FR 3101190 A1 20210326 FR 2008935 A 20200903 Selon un mode de réalisation, un condensateur 1 inclut un substrat conducteur CS présentant une première surface principale S1 et une seconde surface principale S2, l’une de régions partielles de la première surface principale S1 étant dotée d'un ou plusieurs premiers évidements R1, et une région de la seconde surface S2 correspondant à une combinaison de la une des régions partielles de la première surface principale S1 et une autre des régions partielles de la première surface principale S1 étant dotée d'un ou plusieurs seconds évidements R2, une couche conductrice 20b recouvrant la première surface principale S1, la seconde surface principale S2, des parois latérales et des surfaces inférieures des premiers évidements R1, et des parois latérales et des surfaces inférieures des seconds évidements R2, une couche diélectrique 30 intercalée entre le substrat conducteur CS et la couche conductrice 20b, une première électrode interne 70a prévue sur la une des régions partielles de la première surface principale S1 et électriquement reliée à la couche conductrice 20b, et une seconde électrode interne 70b prévue sur l'autre des régions partielles de la première surface principale S1 et électriquement reliée au substrat conducteur CS. Figure 2 CONDENSATEUR ET PROCÉDÉ DE DÉCAPAGE Les modes de réalisation décrits ici se rapportent généralement à un condensateur. Avec la réduction et le perfectionnement des équipements de communication, il est souhaité que les condensateurs à monter dessus soient plus petits et plus minces. En tant que structure pour obtenir la réduction et diminuer l’épaisseur du condensateur tout en maintenant la densité de capacité, il existe un condensateur à tranchées dans lequel des tranchées sont formées sur un substrat pour augmenter l’aire superficielle. La est une vue de dessus d’un condensateur selon un mode de réalisation ; La est une vue en coupe transversale prise le long d’une ligne II-II du condensateur montré à la ; La FIG. 3 est une vue en coupe transversale montrant un processus dans la fabrication du condensateur montré aux et 2 ; La FIG. 4 est une vue en coupe transversale montrant le processus de la FIG. 3 ; La est une vue en coupe transversale montrant un autre processus dans la fabrication du condensateur montré aux et 2 ; La est une autre vue en coupe transversale montrant le processus de la ; La FIG. 7 est une vue en coupe transversale montrant une structure obtenue par le processus des FIG. 3 à 6 ; La FIG. 8 est une autre vue en coupe transversale montrant une structure de la FIG. 3 ; et La est un diagramme montrant un exemple d’un agencement de premiers et seconds évidements. Condensateur comprenant : un substrat conducteur présentant une première surface principale et une seconde surface principale, une première région partielle de la première surface principale étant dotée d’au moins un premier évidement, et une région de la seconde surface correspondant à une combinaison de la première région partielle de la première surface principale et d'une seconde région partielle de la première surface principale étant dotée d’au moins un second évidement ; une couche conductrice recouvrant la première surface principale, la seconde surface principale, des parois latérales et des surfaces inférieures du au moins un premier évidement, et des parois latérales et des surfaces inférieures du au moins un second évidement ; une couche diélectrique intercalée entre le substrat conducteur et la couche conductrice ; une première électrode interne prévue sur la première région partielle de la première surface principale et électriquement reliée à la couche conductrice ; et une seconde électrode interne prévue sur la seconde région partielle de la première surface principale et électriquement reliée au substrat conducteur. Condensateur selon la revendication 1, dans lequel une profondeur du au moins un second évidement est plus grande qu’une profondeur du au moins un premier évidement. Condensateur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le au moins un premier évidement est au moins une première tranchée, le au moins un second évidement est au moins une seconde tranchée, une direction de longueur de la au moins une première tranchée et une direction de longueur de la au moins une seconde tranchée se croisent les unes les autres, et la au moins une première tranchée et la au moins une seconde tranchée sont reliées les uns aux autres en des intersections de celles-ci. Condensateur selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le au moins un premier évidement est une pluralité de premières tranchées s'étendant chacune dans une première direction, la pluralité de premières tranchées formant une pluralité de premières rangées agencées dans une deuxième direction croisant la première direction, chacune des premières rangées incluant deux ou plusieurs premières tranchées agencées dans la première direction, et chacune des deux premières rangées adjacentes l’une à l’autre étant différente l’une de l'autre en un emplacement d'une première section prise en sandwich entre les deux ou plusieurs premières tranchées agencées dans la première direction, et dans lequel le au moins un second évidement est une pluralité de secondes tranchées s'étendant chacune dans une troisième direction, la pluralité de secondes tranchées formant une pluralité de secondes rangées agencées dans une quatrième direction croisant la troisième direction, chacune des secondes rangées incluant deux ou plusieurs secondes tranchées agencées dans la troisième direction, et chacune des deux secondes rangées adjacentes l’une à l’autre étant différente l’une de l'autre en un emplacement d'une seconde section prise en sandwich entre les deux ou plusieurs secondes tranchées agencées dans la troisième direction. Procédé de décapage pour fabriquer le condensateur selon la revendication 1, comprenant : la formation d'une première couche catalytique contenant un métal noble sur la première surface principale du substrat semi-conducteur ; la formation d'une seconde couche catalytique contenant le métal noble sur la seconde surface principale du substrat semi-conducteur de telle sorte que la seconde couche catalytique soit différente de la première couche catalytique dans une masse de métal noble par aire unitaire ; et ensuite la fourniture d'un produit décapant contenant un oxydant et du fluorure d'hydrogène à la première surface principale et à la seconde surface principale. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la première couche catalytique est formée sur la première région partielle de la une première surface principale, et la seconde couche catalytique est formée sur la région de l'autre surface principale correspondant à une combinaison de la première région partielle de la une surface principale et de la seconde région partielles de la une surface principale. Procédé selon la revendication 6, dans lequel les première et seconde couches catalytiques sont formées de telle sorte que la seconde couche catalytique présente une masse de métal noble par aire unitaire plus grande que celle de la première couche catalytique. Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel, par la fourniture du produit décapant, le au moins un premier évidement est formé en un emplacement de la première couche catalytique sur la première surface principale, et le au moins un second évidement est formé en un emplacement de la seconde couche catalytique sur la seconde surface principale. Procédé selon la revendications 8, dans lequel, le au moins un premier évidement est ladite au moins une première tranchée, le au moins un second évidement est ladite au moins seconde tranchée, une direction de longueur de ladite au moins une première tranchée et une direction de longueur de ladite une seconde tranchée se croisent les unes les autres, et ladite au moins une première tranchée et ladite au moins une seconde tranchée sont reliées les unes aux autres en des intersections de celles-ci.