FR 3098979 A1 20210122 FR 2003198 A 20200331 Description Titre de l'invention : Procédé de dépôt d'une couche injectrice d'électrons Domaine technique [0001] La présente description concerne de façon générale les encres pour composants opto- électroniques et plus particulièrement les procédés de dépôt de ces encres. Technique antérieure [0002] Les encres à base de polyéthylènes iminc (PH) et de polyéthylènes imine éthoxylés (PEIE) sont notamment utilisées dans les capteurs d'images et plus particulièrement à la surface des électrodes de tels capteurs afin de modifier le travail de sortie desdites électrodes. Résumé de l'invention 100031 Il existe un besoin d'amélioration des solutions d'encres à hase de PH ou PEIE, et plus particulièrement, des procédés de réalisation de couches à partir de telles solutions. 100041 Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés connus. 100051 Un mode de réalisation prévoit un procédé de réalisation d'une couche, à partir d'une encre, sur un substrat, comprenant les étapes suivantes : dépôt d'un volume d'encre avec un dispositif d'enduction à filière ; premier séchage ; et deuxième séchage. [0006] Selon un mode de réalisation, le substrat est une électrode. [0007] Selon un mode de réalisation, le premier séchage est effectué dans une chambre sous- vide. [0008] Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape de dépôt, une étape de traitement de surface du substrat par plasma atmosphérique, par plasma sous vide, par gravure par ions réactifs ou par corona. [0009] Selon un mode de réalisation, l'encre comprend un solvant et un polymère. [0010] Selon un mode de réalisation, le solvant est choisi parmi le butanol, l'éthylène glycol, l'acétate d'éther méthylique de propylène glycol et le diméthylsulfoxyde. [0011] Selon un mode de réalisation, le polymère est choisi parmi un polyéthylène imine un polyéthylène imine éthoxylé, un perfluoroanthracène et un ou des thiols conjugués. [0012] Selon un mode de réalisation, le polymère a une concentration volumique dans l'encre comprise entre 0,001 % et 0,1 %, de préférence comprise entre 0,01 % et 0,04 [0013] Selon un mode de réalisation, le polymère a une niasse molaire comprise entre 1 kg/ 2 mol et 1000 kg/mol, de préférence comprise entre 20 kg/mol et 200 kg/mol. [0014] Selon un mode de réalisation, la couche a une épaisseur, dite humide, à la fin de l'étape de dépôt comprise entre 7 pm et 45 pm. [0015] Selon un mode de réalisation, la couche a une épaisseur, dite sèche, à la fin du deuxième séchage comprise entre 1 nm et 3 nm, de préférence égale à environ 1,5 nm Brève description des dessins [0016] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de mise en oeuvre et de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : [0017] [fig.11 la figure 1 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, un exemple de réalisation d'un dispositif d'interface utilisateur à électrodes transparentes ; [0018] 1fig.21 la figure 2 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, une étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'une couche ; [0019] 1fig.31 la figure 3 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'une couche ; [0020] 1fig.41 la figure 4 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'une couche ; [0021] 1fig.51 la figure 5 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'une couche ; et [0022] 1fig.61 la figure 6 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'une couche. Description des modes de réalisation 100231 De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de mise en oeuvre et de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. 100241 Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. 100251 Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. 100261 Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou 3 relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. [0027] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sen- siblement", et "dc l'ordre de" signifient à 10 % près, dc préférence à 5 % près. [0028] Dans la suite dc la description, sauf précision contraire, une couche ou un film est dit opaque à un rayonnement lorsque la transmittancc du rayonnement au travers de la couche ou du film est inférieure à 10 %. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittancc du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 10 %, de préférence, supérieure à 50 %. Selon un mode de réalisation, pour un même système optique, tous les éléments du système optique qui sont opaques à un rayonnement ont une transmittancc qui est inférieure à la moitié, de préférence inférieure au cinquième, plus préférentiellement inférieure au dixième, de la transmittance la plus faible des éléments du système optique transparents audit rayonnement. Dans la suite de la description, on appelle "rayonnement utile" le rayonnement électromagnétique traversant le système optique en fonctionnement. [0029] La figure 1 représente une coupe, partielle et schématique, d'un exemple de réa- lisation d'un dispositif 1 d'interface utilisateur à électrodes transparentes. [0030] Le dispositif 1 comprend une matrice de capteurs de photons, appelés photo-dé- tecteurs 21 (un photo-détecteur 21 est symbolisé par des pointillés en figure 1), de préférence adaptée à détecter des variations de l'ombre ou de l'image d'un organe d'actionnement, par exemple un doigt 23. Les photo-détecteurs 21 sont formés sur un substrat 25 en un matériau diélectrique transparent ou translucide, par exemple en verre ou en plastique. [0031] Selon un mode de réalisation, le substrat 25 est une matrice de circuits de lecture comprenant, par exemple, des transistors en couche mince (TFT, Thin-Film Transistors). [0032] Chaque photo-détecteur 21 comprend un empilement, comportant, de bas en haut : - une électrode opaque ou transparente métallique 11 faite : en un matériau TCO (Transparent Conductive Oxide, oxyde conducteur transparent), par exemple, l'oxyde d'indium dopé en étain, l'oxyde de zinc dopé en gallium, l'oxyde d'étain, l'oxyde d'étain dopé au fluor (FTQ Fluorine-doped Tin Oxide), l'oxyde de zinc, l'oxyde de zinc dopé en aluminium, l'oxyde de cadmium dopé à l'indium, le nitrure de titane TiN, l'oxyde d'indium-étain (1T0), etc. ; en un métal, par exemple, l'or, l'argent, le plomb, le palladium, le cuivre, le nickel, le tungstène ou le chrome ; en nanofils de carbone, d'argent ou de cuivre ; en graphène ; ou en un mélange de deux ou plus de ces matériaux ; - une couche 134 injectrice d'électrons ETL (Elcctron Injecting Layer), obtenue à partir d'une encre selon le procédé décrit en relation avec les figures 2 à 6 ; - une couche 27, dite couche active, en un matériau organique. La couche active 27 peut comprendre un matériau semiconducteur ambipolaire, ou un mélange d'un matériau semiconducteur de type N et d'un matériau semiconducteur de type P, par exemple sous forme de couches superposées ou d'un mélange intime à l'échelle nanométrique de façon à former une hétérojonction en volume. L'épaisseur de la couche active 27 peut être comprise entre 50 nm et 2 prn, par exemple de l'ordre de 200 nm; - une couche 29 couche injectrice de trous HIL (Fiole Injection Layer) en un polymère semiconducteur organique très dopé, par exemple un polymère connu sous la dénomination PEDOT:PSS ; et - une électrode 31, constituant une cathode commune à tous les photodétecteurs, faite à hase d'un polymère de type PEDOT:PSS ou d'un TCO, comme par exemple l'ITO (oxyde d'indium-étain). [0033] Des exemples de polymères semiconducteurs de type P adaptés à la réalisation de la couche active 27 sont le poly(3-hexylthiophène) (P3HT), le poly[N-9'-heptadécany1-2,7-carbazole-alt-5,5-(4,7-di-2-thiényl-2',1', 3'-benzothiadiazo le)] (PCDTBT), le poly[(4,8-bis-(2-éthylhexyloxy)-benzo[1,2-b;4,5-1-1 dithiophène)-2,6-diyl-alt-(4-(2-éthylhexanoyl)-thieno[3,4-b] thiophène))-2,6-diy11 (PBDTTT-C), le poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4-phénylène-vinylène] (MEH-PPV) ou le poly[2,6-(4,4-bis-(2-éthylhexyl)-4H-cyclopenta [2,1-b;3,4-b Idithiophène)-all-4,7(2,1,3-benzothiadiazole)] (PCPDTBT). [0034] Des exemples de matériaux semiconducteurs de type N adaptés à la réalisation de la couche active 27 sont les fullerènes, notamment le C60, le [6,6]-phényl-C61-butanoate de méthyle ([60]PCBM) et le [6,6]-phényl-C71-butanoate de méthyle ([70]PCBM). [0035] La couche 27 photoactive des photo-détecteurs 21 est ici destinée à être éclairée à travers une couche d'encapsulation 33 et à travers l'électrode 31 et la couche 29. Le rayonnement lumineux est schématiquement représenté par des flèches 35. [0036] Les couches 29 peuvent être structurées lors, par exemple, d'une étape de photoli- thographie non représentée. [0037] La matrice de photo-détecteurs 21 peut être une matrice passive ou une matrice active. Pour une matrice passive, les électrodes transparentes 31 peuvent correspondre à des bandes rectilignes et parallèles, chaque bande pouvant être connectée à tous les photo-détecteurs 21 d'une même rangée. Pour une matrice active, les électrodes transparentes 31 peuvent correspondre à une couche continue en contact avec tous les photo-détecteurs 21 de la matrice. A titre de variante, les électrodes transparentes 31 peuvent être isolées les unes des autres, les photo-détecteurs 21 étant dans ce cas indépendants les uns des autres. [0038] Les figures 2 à 6 illustrent des étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation de la couche 134 à la surface de l'électrode 11. Plus généralement, les figures 2 à 6 illustrent des étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation de la couche 134 à la surface d'un substrat 11' pouvant être, par exemple, différent d'une électrode. [0039] La figure 2 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, une étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation de la couche 134. [0040] Plus particulièrement, la figure 2 illustre une structure de départ du procédé. La structure de départ comprend le substrat 11' (par exemple l'électrode 11 de la figure 1). [0041] Selon un mode de réalisation, le substrat 11' est en un oxyde métallique, choisi parmi : les oxydes de zinc ZnO' l'oxyde d'indium-étain ITO, l'oxyde de zinc-étain ZTO, l'oxyde de zinc-aluminium AZO, les oxydes de titane TiO, les oxydes de molybdène MoO, les oxydes de nickel NiO,' les oxydes de chrome CrO, les oxydes de cuivre Cu0', les oxydes de cobalt CoO', les oxydes de fer FeO, les oxydes de manganèse MnO, ou un mélange d'au moins deux de ces oxydes. [0042] Selon un mode de réalisation, le substrat 11' est en métal ou en un alliage métallique, choisi dans la liste : or, cuivre, argent, molybdène-tantale, molybdène-cuivre. [0043] Selon un mode de réalisation, le substrat 11' est en un matériau céramique, c'est-à-dire, par exemple, en un carbure, comme le carbure de titane (TiC), un borure, un nitrure comme le nitrure de titane (TiN), le nitrure d'aluminium (AIN), etc. [0044] Selon un mode de réalisation, le substrat 11', plus particulièrement la surface du substrat 11', est d'abord traitée par plasma à pression atmosphérique. [0045] Le traitement par plasma est, par exemple, utilisé afin de rendre la surface du substrat 11' hydrophile. Le traitement par plasma est, en outre, utilisé pour fonctionnaliser (faire apparaître des fonctions hydroxyles et carbonyles) la surface du substrat 11' et augmenter l'énergie de surface du substrat 11'. [0046] En variante, la surface du substrat 11' est traitée par plasma sous vide, par gravure par ions réactifs (RIE, Reactive Ion Etching) ou par corona. [0047] La figure 3 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation de la couche 134. [0048] Plus particulièrement, la figure 3 illustre une étape de dépôt d'un volume d'une solution ou encre 13 à la surface du substrat 11' pour former une couche 131. [0049] La solution 13 est, de préférence, formulée et composée d'un polymère et d'un solvant. [0050] Le solvant utilisé dans la composition de la solution 13 est, de préférence, un solvant capable de dissoudre ou de disperser uniformément le polymère. 6 [0051] Le solvant est, par exemple, un solvant ayant une température d'ébullition supérieure à environ 110 'C. Le solvant est, de préférence, du butane', de l'éthylène glycol, de l'acétate d'éther méthylique de propylène glycol (PGMEA), du diméthylsulfoxyde (DMSO) ou une combinaison de ces solvants. [0052] Le polymère est, par exemple, choisi parmi un polyéthylène imine (PEI), un poly- éthylène imine éthoxylé (PEIE), un thiol conjugué ou un perfluoroanthracène. [0053] Le polymère est, de préférence, un polyéthylène iminc. [0054] Le polymère a une masse molaire comprise, par exemple, entre 1 kg/mol et 1000 kg/ mol, de préférence, comprise entre 20 kg/mol et 200 kg/mol. [0055] Les masses molaires des polymères sont mesurées par exemple par chromatographie par pénétration de gel (GPC, Gel Permeation Chromatography) couplée notamment à un détecteur de diffusion de lumière. Cette technique consiste à séparer les molécules, ici des polymères, selon leurs tailles en les pompant dans différentes colonnes. La lumière diffusée à angle très faible permet de connaître la masse moléculaire moyenne en poids. Les masses molaires utilisées dans la présente description sont des masses molaires moyennes en poids. [0056] Selon un mode de réalisation, le polymère à une concentration volumique dans la solution 13 comprise entre 0,001 % et 0,1 %, de préférence, comprise entre 0,01 % et 0,04 %. [0057] Le dépôt de la solution 13 est réalisé avec un dispositif d'enduction à filière (slot-die). [0058] Le dispositif d'enduction à filière consiste à fournir une solution uniforme sur une surface donnée. Il est composé notamment d'une tête 15 dotée d'une fente 151. [0059] La solution ou matériau d'enduction, est déposée sur ladite surface après avoir traversé la fente de la tête. Le substrat est généralement mis en mouvement, de préférence rectiligne, afin que la solution soit déposée sur l'ensemble d'une zone sélectionnée. [0060] Le dispositif d'enduction à filière est généralement doté de quatre sous-systèmes : un sous-système de mesure du débit de la solution dans la fente ; un sous-système de positionnement de la tête par rapport à ladite surface ; un sous-système de distribution qui permet d'assurer une répartition uniforme de la solution sur toute la largeur de ladite surface ; et un sous-système de détermination du mouvement du substrat. [0061] Ces sous-systèmes interagissent afin de conduire à la formation d'un revêtement ou couche uniforme. L'épaisseur de la couche déposée est ainsi fonction de : la vitesse de ladite surface par rapport à la fente de la tête ; et le débit à laquelle la solution est distribuée, ou vitesse de la solution à travers la fente de la tête. 7 [0062] Selon le mode de réalisation illustré en figure 3, le dépôt de la couche 131 est réalisé pleine plaque. C'est-à-dire que la couche 131 recouvre l'ensemble de la face supérieure du substrat 11'. [0063] Dans l'exemple d'application de la figure 1, cela signifie que l'encre 13 est déposée sur le matériau constitutif de la couche sous-jacente avant que cette dernière soit gravée pour définir les électrodes 11. [0064] Lors de cette étape, le polymère s'adsorbe, par physisorption ou chimisorption selon les polymères, sur la surface du substrat 11' en formant une sous-couche mono- moléculaire. Le solvant se dépose dans une ou des sous-couches successives. [0065] A titre d'exemple, VETE et le PET engendrent un mécanisme de physisorption à la surface du substrat 11' tandis que le perfluoroanthracène et les thiols conjugués engendrent un mécanisme de chimisorption. [0066] Selon un mode de réalisation, la vitesse de déplacement de tête 15 par rapport au substrat 11' est environ égale à 70 mm/sec. [0067] Selon un mode de réalisation, le débit de la solution 13 en sortie de la fente 151 est environ égale à 300 µL/sec. [0068] A l'issue de l'étape illustrée en figure 3, la couche 131, composée du polymère et de solvant, a une épaisseur A, dite humide, sensiblement constante sur l'ensemble de la surface du substrat 11'. [0069] L'épaisseur A est, par exemple, égale à une valeur comprise entre 7 !lm et 45 pm. [0070] La figure 4 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation de la couche 134. [0071] Plus particulièrement, la figure 4 illustre une première étape de séchage permettant l'évaporation partielle du solvant, illustrée en figure 4 par des vapeurs 17, présent dans la couche 131 de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 2 et 3. L'étape illustrée en figure 4 permet en outre la fixation du polymère sur la surface du substrat 11' [0072] La structure illustrée en figure 4 comprend le substrat 11' et une couche 132, issue de la couche 131 de la figure 3. La couche 132 est une couche dont la composition évolue au cours de l'étape illustrée en figure 4. [0073] Au début de l'étape illustrée en figure 4, la couche 132 con-espond à la couche 131. [0074] Au cours de l'étape illustrée en figure 4, l'évaporation du solvant présent dans la couche 132 engendre une diminution du pourcentage du solvant dans la composition de la couche 132. Au cours de cette étape, le pourcentage du solvant dans la composition de la couche 132 diminue de plusieurs dizaines de pourcents. [0075] A l'issue de l'étape illustrée en figure 4, le pourcentage du solvant dans la com- position de la couche 132 est, par exemple, inférieur à 10 %, de préférence inférieur à 5 %. Le pourcentage du solvant dans la composition de la couche 132 à l'issue du 8 premier séchage est, plus préférentiellement, inférieur à 1 %. [0076] A l'issue du premier séchage, l'épaisseur de la couche 132 est très inférieure à celle de la couche 131 illustrée figure 3. La couche 132 a, ainsi, une épaisseur comprise, par exemple, entre quelques nanometres et quelques dizaines de nanomètres. [0077] Le premier séchage est effectué dans une chambre sous vide (VCD, Vaccum Chamber Drycr). Le séchage a, par exemple, une durée d'environ 2 minutes. [0078] Lors de cette étape, la chambre peut être chauffée ou non. [0079] Les étapes des figures 3 et 4 sont, de préférence, consécutives. Le temps entre ces deux étapes est, par exemple, compris entre 10 secondes et 20 secondes. [0080] La figure 5 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation de la couche 134. [0081] Plus particulièrement, la figure 5 illustre une deuxième étape de séchage permettant de poursuivre l'évaporation du solvant présent dans la couche 132 de la structure obtenue à l'issue des étapes des figures 2 à 4. [0082] Le deuxième séchage est, par exemple, effectué dans un four 19 à une température, par exemple, comprise entre 50 °C et 200 °C, de préférence, comprise entre 50 °C et 150 °C. La température du deuxième séchage est, plus préférentiellement, égale à environ 100 °C. [0083] Le deuxième séchage a une durée, par exemple, comprise entre 1 minute et 120 minutes, de préférence, comprise entre 5 minutes et 20 minutes. La durée du deuxième séchage est, plus préférentiellement, égale à environ 10 minutes. [0084] La structure illustrée en figure 5 comprend le substrat 11' et une couche 133 issue de la couche 132 de la figure 4. La couche 133 est une couche dont la composition évolue au cours de l'étape illustrée en figure 5. [0085] Au début de l'étape illustrée en figure 5, la couche 133 con-espond à la couche 132. [0086] Au cours de l'étape illustrée en figure 5, la poursuite de l'évaporation du solvant présent dans la couche 133 engendre une diminution du pourcentage du solvant dans la composition de la couche 133. Au cours de cette étape, le pourcentage du solvant dans la composition de la couche 133 diminue de quelques pourcents. [0087] A l'issue du deuxième séchage, le pourcentage du solvant dans la composition de la couche 133 est, par exemple, inférieur à 1 %, de préférence inférieur à 0,1 %. Le pourcentage du solvant dans la composition de la couche 133 à l'issue du deuxième séchage est, plus préférentiellement, inférieur à 0,01 %. [0088] La figure 6 représente par une vue en coupe, partielle et schématique, encore une autre étape d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation de la couche 134. [0089] Plus particulièrement, la figure 6, illustre la structure finale obtenue à l'issue des étapes des figures 2 à 5. [0090] La structure illustrée en figure 6 comprend le substrat 11' et la couche 134 issue de la 9 couche 133 de la figure 5. La couche 134 correspond à la couche 133 à la fin de l'étape illustrée en figure 5. [0091] La couche 134, composée du polymère et de traces de solvant, a une épaisseur B dite sèche, approximativement uniforme, de préférence uniforme, sur l'ensemble du substrat 11'. [0092] L'épaisseur B de la couche 134 est, par exemple égale à une valeur comprise entre 0,5 nm et 10 nm. L'épaisseur B de la couche 134 est, de préférence, comprise entre 1 nm et 3 nm. De préférence, la variation d'épaisseur de la couche 134 sur l'ensemble du substrat 11' est inférieure à 0,3 nm, de préférence inférieure à 0,1 nm. [0093] Un avantage des modes de réalisation et de mise en oeuvre décrits est le contrôle de l'épaisseur des dépôts polymères (de PEI ou PEIE dans les modes de réalisation préférés) sur un substrat 11' tel que, par exemple, une électrode d'un capteur. [0094] Un autre avantage des modes de réalisation et de mise en oeuvre décrits est qu'ils permettent la réalisation d'une couche très fine ce qui permet d'augmenter les performances des capteurs. [0095] Encore un autre avantage des modes de réalisation et de mise en oeuvre décrits est qu'ils permettent d'assurer une uniformité (de l'ordre du dixième de nanomètre) de l'épaisseur de la couche sur l'ensemble de la surface du substrat. [0096] Encore un autre avantage des modes de réalisation et de mise en oeuvre décrits est qu'ils permettent d'assurer une répétabilité de l'épaisseur d'un dépôt à l'autre. En effet, pour des paramètres donnés (débit de la solution et vitesse de déplacement du substrat), l'épaisseur est sensiblement identique lors d'un dépôt ou du dépôt suivant. [0097] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaitront à la personne du métier. En particulier, les modes de réalisations et modes de mise en oeuvre décrits ne se limitent pas aux exemples de dimensions et de matériaux mentionnés ci-dessus. [0098] Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. [Revendication I] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4] [Revendication 5] [Revendication 6] [Revendication 7] [Revendication 8] [Revendication 9] [Revendication 10] [Revendication 11] REVENDICATIONSProcédé de réalisation d'une couche (134), à partir d'une encre (13), sur un substrat (l '), comprenant les étapes suivantes : dépôt d'un volume d'encre (13) avec un dispositif d'enduction à filière ; premier séchage ; et deuxième séchage. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat (l I') est une électrode (11). Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier séchage est effectué dans une chambre sous-vide. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant, avant l'étape de dépôt, une étape de traitement de surface du substrat (11') par plasma atmosphérique, par plasma sous vide, par gravure par ions réactifs ou par corona. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'encre (13) comprend un solvant et un polymère. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le solvant est choisi parmi le butanol, l'éthylène glycol, l'acétate d'éther méthylique de propylène glycol et le diméthylsulfoxyde. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le polymère est choisi parmi un polyéthylène imine, un polyéthylène imine éthoxylé, un perfluoroanthracène et un ou des thiols conjugués. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel le polymère a une concentration volumique dans l'encre (13) comprise entre 0,001 % et 0,1 %, de préférence comprise entre 0,01 % et 0,04 %. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel le polymère a une masse molaire comprise entre 1 kg/mol et 1000 kg/mol, de préférence comprise entre 20 kg/mol et 200 kg/mol. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche (131) a une épaisseur, dite humide, à la fin de l'étape de dépôt comprise entre 7 pm et 45 put Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la couche (134) a une épaisseur, dite sèche, à la fin du deuxième séchage comprise entre 1 nm et 3 nm, de préférence égale à environ 1,5 nm.