FR 3108784 A1 20211001 FR 2003147 A 20200330 Dispositif à couplage de charges La présente description concerne un dispositif (100) à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées (123) pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur (101), le réseau comprenant des rangées d'électrodes longitudinales (123) et transversales alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale (123) d'une rangée étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale adjacentes de ladite rangée ; et des murs (126) d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales, les murs (126) pénétrant verticalement dans le substrat (101) plus profondément que les électrodes longitudinales (123) et au moins deux rangées adjacentes d'électrodes (123) étant disposées entre chaque deux murs (126) successifs. Figure pour l'abrégé : Fig. 7 Dispositif à couplage de charges La présente description concerne les dispositifs à couplage de charges ("Charge Coupled Device"), ou dispositifs CCD. Elle vise plus particulièrement un dispositif à couplage de charges à deux phases, c’est-à-dire un dispositif dans lequel un transfert de charges s'effectue en deux phases, aussi appelé dispositif de transfert à deux phases. La présente demande vise notamment un capteur de lumière, tel qu'un capteur d'images, comprenant un tel dispositif. On connaît des dispositifs à couplage de charges comprenant un réseau d'électrodes isolées pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur. Les électrodes du réseau correctement polarisées définissent une pluralité de puits de potentiel dans le substrat. Lorsque le substrat reçoit de la lumière, des paires électron-trou sont photogénérées dans le substrat et s'accumulent dans des puits de potentiel définis entre les électrodes. Les charges accumulées dans les puits de potentiel sont ensuite transférées d'un puits de potentiel vers un puits de potentiel adjacent en modifiant, en deux phases, des polarisations des électrodes. Les figures 1 et 2 correspondent respectivement aux figures 6A et 7 du brevet US N°8937341 et représentent de façon schématique un exemple de capteur d'images comprenant un dispositif à couplage de charges muni d'un réseau d'électrodes isolées pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur. La figure 1 est une vue de dessus d'une portion du capteur d'images et la figure 2 est une vue en coupe et en perspective représentant de façon schématique une partie du capteur de la figure 1. Sur un substrat 1 de silicium dopé de type P, est disposée une couche 3 dopée de type N. La couche 3 et éventuellement la partie supérieure du substrat 1 constituent la zone de photoconversion du capteur. Une mince couche 5 dopée de type P recouvre la surface de la couche 3. La zone de photoconversion est divisée en une pluralité de lignes parallèles 7, séparées par des rangées 9 d'électrodes isolées 11 s'étendant verticalement à travers les couches 5, 3 et 1. Chaque électrode 11 est constituée d'une rainure en T, comportant une barre longitudinale 13 et une barre transversale 15, remplie de silicium polycristallin dopé et isolé du substrat par une couche d'oxyde 17. Les barres longitudinales 13 sont alignées et orientées parallèlement à la direction de transfert des charges. Les barres transversales 15 sont orthogonales aux barres longitudinales 13 et sont disposées en amont des barres longitudinales 13 par rapport au sens 19 de transfert des charges. Les électrodes 11 de deux rangées 9 adjacentes sont en regard deux à deux et forment des colonnes 21 d'électrodes. Les extrémités en regard de deux barres transversales 15 de deux électrodes successives d'une même colonne 21 sont séparées l'une de l'autre par un espace e1. Un pixel est défini par la région comprise entre deux électrodes 11 successives G11, G12 d'une première rangée 9, et les deux électrodes correspondantes G11, G12 d'une seconde rangée 9 adjacente à la première rangée. Toutes les électrodes d'une même colonne 21 sont reliées entre elles et sont mises à un même potentiel. Les électrodes 11, convenablement polarisées, définissent dans chaque ligne 7 une succession de puits de potentiel dans lesquels des charges électriques peuvent s'accumuler. Au cours d'une étape d'acquisition d'image, la face supérieure du capteur est éclairée et des électrons, issus de la création, par absorption d'un photon, d'une paire électron-trou dans la zone de photoconversion, s'accumulent dans les puits de potentiel. Le substrat 1 est relié, en fonctionnement, à un potentiel de référence, la masse, permettant l'écoulement des trous issus de la photoconversion. Après l'étape d'acquisition, il est prévu une étape de transfert, au cours de laquelle les charges accumulées dans les puits de potentiel sont transférées, dans le sens des flèches 19. Ce transfert de charges est assuré par des commutations successives, entre des états haut et bas, en deux phases, de signaux de commande Φ11, Φ12 appliqués aux électrodes respectives G11, G12. La figure 3 est une reproduction de la figure 9 du brevet susmentionné et illustre de façon schématique l'accumulation, au cours d'une étape d'acquisition d'image, d'électrons photogénérés dans des puits de potentiel formés par application des signaux de commande Φ11, Φ12 aux électrodes G11, G12 du capteur décrit en relation avec les figures 1 et 2. La figure 3 illustre, en outre, un transfert en deux phases des électrons, d'un puits potentiel à un puits potentiel adjacent, par commutation entre des états haut et bas des signaux de commande Φ11 et Φ12. A un instant t0 correspondant à la fin d'une étape d'acquisition d'image, le signal de commande Φ11 est à l'état bas, par exemple à un potentiel de l'ordre de 0 V, le signal de commande Φ12 est à l'état haut, par exemple à un potentiel de l'ordre de 5 V, et des électrons, représentés par les zones hachurées de la figure, sont stockés dans des puits de potentiel. Dans une colonne 21, lorsque deux électrodes G11 en regard ou deux électrodes G12 en regard sont mises à un même potentiel, ces deux électrodes en regard, et plus particulièrement les barres longitudinales 13 de ces électrodes en regard, définissent entre elles un puits de potentiel dans lequel des électrons photogénérés peuvent s'accumuler. Plus le potentiel appliqué sur ces deux électrodes est élevé, plus le puits de potentiel défini par ces deux électrodes est profond. En outre, lorsque deux électrodes G11 ou G12 en regard sont mises au même potentiel, il s'établit une barrière de potentiel dans l'espace e1 entre les extrémités en regard des barres transversales 15 de ces deux électrodes. Lorsque les deux électrodes G11 ou G12 en regard sont à un même potentiel haut, la barrière de potentiel dans l'espace e1 correspondant est basse et laisse passer des électrons, dans le sens 19 de transfert, d'un puits de potentiel moins profond vers un puits de potentiel plus profond adjacent de la même ligne 7. Plus particulièrement, lorsque les électrodes G11 en regard et les électrodes G12 en regard sont respectivement à l'état bas (G11) et à l'état haut (G12), le potentiel dans l'espace e1 entre les électrodes G12 est à un niveau intermédiaire entre le puits de potentiel défini par le niveau bas appliqué aux électrodes G11 et le puits de potentiel défini par le niveau haut appliqué aux électrodes G12 et laisse ainsi passer les électrons, dans le sens 19 de transfert, dans une même ligne 7, du puits de potentiel moins profond entre les électrodes G11 vers le puits de potentiel adjacent plus profond entre les électrodes G12. Lorsque les deux électrodes G11 ou G12 en regard sont à un même potentiel bas, la barrière de potentiel dans l'espace e1 correspondant est haute et s'oppose au passage des électrons, dans le sens 19 de transfert. Ainsi, à l'instant t0, des paquets d'électrons correspondant à des points de l'image acquise sont stockés dans la couche N, dans le puits de potentiel défini entre les électrodes G12 de chaque pixel. A un instant t0 + T, T étant la période d'horloge de pilotage du transfert des charges, on commute les signaux de commande Φ11 et Φ12 appliqués aux électrodes respectives G11 et G12. Il en résulte le décalage, dans le sens 19 de transfert, des puits de potentiel et des barrières de potentiel. Cela entraîne le décalage, en synchronisme, des paquets d'électrons, dans le sens 19 de transfert (vers la droite dans l'exemple représenté). C'est la position des barres transversales 15 par rapport aux barres longitudinales 13 (à gauche dans l'exemple représenté) qui détermine le sens 19 de transfert des charges (vers la droite dans l'exemple représenté). A un instant t0 + 2T (non représenté), dans chaque ligne 7, les électrons accumulés dans un pixel ont été décalés vers un pixel adjacent situé à sa droite. Il existe un besoin d'améliorer au moins certains aspects des dispositifs à couplage de charges connus comprenant un réseau d'électrodes verticales isolées, et notamment des capteurs de lumière comprenant de tels dispositif à couplage de charges connus, comme par exemple le capteur du brevet US N°8937341. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs à couplage de charges connus. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des capteurs de lumière, et en particulier des capteurs d'images, comprenant des dispositifs à couplage de charges connus. Un mode de réalisation prévoit un dispositif à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur, le réseau comprenant des rangées d'électrodes longitudinales et transversales alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale d'une rangée étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale adjacente de ladite rangée ; et des murs d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales, les murs pénétrant verticalement dans le substrat plus profondément que les électrodes longitudinales et au moins deux rangées adjacentes d'électrodes étant disposées entre chaque deux murs successifs. Selon un mode de réalisation, les électrodes du réseau forment des colonnes d'électrodes longitudinales alternées avec des colonnes d'électrodes transversales, lesdites colonnes étant orthogonales aux rangées, de préférence dans chaque colonne d'électrodes transversales, les électrodes transversales de la colonne sont alignées entre elles et, dans chaque colonne d'électrodes longitudinales, les électrodes longitudinales de la colonne sont parallèles entre elles. Selon un mode de réalisation, entre chaque deux murs successifs, les électrodes desdites au moins deux rangées appartenant à une même colonne sont reliées électriquement entre elles. Selon un mode de réalisation, deux murs successifs délimitent latéralement des pixels d'une rangée de pixels, de préférence le dispositif comprenant plusieurs rangées de pixels. Selon un mode de réalisation, deux colonnes d'électrodes transversales séparées l'une de l'autre par au moins une autre colonne d'électrodes transversales délimitent latéralement des pixels d'une même colonne de pixels, de préférence le dispositif comprenant plusieurs colonnes de pixels. Selon un mode de réalisation, les électrodes transversales délimitant latéralement des pixels pénètrent dans le substrat sur une même profondeur que lesdits murs. Selon un mode de réalisation, le substrat est dopé d'un premier type de conductivité, et comprend, entre chaque deux murs successifs, un caisson dopé d'un deuxième type de conductivité pénétrant moins profondément dans le substrat que les électrodes longitudinales. Selon un mode de réalisation, entre chaque deux murs successifs : le caisson s'étend en largeur au moins depuis les électrodes longitudinales de celle desdites au moins deux rangées qui est la plus proche d'un premier des deux murs successifs jusqu'à au moins les électrodes longitudinales de celle desdites au moins deux rangées qui est la plus proche d'un deuxième des deux murs successifs ; et le caisson dopé du deuxième type de conductivité s'étend en longueur au moins sur toute la longueur desdites au moins deux rangées. Selon un mode de réalisation, le substrat comprend une couche dopée du premier type de conductivité recouvrant chaque caisson dopé du deuxième type de conductivité, de préférence ladite couche étant plus fortement dopée du premier type de conductivité que le substrat, de préférence ladite couche dopée du premier type de conductivité s'étendant, entre chaque deux murs successifs, de l'un à l'autre desdits deux murs successifs et d'une extrémité à une autre de chacun desdits deux murs successifs. Selon un mode de réalisation, lesdits murs sont des murs conducteurs isolés. Un mode de réalisation prévoit un capteur de lumière comprenant le dispositif décrit, et une structure d'interconnexion reposant sur une face avant du substrat à partir de laquelle les électrodes et les murs pénètrent dans le substrat, le capteur étant configuré pour recevoir de la lumière du côté de la face avant du substrat ou du côté d'une face arrière du substrat opposée à la face avant. Un mode de réalisation prévoit un procédé de transfert de charges en deux phases dans le dispositif décrit, dans lequel : lors d'un transfert de charges dans un sens donné, chaque électrode longitudinale de chaque rangée est reliée électriquement à l'électrode transversale adjacente de ladite rangée qui est disposée en amont de ladite électrode longitudinale par rapport au sens de transfert ; et dans une rangée d'électrodes, un premier signal de décalage est appliqué à une électrode longitudinale sur deux, et un second signal de décalage est appliqué aux autres électrodes longitudinales. Selon un mode de réalisation : lors d'une première des deux phases du transfert, le premier signal est à un état haut et le deuxième signal est à un état bas ; et lors de la deuxième des deux phases du transfert, le premier signal est commuté à l'état bas et le deuxième signal est commuté à l'état haut. Selon un mode de réalisation : lors d'une première des deux phases du transfert, les premier et deuxième signaux sont à l'état bas pendant une partie de la première phase, et le premier signal est mis à l'état haut pendant l'autre partie de la première phase ; et lors de la deuxième des deux phases du transfert, les premier et deuxième signaux sont à l'état bas pendant une partie de la deuxième phase, et le deuxième signal est mis à l'état haut pendant l'autre partie de la deuxième phase. Selon un mode de réalisation, le signal reçu par chaque électrode transversale est en avance de phase sur le signal reçu par l'électrode longitudinale à laquelle l'électrode transversale est reliée électriquement. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, décrite précédemment, est une vue schématique et de dessus d'un exemple de capteur d'images décrit dans le brevet US N°8937341 ; la figure 2, décrite précédemment, est une vue schématique, en coupe et en perspective, de l'exemple de capteur d'images décrit dans le brevet US N°8937341 ; la figure 3, décrite précédemment, est une reproduction de la figure 9 du brevet US N°8937341 et illustre un transfert de charges dans le capteur des figures 1 et 2 ; la figure 4 est une vue de dessus représentant de manière schématique un mode de réalisation d'un dispositif à couplage de charges ; la figure 5 est une vue schématique et en coupe du dispositif de la figure 4 ; la figure 6 est une autre vue schématique et en coupe du dispositif de la figure 4 ; la figure 7 est encore une autre vue schématique et en coupe du dispositif de la figure 4 ; la figure 8 est une reproduction partielle de la figure 4 ; la figure 9 illustre, en relation avec la figure 8, un premier mode de mise en œuvre d'un procédé de commande du dispositif de la figure 4 ; la figure 10 illustre, en relation avec les figures 8 et 9, le premier mode de mise en œuvre d'un procédé de commande du dispositif de la figure 4 ; la figure 11 est une reproduction partielle de la figure 4 ; la figure 12 illustre, en relation avec la figure 11, un deuxième mode de mise en œuvre d'un procédé de commande du dispositif de la figure 4 ; la figure 13 illustre, en relation avec les figures 11 et 12, le deuxième mode de mise en œuvre d'un procédé de commande du dispositif de la figure 4 ; la figure 14 est une reproduction partielle de la figure 4 ; la figure 15 illustre, en relation avec la figure 14, un troisième mode de mise en œuvre d'un procédé de commande du dispositif de la figure 4 ; la figure 16 illustre, en relation avec les figures 14 et 15, le troisième mode de mise en œuvre d'un procédé de commande du dispositif de la figure 4 ; et la figure 17 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un capteur de lumière comprenant le dispositif de la figure 4. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Les figures 4, 5, 6 et 7 représentent de façon schématique un dispositif à couplage de charges 100 selon un mode de réalisation. La figure 4 est une vue schématique et de dessus d'une portion du dispositif 100, les figures 5, 6 et 7 sont des vues schématiques et en coupe selon les plans respectifs B-B, C-C et D-D de la figure 4. Selon un mode de réalisation, le dispositif 100 appartient à un capteur de lumière, de préférence un capteur d'images, le dispositif 100 constituant alors la zone de photoconversion du capteur. Le dispositif 100 comprend un substrat semiconducteur 101 (figures 5, 6 et 7), par exemple en silicium. Le dispositif 100 comprend un réseau d'électrodes isolées longitudinales 123 et d'électrodes isolées transversales 125. Les électrodes 123 et 125 pénètrent verticalement dans le substrat 101, à partir d'une face 102 du substrat 101 (face supérieure en figures 5, 6 et 7). Dans le mode de réalisation illustré, toutes les électrodes 123 et 125 pénètrent verticalement dans le substrat 101 jusqu'à une même profondeur. Les électrodes 123, 125 sont constituées chacune d'au moins un matériau électriquement conducteur, par exemple du silicium polycristallin dopé, pénétrant verticalement dans le substrat et étant isolé du substrat 101 par au moins une couche isolante 117, par exemple une couche d'oxyde de silicium 117. Plus particulièrement, les électrodes 123, 125 sont constituées chacune d'une tranchée pénétrant verticalement dans le substrat 101 et remplie du ou des matériaux électriquement conducteurs de l'électrode, les parois de la tranchée ayant préalablement été revêtues de la couche 117. Le réseau d'électrodes 123 et 125 comprend des rangées, ou lignes, 127 (figure 4) d'électrodes longitudinales 123 et transversales 125 alternées. Dit autrement, dans chaque rangée 127 d'électrodes 123, 125, pour chaque paire d'électrodes longitudinales 123 successives de la rangée 127, les deux électrodes longitudinales 123 sont séparées l'une de l'autre par une électrode transversale 125 de la rangée 127. De manière symétrique, pour chaque paire d'électrodes transversales 125 successives de la rangée 127, les deux électrodes transversales 125 sont séparées l'une de l'autre par une électrode longitudinale 123 de la rangée 127. Dans chaque rangée 127 d'électrodes 123, 125, les électrodes longitudinales 123 sont alignées les unes avec les autres. En outre, les électrodes longitudinales 123 sont parallèles aux rangées 127 et à une direction de transfert de charges dans le dispositif 100. Dans chaque rangée 127, les électrodes transversales 125 sont orthogonales aux électrodes longitudinales 123. Dans chaque rangée 127, chaque extrémité de chaque électrode longitudinale 123 est en regard d'une portion, de préférence centrale, d'une électrode transversale 125 adjacente de cette rangée 127. En outre, dans chaque rangée 127, chaque extrémité de chaque électrode longitudinale 123 est séparée de l'électrode transversale 125 adjacente par un espace e2 (figure 4). Comme cela se voit en figure 4, les électrodes 123, 125 forment, dans une direction orthogonale aux rangées 127, des colonnes 129 d'électrodes longitudinales 123 alternées avec des colonnes 131 d'électrodes transversales 125. Dans chaque colonne 131, les extrémités de deux électrodes 125 de deux rangées 127 adjacentes sont en regard l'une de l'autre, et sont séparées l'une de l'autre par un espace e3. Dans chaque colonne 129, les électrodes longitudinales 123 de deux rangées 127 adjacentes sont en vis-à-vis l'une de l'autre. Dans chaque colonne 131, les électrodes transversales 125 de la colonne 131 sont alignées entre elles. Le dispositif 100 comprend en outre des murs d'isolation électrique 126 pénétrant verticalement dans le substrat 101. Les murs 126 pénètrent dans le substrat 101 depuis la face 102 du substrat 101 (figures 5, 6 et 7). Les murs 126 pénètrent plus profondément dans le substrat 101 que les électrodes longitudinales 123. Dans le mode de réalisation illustré par les figures 4, 5, 6 et 7, les murs 126 traversent le substrat 101 sur toute son épaisseur. Dans des variantes non illustrées, les murs 126 pénètrent verticalement dans le substrat 101 sur une partie seulement de l'épaisseur de ce dernier. Les murs 126 sont parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales 123. Dit autrement, les murs 126 sont parallèles aux rangées 127, ou, dit encore autrement, à la direction de transfert des charges dans le dispositif 100. Au moins deux rangées 127 d'électrodes 123, 125 sont disposées entre chaque deux murs successifs 126. Les rangées 127 disposées entre deux murs 126 successifs sont adjacentes entre elles lorsqu'il n'y a que deux rangées 127 entre les deux murs 126 successifs, et sont adjacentes deux à deux lorsqu'il y a au moins trois rangées 127 entre les deux murs 126 successifs. Deux rangées 127 d'électrodes 123, 125 sont dites adjacentes si elles ne sont pas séparées l'une de l'autre par un mur 126. Dans l'exemple des figures 4, 5, 6 et 7, trois rangées 127 d'électrodes 123, 125 sont disposées entre chaque deux murs 126 successifs. Dans le mode de réalisation illustré, les murs 126 sont des murs conducteurs isolés. Dit autrement, les murs 126 sont constitués chacun d'au moins un matériau électriquement conducteur, par exemple du ou des mêmes matériaux conducteurs que les électrodes 123, 125, pénétrant verticalement dans le substrat 101 et étant isolé du substrat 101 par au moins une couche isolante 117, par exemple une couche 117 d'oxyde de silicium comme celle des électrodes 123, 125. Plus particulièrement, les murs 126 sont constitués chacun d'une tranchée pénétrant verticalement dans le substrat 101, plus profondément que les tranchées des électrodes longitudinales 123, remplie du ou des matériaux électriquement conducteurs du mur 126, les parois de la tranchée ayant été préalablement revêtues de la couche isolante 117. Entre deux murs successifs 126, deux rangées 127 adjacentes d'électrodes 123, 125 définissent une pluralité de zones de photoconversion successives du dispositif 100, les zones de photoconversion comprises entre deux rangées adjacentes 127 étant alignées dans la direction de transfert des charges. Dit autrement, entre deux rangées 127 adjacentes disposées entre deux murs successifs 126 sont définies des zones de photoconversion du dispositif 100. Le substrat 101 est dopé d'un premier type de conductivité, par exemple le type P (figures 5, 6 et 7). En outre, du côté de sa face 102 (figures 5, 6 et 7), entre chaque deux rangées 127 adjacentes, le substrat 101 comprend une région 300 dopée du deuxième type de conductivité, dans cet exemple le type N. La région 300 pénètre dans le substrat 101 jusqu'à une profondeur plus faible ou égale à la profondeur jusqu'à laquelle pénètrent les électrodes longitudinales 123. Dit autrement, du côté de la face 102 du substrat 101, par exemple depuis la face 102, la région 300 pénètre dans le substrat 101 jusqu'à une profondeur inférieure ou égale à la profondeur des électrodes longitudinales 123. Chaque région 300 de type N est en contact avec une portion sous-jacente du substrat 101 dopée de type P, avec laquelle elles forment des zones de photoconversion du dispositif 100. Entre chaque deux rangées 127 adjacentes d'électrodes 123, 125, la région 300 correspondante s'étend latéralement au moins sur toute la longueur des deux rangées 127 (figure 5), et au moins de l'une à l'autre des deux rangées 127 adjacentes (figure 7). Dit autrement, entre chaque deux rangées 127 adjacentes, la région 300 s'étend en longueur au moins sur toute la longueur des rangées 127, et en largeur au moins de l'une à l'autre de deux électrodes 123 adjacentes et en vis-à-vis d'une même colonne 129. Dit encore autrement, chaque région s'étend en largeur au moins sur un espace e4 entre deux électrodes 123 adjacentes et en vis-à-vis d'une même colonne 129. Selon le mode de réalisation illustré, entre chaque deux murs 126 successifs, les régions 300 correspondent à des portions d'un caisson dopé de type N pénétrant verticalement dans le substrat 101 (figures 5, 6 et 7). Le caisson s'étend en longueur sur au moins toute la longueur des rangées 127 disposées entre ces deux murs successifs 126. En outre, le caisson s'étend en largeur au moins depuis les électrodes 123 de la rangée 127 la plus proche d'un premier des deux murs 126 successifs, jusqu'aux électrodes 123 de la rangée 127 la plus proche de l'autre des deux murs 126 successifs. Entre chaque deux murs 126 successifs, le caisson est ainsi traversé par toutes les électrodes 123, 125 des rangées 127 disposées entre ces deux murs 126, une électrode 125 étant considérée comme traversant le caisson si au moins une portion de cette électrode 125 traverse le caisson. De préférence, comme cela est représenté en figures 6 et 7, entre chaque deux murs 126 successifs, le caisson ne s'étend pas en largeur de l'un à l'autre des deux murs 126. Dit autrement, les murs 126 ne sont pas en contact avec les régions 300, le substrat 101 étant alors dépourvu de région 300 de type N entre chaque mur 126 et les électrodes 123, 125 de chaque rangée adjacente à ce mur 126. Dit encore autrement, le substrat 101 comprend, entre chaque mur 126 et chaque rangée 127 adjacente à ce mur 126, une zone de type P séparant le caisson du mur 126, cette zone de type P s'étendant de préférence du mur 126 jusqu'aux électrodes 123 de la rangée 127. Une rangée 127 est dite adjacente à un mur 126, par exemple, si cette rangée 127 est celle qui est la plus proche du mur 126 parmi les rangées 127 qui sont disposées entre ce mur 126 et un mur 126 suivant. L'omission de zones 300 entre chaque mur 126 et la ou les rangées 127 d'électrodes 123, 125 adjacentes à ce mur 126 permet d'éviter que des charges photogénérées ne s'accumulent entre un mur 126 et les électrodes 123, 125 d'une rangée 127 adjacente à ce mur 126. De préférence, le substrat 101 comprend, en outre, une couche 500 dopée de type P s'étendant sous la face 102 du substrat 101 et recouvrant, du côté de cette face 102, les régions 300. Vue de dessus, la couche 500 s'étend sur toute la surface du réseau d'électrodes 123, 125, ou, dit autrement, en longueur sur toute la longueur des rangées 127 et en largeur sur toute la longueur des colonnes 129, 131. La couche 500 a une surface (la surface supérieure en figures 5, 6 et 7) confondue avec la face 102 du substrat 101. De préférence, la couche 500 est plus fortement dopée de type P que le substrat 101, c’est-à-dire plus fortement dopée de type P que la partie dopée de type P du substrat 101 qui est en contact avec les régions 300. La couche 500 sert de couche de passivation pour éviter que des charges photogénérées restent piégées dans des défauts de surface ou d'interface au niveau de la face 102 du substrat 101. En outre, la couche 500 peut également servir à appliquer un potentiel de polarisation au substrat 101 dopé de type P. Dans le dispositif 100, l'espace e3 (figure 4) est de préférence choisi de la même façon que l'espace e1 dans le capteur du brevet US N°8937341 décrit en relation avec les figures 1 et 2. A titre d'exemple, l'espace e3 est compris entre 0,2 et 0,6 µm, par exemple égal à 0,3 µm. Dans le dispositif 100, l'espace e2 (figure 4) est, par exemple, compris entre 0,1 et 0,5 µm, par exemple égal 0,2 µm. A titre d'exemple, l'espace e2 est de dimensions inférieures à celles l'espace e3. Dans le dispositif 100, l'espace e4 (figure 4) entre deux électrodes 123 en vis-à-vis de deux rangées 127 adjacentes est choisi pour que, lorsque les électrodes 123 sont convenablement polarisées comme cela sera décrit plus en détail dans la suite, un puits de potentiel se forme entre les électrodes 123, dans la région 300 entre ces électrodes 123, de façon à y accumuler des charges photogénérées, à savoir des électrons dans l'exemple décrit en relation avec les figures 4 à 7. A titre d'exemple, l'espace e4 est de l'ordre de 1 µm, par exemple égal à 1 µm. Dans le dispositif 100, la longueur e5 (figure 4) des électrodes 123 (mesurée dans une direction parallèle aux rangées 127) est par exemple comprise entre 2 et 10 µm, par exemple de l'ordre de 5 µm, par exemple égale à 5 µm. De préférence, les électrodes 123 sont plus longues que les électrodes 125. Dans le dispositif 100, l'espace e6 (figure 4) entre un mur 126 et une électrode 123 d'une rangée 127 adjacente à ce mur 126 est de l'ordre de 1 µm ou moins. Dans le dispositif 100, la longueur e7 (figure 4) des électrodes 125 (mesurée dans une direction parallèle à la direction des colonnes 131 et 129) est par exemple comprise entre 1,2 et 0,8 µm, par exemple de l'ordre de 0,8 µm, par exemple égale à 0,8 µm. A titre d'exemple, le substrat 101 a une épaisseur comprise entre 3 et 30 µm, par exemple une épaisseur de l'ordre de 20 µm, par exemple égale à 20 µm. L'épaisseur des régions 300 est par exemple comprise entre 1 et 5 µm, par exemple de l'ordre de 2 µm, par exemple égale à 2 µm. La couche 500 a une épaisseur par exemple comprise entre 100 et 500 nm, par exemple de l'ordre de 300 nm, par exemple égale à 300 nm. Dans le dispositif 100, les murs 126 délimitent latéralement, dans la direction des colonnes 129 et 131, des pixels Pix du dispositif 100, c’est-à-dire des pixels Pix du capteur de lumière ou d'images comprenant le dispositif 100. Dit autrement, le dispositif 100 comprend, entre chaque deux murs 126 successifs, une rangée 700 de pixels Pix successifs (figure 4). Dans l'exemple de la figure 4, trois rangées 700 de pixels Pix sont représentées, les rangées 700 en haut et en bas en figure 4 n'étant que partiellement représentées. Les pixels Pix sont délimités par des traits en pointillé. En figure 4, seul le pixel Pix disposé au centre de la figure est entièrement représenté, ses pixels Pix voisins n'étant que partiellement représentés. Dans la direction des colonnes 129, 131, les pixels Pix sont organisés en colonnes 701 de pixels Pix. Les pixels Pix de chaque colonne 701 sont délimités latéralement, dans la direction des rangées 127, 700, par les électrodes transversales 125 de deux colonnes 131 séparées l'une de l'autre par au moins une autre colonne 131 d'électrodes 125, par exemple par une seule autre colonne 131 d'électrodes 125 comme cela est illustré en figure 4. Comme cela se voit en figure 4, deux pixels Pix adjacents d'une même rangée 700 partagent les électrodes 125 de la colonne 131 séparant ces deux pixels Pix. Ainsi, chaque pixel Pix comprend, entre les deux murs 126 délimitant ce pixel Pix, les électrodes 125 des colonnes 131 délimitant ce pixel Pix et les électrodes 125 et 123 des colonnes respectivement 131 et 129 disposées entre les colonnes 131 délimitant le pixel Pix. Par exemple, en figure 4, chaque pixel Pix comprend les trois électrodes 125 d'une première colonne 131 délimitant ce pixel Pix d'un premier côté, les trois électrodes 125 d'une première colonne 131 délimitant ce pixel d'un deuxième côté opposé au premier côté, les trois électrodes 123 de chacune des colonnes 129 disposées entre les première et deuxième colonnes 131, et les trois électrodes 125 de la colonne 131 disposée entre les première et deuxième colonnes 131. En fonctionnement, lorsque les électrodes 123 et 125 sont polarisées de manière adaptée, chaque paire d'électrodes 123 en vis-à-vis de deux rangées 127 adjacentes définit un puits de potentiel entre ces électrodes 123, et plus particulièrement dans la région 300 entre ces électrodes 123. Dans l'exemple de la figure 4, chaque pixel Pix comprend quatre puits de potentiel. Par rapport aux pixels décrits en relation avec les figures 1 à 3, les pixels Pix du dispositif 100 ont une surface plus importante. Dans l'exemple de la figure 4, chaque pixel Pix correspond à environ 4 pixels du brevet US N°8937341. Pour augmenter la surface des pixels du brevet US N°8937341, on aurait pu penser augmenter l'espace entre les rangées 27 et augmenter la longueur des barres longitudinales 13 des électrodes. Toutefois, le contrôle du puits de potentiel entre les barres 13 de deux électrodes 17 en vis-à-vis aurait alors nécessité d'appliquer aux électrodes 123, 125 des potentiels ayant des valeurs plus élevées, ce qui aurait conduit à une augmentation de la puissance électrique consommée par le dispositif. Cela n'est pas nécessaire dans le dispositif 100, où l'écart entre deux électrodes 123 en vis-à-vis est par exemple sensiblement le même qu'entre deux barres 13 en vis-à-vis du dispositif du brevet US N°8937341. Dans le dispositif du brevet US N°8937341, on aurait également pu penser réunir plusieurs pixels adjacents pour former un pixel plus gros. Toutefois, des charges photogénérées auraient pu fuiter entre des pixels de rangées adjacentes. Dans le dispositif 100, cette fuite de charges photogénérées entre des pixels Pix de rangées 700 adjacentes est réduite, voire supprimée, par la prévision du mur 126 séparant les rangées 700 de pixels Pix les unes des autres. Dans un dispositif du type de celui du brevet US N°8937341 où plusieurs pixels adjacents auraient été réunis pour former un pixel plus gros, on aurait pu prévoir des électrodes isolées 11 pénétrant dans le substrat jusqu'à la même profondeur que les murs 126 du dispositif 100, de manière à limiter les fuites de charges entre des rangées voisines de pixels. Toutefois, cela aurait conduit à des électrodes 11 plus profondes que les électrodes 123 du dispositif 100, donc à des électrodes 11 ayant des valeurs de capacité plus élevées que celles des électrodes 123 du dispositif 100. Or, des valeurs de capacités plus élevées ont pour conséquence que la puissance consommée pour polariser ces capacités est elle aussi plus élevée, ce qui n'est pas souhaitable. En fonctionnement, le substrat 101 de type P est mis à un potentiel de référence, par exemple la masse, ce potentiel de référence étant par exemple appliqué à la couche 500 du substrat 101. Ainsi, les charges photogénérées qui ne sont pas destinées à être accumulées dans les pixels Pix et qui ne sont pas destinées à être transférées entre ces pixels Pix sont évacuées vers ce potentiel de référence. Dans l'exemple illustré par les figures 4 à 7, les charges photogénérées utiles sont les électrons, et les trous photogénérés sont évacués vers le potentiel de référence appliqué au substrat 101. En outre, de préférence, un potentiel négatif ou nul est appliqué aux murs conducteurs isolés 126, de sorte que des trous s'accumulent le long des parois des murs 126. Il en résulte une diminution du courant d'obscurité par rapport au cas où les murs conducteurs isolés 126 seraient polarisés à un potentiel positif. Dans chaque rangée 127 du dispositif 100, une électrode longitudinale 123 sur deux reçoit un signal de commande A, les autres électrodes longitudinales 123 de la rangée 127 recevant un signal de commande B. Dans chaque pixel Pix, les électrodes 123 d'une même colonne 129 sont reliées électriquement entre elles, et les électrodes 125 d'une même colonne 131 sont reliées électriquement entre elles. Dans la suite de la description, une électrode longitudinale 123 est dite "couplée" à une électrode transversale 125 quand le même signal de commande est appliqué à ces deux électrodes 123 et 125. Comme cela va être décrit plus en détail ci-dessous, pour obtenir un transfert vers la droite, chaque électrode longitudinale 123 est couplée à l'électrode transversale 125 adjacente disposée à sa gauche, c’est-à-dire en amont par rapport au sens de transfert des charges. Pour obtenir un transfert de charges vers la gauche, chaque électrode longitudinale 123 est couplée à l'électrode transversale 125 adjacente disposée à sa droite, c’est-à-dire, là aussi, en amont par rapport au sens de transfert des charges. Un transfert de charges entre deux puits de potentiel adjacents et successifs dans le sens de transfert des charges est alors assuré par des commutations successives, entre des états haut H et bas L, en deux phases, des signaux de commande A et B appliqués aux électrodes 123 et 125. Un puits de potentiel entre deux électrodes 123 en vis-à-vis est plus profond lorsque le signal de commande A ou B appliqué à ces électrodes 123 est au niveau haut H, que lorsqu'il est au niveau bas L. A l'inverse, une barrière de potentiel dans l'espace e3 entre les extrémités en vis-à-vis de deux électrodes 125 adjacentes est plus haute, ou importante, lorsque le signal de commande A ou B appliqué à ces deux électrodes 125 est au niveau bas L, que lorsqu'il est au niveau haut H. En outre, les niveaux H et L et l'espace e3 sont choisis de sorte que, lorsque le signal de commande A ou B appliqué à deux électrodes 125 ayant leurs extrémités en vis-à-vis est au niveau haut H, la barrière de potentiel dans l'espace e3 entre ces électrodes est à un niveau intermédiaire entre le niveau d'un puits de potentiel profond entre deux électrodes 123 en vis-à-vis recevant un signal de commande A ou B à l'état H, et le niveau d'un puits de potentiel moins profond entre deux électrodes 123 en vis-à-vis recevant un signal de commande A ou B à l'état L. De plus, les niveaux H et L et l'espace e3 sont choisis de sorte que, lorsque le signal de commande A ou B appliqué à deux électrodes 125 ayant leurs extrémités en vis-à-vis est au niveau bas L, la barrière de potentiel dans l'espace e3 entre ces électrodes est suffisamment haute pour bloquer un passage de charges, via l'espace e3, entre deux puits de potentiel adjacents et successifs dans le sens de transfert des charges. Les figures 8, 9 et 10 illustrent un mode de commande du dispositif 100 lors d'une étape d'acquisition de lumière (ou d'image) et lors des deux phases d'un transfert de charges vers la droite (flèche 119 en figure 8), entre deux puits de potentiel successifs et adjacents disposés entre deux rangées 127 adjacentes. La figure 8 est une vue de dessus représentant partiellement ces deux rangées 127 adjacentes, la figure 9 illustre comment les signaux de commande A et B sont appliqués aux électrodes 123 et 125 de ces rangées 127, et la figure 10 représente de façon schématique, à des instants successifs t1 et t1+T, les puits et barrières de potentiel entre les électrodes respectivement 123 et 125 de ces deux rangées 127 adjacentes. Dans ce cas où le transfert des charges s'effectue vers la droite (flèche 119), chaque électrode longitudinale 123 est couplée à l'électrode transversale 125 située à sa gauche, c’est-à-dire en amont de l'électrode 123 par rapport au sens de transfert des charges. Les couplages entre les électrodes longitudinales 123 et transversales 125 sont représentés par des traits en pointillé 137 en figure 9. A un instant t1 correspondant à la fin d'une étape d'acquisition de lumière ou d'image, le signal de commande A est à l'état bas L, par exemple à un potentiel négatif ou nul, par exemple compris entre 0 V et -2 V, par exemple de l'ordre de -1 V, et le signal de commande B est à l'état haut H, par exemple à un potentiel positif, par exemple compris entre 2 V et 5 V, par exemple de l'ordre de 3 V. A titre d'exemple, le niveau bas L des signaux A et B correspond à un potentiel négatif ou nul, par exemple compris entre 0 V et -2 V, par exemple de l'ordre de -1 V. Le niveau haut H des signaux A et B correspond par exemple à un potentiel positif, par exemple compris entre 2 V et 5 V, par exemple de l'ordre de 3 V. Comme cela se voit sur la figure 10, les électrons issus de la photoconversion (représentés par les zones hachurées de la figure 10) sont stockés dans les puits de potentiel entre les électrodes longitudinales 123 en vis-à-vis recevant le signal B à l'état haut H. A un instant t1 + T, T étant la période d'horloge de pilotage du transfert des charges, on commute les niveaux des signaux de commande A et B ce qui entraîne le décalage, en synchronisme, des paquets d'électrons vers la droite. A un instant t1 + 2T (non représenté), on commute de nouveau les niveaux des signaux de commande A et B ce qui entraîne le décalage, en synchronisme, des paquets d'électrons vers la droite. Dans l'exemple de la figure 4 où chaque pixel Pix comprend, entre les deux murs 126 qui le délimitent, les électrodes 123 de deux colonnes 129 successives, les électrons photogénérés accumulés dans un pixel Pix à l'instant t1 ont été décalés, à l'instant t1+2T, dans le pixel Pix adjacent de droite. Les figures 11, 12 et 13 illustrent un autre mode de commande du dispositif 100 lors d'une étape d'acquisition de lumière ou d'image et lors des deux phases d'un transfert de charges vers la gauche (flèche 135 en figure 11), entre deux puits de potentiel successifs et adjacents disposés entre deux rangées 127 adjacentes. La figure 11 est une vue de dessus représentant partiellement ces deux rangées 127 adjacentes, la figure 12 illustre comment les signaux de commande A et B sont appliqués aux électrodes 123 et 125 de ces rangées 127, et la figure 13 représente de façon schématique, à des instants successifs t2 et t2+T, les puits et barrières de potentiel entre les électrodes respectivement 123 et 125 de ces deux rangées 127 adjacentes. Dans ce cas où le transfert des charges s'effectue vers la gauche (flèche 135 en figure 11), chaque électrode longitudinale 123 est couplée à l'électrode transversale 125 située à sa droite. Les couplages entre les électrodes longitudinales 123 et transversales 125 sont représentés par des traits pointillés 137 en figure 12. A un instant t2 correspondant à la fin d'une étape d'acquisition de lumière ou d'image, le signal de commande A est à l'état bas L, le signal de commande B est à l'état haut H, et les électrons photogénérés sont stockés dans les puits de potentiel entre les électrodes longitudinales 123 en vis-à-vis recevant le signal B à l'état haut H. A un instant t2 + T, on commute les niveaux des signaux de commande respectifs A et B, ce qui entraîne le décalage, en synchronisme, des paquets d'électrons vers la gauche. A un instant t2 + 2T (non représenté), on commute les niveaux des signaux de commande respectifs A et B, ce qui entraîne le décalage, en synchronisme, des paquets d'électrons vers la gauche. Dans l'exemple de la figure 4 où chaque pixel Pix comprend, entre les deux murs 126 qui le délimitent, les électrodes 123 de deux colonnes 129 successives, les électrons photogénérés accumulés dans un pixel Pix à l'instant t2 ont été décalés, à l'instant t2+2T, dans le pixel Pix adjacent de gauche. Un avantage du dispositif 100, en particulier par rapport au dispositif du brevet US N°8937341, est qu'il permet un transfert de charges dans un premier sens 119 (figure 8) et dans un deuxième sens 135 (figure 11) opposé au premier sens. Les figures 14, 15 et 16 illustrent une variante de commande du dispositif 100, lors d'une étape d'acquisition de lumière (ou d'image) et lors des deux phases d'un transfert de charges vers la droite (flèche 119 en figure 14), entre deux puits de potentiel successifs et adjacents disposés entre deux rangées 127 adjacentes. Les figures 14 et 15 correspondent aux figures 9 et 10, et la figure 16 représente, de façon schématique, les puits et barrières de potentiel entre les électrodes respectivement 123 et 125 de ces deux rangées 127 adjacentes, à des instants successifs t3, t3 + αT, t3 + T, t3 + T + αT et t3 + 2T, avec α strictement inférieur 1 et strictement supérieur à 0, de préférence supérieur à 0,5 et encore plus préférentiellement supérieur à 0,75. Dans cet exemple où le transfert des charges s'effectue vers la droite, chaque électrode longitudinale 123 est couplée à l'électrode transversale 125 adjacente située à sa gauche, comme l'illustrent les traits en pointillé 137 de la figure 15. A un instant t3 correspondant à la fin d'une étape d'acquisition de lumière ou d'une image, les deux signaux de commande A et B sont à l'état bas L. Les électrons issus de la photoconversion sont stockés dans les puits de potentiel entre les électrodes longitudinales 123. A un instant t3 + αT, on commute uniquement le signal de commande B qui passe à l'état haut H. Il en résulte que les électrons stockés dans les puits de potentiel entre des électrodes longitudinales 123 recevant le signal A à l'état bas L sont décalés, en synchronisme, vers la droite, dans les puits de potentiels entre les électrodes longitudinales recevant le signal B à l'état haut H. A un instant t3 + T correspondant à la fin de la première phase du transfert et au début de la deuxième phase du transfert, on commute uniquement le signal de commande B, et les électrons restent stockés dans les puits potentiels entre les électrodes longitudinales recevant le signal B à l'état bas L. A un instant t3 + T + αT, on commute uniquement le signal de commande A qui passe à l'état haut H. Il en résulte que les électrons stockés dans les puits de potentiel entre des électrodes longitudinales 123 recevant le signal B à l'état bas L sont décalés, en synchronisme, vers la droite, dans les puits de potentiels entre les électrodes longitudinales recevant le signal A à l'état haut H. A un instant t3 + 2T correspondant à la fin du transfert, on commute uniquement le signal de commande A. Les paquets d'électrons restent stockés dans les puits potentiel entre les électrodes longitudinales recevant le signal A. Dans l'exemple de la figure 4 où chaque pixel Pix comprend, entre les deux murs 126 qui le délimitent, les électrodes 123 de deux colonnes 129 successives, les électrons photogénérés accumulés dans un pixel Pix à l'instant t3 ont été décalés, à l'instant t3 + 2T, dans le pixel Pix adjacent de droite. Dans les modes de commande décrits en relation avec les figures 8 à 10, 11 à 13 et 14 à 16, un transfert de charges en deux phases a une durée 2T. Toutefois, dans le mode de commande des figures 14 à 15, pendant la durée 2T d'un transfert de charges en deux phases, chacun des signaux A et B est à l'état haut pendant une durée (1-α)*T, et est à l'état bas pendant une durée (1+α)*T. En revanche, dans les modes de commande des figures 8 à 10 et 11 à 13, pendant la durée 2T d'un transfert en deux phases, chacun des signaux de commandes A et B est à l'état bas pendant une durée T, plus courte qu'une durée (1+α)*T. Lorsqu'une électrode 123 ou 125 reçoit un signal de commande l'état bas correspondant à un niveau de potentiel négatif ou nul, des trous s'accumulent le long des parois de cette électrode, d'où il résulte une diminution du courant d'obscurité par rapport au cas où l'électrode reçoit un signal de commande à l'état haut correspondant à un niveau de potentiel positif. Ainsi, le mode de commande des figures 14 à 16 permet de diminuer le courant d'obscurité dans le capteur par rapport aux modes de commande des figures 5 à 8 et 9 à 11. Bien que l'on ait décrit en relation avec les figures 14 à 16 une variante de commande du capteur dans le cas d'un transfert de charges vers la droite (flèche 119), la personne du métier est en mesure d'adapter cette variante de commande au cas d'un transfert vers la gauche (flèche 135, figure 11), en couplant chaque électrode longitudinale 123 à l'électrode transversale 125 adjacente située à sa droite. Dans les modes de commande et variantes décrits ci-dessus en relation avec les figures 8 à 10, 11 à 13 et 14 à 16, deux électrodes couplées reçoivent le même signal de commande A ou B. Selon une variante de commande, les potentiels haut et/ou bas appliqués à une électrode transversale 125 peuvent être différents des potentiels, haut et/ou bas respectivement, appliqués à l'électrode longitudinale 123 à laquelle elle est couplée. Cela permet avantageusement d'adapter, pour l'étape d'acquisition et/ou pour chacune des deux étapes du transfert, la hauteur des barrières de potentiel par rapport à la profondeur des puits de potentiel adjacents. Cela n'est pas possible dans le capteur des figures 1 et 2 où un même potentiel est appliqué aux barres transversale et longitudinale d'une même électrode 11. Selon une autre variante de commande, compatible avec la variante de commande décrite ci-dessus, le signal A ou B reçu par une électrode transversale 125 est en avance de phase par rapport au signal, respectivement A ou B, reçu par l'électrode longitudinale 123 à laquelle elle est couplée. Les commutations vers l'état haut ou bas du signal de commande A ou B reçu par une électrode transversale 125 interviennent donc avant les commutations correspondantes du signal de commande, respectivement A ou B, reçu par l'électrode longitudinale 123 à laquelle l'électrode transversale 125 est couplée. Ainsi, la hauteur de la barrière de potentiel entre deux puits de potentiel successifs d'une rangée 127 est modifiée avant la profondeur de l'un et/ou l'autre de ces deux puits, d'où il résulte un meilleur contrôle du transfert de charges. En particulier, cela permet d'éviter des transferts de charges non souhaités vers la gauche ou vers la droite lors d'un décalage de charges vers la droite ou vers la gauche, respectivement. Dans les deux variantes de commande décrites ci-dessus, une électrode longitudinale 123 est dite "couplée" à une électrode transversale 125 quand ces électrodes reçoivent des signaux de commande similaires, c’est-à-dire des signaux ayant des états hauts H correspondant à des potentiels différents et/ou des états bas L correspondant à des potentiels différents, et/ou un signal de commande de l'électrode 125 en avance sur le signal de commande de l'électrode 123. En outre, comme dans le capteur des figures 1 et 2, pendant l'étape d'acquisition, tout autre mode de polarisation des électrodes 123 et 125 est envisageable par rapport aux modes de commande décrits à titre d'exemple en relation avec les figures 8 à 10, 11 à 13 et 14 à 16. On a décrit jusqu'ici des modes de commande dans lesquels des phases d'acquisition alternent avec des phases de lecture dont chacune consiste à décaler tous les paquets d'électrons photogénérés stockés dans les rangées 700 (figure 4) de pixels Pix jusqu'aux extrémités de ces rangées 700 pour y être lus. Dans ce cas, lors des phases de lecture du capteur, les zones photosensibles du capteur sont par exemple masquées, par exemple par un obturateur. A titre de variante, un capteur du type de celui des figures 4 à 7 est commandé à la façon d'un capteur à accumulation avec retard ou capteur TDI de l'anglais "Time Delay Integration". Les transferts des paquets d'électrons entre des pixels adjacents sont alors synchronisés sur la vitesse de déplacement de l'objet dont on souhaite obtenir l'image. Dans ce cas, une phase d'acquisition d'image est par exemple effectuée après chaque transfert de charges entre deux pixels adjacents et les images acquises se superposent. Le capteur peut alors ne pas être masqué pendant les phases de transfert. Un capteur TDI est par exemple utilisé pour capturer une image d'un objet spatial tel qu'une comète ou une planète dont la vitesse de déplacement est connue et sensiblement constante. Dans le mode de réalisation du dispositif 100 décrit en relation avec les figures 4 à 7, les électrodes 125 et les électrodes 123 pénètrent dans le substrat 101 sur une même profondeur. Selon une variante de réalisation, les électrodes 125 délimitant latéralement les pixels Pix du dispositif 100, dans la direction des rangées, pénètrent dans le substrat 101 plus profondément que les électrodes 123. De préférence, ces électrodes 125 plus profondes que les électrodes 123 pénètrent dans le substrat 101 jusqu'à la même profondeur que les murs 126, ce qui permet de pouvoir réaliser simultanément les tranchées de ces électrodes 125 et des murs 126. La prévision d'électrodes 125 plus profondes pour délimiter latéralement les pixels Pix permet de limiter des fuites de charges entre des pixels Pix adjacents d'une même rangée 700 (figure 4). Selon une autre variante de réalisation, les électrodes 125 internes d'un pixel Pix, c’est-à-dire les électrodes 125 qui appartiennent à une ou des colonnes 131 disposées entre les deux colonnes 131 comprenant les électrodes 125 délimitant latéralement le pixel Pix, ou, dit autrement, les électrodes 125 du pixel Pix qui ne délimitent pas latéralement ce pixel Pix dans la direction des rangées 127, pénètrent dans le substrat 101 plus profondément que les électrodes 123. De préférence, les électrodes internes 125 plus profondes que les électrodes 123 pénètrent dans le substrat jusqu'à la même profondeur que les murs 126. La prévision de ces électrodes 125 plus profondes que les électrodes 123 permet de limiter des fuites de charges entre des puits de potentiel adjacents, dans la direction des rangées 127, du pixel Pix. Les deux variantes de réalisation ci-dessus peuvent être combinées, toutes les électrodes 125 pénétrant alors plus profondément dans le substrat 101 que les électrodes 123. Dans les modes de réalisation et variantes décrits précédemment en relation avec les figures 4 à 16, les murs 126 sont des murs conducteurs isolés. Dans une variante de réalisation non illustrée, ces murs 126 peuvent être des murs électriquement isolants, constitués d'un ou plusieurs matériaux électriquement isolants. De préférence, dans une telle variante, une couche mince, par exemple d'épaisseur comprise entre 5 et 30 nm, et dopée de type P recouvre chaque mur 126, c’est-à-dire les parois du mur 126 qui sont en contact avec le substrat 101, de manière à réduire le courant d'obscurité. Par ailleurs, dans le dispositif 100, afin de favoriser l'accumulation des électrons photogénérés vers les régions 300 de type N, la portion dopée de type P du substrat 101 qui est disposée sous et en contact avec chacune de ces régions 300 peut présenter une variation de son niveau de dopage en se rapprochant de la région 300. La figure 17 représente, de manière schématique et en coupe, un capteur de lumière ou d'images comprenant le dispositif 100, selon un mode de réalisation dans lequel le capteur est du type à éclairement par la face avant. La vue de la figure 17 correspond par exemple à une vue en coupe selon le plan DD de la figure 4. Dans cet exemple, le dispositif 100 comprend trois rangées de pixels Pix. Le capteur comprend le dispositif 100. La face avant 102 du substrat 101 du dispositif 100, la face supérieure en figure 17, est revêtue d'un réseau, ou structure, d'interconnexion 430. Le réseau d'interconnexion 430 comprend des niveaux de métallisation comportant chacun des portions de couches métalliques, les niveaux de métallisation étant séparés les uns des autres par couches isolantes et reliés entre eux par des vias conducteurs traversant les couches isolantes. Les électrodes 123 et 125 du dispositif 100 dont seules les électrodes 123 sont visibles en figure 17, pénètrent dans le substrat 101 depuis la face 102 de celui-ci. Divers composants tels que des transistors 450 sont également formés dans et/ou sur le substrat 101, du côté de sa face 102. Au-dessus des pixels Pix, le réseau d'interconnexion 430 est dépourvu de portions de couches métalliques et de vias conducteurs et la lumière 470 reçue du côté de la face avant atteint les pixels Pix sans être réfléchie par des éléments métalliques. La prévision de zones dépourvues de portions de couches métalliques et de vias dans le réseau d'interconnexion 430 peut poser problème pour la réalisation de ce réseau. En outre, une partie de la lumière 470 reçue par le capteur peut être absorbée par le réseau d'interconnexion 430 ce qui diminue l'efficacité du capteur. Ainsi, dans une variante de réalisation non illustrée, on prévoit qu'un capteur comprenant le dispositif 100 reçoive la lumière 470 du côté d'une face 103 du substrat 101 opposée à la face 102, c’est-à-dire du côté de la face arrière du substrat 101. Un tel capteur, dit à éclairement par la face arrière, comprend les mêmes éléments que le capteur de la figure 17 à la différence que le réseau d'interconnexion 430 peut comprendre des portions de couches métalliques et des vias conducteurs en regard des pixels Pix du capteur, ce qui simplifie la réalisation du réseau 430. De manière avantageuse, lorsque de la lumière 470 est reçue du côté de la face arrière 103 du capteur, elle ne traverse pas le réseau d'interconnexion 430 d'où il résulte une meilleure efficacité du capteur. De préférence, le réseau d'interconnexion 430 comprend, en regard de toute la surface occupée par les pixels Pix du capteur, une couche métallique, de préférence dans le niveau de métallisation le plus proche du substrat 101. Ainsi, lorsque de la lumière 470 reçue du côté de la face arrière 103 du substrat 101 atteint un pixel Pix du capteur et traverse la portion du substrat 101 correspondant à ce pixel Pix, elle est réfléchie par cette couche métallique vers ce pixel Pix, d'où il résulte une meilleure efficacité du capteur. Les divers modes de réalisation et variantes du dispositif 100 décrits ci-dessus bénéficient des avantages de petite surface, de simplicité de fabrication et de commande, de rapidité de transfert, etc., du capteur décrit dans le brevet US N°8937341. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à la personne du métier. En particulier, le dispositif 100 à transfert de charges à deux phases décrit ci-dessus peut être utilisé autrement que comme capteur d'images, par exemple comme registre à décalage bidirectionnel. Les types de conductivité décrits ci-dessus en relation avec les figures 4 à 17 peuvent tous être inversés, les niveaux des signaux de commande étant alors adaptés par la personne du métier pour que les charges accumulées et transférées soient des trous plutôt que des électrons. Les différents matériaux indiqués précédemment peuvent être modifiés par la personne du métier. La couche isolante 117 peut être constituée d'un ensemble comprenant plusieurs couches isolantes superposées, par exemple des couches de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium, cette couche 117 pouvant de plus être en des matériaux isolants différents selon qu'elle appartienne à une électrode 123, une électrode 125 ou un mur conducteur isolé 126. Le substrat 101, ou au moins des portions de ce substrat 101, peuvent être en des matériaux semiconducteurs autres que du silicium, par exemple en germanium ou en silicium-germanium. De plus, bien que l'on ait représenté en figure 4 un exemple de dispositif 100 dans lequel chaque pixel Pix comprend, entre deux murs 126 successifs, les électrodes 125 de trois colonnes 131 successives alternées avec les électrodes 123 de deux colonnes 129 successives, la personne du métier est en mesure d'adapter ce nombre de colonnes 131 et/ou 129. De manière similaire, la personne du métier est en mesure de modifier le nombre de rangées 127 d'électrodes 123, 125 entre chaque deux murs 126 successifs, dès lors qu'il y a au moins deux rangées 127, de préférence au moins trois rangées 127. En outre, la personne du métier est en mesure d'adapter le dispositif 100 au cas où, entre deux murs successifs 126, chaque pixel Pix comprend un nombre d'électrodes 123 et 125 différent du nombre d'électrodes 123 et 125 de chaque pixel Pix compris entre deux autres murs successifs, et/ou au cas où les électrodes 125 d'une même colonne ne sont alignées entre elles qu'entre chaque deux murs 126 successifs. Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que la personne du métier pourra combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Dispositif (100) à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées (123, 125) pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur (101), le réseau comprenant des rangées (127) d'électrodes longitudinales (123) et transversales (125) alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale (123) d'une rangée (127) étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale (125) adjacente de ladite rangée (127) ; et des murs (126) d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales (123), les murs (126) pénétrant verticalement dans le substrat (101) plus profondément que les électrodes longitudinales (123) et au moins deux rangées (127) adjacentes d'électrodes (123, 125) étant disposées entre chaque deux murs (126) successifs. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel, les électrodes (123, 125) du réseau forment des colonnes (129) d'électrodes longitudinales (123) alternées avec des colonnes (131) d'électrodes transversales (125), lesdites colonnes (129, 131) étant orthogonales aux rangées (127), de préférence dans chaque colonne (131) d'électrodes transversales (125), les électrodes transversales (125) de la colonne (131) sont alignées entre elles et, dans chaque colonne (129) d'électrodes longitudinales (125), les électrodes longitudinales (125) de la colonne (129) sont parallèles entre elles. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel, entre chaque deux murs (126) successifs, les électrodes (123, 125) desdites au moins deux rangées (127) appartenant à une même colonne (129, 131) sont reliées électriquement entre elles. Dispositif selon la revendication 2 ou 3, dans lequel deux murs successifs (126) délimitent latéralement des pixels (Pix) d'une rangée (700) de pixels (Pix), de préférence le dispositif (100) comprenant plusieurs rangées (700) de pixels (Pix). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel deux colonnes (131) d'électrodes transversales (125) séparées l'une de l'autre par au moins une autre colonne (131) d'électrodes transversales (125) délimitent latéralement des pixels (Pix) d'une même colonne (701) de pixels (Pix), de préférence le dispositif (100) comprenant plusieurs colonnes (701) de pixels (Pix). Dispositif selon la revendication 5, dans lequel les électrodes transversales (125) délimitant latéralement des pixels (Pix) pénètrent dans le substrat sur une même profondeur que lesdits murs (126). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat (101) est dopé d'un premier type de conductivité, et comprend, entre chaque deux murs successifs, un caisson dopé d'un deuxième type de conductivité pénétrant moins profondément dans le substrat (101) que les électrodes longitudinales (123). Dispositif selon la revendication 7, dans lequel, entre chaque deux murs successifs : le caisson s'étend en largeur au moins depuis les électrodes longitudinales (123) de celle desdites au moins deux rangées (127) qui est la plus proche d'un premier des deux murs (126) successifs jusqu'à au moins les électrodes longitudinales (123) de celle desdites au moins deux rangées(127) qui est la plus proche d'un deuxième des deux murs (126) successifs ; et le caisson dopé du deuxième type de conductivité s'étend en longueur au moins sur toute la longueur desdites au moins deux rangées (127). Dispositif selon la revendication 7 ou 8, dans lequel le substrat (101) comprend une couche (500) dopée du premier type de conductivité recouvrant chaque caisson dopé du deuxième type de conductivité, de préférence ladite couche (500) étant plus fortement dopée du premier type de conductivité que le substrat (101), de préférence ladite couche (500) dopée du premier type de conductivité s'étendant, entre chaque deux murs successifs, de l'un à l'autre desdits deux murs successifs (126) et d'une extrémité à une autre de chacun desdits deux murs successifs (126). Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel lesdits murs (126) sont des murs conducteurs isolés. Capteur de lumière comprenant le dispositif (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, et une structure d'interconnexion (430) reposant sur une face avant (102) du substrat (101) à partir de laquelle les électrodes (123, 125) et les murs (126) pénètrent dans le substrat (101), le capteur étant configuré pour recevoir de la lumière du côté de la face avant (102) du substrat (101) ou du côté d'une face arrière (103) du substrat (101) opposée à la face avant (102). Procédé de transfert de charges en deux phases dans un dispositif (100) selon la revendication 3, dans lequel : lors d'un transfert de charges dans un sens (119, 135) donné, chaque électrode longitudinale (123) de chaque rangée (127) est reliée électriquement à l'électrode transversale (125) adjacente de ladite rangée (127) qui est disposée en amont de ladite électrode longitudinale (123) par rapport au sens (119, 135) de transfert ; et dans une rangée (127) d'électrodes, un premier signal (B) de décalage est appliqué à une électrode longitudinale (123) sur deux, et un second signal (A) de décalage est appliqué aux autres électrodes longitudinales (123). Procédé selon la revendication 12, dans lequel : lors d'une première des deux phases du transfert, le premier signal (B) est à un état haut (H) et le deuxième signal (A) est à un état bas (L) ; et lors de la deuxième des deux phases du transfert, le premier signal (B) est commuté à l'état bas (L) et le deuxième signal (A) est commuté à l'état haut (H). Procédé selon la revendication 12, dans lequel : lors d'une première des deux phases du transfert, les premier et deuxième signaux (A, B) sont à l'état bas (L) pendant une partie de la première phase, et le premier signal (B) est mis à l'état haut (H) pendant l'autre partie de la première phase ; et lors de la deuxième des deux phases du transfert, les premier et deuxième signaux (A, B) sont à l'état bas (L) pendant une partie de la deuxième phase, et le deuxième signal (A) est mis à l'état haut (H) pendant l'autre partie de la deuxième phase. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans lequel le signal (A, B) reçu par chaque électrode transversale (125) est en avance de phase sur le signal (A, B) reçu par l'électrode longitudinale (123) à laquelle l'électrode transversale (125) est reliée électriquement.