FR 3092436 A1 20200807 FR 1901040 A 20190204 Description Titre de l'invention : Four d'oxydation latérale de VCSEL avec modification locale de la vitesse d'oxydation Domaine technique [0001] L'invention se rapporte au domaine technique des fours d'oxydation permettant une oxydation thermique latérale de diodes laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL pour « Vertical Cavin, Surface Emitting Laser » en langue anglaise). [0002] L'invention trouve notamment son application dans le confinement électro-optique des VCSEL, où les puits quantiques sont des alliages III-V tels que AlGaAs ou InGaAs. État de l'art [0003] Un four connu de l'état de la technique, notamment du document US 2015/0364320, comporte : - une chambre d'oxydation, comprenant une atmosphère ; - des moyens d'injection, agencés pour injecter un flux gazeux humide dans la chambre d'oxydation ; - un support chauffant, de type suscepteur, agencé dans la chambre d'oxydation, et comprenant une surface supérieure destinée à supporter un substrat comprenant les diodes laser. [0004] Le support chauffant est réalisé en graphite et est illuminé par une lampe infrarouge, située à l'extérieur de la chambre d'oxydation, de manière à chauffer le substrat (§0029). Un tel four permet d'améliorer l'homogénéité thermique du substrat chauffé (§0035). [0005] Cependant, un tel four de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où il ne permet pas de corriger des inhomogénéités d'oxydation sur le substrat, liées principalement, à une inhomogénéité d'épaisseurs et/ou de composition chimique des couches d'alliages HI-V, formées par épitaxie sur le substrat, par exemple des couches d'AlGaAs prises en sandwich entre deux réflecteurs (e.g. de type réseaux de Bragg) sur un substrat en GaAs. Exposé de l'invention [0006] L'invention vise à remédier cn tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l'invention a pour objet un four pour oxyder latéralement des diodes laser, de type à cavité verticale émettant par la surface, comportant : - une chambre d'oxydation, comprenant une atmosphère ; - des moyens d'injection, agencés pour injecter un flux gazeux humide dans la chambre d'oxydation ; 2 - un support chauffant, de type suscepteur, agencé dans la chambre d'oxydation, et comprenant une surface supérieure destinée à supporter un substrat comprenant les diodes laser ; remarquable en ce que le four comprend un ensemble d'éléments rayonnants agencé pour irradier le support chauffant de sorte que la surface supérieure présente des zones de chauffage possédant des températures différentes. [0007] Ainsi, un tel four selon l'invention permet de corriger des inhomogénéités d'oxydation sur le substrat en autorisant une modification locale de la température de chauffage du support chauffant, et par là-même la possibilité de modifier localement la vitesse d'oxydation pour améliorer l'uniformité du diamètre de l'ouverture des diaphragmes d'oxyde sur toute la surface du substrat. [0008] Définitions [0009] - Par « oxydation », on entend une oxydation thermique. [0010] - Par « atmosphère », on entend le milieu gazeux au sein de la chambre d'oxydation. [0011] - Par « flux gazeux humide », on entend un flux gazeux comportant de la vapeur d'eau. [0012] - Par « support chauffant », on entend un support adapté pour chauffer la surface arrière du substrat, ladite surface arrière étant destinée à reposer sur la surface supérieure du support chauffant. [0013] - Par « suscepteur », on entend un support chauffant capable d'absorber une énergie électromagnétique afin de la convertir en chaleur. [0014] Le four selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. [0015] Selon une caractéristique de l'invention, l'ensemble d'éléments rayonnants est agencé de sorte que la surface supérieure présente : - une première zone de chauffage, s'étendant dans une partie centrale de la surface supérieure ; - une deuxième zone de chauffage, s'étendant dans une partie périphérique de la surface supérieure. [0016] Ainsi, un avantage procuré est d'autoriser une vitesse d'oxydation différente pour une portion du substrat s'étendant sur la partie centrale de la surface supérieure, et pour une portion du substrat s'étendant sur la partie périphérique de la surface supérieure. Il en résulte une correction des inhomogénéités d'oxydation sur le substrat, en s'affranchissant d'un effet « centre-bord », et en compensant l'effet du flux gazeux humide absorbant de l'énergie pour se réchauffer. [0017] Selon une caractéristique de l'invention, le four comporte : - une alimentation, configurée pour alimenter indépendamment chaque élément rayonnant en délivrant une puissance électrique ; 3 - des premiers moyens de mesure, agencés pour mesurer la vitesse d'oxydation des diodes laser lorsque le substrat est agencé à la surface supérieure du support chauffant ; - des moyens de régulation, configurés pour réguler la puissance électrique en fonction des vitesses d'oxydation mesurées. [0018] Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir ajuster la puissance électrique en fonction des vitesses d'oxydation mesurées de manière à corriger les inhomogénéités d'oxydation. [0019] Selon une caractéristique de l'invention, les moyens de régulation comportent : - un régulateur maître, relié aux premiers moyens de mesure, et configure pour fonctionner à une consigne fixe correspondant à la vitesse d'oxydation souhaitée des diodes laser ; - des deuxièmes moyens de mesure, agencés pour mesurer les températures des zones de chauffage ; - un régulateur esclave, relié aux deuxièmes moyens de mesure et à l'alimentation, et agencé en cascade avec le régulateur maître, et configure pour fonctionner à une consigne variable correspondant à la température mesurée d'une zone de chauffage. [0020] Ainsi, un avantage procuré par une telle topologie de régulation est d'améliorer la qualité de la régulation de la puissance électrique par rapport à une boucle simple, c'est-à-dire en réduisant les effets perturbateurs par exemple lorsque le courant délivré par l'alimentation est susceptible de varier brusquement. [0021] Selon une caractéristique de l'invention, les premiers moyens de mesure comportent : - au moins une caméra, munie d'au moins un objectif de microscope ; - des moyens de déplacement, agencés pour déplacer la caméra dans la chambre d'oxydation au-dessus du support chauffant ; - une source lumineuse, agencée pour éclairer le substrat lorsque le substrat est agencé à la surface supérieure du support chauffant ; - un monochromateur, configuré pour filtrer la source lumineuse. [0022] Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir suivre localement l'oxydation latérale des diodes laser. [0023] Selon une caractéristique de l'invention, la caméra est munie : - d'un premier objectif de microscope, agencé pour viser une position prédéterminée d'une portion centrale du substrat, lorsque le substrat est agencé à la surface supérieure du support chauffant ; - d'une pluralité de deuxièmes objectifs de microscope, agencée pour viser des positions prédéterminées d'une portion périphérique du substrat, lorsque le substrat est agencé à la surface supérieure du support chauffant. [0024] Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir visualiser plusieurs mésas localisées à différents endroits du substrat, ce qui permet de déterminer la vitesse d'oxydation de manière simultanée sur plusieurs sites du substrat. [0025] Selon une caractéristique de l'invention, les éléments rayonnants sont des résistances électriques. [0026] Ainsi, un avantage procuré est de produire un rayonnement thermique. Le support chauffant est alors adapté pour transférer au substrat l'énergie du rayonnement thermique des résistances électriques sous forme de chaleur, majoritairement par conduction et rayonnement, et minoritairement par convection. [0027] Selon une caractéristique de l'invention, la chambre d'oxydation est configure° pour maintenir l'atmosphère à une température comprise entre 20°C et 600°C, de préférence comprise entre 300°C et 600°C, plus préférentiellement comprise entre 350°C et 500°C. [0028] Ainsi, la température est choisie selon la nature des puits quantiques des diodes laser pour former une oxydation thermique latérale. Une température comprise entre 350°C et 500°C est avantageuse lorsque les puits quantiques sont des couches d'AlGaAs. [0029] Selon une caractéristique de l'invention, les moyens d'injection sont configurés de sorte que l'atmosphère de la chambre d'oxydation exerce une pression comprise entre 1 Pa et 105 Pa, de préférence comprise entre 10 Pa et 10' Pa. [0030] Par « pression », on entend l'intensité de la force exercée par l'atmosphère par unité de surface. [0031] L'invention a également pour objet un procédé d'oxydation latérale de diodes laser, du type à cavité verticale émettant par la surface, comportant les étapes : a) utiliser un four conforme à l'invention ; b) agencer un substrat, comprenant les diodes laser présentant un ensemble de mésas, à la surface supérieure du support chauffant ; c) oxyder latéralement l'ensemble de mésas, en injectant un flux gazeux humide dans la chambre d'oxydation, de manière à former un diaphragme d'oxyde pour chaque mésa. [0032] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape c) comporte une étape cl) consistant à ajuster les températures des zones de chauffage selon la position de la mésa par rapport au substrat. [0033] Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir corriger une inhomogénéité d'oxydation de mésas (et donc une inhomogénéité de l'ouverture des diaphragmes d'oxydes), principalement liée à une inhomogénéité d'épaisseurs et/ou de composition chimique des couches d'alliages III-V formées par épitaxie sur le substrat, et composant les mesas. L'ajustement des températures des zones de chauffage autorise une modification locale de la température de chauffage du support chauffant, ce qui permet de modifier localement la vitesse d'oxydation de la mésa et d'améliorer l'uniformité du diamètre de l'ouverture des diaphragmes d'oxyde sur toute la surface du substrat. [0034] Selon une caractéristique de l'invention, le four utilisé lors de l'étape a) comporte un ensemble d'éléments rayonnants agencé pour irradier le support chauffant de sorte que la surface supérieure présente : - une première zone de chauffage, s'étendant dans une partie centrale de la surface supérieure ; - une deuxième zone de chauffage, s'étendant dans une partie périphérique de la surface supérieure ; et l'étape cl) comporte les étapes : cm) mesurer le diamètre du diaphragme d'oxyde d'une mésa de référence, située dans une portion centrale du substrat chauffée par la première zone de chauffage ; e11) calculer une durée d'oxydation et une vitesse d'oxydation pour obtenir le diamètre souhaité du diaphragme d'oxyde de la mésa de référence ; cp) mesurer le diamètre du diaphragme d'oxyde d'au moins une mésa périphérique située dans une portion périphérique du substrat chauffée par la deuxième zone de chauffage ; c [3) calculer le diamètre final théorique du diaphragme d'oxyde de la mésa périphérique à partir de la durée d'oxydation et de la vitesse d'oxydation calculées lors de l'étape c11) ; e14) ajuster la température de la deuxième zone de chauffage de sorte que le diamètre final théorique est égal au diamètre souhaité du diaphragme d'oxyde de la mésa périphérique. [0035] Ainsi, un avantage procuré est de s'affranchir d'une inhomogénéité d'oxydation de mésas (et donc une inhomogénéité de l'ouverture des diaphragmes d'oxydes) entre celles situées sur une portion centrale du substrat et celles situées sur une portion périphérique du substrat ; l'inhomogénéité d'oxydation étant principalement liée à une in-homogénéité d'épaisseurs des mésas lors de leur épitaxie. La modification et l'ajustement de la température de la deuxième zone chauffage du support chauffant permet de modifier la vitesse d'oxydation (l'une mésa périphérique par rapport à la vitesse d'oxydation d'une mésa de référence située dans la portion centrale du substrat. [0036] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape c) est exécutée en appliquant une vitesse d'oxydation de la mesa, notée V, vérifiant V=A T + B, où: - T est la température de la zone de chauffage chauffant la mésa, - A et B sont des paramètres dépendant du substrat. [0037] Ainsi, un avantage procuré est d'ajuster aisément la vitesse d'oxydation de la mésa selon sa position sur le substrat par une relation linéaire avec la température de la zone de chauffage chauffant la mésa. [0038] Selon une caractéristique de l'invention, l'étape c) comporte une étape consistant à réguler le débit du flux gazeux humide en fonction d'une consigne con-espondant au 6 diamètre souhaité du diaphragme (l'oxyde. [0039] Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir maîtriser l'arrêt de l'oxydation en au- torisant une phase dc décélération progressive dc la vitesse d'oxydation des mcsas, permettant l'obtention d'un diamètre précis et reproductible du diaphragme d'oxyde. Brève description des dessins [0040] D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l'exposé détaillé de différents modes de réalisation de l'invention, l'exposé étant assorti d'exemples et de références aux dessins joints. [0041] [fig.11 Fleure 1 est une vue schématique en coupe d'un four selon l'invention, équipé de moyens de mesure de la vitesse d'oxydation des diodes laser selon un premier mode de réalisation. [0042] [fig.2] Figure 2 est une vue schématique en coupe d'une chambre d'oxydation d'un four selon l'invention. L'ensemble d'éléments rayonnants n'est pas représenté. [0043] [fig.31 Figure 3 est une vue schématique en coupe d'une diode laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL). [0044] [fig.4] Figure 4 est une vue schématique illustrant des moyens dc régulation des températures des zones dc chauffage en fonction des vitesses d'oxydation mesurées. SP (« SetPoint ») désigne la consigne. PV (« Process Value » désigne la grandeur mesurée. OP (« OutPut ») désigne la sortie. [0045] [fig.51 Figure 5 est une vue schématique en perspective d'un substrat, illustrant des positions de mesure du diamètre du diaphragme d'oxyde : une position (C) pour la mésa de référence située dans une portion centrale du substrat, et 4 positions (N, S, W, E) pour des mésas périphériques situées dans des portions périphériques du substrat. [0046] [fig.61 Figure 6 est une vue schématique de dessus d'un substrat agencé à la surface supérieure du support chauffant, illustrant un ensemble d'éléments rayonnants agencé pour former des zones de chauffage avec des températures différentes. [0047] [fig.7] Figure 7 est une vue schématique en coupe d'un four selon l'invention, équipé de moyens de mesure de la vitesse d'oxydation des diodes laser selon un second mode de réalisation. Exposé détaillé des modes de réalisation 7 [0048] Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes ré- férences pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. [0049] Comme illustré aux figures 1 et 2, un objet de l'invention est un four 1 pour oxyder latéralement des diodes laser D (illustré à la figure 3), de type à cavité verticale émettant par la surface, comportant : - une chambre d'oxydation 2, comprenant une atmosphère 20; - des moyens d'injection 3, agencés pour injecter un flux gazeux humide dans la chambre d'oxydation 2; - un support chauffant 4, de type suscepteur, agencé dans la chambre d'oxydation, et comprenant une surface supérieure 40 destinée à supporter un substrat 5 comprenant les diodes laser D. [0050] Le four 1 comprend un ensemble d'éléments rayonnants 41 agencé pour irradier le support chauffant 4 de sorte que la surface supérieure 40 présente des zones de chauffage ZC1, ZC2 possédant des températures différentes. [0051] Chambre d'oxydation et moyens d'injection [0052] La chambre d'oxydation 2 est délimitée par : - une paroi supérieure 21a, et une paroi inférieure 21b opposée ; - deux parois latérales 21e, reliant la paroi supérieure 21a à la paroi inférieure 21b. [0053] Comme illustré à la figure 1, la paroi supérieure 21a est avantageusement munie d'une vitre 210 transparente, de préférence dans le domaine infrarouge. [0054] A titre d'exemple non limitatif, l'atmosphère 20 de la chambre d'oxydation 2 peut être un milieu gazeux comportant de l'azote hydrogéné N2H2 et de la vapeur d'eau H, O. [0055] La chambre d'oxydation 2 est avantageusement configurée pour maintenir l'atmosphère à une température comprise entre 20°C et 600°C, de préférence comprise entre 300°C et 600°C, plus préférentiellement comprise entre 350°C et 500°C. Pour ce faire, la chambre d'oxydation 2 est avantageusement munie d'un thermostat (non illustré). [0056] Les moyens d'injection 3 sont avantageusement configurés de sorte que l'atmosphère 20 de la chambre d'oxydation 2 exerce une pression comprise entre 1 Pa et 10 Pa, de préférence comprise entre l0 Pa et i0 Pa. [0057] Les moyens d'injection 3 comportent avantageusement un tube d'injection 30 agencé pour injecter le flux gazeux humide dans la chambre d'oxydation 2. Le tube d'injection 30 est avantageusement poreux. Le tube d'injection 30 peut être réalisé en acier inoxydable. [0058] La chambre d'oxydation 2 comporte avantageusement un tube d'éjection 31 agencé pour éjecter le flux gazeux humide hors de la chambre d'oxydation 2. Le tube d'éjection 31 est avantageusement poreux. Le tube d'éjection 31 peut être réalisé en 8 acier inoxydable. [0059] Le tube d'injection 30 et le tube d'éjection 31 sont avantageusement agencés pour former un écoulement laminaire du flux gazeux humide. Un tel écoulement laminaire permet de renouveler la vapeur d'eau consommée par la réaction d'oxydation sans affecter la température du substrat 5. Les débits du flux gazeux humide s'écoulant à travers le tube d'injection 30 poreux et à travers le tube d'éjection 31 poreux peuvent être déterminés par la loi de Darcy, connue de l'homme du métier. [0060] Support chauffant [0061] Le support (« chtick » en langue anglaise) chauffant 4 est de type susceptcur, et est de préférence réalisé en graphite. Les éléments rayonnants 41 forment une source de rayonnement électromagnétique. Les éléments rayonnants 41 sont agencés pour irradier différentes zones du support chauffant 4 de sorte que la surface supérieure 40 du support chauffant 4 présente des zones de chauffage ZC1, ZC2 possédant des températures différentes. [0062] Les éléments rayonnants 41 sont avantageusement des résistances électriques. Le support chauffant 4, de type suscepteur, est alors adapté pour transférer au substrat 5 l'énergie du rayonnement thermique des éléments rayonnants 41 sous forme de chaleur, majoritaircment par conduction et rayonnement, et tninoritairement pas convection. [0063] Les éléments rayonnants 41 sont avantageusement munis de boucles de chauffage 410, agencées pour compenser les pertes des connections électriques entre les éléments rayonnants 41. [0064] L'ensemble d'éléments rayonnants 41 est avantageusement agencé pour irradier le support chauffant 4 de sorte que la surface supérieure 40 présente : - une première zone de chauffage ZCI, s'étendant dans une partie centrale de la surface supérieure 40 ; - une deuxième zone de chauffage ZC2, s'étendant dans une partie périphérique de la surface supérieure 40. [0065] Comme illustré à la figure 6, la première zone de chauffage ZC1 centrale peut comporter plusieurs sous-zones de chauffage possédant des températures différentes. De la même façon, la deuxième zone de chauffage ZC2 périphérique peut comporter plusieurs sous-zones de chauffage possédant des températures différentes. A titre d'exemple non limitatif, la première zone de chauffage ZC1 peut comporter deux sous-zones de chauffage ZC1a, ZCIb réparties uniformément dans la partie centrale de la surface supérieure 40. Les deux sous-zones de chauffage ZCIa, ZCIb de la première zone de chauffage ZC1 peuvent être pilotées en parallèle, en décalage de puissance ou en décalage de température. La deuxième zone de chauffage ZC2 peut comporter quatre sous-zones de chauffage ZC2a, ZC2b, ZC2c, ZC2d réparties uniformément dans 9 la partie périphérique de la surface supérieure 40. Les quatre sous-zones de chauffage ZC2a, ZC2b, ZC2c, ZC2d de la deuxième zone de chauffage ZC2 peuvent être pilotées en parallèle, en décalage de puissance ou en décalage de température. De telles sous-zones de chauffage ZC1 a, ZClb ; ZC2a, ZC211, ZC2c, ZC2d permettent de compenser, dans un plan horizontal (avant/arrière et gauche/droite), l'effet du flux gazeux humide absorbant de l'énergie pour se réchauffer. [0066] Le support chauffant 4 est isolé thermiquement de la chambre d'oxydation 2. En par- ticulier, comme illustré à la figure 1, un élément isolant 42 -de préférence réalisé en quartz- peut être monté autour du support chauffant 4 de manière à isoler thermiquement le support chauffant 4 des parois latérales 21e de la chambre d'oxydation 2. En outre, l'élément isolant 43 est de préférence surélevé par rapport à la paroi inférieure 21b de la chambre d'oxydation. [0067] Mesure de la vitesse d'oxydation [0068] Le four 1 comporte avantageusement des premiers moyens de mesure 6, agencés pour mesurer la vitesse d'oxydation des diodes laser D lorsque le substrat 5 est agencé à la surface supérieure 40 du support chauffant 4. [0069] Les premiers moyens de mesure 6 comportent avantageusement - au moins une caméra 60, munie d'au moins un objectif 61 de microscope ; - des moyens de déplacement (non illustrés), agencés pour déplacer la caméra 60 dans la chambre d'oxydation 2 au-dessus du support chauffant 4 ; - une source lumineuse, agencée pour éclairer le substrat 5 lorsque le substrat 5 est agencé à la surface supérieure 40 du support chauffant 4; - un monochromateur 62, configuré pour filtrer la source lumineuse. [0070] La caméra 60 et le ou les objectifs 61 de microscope sont montés sur un tube optique 63. Le monochromateur 62 peut être relié au tube optique 63 par l'intermédiaire d'une fibre optique 620. La source lumineuse peut être une lampe halogène. [0071] Selon un mode de réalisation illustré à la figure?, la caméra 60 est avantageusement munie : - d'un premier objectif 61 de microscope, agencé pour viser une position prédéterminée C (illustrée aux figures 5 et 6) d'une portion centrale du substrat 5, lorsque le substrat 5 est agencé à la surface supérieure 40 du support chauffant 4 ; - d'une pluralité de deuxièmes objectifs 61 de microscope, agencée pour viser des positions prédéterminées N, S, W, E (illustrées aux figures 5 et 6) d'une portion périphérique du substrat 5, lorsque le substrat 5 est agencé à la surface supérieure 40 du support chauffant 4. [0072] Selon une alternative non illustrée, les premiers moyens de mesure 6 peuvent comporter : - une première caméra 60, munie d'un objectif 61 de microscope, agencé pour viser une position prédéterminée C d'une portion centrale du substrat 5, lorsque le substrat 5 est agencé à la surface supérieure 40 du support chauffant 4 ; - une pluralité de deuxièmes caméras 60, chacune étant munie d'un objectif 61 de microscope agencé pour viser une position prédéterminée N, S, W, E d'une portion périphérique du substrat 5, lorsque le substrat 5 est agencé à la surface supérieure 40 du support chauffant 4. [0073] Les premiers moyens de mesure 6 peuvent comporter des moyens de déplacement agencés pour déplacer indépendamment la première caméra 60 et la pluralité de deuxièmes caméras 60 dans la chambre d'oxydation 2 au-dessus du support chauffant 4. Les premiers moyens de mesures 6 peuvent comporter une pluralité de sources lumineuses agencées pour éclairer le substrat 5 lorsque le substrat 5 est agencé à la surface supérieure 40 du support chauffant 4 ; la première caméra 60 et chacune des deuxièmes caméras 60 pouvant être associée à une source lumineuse distincte. Chaque source lumineuse peut être associée à un monochromateur 62, configuré pour filtrer la source lumineuse correspondante. [0074] Régulation des températures des zones de chauffage [0075] Le four 1 comporte avantageusement : - une alimentation A, configurée pour alimenter indépendamment chaque élément rayonnant 41 en délivrant une puissance électrique ; - des moyens de régulation, configurés pour réguler la puissance électrique en fonction des vitesses d'oxydation mesurées V,'' par les premiers moyens de mesure 6. [0076] Comme illustré à la figure 4, les moyens de régulation comportent avantageusement : - un régulateur maître RM, relié aux premiers moyens de mesure 6, et configuré pour fonctionner à une consigne SP fixe correspondant à la vitesse d'oxydation V souhaitée des diodes laser D ; - des deuxièmes moyens de mesure, agencés pour mesurer les températures T,'' des zones de chauffage ZCI, ZC2 ; - un régulateur esclave RE, relié aux deuxièmes moyens de mesure et à l'alimentation A, et agencé en cascade avec le régulateur maître RM, et configuré pour fonctionner à une consigne SP variable correspondant à la température mesurée d'une zone de chauffage. [0077] Le régulateur maître RM et le régulateur esclave RE sont avantageusement des ré- gulateurs de type PID (Proportionnelle Intégrale Dérivée). [0078] A titre d'exemple non limitatif, les deuxièmes moyens de mesure peuvent comporter des thermocouples. [0079] Substrat et VCSEL [0080] Le substrat 5 est avantageusement une tranche (« water » en langue anglaise) d'arséniure de gallium GaAs, adaptée pour la croissance épitaxiale d'un matériau 11 tel que l'arséniure de gallium-aluminium AI,GaAs. [0081] Comme illustré à la figure 3, le substrat 5 comporte : - une première surface 50, destinée à reposer sur la surface supérieure 40 du support chauffant 4 ; - une seconde surface 51, opposée à la première surface 50. [0082] Les diodes laser D, de type à cavité verticale émettant par la surface, sont formées à la seconde surface 51 du substrat 5. Les diodes laser D comportent avantageusement un empilement de couches réalisées en ALGalAs, l'empilement étant de préférence formé par une technique de dépôt de couches minces par croissance épitaxiale, effectuée sous vide. L'empilement comporte avantageusement deux réflecteurs, de type réseaux de Bragg DBR (« Distributed Bragg Rellector » en langue anglaise) séparés par des puits quantiques QW (« Quantum Well » en langue anglaise). La première surface 50 du substrat 5 peut être revêtue d'un contact électrique CE. Le réseau de Bragg DBR supérieur peut être revêtu d'un contact électrique CE. Des mésas M sont formées par gravure afin de dégager les flancs de la couche enterrée à oxyder, et ce afin de former un diaphragme d'oxyde 7. [0083] A titre de variante, le substrat 5 peut être une tranche de phosphure d'indium InP, adaptée pour la croissance épitaxialc d'un matériau tel que Ini ,Ga'As. [0084] Procédé d'oxydation [0085] Un objet de l'invention est un procédé d'oxydation latérale de diodes laser D du type à cavité verticale émettant par la surface, comportant les étapes : a) utiliser un four 1 conforme à l'invention ; b) agencer un substrat 5, comprenant les diodes laser D présentant un ensemble de mésas M, à la surface supérieure 40 du support chauffant 4; c) oxyder latéralement l'ensemble de mésas M, en injectant un flux gazeux humide dans la chambre (l'oxydation 2, de manière à former un diaphragme d'oxyde 7 pour chaque mésa M. [0086] L'étape c) est exécutée de manière à oxyder latéralement par les flancs les diodes laser D. L'étape c) comporte avantageusement une étape cl) consistant à ajuster les températures des zones de chauffage ZC1, ZC2 selon la position de la mésa M par rapport au substrat 5. [0087] Le four 1 utilisé lors de l'étape a) comporte avantageusement un ensemble d'éléments rayonnants 41 agencé pour irradier le support chauffant 4 de sorte que la surface supérieure 40 présente : - une première zone de chauffage ZC1, s'étendant dans une partie centrale de la surface supérieure 40 ; - une deuxième zone de chauffage ZC2, s'étendant dans une partie périphérique de la surface supérieure 40. 1-> [0088] L'étape cl) comporte avantageusement les étapes : cli,) mesurer le diamètre du diaphragme d'oxyde 7 d'une mésa M de référence, située dans une portion centrale C du substrat 5 chauffée par la première zone de chauffage ZC1 ; c11) calculer une durée d'oxydation et une vitesse d'oxydation pour obtenir le diamètre souhaité du diaphragme d'oxyde 7 de la mésa M de référence ; cln) mesurer le diamètre du diaphragme d'oxyde 7 d'au moins une mésa M périphérique située dans une portion périphérique N, S, W, E du substrat 5 chauffée par la deuxième zone de chauffage ZC2; c13) calculer le diamètre final théorique du diaphragme d'oxyde 7 de la mésa M périphérique à partir de la durée d'oxydation et de la vitesse d'oxydation calculées lors de l'étape e11) ; c14) ajuster la température de la deuxième zone de chauffage ZC2 de sorte que le diamètre final théorique est égal au diamètre souhaité du diaphragme d'oxyde 7 de la mésa M périphérique. [0089] Comme illustré aux figures 5 et 6, les étapes c12) à c14) peuvent être exécutées pour plusieurs mésas M périphériques, par exemple 4 mésas M périphériques situées dans quatre positions cardinales N, S, W, E. Les quatre positions cardinales N, S. W, E font face aux quatre sous-zones de chauffage ZC2a, ZC2b, ZC2c, ZC2d de la deuxième zone de chauffage ZC2. La durée d'oxydation de l'ensemble de mésas M est fixée par le calcul exécuté lors de l'étape c,1). Les étapes cl()) et c12) peuvent être réitérées sur un intervalle de temps donné, de préférence de l'ordre de quelques minutes. Les étapes ch, ) et c12) peuvent être exécutées simultanément, par exemple par l'intermédiaire du mode de réalisation des premiers moyens de mesure 6, illustré à la figure 7. [0090] L'étape c) est avantageusement exécutée en appliquant une vitesse d'oxydation de la mesa M, notée V, vérifiant V=A T + B, : - T est la température de la zone de chauffage ZC1, ZC2 chauffant la mésa M, - A et B sont des paramètres dépendant du substrat. [0091] Comme la pression et la concentration en humidité du flux gazeux de l'atmosphère 20 agit de manière globale à l'échelle du substrat 5, la variation locale de la température de chauffage du support chauffant 4 permet de contrôler une vitesse d'oxydation différenciée pour les mésas M, selon leur position par rapport au substrat 5. Il est à noter que de petits écarts de température (entre 1°C et 5°C) peuvent faire considérablement varier la vitesse d'oxydation d'une couche d'AlGaAs. [0092] L'étape c) comporte avantageusement une étape consistant à réguler le débit du flux gazeux humide en fonction d'une consigne con-espondant au diamètre souhaité du diaphragme d'oxyde 7. Le débit du flux gazeux humide peut être régulé en modifiant le ratio entre la vapeur d'eau H20 et l'azote hydrogéné N2H2. L'étape c) peut être in- 13 terrompue en coupant l'alimentation du thermostat de la chambre d'oxydation 2, et en mettant sous vide la chambre d'oxydation 2 de manière à extraire les molécules d'H20 restantes. [0093] L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L'homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. 14 [Revendication 1] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4]