FR 3102565 A1 20210430 FR 1911937 A 20191024 La présente invention concerne un dispositif (1) optique, adapté à la transmission / réflexion d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde du spectre électromagnétique, ledit dispositif (1) comprenant au moins : un substrat (10) réalisé dans un premier matériau, une couche de revêtement (20) réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, et une texturation de surface (30) formant des cavités (31) dans le dispositif (1), caractérisé en ce que les cavités (31) traversent la couche de revêtement (20) et creusent partiellement le substrat (10). Figure 1 Dispositif optique La présente invention concerne un dispositif optique, adapté à la transmission ou à la réflexion d’un rayonnement dans une gamme de longueur d’onde prédéterminée, par exemple du type ultraviolet, visible, infrarouge ou micro-onde. Le domaine de l’invention est celui des dispositifs optiques, conçus par exemple pour équiper les systèmes d’imagerie. En pratique, les applications dépendent de la gamme de longueur d’onde. De manière connue, les effets antireflet ou miroir peuvent être obtenus par construction multicouche et/ou par structuration de dispositifs optiques. Les documents suivants décrivent différents exemples de dispositifs optiques. - EP3206059A1 décrit un dispositif diffractif large bande, comprenant une pluralité de zones élémentaires et de microstructures agencées pour former un matériau artificiel présentant une variation d’indice effectif à la surface du dispositif. - BRUYNOOGHE (2016), "Broadband and wide-angle hybrid antireflection coatings prepared by combining interference multilayers with subwavelength structures", Journal of Nanophotonics, SPIE, International Society for Optics and Photonics. Ce document décrit une construction multicouche combinée avec des structures stochastiques réalisées par gravure sèche. - KUBOTA (2014), "Optimization of hybrid antireflection structure integrating surface texturing and multi-layer interference coating", Thin Films for Solar and Energy Technology VI, Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University, Japan. Ce document décrit l’étude théorique de la combinaison d'une construction multicouche et d’un réseau type œil de mouche ("moth-eye" en anglais). - CAMARGO (2012), "Multi-scale structured, superhydrophobic and wide-angle, antireflective coating in the near-infrared region", Chem. Commun., 2012, 48, 4992–4994, Royal Society of Chemistry, United Kingdom. Ce document décrit la structuration de plusieurs couches, avec un focus sur l'amélioration de certains comportements de surface. - RALCHENKO (1999), "Fabrication of CVD Diamond Optics with Antireflective Surface Structures", phys. stat. sol., General Physics Institute, Moscow, Russia. Ce document décrit la structuration de diamant déposé par CVD pour arriver à un effet antireflet. Le but de la présente invention est de proposer un dispositif optique, du type antireflet ou miroir, présentant des propriétés améliorées. A cet effet, l’invention a pour objet un dispositif optique adapté à la transmission / réflexion d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde du spectre électromagnétique, ledit dispositif comprenant au moins : un substrat réalisé dans un premier matériau, une couche de revêtement réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, et une texturation de surface formant des cavités dans le dispositif, caractérisé en ce que les cavités traversent la couche de revêtement et creusent partiellement le substrat. Ainsi, l’invention permet de modifier de manière maîtrisée le front d’une onde électromagnétique. La texturation permet de faire varier l’indice de réfraction effectif sur la surface du dispositif texturé. En particulier, la texturation permet d’obtenir des indices de réfraction effectifs plus faibles de manière maîtrisée, dans la couche de revêtement texturée et dans la zone texturée du substrat. La texturation permet d’obtenir des indices effectifs inatteignables directement en utilisant des multicouches. Les indices sont variables en fonction de la longueur d’onde du rayonnement. Egalement, l’invention permet d’augmenter la gamme d’angle d’incidence pour laquelle la validité de la fonction optique est intéressante. La structure du dispositif forme au moins un système bi-couches, comprenant la couche de revêtement texturée et la couche texturée du substrat, surmontant la partie non texturée du substrat. Selon une première application, le dispositif optique a une fonction antireflet. Le dispositif est adapté à la transmission d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde du spectre électromagnétique. Le dispositif comprend au moins un substrat réalisé dans un premier matériau transparent dans ladite gamme de longueur d’onde, une couche de revêtement réalisée dans un second matériau différent du premier matériau et également transparent dans ladite gamme de longueur d’onde, et une texturation de surface formant des cavités dans le dispositif. Le dispositif est caractérisé en ce que les cavités traversent la couche de revêtement et creusent partiellement le substrat. De manière avantageuse, l’invention permet d’améliorer la transmission du dispositif, au niveau de la largeur spectrale et de la transmission maximale (donc absorption minimale), par rapport à un substrat non texturé et non revêtu ; un substrat texturé et non revêtu ; un substrat revêtu d’une couche de revêtement non texturée ; et même un substrat revêtu d’une couche de revêtement texturée, mais dont la texturation ne pénètre pas le substrat. Cette amélioration dépend de la configuration du dispositif, notamment des caractéristiques du couple substrat-revêtement et de la texturation. En comparaison avec un substrat texturé et non revêtu, la couche de revêtement texturée permet d’améliorer la transmission en formant des cavités moins profondes. Ainsi, la texturation est plus facile et rapide à réaliser. En comparaison avec un substrat revêtu d’une couche de revêtement non texturée, le comportement de surface du dispositif est modifié. En pratique, le dispositif ne permet pas d’améliorer la transmission sur tout le spectre électromagnétique, mais est configuré pour une transmission sur une gamme de longueur d’onde dépendante des caractéristiques du couple substrat-revêtement et de la texturation. Les gammes de longueur d’onde sont définies selon les subdivisions recommandées par la Commission internationale de l'éclairage (CIE) : Rayon gamma : inférieure à 10 pm Rayon X : 10 pm à 10 nm Ultraviolet : 10 nm à 380 nm Visible : 380 nm à 780 nm IR-A (IR proche) : 0,78 µm à 1,4 µm IR-B (IR moyen) : 1,4 µm à 3 µm IR-C (IR lointain) : 3 µm à 1 mm Ondes radioélectriques : supérieure à 1 mm Pour la gamme IR, les subdivisions suivantes peuvent également être utilisées : NIR (IR proche) : 0,75 µm à 1,4 µm SWIR : 1,4 µm à 3 µm MWIR : 3 µm à 8 µm LWIR : 8 µm à 15 µm FIR (IR lointain) : 15 µm à 1 mm En matière de transmission, les différentes variantes du dispositif ne sont pas forcément plus performantes que les dispositifs de l’état de la technique. Cependant, le dispositif selon l’invention présente d’autres avantages : simplicité de fabrication, tension de surface, etc. Selon une deuxième application, le dispositif optique a une fonction miroir. Le dispositif est adapté à la réflexion d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde du spectre électromagnétique. Le dispositif comprend au moins un substrat réalisé dans un premier matériau réfléchissant dans ladite gamme de longueur d’onde, une couche de revêtement réalisée dans un second matériau différent du premier matériau et également réfléchissant dans ladite gamme de longueur d’onde, et une texturation de surface formant des cavités dans le dispositif. Le dispositif est caractérisé en ce que les cavités traversent la couche de revêtement et creusent partiellement le substrat. Ainsi, l’invention permet d’améliorer la réflexion du dispositif, par rapport à un substrat non texturé et non revêtu, un substrat texturé et non revêtu, ou un substrat revêtu d’une couche de revêtement non texturée. Selon une variante, le dispositif optique a une fonction miroir, et comprend au moins un substrat réalisé dans un premier matériau transparent dans ladite gamme de longueur d’onde, une couche de revêtement réalisée dans un second matériau différent du premier matériau et également transparent dans ladite gamme de longueur d’onde, et une texturation de surface formant des cavités dans le dispositif. Le dispositif est caractérisé en ce que les cavités traversent la couche de revêtement et creusent partiellement le substrat. En alternative (ou en combinaison avec les fonctions de réflectance et transmittance), le dispositif optique peut avoir une fonction de modification du front d’onde de surfaces optiques, différente des fonctions antireflet et miroir. Selon d’autres caractéristiques avantageuses de l’invention, prises isolément ou en combinaison : - Le substrat a de préférence une épaisseur comprise entre 0,1 et 30 mm, par exemple de l’ordre de 1 ou 2 mm. - La couche de revêtement a de préférence une épaisseur comprise entre 0,01 et 50 µm, par exemple de l’ordre de 0,5 µm ou 2 µm pour la gamme IR. - Les cavités sont formées dans le substrat sur une profondeur comprise de préférence entre 0,5 et 10 µm, par exemple de l’ordre de 1 µm, pour la gamme IR lointain, au-delà de 3 µm. - Les cavités sont formées dans le substrat sur une profondeur comprise de préférence entre 0,08 µm et 1µm, par exemple de l’ordre de 200 nm, pour la gamme IR proche ou IR moyen entre 780 nm et 3 µm. - Les cavités sont formées dans le substrat sur une profondeur comprise de préférence entre 1 nm à 200 nm, par exemple de l’ordre de 80 nm, pour la gamme visible. - De préférence pour les applications IR, le substrat et la couche de revêtement sont transparents / réfléchissants pour toute la gamme de longueur d’onde comprise entre 1 µm et 50 µm. - De préférence pour la gamme IR lointain comprise entre 8 µm et 12 µm, le dispositif permet une transmittance / réflectance d’au moins 90% du rayonnement infrarouge incident pour le dioptre considéré. - Les caractéristiques des cavités (forme, dimensions, répartition, etc) dépendent de la technique de texturation et des paramètres utilisés. - De préférence, les cavités ont une plus grande largeur ou un diamètre compris entre 1 et 2 µm. - Le matériau du substrat est par exemple du silicium Si, du germanium Ge, du sulfure de zinc ZnS, du séléniure de zinc ZnSe, etc, pour les applications IR. - Le substrat présente généralement une structure cristalline. - Le matériau de la couche de revêtement est par exemple du carbone amorphe diamant DLC ("Diamond Like Carbon" en anglais), du silicium Si, du germanium Ge, du sulfure de zinc ZnS, du séléniure de zinc ZnSe, du pentoxyde de tantale Ta2O5, du dioxyde d'hafnium HfO2, de l’alumine Al2O3, etc. - Le revêtement peut présenter une structure amorphe ou cristalline. - La couche de revêtement peut être réalisée par une technique de dépôt de couche mince, telle que PVD ou CVD. - La texturation peut être réalisée par tout type de technique adaptée pour traverser la couche de revêtement et creuser partiellement le substrat, par exemple laser, photolithographie, nano-impression, etc. La texturation laser est relativement économique et bien maîtrisée. - La texturation peut être réalisée par un laser ultra-bref, avec une durée d’impulsion dans le régime femtoseconde ou picoseconde. La longueur d’onde du laser, qui varie typiquement entre 200 à 16000 nm, est à choisir en fonction des caractéristiques de texturation souhaitées (forme et dimensions des cavités, motifs, etc). - L’environnement opto-mécanique du laser comprend des platines motorisées, un objectif microscope (et/ou galvano scanner, et/ou monocouche micro-sphère), une unité de visualisation en ligne, etc. - De préférence, les cavités ont un profil continu lors de la transition entre la couche de revêtement et le substrat. Ce profil continu peut être obtenu en formant les cavités dans la couche de revêtement et dans le substrat lors d’une même opération de texturation, par exemple une texturation laser. Un profil continu serait difficile à obtenir, voire impossible compte tenu des dimensions des cavités, en réalisant des opérations de texturation distinctes pour le substrat et la couche de revêtement. Un profil continu améliore la maitrise de l’influence du front d’onde. En effet, des discontinuités peuvent générer de la diffraction ou d’autres effets non désirés. - Les cavités peuvent avoir une section circulaire. - Les cavités peuvent présenter un profil concave dans un plan axial, avec une section d’aire décroissante selon la profondeur. - Les cavités peuvent présenter un profil concave symétrique dans un plan axial. - Les cavités peuvent présenter un profil concave asymétrique dans un plan axial. - Les cavités peuvent présenter des dimensions différentes, notamment des diamètres, largeurs et/ou profondeurs différents. - Les dimensions des cavités peuvent varier de manière périodique. - Les cavités peuvent être réparties de manière aléatoire sur la surface du dispositif. - Les cavités peuvent être réparties selon un réseau régulier sur la surface du dispositif. - Les cavités peuvent être réparties selon un réseau présentant une maille triangulaire, carrée, hexagonale, etc. - Les cavités peuvent être réparties avec une périodicité variable sur la surface du dispositif. Par exemple, les cavités peuvent avoir une périodicité différente entre le centre et les bords du dispositif, notamment être plus rapprochées au centre du dispositif. - Dans la couche de revêtement, les cavités ont une densité comprise entre 20 et 91%, c’est-à-dire un taux de remplissage de l’espace compris entre 20 et 91%. Le taux de 91% correspond aux cavités arrangées hexagonalement et qui se touchent. - Le dispositif peut comprendre un unique substrat et une unique couche de revêtement. Dans ce cas, de préférence, le substrat a un indice de réfraction supérieur à l’indice de réfraction du revêtement avant texturation. - Le dispositif peut comprendre un unique substrat et plusieurs couches de revêtement texturées. Dans ce cas, de préférence, le substrat a un indice de réfraction supérieur à l’indice de réfraction des revêtements avant texturation. En alternative, le substrat peut avoir un indice de réfraction inférieur à au moins l’une des couches de revêtement. - Le dispositif peut comprendre un empilement de plusieurs substrats et couches de revêtement en alternance, incluant au moins une première combinaison d’une première couche de revêtement et d’un premier substrat, et une dernière combinaison d’une dernière couche de revêtement et d’un dernier substrat. - Les cavités peuvent être formées uniquement dans la première combinaison. - Les cavités peuvent traverser entièrement l’empilement excepté le dernier substrat, qui est creusé partiellement. - Les cavités peuvent traverser entièrement la couche de revêtement et creuser partiellement le substrat pour chaque combinaison formant l’empilement. - L’empilement peut comprendre au moins une combinaison intermédiaire entre la première combinaison et la dernière combinaison. - Le dispositif comprend au moins une couche arrière réalisée dans un matériau différent du substrat et du revêtement, le revêtement étant formé sur un premier côté du substrat, la couche arrière étant formée sur un second côté du substrat opposé au premier côté. - La sous-couche est par exemple réalisée en sulfure de zinc ZnS, ou d’autres matériaux mentionnés plus haut pour la couche de revêtement. - En cas d’empilement, le dispositif peut comporter une couche arrière pour chaque combinaison substrat-revêtement. Dans ce cas, la couche arrière peut éventuellement être traversée par les cavités, pénétrant dans la couche de revêtement suivante. En alternative, le dispositif peut comporter une unique couche arrière pour la dernière combinaison. Dans ce cas, la couche arrière n’est pas traversée par les cavités. - Le dispositif peut comprendre deux faces, avec chacune une couche de revêtement et une texturation de surface formant des cavités traversant la couche de revêtement et pénétrant partiellement le substrat ou l’un des substrats. - Le dispositif peut comprendre une première face avec une couche de revêtement et une texturation de surface formant des cavités traversant la couche de revêtement et pénétrant partiellement le substrat ou l’un des substrats, et une deuxième face avec une couche de revêtement qui peut être dépourvue de texturation conforme à l’invention, ou bien recevoir un traitement différent de la texturation de la première face, ou bien ne recevoir aucun traitement. - Les couches de revêtement des deux faces peuvent être différentes (matériau, épaisseur, etc). - Les faces du dispositif peuvent être parallèles ou non. Par exemple, les faces peuvent être disposées dans des plans inclinés. Selon un autre exemple, les faces peuvent être concaves ou convexes. L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’un dispositif optique, adapté à la transmission / réflexion d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde du spectre électromagnétique, ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes : - former au moins une combinaison d’un substrat réalisé dans un premier matériau, et d’une couche de revêtement réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, puis - réaliser une texturation de surface formant des cavités dans le dispositif, caractérisé en ce que les cavités traversent la couche de revêtement et creusent partiellement le substrat. L’invention peut trouver de nombreuses applications dans le domaine des dispositifs optiques : - Applications IR : caméra, lentille, fenêtre optique, surface de camouflage, leurre, etc. - Applications visible et proche IR : fenêtres optiques, lentilles, miroirs, pour caméras dispositifs d’imagerie, lignes de laser, mise en forme de faisceau, etc. - Applications ondes radioélectriques : radar, etc. L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : est une représentation schématique en coupe d’un dispositif conforme à l’invention, comprenant un substrat en silicium Si, une couche de revêtement en carbone amorphe diamant DLC, et une texturation formant des cavités dans le dispositif les cavités traversant la couche de revêtement et creusant partiellement le substrat. est une coupe analogue à la figure 1, montrant un dispositif constitué par un substrat Si et un revêtement DLC non texturés. est une coupe analogue à la figure 1, montrant un dispositif constitué par un substrat Si texturé et non revêtu. est une coupe analogue à la figure 1, montrant un dispositif constitué par un substrat Si non texturé et un revêtement DLC texturé. est une coupe analogue à la figure 1, montrant un dispositif constitué par un substrat Si non texturé et non revêtu. est une représentation schématique en vue de dessus, du dispositif de la figure 1. est un graphe montrant l’évolution de la transmission (T de 0 à 1) en fonction de la longueur d’onde (WL de 3 à 15 µm), pour chacun des dispositifs des figures 1 à 5. est un graphe montrant l’évolution de la transmission (T en %) en fonction de l’angle d’incidence (Angle de 0 à 80°) du rayonnement à la surface du dispositif, pour les dispositifs des figures 1 et 2. est un graphe analogue à la figure 8, montrant l’évolution de la transmission (T en %) en fonction de l’angle d’incidence (Angle de 0 à 60°) pour les dispositifs des figures 1 et 2. est un diagramme montrant l’évolution de la transmission (T en %) en fonction de la longueur d’onde (WL de 3 à 15 µm) et de l’angle d’incidence (Angle de 0 à 80°), pour le dispositif de la figure 1, conforme à l’invention. est un diagramme analogue à la figure 10, pour le dispositif de la figure 2. est un graphe analogue à la figure 7, montrant l’évolution de la transmission (T de 0,7 à 1) en fonction de la longueur d’onde (WL de 0,8 à 3 µm), pour cinq dispositifs différents, configurés comme sur les figures 1 à 5, avec un substrat en séléniure de zinc ZnSe et pour certains une couche de revêtement en dioxyde de silicium SiO2. est un graphe analogue à la figure 9, pour deux dispositifs dont la transmission est représentée sur la figure 12, à savoir un dispositif conforme à l’invention comprenant un substrat et un revêtement texturés, et un dispositif comprenant un substrat et un revêtement non texturés. est un graphe analogue à la figure 7, montrant l’évolution de la transmission (T de 0,96 à 1) en fonction de la longueur d’onde (WL de 0,3 à 1 µm), pour cinq dispositifs différents, configurés comme sur les figures 1 à 5, avec un substrat en dioxyde de silicium SiO2 et pour certains une couche de revêtement en fluorure de magnésium MgF2. est un graphe analogue à la figure 9, pour deux dispositifs dont la transmission est représentée sur la figure 14, à savoir un dispositif conforme à l’invention comprenant un substrat et un revêtement texturés, et un dispositif comprenant un substrat et un revêtement non texturés. est un graphe analogue à la figure 7, montrant l’évolution de la transmission (T de 0,966 à 1) en fonction de la longueur d’onde (WL de 0,3 à 1 µm), pour cinq dispositifs différents, configurés comme sur les figures 1 à 5, avec un substrat en alumine Al2O3 et pour certains une couche de revêtement en dioxyde de silicium SiO2. est une représentation schématique en vue de dessus d’une variante de dispositif conforme à l’invention, dont les cavités présentent une périodicité variable sur la surface du dispositif, en étant plus rapprochées au centre que sur les bords du dispositif. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, les cavités ayant un profil concave symétrique, avec une section décroissante selon la profondeur, et non un profil cylindrique. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, les cavités ayant un profil concave asymétrique. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, les cavités ayant des profondeurs variables. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, les cavités ayant des diamètres variables. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, comprenant un empilement de deux substrats et deux couches de revêtement en alternance, les cavités étant formées uniquement dans la première couche de revêtement et le premier substrat. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, comprenant un empilement de deux substrats et deux couches de revêtement en alternance, les cavités traversant entièrement l’empilement excepté le dernier substrat, qui est creusé partiellement. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, comprenant une sous-couche réalisée dans un matériau différent du substrat et du revêtement. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, avec deux faces comprenant chacune un substrat, une couche de revêtement et une texturation de surface formant des cavités traversant la couche de revêtement et pénétrant partiellement le substrat. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, avec une première face comprenant une couche de revêtement et une texturation de surface formant des cavités traversant la couche de revêtement et pénétrant partiellement le substrat, et une deuxième face comprenant une couche de revêtement dépourvue de texturation, dépourvue de traitement, ou recevant un traitement différent de la texturation de la première face. est une coupe analogue à la figure 1, montrant une variante de dispositif conforme à l’invention, avec deux faces comprenant chacune un substrat, une couche de revêtement et une texturation, et une couche intermédiaire formée entre les deux substrats. Sur les figures 1 et 6 est représenté un dispositif (1) optique antireflet conforme à l’invention. Le dispositif (1) est bien adapté à la transmission d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde IR lointain, entre 7 et 15 µm (LWIR). Le dispositif (1) comprend un substrat (10) en silicium Si, avec par exemple une épaisseur (E10) de 1 ou 2 mm. Le substrat (10) a un indice de réfraction n = 3,43 et est transparent dans la gamme de longueur d’onde susmentionnée. Le dispositif (1) comprend une couche de revêtement (20) en carbone amorphe diamant DLC, avec une épaisseur (E20) de 1425 nm. Le DLC a un indice de réfraction n = 1,8 et est transparent dans la gamme de longueur d’onde susmentionnée. Le dispositif (1) comprend une texturation de surface (30) formant des cavités (31) qui traversent la couche de revêtement (20) et creusent partiellement le substrat (10). Les cavités (31) sont réparties selon un réseau régulier sur la surface du dispositif (1). Les cavités (31) ont une périodicité (L31) de 2 µm, un diamètre (D31) de 1,6 µm, et une profondeur (P31) de l’ordre de 2,34 µm. Les cavités (31) pénètrent dans le substrat (10), dans une couche texturée (11) ayant une profondeur (P11) de 915 nm, très inférieure à l’épaisseur (E10) du substrat (10). La texturation (30) permet d’abaisser l’indice de réfaction effectif dans la couche texturée (11) du substrat (10), de manière maîtrisée. La texturation (30) peut être réalisée par tout type de technique adaptée pour traverser la couche de revêtement (20) et creuser partiellement le substrat (10), par exemple laser, photolithographie, nano-impression, etc. La texturation laser est relativement économique et bien maîtrisée. En particulier, la texturation (30) peut être réalisée par un laser ultra-bref, avec une durée d’impulsion dans le régime femtoseconde ou picoseconde. La longueur d’onde du laser, qui varie typiquement entre 200 à 16000 nm, est à choisir en fonction des caractéristiques de texturation (30) souhaitées, telles que la forme et les dimensions des cavités (31), motifs, périodicité, etc. Les références suivantes peuvent être consultées pour paramétrer le système laser : - YU (2013), "Femtosecond laser nanomachining initiated by ultra", Optics Express. - SEDAO (2012), "Large area laser surface micro/nanopatterning by contact microsphere lens arrays", Applied Physics A. Sur les figures 2 à 5 sont représentés différents dispositifs (2, 3, 4, 5) non conformes à l’invention. Hormis les différences détaillées ci-après, le substrat (10), la couche de revêtement (20) et la texturation (30) ont les mêmes caractéristiques que pour le dispositif (1) décrit plus haut. Sur la figure 2, le dispositif (2) est constitué par un substrat (10) en silicium Si et un revêtement (20) en DLC, non texturés. Sur la figure 3, le dispositif (3) est constitué par un substrat (10) en silicium Si texturé, mais non revêtu. Le substrat (10) du dispositif (3) a la même épaisseur que le dispositif (1). Les cavités (31) ont la même profondeur (P31) pour les deux dispositifs (1, 3). Sur la figure 4, le dispositif (4) est constitué par un substrat (10) en silicium Si non texturé et un revêtement (20) en DLC texturé. Les cavités (31) traversent le revêtement (20), mais ne pénètrent pas dans le substrat (10). Sur la figure 5, le dispositif (5) est constitué par un substrat (10) en Si non texturé et non revêtu. Le substrat (10) du dispositif (3) a la même épaisseur que le substrat (10) du dispositif (1). Sur la figure 6, le graphe comporte cinq courbes montrant l’évolution de la transmission (T1, T2, T3, T4, T5) en fonction de la longueur d’onde (WL), pour les dispositifs (1, 2, 3, 4, 5). En abscisses, la longueur d’onde (WL) varie entre 3 à 15 µm. En ordonnées, la transmission (T) varie de 0 à 1. - La courbe de transmission (T1) correspond au dispositif (1) selon l’invention, montré aux figures 1 et 6. - La courbe de transmission (T2) correspond au dispositif (2) montré à la figure 2. - La courbe de transmission (T3) correspond au dispositif (3) montré à la figure 3. - La courbe de transmission (T4) correspond au dispositif (4) montré à la figure 4. - La courbe de transmission (T5) correspond au dispositif (5) montré à la figure 5. Comme montré sur le graphe de la figure 7, la transmission (T1) du dispositif (1) est améliorée par rapport à chacun des dispositifs (2, 3, 4, 5), au niveau de la largeur spectrale et de la transmission maximale (donc absorption minimale). Les transmissions (T1, T3) présentent une coupure vers 3 à 5 µm, possiblement liée à la profondeur des cavités (31) pénétrant dans le substrat (10). Sur les figures 8 et 9, les graphes comportent deux courbes montrant l’évolution de la transmission (T1, T2) en fonction de l’angle d’incidence (Angle), pour les dispositifs (1, 2). On constate que la largeur angulaire de transmission est plus importante pour le dispositif (1) que pour le dispositif (2). Sur les figures 10 et 11, les diagrammes montrent l’évolution de la transmission (T1, T2) en fonction de la longueur d’onde (WL et de l’angle d’incidence (Angle). L’évolution de la transmission (T1, T2) est représentée en deux dimensions, par des nuances de couleurs. On constate que la plage de transmission est plus importante pour le dispositif (1) que pour le dispositif (2), excepté pour les longueurs d’onde (WL) aux environs de 3 à 5 µm. La structure du dispositif (1) forme un système bi-couches, comprenant une couche de revêtement (20) texturée et une couche texturée (11) du substrat (10), surmontant la partie non texturée du substrat (10). Grâce à la texturation (30), la structure du dispositif (1) permet d’obtenir des performances antireflet améliorées par rapport aux dispositifs (2, 3, 4, 5). Les performances antireflet du dispositif (1) sont comparables à celles des systèmes multicouches comportant plusieurs couches de revêtement (20) superposées. La réalisation de la texturation (30) est particulièrement avantageuse lorsque l’application de revêtements multicouches n'est pas possible, pratique ou souhaitable. Sur la figure 12 est représenté un graphe analogue à la figure 7, montrant l’évolution de la transmission (T1, T2, T3, T4, T5), pour cinq dispositifs (1, 2, 3, 4, 5) configurés comme sur les figures 1 à 5, avec une couche de revêtement (20) en dioxyde de silicium SiO2 déposée sur un substrat (10) en séléniure de zinc ZnSe. En abscisses, la longueur d’onde (WL) varie de 0,8 à 3 µm, dans la gamme IR proche et moyen. En ordonnées, la transmission (T) varie de 0,7 à 1. Pour les dispositifs (1, 2, 3, 4, 5), le substrat (10) en séléniure de zinc ZnSe a un indice de réfraction n = 2,46. Pour les dispositifs (1, 2, 4), la couche de revêtement (20) en dioxyde de silicium SiO2 a une épaisseur (E20) de 230 nm et un indice de réfraction n = 1,44. Pour les dispositifs (1, 3, 4), les cavités (31) ont une périodicité (L31) de 320 nm et un diamètre (D31) de 265 nm. Pour les dispositifs (1, 4), les cavités (31) ont une profondeur (P31) de l’ordre de 400 nm. Le dispositif (1) est bien adapté à la transmission d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde IR proche et moyen, entre 0,8 et 3 µm. Comme montré sur le graphe de la figure 12, la transmission (T1) du dispositif (1) est améliorée par rapport à chacun des dispositifs (2, 3, 4, 5), au niveau de la largeur spectrale et de la transmission maximale (donc absorption minimale). Sur la figure 13, le graphe comporte deux courbes montrant l’évolution de la transmission (T1, T2) en fonction de l’angle d’incidence (Angle), pour les dispositifs (1, 2) décrits ci-dessus en ligne avec la figure 12. On constate que la largeur angulaire de transmission est plus importante pour le dispositif (1) que pour le dispositif (2). Sur la figure 14 est représenté un graphe analogue à la figure 7, montrant l’évolution de la transmission (T1, T2, T3, T4, T5), pour cinq dispositifs (1, 2, 3, 4, 5) configurés comme sur les figures 1 à 5, avec une couche de revêtement (20) en fluorure de magnésium MgF2 déposée sur un substrat (10) en dioxyde de silicium SiO2. En abscisses, la longueur d’onde (WL) varie de 0,3 à 1 µm, dans la gamme visible, IR proche et moyen. En ordonnées, la transmission (T) varie de 0,96 à 1. Pour les dispositifs (1, 2, 3, 4, 5), le substrat (10) en dioxyde de silicium SiO2 a un indice de réfraction n = 1,44. Pour les dispositifs (1, 2, 4), la couche de revêtement (20) en fluorure de magnésium MgF2 a une épaisseur (E20) de 57 nm et un indice de réfraction n = 1,38. Pour les dispositifs (1, 3, 4), les cavités (31) ont une périodicité (L31) de 202 nm et un diamètre (D31) de 160 nm. Pour les dispositifs (1, 4), les cavités (31) ont une profondeur (P31) de l’ordre de 94 nm. Le dispositif (1) est bien adapté à la transmission d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde visible, entre 0,38 et 0,78 µm. Comme montré sur le graphe de la figure 14, la transmission (T1) du dispositif (1) est améliorée par rapport aux transmissions (T2, T5) des dispositifs (2, 5), au niveau de la largeur spectrale et de la transmission maximale (donc absorption minimale). En revanche, la transmission (T1) du dispositif (1) est relativement proche des transmissions (T3, T4) des dispositifs (3, 4). Sur la figure 15, le graphe comporte deux courbes montrant l’évolution de la transmission (T1, T2) en fonction de l’angle d’incidence (Angle), pour les dispositifs (1, 2) décrits ci-dessus en ligne avec la figure 14. On constate que la largeur angulaire de transmission est plus importante pour le dispositif (1) que pour le dispositif (2). Sur la figure 16 est représenté un graphe analogue à la figure 7, montrant l’évolution de la transmission (T1, T2, T3, T4, T5), pour cinq dispositifs (1, 2, 3, 4, 5) configurés comme sur les figures 1 à 5, avec une couche de revêtement (20) en dioxyde de silicium SiO2 déposée sur un substrat (10) en alumine Al2O3. En abscisses, la longueur d’onde (WL) varie de 0,3 à 1 µm, dans la gamme visible, IR proche et moyen. En ordonnées, la transmission (T) varie de 0,96 à 1. Pour les dispositifs (1, 2, 3, 4, 5), le substrat (10) en alumine Al2O3 a un indice de réfraction n = 1,69. Pour les dispositifs (1, 2, 4), la couche de revêtement (20) en dioxyde de silicium SiO2 a une épaisseur (E20) de 83 nm et un indice de réfraction n = 1,44. Pour les dispositifs (1, 3, 4), les cavités (31) ont une périodicité (L31) de 176 nm et un diamètre (D31) de 159 nm. Pour les dispositifs (1, 4), les cavités (31) ont une profondeur (P31) de l’ordre de 156 nm. Le dispositif (1) est bien adapté à la transmission d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde visible, IR proche et moyen, entre 0,3 et 1 µm. Comme montré sur le graphe de la figure 16, la transmission (T1) du dispositif (1) est améliorée par rapport à chacun des dispositifs (2, 3, 4, 5), au niveau de la largeur spectrale et de la transmission maximale (donc absorption minimale), en particulier pour une gamme de longueur d’onde IR proche et moyen. D’autres variantes d’un dispositif (1) conforme à l’invention sont montrés aux figures 17 à 27. Dans un but de simplification, les éléments constitutifs comparables à ceux du premier mode de réalisation décrit plus haut portent les mêmes références numériques. Sur la figure 17, les cavités (31) sont réparties à la surface du dispositif (1) avec une périodicité variable. La périodicité est différente entre le centre et les bords du dispositif (1). Les cavités (31) sont plus rapprochées au centre que sur les bords. Sur la figure 18, les cavités (31) présentent un profil concave symétrique dans un plan axial, avec un diamètre (D31) et une section d’aire décroissante avec la profondeur (P31). Sur la figure 19, les cavités (31) présentent un profil concave asymétrique dans un plan axial, avec une plus grande dimension (D31) et une section d’aire décroissante avec la profondeur (P31). Si la section est circulaire, la plus grande dimensions (D31) est un diamètre, sinon pour une section non circulaire, la plus grande dimensions (D31) est une longueur. En pratique, la texturation (30) produit des effets optiques différents selon l’orientation du rayonnement incident. Ce phénomène est renforcé par l’asymétrie des cavités (31). Sur la figure 20, les cavités (31) présentent des profondeurs (P31a, P31b) différentes. Sur la figure 21, les cavités (31) présentent des diamètres (D31a, D31b) différents. Sur la figure 22, le dispositif (1) comprend un empilement de deux substrats (10) et deux couches de revêtement (20) en alternance. Les cavités (31) sont formées uniquement dans la première combinaison (10+20) d’un substrat (10) et d’une couche de revêtement (20), orienté du côté supérieur, recevant le rayonnement incident. Sur la figure 23, le dispositif (1) comprend aussi un empilement de deux substrats (10) et deux couches de revêtement (20) en alternance. Les cavités (31) traversent entièrement l’empilement excepté le dernier substrat (10), qui est creusé partiellement. Sur la figure 24, le dispositif (1) comprend une couche arrière (40) réalisée dans un matériau différent du substrat (10) et de la couche de revêtement (20). Le revêtement (20) est formé sur un premier côté du substrat (10), tandis que la couche arrière (40) est formée sur un second côté du substrat (10) opposé au premier côté. La couche arrière (40) a une fonction différente de la couche de revêtement (20). Sur la figure 25, le dispositif (1) comprend deux faces configurées selon l’invention, avec un substrat (10) central. Chaque face comporte une couche de revêtement (20) et une texturation (30), formant des cavités (31) qui traversent la couche de revêtement (20) et pénètrent partiellement le substrat (10). Les deux couches de revêtement (20) peuvent être identiques ou différentes (matériaux, épaisseurs, etc). Sur la figure 26, le dispositif (1) comprend une première face configurée selon l’invention, avec une couche de revêtement (20) et une texturation (30) pénétrant partiellement dans le substrat (10), et une deuxième face avec une couche de revêtement (20) qui est dépourvue de texturation, ou dépourvue de traitement, ou reçoit un traitement différent de la texturation de la première face. Sur la figure 27, le dispositif (1) comprend deux faces configurées selon l’invention, avec une couche (20 / 40) centrale. Chaque face comporte une couche de revêtement (20) et une texturation (30), formant des cavités (31) qui traversent la couche de revêtement (20) et pénètrent partiellement le substrat (10). Les substrat (10) et couches de revêtement (20) des deux faces peuvent être identiques ou différents (matériaux, épaisseurs, etc). Par ailleurs, le dispositif (1) peut être conformé différemment des figures 1 à 27 sans sortir du cadre de l’invention, qui est défini par les revendications. En outre, les caractéristiques techniques des différents modes de réalisation et variantes mentionnés ci-dessus peuvent être, en totalité ou pour certaines d’entre elles, combinées entre elles. Ainsi, le dispositif (1) peut être adapté en termes de coût, de fonctionnalités et de performance. Dispositif (1) optique, adapté à la transmission / réflexion d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde du spectre électromagnétique, ledit dispositif (1) comprenant au moins : un substrat (10) réalisé dans un premier matériau, une couche de revêtement (20) réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, et une texturation de surface (30) formant des cavités (31) dans le dispositif (1), caractérisé en ce que les cavités (31) traversent la couche de revêtement (20) et creusent partiellement le substrat (10). Dispositif (1) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les cavités (31) ont un profil continu entre la couche de revêtement (20) et le substrat (10). Dispositif (1) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les cavités (31) ont une section circulaire. Dispositif (1) selon l’une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les cavités (31) présentent un profil concave dans un plan axial, avec une section d’aire décroissante selon la profondeur. Dispositif (1) selon l’une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les cavités (31) présentent un profil concave symétrique dans un plan axial. Dispositif (1) selon l’une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les cavités (31) présentent un profil concave asymétrique dans un plan axial. Dispositif (1) selon l’une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les cavités (31) sont réparties selon un réseau régulier sur la surface du dispositif (1). Dispositif (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les cavités (31) sont réparties avec une périodicité variable, par exemple une périodicité différente entre le centre et les bords du dispositif (1). Dispositif (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comprend un empilement de plusieurs substrats (10) et couches de revêtement (20) en alternance, incluant au moins une première combinaison (10+20) d’une première couche de revêtement (20) et d’un premier substrat (10), et une dernière combinaison (10+20) d’une dernière couche de revêtement (20) et d’un dernier substrat (10). Dispositif (1) selon la revendication 9, caractérisé en ce que les cavités (31) sont formées uniquement dans la première combinaison (10+20). Dispositif (1) selon la revendication 9, caractérisé en ce que les cavités (31) traversent entièrement l’empilement excepté le dernier substrat (10), qui est creusé partiellement. Dispositif (1) selon l’une des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que l’empilement comprend au moins une combinaison (10+20) intermédiaire entre la première combinaison (10+20) et la dernière combinaison (10+20). Dispositif (1) selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comprend au moins une couche arrière (40) réalisée dans un matériau différent du substrat (10) et du revêtement (20), le revêtement (20) étant formé sur un premier côté du substrat (10), la couche arrière (40) étant formée sur un second côté du substrat (10) opposé au premier côté. Dispositif (1) selon l’une des revendications précédentes 1 à 13, caractérisé en ce qu’il comprend deux faces, avec chacune une couche de revêtement (20) et une texturation de surface (30) formant des cavités (31) traversant la couche de revêtement et pénétrant partiellement le substrat ou l’un des substrats. Dispositif (1) selon l’une des revendications précédentes 1 à 13, caractérisé en ce qu’il comprend une première face avec une couche de revêtement (20) et une texturation de surface (30) formant des cavités (31) traversant la couche de revêtement (20) et pénétrant partiellement le substrat (10) ou l’un des substrats (10), et une deuxième face avec une couche de revêtement (20) qui est dépourvue de texturation, ou dépourvue de traitement, ou reçoit un traitement différent de la texturation de la première face. Procédé de fabrication d’un dispositif optique, adapté à la transmission / réflexion d’un rayonnement électromagnétique dans une gamme de longueur d’onde du spectre électromagnétique, ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes : former au moins une combinaison d’un substrat réalisé dans un premier matériau, et d’une couche de revêtement réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, puis réaliser une texturation de surface formant des cavités dans le dispositif, caractérisé en ce que les cavités traversent la couche de revêtement et creusent partiellement le substrat.