FR 3095279 A1 20201023 FR 1904137 A 20190418 Description Titre de l'invention : DISPOSITIF REFLECTEUR Domaine technique [0001] L'invention concerne un dispositif réflecteur, et notamment un dispositif réflecteur subissant peu ou pas d'échauffement en fonctionnement. À cet égard, le dispositif ré- flecteur comprend un miroir partiellement transparent et en arrière duquel sont disposés des moyens de diffusion et/ou d'absorption. Technique antérieure [0002] Les micro-miroirs sont aujourd'hui largement présents dans le domaine des MEMS et en particulier dans les dispositifs de type LI DAR (« Light Detection And Ranging systems »). [0003] Ces derniers permettent notamment de balayer une surface ou une cible avec un rayonnement lumineux à des fins de détection ou d'imagerie. [0004] À cet égard, dans ces dispositifs de type LIDAR, les micro-miroirs sont agencés pour osciller selon un ou deux axe(s) pivot(s), à une fréquence de battement prédéterminée, de manière à réfléchir un rayonnement incident selon différentes directions. [0005] La fréquence de battement des micro-miroirs peut varier de quelques Hz à plusieurs kHz, et leur taille peut être de l'ordre de quelques millimètres (par exemple quelques millimètres de diamètre pour des micro-miroirs en forme de disque), et peut notamment être comprise entre 1 mm et 3 mm. [0006] Selon un exemple connu de l'état de la technique, un micro-miroir peut comprendre une couche réflective métallique formée sur une face principale d'un support, par exemple un support fait de silicium, et notamment de silicium monocristallin. [0007] La couche réflective métallique peut en particulier comprendre une couche d'or ou d'aluminium d'une épaisseur comprise entre 50 mn et 500 nm. [0008] Toutefois, cette configuration n'est pas satisfaisante. [0009] En effet, la couche réflective métallique présente un coefficient d'absorption du rayonnement lumineux non négligeable de sorte qu'en fonctionnement, notamment lorsque la puissance du rayonnement incident est importante, un échauffement du micro-miroir est observé. [0010] Cet effet peut exister lorsque le rayonnement lumineux est dans le domaine in- frarouge et notamment de longueur d'onde X = 1550 nm. [0011] À titre d'exemple, à cette longueur d'onde, un micro-miroir comprenant une couche métallique réflective présentant un coefficient de réflexion de 96 % et un coefficient d'absorption de 4 % pourra subir une augmentation de température de plusieurs milliers de degrés en fonction de la puissance du rayonnement incident. 2 100121 Également, et dans des conditions équivalentes, un micro-miroir comprenant une couche métallique réflective présentant un coefficient de réflexion de 98 % et un coefficient d'absorption de l'ordre de 2 % pourra subir un échauffement à une température voisine de 2000 °C au bout d'une centaine de secondes [0013] Or de tels échauffements détériorent les micro-miroirs. [0014] Afin de pallier ce problème, il a été considéré de remplacer la couche réflective mé- tallique par un empilement réflecteur de Bragg tel que décrit dans le document [1] cité à la fin de la description. [0015] Un tel empilement réflecteur de Bragg comprend en général une pluralité d'empilements réflecteurs élémentaires agencés pour réfléchir un rayonnement d'une longueur d'onde prédéterminée dite longueur de Bragg. À titre d'exemple, un empilement de Bragg, destiné à fonctionner à la longueur de Bragg égale à 1550 nm, peut comprendre une couche de silicium amorphe de 110 nm d'épaisseur et une couche de dioxyde de silicium de 305 nm d'épaisseur. [0016] L'empilement réflecteur de Bragg est peu ou pas absorbant de sorte qu'aucun échauffement du micro-miroir n'est constaté. [0017] Cependant, cette configuration n'est pas non plus satisfaisante. [0018] En effet, afin de maximiser le coefficient de réflexion de l'empilement réflecteur de Bragg, ce dernier comprend en général un nombre important d'empilements réflecteurs élémentaires qui peuvent être à l'origine de déformations ducs aux contraintes mécaniques imposées par la multiplication des couches. La multiplication des empilements élémentaires complique également le procédé de fabrication d'un tel réflecteur. [0019] La considération d'un nombre réduit d'empilements réflecteurs élémentaires affecte le coefficient de réflexion du micro-miroir. Notamment, ce dernier, qui est partiellement transparent, transmet une partie du rayonnement lumineux et par réflexion interne génère un artefact. [0020] Un but de la présente invention est donc de proposer un dispositif optique pourvu d'un micro-miroir susceptible de fonctionner à des puissances de rayonnement incident élevées. [0021] Un autre but de la présente invention est également de proposer un dispositif optique pourvu d'un micro-miroir et agencé pour limiter les déformations dudit miroir. Exposé de l'invention [0022] Les buts de la présente invention sont, au moins en partie, atteints par un dispositif réflecteur destiné à réfléchir un rayonnement lumineux de longueur d'onde X, avantageusement supérieure à 1250 nm, notamment égale à 1550 nm, le dispositif est pourvu d'un support sur lequel sont assemblés : 3 - un miroir partiellement transparent, et présentant une face avant partiellement réfléchissante ; - des moyens de diffusion et/ou d'absorption du rayonnement lumineux configurés pour diffuser et/ou absorber un rayonnement lumineux susceptible d'être transmis par une face arrière, opposée à la face avant. [0023] Selon un mode de mise en oeuvre, les moyens de diffusion et/ou d'absorption sont disposés en regard et à distance de la face arrière. [0024] Selon un mode de mise en oeuvre, les moyens de diffusion et/ou d'absorption com- prennent : - une couche d'absorption, avantageusement la couche d'absorption par exemple une couche plastique, ou - une couche, par exemple métallique, et présentant une surface exposée texturée, ou - une couche formée de nanotubes de carbone, ou - un dissipateur thermique, ou - une couche anti-réflexion, et avantageusement disposée sur des moyens configurés pour dissiper de la chaleur. [0025] Selon un mode de mise en oeuvre, le miroir comprend de sa face avant vers sa face arrière, une couche partiellement réfléchissante et une couche support mécanique, lesdites couches présentant, chacune, un coefficient d'absorption à la longueur d'onde inférieur à 0,1%, avantageusement nul. [0026] Selon un mode de mise en oeuvre, la couche partiellement réfléchissante comprend un empilement de Bragg, l'empilement de Bragg comprenant au moins un empilement de Bragg élémentaire. [0027] Selon un mode de mise en oeuvre, un empilement de Bragg élémentaire comprend un empilement de deux couches diélectriques et/ou semi-conductrices, avantageusement un empilement de Bragg élémentaire comprend une couche de dioxyde de silicium et une couche de silicium amorphe. [0028] Selon un mode de mise en oeuvre, l'empilement de Bragg est limité à un ou deux em- pilements de Bragg élémentaires. [0029] L'invention n'est toutefois pas limitée à la mise en oeuvre d'un ou deux empilements de Bragg élémentaire, et il pourra être considéré un nombre d'empilements plus important dans la mesure où la problématique de courbure du miroir est contrôlée. [0030] Selon un mode de mise en oeuvre, la couche support mécanique comprend un matériau semi-conducteur, avantageusement du silicium, encore plus avantageusement du silicium monocristallin. [0031] Selon un mode de mise en oeuvre, une couche, dite d'adaptation d'impédance, est configurée pour limiter des réflexions internes du rayonnement lumineux au sein du miroir. 100321 Selon un mode de mise en oeuvre, ledit dispositif est un dispositif L1DAR. Brève description des dessins [0033] D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre d'un dispositif réflecteur selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels : [0034] [fie.11 est une représentation schématique, selon un premier mode de mise en oeuvre de la présente invention ; [0035] [fie.21 est une représentation schématique, selon un second mode de mise en oeuvre de la présente invention ; [0036] [fie.11 est une représentation schématique, selon un troisième mode de mise en oeuvre dc la présente invention ; [0037] [fig.4] est une représentation schématique, selon un quatrième mode de mise en oeuvre de la présente invention ; [0038] [fig.5] est une représentation schématique, selon un cinquième mode de mise en oeuvre de la présente invention ; [0039] [fig.6] est une représentation schématique, selon un sixième mode de mise en oeuvre de la présente invention ; [0040] [fig.7a] [0041] [fig.7b] [0042] [fig.7c] [0043] [fig.7d] [0044] [fig.7e] [0045] [fig.7f] [0046] [fig.7g] sont des représentations schématiques d'un exemple de procédé de fa- brication d'un miroir. [0047] EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS [0048] La présente invention concerne un dispositif réflecteur pourvu d'un miroir (ou micro- miroir) destiné à réfléchir un rayonnement lumineux sans subir d'élévation de température notable et/ou susceptible de dégrader ses performances. [0049] En particulier, la présente invention concerne un dispositif réflecteur susceptible de réfléchir un rayonnement lumineux de forte puissance. [0050] La présente invention met donc en oeuvre un miroir peu ou pas absorbant du rayonnement lumineux, et couplé à des moyens de diffusion et/ou d'absorption configurés pour diffuser au moins en partie le rayonnement lumineux susceptible de traverser le miroir [0051] Tout au long de la description et dans les revendications, l'expression « diffusion de lumière » poun-a être utilisée de manière indifférente pour décrire tant une diffusion qu'une absorption d'un rayonnement lumineux, ou encore une déflexion dudit rayonnement. [0052] Par «diffuser», on entend la déviation dans plusieurs directions d'un rayonnement lumineux. [0053] Par « absorber », on entend la transformation de l'énergie portée par le rayonnement lumineux en une autre forme d'énergie de manière à dissiper cette dernière. [0054] Par « coefficient d'absorption » on entend la proportion d'énergie incidente, portée par le rayonnement lumineux, absorbée [0055] Par « coefficient de réflexion » on entend la proportion d'énergie incidente, portée par le rayonnement lumineux, réfléchie [0056] Par « coefficient de transmission » on entend la proportion d'énergie incidente, portée par le rayonnement lumineux, transmise [0057] Par « déflexion », on entend des moyens configurés pour réorienter la réflexion du rayonnement transmis dans une direction autre qu'une face arrière du miroir. [0058] Les figures 1 à 6 illustrent différents modes de mise en oeuvre d'un dispositif ré- flecteur 10 selon la présente invention. [0059] Le dispositif réflecteur 10 peut comprendre des moyens de maintien 21, par exemple deux montants 21a et 21b, destinés à maintenir un miroir 23 partiellement transparent au regard d'un rayonnement lumineux d'une longueur d'onde?, prédéterminée. [0060] Par « partiellement transparent », il est entendu qu'une fraction d'un rayonnement lumineux incident I sur une face avant 24 du miroir est réfléchie par ladite face, tandis qu'une autre fraction traverse en partie le miroir, et en ressort sous forme d'un rayonnement transmis T, par une face arrière 25 opposée à la face avant 24. [0061] Les moyens de maintien 21a et 21b peuvent notamment être agencés pour permettre le pivotement du miroir autour d'un ou deux axes pivots. [0062] Le dispositif comprend également des moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 configurés pour diffuser et/ou absorber le rayonnement transmis. Les moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 limitent notamment la réflexion du rayonnement en direction du miroir 23. [0063] À cet égard, les moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 peuvent être disposés en regard et à distance de la face arrière 25 du miroir 23. En particulier, les moyens de maintien 21 s'étendent à partir des moyens de diffusion et/ou d'absorption 26. [0064] Selon un premier mode de mise en oeuvre illustré à la figure 1, les moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 sont agencés pour absorber le rayonnement transmis. [0065] À cet égard, les moyens 26 peuvent comprendre au moins une couche absorbante 27 (ou empilement de couches absorbantes), par exemple une couche plastique absorbante formée sur une face principale 22 d'un support 20 par exemple un support en silicium. [0066] De manière alternative, la couche absorbante peut comprendre une couche d'une 6 poudre, notamment une couche de poudre de graphite. Au regard d'un rayonnement lumineux de longueur d'onde de 1550 nm, une couche de poudre de graphite est peu, voire pas, transmissivc, et présente également un coefficient de réflexion très faible (de l'ordre de 0,5 %). [0067] Toujours de manière alternative, les moyens 26 peuvent comprendre, sur un substrat support (par exemple un substrat support en silicium), et à partir d'une face dc ce substrat support, une couche de titane de 200 nm d'épaisseur, une couche de dioxyde de silicium de 270 mn d'épaisseur, une couche de titane de 13 nm d'épaisseur, et une couche de dioxyde de silicium de 250 nm d'épaisseur. Dans cc cas de figure, un rayonnement transmis d'une longueur d'onde égale à 1550 nm sera en partie absorbé par les couches de titane, et très faiblement réfléchi (le coefficient de réflexion est notamment inférieure à 1 %). [0068] Selon un second mode de mise en oeuvre illustré à la figure 2, les moyens dc diffusion et/ou d'absorption 26 comprennent une plaque de diffusion pouvant être métallique. [0069] En particulier la plaque de diffusion comprend une face en regard de la face arrière 25, et dont la surface est texturée 28 de manière à diffuser le rayonnement transmis. La texturation de la surface peut notamment comprendre la réalisation de motifs en 3 dimensions, par exemple selon une gamme de longueurs d'onde spatiale ajustées pour diffuser le rayonnement lumineux dc longueur d'onde X. En particulier, les longueurs d'onde spatiale considérées peuvent être légèrement supérieures à la longueur d'onde X prédéterminée. Notamment, si la longueur d'onde prédéterminée est égale à 1550 nm, la longueur d'onde spatiale de la texturation peut être comprise entre 2 pm et 5 pm. [0070] La plaque de diffusion peut comprendre une plaque d'aluminium (dont la face en regard de la face arrière 25 est texturée). [0071] La texturation peut également être obtenue en dispersant une poudre d'une granu- lométrie choisie sur une face d'un substrat support. [0072] Selon un troisième mode de mise en oeuvre illustré à la figure 3, les moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 peuvent comprendre une plaque réflective dont une face présente une texturation 29, notamment des formes saillantes à facettes, destinée à dévier le rayonnement transmis selon une autre direction que celle du miroir. Les formes saillantes à facettes peuvent notamment comprendre des pyramides (par exemple à 3 ou 4 facettes). [0073] Selon un quatrième mode de mise en oeuvre illustré à la figure 4, les moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 peuvent comprendre une couche de nanotubes de carbone 30 formée sur un substrat support, notamment un substrat de silicium. [0074] Selon un cinquième mode de réalisation illustré à la figure 5, les moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 peuvent comprendre un dissipateur thermique 31, notamment un 7 dissipateur thermique à ailettes en aluminium anodisé. [0075] Le dissipateur thermique 31 peut, en particulier, être couplé au dispositif réflecteur via un support intermédiaire 32. [0076] Le support intermédiaire 32 peut être pourvu d'un évidement 33 permettant au rayonnement transmis d'atteindre le dissipateur thermique 31 [0077] Selon un sixième mode de mise en oeuvre illustré à la figure 6, les moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 comprend un dispositif dissipateur de chaleur sur lequel est formée une couche anti-réflexion. [0078] Le dissipateur de chaleur peut notamment reprendre les caractéristiques du premier ou du cinquième mode de réalisation. [0079] La couche anti-réflexion peut notamment être de l'Acroglaze Z-306®. [0080] Quel que soit le mode de mise en oeuvre considéré, le couplage des moyens de diffusion et/ou d'absorption 26 avec les moyens de maintien 21a et 2111 peut être réalisé par collage. [0081] Notamment, le collage peut être exécuté au moyen d'une colle, ou comprendre un collage métal/métal ou un collage moléculaire. [0082] Le miroir 23 peut comprendre de sa face avant vers sa face arrière, une couche par- tiellement réfléchissante 11 et une couche support mécanique 12, lesdites couches présentant, chacune, un coefficient d'absorption à la longueur d'onde négligeable, avantageusement nul. [0083] Selon une variante particulièrement avantageuse, la couche partiellement réflé- chissante 11 peut comprendre un empilement de Bragg (ou miroir de Bragg), l'empilement de Bragg comprenant au moins un empilement de Bragg élémentaire. [0084] Par « empilement de Bragg », on entend une succession périodique de couches trans- parentes, ou partiellement transparentes, et d'indices de réfraction différents. [0085] Un empilement de Bragg élémentaire comprend un empilement de deux couches di- électriques et/ou semi-conductrices. [0086] En particulier, dès lors que le rayonnement est dans le domaine infrarouge, et plus particulièrement de longueur d'onde égale à 1550 nm en incidence normale, l'empilement de Bragg élémentaire peut comprendre une couche de dioxyde de silicium d'une épaisseur de 305 nm (dont l'indice de réfraction à 1550 nm vaut 1.44) recouverte d'une couche de silicium amorphe d'une épaisseur de 110 nm (dont l'indice de réfraction à 1550 nm vaut 3.58). [0087] Selon cette configuration, un empilement de Bragg ne comprenant qu'un seul em- pilement de Bragg élémentaire, présentera, pour une incidence comprise entre 0° et 200, un coefficient de réflexion égal à 81,5 % et un coefficient de transmission égale à 18,5 % face à un rayonnement lumineux de longueur d'onde égale à 1550 nm. Cet empilement ne sera par ailleurs pas absorbant et présentera un échauffement quasi nul. 8 [0088] De manière équivalente, pour un rayonnement dans le domaine infrarouge, et plus particulièrement de longueur d'onde égale à 1550 nm, et selon un angle d'incidence de 45°, l'empilement de Bragg élémentaire comprend une couche de dioxyde de silicium d'une épaisseur de 110 nm (dont l'indice de réfraction à 1550 nm vaut 1,44) recouverte d'une couche de silicium amorphe d'une épaisseur de 305 nm (dont l'indice de réfraction à 1550 nm vaut 3,58). [0089] Toujours selon cette configuration, un empilement de Bragg comprenant deux em- pilements de Bragg élémentaires présentera, pour une incidence du rayonnement comprise entre 0° et 20', un coefficient de réflexion égal 96,4 % et un coefficient de transmission égal à 3,6 % face à un rayonnement lumineux de longueur d'onde égale à 1550 nm. Cet empilement ne sera par ailleurs que peu ou pas absorbant et présentera un échauffement quasi nul. [0090] Les empilements précités, ainsi que tout autre empilement susceptible d'être mis en oeuvre dans le cadre de la présente invention, peuvent être formés sur une couche support mécanique faite par exemple d'un matériau semi-conducteur ou diélectrique. [0091] Le choix du matériau pourra, par exemple, être imposé par la longueur d'onde K. À titre d'exemple, le coefficient d'absorption d'une couche support mécanique est négligeable, voire nul, pour des longueurs d'onde supérieures à 1250 nm. En d'autres termes, une couche support mécanique faite de silicium monocristallin et d'une épaisseur comprise, notamment entre 20 prn et 100 pm, subira un échauffement non dommageable pour le miroir. [0092] La limitation du nombre d'empilements de Bragg élémentaire permet de réduire les contraintes mécaniques imposées au miroir, et ainsi prévenir toute déformation (par exemple incurvation) dudit miroir. [0093] Par ailleurs, la combinaison d'un tel miroir avec des moyens de dissipation et/ou d'absorption permet également de limiter, voire prévenir, l'échauffement dudit miroir lorsqu'un rayonnement lumineux incident, notamment un rayonnement infrarouge, de forte puissance est mis en oeuvre. [0094] Avantageusement, la couche support mécanique peut comprendre un matériau semi- conducteur, avantageusement du silicium, encore plus avantageusement du silicium monocristallin. [0095] La formation d'une couche, dite d'adaptation d'impédance, configurée pour limiter des réflexions internes du rayonnement lumineux au sein du miroir peut également être considérée. [0096] La couche d'adaptation d'impédance peut en particulier comprendre du nitrure de silicium lorsque le support est en silicium. [0097] Les figures 7a à 7h illustrent un exemple de procédé de fabrication du miroir 10. [0098] Le procédé comprend notamment une étape a) (figure 7a) qui consiste à fournir un 9 substrat de silicium sur isolant 100 (« SOI »), comprenant un couche de silicium monocristallin en recouvrement d'une couche de dioxyde de silicium formée sur un substrat de silicium monocristallin. [0099] Alternativement, l'étape a) peut comprendre la fourniture d'un substrat massif (par exemple un substrat de silicium) sur une face duquel sont formées successivement, une couche de dioxyde de silicium et une couche de silicium monocristallin. [0100] L'étape a) est suivie d'une étape b) qui comprend la formation d'un empilement de Bragg 110 (figure 7b) sur la couche de silicium du substrat SOI. L'empilement 110 comprend notamment deux empilements de Bragg sait d'une couche de dioxyde de silicium, de 305 nm d'épaisseur, et dc silicium amorphe, de 110 nm d'épaisseur. [0101] L'empilement dc Bragg représenté sur cette figure comprend notamment deux em- pilements de Bragg élémentaires. [0102] L'étape b) est suivie d'une étape c) de formation, et dans l'ordre, d'une couche de protection 130, d'une électrode inférieure 140, d'une couche de PZT 150, et d'une électrode supérieure 160 (figure 7c). [0103] Une étape d) dc formation d'un masque dur 170 (« hard mask » selon la terminologie Anglo-Saxonne) est ensuite exécutée (figure 7d). Ce masque dur 170, qui peut notamment comprendre du dioxyde de silicium, est destiné à permettre la libération du miroir par gravure à partir d'une face arrière du substrat SOI. [0104] Des motifs d'électrodes 180a et 180b, ainsi que des prises de contact 190a, 190b, 190c et 190d sont formés lors d'une étape e) illustrée à la figure 7e. [0105] Le motif du miroir est ensemble défini par la réalisation de tranchées 200 par une face avant, qui s'étendant jusque dans le support du substrat SOI (figure 7f). [0106] Enfin tel qu'illustré à la figure 7g, une gravure par la face arrière du support du substrat SOI est réaliser pour libérer le miroir. [0107] L'invention n'est pas limitée à un miroir réalisé selon le procédé décrit ci-avant. Liste des documents cités [0108] [1] Harald Schenk et al., « Micro Mirrors fin- high-speed Laser Deflection atul Pallerning", Physics Proccdia, 56 (2014) 7-18. 10 [Revendication 1] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4] [Revendication 5] [Revendication 6] REVENDICATIONSDispositif réflecteur (10) destiné à réfléchir un rayonnement lumineux de longueur d'onde X, avantageusement supérieure à 1250 nm, notamment égale à 1550 nm, le dispositif est pourvu d'un support sur lequel sont assemblés : - un miroir (23) partiellement transparent, et présentant une face avant (24) partiellement réfléchissante ; - des moyens dc diffusion et/ou d'absorption (26) du rayonnement lumineux configurés pour diffuser et/ou absorber un rayonnement lumineux susceptible d'être transmis par une face arrière (25), opposée à la face avant (24). Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens de diffusion et/ou d'absorption (26) sont disposés en regard et à distance de la face arrière (25). Dispositif selon la revendication 2, dans lequel les moyens de diffusion et/ou d'absorption comprennent : - une couche d'absorption, avantageusement la couche d'absorption comprend une couche plastique, ou - une couche présentant une surface exposée texturée, notamment métallique, ou - une couche formée de nanotubes de carbone, ou - un dissipateur thermique, ou - une couche anti-réflexion, et avantageusement disposée sur des moyens configurés pour dissiper de la chaleur. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le miroir (23) comprend de sa face avant (24) vers sa face arrière (25), une couche partiellement réfléchissante (11) et une couche support mécanique (12), lesdites couches présentant, chacune, un coefficient d'absorption à la longueur d'onde À inférieur à 0.1%. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel la couche partiellement réfléchissante comprend un empilement de Bragg, l'empilement de Bragg comprenant au moins un empilement de Bragg élémentaire. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel un empilement de Bragg élémentaire comprend un empilement de deux couches diélectriques et/ ou semi-conductrices, avantageusement un empilement de Bragg élémentaire comprend une couche de silicium amorphe et une couche d'oxyde de silicium. 11 [Revendication 7] [Revendication 8] [Revendication 9] [Revendication 10] Dispositif selon la revendication 5 ou 6, dans lequel l'empilement de Bragg est limité à un ou deux empilements de Bragg élémentaires. Dispositif selon l'une des revendications 4 à 7, dans lequel la couche support mécanique comprend un matériau semi-conducteur, avantageusement du silicium, encore plus avantageusement du silicium mono-cristallin. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel une couche, dite d'adaptation d'impédance, configurée pour limiter des réflexions internes du rayonnement lumineux au sein du miroir. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel ledit dispositif est un dispositif LIDAR.