FR 3072465 A1 20190419 FR 1859553 A 20181016 PIXEL DE ROIC MULTIMODE AVEC CAPACITÉ DE TÉLÉMÉTRIE LASER (LRF) CONTEXTE DE L'INVENTION L Domaine de l'invention La présente invention concerne un réseau de plan focal, et plus particulièrement un pixel de circuit intégré de lecture doté d'une capacité de télémétrie laser. 2. Description de l'état de la technique connexe 11 existe un intérêt accru pour les systèmes d'imagerie passive, de détection d'impulsion et de décodage de fréquence de répétition d'impulsion, ainsi que de télémétrie laser. Les systèmes nécessitant plusieurs capteurs posent des problèmes d'intégration dans un capteur optique ou un réseau de plan focal unique pour des questions de taille et de complexité. Des pixels multifonctionnels peuvent être fournis dans des circuits intégrés de lecture (ROIC). Le ROIC avec des pixels multifonctionnels peut être fourni dans un réseau de plan focal (FPA) doté d'une capacité de télémétrie laser (LRF). LRF fait référence à la télémétrie, ce qui signifie la détermination de la distance des objets et le suivi des objets (cibles) éclairés par une source laser dans un champ de vision (F0V) défini par un FPA. Les techniques LRF peuvent déterminer la distance par rapport à une cible en mesurant le temps de vol (Tan d'une impulsion laser allant de la source laser à une cible puis renvoyée vers le récepteur qui, dans ce cas, est le UA. La source laser peut être colocalisée à proximité du FPA. La portée et la résolution en portée sont les deux paramètres les plus importants pour tout système LRF. Dans un cas idéal, les portées peuvent être mesurées en kilomètres et la précision en mètres. Ces deux paramètres dépendent du rapport signal sur bruit (SNR) et de la bande passante du récepteur, par exemple, du FPA. Traditionnellement, les circuits d'un pixel individuel du FPA ont une bande passante trop faible pour la détermination du TOF. Toutefois, l'augmentation de 75 la bande passante des circuits ROIC afin de répondre aux besoins de la détermination du ToF nécessite généralement des éléments de circuit supplémentaires par pixel ainsi qu'une consommation d'énergie accrue, ces deux facteurs allant contre les tendances consistant à réduire la surface de pixel et la consommation d'énergie. La fonction LRF peut être réalisée à l'aide de rampes basées sur la tension 30 comportant une pente connue (V/s). L'initiation de la rampe est synchronisée avec l'émission d'impulsions laser par la source laser. Lors de la réception d'une impulsion laser réfléchie par le FPA, la valeur de rampe de tension correspondante est enregistrée et numérisée. En utilisant la pente de rampe connue, la valeur de rampe capturée peut être convertie en temps, puis ultérieurement en distance. En utilisant ce procédé, la rampe basée sur la tension fournit une plage de tension analogique limitée. Une plage plus longue peut être obtenue en diminuant la vitesse de rampe aux dépens de la résolution en portée. De plus, des circuits de pixel supplémentaires utilisés pour la mise 5 en oeuvre de la technique de la rampe basée sur la tension peuvent affecter les performances de différents modes d'imagerie et/ou augmenter la taille des pixels. Alors que les procédés et systèmes traditionnels ont généralement été jugés satisfaisants pour le but visé, il existe toujours un besoin dans la technique pour un FPA capable de réaliser une imagerie passive de manière simultanée avec la détection des impulsions renvoyées par 10 une source active d'éclairage (une source laser) à des résolutions spatiales de pas de pixel et avec une consommation d'énergie de FPA moindre. La présente invention apporte une solution à ce problème. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Selon un aspect de l'invention, un pixel de télémétrie laser (LRF) multimode d'un 15 réseau de pixels est fourni. Le pixel LRF multimode inclut un photodétecteur, un circuit de détection d'image comportant une première pluralité de transistors et un circuit LRF comportant une seconde pluralité de transistors. Au moins un transistor de la seconde pluralité de transistors, mais pas la totalité de la seconde pluralité de transistors, est inclus dans la première pluralité de transistors. Le circuit LRF est configuré pour effectuer des opérations LRF et le circuit de détection d'image est 20 configuré pour effectuer des opérations d'imagerie passive. Le circuit de détection d'image et le circuit LRF sont configurés pour fonctionner simultanément. Dans des modes de réalisation, le circuit LRF a une bande passante supérieure à 200 MHz. Dans des modes de réalisation, le circuit LRF a une bande passante supérieure à 500 MHz. En outre, dans des modes de réalisation, le pixel LRF multimode inclut en outre un circuit de 75 détection d'impulsion et un conducteur de polarisation. Le circuit de détection d'impulsion est configuré pour effectuer une détection d'impulsion laser asynchrone (ALPD). Lorsqu'un signal de polarisation comportant un premier niveau de polarisation est appliqué au conducteur de polarisation, le pixel LRF multimode fonctionne à une première bande passante qui permet au circuit LRF d'effectuer des opérations LRF. Lorsqu'un signal de polarisation comportant un second niveau de 30 polarisation inférieur au premier niveau de polarisation est appliqué au conducteur de polarisation, le pixel LRF multimode fonctionne à une seconde bande passante qui ne permet pas au circuit LRF d'effectuer des opérations LRF, mais qui permet circuit e détection d'impulsion laser d'effectuer les opérations ALPD. Dans des modes de réalisation, le circuit LRF est couplé à au moins un comparateur pour comparer la sortie du circuit LRF. Chaque comparateur couplé au circuit LRF est 5 externe au pixel LRF multimode. En outre, dans des _odes de réalisation, le pixel LRF rnuitiinode inclut en outre un circuit de détection d'impulsion configuré pour effectuer des opérations de détection d'impulsion laser asynchrone (ALPD), un premier trajet raccordé au circuit de détection d'image, un deuxième trajet raccordé au circuit de détection d'impulsion et un troisième trajet raccordé au circuit LRF. Le 10 premier trajet est configuré pour une lecture synchrone et les deuxième et troisième trajets sont configurés pour une lecture asynchrone. Selon d'autres aspects del'invention, un réseau d- plan focal (FPI- est four leq 1 comporte un réseau de pixels LRF multimode. Dans des modes de réalisation, le FPA inclut en outre un réseau de pi els ac s, 15 dans lequel le réseau de pixels LRF multimode est un sous-ensemble approprié du réseau de pixels actifs. De plus, dans des modes de réalisation, les pixels du réseau de pixels LRF multimode effectuent des opérations LRF à au moins une résolution prédéterminée, dans lequel des pixels du réseau de pixels actifs qui ne sont pas inclus dans le réseau de pixels LRF multimode a) n'incluent pas le circuit LRF ou incluent le circuit LRF mais sont incapables d'effectuer des opérations LRF à 20 au moins la résolution prédéterminée et b) incluent au moins l'un parmi un circuit de détection d'image configuré pour effectuer des opérations d'imagerie passive et un circuit de détection d'impulsion laser configuré pour effectuer des opérations ALPD. Dans des modes de réalisation, les pixels du réseau de pixels actifs qui ne sont pas inclus dans le réseau de pixels LRF multimode incluent le circuit LRF. Un signal de polarisation 75 est appliqué à chacun des pixels du réseau de pixels actifs, le signal de polarisation comportant un premier ou un second niveau de polarisation. Le niveau du signal de polarisation détermine si le pixel est inclus dans le réseau de pixels LRF multimode. Les pixels du réseau actif qui reçoivent un signal de polarisation appliqué comportant le premier niveau de polarisation sont inclus dans le réseau de pixels LRF multimode. Les pixels du réseau actif qui reçoivent un signal de polarisation 30 appliqué comportant le second niveau de polarisation ne sont pas inclus dans le réseau de pixels LRF multimode. 4 De plus, dans des modes de réalisation, le FPA inclut en outre au moins un circuit de commande qui reçoit un signal de commande d'entrée et commande le niveau de polarisation du signal de polarisation appliqué à chacun des pixels du réseau de pixels actifs. Dans des modes de réalisation, le signal de commande est basé sur une entrée utilisateur. En outre, dans des modes de 5 réalisation, les pixels du réseau de pixels actifs sont structurellement uniformes.*. Selon d'autres aspects de l'invention, un appareil LRF est décrit, lequel inclut une source laser et un FPA qui comporte un réseau des pixels de télémétrie laser (LRF) multimode. Dans des modes de réalisation, l'appareil LI& multimode comporte un réseau de pixels actifs, dans lequel le réseau de pixels LRF multimode est un sous-ensemble approprié du 10 réseau de pixels actifs. Les pixels du réseau de pixels LRF multimode effectuent des opérations LI& à au moins une résolution temporelle prédéterminée, dans laquelle des pixels du réseau de pixels actifs qui ne sont pas inclus dans le réseau de pixels LRF multimode a) incluent le circuit LRF mais sont incapables d'effectuer des opérations LRF à au moins la résolution temporelle prédéterminée et b) incluent au moins l'un parmi un circuit de détection d'image configuré pour effectuer des 15 opérations d'imagerie passive et un circuit de détection d'impulsion laser configuré pour effectuer des opérations ALPD. Un signal de polarisation est appliqué à chacun des pixels du réseau de pixels actifs, dans lequel le signal de polarisation comporte un premier ou un second niveau de polarisation. Le niveau du signal de polarisation détermine si le pixel est inclus dans le réseau de pixels LRF multimode. Les pixels du réseau actif qui reçoivent un signal de polarisation appliqué comportant le 20 premier niveau de polarisation sont inclus dans le réseau de pixels LRF multimode. Les pixels du réseau actif qui reçoivent un signal de polarisation appliqué comportant le second niveau de polarisation ne sont pas inclus dans le réseau de pixels LRF multimode. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS Pour que l'homme du métier auquel l'invention se rapporte comprenne aisément 75 comment réaliser et utiliser les dispositifs et procédés de la présente invention sans expérimentation inutile, des modes de réalisation de ceux-ci seront décrits en détail ci-dessous en référence à certaines figures, dans lesquelles : Les figures 1 à 3 représentent chacune un diagramme schématique de modes de réalisation illustratifs d'un pixel de télémétrie laser (LRF) multimode pour la détection multimode 30 d'image et/ou de signaux laser réfléchis selon des modes de réalisation de la présente invention ; La figure 4 représente un diagramme schématique d'un exemple de réseau de pixels qui inclut deux pixels LRF multimode, un pixel polarisé pour activer la fonction LRF et un pixel 1- sé pour ne pas activer la fonction LRF selon des modes de réalisation de la présente mv erition, La figure epr sente un diagramme schématique d'un exemple de réseau de plan focal (FPA) comportant des sous-réseaux de pixels selon des modes de réalisation de la présente 5 invention ; La figure SA représente un diagramme schématique d'un pixel multirnode qui n'estpas doté de capacités LRF selon des modes de réalisation de la présente invention ; La figure 5B représente un diagramme schématique d'un exemple de circuit de commande pour un FPA selon des modes de réalisation de la présente invention ; 10 La figure 6 est un diagramme schématique d'un autre mode de réalisation d'un exemple de pixel LRF multimode selon des modes de réalisation de la présente invention ; et La figure 7 est un diagramme schématique d'un exemple de circuit récepteur T'OF d'une partie d'un circuit intégré de lecture (ROIC). DESCRIPTION DÉTAILLÉE 15 On se référera maintenant aux dessins dans lesquels des numéros de référence identiques identifient des caractéristiques ou des aspects structurels similaires de la présente invention. À des fins d'explication et d'illustration, et non de .limitation, un diagramme schématique d'un mode de réalisation illustratif d'un exemple de pixel LRF multimode pour la détection multimode selon l'invention est représenté dans la figure 1 et est généralement désigné par le 20 caractère de référence 100. D'autres modes de réalisation d'un pixel LRF multimode selon l'invention, ou des aspects de celle-ci, sont fournis dans les figures 2 à 7, tel que décrit. Comme décrit plus en détail ci-dessous, le pixel LRF multimode 100 est inclus dans un réseau de plan focal (FPA) multimode qui est doté de capacités multimodes à la fois pour la télémétrie laser (LRF) et l'imagerie. Chaque pixel LRF multimode 100 est doté de capacités LRF, ce 75 qui signifie que le pixel est capable de recevoir une impulsion de photocourant de courte durée (comprises entre des nanosecondes et des dizaines de nanosecondes) au niveau de son entrée et de fournir une réponse en tension au niveau de sa sortie dans les 10 ris suivant l'événement de photocourant pulsé d'entrée. Un exemple d'application d'un FPA multimode est une caméra utilisée pour 30 l'imagerie infrarouge et la télémétrie laser associée à des impulsions laser émises par des marqueurs laser militaires et réfléchies par des cibles, telles que le proche infrarouge (NIR) et l'infrarouge à courte longueur d'onde (SWIR). D'autres applications pour caméras qui acquièrent des images et 6 effectuent une télémétrie pour des impulsions lumineuses haute fréquence de courte durée sont également envisagées. Les techniques LRF peuvent déterminer la distance par rapport à une cible en mesurant le temps de vol (TOF) d'une impulsion laser allant d'une source laser à la cible puis 5 renvoyée vers un photodétecteur. Les signaux laser émis par la source laser peuvent avoir une longueur d'onde visible dans la bande infrarouge à ondes courtes. Tandis que la lumière se déplace à une vitesse d'un pied par nanoseconde, une résolution TOF d'un pied nécessite une résolution temporelle de 2 nanosecondes, compte tenu du trajet aller-retour. Un circuit LRF nécessite une résolution temporelle élevée pour détecter et horodater les impulsions laser réfléchies avec une 10 résolution TOF utile. Au contraire, l'imagerie passive réalisée par la caméra SWIR est un processus plus lent. La sortie du photodétecteur est intégrée dans le temps pour obtenir un rapport signal sur bruit souhaité, qui définit une vitesse pratique à laquelle les signaux d'image souhaitent être lus. En conséquence, la résolution temporelle d'imagerie peut être inférieure à la résolution temporelle nécessaire à la détermination TOF d'impulsion laser. 15 En conséquence, le pixel LRF multimode 100 peut être inclus dans un réseau de pixels d'une caméra qui est utilisée pour acquérir des images et détecter des signaux de désignation laser pour effectuer des opérations LRF. La caméra peut être, par exemple, une caméra SWIR pouvant être utilisée pour détecter et horodater l'heure d'arrivée de signaux laser réfléchis, qui ont généralement une longueur d'onde visible dans la bande infrarouge à ondes courtes. En variante, 20 le pixel LRF multimode 100 peut également être utilisé pour détecter et horodater des impulsions laser réfléchies d'une longueur d'onde non SWIR ou émises par d'autres émetteurs d'énergie d'impulsion haute fréquence avec des durées d'impulsion courtes. Le pixel LRF multimode 100 peut être utilisé dans un réseau de capteurs qui détecte des signaux électromagnétiques ultraviolets, visibles ou d'autres signaux électromagnétiques reçus, tels que des rayons x. Dans le mode de réalisation représenté dans la figure 1, le pixel LRF multimode 100 inclut un circuit photodétecteur 102. Le circuit photodétecteur 102 peut inclure un photodétecteur 110 auquel est associée une capacité d'appauvrissement intégrée, représentée par un condensateur parasite 112. Le condensateur 112 peut également représenter une capacité associée à une électrode raccordant une anode du photodétecteur 110 à un noeud 141, dans lequel le terme « noeud » désigne un noeud électrique. Le terme « noeud électrique » ou « noeud » désigne tout point d'un circuit où deux éléments de circuit ou plus se rencontrent, ce qui peut inclure des 7 interconnexions (par exemple, 'sraccordées directement à ce point avant deencontrer un autre élément de circuit. Le photodétecteur 110 est un dispositif de détection sensible à l'IR qui ém.et un photocourant en réponse à une excitation par des photons dans des longueurs d'onde IR. Les 5 matériaux sensibles à l'infrarouge peuvent inclure, par exemple, l'antimoniure d'indium (InSb, prononcé « Inns-Bee »), l'arséniure d'indium gallium (InGaAs, prononcé « Inn-Gas . En variante, le circuit photodétecteur 102 pourrait représenter n'importe quel type de détecteur générant un courant en réponse à une forme de signal d'entrée comportant une bande passante suffisante pour convertir un signal d'entrée en un courant pour des impulsions de signal d'entrée d'une durée 10 comprise entre 1 ns et 1 000 as. Le circuit photodétecteur 102 détecte la lumière incidente qui, dans l'exemple actuel, inclut la lumière infrarouge ambiante et les impulsions laser réfléchies. En réponse à la détection de lumière infrarouge, le circuit photodétecteur 102 peut émettre des signaux basse fréquence, tandis qu'en réponse à une détection d'impulsions laser réfléchies, le circuit photodétecteur 102 peut émettre de courtes durées de signaux haute fréquence. 15 La sortie du circuit photodétecteur 102 est reçue et traitée par un circuit LRF 104 et un circuit de détection d'image 106. Le circuit d'imagerie 106, comportant une première pluralité de transistors, est configuré pour effectuer des opérations d'imagerie passive. La première pluralité de transistors inclut, par exemple, des transistors inclus dans un tampon d'entrée 120, un dispositif de commande 122 et des transistors inclus dans un circuit d'intégration de courant 124, dans lequel 20 le tampon d'entrée 120 et le dispositif de commande 122 peuvent former un circuit de rétroaction. Le circuit d'intégration de courant 124 peut être n'importe quel circuit intégrant une charge de signal pour générer un niveau de tension de sortie. Dans sa mise en oeuvre la plus élémentaire, le circuit d'intégration de courant 124 peut être un condensateur. Un autre exemple de mode de réalisation du circuit d'intégration de courant 124 peut inclure un condensateur et un miroir de courant. La sortie 25 du circuit d'intégration de courant 124 peut être dirigée vers un circuit de commutation qui commande la fourniture de la sortie du circuit d'intégration 124 vers un circuit de lecture synchrone. Le circuit LRF 104, comportant une seconde pluralité de transistors, est configuré pour effectuer des opérations LRF destinées à détecter des impulsions laser réfléchies asynchrones. Afin de détecter les impulsions laser réfléchies qui fonctionnent à des fréquences temporelles 30 élevées, il faut augmenter la bande passante du tampon d'entrée 120, ce qui est réalisé en augmentant le courant de polarisation du tampon d'entrée 120. Le courant de polarisation du tampon d'entrée 120 est augmenté en utilisant une tension de polarisation plus élevée. La seconde pluralité de transistors inclut, par exemple, des transistors inclus dans le tampon d'entrée 120 et un transistor d'amplification 130. Le transistord'amplification 130 est un tran sistor de taille minima e (ou quasi minimale) pouvant fournir la sortie du pixel LRF raultimode 100 vers une borne d'entrée/de sortie 5 d'un amplificateur de détection de mode de tension (SA) avec une sortie pour le circuit LRF 104. Le transistor d'amplification 130 peut être un transistor 'Koos ou NMOS. Des exemples de circuits pour le traitement de la sortie des transistors d'amplification 130 d'un réseau de pixels LRF sont décrits dans la demande de brevet américain en coinstance intitulée CIRCUIT DE TRAITEMENT DE SORTIE DE PIXEL AVEC CAPACITÉ DE TÉLÉMÉTRIE LASER (LRF), déposée en même 10 temps que la présente demande de brevet et qui est incorporée ici dans son intégralité. Une seconde référence de tension Vref2 est appliquée à une première borne des bornes source/de drain du transistor d'amplification 130, et un signal de sortie LRF common du pixel LRF multimode 100 est fourni en sortie par l'intermédiaire del'autre borne des bornes source/de drain du transistor d'amplification 130. La configuration de la borne utilisée parmi les 15 bornes source/de drain pour l'application de Vref2 et la sortie de LRFcommon dépend de la configuration du transistor d'amplification 130, par exemple si le transistor d'amplification 130 est configuré en tant que transistor 'Koos ou NMOS. Dans des modes de réalisation, un ou plusieurs amplificateurs de détection peuvent recevoir la sortie des circuits LRF 104 inclus dans un réseau du FPA, tel qu'un sous-réseau qui inclut un sous-ensemble approprié de pixels inclus dans le UA. 20 VDIRiCi représente une tension interne à un pixel LRF qui subit un delta de tension en réponse à une impulsion de photocourant de courte durée au niveau de l'entrée de pixel. VREF2 représente une alimentation en tension de polarisation appliquée à la source du transistor d'amplification 106. La différence entre les tensions VDI.__RiCj en régime permanent et VREF2 affecte les caractéristiques d'amplification des transistors d'amplification, ainsi que le temps de 25 réponse d'un delta sur VDI_RiCj à une indication d'indicateur d'impulsion au niveau de la borne de sortie 122. En conséquence, le circuit LRF 104 et le circuit de détection d'image 106 partagent un ou plusieurs transistors, tels que des transistors inclus dans le tampon d'entrée 120. En d'autres termes, au moins un transistor de la seconde pluralité de transistors, mais pas la totalité de la seconde pluralité de transistors, est inclus dans la première pluralité de transistors. 30 De plus, le circuit LRF 104 et le circuit de détection d'image 106 sont configurés pour exécuter leurs fonctions respectives simultanément, ce qui signifie que les opérations LRF et l'opération d'imagerie passive peuvent être effectuées en même temps. En particulier, pendant onctionnement du circuit multimode 100, les signaux haute fréquence suivent un trajet haute fréquence et gravitent vers un noeud 140 et les signaux basse fréquence suivent un trajet basse fréquence et gravitent vers un noeud 142. Les signaux haute fréquence sont transmis par l'intermédiaire d'un noeud 146 par le transistor d'amplification 130 en 5 tant que signal de sortie LRF, LRF_common, qui peut être traité pour déterminer un temps de vol entre un signal d'impulsion émis et un signal réfléchi détecté. Les signaux basse fréquence sont reçus par le circuit d'intégration de courant 124 pour générer des signaux d'itnage qui peuvent être és pour être lus et affichés. Un exemple de pixel portant un trajet haute fréquence et un trajet basse 10 fréquence est décrit dans la demande de brevet américain N"14 997 171 portant le N" de publication 2017/0207262, qui est incorporée ici par renvoi dans son intégralité. La présente invention n'est pas limitée à une configuration particulière de formation du trajet haute fréquence et basse fréquence. tre d'exemple, le tampon d'entrée 120, qui est représenté dans l'exemple de nmode de réalisation sous forme d'amplificateur opérationnel, reçoit le signal de charge émis par le 15 circuit photodétecteur 102 au niveau de sa borne d'entrée 128. Une tension de référence Vrefl est fournie à une borne de référence (positive) 126 du tampon d'entrée 120. Le tampon d'entrée 120 isole le circuit photodétecteur 102 d'une charge du circuit LRF 104 et amplifie davantage le signal provenant du circuit photodétecteur 102. Initialement, l'impédance du dispositif de commande 122 est suffisamment élevée pour que presque toutes les charges de signal dérivent vers la borne d'entrée 20 128 du tampon d'entrée 120 car l'impédance d'entrée au niveau de la borne d'entrée 128 est inférieure à celle du dispositif de commande 122. Ces signaux accumulés au niveau du tampon d'entrée 120 ont tendance à sortir du tampon d'entrée 120 le long du trajet haute fréquence vers le noeud 140. Les signaux qui circulent dans le dispositif de commande 122 sont indiqués par Vin. Les signaux basse fréquence seront transmis à travers le dispositif de commande 122 car la bande 25 passante du circuit de rétroaction est suffisante pour régler l'impédance du dispositif de commande 122 en réponse à des changements de signal basse fréquence. En effet, cela permet aux signaux haute fréquence, indiques par Viti, de suivre immédiatement le trajet haute fréquence vers le noeud 140, tandis que les signaux basse fréquence sont déviés à travers le dispositif de commande 122. En conséquence, des signaux haute fréquence 30 qui correspondent à des impulsions laser haute fréquence présentant des durées courtes de l'ordre des nanosecondes (par exemple, 1 à 10 nsec/impulsion) et des dizaines de nanosecondes se propageront rapidement vers le noeud 140. 10 À mesure que le temps passe, tous les signaux de charge provenant du circuit photodétecteur 102, y compris les signaux basse fréquence et haute fréquence, peuvent traverser le dispositif de commande 122 par l'intermédiaire d'un trajet de signal de charge qui traverse le noeud 144, entrant dans le noeud source du dispositif de commande 122 et sortant de son noeud de drain 5 vers le trajet basse -fréquence vers le noeud 142 pour le traitement par le circuit d'intégration de courant 124. Cela permet aux signaux d'imagerie basse fréquence qui sont capturés à une vitesse moins élevée (par exemple, 30 ms par trame) de sortir du dispositif de commande 122 et d'entrer dans le circuit d'intégration de courant 124. Le tampon d'entrée 120 est un filtre passe-bas intrinsèque. Le tampon d'entrée 120 peut être un amplificateur incluant des transistors NMOS ou 10 PMOS et comporte une sortie RC, dans laquelle R est défini par la résistance de sortie du tampon d'entrée 120 et C est défini par la somme des capacités physiques ou parasites au niveau du noeud de sortie du tampon d'entrée 120. La sortie du tampon d'entrée 120 qui se propage vers la porte du dispositif de commande 122 évolue dans le temps pour inclure des signaux de fréquence inférieure qui polarisent 15 le dispositif de commande 122 pour transmettre principalement des signaux basse fréquence depuis la charge qui entre dans le dispositif de commande 122 à partir de la sortie du circuit photodétecteur 102, laissant des signaux haute fréquence depuis la charge s'accumuler au niveau de la borne d'entrée 128 du tampon d'entrée 120. Le courant du signal haute fréquence est bloqué par l'impédance du dispositif de commande 122 et s'intègre au niveau de l'entrée du photodétecteur 110 20 pour devenir un delta de tension au niveau de la borne d'entrée 128 du tampon d'entrée 120, ce qui entraîne la présence d'un signal haute fréquence amplifié au niveau de la sortie du tampon d'entrée 120. La charge intégrée depuis le signal haute fréquence est conservée et finira par traverser le dispositif de commande 122 à travers le trajet basse fréquence qui traverse le noeud 142, mais elle a alors déjà été filtrée dans le filtre passe-bas et son contenu haute fréquence est perdu. 25 Le dispositif de commande 122 peut inclure un transistor à injection directe qui reçoit le signal de charge à partir du circuit photodétecteur 102. Dans l'exemple de mode de réalisation représenté, le transistor à injection directe est un MOSFET de type p, autrement dit un transistor PMOS. Le dispositif de commande 122 reçoit la charge à partir du circuit photodétecteur 102 au niveau de son noeud source. La charge ne peut traverser le dispositif de commande 122 et 30 sortir de son noeud de porte vers le trajet du signal basse fréquence que lorsque le dispositif de commande 122 est suffisamment polarisé par la sortie du tampon d'entrée 120 se propageant vers la port- du dispositif de commande 122. 11 Au début de l'incidence a= u signal, le dispositif de commande 122 est maintenu une impédanceélevée, ce qui laisse le temps aux signaux haute fréquence d'apparaître sur le trajet haute fréquence vers le noeud 140. Après l'apparition des signaux haute fréquence sur le trajet haute fréquence, le dispositif de commande 122 est donc suffisamment polarisé à partir du signal 5 variable sur le trajet haute fréquence, permettant ainsi aux signaux incidents de sortir du trajet du signal basse fréquence à mesure que le temps s'écoule. Dans le mode de réalisation représenté dans la figure 1, le circuit LRF 104 est disposé au niveau du noeud 140. Dans des modes de réalisation, le circuit LRF 104 peut être disposé au niveau d'un autre noeud, tel que le noeud 144, à travers lequel transite une plus grande quantité de 10 signaux. Cependant, les composants du circuit LRF 104 peuvent nuire aux performances du circuit d'intégration de courant 124. De plus, les signaux haute fréquence traversant le noeud 144 ont une amplitude relativement faible et sont plus difficiles à discerner par rapport aux signaux haute fréquence qui traversent le noeud 140. Le positionnement du circuit LRF au niveau du noeud 1.40 plutôt qu'au niveau du 15 noeud 144 présente des avantages, car le noeud 140 reçoit les signaux haute fréquence qui se propagent sur le trajet haute fréquence sans perturber le fonctionnement du circuit d'intégration de courant 124. De plus, les signaux traversant le noeud 140 ont été amplifiés par le gain en boucle ouverte du tampon d'entrée 120. ce qui est avantageux pour la détection d'impulsions laser réfléchies. En référence à la figure 2, un diagramme schématique d'un mode de réalisation 20 d'un exemple de pixel LRF multimode 200 est représenté. La description de composants du pixel LRF multimode 200 identiques à ceux du pixel LRF multimode 100 représentés dans la figure 1, tels qu'indiqués par leurs numéros de référence, n'est pas répétée, sauf s'ils ont de manière spécifique un rapport avec le mode de réalisation représenté dans la figure 2. Le pixel LRF multimode 200 inclut en outre un circuit de détection d'impulsion 202. Le circuit de détection d'impulsion 202 peut inclure, 75 par exemple, un filtre et un tampon. Le filtre peut en outre inclure un dispositif d'amplification pour amplifier la sortie du tampon afin de fournir un signal propice à la lecture par un circuit de lecture commandé par un signal de synchronisation de trame périodique. Le filtre peut être un filtre passe-haut ou un filtre passe-bande qui est réglé pour laisser passer les composants haute fréquence et atténuer le bruit avec un contenu de fréquence 30 inférieure à partir de ce signal, augmentant ainsi le rapport signal sur bruit et la sensibilité du circuit de détection d'impulsion 202 à des entrées haute fréquence vers le pixel LRF multimode 300. Étant donné que le tampon d'entrée 120 fonctionne en tant que filtre passe--bas intrinsèque, lorsque le filtre 12 du circuit de détection d'impulsion 202 est intégré sous la forme d'un filtre passe-hau combinaison du tampon d'entrée 120 et du filtre du circuit de détection d'impulsion 202 forme un filtre passe-bande. Le filtre du circuit de détection d'impulsion peut être, par exemple, un filtre RC ayant un condensateur (non représenté) et une résistance (non représentée). La sortie du tampon du 5 circuit de détection d'impulsion (ou du dispositif d'amplification, le cas échéant) peut être commandée par un circuit de commutation pour la fourniture commandée à un circuit de lecture synchrone. Le dispositif d'amplification peut être, par exemple, un amplificateur opérationnel formé de transistors. Dans des modes de réalisation, le circuit IRF 104 peut fonctionner 10 simultanément à la fois avec le circuit d'imagerie 102 et le circuit de détection d'impulsion 202 ou avec l'un ou l'autre du circuit d'imagerie 102 et du circuit de détection d'impulsion 202. Dans des modes de réalisation, le circuit de détection d'image 106 et le circuit de détection d'impulsion 202 peuvent partager un ou plusieurs dispositifs électriques (par exemple, un amplificateur, un tampon, un transistor, une résistance et/ou un condensateur). Dans d'autres modes 15 de réalisation, le circuit de détection d'image 106 et le circuit de détection d'impulsion 202 sont indépendants l'un de l'autre et ne partagent aucun dispositif électrique. En conséquence le pixel LRF multimode 200 inclut trois trajets différents sortant du pixel, à savoir un premier trajet raccordé au noeud 142 pour une imagerie passive, une intégration de courant et une lecture synchronisée par trame d'imagerie, un deuxième trajet raccordé au noeud 20 140 pour une détection d'impulsion avec une lecture synchronisée par trame d'impulsion et un troisième trajet raccordé au noeud 140 (ou au noeud 308 comme représenté dans la figure 3) pour une transmission asynchrone et un traitement LRF. Les premier et deuxième trajets sont tous deux synchrones par rapport à leurs signaux de synchronisation de trame d'image et d'impulsion respectifs, dans lesquels les signaux de 25 synchronisation de trame d'image et d'impulsion peuvent être asynchrones l'un par rapport à l'autre. 'fandis que le circuit de détection d'impulsion 202 effectue une ALPD, cela fait référence à la détection d'impulsions laser asynchrones par rapport aux signaux de synchronisation de trame d'impulsion. La lecture à partir du circuit de détection d'impulsion 202 est cependant synchronisée avec les signaux de synchronisation de trame d'impulsion. 30 Le troisième trajet assure à la fois le traitement et la transmission LRF asynchrones et n'utilise pas de signal de synchronisation de trame pour la lecture. L'activité le long du troisième trajet est initiée par la détection d'un événement d'impulsion dans le pixel. Une fois 13 qu'un événement 'impulsion est détecté, il n'existe pas de signal de synchronisation pour initier une activité de lecture de données. Au lieu de cela, un signal LRF_common asynchrone qui indique le moment auquel un événement d'impulsion a été détecté est transmis à partir du pixel. En dehors du pixel, le signal LRF_common est traité de manière asynchrone, sans 5 utiliser de signal de synchronisation, par une première partie d'un circuit récepteur TOF. La première partie du circuit récepteur TOF peut, par exemple, comparer le LRFcommon à un signal de seuil ou combiner, par exemple, au niveau d'un réseau commun, le signal LRF_common émis par le pixel avec des signaux LRF common émis par d'autres pixels du réseau de pixels, comme, à titre de comparaison, à un signal de seuil et/ou d'application d'une fonction OU (par exemple, en 10 utilisant un ou plusieurs comparateurs, circuits OU (ou l'équivalent), amplificateur(s) de détection ou analogues). Ainsi, la première partie du circuit récepteur TOF peut vérifier la détection d'un événement d'impulsion par l'un quelconque des pixels dans le réseau. Dans une seconde partie du circuit récepteur TOF, il s'agit du moment auquel la détection de l'événement d'impulsion par la première partie peut être enregistrée, par exemple, par 15 un verrou de compteur, et comparée à un temps de référence pour déterminer la différence de temps relative entre une émission initiale d'une impulsion laser par la source laser et une détection vérifiée de l'im-puision laser réfléchie. En référence à la figure 3, un diagramme schématique d'un mode de réalisation d'un exemple de pixel LRF multimode 300 est représenté. La description de composants du pixel 20 LRF multimode 300 identiques à ceux des pixels LRF multimode 100 et 200 représentés dans les figures 1 et 2, tels qu'indiqués par leurs numéros de référence, n'est pas répétée, sauf s'ils ont de manière spécifique un rapport avec le mode de réalisation représenté dans la figure 3. Le pixel LRF multimode 300 inclut en outre un filtre passe-haut 302 disposé dans le trajet haute fréquence vers le noeud 240. Le filtre passe-haut 302 peut inclure, par exemple, un transistor 304 et un condensateur 25 306. Le transistor d'amplification 130 du circuit LRF 104 est raccordé au noeud 308, car les signaux traversant le noeud 308 sont filtrés par le filtre passe-haut 302. Une réponse en fréquence du filtre passe--haut 302 est commandée par une première polarisation Vbp appliquée à la porte du transistor 304 et Vthres appliquée à une borne source ou de drain du transistor 304. Dans l'exemple représenté, le transistor 304 est un transistor 30 1NMOS et Vthres est appliqué à sa borne de drain. Dans des modes de réalisation, le transistor 304 est un transistor PMOS et Vthres est appliquée à sa borne source. 'Vthres est en outre utilisée pour commander une polarisation du transistor d'amplification 130 jusqu'à très près de son seuil. Comme 14 représenté dans l'exemple de la figure 3, le transistor d'amplification 130 est un transistor PMOS, cependant,dans des modes de réalisation, le transistor d'amplification 130 peut être un transistor NMOS. Le noeud 140 en amont par rapport au filtre passe-haut 302, est susceptible de 5 contenir un contenu de signal parasite basse fréquence, qui peut masquer un signal laser haute fréquence réfléchi et empêcher sa détection. En raccordant le transistor d'amplification 130 au noeud 308, les avantages du raccordement au noeud 140 plutôt qu'au noeUd 144 sont obtenus, avec l'avantage supplémentaire de la suppression du contenu de signal parasite basse fréquence. En référence à la figure 4, un diagramme schématique d'un mode de réalisation 10 d'une partie d'un exemple de réseau 400 de pixels est représenté, incluant un premier pixel LI& 400a et un second pixel 400b. Une polarisation de courant est appliquée à chacun des pixels 400a, 400b, comme indiqué par le contact 402 des pixels 400a, 400b. Un signal de polarisation est appliqué par l'intermédiaire d'un conducteur de polarisation 404 à chaque pixel 400a, 400b à l'entrée 204 du tampon d'entrée 120. Le signal de polarisation appliqué à chaque pixel 400a, 400b peut être 15 configuré par un utilisateur, un dispositif ou un circuit, par exemple par l'intermédiaire d'un circuit de commande d'activation LRF 406 qui commande le niveau actuel du signal appliqué au tampon d'entrée 120 de chaque pixel 400a, 400b. Le circuit de commande d'activation LRF 406 sélectionne un signal de polarisation à appliquer au tampon d'entrée 120 pour activer ou désactiver un pixel donné pour un fonctionnement TOF. Le signal de polarisation peut être, par exemple, IbiasLRF ou 20 IbiasLP. Le signal d'entrée dans le circuit de commande 406 peut être reçu, par exemple, à partir d'un circuit de commande (par exemple, le circuit de commande FPA 510 représenté dans les figures 5 et 5B), un dispositif analogique, un circuit logique, un dispositif de traitement numérique couplé aux pixels 400a, 400b. Dans des modes de réalisation, le circuit de commande d'activation LRF 406 peut être actionné par l'utilisateur et recevoir le signal d'entrée à partir d'une interface utilisateur des 25 pixels 400a, 400b. Dans l'exemple représenté, les pixels 400a et 400b incluent tous deux des circuits LRF. Un signal de polarisation IbiasLRF appliqué au pixel LRF 400a a une tension suffisante pour polariser les circuits LRF pour effectuer des opérations LRF de sorte que le pixel LRF 400a fonctionne comme un pixel multimode capable de remplir à la fois les fonctions LRF et d'imagerie. 30 Cependant, un signal de polarisation IbiasLP qui a une tension inférieure à la tension du signal de polarisation IbiasLRF (provoquant un courant de polarisation inférieur par rapport au courant de polarisation provoqué par Ibias_LRF à utiliser dans le tampon d'entrée 120) est appliqué au pixel 15 400b. La tension du signal de polarisation _JP est insuffisante pour que les circuits LRF effectuent des opérations LRF ou pour effectuer une opération MF, mais elle est suffisante pour que le circuit d'intégration de courant 124 effectue l'intégration de signal par le circuit d'intégration de courant 124. 5 Bien que non représentés, les pixels 400a et/ou 400b peuvent inclure des circuits de détection de pixel, tel que le circuit de détection de pixel 202 représenté dans la figure 2 pour la détection d'impulsion. La détection d'impulsion effectuée par le circuit de détection de pixel 202 ne nécessite pas autant d'énergie que celle nécessaire pour effectuer des opérations LRF. La polarisation libias_LP appliquée au pixel 400b, bien qu'insuffisante pour que les circuits LRF 10 effectuent des opérations LRF est suffisante pour que le circuit de détection d'impulsion 202 effectue des opérations de détection d'impulsion. En conséquence, le tampon d'entrée 120 du pixel 400b ne peut être utilisé que pour la détection d'imagerie ou d'impulsion ou pour la détection à la fois d'imagerie et d'impulsion tandis que la polarisation IbiasLP est appliquée au tampon d'entrée 120. Comme ihiasLP génère un courant de polarisation inférieur à Ibias._ LRF, 1- pixel 400b 15 consomme moins d'énergie que le pixel 400a. En référence à la figure 5, un diagramme schématique d'un exemple de FPA 500 est représenté, comportant un réseau de pixels qui inclut un premier sous-réseau de pixels actifs en mode LRF 502 ; un second sous--réseau de pixels actifs en mode non-LRF 504, dans lequel le second sous-réseau inclut le premier sous-réseau. Un réseau de pixels actifs 512 inclut donc les 20 pixels actifs en mode LRF et en mode non-LRF 502, 504. Un circuit de commande FPA 510 est couplé aux pixels actifs 504 pour sélectionner la polarisation appliquée aux pixels en mode LRF et aux pixels en mode non-LRF. Les pixels actifs en mode LRF 502 sont des pixels qui fonctionnent en mode LRF, car des signaux de polarisation qui sont appliqués à leurs tampons d'entrée respectifs, tels que le 25 tampon d'entrée 120 représenté dans la figure 1, fournissent suffisamment de courant pour effectuer des opérations LRF. Les pixels actifs en mode non-LRF 504 ne fonctionnent pas en mode LRF, car les signaux de polarisation appliqués à leurs tampons d'entrée respectifs ne fournissent pas suffisamment de courant pour effectuer des opérations LRF. Dans des modes de réalisation, les pixels actifs en mode LRF 502 ont des 30 architectures différentes de celles des pixels actifs en mode non-LRF 504. Les pixels actifs en mode LRF 502 peuvent avoir l'architecture du pixel LRF multimode 100 représenté dans la figure 1. La figure 5A représente un diagramme schématique d'un exemple de pixel en mode non-LRF 550. Il 16 s'agit de la comparaison d'un pixel en mode non-LRF 550 à un pixel LR.F rnultimode 100 représenté dans la figure 1, qui fonctionne comme un pixel en mode LRF 502 lorsqu'un signal de polarisation suffisant est appliqué, tel que Ilbias_LRF. Premièrement, un pixel en mode non-LRF 550 n'inclut pas le transistor d'amplification 130 du pixel LRF multimode 100. Deuxièmement, un pixel en mode 5 non-LRF 550 peut avoir un tampon d'entrée 552 qui a une capacité réduite pour gérer un courant de polarisation plus important par rapport au tampon d'entrée 120 du pixel LRF multimode 100 (par exemple, un pixel en mode LRF 502). Bien que la capacité du tampon d'entrée 120 à gérer le courant de polarisation plus important par rapport à la capacité du tampon d'entrée 552 présente age de la capacité à amplifier un contenu de signal de -fréquence supérieure, le tampon 10 d'entrée 120 peut nécessiter plus d'espace et consommer plus d'énergie que le tampon d'entrée 552. Le pixel en mode non-LRI 550 peut être un pixel multimode qui inclut le circuit d'intégration de courant 124 et le circuit de détection d'impulsion 202 avec l'Ibias LP 404 appliquée au tampon d'entrée 120. En raison de la réduction potentielle de la taille du tampon d'entrée du pixel 550 15 par rapport au pixel LRF multimode 100, ainsi que du nombre réduit de composants (par exemple, omission du transistor d'amplification 130 et omission éventuelle de l'un parmi le circuit d'intégration de courant 124 ou le circuit de détection d'impulsion 202), le pixel en mode non-LRF 550 peut nécessiter une surface plus petite, consommer moins d'énergie et dissiper moins de chaleur par rapport au pixel LRF multimode 100. Dans des modes de réalisation, les pixels actifs en mode 20 LRF 502 et les pixels actifs en mode non-LRF 504 peuvent avoir la même architecture, alors que c'est la polarisation sélectionnée pour être appliquée aux pixels qui détermine si les pixels sont des pixels actifs en mode LRF 502 ou des pixels actifs en mode non-LRF 504. Par exemple, le signal de polarisation Ibias. LRF est appliqué aux pixels en mode LRF, ce qui permet à ces pixels de fonctionner en mode LRF. Le signal de polarisation de tension inférieure IbiasLP, qui est 25 insuffisant pour fonctionner en mode LRF, est appliqué aux pixels actifs en mode non-LRF 504, ce qui entraîne le fonctionnement de ces pixels en mode non--LRF. De plus, lors du fonctionnement en mode non-LRF, la consommation d'énergie et la dissipation de chaleur sont diminuées par rapport à celles des pixels actifs en mode LRF 502. Cependant, l'architecture étant la même pour les pixels actifs en mode LRF 502 et 30 les pixels actifs en mode non-LRF 504, les pixels actifs en mode LRF 502 et les pixels actifs en mode non-LRF 504 ont la même surface et occupent la même quantité d'espace dans le FPA 500. Bien que l'empreinte des pixels actifs en mode non-LRF 504 ne puisse pas être réduite dans ces 17 modes de réalisation, une architecture de pixel uniforme à l'intérieur du réseau de pixels actifs 512 peut être avantageuse. Ainsi, afin de maintenir la consommation d'énergie et de réduire le plus possible la dissipation de chaleur, la taille du sous-réseau de pixels actifs en mode 'RF 502 peut être réduite 5 le plus possible. Dans ces modes de réalisation, le signal de polarisation appliqué aux différents pixels du réseau de pixels actifs 512 peut être sélectionné pour configurer la taille et la position du sous-réseau de pixels actifs en mode LRF 502 par l'intermédiaire du circuit de commande FPA 510. La taille et le positionnement du sous-réseau de pixels actifs en mode LRF 502 peuvent être déterminés sur la base de plusieurs facteurs, tels que le pas de pixel, la sensibilité de 10 pixel, la bande passante de pixel et l'énergie de source laser. Dans des modes de réalisation, sur la base de la taille de point laser réfléchi attendue et de l'énergie d'un cas d'utilisation prévu, le sous-réseau de pixels actifs en mode LRF 502 peut être un réseau de 8x8 pixels LRF multimode 100, sans itation à une taille particulière. De plus, le sous-réseau de pixels actifs en mode LRF 502 peut être disposé au centre du réseau de pixels actifs 512, sans limitation à cet agencement. 15 En référence à la figure 5B, un diagramme schématique est fourni. il représente un exemple de circuit de commande FPA 510 recevant un signal d'entrée, provenant par exemple d'un dispositif analogique, d'un circuit logique ou d'un dispositif de traitement numérique couplé au FPA 500. Dans des modes de réalisation, le circuit de commande FPA 510 peut être utilisé par l'utilisateur et recevoir le signal d'entrée à partir d'une interface utilisateur du FPA 500. Le circuit de 20 commande FPA 510 peut fournir une entrée au circuit de commande d'activation LRF 406 qui sélectionne le signal de polarisation à appliquer au tampon d'entrée (par exemple, le tampon d'entrée 110 représenté dans la figure 2) des pixels en mode LRF 502 et des pixels en mode non-LRF 504. En référence à la figure 6, un diagramme schématique d'un mode de réalisation d'un exemple de pixel LRF multimode 600 est représenté. La description de composants du pixel 25 LRF multimode 600 identiques à ceux des pixels LRF multimode 100, 200 et 300 représentés dans les figures 1, 2 et 3, tels qu'indiqués par leurs numéros de référence, n'est pas répétée, sauf s'ils ont de manière spécifique un rapport avec le mode de réalisation représenté dans la figure 6. Le pixel LRF multimode 600 inclut en outre un amplificateur 602 couplé entre le noeud 140 et le transistor d'amplification 130. L'amplificateur 602 fournit un second étage d'amplification après un premier 30 étage d'amplification fourni par le tampon d'entrée 120. L'amplificateur 602 peut être un amplificateur à extrémité unique ou un amplificateur différentiel, et peut être inversé ou non inversé. 18 Dans des modes de réalisation, le pixel LR.F multimode 600 peut en outre inclure un circuit de détection, tel que le circuit de détection d'impulsion 202 représenté dans la figure 2 (en plus ou à la place du circuit d'intégration 124), et/ou un filtre passe-haut tel que le filtre passe-haut 302 représenté dans la figure 3. 5 En référence à la figure 7, un diagramme schématique est représenté à titre d'exemple d'un circuit récepteur ToF 700 d'une partie d'un ROIC. Le circuit récepteur TOF 700 représenté inclut les transistors d'amplification 130 d'un réseau de pixels actifs en mode LRF (tels que des pixels actifs en mode LRF 502 du premier sous-réseau représenté dans la figure 5). Dans l'exemple représenté, le réseau des pixels actifs en mode LRF est un réseau 8X8 comportant des 10 lignes RO à R7 et des colonnes CO à C7. Toutefois, la taille du réseau n'est pas limité à l'exemple représenté. Cette figure représente VD RiCj appliquée au transistor d'amplification 130 d'un pixel actif en mode LRF correspondant du réseau dans la ligne i et la colonne j, 0 REVENDICATIONSPixel LRF rnultimode dun réseau de pixels, comprenant un ph.otodétecteur ; un circuit de détection d'image comportant une prermère pluralité de transistors, le circuit de détection d'image étant configuré pour effectuer des opérations d'imagerie passive ; et un circuit de télémétrie laser (LRF) comportant une seconde pluralité de transistors, au moins un transistor de la seconde pluralité de transistors, mais pas la totalité de la seconde pluralité de transistors, étant inclus dans la première pluralité de transistors, la LRF étant 10 configurée pour effectuer des opérations LRF; dans lequel le circuit de détection d'image et le circuit LRF sont configurés pour fonctionner simultanément. 2. Pixel LRF multimode selon la revendication 1, dans lequel le circuit LRF a une bande passante supérieure à 200 MHz, et préférablement supérieure à 500 MHz. 15 3. Pixel LRF multimode selon la revendication 1 comprenant en outre : un circuit de détection d'impulsion configuré pour effectuer des opérations de détection d'impulsion laser asynchrone (ALPD) ; et un conducteur de polarisation, dans lequel : 20 lorsqu'un signal de polarisation comportant un premier niveau de polarisation est appliqué u conducteur de polarisation, le pixel LRF multimode fonctionne à une première bande passante qui permet au circuit LRF d'effectuer des opérations LRF, et lorsqu'un signal de polarisation comportant un second niveau de polarisation différent du premier niveau de polarisation est appliqué au conducteur de polarisation, le pixel LRF 75 multimode fonctionne à une seconde bande passante qui ne permet pas au circuit LRF d'effectuer des opérations LRF, mais qui permet au circuit de détection d'impulsion laser d'effectuer les opérations ALPD et d'imagerie passive. 4. Pixel LRF multimode selon la revendication 1, dans lequel le circuit LRF est couplé à au 30 moins un comparateur pour comparer la sortie du circuit LRF et chaque comparateur couplé au circuit LRF est externe au pixel LRF multimode, ou un seul transistor de la seconde pluralité de transistors n'est pas inclus dans la première 23 pluralité de transistors. 5. Pixel LRF multimode selon la revendication 1, comprenant en outre un un circuit de détection d'impulsion configuré pour effectuer des opérations de détection dimpuision laser asynchrone (ALPD) ; un premier trajet raccordé au circuit de détection d'image ; un deuxième trajet raccordé au circuit de détection d'impulsion, les premier et deuxième trajets étant configurés pour une lecture synchronisée par un signal de synchronisation de trame et un signal de synchronisation d'impulsion, respectivement ; et isième trajet raccordé au circuit LRF, le troisième trajet étant configure pour une transmission asynchrone. 6. Réseau de plan focal (FPA) comportant un réseau de pixels de télémétrie laser ( R ') multimode, chaque pixel LRF multimode comprenant un photodétecteur ; un circuit de détection d'image compoltant une première pluralité de transistors, le circuit e détection d'image étant configure pour effectuer des opérations d'imagerie passive ; et un circuit de télémétrie laser (LRF) comportant une seconde pluralité de transistors, au moins un transistor de la seconde pluralité de transistors, mais pas la totalité de la seconde pluralité de transistors, étant inclus dans la première pluralité de transistors, la LRF étant configurée pour effectuer des opérations LRF; dans lequel le circuit de détection d'image et le circuit LRF sont configurés pour fonctionner simultanément. FPA selon la revendication 6, dans lequel le circuit LRF a une bande passante supérieure 75 200 MHz, et préférablement supérieure à 500 MHz. 8. FPA selon la revendication 6, dans lequel chaque pixel LRF multimode comprend en outre un circuit de détection d'impulsion configuré pour effectuer des opérations de détectiond'impulsion laser asynchrone (ALPD) ; et 30 un conducteur de polarisation, dans lequel : lorsqu'un signal de polarisation comportant un premier niveau de polarisation est appliqué au conducteur de polarisation, le pixel LRF multimode fonctionne à une première bande 24 passante qui permet au circuit LRF d'effectuer des opérations LRF, et lorsqu'un signal de polarisation comportant un second niveau de polarisation différent du premier niveau de polarisation est appliqué au conducteur de polarisation, le pixel LRF multimode fonctionne à une seconde bande passante qui ne permet pas au circuit LRF d'effectuer 5 des opérations LRF, mais qui permet au circuit de détection d'impulsion laser d'effectuer les opérations ALPD et d'imagerie passive. 9. FPA selon la revendication 6, dans lequel le circuit LIU' est couplé à au moins un comparateur pour comparer la sortie du circuit LRF et chaque comparateur couplé au circuit LRF est 10 externe au pixel LRF multimode, ou chaque pixel LRF nultimode comprend en outre : un circuit de détection d'impulsion configure pour effectuer des opérations de détection d'impulsion laser asynchrone (ALPD) ; 15 un premier trajet raccordé au circuit de détection d'image ; un deuxième trajet raccordé au circuit de détection d'impulsion, les premier et deuxième trajets étant configurés pour une lecture synchronisée par un signal de synchronisation de trame et un signal de synchronisation d'impulsion, respectivement ; et un troisième trajet raccordé au circuit LRF les deuxième et troisième trajets étant 20 configurés pour une transmission asynchrone. 10. FPA selon la revendication 6, comprenant en outre un réseau de pixels actifs, le réseau de pixels LRF multimode étant un sous-ensemble approprié du réseau de pixels actifs. I L FPA selon la revendication 10, dans lequel les pixels du réseau de pixels LRF multimode effectuent des opérations LRF à au moins une résolution prédéterminée, dans lequel des pixels du réseau de pixels actifs qui ne sont pas inclus dans le réseau de pixels LRF multimode a) n'incluent pas le circuit LRF ou incluent le circuit LRF mais sont incapables d'effectuer des opérations LRF à au moins la résolution prédéterminée et b) incluent au moins l'un parmi un circuit de détection d'image configure pour effectuer des opérations d'imagerie passive et un circuit de détection d'impulsion laser configure pour effectuer des opérations ALPD. 12. FPA selon la revendication 11, dans lequel les s du réseau de pixels actifs qui ne sont pas inclus dans le réseau de pixels LRF muitimode incluent le circuit LRF, et un signal de polarisation est appliqué à chacun des pixels du réseau de pixels 5 actifs, le signal de polarisation comportant un premier ou un second niveau de polarisation, le niveau du signal de polarisation déterminant si le pixel est inclus dans le réseau de pixels LRF multimode, les pixels du réseau actif recevant un signal de polarisation appliqué dont le premier niveau de polarisation est inclus dans le réseau de pixels LRF multimode, les pixels du réseau actif recevant un signal de polarisation appliqué dont le second niveau de polarisation n est pas inclus dans le réseau 10 de pixels LRF multimode, et préférablement les pixels du réseau de pixels actifs sont structurellement uniformes. 13. FPA selon la revendication 12 comprenant en outre au moins un circuit de commande qui reçoit un signai de commande d'entrée et commande le niveau de polarisation du signal de 15 polarisation appliqué à chacun des pixels du réseau de pixels actifs, et préférablement le signal de commande est basé sur une entrée utilisateur. 14. Appareil de télémétrie laser (LRF) multimode, comprenant une source laser; 20 un réseau de plan focal (FPA) comportant un réseau de pixels de télémétrie laser (LRF) muitimode, chaque pixel LRF multimode comprenant : n photodétecteur ; un circuit de détection d'image comportant une première pluralité de transistors, le circuit de détection d'image étant configuré pour effectuer des opérations d'imagerie passive ; et 75 un circuit de télémétrie laser (LRF) comportant une seconde pluralité de transistors, au moins un transistor de la seconde pluralité de transistors, mais pas la totalité de la seconde pluralité de transistors étant inclus dans la première pluralité de transistors, la LRF étant configurée pour effectuer des opérations LRF, dans lequel le circuit de détection d'image et le circuit LRF sont configurés pour fonctionner simultanément. 30 15. Appareil LRF multimode selon la revendication 14, comportant un réseau de pixels actifs, le réseau de pixels LRF multimode étant un sous-ensemble approprié du réseau de pixels actifs, dans 26 les pixels du réseau de pixels I.R.F7 multirnode effectuent des opérations I,RF à au moins une résolution temporelle prédéterminée, dans lequel des pixels du réseau de pix,ls actifs qui ne sont pas hic] us dans le réseau de pixels Lie multimodeincluent le circuit IRE mais sont 5 incapables d'effectuer des opérations I,RF à au moins la résolution temporelle prédéterminée et b) incluent au moins l'un parmi un circuit de détection d'image configuré pour effectuer des opérations d'imagerie passive et un circuit de détection d'impulsion laser configuré pour effectuer des opérations ALPD, et un signal de polarisation est appliqué à chacun des pixels du réseau de pixels 10 actifs, le signal de polarisation comportant un premier ou un second niveau de polarisation, le niveau du signal de polarisation déterminant si le pixel est inclus dans le réseau de pixels LRF multimode, les pixels du réseau actif recevant un signal de polarisation appliqué dont le premier niveau de polarisation est inclus dans le réseau de pixels LRF multimode, les pixels du réseau actif recevant un signal de polarisation appliqué dont le second niveau de polarisation n'est pas inclus dans le réseau 15 de pixels LRF multimode.