FR 3079667 A1 20191004 FR 1852687 A 20180328 Dispositif d'onde acoustique de surface sur substrat composite L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surface et un procédé de fabrication du dispositif à ondes acoustiques de surface, en particulier sur un substrat 5 composite. Ces dernières années, les dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) ont été utilisés dans un nombre croissant d'applications pratiques, telles que les filtres, les capteurs et les lignes de retard. En particulier, les filtres SAW sont intéressants pour des applications de téléphonie mobile en raison de leur capacité à former des filtres passe- 10 bande d'ordre élevé à faible perte sans utiliser des circuits électriques complexes et avec une compacité sans précédent. Par conséquent, les filtres SAW offrent des avantages significatifs en termes de performances et de taille par rapport aux autres technologies de filtre. Dans un dispositif à ondes acoustiques de surface typique, un ou plusieurs 15 transducteurs interdigités (IDT) sont utilisés pour des ondes acoustiques en signaux électriques et vice versa, en exploitant l'effet piézoélectrique. Un transducteur interdigité comprend des « peignes d'électrode » opposés avec des doigts métalliques interdigités disposés sur un substrat piézoélectrique. Une onde acoustique de surface de Rayleigh se développe sur le substrat en excitant électriquement les doigts. Les autres types d'onde, 20 l'onde de cisaillement et l'onde polarisée longitudinalement, se déplacent dans le volume et sont absorbés. Le dispositif SAW peut également être utilisé de manière inverse, à savoir qu'un signal électrique peut être induit à travers les doigts par une onde acoustique de surface se propageant dans le matériau de substrat piézoélectrique sous le transducteur. 25 Les dispositifs SAW utilisent généralement des plaquettes fabriquées à partir d'un cristal de quartz monolithique, de LiNbO3 ou de LiTaO3 comme matériaux piézoélectriques. Cependant, l'utilisation de substrats piézoélectriques conduit à une sensibilité élevée à la température ou à un faible couplage électromécanique en fonction du matériau piézoélectrique utilisé. Le résultat est une mauvaise performance des 30 caractéristiques de bande passante des filtres. De plus, les vitesses d'onde élastique sont généralement limitées par les propriétés de matériau monocristallin, en particulièrement en considérant la vitesse de phase qui reste entre 3 000 et 4 000m/s la plupart du temps. Une approche pour surmonter ceci a conduit à l'utilisation de substrats composites. 2 Un substrat composite comprend une couche piézoélectrique formée sur un substrat de base. Un substrat composite offre un large choix de matériaux pour le substrat de base, et des matériaux de substrat de base avec une vitesse de propagation d'onde acoustique élevée peuvent être choisis, comme le diamant, le saphir, le carbure de silicium et même le silicium. Il est également possible de réduire la sensibilité à la température d'un dispositif SAW lors de l'utilisation d'un substrat composite par comparaison à un dispositif fabriqué sur un substrat piézoélectrique en ajustant les matériaux utilisés compte tenu de leur coefficient de température de fréquence (CTF). Par exemple, il est possible d'utiliser deux matériaux avec des CTF opposés, en ayant comme résultat des dispositifs SAW qui sont spectralement plus stables par rapport à la température. Il est également possible d'utiliser un substrat qui présente une dilatation thermique inférieure à celle de la couche piézoélectrique supérieure, en imposant ainsi également la réduction de dilatation thermique composite et de rendement du CTF. Enfin, le choix des matériaux, leur combinaison, leur orientation et l'épaisseur de la couche piézoélectrique supérieure offre un large éventail de possibilités de conception par rapport à l'utilisation de substrats piézoélectriques seuls, ce qui laisse de l'espace pour améliorer les dispositifs SAW dans le domaine du filtrage des hautes fréquences. Les substrats composites combinent un couplage fort, à savoir un coefficient électromécanique ks2 supérieur à 1%, et une stabilité en température, c'est-à-dire un coefficient de température de fréquence (CTF) inférieur à 2Oppm/K, et peuvent améliorer la performance des dispositifs SAW et offrir de la flexibilité de conception. Cependant, les dispositifs SAW sont généralement utilisés pour des fréquences allant jusqu'à 2GHz, ce qui est dû à la technologie de lithographie utilisée pour créer les structures d'électrodes en peigne interdigitées. En effet, la technologie de lithographie utilisée jusqu'à présent est une lithographie 1-line, permettant d'atteindre au mieux une longueur d'onde de 1,5pm. Pour un mode d'onde de surface de Rayleigh se propageant à 3 000m/s, la limite de fréquence accessible est donc de 2GHz. Par conséquent, pour créer des dispositifs SAW au-dessus de 2GHz, un effort technologique important est requis. Le but de l'invention est donc de fournir un dispositif à ondes acoustiques de surface pouvant fonctionner pour des fréquences supérieures à 2GHz, mais pouvant encore être fabriqué en utilisant la lithographie standard 1-line. Le but de l'invention est atteint par un dispositif à ondes acoustiques de surface 3 utilisant une onde guidée polarisée longitudinalement comprenant un substrat composite comprenant une couche piézoélectrique formée au-dessus un substrat de base, dans lequel l'orientation cristalline de la couche piézoélectrique par rapport au substrat de base est telle que la vitesse de phase de l'onde polarisée longitudinalement est inférieure à la 5 vitesse de phase critique du substrat de base à laquelle un guidage d'onde dans la couche piézoélectrique disparaît. Cette vitesse de phase critique est généralement identifiée dans la littérature sous le nom de limite de vitesse d'onde de volume rasante de surface (SSBW) du monocristal ou du substrat de base en cas de matériaux composite. Dans un tel dispositif, du fait de l'orientation cristalline relative de la couche 10 piézoélectrique par rapport au substrat de base, non seulement l'onde de Rayleigh se déplace dans la couche piézoélectrique, mais l'onde polarisée longitudinalement reste également guidée dans la couche piézoélectrique. Comme la vitesse de cette onde est plus grande que celle de l'onde de Rayleigh, il devient possible d'étendre la plage de fréquences du dispositif SAW en utilisant les mêmes dimensions d'IDT. Pour des 15 substrats composites comprenant une couche supérieure piézoélectrique sur un substrat de base, la présence d'un substrat de base ayant une vitesse de propagation d'onde acoustique élevée, comme le diamant, le saphir, le carbure de silicium et même le silicium, la limite de vélocité SSBW dessus mentionnée ci-dessus VSSBW est fixée par la vitesse d'onde de cisaillement donnée à une approximation de premier ordre par 20 'I(C44/ps), avec C44 étant la constante élastique de cisaillement effective et ps la densité de masse du substrat de base, supposant des propriétés de substrat cubique. Par conséquent, toute onde excitée et se propageant dans la couche supérieure, par exemple la couche piézoélectrique précitée, à savoir Quartz, LiNbO3 ou LiTaO3, avec une vitesse de phase inférieure à la limite de vitesse SSBW définie ci-dessus sera guidée par le 25 substrat de base dans la couche supérieure piézoélectrique. Les phénomènes observés sont similaires au fonctionnement d'un guide d'onde optique. Selon une variante de l'invention, la couche piézoélectrique peut être un monocristal. Une couche monocristalline améliore le guidage de l'onde polarisée longitudinalement à l'intérieur de la couche piézoélectrique sur une grande distance 30 lorsqu'elle satisfait à la condition de vitesse de phase ci-dessus. Selon une variante de l'invention, l'épaisseur de la couche piézoélectrique peut être de l'ordre de la plage de sous-longueur d'onde ou inférieure, en particulier dans une plage comprise entre 300nm et 700nm, de préférence 500nm. Dans cette plage d'épaisseurs, il devient possible de concentrer le champ électromécanique à l'intérieur de la couche piézoélectrique, ce qui se traduira par un couplage électromécanique et une 4 pureté spectrale améliorés permettant une contribution modale unique, ou au moins avec un nombre de modes limité, à la réponse de dispositif. Selon une variante de l'invention, le substrat de base peut avoir une vitesse d'onde de cisaillement supérieure à 5 600m/s. Le substrat de base peut être un substrat de 5 silicium, en particulier avec une orientation de surface (100) ou un substrat de saphir, de carbure de silicium, de diamant de carbone ou de diamant. Selon une variante de l'invention, le dispositif à ondes acoustiques de surface peut en outre comprendre une couche diélectrique, en particulier une couche de SiO2, prise en sandwich entre le substrat de base et la couche piézoélectrique. La couche diélectrique 10 ou de passivation peut améliorer la fixation de la couche piézoélectrique sur le substrat de base, mais peut également améliorer le couplage électromécanique tout en maintenant la stabilité en température du dispositif à ondes acoustiques de surface. De préférence, la couche diélectrique a une épaisseur inférieure à 800nm, en particulier une épaisseur dans une plage de 100 à 650nm, plus particulièrement dans une plage de 600 à 650nm. 15 L'épaisseur de la couche de SiO2 peut être optimisée en fonction des propriétés thermoélastiques de la couche supérieure et du substrat de base. L'épaisseur de la couche d'oxyde peut également être optimisée pour améliorer le guidage de mode car elle influence également la vitesse de mode. Selon une variante de l'invention, la couche piézoélectrique du substrat composite 20 peut être du tantalate de lithium, LiTaO3, ou du niobate de lithium, LiNb03. Selon une variante de l'invention, la couche piézoélectrique peut-être une couche de tantalate de lithium LiTaO3 avec une orientation cristallographique définie par (YX/t)/0/4J selon la norme IEEE 1949 Std-176, avec 8, un angle de l'orientation cristallographique étant compris entre 40° et 65°, en particulier pour 0 de l'ordre de 42° ou 25 de l'ordre de 62°, correspondant à une coupe (YX/)/42° ou une coupe (YX/)/62°. De préférence, la direction de propagation de l'onde guidée polarisée longitudinalement (Pest établie à 90° de l'axe X cristallographique. De manière plus préférée, le substrat de base comprend du silicium. Dans cette direction particulière, une vitesse de propagation rapide d'environ 5 350m/s jusqu'à 5 650m/s et un CTF compris entre -20ppm/K et -5ppm/K et 30 une valeur de ks2 d'environ 0,5% à 2% ou plus peuvent être observés. Selon une variante de l'invention, une épaisseur relative h/À et/ou un rapport de métallisation w/p des doigts d'électrode d'une structure de transducteur sur la couche piézoélectrique, h et w étant l'épaisseur et la largeur des doigts d'électrode, respectivement, et p et À étant le pas délectrode et la longueur d'onde de la structure de 5 transducteur, respectivement, peuvent être choisis de telle sorte que le couplage électromécanique ks2 de l'onde guidée polarisée longitudinalement dans la couche piézoélectrique est comprise entre 0,5% et 2,5%, notamment supérieure à 2%. En faisant varier les caractéristiques structurelles de la structure de transducteur, à savoir l'épaisseur 5 relative h/A et/ou le rapport de métallisation w/p des doigts d'électrode de la structure de transducteur, il est possible d'optimiser le couplage électrochimique ks2 pour l'onde guidée polarisée longitudinalement dans la piézoélectrique couche, afin d'obtenir le coefficient de couplage électrochimique requis ks2 et la stabilité en température du substrat composite pour les applications souhaitées du dispositif SAW. 10 Selon un mode de réalisation, la couche piézoélectrique peut être une couche de niobate de lithium LiNbO3 avec une coupe (YX/t)/0/(P selon la norme IEEE 1949 Std-176. De préférence, le substrat de base comprend du diamant. En particulier, la direction de propagation de l'onde guidée polarisée longitudinalement est réglée à 90° de l'axe X cristallographique. Plus en particulier, quand e est compris entre 35 et 40° ou entre 100 et 15 150°, avec cette direction de propagation particulière, une vitesse de propagation rapide de 7 000m/s et une valeur de couplage électromécanique ks2 d'environ 11% à 20% ou plus peuvent être observés. Selon un mode de réalisation, la couche piézoélectrique peut être une couche de niobate de lithium LiNbO3 avec une orientation cristallographique définie par (YX/0/0/4i 20 selon la norme IEEE 1949 Std-176, avec 0, un angle d'orientation cristallographique compris entre 40° et 60°, notamment pour 6 de l'ordre de 41°, correspondant à une coupe (YX/)/41°. De préférence, la direction de propagation de l'onde guidée polarisée longitudinalement Yi de l'axe X cristallographique est comprise entre 80° et 100°, en particulier de l'ordre de 90°, pour une coupe (YX/t)/41°/90°. De préférence, le substrat de 25 base comprend du saphir, en particulier un saphir à coupe (YX/t)/50°/90°. En particulier, la direction de propagation de l'onde guidée polarisée longitudinalement Yi est établie à 90° de l'axe X cristallographique. Avec ce substrat composite particulier, une vitesse de propagation rapide de l'ordre de 6 700m/s et une valeur de couplage électromécanique ks2 d'environ 6% jusqu'à 10% peuvent être observés. 30 Le but de l'invention est également atteint par un dispositif de filtre à ondes acoustiques de surface comprenant au moins un dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW) tel que décrit précédemment. Un tel dispositif de filtre à ondes acoustiques de surface peut produire une bande passante de filtre comprise entre 0,1 et 1%, avec un coefficient de température de fréquence de premier ordre réduit (CTF1), ayant pour 35 résultat des performances de dispositif stables avec la température. 6 Le but de l'invention est également atteint par un dispositif de résonateur à ondes acoustiques de surface comprenant au moins un dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW) tel que décrit précédemment. Un tel dispositif de filtre à ondes acoustiques de surface peut produire une bande passante de filtre comprise entre 0,1 et 1%, avec un 5 coefficient de température de fréquence de premier ordre réduit (CTF1), ayant pour résultat des performances de dispositif stables avec la température. Le but de la présente invention est également atteint par le procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface tel que décrit ci-dessus, le procédé comprenant les étapes consistant à a) fournir une couche piézoélectrique au-dessus un 10 substrat de base, b) fournir une structure de transducteur sur la couche piézoélectrique, dans lequel, à l'étape a), la couche piézoélectrique est prévue de telle sorte que la couche piézoélectrique a une orientation cristalline par rapport au substrat de base de telle sorte que la vitesse de phase de l'onde polarisée longitudinalement est inférieure à la vitesse de phase critique du substrat de base à laquelle un guidage d'onde dans la couche 15 piézoélectrique disparaît. Selon une variante de l'invention, au moins l'une des étapes a) ou b) du procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface tel que décrit ci-dessus est un procédé de transfert de couche. Il est par exemple possible d'utiliser un processus Smart Cute, dans lequel un transfert d'une couche sur un substrat de base est réalisé par 20 propagation d'une onde de fracture le long d'une interface dans le premier substrat fragilisé préalablement par implantation ionique, lors d'un recuit thermique. La couche transférée peut être la couche piézoélectrique ou toute autre couche ou combinaison de couches dans le dispositif à ondes acoustiques de surface. Selon un mode de réalisation préféré, l'étape b) peut comprendre une étape de 25 réalisation de structure par lithographie 1-line pour obtenir une structure de transducteur dans le dispositif à ondes acoustiques de surface, permettant une limite de fréquence supérieure à 2GHz, en particulier supérieure à 3,5GHz. Ainsi, par rapport à un dispositif utilisant une onde de surface de Rayleigh, dont la fréquence est limitée à 2GHz, il devient possible d'étendre la plage de fréquence sans avoir à changer la technologie de 30 configuration. L'invention peut être comprise en se référant à la description suivante prise en conjonction avec les figures annexées, dans lesquelles des références numériques identifient des caractéristiques de l'invention. La figure 1a illustre les angles de coupe définis selon la norme IEEE Std-176. 7 La figure 1b montre un dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'invention et illustrant une direction de propagation d'onde élastique. Les figures 2a et 2b montrent un graphique des permittivités effectives calculées pour deux directions de propagation différentes du dispositif SAW, comme illustré sur la 5 figure 1 b. Les figures 3a-3d illustrent les caractéristiques d'un dispositif à ondes acoustiques de surface utilisant un substrat composite selon l'invention avec une couche de SiO2 de 200 nm. Les figures 4a-4d illustrent les caractéristiques d'un dispositif à ondes acoustiques 10 de surface utilisant un substrat composite selon l'invention avec une couche de SiO2 de 500 nm. La figure 5 illustre la variation des caractéristiques du dispositif à ondes acoustiques de surface en fonction de l'épaisseur de la couche de SiO2 diélectrique. Les figures 6a à 6d illustrent les caractéristiques d'un dispositif à ondes acoustiques 15 de surface utilisant un substrat composite selon l'invention avec une couche de SiO2 de 200 nm, en fonction de l'épaisseur relative et du rapport de métallisation des électrodes de la structure de transducteur. La figure 7 illustre le tracé de la vitesse de phase (m/s) de l'onde guidée sur l'axe Y gauche et le coefficient de couplage électromécanique k82 (%) sur l'axe Y droit, en fonction 20 de l'angle de rotation 0 de la coupe, sur l'axe X, pour les modes longitudinaux et les modes Rayleigh lorsque du LiNbO3 est utilisé comme matériau piézoélectrique et du diamant est utilisé comme substrat de base du substrat composite. La figure 8 montre un schéma des étapes du procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'invention. 25 La figure 1a illustre les angles de coupe définis selon la norme IEEE 1949 Std-176, et la figure 1 b illustre une direction de propagation d'onde élastique dans un dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW) selon l'invention. Une coupe de cristal est définie par deux angles de rotation. Une coupe est définie dans la norme IEEE 1949 Std-176 par les axes définis par l'épaisseur t et la longueur I de 30 l'ébauche 1 et par des angles de rotation autour des axes définis par la largeur w, la longueur I et l'épaisseur t de l'ébauche 1. L'axe Z est défini par la largeur w de l'ébauche 1, 8 l'axe X par la longueur I et l'axe Y par l'épaisseur t. Ces axes étant en principe compris pour être ceux après rotation, c'est-à-dire pour une coupe impliquant trois rotations, la rotation se autour de l'axe Z (w) est effectuée en premier, conduisant à l'axe X X'(/) et l'axe Y Y'(t). La rotation e autour de X'(/) est ensuite effectuée, menant à l'axe Z tourné Z"(w) et 5 l'axe Y tourné Y"(t). La coupe de cristal serait alors notée par (YXw/)/0/09. Par ailleurs, toute coupe telle que c/D = 0 et e e 0 est appelée une coupe de rotation unique, notée alors (YX/)/e, et toute coupe telle que (1) # 0 et e # 0 est appelée une coupe à rotation double. Comme illustré sur la figure 1 b, pour la propagation des ondes de surface 3, un 10 troisième angle, noté Yi, définit la direction de propagation de l'onde de surface 3. L'angle est défini par une rotation autour de l'axe Y". Dans ce cas, la coupe de cristal serait notée par (YX101611(P. La figure lb illustre schématiquement un dispositif SAW 5 comprenant un substrat composite 7 selon l'invention. Le substrat composite 7 comprend un substrat de base 9 et 15 une couche piézoélectrique 11. Le substrat de base 9 est un substrat de base en silicium avec une orientation de surface (100). Le substrat de base en silicium 9 a une limite de vitesse SSBW acoustique de l'ordre de 5 650m/s. Au lieu d'un substrat en silicium, du saphir ou en général tout matériau de substrat présentant une vitesse d'onde de cisaillement supérieure à 5 600m/s 20 serait adapté. Pour le substrat de silicium, une orientation (100) est utilisée, mais il est également possible d'utiliser (100) ou (010). En effet, lors de l'utilisation de directions de propagation le long de l'axe cristallographique X (±10°) ou Z (±10°), les critères de vitesse de phase SSBW sont remplis. Des calculs basés sur des fonctions de Green montrent que cette 25 vitesse SSBW peut atteindre une valeur supérieure à 5 750m/s pour une coupe de silicium (YX/t)/45°/0°, ou également notée (YX/)/45°. En outre, la coupe de cristal -définie par (YX/t)/45°/90° s'avère maximiser la vitesse SSBW à 5 770m/s. Pour le saphir, des calculs identiques ont été effectués, montrant qu'une vitesse SSBW de 5 750 m/s est la vitesse de phase la plus basse atteignable. Cependant, la 30 vitesse SSBW dépasse 6 700 m/s pour la coupe de cristal (YX/0/61/4f avec 40° REVENDICATIONS1. Dispositif à ondes acoustiques de surface utilisant une onde guidée polarisée longitudinalement comprenant un substrat composite (7) comprenant une couche piézoélectrique (11) formée au-dessus un substrat de base (9), dans lequel l'orientation cristalline de la couche piézoélectrique (11) par rapport au substrat de base (9) est telle que la vitesse de phase de l'onde polarisée longitudinalement est inférieure à la vitesse de phase critique du substrat de base (9) à laquelle le guidage d'onde à l'intérieur de la couche piézoélectrique (11) disparaît. 2. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 1, dans lequel la couche piézoélectrique (11) est monocristalline. 3. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'épaisseur de la couche piézoélectrique (11) est de l'ordre de la sous-longueur d'onde ou inférieure, notamment de l'ordre de 300nm à 700nm, plus particulièrement de 500nm. 4. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat de base (9) a une vitesse d'onde de cisaillement supérieure à 5 600m/s. 5. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant en outre une couche diélectrique, en particulier une couche de Si02, enserrée entre le substrat de base (9) et la couche piézoélectrique (11). 6. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 5, dans lequel la couche diélectrique a une épaisseur inférieure à 800nm, en particulier dans une plage de 100 à 650nm, plus particulièrement dans une plage de 600 à 650nm. 7. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel la couche piézoélectrique (11) est du Tantalate de Lithium, LiTaO3, ou du Niobate de Lithium, LiNbO3. 8. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 7, dans lequel la couche piézoélectrique (11) est du Tantalate de Lithium, LiTa03, avec une orientation cristallographique définie comme (YX/)/0 selon la norme IEEE 1949 Std-176, avec 0, un angle d'orientation cristallographique, étant compris entre 40° et 65°, en particulier proche de 42° ou proche de 62°. 22 9. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 8, dans lequel la direction de propagation de l'onde guidée polarisée longitudinalement est à 90° de l'axe X cristallographique, en particulier une coupe (YX/0/42°/90° ou une coupe (YX/t)/62°/90° 5 pour la couche piézoélectrique de LiTaO3 (11). 10. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel la couche piézoélectrique (11) est du Tantalate de Lithium, LiTa03, et le substrat de base (9) comprend du Silicium. 10 11. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel une épaisseur relative h/A et I ou un rapport de métallisation w/p des doigts d'électrode d'une structure de transducteur (21, 23) sur la couche piézoélectrique (11), h et w étant respectivement l'épaisseur et la largeur des doigts d'électrode et p et A 15 étant respectivement le pas d'électrode et la longueur d'onde de la structure de transducteur (21, 23), sont choisis de telle sorte que le couplage électromécanique ks2 de l'onde guidée polarisée longitudinalement dans la couche piézoélectrique (11) est compris entre 0,5% et 2,5%, en particulier supérieur à 2%. 20 12. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 7, dans lequel la couche piézoélectrique (11) est du Niobate de Lithium, LiNbO3, avec une orientation cristallographique (YX/4/0/90° selon la norme IEEE 1949 Std-176, avec e, un angle de l'orientation cristallographique, et la direction de propagation de l'onde guidée polarisée longitudinalement est à 90° de l'axe X cristallographique, de sorte que e a une valeur 25 comprise entre 35° et 40° ou entre100° et 150°, en particulier proche de 36° ou proche de 120°. 13. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une quelconque des revendications 7 ou 12, dans lequel la couche piézoélectrique (11) est du Niobate de Lithium, LiNbO3, et 30 le substrat de base (9) comprend du Diamant. 14. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 7, dans lequel la couche piézoélectrique (11) est du Niobate de Lithium, LiNbO3, avec une orientation cristallographique (YX/t)/e/ti) selon la norme IEEE 1949 Std-176, avec e, un angle de 35 l'orientation cristallographique étant compris entre 40° et 60°, en particulier pour e de l'ordre de 41°, et la direction de propagation de l'onde guidée longitudinalement polarisée est comprise entre 80° et 100°,en particulier de l'ordre de 90°, pour une coupe 23 (YX/t)/41°/90°. 15. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une quelconque des revendications 7 ou 14, dans lequel la couche piézoélectrique (11) est du Niobate de Lithium, LiNbO3, et 5 le substrat de base (9) comprend du Saphir, en particulier un Saphir à coupe (YX/t)/50°/90°. 16. Dispositif de filtre à ondes acoustiques de surface, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW) selon l'une quelconque des 10 revendications 1 à 15. 17. Dispositif de résonateur à ondes acoustiques de surface comprenant au moins un dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW) selon l'une quelconque des revendications 1 à 15. 15 18. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface tel que décrit dans l'une quelconque des revendications précédentes 1 à 15, comprenant les étapes consistant à : a) fournir une couche piézoélectrique sur un substrat de base ; et 20 b) fournir une structure de transducteur sur la couche piézoélectrique ; dans lequel à l'étape a), la couche piézoélectrique est prévue de sorte que la couche piézoélectrique a une orientation cristalline par rapport au substrat de base de telle sorte que la vitesse de phase de l'onde polarisée longitudinalement est inférieure à la vitesse de phase critique du substrat de base à laquelle un guidage d'onde à l'intérieur de la 25 couche piézoélectrique disparaît. 19. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 18, dans lequel au moins l'une des étapes a) ou b) comprend un processus de transfert de couche. 30 20. Procédé selon la revendication 18 ou 19, dans lequel l'étape b) comprend une étape de réalisation de structure par lithographie 1-line pour obtenir une structure de transducteur dans le dispositif à ondes acoustiques de surface permettant une limite de fréquence supérieure à 2GHz, notamment supérieure à 3,5GHz.