FR 3091429 A1 20200703 FR 1874201 A 20181228 Description Titre de l'invention : Dispositif à onde acoustique de surface amélioré Domaine technique [0001] L'invention concerne le domaine des composants pour télécommunications à base d'ondes acoustiques de surface, dénommés SAW pour « Surface Acoustic Wave » en anglais. Plus particulièrement l'invention concerne des filtres fréquentiels ou des sources, et selon un mode de réalisation de l'invention des filtres et des sources agiles en fréquence. Technique antérieure [0002] Dans le cadre des télécommunications un grand nombre de bandes de Radio- Fréquences (RF) sont utilisées afin de transmettre ou de recevoir l'information. Chaque bande définit un canal pour lequel des fonctions de filtrage sont nécessaires afin de restituer l'information. Il y a donc autant de filtres que de bandes RF et pour passer de l'une à l'autre des commutateurs ou « switchs » sont également nécessaires. [0003] Le domaine des sources comprend également une quantité importante de bandes de fréquences adressées. Encore une fois, il est nécessaire d'associer à chaque bande une source de fréquences idoine. [0004] Les dispositifs SAW sont largement utilisés comme composants de filtrage dans le domaine des télécommunications ainsi que dans celui des sources pour réaliser des oscillateurs. Ils ont une réponse spectrale (ou en fréquences) définie dès leur conception et leur fabrication à partir de leur géométrie et des matériaux utilisés. Lorsque plusieurs bandes de fréquences sont adressées sur un seul et même dispositif, chaque bande est traitée par un composant SAW spécifique, ce qui implique une augmentation du volume occupé et du coût. [0005] Il n'y a pas actuellement d'agilité en fréquence. L'agilité en fréquence des dispositifs de filtrage ou des oscillateurs Radio-Fréquence (RF) définit la capacité de ces dispositifs à voir leur fréquence de fonctionnement évoluer en fonction de paramètres externes ou internes aux dispositifs. Ce phénomène est dit contrôlé si les autres figures de mérite du dispositif sont préservées lorsque les paramètres considérés évoluent. [0006] Les SAW (Surface Acoustic Waves) sont des dispositifs largement utilisés dans le domaine des composants pour les télécommunications. [0007] D'une manière générale, le fonctionnement de ces dispositifs repose sur la conversion de l'énergie électrique en au moins une onde élastique via un transducteur comprenant typiquement deux peignes d'électrodes inter digitées déposés à la surface d'un matériau piézoélectrique ou non. L'effet inverse est également considéré. L'efficacité de cette 2 conversion est directement liée au coefficient de couplage électromécanique intrinsèque du matériau ainsi qu'à la configuration géométrique des électrodes du transducteur et à la nature du métal les constituant. [0008] Un dispositif à ondes élastiques de surface 20 est illustré sur la figure 1. Il comprend tout d'abord un ou plusieurs transducteurs (deux transducteurs Tl et T2 sur la figure 1) permettant de générer le phénomène vibratoire mécanique également dénommé onde acoustique. [0009] Un SAW dit simple port comprend un transducteur unique, un peigne d'électrodes étant connecté à l'entrée électrique et l'autre peigne étant connecté à la niasse du dispositif. Un SAW dit double port tel qu'illustré figure 1 comprend deux transducteurs Ti et T2, chacun comprenant deux peignes Pl, Pi' et P2, P2'. Le transducteur Ti opère par exemple comme entrée (excitation) avec son peigne Pl connecté à l'entrée électrique E et T2 opère comme sortie, avec son peigne P2' connecté à la sortie électrique S (récupération). Les peignes PI' et P2' sont connectés à la masse. [0010] Dans une configuration ligne à retard l'onde acoustique créée se propage librement à la surface du matériau. Dans la configuration résonateur qui nous intéresse ici illustrée figure 1 l'onde acoustique est piégée dans une cavité par le biais de réflecteurs acoustiques, que nous dénommerons par la suite miroirs, placés de part et d'autre du ou des transducteurs. [0011] Les transducteurs peuvent être collés ou séparés par un gap (espace de propagation libre de l'onde) ou un réseau d'électrodes (appelé coupleur). [0012] Les réflecteurs acoustiques sont des miroirs de Bragg disposés de part et d'autre de cette zone de transduction. Ils sont formés de réseaux périodiques d'électrodes RI et R2 déposées sur la surface du même substrat Mat, et assurent un fort coefficient de réflexion pour les ondes acoustiques de surface dans une certaine gamme de fréquences, appelée bande interdite. [0013] Typiquement les électrodes des miroirs présentent la forme de lignes 21 parallèles entre elles et réparties périodiquement selon une période p. Le barreau formé par chaque électrode 21 est caractérisé par des paramètres géométriques: une longueur 1, une hauteur h et une largeur a. [0014] Les paramètres géométriques des électrodes des miroirs sont identiques ou différents de ceux des électrodes des transducteurs. [0015] Les électrodes des miroirs sont classiquement connectées à la masse du système, les connexions étant illustrées par les traits 22 sur la figure 1. [0016] Préférentiellement les électrodes sont connectées à la masse aux deux extrémités. Ce choix d'une connexion directe à la masse électrique permet l'obtention d'un composant de réalisation simple, minimisant les effets électriques parasites au niveau des électrodes et maximisant l'efficacité générale des miroirs. 3 100171 Les différents plans de masse M sont bien entendu reliés entre eux, cette liaison étant symbolisée par les pointillés 23. [0018] Pour le cas d'un filtre, les miroirs forment la cavité résonante à l'intérieur de laquelle un ou plusieurs transducteurs électroacoustiques génèrent et reçoivent les ondes élastiques destinées à la réalisation de la fonction spectrale du filtre. On utilise classiquement le coefficient Sll pour caractériser la réflexion du filtre (PRéfléchic/PIncident) et le coefficient S12 pour caractériser la transmission du filtre (PTransmise/PIncident). Ces coefficients sont calculés directement à partir des signaux électriques radiofréquences incidents, réfléchis et transmis au niveau des transducteurs. La figure 1 illustre les coefficients Sll et S12 caractéristiques d'un filtre passe bande. La fréquence de fonctionnement f' d'un tel dispositif, également dénommée fréquence nominale du filtre, dépend de nombreux paramètres dont le matériau utilisé pour le substrat, les paramètres géométriques définissant les électrodes du ou des transducteurs ainsi que les électrodes des miroirs, et l'interaction entre ces divers éléments. [0019] Par ailleurs pour générer des filtres aux caractéristiques spécifiques il est classique de réaliser des agencements de SAW à partir de différents SAW élémentaires disposés en parallèle et/ou en série. La figure 2 illustre un exemple d'agencement d'un filtre en échelle 30 ou « ladder » en anglais basé sur une « cascade » de résonateurs SAW élémentaires simple port 20(1), 20(2) et 20(3) réalisant le filtrage d'un signal injecté via l'entrée 31 et récupéré à la sortie 32. [0020] Les résonateurs SAW selon l'état de la technique ont une réponse définie dès leur conception et leur fabrication. Ainsi si l'on souhaite réaliser des filtres/sources SAW avec des fréquences nominales différentes il convient de designer des filtres présentant des paramètres géométriques différents. En outre il n'est pas possible de réaliser des filtres ou des oscillateurs agiles en fréquence. [0021] L'invention vise à surmonter au moins l'un des inconvénients précités en proposant un dispositif à onde acoustique de surface présentant un comportement fréquentiel fonction de conditions aux limites que l'on peut modifier sans changement des paramètres géométriques du composant, et qui peut être rendu, selon un mode de réalisation, agile en fréquence. DESCRIPTION DE L'INVENTION [0022] La présente invention a pour objet un dispositif à onde acoustique de surface comprenant : - au moins un transducteur, - deux réflecteurs acoustiques disposés de part et d'autre de l'au moins un transducteur de manière à former une cavité, chaque réflecteur acoustique comprenant un réseau d'électrodes en fonrie de lignes parallèles entre elles, chaque réseau comprenant un sous ensemble d'électrodes connectées à un potentiel de référence dénommé masse définissant un premier type de connexion, et un sous ensemble d'électrodes qui ne sont connectées à aucun potentiel, c'est-à-dire qui présentent une connexion flottante définissant un deuxième type de connexion. [0023] Préférentiellement le dispositif à onde acoustique de surface selon l'invention comprend un ou deux transducteurs. [0024] Selon une première variante chaque électrode ne peut présenter que le premier ou le deuxième type de connexion. [0025] Selon une deuxième variante le dispositif à onde acoustique de surface selon l'invention comprend en outre, pour au moins un sous ensemble des électrodes de chaque miroir, une impédance entre chacune desdites électrodes dudit sous ensemble et la masse, définissant un troisième type de connexion. [0026] Préférentiellement la répartition des connexions des électrodes entre les différents types est symétrique par rapport à l'au moins un transducteur. [0027] Selon un mode de réalisation des connexions des électrodes sont réalisées indivi- duellement pour chaque réseau. [0028] Selon un autre mode de réalisation, pour chaque réseau, des électrodes sont reliées entre elles définissant des paquets, la connexion s'effectuant par paquet. [0029] Selon un mode de réalisation, pour chaque réseau, un sous ensemble d'électrodes voisines disposées à une extrémité du réseau est connecté à la masse. [0030] Selon un mode de réalisation, qui peut être combiné au mode précédent, pour chaque réseau, un sous ensemble d'électrodes voisines disposées à une extrémité du réseau présente une connexion flottante. [0031] Selon un mode de réalisation qui peut être combiné aux modes précédents, pour chaque réseau, des électrodes forment un motif périodique, un motif comprenant au moins une électrode connectée à la masse et une électrode flottante. [0032] Selon une troisième variante le dispositif à onde acoustique de surface selon l'invention est agile en fréquence et comprend en outre au moins un circuit de commutation configuré pour modifier la répartition des connexions d'au moins une partie des électrodes de chaque réseau entre les différents types de connexion. [0033] Selon un mode de réalisation de la troisième variante, pour chaque réseau, des électrodes sont reliées individuellement au circuit de commutation de sorte que la modification de connexion desdites électrodes s'opère individuellement. [0034] Selon un autre mode de réalisation de la troisième variante, pour chaque réseau, des électrodes sont reliées entre elles pour former des paquets, chaque paquet étant relié au circuit de commutation de sorte que la modification de connexion des électrodes s'opère par paquet. [0035] Selon un autre aspect l'invention concerne un filtre en fréquence comprenant un dispositif à onde acoustique de surface selon l'invention. [0036] Préférentiellement le filtre en fréquence comprend une pluralité de dispositifs à onde acoustique de surface selon l'invention agencés en série et/ou en parallèle. [0037] Selon un autre aspect l'invention concerne un oscillateur comprenant un circuit inverseur et un dispositif à onde acoustique de surface selon l'invention agencé en parallèle dudit circuit inverseur, le dispositif à onde acoustique de surface comprenant deux transducteurs. [0038] La description suivante présente plusieurs exemples de réalisation du dispositif de l'invention : ces exemples sont non limitatifs de la portée de l'invention. Ces exemples de réalisation présentent à la fois les caractéristiques essentielles de l'invention ainsi que des caractéristiques additionnelles liées aux modes de réalisation considérés. Par souci de clarté les mêmes éléments porteront les mêmes repères dans les différentes figures. [0039] L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques, buts et avantages de celle-ci apparaîtront au cours de la description détaillée qui va suivre et en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatifs et sur lesquels : [0040] [fig.1] La figure 1, déjà citée illustre un dispositif acoustique à onde de surface SAW selon l'état de la technique. [0041] [fig.2] La figure 2 déjà citée illustre un agencement de SAW élémentaires dans une configuration de filtre à échelle « ladder » selon l'état de la technique. [0042] [fig.3] La figure 3 illustre une première variante du dispositif à onde acoustique de surface selon l'invention. [0043] [fig.4] La figure 4 illustre les courbes de dispersion caractéristiques des miroirs pour deux configurations différentes de conditions aux limites électriques imposées sur chacune des électrodes de ces miroirs. [0044] [fig.5] La figure 5 illustre l'évolution des bandes interdites pour les deux cas 100% à la masse et 100% flottant en fonction du paramètre a/p des électrodes des miroirs. [0045] [fig.6] La figure 6 illustre les variations en fonction de la fréquence du module du co- efficient de réflexion acoustique simulé des miroirs pour les deux conditions aux limites électriques appliquées sur les électrodes de ces miroirs. [0046] [fig.7] La figure 7 présente les variations en fonction de la fréquence du paramètre Sil électrique du résonateur lorsque les conditions sur les miroirs sont modifiées selon quatre configurations différentes. [0047] [fig.7bis] La figure 7bis illustre le coefficient S12 électrique en fonction de la fréquence f d'un filtre complexe dans une configuration « ladder » avec 3 dispositifs selon l'invention, pour 4 configurations de connexion des électrodes des miroirs. [0048] [fig.8] La figure 8 présente en niveaux de gris les variations du paramètre Sll du ré- sonateur simple port en fonction d'une part du nombre nC0 des électrodes en condition flottante (de 0 à 90) et d'autre part en fonction de la fréquence. 6 100491 Ifie.91 La figure 9 illustre un mode de réalisation de l'invention dans lequel, pour chaque réseau, des électrodes sont reliées entre elles définissant des paquets, la connexion s'effectuant par paquet. La figure 9 illustre également différents agencements des deux types de connexion CC et CO qui peuvent être combinés ensemble. Sur les figures 9a et 9b, pour chaque réseau, un sous ensemble d'électrodes voisines disposées à l'extrémité du réseau opposée au transducteur est connecté à la masse. Sur la heure 9c pour chaque réseau, une pluralité d'électrodes successives présente une alternance de connexion à la masse CC et flottante CO. [0050] [fig.10] La figure 10 illustre une deuxième variante du dispositif selon l'invention dans laquelle, pour au moins un sous ensemble des électrodes de chaque miroir, une impédance Z est introduite entre chacune des électrodes du sous ensemble et la masse, définissant un troisième type de connexion CZ. [0051] [fig.1 1] La figure 11 illustre une troisième variante de l'invention compatible avec la première et/ou la deuxième variante dans laquelle le dispositif selon l'invention comprend en outre au moins un circuit de commutation configure pour modifier la répartition des connexions d'au moins une partie des électrodes de chaque réseau entre les différents types de connexion. La figure 11 illustre un premier mode de réalisation dans lequel des électrodes sont reliées individuellement au circuit de commutation de sorte que la modification de connexion des électrodes s'opère individuellement. [0052] [fig.12] La figure 12 illustre un deuxième mode de réalisation de la troisième variante dans lequel des électrodes sont reliées entre elles pour former des paquets, chaque paquet étant relié au circuit de commutation de sorte que la modification de connexion des électrodes s'opère par paquet. [0053] [fig.13] La figure 13 illustre un oscillateur stabilisé en fréquence par un dispositif selon l'invention. Description des modes de réalisation [0054] Le dispositif à onde acoustique dc surface 10 selon l'invention et illustré figure 3 présente une structure proche de celle d'un SAW selon l'état de la technique, mais dans lequel on a modifié les conditions aux limites électriques des miroirs. [0055] Le dispositif 10 comprend au moins un transducteur. Il en comprend préféren- tiellement un (SAW simple port) ou deux (SAW double poil). La figure 1 non limitative illustre un SAW selon l'invention double port avec deux transducteurs Tl et T2. Le dispositif 10 comprend également deux réflecteurs acoustiques disposés de part et d'autre de l'au moins un transducteur de manière à former une cavité, chaque réflecteur acoustique comprenant un réseau d'électrodes R1, R2 en forme de lignes 21 parallèles entre elles. [0056] Chaque réseau d'électrodes comprend un sous ensemble d'électrodes connectées à un 7 potentiel de référence dénommé masse M définissant un premier type de connexion CC (pour Court Circuit), et un sous ensemble d'électrodes qui ne sont connectées à aucun potentiel, c'est-à-dire qui présentent une connexion flottante définissant un deuxième type de connexion CO (pour Circuit Ouvert), tel qu'illustré figure 3. Les connexions en circuit ouvert (flottantes) sont symbolisées par les arcs de cercle aux extrémités des électrodes. Ainsi contrairement au SAW de l'état de la technique, certaines électrodes du dispositif selon l'invention présentent une connexion de type flottant. [0057] La figure 3 illustre une première variante de l'invention selon laquelle chaque électrode ne peut présenter que le premier (CC) ou le deuxième (CO) type de connexion. [0058] Pour mieux comprendre l'incidence de cette modification des conditions de connexion des électrodes des miroirs sur le comportement d'un SAW les inventeurs ont introduit le concept de bande interdite électrique que nous allons décrire à présent. [0059] Dans une structure périodique infinie, les courbes de dispersion présentent les va- riations des fréquences des ondes acoustiques qui se propagent dans la structure en fonction du nombre d'onde k, pour une direction de propagation donnée. Ces courbes permettent d'identifier des bandes passantes, bandes de fréquences dans lesquelles les ondes se propagent et sont caractérisées par un nombre d'onde réel k, et, sous certaines conditions, des bandes interdites, bandes de fréquences dans lesquelles les ondes sont évanescentes et sont caractérisées par un nombre d'onde complexe k. Dans ces bandes de fréquences il n'existe pas de mode propagatif dans le miroir, et le coefficient de réflexion des ondes acoustiques de surface incidentes sur ce miroir peut donc prendre des valeurs proches de l'unité (réflexion totale). Ainsi, dans ces bandes de fréquences, les miroirs constituent en général de bons réflecteurs acoustiques. [0060] Les inventeurs ont montré que la modification des connexions des électrodes des miroirs avait une incidence sur la bande interdite. La figure 4 illustre les courbes de dispersion caractéristiques sur la zone de Brillouin jusqu'à .7c/p (avec p la période spatiale du réseau d'électrodes) pour les ondes de surface dans les miroirs, pour deux configurations différentes de conditions aux limites électriques imposées sur chacune des électrodes. [0061] La figure 4 a été calculée pour l'exemple d'un substrat LiNbO1(YX1)/128, comportant à sa surface un réseau d'électrodes en aluminium d'épaisseur h = 400 nm, de largeur a = 6.8 pm et de période p = 19.4 pin (a/p = 0.35). La direction de propagation est perpendiculaire à la longueur des électrodes. [0062] Le trait plein correspond à toutes les électrodes des miroirs connectées en court- circuit (100% CC), c'est-à-dire reliées à la masse. On note à 7c/p une bande interdite 33 [Fe ; Fini]. Cette bande interdite 33 est étroite car le cristal phononique peut être 8 considéré comme un matériau quasi-homogène avec un potentiel nul en surface. [0063] Le trait pointillé correspond à toutes les électrodes des miroirs laissées flottantes (100% CO). On note à TE/p une bande interdite 34 [Fint ; Fs] plus importante de borne supérieure Fs. [0064] Ces deux bandes interdites 33 et 34 (mise à la niasse ou condition flottante) sont liées à la même géométrie et aux mêmes matériaux. Elles ne se différencient que par les conditions aux limites électriques imposées. C'est pourquoi, elles sont appelées Bandes interdites électriques (BIE). [0065] Les largeurs relatives des bandes interdites électriques sont liées au coefficient de couplage électromécanique associé à l'onde de surface se propageant dans le substrat piézoélectrique de la structure SAW. [0066] La figure 5 illustre l'évolution des bandes interdites 33 (100% CC) et 34 (100%C0) en fonction du paramètre a/p (cas de référence : exemple précédent). On constate qu'en fonction du rapport a/p entre la taille de l'électrode a et la périodicité p, plusieurs situations peuvent exister en fonction de la connexion électrique sur les électrodes (mise à la masse ou condition flottante) : bandes interdites qui se superposent, qui se décalent, qui s'élargissent, ou qui se réduisent [0067] La modification des bandes interdites avec la condition électrique imposée entraîne un changement du coefficient de réflexion pour les ondes de surface incidentes sur les miroirs. La figure 6 illustre les variations en fonction de la fréquence du module CRM du coefficient de réflexion simulé des miroirs lorsque la condition aux limites électrique appliquée sur les électrodes est mise à la masse (100% CC) courbe 61, ou en condition flottante (100% CO) courbe 62 pour une épaisseur h d'électrode de 200 nm, une période p de 19.4 min, une largeur a = 6.8 in et un matériau substrat en LiNb03, coupe(YX1)/128. [0068] On note que les bandes de fréquences 33' et 34' dans lesquelles la réflexion est égale à 1 (OdB) sont proches des bandes interdites présentées à la figure 4, un peu décalées du fait du changement de l'épaisseur des électrodes. Les deux bandes de réflexion sont décalées et jointives. Ainsi les bandes de réflexion acoustique des miroirs peuvent être contrôlées électriquement. [0069] Cette modification du coefficient de réflexion des miroirs a une incidence directe sur le comportement fréquentiel d'un SAW réalisé avec les miroirs. [0070] Considérons maintenant un résonateur simple port comportant un transducteur Ti et les deux miroirs de Bragg précédemment étudiés de part et d'autre (voir figure 3). Chacun des miroirs comporte un réseau de 90 électrodes et ont un a/p de 0.35, le transducteur central comporte 48 électrodes avec un a/p de 0.45. L'énergie électrique réfléchie par le résonateur est associée au carré du paramètre S11. La figure 7 présente les variations du paramètre Sil du résonateur en fonction de la fréquence, lorsque les 9 conditions sur les miroirs sont modifiées selon quatre configurations : [0071] 90 électrodes CC (à la masse) 90 électrodes CO (flottantes) 58 électrodes CC - 32 électrodes CO 80 électrodes CC - 10 électrodes CO [0072] Dans les deux dernières configurations les 32 OU 10 électrodes mises en conditions flottantes sont celles proches du transducteur Tl. [0073] Les minima du paramètre Si 1 correspondent à des résonances élastiques de l'ensemble transducteur + miroirs pour lesquelles une quantité plus importante de l'énergie électrique incidente est transformée en énergie mécanique. [0074] Lorsque toutes les électrodes des miroirs sont à la masse, on note une résonance principale à 100 MHz. [0075] Lorsque toutes les électrodes des miroirs sont en condition flottante, cette résonance est peu modifiée par le changement des conditions aux limites électriques, mais on voit apparaître davantage de résonances à fort coefficient de qualité. La courbe avec toutes les électrodes en condition flottante pour les miroirs met en évidence le caractère multimodal du résonateur simple port. [0076] Les deux autres courbes correspondent à deux situations intermédiaires avec les électrodes des miroirs proches du transducteur mises petit à petit en condition flottante. [0077] On voit la potentialité du dispositif selon l'invention, qui peut avoir, pour des pa- ramètres géométriques identiques, un comportement fi-équentiel différencié grâce à la configuration de connexion des électrodes des miroirs. [0078] Préférentiellement la répartition des connexions des électrodes entre les différents types de connexions est symétrique par rapport au(x) transducteur(s). Cela facilite les simulations et rend la sélection en fréquence acoustique plus précise. [0079] Préférentiellement la connexion à la masse est réalisée aux deux extrémités de chaque électrode 21. Cela permet de connecter le plan de masse supérieur au plan de masse inférieur, assurant ainsi la continuité de la masse. [0080] Grâce au dispositif selon l'invention, on modifie les conditions aux limites électriques des miroirs afin de modifier la fréquence de fonctionnement du résonateur, sans changer les caractéristiques du dispositif (matériau substrat, paramètres géométriques...) et en préservant l'intégrité de la fonction filtrage. [0081] Le fonctionnement standard du dispositif 10 de l'invention dans la configuration à deux ports est directement de type filtre. Le concept de l'invention peut également être élargi aux filtres SAW dits en cascades. Dans ce cas, on réalise un filtre à l'aide d'une pluralité de dispositifs 10 à onde acoustique de surface selon l'invention à un seul port, associés électriquement selon un agencement en série et/ou en parallèle. De manière connue la combinaison de différents SAW permet de réaliser un filtre conforme à une spécification déterminée, en maîtrisant la forme de la bande du filtre (que l'on souhaite préférentiellement à flancs abrupts), sa largueur, sa fréquence nominale... [0082] La figure 7bis illustre les performances d'un filtre complexe dans une configuration « ladder » telle qu'illustrée figure 2 mais dans laquelle on a remplacé les SAW selon l'état de la technique par des SAW selon l'invention. [0083] Les deux dispositifs en parallèle (équivalent de 20(1) et 20(2)) sont identiques, simple port, et réalisés à partir du même transducteur T1 aux caractéristique suivantes : [0084] Ti : 18 paires d'électrodes, p=19.1 pm, a/p = 0.3, h=0.17 pm [0085] Les électrodes du réseau de chaque miroir sont au nombre de 60, avec p=19 pm, a/p =0.4, h=0.17 m. [0086] Le dispositif en série (équivalent de 20(3)) est également simple port et réalisé à partir du transducteur T1' aux caractéristiques suivantes : [0087] Ti' : 11 paires d'électrodes, p=18.5 pm, a/p = 0.5, h=0.17 pm [0088] Les électrodes du réseau de chaque miroir sont au nombre de 60, avec p=19.2 pm, a/ p = 0.4, h=0.17 pm. [0089] Les quatre courbes 70 à 73 illustrent la transmission théorique du filtre « ladder » via son paramètre S12 en fonction de la fréquence f pour différentes configurations de connexion des électrodes des miroirs. [0090] La courbe 70 correspond pour les trois dispositifs aux 60 électrodes à la masse. [0091] La courbe 71 correspond pour les trois dispositifs à 55 électrodes à la masse (CC) et les 5 électrodes les plus proches du transducteur en circuit ouvert (CO). [0092] La courbe 72 correspond pour les trois dispositifs à 50 électrodes en CC et les 10 électrodes les plus proches du transducteur en CO. [0093] La courbe 73 correspond pour les trois dispositifs à 40 électrodes en CC et les 20 électrodes les plus proches du transducteur en CO. [0094] On constate que l'on a bien réalisé un filtre passe bande, les différentes confi- gurations de connexion résultant en un décalage de la fréquence nominale du filtre d'environ 1 MHz sans dégradation des autres figures de mérite du filtre. [0095] En outre la réalisation d'un filtre complexe à partir d'un même filtre élémentaire 10 selon l'invention (mêmes paramètres géométriques) facilite la fabrication. [0096] Il devient également possible d'effectuer post-fabrication des ajustements de spéci- fication, en venant localement modifier le type de connexion d'électrodes choisies. [0097] La figure 8 présente en niveaux de gris les variations du paramètre SII du résonateur simple port en fonction de la fréquence et du nombre nco des électrodes en condition flottante (de 0 à 90). [0098] Les zones en foncé correspondent à des résonances. Cette figure est riche en in- formations : - lorsque toutes les électrodes des miroirs sont à la masse (nco = 0), on trouve une 11 résonance à 100 MHz, voir 81. - lorsque toutes les électrodes des miroirs sont en condition flottante (nco = 90), on retrouve une résonance vers 99.8 MHz (voir 82), ainsi que d'autres résonances plus basses (vers 99 MHz- voir 83) et plus hautes (vers 103 MHz- voir 84), mettant en évidence le caractère tnultimodal du dispositif - lorsque peu d'électrodes sont en condition flottante (nco