FR 3079101 A1 20190920 FR 1852277 A 20180316 Structure de transducteur pour suppression de source dans les dispositifs de filtres à ondes acoustiques de surface L'invention concerne les dispositifs de filtre à ondes acoustiques de surface et, plus particulièrement des structures de transducteur pour dispositifs de filtre à ondes acoustiques de surface. Ces dernières années, les dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) ont été utilisés dans un nombre croissant d'applications pratiques, telles que les filtres, les capteurs et les lignes à retard. En particulier, les filtres SAW sont intéressants pour des applications de téléphonie mobile en raison de leur capacité à former des filtres passe-bande d'ordre élevé à faible perte sans utiliser de circuits électriques complexes. Par conséquent, les filtres SAW offrent des avantages significatifs en termes de performances et de taille par rapport aux autres technologies de filtre. Dans un dispositif à ondes acoustiques de surface typique, un ou plusieurs transducteurs interdigités (IDT) sont utilisés pour convertir des ondes acoustiques en signaux électriques, et vice versa, en utilisant l'effet piézoélectrique de certains matériaux. Un transducteur interdigital (IDT) comprend l'opposition de Selon une variante de l'invention, les moyens d'électrode sont un doigt d'électrode ou des doigts fendus, lesdits doigts fendus comprenant deux doigts d'électrode adjacents ou plus au même potentiel. Il est ainsi possible d'utiliser la suppression de sources électroacoustiques pour divers types de structure de transducteur, non seulement pour la structure de transducteur à une seule électrode, mais aussi par exemple pour le transducteur d'électrode à deux doigts. Selon une variante de l'invention, les régions comportant deux moyens d'électrode voisins ou plus appartenant à la même électrode en peigne ne sont pas réparties de manière périodique, et en particulier sont réparties de manière aléatoire. Ainsi, la suppression de sources électroacoustiques et l'excitation d'ondes électroacoustiques ne sont pas réalisées de manière périodique. Un autre effet positif de la répartition des régions de manière non périodique est que des effets sous-harmoniques générés par la structure du transducteur sont réduits, voire même supprimés. -Selon une variante de l'invention, la au moins une région, en particulier chacune de la au moins une région, avec deux moyens d'électrode voisins ou plus appartenant à la même électrode en peigne comporte un nombre pair, en particulier seulement deux, de moyens d'électrode voisins appartenant à la même électrode en peigne. Le fait d'avoir un nombre pair de doigts d'électrode voisins connectés au même potentiel dans la structure de transducteur conduit en fait à une suppression de sources électroacoustiques ainsi qu'a un changement de phase de u des ondes acoustiques de surface générées dans la structure de transducteur. Il est donc possible de réduire davantage le coefficient de couplage électromécanique k52 de la structure du transducteur. Dans le cas particulier où seulement deux doigts d'électrode sont connectés au même potentiel, seul un changement de phase de u des ondes acoustiques de surface générées dans la structure du transducteur se produit, ce qui entraîne une réduction du coefficient de couplage électromécanique /(52 en particulier ici par un facteur de deux. L'idée est de créer une interférence destructive en combinant l'énergie émise de chaque côté des deux doigts d'électrode connectés à la même électrode en peigne vers le transducteur, tandis que l'énergie émise vers l'extérieur du transducteur sera effectivement lancée et réfléchie par le miroir. Cela réduira alors l'efficacité du transducteur d'un facteur de deux. Selon une variante de l'invention, au moins une région, notamment chacune de la au moins une région, avec deux moyens d'électrode voisins ou plus appartenant à la même électrode en peigne comporte un nombre impair, en particulier seulement trois, de moyens d'électrode voisins appartenant à la même électrode en peigne. Le fait d'avoir un nombre impair de moyens d'électrode voisins appartenant à la même électrode en peigne entraîne la suppression d'une ou plusieurs sources électroacoustiques dans la structure de transducteur, ce qui entraîne une réduction du coefficient de couplage électromécanique k52 pour le transducteur. Du fait qu'au moins deux doigts d'électrode voisins étant connectés au même potentiel conduisent à la suppression d'une ou plusieurs sources électroacoustiques dans le 6 dispositif, moins d'ondes acoustiques sont ainsi générées et détectées. Il devient donc possible de controler l'efficacité d'excitation et de détection des ondes acoustiques de la structure de transducteur par suppression d'une ou plusieurs sources électroacoustiques dans la structure de transducteur. De plus, comme des substrats composites ou substrats massifs sont connus pour conduire à des modes parasites dans les caractéristiques de filtrage d'un dispositif de filtre SAW, une réduction du coefficient de couplage électrochimique ks2 de la structure de transducteur présente dans le dispositif de filtre SAW par suppression d'un ou plusieurs sources électroacoustiques dans la structure de transducteur devrait conduire à une réduction de la présence ou de la détection de ces modes parasites. Il est ici possible de réduire le coefficient de couplage électrochimique ks2 dans la structure de transducteur d'un facteur proportionnel à la densité de source électroacoustique compte tenu de la longueur totale du transducteur et du nombre d'électrodes de la structure de transducteur. Selon une variante de l'invention, le nombre de moyens d'électrode voisins appartenant à la même électrode en peigne est différent entre au moins deux régions avec deux moyens d'électrode voisins ou plus appartenant à la même électrode en peigne. Ainsi, des degrés de liberté supplémentaires existent pour la conception du transducteur, en particulier pour réduire encore le coefficient de couplage électromécanique ks2 de la structure de transducteur. Une réduction du coefficient de couplage électromécanique ks2 de la structure de transducteur permet de réduire la présence ou au moins la détection des modes parasites dus aux ondes électroacoustiques réfléchies dans le substrat dans la structure de transducteur. Selon une variante de l'invention, des régions avec des moyens d'électrode voisins appartenant à la même électrode en peigne sont prévues sur les deux électrodes en peigne. Cela permettra d'améliorer encore les possibilités d'adapter la structure de transducteur aux besoins. Selon une variante de l'invention, le substrat du dispositif de filtre à ondes acoustiques de surface peut être un substrat composite comprenant au moins un substrat de base d'un premier matériau et une couche supérieure d'un matériau piézoélectrique, en particulier LiTa03, en particulier LiTa03 avec une orientation cristalline définie selon la norme IEEE 1949 Std-176 en tant que mima avec 36° Il convient de noter que des transducteurs ont généralement un nombre beaucoup plus grand de doigts d'électrode que ce qui représenté sur la figure 1. Le nombre de doigts d'électrode réel a été réduit de manière significative dans les figures dans un effort pour représenter plus clairement le concept global. Une charge électrique 114 est illustrée comme étant couplée à travers les électrodes 102, 104. Cependant, il sera compris qu'un potentiel de source 114 peut également être couplé à travers les électrodes 102, 104, selon que le transducteur 100 est utilisé pour exciter des ondes acoustiques de surface dans le substrat 116 ou pour convertir des ondes acoustiques de surface reçues en signaux électriques, ou les deux. La structure de transducteur 100 excite les ondes acoustiques de surface dans la direction de champ électrique, c'est-à-dire perpendiculairement à la direction d'extension y des doigts 106, 108 des électrodes 102, 104, comme indiqué par la flèche E sur la figure 1. La structure de transducteur 100 peut être considérée comme la somme de sources électroacoustiques correspondant aux zones où le champ électrique est effectivement appliqué. Comme la structure de transducteur émet de l'énergie sur chacun de ses bords, c'est-à-dire dans les deux directions +X et -X, une source électroacoustique est considérée entre n'importe quel doigt d'électrode comme ayant un potentiel différent de son doigt d'électrode voisin. Ceci conduit à la définition d'une source électroacoustique formée par une paire de doigts d'électrode voisins de polarité opposée. Par conséquent, une source électroacoustique 118 est présente par exemple entre les doigts d'électrode 106_1 et 108_1, étant au potentiel alternatif +VI-V, mais il y aura également une source électroacoustique 120 présente entre les doigts d'électrode 108_1 et 106_2, étant à des potentiels alternatifs -Vii-V. Par conséquent, dans toute la structure de transducteur de la figure 1, cinq sources électroacoustiques 118 sont présentes, ainsi que cinq sources électroacoustiques 120. La zone spatiale de la source électroacoustique 118 ou 120 est définie par la distance inter-électrodes a, dans la direction de propagation x des ondes acoustiques de surface, et le recouvrement b entre les doigts d'électrode voisins 106 et 108 dans la direction transversale y, par exemple sur la figure 1 a, les doigts d'électrode voisins 106_1 et 108_1. La fréquence d'utilisation de la structure de transducteur 100 est définie par fr= V / 2p, V étant la vitesse de l'onde acoustique et p le pas d'électrode de la structure de transducteur 100, comme indiqué sur la figure 1. Le pas d'électrode p du transducteur est également choisi pour être /1/2, À étant la longueur d'onde de fonctionnement de l'onde acoustique de surface. Ainsi, le pas d'électrode p définit la fréquence d'utilisation de la structure de transducteur. Le pas d'électrode p correspond également à la distance bord à bord de doigts d'électrode entre deux doigts d'électrode voisins provenant des électrodes en peigne opposées 102 et 104, par ex. entre 108_2 et 106_3. Dans ce cas, la longueur d'onde A est par conséquent définie comme étant la distance bord à bord de doigts d'électrode entre deux doigts d'électrode voisins à partir 11 des mêmes électrodes en peigne 102 ou 104, par exemple entre 106_2 et 106_3. Les doigts d'électrode interdigités 106 et 108 ont typiquement tous sensiblement la même longueur /, largeur w et épaisseur t. Les doigts d'électrode interdigités 106, 108 sont à des potentiels alternatifs, les potentiels alternatifs des doigts d'électrode interdigités 106, 108 pouvant être des potentiels de polarité opposée, à savoir +V et -V, ou en tant que masse et un potentiel de charge/source VIN (non représenté). Les caractéristiques de propagation des ondes produites par la structure de transducteur 100 comprennent entre autres la vitesse de propagation, le coefficient de couplage électromécanique 1(82 et le coefficient de température de fréquence (CTF). La vitesse de propagation affecte la relation entre le pas du transducteur p et la fréquence requise du dispositif. Par ailleurs, pour l'application du dispositif de filtre et notamment les dispositifs de type filtre en échelle, la bande passante du filtre Af est proportionnelle au coefficient de couplage électromécanique 1(82 considérant la relation empirique If/ f (2/3) k82, correspondant à la largeur de bande passante en fréquence du filtre, f, étant la fréquence de résonance de la structure du transducteur. Le CTF est associé à l'influence d'une température sur des changements de fréquence dans les filtres. La figure 1 b représente la même structure de transducteur 100 que sur la figure 1 a, dans une vue latérale, montrant la pluralité de doigts d'électrode 106, 108 à partir des électrodes en peigne interdigitées 102 et 104, respectivement (non représentées). Le substrat 116 sur lequel est prévue la structure de transducteur 100 est un substrat composite 116. Le substrat composite 116 comprend une couche de matériau piézoélectrique 122 d'une certaine épaisseur, formée sur le dessus d'un substrat de base 124. La couche piézoélectrique 122 décrite ici à titre d'exemple peut être du niobate de lithium (LiNb03) ou du Tantalate de lithium (LiTa03). La couche de matériau piézoélectrique 118 peut être attachée au substrat de base 124 par liaison directe, par exemple en utilisant une technologie de transfert de couche SmartCutTM. En variante, une fine couche de Si02 (non représentée) peut être prévue entre la couche piézoélectrique 122 et le substrat de base 124 pour améliorer la fixation. Avant la liaison directe, des étapes de traitement supplémentaires peuvent être ajoutées, telles que le polissage du côté de la couche piézoélectrique 122 et/ou du côté du substrat de base 124 formant plus tard l'interface 126 entre la couche piézoélectrique 122 et le substrat de base 124. Un substrat composite 116 avec une combinaison d'un couplage fort, de 1 % à 25 % ou plus, et d'une stabilité en température due à la combinaison de matériaux avec différents 12 coefficients de température de fréquence (CTF) et une vitesse de propagation d'onde acoustique élevée, va améliorer la performance du dispositif SAW. Comme sur la figure la, la structure de transducteur 100 a le pas d'électrode p. Les doigts d'électrode interdigités 106 et 108 ont essentiellement les mêmes longueur /, largeur w et épaisseur t. De plus, la fréquence de fonctionnement f,. est fixée par la condition d'accord de phase donnée par V/ 2p, V étant la vitesse de l'onde acoustique passant sous les électrodes interdigitées et p le pas d'électrode de la structure de transducteur 100. Dans une telle condition, il est dit que le transducteur fonctionne en mode synchrone à la fréquence de fonctionnement fr, où toutes les ondes acoustiques excitées dans la structure de transducteur sont cohérentes et en phase. Une onde électroacoustique se propageant sous un réseau d'électrodes est sensible aux conditions limites électriques et mécaniques à la surface. Sur les bords des électrodes, les ruptures d'impédance, ici électriques et mécaniques, provoquent une réflexion d'une partie de l'énergie transportée. Lorsque toutes les réflexions élémentaires, c'est-à-dire les réflexions sous chacune des électrodes, sont en phase, l'onde est entièrement réfléchie et donc arrêtée par le réseau. Ce phénomène, connu sous le nom de condition de Bragg, apparaît pour des gammes de fréquences appelées « bandes d'arrêt ». Il y a interférence constructive entre les réflexions de l'onde, également appelées cohérence de phase, lorsque À = 2pn, À étant la longueur d'onde de fonctionnement du transducteur, p étant le pas d'électrode, et n un nombre entier. La longueur d'onde de fonctionnement A du transducteur est liée à la fréquence de fonctionnement fr, définie précédemment, sous la forme fr = V/2p=V/A. A la condition de Bragg, la fréquence de Bragg est définie par A = 2p (n=1). Ce type de structure de transducteur est également appelé structure à deux doigts par longueur d'onde et résonne à la fréquence de Bragg, dans la « bande d'arrêt ». Le transducteur 100 est exactement un transducteur de ce type. Ces structures correspondent à une excitation électrique à un potentiel alternatif +V, -V, +V, -V ... et permettent de créer des cavités résonnantes. Les doigts d'électrode interdigités 106, 108 sont à des potentiels alternatifs, où les potentiels alternatifs des doigts d'électrode interdigités 106, 108 peuvent être des potentiels de polarité opposée, à savoir +V et -V comme représenté sur la figure 1 b, ou à une masse et un potentiel de charge/source VIN (non représenté). Comme représenté sur la figure 1 b, le doigt d'électrode 106_1 est à un potentiel +V tandis que son doigt d'électrode voisin 108_1 est à un potentiel -V. A nouveau, la structure de transducteur 100 peut être considérée comme la somme de sources électroacoustiques 118 et 120 correspondant aux zones où le champ électrique est effectivement appliqué, ce qui conduit à la définition d'une source électroacoustique 118, 120 13 formée par une paire de doigts d'électrode voisins à potentiel alternatif, par exemple des doigts d'électrode 106_1 et 108_1 ou 108_1 et 106_2, respectivement. Sa zone spatiale est définie par la distance inter-électrodes a, dans la direction de propagation x, et le recouvrement b entre deux doigts d'électrode voisins 106 et 108 dans la direction transversale, à savoir 106_1 et 108_1 ou 108_1 et 106_2, comme vu sur les figures la et 1 b. Lorsqu'une charge électrique 114 est couplée à travers les électrodes 102, 104, des ondes acoustiques de surface 128 sont excitées dans le substrat composite 116 et se propagent dans la direction x, perpendiculaire à la direction des doigts d'électrode 106, 104. Des ondes acoustiques de volume 130 générées dans la structure de transducteur 100 sont également lancées dans le substrat composite 116 et sont réfléchies au niveau de l'interface de liaison 126 entre la couche piézoélectrique 122 et le substrat de base 124. Ces ondes réfléchies 132 sont ensuite réabsorbées par la structure de transducteur 100 et entraînent des réponses de résonance parasites générées par la structure de transducteur 100. Ces ondes acoustiques réfléchies 132 sont cohérentes en phase, car la structure de transducteur fonctionne en mode synchrone, ce qui signifie que la détection et la génération d'ondes acoustiques sont synchrones dans toute la structure de transducteur. Ces ondes acoustiques en vrac 128 sont générées au niveau des sources électroacoustiques 118 et 120, selon un angle a avec la surface de la couche piézoélectrique 122. Leur vitesse effective V dépend de la couche piézoélectrique 122 et du pas d'électrode p de la structure de transducteur 100 par extension du comportement bien connu des ondes de volume excitées en utilisant un transducteur interdigité, comme décrit par D. Lee dans « Excitation and Detection of Surface Skimming Bulk Waves on Rotated Y-Cut Quartz », IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, vol. SU-27, N°1, pages 22 à 30, 1980, mais également RF Milsorn, NHC Reilly, et M. Redwood, « Analyse of generation and detection of surface and bulk acoustic waves by interdigital transducers >), IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, vol. SU-24, pages 147 à 166, 1977. Une partie des ondes acoustiques de volume 132 ne sont pas réfléchies au niveau de l'interface 126 et se propagent plus profondément dans le substrat de base 124 d'une manière radiative lorsque la vitesse de propagation équivalente dépasse ce que l'on nomme la limite d'onde de volume rasante de surface (SSBW) indiquant la vitesse maximale à laquelle le substrat est capable de guider des ondes dans la couche piézoélectrique. La figure 2 montre une structure de transducteur interdigitée 200 pour un dispositif à ondes acoustiques de surface selon un premier mode de réalisation de l'invention. La structure de transducteur interdigitée 200 comprend une paire d'électrodes en peigne interdigitées 202 et 204 comprenant chacune une pluralité de moyens d'électrode 206 et 208, et formée sur un substrat 210. 14 Dans ce mode de réalisation, les moyens d'électrodes 206 et 208 ont la forme de doigts 206, 208. Dans une variante du mode de réalisation, les moyens d'électrode pourraient également comporter des doigts divisés 206, 208 comprenant chacun deux ou plus doigts d'électrode directement adjacents appartenant à la même électrode en peigne. Le substrat composite 210 comprend une couche d'un matériau piézoélectrique 212 d'une certaine épaisseur, formée sur le dessus d'un substrat de base 214. La couche piézoélectrique 212 décrite ici à titre d'exemple peut être soit du niobate de lithium (LiNb03), en particulier du LiNb03 avec des orientations cristallines définies selon la norme IEEE 1949 Std176 en tant que (YX43 avec 36° Dans un tel filtre, la résonance des résonateurs en série 521 à 526 est adaptée à l'antirésonance des résonateurs en parallèle 511 à 516 au centre de la bande passante, de manière à assurer un maximum de transmission autour de la fréquence centrale. Aux fréquences correspondant à la résonance des résonateurs parallèles 511 à 516, respectivement l'antirésonance des résonateurs en série 521 à 526, la transmission est quasi nulle, ce qui permet de concevoir des fonctions de filtre avec des bandes de transition étroites et un fort rejet. Comme déjà mentionné, dans un dispositif de filtre SAW de l'état de l'art, des ondes électroacoustiques générées par la structure de transducteur se déplacent dans le volume de la couche piézoélectrique et sont réfléchies au niveau de l'interface avec le substrat de base. Ces ondes réfléchies perturbent les caractéristiques de filtre du dispositif SAW conduisant à ce que l'on appelle un « effet de crécelle » à l'extérieur de la bande passante du filtre, réduisant ainsi la performance du dispositif. Les structures de transducteur et le dispositif SAW selon l'invention réduisent la quantité d'ondes électroacoustiques générées pour réduire ainsi la quantité d'ondes électroacoustiques réfléchies au niveau de l'interface entre la couche piézoélectrique et le substrat de base. Cela est rendu possible en supprimant des sources électroacoustiques et en réduisant le couplage électromécanique de la structure de transducteur. Cette réduction du couplage électromécanique de la structure du transducteur correspond à une augmentation artificielle de la capacité statique du transducteur pour une capacité dynamique constante (ou vice versa). En outre, en utilisant un matériau piézoélectrique à fort couplage électromécanique, tel que du LiTa03 ou du LiNb03 avec un coefficient de couplage électromécanique compris entre 0,92 et 20 %, et même plus, en combinaison avec une structure de transducteur 200, 300, 400 selon l'un des modes de réalisation 1 à 3 de la présente invention, un dispositif de filtre SAW 500 fabriqué sur un substrat composite 502 peut présenter à la fois une meilleure stabilité en température et des caractéristiques de filtrage améliorées du passe-bande par rapport à une structure de transducteur de l'état de l'art. En particulier, des dispositifs de filtre SAW 500 avec une bande passante de filtre relative comprise entre 0,1 et 2 °A. peuvent être réalisés. La figure 5b illustre schématiquement un exemple pratique d'une structure de transducteur 600 utilisée en tant que transducteur 517 dans le dispositif SAW 500 illustré sur la figure 5a. La structure de transducteur 600 comprend une paire d'électrodes en peigne interdigitées 602 et 604 avec une pluralité de moyens d'électrode 606 et 608, ici des doigts sur un substrat 610. Le substrat composite 610 est une couche de tantalate de lithium (LiTa03) avec une 26 coupe Y à 42°, propagation X, également notée (YX/)/42° selon la norme IEEE 1949 Std-176, fournie sur un substrat de base en Silicium. Le LiTa03 a une épaisseur de 20 pm. Dans la structure de transducteur 600, une méta-période 612 peut être définie sous la forme A = 4A = 8p, p étant le pas d'électrode de la structure de transducteur 600. Un total de dix doigts d'électrode 604, 608 sont donc présents dans la méta-période 612. La structure de transducteur 600 comprend au total sept méta-périodes 612, mais seulement trois d'entre elles, 612_1, 612_2 et 612_3 sont illustrées sur la figure 5b. Chacune des sept méta-périodes de la structure de transducteur 600 comprend une suppression de sources électroacoustiques, due à la présence d'au moins une région 614 avec une pluralité de doigts d'électrode reliés au même potentiel dans chacune d'elles. La structure de transducteur montre une configuration non périodique de la suppression de sources dans sa structure, puisque chacune des méta-périodes représentées sur la figure 5b comprend une structure de suppression de sources différente. Dans la méta-période 612 1, une région 614_1 comprend neuf doigts d'électrode 606_1 à 606_9 au même potentiel -V, sans aucun doigt d'électrode 608 de l'électrode en peigne interdigitée opposée 604 entre les doigts d'électrode 606_1 à 606_9. Une seule source électroacoustique 616 est présente dans la méta-période 612_1, entre le doigt d'électrode 608_1 connecté en +V et le doigt d'électrode 606_1 connecté en -V. Dans la méta-période 612_2, deux régions 614_2 et 614_3 comprenant six doigts d'électrode 606_10 à 606_15 et trois doigts d'électrode 606_16 à 606_18 au même potentiel -V, sans aucun doigt d'électrode 608 de l'électrode en peigne interdigitée opposée 604 entre les doigts d'électrode 606_10 à 606_15 et entre les doigts d'électrode 606_16 à 606_18. Un seul doigt d'électrode 608_2 connecté en +V est présent entre les doigts d'électrode 606_15 et 606_16, de sorte que deux sources électroacoustiques 616 et 618 sont présentes dans la méta-période 612_2. Dans la méta-période 612_3, deux régions 614_4 et 614_5 comprenant respectivement deux doigts d'électrode 606_19 et 606_20 et sept doigts d'électrode 606_21 à 606_27 au même potentiel -V, sans aucun doigt d'électrode 608 à partir de l'électrode en peigne interdigitée opposée 604 entre les doigts d'électrode 606_19 et 606_20 et entre les doigts d'électrode 606_21 à 606_27. Un seul doigt d'électrode 608_3 connecté en +V est présent entre les doigts d'électrode 606_20 et 606 21, de sorte que deux sources électroacoustiques 616 et 618 sont présentes dans la méta-période 612_3. En comparaison à une structure de transducteur 100 où tous les doigts d'électrode sont en potentiel alternatif, comme représenté sur la figure 1, dans ce mode de réalisation, la combinaison non périodique des régions 614_1 à 614_4 telle que représentée sur la figure 5b 27 entraîne une suppression de sources électroacoustiques, ce qui entraîne à son tour une réduction du coefficient de couplage électromécanique ks2. La figure 5c montre comment le coefficient de couplage électromécanique ks2, tracé sur l'axe Y, varie avec le nombre de doigts d'électrode connectés, également appelés doigts d'électrode actifs dans la structure du transducteur, tracé sur l'axe X. Trois valeurs expérimentales du coefficient de couplage électromécanique ks2 sont tracées pour un nombre d'électrodes connectées correspondant à 2, 3 et 4, correspondant respectivement à des valeurs de coefficient de couplage électromécanique /(52de 0,014 %, 0,022 % et 0,03 %. La ligne droite tracée sur le graphique correspond l'ajustement théorique des données expérimentales en utilisant l'équation polynomiale : f(x) = aX2 + bX + c(%). Il est possible de voir que pour une structure de transducteur 600, avec seulement deux doigts d'électrode voisins parmi les dix doigts d'électrode présents dans la méta-période étant connectés à un potentiel alternatif, un coefficient de couplage électromécanique ks2de l'ordre de 1,4 % peut-être obtenu. Ceci correspond à une méta-période avec une seule paire de doigts d'électrode voisins connectée à un potentiel alternatif. En augmentant le nombre de doigts d'électrode de la méta-période connectés, l'augmentation linéaire du coefficient de couplage électromécanique ics2 peut être constatée. Pour cinq paires de doigts d'électrode de la méta-période étant connectées à un potentiel alternatif, correspondant à une structure de transducteur de l'état de l'art, comme la structure de transducteur 100, un coefficient de couplage électromécanique i(52de 3,8 % est obtenu. Avec la structure de transducteur 600, un dispositif de filtre SAW tel qu'illustré sur la figure 5a, avec une bande passante de filtre réactive de 0,65 °/00 et 0,4 % et une perte de bande passante inférieure à 6dB, est obtenu. Ceci est illustré sur la figure 5d traçant le module de la fonction de transfert sur l'axe Y gauche par rapport à la fréquence normalisée sur l'axe X, correspondant à la ligne noire épaisse, tandis que le retard de groupe en ps est tracé sur l'axe Y droit, correspondant à la ligne noire fine de la figure 5d. Le retard de groupe donne une image de la linéarité de phase dans la bande passante. Par exemple, une valeur constante de tg signifie une phase linéaire, qui est l'une des caractéristiques considérées pour les filtres. En outre, avec un dispositif de filtre SAW 500 utilisant une structure de transducteur 600 comme illustré sur la figure 5b, une sensibilité à la température avec un CTF de premier ordre (CTF1) compris entre -0,9 et 1 ppm/K et un CTF de second ordre (CTF2) compris entre 30 et 36 ppb/K peut être atteint. La sensibilité thermique est caractérisée par les CTF1 et CTF2 autour de la température ambiante T. = 25°C. Son expression se lit comme suit : f = fo x (1-CTF,(T- To) + CTF2(T - T0)2) 28 Cette expression correspond à un développement polynomial de la dépendance température-fréquence limitée au second degré comme généralement pour des SAW sur des appareils standards. Les CTF1 et CTF2 peuvent être obtenus avec précision en utilisant les meilleures procédures d'ajustement en considérant des mesures de fréquence-température expérimentales pour un point de grandeur/phase donné de la fonction de transfert ou du coefficient de réflexion ou une auto-admittance, trans-admittance ou auto-impédance ou transimpédance du filtre. Enfin, sur la figure 5e sont représentées les caractéristiques du dispositif de filtre SAW simulées pour le dispositif de filtre SAW 500 de la figure 5a avec la structure de transducteur 600 de la figure 5b, sans et avec suppression de sources électroacoustiques dans la structure de transducteur 600. De nouveau dans la figure 5e est illustré le module de la fonction de transfert sur l'axe Y gauche par rapport à la fréquence normalisée sur l'axe X, et le retard de groupe sur l'axe Y droit. Dans le cas de la configuration périodique de la structure de transducteur, comme dans l'état de l'art, c'est-à-dire sans suppression de source électroacoustique, deux fortes résonances parasites de 0,825 et 1,25 pour la fréquence normalisée, des fréquences à l'extérieur de la fréquence passe-bande du dispositif de filtre SAW, sont présentes. Lorsqu'une répartition non périodique de la suppression de sources électroacoustiques est effectuée, les résonances parasites à une valeur de 0,825 et 1,25 ont disparu. Ainsi, l'amélioration du rejet hors bande par élimination de sources sous-harmoniques cohérentes est évidente. Ceci s'explique par le fait que la structure non périodique se comporte davantage comme une structure à période unique sans une quelconque perturbation due à des sous-harmoniques, ce qui permet un meilleur fonctionnement des résonateurs de filtre individuels et donc une amélioration de la réponse globale du filtre. Comme décrit ci-dessus, les effets des résonances parasites de la propagation d'ondes acoustiques de volume réfléchies dans un dispositif de filtre SAW ayant un substrat composite peuvent être réduits en supprimant des sources électroacoustiques dans une ou plusieurs régions de la structure de transducteur utilisée dans le dispositif de filtre SAW, de telle sorte que la fréquence de résonance en mode de surface du dispositif SAW reste identique ou presque identique dans toute la structure de transducteur tout en conservant les caractéristiques structurelles, à savoir la largeur et l'épaisseur des doigts d'électrode dans toute la structure de transducteur. Un certain nombre de modes de réalisation de l'invention ont été décrits. Néanmoins, il est entendu que diverses modifications et améliorations peuvent être apportées sans s'écarter REVENDICATIONS1. Structure de transducteur pour un dispositif à ondes acoustiques de surface, formée sur un substrat de propagation d'onde acoustique (210, 310, 410, 502, 610), ladite structure de transducteur étant adaptée pour être couplée à une charge et/ou une source électrique, comprenant : une paire d'électrodes en peigne interdigitées (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604) formées sur ledit substrat (210, 310, 410, 502, 610), dans laquelle ladite paire d'électrodes en peigne interdigitées (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604) comprend des moyens d'électrode voisins (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) appartenant à différentes électrodes en peigne (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604) et ayant un pas p étant défini comme la distance de bord à bord de moyens d'électrode entre deux moyens d'électrode voisins (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608), le pas p satisfaisant la condition de Bragg donnée par p = A/2, À étant la longueur d'onde acoustique de fonctionnement dudit transducteur, et dans lequel les moyens d'électrode (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) ont la même géométrie ; caractérisée en ce que ladite paire d'électrodes en peigne interdigitées (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604) comprend au moins une région (218, 316, 416, 614) dans laquelle deux moyens d'électrode voisins ou plus (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) appartiennent à la même électrode en peigne (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604) tout en ayant une distance de bord à bord les uns par rapport aux autres correspondant au pas p et ayant la même géométrie. 2. Structure de transducteur selon la revendication 1, comprenant une pluralité de régions (218, 316, 416, 614) avec deux moyens d'électrode ou plus (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) appartenant à la même électrode en peigne (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604). 3. Structure de transducteur selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle les moyens d'électrode (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) sont un doigt d'électrode ou des doigts fendus, lesdits doigts fendus comprenant deux doigts d'électrode adjacents ou plus au même potentiel. 4. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle des régions (218, 316, 416, 614) avec deux moyens d'électrode voisins ou plus (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) appartenant à la même électrode en peigne (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604) ne sont pas réparties périodiquement. 5. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la au moins une région (218), en particulier chacune de la au moins une région (218), avec deux moyens d'électrode voisins ou plus (208) appartenant à la même électrode en peigne (204) comprend un nombre pair, de moyens d'électrode voisins (208_4, 208_5) appartenant à la 30 même électrode en peigne (204). 6. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la au moins une région (316, 416, 614), en particulier chacune de la au moins une 5 région (316, 416, 614) avec deux moyens d'électrode voisins ou plus (308, 408, 606) appartenant à la même électrode en peigne (304, 404, 602) comprend un nombre impair, de moyens d'électrode voisins (308 5, 308 6, 308 7, 408 4, 408 5, 408 6, 408 9, 408 10, 408_11, 606_16, 606_17, 606_18) appartenant à la même électrode en peigne (304, 404, 602). 10 7. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le nombre de moyens d'électrode voisins (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) appartenant à la même électrode en peigne (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604) est différent entre au moins deux régions (218, 316, 416, 614) avec deux moyens d'électrode voisins ou plus (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) appartenant à la même électrode en 15 peigne (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604). 8. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les moyens d'électrode voisins (206, 208, 306, 308, 406, 408, 606, 608) appartenant à la même électrode en peigne (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604) sont prévus sur les deux 20 électrodes en peigne (202, 204, 302, 304, 402, 404, 602, 604). 9. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le substrat (210, 310, 410, 502, 610) est un substrat composite (210, 310, 410, 502, 610) comprenant au moins un substrat de base (214) d'un premier matériau et une couche 25 supérieure d'un matériau piézoélectrique (212), dans lequel la couche piézoélectrique (212) est du tantalate de lithium LiTa03 ou du niobate de lithium LiNb03. 10. Structure de transducteur selon la revendication 9, dans laquelle la couche piézoélectrique (212) est du tantalate de lithium LiTa03 avec une orientation cristalline définie selon la norme 30 IEEE 1949 Std-176 par (YX/)/3 avec 36° 11. Structure de transducteur selon la revendication 9, dans laquelle la couche piézoélectrique (212) est du niobate de lithium LiNb03 avec une orientation cristalline définie selon la norme IEEE 1949 Std-176 par (YX/)/3 avec 36° 12. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, dans laquelle le substrat de base (214) comprend du silicium. 31 13. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, dans laquelle l'épaisseur de la couche piézoélectrique (212) formée sur le substrat de base (214) est plus qu'ne longueur d'onde. 5 14. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, dans laquelle le matériau du substrat de base (214) et le matériau piézoélectrique (212) ont un coefficient de température de fréquence (CTF) différent. 15. Structure de transducteur selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, dans laquelle 10 le matériau du substrat de base (214) a une dilatation thermique inférieure à celle du matériau piézoélectrique (212). 16. Dispositif de filtre d'ondes acoustiques de surface comprenant au moins une structure de transducteur (200, 300, 400, 600) selon l'une quelconque des revendications précédentes. 15 17. Dispositif de filtre d'ondes acoustiques de surface selon la revendication 16, dans lequel chaque structure de transducteur (200, 300, 400, 600) du dispositif de filtre d'ondes acoustiques de surface a la même configuration. 20 18. Dispositif de filtre d'ondes acoustiques de surface selon l'une quelconque des revendications précédentes 16 ou 17, dans lequel la bande passante de filtre est plus étroite que la bande passante maximale pouvant être obtenue pour un couple de substrats en mode donné.