FR 3079080 A1 20190920 FR 1902642 A 20190314 Description Titre de l'invention : Dispositif VCSEL avec jonction tunnel intégrée Domaine technique [0001] L'invention concerne un dispositif VCSEL (de l'anglais « Vertical Cavity Surface Emitting Laser », traduisible par Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale) avec jonction tunnel intégrée, un capteur optique et un module de capteur temps de vol comprenant un tel dispositif VCSEL. L'invention concerne en outre un procédé correspondant de fabrication d'un tel dispositif VCSEL. Technique antérieure [0002] Le document EP 0 986 846 B1 décrit un composant semi-conducteur optoélec- tronique. Le composant semi-conducteur optoélectronique présente une région active agencée au-dessus d'un substrat semi-conducteur entre au moins une première couche à cavité résonnante et au moins une deuxième couche à cavité résonnante. Les première et deuxième couches à cavité résonnante sont faites d'un matériau semi-conducteur d'un premier type de conductivité. Au moins une première couche de transition fortement dopée du premier type de conductivité et au moins une deuxième couche de transition fortement dopée d'un deuxième type de conductivité sont agencées entre la région active et l'une des deux couches de cavité résonnante, de sorte que la deuxième couche de transition dégénérée fortement dopée se situe entre la région active et la première couche de transition dégénérée fortement dopée. [0003] Le document JP 2005 044964 A décrit un VCSEL comprenant un substrat, un ré- flecteur de Bragg distribué supérieur et un réflecteur de Bragg distribué inférieur. Une jonction tunnel est agencée dans le réflecteur de Bragg distribué supérieur. [0004] Le document US 2013/0188659 Al décrit un VCSEL comprenant un réflecteur de Bragg distribué supérieur d'un premier type de conductivité, une région active et un réflecteur de Bragg distribué inférieur d'un deuxième type de conductivité. Une jonction tunnel est agencée dans le réflecteur de Bragg distribué supérieur. [0005] Le document US 2001/0050934 Al décrit un VCSEL comprenant un réflecteur de Bragg distribué supérieur, une région active et un réflecteur de Bragg distribué inférieur. Une jonction tunnel est agencée entre le réflecteur de Bragg distribué supérieur et une couche d'ouverture en oxyde. Problème technique [0006] Un objet de la présente invention est de fournir un dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale amélioré avec une diode tunnel intégrée. Exposé de l'invention [0007] Selon un premier aspect, un dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale 2 (VCSEL) est fourni. Le dispositif VCSEL comprend un substrat, un premier contact électrique, un deuxième contact électrique et un résonateur optique. Le résonateur optique comprend un premier réflecteur de Bragg distribué (en anglais distributed Bragg reflector, ou DBR), un deuxième DBR et une couche active pour l'émission de lumière. La couche active est agencée entre le premier DBR et le deuxième DBR et le premier réflecteur de Bragg distribué est agencé entre le substrat et la couche active. L'un ou l'autre parmi le premier DBR et le deuxième DBR comprend une première partie avec au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents et une deuxième partie avec au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents. La première partie et la deuxième partie sont caractérisées par différents types de conductivité (conductivité n ou conductivité p). Une jonction tunnel est agencée entre la première partie et la deuxième partie. Le premier contact électrique et le deuxième contact électrique sont agencés pour pomper électriquement le résonateur optique de sorte que la jonction tunnel soit inversement polarisée pendant le fonctionnement du dispositif VCSEL. L'une des alternatives suivantes est vérifiée : a) le premier réflecteur de Bragg distribué comprend la première partie (115-1) et la deuxième partie (115-2), l'épaisseur relative de la deuxième partie (115-2) par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie (115-1, 115-2) du premier réflecteur de Bragg distribué étant comprise entre 0,1 et 0,8 ; b) le deuxième réflecteur de Bragg distribué comprend la première partie (125-1) et la deuxième partie (125-2), la deuxième partie étant agencée d'un côté de la jonction tunnel (130) opposé à la couche active (120), l'épaisseur relative de la deuxième partie (125-2) par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie (125-1, 125-2) du deuxième réflecteur de Bragg distribué étant comprise entre 0,15 et 0,6. [0008] Le dispositif VCSEL peut comprendre une couche de confinement de courant pour concentrer un courant électrique dans une région définie de la couche active pendant le fonctionnement du VCSEL. Le dispositif VCSEL peut en outre comprendre des couches supplémentaires telles que des couches tampons, des couches de distribution de courant, etc. La première partie et la deuxième partie contribuent à la réflectivité du DBR respectif. Chaque couche de la paire de couches d'indices de réfraction différents du DBR respectif est caractérisée par une épaisseur d'un quart de la longueur d'onde d'émission du dispositif VCSEL dans le matériau de la couche respective. Chacune des couches peut comprendre des sous-couches. La couche active peut par exemple comprendre une structure à puits quantiques comprenant une multitude de sous-couches. Le dispositif VCSEL peut être agencé pour émettre une lumière laser dans la plage de longueurs d'onde comprise entre 750 et 2000 nm. [0009] La jonction tunnel consiste typiquement en deux couches minces en GaAs hautement 3 dopées, l'une du premier type de conductivité (par exemple dopée n) et l'autre du deuxième type de conductivité différent (par exemple dopée p). L'épaisseur de chaque couche de la jonction tunnel est généralement dans la plage de 10 à 60 nm et les niveaux de dopage doivent être aussi élevés que possible. Des valeurs typiques pour les niveaux de dopage sont supérieures à 1019cm3. La jonction tunnel peut de préférence être optimisée pour une résistance et des pertes minimales indépendamment de la réflectivité du DBR respectif. Il peut donc être nécessaire de prévoir des couches tampons pour adapter la phase de l'onde optique dans le DBR respectif. L'épaisseur optique totale de la jonction tunnel et de la ou des couche(s) tampon(s) correspondante(s) peut par exemple être la moitié de la longueur d'onde ou des multiples entiers de celle-ci. En variante, la jonction tunnel avec la(les) couche(s) tampon(s) peut avoir une épaisseur optique d'un quart de longueur d'onde ou de multiples de type 2n + 1 de celle-ci avec n = 1, 2, 3... et peut être une couche ou une paire de couches du DBR respectif. [0010] Grâce à la disponibilité de substrats de haute qualité à des coûts raisonnables, les VCSELs ou les dispositifs VCSEL sont généralement formés sur des substrats de type n, de sorte que le côté supérieur structuré du VCSEL soit l'anode, tandis que le contact de substrat généralement non structuré et commun est la cathode. L'anode structurée nécessite une modulation de la tension anodique, ce qui impose une charge supplémentaire à la conception du pilote électrique du dispositif VCSEL. La jonction tunnel permet le transfert de la cathode aux contacts structurés du dispositif VCSEL. La modulation de la tension cathodique est souhaitable dans des applications où des impulsions de courant élevé raccourcies sont appliquées à un dispositif VCSEL ou à une matrice de VCSELs (par exemple, un LIDAR temps de vol). Des simulations complexes ont montré que l'intégration de la jonction tunnel dans l'un des DBR peut réduire l'absorption optique jusqu'à un facteur 5. En outre, la densité de courant à la position de la jonction tunnel en choisissant la bonne position dans le DBR pourrait être réduite de manière significative, de sorte que les pertes électriques causées par la jonction tunnel puissent être évitées ou au moins être à un niveau acceptable. [0011] La première partie du DBR respectif peut être agencée sur un côté de la jonction tunnel faisant face à la couche active (par exemple, pris en sandwich entre le laser actif et la jonction tunnel). La deuxième partie est agencée sur un côté de la jonction tunnel qui est tourné à l'opposé de la couche active de sorte qu'une première partie soit agencée entre la couche active et la jonction tunnel et la jonction tunnel est agencée entre la première partie et la deuxième partie. Une épaisseur relative de la deuxième partie par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie du premier ou du deuxième DBR respectif est comprise entre 0,1 et 0,8. [0012] Les couches de la jonction tunnel peuvent être agencées en un noeud d'un motif 4 d'onde stationnaire au sein du résonateur optique pendant le fonctionnement du dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale. La position dans le noeud ou près d'un noeud du motif d'onde stationnaire réduit l'absorption optique pouvant être provoquée par le niveau de dopage élevé des couches de la jonction tunnel. L'épaisseur de la jonction tunnel (épaisseur totale de la couche p fortement dopée et de la couche n fortement dopée) peut donc être aussi mince que possible. L'épaisseur de la jonction tunnel peut donc être inférieure à un quart de la longueur d'onde d'émission dans le matériau respectif (par exemple, le GaAs), de manière encore préférée inférieure à 50 nm et le plus préférentiellement inférieure à 40 nm. La jonction tunnel est de préférence d'épaisseur supérieure à 20 nm pour éviter des pertes électriques excessives pouvant prendre le dessus sur l'avantage optique. La deuxième partie du DBR respectif peut comprendre entre 1 et 25 paires de couches d'indices de réfraction différents, plus préférentiellement entre 3 et 20 paires de couches d'indices de réfraction différents et le plus préférentiellement entre 5 et 15 paires de couches d'indices de réfraction différents. [0013] Le dispositif VCSEL peut comprendre une couche de confinement de courant telle qu'indiquée ci-dessus. La première partie est agencée entre la couche de confinement de courant et la jonction tunnel. La couche de confinement de courant assure une séparation supplémentaire du DBR respectif. La paire de couches du DBR respectif qui est agencée entre la couche de confinement de courant et la couche active forme une troisième partie qui n'est pas comprise dans la première partie car la distance entre la couche de confinement de courant et la jonction tunnel détermine la densité de courant dans la jonction tunnel et donc les pertes électriques associées. La jonction tunnel et la couche de confinement de courant peuvent être séparées par 2 à 25 paires de couches d'indices de réfraction différents. Le nombre de paires de couches peut dépendre de couches d'espacement intermédiaires (par exemple, une couche de GaAs). Il peut y avoir au moins 5, plus préférentiellement au moins 9 et encore plus préférentiellement plus de 15 paires de couches entre la jonction tunnel et la couche de confinement de courant. Les paires de couches sont des couches du DBR respectif. La couche de confinement de courant peut, par exemple, être un diaphragme d'oxyde, un phototransistor ou toute autre structure de couches qui est agencée pour confiner le courant électrique fourni au moyen des première et deuxième électrodes à une zone ou région prédéfinie de la couche active. La distance entre la jonction tunnel et la couche de confinement de courant évite ou tout du moins réduit les densités de courant élevées et les pertes électriques correspondantes au niveau de la jonction tunnel pendant le fonctionnement du dispositif VCSEL. [0014] Le dispositif VCSEL comporte un substrat. Le premier DBR est agencé entre le substrat et la couche active. Le substrat peut être un substrat de croissance (par exemple, un substrat d'arséniure de gallium) sur lequel les couches fonctionnelles du dispositif VCSEL sont déposées pendant la fabrication du dispositif VCSEL. [0015] Le deuxième DBR peut comprendre la première partie et la deuxième partie. L'épaisseur relative de la deuxième partie par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie du deuxième DBR est comprise entre 0,15 et 0,6, de préférence entre 0,2 et 0,5. La deuxième partie du deuxième DBR peut comprendre entre 2 et 10 paires de couches d'indices de réfraction différents, préférablement encore entre 2 et 8 paires de couches d'indices de réfraction différents. [0016] Le substrat peut être caractérisé par un premier type de conductivité. Le premier DBR est dans ce mode de réalisation caractérisé par le même premier type de conductivité. La première partie du deuxième DBR est caractérisée par un deuxième type de conductivité. La deuxième partie du deuxième DBR est caractérisée par le premier type de conductivité. [0017] Le premier réflecteur de Bragg distribué peut dans un mode de réalisation alternatif comprendre la première partie et la deuxième partie. L'épaisseur relative de la deuxième partie par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie du premier réflecteur de Bragg distribué est dans ce mode de réalisation entre 0,1 et 0,8, préférentiellement entre 0,2 et 0,6. La deuxième partie du deuxième DBR peut comprendre entre 3 et 30 paires de couches d'indices de réfraction différents, préférablement encore entre 7 et 22 paires de couches d'indices de réfraction différents. [0018] Le substrat peut, dans ce mode de réalisation, être caractérisé par un premier type de conductivité. La première partie du premier DBR est caractérisée par un deuxième type de conductivité, la deuxième partie du premier DBR voisin du substrat étant caractérisée par le premier type de conductivité. Le deuxième DBR est caractérisé par le premier type de conductivité. [0019] Le premier type de conductivité peut être conducteur de type n. Le deuxième contact électrique est dans ce mode de réalisation agencé sur le côté du deuxième DBR tourné à l'opposé de la couche active. Le deuxième contact électrique est conçu pour être un contact cathodique du dispositif VCSEL. Le substrat est, dans ce mode de réalisation, un substrat de type n (par exemple un substrat d'arséniure de gallium dopé n). La jonction tunnel permet dans ce cas une utilisation du deuxième contact électrique structuré en tant que contact cathodique, comme indiqué ci-dessus. Ce dernier peut être particulièrement utile dans le cas de dispositifs VCSEL comprenant une multitude de VCSEL (réseau de VCSELs). [0020] La réflectivité du deuxième DBR peut, dans un mode de réalisation, être inférieure à la réflectivité du premier DBR, de sorte qu'une lumière laser est émise à travers le deuxième DBR pendant le fonctionnement du dispositif VCSEL. Le deuxième contact électrique comprend dans ce cas une ouverture (par exemple un contact annulaire) de 6 sorte que la lumière laser soit émise à travers l'ouverture du deuxième contact électrique. Le dispositif VCSEL est appelé dans ce cas un émetteur dit par le haut. [0021] Une réflectivité du deuxième DBR peut être supérieure à une réflectivité du premier DBR dans un mode de réalisation alternatif, de sorte qu'une lumière laser est émise à travers le premier DBR pendant le fonctionnement du dispositif VCSEL. Le dispositif VCSEL est appelé dans ce cas un émetteur dit par le bas. Le premier contact électrique généralement commun dans le cas d'un réseau VCSEL est structuré de manière à ce que la lumière laser puisse être émise à travers des ouvertures du premier contact électrique. Le substrat peut être complètement éliminé ou au moins localement pour réduire les pertes optiques causées par le substrat. Le dispositif de VCSEL peut être alternativement agencé pour émettre la lumière laser à travers le substrat. La longueur d'onde d'émission du dispositif VCSEL peut être supérieure à 850 nm dans ce cas pour réduire les pertes optiques dans le cas d'un substrat en arséniure de gallium. [0022] Le dispositif VCSEL selon n'importe quel mode de réalisation décrit ci-dessus peut être inclus dans un capteur optique. Le capteur optique peut être inclus dans un dispositif de communication mobile. Le capteur optique peut être utilisé pour la détection de distance, la détection de vitesse et / ou le contrôle de gestes. [0023] Un module de capteur temps de vol peut comprendre au moins un dispositif VCSEL selon un quelconque mode de réalisation décrit ci-dessus. Le module de capteur temps de vol comprend en outre un pilote électrique agencé pour fournir le courant entre le premier contact électrique et le deuxième contact électrique. Le module de capteur temps de vol peut être inclus dans un dispositif de communication mobile. [0024] Selon un aspect supplémentaire, un procédé de fabrication d'un dispositif VCSEL pourvu d'une jonction tunnel intégrée est proposé. Le procédé comprend les étapes suivantes : - fournir un substrat, - fournir un premier contact électrique, - fournir un premier DBR, - prévoir une couche active de sorte que le premier DBR soit agencé entre la couche active et le substrat, - fournir un deuxième DBR de sorte que la couche active soit agencée entre le premier DBR et le deuxième DBR, - prévoir une jonction tunnel de sorte que le premier DBR soit séparé en une première partie comprenant au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents et une deuxième partie comprenant au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents, la première partie et la deuxième partie étant caractérisées par différents types de conductivité, l'épaisseur relative de la deuxième partie par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie du premier réflecteur de 7 Bragg distribué étant comprise entre 0,1 et 0,8, - fournir un deuxième contact électrique, le premier contact électrique et le deuxième contact électrique étant agencés pour fournir un courant de pilotage électrique pour pomper électriquement le dispositif VCSEL. [0025] Selon un aspect supplémentaire, un procédé de fabrication d'un dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale, le procédé comprend les étapes suivantes : - fournir un substrat, - fournir un premier contact électrique, - fournir un premier réflecteur de Bragg distribué, - prévoir une couche active de sorte que le premier réflecteur de Bragg distribué soit agencé entre la couche active et le substrat, - prévoir un deuxième réflecteur de Bragg distribué de telle sorte que la couche active soit agencée entre le premier réflecteur de Bragg distribué et le deuxième réflecteur de Bragg distribué, - prévoir une jonction tunnel de sorte que le deuxième réflecteur de Bragg distribué soit séparé en une première partie comprenant au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents et une deuxième partie comprenant au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents, la première partie et la deuxième partie étant caractérisées par différents types de conductivité, la deuxième partie étant agencée d'un côté de la jonction tunnel tourné à l'opposé de la couche active, l'épaisseur relative de la deuxième partie par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie du deuxième réflecteur de Bragg distribué étant comprise entre 0,15 et 0,6, - fournir un deuxième contact électrique, le premier contact électrique et le deuxième contact électrique étant agencés pour fournir un courant de pilotage électrique pour pomper électriquement le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale. [0026] Les étapes des deux méthodes ne doivent pas nécessairement être effectuées dans l'ordre indiqué ci-dessus. Les différentes couches peuvent être déposées par des méthodes épitaxiales telles que les MOCVD (Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ou en anglais "MetalOrganic Chemical Vapor Deposition"), MBE (Épitaxie par jet moléculaire ou en anglais "Molecular Beam Epitaxy"), etc. Le substrat peut être retiré au cours d'une étape de traitement ultérieure. La première électrode peut dans ce cas être agencée entre le substrat et le premier DBR. La première électrode peut alternativement être fournie après le retrait du substrat. [0027] On comprendra que le dispositif VCSEL selon tout mode de réalisation décrit ci- dessus et le procédé de fabrication du dispositif VCSEL présentent des modes de réalisation similaires et / ou identiques, en particulier, tels que définis dans les revendications dépendantes et la description ci-dessus et ci-après. 8 [0028] On comprendra qu'un mode de réalisation préféré de l'invention peut également être toute combinaison des revendications dépendantes avec la revendication indépendante respective. [0029] D'autres modes de réalisation avantageux sont définis ci-dessous. Brève description des dessins [0030] Ces aspects de l'invention, ainsi que d'autres, apparaîtront et seront explicités en référence aux modes de réalisation décrits ci-après. [0031] L'invention va maintenant être décrite, à titre d'exemple, sur la base de modes de réa- lisation en référence aux dessins annexés. [0032] Dans les dessins : Fig. 1 [0033] [fig.1] montre un schéma principal d'un premier dispositif VCSEL à jonction tunnel intégrée ; Fig. 2 [0034] [fig.21 montre un schéma principal d'un deuxième dispositif VCSEL à jonction tunnel intégrée ; Fig. 3 [0035] [fig.31 montre un schéma principal d'un troisième dispositif VCSEL à jonction tunnel intégrée ; Fig. 4 [0036] [fig.41 montre un schéma principal d'un quatrième dispositif VCSEL à jonction tunnel intégrée ; Fig. 5 [0037] [fig.51 montre une optimisation d'une position de la jonction tunnel dans un deuxième DBR ; Fig. 6 [0038] [fig.61 montre l'optimisation d'une position de la jonction tunnel dans un premier DBR ; Fig. 7 [0039] [fig.71 montre un schéma principal d'un module de capteur temps de vol ; Fig. 8 [0040] [fig.81 montre un schéma de principe d'un flux de processus d'un procédé de fa- brication d'un dispositif de VCSEL. [0041] Dans les figures, les numéros identiques se réfèrent à des objets identiques tout au long de la description. Les objets illustrés sur les figures ne sont pas nécessairement dessinés à l'échelle. Description des modes de réalisation 9 [0042] Différents modes de réalisation de l'invention vont maintenant être décrits au moyen des figures. [0043] [fig.1] montre un schéma principal d'un premier dispositif VCSEL 100 à jonction tunnel intégrée 130. Le dispositif VCSEL 100 est un VCSEL à émission par le haut. Un premier contact électrique 105 est agencé sur un premier côté d'un substrat en arséniure de gallium 110 (par exemple un substrat de type n 110). Un premier DBR 115 est déposé sur un deuxième côté du substrat 110 qui est opposé au premier côté du substrat 110. Des couches intermédiaires (non représentées) telles que des couches tampons peuvent être agencées entre le substrat 110 et le premier DBR 115. Le premier DBR comprend 30 paires de couches de GaAs d'un quart de longueur d'onde et de couches d'AlGaAs d'indices de réfraction différents. Une couche active 120 est agencée sur le premier DBR 115. La couche active 120 est dans ce mode de réalisation une structure à puits quantiques comprenant plusieurs sous-couches. Une première partie du deuxième DBR 125-1 est agencée d'un côté de la couche active 120 opposé au côté de la couche active 120 voisin du premier DBR 115. Dans ce mode de réalisation, la couche active 120 est prise en sandwich entre le premier DBR 115 et la première partie du deuxième DBR 125-1. Une épaisseur de la première partie du deuxième DBR 125-1 est donnée par b. Une couche de confinement de courant 124 est intégrée à la fin de la première partie du premier DBR de sorte que la distance entre la couche de confinement de courant 124 et la jonction tunnel soit 130 essentiellement donnée par b. Il peut y avoir une couche de correspondance (non représentée) agencée entre la couche active 120 et la couche de confinement de courant 124. La couche de confinement de courant 124 est une ouverture en oxyde constituée d'une couche d'AlAs ou d'AlGaAs à faible teneur en Ga, partiellement oxydée. Une jonction tunnel 130 est agencée sur la première partie du deuxième DBR 125-1. La jonction tunnel 130 comprend une couche de 20 nm fortement dopée n (non représentée) et une couche de 20 nm de GaAs fortement dopée p (non représentée). La séquence du type de conductivité de la jonction tunnel est adaptée aux types de conductivité du substrat et du DBR ou de parties du DBR respectif. Une couche intermédiaire de correspondance en GaAs (non représentée) est agencée voisine de la jonction tunnel 130. La couche de correspondance a une épaisseur de 109 nm de sorte que l'épaisseur totale de la jonction tunnel 130 et de la couche de correspondance est de 144 nm (épaisseur de X / 2 à une longueur d'onde d'émission de 980 nm). La jonction tunnel 130 et la couche de correspondance correspondante sont agencées entre la première partie du deuxième DBR 125-1 et une deuxième partie du deuxième DBR 125-2. La deuxième partie du deuxième DBR 125-2 comprend 4 paires de couches de GaAs / AlGaAs d'un total de 19 paires de couches que comprend le deuxième DBR. Une épaisseur de la deuxième partie du deuxième DBR 125-2 est donnée par a. Une épaisseur relative de la deuxième partie du deuxième DBR 125-2 par rapport à l'épaisseur totale des première et deuxième parties du deuxième DBR 125-1, 125-2 est donnée par le rapport a/(a + b). Un deuxième contact électrique 150 en forme d'anneau est placé sur la deuxième partie du deuxième DBR 125-2. Une couche de distribution de courant (non représentée) peut être agencée entre la deuxième partie du deuxième DBR 125-2 et le deuxième contact électrique 150. Une lumière laser (indiquée par la flèche) de longueur d'onde d'émission de 980 nm est émise à travers l'ouverture dans le deuxième contact électrique 150 pendant le fonctionnement du dispositif VCSEL 100. [0044] [fig.21 montre un schéma principal d'un deuxième dispositif VCSEL 100 à jonction tunnel intégrée 130. Le deuxième dispositif VCSEL 100 est un VCSEL à émission par le bas. Le premier DBR 115, la couche active 120, la couche de confinement de courant 124, la première partie du deuxième DBR 125-1, la jonction tunnel 130, la deuxième partie du deuxième DBR 125-2 et le deuxième contact électrique 150 sont agencés sur un substrat 110 dans la même séquence que celle décrite à propos de la Fig. 1. Une épaisseur de la jonction tunnel 130 constituée de deux couches de GaAs fortement dopées est de 35 nm. Le deuxième DBR comprend une première partie 125-1 ayant 18 paires de couches d'indices de réfraction différents et la deuxième partie 125-2 comprend 16 paires de couches d'indices de réfraction différents. Une couche intermédiaire de correspondance en GaAs 129 (pouvant comprendre plusieurs sous-couches) est agencée voisine de la jonction tunnel 130 pour faire correspondre la phase des première et deuxième parties du deuxième DBR 125-1, 125-2 à la longueur d'onde d'émission de 808 nm. Des longueurs d'onde d'émission plus longues (>900 nm) peuvent être préférées compte tenu des pertes d'absorption aux longueurs d'onde d'émission inférieures à 900 nm dans la jonction tunnel (comprend des couches de GaAs dopées). La couche de confinement de courant 124 est un diaphragme d'oxyde qui est agencé entre la couche active 120 et la jonction tunnel 130. Le diaphragme d'oxyde sépare en outre le deuxième DBR. Une troisième partie 125-3 du deuxième DBR est agencée entre la couche active 120 et la couche d'oxyde. La troisième partie 125-3 n'est pas pertinente par rapport à la densité de courant dans la jonction tunnel et donc aux pertes électriques associées. Une épaisseur b de la première partie 125-1 du premier DBR est donnée par la distance entre le diaphragme d'oxyde et la jonction tunnel 130. La partie du premier DBR qui est agencée entre le diaphragme d'oxyde et la couche active 120 n'est pas comprise dans la première partie 125-1 du premier DBR. Le deuxième contact électrique 150 recouvre complètement la deuxième partie du deuxième DBR 125-2. Le premier contact électrique 105 est agencé sur un côté du substrat 110 opposé au côté du substrat 110 sur lequel sont déposées les couches semiconductrices fonctionnelles du dispositif VCSEL 100. Une partie du premier contact électrique 105 et du substrat 110 sont retirés de sorte qu'une lumière laser de longueur 11 d'onde d'émission de 800 nm soit émise via les 20 paires de couches d'indices de réfraction différents du premier DBR 115. [0045] [fig.31 montre un schéma principal d'un troisième dispositif VCSEL 100 à jonction tunnel intégrée 130. Le troisième dispositif VCSEL 100 est un VCSEL à émission par le haut similaire à celui décrit en référence à la Fig. 1. La jonction tunnel 130 est, dans ce cas, intégrée au premier DBR qui comprend une première partie 115-1 et une deuxième partie 115-2. Une couche de confinement de courant 124 est intégrée dans la première partie du premier DBR 115-1 proche de la couche active 120 pour fournir une densité de courant plus élevée dans la couche active 120. La couche de confinement de courant 124 est de nouveau un diaphragme d'oxyde qui est agencé dans la partie dopée p du premier DBR pour permettre, compte tenu de la forte mobilité des électrons, un confinement suffisant du courant. Le diaphragme d'oxyde sépare en outre le premier DBR. Une troisième partie 115-3 du premier DBR est agencée entre la couche active 120 et la couche d'oxyde. La troisième partie 115-3 n'est pas pertinente par rapport à la densité de courant dans la jonction tunnel et donc aux pertes électriques associées. La jonction tunnel 130 comprend dans ce cas deux couches fortement dopées (une dopée n et une dopée p) d'une épaisseur totale de 40 nm. Une couche (ou des couches) intermédiaire de correspondance en GaAs (non représentée) est agencée voisine de la jonction tunnel 130 pour faire correspondre la phase des première et deuxième parties du premier DBR 115-1, 115-2. La jonction pn de la jonction tunnel 130 est agencée dans un noeud d'un motif d'onde stationnaire du troisième dispositif VCSEL 100 pour réduire les pertes optiques pouvant être provoquées par les couches hautement dopées. Deux couches de correspondance supplémentaires (non représentées) similaires, comme décrit en référence à la Fig. 1, sont prévues au-dessus et au-dessous de la jonction tunnel 130, de sorte que l'épaisseur totale de la jonction tunnel 130 avec les couches de correspondance est une longueur d'onde d'émission du troisième dispositif VCSEL 100. Une épaisseur relative de la deuxième partie du premier DBR 115-2 est donnée par le rapport d/(c+d) où d est l'épaisseur de la deuxième partie du premier DBR 115-2 et c est l'épaisseur de la première partie du premier DBR 115-1. Le deuxième DBR 125 comprend 19 paires de couches d'indices de réfraction différents. Le premier DBR comprend 35 paires de couches d'indices de réfraction différents, la deuxième partie du premier DBR 115-2 comprenant 18 paires de couches d'indices de réfraction différents. [0046] [fig.41 montre un schéma principal d'un quatrième dispositif VCSEL 100 à jonction tunnel intégrée 130. La configuration générale est similaire à celle décrite en référence à la Fig. 3. Le quatrième dispositif VCSEL 100 est un émetteur par le bas qui est agencé pour émettre une lumière laser d'une longueur d'onde d'émission de 940 nm à travers le substrat en GaAs 110. Le premier contact électrique 105 comprend une 12 ouverture au niveau de la zone d'émission du quatrième dispositif VCSEL 100. La jonction tunnel 130 est de nouveau incorporée dans le premier DBR. Une couche de confinement de courant 124 est incorporée entre la première partie du premier DBR 115-1 et la couche active 120 de sorte que 15 paires de couches d'indices de réfraction différents soient agencées entre la jonction tunnel 130 et la couche de confinement de courant 124. La couche de confinement de courant 124 est un phototransistor tel que décrit, par exemple, dans le document WO 2016/045935 Al qui est incorporé par référence. Le premier DBR comprend 19 paires de couches d'indices de réfraction différents et le deuxième DBR 125 comprend 42 paires de couches d'indices de réfraction différents. [0047] Les dispositifs VCSEL 100 décrits en référence aux Fig. 1-4 comprennent un VCSEL. Des modes de réalisation alternatifs de dispositifs VCSEL 100 peuvent comprendre deux, trois, quatre ou plus VCSELs agencés sur un substrat commun. Les VCSELs peuvent être agencés en un réseau linéaire ou bidimensionnel. [0048] [fig.51 montre une optimisation d'une position de la jonction tunnel 130 dans un deuxième DBR. Le deuxième DBR serait le DBR dopé p dans le cas d'un VCSEL standard (développé sur un substrat de type n 110) sans jonction tunnel. La configuration utilisée pour la simulation est essentiellement la même que celle décrite en référence à la Fig. 1. La condition limite des simulations est que le substrat soit un substrat de type n, disponible dans le commerce à des coûts raisonnables et de haute qualité. L'axe des abscisses 162 décrit la position relative de la jonction tunnel dans le DBR respectif (deuxième DBR). L'axe des abscisses correspond au paramètre a/(a+b) décrit ci-dessus. Une petite valeur signifie une position proche de la couche supérieure du deuxième DBR (couche plafond) et une grande valeur une position proche de la couche active 120 du dispositif VCSEL 100 ou plus précisément proche de la couche de confinement de courant 124. L'axe gauche 161 montre les pertes optiques normalisées pour comparer un dispositif VCSEL 100 pourvu de la jonction tunnel 130 à la perte optique totale d'un VCSEL standard sans jonction tunnel 130. La ligne 171 montre les pertes optiques en fonction de la position relative dans le deuxième DBR. La perte optique totale du VCSEL décline pour les positions de la jonction tunnel proches de la couche la plus haute du deuxième DBR. De ce point de vue, il serait hautement souhaitable de placer la jonction tunnel 130 aussi proche que possible de la couche la plus haute du deuxième DBR. D'autre part, l'axe de droite 163 montre la densité de courant maximale dans la jonction tunnel 130. La ligne 173 montre la densité de courant maximale dans la jonction tunnel 130 pour différentes positions de la jonction tunnel 130 dans le deuxième DBR du dispositif VCSEL 100. Une densité de courant élevée dans la jonction tunnel provoque une chute de tension élevée et des pertes électriques associées élevées. Il est donc hautement souhaitable de maintenir 13 aussi faible que possible la densité de courant dans la jonction tunnel. En prenant en compte les aspects optiques ainsi qu'électriques, la position préférée de la jonction tunnel 130 dans le deuxième DBR du dispositif VCSEL 100 est donc aux positions relatives a/(a+b) (voir la figure 1) entre 0,15 et 0,6, plus préférentiellement entre 0,2 et 0,5. [0049] [fig.61 montre l'optimisation d'une position de la jonction tunnel dans un premier DBR. Le premier DBR serait le DBR dopé n dans le cas d'un VCSEL standard (développé sur un substrat de type n 110) sans jonction tunnel. La configuration utilisée pour la simulation est essentiellement la même que celle décrite en référence à la Fig. 3. La condition limite des simulations est de nouveau que le substrat est un substrat de type n, tel que décrit en référence à la Fig. 5. L'axe des abscisses 162 décrit de nouveau la position relative de la jonction tunnel dans le DBR respectif (premier DBR). L'axe des abscisses correspond au paramètre d/(c+d) décrit ci-dessus. Une petite valeur signifie une position proche du substrat et une grande valeur une position proche de la couche active 120 du dispositif VCSEL 100 ou plus précisément proche de la couche de confinement de courant 124 qui détermine principalement la densité de courant. L'axe gauche 161 montre de nouveau les pertes optiques normalisées pour comparer un dispositif VCSEL 100 pourvu de la jonction tunnel 130 à la perte optique totale d'un VCSEL standard sans jonction tunnel 130. La ligne 171 montre les pertes optiques en fonction de la position relative dans le premier DBR. La perte optique totale du VCSEL décline pour les positions de la jonction tunnel 130 dans le premier DBR proches du substrat 110. De la même manière que discuté en référence à la figure 5, il serait donc hautement souhaitable de placer la jonction tunnel 130 aussi près que possible du substrat 110 afin de réduire les pertes optiques par rapport à un VCSEL sans jonction tunnel 130. La meilleure position peut à cet égard être entre le substrat 110 et le premier DBR afin d'éviter une perturbation des propriétés de réflexion du premier DBR qui pourrait être provoquée par l'intégration de la jonction tunnel 130. L'axe de droite 165 représente la résistance électrique du VCSEL à jonction tunnel intégrée 130 par rapport à un VCSEL sans jonction tunnel 130. La ligne 175 montre la dépendance du rapport des résistances électriques en fonction de la position relative dans le premier DBR. Les simulations montrent que la position hautement souhaitable voisine du substrat 110 par rapport aux pertes optiques souffre d'une résistance électrique accrue par rapport au VCSEL standard sans jonction tunnel 130. Du point de vue électrique, un placement de la jonction tunnel 130 proche de la couche active 120 est préféré. Comme dans le cas d'un placement de la jonction tunnel dans le deuxième DBR, il existe une position optimale en des positions intermédiaires. En prenant en compte les aspects optiques ainsi qu'électriques, la position préférée de la jonction tunnel 130 dans le premier DBR du dispositif VCSEL 100 est donc aux positions 14 relatives d/(c+d) (voir Fig. 3) entre 0,1 et 0,8, plus préférentiellement entre 0,2 et 0,6. [0050] [fig.71 montre un schéma principal d'un module de capteur temps de vol 200. Le module de capteur temps de vol 200 comprend un dispositif VCSEL 100 qui comprend un réseau VCSEL à deux dimensions. Le module de capteur temps de vol 200 comprend en outre un détecteur 221 qui est agencé pour détecter des impulsions lumineuses très courtes. De telles impulsions laser courtes peuvent être causées par une lumière laser 201 émise par le dispositif VCSEL 100 frappant un objet 300. Une partie de la lumière laser émise 201 est réfléchie par l'objet 300 de telle sorte que la lumière laser réfléchie 202 soit reçue par le détecteur 221. La lumière laser réfléchie 202 provoque un signal électrique correspondant dans le détecteur 221. Un pilote électrique 230 est agencé pour piloter électriquement le dispositif VCSEL 100. Un contrôleur 250 est connecté au pilote électrique 230 pour contrôler, par exemple, le début et la fin des impulsions laser émises par le dispositif VCSEL 100. Le contrôleur 250 est en outre connecté au détecteur 221 pour recevoir les signaux électriques provoqués par la lumière laser réfléchie 202 détectée par le détecteur 221. Le module de capteur temps de vol 200 comprend en outre une interface optionnelle 235 pour transférer les temps de démarrage et d'arrêt de la lumière laser émise 201 ainsi que le temps de réception des signaux électriques provoqués par la lumière laser réfléchie 202. Les données transférées peuvent être utilisées pour calculer le temps de vol de la lumière laser et donc les distances entre le module de capteur temps de vol 200 et l'objet 300. Le module de capteur temps de vol 200 peut alternativement comprendre un évaluateur (non représenté) connecté électriquement au contrôleur 250 (ou l'évaluateur peut comprendre le contrôleur 250) pour déterminer des distances par rapport à l'objet. Plusieurs mesures de distance peuvent être utilisées pour déterminer une vitesse, voire une accélération de l'objet 300. [0051] [fig.81 montre un schéma de principe d'un flux de processus d'un procédé de fa- brication d'un dispositif de VCSEL selon la présente invention. Un substrat 110 est fourni à l'étape 410. Un premier contact électrique 105 est fourni à l'étape 420. A l'étape 430, un premier réflecteur de Bragg distribué 115 est prévu. Une couche active 120 est fournie à l'étape 440 de sorte que le premier réflecteur de Bragg distribué 115 soit agencé entre la couche active 120 et le substrat 110. Un deuxième réflecteur de Bragg distribué 125 est fourni à l'étape 450 de sorte que la couche active 120 soit agencée entre le premier réflecteur de Bragg distribué 115 et le deuxième réflecteur de Bragg distribué 125. Une jonction tunnel 130 est fournie à l'étape 460. La jonction tunnel 130 est soit intégrée dans le premier réflecteur de Bragg distribué 115, soit dans le deuxième réflecteur de Bragg distribué 125. La jonction tunnel 130 sépare le premier réflecteur de Bragg distribué 115 ou le deuxième réflecteur de Bragg distribué 125 en une première partie 115-1, 125-1 et une deuxième partie 115-2, 125-2. La première partie 115-1, 125-1 comprend au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents. La deuxième partie 115-2, 125-2 comprend au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents. La première partie 115-1, 125-1 et la deuxième partie 115-2, 125-2 sont caractérisées par différents types de conductivité. Un deuxième contact électrique 150 est prévu à l'étape 470. Le premier contact électrique 105 et le deuxième contact électrique 150 sont agencés pour fournir un courant de pilotage électrique pour pomper électriquement le dispositif VCSEL de sorte que la jonction tunnel soit polarisée de manière inverse pendant le fonctionnement du dispositif VCSEL. [0052] Les couches du premier DBR, de la couche active et de toute autre couche en tant que couches d'injection de courant et analogues peuvent être déposées par des procédés épitaxiaux tels que le MOCVD ou le MBE. [0053] Bien que l'invention ait été illustrée et décrite en détail dans les dessins et la des- cription ci-dessus, de telles illustrations et description doivent être considérées comme données à titre illustratif ou d'exemple et non restrictives. [0054] A la lecture de la présente description, d'autres modifications apparaîtront à l'homme du métier. De telles modifications peuvent impliquer d'autres caractéristiques qui sont déjà connues dans la technique et qui peuvent être utilisées à la place ou en plus des caractéristiques déjà décrites ici. [0055] Les variations des modes de réalisation décrits peuvent être comprises et effectuées par l'homme du métier, à partir d'une étude des dessins, de la description et des revendications annexées. Dans les revendications, le mot "comprenant" n'exclut pas d'autres éléments ou étapes, et l'article indéfini "un" ou "une" n'exclut pas une pluralité d'éléments ou d'étapes. Le simple fait que certaines caractéristiques soient citées dans des revendications dépendantes différentes l'une de l'autre ne signifie pas qu'une combinaison de ces mesures ne peut être exploitée de manière avantageuse. [0056] Aucun signe de référence dans les revendications ne doit être interprété comme en limitant la portée. Liste des signes de référence [0057] - 100 dispositif VCSEL - 105 premier contact électrique -110 substrat - 115 premier DBR - 115-1 première partie du premier DBR - 115-2 deuxième partie du premier DBR - 115-3 troisième partie du premier DBR - 120 couche active 16 124 couche de confinement de courant 125 deuxième DBR 125-1 première partie du deuxième DBR 125-2 deuxième partie du deuxième DBR 125-3 troisième partie du deuxième DBR 129 couche de correspondance 130 jonction tunnel 150 deuxième électrode électrique - 161 pertes optiques par rapport au VCSEL standard - 162 position relative de la jonction tunnel dans le DBR - 163 densité de courant maximale dans la jonction tunnel [1(A / cm21 - 165 résistance électrique par rapport à un VCSEL standard - 171 pertes optiques en fonction de la position relative dans le DBR 173 densité de courant maximale en fonction de la position relative dans le DBR 175 résistance électrique en fonction de la position relative dans le DBR 200 module de capteur temps de vol - 201 lumière laser émise - 202 lumière laser réfléchie - 221 détecteur - 230 pilote électrique - 235 interface - 240 dispositif optique - 250 contrôleur - 300 objet 410 étape de fourniture d'un substrat 420 étape de fourniture d'un premier contact électrique 430 étape de fourniture d'un premier réflecteur de Bragg distribué 440 étape de fourniture d'une couche active 450 étape de fourniture d'un deuxième réflecteur de Bragg distribué 460 étape de fourniture d'une jonction tunnel 470 étape de fourniture d'un deuxième contact électrique 17 [Revendication 11 [Revendication REVENDICATIONS1. Un dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) comprenant un substrat (110), un premier contact électrique (105), un deuxième contact électrique (150) et un résonateur optique, le résonateur optique comprenant un premier réflecteur de Bragg distribué (115), un deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) et une couche active (120) pour une émission de lumière, la couche active (120) étant agencée entre le premier réflecteur de Bragg distribué (115) et le deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) et le premier réflecteur de Bragg distribué (115) étant agencé entre le substrat (110) et la couche active (120), le premier réflecteur de Bragg distribué (115) ou le deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) comprenant une première partie (115-1, 125-1) avec au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents et une deuxième partie (115-2, 125-2) avec au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents, la première partie (115-1, 125-1) et la deuxième partie (115-2, 125-2) étant caractérisées par différents types de conductivité, une jonction tunnel (130) étant agencée entre la première partie (115-1, 125-1) et la deuxième partie (115-2, 125-2), et, le premier contact électrique (105) et le deuxième contact électrique (150) étant agencés pour pomper électriquement le résonateur optique de sorte que la jonction tunnel (130) soit inversement polarisée pendant le fonctionnement du dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100), dans lequel l'une des alternatives suivantes est vérifiée : a) le premier réflecteur de Bragg distribué comprend la première partie (115-1) et la deuxième partie (115-2), l'épaisseur relative de la deuxième partie (115-2) par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie (115-1, 115-2) du premier réflecteur de Bragg distribué étant comprise entre 0,1 et 0,8 ; b) le deuxième réflecteur de Bragg distribué comprend la première partie (125-1) et la deuxième partie (125-2), la deuxième partie étant agencée d'un côté de la jonction tunnel (130) opposé à la couche active (120), l'épaisseur relative de la deuxième partie (125-2) par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie (125-1, 125-2) du deuxième réflecteur de Bragg distribué étant comprise entre 0,15 et 0,6. Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon 18 [Revendication 31 [Revendication 41 [Revendication 51 [Revendication 61 [Revendication 71 la revendication 1, dans lequel la première partie (115-1, 125-1) est agencée d'un côté de la jonction tunnel (130) faisant face à la couche active (120), dans lequel la deuxième partie (115-2, 125-2) est agencée d'un côté de la jonction tunnel (130) tourné à l'opposé de la couche active (120) et dans lequel une épaisseur relative de la deuxième partie (115-2, 125-2) par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie (115-1, 125-1, 115-2, 125-2) du premier ou deuxième réflecteur de Bragg respectif (115, 125) est comprise entre 0,1 et 0,8. Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la jonction tunnel (130) est agencée en un noeud d'un motif d'onde stationnaire au sein du résonateur optique pendant le fonctionnement du dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100). Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) comprend une couche de confinement de courant (124), dans lequel la première partie (115-1, 125-1) est agencée entre la couche de confinement de courant (124) et la jonction tunnel (130). Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon la revendication 1, variante b), dans lequel l'épaisseur relative de la deuxième partie (125-2) par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie (125-1, 125-2) du deuxième réflecteur de Bragg distribué est comprise entre 0,2 et 0,5. Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon la revendication 1, variante b), dans lequel le substrat (110) est caractérisé par un premier type de conductivité, dans lequel le premier réflecteur de Bragg distribué (115) est caractérisé par le premier type de conductivité, dans lequel la première partie du deuxième réflecteur de Bragg distribué (125-1) est caractérisée par un deuxième type de conductivité, et dans lequel la deuxième partie du deuxième réflecteur de Bragg distribué (125-2) est caractérisée par le premier type de conductivité. Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon la revendication 1, variante a), dans lequel l'épaisseur relative de la deuxième partie (115-2) du premier réflecteur de Bragg distribué par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie 19 (115-1, 115-2) du premier réflecteur de Bragg distribué est comprise entre 0,2 et 0,6. [Revendication 81 Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon la revendication 1, variante a), dans lequel le substrat (110) est caractérisé par un premier type de conductivité, dans lequel la première partie du premier réflecteur de Bragg distribué (115-1) est caractérisée par un deuxième type de conductivité, dans lequel la deuxième partie du premier réflecteur de Bragg distribué (115-2) est caractérisée par un premier type de conductivité, dans lequel le deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) est caractérisé par le premier type de conductivité. [Revendication 91 Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon la revendication 6 ou 8, dans lequel le premier type de conductivité est conducteur de type n, dans lequel le deuxième contact électrique (150) est agencé du côté du deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) tourné à l'opposé de la couche active (120) et dans lequel le deuxième contact électrique (150) est agencé pour être un contact cathodique du dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100). [Revendication 101 Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel une réflectivité du deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) est inférieure à une réflectivité du premier réflecteur de Bragg distribué (115), de sorte que de la lumière laser est émise à travers le deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) pendant le fonctionnement du dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100). [Revendication 111 Le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel une réflectivité du deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) est supérieure à une réflectivité du premier réflecteur de Bragg distribué (115), de sorte que de la lumière laser est émise à travers le premier réflecteur de Bragg distribué (115) pendant le fonctionnement du dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100). [Revendication 121 Un capteur optique comprenant le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes. [Revendication 131 Un module de capteur temps de vol (200) comprenant au moins un dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le module de capteur temps de vol (200) comprend en outre un pilote électrique (130) 20 conçu pour fournir le courant entre le premier contact électrique (105) et le deuxième contact électrique (150). [Revendication 141 Un procédé de fabrication d'un dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100), le procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir un substrat (110), - fournir un premier contact électrique (105), - fournir un premier réflecteur de Bragg distribué (115), - fournir une couche active (120) de sorte que le premier réflecteur de Bragg distribué (115) soit agencé entre la couche active (120) et le substrat (110), - fournir un deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) de sorte que la couche active (120) soit agencée entre le premier réflecteur de Bragg distribué (115) et le deuxième réflecteur de Bragg distribué, - fournir une jonction tunnel (130) de sorte que le premier réflecteur de Bragg distribué (115) soit séparé en une première partie (115-1) comprenant au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents et une deuxième partie (115-2) comprenant au moins une paire de couches ayant des indices de réfraction différents, la première partie (115-1) et la deuxième partie (115-2, 125-2) étant caractérisées par des types de conductivité différents, l'épaisseur relative de la deuxième partie (115- 2) par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie (115-1, 115-2) du premier réflecteur de Bragg distribué étant comprise entre 0,1 et 0,8, - fournir un deuxième contact électrique (150), le premier contact électrique (105) et le deuxième contact électrique (150) étant agencés pour fournir un courant de pilotage électrique pour pomper électriquement le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100). [Revendication 151 Un procédé de fabrication d'un dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100), le procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir un substrat (110), - fournir un premier contact électrique (105), - fournir un premier réflecteur de Bragg distribué (115), - fournir une couche active (120) de sorte que le premier réflecteur de Bragg distribué (115) soit agencé entre la couche active (120) et le substrat (110), - fournir un deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) de sorte que la couche active (120) soit agencée entre le premier réflecteur de Bragg 21 distribué (115) et le deuxième réflecteur de Bragg distribué, - fournir une jonction tunnel (130) de sorte que le deuxième réflecteur de Bragg distribué (125) soit séparé en une première partie (125-1) comprenant au moins une paire de couches d'indices de réfraction différents et une deuxième partie (125-2) comprenant au moins une paire de couches ayant des indices de réfraction différents, la première partie (125-1) et la deuxième partie (125-2) étant caractérisées par des types de conductivité différents, la deuxième partie étant agencée sur un côté de la jonction tunnel (130) opposé à la couche active (120), l'épaisseur relative de la deuxième partie (125- 2) par rapport à l'épaisseur totale de la première partie et de la deuxième partie (125-1, 125-2) du deuxième réflecteur de Bragg distribué étant comprise entre 0,15 et 0,6, - fournir un deuxième contact électrique (150), le premier contact électrique (105) et le deuxième contact électrique (150) étant agencés pour fournir un courant de pilotage électrique pour pomper électriquement le dispositif Laser à Emission de Surface à Cavité Verticale (100).