FR 3112892 A1 20220128 FR 2007826 A 20200724 PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR BALAYAGE INTERROMPU D’UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE A HÉTÉROJONCTION L’invention concerne un procédé de traitement d’un empilement (10’) comprenant un substrat (11) en silicium cristallin et une couche de passivation (14) en silicium amorphe hydrogéné disposée sur le substrat (11), ledit procédé comprenant une étape d’exposition d’une face de l’empilement (10’) à un rayonnement électromagnétique (20) émis par une source de rayonnement (40), le rayonnement électromagnétique (20) étant appliqué à la face de l’empilement (10’) selon une ligne (50), l’empilement (10’) et la source de rayonnement (40) étant animés d’un mouvement relatif de translation dans une direction de déplacement (D) telle que la ligne (50) balaye la face de l’empilement (10’) en commençant par un premier bord (100a), l’étape d’exposition de la face de l’empilement (10’) au rayonnement électromagnétique (20) étant interrompue avant que la ligne n’atteigne un deuxième bord (100b) opposé au premier bord (100a). Figure de l’abrégé : Figure 6 PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR BALAYAGE INTERROMPU D’UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE A HÉTÉROJONCTION La présente invention concerne un procédé de traitement d’un empilement obtenu lors de la fabrication d’une cellule photovoltaïque à hétérojonction, afin d’améliorer et stabiliser le rendement de la cellule photovoltaïque. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Une cellule photovoltaïque à hétérojonction est un dispositif capable d’absorber le rayonnement solaire et de le convertir en énergie électrique. Un tel dispositif comprend une jonction p-n formée par la superposition de deux matériaux semi-conducteurs ayant des largeurs de bande interdite différentes, tels que le silicium cristallin et le silicium amorphe. La figure 1 représente un exemple de cellule photovoltaïque 10 à hétérojonction de silicium (SHJ). La cellule photovoltaïque 10 comprend un substrat 11 en silicium cristallin dopé et deux couches de silicium amorphe 12-13 disposées de part et d'autre du substrat 11. L’une des couches de silicium amorphe 12-13 est dopée du même type de conductivité que le substrat 11, par exemple de type n, et l'autre couche est dopée du type de conductivité opposé, c’est-à-dire de type p. L'hétérojonction est formée par le substrat 11 en silicium cristallin dopé n et la couche de silicium amorphe dopé p, cette couche formant l'émetteur de la cellule photovoltaïque. L’émetteur peut être situé en face avant ou en face arrière de la cellule photovoltaïque. La cellule photovoltaïque SHJ est particulièrement sensible aux défauts situés à l’interface entre le substrat 11 en silicium cristallin et les couches de silicium amorphe 12-13. Ces défauts peuvent être des liaisons pendantes, également appelées « dangling bonds » en anglais, ou des impuretés telles que des ions métalliques. Ils introduisent des niveaux d’énergie dans la bande interdite du silicium et augmentent le nombre de recombinaisons électron-trou aux interfaces, ce qui détériore les paramètres de sortie de la cellule photovoltaïque, tels que la tension en circuit ouvert V OC . Pour obtenir une cellule photovoltaïque performante, il est donc nécessaire de minimiser le nombre de recombinaisons en surface du substrat 11, ce qui est généralement accompli en déposant une couche de passivation 14 en silicium amorphe hydrogéné intrinsèque sur chacune des faces du substrat 11, avant la couche de silicium amorphe 12, 13. Les atomes d’hydrogène contenus dans les couches de passivation 14 diffusent jusqu’à la surface du substrat 11 et neutralisent les défauts. Chacune des couches de silicium amorphe 12-13 est par ailleurs recouverte d’une couche d’oxyde transparent conducteur (ou TCO, pour « Transparent Conductive Oxyde » en anglais) 15. Les cellules photovoltaïques SHJ sont connues pour voir leur rendement de conversion énergétique s’améliorer d’environ 0,3 % absolu sous l’action conjuguée de l’éclairement et de la température. Ce phénomène de bonification des cellules résulte de l’amélioration d’au moins une des couches de passivation 14 en silicium amorphe hydrogéné, ainsi que de l’amélioration des interfaces entre les couches de silicium amorphe 12-13 et les couches de TCO 15. Le document WO2013/001440 décrit un exemple de procédé de traitement de cellule photovoltaïque SHJ comprenant un substrat en silicium cristallin dopé n. Dans ce procédé de traitement, la cellule photovoltaïque est soumise à un flux lumineux d’irradiance supérieure ou égal à 500 W/m 2 pendant une durée d’environ 10 heures, tout en étant chauffée à une température comprise entre 20 °C et 200 °C. Une telle durée de traitement est incompatible avec la cadence des lignes de production actuelles de cellules photovoltaïques. Il est également connu que le silicium amorphe des cellules photovoltaïques SHJ se dégrade au-delà d’une température seuil, qui peut être comprise entre 190 °C et 320 °C (suivant le mode de dépôt du silicium amorphe notamment). Une telle limite de température peut être contraignante lorsque l’irradiance du flux lumineux est importante. Il existe donc un besoin de prévoir un procédé de traitement d’un empilement qui puisse être accompli à une irradiance élevée, typiquement supérieure à 1 kW/m 2 , tout en limitant la dégradation du silicium amorphe. Selon un aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un procédé de traitement d’un empilement comprenant un substrat en silicium cristallin et une couche de passivation en silicium amorphe hydrogéné disposée sur le substrat, ledit procédé comprenant une étape d’exposition d’une face de l’empilement à un rayonnement électromagnétique émis par une source de rayonnement, le rayonnement électromagnétique étant appliqué à la face de l’empilement selon une ligne, l’empilement et la source de rayonnement étant animés d’un mouvement relatif de translation dans une direction de déplacement telle que la ligne balaye la face de l’empilement en commençant par un premier bord, l’étape d’exposition de la face de l’empilement au rayonnement électromagnétique étant interrompue avant que la ligne n’atteigne un deuxième bord opposé au premier bord. Le balayage d’une ligne de rayonnement électromagnétique est une façon simple et rapide de traiter l’empilement. Il implique que la température de l’empilement n’est plus homogène sur toute la superficie de la face exposée. En effet, la température de l’empilement augmente plus la ligne s’approche du deuxième bord de la face exposée. En stoppant l’exposition avant que la ligne n’atteigne le deuxième bord, l’échauffement de l’empilement au-delà d’une température seuil dite de dégradation du silicium amorphe peut être limité à une faible portion de l’empilement, voire supprimé totalement. Ainsi, la dégradation du silicium amorphe de la première couche de passivation est évitée ou limitée à cette seule portion surchauffée. Avantageusement, l’étape d’exposition de la face de l’empilement au rayonnement électromagnétique est interrompue lorsque la ligne se situe à une distance du deuxième bord déterminée en fonction d’une température de dégradation du silicium amorphe. De préférence, l’étape d’exposition est interrompue à un instant où une portion de l’empilement atteint une température de dégradation du silicium amorphe. La température de dégradation du silicium amorphe est typiquement comprise entre 190 °C et 320 °C, par exemple sensiblement égale à 200 °C. Dans un mode de mise en œuvre préférentiel, l’étape d’exposition est interrompue à un instant où la ligne est située à une distance d du deuxième bord donnée par la relation suivante : où V est la vitesse de déplacement relatif entre l’empilement et la source de rayonnement et a , b et c sont des premier, deuxième et troisième coefficients. Selon un développement de ce mode de mise en œuvre préférentiel, le premier coefficient est compris entre 0 et 1000, de préférence entre 5 et 50, pour une vitesse de déplacement V exprimée en cm/s et une distance d exprimée en mm. Selon un autre développement, le deuxième coefficient est compris entre -10 et 0, de préférence entre -1 et -0,1. Le procédé de traitement selon l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. l’étape d’exposition de la face de l’empilement au rayonnement électromagnétique est interrompue en arrêtant la source de rayonnement ; l’étape d’exposition de la face de l’empilement au rayonnement électromagnétique est interrompue en bloquant le rayonnement électromagnétique, par exemple au moyen d’un obturateur ; la ligne balaye plus de 80 % de la face de l’empilement et moins de 100 % de la face de l’empilement ; la ligne comprend un segment de droite orienté perpendiculairement à une médiane de la face de l’empilement, la médiane passant par le premier bord et le deuxième bord ; le rayonnement électromagnétique présente une irradiance supérieure ou égale à 1 kW/m 2 , de préférence comprise entre 100 kW/m 2 et 5000 kW/m 2 ; l’empilement et la source de rayonnement sont en mouvement relatif de translation à une vitesse de déplacement comprise entre 1 cm/s et 100 cm/s, de préférence supérieure ou égale à 2 cm/s ; la ligne présente une largeur comprise entre 0,1 mm et 100 mm, de préférence comprise 1 mm et 10 mm ; l’empilement comprend en outre une couche de silicium amorphe dopé disposée sur la couche de passivation ; l’empilement comprend en outre une couche d’oxyde transparent conducteur disposée sur la couche de silicium amorphe dopé ; le substrat est en silicium cristallin dopé de type n ; le substrat présente une concentration en impuretés dopantes de type accepteur inférieure à 10 13 cm -3 , de préférence inférieure à 3.10 12 cm -3 ; et lorsque le substrat comporte des impuretés dopantes de type donneur et des impuretés dopantes de type accepteur, la concentration en impuretés dopantes de type donneur est de préférence supérieure à 50 fois la concentration en impuretés dopantes de type accepteur. Un autre aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque à hétérojonction, comprenant les étapes suivantes : former un empilement en déposant une couche de passivation en silicium amorphe hydrogéné sur un substrat en silicium cristallin ; exposer l’empilement à un rayonnement électromagnétique émis par une source de rayonnement, le rayonnement électromagnétique étant appliqué à la face de l’empilement selon une ligne, l’empilement et la source de rayonnement étant animés d’un mouvement relatif de translation dans une direction de déplacement telle que la ligne balaye la face de l’empilement en commençant par un premier bord, l’étape d’exposition de la face de l’empilement au rayonnement électromagnétique étant interrompue avant que la ligne n’atteigne un deuxième bord opposé au premier bord. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures suivantes. est une vue schématique en perspective d’un exemple de cellule photovoltaïque à hétérojonction. représente schématiquement un procédé de traitement d’un empilement selon l’invention. représente le balayage d’une face de l’empilement par une ligne de rayonnement électromagnétique, selon un aspect du procédé de traitement selon l’invention. montre la température maximale atteinte dans l’épaisseur d’un empilement pour chaque point d’une face de l’empilement, lorsque cette face est entièrement balayée par le rayonnement électromagnétique. représente l’amplitude de la surchauffe dans une portion adjacente à un bord de fuite de l’empilement, en fonction de la vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique. représente la largeur de la portion surchauffée en fonction de la vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique. représente schématiquement un mode de mise en œuvre préférentiel du procédé de traitement selon l’invention. montre la température maximale atteinte dans l’épaisseur de l’empilement pour chaque point de la face exposée, au cours d’un procédé de traitement selon la figure 6. représente les températures en deux points d’un empilement et la différence de température entre ces deux points, en fonction de la densité surfacique d’énergie apportée à l’empilement, lorsque la face de l’empilement est entièrement balayée par le rayonnement électromagnétique. représente la largeur de la portion surchauffée en fonction de la vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique, pour différentes séries de calculs. Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l’ensemble des figures. DESCRIPTION DÉTAILLÉE La figure 2 représente schématiquement un procédé de traitement d’un empilement 10’ obtenu lors de la fabrication d’une cellule photovoltaïque à hétérojonction. L’empilement 10’ comprend au moins un substrat 11 en silicium cristallin (c-Si) et une première couche de passivation 14 disposée sur une première face 11a du substrat 11. L’empilement 10’ peut être un précurseur de cellule photovoltaïque à hétérojonction, c’est-à-dire un produit intermédiaire obtenu au cours de la fabrication d’une cellule photovoltaïque à hétérojonction, ou une cellule photovoltaïque à hétérojonction finalisée (c.-à-d. prête à être interconnectée avec d’autres cellules photovoltaïques à hétérojonction). Le silicium cristallin (c-Si) du substrat 11 est de préférence dopé de type n. Seules des impuretés dopantes de type donneur (par exemple des atomes de phosphore) ont été volontairement introduites dans le silicium cristallin afin de modifier sa conductivité électrique. Outre des impuretés dopantes de type donneur, le substrat 11 peut contenir, de façon non intentionnelle (et donc à l’état de traces), des impuretés dopantes de type accepteur (telles que des atomes de bore). La concentration en impuretés dopantes de type accepteur N A du substrat 11 est avantageusement inférieure à 10 13 cm -3 , de préférence inférieure à 3.10 12 cm -3 . La concentration en impuretés dopantes de type donneur N D est de préférence supérieure à 50 fois la concentration en impuretés dopantes de type accepteur N A (ou N D /N A >50). La première couche de passivation 14 est en silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Le silicium amorphe hydrogéné de la première couche de passivation 14 est de préférence intrinsèque, c’est-à-dire non intentionnellement dopé. Le silicium amorphe hydrogéné intrinsèque permet en effet une meilleure passivation chimique des surfaces de silicium cristallin que le silicium amorphe hydrogéné dopé. En référence à la figure 2, le procédé de traitement comprend une étape d’exposition d’une face de l’empilement 10’ à un rayonnement électromagnétique 20 émis par une source de rayonnement 40. Le rayonnement électromagnétique 20 est de préférence dirigé perpendiculairement à la surface de l’empilement 10’. L’exposition de l’empilement 10’ au rayonnement électromagnétique 20 a pour effet de diminuer le nombre d’états d’interface entre le substrat cristallin 11 et la première couche de passivation 14. Autrement dit, le nombre de défauts d’interface neutralisés augmente et la qualité de la passivation s’améliore. Il en résulte une augmentation de la tension de circuit ouvert V OC et du facteur de forme (FF) de la cellule photovoltaïque, et par conséquent une augmentation de son rendement de conversion. Le rayonnement électromagnétique 20 présente une irradiance E, appelée aussi éclairement énergétique ou densité surfacique de puissance lumineuse, qui est avantageusement supérieure ou égale à 1 kW/m 2 , de préférence comprise entre 100 kW/m 2 et 5000 kW/m 2 . L’irradiance E représente la puissance du rayonnement électromagnétique reçue par une unité de surface, cette unité de surface étant orientée perpendiculairement à la direction du rayonnement électromagnétique 20. Une telle irradiance permet de diminuer la durée d’exposition au rayonnement électromagnétique 20, aussi appelé temps de traitement t, pour un même gain en rendement (la cinétique du gain en rendement augmente avec l’irradiance du rayonnement). Afin d’améliorer le rendement de conversion de la cellule photovoltaïque, il n’est pas obligatoire d’exposer plus d’une face de l’empilement 10’ au rayonnement électromagnétique 20. De préférence, toutes les régions exposées de la face de l’empilement 10’ reçoivent le rayonnement électromagnétique 20 pendant la même durée de traitement t. La source de rayonnement 40 peut être un système laser comprenant par exemple une ou plusieurs matrices de lasers, un ensemble de diodes électroluminescentes ou tout autre dispositif capable d’émettre un rayonnement électromagnétique d’une irradiance supérieure à 1 kW/m 2 . Le rayonnement électromagnétique 20 peut être monochromatique, c’est-à-dire ne présenter qu’une seule longueur d’onde, ou polychromatique, c’est-à-dire comporter plusieurs composantes (monochromatiques) de longueurs d’ondes différentes. De préférence, le rayonnement électromagnétique 20 présente au moins une longueur d’onde comprise entre 300 nm et 1100 nm, préférentiellement entre 400 nm et 1100 nm (dans cette plage, le rayonnement est absorbé au moins en partie dans le substrat en silicium cristallin), et avantageusement entre 800 nm et 1000 nm. La plage de longueur d’onde [800 nm-1000 nm] constitue un excellent compromis entre le flux de photons arrivant sur l’empilement 10’ et la probabilité que ces photons soient absorbés par le substrat. En effet, plus la longueur d’onde est grande, moins les photons sont énergétiques et plus le flux de photons reçu par l’empilement est important à une irradiance donnée. Toutefois, la probabilité d’absorption des photons diminue fortement lorsque la longueur d’onde devient supérieure à 1000 nm. Un autre avantage à privilégier les grandes longueurs d’onde (800-1000 nm) tient au fait que les photons plus énergétiques ( Lors de l’étape d’exposition, aussi appelée étape d’irradiation, l’empilement 10’ et la source de rayonnement 40 sont animés d’un mouvement relatif de translation (autrement dit, l’un se déplace par rapport à l’autre). Par exemple, l’empilement 10’ peut être placé sur un support 30 mobile en translation et la source 40 peut être fixe. Inversement, le support 30 de l’empilement 10’ peut être fixe et la source 40 mobile. L’empilement 10’ et la source 40 peuvent être également tous les deux mobiles, mais pas dans la même direction et à la même vitesse. Un tel mouvement de translation permet d’irradier une grande partie de la face de l’empilement 10’ dans le cas d’une source de rayonnement 40 ayant une surface d’irradiation inférieure à la superficie de la face de l’empilement 10’ (cas d’un système laser notamment). Il permet également d’irradier plusieurs empilements 10’ successivement, ces empilements étant par exemple disposés sur le même support 30. Dans ce cas, il pourra être considéré que les empilements 10’ défilent devant la source de rayonnement 40. Le support 30 peut notamment être un porte-substrat ou un convoyeur capable de transporter plusieurs empilements 10’ simultanément. Le support 30 peut être en outre couplé à un système de refroidissement (non représenté), afin de diminuer la température de l’empilement 10’ lors de l’étape d’exposition. Le support 30 est par exemple refroidi en faisant circuler un fluide caloporteur ou grâce à des éléments Peltier. Outre le substrat 11 et la première couche de passivation 14, l’empilement 10’ peut comprendre une deuxième couche de passivation (non représentée sur la figure 2) disposée sur une deuxième face 11b du substrat 11, opposée à la première face 11a. La deuxième couche de passivation peut être en silicium amorphe hydrogéné intrinsèque, nitrure de silicium, oxyde d’aluminium, oxyde de titane ou oxyde de silicium. A l’instar de la première couche de passivation 14, la deuxième couche de passivation contribue à réduire le nombre de recombinaisons des paires électron-trou en surface du substrat 11, augmentant ainsi le niveau d’injection dans l’empilement 10’ lors de l’étape d’irradiation (et du fonctionnement ultérieur de la cellule photovoltaïque). L’empilement 10’ peut également comprendre (en présence ou non de la deuxième couche de passivation) une première couche de silicium amorphe dopé disposée sur la première couche de passivation 14, et de façon avantageuse, une couche d’oxyde transparent conducteur disposée sur la première couche de silicium amorphe dopé. Le silicium de la première couche de silicium amorphe est dopé d’un premier type de conductivité, qui peut être identique à celui du substrat 11 (par exemple de type n dans le cas d’un substrat 11 en silicium dopé de type n) ou au contraire opposé à celui du substrat 11 (ex. de type p). L’exposition au rayonnement électromagnétique 20 a alors pour effet supplémentaire d’améliorer la qualité de l’interface entre la première couche de passivation et la première couche de silicium amorphe dopé et/ou de l’interface entre la première couche de silicium amorphe dopé et la couche d’oxyde transparent conducteur. L’empilement 10’ peut également comprendre une deuxième couche de silicium amorphe dopé disposée sur la deuxième couche de passivation. Le silicium de la deuxième couche de silicium amorphe est dopé d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. L’exposition au rayonnement électromagnétique 20 a alors pour effet supplémentaire d’améliorer la qualité de l’interface entre la deuxième couche de passivation et la deuxième couche de silicium amorphe dopé. Dans un mode de mise en œuvre du procédé de traitement, l’empilement 10’ est du type représenté sur la figure 1 et comprend : un substrat 11 en silicium cristallin, de préférence dopé n ; une première couche de passivation 14 en silicium amorphe hydrogéné (et de préférence intrinsèque) disposée sur la première face 11a du substrat 11 ; une première couche de silicium amorphe 12, disposée sur la première couche de passivation 14 et dopée d’un premier type de conductivité ; une première couche d’oxyde transparent conducteur 15 disposée sur la première couche dopée de silicium amorphe 12 ; une deuxième couche de passivation 14 en silicium amorphe hydrogéné (et de préférence intrinsèque) disposée sur la deuxième face 11b du substrat 11 ; une deuxième couche de silicium amorphe 13, disposée sur la deuxième couche de passivation 14 et dopée d’un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité ; et une deuxième couche d’oxyde transparent conducteur 15 disposée sur la deuxième couche dopée de silicium amorphe 13. Un tel empilement ou précurseur de cellule photovoltaïque à hétérojonction est qualifié d’asymétrique en raison des deux couches de silicium amorphe 12-13 dopées de types de conductivité opposés et disposées de part et d’autre du substrat 11. Le silicium amorphe de la première couche dopée 12 et/ou de la deuxième couche dopée 13 est de préférence hydrogéné. Lorsqu’un empilement du type de la figure 1 est exposé au rayonnement électromagnétique 20, une diminution de la résistance série de la cellule photovoltaïque est en outre observée. Quel que soit l’empilement utilisé, la première face 11a du substrat 11 (recouverte de la première couche de passivation 14) peut être tournée vers la source de rayonnement 40, comme cela illustré par la figure 2. Alternativement, la deuxième face 11b du substrat 11 peut être tournée vers la source de rayonnement 40. La figure 3 est une vue de dessus de l’empilement 10’, prise lors de l’étape d’exposition. La face exposée de l’empilement 10’ comprend : un premier bord 100a appelé bord d’attaque, défini comme étant le bord à passer en premier devant la source de rayonnement 40 ; un deuxième bord 100b appelé bord de fuite, opposé au premier bord 100a et défini comme étant le bord à passer en dernier devant la source de rayonnement 40 ; et des troisième et quatrième bords 100c-100d dits transversaux (bords inférieur et supérieur sur la figure) qui relient les premier et deuxième bords 100a-100b. La face exposée de l’empilement 10’ présente de préférence une forme carrée, pseudo-carrée (angles tronqués) ou rectangulaire. Le bord d’attaque 100a et le bord de fuite 100b sont ainsi parallèles entre eux, tout comme les bords transversaux 100c-100d. La source de rayonnement 40 est configurée de sorte que le rayonnement électromagnétique 20 soit appliqué à la face de l’empilement 10’ selon une ligne 50. Autrement dit, la surface de l’empilement 10’ irradiée par la source de rayonnement 40 (appelée surface d’irradiation) à un instant donné du procédé de traitement est en forme de ligne. La ligne 50 présente une largeur L qui peut être comprise entre 0,1 mm et 100 mm, de préférence entre 1 mm et 10 mm. La direction D du déplacement relatif entre l’empilement 10’ et la source de rayonnement 40 est telle que la ligne 50 balaye la face de l’empilement 10’ lors du procédé de traitement, en commençant par le bord d’attaque 100a puis en se dirigeant vers le bord de fuite 100b. La direction de déplacement D de la source de rayonnement 40 par rapport à l’empilement 10’, aussi appelée direction de balayage D, est par exemple perpendiculaire au bord d’attaque 100a et au bord de fuite 100b, comme cela est représenté sur la figure 3. La ligne 50 comprend de préférence un segment de droite orienté perpendiculairement à une médiane M de la face exposée de l’empilement 10’. La médiane M est le segment de droite qui relie les milieux du bord d’attaque 100a et du bord de fuite 100b. Elle est de préférence perpendiculaire au bord d’attaque 100a et au bord de fuite 100b. La source de rayonnement 40 est avantageusement configurée pour que la ligne 50 irradie toute la largeur de l’empilement 10’. La ligne 50 est ainsi l’intersection d’un faisceau d’ondes électromagnétiques généré par la source de rayonnement 40 avec la surface de l’empilement 10’, les rayons du faisceau étant contenus dans un plan. La vitesse V du déplacement relatif entre l’empilement 10’ et la source de rayonnement 40 est de préférence choisie de façon à traiter un empilement 10’ par balayage du rayonnement électromagnétique en un temps t court, typiquement compris entre 0,1 s et 30 s. La vitesse de déplacement V est avantageusement comprise entre 1 cm/s et 100 cm/s, et de préférence supérieure ou égale à 2 cm/s. Ce traitement par balayage est simple et rapide à mettre en œuvre. En faisant défiler en continu les empilements 10’ (précurseurs de cellule photovoltaïque ou cellules photovoltaïques) devant la source de rayonnement 40, le procédé de traitement peut être accompli à une cadence élevée, compatible avec les exigences de production industrielle des cellules photovoltaïques. A titre d’exemple, en considérant une vitesse de déplacement V comprise entre 1 cm/s et 100 cm/s et des empilements 10’ dont les faces principales mesurent 156 mm par 156 mm, le temps de traitement t d’un empilement 10’ est compris entre 0,156 s et 15,6 s. Le nombre d’empilements 10’ traités par heure peut être compris entre 200 et 25000. Le procédé de traitement peut être caractérisé par les paramètres suivants : E : l’irradiance du rayonnement électromagnétique 20 (en kW/m 2 ) ; V : la vitesse de déplacement relatif entre l’empilement 10’ et la source de rayonnement 40, aussi appelée vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique (en cm/s) ; L : la largeur de la ligne 50 (en mm) ; et e : l’épaisseur de l’empilement 10’ (en µm). La densité surfacique d’énergie Q (en kJ/m 2 ), ou énergie surfacique, reçue en tout point de la face de l’empilement par rayonnement électromagnétique est définie par la relation suivante : Les paramètres E, V et L sont de préférence choisis pour obtenir une densité surfacique d’énergie Q comprise entre 1 kJ/m 2 et 1000 kJ/m 2 , avantageusement entre 10 kJ/m 2 et 100 kJ/m 2 . Les plages de valeurs données ci-dessus pour l’irradiance E du rayonnement électromagnétique 20, la vitesse de balayage V et la largeur L de la ligne 50 sont suffisamment larges pour y parvenir. Par ailleurs, pour une combinaison des paramètres E, V et L donnée, des simulations thermiques ont montré que les niveaux de température observés dans l’empilement dépendent de son épaisseur e. Plus l’épaisseur e de l’empilement est faible et plus les températures sont élevées, car la densité volumique d’énergie absorbée augmente. Tous les résultats de simulation présentés ci-après ont été obtenus avec une épaisseur d’empilement e égale à 160 µm. La figure 4 est une cartographie de la température maximale atteinte dans un empilement 10’ (dont les faces principales sont pseudo-carrées : 156 mm x 156 mm) au cours d’un procédé de traitement selon la figure 3. Elle a été obtenue au moyen d’une simulation thermique du procédé de traitement par balayage. Dans cette première simulation, la ligne 50 balaye toute la superficie de la face de l’empilement. Autrement dit, la ligne 50 atteint le bord de fuite 100b de la face de l’empilement. L’irradiance E du rayonnement électromagnétique est égale à 216 kW/m 2 , la vitesse de balayage V est égale à 2,48 cm/s et la largeur de la ligne 50 est égale à 6 mm. La courbe isotherme T = 200 °C est représentée en traits pointillés. Cette cartographie montre que la température maximale de l’empilement au cours du traitement est supérieure à 200 °C uniquement dans une portion 61 adjacente au bord de fuite 100b de l’empilement (c.-à-d. le bord exposé en dernier au rayonnement électromagnétique 20). En dehors de cette portion 61 dite surchauffée (la température seuil considérée ici est égale à 200 °C), la température maximale de l’empilement 10’ est inférieure à 200 °C. On constate également que la température est la plus faible à proximité du bord d’attaque 100a (exposé en premier au rayonnement électromagnétique 20). La dégradation du silicium amorphe sous l’effet de la température est donc limitée à la portion surchauffée 61 située au voisinage du bord de fuite 100b. La dégradation du silicium amorphe diminue les performances de la cellule photovoltaïque à hétérojonction dans la portion surchauffée 61. La surchauffe locale près du bord de fuite 100b s’explique par la formation d’une couche limite thermique à l’avant du faisceau. Cette couche limite thermique est liée à la diffusion de chaleur et se propage dans l’empilement depuis le bord d’attaque 100a jusqu’au bord de fuite 100b. A l’approche du bord de fuite 100b, la chaleur ne peut plus se diffuser vers l’avant du faisceau, ce qui provoque la surchauffe. La figure 5A est un graphique représentant l’amplitude ΔT de la surchauffe dans la portion surchauffée 61 en fonction de la vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique. L’amplitude ΔT de la surchauffe correspond à la différence de températures entre le point le plus chaud dans la portion surchauffée 61 et le point situé au centre de la face exposée, en (x,y)=(0,0). La figure 5B est un graphique représentant la largeur δ de la portion surchauffée 61 en fonction de la vitesse de balayage du rayonnement électromagnétique. La largeur δ de la portion surchauffée 61 est mesurée depuis le bord de fuite 100b de l’empilement 10’, perpendiculairement à ce bord et sur la médiane M de la face de l’empilement (à y=0). Ces deux figures montrent que, pour une densité surfacique d’énergie donnée (ici 60 kJ/m 2 ), l’amplitude ΔT de la surchauffe et la largeur δ de la portion surchauffée 61 diminuent lorsque la vitesse de balayage augmente (à partir d’une vitesse de balayage d’environ 2 cm/s pour l’amplitude ΔT). Les résultats de simulation thermique, notamment ceux de la figure 5B, mettent en évidence que la largeur δ de la portion surchauffée 61 est principalement gouvernée par la vitesse de balayage V. La largeur δ de la portion surchauffée 61 peut être exprimée par une loi de puissance de la forme suivante : où V est la vitesse de balayage et a et b sont des premier et deuxième coefficients (et plus particulièrement des nombres réels). Afin de limiter la dégradation du silicium amorphe et la diminution des performances de la cellule photovoltaïque qui en résulte, l’exposition de la face de l’empilement 10 au rayonnement électromagnétique est interrompue avant que la ligne 50 n’atteigne le bord de fuite 100b de la face de l’empilement. La face de l’empilement 10’ peut cesser d’être irradiée à l’approche du bord de fuite 100b soit en arrêtant la source de rayonnement 40 (et donc l’émission du rayonnement électromagnétique 20), soit en bloquant le rayonnement électromagnétique 20 émis en continu (c’est-à-dire en l’empêchant d’atteindre l’empilement), par exemple au moyen d’un obturateur. Lorsque plusieurs empilements 10’ sont exposés successivement, les arrêts répétés de la source de rayonnement 40 peuvent accélérer son vieillissement, voire l’endommager. Dans ce cas, il peut être préférable d’utiliser un obturateur ou tout autre dispositif capable de bloquer le rayonnement électromagnétique 20. Le dispositif de blocage peut être intégré à la source de rayonnement 40 ou au contraire séparé et disposé entre l’empilement 10’ et la source de rayonnement 40. Avantageusement, l’étape d’exposition est interrompue lorsque la ligne 50 se situe à une distance d du bord de fuite 100b qui est déterminée en fonction d’une température seuil dite de dégradation du silicium. Cette distance peut être déterminée par une simulation thermique (préalablement à la mise en œuvre du procédé) ou par une mesure en continu de la température de l’empilement (au cours du procédé). La température de dégradation du silicium peut être comprise entre 190 °C et 320 °C, suivant le mode de dépôt du silicium amorphe. Elle est par exemple sensiblement égale à 200 °C. Par « sensiblement égale à 200 °C, on entend 200 °C à 5 % près (200 °C ± 5 %). Dans un mode de mise en œuvre préférentiel représenté schématiquement par la figure 6, l’exposition de la face de l’empilement 10’ commence à un instant t 0 et prend fin à un instant t stop lorsque la ligne 50 est située à une distance d=δ+c du bord de fuite 100b, δ étant la largeur de la portion surchauffée 61 qui serait obtenue si le balayage se poursuivait jusqu’au bord de fuite 100b et c un troisième coefficient (un nombre réel) permettant d’introduire une marge d’erreur. Autrement dit, l’exposition est interrompue juste avant l’apparition de la portion surchauffée 61. La distance d est typiquement comprise entre 0,1 mm et 100 mm. Elle est mesurée perpendiculairement au bord de fuite 100b. Le troisième coefficient c permet d’ajuster la distance d entre 0 et L cell , où L cell est la largeur de l’empilement 10’ (par exemple 156 mm), et de préférence entre 0,1 mm et 100 mm. Il peut être compris entre -δ et -δ+L cell (bornes non comprises), de préférence entre -δ+0,1 et -δ+100. Une valeur négative permet d’irradier une plus grande surface de l’empilement, avec une température de l’empilement pouvant excédent la température seuil. La relation δ(V) entre la largeur δ (en mm) de la portion surchauffée 61 et la vitesse de balayage V (en cm/s) permet de définir une loi de commande simple pour l’interruption de l’exposition. Connaissant la largeur L cell (en mm) de l’empilement 10’ à traiter, il est possible de déterminer l’instant t stop (en s) auquel l’exposition est interrompue en utilisant la relation suivante : avec t 0 (en s) l’instant auquel le faisceau irradie le bord d’attaque 100a de la face de l’empilement. La largeur L cell de l’empilement 10’ est définie comme la distance séparant le bord d’attaque 100a et le bord de fuite 100b. Elle est mesurée perpendiculairement à ces deux bords. De façon plus générale, l’exposition est avantageusement interrompue à l’instant (t stop ) où une portion de l’empilement 10 atteint la température seuil de dégradation du silicium amorphe. Ainsi, le traitement par balayage améliore les performances de la cellule photovoltaïque dans une grande portion de l’empilement tout en réduisant de façon significative la dégradation du silicium amorphe. La portion exposée au rayonnement électromagnétique occupe avantageusement plus de 80 % de la face de l’empilement 10’. La figure 7 est une autre cartographie de la température maximale atteinte dans l’empilement, obtenue par simulation thermique du procédé de traitement selon la figure 6. Dans cette deuxième simulation, l’irradiation est interrompue à une distance d du bord de fuite égale à 8 mm. Les paramètres de la simulation, à savoir l’irradiance E du rayonnement électromagnétique, la vitesse de balayage V et la largeur de la ligne 50, sont les mêmes que ceux employés dans la première simulation. Cette figure montre que la température maximale au sein de l’empilement 10’ n’excède pratiquement pas 200°. La portion surchauffée est réduite à deux zones très peu étendues près des angles tronqués. Partant du bord d’attaque 100a à environ 160 °C, la température au niveau de la médiane M augmente progressivement pour atteindre une température dite de plateau de l’ordre de 195 °C, puis diminue brusquement à environ 8 mm de bord de fuite 100b jusqu’à atteindre environ 115 °C. La portion exposée occupe dans cet exemple environ 95 % de la face de l’empilement 10’. La figure 8 montre les résultats d’autres simulations thermiques du procédé de traitement, accomplies avec le même empilement mais en faisant varier l’irradiance E du rayonnement électromagnétique entre 155 kW/m 2 et 237 kW/m 2 et la vitesse de balayage V entre 0,92 cm/s et 4,82 cm/s. Dans ces simulations, la ligne 50 balaye toute la superficie de la face de l’empilement. La température de plateau T plateau au centre de l’empilement (en x = y = 0), la température maximale T max atteinte au bord de fuite 100b et la différence de température ΔT entre la température maximale T max et la température de plateau T plateau (ΔT= T max -T plateau ) sont représentées en fonction de la densité surfacique d’énergie Q résultant des paramètres de simulation choisis. On constate que la température de plateau T plateau au centre de l’empilement (en x = y = 0) et la température maximale T max augmentent avec la densité surfacique d’énergie Q apportée à l’empilement 10’. Dans le procédé de traitement par balayage selon l’invention, il est choisi de préférence une valeur de densité surfacique d’énergie Q la plus élevée possible tout en conservant une température de plateau T plateau inférieure ou égale à la température seuil. Pour déterminer la densité surfacique d’énergie Q, il est avantageusement tenu compte de l’épaisseur e et de l’environnement de l’empilement 10’, notamment de la présence ou non d’un système de refroidissement. Une fois la densité surfacique d’énergie Q déterminée, les paramètres E, V et L sont déterminés afin d’assurer une mise en œuvre optimale du procédé de traitement. Une vitesse de balayage V élevée permet par exemple de réduire la durée de traitement t et la distance d=δ+c à laquelle l’exposition au rayonnement électromagnétique prend fin (et donc la portion de l’empilement 10’ qui n’est pas traitée). La vitesse de balayage V est avantageusement choisie supérieure ou égale à 2 cm/s. Une campagne de simulations thermiques a été menée afin de déterminer le premier coefficient a et le deuxième coefficient b de la relation δ(V) (cf. Math. 2). La campagne de simulation comprend plusieurs séries de calculs effectuées en prenant différentes valeurs pour les paramètres Q, E, V, L et e du procédé de traitement. Ces valeurs sont données par le tableau 1 ci-dessous pour chacune des séries. Série Q (kJ/m 2 ) V (cm/s) E (kW/m 2 ) L (mm) e (µm) Q1 60 de 0,1 à 100 de 10 à 10000 6 160 Q2 10 de 0,1 à 100 de 1,67 à 1670 6 160 Q3 200 de 0,1 à 100 de 33,3 à 33333 6 160 L1 60 de 0,1 à 100 de 3 à 3000 20 160 L2 60 de 0,1 à 100 de 60 à 60000 1 160 e1 52,3 2,48 216 6 de 60 à 160 M1 de 19,3 à 155 de 0,92 à 4,82 de 155 à 237 6 160 Dans chacune des séries ‘Q1’, ‘Q2’, ‘Q3’, ‘L1’ et ‘L2’, il est fait varier la vitesse de balayage V entre 0,1 cm/s à 100 cm/s. L’irradiance E est ajustée en fonction de la vitesse V selon la relation Math. 1 ci-dessus afin d’obtenir la valeur de densité Q indiquée. Pour ces cinq séries, différentes valeurs de coefficients a et b ont donc été obtenues par régression linéaire (dans un espace logarithmique). La figure 9 montre les résultats de ces cinq séries de calculs et les régressions linéaires associées. Les valeurs correspondantes des coefficients a et b, ainsi que l’erreur relative maximale entre les valeurs de δ observées dans les simulations et celles prédites par régression linéaire, sont données dans le tableau 2 ci-dessous. Série a b Erreur (%) Q1 16,2 -0,393 31 Q2 19,6 -0,343 25 Q3 13,9 -0,418 27 L1 22,8 -0,388 23 L2 14,2 -0,406 33 Les valeurs des coefficients a et b sont données pour V en cm/s et δ en mm. Pour les cinq séries, le premier coefficient a varie entre 13 et 23 environ, le deuxième coefficient b varie entre -0,34 et -0,42 et l’erreur relative maximale est inférieure à 33 %. La loi de commande ci-dessus est suffisamment simple et robuste pour être appliquée dans un procédé industriel. L’ajustement des coefficients a et b en fonction des paramètres Q et L peut être réalisé empiriquement ou à l’aide d’autres simulations numériques. De manière générale, le premier coefficient a peut être compris entre 0 et 1000, de préférence entre 5 et 50, et le deuxième coefficient b peut être compris entre -10 et 0, de préférence entre -1 et -0,1. La série de calculs ‘e1’ montre l’influence de l’épaisseur e de l’empilement 10’, dans un procédé de traitement de référence. Pour une épaisseur e variant de 60 µm à 160 µm, la largeur δ de la portion surchauffée varie de 10 %. La loi de commande définie pour une valeur e donnée peut donc être raisonnablement appliquée pour une autre épaisseur comprise dans la gamme 60 µm-160 µm. Alternativement, les coefficients a et b peuvent être ajustés en fonction de l’épaisseur e de l’empilement. Enfin, la série ‘M1’ regroupe des simulations correspondant à différentes configurations du procédé de traitement testées expérimentalement. Dans ces essais, la densité d’énergie Q est comprise entre 19,3 kJ/m 2 et 155 kJ/m 2 . L’erreur relative entre les valeurs de largeur δ simulées dans la série ‘M1’ et celles calculées par régression linéaire en utilisant les coefficients a et b obtenus pour la série ‘Q1’ (Q = 60 kJ/m²) est inférieure à 15 %. Ce résultat confirme que pour les valeurs envisagées de densité d’énergie Q et de vitesse de balayage V, l’ajustement des coefficients a et b en fonction de la densité d’énergie Q ne peut apporter qu’un gain faible sur la précision de la loi de commande. Le procédé de traitement décrit ci-dessus peut être accompli à différents stades de la fabrication d’une cellule photovoltaïque à hétérojonction. Cette cellule photovoltaïque peut être une cellule monofaciale ou bifaciale. Dans une cellule monofaciale, seule la face avant capte le rayonnement solaire. Dans une cellule bifaciale, les faces avant et arrière captent chacune une partie du rayonnement solaire. La face avant capte le rayonnement incident (i.e. direct) tandis que la face arrière capte le rayonnement diffus ou réfléchi. La face avant d’une cellule bifaciale est celle permettant d’obtenir le maximum de courant électrique lorsqu’elle est tournée vers le rayonnement incident. L’émetteur de la cellule photovoltaïque, c’est-dire la couche de silicium amorphe dopé du type de conductivité opposé à celui du substrat 11, peut être situé en face avant ou en face arrière de la cellule. De manière générale, le procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque à hétérojonction comprend (en référence à la figure 1) : le dépôt d’une première couche de passivation 14 en silicium amorphe hydrogéné (de préférence intrinsèque) sur une première face 11a d’un substrat 11 en silicium cristallin dopé ; le dépôt d’une première couche de silicium amorphe (de préférence hydrogéné) 12 dopée d’un premier type de conductivité sur la première couche de passivation 14 ; le dépôt d’une première couche d’oxyde transparent conducteur 15 sur la première couche de silicium amorphe 12 ; et la formation d’au moins une électrode de collecte 16 sur la première couche d’oxyde transparent conducteur 15 ; le dépôt d’une deuxième couche de passivation 14 sur une deuxième face opposée 11b du substrat 11 ; le dépôt d’une deuxième couche de silicium amorphe (de préférence hydrogéné) 13 sur la deuxième couche de passivation 14, la deuxième couche de silicium amorphe 13 étant dopée d’un deuxième type de conductivité opposé. La fabrication d’une cellule photovoltaïque bifaciale, telle que la cellule photovoltaïque 10 illustrée par la figure 1, comprend en outre le dépôt d’une deuxième couche d’oxyde transparent conducteur 15 sur la deuxième couche de silicium amorphe 13 et la formation d’au moins une électrode de collecte 16 sur la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur 15. L’une des deux première et deuxième couches de silicium amorphe 12-13 est dopée p et l’autre de ces couches 12-13 est dopée n. Pour ne pas complexifier le procédé de fabrication de la cellule photovoltaïque en créant une étape supplémentaire, le procédé de traitement est avantageusement intégré à une étape déjà existante. Par exemple, l’empilement comprenant le substrat 11 et la première couche de passivation 14 peut être irradié lors du dépôt de la première couche de silicium amorphe dopé 12 ou du dépôt de la deuxième couche de silicium amorphe dopé 13. De préférence, l’empilement est irradié lors du dépôt de la couche de silicium amorphe dopé p (l’amélioration de la passivation étant plus sensible que lors du dépôt de la couche de silicium amorphe dopé n). L’empilement peut être également irradié lors du dépôt de la première couche d’oxyde transparent conducteur 15 sur la première couche de silicium amorphe 12 ou, dans le cas d’une cellule bifaciale uniquement, lors du dépôt de la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur 15 sur la deuxième couche de silicium amorphe 13. L’interface entre chaque couche d’oxyde transparent conducteur et la couche de silicium amorphe dopé sous-jacente peut être ainsi améliorée. L’empilement peut être également illuminé lors de la formation des électrodes de collecte 16 sur la première couche d’oxyde transparent conducteur 15 ou, dans le cas d’une cellule bifaciale uniquement, sur la deuxième couche d’oxyde transparent conducteur 15. La formation des électrodes de collecte 16 comprend généralement deux opérations : une première opération consistant à déposer par sérigraphie une pâte métallique sur la (première ou deuxième) couche d’oxyde transparent conducteur 15 ; et une deuxième opération consistant à durcir la pâte métallique, par exemple au moyen d’un traitement thermique, afin de diminuer la résistivité des électrodes de collecte (métalliques). Cette deuxième opération de durcissement de la pâte métallique et l’étape d’illumination de l’empilement sont avantageusement accomplies simultanément. La chaleur produite par l’illumination contribue ainsi au durcissement de la pâte métallique. Comme indiqué précédemment, le procédé de traitement peut être également appliqué à une cellule photovoltaïque à hétérojonction dans son état final (après la formation des électrodes de collecte 16). Une cellule photovoltaïque bifaciale peut être irradiée indifféremment par la face avant ou pas la face arrière. En effet, ni la couche d’oxyde transparent conducteur 15, ni les électrodes de collecte 16 (présentes en face avant et en face arrière de la cellule) ne font obstacle au rayonnement électromagnétique 20. L’irradiation d’une cellule photovoltaïque monofaciale s’effectue par la face avant, la cellule comprenant en face arrière une métallisation opaque qui occupe toute la surface ou un réseau d’électrodes suffisamment dense pour bloquer la majeure partie du rayonnement électromagnétique. Le procédé de traitement peut être appliqué également à une cellule photovoltaïque à hétérojonction au sein d’un module photovoltaïque (à condition que la température du procédé de traitement soit compatible avec les éléments constitutifs du module). Le procédé de traitement selon l’invention n’est pas limité aux modes de mise en œuvre décrits ci-dessus et de nombreuses variantes et modifications du procédé de traitement apparaitront à l’homme du métier. Par exemple, le faisceau d’ondes électromagnétiques émis par la source de rayonnement peut ne pas être orienté perpendiculairement à la surface de l’empilement. En l’inclinant par rapport à la normale de la face de l’empilement, d’un angle inférieur à 90° (en valeur absolue), il est possible de faire varier la surface irradiée par le faisceau ainsi que la densité de puissance reçue par unité de surface. L’inclinaison peut être constante au cours du procédé de traitement ou être modulée au moyen d’une rotation de la source de rayonnement, par exemple de façon à réduire la densité surfacique d’énergie reçue par l’empilement en fin de balayage (c.-à-d. à l’approche de bord de fuite) et à réduire encore la distance d à laquelle l’exposition au rayonnement électromagnétique est interrompue. Enfin, le procédé de traitement est applicable à un empilement 10’ comprenant un substrat 11 en silicium cristallin dopé de type p (plutôt qu’en silicium cristallin dopé de type n). Procédé de traitement d’un empilement (10’) comprenant un substrat (11) en silicium cristallin et une couche de passivation (14) en silicium amorphe hydrogéné disposée sur le substrat (11), ledit procédé comprenant une étape d’exposition d’une face de l’empilement (10’) à un rayonnement électromagnétique (20) émis par une source de rayonnement (40), le rayonnement électromagnétique (20) étant appliqué à la face de l’empilement (10’) selon une ligne (50), l’empilement (10’) et la source de rayonnement (40) étant animés d’un mouvement relatif de translation dans une direction de déplacement (D) telle que la ligne (50) balaye la face de l’empilement (10’) en commençant par un premier bord (100a), l’étape d’exposition de la face de l’empilement (10’) au rayonnement électromagnétique (20) étant interrompue avant que la ligne n’atteigne un deuxième bord (100b) opposé au premier bord (100a). Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape d’exposition de la face de l’empilement (10’) au rayonnement électromagnétique (20) est interrompue lorsque la ligne (50) se situe à une distance du deuxième bord (100b) déterminée en fonction d’une température de dégradation du silicium amorphe. Procédé selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel l’étape d’exposition de la face de l’empilement (10’) au rayonnement électromagnétique (20) est interrompue à un instant (t stop ) où une portion de l’empilement (50) atteint une température de dégradation du silicium amorphe. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l’étape d’exposition de la face de l’empilement (10’) au rayonnement électromagnétique (20) est interrompue à un instant (t stop ) où la ligne (50) est située à une distance d du deuxième bord (100b) donnée par la relation suivante : où V est la vitesse de déplacement relatif entre l’empilement (10’) et la source de rayonnement (40) et a, b et c sont des premier, deuxième et troisième coefficients. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le premier coefficient (a) est compris entre 0 et 1000, de préférence entre 5 et 50, pour une vitesse de déplacement V exprimée en cm/s et une distance d exprimée en mm. Procédé selon l’une des revendications 4 et 5, dans lequel le deuxième coefficient (b) est compris entre -10 et 0, de préférence entre -1 et -0,1. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l’étape d’exposition de la face de l’empilement (10’) au rayonnement électromagnétique (20) est interrompue en arrêtant la source de rayonnement (40). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l’étape d’exposition de la face de l’empilement (10’) au rayonnement électromagnétique (20) est interrompue en bloquant le rayonnement électromagnétique (20), par exemple au moyen d’un obturateur. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la ligne (50) balaye plus de 80 % de la face de l’empilement (10’) et moins de 100 % de la face de l’empilement (10’). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la ligne (50) comprend un segment de droite orienté perpendiculairement à une médiane (M) de la face de l’empilement (10’), la médiane passant par le premier bord (100a) et le deuxième bord (100b). Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le rayonnement électromagnétique (20) présente une irradiance (E) supérieure ou égale à 1 kW/m 2 , de préférence comprise entre 100 kW/m 2 et 5000 kW/m 2 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l’empilement (10) et la source de rayonnement (40) sont en mouvement relatif de translation à une vitesse de déplacement (V) comprise entre 1 cm/s et 100 cm/s, de préférence supérieure ou égale à 2 cm/s. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la ligne (50) présente une largeur (L) comprise entre 0,1 mm et 100 mm, de préférence comprise 1 mm et 10 mm. Procédé de fabrication d’une cellule photovoltaïque à hétérojonction (10), comprenant les étapes suivantes : former un empilement (10’) en déposant une couche de passivation (14) en silicium amorphe hydrogéné sur un substrat (11) en silicium cristallin ; exposer l’empilement (10’) à un rayonnement électromagnétique (20) émis par une source de rayonnement (40), le rayonnement électromagnétique (20) étant appliqué à la face de l’empilement (10’) selon une ligne (50), l’empilement (10’) et la source de rayonnement (40) étant animés d’un mouvement relatif de translation dans une direction de déplacement (D) telle que la ligne (50) balaye la face de l’empilement (10’) en commençant par un premier bord (100a), l’étape d’exposition de la face de l’empilement (10’) au rayonnement électromagnétique (20) étant interrompue avant que la ligne n’atteigne un deuxième bord (100b) opposé au premier bord (100a).