FR 3106026 A1 20210709 FR 2000011 A 20200102 Circuit intégré, comprenant au moins un oscillateur en anneau (OSC) comportant une succession d’inverseurs (IV1-IV9) rebouclés pour former ledit anneau, ledit au moins un oscillateur (OSC) étant destiné à fonctionner à une fréquence de sortie désirée et configuré de sorte que les transistors des inverseurs fonctionnent dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Figure pour l’abrégé : Fig 1 Circuit intégré comprenant au moins un oscillateur en anneau et procédé de contrôle du fonctionnement d’un tel oscillateur Des modes de mise en œuvre et de réalisation de l’invention concernent les circuits intégrés, et plus particulièrement ceux comportant un ou plusieurs oscillateurs en anneau et tout particulièrement le contrôle du fonctionnement de tels oscillateurs. Les oscillateurs sont généralement utilisés au sein d’un circuit intégré, par exemple au sein d’un microcontrôleur, pour délivrer des signaux de sorties tels que des signaux d’horloge. Ces signaux d’horloge peuvent avoir différentes valeurs de fréquences. Il est particulièrement avantageux que la fréquence du signal de sortie délivré par l’oscillateur soit suffisamment précise quelles que soient les variations technologiques du procédé utilisé pour la fabrication de l’oscillateur et quelles que soient les conditions de tension et de température. Typiquement, il est souhaitable d’avoir une précision de l’ordre de + ou – 1% sur la fréquence de sortie. Dans le même temps, il est souhaitable d’avoir un oscillateur qui ne consomme pas trop de courant. On connaît des oscillateurs ayant des structures résistives capacitives. De tels oscillateurs s’avèrent très précis mais présentent une consommation élevée, typiquement supérieure à 2 microampères par MHz. On connaît par ailleurs des oscillateurs présentant une structure en anneau, c’est-à-dire ayant un nombre impair d’inverseurs rebouclés pour former ledit anneau. De tels oscillateurs peuvent s’avérer de faible consommation mais au détriment de leur précision. Il existe donc un besoin de fournir un oscillateur qui offre à la fois une basse consommation avec une bonne précision (typiquement de l’ordre de + ou – 1%) sur la fréquence de sortie, et ce quelles que soient notamment les conditions de tension et de température. Selon un aspect, il est ainsi proposé un circuit intégré, comprenant au moins un oscillateur en anneau comportant une succession d’inverseurs rebouclés pour former ledit anneau, ledit au moins un oscillateur étant destiné à fonctionner à une fréquence de sortie désirée et configuré de sorte que les transistors des inverseurs fonctionnent dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Le fait de faire fonctionner les transistors dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température permet de limiter les variations de la durée de transition des inverseurs en fonction de la température. On rappelle que la durée de transition ou durée de commutation est la durée nécessaire pour l’inverseur de passer d’un premier état logique à un deuxième état logique. La zone d’inversion de température d’un transistor est une caractéristique connue en soi de l’homme du métier. Plus précisément, l’inversion de température se rapporte au phénomène selon lequel, pour certaines plages de tension, le transistor fonctionne plus rapidement à haute température. Plus précisément, lorsque la température augmente, la performance du transistor est affectée par deux facteurs, à savoir une décroissance de la mobilité des porteurs et une réduction de la tension de seuil. Une décroissance de la mobilité des porteurs conduit le transistor à fonctionner plus lentement tandis qu’une réduction de la tension de seuil provoque l’effet inverse c’est-à-dire conduit le transistor à fonctionner plus rapidement. Et, l’inversion de température se produit dans une zone où la tension d’alimentation du transistor est suffisamment basse pour rendre le second facteur (c’est-à-dire la réduction de la tension de seuil) dominant à chaud. Ainsi, un fonctionnement des transistors dans ou au voisinage de la zone d’inversion de température permet de limiter la consommation de l’oscillateur puisque la tension de fonctionnement est faible Aussi, avec la combinaison d’une structure en anneau et d’un fonctionnement des transistors des inverseurs de l’oscillateur dans ou au voisinage de la zone d’inversion de température, obtient-on un oscillateur offrant une précision améliorée avec une consommation de courant réduite. Ainsi, selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend en outre des moyens de génération de courant, par exemple comportant une source de courant, configurés pour délivrer un courant d’alimentation (ou courant de polarisation) aux inverseurs dudit au moins un oscillateur permettant d’alimenter chaque inverseur avec un courant amenant une tension d’alimentation (ou tension de polarisation) compatible avec un fonctionnement des transistors de l’inverseur dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. L’homme du métier saura ajuster ce courant d’alimentation de façon à avoir un fonctionnement des transistors de l’inverseur dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Cela étant, à titre indicatif, les moyens de génération de courant sont configurés pour délivrer un courant d’alimentation permettant d’alimenter chaque inverseur dudit au moins un oscillateur avec une tension d’alimentation supérieure à la tension de seuil de l’inverseur et inférieure à 1,6 fois ladite tension de seuil. La tension de seuil d’un inverseur est en général supérieure ou égale à la plus grande des tensions de seuil du transistor PMOS et du transistor NMOS de l’inverseur. Cette tension de seuil peut donc être de l’ordre de 0,7 volt par exemple à 30°C. Lorsque les moyens de génération de courant comportent une source de courant, il est particulièrement avantageux, de façon à limiter la sensibilité de la tension d’alimentation ou de polarisation des transistors de l’inverseur vis-à-vis des fluctuations éventuelles de la tension d’alimentation générale du circuit intégré, que la source de courant comporte avantageusement des transistors cascodés. Selon un mode de réalisation, les moyens de génération de courant comportent une entrée de commande, typiquement la grille d’un transistor PMOS, destinée à recevoir un signal de commande, par exemple une tension de grille, en présence duquel ils sont configurés pour délivrer le courant d’alimentation à chaque inverseur de l’oscillateur, typiquement sur le drain du transistor PMOS de chaque inverseur. De façon à améliorer encore la précision de la fréquence de sortie de l’oscillateur, il est avantageusement prévu d’effectuer des réglages du signal de commande et donc du courant d’alimentation ou de polarisation des inverseurs, à au moins une première température et préférentiellement à plusieurs, par exemple deux, températures différentes. Ainsi on peut élaborer le signal de commande à partir d’au moins une première mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur effectuée à une première température, par exemple 30°C, et de la fréquence de sortie désirée pour ledit oscillateur, par exemple 48 MHz. Pour améliorer encore la précision, on peut élaborer le signal de commande à partir d’une deuxième mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur, effectuée à une deuxième température, par exemple 130°C, éloignée de la première température, et de ladite fréquence de sortie désirée pour cet oscillateur. Deux températures sont dites éloignées l’une de l’autre lorsqu’elles permettent de couvrir une plage conséquente de températures possibles de fonctionnement. L’homme du métier saura ajuster le choix de ces températures en fonction de l’application envisagée. A titre indicatif la deuxième température peut être éloignée de la première température de plusieurs dizaines de degrés Celsius. La deuxième température peut être inférieure ou supérieure à la première température. Ces réglages sont avantageusement effectués au cours d’une phase de test du circuit intégré et ils peuvent être par exemple ensuite figés dans une mémoire du circuit intégré. En variante ils peuvent également être effectués pendant le fonctionnement du circuit intégré à l’aide d’une autre source d’horloge de référence plus précise (par exemple un quartz). Ainsi, selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend en outre un module de réglage ayant une sortie connectée directement ou indirectement à ladite entrée de commande et configuré pour élaborer le signal de commande à partir - d’au moins une première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à une première température, et - de ladite fréquence ce sortie désirée pour ledit au moins un oscillateur. Différents modes de réalisation relatifs à ce module de réglage sont possibles et sont maintenant énoncés d’une façon générale. Selon un mode de réalisation, le module de réglage est configuré pour élaborer le signal de commande à partir d’un courant de réglage égal à la somme d’au moins -un premier courant intermédiaire tiré de la somme d’un courant réglable proportionnel à la température absolue et d’un courant réglable inversement proportionnel à la température absolue, et -un deuxième courant intermédiaire égal à une première fraction réglable du premier courant intermédiaire. Selon un mode de réalisation, le module de réglage comprend -un premier étage comportant un premier générateur réglable configuré pour générer le courant réglable proportionnel à la température absolue et un deuxième générateur réglable configuré pour générer le courant réglable inversement proportionnel à la température absolue, -un deuxième étage réglable couplé au premier étage et configuré pour élaborer le deuxième courant intermédiaire, -des premiers moyens de réglage couplés au premier générateur et au deuxième générateur, et configurés pour effectuer un premier réglage du courant proportionnel à la température absolue et un premier réglage du courant inversement proportionnel à la température absolue, (ces premiers réglages comportant par exemple des réglages de résistances), -des deuxièmes moyens de réglage couplés au deuxième étage et configurés pour effectuer un deuxième réglage de ladite première fraction, -le premier réglage étant effectué à partir d’une mesure du premier courant intermédiaire effectuée à ladite première température et d’un courant désiré, ou bien à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée, -le deuxième réglage étant effectué à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée. Selon un mode de réalisation, le deuxième étage comporte un premier dispositif cascodé de miroir de courant ayant un rapport de division réglable. Selon un mode de réalisation, le module de réglage est en outre configuré pour élaborer le signal de commande à partir -d’une deuxième mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur, effectuée à une deuxième température éloignée de la première température, et -de ladite fréquence de sortie désirée pour ledit au moins un oscillateur. Selon un mode de réalisation, le module de réglage comprend -des troisièmes moyens de réglage, couplés au premier générateur et au deuxième générateur, et configurés pour effectuer un troisième réglage du courant proportionnel à la température absolue et un troisième réglage du courant inversement proportionnel à la température absolue à partir de la deuxième mesure la fréquence de sortie effectuée à la deuxième température, et de ladite fréquence de sortie désirée, -les troisièmes moyens de réglage étant configurés pour effectuer ces deux troisièmes réglages (comportant par exemple également des réglages de résistances) de façon complémentaire. Selon un mode de réalisation, les troisièmes moyens de réglage peuvent être également couplés au deuxième étage et sont configurés pour corriger la valeur de ladite première fraction en fonction des deux troisièmes réglages. Selon un mode de réalisation, le module de réglage est configuré pour élaborer le signal de commande à partir du signal de réglage égal non seulement à la somme du premier courant intermédiaire et du deuxième courant intermédiaire mais aussi d’un troisième courant intermédiaire égal à une deuxième fraction réglable du courant proportionnel à la température absolue ou du courant inversement proportionnel à la température absolue. Selon un mode de réalisation, le module de réglage comprend -un troisième étage réglable, couplé au premier générateur et au deuxième générateur, et configuré pour élaborer le troisième courant intermédiaire, et -des quatrièmes moyens de réglage, couplés au premier générateur, au deuxième générateur et au troisième étage, et configurés pour effectuer, à partir d’une mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur à ladite deuxième température et de la fréquence de sortie désirée, -d’une part la sélection entre le courant proportionnel à la température absolue et le courant inversement proportionnel à la température absolue, et -d’autre part un quatrième réglage de la valeur de ladite deuxième fraction du courant sélectionné. Selon un mode de réalisation, le troisième étage comporte un deuxième dispositif cascodé de miroir de courant ayant un rapport de division réglable. Selon un mode de réalisation, les quatrièmes moyens de réglage sont également couplés au deuxième étage et sont configurés pour corriger la valeur de ladite première fraction compte tenu de la valeur réglée de la deuxième fraction. Selon un mode de réalisation, le module de réglage peut comprendre en outre un quatrième étage configuré pour recevoir ledit signal de réglage et pour délivrer ledit signal de commande. Les deuxième, troisième et quatrième étages ne sont pas indispensables lorsque le circuit intégré ne comprend qu’un seul oscillateur, mais ils peuvent être particulièrement avantageux lorsque le circuit intégré comprend plusieurs oscillateurs avec des moyens de réglage en commun. De même les premiers et troisièmes moyens de réglages ne sont pas indispensables lorsque le circuit intégré comprend les deuxièmes et troisièmes étages avec les deuxièmes et quatrièmes moyens de réglages associés. En d’autres termes on peut fixer la valeur des courants proportionnel et inversement proportionnel à la température absolue, s’affranchir de régler ces courants et de compenser cette absence de réglages par des deuxièmes et quatrièmes réglages appropriés. Selon un mode de réalisation, le quatrième étage comprend un troisième dispositif cascodé de miroir de courant. Comme indiqué ci-avant et selon un mode de réalisation, il est par ailleurs bien entendu envisagé que le circuit intégré puisse comprendre plusieurs oscillateurs en anneau destinés à fonctionner chacun à des fréquences de sortie désirées différentes, chaque oscillateur en anneau étant configuré alors de sorte que les transistors des inverseurs de cet oscillateur fonctionnent dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend un module de réglage et des moyens de génération de courant, par exemple une source de courant, affectés à chaque oscillateur en anneau. Cela étant, il est particulièrement avantageux que le premier étage et les premiers et troisièmes moyens de réglage soient communs à tous les oscillateurs, les autres étages et moyens de réglage étant alors spécifiques à chaque oscillateur. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de contrôle, comprenant un contrôle du fonctionnement d’au moins un oscillateur en anneau, ledit au moins un oscillateur comportant une succession d’inverseurs rebouclés pour former ledit anneau. Dans le procédé selon cet aspect, on fait fonctionner les transistors des inverseurs dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une délivrance d’un courant d’alimentation aux inverseurs dudit au moins un oscillateur de façon à alimenter chaque inverseur avec une tension d’alimentation compatible avec un fonctionnement des transistors de l’inverseur dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une délivrance d’un courant d’alimentation permettant d’alimenter chaque inverseur dudit au moins un oscillateur avec une tension d’alimentation supérieure à la tension de seuil de l’inverseur et inférieure à 1,6 fois ladite tension de seuil. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une délivrance du courant d’alimentation par des moyens de génération de courant, par exemple une source de courant, commandés par un signal de commande, et une élaboration du signal de commande à partir -d’au moins une première mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur effectuée à une première température, et -d’une fréquence de sortie désirée pour ledit oscillateur. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une élaboration du signal de commande à partir d’un courant de réglage égal à la somme d’au moins -un premier courant intermédiaire tiré de la somme d’un courant réglable proportionnel à la température absolue et d’un courant réglable inversement proportionnel à la température absolue, et -un deuxième courant intermédiaire égal à une première fraction réglable du premier courant intermédiaire. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend -un premier réglage du courant proportionnel à la température absolue, et un premier réglage du courant inversement proportionnel à la température absolue, -un deuxième réglage de ladite première fraction, -le premier réglage étant effectué à partir d’une mesure du premier courant intermédiaire effectuée à ladite première température et d’un courant désiré, ou bien à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée, - le deuxième réglage étant effectué à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une élaboration du signal de commande à partir d’une deuxième mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur, effectuée à une deuxième température éloignée de la première température, et de ladite fréquence de sortie désirée pour ledit oscillateur. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend -un troisième réglage du courant proportionnel à la température absolue et un troisième réglage du courant inversement proportionnel à la température absolue à partir de la deuxième mesure la fréquence de sortie effectuée à la deuxième température et de ladite fréquence de sortie désirée, -ces deux troisièmes réglages étant effectués de façon complémentaire. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une correction de la valeur de ladite première fraction en fonction des deux troisièmes réglages. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une élaboration du signal de commande à partir du signal de réglage égal à la somme du premier courant intermédiaire, du deuxième courant intermédiaire et d’un troisième courant intermédiaire égal à une deuxième fraction réglable du courant proportionnel à la température absolue ou du courant inversement proportionnel à la température absolue. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend, à partir d’une mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur à ladite deuxième température et de la fréquence de sortie désirée, -d’une part une sélection entre le courant proportionnel à la température absolue et le courant inversement proportionnel à la température absolue, et -d’autre part un quatrième réglage de la valeur de ladite deuxième fraction du courant sélectionné. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une correction de la valeur de ladite première fraction compte tenu de la valeur réglée de la deuxième fraction. Bien que les réglages mentionnés ci-avant puissent être spécifiques à chaque oscillateur lorsqu’il est prévu le contrôle du fonctionnement de plusieurs oscillateurs, il est particulièrement avantageux lors du contrôle du fonctionnement de plusieurs oscillateurs que certains réglages soient communs à tous les oscillateurs et que d’autres réglages soient spécifiques à chaque oscillateur. Ainsi selon un mode de mise en œuvre, le premier réglage du courant proportionnel à la température absolue et le premier réglage du courant inversement proportionnel à la température absolue peuvent être communs à tous les oscillateurs, tandis que le deuxième réglage de la première fraction est spécifique à chaque oscillateur. Ainsi le premier réglage est effectué par exemple à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie de l’un des oscillateurs effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée de cet oscillateur. Les deuxièmes réglages sont effectués par exemple à partir de ladite première mesure des fréquences de sortie respectives des oscillateurs effectuée à ladite première température et des fréquences de sortie désirées respectives. Le troisième réglage du courant proportionnel à la température absolue et le troisième réglage du courant inversement proportionnel à la température absolue peuvent être également avantageusement communs à tous les oscillateurs et peuvent être mis en œuvre à partir de la deuxième mesure la fréquence de sortie de l’un des oscillateurs effectuée à la deuxième température et de ladite fréquence de sortie désirée de cet oscillateur. Par contre, selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend, à partir d’une mesure de la fréquence de sortie de chaque oscillateur à ladite deuxième température et de la fréquence de sortie désirée pour l’oscillateur considéré, -d’une part une sélection pour l’oscillateur considéré, entre le courant proportionnel à la température absolue et le courant inversement proportionnel à la température absolue, et -d’autre part un quatrième réglage de la valeur de ladite deuxième fraction du courant sélectionné pour ledit oscillateur considéré. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend une correction de la valeur de ladite première fraction pour un oscillateur considéré compte tenu de la valeur réglée de la deuxième fraction pour cet oscillateur. Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend, ledit au moins un oscillateur en anneau étant incorporé au sein d’un circuit intégré, une mise en œuvre des différents réglages au cours d’une phase de test du circuit intégré. D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en œuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : , et illustrent des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention. Sur la figure 1, la référence IC désigne un circuit intégré comportant dans cet exemple un oscillateur en anneau OSC. Comme il est bien connu de l’homme du métier, ce type d’oscillateur est basé sur le temps de commutation d’un inverseur. En connectant un nombre impair d’inverseurs on obtient un signal oscillant naturellement à la sortie de chaque inverseur de la chaîne. La fréquence FS du signal de sortie CKOUT de l’oscillateur est directement liée au nombre d’inverseurs. Dans cet exemple, l’oscillateur est un oscillateur à neuf étages dont l’un des inverseurs est remplacé par une porte logique NON OU, référencée PL, qui permet d’arrêter ou de mettre en marche l’oscillateur par l’intermédiaire du signal de contrôle EN. Les huit inverseurs IVI et IV3 à IV9, ainsi que la porte logique PL sont rebouclés pour former ledit anneau et ils sont tous alimentés via un nœud commun d’alimentation N par une tension Valim. L’autre borne d’alimentation des inverseurs et de la porte logique PL est reliée à la masse GND. Comme il est classique, chaque inverseur comporte un transistor PMOS dont la source et le puits sont reliés au nœud N et un inverseur NMOS dont la source et le substrat sont reliés à la masse GND. L’oscillateur OSC comporte également un circuit de mise en forme, par exemple un décaleur de niveau (level shifter) LSH, de structure classique et connue, et connecté entre l’entrée et la sortie de l’un des inverseurs de l’oscillateur OSC. C’est ce circuit LSH qui délivre le signal de sortie CKOUT de l’oscillateur ayant la fréquence de sortie FS. Le circuit intégré comporte également ici une source de courant SC, configurée pour délivrer un courant d’alimentation ou de polarisation Ialim au nœud N de façon à alimenter chaque inverseur avec la tension d’alimentation ou de polarisation Valim. Cette tension d’alimentation est compatible avec un fonctionnement des transistors de chaque inverseur dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Typiquement, cette tension d’alimentation Valim est supérieure à la tension de seuil de l’inverseur et inférieure à 1,6 fois ladite tension de seuil. La tension de seuil de l’inverseur est généralement égale ou légèrement supérieure à la plus grande des tensions de seuil du transistor PMOS et du transistor NMOS d’un inverseur. Dans cet exemple, la tension de seuil de l’inverseur se situe aux alentours de 0,7 volt à 30°C. La tension Valim est alors égale à environ 1,1 volt. Dans l’exemple décrit ici, la largeur W d’un transistor PMOS d’un inverseur est de l’ordre de 400 nanomètres tandis que la longueur du transistor PMOS est de l’ordre de 560 nanomètres. La longueur du transistor NMOS de l’inverseur est alors de l’ordre de 1,5 fois la longueur du transistor PMOS. L’oscillateur OSC, avec ses neuf inverseurs, présente ici une fréquence de sortie égale à 48 MHz et le courant Ialim est égal à 2,4 microampères à 30°C. Dans cet exemple, la source de courant SC est avantageusement cascodée ce qui permet de rendre quasiment insensible le courant Ialim aux variations de la tension d’alimentation Vdd du circuit intégré. La source de courant SC comporte une entrée de commande, typiquement la grille d’un transistor PMOS, destinée à recevoir un signal de commande SG en présence duquel elle est configurée pour délivrer le courant d’alimentation Ialim. Ce signal de commande SG qui impose par conséquent une tension grille source sur le transistor PMOS de la source de courant SC est délivré par un module de réglage MDR dont on reviendra plus en détail ci-après sur la structure. Mais, on peut d’ores et déjà indiquer que ce module de réglage MDR est configuré pour élaborer le signal de commande SG à partir -d’au moins une première mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur, mesure effectuée à une première température, (par exemple 30°C), et -de la fréquence de sortie désirée, par exemple 48 MHz, pour cet oscillateur OSC. On se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 2, qui illustre de façon très schématique un exemple de réalisation du module de réglage MDR. D’une façon générale et basique, le module de réglage MDR est configuré pour élaborer le signal de commande SG à partir d’un courant de réglage IRG qui est égal à la somme d’au moins un premier courant intermédiaire I1 et d’un deuxième courant intermédiaire I2 lui-même égal à une première fraction réglable FR1 du premier courant intermédiaire I1. Ces deux courants I1 et I2 sont sommés au nœud Nd. Le signal de commande SG est délivré dans cet exemple par un étage ETG4 comportant un dispositif de miroir de courant recevant en entrée le signal de réglage IRG. Dans cet exemple, le dispositif de miroir de courant de l’étage ETG4 a un facteur multiplicatif égal à 4. Cet étage ETG4 n’est pas indispensable lorsque le circuit intégré ne comporte qu’un seul oscillateur. Sa présence est par contre préférable, lorsque le circuit intégré comporte plusieurs oscillateurs, comme cela sera vu plus en détail ci-après. Néanmoins, dans cet exemple de réalisation qui ne comporte qu’un seul oscillateur, cet étage ETG4 est présent. Compte tenu que le courant Ialim nécessaire à l’alimentation des inverseurs de l’oscillateur est pris égal dans cet exemple à 2,4 microampères à 30°C et que l’on a un rapport multiplicateur de 4 pour le dispositif de miroir de courant ETG4, le courant de réglage IRG est donc égal à 600 nanoampères à 30°C. Le premier courant intermédiaire I1 est tiré de la somme d’un courant réglable IPTAT proportionnel à la température absolue et d’un courant réglable ICTAT inversement proportionnel à la température absolue. Comme on le verra plus en détail ci-après, on choisira avantageusement un premier courant intermédiaire I1 égal par exemple à 80% du courant de réglage IRG de façon à pouvoir ajouter à ce courant I1, le deuxième courant intermédiaire I2 qui pourra être égal par exemple à 0% de I1, à 20% de I1 ou à 40% de I1 en fonction du caractère typique, lent ou rapide de l’oscillateur. Le module de réglage MDR comporte par ailleurs un premier étage ETG1. Ce premier étage ETG1 comprend un premier générateur réglable GEN1 configuré pour générer le courant réglable IPTAT proportionnel à la température absolue, et un deuxième générateur réglable GEN2 configuré pour générer le courant réglable ICTAT inversement proportionnel à la température absolue. La structure de tels générateurs GEN1 et GEN2 est classique et bien connue de l’homme du métier. Le premier générateur GEN1 comporte z résistances et le deuxième générateur GEN2 comporte a.z résistances à plus ou moins quelques résistances près. Le réglage du courant IPTAT dans le générateur GEN1 est obtenu en ajoutant ou en retirant un certain nombre x de résistances R tandis que le réglage du courant ICTAT est obtenu dans le générateur GEN2 en retirant ou en ajoutant un certain nombre a.y de résistances dans le générateur GEN2, Le module de réglage MDR comporte par ailleurs un deuxième étage réglable ETG2 couplé au premier étage ETG1 et configuré pour élaborer le deuxième courant intermédiaire I2 à partir du premier courant intermédiaire I1. Le module de réglage comprend par ailleurs des premiers moyens de réglage MRG1 couplés au premier générateur GEN1, et au deuxième générateur GEN2 et configurés pour effectuer un premier réglage RGL1 du courant proportionnel à la température absolue IPTAT ainsi qu’un premier réglage RGL1 du courant inversement proportionnel à la température absolue ICTAT. Dans cet exemple les deux réglages RGL1 sont identiques (x=y). En d’autres termes, le réglage du courant IPTAT dans le générateur GEN1 est obtenu en ajoutant ou en retirant un certain nombre x de résistances R tandis que le réglage du courant ICTAT est obtenu dans le générateur GEN2 en retirant ou en ajoutant un certain nombre a.x de résistances dans le générateur GEN2. Le module de réglage MDR comporte par ailleurs des deuxièmes moyens de réglage MRG2 couplés au deuxième étage ETG2 et configurés pour effectuer un deuxième réglage RGL2 de la première fraction FR1 permettant d’obtenir le deuxième courant intermédiaire I2 à partir du premier courant intermédiaire I1. Ces deux réglages RGL1 et RGL2 seront détaillés plus en détail ci-après mais on peut d’ores et déjà dire qu’ils sont effectués à partir -de la première mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur effectuée à la première température T1, par exemple 30°, et -de la fréquence de sortie désirée pour l’oscillateur, par exemple ici 48MHz. De façon à améliorer encore la précision de réglage, le module de réglage MDR est en outre configuré pour élaborer le signal de commande SG, et donc le signal de réglage IRG, à partir -d’une deuxième mesure de la fréquence de l’oscillateur, effectuée cette fois-ci à une deuxième température T2, éloignée de la première température T1, par exemple à 130°C, et -de la fréquence désirée pour l’oscillateur. A cet égard, le module de réglage comprend des troisièmes moyens de réglage MRG3, couplés au premier générateur GEN1 et au deuxième générateur GEN2 et configurés pour effectuer un troisième réglage RGL3 du courant IPTAT proportionnel à la température absolue et un troisième réglage du courant ICTAT inversement proportionnel à la température absolue, à partir de la deuxième mesure de la fréquence effectuée à la deuxième température et de la fréquence de sortie désirée. Par contre, comme on le verra plus en détail ci-après, ces troisièmes moyens de réglage MRG3 sont configurés pour effectuer ces troisièmes réglages de façon complémentaire au niveau des courants IPTAT et ICTAT. De façon à améliorer encore la précision de réglage, il est avantageux que les troisièmes moyens de réglage MRG3 soient également couplés au deuxième étage ETG2 et soient configurés pour effectuer une correction COR1 de la valeur de la première fraction en fonction des deux troisièmes réglages complémentaires RGL3. Là encore, les troisièmes réglages RGL3 et la correction COR1 seront détaillés plus en détail ci-après. De façon à améliorer encore la précision de réglage, le module de réglage MDR est préférentiellement configuré pour élaborer le signal de commande SG à partir du signal de réglage IRG égal non seulement à la somme du premier courant intermédiaire I1, du deuxième courant intermédiaire I2 mais également d’un troisième courant intermédiaire I3 égal à une deuxième fraction réglable FR2 du courant IPTAT proportionnel à la température absolue ou du courant ICTAT inversement proportionnel à la température absolue. A cet égard, le module de réglage MDR comprend un troisième étage réglable ETG3, couplé au premier générateur GEN1 et au deuxième générateur GEN2 et configuré pour élaborer le troisième courant intermédiaire I3. Le module de réglage MDR comprend également des quatrième moyens de réglage MRG4, couplés au premier générateur GEN1, au premier générateur GEN2 et au troisième étage ETG3 et configurés pour effectuer, à partir d’une mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur à la deuxième température T2 (130°C par exemple) et de la fréquence de sortie désirée (48MHz par exemple), -d’une part la sélection SEL entre le courant IPTAT proportionnel à la température absolue et le courant ICTAT inversement proportionnel à la température absolue, et -d’autre part, un quatrième réglage RGL4 de la valeur de ladite deuxième fraction FR2 du courant sélectionné ISEL. Les quatrièmes moyens de réglage MRG4 sont également couplés au deuxième étage ETG2 et sont configurés pour effectuer avantageusement une correction COR2 de la valeur de la première fraction FR1 compte tenu de la valeur corrigée de la deuxième fraction FR2. Là encore, ce quatrième réglage RGL4 et cette correction COR2 seront détaillés plus en détail ci-après. Comme illustré très schématiquement sur les figures 3 à 5, chacun des étages ETG2, ETG3 et ETG4 comporte un dispositif de miroir de courant préférentiellement cascodé MRC2, MRC3 et MRC4 de façon à s’affranchir des variations éventuelles de la tension d’alimentation Vdd du circuit intégré. Les rapports de division ou de multiplication de ces étages sont réalisés de façon classique et connue en soi, par exemple par le nombre de transistors utilisés, et commandables, de façon classique et connue en soi, par exemple par l’intermédiaire de commutateurs. Les différents moyens de réglage MRG1-MRG4 peuvent comporter par exemple des circuits logiques. On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 6 à 12 pour décrire un mode de mise en œuvre d’un procédé de contrôle du fonctionnement de l’oscillateur OSC. Comme illustré sur la figure 6, dans une phase PHC de conception de l’oscillateur et du circuit intégré, on détermine, par exemple par simulation, le courant Ialim (étape 60) nécessaire pour alimenter les inverseurs de l’oscillateur et avoir une tension Valim permettant un fonctionnement des transistors des inverseurs dans ou au voisinage de la zone d’inversion de température. Dans l’exemple décrit ci-avant, Ialim est égal à 2,4 microampères à 30°C pour un oscillateur à 9 inverseurs ayant une fréquence de sortie désirée de 48MHz. On détermine ensuite (étape 61) la valeur du signal de commande SG (typiquement la tension grille source du transistor PMOS de la source de courant et le courant drain-source correspondant, ou vice-versa, ainsi que la tension de cascode associée) puis, on détermine, compte tenu de la présence de l’étage ETG4 la valeur du courant de réglage IRG (étape 62). On rappelle ici que dans l’exemple décrit ci-avant, compte tenu du rapport multiplicateur de 4 de l’étage ETG4, le courant IRG est déterminé comme étant égal à 600 nanoampères à 30°C. Puis, on en déduit (dans l’étape 63) la valeur désirée pour le premier courant intermédiaire I1 que l’on choisit environ égal à 80% du courant de réglage IRG, soit dans cet exemple 540 nanoampères à 30°C. Puis, comme illustré sur les figures 7 et suivantes, on réalise une phase de test PHT du circuit intégré. En ce qui concerne le premier réglage RGL1, on place le circuit intégré dans une chambre à 30°C et on mesure le premier courant intermédiaire I1M. On compare ce courant mesuré I1M au courant théorique désiré I1 déterminé dans l’étape 63 de la phase de conception PHC. Si le courant mesuré I1M est inférieur au courant I1 alors il faut rajouter du courant IPTAT et du courant ICTAT. C’est ce que l’on fait dans l’étape 71 en retirant x résistances R sur le générateur GEN1 et en retirant corrélativement a.x résistances R sur le générateur GEN2. Si par contre le courant mesuré I1M est supérieur au courant I1, alors il faut retirer du courant IPTAT et du courant ICTAT. C’est ce que l’on fait dans l’étape 72 en rajoutant par exemple y résistances R sur le générateur GEN1 et en rajoutant corrélativement a.y résistances R sur le générateur GEN2. Toujours dans la phase de test PHT et toujours à la première température T1=30°, on procède au deuxième réglage RGL2 de la première fraction FR1 (figure 8). A cet égard, on mesure la fréquence de sortie de l’oscillateur OSC. Cette fréquence de sortie mesurée est référencée FSM. Si cette fréquence de sortie mesurée FSM est de l’ordre de la fréquence de sortie désirée pour l’oscillateur (par exemple 48 MHz), alors cela signifie qu’on est en présence d’un oscillateur typique et dans ce cas on règle la première fraction FR1 à la valeur 0,2 de façon à rajouter au premier courant I1, 20% du courant IRG et obtenir 100% du courant IRG. Si par contre la fréquence mesurée FSM est inférieure à la fréquence de sortie désirée, alors cela signifie qu’on est en présence d’un oscillateur lent, et dans ce cas on peut augmenter la première fraction FR1 jusqu’à la valeur 0,40 si nécessaire de façon à rajouter du courant I2 au courant I1 et obtenir une fréquence mesurée de l’ordre de la fréquence de sortie désirée pour l’oscillateur (par exemple 48 MHz), soit un courant IRG égal jusqu’à 120% du courant I1. Si par contre la fréquence mesurée FSM est supérieure à la fréquence de sortie désirée, cela veut dire qu’on est en présence d’un oscillateur rapide. Et dans ce cas, on peut diminuer la fraction FR1 jusqu’à l’annuler si nécessaire de façon à ne rajouter au premier courant I1 qu’un faible courant I2, voire aucun courant I2, et obtenir une fréquence mesurée de l’ordre de la fréquence de sortie désirée pour l’oscillateur (par exemple 48 MHz). Le courant IRG sera alors égal jusqu’à 80% seulement du courant I1. L’homme du métier saura ajuster la fraction FR1 à toute valeur appropriée comprise par exemple entre 0 et 0,4. La figure 9 illustre un exemple du troisième réglage RGL3. A cet égard, toujours dans la phase de test PHT, on place le circuit intégré dans une chambre réglée cette fois-ci à une deuxième température T2, éloignée de la première température, par exemple à 130°C. Là encore, dans l’étape 90, on mesure la fréquence de sortie de l’oscillateur de façon à obtenir la valeur mesurée FSM. Si dans l’étape 91, la valeur FSM est inférieure à la fréquence FSD désirée, alors dans l’étape 92, on retire une ou plusieurs résistances R sur le générateur GEN1 et de façon complémentaire, on rajoute sur GEN2 a fois le nombre de résistances retirées sur GEN1. Si par contre la valeur mesurée FSM est supérieure à la valeur désirée FSD, alors dans l’étape 93, on rajoute cette fois-ci une ou plusieurs résistances sur le générateur GEN1 et de façon complémentaire, on retire, sur le générateur GEN2 a fois le nombre de résistances rajoutées sur le générateur GEN1. Si la deuxième température était inférieure à la première (-40°C par exemple) : -on retirerait une ou plusieurs résistances R sur le générateur GEN1 et de façon complémentaire, on rajouterait sur GEN2 a fois le nombre de résistances retirées sur GEN1, si FSM était supérieure à FSD, et -on rajouterait une ou plusieurs résistances R sur le générateur GEN1 et de façon complémentaire, on retirerait sur GEN2 a fois le nombre de résistances rajoutées sur GEN1, si FSM était inférieure à FSD. Ceci permet de minimiser l’impact de ce traitement RGL3 sur les réglages effectués à 30°C. De façon à encore minimiser cet impact, on peut, comme expliqué ci-avant, procéder à une correction COR1 de la première fraction FR1 de façon à obtenir, comme illustré sur la figure 10, une première fraction corrigée FR1C1 de sorte que la fréquence à 30°C soit toujours de l’ordre de la fréquence désirée. Par exemple, si au cours du troisième réglage RGL3, on avait corrigé les valeurs des résistances avec un ou plusieurs pas de réglage, on va modifier la première fraction FR1 compte tenu de chacun de ces pas de réglage. La valeur de cette correction peut s’obtenir par simulation. L’homme du métier saura ajuster la première fraction FR1 en fonction du troisième réglage RGL3 de façon à obtenir la fréquence à 30°C de l’ordre de la fréquence désirée. Typiquement, l’ajustement des coefficients de division et/ou de multiplication des différents étages ETG2 et ETG3 peut s’effectuer par pas de régalage ou de correction au moyen d’un décodage thermométrique et d’interrupteurs commandables. La figure 11 illustre schématiquement la sélection du courant ICTAT du courant IPTAT et le quatrième réglage RGL4 de la deuxième fraction FR2 permettant d’obtenir le troisième courant intermédiaire I3. Là encore, ceci s’effectue pendant la phase de test PHT à la deuxième température T2 de 130°C. Dans l’étape 110, on mesure la fréquence de sortie de l’oscillateur de façon à obtenir la fréquence mesurée FSM. Si cette fréquence mesurée FSM est dans l’étape 111 inférieure à la fréquence de sortie désirée FSD, alors cela signifie qu’il convient de rajouter du courant IPTAT. On sélectionne donc dans l’étape 112 le courant IPTAT et l’on va procéder au réglage RGL4 dans l’étape 113. Plus particulièrement, on va rajouter du courant IPTAT, par exemple en augmentant la valeur de la deuxième fraction FR2 d’un ou de plusieurs pas de réglage. Le courant I3 est alors dans l’étape 114 égal au produit du courant IPTAT par cette deuxième fraction FR2 ainsi réglée. Si par contre dans l’étape 111 la valeur mesurée FSM est inférieure à la valeur désirée FSD, alors on sélectionne dans l’étape 115 le courant ICTAT et l’on procède dans l’étape 116 au réglage de la deuxième fraction FR2 d’une façon analogue à ce qui a été décrit dans l’étape 113 de façon à obtenir une fraction FR2 réglée. Le troisième courant intermédiaire I3 est alors égal dans l’étape 117 au produit du courant ICTAT par cette deuxième fraction FR2 ainsi réglée. Si la deuxième température était inférieure à la première (-40°C par exemple) l’étape 112 sélectionnerait le courant ICTAT et l’étape 115 le courant IPTAT. De façon à minimiser voire à réduire l’impact de ce réglage effectué à 130 degrés, sur les réglages de l’étage ETG2 effectués à 30 degrés, on peut, comme sur la figure 12, procéder à une nouvelle correction COR2 de la première fraction FR1 de façon à obtenir dans l’étape 120 une nouvelle première fraction corrigée FR1C2 de sorte que la fréquence à 30°C soit toujours de l’ordre de la fréquence désirée. Cette correction COR2 est effectuée en fonction de la valeur du réglage RGL4. Ainsi, si l’on a augmenté d’un pas de réglage la fraction FR2, alors on va également diminuer d’un pas de réglage ou d’un ratio de pas de réglage, la première fraction FR1. Avec les modes de réalisation et de mise en œuvre qui viennent d’être décrits, on peut obtenir un oscillateur délivrant une fréquence de sortie avec une précision de l’ordre de + ou – 1% avec une consommation faible de l’oscillateur égale à 2,4 microampères à 30°C pour une fréquence de 48MHz par exemple, soit 50nA par MHZ. On se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 13 qui illustre un mode de réalisation dans lequel le circuit intégré CI comporte plusieurs oscillateurs, ici J oscillateurs OSC1-OSCJ respectivement associés à J sources de courant SC1-SCJ. Dans un tel mode de réalisation, il est particulièrement avantageux que le premier étage ETG1 ainsi que les premiers moyens de réglage MRG1 et les troisièmes moyens de réglage MRG3 soient communs à tous les oscillateurs. Par contre, il y a un étage spécifique ETGSJ associé à l’oscillateur OSCJ ; Les étages spécifiques ETGS1-ETGSJ comportent respectivement les deuxièmes étages ETG21-ETG2J, les deuxièmes moyens de réglage MRG21-MRG2J, les troisièmes étages ETG31-ETG3J et les quatrièmes moyens de réglage MRG41-MRG4J. Par ailleurs, les quatrièmes étages ETG41-ETG4J sont également spécifiques respectivement aux J oscillateurs OSC1-OSCJ. En effet, il apparaît que les premiers et troisièmes moyens de réglage MRG1 et MRG3 qui influent sur le nombre de résistances des générateurs GEN1 et GEN2 mettent en œuvre des réglages qui sont en première approximation identiques pour tous les oscillateurs. De ce fait, on peut par exemple mesurer le premier courant intermédiaire I1M délivré par l’étage ETG1 pour un oscillateur particulier et le comparer au courant I1 théorique souhaité comme expliqué ci-avant en référence à la figure 3. Le réglage du nombre de résistances effectué sera alors valable pour tous les oscillateurs. Il peut en être de même pour le réglage RGL3 qui sera effectué en mesurant la fréquence de cet oscillateur particulier et en la comparant à la fréquence de sortie désirée de cet oscillateur. En variante, il serait possible également de prendre comme courant la somme des courants intermédiaires. Par contre, les deuxièmes et quatrièmes réglages RGL2 et RGL4 ainsi que les corrections COR1 et COR2 demeurent quant à eux spécifiques à chaque oscillateur. Et chaque quatrième étage ETG4i aura un rapport de division ou de multiplication spécifique à l’oscillateur concerné. Circuit intégré, comprenant au moins un oscillateur en anneau (OSC) comportant une succession d’inverseurs (IV1-IV9) rebouclés pour former ledit anneau, ledit au moins un oscillateur (OSC) étant destiné à fonctionner à une fréquence de sortie désirée et configuré de sorte que les transistors des inverseurs fonctionnent dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Circuit intégré selon la revendication 1, comprenant en outre des moyens de génération de courant (SC) configurés pour délivrer un courant d’alimentation (Ialim) aux inverseurs dudit au moins un oscillateur permettant d’alimenter chaque inverseur avec une tension d’alimentation (Valim) compatible avec un fonctionnement des transistors de l’inverseur dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Circuit intégré selon la revendication 2, dans lequel les moyens de génération de courant (SC) sont configurés pour délivrer un courant d’alimentation permettant d’alimenter chaque inverseur dudit au moins un oscillateur avec une tension d’alimentation (Valim) supérieure à la tension de seuil de l’inverseur et inférieure à 1,6 fois ladite tension de seuil. Circuit intégré selon la revendication 2 ou 3, dans lequel les moyens de génération de courant comportent une source de courant (SC) comportant des transistors cascodés. Circuit intégré selon l’une des revendications 2 à 4, dans lequel -les moyens de génération de courant comportent une entrée de commande destinée à recevoir un signal de commande (SG) en présence duquel ils sont configurés pour délivrer ledit courant d’alimentation, et -le circuit intégré (IC) comprend en outre un module de réglage (MDR) ayant une sortie connectée à ladite entrée de commande et configuré pour élaborer le signal de commande (SG) à partir -d’au moins une première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à une première température (T1), et -de ladite fréquence de sortie désirée (FSD) pour ledit au moins un oscillateur. Circuit intégré selon la revendication 5, dans lequel le module de réglage (MDR) est configuré pour élaborer le signal de commande (SG) à partir d’un courant de réglage (IRG) égal à la somme d’au moins -un premier courant intermédiaire (I1) tiré de la somme d’un courant réglable proportionnel à la température absolue (IPTAT) et d’un courant réglable inversement proportionnel à la température absolue (ICTAT), et -un deuxième courant intermédiaire (I2) égal à une première fraction réglable (FR1) du premier courant intermédiaire. Circuit intégré selon la revendication 6, dans lequel le module de réglage (MDR) comprend -un premier étage(ETG1) comportant un premier générateur réglable (GEN1) configuré pour générer le courant réglable proportionnel à la température absolue (IPTAT) et un deuxième générateur réglable (GEN2) configuré pour générer le courant réglable inversement proportionnel à la température absolue (ICTAT), -un deuxième étage réglable (ETG2) couplé au premier étage et configuré pour élaborer le deuxième courant intermédiaire, -des premiers moyens de réglage (MRG1) couplés au premier générateur et au deuxième générateur, et configurés pour effectuer un premier réglage (RGL1) du courant proportionnel à la température absolue, un premier réglage (RGL1) du courant inversement proportionnel à la température absolue -des deuxièmes moyens de réglage (MRG2) couplés au deuxième étage et configurés pour effectuer un deuxième réglage (RGL2) de ladite première fraction, -les premiers et deuxième réglages étant effectués à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée. Circuit intégré selon la revendication 7, dans lequel le deuxième étage (ETG2) comporte un premier dispositif cascodé de miroir de courant (MRC2) ayant un rapport de division réglable. Circuit intégré selon l’une des revendications 5 à 8, dans lequel le module de réglage (MDR) est en outre configuré pour élaborer le signal de commande (SG) à partir -d’une deuxième mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur, effectuée à une deuxième température (T2) éloignée de la première température, et -de ladite fréquence de sortie désirée pour ledit au moins un oscillateur. Circuit intégré selon les revendications 7 et 9, dans lequel le module de réglage (MDR) comprend -des troisièmes moyens de réglage (MRG3), couplés au premier générateur et au deuxième générateur, et configurés pour effectuer un troisième réglage (RGL3) du courant proportionnel à la température absolue et un troisième réglage (RGL3) du courant inversement proportionnel à la température absolue à partir de la deuxième mesure la fréquence de sortie effectuée à la deuxième température et de ladite fréquence de sortie désirée, -les troisièmes moyens de réglage étant configurés pour effectuer ces deux troisièmes réglages (RGL3) de façon complémentaire. Circuit intégré selon la revendication 10, dans lequel les troisièmes moyens de réglage (MRG3) sont également couplés au deuxième étage et sont configurés pour corriger la valeur de ladite première fraction (FR1) en fonction des deux troisièmes réglages. Circuit intégré selon l’une des revendications 9 à 11 prise en combinaison avec la revendication 6, dans lequel le module de réglage (MDR) est configuré pour élaborer le signal de commande (SG) à partir du signal de réglage (IRG) égal à la somme du premier courant intermédiaire (I1), du deuxième courant intermédiaire (I2) et d’un troisième courant intermédiaire (I3) égale à une deuxième fraction réglable (FR2) du courant proportionnel à la température absolue ou du courant inversement proportionnel à la température absolue. Circuit intégré selon les revendications 7 et 12, dans lequel le module de réglage (MDR) comprend -un troisième étage réglable (ETG3), couplé au premier générateur et au deuxième générateur, et configuré pour élaborer le troisième courant intermédiaire, et -des quatrièmes moyens de réglage (MRG4), couplés au premier générateur, au deuxième générateur et au troisième étage, et configurés pour effectuer, à partir d’une mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur à ladite deuxième température et de la fréquence de sortie désirée, -d’une part la sélection entre le courant proportionnel à la température absolue et le inversement proportionnel à la température absolue courant, et -d’autre part un quatrième réglage (RGL4) de la valeur de ladite deuxième fraction (FR2) du courant sélectionné. Circuit intégré selon la revendication 13, dans lequel le troisième étage (ETG3) comporte un deuxième dispositif cascodé de miroir de courant (MRC3) ayant un rapport de division réglable. Circuit intégré selon la revendication 13 ou 14, prise en combinaison avec la revendication 7, dans lequel les quatrièmes moyens de réglage (MRG4) sont également couplés au deuxième étage et sont configurés pour corriger la valeur de ladite première fraction compte tenu de la valeur réglée de la deuxième fraction. Circuit intégré selon l’une des revendications précédentes, prise en combinaison avec la revendication 6, dans lequel le module de réglage (MDR) comprend en outre un quatrième étage (ETG4) configuré pour recevoir ledit signal de réglage et pour délivrer ledit signal de commande. Circuit intégré selon la revendication 16, dans lequel le quatrième étage (ETG4) comprend un troisième dispositif cascodé de miroir de courant (MRC4). Circuit intégré selon l’une des revendications précédentes, comprenant plusieurs oscillateurs en anneau (OSC1-OSCJ) destinés à fonctionner chacun à des fréquences de sortie désirées différentes, chaque oscillateur en anneau étant configuré de sorte que les transistors des inverseurs de cet oscillateur fonctionnent dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Circuit intégré selon la revendication 16, prise en combinaison avec la revendication 5, comprenant un module de réglage (MDR) et des moyens de génération de courant (SC1-SCJ) affectées à chaque oscillateur en anneau. Circuit intégré selon la revendication 17, prise en combinaison avec les revendications 7 et 10, dans lequel le premier étage (ETG1), les premiers et les troisièmes moyens de réglage (MRG1, MRG3) sont communs à tous les oscillateurs. Procédé de contrôle, comprenant un contrôle du fonctionnement d’au moins un oscillateur en anneau, ledit au moins un oscillateur (OSC) comportant une succession d’inverseurs rebouclés pour former ledit anneau, procédé dans lequel on fait fonctionner les transistors des inverseurs dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Procédé selon la revendication 21, comprenant une délivrance d’un courant d’alimentation (Ialim) aux inverseurs dudit au moins un oscillateur de façon à alimenter chaque inverseur avec une tension d’alimentation (Valim) compatible avec un fonctionnement des transistors de l’inverseur dans ou au voisinage de leur zone d’inversion de température. Procédé selon la revendication 22, comprenant une délivrance d’un courant d’alimentation permettant d’alimenter chaque inverseur de l’oscillateur avec une tension d’alimentation (Valim) supérieure à la tension de seuil de l’inverseur et inférieure à 1,6 fois ladite tension de seuil. Procédé selon l’une des revendications 22 ou 23, comprenant une délivrance du courant d’alimentation par des moyens de génération de courant (SC) commandés par un signal de commande (SG), et une élaboration du signal de commande à partir -d’au moins une première mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur effectuée à une première température, et -d’une fréquence de sortie désirée pour ledit oscillateur. Procédé selon la revendication 24, comprenant une élaboration du signal de commande à partir d’un courant de réglage (IRG) égal à la somme d’au moins -un premier courant intermédiaire égal à la somme d’un courant réglable proportionnel à la température absolue et d’un courant réglable inversement proportionnel à la température absolue, et -un deuxième courant intermédiaire égal à une première fraction réglable du premier courant intermédiaire. Procédé selon la revendication 25, comprenant -un premier réglage (RGL1) du courant proportionnel à la température absolue, et un premier réglage (RGL1) du courant inversement proportionnel à la température absolue, -un deuxième réglage (RGL2) de ladite première fraction, - le premier réglage étant effectué à partir d’une mesure du premier courant intermédiaire effectuée à ladite première température et d’un courant désiré, ou bien à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée, - le deuxième réglage étant effectué à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie dudit au moins un oscillateur effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée. Procédé selon l’une des revendications 24 à 26, comprenant une élaboration du signal de commande à partir -d’une deuxième mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur, effectuée à une deuxième température (T2) éloignée de la première température, et -de ladite fréquence de sortie désirée pour ledit au moins un oscillateur. Procédé selon les revendications 25 et 27, comprenant -un troisième réglage (RGL3) du courant proportionnel à la température absolue et un troisième réglage (RGL3) du courant inversement proportionnel à la température absolue à partir d’une deuxième mesure la fréquence de sortie effectuée à une deuxième température supérieure à la première température et de ladite fréquence de sortie désirée, -ces deux troisièmes réglages étant effectués de façon complémentaire. Procédé selon la revendication 28, comprenant une correction (COR1) de la valeur de ladite première fraction en fonction des deux troisièmes réglages. Procédé selon l’une des revendications 24 à 29 prise en combinaison avec la revendication 25, comprenant une élaboration du signal de commande à partir du signal de réglage (IRG) égal à la somme du premier courant intermédiaire (I1), du deuxième courant intermédiaire (I2) et d’un troisième courant intermédiaire (I3) égal à une deuxième fraction réglable (FR2) du courant proportionnel à la température absolue ou du courant inversement proportionnel à la température absolue. Procédé selon la revendication 30, comprenant, à partir d’une mesure de la fréquence de sortie de l’oscillateur à ladite deuxième température et de la fréquence de sortie désirée, -d’une part une sélection (SEL) entre le courant proportionnel à la température absolue et le courant inversement proportionnel à la température absolue, et -d’autre part un quatrième réglage de la valeur de ladite deuxième fraction du courant sélectionné. Procédé selon la revendication 31, prise en combinaison avec la revendication 25, comprenant une correction (COR2) de la valeur de ladite première fraction compte tenu de la valeur réglée de la deuxième fraction. Procédé selon l’une des revendications 21 à 32, comprenant un contrôle du fonctionnement de plusieurs oscillateurs (OSC1-OSCJ). Procédé selon les revendications 26 et 33, dans lequel le premier réglage (RGL1) du courant proportionnel à la température absolue et le premier réglage du courant inversement proportionnel à la température absolue sont communs à tous les oscillateurs, tandis que le deuxième réglage (RGL2) de la première fraction est spécifique à chaque oscillateur. Procédé selon la revendication 34, dans lequel le premier réglage (RGL1) est effectué à partir de ladite première mesure de la fréquence de sortie de l’un des oscillateurs effectuée à ladite première température et de la fréquence de sortie désirée de cet oscillateur. Procédé selon la revendication 34 ou 35, dans lequel les deuxièmes réglages (RGL2) sont effectués à partir de ladite première mesure des fréquences de sortie respectives des oscillateurs effectuée à ladite première température et des fréquences de sortie désirées respectives. Procédé selon l’une des revendications 33 à 36 prise en combinaison avec la revendication 28, dans lequel le troisième réglage (RGL3) du courant proportionnel à la température absolue et le troisième réglage (RGL3) du courant inversement proportionnel à la température absolue sont communs à tous les oscillateurs et mis en œuvre à partir de la deuxième mesure la fréquence de sortie de l’un des oscillateurs effectuée à la deuxième température et de ladite fréquence de sortie désirée de cet oscillateur. Procédé selon l’une des revendications 33 à 37, comprenant, à partir d’une mesure de la fréquence de sortie de chaque oscillateur à ladite deuxième température et de la fréquence de sortie désirée pour l’oscillateur considéré, -d’une part une sélection pour l’oscillateur considéré, entre le courant proportionnel à la température absolue et le courant inversement proportionnel à la température absolue, et -d’autre part un quatrième réglage (RGL4) de la valeur de ladite deuxième fraction du courant sélectionné pour ledit oscillateur considéré. Procédé selon l’une des revendications 33 à 38 prise en combinaison avec la revendication 25, comprenant une correction de la valeur de ladite première fraction (FR1) pour un oscillateur considéré compte tenu de la valeur réglée de la deuxième fraction (FR2) pour cet oscillateur. Procédé selon l’une des revendications 24 à 39 prise en combinaison avec l’une au moins des revendications 26, 28, 31 ou 34 à 38, comprenant, ledit au moins un oscillateur en anneau étant incorporé au sein d’un circuit intégré, une mise en œuvre des différents réglages au cours d’une phase de test (PHT) du circuit intégré.