FR 3081619 A1 20191129 FR 1800496 A 20180523 I Elément rayonnant, antenne et procédé de fabrication associés La présente invention concerne un élément rayonnant. La présente invention concerne également une antenne comprenant un tel élément rayonnant et un procédé de fabrication d'un tel élément rayonnant. De nombreux types d'antennes existent, variant en fonction des applications visées, par exemple en fonction de la longueur d'ondes et de la puissance, ou encore des caractéristiques spectrales de l'émission recherchée. En particulier, de nombreux types d'antennes comprennent un ensemble d'éléments rayonnants, également appelés antennes élémentaires. Les éléments rayonnants permettent, par le contrôle de leur disposition, de leur conformation ou du signal électrique qui alimente chacun d'entre eux, d'améliorer le gain de l'antenne ou de contrôler sa directivité ou la forme du faisceau émis. Cependant, les antennes existantes présentent des dimensions relativement importantes, de l'ordre de plusieurs centimètres à plusieurs dizaines de centimètres en fonction de la fréquence et de la puissance requises par l'application visée, et donc un volume et un poids important. Les dimensions importantes sont gênantes pour certaines applications, par exemple pour des appareils mobiles, puisqu'une augmentation du volume et/ou du poids des dispositifs en résulte. En outre, les dispositifs contenant des antennes de grandes dimensions sont plus difficiles à transporter. L'intégration des antennes dans des dispositifs dont la géométrie est fixée en vue d'autres fonctions que la communication est, en outre, rendue difficile. Il existe donc un besoin pour un élément rayonnant présentant un encombrement plus faible que les éléments rayonnants de l'état de la technique. A cet effet, il est proposé un élément rayonnant d'une antenne comportant : - au moins une nanostructure filaire, chaque nanostructure filaire s'étendant selon la même direction, dite direction commune, entre une première extrémité et une deuxième extrémité, et - une inductance reliée à chaque première extrémité d'une nanostructure, l'inductance étant réalisée en un premier matériau conducteur, l'inductance s'étendant dans un plan normal à la direction commune. Selon des modes de réalisation particuliers, l'élément rayonnant comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prise(s) isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : - l'élément rayonnant présente au moins l'une des propriétés suivantes : - le premier matériau conducteur est réalisé en molybdène, 2 - chaque nanostructure filaire est réalisée en un même matériau, et - au moins une nanostructure filaire est un nanotube de carbone. - l'ensemble des nanostructures filaires forme un faisceau de nanostructures filaires présentant un rapport d'aspect compris entre 5 et 15. 5 - l'élément rayonnant comporte au moins dix nanostructures filaires, chaque nanostructure filaire présentant une dimension le long de la direction commune, les dimensions variant entre 50% et 150% de la valeur médiane des dimensions, la valeur médiane étant supérieure ou égale à 500 micromètres. - l'inductance (50) présente une forme en spirale. 10 Il est également proposé une antenne comprenant : - un premier élément rayonnant tel que défini précédemment, et - pour chaque élément rayonnant, une ligne de transmission comportant une zone réalisée en un deuxième matériau conducteur et deux plans de masse, la ligne de transmission s'étendant dans le même plan que 15 l'inductance et la zone étant reliée à l'inductance, le premier matériau étant notamment le même matériau que le deuxième matériau, chaque plan de masse étant réalisé en un troisième matériau conducteur, la zone étant agencée entre les deux plans de masse. Selon des modes de réalisation particuliers, l'antenne comprend une ou plusieurs 20 des caractéristiques suivantes prise(s) isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : - l'inductance est, en outre, interposée au moins partiellement entre les deux plans de masse. l'antenne comprend au moins un deuxième élément rayonnant tel que défini 25 précédemment, le premier élément rayonnant et le deuxième élément rayonnant présentant des valeurs d'inductances différentes l'une de l'autre. Il est également proposé un procédé de fabrication d'un élément rayonnant d'une antenne comprenant des étapes de : - fourniture d'un substrat plan, 30 - dépôt, sur le substrat, d'une couche planaire, la couche planaire étant réalisée en un premier matériau conducteur, - gravure de la couche planaire pour former une inductance, et - croissance, sur l'inductance, d'un ensemble de nanostructures filaires, chaque nanostructure filaire s'étendant selon la même direction, dite 35 direction commune, entre une première extrémité et une deuxième 3 extrémité, l'inductance s'étendant dans un plan normal à la direction commune. Selon un mode de réalisation particulier, l'étape de dépôt est mise en oeuvre par pulvérisation cathodique, le premier matériau étant du molybdène, le procédé 5 comprenant, antérieurement à l'étape de croissance, une étape de dépôt sur l'inductance d'un catalyseur de la croissance des nanostructures filaires. Des caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels : 10 - la figure 1 est un schéma d'une antenne comprenant un ensemble d'éléments rayonnants et un ensemble de lignes de transmission, - la figure 2 est une vue en coupe d'un élément rayonnant et d'une ligne de transmission de la figure 1, l'élément rayonnant comprenant un faisceau de nanostructures, 15 - la figure 3 est une vue de dessus d'un faisceau de nanostructures, - la figure 4 est une vue de dessus de l'élément rayonnant et de la ligne de transmission de la figure 2, et - la figure 5 est un ordinogramme des étapes d'un procédé de fabrication d'un élément rayonnant. 20 Une antenne 10 est représentée sur la figure 1. L'antenne 10 est configurée pour émettre et/ou recevoir un ensemble d'ondes électromagnétiques. Par exemple, l'antenne 10 est configurée pour émettre et pour recevoir un ensemble d'ondes électromagnétiques. L'onde électromagnétique présente une fréquence comprise entre 3 kilohertz 25 (KHz) et 300 gigahertz (GHz). Il est à noter que la fréquence de l'onde électromagnétique est susceptible de varier selon les applications envisagées pour l'antenne 10. L'antenne 10 comporte un substrat 15, des éléments rayonnants 20 et des lignes de transmission 25. Selon l'exemple de la figure 1, l'antenne 10 comporte une ligne de transmission 25 30 pour chaque élément rayonnant 20. En variante, l'antenne 10 comprend un unique élément rayonnant 20 et une unique ligne de transmission 25. L'antenne 10 comprend, en outre, une masse électrique telle qu'un châssis métallique. En variante, la masse électrique est un circuit électrique relié à la terre. 35 Le substrat 15 est prévu pour supporter les éléments rayonnants 20 et les lignes de transmission 25. 4 Le substrat 15 présente une face de support 30. La face de support 30 est plane. Une direction normale Z est définie comme étant la direction perpendiculaire à la face de support 30. 5 Le substrat 15 comporte une plaque support 35 et une couche tampon 40. La plaque support 35 est configurée pour servir de support à la couche tampon 40, aux éléments rayonnants 20 et aux lignes de transmission 25. La plaque support 35 est, par exemple, réalisée en silicium. Selon une variante, la plaque support 35 est réalisée en alumine. 10 La plaque support 35 présente, par exemple, une épaisseur comprise entre 200 micromètres (pm) et 500 pm. La plaque support 35 est réalisée en un matériau présentant une résistivité électrique. La résistivité électrique est, par exemple, supérieure ou égale à 10000 Ohm.centimètre. Une telle résistivité électrique permet de limiter les pertes 15 radiofréquence dans la plaque support 35. Il est à noter qu'un autre matériau que le silicium est susceptible d'être utilisé pour réaliser la plaque support 35. La couche tampon 40 est interposée entre, d'un côté, la plaque support 35 et, d'un autre côté, les éléments rayonnants 20 et les lignes de transmission 25. 20 La couche tampon 40 est délimitée selon la direction normale Z par la plaque support 35 et par la face de support 30. La couche tampon 40 est réalisée en un matériau électriquement isolant. La couche tampon 40 est, par exemple, réalisée en oxyde de silicium. La couche tampon 40 présente une épaisseur, selon la direction normale Z, 25 comprise entre 500 nanomètres et 5 micromètres. Par exemple, l'épaisseur de la couche tampon 40 est égale à 2 micromètres. Une vue en coupe d'un élément rayonnant 20 dans un plan parallèle à la direction normale Z est représentée sur la figure 2. Chaque élément rayonnant 20 est configuré pour émettre et/ou recevoir une onde 30 électromagnétique. Chaque élément rayonnant 20 comporte un faisceau F de nanostructures 45 et une inductance 50. Le faisceau F comporte au moins dix nanostructures 45. En variante, l'élément rayonnant 20 comprend une seule nanostructure 45. 35 Il est entendu par le terme « nanostructure » une structure présentant au moins une dimension nanométrique. 5 Une dimension d'un objet, mesurée selon une direction, est la distance entre les deux points de l'objet les plus éloignés l'un de l'autre selon ladite direction. Une dimension nanométrique est une dimension strictement inférieure à 1 micromètre, de préférence strictement inférieure à 100 nanomètres. 5 Une direction D est définie pour chaque nanostructure 45. Cela signifie que chaque nanostructure 45 s'étend selon la direction D définie pour la nanostructure 45 considérée. La direction D de chaque nanostructure 45 est parallèle à la direction normale Z. Chaque nanostructure 45 présente une première extrémité 55 et une deuxième 10 extrémité 60. Chaque nanostructure 45 s'étend entre la première extrémité 55 et la deuxième extrémité 60. La direction D est, par exemple, parallèle à la direction normale Z. La direction D est commune à toutes les nanostructures 45 d'un même élément rayonnant 20. 15 Un diamètre mesuré dans un plan perpendiculaire à la direction D est défini pour chaque nanostructure 45, Le diamètre de chaque nanostructure 45 est compris entre 20 nanomètres (nm) et 100 nm. La longueur de chaque nanostructure 45 est comprise entre 300 pm et 1 millimètre 20 (mm). En particulier, la longueur de chaque nanostructure 45 est supérieure ou égale à 500 pm. La longueur de chaque nanostructure 45 est mesurée selon la direction commune D. Chaque nanostructure 45 est une nanostructure filaire. 25 Une structure filaire est une structure présentant une longueur strictement supérieure à 10 fois le diamètre. Le rapport entre, au numérateur, la longueur et, au dénominateur, le diamètre, est appelé « rapport d'aspect ». Avantageusement, chaque nanostructure 45 est telle que le rapport d'aspect est strictement supérieur à 20. 30 Des nanotubes sont des exemples de nanostructures filaires 45. Les nanotubes sont des structures filaires creuses présentant un diamètre inférieur à 100 nanomètres. En d'autres termes, un nanotube est une nanostructure filaire creuse. Il est entendu par « faisceau » un ensemble de nanostructures 45 dans lequel les nanostructures 45 sont distantes l'une de l'autre d'une distance inférieure ou égale à la 35 longueur des nanostructures 45. La distance entre les nanostructures 45 est mesurée dans un plan perpendiculaire à la direction commune D. 6 Selon des cas particuliers, la distance est inférieure ou égale à la moitié de la longueur, par exemple inférieure ou égale à un cinquième de la longueur, en particulier inférieure ou égale à un dixième de la longueur. Selon un mode de réalisation, une valeur médiane est définie pour la longueur des 5 nanostructures 45 d'un même faisceau F. La valeur médiane est une valeur telle que la moitié des nanostructures 45 du faisceau F considéré présentent une longueur supérieure ou égale à la valeur médiane, l'autre moitié présentant une longueur inférieure ou égale à la valeur médiane. Les longueurs des nanostructures 45 du faisceau considéré varient entre 50 10 pourcents (%) et 150 % de la valeur médiane. La valeur médiane est, par exemple, supérieure ou égale à cinq cent micromètres. Une longueur totale est définie pour le faisceau F. La longueur totale est, par exemple, définie comme étant la longueur de la nanostructure 45 la plus longue parmi l'ensemble des nanostructures 45 appartenant au faisceau F. 15 La longueur totale est, par exemple, identique pour chaque faisceau F. Selon un mode de réalisation, les longueurs totales d'au moins deux faisceaux F sont différentes l'une de l'autre. Le faisceau présente une enveloppe commune à toutes les nanostructures. Il est entendu par « enveloppe » une surface enveloppant les nanostructures 45 et tangente 20 aux nanostructures 45 qui délimitent le faisceau F dans un plan perpendiculaire à la direction commune D. Une dimension latérale maximale est définie pour l'enveloppe. La dimension latérale maximale est la plus grande dimension de l'enveloppe dans un plan perpendiculaire à la direction commune D. La dimension latérale maximale est comprise 25 entre 20pm et 1mm. Un rapport d'aspect égal au rapport entre, au numérateur, la longueur totale du faisceau F et, au dénominateur, la dimension latérale maximale, est défini pour le faisceau F. Le rapport d'aspect du faisceau F est, par exemple, compris entre 5 et 15. Selon 30 un mode de réalisation, le rapport d'aspect du faisceau F est compris entre 9 et 10. Le faisceau F est représenté vu selon la direction commune D sur la figure 3. L'enveloppe présente une section transversale à la direction commune D de forme circulaire. Il est à noter que d'autres formes que la forme circulaire sont envisageables pour 35 la section du faisceau F. Par exemple, la section du faisceau F présente une forme circulaire, ou encore une forme polygonale telle qu'une forme rectangulaire ou en croix. 7 Les nanostructures 45 sont toutes réalisées en un même matériau. En particulier, chaque nanostructure 45 est un nanotube de carbone. Sur la figure 3, chaque nanostructure 45 est un nanotube de carbone double feuillet. Il est à noter que les nanotubes de carbone sont susceptibles d'être des nanotubes de carbone mono-feuillet, des nanotubes de carbone multi-feuillets ou encore un mélange de nanotubes de carbone mono-feuillet et de nanotubes de carbone multi- feuillets. Il est à noter que d'autres types de nanostructures filaires 45 sont susceptibles d'être utilisés à la place des nanotubes de carbone. 10 Par exemple, les nanostructures 45 sont des nanofils, par exemple des nanof ils de silicium ou d'un autre matériau semi-conducteur. Selon une autre variante, les nanostructures 45 sont réalisées en un matériau électriquement conducteur tel qu'un matériau métallique. L'inductance 50 de chaque élément rayonnant 20 s'étend dans un plan normal à la 15 direction commune D. Chaque inductance 50 est, par exemple, réalisée sous la forme d'une couche conductrice portée par le substrat 15. Par exemple, chaque inductance 50 est perpendiculaire à la direction normale Z et à la direction commune D. En particulier, l'inductance 50 est portée par la couche tampon 40. L'inductance 50 est réalisée en un premier matériau conducteur. Le premier 20 matériau conducteur est, par exemple, un matériau métallique. Selon un mode de réalisation, le premier matériau conducteur est le molybdène. Il est à noter que d'autres matériaux conducteurs sont susceptibles d'être envisagés pour l'inductance 50. Chaque inductance 50 présente une épaisseur mesurée selon la direction 25 normale Z. L'épaisseur de l'inductance 50 est comprise entre 100 nanomètres et 1 micromètre. Par exemple, l'épaisseur de l'inductance 50 est égale à 600 nanomètres. Chaque inductance 50 présente une valeur d'inductance comprise, par exemple, entre 1 nanoHenry et 10 nanoHenrys. Selon un mode de réalisation, la valeur d'inductance est égale à 5 nanoHenrys. 30 La valeur d'inductance est, par exemple, identique pour l'inductance 50 de chaque élément rayonnant 20. Selon un mode de réalisation, au moins deux inductances 50 parmi l'ensemble des inductances 50 regroupant les inductances 50 de chaque élément rayonnant 45 présentent des valeurs d'inductance différentes l'une de l'autre. 35 Selon l'exemple de la figure 4, chaque inductance 50 comporte une première portion 65 et une deuxième portion 70. 8 La première portion 65 s'étend dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z. La première portion 65 est interposée entre le faisceau F de nanostructures 45 et le substrat 15. La première portion 65 est reliée à la première extrémité 55 de chaque 5 nanostructure 45. La première portion 65 présente une forme triangulaire dans un plan normal à la direction commune D. Il est à noter que d'autres formes que les formes triangulaires sont envisageables pour la première portion 65. Par exemple, la première portion 65 présente une forme 10 circulaire ou carrée. La deuxième portion 70 s'étend dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z. Une dimension maximale est définie pour la deuxième portion 70. La dimension maximale est mesurée dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z entre les 15 deux points de la deuxième portion 70 les plus éloignés entre eux. La dimension maximale 70 est comprise entre 100 pm et 1 mm. Par exemple, la dimension maximale 70 est comprise entre 200 pm et 500 pm. Il est à noter que la dimension maximale 70 est susceptible de varier. La deuxième portion 70 présente une forme en spirale dans un plan 20 perpendiculaire à la direction normale Z. La deuxième portion 70 entoure la première portion 65 dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z. Selon un mode de réalisation, la deuxième portion 70 est formée par une succession de segments de droites. Par exemple, chaque segment de droite est 25 perpendiculaire aux segments de droites auxquels il est contigu. . En variante, une partie courbe de la deuxième portion 70 est interposée entre deux segments de droite contigus. Selon une autre variante, la deuxième portion 70 est formée par une seule courbe enroulée sur elle-même. 30 Il est à noter qu'une deuxième portion 70 présentant une forme différente d'une spirale est également envisageable. La deuxième portion 70 présente une troisième extrémité 75 et une quatrième extrémité 80. La deuxième portion 70 s'étend en spirale depuis la troisième extrémité 75 jusqu'à la quatrième extrémité 80. 9 La troisième extrémité 75 est l'extrémité de la deuxième portion 70 qui est située en périphérie de la deuxième portion 70 dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z. La quatrième extrémité 80 est l'extrémité de la deuxième portion 70 qui est située 5 en périphérie de la première portion 65 dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z. La quatrième extrémité 80 est donc entourée par le reste de la deuxième portion 70 dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z. La quatrième extrémité 80 est reliée à la première portion 65. La ligne de transmission 25 s'étend dans le même plan que l'inductance 50. En 10 particulier, la ligne de transmission 25 est réalisée sous forme d'une couche portée par le substrat 15. La ligne de transmission 25 comprend une zone conductrice 85 et au moins un plan de masse 90. En particulier, la ligne de transmission 25 représentée sur la figure 4 comporte deux plans de masse 90. 15 La zone conductrice 85 est reliée à l'inductance 50. Par exemple, la zone conductrice 85 est reliée à la troisième extrémité 75 de l'inductance 50. La zone conductrice 85 est configurée pour recevoir de l'inductance 50 un courant électrique. Un tel courant est notamment généré par l'inductance 50 suite à la réception d'une onde électromagnétique. 20 La zone conductrice 85 est, en outre, configurée pour recevoir un courant électrique d'une source électrique externe à l'antenne 10 et pour alimenter l'inductance 50 avec ledit courant électrique. La zone conductrice 85 présente, par exemple, une forme rectangulaire. La zone conductrice 85 présente une épaisseur mesurée selon la direction 25 normale Z. L'épaisseur de la zone conductrice 85 est comprise entre 100 nanomètres et 1 micromètre. Par exemple, l'épaisseur de la zone conductrice 85 est égale à 600 nanomètres. La zone conductrice 85 est réalisée en un deuxième matériau conducteur. Le deuxième matériau conducteur est, par exemple, un matériau métallique. 30 Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau conducteur est le même matériau que le premier matériau conducteur. Par exemple, le deuxième matériau conducteur est le molybdène. Il est à noter que d'autres matériaux conducteurs sont envisageables pour la zone conductrice 85. 35 Chaque plan de masse 90 est relié à la masse de l'antenne 10. 10 Chaque plan de masse 90 présente une épaisseur mesurée selon la direction normale Z. L'épaisseur de chaque plan de masse 90 est comprise entre 100 nanomètres et 1 micromètre. Par exemple, l'épaisseur de chaque plan de masse 90 est égale à 600 5 nanomètres. Chaque plan de masse 90 est réalisé en un troisième matériau conducteur. Le troisième matériau conducteur est, par exemple, un matériau métallique. Selon un mode de réalisation, le troisième matériau conducteur est le même matériau que le premier matériau conducteur. Par exemple, le troisième matériau 10 conducteur est le molybdène. Il est à noter que d'autres matériaux conducteurs sont envisageables pour chaque plan de masse 90. Selon un mode de réalisation, la zone conductrice 85 est agencée entre les deux plans de masse 90. 15 Une distance, dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z, entre la zone conductrice 85 et le plan de masse 90 le plus proche de la zone conductrice 85 est comprise entre 50 pm et 250 pm. Selon l'exemple proposé, la zone conductrice 85 est équidistante des deux plans de masse 90. 20 Dans l'exemple représenté sur la figure 4, l'inductance 50 est au moins partiellement interposée entre les deux plans de masse 90. Une distance entre l'inductance 50 et le ou les plans de masse 90 est comprise entre 20 pm et 300 pm. Selon un mode de réalisation, chaque plan de masse 90 présente une forme de 25 « L ». Chaque plan de masse 90 présente alors une première branche et une deuxième branche, les deux branches étant perpendiculaires l'une à l'autre. La première branche de chaque plan de masse 90 s'étend en direction de l'autre plan de masse 90 appartenant à la même ligne de transmission 25. Par exemple, les deux premières branches d'une même ligne de transmission 25 sont alignées l'une avec 30 l'autre. La zone conductrice 85 de chaque ligne de transmission 25 est, par exemple, interposée entre les deux premières branches à la ligne de transmission 25 considérée. Les deux premières branches d'une même ligne de transmission 25 sont, par exemple, interposées entre les deux deuxièmes branches correspondantes. 35 Chaque inductance 50 est, par exemple, interposée entre les deux deuxièmes branches des plans de masse 90 entre lesquels l'inductance 50 est interposée. Par 11 exemple, l'inductance 50 est logée dans une zone rectangulaire délimitée sur un premier côté de la zone rectangulaire par les deux premières branches, sur un deuxième côté de la zone rectangulaire par l'une des deuxièmes branches et sur un troisième côté de la zone rectangulaire par l'autre deuxième branche, le premier côté étant perpendiculaire au deuxième côté et au troisième côté. Le fonctionnement de l'antenne 10 va maintenant être décrit. En émission, au moins une ligne de transmission 25 reçoit un premier courant électrique. En particulier, le premier courant électrique est transmis, depuis un dispositif extérieur à l'antenne 10, à la zone conductrice 85. 10 La zone conductrice 85 transmet le premier courant électrique à l'inductance 50 de l'élément rayonnant 20 relié à la ligne de transmission 25 considérée. En réponse à la réception du premier courant électrique par l'inductance 50, une première onde électromagnétique est émise par l'élément rayonnant 20. En réception, une deuxième onde électromagnétique est reçue par au moins un 15 élément rayonnant 20. A la suite de la réception de la deuxième onde électromagnétique, un deuxième courant électrique apparaît dans l'inductance 50 de l'élément rayonnant 20 considéré. Le deuxième courant électrique est transmis par l'inductance 50 à la zone conductrice 85 reliée à l'inductance 50. 20 Le deuxième courant électrique est ensuite transmis, par la ligne de transmission 25 considérée, à un dispositif extérieur à l'antenne 10. L'élément rayonnant 20 présente des dimensions très réduites. En particulier, les dimensions de l'élément rayonnant 20 sont plus réduites que les dimensions des éléments rayonnants de l'état de la technique. L'antenne 10 présente donc un volume et 25 un poids plus faible que les antennes de l'état de la technique. En particulier, l'association de la ou des nanostructures 45 et de l'inductance 50 permet de minimiser la longueur des nanostructures 45 par rapport à un élément rayonnant 20 ne comportant pas d'inductance 50. Un rapport d'aspect, pour le faisceau F, compris entre 5 et 15 présente 30 typiquement une bonne résistance mécanique tout en permettant une bonne efficacité de conversion du courant électrique en onde électromagnétique et vice/versa. Un rapport d'aspect compris entre 9 et 10 est un exemple de rapport d'aspect particulièrement intéressant pour obtenir une bonne résistance mécanique et une bonne efficacité de conversion. 35 En outre, la longueur des nanostructures 45 et la valeur d'inductance, qui varie en fonction des dimensions de l'inductance 50, permettent d'adapter aisément l'élément 12 rayonnant 20 à différentes valeurs de fréquences. En particulier, des antennes 10 présentant une large bande d'émission et/ou de réception sont obtenues lorsque des longueurs totales ou des valeurs d'inductance différentes sont utilisées pour certains éléments rayonnants 20. 5 Des nanostructures 45 présentant une valeur médiane de longueur supérieure ou égale à 500 nanomètres permettent d'obtenir une bonne efficacité de conversion. La forme de spirale est une forme permettant d'obtenir une inductance 50 particulièrement compacte, et donc un élément rayonnant 20 de dimensions particulièrement réduites. 10 L'utilisation d'une couche tampon 40 réalisée en un matériau électriquement isolant permet de limiter les pertes radiofréquence lors de l'utilisation de l'élément rayonnant 20. Une antenne 10 dans laquelle chaque inductance 50 est interposée au moins partiellement entre les deux plans de masse 90 correspondants est, elle aussi, 15 particulièrement compacte. Une telle antenne 10 est en outre aisée à fabriquer, comme cela est illustré en référence à la figure 5 qui est un ordinogramme d'un procédé de fabrication d'un élément rayonnant 20. Le procédé de fabrication comprend une étape 100 de fourniture, une étape 110 20 de dépôt, une étape 120 de gravure, une étape 130 de placement et une étape 140 de croissance. Au cours de l'étape de fourniture 100, le substrat 15 est fourni. Lors de l'étape de dépôt 110, une couche du premier matériau conducteur est déposée sur le substrat 15. 25 Par exemple, lorsque le premier matériau conducteur est le molybdène, l'étape de dépôt 110 comprend le dépôt de la couche de molybdène par pulvérisation cathodique. La pulvérisation cathodique (également désignée sous le terme anglais « sputtering ») est une technique de dépôt de couches minces dans laquelle une cible en matériau à déposer est fournie, en général sous forme de matériau solide, dans une 30 chambre de dépôt et un plasma est formé dans un gaz à basse pression occupant la chambre de dépôt. L'application d'une différence de potentiel entre la cible et les parois de la chambre de dépôt provoque un bombardement de la cible par des espèces électriquement chargées positivement du plasma. Le bombardement entraîne la pulvérisation de la cible et ainsi la libération dans la chambre de dépôt d'atomes du 35 matériau à déposer. La condensation des atomes ainsi libérés sur un substrat forme alors une couche du matériau à déposer. 13 Il est à noter que d'autres techniques de dépôt sont envisageables, notamment si le premier matériau conducteur n'est pas le molybdène. Lors de l'étape de gravure 120, la couche du premier matériau conducteur est gravée pour former l'inductance 50. 5 L'étape de gravure 120 comprend, par exemple, une étape de photolithographie et/ou une étape de gravure par faisceau d'ions. La gravure par faisceau d'ions consiste à projeter sur la couche à graver un faisceau d'ions, notamment d'ions Argon, à forte énergie pour usiner la couche à graver. Il est à noter que d'autres techniques de gravure de la couche de premier matériau 10 conducteur sont envisageables. Lors de l'étape de placement 130, un catalyseur C de la croissance de nanostructures 45 est déposé sur l'inductance 50. Le catalyseur C est un matériau métallique. Les catalyseurs C les plus utilisés pour faire croître des nanotubes ou des nanofils sont le nickel, le cobalt, le fer et l'or. Par 15 exemple, le catalyseur C est le fer. En variante, le catalyseur C est constitué d'un alliage d'au moins deux métaux. Le catalyseur C est, par exemple, sous forme d'un ensemble de nanoparticules. Les particules du catalyseur C sont des nanoparticules. De préférence, chaque particule présente trois dimensions nanométriques. Par exemple, chaque dimension de 20 chaque particule est comprise strictement entre 1 nanomètre et 100 nanomètres. Les particules du catalyseur C sont, par exemple, obtenues par lithographie. La lithographie permet d'obtenir un réseau parfaitement périodique de particules du catalyseur C. En variante, les particules sont obtenues par fragmentation et démouillage 25 contrôlé d'une couche de catalyseur C déposée sur l'inductance 50. Selon une autre variante, les particules du catalyseur C sont obtenues par pulvérisation, sur l'inductance 50, d'une solution comprenant ces particules. En variante, les particules sont déposées par greffage électrostatique sur l'inductance 50. Les méthodes précédentes différentes de la lithographie permettent d'obtenir un 30 réseau aléatoire pour lequel la distance moyenne entre particules est contrôlée. Les particules sont, par exemple, liquides lorsque le catalyseur C est à la température de consigne Tc. C'est par exemple le cas des nanofils de silicium dont la croissance est catalysée à l'aide de particules d'or. En variante, les particules sont solides lorsque le catalyseur C est à la température de consigne Tc. C'est par exemple le cas de 35 la croissance des nanotubes de carbone. En variante, le catalyseur C forme une couche homogène. 14 Lors de l'étape de placement 130, le catalyseur C est déposé de manière à former une couche présentant, dans un plan perpendiculaire à la direction normale Z, une forme identique à la forme de la section du faisceau F. Il est à noter que, dans certains cas, il est envisageable de n'utiliser aucun 5 catalyseur. Cela est par exemple le cas pour certains types de nanostructures. Il est alors envisageable de remplacer l'étape 130 de placement d'un catalyseur C par une étape de dépôt d'une couche empêchant la croissance de nanostructures ailleurs que sur l'inductance 50. 10 Par exemple, cette étape de dépôt d'une couche empêchant la croissance comprend une étape de gravure au cours de laquelle une ouverture est ménagée au niveau de l'inductance 50 dans la couche empêchant la croissance afin de permettre la croissance d'un faisceau F de nanostructures 45. Au cours de l'étape de croissance 140, au moins une nanostructure 45 est 15 obtenue. En particulier, les nanostructures 45 croissent sur l'inductance 50 pour former un faisceau F. Selon un mode de réalisation, une nanostructure 45 est obtenue pour chaque particule de catalyseur C. Les nanostructures 45 sont, par exemple, obtenues par dépôt chimique en phase 20 vapeur. Le dépôt chimique en phase vapeur (couramment dénommé par l'acronyme CVD, de l'Anglais « Chemical Vapor Deposition ») est une technique fréquemment utilisée pour déposer un matériau sur un substrat. Le dépôt chimique en phase vapeur se pratique dans une enceinte fermée, délimitant une chambre isolée de l'atmosphère extérieure et contenant au moins un substrat, en général maintenu à une température élevée. Un gaz 25 dit « précurseur » est injecté dans l'enceinte et se décompose au contact du substrat chauffé, libérant sur le substrat des atomes d'un ou plusieurs éléments prédéterminés. Les atomes libérés forment entre eux des liaisons chimiques menant à la formation, sur le substrat, du matériau recherché. Le procédé thermique de dépôt chimique en phase vapeur, également connu sous 30 le nom anglais « Thermal Chemical Vapor Deposition », est une technique dans laquelle le substrat 15 est chauffé à une température élevée de l'ordre de 600 degrés Celsius ou plus est un type de CVD particulièrement adapté à la croissance de nanotubes de carbone. Selon un mode de réalisation, lors de la croissance par dépôt chimique en phase 35 vapeur, un plasma est généré dans la chambre de croissance. 15 Plusieurs éléments rayonnants 20 sont fabriqués simultanément. Par exemple, au cours de l'étape de gravure 120, les inductances 50 de plusieurs éléments rayonnants sont formées. Au cours de l'étape de placement 130, un catalyseur C est déposé sur chaque inductance 50. Lors de l'étape de croissance 140, au moins une nanostructure 45 5 est formée sur chaque inductance 50. Il est à noter que le procédé de fabrication est également susceptible de comprendre la fabrication de chaque ligne de transmission 25. Par exemple, chaque ligne de transmission 25 est ménagée, dans la couche de premier matériau conducteur, au cours de l'étape de gravure 120. 10 Selon une variante, lorsque le deuxième matériau conducteur n'est pas identique au premier matériau conducteur, le procédé de fabrication comprend une étape de dépôt d'une couche de deuxième matériau conducteur et une étape de gravure de la couche de deuxième matériau conducteur pour former les lignes de transmission 25. Le procédé de fabrication des éléments rayonnants 10 est simple. 15 Le molybdène est un matériau qui résiste bien aux conditions qui règnent dans un bâti de croissance de nanostructures 45, en particulier un bâti de CVD. L'inductance 50 et les lignes de transmission 25 ne sont donc pas dégradées lors de la croissance des nanostructures 45, en particulier lorsque les nanostructures 45 sont des nanotubes de carbone. 20 La pulvérisation cathodique est une méthode de dépôt permettant d'obtenir REVENDICATIONS1.- Elément rayonnant (20) d'une antenne (10) comportant : - au moins une nanostructure filaire (45), chaque nanostructure filaire (45) s'étendant selon la même direction (D), dite direction commune, entre une première extrémité (55) et une deuxième extrémité (60), et - une inductance (50) reliée à chaque première extrémité (55) d'une nanostructure (45), l'inductance (50) étant réalisée en un premier matériau conducteur, l'inductance (50) s'étendant dans un plan normal à la direction commune (D). 2.- Elément rayonnant selon la revendication 1, dans lequel l'élément rayonnant (20) présente au moins l'une des propriétés suivantes : - le premier matériau conducteur est réalisé en molybdène, - chaque nanostructure filaire (45) est réalisée en un même matériau, et - au moins une nanostructure filaire (45) est un nanotube de carbone. 3.- Elément rayonnant selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'ensemble des nanostructures filaires (45) forme un faisceau (F) de nanostructures filaires (45) présentant un rapport d'aspect compris entre 5 et 15. 4.- Elément rayonnant selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'élément rayonnant (20) comporte au moins dix nanostructures filaires (45), chaque nanostructure filaire (45) présentant une dimension le long de la direction commune (D), les dimensions variant entre 50% et 150% de la valeur médiane des dimensions, la valeur médiane étant supérieure ou égale à 500 micromètres. 5.- Elément rayonnant selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'inductance (50) présente une forme en spirale. 6.- Antenne (10) comprenant : - un premier élément rayonnant (20) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, et - pour chaque élément rayonnant (20), une ligne de transmission (25) comportant une zone (85) réalisée en un deuxième matériau conducteur et deux plans de masse (90), la ligne de transmission (25) s'étendant dans le même plan que l'inductance (50) et la zone (85) étant reliée à l'inductance (50), le premier 17 matériau étant notamment le même matériau que le deuxième matériau, chaque plan de masse (90) étant réalisé en un troisième matériau conducteur, la zone (85) étant agencée entre les deux plans de masse (90). 5 7.- Antenne selon la revendication 6, dans laquelle l'inductance (50) est, en outre, interposée au moins partiellement entre les deux plans de masse (90). 8.- Antenne selon la revendication 6 ou 7, comprenant au moins un deuxième élément rayonnant (20) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, le premier 10 élément rayonnant (20) et le deuxième élément rayonnant (20) présentant des valeurs d'inductances différentes l'une de l'autre. 9.- Procédé de fabrication d'un élément rayonnant (20) d'une antenne (10) comprenant des étapes de : 15 - fourniture d'un substrat plan (15), - dépôt, sur le substrat (15), d'une couche planaire, la couche planaire étant réalisée en un premier matériau conducteur, - gravure de la couche planaire pour former une inductance (50), et - croissance, sur l'inductance (50), d'un ensemble de nanostructures filaires (45), 20 chaque nanostructure filaire (45) s'étendant selon la même direction, dite direction commune (D), entre une première extrémité (55) et une deuxième extrémité (60), l'inductance (50) s'étendant dans un plan normal à la direction commune (D). 10.- Procédé de fabrication selon la revendication 9, dans lequel l'étape de dépôt 25 est mise en oeuvre par pulvérisation cathodique, le premier matériau étant du molybdène, le procédé comprenant, antérieurement à l'étape de croissance, une étape de dépôt sur l'inductance (50) d'un catalyseur de la croissance des nanostructures filaires (45).