FR 3091016 A1 20200626 FR 1873965 A 20181219 Description Titre de l'invention : CIRCUIT 3D DOTE D'UNE ISOLATION MESA POUR LA ZONE DE PLAN DE MASSE DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR [0001] La présente demande concerne le domaine des circuits intégrés dotés de composants électroniques répartis sur plusieurs niveaux, en particulier des transistors superposés. De tels dispositifs sont généralement qualifiés de circuits « 3D ». [0002] Pour augmenter la densité de transistors dans les circuits intégrés, une solution consiste à répartir les transistors sur plusieurs niveaux superposés de couches semiconductrices. De tels circuits intégrés en 3 dimensions ou « 3D » comportent ainsi typiquement au moins deux couches semi-conductrices disposées l'une au-dessus de l'autre et séparées entre elles par au moins une couche isolante. [0003] Dans ce type de dispositif, il est connu d'intégrer une couche en matériau conducteur ou semi-conducteur dopé dite « de plan de masse » (« ground plane » selon la terminologie anglo-saxonne) ou « de grille arrière », disposée entre les deux couches semi-conductrices superposées. Une telle couche située sous une couche semiconductrice de niveau supérieur est généralement séparée de cette couche semiconductrice par l'intermédiaire d'une couche isolante. Cette couche isolante est prévue, en termes de matériau et d'épaisseur, de sorte à pouvoir mettre en oeuvre un couplage électrostatique entre la couche de plan de masse et la couche semi-conductrice de niveau supérieur. Ainsi, la couche de plan de masse peut permettre en particulier de contrôler la tension de seuil d'un transistor dont la région de canal s'étend dans la couche semi-conductrice de niveau supérieur et qui situé au-dessus de cette couche de plan de masse. 100041 De même que la couche semi-conductrice supérieure peut être amenée à être gravée en une ou plusieurs zones actives, la couche de plan de masse peut être elle-même gravée en une ou régions distinctes lors du procédé de réalisation d'un tel circuit. 100051 Pour réaliser une isolation autour d'une zone active ainsi qu'une isolation autour d'une portion de la couche de plan de masse un procédé de type communément appelé STI pour « shallow tench isolation » peut être alors réalisé. 100061 Lors d'un procédé d'isolation STI on forme typiquement une tranchée dans une couche semi-conductrice et l'on dépose un ou plusieurs matériaux diélectriques tel que du dioxyde de silicium pour remplir la tranchée. On élimine ensuite le diélectrique en excès à l'aide d'au moins une étape de planarisation mécano-chimique (CMP). Un tel procédé est généralement coutcux à mettre en oeuvre, en particulier du fait de la ou des étapes de planarisation. 2 100071 Dans certains cas, la réalisation de zones isolantes de type Sul peut nécessiter également une ou plusieurs étapes de densification d'oxyde à haute température. Or dans le cadre de la réalisation de certains circuit 3D où le transistor supérieur est formé directement au-dessus du dispositif inférieur, on cherche justement généralement à limiter le budget thermique de mise en oeuvre du ou des niveaux supérieurs de composants. [0008] Le document US 9 761 593 B2 émanant du demandeur, présente un procédé de réa- lisation d'un circuit 3D avec une couche de plan de masse dans lequel on réalise tout d'abord l'isolation autour de la zone active d'un transistor de niveau supérieur. [0009] L'isolation de la zone de plan de masse associée à cette zone active n'est réalisée qu'ultérieurement. La réalisation de l'isolation requiert un nombre d'étapes importants. [0010] Tl se pose donc le problème de trouver un nouveau procédé de réalisation d'un circuit 3D et en particulier comprenant la réalisation d'une isolation de la couche de plan de niasse et qui soit amélioré vis-à-vis d'inconvénients mentionnés ci-dessus. Exposé de l'invention [0011] Un mode de réalisation de la présente invention prévoit un procédé de réalisation d'un dispositif à niveaux de composants superposés comprenant dans cet ordre : a) prévoir sur un niveau donné doté d'un ou plusieurs composants réalisés au moins partiellement dans une première couche semi-conductrice : un empilement comprenant une deuxième couche semi-conductrice apte à accueillir au moins un canal de transistor de niveau supérieur audit niveau donné, ledit empilement comprenant une couche dite de plan de niasse en matériau conducteur ou semi-conducteur dopé ou apte à être dopé située entre la première couche semi-conductrice et la deuxième couche semi-conductrice ainsi qu'une couche isolante séparant la couche de plan de masse de la deuxième couche semi-conductrice, un ou plusieurs ilots étant définis dans la deuxième couche semi-conductrice, h) former une grille d'un transistor sur au moins un ilot parmi lesdits un ou plusieurs ilots, c) définir par gravure une ou plusieurs portions distinctes dans la couche de plan de niasse de sorte à libérer un espace autour d'au moins une première portion gravée de la couche de plan de masse disposée sous et en regard dudit ilot, d) former une zone isolante autour dudit ilot et de ladite première portion par dépôt d'au moins une couche en matériau isolant recouvrant la grille et ledit ilot, la couche isolante comblant ledit espace autour de la dite première portion de la couche de plan de masse, e) formation de plots conducteurs traversant ladite couche en matériau isolant, un ou plusieurs desdits plots conducteurs étant connectés avec ledit Hot, au moins un autre 3 plot conducteur étant connecté avec ladite première portion de la couche de plan de niasse. [0012] La mise en oeuvre d'une telle zone isolante est moins conteuse qu'un procédé de type STI, nécessite un nombre d'étape importants. [0013] Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux pour lequel la couche de plan de masse est en matériau semi-conducteur, après définition desdites une ou plusieurs portions distinctes de la couche de plan de masse et préalablement au dépôt de la couche en matériau isolant : on forme une ou plusieurs zones de composé de métal et de semi-conducteur, par dépôt d'au moins une couche métallique respectivement sur ledit ilot et sur au moins une région de ladite première portion, puis au moins un recuit thermique. Ainsi, on effectue une sil iciuration avant de réaliser l'isolation, ce qui peut notamment permettre de siliciurcr sur une surface plus importante et de réaliser des contacts de qualité améliorée et en particulier de résistance réduite. [0014] Selon une possibilité de mise en oeuvre, après définition desdites une ou plusieurs portions distinctes de la couche de plan de masse et préalablement à la formation desdites une ou plusieurs zones de composé de métal et de semi-conducteur, on forme une ouverture dans ladite couche isolante dévoilant une région de ladite première portion, au moins une zone de composé de métal et de semi-conducteur étant réalisée au niveau de ladite région de ladite première portion. [0015] En variante, lorsque le procédé comprend des gravures aux étapes a), b) et c), la couche isolante peut être prévue avec une épaisseur de sorte qu'à la suite desdites gravures à l'issue de l'étape c), et préalablement à la formation de zones de composé de métal et de semi-conducteur, ladite première portion est dévoilée dans une zone qui s'étend autour dudit ilot et n'est pas située en regard dudit ilot. Une telle variante, peut permettre d'éviter une étape de photolithographie. [0016] Avantageusement, parmi les plots conducteurs réalisés, on peut prévoir au moins un plot conducteur donné formé de sorte à traverser ledit espace comblé par ledit matériau isolant, ledit plot conducteur donné étant connecté au premier niveau N, de composants. [0017] Selon un mode de réalisation particulier, la couche isolante séparant la couche de plan de masse de la deuxième couche semi-conductrice peut être formée d'un empilement de couches de matériaux diélectriques différents. Cela peut permettre de réaliser une couche isolante davantage résistante à la gravure. [0018] Selon un autre mode de réalisation particulier dans lequel la couche isolante est en oxyde de silicium, préalablement à l'étape b) de formation de la grille on peut effectuer une implantation de carbone en surface de la couche isolante afin de former du SiOC ou une implantation de carbone et d'azote afin de former du SiOCN. En modifiant de cette manière la composition de la couche isolante, on rend cette dernière plus résistante à la gravure afin notamment de pouvoir préserver une épaisseur de cette couche lorsqu'on effectue un dopage pour réaliser des jonctions dans Pilot semiconducteur et permettre ainsi de protéger la couche de plan de masse lors de ce dopage. [0019] Selon un mode de réalisation particulier dans lequel, préalablement à l'étape a), on effectue un assemblage par collage dudit empilement sur ledit niveau donné NI, le procédé peut comprendre préalablement audit assemblage une étape de dopage de la couche de plan de masse, la couche de plan de masse étant de préférence dopée selon une concentration en dopants égale ou supérieure à 1,20 at/cm3. Brève description des dessins [0020] La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : [0021] [fig.1A] [0022] [fig.1B] [0023] [fig.1C] [0024] [fig.1 D] [0025] [fig.1E] [0026] [fig.1 F] [0027] [fig.1G] servent à illustrer un exemple de procédé tel que mis en oeuvre suivant un mode de réalisation de la présente invention et pour la mise en oeuvre d'une isolation d'une couche de plan de masse dans un circuit intégré 3D à niveaux de composants électroniques superposés ; [0028] [fig.2] sert à illustrer un mode de réalisation particulier d'un premier niveau de composants du circuit intégré 3D ; [0029] [fig.3] sert à illustrer un matériau de départ possible pour la réalisation d'un niveau supérieur de transistors disposé au-dessus du premier niveau ; [0030] [fig.4] sert à illustrer une variante de matériau de départ possible pour la réalisation du niveau supérieur de transistors ; [0031] [fig.5A] [0032] [fig.SB] [0033] [fig.SC] [0034] [fig.SD] [0035] [fig.SE] servent à illustrer une variante de réalisation pour laquelle on effectue une si- liciuration d'une zone de la couche de plan de masse sans réaliser de photolithographie préalable pour découvrir cette zone ; [0036] [fig.6] sert à illustrer un exemple particulier d'agencement la couche isolante séparant la couche de plan de niasse d'un ilot semi-conducteur destiné à accueillir une région de canal de transistor, et ce avant une étape de dopage de r i iota; [0037] [fig.7] sert à illustrer un exemple particulier de réalisation d'une couche isolante séparant la couche de plan de masse d'un ilot dans lequel une région de canal de transistor s'étend ; [0038] [fig.8] sert à illustrer un exemple particulier de procédé de modification par im- plantation de la composition de couche isolante séparant la couche de plan de masse de la couche semi-conductrice dans laquelle la région de canal de transistor d'un deuxième niveau est prévue ; [0039] Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. [0040] Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. [0041] En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation de la structure tels que « sur », « au-dessus », « sous », par-dessous « latéral », « supérieur », « inférieur » s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée dans les figures. [0042] EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS [0043] On se réfère à présent à la figure l A donnant un exemple de structure de départ possible pour la mise en oeuvre d'un procédé suivant un mode de réalisation de la présente invention. [0044] Cette structure comporte un premier niveau N, de composants électroniques re- présenté de manière schématique par un contour en trait discontinu. [0045] Ce niveau NI est typiquement réalisé à partir d'un substrat comprenant une première couche semi-conductrice superficielle, par exemple en silicium, dans laquelle un ou plusieurs composants électroniques tels que des photo-sites et/ou des photodiodes et/ou des transistors sont au moins partiellement formés. [0046] Dans l'exemple illustré sur la figure 2, les composants du premier niveau N, sont des transistors TI, et T12, en particulier de type MOS (MOS pour « Metal Oxide Semiconductor ») et ont des régions de canal respectives qui s'étendent dans la première couche semi-conductrice 11. Une ou plusieurs zones conductrices 21 de connexion appartenant au premier niveau NI peuvent être également formées à ce stade au-dessus des transistors T,I,T12et sont connectées à ces derniers. Les zones conductrices 21 de connexion sont typiquement en métal, par exemple du tungstène, et sont agencées dans au moins une couche isolante 20 disposée sur les transistors. [0047] Après avoir formé le premier niveau NI de composants, on réalise typiquement par report sur ce premier niveau NI, un empilement de couches. [0048] L'empilement est doté en particulier d'une couche 34 dite «de plan de masse » 6 destinée à réaliser une polarisation par-dessous d'au moins un transistor d'un deuxième niveau N, et pouvoir en particulier moduler la tension de seuil de ce transistor. La couche 34 de plan de masse s'étend tout d'abord typiquement en pleine plaque autrement dit de manière continue entre le premier niveau N1 et le deuxième niveau N2. La couche 34 de plan de masse peut être à base d'un métal ou avantageusement d'un matériau semi-conducteur dopé ou destiné à être dopé. Par exemple, on prévoit la couche 34 à hase de polysilicium dopé ou destiné à être dopé. Une couche 34 de plan de masse dopée lors de sa formation (dopage in situ) par exemple par dépôt de semiconducteur sous forme amorphe ou polycristallin peut être réalisée. Un recuit peut permettre d'activer les dopants ou d'augmenter le niveau d'activation et de rendre le matériau semi-conducteur polycristallin dans le cas où il a été déposé sous forme amorphe. En variante ou en combinaison, on peut réaliser un dopage par implantation de cette couche 34 ce qui peut permettre d'atteindre un niveau de dopage élevé. Typiquement, on met en oeuvre une couche 34 de plan de masse de faible épaisseur, par exemple inférieure à 100 nm. [0049] La couche 34 de plan de niasse lorsqu'elle est à hase d'un matériau semi-conducteur dopé est prévue de préférence avec une forte concentration en dopants avantageusement supérieure à celle prévue pour des zones de la deuxième couche semiconductrice 36 destinées à former des régions de source et de drain ou d'accès au canal d'un transistor du deuxième niveau N,. On cherche ainsi à éviter la formation de jonctions parasites sous la zone active. Avantageusement, la concentration en dopants est choisie de l'ordre de P20 at/cm' ou supérieure dans la couche de plan de masse 34. [0050] Sur la couche 34 de plan de masse, une couche isolante 35 est disposée et sépare la couche 34 de plan de masse d'une deuxième couche semi-conductrice 36. La couche isolante 35 disposée entre la couche 34 de plan de masse et cette deuxième couche semi-conductrice 36, est configurée, en particulier en termes de matériau la composant et d'épaisseur, de sorte à permettre un couplage électrostatique entre la couche 34 de plan de masse et la deuxième couche semi-conductrice 36. La couche isolante 35 est par exemple en SiO2 et a une épaisseur qui peut être comprise par exemple entre 5 nm et 100 nm. La couche isolante 35 peut être avantageusement une couche d'oxyde enten-é (BOX pour « burried oxide ») d'un substrat semi-conducteur sur isolant dont la deuxième couche semi-conductrice 36 est la couche superficielle située sur le BOX. [0051] L'empilement réalisé peut comprendre ou être formé sur une couche isolante 31 sur laquelle repose la couche de plan de masse 34. La couche isolante 31 est typiquement à base d'oxyde de silicium. [0052] Selon un mode de réalisation particulier illustré sur la figure 1A, cette couche isolante 31 résulte de l'assemblage par collage de deux couches isolantes, par exemple 7 en oxyde de silicium, une des deux couches isolantes recouvrant le premier niveau NI de composants. Une interface de collage 30 est ici représentée de manière schématique par le biais d'une ligne discontinue. [0053] Ensuite, on définit un ou plusieurs ilots dans la deuxième couche semi-conductrice 36 aptes à former respectivement une ou plusieurs zones actives de transistors du deuxième niveau N2. Pour cela, on peut effectuer une gravure sèche, par exemple à l'aide de HBr et Cl par exemple, de la deuxième couche semi-conductrice 36. [0054] Sur la vue de la figure 1 A, un ilot 36a issu de la gravure de la deuxième couche semi- conductrice 36 est représenté. La gravure est dans cet exemple réalisée avec arrêt sur la couche isolante 35. La couche 34 de plan de masse n'est donc à ce stade pas gravée et est conservée continue. [0055] On réalise ensuite des étapes de formation d'un transistor T,1, par exemple de type MOS. Cette formation comprend notamment une réalisation d'un diélectrique 41 de grille et d'une grille 42 sur l'ilot 36a, la formation d'espaceurs 43 de part et d'autre de flancs latéraux la grille 42 (figure 1B). Une ou plusieurs étapes de dopage pour réaliser des régions d'accès au canal et/ou de source situées dans Pilot 36a de part et d'autre de la grille peuvent être également mises en oeuvre, typiquement par implantation. [0056] Dans le cas où la couche de plan de masse 34 reste revêtue à cette étape de la couche isolante 35, cette couche isolante 35 permet de protéger des zones de la couche de plan de masse 34 de l'étape d'implantation des dopants dans l'ilot 36a. On évite ainsi la création de diode parasite en particulier dans le cas où la couche semi-conductrice 36 dans laquelle l'ilot 36a est formée est dopée selon un dopage de type opposé, par exemple un dopage de type N tandis que la couche de plan de masse est dopée selon un dopage de type P. On conserve dans ce cas une épaisseur h2 de couche isolante 35 suffisante et qui peut être par exemple d'au moins 10 nm. L'épaisseur h2 peut dépendre de plusieurs paramètres, dont le niveau de dopage de la couche de plan de masse, les conditions d'implantation des accès ainsi que le budget thermique pour réaliser le transistor. [0057] Pour permettre de préserver à ce stade du procédé une couche isolante 35 d'épaisseur suffisante pour servir de protection, on peut prévoir de réaliser cette couche avec une composition particulière. Selon un mode de réalisation particulier, la couche isolante 35 peut être, dès sa formation, réalisée sous forme d'un empilement de plusieurs matériaux différents, par exemple un empilement oxyde de silicium/nitrure de silicium/oxyde de silicium, ou oxyde de silicium/oxyde d'hafnium/oxyde de silicium. De tels empilements peuvent permettre de rendre la couche isolante 35 plus résistante aux gravures effectuées et/ou au traitement humide nécessaire à la fabrication du transistor notamment pour définir l'ilot et/ou pour graver la grille, pour définir les espaceurs. 8 [0058] Selon un autre mode de réalisation particulier, on peut prévoir de modifier au cours du procédé la composition de la couche isolante 35, par exemple par implantation afin de la rendre plus résistante à la gravure. Par exemple, lorsque la couche isolante 35 est en oxyde de silicium, une implantation d'atomes de carbone et/ou d'azote peut être mise en oeuvre afin de former du SiOC ou du SiOCN davantage résistant que l'oxyde de silicium aux étapes de gravure humides, en particulier à hase de HF. Une telle étape est alors réalisée typiquement après définition de Pilot 36a et avant la définition de la grille. [0059] Puis (figure 1C), on forme par gravure, un ou plusieurs motifs dans la couche 34 continue de plan de masse en plusieurs portions. On réalise ainsi un espace 51 par exemple sous forme d'une rainure autour d'une première portion 34a de la couche 34 de plan de masse. Dans le cas illustré sur la figure 1C où la couche 34 de plan de masse est divisée en plusieurs portions 34a, 34h cette rainure 51 forme une séparation entre la première portion 34a de la couche de plan de masse située sous et en regard du transistor T21 et une deuxième portion 34h qui peut être prévue pour servir d'électrode arrière pour un autre transistor (non représenté). Une gravure localisée à travers l'ouverture d'un masquage (non représenté) est typiquement mise en oeuvre pour réaliser la découpe de la couche 34 de plan de masse. Cette découpe peut être réalisée par gravure à l'aide de HBr et Cl,en particulier lorsque la couche 34 de plan de masse est en polysilicium. [0060] On peut ensuite réaliser des zones de prise de contact sur la deuxième couche semi- conductrice 36 et la couche 34 de plan de masse. [0061] Pour cela, dans l'exemple de réalisation particulier illustré sur la figure ID, on réalise au moins une ouverture 53 à travers la couche isolante 35 dévoilant une région 34' de la face supérieure de la portion 34a de la couche de plan de masse. Cette ouverture 53 est effectuée typiquement par photolithographie puis gravure à travers au moins un trou d'un masque de protection (non représenté). Une gravure sèche du diélectrique à l'aide CH2F2 et SF6 dans le cas d'un oxyde de silicium peut être par exemple utilisée pour former cette ouverture 53. [0062] Après retrait de ce masque, on forme des zones 56a, 56b de composé de métal et de semi-conducteur sur des parties 36' dévoilées de l'îlot 36a, ainsi qu'une zone 56c, de composé de métal et de semi-conducteur sur la région 34' de la portion 34a de la couche de plan de masse. On dépose pour cela typiquement une couche de métal, sur la région 34' et les parties 36', et on effectue au moins un recuit thermique. Dans le cas, où l'îlot 36a est en silicium, on forme des zones siliciurées, en déposant par exemple du Nickel et/ou du NiPt avec par exemple une proportion de 5% à 15% de Pt et en effectuant au moins un recuit thermique. [0063] Par exemple, lorsqu'on dépose une couche de Nickel, un recuit à une température 9 comprise par exemple entre 250°C et 350°C selon une durée qui peut être par exemple de l'ordre de 30s peut être mis en oeuvre. Puis, on effectue un retrait sélectif du Nickel non réagi et on effectue un deuxième recuit pour former la phase NiSi. Dans ce cas, le deuxième recuit est typiquement, réalisé à une température supérieure à 350°C pendant un durée par exemple de l'ordre de 30 secondes. [0064] Dans l'exemple de réalisation illustré sur la figure lE où au moins la partie su- périeure de la grille 42 du transistor T,1 est en matériau semi-conducteur, par exemple en polysilicium, une zone 56d, de composé de métal et de semi-conducteur est concomitamment réalisée sur cette grille 42. [0065] Une réalisation de la siliciuration à ce stade du procédé, et en particulier avant de mettre en oeuvre une isolation, permet de réaliser de manière avantageuse des zones 56a, 56b, 56c sil iciurées de dimension minimale Amin importante (dimension mesurée parallèlement au plan principal du substrat, i.c. passant par le substrat et parallèle au plan [O ;x ;y] du repère [O ;x ;y ;z]). Cette dimension Amin pourra dépendre du noeud technologique mais pour un noeud technologique donné elle est typiquement supérieure à celle prévue pour un procédé conventionnel et dans lequel la siliciuration est mise en oeuvre au fond de trous réalisés à travers une couche isolante. En effet, on peut prévoir cette dimension Amin supérieure à celle habituellement prévue pour former des trous destinés à accueillir des plots de contact. [0066] La réalisation d'une siliciuration avant l'isolation de la couche de plan de masse et de l'ilot, permet par conséquent de mettre en oeuvre des contacts de résistance plus faible. On peut ainsi mettre en oeuvre un contact électrique amélioré avec Pilot semiconducteur 36a et/ou avec la couche de plan de masse 34. [0067] Dans le cas où la couche de plan de masse est globalement dopée selon un dopage de type donné, par exemple de type P et comporte également des dopants réalisant un dopage de type opposé (ici de type N) et résultant d'un dopage de régions de Pilot semi-conducteur 36a, les dimensions de la zone 56d siliciurée de la couche de plan de masse sont avantageusement prévues de sorte à occuper et dépasser une zone de jonction réalisée entre les deux types de dopage opposés. [0068] On forme ensuite une isolation autour de la ou les zones actives ainsi que de la ou les portions de plan de masse. Cette isolation a donc ici la particularité d'être réalisée après formation de la ou les grilles de transistors respectivement sur le ou les ilots semi-conducteurs du deuxième niveau N,. [0069] Pour cela, on réalise ensuite une première couche isolante 62, par exemple une couche de type CESL (pour « Contact Etch Stop Layer ») en nitrure de silicium et d'épaisseur el par exemple comprise entre 10 nm et 50 nm. La couche isolante 62 peut être prévue avec une épaisseur el suffisante pour permettre de combler l'espace 51, par exemple sous forme d'une rainure pratiquée autour de la portion 34a de plan de masse. [0070] La première couche isolante 62 peut être ensuite recouverte d'une couche isolante 64, par exemple une couche de type PMD (pour « pre-metal diclectric ») en oxyde de silicium et d'épaisseur e, typiquement supérieure à e, par exemple comprise entre 100 nm et 700 nm. [0071] On forme ensuite (figure 1F) des trous 66a, 66h, 66c, 66d à travers la ou les couches isolantes 62, 64 et dévoilant respectivement les zones 56a, 56h, 56c, 56d, de composé de métal et de semi-conducteur. Les trous 66a, 66h, 66c, 66d ont une dimension critique Dc, par exemple comprise entre 20 nm et 500 nm, typiquement inférieure à la dimension minimale Amin des zones 56a, 56b, 56c, 56d, de composé de métal et de semi-conducteur. [0072] Les trous 66a, 66h, 66c, 66d sont ensuite remplis de matériau conducteur 64, en par- ticulier un métal par exemple tel que du tungstène (figure 1G). [0073] La réalisation des trous 66a, 66b, 66c, 66d typiquement par lithographie et gravure peut être réalisée concomitamment ou en variante séquentiellement. Il en va de même pour le remplissage qui peut être réalisé concomitamment ou séquentiellement. [0074] On réalise ainsi des plots conducteurs 76a, 76b, en contact respectivement avec les zones siliciurécs 56a, 56h réalisées sur la zone active du transistor T21, autrement dit sur l'ilot 36a formé à partir de la deuxième couche semi-conductrice 36. On réalise également de cette manière un plot conducteur 76c, en contact la portion 34a de plan de masse située sous le transistor T21. Un plot de contact 66d avec la grille peut également être formé lors de cette étape. [0075] Un plot de contact (non représenté sur la figure 1G) pour établir une connexion avec le premier niveau NI peut être également formé concomitamment. Dans ce cas, il est réalisé par remplissage d'un trou traversant la couche isolante 31 disposée entre les deux niveaux NI et N2. Ce trou est avantageusement pratiqué de manière à traverser la rainure 51 réalisée autour de la portion 34a de plan de masse. [0076] Différentes manières de réaliser l'empilement dans lequel le deuxième niveau N, de composants est formé peuvent être prévues. [0077] Dans l'exemple de réalisation illustré sur la figure 3, la deuxième couche semi- conductrice 36 dans laquelle on prévoit de former la ou les zones actives pour transistor(s) du deuxième niveau est une couche superficielle d'un substrat massif 3 (« bulk » selon la terminologie anglo-saxonne) et sur laquelle on réalise ensuite la couche isolante 35, puis on dépose la couche de plan de masse et une couche isolante 31 destinée à être collée avec le premier niveau N, de composants. Le collage est typiquement réalisé entre deux couches isolantes et en particulier d'oxyde de silicium. Dans ce cas, le premier niveau N, est revêtu d'une telle couche d'oxyde préalablement au collage. Après collage, la couche semi-conductrice 36 peut être détachée du reste du substrat massif par un procédé de type smartcutTM en créant une zone de fragilisation 11 300 par implantation d'ions hydrogène dans le substrat. Des étapes de polissage et de gravure chimique par exemple en utilisant du TMAH (Tetramethylammonium hydroxide) ou du TEAH (Tétraéthyl ammonium hydroxide) peuvent être également réalisées afin de retirer une épaisseur non-désirée du substrat massif. [0078] Dans l'exemple de réalisation illustré sur la figure 4, la deuxième couche semi- conductrice 36 destinée à accueillir la région de canal du transistor T,H est cette fois une couche superficielle d'un substrat 4 de type semi-conducteur sur isolant, par exemple un substrat de type SOI (silicium sur isolant) avec une couche de support semi-conductrice 5, une couche isolante 6 typiquement en oxyde de silicium entre la couche de support 4 et la couche semi-conductrice 36 superficielle. Sur ce substrat 4, on réalise ensuite la couche isolante 35, puis la couche 34 de plan de niasse et la couche isolante 31 destinée à être collée avec le premier niveau NI de composants. [0079] Après collage, la couche de support 5 et la couche isolante 6 du substrat 4 sont ensuite éliminées. La couche de support 5 peut être retirée par exemple à l'aide d'étapes de polissage et de gravure telles qu'évoquées précédemment pour le substrat massif. La couche isolante 6 peut être quant à elle retirée par gravure à l'aide de HF. [0080] Avantageusement, lorsque la couche 34 de plan de niasse est prévue en matériau semi-conducteur dopé, on réalise cc dopage par implantation avant l'assemblage par collage avec le premier niveau NI. Ainsi, un tel dopage peut être effectué par exemple sur l'un ou l'autre des empilements illustrés sur les figures 3 et 4. On peut de cette manière réaliser une implantation de la couche de plan de masse 34 avec une concentration en dopants élevée et ce sans avoir nécessairement à traverser la couche semi-conductrice 36. Cela permet également de pouvoir effectuer un recuit d'activation de dopants à température élevée sans contrainte de budget thermique liée au niveau inférieur NI de composants. Effectuer un dopage de la couche 34 de plan de masse avant collage peut également permettre de conférer à la couche 34 de plan de masse un niveau de dopage élevé par implantation sans toutefois endommager la couche semi-conductrice 36 destinée accueillir une ou plusieurs régions de canal de transistors. [0081] Une variante (figure 5A) de l'exemple de procédé de réalisation qui a été décrit pré- cédemment prévoit qu'à l'issue de l'étape de découpe de la couche 34 de plan de masse, des parties 341 de la couche de plan de masse 34 qui ne sont pas recouvertes par un flot 36a ou une zone active de la deuxième couche semi-conductrice 36 sont dévoilées. La couche isolante 35 est ainsi retirée aux endroits qui ne sont pas recouverts par la deuxième couche semi-conductrice 36. Une consommation de cette couche isolante 35 peut être réalisée notamment lors de la gravure de la ou les zones actives, en particulier lors de la définition de Pilot 36a, en particulier lorsque cette gravure est réalisée à l'aide de HBr et Cl par exemple. 12 [0082] Cette couche isolante 35 est typiquement retirée en plusieurs étapes et en plus d'un retrait partiel effectué lors de la gravure permettant de définir r ilot 36a, on consomme des parties dévoilées de cette couche 35 lors d'une ou plusieurs étapes de réalisation du transistor T,1, par exemple lors de la gravure de la grille et éventuellement lors d'une ou plusieurs étapes de nettoyage, en particulier une étape de nettoyage réalisée à l'aide de HF après définition de la grille et avant implantation des régions de source et de drain. Une consommation de la couche isolante 35 peut également avoir lieu lors d'une éventuelle étape de désoxydation. [0083] Ainsi, lorsque la rainure 51 est formée, la couche de plan de masse 34 n'est re- couverte par la couche isolante 35 qu'aux endroits situés en regard de l'ilot 36a réalisé par gravure de la deuxième couche semi-conductrice 36. [0084] On forme ensuite des zones 56a, 56b, de composé de métal et de semi-conducteur sur r ilot 36a, ainsi qu'une zone 56'c, de composé de métal et de semi-conducteur sur les parties 341 dévoilées de la portion 34a ou les portions de la couche de plan de masse. Typiquement, ces zones 56a, 56b, 56c sont réalisées par un procédé comprenant un dépôt de métal et un ou plusieurs recuit(s) thermique(s). On réalise ainsi de manière avantageuse une siliciuration de la ou les portions de plan de masse, sans avoir à ouvrir la couche isolante 35 et en particulier sans avoir à réaliser d'étape supplémentaire de photolithographie. Dans l'exemple de réalisation illustré sur la figure 5B une zone 56d siliciurée est également formée sur la grille 42. [0085] On réalise ensuite l'isolation autour de Pilot 36a et de la portion 34a de plan de masse en déposant la première couche isolante 62 venant combler la rainure 51 puis la deuxième couche isolante 64 (figure SC). [0086] On forme alors (figure 3D) à travers les couches isolantes 62, 63 les trous pour les plots conducteurs 76a, 76b, 76c, 76d de contact et on remplit ces trous de matériau conducteur typiquement un métal tel que par exemple du tungstène. [0087] Dans l'exemple de réalisation particulier illustré sur la figure 5E, un plot de conducteur 86 venant prendre contact sur le premier niveau N, est également formé. Un tel plot 86 est typiquement réalisé par formation d'un trou traversant les couches 62, 64 d'isolation, ce trou passant à travers la rainure 51 et traversant la couche isolante 31 et éventuellement d'autres couches sous-jacentes pour atteindre une zone de connexion du premier niveau NI. [0088] Un exemple de réalisation particulier est illustré sur la figure 6 dans un cas où la grille 42 de transistor formée sur Pilot 36a déborde sur la couche isolante 35 et où une épaisseur cl de la couche isolante 35 a été consommée, notamment lors de gravure permettant de définir l'ilot 36a et éventuellement d'étapes préalables au dépôt de la grille 42 et où une épaisseur c, de la couche isolante 35 a ensuite été consommée notamment lors de la gravure permettant de définir la grille 42 et éventuellement 13 d'étapes de procédé réalisées après la gravure de la grille 42 mais préalablement à une étape de dopage par implantation de Pilot 36a afin de réaliser des jonctions. [0089] On prévoit dans ce cas, avantageusement, l'épaisseur totale e9= hi-Eci de la couche isolante 35, ainsi que les étapes de gravure conduisant aux consommations d'épaisseurs ci, c2, de sorte à conserver, avant implantation pour réaliser les jonctions, une épaisseur h, d'une zone de la couche isolante 35 située en regard de la couche 34 de plan de masse et qui ne se trouve ni en regard de la grille 42 ni en regard de r ilot 36a, suffisante pour empêcher ou tout au moins limiter un dopage de la couche 34 de plan de masse. On évite ainsi la création de diodes parasites. Lorsque la couche isolante 35 est en oxyde de silicium, on prévoit de conserver une épaisseur h, par exemple supérieure à 15 nm dans le cas d'une implantation réalisée au Bore avec une énergie entre 8 kev et 12 kev et une dose entre 1015 at/cm, et 6e15 at/cm, et un recuit d'activation aux alentours de 1050°C et 14 nm de siliciuration avec un ground plane dopé de type N avec 2e20 at/cm,. [0090] Outre le fait de prévoir de conserver cette épaisseur h2, une réalisation de jonction par implantation à énergie et/ou dose limitée(s) peut être mise en oeuvre. On entend par « dose limitée » et par « énergie limitée » par un exemple pour un transistor PMOS : une dose de bore inférieure à 2e15 at /cru' et une énergie inférieure à 8 keV pour une couche de plan de masse dopée N à 2e20 at /cm'. [0091] Pour permette de faciliter la conservation d'une épaisseur h2 suffisante pour former un écran de protection de la couche de plan de masse 34 lors de la ou les étapes de dopage de Pilot 36a, on peut comme indiqué précédemment et tel qu'illustré sur la figure 7, prévoir la couche isolante 35 sous forme d'un empilement de plusieurs matériaux 351, 352, 353, diélectriques différents. Par exemple un empilement comprenant une couche de nitrure de silicium disposée entre deux couches d'oxyde de silicium, ou bien une couche de HfOn disposée entre deux couches d'oxyde de silicium est réalisé. Le fait de prévoir une couche isolante 35 sous forme d'un tel empilement la rend plus résistante aux gravures, et en particulier aux gravures humides à l'aide de HF. [0092] 11 est également possible de rendre la couche isolante 35 davantage résistante aux dif- férentes étapes de gravure en modifiant sa composition. Pour cela, on peut prévoir de modifier cette composition au moins en surface par implantation puis recuit. Par exemple, lorsque la couche isolante 35 est en oxyde de silicium, une implantation d'atomes de carbone et/ou d'azote peut être mise en oeuvre afin de former du SiOC ou du SiOCN davantage résistant aux étapes de gravure chimique, en particulier à l'aide de HF, que l'oxyde de silicium. [0093] On peut réaliser un telle implantation visant à modifier la composition de la couche isolante 35 et la rendre plus résistante à la gravure après avoir effectué une gravure de 14 Pilot 36a. Ainsi dans l'exemple de réalisation particulier illustré sur la figure 8, après avoir effectué une gravure de Pilot 36a en se servant d'un masque dur 81 comme masque de protection, on effectue une implantation de la couche isolante 35, en particulier à l'aide de carbone et/ou d'azote. [Revendication I] [Revendication 2]