FR 3089351 A1 20200605 FR 1872154 A 20181130 Description Titre de l'invention : DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODE ELECTROLUMINESCENTE EMETTANT DANS l'ULTRAVIOLET SUR LAQUELLE EST AGENCE UN DISPOSITIF OPTIQUE Domaine technique [0001] Le domaine technique de l'invention concerne celui de l'optoélectronique et plus par- ticulièrement celui des dispositifs optoélectroniques émettant dans l'ultraviolet. Notamment, l'invention concerne un dispositif optoélectronique comportant une diode électroluminescente configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente comprise dans l'ultraviolet. Technique antérieure [0002] 11 est connu d'utiliser de la lumière ultraviolette, c'est-à-dire un rayonnement électro- magnétique ultraviolet, pour réaliser de la désinfection. Pour cela, il peut être utilisé au moins une diode électroluminescente présentant, lors de son fonctionnement, un spectre d'émission ayant un pic dont la longueur d'onde est comprise dans l'ultraviolet. Bien entendu, pour qu'une telle diode électroluminescente soit efficace, on cherche à améliorer son rendement pour qu'il soit le plus élevé possible, notamment par amélioration de l'extraction de photons que la diode électroluminescente peut générer. [0003] Pour obtenir une diode électroluminescente à rendement élevé, il est connu de limiter le piégeage des photons dans les couches minces semi-conductrices de la diode électroluminescente par réflexion totale interne. Pour éviter ce phénomène de réflexion totale interne, il est connu une première technique consistant à rendre rugueuse la face, ou surface, d'émission de la diode électroluminescente, et une deuxième technique consistant à ajouter un dôme d'indice optique élevé par rapport à l'indice effectif de la diode électroluminescente, par exemple en époxy, sur la face d'émission de la diode électroluminescente. Ces première et deuxième techniques peuvent être utilisées seules ou en combinaison. Cependant, ces première et deuxième techniques ne sont pas adaptées aux diodes électroluminescentes émettant dans l'ultraviolet. Cette inadaptation vient notamment du fait : - que la structuration pour rendre rugueuse une couche semi-conductrice d'une diode électroluminescente émettant dans l'ultraviolet dégrade les propriétés électriques de cette couche : c'est-à-dire qu'il y a augmentation des recombinaisons non radiatives, et 2 - que l'époxy est fortement absorbant aux longueurs d'onde comprises dans Il en résulte l'inconvénient que les première et deuxième techniques susmentionnées ne sont pas adaptées pour être appliquées à une diode électroluminescente émettant dans l'ultraviolet. Il existe donc un besoin de trouver une solution permettant d'améliorer l'extraction de photons générés par une diode électroluminescente émettant dans l'ultraviolet. Le livre « 111-Nitride Ultraviolet Emitters : Technology and Applications » de Michacl Kneissl et Jens Rass, Springer Scries in Materials Science 227 décrit notamment en pages 13 à 15 les problématiques liées à l'extraction de photons d'un dispositif optoélectronique à diode électroluminescente émettant dans l'ultraviolet. [0004] Par ailleurs, il est connu du domaine technique de la désinfection par ultraviolets d'utiliser un rayonnement ultraviolet C (UV-C) combiné à rayonnement ultraviolet A (UV-A) pour améliorer la destruction des bactéries par exemple présentes dans l'air ou dans l'eau. L'UV-C permet de détruire les liaisons de l'ADN (Acide désoxyribonucléique) des bactéries soumises à cet UV-C. On pourrait donc croire que la seule utilisation de l'Ut/-C serait suffisante pour détruire les bactéries. Cependant, dans la pratique, les processus de réparation de l'ADN peuvent aller jusqu'à contrebalancer l'effet de destruction des liaisons de l'ADN, si bien qu'il peut être nécessaire, pour obtenir l'effet de désinfection recherché, de faire subir des dommages irréversibles aux bactéries. Ainsi, pour obtenir l'effet de désinfection recherché, il est connu de combiner l'effet de l'UV-C à celui de l'UV-A comme le décrit le document «Effect of coupled UV-A and UV-C LEDs on both microbiological and chemical pollution of urban wastewaters » de A.-C Chevremont et al. publié dans Science of the Total Environment 426 (2012), pages 304 à 310, par l'éditeur Elsevier. Une telle combinaison des effets de l'UV-C et de l'UV-A peut être obtenue en juxtaposant deux diodes électroluminescentes présentant des longueurs d'onde d'émission différentes. Il existe un besoin d'améliorer cette solution qui utilise deux diodes électroluminescentes distinctes. En effet, l'utilisation de deux diodes électroluminescentes pour générer l'UV-A et l'UV-C présente notamment l'inconvénient de nécessiter une alimentation électrique pour chacune des diodes électroluminescentes, compliquant ainsi la mise en oeuvre de la désinfection puisque cela nécessite de piloter indépendamment les deux diodes électroluminescentes. Objet de l'invention [0005] L'invention a pour but de permettre d'améliorer l'extraction de photons générés au sein d'un dispositif optoélectronique, notamment générés par une diode électrolumi- nescente à longueur d'onde d'émission comprise dans l'ultraviolet. Notamment, l'invention cherche à améliorer la désinfection en utilisant une diode électrolumi- 3 nescente émettant dans l'ultraviolet. [0006] A cet effet, l'invention est relative à un dispositif optoélectronique comportant une diode électroluminescente configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente comprise dans l'ultraviolet, ce dispositif optoélectronique étant caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif optique configure pour extraire des photons générés par la diode électroluminescente, ledit dispositif optique étant agencé sur une face d'émission de la diode électroluminescente, ledit dispositif optique comportant des particules transparentes à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente, de préférence lesdites particules transparentes sont en un matériau semi-conducteur. [0007] Un tel dispositif optoélectronique permet de tendre vers le but recherché dans le sens où son dispositif optique est, au moins en partie, transparent au rayonnement ultraviolet émis par la diode électroluminescente, et dans le sens où les particules transparentes permettent de conférer la forme souhaitée au dispositif optique, par exemple pour former une surface d'aspect rugueux, ou encore pour former un élément optique d'extraction de photons et de mise en forme d'un faisceau de photons à émettre par le dispositif optoélectronique. Un autre avantage des particules transparentes est qu'elles peuvent servir, comme il le sera vu par la suite, de matrice dans laquelle sont dispersées des particules dites de conversion permettant de convertir une partie du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente lors de son fonctionnement. Encore un autre avantage des particules transparentes est que la cohésion du dispositif optique peut être maintenue par des forces de van der Waals mises, par exemple, en oeuvre entre particules qu'elles soient transparentes ou non : la fabrication d'un tel dispositif optoélectronique peut donc être mise en oeuvre sans avoir besoin d'un recuit qui pourrait endommager les couches présentes au sein de la diode électroluminescente, le dispositif optoélectronique peut ainsi présenter une efficacité d'extraction de photons satisfaisante. [0008] Le dispositif optoélectronique peut en outre comporter une ou plusieurs des caracté- ristiques suivantes : - le dispositif optique comporte des particules de conversion configurées de sorte à émettre, par conversion d'une partie du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente, un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission des particules de conversion comprise dans l'ultraviolet et strictement supérieure à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente ; - la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente est choisie dans l'ultraviolet C, et la longueur d'onde d'émission des particules de conversion est choisie dans l'ultraviolet A ; - le dispositif optique a la forme d'un dôme, d'un cône ou d'une pyramide ; - le dispositif optique comporte une pluralité de structures, ces structures étant agencées sur la face d'émission de la diode électroluminescente, chacune des structures comportant une partie des particules transparentes ; - les structures comportent chacune une partie des particules de conversion ; - le dispositif optique comporte un élément optique et des structures, les structures étant agencées sur la face d'émission de la diode électroluminescente, l'élément optique étant agencé sur les structures, l'élément optique comporte les particules de conversion, les particules transparentes étant réparties de telle sorte que : les structures comportent chacune des particules transparentes, et l'élément optique comporte des particules transparentes ; - le dispositif optique comporte un élément optique et des structures, les structures étant agencées sur la face d'émission de la diode électroluminescente, l'élément optique étant agencé sur les structures, et les particules de conversion sont réparties de sorte que les structures comportent chacune des particules de conversion, les particules transparentes étant réparties de sorte que l'élément optique comporte des particules transparentes et que les structures comportent des particules transparentes ; - le dispositif optique comporte un élément optique et des structures, les structures étant agencées sur la face d'émission de la diode électroluminescente, l'élément optique étant agencé sur les structures, les structures comportant uniquement les particules de conversion et l'élément optique comportant les particules transparentes ; - les particules transparentes sont chacune en nitrure d'aluminium ; - les particules de conversion sont chacune en nitrure de gallium ; - chacune des particules transparentes présente une taille strictement inférieure à ?J(2 x n), avec n l'indice optique du matériau des particules transparentes, et X la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente ; - chacune des particules de conversion présente une taille strictement inférieure à 1./(2 x n,), avec ni l'indice optique du matériau des particules de conversion, et X la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente ; - la cohésion du dispositif optique est assurée par des liaisons van der Waals. [0009] L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication d'un dispositif optoélec- tronique, notamment tel que décrit. Un tel procédé de fabrication comporte une étape de fourniture de la diode électroluminescente et une étape de formation du dispositif optique. L'étape de formation du dispositif optique comporte une étape de dépôt d'une solution au moins au-dessus de la face d'émission de la diode électroluminescente, ladite solution comportant un solvant et au moins une partie des particules transparentes. L'étape de formation du dispositif optique comporte une étape d'évaporation du solvant de la solution déposée pour former au moins une partie du dispositif optique. [0010] Selon une réalisation particulière du procédé de fabrication, la solution déposée au moins au-dessus de la face d'émission est une première solution comportant une première partie des particules transparentes du dispositif optique à former. L'étape de formation du dispositif optique comporte une étape de mise en forme de la première solution déposée. Il résulte de l'étape de mise en forme de la première solution déposée et de l'étape d'évaporation du solvant de la première solution déposée, une formation d'une première partie du dispositif optique comportant des structures. L'étape de formation du dispositif optique comporte une étape de dépôt d'une deuxième solution sur les structures en vue de former une deuxième partie du dispositif optique, la deuxième solution comportant un solvant et une deuxième partie des particules transparentes du dispositif optique à former. L'étape de formation du dispositif optique comporte une étape d'évaporation du solvant de la deuxième solution déposée pour former la deuxième partie du dispositif optique. Selon cette réalisation particulière, la première solution, ou la deuxième solution, comporte des particules de conversion configurées de sorte à émettre, par conversion d'une partie du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente, un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission des particules de conversion comprise dans l'ultraviolet et strictement supérieure à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente. Description sommaire des dessins [0011] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui suit, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins annexés et listés ci-dessous. [0012] [fig.1] La figure 1 illustre une vue en coupe transversale d'un dispositif optoélectronique selon un mode de réalisation particulier de l'invention. [0013] [fig.2] La figure 2 illustre une vue en coupe transversale du dispositif optoélectronique selon un autre mode de réalisation particulier de l'invention. [0014] [fig.3] La figure 3 illustre une vue en coupe transversale du dispositif optoélectronique selon encore un autre mode de réalisation particulier de l'invention. [0015] [fig.4] La figure 4 illustre, vue en coupe, une portion d'un dispositif optique du dispositif optoélectronique montrant que, selon une réalisation, ce dernier comporte un as- semblage de particules transparentes. [0016] [fig.5] 6 La figure 5 illustre, vue en coupe, une portion du dispositif optique du dispositif opto- électronique montrant. que, selon une réalisation, ce dernier comporte un assemblage de particules transparentes et de particules de conversion. [0017] [fig.6] La figure 6 illustre une étape d'un procédé de fabrication du dispositif optoélec- tronique. [0018] [fig.7] La figure 7 illustre une étape du procédé de fabrication réalisée en vue de former des structures du dispositif optique. [0019] [fig.8] La figure 8 illustre une étape du procédé de fabrication permettant de former les structures du dispositif optique après l'étape représentée en figure 7. [0020] [fig.9] La figure 9 illustre une étape du procédé de fabrication réalisée en vue de former le dispositif optoélectronique représenté en figure 1. [0021] [fig.10] La figure 10 illustre, selon une alternative à la figure 9, unc étape du procédé de fa- brication réalisée en vue de former le dispositif optoélectronique représenté en figure 1. [0022] [fig.11] La figure 11 illustre une étape du procédé de fabrication mise en oeuvre après celle représentée en figure 10. [0023] [fig.12] La figure 12 illustre une étape du procédé de fabrication réalisée en vue de former le dispositif optoélectronique représenté en figure 3. [0024] [fig.13] La figure 13 illustre, selon une alternative à la figure 12, une étape du procédé de fa- brication réalisée en vue de former le dispositif optoélectronique représenté en figure 3. [0025] Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. [0026] Par ailleurs, les éléments représentés sur les figures ne sont pas nécessairement à l'échelle pour faciliter la compréhension de ces figures. Description des modes de réalisation [0027] Dans la présente description, lorsqu'il est évoqué « un rayonnement électroma- gnétique selon une longueur d'onde », on entend que cette longueur d'onde est celle du pic du spectre d'émission de ce rayonnement électromagnétique. Le pic du spectre 7 d'émission correspond donc à une valeur de longueur d'onde à laquelle est émise la plus importante partie du rayonnement électromagnétique concerné. Par ailleurs, lorsque l'on parle « d'une longueur d'onde d'émission » d'un système émissif comme une diode électroluminescente, ou des particules de conversion, il s'agit d'une longueur d'onde à laquelle un rayonnement électromagnétique peut être émis par cc système émissif. Ce rayonnement électromagnétique présente, lorsqu'il est émis par le système émissif, une longueur d'onde égale à la longueur d'onde d'émission. [0028] Comme illustré à titre d'exemple en figures 1 à 3, l'invention est relative à un dispositif optoélectronique 100 comportant une diode électroluminescente 101 configure° pour émettre un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101 comprise dans l'ultraviolet, de préférence comprise entre 100 nm et 400 nm. Par ailleurs, le dispositif optoélectronique 100 comporte un dispositif optique 102 d'extraction de photons générés par la diode électroluminescente 101, autrement dit le dispositif optique 102 est configuré pour extraire des photons générés par la diode électroluminescente 101 de manière efficace. Le cas échéant, comme cela sera décrit par la suite, le dispositif optique 102 peut aussi assurer une conversion de fréquence pour permettre la génération d'un rayonnement de plus basse fréquence optique que le rayonnement émis par la diode électroluminescente 101. Cc dispositif optique 102 est agencé sur une face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101. Plus précisément, le dispositif optique 102 est en contact avec la face d'émission 103 pour assurer l'extraction de photons générés par la diode électroluminescente 101 lors de son fonctionnement. La face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101, aussi appelée face émissive, correspond notamment à une face par laquelle il est souhaité le passage d'une majorité des photons s'échappant de la diode électroluminescente 101 et générés par la diode électroluminescente 101, notamment dans une région active de cette dernière, lors de son fonctionnement. Le dispositif optique 102 est donc configuré pour exacerber l'extraction de photons générés par la diode électroluminescente 101 lors de son fonctionnement. Le dispositif optique 102 peut aussi permettre, le cas échéant, de coopérer avec la diode électroluminescente 101 pour mettre en forme un faisceau de photons avec ou sans conversion de ces photons comme cela sera vu par la suite. Le dispositif optique 102 comporte en outre des particules transparentes 104 (figures 4 et 5) au rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101, ces particules transparentes 104 participent notamment à l'amélioration de l'extraction de photons générés par la diode électroluminescente vers l'extérieur du dispositif optoélectronique 100. Par « particules transparentes 104 au rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101 », il est notamment entendu que ces particules transparentes 104 sont transparentes à la longueur d'oncle d'émission de la diode électroluminescente 8 101. Cette transparence des particules transparentes 104 est nécessaire pour permettre à au moins une partie des photons générés par la diode électroluminescente 101 de traverser le dispositif optique 102 contrairement à l'époxy de l'art antérieur qui n'est pas transparent aux ultraviolets. Les particules transparentes 104 sont en un matériau transparent comme, par exemple, un matériau semi-conducteur en particulier d'énergie de bande interdite strictement supérieure à l'énergie des photons émis par la diode électroluminescente 101. De telles particules transparentes 104 présentent l'avantage d'améliorer l'extraction de photons du rayonnement électromagnétique, de type ultraviolet, émis par la diode électroluminescente 101, sans notamment avoir à former de couche massive (« hulk layer » en langue anglais) en ce matériau dont le dépôt et l'éventuelle structuration seraient susceptibles d'endommager la diode électroluminescente 101 qui pourrait alors présenter un rendement dégradé. Par ailleurs, l'utilisation de particules transparentes 104 permet de structurer le dispositif optique 102 de manière adaptée sans nécessiter d'étapes technologiques réalisées à une température strictement supérieure à 200°C qui pourraient endommager la diode électroluminescente 101 : il en résulte que le dispositif optoélectronique 100 présente un bon rendement. Les particules transparentes 104 peuvent être utilisées pour former, par exemple, au moins en partie un élément optique 105 (figures 1 et 3), par exemple se présentant sous la forme d'un dôme, sur la diode électroluminescente 101 et/ou au moins en partie des structures 106 (figures 2 et 3) sur la face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101. En figure 1, l'élément optique 105 constitue le dispositif optique 102. En figure 2, les structures 106 constituent le dispositif optique 102. En figure 3, le dispositif optique 102 comporte les structures 106 et l'élément optique 105. Cet élément optique 105 et/ou ces structures 106 permettent d'éviter aux photons générés au sein du dispositif optoélectronique 100 de se réfléchir vers l'intérieur de la diode électroluminescente 101. Pour éviter cette réflexion interne, les particules transparentes 104 au contact de la diode électroluminescente 101 sont notamment en un matériau d'indice optique supérieur ou égal à l'indice effectif de la diode électroluminescente 101. En particulier, le dispositif optique 102 comporte une surface extérieure adaptée pour éviter à un photon de se retrouver en condition de réflexion totale. Par exemple, la forme de dôme de l'élément optique 105 permet à un photon, quel que soit son incidence, de rencontrer un dioptre quasiment normal à sa direction de propagation pour éviter sa réflexion interne au sein de l'élément optique 105. L'élément optique 105 est aussi préférentiellement configuré pour mettre en forme un faisceau à émettre par le dispositif optoélectronique 100, ce faisceau comportant des photons générés par le dispositif optoélectronique 100 par exemple par la diode électroluminescente 101, ou par la diode électroluminescente 101 et dans le dispositif optique 102. 9 [0029] Pour permettre la transparence recherchée, le matériau semi-conducteur formant les particules transparentes 104 peut être tel qu'il présente un gap, aussi appelé bande interdite dans le domaine de la microélectronique, strictement supérieur à l'énergie des photons du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101. Cette énergie des photons émis/générés par la diode électroluminescente 101 est celle des photons ultraviolets. L'avantage d'utiliser un matériau semi-conducteur permet, selon son choix, de laisser passer des photons générés par la diode électroluminescente 101. Ainsi, le matériau semi-conducteur des particules transparentes 104 présente l'avantage d'assurer la transparence recherchée à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101. Par ailleurs, un avantage d'utiliser des particules transparentes 104 en matériau semi-conducteur est que de telles particules peuvent être déposées lors de la fabrication du dispositif optoélectronique 100 selon des méthodes simples à mettre en oeuvre comme par exemple la centrifugation ou le dépôt d'une goutte : en ce sens, le dispositif optoélectronique 100 décrit peut aisément être fabriqué, notamment sans présenter l'inconvénient de dégrader la diode électroluminescente 101 lors de la formation du dispositif optique 102. [0030] Par ailleurs, le matériau, notamment semi-conducteur, des particules transparentes 104 présente préférentiellement un indice optique (aussi appelé indice de réfraction) supérieur ou égal à l'indice effectif de la diode électroluminescente 101 pour améliorer l'extraction des photons générés par la diode électroluminescente 101. L'indice effectif de la diode électroluminescente correspond à l'indice optique que voit le mode optique se propageant dans la diode électroluminescente 101: ainsi, l'indice effectif de la diode électroluminescente 101 est compris entre le plus petit et le plus grand des indices optiques des couches semi-conductrices de la diode électroluminescente 101. Par ailleurs, en considérant que le dispositif optique 102 présente un indice effectif correspondant à l'indice optique que voit le mode optique se propageant dans le dispositif optique 102 (compris notamment entre le plus grand et le petit des indices optiques de ce qui compose le dispositif optique 102), cet indice effectif du dispositif optique 102 est notamment supérieur ou égal à l'indice effectif de la diode électroluminescente 101 afin d'assurer une extraction convenable de photons générés par la diode électroluminescente 101. [0031] Selon une réalisation particulière, les particules transparentes 104 comportent chacune du nitrure d'aluminium (par exemple A1N), et sont préférentiellement chacune en nitrure d'aluminium. Chaque particule transparente 104 peut présenter une taille de 5 nm, et peut présenter une densité de 3,26 g/cm3. Ces caractéristiques des particules transparentes 104, prises isolément ou en combinaison, sont tout particulièrement adaptées dans le cadre du dispositif optique 102 tel que décrit, notamment pour conformer le dispositif optique 102 selon toute forme adaptée. Le nitrure d'aluminium est tout particulièrement adapté lorsque la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101 est dans l'ultraviolet, notamment comprise dans l'UV-C (ultraviolet C), mais également dans l'ultraviolet B (UV-B) ou dans l'ultraviolet A (UV-A). Alternativement, les particules transparentes 104 peuvent comporter du, ou être en, oxyde d'aluminium (par exemple de formule A1203), cependant le nitrure d'aluminium est préféré car son indice optique est plus élevé que celui de l'oxyde d'aluminium. [0032] Les particules transparentes 104 peuvent participer à former directement le dispositif optique 102 ou une partie de ce dernier dont la rugosité (par exemple d'amplitude strictement supérieure à 1/10 de la longueur d'onde du rayonnement émis dans la diode électroluminescente 101) permet d'exacerber l'extraction de photons tout en évitant de mettre en oeuvre une modification de la surface d'une couche semi-conductrice de la diode électroluminescente 101 ultérieurement à son dépôt qui aurait pour conséquence de dégrader ses propriétés électriques. [0033] Il a été évoqué dans la partie relative à l'état de la technique que, pour une ap- plication de désinfection cherchant à détruire des bactéries, il pouvait être avantageux d'émettre des rayonnements ultraviolets selon deux longueurs d'onde différentes. Il existe donc un besoin de trouver une solution permettant une telle émission. Pour répondre à ce besoin, il pourrait être envisagé de coupler une diode UV-A et une diode UV-C comme l'enseigne le document « Effect of coupled UV-A and UV-C LEDs on both microbiological and chemical pollution of urban wastewaters » de A.-C Chevremont et al. publié par l'éditeur Elsevier dans Science of the Total Environnent 426 (2012) pages 304 à 310. Cependant, une telle solution nécessite la présence de deux diodes électroluminescentes distinctes, donc de deux systèmes d'alimentation électrique de ces diodes électroluminescentes. Pour éviter d'avoir recours à deux diodes distinctes pour réaliser l'émission d'UV-A et d'UV-C, une solution préférée est d'intégrer au dispositif optique 102 des particules de conversion 107 (visibles en figure 5). Ainsi, le dispositif optique 102 peut comporter des particules de conversion 107 configurées de sorte à émettre, par conversion d'une partie du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101, un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission des particules de conversion 107 comprise dans l'ultraviolet et strictement supérieure à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101. Autrement dit, le rayonnement électromagnétique émis par les particules de conversion 107 lors du fonctionnement de la diode électroluminescente 101 présente une longueur d'onde comprise dans l'ultraviolet et strictement supérieure à la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101. Ainsi, il est possible de convertir une partie des photons émis par la diode électroluminescente 101 lors de son fonctionnement. L'utilisation de 11 particules de conversion 107 permet de n'utiliser qu'une seule diode électroluminescente 101 qui, en association avec le dispositif optique 102, permet au dispositif optoélectronique 100 d'émettre deux rayonnements électromagnétiques à pics d'émission distincts. Ainsi, le faisceau émis par le dispositif optoélectronique 100 peut comporter des photons de deux rayonnements électromagnétiques présentant des longueurs d'ondes différentes. [0034] De préférence, la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101 est choisie dans ruv-c, et la longueur d'onde d'émission des particules de conversion 107 est choisie dans l'UV-A. Ainsi, il est possible, d'une part, de détruire des liaisons d'ADN (effet de l'UV-C) des bactéries, et d'autre part de détruire la membrane des cellules des bactéries contenant l'ADN à détruire (effet de l'UV-A) pour éviter à l'ADN de se reconstruire. De préférence, pour réaliser cette double destruction, la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101 est comprise entre 230 nm et 300 nm, notamment la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101 est égale à 265 nm. De préférence, pour réaliser cette double destruction, la longueur d'onde d'émission des particules de conversion 107 est comprise entre 300nm et 400 nm, notamment la longueur d'onde d'émission des particules de conversion 107 est égale à 365 nm. [0035] Les particules de conversion 107 permettent notamment, par pompage optique, une conversion vers une longueur d'onde strictement supérieure à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101 lorsqu'elles reçoivent le rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101. Ainsi, un tel dispositif optoélectronique 100 présente l'avantage de former deux sources aptes à émettre respectivement deux rayonnements électromagnétiques de longueurs d'onde différentes grâce à une seule alimentation électrique alimentant la diode électroluminescente 101. La diode électroluminescente 101 forme l'une de ces deux sources et les particules de conversion 107 forment l'autre de ces deux sources. Les flux de photons issus des deux rayonnements électromagnétiques peuvent être calibrés en fonction du type de diode électroluminescente 101 utilisée, et de la composition en particules transparentes 104 et en particules de conversion 107 du dispositif optique 102. [0036] Les particules de conversion 107 peuvent comporter chacune du, ou sont chacune en, nitrure de gallium (par exemple de formule GaN). De telles particules de conversion 107 sont tout particulièrement adaptées pour émettre un rayonnement ultraviolet de longueur d'onde plus élevée que celle du rayonnement ultraviolet ayant excité lesdites particules de conversion 107 comme le décrit le document « Simple synthesis of GaN nanoparticles from gallium nitrate and ammonia aqueous solution under a flow of ammonia gas » de Ferry Iskandar et al. publié dans Materials Letters 60 (2006) 73-76 par l'éditeur Elsevier. De manière plus générale, les particules de conversion 107 12 peuvent être formées chacune en un matériau semi-conducteur tel qu'il présente un gap strictement inférieur à l'énergie des photons du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101, et correspondant à l'énergie des photons à émettre par les particules de conversion 107. Selon une réalisation préférée permettant de mettre en oeuvre la conversion d'UV-C en UV-A, les particules transparentes 104 sont chacune en nitrure d'aluminium et les particules de conversion 107 sont chacune en nitrure de gallium. Alternativement, les particules transparentes 104 peuvent être chacune en oxyde d'aluminium. [0037] Un avantage du dispositif optique 102 comportant les particules transparentes 104 et les particules de conversion 107 est que les particules de conversion 107 peuvent être dispersées au sein d'un ensemble, aussi appelée matrice, de particules transparentes 104 telles que décrites. Ainsi, les particules transparentes 104 permettent, lors de la fabrication du dispositif optoélectronique 100, de contrôler le nombre de particules de conversion 107 et la répartition des particules de conversion 107 au sein du dispositif optique 102. Ceci permet d'ajuster la proportion de photons, du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101 lors de son fonctionnement, transformés en photons du rayonnement électromagnétique émis par les particules de conversion 107. Bien entendu, sachant cela, l'homme du métier est à même d'adapter : - la quantité et les dimensions des particules de conversion 107 au sein du dispositif optique 102, - la quantité et les dimensions des particules transparentes 104 au sein du dispositif optique 102, - les dimensions du dispositif optique 102, le tout en fonction du flux de photons UV-A et du flux de photons UV-C souhaités à émettre par le dispositif optoélectronique 100. [0038] Notamment, les particules de conversion 107 peuvent présenter chacune une taille comprise entre 5 nm et 100 nm. Cette taille est tout particulièrement adaptée pour l'application de conversion du rayonnement émis par la diode électroluminescente 101. Cette gamme de taille pour les particules de conversion 107 est tout particulièrement adaptée pour permettre de contrôler, le cas échéant, le mélange de ces particules de conversion avec les particules transparentes, notamment lorsque les particules transparentes 104 sont de taille similaire à la taille des particules de conversion 107. [0039] Dans la présente description, la taille d'une particule (transparente ou de conversion) est notamment sa dimension maximale. Notamment, la particule présente une taille telle qu'elle est incluse dans une sphère dont le diamètre est égale à cette taille. De préférence, chaque particule visée dans la présente description adopte la forme d'une sphère. Les particules décrites sont notamment des nanoparticules pouvant adopter la forme de billes. 13 [0040] Pour permettre au dispositif optoélectronique 100 d'émettre un flux de photons générés par les particules de conversion 107, les particules transparentes 104 sont aussi transparentes au rayonnement électromagnétique émis par les particules de conversion 107. Ainsi, le cas échéant, le matériau semi-conducteur formant ces particules transparentes 104 est tel qu'il présente un gap strictement supérieur à l'énergie des photons du rayonnement électromagnétique émis par les particules de conversion 107 lors du fonctionnement de la diode électroluminescente 101. [0041] Il est connu que pour exacerber l'extraction de photons, il est possible d'utiliser un encapsulant adapté à la diode électroluminescente, ou de rendre rugueuse une surface d'une couche dans laquelle se déplacent les photons. L'utilisation de particules transparentes 104, ou de particules transparentes 104 et de particules de conversion 107, permet cela dans le cas particulier d'une diode électroluminescente 101 émettant dans l'ultraviolet : il suffit alors d'agencer les particules pour obtenir une forme adaptée et/ ou une composition adaptée du dispositif optique 102. Dans le cadre de la conversion par les particules de conversion 107, la porosité du dispositif optique 102 (conférée par la présence d'interstices entre les particules), la forme et la rugosité de surface du dispositif optique 102 conférées par l'assemblage des particules vont permettre de réduire le piégeage des photons issus des particules de conversion 107. En particulier, les figures 1 à 3 illustrent différentes possibilités de réalisation du dispositif optoélectronique 100. Le cas échéant, le dispositif optique 102 permet d'exacerber : - l'extraction de photons émis par la diode électroluminescente 101 vers l'extérieur du dispositif optoélectronique 100, ou - l'extraction de photons émis par la diode électroluminescente 101 et par les particules de conversion 107 vers l'extérieur du dispositif optoélectronique 100. [0042] Selon une réalisation, en particulier illustrée en figure 1, le dispositif optique 102 permet de transmettre le rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101, notamment en convertissant une partie de ce rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101 en cas de présence de particules de conversion 107 dans le dispositif optique 102 aussi appelé élément optique 105 selon cette réalisation. Pour assurer cette fonction de transmission, le dispositif optique 102, ou l'élément optique 105, peut avoir la forme d'un dôme 105, d'une pyramide ou d'un cône. Notamment, le dôme peut être sphérique et adopter la forme d'une demi-sphère. Notamment, la pyramide peut présenter une base formée par un polygone, par exemple un triangle, un carré ou un hexagone. D'autres formes de la base de la pyramide peuvent être envisagées. La pyramide peut être tronquée. Ici, la forme est notamment une forme dite « extérieure » du dispositif optique 102 conférée par sa surface extérieure distante de la diode électroluminescente 101. De préférence, le dispositif optique 102 encapsule une partie de la diode électroluminescente 101. De préférence, 14 ce dispositif optique 102 comporte, ou est constitué par, les particules transparentes 104 au rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101. Notamment, les particules transparentes 104 sont rendues solidaires les unes des autres par liaisons van der Waals. Le dispositif optique 102, notamment sous la forme de dôme, peut optimiser la transmission de puissance, c'est-à-dire l'extraction de photons, depuis sa surface extérieure, en particulier grâce à l'assemblage des particules qui le compose et qui peuvent permettre d'augmenter le nombre de facettes du dispositif optique 102 et/ou la rugosité de sa surface extérieure pour améliorer l'extraction de photons. Par exemple, pour un dôme, sa surface extérieure correspond à sa surface arrondie opposée à la diode électroluminescente 101. Par ailleurs, un tel dispositif optique 102 permet aussi de participer à la mise en forme du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101 et passant au travers du dispositif optique 102 selon un faisceau de photons souhaité. Le dispositif optique 102, par exemple en forme de dôme 105, peut recouvrir la diode électroluminescente 101, notamment de telle sorte à faciliter l'extraction de photons depuis des faces latérales 101a, 101b (figure 1) de la diode électroluminescente 101 distinctes de sa face d'émission 103 : il est alors possible de maximiser la quantité de photons extraits du dispositif optoélectronique 100. Ici, le dispositif optique 102 peut comporter uniquement les particules transparentes 104, ou le cas échéant les particules transparentes 104 et les particules de conversion 107. [0043] Selon une autre réalisation, comme par exemple illustrée en figure 2, le dispositif optique 102 comporte une pluralité de structures 106. Ces structures 106 sont agencées sur la face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101. Chacune de ces structures 106 comporte une partie des particules transparentes 104. Autrement dit, les particules transparentes 104 du dispositif optique 102 sont réparties au sein des différentes structures 106. Ces structures 106 peuvent être des pyramides micrométriques notamment constituées de, ou comportant les, particules transparentes 104. Le sommet de chacune des pyramides est à distance de la diode électroluminescente 101 alors que la base de chacune des pyramides peut être en contact avec la diode électroluminescente 101. Par « pyramides micrométriques », on entend que ces pyramides présentent des dimensions notamment comprises entre 0,5 mm et 10 mm. En fait, les structures 106 peut être agencées de sorte à former une couche de structures 106 se rejoignant sur la face d'émission 103. De telles structures 106 sont configurées pour améliorer l'extraction lumineuse (lumière ultraviolette) de la diode électroluminescente 101 notamment en facilitant le passage de photons émis par la diode électroluminescente 101 au travers de la couche de structures 106 tout en limitant le retour des photons par réflexion interne vers la diode électroluminescente 101. Toute forme de structure 106 permettant la fonction d'extraction visée ci-dessus peut être utilisée. Dans le cas où la conversion n'est pas souhaitée, les structures 106 sont constituées par les particules transparentes 104. Dans le cas où la conversion d'une partie du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente est souhaitée, les structures 106 comportent chacune une partie des particules transparentes 104 et une partie des particules de conversion 107 (les particules de conversion 107 sont alors réparties dans les structures 106). Les structures 106 sont de préférence identiques. La formation d'une pluralité de structures permet ici d'augmenter le nombre de facettes du dispositif optique 102 pour améliorer l'extraction de photons vers l'extérieur du dispositif optoélectronique 100. [0044] En figure 3, le dispositif optique 102 est une combinaison des structures 106, notamment telles que décrites précédemment, avec un élément optique 105, notamment tel que décrit précédemment. Autrement dit, le dispositif optique 102 peut comporter l'élément optique 105 et les structures 106, les structures 106 étant agencées sur la face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101, l'élément optique 105 étant agencé sur les structures 106. Ainsi, on comprend qu'en figure 3, le dispositif optique 102 comporte deux parties, l'une formée par les structures 106, et l'autre formée par l'élément optique 105, notamment l'une de ces parties comporte à la fois une première partie des particules transparentes 104 et les particules de conversion 107 et l'autre de ces parties comporte une deuxième partie des particules transparente 104. Notamment, les structures 106 présentent ici l'avantage de favoriser au moins le passage de photons générés par la diode électroluminescente 101 vers l'élément optique 105, et le cas échéant le passage de photons générés par les particules de conversion 107 présentes dans les structures 106 vers l'élément optique 105. Par ailleurs, l'élément optique 105 permet notamment de mettre en forme un faisceau de photons émis par le dispositif optoélectronique 100, ce faisceau de photons comportant des photons du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente 101 et des photons du rayonnement électromagnétique émis par les particules de conversion 107. Par ailleurs, la surface extérieure de l'élément optique 105 délimitée par des portions de particules (notamment transparentes, ou transparentes et de conversion) participe aussi à l'amélioration de l'extraction des photons générés au sein du dispositif optoélectronique. [0045] Selon une réalisation particulière de la combinaison de l'élément optique 105 avec les structures 106, l'élément optique 105 comporte les particules de conversion 107 et les particules transparentes 104 sont réparties de telle sorte que les structures 106 comportent chacune des particules transparentes 104 et que l'élément optique 105 comporte des particules transparentes 104. Autrement dit, les particules transparentes 104 sont réparties dans les structures 106 et dans l'élément optique 105. De préférence, les structures 106 comportent ici uniquement des particules transparentes 104. Une 16 telle répartition des particules de conversion 107 et des particules transparentes 104 est avantageuse dans le sens où le volume de l'élément optique 105, strictement supérieur au volume de chacune des structures 106, permet de contrôler plus facilement, du fait de cc volume plus important, la proportion de particules de conversion 107 dans l'élément optique 105 en comparaison au cas où ces particules de conversion 107 serait placées dans les structures 106. [0046] Selon une autre réalisation particulière de la combinaison de l'élément optique 105 avec les structures 106, les particules de conversion 107 sont réparties de sorte que les structures 106 comportent chacune des particules de conversion 107. Les particules transparentes 104 sont alors réparties de sorte que l'élément optique 105 comporte des particules transparentes 104 et que les structures 106 comportent des particules transparentes 104. Autrement dit, les particules transparentes 104 sont réparties dans les structures 106 et dans l'élément optique 105. De préférence, l'élément optique 105 comporte ici uniquement des particules transparentes 104. Cette réalisation permet un meilleur couplage entre le rayonnement émis par la diode électroluminescente 101 et les particules de conversion 107 contenues dans les structures formées au contact de la face d'émission 103: ainsi l'efficacité du dispositif optique 102 est améliorée. [0047] Selon encore une autre réalisation particulière de la combinaison de l'élément optique 105 avec les structures 106, les structures 106 comportent uniquement les particules de conversion 107 et l'élément optique 105 comporte les particules transparentes 104. Cette réalisation est notamment adaptée pour réaliser une conversion efficace. [0048] Selon la combinaison des structures 106 avec l'élément optique 105, la forme, notamment dite « forme extérieure » du dispositif optique 102 peut être telle que décrite précédemment. En particulier, le dispositif optique 102, notamment l'élément optique 105, peut avoir la forme d'un dôme, d'une pyramide, ou d'un cône. [0049] De manière générale, applicable notamment aux différentes réalisations illustrées en figures 1 à 5, la cohésion du dispositif optique 102 est assurée par des liaisons van der Waals. Par « cohésion du dispositif optique 102 », on entend qu'il se comporte comme une pièce dont les éléments (ici les particules) sont attachés les uns aux autres par liaisons van der Waals. Autrement dit, les particules transparentes 104, ou les particules transparentes 104 et les particules de conversion 107 sont liées entre elles par des liaisons van der Waals. Plus particulièrement pour tout couple de particules en contact, il est formé une liaison van der Waals entre ces particules du couple, que ces particules du couple soient deux particules transparentes 104, deux particules de conversion 107, ou une particule de conversion 107 et une particule transparente 104. Notamment, le dispositif optique 102 est constitué de particules transparentes 104 et de particules de conversion 107 notamment liées entre elles par des liaisons van der 17 Waals. L'avantage d'avoir un dispositif optique 102 dont la cohésion est assurée par des liaisons van der Waals est qu'il n'est pas nécessaire de mettre en oeuvre un recuit à une température élevée risquant de détériorer la diode électroluminescente 101 pour former ce dispositif optique 102. [0050] De préférence, chacune des particules transparentes 104 présente une taille strictement inférieure à ?J(2 x n), avec n l'indice optique du matériau des particules transparentes 104, et K la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101. Ceci présente l'avantage d'améliorer l'extraction des photons générés par la diode électroluminescente 101 et, le cas échéant, des photons générés par les particules de conversion 107 vers l'extérieur du dispositif optoélectronique 100, notamment au contact entre la surface extérieure du dispositif optique 102 avec de l'air. [0051] De préférence, chacune des particules de conversion 107 présente une taille strictement inférieure à ?J(2 x n1), avec ni l' indice optique du matériau des particules de conversion 107, et k la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente 101. Ceci permet d'améliorer l'absorption, par ladite particule de conversion 107, de photons générés par la diode électroluminescente 101. [0052] Les conditions données ci-dessus relativement à la taille des particules de conversion ou transparentes en fonction de la longueur d'onde d'émission de la diode permettent à l'ensemble des particules présentes dans le dispositif optique 102 de se comporter comme un milieu homogène pour la propagation des photons. [0053] Le dispositif optique 102 peut coopérer avec tout type de diode électroluminescente 101 apte à émettre dans l'ultraviolet (notamment dans l'UV-C) par une ou plusieurs faces d'émission, chaque face d'émission étant alors en contact avec le dispositif optique tel que décrit qui vient notamment englober la diode électroluminescente 101. Par exemple, la diode électroluminescente peut être à base de nitrure d'aluminium et de gallium. [0054] On comprend de ce qui a été décrit précédemment que lorsque le dispositif optique 102 comporte des particules de conversion 107, il permet aussi d'exacerber l'extraction de photons générés par ces particules de conversion 107 vers l'extérieur du dispositif optique 102, notamment selon une direction s'éloignant de la diode électroluminescente 101. [0055] Le dispositif optique 102 peut comporter des interstices, notamment remplis d'air, formés entre les particules (notamment transparentes et, le cas échéant, de conversion) qui le compose. Ces interstices sont notamment présents dans les structures 106 et/ou dans l'élément optique 105. De préférence, on cherche à limiter la présence de ces interstices en choisissant une taille adaptée des particules pour éviter de réduire de manière trop importante l'indice effectif du dispositif optique 102. Dans le cas où le dispositif optique 102 comporte les particules transparentes 104 et les particules de 18 conversion 107, la présence d'interstices, notamment remplis d'air, entre les particules, qu'elles soient de conversion ou transparentes, permet de diminuer l'indice effectif du dispositif optique 102 et de générer de la diffusion optique pour réduire le piégeage du rayonnement émis par les particules de conversion 107. [0056] L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication d'un dispositif optoélec- tronique 100, notamment tel que décrit. En particulier, le procédé de fabrication comporte une étape de fourniture de la diode électroluminescente 101 (figure 6) par exemple formée sur un substrat 108 (aussi représenté en figures 1 à 3 et 7 à 13), notamment un substrat 108 semi-conducteur. Cette diode électroluminescente 101 peut avoir été fabriquée au préalable par des techniques classiques de la microélectronique. Par ailleurs, le procédé de fabrication comporte une étape de formation du dispositif optique 102 comportant une étape de dépôt d'une solution 109 (figures 7, 9 et 10) au moins au-dessus de, ou sur au moins, la face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101 fournie par exemple selon la figure 6. Cette solution 109 comporte un solvant (par exemple de l'eau ou de l'éthanol) et au moins une partie des particules transparentes 104. Le cas échéant, la solution 109 déposée peut aussi comporter les particules de conversion 107. Ensuite, l'étape de formation du dispositif optique 102 peut comporter une étape d'évaporation du solvant de la solution 109 déposée pour former au moins une partie du dispositif optique 102. Par exemple, l'évaporation du solvant de la solution 109 déposée en figure 9 permet d'obtenir le dispositif optique 102 sous forme de dôme tel que représenté en figure L Par exemple, l'évaporation du solvant de la solution 109 déposée en figure 7, après sa mise en forme (figure 8), permet d'obtenir les structures 106 telles que visibles en figure 2. Par exemple, l'évaporation du solvant de la solution 109 déposée en figure 10, après sa mise en forme (figure 11), permet d'obtenir le dispositif optique 102 sous forme de dôme tel que représenté en figure 1. De manière générale, l'évaporation du solvant de la solution 109 déposée est avantageuse car elle ne requiert pas l'utilisation de températures susceptibles d'endommager la diode électroluminescente 101, l'étape d'évaporation du solvant de la solution 109 déposée est préférentiellement réalisée à température ambiante, ou à 100°C pour limiter le temps d'évaporation. Plus généralement, l'étape d'évaporation du solvant de la solution 109 déposée est réalisée à une température comprise entre 25°C et 100°C pour éviter la détérioration de la diode électroluminescente 101. L'utilisation de la solution 109 comportant des particules transparentes 104, et éventuellement des particules de conversion 107, permet d'obtenir soit le dispositif optique 102 soit une partie de ce dernier avec une répartition adaptée des particules qu'il comporte. [0057] Selon une première réalisation de ce procédé de fabrication, la solution 109 déposée sur la face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101 permet de former le 19 dispositif optique 102 notamment dans son intégralité. [0058] Par exemple, selon cette première réalisation du procédé de fabrication, l'étape de dépôt de la solution 109 est mise en oeuvre par le dépôt d'une goutte de la solution 109 (figure 9), notamment sur le substrat 108 et sur la face d'émission 103, dont le séchage par évaporation du solvant qu'elle contient permet d'obtenir le dispositif optique 102 tel que par exemple représenté en figure 1. Ici l'avantage est que la solution 109 déposée présente directement une forme représentative de la forme souhaitée du dispositif optique 102. En cas de dépôt d'une goutte, sa viscosité est adaptée pour que son séchage permette d'obtenir le dispositif optique 102. [0059] Selon un autre exemple de cette première réalisation, la solution 109 déposée (sur la face d'émission 103 en figure 7 et sur la face d'émission 103 et le substrat 108 en figure 10), par exemple par centrifugation, va être mise en forme (figures 8 et 11) avant d'en évaporer le solvant. Ici, après dépôt de la solution 109, l'étape de formation du dispositif optique 102 peut comporter une étape de mise en forme de la solution 109 déposée en vue de former le dispositif optique 102. L'étape d'évaporation du solvant de la solution 109 déposée est notamment réalisée alors que la forme conférée à la solution 109 déposée par l'étape de mise en forme est maintenue tout au long de l'étape d'évaporation du solvant de la solution 109 déposée. Ceci peut être réalisé grâce à l'utilisation d'un moule 110, 111 permettant de mettre en forme la solution 109 déposée. La position relative du moule 110, 111 par rapport à la diode électroluminescente 101 est maintenue au cours de l'étape d'évaporation du solvant de la solution 109 déposée comme illustré en figures 8 et 11. Cette technique est aussi connue sous la dénomination de rnicrotamponnage (ou nanoimpression). Par exemple, le moule 110 de la figure 8 permet de former les structures 106, et le moule 111 de la figure 11 permet de former un dôme en tant que dispositif optique 102. Selon cet autre exemple, au terme de l'étape d'évaporation du solvant de la solution 109 déposée, le moule 110, Ill est retiré pour obtenir le dispositif optoélectronique 100 soit de la figure 2, soit de la figure 1. [0060] Selon cette première réalisation du procédé de fabrication, la solution 109 peut comporter les particules transparentes 104, ou les particules transparentes 104 et les particules de conversion 107. [0061] Selon une deuxième réalisation de ce procédé de fabrication, la solution 109 déposée sur (ou au-dessus de) la face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101 permet de former une partie du dispositif optique 102. On comprend alors que l'étape de formation du dispositif optique 102 nécessite des étapes supplémentaires pour être finalisée. [0062] Ainsi, selon la deuxième réalisation du procédé de fabrication, le dispositif optique 102 peut être en deux parties. Dans ce cas, la solution 109 déposée (figures 7 et 8) permet de former seulement une partie du dispositif optique 102 dite première partie du dispositif optique 102. Selon cette deuxième réalisation, la solution 109 déposée au moins au-dessus de, ou le cas échéant sur ou au moins sur, la face d'émission 103 est une première solution comportant une première partie des particules transparentes 104 du dispositif optique 102 à former. Le procédé de fabrication, en particulier l'étape de formation du dispositif optique 102, comporte aussi une étape de mise en forme de la première solution 109 déposée (figure 8) en vue de former la première partie du dispositif optique 102. L'étape d'évaporation du solvant de la première solution 109 déposée est notamment réalisée alors que la forme conférée à la première solution 109 par l'étape de mise en forme est maintenue, par exemple à l'aide d'un moule 110 adapté (figure 8). Par ailleurs, il résulte de l'étape de mise en forme de la première solution 109 déposée et de l'étape d'évaporation du solvant de la première solution 109 déposée, une formation de la première partie du dispositif optique 102 comportant les structures 106 (figure 2) par exemple telles que décrites précédemment, notamment après retrait du moule 110 de la figure 8 au terme de l'évaporation du solvant de la première solution 109 déposée. En outre, l'étape de formation du dispositif optique 102 comporte, après évaporation du solvant de la première solution 109 déposée : - une étape de dépôt d'une deuxième solution 112, par exemple par dépôt d'une goutte de cette deuxième solution 112, sur les structures 106 (figure 12) formées sur la face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101 et notamment sur le substrat 108, en vue de former une deuxième partie du dispositif optique 102, la deuxième solution 112 comportant un solvant (par exemple le même que celui de la première solution 109) et une deuxième partie des particules transparentes 104 du dispositif optique 102 à former, - une étape d'évaporation du solvant de la deuxième solution 112 déposée pour former la deuxième partie du dispositif optique 102 correspondant à l'élément optique 105 décrit précédemment. La première solution 109, ou la deuxième solution 112, comporte les particules de conversion 107. L'étape d'évaporation du solvant de la deuxième solution 112 déposée peut être réalisée selon les mêmes températures telles que décrite en relation avec l'évaporation du solvant de la première solution 109 déposée d'où il résulte le même avantage. Selon cette deuxième réalisation, il a été possible de former le dispositif optique 102 de forme adaptée sans dégrader la diode électroluminescente 101. Ici un avantage est que la deuxième solution 112 déposée peut présenter directement une forme représentative de la forme souhaitée du dispositif optique 102 en adaptant la viscosité de la deuxième solution 112. [0063] Alternativement au dépôt de la deuxième solution 112 sous la forme d'une goutte, il est possible de déposer la deuxième solution 112 selon une forme quelconque, puis de 21 la mettre en forme à l'aide d'un moule 1 1 1 (figure 13) adapté dont la position est maintenue lors de l'évaporation du solvant de la deuxième solution 112 déposée. Cependant, il est ici réalisé, avant dépôt de la deuxième solution 112, un recuit pour stabiliser les structures 106 agencées sur la face d'émission 103 de la diode électroluminescente 101 de sorte à éviter l'endommagement de ces structures 106 lors du moulage de la deuxième partie du dispositif optique 102. [0064] Selon encore une alternative au dépôt de la deuxième solution sous la forme d'une goutte, il est possible, après évaporation du solvant de la première solution 109 déposée, de déposer une couche de protection en matériau massif, par exemple en nitrure d'aluminium, pour étanchéifier les structures 106 et les protéger avant de déposer la deuxième solution 112 et de lui donner une forme souhaitée par moulage. [0065] Selon une variante de la deuxième réalisation du procédé de fabrication, la première solution est déposée sur les structures préalablement formées à l'aide du dépôt de la deuxième solution sur la face d'émission de la diode électroluminescente. Dans cette variante, la deuxième solution comporte les particules de conversion, et la deuxième solution est dépourvue de particules transparentes qui sont alors toutes contenues dans la première solution. Avant de déposer la première solution, la deuxième solution déposée sur la face d'émission est notamment mise en forme et son solvant évaporé pour former les structures. Ensuite, après dépôt de la première solution sur les structures, le solvant de la première solution déposée peut être évaporé pour former l'élément optique, le cas échéant pendant qu'un moule correspondant assure le maintien de la mise en forme de la première solution déposée selon la forme souhaitée de l'élément optique. [0066] 11 résulte de ce qui a été décrit précédemment que la réalisation du dispositif optique 102 du dispositif optoélectronique 100 peut, le cas échéant, être mise en oeuvre sans avoir à effectuer un dépôt de matériau selon des techniques de la microélectronique une température élevée qui pourrait avoir comme conséquence de dégrader la diode électroluminescente 101. [0067] 11 résulte de ce qui a été décrit ci-dessus que, dans le cadre d'une mise en forme de la solution 109 déposée, l'étape de formation du dispositif optique 102 peut comporter une étape de mise en forme de la solution déposée en vue de former au moins une partie du dispositif optique 102. Dans ce cas, l'étape d'évaporation du solvant de la solution 109 déposée est réalisée pour la solution 109 déposée et mise en forme, c'est-à-dire que la forme conférée à la solution par l'étape de mise en forme est maintenue tout au long de l'étape d'évaporation du solvant de la solution 109. [0068] 11 a été évoqué précédemment que le dispositif optique 102 pouvait aussi couvrir des flancs latéraux de la diode électroluminescente 101. Ainsi, un avantage du dispositif optique 102 utilisé est de combler des tranchées délimitant la diode électrolumi- nescente et, le cas échéant, de combler des espaces entre diodes électroluminescentes lorsque le dispositif optoélectronique en comporte plusieurs qui peuvent notamment partager un même dispositif optique 102. Cela permet aussi de faciliter l'extraction de photons depuis des flancs latéraux de la diode électroluminescente, et le cas échéant, d'en permettre la conversion d'au moins une partie. [0069] De préférence, lorsque le dispositif optique 102 comporte l'élément optique 105, la diode électroluminescente 101 est petite par rapport à l'élément optique 105 et se situe notamment au centre de la hase de l'élément optique 105 qui surmonte la diode électroluminescente 101 et notamment le substrat 108. [0070] Tout ce qui s'applique au dispositif optoélectronique 100 peut s'appliquer à son procédé de fabrication et inversement. [0071] Le dispositif optoélectronique 100 présente une application industrielle dans le domaine de la fabrication d'un tel dispositif optoélectronique, ainsi que dans toute application nécessitant un éclairage par ultraviolets. 23 [Revendication 1] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4] [Revendication 5] [Revendication 6] [Revendication 7] REVENDICATIONSDispositif optoélectronique (100) comportant une diode électroluminescente (101) configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101) comprise dans l'ultraviolet, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif optique (102) configure pour extraire des photons générés par la diode électroluminescente (101), ledit dispositif optique (102) étant agencé sur unc face d'émission (103) de la diode électroluminescente (101), ledit dispositif optique (102) comportant des particules transparentes (104) à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101). Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif optique (102) comporte des particules de conversion (107) configurées de sorte à émettre, par conversion d'une pallie du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente (101), un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission des particules de conversion (107) comprise dans l'ultraviolet et strictement supérieure à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101). Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 2, caractérisé en ce que la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101) est choisie dans l'ultraviolet C, et en ce que la longueur d'onde d'émission des particules de conversion (107) est choisie dans l'ultraviolet A. Dispositif optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif optique (102) a la forme d'un dôme, d'un cône ou d'une pyramide. Dispositif optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le dispositif optique (102) comporte une pluralité de structures (106), ces structures (106) étant agencées sur la face d'émission (103) de la diode électroluminescente (101), chacune des structures (106) comportant une partie des particules transparentes (104). Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication précédente et la revendication 2, caractérisé en ce que les structures (106) comportent chacune une partie des particules de conversion (107). Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 2, ou la reven- 24 dication 2 et la revendication 3, caractérisé en ce que le dispositif optique (102) comporte un élément optique (105) et des structures (106), les structures (106) étant agencées sur la face d'émission (103) de la diode électroluminescente (101), l'élément optique (105) étant agencé sur les structures (106), et en cc que : l'élément optique (105) comporte les particules de conversion (107), les particules transparentes (104) étant réparties de telle sorte que : - les structures (106) comportent chacune des particules transparentes (104), et - l'élément optique (105) comporte des particules transparentes (104), ou les particules de conversion (107) sont réparties de sorte que les structures (106) comportent chacune des particules de conversion (107), les particules transparentes (104) étant réparties de sorte que l'élément optique (105) comporte des particules transparentes (104) et que les structures (106) comportent des particules transparentes (104), ou les structures (106) comportent uniquement les particules de conversion (107) et l'élément optique (105) comporte les particules transparentes (104). [Revendication 8] Dispositif optoélectronique (100) selon l'une quelconque des reven- dications précédentes, caractérisé en ce que les particules transparentes (104) sont chacune en nitrure d'aluminium. [Revendication 9] Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 2 et l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les particules de conversion (107) sont chacune en nitrure de gallium. [Revendication 10] Dispositif optoélectronique (100) selon l'une quelconque des reven- dications précédentes, caractérisé en ce que chacune des particules transparentes (104) présente une taille strictement inférieure à X/(2 x n), avec n l'indice optique du matériau des particules transparentes (104), et X la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101). [Revendication 11] Dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 2 et l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que chacune des particules de conversion (107) présente une taille strictement inférieure à 2.1(2 x n1), avec n1 l'indice optique du matériau 25 [Revendication 12] des particules de conversion (107), et X la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101). [Revendication 13] Dispositif optoélectronique (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la cohésion du dispositif optique (102) est assurée par des liaisons van der Waals. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : une étape de fourniture de la diode électroluminescente (101), une étape de formation du dispositif optique (102) comportant : une étape de dépôt d'une solution (109) au moins au-dessus de la face d'émission (103) de la diode électroluminescente (101), ladite solution (109) comportant un solvant et au moins une partie des particules transparentes (104), une étape d'évaporation du solvant de la solution (109) déposée pour former au moins une partie du dispositif optique (102). [Revendication 14] Procédé de fabrication selon la revendication précédente, caractérisé en ce que : la solution (109) déposée au moins au-dessus de la face d'émission (103) est une première solution comportant une première partie des particules transparentes (104) du dispositif optique (102) à former, l'étape de formation du dispositif optique (102) comporte une étape de mise en forme de la première solution (109) déposée, il résulte de l'étape de mise en forme de la première solution (109) déposée et de l'étape d'évaporation du solvant de la première solution (109) déposée, une formation d'une première partie du dispositif optique (102) comportant des structures (106), l'étape de formation du dispositif optique (102) comporte : - - - une étape de dépôt d'une deuxième solution (112) sur les structures (106) en vue de former une deuxième partie du dispositif optique (102), la deuxième solution (112) comportant un solvant et une deuxième 26 partie des particules transparentes (104) du dispositif optique (102) à former, - une étape d'évaporation du solvant de la deuxième solution (112) déposée pour former la deuxième partie du dispositif optique (102), b première solution (109), ou la deuxième solution (112), comporte des particules de conversion (107) configurées de sorte à émettre, par conversion d'une partie du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente (101), un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission des particules de conversion (107) comprise dans l'ultraviolet et strictement supérieure à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101).