FR 3086458 A1 20200327 FR 1800991 A 20180924 Dispositif photovoltaïque semi-transparent avec une grille de collecte du courant électrique optimisée La présente invention se rapporte à un dispositif photovoltaïque semi- transparent en couches minces pourvu d'une grille de collecte de courant électrique dont l'architecture est optimisée pour minimiser l'impact visuel de ladite grille de collecte. ETAT DE LA TECHNIQUE Une cellule photovoltaïque en couches minces est composée d'au moins : - un substrat qui peut être flexible, par exemple un polymère, ou rigide, par exemple du verre ; - une première électrode transparente électriquement conductrice, par exemple de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (ZnO:A1) ; - une seconde électrode électriquement conductrice généralement métallique, par exemple du molybdène (Mo) ; un absorbeur constituant la partie photo-active qui peut être composé d'une unique couche ou d'un empilement de couches, par exemple à base de silicium amorphe ou d'un alliage de cuivre, d'indium, de galium et de sélénium dénommé ci-après CIGS ; éventuellement d'une ou plusieurs couches tampons, par exemple dans le cas d'un absorbeur constitué de CIGS, du sulfure de cadmium (CdS) ; - éventuellement d'une ou de plusieurs couches barrières ; L'épaisseur de chaque couche mince varie de quelques centaines de nanomètres à quelques microns. L'ordre d'empilement des couches minces est conditionné par la technologie de couches minces considérée. Un dispositif photovoltaïque désigne tout type de cellules ou modules 30 photovoltaïques. Les modules photovoltaïques sont composés d'une pluralité de cellules photovoltaïques toutes connectées entre elles selon une architecture série, parallèle, série parallèle ou parallèle série. Un dispositif photovoltaïque est par exemple 2 composé de plusieurs cellules photovoltaïques mises en série afin d'augmenter la tension électrique aux bornes du module. On connait des méthodes de mise en série de cellules photovoltaïques par des étapes successives d'isolation et d'interconnexion des différentes couches qui le composent tel que décrit dans le document EP0500451- 5 Bl. La transparence ou semi-transparence des dispositifs photovoltaïques permet une intégration plus esthétique desdits dispositifs dans des produits, en particulier dans des dispositifs électroniques de consommation courante tels que les montres connectées. Cette transparence peut être obtenue par des procédés de 10 gravure, de lithographie et/ou d'ablation laser. En général, une cellule photovoltaïque en couches minces semi-transparentes comporte une pluralité de zones actives photovoltaïques opaques séparées par des zones de transparence. Les zones photovoltaïques (respectivement des zones de transparence) peuvent être de formes quelconques. On définit alors la dimension critique de ladite forme comme étant la 15 plus petite des tailles qui la caractérise. Il s'agit par exemple d'un côté pour un carré, de la largeur pour un rectangle, de la hauteur pour un triangle. Par exemple, dans le cas d'une bande photovoltaïque, la dimension critique notée CD correspond à la largeur de ladite bande. Lorsqu'un aspect homogène transparent est recherché (c'est-à-dire lorsqu'on ne souhaite pas distinguer à l'oeil nu les zones opaques des zones de 20 transparence), la dimension critique des bandes photovoltaïques est de préférence inférieure à 200 microns. Dans un mode de réalisation connu, les zones actives photovoltaïques et les zones de transparence sont organisées en réseaux de structures géométriques élémentaires, linéaires, circulaires ou polygonales. La transparence de la cellule 25 photovoltaïque est alors fonction de la fraction surfacique occupée par les zones actives photovoltaïques. Le brevet W02014/188092-Al présente un mode de réalisation avantageux d'une mono-cellule photovoltaïque semi-transparente en couches minces. Néanmoins, les performances électriques de ces cellules semi-transparentes sont dégradées en comparaison à une cellule pleine (c'est-à-dire sans zone de transparence) de surface équivalente. Il est connu de l'homme du métier d'ajouter une grille de collecte pour faciliter la collecte du courant électrique. Cette grille de collecte électriquement 3 conductrice est disposée soit au contact de l'électrode transparente, soit au contact de l'absorbeur. Par exemple, le brevet W02014/188092-A1 décrit une architecture particulière de grille de collecte améliorée adaptée à un procédé mis en oeuvre pour réaliser la transparence. La reprise de contact électrique entre la grille de collecte et 5 l'électrode transparente conductrice de la cellule photovoltaïque à couche mince s'effectue au travers de structures particulières décrites dans le brevet précité et dénommées VIAs. L'ensemble constitué par la grille de collecte et les VIAs forme la grille de collecte améliorée. Cependant les VIAs sont nécessairement métalliques (par exemple en 10 aluminium, en argent ou en molybdène) du fait de la conductivité électrique exigée et ils sont donc réfléchissants. Du fait de leur dimension et d'un placement ordonné, le réseau qu'ils forment est en général perceptible à l'oeil nu. Ledit réseau de VIAs engendre alors une gêne visuelle. Il pourrait être envisageable de diminuer les dimensions des VIAs. 15 Cependant, les coûts de procédé deviennent alors prohibitifs. En effet, afin de réduire les dimensions des VIAs en deçà de quelques microns, il serait alors nécessaire d'équiper les chaînes de production de machines de photolithographie de nouvelle génération 100 fois plus onéreuses que les machines de photolithographie standards. La présente invention cherche à résoudre la double problématique du coût 20 de fabrication et de l'invisibilité des VIAs au sein de modules photovoltaïques semitransparents. BUT DE L'INVENTION 25 L'invention a pour but de proposer une architecture de VIAs disposés de façon à générer une quasi uniformité de la transparence du dispositif photovoltaïque en maximisant la collecte des charges électriques, et ce, tout en minimisant le coût de fabrication dudit dispositif. L'invention a également pour but de proposer une méthode de placement des VIAs selon les contraintes de l'architecture visée. 30 OBJETS DE L'INVENTION 4 Dans son principe de base l'invention a pour premier objet un dispositif photovoltaïque semi-transparent comportant au moins : - des zones photovoltaïques actives formées : o d'un substrat transparent ; 5 o d'une électrode avant; o d'un absorbeur composé d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) photo-active(s) ; o d'une électrode arrière; - des zones de transparence séparant au moins deux zones photovoltaïques 10 actives ; - une grille de collecte formée par : o une couche métallique de reprise de contact ; o une multitude de reprises de contact entre l'électrode avant et la couche métallique de reprise de contact, dénommées VIAs, 15 caractérisé en ce que la répartition des VIAs au sein des zones photovoltaïques actives est aléatoire tout en respectant des contraintes électriques et optiques prédéterminées de manière à éviter la présence de lacunes et d'amas de VIAs. 20 Avantageusement, la dimension critique CDpv des zones photovoltaïques actives est comprise entre 1 pm et 100 pm. Selon un mode de réalisation, la dimension critique CDT des zones de transparence est inférieure à 1 mm. Selon un mode de réalisation, la surface d'un VIA est comprise entre 15 pm2 et 25 50 pm2. Selon un mode de réalisation, la distance maximale DviA max entre deux VIAs est égale à 1000 pm, et la distance minimale Dvip_min entre deux VIAs est égale à 5 pm. Selon un mode de réalisation, la densité d des VIAs est inférieure à 70 VIAs / mnn2, et supérieure à 10 VIAs / mm2. 30 Selon un mode de réalisation, tous les VIAs sont centrés au sein des zones photovoltaïques actives. 5 En pratique, l'une des couches photo-actives de l'absorbeur peut être composée de silicium amorphe. Un second objet de l'invention est un procédé de placement aléatoire des VIAs permettant la fabrication du dispositif photovoltaïque semi-transparent décrit ci-dessus 5 et comportant les étapes suivantes : Etape A : Sélection d'une zone photovoltaïque active éligible au placement des VIAs en fonction de critères prédéfinis ; Etape B : Définition des contraintes électriques et optiques de placement des VIAs ; 10 Etape C : Initialisation du placement des VIAs (8) au sein de la zone photovoltaïque éligible définie à l'étape A ; Etape D : Placement des VIAs suivants par un procédé itératif au sein de ladite zone éligible définie à l'étape A ; Etape E : Retour à l'étape A tant qu'une ou plusieurs zone(s) 15 photovoltaïque(s) active(s) éligibles non déjà préalablement sélectionnée(s) ne contien(nen)t pas de VIAs. Selon un mode de réalisation du procédé, l'étape A comprend en outre les sous étapes suivantes : 20 o Etape Al : Sélection d'une zone photovoltaïque active sans VIA qui n'a pas déjà été au préalable sélectionnée ; o Etape A2 : Choix des critères d'éligibilité des zones photovoltaïques actives à placement de VIA ; o Etape A3 : Validation du choix du placement des VIAs dans cette zone, 25 qui devient une zone photovoltaïque active éligible. Selon un mode de réalisation du procédé, l'étape B comprend en outre les sous étapes suivantes : - Etape B : Définition des contraintes de placement des VIAs, à savoir : 30 o Etape BI : Définition des contraintes électriques en fonction de l'architecture des zones photovoltaiques en choisissant les valeurs initiales Dvip_maxp =1000 pm et DvIA _rnin_o =lpm ou des valeurs telles 6 que Dvu_max lpm, en vérifiant que DvM_max > DVIA_min- o Etape B2: Définition des contraintes optiques en fonction de l'architecture des zones photovoltaïques en choisissant la valeur 5 initiale de la densité do = 70 VIAs / mm2 ou en choisissant une valeur de densité inférieure à 70 VIAs / mm2. Selon un mode de réalisation du procédé, l'étape C comprend en outre les sous étapes suivantes : 10 o Etape CO : Choix de l'extrémité de la zone photovoltaïque active éligible et de la valeur de la distance DEx entre ladite extrémité et le premier VIA de ladite zone appelée distance inter-VIA-extrémité. o Etape Cl : Choix de la première zone Z1 de placement des VIAs, cette zone étant déterminée par la distance inter-VIA-extrémité DEx 15 et par la distance maximale inter-VIA DVIA max. ; la première zone étant comprise entre DEx et (DEx+Dvba_max). o Etape C2 : Placement Pi aléatoire du premier VIA dans la première zone Zi de placement des VIAs. 20 Selon un mode de réalisation du procédé, l'étape D comprend en outre les sous étapes suivantes : o Etape Dl : Définition de la ième zone de placement des VIAs, notée , en fonction des contraintes de placement des VIAs et du placement du (i-1)ème VIA placé dans la zone P(i-l), en fonction de 25 DvIAmax et DVIAmin. o Etape D2 : Placement P, aléatoire du ième VIA dans la ième zone de placement des VIAs, notée jusqu'à ce que tous les VIAs soient placés dans la zone photovoltaïque active sélectionnée à l'étape A. 30 Avantageusement, le placement aléatoire au sein des zones photovoltaïques actives suit une loi uniforme discrète ou continue, une loi normale, une loi de Poisson, ou tout type de loi décrivant un processus aléatoire. DESCRIPTION DETAILLEE 5 L'invention est maintenant décrite plus en détail à l'aide de la description des figures 1 à 5. La figure 1A est une vue en coupe d'un empilement photovoltaïque en couches minces connu. 10 La figure 1B est une vue de dessus de l'empilement photovoltaïque de la figure lA au sein duquel plusieurs couches minces ont été gravées par endroits pour former des zones de transparence et des zones photovoltaïques actives. La figure 1C est une vue de dessus de l'empilement de la figure 1B à laquelle ont étés ajoutées les zones de reprise de contact de type VIA. 15 La figure 1D est une vue en coupe selon la direction X de la figure 1C. La figure lE est une vue en coupe issue de la figure 1D à laquelle a été ajoutée une couche d'isolation. La figure 1F est une vue en coupe issue de la figure lE à laquelle a été ajoutée une couche métallique de reprise de contact. 20 La figure 2A est une illustration du rendu visuel des VIAs placés aléatoirement et créant des défauts visuels pour un module photovoltaïque semi-transparent connu destiné à être intégré dans un verre de montre. La figure 2B est une illustration du rendu visuel des VIAs placés aléatoirement et sans défauts visuels pour un module photovoltaïque semi-transparent objet de 25 l'invention et destiné à être intégré dans un verre de montre. Les figures 3A à 3F sont des vues des modules photovoltaïques intermédiaires obtenus selon différentes étapes d'un premier exemple du procédé selon l'invention. Les figures 4A à 41 sont des vues des modules photovoltaïques intermédiaires obtenus selon différentes étapes d'un second exemple du procédé selon l'invention. 30 La figure 5 est une photographie d'un module photovoltaïque semi-transparent selon l'invention, conçu pour être intégré dans une montre. 7 8 La figure lA est une vue en coupe d'un empilement photovoltaïque connu de l'état de l'art. Dans cet exemple, l'empilement est constitué : - d'un substrat en verre (1) ; - d'une électrode avant (2) formée d'un oxyde conducteur transparent, par 5 exemple de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (ZnO:A1) ou de l'oxyde d'étain dopé au fluor (Sn02:F) ; d'un absorbeur (3) composé de plusieurs couches à base de silicium amorphe (a_Si) formant une jonction p-i-n ; - d'une électrode arrière (4) formée d'un ou plusieurs métaux ou alliages 10 métalliques, par exemple de l'aluminium ou de l'argent. Il est possible de transformer cet empilement, par des procédés de gravure photolithographique et de dépôt connus de l'homme du métier, pour obtenir un module photovoltaïque semi-transparent. La première étape de ce procédé consiste à réaliser 15 les zones de transparence (6-r) et à isoler électriquement les bus de collecte (7-F,7-) par des zones d'isolation (6i). Les zones de transparence et d'isolation (6-r et 6i) sont réalisées par gravures successives des couches minces formant l'électrode arrière, l'absorbeur et l'électrode avant. La figure 1B est une vue de dessus des cellules photovoltaïques semi- 20 transparentes dont les zones de transparence (6-r) ont la forme de bandes horizontales parallèles entre elles, de dimension critique CD-r et qui séparent deux à deux les zones photovoltaïques actives (5) opaques de dimension critique CDpv. Les bandes opaques verticales sont les bus de collecte (7+ et 7) isolés électriquement des zones photovoltaïques actives (5). 25 Les zones de transparence (6,-) isolent électriquement les bandes photovoltaïques actives (5), chacune desdites bandes formant des cellules photovoltaïques unitaires. Afin de connecter électriquement (en série et/ou parallèle) ces zones photovoltaïques actives isolées aux bus de collecte (7+ et T) pour obtenir un module photovoltaïque, il est nécessaire de réaliser un contact électrique entre l'oxyde transparent conducteur 30 (2) et l'un des bus de collecte (7+). Ce contact électrique est réalisé grâce à une grille de collecte métallique qui est isolée électriquement de l'électrode arrière par l'emploi 9 d'un matériau isolant, généralement un polymère. La grille de collecte décrite dans la suite du document est formée par : o une couche métallique de reprise de contact (11) ; o une multitude de reprises de contact électrode avant/couche 5 métallique de reprise de contact, dénommées VIA5 (8). La réalisation d'une reprise de contact de type VIA comprend plusieurs étapes consécutives. Considérons l'exemple d'une architecture en bandes semi-transparentes telle que représentée à la figure 1B. 10 Etape 1 : Au sein des zones photovoltaïques actives (5) sont gravées des zones de reprise de contact (80). Ces zones de reprise de contact (80) sont dans l'exemple de la figure 1C, de formes carrées et parfaitement incluses au sein des bandes photovoltaïques actives (5). Deux zones de reprises de contact (80) voisines au sein d'une même zone photovoltaïque active (5) sont séparées par une distance inter-VIA 15 (DviA). On définit par extrémités (respectivement Ex+, Ex-) de la zone photovoltaïque active les bords adjacents aux zones d'isolation (respectivement 61+, 6E). La distance entre une extrémité (respectivement Ex+, Ex) est dénommée distance inter-VIAextrémité DEx (respectivement DEx+, DEX-). Les zones de reprise de contact (80) sont issues de la gravure de l'électrode arrière 20 (4) et de la couche d'absorbeur (3) par des procédés de photolithographie conventionnels, connus de l'homme du métier. La figure 1D est une vue en coupe de la figure 1C selon la direction X où apparaissent les zones de reprise de contact (80) de type VIA. 25 Etape 2: Une couche d'isolation électrique (9) est introduite pour isoler électriquement l'électrode avant (2) de l'électrode arrière (4). La figure lE est une vue en coupe issue de la figure 1D à laquelle a été ajoutée la couche d'isolation (9). Cette couche d'isolation électrique est par exemple une résine transparente, permanente et photosensible. Les zones de reprise de contact de type VIA (80') sont laissées vacantes 30 pour la reprise de contact sur l'oxyde transparent conducteur (2) ayant pour objet l'amélioration de la collecte des charges électriques photogénérées au sein des zones 10 actives photovoltaïques. Des zones de reprise du contact arrière (10) sont laissées vacantes afin de réaliser la reprise de contact sur le métal (4). Etape 3 : Une couche métallique de reprise de contact (11) est alors déposée et 5 gravée par exemple grâce une nouvelle étape de photolithographie, tel que représenté à la figure 1F, pour connecter l'électrode avant (2) au bus r et l'électrode arrière (4) au bus 7-, et ce afin de rendre le module photovoltaïque semi-transparent fonctionnel. On définit la surface d'un VIA comme étant la surface de contact entre le métal de reprise de contact (11) et l'électrode avant (2). Cette surface peut être de forme 10 quelconque. L'invention vise à optimiser le placement des VIAs (8) au sein d'un dispositif photovoltaïque semi-transparent. Cette optimisation tient compte à la fois des aspects électriques et du rendu visuel des modules photovoltaïques semi-transparents. Afin de 15 maximiser les performances électriques desdits modules photovoltaïques, la distance inter-VIA (DviA) et inter-VIA-extrémité (DEx) est comprise entre 1 pm et 1000 pm. La figure 2A est une illustration du rendu visuel des VIAs réalisés selon l'état de la technique et placés aléatoirement et créant des défauts visuels pour un module photovoltaïque semi-transparent destiné à être intégré dans un verre de montre. Le 20 placement aléatoire des VIAs suit les contraintes suivantes : un VIA ne peut être placé qu'au sein des zones photovoltaïques actives ; - les distances inter-VIA et inter-VIA-extrémité sont comprises entre 5 pm et 1000 pm. Sans contraintes supplémentaires, un placement aléatoire peut générer : 25 - des amas (82) de VIAs correspondant à une forte densité de concentration de VIAs pour une surface de référence (Sref) donnée, apparaissant à l'oeil nu dans les dispositifs photovoltaïques comme une tache sombre ; des lacunes (81) de VIAs correspondant à une faible densité de concentration de VIAs pour une surface de référence (Sref) donnée, 30 apparaissant à l'oeil nu dans les dispositifs photovoltaïques comme une tache claire. 11 5 L'invention doit permettre de supprimer l'apparition d'amas (82) et de lacunes (81) de VIAs. On considère que la suppression d'amas (82) est rendue possible si la densité des VIAs reste partout inférieure à 70 VIAs / mm2. La suppression de lacunes (81) est rendue possible si la densité des VIAs reste partout supérieure à 10 VIAs / Mn12. La figure 2B est une illustration du rendu visuel des VIAs placés aléatoirement mais en suivant les contraintes précédemment exposées, ce qui supprime les défauts visuels pour un module photovoltaïque semi-transparent selon l'invention destiné à 10 être intégré dans un verre de montre. En effet, l'intégration de ces contraintes architecturales de placement permettent de supprimer l'apparition d'amas et de lacunes de VIAs néfastes du point de vue visuel. Considérons un module semi-transparent en bandes tel que représenté à la figure 15 1B. Un procédé de placement aléatoire des VIAs permettant la fabrication du dispositif semi-transparent selon l'invention suit les étapes A à F décrites par la suite. Etape A : Sélection d'une zone photovoltaïque active éligible au placement des VIAs, qui se décompose en sous-étapes comme suit : 20 o Etape Al : Sélection d'une zone photovoltaïque active (5') sans VIA qui n'a pas déjà été au préalable sélectionnée Cette sélection peut être réalisée arbitrairement. Il est cependant recommandé de commencer par un bord du dispositif. Dans cet exemple, il est possible de commencer par le bord haut du dispositif tel que décrit dans la figure 3A. Dans cet exemple, la 25 première zone photovoltaïque active choisie est donc la zone 5'. o Etape A2 : Choix des critères d'éligibilité des zones photovoltaïques actives pour le placement de VIA. Pour des raisons de dimension des zones photovoltaïques actives, il est parfois souhaitable de ne pas retenir des zones photovoltaïques pour les placements des VIAs. 30 o Etape A3 : Validation du choix du placement des VIAs dans cette zone, par exemple en fonction des VIAS déjà présents dans le dispositif ou en fonction de contraintes de géométrie particulière du dispositif (par 12 exemple la présence d'un rehaut de montre dans le cas d'un écran pour montre photovoltaïque) . Ladite zone sera alors dénommée zone photovoltaïque active éligible. 5 Etape B : Définir les contraintes de placement des VIAs (8) o nu - .1A_rnin = 5 pm o DVIA_max = 1000 pm o 10 REVENDICATIONS1 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent comportant au moins : - des zones photovoltaïques actives (5) formées o d'un substrat transparent (1) ; o d'une électrode avant (2); o d'un absorbeur (3) composé d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) photo-active(s) ; o d'une électrode arrière (4); des zones de transparence (6-r) séparant au moins deux zones photovoltaïques actives (5); - une grille de collecte formée par : o une couche métallique de reprise de contact (11) ; o une multitude de reprises de contact entre l'électrode avant (2) et la couche métallique de reprise de contact (11), dénommées VIAs (8), caractérisé en ce que la répartition des VIAs au sein des zones 20 photovoltaïques actives est aléatoire tout en respectant des contraintes électriques et optiques prédéterminées de manière à éviter la présence de lacunes (81) et d'amas (82) de VIAs. 2 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent selon la revendication précédente, 25 caractérisé en ce que la dimension critique CDpv des zones photovoltaïques actives (5) est comprise entre 1 pm et 100 pm. 3 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la dimension critique CD-r des zones 30 de transparence (6-r) est inférieure à 1 mm. 19 4 - Dispositif photovoltaïque serai-transparent selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la surface d'un VIA (8) est comprise entre 15 pm2et 50 pm2. 5 5 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la distance maximale Dvi,tma, entre deux VIAs est égale à 1000 pm. 6 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent selon l'une quelconque des 10 revendications précédentes, caractérisé en ce que la distance minimale DvM min entre deux VIAs est égale à 5 pm. 7 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la densité d des VIAs est inférieure 15 à 70 VIAs / mm2. 8 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent selon l'une quelconque des revendications précédentes, en ce que la densité de VIAs (8) est supérieure à 10 VIAs / mm2. 9 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que tous les VIAs (8) sont centrés au sein des zones photovoltaïques actives. 10 - Dispositif photovoltaïque semi-transparent selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'une des couches photo-actives de l'absorbeur (3) est composée de silicium amorphe. 11 - Procédé de placement aléatoire de VIAs permettant la fabrication du 30 dispositif photovoltaïque semi-transparent selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : 20 - Etape A : Sélection d'une zone photovoltaïque active éligible au placement des VIAs en fonction de critères prédéfinis ; Etape B : Définition des contraintes électriques et optiques de placement des VIAs (8) ; 5 Etape C : Initialisation du placement des VIAs (8) au sein de la zone photovoltaïque éligible définie à l'étape A ; Etape D : Placement des VIAs suivants par un procédé itératif au sein de ladite zone éligible définie à l'étape A ; Etape E : Retour à l'étape A tant qu'une ou plusieurs zone(s) 10 photovoltaïque(s) active(s) éligibles non déjà préalablement sélectionnée(s) ne contien(nen)t pas de VIAs. 12 - Procédé de placement aléatoire des VIAs permettant la fabrication du dispositif photovoltaïque semi-transparent selon la revendication 11, caractérisé en ce 15 que l'étape A comprend en outre les sous étapes suivantes : o Etape Al : Sélection d'une zone photovoltaïque active (5') sans VIA qui n'a pas déjà été au préalable sélectionnée ; o Etape A2 : Choix des critères d'éligibilité des zones photovoltaïques actives à placement de VIA ; 20 0 Etape A3 : Validation du choix du placement des VIAs dans cette zone, qui devient une zone photovoltaïque active éligible. 13 - Procédé de placement aléatoire des VIAs permettant la fabrication du dispositif photovoltaïque semi-transparent selon la revendication 11, caractérisé en ce 25 que l'étape B comprend en outre les sous étapes suivantes : - Etape B : Définition des contraintes de placement des VIAs (8), à savoir : o Etape B1 : Définition des contraintes électriques en fonction de l'architecture des zones photovoltaiques en choisissant les valeurs initiales DVIA_max_O =1000 pm et DvIA_min_o =1pnn ou des valeurs telles que DvIA_max lpm, en vérifiant que Dvia_max > DVLet min. 21 o Etape B2: Définition des contraintes optiques en fonction de l'architecture des zones photovoltaïques en choisissant la valeur initiale de la densité do = 70 VIAs / mm2ou en choisissant une valeur de densité inférieure à 70 VIAs / mm2. 5 14 - Procédé de placement aléatoire des VIAs permettant la fabrication du dispositif photovoltaïque semi-transparent selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape C comprend en outre les sous étapes suivantes : o Etape CO : Choix de l'extrémité de la zone photovoltaïque active 10 éligible et de la valeur de la distance DEx entre ladite extrémité et le premier VIA de ladite zone appelée distance inter-VIA-extrémité. o Etape Cl : Choix de la première zone Z1 de placement des VIAs, cette zone étant déterminée par la distance inter-VIA-extrémité DEx et par la distance maximale inter-VIA DviA_max. ; la première zone 15 étant comprise entre DEx et (DEx+DvM_max). o Etape C2 : Placement P1 aléatoire du premier VIA dans la première zone Zi de placement des VIAs (8). 15 - Procédé de placement aléatoire des VIAs permettant la fabrication du 20 dispositif photovoltaïque semi-transparent selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape D comprend en outre les sous étapes suivantes : o Etape Dl : Définition de la ième zone de placement des VIAs, notée , en fonction des contraintes de placement des VIAs et du placement du (i-1)ème VIA placé dans la zone P(;4), en fonction de 25 DvIA max et DvIA min. o Etape D2 : Placement P, aléatoire du ième VIA dans la ième zone de placement des VIAs, notée 1, jusqu'à ce que tous les VIAs (8) soient placés dans la zone photovoltaïque active sélectionnée à l'étape A. 30 16 - Procédé de placement aléatoire des VIAs selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, caractérisé en ce que le placement aléatoire au sein des zones 22 photovoltaïques actives suit une loi uniforme discrète ou continue, une loi normale, une loi de Poisson, ou tout type de loi décrivant un processus aléatoire.