FR 3079681 A1 20191004 FR 1852737 A 20180329 DIODE LASER DE TYPE VCSEL À CONFINEMENT DE PORTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le domaine des diodes laser qui sont des composants opto- électroniques à base de matériaux semi-conducteurs aptes à émettre de la lumière. Elle concerne plus particulièrement le domaine des diodes laser à cavité verticale émettant par la surface, ou VCSEL (pour l'anglais « vertical-cavity surface-emitting laser »). ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Une diode laser de type VCSEL est constituée d'un empilement comportant, superposés au-dessus d'un substrat, une zone à puit(s) quantique(s) et deux miroirs de Bragg. Les deux miroirs de Bragg forment ensemble une cavité optique, à l'intérieur de laquelle se trouve la zone à puit(s) quantique(s). En fonctionnement, un faisceau laser émerge de la cavité optique, orienté selon un axe orthogonal au substrat. La figure 1 illustre une diode laser de type VCSEL selon l'art antérieur, en Aluminium (AI), Galium (Ga) et Arsenic(As). La diode laser 100 est représentée selon une vue en coupe dans le plan (yOz) d'un repère orthonormé (Oxyz). Le plan (x0y) s'étend parallèle au plan d'un substrat 110. La diode laser 100 comporte, superposés au-dessus du substrat 110 : - une zone de tampon 120, présentant un premier type de dopage, N ou P ; - un miroir de Bragg inférieur 130, hautement réfléchissant à une longueur d'onde d'émission de la diode laser 100 ; - une zone à puit(s) quantique(s) 140, apte à émettre des photons en réponse à une excitation fournie par un courant électrique ; - une couche de confinement 170, décrite dans la suite ; 2 - un miroir de Bragg supérieur 150, hautement réfléchissant à une longueur d'onde d'émission de la diode laser 100; et - une zone de contact 160 présentant un second type de dopage, P ou N, de type opposé au premier type de dopage. 5 Sur la figure 1, on a également représenté : - une électrode métallique supérieure 180B, située sur une face supérieure de la zone de contact 160, et ouverte au centre pour laisser passer le faisceau laser émis par la diode, en fonctionnement ; et 10 - une électrode métallique inférieure 180A. Une excitation dans la zone à puit(s) quantique(s) 140 est obtenue par injection de porteurs de charge électrique, à l'aide d'un courant électrique parcourant la diode laser de haut en bas, entre l'électrode métallique supérieure 180B et l'électrode métallique 15 inférieure 180A. Afin d'obtenir une émission laser la plus directive possible, selon l'axe (Oz) orthogonal au plan du substrat 110, il est connu de canaliser l'injection de porteurs vers le centre de la diode laser. Dans l'exemple illustré en figure 1, les porteurs de charge sont guidés vers le centre 20 de la diode laser grâce à la couche de confinement 170. Il s'agit d'une fine couche à base d'AIGaAs, fortement enrichie en aluminium et oxydée latéralement. La couche de confinement 170 comporte donc une région périphérique, à forte teneur en oxyde d'aluminium, entourant une région centrale non oxydée. L'oxydation latérale est obtenue à l'aide d'un recuit dans un milieu fortement enrichi en oxygène. En fonctionnement, la 25 région périphérique repousse les porteurs vers la région centrale, et les confine dans une région centrale de la diode laser 100. Cette solution est décrite par exemple dans un article de M. S. Alias & al., « Optimization of Electro-Optical Characteristics of GaAs-based Oxide Confinement VCSEL », LASER PHYSICS, Vol. 20, No. 4, 2010, pp. 806-810. 3 Cette solution pose néanmoins des difficultés en termes de répétabilité, liées notamment à la maîtrise de l'épaisseur de la couche de confinement, à la maîtrise de sa composition en aluminium, et à la maîtrise du procédé d'oxydation latérale. Il est donc difficile de réaliser des séries de diodes laser présentant des caractéristiques électro- 5 optiques constantes à l'échelle de la diode laser mais aussi d'une diode laser à l'autre. Ces difficultés augmentent avec la taille du substrat, lorsque l'on réalise de nombreuses diodes conjointement sur un même substrat, en déposant des couches sur de grandes surfaces et en gravant ensuite des tranchées pour isoler des diodes les unes des autres. Une autre solution connue, pour confiner les porteurs au centre de la diode laser, 10 consiste à réaliser une implantation ionique de protons dans une région périphérique du miroir de Bragg supérieur. Dans ce cas, la diode laser ne comporte pas la couche de confinement enrichie en aluminium, et on s'affranchit des difficultés décrites ci-dessus. En revanche, l'implantation ionique peut créer des dommages dans la maille cristalline de la diode laser nuisible à la qualité de l'émission laser. En outre, les protons implantés se 15 répartissent, dans la diode laser, dans un volume en forme de poire. Cette solution est donc peu adaptée à des diodes laser de petites dimensions. Un objectif de la présente invention est de proposer une solution pour confiner des porteurs de charge au centre d'une diode laser de type VCSEL, et ne présentant pas les inconvénients de l'art antérieur. 20 En particulier, un objectif de la présente invention est de proposer une diode laser de type VSCEL dans laquelle une solution pour confiner des porteurs de charge au centre de la diode laser peut être mise en oeuvre à l'aide d'un procédé présentant une grande ré péta bi lité. 25 EXPOSÉ DE L'INVENTION Cet objectif est atteint avec une diode laser comportant, superposés au-dessus d'un substrat, le long d'un axe orthogonal au plan dudit substrat : - un miroir de Bragg inférieur, - une zone à puit(s) quantique(s), et - un miroir de Bragg supérieur, avec le miroir de Bragg inférieur situé entre le substrat et la zone à puit(s) quantique(s). La diode laser selon l'invention est donc une diode laser de type VCSEL. Selon l'invention, une section du miroir de Bragg inférieur présente une aire 5 inférieure à celle d'une section du miroir de Bragg supérieur, lesdites sections étant définies dans des plans parallèles au plan du substrat. En outre, la diode laser selon l'invention comprend une région dite périphérique, constituée d'un matériau dit de confinement, située entre le substrat et le miroir de Bragg supérieur, et entourant le miroir de Bragg inférieur au moins. 10 En fonctionnement, le confinement des porteurs de charge au centre de la diode laser est réalisé, par construction, grâce à la section réduite du miroir de Bragg inférieur. En d'autres termes, l'invention propose un confinement spatial des porteurs de charge, à l'aide d'une géométrie particulière de la diode laser. Comme dans l'art antérieur, le confinement permet d'obtenir une émission laser 15 de grande directivité, orientée selon un axe orthogonal au plan du substrat. La solution de confinement proposée par l'invention n'implique ni implantation ionique, ni oxydation latérale d'une couche de confinement. Le confinement est obtenu par un dimensionnement adéquat du miroir de Bragg inférieur relativement au miroir de Bragg supérieur. Cette solution de confinement peut être mise en oeuvre par simple gravure de 20 couches aux dimensions voulues, c'est-à-dire par un procédé présentant une grande répétabilité. Cette grande répétabilité permet notamment d'homogénéiser les performances optiques, notamment en termes d'ouverture optique, de diodes laser réalisées ensemble sur un même substrat. L'invention permet également de relâcher des contraintes sur l'épitaxie des 25 couches formant la diode laser, en augmentant les tolérances sur l'épaisseur et la composition de chaque couche, en comparaison avec l'art antérieur comportant une couche de confinement oxydée latéralement. Elle permet notamment de s'affranchir des contraintes sur l'épitaxie d'une couche de confinement enrichie en aluminium. Dans les solutions de confinement par implantation ionique ou oxydation latérale d'une couche de confinement, une miniaturisation de la diode laser est limitée par un 4 5 volume minimal occupé par l'implantation ionique ou par le matériau oxydé. La solution proposée par l'invention s'affranchit de ces limitations, et donne ainsi accès à des diodes laser de plus petites dimensions que dans l'art antérieur. Les diodes laser selon l'invention peuvent notamment être réparties en matrice, réparties selon un pas de 5 répartition réduit, inférieur ou égal à 5 um. Le confinement de porteurs est mis en oeuvre grâce aux dimensions du miroir de Bragg inférieur. Le miroir de Bragg supérieur peut en revanche présenter une section large, facilitant la réalisation d'une électrode supérieure de la diode laser, du côté de la zone à puit(s) quantique(s) opposé au substrat. 10 De préférence, le faisceau laser émis en fonctionnement par la diode laser émerge de celle-ci en traversant le miroir de Bragg supérieur. Pour cela, le miroir de Bragg inférieur présente une réflectivité supérieure à celle du miroir de Bragg inférieur, à une longueur d'onde d'émission de la diode laser. Une électrode supérieure de la diode laser est donc avantageusement ouverte au centre, pour laisser passer le faisceau laser. La 15 réalisation d'une électrode supérieure ouverte au centre est facilitée par la plus grande section du miroir de Bragg supérieur, supérieure à celle du miroir de Bragg inférieur. La diode laser selon l'invention comprend avantageusement : - un premier empilement, cylindrique, comprenant au moins le miroir de Bragg inférieur, et présentant une première section dans un plan parallèle au plan du 20 substrat ; et - un second empilement, cylindrique, comprenant au moins le miroir de Bragg supérieur, et présentant une seconde section dans un plan parallèle au plan du substrat ; avec la zone à puit(s) quantique(s) qui appartient au premier ou au second empilement, 25 et l'aire de la première section inférieure à l'aire de la seconde section. Le terme « cylindrique » se rapporte ici à un cylindre droit, de génératrice orthogonale au plan du substrat, mais pas forcément un cylindre de révolution. La région périphérique s'étend entre le substrat et le second empilement, en entourant le premier empilement. 6 De préférence, la diode laser selon l'invention comprend au moins une électrode supérieure, qui s'étend en totalité ou en partie sur des parois latérales du miroir de Bragg supérieur. 5 L'invention couvre également un procédé de fabrication d'une diode laser selon l'invention, le procédé comprenant : - une première étape de gravure, dans laquelle on grave une première série de couches comprenant, au moins, un premier ensemble de couches élémentaires optiquement réfléchissant, de manière à former un premier empilement 10 comprenant au moins le miroir de Bragg inférieur ; - une seconde étape de gravure, dans laquelle on grave une seconde série de couches comprenant, au moins, un second ensemble de couches élémentaires optiquement réfléchissant, de manière à former un second empilement comprenant au moins le miroir de Bragg supérieur ; et 15 - une étape d'encapsulation latérale du premier empilement, mise en oeuvre après la première étape de gravure ; une section du premier empilement présentant une aire inférieure à celle d'une section du second empilement, et la deuxième étape de gravure étant mise en oeuvre après la première étape de gravure. 20 Selon un premier mode de réalisation de l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes : - une première épitaxie, sur un premier substrat, pour former la première série de couches ; 25 - la première étape de gravure, pour former le premier empilement comprenant le miroir de Bragg inférieur au moins ; - l'étape d'encapsulation latérale, à l'issue de laquelle on obtient une première structure, plane, sur le premier substrat ; 7 - une seconde épitaxie, sur un second substrat distinct du premier substrat, pour former la seconde série de couches, la seconde série de couches et le second substrat formant ensemble une seconde structure ; - un report de la seconde structure sur la première structure, suivi d'un retrait du 5 second substrat ; et - la deuxième étape de gravure, mise en oeuvre après l'étape de report, pour former le second empilement comprenant le miroir de Bragg supérieur au moins. La première épitaxie et la seconde épitaxie peuvent être mises en oeuvre au moins 10 en partie simultanément. Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes : - une première épitaxie, sur un premier substrat, pour former la première série de couches ; 15 - la première étape de gravure, pour former le premier empilement comprenant le miroir de Bragg inférieur au moins ; - l'étape d'encapsulation latérale, à l'issue de laquelle on obtient une première structure, plane, sur le premier substrat ; - une nouvelle épitaxie, sur la première structure, pour former la seconde série de 20 couches ; et - la deuxième étape de gravure, mise en oeuvre après la nouvelle épitaxie, pour former le second empilement comprenant le miroir de Bragg supérieur au moins. Selon un troisième mode de réalisation de l'invention, le procédé comprend les 25 étapes suivantes : - une épitaxie, sur un premier substrat, pour former une série de couches comprenant la seconde série de couches et la première série de couches ; - la première étape de gravure, pour former le premier empilement comprenant le miroir de Bragg inférieur au moins ; 8 - l'étape d'encapsulation latérale, à l'issue de laquelle on obtient, sur le premier substrat, une structure plane dite renversée ; - un report, sur un second substrat, de l'ensemble formé par le premier substrat et la structure renversée, suivi d'un retrait du premier substrat ; et 5 - la deuxième étape de gravure, mise en oeuvre après l'étape de report, pour former le second empilement comprenant le miroir de Bragg supérieur au moins. L'étape d'encapsulation latérale du premier empilement peut comprendre des sous-étapes de dépôt d'une couche d'encapsulation et planarisation. 10 En variante, l'étape d'encapsulation latérale du premier empilement peut comprendre une étape de croissance d'un matériau de confinement. Avantageusement, le procédé selon l'invention comprend une étape de réalisation d'une électrode supérieure, mise en oeuvre après la deuxième étape de gravure, et de sorte que ladite électrode supérieure s'étende en totalité ou en partie sur des parois 15 latérales du premier empilement. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant 20 référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 illustre de manière schématique une diode laser de type VCSEL selon l'art antérieur, dans une vue en coupe ; - la figure 2 illustre de manière schématique un premier mode de réalisation d'une diode laser de type VCSEL selon l'invention, dans une vue en coupe ; 25 - les figures 3 et 4 illustrent respectivement un deuxième et un troisième modes de réalisation d'une diode laser de type VCSEL selon l'invention, dans une vue en coupe ; - la figure 5 illustre de manière schématique un premier mode de réalisation d'un procédé de fabrication selon l'invention ; et 9 - les figures 6 et 7 illustrent respectivement un deuxième et un troisième modes de réalisation d'un procédé selon l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS 5 La figure 2 illustre un premier mode de réalisation d'une diode laser 200 selon l'invention. La diode laser 200 est représentée selon une vue en coupe dans le plan (y0z) d'un repère orthonormé (Oxyz). Un substrat 210, également nommé substrat hôte, présente une forme de parallélépipède rectangle avec une face inférieure 211 et une face supérieure 212 qui 10 s'étendent chacune selon un plan parallèle au plan (x0y). On définit le plan du substrat comme un plan parallèle à ce plan (x0y). Le substrat 210 est par exemple en arséniure de gallium (GaAs). La diode laser 200 comprend, superposés dans cet ordre au-dessus du substrat 210, le long d'un axe (Oz) orthogonal au plan du substrat : 15 - une zone de tampon 220 (optionnelle), constituée ici d'une fine couche de GaAs dopé, avec un premier type de dopage, N ou P ; - un miroir de Bragg inférieur 230, hautement réfléchissant à une longueur d'onde d'émission de la diode laser 200, constitué ici d'une alternance de couches d'arséniure de gallium (GaAs) et de couches d'arséniure de gallium-aluminium 20 (AlGaAs) ; - une zone à puit(s) quantique(s) 240, constituée ici d'au moins un puit quantique formé par un empilement d'au moins une couche d'arséniure de gallium (GaAs) et au moins une couche d'arséniure d'indium ou d'arséniure d'indium-gallium (In(Ga)As); 25 - un miroir de Bragg supérieur 250, hautement réfléchissant à une longueur d'onde d'émission de la diode laser 200, constitué également d'une alternance de couches de GaAs et de couches d'AIGaAs ; et 10 - une zone de contact 260 (optionnelle), constituée ici d'une fine couche d'arséniure de gallium (GaAs) dopé, avec un second type de dopage, P ou N, de type opposé au premier type de dopage. 5 La diode laser 200 ne comporte pas de région enrichie localement en protons par implantation ionique, ni de couche de confinement oxydée latéralement. Un puits quantique désigne en particulier une hétérostructure en matériau semiconducteur. La dimension de l'hétérostructure dans une des directions de l'espace est de quelques dizaines de nanomètres. La zone à puit(s) quantique(s) 240, ou zone active, 10 permet la génération de photons sous l'effet d'une excitation électrique, à une longueur d'onde située entre 600 nm et 1300 nm (selon la composition, l'épaisseur et la quantité des puits quantiques). En fonctionnement, les photons générés dans la zone à puit(s) quantique(s) 240 sont réfléchis par les miroirs de Bragg inférieur et supérieur, jusqu'à obtention de l'effet laser. L'émission de lumière se fait selon un axe orthogonal au plan 15 du substrat 210. Le miroir de Bragg inférieur 230 présente une réflectivité supérieure celle du miroir de Bragg supérieur 250, à la longueur d'onde d'émission de la zone à puit(s) quantique(s) 240. Par exemple, un taux de réflexion du miroir de Bragg inférieur 230 est supérieur à 99%, et un taux de réflexion du miroir de Bragg supérieur 250 est compris entre 90% et 20 98%, à une longueur d'onde d'émission de la zone à puit(s) quantique(s) 240. En fonctionnement, un faisceau laser Y émerge de la diode laser 200, du côté de la zone à puit(s) quantique(s) 240 opposé au substrat, en traversant le miroir de Bragg supérieur 250. La réflectivité de chacun des miroirs de Bragg est fonction du nombre de bicouches AIGaAs/GaAs. Ainsi, le miroir inférieur aura un nombre de bicouches important (haute 25 réflectivité) et le miroir supérieur en aura moins (basse réflectivité), afin que les photons puissent sortir par le haut. Les éléments de la diode laser 200 listés ci-dessus sont répartis dans deux empilements élémentaires superposés : - un premier empilement, 200A, comprenant ici la zone de tampon 220, le miroir 30 de Bragg inférieur 230 et la zone à puit(s) quantique(s) 240 ; et 11 - un second empilement, 200B, comprenant ici le miroir de Bragg supérieur 250 et la zone de contact 260. Le premier empilement, 200A, présente une forme de cylindre droit, de génératrice parallèle à (0z) et de section SA parallèle au plan (x0y). La section SA présente une largeur 5 comprise de préférence, mais de manière non limitative, entre 6 um et 8 um. Il s'agit par exemple, mais de manière non limitative, d'un disque de diamètre compris entre 6 um et 8 um ou d'un carré de côté compris entre 6 um et 8 um. Le second empilement, 200B, présente une forme de cylindre droit, de génératrice parallèle à (Oz) et de section SB parallèle au plan (x0y). 10 Selon l'invention, l'aire de la section SA est inférieure à l'aire de la section SB. La différence entre l'aire de la section SB et l'aire de la section SA est par exemple supérieure ou égale à 10%, 25% et voire même 40% de l'aire de la section SB. Dans un cas particulier, les sections SA et SB présentent chacune une forme de disque de diamètres différents. Dans un autre cas particulier, les sections SA et SB 15 présentent chacune une forme de carré présentant chacun un côté de valeur différente. Un axe central du premier empilement 200A, parallèle à (Oz), est confondu avec un axe central du second empilement 200B, parallèle à (Oz). Les premier et second empilements 200A, 200B, forment ensemble une structure présentant une section en forme de T dans un plan parallèle à l'axe (Oz). 20 Le miroir de Bragg inférieur 230, appartenant au premier empilement 200A, présente donc une section inférieure à celle du miroir de Bragg supérieur 250, appartenant au second empilement 200B. En fonctionnement, des porteurs de charge sont confinés au centre de la diode laser 200, grâce à la section réduite du miroir de Bragg inférieur 230. 25 Ici, la diode laser 200 comprend également une région dite périphérique 270, constituée d'un matériau de confinement. La région périphérique 270 s'étend entre le substrat 210 et le second empilement 200B, en entourant le premier empilement 200A. Elle présente une forme de cylindre droit, de génératrice parallèle à (Oz), et de section ouverte au centre pour laisser passer le premier empilement 200A. Ici, la région 12 périphérique 270 dépasse latéralement relativement au second empilement 200B, dans des plans parallèles au plan (x0y). La région périphérique 270 est constituée d'un matériau solide nommé matériau de confinement. Il peut s'agir d'un diélectrique (par exemple SiN, SiO2, SiOx, ou une 5 combinaison de ces matériaux), d'un polymère (par exemple du benzocyclobutène), d'un semi-conducteur non dopé (par exemple un semi-conducteur dit 111-V composé d'un ou plusieurs éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique de Mendeleïev), ou même d'un oxyde métallique (A1203 par exemple).En tout état de cause, le matériau de la région périphérique 270 repousse les porteurs de charges vers le centre 10 de la diode laser. De préférence, la région périphérique 270 est en matériau électriquement isolant ou semi-conducteur non dopé, et s'étend en contact physique direct avec les parois latérales du premier empilement 200A. En variante, la région périphérique 270 est en matériau électriquement conducteur 15 (oxyde métallique), et elle est séparée des parois latérales du premier empilement 200A par un fourreau en matériau électriquement isolant (par exemple un diélectrique tel que du SiN, du SiO2, du SiOx, ou une combinaison de ces matériaux ; un polymère ; ou du benzocyclobutène). La diode laser selon l'invention présente ainsi une architecture de type «Serai 20 Insulating Buried Heterostructure », c'est-à-dire à hétérostructure semi-conductrice ensevelie, ensevelie ici dans la région périphérique 270. Sur la figure 2, on a également représenté : - une électrode métallique supérieure 280B de la diode laser, ouverte au centre pour laisser passer le faisceau laser F" ; et 25 - une électrode métallique inférieure 280A. L'électrode métallique inférieure 280A s'étend ici sur le substrat 210, en entourant la région périphérique 270. Selon que le substrat 210 est électriquement conducteur ou électriquement isolant, 30 l'électrode métallique inférieure 280A peut s'étendre : 13 - du côté du substrat 210 opposé au premier empilement 200A ; - du même côté du substrat 210 que le premier empilement 200A, en entourant partiellement ou entièrement la région périphérique 270 ; ou - du même côté que le substrat 210, et en s'étendant jusque sous le premier 5 empilement 200A. L'électrode métallique supérieure 280B s'étend ici à la fois sur une face supérieure du second empilement 200B, du côté opposé au substrat 210, et sur les parois latérales dudit second empilement 200B. De préférence, au moins la moitié de la surface totale de l'électrode métallique 10 supérieure 280B s'étend sur les parois latérales du second empilement 200B. Le cas échéant, l'électrode métallique supérieure 280B peut s'étendre entièrement sur les parois latérales du second empilement 200B. Cette disposition de l'électrode métallique supérieure 280B, au moins en partie sur les parois latérales du second empilement 200B, présente de nombreux avantages : 15 - le miroir de Bragg supérieur est protégé latéralement ; - la surface totale de l'électrode métallique supérieure est augmentée, ce qui améliore l'injection d'un courant d'excitation dans la diode laser ; - on peut réduire une section minimale du second empilement 200B, et donc réduire les dimensions latérales de la diode laser ; 20 - on peut relâcher des contraintes en dimensionnement, et en positionnement de l'électrode métallique supérieure, tout en garantissant un passage suffisant pour laisser passer le faisceau laser émis par la diode laser. La réalisation de l'électrode métallique supérieure 280B au moins en partie sur les 25 parois latérales du second empilement 200B est facilitée ici par le fait que la région périphérique 270 dépasse latéralement relativement au premier empilement 200A. La région périphérique 270 forme ainsi une bordure pour délimiter l'étendue de l'électrode métallique supérieure 280B, et faire en sorte qu'elle ne dépasse pas jusqu'au niveau de la zone à puit(s) quantique(s). 14 Dans le mode de réalisation de la figure 2, l'électrode métallique supérieure 280B s'étend sur la totalité des parois latérales du second empilement 200B. En variante, elle peut s'étendre sur une partie seulement de celles-ci, par exemple sur au moins 20% de leur surface. 5 Selon une autre variante, non représentée, l'électrode métallique supérieure s'étend uniquement sur une face supérieure du second empilement 200B. Cette variante est adaptée plus particulièrement à une diode laser de grandes dimensions. La figure 3 illustre un deuxième mode de réalisation d'une diode laser 300, qui n'est 10 décrit que pour ses différences relativement au mode de réalisation de la figure 2. Ici, la zone à puit(s) quantique(s) 340 appartient au second empilement 300B, et non au premier empilement 300A. En d'autres termes, la zone à puit(s) quantique(s) 340 présente la même section que le miroir de Bragg supérieur 350, et non la même section que le miroir de Bragg inférieur 330. 15 Dans ce mode de réalisation, mais de manière non limitative, l'électrode métallique supérieure 380B s'étend uniquement sur une face supérieure du second empilement 300B. La figure 4 illustre un troisième mode de réalisation d'une diode laser 400, qui n'est 20 décrit que pour ses différences relativement au mode de réalisation de la figure 2 Ici, la région périphérique 470 ne dépasse pas latéralement relativement au second empilement 400B. La région périphérique 470 et le premier empilement 400A forment ensemble un cylindre droit inférieur, de même section que celle d'un cylindre droit supérieur définissant la forme du second empilement 400B. La génératrice du cylindre 25 droit supérieur est confondue avec celle du cylindre droit inférieur. Dans ce mode de réalisation, mais de manière non limitative, l'électrode métallique supérieure 480B s'étend uniquement sur une face supérieure du second empilement 400B. 15 On décrit dans la suite des exemples de procédés pour fabriquer une diode laser selon l'invention. A titre d'illustration, mais de manière non limitative, on a illustré le cas de la fabrication d'une diode laser telle qu'illustrée en figure 2. Chacun de ces modes de réalisation ont comme point commun de comprendre : 5 - une première étape de gravure, dans laquelle on grave une première série de couches comprenant, au moins, un premier ensemble de couches élémentaires, optiquement réfléchissant, de manière à former le premier empilement comprenant au moins le miroir de Bragg inférieur ; et - une seconde étape de gravure, dans laquelle on grave une seconde série de 10 couches comprenant, au moins, un second ensemble de couches élémentaires, optiquement réfléchissant, de manière à former le second empilement comprenant au moins le miroir de Bragg supérieur. Un ensemble de couches élémentaires dit à puit(s) quantique(s) est gravé lors de la première ou de la seconde étape de gravure, pour former la zone à puit(s) quantique(s). 15 Le procédé de la figure 5 comprend les étapes suivantes, mises en oeuvre dans cet ordre : Etape 501 : Première épitaxie sur un premier substrat 510, pour former une première série de 20 couches 50A comprenant : - une couche de tampon 52, de même nature que la zone de tampon décrite en référence à la figure 2 ; - un premier ensemble 53 de couches élémentaires, optiquement réfléchissant, de même nature que le miroir de Bragg inférieur décrit en référence à la figure 2 ; 25 - un ensemble 54 de couches élémentaires dit à puit(s) quantique(s), de même nature que la zone à puit(s) quantique(s) décrite en référence à la figure 2 ; et - une première couche d'attente 59A, constituée ici d'une fine couche de GaAs dopée (ici un dopage de type opposé à celui de la couche de tampon 52), située du côté opposé au premier substrat 510. 16 Le premier substrat 510 correspond ici au substrat décrit en référence à la figure 2, nommé également substrat hôte. Etape 502 : 5 Première gravure, au cours de laquelle on grave la première série de couches 50A sur toute son épaisseur, jusqu'au premier substrat 510, de manière à former un premier empilement 500A. Le premier empilement 500A comprend la zone de tampon 520, le miroir de Bragg inférieur 530, et la zone à puit(s) quantique(s) 540 d'une diode laser selon l'invention, ainsi qu'une première zone d'attente 590 formée dans la première couche 10 d'attente 59A. La première gravure est par exemple une gravure assistée par plasma de type gravure par ions réactifs (RIE pour « Reactive-lon Etching »), ou gravure par plasma couplé par induction (ICP pour « lnductively Coupled Plasma »), ou RIE/ICP. En variante, la gravure est de type gravure ionique à faisceau d'ions (IBE pour « Ion Beam Etching », ou 15 CAIBE pour « Chemically Assisted Ion Beam Etching », ou RIBE pour «Reactive Ion Beam Etching »). La première gravure utilise un premier masque 5020, pour protéger les zones à ne pas graver. Le premier masque 5020 peut être un diélectrique (SiN, SiOx, etc) ou un métal, ou une résine photosensible, etc. 20 Etape 503 : Reprise d'épitaxie sur le premier substrat 510 et autour du premier empilement 500A, pour faire croître une couche d'encapsulation latérale 57 de même nature que la région périphérique décrite en référence à la figure 2. De préférence, la couche d'encapsulation latérale 57 est constituée d'un semiconducteur non dopé, notamment un 25 matériau III-V d'accord de maille compatible avec le substrat 510. La reprise d'épitaxie est suivie ensuite d'un retrait du premier masque 5020, par gravure sèche ou gravure humide. L'étape 503 forme une étape dite d'encapsulation latérale du premier empilement 500A. Elle a pour objectif de planariser la topographie d'une structure recouvrant le 30 premier substrat 510. Une face supérieure du premier empilement 500A, du côté opposé 17 au premier substrat 510, reste libre, non recouverte par le matériau de la couche d'encapsulation latérale 57. A l'issue de l'étape 503, le premier substrat 510 est recouvert par une première structure 50A', plane, comprenant le premier empilement 500A et la couche 5 d'encapsulation latérale 57. Etape 504 : Nouvelle épitaxie, pour former, sur la première structure, 50A', une seconde série de couches 50B comprenant ici : 10 - une seconde couche d'attente 59B, constituée ici d'une fine couche de GaAs dopée (de même type de dopage que la première couche d'attente 59A) ; - un second ensemble 55 de couches élémentaires, optiquement réfléchissant, de même nature que le miroir de Bragg supérieur décrit en référence à la figure 2 ; et - une couche de contact 56, de même nature que la zone de contact décrite en 15 référence à la figure 2, en contact physique direct avec la première zone d'attente 590. Etape 505 : Seconde gravure, au cours de laquelle on grave la seconde série de couches 50B sur 20 toute son épaisseur, jusqu'à la première structure 50A', de manière à former un second empilement 500B comprenant ici une seconde zone d'attente 590B formée dans la seconde couche d'attente 59B, le miroir de Bragg supérieur 550 et la zone de contact 560. La seconde gravure peut mettre en oeuvre les mêmes techniques de gravure que la première gravure. Elle peut être réalisée sous vide, en utilisant des gaz chlorés de type 25 BC13, C12, SiCl4 ou des mélanges gazeux carbonés de type CH4/H2. L'adjonction d'un gaz neutre peut améliorer la gravure (Ar, N2, etc.). On peut également utiliser une gravure chimique par exemple au bromure d'hydrogène. La seconde gravure utilise un second masque, non représenté, pour protéger les zones à ne pas graver. Le second masque peut être un diélectrique (SiN, SiOx, etc.) ou un métal, ou un matériau photosensible. 30 18 Après la seconde gravure, ou conjointement, on grave des tranchées dans la couche d'encapsulation latérale 57 pour délimiter la région périphérique de la diode, dans la couche d'encapsulation latérale 57. Cette gravure peut être une gravure par plasma RIE et/ou ICP utilisant des gaz fluorés (CHF3, SF3, CF4, etc.) seuls ou en mélange avec des gaz 5 inertes, une gravure par plasma d'ions (IBE, RIBE, CAIBE), etc. Elle utilise un masque de gravure que l'on peut retirer, ou conserver après l'avoir gravé au centre. On réalise ensuite des électrodes supérieure et inférieure telles qu'illustrées aux figures 2 à 4. Le matériau des électrodes est déposé par dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour « physical yapor aleposition »). La géométrie de chaque électrode peut être 10 définie par gravure (lift off, ou gravure par faisceau d'électrons par exemple). L'électrode supérieure peut s'étendre en totalité ou en partie sur des parois latérales du second empilement, comme détaillé en référence à la figure 2. La figure 6 illustre un deuxième mode de réalisation, qui comprend les étapes 15 suivantes, mises en oeuvre dans cet ordre : Etape 601 : Première épitaxie, pour former une première série de couches 60A sur un premier substrat 610 comme décrit en référence à la figure 5 à propos de l'étape 501. Le premier substrat 610 correspond ici au substrat décrit en référence à la figure 2, nommé 20 également substrat hôte. Etape 602 : Première gravure, identique à la gravure 502 de la figure 5, au cours de laquelle on grave la première série de couches 60A sur toute son épaisseur, jusqu'au premier 25 substrat 610, de manière à former un premier empilement 600A. La première gravure utilise un premier masque 6020, pour protéger les zones à ne pas graver. Etape 603 : Encapsulation latérale du premier empilement 600A comprenant le miroir de Bragg 30 inférieur 630. A l'issue de l'étape 603, le premier substrat 610 est recouvert par une 19 première structure 60A', plane, telle que décrite en référence à la figure 5 à propos de l'étape 503. Ici, l'encapsulation latérale est mise en oeuvre par dépôt d'une couche d'encapsulation 671 au-dessus du premier substrat 610 et planarisation. 5 La couche d'encapsulation 671 entoure et recouvre l'ensemble formé par le premier empilement 600A et le premier masque 6020. Elle est constituée d'un matériau dit de confinement, par exemple un matériau diélectrique (SiN, SiO2, SiOx, combinaison de ces matériaux, etc.) ou un matériau polymère (benzocyclobutène par exemple), ou un oxyde métallique (A1203 par exemple). Lorsque la couche d'encapsulation 671 est en oxyde 10 métallique, on réalise un fourreau en matériau électriquement isolant, tel que décrit en référence à la figure 2, avant dépôt de la couche d'encapsulation 671. La planarisation est mise en oeuvre par polissage mécano-chimique. Elle permet également de supprimer le premier masque de gravure 6020. A l'issue de la planarisation, ce qui subsiste de la couche d'encapsulation 671 forme une couche nommée couche 15 d'encapsulation latérale 67. Etape 604 : Seconde épitaxie, sur un second substrat 610', pour former une seconde série de couches 60B telle que décrite en référence à la figure 5 à propos de l'étape 504. Le 20 second substrat 610' et la seconde série de couches 60B forment ensemble une seconde structure 60B'. L'étape 604 peut être mise en oeuvre tout ou partie en parallèle des étapes 601 à 603, ce qui permet d'augmenter une vitesse de fabrication d'une diode laser selon l'invention. 25 Etape 605 : Report de la seconde structure 60B' sur la première structure 60A', par collage direct. Lors du collage, une première zone d'attente 690A de la première structure, située du côté opposé au premier substrat 610, et une seconde couche d'attente 69B de la 20 seconde structure, située du côté opposé au second substrat 610', se trouvent en contact physique direct l'une avec l'autre. Le second substrat 610' est ensuite retiré, par exemple par gravure chimique, polissage mécanique, polissage mécano-chimique, et/ou gravure lift off épitaxiale. 5 Etape 606 : Seconde gravure, au cours de laquelle on grave la seconde série de couches 60B sur toute son épaisseur, jusqu'à la première structure 60A', de manière à former un second empilement 600B, comme décrit en référence à l'étape 505 de la figure 5. Cette seconde 10 gravure est mise en oeuvre après retrait du second substrat 610'. Comme détaillé en référence à la figure 5, une étape de gravure de tranchées dans la couche d'encapsulation latérale 67 est mise en oeuvre conjointement ou postérieurement à la seconde gravure. 15 Ici, la gravure de tranchées peut être une gravure par plasma RIE et/ou ICP telle que décrite ci-avant, ou une gravure humide ou sèche (gravure d'un diélectrique par gravure humide à l'acide fluorhydrique ou à l'aide d'une solution d'oxyde gravant tamponné, gravure d'un polymère par gravure humide au trichloréthylène, gravure d'un métal par gravure sèche ou humide). 20 On réalise ensuite des électrodes supérieure et inférieure, comme détaillé ci- dessus. Les procédés des figures 5 et 6 peuvent être combinés. Par exemple, dans le procédé de la figure 5, l'étape 504 peut être remplacée par les étapes 604 et 605 du procédé de la figure 6. 25 Dans les procédés des figures 5 et 6, la diode laser est formée par deux épitaxies distinctes, chacune portant une ou plusieurs fonctions électriques et/ou optiques. Une troisième épitaxie peut être mise en oeuvre pour réaliser l'encapsulation latérale du premier empilement. La figure 7 illustre un troisième mode de réalisation, mettant en 21 oeuvre une unique épitaxie. Ce procédé comprend les étapes suivantes, mises en oeuvre dans cet ordre : Etape 701 : Epitaxie, sur un premier substrat 710', d'un empilement de couches comprenant ici, 5 dans cet ordre à partir du premier substrat 710' : - une couche de contact 76, de même nature que la zone de contact décrite en référence à la figure 2, - un second ensemble 75 de couches élémentaires, optiquement réfléchissant, de même nature que le miroir de Bragg supérieur décrit en référence à la figure 2 ; et 10 - un ensemble 74 de couches élémentaires dit à puit(s) quantique(s) 74, de même nature que la zone à puit(s) quantique(s) décrite en référence à la figure 2 ; - un second ensemble 73 de couches élémentaires, optiquement réfléchissant, de même nature que le miroir de Bragg inférieur décrit en référence à la figure 2 ; et - une couche de tampon 72, de même nature que la zone de tampon décrite en 15 référence à la figure 2. Le premier substrat 710' correspond à un substrat intermédiaire, distinct du substrat sur lequel reposera la diode in fine. Etape 702 : 20 Première gravure, au cours de laquelle on grave l'empilement sur une partie seulement de son épaisseur. Ici, on grave une première série de couches 70A constituée de l'ensemble 74 à puit(s) quantique(s) 74, du premier ensemble 73 de couches élémentaires, et de la couche de tampon 72. On forme ainsi un premier empilement 700A comprenant ici la zone de tampon 720, le miroir de Bragg inférieur 730 et la zone à puit(s) 25 quantique(s) 740 d'une diode laser selon l'invention. Le premier empilement 700A s'étend ici sur une seconde série de couches 70B constituée ici du second ensemble 75 de couches élémentaires et de la couche de contact 76. La première gravure utilise l'une des techniques de gravure listées en référence à la figure 5, étape 502. Elle utilise un premier masque 7020, pour protéger les zones à ne pas 30 graver. 22 Etape 703 : Encapsulation latérale du premier empilement 700A, comme décrit en référence à la figure 6, étape 603, ou en référence à la figure 5, étape 503. 5 A l'issue de cette étape, on obtient, sur le premier substrat 710, une structure plane dite renversée 70' dans laquelle une face du premier empilement 700A affleure à la surface de la couche d'encapsulation latérale 77, du côté opposé au premier substrat 710'. 10 Etape 704 : Report, sur un second substrat 710, de l'ensemble formé par le premier substrat 710' et la structure renversée 70', et retrait du premier substrat 710'. Lors du report, l'ensemble formé par le premier substrat 710' et la structure renversée 70' est retourné, de sorte que le premier substrat 710' se trouve du côté opposé au second substrat 710. 15 Le second substrat 710 correspond ici au substrat décrit en référence à la figure 2, nommé également substrat hôte, sur lequel reposera la diode in fine. Etape 705 : Seconde gravure, au cours de laquelle on grave la structure renversée 70' retournée 20 sur le second substrat 710, sur une partie seulement de son épaisseur. Cette seconde gravure est mise en oeuvre après retrait du premier substrat 710'. Ici, on grave la seconde série de couches 70B constituée de la couche de contact 76 et du second ensemble 75 de couches élémentaires. La seconde gravure est arrêtée à l'interface avec la couche d'encapsulation latérale 77. Elle réalise, dans la seconde série de couches 70B, un second 25 empilement 700B. Elle met en oeuvre des techniques telles que décrites en référence à l'étape 505 de la figure 5 ou l'étape 606 de la figure 6. Comme détaillé en référence à la figure 5, une étape de gravure de tranchées dans la couche d'encapsulation latérale 77 est mise en oeuvre conjointement ou 30 postérieurement à la seconde gravure. 23 On réalise ensuite des électrodes supérieure et inférieure, comme détaillé ci-dessus. L'étape de report est mise en oeuvre avant la deuxième gravure et avant la réalisation des électrodes, de sorte qu'elle n'implique que des structures entièrement 5 planes et ne nécessite pas d'alignement particulier. Après le report, aucune couche sacrificielle ne s'étend entre le second substrat 710 et la structure renversée 70'. Les diodes laser sont destinées à rester sur le second substrat 170. En particulier, elles ne sont pas reportées sur un troisième substrat, par un procédé de type « pick and place ». 10 L'invention n'est pas limitée aux exemples de procédé et de dispositifs décrits ci- dessus. Par exemple : - la zone de tampon peut être dopée N et la zone de contact dopée P, ou inversement ; - le substrat de la diode laser peut être un substrat dit III-V (composé d'un ou 15 plusieurs éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau périodique de Mendeleïev), ou un substrat en silicium (couche de silicium isolée, ou couche de silicium appartenant à un empilement de type silicium sur isolant, etc.), ou tout autre substrat adapté. Le silicium utilisé pourra être traité afin de lui donner les fonctions électriques usuelles de la micro-électronique de type CMO. ; 20 - les miroirs de Bragg inférieur et supérieur ainsi que la zone à puit(s) quantique(s) peuvent être formés en matériau à base de GaN (nitrure de gallium) (VCSEL GaN), ou tout autre matériau semi-conducteur adapté. De préférence, on réalise conjointement une pluralité de diodes laser sur un même 25 substrat, ou wafer. La gravure de tranchées pour délimiter la région périphérique de chaque diode peut permettre d'isoler les diodes les unes des autres. L'invention couvre également un dispositif émetteur de lumière dit « RC-LED » (pour « Resonant Cavity- Light Emitting Diode »), qui diffère d'une diode laser de type VCSEL en ce qu'il est dépourvu du miroir de Bragg supérieur. Dans ce cas, le second 30 empilement tel que décrit dans le texte est dépourvu de miroir de Bragg supérieur. Il 24 comprend de préférence une zone de contact dopée N ou P, telle que décrite dans le texte. Avantageusement, il comprend également une zone active d'émission de photons, telle que la zone à multi-puits quantiques décrite dans le texte. L'invention trouve à s'appliquer notamment dans le domaine des 5 télécommunications par fibres optiques, et dans le domaine de la télédétection (imagerie en trois dimensions, système LIDAR monté sur véhicule automobile, REVENDICATIONS1. Diode laser (200; 300; 400) comportant, superposés au-dessus d'un substrat (210 ; 510 ; 610 ; 710), le long d'un axe orthogonal au plan dudit substrat : - un miroir de Bragg inférieur (230 ; 330 ; 530 ; 730), - une zone à puit(s) quantique(s) (240 ; 340 ; 540 ; 740), et - un miroir de Bragg supérieur (250 ; 350 ; 550), avec le miroir de Bragg inférieur (230; 330; 530; 730) situé entre le substrat et la zone à puit(s) quantique(s), caractérisée en ce que : - une section (SA) du miroir de Bragg inférieur présente une aire inférieure à celle d'une section (SB) du miroir de Bragg supérieur, lesdites sections étant définies dans des plans parallèles au plan du substrat ; et - la diode laser (200; 300; 400) comprend une région dite périphérique (270), constituée d'un matériau dit de confinement, située entre le substrat et le miroir de Bragg supérieur, et entourant le miroir de Bragg inférieur (230 ; 330 ; 530 ; 730) au moins. 2. Diode laser (200 ; 300 ; 400) selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend au moins une électrode supérieure (280B), qui s'étend en totalité ou en partie sur des parois latérales du miroir de Bragg supérieur (250 ; 350 ; 550). 3. Procédé de fabrication d'une diode laser (200; 300; 400) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend : - une première étape de gravure (502 ; 602 ; 702), dans laquelle on grave une première série de couches (50A; 60A; 70A) comprenant, au moins, un premier ensemble (53 ; 73) de couches élémentaires optiquement réfléchissant, de manière à former un premier empilement (200A; 300A; 500A; 600A; 700A) comprenant au moins le miroir de Bragg inférieur ; 26 - une seconde étape de gravure (505 ; 606 ; 705), dans laquelle on grave une seconde série de couches (50B ; 60B ; 70B) comprenant, au moins, un second ensemble (55 ; 75) de couches élémentaires optiquement réfléchissant, de manière à former un second empilement (200B ; 300B ; 400B ; 500B ; 600B ; 700B) 5 comprenant au moins le miroir de Bragg supérieur ; et - une étape (503 ; 603 ; 703) d'encapsulation latérale du premier empilement (200A ; 300A ; 600A ; 700A), mise en oeuvre après la première étape de gravure ; une section (SA) du premier empilement présentant une aire inférieure à celle d'une section (SB) du second empilement, et la deuxième étape de gravure (505 ; 606 ; 705) 10 étant mise en oeuvre après la première étape de gravure (502 ; 602 ; 702). 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - une première épitaxie (601), sur un premier substrat (610), pour former la 15 première série de couches (60A) ; - la première étape de gravure (602), pour former le premier empilement (600A) comprenant le miroir de Bragg inférieur au moins ; - l'étape d'encapsulation latérale (603), à l'issue de laquelle on obtient une première structure (60A'), plane, sur le premier substrat (610) ; 20 - une seconde épitaxie (604), sur un second substrat (610') distinct du premier substrat, pour former la seconde série de couches (60B), la seconde série de couches (60B) et le second substrat formant ensemble une seconde structure (60B') ; - un report (605) de la seconde structure (60B') sur la première structure 25 (60A'), suivi d'un retrait du second substrat (610') ; et - la deuxième étape de gravure (606), mise en oeuvre après l'étape de report (605), pour former le second empilement (600B) comprenant le miroir de Bragg supérieur au moins. 27 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la première épitaxie (601) et la seconde épitaxie (604) sont mises en oeuvre au moins en partie simultanément. 6. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes 5 suivantes : - une première épitaxie (501), sur un premier substrat (510), pour former la première série de couches (50A) ; - la première étape de gravure (502), pour former le premier empilement (500A) comprenant le miroir de Bragg inférieur au moins ; 10 - l'étape d'encapsulation latérale (503), à l'issue de laquelle on obtient une première structure (50A'), plane, sur le premier substrat (510) ; - une nouvelle épitaxie (504), sur la première structure (50A'), pour former la seconde série de couches (50B) ; et - la deuxième étape de gravure (505), mise en oeuvre après la nouvelle épitaxie 15 (504), pour former le second empilement (500B) comprenant le miroir de Bragg supérieur au moins. 7. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : 20 - une épitaxie (701), sur un premier substrat (710'), pour former une série de couches comprenant la seconde série de couches (70B) et la première série de couches (70A) ; - la première étape de gravure (702), pour former le premier empilement (700A) comprenant le miroir de Bragg inférieur au moins ; 25 - l'étape d'encapsulation latérale (703), à l'issue de laquelle on obtient, sur le premier substrat (710'), une structure plane dite renversée (70') ; - un report (703), sur un second substrat (710), de l'ensemble formé par le premier substrat et la structure renversée, suivi d'un retrait du premier substrat (710') ; et 28 - la deuxième étape de gravure (705), mise en oeuvre après l'étape de report (703), pour former le second empilement (700B) comprenant le miroir de Bragg supérieur au moins. 5 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que l'étape (603 ; 703) d'encapsulation latérale du premier empilement (200A ; 300A ; 600A ; 700A) comprend des sous-étapes de dépôt d'une couche d'encapsulation (671) et planarisation. 10 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que l'étape (503 ; 703) d'encapsulation latérale du premier empilement (200A ; 300A ; 500A ; 700A) comprend une étape de croissance d'un matériau de confinement. 15 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de réalisation d'une électrode supérieure, mise en oeuvre après la deuxième étape de gravure (505 ; 606 ; 705), et de sorte que ladite électrode supérieure s'étende en totalité ou en partie sur des parois latérales du premier empilement (200A ; 300A ; 500A ; 600A ; 700A). 20