FR 3104315 A1 20210611 FR 1913750 A 20191204 Procédé de fabrication de puces électroniques La présente description concerne un procédé de fabrication de puces électroniques, comprenant les étapes successives suivantes : former, du côté de la face supérieure d'un substrat semiconducteur (11), dans et sur lequel ont été préalablement formés une pluralité de circuits intégrés, au moins un pilier (35) de résine sacrificielle par circuit intégré, en contact avec la face supérieure du circuit intégré ; déposer, du côté de la face supérieure du substrat (11), une résine de protection (23), s'étendant entre les piliers (35) de résine sacrificielle ; retirer les piliers (35) de résine sacrificielle sélectivement par rapport à la résine de protection (23), de façon à former dans la résine de protection (23) des cavités de forme complémentaire à celle des piliers (35) de résine sacrificielle ; et remplir les cavités par du métal pour former des piliers métalliques de connexion en contact avec la face supérieure des circuits intégrés. Figure pour l'abrégé : Fig. 18 Procédé de fabrication de puces électroniques La présente description concerne un procédé de fabrication de puces électroniques. Elle vise plus particulièrement un procédé de fabrication de puces dites à montage en surface, c'est-à-dire comportant, du côté d'au moins une face, une ou plusieurs métallisations de connexion destinées à être brasées à des plages de connexion correspondantes d'un dispositif extérieur, par exemple une carte de circuit imprimé ou une autre puce. Pour certaines applications, il existe un besoin pour des puces à montage en surface dans lesquelles les métallisations de connexion destinées à être brasées à un dispositif extérieur s'étendent jusqu'aux flancs des puces. On parle de puces à flancs mouillables. Lors du brasage, une partie du matériau de brasage remonte alors sur les flancs des puces, ce qui permet de mettre en oeuvre une inspection visuelle de la qualité des connexions. Ce besoin existe par exemple pour des domaines sensibles tels que le domaine automobile ou le domaine médical. Il serait souhaitable d'améliorer au moins en partie certains aspects des procédés connus de fabrication de puces électroniques à flancs mouillables. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés de fabrication des puces électroniques connues. Selon un premier aspect, un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication de puces électroniques, comprenant les étapes suivantes : a) former, du coté de la face supérieure d'un substrat semiconducteur, dans et sur lequel ont été préalablement formés une pluralité de circuits intégrés, des tranchées séparant latéralement les circuits intégrés ; b) déposer, du coté de la face supérieure du substrat au moins un pilier métallique de connexion par circuit intégré, en contact avec la face supérieure du circuit intégré, et une résine de protection, s'étendant dans les tranchées et sur la face supérieure des circuits intégrés ; c) former, à partir de la face supérieure de la résine de protection, des ouvertures situées en vis-à-vis des tranchées et s'étendant sur une largeur supérieure ou égale à celle des tranchées, de façon à dégager un flanc d'au moins un pilier métallique de chaque circuit intégré ; d) amincir le substrat par sa face inférieure jusqu'à atteindre la résine de protection au fond des tranchées ; et e) découper la résine de protection en vis-à-vis des tranchées, de façon à séparer les circuits intégrés en puces individuelles. Selon un mode de réalisation, l'étape b) précède l'étape a). Selon un mode de réalisation, l'étape a) précède l'étape b). Selon un mode de réalisation, l'étape b) comprend les étapes successives suivantes : f) déposer un film de résine sacrificielle du côté de la face supérieure du substrat ; g) graver le film de résine pour ne conserver que des piliers de résine sacrificielle ayant la même forme et la même disposition que les piliers métalliques de connexion ; h) déposer la résine de protection du coté de la face supérieure du substrat ; i) retirer les piliers de résine sacrificielle sélectivement par rapport à la résine de protection, de façon à former dans la résine de protection des cavités de forme complémentaire à celle des piliers de résine sacrificielle ; et j) remplir les cavités par du métal pour former les piliers métalliques de connexion. Selon un mode de réalisation, le remplissage des cavités par du métal à l'étape j) est réalisé par un procédé de dépôt non électrolytique. Selon un mode de réalisation, au moins un pilier métallique de connexion formé à l'étape b) affleure, en vue de dessus, au niveau d'un bord d'une tranchée. Selon un mode de réalisation, chaque ouverture formée à l'étape c) est une tranchée s'étendant sur toute la longueur d'une tranchée sous-jacente formée à l'étape a). Selon un mode de réalisation, les ouvertures sont réalisées par sciage. Selon un mode de réalisation, les ouvertures formées à l'étape c) sont localisées en vis-à-vis d'une partie seulement de la longueur des tranchées formées à l'étape a). Selon un mode de réalisation, les ouvertures sont réalisées par ablation laser. Selon un mode de réalisation, les piliers métalliques de connexion sont formés en un alliage à base d'étain. Selon un mode de réalisation, le procédé prévoit une étape de dépôt d'une résine de protection de face arrière sur la face inférieure du substrat, entre l'étape d) et l'étape e). Selon un deuxième aspect, un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication de puces électroniques, comprenant les étapes successives suivantes : a) former, du côté de la face supérieure d'un substrat semiconducteur, dans et sur lequel ont été préalablement formés une pluralité de circuits intégrés, au moins un pilier de résine sacrificielle par circuit intégré, en contact avec la face supérieure du circuit intégré ; b) déposer, du côté de la face supérieure du substrat, une résine de protection, s'étendant entre les piliers de résine sacrificielle ; c) retirer les piliers de résine sacrificielle sélectivement par rapport à la résine de protection, de façon à former dans la résine de protection des cavités de forme complémentaire à celle des piliers de résine sacrificielle ; et d) remplir les cavités par du métal pour former des piliers métalliques de connexion en contact avec la face supérieure des circuits intégrés. Selon un mode de réalisation, le remplissage des cavités par du métal à l'étape d) est réalisé par un procédé de dépôt non électrolytique. Selon un mode de réalisation, le métal utilisé à l'étape d) pour remplir les cavités est un alliage à base d'étain. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend une étape de dépôt d'un film de résine sacrificielle du côté de la face supérieure du substrat, suivie d'une étape de gravure du film pour ne conserver que les piliers de résine sacrificielle. Selon un mode de réalisation, le film de résine sacrificielle déposé à l'étape a) est en une résine photosensible. Selon un mode de réalisation, le film de résine sacrificielle est gravé par photolithographie, à l'étape a), pour former les piliers de résine sacrificielle. Selon un mode de réalisation, l'étape a) est précédée d'une étape de formation, du côté de la face supérieure du substrat semiconducteur, de tranchées séparant latéralement les circuits intégrés. Selon un mode de réalisation, la résine de protection déposée à l'étape b) s'étend dans les tranchées. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape d'amincissement du substrat par sa face inférieure jusqu'à atteindre la résine de protection au fond des tranchées, suivie d'une étape de découpe de la résine de protection en vis-à-vis des tranchées, de façon à séparer les circuits intégrés en puces individuelles. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, entre l'étape d'amincissement et l'étape de découpe, une étape de dépôt d'une résine de protection de face arrière sur la face inférieure du substrat. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 illustre une étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon un premier mode de réalisation ; la figure 2 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 3 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 4 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 5 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 6 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 7 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 8 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 9 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 10 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le premier mode de réalisation ; la figure 11 illustre des exemples de puces obtenues par le procédé des figures 1 à 10 ; la figure 12 illustre une étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon un deuxième mode de réalisation ; la figure 13 illustre des exemples de puces obtenues par le procédé de la figure 12 ; la figure 14 illustre une étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon un troisième mode de réalisation ; la figure 15 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le troisième mode de réalisation ; la figure 16 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le troisième mode de réalisation ; la figure 17 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le troisième mode de réalisation ; la figure 18 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le troisième mode de réalisation ; la figure 19 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le troisième mode de réalisation ; la figure 20 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le troisième mode de réalisation ; la figure 21 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le troisième mode de réalisation ; la figure 22 illustre une autre étape d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon le troisième mode de réalisation ; et la figure 23 illustre des exemples de puces obtenues par le procédé des figures 14 à 22. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des circuits intégrés présents dans les puces électroniques décrites n'a pas été détaillée. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Les figures 1 à 10 illustrent, de façon schématique et partielle, des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon un premier mode de réalisation. La figure 1 est une vue en coupe d'une structure de départ comprenant un substrat semiconducteur 11 dans et sur lequel des circuits intégrés 17 ont été préalablement formés. Les circuits 17 sont par exemple tous identiques aux dispersions de fabrication près. Le substrat 11 peut correspondre à une plaque d'un matériau semiconducteur, par exemple du silicium. Le substrat 11 a, par exemple, une épaisseur comprise entre 300 et 900 µm, par exemple une épaisseur d'environ 725 µm. La structure de la figure 1 comprend en outre un empilement de couches isolantes et conductrices 13 revêtant la face supérieure du substrat 11, appelé empilement d'interconnexion, dans lequel peuvent être formés des éléments d'interconnexion des composants de chaque circuit 17. L'empilement d'interconnexion 13 comprend en particulier, pour chaque circuit intégré 17, un ou plusieurs plots de contact métalliques 15 affleurant au niveau de la face supérieure du circuit intégré 17 et destinés à être connectés à un dispositif extérieur. Dans l'exemple de la figure 1, trois plots de contact métalliques 15 sont représentés pour chaque circuit 17 toutefois le nombre de plots de contact métalliques 15 par circuit 17 peut être différent de trois. Chaque circuit intégré 17 comprend, par exemple, un ou plusieurs composants électroniques (transistors, diodes, thyristors, triacs, etc.). En figure 1, trois circuits intégrés 17 ont été représentés, étant entendu que, en pratique, le nombre de circuits intégrés 17 formés dans et sur le substrat 11 peut être différent de trois. La figure 2 est une vue en coupe illustrant une étape de formation de piliers métalliques 19 de connexion sur et en contact avec les plots métalliques 15. Plus particulièrement, dans cet exemple, on vient former un pilier de connexion 19 sur chaque plot 15. Chaque pilier 19 s'étend par exemple, en vue de dessus sur toute la surface du plot 15 sous-jacent. Chaque pilier 19 a par exemple, en vue de dessus une forme carrée ou rectangulaire. A titre de variante, les piliers peuvent avoir d'autres formes, par exemple une forme circulaire ou une forme irrégulière. A titre d'exemple, chaque pilier a une largeur L1, (ou diamètre dans le cas de piliers de forme circulaire) supérieure à 50 µm. Les piliers métalliques 19 s'étendent verticalement au dessus des plots 15 sur une hauteur H1. La hauteur H1 des piliers 19 est, par exemple, comprise entre environ 80 et 150 µm. La face supérieure des piliers 19 est par exemple sensiblement plane. Les piliers 19 peuvent, par exemple, être formés par croissance électrolytique. Les piliers 19 peuvent être en un alliage à base d'étain, par exemple un alliage à base d'étain et d'argent (SnAg). Une ou plusieurs couches métalliques d'interface, non représentées, peuvent éventuellement être prévues entre les plots 15 et les piliers 19, ces couches d'interface formant par exemple un empilement de type UBM (de l'anglais "Under Bump Metallization" – métallisation sous bossage). La figure 3 illustre une étape de formation de tranchées 21 en face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 1 et 2. Plus particulièrement, la figure 3 comprend une vue en coupe (A) et une vue de dessus (B) de la structure après formation des tranchées 21. La vue (A) correspond à une vue en coupe, selon le plan de coupe A-A de la vue (B). Les tranchées 21 s'étendent entre les circuits 17 de sorte que, en vue de dessus, chaque circuit 17 soit séparé de son ou ses voisins par des tranchées 21. A titre d'exemple, chaque circuit 17 est entièrement délimité, latéralement, par des tranchées 21. Les tranchées 21 peuvent par exemple, en vue de dessus, former une grille continue s'étendant entre les circuits intégrés 17. Dans cet exemple, chaque tranchée 21 s'étend verticalement, depuis la face supérieure de l'empilement 13, et se prolonge dans le substrat 11, sur une profondeur supérieure à la profondeur des circuits intégrés 17. Dans cet exemple, les tranchées 21 sont non traversantes, c'est-à-dire qu'elles ne débouchent pas du coté de la face inférieure du substrat 11. Les tranchées 21 s'étendent verticalement sur une profondeur H2, par exemple comprise entre 100 µm et 400 µm, par exemple de l'ordre de 250 µm. Les tranchées 21 sont par exemple réalisées par sciage ou par tout autre moyen de découpe, par exemple, par découpe laser. Lors de l'étape de sciage, la structure peut être montée sur un film de support, non représenté, disposé du coté de la face inférieure du substrat 11, le film étant ensuite ôté après la formation des tranchées 21. La figure 4 est une vue en coupe illustrant une étape de dépôt d'une couche de résine de protection 23 sur la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 1 à 3. Plus particulièrement, on vient recouvrir intégralement la face supérieure de la structure, et en particulier recouvrir les piliers 19 et l'empilement 13 et combler les tranchées 21 par la résine de protection 23. La résine 23 est, par exemple, une résine époxy. La figure 5 est une vue en coupe illustrant une étape de planarisation de la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 1 à 4, par exemple par CMP (de l'anglais "Chemical Mechanical Polishing" - polissage mécano-chimique). Lors de cette étape, une partie supérieure de la résine de protection 23 est retirée, de façon à libérer l'accès à la face supérieure des piliers 19. Ainsi, les piliers 19 affleurent au niveau de la face supérieure de la couche de résine 23. La figure 6 illustre une étape de formation, du coté de la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 1 à 5, d'ouvertures 25 s'étendant verticalement, depuis la face supérieure de la structure, sur une profondeur H3 inférieure ou égale à la hauteur H1 (figure 2) des piliers métalliques 19. La profondeur H3 est, par exemple, de l'ordre de 100 µm. La figure 6 comprend une vue en coupe (A) et trois vues de dessus (B1), (B2), et (B3) de la structure après formation des ouvertures 25. La vue (A) correspond à une vue en coupe, selon le plan de coupe A-A de la vue (B1). Les vues (B2) et (B3) représentent deux variantes de mise en oeuvre de l'étape de la figure 6. Chaque ouverture 25 est réalisée en vis-à-vis d'une tranchée 21 et présente, dans cet exemple, une largeur supérieure ou égale à celle de la tranchée 21 sous-jacente. Plus particulièrement, dans cet exemple, la largeur de chaque ouverture 25 est choisie suffisamment grande pour permettre de dégager un flanc 191 d'au moins un pilier 19 de chacun des circuits intégrés 17 situés de part et d'autre de la portion de tranchée 21 située sous l'ouverture 25. A titre d'exemple, après la formation des ouvertures 25, au moins un flanc d'au moins un pilier de chaque circuit 17 est exposé. Pour réaliser les ouvertures 25, on réalise un retrait partiel de la résine 23 située au dessus des tranchées 21. Le retrait partiel de la résine 23 est éventuellement accompagné d'un retrait d'une partie des piliers 19 situés, en vue de dessus, de part et d'autre des tranchées 21. Dans l'exemple représenté, une partie des piliers 19 situés de part et d'autre des tranchées 21 est retirée, ce qui conduit à la formation de marches de largeur L3 sur les piliers 19. La largeur L3 est par exemple de l'ordre quelques micromètres, par exemple inférieure à 5 µm. Dans l'exemple de la figure 6, chaque ouverture 25 est une tranchée parallèle à la tranchée 21 sous-jacente, s'étendant par exemple sur toute la longueur de la tranchée 21 sous-jacente. En se référent à nouveau à la vue (B) de la figure 3, en vue de dessus, les tranchées 21 s'étendent selon deux axes orthogonaux x et y. Dans la variante de la vue (B1) de la figure 6, les tranchées 25 sont toutes orientées selon l'axe x. Plus particulièrement, dans cet exemple, chaque tranchée 21 orientée selon l'axe x est surmontée par une tranchée 25. La variante de la vue (B2) de la figure 6 diffère de la variante de la vue (B1) par le fait que les tranchées 25 sont toutes orientées selon l'axe y. Plus particulièrement, dans cet exemple, chaque tranchée 21 orientée selon l'axe y est surmontée par une tranchée 25. La variante de la vue (B3) de la figure 6 diffère des variantes des vues (B1) et (B2) par le fait que les tranchées 25 comprennent des tranchées 25 orientées selon l'axe x et des tranchées 25 orientées selon l'axe y. Plus particulièrement, dans cet exemple, chaque tranchée 21, orientée selon l'axe x est surmontée par une tranchée 25 orientée selon l'axe x, et chaque tranchée 21 orientée selon l'axe y est surmontée par une tranchée 25 orientée selon l'axe y. Selon un mode de réalisation, les tranchées 25 peuvent être réalisées par sciage, en utilisant une lame de découpe de largeur supérieure à celle utilisée pour la réalisation des tranchées 21. Les tranchées 25 peuvent, en variante, être réalisées par tout autre moyen de découpe, par exemple, par découpe laser. La figure 7 illustre une étape d'amincissement, par sa face arrière, c'est-à-dire sa face inférieure dans l'orientation de la vue (A) de la figure 6, de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 1 à 6. Préalablement à l'amincissement, la structure est fixée, par sa face avant, c'est-à-dire sa face supérieure dans l'orientation de la vue (A) de la figure 6, sur un film 27 de support. On notera que dans l'exemple de la figure 7, l'orientation de la structure est inversée par rapport aux vues en coupe des figures précédentes. Une fois la structure montée sur le film de support 27, le substrat 11 est aminci par sa face arrière, par exemple par CMP. Dans cet exemple, le substrat 11 est aminci par sa face arrière jusqu'à atteindre le fond des tranchées 21, de sorte que, après amincissement, la résine 23 présente dans les tranchées 21 affleure au niveau de la face arrière du substrat 11. A l'issue de cette étape, les circuits intégrés 17 ne sont plus reliés entre eux que par la résine 23 et par le film support 27. La figure 8 est une vue en coupe dans la même orientation que la figure 7, illustrant une étape de dépôt d'une couche de résine 29 de protection, en face arrière de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 1 à 7. La couche de résine 29 s'étend par exemple de façon continue et sur une épaisseur sensiblement constante sur toute la surface de la face arrière de la structure. La couche de résine 29 a, par exemple, une épaisseur de l'ordre de 25 µm. La résine 29 peut être une résine époxy. Les résines 29 et 21 peuvent être de même composition ou de compositions différentes. L'étape illustrée en figure 8 peut être suivie d'une étape de marquage des puces par gravure, sur chaque puce, d'un motif de marquage, par exemple un code d'identification ou un logo, sur la face arrière de la couche de résine 29. Le marquage est par exemple réalisé par gravure laser. La figure 9 illustre une étape de retrait du film support 27 et de fixation d'un film support 31 du coté de la face arrière de la structure. On notera que l'orientation de la figure 9 est inversée par rapport à l'orientation des figures 7 et 8. La figure 10 est une vue en coupe dans la même orientation que la figure 9, illustrant une étape de découpe de la structure en puces individuelles comprenant chacune un unique circuit intégré 17. Pour cela, des tranchées 33 sont réalisées dans la résine 23, en vis-à-vis des tranchées 21. Plus particulièrement, dans cet exemple, on vient former en vis-à-vis de chaque tranchée 21, une tranchée 33 parallèle à la tranchée 21 s'étendant sur toute la longueur de la tranchée 21. Les tranchées 33 s'étendent, verticalement, de la face supérieure à la face inférieure de la résine 23, et débouchent sur la face supérieure du film 31. La largeur des tranchées 33 est inférieure à celle des tranchées 21 de façon que, après formation des tranchées 33, chaque circuit intégré 17 reste recouvert par de la résine 23 sur ses quatre flancs, et par la résine 29 sur sa face inférieure. A l'issue de cette étape, la structure obtenue correspond à une pluralité de puces électroniques reliées uniquement par le film de support 31. Les portions des flancs des piliers métalliques exposés à l'étape de la figure 6 (formation des ouvertures 25) correspondent à des portions de flancs mouillables des puces. Les puces peuvent ensuite être prélevées sur le film de support 31 en vue de leur montage dans un dispositif extérieur. La figure 11 illustre des exemples de puces obtenues par le procédé de fabrication illustré en figures 1 à 10. La figure 11 comprend plus particulièrement trois vues en perspective (B1), (B2) et (B3) correspondant respectivement aux variantes des vues (B1), (B2) et (B3) de la figure 6. Dans la variante de la vue (B1) la puce électronique présente des portions de flancs mouillables parallèles à l'axe x. Dans la variante de la vue (B2) la puce électronique présente des portions de flancs mouillables parallèles à l'axe y. Dans la variante de la vue (B3) la puce électronique présente des portions de flancs mouillables parallèles à l'axe x et des portions de flancs mouillables parallèles à l'axe y. Les figures 12 et 13 illustrent de façon schématique et partielle, des étapes d'un exemple d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon un deuxième mode de réalisation. Le deuxième mode de réalisation diffère du premier mode de réalisation essentiellement par le procédé utilisé pour réaliser les ouvertures 25. Le procédé selon le deuxième mode de réalisation peut comprendre des étapes identiques ou similaires aux étapes décrites ci-dessus en relation avec les figures 1 à 5. Ces étapes ne seront pas décrites à nouveau ci-après. La figure 12 illustre une étape de formation, du coté de la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 1 à 5, d'ouvertures 25 localisées s'étendant verticalement, depuis la face supérieure de la structure. La figure 12 comprend une vue en coupe (A) et trois vues de dessus (B1), (B2), et (B3) de la structure après formation des ouvertures 25. La vue (A) correspond à une vue en coupe, selon le plan de coupe A-A de la vue (B1). Les vues (B2) et (B3) représentent deux variantes de mise en oeuvre de l'étape de la figure 6. L'exemple de la figure 12 diffère de l'exemple de la figure 6 principalement en ce que, dans l'exemple de la figure 12, les ouvertures 25 ne sont pas des tranchées s'étendant sur toute la longueur des tranchées 21, mais sont localisées en vis-à-vis d'une partie seulement de la longueur des tranchées 21. Dans la variante de la vue (B1) de la figure 12, les ouvertures 25 sont disposées en vis-à-vis des tranchées 21 orientées selon l'axe x. Plus particulièrement, une pluralité d'ouvertures 25 disjointes sont formées en vis-à-vis de chaque tranchée 21 parallèle à l'axe x, par exemple régulièrement réparties le long de la tranchée 21. Dans la variante de la vue (B2) de la figure 12, les ouvertures 25 sont disposées en vis-à-vis des tranchées 21 orientées selon l'axe y. Plus particulièrement, une pluralité d'ouvertures 25 disjointes sont formées en vis-à-vis de chaque tranchée 21 parallèle à l'axe y, par exemple régulièrement réparties le long de la tranchée 21. Dans la variante de la vue (B3) de la figure 12, les ouvertures 25 sont disposées en vis-à-vis des tranchées 21 orientées selon l'axe x et en vis-à-vis des tranchées 21 orientées selon l'axe y. Plus particulièrement, une pluralité d'ouvertures 25 disjointes sont formées en vis-à-vis de chaque tranchée 21 parallèle à l'axe x, par exemple régulièrement réparties le long de la tranchée 21, et une pluralité d'ouvertures 25 disjointes sont formées en vis-à-vis de chaque tranchée 21 parallèle à l'axe y, par exemple régulièrement réparties le long de la tranchée 21. Les ouvertures 25 peuvent, par exemple, être réalisées par ablation laser. A titre d'exemple, les ouvertures 25 ont une forme générale cylindrique. Plus généralement, les ouvertures 25 peuvent avoir une toute autre forme, à titre d'exemple, une forme oblongue en vue de dessus. Les étapes suivantes du procédé sont par exemple identiques ou similaires aux étapes décrites ci-dessus en relation avec les figures 7 à 10. La figure 13 illustre des exemples de puces, obtenues par un procédé de fabrication selon le deuxième mode de réalisation. La figure 13 comprend plus particulièrement trois vues en perspective (B1), (B2) et (B3) correspondant respectivement aux variantes des vues (B1), (B2) et (B3) de la figure 12. Dans l'exemple de la vue (B1) de la figure 13, la puce électronique présente des portions de flancs mouillables situées respectivement sur ses bords parallèles à l'axe x. Dans l'exemple de la vue (B2) de la figure 13, la puce électronique présente des portions de flancs mouillables situées sur ses bords parallèles à l'axe y. Dans l'exemple de la vue (B3) de la figure 13, la puce électronique présente trois parties de flancs mouillables situées sur un bord de la puce parallèle à l'axe y, trois autres parties de flancs mouillables situées sur un autre bord de la puce parallèle à l'axe y et deux parties de flancs mouillables situées respectivement sur deux bords de la puce parallèles à l'axe x. Les figures 14 à 23 illustrent de façon schématique et partielle, des étapes d'un exemple d'un procédé de fabrication de puces électroniques selon un troisième mode de réalisation. Le troisième mode de réalisation diffère des premier et deuxième modes de réalisation essentiellement par le procédé utilisé pour réaliser les piliers métalliques de connexion 19 des puces. La figure 14 illustre, une étape de formation de tranchées 21 en face supérieure d'une structure identique ou similaire à la structure de la figure 1. La réalisation des tranchées 21 est par exemple identique ou similaire à ce qui a été décrit précédemment en relation avec la figure 3, à la différence près que, dans l'exemple de la figure 14, les tranchées sont formées avant la réalisation des piliers métalliques de connexion 19 des puces. La figure 15 illustre une étape de formation, en face supérieure de la structure obtenue à l'issue de l'étape de la figure 14, de motifs 35 en une résine sacrificielle. La figure 15 comprend une vue en coupe (A) et une vue de dessus (B) de la structure après formation des motifs de résine 35. La vue (A) correspond à une vue en coupe, selon le plan de coupe A-A de la vue (B). Les figures 16 et 17 sont des vues de dessus illustrant respectivement deux variantes de mise en oeuvre de l'étape de la figure 15. Les motifs 35 réalisés lors de cette étape ont sensiblement la même forme et la même disposition que les piliers métalliques de connexion 19 que l'on souhaite réaliser sur chaque circuit intégré. La réalisation des piliers de résine 35 comprend, par exemple, le dépôt d'un film de résine photosensible s'étendant de façon continue sur l'ensemble de la face avant de la structure. A titre d'exemple, le film de résine est déposé sur et en contact avec la face supérieure de l'empilement d'interconnexion 13 et s'étend au-dessus des tranchées 21. Les piliers 35 peuvent ensuite être formés par photolithographie dans le film de résine photosensible. Lors de cette étape, le film de résine photosensible est retiré partout sauf à l'emplacement des piliers 35. A titre d'exemple, les piliers de résine 35 sont disposés de façon que chaque plot de contact métallique 15 soit surmonté par un unique pilier de résine 35 et que chaque pilier de résine 35 recouvre un unique plot 15. A titre d'exemple, chaque plot 15 est recouvert intégralement par un pilier de résine 35. Un pilier de résine 35 peut, par exemple s'étendre en vue de dessus au-delà d'un bord du plot 15 sous-jacent. On appellera ci-après excroissance la partie d'un pilier de résine 35 s'étendant, en vue de dessus, au-delà d'un bord du plot 15 sous-jacent. A titre d'exemple, on réalise au dessus de chaque circuit intégré 17, au moins un pilier 35 présentant une excroissance s'étendant, en vue de dessus, jusqu'à un bord latéral du circuit intégré 17, c'est-à-dire jusqu'au bord d'une tranchée 21. Dans l'exemple de la vue (B) de la figure 15, au moins un pilier 35 affleure au niveau de chaque flanc latéral orienté selon l'axe x de chaque circuit intégré 17. Dans l'exemple de la figure 16, au moins un pilier 35 affleure au niveau de chaque flanc latéral orienté selon l'axe y de chaque circuit intégré 17. Dans l'exemple de la figure 17, au moins un pilier 35 affleure au niveau de chaque flanc latéral orienté selon l'axe x et de chaque flanc latéral orienté selon l'axe y de chaque circuit intégré 17. La figure 18 est une vue en coupe illustrant une étape de dépôt d'une couche de résine de protection 23 sur la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 14 à 17, suivie d'une étape de planarisation de la face supérieure de la structure. Ces étapes sont par exemple identiques ou similaires aux étapes décrites précédemment en relation avec les figures 4 et 5, à la différence près que, dans l'exemple des la figure 18, les piliers métalliques 19 sont remplacés par des piliers de résine 35. La couche de résine 23 de protection déposée lors de cette étape est, par exemple, identique ou similaire à la résine 23 de protection décrite précédemment en relation avec la figure 4. La figure 19 est une vue en coupe illustrant une étape de retrait des piliers de résine sacrificielle 35. Lors ce cette étape les piliers de résine 35 sont retirés de façon sélective par rapport à la résine de protection 23. Ainsi, à l'issue de l'étape de la figure 19, le motif formé dans la couche de résine de protection 23 correspond au complémentaire du motif formé dans la couche de résine sacrificielle à l'étape des figures 15 à 17. Autrement dit, à l'issue de cette étape, la couche de résine de protection 23 comprend des cavités 37 ayant sensiblement la même forme que les piliers 35. La figure 20 est une vue en coupe illustrant une étape de formation des piliers métalliques de connexion 19 dans les cavités 37 formées dans la résine 23, c'est-à-dire aux emplacements préalablement occupés par les piliers 35. A titre d'exemple, les piliers 19 ont sensiblement la même forme, les mêmes dimensions et la même disposition que les piliers 35. La formation des piliers 19 comprend une étape de remplissage des cavités 37 par du métal, par exemple sur toute leur hauteur. A titre d'exemple, l'épaisseur de métal déposée est supérieure à la hauteur des cavités 37. Une étape de planarisation de la face supérieure de la structure peut ensuite être prévue de façon que les piliers métalliques 19 affleurent au niveau de la face supérieure de résine de protection 23. Les piliers sont, par exemple, en un alliage à base d'étain de préférence en un alliage à base d'étain et d'argent (SnAg), par exemple un alliage étain-argent-cuivre. Le dépôt du métal constituant les piliers 19 peut être un dépôt non électrolytique, par exemple un dépôt par impression ou sérigraphie. La figure 21 illustre une étape de formation, du coté de la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 14 à 20, d'ouvertures 25 s'étendant depuis la face supérieure de la structure, en vis-à-vis de tranchées 21. Cette étape est par exemple identique ou similaire à l'étape décrite précédemment en relation avec la figure 6 (formation d'ouvertures 25 ayant la forme de tranchées) ou en relation avec la figure 12 (formation d'ouvertures 25 localisées). La figure 22 illustre la structure obtenue à l'issue des étapes successives suivantes: amincissement de la structure de la figure 21, par sa face arrière (c'est-à-dire sa face inférieure dans l'orientation de la figure 21) jusqu'à atteindre la résine 23 au fond des tranchées 21 ; dépôt d'une couche de résine 29 de protection, en face arrière de la structure ; fixation de la structure, par sa face arrière, sur un film support 31 ; et découpe de la structure en puces individuelles comprenant chacune un unique circuit intégré 17. Ces étapes sont par exemple identiques ou similaires aux étapes décrites précédemment en relation avec les figures 7 à 10. La figure 23 illustre des exemples de puces obtenues par le procédé de fabrication illustré en figures 14 à 22. La figure 23 comprend plus particulièrement trois vues en perspective (B1), (B2) et (B3) correspondant respectivement aux variantes des figures 15 (vue B), 16 et 17. Dans la variante de la vue (B1) la puce électronique présente des portions de flancs mouillables parallèles à l'axe x. Dans la variante de la vue (B2) la puce électronique présente des portions de flancs mouillables parallèles à l'axe y. Dans la variante de la vue (B3) la puce électronique présente des portions de flancs mouillables parallèles à l'axe x et des portions de flancs mouillables parallèles à l'axe y. Un avantage du troisième mode de réalisation est qu'il permet de former des piliers métalliques 19 de forme quelconque, et en particulier des piliers 19 n'ayant pas la même forme que les plots métalliques 15 sous-jacents. Ceci permet en particulier d'obtenir des piliers métalliques 19 s'approchant plus près, en vue de dessus, des bords des tranchées 21, et donc des bords des puces, que les plots métalliques de connexion 15 sous-jacents. On notera que le procédé de formation des piliers métalliques 19 décrit en relation avec les figures 15 à 20, comprenant une étape de formation de piliers de résine sacrificielle 35, suivie d'une étape de moulage, dans une couche de résine de protection 23, de cavités 37 de formes complémentaires à celles des piliers 35, suivie d'une étape de remplissage des cavités 37 par du métal, peut également être utilisé pour la réalisation de puces électroniques ne présentant pas de flancs mouillables. A titre d'exemple, un procédé similaire à celui décrit en relation avec les figures 14 à 22 peut être mis en oeuvre, en omettant l'étape de la figure 21, c'est-à-dire l'étape de formation des ouvertures 25 conduisant à exposer des portions des flancs des piliers métalliques de connexion 19 des puces. Dans ce cas, après découpe de la structure en puces individuelles (figure 22), les flancs des puces sont entièrement recouverts par la résine de protection 23 et ne présentent donc pas de flancs mouillables. Ce procédé est notamment avantageux en ce qu'il permet de former des piliers métalliques de connexion 19 de forme quelconque, indépendamment de la forme des plots de contact métalliques 15 des puces. De plus, il permet d'utiliser des procédés de type sérigraphie ou impression pour former les piliers métalliques de connexion 19. Ces procédés présentent l'avantage d'être moins coûteux que les procédés de dépôt électrolytique de métal. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisations décrits ne se limitent pas aux exemples de dimensions et de matériaux mentionnées ci-dessus. Procédé de fabrication de puces électroniques, comprenant les étapes successives suivantes : a) former, du côté de la face supérieure d'un substrat semiconducteur (11), dans et sur lequel ont été préalablement formés une pluralité de circuits intégrés (17), au moins un pilier (35) de résine sacrificielle par circuit intégré (17), en contact avec la face supérieure du circuit intégré (17) ; b) déposer, du côté de la face supérieure du substrat (11), une résine de protection (23), s'étendant entre les piliers (35) de résine sacrificielle ; c) retirer les piliers (35) de résine sacrificielle sélectivement par rapport à la résine de protection (23), de façon à former dans la résine de protection (23) des cavités (37) de forme complémentaire à celle des piliers (35) de résine sacrificielle ; et d) remplir les cavités (37) par du métal pour former des piliers métalliques de connexion (19) en contact avec la face supérieure des circuits intégrés (17). Procédé selon la revendication 1, dans lequel le remplissage des cavités (37) par du métal à l'étape d) est réalisé par un procédé de dépôt non électrolytique. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le métal utilisé à l'étape d) pour remplir les cavités (37) est un alliage à base d'étain. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape a) comprend une étape de dépôt d'un film de résine sacrificielle du côté de la face supérieure du substrat (11), suivie d'une étape de gravure du film pour ne conserver que les piliers (35) de résine sacrificielle. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le film de résine sacrificielle déposé à l'étape a) est en une résine photosensible. Procédé selon la revendication 5, dans lequel, à l'étape a), le film de résine sacrificielle est gravé par photolithographie pour former les piliers (35) de résine sacrificielle. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre, avant l'étape a), une étape de formation, du côté de la face supérieure du substrat semiconducteur (11), de tranchées (21) séparant latéralement les circuits intégrés (17). Procédé selon la revendication 7, dans lequel la résine de protection déposée à l'étape b) s'étend dans les tranchées (21). Procédé selon la revendication 8, comprenant en outre une étape d'amincissement du substrat (11) par sa face inférieure jusqu'à atteindre la résine de protection (23) au fond des tranchées (21), suivie d'une étape de découpe de la résine de protection (23) en vis-à-vis des tranchées (21), de façon à séparer les circuits intégrés (17) en puces individuelles. Procédé selon la revendication 9, comprenant en outre, entre l'étape d'amincissement et l'étape de découpe, une étape de dépôt d'une résine de protection de face arrière (29) sur la face inférieure du substrat (11).