FR 3080948 A1 20191108 FR 1853778 A 20180502 Circuit intégré comprenant un élément capacitif, et procédé de fabrication Des modes de réalisation et de mise en oeuvre concernent les circuits intégrés, en particulier des éléments capacitifs basse tension. En effet, notamment les parties analogiques et les parties destinées à traiter des signaux radiofréquences des circuits intégrés nécessitent des condensateurs de valeur capacitive linéaire pour des basses tensions, typiquement des tensions proches de OV à leurs bornes. Par exemple, entre 0,0V et 0,5V une variation inférieure de 10% à 15% de la valeur capacitive est considérée comme acceptable. Typiquement de tels condensateurs ont été réalisés par des interfaces de deux couches de matériau conducteur séparées par une couche diélectrique, par exemple du type MOM (pour « Métal-Oxyde- Métal »). Cependant, les condensateurs selon cette approche (du type MOM) ont une valeur capacitive par unité de surface relativement faible, par exemple de l'ordre de 3fF/i.im2, et peuvent représenter 10% de l'encombrement d'une partie analogique d'un circuit intégré, et 50% de l'encombrement d'une partie destinée à traiter des signaux radiofréquences d'un circuit intégré. Les technologies classiques de condensateurs du type MOS (pour « Métal-Oxyde-Silicium ») offrent de meilleures performances en matière de valeur capacitive surfacique mais de moins bonnes performances en matière de variations à basse tension. Par conséquent il est souhaitable d'augmenter la valeur capacitive surfacique des condensateurs de circuit intégré tout en préservant une variation de cette valeur à basse tension acceptable. A cet égard, il est proposé selon un aspect un circuit intégré comprenant un caisson semiconducteur d'un premier type de conductivité, et au moins un élément capacitif comprenant : 2 une première électrode comportant une première plaque électriquement conductrice située au-dessus du caisson semiconducteur d'un premier type de conductivité ; une deuxième électrode comportant une deuxième plaque 5 électriquement conductrice au-dessus de la première plaque, une région superficielle fortement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité située dans le et en surface du caisson et sous la première plaque ; et une région diélectrique inter-électrodes séparant la première 10 électrode et la deuxième électrode. La région superficielle fortement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité du caisson, située en surface du caisson, forme une région locale à haute densité de porteurs minoritaires, permettant un fonctionnement linéaire en 15 inversion (c'est-à-dire présentant peu de variations de la valeur capacitive), et introduisant une augmentation de la valeur capacitive surfacique en inversion. L'élément capacitif présente également de bonnes performances en accumulation. Par exemple la valeur capacitive surfacique d'un élément 20 capacitif selon cet aspect peut être de l'ordre de 9fF/i.tm2. Selon un mode de réalisation, la région superficielle s'étend en surface du caisson en regard de la totalité de la première plaque. En effet, la présence de la région superficielle sur l'ensemble de la surface du caisson à l'interface de la deuxième électrode et la 25 première électrode permet d'améliorer la linéarité de la valeur capacitive à basse tension. Par exemple, ladite région superficielle a une épaisseur inférieure à 10 nm, préférablement inférieure à 5 nm. Selon un mode de réalisation, la région diélectrique comporte 30 une première couche diélectrique, par exemple un oxyde tunnel, entre la première plaque conductrice et la région superficielle, et une deuxième couche diélectrique, par exemple un oxyde de grille, entre la première plaque conductrice et la deuxième plaque conductrice. 3 Selon un mode de réalisation, l'élément capacitif comprend une première prise de contact fortement dopée du premier type de conductivité reliant électriquement le caisson avec la deuxième électrode, et une deuxième prise de contact fortement dopée du 5 deuxième type de conductivité reliant électriquement la région superficielle avec la deuxième électrode. Ainsi, la deuxième électrode étant reliée électriquement avec le caisson et comportant la deuxième plaque électriquement conductrice, la surface des interfaces entre la première et la deuxième électrode est 10 située de part et d'autre de la première plaque conductrice. Cela permet de doubler la valeur capacitive surfacique par rapport à une configuration classique. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend un condensateur de découplage, et/ou un circuit de compensation, et/ou 15 un filtre de chaîne de réception de signal radiofréquence, incorporant respectivement ledit au moins un élément capacitif. Selon un autre aspect, il est proposé un procédé de fabrication d'un élément capacitif comprenant une formation d'une première électrode comportant une formation d'une première plaque 20 électriquement conductrice sur un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité, une formation d'une deuxième électrode comportant une formation d'une deuxième plaque électriquement conductrice sur la première plaque et une implantation d'une région superficielle fortement dopée d'un deuxième type de conductivité 25 opposé au premier type de conductivité sous la première plaque et en surface du caisson, et une formation d'une région diélectrique inter-électrodes séparant électriquement la première électrode et la deuxième électrode. Selon un mode de mise en oeuvre, l'implantation de la région 30 superficielle est réalisée sur l'ensemble de la surface du caisson en regard de la première plaque. Selon un mode de mise en oeuvre, l'implantation de la région superficielle est configurée pour former ladite région superficielle d'épaisseur inférieure à 10 nm, préférablement inférieure à 5 nm. 4 Selon un mode de mise en oeuvre, l'implantation de la région superficielle est réalisée à une énergie de 20 key et à une concentration surfacique de 3,0* 1013 cm-2. Selon un mode de mise en oeuvre, la formation de la région 5 diélectrique comporte une formation d'une première couche diélectrique entre la première plaque conductrice et la région superficielle, et une formation d'une deuxième couche diélectrique entre la première plaque conductrice et la deuxième plaque conductrice. 10 Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend une formation d'une première prise de contact fortement dopée du premier type de conductivité destinée à relier électriquement le caisson avec la deuxième électrode, et d'une deuxième prise de contact fortement dopée du deuxième type de conductivité destinée à relier 15 électriquement la région superficielle avec la deuxième électrode. Selon un mode de mise en oeuvre, ladite formation d'une première plaque électriquement conductrice appartient à une étape comportant en outre et de façon commune une formation d'une grille flottante d'un transistor à grille flottante ; ladite formation d'une 20 deuxième plaque électriquement conductrice appartient à une étape comportant en outre et de façon commune une formation d'une grille de commande du transistor à grille flottante ; ladite implantation d'une région superficielle appartient à une étape comportant en outre et de façon commune une contre-implantation dans une région de canal 25 du transistor à grille flottante ; et ladite formation d'une région diélectrique inter-électrodes appartient à des étapes comportant en outre et de façon commune des formations de couches diélectrique du transistor à grille flottante. Ainsi, la fabrication de l'élément capacitif selon ce mode de 30 mise en oeuvre est complétement gratuite dans une filière technologique prévoyant de mettre en oeuvre les étapes susmentionnées de fabrication de transistor à grille flottante. D'autres avantages et caractéristiques de l' invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de 5 réalisation et de mise en oeuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : - les figures 1 à 5 représentent des modes de réalisation de l' invention ; 5 - la figure 6 représente un mode de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication selon l'invention. La figure 1 représente une vue en coupe d'un élément capacitif C d'un circuit intégré CI comportant une première électrode El et une deuxième électrode E2 électriquement séparée par un diélectrique inter 10 électrodes situé entre-elles. L'élément capacitif C est situé sur un caisson semiconducteur PW d'un premier type de conductivité, plus particulièrement sur une région dite région active du caisson PW, c'est-à-dire une partie qui n'est pas recouverte par des régions d'isolation latérales STI. 15 Ici, le caisson PW appartient à une partie supérieure d'un substrat semiconducteur sous-jacent, mais peut bien entendu être un caisson isolé, du type « triple caisson ». Par exemple, le premier type de conductivité est le type P, et ainsi, un deuxième type de conductivité opposé au premier type de 20 conductivité est le type N. L'inverse est également envisageable. Les régions d'isolation latérales STI, par exemple du type tranchées d'isolation peu profondes, permettent d'isoler électriquement des régions actives voisines du caisson PW. La première électrode El comprend une première plaque (ou 25 couche) électriquement conductrice Pl, par exemple en silicium polycristallin dopé, qui recouvre la majorité de la surface de la région active (c'est-à-dire par exemple l'intégralité de la surface excepté les premières et deuxièmes prises de contact P+, N+ mentionnées ci-après). 30 Une première couche de diélectrique OxT sépare la surface de la région active de la première plaque Pl. Par exemple la première couche diélectrique OxT est un oxyde de silicium du type oxyde tunnel, d'environ 7 nm d'épaisseur. 6 La deuxième électrode E2 comprend une deuxième plaque (ou couche) électriquement conductrice P2, par exemple en silicium polycristallin dopé, située au-dessus de la première plaque Pl. Une deuxième couche diélectrique OxG sépare la première 5 plaque Pl et la deuxième plaque P2. Par exemple, la deuxième couche diélectrique OxG est un oxyde de grille haute tension, du type empilement d'oxyde-nitrure-oxyde de silicium (usuellement désigné par l'acronyme « ONO »). La deuxième électrode E2 comprend en outre une région 10 superficielle NS en surface du caisson PW. Selon une réalisation, le caisson PW est électriquement relié à la deuxième électrode E2 via une première prise de contact P+ fortement dopée du premier type de conductivité, permettant un couplage ohmique peu résistif. 15 La région superficielle NS est fortement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et est située dans le caisson PW et à sa surface, sous la première plaque Pl. Etant donnée les conductivités contraires des dopants du substrat PW et de la région superficielle NS, la région superficielle NS 20 est qualifiée « contre-implantée ». La région superficielle contre-implantée NS s' étend avantageusement en surface du caisson PW qui est située en regard de la totalité de la première plaque Pl. En effet, si la région superficielle s'étend sur la totalité de la 25 partie du caisson PW à l'interface de la deuxième électrode E2 avec la première électrode El, la valeur capacitive de l'élément capacitif C est plus stable (linéaire) pour des tensions proches de OV (tensions entre les deux électrodes de l'élément capacitif C). Selon un exemple de réalisation particulier, l'élément capacitif 30 C ne comporte pas de tranchée s'étendant verticalement dans le caisson PW et comprenant une portion centrale conductrice enveloppée d'une enveloppe isolante et électriquement couplée avec la première électrode El. 7 Ainsi, n'étant pas « découpée » par des tranchées, la région superficielle contre-implantée NS s'étend en surface du caisson PW en regard de la totalité de la première plaque Pl. La surface du caisson PW qui fait l'interface de la deuxième 5 électrode E2 avec la première électrode El étant ainsi complètement recouverte par la région superficielle, la valeur capacitive de l'élément capacitif C est avantageusement linéaire à des tensions proches de OV. Plus la profondeur de la région superficielle contre-implantée NS est faible, plus l'apport de porteurs minoritaires sera localisé 10 proche de l'interface entre le caisson PW et la première couche diélectrique OxT. Cela donne de meilleures performances. Par exemple, la région superficielle contre-implantée NS a une profondeur inférieure à 10 nm, préférablement inférieure à 5 nm. La région superficielle contre-implantée NS est électriquement 15 reliée à la deuxième électrode E2 via une deuxième prise de contact N+ fortement dopée du deuxième type de conductivité, permettant un couplage ohmique peu résistif avec ladite région superficielle NS. Ainsi, lors d'une polarisation des électrodes de l'élément capacitif C dans un régime d'accumulation, le caisson PW est polarisé 20 à la tension de la deuxième électrode E2 via la première prise de contact P+ ; et lors d'une polarisation des électrodes de l'élément capacitif C dans un régime d'inversion, la région superficielle NS est polarisée à la tension de la deuxième électrode E2 via la deuxième prise de contact N+. 25 La figure 2 représente des exemples de caractéristiques de modes de réalisation de l'élément capacitif C. Les caractéristiques représentées sont la valeur capacitive surfacique F/m2 en fonction de la tension VE1-VE2 aux bornes de l'élément capacitif C pour différentes concentration en porteur 30 minoritaire de la région superficielle contre-implantée NS. Ces résultats correspondent à des contre-implantations de dopants de type N, tels que l'arsenic, dans un substrat en silicium de type P, pour former ladite région superficielle NS. 8 Les valeurs capacitives surfaciques F/m2 sont représentées sur une échelle allant de 5fF/um2 à 9fF/um2 (femtofarad par micromètre-carré), pour des tensions VE1-VE2 aux bornes de l'élément capacitif C comprises entre -4V et +4V. 5 La courbe Cl correspond à un élément capacitif ne comportant pas de région superficielle contre-implantée. La courbe C2 correspond à un élément capacitif comportant une région superficielle contre-implantée NS à une concentration surfacique de 1,0* 1013 cm-2. 10 La courbe C3 correspond à un élément capacitif comportant une région superficielle contre-implantée NS à une concentration surfacique de 2,0* 1013 cm-2. La courbe C4 correspond à un élément capacitif comportant une région superficielle contre-implantée NS à une concentration 15 surfacique de 3,0* 1013 cm-2. Les caractéristiques illustrées par les quatre courbes C1-C4 comportent chacune deux régimes stables, dits régime d'accumulation Acc pour des tensions sensiblement négatives et régime d'inversion Inv pour des tensions sensiblement positives, ainsi qu'un régime 20 transitoire Trs entre lesdits régimes d'accumulation et d'inversion pour des tensions voisines de OV. Les valeurs capacitives surfaciques en régimes d'accumulation et d'inversion sont sensiblement constantes et égales, et le régime transitoire présente un creux aigu (c'est-à-dire un pic négatif) entre les 25 deux régimes stables. Pour chaque caractéristique C1-C4, la valeur capacitive minimale (c'est-à-dire dans le creux du pic négatif) est atteinte à la tension de seuil de l'élément capacitif correspondant. Il est à noter que la courbe Cl, bien que représentative d'une 30 structure ne comportant pas de région superficielle contre-implantée, correspond selon cette caractéristique à une structure comportant une source de porteurs minoritaires telle que la deuxième prise de contact N+ seule. En l'absence de source de porteurs minoritaires telle que la deuxième prise de contact N+ seule, la valeur capacitive en régime 9 d'inversion a l'allure de la courbe C10, c'est-à-dire une valeur stable haute en régime d'accumulation et une valeur stable basse, inférieure à la valeur stable haute, en régime d'inversion, suivant un tracé ayant l'allure d'une fonction arc-cotangente. 5 Par exemple les régimes stables Acc, Inv présentent une valeur capacitive d'environ 9fF/i.tm2, et le creux du régime transitoire Trs descend jusqu'à sensiblement 6fF/i.tm2 à 5,5fF/i.tm2 à la tension de seuil respective. Il apparaît sur les courbes C1-C4 de la figure 2 que la contre- 10 implantation de la région superficielle NS a pour effet de réduire la valeur de la tension de seuil, proportionnellement à la concentration surfacique de ladite région superficielle NS. La diminution de la valeur de la tension de seuil est accompagnée d'une translation vers la gauche (dans l'orientation de la 15 figure 2) de toute la courbe considérée. Ainsi, alors que la tension de seuil d'un élément capacitif ne comportant pas de région superficielle contre-implantée (courbe Cl) est d'environ +0,7V, la tension de seuil d'un élément capacitif comportant une région superficielle contre-implantée NS à une 20 concentration surfacique élevée (courbe C4), est d'environ -1,6V. Aussi, la diminution de la tension de seuil permet de décaler le régime transitoire vers des tensions négatives (ici, pour la courbe C4, entre -2V et OV) et ainsi obtenir une valeur capacitive stable en régime d'inversion à des tensions positives proches de OV. 25 En effet, selon des réalisations (par exemple tel que caractérisé par la courbe C4), la variation de valeur capacitive ne dépasse pas 5% de la valeur stable entre OV et 0,5V et ne dépasse pas 10% de la valeur stable entre OV et 4V. La figure 3 représente un exemple de mode de réalisation dans 30 lequel le circuit intégré CI comporte un condensateur de découplage Cdec, par exemple relié entre une borne d'alimentation et une borne de masse d'un composant du circuit intégré CI. 10 Ainsi, l'élément capacitif C peut appartenir au condensateur de découplage Cdec, notamment grâce à ses performances en matière de valeur capacitive surfacique et d'ubiquité. En effet, le condensateur de découplage Cdec peut par exemple 5 comprendre de multiples réalisations d'élément capacitifs C similaires à différents endroits du circuit intégré CI, couplés en parallèle afin d'obtenir une valeur capacitive souhaitée pour le condensateur de découplage Cdec. La figure 4 représente un exemple de mode de réalisation dans 10 lequel le circuit intégré CI comporte un circuit de compensation Comp, par exemple tel qu'une rétroaction filtrée par effet capacitif d'une valeur de sortie sur une valeur d'entrée. Ainsi l'élément capacitif C peut appartenir à un circuit de compensation Comp appliqué à des signaux radiofréquences, 15 notamment grâce à ses performances en matière de linéarité à des tensions faibles. La figure 5 représente un exemple de mode de réalisation dans lequel le circuit intégré CI comporte une chaîne de réception RX de signal radiofréquence RF, comportant un montage de filtre, par 20 exemple un filtre RC comportant un élément résistif R et un élément capacitif C. Ainsi l'élément capacitif C peut appartenir au filtre RC de la chaîne de réception RX de signal radiofréquence RF notamment grâce à ses performances en matière de valeur capacitive surfacique et en 25 matière de linéarité à des tensions faibles. La figure 6 représente un exemple de mise en oeuvre d'un procédé de fabrication d'un élément capacitif C d'une part, et d'autre part d'une cellule-mémoire. En effet, les étapes de fabrication de l'élément capacitif C 30 peuvent s'inscrire dans des étapes de fabrication prévues pour une cellule-mémoire comportant un transistor à grille flottante. Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé de fabrication d'un élément capacitif C comprend une formation d'une première électrode, une formation d'une deuxième électrode et une formation 11 d'une région diélectrique inter-électrodes séparant électriquement la première électrode et la deuxième électrode. Les formations de la première électrode, de la deuxième électrode et de la région diélectrique inter électrodes ne sont pas mises 5 en oeuvre en tant que telles l'une à la suite de l'autre, mais comportent évidemment des sous-étapes de fabrication intriquées et résultant au fur et à mesure à la réalisation desdites électrodes, séparées par une région diélectrique inter-électrodes. Une mise en oeuvre de la formation de la première électrode 10 comporte une formation d'une première plaque électriquement conductrice 613 sur un caisson semiconducteur d'un premier type de conductivité. Une mise en oeuvre de la formation de la deuxième électrode comporte une formation d'une deuxième plaque électriquement 15 conductrice 615 sur la première plaque et une implantation 611 d'une région superficielle fortement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité sous la première plaque et en surface du caisson. Une mise en oeuvre de la formation d'une région diélectrique 20 612, 614 inter-électrodes comporte une formation d'une première couche diélectrique 612 entre la première plaque conductrice et la région superficielle, et une formation d'une deuxième couche diélectrique 614 entre la première plaque conductrice et la deuxième plaque conductrice. 25 Une mise en oeuvre du procédé comprend en outre une formation 616 d'une première prise de contact fortement dopée du premier type de conductivité destinée à relier électriquement le caisson avec la deuxième électrode, et d'une deuxième prise de contact fortement dopée du deuxième type de conductivité destinée à relier 30 électriquement la région superficielle avec la deuxième électrode. Ces sous-étapes sont par exemple exécutées dans l'ordre illustré par la figure 6, selon un mode de mise en oeuvre avantageusement adapté à un circuit intégré comportant une mémoire non-volatile. 12 Au cours d'une première étape 601, l'implantation d'une région superficielle 611 est mise en oeuvre dans un caisson du substrat destiné à accueillir l'élément capacitif C. Au cours de la première étape 601, est également mise en 5 oeuvre, simultanément dans un autre caisson destiné à accueillir une cellule-mémoire non volatile comportant un transistor à grille flottante, une contre-implantation 621 au niveau de la région de canal du futur transistor à grille flottante. L'implantation de la région superficielle 611 et la contre- 10 implantation 621 de la région de canal présentent exactement les mêmes caractéristiques. Par exemple les contre-implantations 611, 621 sont réalisées à une énergie de 20 key et à une concentration - surfacique de 3,0*1013 cm2, et sont configurées pour former une région superficielle d'épaisseur inférieure à 10 nm, préférablement 15 inférieure à 5 nm. Par ailleurs, selon un mode de mise en oeuvre, ladite implantation de la région superficielle 611 est réalisée sur l'ensemble de la surface du caisson située en regard de la future première plaque électriquement conductrice. 20 Ainsi, seul le masque à partir duquel est réalisée la contre- implantation 621 de la cellule-mémoire doit être adapté pour mettre en oeuvre l'implantation de la région superficielle 611 de l'élément capacitif au cours de la première étape 601 commune. Au cours d'une deuxième étape 602, la formation de la 25 première couche diélectrique 612 de l'élément capacitif est mise en oeuvre simultanément avec une formation d'un diélectrique tunnel 622 d'un transistor à grille flottante de cellule-mémoire. Par exemple, une épaisseur de 7 nm d'oxyde de silicium Si02 est crue sur les parties découvertes du substrat (dites régions actives) 30 au cours de la deuxième étape 602. Au cours d'une troisième étape 603, la formation de la première plaque conductrice 613 de l'élément capacitif est mise en oeuvre simultanément avec une formation d'une grille flottante 623 du transistor à grille flottante de la cellule-mémoire. 13 Par exemple, la troisième étape 603 comporte un dépôt et une gravure de silicium polycristallin dopé. De même, seul le masque à partir duquel est réalisée la formation de la grille flottante 623 de la cellule-mémoire doit être 5 adapté pour mettre en oeuvre la formation de la première plaque conductrice 613 de l'élément capacitif au cours de la troisième étape 603 commune. Au cours d'une quatrième étape 604, la formation de la deuxième couche diélectrique 614 de l'élément capacitif est mise en 10 oeuvre simultanément avec une formation d'un diélectrique de grille de commande 624 haute tension d'un transistor à grille flottante de cellule-mémoire. Par exemple, un empilement « ONO » de couches de dioxyde de silicium Si02, de nitrure de silicium Si3N4 et de dioxyde de silicium 15 Si02 est formé sur la première plaque et sur la grille flottante au cours de la quatrième étape 604. Au cours d'une cinquième étape 605, la formation de la deuxième plaque conductrice 615 de l'élément capacitif est mise en oeuvre simultanément avec une formation d'une grille de commande 20 625 du transistor à grille flottante de la cellule-mémoire. Par exemple, la cinquième étape 605 comporte un dépôt et une gravure de silicium polycristallin dopé. De même, seul le masque à partir duquel est réalisée la formation de la grille de commande 625 de la cellule-mémoire doit 25 être adapté pour mettre en oeuvre la formation de la deuxième plaque conductrice 615 de l'élément capacitif au cours de la cinquième étape 605 commune. Au cours d'une sixième étape 606, la formation des prises de contacts 616 de l'élément capacitif est mise en oeuvre simultanément 30 avec une formation de prises de contact du type régions de drains ou de source 626 d'un transistor à grille flottante de cellule-mémoire, ou d'une autre partie du circuit intégré. En effet, par exemple, la deuxième prise de contact N+ de l'élément capacitif peut être formée simultanément avec les régions de 14 source et de drain du deuxième type de conductivité du transistor à grille flottante. Cela étant, une autre partie du circuit intégré, par exemple une partie logique de commande de cellules-mémoires, peut comporter des 5 constructions du type MOS complémentaires, et ainsi nécessiter des prises de contacts fortement implantées à la fois du premier type de conductivité et du deuxième type de conductivité. La connexion électrique de la deuxième plaque électriquement conductrice, du caisson semiconducteur, et de la région superficielle 10 formant la deuxième électrode peut être réalisée par exemple par des contacts électriques passants dans les premiers niveaux d'interconnexions (habituellement désignés par l'acronyme « FEOL » pour « Front End Of Line »). Ainsi, il a été décrit un mode de mise en oeuvre d'un procédé de 15 fabrication d'un élément capacitif qui ne requiert que d'adapter certaines étapes de masquage d'un exemple de procédé de fabrication de cellule-mémoire comportant un transistor à grille flottante. Le procédé est ainsi gratuit en matière d'étapes de fabrication et de coût de production lorsqu'il est inscrit dans un procédé prévoyant une 20 fabrication de telles cellules-mémoire. Par ailleurs l'invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation et de mise en oeuvre mais en embrasse toutes les variantes, les valeurs numériques des caractéristiques de l'élément capacitif n'ayant pas de vocation limitative au sens stricte, mais indiquent un 25 ordre de grandeur, par exemple à 10% de la valeur donnée, préférablement 5%, en outre, le procédé selon l'invention décrit en relation avec la figure 6 s'applique bien entendu sans la réalisation simultanée d'une REVENDICATIONS1. Circuit intégré comprenant un caisson semiconducteur d'un premier type de conductivité (PW), et au moins un élément capacitif (C) comprenant : une première électrode comportant une première plaque (P1) électriquement conductrice située au-dessus du caisson semiconducteur d'un premier type de conductivité (PW) ; une deuxième électrode comportant une deuxième plaque (P2) électriquement conductrice au-dessus de la première plaque, une région superficielle (NS) fortement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité située dans le et en surface du caisson et sous la première plaque ; et une région diélectrique (0xT, OxG) inter-électrodes séparant la première électrode et la deuxième électrode. 2. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel ladite région superficielle (NS) s'étend en surface du caisson (PW) en regard de la totalité de la première plaque (P1). 3. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite région superficielle (NS) a une épaisseur inférieure à 10 nm, préférablement inférieure à 5 nm. 4. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite région diélectrique comporte une première couche diélectrique (0xT) entre la première plaque conductrice et la région superficielle, et une deuxième couche diélectrique (OxG) entre la première plaque conductrice et la deuxième plaque conductrice. 5. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'élément capacitif (C) comprend une première prise de contact (P+) fortement dopée du premier type de conductivité reliant électriquement le caisson avec la deuxième électrode, et une deuxième prise de contact (N+) fortement dopée du deuxième type de conductivité reliant électriquement la région superficielle avec la deuxième électrode. 16 6. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, comprenant un condensateur de découplage (Cdec), et/ou un circuit de compensation (Comp), et/ou un filtre (FT) de chaîne de réception (RX) de signal radiofréquence, incorporant respectivement ledit au moins un 5 élément capacitif (C). 7. Procédé de fabrication d'un élément capacitif (C) comprenant : - une formation d'une première électrode comportant une formation (613) d'une première plaque (P1) électriquement 10 conductrice sur un caisson semiconducteur (PW) d'un premier type de conductivité, - une formation d'une deuxième électrode comportant une formation (615) d'une deuxième plaque (P2) électriquement conductrice sur la première plaque et une implantation (611) 15 d'une région superficielle (NS) fortement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité sous la première plaque et en surface du caisson, et - une formation (612, 614) d'une région diélectrique (0xT, OxG) inter-électrodes séparant électriquement la première 20 électrode et la deuxième électrode. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ladite implantation de la région superficielle (NS) est réalisée sur l'ensemble de la surface du caisson (PW) en regard de la première plaque (P1). 9. Procédé selon l'une des revendications 7 ou 8, dans lequel 25 ladite implantation de la région superficielle (NS) est configurée pour former ladite région superficielle (NS) d'épaisseur inférieure à 10 nm, préférablement inférieure à 5 nm. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel ladite implantation de la région superficielle (NS) est réalisée à une énergie 30 de 20 key et à une concentration surfacique de 3,0* 1013 cm-2. 11. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, dans lequel ladite formation de la région diélectrique comporte une formation (612) d'une première couche diélectrique (0xT) entre la première plaque conductrice et la région superficielle, et une formation (614) 17 d'une deuxième couche diélectrique (OxG) entre la première plaque conductrice et la deuxième plaque conductrice. 12. Procédé selon l'une des revendications 7 à 11, comprenant une formation (616) d'une première prise de contact (P+) fortement 5 dopée du premier type de conductivité destinée à relier électriquement le caisson avec la deuxième électrode, et d'une deuxième prise de contact (N+) fortement dopée du deuxième type de conductivité destinée à relier électriquement la région superficielle avec la deuxième électrode. 10 13. Procédé selon l'une des revendications 7 à 12, dans lequel : ladite formation d'une première plaque (613) électriquement conductrice appartient à une étape (603) comportant en outre et de façon commune une formation d'une grille flottante (623) d'un transistor à grille flottante ; ladite formation d'une deuxième plaque 15 (615) électriquement conductrice appartient à une étape (605) comportant en outre et de façon commune une formation d'une grille de commande (625) du transistor à grille flottante ; ladite implantation (611) d'une région superficielle appartient à une étape (601) comportant en outre et de façon commune une contre-implantation 20 (621) dans une région de canal du transistor à grille flottante ; et ladite formation d'une région diélectrique (612, 614) inter-électrodes appartient à des étapes (602, 604) comportant en outre et de façon commune des formations de couches diélectriques du transistor à grille flottante (622, 624).