FR 3084467 A1 20200131 FR 1856968 A 20180726 Procédé de contrôle de température et circuit de contrôle correspondant L'invention concerne le contrôle de la température de jonction d'un transistor haute tension. Il s'agit en particulier de transistors bipolaires, tels que les transistors bipolaires à grille isolée appelés transistors IGBT pour « Insulated Gate Bipolar Transistor » en anglais, ou les transistors à effet de champ à grille isolée appelés transistors MOSFET pour « Metal Oxyde Serniconductor Field Effect Transistor » en anglais. Les transistors haute tension permettent de moduler de l'énergie dans des produits ou équipements haute tension. Dc tels transistors haute tension peuvent être prévus dans des convertisseurs haute tension par exemple dans certains équipements électriques de véhicules automobiles électriques. On peut citer notamment de façon non exhaustive les équipements pour le chauffage, les compresseurs, les convertisseurs tels que des onduleurs ou hacheurs, ou encore les batteries. En fonctionnement de tels transistors haute tension, une forte perte d'énergie est dissipée sous forme de chaleur. Cette chaleur peut être quantifiée à partir de la mesure de la température de jonction. Cependant, si la température de jonction dépasse un seuil prédéfini, cela peut entrainer une défaillance du transistor. Afin d'assurer un bon fonctionnement du produit ou équipement électrique, il est nécessaire de prévoir une protection thermique efficace en vue de se prémunir d'éventuelles défaillances de transistor. Pour ce faire, selon une solution connue, on prévoit des capteurs de température analogiques, tels que des capteurs à coefficient à température négatif (CTN), ou à coefficient à température positif (CTP). Pour les transistors montés en surface, par exemple brasés sur une carte à circuit 25 imprimé, de tels capteurs sont placés à proximité des transistors. Toutefois, pour les transistors traversants, c'est-à-dire dont les broches traversent le support de tels transistors, les capteurs de température ne peuvent pas être montés directement à proximité des transistors mais sont montés sur un dissipateur thermique à proximité de la semelle, cc qui peut présenter des difficultés liées à l'intégration et se 30 révéler couteux, notamment en termes de procédé de fabrication et de composants -2- mécaniques supplémentaires. En outre, en cas de fixation incorrecte du transistor sur le dissipateur thermique, le capteur de température risque de renvoyer une information de température erronée du transistor. En cas de surchauffe, cela peut engendrer la destruction du composant. 5 L'invention a pour objectif de pallier au moins partiellement ces inconvénients de l'art antérieur en proposant une solution alternative permettant de surveiller et de contrôler la température de jonction d'un transistor haute tension. À cet effet l'invention a pour objet un procédé de contrôle de la température d'un transistor haute tension. Selon l'invention, ledit procédé comprend les étapes 10 suivantes : on mesure la tension aux bornes du transistor lorsqu'il est passant, on relève le courant parcourant le transistor, et à partir de la tension mesurée et du courant relevé, on estime la température de jonction du transistor. 15 Une telle solution ne requiert plus l'agencement de capteurs de température à proximité des transistors, mais permet une mesure indirecte de la température de jonction des transistors en se basant sur leurs paramètres thermosensibles. De tels paramètres, tels que le courant qui traverse le transistor et la tension entre le collecteur et l'émetteur s'il s'agit de transistors bipolaire à grille isolée, ou la tension entre le drain 20 et la source s'il s'agit d'un transistor à effet de champ à grille isolée, varient en fonction de la température de jonction ce qui permet d'estimer la température de jonction. Ainsi, en prenant en compte uniquement les paramètres électriques thermosensibles, on peut estimer la température de jonction du transistor afin de se prémunir d'une éventuelle surchauffe du transistor. Selon un premier mode de réalisation, il s'agit d'un procédé de contrôle de la température d'un transistor bipolaire à grille isolée, dans lequel : on mesure la tension du collecteur vers l'émetteur lorsque le transistor est saturé, on relève le courant du collecteur vers l'émetteur, on modélise une approximation linéaire de l'évolution de la tension collecteur émetteur en fonction de la température de jonction pour le courant mesuré, à partir -3- d'au moins deux valeurs de référence de tension entre le collecteur et l'émetteur du transistor à deux températures de jonction prédéfinics et à partir de l'approximation modélisée, on estime la température de jonction du transistor pour la tension collecteur émetteur mesurée. 5 Les températures de jonction prédéfinies sont par exemple 25°C et 175°C. Les valeurs de référence de tension entre le collecteur et. l'émetteur du transistor à deux températures prédéfinies peuvent être déterminées en fonction de la valeur de la tension grille émetteur pré-défin ic dans le cahier des charges. Selon un deuxième mode de réalisation, il s'agit d'un procédé de contrôle de la 10 température d'un transistor à effet de champ à grille isolée, dans lequel : on mesure la tension entre le drain et la source lorsque le transistor est passant, on relève le courant de drain, à partir de la tension entre le drain la source mesurée et du courant de drain relevé, on détermine la résistance du transistor lorsqu'il est passant, et 15 à partir de la résistance déterminée, on estime la température de jonction à l'aide d'au moins un tableau de correspondance mémorisé. Ledit procédé peut en outre comporter une ou plusieurs caractéristiques suivantes, prises séparément ou en combinaison : 20 - ledit procédé comprend les étapes suivantes : on compare la température de jonction estimée du transistor à un seuil de température prédéfini, et si la température de jonction estimée du transistor dépasse un seuil de température prédéfini, on commute le transistor de l'état passant à l'état bloqué ; - on mesure la tension aux bornes d'une résistance de mesure agencée en série avec le 25 transistor de façon à déterminer le courant traversant ladite résistance et parcourant le transistor ; la résistance de mesure est un shunt de mesure ; la résistance de mesure comporte une borne reliée électriquement à l'émetteur du transistor bipolaire à grille isolée ou à la source du transistor à effet de champ à 30 grille isolée ; -4- - la résistance de mesure comporte une autre borne reliée électriquement à la masse. L'invention concerne également un circuit de contrôle de la température d'un transistor haute tension, configuré pour mettre en oeuvre le procédé tel que défini 5 précédemment Ledit circuit comporte : un transistor haute tension, un dispositif de mesure de tension monté aux bornes du transistor et configuré pour mesurer la tension du transistor lorsqu'il est passant, un dispositif d'acquisition de courant relié électriquement à une électrode du I O transistor et configuré pour relever un courant parcourant le transistor, et au moins un moyen de traitement configuré pour recevoir en entrée au moins une information de tension en provenance du dispositif de mesure de tension et au moins une information de courant en provenance du dispositif d'acquisition de courant, et configuré pour estimer la température de jonction du transistor, à partir de la tension 15 du transistor lorsqu'il est passant et du courant le traversant. Ledit circuit peut en outre comporter une ou plusieurs caractéristiques suivantes, prises séparément ou en combinaison : le transistor est relié électriquement à une source de tension haute par exemple par l'intermédiaire d'une charge ; 20 le transistor est un transistor bipolaire à grille isolée dont le collecteur est relié électriquement à la source de tension haute ou un transistor à effet de champ à grille isolée dont le drain est relié électriquement à la source de tension haute ; le dispositif de mesure de tension comporte un amplificateur opérationnel ; l'amplificateur opérationnel comporte une entrée reliée électriquement audit 25 transistor ; ledit circuit comprend en outre un module de contrôle de la mesure de tension relié électriquement au transistor et au dispositif de mesure de tension le module de contrôle de la mesure de tension comporte - au moins un élément résistif relié électriquement à une tension d'alimentation et 30 - au moins un premier et un deuxième commutateurs, tels que des transistors, -5- respectivement reliés d'une part à la masse et d'autre part à une électrode différente du transistor, et tels que le deuxième commutateur est agencé en série avec l'élément résistif et le premier commutateur est relié électriquement au noeud entre l'élément résistif et le deuxième commutateur ; 5 ledit circuit comprend au moins un pont diviseur de tension, ledit au moins un point diviseur comporte deux résistances en série ; ledit circuit comprend un premier pont diviseur de tension et l'amplificateur opérationnel comporte une autre entrée reliée électriquement au noeud entre les deux résistances en série du premier pont diviseur ; 10 le module de contrôle de la mesure de tension comporte une entrée reliée électriquement à la sortie du premier pont diviseur ; le circuit comprend un deuxième pont diviseur et le module de contrôle de la mesure de tension comporte une sortie reliée électriquement au noeud entre les deux résistances en série du deuxième pont diviseur ; 15 le dispositif d'acquisition est configuré pour mesurer la tension aux bornes d'une résistance de mesure agencée en série avec le transistor ; ledit au moins un moyen de traitement configuré pour estimer la température de jonction du transistor est choisi parmi un microcontrôleur ou un module de circuit discret ; 20 ledit au moins un moyen de traitement est configuré pour estimer la température de jonction du transistor est configuré pour émettre un signal de commande de commutation du transistor en fonction de la température de jonction estimée du transistor ; ledit circuit comprend un module de commande configuré pour commuter le 25 transistor entre l'état passant et l'état bloqué ; le module de commande est configuré pour recevoir un signal de commande de commutation du transistor émis par ledit au moins un moyen de traitement tel que le microcontrôleur ou le module de circuit discret. 30 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaitront plus clairement -6- à la lecture de la description suivante, donnée à titre d'exemple illustratif et non limitatif, et des dessins annexés parmi lesquels : la figure la représente de façon schématique une première variante d'un montage d'un circuit de contrôle de la température d'un transistor bipolaire à grille isolée, 5 la figure lb représente de façon schématique une deuxième variante d'un montage d'un circuit de contrôle de la température d'un transistor bipolaire à grille isolée, la figure 2a est un graphe montrant des courbes d'évolution de la tension entre le collecteur et l'émetteur d'un transistor bipolaire à grille isolée en fonction du courant collecteur à une première température prédéfinie, 10 la figure 2h est un graphe montrant des courbes d'évolution de la tension entre le collecteur et l'émetteur d'un transistor bipolaire à grille isolée en fonction du courant collecteur à une deuxième température prédéfinie, la figure 2c est un graphe montrant des courbes d'évolution de la tension entre le collecteur et l'émetteur en fonction de la température de jonction, 15 la figure 3 représente de façon schématique un montage d'un circuit de contrôle de la température d'un transistor à effet de champ à grille isolée, et la figure 4 est un graphe montrant une courbe d'évolution de la résistance à l'état passant d'un transistor à effet de champ à grille isolée en fonction de la température de jonction. 20 Dans ces figures. les éléments identiques portent les mêmes références. Les réalisations suivantes sont des exemples. Bien que la description se réfère à un ou plusieurs modes de réalisation, ceci ne signifie pas nécessairement que chaque référence concerne le même mode de réalisation, ou que les caractéristiques s'appliquent seulement à un seul mode de réalisation. De simples caractéristiques de 25 différents modes de réalisation peuvent également être combinées ou interchangées pour fournir d'autres réalisations. Dans la description, on peut indexer certains éléments, comme par exemple premier élément ou deuxième élément. Dans ce cas, il s'agit d'un simple indexage pour différencier et dénommer des éléments proches niais non identiques. Cette indexation 30 n'implique pas une priorité d'un élément par rapport à un autre et on peut aisément -7- interchanger de telles dénominations sans sortir du cadre de la présente description. Cette indexation n'implique pas non plus un ordre dans le temps. L'invention concerne la surveillance de la température de jonction d'un 5 transistor haute tension, plus particulièrement d'un transistor bipolaire à grille isolée dit IGBT ou d'un transistor à effet de champ à grille isolée dit MOSFET. On entend par « haute tension », une tension comprise dans la plage de 100V à 6500V, par exemple de l'ordre de 400V ou 800V. De tels transistors haute tension sont utilisés pour l'électronique de puissance. I Procédé de contrôle de température En se référant à l'ensemble des figures 1 à 5, on décrit un procédé de contrôle de la température d'un transistor haute tension. Les figures la à 2c se réfèrent à la surveillance de la température de jonction 15 d'un transistor bipolaire à grille isolée, désigné par la suite transistor IGBT Ql. Les figures 3 et 4 se réfèrent à la surveillance de la température de jonction d'un transistor à effet. de champ à grille isolée désigné par la suite transistor MOSFET Ql'. Le procédé dont les étapes sont schématisées de façon simplifiée sur le 20 diagramme de la figure 5. pour la surveillance de la température de jonction de l'un ou l'autre des transistors QI, QI', peut être enclenché à une étape de démarrage E0. Le procédé comprend de façon générale les étapes décrites ci-après. Lors d'une étape El, on mesure la tension aux bornes du transistor Q1 ; Q1' lorsqu'il est passant, comme schématisé par QI ON et Ql' ON sur la figure 5. 25 À l'étape E2, on relève le courant parcourant le transistor QI ; Q1'. Puis à l'étape E3, on estime la température de jonction Ti- du transistor Ql ; Q1' à partir de la tension mesurée et du courant relevé. Cas du transistor IGBT 30 Dans le cas d'un transistor IGBT QI, à l'étape El, on mesure la tension entre le -8- collecteur et l'émetteur, désignée par la suite tension collecteur-émetteur VeE_sat, lorsque le transistor Q1 est saturé. En particulier, on réalise une mesure différentielle de la tension collecteur-émetteur VCE_sat. On peut prévoir au moins une étape de traitement de la tension collecteur-émetteur VeE_,'i mesurée, par exemple une étape d'amplification. 5 Le courant qui est relevé à l'étape E2 est le courant du collecteur vers l'émetteur Ie. Pour ce faire, selon les exemples illustrés sur les figures la, lb, on peut mesurer la tension Vshunt aux bornes d'une résistance de mesure, en particulier un shunt de mesure S agencé en série avec le transistor IGBT Ql. La résistance de mesure tel que le shunt de mesure S comporte une borne reliée électriquement à l'émetteur du transistor IGBT 10 Ql. L'autre borne est reliée électriquement à la masse. À partir de la tension VSEunt mesurée, on peut déterminer le courant traversant la résistance de mesure tel que le shunt de mesure S, et ainsi le courant du collecteur vers l'émetteur Ie. Pour l'estimation de la température de jonction TJ du transistor IGBT Ql, le procédé peut comporter au moins une sous-étape, dans laquelle on modélise une 15 approximation linéaire de l'évolution de la tension collecteur-émetteur VcE sut en fonction de la température de jonction Ti. À partir de cette approximation linéaire, on peut estimer la température de jonction Ti du transistor Ql pour la tension collecteur-émetteur VCE sat qui est mesurée. L'approximation linéaire de l'évolution de la tension collecteur-émetteur peut se 20 faire à partir d'au moins deux valeurs de référence de tension collecteur-émetteur Vcb_25, VcE_175 du transistor IGBT QI. Les valeurs de référence VcE_25, VcE_175 du transistor IGBT Q1 sont définies à deux températures de jonction prédéfinies et pour un courant du collecteur vers l'émetteur Ie donné qui est inférieur à un courant système maximum prédéfini. Les températures de jonction prédéfinies sont par exemple 25°C et 25 175°C. Les valeurs de référence de tension collecteur-émetteur VcE 75, VcE 175 du transistor IGBT Ql aux deux températures prédéfinies sont déterminées en fonction de la valeur de la tension entre la grille et l'émetteur désignée par la suite tension grille-émetteur VGE prédéfinie par exemple dans le cahier des charges. À cet effet, le procédé peut comporter une étape préliminaire dans laquelle on 30 réalise une cartographie ou mapping en anglais, par exemple à l'aide d'un -9- microcontrôleur, de façon à obtenir un tableau de valeurs de tension collecteur-émetteur Vcr, en se basant sur les paramètres thermosensibles du transistor IGBT Q1 fournis dans le cahier des charges, par le constructeur du transistor IGBT Ql. Autrement dit, on relève les valeurs de tension collecteur-émetteur Ven en fonction du courant et pour des 5 valeurs connues de tension grille-émetteur Von. La figure 2a représente de façon schématique un graphe montrant l'évolution de la valeur de référence de tension collecteur-émetteur Vcr 25, pour une température de jonction de 25°C, en fonction du courant du collecteur vers l'émetteur le et pour différentes valeurs de tension grille-émetteur VGE, par exemple de 5V à 20V. 10 De façon similaire, la figure 2h représente de façon schématique un graphe montrant l'évolution de la valeur de référence de tension collecteur-émetteur Ver n5, pour une température de jonction de 175°C, en fonction du counuit du collecteur vers l'émetteur k: et pour différentes valeurs de tension grille-émetteur VON, par exemple de 5V à 20V. 15 La figure 2c est un graphe représentant de façon schématique différentes courbes d'évolution de la tension collecteur-émetteur Ver selon la valeur du courant du collecteur vers l'émetteur Tc et pour une valeur de tension grille-émetteur VGE prédéfinie. À titre d'exemple non limitatif, on se place par exemple dans le cas d'un transistor IGBT QI ayant une tension grille-émetteur VGE prédéfinic de l'ordre de 15V. 20 Sur cette figure 2c, on a représenté différents exemples de courbes d'évolution de la tension collecteur-émetteur Ver valeur du courant du collecteur vers l'émetteur le. Par exemple : la courbe en pointillés montre l'évolution de la tension collecteur-émetteur Ver pour une valeur du courant du collecteur vers l'émetteur le de 60A, 25 la courbe en tirets montre l'évolution de la tension collecteur-émetteur Vcr pour une valeur du courant du collecteur vers l'émetteur k de 30A, et la courbe en trait plein avec des triangles montre l'évolution de la tension collecteur-émetteur Ver pour une valeur du courant du collecteur vers l'émetteur le de 15A. À titre d'exemple illustratif non limitatif, dans le cas d'un transistor IGBT Q1 de 30 tension grille-émetteur VGE de l'ordre de 15V, et pour lequel on mesure un courant du -10- collecteur vers l'émetteur le, par exemple à l'étape E2, de l'ordre de 20A, on peut déterminer à partir des données représentées de façon schématique sur les graphes des figures 2a et 2b au moins une valeur de référence de tension collecteur-émetteur VcE_25, pour une température de jonction de 25°C et une autre valeur de référence de tension 5 collecteur-émetteur VCE_I25 pour une température de jonction de 175°C. On peut prévoir une sous-étape de mémorisation de ces valeurs de référence VCE 25, VCE 175. À partir des valeurs de référence VcE 2s, VcE_E7s, on modélise l'approximation linéaire de l'évolution de la tension collecteur-émetteur VcE sat en fonction de la 10 température de jonction Ti, comme schématisé par la droite en trait plein avec des cercles. Cette approximation linéaire répond à l'équation (a) suivante : (a) VCE = a x Ti + b, avec a, b correspondant à des coefficients variables. Selon la tension collecteur-émetteur VcE_sat qui est mesurée à l'étape El, on peut 15 alors estimer la température de jonction Tl du transistor IGBT Q1 à partir de cette approximation linéaire à l'étape E3. Autrement dit, on peut déterminer la température de jonction Tl à partir de l'équation (b) suivante : VCE b (1)) T-1 = a avec a, b correspondant à des coefficients variables, et en remplaçant VcE par la valeur 20 Vcb_sat mesurée à l'étape El . Cas du transistor MOSFET En se référant aux figures 3 à 5, dans le cas d'un transistor MOSFET Q1', on mesure à l'étape El, la tension entre le drain et la source, désignée par la suite tension 25 drain-source VDs, lorsque le transistor MOSFET Q1' est passant. En particulier, on réalise une mesure différentielle de la tension drain-source Vis. De façon similaire au cas du transistor IGBT QI, on peut prévoir au moins une étape de traitement, par exemple d'amplification, de la tension drain-source VDS mesurée aux bornes du transistor MOSFET QI'. 30 Lc courant qui est relevé à l'étape E2 est le courant de drain Io. Comme décrit précédemment, ceci peut se faire en mesurant la tension Vst,ullt aux bornes d'une résistance de mesure, tel qu'un shunt de mesure agencé en série avec le transistor MOSFET Q1' en ayant une borne reliée électriquement à la source du transistor MOSFET Ql' et l'autre borne reliée électriquement à la masse. 5 Pour l'estimation de la température de jonction Ti du transistor MOSFET Q1', à l'étape E3, le procédé peut comporter les sous-étapes suivantes : à partir de la tension drain-source VDS mesurée et du courant de drain 1D relevé, on détermine la résistance RDson du transistor MOSFET QI' lorsqu'il est passant, et à partir de la résistance RDS0n déterminée, on estime la température de jonction Tt- à 10 l'aide d'au moins un tableau de correspondance mémorisé. La résistance RDsci, du transistor MOSFET Q1' à l'état passant est définie en fonction de la tension drain-source VDS et du courant de drain ID selon l'équation (p) suivante : VDS (e) RDSon - , - .D 15 Classiquement sa valeur est déterminée pour une tension entre la grille et la source, désignée par la suite tension grille-source ou tension de grille Vos de 10V. Le procédé peut comporter une étape préalable dans laquelle on réalise une cartographie ou mapping, de façon à obtenir un tableau de valeurs de la résistance RDs,,,, du transistor MOSFET Q1' à l'état passant en se basant sur les paramètres 20 thermosensibles du transistor MOSFET Ql' fournis dans le cahier des charges, par le constructeur du transistor, tels que la tension drain-source VDS et le courant de drain ID, en fonction de la température de jonction. On a représenté de façon schématique sur la figure 4, une courbe d'évolution de la résistance RDsor, du transistor MOSFET QI ' en fonction de la température de jonction 25 T.J. Ces valeurs par exemple fournies par le constructeur, sont données pour une tension de grille Vos et pour un courant de drain ID particuliers. Dans l'exemple de la figure 4, le transistor MOSFET Q1' a une tension de grille Vos de 10V et le courant de drain ID est de l'ordre de 1.25A. À partir de ce tableau, selon la tension drain-source VDS et le courant de drain ID 30 relevés aux étapes El et E2, on peut calculer la résistance RDson du transistor MOSFET -12- QI' et en déduire la température dc jonction Ti du transistor MOSFET QI' à l'étape D. Par ailleurs, en se référant de nouveau à la figure 5, selon l'une ou l'autre des variantes, c'est-à-dire pour un transistor IGBT QI ou MOSFET Q1', après avoir estimé 5 la température de jonction L à l'étape E3, le procédé peut comporter les étapes suivantes. Lors d'une étape E4, on compare la température de jonction Ti estimée du transistor 1GBT QI, respectivement du transistor MOSFET Q1', à un seuil de température prédéfini Tl. Le seuil de température prédéfini Tl pour le transistor 1GBT 10 QI ou MOSFET Q1' est notamment choisi inférieur à la température maximale de jonction Ti. admissible du transistor IGBT Ql. respectivement MOSFET Q1'. Un tel seuil de température prédéfini Tl dépend notamment du cahier des charges et de l'application. Si la température de jonction Ti estimée du transistor IGBT Ql, respectivement 15 du transistor MOSFET Ql', est inférieure, plus précisément inférieure ou égale, au seuil de température prédéfini Tl, les étapes du procédé peuvent de nouveau être itérées depuis le début.. Au contraire, si la température de jonction Ti estimée du transistor 1GBT QI, respectivement du transistor MOSFET Q1', dépasse le seuil de température prédéfini 20 Ti. à l'étape ES, on commute le transistor IGBT Ql, respectivement du transistor MOSFET QI de l'état passant à l'état bloqué, comme schématisé par QI OFF et QI' OFF sur la figure 5. Le refroidissement peut alors se faire naturellement. On peut continuer à surveiller la température de jonction Ti du transistor IGBT Ql, respectivement du 25 transistor MOSFET QI'. Pour ce faire, on peut enclencher une étape E6 de stratégie de commutation à l'état passant transitoire du transistor IGBT Ql, respectivement du transistor MOSFET Q1'. À litre d'exemple, le transistor 1GBT QI, respectivement le transistor MOSFET Q1', peut être commuté à l'état passant durant une période prédéfinie, à intervalle de temps qui peut être régulier. De façon non limitative, un 30 exemple de stratégie de surveillance est la commutation du transistor IGBT QI, -13- respectivement du transistor MOSFET Q1' à l'état passant pendant 50ms toutes les 5s. Durant les périodes de commutation à l'état passant du transistor IGBT Ql, respectivement du transistor MOSFET Q1', la température de jonction TI peut être estimée comme expliqué précédemment en référence aux étapes El à E3. 5 La température de jonction TI estimée durant ces périodes transitoires de commutation à l'état passant peut être comparée à l'étape E7 à un autre seuil de température prédéfini T2 différent du seuil de température prédéfini Tl utilisé lors de l'étape de comparaison E4. Dans cc cas, le seuil de température prédéfini Tl de l'étape E4 est nommé premier seuil de température et le seuil de température prédéfini T2 de 10 l'étape E6 est nominé deuxième seuil de température. Le deuxième seuil de température T2 est inférieur au premier seuil de température Tl. Le deuxième seuil de température T2 est choisi selon l'application. Tant que la température de jonction Ti est supérieure ou égale au deuxième seuil de température T2, la commutation transitoire à l'état passant du transistor IGBT Ql, 15 respectivement MOSFET Ql', selon la stratégie définie à l'étape E6 peut continuer. Lorsque la température de jonction Ti- est inférieure, plus précisément strictement inférieure, au deuxième seuil de température T2, la mise en marche du transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Ql', est relancée. Autrement dit le transistor IGBT QI, respectivement MOSFET Q1', est à l'état passant et le procédé 20 recommence au début de façon à continuer la surveillance de la température de jonction Circuit de contrôle La mise en oeuvre du procédé tel que décrit précédemment peut se faire par un 25 circuit 1 de contrôle de la température d'un transistor haute tension QI, Q1', dont des exemples de montage sont représentés de façon schématique sur les figures la, lb et 3. Le circuit 1 de contrôle de la température comporte un transistor haute tension, tel qu'un transistor IGBT QI ou un transistor MOSFET Q1'. Selon les exemples illustrés, le transistor Q1 ; Q1' est relié électriquement à une source de tension qui peut 30 être une tension haute 1-IV, par exemple par l'intermédiaire d'une charge Ri,. -14- Dans le cas d'un transistor IGBT QI, c'est le collecteur qui est relié électriquement à la source de tension HV par exemple par l'intermédiaire de la charge Ri,. Dans le cas d'un transistor MOSFET Q1', c'est le drain qui est relié électriquement à la source de tension HV par exemple par l'intermédiaire de la charge RL. 5 En outre, selon les exemples de montage illustrés sur les figures la, lb et 3, le transistor IGBT Ql ou MOSFET Ql' est agencé en série avec la charge RL et une résistance de mesure, tel qu'un shunt de mesure S. Dans le cas d'un transistor 1GBT QI, c'est l'émetteur qui est relié électriquement au shunt de mesure S. Dans le cas d'un transistor MOSFET QI c'est la source qui est reliée électriquement au shunt de mesure 10 S. De façon générale, le circuit 1 de contrôle comporte également : - un dispositif de mesure de tension 3, - un dispositif d'acquisition de courant 5, et - au moins un moyen de traitement 7 configuré pour recevoir en entrée au moins une 15 information de tension en provenance du dispositif de mesure de tension 3 et au moins une information de courant en provenance du dispositif d'acquisition de courant. 5. Le dispositif de mesure de tension 3 est monté aux bornes du transistor QI ; QI' 20 et est configuré pour mesurer la tension VcE_sat ; Vos du transistor Q1 ; Q1' lorsqu'il est passant. Plus précisément, le dispositif de mesure de tension 3 permet de mesurer la tension collecteur-émetteur Vntsat du transistor IGBT Q1 saturé ou la tension drain-source VOS du transistor MOSFET Q1'. En particulier, le dispositif de mesure (le tension 3 permet une mesure 25 différentielle de la tension Vice sat, repsectivement VDS, entre les électrodes du transistor IGBT Ql, respectivement du transistor MOSFET Q1', reliées électriquement d'un côté à la source de tension HV par exemple par l'intermédiaire de la charge RL et de l'autre côté au shunt de mesure S. À titre d'exemple, le dispositif de mesure de tension 3 comporte un 30 amplificateur opérationnel A 1 . L'amplificateur opérationnel Al est monté en parallèle -15- du transistor IGBT QI ou MOSFET QI'. Plus précisément, l'amplificateur opérationnel Al comporte une entrée el reliée électriquement à l'émetteur dans le cas d'un transistor IGBT Ql, ou à la source dans le cas d'un transistor MOSFET Ql'. L'amplificateur opérationnel Al comporte une autre entrée e2 reliée électriquement au collecteur dans le 5 cas d'un transistor IGBT Ql, ou au drain dans le cas d'un transistor MOSFET Q1'. Le dispositif d'acquisition de courant 5 est relié électriquement à une électrode du transistor QI, QI' et est configuré pour relever un courant le ; ID parcourant le transistor QI ; QI'. Plus précisément, le dispositif d'acquisition de courant 5 permet de 10 relever le courant du collecteur vers l'émetteur le lorsqu'il s'agit d'un transistor IGBT Q1 ou le courant de drain In lorsqu'il s'agit d'un transistor MOSFET Q1'. En particulier, le dispositif d'acquisition de courant 5 peut comporter un dispositif A2 de mesure de tension configuré pour mesurer la tension VShunt aux bornes d'une résistance de mesure S agencée en série avec le transistor Q1 ; Ql'. Le dispositif 15 A2 de mesure de tension peut être configuré pour déduire le courant traversant le transistor MOSFET Ql' à partir de la tension Vshunt mesurée aux bornes du shunt de mesure S. Le ou les moyens de traitement 7 est / sont configure(s) pour estimer la 20 température de jonction Ti du transistor Q1 ; QE, à partir : de la tension VCE_sat ; Vns du transistor QI ; QI' lorsqu'il est passant et du courant Ie, In le traversant. Il s'agit par exemple d'un microcontrôleur ou d'un module de circuit discret. Le ou les moyens de traitement 7 peuvent être configurés pour un traitement numérique. Il 25 peut également s'agir d'un dispositif matériel par exemple du type comparateur à hystérésis avec sommateur non inverseur, et par exemple avec détection de seuil. Le ou les moyens de traitement 7 est / sont configuré(s) pour recevoir les informations de tension VCEsat VUS et de courant le, ID relevées par les dispositifs de mesure de tension 3 et d'acquisition de courant 5. 30 Le ou les moyens de traitement 7 est / sont configure(s) pour émettre un signal -16- de commande de commutation du transistor QI ; Q1' en fonction de la température de jonction TI estimée du transistor Q1 ; Q1' ou si le dépassement d'un seuil de température a été détecté. 5 Le circuit 1 de contrôle peut comporter en outre un module 9 de contrôle de la mesure de tension qui permet de gérer la mesure de la haute tension du transistor Q1 ; Q1'. Le module 9 de contrôle de la mesure de tension est relié électriquement au transistor QI ; Q1' dont on surveille la température de jonction et au dispositif de mesure de tension 3. Un tel module 9 est configuré pour contrôler quelle tension est 10 mesurée par le dispositif de mesure de tension 3, comme expliqué ci-après. Le module 9 de contrôle de la mesure de tension comporte au moins un élément résistif R3 relié électriquement à une tension d'alimentation Vcc. Le module 9 de contrôle de la mesure de tension comporte en outre au moins deux commutateurs tels que des transistors. Par exemple, au moins un premier transistor 15 Q2 et un deuxième transistor Q3 sont prévus. Les transistors Q2, Q3 sont respectivement reliés d'une part à la masse et d'autre part à une électrode différente du transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Ql'. À titre d'exemple particulier, il peut s'agir de transistors bipolaires Q2, Q3. Le premier transistor Q2 est relié électriquement d'une part à la masse et d'autre 20 part au transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Q1', et au dispositif de mesure de tension 3. Le premier transistor Q2 est de plus relié électriquement au noeud entre l'élément résistif R3 et le deuxième transistor Q3. Plus précisément, s'il s'agit d'un premier transistor bipolaire Q2, son émetteur est relié électriquement à la masse et son collecteur est relié électriquement au transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET 25 Q1', et au dispositif de mesure de tension 3. Le deuxième transistor Q3 est agencé en série avec l'élément résistif R3. La base du premier transistor bipolaire Q2 est reliée électriquement au noeud entre l'élément résistif R3 et le deuxième transistor Q3. Dc plus. le deuxième transistor Q3 est relié électriquement d'une part à la masse 30 et d'autre part au transistor IGBT QI, respectivement MOSFET QI'. Plus précisément, -17- s'il s'agit d'un deuxième transistor bipolaire Q3, son émetteur est relié électriquement à la masse, son collecteur est relié électriquement à l'élément résistif R3 et sa base est reliée électriquement au transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Q1'. En outre, dans le cas d'un transistor IGBT Q1 (figures la, lb), le premier 5 transistor Q2 du module 9 de contrôle de la mesure de tension peut être relié électriquement au collecteur du transistor IGBT Ql tandis que le deuxième transistor Q3 du module 9 de contrôle de la mesure de tension peut être relié électriquement à la grille du transistor IGBT QI. Dans le cas d'un transistor MOSFET QI' (ligure 3), le premier transistor Q2 du 10 module 9 de contrôle de la mesure de tension peut être relié électriquement au drain du transistor MOSFET Q1' tandis que le deuxième transistor Q3 du module 9 de contrôle de la mesure de tension peut être relié électriquement à la grille du transistor MOSFET Q1'. Le transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Q1', et le deuxième transistor 15 Q3 peuvent être pilotés en même temps et le deuxième transistor Q3 peut piloter le premier transistor Q2. Lorsque le transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Q1', est à l'état bloqué, le deuxième transistor Q3 dudit du module 9 de contrôle est commuté à l'état bloqué et le premier transistor Q2 dudit du module 9 de contrôle est commuté à l'état 20 passant. Dans cc cas, la tension mesurée par le dispositif de mesure de tension 3 correspond à la tension basse du transistor IGBT QI, respectivement MOSFET Q1' à l'état bloqué. Lorsque le transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Q1' est à l'état passant, le deuxième transistor Q3 dudit du module 9 de contrôle est commuté à l'état 25 passant et le premier transistor Q2 dudit du module 9 de contrôle est commuté à l'état bloqué. Dans ce cas, la tension mesurée par le dispositif de mesure de tension 3 correspond à la tension haute du transistor IGBT QI, respectivement MOSFET Q1', à l'état passant. 30 Le circuit 1 de contrôle peut comporter un ou plusieurs ponts diviseurs de -18- tension 11, 13. Dans l'exemple de la figure la. le circuit 1 de contrôle comporte un pont diviseur de tension 11. Dans les exemples des figures lb et 3, le circuit 1 de contrôle comporte deux ponts diviseurs de tension 11 et 13. Le ou les ponts diviseurs 11, 13 permettent d'atténuer la haute tension. Le ou les 5 ponts diviseurs 11, 13 permettent également de protéger de ou limiter la propagation de la haute tension sur les dispositifs basse tensions, notamment le module 9 de contrôle de la mesure de tension ou l'amplificateur opérationnel Al, par exemple en cas de défaillance du transistor IGBT QI, respectivement MOSFET Q1'. Chaque point diviseur Il, respectivement 13, comporte deux résistances RI, R2, 10 respectivement R4, R5, en série. Un pont diviseur de tension 11 (figure la) ou un premier pont diviseur de tension 11 (figures lb, 3) peut être prévu entre le transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Q1', et le module 9 de contrôle de mesure de tension. Plus précisément, le 15 pont ou premier pont diviseur de tension 11 peut être prévu entre le collecteur du transistor IGBT QI, ou le drain du transistor MOSFET Ql', et le premier transistor Q2 du module 9 de contrôle de mesure de tension. Le pont diviseur de tension 11 ou premier pont diviseur de tension 11 comporte une première résistance RI et une deuxième résistance R2 en série. 20 Lc module 9 de contrôle de la mesure de tension peut comporter une entrée reliée électriquement à la sortie du premier ou de runique pont diviseur I . En particulier, l'entrée du module 9 de contrôle de la mesure de tension peut être reliée électriquement à la deuxième résistance R2. La première résistance R1 peut être reliée électriquement au collecteur du transistor IGBT Ql, respectivement au drain du 25 transistor MOSFET Ql'. Selon le mode de réalisation du dispositif de mesure de tension 3 avec un amplificateur opérationnel Al, une des entrées e2 de l'amplificateur opérationnel Al peut être reliée électriquement au noeud entre les deux résistances RI, R2 en série du premier pont diviseur ou unique pont diviseur 11. Le pont diviseur (figure la) ou 30 premier pont diviseur 11 (figures lb, 3) permet d'adapter la tension pour la mesure par -19- l'amplificateur opérationnel Al qui est un dispositif de traitement basse tension. Un tel pont diviseur 11 permet également de protéger de la propagation de la haute tension sur les dispositifs basse tensions. 5 Un deuxième pont diviseur 13 peut être prévu (voir figures lb et 3) entre le transistor IGBT QI, respectivement MOSFET Q1', et le module 9 de contrôle de mesure de tension. Plus précisément, le deuxième pont diviseur de tension 13 peut être prévu entre la grille du transistor IGBT QI, respectivement MOSFET Q1' et le deuxième transistor Q3 du module 9 de contrôle de mesure de tension. 10 Le deuxième pont diviseur de tension 13 comporte une première résistance R4 et une deuxième résistance R5 en série. La première résistance R4 peut être reliée électriquement à la grille du transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Q1'. La deuxième résistance R5 peut être reliée électriquement à la masse. Le module 9 de contrôle de la mesure de tension peut comporter une sortie reliée 15 électriquement au noeud entre les deux résistances R4, R5 en série du deuxième pont diviseur 13. Le deuxième pont diviseur 13 permet de limiter la propagation de la haute tension notamment sur le module 9 de contrôle de la mesure de tension en cas de défaillance du transistor IGBT QI, respectivement MOSFET QI'. De plus, le deuxième 20 pont diviseur permet d'adapter la tension de commande de la grille du transistor IGBT QI, respectivement MOSFET QI', pour la commande du module 9 de contrôle de la mesure de tension. Enfin, le circuit 1 de contrôle comporte avantageusement un module de 25 commande 15 configuré pour commuter le transistor 1GBT QI, respectivement MOSFET Q1', entre l'état passant et l'état bloqué. Avantageusement, le module de commande 15 est également configuré pour piloter le deuxième transistor Q3 du module 9 de contrôle de la mesure de tension, qui pilote à son tour le premier transistor Q2 dudit module 9. En particulier, le module de 30 commande 15 peut piloter en même temps le transistor IGBT QI, respectivement -20- MOSFET QI ', et le deuxième transistor Q3 dudit module 9. Le module de commande 15 est par exemple configure pour recevoir un signal de commande de commutation du transistor IGBT Ql, respectivement MOSFET Ql', émis par le ou les moyens de traitement 7. 5 Un procédé tel que décrit. précédemment. par exemple mis en oeuvre par le circuit de contrôle 1, permet (l'estimer et de surveiller la température de jonction des transistors haute tension ou transistors de puissance, par exemple IGBT et MOSFET, en se basant sur leurs paramètres électriques thermosensibles qui varient en fonction de la 10 température dc jonction TL En l'occurrence, on utilise le courant Ic ou ID traversant le transistor IGBT Q1 ou MOSFET Q1' et la tension collecteur-émetteur VCE_sat pour un transistor IGBT Q1 ou la tension drain-source VDS pour le transistor MOSFET Q1', pour déterminer la température de jonction Ti. Dans le cas du transistor IGBT Ql, on peut réaliser une approximation linéaire à 15 partir de valeurs de référence de tension collecteur-émetteur mémorisées pour au moins deux températures de jonction prédéfinies, et déduire la température de jonction pour la valeur de tension collecteur-émetteur VcE, sa mesurée. Dans le cas du transistor MOSFET QI', on peut calculer la résistance à l'état passant RDS0' et déduire la température dc jonction Ti à partir d'un tableau de 20 correspondance entre la résistance à l'état passant Rus°. et la température dc jonction Ti mémorisé. Dans l'un ou l'autre cas, il n'est plus nécessaire comme dans les solutions de l'art antérieur de prévoir un capteur de température à agencer à proximité du transistor. Lorsque la température (le jonction déduite dépasse un seuil prédéfini, le transistor 25 1GBT QI ou MOSFET Q1' peut être commuté à l'état bloqué de façon à protéger l'équipement REVENDICATIONS1. Procédé de contrôle de la température d'un transistor (Q1 ; Q1') haute tension, caractérisé en ce que ledit procédé comprend les étapes suivantes : - on mesure la tension (Vcitsat ; Vus) aux bornes du transistor (Q1 ; Q1') lorsqu'il est passant, - on relève le courant (Ic ; ID) parcourant le transistor (Q1 ; Q1'), et - à partir de la tension (VcE_sat ; VUS) mesurée et du courant (Ic ; ID) relevé, on estime la température de jonction (Ti) du transistor (Q1 ; Q1'). 2. Procédé selon la revendication 1 pour le contrôle de la température d'un transistor (Q1) bipolaire à grille isolée, dans lequel : - on mesure la tension du collecteur vers l'émetteur (VcE sat) lorsque le transistor (Q1) est saturé, - on relève le courant du collecteur vers l'émetteur (Ic), - on modélise une approximation linéaire de l'évolution de la tension collecteur émetteur (VcE sat) en fonction de la température de jonction (Ti) pour le courant (1c) mesuré, à partir d'au moins deux valeurs de référence de tension entre le collecteur et l'émetteur (VcE±,s, Vch_175) du transistor (Q1) à deux températures de jonction prédéfinies, et à partir de l'approximation modélisée, on estime la température de jonction (TI) du transistor (QI) pour la tension collecteur émetteur (VcE sat) mesurée. 3. Procédé selon la revendication 1 pour le contrôle de la température d'un transistor (Q1') à effet. de champ à grille isolée, dans lequel : - on mesure la tension entre le drain et la source (Vos) lorsque le transistor (Q1') est passant, - on relève le courant de drain (ID), - à partir de la tension entre le drain la source (VUS) mesurée et du courant de drain (ID) relevé, on détermine la résistance (RDs,',) du transistor (Q1') lorsqu'il est passant, et - à partir de la résistance (Rus0n) déterminée, on estime la température de jonction -22- (TJ) à l'aide d'au moins un tableau de correspondance mémorisé. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant les étapes suivantes : - on compare la température de jonction (Ti) estimée du transistor (Ql ; Q1') à un 5 seuil de température (T1) prédéfini, et - si la température de jonction (Ti) estimée du transistor (Q1 ; Q1') dépasse un seuil de température prédéfmi, on commute le transistor (Q1 ; Ql') de l'état passant à l'état bloqué. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel on 10 mesure la tension (Vsimut) aux bornes d'une résistance de mesure agencée en série avec le transistor (Q1 ; Ql') de façon à déterminer le courant traversant ladite résistance et parcourant le transistor (Q1 ; Q1'). 6. Circuit de contrôle de la température d'un transistor (Ql ; Q1') haute tension, caractérisé en ce qu'il est configuré pour mettre en oeuvre ledit procédé selon l'une 15 quelconque des revendications précédentes et comporte : un transistor (QI ; QI ' ) haute tension, - un dispositif de mesure de tension (3) monté aux bornes du transistor (Q1 ; Q1') et configuré pour mesurer la tension (VcE_,,,,; Vos) du transistor (Ql ; Q 1 ') lorsqu'il est passant, 20 - un dispositif d'acquisition de courant (5) relié électriquement à une électrode du transistor (Ql, Ql') et configuré pour relever un courant (Ie ; ID) parcourant le transistor (QI ; QI'), et - au moins un moyen de traitement (7) configuré pour recevoir en entrée au moins une information de tension en provenance du dispositif de mesure de tension (3) 25 et au moins une information de courant en provenance du dispositif d'acquisition de courant (5), et configuré pour estimer la température de jonction (Tt) du transistor (Q1 Q1'). à partir de la tension (Vch_sat ; Vos) du transistor (Q1 ; Q1') lorsqu'il est passant et du courant (Ic, In) le traversant. 7. Circuit selon la revendication 6, comprenant en outre un module de contrôle de la -23- mesure de tension relié électriquement au transistor (Q1, Q1') et au dispositif de mesure de tension (3). 8. Circuit selon l'une des revendications 6 ou 7, dans lequel le dispositif d'acquisition , (A2) est configuré pour mesurer la tension (Vshum) aux bornes d'une résistance de 5 mesure (S) agencée en série avec le transistor (Ql ; Q1'). 9. Circuit selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel ledit au moins un moyen de traitement (7) configuré pour estimer la température de jonction (TJ) du transistor (Ql ; Ql') est configuré pour émettre un signal de commande de commutation du transistor (Q1 ; Q1') en fonction de la température de jonction (TJ) 10 estimée du transistor (Q1 ; Q1'). 10. Circuit selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, comprenant un module de commande (15) configuré pour commuter le transistor (Q1 ; Q1') entre l'état passant et l'état bloqué.