FR 3079535 A1 20191004 FR 1800255 A 20180328 Procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant ou iridium et substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant ou iridium DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant ou iridium ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau diamant ou iridium. ETAT DE LA TECHNIQUE Certains matériaux ne sont pas actuellement disponibles sous forme de substrat monocristallin en forme de tranche en grand diamètre. Et certains matériaux sont éventuellement disponibles en grand diamètre mais pas selon certaines caractéristiques ou spécifications en terme de qualité, en particulier vis-à-vis la densité de défauts ou encore les propriétés électriques ou optiques requises. EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention vise à pallier ces limitations de l'état de la technique en proposant un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau diamant. Par ceci il est possible de remédier au problème de taille des substrats monocristallins de matériau diamant actuellement disponibles. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant comprenant le transfert d'une couche germe 30 monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau 2 silicium suivi d'une croissance par épitaxie de la couche monocristalline de matériau diamant. Dans des modes de réalisation avantageux la couche germe monocristalline 5 a une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence inférieure à 2 pm, et plus préférentiellement inférieure à 0,2pm. Dans des modes de réalisation avantageux le transfert de la couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur le substrat support de matériau 10 silicium comprend une étape d'assemblage d'un substrat monocristallin de matériau SrTiO3 sur le substrat support suivi d'une étape d'amincissement dudit substrat monocristallin de matériau SrTiO3. Dans des modes de réalisation avantageux l'étape d'amincissement 15 comprend la formation d'une zone de fragilisation délimitant une portion du substrat monocristallin de matériau SrTiO3 destinée à être transférée sur le substrat support de matériau silicium. Dans des modes de réalisation avantageux la formation de la zone de 20 fragilisation est obtenue par implantation d'espèces atomiques et/ou ioniques. Dans des modes de réalisation avantageux l'étape d'amincissement comprend un détachement au niveau de la zone de fragilisation de manière 25 à transférer ladite portion du substrat monocristallin de matériau SrTiO3 sur le substrat support de matériau silicium, en particulier le détachement comprend l'application d'une contrainte thermique et/ou mécanique. Dans des modes de réalisation avantageux l'étape d'assemblage est une 30 étape d'adhésion moléculaire. 3 Dans des modes de réalisation avantageux la couche de germe monocristalline de matériau SrTiO3 se présente sous la forme d'une pluralité de pavés transférés chacun sur le substrat support de matériau silicium. 5 Dans des modes de réalisation avantageux le substrat support de matériau silicium comprend une interface démontable configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. 10 L'invention concerne aussi un substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant caractérisé en ce qu'il comprend une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium. 15 Dans des modes de réalisation avantageux la couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 se présente sous la forme d'une pluralité de pavés. Dans des modes de réalisation avantageux le substrat support de matériau silicium comprend une interface démontable configurée pour être démontée 20 par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau iridium comprenant le transfert d'une couche 25 germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium suivi d'une croissance par épitaxie de la couche monocristalline de matériau iridium. L'invention concerne aussi un substrat pour croissance par épitaxie d'une 30 couche monocristalline de matériau iridium caractérisé en ce qu'il comprend 4 une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une couche 5 monocristalline de matériau diamant et/ou iridium comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline de matériau YSZ, Ce02, MgO ou A1203 sur un substrat support de matériau silicium, saphir, Ni ou Cu, suivi d'une croissance par épitaxie de la couche monocristalline de matériau diamant et/ou iridium. 10 L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant et/ou iridium comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline de matériau SrTiO3 sur un substrat support de matériau silicium, saphir, Ni ou Cu, suivi d'une croissance par 15 épitaxie de la couche monocristalline de matériau diamant et/ou iridium. 20 DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels : 25 - La figure 1 illustre un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant selon un mode de réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau diamant selon ce mode de réalisation de l'invention ; 5 - La figure 2 illustre un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant selon un autre mode de réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau diamant selon cet autre mode de réalisation de l'invention ; - La figure 3 illustre un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant selon encore un autre mode de 10 réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau diamant selon cet autre mode de réalisation de l'invention ; - La figure 4 illustre un procédé de fabrication d'une couche 15 monocristalline de matériau diamant selon encore un autre mode de réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau diamant selon cet autre mode de réalisation de l'invention ; 20 - La figure 5 illustre un procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant selon encore un autre mode de réalisation de l'invention ainsi qu'un substrat pour la croissance par épitaxie d'une telle couche monocristalline de matériau diamant selon cet autre mode de réalisation de l'invention ; 25 Pour favoriser la lisibilité des figures, les différentes couches ne sont pas nécessairement représentées à l'échelle. 30 DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION 6 La figure 1 illustre un substrat support 100 de matériau silicium sur lequel on transfère une couche germe monocristalline 200 de matériau SrTiO3. D'autres matériaux de la couche germe monocristalline 200 peuvent être 5 envisagés tels que YSZ, Ce02, MgO ou A1203, ces derniers ayant un paramètre de maille proche de celui du matériau PZT. Le substrat support 100 de matériau silicium peut aussi être remplacé par un substrat support 100 de matériau saphir, Ni ou Cu. L'utilisation du silicium a l'avantage d'ouvrir le champ d'application des films de matériau diamant non seulement 10 a des équipements de grande taille type 300 mm mais aussi rendre compatible l'industrie microélectronique pour laquelle les exigences en terme d'acceptance sur la ligne de production de matériau exotique autre que silicium, en particulier diamant, sont élevées. L'étape d'assemblage 1' de la couche germe monocristalline 200 de matériau SrTiO3 sur le substrat 15 support 100 de matériau silicium se fait préférentiellement par une étape d'adhésion moléculaire. Cette étape d'adhésion moléculaire comprend une étape de collage, préférentiellement à température ambiante, et est suivie d'un recuit de consolidation de l'interface de collage qui se fait usuellement à des températures élevées jusqu'à 900°C voire 1100°C pendant une durée 20 de quelques minutes à quelques heures. En ce qui concerne un substrat support de matériau saphir, l'étape d'assemblage 1' de la couche germe monocristalline sur le substrat support se fait aussi préférentiellement par une étape d'adhésion moléculaire utilisant des conditions typiques du même ordre de grandeur que mentionné ci-dessus. En ce qui concerne un substrat 25 support de matériau Ni ou Cu, l'étape d'assemblage 1' de la couche germe monocristalline sur le substrat support est remplacée par une étape de dépôt du matériau Ni ou Cu sur la couche germe monocristalline par exemple via un dépôt par électrodéposition ou électroformage (electroplating (ECD) selon la terminologie anglo-saxonne). Cette technique comprend 30 usuellement l'utilisation de couche d'accroche et du décapage et est connue en elle-même et ne sera pas décrite plus en détail ici. 7 La figure 1 représente schématiquement l'étape d'assemblage 1' d'un substrat monocristallin 20 de matériau SrTiO3 sur le substrat support 100 de matériau silicium. Il suit une étape d'amincissement 2' du substrat 5 monocristallin 20 de matériau SrTiO3 après avoir été assemblé sur le substrat support 100 de matériau silicium. La figure 1 représente schématiquement l'étape d'amincissement 2' qui peut être mise en oeuvre par exemple par gravure chimique et/ou mécanique (polissage, meulage, fraisage, ..). Ainsi on peut obtenir la couche germe monocristalline 200 de 10 matériau SrTiO3 qui va servir comme germe monocristalline d'une étape de croissance 3' par épitaxie de la couche monocristalline 300 de matériau diamant faite sur le substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant 10 représenté schématiquement dans la figure 1. L'homme de métier saurait ajuster les paramètres utilisés pour 15 une croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant usuellement utilisé lors d'une homoépitaxie ou hétéroépitaxie sur un substrat massif monocristallin afin d'optimiser l'étape de croissance 3' par épitaxie de la couche monocristalline 300 de matériau diamant faite sur le substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de 20 matériau diamant 10 de la présente invention. L'épitaxie du matériau diamant se fait donc par une épitaxie d'une couche mince d'environ 150 nm d'Iridium via la technique electron beam physical vapor deposition suivi d'une croissance par MWCVD sous atmosphère CH4/H2 à des températures usuelles d'environ 700°C. 25 Il est à noter que le coéfficient thermique d'expansion du substrat support 100 prédomine le comportement thermique du substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant 10 lors de l'étape de croissance 3' par épitaxie de la couche monocristalline 300 de matériau 30 diamant. Ceci est due à l'épaisseur mince, de préférence inférieure à 1 pm, de la couche germe monocristalline 200 de matériau SrTiO3 par rapport à 8 l'épaisseur totale du substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant 10 qui est de l'ordre de plusieurs dizaines à centaines de pm. Le matériau SrTiO3 est d'ailleurs choisi pour fournir une couche germe monocristalline ayant un paramètre de maille le 5 plus proche possible du paramètre de maille choisi pour la couche monocristalline 300 de matériau diamant, de préférence du paramètre de maille en état relaxé afin de permettre une croissance par épitaxie induisant le moins de défauts possible dans la couche monocristalline 300 de matériau diamant. Le matériau du substrat support 100 a avantageusement 10 d'ailleurs un coéfficient thermique d'expansion particulièrement proche du coéfficient thermique d'expansion du matériau diamant pour les mêmes raisons de diminution de défauts dans la couche monocristalline 300 obtenu par épitaxie. Préférentiellement on utiliserait donc un substrat support 100 de matériau silicium pour la présente invention. 15 La figure 2 représente schématiquement un mode de réalisation du procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant qui se différencie du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 1 en ce que le substrat monocristallin 20' de matériau SrTiO3 subit une étape d'implantation 20 0" d'espèces atomiques et/ou ioniques afin de former une zone de fragilisation délimitant une portion 200' du substrat monocristallin 20' de matériau SrTiO3 destinée à être transférée sur le substrat support 100' de matériau silicium, et en ce que l'étape d'amincissement 2" comprend un détachement au niveau de cette zone de fragilisation de manière à 25 transférer ladite portion 200' du substrat monocristallin 20' de matériau SrTiO3 sur le substrat support 100' de matériau silicium, en particulier ce détachement comprend l'application d'une contrainte thermique et/ou mécanique. L'avantage de ce mode de réalisation est ainsi de pouvoir récupérer la partie restante 201 du substrat monocristallin 20' de matériau 30 SrTiO3 de départ qu'on peut ainsi utiliser de nouveau pour faire subir le même procédé de nouveau et ainsi réduire les coûts. Le substrat pour 9 croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant 10' ainsi illustré dans la figure 2 sert pour l'étape de croissance 3" de la couche monocristalline 300' de matériau diamant comme déjà décrit lors du procédé décrit en lien avec la figure 1. De manière générale l'étape 5 d'implantation 0" se fait avec des ions hydrogène. Une alternative intéressante bien connue de l'homme de l'art consiste à remplacer tout ou partie des ions hydrogène par des ions helium. Une dose d'implantation d'hydrogène sera typiquement comprise entre 6x1016 cm-2 et 1x1017 cm-2. L'énergie d'implantation sera typiquement comprise entre entre 50 à 170 10 keV. Ainsi le détachement se fait typiquement à des températures entre 300 et 600°C. On obtient ainsi des épaisseurs de la couche germe monocristalline de l'ordre de 200 nm à 1,5 pm. Juste après l'opération de détachement, des étapes technologiques additionnelles sont avantageusement ajoutées dans le but soit de renforcer l'interface de 15 collage, soit de récupérer une bonne rugosité, soit de guérir les défauts éventuellement générés pendant l'étape d'implantation ou encore pour préparer la surface de la couche germe à la reprise d'épitaxie. Ces étapes sont par exemple un polissage, une gravure chimique (humide ou sèche), un recuit, un nettoyage chimique. Ils peuvent être utilisés seuls ou en 20 combinaison que l'homme de l'art saura ajuster. La figure 3 se différencie des modes de réalisation décrits en lien avec la figure 1 et figure 2 en ce que le substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant (10, 10') comprend une 25 interface démontable 40' configurée pour être démontée. Dans le cas d'un substrat support 100 de matériau silicium il peut s'agir d'une surface rugueuse par exemple du matériau silicium assemblée avec la couche germe monocristalline lors de l'étape d'assemblage. Ou encore une interface rugueuse peut être présente au sein du substrat support 100 de 30 matériau silicium, ce dernier par exemple obtenu par assemblage de deux plaques de silicium. Un autre mode de réalisation serait d'introduire au 10 niveau de la face à assembler avec la couche germe monocristalline une couche de silicium poreux susceptible de fracturer lors de l'application d'une contrainte mécanique et/ou thermique, par exemple par insertion d'une lame au bord de plaque connu par l'homme de métier ou encore par l'application 5 d'un recuit. Bien évidemment cette interface est choisie de sorte à résister aux autres contraintes mécaniques et/ou thermiques subies lors du procédé de la présente invention (p.ex. détachement, croissance par épitaxie,...). Dans le cas d'un substrat support de matériau saphir il peut s'agir d'un empilement d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium 10 (structure dite de type ONO) réalisé sur la face du saphir à assembler avec la couche germe monocristalline. Un tel empilement est susceptible de subir un détachement au niveau de la couche de nitrure de silicium lors d'une application laser traversant le substrat support de saphir (détachement ou décollement de type « laser lift off »). L'homme de métier saura identifier 15 d'autres méthodes de réalisations de cette interface démontable. Ces différentes configurations de démontage permettent ainsi soit un report de la couche épitaxiée sur un support final qui n'est pas compatible avec les paramètres de croissance soit la préparation d'un film épais de matériau diamant de type autoporté. 20 La figure 4 représente schématiquement un mode de réalisation du procédé de fabrication d'une couche monocristalline de matériau diamant qui se différencie des modes de réalisation décrits en lien avec la figure 1, la figure 2 et la figure 3 en ce que la couche de germe monocristalline 2000' de 25 matériau SrTiO3 se présente sous la forme d'une pluralité de pavés (2001', 2002', 2003') transférés chacun sur le substrat support 100" de matériau silicium. Les différents pavés peuvent se présenter sous une forme quelconque (carré, hexagonale, bandes,...) et avec des tailles différentes variant de quelques mm2 à plusieurs cm2. L'espacement entre les puces 30 peut également varier significativement selon que l'on cherche une densité maximum de couverture (dans ce cas on choisira préférentiellement un 11 espacement inférieur à 0,2 mm) ou au contraire une dissémination maximum des pavés au sein du substrat (dans ce cas l'espacement peut être de plusieurs millimètres et même centimètres). Pour chaque pavé l'homme de métier saurait appliquer le transfert qu'il souhaite et n'est pas 5 limité à une méthode particulière. Ainsi on pourrait envisager d'appliquer les renseignements techniques décrits en lien avec le procédé illustré schématiquement dans la figure 1 ou les renseignements techniques décrits en lien avec le procédé illustré schématiquement dans la figure 2 , voir même une combinaison des deux. Ainsi il est possible d'assembler 1"' des 10 substrats monocristallins (2001, 2002, 2003) de matériau SrTiO3 qui ont une taille inférieure à la taille du substrat support 100" afin de créer par amincissement 2"' sur ce dernier les couches germe monocristallines (2001', 2002', 2003') pour la croissance par épitaxie 3"' d'une couche monocristalline (3001, 3002, 3003) de matériau diamant sur chaque pavé du 15 substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant 10". Les différents modes de réalisation décrites en lien avec les figures 1 à 4 ouvrent ainsi la possibilité de co-intégration de composants faits dans la 20 couche monocristalline de matériau diamant avec des composants fait dans le substrat support de matériau silicium. Ce dernier peut être simplement un substrat silicium mais il peut aussi s'agir d'un substrat de type SOI comprenant une couche d'oxyde de silicium séparant un substrat silicium d'une couche fine de silicium. Dans le cas des modes de réalisation décrits 25 en lien avec les figures 1 à 4 l'accès au substrat support peut se faire simplement par lithographie et gravure connu par l'homme de métier. Dans le cas du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 4 on peut aussi simplement choisir les emplacements des pavés ainsi que leur espacement. 30 La figure 5 représente schématiquement un mode de réalisation qui se différencie du mode de réalisation décrit en lien avec la figure 4 en ce que le 12 substrat support 100" ainsi que par la suite le substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline de matériau diamant 10" comprend une interface démontable 40 configurée pour être démontée, par exemple par une technique de décollement par laser (« laser lift off ») et/ou une 5 attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. Ceci permettrait d'enlever une partie du substrat support 100" comme déjà évoqué en lien avec là figure 3. Un exemple serait l'utilisation d'un substrat support 100 de type SOI comprenant une couche d'oxyde de silicium séparant un substrat silicium d'une couche fine de silicium. Cette couche d'oxyde pourrait être 10 utilisée comme interface démontable 40 par une gravure sélective de cette couche d'oxyde, par exemple par immersion dans un bain d'acide fluorhydrique (HF). Cette option de démontage par gravure chimique d'une couche enterrée est particulièrement intéressante lorsqu'elle vient en combinaison du traitement d'une pluralité de petits substrats. En effet, le 15 rayon d'action des sous-gravures est généralement limité à quelques centimètres voire quelques millimètres si l'on souhaite conserver des conditions et des temps de traitement industriellement raisonnables. Le traitement d'une pluralité de petits substrats autorise le démarrage de plusieurs fronts de gravure chimique grâce à un accès possible de la couche 20 enterrée entre chaque pavé, et non plus seulement sur les bords extrêmes des substrats qui peuvent aller jusqu'à 300mm de diamètre. Dans le cas d'un substrat support de type SOI il est ainsi possible d'enlever en partie la couche fine de silicium entre les pavés afin de permettre le démarrage de plusieurs fronts de gravure. 25 La fine couche de silicium ayant une épaisseur prédéterminée (pouvant varier entre 5 nm à 600 nm, voir plus épais en fonction de l'application visée) pourrait ainsi servir pour former des composants micro-électronique et ainsi permettre la co-intégration de composants à base de matériaux diamant 30 dans un même substrat. 13 Ainsi après avoir élaboré par épitaxie la couche monocristalline (3001, 3002, 3003) on pourrait aussi imaginer un assemblage de cette structure sur un substrat final et démonter au niveau de l'interface démontable 40 une partie du substrat support 100". Le substrat final peut ainsi fournir des 5 fonctionnalités supplémentaires qui sont par exemple incompatibles avec des paramètres de la croissance effectuée auparavant (par exemple substrat final de type plastique flexible ou encore substrat final comportant des lignes métalliques). Par ailleurs et de manière générale l'interface démontable ne se situe pas forcément à l'intérieur du substrat support mais 10 peut également se trouver à l'interface avec la couche germe de matériau SrTiO3 assemblée sur ce substrat support (par exemple un empilement d'une couche de nitrure de silicium entre deux couches d'oxyde de silicium permet un décollement par laser, REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SrTiO3 sur un substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium suivi d'une croissance par épitaxie de la couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant. 2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la couche germe monocristalline (200, 200', 2000') a une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence inférieure à 2 pm, et plus préférentiellement inférieure à 0,2pm. 3. Procédé selon une des revendications précédentes dans lequel le transfert de la couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SrTiO3 sur le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium comprend une étape d'assemblage (1', 1", 1-) d'un substrat monocristallin (20, 20', 2001, 2002, 2003) de matériau SrTiO3 sur le substrat support (100, 100', 100") suivi d'une étape d'amincissement (2', 2", 2-) dudit substrat monocristallin (20, 20', 2001, 2002, 2003) de matériau SrTiO3. 4. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape d'amincissement (2") comprend la formation d'une zone de fragilisation délimitant une portion (200') du substrat monocristallin (20') de matériau SrTiO3 destinée à être transférée sur le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium. 5. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la zone de fragilisation est obtenue par implantation (0") d'espèces atomiques et/ou ioniques. 15 6. Procédé selon les revendications précédentes 4 à 5 dans lequel l'étape d'amincissement (2") comprend un détachement au niveau de la zone de fragilisation de manière à transférer ladite portion (200') du substrat monocristallin (20') de matériau SrTiO3 sur le substrat support (100, 100', 5 100") de matériau silicium, en particulier le détachement comprend l'application d'une contrainte thermique et/ou mécanique. 7. Procédé selon les revendications précédentes 3 à 6 dans lequel l'étape d'assemblage (1', 1", 1"') est une étape d'adhésion moléculaire. 10 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche de germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SrTiO3 se présente sous la forme d'une pluralité de pavés (2001', 2002', 2003') transférés chacun sur le substrat support (100, 100', 100") de matériau 15 silicium. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium comprend une interface démontable (40, 40') configurée pour être démontée par une 20 technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. 10. Substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant caractérisé en ce qu'il 25 comprend une couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SrTiO3 sur un substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium. 11. Substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant selon la revendication 30 précédente dans lequel la couche germe monocristalline (200, 200', 2000') 16 de matériau SrTiO3 se présente sous la forme d'une pluralité de pavés (2001', 2002', 2003'). 12. Substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline (300, 5 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant selon l'une des revendications 10 ou 11 dans lequel le substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium comprend une interface démontable (40, 40') configurée pour être démontée par une technique de décollement par laser et/ou une attaque chimique et/ou par une sollicitation mécanique. 10 13. Procédé de fabrication d'une couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau iridium comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SrTiO3 sur un substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium suivi d'une croissance par 15 épitaxie de la couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau iridium. 14. Substrat pour croissance par épitaxie d'une couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau iridium caractérisé en ce qu'il 20 comprend une couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SrTiO3 sur un substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium. 15. Procédé de fabrication d'une couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant et/ou iridium comprenant le transfert d'une 25 couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau YSZ, Ce02, MgO ou A1203 sur un substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium, saphir, Ni ou Cu, suivi d'une croissance par épitaxie de la couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant et/ou iridium. 30 17 16. Procédé de fabrication d'une couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant et/ou iridium comprenant le transfert d'une couche germe monocristalline (200, 200', 2000') de matériau SrTiO3 sur un substrat support (100, 100', 100") de matériau silicium, saphir, Ni ou Cu, 5 suivi d'une croissance par épitaxie de la couche monocristalline (300, 300', 3001, 3002, 3003) de matériau diamant et/ou iridium.