FR 3077878 A1 20190816 FR 1800145 A 20180215 PROCEDE DE FABRICATION D'UN MICROBOLOMETRE A 1VIATERIAU SENSIBLE A BASE D'OXYDE DE VANADIUM DOMAINE TECHNIQUE poll Le domaine de l'invention est celui des dispositifs de détection d'un rayonnement électromagnétique, par exemple infrarouge ou térahertz, comportant au moins un détecteur thermique résistif comprenant un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium. L'invention s'applique notamment au domaine de l'imagerie infrarouge et de la thermographie. [2] Cette invention résulte d'un marché passé par le Ministère de la Défense, qui dispose de certains droits dessus. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE [3] Un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique peut comporter une matrice de détecteurs thermiques résistifs, également appelés microbolomètres, chaque microbolomètre comportant une portion absorbante apte 15 à absorber le rayonnement électromagnétique à détecter. [4] Dans le but d'assurer l'isolation thermique du matériau sensible des microbolomètres, les portions absorbantes se présentent habituellement sous la forme de membranes suspendues au-dessus du substrat par des piliers d'ancrage, et sont isolées thermiquement de celui-ci par des bras de maintien et d'isolation 20 thermique. Ces piliers d'ancrage et bras d'isolation thermique présentent également une fonction électrique en reliant électriquement les membranes suspendues à un circuit de lecture généralement disposé dans le substrat. [ms] La membrane absorbante comporte un matériau sensible dont la résistivité électrique p varie en fonction de la température du matériau. Le matériau sensible 25 est caractérisé par la valeur pa de la résistivité électrique à température ambiante ainsi que par son coefficient a (ou TCR), lequel est défini par la relation a = 1/p . dp/dT. Le matériau sensible peut être un matériau semiconducteur choisi habituellement parmi le silicium amorphe et un oxyde de vanadium VOS. 2 [006] Le choix du matériau sensible dépend notamment de sa compatibilité avec les étapes classiques de dépôt et de gravure habituellement utilisées dans la microélectronique, et notamment dans la technologie silicium. Cependant, il apparaît qu'un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium est susceptible de voir 5 ses propriétés électriques dégradées à la suite du procédé de fabrication du microbolomètre. EXPOSÉ DE L'INVENTION [007] L'invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients 10 de l'art antérieur, et plus particulièrement de proposer un procédé de fabrication d'au moins un microbolomètre comportant un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium dont les propriétés électriques sont préservées au cours du procédé de fabrication. [008] Pour cela, l'objet de l'invention est un procédé de fabrication d'au moins un 15 microbolomètre comportant un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium contenant au moins de l'azote comme élément chimique additionnel, le procédé comportant les étapes suivantes : i. détermination d'une quantité dite efficace non nulle de l'élément chimique additionnel à partir de laquelle le matériau sensible, ayant subi une étape 20 d'exposition à une température Tr pendant une durée Atr prédéterminées, présente une résistivité électrique paft à température ambiante, supérieure ou égale à 50% de la valeur native pa dudit matériau sensible à température ambiante ; ii. réalisation du matériau sensible en couche mince ayant une quantité de 25 l'élément chimique additionnel supérieure ou égale à la quantité efficace préalablement déterminée ; exposition du matériau sensible à une température supérieure à la température ambiante et inférieure ou égale à Tr pendant une durée inférieure ou égale Atr. [009] Certains aspects préférés, mais non limitatifs de ce procédé de fabrication 30 sont les suivants. [0olo] Le procédé de fabrication peut comporter une étape préalable de détermination de la valeur native pa de la résistivité électrique à température 3 ambiante du matériau sensible contenant la quantité non nulle considérée de l'élément chimique additionnel. [0011] L'étape iii d'exposition du matériau sensible peut comprendre une étape de dépôt d'une couche de protection recouvrant le matériau sensible. 5 [0012] L'étape iii d'exposition du matériau sensible peut comprendre une étape de dépôt d'une couche d'encapsulation transparente au rayonnement électromagnétique à détecter destinée à définir une cavité dans laquelle est situé le microbolomètre. [0013] La température Tr peut être supérieure ou égale à 280°C. 10 [0014] La durée Atr peut être supérieure ou égale à 9omin. [0015] Lors de l'étape iii), l'étape d'exposition peut être effectuée à la température Tr pendant la durée Atr. [0016] L'invention porte également sur un microbolomètre comportant un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium, ledit matériau sensible contenant au moins de l'azote comme élément chimique additionnel, dont la quantité est supérieure ou égale à une quantité dite efficace conférant au matériau sensible une valeur pair de résistivité électrique à température ambiante, après exposition à une température de 280°C pendant 9omin, au moins égale à 50% de la valeur native pa dudit matériau sensible à température ambiante. [0017] Le matériau sensible peut comporter une quantité d'azote, définie comme le rapport du nombre d'atomes d'azote sur celui de vanadium, au moins égale à 0,091. [0018] L'invention porte également sur un dispositif de détection d'un rayonnement électromagnétique, comportant une matrice de microbolomètres selon l'une quelconque des caractéristiques précédentes. [0019] Chaque microbolomètre peut être disposé dans une cavité hermétique distincte délimitée par une structure d'encapsulation transparente au rayonnement électromagnétique à détecter, la structure d'encapsulation comportant au moins une couche réalisée en silicium amorphe. [0020] Chaque matériau sensible peut être recouvert par une couche de protection 30 en nitrure de silicium. 4 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS [0021] D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en 5 référence aux dessins annexés sur lesquels : les figures 1A et iB sont des vues schématiques et partielles, respectivement en perspective et en coupe suivant le plan A-A, d'un microbolomètre selon un mode de réalisation, comportant un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium ; la figure 2 est un graphe illustrant l'évolution de la résistivité électrique pair à 10 température ambiante du matériau sensible à base d'oxyde de vanadium, après exposition dudit matériau à une température Tr pendant une durée Atr, dans le cas où le matériau sensible comporte, ou non, une quantité suffisante d'azote. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS 15 [0022] Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l'échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes 20 « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient à io% près. [0023] Les indications relatives à la composition chimique d'un composé sont exprimées par sa formule chimique brute, exprimée conventionnellement par rapport à un (1) atome de vanadium. Ainsi, pour un composé VOxBy, mentionné ici à titre purement illustratif, la valeur x de la quantité d'oxygène est le nombre 25 d'atomes d'oxygène pour 1 atome de vanadium, et la valeur y de la quantité de bore est le nombre d'atomes de bore pour 1 atome de vanadium. La valeur de la quantité de l'élément chimique est donnée à io% près. Par ailleurs, la proportion atomique de chaque élément chimique dans le composé VOxBy est de iffi-Ex+y) pour le vanadium, de x/(i+x+y) pour l'oxygène, et de y/(i+x+y) pour le bore. 5 [0024] L'invention porte notamment sur un procédé de fabrication d'au moins un détecteur thermique résistif, également appelé microbolomètre, comportant un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium VOS. Le microbolomètre peut être adapté à détecter un rayonnement infrarouge ou térahertz. Le matériau sensible 5 comporte une quantité suffisante non nulle d'au moins un élément chimique additionnel, ici de l'azote et éventuellement, en plus de l'azote, du bore B et/ou du carbone C. De plus, le procédé de fabrication met en oeuvre au moins une étape dans laquelle le matériau sensible est exposé à une température supérieure à la température ambiante et inférieure ou égale à la température Tr, pendant une durée 10 inférieure ou égale à Atr, par exemple à 300°C pendant lomin, 3omin, voire 9omin ou davantage. La température Tr d'exposition thermique est donc supérieure à la température ambiante. mon Cette étape d'exposition thermique peut correspondre au dépôt à 300°C environ d'une couche de protection, par exemple réalisée en un nitrure de silicium 15 SiN ou en un oxyde de silicium SiO, recouvrant le matériau sensible dans le but de le protéger de toute contamination ultérieure par des éléments chimiques éventuellement présents. Elle peut également correspondre à la réalisation d'une couche d'encapsulation en silicium amorphe, ladite couche étant destinée à définir une cavité hermétique dans laquelle est situé le microbolomètre. Il peut également 20 s'agir d'une activation à 300°C environ d'un matériau getter situé dans la cavité hermétique, ce matériau getter étant destiné à réagir avec du gaz résiduel éventuellement présent dans la cavité pour maintenir celle-ci à un niveau de vide suffisant. [0026] Ces exemples sont donnés à titre illustratif. L'étape d'exposition thermique à 25 la température Tr pendant la durée Litr peut être mise en oeuvre, d'une manière générale, dans le cadre d'étapes technologiques de fabrication du microbolomètre effectuées après la réalisation du matériau sensible, voire dans le cadre d'étapes technologiques de fabrication du dispositif de détection après la réalisation du ou des microbolomètres, notamment pour l'intégration de fonctionnalités 30 additionnelles au niveau de la puce de détection. [0027] Les figures 1A et iB sont des vues schématiques et partielles, respectivement en perspective et en coupe suivant le plan A-A, d'un microbolomètre 10 d'un 6 dispositif de détection 1 d'un rayonnement électromagnétique, le microbolomètre ro comportant un matériau sensible 15 à base d'oxyde de vanadium VON. [0028] Le microbolomètre 10 comporte une membrane absorbante 11 à matériau sensible 15 à base d'oxyde de vanadium VON, suspendue au-dessus d'un substrat 2 5 par des piliers d'ancrage 12 et des bras d'isolation thermique 13, ainsi qu'un circuit électronique de commande et de lecture (non représenté) situé dans le substrat 2. Le microbolomètre ro est ici adapté à absorber un rayonnement infrarouge compris dans la bande de longueurs d'onde infrarouges longues (dite LWIR), allant de 8pm à rem environ. 10 [0029] On définit ici et pour la suite de la description un repère direct tridimensionnel orthogonal (X,Y,Z), où le plan KY est sensiblement parallèle au plan d'un substrat 2, l'axe Z étant orienté suivant une direction sensiblement orthogonale au plan du substrat 2. Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » s'entendent comme étant relatifs à un positionnement croissant lorsqu'on s'éloigne 15 du substrat 2 suivant la direction +Z. [0030] Le microbolomètre ro comporte un substrat 2, réalisé dans cet exemple à base de silicium, comportant un circuit électronique (non représenté) permettant la commande et la lecture du microbolomètre. Le circuit électronique comporte des portions de lignes conductrices, par exemple métalliques, séparées les unes des 20 autres par un matériau diélectrique, par exemple un matériau minéral à base de silicium tel qu'un oxyde de silicium SiO, un nitrure de silicium SiN, ou leurs alliages. Il peut comporter à cet effet des éléments électroniques actifs, par exemple des diodes, transistors, condensateurs, résistances..., connectés par des interconnexions électriques au microbolomètre 10 d'une part, et à un plot d'interconnexion (non 25 représenté) d'autre part, ce dernier étant destiné à relier électriquement le dispositif de détection 1 à un dispositif électronique externe. [0031] La face supérieure du substrat 2 peut être revêtue d'une couche de protection (non représentée) notamment lorsque la membrane absorbante est réalisée sur une couche sacrificielle minérale, laquelle est ensuite éliminée par attaque chimique en 30 milieu acide. Elle peut recouvrir ou être recouverte par une couche réflectrice 14 disposée sous la membrane absorbante n. Lorsqu'elle revêt la couche réflectrice 14, elle est réalisée en un matériau au moins partiellement transparent au rayonnement électromagnétique à détecter. La couche de protection présente une fonction d'arrêt 7 de gravure, et est adaptée à assurer une protection du substrat et des couches diélectriques inter-métal lorsqu'elles sont réalisées en un matériau minéral vis-à-vis d'une attaque chimique, par exemple une attaque chimique en milieu acide HF (acide fluorhydrique) mise en oeuvre ultérieurement pour graver la couche 5 sacrificielle minérale utilisée lors de la réalisation de la membrane absorbante. Cette couche de protection forme ainsi une couche hermétique et chimiquement inerte. Elle est électriquement isolante pour éviter tout court-circuit entre les portions de ligne métallique. Elle peut ainsi être réalisée en alumine A1203, voire en nitrure ou fluorure d'aluminium. Elle peut présenter une épaisseur comprise entre quelques 10 dizaines et quelques centaines de nanomètres, par exemple comprise entre ionm et 500nm, de préférence comprise entre ionm et 3onm. [0032] Le microbolomètre 10 comporte une membrane absorbante n intégrant un matériau sensible 15 à base d'oxyde de vanadium VO,, suspendue au-dessus du substrat 2 par des piliers d'ancrage 12 et des bras d'isolation thermique 13. Les 15 piliers d'ancrage 12 sont électriquement conducteurs, et traversent localement la couche de protection pour assurer un contact électrique avec le circuit électronique. La membrane absorbante n est espacée du substrat 2, et en particulier de la couche réflectrice 14, d'une distance non nulle. Cette distance est de préférence ajustée de manière à former une cavité quart d'onde optimisant l'absorption du rayonnement 20 électromagnétique à détecter par la membrane suspendue il. [0033] Comme l'illustre la fig.iB, la membrane absorbante il peut comporter une couche inférieure de support 20 réalisée en un matériau électriquement isolant sur laquelle reposent deux électrodes 21.1, 21.2 distinctes l'une de l'autre, réalisées par exemple en TiN qui présente une forte absorption du rayonnement infrarouge. Une 25 couche mince du matériau sensible 15 repose sur la couche support 20 et vient au contact de chacune des deux électrodes 21.1, 21.2. Le matériau sensible 15 est ici recouvert d'une couche de protection 22, réalisée par exemple en un nitrure de silicium SiN ou un oxyde de silicium SiO, laquelle permet d'éviter toute contamination ultérieure du matériau sensible 15. Cet exemple est donné à titre 30 purement illustratif et d'autres agencements des électrodes et du matériau sensible sont possibles. [0034] Par ailleurs, le microbolomètre 10 peut être situé dans une cavité hermétique définie par une structure d'encapsulation (non représentée), comme le décrit 8 notamment la publication de Dumont et al. intitulé Current progress on pixel level packaging for uncooled IRFPA, SPIE Proceedings Vol.8353 (2012). La structure d'encapsulation peut être formée d'un empilement de différentes couches minces, telles qu'une couche d'encapsulation par exemple réalisée en silicium amorphe 5 déposé par CVD ou iPVD, recouverte d'une couche de scellement et d'antireflet, par exemple réalisée en différentes sous-couches de germanium et de sulfure de zinc, déposées par exemple par EBPVD, IBS ou autre. Une telle structure d'encapsulation est notamment décrite dans la demande de brevet EP3067675. [0035] Le matériau sensible 15 est à base d'oxyde de vanadium V0x, c'est-à-dire qu'il 10 est un composé d'oxyde de vanadium VOx contenant au moins de l'azote N comme élément chimique additionnel, et éventuellement, en plus de l'azote, du bore B et/ou du carbone C. Un élément chimique additionnel est un élément chimique ajouté volontairement au composé de base qu'est l'oxyde de vanadium. Le composé de base peut être choisi parmi le V02, le V205, le V305, voire peut présenter une autre valeur 15 du rapport stoechiométrique du nombre d'atomes d'oxygène sur le nombre d'atomes de vanadium. Comme précisé précédemment, le composé de formule chimique brute V205 comporte ici 5 atomes d'oxygène pour 2 atomes de vanadium, et le composé V305 comporte 5 atomes d'oxygène pour 3 atomes de vanadium. Le matériau sensible 15 correspond alors à un composé modifié, c'est-à-dire qu'il 20 correspond au composé de base qui a été modifié par l'addition d'au moins un élément chimique additionnel, ici de l'azote N et éventuellement, en plus de l'azote, du bore B et/ou du carbone C. Le matériau sensible 15 peut être un matériau amorphe, ou être un matériau cristallin présentant une ou plusieurs phases cristallines. Il peut également se présenter sous la forme d'un mélange d'une phase 25 amorphe et d'une ou plusieurs phases cristallines. [0036] La quantité d'élément chimique additionnel, à savoir le nombre d'atomes d'azote et éventuellement, en plus de l'azote, de bore et/ou de carbone sur celui de vanadium, est choisie de manière à conférer au matériau sensible, lequel a été exposé à la température n pendant la durée Atr, une résistivité électrique pair à 30 température ambiante au moins égale à 50% de sa valeur native pa. Par au moins égal, on entend supérieur ou égal. La valeur native Pa de la résistivité électrique est celle du matériau sensible avant qu'il ait été exposé à la température Tr pendant At, 9 Le matériau sensible présente une résistivité électrique à température ambiante comprise de préférence entre 1 et 2o,2.cm environ, voire moins. [0037] La quantité d'azote et éventuellement de bore et/ou de carbone est alors supérieure ou égale à une valeur dite efficace, ou quantité efficace. La quantité 5 efficace est la quantité minimale, non nulle, d'azote et éventuellement de bore et/ou de carbone à partir de laquelle le matériau sensible, ayant subi une étape d'exposition à la température Tr pendant la durée Atr, présente une résistivité électrique pair à température ambiante, au moins égale à 50% de la valeur native pa dudit matériau sensible à température ambiante. La température ambiante peut être 10 égale à 30°C. La température Tr est supérieure à la température ambiante, et est de préférence supérieure ou égale à 280°C, et de préférence supérieure ou égale à 300°C. Elle peut être inférieure ou égale à 400°C. La durée Atr est de préférence supérieure ou égale à quelques minutes ou dizaines de minutes, voire à quelques heures. 15 [0038] Autrement dit, lorsque le matériau sensible, dont la quantité d'azote et éventuellement de bore et/ou de carbone est supérieure ou égale à la quantité efficace, n'a pas été exposé à la température Tr pendant la durée Atr, sa résistivité électrique à température ambiante présente la valeur native pa. Après exposition thermique à Tr pendant Atr, le matériau sensible présente alors une résistivité 20 électrique pair à température ambiante au moins égale à 50% de la valeur native pa. [0039] La quantité efficace dépend notamment du composé de base considéré, ainsi que des valeurs choisies de la température Tr et de la durée Atr de l'exposition thermique. L'homme du métier est à même de déterminer la quantité efficace, c'est-à-dire la quantité minimale d'azote et éventuellement de bore et/ou de carbone, à 25 ajouter au composé de base pour que le matériau sensible présente une résistance électrique pair à température ambiante au moins égale à 50% de la valeur native pa. La quantité efficace peut être choisie, le cas échéant, de sorte que la valeur pair soit supérieure à 50%, par exemple au moins égale à 75%, voire au moins égale à go% de la valeur native pa. 30 [0040] La résistivité électrique à température ambiante du matériau sensible peut être déterminée par une technique de mesure conventionnelle à quatre pointes, et la composition atomique du matériau sensible, et partant, la quantité de l'élément chimique additionnel, peut être notamment déterminée par NRA (Nuclear Reaction 10 Analysis), par RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy), par SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), par XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), en utilisant les étalons adaptés. [0041] Il est connu que la résistivité électrique à température ambiante d'un 5 matériau sensible constitué d'oxyde de vanadium VO. peut présenter une chute de sa valeur lorsqu'il a été exposé à une température de 300°C ou de 400°C, en particulier sous atmosphère inerte (sous azote), comme le décrit la publication de Venkatasubramanian et al. intitulée Correlation of temperature response and structure of annealed VO x thin films for IR detector applications, J. Vac. Sei. 10 Technol. A 27(4), 2009, 956-961. Ainsi, un matériau sensible constitué d'oxyde de vanadium, donc sans élément chimique additionnel tel que l'azote, le bore et le carbone, présente une résistivité électrique pair à température ambiante du même ordre de grandeur que sa valeur native pa après exposition à une température de l'ordre de 200°C sous atmosphère inerte. Cependant, la résistivité électrique pair 15 chute d'un ordre de grandeur, voire de plusieurs ordres de grandeur, lorsque le matériau sensible a été exposé à une température de 300°C ou de 400°C pendant iomin ou 3omin sous atmosphère inerte. [0042] Cependant, les inventeurs ont constaté que l'addition d'une quantité suffisante d'azote dans un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium, et 20 éventuellement, en plus de l'azote, de bore et/ou de carbone, permet d'améliorer, de manière surprenante, la stabilité thermique du matériau sensible lors d'une exposition thermique à des températures élevées, par exemple de l'ordre de 300°C voire davantage, pendant plusieurs dizaines de minutes. [0043] Le matériau sensible à base d'oxyde de vanadium, avec addition d'une 25 quantité suffisante d'azote, et éventuellement de bore et/ou de carbone, présente alors une résistivité électrique pair à température ambiante au moins égale à 50% de la valeur native pa. La quantité suffisante est une quantité supérieure ou égale à la quantité efficace déterminée. Un tel matériau sensible ne présente alors pas de dégradation significative de ses propriétés électriques, et notamment de 30 dégradation de sa résistivité électrique à température ambiante, à la suite du procédé de fabrication du microbolomètre qui comporte au moins une étape d'exposition du matériau sensible à Tr pendant Atr, comme des étapes de dépôt de 11 couches minces, d'encapsulation du microbolomètre dans une cavité hermétique, voire d'activation d'un matériau getter. [0044] Un tel matériau sensible est alors particulièrement avantageux dans le cadre d'un procédé de fabrication collective d'une matrice de microbolomètres d'un 5 dispositif de détection du rayonnement électromagnétique. En effet, lors d'une étape d'exposition thermique, le champ de température peut présenter des inhomogénéités spatiales au sein d'un réacteur de dépôt de couches minces ou d'un four de recuit, ce qui peut se traduire par une dispersion des propriétés électriques des microbolomètres. Ainsi, par l'utilisation du matériau sensible à quantité 10 suffisante d'azote et éventuellement de bore et/ou de carbone, les microbolomètres présentent une meilleure stabilité thermique lors de l'exposition thermique à la température Tr, réduisant ainsi la dispersion des propriétés électriques des microbolomètres. [0045] Par ailleurs, le matériau sensible peut comporter en outre un métal de 15 transition appartenant à la période 4 du tableau périodique des éléments, c'est-à-dire du scandium Sc, du titane Ti, du chrome Cr, du manganèse Mn, du fer Fe, du cobalt Co, du nickel Ni, du cuivre Cu et/ou du zinc Zn. [0046] La figure 2 illustre un exemple d'évolution de la résistivité électrique pair à 20 température ambiante du matériau sensible en fonction de la température Tr d'exposition thermique, pour une quantité suffisante d'azote ajouté. Cet exemple met ainsi en évidence l'augmentation de la plage de stabilité thermique que présente le matériau sensible lorsqu'il comporte une quantité suffisante d'azote, c'est-à-dire une quantité supérieure ou égale à la quantité efficace. 25 [0047] Ici, l'échantillon du matériau sensible VOx est obtenu par pulvérisation par faisceau d'ions (IBS, pour Ion Beam Sputtering, en anglais), par exemple en pulvérisant une cible de vanadium sous atmosphère oxydante à une pression partielle d'oxygène par exemple de l'ordre de 10-4 Torr environ. L'échantillon du matériau sensible VON w a été obtenu par pulvérisation IBS dans une atmosphère 30 comprenant de l'azote en plus de l'oxygène. [0048] La courbe Cr est identique à celle décrite précédemment. La courbe C2 illustre l'évolution de la résistivité électrique pair en fonction de la température Tr 12 pour un matériau sensible de type VON, où la quantité w d'azote, c'est-à-dire le rapport du nombre d'atomes d'azote sur celui de vanadium, est ici égale à 0,091. Il apparaît que la valeur seuil Tth du matériau sensible, à laquelle la résistivité électrique pair est au moins égale à 50% de la valeur native pa, augmente également 5 à mesure qu'augmente la quantité w d'azote dans le matériau sensible. Ainsi, elle passe de 257°C pour le VO x sans addition d'azote à 310°C environ pour le VOxN0,091. [0049] Ainsi, la quantité efficace d'azote pour que le matériau sensible présente au moins 50% de sa valeur native après avoir été exposé à 310°C pendant 90min est ici sensiblement égale à 0,091. Aussi, un matériau sensible à base d'oxyde de vanadium 10 comportant une quantité w d'azote égale à au moins 0,091 présente une stabilité thermique importante lui permettant d'être exposé à des températures allant jusqu'à 310°C pendant au plus 9 omin, tout en ayant ses propriétés électriques préservées. [0oso] La valeur de la quantité efficace d'azote dépend de la température 15 d'exposition Tr et de la durée d'exposition Atr. L'homme du métier est alors à même de déterminer la valeur de la quantité efficace d'azote à ajouter au composé de base VO x en fonction des caractéristiques thermiques Tr et Atr de l'étape d'exposition. [0051] Le matériau sensible peut comporter, en plus de l'azote, une quantité de bore et/ou de carbone. La quantité d'éléments chimiques additionnels, c'est-à-dire la 20 quantité d'azote et celle de bore et/ou de carbone, est déterminée de sorte que le matériau sensible 15 présente une résistivité électrique pair à température ambiante au moins égale à 50% de la valeur native pa. [0052] Un matériau sensible VOxNwBy contenant, en plus de l'azote, une quantité de bore peut être réalisé par implantation de bore dans un matériau VON w réalisé 25 préalablement par pulvérisation IBS dans une atmosphère oxydante contenant de l'azote. Il en est de même dans le cas d'une addition de carbone dans le composé VON. D'autres techniques de réalisation du matériau sensible VON w avec addition de bore et/ou de carbone peuvent être utilisées. [0053] Il apparaît que le matériau sensible à base de VON w avec quantité suffisante 30 d'azote et éventuellement de bore et/ou de carbone présente une variation relative de la résistivité électrique pair en fonction de la température Tr particulièrement faible lorsque la température d'exposition thermique est inférieure ou égale à sa valeur seuil Tth. Cela permet alors de limiter la dispersion de propriétés électriques 13 des microbolomètres issue d'éventuelles inhomogénéités spatiales du champ de température au sein du réacteur de dépôt ou du four de recuit. [0054] Ainsi, un aspect de l'invention porte sur un procédé de fabrication d'au moins 5 un microbolomètre 10, et de manière avantageuse, sur un procédé de fabrication collective d'une matrice de bolomètres 10 d'un dispositif de détection 1. [0oss] Le procédé de fabrication comporte au moins une étape au cours de laquelle le matériau sensible 15 des microbolomètres 10 est soumis à une température Tr pendant la durée Atr. 10 [ooss] Le procédé de fabrication comporte alors une étape préalable de détermination de la valeur efficace de la quantité d'au moins un élément chimique additionnel, à savoir d'azote et éventuellement, en plus de l'azote, de bore et/ou de carbone, à partir de laquelle le matériau sensible 15, ayant subi une exposition à la température Tr pendant la durée Atr, présente une résistivité électrique pair à 15 température ambiante, au moins égale à 50% de sa valeur native pa. [0057] Lors d'une étape de réalisation de la membrane absorbante, le matériau sensible 15 est déposé en couche mince sur la couche support 20, laquelle repose sur une couche sacrificielle. Il comporte une quantité suffisante d'azote, et éventuellement de bore et/ou de carbone, c'est-à-dire une quantité supérieure ou 20 égale à la valeur efficace déterminée. Il peut présenter une épaisseur de l'ordre de quelques dizaines à quelques centaines de nanomètres, par exemple comprise entre ionm et 500nm, par exemple égale à 8onm. [0oss] Le matériau sensible 15 peut être obtenu par pulvérisation IBS sous atmosphère contenant de l'azote, et éventuellement par implantation ionique de 25 bore et/ou de carbone. L'atmosphère est oxydante lors de la réalisation de la couche mince de VO, et la pression partielle d'oxygène peut être de l'ordre de 10-5 à 10-4 Torr environ, par exemple égale à 6.10-5 Torr, selon la valeur native souhaitée de la résistivité électrique du matériau sensible. La valeur de la pression partielle d'oxygène ainsi que la teneur en azote dans l'atmosphère, voire la teneur en bore 30 et/ou en carbone, peuvent être issues de courbes d'étalonnage préalablement obtenues. D'autres techniques de réalisation peuvent être utilisées, telles que le dépôt ALD (Atomie Layer Deposition), ou le dépôt du matériau sensible par 14 pulvérisation cathodique en mode réactif avec une cible métallique ou en oxyde de vanadium, suivie éventuellement d'une implantation de bore et/ou de carbone. [0059] Il est possible de recouvrir ensuite le composé VON w de la couche de protection en nitrure de silicium, d'une épaisseur par exemple de ionm déposée par 5 PECVD. L'addition éventuelle de bore et/ou de carbone peut être ensuite effectuée en réalisant plusieurs implantations successives. Ainsi, pour une couche mince du composé VON w de 8onm d'épaisseur recouverte de la couche de protection de SiN de ionm d'épaisseur, trois implantations successives de bore peuvent être effectuées, à partir de doses de l'ordre de 1016 at/cm2 et pour des énergies 10 d'implantations de l'ordre de la dizaine à quelques dizaines de KeV. D'autres techniques de réalisation du matériau sensible peuvent être utilisées, voire d'autres variantes des techniques de dépôt mentionnées précédemment. Ainsi, pour l'addition de carbone, il est possible de pulvériser une cible contenant uniquement du vanadium, sous atmosphère oxydante contenant de l'azote et du CO ou du CO2. 15 [0060] Le procédé de fabrication comporte ensuite au moins une étape à laquelle le matériau sensible est exposé à une température supérieure à la température ambiante, et inférieure ou égale à Tr pendant une durée inférieure ou égale à Atr. La température d'exposition peut être égale à Tr et être comprise entre 300°C et 400°C, et la durée peut être égale à Atr et être de l'ordre de quelques minutes à quelques 20 heures. Cette étape d'exposition thermique peut être effectuée sous atmosphère inerte ou sous vide. [0061] Il peut ainsi s'agir du dépôt de la couche mince de protection 22 en nitrure de silicium par PECVD, le dépôt d'au moins l'une des couches minces formant la structure d'encapsulation qui définit la cavité hermétique, l'élimination de la couche 25 sacrificielle ou des couches sacrificielles utilisées pour réaliser la membrane suspendue ou la structure d'encapsulation, voire l'activation d'un matériau getter disposé dans ladite cavité hermétique. [0062] Des modes de réalisation particuliers viennent d'être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l'homme REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'au moins un microbolomètre (io) comportant un matériau sensible (15) à base d'oxyde de vanadium (V0,) contenant au moins de 5 l'azote comme élément chimique additionnel, le procédé comportant les étapes suivantes : i. détermination d'une quantité dite efficace non nulle de l'élément chimique additionnel (N) à partir de laquelle le matériau sensible (15), ayant subi une étape d'exposition à une température Tr pendant une durée Atr 10 prédéterminées, présente une résistivité électrique pair à température ambiante, supérieure ou égale à 50% de la valeur native pa dudit matériau sensible (15) à température ambiante ; ii. réalisation du matériau sensible (15) en couche mince ayant une quantité de l'élément chimique additionnel (N) supérieure ou égale à la quantité efficace 15 préalablement déterminée ; iii. exposition du matériau sensible (15) à une température supérieure à la température ambiante et inférieure ou égale à Tr pendant une durée inférieure ou égale Atr. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel l'étape iii 20 d'exposition du matériau sensible (15) comprend une étape de dépôt d'une couche de protection (22) recouvrant le matériau sensible. 3. Procédé de fabrication selon la revendication i ou 2, dans lequel l'étape iii d'exposition du matériau sensible (15) comprend une étape de dépôt d'une couche d'encapsulation transparente au rayonnement électromagnétique à détecter 25 destinée à définir une cavité dans laquelle est situé le microbolomètre. 4. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la température Tr est supérieure ou égale à 280°C. 5. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la durée Atr est supérieure ou égale à gomin. 16 6. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel, lors de l'étape iii), l'étape d'exposition est effectuée à la température Tr pendant la durée Atr. 7. Microbolomètre (io) comportant un matériau sensible (15) à base d'oxyde de 5 vanadium (VO), ledit matériau sensible (15) contenant au moins de l'azote (N) comme élément chimique additionnel, dont la quantité est supérieure ou égale à une quantité dite efficace conférant au matériau sensible (15) une valeur palr de résistivité électrique à température ambiante, après exposition à une température de 280°C pendant 9omin, au moins égale à 50% de la valeur native pa dudit matériau 10 sensible (15) à température ambiante. 8. Microbolomètre (10) selon la revendication 7, dans lequel le matériau sensible (15) comporte une quantité d'azote, définie comme le rapport du nombre d'atomes d'azote sur celui de vanadium, au moins égale à 0,091. 9. Dispositif de détection (1) d'un rayonnement électromagnétique, comportant 15 une matrice de microbolomètres selon la revendication 7 OU 8. 10. Dispositif de détection (1) selon la revendication 9, chaque microbolomètre (io) étant disposé dans une cavité hermétique distincte délimitée par une structure d'encapsulation transparente au rayonnement électromagnétique à détecter, la structure d'encapsulation comportant au moins une couche réalisée en silicium 20 amorphe. il. Dispositif de détection (1) selon la revendication 9 Ou 10, chaque matériau sensible (15) étant recouvert par une couche de protection (22) en nitrure de silicium.