FR 3089708 A1 20200612 FR 1872390 A 20181205 Description Titre de l'invention : Dispositif de détection de court-circuit dans un bras de commutation [0001] La présente invention concerne un dispositif de détection de court-circuit dans un bras de commutation, le bras de commutation étant destiné à être positionné entre une première borne et une deuxième borne d'alimentation en tension. [0002] Les onduleurs sont des dispositifs de puissance comportant généralement trois bras de commutation, chacun comportant deux commutateurs en série alimentés par une ou des sources de tension continue et étant connecté à une phase depuis le noeud entre les deux commutateurs. [0003] Les commutateurs sont formés d'éléments semi-conducteurs et notamment de transistors de puissance. [0004] 11 est utile de détecter un éventuel court-circuit dans un bras de commutation de tels dispositifs de puissance, afin d'éviter la dégradation des composants électroniques. [0005] Un court-circuit est détectable dans un bras de commutation notamment en mesurant les tension aux bornes des inductances parasites en série avec les éléments de commutation des transistors et en les comparant à un seuil de tension prédéfini au-delà duquel, on considère qu'il y a présence d'un court-circuit dans le bras de commutation. [0006] Un dispositif de détection de court-circuit utilisant un tel procédé est décrit dans le document US 2017/0012555. [0007] La détection de court-circuit telle que décrite dans le document repose sur le choix judicieux d'une tension de seuil, ce qui nécessite un réglage complexe de cette tension de seuil, car différent pour chaque composant utilisé. [0008] L'invention a pour but de proposer un dispositif de détection de court-circuit dans un bras de commutation ayant un fonctionnement très peu dépendant du composant utilisé et étant donc plus simple à réaliser. [0009] A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif du type précité, dans lequel le potentiel de la première borne étant propre à être supérieur au potentiel de la deuxième borne, le bras de commutation comprenant deux demi-bras de commutation supérieur et inférieur en série, le demi-bras de commutation supérieur étant relié électriquement à la première borne et le demi-bras de commutation inférieur étant relié électriquement à la deuxième borne, les demi-bras de commutation comportant chacun au moins un commutateur à semi-conducteur, chaque commutateur comprenant une électrode de commande et deux électrodes de conduction, le dispositif de détection de court-circuit comprenant pour chaque demi-bras de commutation, une paire de bornes de mesure, comprenant une troisième borne et une quatrième borne, configurées pour être 2 connectées aux homes d'une inductance parasite en série avec l'une des électrodes de conduction du au moins un commutateur dudit demi-bras de commutation, la quatrième borne étant destinée à être positionnée entre la troisième borne et la première borne, et une unité de traitement d'information connectée en entrée aux paires de homes de mesure et ayant une sortie logique propre à fournir un signal indiquant la détection d'un court-circuit dans le bras de commutation, et dans lequel l'unité de traitement comporte : [0010] - pour chaque paire de bornes de mesure, un module de détection configuré pour transmettre en sortie un signal de sortie représentatif du signe de la différence entre le potentiel de la quatrième home et le potentiel de la troisième home, et [0011] - un module de comparaison propre à fournir via la sortie logique le signal indiquant la détection d'un court-circuit, seulement lorsque les signaux de sortie transmis par les deux modules de détection sont chacun représentatifs d'un signe positif [0012] Suivant certains modes de réalisation, le dispositif de détection de court-circuit comporte l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : [0013] - chaque module de détection comprend un optocoupleur, [0014] - chaque optocouplcur comprend une diode électroluminescente connectée aux bornes de mesure et un capteur optique dont la sortie est propre à fournir le signal de sortie représentatif du signe de la différence entre le potentiel de la quatrième home et le potentiel de la troisième borne, [0015] - la diode électroluminescente est configurée pour émettre une onde lumineuse lorsque le signe de la différence entre le potentiel de la quatrième borne et le potentiel de la troisième borne est positif et chaque capteur optique comprend un phototransistor configuré pour être passant seulement lorsqu'il détecte une onde lumineuse issue de la diode électroluminescente, [0016] - une diode est connectée tête-bêche avec la diode électroluminescente, et [0017] - le module de comparaison est une porte logique ET. [0018] L'invention a aussi pour objet un dispositif de puissance comportant au moins un bras de commutation, [0019] le bras de commutation étant positionné entre une première borne et une deuxième borne d'alimentation en tension, le potentiel de la première borne étant supérieur au potentiel de la deuxième borne, le bras de commutation comprenant deux demi-bras de commutation supérieur et inférieur en série, le demi-bras de commutation supérieur étant relié électriquement à la première borne et le demi-bras de commutation inférieur étant relié électriquement à la deuxième borne, les demi-bras de commutation comportant chacun au moins un commutateur à semi-conducteur, chaque commutateur comprenant une électrode de commande et deux électrodes de conduction, [0020] caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif de détection de court-circuit selon l'une 3 quelconque des revendications précédentes avec chaque paire de bornes de mesure connectée à un demi-bras de commutation respectif, chaque paire de borne de mesure étant connectée aux bornes d'une inductance parasite en série avec l'une des électrodes de conduction du au moins un commutateur du demi-bras de commutation respectif, et en cc que pour chaque paire de borne de mesure, la quatrième borne est positionnée entre la troisième borne et la première borne. [0021] Suivant certains modes de réalisation, le dispositif de puissance comporte l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : [0022] - les électrodes de conduction du au moins un commutateur du demi-bras de com- mutation supérieur comprennent une première électrode de conduction reliée électriquement à la première borne et une deuxième électrode de conduction reliée électriquement à un noeud entre les deux demi-bras de commutation, et les électrodes de conduction du au moins un commutateur du demi-bras de commutation inférieur comprennent une première électrode de conduction reliée électriquement au noeud entre les deux demi-bras de commutation et une deuxième électrode de conduction reliée électriquement à la deuxième borne, [0023] - chaque demi-bras de commutation comporte un unique commutateur (18), et [0024] - les paires de bornes de mesure sont connectées respectivement aux bornes d'une in- ductance parasite située entre le commutateur du demi-bras de commutation supérieur et la première borne, et d'une inductance parasite située entre le commutateur du demi-bras de commutation inférieur et la deuxième borne. [0025] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, se référant à la figure 1 qui est une vue schématique d'un dispositif de détection de court-circuit connecté sur un bras de commutation. [0026] [fig.1] La figure 1 comprend un dispositif de puissance 6 tel qu'un onduleur ou en variante, un circuit d'alimentation. Celui-ci comporte un bras de commutation 8 et un dispositif de détection d'un court-circuit 10 dans ce bras de commutation 8. [0027] Le bras de commutation 8 comporte deux demi-bras de commutation en série : un demi-bras de commutation supérieur 12 et un demi-bras de commutation inférieur 14. Ces demi-bras de commutation 12 et 14 sont connectés en série entre une première borne 15 et une deuxième borne 16 d'alimentation en tension, le demi-bras de commutation supérieur 12 étant relié électriquement à la première borne 15 et le demi-bras de commutation inférieur 14 étant relié à la deuxième borne 16. Ces première et deuxième bornes 15 et 16 sont reliées à des sources de tension continue, la tension délivrée à la première borne 15 étant supérieure à la tension délivrée à la deuxième borne 16. [0028] Le bras de commutation 8 comprend aussi une sortie 17 connectée à un noeud entre les deux demi-bras 12 et 14 et délivrant une énergie électrique alternative à une phase du dispositif de puissance 6. [0029] Chaque demi-bras de commutation 12 ou 14 comprend au moins un commutateur 18 configuré pour contrôler le passage du courant dans le demi-bras de commutation respectif. Chaque demi-bras de commutation 12 ou 14 comprend de préférence un unique commutateur 18, comme illustré dans l'exemple. [0030] Chaque commutateur 18 comprend une électrode de commande et deux électrodes de conduction. Les électrodes de conduction du commutateur 18 du demi-bras de commutation supérieur 12 comprennent une première électrode de conduction reliée électriquement à la première borne 15 et une deuxième électrode de conduction reliée électriquement à la sortie 17, et les électrodes de conduction du commutateur 18 du demi-bras de commutation inférieur 14 comprennent une première électrode de conduction reliée électriquement à la sortie 17 et une deuxième électrode de conduction reliée électriquement à la deuxième borne 16. [0031] Les commutateurs 18 sont par exemple formés d'un transistor bipolaire à grille isolée 20, également appelé TGBT (de l'anglais Insulated Gale Bipolar Transistor) comprenant une grille, un émetteur et un collecteur, et d'une diode 22 connectée en antiparallèle au transistor 20. Dans cc cas, l'électrode de commande d'un commutateur 18 correspond à la grille de l'IGBT 20 correspondant, la première électrode de conduction correspond au collecteur et la deuxième électrode de conduction correspond à l'émetteur. Chaque commutateur 18 comprend comme connu en soi, un transistor parfait 26, une inductance parasite 28 au collecteur du transistor 26 et une inductance parasite 30 à l'émetteur du transistor 26. [0032] Comme connu en soi, les grilles des transistors 26 sont reliées à une unité de commande propre à commuter les transistors 26 alternativement entre un état passant et un état non passant. [0033] Le dispositif de détection de court-circuit 10 comprend deux paires de bornes de mesure 44, 45 et une unité de traitement d'information 46 connectée en entrée aux paires de bornes de mesure 44, 45 et ayant une sortie logique propre à fournir un signal indiquant la détection d'un court-circuit dans le bras de commutation 8. [0034] Les paires de bornes de mesure 44, 45 sont respectivement connectées aux demi-bras de commutation 12 et 14. Chaque paire de bornes de mesure 44, 45 est connectée aux bornes d'une inductance parasite 28 ou 30 d'un commutateur 18 d'un demi-bras de commutation respectif 12, 14. Chaque paire de bornes de mesure 44, 45 possède une troisième borne 44 et une quatrième borne 45, avec la quatrième borne 45 positionnée en amont de la troisième borne 44 par rapport à la première borne 15, c'est-à-dire entre la première borne 15 et la troisième borne 44. [0035] De préférence, les paires de bornes de mesure 44, 45 sont connectées respectivement aux bornes des inductances parasites les plus proches des première et deuxième bornes 15 et 16. De cette façon, elles sont connectées aux inductances parasites reliées à la première borne 15 et la deuxième borne 16, c'est-à-dire aux bornes de l'inductance parasite au collecteur 28 de l'unique commutateur 18 du demi-bras de commutation supérieur 12, et aux bornes de l'inductance parasite à l'émetteur 30 de l'unique commutateur 18 du demi-bras de commutation inférieur 14. [0036] L'unité de traitement 46 comprend pour chaque paire de bornes de mesure 44, 45, un module de détection 48 du signe d'une tension mesurée aux bornes de mesure 44, 45, et un module de comparaison 50 en entrée duquel sont reliés les sorties des modules de détection 48. [0037] Le module de détection 48 comprend par exemple un optocoupleur configure pour délivrer un signal représentatif du signe de la différence entre le potentiel de la quatrième borne 45 et le potentiel de la troisième borne 44. Il comporte unc diode électroluminescente 54 et un capteur optique 58. Dans l'exemple décrit, le capteur optique 58 comprend un phototransistor. [0038] La diode électroluminescente 54 est connectée de façon à ce qu'elle soit passante lorsque la tension mesurée VT0, ou VEnT dans le demi-bras respectif 12 ou 14 est positive, V,o, et VsoT correspondant aux différences entre le potentiel de la borne 45 et le potentiel de la borne 44 des demi-bras respectifs 12 et 14. [0039] Une résistance 56 est connectée en série aux bornes de mesure 44, 45 afin de limiter le courant à travers le module 48. [0040] Le capteur optique 58 est propre à détecter une onde lumineuse issue de la diode électroluminescente 54, par exemple via une fibre optique. La sortie du capteur optique 58 est propre à fournir un signal représentatif du signe de la tension mesurée aux bornes de mesure 44, 45. [0041] Dans l'exemple décrit, le phototransistor est passant lorsqu'il reçoit une onde lumineuse issue de la diode électroluminescente 54 et bloqué dans le cas contraire. Il est alimenté au collecteur par un niveau logique Vref, par exemple via un rail d'alimentation continue 59 et délivre un signal représentatif du signe de la tension mesurée aux bornes de mesure 44, 45 à l'émetteur. [0042] En complément facultatif, une diode 60 est connectée tête-bêche avec la diode élec- troluminescente 54. [0043] Le module de comparaison 50 est un opérateur logique « ET ». Le module de com- paraison 50 est connecté en entrée à la sortie des deux modules de détection 48. Il est propre à délivrer le signal indiquant la détection d'un court-circuit à la sortie logique de l'unité de traitement 46, qui est aussi la sortie du dispositif de détection 10, en fonction des signaux récupérés en entrée, le court-circuit étant détecté seulement lorsque les deux tensions mesurées Vrop et VB0T aux bornes de mesure 44, 45 sont 6 détectées positives par les modules de détection 48. [0044] Le module de détection 10 détecte si les tensions dans les inductances parasites 28 et 30, auxquelles sont connectées les paires de bornes de mesure 44, 45, sont toutes les deux positives, c'est-à-dire, si les courants circulant dans les demi-bras de commutation 12 et 14, pris de la première borne 15 vers la deuxième borne 16, sont tous les deux croissants. [0045] En fonctionnement normal, on observe deux cas de fonctionnement. Les courants décrits par la suite sont tous considérés avec un sens de circulation de la première borne 15 vers la deuxième home 16. [0046] Un premier cas de fonctionnement normal correspond à l'amorçage du transistor 20 dans le demi-bras supérieur 12. Initialement, le transistor 20 dans le demi-bras supérieur 12 est bloqué et le transistor 20 dans le demi-bras inférieur 14 est passant. Le courant est constant et non nul dans le demi-bras inférieur 14 et est nul dans le demi-bras supérieur 12. Les tensions VTOP et VEOT sont alors nulles. Lors de la commutation, le transistor 20 est amorcé dans le demi-bras supérieur 12 et le transistor 20 est bloqué dans le demi-bras inférieur 14. Le courant dans le demi-bras supérieur 12 augmente et le courant dans le demi-bras inférieur 14 diminue en même temps jusqu'à devenir nul. Les tensions VTOP et VEOT prennent alors respectivement des valeurs positives et négatives. A la fin de l'amorçage du transistor 20 dans le demi-bras supérieur 12, le courant circule et est constant dans le demi-bras supérieur 12 et le courant est nul dans le demi-bras inférieur 14. Les tensions VTop et VEnT sont alors nulles. [0047] Un deuxième cas de fonctionnement normal correspond au blocage du transistor 20 dans le demi-bras supérieur 12. Initialement, le transistor 20 dans le demi-bras supérieur 12 est passant et le transistor 20 dans le demi-bras inférieur 14 est bloqué. Le courant est constant et non nul dans le demi-bras supérieur 12 et est nul clans le demi-bras inférieur 14. Les tensions \Trop et VB0T sont alors nulles. Lors de la commutation, le transistor 20 est bloqué dans le demi-bras supérieur 12 et le transistor 20 est amorcé dans le demi-bras inférieur 14. Le courant clans le demi-bras inférieur 14 augmente et le courant dans le demi-bras supérieur 12 diminue en même temps jusqu'à devenir nul. Les tensions VTOP et VEOT prennent alors respectivement des valeurs négatives et positives. A la fin du blocage du transistor 20 dans le demi-bras supérieur 12, le courant circule et est constant dans le demi-bras inférieur 14 et le courant est nul dans le demi-bras supérieur 12. Les tensions VTOP et V.0-, sont alors nulles. [0048] Dans ces deux cas de fonctionnement normal, le cas où les tensions VTOP et VBOT sont toutes les deux positives n'est jamais détecté et le module de détection 10 donne en sortie un niveau logique "0" qui indique qu'il ne détecte pas de court-circuit dans le bras de commutation 8. [0049] Lors de l'apparition d'un court-circuit dans le bras de commutation 8, le courant 7 circulant dans les demi-bras de commutation 12 et 14, depuis la première borne 15 jusqu'à la deuxième borne 16, croît rapidement. Le dispositif de détection 10 détecte que les tensions V,01, et VB0, sont toutes les deux positives et donne en sortie un niveau logique "1" qui indique qu'un court-circuit dans le bras de commutation 8 est détecté. [0050] Le module de détection 10 permet donc de détecter un court-circuit en se basant non pas sur un dépassement de seuil, mais sur la détection d'un état logique. [0051] La diode 60 connectée tête-bêche avec la diode électroluminescente 54 permet de protéger la diode électroluminescente 54 lorsque la tension V10,, ou YB°, change de signe. [0052] La connexion des bornes de mesures 44, 45 aux bornes des inductances les plus proches des première et deuxième bornes 15 et 16 permet d'avoir une mesure de la tension plus précise, car les tensions aux première et deuxième bornes sont constante. [0053] On conçoit alors que le dispositif de détection de court-circuit 10 permet alors de détecter un éventuel court-circuit dans un bras de commutation 8 avec une réalisation simple, notamment en utilisant des opérations logiques. 8 [Revendication 1] [Revendication 2]