FR 3102886 A1 20210507 FR 1912220 A 20191030 Dispositif optoélectronique La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant : un émetteur (100), et un récepteur (102), de rayonnements lumineux ; et au moins une première couche (116), opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur, recouvrant le récepteur (102) et l'émetteur (100), le récepteur (102) et l'émetteur (100) étant séparés par une région (116) de matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif optoélectronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques, et plus particulièrement, les dispositifs comprenant un récepteur et un émetteur de rayonnements lumineux. De nombreux dispositifs électroniques comprennent un émetteur de rayonnements lumineux et un récepteur configuré pour recevoir les rayonnements émis par l'émetteur. Il s'agit par exemple de capteurs de temps de vol (TOF – Time Of Flight) ou d'interrupteurs optiques. Un capteur de temps de vol permet de mesurer une distance entre le capteur et un élément d'une scène. Pour ce faire, le capteur de temps de vol illumine la scène par un rayonnement lumineux, et calcule le temps que ce rayonnement prend pour effectuer le trajet entre l’élément et le capteur. Le temps de vol de ce rayonnement est directement proportionnel à la distance entre le capteur et l’objet de la scène dont la distance au capteur est mesurée. Un interrupteur optique passe par exemple d'un état à un autre lorsque la distance entre l'interrupteur et un objet de la scène est inférieure à une certaine distance. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant : un émetteur, et un récepteur, de rayonnements lumineux ; et au moins une première couche, opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur, recouvrant le récepteur et l'émetteur, le récepteur et l'émetteur étant séparés par une région de matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur. Selon un mode de réalisation, la région de matériau opaque est une partie de la première couche. Selon un mode de réalisation, le récepteur et l'émetteur sont chacun recouverts d'une deuxième couche en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur, une des deuxièmes couches étant située entre l'émetteur et la première couche et l'autre des deuxièmes couches étant située entre le récepteur et la première couche. Selon un mode de réalisation, la première couche comprend une ouverture en regard du récepteur et une ouverture en regard de l'émetteur. Selon un mode de réalisation, un filtre est situé sur chaque deuxième couche, les ouvertures étant situées en regard d'un filtre. Selon un mode de réalisation, un filtre est situé dans chaque ouverture. Selon un mode de réalisation, la région de matériau opaque remplit l'espace entre les deuxièmes couches. Selon un mode de réalisation, le récepteur est configuré pour recevoir au moins une partie des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant : la formation sur un support d'un émetteur, et d'un récepteur, de rayonnements lumineux ; et la formation d'une première couche, opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur, recouvrant le récepteur et l'émetteur, l'émetteur et le récepteur étant séparés par une région de matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation de deuxièmes couches en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur séparées l'une de l'autre, une des deuxièmes couches recouvrant l'émetteur et l'autre deuxième couche recouvrant le récepteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend le remplissage de l'espace entre les deuxièmes couches par un matériau opaque. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation de la première couche, maintenue sensiblement plane au-dessus des deuxièmes couches. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend le pressage d'un moule sur la première couche de manière à ce que la première couche recouvre de manière conforme les deuxièmes couches. Selon un mode de réalisation, la première couche est étirable. Selon un mode de réalisation, la première couche est formée par pulvérisation. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la figure 2 représente une étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 3 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 4 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 5 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 6 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la figure 7 représente une étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 6 ; la figure 8 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 6 ; la figure 9 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la figure 10 représente une étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 9 ; la figure 11 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 9 ; et la figure 12 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 9. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les applications possibles du dispositif ne sont pas détaillées. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La figure 1 représente un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 10. Le dispositif 10 est par exemple un capteur de temps de vol ou un interrupteur optique. Le dispositif 10 comprend un émetteur 100 de rayonnements lumineux et un récepteur 102 de rayonnements lumineux. Les rayonnements émis par l'émetteur 100 sont par exemple des rayonnements infrarouges, par exemple des rayonnements ayant une longueur d'onde supérieure à 700 nm. Le récepteur 102 est configuré pour recevoir au moins une partie des rayonnements émis par l'émetteur 100. Par exemple, le récepteur 102 et l'émetteur 100 comprennent un circuit non représenté, ou sont reliés à un circuit non représenté, configuré pour déterminer la distance d'un élément d'une scène à partir du temps entre l'émission des rayonnements par l'émetteur 100 et leur réception par le récepteur 102. Le dispositif 10 comprend un support 104, par exemple au moins partiellement en un matériau isolant électriquement. L'émetteur 100 et le récepteur 102 sont situés sur le support 104. L'émetteur 100 et le récepteur 102 sont fixés sur le support 104. Dans le mode de réalisation de la figure 1, des plots conducteurs 106, par exemple des plots métalliques, sont situés sur la face supérieure du support (104). Les plots 106 sont par exemple reliés entre eux et/ou à d'autres composants électroniques, par exemple, par l'intermédiaire de vias conducteurs (non représentés) et de niveaux de métallisations (non représentés) situés dans le support 104. Les plots 106 sont par exemple reliés entre eux et/ou à d'autres composants électroniques, par exemple, par l'intermédiaire de pistes conductrices situées sur la face supérieure du support 104. Le récepteur 102 et l'émetteur 100 sont, dans l'exemple de la figure 1, chacun situé sur un plot conducteur 106 désigné en figure 1 par la référence 106a. Par exemple l'émetteur 100 et le récepteur 102 sont chacun fixé sur un plot conducteur 106a par une couche de fixation 108, par exemple une couche de colle. De préférence, la couche de fixation 108 est une couche conductrice. L'émetteur 100 et le récepteur 102 sont par exemple reliés à un ou plusieurs autres plots conducteurs 106b, par exemple par une connexion filaire, par exemple par des fils électriques. Une couche 110 recouvre l'émetteur 100. La couche 110 est en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. La couche 110 est de préférence en un matériau isolant électriquement. Par matériau transparent à une longueur d'onde, on désigne un matériau laissant passer au moins 90 % des rayonnements de cette longueur d'onde. Une couche 112 recouvre le récepteur 102. La couche 112 est, comme la couche 110, en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. La couche 112 est de préférence en un matériau isolant électriquement. Par exemple, les couches 110 et 112 sont en une résine. La couche 110 (respectivement la couche 112) recouvre, par exemple, l'émetteur 100 (respectivement le récepteur 102), le plot conducteur 106a sur lequel est fixé l'émetteur 100 (respectivement le récepteur 102), et le cas échéant des plots conducteurs reliés à l'émetteur 100 (respectivement au récepteur 102). Les couches 110 et 112 sont séparées. La couche 110, recouvrant l'émetteur 100, est distincte de la couche 112, recouvrant le récepteur 102. Il y a donc un espace 114 entre les couches 110 et 112. Les couches 110 et 112 sont par exemple séparées d'une distance supérieure ou égale à environ 200 µm. Chaque couche 110 ou 112 a par exemple une forme de parallélépipède chanfreiné. Plus précisément, chaque couche 110 ou 112 comprend par exemple une face supérieure sensiblement horizontale et des faces latérales sensiblement verticales, les faces latérales et la face supérieure étant reliées par des faces inclinées. De préférence, les angles externes entre la face supérieure et les faces inclinées et entre les faces inclinées et les faces latérales sont strictement inférieurs à 90°, de préférence compris entre 20° et 70°. A titre de variante, les couches 110 et 112 peuvent avoir une forme différente. De préférence, les couches 110 et 112 ne comprennent que des angles externes entre leurs différentes faces strictement inférieurs à 90°. A titre de variante, les angles entre la face supérieure et les faces inclinées et entre les faces inclinées et les faces latérales sont arrondis. De préférence, les faces supérieures des couches 110 et 112 sont sensiblement coplanaires. Les couches 110 et 112 sont recouvertes d'une couche 116. La couche 116 s'étend sur les faces latérales, supérieures et inclinées des couches 110 et 112. De préférence, la couche 116 recouvre aussi la face supérieure du support 104 dans l'espace 114, entre les couches 110 et 112. La couche 116 est dans un matériau opaque au moins aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. Par un matériau opaque à une longueur d'onde, on entend un matériau laissant passer moins de 0,001 % des rayonnements de cette longueur d'onde. La couche 116 est par exemple en un matériau à base de poly(éthylène-co-tétrafluoroéthylène). La couche 116 a par exemple une épaisseur supérieure ou égale à 50 µm, de préférence supérieure ou égale à 100 µm. La couleur de la couche 116 est choisie de manière à s'assurer de l'opacité de la couche 116 aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. L'épaisseur de la couche 116 est par exemple suffisamment faible pour ne pas remplir l'espace 114 entre les couches 110 et 112. La couche 116 comprend deux ouvertures 118. La couche 116 comprend une ouverture 118a en regard de l'émetteur 100 et une ouverture 118b en regard du récepteur 102. Les positions et les dimensions des ouvertures 118 sont telles que les rayonnements lumineux émis par l'émetteur 100 peuvent traverser l'ouverture 118a et peuvent atteindre le récepteur par l'ouverture 118b. De préférence, les couches 110 et 112 sont entièrement recouvertes par la couche 116, à l'exception des ouvertures 118. De préférence, les ouvertures 118 comprennent chacune un filtre 120. L'ouverture 118a comprend un filtre 120a et l'ouverture 118b comprend un filtre 120b. Chacun des filtres 120 s'étend de préférence dans toute l'ouverture 118 correspondante. De préférence, chaque filtre 118 remplit entièrement l'ouverture dans laquelle il est situé. Les filtres 120 sont par exemple dans un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. Les filtres 120 ont par exemple une épaisseur comprise entre 2 et 8 µm, de préférence égale à environ 5 µm. Les dimensions horizontales des filtres sont par exemple comprises entre environ 250 µm et 500 µm. Par exemple, les dimensions horizontales du filtre 120a sont égales à environ 400 µm et les dimensions horizontales du filtre 120b sont égales à environ 300 µm. A titre de variante, l'épaisseur de la couche 116 et la distance entre les couches 110 et 112 sont telles que l'espace 114 est rempli par le matériau de la couche 116. A titre de variante, la couche 116 peut comprendre deux couches distinctes, une première couche recouvrant la couche 110 à l'exception de l'ouverture 118a, et une deuxième couche recouvrant la couche 112 à l'exception de l'ouverture 118b. Les première et deuxième couches sont, par exemple, séparées au niveau de l'espace 114 entre les couches 110 et 112. A titre de variante, l'émetteur 100 et le récepteur 102 peuvent être fixés au support par d'autres moyens, et reliés entre eux et/ou à d'autres composants, par d'autres moyens. L'homme du métier saura mettre en oeuvre ces autres moyens en maintenant les couches 110 et 112 entièrement entourées de matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur, à l'exception des ouvertures 118. Les figures 2 à 5 représentent des étapes, de préférence successives, d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif de la figure 1. Les figures 2 à 5 décrivent la fabrication d'un unique dispositif 10. En pratique, les dispositifs 10 sont fabriqués par plaquette, c'est-à-dire qu'une pluralité de dispositifs 10 est fabriquée simultanément sur une même plaquette. La pluralité de dispositifs 10 forme par exemple une matrice de dispositifs. Les dispositifs 10 sont par exemple séparés les uns des autres d'une distance supérieure ou égale à environ 250 µm. Les étapes décrites en relation avec les figures 2 à 5 sont effectuées simultanément à plusieurs endroits de la plaquette. La figure 2 représente une étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, les plots conducteurs 106 sont formés sur le support 104. De même, les moyens de liaison des plots conducteurs, c'est-à-dire des vias et des métallisations situées dans le support 104 et/ou des pistes conductrices situées sur le support 104, sont formés. L'émetteur 100 et le récepteur 102, ayant été fabriqués précédemment, sont ensuite fixés aux plots 106a. Par exemple, l'émetteur 100 et le récepteur 102 sont fixés aux plots 106a par les couches de fixation 108 déposées sur les plots 106a. Des connexions peuvent aussi être formées entre l'émetteur 100 et des plots 106b, et entre le récepteur 102 et des plots 106b. Ces connexions sont par exemple faites comme décrit précédemment, par exemple par des fils électriques reliant l'émetteur 100 ou le récepteur 102 et les plots 106b. La figure 3 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, les couches 110 et 112 sont formées, respectivement sur l'émetteur 100 et sur le récepteur 102. Les couches 110 et 112 sont par exemple en résine transparente aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. Les couches 110 et 112 sont par exemple formées en formant un moule autour de l'émetteur et du récepteur et en le remplissant de résine, de manière à obtenir la forme décrite en relation avec la figure 1. La figure 4 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, une couche 20, comprenant la couche 116 et les filtres 120, est formée sur la structure résultant de l'étape précédente. La couche 116 est, comme décrit précédemment, en un matériau opaque au moins aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur 100. De plus, la couche 116 est de préférence en un matériau étirable. De préférence, on entend par matériau étirable un matériau ayant une résistance à la rupture supérieure ou égale à environ 30 MPa, de préférence supérieure ou égale à environ 39 MPa et/ou un matériau ayant un allongement en traction à la rupture compris entre environ 150 % et 550 %, de préférence entre 200 % et 510 %. De préférence, les filtres 120 sont en un matériau non étirable, c'est-à-dire par exemple des matériaux dont l'allongement en traction de rupture est inférieur à 200 % de préférence inférieure à 125 %. Par exemple, les filtres sont en un matériau dont les valeurs de transmittance sont : inférieures à environ 10 % pour des longueurs d'onde inférieures à environ 650 nm, de préférence pour des longueurs d'onde inférieure à 750 nm ; et supérieures à environ 90 % pour des longueurs d'onde supérieures à 900 nm, de préférence pour des longueurs d'onde supérieures à 850 nm. La couche 116 comprend les ouvertures 118 décrites précédemment. Les filtres 120 sont situés dans les ouvertures 118, comme cela a été décrit précédemment. De préférence, les filtres 120 sont formés de manière à être fixés dans les ouvertures 118. Par exemple, les parois latérales des filtres 120 sont fixées aux parois latérales des ouvertures 118. Les filtres 120 sont, de préférence, fixés de telle manière que, lorsque la couche 116 est étirée, les filtres 120 restent fixés à la couche 116. De préférence, lorsque la couche 116 est étirée, aucune ouverture ne se forme entre une paroi latérale d'un des filtres 120 et une paroi latérale de l'ouverture 118 dans laquelle le filtre est situé. Par exemple, la couche 20 est maintenue sensiblement plane, de préférence dans un plan horizontal, c'est-à-dire par exemple un plan sensiblement parallèle à la face supérieure du support 104. La couche 20 est maintenue au-dessus des couches 110 et 112. Plus précisément, la couche 20 est située à un niveau supérieur à la face supérieure des couches 110 et 112. La couche 20 est par exemple maintenue par des poteaux de maintien non représentés, par exemple situés sur les bords de la plaquette. Les poteaux sont par exemple fixés par une extrémité à la face supérieure du support. La couche 20 est par exemple fixée sur une autre extrémité de chaque poteau, ces autres extrémités étant à une distance de la face supérieure du support au moins égale, par exemple supérieure, à la distance entre la face supérieure des couches 110 ou 112 et la face supérieure du support 104. De préférence, la couche 20 repose sur les faces supérieures des couches 110 et 112. A titre de variante, la couche 20 peut être maintenue séparée des couches 110 et 112. La couche 20 n'est alors pas en contact avec les couches 110 et 112. La couche 20 est par exemple maintenue tendue. Cependant, la couche 20 n'est pas complètement étirée. La couche 20 est placée de telle manière que les filtres soient positionnés à l'emplacement qui leur est destiné. Ainsi, la couche 20 est positionnée de telle manière que les filtres sont en regard du récepteur 102 et de l'émetteur 100, comme cela a été décrit en relation avec la figure 1. La figure 5 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, un moule 30 est pressé sur la structure résultant de l'étape précédente. Le moule 30 est pressé à partir du côté de la face supérieure du support 104. La couche 20 est donc située entre le moule 30 et les couches 110 et 112. Le moule 30 comprend des cavités ayant la forme complémentaire des couches 110 et 112 recouvertes de la couche 20. Le moule 30 étire la couche 116 de manière à l'étendre de manière conforme sur les couches 110 et 112 et sur la face supérieure du support 104. Plus précisément, la couche 116 s'étend alors sur les parties découvertes de la face supérieure du support 104, et sur les faces latérales, inclinées et supérieures des couches 110 et 112. La couche 116 est suffisamment étirable pour s'étendre sur les couches 110 et 112 et sur le support 104 comme décrit précédemment. La couche 116 est, de plus, suffisamment rigide pour former une protection et ne pas être abîmée. De préférence, la couche 116 a, après avoir été étirée, une épaisseur supérieure ou égale à environ 100 µm. Le moule 30 est de préférence en un métal ou en un matériau conduisant la chaleur. Ainsi, une fois la couche 20 pressée contre les couches 110 et 112, le moule est chauffé de manière à fixer la couche 116 sur les couches 110 et 112 et sur le support 104. De préférence, le moule 30 comprend des cavités secondaires 32. Les cavités secondaires 32 sont situées en regard des filtres 120. Les dimensions des cavités 32 sont telles que les filtres ne sont pas en contact avec le moule 30. Les dimensions horizontales des cavités 32 sont de préférence au moins égales aux dimensions horizontales des filtres 120, de préférence supérieures aux dimensions horizontales des filtres 120. De préférence, les cavités sont entièrement en regard des filtres. Les filtres sont donc entièrement recouverts par les cavités 32. De préférence, les cavités 32 ne recouvrent pas entièrement les faces supérieures des couches 110 et 112. Par exemple, les cavités 32 sont remplies d'air et les filtres sont entièrement en contact avec l'air contenu dans les cavités 32. De préférence, les dimensions des cavités sont déterminées de manière à ce que le moule 30 applique une pression sur toutes les parties de la couche 116 située sur les couches 110 et 112, à l'exception des parties situées en regard des cavités 32. Les cavités 32 permettent d'éviter de causer des dommages aux filtres lorsque la couche 20 est pressée contre les couches 110 et 112. De plus, les cavités 32 permettent de limiter le mouvement des filtres lorsque la couche 116 est étirée. Selon un mode de réalisation, l'étape de la figure 5 comprend en outre une étape de recuit. Au cours de cette étape, la structure résultant de l'étape décrite en relation avec la figure 5 est placée dans un four et chauffée. Cette étape permet d'améliorer la tenue et la fixation de la couche 116. L'étape de recuit peut être effectuée à un autre moment du procédé, postérieur à l'étape de la figure 5. Par exemple, l'étape de recuit peut être comprise dans une autre étape d'un autre procédé de fabrication, par exemple la fabrication d'un autre composant de la plaquette. La forme des couches 110 ou 112, et en particulier l'absence d'angles vifs, c'est-à-dire l'absence d'angles entre les faces des couches 110 ou 112 par exemple supérieures à 70° permet d'éviter de causer des dommages à la couche 116. On aurait pu penser à former des couches 110 et 112 ayant des angles vifs, par exemple ayant des formes de parallélépipède. Le moule aurait alors une forme complémentaire, et lors du pressage, la couche 116 risquerait alors d'être abimée au niveau des angles. Le procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 comprend des étapes non représentées. En particulier, le procédé comprend une étape, postérieure aux étapes décrites en relation avec les figures 2 à 5, au cours de laquelle le moule 30 est retiré. Le procédé comprend de plus une étape au cours de laquelle les différents dispositifs 10 d'une même plaquette sont individualisés, c'est-à-dire par exemple que le support 104 est scié entre les différents dispositifs 10. La figure 6 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 50. Le mode de réalisation de la figure 6 comprend des éléments identiques au dispositif 10 de la figure 1. Ces éléments ne seront pas détaillés de nouveau. En particulier, le dispositif 50 comprend, comme le dispositif 10 : - le support 104 ; - l'émetteur 100 et le récepteur 102 ; - les plots conducteurs 106, ainsi que les moyens de connexion auxquels ils sont reliés ; - les couches de fixation 108 ; et - les couches 110 et 112. Le dispositif 50 comprend, en outre, des filtres 502. Les filtres 502 sont identiques aux filtres 120 du dispositif 10 à l'exception de leur positionnement. Les filtres 502 recouvrent chacun au moins partiellement la face supérieure de la couche 110 ou de la couche 112. De préférence, les filtres 502 recouvrent sensiblement entièrement les faces supérieures des couches 110 ou 112. Le dispositif 50 comprend des couches 504 et 506. Les couches 504 et 506 sont identiques à la couche 116 à l'exception que chaque couche 504 ou 506 recouvre partiellement une seule des couches 110 ou 112 et recouvre partiellement un des filtres 502. La couche 504 recouvre les parois latérales de la couche 110, les parois inclinées de la couche 110, les parois latérales d'un des filtres 502, et une partie de la face supérieure du filtre 502. Eventuellement, la couche 504 recouvre partiellement la face supérieure de la couche 110. La couche 504 comprend une ouverture 508 située, comme l'ouverture 118a de la figure 1. L'ouverture 508 est donc en regard de l'émetteur 100, de telle manière que le rayonnement émis par l'émetteur 100 puisse traverser l'ouverture 508. De préférence, les ouvertures 508 ont les mêmes dimensions que les filtres 120 de la figure 1. La couche 506 recouvre les parois latérales de la couche 112, les parois inclinées de la couche 112, les parois latérales de l'autre filtre 502, et une partie de la face supérieure de l'autre filtre 502. Eventuellement, la couche 506 recouvre partiellement la face supérieure de la couche 112. La couche 506 comprend une ouverture 510 située, comme l'ouverture 118b de la figure 1. L'ouverture 510 est donc en regard du récepteur 102, de telle manière que le rayonnement reçu par le récepteur 102 puisse traverser l'ouverture 510. Dans l'exemple de la figure 6, les couches 504 et 506 sont distinctes. Les couches 504 et 506 ne sont donc pas en contact. Les couches 504 et 506 sont séparées par exemple dans l'espace 114 séparant les couches 110 et 112. A titre de variante, les couches 504 et 506 peuvent former une unique couche s'étendant sur la face supérieure du support 104 dans l'espace 114, comme la couche 116 de la figure 1. Les figures 7 et 8 représentent des étapes, de préférence successives, d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 6. Le procédé de fabrication comprend, avant les étapes des figures 7 et 8, les étapes décrites en relation avec les figures 2 et 3. Comme les figures 2 à 5, les figures 7 et 8 décrivent la fabrication d'un unique dispositif 50. En pratique, les dispositifs 50 sont fabriqués par plaquette, c'est-à-dire qu'une pluralité de dispositifs 50 est fabriquée simultanément sur une même plaquette. La pluralité de dispositifs 50 forme par exemple une matrice de dispositifs. Les étapes décrites en relation avec les figures 7 et 8 sont effectuées simultanément à plusieurs endroits de la plaquette. La figure 7 représente une étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 6. Au cours de cette étape, les filtres 502 sont formés sur les faces supérieures des couches 110 et 112. Les filtres sont par exemple formés par un procédé de revêtement par centrifugation (spin coating). A titre de variante, les filtres 502 sont par exemple formés par un procédé de pulvérisation (sputtering). La formation des filtres 502 est par exemple précédée d'une étape de formation d'un masque non représenté protégeant les parties sur lesquelles les filtres ne doivent pas être formés, par exemple la face supérieure du support 104, ainsi que les parois latérales et inclinées des couches 110 et 112. Les filtres 502 ont par exemple la même épaisseur que les filtres 120 de la figure 1. Les filtres 502ont des dimensions au moins égales aux dimensions des filtres 120 de la figure 1 et recouvrent au moins la partie des couches 110 et 112 recouverte par les filtres 120. La figure 8 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 6. Au cours de cette étape, les couches 504 et 506 sont formées. Par exemple, cette étape inclut la formation d'un masque non représenté recouvrant les emplacements sur lesquels les couches 504 et 506 ne s'étendent pas. En particulier, le masque recouvre une partie de chaque filtre 502 située en regard du récepteur 102 et de l'émetteur 100. Le masque recouvre de préférence la face supérieure du support 104. Les faces latérales et inclinées des couches 110 et 112 ne sont pas recouvertes par le masque. Les couches 504 et 506 sont ensuite formées, par exemple par un procédé de pulvérisation, aux endroits non protégés par le masque. Les couches 110 et 112 sont donc entièrement recouvertes par les couches 504 et 506, à l'exception des ouvertures situées en regard des récepteur 102 et émetteur 100. Le procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 6 peut donc comprendre deux étapes de pulvérisation et deux étapes de formation d'un masque. Le procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 6 comprend des étapes de fabrication non représentées. En particulier, le procédé comprend, comme le procédé décrit en relation avec les figures 2 à 5, l'individualisation des différents dispositifs 50. La figure 9 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 70. Le mode de réalisation de la figure 9 comprend des éléments identiques au mode de réalisation de la figure 1. Ces éléments ne seront pas détaillés de nouveau. En particulier, le dispositif 70 comprend, comme le dispositif 10 : - le support 104 ; - l'émetteur 100 et le récepteur 102 ; - les plots conducteurs 106, ainsi que les moyens de connexion auxquels ils sont reliés ; - les couches de fixation 108 ; et - les couches 110 et 112. Contrairement au mode de réalisation de la figure 1, les couches 110 et 112 du dispositif 70 ne sont pas séparées par un espace 114, mais par une région 72. La région 72 est en un matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. La région 72 remplit de préférence tout l'espace séparant les couches 110 et 112. La région 72 est donc de préférence en contact avec les faces latérales des couches 110 et 112. La région 72 s'étend de préférence depuis la face supérieure du support 104 et par exemple jusqu'au niveau de l'angle entre les faces latérales et les faces inclinées. Le dispositif 70 comprend de plus une couche 74 identique à la couche 116, mais ne s'étendant pas dans l'espace entre les couches 110 et 112. La couche 74 s'étend sur la région 72 et sur les parois latérales, inclinées et supérieures des couches 110 et 112, à l'exception des emplacements de la face supérieure des couches 110 et 112 sur lesquels sont situés les filtres 120. Les couches 110 et 112 sont donc entièrement recouvertes par des matériaux opaques aux longueurs d'onde des rayonnements émis par l'émetteur 100, à l'exception des ouvertures en regard de l'émetteur 100 et du récepteur 102. A titre de variante, la région 72 peut s'étendre sur une autre hauteur que celle représentée. De préférence, la région 72 s'étend au moins sur la hauteur maximum entre la hauteur de l'émetteur et la hauteur du récepteur. Par exemple, la région 72 s'étend jusqu'au niveau de la face supérieure des couches 110 et 112, et recouvre donc les faces inclinées situées entre les couches 110 et 112. Les figures 10 à 12 représentent des étapes, de préférence successives, d'un procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 9. Le procédé de fabrication comprend, avant les étapes des figures 10 à 12, les étapes décrites en relation avec les figures 2 et 3. Comme les figures 2 à 5, les figures 10 à 12 décrivent la fabrication d'un unique dispositif. En pratique, les dispositifs 70 sont fabriqués par plaquette, c'est-à-dire qu'une pluralité de dispositifs 70 est fabriquée simultanément sur une même plaquette. La pluralité de dispositifs 70 forme par exemple une matrice de dispositifs. Ainsi, les étapes décrites en relation avec les figures 10 à 12 sont effectuées simultanément à plusieurs endroits de la plaquette. La figure 10 représente une étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 9. Au cours de cette étape la région 72 est formée dans l'espace entre les couches 110 et 112. La région 72 est par exemple formée par pulvérisation (sputtering), ou par tout autre procédé permettant la formation de la région 72 de matériau entre les couches 110 et 112. L'espace entre les couches 110 et 112 est entièrement rempli par le matériau de la région 72. La figure 11 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 9. Cette étape est identique à l'étape décrite en relation avec la figure 4. Une couche 76, comprenant la couche 74 et les filtres 120, est située au-dessus des couches 110 et 112. La couche 74 est identique par exemple à la couche 116 de la figure 4. La figure 12 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 9. Cette étape est identique à l'étape de la figure 5 à l'exception que le moule a une forme différente. En effet, le moule, ici référencé 78, a une forme complémentaire à la forme des couches 110 et 112, de la région 72 et de la couche 76 pressée contre elles. Le procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 9 comprend des étapes non représentées. En particulier, le procédé comprend une étape, postérieure aux étapes décrites en relation avec les figures 10 à 12, au cours de laquelle le moule 78 est retiré. Le procédé comprend de plus une étape au cours de laquelle les différents dispositifs 70 d'une même plaquette sont individualisés, c'est-à-dire par exemple que le support 104 est scié entre les différents dispositifs 70. Un avantage des modes de réalisation décrits est que le rayonnement émis par l'émetteur 100 ne peut atteindre directement le récepteur 102. En effet, le récepteur et l'émetteur sont séparés par une portion en matériau opaque (la région 72 ou la couche 116, 504, 506). La mesure du rayonnement reçu n'est donc pas perturbée, ce qui permet une meilleure mesure de la distance. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l’homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif optoélectronique (10 ; 50 ; 70) comprenant : un émetteur (100), et un récepteur (102), de rayonnements lumineux ; et au moins une première couche (116 ; 504, 506 ; 74), opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur, recouvrant le récepteur (102) et l'émetteur (100), le récepteur (102) et l'émetteur (100) étant séparés par une région (116 ; 504, 506 ; 72) de matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la région de matériau opaque est une partie de la première couche (116 ; 502, 504). Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le récepteur (102) et l'émetteur (100) sont chacun recouverts d'une deuxième couche (110, 112) en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur, une (110) des deuxièmes couches étant située entre l'émetteur (100) et la première couche (116 ; 504) et l'autre (112) des deuxièmes couches étant située entre le récepteur (102) et la première couche (116 ; 506). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche (116 ; 504, 506 ; 72) comprend une ouverture (118b) en regard du récepteur (102) et une ouverture (118a) en regard de l'émetteur (100). Dispositif selon les revendications 3 et 4, dans lequel un filtre (120) est situé sur chaque deuxième couche (110, 112), les ouvertures (108a, 108b)étant situées en regard d'un filtre. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel un filtre (120) est situé dans chaque ouverture (118). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 6 dans leur rattachement à la revendication 3, dans lequel la région de matériau opaque (72) remplit l'espace entre les deuxièmes couches (110, 112). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le récepteur (102) est configuré pour recevoir au moins une partie des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur (100). Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant : la formation sur un support (104) d'un émetteur (100), et d'un récepteur (102), de rayonnements lumineux ; et la formation d'une première couche (116 ; 504, 506 ; 74), opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur, recouvrant le récepteur et l'émetteur, l'émetteur et le récepteur étant séparés par une région (116 ; 504, 506 ; 72) de matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur. Procédé selon la revendication 9, comprenant la formation de deuxièmes couches (110, 112) en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur séparées l'une de l'autre, une des deuxièmes couches (110) recouvrant l'émetteur (100) et l'autre deuxième couche (112) recouvrant le récepteur (102). Procédé selon la revendication 10, comprenant le remplissage de l'espace entre les deuxièmes couches (110, 112) par un matériau opaque (72). Procédé selon la revendication 10, comprenant la formation de la première couche (20 ; 76), maintenue sensiblement plane au-dessus des deuxièmes couches (110, 112). Procédé selon la revendication 12, comprenant le pressage d'un moule (30 ; 78) sur la première couche (20 ; 76) de manière à ce que la première couche (20 ; 76) recouvre de manière conforme les deuxièmes couches (110, 112). Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, dans lequel la première couche (20 ; 76) est étirable. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, dans lequel la première couche (20 ; 76) est formée par pulvérisation.