FR 3110768 A1 20211126 FR 2005396 A 20200521 L’invention concerne un circuit électrique, par exemple de type circuit imprimé pour réaliser un module destiné à être intégré dans une carte à puce. Ce module comporte des plages de contacts électriques -ou connecteur (3)- pour la connexion et la communication de la puce avec un système de lecture/écriture. Pour leur donner une couleur grise, noire ou proche de ces couleurs, ces plages de contact électrique (3) sont au moins partiellement recouvertes d’une couche superficielle (14) comprenant un composé du type X p O q N r C s avec X pouvant être Hf, Ta, Zr, Nb, Mo, Cr, V, Ti ou Sc, p, q, r > 0 et s≥0. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un tel circuit électrique. Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 2 Procédé de fabrication d’un circuit électrique pour module électronique de carte à puce avec des contacts ayant une couleur noire ou proche du noir et circuit électrique réalisé par ce procédé L’invention concerne le domaine des circuits électriques comportant des contacts ou des pistes conductrices de connecteurs. Etat de la technique Dans ce document, un exemple d’application du circuit électrique selon l’invention est pris dans le domaine de la carte à puce, mais cet exemple est aisément transposable à d’autres applications des circuits électriques. Notamment, l’invention est particulièrement intéressante dans tous les cas où les pistes conductrices sont visibles sur le produit fini, tel qu’utilisé par un consommateur. Par exemple, la réalisation de contacts de couleur noire pour des connecteurs de cartes mémoires SD ou de clés USB peut aussi apporter une plus-value esthétique. Une carte à puce comporte un module électronique avec des plages de contacts électriques -ou connecteur- pour la connexion et la communication, d’au moins une puce électronique attachée au module, avec un système de lecture/écriture. En effet, une carte à puce est généralement constituée d’un support relativement rigide, par exemple en matière plastique, constituant l’essentiel de la carte, dans lequel est incorporé un module électronique fabriqué séparément. Ce module électronique comporte un circuit imprimé généralement flexible muni d’une puce électronique (circuit intégré) et de moyens de connexion –ou connecteur- constitués par exemple de contacts formés de pistes métalliques conductrices affleurant sur le module électronique, en surface du support. Les cartes à puce ont de multiples usages : cartes de crédit, cartes SIM pour téléphones portables, cartes de transport, cartes d’identité, etc. Alors, outre la nécessité d’avoir une bonne conduction électrique entre les contacts et le connecteur d’un dispositif de lecture/écriture, les fabricants de cartes à puce souhaitent assortir la couleur des contacts à la ou les couleurs(s) de la carte. A cet effet, les contacts sont généralement recouverts soit d’une couche d’or, pour obtenir une finition dorée, soit d’une couche d’argent ou de palladium, pour obtenir une finition argentée. Pour obtenir plus de couleurs, il est possible d’utiliser un procédé tel que décrit dans le document US6259035B1. Ce procédé repose sur l’utilisation de solutions à base d’or, de palladium ou d’argent pour obtenir un plus large spectre de couleurs. Cependant ce type de procédé ne permet pas d’obtenir certaines couleurs et notamment une couleur noire ou proche du noir. Un but de l’invention est de fournir des circuits électriques avec des contacts ou des pistes conductrices présentant une couleur noire ou proche du noir sur au moins une partie de la surface des contacts ou pistes conductrices, tout en conservant notamment des propriétés électriques et mécaniques appropriées pour établir des connections électriques. A cet effet, il est proposé un procédé de fabrication d’un circuit électrique, notamment pour réaliser des modules de carte à puce, ce procédé comprenant les étapes suivantes : - la fourniture d’un substrat diélectrique avec un feuillet de matériau électriquement conducteur reposant sur le substrat diélectrique, - le dépôt d’au moins une couche d’un matériau électriquement conducteur sur le feuillet de matériau électriquement conducteur, cette couche d’un matériau électriquement conducteur formant une couche superficielle recouvrant au moins une zone de la surface d’au moins une piste conductrice, cette piste conductrice étant formée dans le feuillet de matériau électriquement conducteur. Au cours de ce procédé, la formation de la couche superficielle comporte une étape de dépôt physique en phase vapeur à partir d’au moins une cible métallique dont au moins l’un des métaux de la liste suivante entre dans la composition : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium ; et dans une atmosphère comprenant au moins l’un des éléments suivants : argon, azote et oxygène. Eventuellement, cette atmosphère comprend de l’argon, de l’azote et de l’oxygène. En effet, les inventeurs ont pu obtenir, grâce à un dépôt physique en phase vapeur de ce type, une couche superficielle ayant non seulement une couleur très sombre proche du noir, voire noire, mais également une conductivité électrique et une robustesse permettant de satisfaire aux spécifications requises notamment dans le domaine de la carte à puce et, plus particulièrement dans le domaine des cartes à puce pour les applications bancaires. Ce procédé comporte une ou plusieurs autres des caractéristiques optionnelles suivantes considérées indépendamment l’une de l’autre ou en combinaison d’une ou plusieurs autres : - la couche superficielle est composée d’un composé du type X p O q N r C s avec X compris dans la liste constituée de Hf, Ta, Zr, Nb, Mo, Cr, V, Ti ou Sc, et où p, q et r sont des entiers strictement positifs et s est un entier positif supérieur ou égal à zéro ; - la couche superficielle est déposée sur une couche d’accrochage, elle-même formée à partir d’un dépôt physique en phase vapeur dans l’atmosphère d’un gaz de travail comprenant de l’argon et dans lequel est mise en œuvre au moins une cible métallique dont au moins l’un des métaux de la liste suivante entre dans la composition : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium ; - il comprend une étape de gravure par laser de la couche superficielle et de la couche d’accrochage situées entre au moins deux pistes conductrices, pour dé-court-circuiter ces pistes conductrices ; - la couche d’accrochage et la couche superficielle sont déposées sur une grille conductrice (c’est-à-dire utilisée dans le cadre d’une technologie appelée « leadframe » en anglais) formée dans le feuillet de matériau électriquement conducteur, au cours d’étapes préalables à une étape de report de cette grille sur le substrat diélectrique ; - la couche superficielle est déposée de manière sélective sur au moins une zone de la surface d’au moins une piste conductrice, au cours d’une étape pendant laquelle la couche superficielle préalablement déposée sur un support est reportée à l’aide d’un laser, sur le feuillet de matériau électriquement conducteur ; et – le procédé comprend une étape de réalisation d’un masque, préalablement à la formation de la couche superficielle, pour déposer sélectivement la couche superficielle sur certaines zones seulement du feuillet de matériau électriquement conducteur ; Selon un autre aspect, il est proposé un circuit électrique, notamment pour réaliser des modules de carte à puce. Par exemple, ce circuit électrique est réalisé grâce au procédé mentionné ci-dessus. Ce circuit comprend : - un substrat diélectrique avec un feuillet de matériau électriquement conducteur reposant sur le substrat diélectrique, - au moins une couche d’un matériau électriquement conducteur reposant, directement ou non, sur le feuillet de matériau électriquement conducteur, cette couche d’un matériau électriquement conducteur formant une couche superficielle recouvrant au moins une zone de la surface d’au moins une piste conductrice, cette piste conductrice étant formée dans le feuillet de matériau électriquement conducteur. Dans ce circuit, la couche superficielle comprend un composé du type X p O q N r C s avec X compris dans la liste constituée de Hf, Ta, Zr, Nb, Mo, Cr, V, Ti et Sc, et où p, q et r sont des entiers strictement positifs et s est un entier positif supérieur ou égal à zéro. Cette stœchiométrie de la couche permet l’obtention d’un revêtement noir et conducteur. La rugosité de cette couche peut également contribuer à lui apporter un aspect noir plus ou moins intense, et plus ou moins mat. En outre ce circuit peut comporter une ou plusieurs autres des caractéristiques optionnelles suivantes considérées indépendamment l’une de l’autre ou en combinaison d’une ou plusieurs autres : – la couche superficielle comprend 30 à 60 % en poids d‘au moins l’un des métaux compris dans la liste suivante : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium, 30 à 40 % en poids d’azote, 15 à 20 % en poids de d’oxygène et 0 à 6 % en poids de carbone ; - il comprend une couche d’accrochage, sous-jacente à la couche superficielle, cette couche d’accrochage comprenant au moins l’un des métaux de la liste suivante : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium ; et - il comprend une couche d’accrochage dont l’épaisseur est comprise entre 10 et 200 nanomètres, et plus préférentiellement entre 10 et 100 nanomètres, et une couche superficielle dont l’épaisseur est comprise entre 100 et 2000 nanomètres. D’autres caractéristiques, buts et avantages de l’invention mentionnée ci-dessus apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre, et en regard des dessins annexés, donnés à titre d’exemples non limitatifs et sur lesquels : représente schématiquement en perspective une carte à puce comportant un exemple de module selon l’invention ; représente en coupe, schématiquement et partiellement, un exemple de connecteur pour un module de carte à puce tel que représentée sur la figure 1 ; représente schématiquement vue de dessus une portion de circuit électrique pour un connecteur de module de carte à puce tel que représentée sur la figure 1 ; représente schématiquement différentes étapes de plusieurs exemples de mise en œuvre du procédé selon l’invention. Description détaillée Selon un exemple d’application du circuit électrique selon l’invention, illustré par la figure 1, une carte à puce 1 comporte un module 2 avec un connecteur 3. Le module 2 est généralement réalisé sous forme d’un élément séparé qui est inséré dans une cavité ménagée dans le corps de la carte à puce 1. Cet élément comporte un substrat diélectrique 4 (voir Fig. 2) généralement flexible de PET, ou de verre-epoxy, ou de polyimide, etc. sur lequel est réalisé le connecteur 3, auquel est postérieurement connectée une puce électronique (non-représentée). La figure 3 illustre un exemple de portion de circuit électrique 5 avec deux connecteurs 3. Chaque connecteur 3 comprend une plage de contact 8 formée de pistes conductrices 6. Dans l’exemple illustré huit contacts électriques 7 sont réalisés à partir des pistes conductrices 6, sur une face (circuit simple face). Eventuellement, d’autres pistes et contacts peuvent être réalisés sur l’autre face, si le connecteur correspond à un circuit double face. Plus particulièrement, comme représenté en coupe sur la figure 2, un connecteur 3 (c’est-à-dire essentiellement un module sans puce électronique) possède une structure multicouche formée d’un substrat diélectrique 4, d’une couche d’adhésif 9, d’un feuillet de matériau électriquement conducteur 10, d’une première couche intermédiaire 11, éventuellement d’une deuxième couche intermédiaire 12, éventuellement d’une couche d’accrochage 13 et enfin d’une couche superficielle 14. Le substrat diélectrique 4 est par exemple formé d’un ruban de verre-époxy ayant une épaisseur de 110 micromètres. Le feuillet de matériau électriquement conducteur 10 est par exemple formé d’un feuillet de cuivre ou d’alliage de cuivre de 35 micromètres d’épaisseur. La première couche intermédiaire 11 est par exemple formée d’une couche de nickel électrodéposé de 1000 à 7000 nanomètres d’épaisseur. La deuxième couche intermédiaire 12 est par exemple formée d’une couche de palladium ou d’or électrodéposé de 1 à 300 nanomètres d’épaisseur. Plus généralement, les première et deuxième couches intermédiaires 11, 12 sont réalisées par électrodéposition par exemple et peuvent comprendre au moins l’un des métaux compris dans la liste comprenant le palladium, le cuivre, l’aluminium, le fer, l’or et le nickel. La couche d’accrochage 13 est essentiellement composée d’une couche métallique comprenant au moins l’un des métaux suivants : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium. Cette couche est déposée en phase vapeur. La couche superficielle est essentiellement composée d’un composé du type X p O q N r C s avec X compris dans la liste constituée de Hf, Ta, Zr, Nb, Mo, Cr, V, Ti et Sc, et où p, q et r sont des entiers strictement positifs et s est un entier positif supérieur ou égal à zéro., Cette couche est également déposée en phase vapeur, avec 30 à 50 % en poids de l’un des métaux de la liste suivante : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium, 30 à 40 % en poids d’azote, 15 à 20 % en poids de d’oxygène et 0 à 6 % en poids de carbone. La couche d’accrochage 13 a par exemple une épaisseur comprise entre 10 et 100 nanomètres et la couche superficielle 14 a par exemple une épaisseur comprise entre 100 et 2000 nanomètres. La figure 4 illustre schématiquement différentes étapes de plusieurs exemples de mise en œuvre du procédé selon l’invention pour la fabrication du connecteur 3. Ces étapes comprennent : - une étape 100 de fourniture d’un feuillet de matériau électriquement conducteur 10, - une étape 200 comprenant, la fourniture d’un substrat 4, par exemple de verre-époxy, de PET ou de polyimide, l’enduction d’une face du substrat 4 avec une couche d’adhésif 9, la perforation du substrat 4 sur lequel repose la couche d’adhésif 9 afin de réaliser, à travers le substrat 4 et la couche d’adhésif 9, des puits de connexion 15 et éventuellement une cavité dans laquelle sera logée ultérieurement une puce électronique, la lamination du feuillet de matériau électriquement conducteur 10 sur le substrat 4 enduit de la couche d’adhésif 9 et recouvrant au moins en partie les puits de connexion 15 et la cavité, et éventuellement, la réticulation de la couche d’adhésif 9, - une étape 300 de photo-lithogravure pour former des pistes conductrices 6 et/ou des contacts 7 dans le feuillet de matériau électriquement conducteur 10 ; - une étape 400 de dépôt, par exemple par électrodéposition, de la première 11 et de l’éventuelle deuxième 12 couches intermédiaires ; - une étape 500 de dépôt physique en phase vapeur de l’éventuelle couche d’accrochage 13 et de la couche superficielle 14 ; - une étape 600 de gravure par laser des couches d’accrochage 13 et superficielle 14 sur des zones 16 (voir figure 3) situées entre les contacts 7 pour mettre à nu le substrat sur ces zones 16, afin de dé-courtcircuiter les pistes conductrices 6 et les contacts 7 les uns des autres ; pour cette étape, le laser a par exemple un impact (spot) de 12 à 35 micromètres de diamètre, pour une puissance de 1 à 15 Watts et un pas entre chaque impact de 0 à 60 micromètres ; - une étape ou plusieurs étapes 700 de report de puces (par exemple une puce électronique par connecteur 3), d’individualisation des connecteurs 3, etc. à partir du circuit électrique 5 obtenu à l’issue des étapes précédentes, et menant à la réalisation d’un module 2 et/ou à la finalisation d’une carte à puce 1 comportant un tel module 2. Alternativement, selon un autre mode de mise en œuvre du procédé, celui-ci comporte des étapes identiques ou similaires aux étapes 100 à 500. Mais entre les étapes 400 et 500, est mise en œuvre une étape 800 comprenant le dépôt d’un film de résine photosensible sur les couches électrodéposée 11 et 12. Cette résine est exposée à un rayonnement adapté à travers un masque, puis est révélée de manière à exposer les pistes conductrices 6 et les contacts 7 et à protéger des zones situées entre les pistes conductrices 6 et les contacts 7. Ainsi, lors de l’étape 500 de dépôt physique en phase vapeur de l’éventuelle couche d’accrochage 13 et de la couche superficielle 14, ces couches ne sont déposées que sur des zones destinées à être électriquement conductrices (pistes conductrices 6 et les contacts 7). Bien entendu, on retire ensuite au cours d’une étape 900, la résine ayant protégé les zones 16 situées entre les pistes conductrices 6 et les contacts 7, pendant l’étape 500 de dépôt physique en phase vapeur de la couche d’accrochage 13 et de la couche superficielle 14. Par exemple, pour cette étape, la solution d’attaque pourra être acide ou basique, avec une température comprise entre 15 et 50 degrés Celsius et une pression de 1 à 5 bars. Alternativement, selon encore un autre mode de mise en œuvre du procédé, le feuillet de matériau électriquement conducteur 10 fourni à l’étape 100 est découpé à une étape 300B pour former des pistes conductrices 6 et/ou des contacts 7 dans le feuillet de matériau électriquement conducteur 10. Autrement dit, l’étape 300B permet de réaliser une grille conductrice (aussi appelée « leadframe » en anglais). Ensuite, au cours d’une étape 500, l’éventuelle couche d’accrochage 13 et la couche superficielle 14 sont réalisées par dépôt physique en phase vapeur sur la grille conductrice. Puis, est mise en œuvre une étape 200B comprenant la fourniture d’un substrat 4 par exemple de verre-époxy, de PET ou de polyimide, l’enduction d’une face du substrat 4 avec une couche d’adhésif 9, la perforation du substrat 4 sur lequel repose la couche d’adhésif 9 afin de réaliser, à travers le substrat 4 et la couche d’adhésif 9, des puits de connexion 15 et éventuellement une cavité dans laquelle sera logée ultérieurement une puce électronique, la lamination de la grille conductrice sur le substrat 4 enduit de la couche d’adhésif 9 et recouvrant au moins en partie les puits de connexion 15 et la cavité, et éventuellement la réticulation de la couche d’adhésif 9. La structure ainsi obtenue peut alors subir la ou les étapes 700 mentionnées ci-dessus. L’étape 600 n’est dans ce cas pas nécessaire puisque l’éventuelle couche d’accrochage 13 et la couche superficielle 14 n’ont été déposées que sur la grille conductrice et non sur le substrat 4 comme pour le premier mode de mise en œuvre décrit précédemment. La grille peut être découpée initialement par un outil de perforation poinçon / matrice afin que les pistes conductrices 6 et les contacts 7 soient bien isolés les uns des autres. Selon encore selon encore un autre mode de mise en œuvre du procédé, les étapes 100 à 400 décrites ci-dessus sont mises en œuvre. En parallèle, est mise en œuvre une étape 500C1 de dépôt physique en phase vapeur de la couche d’accrochage 13 d’une part, ainsi que de la couche superficielle 14 d’autre part, chacune sur un support de PET par exemple. Puis, une étape 500C2 de transfert sélectif par laser est mise en œuvre pour transférer la couche éventuelle d’accrochage 13, puis la couche superficielle 14, chacune de son support de PET sur les zones destinées à être recouvertes de la couche conductrice 14, c’est-à-dire essentiellement sur les pistes conductrices 6 et les contacts 7. Pour cette étape 500C2, le laser a un impact (spot) de 12 à 35 micromètres de diamètre, pour une puissance de 1 à 15 Watts et un pas entre deux impacts de 0 à 60 micromètres. Une étape ou plusieurs étapes 700 telles que mentionnées ci-dessus peuvent alors être ensuite mises en œuvre pour réaliser un module 2 et/ou finaliser une carte à puce 1 comportant un tel module 2. Le dépôt physique en phase vapeur de la couche superficielle 14 est réalisé par exemple à l’aide d’un dispositif de pulvérisation à magnétron, à courant continu, à courant continu pulsé ou en radiofréquences, avec une puissance de 100 à 700 000 Watts et une densité de courant de 10 à 200 Ampères par mètre carré. Le dépôt est effectué dans un vide compris entre 1 et 9 10 -3 mbar. Alternativement, ce dépôt physique en phase vapeur de la couche superficielle 14 peut être fait à l’aide d’une technique d’évaporation thermique (« thermal evaporation » en anglais) ou de dépôt physique en phase vapeur à arc cathodique (« cathodic arc physical vapor deposition » ou « CAPVD » en anglais). Le dépôt physique en phase vapeur de la couche superficielle 14 est réalisé avec de l’argon comme gaz de travail avec un débit de 100 à 600 centimètres cubes standards par minute (« SCCM » ou « standard cubic centimeters per minute » en anglais), 10 à 100 centimètres cubes standards par minute d’azote, 1 à 100 centimètres cubes standards par minute d’oxygène et 1 à 20 centimètres cubes standards par minute d’acétylène (si le mode de dépôt du carbone utilise un gaz). Le dépôt physique en phase vapeur de la couche superficielle 14, que ce soit directement sur les pistes conductrices 6 et les contacts 7, ou sur un support avant report sur les pistes conductrices 6 et les contacts 7, peut aussi être réalisé à l’aide d’un procédé de dépôt physique en phase vapeur réactif en utilisant un flux d’argon comme gaz de travail ayant un débit de 40 à 70 centimètres cubes standards par minute. L'ajout de carbone est effectué soit à l’aide d’une cible de graphite pulvérisée sous un flux d'argon avec un débit de 100 à 600 centimètres cubes standards par minute, soit avec un plasma de gaz acétylène ayant un débit de 1 à 20 centimètres cubes standards par minute. En outre, au cours de cette procédure de pulvérisation, un plasma est formé avec un mélange gazeux composé d'azote et d'oxygène. La couche superficielle 14 résultant de tous ces modes de mise en œuvre, a avantageusement une colorimétrie avec un indice L* inférieur à 40 dans l’espace chromatique CIELAB introduit par l’organisation IEC (International Commission on Illumination). De même, avantageusement, les indices a* et b* dans cet espace chromatique sont proches de zéro et préférentiellement inférieurs à 5 en valeur absolue. Les pistes conductrices 6 ou contacts 7, avec leur couche superficielle 14 résultant de tous ces modes de mise en œuvre, ont avantageusement une résistance de contact inférieure à 500 milli-ohms et résistent très bien aux tests de corrosion en brouillard salin tels que ceux imposés pour les cartes à puces utilisées pour les applications bancaires. Selon des variantes des modes de mise en œuvre du procédé décrits ci-dessus, en utilisant des masques de résine photosensible, il est possible de réaliser des motifs, tels que des logos, de couleur noire (à l’aide de la couche superficielle, et éventuellement de la couche d’accrochage) sur fond jaune (couche d’or sous-jacente) ou gris (couche de palladium, d’argent ou de nickel sous-jacente). De tels motifs peuvent être réalisés à des fins de personnalisation graphique ou de protection contre la copie. Circuit électrique, notamment pour réaliser des modules de carte à puce, comprenant : - un substrat diélectrique (4) avec un feuillet de matériau électriquement conducteur (10) reposant sur le substrat diélectrique (4), - au moins une couche d’un matériau électriquement conducteur (14) reposant, directement ou non, sur le feuillet de matériau électriquement conducteur (10), cette couche d’un matériau électriquement conducteur (14) formant une couche superficielle recouvrant au moins une zone de la surface d’au moins piste conductrice (6), cette piste conductrice (6) étant formée dans le feuillet de matériau électriquement conducteur (10), caractérisé par le fait que la couche superficielle (14) comprend un composé du type X p O q N r C s avec X compris dans la liste constituée de Hf, Ta, Zr, Nb, Mo, Cr, V, Ti et Sc, et où p, q et r sont des entiers strictement positifs et s est un entier positif supérieur ou égal à zéro. Circuit électrique selon la revendication 1, dans lequel la couche superficielle (14) comprend 30 à 60 % en poids d‘au moins l’un des métaux compris dans la liste constituée de Hf, Ta, Zr, Nb, Mo, Cr, V, Ti ou Sc 30 à 40 % en poids d’azote, 15 à 20 % en poids de d’oxygène et 0 à 6 % en poids de carbone. Circuit électrique selon la revendication 1 ou 2, comprenant une couche d’accrochage (13), sous-jacente à la couche superficielle (14), cette couche d’accrochage (13) comprenant au moins l’un des métaux de la liste suivante : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium. Circuit électrique selon la revendication 3, comprenant une couche d’accrochage (13) dont l’épaisseur est comprise entre 10 et 100 nanomètres et une couche superficielle (14) dont l’épaisseur est comprise entre 100 et 2000 nanomètres. Procédé de fabrication spécialement conçu pour la fabrication d’un circuit électrique selon l’une des revendications 1 à 4, ce procédé comprenant les étapes suivantes : - la fourniture d’un substrat diélectrique (4) avec un feuillet de matériau électriquement conducteur (10) reposant sur le substrat diélectrique (4), - le dépôt d’au moins une couche d’un matériau électriquement conducteur (14) sur le feuillet de matériau électriquement conducteur (10), cette couche d’un matériau électriquement conducteur (14) formant une couche superficielle (14) recouvrant au moins une zone de la surface d’au moins une piste conductrice (6), cette piste conductrice (6) étant formée dans le feuillet de matériau électriquement conducteur (10), caractérisé par le fait que la formation de la couche superficielle (14) comporte une étape de dépôt physique en phase vapeur à partir d’au moins une cible métallique dont au moins l’un des métaux de la liste suivante entre dans la composition : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium, et dans l’atmosphère d’un gaz comprenant au moins l’un des éléments suivants : argon, azote et oxygène. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la couche superficielle (14) comprend un composé du type X p O q N r C s avec X compris dans la liste constituée de Hf, Ta, Zr, Nb, Mo, Cr, V, Ti et Sc, et où p, q et r sont des entiers strictement positifs et s est un entier positif supérieur ou égal à zéro. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la couche superficielle (14) est déposée sur une couche d’accrochage (13), elle-même formée à partir d’un dépôt physique en phase vapeur dans l’atmosphère d’un gaz de travail comprenant de l’argon et dans lequel est mise en œuvre au moins une cible métallique dont au moins l’un des métaux de la liste suivante entre dans la composition : le chrome, l’hafnium, le tantale, le zirconium, le niobium, le molybdène, le vanadium, le titane et le scandium . Procédé selon la revendication 7 comprenant une étape de gravure par laser de la couche superficielle (14) et la couche d’accrochage (13) situées entre au moins deux pistes conductrices (6), pour dé-courtcircuiter ces pistes conductrices (6). Procédé selon la revendication 7, dans lequel la couche d’accrochage (13) et la couche superficielle (14) sont déposées sur une grille conductrice formée dans le feuillet de matériau électriquement conducteur (10), au cours d’étapes préalables à une étape de report de cette grille sur le substrat diélectrique (4). Procédé selon l’une des revendication 5 à 7, dans lequel la couche superficielle (14) est déposée de manière sélective sur au moins une zone de la surface d’au moins une piste conductrice (6), au cours d’une étape pendant laquelle la couche superficielle (14) préalablement déposée sur un support est reportée à l’aide d’un laser, sur le feuillet de matériau électriquement conducteur (10). Procédé selon l’une des revendications 5 à 7, comprenant une étape (800) de réalisation d’un masque, préalablement à la formation de la couche superficielle (14), pour déposer sélectivement la couche superficielle (14) sur certaines zones seulement du feuillet de matériau électriquement conducteur (10).