FR 3113213 A1 20220204 FR 2008130 A 20200730 L’invention porte sur un circuit comprenant une référence de tension (R) et un filtre passe-bas (F) électriquement relié à la référence de tension (R). Le filtre (F) comprend un étage formé d’une résistance d’étage (Re) électriquement reliée, en un point milieu (M), à une capacité d’étage (Ce), la résistance d’étage (Re) et la capacité d’étage (Ce) définissant au moins en partie une constante de temps (RC) du filtre et le point milieu (M) portant la tension de référence filtrée (V’ref). Le circuit comprend également un transistor (T) et un circuit de commande (Cde) de la grille du transistor (T) configuré pour polariser le transistor (T) en conduction à la mise en route du circuit (1), la résistance à l’état passant (Rds on) du transistor (T) se combinant à la capacité d’étage (Ce) pour élever la tension de référence filtrée (V’ref) avec une constante de temps d’établissement (RC’) inférieure à la constante de temps du filtre (RC). Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 2 Circuit pour fournir une tension de référence filtrée et dispositif d’alimentation exploitant un tel circuit DOMAINE DE L’INVENTION La présente invention concerne un circuit visant à fournir une tension de référence à faible bruit en basse fréquence. Elle trouve une application particulière pour former une alimentation électrique d’un circuit intégré microélectromécanique, tel qu’un capteur d’accélération « MEMS » (de l’acronyme anglo-saxon « Micro ElectroMechanicalSystems » ou « système microélectromécanique »). ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Les documents EP3572818A et US8179121 proposent un capteur d’accélération présentant une interface deux fils au format IEPE, l’accéléromètre du capteur pouvant être un accéléromètre MEMS. Dans ces capteurs, la tension d’alimentation du MEMS est puisée de l’interface deux fils. On peut prévoir à cet effet, pour parer aux possibles variations de la tension présente à cette interface deux fils, une référence de tension comprenant un composant à bande interdite (référence de tension « bandgap » selon la terminologie généralement employée dans le domaine). Cette référence de tension (qui peut être intégrée au circuit MEMS ou disposée sur un support de routage électrique sur lequel se trouve également disposé le composant MEMS)fournit une tension de référence stable au composant MEMS, indépendante des variations que subit la tension d’alimentation du capteur ou des variations de température. Un accéléromètre MEMS présente l’avantage de fournir une mesure statique et basse fréquence d’une accélération (par exemple inférieur à 1kHz) avec un rapport signal sur bruit très favorable, indépendant de la fréquence. Le signal de sortie d’un accéléromètre MEMS est généralement le produit d’une tension interne de référence (généralement la tension d’alimentation) par la mesure brute de l’accélération. Ce signal est centré sur la moitié de sa tension d’alimentation (la tension fournie par la référence de tension lorsque celle-ci est présente). En conséquence, et par conception, un tel composant présente une faible réjection de la tension d’alimentation et on retrouve pour moitié dans son signal de sortie, le bruit contenu dans la référence de tension. Or, une référence de tension bandgap présente généralement un niveau de bruit élevé par exemple de 3 microvolts par racine carré de Hertz pour une référence de tension basse consommation pour son plancher de bruit blanc. A ce plancher s’ajoute un bruit en 1/f,dans les gammes de fréquences basses, par exemple inférieur à 1kHz, ces gammes de fréquences formant justement le domaine d’opération privilégié d’un accéléromètre MEMS. On peut naturellement prévoir de munir la référence de tension d’un filtre passe-bas. Mais ce filtrage passe-bas peut imposer une fréquence de coupure extrêmement basse. Par exemple, atténuer 30dB de bruit à 0,1Hz impose d’élaborer un filtre présentant une fréquence de coupure à 0,003 Hz, et une constante de temps de 50 secondes environ. Un tel filtre présente un régime transitoire, à sa mise en route, conduisant à un temps d’établissement à 99% de la valeur finale de 4 minutes, voire plus. Pendant ce régime transitoire extrêmement long, le capteur d’accélération que l’on a muni du filtre ne peut être exploité avec sa pleine précision, ce qui est très désavantageux. OBJET DE L’INVENTION Un but de l’invention est de remédier au moins en partie à ce problème. Elle vise plus particulièrement à proposer un circuit comprenant un filtre passe-bas pour fournir une tension de référence filtrée, le circuit présentant un temps d’établissement de régime transitoire bien plus court que celui imposé par la constante de temps, très longue, du filtre passe-bas. Le circuit est applicable au filtrage passe-bas de toute référence de tension, et trouve une application particulière pour élaborer une tension d’alimentation d’un capteur MEMS, notamment un accéléromètre. Le circuit est avantageusement très simple, si bien qu’il peut être intégré au composant MEMS lui-même ou disposé sur un circuit de routage électrique de petite dimension, par exemple inférieur à 1cm^2. BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTION En vue de la réalisation de ce but, l’objet de l’invention propose un circuit pour fournir une tension de référence filtrée comprenant : une référence de tension recevant une tension d’alimentation et fournissant une tension de référence ; un filtre passe-bas électriquement relié à la référence de tension et comprenant un étage formé d’une résistance d’étage électriquement reliée en un point milieu à une capacité d’étage, la résistance d’étage et la capacité d’étage définissant au moins en partie une constante de temps du filtre et le point milieu portant la tension de référence filtrée ; un circuit de commutation comprenant une électrode de commande, deux électrodes de conduction dont une électriquement reliée au point milieu, le circuit de commutation présentant une résistance à l’état passant entre les deux électrodes de conduction dont la valeur est inférieure à la valeur de la résistance d’étage; un circuit de commande relié à l’électrode de commande du circuit de commutationet configuré pour rendre passant le circuit de commutation à la mise en route du circuit pendant une période de démarrage prédéterminée, la résistance à l’état passant du circuit de commutation se combinant à la capacité d’étage pour élever la tension de référence filtrée avec une constante de temps d’établissement inférieure à la constante de temps du filtre. Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : la résistance d’étage et la capacité d’étage sont choisis telles que la constante de temps du filtre soit supérieure à 1 seconde, et avantageusement supérieure à 100 secondes ; le circuit de commutation est un transistor ; le transistor est un transistor MOSFET de type N ou P ou un transistor JFET ; le circuit de commutation est un commutateur ou un multiplexeur analogique ; la période de démarrage prédéterminée est inférieure à 10 secondes ; la résistance à l’état passant du circuit de commutation est telle que la constante de temps d’établissement est inférieure à 1 seconde, préférentiellement inférieure à 100 ms ; le circuit de commande comprend un circuit série RC définissant un point milieu de commande relié à la grille, le circuit série RC étant disposé entre une tension de commande et une masse du circuit, le circuit série RC définissant une constante de temps de commande supérieure ou égale à la constante de temps d’établissement ; le circuit comprend également un étage tampon recevant en entrée la tension de référence filtrée et fournissant une tension utile ; l’étage tampon comprend un amplificateur opérationnel monté en suiveur de tension ; le filtre comprend au moins un deuxième étage formé d’une résistance de deuxième étage électriquement reliée à une capacité de deuxième étage, la capacité de deuxième étage étant également électriquement reliée à une sortie du circuit. Selon un autre aspect, l’objet de l’invention propose un dispositif comprenant un circuit intégré micro-électromécanique et un circuit tel que décrit ci-dessus, ce circuit produisant une tension d’alimentation du circuit intégré micro-électromécanique. Le circuit de l’invention peut être intégré au circuit intégré micro-électromécanique ou le circuit intégré micro-électromécanique et le circuit de l’invention peuvent être disposés sur un support de routage électrique. Le circuit intégré micro-électromécanique peut être un accéléromètre. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquels : La figure 1 représente un schéma de principe d’un circuit conforme à l’invention ; La figure 2 représente un exemple de mise en œuvre d’un circuit conforme à l’invention ; La figure 3 représente un chronogramme expliquant le fonctionnement du circuit de la figure 2 ; Les figures 4, 5a, 5b, 5c et 6 représentent d’autres exemples de mise en œuvre d’un circuit conforme à l’invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTION En introduction, on rappelle que la constante de temps (en seconde) d’un dipôle formé d’une résistance de valeur r (en Ohm) et d’une capacité de valeur c (en Farad) est le produit Tau =r*c. Le temps d’établissement à 95% d’un circuit du premier ordre comprenant ce dipôle est de 3*Tau, et à 99% de l’ordre de 5 Tau. D’une manière plus générale, et dans le cadre de la présente demande, on considérera que la constante de temps d’un circuit correspond à 1/5 de son temps d’établissement à 99%. La figure 1 représente un schéma de principe d’un circuit 1 pour fournir une tension de référence filtrée. Le circuit 1 comprend une référence de tension R, par exemple une référence de tension bandgap comme cela a été exposé en introduction de cette demande. La référence de tension R reçoit une tension d’alimentation Va du circuit et fournit une tension de référence Vref, par exemple comprise entre 1,5V et 5V, cette tension de référence Vref étant plus stable que la tension d’alimentation. Le circuit 1 comprend également un filtre passe-bas F électriquement relié à la référence de tension R. Le filtre passe-bas peut présenter un ordre de filtre quelconque, et cet ordre pourra être choisi selon la réponse en fréquence désirée de ce filtre F. Il présente une fréquence de coupure relativement basse, par exemple comprise entre 10^-3 Hz et 1 kHz. Dans le domaine des mesures vibratoire pris en exemple dans cette description, cette fréquence de coupure est avantageusement inférieure à 0.10 Hz ou à 1Hz. En conséquence il présente une constante de temps et un temps d’établissement à 99% très long, par exemple un temps d’établissement de plusieurs minutes. De manière bien connue en soi, un tel filtre passe-bas peut être formé d’un étage ou d’une pluralité d’étages, chaque étage comprenant une résistance d’étage Re électriquement reliée, en un point milieu d’étage M, à une capacité d’étage Ce. Les résistances Re et les capacités Ce des étages déterminent la constante de temps RC du filtre et sa fréquence de coupure. Le point milieu M de l’étage (ou du dernier étage, s’il en existe plusieurs) porte la tension de référence filtrée V’ref et forme donc le signal de sortie de ce filtre F. A titre d’exemple, et dans le cadre de mesures vibratoires, on peut choisir chaque résistance d’étage Re entre 1 MOhms et 100 MOhms, chaque capacité d’étage entre 1 microF et 100 microF. Dans le cas d’un filtre de premier ordre, comprenant donc un unique étage, on définit de la sorte une constante de temps RC du filtre typiquement supérieure à 10 secondes, et donc un temps d’établissement à 99% de près d’une minute. Optionnellement, le circuit 1 peut comprendre un étage tampon AO, par exemple pour ajuster l’impédance du circuit 1. Cet étage tampon AO est ici formé d’un amplificateur opérationnel, alimenté par la tension d’alimentation Va et monté en suiveur de tension. La sortie électrique V0, dite tension utile, de l’étage tampon présente donc la même tension que celle présente à son entrée différentielle, la tension de référence filtrée V’ref. On pourrait également prévoir que l’étage tampon présente un gain, par exemple la tension de référence filtrée V’ref peut présenter une valeur de 3V et la tension utile peut présenter une valeur de 5V. On note que l’amplificateur opérationnel mettant en œuvre l’étage tampon AO, lorsque celui-ci est présent, est choisi pour présenter un niveau de bruit, notamment en basse fréquence, sensiblement plus faible que le seuil de bruit imposé par le composant électronique applicatif (l’accéléromètre MEMS dans l’exemple décrit). L’introduction, dans le circuit 1, de l’étage tampon AO derrière le filtre F ne détériore donc pas significativement la qualité du signal électrique fourni. Le point milieu M du dernier étage du filtre forme la sortie du filtre. Ce point porte la tension de référence filtrée V’ref qui peut être fournie à un composant électronique pour l’alimenter. Lorsque l’étage tampon AO est présent, la tension utile V0 fournie par cet étage est celle fournie au composant électronique pour l’alimenter. Comme on l’a déjà mentionné, le circuit 1 décrit jusqu'à présent comporte un régime transitoire, à sa mise en route, dont la durée est excessive pour l’application visée. Ce régime transitoire vise à charger les capacités d’étages à leurs tensions nominales. Pour les valeurs données en exemple du filtre dans une section précédente de cette description, ce régime transitoire présente une durée typique (de l’ordre de cinq fois la constante de temps RC de ce filtre F), de 50secondes ou plus. Pour poursuivre cet exemple, on recherche à raccourcir la durée de ce régime transitoire très largement sous les 50 secondes, par exemple sous la seconde, voire même de l’ordre de la milliseconde. Pour permettre d’obtenir un temps d’établissement rapide du circuit, on a muni le circuit 1 d’au moins un circuit de commutation T et d’au moins un circuit de commande Cde de ce circuit T. Dans l’exemple décrit, le circuit de commutation T est un transistor, mais on pourrait envisager tout autre forme de circuit permettant de sélectivement autoriser la circulation des charges électriques entre deux électrodes dites « de conduction » à l’aide d’un signal de commande fournie sur une électrode dite « de commande ». Il peut par exemple s’agir d’un commutateur ou d’un multiplexeur analogique. Le transistor T pris en exemple est disposé en parallèle au filtre F. Lorsque le transistor T est passant (polarisé en conduction) sa résistance à l’état passant Rds_on est disposée en parallèle à la résistance d’étage Re. Le transistor T comprend une grille, un drain électriquement relié à la référence de tension R et une source électriquement reliée au point milieu M. Le transistor T présente une résistance à l’état passant Rds_on, entre le drain et la source, dont la valeur est bien inférieure à la valeur de la résistance d’étage Re. Typiquement, la résistance à l’état passant Rds_on d’un transistor (par nature relativement faible) sera inférieure de plusieurs décades à la résistance d’étage Re(choisie pour être importante et contribuer à la fréquence de coupure basse du filtre F).La résistance à l’état passant Rds_ondu transistor T est typiquement inférieure ou égale à 1 Ohm, de l’ordre de 100milliohms ou quelques centaines demilliohms. Le circuit 1 comprend également un circuit de commande Cde de la grille du transistor T. Ce circuit Cde est configuré pour polariser le transistor T en conduction à la mise en route du circuit 1 pendant unepériode de démarrage prédéterminé. Par « mise en route du circuit », on désigne l’instant T0 auquel la tension d’alimentation Va est appliquée au circuit 1, et notamment à la référence de tension R. Dans la configuration « passante », la résistance à l’état passant Rds_on du transistor T efface la résistance d’étage Re avec laquelle il est placé en parallèle et se combine à la capacité d’étage Ce pour élever la tension du point milieu d’étage M portant la tension de référence filtrée V’ref avec une constante de temps d’établissement RC’ très inférieure à la constante de temps RC du filtre F. En négligeant la présence de la résistance d’étage Re, la constante de temps de la configuration passante du circuit 1 correspond au produit Rds_on*Ce, de l’ordre des 100 microsecondes en prenant les valeurs de l’exemple. La période de démarrage prédéterminée pendant lequel le transistor T (ou plus généralement le circuit de commutation) est commandé passant peut être choisi très librement, supérieur à la constante de temps de la configuration passante du circuit 1. Il peut par exemple être choisi de l’ordre de la seconde ou de 10 secondes, ou plus. On note que pendant la période de démarrage pendant laquelle le circuit de commande Cde pilote le circuit de commutation T pour qu’il soit passant, le composant électronique applicatif est bien alimenté et fonctionnel, même s’il ne dispose d’une tension d’alimentation filtrée et qu’il ne tire donc pas pleinement profit de tous les avantages procurés par le circuit 1. Le circuit de commande Cde peut prendre toute forme qui convient, il peut notamment s’agir d’un circuit analogique ou digital mettant en œuvre une fonction de minuteur de la période de démarrage prédéterminée. Avantageusement toutefois, pour garder le caractère compact du circuit 1 et toute sa simplicité lorsqu’il est mis en œuvre par des composants discrets, et comme cela sera présenté dans les exemples qui suivent, le circuit de commande Cde comprend un dipôle ou circuit série RC, comprenant une résistance de commande Rc et une capacité de commande Cc, définissant un point milieu de commande Mc relié à la grille du transistor T. Lecircuit de commande Cde est disposé entre une tension de commande (par exemple la tension d’alimentation Va, la tension de référence Vref, la tension de référence filtrée V’ref ou la tension utile V0) et la masse du circuit 1. Les valeurs de la résistance Rc et de la capacité Cc du circuit de commande Cde sont choisies pour définir un temps d’établissement du signal de commande appliqué à la grille du transistor T supérieur au temps d’établissement visant à charger rapidement la capacité d’étage Ce, et donc conforme à la période de démarrage prédéterminée. De la sorte, on s’assure très simplement que le transistor T est placé dans un état de conduction pendant une durée suffisamment longuepermettant de charger pleinement la capacité d’étage Ce du filtre. On peut par exemple choisir la résistance de commande Rc et la capacité de commande Cc pour qu’elles présentent des valeurs dix fois inférieures aux valeurs de la résistance d’étage Re et à la capacité d’étage Cc. La constante de temps du circuit de commande est alors 100 fois inférieure à la constante de temps du filtre F, mais reste supérieure à la constante de temps du circuit 1 lorsque le transistor T est passant. En référence à la figure 2 on présente maintenant un exemple de mise en œuvre des principes qui viennent d’être exposés. On retrouve bien sûr cet exemple la référence de tension R alimentée par la tension d’alimentation Va,l’étage tampon AO optionnel, le filtre basse fréquence F, ici formé d’un unique étage comportant une résistance Re d’étage et une capacité Ce d’étage. La constante de temps RC du filtreF est ici de 100 secondes, conduisant à un temps d’établissement de ce filtre (en absence des moyens prévus par l’invention) de l’ordre de 500s. Le transistor T est ici un transistor MOSFET de type P dont la résistance à l’état passant Rds_on est estimée à 1 ohm (plus généralement 1 à 10 ohms). A l’état passant, cette résistance Rds_on est en parallèle avec la résistance d’étage Re, et la constante de temps d’établissement de ce montage 1 est de l’ordre de 100 microsecondes. Le circuit de commande Cde de cet exemple est formé d’un circuit série RC, la résistance Rc étant connectée à la sortie de la référence de tension R (portée à la tension de référence Vref)et la grille du transistor T. La capacité de commande Cc est quant à elle disposée entre la grille du transistor T et la masse du circuit 1. Avec les valeurs choisies de la résistance Rc et de la capacité Cc du circuit de commande Cde, le transistor T est maintenu passant pendant une durée Tau_cde l’ordre de 100 ms (définissant la période de démarrage), ce qui est bien supérieur aux quelques 100 microsecondes nécessaires pour charger la capacité d’étage Ce et finaliser la période transitoire d’établissement du circuit 1 à son démarrage. La figure 3 représente l’évolution des tensions dans le circuit 1 de la figure 2 depuis l’instant T0 de sa mise en route. Durant cette phase de démarrage (montée de tension de la référence filtrée V’ref) le PMOS est polarisé en conduction par le circuit de commande Cde dont la constante de temps est grande par rapport au temps de montée de la tension de référence filtrée V’ref. Durant cette montée la constante de temps du circuit1 est le produit Ce*Rds_on, la charge de la capacité d’étage Ce (V’ref correspondant également à la tension portée par la source du transistor T) est donc quasi instantané. Une fois la tension de référence filtrée V’ref stabilisée, le potentiel de grille rejoint celui du drain, qui lui-même est au potentiel de la source du transistor T. On arrive donc à VGS=0 et le transistor T est bloqué. On note que la diode intrinsèque du transistor T (ie entre le drain et la source) assure que ce transistor puisse se mettre en conduction en forçant le potentiel de source à monter (0.5-0.6V max sous la tension de drain) au démarrage. La résistance dynamique à tension nulle de la diode intrinsèque du transistor T présente un impact négligeable sur la constante de temps du filtre en fonctionnement normal. De nombreuses variantes à cet exemple sont possibles. D’une manière générale, le circuit de commutation T peut être mis en œuvre par touteforme de transistor (JFET, BJT, bipolaire…) et de tout type (N ou P) car, par définition, celui-ci est bloqué pendant le fonctionnement normal du circuit 1, c’est à dire en dehors de la période de démarrage. On ajustera le circuit de commande Cde pour élaborer le signal de commande adapté au transistor choisi. Par exemple, on peut remplacer le transistor MOSFET de la figure 2 par un transistor JFET. Un tel transistor étant passant à la tension grille-sourceVgs = 0, le filtre F se charge naturellement à la mise en route du circuit, puis la tension grille-source passant sous la tension de seuil du transistor, celui-ci s’ouvre. Un tel exemple de réalisation est représenté sur la figure 4. La résistance Rc du circuit de commande est électriquement reliée à la tension de référence Vref sur l’exemple de la figure 2. Mais on pourrait naturellement envisager de relier cette résistance à d’autres tensions du circuit, le tout étant de définir un signal de commande sur la grille du transistor T présentant une constante de temps supérieure la constante de temps du circuit 1 lors du chargement rapide de la capacité d’étage Cc pendant le régime transitoire. Ainsi, sur les figures 5a à 5c, on présente des exemples où cette résistance Rc est reliée au point milieu M du filtre F(tension de référence filtrée V’ref – figure 5a), à la tension utile V0 issu de l’étage tampon AO(figure 5b), à la tension d’alimentation Va (figure 5c). Le filtre F peut également être composé d’une pluralité d’étages et selon un schéma possible, chaque étage peut être muni d’un transistor T et d’un circuit de commande Cde pour charger en un temps réduit la résistance Ce d’étage. Alternativement, un même circuit de commande peut commander les grilles de la pluralité de transistors T. La figure 6 représente une configuration avantageuse d’un circuit 1 comprenant un filtre à plusieurs étages, et donc d’ordre supérieur à 1. Un unique transistor T est disposé en parallèle avec le filtre F, et donc avec l’ensemble des résistances Re, R’e des étages. Le drain du transistor T est relié à la tension de référence Vref fournie par la référence de tension R, et la source de ce transistor est relié au point milieu M du dernier étage du filtre F. La capacité d’étage Ce de ce dernier étage est reliée entre le point milieu de ce dernier étage et la masse du circuit 1. Les capacités des étages intermédiaires sont quant à elle reliées, directement ou indirectement à la tension de référence V’ref ou à la tension utile V0 fourni par l’étage tampon AO (comme c’est le cas de la figure 6). En régime établi, les points milieu de chaque étage sont donc sensiblement portés à la tension de référence filtrée V’ref (ou à la tension utile V0). Le régime transitoire vise donc à élever la tension de tous ces points milieu en chargeant très rapidement toutes les capacités d’étages. Lorsque le transistor T est à l’état passant, au démarrage du circuit 1, il court-circuite le filtre F et charge très rapidement la capacité du dernier étage de ce filtre F. Cela permet d’élever simultanément la tension de tous les autres points milieu de ce filtre en chargeant toutes les capacités Ce d’étage. Une telle configuration est avantageuse en ce qu’elle permet avec un circuit très simple (un unique transistor/circuit de commutation et un dipôle RC/dispositif de commande) de placer le circuit 1 en régime établi avec un transitoire extrêmement court, même lorsque l’ordre du filtre F est élevé. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux exemples décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. On peut notamment prévoir d’exploiter la tension utile V0 fournie à la sortie de l’étage tampon AO et l’injecter de manière rétroactive à l’entrée de la référence de tension R, par exemple en remplacement de la tension d’alimentation Va. Ainsi seul l'AO est alimenté par Va et le circuit de référence R est alimenté à partir de V0. Dans ce cas notamment, il peut être utile de prévoir, dans le circuit 1 qui vient d’être décrit, un circuit additionnel d’assistance au démarrage. D’autres éléments encore peuvent être inclus dans un circuit 1 conforme à l’invention. On peut par exemple prévoir des éléments assurant un redémarrage contrôlé lors d'un cycle rapide d'une séquence de mise hors tension-remise sous tension du circuit 1. Il peut s’agir par exemple d’une résistance en parallèle sur la sortie de la référence de tension R dont le but est de garantir une remise à zéro de la constante de temps du circuit de commande Cde, indépendamment de la nature de la référence de tension R. L’invention trouve un intérêt particulier pour former une alimentation d’un circuit intégré micro-électromécanique. Selon une première approche, le circuit 1 est intégré au circuit intégré lui-même, la capacité Ce, typiquement de forte valeur, peut être externe au circuit intégré. Dans ce cas, le circuit intégré est alimenté par la tension d’alimentation Va qui est reportée sur une broche de ce circuit intégré à laquelle le circuit 1 selon l’invention est relié. Ce circuit 1 intégré fournit la tension de référence filtrée V’ref (ou la tension utile V0) au reste du circuit intégré micro-électromécanique. Dans cette approche « intégrée » le circuit de commande Cde peut prendre une forme plus complexe, par exemple une forme numérique, que le dipôle RC proposé en exemple. Selon une seconde approche, le circuit intégré micro-électromécanique et le circuit 1 selon l’invention sont disposés sur un support de routage électrique. Dans ce cas, la tension de référence filtrée V’ref (ou la tension utile V0) est reportée sur une broche d’alimentation du circuit intégré micro-électromécanique. Le circuit 1 de l’invention étant particulièrement simple, ce support de routage peut être de dimension très réduite, moins de 1cm^2 par exemple. Dans cette approche, il peut être avantageux de former le circuit de commande Cde à partir de composants discrets. Comme on l’a présenté en introduction, un circuit conforme à l’invention trouve une application toute particulière lorsque le circuit intégré micro-électromécanique est un accéléromètre. Mais le circuit de l’invention peut être exploité pour alimenter tout type de circuit intégré, et plus généralement encore, pour fournir une tension de référence filtrée de son bruit sous une fréquence de coupure qui peut être très basse. Circuit (1) pour fournir une tension de référence filtrée (V’ref) comprenant : une référence de tension (R) recevant une tension d’alimentation (Va) et fournissant une tension de référence (Vref) ; un filtre passe-bas (F) électriquement relié à la référence de tension (R) et comprenant un étage formé d’une résistance d’étage (Re) électriquement reliée en un point milieu (M) à une capacité d’étage (Ce), la résistance d’étage (Re) et la capacité d’étage (Ce) définissant au moins en partie une constante de temps (RC) du filtre et le point milieu (M) portant la tension de référence filtrée (V’ref) ; un circuit de commutation (T) comprenant une électrode de commande, deux électrodes de conduction dont une électriquement reliée au point milieu (M), le circuit de commutation (T) présentant une résistance (Rds on) à l’état passant entre les deux électrodes de conduction dont la valeur est inférieure à la valeur de la résistance d’étage (Re) ; un circuit de commande (Cde) relié à l’électrode de commande du circuit de commutation (T) et configuré pour rendre passant le circuit de commutation (T) à la mise en route du circuit (1) pendant une période de démarrage prédéterminée, la résistance à l’état passant (Rds on) du circuit de commutation (T) se combinant à la capacité d’étage (Ce) pour élever la tension de référence filtrée (V’ref) avec une constante de temps d’établissement (RC’) inférieure à la constante de temps du filtre (RC). Circuit (1) selon la revendication précédente dans lequel la résistance d’étage (Re) et la capacité d’étage (Ce) sont choisis telles que la constante de temps (RC) du filtre soit supérieure à 1 seconde, et avantageusement supérieure à 100 secondes. Circuit (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel le circuit de commutation (T) est un transistor. Circuit (1) selon la revendication précédente dans lequel le transistor est un transistor MOSFET de type N ou P ou un transistor JFET. Circuit (1) selon la revendication 1 ou 2 dans lequel le circuit de commutation (T) est un commutateur ou un multiplexeur analogique. Circuit (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel la période de démarrage prédéterminée est inférieure à 10 secondes. Circuit (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel la résistance à l’état passant (Rds on) du circuit de commutation (T) est telle que la constante de temps d’établissement (RC’) est inférieure à 1 seconde, préférentiellement inférieure à 100 ms. Circuit (1) selon l’une des revendications précédentes dans lequel le circuit de commande (Cde) comprend un circuit série RC définissant un point milieu de commande (Mc) relié à la grille, le circuit série RC étant disposé entre une tension de commande (Va ; Vref ; V’ref ; V0) et une masse du circuit (1), le circuit série RC définissant une constante de temps de commande (RCc) supérieure ou égale à la constante de temps d’établissement (RC’). Circuit (1) selon l’une des revendications précédentes comprenant également un étage tampon (AO) recevant en entrée la tension de référence filtrée (V’ref) et fournissant une tension utile (V0). Circuit (1) selon la revendication précédente dans lequel l’étage tampon (AO) comprend un amplificateur opérationnel monté en suiveur de tension. Circuit (1) selon la revendication précédente dans lequel le filtre (F) comprend au moins un deuxième étage formé d’une résistance de deuxième étage (Re’) électriquement reliée à une capacité de deuxième étage (Ce’), la capacité de deuxième étage (Ce’) étant également électriquement reliée à une sortie du circuit (V’ref ; V0). Dispositif comprenant un circuit intégré micro-électromécanique (MEMS) et un circuit (1) selon l’une des revendications précédentes, le circuit (1) produisant une tension d’alimentation du circuit intégré micro-électromécanique (MEMS). Dispositif selon la revendication précédente dans lequel le circuit (1) est intégré au circuit intégré micro-électromécanique (MEMS). Dispositif selon la revendication 12 comprenant un support de routage électrique, le circuit intégré micro-électromécanique (MEMS) et le circuit (1) étant disposés sur le support de routage électrique. Dispositif d’alimentation selon l’une des revendications 12 à 14, dans lequel le circuit intégré micro-électromécanique (MEMS) est un accéléromètre.