FR 3087943 A1 20200501 FR 1859834 A 20181024 PROCEDE DE FABRICATION D'UN PIXEL D'UN MICRO-ECRAN A OLEDS Domaine technique L'invention se rapporte au domaine technique des micro-écrans à diodes 5 électroluminescentes organiques (OLEDs). L'invention trouve notamment son application dans la fabrication de binettes et casques à réalité virtuelle ou augmentée, de viseurs d'appareil photo, d'afficheurs tète haute, de picopro j ecteurs etc. 10 Etat de la technique antérieure Un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques à émission vers le haut connu de l'état de la technique, notamment du document EP 1 672 962 Al, comporte successivement : - un substrat ; 15 - une première électrode, réfléchissante dans le domaine visible, et formée sur le substrat ; - une couche d'espacement, formée sur la première électrode ; - un empilement de couches électroluminescentes organiques, configuré pour émettre une lumière blanche, et formé sur la couche d'espacement, - une seconde électrode, semi-transparente dans le domaine visible, et formée sur 20 l'empilement ; les première et seconde électrodes formant un résonateur optique. La couche d'espacement possède des première, deuxième, et troisième portions présentant des épaisseurs adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement, de manière à définir respectivement des sous-pixels rouge, vert et bleu. 25 Un tel pixel de l'état de la technique permet d'envisager de s'affranchir de filtres colorés grâce au résonateur optique de type Fahry-Pérot formant un filtre interférentiel. La gamme de longueurs d'onde filtrées est déterminée par les épaisseurs des première, deuxième et troisième portions de la couche d'espacement permettant d'ajuster l'épaisseur de la cavité optique (délimitée par les première et seconde électrodes) de sorte que le résonateur optique 30 autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issue de la lumière blanche émise par l'empilement de couches électroluminescentes organiques. Ce type de filtrage peut être obtenu de manière analogue pour un micro-écran à émission vers le bas. Pour simplifier la terminologie, on continuera de parler de résonateur, même si les effets d'interférences sont bien moindres en cas d'émission vers le bas. 2 'toutefois, un tel pixel de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où la commande électronique des sous-pixels rouge, vert et bleu est susceptible de conduire à des phénomènes de diaphonie (« crosstalk» en langue anglaise) entre des sous-pixels adjacents dus à la présence d'une conduction électrique latérale entre sous-pixels adjacents par la couche d'espacement et/ou par des couches conductrices au sein de l'empilement de couches électroluminescentes organiques. Exposé de l'invention L'invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, 10 l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat comportant une première électrode structurée ; b) former une couche diélectrique sur la première électrode structurée ; c) former des ouvertures dans la couche diélectrique de sorte que la première électrode 15 structurée présente des zones libres, les ouvertures étant destinées à accueillir des sous-pixels rouge, vert et bleu ; d) former une couche d'espacement, transparente dans le domaine visible et électriquement conductrice, et comportant : - une première partie s'étendant sur la couche diélectrique, et 20 - une seconde partie s'étendant sur les zones libres de la première électrode structurée, à l'intérieur des ouvertures ; e) supprimer la première partie de la couche d'espacement ; f) former un empilement de couches électroluminescentes organiques, configuré pour émettre une lumière blanche, et comportant : 25 - une première partie s'étendant sur la couche diélectrique, et - une seconde partie s'étendant sur la seconde partie de la couche d'espacement, à l'intérieur des ouvertures ; g) former une seconde électrode sur l'empilement de couches électroluminescentes organiques de manière à obtenir un résonateur optique avec la première électrode ; 30 l'étape d) étant exécutée de sorte que la seconde partie de la couche d'espacement présente des première, deuxième et troisième épaisseurs dans les ouvertures adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement de couches électroluminescentes organiques. 3 Ainsi, un tel procédé selon l'invention permet d'obtenir un résonateur optique de type Fabry-Pérot tout en réduisant significativement les effets de diaphonie entre les sous-pixels adjacents. Ceci est rendu possible grâce aux faits de : 5 (i) supprimer la première partie de la couche d'espacement lors de l'étape e), (ii) enterrer la seconde partie de l'empilement des couches électroluminescentes organiques (i.e. la partie effective située entre les électrodes) à l'intérieur des ouvertures lors de l'étape F. Un tel procédé selon l'invention permet donc de s'affranchir d'une conduction électrique 10 latérale susceptible d'être occasionnée par la première partie de la couche d'espacement et par la présence de couches conductrices au sein de l'empilement de couches électroluminescentes organiques. En outre, un tel procédé selon l'invention permet de s'assurer de la présence de la couche d'espacement sur les bords de la première électrode structurée et d'éviter ainsi les effets de 15 bord. Ceci est rendu possible en enterrant la seconde partie de la couche d'espacement à l'intérieur des ouvertures lors de l'étape d). Définitions - Par «micro-écran», on entend un écran dont chaque pixel présente une surface inférieure ou égale à 30 pm par 30 pm. 20 - Par « substrat », on entend un support physique autoporté, réalisé dans un matériau de base permettant de préférence l'intégration d'un dispositif électronique ou d'un composant électronique. Par exemple, un substrat est classiquement une trancheare. r» en langue anglaise) découpée dans un lingot monocristallin de matériau semi-conducteur. - Par « électrode structurée », on entend une électrode présentant une surface discontinue 25 délimitant un ensemble de motifs. - Par « couche diélectrique », on entend une couche réalisée dans un matériau diélectrique, possédant une conductivité électrique à 300 diC inférieure à 10' S.cml. - Par « zones libres », on entend des zones de la première électrode qui ne sont pas recouvertes par la couche diélectrique. 30 - Paru domaine visible », on entend un spectre électromagnétique compris entre 380 nm et 780 nm. - Par « transparente », on entend que la couche d'espacement possède un coefficient de transmission en intensité supérieur ou égal à 70%, de préférence supérieur ou égal à 80%, 4 plus préférentiellement supérieur ou égal à 85%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90%, moyenné sur le domaine visible. - Par « électriquement conductrice », on entend que la couche d'espacement présente une conductivité électrique à 300 K supérieure ou égale à 102 S/cm. 5 - Par «à l'intérieur des ouvertures », on entend que la surface de la seconde partie de la couche d'espacement se situe à un niveau inférieur à celui de la surface de la couche diélectrique. De la même façon, on entend que la surface de la seconde partie de l'empilement de couches électroluminescentes organiques se situe à un niveau inférieur à celui de la surface de la couche diélectrique. - Par « épaisseur », on entend la dimension suivant la normale à la surface du pixel ou du sous-pixel. Le procédé selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l'invention, l'étape e) est exécutée de sorte que la seconde partie de la couche d'espacement et la couche diélectrique présentent une hauteur de marche supérieure ou égale à 100 nm à l'issue de l'étape e). Par « hauteur de marche », on entend la dimension -suivant la normale à la surface du 20 pixel-, séparant la surface de la couche diélectrique de la surface de la seconde partie de la couche d'espacement. Ainsi, un avantage procuré par une telle hauteur de marche est de pouvoir réduire significativement les effets de diaphonie entre les sous-pixels rouges, verts et bleus. En effet, la conduction électrique latérale, susceptible d'être occasionnée par la présence de couches 25 conductrices au sein de l'empilement de couches électroluminescentes organiques, est fortement limitée grâce à cette hauteur de marche. Selon une caractéristique de l'invention, l'étape c) est exécutée par un polissage mécano-chimique. 30 Ainsi, un avantage procuré est la rapidité de l'opération consistant à supprimer la première partie de la couche d'espacement. Selon une caractéristique de l'invention, la couche d'espacement formée lors de l'étape d) comporte au moins un oxyde, électriquement conducteur et transparent dans le domaine 35 visible. 5 Selon une caractéristique de l'invention, le ou les oxydes sont sélectionnés parmi l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'étain Sn02, l'oxyde de zinc ZnO. 5 Selon une caractéristique de l'invention, l'étape d) est exécutée de sorte que la première épaisseur est 100 nm, la deuxième épaisseur est 50 nm, et la troisième épaisseur est 10 nm. Selon une caractéristique de l'invention, les ouvertures formées lors de l'étape c) présentent une largeur comprise entre 500 nm et 10 ttm. 10 Selon une caractéristique de l'invention, la couche diélectrique formée lors de l'étape b) est réalisée dans un matériau choisi parmi SiO2 et SiN. Selon une caractéristique de l'invention, la couche diélectrique formée lors de l'étape b) 15 présente une épaisseur comprise entre 150 nm et 300 nm. Ainsi, un avantage procuré est de combiner à la fois : - une épaisseur suffisamment importante pour obtenir une hauteur de marche satisfaisante (typiquement supérieure ou égale à 100 nm) entre la seconde partie de la couche d'espacement et la couche diélectrique après la consommation de matière duc au polissage 20 mécano-chimique exécuté lors de l'étape b) ; - une épaisseur suffisamment faible pour ne pas augmenter indûment la durée de formation de la couche diélectrique. Selon une caractéristique de l'invention, les première et seconde électrodes sont réalisées 25 dans un matériau métallique, de préférence sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W, et/ou réalisées dans un oxyde transparent conducteur. De tels matériaux métalliques possèdent à la fois un coefficient de réflexion en intensité élevée dans le domaine visible, et une conductivité électrique élevée. On privilégiera un oxyde, électriquement conducteur et transparent dans le domaine visible, lorsque l'électrode doit être 30 transparente ou semi-transparente. Selon une caractéristique de l'invention, le substrat prévu lors de l'étape a) est transparent dans le domaine visible, la première électrode structurée prévue lors de l'étape a) est semitransparente dans le domaine visible, la seconde électrode formée lors de l'étape g) est 35 réfléchissante dans le domaine visible. 6 Par « transparent », on entend que le substrat possède un coefficient de transmission en intensité supérieur ou égal à 70%, de préférence supérieur ou égal à 80%, plus préférentiellement supérieur ou égal à 85%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90%, moyenné sur le domaine visible. 5 Par « semi-transparente », on entend que la première électrode structurée possède un coefficient de transmission en intensité compris entre 30% et 70% moyenné sur le domaine visible. Par « réfléchissante », on entend que la seconde électrode possède un coefficient de réflexion en intensité supérieur ou égal à 70%, de préférence supérieur ou égal à 80%, plus 10 préférentiellement supérieur ou égal à 85%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90%, moyenné sur le domaine visible. Ainsi, un avantage procuré est d'obtenir une structure dite à émission vers le bas, c'est à-dire à travers le substrat. 15 Selon une caractéristique de l'invention, le substrat prévu lors de l'étape a) est réalisé dans un matériau semi-conducteur, de préférence le silicium, ou réalisé en verre, la première électrode structurée prévue lors de l'étape a) est réfléchissante dans le domaine visible, la seconde électrode formée lors de l'étape g) est semi-transparente dans le domaine visible. Par « semi-conducteur », on entend que le matériau présente une conductivité électrique à 300 K comprise entre 10 et 102 S.cmil. Par « réfléchissante », on entend que la première électrode structurée possède un coefficient de réflexion en intensité supérieur ou égal à 70"A, de préférence supérieur ou égal à 80%, plus préférentiellement supérieur ou égal à 85%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90%, moyenné sur le domaine visible. Par « senii-transparente », on entend que la seconde électrode possède un coefficient de transmission en intensité compris entre 30% et 70% moyenné sur le domaine visible. Ainsi, un avantage procuré est d'obtenir une structure dite à émission vers le haut, c'est-à-dire à travers la seconde électrode. Le substrat peut alors comporter un circuit de commande des sous-pixels rouges, verts, et bleus sans nuire à l'efficacité lumineuse du micro-écran. On choisira un circuit de type TET (Transistors en couches minces « Thin film Ttartiitors» en langue anglaise) lorsque le substrat est réalisé en verre, et un circuit de type CMOS (« Complementary Meta/. Oxzde Semiconducton» en langue anglaise) lorsque le substrat est réalisé dans un matériau semi-conducteur, en particulier Si. 7 Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l'exposé détaillé de différents modes de réalisation de l'invention, l'exposé étant assorti d'exemples et de références aux dessins joints. 5 Figures 1 à 8 sont des vues schématiques en coupe selon la normale au substrat, illustrant des étapes d'un procédé selon l'invention. 11 est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques et ne sont pas à l'échelle par souci de lisibilité et pour simplifier leur compréhension. 10 Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. Comme illustré aux figures 1 à 8, un objet de l'invention est un procédé de fabrication 15 d'un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat 1 comportant une première électrode L1 structurée b) former une couche diélectrique 2 sur la première électrode Fi structurée ; c) former des ouvertures 20 dans la couche diélectrique 2 de sorte que la première 20 électrode El structurée présente des zones libres ZL, les ouvertures 20 étant destinées à accueillir des sous-pixels rouge, vert et bleu PR, PST, Pli ; d) former une couche d'espacement 3, transparente dans le domaine visible et électriquement conductrice, et comportant : - une première partie 30 s'étendant sur la couche diélectrique 2, et 25 - une seconde partie 31 s'étendant sur les zones libres LL de la première électrode D1 structurée, à l'intérieur des ouvertures 20 ; e) supprimer la première partie 30 de la couche d'espacement 3 ; f) former un empilement 4 de couches électroluminescentes organiques, configuré pour émettre une lumière blanche, et comportant : 30 - une première partie 40 s'étendant sur la couche diélectrique 2, et - une seconde partie 41 s'étendant sur la seconde partie 31 de la couche d'espacement 3, à l'intérieur des ouvertures 20 ; g) former une seconde électrode F12 sur l'empilement 4 de couches électroluminescentes organiques de manière à obtenir un résonateur optique avec la première électrode F,1 ; S l'étape d) étant exécutée de sorte que la seconde partie 31 de la couche d'espacement 3 présente des première, deuxième et troisième épaisseurs dans les ouvertures 20 adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement 4 de couches 5 électroluminescentes organiques. Les étapes a) et b) sont illustrées à la figure 1. L'étape c) est illustrée à la figure 2. L'étape d) est illustrée aux figures 3 à 5. L'étape e) est illustrée à la figure 6. L'étape fj est illustrée à la figure 7. L'étape g) est illustrée à la Figure 8. Substrat et types d'architectures 10 Selon une première architecture dite à émission vers le bas : - le substrat 1 prévu lors de l'étape a) est transparent dans le domaine visible, et peut être réalisé en verre, - la première électrode El structurée prévue lors de l'étape a) est semi-transparente dans le domaine visible, et peut être réalisée par exemple dans un oxyde transparent conducteur, 15 - la seconde électrode E2 formée lors de l'étape g) est réfléchissante dans le domaine visible, et peut être réalisée par exemple dans un matériau métallique. Selon une seconde architecture dite à émission vers le haut : - le substrat 1 prévu lors de l'étape a) est réalisé dans un matériau semi-conducteur, de préférence le silicium, ou réalisé en verre, 20 - la première électrode El structurée prévue lors de l'étape a) est réfléchissante dans le domaine visible, et peut être par exemple réalisée dans un matériau métallique, - la seconde électrode E2 formée lors de l'étape g) est semi-transparente dans le domaine visible, et peut être par exemple réalisée dans un oxyde transparent conducteur. Première électrode structurée 25 La première électrode E1 structurée est avantageusement réalisée dans un matériau métallique, de préférence sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, \V, ou réalisée dans un oxyde transparent conducteur. La première électrode El est préférentiellement une anode. Toutefois, la première électrode El peut être une cathode si la structure de l'empilement 4 de couches 30 électroluminescentes organiques est inversée. L'étape a) peut comporter les étapes : al) prévoir le substrat 1 ; a2) déposer la première électrode E1 sur le substrat 1 par un dépôt de type pleine plaque, selon une technique de dépôt connue de l'homme du métier ; 9 a3) structurer la première électrode Ll par une lithogravure. Les motifs de la première électrode Ll structurée sont préférentiellement séparés d'une largeur comprise entre 0,5 itm et 1 am. Cette largeur permet d'obtenir un pas d'une matrice de sous-pixels d'un micro-écran préférentiellement compris entre 4 in-ri et 5 itm. 5 Lorsque l'architecture est à émission vers le bas, la première électrode Li structurée présente une épaisseur adaptée pour être semi-transparente dans le domaine visible. La première électrode EI peut alors être réalisée par exemple dans un oxyde transparent conducteur (e.g. TTO). Lorsque l'architecture est à émission vers le haut, la première électrode LI structurée 10 présente une épaisseur adaptée pour être réfléchissante dans le domaine visible. La première électrode El peut alors être réalisée par exemple dans un matériau métallique. Couche diélectrique La couche diélectrique 2 formée lors de l'étape h) est avantageusement réalisée dans un matériau choisi parmi Si02 et SiN. 15 L'étape h) peut être exécutée par une technique de dépôt connue de l'homme du métier. La couche diélectrique 2 formée lors de l'étape b) présente avantageusement une épaisseur comprise entre 150 mn et 300 mn. L'étape c) peut être exécutée par une technique de gravure connue de l'homme du métier de manière à obtenir des flancs de gravure suffisamment raides pour que la seconde partie 31 20 de la couche d'espacement 3 et la couche diélectrique 2 présentent une hauteur de marche supérieure ou égale à 100 nm à l'issue de l'étape e), afin d'assurer la discontinuité du dépôt de l'empilement 4 de couches électroluminescentes organiques. Les ouvertures 20 formées lors de l'étape c) présentent avantageusement une largeur comprise entre 500 mn et 10 itm. Les ouvertures 20 de la couche diélectrique 2 peuvent présenter une section transversale 25 rectangulaire. Par « section transversale », on entend une section effectuée suivant la normale à la surface du pixel, c'est-à-dire dans l'épaisseur de la couche diélectrique 2. A titre de variante, les ouvertures 20 de la couche diélectrique 2 peuvent présenter une section transversale de forme différente, qui serait favorable à l'extraction de lumière, par exemple une section transversale parabolique. 30 Formation de la couche d'espacement La couche d'espacement 3 formée lors de l'étape d) comporte avantageusement au moins un oxyde, électriquement conducteur et transparent dans le domaine visible (dénommé ci-après 'FCO pour « harnpareni Condudive ()xi& »). Le ou les oxydes sont avantageusement sélectionnés parmi l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'étain Sn02, l'oxyde de zinc 7In0. lo L'oxyde de zinc ZnO est préférentiellement dopé à l'aluminium. L'oxyde d'étain SnO: est préférentiellement dopé à l'aluminium. 11 est également possible d'envisager d'autres dérivés de l'oxyde d'indium-étain, de l'oxyde d'étain Sn02, et de l'oxyde de zinc ZnO. L'étape d) est exécutée de sorte que la seconde partie 31 de la couche d'espacement 3 5 présente les première, deuxième et troisième épaisseurs dans les ouvertures 20 destinées à accueillir respectivement les sous-pixels rouges, verts et bleus PR, PV, PB. A cet effet, l'étape d) peut comporter les étapes successives : di) déposer un premier TCO 3a sur la couche diélectrique 2 et dans les ouvertures 20 de la couche diélectrique 2 ; 10 (12,) masquer les ouvertures 20 destinées à accueillir les sous-pixels bleus BB ; d3) déposer un deuxième TCO 3b sur le premier TCO di) masquer les ouvertures 20 destinées à accueillir les sous-pixels verts PST ; ds) déposer un troisième TCO 3c sur le deuxième 'FCO. L'étape dl) est illustrée à la figure 3. Les étapes d2) et d3) sont llustrées à la figure 4. Les 15 étapes di) et ch) sont illustrées à la figure 5. Les étapes di), d3), et ch) sont exécutées par des techniques de dépôt connues de l'homme du métier. Les étapes c-12) et di) peuvent être exécutées à l'aide d'une résine 5 photosensible. La première épaisseur de la seconde partie 31 de la couche d'espacement 3 correspond à l'épaisseur du premier TCO 3a déposé lors de l'étape di). La deuxième épaisseur de la 20 seconde partie 31 de la couche d'espacement 3 correspond à la somme des épaisseurs des premier et deuxième TCO 3a, 3h déposés respectivement lors des étapes di) et d3). La troisième épaisseur de la seconde partie 31 de la couche d'espacement 3 correspond à la somme des épaisseurs des premier, deuxième et troisième TCO 3a, 3h, 3c déposés respectivement lors des étapes di), d3) et ch). Il est à noter que les premier, deuxième et 25 troisième TCO 3a, 3b, 3c peuvent être réalisés dans des matériaux identiques ou différents. L'étape d) est avantageusement exécutée de sorte que la première épaisseur est 100 nm, la deuxième épaisseur est 50 nm, et la troisième épaisseur est 10 nm. Les valeurs de ces épaisseurs s'entendent dans les tolérances usuelles liées aux conditions expérimentales de dépôt, et non comme des valeurs parfaitement égales au sens mathématique du terme. 30 Suppression de la couche d'espacement L'étape e) est avantageusement exécutée de sorte que la seconde partie 31 de la couche d'espacement 3 et la couche diélectrique 2 présentent une hauteur de marche supérieure ou égale à 100 nm à l'issue de l'étape e). 11 L'étape e) est avantageusement exécutée par un polissage mécano-chimique. L'étape e) est exécutée de manière à rendre libre la surface de la couche diélectrique 2. Par ailleurs, une telle étape c) permet l'aplanissement de la surface de la couche diélectrique 2. L'étape e) peut s'accompagner d'une suppression d'une partie de la couche diélectrique 2 5 sous-jacente lorsque la première partie 30 de la couche d'espacement 3 présente une épaisseur trop fine. Les résines 5 photosensibles utilisées lors des étapes ch) et cb) restant dans les ouvertures 20 sont ensuite retirées après l'étape e) par des techniques de « stripping» connues de l'homme du métier. 10 Empilement de couches électroluminescentes organiques L'empilement 4 de couches électroluminescentes organiques formé lors de l'étape t) présente une épaisseur constante pour chaque sous-pixel rouge, vert et bleu PR, PV, PB. A titre d'exemple non limitatif, l'empilement 4 peut comporter trois couches émissives en architecture tandem. Plus précisément, lorsque la première électrode El structurée est une 15 anode et la seconde électrode E2 est une cathode, l'empilement 4 peut comporter : - une première couche de transport de trous formée sur la première électrode El structurée ; - une première couche émissive émettant une lumière bleue, formée sur la première couche de transport de trous ; 20 - une première couche de transport d'électrons, formée sur la première couche émissive ; - une couche de génération de charges (appelée également couche d'interconnexion), formée sur la première couche de transport d'électrons ; - une seconde couche de transport de trous, formée sur la couche de génération de charges ; 25 - une deuxième couche émissive émettant une lumière verte, formée sur la seconde couche de transport de trous ; - une troisième couche émissive émettant une lumière rouge, formée sur la deuxième couche émissive ; - une seconde couche de transport d'électrons, formée sur la troisième couche émissive, et 30 destinée à être revêtue de la seconde électrode E2. A titre de variantes, l'empilement 4 peut comporter : - trois couches émissives émettant respectivement des lumières bleue, verte et rouge sans être agencées en architecture tandem (structure conventionnelle) ; 12 - deux couches émissives émettant respectivement des lumières jaune et bleue agencées en structure conventionnelle ; - deux couches émissives émettant respectivement des lumières jaune et bleue agencées en structure tandem. 5 L'étape f) est exécutée par des techniques de dépôt connues de l'homme du métier. Seconde électrode La seconde électrode F2 est avantageusement réalisée dans un matériau métallique, de préférence sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W, ou réalisée dans un oxyde transparent conducteur. 10 La seconde électrode E2 est préférentiellement une cathode. Toutefois, la seconde électrode E2 peut être une anode si la structure de l'empilement 4 de couches électroluminescentes organiques est inversée. L'étape g) est exécutée par une technique de dépôt connue de l'homme du métier. L'étape g) est préférentiellement exécutée par un dépôt suffisamment conforme de manière à 15 assurer le passage de la marche entre les première et seconde parties 40, 41 de l'empilement 4 de couches électroluminescentes organiques. La seconde électrode E2 est avantageusement revêtue d'une couche d'encapsulation (non illustrée) adaptée pour protéger de l'air et de l'humidité la seconde électrode E2 et l'empilement 4 de couches électroluminescentes organiques. 20 Lorsque l'architecture est à émission vers le bas, la seconde électrode E2 présente une épaisseur adaptée pour être réfléchissante dans le domaine visible. La seconde électrode E2 peut alors être réalisée par exemple dans un matériau métallique. Lorsque l'architecture est à émission vers le haut, la seconde électrode E2 présente une épaisseur adaptée pour être semi-transparente dans le domaine visible. La seconde électrode 25 E2 peut alors être réalisée par exemple dans un oxyde transparent conducteur (e.g. 110). L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L'homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat (1) comportant une première électrode (El) structurée ; b) former une couche diélectrique (2) sur la première électrode (El) structurée ; c) former des ouvertures (20) dans la couche diélectrique (2) de sorte que la première électrode (El) structurée présente des zones libres (ZL), les ouvertures (20) étant destinées à accueillir des sous-pixels rouge, vert et bleu (PR, PV, P13) ; d) former une couche d'espacement (3), transparente dans le domaine visible et électriquement conductrice, et comportant : - une première partie (30) s'étendant sur la couche diélectrique (2), et - une seconde partie (31) s'étendant sur les zones libres (74 de la première électrode (F.1) structurée, à l'intérieur des ouvertures (20) ; e) supprimer la première partie (30) de la couche d'espacement (3) ; t) former un empilement (4) de couches électroluminescentes organiques, configuré pour émettre une lumière blanche, et comportant : - une première partie (40) s'étendant sur la couche diélectrique (2), et - une seconde partie (41) s'étendant sur la seconde partie (31) de la couche 20 d'espacement (3), à l'intérieur des ouvertures (20) ; g) former une seconde électrode (F2) sur l'empilement (4) de couches électroluminescentes organiques de manière à obtenir un résonateur optique avec la première électrode (El) ; l'étape d) étant exécutée de sorte que la seconde partie (31) de la couche d'espacement (3) 25 présente des première, deuxième et troisième épaisseurs dans les ouvertures (20) adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement (4) de couches électroluminescentes organiques. 30 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape e) est exécutée de sorte que la seconde partie (31) de la couche d'espacement (3) et la couche diélectrique (2) présentent une hauteur de marche supérieure ou égale à 100 nm à l'issue de l'étape e). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape e) est exécutée par un 35 polissage mécano-chimique. 14 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche d'espacement (3) formée lors de l'étape d) comporte au moins un oxyde, électriquement conducteur et transparent dans le domaine visible. 5 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le ou les oxydes sont sélectionnés parmi l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'étain Sn02, l'oxyde de zinc ZnO. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape d) est exécutée de sorte 10 que la première épaisseur est 100 nm, la deuxième épaisseur est 50 nm, et la troisième épaisseur est 10 nm. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel les ouvertures (20) formées lors de l'étape c) présentent une largeur comprise entre 500 nm et 10 pm. 15 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche diélectrique (2) formée lors de l'étape b) est réalisée dans un matériau choisi parmi Si02 et SiN. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche diélectrique (2) 20 formée lors de l'étape h) présente une épaisseur comprise entre 150 nm et 300 nm. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les première et seconde électrodes (El., E2) sont réalisées dans un matériau métallique, de préférence sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W, et/ou réalisées dans un oxyde transparent conducteur. 25 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel : - le substrat (1) prévu lors de l'étape a) est transparent dans le domaine visible, - la première électrode (E1) structurée prévue lors de l'étape a) est set-ni-transparente dans le domaine visible, 30 - la seconde électrode (E2) formée lors de l'étape g) est réfléchissante dans le domaine visible. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel : - le substrat (1) prévu lors de l'étape a) est réalisé dans un matériau semi-conducteur, de 35 préférence le silicium, ou réalisé en verre, 15 - la première électrode (iii) structurée prévue lors de l'étape a) est réfléchissante dans le domaine visible, - la seconde électrode (F2) Formée lors de l'étape g) est semi-transparente dans le domaine visible. 5