FR 3093237 A1 20200828 FR 1901843 A 20190222 Description Titre de l'invention : DIODE ELECTROLUMINESCENTE, PIXEL COMPORTANT UNE PLURALITE DE DIODES ELECTROLU- MINESCENTES ET PROCEDES DE FABRICATION ASSOCIES Domaine technique 100011 La présente invention est relative à une diode électroluminescente, à un pixel comportant une pluralité de diodes électroluminescentes et à leurs procédés de fabrication. Technique antérieure [0002] D'une manière générale, un paramètre crucial notamment pour les dispositifs d'affichage est d'avoir le « gamut » le plus grand possible. En synthèse des couleurs, qu'elle soit additive ou soustractive, le eamut ou gamme de couleurs est la partie de l'ensemble des couleurs qu'un certain type de matériel permet de reproduire. Par ailleurs, les dispositifs d'éclairage et d'affichage évoluent continuellement en augmentant les flux lumineux et la définition des surfaces émissives. Pour les écrans par exemple, cela se traduit par le passage des tubes cathodiques aux écrans à cristaux liquides et désormais aux écrans OLED (de l'anglais « Organic Light-Emitting Diode »). Pour l'éclairage, il s'agit par exemple du passage de l'ampoule à incandescence à la LED (de l'anglais « Lieht-Emitting Diode »). [0003] L'utilisation d'une matrice de LED à des fins d'affichage ou d'éclairage (par exemple, pour les phares dans l'industrie automobile) requiert d'adapter la technologie des LED à semiconducteurs, par exemple en nitrure de gallium GaN, à une émission matricielle pixellisée. La technologie des semiconducteurs permet en effet la fabrication de matrices avec des pixels allant d'un micromètre à quelques dizaines de micromètres. Mais le nitrure de gallium GaN par exemple n'émet que de la lumière bleue, dans la gamme de longueur d'onde de 460 nm. [0004] Pour obtenir d'autres couleurs, il faut réaliser une opération de conversion de lumière à l'échelle du pixel. Comme la lumière bleue est la plus énergétique du spectre visible, elle peut être convertie par photoluminescence en une lumière verte ou rouge moins énergétique. La photoluminescence est un processus par lequel une substance s'excite en absorbant des photons, puis se désexcite en réémettant des photons de plus faible énergie. La photoluminescence recouvre deux formes : fluorescence et phosphorescence. La fluorescence est une photoluminescence rapide tandis que la phosphorescence est une photoluminescence lente : c'est la fluorescence qui convient aux applications d'affichage et d'éclairage. Elle est obtenue au moyen de tluorophores, qui peuvent se présenter sous forme de poudres associées à une matrice polymère. 2 [0005] Pour pouvoir être confinés dans des pixels de quelques microns, les fluorophorcs doivent être de dimensions submicroniques. Les matériaux actuellement disponibles sont des boîtes quantiques 3D (« quantum dots » en anglais) de semi-conducteurs tels que le séléniurc de cadmium CdSe, le phosphure d'indium InP ou le sulfure d'argent et d'indium AgInSn, ou des nanophosphorcs d'oxyde, tel que du YAG:Cc (grenat d'yttrium et d'aluminium dopé au cérium), de sulfure ou de fluorure. [0006] Dans le même temps, pour émettre une couleur saturée, il faut un spectre par couleur le plus étroit possible. Un spectre suffisamment étroit peut être réalisé par les boîtes quantiques 3D mais pas par les nanophosphorcs, qui ont des spectres d'émission large bande, aux alentours de 100 nrn. [0007] Les boîtes quantiques 3D permettent d'obtenir un spectre par couleur suffisamment étroit mais elles souffrent d'un manque de stabilité (quelques heures seulement) lorsqu'elles sont soumises à un flux de lumière ou de chaleur, cc qui est le cas dans les dispositifs d'affichage ou d'éclairage. Des solutions d'encapsulation existent mais qui ne permettent qu'une faible luminosité et une faible résolution. [0008] Par ailleurs, une contrainte de la photo-conversion appliquée à des micro-pixels est l'épaisseur supplémentaire qu'elle requiert, qui pour des raisons techniques, de facteur de forme notamment, doit rester de l'ordre de la taille des pixels : pour des pixels de 3 !lm par exemple, l'épaisseur de conversion doit rester de l'ordre de 3 !lm maximum ; ou de 10 p.m maximum pour des pixels de 10 p.m. Indépendamment de la taille des pixels, le tableau 1 ci-dessous montre l'épaisseur de conversion requise pour absorber la lumière bleue à 460 nm, respectivement pour une boîte quantique 3D de phosphure d'indium ou de séléniure de cadmium CdSe ou pour un nanophosphore LuAG:Ce (grenat d'aluminium de Lutetium dopé au cérium), et pour différents taux de charge volumique en fluorophore dans le composite. Le tableau 2 ci-dessous montre quant à lui le pourcentage d'absorption atteint pour les différents fluorophores et taux de charge du tableau 1. [0009] [Tableaux1] Taux de charge volumique (%) 1nP CdSe LuAG:Ce 10 8 prn 5 prn 150 !int 20 3 Rin 2,5 wri 90 pu 30 1,2 .tin 1,2 wri 50 pu [0010] 3 ITableaux21 Taux de charge volumique (%) InP CdSc LuAG:Ce 10 96 94 94 20 98 96 95 30 99 97 95 [0011] D'une manière générale, les nanophosphores comme le LuAG:Ce requièrent une épaisseur de conversion de plusieurs dizaines de microns pour absorber le bleu en totalité ou quasi-totalité, ce qui n'est pas compatible avec des tailles de pixels inférieures à 10 ?am. [0012] L'article « Resonant-cavity light-emitting diodes : a review », de Roel G. Baets et al., Proc. of SPIE, Vol. 4996, 2003, décrit le principe d'une diode électroluminescente à cavité résonante : la couche active d'une diode électroluminescente au nitrure de gallium est confinée dans une cavité Fabry-Perot résonante afin d'améliorer l'efficacité d'extraction. [0013] Plus récemment, l'article « Monolithic red/green/blue micro-LEDs with HBR uid DBR structures », de Guan-Syun Chen et al., IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 30, No. 3, ler février 2018, décrit un pixel comportant trois diodes électroluminescentes au nitrure de gallium : une première sans couche de conversion pour l'émission de lumière bleue, une deuxième avec couche de conversion pour l'émission de lumière rouge et une troisième avec couche de conversion pour l'émission de lumière verte. Les fluorophores utilisés sont des boîtes quantiques 3D. Les trois diodes sont séparées les unes des autres au niveau de leur couche active, et au niveau de leur couche de conversion le cas échéant, par une couche absorbant le rayonnement lumineux, afin de limiter la diaphonie (« crosstalk » en anglais) pour améliorer la pureté et le contraste des couleurs. Un miroir de Bragg inférieur, agencé sous le substrat, est configuré pour réfléchir les trois couleurs. Un miroir de Bragg supérieur est agencé sur les couches de conversion des deuxième et troisième diodes afin de bloquer la lumière bleue et améliorer encore la pureté des lumières rouge et verte extraites. Le pixel obtenu est de dimensions 30 Fm par 30 pm. Résumé de l'invention [0014] On constate qu'il existe un besoin de disposer d'un dispositif optoélectronique permettant d'obtenir un rayonnement d'une couleur saturée et différente du bleue, tout en étant de dimensions microniques. Il existe également un besoin de disposer d'un pixel de dimensions microniqucs comportant plusieurs dispositifs optoélectroniques permettant chacun d'obtenir un rayonnement d'une couleur différente et saturée, y compris le bleu. [0015] L'invention a notamment pour objet un dispositif optoélectronique comportant une LED adaptée à l'émission d'un rayonnement, la LED comportant une couche active et une couche de conversion s'étendant sur la couche active de la LED et comportant une pluralité de fluorophores adaptés à la conversion du rayonnement émis par la LED, la couche de conversion étant confinée latéralement par un miroir réfléchissant à la fois le rayonnement converti par les fluorophores et le rayonnement non converti par les fluorophores, et verticalement entre des premier et second filtres réfléchissants multicouches formant une cavité Fabry-Pcrot résonante, bloquant le rayonnement non converti par les fluorophores et ayant un pic de transmittancc pour le rayonnement converti par les fluorophores. [0016] Le dispositif selon l'invention peut également présenter une ou plusieurs des caracté- ristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : [0017] Les fluorophores sont des nanophosphorcs. [0018] Les nanophosphores sont choisis parmi SrSi202N2:Eu2+ ; ri-SIALON ; Y3A15012:Ce4; LuAG:Ce ; LuYAINIgSiO3:Ce ; SrSi,M:Eu2+; (BaSr)2Si5T\4:Eu2+; (Ca, Sr)AlSiNl:Eu2+; Sr[LiAl3N14]:Eu2+ ; Sr[TVIgiSiN4]:Eu2+ ; Sr, ,Ca,S:Eu2+; [0019] Les fluorophores sont des boîtes quantiques 3D; [0020] Les boîtes quantiques 3D sont choisies parmi : ZnS ; ZnSe ; CdS ; CdSe ; CdZnSe ; CdTc ; PbS ; InP ; CuInS2; CuGaS2; CuInSe2; CuGaSe2; CuInGaSe2; CuSe ; InSc ; GaSe ou toute combinaison des alliages précédents. [0021] Le rayonnement converti par les fluorophores est extrait de la cavité Fabry-Perot résonante par l'un des premier ou second filtres réfléchissants multicouches, dit « filtre d'extraction », et en ce que ledit filtre d'extraction comporte un réseau d'extraction du rayonnement converti par les fluorophores. [0022] L'invention a également pour objet un pixel comportant des premier et deuxième dis- positifs optoélectroniques selon l'invention, le premier dispositif optoélectronique comportant une première LED et le deuxième dispositif optoélectronique (110R) comportant une deuxième LED le rayonnement converti par les fluorophores de la deuxième LED étant distinct du rayonnement converti par les fluorophores de la première LED. [0023] Le pixel selon l'invention peut également présenter une ou plusieurs des caracté- ristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : [0024] Le pixel comporte en outre une troisième LED pour l'émission d'un rayonnement distinct des rayonnements convertis par les fluorophores des premier et deuxième dispositifs optoélectroniques. [0025] La troisième LED présente une couche active confinée latéralement par un miroir et verticalement entre des premier et second filtres réfléchissants multicouches formant une cavité Fabry-Pcrot résonante ayant un pic de transtnittance pour le rayonnement émis par la couche active. [0026] Le rayonnement émis par la couche active est extrait de la cavité Fabry-Perot résonante par l'un des premier ou filtres réfléchissants multicouches, dit « filtre d'extraction », et en ce que ledit filtre d'extraction comporte un réseau d'extraction du rayonnement émis par la couche active. [0027] La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique selon l'invention, comportant les étapes suivantes : réaliser une LED comportant une couche active ; réaliser un premier filtre réfléchissant multicouche au-dessus de la couche active ; réaliser une couche de conversion comportant une pluralité de fluorophores, configure° pour convertir par fluorescence un rayonnement émis par la couche active ; réaliser un second filtre réfléchissant multicouche, de manière que la couche de conversion soit confinée verticalement entre les premier et second filtres réfléchissants multicouches, les premier et second filtres réfléchissants multicouches formant une cavité Fabry-Perot résonante, bloquant un rayonnement non converti par les fluorophores et ayant un pic de transmittance pour un rayonnement converti par les fluorophores ; réaliser autour de la couche de conversion un miroir réfléchissant à la fois un rayonnement converti par les fluorophores et un rayonnement non converti par les fluorophores, de manière à confiner latéralement la couche de conversion. [0028] L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un pixel selon l'invention, comportant les étapes suivantes : réaliser des première et deuxième LED comportant chacune une couche active; réaliser un premier filtre réfléchissant multicouche, adapté à un premier rayonnement, au-dessus de la couche active de la première LED ; réaliser un premier filtre réfléchissant multicouche, adapté à un deuxième rayonnement distinct du premier rayonnement, au-dessus de la couche active de la deuxième LED; réaliser une première couche de conversion comportant une pluralité de premiers fluorophores, configurée pour convertir par fluorescence un rayonnement émis pal- la couche active de la première LED de manière à obtenir le premier rayonnement ; 6 - réaliser une deuxième couche de conversion comportant une pluralité de deuxièmes fluorophores, configurée pour convertir par fluorescence un rayonnement émis par la couche active de la deuxième LED de manière à obtenir le deuxième rayonnement ; - réaliser un second filtre réfléchissant multicouch, adapté au premier rayonnement, de manière que la première couche de conversion soit confinée verticalement entre les premier et second filtres réfléchissants multicouches adaptés au premier rayonnement et formant une cavité Fabry-Perot résonante, bloquant un rayonnement non converti par les premiers fluorophores et ayant un pic de transmittance pour le premier rayonnement ; - réaliser un second filtre réfléchissant multicouche, adapté au deuxième rayonnement, de manière que la deuxième couche de conversion soit confinée verticalement entre les premier et second filtres réfléchissants multicouches adaptés au deuxième rayonnement et formant une cavité Fabry-Perot résonante, bloquant un rayonnement non converti par les deuxième fluorophores et ayant un pic de transmittance pour le deuxième rayonnement ; réaliser autour des première et deuxième couches de conversion un miroir réfléchissant à la fois les premier et deuxième rayonnements et un rayonnement non converti par les premiers et deuxièmes fluorophores, dc manière à confiner latéralement les première et deuxième couches de conversion. Brève description des dessins [0029] D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la des- cription qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : [0030] [fig.1] montre schématiquement une vue en coupe d'un pixel comportant une pluralité de dispositifs optoélectroniques selon un mode de réalisation de l'invention. [0031] [fig.24 montre schématiquement une vue en coupe d'un dispositif optoélectronique selon un premier mode de réalisation de l'invention. [0032] [fig.2b] montre schématiquement une vue de dessus du dispositif optoélectronique de la figure 2a. [0033] [fig.3a] montre schématiquement une vue en coupe d'un dispositif optoélectronique selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. [0034] [fig.3b] 7 montre schématiquement une vue de dessus d'un dispositif optoélectronique selon une première variante du mode de réalisation de la figure 3a. [0035] [fig.3c] montre schématiquement une vue de dessus d'un dispositif optoélectronique selon une deuxième variante du mode de réalisation de la figure 3a. [0036] [fig.4a] montre schématiquement un premier exemple de la deuxième variante de la figure 3e. [0037] [fig.4b] montre schématiquement un deuxième exemple de la deuxième variante de la figure 3e. [0038] [fig.5a] montre schématiquement une première étape d'un procédé de fabrication d'un pixel comportant plusieurs dispositifs optoélectroniques selon l'invention. [0039] [fig.5b] montre schématiquement une deuxième étape d'un procédé de fabrication d'un pixel comportant plusieurs dispositifs optoélectroniques selon l'invention. [0040] [fig.5c] montre schématiquement une troisième étape d'un procédé de fabrication d'un pixel comportant plusieurs dispositifs optoélectroniques selon l'invention. [0041] [fig.5d] montre schématiquement une quatrième étape d'un procédé de fabrication d'un pixel comportant plusieurs dispositifs optoélectroniques selon l'invention. [0042] [fig.5e] montre schématiquement une cinquième étape d'un procédé de fabrication d'un pixel comportant plusieurs dispositifs optoélectroniques selon l'invention. [0043] [fig.5f1 montre schématiquement une sixième étape d'un procédé de fabrication d'un pixel comportant plusieurs dispositifs optoélectroniques selon l'invention. [0044] Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l'ensemble des figures. Description des modes de réalisation [0045] Dans le cadre du présent document, on emploie indifféremment les termes « diode électroluminescente », « DEL » et « LED » (de l'anglais « light-emitting diode »). [0046] La figure 1 montre schématiquement une vue en coupe d'un pixel, comportant : des premier et deuxième dispositifs optoélectroniques 110G, 110R selon un premier mode de réalisation de l'invention, le premier dispositif optoélec- 8 tronique 110G comportant une première LED et le deuxième dispositif optoélectronique 110R comportant une deuxième LED ; et une troisième LED 110B. [0047] Chacune des première, deuxième et troisième LED comporte généralement un em- pilement actif 105, agencé sur un empilement d'interconnexion 118, lui-même agencé sur un circuit intégré de contrôle 120. Les premier et deuxième dispositifs optoélectroniques 110G, 11 OR selon le premier mode de réalisation de l'invention comportent en outre un empilement de conversion 130 agencé sur l'empilement actif, ou hétérostructure, 105. [0048] L'empilement actif 105 comprend par exemple, dans cet ordre : une couche 105a de nitrure de gallium dopé de type N, une couche 105b émissive, une couche 105c de nitrure de gallium dopé de type P et une couche 112 métallique de contact d'anode. La couche émissive 105b est par exemple constituée par un empilement d'une ou plusieurs couches émissives formant chacune un puit quantique, par exemple à base de GaN, InP, InGaN, AlGaN, AIN, AlInGaN, GaP, AlGaP ou AlInGaP, et étant chacune disposée entre deux couches barrières, par exemple à base de GaN. L'empilement actif 105 est adapté, lorsqu'un courant est appliqué entre sa région d'anode, formée par la couche 105c, et sa région de cathode, formée par la couche 105a, à émettre de la lumière dans une bande de longueurs d'ondes déterminée, par exemple de largeur à mi-hauteur inférieure à 100 nm, fonction de la nature de la couche émissive 105b. L'empilement 105 est typiquement adapté pour émettre de la lumière bleue. En effet, l'invention trouve une application particulièrement avantageuse dans la conversion de lumière bleue. Mais d'une manière générale, l'empilement 105 est adapté pour émettre de la lumière visible, c'est-à-dire de longueur d'onde typiquement comprise entre 380 nm et 700nm, préférentiellement de la lumière bleue. L'empilement 105 est ainsi généralement réalisé à base de matériaux semi-conducteur III-V, c'est-à-dire comprenant un élément de la colonne V du tableau périodique des éléments, par exemple de l'azote N ou du phosphore P, associé à un ou plusieurs éléments de la colonne III du tableau périodique des éléments, par exemple du gallium Ga, de l'aluminium Al et/ou de l'indium In. Des exemples de matériaux semi-conducteurs sont ainsi le nitrure de gallium GaN, le nitrure d'indium InN, le nitrure d'aluminium MN, le phosphure de gallium GaP, le phosphure d'indium InP, le nitrure d'indium-gallium InGaN, le nitrure d'aluminium-gallium AlGaN, le nitrure d'indium-gallium InGaN, le phosphure d'aluminium-gallium AlGaP, le phosphure d'aluminium-indium-gallium AlInGaP, le nitrure d'indium-gallium-aluminium InGaA1N. [0049] Un exemple d'architecture LED est à présent décrit. Dans cet exemple, des tranchées sensiblement verticales sont formées dans l'empilement 105, depuis la couche 112, pour délimiter une pluralité d'îlots ou mesas correspondant aux différentes LED du 9 pixel. Dans l'exemple représenté, ces tranchées traversent entièrement les couches 112, 105c,105b et 105a de l'empilement. Les parois latérales des tranchées sont revêtues d'une couche isolante 114 et les tranchées sont remplies d'un métal 116 ayant une fonction de miroir. Un élément 117 de reprise de contact est réalisé au contact du métal 116 de chaque tranchée. [0050] L'empilement d'interconnexion 118 comporte typiquement une ou plusieurs couches isolantes, une ou plusieurs couches métalliques, et un ou plusieurs niveaux de vias conducteurs. Dans l'exemple représenté, l'empilement d'interconnexion 118 comprend, pour chaque LED, une plaque métallique de connexion à un dispositif extérieur, connectée de façon individuelle à l'électrode d'anode 112 de la LED de façon à pouvoir commander individuellement le courant circulant dans la LED et/ou une tension appliquée aux homes de la LED au moyen d'un dispositif extérieur. [0051] Le circuit intégré de contrôle 120 est typiquement formé dans et sur un substrat semi- conducteur 121, par exemple un substrat en silicium. Dans l'exemple représenté, le circuit de contrôle 120 comporte sur une de ses faces, pour chaque LED, un plot métallique de connexion 123 destiné à être connecté à l'électrode d'anode 112 de la LED de façon à pouvoir commander un courant circulant dans la LED et/ou une tension appliquée à la LED. Le circuit de contrôle 120 comprend par exemple, pour chaque LED, une cellule élémentaire de contrôle (non détaillée), connectée au plot métallique 123 dédié à la LED et comportant un ou plusieurs transistors, permettant de contrôler le courant circulant dans la LED et/ou la tension appliquée à la LED. Le circuit de contrôle 120 est par exemple réalisé en technologie CMOS. Les plots métalliques 123 peuvent être entourés latéralement par un matériau isolant 124, par exemple de l'oxyde de silicium, de façon que le circuit de contrôle 120 présente une surface, en contact avec l'empilement d'interconnexion 118, qui est sensiblement plane et comprend une alternance de régions métalliques 123 et de régions isolantes 124. [0052] L'exemple d'architecture LED qui vient d'être décrit n'est pas limitatif et d'une manière générale, tout type d'architecture LED et notamment tout système de contactage est envisageable. Le cas d'un pixel comportant des premier et deuxième dispositifs optoélectroniques selon l'invention, ainsi qu'une troisième LED, vient d'être décrit, toutefois chacun des premier et deuxième dispositifs optoélectroniques peut être considéré individuellement, en tant que tel. [0053] D'une manière générale, l'empilement de conversion 130 de chaque dispositif opto- électronique comporte de préférence une couche 138 texturée, par exemple en semiconducteur gravé, la couche 138 étant déposée sur l'architecture de LED et permettant d'améliorer l'extraction des photons émis par l'empilement 105. Pour le premier dispositif optoélectronique 110G, l'empilement de conversion 130 comporte une première couche de conversion 134G, qui comprend une pluralité de premiers fluo- rophorcs permettant de convertir par fluorescence un rayonnement émis par la couche active 105 de la première LED en un premier rayonnement distinct. D'une manière générale, le rayonnement émis par la couche active 105 est également appelé « rayonnement de pompe » ; de même la longueur d'onde du rayonnement émis par la couche active 105 est également appelée « longueur d'onde de pompe ». La première couche de conversion 134G est confinée verticalement entre des premier et second filtres réfléchissants multicouches 131G, 132G adaptés audit premier rayonnement. Les premier et second filtres réfléchissants multicouches 131G, 132G forment une première cavité Fabry-Perot résonante qui bloque un rayonnement non converti par les premiers fluorophores et présente au contraire un pic de transmittance pour le premier rayonnement. Le premier rayonnement est extrait de la première cavité par l'un des premier ou second filtres réfléchissants multicouches 131G, 132G, plus précisément par le filtre réfléchissant multicouche le plus éloigné de la couche active 105, en l'occurrence le second filtre réfléchissant multicouche 132G, dit également « filtre d'extraction ». La première couche de conversion 134G présente avantageusement une épaisseur minimale de KI/2n1, avec la longueur d'onde du premier rayonnement et n1 l'indice optique de la première couche de conversion 134G, pour une meilleure efficacité de conversion. [0054] De manière analogue, pour le deuxième dispositif optoélectronique 110R, l'empilement de conversion 130 comporte une deuxième couche de conversion 134R, qui comprend une pluralité de deuxièmes tluorophores permettant de convertir par fluorescence un rayonnement émis par la couche active 105 de la deuxième LED, ou rayonnement de pompe, en un deuxième rayonnement distinct. La deuxième couche de conversion 134R est confinée verticalement entre des premier et second filtres réfléchissants multicouches 131R, 132R adaptés audit deuxième rayonnement. Les premier et second filtres réfléchissants multicouches 131R, 132R forment une deuxième cavité Fabry-Perot résonante qui bloque un rayonnement non converti par les premiers fluorophores et présente au contraire un pic de transmittance pour le deuxième rayonnement. Le deuxième rayonnement est extrait de la deuxième cavité par l'un des premier ou second filtres réfléchissants multicouches 131R, 132R, plus précisément par le filtre réfléchissant multicouche le plus éloigné de la couche active 105, en l'occurrence le second filtre réfléchissant multicouche 132R, dit également « filtre d'extraction ». La deuxième couche de conversion 134R présente avantageusement une épaisseur minimale de X2/2n2, avec X, la longueur d'onde du deuxième rayonnement et n, l'indice optique de la deuxième couche de conversion 134R, pour une meilleure efficacité de conversion. [0055] Selon un mode de réalisation non illustré, il est possible de prévoir également un confinement vertical de l'empilement actif 105 de la troisième LED au moyen de 11 premier et second filtres réfléchissants multicouches formant une cavité Fabry-Perot résonante présentant un pic de transmittancc à la longueur d'onde du rayonnement émis par l'empilement actif 105. Cela permet d'améliorer la saturation du rayonnement finalement extrait de ladite cavité Fabry-Pcrot. En effet, d'une manière générale, le confinement vertical dans une cavité de Fabry-Perot permet une redistribution spectrale et un affinement spectral de l'émission spontanée, donc une amélioration de la saturation et de la résolution. La largeur à mi-hauteur du rayonnement finalement extrait est typiquement de l'ordre de 10 à 20 nm, contre typiquement 100 nm pour le rayonnement initial. C'est l'ingénierie de conception de la réflectivité de chaque filtre réfléchissant multicouche qui définit précisément la redistribution spectrale et la largeur à mi-hauteur du rayonnement extrait, et cette ingénierie est réalisée pour chacun des premier et deuxième dispositifs optoélectroniques, et le cas échéant pour la troisième LED. [0056] Chacune des cavités Fabry-Pcrot permet, par le réglage de son accord et de son facteur de qualité, d'affiner le pic de transmittance pour atteindre une couleur saturée. D'une manière connue de l'état de la technique, le réglage d'une cavité est défini par le déphasage de entre deux rayons sortants successifs : de(e) 2kri /(cos 61) où est l'indice de réfraction de la cavité ; est l'épaisseur de la cavité ; 0 est l'angle de réfraction des rayons et k 2rr / À avec À la longueur d'onde des rayons. Les rayons successifs interfèrent constructivement si leur déphasage de est égal à 2 rr ; et ils interfèrent destructivement si leur déphasage da) est égal à 12 TT [0057] Chacun des premier et deuxième filtres réfléchissants multicouches est par exemple un miroir de Bragg, réalisé par exemple par une combinaison de couches minces diélectriques d'épaisseur )14n et de haut et bas indices, par exemple de Si02/Ti02 ou SiO 2/S13N4. Les indices optiques de ces matériaux sont, à 460 nm, respectivement de 1,464/2,7878 et 1,464/2,0751. Alternativement, chacun des premier et deuxième filtres réfléchissants multicouches est par exemple un empilement non-périodique de couches d'épaisseurs optimisées, permettant d'obtenir un gabarit de filtre précis. [0058] Chacun des premiers filtres réfléchissants multicouches 131G du premier dispositif optoélectronique 110G, et 131R du deuxième dispositif optoélectronique 110R, présente de préférence, respectivement pour le rayonnement converti par les premiers et deuxièmes fluorophorcs, une réflectivité supérieure ou égale à 90% ; plus préférentiellement supérieure ou égale à 95% ; encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 99%. D'une manière générale dans le cas d'un miroir de Bragg réalisé par une combinaison de couches minces diélectriques d'épaisseur ?14n et de haut et bas indices, le nombre de couples de couches minces diélectriques faible indice/fort indice permettant d'obtenir une réflectivité suffisante à la longueur d'onde du rayonnement converti est fonction du contraste d'indice entre les deux couches minces du couple. L'épaisseur d'une couche mince diélectrique est typiquement de l'ordre de quelques dizaines de nm ; l'épaisseur d'un couple faible indice/fort indice est typiquement compris entre 100 nm et 200 nm ; et l'épaisseur d'un miroir de Bragg comportant un empilement de plusieurs couples de couches minces diélectriques faible indice/fort indice est typiquement de l'ordre du mni et de préférence inférieure ou égale à 1 Min. [0059] Chacun des premiers filtres réfléchissants multicouches 131G du premier dispositif optoélectronique 110G, et 131R du deuxième dispositif optoélectronique 110R, présente par ailleurs avantageusement, pour le rayonnement non converti par les premiers et deuxièmes fluorophores - c'est-à-dire pour le rayonnement émis par la couche active 105 à la longueur d'onde de pompe, une grande transmittivité afin de disposer d'un maximum de photons de pompe, émis par la couche active 105, dans la cavité. En particulier, ladite grande transmittivité est préférentiellement supérieure ou égale à 90% ; plus préférentiellement supérieure ou égale à 95% ; encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 99%. [0060] Le second filtre réfléchissant multicouche 132G du premier dispositif optoélec- tronique 110G présente, pour le rayonnement converti par les premiers fluorophores de la première couche de conversion 134G, une réflectivité strictement inférieure à celle du premier filtre réfléchissant multicouche 131G du premier dispositif optoélectronique 110G, pour le rayonnement converti par les premiers fluorophores de la 13 première couche de conversion 134G. De même, le second filtre réfléchissant multicouche 132R du deuxième dispositif optoélectronique 110R présente, pour le rayonnement converti par les deuxièmes fluorophores de la deuxième couche de conversion 134R, une réflectivité strictement inférieure à celle du premier filtre réfléchissant multicouche 131R du deuxième dispositif optoélectronique 110R, pour le rayonnement converti par les deuxièmes fluorophores de la deuxième couche de conversion 134G. On dit que les seconds filtres réfléchissants multicouches, ou filtres d'extraction, 132G du premier dispositif optoélectronique 110G et 132R du deuxième dispositif optoélectronique 110R, présentent une réflectivité « dégradée » : c'est cc qui leur permet d'extraire respectivement une partie des premier et deuxième rayonnements. La réflectivité du second filtre réfléchissant multicouche 132G du premier dispositif optoélectronique 110G pour le rayonnement converti par les premiers fluorophores est préférentiellement comprise dans l'intervalle [30% ; 70%] ; plus préférentiellement dans l'intervalle [40% ; 70%] ou [30% ; 60%] ; encore plus préférentiellement dans l'intervalle [40% ; 60%]. De même, la réflectivité du second filtre réfléchissant multicouche 132R du deuxième dispositif optoélectronique 110R pour le rayonnement converti par les deuxièmes fluorophores est préférentiellement comprise dans l'intervalle [30%; 70%] ; plus préférentiellement dans l'intervalle [40% ; 70%] ou [30% ; 60%] ; encore plus préférentiellement dans l'intervalle [40% ; 60%]. [0061] Chacun des seconds filtres réfléchissants multicouches 132G du premier dispositif optoélectronique 110G, et 132R du deuxième dispositif optoélectronique 110R, présente par ailleurs avantageusement, pour le rayonnement non converti par les premiers et deuxièmes fluorophores - c'est-à-dire pour le rayonnement émis par la couche active 105 à la longueur d'onde de pompe, une grande réflectivité afin de recycler » les photons de pompes non encore convertis par les premiers ou deuxième fluorophores, et augmenter ainsi le taux de conversion des première et deuxième couches de conversion 134G, 134R. En particulier, ladite grande réflectivité est préférentiellement supérieure ou égale à 90% ; plus préférentiellement supérieure ou égale à 95% ; encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 99%. [0062] Par ailleurs, les première et deuxième couches de conversion 134R, 134G sont confinées latéralement par un miroir 133 réfléchissant à la fois les premier et deuxième rayonnements afin de limiter le crosstalk, et le rayonnement non converti par les premier et deuxième fluorophores afin d'améliorer son taux de conversion. Le miroir 133 est typiquement en métal, par exemple en or Au, argent Ag, titane Ti, cuivre Cu, aluminium Al, tungstène W ou tout autre métal apte à réfléchir la lumière visible. Pour des raisons technologiques d'alignement et pour éviter tout couplage plasmonique, le miroir 133 est préférentiellement séparé latéralement des première et deuxième 14 couches de conversion 134R, 134G par un intervalle d'un matériau de bas indice, par exemple un oxyde comme du Si02 ou un nitrure comme du Si3N4, typiquement de quelques dizaines de nm d'épaisseur, par exemple 75 mn. [0063] La figure 2a montre schématiquement une vue en coupe d'un dispositif optoélec- tronique, par exemple le premier dispositif optoélectronique 110G, selon un premier mode de réalisation de l'invention. La figure 2b montre schématiquement une vue de dessus du premier dispositif optoélectronique 110G de la figure 2a. [0064] La figure 3a montre schématiquement une vue en coupe d'un dispositif optoélec- tronique, par exemple le premier dispositif optoélectronique 110G, selon un deuxième mode de réalisation de l'invention où le filtre d'extraction comporte en outre un réseau d'extraction du rayonnement converti par les fluorophorcs, en l'occurrence un réseau d'extraction 135G du premier rayonnement émis par les premiers fluorophorcs. La figure 3b montre schématiquement une vue de dessus d'un dispositif optoélectronique, par exemple le premier dispositif optoélectronique 110G, selon une première variante du deuxième mode de réalisation, où le réseau d'extraction comporte des cristaux photoniques 2D avec une texturation selon une dimension planaire. La figure 3e montre schématiquement une vue de dessus d'un dispositif optoélectronique, par exemple le premier dispositif optoélectronique 110G, selon une deuxième variante du deuxième mode de réalisation, où le réseau d'extraction comporte des cristaux photoniques 2D avec une texturation selon deux dimensions planaires. Une règle de conception générale est que la période du réseau d'extraction est comprise entre X/2 et X, avec X la longueur d'onde à extraire. L'ingénierie complète de dimensionnement du réseau d'extraction dépend notamment de l'épaisseur et du contraste d'indice du réseau d'extraction, de la longueur d'onde à extraire et de la directivité souhaitée. La figure 4a montre schématiquement une vue de dessus d'un dispositif optoélectronique selon un premier exemple de la deuxième variante de la figure 3c. Selon ce premier exemple, les cristaux photoniques présentent une maille carrée. La figure 4b montre schématiquement une vue de dessus d'un dispositif optoélectronique selon un deuxième exemple de la deuxième variante de la figure 3c. Selon ce deuxième exemple, les cristaux photoniques présentent une maille triangulaire. Pour chacun des premier et deuxième exemples, la texturation peut être obtenue au moyen de trous ou au contraire au moyen de piliers. [0065] Un procédé de fabrication d'un pixel, comportant les premier et deuxième dispositifs optoélectroniques et la troisième LED précédemment décrits, est à présent décrit en lien avec les figures .5a à 5f. Toutefois, chacun des premier et deuxième dispositifs optoélectroniques peut être fabriqué individuellement. [0066] Le procédé comporte tout d'abord une étape de réalisation d'une architecture de LED telle que précédemment décrite, comportant par exemple un empilement actif 105, agencé sur un empilement d'interconnexion 118, lui-même agencé sur un circuit intégré de contrôle 120. Le procédé comporte ensuite une étape facultative de réalisation d'une couche 138 texturee telle que précédemment décrite. Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt, typiquement par dépôt conforme, d'une première couche 136 d'isolant tel que du Si02, soit sur la couche 138 texture°, soit directement sur l'empilement actif 105. Le procédé comporte ensuite une étape de planarisation, typiquement par polissage mécano-chimique CMP (de l'anglais « chemical-mcchanical polishing »), de la première couche 136. La figure Sa montre le résultat obtenu à l'issue de la planarisation de la première couche 136. [0067] Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une multicouche, destinée à former le premier filtre réfléchissant multicouche 131G du premier dispositif optoélectronique 110G, sur la première couche 136 ; puis une étape de gravure de ladite multicouche de manière à définir le premier filtre réfléchissant multicouche 131G. Ladite étape de gravure comporte typiquement le dépôt d'un masque suivi d'une lithogravurc DUV (de l'anglais « deep UV »). Alternativement, ladite étape de gravure peut être une gravure ionique réactive RIE (de l'anglais « Reactive-Ion Etching »). Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une deuxième couche 136 d'isolant, suivie d'une étape de planarisation de la deuxième couche 136, analogues au dépôt et à la planarisation de la première couche 136, décrits au paragraphe précédent. [0068] Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une multicouche, destinée à former le premier filtre réfléchissant multicouche 131R du deuxième dispositif optoélectronique 110R, sur la deuxième couche 136 ; puis une étape de gravure de ladite multicouche de manière à définir le premier filtre réfléchissant multicouche 131R, analogue à celle décrite au paragraphe précédent. Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une troisième couche 136 d'isolant, suivie d'une étape de planarisation de la troisième couche, analogues au dépôt et à la planarisation de la première couche 136, décrits précédemment. La figure 5b montre le résultat obtenu à l'issue de la planarisation de la troisième couche 136. [0069] Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'un premier matériau de conversion, destiné à former la première couche de conversion 134G, sur la troisième couche 136. Ce dépôt est par exemple réalisé par dépôt à la toumette, ou « spin coating » en anglais. Le procédé comporte ensuite une étape de gravure dudit premier matériau de manière à définir la première couche de conversion 134G. Cette étape de gravure est par exemple réalisée par gravure ionique IBE (de l'anglais « ion-beam etching »), en particulier par gravure ionique réactive RIE Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une quatrième couche 136 d'isolant, suivie d'une étape de planarisation de la quatrième couche, analogues au dépôt et à la planarisation de la première couche 136, décrits précédemment. 16 [0070] Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'un deuxième matériau de conversion, destiné à former la deuxième couche de conversion 134R, sur la quatrième couche 136. Ce dépôt est par exemple réalisé par dépôt à la tournette, ou « spin coating » en anglais. Le procédé comporte ensuite une étape de gravure dudit deuxième matériau de manière à définir la première couche de conversion 134R. Cette étape de gravure est par exemple réalisée par gravure ionique IBE (de l'anglais « ion-bcam etching »), en particulier par gravure ionique réactive RIE. Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une cinquième couche 136 d'isolant, suivie d'une étape de planarisation de la cinquième couche, analogues au dépôt et à la planarisation de la première couche 136, décrits précédemment. La figure 5e montre le résultat obtenu à l'issue de la planarisation de la cinquième couche 136. [0071] Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une multicouche, destinée à former le second filtre réfléchissant multicouche 132G du premier dispositif optoélectronique 110G, sur la cinquième couche 136 ; puis une étape de gravure de ladite multicouche de manière à définir le second filtre réfléchissant multicouche 131G. Ladite étape de gravure comporte typiquement le dépôt d'un masque suivi d'une lithogravurc DUV (de l'anglais « deep UV »). Alternativement, ladite étape de gravure peut être une gravure ionique réactive RIE (de l'anglais « Reactive-Ion Etching »). Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une sixième couche 136 d'isolant, suivie d'une étape de planarisation de la sixième couche 136, analogues au dépôt et à la planarisation de la première couche 136, décrits précédemment. [0072] Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une multicouche, destinée à former le second filtre réfléchissant multicouche 132R du deuxième dispositif optoélectronique 110R, sur la sixième couche 136 ; puis une étape de gravure de ladite multicouche de manière à définir le second filtre réfléchissant multicouche 132R, analogue à celle décrite au paragraphe précédent. Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'une septième couche 136 d'isolant, suivie d'une étape de planarisation de la septième couche, analogues au dépôt et à la planarisation de la première couche 136, décrits précédemment. La figure 5d montre le résultat obtenu à l'issue de la planarisation de la septième couche 136. [0073] Le procédé comporte ensuite une étape d'ouverture de tranchées délimitant la troisième LED et chacun des premier et deuxième dispositifs optoélectroniques, par exemple par gravure ionique réactive RIE profonde, chaque tranchée étant alignée avec un élément 117 de reprise de contact. La figure 5e montre le résultat obtenu à l'issue de l'étape d'ouverture des tranchées. [0074] Le procédé comporte ensuite une étape de dépôt d'un métal dans les tranchées, par exemple par dépôt électrochimique ECD (de l'anglais « electrochemical deposition »), suivie d'une étape de planarisation, par exemple par CMP, afin d'éviter tout court- 17 circuit. Le procédé comporte ensuite une étape de réalisation de contacts Ch et Ch, aux extrémités des lignes de cathode et d'anode, typiquement au moyen du dépôt d'un métal suivi d'une gravure. La figure 5f montre le résultat obtenu à l'issue de l'étape de réalisation des contacts Ch et CL [0075] Naturellement, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits en référence aux figures et des variantes pourraient être envisagées sans sortir du cadre de invention. 18