FR 3079053 A1 20190920 FR 1852279 A 20180316 SUBSTRATS COMPOSITES POUR LES DISPOSITIFS D'ÉTIQUETTE À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE POUR APPLICATIONS DE RFID ET DE CAPTEURS L'invention concerne des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface pour des applications de RFID et de capteurs, et plus particulièrement un substrat composite pour des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface. Depuis la fin des années 1980, des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface (SAW) sont utilisés comme étiquettes de dispositif d'identification par radiofréquence (RFID). Selon l'état de l'art, un dispositif d'étiquette SAW comprend un substrat piézoélectrique avec un seul transducteur et un ensemble de réflecteurs, positionnés à divers retards d'un côté du transducteur, ainsi qu'une antenne. Un signal RF incident est capturé par l'antenne attachée à l'étiquette SAW, qui active l'étiquette SAW et est retransmis en tant que réponse réfléchie du dispositif d'étiquette SAW. Les caractéristiques clés à considérer pour la conception de ce type de dispositif sont le coefficient de couplage électromécanique k32, la stabilité en température de la fréquence de fonctionnement, et le coefficient de réflexion des réflecteurs à la condition de Bragg. Les dispositifs d'étiquette SAW reposent sur l'utilisation d'ondes de Rayleigh se déplaçant sur la surface de niobate de lithium piézoélectrique massif (LiNb03) selon une orientation cristalline donnée par (YX/)/128°. Avec un coefficient de couplage électromécanique l Un but de l'invention est de surmonter les inconvénients mentionnés précédemment en fournissant un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface (SAW) déposé sur un substrat composite à performance améliorée pour des applications de RFID et de capteurs, et notamment pour la mesure de paramètres physiques autres que la température. 9 Le but de l'invention est atteint par un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface, comprenant un substrat de propagation d'onde acoustique, au moins une structure de transducteur disposée au-dessus du substrat comprenant des électrodes en peigne interdigitées, et au moins un moyen réfléchissant, le moyen réfléchissant comprenant au moins 5 un réflecteur positionné à une distance par rapport à la au moins une structure de transducteur dans la direction de propagation d'une onde acoustique, caractérisé en ce que le substrat de propagation d'onde acoustique est un substrat composite comprenant un substrat de base et une couche piézoélectrique, dans lequel l'orientation cristallographique de la couche piézoélectrique par rapport au substrat de base est telle que la propagation d'une onde de 10 cisaillement à l'intérieur de la couche piézoélectrique et dans la direction de propagation correspondant à l'onde acoustique est rendue possible. Dans un tel dispositif, du fait de l'orientation cristalline relative de la couche piézoélectrique par rapport au substrat de base, les ondes de cisaillement sont les ondes prédominantes se propageant dans la couche piézoélectrique et non les ondes de Rayleigh 15 comme dans les dispositifs d'étiquette SAW. Comme la stabilité en température de l'onde de cisaillement est améliorée en utilisant le substrat composite proposé par rapport à celle des ondes de Rayleigh sur le LiNb03 massif, il devient possible d'étendre l'application de dispositifs d'étiquette SAW à la mesure de paramètres mécaniques tels que la force, la pression, etc., en plus de la mesure de température. En outre, les modes d'ondes de cisaillement dans les 20 substrats composites considérés présentent un coefficient de couplage électromécanique ks2 plus fort que les modes d'onde de Rayleigh sur le LiNb03 massif et l'utilisation de ces orientations cristallines relatives de la couche piézoélectrique par rapport au substrat de base va entraîner également une augmentation d'un facteur d'environ 2 jusqu'à environ 5 du coefficient de couplage électromécanique ks2. Il sera donc possible d'obtenir des dispositifs 25 d'étiquette SAW ayant une distance accrue pour une interrogation à distance. Selon une variante de l'invention, la couche piézoélectrique du substrat composite peut être du tantalate de lithium (LiTa03) ou du niobate de lithium (LiNb03). Selon une variante de l'invention, la couche piézoélectrique est du niobate de lithium LiNb03 et l'orientation cristallographique de la couche piézoélectrique par rapport au substrat de 30 base est (YX/)/61 selon la norme IEEE 1949 Std-176, avec 0, un angle de l'orientation cristallographique compris entre 00 et 1000, en particulier entre 00 et 500, ou entre 140° et 180°, modulo 180°. Dans cette plage particulière d'orientation cristallographique, le mode d'ondes de cisaillement se déplace à l'intérieur de la couche piézoélectrique, et il est possible d'observer une vitesse de propagation rapide de 4000m/s ou plus et une valeur de CTF1 maximale absolue d'environ 65ppm/K, ainsi qu'une valeur de ks2 supérieure à 20%. En général, les modes d'ondes de cisaillement présentent un facteur de couplage électromécanique ks2 suffisamment important 3 pour permettre-le fonctionnement des étiquettes SAW, alors que seul l'angle de coupe proche de l'orientation (YX4/128° permet l'exploitation de l'onde de Rayleigh dans ce but. Par conséquent, des angles de coupe dans les plages [0° à 1000] et [1400 à 1801 favorisent l'utilisation de modes d'ondes de cisaillement, et des ondes de Rayleigh peuvent être exploitées 5 avec toute coupe de cristal comprise entre [100° et 1801. Selon une variante de l'invention, la couche piézoélectrique est du Tantalate de lithium (LiTa03) et l'orientation cristallographique de la couche piézoélectrique par rapport au substrat de base est (Y)(/)/9 selon la norme IEEE 1949 Std-176, avec e, un angle d'orientation cristallographique compris entre -30° et 90°, en particulier entre 0° et 90°, modulo 1800. Dans 10 cette gamme particulière d'orientation cristallographique, le mode d'onde de cisaillement prédomine sur le mode Rayleigh, et une vitesse de propagation rapide d'environ 4 000m/s et un CTF inférieur à -20ppm/K et une valeur de Ics2 d'environ 3% à 12% peuvent être observés. En particulier, pour une plage de 64 comprise entre 20° et 60°, plus particulièrement pour 6+ de l'ordre de 36° ou de l'ordre de 42°, modulo 180°, le CTF peut être proche de zéro. 15 Selon une variante de l'invention, le substrat de base du substrat composite est le silicium. Pour transférer des couches piézoélectriques sur du silicium, des procédés de production de masse comme SmartCutTM, utilisant une implantation ionique dans un substrat source piézoélectrique pour définir une couche à transférer, fixant le substrat source à un substrat de silicium et transférant la couche par un traitement thermique ou mécanique, peuvent 20 être utilisés. Comme alternative, des substrats de base comme le diamant, le saphir, le carbure de silicium, le quartz fondu ou le quartz peuvent être utilisés. De préférence, le substrat de base du substrat composite peut être un substrat de silicium sur isolant (SOI), correspondant à un substrat silicium - isolant - silicium stratifié, et la couche d'isolant peut être une couche de Si02. Selon une variante de l'invention, le substrat de base peut également comprendre un 25 miroir de Bragg composé de couches d'impédance acoustique basse/haute alternées telles que la silice et le tungstène ou la silice et le nitrure de silicium ou la silice et le nitrure d'aluminium. Un miroir de Bragg réduit la perte d'énergie vers le substrat de base car il peut refléter la partie rayonnée du mode vers la couche piézoélectrique, et peut également ajouter une stabilité mécanique à la structure du dispositif. 30 Selon une variante de l'invention, au moins une partie du substrat de base peut être déformable. Il est donc possible d'avoir un dispositif d'étiquette SAW qui peut mesurer un paramètre mécanique résultant d'une déformation, comme par exemple une pression ou une vibration conduisant à une différence de temps de vol de l'onde de cisaillement réfléchie. Selon une variante de l'invention, le au moins un réflecteur du moyen réfléchissant 35 comprend une ou plusieurs bandes métalliques, lesdites bandes métalliques pouvant être 4 reliées entre elles ou reliées à la mass. Les relier comme décrit précédemment conduit à une amélioration du coefficient de réflexion des réflecteurs à la condition de Bragg, contrairement à la situation de l'état de l'art d'ondes de Rayleigh sur du LiNb03 monolithique (YX0/128°. Un coefficient de réflexion amélioré du réflecteur à la condition de Bragg résulte en une meilleure 5 détection des ondes réfléchies par la structure du transducteur. Il sera donc possible d'obtenir des dispositifs d'étiquette SAW ayant un signal de réponse amélioré par rapport aux dispositifs d'étiquette SAW de l'état de l'art. Selon une variante de l'invention, un dispositif de détermination de quantité physique comprenant deux ou plusieurs dispositifs d'étiquette SAW, au moins un étant tel que décrit 10 précédemment, peut comprendre en outre une seule étiquette d'antenne connectée aux structures de transducteur des deux ou plusieurs dispositifs d'étiquette SAW. Ce dispositif peut mesurer deux paramètres ou plus, qui peuvent être transmis en utilisant une seule antenne. L'utilisation d'une seule antenne simplifie la structure. Selon une variante de l'invention, un dispositif d'étiquette SAW des deux ou plusieurs 15 dispositifs d'étiquette SAW compris dans le dispositif de détermination de quantité physique peut être un résonateur à ondes acoustiques de surface, et au moins l'un des dispositifs d'étiquette SAW peut être tel que décrit précédemment. Dans ce dispositif de détermination de quantité physique, le résonateur SAW permet l'identification d'un dispositif sur lequel une mesure d'un paramètre physique doit être effectuée. Le résonateur SAW permet l'identification 20 et le au moins un des dispositifs d'étiquette SAW permet la mesure de la quantité physique, par exemple la température ou la pression. Selon une variante de l'invention, le résonateur à ondes acoustiques de surface du dispositif de détermination de quantité physique peut être positionné par rapport au au moins un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface du dispositif de détermination de 25 quantité physique de telle sorte qu'ils ont deux directions différentes de propagation d'onde acoustique de surface. De préférence, la direction de propagation d'onde acoustique de surface du résonateur à ondes acoustiques de surface, étant parallèle à l'un des axes cristallins de la couche piézoélectrique, forme un angle g/ avec la direction de propagation d'onde acoustique de surface du au moins un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface. Il en 30 résulte que l'angle ip peut être choisi de sorte que le résonateur à ondes acoustiques de surface puisse générer le type d'onde acoustique nécessaire pour l'application souhaitée pour le dispositif de détermination de quantité physique. Les deux dispositifs peuvent utiliser le même type d'ondes acoustiques, les deux étant des ondes de cisaillement ou étant des ondes de Rayleigh ou tout autre type d'ondes acoustiques autorisé par l'orientation de la couche 35 piézoélectrique et la direction de propagation choisie. Dans une variante de l'invention, le résonateur à ondes coustiques de surface peut être configuré pour utiliser des ondes de Rayleigh et le au moins un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface du dispositif de détermination de quantité physique peut être configuré pour utiliser des ondes de cisaillement. Ainsi, le résonateur à ondes acoustiques de 5 surface peut effectuer l'identification et le au moins un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface peut effectuer la mesure. Selon une variante de l'invention, le dispositif de détermination de quantité physique est configuré pour mesurer la température et/ou la pression et/ou la force et/ou est configuré pour permettre une identification. Ainsi, dans un dispositif SAW, il devient possible de permettre 10 l'identification d'un dispositif et de mesurer un ou plusieurs de ses paramètres physiques. Le but de l'invention est également atteint par un procédé de fabrication d'un dispositif d'étiquette SAW, comprenant les étapes consistant à a) fournir une couche piézoélectrique sur un substrat de base et b) fournir une structure de transducteur sur la couche piézoélectrique, dans laquelle à l'étape a), la couche piézoélectrique est prévue de sorte que l'orientation 15 cristallographique de la couche piézoélectrique par rapport au substrat de base est telle que la propagation d'ondes de cisaillement correspondant aux ondes acoustiques est rendue possible. Un transfert de couche, par exemple en utilisant la technologie SmartCutTM, peut être utilisé. Selon une variante de l'invention, le procédé de fabrication d'un dispositif d'étiquette SAW décrit ci-dessus comprend en outre une étape d'amincissement du substrat de base. Par 20 exemple, l'amincissement du substrat de base peut donner une masse sismique ou une membrane. Dans cette configuration, le dispositif d'étiquette SAW peut mesurer des forces ou des déformations. Selon une variante de l'invention, l'étape d'amincissement du substrat de base comprend l'amincissement d'une partie de la surface opposée à la surface où est fixée la 25 couche piézoélectrique. Ainsi, le dispositif d'étiquette SAW peut être positionné juste au-dessus de la partie amincie du substrat de base de sorte qu'il devienne sensible à une déformation. Selon une variante de l'invention, l'étape d'amincissement du substrat de base est réalisée par gravure, humide ou sèche, par meulage ou par polissage mécano-chimique. Selon une variante de l'invention, le substrat de base peut être un substrat 30 semiconducteur sur isolant (SOI), de sorte que la couche d'isolant du substrat semiconducteur sur isolant (SOI) peut servir d'arrêt de gravure pour l'étape d'amincissement du substrat de base. L'utilisation d'un tel substrat SOI comme substrat de base permet un contrôle précis de l'épaisseur de la partie gravée du côté arrière du substrat de base. 6 L'invention peut etre comprise en se référant à la description qui suit F,rise en association avec les figures annexées, dans lesquelles les références numériques identifient des caractéristiques de l'invention. La figure 1 montre un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon l'état 5 de l'art. La figure 2 montre un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon un premier mode de réalisation de l'invention. Les figures 3a et 3b illustrent les caractéristiques d'un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface utilisant un substrat composite selon l'invention, avec une couche de 10 Si02 de 100 nm entre la couche piézoélectrique et le substrat de base. La figure 4 montre des valeurs de l'effet de pointage de faisceau n et du coefficient de couplage électromécanique k2 en fonction de l'angle 09 d'orientation cristalline sur l'axe X et l'angle 1,u de propagation sur l'axe Y, pour un substrat composite selon l'invention. La figure 5a illustre un dispositif de détermination de quantité physique comprenant deux 15 dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. La figure 5b illustre un dispositif de détermination de quantité physique selon un troisième mode de réalisation de l'invention, comprenant un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon l'invention et un dispositif à résonateur SAW. 20 La figure 5c illustre un dispositif de détermination de quantité physique comprenant deux dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon un quatrième mode de réalisation de l'invention. La figure 6 représente un schéma des étapes du procédé de fabrication d'un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon l'invention. 25 La figure 7 représente un schéma des étapes du procédé de fabrication d'un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon un autre mode de réalisation de l'invention. La figure 1 montre un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface 100 selon l'état de la technique. Un dispositif d'étiquette SAW 100 comprend un substrat 102 avec une structure de 30 transducteur 104 et un ensemble de réflecteurs 106, 108 et 110, positionnés à divers retards d'un côté de la structure de transducteur 104, dans la direction de propagation X, comme 7 représenté -3ur la figure 1. Ces réflecteurs 106p 108 et 110 comprennent une ou plusieurs bandes d'aluminium 112. Le dispositif d'étiquette SAW comprend également une antenne 114 reliée à la structure de transducteur 104. La structure de transducteur 104 comprend deux électrodes en peigne interdigitées 116 5 et 118, comprenant chacune une pluralité de doigts d'électrode 120, 122, respectivement. Le substrat 102 sur lequel la structure de transducteur 104 est fournie est un matériau massif piézoélectrique, avec l'axe cristallographique X, Y et Z tel que représenté sur la figure 1. Le matériau massif piézoélectrique 102 décrit ici à titre d'exemple peut être le niobate de lithium LiNb03, notamment avec une coupe de cristal (YX/)/128° ou YZ. 10 Le principe de fonctionnement d'un dispositif d'étiquette SAW à base de réflecteur 100 est représenté schématiquement sur la figure 1. Un lecteur distant 124 émet une impulsion de demande électromagnétique 126, qui est reçue par l'antenne d'étiquette 114, directement connectée à la structure de transducteur 104. La structure de transducteur 104 transforme le signal électromagnétique 126 en une onde acoustique de surface Rayleigh 128, qui se propage 15 le long de la surface du substrat 102, le long de la direction cristallographique X du matériau piézoélectrique 102 représenté sur la figure 1. L'onde acoustique de surface 128 est ensuite partiellement réfléchie 130, 134, 138 et partiellement transmise 132, 136 par les réflecteurs 106, 108 et 110, placés à des positions prédéterminées de la structure de transducteur 104 sur le substrat 102. Les ondes acoustiques 20 de surface réfléchies 130, 134 et 138 retournant à la structure de transducteur 104 portent un code basé sur les positions des réflecteurs 106, 108, 110. Ce procédé de codage est basé sur les retards de temps d'impulsions réfléchies. Lorsque les ondes acoustiques de surface réfléchies 130, 134 et 138 retournent à la structure de transducteur 104, le signal acoustique est ensuite reconverti en une forme électrique et retransmis par l'antenne d'étiquette 114. Le 25 signal de réponse est ensuite détecté et décodé par le lecteur 124. Les dispositifs d'étiquette SAW utilisent des ondes de Rayleigh comme ondes acoustiques de surface se propageant dans la direction de propagation de la direction cristallographique X du matériau piézoélectrique. Les dispositifs d'étiquette SAW sont utilisés comme des capteurs qui peuvent être 30 interrogés à distance, fournissant une mesure sans fil d'une quantité physique. Quelle que soit cette quantité physique, il est préférable de mettre en place une mesure différentielle pour garantir la mesure d'une grandeur physique absolue ou pour supprimer des perturbations externes corrélées affectant le capteur. 8 En raison de la sensibilité deàcapteurs SAW aux changements de nombreux paramètres environnementaux, il est habituel d'utiliser une sorte de signal ou de signaux de référence dans les capteurs, ou un ou plusieurs dispositifs de référence dans les systèmes de capteurs. En raison d'une dérive thermique de plusieurs dizaines de ppm/K pour des dispositifs 5 d'étiquette SAW, lorsque des dispositifs d'étiquette SAW sont utilisés pour mesurer des paramètres mécaniques tels qu'une force, une pression, etc., il est nécessaire de mesurer la température pour soustraire cette grandeur de la mesure globale rendue accessible par le dispositif d'étiquette SAW. La figure 2 montre un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon 10 l'invention. Un dispositif d'étiquette SAW 200 comprend un substrat 202 avec une structure de transducteur 204, en particulier une seule structure de transducteur, et un ensemble de réflecteurs 206, 208 et 210, positionnés à différents retards d'un côté de la structure de transducteur 204, dans la direction de propagation X, comme indiqué sur la figure 2. Ces 15 réflecteurs 206, 208 et 210 comprennent habituellement une ou plusieurs bandes métalliques 212, par exemple des bandes d'aluminium. Le dispositif d'étiquette SAW 200 comprend également une antenne 214 connectée à la structure de transducteur 204. En variante, les réflecteurs 206, 208 et 210 pourraient également être positionnés de part et d'autre de la structure de transducteur 204. Dans une autre variante, l'ensemble de 20 réflecteurs comprend plus ou moins de réflecteurs, chacun pouvant présenter plus ou moins de bandes métalliques 212. Dans une variante de l'invention, les bandes métalliques 212 des réflecteurs peuvent être connectées entre elles et/ou raccourcies. Il en résulte une amélioration du coefficient de réflexion des réflecteurs à la condition de Bragg, contrairement à la situation de l'état de la 25 technique des ondes de Rayleigh sur le LiNb03 monolithique (YX/)/128°. A la condition de Bragg, les ondes réfléchies du fait du chargement électrique et mécanique sont en phase, de sorte qu'un coefficient de réflexion amélioré du réflecteur à la condition de Bragg résulte en une meilleure détection des ondes réfléchies par la structure de transducteur 204. La structure de transducteur 204 comprend deux électrodes en peigne interdigitées 216 30 et 218, chacune comprenant une pluralité de doigts d'électrode 220, 222 respectivement. Contrairement à la technique antérieure, le substrat 202 sur lequel est prévue la structure de transducteur 204 est un substrat composite. Le substrat composite 202 comprend une couche de matériau piézoélectrique 224, d'axe cristallographique X, Y et Z, formée sur le dessus d'un substrat de base 226. 9 La couche piézoélectrique 224, dans ce mode de r5alisation, est du niobate de lithium LiNb03, de préférence du LiNb03 avec une orientation cristalline par rapport au substrat de base définie selon la norme IEEE 1949 Std-176 comme (yxote, avec 0° REVENDICATIONSsw 1. Dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface, comprenant un substrat de propagation d'onde acoustique (202, 324, 424, 502, 604, 700), au moins une structure de transducteur (204, 306, 308, 610) prévue au-dessus du substrat (202, 324, 424, 502, 604, 700) comprenant des électrodes en peine interdigitées (216, 218, 316, 318) et au moins un moyen réfléchissant, le moyen réfléchissant comprenant au moins un réflecteur (206, 208, 210, 308, 310, 312, 616, 618, 620), positionné à distance par rapport à la au moins une structure de transducteur (204, 306, 308, 610) dans la direction de propagation d'une onde acoustique, caractérisé en ce que le substrat de propagation d'onde acoustique (202, 324, 424, 502, 604, 700) est un substrat composite (202, 324, 424, 502, 604, 700) comprenant un substrat de base (226, 504, 602, 704) et une couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702) ; dans lequel l'orientation cristallographique de la couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702) par rapport au substrat de base (226, 504, 602, 704) est telle que la propagation d'une onde de cisaillement à l'intérieur de la couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702) et dans la direction de propagation correspondant à l'onde acoustique est rendue possible. 2. Dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon la revendication 1, dans lequel la couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702) est du tantalate de lithium LiTa03 ou du niobate de lithium LiNb03. 3. Dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon la revendication 2, dans lequel : la couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702) est du niobate de lithium LiNb03 et ; l'orientation cristallographique de la couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702) par rapport au substrat de base (226, 506, 600, 704) est (YX/)/0 selon la norme IEEE 1949 Std-176, avec 0, un angle d'orientation cristallographique, compris entre 00 et 1000, en particulier 0° et 50°, ou entre 140° et 180°, modulo 180°. 4. Dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon la revendication 2, dans lequel: la couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702) est du tantalate de lithium LiTa03 et ; l'orientation cristallographique de la couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702) par rapport au substrat de base (226, 504, 602, 704) est (YXI)10 selon la norme IEEE 1949 25 Std-176 avec e, un angle de "orientation cristallographique, compr;--; entre -30° et 900, en particulier entre 20° et 60°, plus particulièrement pour 0 de l'ordre de 36° ou de l'ordre de 42°, modulo 180°. 5 5. Dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le substrat de base (226, 504, 602, 704) du substrat composite (202, 324, 424, 502, 604, 700) est du silicium, du diamant, du saphir, du carbure de silicium, du quartz fondu ou du quartz. 10 6. Dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon l'une quelconque des revendications précédentes 1 à 5, dans lequel au moins une partie (514, 636) du substrat de base (226, 504, 602, 704) est deformable. 7. Dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon l'une quelconque des 15 revendications précédentes 1 à 6, dans lequel le au moins un réflecteur (206, 208, 210, 308, 310, 312, 616, 618, 620) du moyen réfléchissant comprend une ou plusieurs bandes métalliques (212, 320, 622), lesdites bandes métalliques (212, 320, 622) étant reliées les unes aux autres ou reliées à la terre. 20 8. Dispositif de détermination de quantité physique comprenant deux ou plusieurs dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface (200, 302, 304, 402, 404, 638, 718), dont au moins un est selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. 9. Dispositif de détermination de quantité physique selon la revendication 8, comprenant en 25 outre une seule antenne d'étiquette (214, 322, 422) connectée aux structures de transducteur (204, 306, 406, 408, 610) des deux ou plusieurs dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface (200, 302, 304, 402, 404, 638, 718). 10. Dispositif de détermination de quantité physique selon l'une quelconque des 30 revendications 8 ou 9, dans lequel l'un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface (200, 302, 304, 402, 404, 638, 718) est un résonateur à ondes acoustiques de surface (404) et au moins l'un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface (200, 302, 304, 402, 638, 718) est selon l'une quelconque des revendications précédentes 1 à 7. 35 11. Dispositif de détermination de quantité physique selon la revendication 10, dans lequel le résonateur à ondes acoustiques de surface (404) est positionné par rapport au au moins un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface (200, 302, 304, 402, 404, 26 638, 718) de sorte qu'ils ont deux directions différentes de propagation d'onde acoustique 4, de surface. 12. Dispositif de détermination de quantité physique selon l'une quelconque des 5 revendications précédentes 10 ou 11, dans lequel le résonateur à ondes acoustiques de surface (404) est positionné par rapport au au moins un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface (200, 302, 304, 402, 638, 718) de sorte que sa direction de propagation d'onde acoustique de surface, étant parallèle à l'un des axes cristallins de la couche piézoélectrique (224, 506, 600, 702), forme un angle ip avec la direction de 10 propagation d'onde acoustique de surface du dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface (200, 302, 304, 402, 638, 718). 13. Dispositif de détermination de quantité physique selon l'une quelconque des revendications précédentes 10 à 12, dans lequel le résonateur à ondes acoustiques de 15 surface (404) est configuré pour utiliser des ondes de Rayleigh, et le au moins un des dispositifs d'étiquette à ondes acoustiques de surface (200, 302, 304, 402, 638, 718) est configuré pour utiliser des ondes de cisaillement. 14. Dispositif de détermination de quantité physique selon l'une quelconque des 20 revendications précédentes 8 à 13, configuré pour mesurer une température et/ou une pression et/ou des forces et/ou configuré pour permettre une identification. 15. Procédé de fabrication d'un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface tel que décrit dans l'une quelconque des revendications précédentes 1 à 7, comprenant les 25 étapes consistant à: a) fournir une couche piézoélectrique sur un substrat de base ; et b) fournir une structure de transducteur sur la couche piézoélectrique ; dans lequel, à l'étape a), la couche piézoélectrique est prévue de sorte que l'orientation cristallographique de la couche piézoélectrique par rapport au substrat de base est telle 30 que la propagation d'une onde de cisaillement correspondant à l'onde acoustique est rendue possible. 16. Procédé de fabrication d'un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon la revendication 15, comprenant en outre une étape d'amincissement du substrat de base. 35 27 17. Procédé de fabication d'un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de sur%ce selon la revendication 16, dans lequel l'étape d'amincissement du substrat de base comprend l'amincissement d'une partie de la surface opposée à la surface où la couche piézoélectrique est fixée. 5 18. Procédé de fabrication d'un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon la revendication 16, dans lequel l'étape d'amincissement du substrat de base comprend une gravure, un meulage ou un polissage mécano-chimique. 10 19. Procédé de fabrication d'un dispositif d'étiquette à ondes acoustiques de surface selon l'une quelconque des revendications 16 à 18, dans lequel le substrat de base est un substrat semiconducteur sur isolant (SOI), de sorte que la couche d'isolant du substrat semi-conducteur sur isolant agit comme un arrêt de gravure pour l'étape d'amincissement du substrat de base. 15