FR 3091755 A1 20200717 FR 1900296 A 20190113 Description Titre de l'invention : Source de lumière pour capteur de gaz Domaine technique [0001] Le domaine technique de l'invention est une source de lumière, destinée à produire une lumière infrarouge. La source de lumière est destinée à être utilisée dans un capteur de gaz, en particulier utilisée dans un capteur de gaz de type NDIR (non dispersive infrarcd). Technique antérieure [0002] Parmi les capteurs de gaz existants, on connaît, les capteurs optiques de gaz de type NDIR, dans lesquels une source de lumière émet une lumière, dans le domaine spectral infrarouge. La lumière est absorbée par un gaz à analyser. Ce dernier s'étend entre la source de lumière et un photodétecteur. Le photodétecteur est configure pour détecter la lumière propagée à travers le gaz. Le principe de détection est basé sur une absorption, par le gaz, d'une partie de la lumière émise par la source, la partie non absorbée étant mesurée par le photodétecteur. Lorsque le gaz comporte une espèce gazeuse absorbante, cette dernière absorbe d'autant plus la lumière émise par la source que sa concentration dans le gaz est importante. Selon les principes de l'absorption, gouvernés par la loi de Bccr Lamber, la quantité de lumière mesurée par le photo-détecteur permet d'estimer la concentration de l'espèce gazeuse recherchée. [0003] Ce type de capteur est usuel. Il est par exemple utilisé pour la détection du CO,, cette espèce gazeuse présentant un pic d'absorption à 4.25 pm. Mais il peut également adresser les espèces gazeuses présentant un pic d'absorption marqué dans le domaine de l'infrarouge. [0004] Pour concevoir un capteur NDIR, il est usuel d'utiliser une source de lumière se présentant sous la forme d'un filament incandescent. Ce type de source de lumière est peu onéreux et présente une émission spectrale proche de celle d'un corps noir. [0005] De telles sources de lumière ont été décrites, en particulier dans EP2846201 ou dans le document Lefebvre A. "Simulation et conception de microsources infrarouges nanophotoniques pour la détection de gaz", thèse de doctorat de l'université Paris Saclay, présentée le 16 décembre 2015. [0006] Un des objectifs de l'invention décrite ci-après est de concevoir une source de lumière destinée à être utilisée dans un capteur optique de gaz. La source de lumière présente un rendement particulièrement élevé, ce qui permet de réduire la consommation électrique. Exposé de l'invention 100071 Un premier objet de l'invention est une source de lumière infrarouge pour capteur de 2 gaz, comportant une membrane suspendue, reliée à un substrat par au moins deux bras de jonction, la source de lumière comportant une piste conductrice, s'étendant entre deux plots de connexion, disposés sur le substrat, le long d'au moins deux bras de jonction, et à travers la membrane, la piste conductrice étant configure° pour produire un échauffement de la membrane lorsqu'elle est parcourue par un courant électrique, l'échauffement conduisant à l'émission de la lumière infrarouge ; la membrane comportant : - une couche support, formée d'au moins un matériau diélectrique ; - une couche de répartition, thermiquement conductrice, configurée pour répartir spatialcment l'échauffement de la membrane ; la membrane présentant un diamètre ou étant inscrite dans un diamètre inférieur à 1 mm; [0008] la source de lumière étant caractérisée en ce que : la piste conductrice forme, entre les plots de connexion, au moins deux branches et au plus quatre branches conductrices disposées en parallèle, chaque branche formant une résistance électrique. [0009] Les bras de jonction maintiennent la membrane en suspension par rapport au substrat. Ils supportent la piste conductrice entre les plots de connexions et la membrane. [0010] Selon un mode de réalisation, la membrane définit une surface principale. Selon la surface principale, la largeur de la piste conductrice, ou de chaque branche la composant, est comprise entre 3 pm et 8 pin. [0011] Selon un mode de réalisation, la piste conductrice s'étend, sur la membrane, entre deux bras de jonction ; la piste conductrice se subdivise, entre les deux bras de jonction, en, au plus, quatre branches conductrices. [0012] Ainsi, la piste conductrice forme autant de résistances, disposées en parallèle, que de branches conductrices s'étendant entre les deux bras de jonction. [0013] La piste conductrice peut se subdiviser, entre les deux bras de jonction, en uniquement deux branches conductrices ou en uniquement trois branches conductrices. [0014] Selon un mode de réalisation, la membrane est reliée au substrat par quatre bras de jonction ; la piste conductrice comporte deux branches distinctes, chaque branche s'étendant entre les deux plots de connexions, chaque branche s'étendant, entre les plots de connexion et la membrane, le long de deux bras de jonction, les bras de jonction supportant une branche étant différents des bras de jonction 3 supportant à l'autre branche. [0015] Au niveau de la membrane, la piste conductrice peut s'étendre, en partie, à travers un élément de répartition appartenant à la couche de répartition. [0016] Selon un mode de réalisation : la membrane s'étend autour d'un centre; au niveau de la membrane, la piste conductrice décrit un motif présentant une symétrie centrale par rapport au centre de la membrane. [0017] Selon un mode de réalisation : la membrane s'étend autour d'un axe, passant par deux bras de jonction; au niveau de la membrane, la piste conductrice décrit un motif présentant une symétrie axiale par rapport à l'axe. [0018] Quel que soit le mode de réalisation, la couche diélectrique peut comporter dif- férentes couches superposées, chaque couche superposée étant formée d'un matériau diélectrique, par exemple choisi parmi SiO2, Si3N4. [0019] Quel que soit le mode de réalisation, la piste conductrice peut comporter du Titane. [0020] Un autre objet de l'invention est un capteur de gaz, comportant une enceinte apte contenir un gaz, ainsi qu'une source de lumière et au moins un capteur de lumière, la source de lumière étant configurée pour émettre un rayonnement lumineux se propageant, à travers l'enceinte, vers le capteur de lumière, la source de lumière étant une source selon le premier objet de l'invention. [0021] Les caractères entre crochets correspondent à des balises sémantiques imposées par les modalités de dépôt électronique établies l'Institut National de la Propriété Industrielle. Ces caractères ne sont pas à considérer comme faisant partie du contenu de la demande. [0022] D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, et représentés sur les figures listées ci-dessous. Brève description des dessins [0023] [fig.1A] La figure 1A représente une vue d'ensemble d'une source de lumière selon fart antérieur. [0024] [fig.113] La figure 1B correspond à un détail de la membrane de la source de lumière re- présentée sur la figure 1A. [0025] [fig.1C] La figure 1C montre un empilement de couches formant la membrane et les bras de jonction de la source de lumière. 100261 Ifig.IDI La figure 1D schématise une piste conductrice permettant l'échauffement de la membrane et l'émission d'une lumière infrarouge par cette dernière. [0027] [fig.1E] La figure lE est un schéma électrique de la source de lumière décrite en lien avec les figures lA à 1D. [0028] [fig.2A] La figure 2A est un schéma électrique de la piste conductrice d'une source de lumière selon un premier mode dc réalisation. [0029] [fig.2B] La figure 2B représente une vue d'ensemble de la source dc lumière selon le premier mode de réalisation. [0030] [fig.2C] La figure 2C représente un détail de la membrane de la source de lumière illustrée sur la figure 2B. [0031] [fig.2D] La figure 2D montre une distribution spatiale de la température de la membrane selon le premier mode de réalisation. [0032] [fig.2E] La figure 2E montre une distribution spatiale de la température d'une membrane selon l'art antérieur. [0033] [fig.3A] La figure 3A représente une vue d'ensemble d'une source de lumière selon un deuxième mode de réalisation. [0034] [fig.3B] La figure 3B représente un détail de la membrane de la source de lumière illustrée sur la figure 3A. [0035] [fig.3C] La figure 3C est un schéma électrique formé par la piste conductrice décrite en lien avec la figure 3B. [0036] [fig.3D] La figure 3D montre une distribution spatiale de la température de la membrane selon le deuxième mode de réalisation. [0037] [fig.4] La figure 4 schématise un capteur de gaz utilisant une source de lumière selon l'invention. EXPOSE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS [0038] On a représenté, sur les figures 1A à 1E, une configuration proche de l'art antérieur. Selon cette configuration, la source de lumière 1AA comporte une membrane 30 suspendue, par deux bras de jonction 21, 22, à un substrat 2. La membrane 30 est suspendue de façon à être thermiquemcnt isolée du substrat. 2 Elle est maintenue en suspension dans un milieu ambiant, s'étendant entre la membrane 30 et le substrat 2. Le milieu ambiant peut être du vide ou de l'air. Une telle source lumière est inspirée de celle décrite dans la publication "Lefebvre", citée dans l'art antérieur, et plus précisément entre les pages 70 et 75 de cette publication. La source de lumière comporte une piste conductrice métallique 100, s'étendant entre deux plots de connexion électrique 11, 12 disposés sur le substrat. La piste conductrice 100 comporte des portions de connexion 111, 112 respectivement raccordées aux plots de connexion 11 et 12. La piste conductrice 100 comporte une première portion suspendue 121 s'étendant le long du premier bras de jonction 21 et une deuxième portion 122 suspendue s'étendant le long du deuxième bras de jonction 22.Les portions suspendues 121 et 122 sont supportées par les bras de jonction. Comme représenté sur la figure 1B, au niveau de la membrane 30, la piste conductrice 100 comporte une portion centrale 130, également désignée piste centrale, formée de deux portions d'interconnexion rectilignes 130', 130", dont la résistance est négligeable, et assurant une interconnexion électrique avec six branches semi-circulaires 131, 132, 133, 134, 135 et 136. Les six branches circulaires forment six résistances montées en parallèle. [0039] La source de lumière comporte deux bras de jonction supplémentaires 23, 24. Ils permettent d'augmenter la rigidité de la membrane 30, en évitant notamment une courbure de cette dernière. Cela limite le vieillissement de la source de lumière. [0040] La membrane 30 comporte des couches de matériaux diélectriques superposées. Chaque couche s'étend selon un plan XY, correspondant au plan du substrat 2. [0041] Comme représenté sur la figure 1C, la membrane 30 comporte : une première couche 301 de SiAN4 (SiN) d'épaisseur 100 nm; une deuxième couche 302 de SiO2 d'épaisseur 100 nm ; une troisième couche 30' de SiN d'épaisseur 100 nm. [0042] Les première et troisième couches forment le squelette de la membrane, lui conférant une certaine rigidité. Il s'agit de couches support de la membrane. [0043] Les bras de jonction 21, 22 sont formés par un assemblage de couches similaire à celui constituant la membrane 30. [0044] Entre la première couche 301 et la deuxième couche 302 s'étend la piste conductrice métallique 100. La couche de SiO2 forme une couche d'encapsulation de la piste conductrice 100, au niveau de la portion centrale 130 ou au niveau des bras de jonction 21 et 22. [0045] Dans cet exemple, la piste conductrice métallique 100 est formée d'un assemblage de 3 couches superposées : une couche de TiN d'épaisseur 10 nm, une couche de Pt 6 d'épaisseur 30 nm et une couche de TiN d'épaisseur 10 nm. [0046] Au niveau de la membrane 30, outre la partie centrale 130 de piste conductrice 100, une couche de répartition 31 est également interposée entre la première couche 30, de SiN et la deuxième couche 30, de SiO2. La couche de répartition 31 est formée d'au moins un matériau thermiquement conducteur, par exemple un métal. Elle comporte des éléments de répartition agencés de part et d'autre des branches rectilignes 130', 130" ainsi que des branches circulaires 131, 132, 133, 134, 135, 136 formant partie centrale 130 de la piste conductrice 100. Les éléments de répartition sont électriquement isolés des différentes branches formant la partie centrale 130. Dans cet exemple, un espace d'isolation de SiO2 s'étend entre chaque élément de répartition 31 et la partie centrale 130. La largeur de l'espace d'isolation est typiquement comprise entre 1 pm et 2 pm. [0047] Les plots de connexion 11 et 12 sont destinés à connecter la piste conductrice 100 à un courant électrique. Lorsqu'une tension est appliquée entre les plots de connexion, la piste conductrice 100 s'échauffe. Il en résulte une augmentation de la température de la membrane 30 par effet Joule. Les éléments de répartition 31 ont pour effet de répartir l'échauffement à travers la membrane, de telle sorte que la température de la membrane soit la plus homogène possible. [0048] Dans le plan XY du substrat, ou parallèlement à ce dernier, la membrane forme une surface principale, dont le diamètre est de préférence compris entre 100 pm et 1 mm, ou entre 100 pm et 500 pm. Dans l'exemple représenté sur les figures IA à 1E, le diamètre de la membrane 30 est égal à 300 pm. L'épaisseur de la membrane 30, perpendiculairement à la surface, est de préférence comprise entre 200 nm et 1 pm. Dans l'exemple représenté, l'épaisseur de la membrane est de 350 nm. [0049] La figure ID représente un détail de la piste conductrice 100. Elle comporte : les portions de connexion 111, 112, respectivement raccordées aux plots de connexion 11 et 12 : dans les portions de connexion, la largeur de la piste varie entre 100 pm, à proximité des plots de connexion, et 25 pm, à proximité des bras de jonction 21, 22. les portions suspendues 121, 122, s'étendant respectivement le long des bras de jonction 21 et 22 ; dans les portions suspendues, la largeur de la piste est de 25 'lm. la portion centrale 130. Dans cette portion, la largeur des portions d'interconnexion 130', 130" varie entre 25 pm, au voisinage des bras de jonction, à 10 pm, au niveau de l'interconnexion avec les branches circulaires 131 et 132. Les branches circulaires 131, 132, 133, 134, 135 et 136 ont une largeur comprise entre 1 et 3 Fm. Elles s'étendent selon des rayons respectifs de 38 pm, 52 pm et 67 pm. 7 [0050] La piste conductrice 100 comporte : une partie chaude 100h, destinée à chauffer, par effet Joule, la membrane 30 : cette partie regroupe la portion centrale 130 ainsi que les moitiés des portions suspendues 121 et 122 adjacentes de la portion centrale 130. une partie froide 100', éloignée de la membrane 30, et considérée comme ne contribuant pas à l'échauffement de cette dernière. La partie froide comporte les portions de connexions 111 et 112, adjacentes des plots de connexion, et les moitiés des portions suspendues 121, 122 respectivement adjacentes des portions de connexions. [0051] La figure lE montre un schéma électrique de la source de lumière. La résistance électrique totale R de la source de lumière comporte une résistance froide R et résistance chaude R fi . La résistance chaude R h correspond à la résistance que l'on considère utile au chauffage de la membrane 30. TI s'agit de la résistance de la partie chaude 100h. [0052] Ainsi, [0053] R191 R15, Rh = R130+ 2 + 2 ( 1 ) 100541 De la même façon, la résistance froide R , correspond à résistance de la partie froide de la piste conductrice 100. La résistance froide correspond à une partie de la résistance totale R non utile pour l'échauffement de la membrane 30. 100551 n - Rift R ir) , R2-'1 R2 z` , R122 (2) [0056] Si I est l'intensité du courant parcourant la piste conducti.ce 100, la puissance électrique P consommée est : [0057] P R x 1-2 (R Rh ) X /2 (3) [0058] d'où : [0059] P = Pe + Ph (4) 100601 Avec 100611 - R ) [0062] Et [0063] Ph= RhXI2 (4 ") [0064] où P , et P h désignent respectivement les puissances consommées respectivement par les parties froides et chaudes de la piste conductrice. [0065] Le rendement ri de la source de lumière correspond à un ratio entre la puissance consommée par la partie chaude sur la puissance électrique totale consommée. [0066] P Rh P Re+RI, (5) 8 [0067] Avec la configuration telle que représentée sur les figures lA à 1E, le rendement varie entre 0,64, à température ambiante (température 20°C), et 0,764 en régime de fonctionnement, lorsque la température de la membrane est portée à 520°C. La puissance électrique P consommée est de 2 mW. [0068] La variation de rendement est duc à la variation de la résistance chaude R , qui augmente avec la température. [0069] Comme on peut le voir sur la figure 1E, la piste conductrice centrale 130 comporte 6 résistances disposées en parallèle, qui correspondent respectivement aux branches circulaires 131 à 136 précédemment décrites. La résistance des branches 131 et 132 s'élève à 1.6 kQ. La résistance des branches 133 et 134 s'élève à 1.8 kQ. La résistance des branches 135 et 136 s'élève à 3 kQ. [0070] Un objectif de l'invention est d'augmenter le rendement q de la source dc lumière, de façon à diminuer la consommation électrique. Pour cela, il faut maximiser la résistance chaude R h par rapport à la résistance froide R . Les configurations représentées en lien avec les figures 2A à 2D et 3A à 3D répondent à cet objectif. [0071] Sur les figures 2A à 2D, on a représenté une source de lumière 1 selon un premier mode de réalisation. La membrane 30 et les bras de jonction 21, 22, 23 et 24 sont inchangés par rapport à la configuration de l'art antérieur. [0072] La figure 2B montre une vue d'ensemble de la source de lumière 1. La source de lumière 1 comporte une piste conductrice 200 s'étendant entre deux plots dc connexion 11 et 12. De même que selon l'art antérieur, la piste conductrice 200 s'étend le long des bras de jonction 21, 22, formant respectivement deux portions suspendues 221 et 222. Au niveau des plots de connexion 11 et 12, la piste conductrice 200 forme respectivement des portions de connexion 211 et 212 élargies par rapport à la configuration de l'art antérieur : la largeur maximale atteint 250 min, contre 100 ph dans la configuration de l'art antérieur. Cela permet de diminuer la résistance froide R ce qui permet d'augmenter le rendement g. [0073] La partie centrale 230 de la piste conductrice 200 est significativement modifiée par rapport à la piste centrale 130 de l'art antérieur. Comme illustré sur la figure 2A, au lieu des 6 résistances disposées en parallèle, la partie centrale 230 comporte deux branches 231 et 232, formant deux résistances R 231 et R 232 montées en parallèle. Au niveau de la partie centrale, le passage d'une configuration de 6 résistances disposées en parallèle à 2 résistances 231, 232 en parallèle permet d'augmenter la résistance R h de la partie chaude de la piste conductrice 230. Chaque résistance 231, 232 a une valeur de 1.3 Ic52. L'ensemble formé par les deux résistances en parallèle a une valeur de 650 Q. De même que dans la configuration de l'art antérieur, les branches 231 et 232 formant la partie centrale 230 comportent des portions circulaires, agencées selon trois rayons différents. La figure 2C montre un détail de la partie centrale 230. Chaque 9 branche circulaire comporte plusieurs tronçons circulaires, reliés par des tronçons radiaux. Cette répartition selon différents rayons favorise un échauffement homogène de la memhrane. Si A est un axe passant par le centre de la membrane 30 et par les axes centraux des bras de jonction 21 et 22, les branches circulaires 231 et 232 sont symétriques par rapport à l'axe A. La symétrie est favorable à l'échauffement homogène de la memhrane 30. [0074] De même que dans la configuration précédente, la membrane 30 comporte des éléments de répartition 31 isolés électriquement de la piste conductrice centrale 230, et répartis de part et d'autre de cette dernière. Ces éléments de répartition sont similaires à ceux précédemment décrits. Ils favorisent une uniformisation de la température de la membrane. [0075] Sans modifier la largeur de la partie centrale 230, la configuration selon ce mode de réalisation permet un gain de résistance d'un facteur 6 à température ambiante. La tension d'alimentation est limitée par une pile ou une batterie (par exemple 3V). Afin de maintenir une puissance électrique de l'ordre de 2 mW, la résistance électrique totale R ne doit pas dépasser 4.5 kW en régime de fonctionnement. Pour le garantir, la largeur de la piste conductrice est augmentée à 6µm. Il en résulte une augmentation de la résistance de 4/3 (à température ambiante), par rapport à la configuration de l'art antérieur. [0076] La configuration selon ce mode de réalisation entraîne une augmentation du rendement rl de la source de lumière. Le rendement est ainsi égal à : 0,89 à la température ambiante (contre 0.64 pour la configuration de l'art antérieur) ; 0,93 à la température de fonctionnement (contre 0,76 pour la configuration de l'ait antérieur). [0077] On a modélisé une distribution spatiale de la température, lorsque la membrane est portée à sa température maximale de 520°C. Les figures 2D et 2E montrent respectivement les distributions spatiales de température selon le premier mode de réalisation et selon l'art antérieur. On constate que le premier mode de réalisation permet d'obtenir une répartition spatiale de la température aussi homogène que la configuration de l'art antérieur. [0078] Selon un troisième mode de réalisation, représenté sur les figures 3A à 3D, la source de lumière 1' comporte deux plots de connexion 11, 12, en forme d'équerre. La source de lumière 1' comporte une membrane 30 ainsi que 4 bras de jonction 21, 22, 23 et 24 tels que précédemment décrits. Elle comporte une piste conductrice 300 modifiée par rapport au premier mode de réalisation et par rapport à l'art antérieur. La piste conductrice 300 est illustrée sur la figure 3A. La piste conductrice 300 s'étend comporte deux branches 301, 302. Chaque branche s'étend entre le premier plot de connexion 11 et le deuxième plot de connexion 12. La première branche 301 comporte une portion de connexion 311. raccordée au premier plot de connexion 11 et une portion de connexion 312' raccordées au deuxième plot de connexion 12. Elle comporte deux parties suspendues 321 et 324, respectivement le long des bras de jonction 21 et 24. Elle forme, au niveau de la membrane 30, une première partie centrale 331. La deuxième branche 302 comporte une portion de connexion 311', raccordée au premier plot de connexion 11 et une portion de connexion 312 raccordée au deuxième plot de connexion 12. Elle comporte deux parties suspendues 322 et 323, respectivement le long des bras de jonction 22 et 23. Elle forme, au niveau de la membrane 30, une deuxième partie centrale 332. [0079] Les deux branches 301 et 302 forment, au niveau de la membrane 30, deux ré- sistances montées en parallèle, comme représenté sur la figure 3C. [0080] La figure 3B détaille la partie centrale 330 de la piste conductrice 300. Elle comporte la piste centrale 331, entre les portions suspendues 321 et 324 ; la piste centrale 332, entre les portions suspendues 322 et 323. [0081] Les deux pistes centrales 331 et 332 sont agencées de façon symétrique par rapport au centre O de la membrane 30. Leur largeur est de 5 pm. [0082] Au niveau des plots de connexion 11 et 12, la piste conductrice 300 forme respec- tivement des portions de connexion 311, 311', 312 et 312' élargies par rapport à la configuration de l'art antérieur : la largeur maximale atteint 250 i_tm, contre 100 pm dans la configuration de l'art antérieur. [0083] Contrairement au premier mode de réalisation de l'invention, les résistances 331 et 332 ne sont pas raccordées par une interconnexion réalisée sur la membrane 30. Les branches 331 et 332 sont respectivement reliées aux portions suspendues 321-324 et 322-323. [0084] La membrane comporte des éléments de répartition 31, répartis autour des branches 331 et 332, en étant isolés de ces dernières, à l'exception de deux éléments de répartitions 31', ces derniers étant raccordés électriquement aux branches 331 et 332. Les éléments de répartition 31' forment une partie des branches 331 et 332. Ils exercent à la fois une fonction de conduction thermique, et de conduction électrique. [0085] La figure 3C représente un modèle électrique de la piste conductrice 300. Elle peut être modélisée par un montage en dérivation de deux résistances, respectivement composées : de la première branche 301, formée par les résistances 311, 321, 331, 324, 312' montées en série ; de la deuxième branche 302, formée par les résistances 311', 323, 332, 322, 312 montées en série. 11 [0086] La configuration selon cc mode de réalisation entraîne une augmentation du rendementi de la source de lumière, le rcndcmcnt étant égal à : 0,94 à la température ambiante (contre 0.64 pour la configuration dc l'art antérieur) ; 0,97 à la tcmpératurc de fonctionnement (contre 0,76 pour la configuration de l'art antérieur). [0087] On a modélisé unc distribution spatiale de la tcmpératurc, lorsque la membrane est portée à sa température maximale. La figure 3D montre le résultat obtenu. On constate que le deuxième mode de réalisation permet d'obtenir unc répartition spatiale de la température presque aussi homogène que les configurations précédemment décrites. [0088] Le fait d'augmenter le rcndcmcnt de la source a unc influence sur la variation dc tcm- pératurc et la puissance électrique, selon l'expression : A T = [0089] (6) Th [0090] où G Th désigne la conductance thermique de la source et AT est la variation de tem- pérature sous l'effet de l'échauffement produit par l'effet Joule. [0091] Ainsi, à variation de température constante, une augmentation du rendement de la source permet de réduire la puissance électrique, ce qui entraîne une réduction de la consommation électrique de la source, pour obtenir une même température. La configuration selon le premier mode de réalisation permet de maintenir une conductance thermique de la source similaire à celle de l'art antérieur, tout en augmentant le rendement [0092] En revanche, la configuration selon le deuxième mode de réalisation augmente la conductance thermique en raison de la présence de la couche conductrice sur les bras de jonction 23 et 24. 100931 De ce fait, à puissance électrique constante, la variation de température est réduite par rapport au premier mode de réalisation. La température maximale est donc inférieure à celle pouvant être atteinte au premier mode de réalisation. Cependant, la température maximale est atteinte plus rapidement qu'avec le premier mode de réalisation. 100941 Les deux modes de réalisation précédemment décrits correspondent à des confi- gurations préférées, dans lesquelles la membrane est traversée par uniquement deux branches disposées en parallèle. D'autres variantes sont envisageables, selon lesquels la membrane est traversée par uniquement trois branches disposées en parallèle ou uniquement quatre branches disposées en parallèle. 100951 Une source de lumière selon l'invention pourra être utilisée dans des capteurs de gaz, en particulier des capteurs de gaz NDIR, évoqués dans l'art antérieur. La figure 4 représente un exemple d'un tel capteur : le capteur comporte une enceinte 5 pouvant 12 contenir un gaz G. Il comporte une source de lumière 1 ou l', telles que précédemment décrites. Il comporte au moins un capteur de lumière 6. La source de lumière est configure° pour émettre un rayonnement lumineux à travers l'enceinte 5, vers le capteur de lumière 2. La quantité de lumière détectée par le capteur de gaz 2 peut alors être correlec à la présence d'une espèce gazeuse absorbante dans le gaz. 13 [Revendication 1]