FR 3105840 A1 20210702 FR 1915735 A 20191230 L’invention concerne un composant de détection (1) de rayonnement électromagnétique comprenant au moins un masque (140) agencé pour occulter le rayonnement électromagnétique pour au moins une des structures de détection (122). Le masque opaque (140) comprend un empilement successif d’une première couche métallique (141), d’une deuxième couche métallique (142), d’une troisième couche (143) transparent de faible indice optique et d’un ensemble d’éléments métalliques (144). La deuxième couche métallique (142), la couche transparente (143) et l’ensemble de d’éléments métalliques (144) forment des structures MIM dans la plage de longueurs d’onde. L’invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un tel composant (1) Figure pour l’abrégé : figure 1 Composant de détection incluant des pixels noirs et procédé de fabrication d’un tel composant L’invention concerne le domaine des composants de détection de rayonnement électromagnétique et notamment ceux visant la détection de rayonnement électromagnétique dans les plages de longueurs d’onde de l’infrarouge. Ainsi l’invention a pour objet un composant de détection de rayonnement électromagnétique et un procédé de fabrication d’un tel composant. État de l’art antérieur Dans le cadre d’applications de détection de faibles signaux électromagnétiques, telles que pour les composants de détection de rayonnement infrarouge spatial, afin de mieux identifier signal photonique utile vis-à-vis du bruit, il est connu, notamment du document US 10326952, de prévoir un masque opaque au-dessus de certains pixels de détection de ces composants afin de mesurer , à partir de ces pixels recouverts, un courant d’obscurité Ainsi, avec une telle configuration enseignée par le document US 10326952, permettant de déterminer le courant d’obscurité et donc le signal de bruit, il est possible d’identifier le signal pertinent sortant de ce bruit. Néanmoins, sans précision sur la configuration du masque dans le document US 10326952, si ce n’est qu’il est possible de fournir, avec un matériau adéquat (il est fait mention de chrome), un masque d’une épaisseur réduite à 1 µm, un masque tel qu’enseigné par ce document est généralement métallique et présente une épaisseur relativement importante, c’est-à-dire supérieure ou égale à 1 µm. Ainsi, dans le cas d’un composant de détection selon une configuration considérée dans laquelle le composant comprend un support comprenant une couche, dite couche active, dans laquelle est aménagée une pluralité de structures de détection de rayonnement électromagnétique, le support comprenant une première face à partir de laquelle s’étend la couche active, et une deuxième face, opposée à la première face par laquelle le support est destiné à recevoir le rayonnement électromagnétique, et un masque agencé sur la deuxième face, les phénomènes suivants sont observés : - d’ombrage en raison de l’épaisseur relativement importante des masques, - de la diffraction liée aux bords du masque et qui est à l’origine de fuite photonique en direction des structures masquées, - de la réflexion parasite dans l’enceinte contenant le composant et qui peut être à l’origine de signaux parasites. On notera, de plus, que dans le cas des composants de détection de rayonnement infrarouge basse température, en raison des contraintes thermiques auxquelles ils sont soumis, peuvent présenter, pour des masques opaques de relatives grandes épaisseurs, des risques important de dégradations et de décollement. Dans une telle utilisation, l’utilisation de masques opaques de relatives faibles épaisseurs devrait permettre de limiter les risques de dégradations et de décollement. L’invention a pour but de résoudre au moins en partie les inconvénients ci-dessus et vise ainsi à fournir un composant de détection qui, présentant la configuration considérée, ne soit que partiellement, voire nullement, soumis aux phénomènes de réflexions parasites présents dans le cas de l’art antérieur. L’invention vise également, notamment dans le cadre de composants de détection destinés à fonctionner à basse température, à fournir un composant de détection qui puisse présenter un masque opaque moins sensible aux risques dégradations et de décollement lorsque le composant est soumis à de basse température. L’invention concerne à cet effet un composant de détection de rayonnement électromagnétique dans une plage de longueurs d’onde comprenant : - un support comprenant une couche, dite couche active, dans laquelle est aménagée une pluralité de structures de détection de rayonnement électromagnétique dans ladite plage de longueurs d’onde, le support comprenant une première face à partir de laquelle s’étend la couche active, et une deuxième face, opposée à la première face par laquelle le support est destinée à recevoir le rayonnement électromagnétique, - au moins un masque, dit masque opaque, agencé sur une portion de la deuxième face du support pour occulter le rayonnement électromagnétique pour au moins une des structures de détection, dite structure masquée. Le masque opaque comprend au moins un premier, un deuxième et ,un troisième métal et un matériau, dit matériau transparent d’indice de réfraction inférieur ou égal à 2 dans la plage de longueurs d’onde, le premier métal présentant un coefficient d’extinction k m1 supérieur ou égal 5n m1 , voire à 10n m1 , et le deuxième et le troisième métal présentant chacun un coefficient d’extinction k m2 /3 inférieur ou égal à 2n m2 /3 avec n m1 et n m2 /3 les indices de réfraction du premier et dudit deuxième et troisième métal dans la plage de longueurs d’onde, le matériau transparent présentant un coefficient d’extinction k t inférieur ou égal à 0,01. Le masque opaque comprend, à partir de la deuxième face du support, un empilement successif: - d’une première couche métallique réalisée dans le premier métal, - d’une deuxième couche métallique réalisée dans le deuxième métal, - d’une troisième couche, dite couche transparente, réalisée dans le matériau transparent, et - d’un ensemble d’éléments métalliques réalisés dans le troisième métal, ledit ensemble étant agencé sur la couche transparente à l’opposé de la deuxième couche métallique, et dans lequel la deuxième couche métallique, la couche transparente et l’ensemble de d’éléments métalliques forment des structures MIM dans la plage de longueurs d’onde. Avec une telle combinaison de structures MIM à base de métal « absorbant », c’est-à-dire présentant un coefficient d’extinction km2 inférieur ou égal à 2n m2 , et d’une couche réflectrice à base de métal « réfléchissant », c’est-à-dire un métal présentant un coefficient d’extinction k m1 supérieur ou égal 5n m1, permet de bénéficier à la fois des propriétés d’occultation fournies par le premier métal et la première couche qui en est formée, et des propriétés antireflet fournies par la structure MIM dans la plage de longueurs d’onde. Ainsi, il est possible de fournir un masque de faible épaisseur, limitant le phénomène d’ombrage qu’un tel masque pourrait occasionner, et peu, voire pas, réfléchissant, limitant ainsi les risques de réflexions parasites dans l’environnement proche du composant de détection et donc les signaux parasites qui y sont associés. De plus, un tel masque opaque pouvant présenter un masque opaque épaisseur relativement faible vis-à-vis des masques opaques de l’art antérieur, tels que celui divulgué par le document US 10326952, le masque opaque d’un composant selon l’invention présente des risques dégradations et de décollement relativement faible lorsque le composant est soumis à de basse température. Il est rappelé qu’un métal est caractérisé par une permittivité électrique ε = (n+ik)² avec n l’indice de réfraction dudit métal et k le coefficient d’extinction. A partir de cette valeur, il est possible de calculer une épaisseur de peau δ à une longueur d’onde λ donnée à partir de l’expression suivante : δ= λ/(2πk). Les structures MIM, pour structure Métal/Isolant/Métal sont des cavités horizontales multicouches notamment utilisées dans le cadre des antennes. Une structure MIM comprend une première couche métallique revêtue d’une couche transparente, généralement diélectrique, et un élément métallique, tel qu’un plot métallique, réalisé préférentiellement dans le même métal que ladite première couche métallique. Dans l’application classique de telles structures MIM, où on exploite des résonnances de cavité relativement sélectives en longueur d’onde, le métal de la première couche métallique et de l’ensemble d’éléments métalliques est un métal présentant une bonne réflectivité, c’est-à-dire pour lequel le coefficient d’extinction dans la longueur d’onde considéré est supérieur à 10 fois l’indice de réfraction ce même métal à la longueur d’onde considéré. Plus d’informations concernant de telles structures MIM peuvent être notamment trouvé dans l’article publié en 2006 par A.P. Hibbins et ses coauteurs dans la revue scientifique « Physical Review B » Numéro 74 pages 073408. Le deuxième et le troisième métal peuvent être identiques. Avec une telle configuration, le taux d’absorption de la structure MIM s’en trouve optimisé. La première couche métallique peut présenter une épaisseur h m1 supérieure à 2 fois une épaisseur de peau δ m1 du premier métal dans la plage de longueurs d’onde, l’épaisseur de la première couche métallique étant préférentiellement supérieure à 4 fois l’épaisseur de peau δ m1 du premier métal dans la plage de longueurs d’onde. De cette manière, le masque opaque présente un taux de transmission particulièrement faible, voire sensiblement nul. La deuxième couche métallique peut présenter une épaisseur h m2 comprise entre 0,5 fois une épaisseur de peau δ m2 du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde et à 4 fois l’épaisseur de peau δ m2 du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde, l’épaisseur de la première couche métallique étant préférentiellement supérieure à 4 fois l’épaisseur de peau δ m1 du premier métal dans la plage de longueurs d’onde. Les éléments métalliques peuvent présenter, selon un plan sensiblement parallèle à la deuxième face, au moins une dimension latérale L inférieure ou égale à une valeur Lm respectant l’équation suivante : avec λ 0 une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde, n d un indice de réfraction du matériau transparent à ladite longueur d’onde, centrale h d une épaisseur de la couche transparente et δ m2 une épaisseur de peau du deuxième métal à ladite longueur d’onde, les éléments métalliques présentant préférentiellement une dimension latérale maximale et une dimension latérale minimale, selon un plan sensiblement parallèle à la deuxième face, comprises entre 0,75 fois ladite valeur Lm et 1,25 fois la valeur Lm. Les structures MIM sont ainsi particulièrement adaptées pour la plage de longueur d’onde. Dans l’ensemble d’éléments métalliques, deux éléments métalliques adjacents présentent entre eux une distance inter-barycentre inférieure ou égal à λ 0 /n d , λ 0 étant une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde et n d l’indice de réfraction du matériau transparent dans la plage de longueurs d’onde, le pas P entre deux éléments métalliques adjacents dans l’ensemble d’éléments métalliques étant préférentiellement inférieur à 0,75 fois λ 0 /n d . Les éléments métalliques de l’ensemble d’éléments métalliques peuvent être agencés périodiquement avec un pas P entre les éléments métalliques inférieur à λ 0 /n d , ledit pas P entre les entre les éléments métalliques étant préférentiellement inférieur à 0,75 fois λ 0 /n d . La couche transparente peut présenter une épaisseur comprise entre λ 0 /4n d et λ 0 /25n d , les valeurs λ 0 /4n d et λ 0 /25n d étant incluses, λ 0 étant une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde et n d l’indice de réfraction du matériau transparent dans la plage de longueurs d’onde. Chaque élément métallique de l’ensemble de d’éléments métalliques peut présenter une épaisseur, dans le sens d’empilement du masque opaque, qui est comprise entre une fois une épaisseur de peau δ m2 du troisième métal dans la plage de longueurs d’onde et trois fois ladite épaisseur de peau δ m2 du deuxième métal, l’épaisseur de chaque élément métallique étant préférentiellement comprise entre une fois et demie l’épaisseur de peau δ m2 du troisième métal dans la plage de longueurs d’onde et deux fois et demie ladite épaisseur de peau δ m2 du troisième métal. Avec de tels paramètres des structures MIM, le taux de réflexion du masque opaque est particulièrement faible voire sensiblement nul. Le masque opaque peut être agencé sur la deuxième face du support pour occulter le rayonnement électromagnétique pour l’au moins une structure masquée et les structures de détection adjacentes à ladite au moins une structure masquée. Avec un tel agencement on limite l’éventuelle collecte de photo-porteurs depuis les structures adjacentes vers la structure masqué qui pourrait avoir lieu du fait du cross-talk électrique classique entre pixels adjacents le masque opaque peut être agencé sur la deuxième face du support pour également occulter le rayonnement électromagnétique les structures de détection adjacentes auxdites structures de détection adjacentes à ladite au moins une structure masquée. Avec un tel agencement les risques d’éventuelle collecte de photo-porteurs depuis les structures adjacentes sont sensiblement nuls. Le support peut présenter une épaisseur inférieure à 10 µm, le masque opaque s’étendant, de part est d’autre d’une projection de la structure masquée sur la deuxième face du support sur une distance supérieure à 15 µm et préférentiellement supérieure à 30 µm. Les structures de détection de la pluralité de structure de détection peuvent être agencées selon une matrice définissant des lignes et des colonnes de structure de détection, le masque opaque est agencé pour occulter le rayonnement électromagnétique pour des structures de détection d’une même ligne ou colonne. L’invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un composant de détection de rayonnement électromagnétique dans une plage de longueurs comprenant les étapes suivantes : - fourniture d’un support comprenant une couche, dite couche active, dans laquelle est aménagée une pluralité de structures de détection de rayonnement électromagnétique dans ladite plage de longueurs d’onde, le support comprenant une première face à partir de laquelle s’étend la couche active, et une deuxième face, opposée à la première face par laquelle le support est destinée à recevoir le rayonnement électromagnétique, - formation d’un masque opaque comprenant, à partir de la deuxième face du support, un empilement successif: o d’une première couche métallique réalisée dans un premier métal, o d’une deuxième couche métallique réalisée dans un deuxième métal, o d’une troisième couche, dite couche transparente, réalisée dans un matériau dit matériau transparent d’indice de réfraction inférieur ou égal à 2 dans la plage de longueurs d’onde, et o d’un ensemble d’éléments métalliques réalisés dans un troisième métal, ledit ensemble étant agencé sur la couche transparente à l’opposé de la deuxième couche métallique, la deuxième couche métallique, la couche transparente et l’ensemble de d’éléments métalliques formant des structures MIM dans la plage de longueurs d’onde, le masque opaque étant agencé sur une portion de la deuxième face du support pour occulter le rayonnement électromagnétique pour au moins une des structures de détection, dite structure masquée, dans lequel procédé le masque opaque comprend le premier le deuxième et le troisième métal et le matériau, dit matériau transparent, le premier métal présentant un coefficient d’extinction k m1 supérieur ou égal 5n m1 , voire à 10n m1 , et le deuxième métal présentant un coefficient d’extinction k m2 inférieur ou égal à 2n m2 avec n m1 et n m2 les indices de réfraction du premier et du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde, le matériau transparent présentant un coefficient d’extinction k t inférieur ou égal à 0,01. Un tel procédé permet la fabrication d’un composant de détection selon l’invention et de bénéficier des avantages qui y sont liés. L’étape de formation comprend les sous étapes suivantes : dépôt de la première couche métallique réalisée dans le premier métal en contact de la deuxième face du support, dépôt de la deuxième couche métallique réalisée dans le deuxième métal en contact avec la première couche métallique, dépôt de la couche transparente, réalisée dans le matériau transparent en contact avec la deuxième couche métallique, la troisième couche étant dite couche transparente, formation d’un ensemble d’éléments métalliques réalisés dans le troisième métal sur la couche transparente à l’opposé de la deuxième couche métallique. Lors de l’étape de formation du masque opaque, le masque est agencé sur la deuxième face du support pour occulter le rayonnement électromagnétique pour l’au moins une structure masquée et les structures de détection adjacentes à ladite au moins une structure masquée. De cette manière, un composant fabriqué avec un tel procédé présente, en fonctionnement, une structure masquée peu, voire pas, exposé aux courants de fuites qui pourraient être générées par les structures adjacentes si ces dernières étaient soumises au rayonnement électromagnétique. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d’exemples de réalisation, donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : illustre une vue en coupe latérale du composant de détection selon l’invention, illustre une vue en coupe latérale rapprochée d’un composant de détection montrant l’agencement d’un élément de masquage sur un composant de détection selon l’invention, illustre une vue de dessus d’un élément de masquage d’un composant selon l’invention, illustre graphiquement la variation de la réflectivité d’un élément de masquage selon l’invention en fonction de la longueur d’onde pour différentes incidences du rayonnement électromagnétique, illustre graphiquement la variation de la réflectivité d’un élément de masquage selon une variante de l’invention en fonction de la longueur d’onde, illustre graphiquement le taux d’absorption d’une structure masquée en fonction de l’épaisseur du support divisé par l’indice réfraction du support ceci pour deux configurations du masque opaque de l’invention, illustre un premier exemple d’agencement d’éléments de masquage pour un composant de détection dans lequel il est prévu des structures masquées de référence. illustre un premier exemple d’agencement d’éléments de masquage pour un composant de détection dans lequel il est prévu des structures masquées de référence. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d’une figure à l’autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n’étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. La figure 1 illustre un composant de détection selon l’invention équipé d’un masque 140, dit opacifiant, agencé sur une portion de la deuxième face d’un support 110 du composant de détection 1 pour occulter totalement le rayonnement électromagnétique pour au moins une des structures de détection 122 dudit composant de détection 1. Un tel composant de détection 1 vise plus particulièrement la détection de rayonnement électromagnétique dans la gamme de longueurs d’onde des infrarouges. Ainsi, les différentes valeurs indiquées dans les modes de réalisation décrits ci-après concernent cette application pratique, dans laquelle la gamme de longueurs d’onde visée est dans une plage de longueur d’onde de l’infrarouge moyen, par exemple une plage de longueurs d’onde comprise entre 2,5 et 3,5 µm. Bien entendu, l’homme du métier est parfaitement à même, à partir de la présente divulgation, d’adapter ces valeurs afin de permettre à l’aide d’une telle structure de détection 10 la détection optimisée de rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueurs d’onde autre que celle des infrarouges. Dans ce cadre-là, l’invention est particulièrement avantageuse dans le cadre des applications à la détection de rayonnement électromagnétique dans les plages de longueurs d’onde de l’infrarouge basées sur les composants de détection fonctionnant à basse température, c’est-à-dire typiquement inférieure à -100°C ou 173 K, le plus souvent vers 80 K, comme c’est le cas pour les détecteurs à base de HgCdTe. Un tel composant de détection 1 comporte : - le support 110 comprenant une couche 120, dite couche active, dans laquelle est aménagée une pluralité de structures de détection 121a, 121b, 122, 123 de rayonnement électromagnétique λ dans ladite plage de longueurs d’onde, le support 110 comprenant une première face à partir de laquelle s’étend la couche active 120, et une deuxième face, opposée à la première face par laquelle le support 110 est destiné à recevoir le rayonnement électromagnétique λ, - le masque opacifiant 140 agencé sur une portion de la deuxième face du support 110 pour occulter le rayonnement électromagnétique d’une structure de détection 122 qui est dite structure masquée. Comme montré sur les figures 2A et 2B dans le cadre d’une variante de ce mode de réalisation dans lequel le masque opacifiant est agencé sur une portion de la deuxième face du support 110 exempte de revêtement antireflet 130, le masque opacifiant 140 comprend, à partir de la deuxième face du support 110, un empilement successif : - d’une première couche métallique 141 réalisée dans un premier métal, - d’une deuxième couche métallique 142 réalisée dans un deuxième métal, - d’une troisième couche 143, dite couche transparente, réalisée dans un matériau transparent, et - d’un ensemble d’éléments métalliques 144 réalisés dans le deuxième métal, ledit ensemble étant agencé sur la couche transparente 143 à l’opposé de la deuxième couche métallique 142. La deuxième couche métallique 142, la couche transparente 143 et l’ensemble de d’éléments métalliques 144 forment des structures MIM dans la plage de longueurs d’onde. Le premier métal présente un coefficient d’extinction k m2 supérieur ou égal 5n m1 et le deuxième métal présente un coefficient d’extinction k m1 inférieur ou égal à 2n m2 avec n m1 et n m2 les indices de réfraction du premier et du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde. D’une manière préférentielle, le premier métal présente un coefficient d’extinction k m2 supérieur ou égal 10n m1. Dans ce premier mode de réalisation, le premier support 110 est un support en tellurure de cadmium et de zinc CdZnTe comprenant la couche active 120 réalisée dans un tellurure de mercure cadmium HgCdTe. Chacune des structures de détection 121A, 121B, 122, 123 est par exemple une photodiode PN, conforme à celles mise en œuvre dans l’art antérieur, celles-ci étant montrées uniquement par leur empreinte volumique respective occupée dans la couche active. Bien entendu, si dans ce premier mode de réalisation, chaque structure de détection 121A, 121B, 122, 123 est une photodiode PN, l’invention ne se limite à ce seul type de structures de détection. Ainsi, le composant peut, par exemple, comporter des photodiodes d’un autre type, tel que des photodiodes PiN (c’est-à-dire présentant une zone intrinsèque ménagée entre une zone N et une zone P), des diodes à avalanche ou à barrière, sans que l’on sorte du cadre de l’invention. Le support 110 peut présenter une épaisseur comprise entre 1 et 20 µm, préférentiellement, entre 5 et 15 µm. Ainsi, par exemple, le support peut présenter une épaisseur de 10 µm. La deuxième face du support 110 peut comprendre un revêtement antireflet 130 conformément à la pratique usuelle de l’homme du métier dans le cadre des composants de détection 1 de l’art antérieur. On notera que dans le présent mode de réalisation, comme illustré sur la figure 1, le masque opaque 140 est disposé sur la surface de ce revêtement antireflet 130. Néanmoins, selon une variante montrée sur les figures 2A et 2B, le masque opaque 140 peut être agencé sur une portion de la deuxième face du support 110 exempte de revêtement antireflet 130. En effet, de par les caractéristiques du masque opaque 140, une telle couche antireflet 130 n’est pas nécessaire pour les portions de deuxième face du support 100 recouvertes par un masque opaque 140. Le masque opaque 140 est agencé sur la deuxième face du support 110, pour occulter le rayonnement électromagnétique pour au moins une des structures de détection 122, dite structure masquée. Afin de parfaire une telle occultation, comme partiellement montré sur la figure 1, le masque opaque 140 peut être agencé pour occulter le rayonnement électromagnétique pour au moins la structure masquée 122 et au moins une structure adjacente 123 de part et d’autre de celle-ci. Une telle occultation plus large, permet de limiter l’influence des effets diffractifs des bords de masque sur la structure masquée et de limiter l’éventuelle collecte de photo-porteurs depuis la zone 123 vers la structure 122 du fait du cross-talk électrique classique entre pixels adjacents. Une telle configuration est explicitée plus en avant par la suite en lien avec la figure 2. Dans le cadre d’une application de l’invention au proche infrarouge et au moyen infrarouge, la première couche métallique 141, peut être réalisée en or Au, en aluminium Al ou encore en cuivre Cu, voire un alliage de deux métaux, voire un alliage de ces trois métaux. On notera que, notamment dans le cas où le premier métal est de l’or Au, il peut être prévu, entre la deuxième face du support 110 et la première couche métallique 141 une couche d’accroche de quelques nanomètres. Une telle couche d’accroche peut être, pour le premier métal qui est de l’or Au, réalisée en titane Ti ou en nickel Ni. La première couche métallique 141 présente préférentiellement une épaisseur h m1 supérieure à 2 fois une épaisseur de peau δ m1 du premier métal dans la plage de longueurs d’onde, l’épaisseur de la première couche métallique 141 étant préférentiellement supérieure ou égale à 4 fois l’épaisseur de peau δ m1 du premier métal dans la plage de longueurs d’onde. On notera, de plus que l’épaisseur de la première couche métallique est préférentiellement inférieure 10δ m1 . Autrement dit, l’épaisseur h m1 de la première couche métallique répond préférentiellement à l’inéquation 2δ m1 m1 m1 et répond, de manière particulièrement avantageuse à l’inéquation suivante : Ainsi, par exemple, l’épaisseur h m1 peut être sensiblement égale à 4δ m1 . Dans le cas où le premier métal est de l’or Au, l’or présentant, pour une longueur d’onde de 2,5 µm, un indice de réfraction de 1,24, un coefficient d’extinction de 15,7 et donc une épaisseur de peau δ m1 25 nm, on obtient donc une première couche métallique 141 d’une épaisseur de 100 nm. Dans le cadre d’une application de l’invention au proche infrarouge et au moyen infrarouge, la deuxième couche métallique 142, peut être réalisée en titane Ti ou en platine Pt, ou en tungstène W, voire un alliage de titane et de platine. La deuxième couche métallique 142 présente une épaisseur h m2 comprise entre une 0,5 fois une épaisseur de peau δ m2 du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde et à 4 fois l’épaisseur de peau δ m2 du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde. Autrement dit, l’épaisseur de la deuxième couche métallique 142 répond à l’équation suivante : Ainsi, par exemple, l’épaisseur h m2 peut être de l’ordre de l’épaisseur de peau du deuxième métal. Dans le cas où le deuxième métal est du titane Ti, le titane Ti présente, pour une longueur d’onde de 2,5 µm, un indice de réfraction n m2 4,36, un coefficient d’extinction de k m2 de 3,19 et donc une épaisseur de peau du titane étant de 130 nm, on obtient donc une deuxième couche métallique 141 de l’ordre de 130 nm, c’est-à-dire entre 100 nm et 160 nm. La couche transparente 143 est réalisée dans un matériau, dit matériau transparent, d’indice de réfraction inférieure ou égale à 2 dans la plage de longueur d’onde et présentant un coefficient d’extinction k t inférieur ou égal à 0,01 dans la plage de longueur d’onde. Dans une configuration classique de l’invention, la couche de matériau transparent est réalisée dans un matériau diélectrique, tel qu’un dioxyde de silicium SiO 2 , de l’alumine Al 2 O 3 et le fluorure de Magnésium MgF 2 . En variante, la couche de matériau transparent 143 peut être réalisé dans un oxyde conducteur, tel qu’un oxyde d’indium et d’étain, plus connu sous le sigle ITO, un oxyde de zinc, plus connu sous le sigle ZnO et un oxyde de zinc dopé à l’aluminium, plus connu sous le sigle AZO. L’ensemble de ces matériaux présentent un coefficient d’extinction k t inférieur ou égal à 0,01 dans la plage de longueur d’onde. On notera que, d’une manière préférentielle, le matériau de la couche transparente 143 présente un indice de réfraction inférieur ou égal à 1,5, ce qui est notamment le cas pour le dioxyde de silicium SiO 2 , de l’alumine Al 2 O 3 et le fluorure de Magnésium MgF 2 . La couche transparente 143 peut présenter une épaisseur Ep d comprise entre λ 0 /4n d et λ 0 /25n d , les valeurs λ 0 /4n d et λ 0 /25n d étant incluses, λ 0 étant une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde et n d l’indice de réfraction du matériau transparent 143 dans la plage de longueurs d’onde. Autrement dit l’épaisseur Ep d de la couche transparente 143 peut répondre aux inéquations suivantes : Ainsi, par exemple l’épaisseur Ep d de la couche transparente 143 peut être égale à λ 0 /10n d. L’ensemble d’éléments métalliques 144 sont agencés sur la troisième couche 143 et sont réalisés dans le deuxième métal. Chaque élément métallique 144 dudit ensemble se présente sous la forme d’un plot métallique pouvant prendre, par exemple et selon une projection sur la deuxième face du support 110, une forme carrée ou circulaire, voire hexagonale. Chaque élément métallique 144 présente préférentiellement, selon un plan parallèle à la deuxième face, au moins une dimension latérale L em , telle que, pour des éléments métalliques 144 présentant une projection sur la deuxième face du support carré, une longueur d’un côté, pour des éléments métalliques 144 présentant une projection sur la deuxième face du support circulaire, un diamètre, qui est préférentiellement inférieur ou égal à une valeur Lm respectant l’équation suivante : avec λ 0 une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde, n d un indice de réfraction du matériau transparent à ladite longueur d’onde centrale, h d l’épaisseur de la couche transparente et δ m2 l’épaisseur de peau du deuxième métal à ladite longueur d’onde centrale. On notera que d’une manière particulièrement avantageuse, les éléments métalliques 144 présentent, selon le plan sensiblement parallèle à la deuxième face, une dimension latérale maximale et une dimension latérale minimale toutes deux comprises entre 0,75 fois la valeur Lm et 1,25 fois la valeur Lm. Selon une première possibilité de l’invention, les éléments métalliques peuvent présenter un agencement non périodique avec un espacement entre deux éléments métalliques adjacents présentant préférentiellement un pas P inférieur ou égal à λ 0 /n d , λ 0 étant une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde et n d l’indice de réfraction du matériau transparent dans la plage de longueurs d’onde. D’une manière particulièrement avantageuse, le pas P entre deux éléments métalliques 144 adjacents dans l’ensemble d’éléments métalliques 144 est inférieur à 0,75 fois λ 0 /n d . Selon une deuxième possibilité de l’invention, les éléments métalliques 144 peuvent présenter un agencement périodique avec un pas de réseau P inférieur ou égal à λ 0 /n d , le pas de réseau étant préférentiellement inférieur à 0,75 fois λ 0 /n d . On notera que selon cette deuxième possibilité, les éléments métalliques peuvent être agencés selon un réseau carré avec le pas de réseau P. On notera que, dans le cas d’un deuxième métal non noble, tel que le titane Ti, afin de limiter les risques d’oxydation, il est envisageable, selon une possibilité non illustrée, de prévoir le dépôt d’une couche de passivation de quelques nanomètres sur les éléments métalliques 144. Ainsi, par exemple et pour un deuxième métal en titane Ti, il est envisageable que les éléments métalliques 144 soient recouverts par une couche de passivation en nitrure de silicium SiN ou de sulfure de zinc ZnS d’une épaisseur comprise entre 5 et 30 nm. Une telle couche de passivation peut ainsi par exemple présenter une épaisseur de 10 nm. De plus, dans le cadre du choix des premier et deuxième métaux, et du matériau transparent pour des applications d’un composant de détection 1 refroidi à relativement basse température, c’est-à-dire typiquement inférieure à -100°C ou 173 K, ces matériaux pourront être choisis avec des coefficients de dilatation thermique voisins. Selon cette possibilité, le premier métal peut être le platine Pt, le deuxième métal le titane Ti et le matériau transparent peut être un dioxyde de silicium amorphe a-SiO 2 , ces matériaux présentant un coefficient de dilatation thermique de l’ordre de 9.10 -6 K -1 . En variante à ce présent mode de réalisation, les éléments métalliques peuvent être réalisés dans un troisième métal. Selon cette variante, le troisième métal est choisi de telle manière à ce que, comme le deuxième métal, il présente un coefficient d’extinction k m3 inférieur ou égal à 2n m3 , n m3 étant l’indice de réfraction du troisième métal dans la plage de longueur d’onde. Ainsi, dans le cadre d’une application de l’invention au proche infrarouge et au moyen infrarouge, le troisième métal peut être du titane Ti ou en du latine Pt, ou encore du tungstène W, voire un alliage de titane et de platine. Ainsi, dans un exemple pratique de ce premier mode de réalisation, pour une plage de longueurs d’onde centrée autour d’une longueur d’onde centrale λ 0 de 2,7 µm, le masque opaque 140 peut présenter les caractéristique suivantes : - une première couche métallique 141 réalisée en titane Ti avec une épaisseur h m1 de 150 nm, - une deuxième couche métallique 142 réalisée en or Au avec une épaisseur h m2 de 100 nm, - une troisième couche transparente 143 réalisée en dioxyde de silicium SiO 2 avec une épaisseur h d de 120 nm, - un ensemble d’éléments métalliques 144 dans lequel les éléments métalliques présentent une projection sur la deuxième face du support de forme carrée avec une longueur L em de côté de 450 nm, et une épaisseur h em de 200 nm, les éléments métalliques étant arrangés selon un réseau carré avec un pas P de 800 nm. Les simulations d’un tel masque opaque 140 effectuées par les inventeurs suivant la méthode modale par développement de Fourier, d’ondes couplée plus connue sous le sigle anglais RCWA pour Rigorous Coupled-Waves Analysis, permettent de montrer qu’un tel masque présente, comme le montre la figure 3A, une transmittance sur une plage de longueurs d’onde allant au moins 1.5µmà 5µm Inférieure à 5.10 -6 et une réflectivité inférieure à 2% sur une plage de longueur allant de 2,45 µm à 3,1 µm avec un minimum à 0,03% pour la longueur centrale de 2,7 µm. Afin de démontrer la faible variation de la réflectivité R d’un tel masque opaque 140 avec l’angle d’incidence du rayonnement électromagnétique λ, la figure 3A illustre graphiquement la variation de la réflectivité d’un tel masque opaque 140 en fonction de la longueur d’onde du rayonnement électromagnétique obtenue pour, sous la référence 201, un rayonnement électromagnétique arrivant sur la deuxième face avec une incidence normale, sous la référence 202, un rayonnement électromagnétique arrivant sur la deuxième face avec une incidence à 30° de la normale et une polarisation transverse électrique, c’est-à-dire avec un champ électrique parallèle à la deuxième face du support, et sous la référence 203, un rayonnement électromagnétique arrivant sur la deuxième face avec une incidence à 30° de la normale et une polarisation transverse magnétique. On peut ainsi voir que dans la plage de longueurs d’onde allant de 2,45 µm à 3,1 µm et peu importe la polarisation et l’incidence du rayonnement électromagnétique, la réflectivité reste inférieure à 0,02. De plus, il est possible d’optimiser le masque opaque 140 afin d’obtenir une plage de longueurs d’onde plus importante pour laquelle la réflectivité reste inférieure à 5%. Ainsi, si l’on prend le masque opaque 140 selon l’exemple précédent et pour lequel les éléments métalliques 144 présentent une dimension latérale L em égale à 500 nm, une épaisseur h em égal à 225 nm et un pas P de réseau de 1,1 µm, et la couche transparente 143 présente une épaisseur h d de 140 nm, il est possible d’obtenir, conformément aux simulations des inventeurs, une variation de réflectivité 211 telle qu’illustrée sur la figure 3B. Avec une telle configuration, la réflectivité sur une plage de longueurs d’onde allant de 1,1 µm à 3,3 µm reste inférieure à 6, 5%. Selon l’invention et afin d’éviter toutes fuites optiques sur la structure masquée 122 qui pourrait avoir pour origine des phénomènes de diffraction liés aux bords du masque opaque 140, il est possible d’agencer le masque opaque 140 sur la deuxième face du support 110 pour occulter le rayonnement électromagnétique λ pour l’au moins une structure masquée 122 et certaines structures de détection 123 adjacentes à ladite au moins une structure masquée 122. Une telle possibilité permet également de limiter les phénomènes de courants de fuites qui peuvent exister dans un tel composant de détection 1 entre les structures de détection et qui pourraient donc parasiter le signal de bruit mesuré par la structure masquée. Afin d’illustrer ce phénomène, comme le montre la figure 4, les inventeurs ont calculé le signal d’absorption A pour, sous la référence 221, une structure masquée 122 dont les structures directement adjacentes 123 sont également couvertes par le masque opaque 140 selon l’exemple pratique, et sous la référence 222, une structure masquée 122 dont les structures directement adjacentes et celles qui leurs sont adjacentes sont également couvertes par le masque opaque 140 selon l’exemple pratique, ceci en fonction d’une épaisseur du support 110 divisée par son indice de réfraction. Ce signal d’absorption A inclut à la fois le signal d’absorption de la structure masquée lié aux phénomènes de diffraction et aux courants de fuite entre les structures de détection 122, 123. Dans cette configuration simulée par les inventeurs, il a été considéré un agencement des structures en matrice avec un pas de réseau de 15 µm. On peut ainsi voire que, pour un support 110 en tellurure de cadmium et de zinc CdZnTe de 10 µm d’épaisseur, c’est-à-dire un rapport épaisseur du support sur indice de réfraction de 7,5, il nécessaire que les structures directement adjacentes et celles qui leurs sont adjacentes soient également couvertes par le masque opaque 140 pour obtenir une absorption inférieure à 0,1%. Ainsi, conformément aux calculs réalisés par les inventeurs, il est donc possible, pour un composant de détection 1 comprenant un support de 10 µm d’épaisseur et avec un masque opaque 140 qui s’étend, de part et d’autre d’une projection de la structure masquée 122 sur la deuxième face, sur une distance supérieure à 30 µm (c’est-à-dire 2 pixels adjacents de 15 µm de côté), pour une distance supérieure à 15 µm cette absorption reste inférieure à 0,1%. Avec cette même épaisseur de support, pour une telle distance supérieure à 15 µm (c’est-à-dire 1 seul pixel adjacent de 15 µm de côté), cette absorption reste inférieure à 0,15%. Les figures 5A et 5B illustrent deux exemples de mise en œuvre d’un tel masque opaque 140 dans le cadre d’un composant de détection comportant une matrice de structures de détection 121, 122, 124. Ces figures illustrent le positionnement du ou des masques opaques vis-à-vis de la projection de la matrice des structures de détection sur le deuxième face du support 110. Selon le premier exemple illustré sur la figure 5A, il est envisageable d’utiliser un masque opaque 140 agencé pour occulter le rayonnement électromagnétique pour des structures masquées 122 individuelles. Selon cette possibilité, le composant de détection comporte une pluralité de masques opaques 140 correspondant chacun à une structure masquée 122 respective et les structures adjacentes 123 correspondantes. Selon le deuxième exemple préféré et illustré sur la figure 5B, le composant de détection 1 peut comporter un unique masque opaque 140 agencé pour occulter le rayonnement électromagnétique pour une pluralité de structures masquées 122 disposées sur un bord de la matrice des structures de détection. Ainsi, selon cet exemple, le masque opaque est agencé en regard d’une colonne de cinq structures de détection 122, 123 s’étendant le long dudit bord, la troisième structure de détection 122 de ladite colonne correspondant à la structure masquée. Ainsi, selon cette possibilité, le composant de détection présente une ligne de structures masquées permettant de fournir un niveau de bruit moyen précis puisque calculé sur un nombre important de structures masquées 122. Un composant de détection 1 selon ce premier mode de réalisation peut être fabriqué à partir d’un procédé comprenant les étapes suivantes : - fourniture d’un support 110 comprenant une couche 120, dite couche active, dans laquelle est aménagée une pluralité de structures de détection 121a, 121b, 122, 123 de rayonnement électromagnétique λ dans ladite plage de longueurs d’onde, le support 110 comprenant une première face à partir de laquelle s’étend la couche active 120, et une deuxième face, opposée à la première face par laquelle le support 110 est destinée à recevoir le rayonnement électromagnétique λ, - dépôt de la première couche métallique 141 réalisée dans le premier métal en contact de la deuxième face du support 110, - dépôt de la deuxième couche métallique 142 réalisée dans le deuxième métal en contact avec la première couche métallique 141, - dépôt de la couche transparente143, réalisée dans le matériau transparent en contact avec la deuxième couche métallique 142, la troisième couche 143 étant dite couche transparente, - formation d’un ensemble d’éléments métalliques 144 réalisés dans le deuxième métal sur la couche transparente 143 à l’opposé de la deuxième couche métallique 142. On notera que l’étape de formation de l’ensemble d’éléments métalliques 144 peut comporter une sous-étape de dépôt d’une quatrième couche du deuxième métal d’une épaisseur h em et une sous-étape de gravure localisée, par exemple au travers d’une lithographie optique, pour ne garder que les parties de la quatrième couche correspondant aux éléments métalliques 144. Composant de détection (1) de rayonnement électromagnétique (λ) dans une plage de longueurs d’onde comprenant : - un support (110) comprenant une couche (120), dite couche active, dans laquelle est aménagée une pluralité de structures de détection (121a, 121b, 122, 123) de rayonnement électromagnétique (λ) dans ladite plage de longueurs d’onde, le support (110) comprenant une première face à partir de laquelle s’étend la couche active (120), et une deuxième face, opposée à la première face, par laquelle le support (110) est destinée à recevoir le rayonnement électromagnétique (λ), - au moins un masque (140), dit masque opaque, agencé sur une portion de la deuxième face du support (110) pour occulter le rayonnement électromagnétique pour au moins une des structures de détection (122), dite structure masquée, Le composant de détection (1) étant caractérisé en ce que le masque opaque (140) comprend au moins un premier, un deuxième et un troisième métal et un matériau, dit matériau transparent d’indice de réfraction inférieur ou égal à 2 dans la plage de longueurs d’onde, le premier métal présentant un coefficient d’extinction k m1 supérieur ou égal 5n m1 , voire à 10n m1 , et le deuxième et le troisième métal présentant chacun un coefficient d’extinction k m2 /3 inférieur ou égal à 2n m2 /3 avec n m1 et n m2 / 3 les indices de réfraction du premier et dudit deuxième et troisième métal dans la plage de longueurs d’onde, le matériau transparent présentant un coefficient d’extinction k t inférieur ou égal à 0,01, dans lequel le masque opaque (140) comprend, à partir de la deuxième face du support (110), un empilement successif: - d’une première couche métallique (141) réalisée dans le premier métal, - d’une deuxième couche métallique (142) réalisée dans le deuxième métal, - d’une troisième couche (143), dite couche transparente, réalisée dans le matériau transparent, et - d’un ensemble d’éléments métalliques (144) réalisés dans le troisième métal, ledit ensemble étant agencé sur la couche transparente (143) à l’opposé de la deuxième couche métallique (142), et dans lequel la deuxième couche métallique (142), la couche transparente (143) et l’ensemble d’éléments métalliques (144) forment des structures MIM dans la plage de longueurs d’onde. Composant de détection (1) selon la revendication 1, dans lequel le deuxième et le troisième métal sont identiques. Composant de détection (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première couche métallique (141) présente une épaisseur h m1 supérieure à 2 fois une épaisseur de peau δ m1 du premier métal dans la plage de longueurs d’onde, l’épaisseur de la première couche métallique (141) étant préférentiellement supérieure à 4 fois l’épaisseur de peau δ m1 du premier métal dans la plage de longueurs d’onde. Composant de détection (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième couche métallique (142) présente une épaisseur h m2 comprise entre 0,5 fois une épaisseur de peau δ m2 du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde et à 4 fois l’épaisseur de peau δ m2 du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde, l’épaisseur de la première couche métallique (141) étant préférentiellement supérieure à 4 fois l’épaisseur de peau δ m1 du premier métal dans la plage de longueurs d’onde. Composant de détection (1) selon la revendication 2 seule ou en combinaison avec la revendication 3 ou 4, dans lequel les éléments métalliques (144) présentent, selon un plan sensiblement parallèle à la deuxième face, au moins une dimension latérale L inférieure ou égale à une valeur Lm respectant l’équation suivante : avec λ 0 une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde, n d un indice de réfraction du matériau transparent à ladite longueur d’onde, h d une épaisseur de la couche transparente et δ m2 une épaisseur de peau du deuxième métal à ladite longueur d’onde, les éléments métalliques (144) présentant préférentiellement une dimension latérale maximale et une dimension latérale minimale, selon un plan sensiblement parallèle à la deuxième face, comprises entre 0,75 fois ladite valeur Lm et 1,25 fois la valeur Lm. Composant de détection (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel dans l’ensemble d’éléments métalliques (144), deux éléments métalliques (144) adjacents présentent entre eux une distance inter-barycentre inférieure ou égal à λ 0 /n d , λ 0 étant une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde et n d l’indice de réfraction du matériau transparent dans la plage de longueurs d’onde, le pas P entre deux éléments métalliques (144) adjacents dans l’ensemble d’éléments métalliques (144) étant préférentiellement inférieur à 0,75 fois λ 0 /n d . Composant de détection (1) selon la revendication 6, dans lequel les éléments métalliques (144) de l’ensemble d’éléments métalliques (144) sont agencés périodiquement avec un pas P entre les éléments métalliques (144) inférieur à λ 0 /n d , ledit pas P entre les entre les éléments métalliques (144) étant préférentiellement inférieur à 0,75 fois λ 0 /n d . Composant de détection (1) selon l’une quelconque des revendication 1 à 6, dans lequel la couche transparente (143) présente une épaisseur comprise entre λ 0 /4n d et λ 0 /25n d , les valeurs λ 0 /4n d et λ 0 /25n d étant incluses, λ 0 étant une longueur d’onde centrale de la plage de longueurs d’onde et n d l’indice de réfraction du matériau transparent (143) dans la plage de longueurs d’onde. Composant de détection (1) selon la revendication 2 prise seule ou combinaison avec l’une quelconque des revendications 3 à 8, dans lequel chaque élément métallique (144) de l’ensemble de d’éléments métalliques (144) présente une épaisseur, dans le sens d’empilement du masque opaque (140), qui est comprise entre une fois une épaisseur de peau δ m2 du troisième métal dans la plage de longueurs d’onde et trois fois ladite épaisseur de peau δ m2 du deuxième métal, l’épaisseur de chaque élément métallique étant préférentiellement comprise entre une fois et demie l’épaisseur de peau δ m2 du troisième métal dans la plage de longueurs d’onde et deux fois et demie ladite épaisseur de peau δ m2 du troisième métal. Composant de détection (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le masque opaque (140) est agencé sur la deuxième face du support (110) pour occulter le rayonnement électromagnétique (λ) pour l’au moins une structure masquée (122) et les structures de détection (123) adjacentes à ladite au moins une structure masquée (122). Composant de détection (1) selon la revendication 10, dans lequel le masque opaque (140) est agencé sur la deuxième face du support (110) pour également occulter le rayonnement électromagnétique (λ) les structures de détection (123) adjacentes auxdites structures de détection (123) adjacentes à ladite au moins une structure masquée (122). Composant de détection (1) selon la revendication 10 ou 11, dans lequel le support (110) présente une épaisseur inférieure à 10 µm et dans lequel le masque opaque (140) s’étend, de part est d’autre d’une projection de la structure masquée (122) sur la deuxième face du support (110) sur une distance supérieure à 15 µm et préférentiellement supérieure à 30 µm. Composant de détection (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel les structures de détection (121, 122, 123) de la pluralité de structure de détection (121, 122, 123) sont agencées selon une matrice définissant des lignes et des colonnes de structure de détection, le masque opaque (140) est agencé pour occulter le rayonnement électromagnétique pour des structures de détection (122) d’une même ligne ou colonne. Procédé de fabrication d’un composant de détection (1) de rayonnement électromagnétique (λ) dans une plage de longueurs comprenant les étapes suivantes : - fourniture d’un support (110) comprenant une couche (120), dite couche active, dans laquelle est aménagée une pluralité de structures de détection (121a, 121b, 122, 123) de rayonnement électromagnétique (λ) dans ladite plage de longueurs d’onde, le support (110) comprenant une première face à partir de laquelle s’étend la couche active (120), et une deuxième face, opposée à la première face par laquelle le support (110) est destinée à recevoir le rayonnement électromagnétique(λ), - formation d’un masque opaque (140) comprenant, à partir de la deuxième face du support (110), un empilement successif: o d’une première couche métallique (141) réalisée dans un premier métal, o d’une deuxième couche métallique (142) réalisée dans un deuxième métal, o d’une troisième couche (143), dite couche transparente, réalisée dans un matériau dit matériau transparent d’indice de réfraction inférieur ou égal à 2 dans la plage de longueurs d’onde, et o d’un ensemble d’éléments métalliques (144) réalisés dans un troisième métal, ledit ensemble étant agencé sur la couche transparente (143) à l’opposé de la deuxième couche métallique (142), la deuxième couche métallique (142), la couche transparente (143) et l’ensemble de d’éléments métalliques (144) formant des structures MIM dans la plage de longueurs d’onde, le masque opaque (140) étant agencé sur une portion de la deuxième face du support (110) pour occulter le rayonnement électromagnétique pour au moins une des structures de détection (122), dite structure masquée, dans lequel procédé le masque opaque (140) comprend le premier le deuxième et le troisième métal et le matériau, dit matériau transparent, le premier métal présentant un coefficient d’extinction k m1 supérieur ou égal 5n m1 , voire à 10n m1 , et le deuxième métal présentant un coefficient d’extinction k m2 inférieur ou égal à 2n m2 avec n m1 et n m2 les indices de réfraction du premier et du deuxième métal dans la plage de longueurs d’onde, le matériau transparent présentant un coefficient d’extinction k t inférieur ou égal à 0,01. Procédé de fabrication selon la revendication 12, dans lequel l’étape de formation comprend les sous étapes suivantes : dépôt de la première couche métallique (141) réalisée dans le premier métal en contact de la deuxième face du support (110), dépôt de la deuxième couche métallique (142) réalisée dans le deuxième métal en contact avec la première couche métallique (141), dépôt de la couche transparente(143), réalisée dans le matériau transparent en contact avec la deuxième couche métallique (142), la troisième couche (143) étant dite couche transparente, formation d’un ensemble d’éléments métalliques (144) réalisés dans le troisième métal sur la couche transparente (143) à l’opposé de la deuxième couche métallique (142). Procédé de fabrication selon la revendication 14 ou 15, dans lequel lors de l’étape de formation du masque opaque (140), le masque est agencé sur la deuxième face du support (110) pour occulter le rayonnement électromagnétique (λ) pour l’au moins une structure masquée (122) et les structures de détection (123) adjacentes à ladite au moins une structure masquée (122).