FR 3093235 A1 20200828 FR 1902036 A 20190227 Description Titre de l'invention : Structure de détection de rayonnement électro- magnétique à haute efficacité d'absorption et un procédé de fa- brication d'une telle structure Domaine technique 100011 L'invention concerne le domaine de l'optoélectronique et des composants optoélec- troniques adaptés pour détecter des rayonnements électromagnétiques. 100021 Ainsi l'invention a pour objet une structure de détection de rayonnement électroma- gnétique et un procédé de fabrication d'une telle structure de détection. 100031 État de l'art antérieur Les structures de détection de rayonnement électromagnétique sont connues pour présenter un courant d'obscurité non nul, ce qui participe à dégrader le rapport signal sur bruit. Le courant d'obscurité a pour origine la génération de paires électron-trou non photo-générées dans la structure. Or cette génération a principalement lieu dans une zone active de la structure dans laquelle les photons sont absorbés pour générer le signal. Cette zone, pour maximiser le signal, doit occuper une grande partie du volume de la structure, celle-ci s'étendant généralement sur la quasi-totalité de la surface de la structure, et est donc à l'origine d'un bruit important. [0004] Ceci est d'autant plus vrai pour les structures adaptées pour fonctionner dans les longueurs d'onde infrarouge, ces dernières étant sujettes à un bruit important en raison de la faible largeur de bande interdite du matériau dans lequel elles sont formées. En effet, une faible largeur de bande interdite favorise la formation d'un courant d'obscurité tunnel dans la zone active. [0005] Pour remédier à cet inconvénient, il est connu de concentrer le rayonnement électro- magnétique dans une zone réduite de la structure dans laquelle est ménagée la jonction et donc la zone active. Ainsi, la structure peut recevoir le rayonnement électromagnétique sur une surface importante sans pour autant nécessiter une zone active occupant un volume important. [0006] Afin de fournir une telle concentration du rayonnement électromagnétique et donc de réduire le courant d'obscurité, il est connu de l'art antérieur, et notamment du document US 8125043 B2, comme illustré sur la figure 1 extraite de ce document, de coupler une couche d'absorption 1 avec une cavité résonnante du type Fabry-Pcrot pour former une structure de détection de rayonnement électromagnétique. [0007] Dans cc document, la structure de détection comporte ainsi : - un support présentant une face de réception pour recevoir le rayonnement électromagnétique, et dans lequel est aménagé une cavité Fabry-Pcrot logeant au moins un 2 premier milieu de confinement 5 d'indice n,, la cavité Fabry-Perot s'étendant selon le long d'une épaisseur dudit support en débouchant dans une ouverture de la face de réception et étant délimitée par un milieu réflecteur 7 avec au moins une longueur de cavité Fabry-Perot moyenne L, - une couche d'absorption 1, configure° pour absorber le rayonnement électromagnétique et agencée en contact avec la cavité Fabry-Pcrot, la couche d'absorption 1 présentant un indice de réfraction n, ladite région présentant une épaisseur comprise entre k0/(4.n,) et 2,./(20.ns). [0008] Conformément à renseignement de cc document, la longueur de cavité Fabry-Perot L est sensiblement égale à ka/(ns). [0009] Une telle configuration permet de piéger la lumière reçue par la couche d'absorption dans une zone 9 de la couche d'absorption qui est délimitée par la cavité Fabry-Pcrot. On entend ci-dessus par « piégeage de la lumière » une amplification locale du champ électrique au sein de la zone 9 de la couche d'absorption. [0010] Néanmoins, si, dans une configuration idéale de la structure décrite par le document US 8125043 B2, celle-ci présente une bonne sélectivité, dans le cas où l'on considère la configuration de principe qui est illustrée sur la figure 1 reprise dans le présent document par la figure 1A, l'adjonction d'une couche de passivation afin de passivcr la couche d'absorption 1, conformément à la pratique usuelle de l'homme du métier, est préjudiciable en raison de l'indice de réfraction élevé d'une telle couche de passivation. [0011] En effet, cela est montré sur des simulations de la variation de l'absorption d'une telle structure en fonction de la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique à absorber effectuées par l'inventeur et dont les résultats sont illustrés par la figure 1B. La configuration utilisée pour ces simulations est la suivante : - un milieu incident 3 dont l'indice de réfraction a été varié, l'inventeur ayant simulé la structure pour un indice de réfraction n1 de 1 (courbe 501), 1,5 (courbe 502), 2 (courbe 503), et 2.7 (courbe 504) sachant que dans une application pratique utilisant des tellurures de mercure cadmium CdHgTe en tant que couche d'absorption, les milieux incident pouvant servir de couche de passivation de la couche d'absorption étant généralement en tellurure de cadmium dont l'indice de réfraction est de 2.7, - une couche d'absorption 9 réalisée dans un tellurure de mercure cadmium CdHgTe présentant un indice de réfraction na égale à 3,5 et d'une épaisseur ha de 150 nm, soit une épaisseur ha environ égale à X0/(7.ns) pour X0 égale à 3,8 pm, - une cavité Fabry-Perot de 0,9 pm de largeur, le milieu réflecteur 7 étant de l'or et le milieu de confinement du dioxyde de silicium d'indice de réfraction n, 1,5. [0012] Comme montré sur la figure 1B, l'inventeur a constaté que, pour une structure selon une application pratique de la structure du document US 8125043 B2 : 3 (i) conformément à l'enseignement de ce document, le champ électromagnétique est confiné dans une couche d'absorption 1 et non sur le métal fournissant le milieu réfiecteur 7, ce qui permet de limiter les pertes à l'interface couche d'absorption/ métal, (ii) la résonance n'est pas très marquée et rend la structure peu sélective en fréquence, ceci avec une efficacité quantique maximum relativement modérée puisqu'on observe une absorption maximale de 75% qui est obtenue pour un indice de réfraction de 1 du milieu incident 3, (iii) une augmentation de l'indice de réfraction du milieu incident entraîne, comme le montrent les courbes d'absorption 501 à 504 , une baisse de la sélectivité, le pic d'absorption s'élargissant, et une baisse de l'absorption maximale. [0013] Or concernant le point (iii) et comme indiqué ci-dessus, avec une couche d'absorption 1 en tellururc de mercure cadmium CdHgTe, le milieu incident 3 devant servir de passivation à ladite couche d'absorption, présente un indice de réfraction de l'ordre de 2,7. 11 en résulte qu'une telle structure selon une application pratique du document US 8125043 B2 ne présente pas la sélectivité et les performances attendues. [0014] Il est donc nécessaire de développer une structure de détection qui présente un taux d'absorption et une sélectivité optimisée même en cas d'utilisation d'une couche de passivation de la couche d'absorption, comme cela est généralement nécessaire pour une telle structure de détection. On notera que cette problématique est particulièrement présente dans le cas d'une structure dont la couche d'absorption est réalisée en tellurure de mercure cadmium CdHgTe. Présentation de l'invention [0015] L'invention a pour objet de fournir une structure de détection susceptible de présenter une région d'absorption passivée et qui, contrairement aux structures de l'art antérieur, dans une telle configuration, présente un taux d'absorption et une sélectivité en fréquence optimisés, ceci notamment par une association de la région d'absorption à une cavité Fabry-Perot. [0016] L'invention concerne à cet effet une structure de détection de rayonnements électro- magnétiques adaptée pour détecter un rayonnement électromagnétique dans au moins une première plage de longueurs d'onde donnée centrée autour d'une première longueur d'onde 2,0, la structure de détection comprenant : - un support présentant une face de réception agencée pour recevoir au moins une partie du rayonnement électromagnétique et dans lequel est aménagé une cavité FabryPerot s'étendant au moins en partie le long d'une d'épaisseur dudit support, ladite cavité Fabry-Perot débouchant sur une première ouverture de ladite face de réception et étant délimitée par au moins un milieu conducteur à permittivité négative dudit support, la cavité Fabry-Perot présentant, sur au moins une première partie de l'épaisseur du support incluant la face de réception et selon au moins une direction sensiblement parallèle à la face de réception, une longueur de cavité Fabry-Pcrot moyenne Wc, la cavité Fabry-Perot logeant au moins un premier milieu de confinement d'indice de réfraction 1111, - une région d'absorption, configurée pour absorber le rayonnement électromagnétique, la région d'absorption présentant un indice de réfraction n, Dans laquelle structure de détection : - la longueur de cavité Fabry-Pcrot moyenne Wc est sensiblement égale à74)/(2.neff), avec nerf un indice de réfraction effectif d'un mode guidé dans la région d'absorption à la longueur d'onde - la région d'absorption présente une épaisseur h' inférieure à ko/(5.n'), - la région d'absorption est logée dans la cavité Fabry-Pcrot à une distance h, de la première ouverture de ladite cavité Fabry-Perot comprise entre ?..0/(50.n11) et X',/(4.nd), - l'épaisseur de l'au moins une première partie étant égale ou supérieure à hl, - l'indice de réfraction nd de l'au moins un premier milieu de confinement étant inférieur à 80% de l'indice de réfraction n' de la région d'absorption. [0017] Dans une telle structure de détection, la région d'absorption n'est pas, ceci en raison de son logement dans la cavité Fabry-Pcrot et de la différence d'indice entre la région d'absorption et le milieu de confinement, sujet phénomènes de fuites radiatives qui sont observées dans à la structure de détection selon le document US 8125043 B2. [0018] En effet dans la structure de détection du document US 8125043 B2, l'augmentation d'indice n1 induit par l'utilisation d'une couche de passivation entraine une déconcentration, ou étalement, de la distribution de champ électrique en dehors de la zone 9. Ceci induit une perte d'absorption utile dans la zone 9 et donc une résonance de moins bonne qualité comme observé par l'inventeur dans les simulations illustrées par la figure 1B. Or dans la structure selon l'invention, La présence de la cavité Fabry-Perot permet d'éviter une telle déconcentration/étalement de la distribution de champ électrique et donc de conserver une résonance de bonne qualité. [0019] Avec une telle structure de détection, il est donc possible de bénéficier, comme pour la structure enseignée par le document US 8125043 B2, de l'association de la cavité Fabry-Perot avec le mode guidé présent dans la région d'absorption, ceci tout en ayant une passivation de la région d'absorption fournie par le milieu incident sans dégradation de la résonnance de la structure de détection. [0020] Ainsi, une telle structure de détection est à même de présenter une absorption optimisée et une bonne sélectivité même dans une configuration pratique de l'invention. [0021] Par milieu conducteur à permittivité négative, il est entendu que ce milieu présente une permittivité négative dans au moins la première plage de longueurs d'onde donnée. Ainsi de tels milieux conducteurs à permittivité négative comprennent les réflecteurs métalliques, en particulier les métaux nobles, tel que par exemple l'or Au, l'argent Ag ou l'aluminium Al, les cristaux ioniques, éventuellement dopés dont la bande de Restsrahlen comprend la première plage de longueurs d'onde donnée, tel que par exemple du carbure de silicium SiC pour une plage de longueurs d'onde donnée dans r infra-rouge, ou encore un semiconducteur dopé présentant un comportement métallique dans la plage de longueurs d'onde donnée , tel que du silicium amorphe aSi pour une plage de longueur d'onde donnée dans l'ultra-violet. [0022] On entend ci-dessus et dans le reste de ce document, par une grandeur sensiblement égale à une autre grandeur donnée que ladite grandeur présente une valeur se différentiant de ladite autre grandeur donnée de moins de 10%, voire 5% et avantageusement 2%, de ladite autre grandeur donnée. [0023] On entend ici et dans le reste de ce document par distance entre un premier élément, tel que la couche d'absorption, et un deuxième élément, tel que l'ouverture, la distance minimale entre les surfaces de chacun desdits premier et deuxième éléments qui sont en regard l'une de l'autre. Ainsi dans le cas de la distance entre la couche d'absorption et de la première ouverture, la distance h, correspond à la distance entre la face de la couche d'absorption et le plan de la face de réception dans lequel est aménagée la première ouverture. [0024] La cavité Fabry-Pcrot présente sur une deuxième partie de l'épaisseur du support au moins une dimension selon au moins une direction sensiblement parallèle à la face de réception comprise entre 80% et 120% de la longueur de cavité Fabry-Perot moyenne Wc. [0025] Cette modularité de la largeur peut provenir des moyens de réalisation techno- logiques tels que décrits dans les modes de réalisation pratique ci-après et peut permettre de minimiser l'éventuelle fuite radiative lorsqu'une deuxième ouverture est prévue à l'opposé de la première ouverture ceci afin d'optimiser la qualité de la résonance. [0026] La région d'absorption peut être aménagée dans une couche d'absorption, ladite couche d'absorption s'étendant en dehors de la cavité Fabry-Perot selon un plan sensiblement parallèle à la face de réception. [0027] Cette extension peut provenir naturellement de l'empilement multicouche initial à partir duquel la structure détectrice est réalisée (par exemple un empilement semiconducteur formé par épitaxie). [0028] la cavité Fabry-Perot peut être, à l'opposé de la première ouverture, au moins en partie fermée par une paroi rétlectrice configurée pour réfléchir le rayonnement électromagnétique, ladite paroi réflectrice étant agencée à une distance h3 de la région d'absorption qui est comprise entre Xo/(10.nd)et X0/(2.nd), avec nd l'indice de réfraction 6 du premier milieu de confinement, ladite distance 113 entre la paroi réflectrice (122) et la région d'absorption étant préférentiellement comprise entre k47.nd)et ko/(4.nd) et avantageusement sensiblement égale ko/(5.nd) [0029] La cavité Fabry-Perot présente, à l'opposé de la première ouverture, une deuxième ouverture, la distance h2 entre ladite deuxième ouverture et la région d'absorption étant supérieure à KO/(2.nd). [0030] la structure de détection peut comprendre au moins une couche d'adaptation d'indice de réfraction ni disposée entre la région d'absorption et le milieu de confinement, ladite couche d'adaptation d'indice de réfraction présentant un indice de réfraction dont la valeur reste comprise entre l'indice de réfraction ni, de l'au moins un milieu de confinement et l'indice de réfraction na de la couche d'absorption en diminuant de la région d'absorption vers le milieu de confinement. [0031] Ce gradient d'indice peut résulter de procédés technologiques (par exemple de recuits thermiques) qui permettent avantageusement de minimiser la recombinaison de photo-porteurs aux interfaces. [0032] La structure de détection peut comprendre un deuxième milieu de confinement, ledit deuxième milieu de confinement étant logé dans la cavité Fabry-Perot à l'opposé de la première ouverture avec le premier milieu de confinement s'interposant entre la région d'absorption et ledit deuxième milieu de confinement, le deuxième milieu de confinement présentant un indice de réfraction nd, inférieur à l'indice de réfraction n, du premier milieu de confinement. [0033] Avec une telle configuration, il est notamment possible de limites Les fuite de rayonnement au niveau de la deuxième ouverture de cavité quand la cavité en comprend une à l'opposé de la première cavité. [0034] L'au moins un premier milieu de confinement peut en outre être disposé à l'extérieur de la cavité Fabry Perot, ledit premier milieu de confinement formant, pour sa partie extérieure à la cavité Fabry-Perot, un revêtement du milieu conducteur à permittivité négative d'une épaisseur h, inférieure à hl. [0035] Une telle configuration est particulièrement avantageuse pour un milieu extérieur tel que de l'air (n=1), la fine couche du milieu de confinement formant alors une couche de protection/passivation et est fournie une fonction d'antireflet. [0036] La structure de détection peut comprendre en outre un milieu incident amont du support, dans le sens propagation du rayonnement électromagnétique, le milieu incident étant configuré pour recevoir le rayonnement électromagnétique et le transmettre au support le milieu incident présentant un indice de réfraction ne' inférieure ou égale à l'indice de réfraction nd du premier milieu de confinement, [0037] le premier milieu de confinement étant intégralement contenu dans la cavité Fabry- Perot. 7 [0038] L'invention concerne en outre un dispositif de détection de rayonnements électroma- gnétiques comprenant une pluralité de structures de détection selon l'invention, chacune des structures de détection étant adaptée pour détecter un rayonnement électromagnétique dans l'au moins une première plage de longueurs d'onde donnée centrée autour de la première longueur d'onde 74, lesdites structures de détection (10) étant agencées périodiquement avec une périodicité inférieure à Kaint', où n', est l'indice de réfraction d'un milieu incident amont du support, dans le sens propagation du rayonnement électromagnétique, et de préférence inférieure à 75% de [0039] Avec une telle configuration on évite les risques que des phénomènes de diffraction perturbent la détection par les structures de détection. [0040] L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une structure de détection de rayonnements électromagnétiques adaptée pour détecter un rayonnement électromagnétique dans au moins une première plage de longueurs d'onde donnée centrée autour d'une première longueur d'onde ko, le procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : - fourniture d'une région d'absorption d'une épaisseur ha inférieure à k0/(5.n') , ladite région d'absorption présentant un indice de réfraction na et étant associée avec au moins un milieu de confinement d'indice de réfraction nd inférieur à 80% de l'indice de réfraction n' de la région d'absorption, - formation d'une cavité Fabry-Perot de manière à y loger au moins en partie l'au moins un premier milieu de confinement et la région d'absorption, la cavité FabryPerot étant délimitée latéralement par au moins un premier milieu conducteur à permittivité négative avec un neff un indice de réfraction effectif d'un mode guidé dans la région d'absorption à la longueur d'onde X0, ladite cavité Fabry-Perot logeant la région d'absorption à une distance hl de la première ouverture de ladite cavité Fabry-Perot comprise entre X0/(50 .nd) et ?.0/(4.nd)' ladite formation de la cavité Fabry Perot permettant de former un support présentant une face de réception présentant la première ouverture dans laquelle débouche la cavité Fabry Pen-ot, la cavité Fabry-Perot s'étendant au moins en partie le long d'une d'épaisseur dudit support et présentant, sur au moins une première partie de l'épaisseur du support incluant la face de réception et selon au moins une direction sensiblement parallèle à la face de réception, une longueur de cavité Fabry-Perot moyenne Wc sensiblement égale à Xo/(2.neff), avec naff un indice de réfraction effectif d'un mode guidé dans la région d'absorption à la longueur d'onde X0 [0041] Un tel procédé permet la fourniture d'une structure selon l'invention qui bénéficie, de fait, des avantages liés à l'invention. [0042] Lors de l'étape de fourniture de la région d'absorption, il est fourni le support comprenant un substrat, une couche d'absorption et une couche de passivation se 8 succédant, au moins l'un du substrat et de la couche de passivation étant destiné à former l'au moins un milieu de confinement, [0043] l'étape de formation d'une cavité Fabry-Perot comprenant les sous-étapes suivantes de : - gravure localisée du support de manière à former au moins une première percée correspondant au milieu conducteur à permittivité négative, l'au moins une percée délimitant une cavité logeant au moins en partie le milieu de confinement et la région d'absorption, - remplissage de l'au moins une percée par le matériau du milieu conducteur à permittivité négative de manière à former ledit milieu conducteur à permittivité négative et donc la cavité Fabry-Pcrot. [0044] Une telle étape de formation permet une formation de la cavité Fabry-Perot avec un nombre réduit d'étapes. [0045] Il peut en outre il peut en outre être prévu les étapes de : - fourniture d'un deuxième support comprenant un circuit de commande, ledit circuit de commande présentant au moins un plot de contact, - connexion de la structure de détection au circuit de commande par hybridation par bille d'indium du milieu réflecteur conducteur au premier plot de contact. [0046] Il est prévu, préalablement à l'étape de gravure localisée, les étapes suivantes : - fourniture d'un deuxième support comprenant un circuit de commande, ledit circuit de commande présentant au moins un plot de contact, - collage du premier support sur une face du premier support comprenant l'au moins un plot de contact, dans lequel lors de la sous-étape de gravure localisé, l'au moins une percée débouche sur le plot de contact, de tel manière que lors de la sous-étape remplissage de l'au moins une percée, le matériau conducteur à peimittivité négative est également déposé en contact de l'au moins un plot de contact. [0047] Ces deux possibilités permettent d'associer la structure de détection selon l'invention avec un deuxième support comprenant un circuit de commande. Brève description des figures [0048] La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation, donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures lA et 1B illustrent respectivement une structure de l'art antérieur et un graphique du taux d'absorption en fonction de la longueur d'onde d'un rayonnement électromagnétique à absorber qui est susceptible d'être obtenue avec une telle structure, 9 - la figure 2 illustre schématiquement une structure selon le principe de l'invention, - la figure 3 illustre graphiquement la variation du taux d'absorption en fonction de la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique à absorber pour une structure selon le principe de l'invention illustrée sur la figure 2 en parallèle avec le taux d'absorption d'une couche d'absorption identique à celle de la structure de la figure 2 disposée sur une surface d'or, - les figures 4A à 4C illustrent schématiquement une structure selon une première possibilité de l'invention dans laquelle la structure comporte une cavité Fabry-Perot fermée à une extrémité, les figures 4A à 4C illustrant respectivement une vue en coupe de ladite structure, une vue de dessous de ladite structure et une cartographie du champ électrique dans une telle structure le long de la coupe de la structure de détection montrée sur la figure 4A, - les figures 5A et 5B illustrent schématiquement une structure selon une deuxième possibilité de l'invention dans laquelle la structure comporte une cavité Fabry-Pcrot ouverte à ces deux extrémités, les figures SA et 5V illustrant respectivement une vue en coupe de ladite structure et une cartographie du champ électrique dans une telle structure le long de la coupe de la structure de détection montrée sur la figure 5A, - la figure 6 illustre graphiquement la variation de l'absorption d'une structure selon l'invention en fonction de la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique pour une distance hl croissante entre une région d'absorption et une ouverture de la cavité Fabry-Perot, - la figure? illustre graphiquement la variation de l'absorption d'une structure selon la deuxième possibilité de l'invention en fonction de la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique pour une distance h, croissante entre une deuxième ouverture de la structure et la région d'absorption, - les figures 8A à 8C illustrent respectivement la variation de l'absorption d'une structure comprenant deux cavités Fabry-Perot avec chacune une région d'absorption aménagée dans une couche d'absorption commune auxdites cavités en fonction de la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique, une cartographie du champ électromagnétique dans une telle structure pour un rayonnement électromagnétique correspondant à la longueur d'onde de résonance de la première cavité, et une cartographie du champ électromagnétique dans une telle structure pour un rayonnement électromagnétique correspondant à la longueur d'onde de résonance de la deuxième cavité, - les figures 9A à 9H illustrent par des vues en coupe latérale d'une structure selon respectivement une première variante de l'invention dans laquelle la cavité Fabry-Perot présente une largeur différente entre une première partie comprise entre la première ouverture de la cavité et la région d'absorption et une deuxième partie entre la région d'absorption et la deuxième ouverture de la cavité, une deuxième variante de l'invention dans laquelle la couche d'absorption est discontinue et dans laquelle la cavité est partiellement fermée, une troisième variante de l'invention dans laquelle la région d'absorption est localement discontinue ou indentée, une quatrième variante de l'invention dans laquelle la deuxième partie de la cavité Fabry-Perot comprend un deuxième milieu de confinement présentant un indice de réfraction inférieur à celui du premier milieu de confinement, une cinquième variante de l'invention dans laquelle le matériau du milieu de confinement forme également une passivation de la structure, une sixième variante de l'invention dans laquelle la couche d'absorption présente un gradient d'indice optique avec le milieu de confinement adjacent, une septième variante dans laquelle dans laquelle uniquement la région d'absorption présente un gradient d'indice optique avec le milieu de confinement adjacent et une huitième variante dans laquelle la cavité Fabry-Perot présente, sur première partie de sa hauteur, une section variable, - les figure 10A à 10B illustrent une structure selon un premier mode de réalisation pratique de l'invention dans laquelle la cavité présente une section latérale carrée, la région d'absorption formant une structure de diode avec une jonction semiconductrice selon une diagonale de ladite section latérale carrée, les figures 10A et 10B illustrant respectivement une vue en coupe latérale et une vue en coupe selon un plan de couche d'une telle structure, - les figures 11A et 11B illustrent respectivement une structure selon un deuxième mode de réalisation pratique de l'invention dans lequel la cavité Fabry-Perot présente une forme annulaire, les figures 11A et 11B montrant respectivement une vue en coupe latérale et une vue en coupe selon le plan de couche de ladite structure, - les figures 12A et 12B illustrent l'agencement pratique d'une structure selon le deuxième mode de réalisation illustré sur les figures 11A et 11B, les figures 12A et 12B montrant respectivement une vue de dessus et une vue en coupe latérale d'une telle structure, - la figure 13 illustre schématiquement et en vue en coupe selon le plan de couche une structure selon un troisième mode de réalisation pratique de l'invention dans lequel la structure présente un contact central et huit cavités Fabry-Perot agencées autour dudit contact central, - les figures 14A à 14E illustrent les principales étapes de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un quatrième mode de réalisation pratique de l'invention dans lequel la structure présente une conformation annulaire similaire à celle de la structure selon le deuxième mode de réalisation pratique et dans laquelle la structure est associée à un support de commande par hybridation par billes d'indium, les figures 14A, 14D et 14E montrant chacune une vue selon une coupe latérale et les 11 figures 14B et 14C illustrant toutes deux une vue selon une coupe latérale et une vue de dessus, - la figure 15 illustre une variante de la structure selon le quatrième mode de réalisation dans laquelle il est prévu quatre extensions latérales sur une face de réception de la structure afin de limiter les éventuels modes électromagnétiques non désirés pour une telle structure, la figure 15 montrant une vue en coupe latérale et une vue de dessus d'une telle structure, - les figures 16A à 16D illustrent au moyen de vues en coupe latérale les étapes principales de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un cinquième mode de réalisation pratique de l'invention dans lequel le procédé est réalisé sans nécessiter une gravure traversante de la couche d'absorption, - les figures 17A à 17D illustrent au moyen de vues en coupe latérale les étapes principales de fabrication d'une structure selon un sixième mode de réalisation dans lequel la structure est associée à un support de commande par collage sur ledit support, - les figures I 8A à I 8C illustrent par des vues dc dessus des exemples de réalisation de l'invention autorisant un arrangement périodique optimisé de structures selon l'invention. [0049] Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. [0050] Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. [0051] Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. [0052] On notera d'une manière générale dans le cadre de l'invention que par vue en coupe latérale et par vue transverse il est entendu, ci-dessus et dans le reste de ce document, une vue selon une coupe respectivement le long d'un plan perpendiculaire à un plan de la structure de détection correspondant généralement au plan de la couche d'absorption, et le long d'un plan parallèle audit plan de la structure de détection. Cette remarque s'applique de manière identique en ce qui concerne le terme section transverse. Description des modes de réalisation [0053] La figure 2 illustre schématiquement une structure de détection 10 selon le principe de l'invention, une telle structure de détection 10 étant adaptée pour la détection d'un rayonnement électromagnétique dans au moins une première plage de longueurs d'onde donnée centrée autour d'une première longueur d'onde X0. [0054] Une telle structure de détection 10 vise plus particulièrement la détection de rayonnements électromagnétiques dans la gamme de longueurs d'onde des infrarouges. 12 Ainsi, les différentes valeurs indiquées dans les modes de réalisation décrits ci-après concernent cette application pratique, dans laquelle la gamme de longueurs d'onde visée est l'infrarouge moyen, c'est-à-dire entre 3 à 5 pm. Bien entendu, ces valeurs ne sont fournies qu'à titre d'exemple non limitatif, l'homme du métier étant parfaitement à même, à partir de la présente divulgation, d'adapter ces valeurs afin de permettre à l'aide d'une telle structure de détection 10 la détection optimisée de rayonnements électromagnétiques dans une gamme de longueurs d'onde autre que celle des infrarouges. [0055] Principe de l'invention Une telle structure de détection 10 selon le principe de l'invention comporte : - un milieu incident 110 par lequel la structure de détection reçoit le rayonnement électromagnétique, le milieu incident présentant un indice de réfraction ne', - un support 100 présentant une face de réception 101 agencée pour recevoir au moins une partie du rayonnement électromagnétique transmise par le milieu incident 110, et dans lequel est aménagé une cavité Fabry-Pcrot 120 s'étendant au moins en partie le long d'une d'épaisseur dudit support, ladite cavité Fabry-Pcrot 120 débouchant sur une première ouverture 121 dc ladite face de réception 101 et étant délimitée par au moins un milieu conducteur à permittivité négative 127 dudit support 100, la cavité Fabry-Perot 120 présentant, sur au moins une première partie dc l'épaisseur du support 100 incluant la face de réception 101 et selon au moins une direction sensiblement parallèle à la face de réception 101, une longueur de cavité Fabry-Perot moyenne Wc, la cavité Fabry-Perot logeant au moins un premier milieu de confinement 125 d'indice de réfraction nd supérieure ou égal à l'indice de réfraction n du milieu incident, - une région d'absorption 131 logée dans la cavité Fabry-Perot de telle façon que sa partie supérieure soit située à une distance hi de la première ouverture comprise entre X0/(50 .nd) et 2.0/(4.n4, la région d'absorption 131 étant configurée pour absorber le rayonnement électromagnétique et présentant un indice de réfraction n', présente une épaisseur h' inférieure à X0/(5.n'). [0056] On notera que, dans une telle configuration de l'invention, milieu incident 110 est en amont du support 100, dans le sens propagation du rayonnement électromagnétique et que la partie de rayonnement électromagnétique reçue par le support et une partie transmise à partie dudit milieu de confinement. Qui plus est, dans la configuration, selon le principe de l'invention, le premier milieu de confinement 125 est intégralement contenu dans la cavité Fabry-Perot 120. [0057] Dans une telle structure de détection 10, l'indice de réfraction nd de l'au moins un premier milieu de confinement est inférieur à 80% de l'indice de réfraction na. de la région d'absorption et l'au moins une longueur de cavité Fabry-Perot moyenne Wc est 13 sensiblement égale à X.0/(2.neff), avec neff l'indice de réfraction effectif d'un mode guidé dans la région d'absorption 131 à la longueur d'onde Xo. [0058] On notera également que la structure de détection 10 illustrée sur la figure 2 présente une configuration selon une première possibilité de l'invention dans laquelle la cavité Fabry-Perot 120 est, à l'opposé de la première ouverture 121, fermée par une paroi réflectrice 122 configurée pour réfléchir le rayonnement électromagnétique ceci de manière à limiter les pertes radiatives sans perturbation du mode optique se propageant dans la cavité Fabry-Perot 120. [0059] Bien entendu, le milieu incident 110 et le milieu de confinement 125 sont au moins en partie transparents, préférentiellement sensiblement transparents, dans la plage de longueurs d'onde à détecter. [0060] En cc qui concerne le dimensionnement de la cavité Fabry-Perot 120 et, plus pré- cisément, de la longueur de cavité Fabry-Perot moyenne Wc, conformément à la configuration de l'invention pour laquelle la région d'absorption présente une épaisseur h' significativement inférieure à la longueur d'onde 7,0 du rayonnement électromagnétique à absorber et dans laquelle la région d'absorption est entourée dans la cavité FabryPerot uniquement par le premier milieu de confinement 125, l'indice effectif neff du mode guidé dans la région active 131 se propageant selon un plan sensiblement parallèle à la face de réception peut être estimé à partir de l'équation suivante : [0061] [Math.1] ' 2 i 2 _Li if al 2 \ 2 ( hand )1 nerf n - \ )1/4 ffd` n° [0062] Avec nd 1 indice de réfraction du milieu de confinement 125, n' l'indice de réfraction de la couche d'absorption 131, h, l'épaisseur de la couche d'absorption 131. 100631 On notera qu'une telle équation, permettant d'estimer l'indice effectif d'un mode guidé dans la région d'absorption 131, a été déterminée pour un guide d'onde de configuration identique à celle de la région d'absorption et entouré, de part et d'autre, par le milieu de confinement. 100641 Bien entendu, en variante, une telle valeur de l'indice effectif nefy peut être dé- terminée, conformément aux connaissances générales de l'homme du métier, au moyen de simulations numériques de routine. 100651 Comme montré sur la figure 3, une telle structure de détection 10 présente une bonne sélectivité et un taux d'absorption particulièrement important. 100661 La figure 3 qui représente graphiquement la variation du taux d'absorption (A) en fonction de la longueur d'onde (X) du rayonnement électromagnétique pour une structure de détection 10 selon la configuration illustrée sur la figure 2 ceci en parallèle avec la variation du taux d'absorption (A) d'une couche d'absorption similaire à celle de ladite structure de détection 10 disposée à la surface d'une couche d'or Au. Ce taux 14 d'absorption a été simulé par l'inventeur pour une structure 10 présentant la configuration suivante : - de l'air en tant que milieu incident, l'indice de réfraction nex, dudit milieu incident 110 étant égal à 1, - une température de fonctionnement de 77 K, - une couche d'absorption 130 et une région d'absorption 131 en tellururc de mercure cadmium CdHg,,,,Te avec x égale à 0,29, ce qui correspond à une largeur de bande interdire de 0,227 eV et un indice de réfraction de na de 3,45, d'une épaisseur ha de 150 nm - une cavité Fabry-Pcrot 120 présentant une longueur de cavité Fabry-Perot de 1150 nm, avec une distance h, entre la première ouverture 121 et la couche d'absorption 130, comprenant la région d'absorption 131, étant égale à 350 nm et la distance h3 entre la région d'absorption 131 et la paroi réflectrice 122 étant égale à 500 nm, - un premier milieu conducteur à permittivité négative 127 en or Au. [0067] On peut ainsi voir sur la figure 3 qu'une telle structure de détection 10 présente un taux d'absorption 511 maximum de 91,5% à une longueur d'onde de 4 pm ceci avec une largeur à mi-hauteur allant de 3,5 pm à 4,3 !lm. Ce résultat est à mettre en parallèle avec les taux d'absorption 512 obtenus pour une structure de détection de l'art antérieur montré sur la figure 2 et pour une couche d'absorption 130 similaire simplement disposée en contact avec une couche d'or Au qui fait alors office de miroir. [0068] Selon le principe de l'invention, une structure de détection 10 de l'invention peut être formée au moyen d'un procédé de formation comprenant les étapes suivantes ; - fourniture d'une région d'absorption 131 avec une épaisseur inférieure à X0/(5.na) , ladite région d'absorption présentant un indice de réfraction n' et étant associée avec au moins un milieu de confinement 125 d'indice de réfraction nd inférieur à 80% de l'indice de réfraction na de la région d'absorption 120, - formation d'une cavité Fabry-Perot 120 de manière à loger l'au moins un premier milieu de confinement 125, la cavité Fabry-Perot 120 s'étendant longitudinalement à partir d'au moins une première ouverture 121 et étant délimitée latéralement par au moins un premier milieu réflecteur conducteur 127 avec au moins une longueur de cavité Fabry-Perot moyenne Wc sensiblement égale à X0/(2.naff), avec un neff un indice de réfraction effectif d'un mode guidé dans la région d'absorption à la longueur d'onde Xo, ladite cavité Fabry-Perot logeant la région d'absorption à une distance h, de la première ouverture de ladite cavité comprise entre 2.0/(50.nd) et Xo/(4.nd), voire entre X0 / (20.nd) et Xo/(8.nd), ladite formation de la cavité Fabry Perot permettant de former un support 100 présentant une face de réception 100 présentant la première ouverture 121 dans laquelle débouche la cavité Fabry Perrot 120, la cavité Fabry-Perot 120 s'étendant au moins en partie le long d'une d'épaisseur dudit support 100 et présentant, sur au moins une première partie de l'épaisseur du support 100 incluant la face de réception 101 et selon au moins une direction sensiblement parallèle à la face de réception 101, une longueur de cavité Fabry-Perot moyenne Wc sensiblement égale à ko/(2.neff), avec nen- un indice de réfraction effectif d'un mode guidé dans la région d'absorption 131 à la longueur d'onde ku, - formation d'un milieu incident 110 présentant un indice de réfraction tin, inférieur ou égal à l'indice de réfraction nd de r au moins un milieu de confinement 125, le milieu incident 110 configure pour recevoir le rayonnement électromagnétique et avec un agencement adapté pour que la face de réception 101 soit agencée pour recevoir au moins une partie du rayonnement électromagnétique transmise par le milieu incident 110. [0069] Les figures 4A à 4C et SA et 5B illustrent pour les figures 4A à 4C une structure de détection 10 selon la première possibilité conforme à la figure 3 et, pour les figures 5A et 5B, une structure de détection 10 selon une deuxième possibilité de l'invention. La deuxième possibilité de l'invention se différencie selon la première possibilité selon l'invention en ce que la cavité Fabry-Perot 120 présente, en lieu et place de la paroi réflectrice 122, et à l'opposé de la première ouverture, une deuxième ouverture. [0070] Ainsi l'invention présente deux possibilités distinctes: - une première possibilité, illustrée sur la figure 4A et conforme à la possibilité reprise sur la figure 2, dans laquelle la cavité Fabry-Perot 120 est munie, à l'opposé de la première ouverture, d'une paroi réflectrice 122, - une deuxième possibilité, illustrée sur la figure SA, clans laquelle la cavité FabryPerot 120, présente, à l'opposé de la première ouverture 12 , une deuxième ouverture 123. [0071] Première possibilité de l'invention : On notera également que la structure de détection 10 illustrée sur la figure 4A présente une configuration selon une première possibilité de l'invention dans laquelle la cavité Fabry-Perot 120 est, à l'opposé de la première ouverture 121, fermée par une paroi rétlectrice 122 configurée pour réfléchir le rayonnement électromagnétique. [0072] Selon cette première possibilité, comme illustré sur la figure 4A, la paroi rétlectrice 122 est préférentiellement agencée à une distance IF' de la région d'absorption qui est comprise entre 241(10.nd) et 24/(2.nd), avec nd l'indice de réfraction premier milieu de confinement, ladite distance h3 entre la paroi rétlectrice 122 et la région d'absorption étant encore plus avantageusement comprise entre 241(7.nd) et 'i4/(4.nd), la distance h3 étant de manière particulièrement avantageuse de l'ordre de voire sensiblement égale à, 241(5.nd). 16 [0073] Ainsi, selon cette première possibilité de l'invention, la cavité Fabry-Perot s'étend sur une partie de l'épaisseur du support 100 qui est égale à la somme de la distance hl entre la première ouverture 121 et la région d'absorption 131, de l'épaisseur h de la région d'absorption et de la distance 114 entre la région d'absorption 131 et la paroi réflectrice 122. [0074] La figure 4B permet d'exemplifier une forme de la section transverse d'une structure de détection selon l'invention permettant d'optimiser la résonnance Fabry-Pcrot. Selon cet exemple, la cavité Fabry-Pcrot 120 présente une section transverse carrée, le côté dudit carré correspondant à la longueur de cavité Fabry-Pcrot Wc. Bien entendu, comme cela est montré à la suite de ce document, d'autres formes de section transverse de la cavité Fabry-Perot 120 sont envisageables, telles que des sections annulaires ou circulaires, sans que l'on sorte du cadre de l'invention. [0075] Afin de d'illustrer le phénomène de confinement du rayonnement électromagnétique permis par la configuration de l'invention, la figure 4C montre la cartographie du champ électrique le long d'une coupe latérale d'une structure de détections 10 ceci pour un rayonnement électromagnétique correspondant à longueur de résonance de la cavité Fabry-Pcrot, telle qu'illustrée sur la figure 4A. On peut ainsi voir que le couplage entre la cavité Fabry-Pcrot 120 et la région d'absorption 131 permet de confiner le rayonnement électromagnétique dans la région d'absorption 131. [0076] Deuxième possibilité de l'invention : Selon la deuxième possibilité de l'invention, illustrée sur la figure 5A, la cavité Fabry-Perot 120 de la structure de détection 10 comporte, à l'opposé de la première ouverture 121, une deuxième ouverture 123, la distance h2 entre ladite deuxième ouverture 123 et la région d'absorption 131 étant supérieure à X0/(2.nri). [0077] On notera que, d'une manière similaire à la structure de détection 10 selon la première possibilité, la cavité Fabry-Perot 120 de la structure de détection selon la deuxième possibilité de l'invention peut présenter une section transverse carrée, le côté dudit carré correspondant à la longueur de cavité Fabry-Perot Wc, d'autres formes de section transverse de la cavité Fabry-Perot 120 étant envisageables. [0078] De même que pour la première possibilité de l'invention et la figure 4C, la figure 5B permet de montrer le phénomène de confinement du rayonnement électromagnétique permis par la configuration de l'invention. En effet, la figure 5B illustre une cartographie du champ électrique le long d'une coupe latérale d'une structure de détection 10 ceci pour un rayonnement électromagnétique correspondant à longueur de résonance de la cavité Fabry-Perot, telle qu'illustrée sur la figure 5A. On peut ainsi voir qu'avec une telle structure de détection le couplage entre la cavité Fabry-Perot 120 et la région d'absorption 131 permet de confiner le rayonnement électromagnétique dans la région d'absorption 131. 17 [0079] Qui plus est, que ce soit pour une structure selon la première possibilité ou pour une structure selon la deuxième possibilité, l'inventeur a également démontré que l'absorption du rayonnement électromagnétique pour une structure de détection 10 selon l'invention, qu'elle soit selon la première possibilité ou la deuxième possibilité, présente une faible dépendance en fonction de l'angle d'incidence du rayonnement électromagnétique. Ainsi la structure de détection 10 selon l'invention présente une acceptance angulaire particulièrement importante, ceci en raison que le principe de l'invention est basée sur l'exploitation d'une résonance localisée fournie par l'association d'un mode guide d'onde de la région d'absorption 131 et la cavité FabryPen-4 120. [0080] Ainsi, de manière à bénéficier d'une telle acceptancc angulaire, il est envisageable, selon une possibilité non illustré de l'invention, de combiner une telle structure de détection 10 à un système de concentration de la lumière, telle qu'une lentille convergente. [0081] Dimensionnement d'une structure selon l'invention Afin de permettre l'identification des dimensions pertinentes dans le cadre de l'invention, l'inventeur a figuré la variation de l'absorption (A) d'une structure selon l'invention en fonction de certaines dimensions d'une structure selon l'invention. [0082] Ainsi, la figure 6 illustre, dans le cadre d'une structure de détection 10 selon la première possibilité, la variation du taux d'absorption en fonction de la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique à absorber ceci pour une distance hl entre la première ouverture 121 et la région d'absorption 131 qui est respectivement égale à 0 nm (courbe 521), 50 nm ( courbe 522), 150 nm ( courbe 523), 300 nm (courbe 524) et 500 nm (courbe 525). On observe sur la figure 6 que pour une distance entre la première ouverture 121 et la région d'absorption 131 relativement faible, la résonance est peu marquée et le taux d'absorption est relativement faible. Ainsi, la courbe 521, par exemple, correspond à la configuration de l'art antérieur, telle que celle illustrée sur la figure 1. Par contre, dès que ladite distance h, augmente, comme illustré sur la figure 6, le taux d'absorption présente un pic plus marqué et donc plus sélectif comme cela est notamment montré par la courbe 523. Cependant, dès que la distance h, dépasse 300 nm, comme cela est montré sur la figure 6 par la courbe 525, on observe une baisse du taux d'absorption liée à de fortes fuites radiatives. [0083] Ainsi, l'inventeur a identifié que cette distance h, de la première ouverture 121 de ladite cavité doit être comprise entre Xo/(50.nd) et X9/(4.nd), voire entre 2.0/(20.nd) et Xo/ (8.nd), afin d'optimiser le taux d'absorption et la sélectivité en longueur d'onde d'une telle structure de détection. En conformité avec le principe de l'invention, l'ouverture de la cavité 120 est sub-longueur d'onde (la longueur de cavité moyenne Wc est inférieure à X(/(2.nd)), ce qui implique une pénétration du rayonnement électroma- 18 gnétique incident sous forme d'onde évanescente dans la cavité. Le couplage de cette onde avec la région d'absorption 131 doit donc être optimisé pour obtenir une résonance efficace, ce qui implique un ajustement dc la distance h,. Autrement dit, si h, est trop grande, la lumière évanescente n'arrive plus à atteindre la région d'absorption et si h, est trop faible, la structure présente de plus fortes fuites radiatives qui impactent négativement la qualité de la résonance. [0084] Concernant le di mensionnement de la cavité Fabry-Perot, l'inventeur a également identifié que pour une configuration selon la deuxième possibilité de l'invention, comme le montre les graphiques sur la figure 7, la distance h, entre la région d'absorption 131 et la deuxième ouverture 123 devait être suffisante pour éviter les fuites radiatives du rayonnement électromagnétique par la deuxième ouverture 123 et ainsi piéger le rayonnement électromagnétique dans la région d'absorption 131. [0085] En effet, la figure 7 illustre graphiquement le taux d'absorption en fonction de la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique d'une structure de détection 10 selon la deuxième possibilité ceci pour une distance h2 entre la région d'absorption 131 et la deuxième ouverture 123 respective de 500 nm (courbe 531), 1000 nm (courbe 532) et 2000 nm (courbe 533). Ainsi, on note que si pour une distance h2 de 500 nm le pic d'absorption n'atteint que 52% pour 500 nm, celui-ci atteint d'ores et déjà de 78% à 1000 nm et 88% à 2000 nm. Ainsi l'inventeur a pu identifier que pour la deuxième une distance h2 entre la région d'absorption 131 et la deuxième ouverture 123 supérieure à 2.0/(2.nd) permet de limiter significativement les fuites radiatives du rayonnement électromagnétique par la deuxième ouverture 123. [0086] L'inventeur a également identifié un phénomène similaire pour la distance h, entre la région d'absorption 131 et la paroi rétlectrice 122 en ce qui concerne la configuration selon la première possibilité de l'invention, à savoir la fermeture de la cavité par une paroi rétlectrice 122. En effet, il a été observé que si la distance h, entre la région d'absorption 131 et la paroi rétlectrice 122 devenait trop faible, la paroi rétlectrice perturbait le mode guidé dans la région 131 et impliquait un fort décalage de la longueur d'onde de résonance vers les hautes fréquences, hors de la plage spectrale voulue. De même, pour une distance h; entre la région d'absorption 131 et la paroi rétlectrice 122 trop importante, on perd le bénéfice du réflecteur qui permet de mieux concentrer la distribution de champ électrique sur la région 131. [0087] Ainsi l'inventeur a pu identifier que pour la première possibilité, une distance h, entre la région d'absorption 131 et la paroi rétlectrice 122 comprise entre 2.0/(10.nd) et 0/(2.nd), ladite distance h3 entre la paroi rétlectrice (122) et la région d'absorption étant préférentiellement comprise entre "4/(7.nd)et "Lo/(4.nd) et étant de manière encore plus avantageuse sensiblement égale à X0/(5.nd). [0088] 11 est à noter que le principe de l'invention permet également comme cela est montré 19 en lien avec les figures SA à RC, dans le cas où la région d'absorption 131 est comprise dans une couche d'absorption 130, de combiner deux cavités Fabry-Pcrot 120A, 120B, et les régions d'absorptions 131A, 131B, afin de fournir une structure de détection présentant une plage de longueurs d'onde de détection augmentée. Les figures 8A à RC illustrent cette possibilité. [0089] Selon cette possibilité, la structure de détection 10 est donc munie d'une couche d'absorption 120 dont deux parties, formant une première et une deuxième région d'absorption 131A, 131B sont logées respectivement dans une première et une deuxième cavité Fabry-Pcrot 120A, 120B. Selon cette possibilité, chacune de la première et la deuxième cavité Fabry-Perot 120A, 120B présente une longueur de cavité Fabry-Perot moyen WcA.Wc,, qui lui est propre et donc une longueur d'onde de résonnance qui lui est propre. De cette manière, comme le montre la figure RA qui illustre, par la courbe 541, le taux d'absorption d'une telle structure de détection en fonction de la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique à absorber, la première et la deuxième région d'absorption 131A, 131B permettent d'absorber le rayonnement électromagnétique dans une première et une deuxième plages de longueurs correspondant aux pics d'absorption présentés par la courbe 541. On peut en effet remarquer sur cette figure 8A que la courbe d'absorption 541 correspond à la somme des courbes d'absorption 542, 543 susceptibles d'être obtenues pour la première et la deuxième régions d'absorption 131A, 131B . [0090] Ce phénomène de résonance multiple est montré sur les figures 8B et 8C qui montrent une cartographie du champ électromagnétique dans une structure selon l'invention pour respectivement un rayonnement électromagnétique correspondant à la longueur d'onde de résonnance de la première cavité Fabry-Perot 120A et un rayonnement électromagnétique correspondant à la longueur d'onde de résonnance de la première cavité Fabry-Perot 120B. On peut voir sur ces deux figures que, selon le principe de l'invention, pour un rayonnement électromagnétique correspondant à la longueur d'onde de résonance de la première cavité Fabry-Perot 120A, respectivement de la deuxième cavité Fabry-Perot 120B, le rayonnement électromagnétique se retrouve confiné dans la première région d'absorption 131A, respectivement dans la deuxième région d'absorption 131B, correspondant à ladite cavité Fabry-Perot, la deuxième région d'absorption 131B, respectivement la première région d'absorption 131A correspondant à l'autre cavité Fabry-Perot ne présentant pas de confinement particulier pour ledit rayonnement électromagnétique. [0091] Ainsi, en conformité avec cette possibilité de l'invention, il est donc possible de fournir une structure de détection 10 selon l'invention présentant une plage de longueurs d'onde étendue au moyen d'une combinaison de plusieurs cavités de FabryPerot 120A, 120B et d'une couche d'absorption 130 interceptée par lesdites cavités de Fabry-Perot 120A, 120B. [0092] Variantes de l'invention Les figure 9A à 9H illustrent un certain nombre de variantes d'une structure de détection 10 accessibles pour l'homme du métier dans le cadre la présente invention parmi lesquelles : (i) la cavité Fabry-Perot présente sur une première partie d'épaisseur, comprise entre la première ouverture et la région d'absorption, la longueur de cavité Fabry-Pcrot Wc et, sur une deuxième partie d'épaisseur, qui s'étend au-delà de la région d'absorption 131, à l'opposé de la première ouverture 121, de dimension moyenne Wc' comprise entre 80% et 120% de la longueur de cavité Fabry-Perot Wc comme illustré sur la figure 9A, (ii) la structure de détection 10 étant selon la première possibilité de l'invention, la paroi réfléchissante présente au moins une ouverture, la ou lesdites ouverture de la paroi réfléchissante possédant une dimension maximale qui est inférieure ou égale à la moitié de la dimension moyenne de confinement, soit Wc/2, comme illustré sur la figure 9B, (iii) la structure de détection 10 comprend une couche d'absorption 130 logeant la région d'absorption 131, la couche d'absorption 130 étant discontinue pour ses parties en dehors dc la cavité Fabry-Perot 120, comme illustré sur la figure 9B, (iv) la région d'absorption 131 présente une ouverture traversante, ladite ouverture traversante présentant une dimension maximale selon le plan de couche de la région d'absorption inférieure ou égale à Wc/4 et étant préférentiellement placée au centre de la cavité Fabry-Perot en étant remplie du premier milieu de confinement 125, comme illustré sur la figure 9C, (y) la structure de confinement comporte un deuxième milieu de confinement 126 logé dans la cavité Fabry-Perot à l'opposé de la première ouverture 121 avec le premier milieu de confinement 125 s'interposant entre la région d'absorption 131 et ledit deuxième milieu de confinement 126 qui présente un indice de réfraction nd, inférieur à l'indice de réfraction nd du premier milieu de confinement, comme illustré sur la figure 9D, (vi) l'au moins un premier milieu de confinement 125 est en outre disposé à l'extérieur de la cavité Fabry-Perot 120, ledit premier milieu de confinement 125 formant, pour sa partie extérieure à la cavité Fabry-Perot 120 un revêtement du milieu réflecteur conducteur 127 d'une épaisseur 111, inférieure à la distance hientre la première ouverture 121 et la région d'absorption 131, comme illustré sur la figure 9E, (vii) la couche d'absorption 130 présente une couche d'adaptation 133 en regard de la première ouverture et/ou de la deuxième ouverture (ou, le cas échéant de la paroi réfléchissante), ladite couche d'adaptation 133 présentant un indice de réfraction n' pré- 21 férentiellement variable, dont la valeur reste comprise entre l'indice de réfraction nd de r au moins un milieu de confinement 125 et l'indice de réfraction n, de la couche d'absorption, comme illustré sur la figure 9F, (viii) la région d'absorption 131 présente une couche d'adaptation en regard de la première ouverture et/ou de la deuxième ouverture (ou, le cas échéant de la paroi réfléchissante, ladite couche d'adaptation 133 présentant un indice de réfraction nr n, préférentiellement variable, dont la valeur reste comprise entre l'indice de réfraction nd de r au moins un milieu de confinement 125 et l'indice de réfraction na de la région d'absorption 131, le reste de la couche d'absorption 130 étant dénuée de la dite couche d'absorption, comme illustré sur la figure 9G, (ix) la cavité Fabry-Pcrot 120 présente, sur une première partie de sa hauteur, une section variable, dans le présent exemple une variation monotone, et donc une longueur de cavité Fabry-Perot variable, la longueur de cavité Fabry-Pcrot moyenne étant, selon le principe de l'invention, sensiblement égale à ko/(2.neff), comme illustré sur la figure 9H. [0093] Concernant la variante (i) illustré sur la figure 9A, selon une possibilité préférentielle de ladite variante la portion centrale s'étend à partir de la région centrale jusqu'à la deuxième ouverture 123, dans le cas où la structure de détection 10 est selon la première possibilité, ou la paroi réfléchissante 122, dans le cas où la structure de détection 10 est selon la deuxième possibilité de l'invention. [0094] Le principe de l'invention, en ce qui concerne notamment les première et deuxième possibilités de l'invention et des différentes variantes de configuration de cavité FabryPerot 120 et de la région d'absorption 131 ayant été décrit au travers des figures 2 à 9H, des modes de réalisation pratique de l'invention sont décrits ci-après. [0095] Modes de réalisation pratique de l'invention Premier mode de réalisation pratique de l'invention Les figures 10A et 10B illustrent une structure de détection 10 selon un premier mode de réalisation pratique de l'invention dans laquelle la structure de détection 10 est basée sur une photodiode. [0096] Une telle structure de détection 10, comme illustrée sur la figure 10A, est une structure de détection selon la deuxième possibilité de l'invention avec une section transverse carrée. [0097] Dans ce premier mode de réalisation pratique de l'invention, la région d'absorption 131 comporte une première zone 132 dopée N et une deuxième zone 133 dopée P pour former une jonction semiconductrice 134. Ladite jonction semiconductrice 134 s'étend selon une diagonale de la section transverse canée. De cette manière, la première et la deuxième zone 132, 133 représentent chacune la moitié du volume de la région d'absorption 131. [0098] Afin de permettre la polarisation des première et deuxième zones 132, 133 indé- pendamment l'une de l'autre, le milieu conducteur 127 est divisé en un premier contact 128, formant un contact N de la structure de détection 10, et un deuxième contact 129, formant un contact P de la structure de détection 10, lesdits premier et deuxième contacts étant séparés l'un de l'autre par un ensemble de premier et deuxième bras de la couche d'absorption 130. [0099] Ainsi, la région d'absorption 131, selon cc premier mode de réalisation pratique de l'invention, est logé dans une couche d'absorption 130 présentant, comme montré sur les figures 10B : - le premier et le deuxième bras s'étendant au-delà de la région d'absorption 131 en passant au travers du milieu réflecteur conducteur 137 toute deux présentant une partie dopée N, en contact avec le premier contact 128, et une partie dopée P, en contact avec le deuxième contact 129, et - une portion périphérique présentant un dopage P et qui entoure le milieu réflecteur conducteur 127 , ladite portion périphérique étant reliée à la région d'absorption au moyen des premier et deuxième bras. [0100] Afin d'éviter un court-circuit entre le premier et le deuxième contact 128, 129, la portion périphérique de la couche d'absorption 130 comprend une partie dopée N permettant d'isoler le contact N du reste de la portion périphérique dopée P. [0101] En ce qui concerne les matériaux des différents éléments de l'invention, l'homme du métier est apte à les choisir en fonction de la plage de longueurs d'onde visée à partir des conditions d'indice fourni dans le cadre de la description du principe de l'invention. Ainsi par exemple, dans le cas où la bande de longueurs d'onde du rayonnement électromagnétique à détecter par la structure de détection 10 est le moyen infrarouge, la structure de détection 10 peut présenter la configuration suivante : - un milieu encapsulant en oxyde de silicium en tant que milieu incident, l'indice de réfraction nc', dudit milieu incident étant environ égal à 1,5, - une température de fonctionnement de 77 K, - une couche d'absorption 130 et une région d'absorption 131 en tellure de mercure cadmium Cdxfigi je avec x égale à 0,29, ce qui correspond à une largeur de bande interdire de 0,227 eV à 77K et un indice de réfraction na de 3,45, celles-ci présentant une épaisseur h' de 150 nm - une cavité Fabry-Perot 120 présentant une dimension de confinement Wc de 900 nm, avec une distance h1 entre la première ouverture 121 et la couche d'absorption 130, comprenant la région d'absorption 131, égale à 100 nm et la distance h3 entre la région d'absorption 131 et la paroi réflectrice 122 égale à 300 nm, [0102] - un premier milieu conducteur à permittivité négative 127 en or Au [0103] - un milieu de confinement d'indice nd réalisé en tellure cadmium CdTe qui est 23 transparent dans la gamme dc longueurs d'onde de l'infrarouge et qui présente un indice de réfraction de 2,7. [0104] En cc qui concerne les premières et les deuxièmes zones 132, 133 de la couche d'absorption 131 celles-ci forment dans la couche d'absorption 131 une photodiode. Le dopage de la première zone 132 est un dopage N avec une concentration en porteur majoritaire préférentiellement comprise entre 101et 101, cm-3. Le dopage de la deuxième zone 133 est un dopage P avec une concentration en porteurs majoritaires préférentiellement comprise entre 1016ct 1017cm, [0105] On notera que dans le cas d'une polarisation inverse à celle illustrée dans le présent mode de réalisation pratique de l'invention, c'est-à-dire une première zone 132 présentant un dopage P et une deuxième zone présentant un dopage N, la concentration en porteurs majoritaires de la première zone 132 est préférentiellement comprise entre 1017et 101, cm3 et la concentration en porteurs majoritaires dc la deuxième zone 133 est préférentiellement comprise entre 10bet 5.1016cm-3. [0106] Plus généralement, pour une plage dc longueurs d'onde du rayonnement électroma- gnétique à détecter, en ce qui concerne le matériau de la couche d'absorption et donc de la région d'absorption, celui-ci peut être un tellururc de mercure cadmium Cd,Hg, Te avec une concentration en cadmium adaptée en fonction de la plage de longueurs d'onde choisi. Ainsi, pour des structures 10 adaptées pour recevoir un rayonnement électromagnétique dans la gamme des infrarouges courts inférieurs à 2 pin, la proportion en cadmium X peut être supérieure à 0,4. Pour des structures 10 adaptées pour recevoir un rayonnement électromagnétique dans la gamme des infrarouges lointains de l'ordre de 10 pin, la proportion en cadmium X peut être voisine de 0,3. [0107] On notera également, en variante, le milieu réflecteur conducteur 127 peut être de l'argent Ag ou de l'aluminium Al. [0108] Deuxième mode de réalisation pratique de l'invention Les figures 11A et 11B illustrent un deuxième mode de réalisation pratique de l'invention dans lequel la cavité Fabry-Perot présente une section transverse annulaire. Une structure de détection selon ce deuxième mode de réalisation pratique de l'invention se différencie d'une structure selon le premier mode de réalisation pratique de l'invention en ce que : - la cavité Fabry-Perot 120 est selon la première possibilité, la fermeture de cette dernière cavité n'étant que partielle, comme montré sur la figure 11A, - la cavité Fabry-Perot 120 présente une section transverse annulaire, et - le premier contact 128 et le deuxième contact 129 sont respectivement un contact périphérique et un contact central de la région d'absorption 131. [0109] Ainsi, comme montré sur la figure 11A, la cavité Fabry-Perot 120 présente une section transverse annulaire, la dimension de confinement moyenne Wc correspondant 24 à la différence de rayons entre une paroi extérieure et la paroi intérieure de la cavité Fabry-Perot 120. La première zone 132 de la région d'absorption 131 forme une moitié annulaire extérieure de la région d'absorption 131, la deuxième zone 133 de la région d'absorption 131 formant une moitié intérieure de la région d'absorption 131. La jonction semiconductrice s'étend donc selon un cercle interne de la cavité Fabry-Perot 131 et se présente selon une forme d'enveloppe cylindrique de révolution. [0110] Le milieu conducteur à permittivité négative 127 comprend le premier contact 128 qui est périphérique à la cavité Fabry-Pcrot 120 et le deuxième contact 129 qui est central à la cavité Fabry-Perot. Le premier contact comprend, comme illustré sur la figure 11B, une ouverture afin d'autoriser le passage d'un deuxième via de connexion 129A du deuxième contact 129. On notera que le premier contact comprend également un premier via de connexion 128A du premier contact 128. [0111] Selon un principe similaire à celui du premier mode de réalisation pratique de l'invention, dans l'ouverture du premier contact 128, la couche d'absorption 120 présente une partie dopée N, le long du premier contact, et une partie dopée P, le long du via de connexion 129A du deuxième contact 129. [0112] D'une manière identique, la portion périphérique de la couche d'absorption 130 comprend une partie dopée N permettant d'isoler le premier contact 128, qui est un contact N, du reste de la portion périphérique dopée P. [0113] Les figures 12A et 12B illustrent une variante de ce deuxième mode de réalisation pratique de l'invention, dans lequel : [0114] - les première et deuxième zones 132, 133 de la région d'absorption 131 présentent un dopage inversé, [0115] - le via de connexion 129A du deuxième contact 129 se trouve uniquement sur une portion haute de la cavité Fabry-Perot 120, ledit via de connexion 129A étant isolé de la première zone au moyen d'une couche isolante 140. [0116] Ainsi, comme le montrent les figures 12A et 12B, le premier contact 128 est isolé du via de connexion 129A par une couche isolante et en étant agencé en contact avec le milieu de confinement 125 qui est lui aussi un milieu diélectrique. De cette manière il n'est pas besoin de prévoir une zone dopée P autour du via de connexion 129A, ledit via de connexion 129A étant uniquement agencé en contact avec des matériaux isolants électriquement, le milieu de confinement 125 et la couche isolante 140. [0117] Troisième mode de réalisation pratique de l'invention La figure 13 illustre une structure selon un troisième mode de réalisation pratique de l'invention dans lequel la structure de détection 10 comporte une pluralité de cavités Fabry-Perot 120 connectées en parallèle ceci afin d'optimiser l'efficacité de la structure de détection 10. Une telle structure de détection 10 selon le troisième mode de réalisation pratique de l'invention se différencie d'une structure de détection 10 selon le premier mode de réalisation pratique de l'invention en ce que la structure de détection 10 comprend une pluralité de cavités de Fabry-Perot 120A, 120B, 120C et donc de régions d'absorption 131A, 131B, 131C, et en cc qu'elle comprend un premier contact 128 périphérique et un deuxième contact 129 central formant le milieu réflecteur conducteur 127. [0118] Ainsi, comme le montre la figure 13, la structure 10 comprend huit cavités Fabry- Perot 120A, 120B, 120C, quatre cavités Fabry-Perot 120B de côté, en face d'un côté du deuxième contact 128 central de section carrée, et quatre cavités 120A, 120C d'angle, en correspondance avec un angle de du deuxième contact 129 central. Chaque cavité Fabry-Perot présente une section transverse carrée. [0119] Dans chaque cavité Fabry-Pcrot 120A, 120B, 120C, selon une configuration similaire à celle du premier mode de réalisation pratique de l'invention, la première zone 132 représente la moitié de la région d'absorption et la deuxième zone 133 représente l'autre moitié de la région d'absorption avec la jonction semiconductrice qui s'étend selon une diagonale de section transverse de ladite cavité Fabry-Pcrot. [0120] Ainsi avec une telle configuration, il est possible de bénéficier de l'absorption offerte par les huit cavités Fabry-Pcrot 120A, 120B, 120C tout en respectant les contraintes de dimensionner-rient de la cavité selon l'invention. [0121] Quatrième mode de réalisation pratique de l'invention Les figures 14A à 14E illustrent un procédé de fabrication d'une structure de détection 10 selon un quatrième mode de réalisation pratique de l'invention, un tel procédé permettant d'associer ladite structure de détection à un circuit de commande 200 fourni sur un deuxième support 201. Une telle structure de détection 10 se différencie, comme le montre la figure 14E, d'une structure de détection 10 selon le deuxième mode de réalisation pratique de l'invention en ce que : - la première zone 132 et la deuxième zone 133 présentent une configuration inversée, la première zone 132 correspondant à la zone intérieure de la région d'absorption 131, la deuxième zone 133 correspondant à la zone extérieure de la région d'absorption 131, - la cavité Fabry-Perot 120 présente une longueur de cavité Fabry-Perot Wc variable le long de sa hauteur, les parois de la cavité Fabry-Perot 120 présentant une pente, - le deuxième contact 129, qui est le contact périphérique de la région d'absorption 131, est fermé et ne comporte pas d'ouverture pour le passage d'un quelconque via de connexion 210, - le premier contact central 128 est adapté pour être connecté par hybridation par bille d'indium 210au circuit de commande 200. [0122] Ainsi, la région d'absorption 131, outre l'inversion de la configuration des première et deuxième zones 132. 133 et le fait que la cavité Fabry-Perot est dépourvue de via de 26 connexion pour le contact central, ici le premier contact 128, présente une configuration similaire à celle de la structure de détection 10 selon le deuxième mode de réalisation pratique de l'invention. [0123] Le procédé de fabrication d'une telle structure de détection 10 comporte les étapes suivantes : - fourniture d'un premier support 310 comprenant un substrat 320, une couche d'absorption 130, ladite couche d'absorption 130 comprenant une première zone 132 dopée Pet une deuxième zone 133 dopée N, pour former la région d'absorption 130, une couche de passivation 330, le substrat 320 et la couche de passivation 330 étant destinés à former le milieu de confinement 125 et la première zone 133entourant la deuxième zone132, comme illustré sur la figure 14A, - gravure partielle et localisée du premier support 310 de manière à former dans la passivation 330, la couche d'absorption 130 et le substrat 320 l'empreinte des premier et deuxième contacts 128, 129, ladite gravure permettant de former une percée centrale 402, correspondant au deuxième contact 129, et une percée annulaire 401, entourant la percée centrale, correspondant au premier contact 128, ladite gravure partielle et localisée étant centrée autour de la deuxième zone 132 de manière à positionner la jonction semiconductrice 134 entre lesdites première et deuxième percées 401, 402, comme illustré sur la figure 14B, - dépôt localisé d'une couche de matériau conducteur réflecteur en contact des parois de la percée centrale et de la percée annulaire, le matériau conducteur réflecteur déposé en contact avec les parois de la percée centrale formant le premier contact 128 et le matériau conducteur réflecteur déposé en contact avec les parois de la percée périphérique formant le deuxième 129, ledit matériau réflecteur conducteur formant le milieu réflecteur conducteur 125, les premier et deuxième contacts étant espacés l'un de l'autre, comme illustré sur la figure 14C, - dépôt d'un matériau isolant 140 sur la surface du premier support 310 autre que le premier contact 128, - remplissage du reste de la percée centrale avec le matériau conducteur réflecteur 127 de manière à ce que le premier contact 128 est apte à autoriser une connexion par hybridation par bille d'indium 210, comme illustré sur la figure 14D - amincissement du substrat 320 afin de fournir une configuration conforme à la variante de la figure 9E, c'est-à-dire que l'épaisseur restante du support 320 en dehors de la cavité Fabry-Perot 120 présente une épaisseur hr inférieure à la distance hl entre la région d'absorption 131 et la première ouverture 121, comme illustré sur 14E. [0124] La figure 15 illustre une structure de détection 10 selon une variante d'une structure de détection 10 selon ce troisième mode de réalisation pratique de l'invention qui se différencie en ce que le substrat 320 a été aminci de manière à libérer la première 27 ouverture 121 et en ce qu'il est prévu des extensions latérales 123 du deuxième contact 129 au niveau de la première ouverture 121 de manière à limiter les modes électromagnétiques pouvant parasiter le mode de cavité Fabry-Perot lorsque la polarisation de la lumière incidente est mal orientée par rapport l'ouverture du résonateur annulaire. [0125] De telles extensions latérales 123 peuvent, comme illustré sur la figure 15 à droite, prendre la forme de quatre portions de couche de matériau réflecteur conducteur réparties sur la périphérie du deuxième contactl 29. [0126] Ainsi le procédé de fabrication d'une structure de détection 10 selon cette variante du troisième mode de réalisation pratique de l'invention se différencie d'un procédé de fabrication d'une structure de détection selon le troisième mode de réalisation pratique de l'invention en ce que : [0127] - lors de l'étape d'amincissement du substrat 320, l'amincissement du substrat 320 est arrêté lorsque que la première ouverture 121 affleure la surface du substrat 320, et [0128] - il est en outre prévu une étape de dépôt localisé de matériau réflecteur conducteur afin de former les extensions latérales 123 du deuxième contact 129. [0129] Cinquième mode de réalisation pratique de l'invention Les figures 16A à 16D illustrent les étapes d'un procédé de fabrication d'une structure de détection selon un cinquième mode de réalisation pratique de l'invention dans lequel la couche d'absorption 130 est continue et n'a donc pas été percée lors de la formation de ladite structure de détection 10. Une structure de détection 10 selon ce cinquième mode de réalisation se différencie d'une structure de détection 10 selon le premier mode de réalisation pratique de l'invention, en ce que la cavité Fabry-Perot 120 présente une dimension de confinement variable le long de sa hauteur, les parois de la cavité Fabry-Perot 120 présentant une pente. [0130] Un procédé de fabrication d'une structure de détection 10 selon ce cinquième mode de réalisation comprend les étapes suivantes : - fourniture d'un premier support 310 comprenant un substrat 320, une couche d'absorption 130, ladite couche d'absorption 130 comprenant une première zone 132 dopée P et une deuxième zone 133 dopée N, '2, une couche de passivation 330, le substrat 320 et la couche de passivation 330 étant destinée à former le milieu de confinement 125, comme illustré sur la figure 16D, - gravure partielle de la couche de passivation afin de former une première et une deuxième percée, correspondant respectivement au premier et au deuxième contact 128, 129, et entourant la jonction semiconductrice 134 entre la première et la deuxième zone 132, 133, - dépôt d'un matériau réflecteur conducteur de manière à remplir la première et la deuxième percée, comme illustré sur la figure 16B, - collage d'une couche en matériau isolant en contact de la couche de passivation 330 28 afin de former le milieu incident 110, comme illustré sur la figure 16C, - gravure partielle et localisée du premier support 310 de manière à former dans le substrat 320 l'empreinte des premier et deuxième contacts 128, 129 outre les parties déjà formées dans la couche de passivation 330, ladite gravure permettant de former une troisième percée, correspondant au premier contact 128, et une quatrième percée, correspondant au deuxième contact 129, les deux percées pénétrant au moins partiellement les zones 132 et 133 respectivement. - dépôt localisé d'une couche du matériau conducteur réflecteur en contact des parois de la troisième percée et de la quatrième contact, le matériau conducteur réflecteur déposé en contact avec les parois de la percée centrale formant le premier contact 128 et le matériau conducteur réflecteur déposé en contact avec les parois de la percée périphérique formant le deuxième 129, ledit matériau réflecteur conducteur formant le milieu réflecteur conducteur 127, les premier et deuxième contacts étant espacés l'un de l'autre, comme illustré sur la figure 16D. [0131] Sixième mode de réalisation pratique de l'invention Les figures 17A à 17D illustrent une structure de détection 10 selon un sixième mode de réalisation pratique de l'invention dans lequel la structure détection 10 est collée à un deuxième support 201 afin de la connecter à circuit de commande 200 dudit deuxième support 201. [0132] On notera que dans ce sixième mode de réalisation, la structure de détection 10 est selon la première possibilité de l'invention avec la cavité Fabry-Perot partiellement fermée par des plots de contact 210 du deuxième support 201, lesdits plots de contact formant la paroi réflectrice 122. Si les figures 17A à 17D montrent uniquement une coupe latérale de la structure de détection, la cavité de Fabry-Perot peut présenter une section transverse carrée, ladite cavité présentant une ouverture pour permettre une polarisation de la deuxième zone 133 au moyen du deuxième contact 123 qui est un contact commun. Chaque plot isolé 127 est environné d'une zone 132 d'un premier type de dopage, deux zones 132 adjacentes étant complètement séparées par une zone 133 d'un autre type de dopage. Toutes les zones 133 forment entre elles une région contiguë et connexe électriquement (continue et de même type de dopage) et sont en contact commun direct avec un plot latéral 123. [0133] Un procédé de fabrication d'une structure de détection 10 selon ce quatrième mode de réalisation comprend les étapes suivantes : - fourniture d'un premier support 310 comprenant un substrat 320, une couche d'absorption 130, ladite couche d'absorption 130 étant dopée P, le substrat 320 et la couche de passivation 330 étant destinée à former le milieu de confinement 125, - fourniture d'un deuxième support 200, ledit deuxième support 200 comprenant un circuit de commande 200 de la structure de détection et des plots de contact 210 29 configurés pour être connectés à des contacts de la structure de détection 10 et pour former une paroi réflectrice 122 selon l'invention, comme illustré sur la figure 17A - collage du premier support 310 au deuxième support avec la couche de passivation 330 en contact avec la surface du deuxième support 201 qui comprend les plots de contact 210, ledit collage étant réalisé avec un matériau apte à former un deuxième milieu de confinement 126, conformément à la variante (v) de r invention, ledit matériau apte à former le deuxième milieu de confinement 126 peut être, par exemple, une résine époxyde non conductrice, - amincissement du substrat 320, comme illustré sur la figure 17B, - dopage de la couche d'absorption 130 par implantation d'élément de dopant apte à fournir des électrons en tant que porteurs majoritaires ceci de manière à permettre de former la première zone 133 et délimiter la deuxième zone 132, - gravure localisée du substrat 320, de la couche d'absorption 130, la passivation 330 et le matériau apte à former le deuxième milieu de confinement 126 afin de former les empreintes des premier et deuxième contact, lesdites empreintes débouchant sur les plots de contact 210 du deuxième support 201, comme illustré sur la figure 17C, - remplissage des empreintes par le milieu réflecteur conducteur 127 de manière à former les premier et deuxième contacts 122, 123, comme illustré sur la figure 17D. [0134] Possibilités d'association de plusieurs structures de détection selon l'invention Les figures 18A à 18C présentent différents agencements de structures de détection selon l'invention ceci de manière à fournir un dispositif de détection 1 de rayonnement électronique comprenant une pluralité desdites structures de détections 10A, 10B, 10C associées entre elles. De tels dispositifs de détection 1 comportent, comme illustré sur la figure 18A, la pluralité de structures de détection 10A, 10B, 10C, chacune présentant, une cavité Fabry-Perot 120A, 120B, 120C, une région d'absorption 131A, 131B, 132C, un premier contact individuel 128A, 128B, 128C, le dispositif détection comportant en outre un deuxième contact 129 commun. [0135] Selon la première possibilité d'agencement d'un tel dispositif 1 illustré sur la figure 18A, la cavité Fabry-Perot 120A, 120B, 120C de chaque structure de détection 10A, 10B, 10C présente une section transverse carrée, la première zone 132 étant une zone périphérique de la région d'absorption 131 et la deuxième zone 133 étant centrale avec une jonction semiconductrice 134 présentant une section transverse carrée. Selon cette même possibilité, le milieu réflecteur conducteur est formé par le premier contact 128A, 128B, 128C. Le premier contact 128A, 128B, 128C de chaque structure de détection 10A, 10B, 10C présente une ouverture afin de permettre une polarisation de la deuxième zone 133C, 133B, 133C. La couche d'absorption 130 est en outre munie du deuxième contact 129 commun. De cette manière, il est possible, avec un tel agencement de polariser individuellement chaque structure de détection, et donc détecter le courant de fonctionnement individuel de ladite structure de détection 10 tout en présentant un agencement compact. [0136] Selon la deuxième possibilité d'agencement d'un tel dispositif 1 illustré sur la figure 18B, les premier contacts 128A, 128B présentent une section transverse rectangulaire délimitant de part et d'autre chacune des cavités Fabry-Perot, chacune des cavités Fabry-Perot étant en outre limitée latéralement par deux extensions du deuxième contact 129. Pour chacune des structures de détection 10A, 10B, 10C, la première zone 132 entoure les premiers contacts 128A, 128B délimitant la cavité Fabry-Perot 120, le reste de la région d'absorption formant la deuxième zone 133 de ladite structure de détection 10A, 10B, 10C. [0137] Selon la troisième possibilité d'agencement d'un tel dispositif 1 illustré sur la figure 18C, chacune des cavités Fabry-Perot 120 est délimitée par quatre premiers contacts 128A, 128B, 128C de manière qu'elles présentent une section transverse carrée. Chaque premier contact 128A, 128B, 128C présentent une section transverse en croix, les bras desdits premiers contacts 128A, 128B, 128C formant les parois de la cavité Fabry-Perot 120. La première zone 132 de chaque région d'absorption 131 entoure lesdits premiers contacts 128A, 128B, 128C. [0138] Bien entendu, conformément aux connaissances de l'homme du métier, si dans les modes de réalisation pratique de l'invention décrits dans le présent document la première zone 132 de la région d'absorption 131 présente un dopage particulier, la deuxième zone 133 de la région d'absorption présentant un dopage opposé, il est également envisageable, sans que l'on sorte du cadre de l'invention, d'inverser les différents dopages de la structure selon chacun (lesdits modes de réalisation pratique de l'invention. Autrement dit et d'une manière générale, dans chacun desdits modes de réalisation pratique de l'invention, la première zone 132 de la région d'absorption 131 présente un premier type de conductivité sélectionné parmi le type de conductivité dans lequel les électrons sont les porteurs majoritaires et le type de conductivité dans lequel les trous sont les porteurs majoritaires, la deuxième zone 133 de la région d'absorption 131 présentant un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. [0139] On notera également que, selon une possibilité avantageuse de l'invention, comme cela a déjà été décrit, qu'une structure de détection 10 selon l'invention peut être équipée d'un dispositif optique de concentration de rayonnement électromagnétique, tel qu'une lentille ou un miroir, configuré pour concentrer une partie du rayonnement électromagnétique sur la première ouverture 121 de la cavité Fabry-Perot de la structure de détection 10. On notera qu'une telle fonction de dispositif optique de concentration peut éventuellement être fourni par une conformation du milieu incident, celui-ci pouvant présenter un profil lentillaire ou pluri-lentillaire de forme convexe sur 31 la face exposée à la lumière incidente. [0140] Bien entendu, l'ensemble des modes de réalisation pratique de l'invention sont fournis qu'à titre d'exemple de réalisation de l'invention et l'homme du métier est à même de les adapter en fonction de ces besoins particuliers, notamment pour optimiser son fonctionnement à une première plage de longueur d'onde particulière, sans que l'on sorte du cadre de l'invention. En particulier, les formes de jonction semiconductrice décrites en lien avec ces différents modes de réalisation pratique ne sont nullement limitatives et peuvent aisément être modifiées par un homme du métier. Selon ce même principe, si dans les présents modes de réalisation pratique de l'invention la région d'absorption 131 est du type photodiode en présentant une première et une deuxième zone 132, 133 de dopage inversé, les jonctions de diodes peuvent être absentes et dans ce cas, le détecteur est plus utilisé comme photoconducteur, c'est-dire basé sur le passage du courant entre contacts par effet purement photo-résistif à travers le semi-conducteur, comme dans les bolomètres. [0141] Il convient de noter que toutes les structures de diodes 10 exposées précédemment sont employées comme détecteur (absorbeur) de rayonnement électromagnétique dans l'invention, mais elles pourraient tout aussi bien, réciproquement, être utilisées somme émetteurs de rayonnement, en injectant du courant dans les jonctions de diodes. Nomenclature des dessins [0142] [fig.1A] illustre une structure selon l'art antérieur, [0143] [fig.1B] illustre un graphique du taux d'absorption de la structure de l'art antérieur, [0144] [fig.2] illustre une structure selon le principe de l'invention, [0145] [fig.3] illustre graphiquement la variation du taux d'absorption d'une structure selon le principe de l'invention illustrée sur la figure 2, [0146] [fig.4A] illustre schématiquement une structure selon une première possibilité de l'invention dans laquelle la structure comporte une cavité Fabry-Perot fermée à une extrémité, [0147] [fig.4B] illustre schématiquement une vue de dessus de la structure selon la figure 4A, [0148] [fig.4C] illustre la variation du taux d'absorption d'une structure selon la figure 4A, [0149] [fig.5A] illustre schématiquement une structure selon une deuxième possibilité de l'invention dans laquelle la structure comporte une cavité Fabry-Perot ouverte à ces deux extrémités, [0150] [fig.5B] illustre la variation du taux d'absorption d'une structure selon la figure SA, [0151] [fig.6] illustre graphiquement la variation de l'absorption d'une structure selon l'invention pour une distance hl entre une région d'absorption et une ouverture de la cavité Fabry-Perot croissante, [0152] [fig.7] illustre graphiquement la variation de l'absorption d'une structure selon la 31 deuxième possibilité de l'invention pour une distance h2 entre une deuxième ouverture de la structure et la région d'absorption croissante, [0153] [fig.8A] illustre la variation de l'absorption d'une structure comprenant deux cavités Fabry-Perot, [0154] [fig.813] illustre une cartographie du champ électromagnétique dans une structure selon la figure 8A pour un rayonnement électromagnétique correspondant à la longueur d'onde de résonnance de la première cavité, [0155] [fig.8C] illustre une cartographie du champ électromagnétique dans une structure selon la figure 8A pour un rayonnement électromagnétique correspondant à la longueur d'onde de résonnance de la deuxième cavité, [0156] [fig.9A] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon une première variante de l'invention, [0157] [fig.913] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon une deuxième variante de l'invention, [0158] [fig.9C] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon une troisième variante de l'invention, [0159] [fig.9D] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon une quatrième variante de l'invention, [0160] [fig.9E] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon une cinquième variante de l'invention, [0161] [fig.9F] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon une sixième variante de l'invention, [0162] [fig.90] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon une septième variante de l'invention, [0163] [fig.9H] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon une huitième variante de l'invention, [0164] [fig.10A] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon un premier mode de réalisation pratique de l'invention, [0165] [fig.1013] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon un premier mode de réalisation pratique de l'invention [0166] [fig.11A] illustre une vue en coupe d'une structure selon une deuxième mode de réa- lisation [0167] [fig.1113] illustre une vue en coupe selon le plan de couche d'une structure selon une deuxième mode de réalisation, [0168] [fig.12A] illustre une vue de dessus d'une structure selon un agencement pratique du deuxième mode de réalisation, [0169] [fig.1213] illustre une vue en coupe latérale d'une structure selon un agencement pratique du deuxième mode de réalisation, 33 [0170] [fig.13] illustre schématiquement et en vue en coupe selon le plan de couche une structure selon un troisième mode de réalisation pratique de l'invention, [0171] [fig.14À] illustre une première étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un quatrième mode de réalisation pratique de l'invention, [0172] [fig.1413] illustre une deuxième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un quatrième mode de réalisation pratique de l'invention, [0173] [fig.14C] illustre une troisième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un quatrième mode de réalisation pratique de l'invention, [0174] [fig.14D] illustre une quatrième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un quatrième mode de réalisation pratique de l'invention, [0175] [fig.14E] illustre une cinquième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un quatrième mode de réalisation pratique de l'invention, [0176] [fig.15] illustre une variante de la structure selon le quatrième mode de réalisation, [0177] [fig.16À] illustre une première étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un cinquième mode de réalisation pratique de l'invention, [0178] [fig.1613] illustre une deuxième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un cinquième mode de réalisation pratique de l'invention, [0179] [fig.16C] illustre une troisième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un cinquième mode de réalisation pratique de l'invention, [0180] [fig.16D] illustre une quatrième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un cinquième mode de réalisation pratique de l'invention, [0181] [fig.17A] illustre une première étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un sixième mode de réalisation pratique de l'invention, [0182] [fig.17B] illustre une deuxième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un sixième mode de réalisation pratique de l'invention, [0183] [fig.17C] illustre une troisième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un sixième mode de réalisation pratique de l'invention, [0184] [fig.17D] illustre une quatrième étape de fabrication d'un procédé de fabrication d'une structure selon un sixième mode de réalisation pratique de l'invention, [0185] [fig.18A] illustre une vue de dessus d'un premier exemple de réalisation de l'invention autorisant un arrangement périodique optimisé [0186] [fig.18B] illustre une vue de dessus d'un deuxième exemple de réalisation de l'invention autorisant un arrangement périodique optimisé [0187] [fig.18C] illustre une vue de dessus d'un troisième exemple de réalisation de l'invention autorisant un arrangement périodique optimisé 34 [Revendication 1] [Revendication 2]