FR 3102593 A1 20210430 FR 1911994 A 20191025 Procédé simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche métallique sur une plaquette, et système correspondant Procédé de simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche d’un matériau métallique, comprenant : - une obtention des paramètres d’une rampe de courant, - une obtention (S01) à partir de données de référence d’un profil illustrant une efficacité, - une première phase de simulation (S02) comprenant une première pluralité d’étapes, chaque étape de la première pluralité d’étapes comprenant une simulation du dépôt au sein d’une région annulaire de ladite surface de la plaquette associée à l’étape, - une deuxième phase de simulation (S03) comprenant une deuxième pluralité d’étapes, chaque étape de la deuxième pluralité d’étapes comprenant une simulation pour une durée donnée d’un dépôt sur ladite surface utilisant le profil et la rampe, - une compilation (S04) des résultats de la première phase et de la deuxième phase de simulation. Figure pour l’abrégé : Fig. 1. Procédé simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche métallique sur une plaquette, et système correspondant L’invention concerne le domaine de l’électrodéposition de matériaux métalliques sur des plaquettes (« wafer » en langue anglaise) comprenant un matériau semi-conducteur. Elle concerne plus particulièrement la simulation de l’électrodéposition de ces matériaux métalliques, principalement le cobalt. Les dispositifs semi-conducteurs comprennent des interconnections métalliques conductrices tels que des pistes métalliques et des vias reliant différents niveaux d'intégration. La fabrication des interconnections comprend la gravure de structures dans un matériau diélectrique placé au-dessus d’une couche semi-conductrice, le dépôt d’une couche formant une barrière, le dépôt d’une couche de germination, et enfin le dépôt d’une couche métallique pour remplir les structures. La couche formant une barrière et la couche de germination sont typiquement déposées au moyen de dépôts chimiques en phase vapeur, tandis que la couche métallique est déposée au moyen d’une électrodéposition. Ce procédé est généralement appelé procédé Damascène. Il a été observé que l’électrodéposition de certains matériaux et en particulier du cobalt peut conduire à des variations de l’épaisseur de la couche déposée au sein de la plaquette. Cette variation de l’épaisseur, ou non-uniformité, peut entrainer des défaillances du procédé de fabrication du circuit intégré pour lequel on fabrique une interconnexion métallique. Pour mettre en œuvre l’électrodéposition, on applique un courant en un emplacement de la plaquette et l’on fait varier l’intensité de ce courant pendant une durée choisie de sorte qu’une rampe de courant est appliquée. La détermination des paramètres de la rampe de courant a été observée comme ayant un impact sur les variations de l’épaisseur de la couche métallique. Il apparaît qu’il existe un besoin pour des méthodes qui simulent le dépôt par électrodéposition, pour écarter des valeurs de paramètres qui pourraient conduire à des variations d’épaisseur qui ne sont pas acceptables. L’invention propose dans ce contexte un procédé de simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche d’un matériau métallique sur une surface d’une plaquette comprenant un matériau semi-conducteur, comprenant : - une obtention des paramètres d’une rampe de courant à appliquer pendant le dépôt, - une obtention à partir de données de référence d’un profil illustrant une efficacité pour la réaction d’électrodéposition du courant appliqué par rapport à la densité surfacique du courant appliqué par la rampe de courant, - une première phase de simulation comprenant une première pluralité d’étapes, chaque étape de la première pluralité d’étapes comprenant une simulation du dépôt en prenant en compte la propagation du dépôt à la surface de la plaquette (c’est-à-dire comment le dépôt se fait progressivement en fonction du temps à la surface de la plaquette) dans une région annulaire de ladite surface de la plaquette associée à l’étape et utilisant le profil et les paramètres de la rampe, la plaquette étant divisée en plusieurs régions annulaires concentriques données toutes associées à une étape de la première pluralité d’étapes, - une deuxième phase de simulation comprenant une deuxième pluralité d’étapes, chaque étape de la deuxième pluralité d’étapes comprenant une simulation pour une durée donnée d’un dépôt sur ladite surface utilisant le profil et la rampe, - une compilation des résultats de la première phase et de la deuxième phase de simulation. L’obtention des paramètres d’une rampe de courant peut comporter l’obtention d’une valeur d’intensité initiale, d’une valeur d’intensité finale (typiquement supérieure à la valeur d’intensité initiale, et d’une durée pendant laquelle l’intensité va varier (par exemple linéairement) entre la valeur initiale et la valeur finale. Cette obtention peut être réalisée au moyen d’une réception de ces valeurs depuis une interface humain machine. On notera que la réaction chimique associée à l’électrodéposition s’opère uniquement lorsqu’un courant est appliqué. Les étapes ultérieures de simulation simulent des dépôts au cours de l’élévation du courant. L’efficacité pour la réaction d’électrodéposition du courant appliqué par rapport à la densité surfacique de courant appliqué est une valeur connue en soi de l’homme du métier sous l’expression anglo-saxonne « current efficiency ». Cette valeur présente la proportion des charges appliquées qui contribuent réellement à l’électrodéposition. En fait, pour 100 charges circulant sur une surface, un pourcentage donné inférieur à 100 indique le nombre de charge qui participent réellement à la réaction. L’électrodéposition sur une plaquette se produit généralement en deux phases. Le contact électrique pour appliquer le courant étant situé en bord de plaquette, les zones à la périphérie de la plaquette sont celles où le dépôt de fait d’abord. Cela résulte de la résistivité des couches sur lesquelles on va déposer le matériau métallique. Au cours d’une première phase, le dépôt progresse de l’extérieur vers l’intérieur de la plaque jusqu’à atteindre le centre du fait de la résistivité ; cette phase peut être appelée phase de propagation (en français et en anglais). Au cours d’une deuxième phase, le dépôt est facilité par la réduction de la résistivité du support qui contient déjà du métal, et on dépose une épaisseur de matériau métallique plus importante que nécessaire ; cette phase peut être appelée phase de surcharge (« overburden » en anglais). Une simulation en deux phases permet donc de bien représenter une électrodéposition sur une plaquette. Dans la première phase, on tient compte de la propagation du dépôt en mettant en œuvre plusieurs simulations qui seront adaptées pour des anneaux (i.e. des régions annulaires) concentriques de la surface de la plaquette. Typiquement, ces simulations peuvent utiliser une formule qui lie la valeur de courant et la surface concernée, et cette formule peut être propre à chaque anneau (et donc à chaque étape). La prise en compte de la propagation peut comporter la détermination des instants de début et de fin de chaque étape de la première phase. Par exemple, l’instant de début est celui où la propagation atteint le bord extérieur de la région annulaire et l’instant de fin est celui où la propagation atteint le bord intérieur de la région annulaire. Cela peut par exemple être déterminé au moyen d’une vitesse de propagation (qui peut éventuellement varier en fonction du courant appliqué). Dans une deuxième phase, on peut mettre en œuvre des étapes de simulations plus simple pour toute la plaquette, du fait de la baisse de résistivité de l’intégralité du support pour le dépôt (une unique formule est utilisée pour toute la plaquette). La compilation des résultats peut comporter une addition des résultats, et ces résultats peuvent être des valeurs d’épaisseur de matériau métallique déposé, ou encore des quantités ou distributions de charges déposées. On notera que les notions de quantité/distribution de charges ou d’épaisseur de matériau sont analogues car ces valeurs sont liées. Selon un mode de mise en œuvre particulier, l’obtention du profil comporte une obtention d’au moins une valeur d’un paramètre susceptible d’affecter la réaction chimique et une association de ladite au moins une valeur auxdites données de référence. Les données de référence peuvent être des profils de référence, chaque profil de référence étant associé à une valeur du paramètre. Selon un mode de mise en œuvre particulier, ledit au moins un paramètre est choisi dans le groupe comportant une vitesse de rotation de la plaquette pendant l’électrodéposition, un taux de dilution, et un pH. Il a été observé par les inventeurs de la présente invention que ces trois paramètres ont un impact significatif sur l’efficacité du courant. Cela est tout particulièrement le cas pour la dilution. Cette vitesse de rotation de la plaquette est la vitesse de rotation au cours de l’électrodéposition, le taux de dilution est le taux de dilution de l’électrolyte utilisé, et le pH est celui de l’électrolyte utilisé. Selon un mode de mise en œuvre particulier, le procédé comprend en outre une étape de détermination d’une vitesse de propagation du dépôt entre le bord périphérique de la plaquette et le centre de la plaquette, pour en déduire une durée de simulation associée à chaque étape de la première pluralité d’étapes, et/ou pour en déduire un nombre d’étape pour la deuxième pluralité d’étapes. Pour la première phase de simulation, on peut utiliser un nombre donnée d’étapes. La durée de ces étapes dépend de cette vitesse de propagation et s’étend jusqu’à ce que le centre soit atteint. Pour la deuxième phase, si chaque étape a une durée donnée, la vitesse de propagation donnera le nombre de ces étapes également car elle indique l’instant de départ (le centre atteint) de la phase. La deuxième phase se termine à la fin de la rampe de courant. Selon un mode de mise en œuvre particulier, chaque étape de la première pluralité d’étape comporte une estimation d’une distribution de charges à déposer au cours de l’étape à partir des paramètres de la rampe et d’une fonction tenant compte de la position de la région annulaire associée à l’étape, et un traitement de cette distribution au moyen du profil. Ce traitement peut être une multiplication par les valeurs du profil, éventuellement après une conversion des valeurs à multiplier. Ceci permet de s’approcher très précisément de la valeur réelle de l’épaisseur déposée. Par exemple, la fonction peut être une fonction qui indique une densité de courant par rapport à une position sur la plaquette, et chaque région annulaire est associée à une fonction qui lui est propre. Selon un mode de mise en œuvre particulier, chaque étape de la deuxième pluralité d’étape comporte une estimation d’une distribution de charges à déposer pendant ladite durée donnée, une détermination de la contribution des charges déposées précédemment pour en déduire distribution de charges à déposer finale, et un traitement de la distribution de charge à déposer finale au moyen du profil. Selon un mode de mise en œuvre particulier, la première phase comporte une détermination de l’état recouvert ou non du centre de la plaquette à la fin de la première phase. Cette détermination permet de vérifier que la première phase de propagation est bien finie à la fin de la première phase de simulation. Selon un mode de mise en œuvre particulier, le matériau métallique est du cobalt. Il a été observé par les inventeurs que le dépôt par électrodéposition du cobalt est particulièrement difficile à réaliser car il conduit à de fortes non-uniformités. Il est donc très intéressant de simuler le dépôt du cobalt par électrodéposition. Selon un mode de mise en œuvre particulier, le profil est défini une courbe à trois points. Cette définition permet de limiter le nombre de données à stocker et à traiter et simplifie grandement la mise en œuvre du procédé. Selon un mode de mise en œuvre particulier, le procédé comprend en outre un calcul d’un taux de non-uniformité. Ce taux de non-uniformité peut être défini comme le rapport entre l’écart type et la moyenne des épaisseurs déposées. Il est également proposé un procédé d’électrodéposition sur la base des paramètres de rampe utilisés au cours de la mise en œuvre d’un procédé de simulation. Typiquement, on utilisera des paramètres qui ont donné des résultats satisfaisants au cours du procédé de simulation, par exemple en termes de taux de non-uniformité. Il est également proposé un système de simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche d’un matériau métallique sur une surface d’une plaquette comprenant un matériau semi-conducteur, comprenant : - un module d’obtention des paramètres d’une rampe de courant à appliquer pendant le dépôt, - un module d’obtention à partir de données de référence d’un profil illustrant une efficacité pour la réaction d’électrodéposition du courant appliqué par rapport à la densité surfacique du courant appliqué par la rampe de courant, - un premier module de simulation configuré pour mettre en œuvre une première pluralité d’étapes, chaque étape de la première pluralité d’étapes comprenant une simulation du dépôt en prenant en compte la propagation du dépôt à la surface de la plaquette dans une région annulaire de ladite surface de la plaquette associée à l’étape et utilisant le profil et les paramètres de la rampe, la plaquette étant divisée en plusieurs régions annulaires concentriques données toutes associées à une étape de la première pluralité d’étapes, - un deuxième module de simulation configuré pour mettre en œuvre une deuxième pluralité d’étapes, chaque étape de la deuxième pluralité d’étapes comprenant une simulation pour une durée donnée d’un dépôt sur ladite surface utilisant le profil et la rampe, - un module de compilation des résultats de provenant du premier et du deuxième module de simulation. Ce système peut être configuré pour la mise en œuvre de tous les modes de mise en œuvre du procédé tel que défini ci-avant. L’invention propose également un programme d’ordinateur comportant des instructions pour l’exécution des étapes d’un procédé tel que défini ci-avant lorsque ledit programme est exécuté par un ordinateur. A noter que les programmes d’ordinateur mentionnés dans le présent exposé peuvent utiliser n’importe quel langage de programmation, et être sous la forme de code source, code objet, ou de code intermédiaire entre code source et code objet, tel que dans une forme partiellement compilée, ou dans n’importe quelle autre forme souhaitable. L’invention propose également un support d’enregistrement lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré un programme d’ordinateur comprenant des instructions pour l’exécution des étapes d’un procédé tel que défini ci-avant. Les supports d’enregistrement (ou d’information) mentionnés dans le présent exposé peuvent être n'importe quelle entité ou dispositif capable de stocker le programme. Par exemple, le support peut comporter un moyen de stockage, tel qu'une ROM, par exemple un CD ROM ou une ROM de circuit microélectronique, ou encore un moyen d'enregistrement magnétique, par exemple une disquette (floppy disc) ou un disque dur. D'autre part, les supports d’enregistrement peuvent correspondre à un support transmissible tel qu'un signal électrique ou optique, qui peut être acheminé via un câble électrique ou optique, par radio ou par d'autres moyens. Le programme selon l'invention peut être en particulier téléchargé sur un réseau de type Internet. Alternativement, les supports d’enregistrement peuvent correspondre à un circuit intégré dans lequel le programme est incorporé, le circuit étant adapté pour exécuter ou pour être utilisé dans l'exécution du procédé en question. La figure 1 représente les étapes d’un procédé selon un exemple. La figure 2 représente de manière plus détaillée la première phase de simulation. La figure 3 représente de manière plus détaillée la deuxième phase de simulation. La figure 4 est une représentation schématique d’un système selon un exemple. La figure 5 est une vue d’une interface pouvant être utilisée pour mettre en œuvre un procédé selon un exemple. La figure 6 est une autre vue d’une interface pouvant être utilisée pour mettre en œuvre un procédé selon un exemple. On va maintenant décrire les étapes d’un procédé de simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche d’un matériau métallique Ce procédé peut être mise ne œuvre dans le cadre d’un procédé de fabrication d’un circuit intégré, et plus précisément dans le cadre de la fabrication d’interconnexions du circuit intégré. Par exemple, la couche métallique peut être la couche métallique d’un procédé Damascène dans lequel on fabrique simultanément des vias et des pistes métalliques. La surface sur laquelle on met en œuvre l’électrodéposition peut comprendre des couches formant barrière et des couches de germination. Dans la présente description, on peut appeler cette surface le substrat. Il en découle que les étapes simulées par le procédé sont mises en œuvre sur des plaquettes comprenant un matériau semi-conducteur tel que du silicium. Ces plaquette étant des disques sensiblement circulaires avec éventuellement des encoches et des bords tronqués, par exemple ayant un diamètre de 300 millimètres. Aussi, sur ces plaquettes sensiblement circulaires, l’électrodéposition a été observée comme se produisant d’abord sur les bords des plaquettes avant que le centre des plaquettes ne soit atteint. Cela résulte de la résistivité élevée des couches sur lesquelles le matériau métallique doit être déposé. Ce dépôt progressif dans l’espace peut entrainer des différences d’épaisseur de la couche de matériau métallique ou des non-uniformités, et cela s’observe encore plus avec des matériaux d’interconnexion modernes tels que le cobalt. Sur la figure 1, un procédé qui permet de simuler un dépôt par électrodéposition est représenté. Ce procédé permet de déterminer si des paramètres de l’électrodéposition peuvent conduire ou non à des non-uniformités acceptables, pour ensuite réaliser l’électrodéposition sur une plaquette. Ce procédé peut être mis en œuvre par un système informatique, par exemple par un ordinateur ou un serveur. Pour mettre en œuvre ce procédé, on obtient des paramètres d’une rampe de courant tels qu’une valeur d’intensité initiale en ampères, une valeur d’intensité finale en ampères (typiquement supérieure à la valeur d’intensité initiale) et une durée pendant laquelle l’intensité va varier (par exemple linéairement) entre la valeur initiale et la valeur finale. cette obtention peut être réalisée au moyen d’une réception de ces valeurs depuis une interface humain machine sur l’ordinateur mettant en œuvre le procédé ou sur un ordinateur distant si le procédé est mis en œuvre sur un serveur. Le procédé utilise également des paramètres de la réaction d’électrodéposition, c’est-à-dire des paramètres susceptibles d’affecter la réaction chimique. Ici, ces paramètres sont la vitesse de rotation de la plaquette pendant l’électrodéposition (en tour par minute), un taux de dilution (par exemple de la solution électrolytique, en pourcentage), et un pH (par exemple celui de la solution électrolytique). Ces paramètres de la réaction permettent de mettre en œuvre une étape S01 d’obtention d’un profil illustrant une efficacité pour la réaction d’électrodéposition du courant appliqué par rapport à la densité surfacique du courant appliqué par la rampe de courant (« current efficiency » en langue anglaise). Par exemple, un profil peut être une courbe qui montre l’évolution d’un pourcentage par rapport à une densité surfacique exprimée en milliampère par centimètre carré. En fait, on peut avoir plusieurs profils enregistrés correspondant chacun à des paramètres différents. Un système de table de correspondance pourra être utilisé. Les profils enregistrés peuvent être obtenus par des étapes préalables de test. Avec le profil, on peut mettre en œuvre une première phase de simulation S02 une première pluralité d’étapes, chaque étape de la première pluralité d’étapes comprenant une simulation du dépôt en prenant en compte la propagation du dépôt à la surface de la plaquette dans une région annulaire de ladite surface de la plaquette associée à l’étape et utilisant le profil et les paramètres de la rampe, la plaquette étant divisée en plusieurs régions annulaires concentriques données toutes associées à une étape de la première pluralité d’étapes. Préférentiellement, on met en œuvre tout d’abord l’étape associée à la région annulaire située à la périphérie de la plaque puis, successivement, on met en œuvre les étapes associées à des régions annulaires de plus en plus proches du centre pour terminer par la région centrale. On peut noter que la première phase de simulation S02 correspond à la phase dite de propagation. Cette phase de propagation est notamment décrite dans le document « Nanostructure Science and Technology » de K. Kondo dans le contexte d’un dépôt de cuivre. La première phase de simulation S02 sera décrite plus en détail ci-après en référence à la figure 2. Ultérieurement, on met en œuvre une deuxième phase S03 de simulation comprenant une deuxième pluralité d’étapes, chaque étape de la deuxième pluralité d’étapes comprenant une simulation pour une durée donnée d’un dépôt sur ladite surface utilisant le profil et la rampe. Cette deuxième phase de simulation S03 sera décrite plus en détail en référence à la figure 3, et elle concerne la phase dite d’« overburden ». Ensuite, on peut mettre en œuvre une compilation des résultats de la première phase et de la deuxième phase dans une étape S04, qui peut consister à additionner les épaisseurs déterminées par simulation dans chaque phase, ou de manière analogue les charges déposées dans chaque phase (ce qui permet de déduire l’épaisseur finale). En fait, dans l’étape suivante S05, on détermine le profil d’épaisseur, par exemple selon un rayon de la plaquette (on considère que le dépôt est mise en œuvre de sorte que la plaquette présente un axe de symétrie orthogonale à sa surface et passant par son centre). Ensuite, dans une dernière étape S06, on peut calculer une non-uniformité à partir du profil d’épaisseur de l’étape S05. La non-uniformité est obtenue en calculant le rapport entre l’écart type et la moyenne des épaisseurs déposées. Sur la figure 2, on a représenté de manière plus détaillée les étapes d’une première phase de simulation S02 décrite en référence à la figure 1. Dans une première étape S10, on détermine une vitesse de propagation de la réaction d’électrodéposition au sein de la plaquette depuis le bord de la plaquette vers le centre au moyen par exemple de la formule suivante : Avec, respectivement, la vitesse de propagation, le courant, et quatre variables dont la valeur peut être déterminée au cours d’une phase de calibration : L’invention n’est néanmoins nullement limitée à une forme polynomiale pour déterminer la vitesse de propagation. Cette détermination de la vitesse permet de connaître les instants de début et de fin d’une première pluralité d’étapes de simulation au cours de la phase de propagation, c’est-à-dire celle au cours de laquelle on cherche à atteindre le centre de la plaquette. On pourra par exemple travailler avec 10 étapes de simulation, toutes associées à des régions annulaires concentriques de la surface de la plaquette, qui ne se chevauchent pas. La détermination de la vitesse permet de déterminer les instants de départ et de fin de chaque étape de ces dix étapes. On peut alors mettre en œuvre une première étape S20 de la première pluralité d’étapes. Dans cette étape, on met tout d’abord en œuvre une estimation S200 de la distribution de charges à déposer au sein de la région annulaire associée à l’étape S20, ici celle située à la périphérie de la plaquette. Cela peut être réalisé en tenant compte de la rampe de courant, et éventuellement des paramètres affectant la réaction chimique mentionnés ci-avant. A titre indicatif, on pourra utiliser une valeur de densité de courant dans la plaque qui décroit au fur et à mesure que l’on se rapproche du centre de la plaquette. La durée et la valeur du courant appliqué, qui dépend des instants de début et de fin de l’étape, donne la distribution des charges sur toute la surface de la plaquette, mais au moyen d’une fonction propre à l’étape S20. Par exemple, la densité de courant peut être de la forme suivante : Avec f une variable dont la valeur peut être déterminée au cours d’une étape de calibration et x la distance entre le bord de la plaquette et le centre. C’est cette fonction qui est propre à l’étape S20 et à la région annulaire de cette étape. On obtient ainsi une distribution des charges à déposer au cours de l’étape S20. Pour affiner cette distribution, on tient compte (étape S201) du profil de « current efficiency » déterminé à l’étape S01 décrite ci-avant. On peut alors effectuer un produit de ce profil (éventuellement converti) avec la distribution des charges. Ensuite, on peut mettre en œuvre l’étape S21 qui concerne la région annulaire adjacente à celle de l’étape S20 dans la direction du centre de la plaquette. Ici, l’étape S210 d’estimation de la distribution de charges à déposer peut se faire au moyen de la formule suivante pour la densité de courant : Avec g une variable dont la valeur peut être déterminée au cours d’une étape de calibration et lim l’emplacement à partir duquel la région annulaire de l’étape S21 commence (son bord extérieur mesuré depuis le bord de la plaquette). La fonction ci-dessus est celle associée à l’étape S21 et à la région annulaire associée. L’étape S211 est ensuite analogue à l’étape S201. On traite ainsi toutes les régions annulaires jusqu’à atteindre la région la plus au centre (qui peut être un disque) dans l’étape S29 avec des étapes S290 et S291 respectivement analogues aux étapes S210 et S211. On peut ensuite additionner toutes les distributions de charges des 10 étapes S20 à S29. A l’étape S40, on peut vérifier si le centre est recouvert ou non, typiquement en vérifiant qu’une quantité de matériau métallique sera déposée supérieure à un seuil d’épaisseur est atteinte. La figure 3 est une représentation plus détaillée des étapes d’une deuxième phase de simulation S03 décrite en référence à la figure 1. Ici, une deuxième pluralité d’étapes est mise en œuvre, et cette deuxième pluralité contient des étapes de durée fixe, mais leur nombre dépend de la rampe de courant et de l’instant de fin de la première phase déterminé au moyen de la vitesse de propagation. Dans une première étape S60, on estime une distribution de charges à déposer à partir de la rampe de courant et de la durée de l’étape. Ensuite, dans une étape S70, on tient compte des charges déjà déposées, qui peuvent avoir une contribution en exponentielle décroissante par rapport à la charge déjà déposée, qui varie aussi en fonction du temps, par exemple au cours de la première phase. Cela permet d’avoir une distribution des charges à déposer plus proche de la réalité. En fait, si beaucoup de charges ont été déposées, le substrat est moins résistif et s’il est moins résistif, plus de charges seront déposées. On met ensuite en œuvre un traitement utilisant le profil dans l’étape S80, de manière analogue aux étapes S201, S211, et S291 décrites ci-avant. Ensuite, il est déterminé s’il reste encore des étapes de simulation à mettre en œuvre et si tel est le cas on recommence à l’étape S60. Sinon, on peut compiler les résultats par l’étape S04. Sur la figure 4, on a représenté un système 100, par exemple un système informatique, configuré pour mettre en œuvre le procédé tel que décrit en référence aux figures 1 à 3. Ce système peut être un ordinateur ou un serveur (en particulier si une interface humain machine associée est sur un ordinateur distant). Il comprend un processeur 101 et une mémoire non-volatile 102 qui contient des instructions de programme d’ordinateur exécutables par le processeur 101. Dans la mémoire non-volatile 102, on a notamment : - des instructions 103 pour obtenir des paramètres d’une rampe de courant à appliquer pendant le dépôt, qui forment un module d’obtention avec le processeur 101, - des instructions 104 pour obtenir à partir de données de référence d’un profil illustrant une efficacité pour la réaction d’électrodéposition du courant appliqué par rapport à la densité surfacique du courant appliqué par la rampe de courant, qui forment un autre module d’obtention avec le processeur 101, - des instructions 105 pour mettre en œuvre une première phase de simulation comprenant une première pluralité d’étapes, chaque étape de la première pluralité d’étapes comprenant une simulation du dépôt au sein d’une région annulaire de ladite surface de la plaquette associée à l’étape et utilisant le profil et les paramètres de la rampe, la plaquette étant divisée en plusieurs régions annulaires concentriques données toutes associées à une étape de la première pluralité d’étapes, qui forment un premier module de simulation avec le processeur 101, - des instructions 106 pour mettre en œuvre une deuxième phase de simulation comprenant une deuxième pluralité d’étapes, chaque étape de la deuxième pluralité d’étapes comprenant une simulation pour une durée donnée d’un dépôt sur ladite surface utilisant le profil et la rampe, qui forment un deuxième module de simulation avec le processeur 101, - des instructions 107 pour compiler des résultats de la première phase et de la deuxième phase de simulation, qui forment un module de compilation avec le processeur 101. La figure 5 est un exemple d’interface pouvant être utilisée pour mettre en œuvre l’invention sur un ordinateur. Dans la moitié gauche de l’interface, on peut saisir des valeurs de courant I1, I2, et une durée pour la rampe notée Duration. On peut également saisir des paramètres qui affectent la réaction chimique comme la vitesse de rotation notée RPM, la dilution, ou encore le pH. Dans la moitié gauche, on voit un premier graphique qui illustre l’évolution du courant en fonction du temps, c’est-à-dire la rampe de courant, et un deuxième graphique qui illustre l’efficacité du courant (ou « current efficiency », ici notée CE) en fonction de la densité de courant appliquée par unité de surface (notée J). Dans la moitié droite de l’interface, on voit un graphique qui illustre l’épaisseur déposée en nanomètres selon que l’efficacité du courant est prise en compte ou non, ainsi que des informations relatives à la non-uniformité (avec « Current efficiency » : « w/CE corr » et sans « W/o CE corr »), ainsi qu’une information sur le caractère recouvert du centre (« YES ») et un instant qui indique le début de la deuxième phase de simulation (celui à partir duquel le centre a été atteint). La figure 6 présente une autre interface, pour des valeurs de paramètres affectant la réaction qui ont été changés. On observe dans le profil d’efficacité une chute après 10 milliampères par centimètre carré, ce qui correspond à un phénomène que l’homme du métier peut appeler « J drop ». Après cette chute, on voit que l’efficacité est stable pour différentes valeurs de densité de courant. Cela permet d’obtenir un dépôt uniforme en épaisseur même si la résistivité du substrat change, et est particulièrement intéressant pour les dépôts en périphérique de plaquette. Le procédé tel que décrit ci-avant permet donc de vérifier que des paramètres électriques ou chimiques du procédé d’électrodéposition sont utilisables pour réaliser une électrodéposition sur une vraie plaquette. En fait, l’invention concerne également un procédé d’électrodéposition à partir de valeurs utilisées dans un procédé de simulation. Procédé de simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche d’un matériau métallique sur une surface d’une plaquette comprenant un matériau semi-conducteur, comprenant : - une obtention des paramètres d’une rampe de courant à appliquer pendant le dépôt, - une obtention (S01)à partir de données de référence d’un profil illustrant une efficacité pour la réaction d’électrodéposition du courant appliqué par rapport à la densité surfacique du courant appliqué par la rampe de courant, - une première phase de simulation (S02) comprenant une première pluralité d’étapes, chaque étape de la première pluralité d’étapes comprenant une simulation du dépôt en prenant en compte la propagation du dépôt à la surface de la plaquette dans une région annulaire de ladite surface de la plaquette associée à l’étape et utilisant le profil et les paramètres de la rampe, la plaquette étant divisée en plusieurs régions annulaires concentriques données toutes associées à une étape de la première pluralité d’étapes, - une deuxième phase de simulation (S03) comprenant une deuxième pluralité d’étapes, chaque étape de la deuxième pluralité d’étapes comprenant une simulation pour une durée donnée d’un dépôt sur ladite surface utilisant le profil et la rampe, - une compilation (S04) des résultats de la première phase et de la deuxième phase de simulation. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’obtention du profil comporte une obtention d’au moins une valeur d’un paramètre susceptible d’affecter la réaction chimique et une association de ladite au moins une valeur auxdites données de référence. Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit au moins un paramètre est choisi dans le groupe comportant une vitesse de rotation de la plaquette pendant l’électrodéposition, un taux de dilution, et un pH. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre une étape de détermination (S10) d’une vitesse de propagation (Vp) du dépôt entre le bord périphérique de la plaquette et le centre de la plaquette, pour en déduire une durée de simulation associée à chaque étape de la première pluralité d’étapes, et/ou pour en déduire un nombre d’étape pour la deuxième pluralité d’étapes. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque étape (S20, S21, …, S29) de la première pluralité d’étape comporte une estimation (S200, S210,…, S290) d’une distribution de charges à déposer au cours de l’étape à partir des paramètres de la rampe et d’une fonction tenant compte de la position de la région annulaire associée à l’étape, et un traitement (S201, S211, …, S291) de cette distribution au moyen du profil. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque étape de la deuxième pluralité d’étape comporte une estimation (S60) d’une distribution de charges à déposer pendant ladite durée donnée, une détermination (S70) de la contribution des charges déposées précédemment pour en déduire distribution de charges à déposer finale, et un traitement (S80) de la distribution de charge à déposer finale au moyen du profil. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première phase comporte une détermination (S40) de l’état recouvert ou non du centre de la plaquette à la fin de la première phase. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le matériau métallique est du cobalt. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le profil est défini une courbe à trois points. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre un calcul d’un taux de non-uniformité (S06). Procédé d’électrodéposition sur la base des paramètres de rampe utilisés au cours de la mise en œuvre d’un procédé de simulation selon l’une quelconque des revendications 1 à 10. Système de simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche d’un matériau métallique sur une surface d’une plaquette comprenant un matériau semi-conducteur, comprenant : - un module d’obtention (101, 103) des paramètres d’une rampe de courant à appliquer pendant le dépôt, - un module d’obtention (101, 104) à partir de données de référence d’un profil illustrant une efficacité pour la réaction d’électrodéposition du courant appliqué par rapport à la densité surfacique du courant appliqué par la rampe de courant, - un premier module de simulation (101, 105) configuré pour mettre en œuvre une première pluralité d’étapes, chaque étape de la première pluralité d’étapes comprenant une simulation du dépôt en prenant en compte la propagation du dépôt à la surface de la plaquette dans une région annulaire de ladite surface de la plaquette associée à l’étape et utilisant le profil et les paramètres de la rampe, la plaquette étant divisée en plusieurs régions annulaires concentriques données toutes associées à une étape de la première pluralité d’étapes, - un deuxième module de simulation (101, 106) configuré pour mettre en œuvre une deuxième pluralité d’étapes, chaque étape de la deuxième pluralité d’étapes comprenant une simulation pour une durée donnée d’un dépôt sur ladite surface utilisant le profil et la rampe, - un module de compilation (101, 107) des résultats de provenant du premier et du deuxième module de simulation. Programme d’ordinateur comportant des instructions pour l’exécution des étapes d’un procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, lorsque ledit programme est exécuté par un ordinateur. Support d’enregistrement lisible par un ordinateur sur lequel est enregistré un programme d’ordinateur comprenant des instructions pour l’exécution des étapes d’un procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10.