FR 3102863 A1 20210507 FR 1912261 A 20191031 Dispositif optoélectronique La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un récepteur (102) et un émetteur (100) de rayonnements lumineux, le récepteur (102) étant situé sur une couche opaque (114) aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur (100), la couche opaque (114) s'étendant au-dessus de l'émetteur (100). Figure pour l'abrégé : Fig. 1 Dispositif optoélectronique La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques, et plus particulièrement, les dispositifs comprenant un récepteur et un émetteur de rayonnements lumineux. De nombreux dispositifs électroniques comprennent un émetteur de rayonnements lumineux et un récepteur configuré pour recevoir les rayonnements émis par l'émetteur. Il s'agit par exemple de capteurs de temps de vol (TOF – Time Of Flight) ou d'interrupteurs optiques. Un capteur de temps de vol permet de mesurer une distance entre le capteur et un élément d'une scène. Pour ce faire, le capteur de temps de vol illumine la scène par un rayonnement lumineux, et calcule le temps que ce rayonnement prend pour effectuer le trajet entre l’élément et le capteur. Le temps de vol de ce rayonnement est directement proportionnel à la distance entre le capteur et l’objet de la scène dont la distance au capteur est mesurée. Un interrupteur optique passe par exemple d'un état à un autre lorsque la distance entre l'interrupteur et un objet de la scène est inférieure à une certaine distance. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs optoélectroniques connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant un récepteur et un émetteur de rayonnements lumineux, le récepteur étant situé sur une couche opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur, la couche opaque s'étendant au-dessus de l'émetteur. Selon un mode de réalisation, le récepteur est en regard d'une partie de l'émetteur n'émettant pas les rayonnements lumineux. Selon un mode de réalisation, la couche opaque est en un matériau conducteur reliant électriquement le récepteur à un noeud d'application d'une tension. Selon un mode de réalisation, l'émetteur est recouvert d'un premier bloc de matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur. Selon un mode de réalisation, la couche opaque recouvre au moins partiellement le premier bloc. Selon un mode de réalisation, une bande en un matériau conducteur électriquement et opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur s'étend au moins partiellement sur le premier bloc, le récepteur étant relié électriquement à la bande. Selon un mode de réalisation, la couche opaque recouvre entièrement le premier bloc à l'exception d'une région séparant la couche opaque et la bande et à l'exception de la région en regard de la partie de l'émetteur destinée à émettre les rayonnements lumineux. Selon un mode de réalisation, un deuxième bloc de matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur s'étend à partir du premier bloc en regard de la partie de l'émetteur destinée à émettre les rayonnements lumineux, les parois latérales du deuxième bloc étant recouvertes de la couche opaque. Selon un mode de réalisation, au moins un filtre est situé en regard de la partie de l'émetteur destinée à émettre les rayonnements lumineux et de la partie du récepteur destinée à recevoir les rayonnements lumineux. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant un récepteur et un émetteur de rayonnement lumineux, le procédé comprenant la formation d'une couche opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur, la couche opaque s'étendant au-dessus de l'émetteur, le récepteur étant situé sur la couche opaque. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation d'un premier bloc de matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur, le premier bloc recouvrant l'émetteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation d'une bande en un matériau conducteur électriquement et opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur s'étend au moins partiellement sur le premier bloc, le récepteur étant relié électriquement à la bande. Selon un mode de réalisation, la couche opaque est formée de manière à recouvrir entièrement le premier bloc à l'exception d'une région séparant la couche opaque et la bande et à l'exception de la région en regard de la partie de l'émetteur destinée à émettre les rayonnements lumineux. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation d'un deuxième bloc de matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur s'étendant à partir du premier bloc en regard de la partie de l'émetteur destinée à émettre les rayonnements lumineux, les parois latérales du deuxième bloc étant recouvertes de la couche opaque. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième blocs sont formés par un moulage de résine. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en trois dimensions d'une partie d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; la figure 2 est une vue en coupe du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 3 représente une étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 4 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 5 représente encore une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 6 représente encore une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 ; et la figure 7 est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Les figures 1 et 2 représentent un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 10. La figure 1 est une vue en trois dimensions d'une partie du dispositif 10. La figure 2 est une vue en coupe du dispositif 10 selon le plan de coupa A. Le dispositif 10 est par exemple un capteur de temps de vol ou un interrupteur optique. Le dispositif 10 comprend un émetteur 100 (figure 2) de rayonnements lumineux et un récepteur 102 de rayonnements lumineux. Les rayonnements émis par l'émetteur 100 sont par exemple des rayonnements infrarouges, par exemple des rayonnements ayant une longueur d'onde supérieure à 700 nm. Le récepteur 102 est configuré pour recevoir au moins une partie des rayonnements émis par l'émetteur 100. Par exemple, le récepteur 102 est configuré pour recevoir des rayonnements lumineux émis par l'émetteur 100 et reflétés sur un élément d'une scène située en regard du dispositif 10. Par exemple, le récepteur 102 et l'émetteur 100 comprennent un circuit non représenté, ou sont reliés à un circuit non représenté, configuré pour déterminer la distance d'un élément d'une scène à partir du temps entre l'émission des rayonnements par l'émetteur 100 et leur réception par le récepteur 102. Le dispositif 10 comprend un support 104. L'émetteur 100 est situé et fixé sur le support 104. Le support 104 est par exemple au moins partiellement en un matériau isolant électriquement. Dans le mode de réalisation des figures 1 et 2, des plots conducteurs 106 (non représentés en figure 1), par exemple des plots métalliques, sont situés sur la face supérieure du support 104. Les plots 106 sont par exemple reliés entre eux et/ou à d'autres composants électroniques (non représentés) par l'intermédiaire de moyens de connexion non représentés. Les moyens de connexion sont par exemple des vias conducteurs et des niveaux de métallisations situés dans le support 104. Les moyens de connexion sont par exemple des pistes conductrices situées sur la face supérieure du support 104. L'émetteur 100 est situé sur un plot conducteur 106, désigné en figure 2 par la référence 106a. Par exemple, l'émetteur 100 est fixé au plot 106a par une couche de fixation 108, par exemple une couche de colle. De préférence, la couche de fixation 108 est une couche conductrice. L'émetteur 100 est par exemple relié à un ou plusieurs autres plots conducteurs 106b, par exemple par une connexion filaire, par exemple par des fils électriques. La figure 2 représente un seul plot 106a et un seul plot 106b. L'émetteur 100 est par exemple relié à un premier noeud d'application d'un potentiel par l'intermédiaire du plot 106a. L'émetteur 100 est par exemple relié à un deuxième noeud d'application d'un potentiel par l'intermédiaire du plot 106b. Le dispositif 10 comprend un bloc 110 recouvrant l'émetteur 100. Le bloc 110 forme un écrin de protection autour de l'émetteur 100. Le bloc 110 est en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. Le bloc 110 est de préférence en un matériau isolant électriquement. Par exemple, le bloc 110 est en résine. Par matériau transparent à une longueur d'onde, on désigne un matériau laissant passer au moins 90 % des rayonnements de cette longueur d'onde. Le bloc 110 recouvre l'émetteur 100, le plot conducteur 106a, et le ou les plots 106b. Le bloc 110 est par exemple de forme parallélépipédique. Le bloc 110 comprend par exemple une face supérieure sensiblement plane. La face supérieure est par exemple sensiblement horizontale. La face supérieure est par exemple sensiblement parallèle à la face supérieure du support 104. Le bloc 110 comprend, de plus, des faces latérales s'étendant de la face supérieure au support 104. Les faces latérales sont par exemple sensiblement verticales. Les faces latérales sont par exemple sensiblement perpendiculaires à la face supérieure. Le dispositif 10 comprend un autre bloc 112. Le bloc 112 est en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. Le bloc 112 est de préférence en un matériau isolant électriquement. Par exemple, le bloc 112 est en résine. Le bloc 112 est de préférence en le même matériau que le bloc 110. Le bloc 112 repose sur la face supérieure du bloc 110. Le bloc 112 est en contact avec la face supérieure du bloc 110. Le bloc 112 est en regard de l'émetteur 100. Plus précisément, le bloc 112 est en regard de la partie de l'émetteur 100 émettant les rayonnements lumineux. Le bloc 112 est situé de telle manière que les rayonnements émis par l'émetteur 100 traversent le bloc 110 puis le bloc 112 avant d'atteindre la scène. Le bloc 112 a de préférence la forme d'un parallélépipède. Les dimensions du bloc 112 au niveau du contact avec le bloc 110 sont de préférence au moins égales aux dimensions de la partie de l'émetteur 100 émettant les rayonnements lumineux. Le bloc comprend par exemple une face supérieure sensiblement plane. La face supérieure est par exemple sensiblement horizontale. La face supérieure est par exemple sensiblement parallèle à la face supérieure du bloc 110. Le bloc 112 comprend, de plus, des faces latérales s'étendant de la face supérieure au bloc 110. Les faces latérales sont par exemple sensiblement verticales. Les faces latérales sont par exemple sensiblement perpendiculaires à la face supérieure. Le bloc 112 recouvre partiellement le bloc 110. La face supérieure du bloc 112 comprend donc des régions non recouvertes du bloc 112. En particulier, le bloc 110 comprend une région non recouverte par le bloc 112 suffisamment grande pour comprendre le récepteur 102. Le dispositif 10 comprend une couche 114 recouvrant au moins partiellement le bloc 110 et le bloc 112. La couche 114 recouvre de préférence entièrement les faces latérales du bloc 112. Plus précisément, la couche 114 recouvre entièrement les faces du bloc 112 autres que la face inférieure, c'est-à-dire la face en contact avec le bloc 110, et la face supérieure du bloc 112. Autrement dit, la couche 114 recouvre entièrement les faces du bloc 112 autres que les faces traversées par les rayonnements atteignant la scène. La couche 114 recouvre au moins partiellement la face supérieure et les faces latérales du bloc 110. La couche 114 comprend par exemple une portion 115 s'étendant sur le support 104. La portion 115 est par exemple reliée, comme les plots conducteurs 106, à des plots conducteurs et/ou à d'autres composants électroniques, par l'intermédiaire de moyens de connexions, par exemple, des vias conducteurs et des niveaux de métallisations situés dans le support 104 ou des pistes conductrices situées sur la face supérieure du support 104. A titre de variante, la couche 114 ne comprend pas la portion 115 et est directement reliée aux moyens de connexion par les portions de la couche 114 recouvrant les parois latérales du bloc 110. La couche 114 est en un matériau conducteur, par exemple en un métal. La couche 114 est en un matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur. La couche 114 est par exemple en cuivre. Par exemple, la couche 114 est de préférence recouverte d'une couche non représentée en un alliage comprenant du nickel et de l'or. La couche non représentée permet une meilleure adhérence sur les régions 110, 112. De plus, la couche non représentée permet d'éviter l'oxydation du cuivre. L'épaisseur de la couche 114 est par exemple comprise entre environ 10 et environ 15 nm. Par un matériau opaque à une longueur d'onde, on entend un matériau laissant passer moins de 0,001 % des rayonnements de cette longueur d'onde. De préférence, la couche 114 comprend une ouverture 116 (représentée en figure 1, mais non représentée en figure 2). L'ouverture 116 s'étend, dans l'exemple des figures 1 et 2, sur toute la hauteur d'une face 118 latérale du bloc 110. Cependant, l'ouverture 116 ne s'étend, de préférence, pas sur toute la face 118. L'ouverture 116 s'étend de préférence partiellement sur la face supérieure du bloc 110. Une bande 120 s'étend sur le bloc 110, dans l'ouverture 118. La bande 120 s'étend de préférence de la face supérieure du bloc 110 à la face supérieure du support 104. Plus précisément, la bande 120 s'étend partiellement sur la face supérieure du bloc 110, et sur toute la hauteur du bloc 110. De préférence, la bande 120 s'étend partiellement sur la face supérieure du support 104. La bande 120 est en un matériau conducteur, par exemple en un métal. La bande 120 est en un matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. De préférence, la bande 120 est en le même matériau que la couche 114. La bande 120 n'est pas en contact avec la couche 114. La bande 120 n'est pas connectée électriquement à la couche 114. La bande 120 est par exemple reliée, comme les plots conducteurs 106, à des plots conducteurs et/ou à d'autres composants électroniques, par exemple, par l'intermédiaire des vias conducteurs et des niveaux de métallisations situés dans le support 104 ou par l'intermédiaire des pistes conductrices situées sur la face supérieure du support 104. A titre de variante, une cavité (non représentée) peut être située dans le bloc 110 au niveau de l'ouverture 116, à l'emplacement de la bande 120. La profondeur de l'ouverture 116 est de préférence inférieure ou égale, de préférence égale à l'épaisseur de la bande 120. La bande 120 est alors située dans la cavité. Le bloc 110 est donc entièrement recouvert de matériau opaque (la couche 114 et la bande 120) aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100, à l'exception de la région en contact avec le bloc 112 et d'une tranchée séparant, et isolant électriquement, la bande 120 et la couche 114. Le récepteur 102 est situé au-dessus du bloc 110. Le récepteur 102 est donc situé entre l'émetteur et la scène. Le récepteur 102 est séparé de la face supérieure du bloc 110, et donc de l'émetteur 100, par la couche 114. Le récepteur 102 est donc situé sur la couche 114 recouvrant la face supérieure du bloc 110. Le récepteur 102 est de préférence fixé à la couche 114 par une couche de fixation 122, par exemple une couche de colle. La couche 122 de fixation est de préférence en un matériau conducteur. Le récepteur 102 est décalé par rapport à la partie de l'émetteur 100 émettant les rayonnements, de manière à ne pas bloquer l'émission de rayonnements traversant le bloc 112. Le récepteur 102 est donc de préférence en regard d'une partie de l'émetteur 100 n'émettant pas les rayonnements lumineux. Le récepteur 102 est de préférence situé proche de la bande 120. Le récepteur 102 est de préférence situé entre le bloc 112 et la bande 120. De préférence, le récepteur 102 est suffisamment proche de la bande 120 pour être relié à la bande 120 par un fil électrique. Le récepteur 102 est par exemple relié, d'une part, à la couche 114, et d'autre part, à la bande 120. Par exemple, la couche 114 est reliée à un noeud d'application d'une tension de référence, par exemple la masse. Le récepteur 102 est donc par exemple relié à ce noeud d'application d'une tension de référence par l'intermédiaire de la couche de fixation 122 et la couche 114. Par exemple, la bande 120 est reliée à un noeud d'application d'une autre tension. Le récepteur 102 est par exemple relié à un noeud d'application de l'autre tension par l'intermédiaire du fil électrique et de la bande 120. De la même manière, l'émetteur 100 est par exemple relié à des noeuds d'application de tensions par l'intermédiaire des plots de connexion 106. Le dispositif 10 comprend de plus un bloc 124 recouvrant la couche 114, le récepteur 102, la couche 122 et une partie du support 104. Le bloc 124 forme un écrin de protection autour du récepteur 102 et des blocs 100 et 112. Le bloc 124 est en un matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur 100. Le bloc 124 est de préférence en un matériau isolant électriquement. Par exemple, le bloc 124 est en résine. Le bloc 112 est de préférence en le même matériau que les blocs 110 et 112. Le bloc 124 a par exemple une forme de parallélépipède. La face supérieure du bloc 124 est par exemple coplanaire avec la face supérieure du bloc 112. Le bloc 124 entoure par exemple le bloc 112 et laisse découverte la face supérieure du bloc 112. A titre de variante, le bloc 124 peut recouvrir au moins partiellement la face supérieure du bloc 112. Des filtres 126 et 128 sont formés respectivement en regard de l'émetteur 100 et du récepteur 102. De préférence, les filtres 126 et 128 sont en un matériau dont les valeurs de transmittance sont : inférieure à environ 10 % pour des longueurs d'onde inférieures à environ 650 nm, de préférence pour des longueurs d'onde inférieure à 750 nm ; et supérieure à environ 90 % pour des longueurs d'onde supérieures à 900 nm, de préférence pour des longueurs d'onde supérieures à 850 nm. Le filtre 126 a par exemple des dimensions sensiblement égales, ou supérieures, aux dimensions de la région de l'émetteur 100 émettant les rayonnements lumineux. En particulier, le filtre 126 recouvre de préférence au moins toute la face supérieure du bloc 112. Similairement, le filtre 128 a par exemple des dimensions horizontales sensiblement égales, ou supérieures, aux dimensions de la partie du récepteur 102 recevant le rayonnement. Pour des raisons de clarté, le bloc 124 et les filtres 126 et 128 ne sont pas représentés en figure 1. De même, l'émetteur 100, la couche de fixation 108 et les plots conducteurs 106, situés sous la couche 114, ne sont pas représentés en figure 1. A titre de variante, l'ouverture 116 peut s'étendre sur une région plus petite, par exemple ne pas s'étendre sur la face supérieure du bloc 110. Le fil électrique s'étendant du récepteur à la bande 120 est alors plus long. A titre de variante, la couche 114 recouvre entièrement le bloc 110 à l'exception des parties en contact avec le bloc 112 ou le support 104. L'émetteur 100 est par exemple relié par le câble électrique à un plot conducteur par exemple situé sur le support. Le trajet des rayonnements lumineux émis par l'émetteur 100 est, par exemple, constitué de la traversée de la partie du bloc 110 en regard de l'émetteur 100, la traversée du bloc 112, la traversée du filtre 126, le trajet du dispositif 10 jusqu'à un élément de la scène, la réflexion sur l'élément de la scène, le trajet de l'élément au dispositif 10, la traversée du filtre 128 et la traversée de la partie du bloc 124 en regard du récepteur 102. La présence de la couche 114 autour des blocs 110 et 112, et en particulier entre le trajet des rayonnements dans les blocs 110 et 112 et le récepteur 102, permet de s'assurer que le récepteur 102 ne reçoit pas de rayonnements directement de l'émetteur, c'est-à-dire ne reçoit pas de rayonnements émis par l'émetteur100 n'ayant pas été réfléchi sur un élément de la scène. Les figures 3 à 6 représentent des étapes, de préférence successives, d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1 et 2. Les figures 3 à 6 décrivent la fabrication d'un unique dispositif 10. En pratique, les dispositifs 10 sont fabriqués par plaquette, c'est-à-dire qu'une pluralité de dispositifs 10 est fabriquée simultanément sur une même plaquette. La pluralité de dispositifs 10 forme par exemple une matrice de dispositifs. Les dispositifs 10 sont par exemple séparés les uns des autres d'une distance supérieure ou égale à environ 250 µm. Les étapes décrites en relation avec les figures 3 à 6 sont effectuées simultanément à plusieurs endroits de la plaquette. La figure 3 représente une étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, les plots conducteurs 106 sont formés sur le support 104. De même, les moyens de liaison des plots conducteurs, c'est-à-dire des vias et des métallisations situées dans le support ou des pistes conductrices situées sur le support 104, sont formés. L'émetteur 100, ayant été fabriqué précédemment, est ensuite fixé au plot 106. Par exemple, l'émetteur 100 est fixé au plot 106a par la couche de fixation 108 déposée sur le plot 106. Des connexions peuvent aussi être formées entre l'émetteur 100 et des plots 106b. Ces connexions sont par exemple faites comme décrit précédemment, par exemple par des fils électriques reliant l'émetteur 100 et les plots 106b. La figure 4 représente une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, le bloc 110 est formé sur l'émetteur 100. De préférence, le bloc 110 recouvre les plots conducteurs 106. Par exemple, le bloc 110 est formé par moulage de résine. Cette étape comprend la formation d'une partie 114a de la couche 114, y compris le cas échéant, la formation de la portion 115. Cette étape comprend, de plus, la formation de la bande 120. Selon un mode de réalisation, une couche en le matériau de la couche 114 et de la bande 120 est formée sur tout le bloc 110 à l'exception de l'emplacement l'ouverture 116 et de l'emplacement du bloc 112. Ces emplacements sont par exemple recouverts d'un masque durant la formation de la partie 114a et de la bande 120. Selon un mode de réalisation, cette étape comprend la formation de la cavité (non représentée) dans le bloc 110 à l'emplacement de la bande 120. La partie 114a et la bande 120 sont de préférence formées après la formation de la cavité. La figure 5 représente encore une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, le récepteur 102, ayant de préférence été formé précédemment, est fixé sur la partie 114a. Plus précisément, le récepteur 102 est fixé sur une région de la partie 114a située sur la face supérieure du bloc 110. L'étape de fixation du récepteur inclut par exemple la formation de la couche de fixation 122 sur la partie 114a et le dépôt du récepteur 102 sur la couche 122. Le récepteur 102 est ainsi relié électriquement à la partie 114a, par exemple par la couche de fixation 122. Au cours de cette étape, une connexion électrique est formée entre le récepteur 102 et la bande 120. Par exemple un fil électrique est formé entre le récepteur 102 et la bande 120. La figure 6 représente encore une autre étape de fabrication du mode de réalisation de la figure 1. Au cours de cette étape, le bloc 112 et le bloc 124 sont formés. Selon un mode de réalisation, une couche 30 en le matériau des blocs 112 et 124 est formée sur la structure résultant de l'étape précédente. La couche 30 est ensuite gravée de manière à former le bloc 124 et le bloc 112. En particulier, la couche 30 est par exemple gravée de manière à être aplanie au niveau de la face supérieure du bloc 124. La couche 30 est de plus gravée pour séparer le bloc 124 de blocs 124 d'autres dispositifs 10 sur la même plaquette. Une tranchée 32 est de plus gravée à l'emplacement des parties de la couche 114 entourant le bloc 112. La tranchée s'étend donc de la face supérieure de la couche 30 et jusqu'à la partie 114a. La tranchée 32 entoure donc le bloc 112. Alternativement, les blocs 112 et 124 peuvent être formés séparément, par exemple en utilisant des moules pour former de la résine. Le procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 1 comprend des étapes non représentées. En particulier, au cours d'étapes ultérieures, la tranchée 32 est remplie d'un matériau opaque aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur 102. De préférence, le matériau est le même matériau que le matériau de la partie 114a de la couche 114 déjà formée. Le procédé comprend de plus la formation des filtres 126 et 128. Un masque est par exemple formé sur les faces supérieures des blocs 112 et 124, de manière à recouvrir les emplacements n'étant pas recouverts par les filtres 126 et 128. Les filtres 126 et 128 sont ensuite formés aux emplacements non recouverts par le masque. Alternativement, une couche en le matériau des filtres 126 et 128 est par exemple formée de manière à recouvrir entièrement les blocs 112 et 124 et les parties découvertes de la couche 114. La couche en le matériau des filtres 126 et 128 est ensuite gravée de manière à former les filtres 126 et 128. Le procédé comprend de plus une étape au cours de laquelle les différents dispositifs 10 d'une même plaquette sont individualisés, c'est-à-dire par exemple que le support 104 est scié entre les différents dispositifs 10. La figure 7 est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 40. Le dispositif 40 est identique au dispositif 10 à l'exception des filtres 126 et 128 qui sont remplacés par une couche 42 en le matériau des filtres 126 et 128. Le récepteur 102 et l'émetteur 100 sont en regard d'un même filtre. Dans l'exemple de la figure 7, la couche 42 recouvre entièrement le bloc 124 ainsi que la face supérieure du bloc 112 et les parties découvertes de la couche 114. Plus précisément, la couche 42 recouvre, dans ce mode de réalisation, les faces latérales du bloc 124, la face supérieure du bloc 124, la face supérieure du bloc 112 et les parties découvertes de la couche 114. A titre de variante, la couche 42 peut ne pas recouvrir les faces latérales du bloc 124. A titre de variante, la couche 42 peut recouvrir partiellement la face supérieure du bloc 124. De préférence, la couche 42 recouvre au moins les régions en regard des parties des émetteur 100 et récepteur 102 émettant et recevant les rayonnements lumineux. Un avantage des modes de réalisation décrits est que chaque dispositif utilise une surface inférieure à la surface utilisée par un dispositif similaire dont l'émetteur 100 et le récepteur 102 sont tous deux formé sur le support 104. Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que le matériau opaque sépare l'émetteur et le récepteur, évitant ainsi que des rayonnements atteignent le récepteur sans avoir été réfléchis sur la scène, ce qui perturberait la mesure. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l’homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif optoélectronique (10, 40) comprenant un récepteur (102) et un émetteur (100) de rayonnements lumineux, le récepteur (102) étant situé sur une couche opaque (114) aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur (100), la couche opaque (114) s'étendant au-dessus de l'émetteur (100), l'émetteur (100) étant recouvert d'un premier bloc (110) de matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur (100), un deuxième bloc (112) de matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur (100) s'étend à partir du premier bloc en regard de la partie de l'émetteur (100) destinée à émettre les rayonnements lumineux, les parois latérales du deuxième bloc (112) étant recouvertes de la couche opaque (114). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le récepteur (102) est en regard d'une partie de l'émetteur (100) n'émettant pas les rayonnements lumineux. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche opaque (114) est en un matériau conducteur reliant électriquement le récepteur (102) à un noeud d'application d'une tension. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche opaque (114) recouvre au moins partiellement le premier bloc (110). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel une bande (120) en un matériau conducteur électriquement et opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur (100) s'étend au moins partiellement sur le premier bloc (110), le récepteur (102) étant relié électriquement à la bande (120). Dispositif selon la revendication 5, dans lequel la couche opaque recouvre entièrement le premier bloc (110) à l'exception d'une région séparant la couche opaque (114) et la bande (120) et à l'exception de la région en regard de la partie de l'émetteur (100) destinée à émettre les rayonnements lumineux. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel au moins un filtre (126, 128, 42) est situé en regard de la partie de l'émetteur (100) destinée à émettre les rayonnements lumineux et de la partie du récepteur (102) destinée à recevoir les rayonnements lumineux. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant un récepteur (102) et un émetteur (100) de rayonnement lumineux, le procédé comprenant la formation d'une couche opaque (114) aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur (100), la couche opaque (114) s'étendant au-dessus de l'émetteur (100) , le récepteur (102) étant situé sur la couche opaque (114), le procédé comprenant la formation d'un deuxième bloc (112) de matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur (100) s'étendant à partir du premier bloc (110) en regard de la partie de l'émetteur (100) destinée à émettre les rayonnements lumineux, les parois latérales du deuxième bloc (112) étant recouvertes de la couche opaque (114). Procédé selon la revendication 8, comprenant la formation d'un premier bloc (110) de matériau au moins partiellement transparent aux longueurs d'onde des rayonnements lumineux pouvant être émis par l'émetteur (100), le premier bloc (110) recouvrant l'émetteur (100). Procédé selon la revendication 9, comprenant la formation d'une bande (120) en un matériau conducteur électriquement et opaque aux longueurs d'onde des rayonnements pouvant être émis par l'émetteur (100) s'étend au moins partiellement sur le premier bloc (110), le récepteur (102) étant relié électriquement à la bande (120). Procédé selon la revendication 10, dans lequel la couche opaque (114) est formée de manière à recouvrir entièrement le premier bloc (110) à l'exception d'une région séparant la couche opaque (114) et la bande (120) et à l'exception de la région en regard de la partie de l'émetteur (100) destinée à émettre les rayonnements lumineux. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel les premier (110) et deuxième (112) blocs sont formés par un moulage de résine.