FR 3115931 A1 20220506 FR 2011088 A 20201029 Mémoire à changement de phase La présente description concerne un dispositif comprenant des cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule mémoire (10) comprenant un premier élément résistif (24) en contact latéral avec un deuxième élément (26) en un matériau à changement de phase. Figure pour l'abrégé : Fig. 1A Mémoire à changement de phase La présente description concerne de façon générale des dispositifs électroniques et leurs procédés de fabrication, et plus particulièrement des dispositifs comprenant des mémoires à changement de phase. Dans une mémoire à changement de phase usuelle, par exemple, chaque cellule mémoire comprend une couche de matériau à changement de phase qui est en contact avec un élément résistif. Les matériaux à changement de phase sont des matériaux qui peuvent basculer entre une phase cristalline et une phase amorphe. Ce basculement est provoqué par une augmentation de la température de l'élément résistif dans lequel on fait passer un courant électrique. La différence de résistance électrique entre la phase amorphe du matériau et sa phase cristalline est utilisée pour définir au moins deux états de mémoire, arbitrairement 0 et 1. Les mémoires sont généralement sous forme de matrices, comprenant des lignes de mot ("wordline") et des lignes de bit ("bitline"), c'est-à-dire des lignes et des colonnes. Une cellule mémoire, contenant une information binaire, se situe à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne. L'information contenue dans une cellule d'une mémoire à changement de phase est par exemple accédée, ou lue, en mesurant la résistance entre la ligne de bit et la ligne de mot de la cellule mémoire. Les cellules mémoire à changement de phase sont par exemple situées dans un réseau d'interconnexion. Par réseau d'interconnexion, on entend un empilement de couches isolantes, formées durant les étapes de fabrication dites "back end of line", dans lequel sont situées des pistes métalliques reliées entre elles par des vias conducteurs. De préférence, les niveaux du réseau d'interconnexion, comprenant chacun des pistes conductrices dans une couche isolante et des vias conducteurs dans une couche isolante, ont une hauteur constante. Cependant, les cellules mémoire connues sont trop hautes pour être placées entre certains niveaux sans modifier localement la hauteur du niveau. Il existe un besoin pour des cellules mémoire à changement de phase ayant une hauteur inférieure aux cellules mémoire à changement de phase connues, de telle manière qu'elles puissent être situées entièrement dans un niveau d'un réseau d'interconnexion. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des mémoires à changement de phase connues. Un mode de réalisation prévoit un dispositif comprenant des cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule mémoire comprenant un premier élément résistif en contact latéral avec un deuxième élément en un matériau à changement de phase. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des cellules mémoire à changement de phase, le procédé comprenant la formation, pour chaque cellule, d'un premier élément résistif en contact latéral avec un deuxième élément en un matériau à changement de phase. Selon un mode de réalisation, le premier élément a une forme de L. Selon un mode de réalisation, le premier élément a une forme d'espaceur. Selon un mode de réalisation, le premier élément comprend une face inférieure en contact avec une piste conductrice, la piste étant entourée par une première couche isolante. Selon un mode de réalisation, le deuxième élément est séparé de la première couche isolante et de la piste conductrice par une portion isolante. Selon un mode de réalisation, le deuxième élément est une couche plane et horizontale. Selon un mode de réalisation, une première paroi latérale du deuxième élément est en contact avec une paroi sensiblement verticale du premier élément. Selon un mode de réalisation, une deuxième paroi latérale du deuxième élément, opposée à la première paroi, est en contact avec une bande conductrice. Selon un mode de réalisation, une deuxième paroi latérale du deuxième élément, opposée à la première paroi, est en contact avec un quatrième élément de sélection, le quatrième élément étant recouvert par une bande conductrice. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un réseau d'interconnexion, et chaque cellule mémoire est située entre deux niveaux du réseau d'interconnexion. Selon un mode de réalisation, le deuxième élément est en un alliage à base de chalcogènes, de préférence en un alliage à base de germanium, de tellure et d'antimoine, et le premier élément est en un métal ou alliage métallique, de préférence en nitrure de titane ou en nitrure de titane-silicium. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur du deuxième élément est comprise entre 2 nm et 20 nm, la dimension du deuxième élément dans une première direction horizontale est inférieure à 70 nm, la dimension du deuxième élément dans une deuxième direction horizontale est comprise entre 20 nm et 60 nm, la hauteur du premier élément est comprise entre 30 nm et 80 nm, la dimension du premier élément dans une première direction horizontale est inférieure à 70 nm, la dimension de la face inférieure du premier élément dans une deuxième direction horizontale est comprise entre 20 nm et 60 nm, et la dimension de la face supérieure du premier élément dans une deuxième direction horizontale est comprise entre 2 nm et 10 nm. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend : la formation d'un empilement de couches, l'empilement comprenant, dans cet ordre, une deuxième couche isolante, une troisième couche en le matériau du deuxième élément, et une quatrième couche isolante ; la formation d'une première cavité traversant l'empilement et découvrant une première paroi latérale de la troisième couche ; et la formation du premier élément sur la première paroi. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation d'une deuxième cavité découvrant une deuxième face latérale du premier élément. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation de la bande sur la deuxième face latérale du premier élément. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation du quatrième élément de sélection, sur la deuxième face latérale du premier élément. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : La représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'une cellule mémoire à changement de phase ; La représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'une cellule mémoire à changement de phase ; La représente une vue en coupe d'un dispositif comprenant plusieurs cellules telles que celle des figures 1A et 1B ; La représente le résultat d'une étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la ; et La représente un autre mode de réalisation d'une cellule mémoire à changement de phase. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La représente une vue en coupe d'un mode de réalisation d'une cellule mémoire à changement de phase 10. La représente une vue en coupe de la cellule mémoire à changement de phase 10. Plus précisément, la représente une vue en coupe d'une partie d'un dispositif comprenant la cellule 10 selon un plan A-A de la et la représente une vue en coupe d'une partie d'un dispositif comprenant la cellule 10 selon un plan B-B de la . La cellule 10 est située dans un réseau d'interconnexion du dispositif. La cellule 10 est ici située entre un niveau de pistes métalliques MX et un niveau de pistes métalliques MX+1 du réseau d'interconnexion. Les figures 1A et 1B représentent une couche isolante 12 du niveau d'interconnexion MX située sous la cellule mémoire 10 et une couche isolante 14 du niveau d'interconnexion MX+1 située au-dessus de la cellule mémoire 10. Une piste conductrice 16 est située dans la couche isolante 12. La piste 16 traverse la couche 12, c’est-à-dire s'étend sur toute la hauteur de la couche 12. La piste 16 s'étend par exemple le long de plusieurs cellules mémoire telles que celle représentée en figures 1A et 1B. La piste 16 s'étend par exemple dans une direction X correspondant à la direction d'une ligne de mot ou "word line". La piste 16 est ainsi de préférence reliée aux cellules de la ligne de mot. Similairement, une piste conductrice 18 est située dans la couche isolante 14. La piste 18 traverse la couche 14, c’est-à-dire s'étend sur toute la hauteur de la couche 14. La piste 18 s'étend par exemple le long de plusieurs cellules mémoire telles que celle représentée en figures 1A et 1B. La piste 18 s'étend par exemple dans une direction Y correspondant à la direction d'une ligne de bit ou "bit line". La piste 18 est ainsi de préférence reliée aux cellules de la ligne de bit. La piste 18 s'étend de préférence dans une direction orthogonale à la direction dans laquelle s'étend la piste 16. La couche isolante 14 est de préférence en un matériau ayant une constante diélectrique très faible, c’est-à-dire un matériau dit "Ultra Low K". La couche isolante 12 est par exemple en un matériau ayant une constante diélectrique très faible, c’est-à-dire un matériau dit "Ultra Low K", par exemple le même matériau que la couche 14. La couche 12 peut alternativement comprendre un empilement de couches isolantes, par exemple un empilement comprenant une couche en un matériau dit "Ultra Low K" et une couche en un autre matériau isolant, par exemple en nitrure de silicium. Les pistes conductrices 16 et 18 sont en métal. Les pistes conductrices sont de préférence en cuivre ou en tungstène. De préférence, les couches 12, 14 sont des couches planes et parallèles. Autrement dit, chacune des couches 12, 14 comprend une face inférieure et une face supérieure planes et horizontales. De préférence, les faces supérieure et inférieure de chaque couche 12, 14 sont sensiblement parallèles entre elles. De plus, les faces supérieures et inférieures de la couche 12 sont de préférence parallèles aux faces supérieure et inférieure de la couche 14. Les pistes 16 et 18 traversent entièrement les couches respectives 12, 14. Les pistes 16 et 18 ont chacune une face supérieure et une face inférieure plane et horizontale, sensiblement parallèles entre elles. Les faces inférieures et supérieures des pistes 16 et 18 sont respectivement coplanaires avec les faces inférieures et supérieures des couches 12, 14. La cellule 10 comprend un élément résistif 24, de préférence en un métal ou un alliage métallique, par exemple en nitrure de titane ou en nitrure de titane-silicium. L'élément 24 a sensiblement une forme de L. Autrement dit, l'élément 24 comprend une portion verticale et une portion horizontale. Par horizontale, on entend dans le plan formé par les directions X et Y. Par verticale, on entend dans le plan formé par la direction X ou Y et une direction Z orthogonale au plan formé par les directions X et Y. De préférence, par verticale on entend dans le plan formé par les directions X et Z. La portion horizontale de l'élément 24 s'étend sur la piste 16, plus précisément sur la face supérieure de la piste 16. La portion horizontale de l'élément 24 est de préférence entièrement sur la piste 16. La portion horizontale est ainsi en contact avec la piste 16. La portion horizontale de l'élément 24 a par exemple sensiblement une forme de parallélogramme. La portion verticale de l'élément 24 s'étend à partir de la face supérieure de la piste 16. La portion verticale s'étend par exemple dans un plan sensiblement orthogonal au plan de la face inférieure. La portion verticale s'étend de préférence dans le plan de la , c’est-à-dire un plan formé par les directions X et Z. La portion verticale de l'élément 24 a par exemple sensiblement une forme de parallélogramme. La cellule 10 comprend, en outre, un élément 26 en un matériau à changement de phase. L'élément 26 est représenté en par des pointillés. L'élément 26 est par exemple en un alliage à base de chalcogènes, par exemple en un alliage à base de germanium, de tellure et d'antimoine (GST). L'élément 26 est une couche plane, s'étendant de préférence horizontalement, c’est-à-dire dans le plan formé par les directions X et Y. L'élément 26 s'étend de préférence dans un plan sensiblement parallèle à la face supérieure de la couche 12. L'élément 26 comprend de préférence une face supérieure et une face inférieure, sensiblement parallèles entre elles, et de préférence sensiblement parallèles à la face supérieure de la couche 12. L'élément 26 a par exemple sensiblement une forme de parallélépipède rectangle. L'élément 26 s'étend depuis l'élément 24, de préférence depuis la face verticale de l'élément 24. L'élément 26 est ainsi en contact avec l'élément 24. Plus précisément, une face latérale de l'élément 26 est en contact avec la portion verticale de l'élément 24. Ainsi, l'élément 26 est en contact latéral avec l'élément 24. L'élément 26 est entièrement situé à une même distance de la face supérieure de la couche 12 qu'une partie de l'élément 24. L'élément 26, s'étend, dans la direction X, sur la dimension de l'élément 24, comme cela est représenté en . Les faces latérales de l'élément 26 sont de préférence coplanaires aux faces latérales, ayant une forme de L, de l'élément 24. L'élément 26 n'est ainsi pas situé sous ou sur l'élément 26. L'élément 24 n'est pas séparé des pistes 18 et 16 par l'élément 26. Une partie de l'élément 24 est située au-dessus du niveau de l'élément 26 et une partie est située en dessous du niveau de l'élément 26. La dimension horizontale de l'élément 24 dans le plan de coupe de la , c’est-à-dire la dimension dans la direction X, est par exemple inférieure à 70 nm, par exemple comprise entre 20 nm et 70 nm, de préférence est sensiblement égale à 50 nm. La dimension horizontale de l'élément 26 dans le plan de coupe de la , c’est-à-dire la dimension dans la direction X, est par exemple inférieure à 70 nm, par exemple comprise entre 20 nm et 70 nm, de préférence est sensiblement égale à 50 nm. La dimension horizontale de la face inférieure de l'élément 24, c’est-à-dire la dimension de l'interface entre l'élément 24 et la piste 16, dans le plan de coupe de la , c’est-à-dire dans la direction Y, est par exemple comprise entre 20 nm et 60 nm. La dimension horizontale de la partie verticale de l'élément 24, c’est-à-dire la dimension de la face supérieure de l'élément 24, dans le plan de coupe de la , c’est-à-dire dans la direction Y, est par exemple comprise entre 2 nm et 10 nm. La dimension horizontale de l'élément 26 dans le plan de coupe de la , c’est-à-dire la dimension dans la direction Y, est par exemple comprise entre 20 nm et 60 nm. L'épaisseur de l'élément 26, c’est-à-dire la distance entre la face supérieure et la face inférieure, est inférieure à la hauteur de l'élément 24, c’est-à-dire la dimension de la face verticale de l'élément 24 dans la même direction que l'épaisseur de l'élément 26, c’est-à-dire la direction Z. De préférence, l'épaisseur de l'élément 26 est au moins de trois à cinq fois inférieure à la hauteur de l'élément 24. La hauteur de l'élément 24, c’est-à-dire la dimension dans la direction Z, est par exemple comprise entre 30 nm et 80 nm. L'épaisseur de l'élément 26, c’est-à-dire la dimension dans la direction Z, est par exemple comprise entre 2 nm et 20 nm. L'élément 26 repose sur une portion 28 en matériau isolant, par exemple en nitrure de silicium. L'élément 26 est séparé de la couche 12 et de la piste 16 par la portion 28 en matériau isolant. L'élément 26 n'est donc pas en contact avec la couche 12 ou la piste 16. La valeur de la résistance entre l'élément 26 et la piste 16 dépend de la hauteur de la portion 28. Ainsi, la hauteur de la portion 28 est choisie en fonction de la résistance voulue. A titre de variante, l'élément 24 peut avoir la forme d'un espaceur ayant une face verticale, en contact avec l'élément 26, et une face horizontale, en contact avec la piste 16. Les éléments 26 et 24 sont recouverts par une couche isolante 30, par exemple en nitrure de silicium. La couche 30 recouvre, de plus, la piste 16 et la couche 12. Une face latérale de l'élément 26 est laissée découverte par la couche 30. Autrement dit, la couche 30 ne recouvre pas une des faces latérales de l'élément 26. Plus précisément, la couche 30 ne recouvre de préférence pas une face latérale de l'élément 26 opposée à la face en contact avec l'élément 24. Le dispositif comprend, pour chaque ligne de bit, une bande conductrice 32. La bande 32 est par exemple en un métal ou un alliage métallique, par exemple en nitrure de titane ou en tungstène. La bande 32 comprend une portion 32a s'étendant le long de la couche 30 de manière à atteindre l'élément 26, plus précisément de manière à atteindre la face latérale découverte de l'élément 26. La bande 32 est ainsi en contact avec l'élément 26. L'élément 26 est ainsi connecté, par une extrémité, à l'élément 24 et par une autre extrémité à la bande 32. La tension permettant de programmer la cellule mémoire est ainsi appliquée entre l'élément 24 et la bande 32. Cette portion de la bande s'étend de préférence jusqu'à la face supérieure de la couche 12. Les dimensions de l'élément 26 sont telles que la bande 32 n'est pas en contact avec la piste 16. Une autre portion de la bande 32 s'étend de préférence sur la couche isolante 30 de manière à atteindre une autre cellule mémoire non représentée. Chaque ligne de bit est entourée par une couche isolante 34, par exemple en nitrure de silicium. La couche 34 entoure l'ensemble comprenant la bande 32, la couche isolante 30, la portion 28, et les éléments 24 et 26. La couche 34 recouvre, en particulier, la face supérieure de la bande 32 et des parois latérales, de préférence coplanaires, de la bande 32, de la couche isolante 30, de la portion 28, et des éléments 24 et 26. Une couche isolante 36 recouvre la couche 34 et la couche 12. La couche isolante 36 est de préférence en un matériau dont la constante diélectrique est très faible ("Ultra Low K"). La couche 36 correspond à la couche dans laquelle sont formés les vias conducteurs reliant les pistes conductrices MX situées dans la couche 12 aux pistes MX+1 situées dans la couche 14. La couche 36 sépare les différentes lignes de bits. Des vias conducteurs 38 traversent par exemple la couche 36 et la couche 34 de manière à relier une piste MX+1 à la bande conductrice 32. On aurait pu choisir de former un empilement vertical de l'élément résistif, du matériau à changement de phase et de l'électrode. Ainsi, on aurait pu choisir de former une couche en le matériau à changement de phase sur l'élément résistif, et former l'électrode sur la couche en matériau à changement de phase. Cependant, chaque cellule aurait une épaisseur plus importante que dans le mode de réalisation décrit en relation avec les figures 1A et 1B, typiquement une épaisseur supérieure à 150 nm avec les technologies actuelles. Ainsi, il ne serait pas possible de situer les cellules mémoire dans un réseau d'interconnexion standard sans modifier localement ou globalement les épaisseurs des niveaux du réseau. De telles modifications entraîneraient des variations de résistance et de capacité des liaisons entre les niveaux, ce qui entraînerait des modifications du comportement de composants, par exemple des transistors, reliés par le réseau d'interconnexion. La représente une vue en coupe d'un dispositif comprenant plusieurs cellules telles que celle des figures 1A et 1B. La est une vue en coupe dans le plan de la . Les éléments identiques à des éléments des figures 1A et 1B ne seront pas décrits de nouveau. La représente trois cellules mémoire d'une même ligne de bit. Les cellules sont composées comme les cellules décrites précédemment en relation avec les figures 1A et 1B. Les cellules sont alternées. Autrement dit, chaque cellule mémoire correspond à la symétrie planaire de la cellule voisine selon un plan horizontal, orthogonal au plan de la . Les éléments 26 de deux cellules voisines sont tournés l'un vers l'autre. De même, les éléments 24 de deux cellules voisines sont tournés l'un vers l'autre. Chaque portion 32a de la bande 32 s'étendant vers la couche 12 est en contact avec les éléments 26 de deux cellules voisines. Ainsi, chaque portion 32a de la bande 32 s'étendant vers la couche 12 permet le contact de deux cellules mémoire. Il y a donc sensiblement deux fois moins de portions 32a que de cellules 10. Les éléments 26 de deux cellules voisines séparées par la bande 32 ne sont pas séparés par les éléments 24 des cellules. Similairement, les éléments 24 de deux cellules voisines séparées uniquement par la couche 30 ne sont pas séparés par les éléments 26 des cellules. Les figures 3A à 3F illustrent les résultats d'étapes, de préférence successives, d'un mode de mise en œuvre d'un procédé de fabrication du mode de réalisation des figures 1A, 1B et 2. Les figures 3A à 3F sont des vues en coupe selon le plan de la . La représente le résultat d'une étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Cette étape comprend une étape de formation du niveau d'interconnexion MX comprenant les pistes 16. Plus précisément, cette étape comprend la formation de la couche isolante 12. La couche 12 comprend, dans cet exemple, une couche inférieure 12a en un matériau dit "ultra low k", c’est-à-dire un matériau ayant une constante diélectrique faible, et une couche supérieure 12b en un autre matériau isolant, de préférence du nitrure de silicium. La couche 12b recouvre de préférence entièrement la couche 12a. Des cavités traversant la couche 12 sont formées aux emplacements des pistes conductrices 16. Les cavités sont ensuite remplies du matériau des pistes 16, par exemple un métal, de préférence du cuivre ou du tungstène, de manière à former lesdites pistes 16. Les cavités sont remplies de manière à ce que le matériau des pistes 16 ne soit pas situé hors des cavités. Au cours de cette étape, un empilement 40 de couches est formé sur la couche 12 et sur les pistes 16. L'empilement 40 comprend, dans cet ordre à partir de la couche 12 : - une couche isolante 42 ; - une couche 44 en matériau à changement de phase ; et - une couche isolante 46. La couche isolante 42 est en le matériau de la portion 28 ( ), par exemple en nitrure de silicium. La couche 44 est en le matériau de l'élément 26. La couche 46 est de préférence en le même matériau que la couche 42, par exemple en nitrure de silicium. La hauteur de l'empilement 40 est sensiblement égale à la hauteur de la portion verticale de l'élément 24 ( ) voulue. Comme décrit en relation avec les figures 1A et 1B, la hauteur de la couche 42, correspondant à la hauteur de la portion 28, dépend de la valeur voulue de la résistance entre chaque élément 26 et la piste 16 correspondante. La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, une gravure est effectuée de manière à former des cavités 48 (48a, 48b) dans l'empilement 40. Chaque cavité 48 traverse l'empilement 40. Ainsi, le fond des cavités 48 correspond à la couche 12, en particulier à la couche 12b, et aux pistes 16. Les cavités 48 forment entre elles des bandes 50 à partir de l'empilement 40. L'empilement 40 est gravé de manière à former une bande 50 pour chaque ligne de mot, c’est-à-dire pour chaque piste 16 correspondant à une ligne de mot. Chaque bande 50 comprend une bande 42a de la couche 42, une bande 44a de la couche 44 et une bande 46a de la couche 46. Les parois latérales des cavités 48 correspondent aux flancs des bandes 50. Chaque bande 50 s'étend dans la direction X, c’est-à-dire la direction des lignes de mot. Chaque bande 50 recouvre partiellement une piste 16 et recouvre partiellement la couche 12. Chaque bande 50 s'étend de préférence sur toute la longueur de la piste 16, c’est-à-dire sur toute la dimension de la piste 16 dans la direction X. De préférence, le fond de certaines cavités 48, par exemple les cavités 48a, est formé partiellement par les faces supérieures de deux pistes 16 et par la face supérieure de la couche 12 située entre les deux pistes 16. De préférence, le fond des autres cavités, par exemple les cavités 48b, est formé uniquement par la face supérieure de la couche 12. Les cavités 48a et 48b sont alternées. Ainsi, chaque bande 50 sépare une cavité 48a d'une cavité 48b. Autrement dit, chaque cavité 48a est voisine de deux cavités 48b et inversement. La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, une couche 62 est formée sur le fond et les parois de chaque cavité 48b. Les couches 62 sont en un matériau isolant, de préférence un matériau isolant pouvant être gravé sélectivement par rapport au matériau des couches 42 et 46, par exemple en oxyde de silicium. Ainsi, les couches 62 peuvent de préférence être retirées sans retirer les bandes 42a et 46a des empilements 50. De préférence, la couche 62 recouvre aussi au moins partiellement la face supérieure des bandes 50 formant les bords de la cavité 48b. Les couches 62 ne s'étendent pas dans les cavités 48a. Plus précisément, les parois et le fond des cavités 48a ne sont pas recouverts par les couches 62. Les couches 62 ne recouvrent de préférence pas les pistes 16. Autrement dit, aucune portion des pistes 16 n'est, de préférence, recouverte par les couches 62. Chaque bande 50 comprend ainsi une première paroi latérale recouverte par la couche 62 et une deuxième paroi latérale, opposée à la première paroi latérale, n'étant pas recouverte par la couche 62. De préférence, la couche 62 recouvre au moins partiellement la face supérieure de la bande 50. Dans l'exemple de la , chaque couche 62 recouvre entièrement la face supérieure de deux bandes 50. La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, les éléments 24 sont formés. Plus précisément, une couche non représentée en le matériau des éléments 24 est formée de manière conforme sur la structure. La couche non représentée recouvre ainsi les parois et le fond des cavités 48a et la face supérieure des couches 62. Ainsi, la couche non représentée est en contact avec la couche 44 des bandes 50 voisines et avec les pistes 16 formant le fond de la cavité. Des espaceurs 64 sont ensuite formés. Les espaceurs recouvrent la couche non représentée au niveau des parois des cavités 48a et au pied des parois, de manière à recouvrir les portions de la couche non représentée formant les éléments 24. La couche non représentée est ensuite retirée par une étape de gravure, de manière à retirer les portions de la couche non représentée n'étant pas situées sous les espaceurs. Les éléments 24 en forme de L sont ainsi formés, chacun étant en contact avec une couche 44 et une piste 16. Chaque cavité 48a comprend de préférence deux éléments 24 en forme de L, situés sur des parois opposées de la cavité 48a. Chaque élément 24 formé au cours de cette étape s'étend de préférence sur toute la longueur d'une piste 16. La portion de la couche non représentée située entre les deux éléments 24 est retirée au cours de cette étape, les deux éléments 24 n'étant ainsi pas en contact l'un avec l'autre. Les couches 62 sont ensuite retirées. La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, les couches isolantes 30 sont formées. Chaque couche 30 remplit une cavité 48a et recouvre au moins partiellement les faces supérieures des bandes 50 voisines de la cavité. Dans l'exemple de la , les couches 30 recouvrent entièrement les faces supérieures des bandes 50. Les couches 30 recouvrent ainsi les éléments 24. Les éléments 24 sont ainsi entourés de matériaux isolants, à l'exception des portions des éléments 24 en contact avec les bandes 44a et les pistes 16. Les couches 30 ne remplissent pas les cavités 48b. Ainsi, les parois latérales des couches 44 situées au niveau des parois des cavités 48b sont découvertes. La représente le résultat d'une autre étape d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la . Au cours de cette étape, une couche métallique 56 est formée sur l'ensemble de la structure. La couche 56 remplit les cavités 48b et recouvre les couches 30. Le matériau de la couche 56 est le matériau de la bande 32 (figures 1A et 1B). La couche 56 est ainsi par exemple en nitrure de titane, en tungstène ou en cuivre. La couche 56 est de préférence gravée, de préférence par polissage mécano-chimique (CMP – "Chemical Mechanical Planarization"), de telle manière que la face supérieure de la couche 56 soit plane. L'épaisseur de la couche 56 telle que déposée est ainsi suffisamment importante pour que la couche 56 après CMP recouvre les couches 30 et remplisse entièrement les cavités 48b. Le procédé de fabrication des cellules mémoire des figures 1A, 1B et 2 comprend en outre des étapes non représentées. En particulier, le procédé comprend l'individualisation des cellules. Autrement dit, le procédé comprend la gravure de cavités non représentées traversant la couche conductrice 56, les couches isolantes 30, les éléments 24, les espaceurs 62 et les bandes 50. Les cavités non représentées s'étendent dans la direction des lignes de bit, c’est-à-dire dans la direction Y. Les cavités non représentées séparent donc les cellules mémoire voisines dans une même ligne de mot. La gravure sépare donc, pour chaque ligne de mot : la couche 56 en des bandes 32 distinctes à chaque cellule, la bande 42a en des portions 28 distinctes à chaque cellule, la bande 44a en des éléments 26 distincts à chaque cellule, et les éléments 24 en des éléments 24 distincts à chaque cellule. Le procédé de fabrication comprend, en outre, la formation de la couche isolante 34 ( et 1B), recouvrant les lignes de mot. En particulier, la couche 34 recouvre les parois des cavités non représentées formées lors de l'individualisation des cellules, et recouvre la face supérieure des bandes 32. Le procédé peut ensuite comprendre la formation de la couche isolante 36, correspondant par exemple à la couche isolante séparant la couche 12 comprenant les pistes MX et la couche 14 comprenant les pistes MX+1. Ainsi, la couche 36 est par exemple traversée par des vias conducteurs connectant des pistes MX et des pistes MX+1. Le niveau du réseau d'interconnexion comprenant les pistes MX+1 est ensuite formé sur la couche 36. La représente un autre mode de réalisation d'une cellule mémoire à changement de phase. Le mode de réalisation de la diffère du mode de réalisation des figures 1A, 1B et 2 en ce qu'il comprend un élément de sélection 60. L'élément 60 a de préférence une forme d'espaceur. L'élément 60 s'étend, de manière verticale, sur des parois latérales de la portion 28, de l'élément 26 et de la couche 30. L'élément 60 s'étend de préférence jusqu'au niveau de la face supérieure de la couche 30. L'élément 60 s'étend, de manière horizontale, sur la couche 12, au pied de la paroi latérale de la portion 28. L'élément 60 constitue l'élément de sélection de chaque cellule. Autrement dit, lors de l'écriture ou de la lecture d'une cellule, l'élément de sélection 60 permet le passage du courant dans l'élément 26 de cette cellule. L'élément de sélection permet aussi de limiter le courant traversant les autres cellules mémoire (non sélectionnées) et qui pourrait perturber la lecture ou l'écriture de la cellule. L'élément de sélection 60 est de préférence du type interrupteur à seuil ovonique ("Ovonic Threshold Switching – OTS). L'élément 60 est par exemple en un matériau chalcogène ou en un alliage de matériau chalcogène. Par exemple, l'élément est en germanium, sélénium, antimoine ou en un alliage d'un ou plusieurs de ces éléments chimiques. De préférence, l'élément 60 est en un alliage de matériaux chalcogènes qui optimise les paramètres de fonctionnement d’un commutateur de seuil, ou élément de sélection, c’est-à-dire par exemple un alliage comprenant : de l'arsenic, avec un pourcentage atomique compris entre 9 % et 39 %, du germanium, avec un pourcentage atomique compris entre 10 % et 40 %, du silicium, avec un pourcentage atomique compris entre 5 % et 18 %, de l'azote, avec un pourcentage atomique compris entre 0 % et 10 %, et un alliage de soufre, de sélénium et de tellure. De préférence, le rapport entre le pourcentage atomique du soufre et le pourcentage atomique du sélénium dans l’alliage de soufre, de sélénium et de tellure est compris entre 0,25 et 4, et le rapport entre le pourcentage atomique du soufre et le pourcentage atomique de tellure dans l’alliage de soufre, de sélénium et de tellure est compris entre 0,11 et 1. A titre de variante, l'élément de sélection peut être en un autre matériau provoquant un effet redresseur, par exemple de manière à former une diode Schottky. Le procédé de fabrication du mode de réalisation de la diffère du procédé décrit en relation avec les figures 3A à 3F en ce qu'il comprend une étape supplémentaire de formation de l'élément 60 entre les étapes des figures 3E et 3F. Au cours de cette étape supplémentaire, des espaceurs sont formés sur les parois des cavités 48b. Plus précisément, cette étape comprend la formation, de manière conforme, d'une couche non représentée en le matériau des éléments 60. Ladite couche non représentée recouvre en particulier les parois et le fond des cavités 48b, ainsi qu'une face supérieure de la couche 30. Cette étape comprend ensuite une étape de gravure anisotrope de la couche non représentée de manière à retirer les portions de la couche non représentée situées sur la face supérieure de la couche 30 et au milieu du fond des cavités 48b. Les portions situées sur les parois des cavités 48b et au pied des parois des cavités 48b ne sont ainsi pas retirées et forment les espaceurs. Les espaceurs s'étendent sur toute la hauteur des parois des cavités 48b et sur une partie de la couche 12 située au pied des parois. La largeur des espaceurs, c’est-à-dire la dimension des espaceurs dans la direction du fond de la cavité 48b, dépend de la hauteur de la cavité 48b. Ainsi, l'épaisseur de la couche 30, en particulier au-dessus de l'empilement 40, est choisi de manière à obtenir des espaceurs de chaque côté de la cavité n'étant pas en contact les uns avec les autres. Un avantage des modes de réalisation décrits est que l'élément 24 est confiné, c'est à dire que l'élément 24 chauffe directement, de lui-même, lorsqu'il est traversé par un courant, au lieu d'être chauffé indirectement par un élément résistif qui chaufferait et transfèrerait la chaleur. La perte d'énergie, et donc la consommation d'énergie, est ainsi diminuée. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif comprenant des cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule mémoire (10) comprenant un premier élément résistif (24) en contact latéral avec un deuxième élément (26) en un matériau à changement de phase. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le premier élément (24) a une forme de L. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le premier élément (24) a une forme d'espaceur. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier élément (24) comprend une face inférieure en contact avec une piste conductrice (16), la piste étant entourée par une première couche isolante (12). Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le deuxième élément (26) est séparé de la première couche isolante (20) et de la piste conductrice (16) par une portion isolante (28). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le deuxième élément (26) est une couche plane et horizontale. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel une première paroi latérale du deuxième élément (26) est en contact avec une paroi sensiblement verticale du premier élément (24). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel une deuxième paroi latérale du deuxième élément (26), opposée à la première paroi, est en contact avec une bande conductrice (32). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel une deuxième paroi latérale du deuxième élément (26), opposée à la première paroi, est en contact avec un quatrième élément de sélection (60), le quatrième élément (60) étant recouvert par une bande conductrice (32). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le dispositif comprend un réseau d'interconnexion, et chaque cellule mémoire (10) est située entre deux niveaux du réseau d'interconnexion. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le deuxième élément (26) est en un alliage à base de chalcogènes, de préférence en un alliage à base de germanium, de tellure et d'antimoine, et le premier élément (24) est en un métal ou un alliage métallique, de préférence en nitrure de titane ou en nitrure de titane-silicium. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l'épaisseur du deuxième élément (26) est comprise entre 2 nm et 20 nm, la dimension du deuxième élément dans une première direction horizontale (X) est inférieure à 70 nm, la dimension du deuxième élément (26) dans une deuxième direction horizontale (Y) est comprise entre 20 nm et 60 nm, la hauteur du premier élément est comprise entre 30 nm et 80 nm, la dimension du premier élément (24) dans une première direction horizontale (X) est inférieure à 70 nm, la dimension de la face inférieure du premier élément (24) dans une deuxième direction horizontale (Y) est comprise entre 20 nm et 60 nm, et la dimension de la face supérieure du premier élément (24) dans une deuxième direction horizontale (Y) est comprise entre 2 nm et 10 nm. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des cellules mémoire (10) à changement de phase selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, le procédé comprenant la formation, pour chaque cellule, d'un premier élément résistif (24) en contact latéral avec un deuxième élément (26) en un matériau à changement de phase. Procédé selon la revendication 13, comprenant : la formation d'un empilement (40) de couches, l'empilement (40) comprenant, dans cet ordre, une deuxième couche isolante (42), une troisième couche (44) en le matériau du deuxième élément (26), et une quatrième couche isolante (46) ; la formation d'une première cavité (48) traversant l'empilement (40) et découvrant une première paroi latérale de la troisième couche (44) ; et la formation du premier élément sur la première paroi. Procédé selon la revendication 14, comprenant la formation d'une deuxième cavité (54) découvrant une deuxième face latérale du premier élément (26). Procédé selon les revendications 8 et 15, comprenant la formation de la bande (32) sur la deuxième face latérale du premier élément (26). Procédé selon les revendications 9 et 15, comprenant la formation du quatrième élément de sélection (60), sur la deuxième face latérale du premier élément (26).