FR 3098342 A1 20210108 FR 1907328 A 20190702 Description Titre de l'invention : structure semi-conductrice comprenant une couche poreuse enterrée, pour applicationS RF Domaine technique [0001] La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs pour composants microélectroniques. Elle concerne en particulier une structure de type substrat SOI, comportant une couche en silicium méso-poreux enterrée, adaptée pour des dispositifs radiofréquences à hautes performances notamment en termes de linéarité et de stabilité thermique. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION [0002] Les dispositifs radiofréquences (RF) sont largement utilisés dans le domaine des télé- communications (téléphonie cellulaire, Wi-Fi, Bluetooth...). Ces dispositifs sont élaborés sur des substrats en forme de plaquettes qui servent principalement de support à leur fabrication. Toutefois, l'accroissement du degré d'intégration et des performances attendues des dispositifs RF entraîne un couplage de plus en plus important entre leurs performances et les caractéristiques du substrat sur lequel ils sont formés. [0003] A titre d'exemple de couplage dispositif/substrat, les champs électromagnétiques, issus des signaux hautes fréquences se propageant dans les dispositifs RF, pénètrent dans la profondeur du substrat et interagissent avec les éventuels porteurs de charge qui s'y trouvent. Il s'en suit des problèmes de distorsion non linéaire (harmoniques) du signal, une consommation inutile d'une partie de l'énergie du signal par perte d'insertion et des influences possibles entre dispositifs. [0004] Ainsi, pour la plupart des applications impliquant la transmission ou la réception de signaux radiofréquences (10 MHz à 100 GHz), les dispositifs RF requièrent pour leur fabrication un substrat remplissant un cahier des charges de plus en plus exigeant, tiré en particulier par l'évolution des normes de la téléphonie mobile (2G, 3G, LTE, LTE Advanced, LIE Advanced PRO, ...). Les propriétés des matériaux du substrat doivent notamment garantir : de faibles pertes d'insertion (faible atténuation du signal) et une bonne linéarité (faible distorsion du signal à l'origine d'harmoniques), typiquement en présentant une résistivité effective, sur toute la gamme de fréquence, supérieure à 1000 ohm.cm ; - une stabilité des performances précitées en température, en particulier dans la gamme d'utilisation des dispositifs R,F [-40°C 150°Cl - un faible couplage capacitif entre la couche active et le substrat support, ty- piquement grâce à une permittivité diélectrique égale ou inférieure à celle du 2 silicium (E silicium = 11,7) et bien-sûr, une bonne tenue mécanique, compatible à l'élaboration de dispositifs micro-électroniques. [0005] Par ailleurs, pour répondre à des besoins en forts volumes, le substrat doit être compatible avec l'industrie du semi-conducteur, et en particulier avec les lignes de fabrication CMOS silicium. Il doit en plus présenter un coût compétitif pour être adopté par les applications grand public, en particulier dans le domaine des télécommunications (téléphonie cellulaire, connectivité Wi-Fi, Bluetooth,...). [0006] Les dispositifs radiofréquences (RF), tels que des commutateurs et adaptateurs d'antenne, des amplificateurs de puissance, des amplificateurs faible bruit ou encore des composants passifs (R, L, C) peuvent être élaborés sur différents types de substrats. [0007] On connaît les substrats à base de silicium haute résistivité comprenant un substrat support, une couche de piégeage disposée sur le substrat support, une couche diélectrique disposée sur la couche de piégeage, et une couche active de semi-conducteur disposée sur la couche diélectrique. Le substrat support présente habituellement une résistivité supérieure à 1 kOhm.cm. La couche de piégeage peut comprendre du silicium poly-cristallin non dopé. La combinaison d'un substrat support haute résistivité et d'une couche de piégeage selon l'état de l'art permet de réduire le couplage dispositif/ substrat cité précédemment et ainsi d'assurer de bonnes performances des dispositifs RF. A cet égard, l'homme du métier trouvera une revue des performances des dispositifs RF fabriqués sur le substrat semi-conducteur haute résistivité connu de l'état de la technique dans « Silicon-on-insulator (SOI) Technology, manufacture and applications », points 10.7 et 10.8, Oleg Kononchuk et Bich-Yen Nguyen, chez Woodhead Publishing. [0008] Néanmoins, une couche de piégeage en poly-silicium présente l'inconvénient de subir une recristallisation partielle lors des étapes de traitements thermiques à hautes températures, ce qui contribue à diminuer la densité de pièges dans la couche. Parce que l'évolution des normes de la téléphonie mobile impose des spécifications de plus en plus exigeantes aux composants RF, la dégradation de la performance du dispositif liée à cette diminution de densité de pièges est rédhibitoire pour certaines applications. [0009] Une alternative à cette couche de piégeage en poly-silicium est une couche en silicium poreux. Le document US2017062284 propose une structure de type SOI comprenant une couche poreuse sous l'oxyde enterré (BOX) mais ne précise pas la gamme d'épaisseurs et les caractéristiques de porosité qui permettent d'atteindre les performances de tenue mécanique et RF visées. La demande W02016/016532 propose une structure de type SOI comportant une couche méso-poreuse très fine, d'épaisseur inférieure à 1 micron : cette structure confère la tenue mécanique requise et de bonnes performances RF, contrairement aux couches poreuses de plus forte épaisseur (entre 10 3 [cm et 80 !_tm), classiquement proposées dans l'état de la technique, au sujet desquelles le document W02016/016532 indique une tenue mécanique incompatible avec certaines étapes de fabrication des dispositifs et avec les pré-requis d'un support pour les dispositifs fonctionnels finaux. [0010] Pour adresser ce problème de tenue mécanique, le document W02016/149113 propose le remplissage des pores de la couche poreuse avec du silicium amorphe ou poly-cristallin ou avec de l'oxyde de silicium. OBJET DE L'INVENTION [0011] La présente invention propose une solution alternative à celles de l'état dc la technique. Elle concerne en particulier une structure de type SOL comportant une couche en silicium méso-poreux, adaptée pour des dispositifs radiofréquences à hautes performances. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION [0012] L'invention concerne une structure semi-conductrice pour applications radio- fréquences comprenant : [0013] - un substrat support en silicium comportant une couche méso-poreuse, [0014] - une couche diélectrique disposée sur la couche méso-poreuse, [0015] - une couche superficielle disposée sur la couche diélectrique. [0016] La structure semi-conductrice est remarquable en ce que : [0017] - la couche méso-poreuse comporte des pores creux dont les parois internes sont tapissées d'oxyde ; la couche méso-poreuse présente en outre une épaisseur comprise entre 3 microns et 40 microns et une résistivité supérieure à 20 kohm.cm sur toute son épaisseur, [0018] - le substrat support présente une résistivité comprise entre 0,5 et 4 ohm.cm. [0019] Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : - l'épaisseur de la couche méso-poreuse est inférieure à 20 microns ; le substrat support présente une résistivité comprise entre 1 et 2 ohm.cm ; la couche superficielle est formée dans au moins un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les semi-conducteurs composés IV-IV, III-V ou II-VI, les matériaux piézoélectriques (par exemple, LiNb03, LiTa03,...) ; la couche méso-poreuse présente un taux de porosité compris entre 40% et 60%, préférentiellement autour de 50% ; la structure semi-conductrice comprend des dispositifs radiofréquences élaborés dans et/ou sur la couche superficielle. [0020] La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice pour applications radiofréquences, comprenant : [0021] - une étape a) de fourniture d'un substrat donneur comportant un plan fragile enterré délimitant une couche superficielle avec la face avant du substrat donneur, [0022] - une étape b) de fourniture d'un substrat support en silicium présentant une ré- sistivité comprise entre 0,5 et 4 ohm.cm, [0023] - une étape c) de porosification du substrat support pour former une couche méso- poreuse dans une partie avant du substrat support, ladite couche méso-poreuse présentant une résistivité supérieure à 20 kohm.cm et une épaisseur comprise entre 3 et 40 microns, [0024] - une étape d) de recuit du substrat support sous atmosphère oxydante à une tem- pérature comprise entre 300°C et 400°C, de manière à stabiliser la couche mésoporeuse, [0025] - une étape c) de dépôt d'une couche diélectrique sur la couche méso-porcuse, [0026] - une étape f) d'assemblage du substrat donneur du côté de sa face avant, sur la couche diélectrique, [0027] - une étape g) de séparation le long du plan fragile enterré pour transférer la couche superficielle sur le substrat support. [0028] Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable : le substrat support en silicium présente une résistivité comprise entre 1 et 2 ohm. cm ; la porosification de l'étape c) est faite par électrochimie ; le recuit sous atmosphère oxydante de l'étape d) a une durée comprise entre 5 min et 200 min ; l'étape d) comprend, après le recuit sous atmosphère oxydante, un recuit sous atmosphère neutre à une température comprise entre 400°C et 450°C, avantageusement à 420°C; le recuit sous atmosphère neutre de l'étape d) a une durée comprise entre 2 et 16 heures, préférentiellement 10 heures ; l'étape g) comprend un traitement thermique de séparation, effectué à une température comprise entre 200°C et 500°C. avantageusement 400°C. Brève description des dessins [0029] D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée de l'invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : [0030] [fig.1] La figure 1 présente des structures semi-conductrices conformes à la présente invention ; [0031] [fig.2] La figure 2 présente un procédé de fabrication d'une structure serni- conductrice, conforme à l'invention ; [0032] [fig.3] La figure 3 présente plusieurs options de réalisation de l'étape de porosi- fication du procédé de fabrication conforme à l'invention ; [0033] [fig.4] La figure 4 présente des mesures de résistivité de couches méso-poreuses en fonction de leur épaisseur ; [0034] [fig.5] La figure 5 présente des caractérisations de distorsion de seconde harmonique (HD2) sur des substrats supports munis de couches méso-porcuscs, en fonction de la température d'utilisation ; [0035] [fig.6] La figure 6 présente des caractérisations de distorsion de seconde harmonique (HD2) sur des substrats supports munis de couches méso-porcuscs, en fonction de l'épaisseur de la couche méso-porcuse ; [0036] [fig.7] La figure 7 présente l'évolution des liaisons chimiques dans la couche méso- poreuse après l'étape d) de recuit de stabilisation. Description des modes de réalisation [0037] Dans la partie descriptive, les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments dc même type. Les figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l'échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l'axe z ne sont pas à l'échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y ; et les épaisseurs relatives des couches entre elles ne sont pas nécessairement respectées sur les figures. Notons que le repère (x,y,z) de la figure 1 s'applique à la figure 2. [0038] La présente invention concerne une structure semi-conductrice 10 pour applications radiofréquences. [0039] La structure semi-conductrice 10 comprend tout d'abord un substrat support 2 en silicium dont la résistivité est comprise entre 0,5 et 4 ohm.cm , préférentiellement entre 1 et 2 ohm.cm (figure 1). Ledit substrat support 2 comporte une couche en silicium méso-poreux 3. Rappelons qu'il existe trois types dc morphologies pour du silicium poreux : le silicium macroporeux (diamètre de pores supérieur à 50nm), le silicium méso-poreux (diamètre de pores compris entre 2nm et 50nm) et le silicium nanoporeux, également appelé rnicroporeux (diamètre de pores inférieur à 2nm). [0040] La couche méso-poreuse 3 selon l'invention présente des pores creux dont les parois internes sont majoritairement tapissées d'oxyde ; l'épaisseur de la couche d'oxyde sur les parois internes des pores est typiquement de l'ordre du nanomètre. Par pores creux, on entend des pores qui ne sont pas remplis par un matériau solide tel que de l'oxyde de silicium par exemple. Le fait que les parois internes des pores soient tapissées d'oxyde traduit un état stabilisé de la couche méso-poreuse 3, dans lequel des liaisons pendantes de type Si-Hx ont été majoritairement remplacées par des liaisons Si-O-Si 6 beaucoup plus stables. La stabilité mécanique de la couche méso-poreuse 3 en est améliorée. [0041] De manière avantageuse, le taux de porosité de la couche méso-poreuse 3 se situe entre 40% et 60%, préférentiellement à 50%. Ce taux de porosité assure un bon équilibre entre propriétés mécaniques et propriétés électriques de la couche mésoporeuse 3. [0042] La couche méso-poreuse 3 présente une résistivité supérieure à 20 kohrn.cm sur toute son épaisseur ; cette forte résistivité est notamment liée à la gamme de résistivité particulière choisie pour substrat support 2, comme cela sera décrit plus loin avec le procédé de fabrication de la structure semi-conductrice 10. [0043] La couche méso-poreuse 3 présente par ailleurs une épaisseur comprise entre 3 et 40 microns, avantageusement inférieure à 20 microns. L'épaisseur de la couche mésoporeuse 3, conjuguée à sa morphologie (stabilisation des pores, taux dc porosité), va définir la tenue mécanique dc ladite couche 3. La demanderesse a ainsi sélectionné une plage de caractéristiques qui confère à la couche méso-poreuse 3 la tenue mécanique adéquate pour supporter la fabrication de la structure semi-conductrice 10 et pour être conservée dans le dispositif fonctionnel final. [0044] De plus, l'épaisseur de la couche méso-porcuse 3, combinée à sa résistivité très élevée et stable en température dans la gamme -40°C à 225°C, confère à la structure semi-conductrice 10 les propriétés de résistivité et d'isolation requises pour les applications radiofréquences à hautes performances. [0045] La structure semi-conductrice 10 comprend également une couche diélectrique 4 disposée sur la couche méso-poreuse 3. Avantageusement, sans toutefois que cela soit limitatif, la couche diélectrique 4 comprendra au moins l'un des matériaux parmi : dioxyde de silicium, nitrure de silicium, oxyde d'aluminium, etc. Son épaisseur pourra varier entre lOnm et 3 microns. [0046] La structure semi-conductrice 10 comprend en outre une couche superficielle 5 disposée sur la couche diélectrique 4 (figure 1 - (i)). La couche superficielle 5 est formée dans au moins un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les semi-conducteurs composés IV-IV, III-V ou II-VI, les matériaux piézoélectriques (par exemple, LiNb03, LiTa03,...). Elle présente une épaisseur typique comprise entre quelques nanomètres et quelques microns, avantageusement comprise entre 200 nm et 1500 nm. [0047] Des dispositifs micro-électroniques radiofréquences 6 pourront ensuite être élaborés dans et/ou sur la couche superficielle 5 de la structure semi-conductrice 10 (figure 1 - (ii)). Lesdits dispositifs RF 6 pourront par exemple consister en des circuits de commutation (appelés « switch » selon la terminologie anglo-saxonne) ou des circuits d'adaptation ou de syntonisation d'antenne (appelés « tuner ») ou encore des circuits 7 d'amplification de puissance (appelé « power amplifier »), élaborés selon les technologies microélectroniques. La fabrication des composants microélectroniques peut nécessiter la réalisation de plusieurs étapes dont des traitements thermiques à hautes températures, typiquement à 950-1100°C, voire au-delà. La couche méso-poreuse 3 décrite précédemment, conserve ses propriétés physiques (tenue mécanique) et électriques (résistivité, capacité dc piégeage des porteurs de charge) après de tels traitements thermiques. [0048] Selon une variante, la structure semi-conductrice 10 comprend une couche de dis- positifs RF 6 sur la couche diélectrique 4 et la couche superficielle 5 est située au-dessus desdits dispositifs 6 (figure 1 - (iii)). Cette configuration peut par exemple être obtenue lorsque la couche de dispositifs RF 6 est élaborée dans ou sur la couche superficielle 5, alors que cette dernière est encore solidaire d'un substrat donneur. L'ensemble formé par la couche de dispositifs 6 et la couche superficielle 5 peut ensuite être transféré sur la couche diélectrique 4, par une technique dc transfert de couche qui pourra être choisie parmi le procédé Smart CutTM, ou un procédé combinant collage et amincissement mécano-chimique du substrat donneur. [0049] Quelle que soit la variante dc structure semi-conductrice 10, les champs électroma- gnétiques, issus des signaux hautes fréquences destinés à se propager dans les dispositifs RF 6, et qui vont pénétrer dans la couche méso-poreuse 3 et dans le substrat support 2, ne subiront que de faibles pertes (pertes d'insertion) et perturbations (diaphonie, harmoniques), ceci grâce à la résistivité élevée et stable en température (typiquement jusqu'à environ 225°C) de la couche méso-poreuse 3. [0050] La faible permittivité de la couche méso-poreuse 3 (environ deux fois inférieure à la permittivité du silicium, compte tenu du taux de porosité de l'ordre de 50%) est en plus favorable à un faible couplage capacitif avec les dispositifs RF 6. [0051] La stabilité des performances RF de la structure semi-conductrice 10 est également favorisée par le fait que les champs électromagnétiques pénètrent moins profondément pour une épaisseur donnée de couche méso-poreuse 3 (faible permittivité) et par le fait que les propriétés électriques du substrat support 2 ne changent pas dans la gamme de température d'utilisation (résistivité 0,5-4 ohm.cm versus substrat à haute résistivité de l'état de la technique). [0052] La présente invention concerne également un procédé de fabrication de la structure semi-conductrice 10 illustrée en figure 1 - (i). [0053] Le procédé comprend une première étape a) de fourniture d'un substrat donneur 50 comportant un plan fragile enterré 51 délimitant une couche superficielle 5 avec la face avant du substrat donneur 50 (figure 2 - (a)). [0054] Le substrat donneur 50 peut être formé en au moins un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les semi-conducteurs composés IV-IV, 8 III-V ou II-VI, les matériaux piézoélectriques (par exemple, LiNb03, LiTa03,...), etc. Il peut en outre comporter une ou plusieurs couches additionnelles disposée(s) sur sa face avant et/ou sur sa face arrière, de toutes natures, par exemple diélectrique(s) (non représentée(s) sur la figure 2 - (a)). [0055] Le plan fragile enterré 51 est avantageusement formé par implantation ionique d'espèces légères dans le substrat donneur 50, à une profondeur définie. Les espèces légères sont préférentiellement choisies parmi l'hydrogène et l'hélium, ou une combinaison d'hydrogène et d'hélium, car ces espèces sont favorables à la formation de microcavités autour de la profondeur définie d'implantation, donnant lieu au plan fragile enterré 51, comme décrit dans le procédé Smart Cuttm bien connu. [0056] A titre d'exemple, dans le cas d'un substrat donneur 50 en silicium, comportant une couche additionnelle d'oxyde de silicium en surface d'épaisseur comprise entre lOnm et 400nm, on pourra réaliser une implantation ionique d'ions hydrogène, à une énergie d'implantation comprise entre 76kcV et 160keV et une dose comprise entre lel 7 et 1,5 e17/cm2, pour former le plan fragile enterré 51 et délimiter une couche superficielle d'épaisseur comprise entre 400nm et 1500nm. [0057] Le procédé comprend également une étape h) de fourniture d'un substrat support 2 (figure 2- (h)). Le substrat support 2 est en silicium et présente une résistivité comprise entre 0,5 et 4 ohm.cm. Cette gamme très restreinte dc résistivité a été définie par la demanderesse dc manière à générer, à l'étape c) suivante, une couche mésoporeuse 3 de résistivité élevée et avec un taux de porosité adéquat. La gamme de résistivité du substrat support 2 est même préférentiellement restreinte à 1 - 2 ohm.cm. [0058] Notons par ailleurs que des substrats silicium de résistivité 0,5-4 ohm.cm (ou 1-2 ohm.cm) sont facilement disponibles, comparés à des substrats à très haute résistivité (> lkohm.cm) habituellement utilisés pour les applications radiofréquences. [0059] Le procédé comprend ensuite une étape c) de porosification du substrat support 2, pour former une couche méso-poreuse 3 dans une partie avant du substrat support 2 (figure 2 - (c)). [0060] L'étape de porosification est opérée par voie électrochimique ou photo- électrochimique. Elle est basée sur un phénomène de dissolution anodique en milieu acide, à partir du silicium du substrat support 2 (figure 3). En pratique, le substrat support 2 est immergé dans une solution à base d'acide fluorhydrique 21. Le substrat support 2 est en contact avec une anode A, une cathode C étant placée en vis-à-vis de la face à porosifier du substrat support 2. [0061] 11 existe différentes configurations de dispositif expérimental 20, appelées simple (figure 3 - (a)) ou double (figure 3 - (b),(c)) cellule. Dans le premier cas, seule la face avant du substrat support 2 est immergée dans la solution 21. Dans le second, les faces avant et arrière du substrat support 2 sont en contact soit avec la même solution HF 21, 9 soit avec des solutions différentes 23. Dans les cas de double cellule, une illumination 22 de la face arrière peut être réalisée pour remplacer une couche dopée en contact avec l'anode. [0062] Lorsqu'il est placé dans le dispositif expérimental 20, le substrat support 2 subit une électrolyse : la densité de courant est avantageusement comprise entre 1 et 50mA/cm2 ; la solution 21 a une concentration HF supérieure à 30% et comprend avantageusement un additif (par exemple, alcool isopropyliquc dit IPA ou éthanol). Une couche mésoporeuse 3 dc silicium est ainsi formée à partir de la face avant du substrat support 2 (figure 2- (c)). Le temps de porosification définit l'épaisseur de ladite couche 3. [0063] De façon surprenante, la demanderesse a observé que seule la gamme restreinte de résistivité 0,5 - 4 ohms.cm, et avantageusement 1 - 2 ohm.cm, du substrat support 2 était susceptible de conférer une résistivité élevée (supérieure à 20 kohm.cm) à la couche méso-poreuse 3 sur l'intégralité de son épaisseur. Cette observation a été faite dans un premier temps à partir dc mesures SRP (« sprcading resistance profiling ») permettant d'analyser la résistivité de la couche méso-porcuse 3 sur toute son épaisseur. Des exemples de mesures SRP de couches méso-poreuses d'épaisseur 12 microns, 12 microns et 15 microns, respectivement élaborées sur des substrats supports 2 de résistivité 6 ohm.cm, 2 ohm.cm et 0,2 ohm.cm sont présentés en figure 4. Le substrat support 2 de résistivité 2 ohm.cm permet d'atteindre une très haute résistivité de couche méso-porcuse 3, sur toute son épaisseur, contrairement aux autres résistivités testées. La demanderesse a ainsi identifié une plage très serrée de résistivité du substrat support 2, soit entre 0,5 ohm.cm et 4 ohm.cm, permettant d'atteindre une résistivité supérieure à 20kohm.cm sur toute l'épaisseur de la couche méso-poreuse 3 selon la présente invention. Notons qu'une gamme de résistivité 1 - 2 ohm.cm du substrat support 2 est même préférentielle pour atteindre une haute résistivité (> 20kohm.cm) de la couche méso-poreuse 3 sur l'intégralité de son épaisseur. [0064] Cette observation a été confirmée par des mesures de caractérisation dite de distorsion de seconde harmonique (HD2) sur les mêmes substrats supports 2 munis des couches méso-poreuses mesurés en SRP. Cette mesure est réalisée à 900MHz pour 15dBm de puissance de sortie, sur des lignes coplanaires de 2mm de long. La caractérisation de distorsion de seconde harmonique (HD2), dont on trouvera une description détaillée dans le document US2015/0168326, est simple de mise en oeuvre car elle ne nécessite pas la fabrication complète d'un dispositif radiofréquence 6 sur la structure 10 ; elle est en outre particulièrement pertinente car elle est très représentative de la performance d'un dispositif radiofréquence 6 qui serait formé au-dessus du substrat support 2 caractérisé, en particulier dans ou sur la couche superficielle 5 de la structure semi-conductrice 10. [0065] La figure 5 présente la mesure de distorsion de seconde harmonique (désignée HD2) en dBm, en fonction de la température d'utilisation dans une gamme 20°C - 225°C. Notons que les performances RF des substrats supports 2 munis de couches mésoporeuses 3 ne se dégradent pas ou très peu vers les plus basses températures d'utilisation (jusqu'à -70°C). [0066] Pour garantir de très hautes performances (par exemple requises pour les applications mobiles 5G) pour les dispositifs RF 6 qui seront élaborés dans et/ou sur la couche superficielle 5 de la structure 10, les valeurs de HD2 doivent être inférieures à -95dBm, avantageusement inférieures à -100dBm. On observe que le substrat support 2 de résistivité 2 ohm.cm muni de sa couche méso-poreuse 3 est le seul à avoir le comportement attendu sur toute la gamme de température d'utilisation. La couche mésoporeuse 3 élaborée sur un substrat support 2 de résistivité 0,5 - 4 ohm.cm (préférentiellement 1 -2 ohm.cm) présente les caractéristiques requises de haute résistivité sur toute son épaisseur et de stabilité dans la gamme de température [0067] L'épaisseur de la couche méso-poreuse 3 doit par ailleurs être d'au moins 10 microns pour atteindre les performances RF visées. Cette épaisseur minimale a été identifiée en réalisant des mesures de caractérisation de distorsion de seconde harmonique sur des substrats supports 2 présentant différentes épaisseurs de couche méso-poreuse 3. Cette mesure a été réalisée dans les mêmes conditions que celles énoncées précédemment. [0068] L'axe des abscisses du graphe de la figure 6 représente l'épaisseur de la couche méso-poreuse 3, en micron. L'axe des ordonnées représente la mesure HD2, en dBm. Pour être en-dessous d'une valeur visée de HD2 à -95dBm, la couche méso-poreuse 3 doit présenter une épaisseur supérieure à 10 microns +/- 0,5. [0069] 11 est à noter que, pour des applications moins exigeantes en termes de performances RF, on pourra viser une valeur de HD2 de l'ordre de -90dBm ou encore -80dBm. L'épaisseur de la couche méso-poreuse 3 pourra alors être diminuée comme cela est visible sur la figure 6 : par exemple, pour assurer une valeur de HD2 à -80dBm, une épaisseur de 6 microns +/- 0,5 sera suffisante. La couche méso-poreuse 3 garantit alors cette performance sur toute la gamme de températures d'utilisation. [0070] L'augmentation de l'épaisseur de la couche méso-poreuse 3 étant défavorable à sa tenue mécanique, la demanderesse a défini une gamme d'épaisseurs compatible avec les étapes subséquentes de fabrication de la structure semi-conductrice 10 et avec les étapes de fabrication des dispositifs micro-électroniques RF 6, soit 3 microns à 40 microns, et avantageusement inférieure à 20 microns. [0071] La couche méso-poreuse 3, élaborée sur un substrat support 2 en silicium dont la ré- sistivité est comprise dans les gammes restreintes précitées, présente en outre un taux de porosité compris entre 40% et 60%, préférentiellement autour de 50%. [0072] Après l'étape c) de porosification, le procédé de fabrication comprend une étape d) 11 de recuit du substrat support 2 sous atmosphère oxydante à une température comprise entre 300°C et 400°C, de manière à stabiliser la couche méso-poreuse 3 (figure 2 - (d)). Préférentiellement, la durée du recuit sous atmosphère oxydante est comprise entre Smin et 200min. [0073] Ce recuit permet de remplacer rnajoritairement des liaisons pendantes de type Si-Hx, en particulier présentes sur les parois internes des pores, par des liaisons Si-O-Si beaucoup plus stables, comme cela est visible sur la figure 7. Le figure 7 représente le spectre d'absorption, obtenu par spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier, des espèces de type Si-Hx et Si-0, présentes dans la couche méso-poreuse 3, avant et après un recuit de stabilisation sous atmosphère oxydante. On remarque la disparition des pics relatifs aux liaisons Si-Hx au profit de liaisons Si-0 plus stables, à la suite d'un recuit sous atmosphère oxydante, à 300°C, pendant 10 min. [0074] Comme évoqué précédemment, les porcs de la couche méso-porcuse 3 selon l'invention restent creux et leurs parois internes sont tapissées d'une fine couche d'oxyde d'une épaisseur de l'ordre du nanomètre, ce qui traduit un état stabilisé de la couche méso-poreuse 3. [0075] Avantageusement, l'étape d) comprend, après le recuit sous atmosphère oxydante, un recuit sous atmosphère neutre, par exemple sous azote, à une température comprise entre 400°C et 450°C, avantageusement à 420°C. Le recuit sous atmosphère neutre a typiquement une durée comprise entre 2 et 16 heures, idéalement 10 heures. [0076] La réalisation de l'étape d) évite notamment un dégazage au cours de traitements thermiques appliqués ultérieurement à la structure semi-conductrice 10, le dégazage étant susceptible de dégrader la qualité de ladite structure 10 ; de plus, la courbure (« bow ») du substrat support 2 muni de la couche méso-poreuse 3 est stabilisée et la courbure de la structure semi-conductrice 10 évolue peu après des traitements thermiques. [0077] Le procédé de fabrication comprend ensuite une étape e) de dépôt d'une couche di- électrique 4 sur la couche méso-poreuse 3 (figure 2 - (e)). Avantageusement, sans toutefois que cela soit limitatif, la couche diélectrique 4 comprendra au moins Fun des matériaux parmi : dioxyde de silicium, nitrure de silicium, oxyde d'aluminium, etc. La couche diélectrique 4 est obtenue par exemple, par oxydation thermique ou par dépôt LPCVD, PECVD ou encore HDP. Son épaisseur pourra varier entre 10nm et 3 microns. [0078] Notons que la couche diélectrique 4 pourra être élaborée en totalité sur la couche méso-poreuse 3 ou alternativement, en partie sur la couche méso-poreuse 3 et en partie sur le substrat donneur 50 ; dans ce dernier cas, la couche diélectrique 4 présente son épaisseur totale après l'étape f) suivante d'assemblage. [0079] Le procédé comprend une étape f) d'assemblage du substrat donneur 50 du côté de sa 12 face avant, sur la couche diélectrique 4 (figure 2- (f)). L'assemblage peut être réalisé par toute méthode connue, préférentiellement par collage direct par adhésion moléculaire. Cette technique bien connue de l'état de la technique ne sera pas décrite en détail ici. On rappelle néanmoins que, préalablement à l'assemblage, le substrat donneur 50 et le substrat support 2 auront subi des séquences de nettoyages et/ou d'activation de surface classiques, de manière à garantir la qualité de l'interface de collage en termes de défectivité et d'énergie de collage. [0080] L'étape g) suivante du procédé comprend la séparation le long du plan fragile enterré 51 pour transférer la couche superficielle 5 sur le substrat support 2 et ainsi obtenir la structure semi-conductrice 10 d'une part, et le reste du substrat donneur 50 d'autre part (figure 2- (g)). Préférentiellement, l'étape g) comprend un traitement thermique de séparation, effectué à une température comprise entre 200°C et 500°C. Un tel traitement thermique est apte à augmenter le niveau de fragilisation du plan fragile enterré 51, phénomène à la base du procédé Smart CutTM bien connu de l'homme du métier. [0081] Une température de l'ordre de 400°C est avantageuse en ce que l'assemblage subit moins de contraintes liées aux coefficients de dilatation différents des matériaux impliqués du substrat donneur 50, de la couche diélectrique 4, de la couche mésoporeuse 3 et du substrat support 2. En effet, des contraintes trop élevées sont susceptibles d'affecter l'intégrité de la couche méso-poreuse 3. La bonne tenue mécanique de la structure semi-conductrice 10 passe donc également par la réalisation d'une étape g) de séparation appliquant un niveau faible de contraintes à l'assemblage substrat donneur 50 / substrat support 2. [0082] Après la séparation, l'étape g) pourra comporter des traitements thermiques pour la finition de la couche superficielle 5, visant à améliorer sa qualité cristalline et de surface (rugosité, défectivité). La structure semi-conductrice 10 supporte bien les traitements thermiques, même à des températures élevées (900°C à 1100°C, voire 1200°C), notamment parce que la couche méso-poreuse 3 a été stabilisée à l'étape d). [0083] La structure semi-conductrice 10 est également compatible avec les traitements thermiques et chimiques habituellement appliqués lors de la fabrication de dispositifs micro-électroniques radiofréquences. La couche méso-poreuse 3 procure une tenue mécanique adéquate et ne subit pas de modification susceptible d'affecter ses propriétés physiques et électriques qui garantissent : de faibles pertes d'insertion (faible atténuation du signal) et une bonne linéarité (faible distorsion du signal à l'origine d'harmoniques) ; une stabilité de ces performances en température, en particulier dans la gamme d'utilisation des dispositifs RF [-40°C ; 150°C], voire jusqu'à environ 225°C; un faible couplage capacitif entre les dispositifs RF 6 dans/sur la couche su- 13 perficielle 5 et le substrat support 2, typiquement grâce à une permittivité diélectrique inférieure à celle du silicium. [0084] La structure semi-conductrice 10 pour applications radiofréquences selon l'invention est ainsi adaptée à toute application pour laquelle des signaux hautes fréquences se propagent et sont susceptibles de subir des pertes ou des perturbations non souhaitées dans un substrat support 2, car les caractéristiques physiques et électriques de la couche méso-poreuse 3 disposée sur le substrat support 2 confèrent à l'ensemble de bonnes propriétés RF et mécaniques. [0085] Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation et aux exemples décrits, et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. 14 REVENDICATIONS[Revendication 1] Structure semi-conductrice (10) pour applications radiofréquences comprenant : - un substrat support (2) en silicium comportant une couche mésoporeuse (3), - une couche diélectrique (4) disposée sur la couche méso-poreuse (3), - une couche superficielle (5) disposée sur la couche diélectrique (4), la structure semi-conductrice (10) étant caractérisée en cc que : - la couche méso-poreuse (3) comporte des porcs creux dont les parois internes sont tapissées d'oxyde, et présente une épaisseur comprise entre 3 microns et 40 microns et une résistivité supérieure à 20 kohm.cm sur toute son épaisseur, - le substrat support (2) présente une résistivité comprise entre 0,5 et 4 ohm.cm. [Revendication 2] Structure semi-conductrice (10) selon la revendication précédente, dans laquelle l'épaisseur de la couche méso-poreuse (3) est inférieure à 20 microns. [Revendication 3] Structure semi-conductrice (10) selon l'une des revendications pré- cédentes, dans laquelle le substrat support (2) présente une résistivité comprise entre 1 et 2 ohm.cm. [Revendication 4] Structure semi-conductrice (10) selon l'une des revendications pré- cédentes, dans laquelle la couche superficielle (5) est formée dans au moins un matériau choisi parmi le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les semi-conducteurs composés IV-IV, III-V ou II-VI et les matériaux piézoélectriques. [Revendication 5] Structure semi-conductrice (10) selon l'une des revendications pré- cédentes, dans laquelle la couche méso-poreuse (3) présente un taux de porosité compris entre 40% et 60%, préférentiellement autour de 50%. [Revendication 6] Structure semi-conductrice (10) selon l'une des revendications pré- cédentes, comprenant des dispositifs radiofréquences (6) élaborés dans et/ou sur la couche superficielle (5). [Revendication 7] Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice (10) pour ap- plications radiofréquences, comprenant : - une étape a) de fourniture d'un substrat donneur (50) comportant un plan fragile enterré (51) délimitant une couche superficielle (5) avec la face avant du substrat donneur (50), - une étape b) de fourniture d'un substrat support (2) en silicium 15 présentant une résistivité comprise entre 0,5 et 4 ohm.cm, - une étape c) de porosification du substrat support (2) pour former une couche méso-poreuse (3) dans une partie avant du substrat support (2), ladite couche mese-poreuse (3) présentant une résistivité supérieure à 20 kohm.cm et une épaisseur comprise entre 3 et 40 microns, - une étape d) de recuit du substrat support (2) sous atmosphère oxydante à une température comprise entre 300°C et 400°C, de manière à stabiliser la couche méso-poreuse (3), - une étape e) de dépôt d'une couche diélectrique (4) sur la couche méso-poreuse (3), - une étape f) d'assemblage du substrat donneur (50) du côté de sa face avant, sur la couche diélectrique (4), - une étape g) de séparation le long du plan fragile enterré (51) pour transférer la couche superficielle (5) sur le substrat support (2). [Revendication 8] Procédé dc fabrication d'une structure semi-conductrice (10) selon la re- vendication précédente, dans lequel le substrat support (2) fourni à l'étape b) présente une résistivité comprise entre 1 et 2 ohtn.cm. [Revendication 9] Procédé dc fabrication d'une structure semi-conductrice (10) selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel la porosification de l'étape c) est faite par électrochimie. [Revendication 10] Procédé de fabrication (l'une structure semi-conductrice (10) selon l'une des trois revendications précédentes, dans lequel le recuit sous atmosphère oxydante de l'étape d) a une durée comprise entre 5min et 200min [Revendication 11] Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice (10) selon la re- vendication précédente, dans lequel l'étape d) comprend, après le recuit sous atmosphère oxydante, un recuit sous atmosphère neutre à une température comprise entre 400°C et 450°C, avantageusement à 420°C. [Revendication 12] Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice (10) selon la re- vendication précédente, dans lequel le recuit sous atmosphère neutre de l'étape d) a une durée comprise entre 2 et 16 heures, préférentiellement 10 heures. [Revendication 13] Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice (10) selon l'une des six revendications précédentes, dans lequel l'étape g) comprend un traitement thermique de séparation, effectué à une température comprise entre 200°C et 500°C, avantageusement 400°C.