FR 3078835 A1 20190913 FR 1852120 A 20180312 DISPOSITIF PHOTONIQUE COMPORTANT UN LASER OPTIQUEMENT CONNECTÉ À UN GUIDE D'ONDE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF PHOTONIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le domaine de l'optoélectronique et des dispositifs de la photonique. L'invention a plus précisément pour objet un dispositif photonique comportant un guide d'onde destiné à accommoder plusieurs composants photoniques silicium et un laser hybride sur silicium comprenant un milieu à gain apte à émettre de la lumière. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La fabrication de dispositifs photoniques hybrides intégrant des composants photoniques silicium et au moins un laser hybride sur silicium comprenant un milieu à gain apte à émettre de la lumière, tels qu'un milieu à gain réalisé en matériaux semiconducteurs III-V, doit nécessairement prendre en compte les contraintes de conceptions en ce qui concerne le dimensionnement du premier guide d'onde en silicium accommodant les composants photoniques silicium et du deuxième guide d'onde en silicium rentrant dans la composition du laser hybride. Un tel laser hybride comprend généralement : - une structure à gain comportant au moins un milieu à gain apte à émettre de la lumière, la structure à gain étant sus-jacente à une section du deuxième guide d'onde silicium pour former avec celle-ci un guide d'onde hybride, - une structure de contre réaction optique permettant de former une cavité résonante comprenant le milieu à gain de ladite structure à gain, - et des transitions optiques entre le deuxième guide d'onde Silicium et le guide d'onde hybride. 2 On entend ci-dessus et dans le reste de ce document par « structure à gain », une structure à matériaux semiconducteurs adaptée pour fournir une émission de lumière pouvant être notamment stimulée afin de fournir une émission du type laser lorsqu'une telle structure est couplée à une structure de contre réaction optique, telle 5 qu'un réseau de Bragg distribué le long de ladite structure à gain. Une telle structure à gain comporte au moins un milieu à gain, qui est le matériau dans lequel l'émission de lumière est générée, et, de part et d'autre, une première et deuxième zone présentant chacune un type de conductivité opposé à celui de l'autre pour autoriser un pompage électrique du milieu à gain. Dans une application classique de lasers à matériaux 10 semiconducteurs, notamment pour fournir une émission dans les gammes de longueurs d'onde de l'infrarouge et en particulier aux longueurs d'onde 1310 nm et 1550 nm, les première et deuxième zones et le milieu à gain sont formés par croissance épitaxiale sur des substrats en phosphure d'indium InP ou en arséniure de gallium GaAs. En effet, la faible différence de maille de ces matériaux avec leurs alliages quaternaires permet de 15 fournir des première et deuxième zones et un milieu à gain de bonne qualité cristalline idéals pour optimiser le rendement d'émission laser. Le milieu à gain d'une telle structure à gain peut comporter une succession de puits quantiques fournissant l'émission de lumière. Afin d'augmenter le facteur de confinement du mode optique dans les puits quantiques, ceux-ci sont 20 généralement encadrés par deux couches de barrière. En variante aux puits quantiques, le milieu à gain peut également comporter des boîtes quantiques. Afin de former de tels puits quantiques, ou boîtes quantiques, et dans une configuration classique d'un tel laser hybride, le milieu à gain peut comporter au moins deux matériaux semiconducteurs sélectionnés par exemple dans le groupe comportant le phosphure d'indium InP, 25 l'arséniure de gallium GaAs, l'arséniure d'indium InAs, l'arséniure-phosphure de gallium- indium InGaAsP, l'arséniure de gallium-indium-aluminium InGaAlAs, l'arséniure d'aluminium-gallium AIGaAs et l'arséniure-phosphure d'indium InAsP et leurs alliages. De la même façon, la première et la deuxième zone peuvent être réalisées dans au moins un matériau semiconducteur sélectionné dans le groupe comportant le phosphure d'indium InP, l'arséniure de gallium GaAs, l'arséniure de gallium-indium InGaAs, l'arséniure 3 d'indium InAs, l'arséniure-phosphure de gallium-indium InGaAsP, l'arséniure de galliumindium-aluminium InGaAlAs, l'arséniure-nitrure d'aluminium-indium InGaAsN, l'arséniure d'aluminium-gallium AIGaAs et l'arséniure-phosphure d'indium InAsP et leurs alliages, l'une de la première et la deuxième zone étant d'un premier type de conductivité dans 5 lequel les porteurs majoritaires sont les électrons, l'autre étant d'un deuxième type de conductivité dans lequel les porteurs majoritaires sont les trous. De telles structures à gain peuvent être soit du type « vertical » soit du type « latéral». Dans le premier cas, c'est-à-dire une structure à gain du type « vertical », la première zone, le milieu à gain et la deuxième zone sont constituées par un empilement de 10 couches à la surface d'un support. Dans une telle configuration, l'épaisseur de l'empilement formant structure à gain est généralement comprise entre 1 à 3 p.m. Dans le second cas, c'est-à-dire une structure à gain du type « latéral », la première zone, le milieu à gain, et la deuxième zone se succède en contact le long d'un support. L'épaisseur typique d'une structure à gain du type latéral est de l'ordre de 500 nm. 15 On entend ci-dessus et dans le reste de ce document par « structure de contre réaction optique », une structure optique réalisée dans un guide d'onde et permettant de former une cavité résonante guidante comprenant le milieu à gain. Ainsi, le champ optique effectue des allers-retours dans le guide d'onde de la cavité entre les extrémités de cette même cavité résonante ceci pour générer une émission stimulée du 20 milieu à gain. Dans le cadre de l'invention, le laser est un laser dit à contre réaction répartie (ou Distributed Feedback Laser en anglais connu sous l'acronyme laser DFB). Dans une telle configuration, la structure de contre réaction optique est constituée par un réflecteur distribué, tel qu'un réseau de Bragg, sous ou dans la structure à gain, formant 25 un miroir sélectif en longueur d'onde. S. Keyvaninia et ses coauteurs décrivent dans leurs travaux publiés en 2013 dans la revue scientifique « Optics Letters » volume 38 numéro 24 pages 5434 à 5437, un dispositif photonique comportant un tel laser. Comme illustré sur la figure la) de ce document reproduite ici par la figure 1, ce dispositif comporte : 30 - un support 120, 4 - une couche intermédiaire 420 réalisée en dioxyde de silicium Si02, la couche intermédiaire 420 étant en contact avec le support 120, - une couche en matériau silicium 201, - un premier guide d'onde 210 formé dans la couche 201, 5 - des première à cinquième sections de guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 formées dans la couche 201, la première à la cinquième section de guide d'onde 211, 212,213, 214, 215 se succédant en étant connectées optiquement deux à deux, et étant connectées optiquement au premier guide d'onde 210 par au moins l'une de la première et de la cinquième section de guide d'onde 211, 215, 10 - un matériau diélectrique de remplissage 205 de manière à former avec le guide d'onde et la première à la cinquième section de guide d'onde un étage de guidage d'onde 200 du dispositif photonique 1, - une première couche diélectrique 110, formée dans ce document par du benzocyclobutène (plus connu sous le sigle BCB), la première couche diélectrique 15 110 recouvrant l'étage de guidage optique à l'opposé de à la couche intermédiaire 420, - une structure à gain 310 en contact avec la première couche diélectrique 110 et comportant au moins un milieu à gain 321 apte à émettre de la lumière, la structure à gain 310 présentant une portion centrale en regard de la troisième section de guide d'onde 213 et une première et une deuxième extrémité en regard des 20 deuxième et quatrième section de guide d'onde 212, 214, ainsi, la portion centrale de la structure à gain 310 forme avec la troisième section de guide d'onde 213 un guide d'onde hybride laser, les deuxième et quatrième section de guide d'onde 212, 214 et les premières et deuxième extrémités de la structure à gain 310 formant une première et une deuxième zone de transition optique d'un mode optique entre le guide d'onde 25 hybride laser et respectivement la première et la cinquième section de guide d'onde 211, 215. Afin de former un laser DFB, la troisième section de guide d'onde comprend une structuration aménagée, ladite structuration formant un réseau de Bragg 223 distribué sous la structure à gain pour former une structure de contre réaction et une 30 cavité résonante comprenant au moins une partie du milieu à gain 321. Selon une 5 configuration classique, le réseau de Bragg 223 décrit dans ce document est constitué, comme le montre la figure 1, par une alternance de sections transversales relativement larges, dites arêtes larges de largeur WL et de section transversale relativement étroites, dites arêtes étroites de largeur WN inférieure à WL, de la troisième section de guide 5 d'onde. Dans la configuration du réseau de Bragg 223 représentée en figure 1, la largeur WN est nulle. Il est à noter que dans le reste de ce document, un réseau de Bragg 223 dont la largeur WN des arêtes étroites sont nulle est noté réseau de Bragg à corrugation ou structuration verticale. 10 La structuration formant le réseau de Bragg est aménagée dans une partie de l'épaisseur de la troisième section de guide d'onde 213 qui est en contact avec la couche diélectrique 110. Avec un tel réseau de Bragg, il est possible de définir une force de contre-réaction de nommé kappa et noté kg,. Cette force de contre réaction peut être 15 calculée, si on considère des arrêtes larges et étroites de mêmes longueurs, à partir de l'équation suivante : (1) Kg= 2 (neff2- neffl) Avec Â la longueur d'onde de résonance de la cavité résonnante, neffl et neff2 les indices effectifs du mode optique guidé dans le guide d'onde hybride aux 20 niveaux de respectivement des arêtes larges et des arêtes étroites (c'est-à-dire, la largeur WN étant nulle, les creux sur la figure 1). S. Keyvaninia et ses coauteurs ont montré par le graphique de la figure 2 fourni dans leurs travaux qui est repris en figure 2, que la valeur kappa augmente lorsque l'épaisseur D de la première couche diélectrique 110 diminue. 25 Pour faire leur calcul, S. Keyvaninia et ses coauteurs ont utilisé la configuration suivante : épaisseur de la couche de silicium 201 de 400 nm, épaisseur du premier guide d'onde 210 de 220 nm, épaisseur du deuxième guide d'onde, dont la troisième section de guide d'onde 213, de 400 nm et épaisseur des arêtes fixées pour des premiers calculs (notés 400 nm/150 nm) à 250 nm, pour des deuxièmes calculs (notés 6 400 nm/180 nm) à 220 nm et pour des troisièmes calculs (notés 400 nm/200 nm) à 200 nm. Le graphique représenté sur la figure 2 rapporte le calcul de kappa en fonction de l'épaisseur D pour ces trois types de corrugation (épaisseurs d'arêtes de 5 250 nm, 220 nm et 200 nm). La valeur minimale de kappa est ainsi égale à 40 cm-1, pour une épaisseur de la couche intermédiaire 420 de 100 nm, et atteint près de 200 cm-1 pour une épaisseur de 50 nm de cette même couche et dépasse les 400 cm-1 pour une épaisseur de 20 nm. Les auteurs de cette publication montrent également qu'il est possible de diminuer la force de contre-réaction du réseau de Bragg en modifiant le 10 rapport de volume entre des zones de la troisième section de guide d'onde présentant les arêtes larges et celles présentant les arêtes étroites, en modifiant l'épaisseur des arêtes mais cette variation reste limitée, comme le montre la figure 2. Or, cette force de contre-réaction doit être adaptée en fonction du dimensionnement de la structure à gain 310. En effet, pour un bon fonctionnement d'un 15 laser comportant une structure à gain présentant respectivement une longueur de 500 um et de 1000 um, il est connu que la force de contre-réaction doit être comprise entre respectivement 20 et 40 cm-1 et entre 10 et 20 cm-1. On notera que, plus généralement, le produit Kappa par la longueur de la structure à gain doit être compris entre 1 et 2. 20 Ainsi, en raison de ces contraintes de dimensionnement, il n'est pas possible avec la configuration usuelle d'un dispositif photonique, comme celle proposée par S. Keyvaninia et ses coauteurs, de fournir un laser DFB présentant à la fois une structure à gain avec une longueur importante et une épaisseur de la première couche diélectrique 110 relativement faible, c'est-à-dire inférieure à 100 nm. 25 H. Duprez et ses coauteurs, dans le cadre de leurs travaux publiés en 2016 dans la revue scientifique « IEEE Photonics Technology Letter » Volume 28 numéro 18 pages 1920 à 1923 ont également fait les mêmes observations. Dans le dispositif photonique décrit dans leurs travaux, la configuration employée est la suivante : épaisseur de la couche de silicium 201 de 500 nm, épaisseur du premier guide d'onde 210 30 de 300 nm, épaisseur du deuxième guide d'onde de 500 nm. Le réseau de Bragg 223 est 7 réalisé par une structuration par alternance d'arêtes larges de largeur WL tour à tour égales à 770, 800, et 830 nm et d'arêtes étroites de largeur tout à tour égales à 370 et 600 nm, les arêtes étant formées dans une épaisseur de 200 nm de la couche de silicium 20 qui est en contact avec la couche diélectrique 110 5 Il est à noter que dans le reste de ce document, qu'une telle configuration dans laquelle le réseau de Bragg 223 présente une largeur WN des arêtes étroites non nulle est noté réseau de Bragg à corrugation ou structuration latérale. De la même manière que pour une corrugation verticale, il est possible de définir pour une structuration latérale une force de contre-réaction du réseau de 10 Bragg à partir de l'équation (1). Il est à noter que les auteurs s'imposent ici de choisir des arrêtes larges présentant une largeur WL autour de 800 nm car, comme il est connu de l'homme de l'art, pour minimiser les pertes optiques entre le guide d'onde hybride laser et les premières et deuxièmes zones de transitions optiques, pour une structure active 310 15 d'épaisseur environ 3 um, et pour des deuxième, troisième et quatrième sections de guide d'onde 212, 213 et 214 d'épaisseur totale 500 nm, il est préférable d'avoir une largeur WL des arête large supérieure à environ 800 nm. De ce fait, il n'est donc pas possible de bénéficier de la variation de forces de contre-réaction du réseau de Bragg, montrée sur la figure 2 (voir notamment la figure 2a) de l'article de H. Duprez et ces 20 coauteurs, que permet la réduction de la largeur WL des arêtes larges. H. Duprez et ses coauteurs montrent qu'il est possible de diminuer la force de contre-réaction du réseau de Bragg en modifiant le rapport de volume entre les arêtes larges et les arêtes étroites, en augmentant la largeur de l'arête étroite. Néanmoins, cette variation reste limitée, comme le montre la comparaison des figures 2b 25 et 2c de ce document. Ainsi même une optimisation de ce rapport n'autorise pas la fourniture un laser DFB présentant à la fois une structure à gain avec une longueur importante, c'est-à-dire supérieure à 50 um, et une épaisseur de la première couche diélectrique 110 relativement faible, c'est-à-dire inférieure à 100 nm. 8 On notera également que le dispositif photonique enseigné par H. Duprez et ces coauteurs possède une force de contre réaction présentant une forte variabilité aux dispersions de largeur des arêtes larges et étroites. De façon similaire, le document EP 2988378 présente une configuration 5 alternative à tel dispositif photonique, le dispositif qu'il divulgue présente le même inconvénient et ne permet pas d'aboutir, pour des faibles épaisseurs de la première couche diélectrique séparant la troisième section de guide d'onde de la structure à gain, à une force de contre-réaction du réseau de Bragg adaptée pour des longueurs de structure à gain supérieures à 50 um. 10 Ainsi dans les dispositifs existants et pour des épaisseurs de première couche diélectrique inférieures à 100 nm, la force de contreréaction du réseau de Bragg 223 ne peut pas être ajustée à une valeur suffisamment basse, même en modifiant le rapport de volume entre les arêtes larges et étroites. EXPOSÉ DE L'INVENTION 15 L'invention vise à remédier à cet inconvénient et a ainsi pour but de fournir un dispositif photonique à même de comporter un laser comprenant une structure à gain d'une longueur supérieure à 50 um, voire 500 um, ou encore 1000 um, ceci avec une première couche diélectrique qui, séparant la structure à gain de la troisième section de guide d'onde dans laquelle est formé un réseau de Bragg distribué, 20 présente une épaisseur inférieure ou égale à 120 nm voire 50 nm ou encore 10 nm. A cet effet, l'invention concerne un dispositif photonique comportant : - un support, - une couche intermédiaire en contact avec le support comportant au moins un matériau diélectrique, 25 - un premier guide d'onde, - une première à une cinquième section de guide d'onde distinctes du premier guide d'onde, la première à la cinquième section de guide d'onde se succédant en étant connectées optiquement deux à deux, et étant connectées 9 optiquement au premier guide d'onde par au moins l'une de la première et de la cinquième section de guide d'onde, - un matériau diélectrique de remplissage, pour former avec le premier guide d'onde et la première à la cinquième section de guide d'onde un étage de 5 guidage d'onde du dispositif photonique, l'étage de guidage optique comprenant une première face par laquelle il est en contact avec la couche intermédiaire et une deuxième face opposée à la première face, - une première couche diélectrique comportant un matériau diélectrique, la première couche diélectrique recouvrant l'étage de guidage optique sur sa 10 deuxième face, - une structure à gain en contact avec la première couche diélectrique et comportant au moins un milieu à gain apte à émettre de la lumière, la structure à gain présentant une portion centrale en regard de la troisième section de guide d'onde et une première et une deuxième extrémité en regard des deuxième et 15 quatrième sections de guide d'onde, ainsi, la portion centrale de la structure à gain forme avec la troisième section de guide d'onde un guide d'onde hybride laser, les deuxième et quatrième sections de guide d'onde et les première et deuxième extrémités de la structure à gain formant une première et une deuxième zone de transition optique d'un mode optique entre le guide d'onde hybride laser et respectivement la première et la 20 cinquième sections de guide d'onde, dans lequel la troisième section est en contact avec la couche intermédiaire et comprend une structuration aménagée uniquement dans une première partie de son épaisseur, ladite structuration formant un réseau de Bragg distribué sous la structure à gain pour former une structure de contre réaction et une cavité résonante 25 comprenant au moins une partie du milieu à gain ceci de manière à former un laser connecté optiquement au guide d'onde par au moins l'une de la première et la cinquième section de guide d'onde, dans lequel les deuxième et quatrième sections de guide d'onde sont en contact avec la couche intermédiaire sur une partie de la couche intermédiaire qui est 30 constituée uniquement de matériaux diélectriques. 10 La troisième section de guide d'onde comprend au moins une deuxième partie de son épaisseur qui sépare la première couche diélectrique et la première partie de l'épaisseur de la troisième section de guide d'onde. Dans un tel dispositif photonique, l'aménagement de la structuration 5 formant le réseau de Bragg sur une première partie de l'épaisseur de la troisième section de guide d'onde située à distance de la première couche diélectrique, et donc à distance de la structure à gain, permet d'obtenir une réduction importante de la force de contre-réaction du réseau de Bragg vis-à-vis de l'art antérieur. Cette réduction est suffisante pour aboutir à une force de contre-réaction adaptée pour les structures gain de longueur 10 importante, c'est-à-dire supérieure à 50 um, ceci même pour des premières couches diélectriques de faible épaisseur, c'est-à-dire inférieure ou égale à 100 nm. On notera également, qu'un tel aménagement du réseau de Bragg permet également de rendre moins sensible la valeur de kappa aux inhomogénéités de largeurs des arêtes larges et étroites. 15 La première partie de l'épaisseur de la troisième section de guide d'onde peut être en contact avec la couche intermédiaire. La troisième section de guide d'onde peut comprendre au moins une troisième partie de son épaisseur, ladite troisième partie d'épaisseur étant en contact avec la couche intermédiaire. 20 L'épaisseur de la première couche diélectrique peut être inférieure ou égale à 100 nm, l'épaisseur de la première couche diélectrique étant préférentiellement inférieure ou égale à 90 nm, voire à 70 nm, voire à 20 nm. Un dispositif présentant une tel première couche diélectrique bénéficie particulièrement des avantages de l'invention qui est de fournir un réseau de Bragg 25 distribué pouvant présenter une force de contre réaction adaptée pour de telles épaisseurs de la première couche diélectrique. La troisième section de guide d'onde peut s'étendre longitudinalement le long d'un axe de propagation optique du dispositif optique, 11 la structuration de la troisième section consistant en une alternance entre une section transversale d'une première largeur et une section transversale d'une seconde largeur différente de la première largeur. La seconde largeur peut être de valeur nulle. 5 La structure à gain peut s'étendre longitudinalement selon un axe de propagation optique du dispositif optique, et chacune de la première et de la deuxième extrémité de la structure à gain peut présenter, sur au moins une partie de son épaisseur et selon une direction longitudinale allant en s'éloignant de la portion centrale, une section transversale de 10 largeur décroissante. Une telle variation de section aux deux extrémités, et sur une partie de l'épaisseur, de la structure à gain est particulièrement adaptée à une épaisseur de couche de silicium 201 inférieure à 700 nm, ou inférieure à 500 nm, et pouvant être égale à 400 nm, voire 300 nm. 15 La structure à gain peut s'étendre longitudinalement selon un axe de propagation optique du dispositif optique et comporter une première zone semiconductrice, une deuxième zone semiconductrice et le milieu à gain, et, pour chacune de la première et la deuxième extrémité de la structure à gain, la première zone semiconductrice, la deuxième zone semiconductrice et 20 le milieu gain peuvent présenter, sur leur longueur respective, une section transversale de largeur constante. Une telle section transversale constante de la première zone semiconductrice, de la deuxième zone semiconductrice et du milieu gain permet de fournir des zones de transitions particulièrement adaptées à une épaisseur de couche de 25 silicium 201 supérieure à 500 nm, et par exemple égale à 700 nm. Le guide d'onde peut accommoder au moins un composant optique et/ou électronique, le composant optique étant préférentiellement choisi dans le groupe comportant les modulateurs optiques silicium à jonction PN, les modulateurs hybrides 30 semiconducteur III-V sur silicium, les réseaux de couplage surfaciques, les coupleurs à 12 fibre par la tranche du dispositif, les filtres optiques, les multiplexeurs et démultiplexeurs en longueurs d'onde, et les photodétecteurs dont font partie les photodétecteurs germanium sur silicium et les photodétecteurs semiconducteur III-V sur silicium, et le composant électronique étant préférentiellement un transistor. 5 Le composant accommodé par le guide d'onde peut être un modulateur hybride semiconducteur II-V sur silicium, ledit modulateur étant un modulateur capacitif. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif photonique comportant au moins un guide d'onde en silicium et un laser comprenant un milieu à gain apte à émettre de la lumière, le procédé comportant les 10 étapes suivantes : - fourniture d'un substrat associé avec au moins une couche de silicium sur une première couche diélectrique, - formation, au moins en partie dans la couche de silicium, d'un premier guide d'onde et des première à cinquième sections de guide d'onde distinctes du 15 premier guide d'onde, la première à la cinquième section de guide d'onde se succédant connectées optiquement deux à deux, et étant connectées optiquement au premier guide d'onde par au moins l'une de la première et la cinquième section de guide d'onde, la troisième section comprenant une structuration aménagée uniquement sur une première partie de son épaisseur, ladite structuration formant un réseau de Bragg, 20 - enterrement du guide d'onde et des première à cinquième section de guide d'onde par au moins un matériau diélectrique de remplissage et planarisation dudit matériau diélectrique de remplissage afin de former un étage de guidage optique comprenant le guide d'onde et les première à cinquième section de guide d'onde et une couche intermédiaire en contact avec ledit étage de guidage optique, la troisième section 25 étant en contact avec la couche intermédiaire, les deuxième et quatrième section de guide d'onde étant en contact avec la couche intermédiaire sur une partie de la couche intermédiaire qui est constituée uniquement de matériaux diélectriques, un ensemble substrat/ première couche diélectrique/ étage de guidage optique/ couche intermédiaire étant ainsi formé, 30 - fourniture d'un support, 13 - assemblage de l'ensemble substrat/ première couche diélectrique/ étage de guidage optique/ couche intermédiaire sur le support, l'assemblage étant réalisé par collage de la couche intermédiaire sur le support, - suppression du substrat, 5 - formation d'une structure à gain comportant au moins le milieu à gain, la structure à gain étant formée en contact avec la première couche diélectrique en présentant une portion centrale de la structure à gain en regard de la troisième section et une première et une deuxième extrémité en regard de la deuxième et la quatrième section, ainsi, la portion centrale de la structure à gain forme avec la troisième section de 10 guide d'onde un guide d'onde hybride laser, les deuxième et quatrième sections de guide d'onde, et les première et deuxième extrémités de la structure à gain formant une première et une deuxième zone de transition optique d'un mode optique entre le guide d'onde hybride laser et respectivement la première et la cinquième section de guide d'onde, le dispositif photonique étant ainsi formé, lors de ladite formation de la structure, 15 la première partie de l'épaisseur de la troisième section sur laquelle est aménagée la structuration étant séparée de la première couche diélectrique par au moins une deuxième partie de l'épaisseur de la troisième section. Un tel procédé permet la fabrication d'un dispositif photonique selon l'invention et de bénéficier des avantages qui y sont liés. 20 L'étape de formation, au moins en partie dans la couche de silicium, du premier guide d'onde et des première à cinquième sections de guide d'onde distinctes du premier guide d'onde peut comprendre les sous étapes suivantes : - structuration de la couche silicium pour former une deuxième partie d'épaisseur du guide d'onde et des première à cinquième sections de 25 guide d'onde, - formation à partir d'une couche de silicium complémentaire d'une première partie d'épaisseur du guide d'onde et des première à cinquième sections de guide d'onde. 14 Il peut en outre être prévu une étape d'amincissement de la première couche diélectrique entre les étapes de suppression du substrat et de formation de la structure à gain. Un tel amincissement permet d'obtenir une première couche 5 diélectrique présentant une épaisseur adaptée pour bénéficier au mieux des avantages de l'invention. Après l'étape d'amincissement de la première couche diélectrique, la première couche diélectrique peut présenter une épaisseur inférieure ou égale à 110 nm, l'épaisseur de la première couche diélectrique étant préférentiellement inférieure ou 10 égale à 90 nm, voire à 70 nm, voire à 20 nm. Lors de l'étape de formation de la structure à gain, la structure à gain peut s'étendre longitudinale selon un axe de propagation optique du dispositif optique et la première et la deuxième extrémité de la structure à gain peuvent présenter, sur au moins une partie de leur épaisseur et selon une direction longitudinale allant en 15 s'éloignant de la portion centrale, une section transversale de largeur décroissante. Une telle étape de formation de la structure à gain permet la fourniture d'une la structure à gain particulièrement adaptée à une épaisseur de couche de silicium inférieure à 700 nm, ou inférieure à 500 nm, et pouvant être égale à 400 nm, voire 300 nm. 20 Lors de l'étape de formation de la structure à gain, la structure à gain peut s'étendre longitudinale selon un axe de propagation optique du dispositif optique et peut comporter une première zone semiconductrice, une deuxième zone semiconductrice, et le milieu à gain, et, pour chacune de la première et la deuxième extrémité de la structure à 25 gain, la première zone semiconductrice, la deuxième zone semiconductrice et le milieu gain peuvent présenter, sur leur longueur respective, une section transversale de largeur constante. Une telle étape de formation de la structure à gain permet la fourniture d'une la structure à gain particulièrement adaptée à une épaisseur de couche de silicium 30 supérieure à 500 nm, et par exemple égale à 700 nm. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation, donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : 5 - la figure 1 illustre un dispositif photonique de l'art antérieur extraite des travaux de S. Keyvaninia et al. publiés dans la revue scientifique « Optics Letters » en 2013, - la figure 2 est un graphique également extrait des travaux de S. Keyvaninia et al. et représentant la variation de la force de contre réaction d'un réseau de 10 Bragg en fonction de l'épaisseur d'une couche intermédiaire entre le réseau de Bragg et une structure à gain ceci pour différentes épaisseurs de structuration du réseau de Bragg, - les figures 3A à 3D illustrent respectivement une vue de dessus, une vue en coupe longitudinale, une vue en coupe transversale selon un plan Y1Y1' et une vue en coupe transversale selon un plan Y2Y2' d'un dispositif photonique selon un premier 15 mode de réalisation de l'invention, les plans de coupe Y1Y1' et Y2Y2' étant montrés sur la figure 3A - les figures 4A à 4D illustrent, pour les figures 4A et 4B, des vues en coupes transversales d'un guide d'onde hybride laser de respectivement le dispositif photonique illustrée sur les figures 3A à 3D et un dispositif photonique selon l'art 20 antérieur , l'épaisseur d'une couche de silicium étant identique pour ces deux dispositifs optiques, et les figures 4C et 4D représentant graphiquement la variation de la valeur kappa d'un réseau de Bragg de respectivement le dispositif optique de la figure 4C et celui de la figure 4D, en fonction des largueurs d'arêtes larges et d'arêtes étroites, - les figures 5A à 5F illustrent, en vues en coupes longitudinales, les 25 principales étapes de fabrication d'un dispositif photonique tel qu'illustré sur les figures 3A à 3F, - la figure 6A à 6D illustrent respectivement une vue de dessus, une vue longitudinale, une vue en coupe transversale selon un plan Y1Y1' et une vue en coupe transversale selon un plan Y2Y2' du dispositif intermédiaire figuré sur la figure 4B, les 30 plans de coupe Y1Y1' et Y2Y2' étant montrés sur la figure 6A, 15 16 - les figures 7A et 7B illustrent respectivement une vue de dessus et une vue en coupe longitudinale d'un dispositif selon un deuxième mode de réalisation dans lequel une structure à gain du dispositif photonique présente une première et une deuxième extrémité comprenant une section transversale constante, 5 - les figures 8A à 8B illustrent respectivement une vue de dessus, une vue en coupe longitudinale, une vue en coupe transversale selon un plan Y1Y1' et une vue en coupe transversale selon un plan Y2Y2' d'un dispositif photonique selon un troisième mode de réalisation dans lequel une structuration d'une troisième section de guide d'onde présente sur une première épaisseur une alternance entre une section 10 transversale d'une première largeur et une section transversale d'une deuxième largeur de valeur nulle, les plans de coupe Y1Y1 et Y2Y2' étant montrés sur la figure 7A, - les figures 9A à 9E illustrent, en vues en coupes longitudinales, les principales étapes de fabrication d'un dispositif photonique tel qu'illustré sur les figures 7A à 7D, 15 - les figures 10A et 10B illustrent respectivement un vue de dessus et une vue en coupe longitudinale d'un dispositif selon un quatrième mode de réalisation dans lequel une structure à gain du dispositif photonique présente une première et une deuxième extrémité comprenant une section transversale constante et la troisième section de guide d'onde est similaire à celle du dispositif selon les figures 7A à 7D, 20 - les figures 11A à 11D illustrent respectivement une vue en coupe longitudinale, une première, deuxième et troisième vue en coupe transversale selon des plans de coupe Y1Y1', Y4Y4' et Y5Y5' d'un dispositif photonique selon un cinquième mode de réalisation de l'invention comprenant un modulateur capacitif, les plans de coupes Y1Y1', Y4Y4' et Y5Y5' étant montrés sur la figure 11A, 25 - les figures 12A à 12C illustrent respectivement une vue de dessus, une vue en coupe longitudinale et une vue en coupe transversale selon un plan Y6Y6' d'un dispositif selon un sixième mode de réalisation dans lequel la structure à gain est du type latéral, le plan de coupe Y6Y6' étant montré sur la figure 12A, - la figure 13 illustre une vue en coupe transversale au niveau d'une 30 troisième section de guide d'onde d'un dispositif photonique selon un cinquième mode 17 de réalisation dans lequel l'étage de guidage optique comporte une troisième partie d'épaisseur d'une troisième section de guide d'onde. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à 5 l'autre. Ceci est également valable pour l'art antérieur illustré par la figure 1 qui partage, pour les parties similaires, aux différences liées à l'invention près, le même référencement. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. 10 Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. On entend ci-dessus et dans le reste de ce document par « coupe transversale » et par « coupe longitudinale » respectivement une coupe selon un plan 15 perpendiculaire à la direction de propagation du champ optique guidé et une coupe selon un plan parallèle à la direction de propagation du champ optique guidé et perpendiculaire à la surface du substrat. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Les figures 3A à 3D représentent respectivement des vues schématiques 20 de dessus, en coupe longitudinale selon le plan XX', et en coupe transversale selon les plans Y1Y1' et Y2Y2' d'un dispositif photonique 1 selon un premier mode de réalisation de l'invention comportant un premier guide d'onde silicium 210 et un laser 300 comprenant un milieu à gain 321 apte à émettre de la lumière, le laser 300 étant connecté optiquement au premier guide d'onde 210. 25 Le dispositif photonique 1 comporte plus précisément : - un support 120 comportant une deuxième couche diélectrique 130, - une couche intermédiaire 420 en contact avec le support 120 par la deuxième couche diélectrique 130, la couche intermédiaire 420 étant constituée d'un matériau diélectrique, 18 - un étage de guidage optique en contact avec la couche intermédiaire à l'opposé du support 120, l'étage de guidage optique 200 comprenant une partie d'un premier guide d'onde 210, une première à une cinquième section de guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 distinctes du premier guide d'onde 210, la première à la 5 cinquième section 211, 212, 213, 214, 215 de guide d'onde se succédant en étant connectées optiquement deux à deux, et étant connectées au premier guide d'onde 210 par au moins l'une de la première et de la cinquième section de guide d'onde 211, 215, l'étage de guidage optique 200 comprenant en outre un matériau diélectrique de remplissage 205, 10 - une première couche en matériau diélectrique 110 recouvrant l'étage de guidage optique 200 sur sa première face 200A, - une structure à gain 310 comportant au moins un milieu à gain 321 apte à émettre de la lumière, la structure à gain 310 présentant une portion centrale en regard de la troisième section de guide d'onde 213 et une première et une deuxième 15 extrémité en regard de la deuxième et la quatrième section de guide d'onde 212, 214, ainsi, la portion centrale de la structure à gain 310 forme avec la troisième section de guide d'onde 213 un guide d'onde hybride laser 313, les deuxième et quatrième section de guide d'onde 212, 214 et les premières et deuxième extrémités de la structure à gain 310 formant une première et une deuxième zone de transition optique 312, 314 d'un 20 mode optique entre le guide d'onde hybride laser 313 et respectivement la première et la cinquième section de guide d'onde 211, 215, - un premier et un deuxième contact électrique 531, 532, non représentés sur les figure 3A à 3D et qui sont montrés sur la figure 11B, pour contacter électriquement la structure à gain 310, et 25 - une couche d'encapsulation 510, non illustrée sur les figures 3A à 3D et qui est montrée sur la figure 11B, encapsulant la structure à gain 321 et le premier et deuxième contact électrique 531, 532. La troisième section de guide d'onde 213 comprend une structuration aménagée uniquement sur une première partie el de son épaisseur, ladite structuration 30 formant un réseau de Bragg 223 distribué sous la structure à gain pour former une 19 structure de contre réaction et une cavité résonante comprenant au moins une partie du milieu à gain 321 ceci de manière à former un laser 300 connecté optiquement au premier guide d'onde 210 par au moins l'une de la première et la cinquième section de guide d'onde 211, 215. La première partie el de l'épaisseur de la troisième section de 5 guide d'onde 213 sur laquelle est aménagée la structuration est située à distance de la première couche diélectrique 110 et donc de la structure à gain 310. Une telle disposition à distance de la première partie el de l'épaisseur de la troisième section de guide d'onde 213 est fournie au moyen d'une deuxième partie e2 de l'épaisseur de la troisième section de guide d'onde 213 disposée entre la première partie el de l'épaisseur de la troisième 10 section de guide d'onde 213 et la première couche diélectrique 110. Autrement dit, la deuxième partie e2 d'épaisseur de la troisième section de guide d'onde 213 s'interpose entre la première partie el d'épaisseur de la troisième section de guide d'onde 213 et la première couche diélectrique 110. On notera que, par simplification et comme cela est indiqué par la suite, 15 les figures 3A et 3B n'illustrent pas de défaut quart d'onde dans le réseau de Bragg 223 distribué, ou de réflecteur total d'un côté du laser ; l'un et l'autre étant chacun connu de l'homme de l'art pour assurer l'émission du laser du type DFB suivant un unique mode de la cavité. On notera également que pour en faciliter la lecture, la figure 3A a été schématisée pour ne faire figurer que certaines composantes du dispositif photonique. 20 Ainsi, par exemple, le contact électrique 531 et la couche d'encapsulation 510, qui sont notamment présent sur les 11A à 11D, n'ont pas été représentés sur les figures 3A à 3D. Dans ce même but, une telle schématisation est également utilisée pour l'ensemble des vues de dessus et des vues en coupe du présent document mises à part les figures 11A à 12C. Ainsi les prises de contact électriques et l'encapsulation dans le matériau 510 ne 25 sont montrées que sur les figures 11A à 12C. Le support 120 est un support compatible avec les contraintes de la microélectronique et de l'optoélectronique et peut être un support en matériau semiconducteur ou en matériau diélectrique. Dans une application particulière de l'invention, le support peut être un support en silicium cristallin. Selon cette possibilité et 30 selon une variante non illustrée les figures 3A et 3B, le support peut également intégrer 20 des composants électroniques de commande et/ ou de lecture complémentaires aux composants optiques, tels que le laser 300 et des composants actifs accommodés dans le premier guide d'onde 210, et des interconnexions électriques reliant lesdits composants électroniques audits composants optiques par le biais des vias et lignes métalliques logés 5 dans le matériau diélectrique de remplissage 205 et la couche intermédiaire 420. De la même façon et selon une variante à ce premier mode de réalisation, le support 120 peut également comporter des via conducteurs électriques traversants participant à la formation des contacts électriques 531, 532, 533, 534 permettant une connexion électrique de ces mêmes composants optiques à un deuxième substrat, le deuxième 10 substrat dit de commande, intégrant lesdits composants électroniques de commande et/ou de lecture complémentaires aux composants optiques. Comme illustré sur la figure 3B, le support 120 comporte une deuxième couche diélectrique 130. La deuxième couche diélectrique 130 est préférentiellement adaptée 15 pour permettre un assemblage par collage par adhésion moléculaire de la couche intermédiaire 420 sur le support 120. Ainsi, la deuxième couche diélectrique 130 présente à cet effet une deuxième surface de collage plane. Dans l'application particulière de l'invention, la deuxième couche diélectrique 130 est réalisée en dioxyde de silicium Si02. La couche intermédiaire 420 comporte une première face, formant 20 préférentiellement une première surface de collage plane, par laquelle elle est en contact avec la deuxième couche diélectrique 130, et une deuxième face opposée à la première face. La couche intermédiaire 420 comprend un matériau diélectrique de tel manière que les deuxième et quatrième sections de guide d'onde 212, 214 sont en contact avec la couche intermédiaire 420 sur une partie de la couche intermédiaire 420 qui est 25 constituée uniquement de matériaux diélectriques. La couche intermédiaire est également en contact avec la troisième section de guide d'onde 213. On notera qu'avec une telle configuration selon l'invention, la couche intermédiaire 420 ne comporte pas, en regard de chacune de la deuxième et de la quatrième section de guide d'onde 212, 214, de surépaisseur d'un quelconque type et 21 que la troisième section de guide d'onde 213 n'est pas en regard d'un quelconque espace délimité par de telles surépaisseurs. Le matériau diélectrique de la couche diélectrique est préférentiellement du dioxyde de silicium Si02. Selon une possibilité de l'invention, non 5 illustrée sur les figures 3A à 3B, la couche intermédiaire peut comporter plusieurs matériaux diélectriques sous la forme de plusieurs sous-couches. La couche intermédiaire 420 est en contact par sa deuxième face avec l'étage de guidage optique 200. L'étage de guidage optique 200 comporte une première face 200A par laquelle elle est en contact avec la couche intermédiaire 420 et une 10 deuxième face 200B opposée à sa première face 200A. Dans ce premier mode de réalisation, l'étage de guidage optique 200 est formé à partir d'une couche de silicium 201, illustrée sur la figure 5A issue d'un substrat du type couche de silicium sur une couche diélectrique 110. Ce type de substrat est plus connu sous la dénomination anglaise de « silicon on insulator » et le sigle anglais associé 15 SOI qui veulent dire 'silicium sur isolant'. Dans une configuration particulière de l'invention, la couche de silicium 201 est une couche de silicium superficielle issue d'un substrat silicium sur isolant, connu sous le sigle anglais 'SOI' pour Silicon on Insulator. Une telle couche de silicium 201 issue d'un substrat du type substrat SOI offre entre autre avantage de posséder une bonne 20 qualité cristalline et une épaisseur contrôlée, permettant de fournir un premier guide d'onde 210 et des sections de guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 présentant des pertes optiques faibles. Dans une configuration particulière de l'invention La couche de couche diélectrique 110 est en dioxyde de silicium SiO2, et est connue sous la dénomination anglaise « Buried oxide » et le sigle BOX pour oxyde enterré. L'utilisation d'un tel substrat 25 SOI présente également comme avantage d'autoriser la fourniture d'une première couche diélectrique 110 d'épaisseur et de planéité contrôlées par l'intermédiaire de la couche BOX. En variante de cette configuration utilisant une seule couche de silicium 201 formée par une couche silicium superficielle d'un substrat SOI sur et une couche 30 diélectrique 110 issue du BOX du même substrat SOI, il est également envisageable 22 d'utiliser une première couche de silicium, issue d'un substrat SOI sur une couche diélectrique 110, en association avec une deuxième couche de silicium en contact direct avec ladite première couche de silicium, ou en contact avec ladite première couche de silicium par le biais d'une couche intermédiaire en matériau diélectrique. Cette deuxième 5 couche de silicium peut être soit déposée par un procédé de dépôt, soit être une couche reportée par collage moléculaire. Dans l'application particulière de l'invention, la couche de silicium 201 présente une épaisseur de 300 nm ou de 500 nm. Le premier guide d'onde 210 et les première à cinquième sections de 10 guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 sont obtenus, dans ce premier mode de réalisation, par gravure de la couche de silicium 201. Bien entendu, comme cela est illustré à la suite de ce document, notamment en lien avec les figures 11A à 11D, le premier guide d'onde 210 peut également accommoder d'autres composants, qu'ils soient optiques, tels qu'un 15 modulateur optique et un réseau de couplage surfacique, non illustrés sur les figures 3A et 3B, et/ou électroniques, conformément à l'enseignement de Jason S. Orcutt et ses coauteurs dans l'article 'Open foundry platform for high-performance electronic-photonic integration' publié en 2012 dans la revue scientifique « Optics express », volume 20, numéro 11 page 12222-12232. 20 En ce qui concerne le ou les composants optiques, ceux-ci peuvent être des composants actifs, tels que des modulateurs, des photodétecteurs et des déphaseurs, ou des composants passifs tels que des multiplexeurs en longueurs d'onde, des réseaux de couplage surfacique et des coupleurs par la tranche de la puce. A cet effet, pour permettre une connexion électrique des composants optiques actifs et/ou des éventuels 25 composants électronique, le dispositif photonique 1 peut comprendre en outre des vias métalliques logés dans le matériau diélectrique 205 et la couche intermédiaire 420 et/ou dans une couche d'encapsulation de la structure à gain 310 et, dans la première couche diélectrique. De tels vias métalliques sont décrits plus avant dans la suite de ce document en relation avec les figures 11A à 11D. 23 Dans l'application pratique de l'invention, Comme illustré sur les figures 3C et 3D représentant des vues en coupe de la troisième section de guide d'onde 213 selon les plans de coupe Y1Y1' et Y2Y2', chacun du premier guide d'onde 210 et de la première à la cinquième guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 comporte, sur une 5 deuxième partie e2 de leur épaisseur comportant la deuxième face 200B de l'étage de guidage optique 200, une embase et, sur une première partie el de l'épaisseur, comportant la première face 200A de l'étage de guidage optique 200, une portion, dite arête, présentant une section transversale réduite vis-à-vis de l'embase. Bien entendu, une telle forme du premier guide d'onde 210 et des 10 sections de guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 est purement illustrative de l'application pratique de l'invention et d'autres formes sont envisageables sans qu'on sorte du cadre de l'invention. Ainsi et par exemple, le premier guide d'onde 210 peut également présenter une section transversale constante. On notera également que, selon la variante dans laquelle l'étage de 15 guidage optique 200 est obtenu au moyen d'une première couche de silicium issue d'un substrat du type couche de silicium sur une couche diélectrique 110 en association avec une deuxième couche de silicium en contact avec ladite première couche de silicium, il est envisageable que l'embase soit fournie par la première couche de silicium 201 et que l'arête soit fournie par la deuxième couche de silicium. Selon cette possibilité, l'arête peut 20 être fournie : - soit par gravure de ladite deuxième couche de silicium, - soit par dépôt de la deuxième couche de silicium sur ladite première couche de silicium sous la forme d'arêtes en contact avec l'embase préalablement gravée dans la première couche de silicium. 25 Le guide d'onde 210 est connecté optiquement à la première section de guide d'onde 211. Comme illustré sur les figures 3A et 3B, dans ce premier mode de réalisation de l'invention, le premier guide d'onde 210, comme la première à la cinquième section de guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215, sont formées dans la couche de silicium 201 dans l'intégralité de l'épaisseur de celle-ci. Bien entendu, en variante, l'une ou 30 plusieurs parmi le premier guide d'onde 210 et la première à la cinquième section de 24 guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 peuvent être formées dans une partie de l'épaisseur de la couche de silicium 201, et ainsi présenter des épaisseurs différentes. Les première à cinquième sections de guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 se succédant, la première section de guide d'onde 211 est donc connectée 5 optiquement à la deuxième section de guide d'onde 212 étant elle-même connectée optiquement à la troisième section de guide d'onde 213, et ainsi de suite. De cette manière, les première à la cinquième sections de guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215 sont connectées optiquement au premier guide d'onde 210 par la première section de guide d'onde 211. 10 Comme illustré schématiquement sur la figure 3A, La deuxième et la quatrième section de guide d'onde 212, 214 présentent, chacune, selon une direction allant de l'intérieur de la structure à gain 310 vers l'extérieur de la structure à gain 310, et dans une première partie el de leur épaisseur : - sur une première partie de sa longueur une section transversale 15 croissante, - sur une deuxième partie de sa longueur, une section transversale constante, cette deuxième partie étant optionnelle. La première et la cinquième section de guide d'onde 211, 215 présentent, chacune, selon une direction allant de l'intérieur de la structure à gain 310 20 vers l'extérieur de la structure à gain 310, et dans une première partie el de leur épaisseur une section transversale dont la largeur est décroissante. On entend ci-dessus et dans le reste de ce document par section transversale d'un guide d'onde, la section du guide d'onde suivant un plan perpendiculaire à la direction de propagation de la lumière dans le guide, et 25 perpendiculaire au support 120. Selon une possibilité de l'application particulière de l'invention montrée sur la figure 3A, chacune des première à la cinquième sections de guide d'onde 211, 212, 213, 214, 215, de la même façon que le premier guide d'onde 210, présentent une section transversale de largeur constante formant une embase dans une deuxième partie 25 e2 de leur épaisseur comportant la deuxième face 200B de l'étage de guidage optique 200. Bien entendu d'autres configurations de la première, deuxième, quatrième, et cinquième sections de guide d'onde 211, 212, 214, 215 sont également 5 envisageables sans que l'on sorte du cadre de l'invention. La troisième section de guide d'onde 213 comporte la structure de contre réaction optique sous la forme d'un réseau de Bragg 223 distribué sous la partie centrale de la structure à gain 310. Plus précisément, comme illustré sur la vue dessus de la figure 3A, la structure de contre réaction optique est un réseau de Bragg 223 distribué 10 à « corrugations latérales », c'est-à-dire que la variation d'indice optique du réseau de Bragg est fournie par une variation de la largeur transversale du guide d'onde. Ainsi, selon cette possibilité, la troisième section de guide d'onde 213 s'étend longitudinalement le long d'un axe de propagation optique du dispositif optique 1 et la structuration de la troisième section de guide d'onde 213 consiste en une alternance 15 entre une portion de section transversale d'une première largeur WL, dite arête larges et une portion d'une section transversale d'une seconde largeur WN, dite arête étroite, les valeurs WN et WL respectant les inégalités suivantes : 0 REVENDICATIONS1. Dispositif photonique (1) comportant : - un support (120), - une couche intermédiaire (420) en contact avec le support (120) comportant au moins un matériau diélectrique, - un premier guide d'onde (210), - une première à une cinquième section de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215) distinctes du premier guide d'onde (210), la première à la cinquième section de guide d'onde se succédant en étant connectées optiquement deux à deux, et étant connectées optiquement au premier guide d'onde (210) par au moins l'une de la première et de la cinquième section de guide d'onde (211, 215), - un matériau diélectrique de remplissage (205), pour former avec le premier guide d'onde (210) et la première à la cinquième section de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215) un étage de guidage d'onde (200) du dispositif photonique (1), l'étage de guidage optique comprenant une première face (200A) par laquelle il est en contact avec la couche intermédiaire (420) et une deuxième face (200B) opposée à la première face (200A), - une première couche diélectrique (110) comportant un matériau diélectrique, la première couche diélectrique (110) recouvrant l'étage de guidage optique sur sa deuxième face (200B), - une structure à gain (310) en contact avec la première couche diélectrique (110) et comportant au moins un milieu à gain (321) apte à émettre de la lumière, la structure à gain (310) présentant une portion centrale en regard de la troisième section de guide d'onde (213) et une première et une deuxième extrémité en regard des deuxième et quatrième sections de guide d'onde (212, 214), ainsi, la portion centrale de la structure à gain (310) forme avec la troisième section de guide d'onde (213) un guide d'onde hybride laser (313), les deuxième et quatrième sections de guide d'onde (212, 214) et les première et deuxième extrémités de la structure à gain (310) formant une première et une deuxième zone de transition optique (312, 314) d'un mode optique 45 entre le guide d'onde hybride laser (313) et respectivement la première et la cinquième sections de guide d'onde (211, 215), dans lequel la troisième section (213) est en contact avec la couche intermédiaire (420) et comprend une structuration aménagée uniquement dans une 5 première partie (el) de son épaisseur, ladite structuration formant un réseau de Bragg (223) distribué sous la structure à gain (310) pour former une structure de contre réaction et une cavité résonante comprenant au moins une partie du milieu à gain (321) ceci de manière à former un laser (300) connecté optiquement au guide d'onde (210) par au moins l'une de la première et la cinquième section de guide d'onde (211, 215), 10 dans lequel les deuxième et quatrième sections de guide d'onde (212, 214) sont en contact avec la couche intermédiaire (420) sur une partie de la couche intermédiaire (420) qui est constituée uniquement de matériaux diélectriques, le dispositif photonique étant caractérisé en ce que la troisième section de guide d'onde (213) comprend au moins une deuxième partie (e2) de son épaisseur qui 15 sépare la première couche diélectrique (110) et la première partie (el) de l'épaisseur de la troisième section de guide d'onde (213). 2. Dispositif photonique (1) selon la revendication 1, dans lequel la première partie (el) de l'épaisseur de la troisième section de guide d'onde (213) est en 20 contact avec la couche intermédiaire (420). 3. Dispositif photonique (1) selon la revendication 1, dans lequel la troisième section de guide d'onde comprend au moins une troisième partie (e3) de son épaisseur, ladite troisième partie (e3) d'épaisseur étant en contact avec couche 25 intermédiaire (420). 4. Dispositif photonique (1) selon l'une quelconque des revendication 1 à 3, dans laquelle l'épaisseur de la première couche diélectrique (110) est inférieure ou égale à 100 nm, l'épaisseur de la première couche diélectrique (110) étant 30 préférentiellement inférieure ou égale à 90 nm, voire à 70 nm, voire à 20 nm. 46 5. Dispositif photonique (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la troisième section de guide d'onde (213) s'étend longitudinalement le long d'un axe de propagation optique du dispositif optique (1) et dans lequel la 5 structuration de la troisième section (213) consiste en une alternance entre une section transversale d'une première largeur (WL) et une section transversale d'une seconde largeur (WN) différente de la première largeur (WL). 6. Dispositif photonique (1) selon la revendication 5, dans lequel la 10 seconde largeur (WN) est de valeur nulle. 7. Dispositif photonique (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la structure à gain (310) s'étend longitudinalement selon un axe de propagation optique du dispositif optique (1), 15 et dans lequel chacune de la première et de la deuxième extrémité de la structure à gain (310) présente, sur au moins une partie de son épaisseur et selon une direction longitudinale allant en s'éloignant de la portion centrale, une section transversale de largeur décroissante. 20 8. Dispositif photonique (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la structure à gain (310) s'étend longitudinalement selon un axe de propagation optique du dispositif optique (1) et comporte une première zone semiconductrice (331), une deuxième zone semiconductrice (341) et le milieu à gain (321), 25 et dans lequel, pour chacune de la première et la deuxième extrémité de la structure à gain (310), la première zone semiconductrice (331), la deuxième zone semiconductrice (341) et le milieu gain (321) présente, sur leur longueur respective, une section transversale de largeur constante. 47 9. Dispositif photonique (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel dans lequel le guide d'onde (210) accommode au moins un composant optique et/ou électronique, dans lequel le composant optique est préférentiellement choisi dans le 5 groupe comportant les modulateurs optiques silicium à jonction PN, les modulateurs hybrides semiconducteur III-V sur silicium, les réseaux de couplage surfaciques, les coupleurs à fibre par la tranche du dispositif, les filtres optiques, les multiplexeurs et démultiplexeurs en longueurs d'onde, et les photodétecteurs dont font partie les photodétecteurs germanium sur silicium et les photodétecteurs semiconducteur III-V sur 10 silicium, et dans lequel le composant électronique est préférentiellement un transistor. 10. Dispositif photonique (1) selon la revendication 9, dans lequel le 15 composant accommodé par le guide d'onde est un modulateur hybride semiconducteur Il-V sur silicium, ledit modulateur étant un modulateur capacitif 11. Procédé de fabrication d'un dispositif photonique (1) comportant au moins un guide d'onde en silicium (210) et un laser (300) comprenant un milieu à gain 20 (321) apte à émettre de la lumière, le procédé comportant les étapes suivantes : - fourniture d'un substrat (100) associé avec au moins une couche de silicium (201) sur une première couche diélectrique (110), - formation, au moins en partie dans la couche de silicium (201), d'un premier guide d'onde (210) et des première à cinquième sections de guide d'onde (211, 25 212, 213, 214, 215) distinctes du premier guide d'onde (210), la première à la cinquième section de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215) se succédant connectées optiquement deux à deux, et étant connectées optiquement au premier guide d'onde (210) par au moins l'une de la première et la cinquième section de guide d'onde (211, 215), la troisième section (213) comprenant une structuration aménagée uniquement sur une 48 première partie (el) de son épaisseur, ladite structuration formant un réseau de Bragg (223), - enterrement du guide d'onde (210) et des première à cinquième section de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215) par au moins un matériau diélectrique 5 de remplissage (205) et planarisation dudit matériau diélectrique de remplissage (205) afin de former un étage de guidage optique (200) comprenant le guide d'onde (210) et les première à cinquième section de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215) et une couche intermédiaire (420) en contact avec ledit étage de guidage optique, la troisième section (213) étant en contact avec la couche intermédiaire (420), les deuxième et quatrième 10 section de guide d'onde (212, 214) étant en contact avec la couche intermédiaire (420) sur une partie de la couche intermédiaire qui est constituée uniquement de matériaux diélectriques, un ensemble substrat (100)/ première couche diélectrique (110)/ étage de guidage optique (200)/ couche intermédiaire (420) étant ainsi formé, - fourniture d'un support (120), 15 - assemblage de l'ensemble substrat (100)/ première couche diélectrique (110)/ étage de guidage optique (200)/ couche intermédiaire (420) sur le support (120), l'assemblage étant réalisé par collage de la couche intermédiaire sur le support (120), - suppression du substrat (100), 20 - formation d'une structure à gain (310) comportant au moins le milieu à gain (321), la structure à gain (310) étant formée en contact avec la première couche diélectrique (110) en présentant une portion centrale de la structure à gain (310) en regard de la troisième section (213) et une première et une deuxième extrémité en regard de la deuxième et la quatrième section (212, 213), ainsi, la portion centrale de la 25 structure à gain (310) forme avec la troisième section de guide d'onde (213) un guide d'onde hybride laser (313), les deuxième et quatrième sections de guide d'onde (212, 214), et les première et deuxième extrémités de la structure à gain (310) formant une première et une deuxième zone de transition optique (312, 314) d'un mode optique entre le guide d'onde hybride laser (313) et respectivement la première et la cinquième section 30 de guide d'onde (211,215), le dispositif photonique (1) étant ainsi formé, lors de ladite 49 formation de la structure, la première partie (el) de l'épaisseur de la troisième section sur laquelle est aménagée la structuration étant séparée de la première couche diélectrique (110) par au moins une deuxième partie (e2) de l'épaisseur de la troisième section (213). 5 12. Procédé de fabrication d'un dispositif photonique (1) selon la revendication 11, dans lequel l'étape de formation, au moins en partie dans la couche de silicium (201), du premier guide d'onde (210) et des première à cinquième sections de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215) distinctes du premier guide d'onde (210) comprend les sous étapes suivantes : 10 - structuration de la couche silicium (201) pour former une deuxième partie (e2) d'épaisseur du guide d'onde (210) et des première à cinquième sections de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215), - formation à partir d'une couche de silicium complémentaire d'une première partie (el) d'épaisseur du guide d'onde (210) et des première à 15 cinquième sections de guide d'onde (211, 212, 213, 214, 215). 13. Procédé de fabrication selon la revendication 11 ou 12, dans lequel il est en outre prévu une étape d'amincissement de la première couche diélectrique (110) entre les étapes de suppression du substrat (100) et de formation de la structure à gain 20 (310). 14. Procédé de fabrication selon la revendication 13, dans lequel après l'étape d'amincissement de la première couche diélectrique (110), la première couche diélectrique (110) présente une épaisseur inférieure ou égale à 110 nm, l'épaisseur de la 25 première couche diélectrique (110) étant préférentiellement inférieure ou égale à 90 nm, voire à 70 nm, voire à 20 nm. 15. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, dans lequel lors de l'étape de formation de la structure à gain, la structure à gain 30 (310) s'étend longitudinale selon un axe de propagation optique du dispositif optique (1) 50 et la première et la deuxième extrémité de la structure à gain (310) présentent, sur au moins une partie de leur épaisseur et selon une direction longitudinale allant en s'éloignant de la portion centrale, une section transversale de largeur décroissante. 5 16. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, lequel lors de l'étape de formation de la structure à gain, la structure à gain (310) s'étend longitudinale selon un axe de propagation optique du dispositif optique (1) et comporte une première zone semiconductrice (331), une deuxième zone semiconductrice (341) et le milieu à gain (321), et 10 dans lequel, pour chacune de la première et la deuxième extrémité de la structure à gain, la première zone semiconductrice (331), la deuxième zone semiconductrice (341) et le milieu gain (321) présentent, sur leur longueur respective, une section transversale de largeur constante.