FR 3106696 A1 20210730 FR 2100762 A 20210127 Procédé de formation d'espaceurs différentiels asymétriques pour des performances optimisées des mosfet et une co-intégration optimisée des mosfet et des sonos Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, comprenant : la fourniture d'un substrat semi-conducteur comportant une première région, une deuxième région et une troisième région ; sur la première région, la fourniture d'une première couche diélectrique mince ; sur la deuxième région, la fourniture d'une deuxième couche diélectrique épaisse ; sur la troisième région, la fourniture d'un empilement ONO ; sur chacune des première, deuxième et troisième régions, la fourniture d'au moins une structure de grille ; l'exécution d'une étape d'oxydation de manière à former une couche d'oxyde sur chacune des structures de grilles des première, deuxième et troisième régions et de parties exposées des première et deuxième couches diélectriques ; la fourniture d'une première couche d'orthosilicate de tétraéthyle, TEOS, sur la totalité des deuxième et troisième régions ; le dépôt en nappe d'une première couche de nitrure de silicium, SiN, sur la totalité des première, deuxième et troisième régions ; et la gravure de la première couche de SiN en laissant au moins une partie de ladite première couche de SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions, dans lequel au moins une partie de l'empilement ONO est protégée de la gravure par la première couche de TEOS. [Figure 1M] Procédé de formation d'espaceurs différentiels asymétriques pour des performances optimisées des mosfet et une co-intégration optimisée des mosfet et des sonos La présente invention concerne des procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs et en particulier, un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comportant à la fois des dispositifs à Transistors à Effet de Champ à Métal-Oxyde-Semi-conducteur (MOSFET) et à Silicium-Oxyde-Nitrure-Oxyde-Silicium (SONOS) intégrés sur un seul substrat. Contexte de l’invention Le transistor à effet de champ à Métal-Oxyde-Semi-conducteur (MOS) est devenu le transistor le plus utilisé dans l'électronique numérique. De manière générale, un transistor MOS comprend une électrode de grille conductrice sur un substrat semi-conducteur, avec un film d'oxyde intercalé entre ceux-ci, et une source et un drain de porteurs sur les côtés opposés de la grille. La tension de la grille (tension de grille) détermine la conductivité du dispositif. En appliquant une tension à la grille, on peut inverser la conductivité du dispositif, ce qui signifie qu'un transistor MOS peut être utilisé dans un circuit logique, c'est-à-dire pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Un transistor à Silicium-Oxyde-Nitrure-Oxyde-Silicium (SONOS) diffère d'un transistor MOS classique en ce qu'une couche de nitrure de silicium est insérée à l'intérieur du film d'oxyde du transistor. Ainsi, la couche de nitrure est électriquement isolée du transistor environnant. Des pièges présents dans la couche de nitrure peuvent capturer et retenir des porteurs injectés depuis le canal d'un transistor MOS, cela permettant au dispositif SONOS de fonctionner comme un type de mémoire, connu sous le nom de mémoire à piège de charge. Pour de nombreuses applications, il est souhaitable d'intégrer un circuit logique à base de transistors MOS aux côtés de transistors SONOS sur une seule puce ou un seul substrat, afin de créer une mémoire non volatile (NVM). Cependant, l'intégration de ces dispositifs hétérogènes peut être difficile. En premier lieu, de nombreuses techniques courantes de gravure au plasma utilisées dans la fabrication de semi-conducteurs utilisent une couche d'oxyde thermique pour arrêter le processus de gravure. Cela n'est pas compatible avec une approche SONOS en premier (c'est-à-dire consistant à intégrer l'empilement ONO avant les dispositifs MOSFET principaux) puisque la couche d'oxyde thermique constituera le sommet de l'empilement ONO et pourra être partiellement ou entièrement consommée. D'autres défis se posent lors de l'intégration de dispositifs MOS complémentaires de type n et p (CMOS), aux côtés de transistors SONOS sur une seule puce. De manière générale, les dispositifs pMOS et nMOS présentent des exigences entièrement différentes, par exemple en raison de la diffusion d'ions de type p. De manière générale, plus l'ion est léger, plus l'effet de diffusion est important. À titre d'exemple, pour un dopage de type p, les espèces appropriées comprennent le bore, le gallium et l'indium. Parmi ces espèces, le bore présente le plus faible poids atomique (avec une masse atomique de 10,81), ce qui signifie qu'il produit l'effet de diffusion le plus prononcé. Il peut également être souhaitable d'intégrer des dispositifs MOS présentant des tensions de fonctionnement différentes sur la même puce. La largeur d'un espaceur de paroi latérale formé de manière adjacente à une grille peut déterminer la distance entre les implants de source/drain et la grille, et donc le champ électrique entre ceux-ci. Ainsi, pour un dispositif à semi-conducteurs comportant des transistors ayant des tensions de fonctionnement différentes, il est souhaitable de disposer d'un procédé permettant de créer deux largeurs d'espaceur de paroi latérale différentes - sans ajouter un nombre excessif d'étapes au processus de fabrication. Compte tenu de ce qui précède, il est nécessaire de disposer d'un procédé permettant d'intégrer différents types de dispositifs MOS (par exemple, des transistors nMOS, des transistors pMOS et/ou des transistors ayant des tensions de fonctionnement différentes), aux côtés de dispositifs SONOS, sur un seul substrat, qui tienne compte des différentes exigences et propriétés desdits dispositifs. Selon un aspect de la présente invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, et un dispositif à semi-conducteurs. Selon un aspect général, l'invention peut concerner un procédé de formation de MOSFET ayant des tensions différentes en association avec des dispositifs SONOS sur le même substrat, dans lequel différents espaceurs de paroi latérale sont utilisés pendant le dopage de différents MOSFET ayant la même tension. À titre d'exemple, une paroi latérale plus épaisse peut être utilisée pendant l'implantation d'un dopant de type p pour des parties de drain légèrement dopé de type p (PLDD) par rapport par comparaison à parties de drain légèrement dopé de type n (NLDD), afin d'éviter les problèmes de diffusion. Sous un autre aspect général, l'invention peut concerner un procédé de formation de MOSFET ayant des tensions différentes en association avec des dispositifs SONOS sur le même substrat, dans lequel, pendant la gravure à sec pour enlever une couche de SiN des dispositifs SONOS, au moins une partie de l'empilement ONO (formant la partie centrale du dispositif SONOS) est protégée par une couche d'orthosilicate de tétraéthyle (TEOS). Chacune des étapes décrites ci-dessous peut être intégrée dans l'un ou l'autre de ces aspects. Un objet de l'invention est alors un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, comprenant : - la fourniture d'un substrat semi-conducteur comportant une première région, une deuxième région et une troisième région ; - sur la première région, la fourniture d'une première couche diélectrique ; - sur la deuxième région, la fourniture d'une deuxième couche diélectrique ; - sur la troisième région, la fourniture d'un empilement ONO ; - sur chacune des première, deuxième et troisième régions, la fourniture d'au moins une structure de grille ; - l'exécution d'une étape d'oxydation de manière à former une couche d'oxyde sur chacune des structures de grilles des première, deuxième et troisième régions et de parties exposées des première et deuxième couches diélectriques ; - la fourniture d'une première couche d'orthosilicate de tétraéthyle, TEOS, sur la totalité de la troisième région et au moins une partie de la deuxième région ; - le dépôt en nappe d'une première couche de nitrure de silicium, SiN, sur la totalité des première, deuxième et troisième régions ; et - la gravure de la première couche de SiN en laissant au moins une partie de ladite première couche de SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions, au moins une partie de l'empilement ONO étant protégée de la gravure par la première couche de TEOS. Selon des modes d'exécution particuliers : Le procédé peut en outre comprendre : - le dépôt en nappe d'une deuxième couche de SiN sur la totalité des première, deuxième et troisième régions ; et - le dépôt en nappe d'une deuxième couche de TEOS sur la totalité des première, deuxième et troisième régions. Le procédé peut en outre comprendre : - la gravure de la deuxième couche de TEOS en laissant au moins une partie de ladite deuxième couche de TEOS sur chaque structure de grille de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions ; et - la gravure de la deuxième couche de SiN en laissant au moins une partie de ladite deuxième couche de SiN sur chaque structure de grille de manière à former une deuxième partie d'espaceur de paroi latérale en SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions. Le procédé peut en outre comprendre : - l'exécution d'une gravure humide en laissant au moins une partie de ladite première couche de TEOS sur chaque structure de grille des deuxième et troisième régions de manière à former une deuxième partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS sur chaque structure de grille des deuxième et troisième régions. Ladite étape d'exécution d'une gravure humide en laissant au moins une partie de ladite première couche de TEOS sur chaque structure de grille des deuxième et troisième régions de manière à former une deuxième partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS sur chaque structure de grille des deuxième et troisième régions peut comprendre : - la gravure de manière à enlever les premières parties d'espaceurs de paroi latérale en TEOS de chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions et une partie de la première couche de TEOS non protégée par les première et deuxième parties d'espaceurs de paroi latérale en SiN. La première couche diélectrique peut avoir une première épaisseur et la deuxième couche diélectrique peut avoir une deuxième épaisseur, et la deuxième épaisseur peut être supérieure à la première épaisseur. La fourniture d'au moins une structure de grille sur chacune des première, deuxième et troisième régions peut comprendre : - le dépôt, sur les première, deuxième et troisième régions, d'un matériau de grille ; - le dépôt, sur le matériau de grille, d'un masque dur ; et - la gravure pour enlever une partie du masque dur et du matériau de grille de manière à former ladite au moins une structure de grille sur chacune des première, deuxième et troisième régions. Après la fourniture, sur chacune des première, deuxième et troisième régions, d'au moins une structure de grille, le procédé peut en outre comprendre : - la formation d'une pluralité de structures d'isolation dans le substrat. Ladite au moins une structure de grille sur chacune des première, deuxième et troisième régions peut comprendre une première structure de grille et une deuxième structure de grille. Après exécution de l'étape d'oxydation, le procédé peut en outre comprendre : - dans la première région, la formation de parties de drain légèrement dopé de type n, NLDD, adjacentes à la première structure de grille de la première région ; - dans la troisième région, la formation de parties NLDD de manière adjacente aux première et deuxième structures de grilles de la troisième région ; et - dans la deuxième région du substrat, la formation de parties NLDD de manière adjacente à la première structure de grille de la deuxième région et de parties de drain légèrement dopé de type p, PLDD, adjacentes à la deuxième structure de grille de la deuxième région. Dans la première région du substrat, la formation de parties NLDD de manière adjacente à la première structure de grille de la première région et dans la troisième région, la formation de parties NLDD de manière adjacente aux première et deuxième structures de grilles de la troisième région peut comprendre : - le masquage de la deuxième région et d'une première partie de la première région, en laissant exposée une première partie non masquée de la première région et de la troisième région ; et - dans la première partie non masquée et la troisième région, l'implantation d'un dopant de type n. Dans la deuxième région du substrat, la formation de parties NLDD de manière adjacente à la première structure de grille de la deuxième région et de parties PLDD de manière adjacente à la deuxième structure de grille de la deuxième région peut comprendre : - le masquage des première et troisième régions et d'une première partie de la deuxième région, en laissant exposée une première partie non masquée de la deuxième région ; - dans la première partie non masquée, l'implantation d'un dopant de type n de manière adjacente à la première structure de grille de la deuxième région ; - le masquage des première et troisième régions et d'une deuxième partie de la deuxième région, en laissant exposée une deuxième partie non masquée de la deuxième région ; - dans la deuxième partie non masquée, l'implantation d'un dopant de type p de manière adjacente à la deuxième structure de grille de la deuxième région. Après gravure de la première couche de SiN, en laissant au moins une partie de ladite première couche de SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions, le procédé peut en outre comprendre : - dans la première région du substrat, la formation de parties PLDD. Dans la première région du substrat, la formation de parties PLDD peut comprendre : - le masquage des deuxième et troisième régions et d'une deuxième partie de la première région, en laissant exposée une deuxième partie non masquée de la première région ; et - dans la deuxième partie non masquée, l'implantation d'un dopant de type p de manière adjacente à la deuxième structure de grille de la première région. Ladite étape de fourniture d'une première couche de TEOS sur la totalité de la troisième région et au moins une partie de la deuxième région peut comprendre : - le dépôt en nappe d'une couche de TEOS sur les première, deuxième et troisième régions ; - l'enlèvement de la première couche de TEOS de la première région. Ladite étape d'enlèvement de la première couche de TEOS de la première région comprend : - le masquage des deuxième et troisième régions, en laissant exposée la première région ; et - l'exécution d'une gravure humide pour enlever la couche de TEOS de la première région. Ladite étape d'exécution d'une gravure humide pour enlever la couche de TEOS de la première région comprend : - l'utilisation d'une gravure à l'acide fluorhydrique dilué, DHF, pour enlever la couche de TEOS ; ou - l'utilisation d'une gravure à l'acide fluorhydrique tamponné, BHF, pour enlever la couche de TEOS et la couche d'oxyde de la première région, et l'exécution d'une étape d'oxydation de manière à provoquer la recroissance d'une couche d'oxyde sur la totalité de la première région. Ladite étape de fourniture d'une première couche de TEOS sur la totalité de la troisième région et au moins une partie de la deuxième région peut comprendre : - le dépôt en nappe d'une couche de TEOS sur la totalité des première, deuxième et troisième régions ; - l'enlèvement de la première couche de TEOS de la première région et d'une partie de la deuxième région. Ladite étape d'enlèvement de la première couche de TEOS de la première région et d'une partie de la deuxième région peut comprendre : - le masquage de la troisième région et d'une partie de la deuxième région, en laissant exposées la première région et une partie de la deuxième région ; et - l'exécution d'une gravure humide pour enlever la couche de TEOS de la première région et de la partie exposée de la deuxième région ; - et la partie exposée de la deuxième région peut comprendre : une zone située au-dessus d'une partie de la première structure de grille ; une zone située au-dessus d'une partie de la deuxième structure de grille ; ou une zone située au-dessus d'une partie de la première structure de grille et d'une partie de la deuxième structure de grille. La première couche de SiN peut être déposée par CVD. Un autre objet de l'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs comprenant : - un substrat semi-conducteur comportant une première région, une deuxième région et une troisième région ; - une première couche diélectrique sur la première région ; - une deuxième couche diélectrique sur la deuxième région ; - un empilement ONO sur la troisième région ; - sur chacune des première, deuxième et troisième régions, au moins une structure de grille ; - une partie d'espaceur en TEOS adjacente à chaque structure de grille des deuxième et troisième régions ; et - une partie d'espaceur en SiN adjacente à chacune des structures de grilles de la première région et sur chacune des parties d'espaceurs en TEOS des deuxième et troisième régions. Selon des modes de réalisation particuliers : Le dispositif à semi-conducteurs peut en outre comprendre : - une couche d'oxyde sur chacune des structures de grilles et des parties exposées des première et deuxième couches diélectriques. Le dispositif à semi-conducteurs peut en outre comprendre : - des parties de drain légèrement dopé de type n, NLDD, et de drain légèrement dopé de type p, PLDD, dans chacune des première et deuxième régions du substrat. Au moins deux structures de grilles peuvent être fournies sur chacune des première, deuxième et troisième régions. Chaque structure de grille peut avoir un côté source et un côté drain, et la partie d'espaceur en TEOS adjacente à chaque structure de grille de la deuxième région peut être fournie symétriquement à la fois sur le côté source et sur le côté drain de chaque structure de grille. Ladite partie d'espaceur en TEOS peut être asymétrique sur au moins une structure de grille dans la deuxième région. Ladite partie d'espaceur en TEOS peut être asymétrique sur chaque structure de grille dans la deuxième région. Chaque structure de grille peut avoir un côté source et un côté drain, et la partie de l'espaceur en TEOS adjacente à au moins une structure de grille de la deuxième région peut être fournie sur le côté drain de ladite au moins une structure de grille et non sur le côté source. Des modes de réalisation préférés de l'invention vont être décrits ci-après à titre non limitatif d'exemple, en référence aux dessins annexés. La , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la , la et la sont des vues en coupe d'une partie d'un dispositif à semi-conducteurs à des stades de fabrication séquentiels selon un mode de réalisation de la présente invention ; La est une vue en coupe d'une partie d'un dispositif à semi-conducteurs selon un mode de réalisation de la présente invention ; Les et sont des vues en coupe d'une partie d'un dispositif à semi-conducteurs selon un mode de réalisation de la présente invention ; Les et sont des vues en coupe d'une partie d'un dispositif à semi-conducteurs selon un mode de réalisation de la présente invention ; et La est un organigramme d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs. Description détaillée Les modes de fonctionnement décrits ici permettent d'intégrer des transistors MOS et des transistors SONOS sur la même puce. Le procédé commence par la fourniture d'un substrat semi-conducteur 10. Le substrat 10 peut être une plaquette composée de silicium, de germanium, de silicium-germanium ou d'un matériau semi-conducteur de composé III-V, ou une plaquette de silicium sur isolant (SOI). Comme le montre la , le substrat 10 est divisé en une première région 4, une deuxième région 6 et une troisième région 8. À titre d'exemple, sur la , la deuxième région 6 est située entre la première région 4 et la troisième région 8, bien qu'en principe, n'importe quel agencement des régions 4, 6, 8 puisse être mis en œuvre. La première région 4 et la deuxième région 6 peuvent prendre en charge différents types de transistors MOS. À titre d'exemple, la première région 4 peut prendre en charge un dispositif de 1,2-2,5 V (par exemple un dispositif de 1,5 V), tandis que la deuxième région 6 peut prendre en charge un dispositif de 3,3-5 V (par exemple un dispositif de 5 V). Sur la première région 4 du substrat 10, il est fourni une couche diélectrique mince 12, comme illustré sur la . La première couche diélectrique mince 12 peut être du dioxyde de silicium (SiO2), de l'oxynitrure de silicium (SiOxNx) ou un empilement de Grilles Métalliques à Haut K (HKMG) comprenant un diélectrique à Haut K comme l'oxynitrure de hafnium (HfON) déposé par dépôt de couche atomique (ALD) et un alliage métallique comme le nitrure de titane (TiN) déposé par dépôt physique en phase vapeur (PVD), ayant une épaisseur de 22 à 70 Angströms. Dans certains modes de réalisation, la couche diélectrique mince 12 peut être amenée à croître par un processus d'oxydation thermique. De même, sur la deuxième région 6 du substrat 10, il est fourni deuxième couche diélectrique épaisse 14. Dans cet exemple, la deuxième couche diélectrique épaisse 14 est plus épaisse que la couche diélectrique mince 12. La deuxième couche diélectrique épaisse 14 peut être de l'ordre de 50-150 Angströms. La couche diélectrique épaisse 14 peut également être amenée à croître par un processus d'oxydation thermique. Sur la troisième région 8 du substrat 10, il est fourni un empilement 16 d'Oxyde-Nitrure-Oxyde (ONO). Pour former l'empilement ONO 16, la couche d'oxyde inférieure et la couche de nitrure sont déposées (par exemple, par CVD), tandis que la couche d'oxyde supérieure est obtenue en consommant le silicium présent à l'intérieur du nitrure. L'empilement ONO 16 présente généralement une épaisseur de l'ordre de 90-200 Angströms. Au-dessus de chacune de la première couche diélectrique mince 12, de la deuxième couche diélectrique épaisse 14 et de l'empilement ONO 16, il est fourni un matériau de grille 18. Le matériau de grille 18 peut être composé de n'importe quel matériau de grille conducteur approprié, tel que du polysilicium, du métal ou du SiGe. Dans certains modes de réalisation, le matériau de grille 18 est déposé simultanément sur les trois régions 4, 6 et 8. Le matériau de grille 18, dans certains cas un silicium polycristallin (p-Si), peut avoir une épaisseur de l'ordre de 1500-1700 Angströms. Ainsi, sur la troisième région 8, il est formé un empilement SONOS comprenant (de bas en haut) le substrat 10, l'empilement ONO 16 et le matériau de grille 18. Au-dessus de la couche de matériau de grille 18, un masque dur 20 est fourni dans les trois régions 4, 6, 8. Le masque dur 20 peut être formé simultanément sur les trois régions 4, 6, 8, par exemple par dépôt de n'importe quel matériau approprié, tel que de l'orthosilicate de tétraéthyle (TEOS). Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend la formation d'une pluralité de structures d'isolation 22 dans le substrat 10, comme le montre la . De manière générale, une structure d'isolation 22 est une structure configurée pour isoler un transistor d'un transistor et/ou d'une zone avoisinants. Les structures d'isolation 22 peuvent comprendre un matériau diélectrique, tel qu'un oxyde ou un nitrure, et peuvent être formées par n'importe quelle technique appropriée connue dans l'art, telle que l'isolation par tranchée peu profonde (STI) ou l'oxydation locale de silicium (LO-COS). Se référant à la , le procédé comprend la fourniture d'au moins une structure de grille 24a-f sur chacune des première, deuxième et troisième régions 4, 6 et 8. Dans cet exemple, une première et une deuxième structure de grille sont fournies sur chacune des régions 4, 6, 8. Dans certains modes de réalisation, les structures de grilles 24a-f sont formées par des motifs photolithographiques et par une gravure à sec (par exemple au plasma). Dans le mode de réalisation représenté sur la , des première et deuxième structures de grilles 24a, 24b sont fournies sur la première région 4, et des première et deuxième structures de grilles 24c, 24d sont fournies sur la deuxième région 6. Les structures de grilles 24a, 24b de la première région 4 ont une longueur de grille minimale L1 qui est inférieure à la longueur de grille minimale L2 de la deuxième région 6, comme illustré sur la . À titre d'exemple, les structures de grilles 24a, 24b de la première région 4 peuvent avoir une longueur de grille minimale L1 de l'ordre de 110 nm, tandis que les structures de grilles 24c, 24d de la deuxième région 6 ont une longueur de grille minimale L2 de 600 nm. Ainsi, la première région 4 peut prendre en charge un dispositif de 1,2-2,5 V, tandis que la deuxième région 6 peut prendre en charge un dispositif de 3,3-5 V, comme décrit ci-dessus. Comme le montre la , le procédé comprend ensuite l'exécution d'une étape d'oxydation de manière à former une couche d'oxyde 25 sur chacune des structures de grilles 24a-f et de parties exposées des première et deuxième couches diélectriques 12, 14. En d'autres termes, une couche d'oxyde 25 est formée sur les parois latérales des structures de grilles 24a-f. L'oxydation provoque une croissance de l'épaisseur de la première couche diélectrique mince 12 et de la deuxième couche diélectrique épaisse 14, tandis que la modification de l'épaisseur de l'empilement ONO est négligeable. En effet, l'éventuelle oxydation supplémentaire de la couche d'oxyde supérieure de l'empilement ONO 16 est minime, car il y a peu d'atomes de silicium disponibles dans la couche de nitrure, étant donné que la plupart d'entre eux auront déjà été utilisés lors de l'oxydation initiale de la couche d'oxyde supérieure. En outre, la couche de nitrure de l'empilement ONO 16 agit comme une barrière, empêchant les atomes d'oxygène d'atteindre le silicium du bas de l'empilement pour se combiner avec les atomes de silicium du substrat 10. De ce fait, la modification de l'épaisseur de l'empilement ONO 16 est négligeable, par comparaison à la croissance de l'oxyde des première et deuxième couches diélectriques 12, 14, comme illustré sur la . Le procédé comprend ensuite la formation de parties de drain légèrement dopé (NLDD) de type n 26, 27 dans la première région 4 et la troisième région 8. Se référant à la , dans certains modes de réalisation, les parties NLDD 26, 27 sont formées en masquant la deuxième région 6 et une première partie de la première région 4 avec un masque 28, en laissant exposée une première partie non masquée de la première région 4 et de la troisième région 8, et en implantant un dopant de type n dans les parties exposées. Ainsi, le dopant de type n est implanté de manière adjacente à la première structure de grille 24a de la première région 4, et de manière adjacente aux première et deuxième structures de grilles 24e, 24f de la troisième région 8. Dans chaque cas, la structure de grille 24a, 24e, 24f sert de masque, de sorte que le dopant est implanté de manière adjacente à la structure de grille 24a, 24e, 24f, comme le montre la . En d'autres termes, des techniques de grille auto-alignée sont mises en œuvre. Comme ce processus nécessite une étape de photolithographie, une couche de résine photosensible 70 recouvrant les structures de grilles 24a-f est illustrée schématiquement sur la , entre le substrat 10 et le masque 28. Le masque 28 n'est utilisé que pour structurer la couche de résine photosensible 70, et bien qu'un masque soit illustré dans chaque figure suivante qui met en jeu une étape de photolithographie, il est à noter que, dans la pratique, ledit masque n'est présent lors d'aucune étape du processus d'implantation ou de gravure humide. Comme le montre la , le procédé comprend ensuite la formation des parties NLDD 30 dans la deuxième région 6. Suivant un processus analogue à celui de la , dans certains modes de réalisation, les parties NLDD 30 sont formées en masquant les première et troisième régions 4, 8 et une première partie de la deuxième région 6 avec un masque 32, en laissant exposée une première partie non masquée de la deuxième région 6, et en implantant un dopant de type n dans ladite partie non masquée. Le dopant de type n est implanté de manière adjacente à la première structure de grille 24d de la deuxième région 6, la structure de grille 24d servant, comme ci-dessus, de masque auto-aligné. Les implants LDD utilisés pour la première région 4 et la deuxième région 6 peuvent avoir des valeurs et des énergies de dopage différentes. Le processus de dopage en plusieurs stades des figures 1D à 1F est adapté à une telle situation. Se référant à la , le procédé comprend ensuite la formation de parties de drain légèrement dopé de type p (PLDD) 34 dans la deuxième région 6. Suivant un processus analogue à celui des figures 1D et 1E, dans certains modes de réalisation, les parties PLDD 30 sont formées en masquant les première et troisième régions 4, 8 et une deuxième partie de la deuxième région 6 avec un masque 36, en laissant exposée une deuxième partie non masquée de la deuxième région 6. Dans ce cas, un dopant de type p est implanté dans ladite partie non masquée, et la structure de grille 24c sert de masque. Bien que les étapes représentées par les figures 1E à 1F aient été décrites dans un ordre particulier, il est à noter que ces étapes peuvent être exécutées dans n'importe quel ordre. Dans tous les cas, le dopant de type n peut comprendre des ions phosphore ou arsenic, et le dopant de type p peut comprendre des ions bore, indium ou des molécules de BF2. Après les étapes d'implantation de dopant décrites en relation avec les figures 1E à 1F, l'éventuelle résine photosensible restante est enlevée, comme le montre la . Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend en outre à ce stade une étape de recuit afin d'activer les dopants. Un procédé de recuit approprié quelconque, tel que le recuit thermique rapide (RTA), peut être mis en œuvre. Une étape de RTA comprend de manière générale le chauffage du dispositif à une température élevée (par exemple à plus de 1000 °C) pendant une courte période, suivie d'un refroidissement plus progressif. Une couche d'orthosilicate de tétraéthyle (TEOS) est ensuite fournie sur la totalité des deuxième et troisième régions 6, 8. Dans certains modes de réalisation, une couche de TEOS 38 est d'abord déposée sur la totalité des trois régions 4, 6, 8, comme le montre la . Ainsi, le TEOS forme une "couverture" sur les structures de grilles 24a-f, c'est-à-dire une couche sensiblement uniforme de TEOS recouvrant la totalité des trois régions 4, 6, 8 du substrat 10. La couche de TEOS 38 peut être déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Dans certains modes de réalisation, des techniques de dépôt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD) ou de dépôt chimique en phase vapeur sous pression accrue (PECVD) sont utilisées pour le dépôt en nappe du TEOS 38. La couche de TEOS 38 est ensuite enlevée de la première région 4 du substrat 10. Dans certains modes de réalisation, afin d'enlever la couche de TEOS 38 de la première région 4 seulement, les deuxième et troisième régions sont masquées avec un masque 40, en laissant exposée la première région, comme le montre la . Une étape de gravure humide est ensuite effectuée pour enlever la couche de TEOS 38 de la première région 4, tout en laissant l'oxyde sous-jacent pratiquement intact. On peut utiliser n'importe quel agent de gravure approprié, présentant une bonne sélectivité vis-à-vis du TEOS. À titre d'exemple, une gravure à l'acide fluorhydrique dilué (DHF) peut être effectuée. En variante, une gravure à l'acide fluorhydrique tamponné (BHF) peut être effectuée, de manière à enlever en grande partie la couche de TEOS 38 et l'oxyde 20, 25 de la première région 4, comme le montre la . Cela est suivi d'une étape d'oxydation supplémentaire, de manière à provoquer la recroissance d'une couche d'oxyde sur la totalité de la première région 4, comme le montre la . Il est à noter que, dans ce cas, il se produit une modification minime de l'épaisseur d'oxyde sur la deuxième région 6 et la troisième région 8, en raison de l'existence de la couche de TEOS 38 restante. Se référant à la , le procédé comprend en outre le dépôt en nappe d'une couche de nitrure de silicium (SiN) 42 sur les première, deuxième et troisième régions 4, 6 et 8. Dans certains modes de réalisation, la couche de SiN 42 est déposée par CVD. Après le dépôt de la couche de SiN 42, une gravure à sec (par exemple une gravure au plasma) est effectuée, en laissant au moins une partie de la couche de SiN 42 sur chaque structure de grille 24a-f, comme le montre la . Une détection de point final est déterminée lorsque la couche de SiN 42 recouvrant le sommet des structures de grilles 24a-f est enlevée. Ainsi, une partie d'espaceur de paroi latérale en SiN 44 est formée sur chaque structure de grille 24a-f des première, deuxième et troisième régions 4, 6, 8, comme le montre la . De manière avantageuse, la couche de TEOS 38 va bloquer la gravure à sec sur les deuxième et troisième régions 6, 8, protégeant ainsi l'empilement ONO 16 contre tout endommagement. Dans certains modes de réalisation, après la gravure du SiN, des parties PLDD 46 sont formées dans la première région 4, comme le montre la . Afin de former lesdites parties PLDD 46, les deuxième et troisième régions 6, 8 et une deuxième partie de la première région 4 sont masquées avec un masque 46, en laissant exposée une deuxième partie non masquée de la première région 6. Des ions de type p sont implantés dans le substrat 10. Dans ce cas, la structure de grille 24b et les parties d'espaceurs de parois latérales en SiN 44 jouent le rôle d'un masque qui présente une largeur accrue par rapport à la longueur de grille L1 des structures de grilles 24a, 24b seules. De manière avantageuse, du fait de cette augmentation de la largeur entre les régions dopées 46, le problème associé à la diffusion du dopant de type p décrit ci-dessus est atténué pour les parties PLDD 46 de la première région 4. Bien qu'une diffusion de dopant de type p puisse également être présente pour les parties PLDD 34 de la deuxième région 6, étant donné que la longueur minimale de grille L2 de la structure de grille 24c est plus importante, l'effet de la diffusion a beaucoup moins d'impact. Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend en outre le dépôt d'une deuxième couche de SiN 48, suivie d'une deuxième couche de TEOS 50 sur les première, deuxième et troisième régions 4, 6, 8, comme le montrent les figures 1O et 1P. En raison des parties d'espaceurs de parois latérales en SiN 44 déjà présentes sur chaque structure de grille 24a-f, la deuxième couche de SiN 48 a en fait une épaisseur accrue sur les parois latérales de la structure de grille 24a-f (par rapport aux parties de la deuxième couche de SiN 48 qui ne se trouvent pas sur lesdites parois latérales). Comme ci-dessus, la deuxième couche de SiN 48 et la deuxième couche de TEOS 50 peuvent être déposées par CVD, par exemple par LPDCVD ou PEVCD. Se référant à la , dans certains modes de réalisation, le procédé comprend en outre la gravure de la deuxième couche de TEOS 50 en laissant au moins une partie de ladite deuxième couche de TEOS 50 sur chaque structure de grille de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS 52 sur chaque structure de grille 24a-f des première, deuxième et troisième régions 4, 6, 8. Une détection de point final est déterminée lorsque la deuxième couche de TEOS 50 recouvrant le sommet des structures de grilles 24a-f est enlevée, de sorte qu'une partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS 52 est formée sur chaque structure de grille 24a-f des première, deuxième et troisième régions 4, 6, 8. Ainsi, la deuxième couche de SiN 48 est exposée au sommet des structures de grilles 24a-f et sur les zones situées entre lesdites structures de grilles 24a-f. Comme le montre la , le procédé comprend ensuite la gravure de la deuxième couche de SiN 48 en laissant au moins une partie de ladite deuxième couche de SiN 48 sur chaque structure de grille de manière à former une deuxième partie d'espaceur de paroi latérale en SiN 54 sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions 4, 6, 8. Dans certains modes de réalisation, une gravure à sec (par exemple, une gravure au plasma) est effectuée. Comme cela est montré dans la région agrandie de la , la première partie d'espaceur en SiN 44 et la deuxième partie d'espaceur en SiN 54 forment en fait une paroi latérale en SiN en forme de L 56. De manière avantageuses, les espaceurs en forme de L peuvent offrir une meilleure immunité au pontage que les espaceurs en forme de I classiques, en particulier lorsque la distance entre les structures de grilles est réduite pour optimiser la densité des transistors (voir ci-dessous). Enfin, comme illustré sur la , le procédé comprend en outre l'exécution d'une gravure humide en laissant au moins une partie de ladite première couche de TEOS 38 sur chaque structure de grille 24c-f des deuxième et troisième régions 6, 8 de manière à former une deuxième partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS 58 sur chaque structure de grille 24c-f des deuxième et troisième régions 6, 8. On peut voir qu'un espaceur double (c'est-à-dire un espaceur composé à la fois de SiN et de TEOS) est fourni sur les structures de grilles 24c-f des deuxième et troisième régions 6, 8, alors que dans la première région 4, un espaceur en SiN est fourni. On peut voir que l'épaisseur de la première couche de TEOS 38 détermine la différence d'épaisseur latérale entre les espaceurs de parois latérales de la première région 4 par rapport aux deuxième et troisième régions 6, 8. De manière avantageuse, l'épaisseur supplémentaire due à l'espaceur en TEOS 58 permet aux transistors formés sur la deuxième région 6 d'avoir une tension de fonctionnement plus élevée que sur la première région 4, comme évoqué plus haut. En outre, l'espaceur plus fin des structures de grilles 24a-b permet de réduire la distance entre lesdites structures de grilles 24a-b. Cette réduction de distance est illustrée sur la , où la distance W1 entre les structures de grilles 24a-b de la première région 4a est inférieure à la distance W2 entre les structures de grilles 24c-d de la deuxième région 6. Ainsi, l'espacement entre transistors sur la première région 4a est optimisé, cela rendant maximale la densité de transistors fournis sur le substrat 10. La illustre une étape du procédé, qui est une variante de l'étape décrite en relation avec la . Dans cette variante de réalisation, la couche de TEOS 38 n'est pas seulement enlevée de la première région 4, mais aussi d'une partie de la deuxième région 6. Dans ce cas, il est fourni un masque 60 recouvrant la troisième région 8 et une partie de la deuxième région 6, en laissant exposée environ la moitié de la structure de grille 24c. En particulier, le côté source de la structure de grille 24c est exposé, tandis que le côté drain est recouvert par le masque 60. Dans certains modes de réalisation, un masque Ultra-Violet Profond (DUV) peut être utilisé afin de permettre une gravure très précise. Une étape de gravure humide est ensuite effectuée pour retirer la couche de TEOS 38 de la première région 4 et de la partie exposée de la deuxième région 6, tout en laissant l'oxyde sous-jacent pratiquement intact. Comme indiqué ci-dessus à propos des figures 1I, on peut utiliser n'importe quel agent de gravure approprié présentant une bonne sélectivité vis-à-vis du TEOS, comme l'acide fluorhydrique dilué (DHF). En variante, comme pour les figures 1J et 1K, une gravure à l'acide fluorhydrique tamponné (BHF) peut être effectuée pour enlever sensiblement la totalité de la couche de TEOS 38 et des oxydes 20, 25 de la première région 4 et de la partie exposée de la deuxième région 6, suivie d'une étape d'oxydation supplémentaire, de manière à provoquer la recroissance d'une couche d'oxyde sur les parties exposées. Dans les deux cas, il en résulte que la couche de TEOS 38 restante recouvre environ la moitié de chacune des structures de grilles 24c de la deuxième région 6. Après enlèvement de la couche de TEOS 38 de la première région 4 et de parties de la deuxième région 6, on procède essentiellement aux mêmes étapes du procédé que celles décrites en rapport avec les figures 1L à 1S. En conséquence, la structure de grille 24c de la deuxième région 6 est pourvue de parties d'espaceurs de parois latérales asymétriques, comme le montre la . Par "asymétrique", on entend que le côté source de la structure de grille 24c est pourvu d'un espaceur de paroi latérale en SiN sensiblement identique à ceux formés sur les structures de grilles 24a,b de la première région 4 (c'est-à-dire l'espaceur de paroi latérale en SiN en forme de L 56), tandis que le côté drain de la structure de grille 24c est pourvu d'un espaceur composite en SiN et en TEOS. Ainsi, il existe une asymétrie entre les épaisseurs des espaceurs du côté source et du côté drain de la structure de grille pMOS 24c, alors que les parties d'espaceurs de la structure de grille nMOS 24d sont symétriques. Dans certains modes de réalisation, plutôt que la structure de grille pMOS 24c, c'est la structure de grille nMOS 24d qui est pourvue de parties d'espaceurs asymétriques, tandis que la structure de grille pMOS 24c présente des parties d'espaceurs symétriques. Dans ce cas, le masque 60 recouvre la structure de grille pMOS 24c, tandis qu'environ la moitié de la structure de grille nMOS 24d est exposée. La illustre une autre variante d'étape du procédé par rapport à l'étape décrite en relation avec la . Dans cette variante de réalisation, la couche de TEOS 38 est non seulement enlevée de la première région 4, mais aussi de parties de la deuxième région 6 qui recouvrent les deux structures de grilles 24c,d. Il est fourni un masque 62 recouvrant la troisième région 8 et une partie de la deuxième région 6, en laissant exposée environ la moitié des deux structures de grilles 24c,d. Dans certains modes de réalisation, un masque Ultra-Violet Profond (DUV) peut être utilisé pour permettre une gravure très précise. Une étape de gravure humide est ensuite effectuée pour enlever la couche de TEOS 38 de la première région 4 et de la partie exposée de la deuxième région 6, tout en laissant l'oxyde sous-jacent pratiquement intact. Comme évoqué ci-dessus à propos des figures 1I, on peut utiliser n'importe quel agent de gravure approprié présentant une bonne sélectivité vis-à-vis du TEOS, comme l'acide fluorhydrique dilué (DHF). En variante, une gravure à l'acide fluorhydrique tamponné (BHF) peut être effectuée pour enlever sensiblement la totalité de la couche de TEOS 38 et des oxydes 20, 25 de la première région 4 et de la partie exposée de la deuxième région 6, suivie de l'exécution d'une étape d'oxydation supplémentaire, de manière à provoquer la recroissance d'une couche d'oxyde sur les parties exposées. Dans les deux cas, il en résulte que la couche de TEOS 38 restante recouvre environ la moitié de chacune des structures de grilles 24c,d de la deuxième région 6. Après enlèvement de la couche de TEOS 38 de la première région 4 et de parties de la deuxième région 6, on procède essentiellement aux mêmes étapes du procédé que celles décrites en rapport avec les figures 1L à 1S. En conséquence, les deux structures de grilles pMOS 24c et nMOS 24d de la deuxième région 6 sont pourvues de parties d'espaceurs de parois latérales asymétriques, comme le montre la . Comme ci-dessus, par "asymétrique", on entend que le côté source de chaque structure de grille 24c,d est pourvu d'un espaceur de paroi latérale en SiN sensiblement identique à ceux formés sur les structures de grilles 24a,b de la première région 4 (c'est-à-dire l'espaceur de paroi latérale en SiN en forme de L 56), tandis que le côté drain de chaque structure de grille 24c,d est pourvu d'un espaceur composite en SiN et en TEOS. De ce fait, il existe une asymétrie entre les épaisseurs des espaceurs du côté source et du côté drain des deux structures de grilles 24c,d dans la deuxième région 6. Les configurations asymétriques des espaceurs, telles que décrites en relation avec les figures 3B et 4B, peuvent présenter un certain nombre d'avantages. Tout d'abord, les performances des nMOS ou des pMOS sont améliorées, car l'espaceur asymétrique permet une augmentation du courant d'état passant, sans effets de dégradation par les porteurs chauds. De plus, l'épaisseur réduite de l'espaceur signifie que l'espacement entre les structures de grilles peut également être réduit afin d'optimiser l'espacement entre les transistors et de rendre maximale la densité des transistors fournis sur le substrat. Plus généralement, le choix du motif de masque a pour effet de quadrupler le nombre de types de dispositifs pouvant être fabriqués, sans qu'il soit nécessaire d'introduire des étapes supplémentaires dans le processus. Plus précisément, le choix du motif de masque autorise les quatre options suivantes : (i) les deux structures de grilles 24c,d ont des espaceurs symétriques ( ) ; (ii) les deux structures de grilles 24c,d ont des espaceurs asymétriques ( ) ; (iii) la structure de grille pMOS 24c a des espaceurs asymétriques tandis que la structure de grille nMOS 24d a des espaceurs symétriques ( ) ; et (iv) la structure de grille nMOS 24d a des espaceurs asymétriques tandis que la structure de grille pMOS 24c a des espaceurs symétriques. La est un organigramme du procédé tel que décrit ci-dessus. Le procédé commence par la fourniture d'un substrat semi-conducteur 10 comportant une première région 4, une deuxième région 6 et une troisième région 8 (étape S1). Le procédé comprend en outre, sur la première région 4, la fourniture d'une première couche diélectrique (étape S2) ; sur la deuxième région 6, la fourniture d'une deuxième couche diélectrique (étape S3) ; et sur la troisième région 8, la fourniture d'un empilement ONO (étape S4). Le procédé comprend en outre, sur chacune des première, deuxième et troisième régions 4, 6, 8, la fourniture d'au moins une structure de grille 24a-f (étape S5) ; l'exécution d'une étape d'oxydation de manière à former une couche d'oxyde sur chacune des structures de grilles des première, deuxième et troisième régions 4, 6, 8 et de parties exposées des première et deuxième couches diélectriques (étape S7) ; et la fourniture d'une première couche de TEOS 38 sur la totalité de la troisième région 8 et au moins une partie de la deuxième région 6 (étape S8). Le procédé comprend en outre le dépôt en nappe d'une première couche de SiN sur la totalité des première, deuxième et troisième régions (étape S8), et la gravure de la première couche de SiN en laissant au moins une partie de ladite première couche de SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en SiN sur chaque structure de grille des première, deuxième et troisième régions (étape S9). L'empilement SONOS est protégé de la gravure par la première couche de TEOS. Bien que des modes de réalisation spécifiques de l'invention aient été décrits ci-dessus, on notera que l'invention peut être mise en œuvre autrement que de la manière décrite. Les descriptions présentées ci-dessus sont données à titre non limitatif d'illustration. Chaque caractéristique divulguée ou illustrée dans le présent fascicule peut être incorporée à l'invention, seule ou en combinaison appropriée avec toute autre caractéristique divulguée ou illustrée ici. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, comprenant : - la fourniture d'un substrat semi-conducteur (10) comportant une première région (4), une deuxième région (6) et une troisième région (8) ; - sur la première région (4), la fourniture d'une première couche diélectrique (12) ; - sur la deuxième région (6), la fourniture d'une deuxième couche diélectrique (14) ; - sur la troisième région (8), la fourniture d'un empilement ONO (16) ; - sur chacune des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions, la fourniture d'au moins une structure de grille (24) ; - l'exécution d'une étape d'oxydation de manière à former une couche d'oxyde (25) sur chacune des structures de grilles (24) des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions et de parties exposées des première (12) et deuxième (14) couches diélectriques ; - la fourniture d'une première couche d'orthosilicate de tétraéthyle, TEOS, (38) sur la totalité de la troisième région (8) et au moins une partie de la deuxième région (6) ; - le dépôt en nappe d'une première couche de nitrure de silicium, SiN, (42) sur la totalité des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions ; et - la gravure de la première couche de SiN (42) en laissant au moins une partie de ladite première couche de SiN (42) sur chaque structure de grille (24) des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en SiN (44) sur chaque structure de grille (24) des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions, au moins une partie de l'empilement ONO (16) étant protégée de la gravure par la première couche de TEOS (38). Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre : - le dépôt en nappe d'une deuxième couche de SiN (48) sur la totalité des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions ; et - le dépôt en nappe d'une deuxième couche de TEOS (50) sur la totalité des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions. Procédé selon la revendication 2, comprenant en outre : - la gravure de la deuxième couche de TEOS (50) en laissant au moins une partie de ladite deuxième couche de TEOS (50) sur chaque structure de grille (24) de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS (52) sur chaque structure de grille (24) des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions ; et - la gravure de la deuxième couche de SiN (48) en laissant au moins une partie de ladite deuxième couche de SiN (48) sur chaque structure de grille (24) de manière à former une deuxième partie d'espaceur de paroi latérale en SiN (54) sur chaque structure de grille des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions. Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre : - l'exécution d'une gravure humide en laissant au moins une partie de ladite première couche de TEOS (38) sur chaque structure de grille (24) des deuxième (6) et troisième (8) régions de manière à former une deuxième partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS (58) sur chaque structure de grille (24) des deuxième (6) et troisième (8) régions. Procédé selon la revendication 4, dans lequel ladite étape d'exécution d'une gravure humide en laissant au moins une partie de ladite première couche de TEOS (38) sur chaque structure de grille (24) des deuxième (6) et troisième (8) régions de manière à former une deuxième partie d'espaceur de paroi latérale en TEOS (58) sur chaque structure de grille (24) des deuxième (6) et troisième (8) régions comprend : - la gravure de manière à enlever les premières parties d'espaceurs de paroi latérale en TEOS (52) de chaque structure de grille (24) des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions et une partie de la première couche de TEOS (50) non protégée par les première (44) et deuxième (54) parties d'espaceurs de paroi latérale en SiN. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première couche diélectrique (12) a une première épaisseur et la deuxième couche diélectrique a une deuxième épaisseur, et dans lequel la deuxième épaisseur est supérieure à la première épaisseur. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la fourniture d'au moins une structure de grille (24) sur chacune des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions comprend : - le dépôt, sur les première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions, d'un matériau de grille (18) ; - le dépôt, sur le matériau de grille (18), d'un masque dur (20) ; et - la gravure pour enlever une partie du masque dur (20) et du matériau de grille (18) de manière à former ladite au moins une structure de grille (24) sur chacune des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel après la fourniture, sur chacune des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions, d'au moins une structure de grille (24), le procédé comprend en outre : - la formation d'une pluralité de structures d'isolation (22) dans le substrat (10). Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite au moins une structure de grille (24) sur chacune des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions comprend une première structure de grille (24a, 24d, 24e) et une deuxième structure de grille (24b, 24c, 24f). Procédé selon la revendication 9, dans lequel, après exécution de l'étape d'oxydation, le procédé comprend en outre : - dans la première région (4), la formation de parties de drain légèrement dopé de type n, NLDD, (26) de manière adjacente à la première structure de grille (24a) de la première région (4) ; - dans la troisième région (8), la formation de parties NLDD (27) de manière adjacente aux première (24e) et deuxième (24f) structures de grilles de la troisième région (8) ; et - dans la deuxième région (6) du substrat (10), la formation de parties NLDD (30) de manière adjacente à la première structure de grille (24d) de la deuxième région (6) et de parties de drain légèrement dopé de type p, PLDD, (34) de manière adjacente à la deuxième structure de grille (24c) de la deuxième région (6). Procédé selon la revendication 10, dans lequel, dans la première région (4) du substrat (10), la formation de parties NLDD (26) de manière adjacente à la première structure de grille (24a) de la première région (4) et dans la troisième région (8), la formation de parties NLDD (27) de manière adjacente aux première (24e) et deuxième (24f) structures de grilles de la troisième région (8) comprend : - le masquage de la deuxième région (6) et d'une première partie de la première région (4), en laissant exposée une première partie non masquée de la première région (4) et de la troisième région (8) ; et - dans la première partie non masquée et la troisième région (8), l'implantation d'un dopant de type n. Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel, dans la deuxième région (6) du substrat (10), la formation de parties NLDD (30) de manière adjacente à la première structure de grille (24d) de la deuxième région (6) et de parties PLDD (34) de manière adjacente à la deuxième structure de grille (24c) de la deuxième région (6) comprend : - le masquage des première (4) et troisième (8) régions et d'une première partie de la deuxième région (6), en laissant exposée une première partie non masquée de la deuxième région (6) ; - dans la première partie non masquée, l'implantation d'un dopant de type n de manière adjacente à la première structure de grille (24d) de la deuxième région (6) ; - le masquage des première (4) et troisième (8) régions et d'une deuxième partie de la deuxième région (6), en laissant exposée une deuxième partie non masquée de la deuxième région (6) ; - dans la deuxième partie non masquée, l'implantation d'un dopant de type p de manière adjacente à la deuxième structure de grille (24c) de la deuxième région (6). Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, dans lequel, après gravure de la première couche de SiN (42) en laissant au moins une partie de ladite première couche de SiN (42) sur chaque structure de grille (24) des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions de manière à former une première partie d'espaceur de paroi latérale en SiN (44) sur chaque structure de grille (24) des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions, le procédé comprend en outre : - dans la première région (4) du substrat (10), la formation de parties PLDD (46). Procédé selon la revendication 13, dans lequel, dans la première région (4) du substrat (10), la formation de parties PLDD (46) comprend : - le masquage des deuxième (6) et troisième (8) régions et d'une deuxième partie de la première région (4), en laissant exposée une deuxième partie non masquée de la première région (4) ; et - dans la deuxième partie non masquée, l'implantation d'un dopant de type p de manière adjacente à la deuxième structure de grille (24b) de la première région (4). Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite étape de fourniture d'une première couche de TEOS (38) sur la totalité de la troisième région (8) et au moins une partie de la deuxième région (6) comprend : - le dépôt en nappe d'une couche de TEOS (38) sur les première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions ; - l'enlèvement de la première couche de TEOS (38) de la première région (4). Procédé selon la revendication 15, dans lequel ladite étape d'enlèvement de la première couche de TEOS (38) de la première région (4) comprend : - le masquage des deuxième (6) et troisième (8) régions, en laissant exposée la première région (4) ; et - l'exécution d'une gravure humide pour enlever la couche de TEOS (38) de la première région (4). Procédé selon la revendication 16, dans lequel ladite étape d'exécution d'une gravure humide pour enlever la couche de TEOS (38) de la première région (4) comprend : - l'utilisation d'une gravure à l'acide fluorhydrique dilué, DHF, pour enlever la couche de TEOS (38) ; ou - l'utilisation d'une gravure à l'acide fluorhydrique tamponné, BHF, pour enlever la couche de TEOS (38) et la couche d'oxyde (25) de la première région (4), et l'exécution d'une étape d'oxydation de manière à provoquer la recroissance d'une couche d'oxyde sur la totalité de la première région (4). Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, dans lequel ladite étape de fourniture d'une première couche de TEOS (38) sur la totalité de la troisième région (8) et au moins une partie de la deuxième région (6) comprend : - le dépôt en nappe d'une couche de TEOS (38) sur la totalité des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions ; - l'enlèvement de la première couche de TEOS (38) de la première région (4) et d'une partie de la deuxième région (6). Procédé selon la revendication 18, dans lequel ladite étape d'enlèvement de la première couche de TEOS (38) de la première région (4) et d'une partie de la deuxième région (6) comprend : - le masquage de la troisième région (8) et d'une partie de la deuxième région (6), en laissant exposées la première région (4) et une partie de la deuxième région (6) ; et - l'exécution d'une gravure humide pour enlever la couche de TEOS (38) de la première région (4) et de la partie exposée de la deuxième région (6) ; - dans lequel la partie exposée de la deuxième région (6) comprend : une zone située au-dessus d'une partie de la première structure de grille (24d) ; une zone située au-dessus d'une partie de la deuxième structure de grille (24c) ; ou une zone située au-dessus d'une partie de la première structure de grille (24d) et d'une partie de la deuxième structure de grille (24c). Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première couche de SiN (42) est déposée par CVD. Dispositif à semi-conducteurs comprenant : - un substrat semi-conducteur (10) comportant une première région (4), une deuxième région (6) et une troisième région (8) ; - une première couche diélectrique (12) sur la première région (4) ; - une deuxième couche diélectrique (14) sur la deuxième région (6) ; - un empilement ONO (16) sur la troisième région (8) ; - sur chacune des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions, au moins une structure de grille (24) ; - une partie d'espaceur en TEOS (58) adjacente à chaque structure de grille (24) des deuxième (6) et troisième (8) régions ; et - une partie d'espaceur en SiN (44, 54, 56) adjacente à chacune des structures de grilles (24) de la première région (4) et sur chacune des parties d'espaceurs en TEOS (58) des deuxième (6) et troisième (8) régions. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 21, comprenant en outre : - une couche d'oxyde (25) sur chacune des structures de grilles (24) et des parties exposées des première (12) et deuxième (14) couches diélectriques. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 21 ou 22, comprenant en outre : - des parties de drain légèrement dopé de type n, NLDD, (26, 30) et de drain légèrement dopé de type p, PLDD, (46, 34) dans chacune des première (4) et deuxième (6) régions du substrat (10). Dispositif à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 21 à 23, dans lequel au moins deux structures de grilles (24) sont fournies sur chacune des première (4), deuxième (6) et troisième (8) régions. Dispositif à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 21 à 24, dans lequel chaque structure de grille (24) a un côté source et un côté drain, et dans lequel la partie d'espaceur en TEOS (58) adjacente à chaque structure de grille (24) de la deuxième région (6) est fournie symétriquement à la fois sur le côté source et le côté drain de chaque structure de grille (24). Dispositif à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 21 à 24, dans lequel ladite partie d'espaceur en TEOS (58) est asymétrique sur au moins une structure de grille (24) dans la deuxième région (6). Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 26, dans lequel ladite partie d'espaceur en TEOS (58) est asymétrique sur chaque structure de grille (24) dans la deuxième région (6). Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 26 ou 27, dans lequel chaque structure de grille (24) a un côté source et un côté drain, et dans lequel la partie d'espaceur en TEOS (58) adjacente à au moins une structure de grille (24) de la deuxième région (6) est fournie sur le côté drain de ladite au moins une structure de grille (24) et non sur le côté source.