FR 3082094 A1 20191206 FR 1800547 A 20180601 B15618 - TunableWhite 1 CIRCUIT OPTOELECTRONIQUE COMPRENANT DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES Domaine La présente description concerne un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes. Exposé de l'art antérieur Pour certaines applications, il est souhaitable de pouvoir alimenter un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes avec une tension alternative, notamment une tension sinusoïdale, par exemple la tension du secteur. Un inconvénient d'un tel circuit électronique est qu'il peut présenter une variation, généralement périodique, de l'intensité lumineuse émise par le circuit optoélectronique comprenant par exemple une alternance de premières phases d'émission de lumière avec une forte intensité lumineuse et de deuxièmes phases d'émission de lumière avec une faible intensité lumineuse, voire d'absence d'émission de lumière. Un observateur peut percevoir les deuxièmes phases lorsque leur durée est trop importante. Parmi les critères utilisés pour caractériser la 20 variation de la puissance lumineuse émise par un circuit optoélectronique alimenté avec une tension variable, on peut B15618 - TunableWhite 2 utiliser le taux de scintillement FR (en anglais flicker ratio). En appelant MAX la valeur maximale de l'intensité lumineuse émise et MIN la valeur minimale de l'intensité lumineuse émise, le taux de scintillement FR est défini par la relation (1) suivante : 5 FR = (MM - MIN) / (MAX + MIN) (1) Le taux de scintillement peut varier de 0 % à 100 %. Il peut être souhaitable que le taux de scintillement soit le plus faible possible. Résumé 10 Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des circuits optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le taux de scintillement du circuit optoélectronique est diminué. 15 Un autre objet d'un mode de réalisation est que le circuit optoélectronique comprend un circuit de commande des diodes électroluminescentes ayant une structure simple. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le circuit optoélectronique est adapté à être alimenté par une 20 tension alternative. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un circuit optoélectronique destiné à recevoir une tension variable contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes et un 25 dispositif de commutation adapté à permettre ou interrompre la circulation d'un courant dans chaque diode électroluminescente, chaque diode électroluminescente étant recouverte d'une couche photoluminescente, la couche photoluminescente recouvrant au moins l'une des diodes électroluminescentes comprenant au moins 30 un premier luminophore ayant une première constante de déclin et au moins un deuxième luminophore ayant une deuxième constante de déclin différente de la première constante de déclin. Selon un mode de réalisation, la première constante de déclin est supérieure à 2 ms. B15618 - TunableWhite 3 Selon un mode de réalisation, la deuxième constante de déclin est inférieure strictement à 2 ms. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes comprennent une première diode 5 électroluminescente recouverte d'une première couche photoluminescente et une deuxième diode électroluminescente recouverte d'une deuxième couche photoluminescente, le circuit optoélectronique comprenant un premier ensemble comprenant la première diode électroluminescente recouverte de la première 10 couche photoluminescente et adapté à émettre un premier rayonnement et un deuxième ensemble comprenant la deuxième diode électroluminescente recouverte de la deuxième couche photoluminescente et adapté à émettre un deuxième rayonnement, les première et deuxième diodes électroluminescentes étant 15 adaptées à émettre un troisième rayonnement, les première et deuxième couches photoluminescentes comprenant chacune le premier luminophore adapté à absorber en partie le troisième rayonnement et à émettre un quatrième rayonnement différent du troisième rayonnement, l'intensité relative du quatrième rayonnement dans le premier rayonnement étant différente de l'intensité relative du quatrième rayonnement dans le deuxième rayonnement. Selon un mode de réalisation, la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par le premier ensemble due au premier luminophore est différente d'au moins 2 %, de préférence d'au moins 5 %, de la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par le deuxième ensemble due au premier luminophore. Selon un mode de réalisation, la première couche photoluminescente comprend au moins le deuxième luminophore adapté 30 à absorber en partie le troisième rayonnement et à émettre un cinquième rayonnement différent du troisième rayonnement. Selon un mode de réalisation, la deuxième couche photoluminescente comprend au moins le deuxième luminophore. Selon un mode de réalisation, l'intensité relative du 35 cinquième rayonnement dans le premier rayonnement est différente B15618 - TunableWhite 4 de l'intensité relative du cinquième rayonnement dans le deuxième rayonnement. Selon un mode de réalisation, la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par le premier ensemble 5 due au deuxième luminophore est différente d'au moins 2 %, de préférence d'au moins 5 %, de la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par le deuxième ensemble due au deuxième luminophore. Selon un mode de réalisation, le dispositif de 10 commutation est adapté à connecter les diodes électroluminescentes selon un premier ordre au cours de chaque phase croissante de la tension variable et un deuxième ordre au cours de chaque phase décroissante de la tension variable. Selon un mode de réalisation, le dispositif de 15 commutation comprend au moins un interrupteur pour chaque diode électroluminescente, le dispositif de commutation étant adapté à transmettre des signaux de commande binaires pour l'ouverture ou la fermeture des interrupteurs. Selon un mode de réalisation, le circuit 20 optoélectronique comprend une source de courant et, pour chaque diode électroluminescente, l'interrupteur relie la source de courant à ladite diode électroluminescente. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, 25 seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes 30 électroluminescentes ; les figures 2 et 3 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de modes de réalisation d'une diode électroluminescente du circuit optoélectronique de la figure 1 ; B15618 - TunableWhite 5 la figure 4 est un chronogramme représentant les phases d'émission de lumière des diodes électroluminescentes du circuit optoélectronique de la figure 1 ; et les figures 5 et 6 représentent des courbes d'évolution 5 en fonction du temps, obtenues par simulation, des intensités lumineuses relatives émises par les diodes électroluminescentes et les luminophores des couches de luminophores du circuit optoélectronique de la figure 1 pour différentes compositions des couches de luminophores. 10 Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à 15 l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. En particulier, les moyens de commande des dispositifs optoélectroniques décrits ci-après sont à la portée de l'homme de l'art et ne sont pas décrits. Dans la suite de la description, 20 sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". De plus, on appelle "signal binaire" un signal qui alterne entre un premier état constant, par exemple un état bas, noté "0", et un deuxième état constant, par exemple un état haut, noté "1". Les états haut et 25 bas de signaux binaires différents d'un même circuit électronique peuvent être différents. En pratique, les signaux binaires peuvent correspondre à des tensions ou à des courants qui peuvent ne pas être parfaitement constants à l'état haut ou bas. Par ailleurs, dans la présente description, on utilise le terme "connecté" pour 30 désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d'une piste conductrice, et le terme "couplé" ou le terme "relié", pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant alors "connecté") soit une liaison via un ou plusieurs composants 35 intermédiaires (résistance, condensateur, etc.). B15618 - TunableWhite 6 La figure 1 représente un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 10 comprenant des bornes d'entrée IN1 et IN2 entre lesquelles est appliquée une tension alternative VIN. Le circuit optoélectronique 10 comprend, en outre, un circuit 5 redresseur 12 comportant un pont de diodes 14, recevant la tension VIN et fournissant une tension VALim redressée entre des noeuds Al et A2. A titre de variante, le circuit 10 peut recevoir directement une tension redressée, le circuit redresseur pouvant alors ne pas être présent. Le potentiel au noeud A2 peut 10 correspondre au potentiel de référence bas, par exemple 0 V, par rapport auquel sont référencées les tensions du circuit optoélectronique 10. Le circuit optoélectronique 10 comprend N ensembles en série de diodes électroluminescentes élémentaires, appelés diodes 15 électroluminescentes globales Di dans la suite de la description, où i est un nombre entier variant de 1 à N et où N est un nombre entier compris entre 2 et 200. Chaque diode électroluminescente globale D1 à DN comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire recouverte d'une couche photoluminescente. De 20 préférence, chaque diode électroluminescente globale D1 à DN est composée de la mise en série et/ou en parallèle d'au moins deux diodes électroluminescentes élémentaires recouvertes d'une couche photoluminescente. Pour chaque diode électroluminescente globale Di, la couche photoluminescente est adaptée à absorber une partie 25 du rayonnement émis par la diode électroluminescente élémentaire ou les diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente globale Di en un rayonnement à une autre longueur d'onde. Le rayonnement global émis par la diode électroluminescente globale Di comprend le rayonnement émis par la diode électroluminescente élémentaire ou les diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente globale Di et non converti par la couche photoluminescente et le rayonnement émis par la couche photoluminescente. A titre d'exemple, lorsque la diode électroluminescente élémentaire émet de la lumière bleue et que la couche photoluminescente émet de la B15618 - TunableWhite 7 lumière jaune, le spectre global de la diode électroluminescente globale Di peut être proche de celui de la lumière blanche. Dans le présent exemple, les N diodes électroluminescentes globales Di sont connectées en série, la 5 cathode de la diode électroluminescente globale Di étant reliée à l'anode de la diode électroluminescente globale D+1, pour i variant de 1 à N-1. L'anode de la diode électroluminescente globale D1 est reliée, de préférence connectée, au noeud Al. Les diodes électroluminescentes globales Di, i variant de 1 à N, 10 peuvent comprendre le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires ou des nombres différents de diodes électroluminescentes élémentaires. Le circuit optoélectronique 10 comprend une source de courant 22 dont une borne est reliée au noeud A2 et dont l'autre 15 borne est reliée à un noeud A3. La cathode de la diode électroluminescente globale DN est reliée au noeud A3. On appelle Vcs la tension aux bornes de la source de courant 22 et Ics le courant absorbé par la source de courant 22. Le circuit optoélectronique 10 peut comprendre un circuit, non représenté, 20 qui fournit une tension de référence pour l'alimentation de la source de courant, éventuellement obtenue à partir de la tension VALIm. La source de courant 22 peut avoir une structure quelconque et peut notamment correspondre à une impédance, par exemple une résistance. La source de courant 22 peut être commandée de manière 25 continue par un circuit externe au circuit optoélectronique 10. Le circuit 10 comprend un dispositif 24 de commutation des diodes électroluminescentes. A titre d'exemple, le dispositif 24 comprend N interrupteurs commandables SWI à SWN. Chaque interrupteur SWi, i variant de 1 à N, est monté entre le noeud A3 30 et la cathode de la diode électroluminescente globale D. Chaque interrupteur SWi, i variant de 1 à N, est commandé par un signal Si fourni par un module de commande 26. Le module de commande 26 peut, en totalité ou en partie, être réalisé par un circuit dédié ou peut comprendre un microprocesseur ou un microcontrôleur adapté 35 à exécuter une suite d'instructions stockées dans une mémoire. A B15618 - TunableWhite 8 titre d'exemple, le signal Si est un signal binaire et l'interrupteur SWi est ouvert lorsque le signal Si est dans un premier état, par exemple l'état bas, et l'interrupteur SWi est fermé lorsque le signal Si est dans un deuxième état, par exemple 5 l'état haut. Chaque interrupteur SWi est, par exemple, à base d'au moins un transistor, notamment un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde ou transistor NOS, à enrichissement ou à appauvrissement. Le signal Si est alors le signal de commande de grille du transistor SWi. Selon un mode de réalisation, chaque 10 interrupteur SWi comprend un transistor NOS à enrichissement à canal N dont le drain est connecté à la cathode de la diode électroluminescente globale Di, dont la source est reliée au noeud A3 et dont la grille reçoit le signal Si. Selon un autre mode de réalisation, l'interrupteur SWi comprend deux transistors NOS, 15 par exemple à canal N, entre la cathode de la diode électroluminescente globale Di et le noeud A3, le transistor connecté à la diode électroluminescente globale Di étant un transistor haute tension monté en cascode et le transistor connecté au noeud A3 étant un transistor basse tension commandé 20 par le signal Si. Ceci permet avantageusement d'augmenter la vitesse de commutation de l'interrupteur SWi. Le circuit optoélectronique 10 comprend un ou plusieurs capteurs reliés au module de commande 26. Il peut s'agir d'un capteur unique, par exemple un capteur adapté à mesurer la tension 25 VALIM ou le courant circulant entre les bornes IN' et IN2, ou de plusieurs capteurs, chaque capteur pouvant être associé à une diode électroluminescente globale D. A titre d'exemple, on a représenté un seul capteur 28 en figure 1. Le module de commande 26 est adapté à commander la 30 fermeture ou l'ouverture des interrupteurs SWi, i variant de 1 à N-1, en fonction de la valeur de la tension VALim selon une séquence à partir de la mesure d'au moins un paramètre physique, par exemple au moins un courant ou une tension. A titre d'exemple, l'ouverture et la fermeture des interrupteurs SWi peuvent être 35 commandées par le module de commande 26 à partir des signaux B15618 - TunableWhite 9 fournis par le capteur 28 ou les capteurs. A titre de variante, l'ouverture et la fermeture des interrupteurs SWi peuvent être commandées à partir de la mesure de la tension à la cathode de chaque diode électroluminescente globale D. A titre de variante, 5 l'ouverture et la fermeture des interrupteurs SWi peuvent être commandées à partir de la mesure de la tension VALIm ou de la mesure de la tension à la cathode de chaque diode électroluminescente globale D. Le nombre d'interrupteurs SWI à SWN peut varier en fonction de la séquence d'ouverture et de 10 fermeture mise en oeuvre par le module de commande 26. A titre d'exemple, l'interrupteur SWN peut ne pas être présent. L'ordre de fermeture et d'ouverture des interrupteurs SWi est fixé par la structure du circuit optoélectronique 10 et se répète pour chaque cycle de la tension d'alimentation VALIm. 15 Un exemple de fonctionnement du circuit optoélectronique 10 est le suivant en considérant que les interrupteurs SWi sont parfaits. Le module de commande 26 est adapté à commander la fermeture ou l'ouverture des interrupteurs SWi, i variant de 1 à N-1, en fonction de la valeur de la tension Vcs aux bornes de la 20 source de courant 22. Dans ce but, le circuit de commande 26 peut être adapté à comparer la tension Vcs à au moins un seuil. A titre d'exemple, la tension VALim fournie par le pont redresseur 12 est une tension sinusoïdale rectifiée comprenant une succession de cycles dans chacun desquels la tension VALim augmente depuis la 25 valeur nulle passe par un maximum et diminue jusqu'à la valeur nulle. Au début de chaque cycle, tous les interrupteurs SWi, i variant de 1 à N-1, sont fermés. De ce fait, les diodes électroluminescentes globales D2 à DN sont court-circuitées et la tension VALim se répartit entre la diode électroluminescente 30 globale Dl et la source de courant 22. La tension VALim s'élève depuis la valeur nulle. Lorsque la tension aux bornes de la diode électroluminescente globale D1 dépasse sa tension de seuil, la diode électroluminescente globale Dl devient passante et commence à émettre de la lumière. La tension aux bornes de la diode 35 électroluminescente globale Dl est alors sensiblement fixe et la B15618 - TunableWhite 10 tension VOS continue à augmenter avec la tension VALIm. Lorsque la tension VOS dépasse un seuil, le module 26 commande l'ouverture de l'interrupteur SW1. La tension VALim se répartit alors entre les diodes électroluminescentes globales D1 et D2 et la source de 5 courant 22. Lorsque la tension aux bornes de la diode électroluminescente globale D2 dépasse sa tension de seuil, la diode électroluminescente globale D2 devient passante et commence à émettre de la lumière. La tension aux bornes de la diode électroluminescente globale D2 est alors sensiblement fixe et la 10 tension Vcs continue à augmenter avec la tension VALIm. Lorsque la tension Vcs dépasse un seuil, le module 28 commande l'ouverture de l'interrupteur SW2. Ces étapes sont répétées jusqu'à ce que l'interrupteur SWN_i soit ouvert. Toutes les diodes électroluminescentes sont alors passantes. Lorsque la tension 15 VALIM décroît depuis son maximum, les interrupteurs SWN_i à SW1 sont successivement fermés dans cet ordre au fur et à mesure que la tension VALim décroît, par exemple chaque fois que la tension VCS passe en dessous d'un seuil. Les diodes électroluminescentes élémentaires du circuit 20 optoélectronique 10 peuvent être à structure bidimensionnelle ou à structure tridimensionnelle. On appelle couche active d'une diode électroluminescente élémentaire la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. La diode électroluminescente est 25 dite à structure bidimensionnelle lorsque la couche active est formée sur une couche semiconductrice plane et la diode électroluminescente est dite à structure tridimensionnelle lorsque la couche active est formée sur au moins un élément semiconducteur tridimensionnel, par exemple un microfil ou un 30 nanofil. La figure 2 représente un mode de réalisation d'une diode électroluminescente globale Di du circuit optoélectronique 10, la diode électroluminescente globale Di comprenant une diode électroluminescente élémentaire LED à structure bidimensionnelle. B15618 - TunableWhite 11 Le circuit optoélectronique 10 comprend, du bas vers le haut en figure 2 : un substrat 30 ; une première couche semiconductrice 32 d'un matériau 5 semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité ; une première électrode 34 au contact de la première couche semiconductrice 32 ; une couche active 36 recouvrant la couche semiconductrice 32 ; 10 une deuxième couche semiconductrice 38 du matériau semiconducteur dopé d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, recouvrant la couche active 36 ; une deuxième électrode 40 au contact de la deuxième couche semiconductrice 38 ; et 15 une couche photoluminescente 42 recouvrant la deuxième couche semiconductrice 38. La figure 3 représente un mode de réalisation d'une diode électroluminescente globale Di du circuit optoélectronique 10, la diode électroluminescente globale Di comprenant une diode 20 électroluminescente élémentaire LED à structure tridimensionnelle. De tels circuits optoélectroniques sont, par exemple, décrits dans les demandes de brevet français FR 2 995 729 et FR 2 997 558. Le circuit optoélectronique 10 comprend, du bas vers le 25 haut en figure 3 : une première électrode 50 ; un substrat 52, par exemple semiconducteur, comprenant des faces parallèles 54 et 56, la face 54 étant au contact de l'électrode 50 ; 30 une couche isolante électriquement 58 recouvrant la face 56 et comprenant une ouverture 60 ; un élément semiconducteur tridimensionnel 62, par exemple un nanofil, un microfil ou une pyramide, s'étendant depuis le substrat 52 dans l'ouverture 60, une couche d'un matériau 35 favorisant la croissance de l'élément semiconducteur B15618 - TunableWhite 12 tridimensionnel 62 pouvant être interposée entre l'élément semiconducteur tridimensionnel 62 et le substrat 52 ; une coque 64 recouvrant la paroi extérieure de chaque fil 62, la coque 64 comprenant la couche active ; 5 une couche isolante électriquement 66 recouvrant la périphérie d'une portion inférieure de chaque coque 64 ; une couche 68 conductrice électriquement et transparente au rayonnement émis par la couche active et recouvrant la coque 64 ; et 10 une couche photoluminescente 70 isolante électriquement et recouvrant l'ensemble de la structure. Selon un mode de réalisation, les couches semiconductrices 32, 38 et l'élément semiconducteur tridimensionnel 62, sont, au moins en partie, formés à partir d'au 15 moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur est choisi parmi le groupe comprenant les composés III-V, les composés II-VI ou les semiconducteurs ou composés du groupe IV. Selon un mode de réalisation, semiconductrices 32, 38 et l'élément semiconducteur tridimensionnel 62 comprennent un 20 nitrure semiconducteur de formule AlxInyGa(1_x_y)N (x variant de 0 à 1, y variant de 0 à 1 et x+y variant de 0 à 1) pouvant être dopé avec un dopant de type N ou de type P. Le procédé de croissance des couches semiconductrices 32, 38 et de l'élément semiconducteur tridimensionnel 62 peut être 25 un procédé du type dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Deposition) ou dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD, acronyme anglais pour MetalOrganic Chemical Vapor Deposition), également connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (ou MOVPE, acronyme 30 anglais pour Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE, acronyme anglais pour Molecular-Beam Epitaxy), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), l'épitaxie par couche atomique (ALE, acronyme 35 anglais pour Atomic Layer Epitaxy) ou l'épitaxie en phase vapeur B15618 - TunableWhite 13 aux hydrures (HVPE, acronyme anglais pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) peuvent être utilisés. Toutefois, des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, par exemple, le dépôt en bain chimique (CBD, sigle anglais pour Chemical Bath Deposition), 5 les procédés hydrothermiques, la pyrolise d'aérosol liquide ou l'électrodépôt. Selon un mode de réalisation, la couche active peut comprendre des moyens de confinement des porteurs de charge électrique, tels qu'un puits quantique unique ou des puits 10 quantiques multiples. La couche active peut comprendre une pluralité de couches de matériaux selon la formule InxGai_xN (x variant de 0 à 1) dans lequel l'énergie de la bande interdite est ajustée en fonction de la proportion d'indium (In). La couche active peut comprendre des puits quantiques multiples comprenant 15 un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques et de couches barrières, par exemple une structure InGaN/GaN. Selon un mode de réalisation, la couche active des diodes électroluminescentes élémentaires émet une lumière bleue, 20 par exemple ayant une longueur d'onde comprise entre 430 nm et 480 nm. Chaque diode électroluminescente globale Di comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire recouverte d'une couche photoluminescente, par exemple comme cela est représenté 25 sur les figures 2 et 3. De préférence, la couche photoluminescente est commune à l'ensemble des diodes électroluminescentes élémentaires d'une même diode électroluminescente globale Di. Chaque couche photoluminescente peut comprendre des luminophores. La couche photoluminescente peut comprendre une 30 couche d'un milieu de liaison, par exemple une résine silicone ou une résine époxy, dans laquelle est noyée une poudre de luminophores. La couche photoluminescente d'au moins l'une des diodes électroluminescentes peut comprendre des luminophores de types différents. De préférence, les couches photoluminescentes 35 de toutes diodes électroluminescentes comprennent des B15618 - TunableWhite 14 luminophores de types différents. La couche photoluminescente d'au moins l'une des diodes électroluminescentes peut correspondre à une couche unique comprenant des luminophores de types différents. A titre de variante, la couche photoluminescente d'au moins l'une 5 des diodes électroluminescentes peut comprendre un empilement de sous-couches photoluminescentes, chaque sous-couche photoluminescente comprenant un luminophore d'un type donné. Des exemples de luminophores adaptés à émettre un rayonnement lumineux dans le rouge, c'est-à-dire avec une longueur 10 d'onde comprise entre 625 nm et 780 nm, comprennent un luminophore de type nitrure de formule MAlSiNx:Re (avec x variant de 1 à 5) ou un luminophore de formule MD:Re avec : M choisi parmi le groupe comprenant Ba, Sr, Ca et Mg ; D choisi parmi le groupe comprenant S, Se et Te ; et 15 Re choisi parmi le groupe comprenant Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br et I. D'autres exemples de luminophores adaptés à émettre un rayonnement lumineux dans le rouge sont : CaMg2A116027:Mn4+ et les luminophores de type fluorure, notamment K2SiF6:Mn4+, 20 Na2SiF6:Mn4+, C52SiF6:Mn4+, K2GeFE:Mn4+, Na2GeF6:Mn4+, C52GeF6:Mn4+, K2ZrF6:Mn4-1-, Na2ZrF6:Mn4+, C52ZrF6:Mn4+, K2SnF6 .H20:Mn4+, Na2SnF6:Mn4+, Cs2SnF6 :Mn4+, K2TiF6:Mn4+, Na2TiF6:Mn4+, C52TiF6:Mn4+, BaSiF6:Mn4+, Na2GeF6:Mn4+, ZnSiF6.H20: Mn41-. 25 Des exemples de luminophores adaptés à émettre un rayonnement lumineux dans le vert, c'est-à-dire avec une longueur d'onde comprise entre 500 nm et 580 nm, comprennent les luminophores de type silicate de formule M2SiO4:Re, les luminophores de type sulfure de formule MA2D4:Re, les luminophores 30 de formule p-SiA1ON:Re, et les luminophores de type oxyde de formule M7'204:Re' avec : M choisi parmi le groupe comprenant Ba, Sr, Ca et Mg ; A choisi parmi le groupe comprenant Ga, Al et In ; D choisi parmi le groupe comprenant S, Se et Te ; B15618 - TunableWhite 15 A' choisi parmi le groupe comprenant Sc, Y, Gd, La, Lu, Al et In ; Re choisi parmi le groupe comprenant Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br et I ; et 5 Re' choisi parmi le groupe comprenant Ce, Nd, Pm, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, F, Cl, Br et I. D'autres exemples de luminophores adaptés à émettre un rayonnement lumineux dans le vert sont les luminophores décrits dans le brevet US 9085732, notamment les luminophores de formule 10 Ca8_x_yAxEuyMgi_m_nBenn(Sil_sC504)4R2, où A est au moins un cation divalent comprenant Ca, Sr, Ba, individuellement ou en combinaisons, ou une combinaison de cations +1 et +3, B est Zn ou Cd, ou un ion métallique divalent autre qu'un alcalino-terreux, présent individuellement ou en combinaisons, C est un cation +3, 15 +4 ou +5, comprenant au moins l'un des éléments suivants: Ge, Al, B, Gd, Ga et N, individuellement ou en combinaisons, et R est un anion -1, -2, -3, incluant F, Cl, Br, I, individuellement ou en combinaisons. La valeur de la somme des paramètres x+y est n'importe quelle valeur inférieure à environ 8, et la valeur de 20 la somme des paramètres m+n est n'importe quelle valeur inférieure à environ 1. La valeur du paramètre s est une valeur inférieure à environ 1. Un exemple est le composé Ca8_xEuxMgi_yMny(5iO4)4C12 où x varie d'environ 0,16 à 0,24 et y varie d'environ 0,3 à 0,5. D'autres exemples de luminophores adaptés à émettre un 25 rayonnement lumineux dans le vert sont les luminophores décrits dans la publication intitulée "New single-phase, white lightemitting phosphors based on 6-Gd2Si207 for solid state lighting" aux noms de A.J. Fernândez-Carri6n, M. °caria, J. Garcia-Sevillano, E. Cantelar et A.I. Becerro (Journal of Physical Chemistry C, 30 2014, 118 (31), pp 18035- 18043), notamment le 5-Gd2Si207:Eu34-,Tb3+. Selon un mode de réalisation, au moins une partie des luminophores peut correspondre à des boîtres quantiques. Une boîte quantique est un cristal de taille nanométrique ayant un coeur et 35 une coque. Le coeur de la boîte quantique peut avoir une taille B15618 - TunableWhite 16 variant de 2 nm à 100 nm. En ajustant la taille du coeur, la boîte quantique peut former un matériau photoluminescent émettant différentes couleurs, notamment le bleu, le jaune, le vert et le rouge. La structure coeur-coque formant la boîte quantique peut 5 être formée par une hétérojonction d'au moins deux semiconducteurs choisis parmi le groupe II-VI (notamment ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe), le groupe III-V (notamment GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlAs, AlP, A/Sb, AIS) ou le groupe IV (notamment Ge, Si, Pb). Un ligand organique 10 utilisant un composé du type acide oléique peut être formé dans la coque externe de la boîte quantique de façon à bloquer les liaisons moléculaires de la coque externe et empêcher l'agglomération des boîtes quantiques, augmenter la dispersion des boîtes quantiques dans une résine, telle qu'une résine 15 silicone ou une résine époxy et/ou améliorer les performances de photoluminescence. Selon un mode de réalisation, au moins l'une des couches photoluminescentes des diodes électroluminescentes comprend un type de luminophore ayant une constante de déclin supérieure à 20 quelques millisecondes, par exemple 2 ms, de préférence 5 ms. La constante de déclin d'un luminophore est la durée pendant laquelle l'intensité lumineuse émise par le luminophore diminue de 1/e après arrêt du rayonnement incident absorbé par les luminophores. Parmi les luminophores décrits précédemment, des exemples de 25 luminophores ayant une constante de déclin supérieure à quelques millisecondes sont notamment le 5-Gd2Si207:Eu31-,Tb3+ et le K2SiF6:Mn4+. Selon un mode de réalisation, la proportion en poids du luminophore ayant une constante de déclin supérieure à quelques 30 millisecondes est différente pour les couches photoluminescentes d'au moins deux diodes électroluminescentes globales. Les inventeurs ont mis en évidence qu'une réduction du taux de scintillement FR du circuit optoélectronique peut alors être obtenue. En outre, la réduction du taux de scintillement du 35 circuit optoélectronique peut, de façon avantageuse, être obtenue B15618 - TunableWhite 17 tout en conservant le même point de couleur perçu par un observateur et la même efficacité lumineuse. Selon un mode de réalisation, au moins l'une des couches photoluminescentes des diodes électroluminescentes comprend un 5 type de luminophore ayant une constante de déclin inférieure strictement à 2 ms, de préférence inférieure à 1 ms, plus préférentiellement inférieure à 500 ms. Parmi les luminophores décrits précédemment, des exemples de luminophores ayant une constante de déclin inférieure à 1 ms sont le SiA1ON:Eu2+. Tous 10 les exemples de boîtes quantiques décrits précédemment ont une constante de déclin inférieure à 1 ms. Selon un mode de réalisation, la proportion en poids du luminophore ayant une constante de déclin inférieure à 1 ms est différente pour les couches photoluminescentes d'au moins deux 15 diodes électroluminescentes globales. Le fait que les compositions des couches photoluminescentes pour au moins deux diodes électroluminescentes globales Di et Di sont différentes, avec i différent de j, peut rendre plus simple le procédé de fabrication des couches 20 photoluminescentes pour atteindre une couleur perçue donnée par un observateur. Selon un mode de réalisation, pour au moins deux diodes électroluminescentes globales Di et Di, avec i différent de j, dont les couches photoluminescentes comprennent chacune un premier 25 luminophore ayant une constante de déclin supérieure à 2 ms, la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par la diode électroluminescente globale Di due au premier luminophore est différente d'au moins 2 %, de préférence d'au moins 5 %, de la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par 30 la diode électroluminescente globale Di due au premier luminophore. Selon un mode de réalisation, pour au moins deux diodes électroluminescentes globales Di et Di, avec i différent de j, la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par la 35 diode électroluminescente globale Di due à la diode B15618 - TunableWhite 18 électroluminescente élémentaire ou aux diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente globale Di, est différente d'au moins 2 %, de préférence d'au moins 5 %, de la proportion dans l'intensité lumineuse de la 5 lumière émise par la diode électroluminescente globale Dj due à la diode électroluminescente élémentaire ou aux diodes électroluminescentes élémentaires de la diode électroluminescente globale D. Selon un mode de réalisation, pour au moins deux diodes 10 électroluminescentes globales Di et Di, avec i différent de j, dont les couches de luminophores comprennent chacune un deuxième luminophore ayant une constante de déclin inférieure à 1 ms en plus du premier luminophore ayant une constante de déclin supérieure à 2 ms, la proportion dans l'intensité lumineuse de la 15 lumière émise par la diode électroluminescente globale Di due au deuxième luminophore est différente, est différente d'au moins 2 %, de préférence d'au moins 5 %, de la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par la diode électroluminescente globale Dj due au deuxième luminophore. 20 La figure 4 est un chronogramme de la tension d'alimentation VALim dans le cas où la tension alternative VIN correspond à une tension sinusoïdale et pour un exemple dans le cas où le circuit optoélectronique 10 comprend quatre diodes électroluminescentes globales D1, D2, D3 et D4. En figure 4, on a 25 représenté, de façon schématique, des phases Pl, P2, P3 et P4. La phase P1 représente la phase de conduction de la diode électroluminescente globale Dl. La phase P2 représente la phase de conduction de la diode électroluminescente globale D2. La phase P3 représente la phase de conduction de la diode 30 électroluminescente globale D3. La phase P4 représente la phase de conduction de la diode électroluminescente globale D4. Comme cela apparaît sur la figure 4, les durées d'émission des diodes électroluminescentes globales Di ne sont pas identiques. Les propriétés, et notamment la couleur, de la 35 lumière perçue par un observateur du circuit optoélectronique 10 B15618 - TunableWhite 19 vont dépendre notamment des compositions différentes des couches de luminophores des diodes électroluminescentes globales et des durées d'émission différentes de chaque diode électroluminescente globale. 5 Des première et deuxième simulations ont été réalisées. Pour ces simulations, le circuit optoélectronique 10 comprenait deux diodes électroluminescentes globales D1 et D2. Chaque diode électroluminescente globale comprenait le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires qui émettaient toute une 10 lumière bleue à une longueur d'onde de 455 nm. La couche photoluminescente de chaque diode électroluminescente globale comprenait un luminophore adapté à émettre une lumière rouge, par exemple correspondant à un point de couleur de coordonnées chromatiques x=0,681 et y=0,296 dans l'espace de couleur CIE 1931, 15 appelé luminophore rouge, et ayant une constante de déclin de 8 ms. La couche photoluminescente de chaque diode électroluminescente globale pouvait, en outre, comprendre un luminophore adapté à émettre une lumière verte, par exemple correspondant à un point de couleur de coordonnées chromatiques 20 x=0,356 et y=0,576 dans l'espace de couleur CIE 1931, appelé luminophore vert, et ayant une constante de déclin inférieure à 1 ms. Une première simulation de comparaison a été réalisée dans laquelle les couches de luminophores des deux diodes 25 électroluminescentes globales D1 et D2 avaient la même composition. Les proportions de luminophores rouges et de luminophores verts étaient telles que, en régime stabilisé au cours de chaque phase d'émission, le rayonnement de la lumière émise par chaque diode électroluminescente globale et perçue par 30 un observateur comprenait 15 % de lumière bleue émise par les diodes électroluminescentes élémentaires, 40 % de lumière rouge émise par les luminophores rouges et 45 % de lumière verte émise par les luminophores verts. La figure 5 représente, pour la première simulation, des 35 courbes d'évolution en fonction du temps de l'intensité lumineuse B15618 - TunableWhite 20 relative de la lumière émise par le circuit optoélectronique 10 (courbe CT) avec les proportions de lumière bleue (courbe CB), de lumière rouge (courbe CR), et de lumière verte (courbe CG) au cours de trois cycle d'évolution de la tension VALIm. 5 La couleur perçue par un observateur correspondait à un blanc chaud à 3100 K. Le taux de scintillement du circuit optoélectronique 10 pour la première simulation était de 72 %. L'efficacité lumineuse du circuit optoélectronique 10, qui est égale au rapport entre le flux lumineux émis par le circuit 10 optoélectronique 10 et la puissance électrique consommée par le circuit optoélectronique 10, était de 100 1m/W. La présence des luminophores ayant une constante de déclin supérieure à 2 ms permet de poursuivre l'émission d'un rayonnement par le circuit optoélectronique 10 même lorsqu'aucune diodes 15 électroluminescentes élémentaires n'est activée. Ceci permet de réduire le taux de scintillement du circuit optoélectronique 10. Une deuxième simulation a été réalisée dans laquelle les couches de luminophores des deux diodes électroluminescentes globales D1 et D2 avaient des compositions différentes. Les 20 proportions de luminophores rouges et de luminophores verts étaient telles que, en régime stabilisé, l'intensité lumineuse de la lumière émise par la diode électroluminescente globale D1 comprenait 12 % de lumière bleue, 14 % de lumière rouge et 74 % de lumière verte et que, l'intensité lumineuse de la lumière émise 25 par la diode électroluminescente globale D2 comprenait 20 % de lumière bleue, 80 % de lumière rouge et 0 % de lumière verte. La figure 6 représente des courbes d'évolution analogues à la figure 5 pour la deuxième simulation. La couleur perçue par un observateur correspondait à un 30 blanc chaud à 3100 K. Le taux de scintillement du circuit optoélectronique 10 pour la deuxième simulation était de 57,4 %. L'efficacité lumineuse du circuit optoélectronique 10 était de 100 1m/W. B15618 - TunableWhite 21 Le taux de scintillement du circuit optoélectronique a donc été réduit tout en conservant le même point de couleur perçu par un observateur et la même efficacité lumineuse. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. 5 Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, bien que des modes de réalisation aient été décrits pour un schéma électrique particulier du circuit optoélectronique 10, il est clair que le circuit optoélectronique, et en particulier le dispositif 24 de commutation des diodes 10 électroluminescentes, peut avoir une structure différente de la structure représentée en figure 1. A titre d'exemple, la structure du circuit optoélectronique peut correspondre à celle décrite dans les demandes de brevet W02016/001201, W02016/005448 et W02016/108022. 15 Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On note que l'homme de l'art peut combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité REVENDICATIONS1. Circuit optoélectronique (10) destiné à recevoir une tension variable (VALIm) contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes (Di) et un dispositif 5 de commutation (24) adapté à permettre ou interrompre la circulation d'un courant ('Cs) dans chaque diode électroluminescente, chaque diode électroluminescente étant recouverte d'une couche photoluminescente, la couche photoluminescente recouvrant au moins l'une des diodes 10 électroluminescentes comprenant au moins un premier luminophore ayant une première constante de déclin et au moins un deuxième luminophore ayant une deuxième constante de déclin différente de la première constante de déclin. 2. Circuit optoélectronique selon la revendication 1, 15 dans lequel la première constante de déclin est supérieure à 2 ms. 3. Circuit optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième constante de déclin est inférieure strictement à 2 ms. 4. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des 20 revendications 1 à 3, dans lequel les diodes électroluminescentes comprennent une première diode électroluminescente recouverte d'une première couche photoluminescente et une deuxième diode électroluminescente recouverte d'une deuxième couche photoluminescente, le circuit optoélectronique comprenant un 25 premier ensemble comprenant la première diode électroluminescente recouverte de la première couche photoluminescente et adapté à émettre un premier rayonnement et un deuxième ensemble comprenant la deuxième diode électroluminescente recouverte de la deuxième couche photoluminescente et adapté à émettre un deuxième 30 rayonnement, les première et deuxième diodes électroluminescentes étant adaptées à émettre un troisième rayonnement, les première et deuxième couches photoluminescentes comprenant chacune le premier luminophore adapté à absorber en partie le troisième rayonnement et à émettre un quatrième rayonnement différent du B15618 - TunableWhite 23 troisième rayonnement, l'intensité relative du quatrième rayonnement dans le premier rayonnement étant différente de l'intensité relative du quatrième rayonnement dans le deuxième rayonnement. 5. Circuit optoélectronique selon la revendication 4, dans lequel la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par le premier ensemble due au premier luminophore est différente d'au moins 2 %, de préférence d'au moins 5 %, de la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par le deuxième ensemble due au premier luminophore. 6. Circuit optoélectronique selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la première couche photoluminescente comprend au moins le deuxième luminophore adapté à absorber en partie le troisième rayonnement et à émettre un cinquième rayonnement différent du troisième rayonnement. 7. Circuit optoélectronique selon la revendication 6, dans lequel la deuxième couche photoluminescente comprend au moins le deuxième luminophore. 8. Circuit optoélectronique selon la revendication 6 ou 20 7, dans lequel l'intensité relative du cinquième rayonnement dans le premier rayonnement est différente de l'intensité relative du cinquième rayonnement dans le deuxième rayonnement. 9. Circuit optoélectronique selon la revendication 8, dans lequel la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière 25 émise par le premier ensemble due au deuxième luminophore est différente d'au moins 2 %, de préférence d'au moins 5 %, de la proportion dans l'intensité lumineuse de la lumière émise par le deuxième ensemble due au deuxième luminophore. 10. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des 30 revendications 1 à 9, dans lequel le dispositif de commutation (24) est adapté à connecter les diodes électroluminescentes (Di) selon un premier ordre au cours de chaque phase croissante de la tension variable (VALIm) et un deuxième ordre au cours de chaque phase décroissante de la tension variable. 815618 - TunableWhite 24 11. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le dispositif de commutation (24) comprend au moins un interrupteur (SWi) pour chaque diode électroluminescente (Di), le dispositif de commutation (24) étant 5 adapté à transmettre des signaux de commande binaires (Si) pour l'ouverture ou la fermeture des interrupteurs. 12. Circuit optoélectronique selon la revendication 11, comprenant une source de courant (22) et dans lequel, pour chaque diode électroluminescente (Di), l'interrupteur (SWi) relie la 10 source de courant à ladite diode électroluminescente.