FR 3087581 A1 20200424 FR 1859722 A 20181022 Dispositif optoélectronique, écran d'affichage associé et procédé de fabrication d'un tel dispositif optoélectronique La présente invention concerne un dispositif optoélectronique. La présente invention concerne également un écran d'affichage comprenant un ensemble de tels dispositifs optoélectroniques et un procédé de fabrication d'un tel dispositif optoélectronique. Des dispositifs optoélectroniques comprenant un ensemble d'émetteurs de lumière, chacun d'eux émettant une lumière différente (à savoir, une lumière ayant une longueur d'oncle différente), sont utilisés dans un grand nombre de dispositifs tels qu'un écran d'affichage. En contrôlant quel émetteur de lumière de quel dispositif optoélectronique émet de la lumière à un moment donné, des images sont formées sur l'écran d'affichage. De tels dispositifs optoélectroniques sont ainsi généralement appelés « pixels », raccourci pour « picture element » (élément d'image), et les émetteurs de lumière individuels sont appelés « sous-pixels ». Les sous-pixels sont souvent fabriqués au moyen de structures semi-conductrices, qui peuvent être contrôlées de manière efficace en activant ou en coupant simplement un courant électrique, et qui peuvent offrir un bon rendement d'émission globale (également appelé « rendement à la prise murale »). Dans certains cas, chaque structure semiconductrice d'un seul dispositif optoélectronique peut émettre une lumière ayant une couleur différente de celle des autres structures semi-conductrices. Dans d'autres cas, chaque structure semi-conductrice émet une même lumière, mais certains sous-pixels peuvent inclure un convertisseur de rayonnement apte à convertir la lumière émise par la structure semi-conductrice en une lumière ayant une longueur d'onde différente. Afin d'améliorer la résolution spatiale des écrans d'affichage, ou de réduire la taille de l'écran d'affichage tout en maintenant le nombre de pixels constant, une solution connue consiste à réduire la taille des pixels. Toutefois, lorsque des sous-pixels sont placés à proximité étroite sur un substrat, une diaphonie peut se produire dans laquelle au moins une partie de la lumière émise par un premier sous-pixel peut atteindre un deuxième sous-pixel et soit sortir à travers ce deuxième sous-pixel - donnant ainsi à l'observateur l'impression que le premier sous- pixel est plus grand que ce qu'est en réalité le premier sous-pixel et réduisant donc la résolution spatiale - soit être absorbé par le convertisseur de rayonnement du deuxième sous-pixel. Ceci peut également aboutir à l'émission d'une lumière ayant une longueur d'onde indésirable. 2 Il est par conséquent nécessaire de proposer un dispositif optoélectronique ayant une diaphonie réduite entre sous-pixels même lorsque les dimensions du dispositif optoélectronique sont réduites. A cette fin, la présente description concerne un dispositif optoélectronique 5 comprenant un substrat et au moins deux sous-pixels, chaque sous-pixel étant adapté pour émettre un premier rayonnement respectif, le substrat ayant une face de support, chaque sous-pixel comprenant : - au moins une ailette réalisée en un premier matériau semi-conducteur, le premier matériau ayant une première valeur de bande interdite, l'ailette 10 s'étendant depuis la face de support le long d'une direction normale perpendiculaire à la face de support, chaque ailette ayant un côté supérieur, un premier côté latéral et un second côté latéral> chaque côté latéral s'étendant entre le côté supérieur et le substrat. - une couche de couverture comprenant une ou plusieurs couche(s) 15 émettrice(s) de rayonnement, la couche de couverture s'étendant sur le premier côté latéral de chaque ailette, chaque couche émettrice de rayonnement étant réalisée en un deuxième matériau semi-conducteur, le deuxième matériau semi-conducteur ayant une deuxième valeur de bande interdite, la deuxième valeur de bande interdite étant strictement inférieure à 20 la première valeur de bande interdite, les sous-pixeis délimitant un évidement, l'évidement étant situé entre les deux sous-pixels, et une structure de blocage réalisée en un troisième matériau étant intercalée entre les deux sous-pixels dans l'évidement, la structure de blocage étant adaptée pour empêcher le premier rayonnement émis par un sous-pixel d'atteindre l'autre sous-pixel à 25 travers la structure de blocage. Selon des modes de réalisation spécifiques, le dispositif optoélectronique comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises séparément ou selon une quelconque combinaison possible : - au moins une des propriétés suivantes est remplie : 30 - le premier matériau semi-conducteur a un premier type de dopage choisi parmi le dopage ri et le dopage p, la couche de couverture comprenant en outre une couche dopée, chacune des couches émettrices de rayonnement étant intercalée entre l'ailette et la couche dopée, la couche dopée étant réalisée en un troisième matériau semi-conducteur ayant une troisième valeur de bande interdite, la troisième valeur de bande interdite étant strictement supérieure à la deuxième valeur de bande interdite, le troisième 3 matériau semi-conducteur ayant un second type de dopage choisi parmi le dopage n et le dopage p, le second type de dopage étant différent du premier type de dopage, - le dispositif optoélectronique comprend un circuit de commande et, pour au 5 moins un sous-pixel, une électrode connectant le sous-pixel et le circuit de commande à travers le substrat, et - au moins un sous-pixel comprend une première couche barrière réalisée en un matériau électro-isolant, la première couche barrière formant une barrière entre le substrat et la couche de couverture 10 - chaque ailette de chaque sous-pixel délimite au moins partiellement une cavité dans un plan perpendiculaire à la direction normale ; - les intersections de chacune des ailettes d'un sous-pixel avec la face de support formant un contour fermé sur la face de support, la cavité étant entourée par l'ailette dans un plan perpendiculaire à la direction normale ; 15 - le contour est choisi parmi un triangle, un carré, un rectangle et un hexagone ; - chaque premier rayonnement comprend un premier ensemble d'ondes électromagnétiques, la couche émettrice de rayonnement d'au moins un sous-pixel étant configurée pour émettre un deuxième rayonnement comprenant un deuxième ensemble d'ondes électromagnétiques, le dispositif optoélectronique comprenant en outre un 20 convertisseur de rayonnement configuré pour convertir le deuxième rayonnement en le premier rayonnement respectif, une longueur d'onde étant définie pour chaque onde électromagnétique, le premier ensemble correspondant à une première plage de longueurs d'onde et le deuxième ensemble correspondant à une deuxième plage de longueurs d'onde, la première plage ayant une première longueur d'onde moyenne et la 25 deuxième plage ayant une deuxième longueur d'onde moyenne, la première longueur d'onde moyenne étant différente de la deuxième longueur d'onde moyenne, le convertisseur de rayonnement étant contenu dans la cavité du sous-pixel considéré. - la structure de blocage est adaptée pour réfléchir le rayonnement de base de chaque sous-pixel ; 30 - le substrat comprend une structure semi-conductrice configurée pour émettre un troisième rayonnement comprenant un troisième ensemble d'ondes électromagnétiques, une longueur d'onde étant définie pour chaque onde électromagnétique, le premier ensemble correspondant à une première plage de longueurs d'onde et le troisième ensemble correspondant à une troisième plage de longueurs d'ondes, la première plage 35 ayant une première longueur d'onde moyenne et la troisième plage ayant une troisième longueur d'onde moyenne, la première longueur d'onde moyenne étant strictement 4 inférieure à la troisième longueur d'onde moyenne, la structure semi-conductrice et au moins un sous-pixel étant alignés le long de la direction normale ; - au moins une des propriétés suivantes est remplie : - chaque couche de couverture est en contact avec au moins quatre-vingt-dix 5 pourcent de la surface du premier côté latéral de l'ailette, le troisième matériau est un métal, et - le troisième matériau est de l'aluminium ; la structure de blocage est adaptée pour réfléchir le premier rayonnement de chaque sous-pixel ; 10 - chaque couche de couverture a une partie supérieure en contact avec le côté supérieur et une première partie en contact avec le premier côté latéral ; - au moins une structure de blocage a une couche supérieure réalisée en le troisième matériau, la partie supérieure étant intercalée entre le côté supérieur de l'ailette et la couche supérieure, la couche supérieure couvrant entièrement la partie supérieure 15 de la couche de couverture ; - chaque premier rayonnement comprend un premier ensemble d'ondes électromagnétiques, la partie supérieure de la couche émettrice de rayonnement étant configurée pour émettre un quatrième rayonnement comprenant un quatrième ensemble d'ondes électromagnétiques, une longueur d'onde étant définie pour chaque onde 20 électromagnétique, le premier ensemble correspondant à une première plage de longueurs d'onde et le quatrième ensemble correspondant à une quatrième plage de longueurs d'onde, la première plage ayant une première longueur d'onde moyenne et la quatrième plage ayant une quatrième longueur d'onde moyenne, la première longueur d'onde moyenne étant différente de la quatrième longueur d'onde moyenne ; et 25 - chaque couche de couverture a une seconde partie couvrant au moins partiellement le second côté latéral de l'ailette correspondante, et la structure de blocage comprend une couche électriquement isolante configurée pour isoler électriquement au moins un sous-pixel de la structure de blocage. Un écran d'affichage comprenant un ensemble de dispositifs optoélectroniques tels 30 que définis précédemment est également proposé. La présente description concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, le procédé comprenant les étapes de : - fourniture d'un substrat ayant une face de support, et - fabrication de deux émetteurs, chaque sous-pixel étant adapté pour émettre un 35 premier rayonnement correspondant, chaque sous-pixel comprenant : 5 ^ au moins une ailette réalisée en un premier matériau semi-conducteur, le premier matériau semi-conducteur ayant une première valeur de bande interdite, l'ailette s'étendant de la face de support le long d'une direction normale perpendiculaire à la face de support, chaque ailette ayant un côté 5 supérieur, un premier côté latéral et un second côté latéral, chaque côté latéral s'étendant entre le côté supérieur et le substrat, et - une couche de couverture comprenant une ou plusieurs couche(s) émettrice(s) de rayonnement, la couche de couverture s'étendant sur le premier côté latéral de chaque ailette, chaque couche émettrice de 10 rayonnement étant réalisée en un deuxième matériau semi-conducteur, le deuxième matériau semi-conducteur ayant une deuxième valeur de bande interdite, la deuxième valeur de bande interdite étant strictement inférieure à la première valeur de bande interdite, les deux sous-pixels délimitant un évidement entre les deux sous-pixels, le procédé 15 comprenant en outre une étape de dépôt, dans l'évidement, d'un troisième matériau de sorte à former une structure de blocage adaptée pour empêcher le premier rayonnement émis par un sous-pixel d'atteindre l'autre sous-pixel à travers la structure de blocage. Selon des modes de réalisation spécifiques, le procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises 20 séparément ou selon une quelconque combinaison possible : - l'étape de fabrication de deux sous-pixels comprend les étapes de : - fabrication d'une arête réalisée en le premier matériau semiconducteur, l'arête s'étendant depuis la face de support le long de la direction normale, l'arête ayant un côté supérieur et deux premiers 25 côtés latéraux, - dépôt de la couche de couverture sur au moins les deux premiers côtés latéraux de l'arête, et formation des ailettes et de l'évidement par élimination par gravure d'au moins une partie de l'arête 30 l'étape de fabrication de deux sous-pixels comprend les étapes de : formation d'un noyau réalisé en un quatrième matériau, le noyau s'étendant de la face de support le long de la direction normale, le noyau ayant une face supérieure et des flancs latéraux s'étendant entre le substrat et la face supérieure, 35 dépôt d'une couche du premier matériau et d'au moins une couche du deuxième matériau sur au moins une partie des flancs latéraux pour 6 former au moins une ailette et la couche de couverture correspondante, et - retrait du quatrième matériau ; - l'étape de fabrication de deux sous-pixels comprend les étapes de 5 - fabrication de l'ailette de chaque sous-pixel, et - dépôt sur chaque ailette d'au moins une couche du deuxième matériau pour former la couche de couverture ; - le procédé comprend au moins une des étapes suivantes : - dépôt, sur la couche de couverture d'au moins un sous-pixel, d'une 10 couche de matériau transparent électroconducteur ; dépôt sur la face de support d'une première couche barrière réalisée en un matériau électro-isolant, la première couche barrière formant une barrière entre la couche de couverture et le substrat ; et - avant dépôt du troisième matériau, dépôt dans l'évidement d'un 15 matériau électro-isolant de sorte à former une seconde couche barrière réalisée en un matériau électro-isolant sur au moins un sous-pixel, la seconde couche barrière formant une barrière entre le troisième matériau et le sous-pixel. Des caractéristiques et avantages de l'invention seront clairement indiqués par la 20 description suivante, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faisant référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'un écran d'affichage comprenant un ensemble de dispositifs optoélectroniques, - la figure 2 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'une structure 25 résultant de certaines étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique de la figure 1, - la figure 3 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'une structure résultant de certaines étapes ultérieures du procédé de la figure 2, - la figure 4 est une autre vue en coupe latérale partielle schématique d'une 30 structure résultant de certaines étapes ultérieures, postérieures aux étapes de la figure 3, du procédé de la figure 2, - la figure 5 est un schéma de deux dispositifs optoélectroniques vus latéralement dans une section le long de la ligne V-V sur la figure 6, - la figure 6 est une vue de dessus schématique de deux dispositifs 35 optoélectroniques, - la figure 7 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'une structure résultant de certaines étapes d'un procédé de fabrication des dispositifs optoélectroniques de la figure 5, - la figure 8 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'une structure 5 résultant de certaines étapes ultérieures du procédé conduisant à la structure de la figure 7, - la figure 9 est une vue de dessus partielle schématique de la structure de la figure 8, - la figure 10 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'une structure 10 résultant de certaines étapes ultérieures du procédé conduisant aux structures des figures 7 à 9, - la figure 11 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'un dispositif optoélectronique fabriqué au moyen du procédé conduisant aux structures des figures 7 â 10, 15 - la figure 12 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'une structure résultant de certaines étapes d'un autre procédé de fabrication des dispositifs optoélectroniques de la figure 5, - la figure 13 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'une structure résultant de certaines étapes ultérieures du procédé conduisant à la structure de la 20 figure 12, et - la figure 14 est une vue en coupe latérale partielle schématique d'une structure résultant de certaines étapes, postérieures aux étapes de la figure 13, du procédé conduisant aux structures des figures 12 et 13. Un premier exemple d'écran d'affichage 10 est partiellement représenté sur les 25 figures 1 et 2. L'écran d'affichage 10 est, par exemple, intégré dans un dispositif électronique tel qu'un téléphone portable, une tablette ou un ordinateur portable. Dans un autre mode de réalisation, l'écran d'affichage 10 est intégré dans un dispositif d'affichage dédié tel qu'un poste de télévision ou un écran d'ordinateur de bureau. 30 L'écran d'affichage 10 est configuré pour afficher un ensemble d'images. L'écran d'affichage 10 comprend un ensemble de dispositifs optoélectroniques 15. Il est à noter que le nombre de dispositif optoélectroniques 15 peut varier. Chaque dispositif optoélectronique 15, également appelé élément d'image « picture element » ou en raccourci « pixel » est configuré pour émettre au moins un rayonnement. 35 Par exemple, chaque dispositif optoélectronique 15 est configure pour émettre l'un d'un ensemble de rayonnements comprenant un premier rayonnement, un deuxième 8 rayonnement et un troisième rayonnement. Dans un mode de réalisation, chaque dispositif optoélectronique 15 est configure pour émettre l'un d'un ensemble de rayonnements comprenant un premier rayonnement, un deuxième rayonnement, un troisième rayonnement et un quatrième rayonnement. 5 Il est à noter que chaque dispositif optoélectronique 15 peut être utilisé comme une source de lumière unique à l'extérieur d'un écran d'affichage. Chaque rayonnement comprend un ensemble d'ondes électromagnétiques. Chaque ensemble correspond à une plage de longueurs d'onde. La plage de longueurs d'onde est le groupe formé par toutes les longueurs d'oncle de l'ensemble 10 d'ondes électromagnétiques. Le premier rayonnement comprend un premier ensemble d'ondes électromagnétiques. Le premier ensemble d'ondes électromagnétiques correspond à une première plage de longueurs d'onde. 15 Une première longueur d'onde moyenne est définie pour la première plage de longueurs d'onde. Une longueur d'onde moyenne égale à la moitié de la somme des longueurs d'onde la plus petite et la plus grande de la première plage de longueurs d'onde est un exemple de première longueur d'onde moyenne. 20 Le premier rayonnement est, par exemple, un rayonnement bleu. Un premier rayonnement dont la première longueur d'onde moyenne est comprise entre 430 nanomètres (nm) et 490 nm est un exemple de rayonnement bleu. Le deuxième rayonnement est différent du premier rayonnement. Le deuxième rayonnement comprend un deuxième ensemble d'ondes 25 électromagnétiques. Le deuxième ensemble d'ondes électromagnétiques correspond à une deuxième plage de longueurs d'onde. Une deuxième longueur d'onde moyenne est définie pour la deuxième plage de longueurs d'onde. Une longueur d'onde moyenne égale à la moitié de la somme des 30 longueurs d'onde la plus grande et la plus petite de la deuxième plage de longueurs d'onde est un exemple de deuxième longueur d'onde moyenne. La deuxième longueur d'onde moyenne est, dans un mode de réalisation, différente de la première longueur d'onde moyenne. Le deuxième rayonnement est, par exemple, un rayonnement vert. Un deuxième 35 rayonnement dont la deuxième longueur d'onde moyenne est comprise entre 500 nm et 570 nm est un exemple de rayonnement vert. 9 Chaque troisième rayonnement est, par exemple, différent du premier rayonnement et du deuxième rayonnement. Chaque troisième rayonnement comprend un troisième ensemble d'ondes électromagnétiques. 5 Chaque troisième ensemble d'ondes électromagnétiques correspond à une troisième plage de longueurs d'onde. Une troisième longueur d'onde moyenne est définie pour chaque troisième plage de longueurs d'onde. Une longueur d'onde moyenne égale à la moitié de la somme des longueurs d'onde la plus grande et la plus petite de la troisième plage de longueurs 10 d'onde est un exemple de troisième longueur d'onde moyenne. La troisième longueur d'onde moyenne est, par exemple, strictement supérieure à au moins une de la première longueur d'onde moyenne et de la deuxième longueur d'onde moyenne. Dans un mode de réalisation, la troisième longueur d'onde moyenne est strictement 15 supérieure à la fois à la première longueur d'onde moyenne et à la deuxième longueur d'onde moyenne. L'un des troisièmes rayonnements est, par exemple, un rayonnement rouge. Par exemple, la troisième longueur d'onde moyenne correspondante est comprise entre 600 nm et 720 nm. 20 Lorsque le dispositif optoélectronique est configuré pour émettre quatre rayonnements différents, le quatrième rayonnement est un rayonnement jaune. Par exemple, le quatrième rayonnement a une quatrième longueur d'onde moyenne comprise entre 570 nm et 600 nm. Chaque dispositif optoélectronique 15 comprend au moins deux sous-pixels 20, une 25 structure de blocage 25 et un circuit de commande 27. Dans un mode de réalisation, chaque dispositif optoélectronique comprend trois sous-pixels 20. Dans un mode de réalisation, chaque dispositif optoélectronique 15 comprend en outre, pour au moins un émetteur 20, un convertisseur de rayonnement 22. Par exemple, chaque dispositif optoélectronique 15 comprend un convertisseur de rayonnement 22 30 pour chaque émetteur 20. Chaque sous-pixel 20 est configuré pour émettre un rayonnement parmi le premier rayonnement, !e deuxième rayonnement, le troisième rayonnement et le quatrième rayonnement. Dans une variante, chaque dispositif optoélectronique 15 comprend quatre sous- 35 pixels 20. Dans cette variante, l'un des sous-pixels 20 est configuré pour émettre le quatrième rayonnement. 10 Chaque sous-pixel 20 comprend un substrat 30, une ailette 35, une couche de couverture 40, une première électrode 45 et une deuxième électrode 50. La figure 1 montre un exemple de sous-pixel 20 comprenant une ailette 35. Toutefois, des modes de réalisation dans lesquels chaque sous-pixel 20 comprend 5 plusieurs ailettes 35 peuvent être envisagés. Le substrat 30 est commun à chaque sous-pixel 20 du dispositif optoélectronique 15. Par exemple, le substrat 30 est commun à tous les sous-pixels 20 de l'écran d'affichage 10. Une direction normale D est définie pour le substrat 30. Le substrat 30 est 10 perpendiculaire à la direction normale D. En particulier, le substrat 30 a une face de support 53 qui est perpendiculaire à la direction normale D. Le substrat 30 comprend une plaque de support 55 et une première couche barrière 60. La plaque de support 55 est délimitée le long de la direction normale D par la face 15 de support 53. La plaque de support 55 est réalisée en un matériau de substrat. Le matériau de substrat est, par exemple, un matériau semi-conducteur. Une valeur de bande interdite de substrat est définie pour le matériau de substrat. L'expression « valeur de bande interdite » doit être comprise comme signifiant la 20 valeur de la bande interdite entre la bande de valence et la bande de conduction du matériau. La valeur de bande interdite est, par exemple, mesurée en électrons-volts (eV). La bande de valence est définie comme étant, parmi les bandes d'énergie qui sont autorisées pour les électrons dans le matériau, la bande qui a l'énergie ia plus élevée tout 25 en étant complètement remplie à une température inférieure ou égale à 20 Kelvin (K). Un premier niveau d'énergie est défini pour chaque bande de valence. Le premier niveau d'énergie est le niveau d'énergie le plus élevé de la bande de valence. La bande de conduction est définie comme étant, parmi les bandes d'énergie qui sont autorisées pour les électrons dans le matériau, la bande qui a l'énergie la plus faible 30 tout en n'étant pas complètement remplie à une température inférieure ou égale à 20 K. Un deuxième niveau d'énergie est défini pour chaque bande de conduction. Le deuxième niveau d'énergie est le niveau d'énergie le plus élevé de la bande de conduction. Ainsi, chaque valeur de bande interdite est mesurée entre le premier niveau 35 d'énergie et le deuxième niveau d'énergie du matériau. 11 Un matériau semi-conducteur est un matériau ayant une valeur de bande interdite strictement supérieure à zéro et inférieure ou égale à 6,5 eV. Le matériau de substrat est, par exemple, du silicium. Dans d'autres modes de réalisation possibles, le matériau de substrat est un autre 5 matériau semi-conducteur tel qu'un matériau de nitrure III. Les matériaux de nitrure III sont un groupe de matériaux comprenant GaN. AIN et InN et les alliages de GaN, AIN et InN. Selon un mode de réalisation, le matériau de substrat est du GaN. Des modes de réalisation dans lesquels le matériau de substrat est un matériau 10 électro-isolant tels que le saphir peuvent également être envisagés. Le dopage est défini comme la présence, dans un matériau, d'impuretés amenant des porteurs de charge libres. Des impuretés sont, par exemple, des atomes d'un élément qui n'est pas naturellement présent dans le matériau. Lorsque les impuretés augmentent la densité volumique des trous dans le matériau, 15 par rapport au matériau non dopé, le dopage est de type p. Par exemple, une couche de GaN est dopée p en ajoutant des atomes de magnésium (Mg). Lorsque les impuretés augmentent la densité volumique des électrons libres dans le matériau, par rapport au matériau non dopé, le dopage est de type n. Par exemple, une couche de GaN est dopée n en ajoutant des atomes de silicium (Si). 20 Le matériau de substrat est, par exemple, dopé n. Toutefois, le type de dopage peut varier dans certains modes de réalisation. La plaque de support 55 délimite, pour chaque sous-pixel 20, au moins un passage 65 traversant le substrat 30 le long de la direction normale D. Chaque passage 65 est configure pour contenir au moins une partie d'une deuxième éiectrode 50. 25 Chaque passage 65 a des parois latérales délimitant le passage 65 dans un plan perpendiculaire à la direction normale D. Dans un mode de réalisation spécifique, la plaque de support 55 inclut une structure bidimensionnelle. Une pile de couches semi-conductrices empilées le long de la direction normale D 30 est un exemple de structure bidimensionnelle. La structure bidimensionnelle est. par exemple, une structure à DEL. Une structure à DEL, également appelée « structure à diodes électroluminescentes » est une structure semi-conductrice comprenant plusieurs zones semi-conductrices formant une jonction P-N et configurée pour émettre de la lumière lorsqu'un courant électrique passe à travers 35 les différentes zones semi-conductrices. 12 Une structure semi-conductrice bidimensionnelle comprenant une couche dopée n, une couche dopée p et au moins une couche émettrice de rayonnement empilées le long de la direction normale D est un exemple de structure à DEL. Dans ce cas, chaque couche émettrice de rayonnement est intercalée entre la couche dopée n et la couche 5 dopée p. La structure à DEL bidimensionnelle et le sous-pixel 20 sont alignés le long de la direction normale D. En d'autres termes, au moins une partie de la structure à DEL bidimensionnelle est située en dessous du sous-pixel 20 lorsque le sous-pixel 20 est sur le dessus de la plaque de support 55. 10 La structure à DEL bidimensionnelle est connectée électriquement au circuit de commande 27. La couche ou les couches émettrice(s) de rayonnement de la structure semiconductrice bidimensionnelle est/sont par exemple, configurée(s) pour émettre un cinquième rayonnement. 15 Le cinquième rayonnement comprend un cinquième ensemble d'ondes électromagnétiques. Le cinquième ensemble d'ondes électromagnétiques correspond à une cinquième plage de longueurs d'onde. Une cinquième longueur d'onde moyenne est définie pour la cinquième plage de 20 longueurs d'onde. La cinquième longueur d'onde moyenne est strictement supérieure à la première longueur d'onde moyenne. Par exemple, chaque cinquième rayonnement est un rayonnement rouge. La première couche barrière 60 est réalisée en un matériau électro-isolant. Par 25 exemple, la première couche barrière 60 est réalisée en Si02 ou en nitrure de silicium. La première couche barrière 60 est configurée pour isoler électriquement chaque ailette 35 de la plaque de support 55. La première couche barrière 60 forme une barrière entre la plaque de support 55 et la couche de couverture 40. En particulier, la première couche barrière 60 est configurée 30 pour isoler électriquement chaque couche de couverture 40 de la plaque de support 55. La première couche barrière 60 couvre, par exemple, entièrement la face de support 53, excepté aux emplacements où un passage 65 s'ouvre sur une surface de la plaque de support 55. Dans un mode de réalisation, la première couche barrière 60 couvre en outre au 35 moins les parois latérales de chaque passage 65 de sorte que la première couche 13 barrière 60 isole électriquement la deuxième électrode 50 contenue dans le passage 65 de la plaque de support 55. Chaque ailette 35 s'étend depuis la face de support 53 le long de la direction normale D. 5 L'expression « ailette » doit être comprise comme englobant toute structure mince s'étendant le long de la direction normale D, le long d'une autre direction perpendiculaire à la direction normale D. Une ailette a une hauteur mesurée le long de la direction normale D, a une longueur mesurée ie long de Vautre direction et une épaisseur mesurée le long d'une direction perpendiculaire à ces deux directions, l'épaisseur étant inférieure 10 ou égale à la fois à la longueur et à la hauteur. Par exemple, l'épaisseur est inférieure ou égale à la moitié de ia longueur et à la moitié de la hauteur. Un rapport entre la hauteur et l'épaisseur est, par exemple, compris entre 1 et 50. Dans un mode de réalisation, le rapport est compris entre 1 et 10. L'expression « compris entre » deux valeurs doit être entendue comme englobant 15 ces valeurs. L'exemple, un rapport compris entre 1 et 50 est supérieur ou égal à 1 et inférieur ou égal à 50. Un exemple d'ailette 35 est un parallélépipède ayant un côté supérieur 70 perpendiculaire à la direction normale D. L'expression « perpendiculaire » doit être entendue comme correspondant aux deux 20 directions ayant entre elles un angle compris entre 80 degrés (°) et 1000, par exemple égal à 90°. La hauteur est mesurée le long de la direction normale D entre le substrat 30 et le côté supérieur 70. L'ailette 35 a un premier côté latéral 75, un second côté latéral 80 et deux côtés 25 extrêmes. Chaque côté latéral 75, 80 s'étend entre le côté supérieur 70 et le substrat 30. Une première direction X1 est définie pour chaque ailette 35. La première direction X1 est perpendiculaire à la direction normale D. Les deux côtés latéraux 75, 80 sont perpendiculaires à la première direction Xl. 30 Les deux côtés extrêmes sont perpendiculaires à une seconde direction X2 perpendiculaire à la fois à la direction normale D et à la première direction X-I. Un autre exemple d'ailette 35 est une partie de bague annulaire. Dans ce cas, les deux côtés latéraux 75, 80 sont perpendiculaires au substrat 30 et parallèles l'un à l'autre. L'intersection de chaque côté latéral 75, 80 avec le substrat 30 est une partie d'un cercle. 35 Chaque ailette 35 de chaque sous-pixel 20 est, par exemple, identique aux ailettes 35 des autres sous-pixels 20. 14 Un évidement 95 est intercalé entre deux ailettes 35 appartenant chacune à un sous-pixel 20 correspondant. Entre les premier et second côté latéraux, le premier côté latéral 75 est le côté latéral qui est le plus éloigné de l'évidement 95 dans un plan perpendiculaire à la direction 5 normale D. Par exemple, le premier côté latéral 75 est opposé à l'évidement 95 alors que le second côté latéral 80 fait face à l'évidement 95. La hauteur est comprise entre 100 nanomètres (nm) et 50 micromètres (pm). Par exemple, la hauteur est comprise entre 1 pm et 20 pm. Il est à noter que le côté supérieur 70 de chaque ailette 35 n'est pas, dans certains 10 modes de réalisation, perpendiculaire à la direction normale D. L'épaisseur est mesurée entre le premier côté latéral 75 et le second côté latéral 80. L'épaisseur est mesurée dans un plan perpendiculaire à la direction normale D. Par exemple, l'épaisseur est mesurée le long de la première direction X1. L'épaisseur est comprise entre 100 nm et 10 pm. Par exemple, l'épaisseur est 15 comprise entre 500 nm et 2 pm. Chaque ailette 35 est réalisée en un premier matériau semi-conducteur. Le premier matériau semi-conducteur a une première valeur de bande interdite. Le premier matériau semi-conducteur est, par exemple, du GaN. Le premier matériau semi-conducteur a un premier type de dopage choisi parmi le 20 dopage p et le dopage n. Le premier matériau semi-conducteur est, par exemple dopé n. Chaque couche de couverture 40 comprend au moins une couche émettrice de rayonnement 100 et une couche dopée 105. Chaque couche de couverture 40 est en contact avec le premier côté latéral 75 de chaque ailette 35. En particuiier, chaque couche de couverture 40 s'étend sur le premier 25 côté latéral 75. Dans un mode de réalisation, chaque couche de couverture 40 a une première partie 110, une seconde partie 115 et une partie supérieure 120. Toutefois, des modes de réalisation dans lesquels le sous-pixel 20 est dépourvu d'une ou des deux parties parmi la deuxième partie 115 et la partie supérieure 120 30 peuvent être considérés. La première partie 110 est en contact avec le premier côté latéral 75. En particulier, la première partie 110 s'étend sur le premier côté latéral 75. Par exemple, chaque couche de la première partie 110 est perpendiculaire à la première direction X1. 15 La première partie 110 couvre, dans un mode de réalisation, au moins la moitié de la surface du premier côté latéral 75. Par exemple, la première partie 110 couvre au moins 90 pourcent (%) de la surface du premier côté latéral 75. La seconde partie 115 est en contact avec le second côté latéral 80. 5 En particulier, la seconde partie 115 s'étend sur le premier second côté latéral 80. Par exemple, chaque couche de la seconde partie 115 est perpendiculaire à la première direction X1. La seconde partie 115 est intercalée entre le second côté latéral 80 et l'évidement 95. 10 La seconde partie 115 couvre, dans un mode de réalisation, au moins la moitié de la surface du second côté latéral 80. Par exemple, la seconde partie 115 couvre au moins 90 % de la surface du second côté latéral 80. La partie supérieure 120 est en contact avec le côté supérieur 70. En particulier, la partie supérieure 120 s'étend sur le côté supérieur 70. Par 15 exemple, chaque couche de la partie supérieure 120 est perpendiculaire à la direction normale D. La partie supérieure 120 est nt rcalée entre le côté supérieur 70 et la première électrode 45. La partie supérieure 120 couvre, dans un mode de réalisation, au moins la moit-.ié de 20 la surface du côté supérieur 70. Par exemple, la partie supérieure 120 couvre entièrement le côté supérieur 70. Chaque couche émettrice de rayonnement 100 est intercalée entre l'ailette 35 et la couche dopée 105. Par exemple, la couche de couverture 40 comprend une pile de couches émettrices 25 de rayonnement 100 intercalée entre l'ailette 35 et la couche dopée 105. Chaque couche émettrice de rayonnement 100 est réalisée en un deuxième matériau semi-conducteur. Le deuxième matériau semi-conducteur a une deuxième valeur de bande interdite strictement inférieure à la valeur de bande interdite du premier matériau. 30 La couche émettrice est, par exemple, non dopée. Dans d'autres modes de réalisation, la couche émettrice est dopée. Chaque couche émettrice de rayonnement 100 est, par exemple, un puits quantique ou une pile de puits quantiques. Un puits quantique est un exemple spécifique ayant une valeur de bande interdite 35 inférieure aux valeurs de bande interdite des couches dopée n et dopée p. Un puits quantique est une structure dans laquelle un confinement quantique se produit, dans une 16 direction, pour au moins un type de porteurs de charge. Les effets du confinement quantique ont lieu lorsque la dimension de la structure le long de cette direction devient comparable ou inférieure à la longueur d'onde de Broglie des porteurs qui sont généralement des électrons et/ou des trous, conduisant à des niveaux d'énergie appelés 5 « sous-bandes d'énergie ». Dans un tel puits quantique, les porteurs peuvent avoir uniquement des valeurs d'énergie discrètes mais sont, d'ordinaire, aptes à se déplacer dans un plan perpendiculaire à la direction dans laquelle le confinement se produit. Les valeurs d'énergie disponibles pour les porteurs, également appelées « niveaux d'énergie », 10 augmentent lorsque les dimensions du puits quantique diminuent le long de la direction dans laquelle le confinement se produit. En mécanique quantique, la REVENDICATIONS1.- Dispositif optoélectronique (15) comprenant un substrat (30) et au moins deux sous-pixels (20), chaque sous-pixel (20) étant adapté pour émettre un premier rayonnement respectif, le substrat (30) ayant une face de support (53), chaque sous-pixel (20) comprenant : - au moins une ailette (35) réalisée en un premier matériau semi-conducteur, le premier matériau ayant une première valeur de bande interdite, l'ailette (35) s'étendant depuis la face de support (53) le long d'une direction normale (D) perpendiculaire à la face de support (53), chaque ailette (35) ayant un côté supérieur (70), un premier côté latéral (75) et un second côté latéral (80), chaque côté latéral (75, 80) s'étendant entre le côté supérieur (70) et le substrat (30), - une couche de couverture (40) comprenant une ou plusieurs couche(s) émettrice(s) de rayonnement (100), la couche de couverture (40) s'étendant sur le premier côté latéral (75) de chaque ailette (35), chaque couche émettrice de rayonnement (100) étant réalisée en un deuxième matériau semi-conducteur, le deuxième matériau semi-conducteur ayant une deuxième valeur de bande interdite, la deuxième valeur de bande interdite étant strictement inférieure à la première valeur de bande interdite, les sous-pixels (20) délimitant un évidement (95), l'évidement étant situé entre les deux sous-pixels (20), et une structure de blocage (25) réalisée en un troisième matériau étant intercalée entre les deux sous-pixels (20) dans l'évidement (95), la structure de blocage (25) étant adaptée pour empêcher le premier rayonnement émis par un sous-pixel (20) d'atteindre l'autre sous-pixel (20) à travers la structure de blocage. 2.- Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel au moins une des propriétés suivantes est remplie : le premier matériau semi-conducteur a un premier type de dopage choisi parmi le dopage n et le dopage p, la couche de couverture (40) comprenant en outre une couche dopée (105), chacune de la ou des couche(s) émettrice(s) de rayonnements (100) étant intercalée(s) entre l'ailette (35) et la couche dopée (105), la couche dopée (105) étant réalisée en un troisième matériau semi-conducteur ayant une troisième valeur de bande interdite, la troisième valeur de bande interdite étant strictement supérieure à la deuxième valeur de bande interdite, le troisième matériau semi-conducteur 34 ayant un second type de dopage choisi parmi le dopage n et le dopage p, le second type de dopage étant différent du premier type de dopage, 6 le dispositif optoélectronique (15) comprend un circuit de commande (27) et, pour au moins un sous-pixel (20), une électrode (50) connectant le sous- 5 pixel (20) et le circuit de commande (27) à travers le substrat (30), et au moins un sous-pixel (20) comprend une première couche barrière (60) réalisée en un matériau électro-isolant, la première couche barrière (60) formant une barrière entre le substrat (30) et la couche de couverture (40). 10 3.- Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chaque ailette (35) de chaque sous-pixel (20) délimite au moins partiellement une cavité (90) dans un plan perpendiculaire à la direction normale (D). 4.- Dispositif optoélectronique selon la revendication 3, dans lequel les intersections 15 de chaque ailette (35) d'un sous-pixel (20) avec la face de support (53) formant un contour fermé (85) sur la face de support (53), la cavité (90) étant entourée par l'ailette (35) dans un plan perpendiculaire à une direction normale (D). 5.- Dispositif optoélectronique selon la revendication 4, dans lequel le contour (85) 20 est choisi parmi un triangle, un carré, un rectangle et un hexagone. 6.- Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel chaque premier rayonnement comprend un premier ensemble d'ondes électromagnétiques, la couche émettrice de rayonnement (100) d'au moins un sous-pixel 25 (20) étant configurée pour émettre un deuxième rayonnement comprenant un deuxième ensemble d'ondes électromagnétiques, le dispositif optoélectronique (15) comprenant en outre un convertisseur de rayonnement (22) configuré pour convertir le deuxième rayonnement en le premier rayonnement respectif, une longueur d'onde étant définie pour chaque onde électromagnétique, le premier ensemble correspondant à une première 30 plage de longueurs d'onde et le deuxième ensemble correspondant à une deuxième plage de longueurs d'onde, la première plage ayant une première longueur d'onde moyenne et la deuxième plage ayant une deuxième longueur d'onde moyenne, la première longueur d'onde moyenne étant différente de la deuxième longueur d'onde moyenne, le convertisseur de rayonnement (22) étant contenu dans la cavité (90) du 35 sous-pixel (20) considéré. 35 7.- Dispositif optoélectronique selon la revendication 6, dans lequel la structure de blocage (25) est adaptée pour réfléchir le rayonnement de base de chaque sous-pixel (20). 5 8.- Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le substrat (30) comprend une structure semi-conductrice configurée pour émettre un troisième rayonnement comprenant un troisième ensemble d'ondes électromagnétiques, une longueur d'onde étant définie pour chaque onde électromagnétique, le premier ensemble correspondant à une première plage de 10 longueurs d'onde et le troisième ensemble correspondant à une troisième plage de longueurs d'onde, la première plage ayant une première longueur d'onde moyenne et la troisième plage ayant une troisième longueur d'onde moyenne, la première longueur d'onde moyenne étant strictement inférieure à la troisième longueur d'onde moyenne, la structure semi-conductrice et au moins un sous-pixel (20) étant alignés le long de la 15 direction normale (D). 9.- Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel au moins une des propriétés suivantes est remplie : - chaque couche de couverture (40) est en contact avec au moins quatre- 20 vingt-dix pourcent de la surface du premier côté latéral (75) de l'ailette, le troisième matériau est un métal, et - le troisième matériau est de l'aluminium. 10.- Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, 25 dans lequel la structure de blocage (25) est adaptée pour réfléchir le premier rayonnement de chaque sous-pixel (20). 11.- Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel chaque couche de couverture (40) a une partie supérieure (120) en contact 30 avec le côté supérieur (70) et une première partie (110) en contact avec le premier côté latéral (75). 12.- Dispositif optoélectronique selon la revendication 11, dans lequel au moins une structure de blocage (25) a une couche supérieure (135) réalisée en le troisième 35 matériau, la partie supérieure (120) étant intercalée entre le côté supérieur (70) de l'ailette 36 (35) et la couche supérieure (135), la couche supérieure (135) couvrant entièrement la partie supérieure (120) de la couche de couverture (40). 13.- Dispositif optoélectronique selon la revendication 11, dans lequel chaque 5 premier rayonnement comprend un premier ensemble d'ondes électromagnétiques, la partie supérieure (120) de la couche émettrice de rayonnement (40) étant configurée pour émettre un quatrième rayonnement comprenant un quatrième ensemble d'ondes électromagnétiques, une longueur d'onde étant définie pour chaque onde électromagnétique, le premier ensemble correspondant à une première plage de 10 longueurs d'onde et le quatrième ensemble correspondant à une quatrième plage de longueurs d'onde, la première plage ayant une première longueur d'onde moyenne et la quatrième plage ayant une quatrième longueur d'onde moyenne, la première longueur d'onde moyenne étant différente de la quatrième longueur d'onde moyenne. 15 14.- Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 13 dans lequel - chaque couche de couverture (40) a une seconde partie (115) couvrant au moins partiellement le second côté latéral (80) de l'ailette (35) correspondante, et 20 - la structure de blocage (25) comprend une couche électro-isolante (130) configurée pour isoler électriquement au moins un sous-pixel (20) de la structure de blocage (25). 15.- Ecran d'affichage (10) comprenant un ensemble de dispositifs 25 optoélectroniques (15) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14. 16.- Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (15), le procédé comprenant les étapes de : - fourniture (200) d'un substrat (30) ayant une face de support (53), et 30 - fabrication (210) de deux émetteurs (20), chaque sous-pixel (20) étant adapté pour émettre un premier rayonnement correspondant, chaque sous-pixel (20) comprenant : - au moins une ailette (35) réalisée en un premier matériau semi-conducteur, le premier matériau ayant une première valeur de bande interdite, l'ailette 35 (35) s'étendant depuis la face de support (53) le long d'une direction normale (D) perpendiculaire à la face de support (53), chaque ailette (35) ayant un 37 côté supérieur (70), un premier côté latéral (75) et un second côté latéral (80), chaque côté latéral (75, 80) s'étendant entre le côté supérieur (70) et le substrat (30), et - une couche de couverture (40) comprenant une ou plusieurs couches 5 émettrices de rayonnement (100), la couche de couverture (40) s'étendant sur le premier côté latéral (75) de chaque ailette (35), chaque couche émettrice de rayonnement (100) étant réalisée en un deuxième matériau semi-conducteur, le deuxième matériau semi-conducteur ayant une deuxième valeur de bande interdite, la deuxième valeur de bande interdite 10 étant strictement inférieure à la première valeur de bande interdite, les deux sous-pixels (20) délimitant un évidement (95) entre les deux sous-pixels (20), le procédé comprenant en outre une étape de dépôt (220), dans l'évidement (95), d'un troisième matériau de sorte à former une structure de blocage (25) adaptée pour empêcher le premier rayonnement émis par un sous-pixel (20) d'atteindre Vautre sous- 15 pixel (20) à travers la structure de blocage (25). 17.- Procédé selon la revendication 16 dans lequel l'étape de fabrication de deux sous-pixels (20) comprend les étapes de - fabrication d'une arête (300) réalisée en le premier matériau semi-conducteur, 20 l'arête (300) s'étendant depuis la face de support (53) le long de la direction normale (D), l'arête (300) ayant un côté supérieur (70) et deux premiers côtés latéraux (75), - dépôt de la couche de couverture (40) sur au moins les deux premiers côtés latéraux (75) de l'arête (300), et - formation des ailettes (35) et de l'évidement (95) par élimination par Gravure d'au 25 moins une partie de l'arête (300). 18.- Procédé selon la revendication 16, dans lequel l'étape de fabrication de deux sous-pixels (20) comprend les étapes de : - formation d'un noyau réalisé en un quatrième matériau, le noyau s'étendant depuis 30 la face de support (53) le long de la direction normale (D), le noyau ayant une face supérieure et des flancs latéraux s'étendant entre le substrat (30) et la face supérieure, - dépôt d'une couche du premier matériau et d'au moins une couche du deuxième matériau sur au moins une partie des flancs latéraux pour former une ailette (35) et la couche de couverture (40) correspondante, et 35 - retrait du quatrième matériau. 38 19.- Procédé selon la revendication 16, dans lequel l'étape (210) de fabrication de deux sous-pixels (20) comprend les étapes de : - fabrication (250) de l'ailette (35) de chaque sous-pixel (20), et - dépôt sur chaque ailette (35) d'au moins une couche du deuxième matériau pour 5 former la couche de couverture (40). 20.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 16 à 19, comprenant en outre au moins une des étapes suivantes : - dépôt (270), sur la couche de couverture (40) d'au moins un sous-pixel (20), d'une 10 couche (45) de matériau électro-conducteur transparent, - dépôt sur la face de support (53) d'une première couche barrière (60) réalisée en un matériau électro-isolant, de la première couche barrière (60) formant une barrière entre la couche de couverture (40) et le substrat (30), et - avant dépôt du troisième matériau, dépôt dans l'évidement (95) d'un matériau 15 électro-isolant de sorte à former une seconde couche barrière (130) réalisée en le matériau électro-isolant sur au moins un sous-pixei (20), la seconde couche barrière (130) formant une barrière entre le troisième matériau et le sous-pixel (20).