FR 3085085 A1 20200221 FR 1857531 A 20180817 TRANSISTOR A BARREAUX SUPERPOSES ET STRUCTURE DOUBLE-GRILLE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La présente invention se rapporte au domaine de la micro-électronique et des transistors, et concerne plus particulièrement celui des transistors dotés d'une structure formant au moins un canal sous forme d'une pluralité de barreaux semiconducteurs disposés les uns au-dessus des autres. Pour permettre le contrôle électrostatique du canal, une telle structure est typiquement associée à électrode de grille à configuration dite « enrobante », c'est à dire qui s'étend tout autour des barreaux, que ce soit en regard de leurs faces supérieures et inférieures, mais aussi latéralement. Une telle configuration permet de manière générale d'obtenir un meilleur contrôle électrostatique de la structure de canal. Toutefois, dans certains cas, notamment pour certaines dimensions de barreaux et pour certains matériaux, la présence d'une grille totalement enrobante peut poser problème. Une mise en conduction de la structure de canal dans des plans cristallographiques différents peut en particulier, nuire aux performances du transistor. La mobilité des porteurs et donc les performances en termes de courant de sortie peuvent être en particulier directement impactées. Des effets de coins inhérents à l'existence de deux faces latérales adjacentes sont également susceptibles de dégrader le contrôle électrostatique du transistor. Il se pose donc le problème de réaliser une structure améliorée de transistor à barreaux semi-conducteurs superposés. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un mode de réalisation de la présente invention prévoit pour cela la mise en oeuvre d'un transistor à barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres et d'une structure d'électrode de grille de type double-grille répartie sur une face supérieure et sur une face inférieure des barreaux semi-conducteurs, tandis que des 2 faces latérales des barreaux semi-conducteurs sont isolées électriquement de la grille par le biais de bouchons d'isolations qui s'étendent contre les faces latérales des barreaux semi-conducteurs. Les deuxièmes barreaux aptes à former un canal ou des canaux ont des surfaces latérales isolées, la conduction électrique étant limitée aux faces supérieure et inférieure de même orientation cristallographique. Une conduction électrique est donc inhibée sur des surfaces dont le comportement physique est différent de celui des faces supérieure et inférieure. En particulier, un mode de réalisation prévoit la réalisation d'une 10 structure pour transistor comprenant les étapes suivantes : a) prévoir sur un support, un empilement comportant une alternance d'un ou plusieurs premiers barreaux en matériau sacrificiel, en particulier en un premier matériau semi-conducteur, et d'un ou plusieurs deuxièmes barreaux à base d'un deuxième matériau semi-conducteur, 15 b) retirer, par gravure partielle et sélective du deuxième matériau semi- conducteur, des régions latérales des deuxièmes barreaux de sorte à réduire leur largeur et libérer des espaces de part d'autre de faces latérales des deuxièmes barreaux, c) former dans lesdits espaces des bouchons isolants contre les faces latérales des deuxièmes barreaux, 20 d) retirer, par gravure sélective du premier matériau semi-conducteur, les premiers barreaux de sorte à dévoiler une face supérieure et une face inférieure des deuxièmes barreaux, e) former une électrode de grille en regard de la face supérieure et de la face inférieure des deuxièmes barreaux, les bouchons isolants étant agencés contre les 25 faces latérales des deuxièmes barreaux lors de la formation de la grille. Avec un tel procédé, on forme une grille contre la face supérieure et la face inférieure de barreaux semi-conducteurs, autrement dit des faces de même orientation cristallographique, tandis qu'on empêche, par le biais des bouchons isolants, un contrôle électrostatique des barreaux au niveau des faces latérales de ces derniers, c'est-à-dire dans des zones d'orientations cristallographiques différentes. Cela permet 3 d'obtenir un comportement électrique semblable à celui de structures de transistors dites « planaires » et qui soit amélioré. Avantageusement, entre l'étape d) de retrait des premiers barreaux et l'étape e) de formation de la grille, on peut faire croitre un matériau semi-conducteur donné ayant un paramètre de maille différent du deuxième matériau semi-conducteur sur la face supérieure et la face inférieure des deuxièmes barreaux. Le matériau donné que l'on fait croitre est avantageusement prévu pour mettre en contrainte les barreaux semi-conducteurs destinés à former au moins une région de canal ou pour se mettre en contrainte lui-même. Les bouchons isolants sont 10 conservés durant cette croissance et permettent d'empêcher une croissance dudit matériau semi-conducteur donné sur les faces latérales des deuxièmes barreaux. Une croissance épitaxiale est facilitée par le fait qu'elle n'est réalisée que sur un même type de plan cristallin. On évite ainsi d'éventuels défauts qui seraient créés par la croissance sur les plans latéraux dont l'orientation cristallographique est différente. La mise en 15 contrainte des deuxièmes barreaux est localisée sur leurs faces supérieure et inférieure de même orientation cristallographique, ce qui permet d'accroitre le bénéfice de cette contrainte et d'améliorer les performances électriques du transistor. Un tel mode de réalisation permet en effet de privilégier l'apport de contrainte dans le plan du transport électrique. 20 Le matériau semi-conducteur donné que l'on fait croitre peut être avantageusement à base de Germanium. Dans ce cas, préalablement à la formation de la grille, on peut effectuer au moins un recuit thermique ou une oxydation contrôlée de sorte à faire diffuser du Germanium dans lesdits deuxièmes barreaux. Un tel mode de réalisation peut permettre 25 d'adapter la tension de seuil du transistor par changement de la nature chimique du canal ou des canaux. En variante, lorsque le matériau semi-conducteur donné que l'on fait croitre est à base de Germanium, on peut former la grille sur des portions de matériau semi-conducteur donné disposée sur la face supérieure et la face inférieure des 30 deuxièmes barreaux. 4 On peut ainsi conserver une configuration de type coeur-coquille (en anglais « core-shell ») avec les deuxièmes barreaux formant un coeur semi-conducteur entouré du matériau semi-conducteur donné formant une coquille de composition différente autour de ce coeur, la grille étant alors disposée contre cette coquille. Selon un mode de réalisation particulier, le procédé peut comprendre en outre, entre l'étape c) de formation des bouchons isolants et l'étape d) de retrait des premiers barreaux, des étapes de : - réalisation d'une grille factice, - formation d'espaceurs isolants de part et d'autre de la grille factice, 10 - retrait sélectif de portions d'extrémité des premiers barreaux de sorte à réduire leur longueur et libérer des espaces de part d'autre de régions d'extrémité des premiers barreaux, - formation d'espaceurs isolants internes dans lesdits espaces. Avantageusement, le procédé peut alors comprendre en outre, après la 15 formation des espaceurs isolants internes et préalablement à l'étape d) de retrait des premiers barreaux, des étapes de : - formation des régions de source et de drain, - formation d'au moins une couche d'encapsulation sur les régions de source et de drain, 20 - retrait de la grille factice. Avantageusement les bouchons isolants sont en un matériau diélectrique de constante diélectrique inférieure à 7. Les bouchons isolants peuvent être en un matériau diélectrique choisi parmi les matériaux suivants : SiBCN, Si02, SiN, Si3N4. 25 De préférence, les bouchons isolants sont en un matériau diélectrique donné, la gravure sélective du premier matériau semi-conducteur à l'étape d) de retrait étant sélective vis-à-vis du matériau diélectrique donné. Selon un mode de réalisation particulier lorsque les deuxièmes barreaux sont en en silicium, la face supérieure et la face inférieure des deuxièmes barreaux peut 30 avoir une orientation correspondant au plan cristallographique (100). 5 Le procédé peut s'appliquer en particulier pour des deuxièmes barreaux semi-conducteurs plus larges qu'épais, et est particulièrement avantageux pour des deuxièmes barreaux ayant une largeur supérieure à 20 nm. Selon un autre aspect, un mode de réalisation concerne une structure 5 de transistor obtenue à l'aide d'un procédé tel que défini précédemment ou une structure comprenant: - un empilement avec une alternance d'un ou plusieurs premiers barreaux en un premier matériau semi-conducteur et un ou plusieurs deuxièmes barreaux à base d'un deuxième matériau semi-conducteur, des portions centrales des 10 deuxièmes barreaux formant au moins un canal dudit transistor, - une électrode de grille en regard d'une face supérieure et d'une face inférieure des portions centrales des deuxièmes barreaux, - des bouchons isolants agencés entre l'électrode de grille et des faces latérales desdites portions centrales des deuxièmes barreaux à base du deuxième 15 matériau semi-conducteur. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : 20 Les figures 1A-1D servent à illustrer un exemple de procédé de réalisation d'une structure pour canal de transistor et à barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, des bouchons isolants étant agencés de part et d'autre des barreaux ; Les figures 2A-2G servent à illustrer la mise en oeuvre d'une double- 25 grille pour la structure de canal à barreaux semi-conducteurs ; Les figures 3A-3B servent à illustrer une variante de réalisation pour laquelle on fait croitre un matériau semi-conducteur sur des faces supérieures et inférieures de barreaux, une croissance latérale étant inhibée par les bouchons isolants ; 6 La figure 4 sert à illustrer une étape d'enrichissement en Germanium des barreaux semi-conducteurs ; La figure 5 sert à illustrer un structure de transistor à barreaux disposés les uns au-dessus des autres et mis en contrainte et une électrode de grille ayant un agencement de type double-grille ; Les figures 6A-6E servent à illustrer une variante de procédé de réalisation d'une structure double grille pour une structure de canal à barreaux semiconducteurs superposés ; Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures 10 portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme pour rendre les figures plus lisibles. En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de 15 l'orientation, telle que « sur », « au-dessus », « supérieure », « inférieure », « latérale » etc. d'une structure s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée sur les figures. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère à présent à la figure 1A donnant un exemple de structure 20 semi-conductrice à barreaux semi-conducteurs superposés et à partir de laquelle une structure de canal de transistor peut être formée. La structure 10 peut être réalisée sur un substrat 1 de type communément appelé « bulk » formé d'une couche semi-conductrice ou bien un substrat de type semi-conducteur sur isolant, par exemple de type SOI comprenant une couche de 25 support semi conductrice recouverte d'une couche isolante par exemple à base Si02, elle- même recouverte d'une fine couche semi-conductrice superficielle, par exemple en silicium. La structure 10 comporte un empilement avec une alternance de couches à base d'un matériau 6, sacrificiel, typiquement un premier semi-conducteur, et 7 de couches à base d'un deuxième matériau 8 qui est semi-conducteur et différent du premier matériau 6. Le matériau 6 est susceptible de pouvoir être gravé de manière sélective vis-à-vis du deuxième matériau semi-conducteur 8. Le deuxième matériau semiconducteur 8 peut être également susceptible de pouvoir être gravé de manière sélective vis-à-vis du premier matériau semi-conducteur 6. Par exemple, le premier matériau 6 est à base de silicium germanium tandis que le deuxième matériau 8 est en silicium. On peut former un tel empilement par épitaxies successives de couches semi-conductrices. La structure de couches empilées représentée sur la figure 1A est ici une structure obtenue à l'issue d'une gravure, les couches gravées comportant typiquement 10 des portions sous forme de barreaux. La structure est ainsi formée d'une alternance de barreaux 4a, 4b, 4c, 4d, à base du premier matériau 6 et de barreaux Sa, 5b, 5c, à base du deuxième matériau 8. Les barreaux 4a, Sa, 4b, 5b, 4c, Sc, 4d, empilés que l'on appelle indifféremment « nano-fils » ou « nano-couches » (« nano-sheet ») sont par exemple de forme parallélépipédique ou sensiblement parallélépipédique. Les barreaux 5a, 5b, 5c, 15 peuvent avoir une épaisseur typiquement entre 4 et 12 nm, par exemple entre 6 nm et 8 nm. Les barreaux ont une largeur typiquement supérieure à leur épaisseur (dimension mesurée dans une direction parallèle au plan principal du substrat et en particulier à l'axe y d'un repère orthogonal [O; x; y; z], le plan principal du substrat étant 20 quant à lui un plan du substrat défini sur la figure 1A comme un plan parallèle au plan [O; x; y]). L'épaisseur e est typiquement prévue entre 6nm et 10nm tandis que la largeur peut être comprise par exemple entre 6nm à 100nm. Ensuite, on effectue une gravure partielle de portions de la structure empilée, qui peut être isotrope, et sélective, de manière à réaliser un retrait partiel de 25 certains des barreaux 5a, Sb, 5c de l'empilement. Dans cet exemple, on retire partiellement les barreaux à base du deuxième matériau 8. La gravure est de préférence une gravure isotrope sélective du deuxième matériau semi-conducteur 8 vis-à-vis du premier matériau 6. Par exemple, dans le cas où les barreaux Sa, Sb, Sc sont à base de Si tandis que les barreaux 4a, 4b, 4c, 4d sont à base de SiGe, la gravure peut être une 8 gravure isotrope du Si, sélective vis-à-vis du SiGe, une telle gravure pouvant être réalisée par exemple par gravure humide à l'aide d'ammoniac (NH3). De cette manière, on réduit la largeur des barreaux 5a, Sb, 5c. Cette réduction de largeur peut être de un à plusieurs nanomètres, par exemple de l'ordre de 1 à 3 nm. Une fois la réduction effectuée, les barreaux Sa, 5b, Sc peuvent avoir une largeur W par exemple supérieure à 20 nm et inférieure à 100 nm, typiquement entre 15nm à 50nm. On obtient ainsi une structure empilée comportant une alternance de barreaux 4a, 4b, 4c, 4d à base du matériau 6 et de barreaux à base du matériau semi- 10 conducteur 8 ayant des dimensions latérales plus faibles que celles des barreaux 4a, 4b, 4c, 4d. Du fait de la différence de dimensions latérales entre les barreaux 4a, 4b, 4c, 4d d'une part et les barreaux Sa, 513, 5c d'autre part, la structure comporte un profil dentelé, avec des encoches 12 ou rainures 12 au niveau de ses flancs latéraux. 15 Ces encoches ou rainures 12 forment des espaces de part d'autre de faces latérales des barreaux Sa, Sb, Sc que l'on remplit par (ou sur lesquelles on forme) un matériau diélectrique, tel que par exemple du nitrure de silicium (SiN, Si3N4, SixN,), ou de l'oxyde de silicium (Si02) ou du SiBCN. Le matériau diélectrique déposé par exemple de manière conforme est 20 ensuite gravé afin de réaliser des bouchons isolants 15 de part et d'autre des barreaux à base du matériau semi-conducteur 8 (figure 1C donnant une vue en perspective et figure 1D donnant une vue en coupe transversale). Les bouchons isolants 15 ont une largeur Dc qui peut être de plusieurs nanomètres et qui correspond à la profondeur des encoches ou rainures 12. 25 Les bouchons isolants 15 peuvent servir par la suite d'éléments de masquage permettant d'empêcher une croissance épitaxiale sur les deuxièmes barreaux Sa, 5b, Sc en matériau semi-conducteur 8. Les bouchons isolants 15 peuvent constituer également une isolation électrique latérale de la structure semi-conductrice empilée par rapport à une électrode de grille. Dans ce cas, on choisit de préférence des bouchons en 9 un matériau diélectrique ayant une constante diélectrique faible, en particulier inférieure à 7. On peut ensuite (figure 2A) former une grille 21 factice, par exemple en polysilicium et des espaceurs isolants 23a, 23b dits « externes » de part et d'autre de la grille factice 21. Les espaceurs isolants 23a, 23b sont par exemple à base de nitrure de silicium (SiN) ou de SiCN. Les espaceurs isolants 23a, 23b peuvent être avantageusement formés à base d'un matériau diélectrique différent de celui des bouchons isolants 15. Les espaceurs isolants 23a, 23b et la grille sacrificielle 21 couvrent ainsi au moins une zone centrale de l'empilement de barreaux semi-conducteurs. 10 On réalise typiquement une gravure des espaceurs externes 23a, 23b de manière à aussi graver les extrémités de la structure et faire a pparaitre ses flancs. On peut ensuite réaliser des espaceurs isolants dits « internes ». Pour cela on effectue tout d'abord une gravure sélective de portions du premier matériau 6, ici des portions d'extrémité des premiers barreaux 4a, 4b, 4c, 4d (figure 2B). Le retrait du 15 premier matériau 6 permet de libérer des espaces 31 formant des cavités, que l'on vient ensuite remplir d'un matériau diélectrique 33 tel que par exemple à base de nitrure de silicium (figure 2C). On peut ensuite effectuer un retrait d'une épaisseur de ce matériau diélectrique 33 dans des zones situées de part et d'autre des espaceurs 23a, 23b. On 20 choisit de préférence un procédé anisotrope afin de conserver le diélectrique dans les cavités et en retirer l'excès en dehors des cavités. Ce retrait peut être réalisé par exemple à l'aide d'un procédé humide à base d'acide phosphorique afin de conserver des régions en matériau diélectrique 33 autour d'extrémités de barreaux 4a, 4b, 4c, 4d. Ces régions de matériau diélectrique 33 également appelés « espaceurs internes » ont comme dans 25 l'exemple illustré sur la figure 2C, de préférence une face externe alignée avec celle des espaceurs externes 23a, 23b. On peut ensuite former des blocs 45a, 45b semi-conducteurs de source et drain. Ces blocs 45a, 45b peuvent être réalisés par exemple en effectuant une croissance épitaxiale et prenant naissance au moins sur une portion des barreaux Sa, Sb, 30 5c de matériau semi-conducteur 8. Les blocs 45a, 45b semi-conducteurs sont par exemple 10 en silicium. Le matériau semi-conducteur 8 peut être dopé, et en particulier lors de sa croissance. Puis (figure 2D), on forme une couche 57 appelée couche 57 « d'encapsulation » de manière à recouvrir la structure. La couche 57 d'encapsulation est de préférence isolante et peut être par exemple à base d'oxyde de silicium. Une étape de retrait, par exemple par aplanissement ou polissage CMP (CMP pour « Chemical Mechanical Planarization ») d'une épaisseur de cette couche 57 de masquage peut être ensuite réalisée avec un arrêt au niveau du sommet ou de la face supérieure de la grille sacrificielle 21. 10 Puis, on réalise une ouverture 59 de manière à dévoiler à nouveau une région centrale de l'empilement de barreaux semi-conducteurs (figure 2E). Cette ouverture 59 est formée en retirant la grille sacrificielle 21. Lorsque la grille sacrificielle 21 est en polysilicium, son retrait peut être réalisé par exemple par une gravure humide à l'aide d'une solution à base d'ammoniaque, avec arrêt sur le diélectrique de grille 15 sacrificielle, celui-ci pouvant être ensuite retiré dans l'ouverture 59, par exemple par gravure à l'aide d'acide fluorhydrique pour le cas typique d'un diélectrique à base d'oxyde de silicium. Puis, on effectue dans l'ouverture 59, un retrait du premier matériau 6. On effectue en particulier une gravure sélective du premier matériau 6 20 vis-à-vis du deuxième matériau 8. La gravure est également avantageusement sélective vis-à-vis du matériau des bouchons isolants 15. Des portions centrales des premiers barreaux 4a, 4b, 4c, 4d situées dans l'ouverture 59 sont ainsi retirées. De préférence, la gravure est également sélective vis-à-vis du ou des matériau(x) des espaceurs internes 33 et externes 23a, 23b. Un retrait sélectif peut être 25 effectué, par exemple par gravure chimique en phase vapeur, par exemple à l'aide d'HCI, Dans le cas où le matériau 6 retiré est du Sii_aGee. On obtient ainsi dans l'ouverture 59, des barreaux suspendus 5a, 5b, Sc à base du matériau semi-conducteur 8, dans cet exemple du silicium, et recouverts sur leurs faces latérales par les bouchons isolants 15. 11 Les barreaux Sa, 5b, Sc, à base du matériau semi-conducteur 8 ont avantageusement une portion centrale qui n'est pas recouverte par un autre matériau, de sorte qu'un espace vide est formé au-dessus et au-dessous de la portion centrale des barreaux Sa, Sb, Sc à base du matériau semi-conducteur 8 (figure 2E). On peut ensuite déposer au moins une couche de diélectrique de grille, par exemple un empilement de SiO2 et de 1-If02. Cette couche recouvre en particulier une face supérieure 5' et sur une face inférieure 5" de barreaux. Puis, on dépose au moins un matériau de grille tel que par exemple un empilement de TiN et de W. On forme ainsi une grille 61 en regard de la face supérieure 5' et la face inférieure 5" des deuxièmes barreaux 10 Sa, Sb, Sc, tout en conservant des bouchons servant d'isolation électrique contre les faces latérales des deuxièmes barreaux Sa, Sb, Sc (figures 2F et 2G). La grille 61 réalisée n'est dans ce cas pas une grille totalement enrobante et permettant un contrôle électrostatique des barreaux semi-conducteurs 5a, Sb, Sc sur 3 dimensions, mais une double-grille, dans la mesure où les bouchons isolants 15 permettent d'isoler les faces 15 latérales des barreaux semi-conducteurs 5a, 5b, 5c par rapport à la grille 61. Selon une variante de l'exemple de réalisation qui vient d'être décrit, après l'étape de retrait des premiers barreaux, on peut prévoir avantageusement de réaliser une croissance épitaxiale de matériau semi-conducteur 75 sur une face supérieure et sur une face inférieure des deuxièmes barreaux Sa, 5b, Sc (figures 3A et 20 3B). Les bouchons isolants 15 permettent alors d'empêcher une croissance latérale de matériau semi-conducteur. Le matériau 75 est typiquement choisi de sorte à avoir un paramètre de maille différent de celui du matériau 8 des deuxièmes barreaux Sa, Sb, 5c afin de les mettre en contrainte. Par exemple, le matériau semi-conducteur 75 que l'on fait croitre peut 25 être à base de Sii,Ge' lorsque les deuxièmes barreaux Sa, 5b, Sc sont en silicium. L'épaisseur ajoutée peut être par exemple prévue entre 1nm et 5nm, typiquement de l'ordre de 3nm. On fait ainsi croitre dans ce cas du Sii_xGex sur des plans (100) tout en évitant une croissance sur des plans (110). Par le biais d'une vitesse de croissance et d'un 12 mode de croissance homogènes on obtient un matériau semi-conducteur 75 cristallin d'épaisseur homogène et de bonne qualité sur les barreaux 5a, 5b, 5c. Selon une variante, une épaisseur des deuxièmes barreaux 5a, 5b, Sc en Si être retirée pas exemple par oxydation(s)/désoxydation(s), puis remplacée par du 5 xGex de même épaisseur que l'épaisseur retirée, afin d'avoir des deuxièmes barreaux de dimension sensiblement la même qu'avant retrait partiel, mais constitué de matériaux semi-conducteurs différents selon une configuration coeur-coquille (core-shell). On peut ensuite former une double grille sur une telle structure. Dans ce cas, on conserve des barreaux Sa, 513, Sc avec une structure comportant un noyau et une 10 enveloppe en matériaux semi-conducteurs différents. On peut en variante (figure 4), avant de former la double-grille, faire diffuser le Germanium du matériau 75 dans les deuxièmes barreaux Sa, 5b, 5c. Pour cela, on effectue un ou plusieurs recuit(s) thermique(s) ou oxydation(s) contrôlée(s). Par exemple, on peut effectuer au moins un recuit à une température qui peut être comprise 15 entre 400°C et 1100°C pendant une durée qui peut être comprise entre 0,5s et plusieurs secondes. Une autre variante prévoit, avant croissance du matériau 75, d'effectuer un amincissement des barreaux Sa, 5b, 5c, par exemple par gravure à l'aide d'ammoniaque ou d'un dérivé. Cet amincissement peut être de l'ordre de plusieurs 20 nanomètres, par exemple entre 1 et 3 nm. Une fois l'amincissement réalisé on peut effectuer la croissance épitaxiale de matériau 75 et réaliser ensuite un éventuel enrichissement lorsque le matériau 75 contient du Germanium. Une variante de procédé prévoit la réalisation des bouchons isolants 15 après formation de blocs de source et de drain 45a, 45b, d'une grille factice, d'espaceurs 25 isolants 123a, 123b et d'une couche d'encapsulation 157 permettant de protéger les blocs 45a, 45b de source et de drain. Dans l'exemple de réalisation de la figure 6A, on retire la grille sacrificielle et l'on forme une cavité 159 dévoilant une région centrale de l'empilement de premiers barreaux et deuxièmes barreaux 4a, Sa, 4b, Sb, 4c, 5c, 4d. Puis (figure 6B donnant une vue en coupe transversale de l'empilement 30 à l'intérieur de la cavité 159), on effectue la gravure partielle de portions latérales des 13 deuxièmes barreaux Sa, Sb, Sc de l'empilement, de sorte on réduire leur largeur par rapport aux premiers barreaux 4a, 4b, 4c, 4d. On réalise ensuite contre les faces latérales des barreaux 5a, 5b, Sc les bouchons isolants 15, par dépôt d'un matériau diélectrique, puis gravure de ce matériau diélectrique (figure 6C). On effectue ensuite dans la cavité 159, un retrait des premiers barreaux 4a, 4b, 4c, 4d (figures 6D et 6E). On peut ensuite, faire croitre un matériau semi-conducteur de paramètre de maille différent de celui du matériau des deuxièmes barreaux pour mettre 10 en contrainte ces derniers, puis réaliser la structure de grille en déposant au moins un diélectrique de grille et au moins un matériau de grille dans la cavité 159. En variante, REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure pour transistor, comprenant les étapes suivantes : a) prévoir sur un support (1), un empilement comportant une alternance d'un ou plusieurs premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d) en matériau sacrificiel, en particulier en un premier matériau semi-conducteur (6), et d'un ou plusieurs deuxièmes barreaux (Sa, Sb, 5c) à base d'un deuxième matériau semi-conducteur (8), b) retirer, par gravure partielle et sélective du deuxième matériau semi-conducteur (8), des régions latérales des deuxièmes barreaux (5a, 5b, Sc) de sorte à réduire leur largeur et libérer des espaces de part d'autre de faces latérales des deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c), c) former dans lesdits espaces des bouchons isolants (15) contre les faces latérales des deuxièmes barreaux (Sa, Sb, Sc), d) retirer, par gravure sélective du premier matériau semi-conducteur (6), une portion centrale des premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d) de sorte à dévoiler une face supérieure et une face inférieure d'une portion centrale des deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c), e) former une électrode de grille (61) en regard de la face supérieure et de la face inférieure des deuxièmes barreaux (Sa, Sb, Sc), les bouchons isolants (15) étant agencés contre les régions latérales des deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c) lors de la formation de la grille (61). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel entre l'étape d) de retrait des premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d) et l'étape e) de formation de la grille (61), on faire croitre un matériau semi-conducteur donné (75) ayant un paramètre de maille différent du deuxième matériau semi-conducteur sur la face supérieure et la face inférieure des deuxièmes barreaux, les bouchons isolants (15) étant configurés pour empêcher une croissance dudit matériau semi-conducteur donné (75) sur les faces latérales des deuxièmes barreaux (Sa, Sb, Sc). 15 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit matériau semi- conducteur donné (75) que l'on fait croitre est à base de Germanium et dans lequel préalablement à la formation de la grille (61), on effectue au moins un recuit thermique ou au moins une oxydation de sorte à faire diffuser du Germanium dans lesdits deuxièmes barreaux (Sa, 5b, Sc). 4. Procédé selon la revendication 2, dans lequel ledit matériau semi- conducteur donné (75) que l'on fait croitre est à base de Germanium et dans lequel la grille (61) est formée sur des portions de matériau semi-conducteur donné disposée sur la 10 face supérieure et la face inférieure des deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c). 5. Procédé selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel préalablement à la croissance, on effectue un amincissement des deuxièmes barreaux, en particulier d'une épaisseur égale à celle de matériau semi-conducteur donné (75) que l'on 15 fait croitre. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, comprenant en outre, entre l'étape c) de formation des bouchons isolants (15) et l'étape d) de retrait des premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d), des étapes de : 20 - réalisation d'une grille factice (21), formation d'espaceurs isolants (23a, 23b) de part et d'autre de la grille factice (21), - retrait sélectif de portions d'extrémité des premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d) de sorte à réduire leur longueur et libérer des espaces de part d'autre de régions 25 d'extrémité des premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d), - formation d'espaceurs isolants internes (33) dans lesdits espaces. 7. Procédé selon la revendication 6, comprenant en outre, après la formation des espaceurs isolants internes (33) et préalablement à l'étape d) de retrait des 30 premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d) : 16 - formation des régions de source et de drain (45a, 45b), - formation d'au moins une couche d'encapsulation (57) sur les régions de source et de drain, la couche d'encapsulation étant agencée de sorte à dévoiler la grille factice, - retrait de la grille factice (61). 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, les bouchons isolants (15) étant en un matériau diélectrique, ayant une constante diélectrique inférieure à 7 et/ou choisi parmi les matériaux diélectriques suivants : SiBCN, 5i02, SiN, Si3N4. 10 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, les bouchons isolants (15) étant en un matériau diélectrique donné, la gravure sélective du premier matériau semi-conducteur (6) à l'étape d) de retrait étant sélective vis-à-vis du matériau diélectrique donné. 15 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les deuxièmes barreaux étant en silicium, la face supérieure et la face inférieure des deuxièmes barreaux ayant une orientation correspondant au plan cristallographique (100). 20 11. Structure de transistor comprenant sur un support (1) : - un empilement comportant une alternance d'un ou plusieurs premiers barreaux (4a, 4b, 4c, 4d) en un premier matériau semi-conducteur (6) et un ou plusieurs deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c) à base d'un deuxième matériau semi-conducteur (8), des 25 portions centrales des deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c) formant au moins un canal dudit transistor, - une électrode de grille (61) en regard d'une face supérieure et d'une face inférieure des portions centrales des deuxièmes barreaux (5a, 513, 5c), - des bouchons isolants (15) agencés entre l'électrode de grille (61) et 30 des faces latérales desdites portions centrales des deuxièmes barreaux (5a, 5b, 5c) à base du deuxième matériau semi-conducteur (8).