FR 3090180 A1 20200619 FR 1872909 A 20181214 Description Titre de l'invention : CELLULE MEMOIRE RESISTIVE A BASE D'OXYDE OXRAM ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE Domaine technique [0001] La présente invention est relative à une cellule mémoire résistive à base d'oxyde OxRAM ((le l'anglais « oxide-based resistive random access memory ») ainsi qu'à un procédé de fabrication d'une telle cellule. Technique antérieure [0002] D'une manière générale, une cellule OxRAM est formée d'un empilement d'une première couche métallique, une couche d'isolant et une seconde couche métallique, notée métal-isolant-métal ou « MIM ». De manière standard, la première couche métallique est une électrode inférieure en nitrure de titane TiN, sur laquelle est déposée la couche d'isolant en dioxyde d'hafnium Hf02, typiquement de 10 nm d'épaisseur, et la seconde couche métallique comporte une couche de titane Ti, typiquement de 10 nm d'épaisseur, déposée sur la couche d'isolant, et une électrode supérieure en nitrure de titane TiN déposée sur la couche de titane Ti. [0003] Dans une telle structure, l'équilibre thermodynamique est réalisé par migration d'une partie de l'oxygène contenu dans la couche d'isolant en dioxyde d'hafnium Hf02 vers la couche de titane Ti située juste au-dessus, l'oxygène étant en position interstitielle dite « a-Ti » du titane métallique, de sorte que le dioxyde d'hafnium Hf02 stoechiométrique devient du dioxyde d'hafnium Hf0,c2 sous-stoechiométrique. Le fait que le dioxyde d'hafnium Hf0,.