FR 3119269 A1 20220729 FR 2200772 A 20220128 Une structure semi-conductrice pour applications RF comprend : - un premier transistor GaN micro-imprimé par transfert sur une plaquette ou une puce SOI ; et - une première résistance connectée à la grille dudit premier transistor. Figure de l'abrégé : Fig. 4. Impression par transfert pour applications RF La présente invention concerne l'impression par transfert pour applications RF et en particulier l'impression par micro-transfert de composants en GaN sur une plaquette SOI. La technologie GaN est relativement nouvelle par rapport à d'autres semi-conducteurs, tels que le Si et le GaAs, mais elle est devenue la technologie de choix pour les applications à haute fréquence et gourmandes en énergie, comme celles qui sont nécessaires pour transmettre des signaux sur de longues distances ou à des niveaux de puissance élevés. Les transistors GaN offrent une densité de puissance élevée, des températures de fonctionnement élevées, un meilleur rendement, une faible résistance à l'état passant, et peuvent être utilisés dans différentes bandes de fréquences allant de 1 GHz à 110 GHz. La représente le schéma de principe d'une section transversale d'un transistor GaN 2. La couche de GaN 4 est formée sur un substrat de silicium à haute résistivité (HR) 6 et une couche tampon d'AlGaN 8. Les régions n++ fortement dopées 10 du GaN sont connectées à des contacts métalliques 12 (drain et source). La grille 14 est isolée de la couche de GaN 4 par une couche mince d'AlN 16. Le GaN sur SiC combine les capacités de haute densité de puissance du GaN avec la conductivité thermique supérieure et les faibles pertes RF du SiC (carbure de silicium). Le GaN sur SiC est la combinaison de choix pour obtenir de bonnes performances RF avec une haute densité de puissance. La combinaison GaN sur Si est associée à des performances thermiques bien moindres et à des pertes RF plus élevées, mais est moins coûteuse. Le GaN sur Si est la combinaison de choix pour les applications électroniques de puissance sensibles au prix. La technologie du silicium sur isolant (SOI) est utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs, en particulier en microélectronique, pour réduire la capacité parasite grâce à une structure de substrat en couches silicium-isolant-silicium (plutôt qu'en silicium massif). La technologie CMOS SOI permet de réduire la consommation d'énergie dans le cas de circuits RF mixtes analogiques et numériques lors de la conception d'émetteurs-récepteurs RF de faible puissance grâce à ses faibles capacités de fuite. Pour obtenir certains des avantages du GaN et du SOI dans les applications à forte puissance, des tentatives ont été faites pour faire croître du GaN sur SOI en utilisant la gravure en tranchée afin d'isoler les transistors GaN. Un usinage de déformation minutieux est nécessaire pour maîtriser la contrainte s'accumulant dans la plaquette pendant la croissance. En variante, on peut utiliser l'impression par micro-transfert [1] pour transférer un dispositif GaN d'une plaquette native/source sur une plaquette de SOI cible. Au cours de ce processus, le dispositif GaN est détaché/enlevé de la plaquette native sur laquelle il a été amené à croître et est à nouveau fixé sur la plaquette de SOI. 1] R. Lener, et al., "Heterogeneous Integration of Microscale Gallium Nitride Transistors by Micro-Transfer-Printing". 2016 IEEE 66th Electronic Components and Technology Conference, pp 1186-1189. Certains aspects de la présente invention concernent des structures semi-conductrices destinées à des applications RF et des procédés de fabrication tels que présentés dans les revendications annexées. Les modes de réalisation préférés de l'invention vont être décrits ci-après à titre non limitatif d'exemple et en référence aux dessins annexés. La représente une coupe transversale schématique d'un transistor GaN sur un substrat de silicium ; La représente un schéma de principe d'une branche de commutateur hybride monolithique selon un mode de réalisation ; La représente une section transversale schématique d'une structure semi-conductrice selon un mode de réalisation, la structure comportant un transistor GaN micro-imprimé par transfert sur une plaquette SOI ; La représente la configuration d'un commutateur SPDT (Single Pole Double Throw, ou Monopolaire Bidirectionnel) utilisant des branches hybrides selon un mode de réalisation ; La représente la configuration d'un SPDT utilisant des branches de GaN pur selon un mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'une structure semi-conductrice selon un mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'une structure semi-conductrice selon un autre mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'une structure semi-conductrice selon un autre mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'un commutateur SPDT selon un mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'un commutateur SPDT selon un autre mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'un commutateur SPDT selon un mode de réalisation comportant des branches de commutation hybrides ; La représente un schéma de câblage d'un commutateur SPDT selon un autre mode de réalisation comportant des branches de commutation hybrides ; La représente un schéma de principe d'une cellule d'amplification selon un mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage comprenant un amplificateur à faible bruit selon un mode de réalisation ; La représente des graphiques figurant des paramètres S sur 2 ports simulés d'un amplificateur à bas bruit selon un mode de réalisation , portés en fonction de la fréquence ; La représente, à gauche, le facteur de bruit (NF) simulé et, à droite, le facteur K d'un amplificateur à bas bruit selon le mode de réalisation en fonction de la fréquence ; La représente les OIP3 supérieur et inférieur en fonction de la fréquence centrale d'un amplificateur à bas bruit selon le mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'une structure semi-conductrice selon un mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'une structure semi-conductrice selon un autre mode de réalisation ; La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à bas bruit présentant une structure de cascode selon un mode de réalisation ; La représente un schéma de principe d'un amplificateur à deux étages selon un mode de réalisation ; La représente le schéma électrique d'un amplificateur à deux étages ; La représente le schéma électrique d'un amplificateur à deux étages selon un mode de réalisation utilisant des transistors GaN imprimés par micro-transfert pour le deuxième étage ; La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à bas bruit selon un mode de réalisation utilisant des transistors GaN imprimés par micro-transfert ; La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à bas bruit à deux étages selon un mode de réalisation utilisant des transistors GaN imprimés par micro-transfert pour le deuxième étage ; La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à bas bruit à deux étages selon un autre mode de réalisation utilisant des transistors GaN imprimés par micro-transfert pour les premier et deuxième étages ; La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à bas bruit à N étages selon un mode de réalisation utilisant des transistors GaN imprimés par micro-transfert ; et La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à bas bruit à N étages selon un autre mode de réalisation utilisant une structure de cascode SOI et des transistors GaN imprimés par micro-transfert. Un nombre croissant d'applications exigent aujourd'hui une grande linéarité, une forte puissance, un faible facteur de bruit et une faible consommation d'énergie. Comme ces exigences sont dans la plupart des cas contradictoires, elles sont très difficiles à satisfaire dans des circuits MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit). C'est pourquoi il est courant d'utiliser des techniques du type système en boîtier (SiP) afin de loger dans un seul module plusieurs circuits intégrés issus de plusieurs technologies, pour bénéficier du meilleur de chacune d'entre elles. Les puces sont ensuite connectées les unes aux autres à l'aide de fils de connexion ou de bosses. Cette technique SiP permet une intégration au niveau système de plusieurs puces/technologies. Les modes de réalisation décrits ici permettent l'intégration monolithique des technologies GaN et SOI par impression par micro-transfert. Les dispositifs CMOS tout comme les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) sont réalisés séparément dans leurs environnements de traitement et peuvent présenter différents diamètres de plaquettes. Il s'agira de concevoir la plus grande partie du câblage par technologie SOI et de n'imprimer qu'un petit nombre de HEMT sur la partie supérieure de la plaquette SOI afin d'améliorer les performances globales du circuit RF. Un avantage de cette technique est qu'elle utilise un circuit monolithique, cela permettant d'obtenir un circuit de plus petite taille, moins coûteux et moins complexe qu'un système en boîtier. Outre la réduction de la complexité et du coût, ce procédé de conception hétérogène permet d'atteindre une meilleure maîtrise des éléments parasites et des performances. Un autre avantage est lié aux performances du transistor GaN. L'isolation verticale de la technologie GaN sur silicium existante est médiocre. L'impression par micro-transfert permet de réduire considérablement cette fuite verticale et améliore ainsi le claquage en tension des HEMT. Ce procédé de conception hétérogène permet de combiner le meilleur du GaN et du SOI. Il est ainsi possible de parvenir à un bon facteur de bruit (NF), à une bonne isolation et à de très bonnes capacités de gestion de la puissance en association avec un haut niveau d'intégration dans une seule puce. Les applications pour stations de base nécessitent des commutateurs capables de gérer une forte puissance, allant de quelques watts (W) à plus de 100 W. Certaines solutions de commutation existantes sont obtenues à l'aide de diodes PIN, qui sont capables de gérer de fortes puissances. Leur principal inconvénient est leur consommation d'énergie statique qui réduit le rendement énergétique global du système. Les transistors GaN peuvent être de sérieux candidats car ils permettent de gérer les fortes puissances, présentent une faible consommation statique (essentiellement due aux fuites de grille) ainsi qu'une bonne linéarité par rapport aux transistors MOS. Par ailleurs, le SOI est la technologie de pointe pour les applications de commutation. Les transistors MOS SOI offrent de très bonnes performances à faible puissance avec un faible RonxCoff (R on x C off , facteur de mérite, FOM, déterminant pour les commutateurs). Le SOI est une technologie rentable pour les systèmes RF sur puce (SOC) destinés à des applications allant jusqu'à 10 GHz sans perte de performances significative, ainsi que pour la réduction de la diaphonie. Pour atteindre de telles performances, il est nécessaire d'utiliser une technologie SOI évoluée permettant de maintenir une basse tension, seul inconvénient de cette technologie. La capacité de gestion de la puissance peut être améliorée par empilement de plusieurs transistors, mais elle est limitée en raison de l'effet de saturation des transistors empilés : Zhu, Y., Klimashov, O., & Bartle, D. (novembre 2014). "Analytical model of voltage division inside stacked-FET switch". Dans 2014 Asia-Pacific Microwave Conference (pp. 750-752). IEEE. Selon un mode de réalisation, l'impression par micro-transfert (µTP) de GaN sur une plaquette SOI se prête à des conceptions monolithiques avec des interconnexions plus courtes, permettant ainsi d'éviter les pertes et les transitions entre les puces et les substrats. Des interconnexions sont directement réalisées entre les deux puces empilées, à l'aide d'une couche métallique (par exemple du cuivre épais), également appelée couche de redistribution (Redistribution Layer, RDL). Lors de l'impression par micro-transfert, une ou plusieurs puces, contenant chacune un ou plusieurs dispositifs GaN, sont enlevées du substrat de silicium natif et placées sur la plaquette SOI. Certains modes de réalisation décrits ici peuvent remédier aux goulots d'étranglement des technologies SOI et GaN en les combinant à l'aide de la technologie de micro-impression. Dans un mode de réalisation, au moins certains des problèmes existants sont résolus par une branche hybride. Celle-ci se compose d'un ou plusieurs p-Hemt (transistors à haute mobilité électronique) en GaN empilés et de dispositifs MOS SOI empilés. La représente un schéma de principe d'une branche 18 de commutateur hybride monolithique. La branche 18 comporte deux transistors MOS SOI empilés 20, ou plus, connectés en série à deux p-Hemt GaN empilés 22, ou plus. Les transistors SOI empilés 20 sont commandés par un réseau de commande de grilles SOI 24 et les transistors GaN empilés sont commandés par un réseau de commande de grilles GaN 26. Dans cette configuration, le Coff est contrôlé par la valeur la plus basse (transistor SOI) et le Ron est déterminé par la valeur la plus élevée (transistor GaN). Il est possible de choisir un compromis tout en dimensionnant les deux transistors afin de parvenir à une isolation, une perte de retour et une perte d'insertion spécifiées. Le deuxième paramètre à prendre en compte est la répartition de tension entre les transistors. L'impédance du GaN est beaucoup plus faible que celle d'un transistor MOS à l'état OFF. Il est nécessaire d'utiliser des transistors MOS de grande dimension pour s'adapter à l'impédance du GaN à l'état OFF. Cette combinaison de technologies GaN et SOI permet d'améliorer les performances à faible puissance par comparaison au GaN seul et de mieux gérer les fortes puissances par comparaison au SOI seul. La représente une vue de dessus de la configuration d'un concept hybride GaN et SOI 30 et la représente à titre de comparaison une vue de dessus semblable d'un concept 32 utilisant uniquement le p-Hemt GaN (toujours micro-imprimé sur une plaquette SOI). Les deux configurations représentent des commutateurs unipolaires bidirectionnels (SPDT). La bande de fréquences de fonctionnement de ces concepts va du courant continu à 6 GHz. La puissance requise est de 47 dBm et les dimensions sont optimisées pour obtenir la perte d'insertion la plus faible à 6 GHz. La couche de cuivre épaisse supérieure 34 connecte les transistors GaN à des composants SOI. Les performances simulées des deux concepts de SPDT sont représentées dans le Tableau 1. Les performances sont établies au niveau de la puce et aucun désenrobage n'a été appliqué. Les interconnexions sont simulées à l'aide du simulateur électromagnétique Momentum de Keysight, tandis que les transistors sont soit considérés comme concept électrique pour transistors GaN, soit comme étant une vue extraite pour les transistors SOI. À l'exception des pertes de retour, la combinaison hybride présente de meilleures performances sur toutes les largeurs de bande de fonctionnement considérées. Les isolations sont améliorées de 5 dB en moyenne. Tableau 1 - Performances simulées de certains concepts de SPDT Les figures 4 à 9 représentent des schémas de câblage de modes de réalisation décrits ici. Des éléments caractéristiques semblables ou correspondants des modes de réalisation présentés dans les diverses figures ont été désignés par les mêmes références numériques pour faciliter la compréhension. La représente un transistor GaN micro-imprimé par transfert (µTP) 40 (transistor GaN micro-imprimé sur une plaquette SOI) doté d'une résistance 42 connectée à la grille du transistor 40. La résistance 42 est réalisée sur le SOI et/ou sur la puce de GaN micro-imprimé par transfert. La résistance réalisée sur la plaquette SOI peut être connectée au transistor GaN 40, après micro-impression, par une couche de redistribution épaisse (RDL) en cuivre. La représente deux transistors GaN micro-imprimés par transfert 40 en série. Les deux transistors 40 sont connectés à leurs résistances 42 respectives sur la plaquette SOI ("puce" cela désignant la puce découpée après la découpe de la plaquette). Chaque résistance 42 peut présenter des résistances identiques ou différentes. Les deux transistors 40 sont de préférence transférés sur la plaquette SOI lors d'une même étape de traitement. Le fait d'avoir deux ou plusieurs transistors GaN en série dans une branche de commutation sur une plaquette SOI peut améliorer les performances de commutation par augmentation de la tension maximale pouvant être gérée. Chaque transistor GaN micro-imprimé par transfert 40 doit pouvoir gérer une tension crête d'environ 50 V. Deux transistors en série doivent idéalement accepter une tension RF de 100 V, cela correspondant à 50 dBm/100 W (avec une charge de 50 Ω). Il peut être avantageux de disposer d'une certaine marge sur la tenue en puissance, et un ou plusieurs autres transistors peuvent en outre être ajoutés en série pour diminuer la tension drain-source aux bornes des deux premiers transistors. Il est possible d'augmenter la puissance admissible en empilant davantage de transistors GaN. La représente un transistor GaN micro-imprimé par transfert 40 en série avec un ou plusieurs transistors SOI 44. La grille du transistor GaN 40 est connectée à une résistance 42 et les grilles et les corps des transistors SOI sont connectés à leurs résistances 42 respectives. Les résistances 42 connectées aux transistors SOI 44 sont réalisées sur SOI. La résistance 42 connectée au transistor GaN 40 peut être réalisée soit en GaN soit en SOI. Le transistor GaN 40 peut être connecté à la résistance SOI 42 et aux transistors SOI 44 par une couche RDL en cuivre épais. La représente un schéma de câblage d'un commutateur SPDT 46 selon un mode de réalisation. Les deux branches de commutation 48 et 50 sont connectées au port RF 1 52 et au port RF 2 54, respectivement, et à une antenne 56. Chaque branche comprend trois transistors GaN micro-imprimés par transfert 40 en série. Toutes les grilles sont connectées à une résistance 42 en parallèle avec une diode 58. Le but de la résistance 42 est d'éviter toute fuite RF du drain ou de la source vers la grille, ainsi que d'avoir un nœud RF flottant au niveau de la grille afin que le niveau de puissance de la grille se déplace en synchronisme avec le drain ou la source. Le but de la diode 58 est d'établir un trajet pour le courant continu de grille GaN micro-imprimé par transfert. Sans cette diode 58, le courant continu de grille conduirait à une chute de tension aux bornes de la résistance de grille Rg et la tension réellement appliquée à la grille constituerait la polarisation continue modifiée par cette chute de tension. Cela pourrait poser un problème dans l'état OFF dans lequel le courant continu de grille n'est pas négligeable. La tension de grille peut être modifiée de manière significative par cette chute de tension, de sorte que les transistors 40 peuvent être moins ouverts que prévu. Toutes les grilles sont polarisées à l'aide d'un bloc de polarisation 60, qui délivre une tension négative pour faire passer le commutateur à l'état OFF. Les commutateurs GaN micro-imprimés par transfert sont normalement à l'état ON, de sorte que l'application de la masse à la grille est suffisante pour le faire passer à l'état ON. Un bloc de polarisation 62 est utilisé pour délivrer la bonne tension continue à la bonne grille. D'autres architectures peuvent avoir 1, 3 ou 4 bras/branches, etc. connectés à des ports RF respectifs. La représente un schéma de câblage semblable à celui de la , mais ne comportant que deux transistors GaN micro-imprimés par transfert 40 dans chaque branche de commutation 48 et 50. Chaque grille des transistors 40 est connectée à une résistance 42 en parallèle avec une diode 58. La représente un schéma de câblage d'un commutateur SPDT 46 comportant des branches hybrides 64 et 66. Chaque branche comprend un transistor GaN micro-imprimé par transfert 40 et des transistors SOI empilés 44. Un deuxième bloc de polarisation 68 et un deuxième circuit d'attaque de commutation 70 sont utilisés pour commander les transistors SOI 44, bien que dans d'autres modes de réalisation, un seul bloc de polarisation et un seul circuit d'attaque de commutation puissent être utilisés pour commander la totalité des transistors GaN 40 et des transistors SOI 44. La représente un schéma de câblage d'un commutateur SPDT 46 semblable, mais avec deux transistors GaN micro-imprimés par transfert 40 en série dans chaque branche 64 et 66. Bien que chacune des figures 7 à 10 illustre une architecture à deux branches de commutation, ces concepts peuvent être étendus afin qu'ils comprennent des branches de commutation supplémentaires. À titre d'exemple, un mode de réalisation peut comprendre quatre ports RF, dont chacun est connecté à une branche de commutation comprenant un ou plusieurs transistors GaN micro-imprimé par transfert. L'architecture peut être généralisée à un commutateur NPMT (avec N antennes et M ports RF, c'est-à-dire N Pôles et M Directions). Un mode de réalisation comprend un amplificateur à faible bruit utilisant une intégration hétérogène de la technologie GaN avec la technologie SOI pour améliorer la linéarité du circuit. La représente une cellule 74 qui peut être utilisée dans un amplificateur à bas bruit selon un mode de réalisation pour amplifier un signal RF. La cellule 74 comprend un transistor nMOS SOI 76 à source commune en série avec un HEMT GaN micro-imprimé par transfert 78 à grille commune formant une structure de cascode (ayant un transistor à source commune directement en série avec un transistor à grille commune). Un avantage de cette topologie est l'amélioration de la linéarité globale de la technologie SOI grâce à l'utilisation d'un HEMT GaN discret. Ces transistors GaN micro-imprimés par transfert sont capables d'accepter une tension d'alimentation élevée, principale faiblesse des transistors à base de silicium. Cela permet à la structure de développer une puissance de sortie plus élevée et donc un IP3 plus important (le FOM est utilisé pour caractériser la linéarité de l’amplificateur à bas bruit). Le HEMT GaN est en outre utilisé en tant que cascode car l'IP3 d'un système composé de n étages en cascade est imposé par le dernier étage, comme représenté dans l'équation 1. (1) C'est pourquoi l'utilisation du GaN comme transistor cascode permet d'améliorer les caractéristiques de linéarité de l’amplificateur à bas bruit (OIP3, Point d'Interception de Sortie d'ordre trois) par rapport à l'utilisation d'un amplificateur à bas bruit tout SOI. Une autre raison d'utiliser cette cellule hétérogène 74 est que cela assure une faible consommation d'énergie continue par rapport aux concepts en GaN pur. La technologie SOI permet d'obtenir une faible fuite ainsi qu'un transistor MOS à faible courant, cela pouvant être particulièrement avantageux pour cette application. La représente un concept d’amplificateur à bas bruit 80. Celui-ci utilise une architecture d’amplificateur à bas bruit dégénérée comprenant la cellule 74 avec le transistor SOI 76 et le transistor GaN micro-imprimés par transfert 78 représenté sur la et utilisé en tant que cellule d'amplification. Les différentes parties passives et actives sont implantées sur une carte de circuit imprimé PCB 84, formée sur du SOI 82 (composants SOI natifs), ou micro-imprimée (pour le transistor GaN micro-imprimé par transfert 78). La puce SOI peut être montée par retournement de puce sur une carte PCB à des fins de caractérisation. L’amplificateur à bas bruit peut satisfaire à la norme 5G NR (en dessous de 6 GHz). La bande de fonctionnement va de 5,9 GHz à 7,1 GHz et correspond à une bande non autorisée aux États-Unis. La tension d'alimentation est fixée à 5,5 V et correspond à la tension type d'une station de base. La tension de grille du transistor à source commune est réglée pour être conforme à la spécification IP3 de 28 dBm sur toute la bande. La tension de polarisation de grille commune est ensuite ajustée de manière à ce que la tension de drain du nMOS soit fixée à 1,2 V, c'est-à-dire sa valeur type. Le circuit a été simulé et les résultats de simulation du paramètre S sont représentés sur la , et les facteurs NF 86 et K 88, sur la . La consommation électrique en continu était de 165 mW. L'entrée et la sortie sont bien adaptées à 50 Ω dans la bande. L'amplificateur présente un gain maximal de 16,6 dB dans la bande et une isolation minimale de -26 dB. L'amplificateur est inconditionnellement stable jusqu'à 10 GHz. NF est inférieur à 1,7 dB dans la bande avec un minimum de 1,24 dB à 6,8 GHz. Les résultats simulés pour OIP3 sont présentés sur la . La puissance des deux tonalités fondamentales d'entrée a été fixée à -30 dBm avec une séparation entre tonalités de 1 MHz. L'OIP3 supérieur 90 et l'OIP3 inférieur 92 sont supérieurs à 28 dBm de 6,35 GHz à 7,1 GHz. L'OIP3 maximum est de 30,6 dBm à 6,8 GHz. L'ensemble des performances ainsi que les spécifications sont résumées dans le Tableau 2 et données à 6,5 GHz, c'est-à-dire en milieu de bande. Tableau 2 - Résumé des performances en CC, pour petits signaux (SP) et bruit (NF) Le Tableau 3 compare le concept d’amplificateur à bas bruit à des produits existants. Les performances sont équivalentes, à l'exception de la consommation électrique qui est réduite d'un facteur 3 par rapport à des dispositifs analogiques et d'un facteur 5 par rapport au Qorvo [3]. La taille de la puce n'est pas représentative car il s'agit d'un démonstrateur. Tableau 3 - Comparaison à des dispositifs existants Tableau 3 suite Puce HMC982A : amplificateur faible bruit MMIC GaAs, 3,5-7,0 GHz Fiche Technique, https://www.analog.com/en/products/hmc392a-die.html#product-documentation Fiche Technique Préliminaire du Produit TGA2611 2-6GHz GaN LNA (LNA : amplificateur à bas bruit), https://w ww.qorvo.com/products/p/TGA2611 La technique de la micro-impression permet la co-intégration de différentes technologies au niveau de la puce. Les performances du circuit peuvent être améliorées tout en conservant sa petite superficie. La représente une cellule 94 destinée à un amplificateur à bas bruit ou à un PA comportant deux p-Hemt GaN micro-imprimés par transfert 96 en série sur une plaquette/puce SOI. Les transistors GaN micro-imprimés par transfert peuvent se trouver sur une même micropuce ou sur des micropuces séparées. La représente une cellule 94 destinée à un amplificateur à bas bruit comportant un p-Hemt GaN micro-imprimé par transfert 96 doté d'une inductance 98 connectée à sa source. L'inductance 98 est réalisée sur la plaquette SOI et connectée au HEMT GaN par RDL. La représente un schéma de câblage d'un concept d’amplificateur à bas bruit 80 comprenant une cellule cascode 74 comportant un transistor SOI 76 en série avec un p-Hemt GaN micro-imprimé par transfert 78 et un linéariseur 100 entre les deux transistors pour améliorer la linéarité. La diode en série avec la capacité en parallèle avec la résistance permet de générer un courant non linéaire à la fréquence d'intermodulation d'ordre trois pour annuler la composante de drain MOS à la même fréquence. Le linéariseur 100 est réalisé sur la plaquette SOI. Un autre concept d’amplificateur à bas bruit permettant de respecter la norme pour ondes millimétriques 5G est décrit ci-après. Il est conçu à l'aide de deux étages 102 et 104 en cascade, comme illustré sur la . L'IP3 du système global lors de la mise en cascade de n étages est imposé par le dernier étage, comme l'exprime l'équation 1. L'utilisation du GaN pour l’amplificateur à bas bruit 104 du deuxième étage améliorera ainsi les performances de linéarité de l’amplificateur à bas bruit (IIP3 et CP1) par rapport à l'utilisation d'un amplificateur à bas bruit tout SOI. Pour le premier étage 102, un transistor SOI peut être utilisé pour tirer profit de ses bonnes performances en matière de bruit. Pour évaluer l'avantage qu'il y a à utiliser le GaN dans le deuxième étage, deux circuits ont été conçus à 28 GHz : • Le premier utilise une architecture tout SOI pour les premier et deuxième étages. • Pour le deuxième concept, un transistor GaN a été utilisé pour le deuxième étage. Les schémas des deux amplificateurs à bas bruit sont représentés respectivement sur les figures 20a et 20b. Sur la , deux étages 106 et 108 montés en cascode ont été mis en cascade pour le circuit tout SOI. En ce qui concerne l’amplificateur à bas bruit hétérogène de la , le premier étage 110 est en cascode. Comme la tension drain-source nominale du transistor GaN 112 doit être supérieure à celle des transistors SOI, le deuxième étage 114 est conçu en utilisant une architecture à source commune. L'objectif est d'utiliser la même alimentation que le premier étage 110. Les performances simulées en CC, pour les petits signaux (SP) et le bruit (NF) des deux versions de l’amplificateur à bas bruit sont résumées dans le Tableau 4. Les performances sont semblables entre les deux versions et ces dernières satisfont toutes deux aux spécifications (c'est-à-dire aux exigences de la norme 5G). Tableau 4 - Performances en CC, pour les petits signaux (SP) et le bruit (NF), de deux versions de l’amplificateur à bas bruit Deux facteurs de mérite sont utilisés pour quantifier la linéarité des circuits : • Point de compression d'entrée CP1. • Troisième point d'interception d'entrée IP3. L'utilisation du transistor GaN 112 dans le deuxième étage 114 améliore ces paramètres de près de 10 dB. Le CP1 simulé de la solution hétérogène est d'environ -13 dBm contre -21 dBm pour l’amplificateur à bas bruit tout SOI. En ce qui concerne l'IP3, la simulation a donné 6 dBm pour l’amplificateur à bas bruit hétérogène et -10 dBm pour la version tout SOI. L’amplificateur à bas bruit conçu avec le transistor GaN micro-imprimé par transfert a été comparé à d'autres amplificateurs à bas bruit conçus à l'aide de technologies différentes et présentant des capacités d'intégration élevées (CMOS et SiGe). Comme on peut le voir dans le Tableau 5, l’amplificateur à bas bruit décrit ici présente une meilleure linéarité grâce à l'utilisation du transistor GaN sur SOI, avec des performances comparables pour les autres paramètres. Tableau 5 - Comparatif des amplificateurs à bas bruit J. Luo, et al. "A 28 GHz LNA using defected ground structure for 5G application". Microw Opt Technol Lett. 2018;60:1067-1318. M. Elkholy, et al. "A Wideband Variable Gain LNA With High OIP3 for 5G Using 40-nm Bulk CMOS". 2017 IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS. E. Adabi, B. Heydari, M. Bohsali, et A. M. Niknejad, "30 GHz CMOS low noise amplifier," in Proc. IEEE Radio Freq. Integr. Circuits (RFIC), juin 2007, p. 625-628. Q. Ma, D. M. W. Leenaerts, et P. G. M. Baltus, "Silicon-based truetime-delay phased-array front-ends at Ka-band," IEEE Trans. Microw. Theory Techn. vol. 63, no. 9, pp. 2942-2952, septembre 2015. La représente un schéma de câblage d'un LNA 116 selon un mode de réalisation. L’amplificateur à bas bruit 116 comprend un transistor GaN micro-imprimé par transfert 112 sur SOI connecté à d'autres composants SOI. La source du transistor GaN est connectée à une inductance 118 réalisée sur la plaquette SOI. La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à deux étages 120 comprenant deux amplificateurs à bas bruit connectés 116 et 122. Le premier amplificateur à bas bruit 122 (premier étage) comprend deux transistors SOI 124 dans une structure de cascode et le deuxième amplificateur à bas bruit 116 (deuxième étage) comprend un transistor GaN micro-imprimé par transfert 112 en source commune. Le deuxième amplificateur à bas bruit 116 est équivalent à celui représenté sur la . Un bloc de polarisation 126 unique réalisé sur la plaquette SOI est utilisé pour alimenter les deux étages 116 et 122. Les deux étages 116 et 122 utilisent de préférence la même alimentation électrique. La représente un schéma de câblage d'un autre amplificateur à deux étages 120 comprenant deux amplificateurs à bas bruit 116 connectés sur une plaquette/puce SOI. Les deux amplificateurs à bas bruit comprennent un transistor GaN micro-imprimé par transfert 112 respectif en source commune. La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à N étages 124 (avec N > 2 étages d'amplification) selon un mode de réalisation. Trois amplificateurs à bas bruit 116a,b,c sont représentés et une ligne pointillée entre la sortie du deuxième amplificateur à bas bruit 116b et l'entrée du troisième amplificateur à bas bruit 116c indique un nombre arbitraire d'autres amplificateurs à bas bruit connectés entre ceux-ci. Chaque étage d'amplification peut être réalisé à partir d'un amplificateur à bas bruit tel que celui illustré . Chaque amplificateur à bas bruit comprend un transistor GaN micro-imprimé par transfert 112. Chaque amplificateur à bas bruit 116a,b,c peut être alimenté par la même alimentation électrique ou par des alimentations électriques distinctes. Le bloc de polarisation 126 et les autres composants du circuit sont réalisés directement sur la plaquette SOI. La représente un schéma de câblage d'un amplificateur à N étages semblable à celui de la , mais dans lequel le premier étage comprend une structure de cascode SOI 122 avec des transistors SOI 124. Bien que des modes de réalisation spécifiques de l'invention aient été décrits ci-dessus, il est à noter que l'invention peut être mise en pratique autrement que de la manière décrite ici. Les descriptions présentées ci-dessus sont fournies à titre non limitatif d'illustration. Il apparaîtra clairement à l'homme du métier que des modifications peuvent être apportées à l'invention telle qu'elle est décrite sans s'écarter de la portée des revendications annexées. Chaque élément caractéristique divulgué ou illustré dans le présent fascicule peut être incorporé à l'invention, seul ou en combinaison appropriée avec toute autre caractéristique divulguée ou illustrée ici. Structure semi-conductrice pour l'amplification d'un signal RF, comprenant : - un premier amplificateur à bas bruit sur une plaquette SOI ; et - un deuxième amplificateur à bas bruit sur la plaquette SOI connecté audit premier amplificateur à bas bruit , ledit deuxième amplificateur à bas bruit comprenant un transistor GaN micro-imprimé par transfert. Structure semi-conductrice selon la revendication 1, dans laquelle ledit premier amplificateur à bas bruit comprend une structure de cascode comprenant un premier et un deuxième transistor en série. Structure semi-conductrice selon la revendication 2, dans laquelle ledit premier et/ou ledit deuxième transistor est un transistor SOI réalisé sur la plaquette SOI. Structure semi-conductrice selon la revendication 3, dans laquelle ledit premier amplificateur à bas bruit comprend un transistor GaN micro-imprimé par transfert. Structure semi-conductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un ou plusieurs amplificateurs à bas bruit supplémentaires sur la plaquette SOI, connectés les uns aux autres de manière à amplifier un signal RF appliqué audit premier amplificateur à bas bruit lors de l'utilisation. Structure semi-conductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les premier et deuxième amplificateurs à bas bruit sont alimentés par la même alimentation électrique. Structure semi-conductrice selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une couche de colle confinée entre une couche en GaN dudit transistor GaN micro-imprimé par transfert et ladite plaquette ou ladite puce SOI. Procédé de fabrication d'une structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, à l'aide d'un traitement de micro-impression par transfert.