FR 3087972 A1 20200501 FR 1859907 A 20181026 DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne un système de pilotage pour pulseur d'air pour véhicule automobile. Elle trouve une application particulière, mais non limitative dans les véhicules automobiles. ARRIÈRE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Un système de pilotage pour pulseur d'air pour véhicule automobile, connu de l'homme du métier comprend : un module de puissance électronique comprenant au moins un transistor et configuré pour commander un moteur électrique dudit pulseur d'air; un dispositif de pilotage pour piloter les commutations dudit au moins un transistor ; une capacité de filtrage comprenant une résistance série équivalente. Le système de pilotage est alimenté par la batterie du véhicule 15 automobile. Un inconvénient de cet état de la technique antérieur est que lorsque ledit au moins un transistor commute, il existe de forts appels de courant sur la batterie lorsque les commutations sont rapides. Cela entraîne des pics de courant sur la connectique reliant le système de pilotage à la batterie ce qui 20 affecte la compatibilité électromagnétique, autrement appelé CEM, du véhicule automobile. Les autres organes électroniques du véhicule automobile peuvent ainsi être affectés. Pour régler ce problème, on rallonge le temps de commutation dudit au moins transistor. Mais cela entraîne une dissipation de puissance importante par effet Joule dudit au moins un 25 transistor qui a pour conséquence que ce dernier chauffe trop. La capacité de filtrage permet de filtrer ces pics de courant, mais à basse température elle ne filtre pas bien les pics de courant. 2 Dans ce contexte, la présente invention vise à proposer un système de pilotage pour pulseur d'air qui permette de résoudre l'inconvénient précédemment mentionné. DESCRIPTION GENERALE DE L'INVENTION 5 A cette fin, l'invention propose un système de pilotage pour pulseur d'air, selon lequel ledit système de pilotage comprend : un module de puissance électronique comprenant au moins un transistor et configuré pour contrôler un moteur électrique dudit pulseur d'air ; un dispositif de pilotage pour piloter les commutations dudit au moins un 10 transistor ; une capacité de filtrage comprenant une résistance série équivalente. Selon l'invention, ledit système de pilotage comprend en outre une résistance à coefficient de température négative disposée entre ledit module de puissance électronique et ledit dispositif de pilotage et configurée pour faire varier le temps de commutation dudit au moins un transistor en fonction de la température de la capacité de filtrage. Ainsi, la résistance à coefficient de température négative varie de la même manière que la variation de la résistance série équivalente de la capacité de filtrage qui dépend de la température de la capacité de filtrage. Ainsi, à basse température, la résistance série équivalente de la capacité de filtrage augmente et la capacité de filtrage filtre moins bien les pics de courant. A ce moment, grâce à la résistance à coefficient de température négative qui augmente également, le temps de commutation dudit au moins un transistor augmente automatiquement de sorte à réduire les pics de courant. A haute température, la résistance de série équivalente de la capacité de filtrage diminue et la capacité de filtrage filtre mieux les pics de courant. A ce moment, grâce à la résistance à coefficient de température négative qui diminue également, le temps de commutation dudit au moins un transistor diminue automatiquement. 3 Selon des modes de réalisation non limitatifs, ledit système de pilotage pour pulseur d'air peut comporter en outre une ou plusieurs caractéristiques supplémentaires parmi les suivantes : Selon un mode de réalisation non limitatif, ladite résistance série 5 équivalente de la capacité de filtrage varie en fonction de la température de ladite capacité de filtrage. Selon un mode de réalisation non limitatif, la résistance à coefficient de température négative est disposée à une distance de la capacité de filtrage inférieure à 2cm. De cette manière, la résistance à coefficient de 10 température négative subit les mêmes variations de température que la capacité de filtrage. Selon un mode de réalisation non limitatif, ladite capacité de filtrage est connectée audit au moins un transistor et audit moteur électrique. Selon un mode de réalisation non limitatif, ledit au moins un transistor 15 est un transistor MOSFET ou IGBT. Selon un mode de réalisation non limitatif, la résistance à coefficient de température négative est connectée sur la grille dudit au moins un transistor. Elle est ainsi connectée à la commande dudit au moins un transistor, ce qui permet d'agir sur le courant qui commande sa grille et donc 20 d'agir sur les temps de commutation dudit au moins un transistor. Selon un mode de réalisation non limitatif, ledit système de pilotage comprend en outre une résistance supplémentaire disposée en parallèle ou en série avec ladite résistance à coefficient de température négative. Cela permet d'adapter la valeur de la résistance équivalente qui agit sur le courant 25 qui commande la grille dudit au moins un transistor. Cela permet en outre de pouvoir utiliser une résistance à coefficient de température négative qui se trouve couramment sur le marché. Selon un mode de réalisation non limitatif, ledit pulseur d'air est un pulseur d'air pour dispositif de chauffage, ventilation et/ou climatisation. 4 Selon un mode de réalisation non limitatif, ledit dispositif de chauffage, ventilation et/ou climatisation est un dispositif de chauffage, ventilation et/ou climatisation pour véhicule automobile. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES 5 L'invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent : la figure 1 représente un schéma d'un système de pilotage pour pulseur d'air, ledit système de pilotage comprenant un module de puissance 10 électronique avec au moins un transistor, un dispositif de pilotage dudit transistor, une capacité de filtrage avec une résistance série équivalente, et une résistance à coefficient de température négative, selon un mode de réalisation non limitatif de l'invention ; la figure 2 représente le système de pilotage de la figure 1, avec la 15 résistance à coefficient de température négative en parallèle avec une résistance supplémentaire, selon un mode de réalisation non limitatif ; la figure 3 représente le système de pilotage de la figure 1, avec la résistance à coefficient de température négative en série avec une résistance supplémentaire, selon un mode de réalisation non limitatif ; 20 la figure 4 représente une courbe de variation de la résistance série équivalente de la capacité de filtrage du système de pilotage de la figure 1 en fonction de la température, et une courbe de variation de la résistance à coefficient de température négative du système de pilotage de la figure 1 en fonction de la température, selon un mode de réalisation 25 non limitatif ; la figure 5 illustre un support comprenant les éléments du système de pilotage des figures 1 à 3, selon un mode de réalisation non limitatif ; la figure 6 représente un schéma de deux courbes de commutation dudit au moins un transistor du module de puissance électronique du système de pilotage des figures 1 à 3, selon un mode de réalisation non limitatif ; 5 la figure 7 représente une courbe qui illustre une variation du temps de commutation dudit au moins un transistor du module de puissance électronique en fonction de la température de la capacité de filtrage du système de pilotage des figures 1 à 3, selon un mode de réalisation non 5 limitatif. DESCRIPTION DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Les éléments identiques, par structure ou par fonction, apparaissant sur différentes figures conservent, sauf précision contraire, les mêmes références. 10 Le système de pilotage 1 pour pulseur d'air 2, selon l'invention est décrit en référence aux figures 1 à 7. Dans un mode de réalisation non limitatif, le pulseur d'air 2 est un pulseur d'air pour un dispositif de chauffage, ventilation et/ou climatisation, connu sous l'acronyme anglo-saxon HVAC « Heating, Ventilation and Air 15 Conditionning autrement appelé dispositif HVAC. A cet effet, le système de pilotage 1 est un système de pilotage 1 pour pulseur d'air 2 pour dispositif HVAC. Par véhicule automobile, on entend tout type de véhicule motorisé. Tel qu'illustré sur la figure 1, le système de pilotage 1 comprend : 20 un module de puissance électronique 11 comprenant au moins un transistor 110 et configuré pour contrôler un moteur électrique 20 dudit pulseur d'air 2 ; un dispositif de pilotage 12 pour piloter les commutations dudit au moins un transistor 110 ; 25 une capacité de filtrage 13 comprenant une résistance série équivalente connue sous l'acronyme anglo-saxon ESR « Equivalent Series Resistance autrement appelée résistance ESR ; une résistance à coefficient de température négative 14, autrement appelée résistance CTN. 6 Le système de pilotage 1 est un système électronique de pilotage. Dans un mode de réalisation non limitatif illustré sur les figures, le système de pilotage 1 est externe au pulseur d'air 2. Dans un autre mode de réalisation non limitatif, il fait partie du pulseur d'air 2. 5 Dans un mode de réalisation non limitatif, le moteur électrique 20 comprend de manière connue de l'homme du métier trois phases et trois bobines associées. On parle de moteur électrique triphasé. Dans un mode de réalisation non limitatif, pour se connecter aux bobines, il comprend trois balais. Dans un autre mode de réalisation non limitatif, il est sans balais. 10 Tel qu'illustré sur la figure 5, dans un mode de réalisation non limitatif, le système de pilotage 1 comprend en outre un support 17 pour le module de puissance électronique 11, le dispositif de pilotage 12, la capacité de filtrage 13 et la résistance à coefficient de température négative 14. Ce support est un support 17 électronique. Dans une variante de réalisation non limitative, 15 ce support 17 est une carte à circuit imprimé, connue sous l'acronyme anglo- saxon PCB « Printed Circuit Board », autrement appelé carte PCB. Les éléments du système de pilotage 1 sont décrits en détail ci-après. - Module de puissance électronique 11 Dans un mode de réalisation non limitatif, ledit au moins un transistor est un 20 transistor MOSFET. Dans un mode de réalisation non limitatif, le module de puissance électronique 11 comprend une pluralité de transistors 110. Ce mode de réalisation non limitatif est pris comme exemple non limitatif pour la suite de la description. 25 Par souci de simplification, un seul transistor 110 a été représenté sur les figures. Pour commander le moteur électrique 20, les transistors sont connectés aux phases du moteur électrique 20 du pulseur d'air 2. Dans un mode de réalisation non limitatif, dans le cas d'un moteur électrique 30 triphasé, le module de puissance électronique 11 comprend trois transistors 7 110. Dans l'exemple non limitatif illustré sur les figures 1 à 3, les transistors sont de type PNP et leur source S est connectée au moteur électrique 20, plus particulièrement à une bobine du moteur électrique 20. Leur drain D est 5 alimenté par une tension batterie Vbat. Dans un autre exemple non limitatif non illustré, les transistors 110 sont de typte PNP et leur drain D est connecté au moteur électrique 20, plus particulièrement à une bobine du moteur électrique 20. Leur source S est alimentée par une tension batterie Vbat. 10 Les transistors 110 sont pilotés par le dispositif de pilotage 12 via leur grille G. Tel qu'illustré sur la figure 1, la grille G des transistors 110 est connectée au dispositif de pilotage 12 via la résistance CTN. La résistance CTN va faire varier les temps de commutations des transistors 110. Plus la résistance 15 CTN sur la grille G sera élevée, plus le temps de commutation t sera long. Plus la résistance CTN sera basse, plus le temps de commutation t sera court. La vitesse de commutation des transistors 110 est ainsi fonction de la résistance CTN, c'est-à-dire de sa valeur. - Dispositif de pilotage 12 20 Le dispositif de pilotage 12 est configuré pour piloter les commutations des transistors 110. Il est appelé en langue anglo-saxonne « driver ». Il pilote les commutations de chaque transistor 110 via leur grille G. De manière connue de l'homme du métier, le pilotage s'effectue au moyen d'un signal modulé en largeur d'impulsion référencé sous l'acronyme anglo- 25 saxon PWM « Pulse Width Modulation » qui est un courant ou une tension. Le dispositif de pilotage 12 est connecté aux grilles G des transistors 110 via la résistance CTN. Dans des modes de réalisation non limitatifs, le dispositif de pilotage 12 : comprend un ensemble de composants discrets (non illustrés) ; 30 - est un microcontrôleur ; ou est un ASIC. 8 - Capacité de filtrage 13 La capacité de filtrage 13 est connectée audit au moins un transistor 110 et au moteur électrique 20. Dans le cas d'un moteur électrique triphasé, la capacité de filtrage 13 est 5 connectée au drain D des trois transistors 110 et aux trois phases du moteur électrique 20 via les trois bobines du moteur électrique 20. La capacité de filtrage 13 comprend une résistance série équivalente ESR. La résistance ESR varie en fonction de la température T de la capacité de filtrage 13. La température T de la capacité de filtrage 13 est la température 10 au coeur de la capacité de filtrage 13. On notera que la température T de la capacité de filtrage 13 dépend du pilotage du moteur électrique 20. Par exemple, dans le cas du pulseur d'air 2, plus la vitesse du moteur électrique 20 est élevée, plus il faut un courant élevé dans les transistors 110 pour maintenir le moteur électrique 20 à une 15 vitesse donnée. Le temps de commutation des transistors 110 va être court, ce qui va entraîner une surchauffe des transistors 110 et donc du support 17 et par conséquent de la capacité de filtrage 13. La figure 4 illustre sur la courbe C-13 une variation de la résistance ESR en fonction de ladite température T en degrés Celsius (°C). 20 Tel qu'illustré sur la figure 4, à basse température T, la résistance ESR augmente. La capacité de filtrage 13 filtre moins bien les pics de courant i. Tel qu'illustré sur la figure 4, à haute température T, la résistance ESR diminue. La capacité de filtrage 13 filtre mieux les pics de courant i. Dans un mode de réalisation non limitatif, la température T à partir de 25 laquelle le filtrage par la capacité de filtrage 13 est efficace est comprise dans une plage de 50° à 75°. En deçà de ce seuil, le filtrage n'est pas assez efficace. Dans l'exemple non limitatif illustré à partir de la température T-75°, le filtrage de la capacité de filtrage 13 permet de réduire les pics de courant i. 30 9 - Résistance à coefficient de température négative 14 La résistance CTN est disposée entre le module de puissance électronique 11 et ledit dispositif de pilotage 12. Sur le support 17, la résistance CTN est disposée à proximité de la capacité 5 de filtrage 13. Dans un mode de réalisation non limitatif, elle est disposée à une distance d de la capacité de filtrage 13 inférieure à 2 centimètres (cm). Dans une variante de réalisation non limitative, elle est disposée entre 10 millimètres (mm) et 15mm de la capacité de filtrage 13. De cette manière, sa température subit les mêmes variations que la 10 température T de la capacité de filtrage 13 elle-même, température qui va se diffuser sur son voisinage proche. Sa valeur va ainsi varier de la même manière que la valeur de la résistance ESR de la capacité de filtrage 13. La résistance CTN a ainsi une variation Al qui suit la variation A2 de la 15 résistance ESR de la capacité de filtrage 13, ladite variation A2 étant fonction de la température T de la capacité de filtrage 13, à savoir elle augmente quand la résistance ESR augmente, et elle diminue quand la résistance ESR diminue. La variation Al de la résistance CTN est ainsi également fonction de la 20 température T de la capacité de filtrage 13. Tel qu'illustré sur la figure 4, lorsque la température T augmente, la valeur (en Ohms) de la résistance CTN diminue. Lorsque la température T diminue, la valeur de la résistance CTN augmente. Ainsi, à basse température T, la valeur de la résistance CTN est plus élevée 25 qu'à haute température T. En fonction de la distance d entre la résistance CTN et la capacité de filtrage 13, à une température T donnée de la capacité de filtrage 13, la résistance CTN sera à une température T' donnée. Ainsi, dans l'exemple non limitatif de la figure 4, pour une température T=75°C, T'=62°. Cette température T' 30 correspond à la température du support 17, image de la température T de la capacité de filtrage 13 et de la température du module de puissance 10 électronique 11, qui se diffuse sur son voisinage, ladite température T' se retrouvant sur la résistance CTN. Ainsi, la variation Al de la résistance CTN est fonction de la température T de la capacité de filtrage 13 mais également de la température du support 17. La résistance CTN est connectée à l'entrée qui commande les transistors 110, à savoir ici leur grille G. La résistance CTN est ainsi configurée pour faire varier le temps de commutation t des transistors 110 en fonction de la température T de la 10 capacité de filtrage 13. Quand le dispositif de pilotage 12 envoie un signal PWM sur la commande d'un transistor 110, il y a un courant i appliqué sur la grille G qui permet de charger la capacité interne Cgs du transistor 110 pour le fermer. Plus le courant i est faible, plus la capacité interne Cgs met du temps à se 15 charger, et plus les pentes de commutations sont fortes. La commutation du transistor 110 est lente. Il n'y a pas beaucoup de pics de courant i. Par contre, plus le courant i est fort, plus la capacité interne Cgs est rapide pour se charger, et plus les pentes de commutations sont faibles. La commutation du transistor 110 est rapide. Il y a beaucoup de pics de courant 20 i. La résistance CTN étant connectée sur la grille G, elle agit sur le courant i qui est appliqué sur la grille G du transistor 110. Elle est ainsi configurée pour faire varier le courant i appliqué sur la grille G du transistor 110 en fonction de la température T de la capacité de filtrage 13. 25 La vitesse de commutation du transistor 110 est ainsi fonction de sa capacité interne Cgs et de la valeur de la résistance CTN. Tel qu'illustré sur la figure 4, à basse température, la résistance CTN a une valeur élevée. A une tension donnée, selon la loi d'Ohm, le courant i circulant dans le transistor 110 et appliqué sur la grille G est donc faible. La 30 capacité interne Cgs se charge lentement. Le temps de commutation t du transistor 110 est long. Dans un mode de réalisation non limitatif, le temps de 11 commutation t est compris entre 300 nanosecondes (ns) et 1200ns. La commutation du transistor 110 est longue. Ainsi, à basse température T1, la résistance CTN permet d'augmenter automatiquement les pentes de commutation tel qu'illustré sur la figure 6. On peut voir que les fronts de 5 commutation descendants et montants sont inclinés. Il y aura donc moins de pics de courant i. La CEM n'est pas affectée dans ce cas. Ainsi, plus la résistance CTN est élevée, plus le temps de commutation t du transistor 110 est long. Dans un mode de réalisation non limitatif, la basse température T1 est 10 inférieure à 50°C-70°C. Dans l'exemple non limitatif de la figure 4, à 62°C, la valeur de la résistance CTN correspond à un temps de commutation long et donc à une commutation lente. Lorsque la commutation des transistors 110 est lente et que ces derniers 15 commencent à chauffer et à dissiper de la puissance par effet Joule, leur température augmente ce qui a un impact direct sur la température T de la capacité de filtrage 13 qui augmente également. Comme décrit ci-après, la résistance CTN permet alors de basculer vers une commutation plus rapide pour éviter que les transistors 110 ne chauffent trop 20 et ne s'abîment. Lors d'une commutation rapide, il y a en effet moins d'échauffement et peu ou pas de perte par effet Joule. Tel qu'illustré sur la figure 4, à haute température, la résistance CTN a une valeur faible. C'est comme s'il n'y avait qu'un fil entre le dispositif de pilotage 12 et la grille G du transistor 110. A une tension donnée, selon la loi 25 d'Ohm, le courant i circulant dans le transistor 110 et appliqué sur la grille G est donc fort. La capacité interne Cgs se charge rapidement. Le temps de commutation t du transistor 110 est rapide. Dans un mode de réalisation non limitatif, le temps de commutation t est inférieur à 300ns. La commutation du transistor 110 sera rapide. Ainsi, à haute température T2, 30 la résistance CTN permet de diminuer automatiquement les pentes de commutation tel qu'illustré sur la figure 6. On peut voir que les fronts de 12 commutation descendants et montants sont droits. Il y a donc des pics de courant i mais qui sont filtrés par la capacité de filtrage 13. Ainsi, plus la résistance CTN est faible, plus le temps de commutation t du transistor 110 est court. 5 Dans un mode de réalisation non limitatif, la haute température T2 est supérieure à 50°C-70°C. Dans l'exemple non limitatif de la figure 4, à 75°C, la valeur de la résistance CTN correspond à un temps de commutation t court, et donc à une commutation rapide. On peut réduire les pentes de commutation car c'est la 10 capacité de filtrage 13 qui va filtrer les pics de courant i. Le filtrage étant meilleur, la CEM n'est pas affectée dans ce cas. Ainsi, tel qu'illustré sur la figure 7, on peut voir que le temps de commutation t des transistors 110 varie en fonction de la température T de la résistance ESR de la capacité de filtrage 13. Ainsi, dans l'exemple non 15 limitatif illustré sur la figure 7, lorsque la température T est grande, le temps de commutation t est court. Lorsque la température T est petite, le temps de commutation t est long. Dans un exemple non limitatif, le temps de commutation t varie entre 50ns et 500ns pour une valeur de la résistance CTN qui varie entre 1 Ohm et 200 Ohms. 20 Dans le cadre de l'application du pulseur d'air 2 dans le mode de réalisation non limitatif pris, au premier démarrage du moteur électrique 20, la température T de la capacité de filtrage 13 augmente. Sa résistance ESR diminue. Les pics de courant i sont mieux filtrés. La résistance CTN baisse ce qui entraîne un temps de commutation des transistors 110 plus rapide. 25 Les transistors 110 chauffent moins. On notera que lorsque le moteur électrique 20 est éteint, il n'y a pas de commutation. Au redémarrage du moteur électrique 20, la température T de la capacité de filtrage 13 baisse. Sa résistance ESR augmente. Les pics de courant i sont moins bien filtrés. La résistance CTN augmente ce qui 30 entraîne un temps de commutation des transistors 110 plus long de sorte à avoir moins de pics de courant i. 13 Dans un mode de réalisation non limitatif illustré sur les figures 2 et 3, la résistance CTN coopère avec une résistance supplémentaire 15 de sorte que la résistance qui permet de réguler le temps de commutation t des transistors 110 soit une résistance équivalente qui est la combinaison des 5 deux résistances CTN et 15. Cela permet d'utiliser une résistance CTN couramment utilisée sur le marché, à savoir avec une valeur standard. Dans un mode de réalisation non limitatif illustré sur la figure 2, la résistance CTN et la résistance supplémentaire 15 sont disposées en parallèle. Dans ce cas, le temps de commutation t est fonction de la valeur 10 de la résistance équivalente = Ri5Rc-rn / (R15 + Rc-rn). Dans un exemple non limitatif la résistance supplémentaire 15 est égale à 1012, et la résistance CTN est égale à lokn. Dans un mode de réalisation non limitatif illustré sur la figure 3, la résistance CTN et la résistance supplémentaire 15 sont disposées en série. 15 Dans ce cas, le temps de commutation t est fonction de la valeur de la résistance équivalente = R15 + RCTN. Dans un exemple non limitatif la résistance supplémentaire 15 est égale à 1012, et la résistance CTN est égale à 50n. Ainsi, en régulant le courant i appliqué sur la grille G des transistors 20 grâce à la résistance CTN, on fait varier le temps de commutation t des transistors 110 de sorte à obtenir un compromis entre un pilotage du moteur électrique 20 avec un bon rendement (il ya peu de perte par effet Joule) tout en évitant les pics de courant i pour régler les problèmes de compatibilité électromagnétique, et un pilotage du moteur électrique 20 avec un moins bon 25 rendement tout en évitant que les transistors 110 ne chauffent trop. Bien entendu la description de l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus. Ainsi, dans un mode de réalisation non limitatif, la capacité de filtrage 13 peut être remplacée par une pluralité de capacités de filtrage en parallèle. 14 Ainsi, dans un mode de réalisation non limitatif, ledit au moins un transistor 110 est un transistor IGBT. Ainsi, l'invention décrite présente notamment les avantages suivants : Elle est simple à mettre en oeuvre ; 5 Elle est peu coûteuse ; Elle permet de réguler la commutation du(des) transistor(s) 110 en utilisant une résistance, la résistance CTN, sur la commande du transistor 110, à savoir ici, sur sa grille G ; La résistance CTN permet de relever les fronts de commutation lorsque la 10 capacité de filtrage 13 est efficace pour filtrer les pics de courant i, à savoir lorsque sa température T est élevée ; La résistance CTN permet d'incliner les fronts de commutation lorsque la capacité de filtrage 13 n'est pas efficace pour filtrer les pics de courant i, à savoir lorsque sa température T est basse ; 15 Elle évite d'avoir un capteur de température et une unité logique de commande coopérant avec ledit capteur de température qui commanderait la grille du(des) transistor(s) en fonction de la température du support 17 acquise par le capteur de température ; Elle permet de prendre en compte non seulement la température du 20 support 17, mais la température au coeur de la capacité de filtrage 13 pour réguler les commutations du(des) transistor(s) 110 ; Elle évite d'utiliser REVENDICATIONS1. Système de pilotage (1) pour pulseur d'air (2), selon lequel ledit système de pilotage (1) comprend : un module de puissance électronique (11) comprenant au moins un transistor (110) et configuré pour contrôler un moteur électrique (20) dudit pulseur d'air (2) ; un dispositif de pilotage (12) pour piloter les commutations dudit au moins un transistor (110) ; une capacité de filtrage (13) comprenant une résistance série équivalente (ESR) ; caractérisé en ce que ledit système de pilotage (1) comprend en outre une résistance à coefficient de température négative (14) disposée entre ledit module de puissance électronique (11) et ledit dispositif de pilotage (12) et configurée pour faire varier le temps de commutation (t) dudit au moins un transistor (110) en fonction de la température (T) de la capacité de filtrage (13). 2. Système de pilotage (1) selon la revendication 1, selon lequel ladite résistance série équivalente (ESR) de la capacité de filtrage (13) varie en fonction de la température (T) de ladite capacité de filtrage (13). 3. Système de pilotage (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, selon lequel la résistance à coefficient de température négative (14) est disposée à une distance (d) de la capacité de filtrage (13) inférieure à 2cm. 4. Système de pilotage (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, selon lequel ladite capacité de filtrage 16 (13) est connectée audit au moins un transistor (110) et audit moteur électrique (20). 5. Système de pilotage (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, selon lequel ledit au moins un transistor 5 (110) est un transistor MOSFET ou IGBT. 6. Système de pilotage (1) selon la revendication précédente, selon lequel la résistance à coefficient de température négative (14) est connectée sur la grille (G) dudit au moins un transistor (110). 7. Système de pilotage (1) selon l'une quelconque des 10 revendications précédentes, selon lequel ledit système de pilotage (1) comprend en outre une résistance supplémentaire (15) disposée en parallèle ou en série avec ladite résistance à coefficient de température négative (14). 8. Système de pilotage (1) pour pulseur d'air (2) selon l'une 15 quelconque des revendications précédentes, selon lequel ledit pulseur d'air (2) est un pulseur d'air pour dispositif de chauffage, ventilation et/ou climatisation. 9. Système de pilotage (1) pour pulseur d'air (2) selon la revendication précédente, selon lequel ledit dispositif de chauffage, 20 ventilation et/ou climatisation est un dispositif de chauffage, ventilation et/ou climatisation pour véhicule automobile.