FR 3099956 A1 20210219 FR 2003395 A 20200406 Description Titre de l'invention : STRUCTURE DE FILTRE PASSE-BANDE INFRAROUGE ET FILTRE PASSE-BANDE INFRAROUGE UTILISANT LA STRUCTURE [pool La présente invention se rapporte à un domaine technique concernant une structure de filtre passe-bande infrarouge et une structure d'un dispositif de filtre, et plus particulièrement à une structure de filtre passe-bande infrarouge et un filtre passe-bande infrarouge utilisant la structure qui améliore l'efficacité de pulvérisation et réduit fortement les coûts de fabrication, et aide à réduire le gauchissement de couches de film de manière à éliminer un écaillage se produisant dans une opération de découpe réalisée dans un processus post-fabrication. [0002] Des filtres sont généralement classifiés en tant que filtres passe-bande, filtres de coupure d'ondes courtes et filtres de coupure d'ondes longues. Un filtre passe-bande permet à une lumière dans une bande de longueurs d'onde prédéterminée de passer, tout en coupant une lumière à l'extérieur de la bande, et est généralement classifié en tant que dispositifs à bande étroite et dispositifs à large bande selon la largeur de bande. Selon un rapport de la bande passante sur la longueur d'onde centrale, ceux ayant une valeur qui est inférieure à 5 % sont classifiés en tant que dispositifs à bande étroite, tandis que ceux qui ont une valeur supérieure à 5 % sont considérés en tant que dispositifs à large bande. Afin de réduire une interférence provoquée par une lumière visible environnante, des filtres interférentiels à bande étroite sont généralement utilisés. Un objectif à lumière visible RVB (Rouge, Vert, Bleu) traditionnel utilise souvent un filtre de coupure infrarouge pour filtrer une lumière proche infrarouge basse fréquence inutile de manière à éviter des influences que la lumière infrarouge provoque sur la partie de lumière visible pour générer une fausse couleur ou des motifs d'ondulation, et également pour améliorer la résolution effective et la restauration de couleur. Cependant, afin d'empêcher les interférences provoquées par la lumière environnante, les lentilles infrarouges doivent être utilisées en combinaison avec un filtre à bande étroite (à savoir, un filtre passe-bande infrarouge) pour permettre à uniquement une lumière proche infrarouge d'une bande spécifique de passer. [0003] Un filtre passe-bande infrarouge connu, tel que celui représenté dans les Publications de Brevet Taïwanais 1576617 et 1648561, qui divulguent des filtres optiques et des systèmes de détection, est généralement réalisé en empilant de manière alternée une pluralité de couches d'hydrure de silicium et une pluralité de couches de faible indice de réfraction. Une telle structure de filtre passe-bande infrarouge possède une bande passante, qui chevauche au moins partiellement une plage de longueurs d'onde de 2 800nm-1600nrn. La bande passante possède une longueur d'onde centrale, et la longueur d'onde centrale montre un décalage d'amplitude dans la plage de 12,2-20nm lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°. La pluralité de couches d'hydrure de silicium ont chacune un indice de réfraction qui est supérieur à (proche de) 3,5 dans une plage de longueurs d'onde de 800-1100nm, tandis que la pluralité de couche de faible indice de réfraction sont un oxyde, qui a un indice de réfraction inférieur à 2 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1100nm et peut comprendre au moins l'un parmi du dioxyde de silicium (Si0,), de l'oxyde d'aluminium (111) (AI,03), du dioxyde de titane (TiO,), du pcntoxyde de niobium (Nb2O5), du pentoxyde de tantale (Ta,05) et un mélange de ceux-ci. [0004] Cependant, le filtre passe-bande infrarouge connu souffre des désavantages suivants dans des applications pratiques : [0005] (1) Le filtre passe-bande infrarouge connu qui est formé en empilant de manière alternée une pluralité de couches d'hydrure de silicium et une pluralité de couches de faible indice de réfraction possède une bande passante dont une longueur d'onde centrale possède une amplitude de décalage supérieure (environ 12,2-20nm) lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°, et par conséquent, des problèmes d'incapacité de reconnaissance ou d'échec de reconnaissance peuvent se produire dans une application pour la formation d'images tridimensionnelles lors de la réception d'une lumière à des angles relativement grands. [0006] (2) Des couches de film du filtre passe-bande infrarouge connu sont réalisées par pul- vérisation avec une cible de silicium pur. Une telle cible de silicium pur est uniquement applicable à des opérations de pulvérisation qui sont réalisées avec une puissance de 5-6kW, et une puissance excessivement grande provoquerait une condition de craquelage de cible sur la cible de silicium pur, la rendant impossible à utiliser. Ainsi, cela prendrait une période de temps étendue pour pulvériser les couches de film, et l'efficacité de pulvérisation est apparemment très faible, conduisant à une augmentation des coûts de fabrication, tels qu'une dépense de puissance électrique et des heures de travail. [0007] (3) Les couches de film du filtre passe-bande infrarouge connu ont une épaisseur élevée et ceci conduirait à une grande quantité de gauchissement pour un revêtement réalisé sur un substrat de verre, et par conséquent, des problèmes de grave écaillage de coin peuvent se produire dans une opération de découpe réalisée dans un processus ultérieur. [0008] L'objectif principal de la présente invention est de surmonter les inconvénients du filtre passe-bande infrarouge connu concernant la faible efficacité de pulvérisation qui conduit à un coût de fabrication élevé et une quantité de gauchissement de couches de film qui conduit à un écaillage de coin dans une opération de découpe réalisée dans un 3 processus post-fabrication. [0009] La présente invention a donc pour objet une structure de filtre passe-bande in- frarouge, qui est formée en empilant de manière alternée une pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium et une pluralité de couches de faible indice de réfraction, la pluralité de couches de faible indice de réfraction comprenant de l'oxyde, la structure de filtre passe-bande infrarouge ayant une bande passante qui chevauche au moins partiellement la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, la bande passante ayant unc longueur d'onde centrale, la longueur d'onde centrale ayant unc amplitude de décalage qui est inférieure à 11nm lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°. [0010] Selon unc caractéristique particulière de l'invention, la structure de filtre passe-bande infrarouge possède une épaisseur de 3000-5500nm. [0011] Selon une caractéristique particulière de l'invention, la structure de filtre passe-bande infrarouge possède une valeur OD élevée dans une plage de longueurs d'onde de 350nm-1600nm et possède un taux de transmission élevé dans une plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm. [0012] Selon unc caractéristique particulière de l'invention, la structure de filtre passe-bande infrarouge possède un taux de réflexion inférieur à 20 % au niveau d'un site de coordonnée Rx 0,2-0,5, coordonnée Ry 0,2-0,5 d'un système de coordonnées de couleur dans une plage de lumière visible. [0013] Selon une caractéristique particulière de l'invention, la pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction de 3,1-3,6 et un coefficient d'atténuation de 1.e-4 - 1.e-6 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm et un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. [0014] Selon une caractéristique particulière de l'invention, la pluralité de couches de faible indice de réfraction comprennent au moins l'un parmi du dioxyde d'aluminium et de silicium (SiA1:02), du nitrure d'aluminium et de silicium (SiA1:N), du nitrure de silicium (SiN), du dioxyde de silicium (SiO,), de l'oxyde aluminium (III) (A120;), du dioxyde de titane (Ti02), du pentoxyde de niobium (Nb20,), du pentoxyde de tantale (Ta2O5) et un mélange de ceux-ci. [0015] Selon une caractéristique particulière de l'invention, la pluralité de couches de faible indice de réfraction possèdent un indice de réfraction inférieur à 1,8 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1 600nm. [0016] La présente invention a également pour objet un filtre passe-bande infrarouge, comprenant : un substrat, qui possède une première surface latérale et une seconde surface latérale au niveau d'un côté opposé à la première surface latérale ; une structure de filtre passe-bande infrarouge telle que décrite ci-dessus, qui est formée sur la première surface latérale du substrat ; et une couche antiréfléchissante (AR) qui est formée sur la seconde surface latérale du substrat. [0017] Selon une caractéristique particulière de l'invention, la pluralité de couches de faible indice de réfraction possèdent un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. [0018] Selon une caractéristique particulière de l'invention, la couche antiréfléchissante est formée par empilement d'une pluralité de matériaux d'indice de réfraction élevé d'hydrure d'aluminium et de silicium (SiAl:H), et d'une pluralité de matériaux de faible indice de réfraction, les matériaux de faible indice de réfraction comprenant au moins l'un parmi du dioxyde d'aluminium et de silicium (SiA1:0,), du dioxyde de silicium (Si02), de l'oxyde d'aluminium (111) (AI,03), du dioxyde de titane (Ti02), du pcntoxyde de niobium (Nb,05), du pcntoxyde de tantale (Ta,05) et un mélange dc ceux-ci. [0019] Selon une caractéristique particulière de l'invention, la couche antiréfléchissante possède une épaisseur de 3000nm-6000nm. [0020] La structure de filtre passe-bande infrarouge et le filtre passe-bande infrarouge utilisant une telle structure selon la présente invention sont tels que la structure de filtre passe-bande infrarouge qui est formée en empilant de manière alternée une pluralité dc couches d'hydrure d'aluminium et de silicium et une pluralité de couches de faible indice de réfraction possède une bande passante dont une longueur d'onde centrale présente une amplitude de décalage réduite qui est inférieure à 11nm lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°, de telle sorte que des applications à des systèmes de formation d'image tridimensionnelle rendraient difficile le fait de générer des problèmes d'incapacité de reconnaissance ou d'échec de reconnaissance. En particulier, une cible d'aluminium-silicium qui est dopée avec un composant d'aluminium est utilisée, qui est plus apte à supporter plus que deux fois la sortie de puissance (environ 10-20kW) par rapport à des cibles de silicium pur utilisées conventionnellement, de telle sorte que le temps nécessaire pour le revêtement de films peut être réduit d'au moins la moitié et de manière équivalente, le débit pour la même période de temps pourrait être plus du double, et ainsi, les coûts de ressources comprenant le temps de production consommé dans l'atelier entier, la main d'oeuvre humaine et la puissance électrique peuvent être divisés par deux pour ainsi fortement améliorer le pouvoir de concurrence. En outre, des couches de film de la structure de filtre passe-bande infrarouge sont réalisées avec une épaisseur réduite en raison de la propriété de l'excellente ductilité du composant d'aluminium impliqué, de telle sorte qu'un revêtement sur un substrat de verre peut fournir une épaisseur de film réduite et ainsi une contrainte interne réduite et la contrainte interne réduite aidera à empêcher la survenue d'un écaillage de coin dans une opération de découpe ultérieure, améliorant ainsi le taux de rendement de l'opération de découpe pour ainsi obtenir, de manière équivalente, un objectif d'abaissement des coûts de fabrication. [0021] Pour mieux illustrer l'objet de la présente invention, on va en décrire ci-après, à titre illustratif et non limitatif, plusieurs modes de réalisation particuliers en référence aux dessins annexés. [0022] Sur ces dessins : [0023] [fig.1] est une vue en coupe transversale représentant un filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0024] [fig.2] est une vue schématique représentant une structure d'un système de re- vêtement réactif à pulvérisation sous vide qui est utilisé dans la présente invention pour réaliser un processus de revêtement. [0025] [fig.3] est une vue schématique illustrant une structure de couches de film d'un premier mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0026] [fig.4] est un diagramme spectral du premier mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0027] [fig.5] est une vue schématique représentant une structure de couches de film d'une première expérimentation d'un second mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0028] [fig.6] est un diagramme spectral de la première expérimentation du second mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0029] [fig.7] est une vue schématique représentant une structure de couches de film d'une seconde expérimentation du second mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0030] [fig.8] est un diagramme spectral de la seconde expérimentation du second mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0031] [fig.9] est une vue schématique illustrant une structure de couches de film d'un troisième mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0032] [fig.10] est un diagramme spectral du troisième mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0033] [fig.11] est une vue schématique illustrant une structure de couches de film d'une ex- périmentation de réflexion de lumière visible de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0034] [fig.12] est un diagramme spectral de l'expérimentation de réflexion de lumière visible de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention. [0035] [fig.13] est un diagramme illustrant une plage de coordonnées de couleur pour l'expérimentation de réflexion de lumière visible de la structure de filtre passe-bande 6 infrarouge selon la présente invention. [0036] En se référant à la Figure 1, un filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention est représenté, comprenant un substrat 10, une structure de filtre passe-bande infrarouge 20 et une couche antiréfléchissante (AR) 30, dans lequel : le substrat 10, qui est du verre, possède également une première surface latérale et une seconde surface latérale qui est située sur un côté opposé à la première surface latérale. [0037] La structure de filtre passe-bande infrarouge 20 est formée sur la première surface latérale du substrat 10 et est formée en empilant de manière alternée une pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium (SiAl:H) 21 et une pluralité de couches de faible indice de réfraction 22, de telle sorte que la structure de filtre passe-bande infrarouge 20 possède une bande passante qui chevauche au moins partiellement la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm. La bande passante possède une longueur d'onde centrale, et la longueur d'onde centrale montre une amplitude de décalage qui est inférieure à 11nm (environ 10,3-10,5nm) lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°. En outre, la structure de filtre passe-bande infrarouge 20 possède une épaisseur qui est de 3000-5500nm et possède une valeur de densité optique (OD) élevée dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-1600nm, et possède un taux de transmission élevé dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et un taux de réflexion inférieur à 20 % au niveau du site de coordonnée Rx 0,2-0,5, coordonnée Ry sur un système de coordonnées de couleur dans la plage de lumière visible. La pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium 21 possèdent un indice de réfraction de 3,1-3,6 et un coefficient d'atténuation de 1.e-4 - 1.e-6 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm et un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. Les couches de faible indice de réfraction 22 sont de l'oxyde, qui comprend l'un parmi du dioxyde d'aluminium et de silicium (SiA1:02), du nitrure d'aluminium et de silicium (SiA1:N), du nitrure de silicium (SiN), du dioxyde de silicium (SiO2), de l'oxyde d'aluminium (11I) (A120'), du dioxyde de titane (TiO2), du pentoxyde de niobium (Nb2O5), du pentoxyde de tantale (Ta205) et un mélange de ceux-ci. En outre, la pluralité de couches de faible indice de réfraction 22 possèdent un indice de réfraction inférieur à 1,8 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm et un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. [0038] La couche antiréfléchissante 30 est formée sur la seconde surface latérale du substrat et est formée en empilant une pluralité de matériaux d'indice de réfraction élevé d'hydrure d'aluminium et de silicium (SiA1:H) et une pluralité de matériaux de faible indice de réfraction. Les matériaux de faible indice de réfraction comprennent au moins l'un parmi du dioxyde d'aluminium et de silicium (SiA1:02), du nitrure 7 d'aluminium et de silicium (SiAl:N), du nitrure de silicium (SiN), du dioxyde de silicium (SiO2), de l'oxyde d'aluminium (III) (A1,03), du dioxyde de titane (TiO2), du pentoxydc de niobium (Nb,05), du pentoxydc de tantale (Ta,05) et un mélange de ceux-ci et ont une épaisseur de 3000nm-6000nm. [0039] En se référant à la Figure 2, celle-ci représente un processus de pulvérisation des couches de film d'hydrure d'aluminium et de silicium 21 de la présente invention qui est réalisé dans un système de revêtement réactif à pulvérisation sous vide 40, dans lequel une cible cylindrique de silicium à revêtement par pulvérisation polycristallin ou une cible cylindrique de silicium monocristall in qui est dopée avec un composant d'aluminium à 200ppin-1500ppm sert de cible de pulvérisation 45, et un processus de fabrication est (a) placer un substrat propre 10 sur un tambour 41 pour avoir une surface de revêtement de film tournée vers l'extérieur ; (h) mettre le tambour 41 en rotation à une vitesse uniforme à l'intérieur d'une chambre de revêtement 42 ; (c) activer une source de pulvérisation 43 à un niveau de vide de 10-3-10-4pa et introduire un gaz d'argon, de telle sorte que le gaz d'argon est ionisé pour former un plasma afin de bombarder la cible d'aluminium-silicium 45 sous l'action de champs électriques et magnétiques, le matériau d'aluminium-silicium est pulvérisé sur le substrat 10 pour former un film d'aluminium-silicium ; (d) avec la rotation du tambour 200, le substrat 100 est déplacé vers une région de source de réaction (rf/icp) 44 ; et (e) la région de source de réaction 44 fournit un gaz d'hydrogène, un gaz d'oxygène et un gaz d'argon pour former des plasmas pour un déplacement à vitesse élevée vers le substrat 10 sous l'action d'un champ électrique pour finalement réagir avec le film d'aluminium-silicium sur le substrat 10 et former des couches de film d'hydrure d'aluminium et de silicium 21 qui contiennent de l'hydrogène. Pour réaliser les films d'indice de réfraction élevé, le mélange de gaz introduit par l'intermédiaire de la région de source de réaction 44 peut être utilisé pour réaliser des films ayant les indices de réfraction les plus élevés qui changent de 3,1 à 4 dans 800nm à 1600nm et des coefficients d'atténuation qui sont inférieurs à 0,0005 par ajustement du rapport (débit) de gaz d'hydrogène. Lorsque le gaz introduit par l'intermédiaire de la région de source de réaction 44 est un gaz mélangé de gaz d'oxygène et de gaz d'argon, il est possible de réaliser des films ayant des indices de réfraction qui changent de 1,46 à 1,7 dans 350nm à 1600nm et des coefficients d'atténuation qui sont inférieurs à 0,0005. [0040] En se référant aux Figures 3 et 4, un premier mode de réalisation (filtre passe-bande 850) de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention est représenté, qui est formé en empilant de manière alternée un nombre total de 27 couches de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium et de couches de dioxyde d'aluminium et de silicium et a une épaisseur à empilement alterné qui est d'environ 3500nm. Les couches d'hydrure d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction 8 supérieur à 3 et proche de 3,6 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et ont un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. Les couches de dioxyde d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction inférieur à 1,8 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nrn. La structure de filtre passe-bande infrarouge qui est formée par empilement possède une bande passante qui chevauche au moins partiellement la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et une longueur d'onde centrale de la bande passante possède une amplitude de décalage qui est inférieure à llnin lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°. Ceci est applicable à un système de formation d'image tridimensionnelle pour améliorer la résolution d'image tridimensionnelle. [0041] En se référant aux Figures 5 et 6, une première expérimentation (filtre passe-bande 940) d'un second mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention est représentée, qui est formée en empilant de manière alternée un nombre total de 31 couches de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium et de couches de dioxyde d'aluminium et de silicium et possède une épaisseur à empilement alterné qui est d'environ 4000nm. Les couches d'hydrure d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction supérieur à 3 et proche de 3,6 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et ont un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. Les couches de dioxyde d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction inférieur à 1,8 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm. La structure de filtre passe-bande infrarouge qui est formée par empilement possède une bande passante qui chevauche au moins partiellement la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et une longueur d'onde centrale de la bande passante possède une amplitude de décalage qui est inférieur à 11nm lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°. Ceci est applicable à un système de formation d'image tridimensionnelle pour améliorer la résolution d'image tridimensionnelle. [0042] En se référant aux Figures 7 et 8, une seconde expérimentation (filtre passe-bande 940) du second mode de réalisation de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention est représentée, qui est formée en empilant de manière alternée un nombre total de 35 couches de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium et de couches de dioxyde d'aluminium et de silicium et possède une épaisseur à empilement alterné qui est d'environ de 4000-550nm. Les couches d'hydrure d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction supérieur à 3 et proche de 3,6 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de 9 longueurs d'onde de 350nm-700nm. Les couches de dioxyde d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction inférieur à 1,8 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm. La structure de filtre passe-bande infrarouge qui est formée par empilement possède une bande passante qui chevauche au moins partiellement la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et une longueur d'onde centrale de la bande passante possède une amplitude de décalage qui est inférieure à 11nm lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°, une pente t90-t10% de cet exemple étant supérieure à celle de la première expérimentation (la première expérimentation ayant une pente inférieure à 8, et la seconde expérimentation ayant une pente inférieure à 7), et une valeur OD au même emplacement étant également supérieure à celle du premier mode de réalisation. [0043] En se référant aux Figures 9 et 10, un troisième mode de réalisation (filtre passe- bande 1064) de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention est représenté, qui est formé en empilant de manière alternée un nombre total de 33 couches de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium et de couches de dioxyde d'aluminium et de silicium et possède une épaisseur à empilement alterné qui est inférieure à 5000nm. Les couches d'hydrure d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction supérieur à 3 et proche de 3,6 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et ont un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. Les couches de dioxyde d'aluminium et de silicium ont un indice de réfraction inférieur à 1,8 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600 nm. La structure de filtre passe-bande infrarouge qui est formée par empilement possède une bande passante qui chevauche au moins partiellement la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, et une longueur d'onde centrale de la bande passante possède une amplitude de décalage qui est inférieure à 2nm lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 7°, et OD > 3 dans une bande passante de la longueur d'onde de 400-1000nm et 1120-1600 lorsque l'angle d'incidence change de 0° à 7°. [0044] En se référant aux Figures 11 à 13, une expérimentation de réflexion de lumière visible de la structure de filtre passe-bande infrarouge selon la présente invention est représentée, qui est formée en empilant de manière alternée un nombre total de 37 couches de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium et de couches de dioxyde d'aluminium et de silicium, qui possède un taux de réflexion inférieur à 20 % à une coordonnée Rx 0,2-0,5, une coordonnée Ry 0,2-0,5 d'un système de coordonnées de couleur dans une plage de lumière visible. [0045] La structure de filtre passe-bande infrarouge et le filtre passe-bande infrarouge utilisant une telle structure selon la présente invention ont les avantages suivants : 10 [0046] (1) La présente invention fournit une structure de filtre passe-bande infrarouge qui est formée en empilant de manière alternée une pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium 21 et une pluralité de couches de faible indice de réfraction 22 et possède une bande passante dont une longueur d'onde centrale présente une amplitude de décalage réduite (environ 10,3-10,5nm) qui est inférieure à 11nm lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30', de telle sorte que des applications de celle-ci à des systèmes de formation d'image tridimensionnelle rendraient difficile le fait de générer des problèmes d'incapacité de reconnaissance ou d'échec de reconnaissance. [0047] (2) La présente invention utilise une cible d'aluminium-silicium qui est dopée avec un composant d'aluminium, qui serait plus apte à supporter plus que deux fois la sortie de puissance (environ 10-20kW) par rapport à des cibles de silicium pur utilisées conventionnellement, de telle sorte que le temps nécessaire pour le revêtement de films peut être réduit au moins de la moitié et de manière équivalente, le débit pour la même période de temps pourrait être plus du double, et ainsi, les coûts de ressources comprenant le temps de production consommé dans l'atelier entier, la main d'oeuvre humaine et la puissance électrique peuvent être divisés par deux, permettant ainsi d'améliorer considérablement le pouvoir de concurrence. [0048] (3) La présente invention utilise des couches de film qui peuvent être réalisées avec une épaisseur réduite en raison de la propriété de rexcellente ductilité du composant d'aluminium impliqué, de telle sorte qu'un revêtement sur un substrat de verre peut fournir une épaisseur de film réduite et ainsi une contrainte interne réduite et la contrainte interne réduite aide à empêcher la survenue d'un écaillage de coin dans une opération de découpe ultérieure, améliorant ainsi le taux de rendement de l'opération de découpe pour ainsi obtenir, de manière équivalente, un objectif d'abaissement des coûts de fabrication. 11 [Revendication 1] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4] [Revendication 5] [Revendication 6] REVENDICATIONSStructure de filtre passe-bande infrarouge (20), caractérisée par le fait qu'elle est formée en empilant dc manière alternée une pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium, SiAl:H, (21) et une pluralité dc couches de faible indice de réfraction (22), la pluralité de couches de faible indice de réfraction (22) comprenant de l'oxyde, la structure de filtre passe-bande infrarouge (20) ayant une bande passante qui chevauche au moins partiellement une plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm, la bande passante ayant une longueur d'onde centrale, la longueur d'onde centrale ayant une amplitude de décalage qui est inférieure à 11nm lorsqu'un angle d'incidence change de 0° à 30°. Structure de filtre passe-bande infrarouge (20) selon la revendication 1, caractérisée par le fait que la structure de filtre passe-bande infrarouge (20) possède une épaisseur de 3000-5500nm. Structure de filtre passe-bande infrarouge (20) selon la revendication 1, caractérisée par le fait que la structure de filtre passe-bande infrarouge (20) possède une valeur de densité optique, OD, élevée dans une plage de longueurs d'onde de 350nm-1600nm et possède un taux de transmission élevé dans une plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm. Structure de filtre passe-bande infrarouge (20) selon la revendication 1, caractérisée par le fait que la structure de filtre passe-bande infrarouge (20) possède un taux de réflexion inférieur à 20 % au niveau d'un site de coordonnée Rx 0,2-0,5, coordonnée Ry 0,2-0,5 d'un système de coordonnées de couleur dans une plage de lumière visible. Structure de filtre passe-bande infrarouge (20) selon la revendication 1, caractérisée par le fait que la pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium (21) ont un indice de réfraction de 3,1-3,6 et un coefficient d'atténuation de 1.e-4 - 1.e-6 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm et un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde (le 350nm-700nm. Structure de filtre passe-bande infrarouge (20) selon la revendication 1, caractérisée par le fait que la pluralité de couches de faible indice de réfraction (22) comprennent au moins l'un parmi du dioxyde d'aluminium et de silicium, SiA1:0,, du nitrure d'aluminium et de silicium, SiA1:N, du nitrure de silicium, SiN, du dioxyde de silicium, Si0,, de l'oxyde aluminium (III), A1203, du dioxyde de titane, TiO,, du pentoxyde de 12 niobium, »20,, du pentoxydc de tantale, Ta205, et un mélange de ceux-ci. [Revendication 7] Structure de filtre passe-bande infrarouge (20) selon la revendication 1, caractérisée par le fait que la pluralité de couches de faible indice dc réfraction (22) possèdent un indice de réfraction inférieur à 1,8 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1 600nm. [Revendication 8] Filtre passe-bande infrarouge, caractérisé par le fait qu'il comprend : un substrat (10), qui possède une première surface latérale et une seconde surface latérale au niveau d'un côté opposé à la première surface latérale ; une structure de filtre passe-bande infrarouge (20), qui est formée sur la première surface latérale du substrat (10) et est formée en empilant de manière alternée une pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium, SiAI:H, (21) et une pluralité dc couches de faible indice de réfraction (22), la pluralité de couches de faible indice de réfraction (22) comprenant de l'oxyde, la structure de filtre passe-bande infrarouge (20) ayant une bande passante qui chevauche au moins partiellement une plage de longueurs d'onde dc 800nm-1600nm, la bande passante ayant une longueur d'onde centrale, la longueur d'onde centrale ayant une amplitude de décalage qui est inférieure à Ilnm lorsqu'un angle d'incidence change de 00 à 30'; et une couche antiréfléchissante, AR, (30) qui est formée sur la seconde surface latérale du substrat (10). [Revendication 9] Filtre passe-bande infrarouge selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la structure de filtre passe-bande infrarouge (20) possède une épaisseur de 3000-5500nm. [Revendication 10] Filtre passe-bande infrarouge selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la structure de filtre passe-bande infrarouge (20) possède une valeur de densité optique, OD, élevée dans une plage de longueurs d'onde de 350nm-1600nm et possède un taux de transmission élevé dans une plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm. [Revendication 11] Filtre passe-bande infrarouge selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la structure de filtre passe-bande infrarouge (20) possède un taux de réflexion inférieur à 20 % au niveau d'un site de coordonnée Rx 0,2-0,5, coordonnée Ry 0,2-0,5 d'un système de coordonnées de couleur dans une plage de lumière visible. [Revendication 12] Filtre passe-bande infrarouge selon la revendication 8, caractérisé par le 13 [Revendication 13] [Revendication 14] [Revendication 15] [Revendication 16] fait que la pluralité de couches d'hydrure d'aluminium et de silicium (21) possèdent un indice de réfraction de et un coefficient d'atténuation de 1.c-4 - 1.c-6 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm et un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. Filtre passe-bande infrarouge selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la pluralité de couches de faible indice de réfraction (22) comprennent au moins l'un parmi du dioxyde d'aluminium et de silicium, SiA1:02, du nitrure d'aluminium et de silicium. SiAl:N, du nitrure de silicium, SiN, du dioxyde de silicium, SiO2, de l'oxyde d'aluminium (III), A1203, du dioxyde de titane, TiO2, du pentoxyde de niobium, Nb20 5, du pentoxyde de tantale, Ta205, et un mélange de ceux-ci. Filtre passe-bande infrarouge selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la pluralité de couches de faible indice de réfraction (22) possèdent un indice de réfraction inférieur à 1,8 et un coefficient d'atténuation inférieur à 0,0005 dans la plage de longueurs d'onde de 800nm-1600nm et possèdent un coefficient d'atténuation supérieur à 0,005 dans la plage de longueurs d'onde de 350nm-700nm. Filtre passe-bande infrarouge selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la couche antiréfléchissante (30) est formée par empilement d'une pluralité de matériaux d'indice de réfraction élevé d'hydrure d'aluminium et de silicium, SiA1:H, et d'une pluralité de matériaux de faible indice de réfraction, les matériaux de faible indice de réfraction comprenant au moins l'un parmi du dioxyde d'aluminium et de silicium, SiA1:02, du dioxyde de silicium, SiO2, de l'oxyde d'aluminium (III), Ale 0-3, du dioxyde de titane, TiO,, du pentoxyde de niobium, Nb20,, du pentoxyde de tantale, Ta205, et un mélange de ceux-ci. Filtre passe-bande infrarouge selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la couche antirétléchissante (30) possède une épaisseur de 3000nm-6000nm.