FR 3087046 A1 20200410 FR 1859238 A 20181005 STRUCTURE A BARREAUX SEMI-CONDUCTEURS SUPERPOSES AYANT UNE ENVELOPPE SEMI-CONDUCTRICE UNIFORME DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La présente demande se rapporte au domaine de la micro-électronique et des transistors, et concerne plus particulièrement celui des transistors dotés d'une structure réalisant au moins un canal sous forme d'une pluralité de barreaux semiconducteurs disposés les uns au-dessus des autres. Pour permettre le contrôle électrostatique du canal, une telle structure est typiquement associée à une électrode de grille à configuration dite « enrobante », c'est à dire qui s'étend tout autour des barreaux, que ce soit en regard de leurs faces supérieures et inférieures, mais aussi latéralement. Une telle configuration permet de manière générale d'obtenir un meilleur contrôle électrostatique de la structure de canal. Pour permettre d'améliorer les performances d'un transistor à barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, on peut réaliser une structure de canal ayant une déformation ou contrainte élastique. Pour cela, préalablement à la formation de la grille, on peut faire croitre autour des barreaux un matériau semiconducteur ayant un paramètre de maille différent de celui des barreaux. Un tel matériau est typiquement réalisé à l'aide d'un procédé de croissance épitaxiale. Or il s'avère difficile d'obtenir une épaisseur uniforme de matériau d'un barreau à l'autre de la structure, en particulier au niveau d'une partie supérieure des barreaux. Le barreau situé au sommet de la structure peut avoir, sur sa partie supérieure, une épaisseur de matériau plus important que celle formée sur la partie supérieure des barreaux sous-jacents. De ce fait, la composition chimique, le niveau de contrainte, ainsi que le comportement électrique, en particulier la tension de seuil et le contrôle électrostatique par la grille du canal peuvent différer d'un barreau à l'autre de la structure de canal. 2 Il se pose donc le problème de réaliser une structure pour transistor et à barreaux semi-conducteurs superposés améliorée vis-à-vis d'inconvénients mentionnés ci-dessus. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un aspect de la présente invention concerne la réalisation d'une structure pour transistor, à barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres et aptes former au moins une région de canal du transistor, avec un matériau semiconducteur autour des barreaux, l'épaisseur de matériau semi-conducteur formée autour des barreaux étant sensiblement similaire d'un barreau à l'autre. 10 Pour réaliser une telle structure on prévoit en particulier un procédé comprenant une croissance d'un matériau semi-conducteur autour de barreaux semiconducteurs disposés les uns au-dessus des autres, tout en conservant lors de cette croissance un barreau factice situé au-dessus des barreaux semi-conducteurs afin de rendre les conditions de croissance équivalente d'un barreau à l'autre, et pouvoir 15 permettre d'obtenir des dépôt semblables d'un barreau à l'autre. Un mode de réalisation concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : a) prévoir sur un support, un empilement comportant une alternance d'un ou plusieurs premiers barreaux en matériau sacrificiel, en particulier un premier 20 matériau semi-conducteur et d'un ou plusieurs deuxièmes barreaux à base d'un deuxième matériau semi-conducteur, ledit empilement étant recouvert d'un barreau dit « factice » en un matériau donné, le barreau factice étant agencé sur, et typiquement en contact d'un barreau donné parmi lesdits premiers barreaux, ledit barreau donné étant disposé au sommet dudit empilement, 25 b) former un masquage avec une ouverture dévoilant des portions appelées « portions centrales » desdits barreaux dudit empilement revêtu d'une portion nommée « portion centrale » dudit barreau factice, 3 c) retirer dans l'ouverture la portion centrale des premiers barreaux par gravure sélective du matériau sacrificiel vis-à-vis dudit deuxième matériau semiconducteur et du matériau donné dudit barreau factice, puis d) faire croitre un matériau semi-conducteur autour des deuxièmes barreaux tout en conservant lors de cette croissance ladite portion centrale dudit barreau factice. La croissance réalisée à l'étape d) peut être en particulier mise en oeuvre à l'aide d'un procédé d'épitaxie sélective. Lors de la croissance à l'étape d), du fait de la présence du barreau factice, 10 le barreau à base du deuxième matériau semi-conducteur et qui est situé au sommet de la superposition est protégé par le barreau factice. Les autres barreaux sous-jacents sont eux même protégés par un ou plusieurs barreaux situés au-dessus d'eux. Un tel agencement peut de cette manière permettre d'obtenir à l'étape d) des épaisseurs de matériau semi-conducteur sur le barreau du sommet qui sont 15 sensiblement égales ou proches des épaisseurs de matériau semi-conducteur formées sur les autres barreaux. En particulier, l'épaisseur de matériau semi-conducteur formée sur une face supérieure du barreau de sommet est sensiblement égale à celle formée sur la face supérieure des barreaux situés en dessous. Le matériau semi-conducteur recouvrant une portion des deuxièmes 20 barreaux semi-conducteurs est apte à former au moins une région de canal de transistor. Ainsi, le procédé peut comprendre en outre après l'étape d), la formation d'une grille autour des deuxièmes barreaux semi-conducteurs recouverts par ledit matériau semiconducteur. Le barreau factice peut être formé à l'aide d'un matériau différent du 25 matériau semi-conducteur sacrificiel et du deuxième matériau semi-conducteur. Un mode de réalisation prévoit le premier matériau semi-conducteur à base de SiGe, le deuxième matériau semi-conducteur étant du Silicium. Le barreau factice est avantageusement en un matériau isolant, de préférence amorphe. 4 Le barreau factice peut être en particulier prévu en un matériau isolant de composition semblable au matériau à partir duquel des espaceurs isolants sont réalisés. Un exemple de réalisation particulier prévoit un barreau factice en SiN ou SiBCN. Selon un mode de réalisation particulier du procédé, le barreau factice peut servir de masque de gravure lorsqu'on effectue une gravure, préalablement à l'étape a) où lors de l'étape a), d'un empilement de couches semi-conductrices pour former ledit empilement de barreaux. Le barreau factice a typiquement des dimensions, en particulier une 10 largeur, semblable aux dimensions, en particulier à la largeur des deuxièmes barreaux. Avantageusement, le matériau semi-conducteur que l'on fait croitre sur les deuxièmes barreaux a un paramètre de maille différent de celui du deuxième matériau semi-conducteur. Cela peut permettre d'obtenir une structure de canal contrainte. Le matériau semi-conducteur que l'on fait croitre peut être en particulier 15 à base de germanium, en particulier lorsque les deuxièmes barreaux sont en silicium. Dans ce cas, le procédé peut comprendre en outre, après croissance du matériau semi-conducteur sur les deuxièmes barreaux, au moins un recuit thermique de sorte à faire diffuser du Germanium dans les deuxièmes barreaux. On peut également conserver une épaisseur de matériau semi- 20 conducteur autour des deuxièmes barreaux, puis former une grille sur des régions de matériau semi-conducteur conservées autour des deuxièmes barreaux. Selon un mode de réalisation particulier, le masquage de l'étape b) peut être formé d'espaceurs isolants et d'une couche d'encapsulation située de part et d'autre d'un ensemble formé par une grille sacrificielle et les espaceurs isolants, l'ouverture étant 25 quant à elle formée par retrait de la grille sacrificielle agencée entre les espaceurs isolants. Le procédé peut comprend en outre, préalablement à la formation de l'ouverture, des étapes de : - réalisation d'une grille sacrificielle sur l'empilement, - formation d'espaceurs isolants de part et d'autre de la grille sacrificielle, 5 - retrait de l'empilement de part et d'autre de l'ensemble formé par la grille sacrificielle et les espaceurs, - retrait sélectif de portions d'extrémité des premiers barreaux de sorte à réduire leur longueur et libérer des espaces de part d'autre de régions d'extrémité des premiers barreaux, - formation d'espaceurs internes en matériau diélectrique dans lesdits espaces. Le procédé peut comprendre en outre, après la formation des espaceurs internes et préalablement à la formation de l'ouverture, des étapes de: 10 formation des régions de source et de drain, - formation d'au moins une couche d'encapsulation sur les régions de source et de drain, la couche d'encapsulation étant agencée de sorte à dévoiler la grille sacrificielle. Après l'étape c) de gravure sélective et préalablement à l'étape d) de 15 croissance de matériau semi-conducteur sur les deuxièmes barreaux, le procédé peut comprendre en outre au moins une étape d'amincissement de la portion centrale des deuxièmes barreaux. Dans ce cas, lorsque la portion centrale des deuxièmes barreaux est amincie d'une épaisseur donnée lors dudit amincissement, le matériau semi-conducteur 20 formé par croissance sur les deuxièmes barreaux peut être prévu avec une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur donnée. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en 25 faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A-1K servent à illustrer un exemple de procédé de réalisation d'une structure à barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, un barreau isolant étant agencé de part et d'autre des barreaux ; - les figures 2A-2B servent à illustrer une variante de réalisation. 6 Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas 5 nécessairement selon une échelle uniforme pour rendre les figures plus lisibles. En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation, telle que « sur », « au-dessus », « supérieure », « inférieure », « latérale » etc. d'une structure s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée sur les figures. 10 Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère à présent à la figure 1A donnant un exemple de structure semi-conductrice à barreaux semi-conducteurs superposés. 15 La structure peut être formée à partir d'un substrat 1 de type communément appelé « bulk » formé d'une couche semi-conductrice ou bien un substrat de type semi-conducteur sur isolant comprenant une couche de support semi conductrice recouverte d'une couche isolante par exemple à base Si02, elle-même recouverte d'une fine couche semi-conductrice superficielle. 20 La structure semi-conductrice est typiquement réalisée à partir d'un empilement semi-conducteur comportant une alternance de couches à base d'un premier matériau 6, qui peut être semi-conducteur, et de couches à base d'un deuxième matériau 8 qui est semi-conducteur et différent du premier matériau 6. Le premier matériau 6 est susceptible de pouvoir être gravé de manière sélective vis-à-vis du deuxième matériau 8. 25 Par exemple, le premier matériau 6 est à base de silicium germanium tandis que le deuxième matériau 8 est en silicium. Selon un exemple de réalisation particulier le premier matériau 6 est à base de Sii_xGe., avec x par exemple compris entre 0.2 et 0.4. Typiquement, un tel empilement est formé par épitaxies successives des couches semi-conductrices. 7 La structure représentée sur la figure 1A est obtenue à l'issue d'une gravure des couches semi-conductrices, les couches gravées comportant typiquement des portions sous forme de barreaux. La structure comporte ainsi une alternance de barreaux 4a, 4b, 4c, 4d, à base du premier matériau 6 et de barreaux Sa, 5b, Sc, à base du deuxième 5 matériau 8. Les barreaux 4a, 5a, 4b, 5b, 4c, 5c, 4d, empilés que l'on appelle indifféremment « nano-couches » (en anglais nano-sheets) ou « nano-fils » sont par exemple de forme parallélépipédique ou sensiblement parallépipédique. Les premiers barreaux 4a, 4b, 4c, 4d, ont une portion dite « centrale », qui est sacrificielle, destinée à être retirée par la suite, tandis qu'une portion appelée 10 « centrale » des deuxièmes barreaux Sa, Sb, Sc est à base du matériau semi-conducteur 8 et destinée à former une structure de canal ou une partie de structure de canal ou une structure de soutien mécanique à une structure de canal de transistor. Au sommet de l'empilement semi-conducteur, un barreau 15 en un matériau donné différent des matériaux 6, des premiers barreaux et 8 des deuxièmes 15 barreaux, est également réalisé. Le barreau 15 est de préférence en un matériau apte à résister à une gravure sélective du premier matériau 6. Le barreau 15 est qualifié de « factice » (en anglais « dummy ») car dans ce mode de réalisation, à la différence des barreaux Sa, 5b, 5c, il n'est pas prévu pour former la structure de canal. Le barreau factice 15 est typiquement réalisé en un matériau isolant, par exemple tel que du nitrure de 20 silicium (SiN) ou du SiBCN. Le barreau 15 peut être en contact avec le barreau semi- conducteur Sc de sommet ou bien être séparé de ce barreau 5c par l'intermédiaire d'une couche par exemple en oxyde de silicium. Ce barreau factice 15 peut être de mêmes dimensions et de préférence au moins de même largeur W, par exemple de même largeur W et de même longueur L 25 que les barreaux semi-conducteurs Sa, 5b, 5c. W et L sont ici des dimensions mesurées dans des directions parallèles au plan principal du substrat et en particulier respectivement à l'axe x et à l'axe y d'un repère orthogonal [0; x; y; z], le plan principal du substrat étant quant à lui un plan du substrat défini sur la figure 1A comme un plan passant par le substrat et parallèle au plan [0; x; y]. Les barreaux 5a, 5b, 5c peuvent avoir une largeur par exemple, 30 comprise entre 10 nm et 100 nm. Les barreaux Sa, 513, Sc, peuvent également avoir une 8 épaisseur e (dimension mesurée parallèlement à l'axe z) comprise typiquement entre 4 nm et 12 nm, par exemple entre 6 nm et 8 nm. Le barreau factice 15 peut avantageusement remplir la fonction de masque de gravure lors de l'étape de gravure de l'empilement de couches semi-conductrices menant à la formation de l'empilement de barreaux 4a, Sa, 4b, 5 5b, 4c, 5c, 4d. On réalise ensuite une grille 21 sacrificielle (figure 1B), par exemple en formant au moins un diélectrique de grille, par exemple du Si02 et un matériau de grille, par exemple du polysilicium sur la structure et le barreau factice 15. Des espaceurs isolants 23a, 23b dits « externes » sont réalisés de part et 10 d'autre de la grille factice 21. Les espaceurs isolants 23a, 23b sont par exemple à base de nitrure de silicium (SiN) ou de SiCN. Les espaceurs isolants 23a, 23b et la grille sacrificielle 21 couvrent ainsi au moins une région centrale de l'empilement de barreaux semi-conducteurs. On retire également (figure 1C) des régions de l'empilement autour de la 15 région centrale et qui sont situées de part et d'autre des espaceurs isolants 23a, 23b. Ce retrait est typiquement réalisé par gravure anisotrope. On peut ensuite former des espaceurs isolants dits « internes ». Pour cela, on effectue tout d'abord une gravure sélective de zones des premiers barreaux 4a, 4b, 4c, 4d à base du matériau 6 qui se situent aux extrémités des barreaux 4a, 4b, 4c, 4d en 20 regard des espaceurs externes 23a, 23b. Le retrait de ces zones permet de créer des cavités 31 ou espaces 31 (figure 1D). On vient ensuite remplir ces espaces 31 d'un matériau diélectrique 33 qui peut être un matériau diélectrique de type appelé « 10w-k» (à faible constante diélectrique) et/ou tel que par exemple à base du SiN, du SiBCN ou du SiOCN. On peut ensuite effectuer un retrait d'une épaisseur de ce matériau 25 diélectrique 33 dans des zones situées de part et d'autre de l'ensemble des espaceurs 23a, 23b. Ce retrait est réalisé afin de conserver des régions en matériau diélectrique 33 dans le prolongement d'extrémités de barreaux 4a, 4b, 4c, 4d. On peut effectuer par exemple une gravure à l'aide d'un procédé humide à base d'acide phosphorique lorsque le matériau diélectrique 33 est à base de SiN. 9 Ces régions de matériau diélectrique 33 également appelés « espaceurs internes » sont de préférence comme dans l'exemple illustré sur la figure 1E, alignés avec les espaceurs externes. De préférence, les espaceurs internes ont une face interne, située contre les barreaux 4a, 4b, 4c, 4d qui est alignée avec une face interne des espaceurs 5 externes 23a, 23b, la face interne des espaceurs étant définie ici comme une face située contre la grille. On peut ensuite former des blocs 45a, 45b de source et drain. Ces blocs peuvent être réalisés par exemple en effectuant une croissance épitaxiale prenant naissance au moins sur une portion des barreaux 5a, 513, 5c de matériau semi-conducteur 10 8 (figure 1F). Puis, on forme une couche 47 appelée couche « d'encapsulation » de manière à recouvrir la structure. La couche 47 « d'encapsulation » peut être par exemple à base d'oxyde de silicium. Une étape de retrait, par exemple par aplanissement ou polissage CMP (CMP pour « Chemical Mechanical Planarization »), d'une épaisseur de cette couche 15 47 d'encapsulation peut être ensuite réalisée avec un arrêt de manière à donner accès au sommet de la grille sacrificielle 21 ou à un masque dur agencé sur la grille sacrificielle que l'on retire ensuite pour accéder au sommet ou à la face 7 supérieure de la grille sacrificielle 21. Puis, on réalise une ouverture 49 de manière à dévoiler à nouveau une partie centrale de l'empilement de barreaux semi-conducteurs (figure 1G). Cette ouverture 49 est formée 20 en retirant la grille sacrificielle 21. Lorsque la grille sacrificielle 21 est en polysilicium, son retrait peut être réalisé par exemple par une gravure humide à l'aide d'une solution à base d'ammoniaque, avec arrêt sur le diélectrique de grille sacrificielle, celui-ci pouvant être ensuite retiré dans l'ouverture 49, par exemple par gravure à l'aide d'acide fluorhydrique pour le cas typique d'un diélectrique à base d'oxyde de silicium. 25 Puis, on effectue dans l'ouverture 49, un retrait du premier matériau 6 (figure 1H). On effectue en particulier une gravure sélective du premier matériau 6 vis-à-vis du deuxième matériau 8. La gravure est également avantageusement sélective vis-à-vis du matériau du barreau factice 15. Des portions centrales des premiers barreaux 4a, 4b, 4c, 4c1 situées dans l'ouverture 49 sont ainsi retirées, tandis que le barreau factice 15 est 30 préservé. De préférence, la gravure est également sélective vis-à-vis du ou des matériau(x) 10 des espaceurs internes 33 et externes 23a, 23b. Un retrait sélectif peut être effectué, par exemple par gravure chimique en phase vapeur, par exemple à l'aide d'HCI, lorsque les barreaux 4a, 4b, 4c, 4d sont à base de Silicium Germanium, que les barreaux 5a, 5b, Sc sont à base de silicium, et que le barreau factice 15 et les espaceurs internes et externes sont à 5 base de SiN, SiBCN. On obtient ainsi dans l'ouverture 49, des barreaux suspendus 5a, 5b, 5c à base du matériau semi-conducteur 8, dans cet exemple du silicium. Les barreaux Sa, 513, Sc, à base du matériau semi-conducteur 8 ont une portion centrale qui s'étend dans l'ouverture 49 et n'est pas recouverte par un autre matériau, de sorte qu'un espace vide 10 est formé autour de la portion centrale des barreaux 5a, 513, Sc à base du matériau semi- conducteur 8. Après l'étape de retrait des premiers barreaux 4a, 4b, 4c, on réalise une croissance épitaxiale de matériau semi-conducteur 55 autour des deuxièmes barreaux 5a, 5b, Sc. Le matériau semi-conducteur 55 que l'on fait croitre est typiquement prévu avec un 15 paramètre de maille différent de celui du matériau des deuxièmes barreaux 5a, 5b, 5c, en particulier pour obtenir une structure de canal contrainte. Le matériau semi-conducteur 55 peut être à base de Sii_yGey lorsque les deuxièmes barreaux 5a, 513, Sc sont en silicium, avec par exemple une concentration en Germanium comprise entre 20% et 80% (0.2 REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice pour transistor, à barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres et aptes à former au moins une structure de canal du transistor, le procédé comprenant : a) prévoir sur un support (1), un empilement comportant une alternance d'un ou plusieurs premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d) en matériau sacrificiel, en particulier en un premier matériau semi-conducteur (6) et d'un ou plusieurs deuxièmes barreaux (5a, 5b, Sc) à base d'un deuxième matériau semi-conducteur (8) donné, ledit empilement étant recouvert d'un barreau factice (15) en un matériau donné, avantageusement diélectrique, différent du matériau sacrificiel et du deuxième matériau semi-conducteur, le barreau factice (15) étant agencé sur un barreau (4d) donné parmi lesdits premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d), le barreau donné étant disposé au sommet dudit empilement, b) former un masquage avec une ouverture (49)-dévoilant des portions centrales desdits barreaux (4a, 4b, 4c, 4d 5a, 5b, 5c) dudit empilement revêtu d'une portion centrale dudit barreau factice (15), c) retirer dans ladite ouverture la portion centrale des premiers barreaux par gravure sélective du matériau sacrificiel vis-à-vis dudit deuxième matériau semi-conducteur et du matériau donné dudit barreau factice (15), puis d) faire croitre un matériau semi-conducteur (55) sur les deuxièmes barreaux tout en conservant lors de cette croissance ladite portion centrale dudit barreau factice (15). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau semi- conducteur (55) que l'on fait croitre sur les deuxièmes barreaux a un paramètre de maille différent de celui du deuxième matériau semi-conducteur. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit matériau semi- conducteur (55) que l'on fait croitre est à base de Germanium et dans lequel après l'étape 14 d) de croissance de matériau semi-conducteur (55) on effectue au moins un recuit thermique de sorte à faire diffuser du Germanium dans lesdits deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c). 5 4. Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, dans lequel ledit matériau semi-conducteur (55) que l'on fait croitre est à base de Germanium et dans lequel après l'étape d) de croissance de matériau semi-conducteur (55) on forme une grille (61) sur des régions de matériau semi-conducteur (55) conservées autour des deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c). 10 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le masquage est formé d'espaceurs isolants (23a, 23b) et d'une couche d'encapsulation (47) de part et d'autre d'un ensemble formé d'une grille sacrificielle et des espaceurs isolants contre cette grille sacrificielle, l'ouverture (49) étant formée par retrait de la grille 15 sacrificielle (21) agencée entre les espaceurs isolants (23a, 23b). 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel le procédé comprend préalablement à la formation de l'ouverture (49), des étapes de : - réalisation de la grille sacrificielle (21) sur l'empilement, 20 - formation d'espaceurs isolants (23a, 23b) de part et d'autre de la grille sacrificielle (21), - retrait de l'empilement de part et d'autre de l'ensemble formé par la grille sacrificielle (21) et les espaceurs. 25 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le procédé comprend en outre, après retrait dudit empilement de part et d'autre dudit ensemble formé par la grille sacrificielle (21) et les espaceurs : - retrait sélectif de portions d'extrémité des premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d) de sorte à réduire leur longueur et libérer des espaces de part d'autre de régions d'extrémité des premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d), 15 - formation d'espaceurs internes (33) en matériau diélectrique dans lesdits espaces. 8. Procédé selon la revendication 7, comprenant en outre, après la 5 formation des espaceurs internes (33) et préalablement à la formation de l'ouverture (49), des étapes de : - formation des régions de source et de drain (45a, 45b), - formation d'au moins une couche d'encapsulation (57) sur les régions de source et de drain, la couche d'encapsulation étant agencée de sorte à dévoiler la grille 10 sacrificielle. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel après l'étape c) de gravure sélective et préalablement à l'étape d) de croissance de matériau semi-conducteur (55) sur les deuxièmes barreaux : le procédé comprend en outre au moins 15 un amincissement de la portion centrale des deuxièmes barreaux. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la portion centrale des deuxièmes barreaux (Sa, 5b, 5c) est amincie d'une épaisseur donnée lors dudit amincissement, le matériau semi-conducteur (55) formé par croissance sur les deuxièmes 20 barreaux ayant une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur donnée. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel l'empilement de barreaux est formé à l'étape a) ou préalablement à l'étape a) par gravure d'un empilement de couches semi-conductrices, le barreau factice (15) servant de masque 25 de gravure lors de la gravure dudit empilement de couches semi-conductrices. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel le barreau factice (15) a des dimensions, en particulier une largeur, semblable aux dimensions, en particulier à la largeur (W), des deuxièmes barreaux (5a, 5b, Sc). 30 16 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel le barreau factice (15) est à base de SiN ou de SiBCN. 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel premier 5 matériau semi-conducteur (6) est à base de SiGe et le deuxième matériau semi-conducteur (8) est du Si.