FR 3103057 A1 20210514 FR 1912567 A 20191108 PROCEDE DE PROTECTION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES La présente description concerne un procédé de protection des dispositifs optoélectroniques (Pix) contre les décharges électrostatiques, chaque dispositif optoélectronique comprenant un circuit optoélectronique comprenant au moins un composant optoélectronique parmi une diode électroluminescente ou une photodiode. Le procédé comprend la formation d'une première plaque, comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique, la fixation de la première plaque à un support (46), la séparation des dispositifs optoélectroniques les uns des autres, et le retrait du support de plusieurs dispositifs optoélectroniques parmi lesdits dispositifs optoélectroniques par un système de préhension, dans lequel le système de préhension comprend au moins un système de protection des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Figure pour l'abrégé : Fig. 4 PROCEDE DE PROTECTION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES La présente description concerne de façon générale les systèmes et procédés de protection de dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Par dispositifs optoélectroniques, on entend des dispositifs adaptés pour effectuer la conversion d’un signal électrique en un rayonnement électromagnétique ou inversement, et notamment des dispositifs dédiés à la détection, la mesure ou l’émission d’un rayonnement électromagnétique. Un exemple d'application concerne un écran d'affichage comprenant un support sur lequel sont fixés des dispositifs optoélectroniques distincts, chaque dispositif optoélectronique comprenant au moins une diode électroluminescente et correspondant à un pixel d'affichage. Un autre exemple d'application concerne un capteur d'images comprenant un support sur lequel sont fixés individuellement des dispositifs optoélectroniques, chaque dispositif optoélectronique comprenant au moins une photodiode pour la capture de signaux relatifs à un pixel d'image. Il est connu d'inclure, dans un dispositif électronique, un système de protection du dispositif électronique contre les décharges électrostatiques (ESD, sigle anglais pour ElectroStatic Discharge), notamment les décharges électrostatiques susceptibles de se produire au cours du procédé de fabrication et de manipulation du dispositif électronique. Toutefois, pour certaines applications, il peut ne pas être possible de prévoir un tel système de protection dans un dispositif optoélectronique, notamment dans le cas où le dispositif optoélectronique correspond à un pixel d'affichage ou à un capteur de pixel d'image, afin de limiter les dimensions du dispositif optoélectronique. Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier au moins en partie les inconvénients des systèmes et procédés de protection de dispositifs optoélectroniques contre les ESD décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est de protéger le dispositif optoélectronique contre les ESD au cours de la manipulation du dispositif optoélectronique. Un autre objet d'un mode de réalisation est que les dispositifs optoélectroniques puissent être formés à une échelle industrielle et à bas coût. Un mode de réalisation prévoit un procédé de protection de dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques, chaque dispositif optoélectronique comprenant un circuit optoélectronique comprenant au moins un composant optoélectronique parmi une diode électroluminescente ou une photodiode, le procédé comprenant la formation d'une première plaque, comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique, la fixation de la première plaque à un support, la séparation des dispositifs optoélectroniques les uns des autres, et le retrait du support de plusieurs dispositifs optoélectroniques parmi lesdits dispositifs optoélectroniques par un système de préhension, dans lequel le système de préhension comprend au moins un système de protection des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Selon un mode de réalisation, le système de préhension comprend un préhenseur comprenant des logements adaptés à recevoir les dispositifs optoélectroniques, et avant l'étape de retrait desdits plusieurs dispositifs optoélectroniques du support par le préhenseur, l'un des dispositifs optoélectroniques autre que lesdits plusieurs dispositifs optoélectroniques, appelé dispositif sacrificiel, est mis en contact avec le préhenseur avant que lesdits plusieurs dispositifs optoélectroniques ne viennent au contact du préhenseur. Selon un mode de réalisation, le système de préhension comprend un élément saillant par rapport au préhenseur venant au contact du dispositif sacrificiel lors d'un rapprochement relatif entre le préhenseur et le support avant que lesdits plusieurs dispositifs optoélectroniques ne viennent au contact du préhenseur. Selon un mode de réalisation, le système de protection comprend une plaque reliée au préhenseur par une liaison élastique. Selon un mode de réalisation, la liaison élastique est conductrice électriquement. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la déformation locale du support pour rapprocher ledit dispositif sacrificiel du préhenseur par rapport auxdits plusieurs dispositifs optoélectroniques. Selon un mode de réalisation, le système de protection comprend un actionneur adapté à déformer localement le support. Selon un mode de réalisation, la première plaque est fixée au support par l'intermédiaire d'une colle conductrice. Selon un mode de réalisation, chaque dispositif optoélectronique comprend un circuit électronique comprenant au moins un composant électronique, le circuit optoélectronique étant fixé au circuit électronique. Un mode de réalisation prévoit également un système de préhension pour la mise en oeuvre du procédé tel que défini précédemment, comprenant le système de protection des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Selon un mode de réalisation, le système de protection comprend une plaque reliée au préhenseur par une liaison élastique. Selon un mode de réalisation, le système de protection comprend un actionneur adapté à déformer localement le support. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un exemple d'un dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes ; la figure 2 est une vue en coupe de la structure obtenue à une étape d'un exemple d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique de la figure 1 ; la figure 3 est une vue en coupe de la structure obtenue à une étape d'un mode de réalisation d'un procédé de placement de dispositifs optoélectroniques mettant en oeuvre une protection contre les ESD ; la figure 4 est une vue en coupe de la structure obtenue à une autre étape du procédé ; la figure 5 est une vue en coupe de la structure obtenue à une autre étape du procédé ; la figure 6 est une vue en coupe de la structure obtenue à une autre étape du procédé ; la figure 7 est une vue en coupe de la structure obtenue à une étape d'un autre mode de réalisation d'un procédé de placement de dispositifs optoélectroniques mettant en oeuvre une protection contre les ESD ; la figure 8 est une vue en coupe de la structure obtenue à une autre étape du procédé ; la figure 9 est une vue en coupe de la structure obtenue à une autre étape du procédé ; la figure 10 est une vue en coupe de la structure obtenue à une autre étape du procédé; et la figure 11 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé de la structure d'un pixel d'affichage. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif optoélectronique dans une position normale d'utilisation. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. En outre, on considère ici que les termes "isolant" et "conducteur" signifient respectivement "isolant électriquement" et "conducteur électriquement". Des modes de réalisation de systèmes et de procédés de protection contre les ESD vont être décrits pour des dispositifs optoélectroniques correspondant à des pixels d'affichage. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre pour d'autres types de dispositifs optoélectroniques, par exemple des capteurs de pixels d'image. La figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un pixel d'affichage Pix. Le pixel d’affichage Pix comprend du bas vers le haut en figure 1 : - un circuit électronique 10, appelé circuit de commande par la suite ; et - un circuit optoélectronique 30. Le circuit de commande 10 comprend une face inférieure 12 et une face supérieure 14 opposée à la face inférieure 12, les faces 12 et 14 étant de préférence parallèles. Le circuit de commande 10 comprend en outre des plots conducteurs 16 sur la face inférieure 12. Le circuit de commande 10 peut comprendre un substrat semiconducteur 18, un empilement 20 de couches isolantes recouvrant le substrat 18 et des pistes conductrices 22 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement 20 et connectées par des vias conducteurs non représentés. Le circuit de commande 10 peut en outre comprendre des composants électroniques, non représentés en figure 1, notamment des transistors, formés dans et/ou sur le substrat 18. Une couche isolante, non représentée, peut recouvrir le substrat semiconducteur 18 du côté opposé à l'empilement 20 et délimiter la face inférieure 12 du circuit de commande 10. Le circuit de commande 10 peut en outre comprendre des vias conducteurs traversants, non représentés, s'étendant dans le substrat 18, sur toute l'épaisseur du substrat 18 pour relier les plots 16 à la face avant du substrat 18. Le substrat semiconducteur 18 est, par exemple, un substrat en silicium, notamment en silicium monocristallin. Les composants électroniques peuvent alors comprendre des transistors à effet de champ à grille isolée, également appelés transistors MOS. Selon un autre mode de réalisation, le substrat 18 peut correspondre à un substrat non semiconducteur. Les composants électroniques peuvent alors comprendre des transistors en couches minces, également appelés transistors TFT (sigle anglais pour Thin-Film transistor), formés sur le substrat 18. Le circuit optoélectronique 30 est fixé à la face supérieure 14 du circuit de commande 10. Il comprend un support 32 sur lequel sont formées des diodes électroluminescentes DEL, de préférence au moins trois diodes électroluminescentes. Le circuit optoélectronique 30 peut comprendre des blocs photoluminescents 34 recouvrant les diodes électroluminescentes DEL du côté opposé au circuit de commande 10. Chaque bloc photoluminescent 34 est en vis-à-vis d'au moins l'une des diodes électroluminescentes DEL. Le circuit optoélectronique 30 comprend des éléments conducteurs 36, situés dans le support 32, et connectés aux électrodes des diodes électroluminescentes DEL. Le circuit optoélectronique 30 est relié électriquement au circuit de commande 10 par des plots conducteurs, qui peuvent correspondre aux éléments conducteurs 36, et qui sont au contact de plots conducteurs du circuit de commande 10. De préférence, le circuit optoélectronique 30 comprend seulement les diodes électroluminescentes DEL et les éléments conducteurs 36 de ces diodes électroluminescentes DEL et le circuit de commande 10 comprend la totalité des composants électroniques nécessaires à la commande des diodes électroluminescentes DEL du circuit optoélectroniques 30. A titre de variante, le circuit optoélectronique 30 peut également comprendre d'autres composants électroniques en plus des diodes électroluminescentes DEL. La figure 2 est une vue en coupe d'une structure 40 obtenue à une étape d'un exemple de procédé de fabrication du pixel d'affichage Pix de la figure 1. La structure 40 comprend une plaque 42 de circuits intégrés comprenant plusieurs exemplaires du circuit de commande 10 et une plaque 44 comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique 30, trois exemplaires du circuit de commande 10 et du circuit optoélectronique 30 étant représentés. Chaque plaque 42, 44 peut être fabriquée séparément. En particulier, la plaque 42 comprenant les circuits de commande 10 peut être fabriquée en mettant en oeuvre des techniques de fabrication de transistors CMOS. La plaque 44 comprenant les circuits optoélectroniques 30 peut alors être fixée à la plaque 42 comprenant les circuits de commande 10, par exemple par collage moléculaire hybride. Le procédé de fabrication peut comprendre la fixation temporaire de la plaque 42 à un support 46, également appelé poignée, au moyen d'une couche de colle 48. Selon un mode de réalisation, la couche de colle 48 est conductrice électriquement. L'utilisation de la poignée 46 peut notamment être prévue après une étape de fixation de la plaque 42 à la plaque 44 suivie d'une étape d'amincissement du substrat 18. Une étape de découpe peut alors être mise en oeuvre pour individualiser les pixels d'affichage Pix. La découpe est réalisée du côté de la face supérieure 49 de la structure 40 qui est la face de la plaque 44 la plus éloignée de la poignée 46. Les pixels d'affichage Pix peuvent ensuite être retirés du support 46, et fixés à un autre support, par exemple un circuit imprimé, pour obtenir un écran d'affichage. Un écran d'affichage peut comprendre de 10 à 10 9 pixels d'affichage Pix. Chaque pixel d'affichage Pix peut occuper en vue de dessus une surface comprise entre 1 µm 2 et 100 mm 2 . L'épaisseur de chaque pixel d'affichage Pix peut être comprise entre 1 µm et 6 mm. Des décharges électrostatiques peuvent se produire au cours de la manipulation des pixels d'affichage Pix une fois individualisés. Selon un mode de réalisation, un système de protection des pixels d'affichage Pix contre les ESD est prévu, après la séparation des pixels d'affichage Pix, lors de la manipulation des pixels d'affichage. La manipulation des pixels d'affichage peut être réalisée au moyen d'un préhenseur qui peut venir saisir simultanément plusieurs pixels d'affichage pour les déposer sur un support, par exemple un circuit imprimé d'un écran d'affichage. Une ESD peut se produire lorsque le préhenseur vient au contact des pixels d'affichage. Selon un mode de réalisation, le système de protection comprend des moyens pour, avant que le préhenseur ne vienne au contact des pixels d'affichage, mettre en contact un pixel d'affichage sacrificiel avec le préhenseur. De ce fait, si une décharge ESD se produit, ce sera au travers du pixel d'affichage sacrificiel. Ce pixel d'affichage sacrificiel peut ensuite être écarté de façon systématique qu'une ESD se soit produite ou non. Les figures 3 à 6 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation d'un système de préhension 50 de pixels d'affichage Pix, comprenant un système de protection 52 contre les ESD, à des étapes successives d'un transport des pixels d'affichage Pix. Le système de préhension 50 comprend un préhenseur 54 ayant des logements 56, chaque logement 56 pouvant recevoir un pixel d'affichage Pix. Le préhenseur 54 comprend des moyens, non représentés, pour maintenir le pixel d'affichage Pix dans le logement 56 correspondant lorsque le préhenseur 54 est placé au contact ou à proximité du logement 56. Les moyens de maintien peuvent comprendre des ventouses, par exemple des ventouses à vide. Sur les figures 3 à 6, on a représenté chaque logement 56 délimité par un rebord 58. Toutefois, les rebords 58 peuvent ne pas être présents. Le système de protection 52 est disposé dans l'un des logements 56 et comprend une plaque 60 reliée par une liaison élastique 62 au logement 56. Dans le logement 56 où le système de protection 52 est prévu, il peut ne pas y avoir de moyens de maintien. Le système de préhension 50, notamment la plaque 60, la liaison élastique 62, et le préhenseur 54 sont au moins en partie en un matériau conducteur de façon à permettre la circulation de charges électriques. Selon un mode de réalisation, le transport des pixels d'affichage Pix comprend les étapes suivantes : - placement du préhenseur 54 en vis-à-vis des pixels d'affichage Pix encore fixés à la poignée 46 après l'étape de séparation des pixels d'affichage Pix (figure 3), chaque pixel d'affichage Pix étant situé en face de l'un des logements 56, le pixel d'affichage disposé en face du logement 56 dans lequel est prévu le système de protection 52 correspond au pixel sacrificiel Pix' décrit précédemment ; - rapprochement entre le préhenseur 54 et la poignée 46 (figure 4) jusqu'à ce que la plaque 60 vienne au contact du pixel sacrificiel Pix', les autres pixels d'affichage Pix n'étant alors pas au contact du préhenseur 54. Une ESD peut alors se produire au travers du pixel sacrificiel Pix'. L'utilisation d'une couche de colle conductrice 48 permet de façon avantageuse de créer un chemin d'évacuation des charges électriques du préhenseur 54 vers la poignée 46 en passant par le pixel sacrificiel Pix' ; - poursuite du rapprochement entre le préhenseur 54 et la poignée 46 (figure 5) jusqu'à ce que chaque pixel d'affichage Pix soit situé dans le logement 56 correspondant et actionnement des moyens de maintien, la liaison élastique 62 se déformant pour permettre le déplacement de la plaque 60 et du pixel sacrificiel Pix' ; et - libération des pixels d'affichage Pix par rapport à la poignée 46 (figure 6), par exemple par détérioration locale par laser de la couche de colle 48 ou par arrachement, la force d'aspiration du système de préhension 50 sur les pixels d'affichage Pix étant supérieure à la force de retenue de la couche de colle 48, éventuellement à l'exception du pixel sacrificiel Pix', et éloignement du préhenseur 54 par rapport à la poignée 46, les pixels d'affichage Pix restant attachés au préhenseur 54 grâce aux moyens de maintien. Des étapes ultérieures du procédé peuvent comprendre le déplacement du préhenseur 54, munis des pixels d'affichage Pix, jusqu'à un support, et le dépôt des pixels d'affichage Pix sur le support. Les figures 7 à 10 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'un autre mode de réalisation d'un système de préhension 70 de pixels d'affichage Pix, comprenant un système de protection 72 contre les ESD, à des étapes successives d'un transport des pixels d'affichage Pix. Le système de préhension 70 comprend l'ensemble des éléments du système de préhension 50 représenté sur les figures 3 à 6 à l'exception du système de protection 52 qui est remplacé par le système de protection 72 qui comprend un élément déformable 74 disposé du côté de la poignée 46 opposé au pixel sacrificiel Pix' et adapté à déformer localement la poignée 46 lorsqu'il est actionné. Dans le présent mode de réalisation, la poignée 46 peut être déformée localement. Selon un mode de réalisation, la poignée 46 peut correspondre à un film, par exemple en polytéréphtalate d'éthylène (PET) ou en polypropylène, recouvert d'un adhésif, par exemple une colle acrylique. Selon un autre mode de réalisation, la poignée peut correspondre à un substrat en silicium aminci. La poignée 46 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 50 µm et 300 µm. Le système de protection 72 peut comprendre un actionneur piézoélectrique. Selon un mode de réalisation, le transport des pixels d'affichage Pix comprend les étapes suivantes : - placement du préhenseur 54 en vis-à-vis des pixels d'affichage Pix encore fixés à la poignée 46 après l'étape de séparation des pixels d'affichage Pix (figure 7), chaque pixel d'affichage Pix étant situé en face de l'un des logements 56, l'élément déformable 74 n'étant pas actionné de sorte que la poignée 46 n'est pas déformée localement par l'élément déformable 74 ; - actionnement du système de protection 72 de sorte que l'élément déformable 74 vient appuyer contre la poignée 46 pour obtenir une déformation locale de la poignée 46 (figure 8), ce qui entraîne un rapprochement relatif seulement du pixel sacrificiel Pix' par rapport au préhenseur 54 alors que la position relative entre chacun des autres pixels d'affichage Pix et le préhenseur 54 n'est pas modifiée. Le déplacement du pixel sacrificiel Pix' entre l'état non déformé de l'élément déformable 74 et l'état déformé de l'élément déformable 74 peut être compris entre 1 µm et 1 mm ; - rapprochement entre le préhenseur 54 et la poignée 46 (figure 9) jusqu'à ce que le préhenseur 54 vienne au contact du pixel sacrificiel Pix', les autres pixels d'affichage Pix n'étant alors pas au contact du préhenseur 54. Une ESD peut alors se produire au travers du pixel sacrificiel Pix' ; et - poursuite du rapprochement entre le préhenseur 54 et la poignée 46 jusqu'à ce que chaque pixel d'affichage Pix soit situé dans le logement 56 correspondant (figure 10) alors que l'élément déformable 72 est désactivé de sorte que la poignée 46 revient à une position d'équilibre et actionnement des moyens de maintien. Le procédé se poursuit par la libération des pixels d'affichage Pix par rapport à la poignée 46, par exemple par détérioration locale par laser de la couche de colle 48 ou par arrachement, la force d'aspiration du système de préhension 50 sur les pixels d'affichage Pix étant supérieure à la force de retenue de la couche de colle 48, éventuellement à l'exception du pixel sacrificiel Pix', et éloignement du préhenseur 54 par rapport à la poignée 46, les pixels d'affichage Pix restant attachés au préhenseur 54 grâce aux moyens de maintien. Des étapes ultérieures du procédé peuvent comprendre le déplacement relatif entre le préhenseur 54, munis des pixels d'affichage Pix, jusqu'à un support, et le dépôt des pixels d'affichage Pix sur le support. Un avantage des modes de réalisation des procédés de transport décrits précédemment en relation avec les figures 3 à 6 et 7 à 10 est qu'ils permettent le transport et le placement simultanés de plusieurs pixels d'affichage. La figure 11 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation plus détaillé du pixel d'affichage Pix. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande 10 du pixel d'affichage Pix comprend de bas en haut en figure 11 : - le substrat semiconducteur 18, par exemple du silicium monocristallin, une couche isolante 78 du côté de la face inférieure 12 et les deux plots conducteurs 16 ; - des transistors MOS 80, formés dans et sur le substrat 18 ; - l'empilement 20 de couches isolantes, par exemple en oxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium, recouvrant le substrat 18 et les pistes conductrices 22 de plusieurs niveaux de métallisation formées entre les couches isolantes de l'empilement donc notamment des plots 82 exposés sur la face supérieure 14 du circuit électronique 10, les pistes conductrices 22 du premier niveau de métallisation pouvant être en silicium polycristallin et former notamment les grilles des transistors MOS 80 et les pistes conductrices 22 des autres niveaux de métallisation pouvant être des pistes métalliques, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre ou en zinc ; et - des vias 84 conducteurs et isolés latéralement, également appelés TSV (sigle anglais pour Through Silicon Vias) traversant le substrat 18 et reliant les plots 16 à des plots 90 du premier niveau de métallisation de l'empilement 20. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 30 du pixel d'affichage Pix comprend de bas en haut en figure 11 : - le support 32 comprenant une face inférieure 86 au contact de la face supérieure 14 et comprenant des plots conducteurs 88 exposés sur la face inférieure 86, au contact des plots 82, et une structure isolante multicouches 92, par exemple en oxyde de silicium et en nitrure de silicium, s'étendant entre les plots 88 et recouvrant les plots 88 et comprenant des ouvertures 93 exposant des portions des plots 88 ; - des microfils ou nanofils 94, appelés fils par la suite (six fils étant représentés), chaque fil 94 étant en contact avec l'un des plots 88 au travers de l'une des ouvertures 93 ; - une couche isolante 96 s'étendant sur les flancs latéraux d'une portion inférieure de chaque fil 94 et s'étendant sur la couche isolante 92 entre les fils 94 ; - une coque 98 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de chaque fil 94 et s'étendant sur la couche isolante 96 entre les fils 94, la coque 98 comprenant notamment une couche active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente et comportant par exemple des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples ; - une couche 100 conductrice et réfléchissante, s'étendant sur la coque 98 entre les fils 94 ; - une couche 102 formant une électrode recouvrant, pour chaque fil 94, la coque 98 et s'étendant, en outre, sur la couche conductrice 100 entre les fils 94, la couche d'électrode 102 étant adaptée à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes et étant composée d'un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène ; - les blocs photoluminescents 34 recouvrant certains ensembles de diodes électroluminescentes DEL ou des blocs transparents au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes, chaque bloc photoluminescent comprenant des luminophores adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière émis par les diodes électroluminescentes DEL associées, à émettre de la lumière à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes DEL associées ; - une couche isolante 106 recouvrant la face supérieure de chaque bloc 34, la couche isolante 106 pouvant ne pas être présente ; - une couche de protection 108 recouvrant les couches isolantes 106, les faces latérales des blocs 34 et la couche d'électrode 102 entre les blocs 104 ; - des murs 110 entre les blocs 104, chaque mur 110 pouvant comprendre un coeur 112 entouré d'un revêtement 114 réfléchissant à la longueur d'onde du rayonnement émis par les blocs photoluminescents 34 et/ou les diodes électroluminescentes DEL ; - un filtre de couleur 116 recouvrant au moins certains des blocs photoluminescents 34 ; et - une couche d'encapsulation 118 recouvrant l'ensemble de la structure. Chaque fil 94 a par exemple un diamètre moyen, correspondant par exemple au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil 94, compris entre 5 nm et 5 µm, de préférence entre 100 nm et 2 µm, plus préférentiellement entre 200 nm et 1,5 µm et une hauteur supérieure ou égale supérieure à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 3 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 5 fois le diamètre moyen, notamment supérieure à 500 nm, de préférence comprise entre 1 µm et 50 µm. Les fils 94 comprennent au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, par exemple du GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN, un composé II-VI ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes DEL sont adaptées à émettre de la lumière bleue, c'est-à-dire un rayonnement dont la longueur d'onde est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Selon un autre mode de réalisation, les diodes électroluminescentes DEL sont par exemple adaptées à émettre un rayonnement dans l'ultraviolet. Selon un mode de réalisation, la première longueur d’onde correspond à de la lumière bleue et est dans la plage de 430 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d’onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d’onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. En particulier, même si des modes de réalisation ont été décrits dans le cas de pixels d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des pyramides de taille micrométrique ou nanométrique, une pyramide étant une structure tridimensionnelle dont une partie est de forme pyramidale ou conique allongée. Cette structure pyramidale peut être tronquée, c’est-à-dire que le haut du cône est absent, laissant place à un plateau. La base de la pyramide est inscrite dans un polygone dont la dimension des côtés est de 100 nm à 10 µm, préférentiellement entre 1 µm et 3 µm. Le polygone formant la base de la pyramide peut être un hexagone. La hauteur de la pyramide entre la base de la pyramide et le sommet ou le plateau sommital varie de 100 nm à 20 µm, préférentiellement entre 1 µm et 10 µm. En outre, même si des modes de réalisation ont été décrits dans le cas de pixels d'affichage à diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils, il est clair que ces modes de réalisation peuvent concerner un pixel d'affichage à diodes électroluminescentes planaires dans lequel chaque diode électroluminescente est formée par un empilement de couches semiconductrices planes. Procédé de protection de dispositifs optoélectroniques (Pix) contre les décharges électrostatiques, chaque dispositif optoélectronique comprenant un circuit optoélectronique (30) comprenant au moins un composant optoélectronique (DEL) parmi une diode électroluminescente ou une photodiode, le procédé comprenant la formation d'une première plaque (42, 44), comprenant plusieurs exemplaires du circuit optoélectronique, la fixation de la première plaque à un support (46), la séparation des dispositifs optoélectroniques les uns des autres, et le retrait du support de plusieurs dispositifs optoélectroniques parmi lesdits dispositifs optoélectroniques par un système de préhension (50 ; 70), dans lequel le système de préhension comprend au moins un système de protection (52 ; 72) des dispositifs optoélectroniques contre les décharges électrostatiques. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le système de préhension (50 ; 70) comprend un préhenseur (54) comprenant des logements (56) adaptés à recevoir les dispositifs optoélectroniques, et dans lequel avant l'étape de retrait desdits plusieurs dispositifs optoélectroniques (Pix) du support (46) par le préhenseur, l'un des dispositifs optoélectroniques (Pix') autre que lesdits plusieurs dispositifs optoélectroniques, appelé dispositif sacrificiel, est mis en contact avec le préhenseur avant que lesdits plusieurs dispositifs optoélectroniques ne viennent au contact du préhenseur. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le système de préhension (50) comprend un élément saillant (60) par rapport au préhenseur (54) venant au contact du dispositif sacrificiel (Pix') lors d'un rapprochement relatif entre le préhenseur et le support (46) avant que lesdits plusieurs dispositifs optoélectroniques (Pix) ne viennent au contact du préhenseur. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le système de protection (52) comprend une plaque (60) reliée au préhenseur (54) par une liaison élastique (62). Procédé selon la revendication 4, dans lequel la liaison élastique (62) est conductrice électriquement. Procédé selon la revendication 2, comprenant la déformation locale du support (46) pour rapprocher ledit dispositif sacrificiel (Pix') du préhenseur (54) par rapport auxdits plusieurs dispositifs optoélectroniques. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le système de protection (72) comprend un actionneur (74) adapté à déformer localement le support (46). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la première plaque (44) est fixée au support (46) par l'intermédiaire d'une colle conductrice (48). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque dispositif optoélectronique comprend un circuit électronique (10) comprenant au moins un composant électronique (80), le circuit optoélectronique (30) étant fixé au circuit électronique. Système de préhension (50 ; 70) pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant le système de protection (52 ; 72) des dispositifs optoélectroniques (Pix) contre les décharges électrostatiques. Système de préhension selon la revendication 10, dans lequel le système de protection (52) comprend une plaque (60) reliée au préhenseur (54) par une liaison élastique (62). Système de préhension selon la revendication 10, dans lequel le système de protection (72) comprend un actionneur (74) adapté à déformer localement le support (46).