FR 3102610 A1 20210430 FR 1912060 A 20191028 COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À HÉTÉROJONCTION ET DOUBLE CONTACT OHMIQUE Un aspect de l’invention concerne composant électronique à hétérojonction (1) comprenant : un substrat (11) ; une couche tampon (13) disposée sur le substrat (11) ; une couche de confinement (14) en un matériau semi-conducteur dopé de type p, disposée sur la couche tampon (13) ; une hétérojonction (20) disposée sur la couche de confinement (14) et comprenant un gaz d’électrons bidimensionnel (18) ; et un premier contact ohmique (31a) avec le gaz d’électrons bidimensionnel (18) ; un deuxième contact ohmique (31b) avec la couche de confinement (14). Figure à publier avec l’abrégé : Figure 3 COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À HÉTÉROJONCTION ET DOUBLE CONTACT OHMIQUE La présente invention est relative aux composants électroniques de puissance à base d’hétérojonction, tels que les transistors à haute mobilité d’électrons (ou HEMT, pour « High Electron Mobility Transistor » en anglais) et les diodes Schottky à base de nitrure de galium (GaN). ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION Une hétérojonction est formée par la jonction de deux matériaux semi-conducteurs ayant des bandes interdites différentes. Par exemple, une hétérojonction du type AlGaN/GaN comprend une couche de nitrure de galium (GaN) surmontée d’une couche de nitrure d'aluminium-gallium (AlGaN). Un gaz d’électrons bidimensionnel (ou 2DEG, pour « 2-Dimensional Electron Gaz » en anglais) se forme à l’interface entre la couche d’AlGaN et la couche de GaN, du fait d’une polarisation spontanée et d’une polarisation piézoélectrique. Ce gaz d’électrons bidimensionnel sert de canal de conduction au sein des composants électroniques à hétérojonction, tels que les transistors HEMT et les diodes Schottky. Un composant électronique à hétérojonction AlGaN/GaN est généralement fabriqué à partir d’un substrat semi-conducteur (par exemple en silicium), en faisant croître successivement par épitaxie une couche de nucléation, une ou plusieurs couches de transition, une couche tampon épaisse et les couches de l’hétérojonction (GaN, puis AlGaN). La couche tampon, de plusieurs microns d’épaisseur, permet de limiter les courants de fuite latéraux et verticaux dans le composant et de mieux confiner le gaz d’électrons bidimensionnel de l’hétérojonction. La couche tampon, semi-isolante, est par exemple formée de GaN dopé au carbone. Ce type de composant supporte des densités de courant élevées à l’état passant, en raison de la forte densité de porteurs de charge (électrons) et de la grande mobilité de ces porteurs dans le gaz d’électrons bidimensionnel. Il souffre cependant d’un phénomène transitoire d’effondrement du courant à l’état passant (communément appelé « current collapse » en anglais). Ce phénomène est lié à un piégeage de charges dans la structure épitaxiée, et plus particulièrement dans la couche tampon en GaN dopé au carbone. Des pièges se chargent négativement lorsque le composant est dans l’état bloqué puis appauvrissent le gaz d’électrons bidimensionnel de retour à l’état passant, par effet de couplage capacitif. L’appauvrissement du gaz d’électrons bidimensionnel entraîne une augmentation de la résistance dynamique à l’état passant du composant (et donc une diminution du courant à l’état passant). La demande de brevet FR3047607 décrit une première structure de transistor à hétérojonction, qui adresse ce problème d’effondrement du courant à l’état passant. En référence à la figure 1, cette première structure de transistor comprend un substrat 11, au moins une couche de transition 12 disposée sur le substrat 11, une couche tampon 13 (par exemple en GaN dopé carbone) disposée sur la couche de transition 12, une couche de GaN dopé p 14 disposée sur la couche tampon 13, une couche de GaN dopé n 15 disposée sur la couche de GaN dopé p 14, une couche de GaN non intentionnellement dopé 16 disposée sur la couche de GaN dopé n 15 et une couche d’AlGaN 17 disposée sur la couche de GaN non intentionnellement dopé 16. La couche de GaN non intentionnellement dopé 16 et la couche d’AlGaN 17 forment l’hétérojonction. Un gaz d’électrons bidimensionnel est intrinsèquement formé à l'interface entre la couche de GaN non intentionnellement dopé 16 et la couche d’AlGaN 17. Ce gaz d’électrons bidimensionnel est illustré sur la figure 1 sous la forme d’une couche 18 disposée entre les couches 16 et 17. La couche de GaN dopé p 14 et la couche de GaN dopé n 15 forment ensemble une barrière de potentiel particulièrement élevée (jonction PN déplétée) sous la couche de gaz d’électrons 18. Cette barrière de potentiel améliore le confinement du gaz d’électrons bidimensionnel en réduisant le nombre d’électrons piégés dans la couche tampon 13. La structure de transistor décrite dans la demande de brevet FR3047607 permet de limiter le phénomène d’effondrement du courant, mais pas de le supprimer totalement. Le document [« Current-Collapse-Free Operations up to 850 V by GaN-GIT utilizing Hole Injection from Drain », S. Kaneko et al., Proceedings of the 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s, 2015] divulgue une deuxième structure de transistor à hétérojonction visant à supprimer totalement le phénomène d’effondrement du courant. En référence à la figure 2, cette deuxième structure de transistor comprend un substrat 11, une couche tampon 13 disposée sur le substrat 11, une couche de GaN 16 disposée sur la couche tampon 13 et une couche d’AlGaN 17 disposée sur la couche de GaN 16. Une électrode de source 21, une électrode de drain 22 et une grille de contrôle 23 sont en outre disposées sur la couche d’AlGaN 17. La grille de contrôle 23 est située entre les électrodes de source et de drain 21-22. Elle est formée d’une couche de GaN dopé p (ou p-GaN). La couche d’AlGaN 17 est amincie sous la grille p-GaN 23 ce qui confère au transistor un comportement du type « normalement fermé » (le transistor est bloqué à une tension de grille nulle). La deuxième structure de transistor comprend en outre un îlot de p-GaN 24 situé à proximité de l’électrode de drain 22 et reliée électriquement à cette électrode, de façon à être soumis au même potentiel électrique. L’îlot de p-GaN 24 constitue une source de trous et permet d’injecter des trous libres dans les couches épitaxiées. Ces trous libres viennent passiver les défauts dans la structure qui sont à l’origine du phénomène d’effondrement du courant. Cependant, la formation de l'îlot de p-GaN 24 requiert une étape de gravure avec arrêt sur la couche d’AlGaN qui est délicate à mettre en œuvre et peut dégrader le gaz d’électrons bidimensionnel. Il existe donc un besoin de prévoir un composant électronique à hétérojonction facile à réaliser et qui n’est pas sujet au phénomène d’effondrement du courant. Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un composant électronique à hétérojonction comprenant : un substrat ; une couche tampon disposée sur le substrat ; une couche de confinement en un matériau semi-conducteur dopé de type p, disposée sur la couche tampon ; une hétérojonction disposée sur la couche de confinement et comprenant un gaz d’électrons bidimensionnel ; un premier contact ohmique avec le gaz d’électrons bidimensionnel ; et un deuxième contact ohmique avec la couche de confinement. Le deuxième contact ohmique facilite l’évacuation des charges piégées aux environs de la couche de confinement et permet d’appliquer un potentiel électrique à la couche de confinement, dopée de type p, afin que des trous libres soient injectés dans les couches sous-jacentes, telles que la couche tampon. Les trous libres injectés passivent les pièges à l’origine du phénomène d’effondrement du courant. La couche de confinement remplit ainsi la fonction d’une couche d’injection de trous dans la structure du composant, en plus de sa fonction habituelle d’améliorer le confinement du gaz d’électrons bidimensionnel (2DEG) en créant une barrière de potentiel enterrée (« back-barrier » en anglais). Cela évite de prévoir une source de trous spécifique, comme l’îlot p-GaN dans la structure de transistor de l’art antérieur, et simplifie la fabrication du composant. Le composant selon le premier aspect de l’invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. De préférence, le premier contact ohmique et le deuxième contact ohmique sont connectés de manière à être soumis à un même potentiel électrique. Le premier contact ohmique et le deuxième contact ohmique sont avantageusement formés par une même couche métallique. Dans un mode de réalisation, la couche métallique comprend : une première portion rectiligne s’étendant jusqu’à l’hétérojonction, à travers une couche de passivation recouvrant l’hétérojonction ; une deuxième portion rectiligne s’étendant jusqu’à la couche de confinement ; et une portion horizontale reliant les première et deuxième portions rectilignes. Selon un développement de ce mode de réalisation, la portion horizontale est disposée sur la couche de passivation. Selon un autre développement, la portion horizontale est disposée en contact avec l’hétérojonction. Dans un mode de réalisation, la couche métallique comprend une portion rectiligne s’étendant jusqu’à la couche de confinement, à travers l’hétérojonction et une couche de passivation recouvrant l’hétérojonction. Dans un mode de réalisation, le composant comprend en outre un plot de matériau semi-conducteur dopé de type p, s’étendant jusqu’à la couche de confinement et disposé en contact avec la couche métallique. Dans un mode de réalisation, le premier contact ohmique est formé par une couche d’un premier métal s’étendant jusqu’à l’hétérojonction, à travers une couche de passivation recouvrant l’hétérojonction, et le deuxième contact ohmique est formé par une couche d’un deuxième métal, distinct du premier métal, s’étendant jusqu’à la couche de confinement. Selon un développement de ce mode de réalisation, le deuxième métal présente un travail de sortie supérieur au travail de sortie du premier métal. Dans un mode de réalisation, le composant comprend en outre une anode et une cathode reliées par le gaz d’électrons bidimensionnel, le premier contact ohmique étant un contact de cathode. Dans un mode de réalisation, le composant comprend en outre une région de drain et une région de source reliées par le gaz d’électrons bidimensionnel, le premier contact ohmique étant un contact de drain ou de source. La couche tampon peut être dopée avec des impuretés susceptibles d’entraîner un piégeage d’électrons. La couche tampon comprend par exemple du nitrure de galium dopé au carbone. De préférence, l’hétérojonction comprend une première couche semi-conductrice appelée couche de canal et une deuxième couche semi-conductrice appelée couche barrière, le gaz d’électrons bidimensionnel étant formé dans la couche de canal sous l’interface entre la couche de canal et la couche barrière. Un autre aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un composant électronique à hétérojonction, comprenant les étapes suivantes : former une couche tampon sur un substrat ; former sur la couche tampon une couche de confinement en un matériau semi-conducteur dopé de type p ; former sur la couche de confinement une hétérojonction comprenant un gaz d’électrons bidimensionnel ; former un premier contact ohmique avec le gaz d’électrons bidimensionnel ; et former un deuxième contact ohmique avec la couche de confinement. Les premier et deuxième contacts ohmiques sont de préférence formés simultanément. Dans un mode de mise en œuvre, le procédé comprend en outre la formation d’une couche de passivation sur l’hétérojonction, la formation des premier et deuxième contacts ohmiques comprenant les opérations suivantes : graver au moins la couche de passivation de manière à former une première cavité s’étendant jusqu’à l’hétérojonction, la première cavité possédant un fond et des parois latérales ; graver au moins une partie de l’hétérojonction de manière à former une deuxième cavité s’étendant jusqu’à la couche de confinement, la deuxième cavité possédant un fond et des parois latérales ; et déposer une couche métallique au fond et contre au moins une des parois latérales de chacune des première et deuxième cavités. Selon un développement de ce mode de mise en œuvre, la deuxième cavité s’étend du fond de la première cavité jusqu’à la couche de confinement. Selon un autre développement, la première cavité et la deuxième cavité sont séparées latéralement par au moins une portion de la couche de passivation. Dans un autre mode de mise en œuvre, le procédé comprend en outre la formation d’une couche de passivation sur l’hétérojonction, la formation des premier et deuxième contacts ohmiques comprenant les opérations suivantes : graver la couche de passivation et l’hétérojonction de manière à former une cavité s’étendant jusqu’à la couche de confinement, la cavité présentant un fond et des parois latérales ; et déposer une couche métallique au fond et contre au moins une des parois latérales de la cavité. L’étape de dépôt de la couche métallique peut être suivie d’une étape de recuit, de préférence à une température inférieure ou égale à 500 °C. L’invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l’examen des figures qui l’accompagnent. Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l’invention. représente un premier exemple de transistor à hétérojonction selon l’art antérieur. représente un deuxième exemple de transistor à hétérojonction selon l’art antérieur. représente un premier mode de réalisation d’un composant électronique à hétérojonction selon le premier aspect de l’invention. représente un deuxième mode de réalisation d’un composant électronique à hétérojonction selon le premier aspect de l’invention. représente un troisième mode de réalisation d’un composant électronique à hétérojonction selon le premier aspect de l’invention. représente un quatrième mode de réalisation d’un composant électronique à hétérojonction selon le premier aspect de l’invention. représente un cinquième mode de réalisation d’un composant électronique à hétérojonction selon le premier aspect de l’invention. représente un sixième mode de réalisation d’un composant électronique à hétérojonction selon le premier aspect de l’invention. , [Fig. 9B], [Fig. 9C], [Fig. 9D] et [Fig. 9E] représentent des étapes d’un procédé de fabrication de composant électronique à hétérojonction selon le deuxième aspect de l’invention. Les figures 3 à 8 représentent en vue de coupe schématique différents modes de réalisation d’un composant électronique à hétérojonction 1 selon l’invention. Ce type de composant trouve des applications avantageuses en électronique de puissance, par exemple en tant que commutateur de puissance. Le composant 1 peut ainsi commuter de manière réversible entre un premier état appelé « état passant » (ou « état ON ») et un deuxième état appelé « état bloqué » (ou « état OFF »). Dans l’état passant, le composant 1 est parcouru par un courant électrique élevé, par exemple de l’ordre de 1 à 100 A, et présente une tension faible à ses bornes, typiquement inférieure à 10 V. Dans l’état bloqué, aucun courant ne circule dans le composant et la tension à ses bornes est particulièrement élevée, de plusieurs centaines de volts (en valeur absolue). Le composant 1 est par exemple une diode Schottky ou un transistor à haute mobilité d’électrons (ou HEMT, pour « High Electron Mobility Transistor » en anglais). Le transistor HEMT peut être du type normalement ouvert ou normalement fermé, à grille p-GaN ou à grille MOS. D’une manière commune à tous les modes de réalisation, le composant 1 comprend un empilement de couches semi-conductrices sur un substrat 11. Le substrat 11 et les premières couches de l’empilement ont été représentés uniquement sur la figure 3, pour ne pas alourdir inutilement les autres figures. Le substrat 11 est par exemple en silicium (intrinsèque ou dopé), en carbure de silicium (SiC) ou en saphir. Les couches semi-conductrices sont de préférence des couches en matériau semi-conducteur III-V, par exemple à base de nitrure de galium (GaN) (en GaN ou alliage de GaN comme AlGaN, InGaN…). En référence à la figure 3, le composant 1 comprend une couche tampon 13 disposée sur le substrat 11, une couche de confinement 14 disposée sur la couche tampon 13 et une hétérojonction 20 disposée sur la couche de confinement 14. L’hétérojonction 20 comprend une première couche semi-conductrice 16 dite « de canal » disposée sur la couche de confinement 14 et une deuxième couche semi-conductrice 17 dite « barrière » disposée sur la couche de canal 16. Un gaz d’électrons bidimensionnel 18 (ou 2DEG, pour « 2-Dimensional Electron Gaz » en anglais) est formé intrinsèquement (par hétérojonction) dans la couche de canal 16 sous l’interface entre la couche de canal 16 et la couche barrière 17 (sur les figures 3 à 8, il est symbolisé par des traits en pointillés dans la couche de canal 16 le long de l’interface entre la couche de canal 16 et la couche barrière 17). L’hétérojonction 20 est par exemple de type GaN/AlGaN. La couche de canal 16 comprend alors du nitrure de galium (GaN), de préférence non intentionnellement dopé (UID GaN), tandis que la couche barrière 17 comprend du nitrure d’aluminium-galium (AlGaN). Le GaN de la couche de canal 16 est considéré comme non intentionnellement dopé lorsque les concentrations en dopants de type donneur et de type accepteur sont inférieures à 10 16 cm -3 (N A 16 cm -3 et N D 16 cm -3 ). De préférence, la couche de canal 16 présente une épaisseur comprise entre 20 nm et 500 nm, tandis que la couche barrière 17 présente une épaisseur comprise entre 2 nm et 30 nm. L’hétérojonction 20 peut également comprendre une couche intermédiaire, non illustrée sur les figures, interposée entre la couche de canal 16 et la couche barrière 17, par exemple pour accroître la densité et la mobilité des électrons dans le gaz d’électrons bidimensionnel 18. Une telle couche intermédiaire est typiquement extrêmement fine (par exemple de 1 nm d’épaisseur) et peut être constituée de nitrure d’aluminium (AlN), ce matériau étant particulièrement adapté à l’interface entre une couche de canal 16 en GaN et une couche barrière 17 en AlGaN. La couche de confinement 14 est constituée d’un matériau semi-conducteur dopé de type p, par exemple du GaN ou de l’AlGaN dopé p. Elle forme une barrière de potentiel enterrée, ou « back-barrier » en anglais, qui améliore le confinement des électrons dans le gaz d’électrons bidimensionnel 18. La concentration en dopants accepteurs du matériau semi-conducteur est de préférence supérieure ou égale à 10 17 cm -3 (N A ≥ 10 17 cm -3 ). L’épaisseur de la couche de confinement 14 est par exemple comprise entre 50 nm et 500 nm. La couche tampon 13, semi-isolante, limite les courants de fuite latéraux et verticaux dans le composant 1 et lui permet de supporter des tensions élevées dans l’état bloqué. A cet effet, le matériau semi-conducteur de la couche tampon 13 peut être dopé avec des impuretés, telles que des atomes de carbone. Ces impuretés sont toutefois susceptibles d’entraîner un piégeage de charges (électrons) à l’état bloqué. La couche tampon 13 comprend de préférence du GaN dopé au carbone (GaN:C). Elle peut être formée par une seule couche de GaN:C ou par un bicouche GaN:C/Al x Ga 1-x N, avec x compris entre 4 % et 8 % environ. L’épaisseur de la couche tampon 13 est choisie en fonction de la tension de claquage souhaitée pour le composant 1. Elle est par exemple comprise entre 1 µm et 15 µm. Toujours en référence à la figure 3, le composant 1 peut également comprendre une couche de transition 12 disposée entre le substrat 11 et la couche tampon 13. Cette couche de transition 12 permet d’adapter le paramètre de maille cristalline entre le substrat 11 (ex. Si, SiC ou saphir) et la couche tampon 13 (ex. GaN:C) et de gérer les contraintes mécaniques entre le substrat 11 et les couches de l’hétérojonction 20. Elle peut comprendre une sous-couche de nucléation (par exemple une couche d’AlN de 100 nm d’épaisseur), en contact avec le substrat 11, et plusieurs sous-couches d’adaptation empilées sur la sous-couche de nucléation. Les sous-couches d’adaptation comprennent par exemple de l’AlGaN dont le taux d’aluminium varie d’une couche à l’autre (par exemple plusieurs couches d’AlGaN avec une fraction molaire d’AlN qui décroit avec l’éloignement par rapport au substrat 11, ou un super-réseau comprenant plusieurs bicouches Al x Ga 1- x N/GaN). L’hétérojonction 20 est avantageusement recouverte d’une couche de passivation 30, par exemple en dioxyde de silicium (SiO 2 ), nitrure de silicium (Si 3 N 4 ), nitrure d’aluminium (AlN) ou alumine (Al 2 O 3 ). Enfin, le composant 1 comprend un premier contact ohmique 31a donnant accès (électriquement) au gaz d’électrons bidimensionnel 18 et un deuxième contact ohmique 31b donnant accès (électriquement) à la couche de confinement 14. Les premier et deuxième contacts 31a-31b désignent ici des métallisations, en contact ohmique avec respectivement le gaz d’électrons bidimensionnel 18 et la couche de confinement 14. Le premier contact ohmique 31a sert à acheminer le courant électrique lorsque le composant 1 est dans l’état passant. Dans le cas d’un composant 1 de type transistor HEMT comprenant un drain et une source (reliés électriquement par le gaz d’électrons bidimensionnel 18 à l’état passant), le premier contact ohmique 31a peut être un contact de drain ou de source. Dans le cas d’un composant 1 de type diode Schottky comprenant une anode et une cathode (reliées électriquement par le gaz d’électrons bidimensionnel 18 à l’état passant), le premier contact ohmique 31a peut être un contact de cathode. Le deuxième contact ohmique 31b permet de polariser la couche de confinement 14, lorsque le composant 1 est dans l’état bloqué, de façon à injecter des trous libres dans l’empilement de couches semi-conductrices. L’injection de trous libres sert à passiver les pièges ou défauts présents dans l’empilement, notamment ceux de la couche tampon 13, qui ne peuvent plus dès lors se charger négativement en acceptant des électrons libres. Le deuxième contact ohmique 31b permet également aux électrons piégés au voisinage de la couche de confinement 14 d’être plus facilement évacués. Grâce au cumul de ces deux effets, le phénomène d’effondrement du courant à l’état passant peut être évité. Le potentiel électrique appliqué à la couche de confinement 14 (dans l’état bloqué) est positif et supérieur à la tension de seuil de la jonction métal/p-GaN. Le premier contact ohmique 31a et le deuxième contact ohmique 31b sont avantageusement connectés de manière à être soumis au même potentiel électrique. La polarisation du composant est alors simplifiée. Dans les modes de réalisation des figures 3 à 6, le premier contact ohmique 31a et le deuxième contact ohmique 31b sont formés par une même couche métallique 32, en contact avec au moins une couche semi-conductrice de l’hétérojonction 20 et avec la couche de confinement 14 (en matériau semi-conducteur dopé de type p). Cette couche métallique 32 peut être formée d’un métal (ex. titane, tantale, nickel, platine, palladium, or, argent...) ou d’un alliage de métaux. Elle peut être recouverte d’une ou plusieurs autres couches métalliques (non représentées sur les figures) pour former un empilement multicouche, par exemple un empilement bicouche du type Ti/Al ou Ta/Al. Les premier et deuxième contacts ohmiques 31a-31b sont, dans ces mêmes modes de réalisation, réalisés simultanément, ce qui simplifie la fabrication du composant 1. Dans les modes de réalisation des figures 3 à 5, la couche métallique 32 comprend une première portion rectiligne 32a s’étendant jusqu’à l’hétérojonction 20, une deuxième portion rectiligne 32b s’étendant jusqu’à la couche de confinement 14 et une portion horizontale 32c reliant les première et deuxième portions rectilignes 32a-32b. La première portion rectiligne 32a de la couche métallique 32 peut former, au moins partiellement, le premier contact ohmique 31a. La deuxième portion rectiligne 32b de la couche métallique 32 peut former, au moins partiellement, le deuxième contact ohmique 31b. La deuxième portion rectiligne 32b peut s’étendre à l’intérieur de la couche de confinement 14, afin d’augmenter la surface de contact et donc diminuer la résistance de contact (cas représenté sur les figures), ou au contraire s’arrêter sur la face supérieure de la couche de confinement 14 (cas non représenté). Les première et deuxième portions rectilignes 32a-32b s’étendent de préférence verticalement, c’est-à-dire perpendiculairement à la surface du substrat 11. La figure 3 représente un premier mode de réalisation du composant 1, dans lequel la première portion rectiligne 32a de la couche métallique 32 s’étend jusqu’au gaz d’électrons bidimensionnel 18, à travers la couche barrière 17 et une partie de la couche de canal 16. La portion horizontale 32c se situe en contact avec la couche de canal 16. La deuxième portion rectiligne 32b s’étend depuis la portion horizontale 32c jusqu’à la couche de confinement 14, à travers la partie restante de la couche de canal 16. Le contact entre le gaz d’électrons bidimensionnel 18 et la couche métallique 32 s’effectue, dans ce premier mode de réalisation, uniquement latéralement grâce la première portion rectiligne 32a. On parle aussi de contact « latéral » ou « direct métal/2DEG ». La surface d’échange de ce contact est limitée car elle est fonction de l’épaisseur du gaz d’électrons bidimensionnel 18 (de l’ordre de quelques nanomètres). La figure 4 représente un deuxième mode de réalisation du composant 1, qui diffère du premier mode de réalisation en ce que la première portion rectiligne 32a de la couche métallique 32 se termine à la surface de la couche barrière 17 (autrement dit, elle s’étend à travers la couche passivation 30 uniquement). La portion horizontale 32c repose alors sur la couche barrière 17 et la deuxième portion rectiligne 32b s’étend à travers l’hétérojonction 20 jusqu’à la couche de confinement 14. Le contact entre le gaz d’électrons bidimensionnel 18 et la couche métallique 32 s’effectue, dans le deuxième mode de réalisation, latéralement grâce à la deuxième portion rectiligne 32b. Dans un troisième mode de réalisation du composant 1 représenté par la figure 5, la première portion rectiligne 32a et la deuxième portion rectiligne 32b de la couche métallique 32 sont séparées par au moins une portion de la couche de passivation 30. La première portion rectiligne 32a peut s’étendre jusqu’à la couche barrière 17 de l’hétérojonction à travers la couche de passivation uniquement (cas d’un contact dit « planaire », ayant une surface d’échange bien plus importante que le contact latéral), ou jusqu’au gaz d’électrons bidimensionnel 18 à travers la couche de passivation 30, la couche barrière 17 et une portion de la couche de canal 16 (cas d’un contact latéral ou direct, illustré par la figure 5). La portion horizontale 32c de la couche métallique 32 est alors disposée en contact avec la couche de passivation 30. Ainsi, dans cette structure de contact, le premier contact ohmique 31a (contact de source/drain ou de cathode) et le deuxième contact ohmique 31b (avec la couche de confinement 14) sont séparés spatialement. La figure 6 représente un quatrième mode de réalisation du composant 1, dans lequel les premier et deuxième contacts ohmiques 31a-31b sont formés par une même portion rectiligne 32d de la couche métallique 32 (autrement dit, la couche métallique 32 ne comprend pas de portion horizontale 32c et les première et deuxième portions rectilignes 32a-32b sont alignées). Cette portion rectiligne 32d s’étend jusqu’à la couche de confinement 14, à travers la couche de passivation 30 et l’hétérojonction 20. Le contact entre le gaz d’électrons bidimensionnel 18 et la couche métallique 32 est ici de type latéral/direct. Ce quatrième mode de réalisation du composant 1 est plus rapide à fabriquer, car une seule étape de lithographie est requise pour former simultanément le premier contact ohmique 31a et le deuxième contact ohmique 31b. Dans un cinquième mode de réalisation du composant 1 illustré par la figure 7, le premier contact ohmique 31a est formé par une couche 33 d’un premier métal, en contact avec au moins la couche barrière 17 de l’hétérojonction, et le deuxième contact ohmique 31b est formé par une couche 34 d’un deuxième métal, en contact avec la couche de confinement 14. Le deuxième métal est distinct du premier métal. La résistance de contact entre le premier métal et le gaz d’électrons bidimensionnel 18 et la résistance de contact entre le deuxième métal et la couche de confinement 14 peuvent être ainsi toutes les deux optimisées, en choisissant deux métaux ayant des travaux de sortie différents. Chacun des premier et deuxième métaux peut être un métal pur ou un alliage de métaux. Le deuxième métal (deuxième contact ohmique 31b avec la couche de confinement 14) présente de préférence un travail de sortie supérieur au travail de sortie du premier métal (premier contact ohmique 31a avec le 2DEG), car la couche de confinement 14 présente un dopage de type p alors que la couche de canal 16 est considérée comme intrinsèquement dopée de type n. Par exemple, le premier métal est choisi parmi le titane (Ti), l’aluminium (Al) et le tantale (Ta), tandis que le deuxième métal est choisi parmi le nickel (Ni), le platine (Pt), le palladium (Pd) et l’argent (Ag). La couche 33 du premier métal peut s’étendre jusqu’à la face supérieure de la couche barrière 17, jusqu’à l’intérieur de la couche barrière 17 ou jusqu’au gaz d’électrons bidimensionnel 18 (et le couche de canal 16 dans laquelle il se situe, le cas échéant). Comme illustré sur la figure 7, la couche 34 du deuxième métal peut comprendre une première portion 34a recouvrant la couche 33 du premier métal, et dans le prolongement de cette première portion 34a, une deuxième portion 34b qui s’étend jusqu’à la couche de confinement 14. Alternativement, la couche 34 du deuxième métal peut se limiter à cette deuxième portion 34b, en contact avec la couche 33 du premier métal. Dans un sixième mode de réalisation illustré par la figure 8, le composant 1 comprend un plot 35 en matériau semi-conducteur dopé de type p qui s’étend jusqu’à la couche de confinement 14, à travers une partie au moins de l’hétérojonction 20. Les premier et deuxième contacts ohmiques 31a-31b sont alors formés par une même couche métallique 32, en contact avec au moins la couche barrière 17 de l’hétérojonction et le plot de matériau semi-conducteur 35. En d’autres termes, le plot de matériau semi-conducteur 35 prolonge la couche de confinement 14 jusqu’à la couche métallique 32. La concentration en dopants accepteurs du matériau semi-conducteur formant le plot 35 est de préférence supérieure ou égale à 10 17 cm -3 (N A ≥ 10 17 cm -3 ). Sur les figures 3 à 8, la couche métallique 32, la couche 33 du premier métal et/ou la couche 34 du deuxième métal (selon le mode de réalisation) peuvent comprendre une ou plusieurs portions horizontales 32e disposées sur la couche de passivation 30, pour permettre la connexion avec un niveau de métal supérieur, par exemple au moyen d’un via. En outre, ces couches de contact peuvent comprendre chacune au moins une portion rectiligne supplémentaire et/ou au moins une portion horizontale supplémentaire, afin d’augmenter la surface d’échange avec le gaz bidimensionnel d’électrons 18 ou avec la couche de confinement 14 (selon le cas). Dans le même but, il peut être prévu plusieurs plots 35 en matériau semiconducteur dopé de type p dans une variante du mode de réalisation de la figure 8. Différentes structures de contact, co-intégrant le premier contact ohmique 31a et le deuxième contact ohmique 31b, ont été décrites en relation avec les figures 3 à 8. Ces structures de contact peuvent présenter un axe de symétrie vertical, c’est-à-dire perpendiculaire au substrat 11. Une telle structure symétrique est notamment avantageuse dans le cas d’un composant 1 comprenant plusieurs transistors HEMT élémentaires connectés en série (et dans lequel les contacts de grille, de drain et de source sont agencés sous la forme de peignes entremêlés). Un exemple de procédé de fabrication de composant électronique à hétérojonction 1 va maintenant être décrit en relation avec les figures 9A-9F. Ces figures représentent schématiquement des étapes S11 à S15 pour fabriquer le composant 1 des figures 3-4. La figure 9A illustre l’étape S11 de formation de l’empilement de couches semi-conductrices sur le substrat 11. L’empilement est de préférence formé à partir du substrat 11 en faisant croître successivement par épitaxie la couche de transition 12, la couche tampon 13, la couche de confinement 14, la couche de canal 16 et la couche barrière 17. La couche de passivation 30 est ensuite déposée sur la couche barrière 17, de préférence dans le même bâti de croissance. Le substrat 11, la couche de transition 12 et la couche tampon 13 ont été représentés uniquement sur la figure 9A, pour ne pas alourdir inutilement les autres figures. L’étape S12 de la figure 9B consiste à graver au moins la couche de passivation 30 de manière à former une première cavité 41 qui s’étend jusqu’à l’hétérojonction 20. Cette première étape de gravure est accomplie au travers d’un premier masque 51, qui peut être un masque en résine ou un masque dur, par exemple en nitrure de silicium (Si3N4). Le premier masque 51 comprend au moins une ouverture qui débouche sur la couche de passivation 30. La première cavité 41 possède un fond 41a et des parois latérales 41b. Les parois latérales 41b s’étendent de préférence suivant une direction perpendiculaire à la surface du substrat 11. Suivant le type de contact (latéral ou planaire) recherché avec le gaz d’électrons bidimensionnel 18, une partie de l’hétérojonction 20 peut être en outre gravée à l’étape S12 comme illustré par la figure 9B. Par exemple, pour réaliser un premier contact ohmique 31a de type latéral (cf. Fig.3), la couche barrière 17 et une partie de la couche de canal 16 sont également gravées au travers du premier masque 51 (on parlera alors de contact avec retrait total de la couche barrière 17, ou « full recess » en anglais). Dans ce cas, le fond 41a de la première cavité 41 est constitué par la couche de canal 16. Pour réaliser un premier contact ohmique 31a de type planaire, la gravure peut s’arrêter sur la face supérieure de la couche barrière 17 (on parlera alors de contact sans retrait de la couche barrière 17). La gravure peut également s’arrêter à l’intérieur de la couche barrière 17 (contact avec retrait partiel de la couche barrière 17). Dans ces deux autres cas, le fond 41a de la première cavité 41 est constitué par la couche barrière 17. L’étape S13 de la figure 9C consiste à graver au moins une partie de l’hétérojonction 20 de manière à former une deuxième cavité 42 s’étendant jusqu’à la couche de confinement 14. Cette deuxième étape de gravure s’effectue au travers d’un deuxième masque 52, qui peut être un masque en résine ou un masque dur. A l’instar de la première cavité 41, la deuxième cavité 42 possède un fond 42a et des parois latérales 42b, qui s’étendent de préférence perpendiculairement à la surface du substrat 11. Dans cet exemple de procédé de fabrication, le deuxième masque 52 est formé de façon à délimiter une ouverture plus petite que l’ouverture du premier masque 51 et située à l’intérieur de l’ouverture du premier masque 51. Une portion pleine du deuxième masque 52 occupe une partie de la première cavité 41. La deuxième cavité 42 s’étend alors du fond 41a de la première cavité 41 jusqu’à la couche de confinement 14. En d’autres termes, la deuxième cavité 42 communique avec la première cavité 41 et la prolonge en direction du substrat 11. Lorsque le fond 41a de la première cavité 41 se situe au niveau de la face supérieure de la couche barrière 17, l’hétérojonction 20 est gravée sur toute son épaisseur pour former la deuxième cavité 42. La première cavité 41 et la deuxième cavité 42 peuvent présenter une même géométrie ou des géométries différentes. Chacune des cavités 41-42 peut notamment prendre la forme d’un puits cylindrique, d’une tranchée, d’un puits de section rectangulaire ou d’un puit elliptique. Plusieurs techniques de gravure peuvent être employées à l’étape S12 de la figure 9B et à l’étape S13 de la figure 9C : gravure sèche par plasma, gravure par faisceau d’ions (IBE), gravure ionique réactive (RIE), gravure cyclique comprend une étape de modification du GaN et une étape de retrait du GaN modifié. La gravure ionique réactive (RIE) est préférée. Le deuxième masque 52 est retiré lors d’une étape S14 illustrée par la figure 9D. Le premier masque 51 peut être retiré simultanément, s’il n’a pas été retiré précédemment (par exemple après la première étape de gravure S12). Les retraits de masque sont de préférence accomplis par voir humide, par exemple au moyen d’un solvant (dans le cas de masques en résine) ou dans un bain d’acide (dans le cas de masques dur en Si3N4). Enfin, à l’étape S15 de la figure 9E, une couche métallique 32 est déposée dans les première et deuxième cavités 41-42, au fond et contre au moins une paroi latérale des cavités 41-42, pour former les premier et deuxième contacts ohmiques 31a-31b. De préférence, la couche métallique 32 est déposée sur toute la surface du substrat (« dépôt pleine plaque »), autrement dit au fond des cavités 41-42, contre toutes les parois latérales des cavités 41-42 et sur la couche de passivation 30. Puis, la couche métallique 32 est gravée en dehors des cavités 41-42, de préférence de manière à laisser subsister des portions horizontales 32e sur la couche de passivation 30, en périphérie de la première cavité 41. La couche métallique 32 peut être déposée par voie chimique (ex. évaporation) ou physique (ex. pulvérisation cathodique). Le dépôt peut être conforme, comme illustré sur la figure 9E, ou non conforme. Lorsque les conditions de dépôt ne permettent pas d’obtenir directement un contact ohmique avec le gaz d’électrons bidimensionnel 18 et la couche de confinement 14, l’étape S15 de dépôt de la couche métallique 32 est avantageusement suivie d’une étape de recuit. Ce recuit est de préférence accompli à une température inférieure ou égale à 500 °C, afin d’obtenir des contacts ohmiques de faible résistance de contact ( Dans l’exemple de procédé décrit en référence aux figures 9A-9E, les premier et deuxième contacts ohmiques 31a-31b ont été formés simultanément en formant deux cavités 41-42 qui communiquent entre elles, puis en déposant une même couche métallique 32 dans ces deux cavités. Pour fabriquer le composant 1 de la figure 5, on utilisera des masques dont les ouvertures sont disjointes, de sorte que les cavités 41-42 obtenues après gravure soient séparées par au moins une portion de la couche de passivation 30. Pour atteindre la couche de confinement 14 lors de la deuxième étape de gravure S13, on gravera successivement la couche de passivation 30 et les couches de l’hétérojonction 20. Le composant 1 de la figure 6 peut être fabriqué en ayant recours à une seule étape de gravure (et donc à un masque unique). Les premier et deuxième contacts ohmiques 31a-31b sont alors formés simultanément en formant (au moins) une cavité, qui s’étend à la fois à travers la couche de passivation 30 et l’hétérojonction 20 jusqu’à la couche de confinement 14, puis en déposant la couche métallique 32 au fond et contre (au moins) une paroi latérale de cette cavité. Le composant 1 de la figure 7 peut être fabriqué en déposant la couche 33 du premier métal dans la première cavité 41, en gravant une portion de la couche 33 du premier métal et de l’hétérojonction 20 située au fond de la première cavité 41 pour former la deuxième cavité 42, puis en déposant la couche 34 du deuxième métal dans la deuxième cavité 42 et, de préférence, sur la couche 33 du premier métal. Le plot de matériau semi-conducteur 35 de la figure 8 peut être réalisé en dopant de type p une portion des couches de l’hétérojonction 20 située au fond de la première cavité 41, par exemple par implantation ionique d’impuretés dopantes de type p (ex. ions magnésium ou calcium). On évite ainsi une deuxième étape de gravure et une nouvelle étape de dépôt ou croissance d’un matériau semi-conducteur dopé de type p. Le dépôt de la couche métallique 32 s’effectue ensuite au fond et contre au moins une paroi latérale de la première cavité 41, en recouvrant le plot de matériau semi-conducteur 35. Composant électronique à hétérojonction (1) comprenant : un substrat (11) ; une couche tampon (13) disposée sur le substrat (11) ; une couche de confinement (14) en un matériau semi-conducteur dopé de type p, disposée sur la couche tampon (13) ; une hétérojonction (20) disposée sur la couche de confinement (14) et comprenant un gaz d’électrons bidimensionnel (18) ; et un premier contact ohmique (31a) avec le gaz d’électrons bidimensionnel (18) ; caractérisé en ce qu’il comprend en outre un deuxième contact ohmique (31b) avec la couche de confinement (14). Composant (1) selon la revendication 1, dans lequel le premier contact ohmique (31a) et le deuxième contact ohmique (31b) sont connectés de manière à être soumis à un même potentiel électrique. Composant (1) selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel le premier contact ohmique (31a) et le deuxième contact ohmique (31b) sont formés par une même couche métallique (32). Composant (1) selon la revendication 3, dans lequel la couche métallique (32) comprend : une première portion rectiligne (32a) s’étendant jusqu’à l’hétérojonction (20), à travers une couche de passivation (30) recouvrant l’hétérojonction ; une deuxième portion rectiligne (32b) s’étendant jusqu’à la couche de confinement (14) ; et une portion horizontale (32c) reliant les première et deuxième portions rectilignes (32a-32b). Composant (1) selon la revendication 4, dans lequel la portion horizontale (32c) est disposée sur la couche de passivation (30). Composant (1) selon la revendication 4, dans lequel la portion horizontale (32c) est disposée en contact avec l’hétérojonction (20). Composant (1) selon la revendication 3, dans lequel la couche métallique (32) comprend une portion rectiligne (32d) s’étendant jusqu’à la couche de confinement (14), à travers l’hétérojonction (20) et une couche de passivation (30) recouvrant l’hétérojonction. Composant (1) selon la revendication 3, comprenant un plot (25) de matériau semi-conducteur dopé de type p, s’étendant jusqu’à la couche de confinement (14) et disposé en contact avec la couche métallique (32). Composant (1) selon l’une des revendications 1 et 2, dans lequel le premier contact ohmique (31a) est formé par une couche (33) d’un premier métal s’étendant jusqu’à l’hétérojonction (20), à travers une couche de passivation (30) recouvrant l’hétérojonction (20), et dans lequel le deuxième contact ohmique (31b) est formé par une couche (34) d’un deuxième métal, distinct du premier métal, s’étendant jusqu’à la couche de confinement (14). Composant (1) selon la revendication 9, dans lequel le deuxième métal présente un travail de sortie supérieur au travail de sortie du premier métal. Composant (1) selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant en outre une anode et une cathode reliées par le gaz d’électrons bidimensionnel (18), le premier contact ohmique (31a) étant un contact de cathode. Composant (1) selon l’une des revendications 1 à 10, comprenant en outre une région de drain et une région de source reliées par le gaz d’électrons bidimensionnel (18), le premier contact ohmique (31a) étant un contact de drain ou de source. Procédé de fabrication d’un composant électronique à hétérojonction (1), comprenant les étapes suivantes : former une couche tampon (13) sur un substrat (11) ; former sur la couche tampon (13) une couche de confinement (14) en un matériau semi-conducteur dopé de type p ; former sur la couche de confinement (14) une hétérojonction (20) comprenant un gaz d’électrons bidimensionnel (18) ; et former un premier contact ohmique (31a) avec le gaz d’électrons bidimensionnel (18) ; le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend en outre une étape de formation d’un deuxième contact ohmique (31b) avec la couche de confinement (14). Procédé selon la revendication 13, dans lequel les premier et deuxième contacts ohmiques (31a-31b) sont formés simultanément. Procédé selon la revendication 14, comprenant en outre la formation d’une couche de passivation (30) sur l’hétérojonction (20), la formation des premier et deuxième contacts ohmiques (31a-31b) comprenant les opérations suivantes : graver (S12) au moins la couche de passivation (30) de manière à former une première cavité (41) s’étendant jusqu’à l’hétérojonction (20), la première cavité possédant un fond (41a) et des parois latérales (41b) ; graver (S13) au moins une partie de l’hétérojonction (20) de manière à former une deuxième cavité (42) s’étendant jusqu’à la couche de confinement (14), la deuxième cavité possédant un fond (42a) et des parois latérales (42b) ; et déposer (S15) une couche métallique (32) au fond et contre au moins une des parois latérales de chacune des première et deuxième cavités (41-42). Procédé selon la revendication 15, dans lequel la deuxième cavité (42) s’étend du fond (41a) de la première cavité (41) jusqu’à la couche de confinement (14). Procédé selon la revendication 15, dans lequel la première cavité (41) et la deuxième cavité (42) sont séparées latéralement par au moins une portion de la couche de passivation (30). Procédé selon la revendication 14, comprenant en outre la formation d’une couche de passivation (30) sur l’hétérojonction (20), la formation des premier et deuxième contacts ohmiques (31a-31b) comprenant les opérations suivantes : graver la couche de passivation (30) et l’hétérojonction (20) de manière à former une cavité s’étendant jusqu’à la couche de confinement (14), la cavité présentant un fond et des parois latérales ; et déposer une couche métallique (32) au fond et contre au moins une des parois latérales de la cavité. Procédé selon l’une quelconque des revendication 15 à 18, dans lequel l’étape de dépôt (S15) de la couche métallique (32) est suivie d’une étape de recuit, de préférence à une température inférieure ou égale à 500 °C.