FR 3097681 A1 20201225 FR 1906756 A 20190621 Description Titre de l'invention : Procédé de réalisation de vignettes de nitrure destinées chacune à former un dispositif électronique ou optoélec- tronique Domaine technique 100011 L'invention concerne la réalisation de vignettes faites d'un nitrure (N) obtenu de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (Al). L'invention trouve par exemple pour application le domaine des dispositifs optoélectroniques comprenant une pluralité de diodes électroluminescentes (LED) de taille micrométrique, généralement appelées micro-LEDs. Dans ce domaine, une utilisation particulièrement avantageuse de l'invention concerne la réalisation d'écrans de faibles tailles généralement appelées micro-écrans ou encore micro-display. Technique antérieure [0002] Les dispositifs optoélectroniques à base de micro-LEDs, comprennent un substrat surmonté d'une pluralité de micro-LEDs distantes les unes des autres. Ces dispositifs optoélectroniques sont habituellement formés en effectuant les étapes décrites succinctement ci-dessous et illustrées schématiquement en figures 1A et 1B : [0003] - une première étape consiste à obtenir une couche de nitrure 500, typiquement une couche de nitrure de gallium (GaN). Ce type de nitrure est classiquement obtenu par croissance épitaxiale à partir d'une couche cristalline 300 Cette étape est illustrée en figure 1A. [0004] - une seconde étape consiste à délimiter spatialement des vignettes 550A-550E, également désignées mesas, dans la couche de nitrure 500 épitaxiée pleine plaque sur la couche cristalline 300. Cette délimitation spatiale est par exemple effectuée par une gravure 10 de type RIE (acronyme du vocable anglais reactive-ion etching, signifiant gravure ionique réactive). Chacune de ces vignettes 550A-550E est destinée à former une micro-LED 570A-570D. Pour cela, on peut par exemple réaliser des puits quantiques 590 dans chacune des vignettes 550A-550E afin de former les micro-LEDs 570A-570D. [0005] Un inconvénient de ces dispositifs optoélectroniques est que le rendement quantique externe de ces micro-LED dépend étroitement de leur taille. Ccci est clairement représenté dans le graphe de la figure 2A. Sur ce graphe, on voit clairement que lorsque la taille de la micro-LED diminue, le rendement quantique externe diminue également. Cette diminution de rendement est particulièrement significative pour des micro-LED dont la taille latérale est inférieure à 50 pm (10-6 mètres), la taille latérale étant la longueur des côtés d'une micro-LED dont la face supérieure est carrée ou rec- 2 tangulairc. Les longueurs des côtés de la face supérieure d'une micro-LED conditionnent donc le périmètre de cette face supérieure. [0006] La figure 2B est une image de cathodoluminescence à température ambiante d'une micro-LED de 7jim de taille latérale. Cette figure montre clairement que cette baisse d'efficacité des micro-LEDs est associée à une moindre luminescence des bords de la LED. La figure 2C est un graphe qui compare les profils de cathodoluminescence à des températures de 300K (kelvin) et à 8K. Cette figure fait clairement apparaître que lorsque la température augmente, en bord de micro-LED, les excitons localisés à basse température sont délocalisés vers les centres de recombinaison non radiatifs. [0007] Cet effet de bord est d'autant plus important que le rapport périmètre sur surface, ap- proximativement proportionnel à l'inverse de la taille de la micro-LED, augmente. Cela ressort clairement de la figure 2D. Cette figure illustre la variation du paramètre A de recombinaison de Shockley-Read-Hall (SRH) en fonction de ce rapport périmètre sur surface. [0008] Cet effet de bord est très probablement lié aux défauts laissés par la gravure 10, destinée à délimiter spatialemcnt les différentes vignettes 550A-550E dans la couche épitaxiée 500 pleine plaque sur leur substrat 300. En effet, la gravure 10 par exemple de type RTE altère le pourtour des vignettes 550A-550E destinées à former chaque micro-LED 570A, 570B. Ces zones altérées sont référencées 520A, 520B en figure 1C qui est un agrandissement de la zone A référencée en figure 1B. Au niveau des puits quantiques 590 formés dans les micro-LED 570A-570D, ces défauts non radiatifs piègent les porteurs leur interdisant de se recombiner radiativement, ce qui fait chuter le rendement des micro-LED 570A-570D. [0009] Plusieurs solutions ont été proposées pour répondre à cette problématique. [0010] Une première solution envisageable consiste à optimiser la surface disponible du pixel en réalisant des micro-LED dont la surface est proche de celle du pas de pixellisation, et dont la géométrie minimise le rapport PIS, P étant le pas des pixels et S étant la surface de la micro-LED associée au pixel. Un inconvénient de cette solution est que la proximité des pixels augmente les effets dits de chevauchement, habituellement désigné « cross-talk », entre pixels. [0011] Une seconde solution envisagée consiste à forcer l'injection des porteurs au centre de la micro-LED, de sorte que les porteurs ne puissent pas diffuser jusqu'aux bords de la micro-LED Pour ce faire, on peut prévoir que le contact de type p n'occupe pas toute la surface du GaN formant la micro-LED. II faut pour cela que la longueur de diffusion des porteurs dans le GaN soit inférieure à la distance entre le bord du contact p et le bord du pixel. Ainsi, les porteurs n'atteignent pas les bords du pixel. Cependant, cette solution présente pour inconvénient d'induire une perte importante de la surface émissive, surtout dans le cas des micro-LEDs. Pour une même surface, un écran 3 portant ces micro-LEDs présentera donc une intensité lumineuse plus faible. [0012] De façon générale, les techniques de gravure sont connues comme étant génératrices de problèmes. Leurs effets néfastes sont de plusieurs ordres : rugosification de la surface, contamination chimique liée à la chimie des gaz utilisés, niveaux associés aux lacunes d'azote, etc. Il a notamment été montré que les surfaces de GaN dopé p (Mg) sont impactées par la gravure ICP (gravure plasma à couplage inductif), cc qui induit une très nette réduction de la concentration en accepteurs dans les zones proches de la surface. Cela est en particulier expliqué dans la publication« Electrical effect of plasma damage in p-GaN Induced by Reactive Ion Etching ,» Cao et Al. Appl. Phys. Lett. 75. 2569,(1999). [0013] Il a été également montré que la gravure RIE ou 1CP induit des niveaux pièges dans le gap du GaN. Cela est en particulier expliqué dans la publication Kodera et Al. PSS. A 2017 ,1700633 « Impact of Plasma damaged layer removal on GaN HEMT &vices ». La concentration d'oxygène est aussi augmentée, d'un facteur 3, dans la zone irnpactée par la gravure sèche, probablement en raison de l'oxydation des couches de surface, corrélativement à l'apparition d'une sous-stoechiométrie en azote. De plus, la zone de surface devient amorphe sur quelques nm (10-9 mètres). Dans cette même publication de Kodera et Al. il est montré qu'un traitement chimique post gravure approprié permet de réduire les effets négatifs de la gravure. L'analyse SIMS (Spectrométrie de Masse à Ionisation Secondaire) montre cependant que l'élimination des impuretés en surface induites par la gravure n'est pas totale. [0014] Les effets de la gravure RIE ont été également étudiés pour déterminer s'il était possible de reprendre des contacts sur des surfaces gravées. Il semble impossible d'obtenir un contact de type p avec une résistance compatible avec les applications sur une surface gravée. Des recuits du type RTA (Rapid Thermal Annealing signifiant recuit thermique rapide) permettent d'améliorer le contact sans pour autant récupérer des contacts ohmiques. Cela a notamment été montré dans la publication Chang et Al. « The Variation of Ohmic Contacts and Surface Characteristics », J. of the Electrochemical Society » 149 n°7 (G367-0369) 2002. [0015] Pour pallier ces problèmes dans le cas des micro-LEDs, il est possible de mettre en oeuvre des procédés de passivation des flancs de gravure. Ces procédés consistent à déposer une couche du type Si02 sur les flancs de gravure pour éviter toute recombinaison non radiative sur les bords des vignettes 550A-550E. Outre que ceci devrait être associé à un traitement chimique préliminaire pour éliminer (mais seulement partiellement) la zone de défauts, ceci ajoute des étapes technologiques supplémentaires délicates à maîtriser. Cela tend ainsi à augmenter significativement la complexité et le coût de l'obtention des micro-LEDs. [0016] Comme décrit ci-dessus, les solutions connues pour former des vignettes faites d'un nitrure (N) obtenu de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (AI), induisent de nombreux problèmes lorsque ces vignettes sont utilisées pour former des micro-LEDs. Ces solutions connues induisent également des problèmes lorsque les vignettes sont utilisées pour réaliser des dispositifs électroniques de puissance tels que des transistors de puissance, par exemple des transistors HEMT (acronyme de leur appellation anglo-saxonc « High Elcctron Mobility Transistor » signifiant transistor à effet de champ à haute mobilité d'électrons). Ces solutions connues de réalisation de vignettes conduisent en pratique à des performances électriques relativement faibles des transistors de type HEMT. [0017] Il existe donc un besoin consistant à limiter voire à supprimer les inconvénients des solutions connues. La présente invention a notamment pour objectif de proposer une solution pour répondre à cc besoin. [0018] Un autre objectif de la présente invention est de proposer une solution pour obtenir à la surface d'un substrat une pluralité des micro-LED présentant une brillance améliorée et/ou une très haute résolution. [0019] Un autre objectif de la présente invention est de proposer une solution pour améliorer les performances électriques des dispositifs de puissance, par exemple des transistors de puissance de type HEMT. [0020] Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. [0021] RÉSUMÉ [0022] Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation la présente invention prévoit un procédé d'obtention d'une pluralité de vignettes destinées chacune à former un dispositif électronique ou opto-électronique. Chaque vignette est faite au moins en partie d'un nitrure (N) obtenu de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (Al). [0023] Le procédé comprend les étapes successives suivantes: [0024] fournir un empilement comprenant un substrat et au moins les couches suivantes suc- cessivement disposées depuis le substrat: une première couche, dite couche de fluage, faite en un matériau présentant une température de transition vitreuse, la couche de fluage présentant une température de transition vitreuse Trr',,itin,,,i,',',, une deuxième couche, cristalline, dite couche cristalline, différente de la couche de fluage, [0025] former des plots par gravure au moins de la couche cristalline et d'au moins une portion de la couche de fluage de manière à ce que : [0026] chaque plot comporte au moins: un premier tronçon, dit tronçon de fluage, formé par une portion au moins de la couche de fluage, un deuxième tronçon, cristallin, dit tronçon cristallin, formé par la couche cristalline et surmontant le tronçon de fluage, [0027] les plots soient répartis sur le substrat de manière à former une pluralité d'ensembles de plots, [0028] faire croître par épitaxic une cristallitc sur certains au moins desdits plots et : poursuivre la croissance épitaxialc des cristallites jusqu'à coalescence des cristallites portées par les plots adjacents d'un même ensemble de manière à former sur chaque ensemble une vignette de nitrure, interrompre la croissance épitaxialc des cristallites avant que des cristallites appartenant à deux ensembles distincts n'entrent en coalescence, de sorte à ce que les vignettes de chaque ensemble soient distantes les unes des autres. [0029] Ainsi, le procédé proposé prévoit la réalisation de vignettes de nitrure (GaN par exemple) à partir d'ensembles de plots gravés dans un empilement comprenant une couche cristalline destinée à l'épitaxic du nitrure et une couche de fluage. Au cours de leur croissance épitaxialc, les cristallites formées au sommet des plots d'un même ensemble de plots se rejoignent pour former une vignette, chacune des vignettes étant destinée à former un dispositif optoélectronique tel qu'une micro-LED par exemple ou un dispositif électronique tel qu'un transistor de puissance, par exemple de type HEMT. [0030] Comme cela sera indiqué plus en détail par la suite, l'utilisation de ces réseaux de plots permet de former par épitaxie des vignettes de nitrure sans ou avec peu de dislocations. En effet, l'utilisation d'ensembles de plots permet de tirer partie des propriétés de fluage de certains matériaux des plots à la température d'épitaxie afin d'aligner les cristallites de nitrure qui croissent par pendeo-épitaxie à partir de plots adjacents jusqu'à former les vignettes, ceci sans former de défauts de coalescence. [0031] Plus précisément, lors de l'épitaxie, la portion du plot qui est formée par le tronçon de fluage atteint (ou dépasse) sa température de transition vitreuse ou une température très proche de cette dernière. Sous l'effort d'une contrainte mécanique, cette portion de plot peut ainsi se déformer. Ainsi lorsque deux cristallites qui sont supportées par un même ensemble de plots entrent en contact et coalescent, les contraintes mécaniques générées par ce contact sont transférées aux plots et donc aux tronçons de fluage. Ces derniers se déforment, absorbant de ce fait une partie voire toutes les contraintes mécaniques. On peut ainsi réduire considérablement, voire éviter, l'apparition et la propagation de dislocations au niveau des joints de coalescence entre les cristallites qui forment une vignette de nitrure. [0032] En particulier, si les cristallites sont désorientées les unes par rapport aux autres dans 6 le plan dans lequel le substrat s'étend principalement (« twist ») ou hors plan (« tilt »), la désorientation entre cristallites résulte en la création d'un joint de grains à la coalescence. Cc joint de grains est fortement énergétique puisqu'il résulte de la superposition des champs de contrainte des défauts qui le composent. Si les cristallites poussent sur des plots qui peuvent se déformer comme le permet le procédé décrit, les cristallites adjacentes s'orientent alors dans le plan ou hors plan pour minimiser l'énergie totale du système sans qu'il y ait formation de joints de grains. Au contraire, si les cristallites poussent sur des plots qui ne peuvent pas se déformer, (comme cela serait le cas avec les procédés de l'état de la technique de type pendeo épitaxic ou ELOG acronyme de Epitaxial Lateral Over Growth signifiant croissance épitaxiale par recroissancc latérale), il y a formation de joints de grains et donc apparition de dislocations. [0033] Ainsi le procédé décrit propose une solution clairement opposée à toutes les solutions de l'état de la technique présentées ci-dessus et qui prévoient de délimiter par gravure des vignettes à partir d'une couche commune initiale obtenue par épitaxic. Le procédé proposé permet de se passer totalement d'une étape de gravure pour délimiter les vignettes. Or, comme indiqué ci-dessus cette étape de gravure s'avère très pénalisante pour l'efficacité des micro-LEDs. Par ailleurs, les solutions développées pour atténuer, sans les éliminer, les inconvénients de cette gravure complexifient considérablement les procédés et induisent d'autres inconvénients. La solution proposée dans le cadre de la présente invention repose ainsi sur un procédé simple et aisément reproductible, qui permet d'obtenir des vignettes qui n'ont pas été altérées par des procédés de gravures et qui ne présentent pas ou très peu de défauts liés aux joints de coalescence. L'invention permet ainsi d'augmenter considérablement l'efficacité des micro-LEDs obtenues à partir de ces vignettes. [0034] Cette solution permet ainsi d'améliorer la brillance des écrans haute résolution réalisés à partir de ces micro-LEDs. En effet elle permet d'obtenir des micro-LEDs de tailles très petites. Les dimensions des vignettes sont déterminées par le réseau de plots. El est possible de réaliser des vignettes de quelques pm à quelques centaines de pm (106 mètres) en mettant en oeuvre ce procédé. [0035] La densité de dislocations dans ces vignettes de GaN est inférieure ou est de l'ordre de 1 à 2 10E8 / cm2. L'efficacité radiative des puits quantiques est très élevée. [0036] La précision des procédés mis en oeuvre pour réaliser le réseau de plots, déterminera en partie au moins la plus faible dimension possible pour les micro-LED et donc la résolution d'un écran comprenant ces micro-LED. Par exemple, pour des réseaux de plots élaborés par impression nanométrique (nanoimprint) et par lithographie par faisceau d'électron (e-beam), on peut atteindre des tailles de plots de 50 nm et des périodes de 150 à 200nm. Il est alors possible d'obtenir des tailles de vignettes de 1 à 2 7 !lm. Cela correspond aux tailles de pixels recherchées pour les micro- écrans (souvent désignés prdisplay) haute résolution. [0037] Par ailleurs ce procédé permet de réaliser directement des micro-LEDs présentant chacune une taille correspondant à la taille initiale de la vignette, notamment si une hétéro-structure à puits quantiques est élaborée sur ces vignettes de nitrure. [0038] Le procédé proposé permet ainsi d'obtenir des micro-LEDs de tailles très faibles et présentant une forte brillance. Cc procédé est donc particulièrement avantageux pour réaliser des écrans haute résolution et à forte brillance. [0039] Le procédé proposé permet également d'obtenir des vignettes que l'on utilise pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance tel que des transistors de type HEMT par exemple. Les vignettes obtenues présentant un taux de dislocations réduit et une meilleure qualité cristalline, les performances électriques des dispositifs de puissance s'en trouvent améliorées. [0040] L'invention permet ainsi d'obtenir des couches de nitrure (N) obtenue à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (AI) présentant une densité de dislocations significativement réduite. [0041] Par conséquent, le procédé selon l'invention apporte une solution particulièrement efficace au problème de la génération de défauts liés à la coalescence. Ce procédé, tout particulièrement lorsqu'il est appliqué à des cristallitcs réalisées sur substrat du type SOT (silicium sur isolant) et de dimensions nanométriques, résulte en une réduction très notable de la densité de défauts liés à la coalescence, permettant la réalisation de pseudo-substrats avec de très faibles densités de dislocations. [0042] Un autre aspect de la présente invention concerne un procédé de formation d'une pluralité de diodes électroluminescentes (LEDs) comprenant au moins les étapes successives suivantes : formation d'une pluralité de vignettes destinées chacune à former une LED, la pluralité de vignettes étant obtenue en mettant en oeuvre le procédé décrit ci-dessus, réalisation dans les vignettes d'au moins l'un parmi : - au moins une jonction pin, - au moins un puit quantique. [0043] Un autre aspect de la présente invention concerne un dispositif microélectronique comprenant un substrat surmonté d'une pluralité de vignettes faites chacune d'un nitrure (N) obtenu de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (Al). Le dispositif comprend également une pluralité de plots s'étendant entre le substrat et la pluralité de vignettes, chaque vignette étant entièrement supportée par un ensemble de plots pris parmi ladite pluralité de plots. Chaque plot comprend au moins : 8 - un premier tronçon, dit tronçon de lluaee, présentant une température de transition vitreuse Ttransitio',ilici,', - un deuxième tronçon, dit tronçon cristallin Ruiné d'un matériau cristallin, le tronçon de fluage et le tronçon cristallin étant successivement disposés depuis le substrat. [0044] Le matériau du tronçon de fluage et ledit nitrure dans lequel sont faites les vignettes étant choisis de manière à ce que: Tépiutxre kl x Transraoll vareuse, avec kl=0.8, Tépi,',,, étant la température minimale permettant la formation par épitaxie dudit nitrure dans lequel sont faites les vignettes. [0045] Ainsi, chaque vignette comprend ou est formée d'une couche continue de nitrure (N) obtenue de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (A1). Chaque vignette est entièrement supportée par des plots lors de la croissance par épitaxie, c'est à dire lors de la formation de la vignette. [0046] Un autre aspect de la présente invention concerne un système optoélectronique comprenant un dispositif rnicroélectronique comme décrit ci-dessus, dans lequel chaque vignette forme en partie au moins une diode électroluminescente (LED). Brève description des dessins [0047] Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : [0048] Les figures 1 A à 1C illustrent des étapes d'un procédé de l'état de la technique pour la réalisation de micro-LEDs. [0049] [fig.1A] représente l'empilement de départ comprenant une couche de nitrure continue. [0050] [fig.113] représente une étape de gravure pour structurer des vignettes distinctes dans la couche continue. [0051] [fig.1C] est une vue agrandie de la figure 1A pour illustrer les zones de défauts générés par la gravure [0052] Les figures 2A à 2C illustrent les inconvénients des solutions micro-LEDs obtenues avec les solutions de l'état de la technique. [0053] [fig.2A] est un graphe illustrant le rendement quantique d'une LED en fonction de sa taille. [0054] [fig.2B] est une image de cathodoluminescence d'une micro-LED qui montre clairement que la baisse d'efficacité de ces LEDs est associée à une moindre luminescence des bords de la LED. [0055] [fig.2C] est un graphe comparant les profils de cathodoluminescence à deux tem- 9 pératures différentes. [0056] [fig.2D] est un graphe illustrant la variation du paramètre A de recombinaison de Shockley-Read-Hall (SRH) en fonction du rapport périmètre sur surface d'une microLED. [0057] Les figures 3A à 3F illustrent des étapes d'un procédé selon un exemple non limitatif du procédé selon la présente invention. [0058] [fig.3A] illustre un exemple d'empilement à partir duquel l'on peut mettre en oeuvre un exemple de procédé selon l'invention. [0059] [fig.313] illustre l'empilement de la figure 3A sur lequel une couche d'amorçage est formée. [0060] [fig.3C] illustre le résultat d'une étape consistant à former des ensembles de plots à partir de l'empilement de la figure 3A ou de celui de la figure 3B. [0061] [fig.3D] illustre une phase de croissance épitaxiale de cristallites sur le sommet des plots, cette phase de croissance n'étant pas achevée. [0062] [fig.3E] illustre le résultat de la croissance épitaxiale de cristallites, après coalescence des cristallites portées par des plots d'un même ensemble, les cristallites portées par des plots d'un même ensemble formant alors une vignette de nitrure. [0063] [fig.3F] illustre une étape optionnelle de réalisation de muid puits quantiques au sein de chaque vignette de nitrure. [0064] [fig.4A] La figure 4A est une photo obtenue par microscopie électronique à balayage (MEB) montrant un substrat supportant une pluralité de vignettes obtenues avec le procédé selon l'invention. [0065] [fig.413] Les figures 4B à 4C sont des photos obtenues par microscopie électronique à balayage (MEB), dont l'agrandissement est supérieur à celle de la figure 4, et montrant des vignettes de différentes tailles obtenues avec le procédé selon l'invention. [0066] [fig.4C] [0067] [fig.4D] [0068] [fig.5A] illustre de manière schématique, en vue du dessus, la coalescence de deux cristallites dans le cadre d'un procédé classique de pendeo-épitaxie. [0069] [fig.513] illustre de manière schématique, en vue du dessus, la coalescence de cieux cristallites dans le cadre d'un exemple de procédé selon la présente invention. [0070] Les figures 5C et 5D, illustrent de manière schématique, en vue de côté, le processus de coalescence de deux cristallites dans le cadre d'un exemple de procédé selon la présente invention. [0071] [fig.5C] illustre une première phase qui a lieu avant coalescence des deux cristallites. [0072] [fig.5D] illustre une deuxième phase qui a lieu lors ou après coalescence des deux cristallites. [0073] [fig.6] est une photo obtenue par MEB illustrant un plot surmonté d'une cristallite, obtenue par mise en oeuvre d'un exemple de procédé selon la présente invention. [0074] [fig.7A] Les figures 7A et 7B qui sont des photos obtenues par MEB montrant une vignette de nitrure obtenue par épitaxic après mise en oeuvre du procédé selon la présente invention. [0075] [fig.713] [0076] [fig.8A] Les figures 8A à 8C sont des photos obtenues par MEB illustrant la formation de cristallitcs dans le cadre du procédé selon la présente invention. [0077] [fig.813] [0078] [fig.8C] [0079] [fig.9] La figure 9 est une photo obtenue par microscopie électronique en transmission (MET) montrant une vignette en coupe formée par coalescence. [0080] [fig.10] La figure 10 est une photo obtenue par MEB en mode « cathodoluminescence » (CL) en vue du dessus de cristallitcs en cours de coalescence en mettant en oeuvre le procédé selon la présente invention. [0081] [fig.1 1 A] Les figures 11A et 11B sont une photo obtenue par microscopie élec- tronique à balayage (MEB) et un schéma illustrant le résultat d'une méthode connue dans lesquels les défauts des couches de nucléation traversent toute la couche finale. [0082] [fig.1 113] [0083] [fig.12A] Les figures 12A à 120 illustrent des étapes d'un exemple dc procédé pour réaliser des LED, typiquement des micro-LED, à partir de vignettes de nitrure supportées par des plots. [0084] [fig.12B] [0085] [fig.12C] [0086] [fig.12D] [0087] [fig.12E] [0088] [fig.12F] [0089] [fig.120] [0090] [fig.12H] [0091] [fig.12I] [0092] [fig.12.1] [0093] [fig.12K] [0094] [fig.12L] [0095] [fig.12M] [0096] [fig.12N] [0097] [fig.120] [0098] Les figures sont données à titre d'exemples et ne sont pas limitatives de l'invention. Elles sont des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont donc pas nécessairement à la même échelle que les 11 applications pratiques. En particulier, les épaisseurs relatives des différentes couches, tronçons, cristallites et vignettes ne sont pas représentatives de la réalité. Description des modes de réalisation [0099] Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement. [0100] Selon un exemple, la distance D séparant deux plots adjacents d'un même ensemble est inférieure à la distance W1 séparant deux plots adjacents appartenant à deux ensembles différents. W1 > D et de préférence W1 > 2 x D. [0101] De préférence W1 > k4 x D, avec k4= 1.5, de préférence k4=2. Cela permet d'avoir des pixels de petites tailles et une densité d'intégration importante. De préférence k4= 5. W1 peut être égale à 1,5 microns. [0102] Selon un exemple, chaque plot présente une section dont la dimension maximale dit est comprise entre 10 et 500 mn (10-9 mètres), la dimension maximale dp,o, étant mesurée dans un plan parallèle à un plan (xy) dans lequel s'étend principalement une face supérieure du substrat, de préférence 20 nm 0. [0106] Théoriquement et s'il n'y avait pas de recroissance latérale sur les bords des vignettes, pour que ces deux vignettes adjacentes 550A, 550B ne se touchent pas (W2 non nul), il faudrait que Vil soit strictement supérieur à 2(p'-d',',)/2 soit p',',-d','' [0107] Selon un exemple, W1 > k5 x W2, avec W1 est la distance séparant deux plots adjacents appartenant à deux 12 ensembles distincts. W2 est la distance séparant deux vignettes adjacentes, W2 étant >0. avec k5= 1.2, de préférence k5=1.5, de préférence k5=2 [0108] Alternativement, les plots d'un même ensemble sont répartis sur le substrat de manière non périodique. De manière optionnelle mais avantageuse, les vignettes sont réparties sur le substrat de manière périodique. [0109] Selon un exemple, la couche de fluage est faite d'un matériau visqueux. Il présente une transition visco-plastique. De préférence ce matériau est pris parmi : [0110] un oxyde de silicium Six0y, x et y étant des entiers, et de préférence la couche de fluage est en Si02, [0111] un verre, [0112] un verre en borosilicate, [0113] un verre en borophosphosilicate (BPSG). [0114] De manière optionnelle, la croissance épitaxiale est effectuée à une température T épitaxic, telle que : Ticpitaxic I 0,8. [0115] Selon un exemple, kl = 1, et de préférence kl = 1,5. Selon un exemple de réalisation, kl = 0.87 ou kl = 0.9. Selon un exemple particulièrement avantageux, kl= 0.92. Ainsi, dans le cas où les tronçons de fluage sont formés en Si02, T6p11, > 1104°C, Ttr','ition vi,'''pour le 5i02 étant égale à 1200°C. Selon un exemple de réalisation encore plus préférentiel, kl = 0.95. Selon un exemple de réalisation encore plus préférentiel, kl = 1, et de préférence kl = 1,5. [0116] Selon un exemple, Tépi''d. 0.1xcloo, dpio, étant le diamètre du plot ou plus généralement la distance bord à bord du plot prise, au niveau du tronçon de fluage et dans une direction parallèle à un plan (xy) dans lequel s'étend principalement une face supérieure du substrat, de préférence c0 > lxdour. Ces valeurs, permettent d'obtenir une déformation suffisante pour réduire les contraintes au niveau du joint de grain. [0126] Selon un exemple, les plots présentent une hauteur Hp10,, et dans lequel deux plots adjacents sont distants d'une distance D, telle que : Flphi Dc 2 et de préférence F11,10, ID 1. [0127] Selon un exemple, la couche cristalline est à base de silicium et de préférence la couche cristalline est en silicium. [0128] La couche cristalline peut être aussi à base de matériaux autres que Si et qui permettent l'épitaxie de matériaux nitrures. Par exemple, la couche cristalline peut être à base de SiC ou de A1,0' Ces matériaux sont en outre utilisables sous la forme de SiCOI (SiC on Insulator, c'est-à-dire de SiC sur isolant) ou de SOS (silicium sur saphir). [0129] Selon un exemple de réalisation la couche cristalline est une couche mono-cristalline. [0130] Selon un exemple de réalisation, la couche de fluage est au contact direct avec le substrat. La couche de fluage est au contact direct de la couche cristalline. Selon un exemple de réalisation, la couche de nitrure formant chaque vignette que l'on réalise par coalescence de cristallites est au contact direct de la couche cristalline. Selon un autre mode de réalisation, on prévoit au moins une couche intermédiaire entre la couche cristalline et la couche de nitrure que l'on réalise par coalescence de ciistallites et qui forme une vignette. Cette couche intermédiaire forme typiquement la couche tampon. [0131] Ainsi, la couche de fluage et la couche cristalline sont différentes. La couche de fluage présente une température de transition vitreuse. Elle est donc faite d'un matériau à transition vitreuse et présente le comportement des matériaux à transition vitreuse. Ainsi, la couche de fluage n'est pas cristalline. Elle est faite d'un matériau visqueux ou vitreux, par exemple d'un oxyde. La couche de fluage et la couche cristalline ne sont pas faites du même matériau. [0132] Selon un exemple de réalisation, la couche de fluage présente une épaisseur e2,0 in- férieure à 500nm (10-9 mètres). Elle est de préférence comprise entre 50 nm et 500 nm et de préférence entre 100 nm et 150 nm. [0133] Selon un exemple de réalisation, la couche cristalline présente une épaisseur comprise entre 2 nm (10-`) mètres) et 10 m (10-6 mètres) et de préférence entre 5nm et 500 nm et de préférence entre 10 nm et 50nm. [0134] Selon un exemple de réalisation, on fait croitre par épitaxic des cristaux sur tous lesdits plots. [0135] Selon un exemple de réalisation, le rapport V/III des flux dans le réacteur de dépôt par épitaxic (les flux étant par exemple mesurés en sccm) dudit matériau comprenant du nitrure (N) et au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'Indium (In) et l'aluminium (Al) est de l'ordre de 2000. [0136] Selon un exemple de réalisation, le nitrure des vignettes est en nitrure de gallium (GaN). Selon un autre mode de réalisation, le nitrure des vignettes est à base de nitrure de gallium (GaN) et comprend en outre de l'aluminium (AI) et/ou de l'indium (In). [0137] Selon un autre mode de réalisation, le matériau formant le nitrure (N) des vignettes est l'un quelconque parmi: le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'indium (InN), le nitrure d'aluminium (AIN), le nitrure d'aluminium gallium (AlGaN), le nitrure d'indium gallium (InGaN), le nitrure d'aluminium gallium indium (AIGainN), le nitrure d'aluminium indium (AlinN), le nitrure d'aluminium indium Gallium (AlInGaN). [0138] Selon un exemple, l'étape de formation des plots comprend la gravure de la couche cristalline et la gravure d'une portion seulement de la couche de fluage de manière à conserver une portion de la couche de fluage entre les plots. [0139] Selon un exemple, l'étape de formation des plots est effectuée de sorte que deristani,/ d ,,,,' > k3, avec k3=3, d10 étant la dimension maximale de la section du plot prise dans une direction parallèle à un plan (xy) dans lequel s'étend principalement une face su- périeure du substrat (plot ou plus généralement la distance bord à bord du plot, c'est-à-dire la dimension maximale du plot quelle que soit la forme de sa section), d correspondant à la dimension de la cristallite mesurée selon la même direction que dom au moment de la coalescence des cristallites. [0140] Des résultats particulièrement efficaces ont été obtenus pour k3 = 3. Selon un exemple 100> k3 > 3. De préférence, 50> k3 > 3. De préférence, 5> k3 > 3. [0141] Cette caractéristique permet aux tronçons de fluage de se déformer pour encaisser de manière particulièrement efficace les contraintes mécaniques qui naissent lorsque deux cristallites adjacentes commencent à coalescer. Ainsi, cette caractéristique contribue efficacement à réduire la densité de défauts au sein des vignettes de nitrure que l'on obtient au final. [0142] De préférence, P10/d10, 4, et de préférence Ppiot/cloot 5. Selon un exemple qui 16 donne des résultats particulièrement qualitatifs, Pp,/d',', = 5. [0143] De préférence, H/dpior > 2. Ce rapport permet le mécanisme de relaxation de contrainte s'effectue en craquant les plots. [0144] Le terme « micro-LED » désigne une LED dont au moins une dimension prise dans un plan parallèle au plan principal dans lequel s'étend le substrat supportant la microLED (i.e., le plan xy du repère orthogonal référencé sur les figures) est micrométrique, c'est-à-dire strictement inférieure à 1 mm (10-, mètres). Dans le cadre de l'invention les micro-LED présentent, en projection dans un plan d'extension principal parallèle aux faces principales des micro-LED, i.e., parallèle à une face supérieure du substrat, des dimensions maximales de dimension micrométrique dans le plan. De préférence ces dimensions maximales sont inférieures à quelques centaines de micromètres. De préférence ces dimensions maximales sont inférieures à 5001.1m. [0145] Dans la présente invention, on entend par « transistors de type HEMT » (acronyme anglais de « High Electron Mobility Transistor ») des transistors à effet de champ à haute mobilité d'électrons, parfois également désignés par le terme de transistor à effet de champ à hétérostructure. Un tel transistor inclut la superposition de deux couches semi-conductrices ayant des bandes interdites différentes qui forment un puit quantique à leur interface. Des électrons sont confinés dans ce puits quantique pour former un gaz bidimensionnel d'électrons. Pour des raisons de tenue en haute tension et en température, les matériaux de ces transistors sont choisis de façon à présenter une large bande d'énergie interdite. [0146] Dans la suite de la description, les termes cristaux et cristallites seront considérés comme équivalents. [0147] 11 est précisé que dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », surmonte », « recouvre » ou « sous-jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas au contact de ». Ainsi par exemple, « le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche » ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact soit en étant séparée d'elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément y compris de l'air. De même, « un plot surmontant une première couche » ne signifie pas que le plot est nécessairement au contact de cette première couche mais signifie que le plot est soit au contact de cette première couche soit au contact d'une ou plusieurs couches disposées entre la première couche et le plot. [0148] Les étapes de formation des différentes couches et régions s'entendent au sens large : elles peuvent être réalisées en plusieurs sous-étapes qui ne sont pas forcément strictement successives. [0149] Dans la description qui suit, l'épaisseur ou la hauteur est prise selon une direction 17 perpendiculaire aux faces principales des différentes couches. Sur les figures, l'épaisseur ou la hauteur est prise selon la verticale ou selon l'axe z du repère orthogonal illustré en figure 3A. [0150] De même lorsqu'on indique qu'un élément est situé au droit d'un autre élément, cela signifie que ces deux éléments sont situés tous deux sur une même ligne perpendiculaire au plan principal du substrat, soit sur une même ligne orientée verticalement (axe z) sur les figures. [0151] On entend par un substrat, une couche, un dispositif, « à hase» d'un matériau M, un substrat, une couche, un dispositif comprenant cc matériau M uniquement ou ce matériau M et éventuellement d'autres matériaux, par exemple des éléments d'alliage, des impuretés ou des éléments dopants. [0152] Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient « à 10% près » ou, lorsqu'il s'agit d'une orientation angulaire, « à 10' près ». Ainsi, une direction sensiblement normale à un plan signifie une direction présentant un angle de 90±10° par rapport au plan. [0153] Un exemple de procédé de formation d'une pluralité de vignettes selon l'invention va maintenant être décrit en référence aux figures 3A à 3F. [0154] Comme illustré en figure 3A, on fournit un empilement comprenant au moins un substrat 100, surmonté successivement d'une couche de fluage 200 et d'une couche cristalline de 300. Ainsi la couche de fluage 200 est disposée entre le substrat 100 et la couche cristalline de 300. [0155] Selon un exemple de réalisation le substrat 100 est à base de silicium, amorphe ou cristallin. Il assure la tenue mécanique de l'empilement. [0156] La couche cristalline 300 présente une face inférieure en regard de la couche de fluage 200 et une face supérieure dont la fonction est de servir de couche de base pour faire croître par épitaxie le nitrure des vignettes 550A, 550B que l'on souhaite obtenir au final. Par exemple, la couche que l'on souhaite obtenir au final est une couche de nitrure de gallium GaN. Selon un exemple de réalisation, la couche cristalline 300 est à base de silicium monocristallin. Alternativement la couche cristalline 300 peut être à base de SiC ou de A1203. [0157] De préférence, la couche de fluage 200 est faite d'un matériau visqueux. La couche de fluage 200, présente une température de transition vitreuse. Elle présente donc une transition vitreuse et présente le comportement des matériaux à transition vitreuse. Comme tous les matériaux présentant une température de transition vitreuse, la couche de fluage 200 sous l'effet d'une élévation de température, se déforme sans rompre et sans reprendre sa position initiale après une baisse de température. Au contraire, la couche cristalline 300 ne présente naturellement pas de transition vitreuse. La couche cristalline se déforme, puis se disloque et peut rompre. Par conséquent, la couche de 18 fluage 200 et la couche cristalline 300 sont différentes. La couche de fluage 200 n'est pas cristalline. [0158] La couche fluage 200 est faite d'un matériau amorphe tel qu'un oxyde, de préférence un oxyde de silicium Six0y, tel que le Si02. Le rôle de cette couche sera explicité dans la suite de la description. [0159] De manière avantageuse mais non limitative, cet empilement comprenant le substrat 100, la couche de fluage 200 et la couche cristalline 300 constitue un substrat de type semi-conducteur sur isolant, de préférence silicium sur isolant (SOI). Dans ce cas, la couche de fluage 200 est formée par la couche d'oxyde enterré (BOX) du substrat SOI. [0160] Selon un exemple de réalisation avantageux illustré en figure 3A, on dépose, par épitaxie sur la face supérieure de la couche cristalline 300, une couche tampon 400. Lorsque les vignettes 550A, 550B que l'on souhaite obtenir au final sont formées de GaN et que la couche cristalline 300 est une couche à base de silicium, cette couche tampon 400 est typiquement en nitrure d'aluminium (AIN). Cela permet d'éviter le phénomène dit de «Melt-back ctching» (gravure par refusion), généré par la très forte réactivité entre le silicium et le gallium aux températures usuelles d'épitaxie (1000/1100°C) et qui conduit à dégrader très fortement la vignette 550A, 550B de GaN. [0161] Typiquement, l'épaisseur de la couche d'AIN est comprise entre 10 et 200 na- nomètres (10g mètres). [0162] Comme illustré en figure 3B, on peut également déposer par épitaxie, sur la face su- périeure de la couche tampon 400, une couche d'amorçage 500. Cette couche d'amorçage 500 a pour fonction de faciliter la reprise de croissance des cristallites 510 lors des étapes suivantes. Dans ce cas, c'est à partir d'une face supérieure de la couche d'amorçage 500 que se produit en partie au moins la croissance par épitaxie des cristallites 510A1-510B4, les cristallites étant illustrées en figure 3D. Cette couche d'amorçage 500 est de préférence réalisée dans le même matériau que celui des vignettes 550A, 550B que l'on souhaite obtenir au final. Typiquement, lorsque le matériau des vignettes 550A, 550B est du nitrure de gallium GaN, la couche d'amorçage 500 est également en GaN. Cette couche d'amorçage 500 présente typiquement une épaisseur comprise entre 50 et 200 nanomètres. [0163] Par souci de concision et de clarté, seuls quatre plots 1000A1-1000A4 sont re- présentés sur les figures pour supporter une vignette 550A. Naturellement, une vignette 550A peut être formée sur un nombre supérieur de plots. Comme cela sera décrit par la suite, le nombre de plots ainsi que leur période sera adaptée en fonction de la taille voulue pour la micro-LED [0164] On notera que les couches 400 et 500 sont uniquement optionnelles. Ainsi, selon des modes de réalisation non illustrés en figure 3A-3F, on pourra prévoir uniquement la 19 couche tampon 400 ou uniquement la couche d'amorçage 500, ou encore aucune de ces deux couches 400 et 500. [0165] Comme illustré en figure 3C, on forme ensuite des plots 1000A1 - 1000B4 à partir de l'empilement. Ces plots sont obtenus par gravure de l'empilement jusque dans la couche de fluage 200, une partie au moins de la gravure s'étendant au sein de la couche de fluage 200. [0166] Pour former les plots par gravure, on pourra recourir aux nombreuses techniques de gravure connues de l'homme du métier. On pourra notamment utiliser les techniques classiques de lithographie, telles que les techniques de photolithographie comprenant la formation d'un masque, par exemple en résine, puis le transfert des motifs du masque dans l'empilement. On pourra également recourir aux techniques de lithographie par faisceau d'électrons (e-beam) ou aux techniques d'impression nanométrique. [0167] Ces plots 1000A 1 -1000B4 sont de faibles dimensions et peuvent être qualifiés de nano-plots. Typiquement, la dimension maximale de la section des plots, prise dans un plan parallèle au plan xy du repère orthogonal xyz ou au plan de la face supérieure 101 du substrat 100, est comprise entre quelques dizaines et quelques centaines de nanomètres. Plus précisément don, est comprise entre 10 et 500 nanomètres et de préférence entre 20 et 150 nm et de préférence entre 50 et 100 nm par exemple de l'ordre de 50nm ou de 100 nm. Cette dimension maximale de la section des plots est référencée (410, en figure 3C. Si les plots sont de sections circulaires, cette dimension maximale dora correspond au diamètre des plots. Si les plots sont de section hexagonale, cette dimension maximale don, correspond à la diagonale ou au diamètre du cercle passant par les angles de l'hexagone. Si ces plots sont de section rectangulaire ou carrée cette dimension maximale d1110, correspond à la plus grande diagonale. [0168] Les plots 1000A1-1000B4 ne sont pas tous répartis de manière régulière à la surface du substrat 100. Les plots 1000A1-1000B4 forment des ensembles 1000A, 1000B de plots, chaque ensemble comprenant une pluralité de plots. Les plots 1000A1-1000A4 formant un même ensemble 1000A forment un réseau de plots distant du réseau de plots 1000B1-1000B4 formant un autre ensemble 1000B. [0169] Ainsi, les plots adjacents 1000A1-1000A4 d'un même ensemble 1000A sont distants d'une distance D. Les plots adjacents 1000A4-1000B1 appartenant à deux ensembles 1000A, 1000B distincts sont séparés d'une distance W1. Les distances D et W1 sont prises dans des plans parallèles au plan xy et sont illustrées en figure 3C. Comme cela sera expliqué par la suite, les plots 1000A1-1000A4 d'un même ensemble 1000A sont destinés à supporter une unique vignette 550A qui sera distante d'une autre vignette 550B supportée par un autre ensemble 1000B de plots 1000B1-1000B4. [0170] On notera que pour une même vignette, D peut varier. Ainsi, les plots 1000A1-1000A4 d'une même vignette 550A peuvent être répartis de manière non périodique. Leur répartition peut ainsi être adaptée pour favoriser la croissance de la vignette. Par exemple, si l'agencement des plots 1000A1-1000A4 d'une vignette 550A n'est pas périodique, on peut avoir une distance D qui varie pour ces plots 1000A1-1000A4 de plus ou moins 20 ou de plus ou moins 10% par exemple plus ou moins 10 nm autour d'une valeur moyenne. Selon un exemple. D peut prendre les valeurs suivantes pour une même vignette : 100nm, 90nm, 85nm, 107nm. [0171] Les vignettes 550A, 550B formées sur des ensembles de plots 1000A, 1000B répartis de manière non périodique peuvent quant à elles être disposées de manière périodique sur le substrat. Cela facilite la réalisation d'un micro écran. [0172] Selon un exemple de réalisation, les tronçons des plots 1000A1-1000B4, formés dans la couche de fluage 200, présentent une hauteur 0220 et, au sein d'un même ensemble, deux plots adjacents 1000A1, 1000A2 sont distants d'une distance D, telle que : [0173] c220/ D 1000°C et de préférenceTép, .:-=" 1100°C. Ces valeurs permettent de réduire de manière particulièrement efficace les défauts dans la vignette ou la couche épitaxiée lorsque la couche de fluage est en Si02. En pratique, Tép,,,,. 1500°C. [0234] Afin de faciliter la formation de joints dc coalescence 560 sans dislocation, il sera préférable d'appliquer les conditions suivantes : [0235] Téph',' Id x T,r,''' ,,,,, avec kl = 0.8. de préférence kl = 1 et dc préférence kl = 1,5. [0236] Selon un exemple de réalisation, Té');,,,', 0.1 do,'. De préférence, e220 > 1 dit. Ces valeurs, permettent d'obtenir une déformation suffisante pour réduire les contraintes au niveau du joint de grain. [0239] Les plots 1000A1-1000A4 présentent une hauteur H010, et deux plots 1000A1-1000A2 adjacents sont distants d'une distance D, telle que : H,,,,'/ D k3, don, étant la dimension maximale de la section du plot 1000A1-1000A4 prise dans une direction parallèle au plan dans lequel s'étend la face supérieure 110 substrat 100. Ainsi d010, correspond à la dimension maximale d'une projection du plot dans le plan xy. der,'',,,' correspond à la dimension de la cristallite mesurée selon la même direction que doo, au moment de la coalescence des cristallites 510A1-510B4. La dimension derismnite est référencée en figure 3E. [0241] Selon un exemple 100> k3 > 1.1. De préférence, 50> k3 > 1.5. De préférence, 5> k3 >2. [0242] Selon un exemple k3 > 3, de préférence 100> k3 > 3. De préférence, 50> k3 > 3. De préférence, 5> k3 > 3. [0243] Cette caractéristique permet aux tronçons de fluage de se déformer pour encaisser de manière particulièrement efficace les contraintes mécaniques qui naissent lorsque deux cristallites adjacentes commencent à coalescer. Ainsi, cette caractéristique contribue efficacement à réduire la densité de défauts au sein de la vignette 550A, 550B de nitrure que l'on obtient au final. [0244] Exemples de réalisation [0245] En référence aux figures 6 à 10 plusieurs exemples de réalisation d'une vignette vont maintenant être décrits. [0246] La figure 6 est une photo prise au microscope électronique à balayage (MEB). Elle permet d'apercevoir un empilement comprenant successivement le substrat 100, la portion 210 de la couche de fluage non gravée, le tronçon de fluage 220, la couche cristalline 300 ainsi qu'une cristallite 510, ici de GaN. Cette cristallite 510 est de forme pyramidale en raison de la plus faible vitesse de croissance des plans semi-polaires qui forment les facettes de la pyramide. Dans cet exemple, le diamètre du plot est de 100 nm. [0247] De part et d'autre du tronçon de fluage 220 on aperçoit des espaces 230 vides. [0248] Pour assurer la coalescence des cristallitcs pyramidales et obtenir une croissance bi- dimensionnelle, il peut être avantageux de procéder de la manière suivante. Au cours d'une première étape on réalise des pyramides sur chacun des nano-plots en utilisant des conditions de croissance données jusqu'à ce que les pyramides se jouxtent. Au cours d'une seconde étape, on modifie ces conditions de croissance pour induire une croissance latérale. Cette procédure de croissance en deux étapes est par exemple décrite dans la publication suivante : Shields et Al. 2011, Nanopendeo coalescence overgrowth of GaN on etched nanorod array Phys. Status Solidi C 8, No. 7-8, 2334-2336 (2011). [0249] Les figures 7A et 7B donnent des exemples d'une vignette 550 formée par une couche de nitrure obtenue selon ce procédé pour une matrice de 197x300 plots. Dans cet exemple, la taille des plots est de 200 nm et leur pas est de 1 pn. Cette dimension de plot permet de réduire très significativement le nombre de dislocations apparaissant sur la cristallite d'un plot. Par ailleurs, cette taille de plot permet d'optimiser la déformation et la transmission du couple lors de la coalescence. [0250] De manière particulièrement avantageuse, on observe clairement que la couche de nitrure formant la vignette 550 s'est désolidarisée du substrat 100 sous-jacent. La délamination de la vignette 550 que l'on souhaite obtenir au final est donc particulièrement aisée. Cette délamination automatique peut être complète ou partielle. Elle sera décrite plus en détail par la suite. [0251] 11 est ainsi possible de réaliser des vignettes auto-supportées de GaN, dans cet 31 exemple de taille 300x300 [0252] Les figures 8A à 8C sont des photos représentant, avec différents niveaux de gros- sissement et angles de vue, une matrice 580 de cristallitcs 510 de GaN formant des pyramides et obtenues après croissance sur les plots. La figure RA est une photo de l'ensemble de la matrice 580, prise en perspective. Cette matrice 580 est carrée, et présente une surface de 40x40pm2. La figure 8B est une photo d'une partie de la matrice 580 en vue du dessus. La figure 8C est une photo d'une partie de la matrice 580 vue en perspective et faisant clairement apparaître les cristallitcs 510 supportées par les plots 1000 formés sur le substrat 100. Comme cela apparaît clairement en figure 8C, les cristallitcs 510 forment des pyramides de section hexagonale. Les plots ont été réalisés par lithographie par faisceau d'électron (e-beam) à partir d'un empilement comprenant les couches suivantes : [0253] couche de fluage 200: Si02 [0254] couche cristalline 300 : Si [0255] couche-tampon 400: AIN [0256] couche d'amorçage 500: GaN [0257] Sur l'exemple illustré en figures RA à 8C, les plots peuvent par exemple avoir un diamètre de 200 nm et sont espacés de 1,tm. [0258] Caractérisations des défauts de coalescence [0259] La figure 9 est une photo prise au microscope électronique en transmission (TEM) d'une coupe de cristaux 510 de GaN ayant coalescé. Sur cette figure, on remarque tout d'abord que la majeure partie des dislocations 560 issues de la re-croissance sont alignées dans le plan de croissance au démarrage de la croissance. [0260] Par ailleurs il apparaît clairement que la coalescence des cristallites 510 issues de plots adjacents se fait avec très peu de défauts de coalescence au niveau du joint de coalescence 560. Ceci est à comparer aux méthodes classiques pour lesquelles la coalescence génère des défauts traversants. Ces méthodes classiques peuvent être basées sur une recroissance latérale illustrée en figure 11A et 11B et comme décrit dans la publication E.B Yakimov et A.Y Polyakov, 2015 Ebic investigation of dislocations in ELOG GaN, Phys. Status Solidi. Ces figures 11A et 11B montrent clairement qu'avec cette méthode les défauts 903 des couches de nucléation traversent toute la couche finale à travers les ouvertures 902 du masque 901. [0261] Ces méthodes classiques peuvent aussi être basées sur une recroissance de type pende° à partir de structures unidimensionnelles comme décrit dans la publication mentionnée ci-dessus Shields et Al. 2011, Nanopendeo coalescence overgrowth of GaN on etched nanorod array Phys. Status Solidi C 8, No. 7-8,2334-2336 (2011). [0262] On remarque également en figure 9 que les plots 1000A1, 1000A2, à la moitié de leur hauteur, sont fendus, ce qui permettra une délamination facile de la vignette 31 épitaxiée 550 sur la matrice 580 des plots 1000A1-1000A2. [0263] Cette caractéristique est très avantageuse dans le cas des vignettes que l'on veut pouvoir aisément détacher après report pour former des micro-LEDs. [0264] La figure 10 confirme l'absence de défauts à la coalescence entre deux cristallitcs, par exemple de forme pyramidale, en utilisant la technique de cathodoluminescence. Cette technique permet de réaliser une cartographie spatiale de l'émission de photons par le matériau considéré. L' image de cathodoluminescence panchromatique en figure 10 montre que, aux variations d'émission près liées à l'extraction de lumière issue des facettes différentes (ou des arrêtes), il n'y a pas au niveau du raccordement entre deux cristallites, des recombinaisons non radiatives, ce qui témoigne dc l'absence dc défauts de structure dans la région du joint de coalescence. [0265] Procédé de réalisation de micro-LED à partir d'une pluralité de vignettes [0266] En références aux figures 12A à 120, un exemple de procédé dc réalisation de micro- LED 570A, 570B va maintenant être décrit. [0267] Une première étape consiste à fournir un dispositif comprenant une pluralité de vignettes 550A, 550B dc nitrure. Ce dispositif peut être identique à celui illustré en figure 3F. Il est par exemple obtenu en mettant en oeuvre le procédé décrit en référence aux figures 3A à 3F. Ainsi, chacune des vignettes 550A, 550B de nitrure est supporté par des plots reposant sur le substrat 100. De préférence, des puits quantiques 590 sont formés dans chaque vignette. [0268] De préférence, on effectue une étape de protection des vignettes 550A ,550B, en par- ticulier des flancs 552A, 552B des vignettes 550A, 550B. Cette étape comprend par exemple le dépôt d'une couche de protection, également désignée couche de passivation pour recouvrir les vignettes 550A, 550B. Ce dépôt est par exemple de type ALD (atomic layer deposition signifiant dépôt par couche atomique). Cela permet de former cette couche de protection sur toutes les surfaces des vignettes 550A, 550B, en particulier sur les flancs 552A, 552B et sur la face supérieure 551A, 551B des vignettes 550A, 550B. Il est également possible que cette couche de protection recouvre les parois latérales des plots. [0269] Pour des raisons de clarté, cette couche de protection n'est pas illustrée sur la figure 12A. Cette couche de protection est de préférence une couche diélectrique. Elle est par exemple faite ou est à base de l'un des matériaux suivants : SiO2, Al20, Si3N14, Hf02. L'épaisseur de cette couche de protection est de préférence comprise entre lOnm et 1pm. [0270] Comme illustré en figure 12A, on dépose une couche diélectrique 600 qui recouvre les vignettes 550A, 550 B. Cette couche diélecllique 600 est déposée pleine plaque. Elle remplit la portion d'espace 630 situé entre les vignettes 550A, 550B. Cette couche recouvre les faces supérieures 551A, 551B des vignettes 550A, 550B. Cette couche di- 33 électrique 600 est par exemple faite ou est à base de l'un des matériaux suivants : Si02, SiN. [0271] Comme illustré en figure 12B, on amincit ensuite la couche diélectrique 600 de manière à rendre accessible les faces supérieures 551A, 551B des vignettes 550A, 550B. Pour cela, on peut effectuer un polissage mécanochimique (CMP) de planarisation. Cette étape de CMP est de préférence effectué avec arrêt sur les faces supérieures 551A, 551B des vignettes 550A, 550B dopées p. [0272] Comme illustré en figure 12C, une étape suivante consiste à réaliser un contact électrique 700 avec les faces supérieures 551A, 551B des vignettes 550A, 550B dopées p. Cc contact électrique est réalisé sous forme d'une couche électriquement conductrice. Elle est par exemple faite à base d'aluminium ou l'argent. L'empilement formé par le substrat 100, les plots, les vignettes 550A, 550B et le contact 700 est référencé 2000 en figure 12C. [0273] Parallèlement ou à la suite des étapes décrites précédemment, on réalise un dispositif complémentaire 3000 tel qu'un circuit d'adressage ou un réseau d'interconnexions. Ce dispositif 3000 comprend par exemple un substrat 3100 surmonté d'une couche diélectrique 3200 et de zones conductrices 3300 destinées chacune à former une électrode, une anode dans cet exemple. Un tel dispositif 3000 et illustré en figure 12D. Le dispositif complémentaire est par exemple réalisé en technologie CMOS. [0274] Comme illustré en figure 12E et 12F on effectue une étape de préparation du collage de l'empilement 2000 et du dispositif 3000. [0275] Selon un premier mode de réalisation, cette étape de préparation du collage comprend le dépôt d'une couche de collage 2100 sur le contact électrique 700 de l'empilement 2000 et/ou le dépôt d'une couche de collage 3400 sur les zones conductrices 3300. Ces couches de collage 2100,3400 sont électriquement conductrices. Par exemple, ces couches de collage 2100, 3400 forment l'un des couples suivants de matériaux: TiN/A1, TiN/VV, TiN/Ti. [0276] Selon un mode de réalisation alternatif, le collage du contact électrique 700 de l'empilement 2000 sur les zones conductrices 3300 du dispositif 3000 est de type collage direct (direct bonding). Pour préparer ce collage direct, on peut effectuer un CMP sur au moins l'une de ces deux couches 700, 3300. [0277] La figure 12G illustre le résultat du collage de l'empilement 2000 sur le dispositif 3000. Ainsi les zones conductrices 3300 sont électriquement connectées au contact électrique 700. La structure obtenue est référencée 4000. [0278] Dans le mode de réalisation avec dépôt de couches de collage 2100,3400, la conduction électrique entre le contact 700 et les zones conductrices 3300 s'effectue par l'intermédiaire de ces couches de collage 2100, 3400. De préférence, le collage comprend une thermocompression. Dans le mode de réalisation avec collage direct, les 34 vignettes 550A, 550B portant le contact électrique sont disposées directement au contact des électrodes portées par dispositif 3000. [0279] La figure 12H illustre le retrait du substrat 100 de support. Cc retrait est par exemple effectué par abrasion (grinding) d'une portion de l'épaisseur du substrat 100. Par exemple, on peut conserver une épaisseur d'environ 40 ni du substrat 100 après abrasion. Ensuite, on peut graver le matériau restant du substrat, soit par voie humide, soit par voie sèche. Pour rappel, ce substrat 100 est par exemple fait ou à base de silicium. À l'issue de cette étape, la couche de fluage 200 est mise à nu. [0280] La figure 121 illustre le retrait de la couche de fluage 200. Pour rappel, cette couche de fluage est avantageusement la couche d'oxyde enterré (BOX) dans le cas où les vignettes 550A, 550B sont formées sur un substrat de type SOI. Cette étape de suppression de la couche de fluage 200 laisse des portions 610 de la couche diélectrique 600, ces portions 610 étant situées entre les vignettes 550A, 550B. Lors de cette étape de suppression de la couche de fluage 200, une portion de l'épaisseur de la couche 600 peut être consommée. C'est en particulier le cas lorsque la sélectivité de la gravure des couches 200 et 600 est faible ou nulle dans le cas où ces deux couches 200,600 sont faites d'un même matériau (Si02 typiquement). [0281] À l'issue de cette étape, une portion des plots est mise à nu. En particulier, la portion cristalline et l'optionnelle portion tampon sont présentes à cc stade. En pratique, il a été remarqué que la portion tampon est cncapsulée par la vignette de GaN. [0282] Comme illustré en figure 12J, on supprime ensuite les portions résiduelles des plots 1000A1-1000B4. Cette étape s'effectue par exemple par polissage mécanochimique. l'issue de cette étape, on s'assure que la face 553A, 553B des vignettes 550A, 550B est rendue accessible. On s'assure également que l'empilement 4000 présente une bonne planéité. [0283] L'étape suivante, illustré en figure 12K, consiste à délimiter les micro-LED 570A, 570B. Pour cela, on effectue une gravure entre chaque vignette 550A, 550B. Cette gravure consiste à retirer la portion 610 de couche diélectrique 600 sur toute son épaisseur de sorte à mettre à nu la couche diélectrique 3200 du dispositif 3000. Ainsi cette gravure retire entre les micro-LED 570A, 570B les couches de collage 2100,3400 ainsi que la couche de contact 700. Cette gravure est arrêtée sur la couche électrique 3200 afin de conserver la fonction de cette dernière. Cette gravure est précédée d'une étape de lithographie effectuée de sorte à conserver une portion 620 de couche diélectrique 600 sur les flancs 552A, 552B des vignettes 550A, 550B. Ainsi, ces flancs 552A, 552B sont entièrement recouverts par un matériau diélectrique. [0284] Comme illustré en figure 12L, on protège les flancs des ouvertures 630 les micro- LED 570A, 570B par un film diélectrique 640. De préférence, ce film diélectrique est réalisé par un dépôt pleine plaque d'une couche diélectrique suivie d'une gravure anisotrope dont la direction privilégiée est perpendiculaire aux faces 553A, 553B des vignettes 550A, 550B. Cette gravure anisotrope grave ainsi la couche diélectrique sur les surfaces horizontales et conserve cette couche diélectrique 640 sur les flancs des ouvertures 630. [0285] Comme illustré en figure 12M, on retire 650 une partie seulement du film 640 et des portions 620 de couche diélectrique 600 sur les flancs 552A, 552B des vignettes 550A, 550B. Ainsi, on découvre une partie 552'A, 552'B des flancs 552A, 552B des vignettes 550A, 550B, sans découvrir les puits quantiques 590. L'épaisseur gravée des portions 620, mesurée selon l'axe z, est donc contrôlée de sorte à ce que les puits quantiques 590 restent recouverts, au niveau des flancs 552A, 552B, par les portions 620 de couche diélectrique 600 et par le film 640. [0286] Comme illustré en figure 12N, on effectue ensuite le dépôt pleine plaque d'une couche conductrice 800 qui remplit l'espace 630 situé entre les vignettes 550A, 550B et qui recouvrent ces dernières. De préférence, cc dépôt est effectué par électrolyse (LCD). La couche conductrice 800 est de préférence une couche métallique telle qu'une couche dc cuivre. De manière optionnelle, on peut au préalable déposer une couche d'accroche pour faciliter le collage dc la couche métallique. [0287] Comme illustré en figure 120, on retire ensuite la couche conductrice 800 de sorte à rendre accessible les faces 553A, 553 B des vignettes 550A, 550B. [0288] Tl est ensuite possible de déposer une couche diélectrique sur ces faces 553A, 553B puis de réaliser les contacts pour connecter les rnicro-LED 570A, 570B ainsi réalisées. [0289] Au vu de la description qui précède, il apparaît clairement que la présente invention propose une solution particulièrement efficace pour obtenir une pluralité de vignettes épitaxiées, destinée chacune à former une micro-LED et dont la densité de défauts est considérablement réduite. [0290] L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus et s'étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. 36 [Revendication 1] REVENDICATIONSProcédé d'obtention d'une pluralité de vignettes (550A, 550B) (570A, 570B), chaque vignette (550A, 550B) étant faite au moins en partie d'un nitrure (N) obtenu de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (Al), caractérisé en cc que le procédé comprend les étapes successives suivantes: fournir un empilement comprenant un substrat (100) et au moins les couches suivantes successivement disposées depuis le substrat (100): une première couche, dite couche de fluage (200), faite en un matériau présentant une température de transition vitreuse, la couche de fluage (200) présentant une température de transition vitreuse une deuxième couche, cristalline, dite couche cristalline (300), différente de la couche de fluage (220), former des plots (1000A1-1000B4) par gravure au moins de la couche cristalline (300) et d'au moins une portion (220) de la couche de fluage (200) de manière à cc que : chaque plot (1000A1-1000B4) comporte au moins : un premier tronçon, dit tronçon de fluage (200A1- 200B4), formé par une portion au moins de la couche de fluage (200), un deuxième tronçon, cristallin, dit tronçon cristallin (300A1, 300B4), formé par la couche cristalline (300) et surmontant le tronçon de fluage (200A1- 200B4), les plots (1000A1-1000B4) soient répartis sur le substrat (100) de manière à former une pluralité d'ensembles (1000A, 1000B) de plots (1000A1-1000B4), faire croître par épitaxic une cristallite (510A1-510B4) sur certains au moins desdits plots (1000A1-1000B4) et poursuivre la croissance épitaxiale des cristallitcs (510A1-510B4) jusqu'à coalescence des cristallitcs (510A1-510B4) portées par les plots (1000A1-1000B4) 37 adjacents d'un même ensemble (1000A, 1000B), de manière à former sur chaque ensemble (1000A, 1000B) une vignette (550A, 550B) dc nitrure, la croissance épitaxiale étant effectuée à une température telle que : k 1 x TLTIIFISiIiUII avec k 1 > 0,8 interrompre la croissance épitaxiale des cristallitcs (510A1-510B4) avant que des cristallites (510A1-510B4) appartenant à deux ensembles (1000A, 1000B) distincts n'entrent en coalescence, de sorte à ce que les vignettes (550A, 550B) de chaque ensemble (1000A, 1000B) soient distantes les unes des autres. [Revendication 2] [Revendication 3] Procédé selon la revendication précédente dans lequel la distance D séparant deux plots adjacents (1000A1, 1000A2) d'un même ensemble (1000A) est inférieure à la distance W1 séparant deux plots adjacents (1000A4, 1000B1) appartenant à deux ensembles (1000A, 1000B) différents, avec W1 > D et de préférence W1 > k4 x D, avec k4= 1.5 et de préférence k4=2. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel: W1 est la distance séparant deux plots (1000A4-1000B1) adjacents appartenant à deux ensembles (1000A, 1000B) distincts, W2 est la distance séparant deux vignettes (550A, 550B) adjacentes, et dans lequel : à demain W1 > k5 x W2 avec k5=1.5, de préférence k5=2 1. Procédé selon l'une quelconque des revendications pré- cédentes dans lequel chaque plot (1000A1-1000B4) présente une section dont la dimension maximale doo, est comprise entre 10 et 500 nm (10-9 mètres), la dimension maximale doo, étant mesurée dans un plan parallèle à un plan (xy) dans lequel s'étend principalement une face supérieure (110) du substrat 38 (100), de préférence 20 nm 2. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel chaque vignette (550A, 550B) présente une section dont la dimension maximale &gIIeLleCSt comprise entre 0,5 à 10 ?am (106 mètres), la dimension maximale chigm', étant mesurée dans un plan parallèle à un plan (xy) dans lequel s'étend principalement une face supérieure (110) du substrat (100), de préférence 0.8 pin 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les plots (1000A1-1000A4) d'un même ensemble (1000A) sont répartis sur le substrat (100) de manière périodique selon une période pom, avec 200 nm 1, et de préférence kl > 1,5. 2. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel Tépnanic 4. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel les plots (1000A1-1000B4) comprennent, avant l'étape de croissance épitaxiale des vignettes de nitrure (550A, 550B), au moins une couche d'amorçage (500), surmontant ladite couche tampon (400) et faite de nitrure de gallium (GaN). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel fournir ledit empilement comprend fournir un substrat élaboré de type silicium sur isolant (SOI) comprenant un substrat (100) de base surmonté successivement d'une couche d'oxyde formant ladite couche de fluage (200) et d'une couche semi conductrice formant ladite couche cristalline (300). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le tronçon de fluage (220) présente une hauteur e220 telle que e220 0.1Xdp10t, dpbt étant le diamètre du plot (1000A1-1000B4) ou plus généralement la distance bord à bord du plot (1000A1-1000B4) prise, au niveau du tronçon de fluage (220) et dans une direction parallèle à un plan (xy) dans lequel s'étend principalement une face supérieure (110) du substrat (100), de préférence e220 ixdoot. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les plots (1000A1-1000B4) présentent une hauteur Hplot, et dans lequel deux plots (1000A1-1000B4) adjacents sont distants d'une distance D, telle que : Hp10,/ D