FR 3078345 A1 20190830 FR 1851698 A 20180227 Nanofilaments d'alliage de GeSn, préparation et applications La présente invention concerne une structure d'alliage de germanium et d'étain, des dispositifs comprenant une telle structure, leurs procédés de préparation ainsi que leurs applications. Les structures sont en particulier sous forme de nanofilaments. Etat de la technique Il est connu de l'état de la technique qu'un problème majeur des substrats de silicium dans les domaines de la photonique et de l'optoélectronique sont liés à la bande interdite indirecte. Bien que des composés semiconducteurs de type III-V, qui présentent une bande interdite directe, peuvent être intégrés sur des substrats de silicium, ceci représente un coût de fabrication élevé et la fiabilité de telles structures demande à être améliorée. Par ailleurs, il existe différentes méthodes pour la préparation d'alliages de germanium avec l'étain : le dépôt chimique en phase vapeur ou l'épitaxie par jets moléculaires (MBE pour « Molecular Beam Epitaxy »). Parmi ces méthodes, on peut notamment citer le procédé de cristallisation par induction métallique (MIC pour « metal-induced cristallization ») utilisé couramment grâce à la mise en oeuvre de températures de cristallisation très faibles. Un tel procédé MIC comprend le dépôt d'une couche amorphe, par exemple de germanium, sur la surface d'un fin film métallique. Les procédés actuels permettent au plus d'incorporer de l'étain à hauteur de 12,5 (3/0 (pourcentage atomique - at°/o) dans du Germanium (Wirths S. et al. ; Lasing in direct-bandgap GeSn alloy grown on Si. Nat. Photon. 9, 88-92 (2015), doi:10.1038/nphoton.2014.321). Une telle teneur en étain, supérieure à 11 ar/o, permet de fournir un alliage de germanium à bande interdite directe. Cependant, plus la teneur en étain augmente, plus la qualité cristalline diminue de sorte qu'il n'est pas possible d'obtenir selon l'état de la technique un compromis satisfaisant. Ainsi, des efforts considérables ont été déployés pour briser la barrière de la concentration d'équilibre de l'étain sans dégrader la qualité cristalline. Récemment, une couche mince de GeSn métastable a été développée avec succès avec une teneur en étain relativement élevée (- 17% Sn), en utilisant un procédé MBE à basse température (- 140°C) mais n'a pas réussi à empêcher la tendance à la séparation de phase (Korma§, L. et al. Surface analysis of epitaxially grown GeSn alloys with Sn contents between 15% and 18%. Surface and Interface Analysis 49, 297-302, doi:10.1002/sia.6134 (2017)), tandis que 2 d'autres ont réussi à maintenir une bonne structure cristalline des films mais avec des concentrations de Sn plus faibles (- 12,6% à Sn ; Wirths S. et al. (2015)). Pour différentes applications, comme par exemple laboratoire sur puce, il est nécessaire d'intégrer de manière monolithique un matériau semiconducteur ayant une 5 dimension nanométrique. Cela peut être obtenu en faisant croître des nanofils par des méthodes VLS (vapeur-liquide-solide) ou SLS (solide-liquide-solide) bien documentées dans la littérature. Pour obtenir une croissance sous forme de nanofils, il est nécessaire de préparer des gouttes stables pour la croissance de telles structures nanométriques. Cependant les gouttes d'étain qui présentent une énergie de surface très faible s 'étalent 10 complètement lorsqu'elles entrent contact avec le germanium amorphe qui a une énergie de surface bien plus élevée. Ainsi, par exemple lors du dépôt de particules d'étain pur, l'étain cristallise la couche de germanium amorphe par le procédé MIC. Buts de l'invention 15 La présente invention a pour but notamment de résoudre le problème technique consistant à trouver une solution pour fournir un dispositif photonique ou optoélectronique à base d'un matériau ayant une bande interdite directe sur un substrat de silicium. La présente invention a pour but de résoudre le problème technique consistant à 20 fournir un procédé de préparation d'un tel dispositif à faible coût, et de préférence de manière fiable. La présente invention a également pour but de résoudre le problème technique consistant à fournir un tel dispositif présentant une structure cristalline satisfaisante. La présente invention a également pour but de résoudre le problème technique 25 consistant à fournir une structure sans ségrégation des atomes. La présente invention a encore pour but de résoudre le problème technique consistant à fournir une structure à bande interdite directe et de qualité cristalline et/ou d'homogénéité satisfaisante. La présente invention a également pour but de résoudre le problème technique 30 consistant à fournir une structure de taille nanométrique, en particulier pour des applications en photonique, opto-électronique, ou comme laboratoire sur puce (« lab-onchip »). La présente invention a également pour but de résoudre le problème technique consistant à fournir un procédé de préparation de telles structures à basse température. 35 3 Description de l'invention Il a été découvert de manière surprenante que la présente invention permet de résoudre un ou plusieurs des problèmes techniques mentionnés ci-dessus. En particulier, l'invention concerne une structure d'alliage comprenant du 5 germanium (Ge) et de l'étain (Sn) caractérisée en ce qu'elle se présente sous la forme de filament dont le diamètre est inférieur à 200 nanomètres, appelé nanofilament, et en ce que l'alliage comprend au moins 10% d'étain (Sn) en pourcentage atomique (at%). On parle indistinctement de « nanofils » ou « nanofilaments ». Une telle structure peut par exemple être obtenue grâce un procédé de 10 préparation d'une structure telle que revendiquée à l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le procédé comprend : (i) le dépôt d'une ou plusieurs sources d'oxyde d'étain sur un substrat, par exemple un substrat de silicium ou de verre ; (ii) la réduction partielle de l'oxyde d'étain 15 (iii) le dépôt de germanium amorphe hydrogéné provoquant la croissance d'une structure d'alliage présentant au moins une dimension inférieure à 200 nm, lequel alliage comprend au moins 10 (3/0 d'étain. On peut par exemple caractériser les structures d'alliage selon la présente 20 invention par la présence, par exemple à l'une des extrémités, de la source d'oxyde d'étain sous forme de particules et plus particulièrement de nanoparticules. En général à l'issue de la phase de croissance du nanofilament, on peut noter la présence sur la structure de l'invention d'oxyde d'étain à l'extrémité de départ de la croissance des nanofilaments. De préférence, cette extrémité est retirée pour ne conserver que la partie 25 « filaire » de la structure d'alliage, désignée ainsi comme un nanofilament. De préférence, le pourcentage d'étain est supérieur à 10 (3/0, et par exemple supérieur à 20 (3/0 exprimé en pourcentage atomique. Le pourcentage atomique d'étain est typiquement mesuré par analyse dispersive en énergie (EDX, pour Energy-dispersive X-ray spectroscopy en anglais). On peut 30 également mesurer la composition par spectroscopie Raman (ou Micro-Raman) (par exemple avec une longueur d'onde À d'excitation = 633 nm). Selon un exemple, le pourcentage atomique de Sn est supérieur à 20 (3/0 atomiques dans la structure de nanofilament de l'invention par EDX, ce qui est cohérent avec les mesures Raman en considérant une structure contrainte. 35 Avantageusement, la structure d'alliage présente une bande interdite directe. 4 Avantageusement, la structure d'alliage est sous forme cristalline, et de préférence un monocristal. Selon un mode de réalisation, les nanofilaments sont orientés selon la direction [220]. 5 Avantageusement, le nanofilament est un nanofilament semiconducteur. Selon un mode de réalisation, les structures d'alliage selon la présente invention présentent une bonne qualité cristalline (absence de défaut visible sur une section transversale de nanofilament d'alliage GeSn, caractérisée par imagerie en champ sombre en détection annulaire à grand angle (HAADF pour High Angle Annular Dark Field en 10 anglais). Selon un mode de réalisation, les structures d'alliage selon la présente invention ne présentent pas de ségrégation de l'étain sur des défauts ou des surfaces de la structure. On mesure l'absence de ségrégation par HRTEM - EDX sur plusieurs sections transversales de nanofilament d'alliage GeSn. 15 En général, les dimensions de la structure selon la présente invention sont fibrillaires, on parle ainsi de nanofilaments. Ainsi, la présente invention concerne une structure d'alliage cristalline, et de préférence monocristalline. Selon un mode de réalisation, la largeur ou le diamètre des structures selon la 20 présente invention est de taille nanométrique, et de préférence inférieure à 150 nm, et de préférence supérieure à 30 nm. Selon une variante, on peut constater un diamètre plus important à l'une et/ou l'autre des extrémités, typiquement à l'extrémité de départ de la croissance du nanofilament. Typiquement, le nanofilament présente à l'extrémité de départ de la croissance 25 une tête présentant une dimension supérieure à 50 nm, voire 100 nm. L'invention concerne aussi un dispositif comprenant une ou plusieurs structures d'alliage telles que définies selon la présente invention. Ainsi selon une variante, le dispositif comprend un substrat sur lequel sont déposées une ou plusieurs structures 30 d'alliage telle que définie selon l'invention. Selon un mode de réalisation, le substrat est choisi parmi : silicium, verre, etc.. Selon une variante, les structures d'alliage sont disposées de manière organisée sur le substrat. Selon une variante, la ou les structures d'alliage peuvent être transférées sur un 35 substrat autre que celui ayant servi à la croissance des nanofilaments. 5 Selon un mode de réalisation, on peut préparer un dispositif comprenant dans cet ordre ou l'ordre inverse (en référence par exemple à la figure 2) : 1. Préparation une plaquette commerciale de SOI (silicon-on-insulator) par exemple avec un empilement de c-Si /5i02/n-c-Si; 5 2. L'élimination de l'oxyde natif sur la surface, par exemple, par HF; 3. Dépôt d'une couche épitaxiale Ge de type n (« n-c-Ge » pour couche n de Ge cristallin) par PECVD ; 4. Croissance de nanof ils de GeSn par 5n02 selon la présente invention ; 5. L'élimination des atomes de Sn résiduels et des particules 5n02 résiduelles par 10 plasma H2, par exemple à 120 °C; 6. Dépôt d'une couche de passivation, par exemple A1203 avec une épaisseur très fine (- 5 nm) à 120 °C par ALD (atomic layer depostion); 7. Dépôt d'une couche de type p autour des nanofils de GeSn, par exemple, Ge polycristallin ou Ge microcristallin (« p-mc-Ge » pour couche p de Ge 15 microcristallin par exemple sur la figure 2). 8. Dépôt d'une couche de contact métallique, par exemple, Aluminium au-dessous de la couche type p dans l'étape 7 autour des nanof ils ; 9. Dépôt d'un deuxième contact métallique comme par exemple Ti/Au en-dessous de la couche A1203. 20 Ainsi la présente invention concerne, comme par exemple illustré en figure 2, un dispositif comprenant la superposition, totale ou partielle, des couches suivantes : - SOI (silicon-on-insulator) par exemple avec un empilement de c-Si /Si02/n-c-Si; - couche Ge de type n; 25 - un ou plusieurs nanof ils de GeSn ; - couche de passivation autour des nanofils de GeSn ; - couche de type p autour des nanofils de GeSn ; - couche de premier contact métallique au-dessous de la couche type n, autour des nanofils ; 30 - couche de deuxième contact métallique (comme par exemple Ti/Au) sur la couche de Ge de type n. Selon un mode de réalisation, les premiers et deuxièmes contacts métalliques sont interdigités. 35 Avantageusement, une structure d'alliage selon la présente invention présente des propriétés d'émission de lumière et de mobilité des porteurs, ouvrant ainsi des 6 applications techniques très intéressantes en particulier dans les domaines de la photonique et de l'optoélectronique. Selon un mode de réalisation, préalablement à l'étape (i), on prépare une ou 5 plusieurs sources de particules d'oxyde d'étain, par exemple sous forme de solution colloïdale de 5n02. On peut par exemple disperser une poudre de 5n02 dans un solvant adapté, comme par exemple du diéthylène glycol. De préférence, le germanium est déposé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour « Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition » 10 en anglais). Selon un mode de réalisation, la réduction partielle de l'oxyde d'étain (étape (ii)) est réalisée sous plasma d'hydrogène à une température supérieure au point de fusion de l'étain (232 °C). Avantageusement, l'étape (ii) de réduction partielle de l'oxyde d'étain avec un 15 plasma d'hydrogène est réalisée par PECVD, par exemple avec un débit volumique de H2 (gaz) de 50 à 200 cm3/min, à des conditions standard de température et de pression (ou SCCM pour « Standard Cubic Centimeters per Minute »), par exemple à une pression de 50 à 120 Pascal, typiquement de 80 Pascal (ou environ 0,6 Torr), et par exemple à une densité de puissance appliquée au plasma de 150 à 200 mW /cm2, par exemple pendant 20 5 à 20 minutes. Typiquement, la température est de 232 à 300°C, par exemple de 250°C, pendant l'étape (ii). De préférence, après réduction partielle de l'oxyde d'étain et avant l'étape (iii) de dépôt de germanium, le procédé comprend la diminution de la température en dessous de la température de fusion de l'étain. La température est typiquement diminuée à une 25 température comprise entre 100 et 232°C. Selon un mode de réalisation, le procédé selon l'invention comprend un recuit sous vide ou atmosphère neutre de la structure obtenue à l'issu de l'étape (iii), le recuit étant réalisé à des températures comprises entre 150°C et 300 °C. Avantageusement, l'étape (iii) de dépôt de germanium amorphe hydrogéné est 30 réalisée par PECVD, par exemple avec un débit volumique de GeH4 (gaz) de 10 à 100 cm3/min, à des conditions standard de température et de pression (ou SCCM pour « Standard Cubic Centimeters per Minute »), le GeH4 est typiquement dilué dans du H25 par exemple à 1%, par exemple la pression de 40 à 70 Pascal, typiquement de 53 Pascal (ou environ 0,4 Torr), et par exemple à une densité de plasma de 150 à 200 mW /cm2, par 35 exemple pendant 30 secondes à 5 minutes. Typiquement, la température est de 150 à 220°C, par exemple de 180°C, pendant l'étape (iii). 7 Avantageusement, le procédé selon l'invention permet une croissance des nanofilaments GeSn dans le plan (« in-plane growth »). Avantageusement, le procédé selon l'invention permet une croissance des nanofilaments GeSn dans le plan en phase solide-liquide-solide ou solide-solide-solide 5 Selon un mode de réalisation préféré, le procédé de fabrication de nanofilaments comprend, une étape (i) de dépôt d'une ou plusieurs sources d'oxyde d'étain sur un substrat. Soit par dépôt les nanoparticules de l'oxyde d'étain ; soit par dépôt une couche de l'oxyde d'étain suivie d'une étape de gravure pour former des bandes de l'oxyde d'étain. 10 Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, le procédé de fabrication de nanofilaments comprend une étape de formation d'un moyen de guidage, avant l'étape (ii) de réduction partielle de l'oxyde d'étain, la croissance latérale d'un nanofilament étant guidée le long dudit moyen de guidage, selon un chemin prédéfini. Selon un mode de réalisation préféré, l'étape de formation d'un moyen de guidage 15 consiste à former une marche pour la formation d'un nanofilament, la dite marche formant ledit moyen de guidage. Selon un mode de réalisation préféré, le diamètre du canal du nanofilament est sensiblement égal à celui de la nanoparticule métallique de la source d'oxyde d'étain. Selon un mode de réalisation préféré, le procédé de fabrication de nanofilaments 20 comprend, avant l'étape (ii) une étape de dépôt sur le substrat d'une couche de matériau diélectrique, suivie d'une étape de gravure de ladite couche de matériau diélectrique pour former ladite marche dans ladite couche de matériau diélectrique. L'invention permet de faire croître des nanofilaments non seulement sur une surface plane, mais également sur la surface de n'importe quel objet à 3 dimensions, 25 rendant la conception et la fabrication de réseaux fonctionnels de nanofilaments cristallins à 3 dimensions possible. Ceci permet des applications dans les circuits intégrés 3D et les systèmes nano-électro-mécaniques. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant un substrat. 30 Selon l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes : - former plusieurs particules d'oxyde d'étain sur ledit substrat, de façon à définir une région d'initiation de la croissance des nanofilaments, - former un ou plusieurs moyens de guidage pour la croissance des nanofilaments, chaque moyen de guidage reliant la région d'initiation de la croissance de nanofilaments à 35 une région de fin de croissance des nanofilaments de façon à définir un chemin fonctionnel, 8 - fabriquer un ou plusieurs nanofilaments selon les étapes (i), (ii) et (iii) (incluant tout mode de réalisation et/ou toute caractéristique préférée et/ou avantageuse du procédé selon l'invention) de façon à réaliser une croissance guidée des nanofilaments le long des moyens de guidage respectifs, lors de l'étape (iii), chaque nanofilament initiant 5 sa croissance au niveau de la région d'initiation de la croissance de nanofilaments, et la continuant jusqu'à la région de fin de croissance des nanofilaments. Selon un mode de réalisation particulier, le procédé comprend une étape de dépôt d'une couche de matériau diélectrique sur le substrat, cette étape de dépôt d'une couche de matériau diélectrique étant suivie d'une étape de gravure de ladite couche de matériau 10 diélectrique pour former une marche dans ladite couche de matériau diélectrique, ladite marche formant le moyen de guidage pour la croissance de nanofilaments. Selon un mode de réalisation particulier, le laser ou la diode laser comprend un réseau de nanofilaments tridimensionnel. Avantageusement, le plasma de réduction et le plasma de dépôt sont des plasmas 15 basse température de type radiofréquence. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de recuit des nanofilaments. Le recuit permet d'améliorer les contacts électriques. De préférence, le recuit est réalisé à une température ne dégradant pas l'alliage SnGe. La température de 20 recuit est typiquement inférieure à 300°C. Selon un mode de réalisation, le dispositif est un dispositif photonique, optoélectronique, ou un dispositif permettant une ou plusieurs réactions et/ou analyses et/ou opérations de fractionnement chimiques et/ou biologiques dans une enceinte ayant au 25 moins une dimension inférieure à 1 mm, comme par exemple un laboratoire sur puce (« lab-on-chip »). Sur les figures : La figure 1 représente une vue schématique d'un nanofilament selon l'invention ; 30 La figure 2 représente une illustration schématique de laser à nanofil GeSn pompé électriquement avec une intégration monolithique à l'échelle nanométrique sur substrat de Si. La figure 3 représente une image typique de nanofil de GeSn (« GeNW », NW pour « nanowire ») vu au MEB, montrant la croissance du nanofil de GeSn à partir de la 35 particule de 5n02 partiellement réduite en déposant l'amorphe de Ge. 9 La figure 4 représente une caractérisation de nanofil de GeSn produit à 270° C. (a) image MET (coupe transversale) ; (b) image MET en haute résolution ; cartographie EDX des atomes (c) Ge et (d) Sn. La figure 5 représente une caractérisation de nanofil de GeSn produit à 350° C. 5 (a) image MET (coupe transversale) ; (b) cartographie EDX. La figure 1 représente un mode de réalisation du procédé de l'invention. Sur la figure 1, on observe le dépôt d'une particule d'oxyde d'étain (5n02) sur un substrat (a), puis la réduction partielle de cette particule d'oxyde d'étain pour produire de l'étain pur 10 (Sn) (b). La particule d'étain générée reste en contact avec la particule d'oxyde d'étain. Ensuite (c) le dépôt de germanium (a-Ge:H) provoque la croissance d'un nanofilament d'alliage d'étain et de germanium (GeSn NWs, NW pour nanowire en anglais). Exemples 15 Exemple 1 - Préparation de particules de Sn02 Etapes pour la préparation de Sn02: 1. Mélanger une poudre de 5n02 commerciale (8 gramme) avec du diéthylène glycol (25 millilitres); 20 2. Broyer le mélange ; 3. Centrifuger le diéthylène glycol ; 4. Diluer 1 ml de mélange 5n02 / DEG dans une solution de 99 ml d'Hydroxyde de tétraméthylamonium (TMAOH) utilisé comme solvant ; 5. Centrifuger la solution ; 25 6. Traiter aux ultrasons la solution ; Etapes pour la préparation du substrat de Si: 1. Immerger la plaquette Si dans du détergent TFD4 pour le nettoyage ; 2. Traiter la surface de Si avec de l'ozone UV; 30 3. Déposer une couche de charge opposée en utilisant le (Poly(chlorure de diallyldimethylammonium) : PDDA +, Cl- monocouche ; Etapes de dépôt de la solution colloïdale sur le substrat de Si: 35 1. Déposer la suspension colloïdale de 5n02 (1 mL) sur le substrat de Si ; 10 2. Laisser pendant 10 min ; 3. Rincer à l'eau déionisée pendant 30 secondes ; 4. Sécher par flux d'azote gazeux. 5 Exemple 2 - Réduction partielle des nanoparticules de Sn02 par le plasma hydrogène. 1. Charger dans le PECVD le substrat de Si avec les nanoparticules de 5n02 dessus ; 10 2. Porter la température du porte-substrats du réacteur PECVD à 250 °C; 3. Pomper le réacteur PECVD jusqu'à -1x10-6 Torr ; 4. Introduire 100 SCCM d'hydrogène avec une pression de 0.6 Torr ; 5. Allumer le plasma en utilisant une densité de puissance de 22 mW/cm2 pendant 10 minutes. 15 Exemple 3- Croissance des nanofilaments de GeSn (Par PECVD - H2 et PECVD GeH4) 1. Après que le catalyseur d'oxyde soit partiellement réduit en Sn pur, baisser la température du porte-substrats du réacteur PECVD à 180 °C ; 20 2. Introduire 50 SCCM de Germanium (1% de dilution dans l'hydrogène) avec une pression de 0.3 Torr ; 3. Allumer le plasma en utilisant une densité de puissance de 4 mW/cm2 pendant 5 minutes. 25 Une image typique de nanofil de GeSn au MEB est présenté en figure 3. Exemple 4- Caractérisation des nanofilaments obtenus Une image au microscope électronique en transmission (MET) avec une coupe 30 transversale de nanofil GeSn croître à 270°C est présentée en figure 4 (a). Le zoom d'une partie de nanofils (carré noir) est montré sur l'image MET à haute résolution (Figure 4 (b)). Une bonne cristallinité du nanofil peut être observée. Les cartographies EDX des atomes Ge et Sn, dans le cas SLS, sont présentés en figure 4 (c) et (d), respectivement avec les deux éléments mélangés de manière homogène sans précipitation (70 at. (3/0 de Ge et 30 35 (3/0 a t . (3/0 de Sn). 11 Les images MET et la cartographie EDX avec une coupe transversale de nanofil GeSn croître à 350 ° C sont présentés en figure 5 (a) et (b), respectivement. Dans ce cas, deux régions complètement séparées (Ge et Sn) ont été formées à l'intérieur REVENDICATIONS1.-Structure d'alliage comprenant du germanium (Ge) et de l'étain (Sn) caractérisée en ce qu'elle se présente sous la forme de filament dont le diamètre est inférieur à 200 nanomètres, appelé nanofilament, et en ce que l'alliage comprend au moins 10% d'étain (Sn) en pourcentage atomique (atcY0). 2.- Structure, selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle présente une bande interdite directe. 3.- Structure, selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce qu'elle est cristalline, et de préférence monocristalline. 4.- Dispositif comprenant une ou plusieurs structures d'alliage telles que définies selon l'une quelconque des revendications précédentes. 5.- Dispositif, selon la revendication 4, caractérisée en ce que le dispositif comprend un substrat sur lequel sont déposées une ou plusieurs structures d'alliage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3. 6.- Dispositif, selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que le substrat est choisi parmi le silicium et un verre. 7.- Dispositif, selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que le dispositif est un dispositif photonique, opto-électronique, ou un dispositif permettant une ou plusieurs réactions et/ou analyses et/ou opérations de fractionnement chimiques et/ou biologiques dans une enceinte ayant au moins une dimension inférieure à 1 mm, comme par exemple un laboratoire sur puce (« lab-on-chip »). 8.- Procédé de préparation d'une structure telle que revendiquée à l'une quelconque des revendications 1 à 3 ou d'un dispositif tel que revendiqué à l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que le procédé comprend : (i) le dépôt d'une ou plusieurs sources d'oxyde d'étain sur un substrat, par exemple un substrat de silicium ou de verre ; (ii) la réduction partielle de l'oxyde d'étain 13 (iii) le dépôt de germanium amorphe hydrogéné provoquant la croissance d'une structure d'alliage présentant au moins une dimension inférieure à 200 nm, lequel alliage comprend au moins 10 (3/0 d'étain. 5 9.- Procédé, selon la revendication 8, caractérisé en ce que le germanium est déposé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour « Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition » en anglais). 10.- Procédé, selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce qu'il comprend un 10 recuit sous vide ou atmosphère neutre de la structure obtenue à l'issu de l'étape (iii), le recuit étant réalisé à des températures comprises entre 150°C et 300 °C.