al. Uncooled Operation of 53-GBd PAM4 (106-Gb/s) EA/DFB Lasers with Extremely Low Drive Voltage With 0.9 V pp. Journal of Lightwave Technology, 2019, vol. 37, no 7, p. 1658-1662. [Réf. 3] EP 1 281 998 Temperature controlled light modulator assembly, Ash, Richard Mark. Système d’émission de lumière non refroidi (100) comprenant : - un dispositif (400) d’émission de lumière comprenant : - au moins un premier ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs (403) configuré pour former au moins une première zone active (401) apte à émettre de la lumière, ladite première zone active (401) étant optimisée pour fonctionner à une température nominale; et - une chaufferette (460), s’étendant au moins le long de ladite première zone active (401), et située à une distance maximale prédéterminée de ladite première zone active (401), ladite chaufferette étant configurée pour produire, en fonctionnement, un échauffement de ladite première zone active (401); - des moyens (500) de détermination de la température du dispositif; et - une unité de commande (600) configurée pour mettre en fonctionnement ladite chaufferette (460) uniquement lorsque ladite température du dispositif est strictement inférieure à une température consigne prédéterminée, inférieure ou égale à ladite température nominale, l’échauffement produit par la chaufferette permettant une élévation de la température du dispositif jusqu’à environ la valeur de la température consigne. Système selon la revendication 1, dans lequel les moyens (500) de détermination de la température du dispositif comprennent un capteur de température. Système selon la revendication 2, dans lequel le capteur de température est isolé thermiquement de ladite au moins une première zone active du dispositif de telle sorte à mesurer une température extérieure au dispositif (400). Système selon la revendication 2, dans lequel le capteur de température est en contact thermique avec ladite au moins une première zone active du dispositif (400). Système selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les moyens (500) de détermination de la température du dispositif comprennent un dispositif de mesure de la longueur d’onde de la lumière émise par le dispositif d’émission de lumière. Système selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite température consigne est strictement inférieure à ladite température nominale. Système selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite distance maximale entre la zone active (401) et la chaufferette (460) est une distance inférieure ou égale à 100 micromètres. Système selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la chaufferette (460) comprend une bande métallique disposée sur une couche externe dudit premier ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs (403). Système selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la chaufferette (460) est réalisée dans des couches de l’ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs (403) et forme une diode PN ou PIN. Système selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite chaufferette (460) comprend au moins une masse (421) reliée électriquement avec une masse dudit ensemble de couches en matériau semi-conducteurs (403) et au moins un contact électrique (422) isolé électriquement de ladite masse (421). Système selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite première zone active (401) forme un laser à réseau de Bragg distribué. Système selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel - ledit premier ensemble de couches en matériaux semi-conducteurs (403) est configuré pour former, en outre, une deuxième zone active (484) apte à recevoir et moduler la lumière émise par ladite première zone active (401), ladite deuxième zone active étant optimisée pour fonctionner à ladite température nominale ; et - ladite chaufferette (460) s’étend en outre le long de ladite deuxième zone active (484) et est disposée à ladite distance maximale de ladite deuxième zone active (484), ladite chaufferette étant configurée, en outre, pour produire un échauffement de ladite deuxième zone active (484). Système selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel - le dispositif comprend un deuxième ensemble de couches en matériau semi-conducteurs configuré pour former une deuxième zone active apte à recevoir et moduler la lumière émise par ladite première zone active, ladite deuxième zone active étant optimisée pour fonctionner à ladite température nominale ; et - ladite chaufferette s’étend en outre le long de ladite deuxième zone active et est disposée à ladite distance maximale de ladite deuxième zone active, ladite chaufferette étant configurée, en outre, pour produire un échauffement de ladite deuxième zone active. Système selon l’une quelconque des revendications 12 à 13, dans lequel ladite deuxième zone active forme un modulateur à électro-absorption. Procédé de contrôle de la température dans un système d’émission de lumière non-refroidi selon l’une quelconque des revendications précédentes, ledit procédé comprenant : - le choix d’une température consigne inférieure ou égale à ladite température nominale du dispositif ; - la détermination de la température du dispositif; et - la mise en fonctionnement de la chaufferette par l’unité de commande (600) uniquement lorsque ladite température du dispositif est strictement inférieure à ladite température consigne, l’échauffement produit par la chaufferette permettant une élévation de la température du dispositif jusqu’à environ la valeur de la température consigne. Procédé selon la revendication 15, comprenant en outre : - une calibration préalable de l’unité de commande (600), ladite calibration comprenant l’établissement d’une caractéristique puissance-échauffement qui caractérise l’élévation de la température du dispositif en fonction d’une puissance électrique fournie à la chaufferette (460) par l’unité de commande (600) pour produire un échauffement.