FR 3088924 A1 20200529 FR 1913100 A 20191122 Description Titre de l'invention : Procédé de réalisation d'un composant micromécanique pour une installation d'interféromètre et composant obtenu Domaine de l'invention 100011 La présente invention se rapporte à un procédé de réalisation d'un composant micro- mécanique pour une installation d'interféromètre ainsi qu'un composant micromécanique résultant du procédé pour une installation d'interféromètre et enfin une installation d'interféromètre équipée de tels composants micromécaniques. 100021 Les filtres spectraux miniaturisés, accordés peuvent être réalisés en technique MEMS, par exemple, sous la forme d'un interféromètre de Fabry-Pérot (FPI). Il comporte une cavité avec deux miroirs plans, parallèles très réfléchissants et écartés (longueur de la cavité) dans le domaine des longueurs d'onde optiques et offrant une forte transmission uniquement pour les longueurs d'onde pour lesquelles la longueur de la cavité correspond à un multiple entier de la demi-longueur d'onde. La longueur de la cavité peut se modifier par une manoeuvre électrostatique ou piézoélectrique, ce qui permet de générer un élément de filtre dont le spectre est accordé. Pour cela, il faut veiller à une coplanarité des deux miroirs car cela influence le degré de l'effet de filtre. [0003] Dans les interféromètres MEMS, on dégage les éléments de miroir par la gravure de couches sacrificielles en microstructures si les miroirs sont prévus à la fabrication, sur une couche sacrificielle. Le dégagement se fait en commandant la forme et le nombre ainsi que la répartition des orifices de gravure. Mais on peut avoir une variation importante liée au procédé concernant la vitesse de gravure. Habituellement, on encastre les membranes de miroir par le résidu de la couche sacrificielle qui correspond, par exemple, à un photolac ou à une couche d'oxyde. Du fait des fortes variations du procédé lors de l'opération de gravure, on a des variations dans le dégagement des miroirs et ainsi on arrive à différentes tailles de membranes. De même, la forme de l'arête de gravure peut correspondre essentiellement à une remise à l'échelle des dispositifs d'orifices de gravure ce qui réduit la liberté de conception. Il serait avantageux d'avoir une butée de gravure latérale pour arriver à une définition claire du bord. [0004] Pour réaliser un interféromètre de Fabry-Pérot qui permet d'avoir une plage de longueur d'onde aussi grande que possible, il faut remplir plusieurs conditions. Les deux miroirs de l'interféromètre FPI doivent être très réfléchissants dans toute la plage des longueurs d'onde à mesurer ; ils sont généralement réalisés sous la forme de systèmes diélectriques à couches (réflecteurs de Bragg, DBR). Ceux-ci sont composés d'une alternance de couches de matière à fort indice de réfraction et à faible indice de 2 réfraction ; l'épaisseur optique des couches est, de façon idéale, un multiple de la longueur d'onde centrale de la plage concernée. Une plage de longueur d'onde dans laquelle de tels miroirs présentent une forte réflexion est donnée par le contraste de l'indice de réfraction des matières à forte réfraction et des matières à faible réfraction. [0005] Le document US 7.733.495 B2 décrit un interféromètre de Fahry-Pérot avec un système de miroirs et une structure en forme de paroi latérale servant d'appui au miroir. [0006] Une plage de longueur d'onde aussi grande que possible sera couverte si l'indice de réfraction de la matière à faible coefficient de réfraction est proche de 1 comme, par exemple pour les gaz et le vide. De telles couches garantissent la planéité des couches de miroir et cela permet d'utiliser des structures d'appui qui écartent les couches environnantes fortement réfractrices. Habituellement, on utilise, comme structure d'appui, les parties de la couche à forte réfraction ou des couches intermédiaires. [0007] Exposé et avantages de l'invention [0008] La présente invention a pour objet un procédé de réalisation d'un composant micro- mécanique pour une installation d'interféromètre comprenant les étapes suivantes consistant à fournir un premier support et placer une première couche sacrificielle qui a une première résistance à la gravure sur le premier support et appliquer une première couche intermédiaire sur la première couche sacrificielle ou appliquer une première couche intermédiaire sur le premier support, appliquer une seconde couche sacrificielle qui a une seconde résistance à la gravure sur la première couche intermédiaire ; structurer la seconde couche sacrificielle, et dans la zone structurée de la seconde couche sacrificielle, modifier la seconde résistance à la gravure, appliquer une seconde couche intermédiaire sur la seconde couche sacrificielle structurée, pour que la seconde couche intermédiaire soit parallèle sur la première couche intermédiaire et enlever au moins partiellement la première et/ou la seconde couche sacrificielle au-dessus ou dans la zone structurée de la seconde couche sacrificielle par un procédé de gravure de façon qu'au moins une structure d'appui et/ou la couche de support se trouve entre la première et la seconde couches intermédiaire et reste en contact direct avec celles-ci. [0009] L'invention a également pour objet un composant micromécanique pour une ins- tallation d'interféromètre, selon lequel la première et/ou la seconde couche sacrificielle restent conservées comme couches de support après l'enlèvement partiel dans une bande marginale latérale. [0010] Enfin, l'invention a pour objet une installation d'interféromètre comportant un composant micromécanique tel que défini ci-dessus et dont la première couche intermédiaire et/ou la seconde couche intermédiaire ont un miroir diélectrique de Bragg. [0011] Avantages de l'invention [0012] L'idée de base de la présente invention est de développer un procédé de réalisation 3 d'un composant micromécanique pour unc installation d'interféromètre ainsi qu'un composant micromécanique en tant que tel, pour unc installation d'interféromètre et enfin une installation d'interféromètre équipée d'un tel composant. La réalisation des structures de liaison et d'appui en composant micromécanique sont avantageusement simplifiées pour l'invention. Pour réaliser des structures d'appui, il faut notamment réduire le nombre de matériaux nécessaires ; ainsi qu'une couche sacrificielle nécessaire pour installer les composants de la pièce les uns sur les autres et une structure d'appui entre les composants (par exemple les miroirs) peuvent être réalisés dans la même matière de hase de la couche sacrificielle et différer uniquement par une modification de l'intervalle de gravure. [0013] La structure d'appui permet avantageusement de maintenir constant l'écartement entre les deux couches intermédiaires. La géométrie de la structure d'appui est avantageusement limitée ; elle peut se présenter sous la forme d'un cylindre ou d'un cube, c'est-à-dire avoir, en vue de dessus sur les couches intermédiaires, unc forme de rectangle, une forme de courbe ou autre géométrie. La couche intermédiaire peut être en un matériau à fort indice de réfraction et se composer, par exemple, de plusieurs douches. La couche structurée de la seconde couche sacrificielle peut être n'importe quelle zone de la couche sacrificielle qui, après l'opération de gravure, constitue elle-même, la structure d'appui ou représente la zone à enlever. La propriété de résistance à la gravure correspond ici à l'inverse de la vitesse de gravure. La première couche intermédiaire peut être installée sans première couche sacrificielle, directement ou avec une autre couche, de préférence non gravée sur le support. [0014] En outre, un isolant comme structure d'appui permet de réaliser l'isolation électrique dans la direction verticale au plan des couches intermédiaires. On supprime ainsi les butées habituelles qui doivent éviter le collage des membranes formant les miroirs et qui ne peuvent être isolées électriquement si bien qu'au contact, on aura des soudures. Les déformations des couches intermédiaires produites par les structures d'appui, sous l'effet d'éventuelles contraintes mécaniques dans celles-ci, et qui peuvent détériorer les propriétés optiques de l'interféromètre FPI (les couches intermédiaires peuvent être les miroirs d'un interféromètre FIP) sont alors réduits ou évités. Cela permet de réaliser des structures d'appui plus massives et plus rigides, ce qui réduit leur souplesse vis-à-vis d'une déformation latérale. [0015] Les points d'appui peuvent être réalisés de manière simple sans nécessiter des dépôts de couches supplémentaires et les couches intermédiaires sont continues, c'est-à-dire ininterrompues. En outre, cela permet de réaliser des bossages anti-collage qui réduisent, de manière significative, le risque de collage des différents éléments mécaniques, mobiles, dans le composant MEMS. [0016] La gravure des couches sacrificielles permet de dégager avantageusement les couches intermédiaires comme miroirs sous la forme de membranes pour réaliser un interféromètre FP1 à hase de technique MEMS. La gravure des couches sacrificielles peut se faire, par exemple, par une gravure avec un gaz, une gravure par voie humide ou par un photolac en utilisant des solvants qui permettent d'enlever la partie non polymérisée du photolac. La réalisation de structures dans la couche sacrificielle a l'avantage de supprimer le dépôt ultérieur de la propre couche des structures, ce qui permet une topographie plus simple et plus avantageuse et que l'on peut mieux influencer. [0017] Selon une réalisation préférentielle du procédé, la première couche intermédiaire et la seconde couche intermédiaire sont des couches au moins à fort coefficient de réfraction comprenant, par exemple, du silicium, du germanium ou du carbure de silicium. [0018] La couche sacrificielle peut comporter en alternative, également un photolac. Selon une forme de réalisation préférentielle du procédé, on réalise au moins un orifice de gravure dans la seconde couche intermédiaire et cet orifice traverse la seconde couche intermédiaire et la seconde couche sacrificielle ainsi que la première couche intermédiaire pour arriver jusqu'à la première couche sacrificielle ou seulement jusqu'à la seconde couche sacrificielle. [0019] L'orifice de gravure, selon la couche sacrificielle à graver, arrive jusque dans cette couche sacrificielle, ce qui permet de faire la gravure avantageusement en partant de la direction de la seconde couche intermédiaire car celle-ci peut être dégagée par gravure. [0020] Selon une forme de réalisation préférentielle du procédé, avant d'appliquer la première couche intermédiaire, on modifie par mise en structure, la première couche sacrificielle et dans la zone structurée de la première couche sacrificielle, on modifie la première résistance à la gravure. [0021] La zone structurée de la première couche sacrificielle peut être la zone de la première couche sacrificielle qui, après l'opération de gravure, forme elle-même une structure d'appui ou une structure d'écartement entre la première couche intermédiaire et un premier support se trouvant en-dessous ou à l'extérieur de cette zone à enlever. [0022] Dans la suite de la description, cette zone mise en structure de la première couche sa- crificielle sera appelée « première zone » et la zone structurée de la seconde couche sacrificielle sera appelée « seconde zone ». [0023] Selon un développement préférentiel du procédé, la zone structurée de la première couche sacrificielle, après l'enlèvement partiel de la première couche sacrificielle constitue une structure d'écartement en contact avec la première couche intermédiaire et s'écartant de celle-ci, perpendiculairement à celle-ci dans la direction du premier support ou qui est en contact avec le premier support et s'étend en direction de la seconde couche à partir du premier support. [0024] La structure d'écartement peut être droit ou par rapport à une perpendiculaire à celle- ci ou sur une paroi latérale inclinée par rapport au premier support. [0025] Selon une réalisation préférentielle du procédé, on modifie, on augmente ou on diminue la première et/ou la seconde résistance à la gravure par dopage, implantation ou bombardement ionique. [0026] La réduction de la résistance à la gravure a l'avantage de permettre une gravure plus simple et plus rapide de cette matière alors que l'augmentation produit avantageusement une gravure plus lente. [0027] Selon une réalisation préférentielle du procédé, la zone structurée de la seconde couche sacrificielle, après l'enlèvement de la seconde couche sacrificielle, constitue une structure d'appui qui est en contact avec la première couche intermédiaire et/ou avec la seconde couche intermédiaire. On peut également former plusieurs structures d'appui. [0028] Selon une forme de réalisation préférentielle du procédé, on modifie la première ré- sistance à la gravure de la première couche sacrificielle et/ou la seconde résistance à la gravure de la seconde couche sacrificielle sur toute l'épaisseur de la couche sacrificielle respective ou sur une première profondeur dans la première ou la seconde couche sacrificielle. [0029] En modifiant sur toute la profondeur, on peut graver lors de l'opération de gravure suivante sur toute la profondeur alors que pour une modification seulement en surface, on pourra seulement graver jusqu'à cette profondeur réduite, en procédant à la vitesse prédéfinie. Dans le cas d'une modification qui se limite à la surface, l'agent de gravure peut se développer rapidement dans cette zone à modifier en surface et ensuite à partir de là on peut utiliser un procédé de gravure plus lent (et plus intense) pour attaquer le restant de la zone de la couche sacrificielle si la zone modifiée en surface présente une résistance réduite à la gravure. Cela permet d'utiliser la zone modifiée en surface (ou proche de la surface) comme une sorte de cordon d'allumage le long duquel l'agent de gravure peut attaquer rapidement et permettre ensuite à partir du sillon réalisé, l'attaque relativement répartie du restant de la couche sacrificielle par un procédé de gravure plus lent. [0030] Selon une forme de réalisation préférentielle du procédé, la première et/ou la seconde couche sacrificielle restent maintenues dans une zone latérale de bord comme couche sacrificielle après l'enlèvement partiel. [0031] La zone modifiée peut servir de butée de gravure latérale pour un procédé de gravure et dans ce procédé de gravure, la zone de couche sacrificielle qui se trouve latéralement au-delà de la zone modifiée reste inattaquée. Cela permet de modifier une zone de la couche sacrificielle pour avoir une zone partielle difficile ou impossible à graver et constituer ainsi une butée de gravure. [0032] Selon l'invention, le composant micromécanique pour réaliser une installation 6 d'interféromètre, a une première couche intermédiaire, une seconde couche intermédiaire parallèle et au-dessus de la première couche intermédiaire, au moins une structure d'appui entre la première et la seconde couche intermédiaire et en contact direct avec celles-ci et/ou une couche de support entre la première couche intermédiaire et la seconde couche intermédiaire dans une zone marginale latérale de celle-ci. La couche de support peut se trouver au-delà d'une butée latérale de gravure. La butée de gravure est avantageusement réalisée avec le même matériau de base que la couche sacrificielle, ce qui rend inutile le dépôt d'une couche distincte qui ne peut être gravée ou ne l'être que difficilement. La zone de la couche sacrificielle modifiée se distingue du restant de la couche sacrificielle uniquement par les composants à modifier, par exemple, par des implantations ioniques. [0033] Selon un exemple de réalisation préférentielle du composant micromécanique, la structure d'appui et la couche de support sont dans la même matière et/ou sont dans la même matière jusqu'à la résistance à la gravure qui est différente. [0034] Selon un exemple de réalisation préférentielle du composant micromécanique, la première couche intermédiaire et/ou la seconde couche intermédiaire comprennent un miroir diélectrique de Bragg. Celui-ci peut également se composer de plusieurs parties de couches. [0035] Selon l'invention, l'installation d'interféromètre comporte une première installation de miroirs et une seconde installation de miroirs, la première et/ou la seconde installation de miroirs ayant un composant micromécanique selon l'invention et la première et/ou la seconde installation de miroirs sont mobiles et un substrat sur lequel se trouvent la première et la seconde installations de miroirs, parallèles l'une à l'autre en étant reliées au substrat au moins dans une zone de bord ou zone marginale. [0036] Le composant micromécanique ainsi que l'installation d'interféromètre ont les mêmes avantages que ceux découlant des caractéristiques du procédé. [0037] L'installation d'interféromètre est, par exemple, un interféromètre de Fabry-Pérot. La liaison dans la zone marginale constitue un encastrement avantageux pour au moins l'une des installations de miroir Présentation des dessins [0038] La présente invention sera décrite ci-après, à l'aide d'exemples du procédé de réa- lisation d'un composant micromécanique et du composant obtenu ainsi d'un interféromètre avec un tel composant, représentés dans les dessins annexés dans lesquels : [0039] [fig.1] vue en coupe latérale schématique d'un composant micromécanique au cours de son procédé de fabrication selon un exemple de réalisation de l'invention, [0040] [fig.2] vue en coupe latérale schématique d'un composant micromécanique pendant son procédé de fabrication selon un autre exemple de réalisation de l'invention, 7 [0041] [fig.3] vue en coupe latérale schématique d'un composant micromécanique pendant son procédé de fabrication selon un autre exemple de réalisation de l'invention, [0042] [fig.4] vue en coupe latérale schématique d'un composant micromécanique pendant son procédé de fabrication selon un autre exemple de réalisation de l'invention, [0043] [fig.5] vue en coupe latérale schématique d'un composant micromécanique pendant son procédé de fabrication selon un autre exemple de réalisation de l'invention, [0044] [fig.6] vue en coupe latérale schématique d'un composant micromécanique pendant son procédé de fabrication selon un autre exemple de réalisation de l'invention, [0045] [fig.7] section latérale schématique d'une installation d'interféromètre selon un exemple de réalisation de et [0046] [fig.8] schéma par blocs des étapes du procédé de [0047] Dans les différentes figures, on utilisera les mêmes références pour désigner les mêmes éléments ou des éléments de même fonction. [0048] Description du mode de réalisation de l'invention [0049] La figure 1 est une vue en section ou coupe latérale schématique d'un composant mi- cromécanique selon un procédé de fabrication selon un exemple de réalisation de la présente invention. [0050] La succession des images a-h montre l'obtention d'un composant micromécanique 1 pour une installation d'interféromètre. L'étape (a) représente la fourniture d'un premier support T1 et la mise en place d'une première couche sacrificielle 01 qui a une première résistance à la gravure, sur le premier support Tl. Ensuite, on applique une première couche intermédiaire Z1 sur la première couche sacrificielle 02 et une seconde couche sacrificielle 02 qui a une seconde résistance à la gravure, sur la première couche intermédiaire Zi. La première couche sacrificielle et la seconde couche sacrificielle peuvent avoir initialement la même résistance à la gravure ou des résistances à la gravure, différentes ou encore être dans des matériaux identiques ou différents. [0051] Selon l'image (b) on met en structure la seconde couche sacrificielle 02. On modifie la seconde résistance à la gravure dans la zone structurée B2 de la seconde couche sacrificielle. La zone structurée B2 de la seconde couche sacrificielle peut ensuite constituer une zone d'appui. [0052] Puis, selon l'image (c) on applique une seconde couche intermédiaire Z2 sur la seconde couche sacrificielle 02, mise en structure pour que la seconde couche sacrificielle Z2 soit parallèle à la première couche sacrificielle Zi. [0053] Selon l'image (d), ensuite on réalise un orifice de gravure 2 à travers la seconde couche sacrificielle 02 ; cet orifice de gravure traverse la seconde couche intermédiaire Z2 et la seconde couche sacrificielle 02 ainsi que la première couche intermédiaire Z1 pour arriver jusqu'à la première couche sacrificielle 01 ou seulement 8 jusqu'à la seconde couche sacrificielle 02, suivant qu'il faut graver l'une ou les deux couches sacrificielles. [0054] Selon l'image (e), après la gravure par l'orifice de gravure 2, on enlève au moins par- tiellement la première et/ou la seconde couche sacrificielle 01, 02 à l'extérieur de la zone structurée B2 de la seconde couche sacrificielle 02 ; ainsi, au moins une structure d'appui 3 subsiste entre la première et la seconde couche intermédiaire Z1, Z2 en contact direct avec celles-ci. On peut en outre enlever au moins partiellement la première couche sacrificielle 01 entre la couche intermédiaire Z1 et le premier support Ti. [0055] La première et la seconde couche intermédiaire peuvent constituer des couches partielles de miroir et le composant 1 de la figure 1 peut être un miroir à air, c'est-à-dire deux couches de miroir à fort indice de réfraction avec, entre elles, de l'air comme matériau à faible indice de réfraction ; cela représente un miroir diélectrique de Bragg. Le premier support T1 n'a aucune couche ou une ou plusieurs autres couches. Les miroirs peuvent être dégagés par gravure. Il est en outre possible de réaliser l'accès de gravure dans la première couche sacrificielle 01 déjà après le dépôt de la première couche intermédiaire Z1 et d'arriver sur celle-ci par les orifices de gravure. La zone de gravure se commande par la durée de gravure, ce qui permet de ne graver que peu ou pas du tout la zone modifiée. Le point d'appui ainsi formé ou plusieurs points d'appui si la seconde zone B2 a plusieurs zones partielles séparées pour des points d'appui supplémentaires 3, peuvent correspondre une symétrie du composant 1, avantageusement un miroir dont on améliore la planéité. Les structures sont avantageusement statiques et ne cèdent que peu (seulement peu de relaxation et ainsi réduire en partie les contraintes de traction). Des contraintes internes qui existent entre les couches intermédiaires ou qui résultent de la réalisation peuvent rester et la déformation de l'une ou des deux couches intermédiaires dégagées (par exemple sous forme de membranes) et leur écart variable sous l'effet de la déformation, pourront être réduites significativement au moins dans la zone des structures d'appui. On obtiendra une meilleure symétrie de translation des membranes (couches intermédiaires). [0056] Les couches intermédiaires n'ont pas à être interrompues par des points d'appui et elles peuvent rester latéralement continues, ce qui a l'avantage d'une meilleure stabilité mécanique. La couche sacrificielle peut être enlevée partiellement ou totalement (jusqu'à la structure d'appui et à l'encastrement) sous la première et/ou la seconde couche intermédiaire. [0057] Pour modifier la première ou la seconde zone BI, B2 en variante, on peut également déposer localement une couche intermédiaire provisoire sur la couche sacrificielle et que l'on structure ou encore qui peut l'être dès le départ, et l'utiliser comme masque ou comme barrière (par exemple pour un bombardement ionique) et après modification 9 (par exemple, après le bombardement ionique ou le dopage, etc.) cette couche sera de nouveau enlevée. Comme masque pour la mise en structure, on peut toutefois utiliser la première ou la seconde couche intermédiaire Z1, Z2. [0058] Dans l'exemple de la figure 1, on modifie la résistance à la gravure dans la seconde zone en abaissant la vitesse de gravure et en augmentant la résistance à la gravure, c'est-à-dire pour un procédé de gravure on laisse la seconde zone B2 comme point d'appui et on enlève le restant de la seconde couche sacrificielle 02 avec des moyens de gravure réduits. Ensuite on peut également avoir une autre paire de couches intermédiaires (au moins une) avec dans l'intervalle, des couches sacrificielles modifiées ou non modifiées et de les traverser par les orifices de gravure 2. Cela permet avantageusement un positionnement précis et une forme de structure d'appui des miroirs à air. Les structures d'appui peuvent également être isolées électriquement par les membranes des couches intermédiaires. [0059] Les structures d'appui peuvent être réalisées sous la forme de structures en forme de parois ou de colonnes. Dans ce dernier cas, il est avantageux d'utiliser une répartition en réseau hexagonal car celui-ci présente une forte stabilité mécanique et un degré de symétrie poussé. Les structures d'appui peuvent être des structures enveloppées ou des structures creuses ou imbriquées. [0060] La figure 2 montre schématique une section latérale d'un composant micro- mécanique pendant son procédé de fabrication selon un autre exemple de réalisation de l'invention. [0061] La figure 2 montre, de façon analogue à la figure 1, la succession d'étapes de réa- lisation du composant micromécanique 1 par les étapes selon les images (a)-(e). [0062] L'image (a) montre un composant micromécanique 1 dans une première étape après la fourniture d'un premier support Ti et la mise en place d'une première couche sacri- ficielle 01 qui a une première résistance à la gravure, sur le premier support T 1. [0063] Ensuite, on applique une première couche intermédiaire ZI sur la première couche sacrificielle 01 et une seconde couche sacrificielle qui a une seconde résistance à la gravure sur la première couche intermédiaire ZI. Avant l'application de la première couche intermédiaire, selon l'image (a) on peut modifier la première résistance à la gravure de la première couche sacrificielle 01, en particulier dans une première zone Bl. La première zone BI peut faire partie de la première couche sacrificielle 01 ou correspondre à la totalité de celle-ci. Par exemple, la première zone BI, après modification, aura une vitesse de gravure plus élevée, c'est-à-dire qu'elle pourra être gravée plus rapidement et plus simplement que le matériau non modifié de la première et/ou de la seconde couche sacrificielle. [0064] Dans l'image (b) ensuite on peut modifier la seconde zone B2, toutefois la seconde zone B2 peut correspondre à l'ensemble du matériau de la couche sacrificielle à l'extérieur d'un ou plusieurs points d'appui 3 et y présenter une résistance à la gravure diminuée selon la première zone Bl. [0065] L'image (c) montre la seconde couche intermédiaire Z2 appliquée sur sa seconde couche sacrificielle 02, et selon l'image (d), des orifices de gravure 2 sont réalisés selon la figure 1-d de façon avantageuse dans la zone B2 (au-delà des points d'appui) et en traversant jusqu'à la zone B2, c'est-à-dire jusque dans les zones à graver). Après l'opération de gravure, il subsiste dans l'image (e) un composant 1 correspondant à celui de la figure 1-e. [0066] La figure 3 est une vue en coupe latérale schématique d'un composant micro- mécanique pendant son procédé de réalisation selon un autre exemple de l'invention. [0067] La figure 3 montre, de façon analogue à la figure 1, la succession des étapes de réa- lisation du composant micromécanique 1 selon les images (a)-(c) qui correspondent pour l'essentiel aux étapes de base représentées à la figure 1. [0068] Dans l'image (a), la disposition des couches sacrificielles et celle de la première couche intermédiaire Z1 diffèrent des figures 1 et 2 en cc que la première couche sacrificielle 01 a été modifiée seulement à proximité de sa surface, avant l'application de la première couche sacrificielle Z1 (cette modification est faite sur une première profondeur (t1)), selon l'image (a) cela peut se faire sur toute la surface de la première couche sacrificielle 01 mais également seulement de façon structurée dans des zones partielles. La zone proche de la surface supérieure représentée avantageusement la première zone BI et après la modification, elle a avantageusement une moindre résistance à la gravure et peut se graver plus facilement que le restant de la première couche sacrificielle 01. [0069] Selon l'image (b), la seconde couche sacrificielle 02 est également structurée à proximité de la surface supérieure, ce qui correspond à la seconde zone modifiée B2 ; cette structure se fait avantageusement en dehors des points d'appui prévus. [0070] Les images (c), (d), (e) con-espondent à celles de la figure 1 et les orifices de gravure dans l'étape (d) arrivent jusque dans la première zone BI et peuvent également traverser la seconde zone B2. La pénétration de l'agent de gravure selon les images (d)-(e) permet à la gravure de se déployer rapidement et simplement le long de la première et de la seconde zone BI, B2 et sur les zones restantes de la première et de la seconde couche sacrificielle ; en d'autres termes, cela se fait à la manière d'un cordon d'allumage pour la gravure. Les autres zones des couches sacrificielles peuvent être gravées ensuite et former les structures d'appui 3. Les figures sont à une échelle explicite, mais la couche sacrificielle présente avantageusement une largeur beaucoup plus grande des points d'appui que la hauteur de la couche sacrificielle. La largeur d'une structure d'appui se situe, par exemple, dans une plage de 1-2 prn et la hauteur, dans une plage de 100-400 nm. C'est pourquoi, la gravure verticale permet d'enlever 11 beaucoup plus rapidement du volume entre les couches intermédiaires que la diminution de la largeur de la structure d'appui ; en d'autres termes, si la couche sacrificielle est dégagée par gravure selon la hauteur, cela réduit également l'enlèvement latéral de la couche sacrificielle au niveau des points d'appui et ne perturbe pas de manière significative latéralement la géométrie des points d'appui. La modification proche de la surface supérieure permet avantageusement d'appliquer d'autres procédés de modification qui n'agissent qu'en surface, ce qui réduit les effets secondaires non souhaitables sur les couches intermédiaires et, par exemple, un dopage non souhaité de celles-ci (par le contact adjacent de la couche sacrificielle modifiée et de la couche intermédiaire). [0071] La figure 4 est une vue en section latérale schématique d'un composant micro- mécanique au cours du procédé de fabrication selon un autre exemple de réalisation de l' invention. [0072] La figure 4 de façon analogue à la figure 1 présente une succession d'étapes de fa- brication du composant micromécanique 1 aux images (a)-(e). [0073] Selon l'image (a), on fournit un support 1 avec une première couche sacrificielle 01 déposée sur celui-ci. Ensuite, selon l'image (h) on réalise une première zone B1 par modification. Ensuite selon l'image (c) on applique une première couche intermédiaire Z1 sur la première couche sacrificielle 01 et ensuite une seconde couche sacrificielle 02 avec une seconde couche intermédiaire Z2 ; la seconde couche sacrificielle est modifiée au préalable clans la seconde zone B2. La première et la seconde zone peuvent être formées par parties au moins dans la même position latéralement. En vue de dessus, la première et la seconde zones ont avantageusement un bord comme courbe fermée ou comme ligne (cercle, formes périodiques). [0074] Les images (d) et (e) correspondent à celles de la figure 1 ; au moins un orifice de gravure 2 est réalisé dans un côté latéralement à côté de la première et/ou de la seconde zone dans la succession de couches. Après la gravure, on peut ainsi enlever la première et la seconde couche sacrificielle uniquement sur un côté du bord à partir de la première et de la seconde zone et la laisser sur l'autre côté des deux couches sacrificielles. Cela permet de dégager les couches intermédiaires sur un côté et d'avoir les couches sacrificielles sur l'autre côté avec un encastrement avantageusement précis pour les couches intermédiaires dans une zone de bord RB. La première etlou la seconde zone peuvent servir de bord pour définir une butée latérale de gravure et avoir une position et une forme précises de l'encastrement des membranes de la couche intermédiaire Z1 etlou Z2. Si en plus on fournit des structures d'appui dans la zone gravée des couches sacrificielles, le bord se réalise au moins en partie dans la même étape que les structures d'appui. Le bord ou limitation peut également s'utiliser dans les autres couches sacrificielles. Le composant (installation d'interféromètre) peut 12 avoir d'autres couches sacrificielles (par exemple dans une autre installation de miroirs ou entre les installations de miroir ou les couches intermédiaires) qui peuvent également être délimitées de cette manière. L'encastrement est représenté par les couches sacrificielles résiduelles comme couches de support TS. L'encadrement peut également se réaliser de façon analogue à la figure 1 en ce que l'on modifie les zones de la première et/ou de la seconde couche sacrificielle, latéralement à l'intérieur du bord en augmentant ainsi la vitesse de gravure. [0075] La limite latérale de gravure définie par l'encadrement permet également de protéger la zone d'alimentation et/ou de contact contre toute gravure et y éviter les courts circuits qui peuvent être engendrés par un dégagement. L'entourage permet également de délimiter la zone d'alimentation et/ou de contact et d'être réalisé dans celle-ci. [0076] La figure 5 montre schématiquement une coupe latérale ou section schématique d'un composant micromécanique obtenu par un procédé de fabrication correspondant à un autre exemple de réalisation de l'invention. [0077] La figure 5 montre, de façon analogue à la figure 4, une succession d'étapes de réa- lisation du composant micromécanique 1 selon les images a-c. [0078] L'image a de la figure 5 correspond à l'image a (figure 4). L'image h de la figure 5 se distingue uniquement de l'image a de la figure 4 en ce que la première zone B1 s'étend à partir de la face supérieure de la première couche sacrificielle 01 à l'opposé du premier support Tl jusqu'à une certaine profondeur dans celle-ci ; cette profondeur est inférieure à la hauteur de la première couche sacrificielle 01 ; elle correspond à une modification à proximité de la surface supérieure. A l'image (d) on a réalisé des orifices de gravure 2 dans la première et la seconde zones sur tous les côtés ou seulement sur un côté dans la succession de couches ; la première et la seconde zones ne définissent aucune bordure ou limite comme à la figure 4, mais des structures séparées (structures d'appui). La première zone peut se trouver sous la seconde zone et former une structure d'écartement 4 après la gravure (bosse anti-collage/anti-stiction) qui, lors du déplacement de la première couche intermédiaire évite le contact de celle-ci avec le support Ti ou les autres couches intermédiaires ou surfaces conductrices par contact mécanique ; on évite ainsi un court-circuit ou une soudure, par exemple, lors de la mise en place sur d'autres couches intermédiaires (miroir à ah-, interféromètre FPI). La structure d'écartement 4 ou plusieurs structures d'écartement peuvent être réalisées sous la structure d'appui ou être séparées latéralement de celle-ci. Les structures d'écartement peuvent être formées par exemple comme des bossages. La matière de la couche sacrificielle peut être isolée électriquement de sorte que lors du développement de la structure d'écartement à partir de la matière de la couche sacrificielle, on évite le soudage, par exemple, si la couche intermédiaire (première couche) et une couche située en dessous, par exemple, le premier support, sont à des potentiels électriques 13 différents. [0079] La figure 6 montre une section latérale schématique d'un composant micro- mécanique pendant le procédé de réalisation correspondant à un autre exemple de la présente invention. [0080] La représentation de la figure 6 correspond, pour l'essentiel, à celle de la figure 5 avec l'unique différence que la structure d'écartement 4 est associée au premier support T1. [0081] En variante ou en complément de l'exemple de la figure 5, il est également possible de réaliser la structure d'écartement 4 non pas sur la première couche intermédiaire Z1, niais sur le premier support Tl de façon que celle-ci vienne en saillie dans la zone intermédiaire entre le premier support Tl et la première couche intermédiaire Zl . On peut également combiner plusieurs structures d'écartement dont certaines sont sur le support et d'autres sur la couche intermédiaire. La réalisation pourrait également se faire selon le procédé avec le cordon d'allumage de la figure 3. La structure d'écartement 4 peut également se réaliser en modifiant la première zone B1 (par exemple comme "cordon d'allumage") et après avoir partiellement enlevé la (première) couche sacrificielle, on laisse le restant de la couche sacrificielle pour constituer la structure d'écartement 4. [0082] Les zones B1 et B2 à modifier dans les couches sacrificielles peuvent également être combinées selon leur nature, leur emplacement et leur procédé de réalisation comme cela ce qui est représenté aux figures 1 à 6. [0083] La figure 7 montre une section latérale schématique d'une installation d'interféromètre selon un exemple de réalisation de la présente invention. [0084] L'installation d'interféromètre comporte un interféromètre de Fabry-Pérot et elle est réalisée comme rnicrospectromètre. [0085] L'installation d'interféromètre 10 comprend une première installation de miroir SPI et une seconde installation de miroir SP2 ; la première et/ou la seconde installation de miroir SPI ; SP2 comportent un composant micromécanique 1 selon l'invention ; la première et/ou la seconde installation de miroir SPI ; SP2 sont mobiles. En outre, l'installation d'interféromètre 10 comprend un substrat 5 sur lequel la première et la seconde installation de miroir SPI ; SP2 sont en parallèle en étant reliées au moins dans la zone de bord, au substrat 5. La première et la seconde installations de miroir SPI ; SP2 peuvent comporter un entourage dans la zone de bord 5a, par exemple des résidus de couches sacrificielles. Au moins l'une des installations de miroir comprend un miroir diélectrique de Bragg ou un miroir d'air avec de l'air, du gaz ou du vide. La distance entre la première et la seconde couche intermédiaire correspond avantageusement à un quart de la longueur d'onde centrale de l'installation d'interféromètre comme filtre optique. La structure d'appui entre les couches intermédiaires comprend 14 une matière de couche sacrificielle modifiée ou non modifiée. [0086] La figure 8 est un schéma par blocs des étapes du procédé de l'invention. [0087] Le procédé de réalisation d'un composant micromécanique pour une installation d'interféromètre consiste à fournir (S1) un premier support et à disposer Sl a une première couche sacrificielle qui a une première résistance de gravure sur le premier support ; on applique (S2) une seconde couche sacrificielle sur la première couche sacrificielle ou on applique une première couche intermédiaire sur le premier support ; on applique (S3) une seconde couche sacrificielle qui a une seconde résistance à la gravure sur la première couche intermédiaire ; on met en structure (S4) la seconde couche sacrificielle et dans une zone structurée de la seconde couche sacrificielle, on modifie la seconde résistance de gravure ; on applique (S5) une seconde couche intermédiaire sur la seconde couche sacrificielle structurée pour que la seconde couche intermédiaire se trouve parallèlement au-dessus de la première couche intermédiaire ; on enlève au moins partiellement la première et/ou la seconde couche sacrificielle au-delà ou dans la zone structurée de la seconde couche sacrificielle par un procédé de gravure de façon à laisser au moins une structure d'appui entre la première et la seconde couche intermédiaire et en contact direct avec celle-ci. [0088] NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX [0089] 1 Composant micromécanique [0090] 2 Orifice de gravure [0091] 3 Structure d'appui [0092] 4 Structure d'écartement [0093] 5 Substrat [0094] 10 Installation d'interféromètre [0095] BI Zone structurée [0096] B2 Zone structurée [0097] 01 Première couche sacrificielle [0098] 02 Seconde couche sacrificielle [0099] SPI Première installation de miroir [0100] SP2 Seconde installation de miroir [0101] TS Couche de support [0102] Tl Premier support [0103] ZI Première couche intermédiaire [0104] Z2 Seconde couche intermédiaire [Revendication 1] [Revendication 2] [Revendication 3] [Revendication 4]