FR 3095294 A1 20201023 FR 1904027 A 20190416 Description Titre de l'invention : Structuration d'une ouverture dans un substrat Domaine technique [0001] La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et, plus particulièrement, les dispositifs comportant un substrat dans lequel sont réalisées des ouvertures prenant la forme de tranchées ou de vias. Technique antérieure [0002] La réalisation de tranchées ou de vias dans un substrat requiert notamment une bonne maîtrise du profil de l'ouverture préalablement pratiquée dans ce substrat. Dans le cas d'une tranchée d'isolation profonde (Deep Trench Isolation - DTI), ce profil contribue, notamment lors du remplissage par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), à garantir l'homogénéité du remplissage de la tranchée. Le profil de l'ouverture conditionne ainsi l'absence de cavités ou zones vides (voids) dans la tranchée à l'issue de son remplissage. Cette absence de cavité constitue généralement un aspect critique pour l'atteinte des performances du dispositif comme pour la préservation de sa résistance mécanique. [0003] Les procédés actuels ne sont pas en mesure de garantir un remplissage optimal, c'est-à-dire exempt de cavités, à l'intérieur des tranchées d'isolation profondes. Résumé de l'invention [0004] Il existe un besoin d'améliorer les procédés actuels de réalisation de tranchées d'isolation profondes et de vias conducteurs. [0005] Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés connus. [0006] Un mode de réalisation prévoit un procédé de structuration d'au moins une ouverture dans un substrat, comportant les étapes suivantes : effectuer une implantation ionique oblique ; procéder à une oxydation ; et éliminer un oxyde ainsi formé. [0007] Selon un mode de réalisation, ladite ouverture est une tranchée. [0008] Selon un mode de réalisation, la tranchée est une tranchée d'isolation profonde. [0009] Selon un mode de réalisation, la tranchée est une tranchée capacitive. [0010] Selon un mode de réalisation, ladite ouverture est un via. [0011] Selon un mode de réalisation, l'implantation fait intervenir du fluor, de l'argon et/ou du difluorurc de bore. [0012] Selon un mode de réalisation, le substrat est majoritairement constitué de silicium. [0013] Selon un mode de réalisation, l'implantation est effectuée de sorte qu'une densité 2 volumique d'espèces chimiques, implantées dans le substrat, soit plus importante dans une zone proximale de l'ouverture que dans une zone distale de l'ouverture. [0014] Selon un mode de réalisation, l'implantation est effectuée selon un angle d'incidence, par rapport à la normale au substrat, inférieur ou égal à 60 degrés, de préférence de l'ordre de 45 degrés. [0015] Selon un mode de réalisation, l'implantation conduit à un dopage de l'ordre de 1020 à 1022 atomes par cm3. [0016] Selon un mode de réalisation, l'oxydation est opérée de sorte qu'une couche d'oxyde soit plus épaisse dans une zone proximale de l'ouverture que dans une zone distalc de l'ouverture. [0017] Selon un mode de réalisation, la couche d'oxyde dans ladite zone proximale de l'ouverture présente une épaisseur inférieure ou égale à 40 nm, de préférence de l'ordre de 20 nm. [0018] Selon un mode de réalisation, l'oxyde est éliminé de sorte que ladite ouverture présente un profil évasé. [0019] Un mode de réalisation prévoit une structure comportant au moins une ouverture dans un substrat, des parois latérales de ladite ouverture formant, par rapport à une surface supérieure du substrat, un angle compris entre 91 et 93 degrés. [0020] Selon un mode de réalisation, ladite ouverture est obtenue par le procédé décrit. Brève description des dessins [0021] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation et modes de mise en oeuvre particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : [0022] [fig.1] la figure 1 est une vue en coupe, schématique et partielle, d'un mode de réa- lisation d'une tranchée dans un substrat ; [0023] W8.21 la figure 2 est une vue en coupe, schématique et partielle, d'un autre mode de réalisation d'une tranchée dans un substrat ; [0024] [fig.3] la figure 3 est une vue en coupe, schématique et partielle, d'encore un autre mode de réalisation d'une tranchée dans un substrat ; [0025] [fig.4] la figure 4 représente schématiquement et partiellement, par des vues en coupe (A), (B) et (C), un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'une tranchée dans un substrat ; [0026] [fig.5] la figure 5 est une vue en perspective, schématique et partielle, d'un mode de réalisation d'un via dans un substrat ; et [0027] [fig.6] la figure 6 est une vue en perspective, schématique et partielle, d'un mode de réalisation d'une tranchée dans un substrat. Description des modes de réalisation 3 [0028] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation et modes de mise en oeuvre peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques. [0029] Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation et modes de mise en oeuvre décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les opérations précédant et succédant la structuration de l'ouverture pratiquée dans le substrat afin de réaliser, par exemple, une tranchée d'isolation ou un via conducteur n'ont pas été détaillées. [0030] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. [0031] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures. [0032] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sen- siblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. [0033] La figure 1 est une vue en coupe, schématique et partielle, d'un mode de réalisation d'une tranchée dans un substrat. [0034] Selon ce mode de réalisation, un substrat 1 (généralement constitué de silicium mo- nocristallin) comporte une ouverture 3 pouvant prendre la forme d'une tranchée ou d'un via. Dans l'exemple de la figure 1, l'ouverture 3, pratiquée dans le substrat 1, prend de préférence la forme d'une tranchée (ou rainure, ou sillon) représentée en coupe transversale. La tranchée 3 est, en général, sensiblement rectiligne. En d'autres termes, la tranchée 3 sillonne le substrat 1 selon une direction privilégiée, ou axe principal. Cette direction est, en figure 1, perpendiculaire au plan de coupe. La tranchée 3 présente deux parois latérales 31, parallèles à la direction de la tranchée 3. [0035] La tranchée 3 est théoriquement caractérisée par deux dimensions : une profondeur (totale) P ; et une largeur ou dimension critique, notée CD. [0036] La profondeur P correspond à une distance maximale entre une surface supérieure 11 du substrat 1 et un fond 33 de la tranchée 3. Cette profondeur P est mesurée perpendiculairement à la surface supérieure 11, supposée plane, du substrat I. [0037] La dimension critique CD correspond à la distance séparant les deux parois latérales 31 de la tranchée 3. Cette dimension critique CD est mesurée parallèlement à la surface supérieure 11 du substrat 1 et perpendiculairement à la direction de la tranchée 3. [0038] Les parois latérales 31 de la tranchée 3 ne sont, dans la plupart des cas, pas par- faitement parallèles entre elles. Dans l'exemple de la figure 1, les parois latérales 31 sont plus proches l'une de l'autre au voisinage du fond 33 de la tranchée 3 qu'à proximité de la surface 11 du substrat 1. Cet effet est dû au processus de gravure mis en oeuvre. Il en résulte que la valeur de la dimension critique CD est susceptible de varier en fonction d'une certaine cote Z de profondeur à laquelle elle est mesurée. [0039] Dans l'exemple de la figure 1, la cote de profondeur Z est arbitrairement définie par rapport à la surface 11 du substrat I. On considère que la valeur de la cote Z augmente à mesure que l'on s'éloigne de la surface 11 du substrat 1 (ou que l'on se rapproche du fond 33 de la tranchée 3). En figure 1, la valeur de la distance CD séparant les deux parois 31 de la tranchée 3 décroît donc lorsque la valeur de la cote Z augmente. [0040] Un profil de la tranchée 3, vue en coupe transversale, peut ainsi être caractérisé par plusieurs valeurs de distance critique CD, prises à différentes cotes Z. Dans l'exemple de la figure 1, une première distance critique CDS est définie au voisinage immédiat de la surface 11 du substrat 1. Une deuxième distance critique CDB est définie à une cote Z arbitraire, par exemple à la moitié de la profondeur P de la tranchée 3. La tranchée 3 présente, dans l'exemple de la figure 1, un profil évasé. La valeur de la distance critique CDB à l'intérieur de la tranchée 3 est, par conséquent, inférieure à la valeur de la distance critique CDS en surface 11 du substrat I. [0041] Selon un autre mode de réalisation, l'ouverture 3, pratiquée dans le substrat 1, prend la forme d'un trou borgne, ou puits. L'ouverture 3 constitue alors, par exemple, un via conducteur non débouchant (non traversant), reliant entre elles plusieurs couches de métallisation du substrat 1. [0042] Le trou borgne 3, vu de côté en figure 1, présente théoriquement une symétrie de ré- volution, par rapport à un axe de révolution perpendiculaire à la surface 11 du substrat 1 et traversant le fond 33 du trou 3 en son milieu. Le trou 3 ne comporte alors qu'une seule paroi latérale 31 ou paroi périphérique. On considère une section du trou 3, perpendiculaire à l'axe de révolution du trou 3 et prise à une cote de profondeur Z donnée. La distance critique CD correspond alors à un diamètre de ladite section, théoriquement circulaire, prise à la cote Z considérée. La distance critique CD est donc assimilable, pour une cote Z donnée, au diamètre du trou 3. [0043] La distance critique CDS représente, dans ce cas, un diamètre d'orifice du trou 3, en surface supérieure 11 du substrat 1. La distance critique CDB con-espond, par exemple, au diamètre d'une section moyenne du trou 3. [0044] Dans l'exemple de la figure 1, le trou borgne 3 présente une forme évasée, approxi- mativemcnt tronconique. En d'autres termes, le trou 3 se rétrécit à mesure que l'on s'éloigne de la surface 11 du substrat 1 (ou que l'on se rapproche du fond 33 du trou 3). En figure 1, toutes les valeurs de la distance critique moyenne, à l'intérieur du trou 3, sont inférieures à la valeur de la distance critique CDS, en surface 11 du substrat I. [0045] Selon encore un autre mode de réalisation, l'ouverture 3, pratiquée dans le substrat 1, prend la forme d'un trou traversant. L'ouverture 3 est alors, par exemple, un via conducteur connectant entre eux des éléments de reprise de contact (non représentés) localisés sur la surface supérieure 11 du substrat 1 et des éléments de reprise de contact (non représentés) localisés sur une surface inférieure (non représentée) du substrat I. [0046] On définit une grandeur appelée rapport d'aspect (aspect ratio), en divisant la profondeur P de l'ouverture 3 par sa largeur CD (dans le cas d'un trou, son diamètre). Dans le cas d'une ouverture 3 présentant une largeur CD variable en fonction de la cote de profondeur Z, on choisit généralement une largeur CD représentative de l'ouverture 3 (par exemple, la largeur moyenne CDB). [0047] La figure 2 est une vue en coupe, schématique et partielle, d'un autre mode de réa- lisation d'une tranchée dans un substrat. [0048] Selon cc mode de réalisation, l'ouverture 3 est une tranchée, pratiquée dans le substrat I. La tranchée 3 est, de préférence, obtenue par la mise en oeuvre d'opérations de gravure sèche (par exemple, par gravure au plasma (plasma etching) ou par gravure ionique réactive (RTE)). [0049] Une zone intérieure 5 de la tranchée 3 est au moins partiellement remplie d'un matériau (par exemple, du silicium amorphe, du métal conducteur ou du silicium dopé). Le matériau employé pour procéder à un remplissage de la zone 5 est généralement adapté à conférer des propriétés, par exemple conductrices ou capacitives, à la tranchée 3. Ce remplissage est, de préférence, réalisé par dépôt chimique en phase vapeur (Chemical Vapor Deposition - CVD) à partir d'un ou de plusieurs précurseurs gazeux. [0050] En figure 2, chacune des deux parois 31 ou surfaces latérales de la tranchée 3 est dé- composée en deux parties, surfaces ou faces distinctes : une première partie 311, située à proximité immédiate de la surface 11 du substrat 1, cette partie 311 étant désignée comme une zone proximale de l'ouverture 3 ; et une deuxième partie 313, éloignée de la surface 11 du substrat 1, cette partie étant désignée comme une zone distale de l'ouverture 3. [0051] Ainsi combinées, les zones proximales 311 et les zones distales 313 forment donc les parois 31 de l'ouverture 3. Dans l'exemple de la figure 2, les zones proximales 311 de l'ouverture 3, vues en coupe transversale, sont inclinées par rapport à des lignes perpendiculaires à la surface 11 du substrat 1. À partir de la surface 11 du substrat 1, les zones proximales 311 tendent, en figure 2, à s'éloigner l'une de l'autre à mesure que la 6 cote de profondeur Z augmente. Les zones distalcs 313 tendent, en revanche, à se rapprocher l'une de l'autre à mesure que la cote de profondeur Z augmente. [0052] Dans l'exemple de la figure 2, la dimension critique CD, représentative de la largeur de la tranchée 3, atteint une valeur maximale CDmax à une cote Z située sous la surface 11 du substrat 1. En d'autres termes, l'ouverture 3 présente un profil plus étroit en entrée que pour une certaine cote de profondeur Z à l'intérieur du substrat 1. Cc type de profil est dû au processus de gravure mis en oeuvre. [0053] On constate qu'un tel profil d'ouverture, se refermant au niveau de la surface 11 du substrat 1, conduit généralement à un remplissage inhomogène de la zone 5. Cela se traduit, typiquement, par une présence d'irrégularités 51 ou vides (voids) au scinde la zone 5. On remarque, en outre, que le vide 51 est d'autant plus grand dans la zone 5 que le rapport d'aspect (rapport entre la profondeur P de l'ouverture 3 et sa largeur CD moyenne) est important. [0054] En pratique, un profil tel que celui illustré en figure 2 conduit presque systéma- tiquement à l'apparition d'inhomogénéités 51 de remplissage de la zone 5 pour des rapports d'aspect de l'ordre de 3 ou 4. Ces irrégularités 51 présentes dans la zone intérieure 5 de la tranchée 3 sont notamment préjudiciables : à l'atteinte de performances électriques de la tranchée 3 ; et/ou à une résistance mécanique d'un dispositif (non représenté) comportant des tranchées du type de l'ouverture 3. [0055] On cherche donc à optimiser le remplissage de la zone intérieure 5 de la tranchée 3 en évitant que les irrégularités 51 ne se forment pendant le dépôt. Cette optimisation est, en particulier, recherchée pour des tranchées 3 présentant un rapport d'aspect et/ou une profondeur P importants (par exemple, un rapport d'aspect supérieur à 3 et/ou une profondeur de l'ordre de plusieurs micromètres). Il s'agit typiquement de tranchées d'isolation profondes (Deep Trench Isolation - DTI). [0056] La figure 3 est une vue en coupe, schématique et partielle, d'encore un autre mode de réalisation d'une tranchée dans un substrat. [0057] Selon ce mode de réalisation, les zones proximales 311 tendent, à partir de la surface 11 du substrat 1, à se rapprocher l'une de l'autre à mesure que la cote de profondeur Z augmente. Les zones distales 313 tendent, elles aussi, à se rapprocher l'une de l'autre à mesure que la cote de profondeur Z augmente. [0058] Dans l'exemple de la figure 3, la dimension critique CD, représentative de la largeur de la tranchée 3 (ou, dans le cas d'un via, du diamètre du trou), atteint une valeur maximale CDmax à une cote Z située à la surface 11 du substrat 1 (CDmax = CDS). En d'autres termes, l'ouverture 3 présente un profil plus large en entrée que pour toutes les cotes de profondeur Z à l'intérieur du substrat 1. [0059] On constate qu'un tel profil d'ouverture, s'élargissant ou s'évasant au niveau de la 7 surface 11 du substrat 1, permet généralement d'obtenir, après remplissage, une zone 5 beaucoup plus homogène que dans le cas d'un profil d'ouverture resserré en surface, semblable à celui exposé en figure 2. Il est par conséquent intéressant de chercher à structurer le profil de l'ouverture 3, afin de l'évaser davantage au niveau de la surface. Cela permet ensuite d'optimiser son remplissage, donc de tendre à obtenir une zone 5 exempte d'irrégularité. [0060] La figure 4 représente schématiquement et partiellement, par des vues en coupe (A), (B) et (C), un mode de mise en oeuvre d'un procédé de structuration ou réalisation d'une tranchée dans un substrat. [0061] Selon cc mode de mise en oeuvre, on grave préalablement le substrat 1 (par exemple, en mettant en oeuvre une technique de gravure sèche) pour obtenir la tranchée 3. Cette tranchée 3 présente alors un profil d'ouverture resserré à proximité de la surface supérieure 11 du substrat 1, comme exposé en relation avec la figure 2. La tranchée 3 présente donc une largeur critique maximale CDmax à une certaine profondeur Z. [0062] En partant d'un profil d'ouverture resserré, procéder directement au remplissage de la tranchée risquerait de faire apparaître des vides. La tranchée 3 est donc d'abord structurée afin de lui donner un profil évasé. En d'autres termes, des étapes supplémentaires sont introduites, avant remplissage, pour modifier le profil de la tranchée 3 et se ramener ainsi à une géométrie similaire à celle de la figure 3. [0063] Une première étape (vue A) consiste à effectuer, dans le substrat 1, une implantation ionique oblique, c'est-à-dire non perpendiculaire à la surface 11 du substrat 1. Lors de l'implantation, un ou plusieurs faisceaux d'ions (flèches 71 et 72, ION BEAM) sont dirigés vers le substrat 1. Ces faisceaux d'ions 71 et 72 sont orientés, par rapport à la normale du substrat 1, selon un angle u d'incidence. L'angle cc d'incidence est inférieur ou égal à 60 degrés, de préférence de l'ordre de 45 degrés. [0064] En figure 4, où l'ouverture 3 constitue une tranchée, l'implantation ionique est, par exemple, effectuée selon trois étapes : une première étape consiste à diriger un premier faisceau 71 d'ions vers l'une des deux surfaces latérales 31 de la tranchée 3 (par exemple, la surface latérale 31 située sur une partie gauche de la tranchée 3 en figure 4) ; une deuxième étape consiste à faire tourner le substrat 1 d'un demi-tour, autour d'un axe de rotation perpendiculaire à sa surface 11 ; et une troisième étape consiste à diriger un deuxième faisceau 72 d'ions vers l'autre des deux surfaces latérales 31 de la tranchée 3 (par exemple, la surface latérale 31 située sur une partie droite de la tranchée 3 en figure 4). [0065] Les faisceaux d'ions 71 et 72 sont généralement issus d'une source fixe. Si l'ouverture 3 présente une symétrie de révolution (par exemple, dans un cas où l'ouverture 3 constitue un via), l'implantation ionique sur la paroi périphérique 31 de 8 l'ouverture 3 est effectuée en continu, tout en faisant tourner le substrat 1 autour d'un axe de rotation perpendiculaire à sa surface 11. [0066] Du fait que le substrat 1 est soumis à une implantation ionique oblique, les zones proximales 311 des parois latérales 31 de la tranchée 3 sont exposées à un flux d'ions plus important que les zones distalcs 313. À l'issue de l'étape d'implantation, les zones proximales 311 comportent, par conséquent, une densité volumique d'espèces chimiques implantées supérieure à la densité volumique d'espèces chimiques implantées dans les zones distalcs 313. La densité volumique d'espèces chimiques implantées dans les zones proximales 311 se traduit par un dopage, en moyenne de l'ordre de 1020 à 1022 atomes par cm3, des 10 à 20 premiers nanomètres environ d'un matériau constitutif du substrat I. Un tel dopage résulte, par exemple, d'une dose d'environ 101, à 1016 atomes par cm2 implantée sur une plage d'énergie allant de 2 à 4 keV. [0067] L'implantation ionique vise à enrichir préférentiellement les zones proximales 311 de la surface 11 du substrat 1 en espèces chimiques adaptées à catalyser une oxydation du matériau constitutif du substrat 1. [0068] Selon un mode de mise en oeuvre préféré, l'implantation ionique fait intervenir du fluor (ions P). Ce choix provient du fait que le substrat 1 est généralement constitué de silicium et que le fluor est un excellent catalyseur pour l'oxydation du silicium. En outre, le fluor ne perturbe pas des caractéristiques électriques du silicium. En particulier, l'implantation d'atomes de fluor dans le substrat 1 ne conduit ni à un dopage positif (dopage p), ni à un dopage négatif (dopage n). Enfin, les atomes de fluor sont de petite taille et relativement légers. Cela permet ainsi d'effectuer une implantation à haute énergie et en grande quantité sans risquer de dégrader le substrat 1. [0069] Selon un autre mode de mise en oeuvre, l'implantation ionique fait intervenir de l'argon (ions Ar). L'argon possédant un pouvoir oxydant inférieur à celui du fluor, il est généralement préférable d'augmenter la densité volumique d'implantation d'argon pour aboutir ultérieurement à des résultats similaires à ceux obtenus à partir du fluor. [0070] Selon encore un autre mode de mise en oeuvre, l'implantation ionique fait intervenir du difluorure de bore (ions BF2+). Le difluorure de bore possédant un pouvoir oxydant supérieur à celui du fluor, la densité volumique de difluorure de bore implanté peut être réduite pour aboutir ultérieurement à des résultats similaires à ceux obtenus à partir du fluor. Le difluorure de bore comporte un avantage : il conduit à un dopage p du silicium. Cela peut s'avérer utile, par exemple dans le cas d'un substrat 1 constitué de silicium déjà dopé p et dont on souhaite augmenter localement le dopage p. [0071] À l'issue de l'étape d'implantation ionique oblique, on procède ensuite à une oxydation (de préférence, une oxydation thermique sèche sous vapeur de d'oxygène) du substrat 1. L'oxydation du substrat 1 est catalysée par les espèces chimiques préa- 9 lablement implantées. Il se forme donc, sous la surface du substrat 1, une couche 17 d'oxyde (ou couche d'oxydation) d'autant plus épaisse que la densité d'espèces chimiques implantées y est importante (vue B). Cette densité est plus forte dans les zones proximales 311 de l'ouverture 3 que dans les zones distales 313. La couche 17 d'oxyde, est par conséquent, plus épaisse dans les zones proximales 311 de l'ouverture 3 que dans les zones distales 313. [0072] Selon un mode de mise en oeuvre préféré, la couche 17 d'oxyde présente, dans les zones proximales 311, une épaisseur inférieure ou égale à 40 nm, de préférence de l'ordre de 20 nm. Cette épaisseur dans les zones proximales 311 est contrôlée de façon à obtenir, après une étape ultérieure de retrait de la couche 17 d'oxyde, un profil désiré de la tranchée 3. [0073] On procède enfin à une étape d'élimination de la couche 17 d'oxyde (vue C). Lors de cette étape, l'oxyde préalablement formé est retiré, de préférence par voie liquide. Une telle opération est effectuée, par exemple, en attaquant le substrat 1 avec une solution d'acide fluorhydrique. Cela permet d'obtenir, une fois l'oxyde éliminé, une tranchée 3 dont le profil est évasé. La longueur critique atteint alors une valeur maximale CDmax en surface 11 du substrat 1 (CDmax = CDS) comme exposé en relation avec la figure 3. Les parois latérales 31 de l'ouverture 3 forment, par rapport à la surface supérieure 11 du substrat 1, un angle p compris entre 91 et 93 degrés. [0074] Le profil de la tranchée 3, obtenu à l'issue du mode de mise en oeuvre décrit ci- dessus, permet ensuite de procéder au remplissage de la tranchée 3. Ce remplissage s'effectue, de préférence, par dépôt chimique en phase vapeur sur les parois latérales 31 de la tranchée 3. Dans le cas d'une ouverture resserrée (figure 4, vue A), la tranchée 3 a tendance à se boucher au niveau des zones proximales 311 de l'ouverture avant qu'un volume délimité par les zones distales 313 ne soit totalement rempli. Cela conduit ainsi à l'apparition de vides dans la zone de remplissage (non représentée) (le la tranchée 3. Dans le cas d'une ouverture 3 évasée (figure 4, vue C), en revanche, le volume délimité par les zones distales 313 se remplit avant bouchage au niveau des zones proximales 311 de l'ouverture. Cela permet ainsi de favoriser l'absence de vides dans la zone de remplissage (non représentée) de la tranchée 3. [0075] Selon un mode de mise en oeuvre, les étapes d'implantation (vue A), d'oxydation (vue B) et d'élimination de la couche 17 d'oxyde (vue C) sont répétées. Cela pet-met notamment d'effectuer des implantations ioniques obliques successives à des niveaux d'énergie plus faibles, donc de limiter la dégradation du matériau constitutif du substrat 1. [0076] La figure 5 est une vue en perspective, schématique et partielle, d'un mode de réa- lisation d'un via dans un substrat. [0077] Selon ce mode de réalisation, l'ouverture 3 constitue un via non traversant. Le via 3 est, par exemple, adapté à connecter différentes couches de métallisation (non représentées) du substrat 1. Ce via 3 présente un profil évasé, de sorte que sa distance critique CD (ici, le diamètre du via) atteint sa valeur maximale CDmax au voisinage de la surface 11 du substrat 1 (CDmax = CDS). Cc profil est adapté à un remplissage homogène d'un volume intérieur délimité par la paroi périphérique 31 et le fond 33. [0078] La figure 6 est une vue en perspective, schématique et partielle, d'un mode de réa- lisation d'une tranchée dans un substrat. [0079] Selon cc mode de réalisation, l'ouverture 3 constitue une tranchée d'isolation profonde. La tranchée 3 est, par exemple, adaptée à former une zone capacitive destinée à stocker des électrons. Cette tranchée 3 présente un profil évasé, de sorte que sa distance critique CD (ici, la largeur de la tranchée) atteint sa valeur maximale CDmax au voisinage de la surface 11 du substrat 1 (CDmax = CDS). Ce profil est adapté à un remplissage homogène d'un volume intérieur délimité par les parois latérales 31, le fond 33 et les parois extrémales (non représentées). [0080] Pour réaliser une tranchée capacitive, on commence par déposer ou former une couche isolante avec un matériau diélectrique. Puis, on comble la tranchée 3 avec une couche conductrice constituant une électrode. [0081] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L'homme de l'art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaîtront à l'homme de Fart. [0082] Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. 11 REVENDICATIONS[Revendication I] Procédé de structuration d'au moins une ouverture (3) dans un substrat (1), comportant les étapes suivantes : effectuer une implantation ionique oblique (A) ; procéder à une oxydation (B) ; et éliminer un oxyde ainsi formé (C). [Revendication 2] Procédé selon la revendication I. dans lequel ladite ouverture (3) est une tranchée. [Revendication 3] Procédé selon la revendication 2, dans lequel la tranchée (3) est une tranchée d'isolation profonde. [Revendication 4] Procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la tranchée (3) est une tranchée capacitive. [Revendication 5] Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite ouverture (3) est un via. [Revendication 6] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'implantation (A) fait intervenir du fluor, de l'argon et/ou du difluorure de bore. [Revendication 7] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat (1) est majoritairement constitué de silicium. [Revendication 8] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'implantation (A) est effectuée de sorte qu'une densité volumique d'espèces chimiques, implantées dans le substrat (1), soit plus importante dans une zone proximale (311) de l'ouverture (3) que dans une zone distale (313) de l'ouverture (3). [Revendication 9] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l'implantation (A) est effectuée selon un angle (u) d'incidence, par rapport à la normale au substrat (1), inférieur ou égal à 60 degrés, de préférence de l'ordre de 45 degrés. [Revendication 10] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l'implantation (A) conduit à un dopage de l'ordre de 1020 à 1022 atomes par cms. [Revendication 11] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'oxydation (B) est opérée de sorte qu'une couche (17) d'oxyde soit plus épaisse dans une zone proximale (311) de l'ouverture (3) que dans une zone distale (313) de l'ouverture (3). [Revendication 12] Procédé selon la revendication 11, dans lequel la couche (17) d'oxyde dans ladite zone proximale (311) de l'ouverture (3) présente une 12 [Revendication 13] épaisseur inférieure ou égale à 40 nm, de préférence de l'ordre de 20 nm. [Revendication 14] Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel l'oxyde est éliminé (C) de sorte que ladite ouverture (3) présente un profil évasé. [Revendication 15] Structure comportant au moins une ouverture (3) dans un substrat (1), des parois latérales (31) de ladite ouverture (3) formant, par rapport à une surface supérieure (11) du substrat (1), un angle (13) compris entre 91 et 93 degrés. Structure selon la revendication 14, dans laquelle ladite ouverture (3) est obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13.