FR 3115145 A1 20220415 FR 2010487 A 20201014 DISPOSITIF D'ACQUISITION D'UNE IMAGE 2D ET D'UNE IMAGE DE PROFONDEUR D'UNE SCENE La présente description concerne un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur et d'une image 2D d'une scène, comprenant des photosites de profondeur (Z) et des condensateurs (Cd), chaque photosite de profondeur comprenant une photodiode (PH) apte à détecter un signal lumineux réfléchi, et au moins un noeud de lecture (SN, SN') relié à la photodiode par un seul transistor (44, 64). Chaque condensateur est connecté entre les noeuds de lecture de deux photosites ou entre deux noeuds de lecture d'un même photosite. Des photosites de profondeur fournissent à la première armature de chaque condensateur au moins un premier échantillon de charges photogénérées pendant des premières durées, et fournissent à la deuxième armature de chaque condensateur un deuxième échantillon de charges photogénérées pendant des deuxièmes durées. Des photosites de profondeur fournissent à la première armature de chaque condensateur au moins un troisième échantillon de charges photogénérées pendant des troisièmes durées. Figure pour l'abrégé : Fig. 15 DISPOSITIF D'ACQUISITION D'UNE IMAGE 2D ET D'UNE IMAGE DE PROFONDEUR D'UNE SCENE La présente demande concerne le domaine des dispositifs d'acquisition d'images, et, plus particulièrement, des dispositifs d'acquisition d'images adaptés à acquérir une image 2D et une image de profondeur d'une scène. Des dispositifs d'acquisition d'images aptes à acquérir des informations de profondeur ont été proposés. Par exemple, des détecteurs de temps de vol indirects (iTOF) agissent pour émettre un signal lumineux vers une scène, puis pour détecter le signal lumineux en retour réfléchi par des objets de la scène. Par l'évaluation du déphasage entre le signal lumineux émis et le signal réfléchi, on peut estimer la distance au dispositif d'acquisition d’images de la scène. Dans certaines applications, il serait souhaitable de pouvoir capter à la fois une image 2D d’une scène et une image de profondeur correspondante de la scène. Alors qu’une solution pour atteindre cet objectif serait d’utiliser des capteurs d’images séparés pour capter l’image 2D et l’image de profondeur, une telle solution n’est pas optimale en raison du fait que ces capteurs auront des points de vue différents de la scène, ce qui conduit à un défaut d’alignement entre les pixels des images correspondantes. En outre, l’utilisation de deux capteurs augmenterait l’encombrement et le coût du dispositif. Une autre solution est d’intégrer les pixels de l’image 2D et les pixels de profondeur dans un même réseau de détecteurs. Il est toutefois alors souhaitable que les dimensions des pixels de profondeur soient réduites au maximum pour minimiser la perte d'information sur l'image 2D. Il serait souhaitable de pouvoir disposer d'un dispositif d'acquisition d'une image 2D et d'une image de profondeur d'une scène, ce dispositif palliant au moins partiellement un ou plusieurs des inconvénients des dispositifs connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur et d'une image 2D d'une scène, comprenant des pixels d'image 2D, des photosites de profondeur et des condensateurs comprenant chacun des première et deuxième armatures, chaque photosite de profondeur comprenant une photodiode, apte à détecter un signal lumineux réfléchi correspondant à la réflexion sur la scène d'un signal lumineux incident dans le proche infrarouge modulé en amplitude, et au moins un noeud de lecture relié à la photodiode par un seul transistor, chaque condensateur étant connecté entre les noeuds de lecture de deux photosites ou entre deux noeuds de lecture d'un même photosite. Au moins une partie des photosites de profondeur sont configurés pour fournir à la première armature de chaque condensateur d'au moins une partie des condensateurs au moins un premier échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des premières durées, et fournir à la deuxième armature de chaque condensateur de ladite partie des condensateurs un deuxième échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des deuxièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un premier déphasage constant. Au moins une portion des photosites de profondeur sont configurés pour fournir à la première armature de chaque condensateur d'au moins une portion des condensateurs au moins un troisième échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des troisièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un deuxième déphasage constant différent du premier déphasage. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième échantillons sont fournis par le même photosite de profondeur. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents. Selon un mode de réalisation, les photosites de profondeur de ladite portion des photosites de profondeur sont configurés pour fournir à la deuxième armature de chaque condensateur de ladite portion des condensateurs un quatrième échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des quatrièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un troisième déphasage constant différent des premier et deuxième déphasages. Selon un mode de réalisation, les troisième et quatrième échantillons sont fournis par le même photosite de profondeur. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième échantillons sont fournis par un même photosite de profondeur et les troisième et quatrième échantillons sont fournis par un photosite de profondeur différent du photosite de profondeur ayant fourni les troisième et quatrième échantillons. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième échantillons sont fournis par un même photosite lors de l'acquisition d'une première image de profondeur et les troisième et quatrième échantillons sont fournis, lors de l'acquisition d'une deuxième image de profondeur, par le même photosite de profondeur ayant fourni les premier et deuxième échantillons. Selon un mode de réalisation, les troisième et quatrième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents et les troisième et quatrième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents des photosites de profondeur ayant fourni les troisième et quatrième échantillons. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents lors de l'acquisition d'une première image de profondeur et les troisième et quatrième échantillons sont fournis, lors de l'acquisition d'une deuxième image de profondeur, par les photosites de profondeur ayant fourni les premier et deuxième échantillons. Un mode de réalisation prévoit également un système d'acquisition d'une image de profondeur comprenant le dispositif d'acquisition tel que défini précédemment, une source lumineuse configurée pour émettre le signal lumineux incident dans le proche infrarouge modulé en amplitude, et un processeur configuré pour déterminer, à partir des premier, deuxième, et troisième échantillons, un déphasage entre le signal lumineux incident et le signal lumineux réfléchi. Selon un mode de réalisation, le processeur est configuré pour déterminer le déphasage entre le signal lumineux incident et le signal lumineux réfléchi à partir des premier, deuxième, troisième, et quatrième échantillons. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente schématiquement un mode de réalisation d'un système de formation d'une image 2D et d'une image de profondeur ; la figure 2 est un graphique illustrant un exemple d’intensité lumineuse d’un signal lumineux émis et renvoyé selon un mode de réalisation ; la figure 3 représente schématiquement un exemple d'un circuit d’un photosite apte à détecter des informations de profondeur ; la figure 4 représente schématiquement un autre exemple d'un circuit d’un photosite apte à détecter des informations de profondeur ; la figure 5 est un chronogramme de la tension au noeud de lecture d'un photosite lors d'une opération de lecture ; la figure 6 illustre le principe d'un procédé de lecture d'un pixel de profondeur connu ; la figure 7 illustre le principe d'un mode de réalisation de procédé de lecture différentielle d'un pixel de profondeur ; la figure 8 représente schématiquement un mode de réalisation d'un agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur ; la figure 9 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur ; la figure 10 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur ; la figure 11 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un agencement de photosites d'un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur ; la figure 12A illustre une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de lecture différentielle ; la figure 12B illustre une autre étape du procédé ; la figure 12C illustre une autre étape du procédé ; la figure 12D illustre une autre étape du procédé ; la figure 13 illustre une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de lecture différentielle ; la figure 14 représente schématiquement un mode de réalisation d'un circuit d’un photosite apte à détecter des informations de profondeur ; et la figure 14 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un circuit d’un photosite apte à détecter des informations de profondeur. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des photodiodes des pixels d'image 2D et des pixels de profondeur n'a pas été détaillée, la réalisation de tels pixels étant à la portée de l'homme du métier à partir des indications de la présente description. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif d'acquisition d'une image de profondeur dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La figure 1 représente schématiquement un mode de réalisation d'un système 10 de formation d'une image de profondeur comprenant un dispositif 12 d'acquisition combiné d'une image 2D et d’une image de profondeur. Le système 10 comprend par exemple un circuit d’émission de signal lumineux 14 qui pilote une source lumineuse 16, par exemple une diode électroluminescente (LED). La diode électroluminescente 16 émet par exemple un signal lumineux à une longueur d’onde dans le spectre du proche infrarouge, par exemple dans la plage de 700 nm à 1100 nm. Le signal lumineux produit par la diode électroluminescente 16 est par exemple émis vers la scène image Sc par l’intermédiaire d’une ou plusieurs lentilles (non représentées en figure 1). La lumière du signal lumineux réfléchie à partir de la scène image Sc est captée par le dispositif d'acquisition d'images 12, par exemple par l’intermédiaire d’un objectif de formation d’image 17 et d’un réseau de microlentilles 18, qui focalise la lumière sur les pixels individuels du dispositif d'acquisition d'image 12. Le dispositif d'acquisition d'images 12 comprend par exemple plusieurs pixels aptes à recevoir le signal lumineux réfléchi par la scène image et à détecter la phase du signal reçu pour former une image de profondeur. Ces pixels sont appelés ci-après pixels de profondeur. Le dispositif d'acquisition d'images 12 comprend en outre plusieurs pixels aptes à capter de la lumière visible à partir de la scène image pour former une image 2D, ces pixels étant appelés ci-après pixels d’image 2D. Un processeur 20 du système de formation d’image 10 est par exemple couplé au dispositif d'acquisition d’images 12 et au circuit d'émission du signal lumineux 14 et détermine, sur la base des signaux captés par les pixels de profondeur du dispositif d'acquisition d'images 12 les distances correspondantes des objets dans la scène image Sc. L’image 2D captée par le dispositif d'acquisition d'images 12 et l’image de profondeur produite par le processeur 20 sont par exemple mémorisées dans une mémoire 22 du système de formation d’image 10. La figure 2 est un graphique représentant, par une courbe 30, un exemple d'évolution, en fonction du temps, de l’intensité lumineuse du signal lumineux émis par la diode électroluminescente 16 vers la scène image Sc, et, par une courbe 32, un exemple d'évolution, en fonction du temps, de l’intensité lumineuse du signal lumineux reçu par l’un des pixels de profondeur du dispositif d'acquisition d’image 12. Bien que, pour simplifier la comparaison, ces signaux soient représentés en figure 2 comme ayant la même intensité, en pratique le signal lumineux reçu par chaque pixel de profondeur est susceptible d’être notablement moins intense que le signal émis. Dans l’exemple de la figure 2, le signal lumineux a la forme d’une onde sinusoïdale. Toutefois, dans des variantes de réalisation, il pourrait avoir une forme périodique différente, par exemple constituée d’une somme d’ondes sinusoïdales, de forme triangulaire, ou en créneaux. Les pixels de profondeur de la présente description sont basés sur des photodétecteurs utilisés pour détecter la phase du signal lumineux reçu. Il y a un déphasage Δφ entre le signal lumineux émis et le signal lumineux reçu, qui représente le temps de vol (ToF) du signal lumineux en provenance de la diode électroluminescente 16 vers le dispositif d'acquisition d’image 12 par l’intermédiaire d’un objet de la scène image Sc qui réfléchit le signal lumineux. Une estimation de la distance d à l’objet dans la scène image Sc peut ainsi être calculée en utilisant l’équation Math_1 suivante : où c désigne la vitesse de la lumière, et f la fréquence du signal lumineux. Le déphasage Δφ est par exemple estimé sur la base d’un échantillonnage du signal capté par un pixel de profondeur pendant au moins trois fenêtres d’échantillonnage distinctes, de préférence pendant quatre fenêtres d'échantillonnage distinctes, pendant chaque période du signal lumineux. Une technique basée sur la détection de quatre échantillons par période est décrite plus en détail dans la publication de R. Lange et de P. Seitz intitulée "Solid-state TOF range camera", IEE J. on Quantum Electronics, vol. 37, No.3, March 2001, dont le contenu sera considéré comme faisant partie intégrante de la présente description dans la mesure permise par la loi. A titre d'exemple, en figure 2, on a illustré l'acquisition de quatre échantillons par période. Les échantillons de chaque fenêtre d’échantillonnage sont par exemple intégrés sur un grand nombre de périodes par exemple sur environ 100000 périodes, ou plus généralement entre 10000 et 10 millions de périodes. Chaque fenêtre d’échantillonnage a par exemple une durée allant jusqu'à un quart de la période du signal lumineux. Ces fenêtres d’échantillonnage sont nommées C 0 , C 1 , C 2 , et C 3 en figure 2, et dans l’exemple de la figure 2, chaque fenêtre d’échantillonnage est d'une même durée et les quatre fenêtres d’échantillonnage ont un temps de cycle total égal à la période du signal lumineux. Plus généralement, il peut, ou non, y avoir un intervalle de temps séparant une fenêtre d’échantillonnage de la suivante et, dans certains cas, il pourrait y avoir un chevauchement entre les fenêtres d’échantillonnage. Chaque fenêtre d’échantillonnage a par exemple une durée comprise entre 15 % et 35 % de la période du signal lumineux dans le cas d’un pixel de profondeur captant quatre échantillons par période. Chaque fenêtre d’échantillonnage a par exemple une durée comprise entre 25 et 40% de la période du signal lumineux dans le cas d’un pixel de profondeur captant trois échantillons par période. Le minutage des fenêtres d’échantillonnage C 0 à C 3 est commandé de manière à être synchronisé avec le minutage du signal lumineux émis. Par exemple, le circuit d’émission de signal lumineux 14 génère un signal lumineux basé sur un signal d’horloge CLK (figure 1), et le dispositif d'acquisition d'image 12 reçoit le même signal d’horloge CLK pour commander le temps de fin de chaque fenêtre d’échantillonnage en utilisant par exemple des éléments de retard pour introduire les déphasages appropriés. En se basant sur les échantillons intégrés du signal lumineux, et pour une onde lumineuse purement sinusoïdale, le déphasage Δφ du signal lumineux peut être déterminé en utilisant l’équation Math_2 suivante, dans le cas où quatre échantillons C 0 , C 1 , C 2 , et C 3 sont acquis par période : Dans le cas où trois échantillons C 0 , C 1 , et C 2 sont acquis par période, le déphasage Δφ du signal lumineux peut être déterminé en utilisant l’équation Math_3 suivante : Dans certains modes de réalisation, la fréquence f du signal lumineux est de 25 MHz, ou plus généralement comprise entre 20 MHz et 200 MHz. Dans la suite de la description, on appelle "photosite" un photodétecteur et l'ensemble des composants électroniques permettant l'acquisition d'au moins un échantillon de charges générées par absorption par ce photodétecteur du signal lumineux réfléchi par la scène dont on souhaite une image de profondeur et on appelle "pixel" l'ensemble des composants électroniques permettant l'acquisition de tous les échantillons nécessaires pour permettre la détermination d'une valeur de profondeur. En particulier, un pixel peut comprendre plusieurs photosites. Pour déterminer le déphasage Δφ entre le signal lumineux émis et le signal lumineux reçu par le pixel de profondeur, le signal lumineux reçu est échantillonné en transférant, successivement et à intervalle régulier, des charges photogénérées dans l’élément photosensible d'un photosite pendant la première fenêtre d’échantillonnage C 0 , des charges photogénérées dans l’élément photosensible du même photosite ou d'un autre photosite pendant la deuxième fenêtre d’échantillonnage C 1 , des charges photogénérées dans l’élément photosensible du même photosite ou d'un autre photosite pendant la troisième fenêtre d’échantillonnage C 3 , dans le cas où une valeur de profondeur est déterminée à partir de trois échantillons, et des charges photogénérées dans l’élément photosensible du même photosite ou d'un autre photosite pendant la troisième fenêtre d’échantillonnage C 4 , dans le cas où une valeur de profondeur est déterminée à partir de quatre échantillons. Ces trois ou quatre transferts sont répétés un grand nombre de fois, par exemple 100000 fois avant que les signaux obtenus soient lus par le circuit de sortie. La figure 3 est un diagramme de circuit illustrant un exemple de circuit 40 d'un photosite de profondeur. Le circuit 40 est apte à réaliser une mémorisation en tension. Le circuit 40 comprend un élément photosensible PH, par exemple une photodiode rapide, couplé entre un noeud 42 et une source d'un potentiel de référence bas, par exemple la masse. Le noeud 42 est couplé à un noeud de détection SN par l'intermédiaire d'une porte de transfert 44, qui est par exemple un transistor MOS à canal n. La porte de transfert 44 est commandée par un signal Vsn appliqué à son noeud de commande. Comme cela est représenté en figure 3, un condensateur C peut être ajouté sur le noeud de lecture SN, pour augmenter la capacité de stockage et réduire le bruit thermique présent dans le photosite. A titre de variante, la capacité au noeud de lecture SN peut aussi être constituée uniquement par les interconnexions du photosite. Le circuit 40 comprend en outre un circuit de sortie formé d’un transistor à source suiveuse 46, d'un transistor de sélection 48 et d'un transistor de réinitialisation 50, ces transistors étant par exemple des transistors MOS à canal n. Le noeud de détection SN est couplé au noeud de commande du transistor 46, qui a par exemple son drain couplé à une source d'un potentiel de référence haut Vdd, et sa source couplée à une ligne de sortie 52 du circuit 40 par le transistor 48 qui est commandé par un signal Vsel appliqué à sa grille. Le noeud de détection SN est aussi couplé à la source du potentiel de référence Vdd, ou à une source d'un autre potentiel de référence, à travers le transistor 50 qui est commandé par un signal Vres appliqué à sa grille. Dans des variantes de réalisation, le circuit de sortie pourrait être partagé par plusieurs photosites, le noeud de détection SN étant par exemple couplé au circuit d’échantillonnage d’un ou plusieurs photosites adjacents. La lecture d'un échantillon est réalisée par le transfert des charges collectées dans la photodiode PH vers le noeud de lecture SN. Il n’y a pas de stockage dans une mémoire intermédiaire qui serait interposée entre la photodiode PH et la porte de transfert 44 et qui serait reliée à la photodiode PH par une porte de transfert supplémentaire. Le circuit 40 comprend en outre un transistor 54, par exemple un transistor MOS à canal n, couplant le noeud 42 à la source du potentiel de référence Vdd et permettant à la photodiode PH d’être réinitialisée. Le transistor 54 est par exemple commandé par un signal Vres PH . Il permet donc de contrôler le temps d’exposition de la photodiode PH en assurant une vidange de la photodiode PH avant un démarrage d’intégration synchrone pour toutes les photodiodes PH du capteur et il permet d’assurer une fonction d’anti-éblouissement afin d’éviter un débordement de la photodiode PH dans le noeud de lecture SN lors de la lecture globale de la matrice. La lecture des pixels de profondeur se fait rangée par rangée, en lisant les valeurs stockées sur les noeuds de lecture SN des pixels de la rangée lors de l’échantillonnage. Les valeurs doivent rester stables sur les noeuds de lecture SN pour toute la lecture, or les pixels reçoivent toujours de la lumière parasite. Celle-ci pourrait provoquer la saturation des noeuds de lecture SN en attente de lecture, par débordement de la photodiode PH . La figure 4 est un diagramme de circuit illustrant un autre exemple de circuit 60 d'un photosite de profondeur. Le circuit 60 comprend l'ensemble des éléments du circuit 40 et comprend un deuxième noeud de détection SN' couplé au noeud 42 par l'intermédiaire d'une porte de transfert 64 qui est par exemple un transistor MOS à canal n. La porte de transfert 64 est commandée par un signal Vsn' appliqué à son noeud de commande. Le circuit 60 comprend en outre un deuxième circuit de sortie formé d’un transistor à source suiveuse 66, d'un transistor de sélection 68 et d'un transistor de réinitialisation 70, ces transistors étant par exemple des transistors MOS à canal n. Le noeud de détection SN' est couplé au noeud de commande du transistor 66, qui a par exemple son drain couplé à la source du potentiel de référence Vdd, et sa source couplée à une ligne de sortie 72 du circuit 60 par le transistor 68 qui est commandé par un signal Vsel' appliqué à sa grille. Le noeud de détection SN' est aussi couplé à la source du potentiel de référence Vdd à travers le transistor 70 qui est commandé par un signal Vres' appliqué à sa grille. La figure 5 est un chronogramme de la tension V SN , référencée par rapport à la masse, au noeud de lecture SN du circuit 40 représenté en figure 3 au cours d'une opération de lecture. Les instants t1, t2, et t3 sont successifs. Avant l'instant t1, une étape de réinitialisation est effectuée en fermant le transistor de réinitialisation 50 pour amener la tension au noeud SN à une valeur de référence V1. Entre les instants t1 et t2, le transistor 44 est successivement fermé et ouvert à plusieurs reprises, entraînant le transfert des charges collectées à chaque échantillonnage dans la photodiode PH vers le noeud de lecture SN, dont la tension V SN varie de la valeur de référence V1 jusqu'à un niveau V2. Entre les instants t2 et t3, le niveau de la tension au noeud de lecture SN est lu par la fermeture du transistor 48. A l'instant t3, une étape de réinitialisation est effectuée en fermant le transistor de réinitialisation 50, pour amener la tension au noeud SN à une valeur de référence V1', correspondant au début d'un nouveau cycle de lecture, la valeur de référence V1' pouvant être différente de la valeur de référence V1 en raison du bruit thermique. Il serait souhaitable d'utiliser la différence entre les niveaux de tension V1 et V2 pour s'affranchir de la valeur de référence V1. En pratique, c'est la différence V1'- V2 qui est utilisée, la lecture du niveau V1' étant réalisée peu après celle du niveau V2. Le niveau de bruit est fixé lors de l'étape de réinitialisation de sorte que le niveau de bruit sur la valeur de référence V1' est différent du niveau de bruit sur la valeur V2. Avec une capacité de l'ordre de 5 fF, le bruit thermique est de l'ordre de 1 mV. Ce bruit peut être gênant dans le cas de pixels d'images 2D. C'est pourquoi l'utilisation des structures de pixels telles que décrites en relation avec les figures 3 et 4 peut ne pas être souhaitable. Les inventeurs ont mis en évidence que pour un pixel de profondeur captant un rayonnement correspondant à la réflexion d'un signal dans le proche infrarouge modulé en amplitude, ce bruit thermique n'est pas gênant, car il existe de toute façon un fond lumineux infrarouge qui bruite les mesures du signal lumineux réfléchi. Selon un mode de réalisation, plutôt que de lire les valeurs intégrées des échantillons C 0 , C 1 , C 2 , et C 3 , le dispositif 12 est configuré pour lire directement la différence entre deux échantillons intégrés. En effet, comme cela ressort des équations Math_2 et Math_3, l'estimation de profondeur utilise seulement des différences entre échantillons. Les figures 6 et 7 illustrent respectivement, de façon très schématique, le principe d'une lecture classique d'un échantillon et le principe d'une lecture différentielle. On a représenté en figure 6 un pixel de profondeur Z recevant un signal lumineux utile IR dans le proche infrarouge, qui correspond à la réflexion du signal modulé fourni par la source d'illumination 16 et un signal lumineux parasite BG, correspondant par exemple au fond lumineux dans l'infrarouge de la scène. Le condensateur C illustre la capacité au noeud de lecture SN du pixel dans laquelle sont stockées, à la fin de la phase de collecte de l'échantillon, les charges collectées par la photodiode PH dont une partie CIR correspond à des charges dues au signal lumineux utile IR et une autre partie CBG correspond à des charges dues au signal lumineux parasite BG. L'opération de lecture classique consiste alors à lire un signal S représentatif de la totalité des charges stockées dans le condensateur C. On a représenté en figure 7 deux pixels de profondeur ZA et ZB recevant chacun le signal lumineux utile IR et le signal lumineux parasite BG. A la fin de la phase de collecte d'un premier échantillon par le pixel ZA, les charges présentes au noeud de lecture du pixel ZA comprennent une partie CIRA qui correspond à des charges dues au signal lumineux utile IR et une autre partie CBGA qui correspond à des charges dues au signal lumineux parasite BG. A la fin de la phase de collecte d'un deuxième échantillon par le pixel ZB, les charges présentes au noeud de lecture du pixel ZB comprennent une partie CIRB qui correspond à des charges dues au signal lumineux utile IR et une autre partie CBGB qui correspond à des charges dues au signal lumineux parasite BG. Comme le signal parasite est sensiblement constant et uniforme, les contributions CBGA et CBGB sont proches. Selon un mode de réalisation, il est prévu un condensateur Cd relié aux deux noeuds de lecture. L'opération de lecture consiste alors à lire la tension U aux bornes du condensateur Cd qui est représentative de la différence entre les quantités de charges présentes aux deux noeuds de lecture et donc à la différence entre les contributions CIRA et CIRB, les contributions CBGA et CBGB s'annulant. La perturbation due au signal parasite est donc supprimée. En outre, de façon avantageuse, la valeur U lue peut avoir une dynamique plus grande que celle du signal S puisque la partie non utile du signal a été supprimée. Selon un mode de réalisation, la capacité du condensateur Cd est comprise entre 3 fF et 10 fF. Les figures 8 à 11 illustrent, de façon partielle et schématique, des modes de réalisation d'agencements de la matrice de pixels du dispositif d'acquisition 12. Les photosites de profondeur Z sont répartis parmi les pixels d'image 2D. A titre d'exemple, dans le cas d'une image couleur, les pixels d'image 2D peuvent comprendre des pixels R adaptés à capter la lumière rouge, des pixels B adaptés à capter la lumière bleue, et des pixels B adaptés à capter la lumière verte. A titre d'exemple, les pixels d'images 2D R, G, et B sont répartis selon une matrice de Bayer, à la différence que l'un des pixels G du motif de Bayer est remplacé par un photosite de profondeur Z. Dans le mode de réalisation illustré sur les figures 8 et 9, l'acquisition de deux échantillons pour chaque image est réalisée par le même photosite de profondeur Z, le photosite pouvant avoir une structure similaire à celle représentée en figure 4. Le condensateur Cd est alors connecté entre les deux noeuds de lecture SN et SN' relié à la photodiode PH du photosite Z. Selon le mode de réalisation illustré en figure 8, les quatre échantillons C 0 , C 1 , C 2 , et C 3 sont acquis par le même photosite de profondeur Z, les échantillons C 0 et C 2 étant obtenus lors de l'acquisition d'une première image de profondeur, ce qui permet d'obtenir la différence entre les échantillons C 0 et C 2 et les échantillons C 1 et C 3 étant obtenus lors de l'acquisition d'une deuxième image de profondeur, ce qui permet d'obtenir la différence entre les échantillons C 1 et C 3 . Chaque pixel de profondeur comprend alors un seul photosite de profondeur. Selon le mode de réalisation illustré en figure 9, les photosites Z sont répartis en photosites faisant l'acquisition des échantillons C 0 et C 2 et en photosites faisant l'acquisition des échantillons C 1 et C 3 . Ceci permet d'obtenir la différence entre les échantillons C 0 et C 2 et la différence entre les échantillons C 1 et C 3 par l'acquisition d'une seule image de profondeur. Chaque pixel de profondeur comprend alors deux photosites Z de profondeur. Dans les modes de réalisation illustrés sur les figures 10 et 11, l'acquisition de deux échantillons pour effectuer une lecture différentielle est réalisée par deux photosites de profondeur Z différents, chaque photosite de profondeur Z pouvant avoir une structure similaire à la structure représentée en figure 3. Le condensateur Cd est alors connecté entre les noeuds de lecture des deux pixels de profondeur Z. Selon le mode de réalisation illustré en figure 10, les quatre échantillons C 0 , C 1 , C 2 , et C 3 sont acquis par les deux photosites de profondeur Z, les échantillons C 0 et C 2 étant obtenus lors de l'acquisition d'une première image de profondeur, ce qui permet d'obtenir la différence entre les échantillons C 0 et C 2 et les échantillons C 1 et C 3 étant obtenus lors de l'acquisition d'une deuxième image de profondeur, ce qui permet d'obtenir la différence entre les échantillons C 1 et C 3 . Chaque pixel de profondeur comprend alors deux photosites de profondeur. Selon le mode de réalisation illustré en figure 11, les photosites Z sont répartis en photosites faisant l'acquisition des échantillons C 0 et C 2 et en photosites faisant l'acquisition des échantillons C 1 et C 3 . Ceci permet d'obtenir la différence entre les échantillons C 0 et C 2 et la différence entre les échantillons C 1 et C 3 par l'acquisition d'une seule image de profondeur. Chaque pixel de profondeur comprend alors quatre photosites Z de profondeur. Un avantage des modes de réalisation illustrés sur les figures 10 et 11 par rapport aux modes de réalisation réalisés sur les figures 8 et 9 est que les modes de réalisation illustrés sur les figures 10 et 11 présentent moins de contraintes pour la réalisation des composants électroniques du pixel de profondeur et du condensateur Cd puisque les composants électroniques du pixel de profondeur sont répartis sur deux photosites de profondeur et que le condensateur Cd peut être formé sur les photosites de profondeur et/ou sur le ou les pixels d'image 2D entre les photosites de profondeur. Les figures 12A à 12B illustrent des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de lecture dans le cas d'un agencement tel que représenté sur les figures 10 et 11. Selon le présent mode de réalisation, une première armature du condensateur Cd est reliée à la photodiode PHA d'un premier photosite ZA par un interrupteur SWA1, et est reliée à la source du potentiel de référence haut Vdd par un interrupteur SWA2 et la deuxième armature du condensateur Cd est reliée à la photodiode PHB d'un deuxième photosite ZB par un interrupteur SWB1, et est reliée à la source du potentiel de référence haut Vdd par un interrupteur SWB2. Les interrupteurs SWA1, SWA2, SWB1, et SWB2 peuvent correspondre à des transistors MOS. Selon un mode de réalisation, un cycle de lecture comprend les étapes suivantes : a) tous les interrupteurs SWA1, SWA2, SWB1, et SWB2 sont fermés. Le condensateur Cd est déchargé par la connexion de ces deux armatures au même potentiel Vdd (figure 12A) ; b) les interrupteurs SWA2 et SWB1 sont fermés et les interrupteurs SWA1 et SWB2 sont ouverts, ce qui entraîne un transfert de charges de la photodiode PHB du deuxième photosite ZB vers la deuxième armature du condensateur Cd (figure 12B) ; c) les interrupteurs SWA1 et SWB2 sont fermés et les interrupteurs SWA2 et SWB1 sont ouverts, ce qui entraîne un transfert de charges de la photodiode PHA du premier photosite ZA vers la première armature du condensateur Cd (figure 12C) ; et d) les interrupteurs SWA1, SWB1, et SWB2 sont ouverts et l'interrupteurs SWA2 est fermé, ce qui permet la lecture de la tension aux bornes du condensateur Cd (figure 12D). Les étapes b) et c) sont répétées plusieurs milliers de fois pour stocker les charges correspondantes au signal incident. A l'étape d), la lecture peut se faire par double échantillonnage comme sur un pixel de profondeur classique. Selon un mode de réalisation, dans le cas où le calcul du déphasage se fait à partir de deux images de profondeur successives, un cycle de lecture comprend la mise en oeuvre du procédé décrit précédemment pour obtenir la différence C 0 -C 2 pour la première image de profondeur et la mise en oeuvre du procédé décrit précédemment pour obtenir la différence C 1 -C 3 pour la deuxième image. La figure 13 illustre une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de lecture dans le cas d'un agencement tel que représenté sur les figures 8 et 9. Dans ce mode de réalisation, une première armature du condensateur Cd est reliée à la photodiode PH d'un photosite Z par l'interrupteur SWA1, et est reliée à la source du potentiel de référence haut Vdd par l'interrupteur SWA2 et la deuxième armature du condensateur Cd est reliée à la photodiode PH du même photosite Z par l'interrupteur SWB1, et est reliée à la source du potentiel de référence haut Vdd par l'interrupteur SWB2. La commande des interrupteurs SWA1, SWA2, SWB1, et SWB2 peut être réalisée comme cela a été décrit précédemment en relation avec les figures 12A à 12D. Dans le cas où le déphasage Δφ du signal lumineux est déterminer selon l’équation Math_3 en utilisant seulement trois échantillons C 0 , C 1 , et C 2 , le mode de réalisation du procédé de lecture décrit précédemment en relation avec les figures 12A à 12D ou la figure 13 peut être mis en oeuvre par des premiers photosites pour obtenir la différence C 0 -C 1 et des deuxièmes photosites pour obtenir la différence C 0 -C 2 , et des troisièmes photosites pour obtenir la différence C 2 -C 1 . L'acquisition peut être faite avec une seule image de profondeur, les premiers et deuxièmes photosites étant alors différents, ou avec deux images de profondeur, les premiers et deuxièmes photosites pouvant alors être identiques. La figure 14 est un diagramme de circuit illustrant un mode de réalisation plus détaillé du circuit électrique représenté sur les figures 12A à 12B. Comme cela apparaît sur cette figure, le photosite ZB a la structure représentée sur la figure 3 à l'exception que le condensateur C est remplacé par le condensateur Cd. L'interrupteur SWB1 correspond au transistor 44 et l'interrupteur SWB2 correspond au transistor 50. Le photosite ZA a également la structure représentée sur la figure 3, une apostrophe étant ajoutée aux références du circuit de la figure 3 pour les différencier de celles du photosite ZB, à l'exception que le condensateur C est remplacé par le condensateur Cd et que les transistors 46' et 48' ne sont pas présents, et sont indiqués en traits pointillés en figure 14. L'interrupteur SWA1 correspond au transistor 44' et l'interrupteur SWA2 correspond au transistor 50'. La structure globale des deux photosites ZA et ZB reliés par le condensateur Cd peut donc comprendre deux transistors de moins qu'une structure qui comprendrait deux photosites ayant la structure représentée en figure 3. La figure 15 est un diagramme de circuit illustrant un mode de réalisation plus détaillé du circuit électrique représenté sur la figure 13. Comme cela apparaît sur cette figure, le photosite Z a la structure représentée sur la figure 4 à l'exception que les deux condensateurs C sont remplacés par le condensateur Cd. De plus, les transistors 66 et 68 ne sont pas présents, et sont indiqués en traits pointillés en figure 15. L'interrupteur SWB1 correspond au transistor 44 et l'interrupteur SWB2 correspond au transistor 50. L'interrupteur SWA1 correspond au transistor 64 et l'interrupteur SWA2 correspond au transistor 70. La structure du photosite de la figure 15 peut donc comprendre deux transistors de moins que la structure représentée en figure 4. Selon un mode de réalisation, le dispositif 12 de la figure 1 comprend : - un premier capteur formé dans et sur un premier substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium monocristallin, le premier capteur comprenant une pluralité de photosites de profondeur et le pixels d'images 2D ; et - un deuxième capteur, formé dans et sur un deuxième substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium monocristallin, le deuxième capteur étant accolé à une face du premier capteur et comprenant une pluralité de photosites de profondeur. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif (12) d'acquisition d'une image de profondeur et d'une image 2D d'une scène (Sc), comprenant des pixels d'image 2D, des photosites de profondeur (Z) et des condensateurs (Cd) comprenant chacun des première et deuxième armatures, chaque photosite de profondeur comprenant une photodiode (PH), apte à détecter un signal lumineux réfléchi correspondant à la réflexion sur la scène d'un signal lumineux incident dans le proche infrarouge modulé en amplitude, et au moins un noeud de lecture (SN, SN') relié à la photodiode par un seul transistor (44, 64), chaque condensateur étant connecté entre les noeuds de lecture de deux photosites ou entre deux noeuds de lecture d'un même photosite, dans lequel au moins une partie des photosites de profondeur sont configurés pour fournir à la première armature de chaque condensateur d'au moins une partie des condensateurs au moins un premier échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des premières durées, et fournir à la deuxième armature de chaque condensateur de ladite partie des condensateurs un deuxième échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des deuxièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un premier déphasage constant, et dans lequel au moins une portion des photosites de profondeur sont configurés pour fournir à la première armature de chaque condensateur d'au moins une portion des condensateurs au moins un troisième échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des troisièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un deuxième déphasage constant différent du premier déphasage. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les premier et deuxième échantillons sont fournis par le même photosite de profondeur (Z). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les premier et deuxième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur (Z) différents. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les photosites de profondeur (Z) de ladite portion des photosites de profondeur sont configurés pour fournir à la deuxième armature de chaque condensateur de ladite portion des condensateurs un quatrième échantillon de charges photogénérées par détection du signal lumineux réfléchi pendant des quatrièmes durées décalées par rapport aux premières durées d'un troisième déphasage constant différent des premier et deuxième déphasages. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel les troisième et quatrième échantillons sont fournis par le même photosite de profondeur. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel les premier et deuxième échantillons sont fournis par un même photosite de profondeur et dans lequel les troisième et quatrième échantillons sont fournis par un photosite de profondeur différent du photosite de profondeur ayant fourni les troisième et quatrième échantillons. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel les premier et deuxième échantillons sont fournis par un même photosite lors de l'acquisition d'une première image de profondeur et dans lequel les troisième et quatrième échantillons sont fournis, lors de l'acquisition d'une deuxième image de profondeur, par le même photosite de profondeur ayant fourni les premier et deuxième échantillons. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel les troisième et quatrième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les premier et deuxième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents et dans lequel les troisième et quatrième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents des photosites de profondeur ayant fourni les troisième et quatrième échantillons. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les premier et deuxième échantillons sont fournis par des photosites de profondeur différents lors de l'acquisition d'une première image de profondeur et dans lequel les troisième et quatrième échantillons sont fournis, lors de l'acquisition d'une deuxième image de profondeur, par les photosites de profondeur ayant fourni les premier et deuxième échantillons. Système (10) d'acquisition d'une image de profondeur comprenant le dispositif d'acquisition (12) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, une source lumineuse (16) configurée pour émettre le signal lumineux incident dans le proche infrarouge modulé en amplitude, et un processeur (20) configuré pour déterminer, à partir des premier, deuxième, et troisième échantillons, un déphasage entre le signal lumineux incident et le signal lumineux réfléchi. Système selon la revendication 11, dans lequel le dispositif d'acquisition (12) est selon la revendication 4, dans lequel le processeur (20) est configuré pour déterminer le déphasage entre le signal lumineux incident et le signal lumineux réfléchi à partir des premier, deuxième, troisième, et quatrième échantillons.