FR 3090194 A1 20200619 FR 1872842 A 20181213 Description Titre de l'invention : mémoire résistive en trois dimensions et procédé permettant d'obtenir une telle mémoire Domaine technique [0001] Le domaine technique de l'invention est celui des mémoires. La présente invention concerne une mémoire en trois dimensions (ci-après 3D) et en particulier une mémoire en 3D dans laquelle un sélecteur est associé à chaque point mémoire pour former une cellule mémoire. L'invention concerne également un procédé permettant d'obtenir une telle mémoire. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION [0002] Selon l'invention Dans la technologie des mémoires en deux dimensions (ci-après 2D), un problème connu lié à l'adressage d'un point mémoire PM est celui des chemins de fuite. [0003] [fig.1A] En effet, comme illustré à la figure 1A, lorsque l'on applique un potentiel de lecture sur une ligne et sur une colonne afin de lire un point mémoire PM d'une matrice de points mémoire PM, le courant passe non seulement par le point mémoire PM cible (c'est-à-dire situé à l'intersection de la ligne et de la colonne sélectionnées - flèche en ligne continue), mais également par des chemins parasites (au travers des points mémoires PM non adressés en basse résistance - flèches en ligne pointillée) qui peuvent altérer la lecture du point mémoire PM. [0004] [fig.1B] Dans les structures 2D, il est aisé de réduire voire supprimer le problème de chemins parasites en insérant un sélecteur SE entre le point mémoire PM et la colonne ou la ligne d'adressage comme cela est illustré figure 1B. Un sélecteur SE est composé d'une électrode flottante EF (c'est-à-dire qu'elle n'est reliée à aucune référence de potentiel lors du fonctionnement de la mémoire) d'un matériau actif Cl/C2, en général choisi en fonction du matériau actif C2/C1 utilisé pour le point mémoire PM et d'une électrode EP/EV. Cependant, une telle configuration n'a jusqu'à présent pas été mise en place dans le cas des mémoires en 3D. En effet, dans le cas d'une mémoire en 3D, la mise en place d'un sélecteur SE entrainerait un court-circuit entre les électrodes planes EP, ledit court-circuit étant. provoqué par l'électrode flottante HF. 100051 1_1 existe donc un besoin d'une mémoire en 3D comprenant des sélecteurs SE afin de diminuer ou supprimer le problème de chemins de fuite. 11 existe également un besoin d'un procédé permettant d'obtenir une telle mémoire. Résumé de l'invention [0006] L'invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en proposant un dispositif mémoire en 3D comprenant un sélecteur pour chaque point mémoire. 2 Pour mémoire, une mémoire 3D est le résultat d'une stratégie d'intégration où les dispositifs sont organisés dans les trois directions de l'espace, et plus uniquement sur un plan horizontal comme dans les mémoires traditionnelles 2D. Cette configuration permet d'améliorer les performances des dispositifs mémoire tout en augmentant la densité de stockage (et donc de réduire les coûts de fabrication). [0007] Un aspect de l'invention concerne une mémoire, en particulier une mémoire en 3D, comprenant au moins une cellule mémoire, de préférence une pluralité de cellule mémoires, chaque cellule mémoire comprenant : une première électrode, dite électrode plane, s'étendant essentiellement selon un premier plan ; une deuxième électrode, dite électrode flottante, s'étendant essentiellement selon un deuxième plan, parallèle au premier plan ; une troisième électrode, dite électrode verticale, s'étendant essentiellement selon une direction perpendiculairement au premier plan. [0008] De plus, l'électrode plane comporte au moins une première partie en regard d'une première partie de l'électrode flottante, la première partie de l'électrode plane et la première partie de l'électrode flottante étant séparées par une première couche d'un premier matériau actif De même, l'électrode verticale comporte au moins une première partie en regard d'une deuxième partie de l'électrode flottante, la première partie de l'électrode verticale et la deuxième partie de l'électrode flottante étant séparées par une deuxième couche d'un deuxième matériau actif. Enfin, le premier matériau actif est apte à former un sélecteur ou un point mémoire et le deuxième matériau actif est apte à former un point mémoire ou un sélecteur. De plus, la première électrode et la deuxième électrode ne partagent aucun plan qui soit parallèle au premier plan ou au deuxième plan. [0009] Grâce à l'invention, chaque point mémoire est associé à un sélecteur ce qui permet de réduire voire d'éliminer les problèmes de chemins de fuite lors de l'adressage d'un point mémoire. De plus, chaque point mémoire est associé à un sélecteur dont la géométrie peut être contrôlée. [0010] Outre les caractéristiques qui viennent d'être évoquées dans le paragraphe précédent, la mémoire selon un premier aspect de l'invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. [0011] Avantageusement, la première couche d'un premier matériau isolant est séparée de la deuxième couche d'un deuxième matériau actif par une deuxième distance de séparation TR2, la deuxième distance TR2 étant choisie en fonction de la nature du premier matériau actif. [0012] Un deuxième aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'une 3 mémoire comprenant au moins une cellule mémoire, ledit procédé comprenant une première étape de dépôt d'une première couche d'un premier matériau isolant ; une deuxième étape de dépôt d'une première couche d'un matériau conducteur ; une troisième étape de dépôt d'une deuxième couche d'un deuxième matériau isolant ; [0013] lesdites première étape de dépôt d'une première couche d'un premier matériau isolant, deuxième étape de dépôt d'une première couche d'un matériau conducteur et une troisième étape de dépôt d'une deuxième couche d'un deuxième matériau isolant pouvant être itérécs une pluralité de fois. [0014] De plus, le procédé selon un deuxième aspect de l'invention comprend également - une première étape de gravure anisotropique, de sorte à créer une ouverture dans la première couche d'un premier matériau isolant, la première couche d'un matériau conducteur et la deuxième couche d'un deuxième matériau isolant ; une première étape de gravure sélective de la première couche d'un matériau conducteur de sorte à former un retrait dans ladite première couche d'un matériau conducteur ; une étape de dépôt ou de croissance d'une troisième couche d'un troisième matériau isolant de sorte à combler le retrait obtenu lors de la première étape de gravure sélective de la première couche d'un matériau conducteur ; une deuxième étape de gravure sélective de la première couche d'un premier matériau isolant ; une première étape de dépôt conforme d'une première couche d'un premier matériau actif ; une cinquième étape de dépôt d'une deuxième couche d'un matériau conducteur une troisième étape de gravure anisotrope de la première couche d'un premier matériau actif et de la deuxième couche d'un matériau conducteur ; une deuxième étape de dépôt conforme d'une deuxième couche d'un deuxième matériau actif ; une sixième étape de dépôt d'une troisième couche d'un matériau conducteur [0015] le premier matériau actif étant apte à former un sélecteur ou un point mémoire et le deuxième matériau actif étant apte à former un point mémoire ou un sélecteur. [0016] Un troisième aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire comprenant au moins une cellule mémoire, ledit procédé comprenant : une première étape de dépôt d'une première couche d'un premier matériau isolant ; une septième étape de dépôt d'une première couche d'un premier matériau actif ; une deuxième étape de dépôt d'une première couche d'un matériau conducteur ; une troisième étape de dépôt d'une deuxième couche d'un deuxième matériau isolant ; [0017] lesdites première étape de dépôt d'une première couche d'un premier matériau isolant, septième étape de dépôt d'une première couche d'un premier matériau actif, deuxième étape de dépôt d'une première couche d'un matériau conducteur et troisième étape de dépôt d'une deuxième couche d'un deuxième matériau isolant pouvant être itérées une pluralité de fois. [0018] De plus, le procédé selon un troisième aspect de l'invention comprend également : une première étape de gravure anisotropique, de sorte à créer une ouverture dans la première couche d'un premier matériau isolant, la première couche d'un premier matériau actif, la première couche d'un matériau conducteur et la deuxième couche d'un deuxième matériau isolant ; une première étape de gravure sélective de la première couche d'un matériau conducteur de sorte à former un retrait dans ladite première couche d'un matériau conducteur ; une étape de dépôt ou de croissance d'une troisième couche d'un troisième matériau isolant de sorte à combler le retrait obtenu lors de la première étape de gravure sélective de la première couche d'un matériau conducteur ; une deuxième étape de gravure sélective de la première couche d'un premier matériau isolant ; une cinquième étape de dépôt d'une deuxième couche d'un matériau conducteur ; une troisième étape de gravure anisotrope de la deuxième couche d'un matériau conducteur ; une deuxième étape de dépôt conforme d'une deuxième couche d'un deuxième matériau actif ; une sixième étape de dépôt d'une troisième couche d'un matériau conducteur ; [0019] le premier matériau actif étant apte à former un sélecteur ou un point mémoire et le deuxième matériau actif étant apte à former un point mémoire ou un sélecteur. [0020] Le procédé selon un deuxième ou un troisième aspect de l'invention permet d'exercer un contrôle précis sur la géométrie du sélecteur et/ou du point mémoire dans une structure en 3D à travers notamment les dimensions des retraits obtenus lors des deux étapes de gravure sélective. [0021] Outre les caractéristiques qui viennent d'être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé selon un deuxième ou un troisième aspect de l'invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. [0022] Avantageusement, lorsque l'étape de dépôt ou de croissance d'une troisième couche d'un troisième matériau isolant est une étape de dépôt, alors ladite étape comprend : - une première sous-étape étape de dépôt d'une troisième couche d'un troisième matériau isolant ; une deuxième sous-étape de gravure anisotrope de la troisième couche d'un troisième matériau isolant. [0023] Avantageusement, l'étape de dépôt ou de croissance d'une troisième couche d'un troisième matériau isolant est une étape de croissance thermique. [0024] Avantageusement, le matériau conducteur est choisi parmi le TiN, TaN, TaCN, Ta, Ti, W. Cu, Ru, Mo, Co, C. Al et/ou Ag, ou un alliage comprenant au moins deux desdits métaux. [0025] Avantageusement, lorsque le matériau actif est destiné à former un sélecteur, alors ce dernier est choisi parmi le V0x, GcSc, TiOx, Tax0y. [0026] Avantageusement, lorsque le matériau actif est destiné à former un point mémoire, alors ce dernier est choisi parmi le Hf0x, Alx0y, Tax0y, CuTeGe, GST, TiOx, SiOx. [0027] L'invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent. Brève description des dessins [0028] Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. La figure 1A-B montre une représentation schématique d'un dispositif mémoire 2D sans (figure I A) et avec (figure I B) sélecteur. La figure 2A-B montre une représentation schématique d'une mémoire selon un mode de réalisation d'un premier aspect der invention. La figure 3 montre une représentation schématique d'une mémoire selon un mode de réalisation d'un premier aspect de l'invention. La figure 4A-M montre une représentation schématique des étapes d'un procédé selon un mode de réalisation d'un deuxième aspect de l'invention. La figure 5 montre une représentation schématique d'une cellule mémoire obtenue à l'aide d'un procédé selon un deuxième aspect de l'invention. La figure 6 montre un logigramme d'un procédé selon un deuxième aspect de l'invention. 6 La figure 7 montre une représentation schématique d'un empilement obtenu au cours de la mise en oeuvre d'un procédé selon un troisième aspect de l'invention. La figure 8 montre une représentation schématique d'une cellule mémoire d'une mémoire obtenue à l'aide d'un procédé selon un troisième aspect de l'invention. La figure 9 montre un logigramme d'un procédé selon un troisième aspect de l'invention. Description des modes de réalisation [0029] Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique. [0030] [fig.2A] [0031] W8.213_1 [0032] [fig.31 Comme illustré à la figure 2A-B et à la figure 3, un premier mode de réa- lisation d'un premier aspect de l'invention concerne une mémoire ME, en particulier une mémoire en trois dimensions, comprenant au moins une cellule mémoire CM, de préférence une pluralité de cellules mémoire CM (comme illustré à la figure 3 où ladite mémoire comporte deux cellules mémoires). Chaque cellule mémoire CM comprend une première électrode, dite électrode plane EP, s'étendant essentiellement selon un premier plan PP, une deuxième électrode, dite électrode flottante EF, s'étendant essentiellement selon un deuxième plan PF, parallèle au premier plan PP et une troisième électrode, dite électrode verticale EV, s'étendant essentiellement selon une direction perpendiculaire au premier plan PP et au deuxième plan PF. De plus, l'électrode plane EP comporte au moins une première partie en regard d'une première partie de l'électrode flottante EF au niveau d'une première région RR1, la première partie de l'électrode plane EP et la première partie de l'électrode flottante EF étant séparées par une première couche Cl d'un premier matériau actif De même, l'électrode verticale EV comporte au moins une première partie en regard d'une deuxième partie de l'électrode flottante EF au niveau d'une deuxième région RR2, la première partie de l'électrode verticale EV et la deuxième partie de l'électrode flottante EF étant séparée par une deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif. Enfin, la première électrode EP et la deuxième électrode EF ne partagent aucun plan qui soit parallèle au premier plan PP ou au deuxième plan PE. Autrement dit, les deux électrodes se situent dans deux plans différents. L'électrode verticale EV est de préférence de forme cylindrique, encore plus préférentiellement, un cylindre circulaire droit. Pour mémoire, un cylindre est une surface réglée dont les génératrices sont parallèles. La largeur (ou le diamètre pour le cylindre circulaire droit) de l'électrode verticale EV est limitée par 7 la hauteur dudit cylindre et des procédés de fabrication utilisés. En particulier, l'aspect de forme maximum autorisé par un procédé donné permettra de connaitre le diamètre minimum de l'électrode verticale EV en fonction de la hauteur de cette dernière. Les matériaux conducteurs de l'électrode verticale EV, de l'électrode plane EP et de l'électrode flottante EF peuvent être choisis parmi le TiN, TaN, TaCN, Ta, Ti, W. Cu, Ru, Mo, Co, C, Al et/ou Ag ou leurs alliages. [0033] Par ailleurs, le premier matériau actif Cl est apte à former un sélecteur SE ou un point mémoire PIVI et le deuxième matériau actif C2 est apte à former un point mémoire PM ou un sélecteur SE. Ainsi, chaque cellule mémoire CM comprend un sélecteur SE et un point mémoire PM. Le matériau utilisé pour obtenir un sélecteur peut notamment comprendre du V0x, GcSc, TiOx, Tax0y. Le matériau utilisé pour obtenir un point mémoire peut notamment comprendre Hf0x, Alx0y, Tax0y, CuTeGe, GST, TiOx, SiOx. Par exemple, le premier matériau actif (respectivement le deuxième matériau actif) est du GeSe alors que le deuxième matériau actif (respectivement le premier matériau actif) est du GST (GeSbTe). [0034] La mémoire ME ainsi obtenue présente de nombreux avantages. Elle permet notamment de réduire voire supprimer les chemins de fuite grâce à la présence d'un sélecteur SE associé à un point mémoire PM dans chaque cellule mémoire CM. Dans la suite, on entend par point mémoire PM l'ensemble constitué par deux électrodes (par exemple l'électrode plane EP et l'électrode flottante EF ou l'électrode flottante EF et l'électrode verticale EV) entourant un matériau actif (par exemple la première couche Cl d'un premier matériau actif ou la deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif) apte à former un point mémoire PM. De manière similaire, on entend par sélecteur SE l'ensemble constitué par deux électrodes entourant un matériau actif apte à former un sélecteur SE. L'arrangement de chaque cellule mémoire CM permet également de moduler au travers de deux distances la surface d'échange entre l'électrode flottante EF et l'électrode plane EP. Ces deux longueurs sont représentées sur la figure 2B. La première TRI de ces distances est la distance séparant l'électrode plane EP de la deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif. La deuxième TR2 de ces distances correspondant à la distance séparant la première couche CII d'un premier matériau isolant de la deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif. [0035] Un deuxième aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication permettant d'obtenir une mémoire ME selon un premier aspect de l'invention. Un mode de réalisation d'un deuxième aspect de l'invention illustré à la figure 4A-M, à la figure 5 et à la figure 6 concerne un procédé de fabrication d'une mémoire ME comprenant au moins une cellule mémoire CM, de préférence une pluralité de cellules mémoire CM. [0036] [fig.4A] Comme illustré à la figure 4A, le procédé comprend une première étape Dl de dépôt d'une première couche CII d'un premier matériau isolant. Dans un mode de 8 réalisation, le premier matériau isolant est du SiN. Dans un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche Cil d'un premier matériau isolant est comprise entre 15 nm et 25 nm, de préférence égale à 20 nm. De manière plus générale, l'épaisseur de la première couche Cil d'un premier matériau isolant détermine l'épaisseur de l'électrode flottante EF et doit donc être choisie en fonction des contraintes techniques concernant ladite électrode flottante EF. Le dépôt peut être effectué sur un substrat SB, par exemple un substrat SB de silicium. [0037] [fig.413] Comme illustré à la figure 4B, le procédé comprend ensuite une deuxième étape D2 de dépôt d'une première couche EP d'un matériau conducteur sur la première couche CU d'un premier matériau isolant. Dans un mode de réalisation, le matériau conducteur est choisi parmi le TiN, TaN, TaCN, Ta, Ti, W, Cu, Ru, Mo, Co, C, Al et/ ou Ag, ou un de leurs alliages. Dans un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche EP d'un matériau conducteur est comprise entre 15 nm et 25 nm, de préférence égale à 20 nm. [0038] [fig.4C] Comme illustré à la figure 4C, le procédé comprend ensuite une troisième étape D3 de dépôt d'une deuxième couche Cl2 d'un deuxième matériau isolant sur la première couche EP d'un matériau conducteur. Dans un mode de réalisation, le deuxième matériau isolant est du SiOx. Dans un mode de réalisation l'épaisseur de la deuxième couche Cl2 d'un deuxième matériau isolant est comprise entre 15 nm et 25 nm, de préférence égale à 20 nm. [0039] Lorsque l'on désire fabriquer une pluralité de cellules mémoires CM comme illustré à la figure 3, ces trois premières étapes Dl, D2, D3 sont répétées autant de fois que de nombre de cellules mémoires CM souhaitées par électrode verticale EV. Dans un mode de réalisation, le nombre de répétitions est compris entre deux et soixante-quatre. On notera que la première étape Dl de dépôt d'une première couche CII d'un premier matériau isolant et la troisième étape D3 de dépôt d'une deuxième couche Cl2 d'un deuxième matériau isolant peuvent être permutées entre chaque répétition. Par exemple, dans le cas de deux répétitions des trois étapes ci-dessus, l'alternance de couche CII/EP/Cl2 peut être suivie d'une alternance de couche Cl2/EP/CI1 de sorte à obtenir l'empilement CII/EP/Cl2/Cl2/EP/CII. [0040] [fig.4D] Une fois l'empilement obtenu, comme illustré à la figure 4D, le procédé selon l'invention comprend une première étape GAI de gravure anisotropique, de sorte à créer une ouverture OUV dans la première couche CI1 d'un premier matériau isolant, la première couche EP d'un matériau conducteur et la deuxième couche Cl2 d'un deuxième matériau isolant. L'ouverture OUV destinée notamment à former l'électrode verticale EV est de préférence de forme cylindrique, encore plus préférentiellement, un cylindre circulaire droit. Pour mémoire, un cylindre est une surface réglée dont les génératrices sont parallèles. La largeur (ou le diamètre pour le cylindre circulaire (boit) 9 de l'ouverture OUV (et donc de l'électrode verticale EV) est limitée par la hauteur dudit cylindre et des procédés de fabrication utilisés. En particulier, l'aspect de forme maximum autorisé par un procédé donné permettra de connaitre le diamètre minimum de l'électrode verticale EV en fonction dc la hauteur de cette dernière. Dans un mode de réalisation, le diamètre de l'ouverture OUV est compris entre 40 nm et 100 nm. Lorsqu'une pluralité de cellules mémoires CM est souhaitée la gravure est réalisée dc sorte à créer une ouverture OUV dans la pluralité de premières couches CH d'un premier matériau isolant, la pluralité dc premières couches EP d'un matériau conducteur et la pluralité de deuxièmes couches C12 d'un deuxième matériau isolant. De même, lorsque l'on souhaite une pluralité d'électrodes verticales EV, la première étape GAI dc gravure anisotropique est réalisée de sorte à créer une pluralité d'ouvertures OUV telles que celle précédemment décrite. [0041] [fig.4E] Comme illustré à la figure 4E, le procédé comprend ensuite une première étape GS1 de gravure sélective de la première couche EP d'un matériau conducteur. On entend par gravure sélective le fait que, lors dc ladite gravure, la vitesse dc gravure de la première couche EP d'un premier matériau conducteur est supérieure à la vitesse de gravure des autres couches. Cette gravure va permettre de créer un retrait RTI dans la surface latérale de l'ouverture OUV au niveau dc la première couche EP d'un premier matériau conducteur. Cette première gravure sélective permet en particulier de choisir l'importance de ce retrait RTI et donc la distance TRI séparant la deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif de l'électrode plane EP. Dans un mode de réalisation, le retrait RTI est compris entre 15 nm et 25 nm, de préférence 20 nm. [0042] [fig.4F] Comme illustré à la figure 4F, le procédé selon l'invention comprend une quatrième étape D4 de dépôt ou de croissance d'une troisième couche C13 d'un troisième matériau isolant. Lors de cette étape, le matériau est déposé en quantité suffisante pour venir combler le retrait RTI réalisé lors de l'étape GS1 de gravure sélective de la première couche EP d'un matériau conducteur précédente. Dans un mode de réalisation, le troisième matériau isolant est du SiOx. Dans un mode de réalisation, l'étape D4 de dépôt ou de croissance d'une troisième couche C13 d'un troisième matériau isolant est réalisée par croissance thermique de sorte à combler le retrait réalisé lors de l'étape GS1 de gravure sélective de la première couche EP d'un matériau conducteur. [0043] [fig.40] A l'issue de cette étape, comme illustré à la figure 40, le procédé comprend une deuxième étape 0A2 de gravure anisotrope de la troisième couche C13 d'un troisième matériau isolant, de sorte que seule la partie de la troisième couche CI3 d'un troisième matériau isolant située dans le retrait RTI créé lors de l'étape GSI de gravure sélective de la première couche EP d'un matériau conducteur soit conservée. Lorsque l'étape D4 de dépôt ou de croissance d'une troisième couche C13 d'un troisième matériau isolant est réalisée par croissance thermique, alors la deuxième étape 0A2 de gravure anisotrope de la troisième couche CI3 d'un troisième matériau isolant n'est pas mise en oeuvre, la croissance étant stoppée lorsque le retrait RT1 réalisé lors de l'étape 051 de gravure sélective de la première couche EP d'un matériau conducteur est comblé. [0044] [fig.4H] Comme illustré à la figure 4H, le procédé comprend ensuite une deuxième étape 052 de gravure sélective de la première couche Cil d'un premier matériau isolant. Cette gravure va permettre de créer un retrait RT2 dans la surface latérale de l'ouverture OUV au niveau de la première couche Cil d'un premier matériau isolant. Cette deuxième gravure sélective permet en particulier de choisir l'importance de ce retrait RT2 et donc la distance TR2 séparant la deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif de la première couche al d'un premier matériau isolant. Dans un mode de réalisation, le retrait est compris entre 25 nm et 35 nm, de préférence 30 nm. [0045] [fig.41] Comme illustré à la figure 41, le procédé comprend également une première étape DC1 de dépôt conforme d'une première couche Cl d'un premier matériau actif. Dans un mode de réalisation, lorsque le premier matériau actif est destiné à former un sélecteur SE, alors ce dernier est choisi parmi le V0x, GcSc, TiOx, Tax0y. Dans un mode de réalisation, lorsque le premier matériau actif est destiné à former un point mémoire PM, alors ce dernier est choisi parmi le Hf0x, Alx0y, Tax0y, CuTeGe, GST, TiOx, SiOx. Dans un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche Cl d'un premier matériau actif est comprise entre 5 nm et 10 nm. [0046] [fig.4.1] Puis comme illustré à la figure 4J, le procédé comprend une cinquième étape D5 de dépôt d'une deuxième couche EF' d'un matériau conducteur. Lors de cette étape, le matériau est déposé en quantité suffisante pour venir combler le retrait RT2 réalisé lors de l'étape 0S2 de gravure sélective de la première couche CH d'un premier matériau isolant précédente. Dans un mode de réalisation, le matériau conducteur est choisi parmi le TiN, TaN, TaCN, Ta, Ti, W, Cu, Ru, Mo, Co, C, Al et/ ou Ag, ou un de leurs alliages. [0047] [fig.4K] Ensuite, comme illustré à la figure 4K, le procédé comprend une troisième étape 0A3 de gravure anisotrope de la première couche Cl d'un premier matériau actif et de la deuxième couche EF' d'un matériau conducteur, de sorte que seule la partie de la première couche CI d'un premier matériau actif et de la deuxième couche EF' d'un matériau conducteur située dans le retrait RT2 créé lors de l'étape GS2 de gravure sélective de la première couche CI1 d'un premier matériau isolant est conservée. [0048] [fig.4L] Comme illustré à la figure 4L, le procédé comprend également une deuxième étape DC2 de dépôt conforme d'une deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif. Dans un mode de réalisation, lorsque le deuxième matériau actif est destiné à former un sélecteur SE, alors ce dernier est choisi parmi le V0x, GeSe, TiOx, 11 Tax0y. Dans un mode de réalisation, lorsque le deuxième matériau actif est destiné à former un point mémoire PM, alors ce dernier est choisi parmi le Hf0x, Alx0y, Tax0y, CuTeGe, GST, TiOx, SiOx. Dans un mode de réalisation, l'épaisseur de la deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif est comprise entre 5 nm et 30 nm. Il est important de noter ici que lorsque le premier matériau actif est apte à former un sélecteur SE (respectivement un point mémoire PM) alors le deuxième matériau actif est apte à former un point mémoire PM (respectivement un sélecteur SE). [0049] [fig.41VI] Comme illustré à la figure 4M, le procédé comprend enfin une sixième étape D6 de dépôt d'une troisième couche EV d'un matériau conducteur de sorte à venir combler l'ouverture OUV. Dans un mode de réalisation, le matériau conducteur est choisi parmi le TiN, TaN, TaCN, Ta, Ti, W. Cu, Ru, Mo, Co, C, Al et/ou Ag, ou un de leurs alliages. [0050] [fig.5] La cellule mémoire CM obtenue à l'issue du procédé est représentée à la figure S. Comme indiqué sur cette figure, la cellule mémoire CM comporte un point mémoire PM et un sélecteur SE, la position de ces derniers étant fonction des matériaux choisis pour le premier matériau actif et pour le deuxième matériau actif. [0051] [fig.6] [0052] [fig.7] [0053] [fig.8] [0054] [fig.9] Comme illustré à la figure 7, à la figure 8 et à la figure 9, un troisième aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication alternatif d'une mémoire ME selon un premier aspect de l'invention. Le procédé comprend une première étape Dl de dépôt d'une première couche CH d'un premier matériau isolant ; une septième étape D7 de dépôt d'une première couche Cl d'un premier matériau actif ; une deuxième étape D2 de dépôt d'une première couche EP d'un matériau conducteur ; une troisième étape D3 de dépôt d'une deuxième couche Cl2 d'un deuxième matériau isolant, de sorte à obtenir l'empilement de la figure 7. Il diffère donc du procédé selon un deuxième aspect de l'invention par la présence une septième étape D7 de dépôt d'une première couche Ci d'un premier matériau actif. Comme dans le procédé selon le deuxième aspect de l'invention, les quatre étapes décrites ci-dessus peuvent être répétées en fonction du nombre de cellules mémoires CM souhaité. Le procédé selon un troisième aspect de l'invention diffère également du procédé selon un deuxième aspect de l'invention en ce qu'il ne comprend pas une première étape DC1 de dépôt conforme d'une première couche Cl d'un premier matériau actif, ledit matériau actif étant déjà présent de par la mise en oeuvre de septième étape D7 de dépôt d'une première couche Cl d'un premier matériau actif. Les autres étapes restent quant à elles inchangées. Le procédé selon un troisième aspect de l'invention permet d'obtenir une cellule mémoire CM telle que représentée à la figure 8. Comme indiqué sur cette 12 figure, la cellule mémoire comporte un point mémoire PM et un sélecteur SE, la position de ces derniers étant fonction des matériaux choisis pour le premier matériau actif et pour le deuxième matériau actif. [0055] Dans un mode de réalisation, le retrait RT2 créé lors de l'étape GS2 de gravure sélective de la première couche Cil d'un premier matériau isolant est largement supérieur au retrait RT1 créé lors de l'étape GS1 de gravure sélective de la première couche EP d'un matériau conducteur de sorte à avoir une grande surface de l'électrode plane EP en regard de l'électrode flottante EF (par exemple, la différence entre le retrait RT2 créé lors de l'étape 0S2 de gravure sélective de la première couche CD et le retrait RT1 créé lors de l'étape GS1 de gravure sélective de la première couche EP est supérieur à 10 nm et inférieur ou égal à 100 nm, c'est-à-dire 10 nm TR2ATR1 A 100 nm). Dans ce mode de réalisation, le premier matériau actif est choisi de sorte à obtenir un sélecteur SE et le deuxième matériau actif est choisi de sorte à obtenir un point mémoire PM. Le sélecteur SE ainsi obtenu peut tirer avantage de la grande surface en regard précédemment décrite. [0056] Dans un mode de réalisation alternatif, le retrait RT2 créé lors de l'étape 0S2 de gravure sélective de la première couche Cll d'un premier matériau isolant est légèrement supérieur au retrait RT1 créé lors de l'étape GS1 de gravure sélective de la première couche EP d'un matériau conducteur (par exemple, la différence entre le retrait RT2 créé lors de l'étape 0S2 de gravure sélective de la première couche CD et le retrait RTI créé lors de l'étape GS1 de gravure sélective de la première couche EP est inférieure ou égale à 10 nm, c'est-à-dire TR2ATRI A 10 nm) de sorte à avoir une faible surface de l'électrode plane EP en regard de l'électrode flottante EF. Dans ce mode de réalisation, le premier matériau actif est choisi de sorte à obtenir un point mémoire PM et le deuxième matériau actif est choisi de sorte à obtenir un sélecteur SE. Le point mémoire PM ainsi obtenu occupe une surface très faible ce qui permet d'augmenter la densité de stockage d'une mémoire ME utilisant un tel point mémoire PM. [0057] Dans un mode de réalisation, la mémoire ME obtenue est telle que l'électrode plane EP est séparée de la deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif par une première distance de séparation TRI et la première couche CII d'un premier matériau isolant est séparée de la deuxième couche C2 d'un deuxième matériau actif. De plus, la deuxième distance TR2 est choisie en fonction de la nature du deuxième matériau actif. On notera que la deuxième distance TR2 est telle que TR2 > TRI-ETCI avec TC1 l'épaisseur de la première couche Cl d'un premier matériau actif. Cette relation traduit simplement le fait que l'électrode flottante EF a bien une partie en regard de l'électrode plane EP. 13 [Revendication I] [Revendication 2] [Revendication 3]