FR 3103033 A1 20210514 FR 1912499 A 20191107 État d'un système optique La présente description concerne un procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) déterminer une variation de la température d'un élément optique (2), ladite variation de température résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique par un faisceau laser (3) traversant une zone de l'élément optique ; b) comparer la variation déterminée à l'étape a) à au moins un seuil prédéterminé ; et c) déduire de l'étape b) des informations sur l'état de l'élément optique et d'une source (1) du faisceau laser. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 État d'un système optique La présente description concerne de façon générale les systèmes électroniques comprenant une source d'émission d'un faisceau laser, ou source laser, et un élément optique traversé par le faisceau laser. La présente description concerne plus particulièrement un procédé d'obtention d'informations sur l'état de la source laser et de l'élément optique d'un tel système. On connaît des systèmes électroniques comprenant une source laser fournissant un faisceau laser sous la forme d'impulsions, et un élément optique, typiquement un élément optique diffractif ou DOE ("diffractive optical element"), traversé par les impulsions laser. L'élément optique est configuré pour modifier, ou mettre en forme, le faisceau laser. Plus particulièrement, le faisceau laser est mis en forme de manière à afficher une forme ou un motif spécifique sur une surface. De tels systèmes sont par exemple utilisés dans des applications d'affichage de messages ou d'images sur une surface telle qu'un mur ou un écran, dans des applications de reconnaissance faciale, dans des applications de télédétection par laser aussi appelées applications LIDAR (acronyme de l'expression en anglais "light detection and ranging"), dans des applications de détection de temps de vol aussi appelées applications TOF (acronyme de l'expression en anglais "time of flight"), etc. Du fait que des tels systèmes utilisent un faisceau laser, ils peuvent être dangereux pour la santé. Par exemple, lorsque la puissance optique du faisceau laser mis en forme augmente par rapport à une puissance nominale sans danger pour la santé, le faisceau laser mis en forme peut endommager la rétine d'un utilisateur d'une application de reconnaissance faciale. Il existe un besoin de disposer d'informations sur l'état d'un système tel que décrit ci-dessus, notamment sur l'état de l'ensemble de la source laser et de l'élément optique. En particulier, il existe un besoin de disposer d'informations sur l'état d'un tel système par rapport à un état nominal du système. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés connus permettant d'obtenir des informations sur l'état d'un système tel que décrit précédemment. Un mode de réalisation prévoit un procédé permettant d'obtenir des informations sur l'état de la source laser et de l'élément optique d'un tel système, notamment par rapport à un état nominal du système. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) déterminer une variation de la température d'un élément optique, ladite variation de température résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique par un faisceau laser traversant une zone de l'élément optique ; b) comparer la variation déterminée à l'étape a) à au moins un seuil prédéterminé ; et c) déduire de l'étape b) des informations sur l'état de l'élément optique et d'une source du faisceau laser. Selon un mode de réalisation, la variation de température correspond à l'écart entre une première température de ladite zone de l'élément optique indépendante de la phase d'illumination, et une deuxième température de ladite zone de l'élément optique dépendante de la phase d'illumination. Selon un mode de réalisation, l'élément optique comprend une piste conductrice dont au moins une portion est disposée dans ladite zone, de préférence une zone centrale, de l'élément optique, la variation de température étant déterminée par une variation correspondante de la résistance de ladite piste. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend les étapes suivantes : a1) mesurer une première valeur de la résistance quand ladite zone de l'élément optique est à la première température ; et a2) mesurer une deuxième valeur de la résistance quand ladite zone de l'élément optique est à la deuxième température, la variation de température étant déterminée par l'écart entre les première et deuxième valeurs. Selon un mode de réalisation, l'étape a1) est mise en oeuvre avant ou après la phase d'illumination, l'étape a2) étant mise en oeuvre pendant la phase d'illumination. Selon un mode de réalisation : - une première durée sépare le début de la phase d'illumination et l'étape a1) quand l'étape a1) est mise en oeuvre avant la phase d'illumination, ou sépare la fin de la phase d'illumination et l'étape a1) quand l'étape a1) est mise en oeuvre après la phase d'illumination ; et - une deuxième durée sépare le début de la phase d'illumination et l'étape a2), les première et deuxième durées étant de préférence déterminées par simulation ou lors d'une étape de caractérisation. Selon un mode de réalisation, la variation de température correspond à l'écart entre une première température d'une autre zone, de préférence une zone périphérique, de l'élément optique, ladite autre zone n'étant pas traversée par le faisceau laser lors de la phase d'illumination, et une deuxième température de ladite zone, de préférence une zone centrale, de l'élément optique. Selon un mode de réalisation, l'élément optique comprend une piste conductrice dont au moins une portion est disposée dans ladite zone, et une piste conductrice supplémentaire disposée dans ladite autre zone, la variation de température étant déterminée à partir d'une différence entre la résistance de la piste conductrice et la résistance de la piste conductrice supplémentaire. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend : mesurer une différence de résistance entre ladite piste quand ladite zone est à la deuxième température, et ladite piste supplémentaire quand ladite autre zone est à la première température, ladite variation de température étant déterminée à partir de ladite différence de résistance. Selon un mode de réalisation, l'étape a) est mise en oeuvre pendant ladite phase d'illumination. Selon un mode de réalisation, une durée sépare le début de la phase d'illumination et l'étape a), ladite durée étant de préférence déterminée par simulation ou lors d'une étape de caractérisation. Selon un mode de réalisation, la masse de la piste est au moins 100000 fois plus faible, de préférence 1000000 de fois plus faible, que la masse de l'élément optique ; et/ou la masse de la piste supplémentaire est au moins 100000 fois plus faible, de préférence 1000000 de fois plus faible, que la masse de l'élément optique. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une étape de comparaison de la résistance de ladite piste à une valeur haute, et une étape de détermination que l'élément optique est défectueux si la résistance est supérieure à la valeur haute ; et/ou une étape de comparaison de la résistance de ladite piste supplémentaire à la valeur haute, et une étape de détermination que l'élément optique est défectueux si la résistance de ladite piste supplémentaire est supérieure à la valeur haute. Selon un mode de réalisation, ledit au moins un seuil est déterminé par simulation ou lors d'une étape de caractérisation. Selon un mode de réalisation, lorsque ladite variation de température est supérieure à un seuil haut, l'étape c) consiste à déduire que la source émet un faisceau d'une puissance optique plus élevée qu'une puissance optique nominale émise ; et/ou lorsque ladite variation de température est inférieure à un seuil bas, l'étape c) consiste à déduire que l'élément optique absorbe une puissance optique plus faible qu'une puissance nominale absorbée. Selon un mode de réalisation, l'élément optique est un élément optique diffractif, DOE, configuré pour mettre en forme le faisceau. Selon un mode de réalisation : une durée de la phase d'illumination est inférieure à 500 ms, de préférence inférieure à 100 ms, encore plus préférentiellement inférieure à 50 ms, par exemple inférieure à 10 ms ou à 5 ms; et/ou la phase d'illumination est une phase d'illumination parmi plusieurs phases d'illumination successives, par exemple périodiques ; et/ou la phase d'illumination correspond à une émission d'une unique impulsion du faisceau laser ou d'un train d'impulsions périodiques du faisceau laser. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente, en coupe et de façon très schématique, un exemple d'un mode de réalisation d'un ensemble d'une source d'un faisceau laser et d'un élément optique traversé par le faisceau laser ; la figure 2 représente, en coupe et de manière schématique, un exemple d'un mode de réalisation d'un système électronique comprenant un ensemble tel qu'illustré en figure 1 ; la figure 3 représente, en coupe et de manière schématique, un exemple de mode de réalisation d'un élément optique diffractif ; la figure 4 représente, en vue de dessus et de manière schématique, l'élément optique de la figure 3 ; la figure 5 représente, sous la forme de blocs, un exemple de mode de réalisation d'un système électronique comprenant un ensemble tel qu'illustré en figure 1 ; et la figure 6 représente, sous la forme d'un organigramme, un mode de réalisation d'un procédé d'obtention d'informations sur l'état d'un système du type de ceux des figures 1, 2 et 5 ; la figure 7 représente des chronogrammes illustrant une mise en oeuvre du procédé de la figure 6 selon un premier exemple ; la figure 8 représente des chronogrammes illustrant une mise en oeuvre du procédé de la figure 6 selon un deuxième exemple ; la figure 9 représente, sous la forme d'un schéma électrique, un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit de mesure de la résistance d'une piste conductrice d'un élément optique du type de celui des figures 1 à 4 ; et la figure 10 représente, en vue de dessus et de manière schématique, un autre mode de réalisation d'un élément optique. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les diverses applications et systèmes électroniques dans lesquels peut être prévu un ensemble d'une source d'un faisceau laser et d'un élément optique configuré pour mettre en forme le faisceau laser fourni par la source n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec ces applications et systèmes usuels. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La figure 1 représente, en coupe et de façon très schématique, un exemple d'un mode de réalisation d'un ensemble d'une source 1 d'un faisceau laser 3 et d'un élément optique 2 traversé par le faisceau laser 3. La source 1 est configurée pour fournir le faisceau laser 3. A titre d'exemple, la longueur d'onde du faisceau laser 3, ou longueur d'onde de la source 1, est comprise dans l'infrarouge proche, par exemple entre 750 nm et 3 µm, par exemple sensiblement égale, voire égale, à 940 nm. La source 1 est commandée par un circuit de commande non représenté en figure 1 de manière que la source 1 alterne entre des phases d'émission du faisceau 3, sous la forme d'une unique impulsion laser ou d'un train d'impulsions laser périodiques, et des phases où aucun faisceau 3 n'est émis. Dit autrement, la source 1 est une source laser impulsionnelle. Chaque phase d'émission du faisceau laser 3 par la source 1 correspond à une phase d'illumination de l'élément optique 2. La source 1 reçoit, par exemple d'une source d'alimentation électrique non représentée en figure 1, une puissance électrique d'alimentation, par exemple de l'ordre de 2 W, par exemple égale à 2 W. La source 1 convertit la puissance électrique qu'elle reçoit en puissance optique, par exemple avec un taux ou rendement de conversion de l'ordre de 30 %. L'élément optique 2, de préférence un élément optique diffractif ou DOE, est placé sur le chemin du faisceau laser 3. L'élément optique est configuré pour mettre en forme le faisceau laser qu'il reçoit de la source 1. Le faisceau laser 3 modifié par l'élément optique 2 forme une image ou un motif lumineux donné lorsqu'il atteint une surface telle qu'une surface plane disposée dans un plan orthogonal à la direction de propagation du faisceau laser 3. Par exemple, l'élément optique 2 est configuré pour que le motif lumineux formé par le faisceau 3 mis en forme sur une telle surface soit un ensemble, ou réseau, de points régulièrement répartis sur la surface, un tel motif étant par exemple utilisé dans des applications de reconnaissance faciale. L'élément optique 2 transmet la majorité de la puissance optique qu'il reçoit, par exemple environ 90 % de la puissance optique qu'il reçoit. Toutefois, l'élément optique 2 absorbe une partie de la puissance optique qu'il reçoit. L'absorption d'une partie de la puissance optique du faisceau 3 par l'élément optique 2 est usuellement considérée comme un inconvénient. Cette puissance optique absorbée résulte en une augmentation de la température de l'élément optique 2 représentative de la puissance optique émise par la source 1 et des caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique 2, par exemple du coefficient de transmission optique de l'élément optique 2. Pour obtenir des informations sur l'état de l'élément optique 2 et de la source 1, les inventeurs proposent ici de tirer parti de la variation de la température dans l'élément optique 2 qui résulte d'une phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau laser 3, par rapport à une température de base de l'élément optique 2 lorsque la source 1 est éteinte entre deux phases d'illuminations successives. Plus particulièrement, les inventeurs proposent un mode de réalisation d'un procédé dans lequel cette variation de température de l'élément optique 2 est comparée à au moins un seuil pour obtenir des informations sur l'état de l'élément optique 2 et la source 1, par exemple pour détecter une modification des caractéristiques d'absorption de l'élément optique 2 et de la puissance optique émise par la source 1 par rapport respectivement à des caractéristiques nominales d'absorption de l'élément optique 2 et à une puissance nominale émise par la source 1. Les caractéristiques nominales d'absorption et de la puissance nominale émise correspondent à un état nominal de l'ensemble de la source 1 et de l'élément 2. A titre d'exemple, dans cet état nominal, la puissance optique du faisceau laser 3 mis en forme est suffisamment faible pour qu'il ne présente aucun risque pour la santé, et, en particulier, qu'il ne risque pas d'endommager la rétine d'une personne qui recevrait tout ou partie de ce faisceau mis en forme dans l'oeil. Selon un mode de réalisation, les inventeurs prévoient d'utiliser une piste conductrice (non représentée en figure 1) disposée ou incluse dans l'élément optique 2, et plus particulièrement la variation de la résistance d'une telle piste conductrice avec la température de l'élément optique 2. En effet, une variation de la température de l'élément optique 2 entraîne une variation correspondante de la température de la piste conductrice de l'élément optique 2. Du fait que la résistance de la piste conductrice, par exemple métallique, varie de manière sensiblement linéaire avec sa température, la variation de la température de l'élément optique résultant d'une phase d'illumination peut être déterminée à partir d'une variation correspondante de la résistance de sa piste conductrice. Selon un mode de réalisation, la différence entre la masse (poids) de la piste conductrice et celle de l'élément optique 2 est importante, d'où il résulte que la variation de température de la piste conductrice est très rapide par rapport à celle de l'élément optique 2 et peut être considérée comme instantanée par rapport à la variation de la température de l'élément optique 2. Dit autrement, une variation de température de l'élément optique 2 entraîne une variation correspondante instantanée de la température de la piste conductrice. De préférence, la masse de la piste conductrice est au moins 100000 fois, voire au moins 1000000 fois, plus faible que la masse de l'élément optique 2. Les inventeurs ont également constaté que les variations de température de l'élément optique 2 résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau laser 3 sont très rapides, par exemple inférieures ou égales à environ 1 ms, voire inférieures ou égales à 0,5 ms. A l'inverse, les inventeurs ont constaté que les variations de température de l'élément optique 2 résultant de variations de température de son environnement sont très lentes, par exemple supérieures ou égales à 1 s. Ainsi, la variation de température de l'élément optique 2 entre une première température indépendante d'une phase d'illumination par le faisceau laser 3, par exemple mesurée à un premier instant avant ou après la phase d'illumination, et une deuxième température dépendante de la phase d'illumination, par exemple mesurée à deuxième un instant pendant la phase d'illumination, peut être considérée comme dépendant uniquement de la puissance émise par la source 1 et des caractéristiques d'absorption de l'élément optique 2 pendant la phase d'illumination, en particulier quand l'écart entre les premier et deuxième instants est inférieur ou égal à 1 s, voire à 500 ms. Dit autrement, la variation de température de l'élément optique 2 résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau 3 peut être considérée comme indépendante d'une éventuelle variation de la température de l'environnement de l'élément optique, par exemple dès lors que la phase d'illumination à une durée inférieure à 500 ms, de préférence inférieure à 100 ms, encore plus préférentiellement inférieure à 50 ms, par exemple inférieure à 10 ms ou à 5 ms. La figure 2 représente, en coupe et de manière schématique, un exemple de mode de réalisation d'un système comprenant un ensemble tel qu'illustré par la figure 1, auquel s'appliquent les modes de mise en oeuvre du procédé décrit ici. La source 1 fait partie d'un circuit intégré photonique 5. La source 1 comprend par exemple une pluralité de cellules émettant de la lumière à la longueur d'onde de la source 1, par exemple une pluralité de diodes laser à cavité verticale émettant par la surface ou VCSEL (acronyme pour l'expression en anglais "vertical cavity surface emitting diode"). Le circuit 5 est monté sur un support 7 muni de connexions électriques (non représentées), par exemple un interposeur. Des plots de connexion électrique 9 du support 7 sont connectés électriquement à des plots de connexion électrique 11 correspondants du circuit 5, par exemple par des brasures, des billes métalliques ou un contact direct. Un circuit intégré 13 de commande et de traitement est également monté sur le support 7. Des plots de connexion électrique 9 sont connectés électriquement à des plots de connexion électrique 15 correspondants du circuit 13. Les circuits 5 et 13 sont électriquement reliés l'un à l'autre par les plots 9, 11 et 15 et par les connexions électriques du support 7. Selon un mode de réalisation, la source 1 est commandée par le circuit 13. Lors de chaque phase d'illumination de l'élément 2 par le faisceau 3 (non représenté en figure 2), la source 1 est dans une phase d'émission du faisceau 3, sous la forme d'une unique impulsion ou d'un train d'impulsions laser périodiques, la durée de la phase d'illumination étant égale respectivement à la durée de l'impulsion laser unique ou à la durée totale du train d'impulsions laser. Entre deux phases d'illumination successives de l'élément optique 2, la source 1 est éteinte et n'émet aucun faisceau 3. Dit autrement, le circuit 13 est configuré pour commander l'alternance des phases où la source 1 émet le faisceau 3 pendant des phases correspondantes d'illumination de l'élément 2 par le faisceau 3, et des phases où la source 1 est éteinte entre deux phases d'illumination successives. En variante, la source 1 est commandée par un circuit de commande faisant partie du circuit intégré 5. Les circuits 5 et 13 montés sur le support 7 sont protégés de l'environnent extérieur par un boîtier 17, de préférence hermétique. Le boîtier 17 est disposé du côté du support 7 où sont montés les circuits 5 et 13. Le boîtier 17 comprend des murs 17a, un couvercle 17b muni d'une ouverture en regard de la source 1, et l'élément optique 2 disposé de manière à boucher l'ouverture et être traversé par le faisceau émis par la source 1. Comme cela a été indiqué précédemment, l'élément optique 2 comprend une piste conductrice 19, de préférence métallique, par exemple en cuivre. La piste 19 est disposée ou incluse dans l'élément optique 2, c'est-à-dire noyée dans ce dernier. La piste 19 peut également être disposée sur une face (supérieure ou inférieure) de l'élément optique 2. La piste 19 est reliée électriquement, à chacune de ses extrémités, à un circuit de traitement, par exemple le circuit 13, par l'intermédiaire de fils conducteurs 21. Dans cet exemple, chaque extrémité de la piste 19 est au contact d'un plot de connexion électrique 23 de l'élément optique 2, et chaque plot 23 est relié à un plot 9 correspondant par un des fils 21. Dans cet exemple, le support 7 est monté sur un autre support 25 muni de connexions électriques (non représentées en figure 2), par exemple une carte de circuit imprimé, par exemple une carte mère ("motherboard" en anglais), par exemple d'un téléphone intelligent ("smartphone" en anglais) ou d'une tablette. Des plots de connexion électrique 27 du support 7, par exemple disposés du côté du support 7 opposé à celui où sont montés les circuits 5 et 13, sont connectés à des plots de connexion électrique 29 correspondants du support 25, par exemple par des brasures, des billes métalliques ou un contact direct. La figure 3 représente, en coupe et de manière schématique, un exemple de mode de réalisation d'un élément optique diffractif, par exemple l'élément optique 2 des figures 1 et 2, une portion seulement de cet élément optique étant représentée en figure 3. L'élément optique diffractif 2 comprend une couche 31 transparente à la longueur d'onde de la source 1, par exemple une couche d'oxyde de silicium. A titre d'exemple, la couche 31 a une épaisseur de l'ordre de 200 µm. Un revêtement antireflet 33 recouvre une face supérieure 35 de la couche 31 et/ou une face inférieure 37 de la couche 31. De préférence, chacune des faces 35 et 37 est recouverte par un revêtement antireflet 33 respectif. A titre d'exemple, chaque revêtement antireflet 33 comprend une alternance de couches d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium. Un motif de diffraction, ou structure diffractive, 39 est formé dans la couche 31, dans cet exemple du côté de sa face inférieure 37. La structure 39 est en un matériau d'indice optique différent de celui du matériau de la couche 31, et plus généralement du matériau entourant la structure 39. A titre d'exemple, la structure 39 est en silicium et est noyée dans de l'oxyde de silicium. L'homme du métier est en mesure de déterminer la structure 39 en fonction de la mise en forme désirée du faisceau 3. La piste conductrice 19 est disposée dans la couche 31. La piste conductrice 19 est reliée, à chacune de ses extrémités, à un plot 23 correspondant, un seul plot 23 étant visible sur la portion de l'élément optique 2 représentée en figure 3. La figure 4 représente, en vue de dessus et de manière schématique, l'élément optique 2 de la figure 3. En figure 4, seuls les plots 23 et la piste 19 sont détaillés, la piste 19 étant représentée en pointillé. Dans cet exemple, l'élément optique 2 a, en vue de dessus, une forme rectangulaire. L'élément optique 2 peut avoir une autre forme, par exemple une forme circulaire, ovoïde ou polygonale, par exemple la forme d'un triangle, d'un carré ou d'un hexagone. De préférence, les plots 23 sont disposés vers des bords ou des coins de l'élément optique 2, de manière à ne pas perturber le faisceau 3. La piste conductrice 19 comprend de préférence au moins une portion disposée dans la zone de l'élément optique 2 destinée à être traversée par le faisceau laser 3, dans cet exemple la zone centrale de l'élément optique 2. Ainsi, lorsque l'élément optique 2 est traversé par le faisceau laser 3, ou, dit autrement, lorsque l'élément optique est illuminé par le faisceau laser 3, l'augmentation de la température dans la zone traversée par le faisceau 3 entraîne une augmentation correspondante de la température de la portion ou des portions de la piste 19 disposées dans cette zone. De préférence, comme cela est représenté en figure 4, la piste 19 a la forme de zigzag, ou, dit autrement, d'une pluralité de lacets, ou, dit encore autrement, d'un serpentin. Cela permet, d'une part, de répartir la piste 19 dans l'élément optique 2, et, d'autre part, d'augmenter la longueur de la piste 19. Il en résulte une augmentation de la sensibilité de la piste 19 aux variations de température dans l'élément optique 2, même lorsque ces variations de température sont localisées dans une zone de l'élément optique 2. La figure 5 représente, sous forme de blocs, un exemple de mode de réalisation d'un système ou circuit électronique du type auquel s'appliquent les modes de mise en oeuvre du procédé décrit ici. Le système électronique illustré par la figure 5 correspond par exemple au système électronique de la figure 2. Le système comprend : - l'élément optique 2 (bloc "DOE + R") muni de sa piste conductrice 19 (non représentée) ; - la source laser 1 (bloc "Laser") ; - un circuit de traitement et de commande (bloc "PU"), dans cet exemple le circuit 13, par exemple une machine d'états, un microprocesseur, un circuit logique programmable ou un microcontrôleur ; et - une ou plusieurs zones de stockage volatile, par exemple de type mémoire RAM ou registres, pour stocker temporairement des informations (instructions, adresses, données) pendant les traitements, et/ou une ou plusieurs zones de stockage non volatile, par exemple de type mémoire flash pour stocker des informations de façon durable et en particulier quand le système n'est pas alimenté, ces zones de stockage étant ici représentées sous la forme d'un unique bloc 40 ("MEM"). Le système comprend en outre des moyens de communication 41 entre les différents éléments du système tels qu'un ou plusieurs fils conducteurs configurés pour transmettre des signaux, et/ou un ou plusieurs bus de données, d'adresses et/ou de commandes. La figure 6 représente, sous forme d'un organigramme, un mode de réalisation d'un procédé d'obtention d'informations sur l'état d'un système du type de ceux des figures 1 à 5, et plus particulièrement d'obtention d'informations sur l'état de l'élément optique 2 et de la source laser 1 d'un tel système. A une première étape 600 (bloc "ΔT"), une variation de la température de l'élément optique 2 est déterminée, ou mesurée. La variation de température résulte d'une phase d'illumination de l'élément optique par le faisceau laser 3 où la source 1 émet le faisceau 3, sous la forme d'une unique impulsion laser ou d'un train d'impulsions laser périodiques. Plus particulièrement, cette variation de température correspond à l'écart entre une première température de l'élément optique 2 lorsqu'il n'est pas illuminé par le faisceau laser 3, et une deuxième température de l'élément optique 2 lorsqu'il est illuminé par le faisceau laser 3. Dit autrement, la première température est indépendante de la phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau laser 3, et la deuxième température de l'élément optique dépend de cette phase d'illumination, et notamment des propriétés d'absorption optique de l'élément optique 2 et de la puissance optique émise par la source 1. Selon un mode de réalisation, la variation de la température de l'étape 600 est déterminée par une variation correspondante de la résistance de la piste conductrice 19 de l'élément optique 2. En effet, comme cela a été indiqué précédemment, une variation de température de l'élément optique 2 entraîne une variation correspondante de la résistance de la piste 19. Selon un mode de réalisation, l'étape 600 comprend une étape consistant à déterminer, ou mesurer, une première valeur de la résistance de la piste 19 alors que l'élément optique 2 est à la première température, et une autre étape consistant à déterminer, ou mesurer, une deuxième valeur de la résistance de la piste 19 alors que l'élément optique 2 est à la deuxième température. L'écart entre les première et deuxième valeurs de résistance est alors représentatif de l'écart entre les première et deuxième températures de l'élément optique 2. Selon un mode de réalisation, la première valeur de résistance est mesurée avant la phase d'illumination. Lorsque la phase d'illumination correspond à une phase d'illumination parmi plusieurs phases d'illumination successives, par exemple périodiques, une première durée D1 sépare la mesure de la première valeur du début la phase d'illumination. Cette durée D1 est de préférence suffisamment courte pour que la température de l'élément optique 2 ne dépende plus de la phase d'illumination précédente, mais dépende uniquement de la température de l'environnement de l'élément optique 2. Selon un autre mode de réalisation, la première valeur de résistance est mesurée après la phase d'illumination. Une première durée D1 sépare la fin de la phase d'illumination de la mesure de la première valeur. Cette durée D1 est de préférence suffisamment longue pour que la température de l'élément optique 2 ne dépende plus de la phase d'illumination précédente, mais dépende uniquement de la température de l'environnement de l'élément optique 2. Selon un mode de réalisation, la deuxième valeur de résistance est mesurée pendant la phase d'illumination, une deuxième durée D2 séparant le début de la phase d'illumination de la mesure de la deuxième valeur. Cette durée D2 est de préférence suffisamment longue pour que la température de l'élément optique 2 soit relativement stable, ou, dit autrement, stationnaire. En particulier, quand une phase d'illumination correspond à l'émission d'une seule impulsion laser, cette durée D2 est par exemple de l'ordre de la moitié de la durée de l'impulsion, et, quand une phase d'illumination correspond à l'émission d'un train d'impulsions laser périodiques, par exemple d'au moins 5 impulsions, voire d'au moins 10 impulsions, la durée D2 est par exemple comprise entre 1 et 10 fois la durée d'une impulsion laser du train d'impulsions laser. L'homme du métier est en mesure de déterminer les première et deuxième durées décrites ci-dessus, notamment au moyen d'une étape d'étalonnage ou de caractérisation de l'ensemble de la source 1 et de l'élément optique 2, et/ou de simulations assistées par ordinateur de cet ensemble, par exemple au moyen du logiciel de simulation désigné par l'appellation commerciale ANSYS Thermal Simulation. A une étape 602 suivante (bloc "ΔT comparison"), la variation de température déterminée à l'étape 600 est comparée à au moins un seuil. Selon un mode de réalisation, la variation de température déterminée à l'étape 600 est comparée à un seuil haut. A titre d'exemple, cette comparaison est mise en oeuvre en comparant la variation de la résistance mesurée à l'étape 600 à un premier seuil représentatif du seuil haut. Si la variation de température est supérieure au seuil haut, l'augmentation de température dans l'élément optique 2 est plus importante que lorsque l'élément optique 2 et la source 1 sont dans leur état nominal. Le procédé se poursuit alors à une étape 604 (bloc "Laser/DOE issue"). A cette étape 604, on déduit de la comparaison de l'étape 602 que la source 1 et l'élément optique 2 sont dans un état éloignés de leur état nominal, et notamment que le faisceau laser 3 mis en forme peut présenter un risque pour la santé. Ainsi, selon un mode de réalisation, à l'étape 604, la source 1 est définitivement éteinte. Selon un mode de réalisation, de préférence combiné avec le mode de réalisation ci-dessus, la variation de température déterminée à l'étape 600 est comparée avec un seuil bas. A titre d'exemple, cette comparaison est mise en oeuvre en comparant la variation de la résistance mesurée à l'étape 600 à un deuxième seuil représentatif du seuil bas. Si la variation de température est inférieure au seuil bas, l'augmentation de température dans l'élément optique 2 est plus faible que lorsque l'élément optique 2 et la source 1 sont dans leur état nominal. Le procédé se poursuit alors à l'étape 604 (bloc "Laser/DOE issue"). En revanche, si la variation de température déterminée à l'étape 600 est inférieure au seuil haut et/ou supérieure au seuil bas, de préférence comprise entre les seuils haut et bas, le procédé se termine à une étape 606 suivante (bloc "Laser/DOE ok"). A cette étape 606, on déduit de la comparaison de l'étape 602 que l'élément optique 2 et la source 1 fonctionnent de la manière attendue, ou, autrement dit sont dans leur état nominal ou dans un état proche de leur état nominal, et que, par exemple, le faisceau laser 3 mis en forme ne présente aucun risque pour la santé. Le procédé décrit ci-dessus permet donc l'obtention d'informations sur l'état de la source 1 et de l'élément optique 2, notamment par rapport à leur état nominal. Plus particulièrement, si la variation de température déterminée à l'étape 600 est supérieure au seuil haut, cela signifie par exemple que : - la puissance optique émise par la source 1 est plus élevée que la puissance nominale émise, donc que le faisceau laser 3 mis en forme est plus puissant que dans l'état nominal de la source et de l'élément optique, le faisceau 3 mis en forme pouvant alors être dangereux pour la santé ; et/ou - les caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique 2, ou, dit autrement, son coefficient d'absorption optique, sont plus importants que dans l'état nominal de la source et de l'élément optique. En outre, si la variation de température déterminée à l'étape 600 est inférieure au seuil bas, cela signifie par exemple que : - les caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique 2 sont plus faibles que dans l'état nominal de la source et de l'élément optique, donc que la puissance optique du faisceau laser 3 mis en forme est plus élevée que dans cet état nominal, le faisceau 3 mis en forme pouvant alors être dangereux pour la santé ; et/ou - la puissance optique émise par la source 1 est plus faible que dans l'état nominal de la source et de l'élément optique. L'homme du métier est en mesure de déterminer, à partir des indications fonctionnelles ci-dessus, la valeur des seuils haut et bas et, le cas échéant, des premier et deuxième seuils correspondants. Pour cela, l'homme du métier peut s'appuyer sur une étape d'étalonnage ou de caractérisation de la source 1 et de l'élément optique 2 et/ou sur des simulations assistées par ordinateur de la source 1 et de l'élément optique 2, par exemple des simulations effectuées à l'aide du logiciel désigné par l'appellation commerciale ANSYS Thermal Simulation. Les étapes du procédé décrit ci-dessus sont par exemple mises en oeuvre par un circuit de traitement, par exemple le circuit 13. A titre d'exemple, ce circuit de traitement est associé à une mémoire dans laquelle sont stockées des instructions qui, lorsqu'elles sont lues et exécutées par le circuit de traitement, entraînent la mise en oeuvre du procédé. A titre d'exemple, les instants de début et de fin de la phase d'illumination considérée sont obtenus à partir du circuit de commande de la source 1, par exemple à partir du circuit 13. Dans les modes de mise en oeuvre où l'on mesure la résistance de la piste 19 de l'élément optique, un circuit de mesure de la résistance est prévu, ce circuit de mesure faisant par exemple partie du circuit de traitement et de commande 13. Le procédé décrit ci-dessus peut être mis en oeuvre à chaque phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau laser 3, à certaines seulement de ces phases d'illumination et/ou pendant une phase d'illumination spécifique de test ayant une durée plus importante que celle des autres phases d'illumination, par exemple une durée de l'ordre de plusieurs centaines de millisecondes. La prévision d'une telle phase de test permet par exemple de s'assurer que la température de l'élément optique pendant cette phase d'illumination atteigne un état stable ou stationnaire . Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre une étape de comparaison de la résistance de la piste 19 à une valeur haute. La valeur haute correspond à une valeur de résistance lorsque la piste 19 est interrompue ou brisée, l'interruption de la piste 19 signifiant que l'élément optique 2 est cassé. Lorsque l'élément optique 2 est cassé ou fendu, la puissance optique du faisceau laser 3 après l'élément optique 2 peut être plus importante que dans l'état nominal de la source 1 et de l'élément optique 2, le faisceau 3 pouvant alors être dangereux pour la santé. Ainsi, si la résistance de la piste 19 est supérieure à la valeur haute, la source 1 est de préférence éteinte définitivement. A titre d'exemple, cette comparaison de la résistance 19 à la valeur haute est mise en oeuvre en comparant la valeur haute à la première valeur et/ou la deuxième valeur de la résistance mesurées à l'étape 600. On aurait pu penser à mettre en oeuvre uniquement l'étape de comparaison de la résistance de la piste conductrice 19 à une valeur haute de résistance. Toutefois, cela n'aurait pas permis de détecter le cas où la puissance optique émise par la source 1 est plus importante que la puissance nominale émise dans l'état nominal de la source et de l'élément optique, ni le cas où l'élément optique 2 présente, entre des portions de la piste 19 restée continue, une zone telle qu'un trou ou une faille laissant passer plus de puissance optique qu'il ne le ferait dans son état nominal. Dans une variante non illustrée du procédé décrit ci-dessus, un signal représentatif de l'évolution en fonction du temps de la valeur de résistance de la piste 19 est obtenu en mesurant la résistance de la piste 10 de manière continue ou à une fréquence d'échantillonnage suffisamment élevée, par exemple supérieure à 1 KHz, de préférence supérieure à 10 KHz, voire supérieure à 100 KHz. Un filtrage passe haut de ce signal est ensuite mis en oeuvre pour supprimer les fréquences basses du signal, par exemple inférieures à 1 Hz, qui correspondent aux variations lentes de la température de l'élément optique 2 liées aux variations de la température de son environnement. La variation de la résistance de la piste 19 suite à une phase d'illumination est alors obtenue à partir d'une valeur du signal filtré, prise pendant la phase d'illumination. La figure 7 représente des chronogrammes illustrant une mise en oeuvre du procédé de la figure 6 selon un exemple. Plus particulièrement, la figure 7 représente, en haut, un chronogramme de l'évolution, en fonction du temps t en abscisse, de la résistance R de la piste 19, et, en bas, les phases ON où le faisceau 3 est émis par la source 1, dans cet exemple sous la forme d'une unique impulsion laser, et les phases OFF où le faisceau n'est pas émis. Avant un instant t0, pendant une phase OFF, la température de l'environnement de l'élément optique 2 est par exemple de l'ordre de 30°C et la résistance R a une valeur R1 correspondante. A l'instant t0 débute une phase ON, par exemple d'une durée de 5 ms. A partir de l'instant t0, la température de l'élément optique 2 augmente, d'où il résulte que la résistance R augmente. L'augmentation de la température de l'élément optique 2 et l'augmentation correspondante de la résistance R sont relativement rapides, et s'effectuent par exemple en moins de 1 ms, voire moins de 0,5 ms. A un instant suivant t1, pendant la phase ON, la résistance R est mesurée. La résistance R a alors une valeur R1'. Comme cela a été indiqué précédemment, les instants t0 et t1 sont séparés l'un de l'autre par la durée D2, de préférence suffisamment longue pour que la valeur de la résistance R soit sensiblement stationnaire à l'instant t1. A titre d'exemple, la durée D2 est choisie sensiblement égale, par exemple égale, à la moitié de la durée de la phase ON. A un instant suivant t2, la phase ON se termine. A partir de l'instant t2, la température de l'élément optique 2 décroît, d'où il résulte que la résistance R diminue. La diminution de la température de l'élément optique 2 et la diminution correspondante de la résistance R sont relativement rapides, et s'effectuent par exemple en moins de 1 ms, voire moins de 0,5 ms. Plus particulièrement, la température de l'élément optique 2 décroît jusqu'à une température sensiblement égale à celle de l'élément optique 2 avant l'instant t0, cette température dépendant essentiellement de la température de l'environnement de l'élément optique 2. Ainsi, la résistance R décroit de manière correspondante, jusqu'à la valeur R1. A un instant suivant t3, pendant la phase OFF suivant la phase ON entre les instants t0 et t2, la résistance R est mesurée et est sensiblement égale à R1. De préférence, comme cela a été indiqué précédemment, les instants t2 et t3 sont séparés l'un de l'autre par la durée D1, de préférence suffisamment longue pour que, à l'instant t1, la valeur de la résistance R ne dépende plus de la phase ON précédente. A titre d'exemple, la durée D1 est choisie sensiblement égale, par exemple égale, à la moitié de la durée entre deux phases ON successives. L'écart ΔR1 entre les valeurs R1' et R1 est représentatif de la variation de la température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t0 et t1, donc de la puissance optique émise pendant cette phase et des caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique. L'écart ΔR1 est comparé aux premier et deuxième seuils décrits en relation avec la figure 6. Dans cet exemple, l'écart ΔR1 est compris entre les premier et deuxième seuils, et l'on en déduit que l'élément optique 2 et la source 1 sont dans leur état nominal. A instant t4 suivant, la température de l'environnement de l'élément optique diminue, par exemple pour atteindre 10°C. Il en résulte une diminution de la température de l'élément optique 2 et donc de la résistance R. Ces diminutions de température s'effectuent très lentement, et la température de l'élément optique 2, donc la résistance, n'atteignent une valeur stable qu'à un instant postérieur t5 séparé de l'instant t4 par une ou plusieurs secondes. Avant un instant t6 postérieur, pendant une phase OFF, la température de l'environnement de l'élément optique 2 est de l'ordre de 10°C et la résistance R a une valeur R2. A l'instant t6 débute une phase ON. A partir de l'instant t6, la résistance R augmente relativement rapidement. A un instant suivant t7, pendant la phase ON, la résistance R est mesurée. La résistance R a alors une valeur R2'. De préférence, les instants t6 et t7 sont séparés l'un de l'autre par la durée D2. A un instant suivant t8, la phase ON se termine. A partir de l'instant t8, la résistance R diminue, relativement rapidement, jusqu'à la valeur R2. A un instant suivant t9, pendant la phase OFF suivant la phase ON entre les instants t6 et t8, la résistance R est mesurée et est sensiblement égale à R2. De préférence, les instants t8 et t9 sont séparés l'un de l'autre par la durée D1. L'écart ΔR2 entre les valeurs R2' et R2 est représentatif de la variation de la température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t6 et t8, donc de la puissance optique émise pendant cette phase et des caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique. L'écart ΔR2 est comparé aux premier et deuxième seuils. Dans cet exemple, l'écart ΔR2 est compris entre les premier et deuxième seuils, et l'on en déduit que l'élément optique 2 et la source 1 sont dans leur état nominal. A titre d'exemple, l'écart ΔR2 est identique à l'écart ΔR1. A un instant t10 suivant, la température de l'environnement de l'élément optique 2 augmente, par exemple pour atteindre 20°C. Il en résulte une augmentation relativement lente de la résistance R jusqu'à ce que la résistance R atteigne une valeur stable R3 à un instant postérieur t11 séparé de l'instant t10 par une ou plusieurs secondes. Avant un instant t12 postérieur, pendant une phase OFF, la température de l'environnement de l'élément optique 2 est de l'ordre de 20°C et la résistance R a la valeur R3. A l'instant t12 débute une phase ON. A partir de l'instant t12, la résistance R augmente relativement rapidement. A un instant suivant t13, pendant la phase ON, la résistance R est mesurée. La résistance R a alors une valeur R3'. De préférence, les instants t12 et t13 sont séparés l'un de l'autre par la durée D2. A un instant suivant t14, la phase ON se termine et la résistance R diminue, relativement rapidement, jusqu'à la valeur R3. A un instant suivant t15, pendant la phase OFF suivant la phase ON entre les instants t12 et t14, la résistance R est mesurée et est sensiblement égale à R3. De préférence, les instants t14 et t15 sont séparés l'un de l'autre par la durée D1. L'écart ΔR3 entre les valeurs R3' et R3 est représentatif de la variation de la température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t12 et t14, donc de la puissance optique émise pendant cette phase et des caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique. L'écart ΔR3 est comparé aux premier et deuxième seuils. Dans cet exemple, l'écart ΔR3 est supérieur au premier seuil, ce qui signifie que la variation de température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t12 et t13 est plus importante que prévue. On en déduit que l'élément optique 2 et la source 1 se sont éloignés de leur état nominal, et que, par exemple, la puissance optique émise par la source pendant cette phase ON est plus importante que la puissance nominale émise. La puissance optique du faisceau 3 mis en forme est alors susceptible d'endommager la rétine d'une personne atteinte par ce faisceau mis en forme et la source 1 est de préférence définitivement éteinte. La figure 8 représente des chronogrammes illustrant une mise en oeuvre du procédé de la figure 6 selon un autre exemple. Plus particulièrement, la figure 8 représente, en haut, un chronogramme de l'évolution, en fonction du temps t en abscisse, de la résistance R de la piste 19, et, en bas, les phases ON où le faisceau 3 est émis par la source 1, dans cet exemple sous la forme d'une unique impulsion laser, et les phases OFF où le faisceau n'est pas émis. Les chronogrammes de la figure 8 sont identiques à ceux de la figure 7 à la différence que, la valeur R3' mesurée à l'instant t13 est plus faible en figure 8 qu'en figure 7. Plus particulièrement, en figure 8, l'écart ΔR3 est inférieur au deuxième seuil, ce qui signifie que la variation de température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t12 et t13 est plus faible que prévue. On en déduit que l'élément optique 2 et la source 1 se sont éloignés de leur état nominal, et que, par exemple, l'élément optique 2 a des caractéristiques d'absorption optique plus faibles que prévue, ou, dit autrement, que le coefficient de transmission optique de l'élément 2 est plus élevé que le coefficient de transmission optique nominal de l'élément optique 2. La puissance optique du faisceau 3 mis en forme est alors susceptible d'endommager la rétine d'une personne atteinte par ce faisceau mis en forme et la source 1 est de préférence définitivement éteinte. Bien que cela n'ait pas été représenté sur les figures 7 et 8, en pratique, plusieurs phases ON sont mises en oeuvre entre les instants t3 et t6 et entre les instants t8 et t12, le procédé décrit en relation avec ces figures pouvant être mis en oeuvre pour au moins certaines de ces phases ON non représentées. Bien que l'on ait décrit ci-dessus en relation avec les figures 7 et 8 des exemples de mises en oeuvre du procédé de la figure 6 dans lesquels la résistance R de la piste 19 est mesurée pendant une phase d'illumination, et après cette phase d'illumination, l'homme du métier est en mesure d'adapter ces exemples de mises en oeuvre au cas où la résistance R est mesurée avant la phase d'illumination, et pendant la phase d'illumination. Bien que l'on ait décrit ci-dessus en relation avec les figures 7 et 8 des phases d'illumination ON pendant chacune desquelles une seule impulsion laser de même durée que la phase d'illumination ON est émise, les exemples de fonctionnement décrits s'appliquent au cas où, pendant chaque phase d'illumination ON, la source 1 émet un train d'impulsions laser périodiques, la durée totale du train d'impulsions laser étant égale à la durée de la phase d'illumination ON. La figure 9 représente, sous la forme d'un schéma électrique, un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit 900 de mesure de la résistance d'une piste conductrice d'un élément optique du type de celui des figures 1 à 4. Dans cet exemple, le circuit 900 est un pont de Wheatstone. La piste conductrice 19 est ici représentée sous la forme d'une résistance R19. La résistance R19 est connectée en série avec une résistance R20 du circuit 900, entre des bornes 901 et 902 d'application d'une tension d'alimentation VCC, la tension VCC étant par exemple positive et référencée à la borne 902, par exemple la masse. Plus particulièrement, la résistance R19 a une borne connectée à la borne 901 du circuit 900, et une autre borne connectée à un noeud 903 du circuit 900, la résistance R20 étant connectée entre le noeud 903 et la borne 902. Le circuit 900 comprend en outre deux résistances R21 et R22 connectées en série entre les bornes 901 et 902, l'association en série des résistances R21 et R22 étant connectée en parallèle de l'association en série des résistances R19 et R20. Plus particulièrement, la résistance R21 est connectée entre la borne 901 et un noeud 904, la résistance R22 étant connectée entre le noeud 904 et la borne 902. Les valeurs des résistances R20, R21 et R22 sont fixées, et toute variation de la valeur de la résistance R19, c'est-à-dire de la résistance de la piste 19, entraîne une variation correspondante d'une tension V R prise entre les noeuds 903 et 904. Ainsi, la valeur de la tension V R est représentative de la valeur de la résistance de la piste 19, donc de la température de l'élément optique 2. Dit autrement, la valeur de la tension V R constitue une mesure de la résistance de la piste 19, donc de la température de l'élément optique 2. Dans les modes de réalisation et variantes décrits ci-dessus, l'élément optique 2 ne comprend qu'une seule piste conductrice, à savoir la piste conductrice 19, et la température indépendante de la phase d'illumination est mesurée à l'aide de cette unique piste conductrice, avant ou après une phase d'illumination. Les inventeurs ont constaté que la variation de température de l'élément optique 2 pendant une phase d'illumination est localisée dans une zone de l'élément optique 2 traversée par le faisceau laser 3, par exemple une zone centrale de l'élément optique 2. Ainsi, pendant une phase d'illumination, la température dans une zone de l'élément optique 2 qui n'est pas traversée par le faisceau laser est sensiblement constante et peut être considérée comme indépendante de la phase d'illumination. Les inventeurs proposent donc un mode de réalisation d'un élément optique 2' similaire à l'élément optique 2, comprenant la trace 19 au moins en partie disposée dans une zone de l'élément optique 2' destinée à être traversé par le faisceau laser 3, par exemple une zone centrale de l'élément optique 2', et une piste conductrice supplémentaire 19' disposée dans une zone de l'élément optique 2' qui n'est pas destinée à être traversée par ce faisceau laser 3, par exemple une zone périphérique de l'élément optique 2'. L'homme du métier est en mesure d'adapter le système décrit en relation avec la figure 2 au cas où l'élément optique 2 est remplacé par l'élément optique 2'. En particulier, dans l'élément optique 2', la piste 19' est reliée électriquement, à chacune de ses extrémités, à un circuit de traitement, par exemple le circuit 13, par l'intermédiaire de deux fils conducteurs 21 supplémentaires, chaque extrémité de la piste 19' étant par exemple au contact d'un plot 23 supplémentaire de l'élément optique 2', et chaque plot 23 supplémentaire étant par exemple relié à un plot 9 correspondant par un des deux fils 21 supplémentaires. Par ailleurs, comme cela a été indiqué pour la piste 19, la piste 19' est disposée ou incluse dans l'élément optique 2', c'est-à-dire noyée dans ce dernier, ou encore est disposée sur une face (supérieure ou inférieure) de l'élément optique 2'. La piste 19 et la piste 19' peut être disposées à des niveaux différents entre la face supérieure et la face inférieure de l'élément optique 2'. Selon un mode de réalisation, l'élément optique 2' est similaire à l'élément optique 2 décrit en relation avec la figure 3, à la différence qu'il comprend en outre la piste 19' supplémentaire, et les plots 23 supplémentaires disposés aux extrémités de la piste 19'. A titre d'exemple, la piste 19' est réalisée à partir d'une même couche métallique que la piste 19, ou, dit autrement, les deux pistes 19 et 19' sont disposées à un même niveau dans l'épaisseur de la couche 31. La figure 10 représente, en vue de dessus et de manière schématique, un mode de réalisation d'un élément optique 2', la vue de la figure 10 correspondant à la vue de la figure 4. Comme en figure 4, seuls les plots 23 et les pistes 19 et 19' sont ici détaillés. Dans cet exemple, l'élément optique 2' a, en vue de dessus, une forme rectangulaire. L'élément optique 2' peut avoir une autre forme, par exemple une forme circulaire, ovoïde ou polygonale, par exemple la forme d'un triangle, d'un carré ou d'un hexagone. La piste conductrice 19 comprend au moins une portion disposée dans une zone 1000 de l'élément optique 2' destinée à être traversée par le faisceau laser 3, dans cet exemple la zone centrale de l'élément optique 2'. Ainsi, lorsque l'élément optique 2' est traversé par le faisceau laser 3, l'augmentation de la température dans la zone 1000 entraîne une augmentation correspondante de la température des portions de la piste 19 disposées dans cette zone. De préférence, comme cela est représenté en figure 4, dans la zone 1000, la piste 19 a la forme de zigzag. La piste 19' est disposée dans une zone 1002 de l'élément optique 2' qui n'est pas traversée par le faisceau laser 3, ou, dit autrement, dans une zone 1002 à côté de la zone 1000, la limite entre les zones 1000 et 1002 étant ici représentée à titre d'exemple en pointillé. Dans le cas où la zone 1000 est la zone centrale de l'élément optique 2', la zone 1002 est par exemple la zone périphérique de l'élément optique 2'. Les pistes 19 et 19' sont isolées électriquement l'une de l'autre et ne sont donc pas en contact l'une avec l'autre. De préférence, les plots 23 sont disposés vers des bords ou des coins de l'élément optique 2', de manière à ne pas perturber le faisceau 3. Dans cet exemple, les deux plots 23 en contact avec la piste 19 sont disposés du côté d'un premier bord de l'élément optique 2', le bord droit en figure 10, les deux plots 23 en contact avec la piste 19' sont disposés du côté d'un deuxième bord de l'élément optique 2', le bord gauche en figure 10, et la piste 19' s'étend le long des bords de l'élément optique 2'. La piste 19' comprend notamment une portion disposée entre le premier bord de l'élément optique 2' et les plots 23 en contact avec la piste 19. En se référant de nouveau au procédé décrit en relation avec la figure 6, selon un mode de réalisation, la variation de température mesurée à l'étape 600 correspond alors à l'écart entre une première température indépendante de la phase d'illumination, ou, autrement dit une première température mesurée dans la zone 1002 de l'élément optique 2', et une deuxième température dépendante de la phase d'illumination, c'est-à-dire une température mesurée dans la zone 1000 de l'élément optique 2' alors que ce dernier est illuminé par le faisceau laser 3. Ainsi, dans ce mode de réalisation où l'élément optique 2' est muni des deux pistes conductrices 19 et 19', la différence entre la résistance de la piste 19 et celle de la piste 19', mesurées alors que l'élément optique 2' est illuminé, est représentative de la variation de température de la zone 1000 de l'élément optique 2', ou, dit autrement, de la différence entre la première température de l'élément optique 2' indépendante de la phase d'illumination et la deuxième température dépendante de la phase d'illumination. De préférence, la mesure de la résistance de la piste 19 et celle de la piste 19' sont mises en oeuvre simultanément, voire la différence entre la résistance de la piste 19 et celle de la piste 19' est mesurée directement. De préférence, comme cela a été décrit précédemment en relation avec les figures 6 à 8, la mesure de la résistance de la piste 19 et de celle de la piste 19' ou la mesure de la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' sont mises en oeuvre après que la durée D2 se soit écoulée depuis le début de la phase d'illumination. A titre d'exemple, en se référant de nouveau aux chronogrammes décrits en relation avec les figures 7 et 8, aux instants t1, t7 et t13, la résistance de chacune des pistes 19 et 19', ou la différence de résistance entre les pistes 19 et 19', est mesurée et les valeurs respectives ΔR1 ΔR2 et ΔR3 sont déduites de ces mesures. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une étape de comparaison de la résistance de la piste 19 et/ou de la résistance de la piste 19' à une valeur haute. La valeur haute correspond à une valeur de résistance lorsque la piste respectivement 19 et/ou 19' est interrompue ou brisée, l'interruption de la piste 19 et/ou de la piste 19' signifiant que l'élément optique 2' est cassé. Lorsque l'élément optique 2' est cassé ou fendu, la puissance optique du faisceau laser 3 après l'élément optique 2' peut être plus importante que dans l'état nominal de la source 1 et de l'élément optique 2', le faisceau 3 pouvant alors être dangereux pour la santé. Ainsi, si la résistance de la piste 19 et/ou de la piste 19' est supérieure à la valeur haute, la source 1 est de préférence éteinte définitivement. Selon un mode de réalisation, de manière similaire à ce qui a été indiqué pour la piste 19, la différence entre la masse (poids) de la piste conductrice 19' et celle de l'élément optique 2' est importante, d'où il résulte que la variation de température de la piste conductrice 19' est très rapide par rapport à celle de l'élément optique 2' et peut être considérée comme instantanée par rapport à la variation de la température de la zone 1002 de l'élément optique 2'. De préférence, la masse de la piste conductrice est au moins 100000 fois, voire au moins 1000000 fois, plus faible que la masse de l'élément optique 2'. Selon un mode de réalisation, les pistes 19 et 19' ont, en l'absence d'illumination, les mêmes résistances, par exemple car elles sont en le même matériau et ont la même section et la même longueur. Dans ce cas, la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' mesurée pendant une phase d'illumination est directement proportionnelle à l'amplitude de la variation de la température dans la zone 1000 de l'élément optique 2' résultant d'une phase d'illumination. Selon une variante de réalisation, les pistes 19 et 19' ont, en l'absence d'illumination, des résistances différentes. Dans cette variante, la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' mesurée pendant une phase d'illumination est proportionnelle à l'amplitude de la variation de la température dans la zone 1000 de l'élément optique 2' résultant d'une phase d'illumination, mais comprend en outre un décalage correspondant à la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' en l'absence d'illumination. On peut alors prévoir de soustraire ce décalage de la différence de résistances entre les pistes 19 et 19' mesurée pendant une phase d'illumination. Selon un mode de réalisation, la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' est mesurée au moyen du circuit 900 décrit en relation avec la figure 9, en remplaçant la résistance R21 ou la résistance R22, de préférence la résistance R22, par la piste 19'. Ainsi, la tension V R est représentative de la différence de résistance entre les pistes 19 et 19'. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. En particulier, lors d'une étape de calibration ou de caractérisation, en mesurant la valeur de la résistance de la piste 19 en fonction de la température de l'environnement de l'élément optique, alors que l'élément optique n'est pas illuminé par le faisceau laser 3, il est ensuite possible, pendant le fonctionnement du système électronique, de déterminer la température de l'environnement de l'élément optique à partir d'une valeur de la résistance de la piste 19 mesurée entre deux phases d'illumination successives. En effet, il suffit alors de retrouver la température de l'environnement de l'élément optique 2 ayant conduit, pendant la phase d'étalonnage ou de caractérisation, à une valeur de résistance identique à celle mesurée pendant le fonctionnement du système. Cela est également possible en mesurant, lors d'une étape de calibration ou de caractérisation, la valeur de la résistance de la piste 19' en fonction de la température de l'environnement de l'élément optique, puis en comparant, pendant le fonctionnement du système électronique, la valeur de la résistance de la piste 19' aux valeurs de résistance de la piste 19' mesurées ou déterminées pendant la phase d'étalonnage. En effet, dans ce cas, quand la valeur de résistance de la piste 19' mesurée pendant la phase d'étalonnage qui est la plus proche de la valeur de la résistance 19' mesurée pendant le fonctionnement du système a été identifiée, la température de l'environnement de l'élément optique 2' est alors celle qui correspond à la température ayant conduit à la valeur de résistance identifiée. En outre, on peut prévoir que le procédé décrit ci-dessus soit mis en oeuvre dans une chaîne de production d'un système comprenant une source laser 1 et un élément optique 2 ou 2' de manière à tester les systèmes fabriqués et identifier les éventuels systèmes ne respectant pas des caractéristiques données d'absorption de l'élément optique 2 ou 2' et une puissance donnée d'émission. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l’homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Procédé pour détecter une modification des caractéristiques d'absorption d'un élément optique et d'une puissance optique émise par une source d'un faisceau laser par rapport à des caractéristiques nominales d'absorption et à une puissance nominale émise, comprenant les étapes successives suivantes : a) déterminer (600) une variation de la température de l'élément optique (2, 2'), ladite variation de température résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique par le faisceau laser (3) traversant une zone de l'élément optique ; b) comparer la variation déterminée à l'étape a) à au moins un seuil prédéterminé par les caractéristiques nominales d'absorption et la puissance nominale émise ; et c) déduire de l'étape b) si les caractéristiques d'absorption de l'élément optique et la puissance optique émise par la source sont modifiées par rapport aux caractéristiques nominales d'absorption et à la puissance nominale émise.. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la variation de température correspond à l'écart entre une première température de ladite zone de l'élément optique (2) indépendante de la phase d'illumination, et une deuxième température de ladite zone de l'élément optique dépendante de la phase d'illumination. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l'élément optique (2) comprend une piste conductrice (19) dont au moins une portion est disposée dans ladite zone, de préférence une zone centrale, de l'élément optique (2), la variation de température étant déterminée par une variation correspondante de la résistance de ladite piste. Procédé selon la revendication 3, dans lequel l'étape a) comprend les étapes suivantes : a1) mesurer une première valeur (R1, R2, R3) de la résistance quand ladite zone de l'élément optique (2) est à la première température ; et a2) mesurer une deuxième valeur (R1', R2', R3') de la résistance quand ladite zone de l'élément optique est à la deuxième température, la variation de température étant déterminée par l'écart (ΔR1, ΔR2, ΔR3) entre les première et deuxième valeurs. Procédé selon la revendication 4, dans lequel l'étape a1) est mise en oeuvre avant ou après la phase d'illumination (ON), l'étape a2) étant mise en oeuvre pendant la phase d'illumination (ON). Procédé selon la revendication 4 ou 5 dans lequel : - une première durée (D1) sépare le début de la phase d'illumination (ON) et l'étape a1) quand l'étape a1) est mise en oeuvre avant la phase d'illumination (ON), ou sépare la fin de la phase d'illumination (ON) et l'étape a1) quand l'étape a1) est mise en oeuvre après la phase d'illumination (ON) ; et - une deuxième durée (D2) sépare le début de la phase d'illumination (ON) et l'étape a2), les première et deuxième durées (D1, D2) étant de préférence déterminées par simulation ou lors d'une étape de caractérisation. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la variation de température correspond à l'écart entre une première température d'une autre zone (1002), de préférence une zone périphérique, de l'élément optique (2'), ladite autre zone n'étant pas traversée par le faisceau laser (3) lors de la phase d'illumination, et une deuxième température de ladite zone (1000), de préférence une zone centrale, de l'élément optique (2'). Procédé selon la revendication 7, dans lequel l'élément optique (2') comprend une piste conductrice dont au moins une portion est disposée dans ladite zone (1000), et une piste conductrice supplémentaire (19') disposée dans ladite autre zone (1002), la variation de température étant déterminée à partir d'une différence entre la résistance de la piste conductrice et la résistance de la piste conductrice supplémentaire. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'étape a) comprend : mesurer une différence de résistance entre ladite piste (19) quand ladite zone (1000) est à la deuxième température, et ladite piste supplémentaire (19') quand ladite autre zone (1002) est à la première température, ladite variation de température étant déterminée à partir de ladite différence de résistance. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape a) est mise en oeuvre pendant ladite phase d'illumination. Procédé selon la revendication 10, dans lequel une durée (D2) sépare le début de la phase d'illumination (ON) et l'étape a), ladite durée étant de préférence déterminée par simulation ou lors d'une étape de caractérisation. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 6 et 8 à 11, dans lequel la masse de ladite piste (19) est au moins 100000 fois plus faible, de préférence 1000000 de fois plus faible, que la masse de l'élément optique (2, 2') et/ou la masse de ladite piste supplémentaire (19') est au moins 100000 fois plus faible, de préférence 1000000 de fois plus faible, que la masse de l'élément optique (2'). Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 6 et 8 à 12, comprenant en outre : une étape de comparaison de la résistance de ladite piste (19) à une valeur haute, et une étape de détermination que l'élément optique (2, 2') est défectueux si la résistance de ladite piste (19) est supérieure à la valeur haute ; et/ou une étape de comparaison de la résistance de ladite piste supplémentaire (19') à la valeur haute, et une étape de détermination que l'élément optique (2') est défectueux si la résistance de ladite piste supplémentaire (19') est supérieure à la valeur haute. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel ledit au moins un seuil est déterminé par simulation ou lors d'une étape de caractérisation. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel : lorsque ladite variation de température est supérieure à un seuil haut, l'étape c) consiste à déduire que la source (1) émet un faisceau (3) d'une puissance optique plus élevée que la puissance optique nominale émise ; et/ou lorsque ladite variation de température est inférieure à un seuil bas, l'étape c) consiste à déduire que l'élément optique (2) absorbe une puissance optique plus faible qu'une puissance nominale absorbée. Procédé l'une quelconque des revendications 1 à 15, dans lequel l'élément optique (2) est un élément optique diffractif, DOE, configuré pour mettre en forme le faisceau (3). Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, dans lequel : une durée de la phase d'illumination est inférieure à 500 ms ; et/ou la phase d'illumination est une phase d'illumination parmi plusieurs phases d'illumination successives, par exemple périodiques ; et/ou la phase d'illumination correspond à une émission d'une unique impulsion du faisceau laser (3) ou d'un train d'impulsions périodiques du faisceau laser (3).