FR 3112902 A1 20220128 FR 2007682 A 20200722 Dispositif optoélectronique flexible et son procédé de fabrication La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un circuit optoélectronique (100) comprenant des diodes électroluminescentes (104), des transistors en couches minces (110), et un empilement (126) de couches isolantes électriquement, ledit empilement (126) étant situé entre les diodes électroluminescentes (104) et les transistors (110, 504), ledit empilement (126) comprenant en outre des éléments conducteurs (128, 132), entre et à travers lesdites couches isolantes, lesdits éléments conducteurs (128, 132) connectant au moins certains des transistors aux diodes électroluminescentes (104) Le dispositif comprend en outre un support (50) ayant une face, le support étant flexible et/ou la face étant courbe et non plane, le circuit optoélectronique étant connecté à la face du côté des transistors en couches minces. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif optoélectronique flexible et son procédé de fabrication La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques et plus particulièrement les dispositifs à diodes électroluminescentes. Par dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes, on entend des dispositifs adaptés à effectuer la conversion d’un signal électrique en un rayonnement électromagnétique, et notamment des dispositifs dédiés à l’émission d’un rayonnement électromagnétique, notamment de la lumière. Il est connu de réaliser un dispositif optoélectronique flexible, par exemple un écran d'affichage flexible, comprenant des diodes électroluminescentes organiques par le dépôt de couches organiques sur un substrat flexible. Il peut être souhaitable de réaliser un dispositif optoélectronique flexible comprenant des diodes électroluminescentes en matériaux semiconducteurs inorganiques. Un procédé de fabrication d'un tel dispositif optoélectronique flexible peut comprendre la fabrication des diodes électroluminescentes sous forme de composants discrets, la fixation de chaque composant à un circuit intégré, comprenant par exemple des transistors de commande des diodes électroluminescentes, l'amincissement du circuit intégré pour obtenir une structure flexible et la fixation de cette structure à un substrat flexible. Un tel procédé présente l'inconvénient de requérir de nombreuses étapes de report qui sont complexes et coûteuses. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques flexibles connus et de leurs procédés de fabrication. Un objet d'un mode de réalisation est que les diodes électroluminescentes du dispositif optoélectronique forment une structure monolithique tout au long du procédé de fabrication du dispositif optoélectronique. Un objet d'un mode de réalisation est que le procédé de fabrication du dispositif optoélectronique comprend un nombre réduit d'étapes de report. Un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant : - un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; des transistors en couches minces, et un empilement de couches isolantes électriquement, ledit empilement étant situé entre les diodes électroluminescentes et les transistors, ledit empilement comprenant en outre des éléments conducteurs électriquement, entre et à travers lesdites couches isolantes électriquement, lesdits éléments conducteurs électriquement connectant au moins certains des transistors aux diodes électroluminescentes ; et - un support ayant une face, le support étant flexible et/ou la face étant courbe et non plane, le circuit optoélectronique étant connecté à la face du côté des transistors en couches minces. La structure du circuit optoélectronique associant des diodes électroluminescentes et des transistors en couches minces, avec une zone d'interconnexion interposée entre eux, en l'absence de substrat semiconducteur, et le fait que le circuit optoélectronique soit connecté au support, du côté des transistors permet, de façon avantageuse, la réalisation du circuit optoélectronique avec une faible épaisseur. Ceci permet de faciliter la connexion du circuit optoélectronique au support. L'utilisation d'un support non plan peut ainsi facilement être envisagée. En outre, le support peut également être de faible épaisseur, ce qui permet, de façon avantageuse, de réaliser un dispositif optoélectronique de faible épaisseur, et ainsi de réaliser un dispositif optoélectronique flexible. Selon un mode de réalisation, le support comprend des pistes conductrices électriquement, chaque piste conductrice électriquement étant connectée à l'un des transistors. L'intégration de transistors au circuit optoélectronique permet la réalisation de fonctions de commande directement au niveau du circuit optoélectronique. Ceci permet de simplifier la conception du support. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un circuit de commande du circuit optoélectronique relié aux pistes conductrices électriquement. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur totale du circuit optoélectronique est comprise entre 0,1 µm et 500 µm. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes comprennent des éléments semiconducteurs filaires, coniques ou tronconiques. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur du support est comprise 5 µm et 1000 µm. Selon un mode de réalisation, le support est au moins en partie en polyéthylène naphtalate, en polyéthylène téréphtalate, en polyimide, en triacétate de cellulose, en copolymère cyclo-oléfine, en polyétheréthercétone ou en un mélange d'au moins de de ces composés. Ceci permet, de façon avantageuse, de réaliser un support flexible. Selon un mode de réalisation, les transistors sont répartis selon au moins un étage de transistors en couches minces. Selon un mode de réalisation, chaque étage comprend une couche isolante formant l'isolant de grille de tous les transistors de cet étage. Selon un mode de réalisation, pour au moins l'un des transistors, les régions de source et de drain et la grille du transistor sont situées dans une même couche isolante. Selon un mode de réalisation, dans lequel le circuit de commande repose sur le support. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un unique exemplaire du circuit optoélectronique. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique agencés en rangées et en colonnes, les pistes conductrices électriquement s'étendant selon les rangées et les colonnes, chaque piste conductrice électriquement étant connectée à des transistors de plusieurs circuits optoélectronique. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique tel que décrit précédemment, comprenant la formation d'un circuit optoélectronique comprenant les étapes successives suivantes : a) former des diodes électroluminescentes ; b) former, sur les diodes électroluminescentes, un empilement de couches isolantes électriquement, ledit empilement comprenant en outre des éléments conducteurs entre et à travers lesdites couches isolantes ; et c) former, sur ledit empilement, des transistors en couches minces, ledit empilement étant situé entre les diodes électroluminescentes et les transistors, lesdits éléments conducteurs connectant au moins certains des transistors aux diodes électroluminescentes, l'ensemble comprenant les diodes électroluminescentes, l'empilement et les transistors en couches minces formant un circuit optoélectronique. Le fait de former sur des diodes électroluminescentes une zone d'interconnexion puis des transistors en couches minces permet de s'affranchir de la présence d'un substrat semiconducteur dans la structure du circuit optoélectronique. Un circuit optoélectronique ayant avec une faible épaisseur peut ainsi être obtenu. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre l'étape suivante, après l'étape c) : d) fixer le circuit optoélectronique à une face d'un support, le support étant flexible et/ou la face étant courbe et non plane. Ceci permet, de façon avantageuse, de réduire les contraintes quant au choix des matériaux composant le support. En particulier, ceci permet de pouvoir facilement réaliser un support qui soit flexible et/ou ayant une forme non plane. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique est réalisé en plusieurs exemplaires formant une structure d'un seul tenant, le procédé comprenant en outre l'étape suivante, après l'étape c) : e) séparation de chaque exemplaire du circuit optoélectronique. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend la formation d'éléments semiconducteurs filaires, coniques ou tronconiques. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend la formation de plots de germination conducteurs électriquement ou semiconducteurs sur un substrat et la croissance des éléments semiconducteurs sur les plots de germination. Selon un mode de réalisation, les étapes b) et c) sont effectuées à des températures inférieures à 180 °C. Ceci permet, de façon avantageuse, de réduire les contraintes quant au choix des matériaux composant le circuit optoélectronique. En particulier, ceci permet de pouvoir facilement réaliser un dispositif optoélectronique qui soit flexible. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique flexible ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, de la structure obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté en ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la illustre une autre étape du procédé de fabrication ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique flexible ; la est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique flexible ; et la est une vue en perspective, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un transistor en couches minces. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, des connexions électriques entre divers parties conductrices peuvent être présentes, sans être représentées, dans les plans de coupe des figures ou dans des plans parallèles aux plans de coupe des figures. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Dans la suite de la description, des modes de réalisation sont décrits pour des dispositifs optoélectroniques à diodes électroluminescentes tridimensionnelles, c'est-à-dire pour lesquels chaque diode électroluminescente comprend un élément semiconducteur filaire, conique ou tronconique, par exemple un microfil ou un nanofil. Toutefois, ces modes de réalisation peuvent aussi être mis en oeuvre pour des diodes électroluminescente planaires, c'est-à-dire des diodes électroluminescentes formées à partir d'un empilement de couches semiconductrices planes. Le terme "microfil" ou "nanofil" désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 5 µm, de préférence entre 50 nm et 2,5 µm, la troisième dimension, appelée dimension majeure ou hauteur, étant au moins égale à 1 fois, de préférence au moins 5 fois, et encore plus préférentiellement au moins 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 µm, de préférence comprises entre 100 nm et 1 µm, plus préférentiellement entre 100 nm et 300 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. La base du fil a, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée, ou hexagonale. La représente schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 10, notamment un écran d'affichage. Selon le présent mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 10 comprend un support flexible 50 et un circuit optoélectronique 100 flexible et fixé au support flexible 50. Le support flexible 50 comprend un substrat 52 flexible et des pistes conductrices 54 en surface du substrat 52. Le dispositif optoélectronique 10 peut comprendre un circuit intégré ou plus d'un circuit intégré fixé au support flexible 50, un seul circuit intégré 56 étant représenté en . Le circuit optoélectronique 100 comprend une première partie 100a comprenant les composants optoélectroniques du circuit optoélectronique 100 et une deuxième partie 100b comprenant des composants électroniques adaptés à commander les composants optoélectroniques. La première partie 100a comprend : une couche de germination 112 isolante ; des plots de germination 114, conducteurs ou semiconducteurs, reposant au moins partiellement sur la couche 112, la couche 112 étant en un matériau favorisant la croissance des plots 114 ; des diodes électroluminescentes 104, quatre diodes électroluminescentes étant représentées en figure 1. Chaque diode électroluminescente 104 repose sur un plot conducteur 114, chaque plot 114 étant en contact avec l'une de l'anode ou la cathode de la diode électroluminescente 114 associée. Les plots conducteurs 114 sont en un matériau favorisant la croissance d'éléments conducteurs des diodes électroluminescentes 104 ; une couche isolante 116, recouvrant la couche isolante 112, une partie de chaque plot 114 et une partie inférieure de chaque diode électroluminescente 104 ; des plots conducteurs 120 situés entre certaines diodes électroluminescentes 104 dans la couche 116 ; une couche conductrice 118, transparente aux rayonnements émis par les diodes électroluminescentes 104, recouvrant les parties supérieures des diodes électroluminescentes 104 et la couche isolante 116. La couche conductrice 118 est en contact avec l'autre de l'anode ou la cathode de chaque diode électroluminescentes 104 et avec les plots conducteurs 120. La couche 118 forme ainsi une électrode commune à toutes les diodes électroluminescentes 104 ; des blocs 122 recouvrant la couche conductrice 118 et entourant chacun au moins une diode électroluminescente 104, quatre blocs 122 recouvrant chacun une diode électroluminescente étant représentés en figure 1 ; et des murs 123 séparant les blocs 122 les uns des autres. Chaque diode électroluminescente 104 peut être commandée par une tension fournie entre le plot 114 connecté à l'une de l'anode ou de la cathode de la diode électroluminescente 104 et la couche d'électrode 118, connectée à l'autre de l'anode ou de la cathode de la diode électroluminescente 104. L'épaisseur totale de la première partie 100a est comprise entre 50 nm et 30 µm. L'épaisseur totale de la deuxième partie 100b est comprise entre 50 nm et 499,95 µm. L'épaisseur totale du circuit optoélectronique 10 est comprise entre 0,1 µm et 500 µm. En raison de sa faible épaisseur, le circuit optoélectronique 10 présente un caractère flexible. Certains blocs 122 peuvent être transparents aux rayonnements émis par les diodes électroluminescentes 104 par exemple dans le cas de diodes électroluminescentes 104 émettant de la lumière bleue. Les blocs 122 peuvent avoir une structure monocouche ou multicouche. Selon un mode de réalisation, les blocs 122 comprennent au moins une couche déposée par un procédé de dépôt conforme. Selon un mode de réalisation, les blocs 122 comprennent au moins une première couche déposée par un procédé de dépôt conforme et au contact de la couche conductrice 118, et au moins une deuxième couche de remplissage des espaces entre les diodes électroluminescentes de façon à obtenir une face avant sensiblement plane. Chaque bloc 122, ou au moins l'une des couches qui le compose lorsque le bloc 122 a une structure multicouche, peut en outre comprendre un matériau photoluminescent adapté, lorsqu'il est excité par la lumière émise par la ou les diodes électroluminescentes recouvertes par le bloc, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par la ou les diodes électroluminescentes. Les murs 123 empêchent le rayonnement de chaque diode électroluminescent d'atteindre les blocs 122 voisins. A titre de variante, la couche de germination 112 et/ou les plots de germination 114 peuvent ne pas être présents. La deuxième partie 100b du circuit optoélectronique 100 comprend : un empilement 126 de couches isolantes, représenté en figure 1 par un bloc unique 126. L'empilement 126 est situé en contact avec la face de la couche 112 opposée aux plots 114. L'empilement 126 comprend de plus des éléments conducteurs 128, par exemple des pistes conductrices et des vias conducteurs, situés entre et à travers les couches isolantes de l'empilement 126. Les éléments conducteurs 128 forment un réseau d'interconnexion. En particulier, des vias conducteurs 132 du réseau d'interconnexion traversent la couche 112 de manière à être connectés aux plots 114, et donc à être reliés aux diodes électroluminescentes 104. De préférence, chaque plot 114 est en contact avec un via conducteur 132. De plus, des vias conducteurs 133 du réseau d'interconnexion traversent la couche 112 de manière à être connectés aux plots conducteurs 120. Ainsi, les plots 120 sont interconnectés de manière à fournir en plusieurs endroits une même tension à la couche conductrice 118 ; des transistors 110 situés du côté de l'empilement 126 opposé aux diodes électroluminescentes 104, trois transistors étant représentés en figure 1. Les transistors 110 sont des transistors en couches minces (TFT, sigle anglais pour Thin Film Transistor). Plus précisément, chaque transistor 110 comprend : un bloc 134, semiconducteur ou conducteur, formant la grille du transistor 110. La grille de chaque transistor 110 est connectée, par une première face, au réseau d'interconnexion par des connexions non représentées. Les blocs 134 sont séparés les uns des autres par des régions isolantes 135 ; une couche isolante 136 recouvrant une seconde face, opposée à la première face, du bloc 134, la couche isolante 136 pouvant être commune à tous les transistors 110 ; et un bloc 138 semiconducteur situé en regard du bloc 134, de l'autre côté de la couche isolante 136. Le bloc 138 comprend les zones de source et de drain du transistor 110. La portion de la couche isolante 136 située entre le bloc 134 et le bloc 136 forme l'isolant de grille du transistor 110 ; des pistes conductrices 140 s'étendant partiellement sur les blocs semiconducteurs 138, ainsi que sur la couche isolante 136, de manière à connecter les zones de source et de drain des transistors 110 les unes aux autres. Dans l'exemple de la figure 1, les pistes conductrices 140 connectent les trois transistors 110 en série. Cependant d'autres agencements sont possibles ; une couche isolante 142 recouvrant les pistes conductrices 140, la couche isolante 136 et les blocs semiconducteurs 138 ; des plots conducteurs 143 sur la couche isolante 142, du côté de la couche isolante 142 opposé aux transistors 110 ; et des vias conducteurs 144, 145, 146, un via conducteur 144 étant représenté en figure 1, pouvant traverser la couche isolante 112, les couches isolantes de l'empilement 126, et les couches isolantes 135 et 136 de manière à connecter électriquement un plot conducteur 120 à un plot 143, des vias 145 étant représentés traversant les couches isolantes 126, 135 et 136 de manière à connecter électriquement des pistes conductrices 140 au réseau d'interconnexion et un via 146 étant représenté en figure 1, pouvant traverser la couche isolante 112 et les couches isolantes de l'empilement 126, et les couches isolantes 135 et 136 de manière à connecter électriquement un plot 143 au réseau d'interconnexion. Le circuit optoélectronique 100 et le circuit intégré 56 sont connectés aux pistes conductrices 54 du support flexible 50 par des éléments de connexion, par exemple des billes de soudure 150. Le support flexible 50 peut être connecté à d'autres éléments, par exemple un câble flexible, non représenté, par des éléments de connexion 152, par exemple des billes de soudure. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend un seul exemplaire du circuit optoélectronique 100. Selon un autre mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique 100 fixés au support flexible 50. Les circuits optoélectroniques 100 peuvent être agencés en rangées et en colonnes sur le support flexible 50. Les pistes conductrices 54 peuvent s'étendre sur le support flexible 50 selon les rangées et les colonnes. Chaque piste conductrice 54 peut être connectée à plusieurs circuits optoélectroniques 100. Les pistes conductrices 54 sont reliées à un circuit de commande, par exemple le circuit intégré 56 ou un circuit électronique qui ne repose par sur le support flexible 50. Selon un mode de réalisation, chaque circuit optoélectronique 100 est connecté à au moins des première et deuxième pistes conductrices 54, la première piste conductrice étant utilisée par le circuit de commande pour sélectionner le circuit optoélectronique 100 et la deuxième piste conductrice étant utilisée par le circuit de commande pour transmettre des données au circuit optoélectronique 100. Le substrat 52 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement d'au moins deux couches. Le substrat 52 peut correspondre à un film en PEN (polyéthylène naphtalate), PET (polyéthylène téréphtalate), PI (polyimide), TAC (triacétate de cellulose), COP (copolymère cyclo-oléfine) ou PEEK (polyétheréthercétone). L'épaisseur du substrat 52 peut être comprise entre 5 µm et 1000 µm, de préférence entre 10 µm et 300 µm, plus préférentiellement entre 75 µm et 250 µm, notamment de l'ordre de 125 µm. Selon un mode de réalisation, le substrat 52 présente un comportement flexible, c'est-à-dire que le substrat 52 peut, sous l'action d'une force extérieure, se déformer, notamment se plier, sans se casser ou se déchirer. Les pistes conductrices 54 peuvent être métalliques, par exemple en cuivre. Chaque diode électroluminescentes 104 comprend deux éléments semiconducteurs, dont l'un est par exemple un élément tridimensionnel comme cela a été décrit précédemment, par exemple un fil, et une couche active interposée entre les deux éléments semiconducteurs. Les plots de germination 114, appelés également îlots de germination, sont en un matériau favorisant la croissance des fils des diodes électroluminescentes 104. A titre d'exemple, le matériau composant les plots de germination 114 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. A titre d'exemple, les plots de germination 114 peuvent être en nitrure d'aluminium (AlN), en bore (B), en nitrure de bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de niobium (NbN), en zirconium (Zr), en borate de zirconium (ZrB 2 ), en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et carbure de tantale (TaCN), en nitrure de magnésium sous la forme Mg x N y , où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg 3 N 2 ou du nitrure de gallium et de magnésium (MgGaN), en tungstène (W), en nitrure de tungstène (WN) ou en une combinaison de ceux-ci. Les matériaux isolants peuvent être choisis parmi le groupe comprenant l'oxyde de silicium (SiO 2 ), l'oxynitrure de silicium (SiON), le nitrure de silicium (SiN), le nitrure d'aluminium (AlN), l'oxyde de titane (TiO 2 ), l'oxyde d'aluminium (Al 2 O 3 ), les matériaux organiques isolants électriquement, par exemple le parylène ou la résine ALX et les mélanges d'au moins deux de ces composés. Les éléments semiconducteurs des diodes électroluminescentes 104 sont, au moins en partie, formés à partir d'au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI ou une combinaison de ces composés. Les éléments semiconducteurs peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé III-V, par exemple des composés III-N. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les éléments semiconducteurs peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé II-VI. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn) et le cadmium (Cd). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (O) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMgO, CdZnO ou CdZnMgO. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les éléments semiconducteurs peuvent comprendre un dopant. A titre d'exemple, pour des composés III-V, le dopant peut être choisi parmi le groupe comprenant un dopant de type P du groupe II, par exemple, du magnésium (Mg), du zinc (Zn), du cadmium (Cd) ou du mercure (Hg), un dopant du type P du groupe IV, par exemple du carbone (C) ou un dopant de type N du groupe IV, par exemple du silicium (Si), du germanium (Ge), du sélénium (Se), du souffre (S), du terbium (Tb) ou de l'étain (Sn). La couche active est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente. Selon un exemple, la couche active peut comporter des moyens de confinement, tels qu'un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. Elle est, par exemple, formée d'une alternance de couches de GaN et de InGaN ayant des épaisseurs respectives de 5 à 20 nm (par exemple 8 nm) et de 1 à 10 nm (par exemple 2,5 nm). Les couches de GaN peuvent être dopées, par exemple de type N ou P. Les figures 2 à 10 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, représentant les structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 10 de la . La représente la structure obtenue après les étapes suivantes : formation de la couche de germination 112 sur un substrat 160, par exemple un substrat semiconducteur, par exemple en silicium ; formation des plots de germination 114 sur la couche de germination 112 aux emplacements où l'on souhaite former les diodes électroluminescentes 104 ; formation d'une première partie de la couche isolante 116 recouvrant partiellement les plots 114 et laissant découverts les emplacements des diodes électroluminescentes 104 ; formation des diodes électroluminescentes 104 sur les plots 114 aux emplacements laissés découverts par la première partie de la couche isolante 116 ; formation de la deuxième partie de la couche isolante 116 sur la partie inférieure des diodes électroluminescentes 104 ; formation des plots 120 s'étendant à travers la couche 116 depuis la couche 112 ; formation de la couche conductrice 118 sur les diodes électroluminescentes 104 et sur la couche isolante 116 ; et formation des blocs photoluminescents 122 sur la couche conductrice 118 et formation des murs 123. La représente la structure obtenue après les étapes suivantes : formation d'une poignée 164, fixée aux blocs 122, par exemple par une couche de fixation 166, notamment une couche de colle ; et retrait du substrat 160, par exemple par planarisation mécano-chimique (CMP, sigle anglais pour Chemical-Mechanical Planarization). A titre de variante, une étape de retrait de la couche de germination 112 et/ou des plots de germination 114 peut en outre être prévue. La représente la structure obtenue après la formation sur la couche isolante 112 de l'empilement 126, notamment les éléments conducteurs 128, dont les vias conducteurs 132 qui traversent la couche isolante 112 et éventuellement une partie des vias 144, 145, 146. La représente la structure obtenue après les étapes suivantes : formation des blocs 134, en matériau semiconducteur ou conducteur, par exemple en silicium polycristallin, sur l'empilement 126, au contact d'éléments conducteurs 128 non représentés en figures 5 ; formation des régions isolantes 135 entre les blocs 134. L'épaisseur des régions 135 est sensiblement égale à l'épaisseur des blocs 134 et permet de laisser découverte la face de chaque bloc 134 opposée à l'empilement 126 ; formation de la couche isolante 136 sur les faces découvertes des blocs 134 et sur les régions 135 ; formation d'une partie des vias conducteurs 144, 145, 146, à travers les couches isolantes 136, 135 ; formation des blocs semiconducteurs 138 en regard des blocs 134 sur la couche 136 ; formation des pistes conductrices 140 en contact avec les zones de drain et de source des différents blocs 138 ; formation de la couche isolante 142 sur les blocs 138, les pistes conductrices 140 et la couche 136 ; formation d'une autre partie des vias 144, 146 au travers de la couche isolante 142 ; et formation des plots 143 sur la couche isolante 142. A titre de variante, les vias 144 et/ou 146 peuvent être réalisés en une seule fois après la formation de la couche isolante 142. Les étapes de fabrication des transistors 110 sont des étapes de fabrication de transistors en couches minces, par exemple de transistors IGZO. Plus précisément, ces étapes sont effectuées de préférence à une température maximum inférieure à 180 °C. Ces étapes sont, dans le présent mode de réalisation, effectuées en ordre inverse par rapport à l'ordre habituel des étapes de fabrication d'un transistor en couches minces, c'est-à-dire que la grille est formée avant les zones de source et de drain. Selon un mode de réalisation, plusieurs circuits optoélectroniques sont réalisés simultanément selon les étapes décrites précédemment en relation avec les figures 2 à 5. En particulier, les diodes électroluminescentes 104 de plusieurs circuits optoélectroniques peuvent être formées simultanément sur le même substrat 160, qui peut correspondre à une plaquette de silicium. Le procédé comprend alors une étape de séparation des circuits optoélectroniques. Cette étape de séparation peut être réalisée par gravure, par exemple après les étapes décrites précédemment en relation avec la alors que les circuits optoélectroniques reposent sur la poignée 164. La illustre l'étape de formation du support flexible 50 comprenant la formation du substrat flexible 52 sur une poignée 170, par exemple par lamination d'un film sur la poignée 170, et la formation des pistes conductrices 54 en surface du substrat flexible 52 pour obtenir le support flexible 50. La représente la structure obtenue après l'étape de formation des éléments de connexion 150, 152 sur le support flexible 50. La représente la structure obtenue après la fixation, sur le support flexible 50, du circuit optoélectronique 100 représenté en , le support étant toujours fixé à la poignée 170 et le circuit 100 étant toujours fixé à la poignée 164. La représente la structure obtenue après le retrait de la poignée 164 de façon à libérer la face supérieure des blocs 122. La représente la structure obtenue après la fixation des autres éléments au support flexible 50, notamment le circuit intégré 56. Le procédé se poursuit par le retrait de la poignée 170 pour obtenir le dispositif optoélectronique 10 représenté en . La représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 500. Le dispositif 500 comprend l'ensemble des éléments du dispositif 10 et comprend, de plus, un étage supplémentaire de transistors en couches minces 504, trois transistors étant représentés, situé sur l'étage comprenant les transistors 110. Le dispositif 500 comprend donc : des blocs semiconducteurs 502 situés sur la couche isolante 142. Les blocs 502 comprennent les zones de source et de drain des transistors en couches minces 504. Les blocs 502 sont similaires aux blocs semiconducteurs 138 ; des pistes conductrices 506, similaires aux pistes conductrices 140, connectant électriquement entre elles les zones de source et de drain des blocs 502. Dans le mode de réalisation de la figure 11, les trois transistors sont connectés en série à titre d'exemple ; une couche isolante 508 recouvrant la couche 142, les pistes conductrices 506, et les blocs 502 ; des blocs conducteurs 510 formés sur la couche 508, en regard des blocs conducteurs 502. Les blocs 510 forment les grilles des transistors 504, et les portions de la couche 508 situées entre les blocs 510 et 502 forment les isolants de grille ; et un empilement 512 de couches isolantes, représenté en figure 11 par un bloc unique 512, recouvrant les transistors 504. Cet empilement 512 comprend en outre des éléments conducteurs 514, par exemple des pistes conductrices et des vias conducteurs, situés entre et à travers les couches isolantes de l'empilement 512. Les éléments conducteurs 514 forment un réseau d'interconnexion. Des éléments conducteurs 514 connectent par exemple certains des blocs 510 et certaines des couches conductrices 506 à des pistes conductrices 140. Les éléments conducteurs 514 peuvent donc traverser partiellement la couche isolante 512, la couche isolante 508, et la couche isolante 142 de manière à atteindre les pistes conductrices 140. Le dispositif 500 comprend donc deux étages de transistors en couches minces. A titre de variante, le dispositif optoélectronique 500 peut comprendre plus de deux étages de transistors en couches minces. La présence de plusieurs étages de transistors a pour avantage d'augmenter la densité de transistors. A titre de variante, certains des éléments conducteurs 514 peuvent connecter les pistes conductrices 506 aux pistes conductrices 140. Bien que, dans le mode de réalisation de la , chaque transistor 504 soit en regard d'un transistor 110, les transistors des différents étages peuvent être décalés les uns par rapport aux autres et la densité de transistors peut être différente selon l'étage considéré. La représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 700. Le dispositif optoélectronique 700 comprend les diodes électroluminescentes 104, reposant sur des plots de germination 702 et entourées d'une couche isolante 703. Les plots de germination 702 sont similaires aux plots de germination 114 décrits précédemment. Chaque plot 702 est au moins partiellement transparent au rayonnement émis par la diode électroluminescente formée sur ce plot 702. Les plots de germination 702 reposent sur une couche conductrice 704. La couche 704 est de préférence au moins partiellement transparente aux rayonnements émis par les diodes électroluminescentes 704. Les plots 702 sont en contact avec la couche 704 de manière à former une connexion électrique. La couche 704 forme donc une électrode commune à toutes les diodes électroluminescentes 104. La couche 704 est recouverte de plusieurs blocs photoluminescents 705, les blocs photoluminescents 705 étant similaires aux blocs photoluminescents 122 décrits précédemment. Plus précisément, chaque bloc 705 est situé en regard d'une diode électroluminescente 104. De plus, les blocs 705 sont séparés les uns des autres par des murs 707 similaires aux murs 123 décrits précédemment. Le reste du dispositif 700 est identique au dispositif 10 à la différence que chaque diode électroluminescente 104 est en contact, par le côté opposé au plot de germination 702, à un élément conducteur 132 du réseau d'interconnexion. Ainsi, chaque diode électroluminescente 104 peut être commandée par une tension appliquée entre l'une de l'anode ou de la cathode, par l'intermédiaire d'un plot 702, et l'autre de l'anode ou de la cathode, par l'intermédiaire d'un élément conducteur 132. Les modes de réalisation décrits précédemment mettent en oeuvre un support flexible 50. Selon un autre mode de réalisation, la face du support 50 sur laquelle repose le circuit optoélectronique 100 est une face courbe non plane, le support 50 étant flexible ou rigide. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 100 est fixé directement à la face courbe non plane du support 50. Selon un autre mode de réalisation, le circuit optoélectronique 100 est fixé au support 50 dans une configuration initiale du support 50 dans laquelle la face sur laquelle le circuit optoélectronique 100 est fixé est plane et le support 50 est déformé, selon une déformation plastique lorsque le support 50 est rigide, pour amener la face sur laquelle le circuit optoélectronique 100 est fixé dans une configuration finale dans laquelle cette face est courbe et non plane. La représente schématiquement un autre mode de réalisation d'un transistor en couches minces pouvant être utilisé avec les dispositifs optoélectroniques 10, 500, 700 décrits précédemment. Le transistor 800 est appelé transistor horizontal. Par transistor horizontal, on entend un transistor dont les différentes parties, par exemple les zones de source et drain, la grille et le canal, sont au même niveau, dans une même couche, et sont, de préférence, formés en même temps. Ainsi, le transistor 800 est formé dans une couche isolante 802, par exemple en oxyde de silicium. Le transistor 800 comprend, dans la couche 802 : deux blocs semiconducteurs 804, formant les zones de drain et de source ; un bloc semiconducteur 806 s'étendant entre les blocs 804, et étant en contact avec les blocs 804. Le bloc 806 forme le canal du transistor 800 ; et des blocs 808, en matériau semiconducteur ou conducteur, situés de part et d'autre du bloc 806 et forment la grille du transistor 800. Les blocs 808 sont séparés du canal 806 par une portion de la couche isolante 802. La couche isolante 802, comprenant des transistors 800, peut remplacer les couches, par exemple les couches 135, 136 et 142, comprenant les transistors 110. Un avantage des modes de réalisation décrits précédemment est que la fabrication des niveaux d'interconnexion de l'empilement 126 et des transistors en couches minces 110 a un budget thermique compatible avec les diodes électroluminescentes 104, c'est-à-dire que la fabrication des transistors 110 peut être effectuée sur une structure comprenant déjà les diodes électroluminescentes 104 sans impacter négativement les performances des diodes électroluminescentes 104. Comme cela a été décrit précédemment, plusieurs circuits optoélectroniques sont réalisés simultanément de manière monolithique sur une même plaque de circuits intégrés. Plus précisément, un tel mode de réalisation comprend les étapes successives suivantes : a) formation simultanée sur le même substrat 160 de plusieurs exemplaires de la première partie 100a du circuit optoélectronique 100, comprenant les diodes électroluminescentes 104, notamment par la réalisation simultanée, en plusieurs exemplaires sur le même substrat 160, des étapes décrites précédemment en relation avec la ; b) fixation de la poignée 164 aux premières parties 100a du circuit optoélectronique 100, et retrait du substrat 160, par exemple par CMP, comme cela a été décrit précédemment en relation à la ; c) formation simultanée, sur les premières parties 100a du circuit optoélectronique 100, de plusieurs exemplaires de la deuxième partie 100b du circuit optoélectronique 100, comprenant les transistors en couches minces 110, notamment par la réalisation simultanée, en plusieurs exemplaires, des étapes décrites précédemment en relation avec les figures 4 et 5 ; d) séparation des circuits optoélectroniques 100, par exemple par sciage, chaque circuit optoélectronique 100 étant toujours fixé à la poignée 164 ; e) transfert simultané d'au moins une partie des circuits optoélectroniques 100 de la poignée 164 sur le support 50, notamment par la réalisation simultanée, pour plusieurs circuits optoélectroniques, des étapes décrites précédemment en relation avec les figures 8 et 9. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. En particulier, le mode de réalisation de la peut comprendre, comme cela a été décrit en relation avec la , plusieurs étages de transistors en couches minces. En outre, les blocs 122 (respectivement 705) et les murs 123 (respectivement 707) peuvent être formés après la formation des transistors. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l’homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif optoélectronique (10 ; 500 ; 700) comprenant : - un circuit optoélectronique (100) comprenant des diodes électroluminescentes (104) ; des transistors en couches minces (110, 504), et un empilement (126) de couches isolantes électriquement, ledit empilement (126) étant situé entre les diodes électroluminescentes (104) et les transistors (110, 504), ledit empilement (126) comprenant en outre des éléments conducteurs électriquement (128, 132, 514), entre et à travers lesdites couches isolantes électriquement, lesdits éléments conducteurs électriquement (128, 132, 514) connectant au moins certains des transistors aux diodes électroluminescentes (104) ; et - un support (50) ayant une face, le support étant flexible et/ou la face étant courbe et non plane, le circuit optoélectronique étant connecté à la face du côté des transistors en couches minces. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le support (50) comprend des pistes conductrices électriquement (54), chaque piste conductrice électriquement étant connectée à l'un des transistors (110, 504). Dispositif selon la revendication 2, comprenant en outre un circuit de commande (56) du circuit optoélectronique relié aux pistes conductrices électriquement (54). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'épaisseur totale du circuit optoélectronique est comprise entre 0,1 µm et 500 µm. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les diodes électroluminescentes (104) comprennent des éléments semiconducteurs filaires, coniques ou tronconiques. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'épaisseur du support (50) est comprise 5 µm et 1000 µm. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le support (50) est au moins en partie en polyéthylène naphtalate, en polyéthylène téréphtalate, en polyimide, en triacétate de cellulose, en copolymère cyclo-oléfine, en polyétheréthercétone ou en un mélange d'au moins de de ces composés. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les transistors (110, 504) sont répartis selon au moins un étage de transistors en couches minces (110, 504). Dispositif selon la revendication 8, dans lequel chaque étage comprend une couche isolante électriquement formant l'isolant de grille de tous les transistors (110, 504) de cet étage. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, pour au moins l'un des transistors, les régions (804) de source et de drain et la grille (808) du transistor sont situées dans une même couche isolante électriquement (802). Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le circuit de commande (56) repose sur le support (50). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le circuit optoélectronique (100) a une structure monolithique. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, comprenant un unique exemplaire du circuit optoélectronique (100). Dispositif selon la revendication 2 ou 3, comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique (100) agencés en rangées et en colonnes, les pistes conductrices électriquement (54) s'étendant selon les rangées et les colonnes, chaque piste conductrice électriquement étant connectée à des transistors de plusieurs circuits optoélectronique. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (10 ; 500 ; 700) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant la formation d'un circuit optoélectronique (100) comprenant les étapes successives suivantes : a) former des diodes électroluminescentes (104) ; b) former, sur les diodes électroluminescentes, un empilement (126) de couches isolantes électriquement, ledit empilement (126) comprenant en outre des éléments conducteurs électriquement (128, 132, 514) entre et à travers lesdites couches isolantes électriquement ; et c) former, sur ledit empilement, des transistors en couches minces (110, 504), ledit empilement (126) étant situé entre les diodes électroluminescentes (104) et les transistors (110, 504), lesdits éléments conducteurs électriquement (128, 132, 514) connectant au moins certains des transistors (110, 504) aux diodes électroluminescentes (104), l'ensemble comprenant les diodes électroluminescentes, l'empilement et les transistors en couches minces formant un circuit optoélectronique (100). Procédé selon la revendication 15, comprenant en outre l'étape suivante, après l'étape c) : d) fixer le circuit optoélectronique à une face d'un support (50), le support étant flexible et/ou la face étant courbe et non plane. Procédé selon la revendication 15 ou 16, dans lequel le circuit optoélectronique (100) est réalisé en plusieurs exemplaires formant une structure d'un seul tenant, le procédé comprenant en outre l'étape suivante, après l'étape c) : e) séparation de chaque exemplaire du circuit optoélectronique (100). Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, dans lequel l'épaisseur totale du circuit optoélectronique (100) est comprise entre 0,1 µm et 500 µm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 à 18, dans lequel l'étape a) comprend la formation d'éléments semiconducteurs filaires, coniques ou tronconiques. Procédé selon la revendication 19, dans lequel l'étape a) comprend la formation de plots de germination conducteurs électriquement ou semiconducteurs (114) sur un substrat (160) et la croissance des éléments semiconducteurs sur les plots de germination. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 à 20, dans lequel les étapes b) et c) sont effectuées à des températures inférieures à 180 °C.