FR 3089350 A1 20200605 FR 1872093 A 20181129 Description Titre de l'invention : TRI ET RECYCLAGE DE MODULES PHO- TOVOLTAIQUES OU DE CELLULES SOLAIRES PRESENTANT DES FONNCTIONS DE STOCKAGE D'INFORMATION ET D'AFFICHAGE Domaine technique [0001] La présente demande concerne le domaine des cellules solaires encore appelées cellules photovoltaïques (PV) et vise plus particulièrement celui de leur identification en vue d'assurer leur traçabilité et de permettre leur recyclage. [0002] Tl est connu d'inscrire des informations sur une cellule solaire. Le document CN103489963B prévoit par exemple l'inscription d'un code barre sur une cellule solaire à l'aide d'une technique d'irradiation au laser. [0003] On cherche à réduire le temps nécessaire à la lecture d'informations inscrites sur la cellule, ce temps pouvant augmenter par exemple lorsqu'on doit en outre localiser la région où le code barre est positionné. On cherche également un procédé d'identification de cellules qui soit de préférence compatible avec l'ensemble des technologies de cellule. Exposé de l'invention [0004] Un mode de réalisation de la présente invention prévoit une cellule photovoltaïque munie d'une structure avec un ou plusieurs motifs gravés, la structure étant apte à émettre un rayonnement lumineux. [0005] La cellule comporte sur une région d'une face principale, une première couche formant une jonction avec au moins une deuxième couche, la première couche comportant un ou plusieurs motifs gravés, lesdits un ou plusieurs motifs étant répartis selon un agencement déterminé correspondant à au moins un symbole d'information, ladite jonction étant, lorsqu'elle est polarisée en inverse, apte à émettre un rayonnement lumineux mettant en évidence lesdits un ou plusieurs motifs gravés dans ladite première couche. [0006] Ainsi, avec une telle cellule, les motifs gravés sont mieux repérables. [0007] L'information que ces motifs portent, par exemple un identifiant de la cellule ou un code indiquant son procédé de fabrication ou la technologie dans laquelle elle est réalisée, sont détectables plus aisément et plus rapidement. [0008] Cette information peut être une information relative à la technologie de de la cellule donnant en particulier des renseignements sur le type de substrat, les matériaux constitutifs de la cellule, son procédé de fabrication. D'autres informations telles que 2 par exemple un identifiant, la provenance de la cellule, son fournisseur, la technologie qui sera utilisée pour la mise en module, sa date de fabrication peuvent être également inscrites afin de permettre d'assurer la traçahilité de la cellule. [0009] Selon un mode de réalisation particulier, les motifs forment un code-barres ou un code matriciel. [0010] Une telle identification peut s'avérer utile en particulier dans le cadre d'un processus de tri et/ou de recyclage de cellules et/ou de modules solaires formés de plusieurs cellules. [0011] Selon un aspect, la présente invention concerne un procédé d'identification de cellule solaire comprenant : - la polarisation en inverse de ladite jonction d'une cellule solaire telle que définie plus haut, de sorte qu'elle émette un rayonnement lumineux mettant en évidence lesdits motifs gravés dans ladite première couche de ladite cellule, puis - la lecture de ladite information donnée, en particulier par acquisition d'une image desdits motifs gravés dans ladite première couche en utilisant un moyen d'acquisition d'image. [0012] Une telle identification peut être avantageusement réalisée alors même que la cellule est encore intégrée dans son module. [0013] Selon un autre aspect, la présente invention concerne également un procédé de tri de cellule solaires comprenant des étapes consistant à : - mettre en oeuvre un procédé d'identification tel que défini plus haut sur une première cellule solaire, - mettre en oeuvre un procédé d'identification tel que défini plus haut sur une deuxième cellule solaire, - répartir la première cellule et la deuxième cellule en un ou plusieurs groupes en fonction respectivement de l'information donnée lue sur la première cellule et de l'information donnée lue sur la deuxième cellule. [0014] La première cellule peut être une cellule d'un premier module tandis que la deuxième cellule peut être une cellule d'un deuxième module distinct du premier module. [0015] La première cellule comporte un premier symbole d'information qui peut être in- dicateur d'une technologie de fabrication dans laquelle les cellules du premier module sont réalisées. Une information concernant la technologie du premier module (par exemple relative au procédé d'interconnexion, au type d'encapsulant, à la nature du verre, ...) peut être également indiquée. [0016] Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, l'information donnée lue sur la première cellule est indicatrice d'une première technologie de fabrication dans laquelle les cellules du premier module sont réalisées tandis que ladite information donnée lue sur la deuxième cellule est indicatrice d'une deuxième technologie de fabrication dans 3 laquelle les cellules du deuxième module sont réalisées. [0017] Dans ce cas, le procédé comprend en outre une répartition des cellules du premier module en un premier groupe de cellules et des cellules du deuxième module en un deuxième groupe de cellules distinct du premier groupe. [0018] Le procédé peut comprendre en outre préalablement à cette répartition, le déman- tèlement dudit premier module et dudit deuxième module. [0019] Avec un procédé d'identification tel que défini plus haut, il n'est pas nécessairement obligatoire de démonter un module photovoltaïque pour connaitre la composition de ses cellules, les cellules pouvant être identifiées alors même qu'elles se trouvent intégrées dans un module PV. [0020] Selon un autre aspect, la présente invention concerne un procédé de recyclage de cellule solaire ou de module photovoltaïque doté de plusieurs cellules solaires, comprenant : - la mise en oeuvre d'un procédé d'identification tel que défini plus haut sur une cellule solaire telle que définie précédemment, puis, - le démantèlement de ladite cellule ou d'un module photovoltaïque dans laquelle ladite cellule donnée est intégrée en fonction de ladite information donnée identifiée par lecture desdits motifs gravés. [0021] Lors de la mise en oeuvre d'un procédé telle que définie plus haut, la cellule dont on souhaite lire l'information donnée peut être avantageusement disposée sur un socle de régulation en température configuré pour maintenir la température de la cellule à une valeur inférieure à 60°C, et préférentiellement inférieure à 30°C. [0022] Dans une cellule solaire telle que définie plus haut, la première couche peut être une couche de substrat semi-conducteur ou une couche rapportée ou formée sur un substrat semi-conducteur. [0023] La deuxième couche peut être une couche de substrat semi-conducteur ou une couche rapportée ou formée sur un substrat semi-conducteur. [0024] Dans une cellule solaire telle que définie plus haut, plusieurs types de jonction peuvent être prévus. [0025] Selon un premier mode de réalisation particulier, la jonction peut être une homo- jonction de type pn. Dans ce cas, ladite première couche peut être une couche de matériau semi-conducteur cristallin et former cette homo-jonction avec une deuxième couche d'un substrat cristallin ou avec une deuxième couche sous forme de couche semi-conductrice cristalline reposant sur un substrat semi-conducteur. [0026] Selon un deuxième mode de réalisation particulier, ladite première couche peut être une couche semi-conductrice amorphe dopée, ou un matériau multi-couches composé d'une couche semi-conductrice amorphe intrinsèque et d'une couche semi-conductrice amorphe dopée, et former avec la deuxième couche une hétéro-jonction. Dans ce cas, la deuxième couche peut être une couche de substrat cristallin ou une couche semiconductrice cristalline reposant sur un substrat. [0027] Selon un autre mode de réalisation particulier de la cellule photovoltaïque, ladite première couche peut être une couche métallique formant une jonction Schottky. Dans ce cas, la deuxième couche peut être une couche de substrat semi-conducteur, en particulier cristallin ou une couche semi-conductrice, en particulier en matériau semiconducteur cristallin, reposant sur un substrat. [0028] Selon une autre possibilité de mise en oeuvre de la cellule photovoltaïque, la première couche peut être une couche métallique ou de matériau semi-conducteur polycristallin dopé d'un type de conductivité opposé à celui d'un substrat sur laquelle la première couche repose. Dans ce cas, une couche de matériau diélectrique peut être agencée entre le substrat et ladite première couche. [0029] Selon une autre possibilité de mise en oeuvre de la cellule photovoltaïque, ladite première couche peut être une couche d'oxyde métallique et former une hétérojonction. Dans cc cas, la deuxième couche peut être une couche de substrat cristallin, ou une couche semi-conductrice amorphe reposant sur un substrat, en particulier cristallin. Une couche dc matériau diélectrique peut être disposée entre le substrat et ladite première couche. [0030] A la cellule que l'on souhaite identifier on associe typiquement un moyen de pola- risation ou un circuit dc polarisation configuré pour polariser en inverse ladite jonction, en particulier à une tension proche, et préférentiellement inférieure (en valeur absolue), à la tension de claquage du dispositif complet, de sorte que ladite jonction émette un rayonnement lumineux. [0031] Dans une cellule solaire telle que définie plus haut, lesdits motifs sont typiquement effectués par gravure mécanique. Une gravure à l'aide d'un outil permet en particulier de créer des rainures sans toutefois modifier de façon significative les caractéristiques des jonctions en polarisation directe, comme ce serait le cas en particulier si l'on formait les motifs à l'aide d'un laser. Une gravure mécanique est par ailleurs moins onéreuse qu'une gravure laser. Brève description des dessins [0032] La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : [0033] [fig.1A] [0034] [fig.113] servent à illustrer un procédé d'inscription mécanique sur une face de cellule solaire de motifs au niveau d'une couche formant une jonction qui peut être polarisée en inverse de sorte à émettre un rayonnement lumineux, ce afin de mettre en évidence les motifs réalisés dans cette couche ; [0035] [fig.2A] [0036] [fig.2B] [0037] [fig.3A] [0038] [fig.3B] [0039] [fig.4A] [0040] [fig.4B] [0041] [fig.SA] [0042] [fig.SB] servent à illustrer différents types de jonctions susceptibles d'être intégrées à une cellule solaire pour lui permettre de réaliser une fonction d'affichage par le biais de motifs gravés lumineux ; [0043] [fig.6] sert à illustrer un dispositif de lecture d'une telle structure d'affichage prévue sur une cellule solaire. [0044] Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. [0045] Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. [0046] En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation, tels que « vertical », « latéral », « supérieur », « inférieur », etc. d'une structure s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée sur les figures. [0047] EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS [0048] Une structure de départ possible pour la mise en oeuvre d'une structure d'affichage sur une cellule solaire est un substrat 1 à base de matériau semi-conducteur, typiquement en silicium et qui peut être monocristallin ou multicristallin. [0049] Dans le cas d'un substrat monocristallin, celui-ci peut être issu par exemple d'une technique de fabrication de type tirage Czochralski ou bien par technique de la zone fondue. Dans le cas d'un substrat en matériau multicristallin, celui-ci peut être formé par exemple par solidification dirigée en creuset (éventuellement assistée par reprise sur germe). [0050] Le substrat se présente sous forme d'une plaque ou plaquette qui peut être dopée. Un dopage de type p par exemple à l'aide de Bore selon une concentration comprise par exemple entre 1013 at.cm-3 et 3x1017 at.cm-3 peut être prévu. En variante, un dopage de type n, par exemple à l'aide de Phosphore, selon une concentration comprise 1015 at.cm -3 et 3x10'' at.cm-3, peut être réalisé. 6 [0051] Le suhstrat 1 peut avoir une forme carrée ou « pseudo-carrée », c'est à dire avec des coins en biseau. Les côtés ou bords latéraux du suhstrat ont une dimension par exemple comprise entre 10 mm x 10 mm et 200 mm x 200 mm. L'épaisseur du suhstrat 1 est quant à elle typiquement comprise entre 5 pm et 800 prn, en particulier entre 40 µm et 300 !lm. [0052] Le suhstrat 1 comporte au moins une jonction ou est recouvert d'une couche avec lequel il forme une jonction ou est recouvert d'un empilement de couches formant au moins une jonction. On réalise dans une des couches permettant de former la jonction des motifs gravés d'une structure d'affichage lumineuse. [0053] Une jonction est caractérisée par la présence locale, sans excitations électrique et lumineuse, d'un champ électrique permanent. L'Homme du Métier peut trouver des valeurs théoriques de champ électrique dans une jonction à partir d'un outil de calcul par exemple tel que celui disponible sur le site de Brigham Young University (BYU). Un logiciel, comme le logiciel PC1D, peut être par exemple utilisé pour déterminer ces valeurs dans le cas d'homo-jonctions en Si cristallin. Un logiciel tel que Afors-HET de l'institut HZB peut être employé par exemple pour trouver ces valeurs dans le cas d' hétérojonctions a-Si/c-Si [0054] Pour une homo-jonction, la valeur maximale du champ électrique est généralement supérieure à 10 kV/cm. [0055] Pour une jonction Schottky formée par exemple d'une couche d'Al sur une couche de Si dopé p, on détermine la valeur du champ électrique maximale à l'interface métal/ silicium E=qx[B]xW/epsilon Si. Pour cela, on peut au préalable évaluer la largeur W de la zone de charge d'espace à partir d'un calculateur disponible dans l'outil développé par l'Université BYU. Par exemple pour une teneur [B] en Bore de 1x10'6 cm', cette largeur peut être de l'ordre de W=16 nm. On détermine alors la valeur du champ électrique maximale à l'interface métal/silicium E=qx[B]xW/epsilon Si qui est de l'ordre de 2,5 kV/cm. [0056] Pour une hétérojonction formée de silicium cristallin dopé n et de silicium amorphe hydrogéné a-Si:H (la couche de silicium amorphe étant constituée d'une région intrinsèque et d'une région dopée p) une simulation effectuée à l'aide d'Afors-HET donne par exemple une valeur de champ électrique maximale d'environ 100 kV/cm. [0057] Dans l'exemple de réalisation illustré sur la figure 1A, le substrat 1 comporte sur une région d'une première face 2A parmi ses faces principales 2A, 2B une couche 3 permettant la collecte de porteurs charges minoritaires. Par exemple, la couche 3 permet la collecte d'électrons dans le cas où le substrat 1 est globalement dopé et selon un dopage de type p. La couche 3 permettant la collecte peut être une couche dopée d'épaisseur par exemple comprise entre 3 nm et 600 nm. [0058] Selon une possibilité de mise en oeuvre, la jonction réalisée peut être une homo- 7 jonction de type pn. Une telle jonction peut être obtenue par exemple par diffusion thermique de dopants ou par implantation ionique (suivie d'un recuit d'activation) de la première face 2A principale. Il est également possible de réaliser une telle jonction en faisant croitre une couche semi-conductrice par épitaxic avec un dopage in situ, autrement dit réalisé lors de la croissance épitaxialc. La couche 3 réalisée sur une face 2A du substrat, a un dopage de type opposé à celui du substrat 1. On fait ainsi par exemple croitre une couche semi-conductrice dopée n lorsque le substrat 1 est globalement dopé p. Typiquement, la couche 3 dopée réalisée en surface est fortement dopée et peut être notée n+ lorsque le substrat est globalement dopé p, avec par exemple une concentration en dopants comprise entre 1013 at.cm 3 et 1021 accm-3. La couche 3 fortement dopée peut donc être dopée p+ lorsque le substrat 1 est globalement dopé n avec par exemple une concentration en dopants comprise entre 1017 at.cm 3 et 1021 at.cm-3. [0059] D'autres types de jonctions peuvent être prévus. [0060] Une hétérojonction semi-conducteur amorphe/semi-conducteur cristallin peut être en particulier réalisée. Pour cela, on peut, comme sur la figure 2A, déposer une ou plusieurs couches de silicium amorphe 13, par exemple par PECVD (pour « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ») sur un substrat 1 en silicium cristallin, avec au moins une des couches de silicium amorphe qui est dopée de sorte à avoir un type de conductivité opposé à celui du substrat 1. Par exemple, on réalise au moins une couche de silicium amorphe dopé n sur un substrat silicium cristallin dopé p. En variante, on peut prévoir un substrat dopé n, par exemple au Phosphore et un multicouches de silicium amorphe dopé p, par exemple au Bore. Cet empilement de plusieurs couches peut avoir une épaisseur par exemple de l'ordre de 10 nm. [0061] Selon une autre possibilité de mise en oeuvre, on réalise une jonction Schottky, formée d'au moins une couche de métal sur une couche semi-conductrice Ainsi, dans l'exemple illustré sur la figure 3A, une couche métallique 23 et réalisée sur le substrat 1 de départ semi-conducteur, par exemple en silicium. Dans ce cas, la couche métallique est de préférence une couche suffisamment fine pour pouvoir être transparente à un rayonnement lumineux dans le domaine visible et/ou dans le proche infrarouge. Par exemple, on peut prévoir une couche métallique à base d'aluminium et d'épaisseur par exemple de l'ordre de 9 nm sur un substrat en silicium dopé p et de résistivité par exemple de l'ordre de 1 ohm.cm. [0062] 11 est également possible de réaliser une jonction MIS (pour Métal-Isolant-Silicium ») formée d'un empilement semi-conducteur-isolant-métal. Ainsi, dans l'exemple illustré sur la figure 3A, une couche métallique 23, par exemple à base d'aluminium, est agencée sur une couche de matériau diélectrique 22, elle-même disposée sur le substrat 1 de départ semi-conducteur, par exemple en silicium. 8 Le matériau diélectrique 22 peut être par exemple un oxyde tel que de l'oxyde de silicium [0063] Un autre mode de réalisation prévoit une jonction formée dans un empilement conducteur-isolant-semi-conducteur. Pour cela, on peut, comme cela est illustré par exemple sur la figure 4A, prévoir une ou plusieurs couches conductrices en silicium polycristallin dopée(s) 33 selon un dopage de type p ou n, opposé à celui, n ou p du substrat 1. Les couches 33 en matériau polycristallin dopé reposent sur une couche de matériau diélectrique 32 qui peut être un oxyde diélectrique, tel que de l'oxyde de silicium d'épaisseur comprise entre 1 nm et 15 nm, par exemple de l'ordre de 1.5 nm. Une telle couche peut être formée à partir d'un substrat en silicium cristallin par exemple dopé au Phosphore, en réalisant un procédé de bullagc d'ozone dans de l'eau dé-ionisée. Les couches 33 en matériau polycristallin peuvent être formées par dépôt de silicium amorphe dopé par le bore d'épaisseur par exemple de l'ordre de 40 nm, par PECVD puis recuit. Le recuit peut être réalisé par exemple à une température de l'ordre de 750°C et pendant une durée de l'ordre de 30 minutes. [0064] Un autre mode de réalisation prévoit de former une hétérojonction dotée d'un oxyde métallique sur un semi-conducteur cristallin. Par exemple, comme illustré sur la figure 5A, on forme une couche à base d'oxyde métallique 43 tel que de l'oxyde de molybdène déposé par évaporation sous vide, dans cet exemple directement sur le substrat 1 en silicium cristallin. Une couche d'oxyde de molybdène d'épaisseur de l'ordre (le 20 nm peut être par exemple prévue. [0065] Une fois la jonction réalisée, on réalise ensuite des motifs à travers une épaisseur de la couche 3, ou 13, ou 23, ou 33, ou 43 et formant la jonction avec le substrat 1 ou avec une autre couche reposant sur le substrat (figures 1B, 2B, 3B, 4B, 5B). [0066] On effectue pour cela un endommagement localisé et contrôlé d'une région 10 de la couche 3 ou 13, ou 23, ou 33, ou 43. [0067] Dans l'exemple illustré sur la figure 1B, cet endommagement est mis en oeuvre au niveau d'un coin du substrat 1. Par gravure mécanique, on réalise ainsi un ou plusieurs motifs 12 à travers au moins une épaisseur de la couche 3 permettant d'obtenir ladite jonction. Le ou les motifs est ou sont répartis selon un agencement déterminé correspondant à au moins un symbole portant une information. Cette information est en particulier une information relative à ladite cellule, par exemple relative à sa technologie donnant en particulier des renseignements sur le type de substrat, ses matériaux constitutifs, son procédé de fabrication. D'autres informations telles que par exemple un identifiant, sa provenance, son fournisseur, sa date de fabrication peuvent être également inscrites afin de permettre (l'assurer la traçabilité de la cellule. Une information concernant la technologie du module par exemple son procédé de fabrication, le type d'interconnexion mis en oeuvre, le type d'encapsulant utilisé, la 9 nature du verre utilisé peut être également inscrite. [0068] Par « gravure mécanique » on entend une gravure réalisée par mise en contact d'un outil sur le substrat ou sur une couche agencée sur le substrat. La gravure mécanique permet de ne pas modifier de façon significative les caractéristiques de la cellule en polarisation directe et, au contraire d'une gravure laser, de ne pas impactcr les propriétés photo-électriques de la cellule. [0069] Une telle gravure peut être effectuée par pressage d'un outil comportant le motif complet à reporter, ou bien doté d'une pointe ou d'un ensemble de pointes et du substrat (ou de la couche), et déplacement de la ou des pointes relativement au substrat. [0070] Dans l'exemple illustré, pour réaliser un motif 12 comportant un ensemble de rainures 12a, 12h, 12c, typiquement parallèles entre elles, on opère, sur la première face 2A du substrat 1, un balayage d'un outil 101 tel qu'un stylet muni d'une pointe 102, en contact sur la couche 3 de collecte. Le balayage ici réalisé pour former des rainures, parallèlement à des bords dits « longitudinaux » (bords parallèles à l'axe x sur la figure 1B). Un déplacement du stylet parallèlement à des bords dits « latéraux (bords parallèles à l'axe y) est opéré pour passer d'une rainure à l'autre. Le mouvement de l'outil permettant de réaliser la gravure mécanique peut être tel, qu'entre deux zones gravées ou deux motifs distincts, une séparation spatiale entre l'outil 101 et le substrat 1 est opérée. En variante, on peut également prévoir d'effectuer l'opération de gravure de sorte que la ou les pointes reste(nt) en contact avec le substrat 1 entre deux motifs à graver. [0071] Dans l'exemple de réalisation particulier illustré, l'ensemble du motif créé par en- dommagement mécanique localisé est sous forme de rainures parallèles en particulier de différentes largeurs, susceptibles de former un code-barres. D'autres types de motifs, portant éventuellement une information codée, peuvent être prévus, par exemple un motif code-barres en deux dimensions (ou code matriciel tel qu'un QR code) formé par exemple d'un ensemble d'éléments non gravés disposés dans une région globalement gravée peuvent être également prévus. [0072] La gravure est réalisée de sorte à creuser au moins dans la couche 3 qui a permis d'obtenir une zone de collecte des charges libres minoritaires du substrat. [0073] Le procédé peut ensuite suivre des étapes de fabrication semblables à celles d'une cellule solaire conventionnelle. [0074] Une fois la fabrication de la cellule solaire achevée, on prévoit de polariser la jonction en inverse, afin que celle-ci puisse émettre de la lumière qui, en fonction du type de jonction mise en oeuvre, est émise dans le domaine du rayonnement visible voire dans le proche infrarouge. Préférentiellement, la polarisation s'effectue par application d'une différence de potentiels inférieure en valeur absolue à la tension de claquage du dispositif complet. [0075] Un tel type d'émission de rayonnement lumineux a été décrit par exemple dans le document « Photo Emission front Avalanche Breakdown in Silicon » de Chynoweth et al., Physical review volume 102, numéro 2, 1956. [0076] L'endommagement réalisé peut permettre de favoriser le claquage de la jonction lorsque celle-ci est polarisée en inverse. Un tel endommagement permet par conséquent de favoriser l'émission de lumière par la jonction. [0077] La différence de potentiels négative à appliquer au dispositif dépend du type de jonction mis en oeuvre et de ses caractéristiques (par exemple sa morphologie, le dopage des couches la constituant). [0078] Pour une homo-jonction, l'Homme du Métier peut trouver des valeurs théoriques ou semi-empiriques de différence de potentiels à appliquer afin de permettre le claquage de la jonction. Ces différences de potentiel sont notamment accessibles dans l'ouvrage « Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edition, S. M. Sze », et ce pour différents profils de jonction (abrupte ou avec gradient de concentration), et différentes morphologies de jonction (sphérique ou cylindrique). [0079] Les différences de potentiels à appliquer afin de permettre le claquage de la jonction peuvent également être évaluées de manière empirique, en traçant la caractéristique Courant-Tension de la cellule en polarisation inverse. [0080] Pour obtenir une polarisation inverse adéquate de la jonction, on peut également appliquer une différence de potentiels de sorte à polariser en inverse la jonction, puis moduler la tension ou différence de potentiels appliquée jusqu'à obtenir une émission lumineuse. Il est préférable de débuter par des différences de potentiel faibles (en valeur absolue), et d'augmenter pas à pas la valeur absolue de la différence de potentielle appliquée, jusqu'à l'émission de lumière. On peut ainsi déterminer la tension adéquate pour obtenir une émission lumineuse suffisamment intense. De façon avantageuse, on peut placer la cellule polarisée en inverse ou le module polarisé en inverse dans un environnement permettant de maintenir leurs températures à des valeurs inférieures à 60°C, très préférentiellement inférieures à 30°C, par exemple en plaçant la cellule ou le module sur un socle régulé en température. Un socle, par exemple en cuivre, dans lequel de l'eau circule pour permettre le refroidissement, ou à refroidissement thermoélectrique et doté de module(s) Peltier peut être par exemple utilisé. Le maintien à basse température protège la cellule d'éventuels échauffements localisés susceptibles de dégrader ses performances. [0081] L'émission de rayonnement lumineux au niveau de la jonction permet de mettre en évidence le ou les motifs gravés et rendre leur lecture plus aisée et plus rapide. La polarisation inverse de la ou des cellules est opérée typiquement pendant la durée de la détection ou de la visualisation. [0082] La détection du motif 12 peut être réalisée par exemple comme dans l'exemple de 11 dispositif illustré sur la figure 6 (dispositif qui n'est ici pas représenté à l'échelle), au moyen d'un dispositif 60 de détection, ici muni d'une caméra 61 telle que par exemple une caméra CCD. Dans l'exemple illustré où le motif porte une donnée codée, le dispositif 60 est relié à une hase de données 63 permettant de faire la correspondance entre la donnée codée et des informations relatives à la cellule ou au module de la cellule, par exemple à son procédé et/ou à sa technologie de fabrication et/ou aux performances de la cellule et/ou à un identifiant de la cellule. Typiquement, la caméra 61 utilisée permet de faire une acquisition d'image de la cellule voire d'un module complet. [0083] La détection ou visualisation peut être également effectuée tandis que la cellule se trouve intégrée dans un module photovoltaïque complet formé d'un ensemble de cellules assemblées et connectées entre elles. [0084] Comme suggéré précédemment, hormis les étapes de fourniture du substrat, de formation d'une jonction et en particulier d'une zone de collecte de porteurs minoritaires, puis de motifs par endommagement mécanique localisé d'une région de la zone de collecte ou de la jonction, d'autres étapes peuvent être prévues lors de la fabrication d'une cellule solaire mise en oeuvre suivant l'invention. [0085] Afin de diminuer la réflectivité de la surface de la cellule et d'augmenter le chemin optique de la lumière dans la cellule, une étape de texturation d'au moins une face du substrat 1 peut être prévue. Cette opération, typiquement réalisée avant formation de la jonction, permet de former en surface un relief, par exemple sous forme de motifs pyramidaux micrométriques. La texturation peut être effectuée par action mécanique, gravure plasma, ou par attaque chimique, par exemple en plaçant le substrat 1 dans un bain contenant une solution de KOH. Dans ce cas, la texturation est généralement mise en oeuvre sur les deux faces principales. On peut ensuite effectuer un polissage de la face arrière par voie chimique. Un nettoyage des faces principales par exemple à l'aide de HF/HC1 peut être ensuite mis en oeuvre. [0086] Le procédé de fabrication de la cellule solaire peut également comprendre la mise en oeuvre d'une ou plusieurs couches de passivation, en particulier après avoir formé la jonction et préalablement à la réalisation des motifs. On réalise par exemple une couche de passivation en face arrière du substrat. Au préalable, on effectue typiquement un nettoyage par voie chimique, par exemple à l'aide de HF/HC1. [0087] On réalise ensuite un dépôt d'une ou plusieurs couches diélectriques sur la face arrière, par exemple d'un empilement d'oxyde d'aluminium (A10,) et de nitrure de silicium (Sift). Cet empilement peut être localement ouvert par une irradiation laser. [0088] Le procédé de fabrication de la cellule solaire peut également comporter la formation d'une couche anti-reflet en face avant. Cette couche, par exemple en nitrure de silicium hydrogéné, peut être réalisée après l'étape de formation de motifs par gravure 12 mécanique. [0089] De même, après réalisation des motifs par gravure en face avant, on prévoit ty- piquement une formation de contacts en face arrière et une formation de contacts en face avant. Les contacts en face arrière peuvent être réalisés par dépôt d'une couche métallique, par exemple en Aluminium, déposée sur la face arrière et qui peut être structurée par sérigraphie. [0090] Les contacts en face avant peuvent être également formés par dépôt métallique, par exemple en Argent, structuré par sérigraphie, par exemple de sorte à former une grille. Une ou plusieurs étapes de recuits thermiques sont ensuite réalisées afin d'activer les matériaux réalisés par sérigraphie et diminuer la résistance série du dispositif [0091] Un exemple particulier détaillé de réalisation d'une cellule solaire comportant des motifs gravés et susceptible d'émettre un rayonnement lumineux depuis une zone comportant ces motifs, va à présent être donné. [0092] On prévoit ici une cellule solaire de type n-PERT Passivated Emitter and Rcar Totally Diffuscd ») réalisée à partir d'un substrat sous forme d'une plaquette de silicium monocristallin de type n, dopée au phosphore et de résistivité 2 Q.cm. La plaquette est issue d'un tirage Czochralski et a une surface de 156x156 me, ainsi qu'une épaisseur de l'ordre de 190 pm. [0093] Le substrat est ensuite plongé dans une solution de KOH afin de former une face texturée en face avant et arrière de la plaquette. [0094] On effectue ensuite un nettoyage des faces avant et arrière à l'aide de solutions à base d'HF/HC1. [0095] Puis, une couche barrière, typiquement en nitrure de silicium, est déposée par PECVD sur la face arrière de la plaquette. [0096] Pour réaliser la jonction, on effectue un dopage de type p à l'aide de Bore introduit en face avant du substrat en silicium cristallin. Le dopage est réalisé par diffusion thermique dans un four à tube à une température de l'ordre de de 950°C à partir d'un précurseur BC1'. Une homojonction de type p+n est ainsi créée en face 1 avant du substrat 1. Une couche de Silicium superficielle très riche en bore également « BRL » (pour Boron-Rich Layer) peut être ensuite enlevée, par exemple par voie chimique. [0097] On grave ensuite les motifs sur une région de la face avant en pressant sur celle-ci un outil tel qu'un peigne doté de pointes en carbure de tungstène. Le diamètre de la zone des pointes en contact avec la plaquette est de l'ordre de 80 mm. Les motifs sont réalisés en appliquant un poids équivalent de l'ordre de 200 g/pointe. [0098] La couche barrière présente en face arrière de la plaquette est ensuite enlevée par voie chimique. [0099] Une autre couche barrière en nitrure de silicium, est ensuite déposée par PECVD sur la face avant de la plaquette, afin de réaliser un dopage en face arrière. Une zone n+ 13 fortement dopée au phosphore est ensuite créée sur la face arrière par diffusion thermique de phosphore à une température voisine de 850°C dans un four à tube, depuis un précurseur POCI3. La couche barrière présente en face avant est ensuite enlevée par voie chimique ainsi que le verre de phosphore et de silicium présent sur la face arrière. [0100] Un procédé d'oxydation thermique est ensuite typiquement effectué afin d'améliorer la passivation électrique des surfaces. [0101] Des couches anti-reflets en nitrure de silicium hydrogéné sont déposées par PECVD sur les faces avant et arrière de la plaquette. [0102] Puis, des grilles métalliques à hase d'alliage d'argent et aluminium pour la face avant, et d'argent pour la face arrière sont réalisées. [0103] La réalisation de ces grilles peut comprendre un dépôt par sérigraphie sous forme de pâte, puis un recuit dans un four à passage est effectué afin de rendre les pâtes de sérigraphie conductrices et de permettre aux espèces métalliques d'interagir avec le silicium. [0104] Une cellule solaire telle que décrite précédemment, peut comme cela a été suggéré plus haut, porter des informations par le biais de ses motifs gravés au niveau d'une jonction émettrice de rayonnement lumineux. Des informations par exemple relatives au procédé de fabrication et/ou à la technologie de fabrication et/ou aux performances de la cellule et/ou un identifiant de la cellule peuvent permettre d'assurer sa traçahilité même une fois avoir intégré cette cellule dans un module photovoltaïque dans lequel une pluralité de cellules sont assemblées. [0105] Afin d'effectuer une identification de la cellule, on peut ainsi mettre en oeuvre une polarisation en inverse de celle-ci de sorte qu'elle émette un rayonnement lumineux mettant en évidence ses motifs et facilitant ainsi la lecture de ses informations, par exemple par le biais d'un appareil ou dispositif de lecture muni d'une caméra. Le marquage des cellules par des motifs gravés et mis en évidence pas émission de rayonnement lumineux peut permettre d'effectuer un tri en particulier en fin de vie de la cellule ou d'un module intégrant cette cellule. [0106] Une telle étape d'identification peut être utilisée en particulier lors d'un processus de tri de cellules solaires, où l'on sépare en plusieurs groupes distincts des cellules identifiées à l'aide d'un procédé tel que décrit précédemment. [0107] Une telle identification et un tel tri peuvent être par ailleurs mis en oeuvre lors d'un processus de recyclage de cellule(s) ou de module(s) solaire(s), usagés. [0108] Dans une démarche de recyclage on peut prévoir que des modules PV soient soumis à un tri par technologie avant entrée dans un procédé de démantèlement. On peut en effet prévoir le démantèlement d'une cellule ou d'un module en fonction de l'information identifiée sur celle-ci et qui renseigne par exemple sur sa technologie ou 14 son procédé dc fabrication. Le procédé de démantèlement peut différer d'une cellule à l'autre en fonction de ses matériaux constitutifs. Un procédé spécifique de récupération de l'indium présent dans l'oxyde transparent conducteur d'une cellule silicium à hétérojonction peut être mis en oeuvre, tandis qu'une cellule à homojonction peut suivre un procédé de démantèlement conventionnel. L'information inscrite sur une cellule est susceptible d'indiquer en effet les éléments et matériaux constitutifs de la cellule que l'on peut vouloir extraire afin par exemple de les réintroduire dans un nouveau cycle de production ou de fabrication. On peut également effectuer un démantèlement différent en fonction de la technologie du module identifiée. Des modules différents par exemple un module bi-verre d'un côté et un module comportant un verre Tedlar® de l'autre, pouvant être par ailleurs formés dc cellules de même technologie, peuvent être ainsi traités de manière différente en fonction dc l'information identifiée et subir des procédés de démantèlement différents. [0109] Par exemple, on peut prévoit de séparer les modules composés de cellules à hétéro- jonction de silicium des modules composés de cellules à homojonction de silicium. Un tel tri en fonction de la technologie des cellules permet d'effectuer une récupération optimisée des matériaux constitutifs des cellules. Un tel tri peut permettre également de réaliser un recyclage sélectif. Les cellules à hétérojonction peuvent comporter par exemple de l'indium et être soumises ensuite à un procédé dc recyclage du module spécifique aux cellules à hétérojonction et qui est différent de celui prévu pour des cellules à homojonction ne comportant pas d'Indium. 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