FR 3084522 A1 20200131 FR 1857045 A 20180727 PROCEDE DE FABRICATION D'UN MODULE ELECTRONIQUE DE PUISSANCE DOMAINE [1] La présente invention concerne les modules électroniques de puissance destinés à une application aéronautique, et en particulier sur la fabrication de tels modules électroniques. CONTEXTE [2] Dans le domaine de l'aéronautique, des modules électroniques de puissance sont embarqués, intégrés par exemple, à des convertisseurs, nécessaires à l'alimentation en courant électrique des systèmes propulsifs et non propulsifs à bord des aéronefs. Ces modules électroniques de puissance contribuent à convertir l'énergie électrique du réseau principal en un courant et une tension adaptés à ces systèmes propulsifs et non propulsifs. [003] Ainsi, les modules électroniques de puissance embarqués comprennent des composants à semi-conducteurs de puissance, tels que des diodes et des transistors, disposés sur un substrat en céramique et connectés entre eux par des connectiques électriques afin de réaliser des fonctions électroniques plus ou moins complexes. [004] De tels modules électroniques de puissance sont soumis à des contraintes environnementales sévères, notamment thermiques. Ils sont donc conçus pour résister à des températures pouvant aller jusqu'à 200 °C. [005] Afin de garantir le maintien de ces modules électroniques à une température inférieure à la température maximale, les modules électroniques de puissance existants comprennent des dissipateurs thermiques. En particulier, les dissipateurs thermiques sont disposés sur la face opposée à la face sur laquelle sont disposés les composants à semi-conducteurs de puissance. 2 [006] Les dissipateurs thermiques sont fabriqués, par usinage ou fonderie par exemple, indépendamment du reste du module électrique de puissance, puis sont fixés sur une face libre d'au moins un des substrats. Un matériau d'interface thermique (connu sous l'acronyme anglais TIM signifiant Thermal 5 Interface Material) est disposé entre le substrat et le radiateur, permettant d'améliorer le couplage thermique entre le substrat et les dissipateurs thermiques, et donc de refroidir plus efficacement le substrat. Les TIMs utilisés peuvent être des matériaux rigides (brasure ou frittage par exemple) ou souples (par exemple une graisse thermique, un élastomère silicone). 10 [007] Les TIMs rigides, c'est-à-dire lorsque le radiateur est fixé au substrat par brasure ou par frittage, ont l'avantage de présenter une résistance thermique faible. Néanmoins, ils présentent une fiabilité thermomécanique limitée, ce qui se révèle être un inconvénient majeur pour une utilisation dans un système embarqué d'un aéronef à proximité de sources chaudes telles 15 que les moteurs ou les freins, puisque cela réduit la durée de vie des systèmes embarqués et augmente donc la fréquence des opérations de maintenance. Les TIMs souples ne sont quant à eux pas compatibles avec de hautes températures, allant au-delà de 175°C, et présentent de plus des conductivités thermiques plus faibles que celles des TIMs rigides. 20 [008] Ainsi, les TIMs connus de l'art antérieur ne sont pas optimaux pour une application aéronautique, en particulier dans le cas où l'électronique de commande se trouve à proximité de sources de chaleurs telles que le moteur, dans l'optique d'intégrer au plus près les systèmes embarqués. [009] L'invention a notamment pour but de proposer un module de 25 puissance électrique adapté aux contraintes environnementales d'un aéronef. RESUME DE L'INVENTION [010] La présente invention concerne tout d'abord un procédé de fabrication d'un module électronique de puissance, comprenant les étapes suivantes : 3 a) Fournir au moins deux substrats métallisés à partir d'au moins deux substrats céramiques, chacun des substrats céramiques comprenant deux faces opposées sur lesquelles sont respectivement disposées une première et une seconde couches métalliques ; 5 b) Imprimer des dissipateurs thermiques sur la première couche métallique de chacun desdits au moins deux substrats ; c) Imprimer des premières connectiques sur la seconde couche métallique de chacun desdits au moins deux substrats ; d) Déposer une couche de fixation au moins en partie sur les premières 10 connectiques imprimées sur la seconde couche métallique de chacun des au moins deux substrats ; e) Disposer des composants à semi-conducteur de puissance et des secondes connectiques entre les couches de fixation d'au moins deux substrats métallisés. 15 [011] En imprimant directement des dissipateurs thermiques sur les faces des substrats céramiques métallisés, les matériaux d'interface thermique (TIM), ne sont plus nécessaires pour assurer le couplage thermique avec le substrat. Ainsi, les modules électroniques de puissance obtenus par ce procédé peuvent être intégrés dans des environnements fortement 20 contraints thermiquement (c'est-à-dire pour des températures supérieures à 175°C) et mécaniquement grâce à la suppression des TIMs limités en température. En outre, l'impression des dissipateurs thermiques directement sur les faces métallisées des substrats permet de réaliser des dissipateurs thermiques présentant des géométries complexes et efficaces pour un 25 refroidissement des modules électroniques par un fluide (c'est-à-dire un gaz ou un liquide). L'optimisation de la géométrie des dissipateurs thermiques imprimés ainsi que leur disposition sur les deux substrats permet de plus de réduire le volume et la masse de ceux-ci par rapport à ceux utilisés dans l'art antérieur, les dissipateurs obtenus par ce procédé étant plus performants. La forme du dissipateur thermique imprimé permet une amélioration du 4 refroidissement, de l'ordre de 1% à 10%. Combiné à la suppression des TIMs, cette amélioration peut être revue à la hausse. [12] De plus, l'impression des connectiques, permet de maîtriser la hauteur des connectiques imprimées facilitant ainsi la connexion des 5 composants de différentes épaisseurs. [13] Selon une caractéristique supplémentaire, les étapes b) et c) peuvent être réalisées par la fusion sélective d'un lit de poudre métallique. [14] La fabrication additive métallique, en particulier la fusion sélective d'un lit de poudre métallique, permet ainsi de fabriquer des dissipateurs 10 thermiques à géométrie complexe, optimisant le refroidissement des substrats. En outre, la fusion sélective d'un lit de poudre métallique permet d'imprimer directement sur le substrat céramique métallisé les dissipateurs thermiques. [15] La poudre métallique utilisée peut être une poudre d'alliage et/ou de 15 métal pur. [16] Selon une autre caractéristique, la couche de fixation fixant les composants à semi-conducteurs de puissance ainsi que les connectiques entre eux et avec lesdites faces libres des secondes couches métalliques desdits au moins deux substrats, peut être une brasure et/ou de la pâte 20 d'argent et/ou un matériau époxy-conducteur et/ou du verre chargé en argent. [17] De plus, la couche de fixation peut avoir une épaisseur supérieure ou égale à 10 pm. [18] L'étape e) peut être suivie d'une étape de solidification de la couche 25 de fixation par brasage et/ou frittage et/ou recuit. [19] L'étape e) peut en outre être suivie d'une étape f) consistant à : Injecter un matériau isolant entre les secondes couches métalliques desdits au moins deux substrats comprenant la couche de fixation des composants électroniques de puissance et des connectiques externes. 30 [020] Le matériau isolant utilisé lors de l'étape f) peut être par exemple une résine époxy et/ou un gel silicone et/ou un élastomère silicone. 5 [21] De plus, la maitrise de la hauteur des premières connectiques grâce à leur fabrication par fabrication additive métallique, permet d'utiliser une grande variété de matériaux d'encapsulation, aussi appelés matériaux d'isolation, chargés avec des nano- ou des microparticules et ayant des 5 viscosités plus élevées que les matériaux utilisés dans les modules électroniques de la technique antérieure. [22] L'invention concerne également un module électronique de puissance comprenant au moins deux substrats métallisés, chacun comprenant une première face et une seconde face opposées, lesdits substrats métallisés 10 étant disposés de sorte que lesdites secondes faces sont disposées en regard l'une de l'autre, caractérisé en ce que des dissipateurs thermiques sont disposés directement sur chaque première face et en ce que des connectiques sont disposées sur chaque seconde face, des composants à semi-conducteurs de puissance et des connectiques externes étant disposés 15 entre ces secondes faces et fixés aux substrats via une couche de fixation. [23] Un tel module électronique de puissance peut ainsi, s'il comprend des composants à semi-conducteurs de puissance de type SiC ou GaN pouvant fonctionner au-delà des limites en température des composants à semiconducteurs de puissance classique Si, peut être intégré dans un 20 environnement fortement contraint en température (au-delà de 200°C). De tels modules électroniques se révèlent particulièrement intéressants notamment pour des applications dans l'aéronautique. [24] L'invention sera mieux comprise et d'autres détails, caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante 25 faite à titre d'exemple non limitatif en référence aux dessins annexés. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES - la figure 1 est un logigramme illustrant le procédé de fabrication d'un module électronique selon l'invention ; 6 - la figure 2 est une illustration du procédé DBC à base d'une céramique A1203 ; - la figure 3 est une vue schématique d'une partie des différentes étapes du procédé fabrication d'un module électronique de puissance 5 selon l'invention ; la figure 4 illustre un module électronique de puissance obtenu suite à la mise en oeuvre d'un procédé de fabrication selon l'invention ; - la figure 5 illustre les géométries de dissipateurs thermiques pouvant être obtenues par le procédé selon l'invention. 10 DESCRIPTION DETAILLEE [025] De nombreux modules électroniques de puissance sont embarqués dans les aéronefs, en particulier au sein de convertisseurs, convertissant l'énergie électrique du réseau principal en un courant et une tension adaptés à l'électrification de systèmes propulsifs et non propulsifs embarqués. 15 [026] Les modules électroniques de puissances comprennent de nombreux composants à semi-conducteurs de puissance, tels que des diodes et des transistors par exemple, assurant des fonctions électriques plus ou moins complexes. [27] Ces modules électroniques sont, lors de leur utilisation, prompts à être 20 le siège d'auto-échauffement, d'où la nécessité d'intégrer, à chacun d'eux, un dissipateur thermique pour limiter l'augmentation en température de ces modules. [28] La figure 1 illustre par le biais d'un logigramme, un procédé de fabrication d'un module électronique de puissance, pouvant être embarqué 25 dans un aéronef. [29] La première étape de procédé, notée A sur les figures 1 et 3, vise à fournir au moins deux substrats métallisés 2 à partir d'au moins deux substrats céramiques 4, chacun des substrats céramiques 4 comprenant 7 deux faces opposées 6, 8 sur lesquelles sont respectivement disposées une première et une seconde couches métalliques 10, 12. [030] Les substrats des modules électroniques de puissances sont destinés à supporter les composants à semi-conducteurs de puissance ainsi que les 5 pistes conductrices reliant les différents composants. Dans l'invention, le substrat utilisé est un substrat céramique dit métallisé 2, comme connu de de l'état de la technique. Le substrat céramique métallisé 2 est obtenu par un des procédés parmi : Direct Bonded Copper (DBC), illustré sur la figure 2, ou Direct Bonded Aluminium (DBA) ou Active Metal Brazing (AMB). 10 [031] Les substrats DBC sont couramment utilisés en électronique en raison de leur faible coût. Ce procédé consiste, comme on peut le voir sur la figure 2, à fixer deux couches de cuivre 10, 12, oxydées au préalable, de part et d'autre du substrat céramique 4 par frittage. Le substrat céramique 4 peut être choisi parmi les matériaux suivants: A1203. AIN et Si3N4. Dans l'exemple 15 illustré, le substrat céramique 4 est A1203. L'attache des couches de cuivre 10, 12 (ou d'aluminium respectivement) à la céramique 4 se fait par un procédé spécifique à haute température sous atmosphère inerte. [032] Les substrats DBA, plus récemment développés, présentent de bonnes conductivités thermiques, mais sont bien plus coûteux que le 20 substrat DBC. Le procédé DBA consiste à fixer deux couches d'aluminium de part et d'autre d'un substrat céramique, pouvant être choisi parmi les matériaux suivants : A1203. AIN et Si3N4. L'attache des couches d'aluminium est réalisée par soudage par diffusion en phase liquide transitoire (Transient Liquid Phase Diffusion Bonding, TLPDB). 25 [033] Le procédé AMB est également connu de l'homme du métier. Il s'agit d'un procédé s'appuyant sur une forme de brasure permettant de joindre le métal à la céramique sans métallisation. Le substrat AMB est constitué d'un isolant céramique Si3N4 (nitrure de silicium), sur lequel du cuivre est brasé par brasage sous vide à haute température. 30 [034] Les substrats AMB présentent une bonne conduction thermique et une bonne tenue à la fatigue lors des cycles thermomécaniques, d'où leur 8 utilisation en électronique de puissance. Néanmoins, le procédé est plus complexe que les procédés DBC et DBA. [35] Ainsi, les substrats DBC ou DBA ou AMB obtenus présentent deux faces opposées 8, 6 sur lesquelles sont disposées une première couche de 5 métal 10 et une deuxième couche de métal 12. [36] En pratique, un substrat DBA céramique métallisé AIN de 1 mm est utilisé. Ce substrat 2 présente sur chacune de ses faces une première et une deuxième couche de d'Aluminium de 400pm. [37] Le substrat céramique métallisé 2 obtenu est illustré sur la figure 3, 10 dans la première étape du procédé, notée A. La deuxième couche de métal 12 peut être discontinue : la couche de métal 12 peut comprendre plusieurs zones métalliques. Sur l'exemple illustré à la figure 2, la couche de métal 12 comprend quatre zones 12a, 12b, 12c et 12d, aussi appelées pistes. Ces zones 12a, 12b, 12c et 12d sont isolées entre elle par le substrat céramique 15 4 qui crée une discontinuité électrique entre les zones 12a, 12b, 12c et 12d. [38] La deuxième étape du procédé selon l'invention, notée B sur les figures 1 et 3, consiste à imprimer des dissipateurs thermiques 14 sur la première couche métallique 10 de chacun desdits au moins deux substrats 2. 20 [039] Par impression, on entend ici une technique par fabrication additive métallique (FA). En particulier, la technique de fusion sélective par laser (SLM) est utilisée. Cette technique permet de produire des pièces métalliques en faisant fusionner un lit de poudre métallique localement, dans une atmosphère inerte pour éviter toute oxydation. Ainsi, des couches de 25 poudre sont déposées, puis figées par le balayage du laser sur les zones à imprimer. [040] Le laser a une puissance suffisante pour faire fondre la poudre métallique ou au moins l'un des constituants. La poudre métallique est une poudre d'alliage et/ou de métal pur. Par exemple, une poudre AlSi7Mgo.6 peut 30 être utilisée. 9 [41] D'autres types de poudres métalliques peuvent bien entendu être utilisés, à base de cuivre et/ou d'aluminium. En pratique, il est préférable de choisir une poudre présentant une base de métal de même nature que la métallisation du substrat, afin d'éviter la formation d'intermétallique (CuAI) 5 fragile aux interfaces. [42] La conception des dissipateurs thermiques par la technique SLM est réalisée par plusieurs itérations. Une première couche de poudre métallique est déposée sur la première couche métallique 10 du substrat céramique métallisé 2. Un laser balaye ensuite cette première couche de poudre 10 métallique selon un motif visé. Cela permet ainsi de faire fondre et de fusionner la poudre localement selon le motif visé. Ensuite, une seconde couche est déposée et est suivie d'un balayage par le laser selon un motif visé. Ces étapes sont réitérées jusqu'à l'obtention du dissipateur thermique selon la forme tridimensionnelle souhaitée. 15 [043] L'épaisseur des couches déposées varient entre 20 et 150 dam. [44] Les substrats 2, sur lesquels sont imprimés les dissipateurs thermiques 14, sont inclus dans un plateau dont la température peut varier entre environ 20°C et 200°C. En particulier, une haute température peut se révéler utile pour réduire les contraintes mécaniques résiduelles résultant 20 des échauffements locaux induits par le laser faisant fondre la poudre lors du procédé de fabrication. [45] La figure 3 illustre un substrat 2 sur lequel sont imprimés des dissipateurs thermiques 14. La géométrie de dissipateurs thermiques ne se limite pas à cet exemple. Des exemples de géométrie de dissipateurs 25 thermiques obtenus par impression sont visibles sur la figure 5. [46] L'impression des dissipateurs thermiques 14 directement sur les substrats céramiques métallisés 2 permet en particulier de réaliser une variété de motifs géométriques complexes. De tels motifs géométriques complexes permettent en particulier d'optimiser le coefficient d'échange 30 thermique et la chute de pression de l'air circulant dans le radiateur. Les 10 motifs des dissipateurs thermiques sont choisis pour maximiser la surface d'échange avec l'air environnant, tout en limitant leur encombrement. [047] En outre, de tels dissipateurs thermiques 14 permettent de se passer de TIMs (Thermal Interface Materials). Cela a plusieurs avantages non 5 négligeables : - une meilleure performance thermique : le contact étant direct entre le substrat, source de production de chaleur, et le dissipateur thermique (directement imprimé sur une des faces du substrat), la conduction thermique globale se retrouve améliorée ; 10 - une utilisation à des températures plus élevées : en effet, la présence des TIMs dans les modules électroniques de puissance, présentant une faible résistance en température, limite l'utilisation de ces modules électroniques de puissance à très haute température, c'est- à-dire supérieure à 200°C ; 15 - une compatibilité avec l'utilisation de composants à semi-conducteurs de puissance à grand gap (SiC, GaN) : en effet, ces composants à semi-conducteurs de puissance peuvent fonctionner au-delà des limites en température classique des composants à semi-conducteurs classiques Si (au-delà de 175°C). De tels dissipateurs thermiques, 20 directement imprimés sur le substrat céramique métallisé, assure une fiabilité à haute température (c'est-à-dire au-delà de 200°C). [048] L'impression de dissipateurs thermiques 14 directement sur les substrats céramiques est contraignant, comme cela a été démontré par les travaux retranscrits dans l'article de Syed-Khaja, Aarief, Daniel Schwarz, and 25 Joerg Franke. "Advanced substrate and packaging concepts for compact system integration with additive manufacturing technologies for high temperature applications." CPMT Symposium Japan (ICSJ), IEEE, 2015. Dans ces travaux, l'impression directe de canaux de refroidissement sur un substrat céramique s'est ainsi révélée trop contraignante pour la céramique, 30 cette dernière se fragilisant avec l'apparition de fissures et la formation d'un intermétallique. Dans notre cas, en utilisant un substrat céramique métallisé 11 2, les contraintes impliquées par l'impression sont réduites, permettant une impression directe des dissipateurs thermiques 14 sur le substrat 2, avec une bonne fiabilité mécanique. [49] La troisième étape du procédé, notée C sur les figures 1 et 3, consiste 5 à imprimer des premières connectiques 16 sur la seconde couche métallique 12 de chacun desdits au moins deux substrats céramiques métallisés 2. [50] De manière similaire à la deuxième étape B, la technique de fusion sélective est également utilisée pour fabriquer par fabrication additive métallique les pistes et les connectiques 16 sur la seconde couche 10 métallique 12 des substrats céramiques métallisés 2. [51] Cette étape C peut, bien entendu, être intervertie avec la deuxième étape B. En outre, les connectiques 16 imprimées peuvent s'étendre à l'extérieur du substrat 2, afin de réaliser des connectiques, dites connectiques « externes » permettant la liaison du module électronique de 15 puissance au réseau électrique de l'aéronef. [52] L'impression des connectiques 16 permet en particulier de maitriser leur hauteur, facilitant de fait la connexion de composants de différentes hauteurs ainsi que le remplissage des interstices entre les composants et les connectiques 16 par un matériau isolant. 20 [053] En figure 3 est illustré un exemple d'impression de connectiques 16 sur l'un des substrats 2. Comme on peut le voir, ces connectiques 16 peuvent être des pistes, des plots, de tailles (hauteur et largeur) différentes. Ainsi, au terme des étapes B et C, le substrat céramique métallisé 2 a sur une couche métallique 10 des dissipateurs thermiques 14, et sur l'autre couche 25 métallique 12 des connectiques 16, ces éléments étant imprimés directement sur le substrat 2. [054] L'impression se révèle être plus fiable face aux risques de court-circuit au niveau des distances minimales entre les pistes de faibles dimensions, de l'ordre de 100 pm à 500 pm, par rapport aux méthodes utilisées dans la 30 technique antérieure telle que le brasage direct ou le « bump ». Ce procédé 12 précis permet en outre de connecter des électrodes des composants à semiconducteurs de faibles dimensions (c'est-à-dire inférieurs à 300 x 300 jim2). [55] La quatrième étape du procédé, notée D sur les figures 1 et 3, consiste à déposer une couche de fixation 18 au moins en partie sur les premières 5 connectiques 16 imprimées sur la seconde couche métallique 12 de chacun des au moins deux substrats 2. [56] La couche de fixation 18 permet de faire l'attache entre : - le composant à semi-conducteur de puissance et les connectiques imprimées ; 10 - les connectiques imprimées et le substrat. [57] La couche de fixation 18 peut être choisie parmi : une brasure et/ou de la pâte d'argent et/ou un matériau époxy-conducteur et/ou du verre chargé en Argent. [58] Typiquement, la couche de fixation 18 présente une épaisseur 15 supérieure ou égale à 10 pm. [59] Le dépôt de la couche de fixation 18 peut être réalisé par différentes techniques, telles que par exemple la sérigraphie, l'injection ou l'impression. [60] La cinquième étape, notée E sur la figure 1, consiste ensuite à disposer des composants 19 semi-conducteurs de puissance et des 20 secondes connectiques 22 entre les couches de fixation 18 des au moins deux substrats métallisés 2. [61] En pratique et comme visible sur la figure 4, chaque composant 19 à semi-conducteur de puissance comprend des électrodes 24, 26 sur au moins deux de ses faces 28, 30. Ces électrodes 26 peuvent recouvrir toute la 25 surface de la face 30 du composant 19 sur laquelle elles sont disposées : elles sont alors appelées électrodes « pleine face ». Également, plusieurs électrodes 24 peuvent être disposées sur une même face 28 du composant 19. [62] Sur la figure 4, les deux composants 19 à semi-conducteurs de 30 puissance comprennent chacun sur leur face inférieure 30 une électrode 26 « pleine face ». Les deux composants 19 à semi-conducteurs de puissance 13 comprennent également sur la face supérieure 28 deux électrodes 24. En pratique, et comme illustré sur la figure 4, les composants à semi-conducteur sont disposés entre les couches de fixation 18 des deux substrats céramiques métallisés 2 de sorte que les électrodes 26 « pleine face » soient 5 reliées au même substrat métallisé 2. Il est bien entendu possible de fixer chacune des électrodes 26 « pleine face » à des substrats céramiques métallisés 2 distincts. De manière générale, une distribution uniforme des électrodes 24, 26 entre les deux substrats métallisés 2 permet une meilleure gestion thermique et limite les contraintes thermodynamiques différentielles 10 liées aux coefficients de dilatation thermique entre les deux substrats céramiques métallisés 2. [63] Les composants 19 à semi-conducteurs de puissance ainsi que des secondes connectiques 22 qui ne sont pas réalisées par impression tel que décrit dans la troisième étape du procédé, sont placés sur les couches de 15 fixation. Ainsi, les différentes parties à attacher sont mises en contact mécanique. [64] Comme on peut le voir sur la figure 4, la seconde connectique 22, qui est dans cet exemple une connectique extérieure, est mise en contact avec la couche de fixation d'un des substrats céramiques métallisés. 20 [065] Une étape de solidification de la couche de fixation 18 est ensuite réalisée, consistant à figer à l'aide d'un procédé tel que par exemple, le brasage, le frittage ou encore le recuit, la fixation des éléments (substrats, composants 19 à semi-conducteurs de puissances, secondes connectiques) entre eux. 25 [066] La sixième étape du procédé, notée F sur la figure 1, consiste à injecter un matériau isolant entre les secondes couches métalliques 12 desdits au moins deux substrats 2 comprenant la couche de fixation 18 des composants électroniques de puissance et des secondes connectiques. [067] Cette sixième étape F consiste à assurer l'isolation entre les différents 30 éléments constitutifs du module électronique de puissance. Ainsi, les interstices entre les substrats 2, les composants 19 à semi-conducteurs de 14 puissance, et les premières 16 et secondes connectiques, sont remplis par un encapsulant, un matériau isolant pouvant être choisi parmi : une résine époxy et/ou un gel silicone et/ou un élastomère silicone. [68] En particulier, pour dans le cas d'utilisation de composants 19 à semi- 5 conducteurs de puissance de type SiC, GaN, l'encapsulant peut être choisi résistant à des températures supérieures ou égale à 200 °C. [69] Il est à noter, de plus, que la maitrise de la hauteur des premières connectiques 16 grâce à leur fabrication par impression, permet d'utiliser une grande variété de matériaux d'encapsulation. En effet, par exemple, des 10 matériaux d'encapsulation chargés avec des nano ou microparticules peuvent être utilisés. Ce genre de matériaux d'encapsulation chargés avec des nano ou microparticules, bien qu'ils aient des propriétés électriques plus intéressantes que des matériaux sans de telles particules, présente une viscosité plus élevée. Une viscosité élevée des matériaux encapsulant, dont 15 l'écoulement est de fait réduit, rend difficile le remplissage des petits espacements. En maitrisant la hauteur des connectiques 16, on peut alors s'assurer de dimensionner les espaces de sorte qu'ils peuvent être remplis avec des matériaux d'encapsulation chargés avec des nano ou microparticules. 20 [070] Le procédé ici proposé se distingue des procédés de l'état de la technique de par la réduction du nombre d'étapes et du temps d'assemblage. En effet, ici une seule étape de solidification est nécessaire. [071] Ainsi, au terme de ce procédé, un module électronique de puissance est obtenu, tel qu'illustré sur la figure 4. Un tel module électronique de 25 puissance comprend donc deux substrats métallisés 2, chacun comprenant une première face 20 et une seconde face 22 opposées sur lesquelles sont disposées respectivement les couches métalliques 10, 12. Les substrats métallisés 2 sont disposés de sorte que leurs secondes faces 22 sont disposées en regard l'une de l'autre. En particulier, des dissipateurs 30 thermiques 14 sont disposés directement sur chaque première face 20 des substrats 2 du module électronique et des connectiques 16 sont disposées 15 sur chaque seconde face 22 du module électronique. Une couche de fixation est déposée sur les connectiques 16 de chacun des substrats 2. En outre, des composants 19 à semi-conducteurs de puissance et des connectiques externes sont disposés entre les couches de fixation 18 des substrats 2. En 5 particulier, les composants 19 à semi-conducteurs de puissance comprennent des électrodes qui sont directement mises en contact avec la couche de fixation des substrats, de sorte que les composants 19 à semiconducteurs de puissance sont maintenus entre les deux substrats. [072] De tels modules électroniques de puissance présentent les avantages 10 suivants : Les modules obtenus présentent une très bonne performance thermique. En effet, avec des dissipateurs thermiques 14 présents sur les deux substrats 2, le refroidissement se fait sur deux faces du module électronique de puissance. En outre, la géométrie complexe 15 des dissipateurs thermiques 14, grâce à leur impression, optimise l'échange thermique entre le fluide (air ou liquide) présent dans l'environnement du module électronique de puissance. La suppression des TIMs permet de réduire le nombre d'interfaces dans le module électronique de puissance, et donc réduit la résistance 20 thermique de l'ensemble, permettant une meilleure évacuation des calories vers sle radiateur, et donc vers l'extérieur. Les modules obtenus peuvent être utilisés à haute température. Ces modules sont compatibles avec l'utilisation de composants à semiconducteur de puissance de type SiC et GaN pour des utilisations à 25 plus de 200 °C, grâce à la suppression des TIMs qui limitent en température les modules électroniques de la technique antérieure. Ces modules sont intéressants pour des applications dans l'aéronautique, permettant de rapprocher l'électronique de commande des sources chaudes (par exemple moteurs, freins...) afin d'avoir des 30 systèmes plus intégrés et d'en réduire l'encombrement. 16 - Les modules électroniques de puissance obtenus peuvent présenter une densité de puissance surfacique et volumique des convertisseurs plus importante par rapport aux modules électroniques existants, notamment grâce l'utilisation REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un module électronique de puissance, comprenant les étapes suivantes : a) Fournir au moins deux substrats métallisés (2) à partir d'au moins deux substrats céramiques (4), chacun des substrats céramiques (4) comprenant deux faces opposées (6, 8) sur lesquelles sont respectivement disposées une première et une seconde couches métalliques (10,12) ; b) Imprimer des dissipateurs thermiques (14) sur la première couche métallique (10) de chacun desdits au moins deux substrats (2) ; c) Imprimer des premières connectiques (16) sur la seconde couche métallique (12) de chacun desdits au moins deux substrats (2) ; d) Déposer une couche de fixation (18) au moins en partie sur les premières connectiques (16) imprimées sur la seconde couche métallique (12) de chacun desdits au moins deux substrats (2) ; e) Disposer des composants à semi-conducteur de puissance et des secondes connectiques entre les couches de fixation desdits au moins deux substrats métallisés. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les étapes b) et c) sont réalisées par la fusion sélective d'un lit de poudre métallique. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la poudre métallique est une poudre d'alliage et/ou de métal pur. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche de fixation (18) fixant les composants (19) à semi-conducteurs de puissance ainsi que les connectiques entre eux et avec lesdites faces libres des secondes couches métalliques (12) desdits au moins deux substrats (2), est une brasure et/ou de la pâte d'argent et/ou un matériau époxy-conducteur et/ou du verre chargé en argent. 18 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche de fixation (18) a une épaisseur supérieure ou égale à 10 pm. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'étape e) est suivie d'une étape de solidification de la couche de fixation 5 (18) par brasage et/ou frittage et/ou recuit. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'étape e) est suivie d'une étape f) consistant à : - Injecter un matériau isolant entre les secondes couches métalliques (12) desdits au moins deux substrats (2) comprenant la couche de 10 fixation (18) des composants électroniques de puissance et des connectiques externes. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le matériau isolant utilisé lors de l'étape f), est une résine époxy et/ou un gel silicone et/ou un élastomère silicone. 15 9. Module électronique de puissance comprenant au moins deux substrats métallisés (2), chacun comprenant une première face (20) et une seconde face (22) opposées, lesdits substrats métallisés (2) étant disposés de sorte que lesdites secondes faces (22) sont disposées en regard l'une de l'autre, caractérisé en ce que des dissipateurs thermiques (14) sont disposés 20 directement sur chaque première face (20) et en ce que des connectiques (16) sont disposées sur chaque seconde face (22), des composants (19) à semi-conducteurs de puissance et des connectiques externes étant disposés entre ces secondes faces (22) et fixés aux substrats (2) via une couche de fixation (18). 25