FR 3099248 A1 20210129 FR 1908438 A 20190726 Description Titre de l'invention : bolomètre à absorbeur en parapluie, composant comprenant un tel bolomètre et procédé de fabrication d'un tel bolomètre Cette invention résulte d'un marché passé par le Ministère de la Défense qui dispose de certains droits dessus. Domaine technique 100021 L'invention concerne la mesure de rayonnement électromagnétique à partir de structures du type bolomètre. 100031 L'invention a plus particulièrement pour objet une structure de détection de rayonnement électromagnétique et un procédé de fabrication d'une telle structure. État de l'art antérieur 100041 Les structures de type bolomètre destinées à la détection de rayonnement électroma- gnétique comprennent généralement : - au moins un élément absorbant configuré pour absorber le rayonnement électromagnétique dans une première plage de longueurs d'onde, - un transducteur en contact thermique avec l'élément absorbant, le transducteur étant apte à mesurer une élévation de température engendrée par l'absorption du rayonnement électromagnétique par l'élément absorbant. 100051 Dans une configuration classique d'une telle structure, comme celle décrite dans le document WO 2018/055276, l'élément absorbant est généralement formé par une couche conductrice, telle qu'une grille du transducteur quand celui-ci est un transistor MOSFET, disposée à la surface du transducteur. Ainsi, la surface de l'élément absorbant correspond à celle du transducteur. [0006] Or afin d'offrir une isolation thermique vis-à-vis d'un support collectif auquel est associée ladite structure, le transducteur est généralement relié au support collectif par l'intermédiaire de bras d'isolation qui augmentent, de ce fait, la surface occupée par la structure vis-à-vis du support collectif Ainsi, avec une telle configuration classique, en raison de la présence des bras d'isolation, le rapport surface de détection, correspondant à la surface de détection, sur la surface occupée par la structure sur le support collectif n'est pas optimal. [0007] Afin d'améliorer le rapport surface de détection sur surface occupée par la structure sur le support collectif, il est connu du document US 7622717 de séparer l'élément d'absorption et du transducteur au moyen d'un pied de connexion thermique. [0008] Dans une telle structure de détection, l'élément absorbant comprend : [0009] - une plaque d'absorption réalisée dans un premier matériau et s'étendant selon un 2 plan d'absorption, [0010] - un pied de connexion s'étendant à partir de la plaque d'absorption pour contacter thermiquement le transducteur. [0011] La plaque d'absorption étant séparée du transducteur, celle-ci n'est nullement limitée par la surface de ce dernier, et donc par la présence des bras d'isolation du transducteur. Ainsi, avec une telle structure, la plaque d'absorption peut recourir sensiblement la totalité de la surface de la structure et il est possible d'optimiser le rapport surface de détection sur surface occupée par la structure sur le support collectif. [0012] Néanmoins, une telle structure présente un certain nombre d'inconvénients. En effet, dans la configuration enseignée par le document US 7622717, le pied de connexion présente nécessairement une dimension importante, c'est à dire une largeur supérieure à 4 um, pour fournir une connexion thermique adaptée entre la plaque d'absorption et le transducteur, et pour assurer une bonne tenue mécanique de la plaque d'ahsorption . Or une telle largeur du pied de connexion empiète sur la surface de plaque d'absorption et a pour conséquence une inertie thermique importante de l'ensemble plaque d'absorption/pied de connexion. [0013] De plus, cette tenue mécanique ne permet pas d'assurer la planarité de la plaque d'absorption, la plaque d'absorption ayant tendance à fléchir ce qui peut résulter à une réduction de l'absorption de la structure. Exposé de l'invention [0014] L'invention a ainsi pour but de fournir une structure de détection qui, tout en au- torisant une optimisation du rapport surface de détection sur surface occupée par la structure sur le support collectif, présente à la fois un contact thermique entre l'élément absorbcur et le transducteur optimisé et une bonne planéité de la plaque d'absorption vis à-vis de la structure enseignée par le document US 7622717. [0015] A cet effet, l'invention concerne une structure de détection de rayonnement électro- magnétique dans une première plage de longueurs d'onde comprenant : [0016] - au moins un élément absorbant configure pour absorber le rayonnement électroma- gnétique dans la première plage de longueurs d'onde, [0017] - un transducteur en contact thermique avec l'élément absorbant, le transducteur étant apte à mesurer une élévation de température engendrée par l'absorption du rayonnement électromagnétique par l'élément absorbant, [0018] Dans laquelle l'élément absorbant comprend : [0019] - une plaque d'absorption réalisée dans un premier matériau et s'étendant selon un plan d'absorption, [0020] - un pied de connexion s'étendant à partir de la plaque d'absorption pour la contacter thermiquement au transducteur. 3 [0021] Le pied de connexion comporte : [0022] - un coeur en tungstène, [0023] - une enveloppe entourant le coeur de tungstène réalisée dans le premier matériau et agencée en étant contrainte en compression par le coeur de tungstène, le premier matériau présentant un module d'Young supérieur ou égal à 160 GPa et possédant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du tungstène. [0024] De cette manière, avec un tel pied de connexion, la combinaison de la rigidité de la plaque d'absorption et les contraintes s'exerçant entre l'enveloppe et le coeur de tungstène permet de garantir une bonne planéité de la plaque d'absorption et donc de conserver une bonne absorption vis-vis des structures de détection de l'art antérieur comme celle enseignée par le document US 7622717. On notera de plus, et en particulier, qu'avec une telle configuration coeur/enveloppe, le pied de connexion peut présenter une section dans le plan d'absorption plus faible que les pieds de connexion utilisés dans l'art antérieur, et donc occuper une surface de la structure relativement faible vis-à-vis de la surface de la plaque d'absorption. De cette manière, la structure est à même présenter un rapport surface de détection sur surface occupée par la structure sur le support collectif optimisé et une inertie relativement faible. [0025] Qui plus est, dans la structure de détection selon l'invention, le contact thermique entre la plaque d'absorption et le transducteur est obtenu au moyen du pied de connexion et de son coeur en tungstène. Le tungstène présentant une bonne conduction thermique par rapport au dioxyde de silicium utilisé pour une structure selon document US 7622717, il en résulte donc une conduction thermique améliorée ceci même dans le cas où le pied de connexion présente une section dans le plan d'absorption relativement faible vis-à-vis à celle des pieds de connexion des structures de détection de l'art antérieur. [0026] Pour finir, la bonne planéité offerte par une telle structure permet également d'envisager la formation de cavités quart-d'onde et donc d'optimiser l'efficacité d'absorption de la structure de détection. [0027] On notera que, conformément à l'invention, la contrainte en compression appliquée par le coeur tungstène sur l'enveloppe est préférentiellement adaptée pour garantir la planéité de la plaque d'absorption sur une plage de température comprenant une plage de fonctionnement de la structure. Une telle plage de fonctionnement peut être, selon une application pratique de l'invention comprise entre -30°C à 80°C. En variante à une telle plage de fonctionnement, la plage de fonctionnement peut être une plage de température négative telle qu'une plage de température incluant la température d'ébullition de l'azote liquide, c'est-à-dire 77,36 K (-195,79°C) ou celle de l'hélium liquide, c'est-à-dire 4,22 K (-268.93°C). [0028] Le premier matériau présente préférentiellement un module d'Young inférieur à celui du tungstène. [0029] Le transducteur peut être un transistor à effet de champ tel qu'un transistor à effet de champ du type MOSFET. [0030] Un tel transducteur bénéficie particulièrement des avantages liés à l'invention notamment en ce qui concerne la réduction d'inertie thermique autorisée par l'utilisation d'un pied de connexion selon l'invention. [0031] Le transistor peut présenter, selon au moins une direction, une pluralité de portions s'étendant le long de ladite direction parallèlement les unes aux autres, lesdites portions étant séparées les unes des autres par un espacement inférieur à la longueur d'onde la plus courte de la première plage de longueurs d'onde. [0032] Avec de telles portions parallèles et un tel espacement réduit, il est possible de maximiser la largeur du transistor et donc d'optimiser sa sensibilité. On notera, de plus, qu'avec un tel espacement inférieur à la longueur d'onde la plus courte de la première plage de longueur d'onde, on limite, voire supprime, toute influence que pourrait avoir la polarisation du rayonnement électromagnétique sur son absorption par la structure de détection. [0033] Le transistor peut être un transistor autoporté. [0034] Avec une telle configuration autoportée du transistor, c'est dire que le transistor est exempt de couche support, permet de minimiser la capacité thermique de la structure et ainsi de fournir une structure de détection à faible inertie thermique et donc présentant une bande passante améliorée. Cet avantage se cumule avec celui permis par l'utilisation d'une plaque d'absorption et d'un pied de connexion pouvant présenter une dimension relativement faible vis-à-vis de ceux de l'art antérieur. Il est donc possible de fournir une structure de détection particulièrement réactive. [0035] Le transistor peut s'étendre linéairement le long d'une ligne entre une première extrémité du transistor et une deuxième extrémité du transistor opposée à la première extrémité, le pied de connexion étant en contact thermique avec une portion du transistor qui est, le long de la ligne, équidistante de la première et de la deuxième extrémité du transistor. [0036] Avec une telle configuration linéaire, il est possible que le transistor présente une largeur, et donc une sensibilité, optimisée ceci avec, de par la position du contact avec le pied de connexion, une faible inertie de la structure liés à la connexion au support de commande. On notera que dans une configuration usuelle de l'invention, cette ligne est une ligne brisée ou curviligne, tel qu'un serpentin ou une spirale. [0037] Le premier matériau peut être sélectionné dans le groupe constitué du nitrure de titane, du nitrure de tantale, du nitrure de zirconium, du nitrure d'hafnium et du nitrure de tungstène, et les alliages comportant au moins l'un de ces matériaux, le premier matériau étant préférentiellement du nitrure de titane. [0038] De tels matériaux sont particulièrement adaptés pour la formation de la plaque d'absorption et de l'enveloppe en assurant à la fois une bonne absorption du rayonnement électromagnétique et en étant adapté pour permettre l'obtention d'une contrainte en compression de l'enveloppe par le coeur dc tungstène selon le principe de l' invention. [0039] L'épaisseur dc la plaque d'absorption peut être choisie de manière à respecter les in- égalités suivantes : [0040] [Math.1] 150Q Ere Ainsi, par exemple et comme le montre la figure 2, le transistor 101 peut s'étendre le long d'une ligne passant tour à tour d'un côté à l'autre de la structure de détection 1. Dans une telle configuration, dite en zigzag, le transistor 101 présente, selon au moins une direction, une pluralité de portions s'étendant le long de ladite direction parallèlement les unes aux autres, ces portions étant reliées les unes aux autres pas des portions perpendiculaires de plus petites dimensions. Bien entendu, une telle configuration, correspondant à celle illustrée sur la figure 2, est donnée qu'à titre d'exemple et d'autres configurations sont parfaitement envisageables, telles qu'une configuration en spirale. [0076] La figure 2 montre également les bras d'isolation 310, 320 de la structure de détection 1 permettant la connexion du transducteur à un circuit de lecture 340 tout en l'isolant thermiquement de cc dernier. Ainsi, les bras d'isolation 310, 320 sont fournis de part et d'autre du transistor 101, figuré sur cette figure ici par une grille 120, ou électrode de grille de ce dernier, ceci pour à la fois le supporter et le contacter électriquement. [0077] Si dans la configuration illustrée sur la figure 2 les bras d'isolation occupent une part relativement importante de la surface de structure de détection 310, 320, il est néanmoins possible avec un élément d'absorption selon l'invention que la plaque d'absorption 210 occupe sensiblement la totalité de la surface de structure de détection 10. [0078] On notera que, selon une possibilité particulièrement avantageuse de l'invention, le transistor 101 peut également faire office de réflecteur afin de former, avec la plaque d'absorption 210 une cavité quart-d'onde. Selon cette possibilité, la distance entre un plan de réflexion équivalent du transistor 101, correspondant sensiblement à une surface de grille du transistor 101, et la plaque d'absorption est un multiple de X0/4, X0 étant la longueur d'onde de détection. [0079] Bien entendu, s'il est possible d'approximer le plan de réflexion équivalent 101 par la surface de grille 120 du transistor, il est bien entendu préférable, conformément à la pratique usuelle de l'homme du métier, de déterminer le positionnement d'un tel plan de réflexion équivalent au moyen de simulations de routine. [0080] Selon cette possibilité dans laquelle le transistor et la plaque d'absorption forment une cavité quart d'onde, quand le transistor 101 s'étend linéairement le long d'une ligne parcourant toute la surface de la structure de détection 1, la distance entre deux portions parallèles se succédant est préférentiellement inférieure à la longueur d'onde la plus importante de la première plage de longueurs d'onde, cette distance étant encore plus avantageusement inférieure à la longueur d'onde de détection, voire à la longueur d'onde la plus faible de la première plage de longueurs d'onde. [0081] Dans une configuration de transistor 101 longitudinale, telle que celle montrée sur la 11 figure 2, le transistor 101 peut notamment présenter une configuration à canal horizontal telle que celle illustrée sur la figure 3A ou une configuration à canal vertical, telle que celle illustrée sur la figure 3B. [0082] Que cc soit dans la configuration à canal vertical ou dans la configuration à canal ho- rizontal, le transistor 101 comporte :: - au moins une première et au moins une deuxième zone 111,112 d'un premier type de conductivité, formant respectivement un drain et une source du transistor, - au moins une troisième zone 113 séparant l'une de l'autre la première et la deuxième zone 111, 112, la troisième zone 113 étant soit d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité avec une concentration en porteurs majoritaires inférieure à celles des première et deuxième zones, soit du type intrinsèque - un oxyde de grille 130, 0 une électrode de grille 120 formant en outre un contact ohmique de la première zone 111. [0083] Dans la configuration à canal horizontal, comme illustrée sur la figure 3A, les première, troisième et deuxième zones 111, 113, 112 se succèdent selon une direction comprise dans un plan du transistor 101, l'électrode de grille 120 étant positionnée au-dessus de la troisième zone. [0084] Dans la configuration à canal vertical, comme illustrée sur la figure 3B, les première, troisième et deuxième zones 111, 113, 112 se succèdent selon une direction perpendiculaire plan du transistor 101, l'électrode de grille 120 étant positionnée sur au moins un côté des première, troisième et deuxième zones 111, 113, 112. On notera que dans la figure 3B, l'électrode de grille 120 est positionnée sur deux côtés des première, troisième et deuxième zones 111, 113, 112. [0085] La figure 4 illustre un premier mode de réalisation d'une telle structure de détection 10 conforme au principe de l'invention exposé ci-dessus. [0086] On notera qu'à titre de simplification et afin de rendre plus lisible les différentes parties du transducteur 100 qui est dans le cadre de ce premier mode de réalisation, un transistor 101 du type MOS-FET, seule trois portions de transistor sont représentées. Bien entendu, dans une configuration avantageuse de l'invention et selon le principe illustré sur la figure 2, le transistor 101 peut présenter un nombre de portions longitudinales parallèles les unes aux autres supérieur à trois, la figure 2 en montrant sept. [0087] Une telle structure de détection 10 comprend, outre le transducteur 100, sous la forme d'un transistor 101 du type MOS-FET, et l'élément d'absorption 200 : - les bras d'isolation 310, 320, la structure de détection en comprenant plus précisément, un premier et un deuxième bras d'isolation 310, 320 comportant respectivement une première et une deuxième piste de conduction 317, 327 pour permettre la 12 polarisation du transistor 100, la première piste 311 étant connectée à la deuxième zone 112, la deuxième piste 321 étant connectée à la première zone 111, donc le drain du transistor, et l'électrode de grille 120 en les mettant en court-circuit, - une surface de réflexion 330 optionnelle disposée de manière à former avec l'élément absorbant 200 une deuxième cavité quart d'onde, - un circuit de lecture 340 aménagé dans un substrat 341, le circuit de lecture 340 étant connecté électriquement aux première et deuxième pistes de conduction 317, 327 par l'intermédiaire de respectivement d'une première et une deuxième zone de contact 315, 325. [0088] On notera que, selon l'application pratique de l'invention, la structure 10 présente des dimensions latérales, c'est-à-dire selon les directions comprises dans le plan d'absorption, comprises entre 4 et 10 pm. [0089] Bien entendu, cette application pratique n'étant nullement limitative, une structure 10 selon l'invention, peut présenter des dimensions latérales autres, par exemple comprises entre 50 et 4 pm, voire entre 25 et 4 pm voire entre 12 et 4 pm. [0090] L'élément d'absorption 200 comporte, selon le principe de l'invention, la plaque d'absorption 210 et le pied de connexion 220. [0091] La plaque d'absorption 210 s'étend selon un plan d'absorption de la structure de détection 10. La plaque d'absorption 210 s'étend à partir du pied de connexion 220 de part et d'autre de cc dernier ceci de manière à, selon une possibilité particulièrement avantageuse de l'invention, recouvrir sensiblement la totalité de la surface du substrat 341 occupée par la structure de détection 10. [0092] L'épaisseur de la plaque d'absorption 220 peut être, par exemple, comprise entre 2 et 20 nm. La plaque d'absorption 220 peut être réalisée dans le premier matériau. [0093] Le premier matériau peut être sélectionné dans le groupe constitué du nitrure de titane TiN, du nitrure de tantale TaN, du nitrure de zirconium ZrN, du nitrure d'hafnium FUN et du nitrure de tungstène WN, et les alliages comportant au moins l'un de ces matériaux [0094] De manière particulièrement avantageuse, le premier matériau et l'épaisseur de la plaque d'absorption peuvent être choisis de manière à respecter les inégalités suivantes : [0095] [Math.1] 150Q---Eff)s- 700 Q [0096] avec p la résistivité du premier matériau et Ep la somme des épaisseurs desdites couches. On notera, que de manière encore plus préférentielle, p/Ep le premier matériau et l'épaisseur de la plaque d'absorption choisis pour fournir p/Ep compris entre 200 Q et 600 Q, p/Ep étant, de manière encore plus avantageuse, proche, voire 13 égale à l'impédance du vide, c'est-à-dire à 376,9 Q. [0097] Le pied de connexion 220 s'étendant à partir de la plaque d'absorption pour contacter thermiquement le transducteur 100. Ainsi, le pied de connexion 220 peut par exemple s'étendre à partir de la plaque d'absorption en direction du transducteur 100 selon unc direction sensiblement perpendiculaire au plan d'absorption. [0098] Le pied de connexion 220 est préférentiellement en contact avec une partie centrale du transistor 101. Ainsi, par exemple, dans le cas où le transistor 101 s'étend linéairement le long d'une ligne entre une première extrémité du transistor 101 en contact avec le premier bras d'isolation 310 et unc deuxième extrémité en contact avec le deuxième bras d'isolation 320, le pied connexion 120 peut être en contact sur une zone équidistante le long de la ligne entre la première extrémité du transistor 101 et la deuxième extrémité du transistor 101, cet emplacement correspondant généralement au centre de la surface occupée par la structure de détection 10. [0099] Le pied de connexion 220 comporte l'enveloppe 225 et le coeur de tungstène 221. [0100] L'enveloppe 225 est réalisée dans le premier matériau. L'enveloppe présente une forme creuse délimitant au moins une cavité pour accueillir au moins le coeur de tungstène 221. Ainsi, par exemple, l'enveloppe 225 peut présenter une forme cylindrique creuse dont les génératrices sont perpendiculaires au plan d'absorption et dont au moins une hase, celle correspondant à la plaque d'absorption 210, est ouverte. [0101] Si dans cc premier mode de réalisation, l'enveloppe 225 présente une forme cy- lindrique à base circulaire, d'autres formes, telles qu'une forme cylindrique à base carrée ou encore une forme tronconique, sont parfaitement envisageables sans que l'on sorte du cadre de l'invention. [0102] Dans une configuration classique de l'invention, l'enveloppe 225 présente une épaisseur sensiblement égale à celle de la plaque d'absorption 210. Ainsi, l'épaisseur de l'enveloppe 225 peut être comprise entre 2 et 20 nm. [0103] La cavité délimitée par l'enveloppe 225 présente une section selon le plan d'absorption dont la dimension maximale est préférentiellement comprise entre 50 et 750 nm, cette dimension maximale étant encore plus avantageusement comprise entre 100 et 500 nm voire entre 150 et 400 nm. Ainsi, par exemple pour une cavité de forme cylindrique de révolution, la dimension maximale correspond au diamètre de la section cylindrique et pour une cavité présentant une section carrée, la dimension maximale correspond à la diagonal du carrée de ladite section. [0104] L'enveloppe 225 est contrainte en compression par le coeur de tungstène 221. Une telle conformation peut notamment être obtenue au moyen d'une contraction thermique du tungstène et à l'utilisation d'un premier matériau présentant un coefficient d'expansion thermique supérieur à celui du tungstène comme cela est décrit plus en avant dans le procédé de fabrication de la structure de détection 10 selon ce premier 14 mode de réalisation. [0105] Le coeur de tungstène remplie, au moins en partie, la cavité délimitée par l'enveloppe 225. De cette manière, les efforts appliqués par le coeur de tungstène 221 en réaction à la compression exercée par l'enveloppe 225 permettent, en complément avec la rigidité de la plaque d'absorption, d'assurer la planéité de cette dernière et de conserver son extension selon le plan d'absorption. [0106] Selon la possibilité décrite en lien avec la figure 2 selon laquelle le transistor 101 et la plaque d'absorption délimitent une cavité quart-d'onde, dans le présent mode de réalisation, le pied de connexion 220 est dimensionné pour espacer la plaque d'absorption d'une distance correspondant à un multiple de X,14, X0 étant longueur d'onde de détection. [0107] On notera néanmoins que, de manière à favoriser une bonne application de la contrainte en compression du coeur de tungstène sur par l'enveloppe 225, la hauteur de la cavité délimitée par l'enveloppe 225 est préférentiellement comprise entre 20 et 500 nm, celle-ci étant d'une manière encore plus avantageuse comprise entre 50 et 300 nm, voire entre 75 et 200 nm. [0108] En ce qui concerne le transistor 101, comme illustré sur les figures 1 et 4, la première zone 111, c'est-à-dire le drain, la troisième zone 113, c'est-à-dire le canal, et la deuxième zone 112, c'est-à-dire la source, sont formées respectivement par une première, une troisième et une deuxième couche 111P, 112P, 113P qui s'étendent parallèlement au plan d'absorption et parallèlement les unes aux autres. Les première, troisième et deuxième couches 111P, 112P, 113P se succèdent selon une direction perpendiculaire au plan d'absorption, chacune desdites première, deuxième et troisième zones 111, 112, 113 présentant, selon l'épaisseur de la couche correspondante, au moins une paroi latérale. [0109] Chacune de la première, de la deuxième et de la troisième couche 111P, 112P, 113P est une couche semiconductrice, lesdites première, deuxième et troisième couches 111P, 112P, 113P, étant préférentiellement réalisées en silicium monocristallin. [0110] Selon une possibilité de l'invention, la première et la deuxième couche 111P, 112P présentent un premier type de conductivité pour lequel les porteurs majoritaires sont des électrons, ou, autrement dit, la première et la deuxième couche 111P, 112P sont dopées N. En variante et selon une autre possibilité de l'invention, la première et la deuxième couche 111P, 112P peuvent présenter un premier type de conductivité pour lequel les porteurs majoritaires sont des trous, ou, autrement dit, la première et la deuxième couches 111P, 112P sont dopées P. [0111] On notera que selon l'application pratique de l'invention, la première et la deuxième couche 111P, 112P présente un dopage N avec une concentration en porteurs majoritaires comprise entre 1.1019 et 1.102' cm'. Selon cette même application pratique de l'invention, l'épaisseur desdites première et deuxième couche 111P, 112P est comprise entre 10 et 200 nm, voire entre 30 et 100 nm ou encore entre 50 et 75 nm. [01 1 2] La troisième couche 113P peut, selon la première possibilité de l'invention, présenter un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, c'est-à-dire un type de conductivité dans lequel les porteurs sont des trous ou autrement dit un dopage P. D'une manière identique, selon la deuxième possibilité de l'invention, le deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, c'est-à-dire un type de conductivité dans lequel les porteurs majoritaires sont des électrons ou, autrement dit, un dopage N. [0113] Selon l'application pratique, la troisième couche 113P présente un dopage P avec une concentration en porteurs majoritaires comprise entre 1.1014 et 1.1017 cm-3, voire entre 5.10,4 et 5.1015 cm-3, ladite concentration étant, quoi qu'il en soit inférieure à celle des première et deuxième couches 111P, 112P. Selon cette même application pratique, l'épaisseur de la troisième couche 113P est comprise entre 10 et 700 nm, voire entre 20 et 500 nm ou encore entre 75 et 300 nm. [0114] L'empilement formé par les première, deuxième et troisième zones 111, 112, 113 est, sur les parois latérales desdites zones et une face de l'empilement comprenant la première zone 111, recouvert par au moins un isolant 131, 132 formant, pour les parois latérales de la troisième zone 113 un oxyde de grille 130. [0115] Dans le présent mode de réalisation, l'au moins un isolant 131, 132 comprend une première couche isolante 131 en dioxyde de silicium Si02 et une deuxième couche isolante 132 dans un diélectrique présentant une constante diélectrique supérieure à celui du dioxyde de silicium Si02, ce type de diélectrique étant généralement connu sous la dénomination high-K. Ainsi, la deuxième couche isolante 132 peut être, par exemple, un dioxyde d'hafnium HfOn ou un oxyde d'aluminium tel l'alumine A1,03. [0116] Dans l'application pratique, l'épaisseur de la première couche isolante 131 peut par exemple être comprise entre 4 et 50 nm et préférentiellement sensiblement également égale à 10 nm. [0117] Selon cette même application pratique, l'épaisseur de la deuxième couche isolante 132 peut par exemple être comprise entre 2 et 6 nm. [0118] L'au moins un isolant 131, 132 recouvrant l'empilement formé par les première, deuxième et troisième zones 111, 112, 113, présente au niveau de la face de l'empilement qu'il recouvre au moins une ouverture pour autoriser la prise de contact pour la première zone 111. L'au moins isolant 131, 132 est recouvert par l'électrode de grille 120, ladite électrode de grille 120 formant également le contact ohmique de la première zone 111. [0119] Selon ce premier mode de réalisation de l'invention, l'électrode de grille 120 comporte une première couche conductrice 121 en nitrure de titane TiN et une 16 deuxième couche conductrice 122 en silicium polycristalin pSi, la première couche conductrice 121 recouvrant la deuxième couche isolante 132 et la deuxième couche conductrice 122 recouvrant la première couche conductrice 121. [0120] Le matériau de la première couche conductrice 121 est préférentiellement un métal du type « milieu-de-gap » pour la troisième zone 113. Ainsi, dans le cas où la troisième zone 113 est en silicium, comme c'est le cas dans ce mode de réalisation de l'invention, le matériau de la première couche conductrice 121 est préférentiellement un métal choisi dans le groupe comportant les nitrures de titane TiN, les nitrures de tantale TaN et les siliciures de molybdène MoSin. [0121] On entend ci-dessus et dans le reste de ce document par « métal du type milieu- de-gap » que le métal est choisi de manière à présenter, en absence de polarisation de la structure, son énergie de Fermi dans la zone de bande interdite de la troisième zone 113 et plus précisément au voisinage du milieu de la bande interdite de la troisième zone 113, typiquement à un niveau d'énergie distant du milieu de la bande interdite dans une gamme comprise entre -25% et +25% du gap de la bande interdite. Une telle configuration de grille est généralement connue par l'homme du métier sous la dénomination anglaise de « mid-gap ». Ainsi dans le cas où la troisième zone est réalisée en silicium, les « métals du type milieu-de-gap » comportent notamment les nitrures de titane TiN, les nitrures de tantale TaN et les siliciures de molybdène MoSi2. [0122] Dans ce premier mode de réalisation de l'invention, la première couche conductrice 121 est préférentiellement réalisée en nitrure de titane TiN et comporte préférentiellement une épaisseur comprise entre 5 et 15 nm voire égale à 10 nm. [0123] Selon une possibilité de l'invention et en conformité avec l'enseignement du document W02018055276 Al, il envisageable que la première couche conductrice 121 forme également un élément absorbant de la structure. Conformément à cette possibilité de l'invention et de manière à favoriser les capacités d'absorption de la première couche conductrice 121, la première couche conductrice 121 qui la supporte peut être choisie de manière à respecter les inégalités suivantes : [0124] [Math.1] 1509 REVENDICATIONSStructure de détection (10) de rayonnement électromagnétique dans une première plage de longueurs d'onde comprenant : - au moins un élément absorbant (200) configure pour absorber le rayonnement électromagnétique dans la première plage de longueurs d'onde, - un transducteur (100) en contact thermique avec l'élément absorbant (200), le transducteur (100) étant apte à mesurer une élévation de température engendrée par l'absorption du rayonnement électromagnétique par l'élément absorbant (200), dans laquelle l'élément absorbant (200) comprend : - une plaque d'absorption (210) réalisée dans un premier matériau et s'étendant selon un plan d'absorption, - un pied de connexion (220) s'étendant à partir de la plaque d'absorption (210) pour la contacter thermiquement au transducteur (100), la structure de détection (10) étant caractérisée en ce que le pied de connexion (220) comporte : - un coeur en tungstène (221), - une enveloppe (225) entourant le coeur de tungstène (221) réalisée dans le premier matériau et agencée en étant contrainte en compression par le coeur de tungstène (221), le premier matériau présentant un module d'Young supérieur ou égal à 160 GPa et possédant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du tungstène. Structure de détection (10) selon la revendication 1, dans laquelle le transducteur (100) est un transistor (101) à effet de champ tel qu'un transistor à effet de champ du type MOSFET. Structure de détection (10) selon la revendication 2, dans lequel le transistor (101) présente, selon au moins une direction, une pluralité de portions s'étendant le long de ladite direction parallèlement, les unes aux autres, lesdites portions étant séparées les unes des autres par un espacement inférieur à la longueur d'onde la plus courte de la première plage de longueurs d'onde. Structure de détection (10) selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle le transistor est un transistor autoporté. Structure de détection (10) selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel le transistor (101) s'étend linéairement le long d'une 38 [Revendication 6] [Revendication 7] [Revendication 81 [Revendication 9] [Revendication 10] ligne entre une première extrémité du transistor (101) et une deuxième extrémité du transistor (101) opposée à la première extrémité, le pied de connexion (220) étant en contact thermique avec une portion du transistor (101) qui est, le long de la ligne, équidistante de la première et de la deuxième extrémité du transistor (101). Structure de détection (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle le premier matériau est sélectionné dans le groupe constitué du nitrure de titane, du nitrure de tantale, du nitrure de zirconium, du nitrure d'hafnium et du nitrure de tungstène, et les alliages comportant au moins l'un de ces matériaux, le premier matériau étant préférentiellement du nitrure de titane. Structure de détection (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 dans laquelle l'épaisseur de la plaque d'absorption (210) est choisie de manière à respecter les inégalités suivantes : [Math.1] 50g.:2