FR 3095549 A1 20201030 FR 1904391 A 20190425 Description Titre de l'invention : PROCEDE DE REALISATION D'UN TRANSISTOR DONT LA ZONE ACTIVE COMPORTE UN MATERIAU SEMI-METALLIQUE DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR 100011 L'invention concerne un procédé de réalisation d'un transistor dont la zone active comporte un matériau semimétallique, et avantageusement un matériau semimétallique comportant du bismuth. 100021 Une portion de matériau semimétallique, également appelé semimétal, comme par exemple le bismuth, a des propriétés de conduction électrique qui diffèrent selon la géométrie et les dimensions de cette portion. A l'état massif, c'est-à-dire lorsque la portion de matériau semimétallique a des dimensions importantes, le matériau semimétallique est électriquement conducteur et a un comportement électrique similaire à celui d'un métal. Lorsque les dimensions de cette portion de matériau semimétallique sont suffisamment petites, comme par exemple lorsque cette portion correspond à un nanofil, le matériau semimétallique est semi-conducteur et a un comportement électrique similaire à celui d'un matériau semi-conducteur. [0003] Un premier procédé de réalisation d'un transistor dont le canal comporte un ou plusieurs nanofils de bismuth a été proposé. Une croissance de nanofils de bismuth est tout d'abord réalisée sur un substrat métallique. Les nanofils obtenus sont ensuite coupés et désolidarisés du substrat métallique, puis manipulés individuellement et utilisés pour former des canaux de transistors, comme par exemple pour le transistor décrit dans le document « Semimetal to semiconductor transition and polymer électrolyte gatc modulation in single-crystallinc bismuth nanowircs » de J. Kim et al., Nanoscale, 2017, vol. 9, pp. 923-929. Cc premier procédé n'est toutefois pas adapté pour être mis en oeuvre industriellement et fabriquer, avec un rendement important, des transistors. [0004] Le document US 2018/0190799 Al décrit un deuxième procédé de réalisation d'un transistor dont le canal et l'une des régions de source et de drain comporte du bismuth. Dans ce deuxième procédé, une première région électriquement conductrice destinée à former une première des régions de source et de drain du transistor est tout d'abord réalisée par dépôt sur un substrat. Une grille entourée d'un matériau diélectrique d'isolation est ensuite réalisée sur la première région électriquement conductrice. Un trou est. ensuite réalisé à travers la grille et une partie du matériau diélectrique d'isolation qui recouvre la grille. Ce trou forme un accès à la première région électriquement conductrice. Les dimensions de ce trou sont telles que lorsque du bismuth 2 est ensuite déposé dans le trou (en ayant formé au préalable un diélectrique de grille contre les parois latérales du trou), le nanofil de bismuth obtenu a un comportement électrique correspondent à celui d'un matériau semi-conducteur. Le nanofil de bismuth réalisé forme le canal du transistor. Une portion de bismuth localisée au-dessus du canal, dont les dimensions sont plus importantes que celles du canal et qui repose en partie sur le matériau diélectrique d'isolation, est conservée afin de former une deuxième région électriquement conductrice correspondant à une deuxième des régions de source et de drain du transistor. [0005] Contrairement au premier procédé précédemment décrit, ce deuxième procédé est adapté pour être mis en oeuvre industriellement à grande échelle. Par contre, ce deuxième procédé a pour inconvénient que le transistor réalisé a nécessairement un agencement vertical vis-à-vis du substrat sur lequel il est réalisé, c'est-à-dire comporte son canal et ses régions de source et de drain qui sont alignés selon un axe perpendiculaire à la surface du substrat sur laquelle le transistor est réalisé. Or, un tel agencement vertical n'est parfois pas adapté à la structure du circuit dans lequel les transistors sont destinés à être intégrés. De plus, ce procédé a également pour inconvénient de devoir former une ligne verticale de contact entre la première région électriquement conductrice du transistor (qui correspond par exemple à la région de source du transistor) et la partie supérieure de la structure, au-dessus de la deuxième région électriquement conductrice, où se trouvent les interconnexions métalliques. Cette ligne consomme une surface importante par transistor. Exposé de l'invention [0006] Un but de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d'un transistor à matériau semimétall igue qui soit adapté pour être mis en oeuvre industriellement et fabriquer des transistors avec un important rendement, permettant de réaliser un transistor ayant un agencement planaire, c'est-à-dire non vertical, vis-à-vis du substrat sur lequel le transistor est réalisé, et qui ne nécessite pas de mise en oeuvre particulière pour obtenir un bon contact électrique entre le canal et les régions de source et de drain. [0007] Pour cela, la présente invention propose un procédé de réalisation d'au moins un transistor, comprenant au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : -réalisation, sur un substrat, d'au moins une grille entourée latéralement par au moins un matériau diélectrique d'isolation ; -dépôt d'au moins une couche d'arrêt de gravure sur la grille et le matériau diélectrique d'isolation ; -gravure de la couche d'arrêt de gravure conformément à au moins un motif d'une zone active du transistor, formant au moins une partie d'un emplacement de canal 3 localisé sur une partie de la grille ; -gravure du matériau diélectrique d'isolation localisé dans le motif de la zone active, formant des emplacements de régions de source et de drain ; -réalisation d'au moins un matériau semimétallique dans l'emplacement de canal et dans les emplacements des régions de source et de drain ; -planarisation du matériau semimétallique avec arrêt sur la couche d'arrêt de gravure ; -cristallisation du matériau scmimétallique, formant le canal et les régions de source et de drain du transistor ; [0008] et dans lequel le canal comporte des dimensions telles que le matériau semimé- tallique du canal ait des caractéristiques électriques, notamment de conductivité électrique, d'un matériau semi-conducteur, et les régions de source et de drain comportent des dimensions telles que le matériau semimétallique des régions de source et de drain ait des caractéristiques électriques, notamment de conductivité électrique, d'un matériau électriquement conducteur. [0009] Un tel procédé a pour avantage de mettre en oeuvre des étapes compatibles avec les techniques classiques de la microélectronique, et est donc compatible avec mise en oeuvre industrielle à grande échelle, et cela du fait que la portion de matériau semimétallique formant le canal n'est pas réalisée au préalable par croissance sur un substrat métallique, mais par la réalisation, par exemple par dépôt, du matériau semimétallique dans l'emplacement de canal et dans les emplacements des régions de source et de drain, suivie d'une étape de planarisation, façonnant ainsi le matériau semimétallique selon sa forme finale définie par un "moule" situé directement aux emplacements souhaités et formé par les emplacements de canal et de régions de source et de drain. [0010] Ce procédé a également pour avantage de réaliser un transistor de type MOSFET ayant un agencement planaire, ou horizontal, vis-à-vis du substrat sur lequel il est réalisé, c'est-à-dire agencé tel que le canal et les régions de source et de drain soient alignés selon un axe sensiblement parallèle à la surface du substrat sur lequel le transistor est réalisé. [0011] En outre, ce procédé ne nécessite pas la mise en oeuvre d'étape particulière pour obtenir un bon contact électrique entre le canal et les régions de source et de drain. [0012] Ce procédé propose de réaliser, préalablement au dépôt du matériau semimétallique, un "moule" formé par les emplacements de canal et de région de source et de drain et dans lequel le matériau semimétallique est déposé. Le dépôt du matériau semimétallique dans ce moule permet d'éviter au matériau semimétallique de présenter des surfaces rugueuses et de définir la forme que prendra le matériau semimétallique après sa cristallisation. [0013] La portion de matériau semimétallique, ou chacune des portions de matériau semimé- tallique, formant le canal peut être avantageusement prévue avec une section transversale (« cross section » en anglais, qui correspond à la section perpendiculaire à la plus grande dimension, ou longueur, de la ou de chacune de ces portions) de dimension critique ou de diamètre inférieur à un seuil en deçà duquel le matériau semimétallique a des propriétés de conductivité électrique similaires à celles d'un matériau semi-conducteur, avec des bandes de valence et conduction séparées par une bande interdite, dont le gap est positif. Ce comportement semi-conducteur est obtenu par effet quantique de confinement des porteurs de charges (électrons). Lorsque le matériau semimétallique est par exemple du bismuth, ce seuil peut être de l'ordre de 15 nm à température ambiante. Lorsque le matériau semimétallique est par exemple de l'étain, ce seuil peut être de l'ordre d'environ 2 nm à température ambiante . [0014] La portion de matériau semimétallique formant le canal peut avoir une forme telle que son rapport longueur/diamètre (ou longueur/dimension critique de sa section transversale) soit supérieur ou égal à 2. [0015] Le matériau semimétallique est un matériau à niasse effective anisotrope, cc qui permet d'avoir à la fois une grande mobilité pour les électrons et une forte densité d'états dans la bande de conduction. Ces deux facteurs contribuent à accroître le courant pouvant passer dans le transistor et, par conséquent, accroître la vitesse de commutation de ce transistor par rapport à un transistor classique comportant du semiconducteur. [0016] Chacune des portions de matériau semimétallique formant les régions de source et drain peuvent être avantageusement prévues avec une section transversale de dimension critique ou de diamètre supérieure à ce seuil. Les dimensions des portions de matériau semimétallique formant les régions de source et de drain sont suffisamment importantes pour qu'un confinement quantique ne puisse pas se produire dans ces portions. [0017] Le « matériau diélectrique d'isolation localisé dans le motif de la zone active » peut correspondre aux parties du matériau diélectrique d'isolation non recouvertes par un masque de gravure dont le motif correspond à celui de la zone active, c'est-à-dire un masque de gravure comprenant au moins une ouverture dont les bords délimitent la forme de la zone active du transistor, et qui correspond par exemple à un masque de gravure utilisé lors de la gravure de la couche d'arrêt de gravure. [0018] Le matériau semimétallique peut être polycristallin au moment de sa réalisation. La cristallisation qui est ensuite mise en oeuvre permet dans ce cas de lui conférer un caractère monocristallin. [0019] 11 est également possible que le matériau semimétallique soit amorphe au moment de sa réalisation. La cristallisation qui est ensuite mise en oeuvre permet dans ce cas de lui conférer un caractère monocristallin ou polycristallin. [0020] Avantageusement, le matériau semimétallique est non-dopé, ce qui permet d'éviter une répartition non-contrôlée de dopants dans le matériau semimétallique lors de la cristallisation. Toutefois, il est possible que le matériau semimétallique soit dopé, par exemple avec des atonies d'au moins un des éléments suivants : bore, gallium, étain, tellure. [0021] Le matériau semimétallique peut comporter avantageusement du bismuth. Ainsi, ce matériau semimétallique peut correspondre à du bismuth ou un alliage comprenant du bismuth tel qu'un matériau semimétallique comprenant du bismuth et au moins l'un des matériaux suivants : étain, antimoine, arsenic. [0022] La grille peut être réalisée en mettant en oeuvre au moins les étapes suivantes : -dépôt d'au moins une couche électriquement conductrice sur le substrat ; -gravure de la couche électriquement conductrice telle qu'au moins une portion restante de la couche électriquement conductrice forme la grille. [0023] Le procédé peut comporter en outre, entre la gravure de la couche d'arrêt de gravure et la gravure du matériau diélectrique d'isolation, la mise en oeuvre d'une étape de gravure, dans le motif de la zone active, d'une partie de l'épaisseur de la grille telle que l'emplacement de canal soit localisé sur au moins une portion restante de la grille. Dans une telle configuration, l'emplacement de canal est formé dans l'épaisseur de la couche d'arrêt de gravure et dans la partie de l'épaisseur gravée de la grille. De plus, la grille peut être également disposée en regard d'une partie des flancs latéraux de la ou des portions du matériau semimétallique formant le canal du transistor. La gravure, dans le motif de la zone active, d'une partie de l'épaisseur de la grille peut correspondre à une gravure d'une partie de l'épaisseur de portion(s) de la grille accessible(s) à travers un masque de gravure dont le motif correspond à celui de la zone active, et qui correspond par exemple à un masque de gravure utilisé lors de la gravure de la couche d'arrêt de gravure et/ou lors de la gravure du matériau diélectrique d'isolation. [0024] Le procédé peut être tel que : -la grille comporte au moins des premier et deuxième matériaux électriquement conducteurs superposés tels que le premier matériau électriquement conducteur soit disposé entre le substrat et le deuxième matériau électriquement conducteur ; -la partie de l'épaisseur de la grille gravée correspond à au moins une portion du deuxième matériau électriquement conducteur localisée dans le motif de la zone active. [0025] L'utilisation de deux matériaux électriquement conducteurs distincts peut faciliter la gravure de la partie de l'épaisseur de la grille en définissant car cette partie de l'épaisseur de la grille peut correspondre à l'épaisseur du deuxième matériau électriquement conducteur. [0026] De manière avantageuse, le canal peut comporter plusieurs nanofils du matériau se- mimétallique s'étendant entre les régions de source et de drain et comprenant chacun 6 des dimensions telles que le matériau semimétallique de chaque nanofil ait des caractéristiques électriques d'un matériau semi-conducteur. [0027] La cristallisation du matériau semimétallique peut comporter la mise en oeuvre des étapes suivantes : -dépôt d'au moins un matériau diélectrique de recouvrement, recouvrant au moins le matériau semimétallique ; -recuit à une température supérieure à la température de fusion du matériau semimétal 1 igue. [0028] Dans ce cas, le procédé peut comporter en outre, après le recuit, la mise en oeuvre des étapes suivantes : -gravure, à travers le matériau diélectrique de recouvrement et en regard des régions de source et de drain, d'emplacements de contacts de source et de drain ; -gravure, à travers le matériau diélectrique de recouvrement et la couche d'arrêt de gravure et en regard d'une portion de la grille, d'au moins un emplacement de contact de grille ; -dépôt d'au moins un matériau électriquement conducteur dans les emplacements de contacts de source et de drain et dans l'emplacement de contact de grille. [0029] Le procédé peut être tel que : -la réalisation du matériau semimétallique est précédée d'un dépôt d'un diélectrique de grille dans l'emplacement de canal et dans les emplacements des régions de source et de drain, le matériau semimétallique étant réalisé ensuite sur le diélectrique de grille -l'étape de planarisation supprime en outre des portions du diélectrique de grille localisées sur la couche d'arrêt de gravure. [0030] De manière avantageuse, le diélectrique de grille peut comporter au moins un matériau diélectrique dont la constante diélectrique (ou permittivité relative) est supérieure à 3,9. [0031] Le substrat peut comporter une couche support de semi-conducteur et une couche di- électrique telles que la couche diélectrique soit disposée entre la grille et la couche support de semi-conducteur et entre le matériau diélectrique d'isolation et la couche support de semi-conducteur. [0032] Le procédé peut être tel que : -le motif de la zone active est défini par un masque de gravure réalisé sur la couche d'arrêt de gravure entre le dépôt de la couche d'arrêt de gravure et la gravure de la couche d'arrêt de gravure ; -le masque de gravure est retiré entre la gravure du matériau diélectrique d'isolation et le dépôt du matériau semimétallique. 7 Brève description des dessins [0033] La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : [0034] [fig.11 [0035] [fig.21 [0036] [fig.31 [0037] [fig.41 [0038] [fie.51 [0039] [fig.61 [0040] [fig.7] [0041] [fig.8] [0042] [fig.9] [0043] [fig.101 [0044] [fig.' I] [0045] [fig.12j [0046] [fig.13] [0047] [fig.14] [0048] [fig.151 [0049] [fig.161 [0050] [fig.17] représentent les étapes d'un procédé dc réalisation d'un transistor, objet dc la présente invention, selon un mode de réalisation particulier. [005 I ] Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci- après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à Vautre. [0052] Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. [0053] Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. [0054] EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS [0055] La description ci-dessous se réfère aux figures 1 à 17 qui représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un transistor 100 dont la zone active comporte un matériau semimétallique, selon un mode de réalisation particulier. [0056] Le transistor 100 est réalisé à partir d'un substrat formé, dans ce mode de réalisation particulier, par une couche support 102 comprenant par exemple un substrat diélectrique ou un matériau communément utilisé en microélectronique, par exemple du semi-conducteur tel que du silicium, et par une couche diélectrique enten-ée 104 8 comprenant par exemple du SiO2. [0057] Au moins une couche électriquement conductrice, à partir de laquelle la grille du transistor 100 sera formée par la suite, est ensuite réalisée sur le substrat, et plus particulièrement sur la couche diélectrique enterrée 104 dans le mode de réalisation particulier décrit ici. Dans le mode de réalisation particulier décrit ici, une première couche électriquement conductrice 106 et une deuxième couche électriquement conductrice 108 sont déposées, par exemple par LPCVD, ALD, CVD, ou PVD, successivement sur la couche diélectrique enterrée 104 telles que la première couche électriquement conductrice 106 soit disposée entre la couche diélectrique enterrée 104 et la deuxième couche électriquement conductrice 108. [0058] Dans le mode de réalisation particulier décrit ici, le matériau de la deuxième couche électriquement conductrice 108 est destiné à être gravé sélectivement vis-à-vis du matériau de la première couche électriquement conductrice 106. Dans ce cas, le matériau de la première couche électriquement conductrice 106 comporte par exemple du silicium dopé et déposé sous forme amorphe ou polycristalline, et le matériau de la deuxième couche électriquement conductrice 108 comporte par exemple du TiN déposé ici par ALD. [0059] L'épaisseur (dimension parallèle à l'axe Z) de la première couche électriquement conductrice 106 est choisie telle qu'elle corresponde à l'épaisseur souhaitée des régions de source et de drain du transistor 100, et est par exemple comprise entre 30 nm et 100 nm. L'épaisseur de la deuxième couche électriquement conductrice 108 est par exemple comprise entre environ 4 nm et 15 nm et est par exemple égale à 8 nm. L'épaisseur de la deuxième couche électriquement conductrice 108 est choisie telle qu'elle corresponde à l'épaisseur souhaitée sur laquelle la grille recouvrira les flancs de la ou des portions de matériau semimétallique formant le canal du transistor 100. [0060] Comme représenté sur la figure 2, les première et deuxième couches électriquement conductrices 106, 108 sont gravées, par exemple par gravure anisotrope par plasma (la chimie du plasma utilisé dépend notamment des matériaux des couches 108 et 106) selon le motif ou la forme de la grille souhaitée. Les portions restantes des première et deuxième couches électriquement conductrices 106, 108, respectivement référencées 110 et 112, forment la grille 114 du transistor 100. Sur l'exemple de réalisation visible sur la figure 2, la grille 114 a une forme de parallélépipède rectangle, mais d'autres formes de grille sont possibles. Les largeur et longueur (dimensions selon les axes Y et X) de la grille 114 sont choisies notamment en fonction de la longueur de grille, de la largeur de canal et du nombre de portions de matériau distinctes, ou nombre de nanofils, destinées à former le canal, souhaités au sein du transistor 100. [0061] Un matériau diélectrique d'isolation 116, comprenant par exemple du SiO, ou du Si; N4, est ensuite déposé par exemple par CVD, LPCVD ou « spin-on » (enduction 9 centrifuge) sur la structure précédemment formée, recouvrant les parties de la couche diélectrique enterrée 104 se trouvant autour de la grille 114 et libérées lors de la précédente gravure des première et deuxième couches électriquement conductrices 106, 108, et recouvrant également la grille 114. L'épaisseur (dimension parallèle à l'axe Z) du matériau diélectrique d'isolation 116 déposé est ici supérieure à l'épaisseur de la grille 114. Une planarisation mécano-chimique, ou CMP, du matériau diélectrique d'isolation 116 est ensuite mise en oeuvre avec arrêt sur la grille 114. Le matériau diélectrique d'isolation 116 restant est disposé sur la couche diélectrique enterrée 104 et entoure latéralement la grille 114. Le matériau diélectrique d'isolation 116 restant a une épaisseur égale à celle de la grille 114. La figure 3 est une vue en coupe, dans un plan parallèle au plan (Y,Z) et qui passe par le milieu de la grille 114, représentant la structure obtenue à ce stade du procédé. [0062] Une couche d'arrêt de gravure 118 est ensuite déposée, par exemple par LPCVD, CVD ou plasma CVD, sur la grille 114 et sur le matériau diélectrique d'isolation 116. Cette couche d'arrêt de gravure 118 comporte un matériau diélectrique, par exemple du Si-'N4. L'épaisseur de la couche d'arrêt de gravure 118 est par exemple égale à environ 20 nm. La figure 4 est une vue en coupe, dans le même plan de coupe que celui de la vue de la figure 3, représentant la structure obtenue à ce stade du procédé. [0063] Comme représenté sur la figure 5, un masque de gravure 120 comprenant par exemple de la résine photosensible, et dont le motif correspond à celui de la zone active du transistor 100 (c'est-à-dire comprenant au moins une ouverture dont les bords délimitent la forme de la zone active) est réalisé sur la couche d'arrêt de gravure 118. La zone active du transistor 100 correspond aux régions de source et de drain et au canal du transistor 100. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, le canal du transistor 100 est destiné à être formé par trois nanofils s'étendant entre les régions de source et de drain du transistor 100. [0064] La couche d' arrêt de gravure 118 est ensuite gravée, par exemple par gravure anisotrope par plasma (la chimie du plasma utilisé dépend notamment des matériaux de la grille 114) selon le motif défini par le masque de gravure 120, c'est-à-dire selon le motif de la zone active du transistor 100. Ainsi, les parties de la couche d'arrêt de gravure 118 non recouvertes par le masque de gravure 120 (visibles sur la figure 5) sont gravées. La figure 6 est une vue en coupe, dans le même plan de coupe que celui de la vue de la figure 4, représentant la structure obtenue à ce stade du procédé. [0065] Les parties de la portion 112 non recouvertes par le masque de gravure 120 sont ensuite gravées, par exemple par gravure anisotrope par plasma (la chimie du plasma utilisé dépend notamment du matériau de la portion 110), ce qui forme le ou les emplacements 122 du canal du transistor 100 au-dessus de la portion 110 de la grille 114. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, plusieurs emplacements 122 de canal sont formés par cette étape de gravure de la portion 112 car le canal du transistor 100 est destiné à être formé par plusieurs portions distinctes, par exemple plusieurs nanofils. La figure 7 est une vue en coupe, dans le même plan de coupe que celui de la vue de la figure 6, représentant la structure obtenue à ce stade du procédé. Sur la figure 7, un premier emplacement 122 et une partie d'un deuxième emplacement 122 de canal du transistor 100 sont visibles. [0066] Les parties du matériau diélectrique d'isolation 116 localisées dans le motif de la zone active sont gravées, formant des emplacements 124 pour les régions de source et de drain du transistor 100. La gravure mise en oeuvre correspond à une gravure sélective du matériau diélectrique d'isolation 116 vis-à-vis du matériau du masque de gravure 120. Après cette gravure du matériau diélectrique d'isolation 116, le masque de gravure 120 est supprimé, comme cela est visible sur la figure 8 qui est une vue en coupe, dans le même plan de coupe que celui de la vues de la figure 7, représentant la structure obtenue à ce stade du procédé. [0067] A cc stade du procédé, les emplacements 122, 124 forment un moule dans lequel un matériau semimétallique va pouvoir être déposé pour former la zone active du transistor 100. [0068] Un diélectrique de grille 126 est ensuite déposé de manière conforme, avec une épaisseur sensiblement constante, dans les emplacements 122 de canal et les emplacements 124 des régions de source et de drain, ainsi que sur la couche d'arrêt de gravure 118. Ce diélectrique de grille 126 recouvre notamment toutes les parties de la grille 110 rendues accessibles par les précédentes étapes de gravure. Ce diélectrique de grille 126 comporte avantageusement au moins un matériau diélectrique à forte permittivité (ou « high-k »), c'est-à-dire dont la permittivité diélectrique est supérieure à 3,9, comme par exemple du lif02 ou du ZrO2. Le diélectrique de grille 126 est par exemple déposé par ALD. [0069] Un matériau semimétallique 128 est ensuite formé, par exemple par dépôt, sur le di- électrique de grille 126, remplissant les emplacements 122 de canal et les emplacements 124 des régions de source et de drain. Du matériau semimétallique 128 est également formé sur les parties du diélectrique de grille 126 localisées sur la couche d'arrêt de gravure 118. Le matériau semimétallique 128 comporte avantageusement du bismuth, et est par exemple déposé comme décrit dans le document « Semiconductorto metallic-like behavior in Bi thin films on KC1 substrate », Journal of Applied Physics, 119, 135304, 2016. Le matériau semimétallique 128 peut être dopé ou non. La structure obtenue à ce stade du procédé est visible sur la figure 9 qui est une vue en coupe, dans le même plan de couple que celui de la vue de la figure 8. [0070] Après cette étape, la surface du matériau semimétallique 128 est potentiellement ir- régulière et rugueuse. Une planarisation mécano-chimique du matériau semimétallique 11 128 avec arrêt sur la couche d'arrêt de gravure 118 est alors mise en oeuvre, supprimant la rugosité et les irrégularités du matériau semimétallique 128 déposé. La structure obtenue à ce stade du procédé est représentée sur la figure 10. Sur cette figure 10, la référence 130 désigne les portions du matériau semimétallique 128 formant les régions de source et de drain du transistor 100, et la référence 132 désigne les portions du matériau semimétallique 128 formant le canal du transistor 100. La figure 11 est une vue en coupe, dans un plan parallèle au plan (X,Z) et qui passe par le milieu de la grille 114, représentant la structure obtenue à ce stade du procédé. La figure 12 est une vue en coupe, dans un plan parallèle au plan (Y,Z) et qui passe par l'une des portions 132 formant le canal du transistor 100, représentant également la structure obtenue à ce stade du procédé.. [0071] A cc stade du procédé, le matériau semimétallique 128 est polycristallin. Une cristal- lisation est mise en oeuvre pour rendre cc matériau semimétallique 128 cristallin, et avantageusement monocristallin. Cette cristallisation est mise en oeuvre en déposant, par exemple par ALD, plasma CVD ou CVD, et à basse température pour ne pas faire fondre le matériau semimétallique 128, sur le transistor 100, du côté où est localisée la couche d'arrêt de gravure 118, un matériau diélectrique de recouvrement 134. Ce matériau diélectrique de recouvrement 134 recouvre au moins le matériau semimétallique 128, c'est-à-dire les portions 130 formant les régions de source et de drain et les portions 132 formant le canal du transistor 100. Dans le mode de réalisation particulier décrit ici, le matériau diélectrique de recouvrement 134 recouvre également la couche d'arrêt de gravure 118. Le matériau diélectrique de recouvrement 134 comporte par exemple du SiOn. [0072] Le matériau diélectrique de recouvrement 134 ainsi déposé forme un couvercle enfermant le matériau semimétallique des portions 130, 132 déposé dans les emplacements 122, 124. [0073] Un recuit est ensuite mis en oeuvre à une température supérieure à la température de fusion du matériau semimétallique des portions 130, 132. Lorsque ce matériau semimétallique correspond à du bismuth, ce recuit est mis en oeuvre à une température supérieure à 271°C. [0074] Le bismuth est bien adapté à la mise en oeuvre d'un tel recuit dans lequel le matériau semimétallique est enfermé dans les emplacements 122, 124 car le bismuth a pour propriété de ne pas se dilater lorsqu'il fond. [0075] La structure réalisée est ensuite refroidie, ce qui permet de cristalliser le matériau se- mimétallique. Le matériau semimétallique, ici du bismuth, des portions 132 formant le canal du transistor 100 se cristallise en matériau monocristallin. [0076] Des emplacements de contact de source et de drain 136 sont ensuite gravés, par exemple par gravure anisotrope par plasma (la chimie du plasma utilisé dépend 12 notamment du matériau diélectrique de recouvrement 134) à travers le matériau diélectrique de recouvrement 134, en regard des portions 130 formant les régions de source et de drain. Ces emplacements 136 débouchent sur le matériau sernimétallique cristallisé des portions 130. Ces emplacements 136 sont visibles sur la figure 13 qui est une vue en coupe, dans le même plan de coupe que celui de la vue de la figure 9, de la structure obtenue à ce stade du procédé. [0077] Un emplacement de contact de grille 138 est également gravé à travers le matériau diélectrique de recouvrement 134 et la couche d'arrêt de gravure 118, en regard d'une portion de la grille 114 qui n'est pas localisée sous les portions 132 formant le canal du transistor 100. Cet emplacement 138 débouche sur une partie de la portion 112 de la grille 114, comme cela est visible sur la figure 14 qui est une vue en coupe, dans le même plan de coupe que celui de la vue de la figure 11, du transistor 100. [0078] Un matériau électriquement conducteur, par exemple métallique, est ensuite déposé de façon à remplir les emplacements 136, 138. Les parties de cc matériau électriquement conducteur se trouvant en dehors des emplacements 136, 138, sur le matériau diélectrique de recouvrement 134, est supprimé, par exemple par gravure ou planarisation mécano-chimique. Le matériau électriquement conducteur se trouvant dans les emplacements 136 forme des contacts électriques 140 des régions de source et de drain 130, et le matériau électriquement conducteur se trouvant dans l'emplacement 138 forme un contact électrique 142 de la grille 114. Ces contacts électriques 140, 142 sont visibles sur la figure 15 qui est une vue en coupe, dans le même plan de couple que celui de la vue de la figure 13, du transistor 100, et sur la figure 16 qui est une vue en coupe, clans le même plan de coupe que celui de la vue de la figure 14, du transistor 100. [0079] La figure 17 représente une vue en perspective de la structure du transistor 100 ainsi réalisé, sur laquelle le substrat 102, la couche diélectrique enterrée 104, le matériau diélectrique d'isolation 116, la couche d'arrêt de gravure 118 et le matériau diélectrique de recouvrement 134 ne sont pas représentés. [0080] Dans le mode de réalisation particulier précédemment décrit, la grille 114 comporte deux matériaux électriquement conducteurs distincts, celui de la portion 112 pouvant être gravé sélectivement pal- rapport à celui de la portion 110, ce qui facilite la réalisation des emplacements 122 du canal du transistor 100. En variante, il est possible que la grille 114 ne comporte qu'un seul matériau électriquement conducteur. Dans ce cas, il est possible que la gravure des emplacements 122 soit réalisée dans une partie de l'épaisseur de ce matériau. 13 REVENDICATIONS[Revendication 1] Procédé dc réalisation d'au moins un transistor (100), comprenant au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : -réalisation, sur un substrat (102, 104), d'au moins une grille (114) entourée latéralement par au moins un matériau diélectrique d'isolation (116) ; -dépôt d'au moins unc couche d'arrêt de gravure (118) sur la grille (114) et le matériau diélectrique d'isolation (116) ; -gravure dc la couche d'arrêt dc gravure (118) conformément à au moins un motif d'une zone active (130, 132) du transistor (100), formant au moins une partie d'un emplacement (122) de canal localisé sur une partie de la grille (114) ; -gravure du matériau diélectrique d'isolation (116) localisé dans le motif de la zone active (130, 132), formant des emplacements (124) de régions de source et de drain ; -réalisation d'au moins un matériau semimétallique (128) dans l'emplacement (122) de canal et dans les emplacements (124) des régions de source et de drain ; -planarisation du matériau semimétallique (128) avec arrêt sur la couche d'arrêt de gravure (118) ; -cristallisation du matériau semimétallique (128), formant le canal (132) et les régions de source et de drain (130) du transistor (100) ; et dans lequel le canal (132) comporte des dimensions telles que le matériau semimétallique (128) du canal (132) ait des caractéristiques électriques d'un matériau semi-conducteur, et les régions de source et de drain (130) comportent des dimensions telles que le matériau semimétallique (128) des régions de source et de drain (130) ait des caractéristiques électriques d'un matériau électriquement conducteur. [Revendication 2] Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau semimétallique (128) comporte du bismuth. [Revendication 3] Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la grille (114) est réalisée en mettant en oeuvre au moins les étapes suivantes : -dépôt d'au moins une couche électriquement conductrice (106, 108) sur le substrat (102, 104) ; -gravure de la couche électriquement conductrice (106, 108) telle qu'au moins une portion restante (110, 112) de la couche électriquement conductrice (106, 108) forme la grille (114). 14 [Revendication 4] [Revendication 5] [Revendication 6] [Revendication 7] [Revendication 8] Procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre, entre la gravure de la couche d'arrêt de gravure (118) et la gravure du matériau diélectrique d'isolation (116), la mise en oeuvre d'une étape de gravure, dans le motif de la zone active (130, 132), d'une partie de l'épaisseur de la grille (114) telle que l'emplacement (122) de canal soit localisé sur au moins une portion restante de la grille (114). Procédé selon la revendication 4, dans lequel : -la grille (114) comporte au moins des premier et deuxième matériaux électriquement conducteurs (110, 112) superposés tels que le premier matériau électriquement conducteur (110) soit disposé entre le substrat (102, 104) et le deuxième matériau électriquement conducteur (112) ; -la partie de l'épaisseur de la grille (114) gravée correspond à au moins une portion du deuxième matériau électriquement conducteur (112) localisée dans le motif de la zone active (130, 132). Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le canal (132) comporte plusieurs nanofils du matériau semimétallique (128) s'étendant entre les régions de source et de drain (130) et comprenant chacun des dimensions telles que le matériau semimétallique (128) de chaque nanofil ait des caractéristiques électriques d'un matériau semiconducteur. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la cristallisation du matériau semimétallique (128) comporte la mise en oeuvre des étapes suivantes : -dépôt d'au moins un matériau diélectrique de recouvrement (134), recouvrant au moins le matériau semimétallique (128) ; -recuit à une température supérieure à la température de fusion du matériau semimétallique (128). Procédé selon la revendication 7, comportant en outre, après le recuit, la mise en oeuvre des étapes suivantes : -gravure, à travers le matériau diélectrique de recouvrement (134) et en regard des régions de source et de drain (130), d'emplacements (136) de contacts de source et de drain ; -gravure, à travers le matériau diélectrique de recouvrement (134) et la couche d'arrêt de gravure (118) et en regard d'une portion de la grille (114), d'au moins un emplacement (138) de contact de grille ; -dépôt d'au moins un matériau électriquement conducteur (140, 142) dans les emplacements (136) de contacts de source et de drain et dans l'emplacement (138) de contact de grille. 15 [Revendication 9] [Revendication 10] [Revendication 11] [Revendication 12] Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel : -la réalisation du matériau semimétallique (128) est précédée d'un dépôt d'un diélectrique de grille (126) dans l'emplacement (122) de canal et dans les emplacements (124) des régions de source et de drain, le matériau semimétallique (128) étant réalisé ensuite sur le diélectrique de grille (126) ; -l'étape de planarisation supprime en outre des portions du diélectrique de grille (126) localisées sur la couche d'arrêt de gravure (118). Procédé selon la revendication 9, dans lequel le diélectrique de grille (126) comporte au moins un matériau diélectrique dont la constante diélectrique est supérieure à 3,9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat comporte une couche support de semi-conducteur (102) et une couche diélectrique (104) telles que la couche diélectrique (104) soit disposée entre la grille (114) et la couche support de semi-conducteur (102) et entre le matériau diélectrique d'isolation (116) et la couche support de semi-conducteur (102). Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel : -le motif de la zone active (130, 132) est défini par un masque de gravure (120) réalisé sur la couche d'arrêt de gravure (118) entre le dépôt de la couche d'arrêt de gravure (118) et la gravure de la couche d'arrêt de gravure (118) ; -le masque de gravure (120) est retiré entre la gravure du matériau diélectrique d'isolation (116) et le dépôt du matériau semimétallique (128).