FR 3081753 A1 20191206 FR 1854610 A 20180530 - 1 - « Système de dépôt matière et procédé associé » Domaine technique La présente invention se rapporte au domaine des procédés et systèmes de dépôt de matière. La présente invention concerne le dépôt de matière solide, de pâte, de liquide visqueux ou à l'inverse de liquide très 5 faiblement visqueux. La présente invention concerne en particulier les systèmes et procédés de fabrications additives sur substrats plans ou 3D complexes et concerne, à titre d'exemple, les domaines du prototypage, de l'impression 3D ou de la bio-impression. 10 Etat de la technique antérieure On connait dans l'état de la technique antérieure les procédés d'impression sans contact. Il existe différentes variantes de ces procédés, 15 chacune des variantes requiert un système de dépôt propre comportant une technologie de dépôt adaptée à un type de matière à déposer en particulier. On connait la technique de jet d'encre qui est utilisée dans le cas des encres présentant de faibles viscosités généralement comprises entre 2 et 20 centipoises. On connait les distributeurs de pâte (solid paste dispenser) et 20 les techniques de transfert (par exemple Laser-Induced Forward Transfer) utilisés dans le cas d'encres très visqueuses ou de pâtes présentant une viscosité généralement comprises entre 2000 et 50000 centipoises. On connait également les techniques d'extrusion réalisées sur de la matière solide, des encres très visqueuses ou de pâtes. Enfin, on connait la 25 technique de revêtement par ménisque (meniscus coating) mais cette dernière permet de réaliser uniquement des aplats. Aucune des techniques précitées ne permet de déposer tout type d'encre. C'est particulièrement le cas avec la technologie jet d'encre pour laquelle un appareil de dépôt ne peut être utilisé que pour des encres 30 liquides spécialement formulées pour ce dernier. Hormis le procédé jet d'encre, ces techniques n'offrent pas une bonne maitrise des quantités déposées, en particulier lors des phases de démarrage et d'arrêt du dépôt. - 2 - Enfin, aucune de ces techniques ne permet de déposer des quantités de matière de dimensions comprises entre quelques nanomètres et plusieurs microns. On connait dans l'état de la technique antérieure les procédés d'impression avec contact. Parmi ces procédés, on compte les techniques de microcontact (microcontact printing) et de dépôt par micro-réseau (spotter array). Ces deux techniques ne permettent de déposer que des encres de faibles viscosités. On connait également la technique de sérigraphie mais cette dernière est adaptée au dépôt de pâtes. Les techniques de dépôt par contact permettent de réaliser des dépôts que sur des surfaces de dépôt planes et très peu rugueuses. Les techniques de dépôt par contact ne permettent en aucun cas de procéder à des dépôts sur des surfaces rugueuses et/ou présentant des topographies complexes. Un but de l'invention est notamment : - de déposer, avec un même système de dépôt, de la matière solide à extruder, de la matière liquide à forte viscosité et de la matière liquide à faible viscosité, et/ou - de déposer de la matière sur tout type de substrat présentant tout type de topographie et tout type de rugosité, et/ou - de procéder, avec un même système de dépôt, au dépôt de matière sous forme de matrice de points et sous forme de motifs, et/ou - d'améliorer la qualité du dépôt, en particulier lors du démarrage et 25 de l'arrêt du dépôt, et/ou - de déposer des épaisseurs de matière comprises entre quelques nanomètres et plusieurs microns, et/ou - de modifier la quantité déposée, en cours de dépôt, afin de modifier par exemple la forme et/ou une dimension et/ou une géométrie du motif 30 déposé, et/ou - d'obtenir un dépôt de matière homogène et constant indépendamment de la quantité de matière restante dans le contenant. 35 Exposé de l'invention - 3 - A cet effet, selon un premier aspect de l'invention, il est proposé un système de dépôt comprenant : - un contenant agencé pour contenir de la matière à déposer et comprenant une entrée et une sortie, 5 - un système pneumatique agencé pour injecter, par l'entrée, du gaz dans le contenant de sorte que ce gaz exerce, directement ou indirectement, une pression sur la matière à déposer. Le système de dépôt comprend des moyens de commande du système pneumatique agencés pour commander au moins : 10 - une injection, par l'entrée, de gaz à une pression de réglage PM, de sorte qu'un ménisque convexe de matière à déposer fasse saillie du contenant au niveau de la sortie, puis - au moins une injection, par l'entrée, de gaz à respectivement au moins une pression de dépôt PD, PD, supérieure à la pression de 15 réglage PM, de sorte que la matière à déposer s'écoule hors du contenant par la sortie. Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, dans lequel les moyens de commande du système pneumatique peuvent être agencés 20 pour commander plusieurs injections, par l'entrée, de gaz à plusieurs pressions de dépôt PD, différentes les unes des autres de sorte que la matière à déposer s'écoule selon des vitesses différentes hors du contenant par la sortie, lesdites pressions de dépôt PD, étant supérieures à la pression de réglage PM. Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, dans lequel le système pneumatique peut comprendre une source, dite de réglage, agencée pour produire du gaz à la pression de réglage PM et au moins une source, dite de dépôt, agencée pour produire du gaz à au moins une pression de source PS, PS, ladite au moins une pression de source PS, PS, étant, de préférence, au moins 1,01 fois, de préférence encore au moins 1,015 fois, supérieure à la pression de réglage PM. Selon un premier perfectionnement du système de dépôt conforme au premier aspect de l'invention, le système pneumatique peut comprendre 35 une seule source de dépôt. - 4 - Dans le cas où le système comprend une seule source de dépôt et une seule pression de dépôt PD, la pression PS de la source unique peut être égale à une unique pression de dépôt PD. 5 Système de dépôt selon le premier perfectionnement, dans lequel la pression de sources PS peut être supérieure à la pression de dépôt PD, ou à au moins une des pressions de dépôt PD,. Système de dépôt selon le premier perfectionnement, dans lequel la 10 pression de sources PS peut être inférieure à la pression de dépôt PD, ou à au moins une des pressions de dépôt PD,. Système de dépôt selon le premier perfectionnement, dans lequel la pression de source PS peut être égale à la pression de dépôt PD, ou à une 15 des pressions de dépôt PD,. La pression de sources PS peut être supérieure ou égale à une pression de dépôt PD'p, ladite pression de dépôt PD'p étant supérieure à chacune des autres pressions de dépôt PD,. La pression de réglage PS peut être inférieure ou égale à une 20 pression de dépôt PDflf, ladite pression de dépôt PID,,,f étant inférieure à chacune des autres pressions de dépôt PD,. Système de dépôt selon le premier perfectionnement, dans lequel le système pneumatique peut être agencé de sorte que la pression de dépôt 25 PD, ou plusieurs des pressions de dépôt PD,, de gaz injecté dans le contenant est obtenue par : - mélange de gaz provenant de la source de réglage et de gaz provenant de la source de dépôt, et/ou - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant de la source 30 de dépôt, et/ou - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage. Selon un second perfectionnement du système de dépôt du système de dépôt conforme au premier aspect de l'invention, le système 35 pneumatique peut comprendre plusieurs sources de dépôt, chacune - 5 - desdites plusieurs sources de dépôt étant agencée pour produire du gaz à une pression de source PS, différente de chacune des autres pressions de source PS, des autres sources de dépôt. 5 Système de dépôt selon le second perfectionnement, dans lequel chaque pression de source Ps, peut être égale à une pression de dépôt PD, différente. Système de dépôt selon le second perfectionnement, dans lequel au 10 moins une pression de source PS, peut être supérieure à la pression de dépôt PD, ou à chaque pression de dépôt PD,. Système de dépôt selon le second perfectionnement, dans lequel au moins une pression de source PS, peut être inférieure à la pression de dépôt 15 PD, ou à chaque pression de dépôt PD,. Système de dépôt selon le second perfectionnement, dans lequel le système pneumatique peut être agencé de sorte que la pression de dépôt PD, ou plusieurs des pressions de dépôt PD,, de gaz injecté dans le 20 contenant est obtenue par : - mélange de gaz provenant de la source de réglage et de gaz provenant d'au moins une des sources de dépôt, et/ou - mélange de gaz provenant d'une source de dépôt et de gaz provenant d'au moins une autre des sources de dépôt, et/ou 25 - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant d'au moins une des sources de dépôt, et/ou - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage. Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, dans lequel 30 la source de réglage et/ou chaque source de dépôt peut être un réservoir stockant du gaz à sa pression respective de réglage et/ou de source. Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, dans lequel chaque réservoir considéré peut présenter un volume au moins 5 fois, de - 6 - préférence au moins 10 fois, supérieur à la somme du volume du contenant et du volume d'un circuit de gaz reliant ce réservoir considéré à l'entrée. De manière d'avantage préférée, chaque réservoir considéré peut présenter un volume au moins 20 fois, de préférence au moins 50 fois 5 supérieur à la somme du volume du contenant et du volume d'un circuit de gaz reliant ce réservoir considéré à l'entrée. Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, dans lequel les moyens de commande peuvent comprendre une vanne multivoies, dite 10 de commutation, reliée : - à l'entrée du contenant, - à au moins une des sources, - à un système de remise à l'air, ladite vanne multivoies étant agencée pour commuter d'une injection de 15 gaz provenant d'une source de dépôt ou de réglage vers une injection de gaz provenant d'une autre source de dépôt ou de réglage de manière à opérer un changement instantané de pression dans le contenant. Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, dans lequel 20 la pression de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de dépôt PD,, peuvent être inférieures ou égales à 200 kPa au-dessus de la pression atmosphérique. Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, dans lequel 25 la pression de réglage PM peut être inférieure à la pression atmosphérique. Système de dépôt selon l'invention, dans lequel la pression de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de dépôt PD,, peuvent être inférieures à la pression atmosphérique. Système de dépôt selon l'invention, dans lequel la pression de 30 réglage PM et une des pressions de dépôt PD, peuvent être inférieures à la pression atmosphérique, et une autre des pressions de dépôt peut être supérieure à la pression atmosphérique. La pression de réglage PM peut être inférieure à la pression atmosphérique de sorte que la matière à déposer, présentant une viscosité 35 telle qu'elle devrait s'écouler, hors du contenant, si la pression PM était -7 égale ou supérieure à la pression atmosphérique, forme le ménisque convexe et ne s'écoule pas. Système selon le premier aspect de l'invention, pouvant comprendre 5 un système de mise en mouvement agencé pour : - mettre en mouvement le contenant relativement à une surface de dépôt, ou inversement, dans un plan parallèle à la surface de dépôt, dit plan xy, selon un trajet prédéterminé, et/ou - éloigner et/ou rapprocher le contenant relativement de la surface de 10 dépôt, ou inversement. Système selon le premier aspect de l'invention, pouvant comprendre une unité de traitement programmée et/ou configurée pour commander une quantité de matière déposée sur la surface de dépôt en fonction d'une 15 position relative du contenant par rapport à ladite surface en opérant : - une modification, et/ou une adaptation, de la vitesse relative du contenant par rapport à la surface de dépôt, ou inversement, et/ou - une modification, et/ou une adaptation, d'une distance entre la sortie du contenant et la surface de dépôt, et/ou 20 - une modification, et/ou une adaptation, de la pression de dépôt PD, sélectionnée. Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, pouvant comprendre un ou plusieurs dispositifs d'imagerie optique agencés pour 25 imager une zone de dépôt, et/ou une zone comprenant la sortie du contenant, et/ou au moins une partie de la surface de dépôt, de sorte que l'unité de traitement soit agencée pour contrôler la quantité de matière déposée et/ou la position relative du contenant par rapport à la surface de dépôt et, en fonction de ce contrôle, soit agencée pour modifier et/ou 30 ajuster : - la pression de gaz injecté dans le contenant, et/ou - une vitesse de déplacement relative du contenant par rapport à la surface de dépôt, ou inversement, et/ou - la distance entre la sortie et la surface de dépôt, et/ou 35 - la position relative du contenant par rapport à la surface de dépôt. -8 Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, pouvant comprendre un capteur de distance agencé pour, préalablement au dépôt de la matière à déposer, mesurer une topographie de la surface de dépôt le 5 long du trajet prédéterminé selon lequel sera déposée la matière à déposer de sorte à, lors du dépôt, maintenir constante une distance entre la sortie du contenant et la surface de dépôt lors du déplacement du contenant selon le trajet prédéterminé. 10 Système de dépôt selon le premier aspect de l'invention, dans lequel les moyens de commande peuvent comprendre une vanne multivoies de régulation de pression, dite vanne de dépôt, étant située, par rapport à un chemin de gaz s'étendant depuis les sources de réglage et de dépôt vers le contenant, en aval de la source de dépôt et en amont de la vanne 15 multivoies de commutation et étant agencée pour diminuer, ou respectivement augmenter, la pression du gaz d'une source de dépôt jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire (PDINT) inférieure, ou respectivement supérieure, à la pression de source de cette source de dépôt et supérieure à la pression de réglage PM, 20 et dans lequel les moyens de commande sont agencés pour délivrer du gaz à la pression PIDINT dans une partie d'un circuit, constituant une source de dépôt, reliant ladite vanne de dépôt à ladite vanne multivoies de commutation. De manière préférée, les moyens de commande peuvent comprendre 25 deux vannes de dépôt ou plus. Il est également proposé, selon un second aspect de l'invention, un procédé de dépôt mis en oeuvre dans un système de dépôt, ledit système 30 comprenant : - un contenant dans lequel se trouve de la matière à déposer et comprenant une entrée et une sortie, - un système pneumatique comprenant des moyens de commande du système pneumatique. Le procédé est caractérisé en ce que le système 35 pneumatique injecte, par l'entrée, du gaz dans le contenant de sorte que ce - 9 - gaz exerce, directement ou indirectement, une pression sur la matière à déposer, le procédé comprenant une commande, par les moyens de commande du système pneumatique : - d'une injection, par l'entrée, de gaz à une pression de réglage (PM), 5 de sorte qu'un ménisque convexe de matière à déposer fasse saillie du contenant au niveau de la sortie, puis - d'au moins une injection, par l'entrée, de gaz respectivement à au moins une pression de dépôt (PD, PD,) supérieure à la pression de réglage, de sorte que la matière à déposer s'écoule en un dépôt de 10 matière hors du contenant par la sortie sur une surface de dépôt. Le système de dépôt dans lequel le procédé est mis en oeuvre, peut être le système de dépôt selon le premier aspect de l'invention. Toute caractéristique du système de dépôt selon le premier aspect de l'invention peut être intégrée dans le système dépôt dans lequel le procédé 15 est mis en oeuvre. Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une commande, par les moyens de commande, de plusieurs injections, par l'entrée, de gaz à plusieurs pressions de dépôt PD, différentes les unes des 20 autres, de sorte que la matière à déposer s'écoule selon des vitesses différentes hors du contenant par la sortie, lesdites pressions de dépôt PD, étant supérieures à la pression de réglage PM. Les plusieurs injections, par l'entrée, de gaz à plusieurs pressions de dépôt PD, différentes les unes des autres sont réalisées successivement les 25 unes aux autres. Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre : - entre l'injection de gaz à la pression de réglage PM et l'au moins une injection de gaz à l'au moins une pression de dépôt (PD, PD,), une 30 diminution d'une distance entre le ménisque et la surface de dépôt jusqu'à formation d'un pont capillaire entre ladite surface de dépôt et le ménisque, - subséquemment à la formation du pont capillaire, l'au moins une injection de gaz à l'au moins une pression de dépôt (PD, PD,), - 10 - - subséquemment à l'au moins une injection de gaz à l'au moins une pression de dépôt (PD, PD,), une nouvelle injection de gaz à la pression de réglage PM de sorte que la matière à déposer ne s'écoule plus du contenant, - subséquemment à la nouvelle injection de gaz à la pression de réglage 5 PM, une augmentation de la distance entre le ménisque et la surface de dépôt jusqu'à une rupture du pont capillaire entre la surface de dépôt et le ménisque. Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel le système 10 pneumatique peut comprendre une source, dite de réglage, produisant du gaz à la pression de réglage PM et au moins une source, dite de dépôt, produisant du gaz à au moins une pression de source (PS, PSI ladite au moins une pression de source PS, PS, étant, de préférence, au moins 1,01 fois, de préférence encore au moins 1,015 fois, supérieure à la pression de 15 réglage PM. Procédé selon un premier perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel le système pneumatique comprend une seule source de dépôt. 20 Procédé selon le premier perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel la pression de sources PS est supérieure à la pression de dépôt PD, ou à au moins une des pressions de dépôt PD,. 25 Procédé selon le premier perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel la pression de sources PS est inférieure à la pression de dépôt PD, ou à au moins une des pressions de dépôt PD,. Procédé selon le premier perfectionnement du second aspect de 30 l'invention, dans lequel la pression de source PS est égale à la pression de dépôt PD, ou à une des pressions de dépôt PD,. Procédé selon le premier perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel la pression PD, ou plusieurs des pressions PD,, de 35 gaz injecté dans le contenant est obtenue par : - mélange de gaz provenant de la source de réglage et de gaz provenant de la source de dépôt, et/ou - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant de la source de dépôt, et/ou 5 - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage. Procédé selon un second perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel le système pneumatique comprend plusieurs sources de dépôt, chacune desdites plusieurs sources de dépôt produisant 10 du gaz à une pression de source PS, différente de chacune des autres pressions de source PS, des autres sources de dépôt. Procédé selon le second perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel chaque pression de source Ps, est égale à une 15 pression de dépôt PD, différente. Procédé selon le second perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel au moins une pression de source PS, est supérieure à la pression de dépôt PD, ou à chaque pression de dépôt PD,. 20 Procédé selon le second perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel au moins une pression de source PS, est inférieure à la pression de dépôt PD, ou à chaque pression de dépôt PD,. 25 Procédé selon le second perfectionnement du second aspect de l'invention, dans lequel la pression de dépôt PD, ou plusieurs des pressions de dépôt PD,, de gaz injecté dans le contenant est obtenue par : - mélange de gaz provenant de la source de réglage et de gaz provenant d'au moins une des sources de dépôt, et/ou 30 - mélange de gaz provenant d'une source de dépôt et de gaz provenant d'au moins une autre des sources de dépôt, et/ou - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant d'au moins une des sources de dépôt, et/ou - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage. - 12 - Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel la source de réglage et/ou chaque source de dépôt est un réservoir stockant du gaz à sa pression respective de réglage et/ou de source. 5 Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel chaque réservoir considéré présente un volume au moins 5 fois, de préférence au moins 10 fois, supérieur à la somme du volume du contenant et du volume d'un circuit de gaz reliant ce réservoir considéré à l'entrée. 10 Procédé selon le second aspect de l'invention, peut comprendre une commutation, par une vanne multivoies, dite de commutation, des moyens de commande, d'une injection de gaz provenant d'une source de dépôt ou de réglage vers une injection de gaz provenant d'une autre source de dépôt ou de réglage de manière à opérer un changement instantané de pression 15 dans le contenant, ladite vanne multivoies étant reliée : - à l'entrée du contenant, - à au moins une des sources, - à un système de remise à l'air. Compte tenu du fait que le réservoir présente un volume au moins 5 20 fois supérieur à la somme du volume du contenant et du volume d'un circuit de gaz reliant ce réservoir considéré à l'entrée, un changement instantané de pression dans le contenant est opéré lors d'une commutation, par la vanne multivoies de commutation, d'une injection de gaz provenant d'une source de dépôt ou de réglage vers une injection de gaz provenant d'une 25 autre source de dépôt ou de réglage. Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel la pression de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de dépôt PD,, peuvent être inférieures ou égales à 200 kPa au-dessus de la 30 pression atmosphérique. Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel la pression de réglage PM peut être inférieure à la pression atmosphérique. Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel la pression 35 de réglage PM et une des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la - 13 - pression atmosphérique, et une autre des pressions de dépôt est supérieure à la pression atmosphérique. Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel la pression de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de 5 dépôt PD,, peuvent être inférieures à la pression atmosphérique. Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une commutation, par une vanne multivoies, dite de commutation, des moyens de commande, d'une injection de gaz provenant d'une source vers 10 une injection de gaz provenant d'une autre source de manière à opérer un changement instantanée de pression dans le contenant, ladite vanne multivoies étant reliée : - à l'entrée du contenant, - à au moins une des sources, 15 - à un système de remise à l'air. Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre : - une mise en mouvement, par un système de mise en mouvement, du contenant relativement à la surface de dépôt, ou inversement, dans un plan 20 parallèle à la surface de dépôt, dit plan xy, selon un trajet prédéterminé, et/ou - un éloignement et/ou un rapprochement, par le système de mise en mouvement, du contenant relativement de la surface de dépôt, ou inversement. 25 Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une commande, par une unité de traitement, d'une quantité de matière déposée sur la surface de dépôt en fonction d'une position relative du contenant par rapport à ladite surface en opérant : 30 - une modification et/ou une adaptation de la vitesse relative du contenant par rapport à la surface de dépôt, ou inversement, et/ou - une modification et/ou une adaptation d'une distance entre la sortie du contenant et la surface de dépôt, et/ou - une modification et/ou adaptation de la pression de dépôt PD, 35 sélectionnée. - 14 - Procédé de dépôt, selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre un contrôle de la quantité de matière déposée et/ou de la position relative du contenant par rapport à la surface de dépôt au moyen 5 d'un ou plusieurs dispositifs d'imagerie optique imageant une zone de dépôt, et/ou une zone comprenant la sortie du contenant, et/ou au moins une partie de la surface de dépôt et, en fonction de ce contrôle, une modification et/ ou un ajustement : - de la pression de gaz injecté dans le contenant, et/ou 10 - de la vitesse de déplacement relative du contenant par rapport à la surface de dépôt, ou inversement, et/ou - de la distance entre la sortie et la surface de dépôt, et/ou - de la position relative du contenant par rapport à la surface de dépôt. 15 Procédé de dépôt selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une mesure, par un capteur de distance et préalablement au dépôt de la matière à déposer, d'une topographie de la surface de dépôt le long du trajet prédéterminé selon lequel sera déposée la matière à déposer de sorte à, lors du dépôt, maintenir constante une distance entre la sortie 20 du contenant et la surface de dépôt lors du déplacement du contenant selon le trajet prédéterminé. Procédé de dépôt selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre les étapes consistant à : 25 - diminuer, ou respectivement augmenter, par une vanne multivoies de régulation de pression des moyens de commande, dite vanne de dépôt, la pression du gaz d'une source de dépôt jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire (PDINT) inférieure, ou respectivement supérieure, à la pression de source de cette source de dépôt et supérieure à la pression PM, et 30 - délivrer, par les moyens de commande, du gaz à la pression PDINT dans une partie d'un circuit, constituant une source de dépôt, reliant ladite vanne de dépôt à la vanne multivoies de commutation ; ladite vanne de dépôt, étant située, par rapport à un chemin de gaz s'étendant depuis les sources de réglage et de dépôt vers le contenant, en - 15 - aval de la source de dépôt et en amont de ladite vanne multivoies de commutation. Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel 5 l'application de la pression exercée par le gaz sur la matière à déposer peut être indirecte, ladite application de la pression étant exercée sur un élément apte à coulisser dans le contenant et disposé au contact de la matière à déposer. 10 Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une réticulation de la matière déposée sur la surface de dépôt, et/ou une désinfection de la surface de dépôt au moyen d'un émetteur lumineux, l'émetteur lumineux émettant de préférence des photons de longueur d'onde comprise entre 150 et 600 nm. 15 Procédé selon le second aspect de l'invention pouvant comprendre : - une gravure du dépôt de matière et/ou de la surface de dépôt et/ou d'une pièce comprenant la surface de dépôt, et/ou - une découpe du dépôt de matière et/ou de la surface de dépôt et/ou d'une 20 pièce comprenant la surface de dépôt, et/ou - un recuit du dépôt. Procédé selon le second aspect de l'invention, dans lequel la sortie peut être située dans une enceinte refermant une atmosphère, ledit procédé comprenant en outre un contrôle de l'atmosphère de dépôt comprenant : - une filtration de l'atmosphère de sorte à contrôler une concentration de particules dans l'atmosphère introduit dans l'enceinte, et/ou - une stérilisation de l'atmosphère et/ou de la zone de dépôt et/ou du contenant et/ou de la matière à déposer, et/ou - une modification d'un taux d'hygrométrie de l'atmosphère, et/ou - une modification d'une température de dépôt. Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une mesure d'une pression dans une partie d'un circuit de gaz 25 reliant la vanne multivoies à l'entrée. - 16 - Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une étape de chauffage de la matière à déposer de sorte à mettre en oeuvre une extrusion de la matière contenue dans le contenant. 5 Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une mise en oeuvre d'une fabrication additive à partir de fichier(s) numérique(s). Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une régulation d'une température de la surface de dépôt. Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre une étape de nettoyage de tout ou partie du contenant. 10 Procédé selon le second aspect de l'invention, pouvant comprendre un calcul des pressions de réglage PM et de la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, en fonction de paramètres physico-chimiques de la matière à déposer formant le ménisque. Les caractéristiques du dépôt sont fonction de ces paramètres et de paramètres physico-chimiques de la 15 surface. Le dispositif de dépôt selon le premier aspect de l'invention peut être agencé pour mettre en oeuvre le procédé selon le second aspect de l'invention. 20 Le procédé selon le second aspect de l'invention peut être mise en oeuvre par le système de dépôt selon le premier aspect de l'invention. Description des figures et modes de réalisation 25 D'autres avantages et particularités de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée de mises en oeuvre et de modes de réalisation nullement limitatifs, et des dessins annexés suivants : les FIGURES 1 et 2 sont des représentations schématiques du contenant, - 17 - - la FIGURE 3 est une représentation schématique du système de dépôt selon l'invention, - la FIGURE 4 est une représentation schématique de dépôt de points et/ou de motifs par formation d'un pont capillaire formation entre le 5 contenant et la surface de dépôt, - la FIGURE 5 est une représentation schématique de dépôt de points et/ou de motifs sans formation d'un pont capillaire entre le contenant et la surface de dépôt. 10 Les modes de réalisation décrits ci-après étant nullement limitatifs, on pourra notamment considérer des variantes de l'invention ne comprenant qu'une sélection de caractéristiques décrites, isolées des autres caractéristiques décrites (même si cette sélection est isolée au sein d'une phrase comprenant ces autres caractéristiques), si cette sélection de 15 caractéristiques est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure. Cette sélection comprend au moins une caractéristique, de préférence fonctionnelle sans détails structurels, ou avec seulement une partie des détails structurels si cette partie uniquement est suffisante pour conférer un 20 avantage technique ou pour différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure. Les caractéristiques décrites dans les modes de réalisation décrits ci-après sont compatibles et peuvent être combinées et/ou associées avec des 25 caractéristiques quelconques du premier mode de réalisation du système de dépôt 1 et avec l'une quelconque des alternatives du premier mode prévues. En référence aux FIGURES 1, 2, 3, 4 et 5 il est décrit, dans un 30 premier mode de réalisation, un système de dépôt 1 comprenant un contenant 2 agencé pour contenir de la matière à déposer 3, le contenant 2 comprenant une entrée 4 et une sortie 5. Le système de dépôt 1 comprend également un système pneumatique 6 agencé pour injecter, par l'entrée 4, du gaz dans le contenant 2 de sorte que ce gaz exerce, directement ou 35 indirectement, une pression sur la matière à déposer 3. Le système de - 18 - dépôt 1 comprend des moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6 agencés pour commander au moins une injection, par l'entrée 4, de gaz à une pression de réglage PM, de sorte qu'un ménisque convexe 7 de matière à déposer 3 fasse saillie du contenant 2 au 5 niveau de la sortie 5. A ce stade, le ménisque 7 est maintenu formé de manière stable. Une hauteur h du ménisque convexe 7 est comprise entre 0 et d/2. La hauteur h du ménisque convexe 7 est adaptée en fonction de la viscosité de la matière à déposer 3, d'une vitesse de déplacement du contenant 2 par rapport à la 10 surface de dépôt 23 et du procédé de dépôt utilisé. La hauteur du ménisque convexe 7 correspondant à la distance séparant un plan 81 comprenant un orifice (non représenté) de sortie 5 de la matière à déposer 3 et un plan 82 comprenant une extrémité du ménisque convexe 7 située du côté de la surface de dépôt 23 ; d est le diamètre de féret maximal interne de l'orifice 15 de sortie 5. Les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6 sont commandés par au moins un ordinateur, une unité centrale ou de calcul, un circuit électronique analogique (de préférence dédié), un circuit électronique numérique (de préférence dédié), et/ou un 20 microprocesseur (de préférence dédié), et/ou des moyens logiciels. Les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6 sont également agencés pour commander une injection ou plusieurs injections, par l'entrée 4, de gaz à respectivement une pression de dépôt PD ou plusieurs pressions de dépôt PD, supérieures à la pression de 25 réglage PM, de sorte que la matière à déposer 3 s'écoule hors du contenant 2 par la sortie 5. Le système de dépôt 1 convient à tout type de fabrication additive. Le système de dépôt 1 permet de déposer de la matière solide à extruder, de la matière liquide à forte viscosité, c'est-à-dire une viscosité 30 comprise entre 200 et 10000 centipoises, et de la matière liquide à faible viscosité, c'est-à-dire une viscosité comprise entre 0,1 et 200 centipoises, sans avoir à adapter, ni le système de dépôt 1, ni la formulation ou la composition de la matière à déposer 3. Le système de dépôt 1 permet le dépôt sans contact de matière à 35 déposer 3. Parmi les procédés de dépôt sans contact, le système de dépôt 1 - 19 - convient, par exemple, au dépôt de matière sous forme de goutte (procédés de type drop casting ou jet d'encre), au procédé de dépôt de matière sous forme de motifs (lignes, films...) (procédés de type meniscus coating, jet d'encre ou encore de type extrusion). Le système de dépôt 1 permet donc 5 de déposer de la matière à déposer 3 sur tout type de substrat 27 présentant tout type de rugosité. Il est entendu par « dépôt sans contact » dans la présente description, l'absence de contact entre le contenant 2, et en particulier la sortie 5 du contenant 2, et la surface de dépôt 23 du substrat 27. 10 Néanmoins, il est bon de noter que dans l'état de l'art, un dépôt en (i) l'absence de contact entre le contenant 2 et la surface de dépôt 23 du substrat 27 peut être considéré comme « dépôt avec contact », c'est par exemple le cas pour la technique de mensiscus coating, alors que, par exemple pour la technique de spotter array, (ii) un dépôt avec contact entre 15 le contenant 2 et la surface de dépôt 23 du substrat 27, peut être considéré comme « dépôt sans contact ». Dans certains cas, la matière à déposer 3 contenue dans le ménisque 7 est dans un état différent de la matière à déposer 3 contenue dans le contenant 2. C'est par exemple le cas lorsque la matière à déposer 3 est 20 extrudée. Dans ce cas, la matière 3 contenue dans le contenant 2 peut être solide ou pâteuse. La matière à déposer 3 s'écoule du contenant 2 selon un flux, ou de manière équivalente selon un débit souhaité, de sorte à former un dépôt de matière conforme au dépôt souhaité. 25 Il est entendu par système de dépôt 1, un système de fabrication additive 1. Lorsque les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6 sont agencés pour commander plusieurs injections, 30 le gaz est injecté, par l'entrée 4 du contenant 2, à plusieurs pressions de dépôt PD, différentes les unes des autres de sorte que la matière à déposer 3 s'écoule selon des vitesses différentes hors du contenant 2 par la sortie 5. Les pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression de réglage PM. Les injections de gaz dans le contenant 2 sont réalisées successivement. - 20 - Cela permet de déposer des quantités de matière à déposer 3, c'est-à-dire des épaisseurs de matière déposée pouvant varier de quelques nanomètres à plusieurs microns et/ou des largeurs de matière déposée pouvant varier de quelques dizaines de nanomètres à quelques millimètres. 5 Cela permet également de modifier la quantité de matière déposée, afin de modifier par exemple la forme et/ou une dimension du motif déposé, en cours de dépôt lors d'un même passage. Les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6 sont agencés de sorte à modifier, en particulier durant le 10 dépôt de matière à déposer 3, la vitesse d'écoulement de la matière à déposer 3 hors du contenant 2. Ainsi, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6 sont agencés de sorte qu'une injection d'un gaz à une pression de dépôt PD, entraine un écoulement d'une quantité de matière à déposer 3, hors du contenant 2, à une vitesse 15 d'écoulement V,. La vitesse d'écoulement V, est différente d'une vitesse d'écoulement Vb de matière à déposer 3, hors du contenant 2, pour laquelle une injection d'un gaz, dans le contenant 2, à une pression de dépôt PDb est réalisée. De manière équivalente à une modification de la vitesse d'écoulement, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du 20 système pneumatique 6 peuvent être agencés de sorte à modifier un flux et/ou un débit de matière à déposer 3, ou respectivement des flux et/ou des débits de matière à déposer 3. Une augmentation de la vitesse d'écoulement de matière à déposer 3 ou du flux de matière à déposer 3 ou du débit de matière à déposer 3 25 entraine une augmentation d'une épaisseur et/ou d'une largeur du dépôt. Dans le cas des systèmes de dépôt existants, il est réalisé un dépôt d'une quantité donnée de matière limitée à un choix au sein d'une gamme de quantité de matière prédéfinie et limitée. Le système de dépôt 1 selon l'invention permet à la matière à déposer 3 de s'écouler de manière 30 continue, c'est-à-dire sans discontinuer, sans interruption tant que le contenant 2 contient de la matière à déposer 3 et tant qu'une pression de dépôt PD, PD, est appliquée. Le système pneumatique 6 du système de dépôt 1 comprend une 35 source R, dite de réglage, agencée pour produire du gaz à la pression de - 21 - réglage PM et comprend une source P1 ou plusieurs sources P,, dite de dépôt, agencées pour produire du gaz à une pression de source PS ou à plusieurs pressions de sources PS. La pression de source PS ou les pressions de sources PS, sont au moins 1,01 fois, voire au moins 1,015 fois, 5 supérieures à la pression de réglage PM. Ces valeurs correspondent au dépôt de matière à déposer 3 présentant une faible viscosité (0,1 et 1000 centipoises). Cette valeur augmente lorsque la viscosité de la matière à déposer 3 augmente. Lorsque la viscosité de la matière à déposer 3 est élevée (200 et 10000 centipoises), la pression de source PS ou les pressions 10 de sources PS, sont, à titre d'exemple non limitatif, au moins 5 fois, voire au moins 10 fois, supérieures à la pression de réglage PM. Lorsqu'il s'agit de dépôt par extrusion, la pression de source PS ou les pressions de sources PS, sont, à titre d'exemple non limitatif, au moins 10 fois, voire au moins 100 fois, supérieures à la pression de réglage PM. 15 Une source Pl, P,, R peut être comprise comme étant un contenant 9 comprenant du gaz à une pression donnée. Une source Pl, P,, R peut être comprise comme étant une pompe 14 agencée pour compresser du gaz ou pour aspirer du gaz. Une source Pl, P,, R peut être comprise comme étant 20 un conduit 10, 11, 20, 25, 26 comprenant du gaz à une pression donnée. Une source Pl, P,, R peut être comprise comme étant un ensemble comprenant, entre autre, un contenant 9, une pompe 14, un conduit 10, 11, 20, 25, 26 un système de remise à l'air 171, 172, 18. La pompe 14 est une pompe à membrane. 25 Ainsi, selon l'application visée, chaque source Pl, P,, R du système de dépôt 1 est agencée pour modifier à tout instant et/ou en temps réel et/ou en cours de dépôt, sa ou ses pressions de source PS, PS, et/ou sa pression de réglage PM au moyen de la pompe 14. Par exemple, la source de réglage R dont le gaz quelle contient 30 présente une pression de réglage PM peut voir la pression de son gaz modifiée - à une pression de source PS, PS, , et par conséquent devenir, de manière temporaire ou définitive, une source de dépôt Pl, P,, ou - à une nouvelle pression de réglage différente de la pression de 35 réglage PM avant modification. - 22 - De manière alternative ou complémentaire, la pression de source PS du gaz contenu dans une source de dépôt P1 ou des pressions de sources PS, PS, contenues dans des sources de dépôt Pl, Pi, peuvent voir la, une, des ou les pressions de leurs gaz modifiées : 5 - à la pression de réglage PM ou à une nouvelle pression de réglage différente de la pression de réglage PM de la source de réglage R avant modification, - à une nouvelle pression de source ou à des pressions de sources étant en partie identiques ou chacune différente des pressions de 10 sources PS, PS, avant modifications. Au vu des matières à déposer 3 généralement utilisée, la pression de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de dépôt PD,, sont inférieures ou égales à 200 kPa au-dessus de la pression 15 atmosphérique. Dans l'ensemble de la présente description, les pressions sont définies de manière relative. En pratique, les systèmes de mesure de pression (15, 19) du système de dépôt 1 ont pour référence la pression atmosphérique. Ainsi, les valeurs de pressions, et en particulier la valeur de 20 pression (PM, PD, PD,) du gaz injecté dans le contenant 2, sont définies par rapport à la pression atmosphérique. Ainsi, dès lors que la pression atmosphérique est connue, l'ensemble des pressions peuvent être définies de manière absolue (dans le sens non relatif). Par exemple, pour une pression atmosphérique de 100 kPa, 25 lorsqu'un gaz est injecté dans le contenant 2 à une pression de dépôt (PD, PD,), ou de réglage PM, relative de 100 kPa au-dessus de la pression atmosphérique, le gaz injecté dans le contenant 2 présente donc une pression de dépôt (PD, PD,), ou de réglage PM, absolue de 200 kPa. 30 Lorsque la matière à déposer 3 est très peu visqueuse (entre 0,1 et 1000 centipoises), la pression de réglage PM peut être inférieure à la pression atmosphérique de sorte que la matière à déposer 3, présentant une viscosité telle qu'elle devrait s'écouler, hors du contenant 2, si la pression PM était égale ou supérieure à la pression atmosphérique, forme le 35 ménisque convexe 7 et ne s'écoule pas. Dans certains cas, seule la pression - 23 - de réglage PM est inférieure à la pression atmosphérique. Dans d'autres cas, la pression de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de dépôt PD,, sont inférieures à la pression atmosphérique. En pratique, pour une matière à déposer 3 dont la viscosité est 5 comprise entre 0,1 à 1000 centipoises, la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de dépôt PD,, sont, en règle générale, comprise entre 10 kPa en dessous de la pression atmosphérique et 200 kPa au-dessus de la pression atmosphérique. Cette pression est fonction de la vitesse de déplacement du contenant 2. 10 L'homme du métier comprendra que lorsque la pression de dépôt PD, ou la pression de réglage PM, est inférieure à la pression atmosphérique, le volume 12 du contenant 2 dans lequel est injecté le gaz provenant de la source de réglage R et/ou de la source P1 ou des sources P, de dépôt est sous vide partiel. C'est à dire que lorsque la pression de dépôt PD, ou la 15 pression de réglage PM, est inférieure à la pression atmosphérique, le gaz injecté dans le contenant 2, depuis la source de réglage R et/ou la source P1 ou les sources de dépôt P,, exerce une force visant à s'opposer à l'effet de la pesanteur sur la matière à déposer 3 de sorte qu'elle ne s'écoule pas hors du contenant 2. De manière équivalente, l'homme du métier 20 comprendra que lorsque la pression de dépôt PD, ou la pression de réglage PM, est inférieure à la pression atmosphérique, le volume 12 du contenant 2 dans lequel est injecté le gaz provenant de la source de réglage R et/ou de la source P1 ou des sources P, de dépôt crée une dépression dans le contenant 2 visant à contrebalancer l'effet de la pesanteur sur la matière à 25 déposer 3 de sorte qu'elle ne s'écoule pas hors du contenant 2. A titre d'exemple, pour un diamètre d'un orifice de sortie 5 du contenant 2 de 100 pm et lorsque la matière à déposer 3 sera liquide et présente des viscosités supérieures à 5000 centipoises ou lorsque la 30 matière à déposer 3 sera une pâte ou lorsque la matière à déposer 3 sera une matière solide à extruder, la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique. A l'inverse, pour un diamètre de l'orifice de sortie 5 du contenant 2 de 100pm et lorsque la matière à déposer 3 sera liquide et présente des - 24 - viscosités inférieures à 1000 centipoises, la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD; sont inférieures à la pression atmosphérique. Selon une première alternative du premier mode de réalisation du 5 système de dépôt 1 telle qu'illustrée sur la FIGURE 3, le système pneumatique 6 comprend une seule source P1 de dépôt. Selon la première alternative du premier mode de réalisation : - la pression de sources PS et la pression de réglage PM sont supérieures à la pression atmosphérique, ou 10 - la pression de sources PS et la pression de réglage PM sont inférieures à la pression atmosphérique, ou - la pression de sources PS est supérieure à la pression atmosphérique et la pression de réglage PM est inférieure à la pression atmosphérique. 15 Selon la première alternative du premier mode de réalisation, et lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique, la pression de source PS est supérieure à la pression de dépôt PD ou à au moins une des pressions de dépôt PD,. Dans ce cas particulier, la source P1 contenant du gaz à la 20 pression de source PS est considéré comme étant la seule source P1 de dépôt et une pompe 28 peut être branchée au circuit de gaz, de manière à comprimer du gaz dans un circuit de gaz situé en aval de la source P1 et amont de l'entrée 4 du contenant 2 par rapport au chemin de gaz s'étendant depuis les sources de réglage R et de dépôt P1 vers le contenant 25 2. Dans ce cas, la pompe 28 peut être branchée, par exemple, au niveau du circuit de gaz 11. De manière préférée, lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique, la pression de source PS est supérieure à la pression de dépôt PD ou à chaque 30 pression de dépôt PD,. De manière d'avantage préférée, lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique, la pression de source PS est supérieure ou égale à une pression de dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de dépôt PD,. 35 - 25 - Selon la première alternative du premier mode de réalisation, et lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la pression atmosphérique, la pression de source PS est inférieure à la pression de dépôt PD ou à au moins une des pressions de 5 dépôt PD,. Dans ce cas particulier, la source P1 contenant du gaz à la pression de source PS est considéré comme étant la seule source P1 de dépôt et une pompe 28 peut être branchée au circuit de gaz, de manière à comprimer du gaz dans un circuit de gaz situé en aval de la source P1 et amont de l'entrée 4 du contenant 2 par rapport au chemin de gaz 10 s'étendant depuis les sources de réglage R et de dépôt P1 vers le contenant 2. Dans ce cas, la pompe 28 peut être branchée, par exemple, au niveau du circuit de gaz 11. De manière préférée, lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la pression atmosphérique, la 15 pression de source PS est inférieure à la pression de dépôt PD ou à chaque pression de dépôt PD,. De manière d'avantage préférée, lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la pression atmosphérique, la pression de source PS est inférieure ou égale à une pression de dépôt PIDinf 20 qui est inférieure à toutes les autres pressions de dépôt PD,. De manière préférée, selon la première alternative du premier mode de réalisation, la pression de source PS est supérieure ou égale à une pression de dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de 25 dépôt PD; et la pression de réglage PM est inférieure à une pression de dépôt PD;nf qui est inférieure à toutes les autres pressions de dépôt PD;. Selon la première alternative du premier mode de réalisation, la pression de source PS est égale à la pression de dépôt PD, ou à une des 30 pressions de dépôt PD,. Selon la première alternative du premier mode de réalisation, le système pneumatique 6 est agencé de sorte que la pression de dépôt PD, ou plusieurs des pressions de dépôt PD,, de gaz injecté dans le contenant - 26 - est obtenue par diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant de la source de dépôt Pl. A titre d'exemple non limitatif et en référence à la première 5 alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, tel que présenté sur la FIGURE 3, il est décrit, à titre d'exemple non limitatif, un agencement des moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 permettant le mélange de gaz, ainsi que la diminution et l'augmentation de la pression de gaz. 10 A cet effet, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1 comprennent une vanne multivoies de régulation de pression, dite vanne de dépôt, 615 permettant d'augmenter ou de diminuer la pression de gaz provenant de la source Pl. Cette vanne de dépôt 615 est située, par rapport à un chemin de gaz s'étendant depuis les sources de 15 réglage R et de dépôt P1 vers le contenant 2, en aval de la source de dépôt P1 et en amont d'une vanne multivoies, dite de commutation, 613. Cette vanne de dépôt 615 est agencée pour : - lorsque la pression de source PS est supérieure à la pression atmosphérique, diminuer la pression du gaz PS de la source de dépôt P1 20 jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire (PDINT) inférieure à la pression de source PS et supérieure à la pression de réglage PM (dans ce cas, la pression de source PS est supérieure à la pression de dépôt PD ou à chaque pressions de dépôt PD,), ou - lorsque la pression de source PS est inférieure à la pression 25 atmosphérique, augmenter la pression du gaz PS de la source de dépôt P1 jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire (PDINT) supérieure à la pression de source P1 et supérieure à la pression de réglage PM (dans ce cas, la pression de source PS est inférieure à la pression de dépôt PD, ou à au moins une des pressions de dépôt PD, ou à chaque pression de dépôt PDi). 30 Les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 sont agencés pour délivrer du gaz à la pression PDINT dans une partie d'un circuit 11, constituant une source de dépôt reliant la vanne de dépôt 615 à une vanne multivoies de commutation supplémentaire 612. - 27 - Selon le premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1 comprennent une vanne multivoies, dite de commutation, 613 reliée : - à l'entrée 4 du contenant 2, 5 - à au moins une des sources de dépôt Pl, P, et à la source de réglage R, - à un système de remise à l'air 171. La vanne multivoies 613 est agencée pour commuter d'une injection de gaz provenant d'une source de dépôt Pl, Pi ou de réglage R vers une injection de gaz provenant d'une autre source de dépôt Pl, Pi ou de réglage R, ou 10 inversement, de manière à opérer un changement instantané de pression dans le contenant 2. Il est entendu par instantané, un changement de pression tel que : - la variation d'épaisseur et/ou de largeur du dépôt est nette, c'est-à-dire qu'elle ne présente pas de gradient d'épaisseur et/ou de largeur, lorsque la 15 vanne de commutation 613 opère une commutation depuis une pression de dépôt PD, PD, vers une autre pression PD,, - un arrêt net et précis du dépôt et l'obtention d'une hauteur h, souhaitée et fixe, du ménisque convexe 7 lorsque la vanne de commutation 613 opère une commutation depuis une pression de dépôt PD, PD, vers la pression de 20 réglage PM, - un démarrage, ou une reprise ou une projection, net et précis du dépôt lorsque la vanne de commutation 613 opère une commutation depuis la pression de réglage PM vers une pression de dépôt PD, PD,. 25 Selon la première alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, la vanne de commutation 613 est reliée à un système de mise à l'air 171 via la vanne multivoies de commutation supplémentaire 612. Une vanne multivoies de commutation supplémentaire 614 est située 30 entre la source de réglage R et la vanne de commutation 613. Cette vanne multivoies 614 permet, entre autre, d'injecter de l'air à pression atmosphérique depuis un système de remise à l'air 18 relié à la vanne multivoies 614, ou faisant partie de la vanne multivoies 614, dans un circuit de gaz 10 reliant la source de réglage R à la vanne de commutation - 28 - supplémentaire 614 ; et permet donc la remise à l'air de la source de réglage R. La vanne multivoies de commutation supplémentaire 614 permet également d'injecter dans un circuit de gaz 26, du gaz à la pression de 5 réglage PM. La vanne multivoies de commutation supplémentaire 612 est située entre la source de dépôt P1 et la vanne de commutation 613, et en particulier entre la vanne de dépôt 615 et la vanne de commutation 613. Cette vanne multivoies 612 permet, entre autre, d'injecter de l'air à 10 pression atmosphérique depuis un système de remise à l'air 171 relié à la vanne multivoies 612, ou faisant partie de la vanne multivoies 612, dans un circuit de gaz 25 reliant la vanne de commutation supplémentaire 612 à la vanne de commutation 613 ; et permet donc la remise à l'air du contenant 2 15 La vanne multivoies de commutation supplémentaire 612 permet également d'injecter dans le circuit de gaz 25 du gaz à la pression de source PS, à la pression de dépôt PD ou à une pression de dépôt intermédiaire (PDINT)- Une vanne multivoies de commutation supplémentaire 611 est située 20 entre la source de dépôt P1 et la vanne de commutation 613, et en particulier entre la source de dépôt P1 et la vanne de dépôt 615. Cette vanne de commutation supplémentaire 611 permet, entre autre, d'injecter de l'air à pression atmosphérique depuis un système de remise à l'air 172 relié à la vanne multivoies 611, ou faisant partie de la vanne multivoies 25 611, dans un circuit de gaz 10 reliant la source de dépôt Pl, P, à la vanne de multivoies 611 ; et par permet donc la remise à l'air de la source de dépôt Pl. La vanne multivoies de commutation supplémentaire 611 permet également d'injecter dans le circuit de gaz 11 du gaz à la pression de source 30 PS, à la pression de dépôt PD ou à une pression de dépôt intermédiaire (PDINT)- Selon la première alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, lorsque le gaz injecté dans le contenant 2, par l'entrée 35 4, est à la pression de réglage PM, autrement dit que la vanne de - 29 - commutation 613 relie le circuit de gaz 26 au circuit de gaz 20, une commutation, par la vanne de commutation 613, depuis une injection de gaz provenant du circuit de gaz 26 vers une injection de gaz provenant du circuit de gaz 25 permettra : 5 - d'injecter, par l'entrée 4, dans le contenant 2, du gaz à la pression atmosphérique, ou - d'injecter, par l'entrée 4, dans le contenant 2, du gaz à une pression de dépôt PDINT, ou - d'injecter, par l'entrée 4, dans le contenant 2, du gaz à la pression de 10 source PS. Selon la première alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, lorsque le gaz injecté dans le contenant 2, par l'entrée 4, est à la pression PDINT, à la pression de source PS ou à la pression atmosphérique, autrement dit que la vanne de commutation 613 relie circuit 15 de gaz 25 au circuit de gaz 20, une commutation, par la vanne de commutation 613, d'une injection de gaz provenant du circuit de gaz 25 vers une injection de gaz provenant du circuit de gaz 26 permettra d'injecter, par l'entrée 4, dans le contenant 2, du gaz à la pression de réglage PM. 20 Une vanne multivoies peut être tout type de vanne connu de l'homme du métier, tel que par exemple tout type de vanne commandée de type électrovanne. Selon le premier mode de réalisation du système de dépôt 1, la 25 source de réglage R et/ou chaque source de dépôt Pl, P, est un réservoir 9 stockant du gaz à sa pression respective de réglage PM et/ou de source PD, PD,. Le réservoir est une bombonne en aluminium ayant un volume intérieur de l'ordre du litre, par exemple 0,7 litre. Chaque réservoir 9 considéré présente un volume au moins 5 fois 30 supérieur à la somme du volume du contenant 2 et du volume d'un circuit 10, 11, 20, 25, 26 de gaz reliant ce réservoir 9 considéré à l'entrée 4. Dans ce cas, les variations du volume de gaz dans le réservoir 9 sont négligeables par rapport aux variations de volumes de gaz contenu dans le contenant 2 et dans le circuit 10, 11, 20, 25, 26 de gaz reliant ce réservoir 9 considéré à 35 l'entrée 4. Cela a pour effet de maintenir constante la pression exercée par - 30 - le gaz injecté dans le contenant 2 sur la matière à déposer 3 contenue dans le contenant 2 quel que soit le volume de matière à déposer 3 contenue dans le contenant 2, et/ou lorsque le volume de matière à déposer 3 contenue dans le contenant 2 varie. Cette caractéristique permet 5 d'améliorer la qualité du dépôt, en particulier lors du démarrage, de la reprise, de la projection et de l'arrêt du dépôt. Cette caractéristique permet également d'obtenir un dépôt de matière homogène et constant indépendamment de la quantité de matière à déposer 3 restante dans le contenant 2. 10 En référence à la FIGURE 3, chaque réservoir 9 du système pneumatique 6 est relié à : - des pompes 14 agencées pour pomper (ou aspirer) un gaz depuis chaque réservoir 9, Pl, P,, R et/ou comprimer un gaz dans chaque réservoir 9, Pl, 15 P,, R, - un système de mesure de pression 15. Le système de mesure de pression utilisé est de préférence une jauge piezorésistive. Le fait de pomper (ou aspirer) un gaz signifie que une pompe 14 est 20 agencée de sorte à créer un vide partiel dans le réservoir 9, Pl, Pi, R. Les effets combinés de : - la vanne de commutation 613, qui est agencée pour commuter d'une injection de gaz provenant d'une source de dépôt Pl, Pi ou de réglage R vers une injection de gaz provenant d'une autre source de dépôt Pl, Pi ou 25 de réglage R, et - du volume du réservoir 9, qui présente un volume au moins 5 fois supérieur à la somme du volume du contenant 2 et du volume d'un circuit de gaz 10, 11, 20, 25, 26 reliant ce réservoir 9 considéré à l'entrée 4 ; améliore le caractère instantané du changement de pression dans le 30 contenant 2. Etant donné que les réservoirs 9, Pl, P, et 9, R présentent un volume au moins 5 fois supérieur à la somme du volume du contenant 2 et du volume du circuit 10, 11, 20, 25, 26 de gaz reliant chacun de ces réservoirs 35 9, Pl, P, et R à l'entrée 4, le passage : - 31 - - depuis une pression de dépôt PD, PD, vers la pression de réglage PM dans le contenant 2, engendre un arrêt net et précis du dépôt, et - depuis la pression de réglage PM vers une pression de dépôt PD, PD, un démarrage, ou une reprise, net et précis du dépôt, 5 - depuis une pression de dépôt PD, PD, vers une autre des pressions de dépôt PD,, engendre une variation d'épaisseur et/ou de largeur nette, c'est-à-dire ne présentant pas de gradient. Le système de dépôt 1 comprend un système de mise en mouvement 10 (non représenté) agencé pour mettre en mouvement le contenant 2 relativement à une surface de dépôt 23, ou inversement, dans un plan parallèle à la surface de dépôt 23, dit plan xy, selon un trajet prédéterminé. Le système de mise en mouvement éloigne et/ou rapproche le contenant 2 relativement de la surface de dépôt 23, ou inversement. Le système de 15 mise en mouvement peut être tout type de système connu de l'homme du métier tel que, à titre d'exemple non limitatif, un bras articulé, une plateforme d'inclinaison, un moteur pas à pas, un système de guidage sur rail, un système de positionnement 3 axes. Le système de dépôt 1 comprend une unité de traitement 20 programmée et/ou configurée pour commander une quantité de matière déposée sur la surface de dépôt 23 en fonction d'une position relative du contenant 2 par rapport à ladite surface 23 en opérant de manière combinée ou séparée : - une modification et/ou une adaptation de la vitesse relative du contenant 25 2 par rapport à la surface de dépôt 23, ou inversement, - une modification et/ou une adaptation d'une distance entre la sortie 5 du contenant 2 et la surface de dépôt 23, - une modification et/ou une adaptation de la pression de dépôt PD, PD, sélectionnée. 30 L'homme du métier comprendra que la vitesse d'écoulement de la matière à déposer 3 ou le flux de matière à déposer 3 ou le débit de matière à déposer 3 entraine une augmentation de l'épaisseur et/ou de la largeur du dépôt pour une vitesse de déplacement du contenant 2 donnée. La vitesse d'écoulement de la matière à déposer 3 varie en fonction : 35 - de la vitesse déplacement du contenant 2, et/ou - 32 - - du type de matière à déposer 3, et/ou - la distance entre la sortie 5 du contenant 2 et la surface de dépôt 23, et/ou - de la pression de dépôt PD, PD,. 5 L'ensemble des aspects, décrits ci-dessus, liés au système de mise en mouvement permettent de procéder, avec un même système de dépôt, au dépôt de matière sous forme de matrice de points et sous forme de motifs. L'unité de traitement comprend au moins un ordinateur, une unité centrale ou de calcul, un circuit électronique analogique (de préférence 10 dédié), un circuit électronique numérique (de préférence dédié), et/ou un microprocesseur (de préférence dédié), et/ou des moyens logiciels. L'unité de traitement est programmée et/ou configurée pour commander les moyens de commandes 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6. 15 L'unité de traitement est programmée et/ou configurée pour commander le système de mise en mouvement. Selon l'invention l'unité de traitement est embarquée dans le système de dépôt 1 mais elle peut ne pas faire partie du système de dépôt 1. L'unité de traitement comprend une carte mère. Elle comprend également une 20 carte d'extension et un logiciel dédiés au contrôle du système pneumatique. Elle comprend également une carte d'extension dédiée au contrôle du système de mise en mouvement. L'unité de traitement est agencée et/ou configurée pour calculer les 25 pressions de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou les pressions de dépôt PD,, en fonction de paramètres physico-chimiques de la matière à déposer 3. Les caractéristiques du dépôt en termes de forme, dimension et géométrie sont fonction de ces paramètres et de paramètres physico-chimiques de la surface de dépôt 23. 30 En pratique, une gamme de pressions de dépôt PD, sera associée à chaque matière à déposer 3. Cette gamme sera définie en fonction du type de dépôt souhaité (dimension(s), largeur(s), type de motif(s) et/ou de gouttes) et d'une gamme de vitesse de dépôt optimale. De manière préférée, l'unité de traitement est agencée et/ou configurée pour 35 commander le système pneumatique 6 de sorte à appliquer une pression de - 33 - réglage PM et une pression de dépôt PD, ou des pressions de dépôt PD, successives, en fonction d'une matière à déposer 3 et du type de dépôt souhaité (dimension(s), largeur(s), type de motif(s) et/ou de gouttes). L'unité de traitement est agencée et/ou configurée pour calculer 5 et/ou adapter et/ou modifier la pression de dépôt PD, PD, en fonction de la vitesse de déplacement du contenant 2, ou inversement. A titre d'exemple non limitatif, pour une matière à déposer 3 dont la viscosité est d'environ de 100 centipoises, la pression de dépôt PD est d'environ 1 kPa en dessus de la pression atmosphérique pour une faible 10 vitesse de déplacement du contenant 2 (égale ou inférieure à 0,5 mètres/minutes) et de 10 kPa en dessus de la pression atmosphérique pour une vitesse de déplacement élevée du contenant 2 (3 m/min). A titre d'exemple non limitatif, pour une matière à déposer 3 dont la viscosité est d'environ de 5000 centipoises, la pression de dépôt PD est 15 d'environ 25 kPa au-dessus de la pression atmosphérique pour une faible vitesse de déplacement du contenant 2 (égale ou inférieure à 0,5 mètres/minutes) et de 200 kPa au-dessus de la pression atmosphérique pour une vitesse de déplacement élevée du contenant 2 (3 m/min). 20 Le système de dépôt 1 comprend un capteur de distance (non représenté) agencé pour, préalablement au dépôt de la matière à déposer 3, mesurer une topographie de la surface de dépôt 23 le long du trajet prédéterminé selon lequel sera déposée la matière à déposer 3 de sorte à, lors du dépôt, maintenir constante une distance entre la sortie 5 du 25 contenant 2 et la surface de dépôt 23, ou entre le plan 82 comprenant une extrémité du ménisque convexe 7 située du côté de la surface de dépôt 23 et la surface de dépôt 23, lors du déplacement du contenant 2 selon le trajet prédéterminé. Le capteur de distance peut être tout type de système connu de l'homme du métier tel que, à titre d'exemple non limitatif, un 30 capteur optique, photoélectrique, capacitif, à ultrasons. Le système de dépôt 1 permet donc de déposer de la matière à déposer 3 sur tout type de substrat 27 présentant tout type de topographie. En référence à la FIGURE 2, le système de dépôt 1 comprend un 35 élément apte à coulisser 13 dans le contenant 2 et agencé pour être en - 34 - contact avec la matière à déposer 3. L'élément est agencé de sorte à reporter sur de la matière 3 contenue dans le contenant 2 la pression exercée par le gaz 12 sur l'élément 13. Selon le premier mode de réalisation, l'élément apte à coulisser 13 5 dans le contenant 2 est, à titre d'exemple non limitatif, un piston 13. Le piston 13 est disposé en amont, par rapport au chemin de gaz s'étendant depuis les sources de réglage R et de dépôt Pl, P, vers le contenant 2, de la matière à déposer 3. 10 Le système de dépôt 1 comprend un système de mesure de pression 19 pour mesurer une pression dans une partie d'un circuit 20 de gaz reliant la vanne multivoies 613 à l'entrée 4. Le système de mesure de pression 19 mesure donc la pression du gaz contenu dans le volume 12 du contenant 2 qui est au contact de la matière à déposer 3. 15 En référence à la FIGURE 1, le contenant 2 est amovible et comprend un système de fixation 22 du contenant 2 à la partie du circuit 20 de gaz reliant la vanne multivoies 613 à l'entrée 4. Le contenant 2 est de préférence en polymère, par exemple en polypropylène, et présente un 20 volume intérieur de quelques millilitres, par exemple 3, 5 ou 10 ml. En référence aux FIGURES 1, 2, 3, 4 et 5, selon un second mode de réalisation de l'invention, il est décrit un procédé de dépôt mis en oeuvre dans un système de dépôt, le système de dépôt comprenant : 25 - un contenant 2 dans lequel se trouve de la matière à déposer 3 et comprenant une entrée 4 et une sortie 5, - un système pneumatique 6 comprenant des moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6. Le procédé est caractérisé en ce que le système pneumatique 6 injecte, par l'entrée 4, du gaz dans le 30 contenant 2 de sorte que ce gaz exerce, directement ou indirectement, une pression sur la matière à déposer 3. Le procédé comprend une commande, par les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système pneumatique 6 : - 35 - - d'une injection, par l'entrée 4, de gaz à une pression de réglage PM, de sorte qu'un ménisque convexe 7 de matière à déposer 3 fasse saillie du contenant 2 au niveau de la sortie 5, puis - d'au moins une injection, par l'entrée 4, de gaz respectivement à 5 une pression de dépôt PD, ou à plusieurs pressions de dépôt PD,, supérieure à la pression de réglage PM, de sorte que la matière à déposer 3 s'écoule en un dépôt de matière hors du contenant 2 par la sortie 5 sur une surface de dépôt 23. Le procédé de dépôt selon le deuxième aspect de l'invention permet 10 le dépôt de matière selon tout type de technique de dépôt connue de l'homme du métier (drop casting, jet d'encre, meniscus coating, extrusion). Toute caractéristique du système de dépôt 1 selon le premier mode de réalisation peut être intégrée dans le système dépôt 1 dans lequel le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre. 15 Les caractéristiques décrites dans le premier mode de réalisation, y compris les caractéristiques décrites en tant qu'alternatives du premier mode de réalisation, sont compatibles et peuvent être combinées et/ou associées avec des caractéristiques quelconques du système dépôt 1 dans lequel le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre. 20 Le procédé comprend une commande, par les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 de plusieurs injections, par l'entrée 4, de gaz à plusieurs pressions de dépôt PD, PD, différentes les unes des autres, de sorte que la matière à déposer 3 s'écoule selon des vitesses différentes hors 25 du contenant 2 par la sortie 5. Les pressions de dépôt PD, PD, sont supérieures à la pression de réglage PM. Les plusieurs injections, par l'entrée 4, de gaz à plusieurs pressions de dépôt PD, PD, différentes les unes des autres sont réalisées successivement les unes aux autres. 30 En référence à la FIGURE 4, le procédé comprend, entre l'injection de gaz à la pression de réglage PM et l'au moins une injection de gaz à la pression de dépôt PD, ou aux pressions de dépôt PD,, une diminution d'une distance f entre le ménisque 7 et la surface de dépôt 23 jusqu'à formation 35 d'un pont capillaire 24 entre ladite surface de dépôt 23 et le ménisque 7. Le - 36 - procédé comprend également, subséquemment à la formation du pont capillaire 24, l'au moins une injection de gaz à la pression de dépôt PD, ou aux pressions de dépôt PD,. Cela a pour effet que la matière à déposer 3 s'écoule hors du contenant 2. Subséquemment à l'au moins une injection de 5 gaz à la pression de dépôt PD, ou les pressions de dépôt PD,, le procédé comprend une nouvelle injection de gaz à la pression de réglage PM de sorte que la matière à déposer 3 ne s'écoule plus du contenant 2. Subséquemment à la nouvelle injection de gaz à la pression de réglage PM, une augmentation de la distance f entre le ménisque 7 et la surface 23 de 10 dépôt jusqu'à une rupture du pont capillaire 24 entre la surface de dépôt 23 et le ménisque 7. Dans certains cas, en fonction de l'état de surface de la surface de dépôt 23 et des tensions superficielles (coefficient d'étalement), subséquemment à la formation du pont capillaire mais préalablement à 15 l'injection de gaz à la pression de dépôt PD, ou aux pressions de dépôt PD,, le pont capillaire peut être rompu spontanément. Selon une alternative, et en référence à la FIGURE 5, le procédé comprend, entre l'injection de gaz à la pression de réglage PM et l'au moins une injection de gaz à la pression de dépôt PD, ou aux pressions de dépôt 20 PD,, une diminution, jusqu'à une distance f souhaitée entre le ménisque 7 et la surface de dépôt 23 (sans formation de pont capillaire 24). Le procédé comprend également, l'au moins une injection de gaz à la pression de dépôt PD, ou aux pressions de dépôt PD, de sorte que la matière à déposer 3 s'écoule, par exemple dans le cas d'un dépôt selon la technique d'extrusion, 25 ou est projetée, par exemple dans le cas d'un dépôt selon la technique de jet d'encre, hors du contenant 2 en direction de la surface de dépôt 23. Subséquemment à l'au moins une injection de gaz à la pression de dépôt PD, ou aux pressions de dépôt PD,, le procédé comprend une nouvelle injection de gaz à la pression de réglage PM de sorte que la matière à 30 déposer 3 ne s'écoule plus du contenant 2. Le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre dans un système de dépôt 1 dans lequel le système pneumatique 6 comprend une source R, dite de réglage, produisant du gaz à la pression de 35 réglage PM et au moins une source Pl, P,, dite de dépôt, produisant du gaz - 37 - à une pression de source PS, ou à plusieurs pressions de source PS, étant, de préférence, au moins 1,01 fois, de préférence encore au moins 1,015 fois, supérieure à la pression de réglage PM. Selon l'application visée, le procédé peut comprendre une 5 modification à tout instant et/ou en temps réel et/ou en cours de dépôt, de la pression de source PS, PS, et/ou de la pression de réglage PM de chaque source Pl, P,, R du système de dépôt 1. Par exemple, le procédé peut comprendre une modification de la pression de réglage PM de la source de réglage R : 10 - à une pression de source PS, PS, , et par conséquent devenir, de manière temporaire ou définitive, une source de dépôt Pl, P,, ou - à une nouvelle pression de réglage différente de la pression de réglage PM avant modification. De manière alternative ou complémentaire, le procédé peut 15 comprendre une modification de la pression de source PS du gaz contenu dans une source de dépôt P1 ou de pressions de sources PS, PS, de gaz contenues dans des sources de dépôt Pl, Pi : - à la pression de réglage PM ou à une nouvelle de réglage différente de la pression de réglage PM de la source de réglage R avant 20 modification, - à une nouvelle pression de source ou à des pressions de sources étant en partie identiques ou chacune différente des pressions de sources PS, PS, avant modifications. 25 Le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre dans un système de dépôt 1, dans lequel le système pneumatique 6 comprend une seule source de dépôt Pl. Dans ce cas, la pression de sources PS peut être : - supérieure à la pression de dépôt PD, ou à au moins une des pressions de 30 dépôt PD,, ou - inférieure à la pression de dépôt PD, ou à au moins une des pressions de dépôt PD,, ou - égale à la pression de dépôt PD, ou à une des pressions de dépôt PD,. Lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont 35 supérieures à la pression atmosphérique, la pression de sources PS est supérieure à la pression de dépôt PD ou à chaque pression de dépôt PD,. De - 38 - manière préférée, la pression de source PS est supérieure ou égale à une pression de dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de dépôt PD;. Lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD; sont 5 inférieures à la pression atmosphérique, la pression de sources PS est inférieure à la pression de dépôt PD ou à chaque pression de dépôt PD;. De manière préférée, la pression de source PS est inférieure ou égale à une pression de dépôt PD;nf qui est inférieure à toutes les autres pressions de dépôt PD;. 10 Le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre dans un système de dépôt 1, dans lequel le système pneumatique 6 comprend plusieurs sources de dépôt Pl, P,, chacune desdites plusieurs sources de dépôt Pl, P, est agencée pour produire du gaz à une pression de 15 source PS, différente de chacune des autres pressions de source PS, des autres sources de dépôt Pl, PD,. Dans ce cas : - chaque pression de source PS, est égale à une pression de dépôt PD, différente, ou 20 - au moins une pression de source PS, est supérieure à la pression de dépôt PD, ou à chaque pression de dépôt PD,, ou - au moins une pression de source PS, est inférieure à la pression de dépôt PD, ou à chaque pression de dépôt PD,. Lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont 25 supérieures à la pression atmosphérique, au moins une pression de source PS'p est supérieure ou égale à la pression de dépôt PD, ou à une pression de dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de dépôt PD,. Lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la pression atmosphérique, au moins une pression de source 30 PS,nf est inférieure ou égale à la pression de dépôt PD, ou à une pression de dépôt PD,nf qui est inférieure à toutes les autres pressions de dépôt PD,. Lorsqu'une partie des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la pression atmosphérique et qu'une autre partie des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique : - 39 - - au moins une pression de source PS'p est supérieure ou égale à une pression de dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de dépôt PD; et au moins une pression de source PS;nf est inférieure ou égale à une pression de dépôt PD;nf qui est inférieure à toutes les autres pressions 5 de dépôt PD,, ou - au moins une pression de source PS'p est supérieure ou égale à une pression de dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de dépôt PD; et la pression de réglage PM est inférieure à une pression de dépôt PD;nf qui est inférieure à toutes les autres pressions de dépôt PD;. 10 Le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre dans un système de dépôt 1 dans lequel la pression PD, ou plusieurs des pressions de dépôt PD,, de gaz injecté dans le contenant 2 est obtenue par : 15 - mélange de gaz provenant d'une source de dépôt Pl, P, et de gaz provenant d'au moins une autre des sources Pl, P, de dépôt, et/ou - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant d'au moins une des sources Pl, P, de dépôt. 20 Le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre dans un système de dépôt 1 dans lequel la source de réglage R et/ou chaque source de dépôt Pl, P, est un réservoir 9 stockant du gaz à sa pression respective de réglage PM et/ou de source PSJ. 25 Le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre dans un système de dépôt 1 dans lequel chaque réservoir 9 considéré présente un volume au moins 5 fois, de préférence au moins 10 fois, supérieur à la somme du volume du contenant 2 et du volume d'un circuit de gaz 10, 11, 20, 25, 26 reliant ce réservoir 9 considéré à l'entrée 4. 30 Le procédé selon le second mode de réalisation comprend une commutation, par une vanne multivoies 613, dite de commutation, des moyens de commande 6, d'une injection de gaz provenant d'une source de dépôt Pl, P, ou de réglage R vers une injection de gaz provenant d'une 35 autre source de dépôt Pl, P, ou de réglage R de manière à opérer un - 40 - changement instantané de pression dans le contenant 2. La vanne de commutation 613 est reliée : - à l'entrée du contenant 2, - à au moins une des sources R, Pl, P,, 5 - à un système de remise à l'air 171. Le fait que le réservoir 9 présente un volume au moins 5 fois supérieur à la somme du volume du contenant 2 et du volume d'un circuit 10, 11, 20, 25, 26 de gaz reliant ce réservoir 9 considéré à l'entrée 4, un changement instantané de pression dans le contenant 2 est opéré lors d'une 10 commutation, par la vanne multivoies de commutation 613, d'une injection de gaz provenant d'une source de dépôt Pl, P, ou de réglage R vers une injection de gaz provenant d'une autre source de dépôt P, ou de réglage R. Le procédé selon le second mode de réalisation, comprend une mise 15 en mouvement, par un système de mise en mouvement, du contenant 2 relativement à la surface de dépôt 23, ou inversement, dans un plan parallèle à la surface de dépôt 23, dit plan xy, selon un trajet prédéterminé. De manière alternative ou complémentaire, en fonction du type de technique de dépôt utilisé, le procédé comprend un éloignement et/ou un 20 rapprochement, par le système de mise en mouvement, du contenant 2 relativement de la surface de dépôt 23, ou inversement. Le procédé permet de déposer sans contact la matière à déposer 3 selon plusieurs techniques de dépôt de sorte à obtenir tout type de motifs et de formes de matière déposée. 25 En référence aux FIGURES 4 et 5, il est illustré un procédé de dépôt de matière sous forme de goutte. Il peut être réalisé selon le procédé de type drop casting dans lequel le ménisque 7 est porté en contact de la surface de dépôt 23 pour former le pont capillaire 24 (FIGURE 4) ou selon le 30 procédé de type jet d'encre selon lequel la goutte est projetée sur la surface de dépôt 23 depuis le contenant 2 (depuis le ménisque 7) par application d'une pression de dépôt PD, PD, sans formation préalable du pont capillaire 24 (FIGURE 5). En référence à la FIGURE 4, il est illustré un procédé de dépôt sans 35 contact dans lequel le ménisque 7 est porté en contact de la surface de - 41 - dépôt 23 pour former le pont capillaire 24. Selon ce procédé (de type meniscus coating), la matière à déposer 3 est déposée sous forme de motifs (lignes, films, points...). Ce procédé est adapté au dépôt de tout type de matière liquide ou de pâtes. 5 En référence à la FIGURE 5, il est illustré un procédé sans contact selon lequel la matière à déposer 3 s'écoule depuis le contenant 2 sans qu'il y ait formation d'un pont capillaire 24 au préalable. Selon ce type de procédé (type jet d'encre, formation de bourrelets ou extrusion), la matière à déposer 3 est déposée sous forme de motifs (lignes, films, points...). Ce 10 procédé est adapté au dépôt de tout type de matière gels, de pâtes ou de solides. Le système de dépôt 1 donc de déposer de la matière à déposer 3 sur tout type de substrat 27 présentant tout type de rugosité. 15 Le procédé selon le second mode de réalisation, comprend une commande, par une unité de traitement, d'une quantité de matière déposée sur la surface de dépôt 23 en fonction d'une position relative du contenant 2 par rapport à ladite surface 23 en opérant : - une modification et/ou une adaptation de la vitesse relative du contenant 20 2 par rapport à la surface de dépôt 23, ou inversement, et/ou - une modification et/ou une adaptation d'une distance entre la sortie 5 du contenant 2 et la surface de dépôt 23, et/ou - une modification et/ou adaptation de la pression de dépôt PD, sélectionnée. 25 Le procédé selon le second mode de réalisation, comprend un contrôle, par l'unité de traitement, de la quantité de matière déposée et/ou de la position relative du contenant 2 par rapport à la surface de dépôt 23 au moyen d'un ou plusieurs dispositifs d'imagerie optique imageant une 30 zone de dépôt, et/ou une zone comprenant la sortie 5 du contenant 2, et/ou au moins une partie de la surface de dépôt 23. En fonction de ce contrôle, une modification et/ou un ajustement, par l'unité de traitement : - de la pression de gaz injecté dans le contenant 2, et/ou - de la vitesse de déplacement relative du contenant 2 par rapport à la 35 surface de dépôt 23, ou inversement, et/ou - 42 - - de la distance entre la sortie 5 et la surface de dépôt 23, et/ou - de la position relative du contenant 2 par rapport à la surface de dépôt 23. Selon le mode réalisation, le système de dépôt 1 comprend une caméra de type endoscopique (un capteur CMOS associé à une lentille 5 présentant une distance focale de 28 mm) fixée sur le contenant 2 et agencée pour imager en permanence la sortie 5 du contenant 2 et/ou la surface de dépôt 23. Selon le mode réalisation, le système de dépôt 1 comprend également une caméra latérale (un capteur CMOS associé à une lentille 10 présentant une distance focale de 16 mm) fixe par rapport au substrat 27 et agencée pour mesurer un angle de goutte formé entre le ménisque 7 de matière à déposer 3 et la sortie 5 du contenant 2. 15 Le procédé selon le second mode de réalisation, comprend une mesure, par un capteur de distance et préalablement au dépôt de la matière à déposer 3, d'une topographie de la surface de dépôt 23 le long du trajet prédéterminé selon lequel sera déposée la matière à déposer 3. La mesure de cette topographie permet, lors du dépôt, un maintien, par l'unité de 20 traitement, d'une distance constante entre la sortie 5 du contenant 2 et la surface de dépôt 23 lors du déplacement du contenant 2 selon le trajet prédéterminé. Le procédé selon le second mode de réalisation, comprend : 25 - une diminution, ou respectivement une augmentation, par une vanne multivoies de régulation de pression 615, dite vanne de dépôt, des moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1, de la pression PS, PS, du gaz d'une source de dépôt Pl, Pi jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire PIDINT inférieure, ou respectivement supérieure, à la 30 pression de source PS, de cette source de dépôt Pl, Pi et supérieure à la pression PM. Le procédé comprend l'étape consistant à délivrer, par les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du gaz à la pression PIDINT dans une partie d'un circuit 11, constituant une source de dépôt, reliant ladite vanne de dépôt 615 à la vanne multivoies de commutation 35 supplémentaire 612. - 43 - La vanne de dépôt 615 est située en aval d'une ou de plusieurs sources de dépôt Pl, P, et en amont de ladite vanne multivoies de commutation 613 par rapport à un chemin de gaz s'étendant depuis les sources de réglage R et de dépôt Pl, P, vers le contenant 2. 5 Le procédé selon le second mode de réalisation, comprend une mesure d'une pression dans une partie d'un circuit 20 de gaz reliant la vanne multivoies 613 à l'entrée 4. Le procédé selon le second mode de réalisation, comprend un calcul 10 de la pression de réglage PM et de la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, en fonction de paramètres physico-chimiques de la matière à déposer 3 formant le ménisque 7. Les caractéristiques du dépôt en termes de forme, dimension et géométrie sont fonction de ces paramètres et de paramètres physico-chimiques de la surface de dépôt 23. 15 Le système de dépôt 1 dans lequel le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre, est le système de dépôt 1 selon le premier mode de réalisation. 20 Le dispositif de dépôt 1 selon le premier mode de réalisation est agencé pour mettre en oeuvre le procédé selon le second mode de réalisation. 25 Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. Ainsi, dans des variantes combinables entre elles des modes de réalisation précédemment décrits : 30 - le système pneumatique 6 est connecté de manière amovible à l'entrée 4 du contenant 2, et/ou - selon une deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, le système pneumatique 6 comprend plusieurs sources Pl, P, de dépôt, chacune des plusieurs sources de dépôt Pl, P, est agencée - 44 - pour produire du gaz à une pression de source PS, différente de chacune des autres pressions de source PS, des autres sources de dépôt Pl, P,, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation : l'ensemble des pressions de sources PS, et la pression de réglage PM sont supérieures à la pression atmosphérique, ou l'ensemble des pressions de sources PS, et la pression de réglage PM sont inférieures à la pression atmosphérique, ou une partie des pressions de sources PS, est supérieure à la pression atmosphérique, une autre partie des pressions de sources PS, est inférieure à la pression atmosphérique et la pression de réglage PM est inférieure à la pression atmosphérique, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation : chaque pression de source PS, est égale à une pression de dépôt PD, différente ; dans ce cas chaque réservoir 9 peut être une source Pl, P, contenant du gaz à une pression de source PSJ, différente de chaque autre pression de source PS, de chaque autre réservoir 9, ou lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique, au moins une pression de source PS, est supérieure à la pression de dépôt PD, ou à chaque pression de dépôt PD,, ou lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique, au moins une pression de source PS'p est supérieure ou égale à la pression de dépôt PD, ou à une pression de dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de dépôt PD,, ou lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la pression atmosphérique, au moins une pression de source PS, est inférieure à la pression de dépôt PD, ou à chaque pression de dépôt PD,, ou lorsque la pression de dépôt PD ou des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la pression atmosphérique, au moins une pression de source PS,nf est inférieure ou égale à la pression de dépôt PD, ou à une pression de dépôt PD,nf qui est inférieure à toutes les autres pressions de dépôt PD,, ou - 5 - - 10 - 15 - 20 - 25 - 30 - - 45 - - lorsqu'une partie des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la pression atmosphérique et qu'une autre partie des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique, au moins une pression de source PS'p est supérieure ou égale à une pression de 5 dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de dépôt PD, et au moins une pression de source PS,nf est inférieure ou égale à une pression de dépôt PD,nf qui est inférieure à toutes les autres pressions de dépôt PD,, ou - lorsqu'une partie des pressions de dépôt PD, sont inférieures à la 10 pression atmosphérique et qu'une autre partie des pressions de dépôt PD, sont supérieures à la pression atmosphérique, au moins une pression de source PS'p est supérieure ou égale à une pression de dépôt PD'p qui est supérieure à toutes les autres pressions de dépôt PD, et la pression de réglage PM est inférieure à une pression de 15 dépôt PD,nf qui est inférieure à toutes les autres pressions de dépôt PD,, et/ou - selon la première alternative du premier mode de réalisation, le système pneumatique 6 est agencé de sorte que la pression de dépôt PD, ou plusieurs des pressions de dépôt PD,, de gaz injecté dans le contenant 2 20 est obtenue par : - mélange de gaz provenant de la source de réglage R et de gaz provenant de la source P1 de dépôt, et/ou - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant de la source P1 de dépôt, et/ou 25 - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage R, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation, le système pneumatique 6, est agencé de sorte que la pression de dépôt PD, ou plusieurs des pressions de dépôt PD,, de gaz injecté dans le contenant 2 30 est obtenue par : - mélange de gaz provenant de la source de réglage R et de gaz provenant d'au moins une des sources de dépôt Pl, P,, et/ou - mélange de gaz provenant d'une source de dépôt Pl, P, et de gaz provenant d'au moins une autre des sources Pl, P, de dépôt, et/ou - 46 - - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant d'au moins une des sources de dépôt Pl, P,, et/ou - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage R, et/ou 5 - à titre d'exemple non limitatif et en référence à la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, il est décrit, à titre d'exemple non limitatif, un agencement des moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 permettant le mélange de gaz, ainsi que la diminution et l'augmentation de la pression de gaz, et/ou 10 - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1 comprennent une ou des vannes multivoies de régulation de pression, dite vannes de dépôt, permettant d'augmenter ou de diminuer la pression de gaz provenant de la source de réglage R et/ou 15 des sources de dépôt Pl, P, ; une ou plusieurs de ces vannes de dépôt sont situées, par rapport à un chemin de gaz s'étendant depuis les sources de réglage R et de dépôt Pl, P, vers le contenant 2 : - en aval de la source de réglage R, - et/ou en aval de chacune des sources de dépôt Pl, P, et en amont de 20 la vanne multivoies 613 ; cette vanne ou ces vannes de dépôt sont agencées pour : - lorsque la pression de source PM est inférieure à la pression atmosphérique, augmenter la pression du gaz PM de la source de réglage R jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire PDINT 25 supérieure à la pression de réglage PM et inférieure à moins une des pressions de sources PSJ, ou - de manière préférée, lorsque la pression de source PM est inférieure à la pression atmosphérique, augmenter la pression du gaz PM de la source de réglage R jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire 30 PDINT supérieure à la pression de réglage PM et inférieure à chacune des pressions de sources PSJ, et/ou - lorsque les pressions de source PS, sont supérieures à la pression atmosphérique, diminuer une ou des pressions du gaz PS, d'une ou de plusieurs sources Pl, P, de dépôt jusqu'à une ou des pressions de 35 dépôt intermédiaires PDINT inférieures à la ou aux pressions de source - 47 - PS, de cette source ou de ces sources Pl, P, de dépôt et supérieures à la pression de réglage PM, ou - lorsque les pressions de source PS, sont inférieures à la pression atmosphérique, augmenter une ou des pressions PS, du gaz d'une ou 5 de plusieurs sources Pl, P, de dépôt jusqu'à une ou des pressions de dépôt intermédiaire PIDINT supérieures à la ou aux pressions de source PS, de cette source ou de ces sources Pl, P, de dépôt et supérieures à la pression de réglage PM, ou - lorsque la pression de réglage est inférieure à 100 kPa et qu'une 10 première partie des pressions de source PS, sont inférieures à la pression atmosphérique et qu'une deuxième partie des pressions de sources PS, sont supérieures à la pression atmosphérique : - augmenter la pression du gaz PM de la source de réglage R jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire PIDINT supérieure à la pression de réglage 15 PM et inférieure à chacune des pressions de sources PSJ, et/ou - augmenter une ou des pressions PS, du gaz d'une ou de plusieurs sources Pl, P, de dépôt de la première partie jusqu'à une ou des pressions de dépôt intermédiaire PIDINT supérieures à la ou aux pressions de source PS, de cette source ou de ces sources Pl, P, de dépôt et supérieures à la pression de 20 réglage PM, et/ou - diminuer une ou des pressions PS, du gaz d'une ou de plusieurs sources Pl, P, de dépôt de la deuxième partie jusqu'à une ou des pressions de dépôt intermédiaire PIDINT inférieures à la ou aux pressions de source PS, de cette ou de ces sources Pl, P, de dépôt et supérieures à la pression de réglage 25 PM, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, la partie du système pneumatique 6 comprise entre une source de dépôt considérée parmi les sources de dépôt Pl, P, et la vanne de commutation 613 comprend : 30 - une ou plusieurs vannes multivoies de commutation supplémentaires (611, 612, 614) et/ou - une ou plusieurs vannes de dépôt 615, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, une vanne multivoies de commutation supplémentaire 35 permet : - 48 - - d'injecter dans un circuit de gaz 26, du gaz à la pression de réglage PM et permet la remise à l'air de la source de réglage R, et/ou - d'injecter dans le circuit de gaz 25 du gaz à la pression de source PS, Psi, à la pression de dépôt PD, PD, ou à une pression de dépôt 5 intermédiaire (PDINT) et permet la remise à l'air du contenant 2, et/ou - d'injecter dans le circuit de gaz 11 du gaz à la pression de source PS, Psi, à la pression de dépôt PD, PD, ou à une pression de dépôt intermédiaire (PDINT) et permet la remise à l'air de la source de dépôt considérée, et/ou 10 - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 sont agencés pour délivrer du gaz à la pression PDINT dans une partie d'un circuit 11, constituant une source de dépôt, reliant la vanne de dépôt 615 à la vanne multivoies de commutation 612, et/ou 15 - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1 comprennent deux vannes de dépôt 615 ou plus, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du 20 système de dépôt 1 comprennent deux vannes de commutation 613 ou plus, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1 comprennent deux vannes de dépôt 615 ou plus, une 25 des vannes de dépôt 615 est reliée à une source Pl, P, de dépôt et une autre des vannes de dépôt 615 est reliée à une autre des sources Pl, P, de dépôt, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du 30 système de dépôt 1 comprennent deux vannes de dépôt 615 ou plus, chacune des vannes de dépôt 615 est reliée à une source Pl, P, différente et présentant chacune une pression supérieure à la pression atmosphérique, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du 35 système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du - 49 - système de dépôt 1 comprennent deux vannes de dépôt 615 ou plus, chacune des vannes de dépôt 615 est reliée à une source Pl, P, différente et présentant chacune une pression inférieure à la pression atmosphérique, et/ou 5 - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1 comprennent deux vannes de dépôt 615 ou plus, une des vannes de dépôt 615 est reliée à une source Pl, P, de dépôt présentant une pression de source PS, supérieure à la pression atmosphérique et une 10 autre des vannes de dépôt 615 est reliée à une autre des sources Pl, P, de dépôt présentant une pression de source PS, inférieure à la pression atmosphérique, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du 15 système de dépôt 1 comprennent deux vannes de dépôt 615 ou plus, une des vannes de dépôt 615 étant reliée à une source Pl, P, de dépôt présentant une pression de source PS, supérieure à la pression atmosphérique et une autre des vannes de dépôt 615 étant reliée à la source de réglage R présentant une pression de réglage PM inférieure à la 20 pression atmosphérique, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1 comprennent deux vannes de dépôt 615 ou plus, une des vannes de dépôt 615 étant reliée à une source Pl, P, de dépôt 25 présentant une pression de source PS, inférieure à la pression atmosphérique et une autre des vannes de dépôt 615 étant reliée à la source de réglage R présentant une pression de réglage PM inférieure à la pression atmosphérique, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du 30 système de dépôt 1, les moyens de commande 611, 612, 613, 614, 615 du système de dépôt 1 comprennent plus de deux vannes de dépôt 615, une vanne de dépôt 615 est reliée à une source Pl, P, de dépôt présentant une pression de source PS, supérieure à la pression atmosphérique, une autre vanne de dépôt 615 est reliée à une source Pl, P, de dépôt présentant une 35 pression de source PS, inférieure à la pression atmosphérique, et une autre - 50 - des vannes de dépôt 615 est reliée à la source de réglage R présentant une pression de réglage PM inférieure à la pression atmosphérique, et/ou - selon la deuxième alternative du premier mode de réalisation du système de dépôt 1, lorsque le gaz injecté dans le contenant 2, par l'entrée 5 4, est à une pression de dépôt PD1, PDINT1, PS1 une commutation, par la vanne de commutation 613, d'une injection de gaz provenant d'un circuit de gaz contenant du gaz à la pression de dépôt PD1, PDINT1, PS1 considérée vers une injection de gaz provenant d'un circuit de gaz contenant du gaz à une autre pression de dépôt PD2, PDINT2, PS2 permettra d'injecter, par 10 l'entrée 4 dans le contenant 2, du gaz à la pression de dépôt PD2, PDINT2/ PS2, et/ou - chaque réservoir 9 considéré présente un volume au moins 10 fois, de préférence au moins 20 fois, de préférence encore au moins 50 fois et de manière d'avantage préféré au moins 100 fois supérieur à la somme du 15 volume du contenant 2 et du volume d'un circuit 10, 11, 20, 25, 26 de gaz reliant ce réservoir 9 considéré à l'entrée 4, et/ou - le système de dépôt 1 comprend un ou plusieurs dispositifs d'imagerie optique agencés pour imager une zone de dépôt, et/ou une zone comprenant la sortie 5 du contenant 2, et/ou au moins une partie de la 20 surface de dépôt 23, de sorte que l'unité de traitement soit agencée pour contrôler la quantité de matière déposée et/ou la position relative du contenant 2 par rapport à la surface de dépôt 23 ; en fonction de ce contrôle, l'unité de traitement est agencée pour modifier et/ou ajuster : - la pression de gaz injecté dans le contenant 2, et/ou 25 - la vitesse de déplacement relative du contenant 2 par rapport à la surface de dépôt 23, ou inversement, et/ou - la distance entre la sortie 5 et la surface de dépôt 23, et/ou - la position relative du contenant 2 par rapport à la surface de dépôt 23, et/ou 30 - le système de dépôt 1 comprend un émetteur lumineux agencé pour émettre des photons de longueur d'onde comprise entre 150 et 600 nm, et/ou - le système de dépôt 1 comprend un système d'émission laser agencé pour : - 51 - - graver le dépôt de matière et/ou la surface de dépôt 23 portant le dépôt de matière et/ou une pièce comprenant la surface de dépôt 23, et/ou - découper le dépôt de matière et/ou la surface de dépôt 23 portant le 5 dépôt de matière et/ou une pièce comprenant la surface de dépôt 23, et/ou - recuire le dépôt de matière, et/ou - la sortie 5 du contenant 2 est située dans une enceinte refermant une atmosphère, ledit système comprenant en outre des moyens pour 10 contrôler ladite atmosphère, lesdits moyens de contrôle comprenant : - un système de filtration de l'atmosphère agencé pour contrôler une concentration en particules dans l'atmosphère introduit dans l'enceinte, et/ou - un dispositif agencé pour stériliser l'atmosphère et/ou la zone de dépôt et/ou le contenant et/ou la matière à déposer, et/ou - un dispositif agencé pour modifier un taux d'hygrométrie de l'atmosphère de l'enceinte, et/ou - un dispositif agencé pour modifier une température de l'enceinte, et/ou - le système de dépôt 1 comprend un élément chauffant relié au contenant 2 et agencé de sorte à chauffer la matière à déposer 3 contenue dans le contenant 2, et/ou - l'élément chauffant peut être agencé pour chauffer la matière à 15 déposer 3 de sorte à : - diminuer une viscosité de la matière à déposer 3, et/ou - liquéfier la matière à déposer 3, et/ou - adapter la viscosité de la matière à déposer 3 de sorte que la quantité déposée soit constante lorsque la température environnante 20 varie, et/ou - la matière à déposer 3 peut être une matière à extruder, et/ou - l'unité de traitement est programmée et/ou configurée pour mettre en oeuvre une fabrication additive à partir de fichier(s) numérique(s), et/ou - le système de dépôt 1 comprend un élément de régulation de température de la surface de dépôt 23, et/ou - 52 - - le système de dépôt 1 comprend un embout amovible 21 connecté au contenant 2, l'embout amovible 21 comporte la sortie 5 par laquelle s'écoule la matière à déposer 3, et/ou - le système de dépôt 1 comprend un système de nettoyage du contenant 2 et/ou de l'embout 21 du contenant 2, et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation, dans lequel la 5 pression de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de dépôt PD,, sont inférieures ou égales à 200 kPa au-dessus de la pression atmosphérique, et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation, dans lequel la pression de réglage PM peut être inférieure à la pression atmosphérique, 10 et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation, dans lequel la pression de réglage PM et la pression de dépôt PD, ou chacune des pressions de dépôt PD,, sont inférieures à la pression atmosphérique, et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre 15 dans un système de dépôt 1 dans lequel la pression PD, ou plusieurs des pressions de dépôt PD,, de gaz injecté dans le contenant 2 est obtenue par : - mélange de gaz provenant de la source de réglage R et de gaz provenant d'au moins une des sources Pl, P, de dépôt, et/ou - mélange de gaz provenant d'une source de dépôt Pl, P, et de gaz 20 provenant d'au moins une autre des sources Pl, P, de dépôt, et/ou - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant d'au moins une des sources Pl, P, de dépôt, et/ou - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage R. - le procédé selon le second mode de réalisation, comprenant une 25 application indirecte, sur la matière à déposer 3, de la pression exercée par le gaz, l'application de la pression étant exercée sur un élément apte à coulisser 13 dans le contenant 2 et disposé au contact de la matière à déposer 3, et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation, comprend 30 une réticulation de la matière déposée sur la surface de dépôt 23, et/ou une désinfection de la surface de dépôt 23 au moyen d'un émetteur lumineux, l'émetteur lumineux émettant de préférence des photons de longueur d'onde comprise entre 150 et 600 nm, et/ou - 53 - - le procédé selon le second mode de réalisation comprend : - une gravure du dépôt de matière et/ou de la surface de dépôt 23 et/ou d'une pièce comprenant la surface de dépôt 23, et/ou - une découpe du dépôt de matière et/ou de la surface de dépôt et/ou 5 d'une pièce comprenant la surface de dépôt 23, et/ou - un recuit du dépôt, et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation est mis en oeuvre dans un système de dépôt 1 dans lequel, la sortie 5 est située dans une enceinte refermant une atmosphère ; le procédé comprend en outre un contrôle de l'atmosphère de dépôt, l'atmosphère de dépôt comprenant : - une filtration de l'atmosphère de sorte à contrôler une concentration de particules dans l'atmosphère introduit dans l'enceinte, et/ou - une stérilisation de l'atmosphère et/ou de la zone de dépôt et/ou du contenant et/ou de la matière à déposer, et/ou - une modification d'un taux d'hygrométrie de l'atmosphère, et/ou - une modification d'une température de dépôt, et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation, comprend une étape de chauffage de la matière à déposer 3 de sorte à mettre en oeuvre une extrusion de la matière 3 contenue dans le contenant 2, et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation, comprend une mise en oeuvre d'une fabrication additive à partir de fichier(s) numérique(s), et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation, comprend une régulation d'une température de la surface de dépôt 23, et/ou - le procédé selon le second mode de réalisation, comprend une étape de nettoyage de tout ou partie du contenant 2. De plus, les différentes caractéristiques, formes, variantes et modes 10 de réalisation de l'invention REVENDICATIONS1. Système de dépôt (1) comprenant : - un contenant (2) agencé pour contenir de la matière à déposer (3) et comprenant une entrée (4) et une sortie (5), - un système pneumatique (6) agencé pour injecter, par l'entrée, du gaz dans le contenant de sorte que ce gaz exerce, directement ou indirectement, une pression sur la matière à déposer, le système de dépôt comprenant des moyens de commande (611, 612, 613, 614, 615) du système pneumatique agencés pour commander au moins : - une injection, par l'entrée, de gaz à une pression de réglage (PM), de sorte qu'un ménisque convexe (7) de matière à déposer fasse saillie du contenant au niveau de la sortie, puis - au moins une injection, par l'entrée, de gaz à respectivement au moins une pression de dépôt (PD, PD,) supérieure à la pression de réglage, de sorte que la matière à déposer s'écoule hors du contenant par la sortie. 2. Système de dépôt (1) selon la revendication 1, dans lequel les moyens de commande (611, 612, 613, 614, 615) du système pneumatique (6) sont agencés pour commander plusieurs injections, par l'entrée (4), de gaz à plusieurs pressions de dépôt (PD, PD,) différentes les unes des autres de sorte que la matière à déposer (3) s'écoule selon des vitesses différentes hors du contenant (2) par la sortie (5), lesdites pressions de dépôt étant supérieures à la pression de réglage (PM). 3. Système de dépôt (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le système pneumatique (6) comprend une source (R), dite de réglage, agencée pour produire du gaz à la pression de réglage (PM) et au moins une source (P1, P,), dite de dépôt, agencée pour produire du gaz à au moins une pression de source (PS, PSI ladite au moins une pression de source étant, de préférence, au moins 1,01 fois, de préférence encore au moins 1,015 fois, supérieure à la pression de réglage. - 55 - 4. Système de dépôt (1) selon la revendication 3, dans lequel le système pneumatique (6) comprend une seule source de dépôt (P1). 5. Système de dépôt (1) selon la revendication 4, dans lequel la pression de 5 sources (PS) est supérieure à la pression de dépôt (PD), ou à au moins une des pressions de dépôt (PD,). 6. Système de dépôt (1) selon la revendication 4, dans lequel la pression de sources (PS) est inférieure à la pression de dépôt (PD), ou à au moins une 10 des pressions de dépôt (PD,). 7. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel la pression de source (PS) est égale à la pression de dépôt (PD), ou à une des pressions de dépôt (PD,). 15 8. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, dans lequel le système pneumatique (6) est agencé de sorte que la pression de dépôt (PD), ou plusieurs des pressions de dépôt (PD,), de gaz injecté dans le contenant (2) est obtenue par : 20 - mélange de gaz provenant de la source de réglage (R) et de gaz provenant de la source de dépôt (P1), et/ou - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant de la source de dépôt, et/ou - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage. 25 9. Système de dépôt (1) selon la revendication 3, dans lequel le système pneumatique (6) comprend plusieurs sources de dépôt (P1, P,), chacune desdites plusieurs sources de dépôt étant agencée pour produire du gaz à une pression de source (PS, PS) différente de chacune des autres pressions 30 de source des autres sources de dépôt. 10. Système de dépôt (1) selon la revendication 9, dans lequel chaque pression de source (PS, PS) est égale à une pression de dépôt (PD, PD,) différente. - 56 - 11. Système de dépôt (1) selon la revendication 9, dans lequel au moins une pression de source (PS, PS) est supérieure à la pression de dépôt (PD), ou à chaque pression de dépôt (PD,). 5 12. Système de dépôt (1) selon la revendication 9, dans lequel au moins une pression de source (PSJ) est inférieure à la pression de dépôt (PD), ou à chaque pression de dépôt (PD,). 13. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications 10 à 10 12, dans lequel le système pneumatique (6) est agencé de sorte que la pression de dépôt (PD), ou plusieurs des pressions de dépôt (PD,), de gaz injecté dans le contenant (2) est obtenue par : - mélange de gaz provenant de la source de réglage (R) et de gaz provenant d'au moins une des sources de dépôt (P1, P,), et/ou 15 - mélange de gaz provenant d'une source de dépôt et de gaz provenant d'au moins une autre des sources de dépôt, et/ou - diminution ou augmentation de la pression de gaz provenant d'au moins une des sources de dépôt, et/ou - augmentation de la pression de gaz provenant de la source de réglage. 20 14. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications 3 à 13, dans lequel la source de réglage (R) et/ou chaque source de dépôt (P1, P,) est un réservoir (9) stockant du gaz à sa pression respective de réglage (PM) et/ou de source (PS, PS). 25 15. Système de dépôt (1) selon la revendication 14, dans lequel chaque réservoir (9) considéré présente un volume au moins 5 fois, de préférence au moins 10 fois, supérieur à la somme du volume du contenant (2) et du volume d'un circuit de gaz (10, 11, 20, 25, 26) reliant ce réservoir 30 considéré à l'entrée (4). 16. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications 3 à 15, dans lequel les moyens de commande (611, 612, 613, 614, 615) comprennent une vanne multivoies (613), dite de commutation, reliée : 35 - à l'entrée (4) du contenant (2), - 57 - - à au moins une des sources (R, Pl, P,), - à un système de remise à l'air (171), ladite vanne multivoies étant agencée pour commuter d'une injection de gaz provenant d'une source de dépôt ou de réglage vers une injection de 5 gaz provenant d'une autre source de dépôt ou de réglage de manière à opérer un changement instantané de pression dans le contenant. 17. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la pression de réglage (PM) et la pression de dépôt 10 (PD), ou chacune des pressions de dépôt (PD,), sont inférieures ou égales à 200 kPa au-dessus de la pression atmosphérique. 18. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la pression de réglage (PM) est inférieure à la 15 pression atmosphérique. 19. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant un système de mise en mouvement agencé pour : - mettre en mouvement le contenant (2) relativement à une surface de 20 dépôt (23), ou inversement, dans un plan parallèle à la surface de dépôt, dit plan xy, selon un trajet prédéterminé, et/ou - éloigner et/ou rapprocher le contenant relativement de la surface de dépôt, ou inversement. 25 20. Système de dépôt (1) selon la revendication 19, comprenant une unité de traitement programmée et/ou configurée pour commander une quantité de matière déposée sur la surface de dépôt (23) en fonction d'une position relative du contenant (2) par rapport à ladite surface en opérant : - une modification, et/ou une adaptation, de la vitesse relative du contenant 30 par rapport à la surface de dépôt, ou inversement, et/ou - une modification, et/ou une adaptation, d'une distance entre la sortie (5) du contenant et la surface de dépôt, et/ou - une modification, et/ou une adaptation, de la pression de dépôt (PD, PD,) sélectionnée. 35 - 58 - 21. Système de dépôt (1) selon la revendication 20, comprenant un ou plusieurs dispositifs d'imagerie optique agencés pour imager une zone de dépôt, et/ou une zone comprenant la sortie (5) du contenant (2), et/ou au moins une partie de la surface de dépôt (23), de sorte que l'unité de 5 traitement soit agencée pour contrôler la quantité de matière déposée et/ou la position relative du contenant par rapport à la surface de dépôt et, en fonction de ce contrôle, soit agencée pour modifier et/ou ajuster : - la pression de gaz injecté dans le contenant, et/ou - une vitesse de déplacement relative du contenant par rapport à la surface 10 de dépôt, ou inversement, et/ou - la distance entre la sortie et la surface de dépôt, et/ou - la position relative du contenant par rapport à la surface de dépôt. 22. Système de dépôt (1) selon la revendication 20 ou 21, comprenant un 15 capteur de distance agencé pour, préalablement au dépôt de la matière à déposer (3), mesurer une topographie de la surface de dépôt (23) le long du trajet prédéterminé selon lequel sera déposée la matière à déposer de sorte à, lors du dépôt, maintenir constante une distance entre la sortie (5) du contenant (2) et la surface de dépôt lors du déplacement du contenant 20 selon le trajet prédéterminé. 23. Système de dépôt (1) selon l'une quelconque des revendications 17 à 22 considérée comme dépendante de la revendication 16, dans lequel les moyens de commande (611, 612, 613, 614, 615) comprennent une vanne 25 multivoies de régulation de pression (615), dite vanne de dépôt, étant située, par rapport à un chemin de gaz s'étendant depuis les sources de réglage (R) et de dépôt (P1, P,) vers le contenant (2), en aval de la source de dépôt et en amont de la vanne multivoies de commutation (613) et étant agencée pour diminuer, ou respectivement augmenter, la pression du gaz 30 d'une source de dépôt jusqu'à une pression de dépôt intermédiaire (PDINT) inférieure, ou respectivement supérieure, à la pression de source (PS, PSJ) de cette source de dépôt et supérieure à la pression de réglage (PM), et dans lequel les moyens de commande sont agencés pour délivrer du gaz à la pression de dépôt intermédiaire dans une partie d'un circuit (11), - 59 - constituant une source de dépôt, reliant ladite vanne de dépôt à ladite vanne multivoies de commutation. 24. Procédé de dépôt mis en oeuvre dans un système de dépôt (1), ledit 5 système comprenant : - un contenant (2) dans lequel se trouve de la matière à déposer (3) et comprenant une entrée (4) et une sortie (5), - un système pneumatique (6) comprenant des moyens de commande (611, 612, 613, 614, 615) du système pneumatique, 10 ledit procédé étant caractérisé en ce que le système pneumatique injecte, par l'entrée, du gaz dans le contenant de sorte que ce gaz exerce, directement ou indirectement, une pression sur la matière à déposer, le procédé comprenant une commande, par les moyens de commande du système pneumatique : 15 - d'une injection, par l'entrée, de gaz à une pression de réglage (PM), de sorte qu'un ménisque convexe (7) de matière à déposer fasse saillie du contenant au niveau de la sortie, puis - d'au moins une injection, par l'entrée, de gaz respectivement à au moins une pression de dépôt (PD, PD,) supérieure à la pression de 20 réglage, de sorte que la matière à déposer s'écoule en un dépôt de matière hors du contenant par la sortie sur une surface de dépôt (23). 25. Procédé selon la revendication 24 comprenant une commande, par les 25 moyens de commande (611, 612, 613, 614, 615), de plusieurs injections, par l'entrée (4), de gaz à plusieurs pressions de dépôt (PD, PD,) différentes les unes des autres, de sorte que la matière à déposer (3) s'écoule selon des vitesses différentes hors du contenant (2) par la sortie (5), lesdites pressions de dépôt étant supérieures à la pression de réglage (PM). 30 26. Procédé selon la revendication 24 ou 25, comprenant : - entre l'injection de gaz à la pression de réglage (PM) et l'au moins une injection de gaz à l'au moins une pression de dépôt (PD, PD,), une diminution d'une distance (f) entre le ménisque (7) et la surface de dépôt - 60 - (23) jusqu'à formation d'un pont capillaire (24) entre ladite surface de dépôt et le ménisque, - subséquemment à la formation du pont capillaire, l'au moins une injection de gaz à l'au moins une pression de dépôt (PD, PD,), 5 - subséquemment à l'au moins une injection de gaz à l'au moins une pression de dépôt (PD, PD,), une nouvelle injection de gaz à la pression de réglage de sorte que la matière à déposer (3) ne s'écoule plus du contenant (2) - subséquemment à la nouvelle injection de gaz à la pression de réglage, 10 une augmentation de la distance entre le ménisque et la surface de dépôt jusqu'à une rupture du pont capillaire entre la surface de dépôt et le ménisque. 27. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 26, dans lequel 15 le système pneumatique (6) comprend une source (R), dite de réglage, produisant du gaz à la pression de réglage (PM) et au moins une source Pl, P,), dite de dépôt, produisant du gaz à au moins une pression de source (PS, PSI ladite au moins une pression de source étant, de préférence, au moins 1,01 fois, de préférence encore au moins 1,015 fois, supérieure à la 20 pression de réglage.