FR 3105581 A1 20210625 FR 1914885 A 20191219 Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9 Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne de façon générale les composants électroniques et plus particulièrement les photodiodes comprenant une zone mémoire. Les photodiodes sont des composants semiconducteurs comprenant chacune une jonction PN. Les photodiodes ont la capacité de détecter un rayonnement lumineux, par exemple du domaine optique, et de le transformer en signal électrique. Les capteurs d'images sont des dispositifs électroniques comprenant chacun une pluralité de photodiodes. Les photodiodes permettent au dispositif d'obtenir une image d'une scène à un instant donné. L'image est constituée d'une matrice de pixels, l'information de chaque pixel étant obtenue par une ou plusieurs photodiodes. Par exemple, cette information correspond généralement à une quantité d'électrons obtenue par une photodiode à un instant donné, cette quantité d'électrons étant convertie par le capteur d'image en niveaux de couleurs (rouge, vert ou bleu) ou en niveaux de gris. Durant une première étape de fonctionnement au cours de laquelle une photodiode reçoit des rayonnements d'une scène, la photodiode peut, par exemple, stocker les électrons obtenus dans des zones mémoire, c'est-à-dire des zones de stockage d'électrons. Durant une seconde étape de fonctionnement, la quantité d'électrons située dans les zones mémoire est lue. Cette valeur est alors représentative de la quantité de rayonnement reçue de la scène. Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des photodiodes comprenant une zone mémoire connus. Un mode de réalisation prévoit une photodiode comprenant au moins une zone mémoire, chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage, les régions de stockage de charges étant reliées par des première et deuxième ouvertures. Selon un mode de réalisation, la première ouverture est recouverte au moins partiellement par un plot de connexion. Selon un mode de réalisation, la deuxième ouverture n'est pas recouverte par le plot de connexion. Selon un mode de réalisation, le plot de connexion est un plot de lecture d'une valeur représentative de la quantité de charge dans la zone mémoire. Selon un mode de réalisation, la deuxième ouverture se situe au plus près du plot sans être située sous le plot. Selon un mode de réalisation, les directions principales des régions de stockage d'une même zone mémoire sont parallèles. Selon un mode de réalisation, les régions de stockage sont au moins partiellement entourées de premiers murs conducteurs isolés. Selon un mode de réalisation, chaque mur conducteur isolé comprend un coeur conducteur configuré pour recevoir, durant le fonctionnement de la photodiode, une tension négative, le coeur isolant au moins partiellement entouré d'une gaine isolante. Selon un mode de réalisation, les première et deuxième ouvertures sont séparées par une portion de deuxième mur conducteur isolé. Selon un mode de réalisation, les premiers murs conducteurs isolés comprennent des portions situées de part et d'autre de la deuxième ouverture et s'étendant vers la deuxième ouverture. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé d'utilisation d'une photodiode telle que décrite précédemment, comprenant une première étape durant laquelle des électrons sont générés et sont stockés dans la ou les zones mémoire et une deuxième étape de lecture de la quantité d'électrons dans la ou les zones mémoire. Selon un mode de réalisation, la portion reçoit une tension négative durant la première étape. Selon un mode de réalisation, la tension reçue par la portion atteint une valeur positive durant la deuxième étape. Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente un mode de réalisation d'une photodiode ; la figure 2 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode ; la figure 3 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode ; la figure 4 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode ; la figure 5 représente le potentiel électrostatique sur le chemin des électrons dans le mode de réalisation de la figure 1 ; la figure 6 représente le potentiel électrostatique dans une partie d'un des modes de réalisation des figures 1 à 4 ; la figure 7 représente le potentiel électrostatique dans une partie d'un des modes de réalisation des figures 1 à 4 ; la figure 8 représente le potentiel électrostatique dans une partie d'un des modes de réalisation des figures 1 à 4 ; la figure 9 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode ; la figure 10 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode ; la figure 11 représente le potentiel électrostatique dans une partie du mode de réalisation de la figure 10 au cours de trois étapes de fonctionnement ; la figure 12 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode. De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les dispositifs électroniques comprenant les pixels, par exemple les capteurs d’images, ne seront pas détaillés. Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. La figure 1 représente un mode de réalisation d'une photodiode 100. Plus précisément, la figure 1 est une vue de dessus de la photodiode 100. La photodiode 100 comprend une zone active 102, située dans un substrat semiconducteur, par exemple en silicium. La zone active 102 est la zone semiconductrice recevant des rayonnements et générant des charges électriques, par exemple des électrons. La zone active 102 comprend par exemple une jonction PN, par exemple une jonction PN comprenant des couches semiconductrices horizontales. La photodiode 100 comprend des zones mémoire 104 dans le substrat. Chaque zone mémoire 104 est une zone dans laquelle sont stockées des charges, par exemple dans des zones de stockage d'électrons. Chaque zone mémoire 104 est par exemple une zone du substrat semiconducteur dans lequel est formée la photodiode 100. Dans l'exemple de la figure 1, la photodiode 100 comprend deux zones mémoire 104. Les zones mémoire 104 sont situées de part et d’autre de la zone active 102. Chaque zone mémoire 104 comprend au moins deux régions de stockage d'électrons 106. Dans l'exemple de la figure 1, chaque zone mémoire 104 comprend deux régions de stockage d'électrons 106. Chaque région de stockage d'électrons 106 a par exemple sensiblement la forme d'un parallélogramme. On considère que la direction principale d'une région de stockage d'électrons 106 est la direction de la dimension la plus élevée dans le plan de la figure 1. Dans l'exemple de la figure 1, les directions principales des régions de stockage 106 d'une même zone mémoire 104 sont parallèles. Dans l'exemple de la figure 1, les directions principales des régions de stockage 106 des différentes zones mémoire 104 sont parallèles. Dans l'exemple de la figure 1, les régions de stockage 106 d'une même zone mémoire 104 ont des dimensions identiques. Cependant, les régions peuvent avoir des dimensions différentes. Par exemple, les deux régions 106 peuvent avoir une largeur sensiblement égale. Par exemple, une des deux régions peut avoir une longueur supérieure à celle de l'autre région 106. Par exemple, la région de stockage 106 la plus éloignée de la zone active 106 peut avoir une longueur supérieure à la longueur de la zone active 106 la plus proche de la zone active 102. On appelle largeur d'une des régions de stockage 106 la dimension dans la direction perpendiculaire à la direction principale de cette région dans le plan de la figure 1. On appelle longueur d'une des régions de stockage 106 la dimension dans la direction principale de la région de stockage 106. Chaque zone mémoire 104 est entourée de murs conducteurs isolés 108, à l'exception d’une région d'entrée de la zone mémoire. Les murs conducteurs isolés 108 reçoivent, durant le fonctionnement de la photodiode 102, une tension négative. Chaque mur conducteur isolé 108 comprend un cœur conducteur et une gaine isolante non représentés en figure 1. Le cœur conducteur est par exemple en métal. La gaine est par exemple en oxyde de silicium. Le cœur conducteur est par exemple relié à un nœud d’application d’une tension. La gaine isolante entoure le cœur conducteur, à l'exception par exemple des connexions avec la source de tension. En particulier, la gaine isolante sépare le cœur conducteur de la zone active 102 de la photodiode 100 et des régions de stockage d'électrons 106. La gaine isolante recouvre par exemple entièrement les parois latérales et le fond du cœur conducteur. La gaine isolante recouvre par exemple partiellement la face supérieure du coeur conducteur. Dans l'exemple de la figure 1, chaque zone mémoire 104 comprend trois murs conducteurs isolés 108a, 108b et 108c s'étendant dans la direction principale des régions de stockage 106. Les murs 108a et 108b constituent les parois latérales de la zone mémoire 104. Le mur 108c forme la séparation entre les deux régions de stockage 106. Chaque zone mémoire 104 comprend, de plus, un ou plusieurs murs 108 reliant certains les trois murs 108a, 108b et 108c d’un côté de la zone mémoire 104. Dans l'exemple de la figure 1, la photodiode 100 comprend un unique mur 108d reliant les murs 108a et 108c d’un côté de la zone mémoire. L'autre côté de la zone mémoire 104, est par exemple séparé d'une bande 110 s'étendant le long de la photodiode 100 par un mur conducteur isolé 112. Le mur 112 relie les murs 108a et 108b. Le mur conducteur isolé 112 comprend, comme les murs 108, un cœur conducteur et une gaine isolante similaire au cœur et à la gaine des murs 108. Le mur 112 s'étend, dans l'exemple de la figure 1, le long de la partie de la bande 110 s'étendant le long de la photodiode 100. Le mur 112 est donc commun aux deux zones mémoire de la photodiode 100. Le mur 112 sépare de plus la zone active 102 de la bande 110. La bande 110 est par exemple une bande conductrice. La bande 110 est par exemple une bande de lecture permettant la lecture de la photodiode, c'est-à-dire l'obtention d'une tension représentative de la quantité de charges dans les zones mémoire 104. Pour chaque zone mémoire 104, le mur 108a s'étend du mur 112 au mur 108d. Les murs 108b et 108c s'étendent partiellement du mur 112 au mur 108d. Le mur 108b comprend une ouverture 114 constituant l'entrée de la zone mémoire 104. L'ouverture 114 est, dans l'exemple de la figure 1, situé entre le mur 108b et le mur 108d. L'ouverture 114 permet aux électrons générés dans la zone active 102 de passer dans la zone mémoire 104. De la même manière, le mur 108c comprend une ouverture 116. L'ouverture 116 constitue la connexion entre les deux régions de stockage d'électrons 106. L'ouverture 116 permet aux électrons de passer d'une région à l’autre. L'ouverture 116 est, dans l'exemple de la figure 1, entre le mur 108c et le mur 112. Les ouvertures 114 et 116 sont de préférence situées à des extrémités opposées de la zone mémoire 104, dans la direction principale des région 106. Un plot conducteur 118 est situé au-dessus de chaque ouverture 114, c'est-à-dire au-dessus de chaque entrée des zones mémoire 104. En figure 1, il y a donc deux plots conducteurs 118 recouvrant chacun une portion du substrat semiconducteur dans lequel sont formés la zone active 102 et les zones mémoire 104. Un plot conducteur 120 est située au-dessus de chaque ouverture 116. Chaque plot conducteur 120 recouvre de préférence entièrement l'ouverture 116. Dans l'exemple de la figure 1, le plot conducteur 120 recouvre partiellement la bande 110, le mur 112 et les parties de la zone mémoire 104 en contact avec le mur 112. Par exemple, le plot conducteur 120 recouvre partiellement les murs 108a, 108b et 108c s'étendant dans la direction principale des régions de stockage 106. Dans l'exemple de la figure 1, la photodiode 100 comprend de plus une région 122 de matériau semiconducteur partiellement entourée par des murs 124 conducteurs isolés. Dans l'exemple de la figure 1, la région 122 est entourée de deux murs 124 ayant chacun une forme de U dans le plan de la figure. La région 122 est par exemple connectée à un nœud d’application d’une tension. À titre de variante, les éléments 122 et 124 peuvent être absents. Durant une première étape de fonctionnement, des électrons sont générés dans la zone active 102. La région 122 et les plots 116 reçoivent des tensions négatives. Les plots conducteurs 118 reçoivent une tension positive, de manière à attirer les électrons vers les zones mémoire 104. Les électrons remplissent la région de stockage d'électrons 106 la plus proche de l'ouverture 114 puis, les électrons passant par l'ouverture 116, remplissent la région de stockage la plus éloignée de l'ouverture 114. Durant une deuxième étape de fonctionnement, la région 122 reçoit une tension positive de manière à attirer les nouveaux électrons générés. Cela permet de s'assurer que la quantité d'électrons lus dans les zones mémoire est représentative de la scène un instant donné. Les plots 118 reçoivent une tension négative et des plots 116 reçoivent une tension positive. Durant tout le fonctionnement de la photodiode, les murs conducteurs isolés 108 et 112 reçoivent une tension négative, par exemple environ égale à -2 V ou -2,5 V. Le fonctionnement de la photodiode sera décrit plus en détail en relation avec les figures 5, 6, 7, et 8. La figure 2 représente un autre mode de réalisation de photodiodes 125. La figure 2 représente deux photodiodes 125. Chacune des deux photodiodes 125 comprend les mêmes éléments que la photodiode 100 de la figure 1, référencés de la même manière, à l'exception de la bande 110 et des murs 112. Les éléments identiques ne seront pas détaillés de nouveau. La bande 110 est remplacée par une bande 127. La bande 127 est, comme la bande 110, une bande conductrice. La bande 127 est commune aux deux photodiodes 125. Les deux photodiodes 125 sont symétriques l'une de l'autre par rapport à la bande 127. Chaque zone mémoire 104 est donc située en regard d'une autre zone mémoire 104, séparés par la bande 127. Contrairement à la figure 1, dans laquelle la bande 110 était une bande continue sur toute la longueur de la photodiode, la bande 127 commune aux deux photodiodes 125 comprend des ouvertures 129. De même, la bande 112 comprend des ouvertures 131 au niveau des ouvertures 129. Dans l'exemple de la figure 2, la bande 127 comprend deux ouvertures 129. Chaque bande 112 comprend donc deux ouvertures 131. Chaque zone mémoire 104 d'une des deux photodiodes est reliée à une zone mémoire 104 de l'autre des deux photodiodes 125 par deux ouvertures 131 et une ouverture 129. L'ouverture 129 et les deux ouvertures 131 sont par exemple situées entre les deux ouvertures 116. Les deux ouvertures 116 des deux zones mémoire 104 sont donc reliées par l'ouverture 129 et les deux ouvertures 131. Le fonctionnement des photodiodes 125 est identique au fonctionnement de la photodiode 100. Les différents éléments des photodiodes 125 sont par exemple commandés de manière identique, et aux mêmes instants. La figure 3 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode 150. La photodiode 150 est identique à la photodiode 100, à l'exception du nombre de régions de stockage d'électrons 106. Les éléments communs entre la photodiode 150 et la photodiode 100 sont référencés de la même manière ne sont pas détaillés de nouveau. La photodiode 150 comprend, dans chaque zone mémoire 104, trois régions de stockage électrons 106. Les trois régions de stockage, comme dans la figure 1 et dans la figure 2, ont par exemple une forme sensiblement de parallélogramme. De plus les régions 106 ont une direction principale sensiblement parallèle les unes aux autres, de préférence parallèle à la direction principale de toutes les régions 106 de la photodiode. Les régions 106 sont séparées les unes des autres par des murs conducteurs isolés 108c' et 108c". Les murs 108c' et 108c" sont identiques aux murs 108c de la figure 1. Chacun des murs 108c' et 108c" forme respectivement une ouverture 116' et 116". De préférence, les ouvertures 116' et 116" sont situées du même côté de la zone mémoire 104, par exemple du côté opposé à l'ouverture 114 dans la direction principale des régions 106. Le plot 120 de chaque zone mémoire 104 est identique aux plots 120 décrits en relation avec la figure 1 et recouvre au moins les deux ouvertures 116' et 116". De préférence, chaque plot 120 s’étend du mur 108a au mur 108b. Le fonctionnement de la photodiode 150 et le même que le fonctionnement de la photodiode 100 de la figure 1. Deux photodiodes 150 peuvent être agencées de la même manière que les photodiodes 125 sont agencées dans la figure 2, c'est-à-dire symétriquement l'une de l'autre par rapport à une bande 127 remplaçant la bande 110. Les ouvertures 129 et 131 sont par exemple situées dans la bande 110 entre les deux ouvertures 116' et 116". La figure 4 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode 155. La photodiode 155 comprend des éléments identiques aux éléments de la figure 1, référencés de la même manière. Ces éléments ne sont pas détaillés de nouveau. La photodiode 155 de la figure 4 diffère de la photodiode 100 de la figure 1 en ce que les régions de stockage 106 d'une zone mémoire 104 ne s'étendent pas dans des directions parallèles l’une à l’autre, mais dans des directions de préférence sensiblement perpendiculaires. Les régions de stockage ont donc, pour chaque zone mémoire 104, sensiblement une forme de L. Chaque zone mémoire 104 comprend une région 106a s’étendant le long du mur 108a et une région 106b s'étendant le long du mur 112. Les régions 106a et 106b se rejoignent en une région 157 située au niveau où se rejoignent les murs 108a et 112. La région 106a est séparée de la zone active 102 par un mur 159. La région 106b est séparée de la zone active 102 par un mur 161. Les régions 106b des deux zones mémoire 104 sont séparées par un mur 163. Les murs 159, 161 et 163 sont des murs conducteurs isolés, similaires aux murs 108. Le plot 120 recouvre la région 157. Par exemple le plot 120 recouvre partiellement le mur 112, le mur 108a, le mur 159 et le mur 161. Les plots conducteurs 120 ne recouvrent pas la zone active 102. Les plots conducteurs 120 ne recouvrent pas la bande 110. Dans l'exemple de la figure 4, la zone active 102 est séparée du mur 112 sur toute la longueur de la zone active 102 par les régions 106b, le mur 163, et les murs 161. Les dimensions des régions 106b et les dimensions du mur 163 assurent que la zone active 102 n'est pas en contact avec le mur 112. À titre de variante, une partie (non représentée) de la zone active 102 pourrait être située entre les deux régions 106b. Chacune des régions 106b serait ainsi séparée de cette partie de la zone active par un mur conducteur isolé similaire au mur 163. Les dimensions des régions 106b dans leur direction principale, c'est-à-dire la direction dans laquelle s'étend le mur 112, serait alors inférieure à la dimension des régions 106b dans leur direction principale dans le cas de la figure 4. La zone active 102 serait donc en contact avec le mur 112. Comme la photodiode 150 de la figure 3, deux photodiodes 155 peuvent être agencées de la même manière que les photodiodes 125 sont agencées dans la figure 2, c'est-à-dire symétriquement l'une de l'autre par rapport à une bande 127 remplaçant la bande 110. Les ouvertures 129 et 131 sont par exemple situées au niveau de la région 157. Le fonctionnement de la photodiode 155 est sensiblement identique au fonctionnement des photodiodes 100, 125 et 150 des figures précédentes. La figure 5 représente le potentiel électrostatique sur un chemin d’électrons dans le mode de réalisation de la figure 1. L'origine du chemin des électrons, correspondant à l'origine de l'abscisse (Distance), est située dans la zone active 102. Le chemin des électrons considérés s’étend ensuite dans une des ouvertures 114, dans la région 106 la plus proche de la zone active 102, dans l'ouverture 116 et dans l'autre région 106. L'ordonnée correspond au potentiel électrostatique (Electrostatic Potential) sur le chemin des électrons. L'ordonnée est représentée de telle manière que les valeurs positives soient dirigées vers le bas et les valeurs négatives vers le haut de l'axe des ordonnées. La figure 5 comprend une première courbe 175 en trait continu et une deuxième courbe 177 en traits pointillés. La courbe 175 correspond au potentiel électrostatique maximal sur une épaisseur allant de 0,1 µm à 2 µm dans le matériau semi-conducteur sur le chemin. L'épaisseur est mesurée depuis la face supérieure du substrat, c'est-à-dire la face représentée en figure 1. La courbe 177 correspond au potentiel électrostatique maximal dans une épaisseur allant de 0,3 µm à 2 µm dans le matériau semi-conducteur sur le chemin. Ainsi, la courbe 175 inclut une partie du substrat située au-dessus de la partie considérée pour la courbe 177. Dans l'exemple de la figure 5, on considère que les plots 118 reçoivent une tension positive, par exemple 1,1 V. On considère, de plus, que le plot 120 reçoit une tension négative, par exemple -1 V. Les valeurs des courbes 175 et 177 correspondent à un instant durant l'étape de génération des électrons, avant l'étape de lecture. L'ouverture 114 de la zone mémoire 104 correspond à une distance d1, par exemple environ 1,5 µm, sur le chemin des électrons. Au niveau de la distance d1, les courbes 175 et 177 possèdent toutes deux un extrema. Cet extrema représente une première barrière à franchir par les électrons. Ainsi, lorsque la quantité d'électrons est suffisante dans la zone active 102, c'est-à-dire à une distance inférieure à d1, les électrons entrent dans la première région 106. La première région 106 correspond donc à une distance comprise entre la distance d1 et une distance d2. La distance d2 est par exemple sensiblement égale à 5,25 µm. Entre d1 et d2, le potentiel électrostatique est beaucoup plus faible qu'aux distances d1 et d2. La distance d2 correspond à l'ouverture 116. À la distance d2, les courbes 175 et 177 ont un extrema. Il s'agit d'une deuxième barrière. Ainsi, lorsque le nombre d'électrons est suffisant dans la première région 106, les électrons passent dans la deuxième région 106. Pour des distances supérieures à la distance d2, les courbes 175 et 177 représentent le potentiel électrostatique dans la deuxième région 106. Ainsi pour une zone mémoire 104, la région 106 la plus proche de la zone active 102 est d'abord remplie puis lorsque cette région est remplie, les électrons sont transférés dans la région 106 la plus éloignée de la zone active 102. Les zones mémoire telles que celles décrites en relation avec la figure 1 permettent donc d'obtenir une capacité de stockage d'électrons supérieure à la capacité de stockage d'une mémoire ne comprenant qu'une région de stockage d'électrons. On aurait pu choisir d'agrandir les dimensions d'une région de stockage sans rajouter une deuxième région 106 séparée par une ouverture 116. Cependant, l'unique région de stockage comprendrait alors, particulièrement dans les régions profondes, des régions dans lesquelles les électrons seraient difficilement lus. Les figures 6 et 7 représentent chacune deux vues selon la coupe A-A de la figure 2. Les premières vues, 6A et 7A, représentent les niveaux de dopage dans la partie concernée. Les deuxièmes vues 6B et 7B représentent le potentiel électrostatique dans cette même partie, respectivement dans la partie représentée en vue 6A et 7A, lors de l'étape de lecture, c'est-à-dire lorsque le plot de connexion 120 reçoit une tension de valeur positive. Bien que les figures 6 et 7 soient décrites en relation avec la figure 2, les observations faites sont aussi valables pour des modes de réalisation comprenant deux photodiodes 100, 150 ou 155 symétriques l'une à l'autre par rapport à une bande 127 ainsi que pour les modes de réalisation des autres figures. Les vues 6A, 6B, 7A et 7B représentent un mur conducteur isolé 200 comprenant un cœur conducteur 202 et une gaine isolante 204. Le mur 200 correspond par exemple au mur 108c de la figure 2. Les vues représentent de plus le plot conducteur 120. Les vues représentent de plus le matériau semiconducteur des régions de stockage d'électrons et plus particulièrement le matériau semiconducteur de l'ouverture 116, de l'ouverture 131 et de l'ouverture 129. En figure 6A, le dopage du matériau semiconducteur situé dans l'ouverture 129 mais n'étant pas situé sous le plot de connexion 120, est supérieur à environ 10^18 dopants/cm^3 (le symbole ^ représentant la fonction puissance), sur une épaisseur sensiblement égale à 0,2 µm. Cela correspond sensiblement à une région 206 de la vue 6A. Le dopage du matériau semiconducteur situé dans l'ouverture 116, plus précisément le long du mur 200, est compris entre environ 10^10 dopants/cm^3 et 10^18 dopants/cm^3, pour une profondeur allant jusqu'à 1,5 µm. Cela correspond sensiblement à une région 208 de la vue 6A. La concentration est par exemple décroissante dans la région 208 à partir de la surface de l’ouverture 116. Les régions 206 et 208 sont reliées par une région 210. Le dopage de la région 210 est par exemple compris entre environ 10^15 et 10^18 dopants/cm^3. La région 210 est située en surface du matériau semiconducteur. La région 210 est située en contact avec le plot 120. L'épaisseur de la région 210 est par exemple sensiblement égale à 0,1 µm. L'épaisseur de la région 210 est par exemple inférieure à l'épaisseur de la région 206. Une région 212 située sous les régions 206 et 210 possède un dopage inférieur à -10^16 dopants/cm^3. La région 212 est située juste sous les régions 206 et 210. La région 212 s'étend par exemple des régions 206 et 210 jusqu'à une profondeur d'environ 0,5 µm. Le reste du matériau semi-conducteur considéré a par exemple un dopage compris entre -10^13 et -10^16 dopants/cm^3. La région 208 s'étend partiellement sous la région 212. Les concentrations négatives de dopants correspondent à un dopage de type opposé au dopage de concentration positive. Ainsi, un dopage inférieur à un dopage négatif correspond à un nombre supérieur de dopants du type dont la concentration correspond à une valeur négative. Les dimensions des régions 210 et 212 sont choisies de telle manière que le chemin pour les électrons se dirigeant vers la région 206 soit relativement étroit. Ainsi, il y a peu de risques de fuite. En figure 6B, on observe que le potentiel électrostatique est le plus élevé dans la région 210 et dans la partie de la région 208 la plus proche de la région 210. On observe aussi une poche 214, au sein de la région 208, ayant une valeur de potentiel électrostatique supérieur aux valeurs de potentiel des parties de la région 108 qui l'entourent. Cette poche 214 constitue une poche de stockage d'électrons c'est-à-dire que lors de la lecture, des électrons resteront stockés dans cette poche et ne se déplaceront pas vers la région 206 pour être lus. La valeur lue n'est donc pas entièrement représentative du nombre d'électrons qui étaient présents dans la mémoire, et donc du nombre d'électrons ayant été générés par la photodiode. La vue 7A est similaire à la vue 6A. La vue 7A diffère de la vue 6A en ce que la région 212 s'étend plus profondément. Ainsi, la région 212 s'étend jusqu'à environ 0,7 µm. De plus, la région 212 est plus faiblement dopée, c'est-à-dire qu'une grande partie de la région 212 a un dopage inférieur à -10^18 dopants/cm^3. On observe, en vue 7B, l'absence de la poche 214. Le potentiel électrostatique diminue de manière graduelle depuis la région 210. Lors de l'étape de lecture, il n'y aura donc pas d'électrons qui resteront stockés dans la poche 214 ne pourront donc pas être lus. Ainsi, la présence d'une région 212 s'étendant plus profondément permet d'assurer l'absence de la poche 214. La figure 8 représente le potentiel électrostatique sur un chemin allant de la première région de stockage d'électrons à la deuxième région de stockage d'électrons d'une même zone mémoire dans deux différents cas. La courbe 215 correspond au cas de la figure 6 et la courbe 217 correspond au cas de la figure 7. On observe que chaque courbe comprend un extrema situé à la même distance D. Cette distance D correspond à l'ouverture 116, c'est-à-dire à l'endroit où l'on passe de la première région à la deuxième région. Ce maximum correspond donc à la barrière devant être franchi par les électrons pour passer à la deuxième région de stockage électrons. On observe qu'en passant du cas de la figure 6 au cas de la figure 7, c'est-à-dire en augmentant l'épaisseur de la région 212, la barrière à franchir par les électrons est augmentée. Les inventeurs ont déterminé qu'en augmentant l'épaisseur de la région 212, il est possible de retirer la présence de poches de stockage électrons, cependant cela augmente la barrière à franchir entre les deux régions d'électrons. Cela peut poser des problèmes, particulièrement dans le cas où la barrière située entre la zone active et la première région de stockage électrons est inférieure à la barrière entre les deux régions de stockage. En effet, certains électrons pourraient alors retourner vers la zone active plutôt que de franchir la barrière jusqu'à la deuxième région. Les inventeurs ont, de plus, déterminés qu'augmenter la distance entre le mur 108c et la région 212 entraine une diminution de la barrière entre les régions 106. Cependant, cela augmente les dimensions de la région 208 en profondeur. Il y a donc un risque que certains électrons, situés en profondeur, ne soient pas lus. La figure 9 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode 275. La photodiode 275 comprend des éléments identiques aux éléments de la figure 1, référencés de la même manière. Ces éléments ne sont pas détaillés de nouveau. La photodiode 275 de la figure 9 diffère de la photodiode 100 de la figure 1 en ce que chaque mur 108c comprend deux parties distinctes. Chaque mur 108c comprend une première partie 277 s'étendant depuis le mur 108d dans la direction principale des régions de stockage d'électrons 106. Chaque mur 108c comprend, de plus, une deuxième partie 279. La deuxième partie 279 est située dans le prolongement de la première partie 277. La deuxième partie est donc située entre la première partie et le mur 112. La première partie 277 et la deuxième partie 279 sont séparées par une ouverture 281. Le plot conducteur 120 ne recouvre pas l'ouverture 281. Le plot conducteur 120 recouvre par exemple partiellement la deuxième partie 279. La tension reçue par le coeur conducteur de la deuxième partie 279 du mur 108c est indépendante de la tension reçue par les coeurs conducteurs des autres murs conducteurs isolés 108 et 112. En particulier, la tension reçue par le coeur conducteur de la deuxième partie est indépendant de la tension reçue par le coeur conducteur de la première partie 277 du mur 108c. De préférence, l'ouverture 281 est aussi proche du plot 120 que le permettent les technologies actuelles sans être située sous le plot 120. Par exemple, la dimension de la deuxième partie 279 dans la direction principale des régions de stockage d'électrons 106 est par exemple sensiblement égale à 0,4 µm. La dimension de l'ouverture 281 dans la direction principale des régions de stockage d'électrons 106 est par exemple sensiblement égale à 0,2 µm. De préférence, la dimension de la première partie 277 dans la direction principale des régions 106 est au moins cinq fois supérieure à la dimension dans la même direction de la deuxième partie 279, de préférence au moins dix fois supérieure. Les étapes de fonctionnement de ce mode de réalisation sont identiques à celle du mode de réalisation de la figure 1. Cependant, durant l'étape de génération des électrons dans la zone active 102 et de stockage des électrons, les électrons se déplacent de la zone de stockage la plus proche de la zone active vers l'autre région de stockage par l'intermédiaire de l'ouverture 281. En effet, la barrière de potentiel électrostatique est plus faible dans l'ouverture 281 que dans l'ouverture 116. De préférence, la barrière de potentiel électrostatique de l'ouverture 281 est inférieure à la barrière de l'ouverture 114. A titre de variante, les plots conducteurs 120 peuvent avoir une forme de U. Par exemple, chaque plot conducteur 120 comprend une portion principale identique aux plots conducteurs 120 de la figure 9, et deux portions secondaires non représentées s'étendant chacune au-dessus d'une des régions de stockage 106. Les portions secondaires ne s'étendent pas au-dessus de l'ouverture 281. La figure 10 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode. La photodiode 300 comprend des éléments identiques aux éléments de la figure 9, référencés de la même manière. Ces éléments ne sont pas détaillés de nouveau. La photodiode 300 diffère de la photodiode 275 en ce que les murs 108a et 108b comprennent des portions 302 en saillis. Les murs 108a et 108b comprennent donc une portion principale et une portion en saillis 302. Les parties principales des murs 108a et 108b sont identiques aux murs 108a et 108b de la figure 9. Les portions 302 s'étendent depuis les portions principales vers les régions de stockages 106. Les portions 302 sont situées de préférence de part et d'autre de l'ouverture 281. De préférence, les portions 302 ne sont donc pas recouvertes, même partiellement, par le plot conducteur 120. La présence des portions 302 permet de diminuer la barrière de potentiel électrostatique de l'ouverture 281. La figure 11 représente le potentiel électrostatique dans une partie du mode de réalisation de la figure 10 au cours de trois étapes de fonctionnement. La figure 11 comprend des axes Y et Z représentant des distances en micromètre. L'axe Y est dans la direction principale des régions 106 et l'axe Z est dans la direction perpendiculaire à l'axe Y dans le plan de la figure 11. Bien que les observations faites en relation avec le mode de réalisation de la figure 10 dans une structure comprenant deux photodiodes symétriques similaire à la figure 2, des observations similaires peuvent être faites en relation avec le mode de réalisation de la figure 9 et avec le mode de réalisation de la figure 13 qui sera décrit par la suite. La figure 11 ne représente qu'une partie d'une des zones mémoire 104, en particulier la partie comprenant le plot conducteur 120, les portions 277 et 279 du mur 108c, l'ouverture 281, une partie de la bande 127 et l'ouverture 129. Les trois étapes décrites en relation avec la figure 1 sont des étapes de la lecture d'une des zones mémoire 104. Durant une première étape, illustrée par la vue 11A, le plot 120 reçoit une tension positive. De plus, la portion 279 du mur 108c reçoit une tension négative, par exemple la même tension que la tension reçue par les autres murs conducteurs isolés, par exemple une tension sensiblement égale à -2 V. Le potentiel électrostatique sous le plot conducteur 120 est compris entre environ 2 et 3 V. La valeur du potentiel diminue en s’éloignant de la bande 127, selon des courbes de potentiel similaires aux courbes 303 et 304. Le potentiel dans les régions de stockage 106 est compris entre environ 0,8 V et 2,5 V. Les électrons se dirigent vers le plot conducteur 120. Durant une deuxième étape, illustrée par la vue 11B, la valeur de la tension reçue par la portion 279 augmente, par exemple jusqu'à atteindre une valeur sensiblement égale à 0 V. Les électrons se dirigent toujours vers le plot conducteur 120. Cependant, des poches 305 de stockage d'électrons commencent à se former de part et d'autre de la partie 279. Les poches de stockage d'électrons sont des emplacements auxquels il y a un extrema du potentiel électrostatique. Durant une troisième étape, illustrée par la vue 11C, la valeur de la tension reçue par la portion 279 augmente, par exemple jusqu'à atteindre la valeur de la tension reçue par le plot conducteur 120, par exemple jusqu'à atteindre une valeur sensiblement égale à 2,5 V. Les électrons se dirigent vers le plot conducteur 120. Les dimensions des poches de stockage 305 augmentent. Par exemple, les poches de stockage 305 s'étendent le long de la partie 279, par exemple sur toute la longueur de la partie 279. Durant une étape suivante non illustrée, la tension reçue par la portion 279 est de nouveau négative. Les potentiels électrostatiques deviennent alors similaires à ceux de la vue 11A. Les électrons stockés dans les poches 305 sont alors attirés par le plot 120. Les poches 305 sont situées par exemple au niveau de la face supérieure des régions 106. Ainsi, les électrons sont facilement attirés depuis les poches vers le plot 120, et ne restent pas stockés en profondeur. La tension du plot 120 redevient ensuite négative de manière à arrêter l'étape de lecture. La figure 12 représente un autre mode de réalisation d'une photodiode 375. La photodiode 375 est identique à la photodiode 275, à l'exception du nombre de régions de stockage d'électrons 106. Les éléments communs entre la photodiode 275 et la photodiode 375 sont référencés de la même manière ne sont pas détaillés de nouveau. La photodiode 375 comprend, dans chaque zone mémoire 104, trois régions de stockage électrons 106. Les trois régions de stockage, comme dans la figure 3, ont par exemple une forme sensiblement de parallélogramme. De plus, les régions 106 ont une direction principale sensiblement parallèle les unes aux autres, de préférence parallèle à la direction principale de toutes les régions 106 de la photodiode. Les régions 106 sont séparées les unes des autres par des murs conducteurs isolés 108c' et 108c". Les murs 108c' et 108c" sont identiques aux murs 108b de la figure 1. Chacun des murs 108c' et 108c" comprend respectivement une ouverture 116' et 116". De préférence, les ouvertures 116' et 116" sont situées du même côté de la zone mémoire 104, par exemple du côté opposé à l'ouverture 114. Le plot 120 de cette zone mémoire 104 est identique aux plots 120 décrits en relation avec la figure 9 et recouvre au moins les deux ouvertures 116' et 116". Chaque mur 108c' ou 108c" comprend deux parties distinctes. Chaque mur 108c', respectivement 108c", comprend une première partie 277', respectivement 277", s'étendant depuis le mur 108d dans la direction principale des régions de stockage d'électrons 106. Chaque mur 108c', respectivement 108c", comprend, de plus, une deuxième partie 279', respectivement 279". La deuxième partie 279', respectivement 279", est située dans le prolongement de la première partie 277', respectivement 277". Chaque deuxième partie est donc située entre la première partie correspondante et le mur 112. Chaque première partie 277' ou 277" et la deuxième partie 279' ou 279" correspondante sont séparées par une ouverture 281' ou 281". Le plot conducteur 120 ne recouvre pas les ouvertures 281' et 281". Le plot conducteur 120 recouvre par exemple partiellement les deuxièmes parties 279' et 279". La tension reçue par le coeur conducteur des deuxièmes parties 279' et 279" des murs 108c’ et 108c’’ est indépendante de la tension reçue par les coeurs conducteurs des autres murs conducteurs isolés 108 et 112. En particulier, la tension reçue par le coeur conducteur de chaque deuxième partie 279' ou 279" est indépendant de la tension reçue par le coeur conducteur de la première partie 277' ou 277" du mur 108c' ou 108" correspondante. De préférence, chaque ouverture 281' ou 281" est aussi proche du plot 120 que le permettent les technologies actuelles sans être située sous le plot 120. Par exemple, la dimension de chaque deuxième partie 279' ou 279" dans la direction principale des régions de stockage d'électrons 106 est par exemple sensiblement égale à 0,4 µm. La dimension de chaque ouverture 281' ou 281" dans la direction principale des régions de stockage d'électrons 106 est par exemple sensiblement égale à 0,2 µm. De préférence, la dimension de chaque première partie 277' ou 277" dans la direction principale des régions 106 est au moins cinq fois supérieure à la dimension dans la même direction de la deuxième partie 279' ou 279" correspondante, de préférence au moins dix fois supérieure. Le fonctionnement de la photodiode 375 est le même que le fonctionnement de la photodiode 300. Deux photodiodes 375 peuvent être agencées de la même manière que les photodiodes 125 sont agencées dans la figure 2, c'est-à-dire symétriquement l'une de l'autre par rapport à une bande 127 remplaçant la bande 110. Les ouvertures 129 et 131 sont par exemple situées dans la bande 110 entre les deux ouvertures 116' et 116". Un avantage des modes de réalisation des figures 9, 10 et 12 est que les ouvertures 281 permettent un passage moins difficile entre les différentes régions de stockage des zone mémoire, en abaissant la barrière de potentiel électrostatique entre les régions. Un autre avantage des modes de réalisation des figures 9, 10 et 12 est que la tension reçue par la deuxième partie 279 des murs 108c permet de mieux attirer les charges, en particulier les charges qui auraient pu se situer en profondeur dans la zone mémoire et pourraient alors ne pas être lues. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l’homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. Photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Photodiode selon la revendication 1, dans laquelle la première ouverture (116) est recouverte au moins partiellement par un plot de connexion (120). Photodiode selon la revendication 2, dans laquelle la deuxième ouverture (281) n'est pas recouverte par le plot de connexion (120). Photodiode selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle le plot de connexion est un plot de lecture d'une valeur représentative de la quantité de charge dans la zone mémoire (104). Photodiode selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans laquelle la deuxième ouverture (281) se situe au plus près du plot de connexion (120) sans être située sous le plot (120). Photodiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle les directions principales des régions de stockage (106) d'une même zone mémoire (104) sont parallèles. Photodiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle les régions de stockage (106) sont au moins partiellement entourées de premiers murs conducteurs isolés (108, 112). Photodiode selon la revendication 7, dans laquelle chaque premier mur conducteur isolé (108, 112) comprend un coeur conducteur configuré pour recevoir, durant le fonctionnement de la photodiode, une tension négative, le coeur isolant au moins partiellement entouré d'une gaine isolante. Photodiode selon la revendication 7 ou 8, dans laquelle les premiers murs conducteurs isolés comprennent des portions (302) situés de part et d'autre de la deuxième ouverture et s'étendant vers la deuxième ouverture (281). Photodiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle les première (116) et deuxième (281) ouvertures sont séparés par une portion (279) de deuxième mur conducteur isolé (108c). Procédé d'utilisation d'une photodiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant une première étape durant laquelle des électrons sont générés et sont stockés dans la ou les zones mémoire et une deuxième étape de lecture de la quantité d'électrons dans la ou les zones mémoire. Procédé selon les revendications 11 dans son rattachement à la revendication 10, dans lequel la portion (279) reçoit une tension négative durant la première étape. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la tension reçue par la portion (279) atteint une valeur positive durant la deuxième étape.