FR 3106935 A1 20210806 FR 2001126 A 20200205 Procédé de fabrication d’un dispositif électronique comportant au moins une zone supraconductrice et dispositif associé L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif, le dispositif comportant une zone supraconductrice (20) et une zone isolante (22) selon un agencement comportant les étapes de : - dépôt d’une couche tampon (12) sur une partie d’un substrat (10), - gravure de la couche tampon (12) pour obtenir deux zones (Z1, Z2), chaque première zone (Z1) étant une zone dans laquelle le substrat (10) est recouvert par la couche tampon (12) et destinée à former une zone supraconductrice (20) respective, chaque deuxième zone (Z2) étant une zone dans laquelle le substrat (10) est apparent à former une zone isolante (22) respective, et - dépôt d’une deuxième couche (18) en matériau supraconducteur sur l’ensemble de la partie de substrat (10), la première couche (12) étant réalisée sous forme d’au moins deux sous-couches (14, 16) superposées. Figure pour l'abrégé : figure 4 Procédé de fabrication d’un dispositif électronique comportant au moins une zone supraconductrice et dispositif associé La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif électronique, le dispositif électronique comportant au moins une zone supraconductrice et au moins une zone isolante selon un agencement prédéfini. La présente invention se rapporte également à un dispositif électronique susceptible d’être obtenu par un tel procédé. Un matériau supraconducteur présente une résistance nulle dans certaines conditions de température. Un dispositif électronique réalisé avec des composants présentant des couches réalisées en un tel matériau présente donc des performances électriques particulièrement intéressantes. Il est donc souhaitable de disposer de procédé de fabrication permettant d’obtenir de tels dispositifs électroniques de manière fiable et relativement aisée. Dans un tel cas, l’élaboration des dispositifs électroniques implique différents types de gravure pour permettre d’obtenir en particulier des pistes ou des électrodes. Les gravures sont notamment chimiques ou ioniques. Toutefois, de telles techniques ne sont pas adaptées pour des dispositifs impliquant des épaisseurs inférieures à 50 nanomètres (nm). En effet, la gravure chimique produit des bords des électrodes avec des rugosités comparables à la largeur des pistes (risque de coupure des pistes), tandis que la gravure ionique réduit le contenu en oxygène des bords des électrodes, dégradant les propriétés physiques du matériau supraconducteur et de ce fait, les performances électriques des dispositifs. Aussi, il est connu d’utiliser une technique exploitant l’irradiation d’ions oxygène pour réaliser des fils supraconducteurs. La technique est basée sur le fait que le désordre produit par le bombardement ionique (génération des paires lacune - interstitiel d’oxygène) réduit localement la température critique du matériau supraconducteur. Toutefois, les dispositifs obtenus par cette technique présentent des performances réduites lorsque ces dispositifs sont exposés à des températures supérieures ou égales à 80°C. Il existe donc un besoin pour un procédé de fabrication d’un dispositif électronique présentant des zones supraconductrices qui soit plus robuste au chauffage. Pour cela, la présente description porte sur un procédé de fabrication d’un dispositif électronique, le dispositif électronique comportant au moins une zone supraconductrice et au moins une zone isolante selon un agencement prédéfini, le procédé comportant au moins les étapes de dépôt d’une première couche sur au moins une partie d’un substrat, la première couche étant une couche tampon, de gravure de la première couche selon l’agencement prédéfini pour obtenir au moins une première zone et au moins une deuxième zone, chaque première zone étant une zone dans laquelle le substrat est recouvert par la première couche et chaque première zone étant destinée à former une zone supraconductrice respective, chaque deuxième zone étant une zone dans laquelle le substrat est apparent et chaque deuxième zone étant destinée à former une zone isolante respective, et de dépôt d’une deuxième couche sur l’ensemble de la partie de substrat, la deuxième couche étant en matériau supraconducteur, dans lequel la première couche est réalisée sous forme d’au moins deux sous-couches superposées. Suivant des modes de réalisation particuliers, le procédé de fabrication comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - le substrat est réalisé en un matériau, le matériau supraconducteur comportant une pluralité d’éléments chimiques, le matériau du substrat étant un matériau dans lequel au moins un élément chimique du matériau supraconducteur diffuse dans le matériau du substrat lorsque les deux matériaux sont en contact et portés à une température supérieure ou égale à 200 °C, le matériau du substrat étant notamment du Si ou du GaAs. - le matériau supraconducteur est un cuprate, de préférence, un matériau choisi dans la liste constituée du YBCO, du NdBaCuO, du GdBaCuO, du BiSrCaCuO et du TlCaBaCuO. - chaque sous-couche de la première couche est réalisée en un matériau choisi dans la liste constituée du YSZ, du CeO 2 , de la zircone, du MgAl 2 O 4 , du BaTiO 3 , du MgO, du Al 2 O 3 , du AlN et du SrTiO 3 . - le matériau du substrat est du Si, le matériau de la première sous-couche est du YSZ, le matériau de la deuxième sous-couche est du CeO 2 et le matériau supraconducteur est un cuprate. - le matériau du substrat est du Si, le matériau de la première sous-couche est du SrTiO 3 , le matériau de la deuxième sous-couche est du CeO 2 et le matériau supraconducteur est un cuprate. - le matériau du substrat est du GaAs, le matériau de la première sous-couche est du MgO, le matériau de la deuxième sous-couche est du CeO2 et le matériau supraconducteur est un cuprate. - le dispositif électronique est une jonction Josephson, l’agencement prédéfini comportant deux zones supraconductrices et une zone isolante destinée à former une zone barrière présentant une dimension maximale le long d’une direction reliant les deux zones supraconductrices inférieure ou égale à 60 nanomètres. - la première couche présente une épaisseur comprise entre 10 nanomètres et 80 nanomètres. - l’épaisseur de la deuxième couche est comprise entre 3 nanomètres et 50 nanomètres. - chaque zone supraconductrice est une piste. La présente description porte sur un dispositif électronique susceptible d’être obtenu par le procédé de fabrication tel que précédemment décrit. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui suit, de modes de réalisation de l'invention, donnée à titre d'exemple uniquement et en référence aux dessins qui sont : - figure 1, un ordinogramme d’un exemple de procédé de fabrication d’un dispositif électronique comportant trois étapes, - figure 2, une représentation schématique en perspective d’une coupe d’un ensemble obtenu à l’issue de la mise en œuvre de la première étape du procédé de fabrication d’un premier exemple de dispositif électronique, - figure 3, une représentation schématique en perspective d’une coupe d’un exemple d’ensemble obtenu à l’issue de la mise en œuvre de la deuxième étape du procédé de fabrication du premier exemple de dispositif électronique, - figure 4, une représentation schématique en perspective d’une coupe du premier dispositif obtenu à l’issue de la mise en œuvre du procédé de fabrication, - figure 5, une représentation schématique en perspective d’un exemple d’ensemble obtenu à l’issue de la mise en œuvre de la deuxième étape du procédé de fabrication d’un deuxième exemple de dispositif électronique, et - figure 6, une représentation schématique en perspective du deuxième dispositif obtenu à l’issue de la mise en œuvre du procédé de fabrication. Un procédé de fabrication d’un dispositif électronique est maintenant décrit en référence à l’ordinogramme de la figure 1 qui illustre un exemple de mise en œuvre. Le procédé de fabrication vise à obtenir un dispositif électronique comportant au moins une zone supraconductrice et au moins une zone isolante selon un agencement prédéfini. Par définition, l’agencement est l’organisation spatiale de chacune des zones. Dans ce qui suit, à titre d’illustration, il est souhaité obtenir un premier dispositif électronique comportant deux pistes supraconductrices parallèles séparées par une zone isolante. Dans un tel cas, l’agencement est un agencement sous forme de cinq bandes contigües. Les cinq bandes sont successivement une première zone isolante, une première zone supraconductrice formant une piste, une deuxième zone isolante, une deuxième zone supraconductrice formant une autre piste et une troisième zone isolante. Le procédé de fabrication comporte trois étapes qui sont une étape de dépôt d’une première couche E1, une étape de gravure E2 et une étape de dépôt d’une deuxième couche E3. Il est supposé qu’un substrat 10 a été fourni préalablement. Le substrat 10 est réalisé en silicium (Si). Lors de l’étape de dépôt d’une première couche E1, il est déposé une première couche 12 sur au moins une partie du substrat 10. L’étape de dépôt d’une première couche E1 permet d’obtenir l’ensemble de la figure 2. La partie du substrat 10 est une partie présentant une étendue suffisamment grande pour permettre la réalisation de l’agencement prédéfini à l’intérieur de la partie du substrat 10. La première couche 12 est une couche tampon. Par l’expression « couche tampon », il est entendu que la première couche 12 est réalisée pour permettre une isolation entre le substrat 12 et un matériau supraconducteur, la couche tampon empêchant un contact entre les deux matériaux. Selon l’exemple proposé, pour obtenir un tel effet tampon, la première couche 12 est réalisée sous forme de deux sous-couches superposées, une première sous-couche 14 et une deuxième sous-couche 16. La première sous-couche 14 est agencée entre le substrat 10 et la deuxième sous-couche 16. La première sous-couche 14 est en YSZ et la deuxième sous-couche 16 en CeO 2 . YSZ est de la zircone stabilisée à l’Yttrium. Par ailleurs, la première couche 12 présente une épaisseur comprise entre 10 nanomètres (nm) et 80 nm. L’épaisseur d’une couche est mesurée selon une direction correspondant à la direction d’empilement des couches. D’autres modes de réalisation sont toutefois envisageables pour obtenir une première couche 12 formant une couche tampon. Par exemple, selon une variante, la première couche 12 est formée d’une seule sous-couche. Des cas avec plus de deux sous-couches formant la première couche 12 sont également possibles. Par ailleurs, le matériau de chaque sous-couche 14 ou 16 de la première couche 12 peut être différent des matériaux précités. Notamment, le matériau de chaque sous-couche 14 ou 16 est choisi parmi du MgO ou du SrTiO 3 . Plus généralement, chaque sous-couche 14 ou 16 formant la première couche 12 est réalisée en un matériau choisi dans la liste constituée du YSZ, du CeO 2 , de la zircone, du MgAl 2 O 4 , du BaTiO 3 , du MgO, du AlN et du SrTiO 3 . A l’issue de la première étape de dépôt E1, il est ainsi obtenu l’ensemble de couches représenté sur la figure 2. L’étape de gravure E2 est alors mise en œuvre. L’étape de gravure E2 est une étape de gravure de la première couche 12 selon l’agencement prédéfini dans la partie de substrat 10. La gravure est, par exemple, une gravure chimique. En variante, la gravure est une gravure ionique. L’agencement prédéfini est alors un motif de gravure. Une telle étape de gravure E2 permet d’obtenir au moins une première zone Z1 et au moins une deuxième zone Z2. Chaque première zone Z1 est une zone non gravée. Ainsi, chaque première zone Z1 est une zone dans laquelle le substrat 10 est recouvert par l’ensemble de la première couche 12. Chaque première zone Z1 est destinée à former une zone supraconductrice respective. Chaque deuxième zone Z2 est une zone gravée. La gravure est effectuée pour que l’ensemble de la première couche 12 soit enlevée. C haque deuxième zone Z2 est une zone dans laquelle le substrat 10 est apparent. Chaque deuxième zone Z2 est une zone destinée à former une zone isolante respective. Dans le cas illustré, le motif de gravure est un ensemble de bandes. Plus précisément, le motif de gravure est un ensemble de trois bandes à graver. La première bande et la deuxième bande délimitent une bande à ne pas graver (première piste) et la deuxième bande et la troisième bande délimitent une autre bande à ne pas graver (deuxième piste). Les bandes à ne pas graver sont ainsi délimitées par des parois s’étendant perpendiculairement au plan du substrat 10. De telles parois sont appelées parois verticales dans la suite. A l’issue de l’étape de gravure E2, comme visible sur la figure 3, il est ainsi obtenu un ensemble comportant successivement une deuxième zone Z2, une première zone Z1, une deuxième zone Z2, une première zone Z1 et une deuxième zone Z2. L’étape de dépôt de la deuxième couche E3 ou deuxième étape de dépôt E3 est alors mise en œuvre. A titre d’exemple, le dépôt de la deuxième couche E3 est réalisé par une technique d’ablation laser pulsée ou par une technique de pulvérisation cathodique. La deuxième couche 18 est déposée sur l’ensemble de la partie de substrat 10. La deuxième étape de dépôt E3 est ainsi une étape de dépôt en pleine plaque. La deuxième couche 18 déposée est en matériau supraconducteur. Le matériau supraconducteur est un matériau supraconducteur à haute température critique, c’est-à-dire un matériau supraconducteur présentant une température critique supérieure ou égale à 40K. Dans l’exemple proposé, le matériau supraconducteur est de l’YBa 2 Cu 3 O 7-x . L’YBa 2 Cu 3 O 7-x désigne un oxyde mixte de baryum, de cuivre et d'yttrium. Les termes « YBaCuO » et « YBCO » sont également utilisés pour désigner un tel oxyde. Typiquement, l’YBCO présente une température critique de 90K quand le contenu cationique et en oxygène sont optimaux. En variante, le matériau supraconducteur choisi est du NdBaCuO, du GdBaCuO, du BiSrCaCuO ou du TlCaBaCuO. Plus généralement, le matériau supraconducteur est un cuprate. Par définition, un cuprate est un composé chimique dans lequel du cuivre forme un anion ou un complexe dont la charge globale est négative. L’épaisseur de la deuxième couche 18 déposée est comprise entre 3 nm et 50 nm. Une fois déposé, dans chaque première zone Z1, le matériau supraconducteur est en contact avec le matériau de la deuxième sous-couche 16, en l’occurrence du CeO 2 . Aucune réaction n’a lieu entre les deux matériaux. Ainsi, chaque première zone Z1 devient une zone supraconductrice 20 correspondant à une des pistes souhaitées pour le dispositif à fabriquer. Formulé autrement, l’YBCO déposé sur le CeO 2 sera supraconducteur à hautes températures (c’est-à-dire une température de l’ordre de 90K notamment si le contenu d’oxygène est optimal comme expliqué précédemment pour le cas de l’YBCO) Lors de la deuxième étape de dépôt E3, le matériau supraconducteur est également déposé sur les parois verticales. Du fait que la croissance ne peut pas être épitaxiale sur les parois verticales, le matériau supraconducteur perd ses propriétés supraconductrices lors du dépôt. Autrement exprimé, l’YBCO déposé sur les parois verticales de YSZ et CeO2 ne sera pas supraconducteur. Pour chaque deuxième zone Z2, une réaction a lieu entre le matériau du substrat 10 et le matériau supraconducteur. Plus précisément, comme le dépôt est effectué à une température supérieure ou égale à 200 °C, au moins un élément chimique du matériau supraconducteur diffuse dans le matériau du substrat 10 lorsque les deux matériaux sont en contact. En l’occurrence, le baryum diffuse dans le substrat 10. Le composé Ba 2 SiO 4 qui est un isolant se forme alors tandis que l’YBCO va voir sa teneur en baryum diminuer jusqu’à ce que l’YBCO devienne isolant. Un tel phénomène s’observe pour des épaisseurs aussi grandes que 50 nm. Chaque deuxième zone Z2 devient ainsi une zone isolante 22 correspondant à une zone isolante pour le dispositif à fabriquer. A l’issue de la deuxième étape de dépôt E3, il est ainsi obtenu le dispositif électronique désiré, à savoir deux pistes supraconductrices isolées. Cela a été démontré expérimentalement par la demanderesse. Une résistivité de 69 Ohm.m a été mesurée dans la zone isolante 22 entre les deux zones supraconductrices 20. Une telle valeur est 10000 fois plus grande que la résistivité dans une des zones supraconductrices 20. Ceci montre que les zones supraconductrices 20 sont isolées électriquement entre elles. Le procédé est de mise en œuvre relativement simple dans la mesure où le dépôt de la deuxième couche 18 entraîne une auto-fonctionnalisation de la deuxième couche 18. Les zones supraconductrices 20 séparées par les zones isolantes 22 sont, en effet, formées sans effectuer de gravure de la deuxième couche 18 qui est une couche supraconductrice. Cela permet d’éviter une dégradation des propriétés de la deuxième couche 18 dans les zones utiles, dégradation qui aurait lieu si des attaques ioniques (bombardement ionique, notamment par des ions oxygènes) ou des attaques chimiques (cas d’une gravure avec un acide) étaient utilisées. Autrement formulé, le procédé de fabrication garantit une bonne isolation entre les différentes zones supraconductrices 20 réalisées sur le substrat 10 fonctionnalisé dans toute la gamme de températures, et une excellente performance des zones supraconductrices 20, puisque les régions supraconductrices ne sont pas modifiées par une attaque ionique. La performance des dispositifs fabriqués par le procédé est ainsi augmentée. Par ailleurs, du fait des étapes impliquées, le procédé est robuste à la haute température. Autrement formulé, le procédé décrit est un procédé de fabrication d’un dispositif électronique présentant des zones supraconductrices qui est plus robuste au chauffage. Le procédé est, en outre, utilisable pour former de nombreux dispositifs à base de supraconducteur. En particulier, comme illustré en référence aux figures 5 (ensemble à l’issue de l’étape de gravure E2) et 6 (ensemble obtenu à l’issue de la deuxième étape de dépôt E3), le procédé permet de fabriquer une jonction Josephson à base d’YBCO sur un substrat 10 en silicium. Dans un tel cas, l’agencement prédéfini comporte deux zones supraconductrices R1, R2 (aussi appelée réservoir) et une zone isolante R3 destinée à former une zone barrière entre les deux zones supraconductrices R1 et R2. Un tel agencement correspond également à une piste supraconductrice formée des deux zones supraconductrices R1 et R2 interrompue au niveau d’une fente correspondant à la zone isolante R3. La zone isolante R3 présente une dimension maximale le long d’une direction reliant les deux zones supraconductrices inférieure ou égale à 60 nm. Autrement formulé, la distance minimale entre les deux zones supraconductrices R1 et R2 (défini comme la distance minimale entre deux point de ces deux zones) est inférieure ou égale à 60 nm. De préférence, la fente entre les deux zones supraconductrices R1 et R2 présente une taille comprise entre 10 nm et 30 nm (au sens large, les bornes étant incluses). Comme précédemment, le procédé implique la gravure du motif souhaité, des tailles inférieures ou égales à 60 nm étant accessibles aux techniques de gravure précitées. A l’issue de l’étape de gravure, les premières zones R1 et R2 se présentent sous la forme de mésa. Puis, la couche supraconductrice 18 est déposée. La zone isolante R3 est formée par la réaction de la couche supraconductrice 18 avec le substrat 10. Le procédé de fabrication permet ainsi la réalisation de jonctions Josephson qui ne sont pas altérées par un recuit postérieur des dispositifs, permettant une gamme opérationnelle de températures plus élevée que celle des jonctions élaborées par irradiations par ions d’oxygène. Avec un tel procédé, il est également possible d’obtenir des bolomètres à électrons chauds, des dispositifs supraconducteurs à photon unique (aussi dénommés sous l’abréviation « SSPD » qui renvoie à la terminologie anglaise de « Superconducting Single Photon Detector ») ou des détecteurs cinétiques à inductance aussi dénommés sous l’abréviation « KID » qui renvoie à la terminologie anglaise de « Kinetic Inductance Detector ») ou des résonateurs. Dans chaque exemple de mise en œuvre du procédé de fabrication, il est utilisé avantageusement la propriété de réaction entre le matériau du substrat 10 et le matériau supraconducteur. Le procédé de fabrication permet, en outre, dans chacun des cas d’être robuste vis-à-vis du chauffage des dispositifs à des températures supérieures à 80°C, contrairement aux techniques impliquant une irradiation par ions d’oxygène. Aussi, le procédé est utilisable pour tout matériau de substrat 10 dans lequel au moins un élément chimique du matériau supraconducteur diffuse dans le matériau du substrat lorsque les deux matériaux sont en contact et portés à une température supérieure ou égale à 200 °C. A titre d’exemple, le matériau du substrat peut également être de l’arséniure de gallium (GaAs). D’autres modes de réalisation sont envisageables par combinaison des caractéristiques des modes de réalisation précités, lorsque de telles caractéristiques sont techniquement compatibles. En particulier, il est envisageable d’obtenir un procédé de fabrication d’un dispositif électronique dans lequel le matériau du substrat 10 est du Si, le matériau de la première sous-couche 14 est du YSZ, le matériau de la deuxième sous-couche 16 est du CeO 2 et le matériau supraconducteur est un cuprate. Alternativement, il est aussi possible d’obtenir un procédé de fabrication dans lequel le matériau du substrat 10 est du Si, le matériau de la première sous-couche 14 est du SrTiO 3 , le matériau de la deuxième sous-couche 16 est du CeO 2 et le matériau supraconducteur est un cuprate. En variante, le matériau de la deuxième sous-couche 16 est du MgAl 2 O 4 , de l’AlN, du MgO, du BaTiO 3 , du zircone ou de l’Al 2 O 3. . Selon une autre alternative, le procédé de fabrication est un procédé de fabrication dans lequel le matériau du substrat 10 est du GaAs, le matériau de la première sous-couche 14 est du MgO, le matériau de la deuxième sous-couche 16 est du CeO 2 et le matériau supraconducteur est un cuprate. Procédé de fabrication d’un dispositif électronique, le dispositif électronique comportant au moins une zone supraconductrice (20) et au moins une zone isolante (22) selon un agencement prédéfini, le procédé comportant au moins les étapes de : - dépôt d’une première couche (12) sur au moins une partie d’un substrat (10), la première couche (12) étant une couche tampon, - gravure de la première couche (12) selon l’agencement prédéfini pour obtenir au moins une première zone (Z1) et au moins une deuxième zone (Z2), chaque première zone (Z1) étant une zone dans laquelle le substrat (10) est recouvert par la première couche (12) et chaque première zone (Z1) étant destinée à former une zone supraconductrice (20) respective, chaque deuxième zone (Z2) étant une zone dans laquelle le substrat (10) est apparent et chaque deuxième zone (Z2) étant destinée à former une zone isolante (22) respective, et - dépôt d’une deuxième couche (18) sur l’ensemble de la partie de substrat (10), la deuxième couche (18) étant en matériau supraconducteur, dans lequel la première couche (12) est réalisée sous forme d’au moins deux sous-couches (14, 16) superposées. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat (10) est réalisé en un matériau, le matériau supraconducteur comportant une pluralité d’éléments chimiques, le matériau du substrat (10) étant un matériau dans lequel au moins un élément chimique du matériau supraconducteur diffuse dans le matériau du substrat lorsque les deux matériaux sont en contact et portés à une température supérieure ou égale à 200 °C, le matériau du substrat (10) étant notamment du Si ou du GaAs. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau supraconducteur est un cuprate, de préférence, un matériau choisi dans la liste constituée du YBCO, du NdBaCuO, du GdBaCuO, du BiSrCaCuO et du TlCaBaCuO. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel chaque sous-couche (14,16) de la première couche (12) est réalisée en un matériau choisi dans la liste constituée du YSZ, du CeO 2 , de la zircone, du MgAl 2 O 4 , du BaTiO 3 , du MgO, du Al 2 O 3 , du AlN et du SrTiO 3 . Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel : - le matériau du substrat (10) est du Si, le matériau de la première sous-couche (14) est du YSZ, le matériau de la deuxième sous-couche (16) est du CeO 2 et le matériau supraconducteur est un cuprate, ou - le matériau du substrat (10) est du Si, le matériau de la première sous-couche (14) est du SrTiO 3 , le matériau de la deuxième sous-couche (16) est du CeO 2 et le matériau supraconducteur est un cuprate, ou - le matériau du substrat (10) est du GaAs, le matériau de la première sous-couche (14) est du MgO, le matériau de la deuxième sous-couche (16) est du CeO 2 et le matériau supraconducteur est un cuprate. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le dispositif électronique est une jonction Josephson, l’agencement prédéfini comportant deux zones supraconductrices (R1, R2) et une zone isolante (R3) destinée à former une zone barrière présentant une dimension maximale le long d’une direction reliant les deux zones supraconductrices (R1, R2) inférieure ou égale à 60 nanomètres. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première couche (12) présente une épaisseur comprise entre 10 nanomètres et 80 nanomètres. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l’épaisseur de la deuxième couche (18) est comprise entre 3 nanomètres et 50 nanomètres. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque zone supraconductrice (20) est une piste. Dispositif électronique susceptible d’être obtenu par le procédé de fabrication selon la revendication 5.