FR 3117667 A1 20220617 FR 2013045 A 20201211 Boîtier optique (BT) de circuit intégré, comprenant une puce électronique (PO) supportant un dispositif optique (DO) et des zones de connexion électrique (ZC), un enrobage isolant (EN) enrobant la puce, recouvrant les zones de connexion électrique et découvrant le dispositif optique, un moyen optique d’obturation (MO) fixé au moins en partie sur une première face de l’enrobage isolant et en couplage optique avec le dispositif optique, et des vias (VA) traversant l’enrobage depuis sa première face jusqu’à une deuxième face opposée à la première face et ayant des parois internes équipées de chemins électriquement conducteurs (CC) reliés d’une part aux zones de connexion électrique de la puce par des pistes électriquement conductrices (PC) aménagées sur la première face de l’enrobage et ayant d’autre part des extrémités débordant (ED) sur la deuxième face de l’enrobage. Figure pour l’abrégé : Fig 1 BOÎTIER OPTIQUE DE CIRCUIT INTEGRE Des modes de mise en œuvre et de réalisation de la présente invention concernent le domaine de la microélectronique, notamment le domaine du conditionnement (« packaging » en anglais) des circuits intégrés et plus particulièrement les boîtiers optiques de circuits intégrés. Classiquement un boîtier de circuit intégré comporte une puce électronique connectée à des connexions électriques d’un substrat de support par des fils de liaison plus connus par le terme anglais usuel « wire bonds »). L’utilisation de tels fils de liaison augmente la taille du boîtier. Lorsque la puce électronique supporte un dispositif optique, une solution consiste à placer la puce et les fils de liaison dans un logement d’un enrobage en résine et à placer une pastille optique, par exemple en verre, au-dessus de la puce et des fils de liaison et en appui sur les bords du logement. Cependant une telle solution augmente la taille d’un tel boîtier optique. De façon à réduire cette taille il est possible de noyer les fils de liaison dans un enrobage de résine, de placer la puce équipée de son dispositif optique dans un logement ménagé dans l’enrobage et de placer la pastille optique au-dessus de la puce. Cependant une telle solution nécessite l’utilisation de puces de grande taille. De telles approches limitent la taille minimale du boîtier optique, ce qui est un inconvénient pour l’intégration de tels boîtiers dans des appareils pour lesquels l’encombrement est un facteur important. Par exemple, l’intégration dans des téléphones du type « smartphones » de capteurs de lumière ambiante (ALS « Ambiant Light Sensor ») est aujourd’hui limitée par la taille des boîtiers de ce type de capteurs. Il existe donc un besoin de réduire encore davantage la taille d’un boîtier optique de circuit intégré. Selon un aspect, il est proposé un boîtier optique de circuit intégré. Ce boîtier comprend une puce électronique supportant un dispositif optique, par exemple mais non exclusivement un capteur de lumière ambiante, et des zones de connexion électrique, par exemple connues par l’homme du métier sous la dénomination anglosaxonne « pads ». Le boîtier comporte également un enrobage isolant, par exemple une résine, enrobant la puce, recouvrant les zones de connexion électrique et découvrant le dispositif optique. Le boîtier comporte également un moyen optique d’obturation, par exemple mais non exclusivement une vitre en verre optiquement transparente, fixé au moins en partie sur une première face de l’enrobage isolant, typiquement sa face supérieure, et en couplage optique avec le dispositif optique. Un couplage optique s’entend par exemple comme une coopération optique entre le moyen d’obturation optique et le dispositif optique, de façon à par exemple laisser passer un flux lumineux émanant du et/ou destiné au dispositif optique. Cette coopération optique peut également comporter un filtrage optique. Le boîtier comporte par ailleurs des vias traversant l’enrobage depuis sa première face jusqu’à une deuxième face, typiquement sa face inférieure, opposée à la première face et ayant des parois internes équipées de chemins électriquement conducteurs reliés d’une part aux zones de connexion électrique de la puce par des pistes électriquement conductrices aménagées sur la première face de l’enrobage et ayant d’autre part des extrémités débordantes sur la deuxième face de l’enrobage. Ainsi, dans un tel boîtier des connexions électriques sont réalisées directement dans et sur l’enrobage enrobant la puce ce qui permet de s’affranchir de fils de liaison classiques (« wire bonds ») et donc de diminuer l’encombrement par rapport à un boîtier classique de l’art antérieur. De plus, l’enrobage est ouvert pour laisser découvert le dispositif optique de la puce, ce qui permet de limiter la taille du moyen d’obturation optique qui va pouvoir s’appuyer sur les bords de l’ouverture, et contribuer ainsi à l’obtention d’un boîtier de taille réduite. Un tel boîtier pourrait être directement fixé sur une carte de circuit imprimée par exemple, par le biais des extrémités débordantes des chemins électriquement conducteurs tapissant les vias, ces extrémités débordantes pouvant être équipées de billes de soudure. Cela étant, il serait possible que, selon un mode de réalisation, le boîtier comprenne en outre un substrat support fixé au moins en partie sur la deuxième face de l’enrobage et ayant un réseau d’interconnexion connecté auxdites extrémités débordantes des chemins électriquement conducteurs. Dans ce cas c’est le substrat support, équipé par exemple de billes de soudure, qui serait fixé sur la carte de circuit imprimée. Selon un mode de réalisation, le boîtier comprend des moyens de fixation du moyen d’obturation comportant une colle électriquement isolante située au moins en partie autour du dispositif optique. Et ce cordon de colle isolant peut être disposé au moins en partie sur les pistes électriquement conductrices de la première face de l’enrobage sans créer de court-circuit. Selon un mode de réalisation, le moyen optique d’obturation contient ou supporte un élément électriquement conducteur et les moyens de fixation comportent au moins deux volumes de colle électriquement conductrice disjoints configurés pour connecter deux extrémités de l’élément électriquement conducteur sur des pistes électriquement conductrices de l’enrobage. Ces pistes peuvent alors être reliées à un moyen configuré pour détecter une cassure éventuelle de l’élément électriquement conducteur ou un détachement du moyen d’obturation optique, ce moyen pouvant être disposé dans la puce elle-même ou à l’extérieur du boîtier. Ainsi, un tel élément conducteur intégré dans le moyen optique d’obturation permet d’indiquer que le moyen optique d’obturation n’est ni brisé ni détaché. En particulier, dans un cas où le dispositif optique comprend une source laser, une défaillance du moyen optique d’obturation peut porter atteinte aux yeux des observateurs, il est alors avantageux de connaitre un état d’intégrité du moyen optique d’obturation. Selon un mode de réalisation, le moyen optique d’obturation est une vitre pouvant être optiquement transparente ou filtrante ou avoir des caractéristiques diverses comme de la polarisation par exemple mais non exclusivement. Selon un mode de réalisation, le dispositif optique est un dispositif émetteur et/ou récepteur d’un flux lumineux. Selon un mode de réalisation, le dispositif optique est un capteur de lumière ambiante. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de fabrication d’un boîtier optique de circuit intégré, comprenant : – une fourniture d’une puce électronique supportant un dispositif optique et des zones de connexion électrique, – une formation d’une couche de protection thermiquement dégradable recouvrant le dispositif optique ; – une formation d’un enrobage isolant enrobant la puce en recouvrant des zones de connexion à l’exception de ladite couche de protection ; – une dégradation thermique de la couche de protection de sorte à découvrir le dispositif optique ; – une réalisation de vias traversant l’enrobage depuis une première face jusqu’à une deuxième face opposée à la première face, et de premiers motifs aménagés sur la première face de l’enrobage et s’étendant depuis les vias jusqu’aux zones de connexion électrique et de deuxièmes motifs sur la deuxième face de l’enrobage s’étendant depuis lesdits vias ; – une réalisation de chemins électriquement conducteurs sur les parois internes des vias et de pistes électriquement conductrices dans les premiers motifs et les deuxièmes motifs de façon d’une part à relier électriquement les chemins électriquement conducteurs aux zones de connexion électrique de la puce et former d’autre part des extrémités des chemins électriquement conducteurs débordant sur la deuxième face de l’enrobage, et – une fixation d’un moyen optique d’obturation au moins en partie sur la première face de l’enrobage ou sur les pistes électriquement conductrices, de sorte à permettre un couplage optique entre le moyen d’obturation et le dispositif optique. Selon un mode de mise en œuvre, la réalisation des vias et des premiers et deuxièmes motifs est effectuée par un laser de structuration directe (LDS : « Laser Direct Structuring »), et la réalisation des chemins électriquement conducteurs, des pistes et des extrémités des chemins électriquement conducteurs est effectuée par dépôt autocatalytique (« electroless plating »). Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend en outre une fixation d’un substrat support sur la deuxième face de l’enrobage comportant une connexion des extrémités débordantes des chemins électriquement conducteurs à un réseau d’interconnexion du substrat support D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : et illustrent schématiquement des modes de mise en œuvre et de réalisation de l’invention. La figure 1 illustre schématiquement une vue en coupe d’un boîtier optique BT de circuit intégré selon un mode de réalisation de l’invention. Le boîtier BT comprend une puce électronique PO supportant au niveau de sa face supérieure FS un dispositif optique DO et des zones de connexions ou « pads » ZC. Le boîtier BT comporte également un enrobage EN enrobant la puce, et un moyen optique d’obturation MO recouvrant le dispositif optique DO et formant une face avant du boîtier BT. Le dispositif optique DO de la puce PO peut être par exemple un capteur de lumière ambiante du type « ALS » (acronyme du terme anglais usuel Ambient Light Sensor). Plus généralement, le dispositif optique DO peut est un dispositif émetteur et/ou récepteur de flux lumineux, par exemple une source de laser. L’enrobage EN recouvre la face supérieure de puce PO et en particulier les zones de connexion ZC de la puce, tout en laissant découvert le dispositif optique DO de sorte à permettre un couplage optique avec le moyen d’obturation MO. L’enrobage présente une première face F1 se situant du côté du dispositif optique DO et une deuxième face F2, opposée à la première face, comprenant des extrémités débordantes ED conductrices formant des zones de connexions externes du boîtier. Le boîtier BT pourrait être connecté directement sur une carte de circuit imprimée par exemple, par l’intermédiaire de ces zones de connexions électriques ED et d’éventuelles billes de soudure. En variante, comme illustré sur la , la deuxième face F2 de l’enrobage EN peut être fixée à un substrat de support SS, et les extrémités débordantes ED sont alors soudées à un réseau d’interconnexion du substrat SS. Des connexions électriques sont aménagées dans l’enrobage EN pour relier électriquement les zones de contact ZC de la puce PO et les extrémités débordantes ED situées sur la deuxième face F2 de l’enrobage EN. A cet égard le boîtier BT comporte des vias VA qui traversent l’enrobage EN depuis la première face F1 jusqu’à la deuxième face F2. Entre la première face F1 et la deuxième face F2 de l’enrobage EN, les vias VA sont tapissées sur leurs parois internes de chemins électriquement conducteurs CC, par exemple en métal. Sur la première face de l’enrobage EN, les chemins électriquement conducteurs CC des vias VA sont connectés à des pistes électriquement conductrices PC, par exemple métalliques, aménagées en surface de l’enrobage jusqu’aux zones de connexion ZC de la puce PO. En particulier, des perforations de l’enrobage prévues au-dessus des zones de connexion ZC, sont remplies de matériau conducteur pour connecter les pistes électriquement conductrices PC à ces zones de connexion. Sur la deuxième face de l’enrobage EN, les chemins électriquement conducteurs CC des vias VA sont connectés aux extrémités débordantes ED. Les chemins électriquement conducteurs CC, les pistes électriquement conductrices PC et les extrémités débordantes ED peuvent être réalisés dans une même couche conductrice par exemple métallique, en cuivre, en nickel, ou en or, ou dans une combinaison de ces trois métaux. Par ailleurs, le moyen optique d’obturation MO est fixé par des moyens de fixation MF sur la première face de l’enrobage de façon d’une part à protéger le dispositif optique DO et d’autre part de sorte à être en couplage optique avec le dispositif optique DO. Le moyen d’obturation optique MO peut être une vitre optiquement transparente, ou filtrante, fixée sur l’enrobage EN par un moyen de fixation MF. Par exemple, le moyen d’obturation MO pourrait aussi comprendre une vitre dispersante rendant inoffensive une source laser pour des yeux d’observateurs. Le moyen de fixation peut être un cordon de colle électriquement isolante, continu ou non, déposé sur la première face de l’enrobage EN, autour du dispositif optique DO. Une telle colle électriquement isolante est classique et connue en soi. La colle peut être au contact de l’enrobage EN et/ou des pistes métalliques PC. La figure 2 illustre une vue de dessus du boîtier BT décrit en référence à la figure 1 dans lequel le moyen d’obturation et les moyens de fixation ne sont pas représentés, de sorte à découvrir la première face F1 de l’enrobage EN, et les pistes électriquement conductrices PC. L’enrobage EN recouvre partiellement la face supérieure FS de la puce électronique PO, de sorte à recouvrir les zones de connexions (« pads ») de la puce tout en laissant libre une zone occupée par le dispositif optique DO. L’enrobage EN comprend une bordure située autour des bords latéraux de la puce PO, dans laquelle les vias VA sont creusés perpendiculairement à la première face F1 de l’enrobage EN. La figure 3 illustre des étapes d’un exemple de procédé de fabrication d’un boîtier tel que celui décrit précédemment en référence aux figures 1 et 2. Le procédé comprend une fourniture de la puce électronique PO supportant le dispositif optique DO et les zones de connexion électrique (« pads »). Bien que l’on évoque ici une fourniture de la puce électronique seule, en pratique le procédé comprend la fourniture d’une tranche de substrat semiconducteur, ou plaquette, (plus connu sous le terme anglais usuel « wafer »), par exemple en silicium, comprenant un ensemble de puces électroniques PO déjà fabriquées, prêtes à être séparées ou individualisées le long de lignes de découpe de la plaquette. Le procédé comprend une formation S1 d’une couche de protection MSS thermiquement dégradable recouvrant l’ensemble de la plaquette et donc le dispositif optique de chaque puce électronique PO de la plaquette. La couche de protection MSS est formée dans un matériau sacrificiel temporaire, thermiquement destructible, par exemple la mousse REVALPHA N°3195VS provenant de la société NITTO. La formation de la couche protectrice MSS thermiquement dégradable au-dessus de chaque dispositif optique comprend par exemple un dépôt de la couche protectrice sur toute la plaquette puis une photolithographie de sorte à ne laisser la couche protectrice qu’au-dessus des dispositifs optiques DO. Le dépôt de la couche de protection MSS est par exemple réalisée à la tournette par l’utilisation d’un support tournant pour mettre en rotation la plaquette et d’un moyen pour disperser le matériau de la couche de protection MSS. La viscosité du matériau de la couche de protection MSS, la vitesse de rotation du support et la quantité de matière déposée permettent de contrôler une épaisseur finale de la couche de protection ainsi que sa planéité. En effet, l’épaisseur et la planéité de la couche de protection MSS permettent d’assurer la qualité de la formation d’une ouverture dans l’enrobage permettant de découvrir le dispositif optique DO de la puce PO. Le procédé comporte ensuite une séparation ou individualisation S2 des puces électroniques PO par découpe de la plaquette selon les lignes de découpe. Dans l’étape S3, on prépare les puces électroniques PO pour une formation de l’enrobage EN avec une matière d’enrobage. La matière d’enrobage comprend par exemple une résine comportant des amorces de complexes métallo-organiques pouvant être localement activées, grâce à une méthode connue sous le nom de structuration laser directe (« LDS » : Laser Direct Structuring), pour permettre ultérieurement un dépôt autocatalytique de couches métalliques sur des parties activées de l’enrobage. L’étape S3 comprend par exemple un retournement des puces, puis un collage de la couche protectrice MSS de chaque puce PO sur un film plastique. Il peut être avantageusement prévu de maintenir une distance contrôlée entre les puces pour tenir compte d’une rétractation de la résine d’enrobage après séchage. De plus, le film plastique est prévu pour avoir une adhérence qui se réduit lors d’un traitement thermique. Une fois les puces collées, l’étape S3 comprend un moulage de la matière d’enrobage de sorte à former une plaquette de matière d’enrobage reliant les puces PO entre elles. La formation de l’enrobage isolant EN comprend par exemple une application d’une pression sur la matière d’enrobage pour combler des interstices, de sorte notamment à former la première face F1 de chaque enrobage EN recouvrant les zones de connexions (« pads ») de chaque puce PO. L’étape S3 comprend ensuite un premier traitement thermique pour solidifier la résine d’enrobage. Le premier traitement thermique comprend un chauffage de la résine d’enrobage, par exemple à une température entre 150-160 degrés Celsius de sorte à la faire polymériser. Dans cet exemple, la couche de protection MSS commence à se dégrader en même temps que la résine d’enrobage se solidifie, mais ce début de dégradation n’est pas gênant ici en raison de l’absence de mouvement de la plaquette. Cela étant le procédé comprend ensuite avantageusement, dans l’étape S4, un achèvement de la dégradation thermique de la couche de protection MSS permettant de découvrir chaque dispositif optique DO. Cette dégradation thermique S4 de la couche de protection MSS peut être réalisée par un second traitement thermique comportant un chauffage de la plaquette par exemple à une température de l’ordre de 180 degrés Celsius. Durant le second traitement thermique, la couche de protection MSS se désintègre complètement mais la résine d’enrobage polymérisée n’est pas affectée. A la suite de l’étape de dégradation thermique S4, le boîtier BT subit un nettoyage S5, par exemple à l’eau, en particulier pour nettoyer le dispositif optique DO sur la puce PO. Ensuite, vient une réalisation des connexions électriques comportant les pistes métalliques PC, les vias tapissés des chemins conducteurs CC et les extrémités débordantes ED. La réalisation des connexions électriques peut être mise en œuvre en deux temps par exemple par une méthode associant dépôt autocatalytique et structuration laser directe. Dans un premier temps, la réalisation des connexions comprend par exemple une réalisation S6 des vias, et de premiers motifs MF1 et deuxièmes motifs MTF2 par exemple par un laser de structuration directe. La réalisation S6 des vias VA comprend un creusement de trous débouchants dans l’enrobage EN, s’étendant de la première face à la deuxième face de l’enrobage EN. La réalisation S6 des premiers motifs MTF1 comprend une gravure de la résine à l’emplacement des futures pistes électriquement conductrices PC sur la première face de l’enrobage EN, de sorte que les premiers motifs s’étendent depuis les vias VA jusqu’aux zones de connexion électrique ZC. La réalisation S6 des deuxièmes motifs MTF2 comprend une gravure de la résine à l’emplacement des futures extrémités débordantes ED sur la deuxième face de l’enrobage EN, de sorte que les deuxièmes motifs s’étendent depuis les vias VA sur la deuxième face F2. Puis dans l’étape S7 on réalise les chemins électriquement conducteurs CC, les pistes électriquement conductrices PC, et les extrémités débordantes ED par dépôt autocatalytique, par immersion de la plaquette dans un bain de dépôt autocatalytique. Une fois les connexions électriques réalisées, le procédé comporte ensuite un sciage S8 de la plaquette selon des chemins de découpe, de façon à individualiser chaque puce PO enrobée dans son enrobage EN. Le procédé peut comporter en outre une fixation S9 facultative d’un substrat support SS sous l’enrobage EN. La fixation S9 du substrat support sur la deuxième face de l’enrobage EN comprend par exemple un soudage des extrémités débordantes ED à un réseau d’interconnexion du substrat SS. Il est également prévu une fixation S10 du moyen optique d’obturation sur la première face de l’enrobage EN par des moyens de fixation MF, de sorte à permettre un couplage optique entre le moyen d’obturation MO et le dispositif optique DO. La fixation du moyen optique d’obturation peut comprendre de disperser un cordon de colle isolant autour du dispositif optique DO, par exemple sur la première face de l’enrobage EN, éventuellement sur des pistes électriquement conductrices PC. L’invention n’est pas limitée aux modes de réalisation et de mise en œuvre qui viennent d’être décrits. Ainsi, comme illustré schématiquement sur la , optionnellement, le boîtier BT peut être muni d’un élément conducteur ELM permettant de vérifier l’intégrité du moyen optique d’obturation MO. Le moyen optique d’obturation MO peut être par exemple une vitre comprenant l’élément électriquement conducteur, par exemple un fils conducteur ELM serpentant dans la vitre. En variante l’élément électriquement conducteur ELM pourrait serpenter à la surface de la vitre. L’élément électriquement conducteur est connecté à la puce par des points de colle conductrice MF1 disposés sur des portions de pistes électriquement conductrices PC différentes, créant ainsi un chemin électriquement conducteur. Comme illustré plus particulièrement sur la qui est une vue de dessus du moyen optique d’obturation, la fixation du moyen optique d’obturation MO sut l’enrobage et les pistes conductrices peut être complété par un cordon de colle isolante MF disposé entre les points de colle électriquement conductrice MF1. Les deux pistes respectivement reliées électriquement à l’élément électriquement conducteur sont également respectivement reliées par exemple à une source de courant permettant d’injecter un courant dans l’élément électriquement conducteur ELM, et à un moyen de détection de courant. La source de courant et le moyen de détection de courant peuvent être incorporés dans la puce ou bien être disposés à l’extérieur du boîtier. Si la puce détecte la présence (non interruption du courant) du chemin électriquement conducteur (interruption du courant), cela indique que l’intégrité du moyen optique d’obturation MO est respectée. Si au contraire la puce détecte une interruption de ce chemin électriquement conducteur alors cela indique que le moyen optique d’obturation est cassé ou détaché et donc que l’intégrité du moyen optique d’optique d’obturation MO n’est plus respectée. Bien entendu dans ce mode de réalisation, l’étape S10 de la comporte également la formation des deux volumes de colle conductrice MF1 entre la colle isolante MF. Boîtier optique (BT) de circuit intégré, comprenant une puce électronique (PO) supportant un dispositif optique (DO) et des zones de connexion électrique (ZC), un enrobage isolant (EN) enrobant la puce, recouvrant les zones de connexion électrique et découvrant le dispositif optique, un moyen optique d’obturation (MO) fixé au moins en partie sur une première face de l’enrobage isolant et en couplage optique avec le dispositif optique, et des vias (VA) traversant l’enrobage depuis sa première face jusqu’à une deuxième face opposée à la première face et ayant des parois internes équipées de chemins électriquement conducteurs (CC) reliés d’une part aux zones de connexion électrique de la puce par des pistes électriquement conductrices (PC) aménagées sur la première face de l’enrobage et ayant d’autre part des extrémités débordant (ED) sur la deuxième face de l’enrobage. Boîtier selon la revendication 1, comprenant en outre un substrat support (SS) fixé au moins en partie sur la deuxième face de l’enrobage et ayant un réseau d’interconnexion connecté auxdites extrémités débordantes (ED) des chemins électriquement conducteurs (CC). Boîtier selon l’une des revendications 1 ou 2, comprenant des moyens de fixation (MF) du moyen optique d’obturation (MO) comportant une colle électriquement isolante située au moins en partie autour du dispositif optique (DO). Boîtier selon la revendication 3, dans lequel le moyen optique d’obturation (MO) contient ou supporte un élément électriquement conducteur (ELM) et les moyens de fixation comportent au moins deux volumes de colle électriquement conductrice disjoints (MF1) configurés pour connecter deux extrémités de l’élément électriquement conducteur sur des pistes électriquement conductrices (PC) de l’enrobage (EN). Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le moyen optique d’obturation (MO) est une vitre étant optiquement transparente ou filtrante ou polarisante. Boîtier selon l’une des revendications précédentes dans lequel le dispositif optique (DO) est un dispositif émetteur et/ou récepteur d’un flux lumineux. Boîtier selon l’une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif optique (DO) est un capteur de lumière ambiante. Procédé de fabrication d’un boîtier optique (BT) de circuit intégré, comprenant : – une fourniture d’une puce électronique (PO) supportant un dispositif optique (DO) et des zones de connexion électrique (ZC), – une formation (S1) d’une couche de protection (MSS) thermiquement dégradable recouvrant le dispositif optique ; – une formation (S3) d’un enrobage isolant (EN) enrobant la puce en recouvrant des zones de connexion à l’exception de ladite couche de protection ; – une dégradation thermique (S4) de la couche de protection de sorte à découvrir le dispositif optique ; – une réalisation (S6) de vias (VA) traversant l’enrobage depuis une première face jusqu’à une deuxième face opposée à la première face, et de premiers motifs (MTF1) aménagés sur la première face de l’enrobage et s’étendant depuis les vias jusqu’aux zones de connexion électrique et de deuxièmes motifs (MTF2) sur la deuxième face de l’enrobage s’étendant depuis lesdits vias ; – une réalisation (S7) de chemins électriquement conducteurs (CC) sur les parois internes des vias et de pistes électriquement conductrices (PC) dans les premiers motifs et les deuxièmes motifs de façon d’une part à relier électriquement les chemins électriquement conducteurs aux zones de connexion électrique de la puce et former d’autre part des extrémités des chemins électriquement conducteurs débordant (ED) sur la deuxième face de l’enrobage, et – une fixation (S10) d’un moyen optique d’obturation (MO) au moins en partie sur la première face de l’enrobage de sorte à permettre un couplage optique entre le moyen d’obturation et le dispositif optique. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la réalisation (S6) des vias et des premiers et deuxièmes motifs est effectuée par un laser de structuration directe (LDS) et la réalisation (S7) des chemins électriquement conducteurs, des pistes et des extrémités des chemins électriquement conducteurs est effectuée par dépôt autocatalytique. Procédé selon la revendication 8 ou 9, comprenant en outre une fixation d’un substrat support (SS) sur la deuxième face de l’enrobage (EN) comportant une connexion des extrémités débordantes (ED) des chemins électriquement conducteurs (CC) à un réseau d’interconnexion du substrat support.