FR 3091057 A1 20200626 FR 1873388 A 20181219 Description Titre de l'invention : Dispositif de pré-charge et convertisseur de tension comportant un tel dispositif. [0001] La présente invention concerne de manière générale un dispositif de pré-charge d'une charge par une unité de stockage d'énergie électrique dans un véhicule automobile. Plus particulièrement, l'invention concerne un dispositif de pré-charge comprenant un circuit de limitation de courant destiné à limiter le courant délivré par l'unité de stockage lorsqu'une charge, par exemple de type capacitive est connectée à celle-ci. L'invention concerne aussi un convertisseur de tension comprenant un tel dispositif de pré-charge. [0002] Les véhicules électriques ou hybrides sont équipés d'un réseau d'alimentation en énergie électrique bitension. Dans un réseau de ce type, les deux réseaux de bord ont des tensions continues de service nominales différentes, et un convertisseur continu-continu (plus connu de l'homme de métier sous le vocable anglais de convertisseur DC-DC, DC étant les initiales de " direct current ", ou " courant continu ") réversible agencé entre les deux réseaux est nécessaire pour effectuer les transferts d'énergie de l'un à l'autre. [0003] Un problème connu est celui de la charge initiale du réseau de bord ayant la tension nominale la plus élevée par l'autre réseau jusqu'à la tension nominale de cc dernier. [0004] Ce problème technique est particulièrement difficile à résoudre quand il s'agit de charger un réseau de bord ayant une tension nominale d'au moins 48V et comprenant des condensateurs de forte valeur, par exemple de l'ordre de quelques dizaines de mF, à partir d'un réseau de 12V par exemple, car un appel de courant initial très important, de l'ordre de 400 A ou plus peut se produire. [0005] Il convient donc lors de la charge du réseau ayant la tension nominale la plus élevée de limiter ce courant initial afin de ne dégrader ni les composants de cc réseau, ni les composants du convertisseur de tension lui-même [0006] Pour ce faire, il est connu de l'état de la technique, notamment du document FR 2984623, un dispositif de pré-charge pour charger une charge à partir d'une unité de stockage d'énergie électrique comprenant un premier interrupteur apte à connecter directement la charge à l'unité de stockage d'énergie électrique et un second interrupteur apte à connecter la charge à l'unité de stockage d'énergie électrique avec un effet de limitation du courant électrique pouvant circuler entre l'unité de stockage d'énergie électrique et la charge, caractérisé en ce que le second interrupteur comporte un transistor commandé en régime linéaire pendant une temporisation de durée prédéterminée et en ce que le dispositif de pré-charge comprend un circuit de commande 2 muni d'une boucle d'asservissement de courant pour la commande en régime linéaire du transistor du second interrupteur. [0007] La mise en oeuvre de ce type de dispositif de pré-charge nécessite la mise en oeuvre d'une boucle d'asservissement complexe. [0008] L'invention a pour but de pallier au moins en partie à cet inconvénient. [0009] A cet effet, l'invention concerne, selon un premier aspect, un dispositif de pré-charge d'une charge, par exemple une capacité, comportant : a. une borne d'alimentation destinée à recevoir un courant d'activation dudit dispositif, h. un transistor comportant une borne d'entrée de courant, une borne de sortie de courant, et une borne de commande, la borne d'entrée étant destinée à être connectée à une première source de tension, la borne de sortie étant destinée à être connectée électriquement à la charge, la borne de sortie fournissant un courant de pré-charge lorsque ladite borne de sortie est connectée à la charge et ladite d'entrée est connectée à la première source de tension et lorsque ladite borne d'alimentation reçoit le courant d'activation, et c. un circuit de limitation du courant d'activation conçu pour générer un courant dérivé, ledit courant dérivé limitant le courant d'activation de sorte que la borne de commande reçoit un courant de commande tel que le transistor fonctionne en régime linéaire afin de réguler le courant de pré-charge à une valeur de référence. Le circuit de limitation de courant comporte un amplificateur opérationnel agencé pour comparer une tension représentative du courant de pré-charge à une tension de référence, afin de fournir une tension de sortie en fonction de la comparaison, et un circuit générateur de courant conçu pour générer le courant dérivé en fonction de la tension de sortie de l'amplificateur opérationnel. [0010] Ce dispositif de pré-charge est remarquable en ce que la régulation du courant de pré- charge est réalisée simplement en limitant le courant d'alimentation pilotant le transistor en régime linéaire. [0011] Dans un mode particulier de réalisation de l'invention, le transistor est un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde connu aussi sous l'acronyme MOSFET. Dans ce mode de réalisation, la borne d'entrée est le drain du transistor et la borne de sortie est la source de ce transistor. [0012] Dans un mode particulier de réalisation de l'invention, le circuit de limitation de courant comporte un troisième transistor présentant une borne d'entrée de courant, dans lequel la borne d'entrée de courant du troisième transistor et une première borne d'alimentation de l'amplificateur opérationnel sont connectées à une première borne commune, et dans lequel une borne de commande du troisième transistor est connectée 3 à la sortie de l'amplificateur opérationnel, le troisième transistor est commandé par la tension de sortie de manière à générer le courant dérivé traversant la borne commune. [0013] De façon optionnelle, le troisième transistor est un transistor bipolaire de type npn. [0014] Dans un mode particulier de réalisation de l'invention, le dispositif de pré-charge comporte en outre un circuit de mesure du courant de pré-charge, le circuit de mesure comportant : a. une résistance de mesure traversé par ledit courant de pré-charge, et b. un circuit amplificateur différentiel de tension connecté en entrée aux homes de ladite résistance de mesure et conçu pour fournir en sortie la tension représentative du courant de pré-charge audit amplificateur opérationnel. [0015] De façon optionnelle, le circuit amplificateur différentiel de tension comporte: a. une première, une deuxième et une troisième résistance, h. un premier et un deuxième transistor, et c. une source de courant, d. le premier transistor présentant une première home d'entrée de courant connectée à une première résistance, une première borne de commande connectée à une première home de la résistance de mesure, c. le deuxième transistor présentant une deuxième home d'entrée en courant connectée à une deuxième résistance, une deuxième borne de commande connectée à une deuxième borne de la résistance de mesure, une deuxième borne de sortie connectée à une troisième résistance, f. la borne de sortie et la troisième résistance sont connectées en une borne commune, les première et deuxième résistance étant connectées l'une à l'autre en un point milieu, et la source de courant fournissant un courant au point milieu, g- la tension représentative du courant de pré-charge étant fournie au niveau de la deuxième borne de sortie du deuxième transistor. h. la deuxième borne de la résistance de mesure est différente de la première borne de la résistance de mesure. [0016] De façon optionnelle, le premier et le deuxième transistor sont des transistors bi- polaires de type pnp. [0017] Dans un mode particulier de réalisation de l'invention, le dispositif de pré-charge comporte en outre circuit de démarrage conçu pour, lorsqu'il est actif et lorsque la borne d'alimentation reçoit le courant d'activation, graduellement faire monter la tension de la borne de commande jusqu'à ce que le courant de pré-charge atteigne un premier seuil. [0018] De façon optionnelle, le premier seuil est égal à la valeur de référence. [0019] De façon optionnelle, le circuit de démarrage est inactif lorsque le circuit de li- mitation de courant régule le courant de pré-charge à la valeur de référence. [0020] Dc façon optionnelle, le circuit de démarrage comporte en outre une deuxième capacité et un cinquième transistor présentant une cinquième borne d'entrée connectée électriquement à la home d'alimentation, une cinquième borne de sortie connectée à une niasse, ladite deuxième capacité fournissant une tension de charge sur la cinquième borne de commande du cinquième transistor. [0021] Dc façon optionnelle le circuit de démarrage comporte en outre: a. un quatrième et un sixième transistor, h. une quatrième, une cinquième, une sixième et septième résistance, c. le sixième transistor présentant une borne d'entrée en courant connectée à une source de tension de référence par l'intermédiaire de la septième résistance, une borne de sortie en courant connectée à la masse électrique à travers la sixième résistance en série avec la deuxième capacité, et une borne de commande, d. le quatrième transistor présentant une borne d'entrée en courant connectée à la borne de commande du sixième transistor, la borne d'entrée en courant étant à ladite source de tension de référence par l'intermédiaire de la quatrième résistance, une borne de sortie en courant étant connectée à la masse par l'intermédiaire de la cinquième résistance, et une borne de commande destinée à être connectée à un dispositif de commande. [0022] De façon optionnelle, la source de tension de référence délivre une tension supérieure à celle de la première source de tension. [0023] L'invention vise également, selon un deuxième aspect, un convertisseur de tension comportant au moins un dispositif de pré-charge selon le premier aspect de l'invention. [0024] En particulier, le convertisseur de tension est un convertisseur de tension DC/DC. [0025] Le convertisseur de tension bénéficie des mêmes avantages, cités précédemment, que le dispositif de pré-charge. [0026] On peut également envisager, dans d'autres modes de réalisation, que le dispositif de pré-charge et le convertisseur de tension selon l'invention présentent en combinaison tout ou partie des caractéristiques précitées. Brève description des dessins [0027] La [fig.1] représente un convertisseur de tension et un dispositif de pré-charge conforme à l'invention dans un premier mode de réalisation de l'invention. [0028] La [fig.2] représente l'évolution du courant de pré-charge généré par le dispositif de pré-charge dans le premier mode de réalisation de l'invention. [0029] La [fig.3] représente un convertisseur de tension et un dispositif de pré-charge conforme à l'invention dans un deuxième mode de réalisation de l'invention. 100301 La rfig.4Ireprésente l'évolution du courant de pré-charge généré par le dispositif de pré-charge dans le deuxième mode de réalisation de l'invention. Description détaillée [0031] La [fig.11 représente un convertisseur de tension 10 conforme à l'invention dans un premier mode de réalisation. Ce convertisseur de tension est, dans l'exemple décrit, implémenté dans un véhicule automobile équipé d'un réseau d'alimentation en énergie électrique bitension. [0032] En d'autres termes, le convertisseur de tension 10 est agencé entre les deux réseaux du véhicule automobile. [0033] Dans l'exemple décrit, le premier réseau de bord est un réseau 12V comprenant une première source de tension V I et le deuxième réseau de bord est un réseau 48V comprenant une deuxième source de tension V2. Le convertisseur de tension 10 est ainsi connecté à la première source de tension VI par une borne BI et à la deuxième source de tension V2 par l'intermédiaire d'un interrupteur SW. [0034] Dans l'exemple décrit, le convertisseur de tension 10 comprend: 1. un dispositif de contrôle (non représenté), 2. une cellule de conversion C, 3. un dispositif de pré-charge 2 selon l'invention, comprenant : a. une borne d'alimentation A3, 11. un dispositif de sécurité 3, e. un circuit de mesure 4, d. un circuit de limitation de courant 5, et 4. une charge à pré-charger, ici une capacité Cl de l'ordre de 1 5 mF. [0035] Comme illustrée sur la [fig.1 1, le dispositif de pré-charge 2 charge, par l'intermédiaire de la cellule de conversion C, la charge Cl à partir de la première source de tension VI en fournissant à la charge Cl un courant de pré-charge le lorsque l'interrupteur SW est ouvert. [0036] La cellule de conversion C comprend un hacheur de tension. Le hacheur de tension comprend, dans l'exemple décrit ici, une inductance L, un interrupteur T7 et un interrupteur T8. Dans l'exemple, décrit ici, les interrupteurs T7 et T8 sont des transistors MOSFET dopé n Ainsi, le drain du transistor T7 est connecté à l'interrupteur SW et sa source à une première extrémité de l'inductance L, et le drain du transistor T8 est connecté à la première extrémité de l'inductance L tIndis que sa source est connectée à la masse. [0037] Le dispositif de sécurité 3 comprend un premier interrupteur Tl et un deuxième in- terrupteur T2 connectés « tête-bêche ». Dans l'exemple décrit ici, le premier interrupteur Ti et le deuxième interrupteur T2 sont des MOSFET dopé N. Le drain du 6 premier transistor Ti est connecté à la borne d'entrée B1 du convertisseur de tension 10 et le drain du deuxième transistor T2 est connecté à la cellule hacheur C par l'intermédiaire d'une résistance de mesure Rs. Le premier transistor Tl et le deuxième transistor T2 sont connectés par l'intermédiaire de leur source respective de sorte que les diodes intrinsèques de ces transistors soient connectées par leur anode. En d'autres termes, la cathode de la diode intrinsèque du deuxième transistor T2 est connectée à cellule hacheur C et la cathode du premier transistor Ti est connectée à la borne d'entrée B1 du convertisseur de tension 10. De cette façon, lorsque le premier transistor Tl et le premier transistor T2 sont ouverts, aucun courant ne peut s'écouler entre la borne d'entrée B1 et la cellule hacheur C. Les bornes de commande du premier Ti et deuxième transistor T2 sont en outre reliées entre elles. [0038] Le circuit de mesure 4 comprend la résistance de mesure Rs et délivre sur une borne de sortie S1 une tension V+ proportionnelle au courant traversant la résistance de mesure Rs. Afin d'obtenir cette tension V+, la résistance de pré-charge Rs est connectée en série entre la cellule hacheur C et les transistors Ti et T2 du dispositif de sécurité 3. [0039] Le circuit de limitation de courant 5 comporte un amplificateur opérationnel AO, un générateur de tension de référence V,, par exemple de 2.5V, et un circuit de génération de courant 6. Le circuit de limitation de courant 5 est par exemple réalisé en utilisant un composant TL431. [0040] L'amplificateur opérationnel AO est agencé pour comparer la tension V+ à la tension de référence VRFF, afin de fournir une tension de sortie Vs en fonction de la comparaison. La tension de sortie Vs est négative lorsque la tension V+ est inférieure à la tension de référence VREF, nulle lorsque la tension V+ est égale à la tension de référence VREF et positive lorsque la tension V+ est supérieure à la tension de référence VRFF. Plus précisément, la tension de sortie Vs est d'autant plus élevée que la tension V+ est supérieure à la tension de référence VRFF, jusqu'à un plafond (saturation de l'amplificateur opérationnel AO). [0041] Le circuit de génération de courant 6 est conçu pour générer un courant dérivé LÀ à partir de la tension de sortie Vs de l'amplificateur opérationnel AO, lorsque la tension V+ est supérieure à la tension de référence VRFF. Plus précisément, le courant dérivé iKA est nul lorsque la tension de sortie Vs est négative et positif lorsque la tension de sortie Vs est positive ou nulle. En outre, le courant dérivé iKA est d'autant plus grand que la tension de sortie Vs est grande. [0042] Plus précisément, le circuit de génération de courant 6 comporte un premier transistor Q3 présentant une borne d'entrée de courant cl, une borne de sortie de courant el et une borne de commande bl. Dans l'exemple décrit, le transistor Q3 est un transistor bipolaire npn. La borne d'entrée de courant cl et une borne d'alimentation de 7 l'amplificateur opérationnel AO sont connectées à une borne K du circuit de limitation de courant 5. La borne de sortie de courant est connectée à la masse. Le circuit de génération de courant 6 comporte en outre une diode D, connectée entre la borne K et la niasse électrique. Elle est passante en direction de la borne K. En d'autres ternies, la cathode de la diode Dd est connectée à la borne K [0043] Ainsi, le transistor Q3 est commandé par la tension de sortie Vs de l'amplificateur opérationnel AO, de manière à générer le courant dérivé i" au travers de la borne K. [0044] La borne K du circuit de limitation de courant 5 est connectée à la borne d'alimentation A3 du dispositif de pré-charge 2. La borne A3 étant en outre connectée aux bornes de commande. i.c. aux grilles, des transistors Tl et T2 du dispositif de sécurité 3. [0045] Le circuit de commande comprend une source de courant SC3 référencée à un potentiel supérieur à celui de la première source de tension V1 et un circuit de pilotage des transistors T7 et T8. [0046] Pour réaliser la pré-charge, l'interrupteur SW est ouvert et le dispositif de pré-charge 2 est alimenté par sa borne A3 par un courant d'activation 13 fourni par la source de courant SC3 connectée à ladite borne. [0047] Ainsi, les bornes de commande de commande des transistors Ti et T2 reçoivent un courant de commande 1g égale au courant d'activation 13 diminué du courant dérivé iKA [0048] Au début de la pré-charge, le courant dérivé iKA est nul et le courant de commande Ig est égal au courant d'activation 13. Sous l'effet de ce courant de commande 1g, les transistors Ti et T2 se ferme progressivement. En d'autres termes, la tension grille-source des transistors TI et T2 augmente. [0049] Au début de leur fermeture, les transistors Tl et T2 sont en régime linéaire et un courant de pré-charge Ic commence à circuler dans la résistance de mesure Rs puis dans la cellule hacheur C, soit par l'intermédiaire de la diode intrinsèque du transistor T7 soit par l'intermédiaire du transistor T7 préalablement fermé par le circuit de commande. [0050] Corrélativement, le circuit de mesure 4 délivre une tension V+ proportionnelle au courant traversant la résistance de mesure Rs au circuit de limitation de courant 5. [0051] Au fur et à mesure que les transistors TI et T2 se ferment, le courant de pré-charge 1c augmente de même que la tension V+. Lorsque le courant de pré-charge Ic atteint une valeur de référence Icref, la tension V+ devient égale à la tension Vref et le circuit de limitation de courant 5 commence à générer un courant dérivé iy_A de sorte à limiter le courant le courant de commande Ig. [0052] La limitation du courant de commande Ig par le courant dérivé iK permet de limiter la tension grille-source des transistors TI et T2 à une valeur fixe, ce qui maintient les 8 transistors Tl et T2 en régime linéaire. [0053] Par suite du maintien constant de la tension grille-source des transistors Tl et T2, le courant le est maintenu à la valeur de référence Icref. En d'autres ternies, le circuit de limitation de courant 5 régule à une valeur constante le courant de pré-charge Ic. [0054] Lorsque la charge Cl est pré-chargée à une tension égale à la tension de la première source de tension V1, le circuit de mesure 4 et le circuit de génération de courant 6 sont désactivés. [0055] Nous allons maintenant d'écrire plus en détail le circuit de mesure 4. Ce circuit de mesure 4 comprend un amplificateur différentiel composé de deux transistors bipolaire de type pnp Q1 et Q2 dont les bornes émetteurs cl, c2 sont connectées entre elles par l'intermédiaire de deux résistances R1 et R2 disposées en série. En outre, les bornes de commande H et h2 des transistors Q1 et Q2 sont connectées respectivement aux bornes de la résistance de mesure Rs. Une source de courant auxiliaire SC2 fournissant un courant isc2 de valeur prédéterminée est connectée entre les deux résistances R1 et R2. Enfin, une troisième résistance R3 est connectées entre la masse et la source du transistor Q2. La borne commune entre la résistance R3 et la source du transistor Q2 constitue la home de sortie Si du circuit de mesure 4. En d'autres termes, la tension V+ correspond à la tension aux bornes de la résistance R3. [0056] Les valeurs des composants R1, R2 et R3 ainsi que la valeur du courant isc2 délivré par la source de courant SC2 sont choisis de telle façon que la tension V+ soit nulle lorsqu'il n'y a pas de courant traversant la résistance de mesure Rs et que la valeur V+ corresponde à la valeur de la tension de référence Vref lorsque le courant de pré-charge Ic traversant la résistance de mesure Rs atteint la valeur de référence Icref. [0057] La [fig.2] présente l'évolution temporelle du courant de pré-charge traversant la ré- sistance de mesure Rs. Comme illustrée sur cette figure, lorsque le circuit de limitation 5 commence à générer un courant dérivé iKA, le courant de pré-charge Ic présente un pic de courant, ici à 70A avant de revenir sous l'action du circuit de limitation 5 à la valeur de référence Icref, ici 30A. [0058] Dans le premier mode de réalisation de l'invention, les deux transistors Tl et T2 sont pilotés, i.e. fonctionnent, en linéaire afin de réguler le courant de pré-charge à la valeur de référence. En variante, seul le transistor Ti fonctionne en régime linéaire afin de réguler le courant de pré-charge. [0059] Nous allons maintenant décrire un second mode de réalisation de l'invention. La [fig.3] illustre ce second mode de réalisation. Par souci de simplification, des références identiques sont données sur cette figure aux éléments communs avec le premier mode de réalisation et illustrés à la [Fig 1]. [0060] Dans l'exemple décrit, le convertisseur de tension 10 comprend : a. un dispositif de contrôle (non représenté), 9 h. une cellule dc conversion C, c. un dispositif de pré-charge 2 selon l'invention, comprenant : i. une borne d'alimentation A3, ii. un dispositif de sécurité 3, iii. un circuit de mesure 4, iv. un circuit de limitation de courant 5, v. un circuit dc démarrage 7, et d. une charge à pré-charger, ici une capacité Cl de l'ordre de 15mF. [0061] Le circuit de démarrage 7 comprend : a. une source de tension V4 délivrant une tension supérieure à celle de la première source de tension V1, h. une borne de commande EN, c. quatre résistances R4, R5, R6 et R7, d. deux transistors bipolaires pnp Q6 et Q5 c. un transistor bipolaire Q4 npn, et f. une capacité C2. [0062] La base du transistor bipolaire npn Q4 est connectée à la borne de commande EN. La résistance R4 est connectée entre la source de tension V4 et le collecteur du transistor Q4 et la résistance R5 est connectée entre l'émetteur du transistor Q4 et la masse, [0063] La base du transistor bipolaire pnp Q6 est connectée au collecteur du transistor Q6. La résistance R7 est connectée entre la source de tension V4 et l'émetteur du transistor Q6. La capacité C2 et la résistance R6 sont connectées en série. En outre, La capacité C2 est connectée par une de ses bornes au collecteur du transistor Q6 et par l'autre de ses bornes à la résistance R6. La résistance R6 est par ailleurs également connectée à la masse. [0064] La base du transistor bipolaire Q5 est connectée à la capacité C2 et au collecteur du transistor Q6. Le collecteur du transistor bipolaire Q5 est connecté à la masse. L'émetteur du transistor bipolaire Q5 est connectée à la borne A3 du dispositif de pré-charge 2. [0065] Pour réaliser la pré-charge, l'interrupteur SW est ouvert et le dispositif de pré-charge 2 est alimenté par sa borne A3 par un courant d'activation 13 fourni par la source de courant SC3 connectée à ladite borne. [0066] Simultanément, une commande de mise en marche du circuit de démarrage 7 est appliquée sur la borne de commande EN ce qui fait fonctionner le transistor Q4 dans sa zone linéaire (en anglais « active region »). L'activation du transistor Q4 a pour effet de créer un courant parcourant les résistances R4 et R5 et de faire également fonctionner le transistor Q6 dans sa zone linéaire. Dans cette zone de fonctionnement, le courant collecteur de Q6 est indépendant de la différence de tension entre l'émetteur et le collecteur de Q6. En d'autres termes, Q6 se comporte comme une source de courant qui permet de charger la capacité C2 et de fournir un courant de hase arrivant sur la borne de commande du transistor Q5. [0067] Au fur et à mesure que la capacité C2 se charge, la tension émetteur-collecteur du transistor Q5 est égale à la somme de la tension hase-émetteur de Q5 et de la tension aux bornes de l'association en série de la capacité C2 et de la résistance R6. En d'autres termes, la tension aux niveau des bornes de commande des transistors Tl et T2 suit la tension émetteur-collecteur du transistor Q5 et le courant 1g est égal au courant d'activation 13 diminué du courant Id dérivé par le transistor Q5. [0068] Au début de la pré-charge, le courant dérivé I1 'est nul et le courant de commande Ig est égal au courant d'activation 13 diminué du courant intermédiaire Id. Sous l'effet de ce courant de commande Ig, les transistors Tl et T2 se ferme progressivement. En d'autres termes, la tension grille-source des transistors Tl et T2 augmente. [0069] Au début de leur fermeture, les transistors Tl et T2 sont en régime linéaire et un courant de pré-charge Ic commence à circuler dans la résistance de mesure Rs puis dans la cellule hacheur C, soit par l'intermédiaire de la diode intrinsèque du transistor T7 soit par l'intermédiaire du transistor T7 préalablement fermé par le circuit de commande. [0070] Corrélativement, le circuit de mesure 4 délivre une tension V+ proportionnelle au courant traversant la résistance de mesure Rs au circuit de limitation de courant 5. [0071] Au fur et à mesure que les transistors TI et T2 se ferment, le courant de pré-charge Ic augmente de même que la tension V+. Lorsque le courant de pré-charge Je atteint une valeur de référence Icref, la tension V+ devient égale à la tension Vref et le circuit de limitation de courant 5 commence à générer un courant dérivé iKA de sorte à limiter le courant le courant de commande Ig. [0072] Le circuit de démarrage 7 est conçu pour que, lorsque le circuit de limitation de courant 5 commence à générer un courant dérivé '(A, la tension au niveau de l'émetteur de Q5 monte moins vite que la tension aux bornes de l'association série de la capacité C2 et de la résistance R6. Ainsi, lorsque la tension au niveau de l'émetteur de Q5 devient inférieure ou égale à la tension aux bornes de l'association série de la capacité C2 et de la résistance R6, le transistor Q5 se bloque et le courant de commande est alors seulement limité par le courant dérivé iKA. [0073] La limitation du courant de commande Ig par le courant dérivé iKA permet de limiter la tension grille-source des transistors TI et T2 à une valeur fixe, ce qui maintient les transistors Tl et T2 en régime linéaire. [0074] Par suite du maintien constant de la tension grille-source des transistors Tl et T2, le courant Ic est maintenu à la valeur de référence Icref. En d'autres termes, le circuit de limitation de courant 5 régule à une valeur constante le courant de pré-charge Ie. 11 [0075] Lorsque la charge Cl est pré-chargée à une tension égale à la tension de la première source de tension V1, le circuit de mesure 4, le circuit de génération de courant 6 et le circuit de démarrage 7 sont désactivés. [0076] La [fig.4] présente l'évolution temporelle du courant de pré-charge traversant la ré- sistance de mesure Rs. Comme illustrée sur cette figure, lorsque le circuit de limitation 5 commence à générer un courant dérivé iKA, le courant de pré-charge le ne présente pas de pic et reste constant à la valeur de référence Icref de 30A. [0077] La [fig.4] présente également l'évolution de la tension grille-source aux bornes du premier transistor Ti. Comme expliqué ci-dessus, lorsque le courant de commande Ig est limité par le courant dérivé iKA, la tension grille-source du transistor T1 est à une valeur fixe, ce qui maintient ce transistor en régime linéaire. [0078] Dans l'exemple de réalisation décrit ici, les commandes appliquées sur la borne de commande EN sont générées par un microcontrôlcur. [0079] Dans les précédents modes de réalisation, les interrupteurs Tl et T2 sont des transistors MOSFET dopés n. En variante, ces interrupteurs peuvent être des transistors IGBT ou des transistors MOSFET dopés p. [0080] De même dans ces modes de réalisation décrits, les interrupteurs T7 et T8 sont des transistors MOSFET dopés n, niais en variante, ces interrupteurs peuvent être réalisés sous forme de diodes, de thyristors, de transistors IGBT ou de transistors MOSFET dopés p. [0081] De même, dans une variante des modes de réalisation décrits précédemment, seul la borne de commande du premier transistor Tl est connectée à la borne A3 du dispositif de pré-charge. Dans cette variante, le transistor T2 est piloté par exemple par le dispositif de contrôle. Lors de la pré-charge, le transistor T2 est dans son état bloqué et le courant de pré-charge Ic traverse la diode intrinsèque du transistor T2. [0082] En outre, dans une variante des modes de réalisation décrits précédemment, la cellule de conversion C peut comprendre non pas un mais une pluralité de hacheurs de tension identiques et connectés en parallèle. 12 [Revendication 1] [Revendication 2]