FR 3081258 A1 20191122 FR 1854086 A 20180516 DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention concerne le domaine de la photonique et de l'optoélectronique. Elle trouve au moins une application particulièrement avantageuse dans le domaine des photodétecteurs. Elle trouvera pour application avantageuse mais non limitative la réalisation de photodiodes à avalanche à base de germanium. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la photonique sur silicium, un photodétecteur est un composant optoélectronique essentiel des systèmes de communication optiques intégrables en technologie CMOS. Un enjeu lié à la fabrication des photodétecteurs est d'augmenter la sensibilité de détection de la lumière. Un principe de détection de la lumière dans un photodétecteur ou une photodiode est le suivant : Un photon est absorbé dans la zone d'absorption de la photodiode. L'absorption de ce photon génère une paire électron-trou. L'électron et le trou, appelés porteurs de charge électrique, peuvent être ensuite collectés via des électrodes ou des zones de contact. Le courant électrique généré par ces porteurs peut ainsi être exploité pour la détection du photon à l'origine du phénomène. Une première architecture de photodiode exploitant ce principe est une photodiode p-i-n comprenant une zone d'absorption en un matériau non dopé (i pour intrinsèque) intercalée entre deux zones de contact en un matériau dopé (p et n pour le type de dopage correspondant). Du fait de ses propriétés d'absorption et de conduction, et de sa compatibilité avec les technologies CMOS, le germanium (Ge) est généralement utilisé pour fabriquer des photodiodes Ge présentant une architecture classique Ge-p / Ge-i / Ge-n. Une possibilité particulièrement intéressante pour augmenter la sensibilité 30 de détection des photodiodes est d'améliorer le confinement des photons dans la zone d'absorption de la photodiode. 2 Le confinement des photons dans la zone d'absorption peut résulter d'un contraste d'indices optiques entre le matériau de la zone d'absorption et les matériaux environnants. Le document « Développement de photodiodes à avalanche en Ge sur Si 5 pour la détection faible signal et grande vitesse, L. Virot, Université Paris Sud - Paris XI, 2014» divulgue par exemple une architecture de photodiode p-i-n utilisant le silicium (Si) et le germanium (Ge). Une telle photodiode illustrée à la figure 1 présente une double hétérojonction Si-p / Ge-i / Si-n. Cette architecture permet un confinement de la 10 lumière amélioré par rapport à une photodiode Ge classique. La zone d'absorption A intercalée entre les zones de contact 1 et 2 de cette photodiode à double hétérojonction est formée par croissance du Ge 3 à partir d'une couche de germination 111 en Si. Ce procédé de fabrication induit des pertes optiques au niveau de la couche de germination 111 qui nuisent au 15 confinement optique dans la zone d'absorption A. Une autre possibilité pour augmenter la sensibilité de la détection des photodiodes est de générer plusieurs porteurs à partir d'un seul porteur initialement issu de l'absorption d'un photon, de sorte à collecter un courant 20 significatif et mesurable. C'est le principe de multiplication des porteurs. Une deuxième architecture de photodiode exploitant ce principe de multiplication est une photodiode à avalanche comprenant une zone d'absorption et une zone de multiplication intercalées entre deux zones de contact. 25 Le document cité plus haut divulgue par exemple une architecture de photodiode à avalanche s'étendant latéralement. Une telle photodiode est illustrée aux figures 2A et 2B. Là encore, une couche de germination 111 est nécessaire à la formation de la zone d'absorption A entre la zone de multiplication M, une zone de charge 30 C et la zone de contact 2. Un inconvénient de ce procédé de réalisation est là encore l'apparition de pertes optiques au niveau de la couche de germination 111. 3 Un autre inconvénient du procédé de réalisation d'une telle photodiode est lié à la formation de la zone de charge C. Cette zone de charge C est en effet généralement obtenue par implantation ionique. Une telle implantation conduit à un profil de dopage mal défini comme illustré à la figure 3, en particulier au 5 niveau de l'interface 142entre les zones de charge C et de multiplication M. Un objet de la présente invention est de pallier au moins en partie certains des inconvénients mentionnés ci-dessus. Selon un aspect particulier, un objet de la présente invention est de proposer un procédé de réalisation d'une photodiode latérale visant à optimiser 10 le confinement optique dans la zone d'absorption de la photodiode. Selon un autre aspect, un objet de la présente invention est de proposer une photodiode latérale visant à optimiser le confinement optique dans la zone d'absorption de la photodiode. 15 Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. 20 RÉSUMÉ DE L'INVENTION Pour atteindre cet objectif, un premier aspect de l'invention concerne un procédé de réalisation d'une photodiode comprenant une première zone de contact, une deuxième zone de contact et une zone d'absorption juxtaposées 25 de sorte à s'étendre parallèlement suivant une première direction, ladite zone d'absorption étant située entre les première et deuxième zones de contact selon une deuxième direction. Ce procédé comprend les étapes suivantes : - Fournir un premier substrat comprenant un empilement selon une 30 troisième direction d'une première couche à base d'un premier matériau sur une deuxième couche à base d'un deuxième matériau différant du premier matériau, 4 - Former au niveau de la première couche la première zone de contact, - Former au niveau de la première couche la deuxième zone de contact, - Former au niveau de la première couche la zone d'absorption. 5 Avantageusement mais non limitativement, la formation de la zone d'absorption comprend au moins les étapes successives suivantes : - Encapsuler la première couche, au moins dans une zone correspondant à la zone d'absorption, par une couche d'encapsulation, - Former au moins une ouverture au travers de la couche 10 d'encapsulation de sorte à exposer une zone de la première couche, - Former une cavité au moins au niveau de la zone d'absorption, ladite formation comprenant un retrait du premier matériau sur toute l'épaisseur de la première couche au travers de l'au moins une ouverture, la cavité comprenant une face inférieure à base du deuxième matériau de la deuxième couche, une 15 face supérieure formée par une partie de la couche d'encapsulation et une pluralité de parois latérales s'étendant selon la troisième direction, ladite pluralité comprenant au moins une paroi latérale à base du premier matériau s'étendant selon la première direction en bordure de l'une parmi les première et deuxième zones de contact, 20 - Remplir au travers de l'au moins une ouverture la cavité avec un troisième matériau de remplissage par une croissance épitaxiale latérale dudit matériau au moins à partir de l'au moins une paroi latérale de la cavité, la croissance étant principalement dirigée selon la deuxième direction. 25 Ce procédé permet avantageusement de s'affranchir d'une couche de germination sur la face inférieure de la cavité pour la croissance du matériau de remplissage. Le confinement optique dans la zone d'absorption de la photodiode peut ainsi être amélioré en supprimant les pertes optiques induites par la couche de germination. Afin d'augmenter le confinement de la lumière dans du germanium, une solution avantageuse consiste à former la zone d'absorption en germanium directement sur un oxyde. Le contraste d'indices optiques est ainsi optimisé et 5 le confinement des photons est amélioré. Un tel procédé se base sur un empilement de type Ge01 (selon l'acronyme anglais « Germanium On Insulator »). 5 Selon l'invention et de façon particulièrement avantageuse, la zone d'absorption est formée par remplissage de la cavité à partir de ses parois latérales, entre les première et deuxième zones de contact d'une part, et entre la deuxième couche et la couche d'encapsulation d'autre part. Le procédé selon l'invention permet donc d'assurer une continuité pour le 10 transport électrique des porteurs de charge entre les première et deuxième zones de contact. La disposition relative des zones de contact et d'absorption confère à la photodiode une architecture dite latérale, où les porteurs de charge générés dans la zone d'absorption sont dirigés selon la deuxième direction avant d'être 15 collectés au niveau des zones de contact. Le procédé selon l'invention permet également de réaliser localement une structure de type Ge01. Le confinement optique dans la zone d'absorption selon la troisième direction peut dès lors être amélioré par rapport à une structure Ge classique comprenant par exemple une couche de germination configurée pour 20 faire croître le matériau de la zone d'absorption selon la troisième direction. Une telle amélioration est avantageusement applicable à différentes architectures de photodiodes. En particulier, ce procédé est compatible avec la réalisation de photodiodes Ge01 p-i-n et/ou de photodiodes Ge01 à avalanche. 25 Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, la pluralité de parois latérales de la cavité forme un contour fermé. Le remplissage de la cavité par croissance latérale principalement selon la deuxième direction est dès lors contraint selon la première direction. Le remplissage est ainsi mieux contrôlé. 30 6 Selon une possibilité particulièrement avantageuse mais non limitative, le procédé comprend en outre, lors de la formation de la cavité après retrait du premier matériau, les étapes suivantes : - Former, sur au moins une paroi latérale bordant l'une au moins parmi 5 les première et deuxième zones de contact, une première couche latérale en un matériau à base du premier matériau mais différent du premier matériau, destinée à former une couche de multiplication de la photodiode, et, - De manière préférée mais optionnelle après formation de la première couche latérale, former, sur au moins une paroi latérale de la première couche 10 latérale, une deuxième couche latérale à base du premier matériau mais différent du premier matériau et du matériau de la première couche latérale, destinée à former une couche de charge de la photodiode. Selon cette possibilité, le procédé permet de former une photodiode Ge01 à avalanche présentant des zones de multiplication et de charge séparées. 15 Cette structure de photodiode est appelée SACM (acronyme de « Separate Absorption, Charge and Multiplication). Selon un mode de réalisation avantageux, la formation de la deuxième couche latérale se fait par une croissance épitaxiale latérale principalement selon la deuxième direction. Cela permet d'obtenir une zone de charge bien 20 définie et uniforme, contrairement aux zones de charge obtenues classiquement par implantation ionique. Une photodiode Ge01 à avalanche basée sur une telle structure SACM épitaxiée latéralement présente un fonctionnement optimisé. Cette structure permet en effet d'obtenir une interface entre les zones de 25 charge et de multiplication très bien définie. Dès lors, le champ électrique dans la photodiode peut varier très rapidement à cette interface. Cette variation est avantageusement plus rapide qu'une variation de champ électrique se produisant à une interface issue d'une zone de charge réalisée par implantation. 30 Par ailleurs, cette structure SACM épitaxiée latéralement permet d'obtenir une deuxième couche latérale à la fois fortement dopée et de faible largeur. Dès lors, le champ électrique peut être élevé dans la zone de multiplication. En 7 particulier, le champ électrique est plus élevé dans la zone de multiplication bordant une telle deuxième couche latérale, que dans une zone de multiplication bordant une zone de charge réalisée par implantation. 5 La photodiode réalisée par le procédé selon l'invention pourra avantageusement équiper un photodétecteur dans le domaine de la photonique sur silicium. Un aspect séparable de l'invention concerne une photodiode comprenant 10 une première zone de contact, une deuxième zone de contact et une zone d'absorption formées dans une première couche à base d'un premier matériau et juxtaposées de sorte à s'étendre parallèlement suivant une première direction, ladite zone d'absorption étant située entre les première et deuxième zones de contact selon une deuxième direction, la première couche étant au 15 contact d'une deuxième couche à base d'un deuxième matériau différant du premier matériau, selon une troisième direction perpendiculaire aux première et deuxième directions. Avantageusement, la zone d'absorption est formée directement au contact du deuxième matériau de la deuxième couche, préférentiellement sur toute une 20 épaisseur de la première couche, et comprend un troisième matériau différant des premier et deuxième matériaux. Une telle photodiode latérale permet d'optimiser le confinement optique dans la zone d'absorption de la photodiode. En particulier, le contraste d'indice entre les deuxième et troisième 25 matériaux peut être avantageusement plus grand que le contraste d'indice entre les premier et troisième matériaux. Selon une possibilité, le premier matériau est du silicium, le deuxième matériau est un matériau diélectrique tel qu'un oxyde de silicium, et le troisième matériau est du germanium. 30 La photodiode selon l'invention peut donc être avantageusement une photodiode latérale Ge01 dans laquelle la zone d'absorption en Ge est 8 directement au contact de l'oxyde de silicium de la deuxième couche sous-jacente. Selon un mode de réalisation avantageux, la photodiode comprend en outre une zone de multiplication et une zone de charge formées sur toute une 5 épaisseur de la première couche et intercalées entre la première zone de contact et la zone d'absorption. La photodiode selon l'invention peut donc être avantageusement une photodiode latérale Ge01 à avalanche. La photodiode selon l'invention peut être réalisée par le procédé selon le 10 premier aspect de l'invention. La photodiode selon l'invention pourra avantageusement équiper un photodétecteur dans le domaine de la photonique sur silicium. 15 BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : 20 - La FIGURE 1 est une vue en coupe d'une photodiode latérale à double hétérojonction selon l'art antérieur ; - La FIGURE 2a est un schéma en coupe d'une photodiode latérale à avalanche réalisée selon l'art antérieur ; - La FIGURE 2b est un schéma vu de dessus d'une photodiode latérale à 25 avalanche réalisée selon l'art antérieur ; - La FIGURE 3 est une simulation en coupe d'une photodiode latérale à avalanche réalisée selon l'art antérieur ; - Les FIGURES 4 à 19B illustrent des étapes de réalisation d'une photodiode selon un premier mode de réalisation de la présente 30 invention ; 9 - Les FIGURES 20 à 29 illustrent des étapes de réalisation d'une photodiode selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention ; - Les FIGURES 30 à 39 illustrent des étapes de réalisation d'une 5 photodiode selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. Les figures portant le même numéro indexées A et B illustrent une même étape de procédé respectivement en coupe transverse et en vue de dessus. 10 Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs et dimensions des différentes couches et portions des photodiodes 15 illustrées ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, il est rappelé que l'invention selon son premier aspect comprend 20 notamment les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement : - La formation de l'au moins une ouverture est configurée de sorte à ce que la zone exposée de la première couche soit située en dehors de la zone d'absorption, de préférence à une distance supérieure à 1 pm de 25 la zone d'absorption. - Les premier et troisième matériaux présentent chacun une structure cristallographique de type cubique, et la première direction correspond à une orientation cristallographique de type [100], la deuxième direction correspond à une orientation cristallographique de type [010], et la 30 troisième direction correspond à une orientation cristallographique de type [001]. 10 - Le procédé comprend en outre, lors de la formation de la cavité après retrait du premier matériau, l'étape suivante : - Former par une croissance épitaxiale latérale principalement selon la deuxième direction, sur au moins une paroi latérale bordant 5 l'une au moins parmi les première et deuxième zones de contact, une première couche latérale en un matériau à base du premier matériau mais différent du premier matériau, destinée à former une couche de multiplication de la photodiode. - La formation de la première couche latérale se fait par une croissance 10 épitaxiale latérale principalement selon la deuxième direction. - Le procédé comprend en outre, après la formation de la première couche latérale, l'étape suivante : - Former, sur au moins une paroi latérale de l'au moins une première couche latérale, au moins une deuxième couche latérale 15 à base du premier matériau mais différent du premier matériau et du matériau de la première couche latérale, destinée à former une couche de charge de la photodiode. - La formation de la deuxième couche latérale se fait par une croissance épitaxiale latérale principalement selon la deuxième direction. 20 - Le premier substrat comprend une troisième couche, de sorte que la deuxième couche soit intercalée entre les première et troisième couches selon la troisième direction, le procédé comprenant en outre une séquence d'étapes de retournement de la photodiode sur un deuxième substrat, ladite séquence comprenant les étapes suivantes : 25 - Fournir un deuxième substrat, - Coller par adhésion moléculaire le deuxième substrat au premier substrat selon la troisième direction, la première couche du premier substrat étant tournée en regard du deuxième substrat, - Retirer la troisième couche du premier substrat. 30 - Le procédé comprend en outre une formation au niveau de la couche supérieure d'un guide d'onde en couplage direct avec la zone d'absorption. 11 - L'au moins une ouverture présente un contour fermé et est distante de la première zone de contact d'une distance d selon la deuxième direction telle que 0.6 pm REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une photodiode comprenant une première zone de contact (1), une deuxième zone de contact (2) et une zone d'absorption (A) juxtaposées de sorte à s'étendre parallèlement suivant une première direction (x), ladite zone d'absorption (A) étant située entre les première et deuxième zones de contact (1, 2) selon une deuxième direction (y), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - Fournir un premier substrat (101) comprenant un empilement selon une troisième direction (z) d'une première couche (11) à base d'un premier matériau sur une deuxième couche (12) à base d'un deuxième matériau différant du premier matériau, - Former au niveau de la première couche (11) la première zone de contact (1), - Former au niveau de la première couche (11) la deuxième zone de contact (2), - Former au niveau de la première couche (11) la zone d'absorption (A), ledit procédé étant caractérisé en ce que la formation de la zone d'absorption (A) comprend au moins les étapes successives suivantes : - Encapsuler la première couche (11), au moins dans une zone correspondant à la zone d'absorption (A), par une couche d'encapsulation (40), - Former au moins une ouverture (41) au travers de la couche d'encapsulation (40) de sorte à exposer une zone de la première couche (11), - Former une cavité (42) au moins au niveau de la zone d'absorption (A), ladite formation comprenant un retrait du premier matériau sur toute l'épaisseur de la première couche (11) au travers de l'au moins une ouverture (41), la cavité (42) comprenant une face inférieure (424) à base du deuxième matériau de la deuxième couche (12), une face supérieure (423) formée par une partie de la couche d'encapsulation (40) et une 33 pluralité de parois latérales (421, 422) s'étendant selon la troisième direction (z), ladite pluralité comprenant au moins une paroi latérale (421) à base du premier matériau s'étendant selon la première direction (x) en bordure de l'une parmi les première et 5 deuxième zones de contact (1, 2), - Remplir au travers de l'au moins une ouverture (41) la cavité (42) avec un troisième matériau (3) de remplissage par une croissance épitaxiale latérale dudit matériau (3) au moins à partir de l'au moins une paroi latérale (421) de la cavité (42), la croissance 10 étant principalement dirigée selon la deuxième direction (y). 2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la pluralité de parois latérales (421, 422) de la cavité (42) forme un contour fermé. 15 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de l'au moins une ouverture (41) est configurée de sorte à ce que la zone exposée de la première couche (11) soit située en dehors de la zone d'absorption (A), de préférence à une distance supérieure à 1 pm de la zone d'absorption (A). 20 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les premier et troisième matériaux présentent chacun une structure cristallographique de type cubique, et dans lequel la première direction (x) correspond à une orientation cristallographique de type [100], la deuxième 25 direction (y) correspond à une orientation cristallographique de type [010], et la troisième direction (z) correspond à une orientation cristallographique de type [001]. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes 30 comprenant en outre, lors de la formation de la cavité après retrait du premier matériau (S), l'étape suivante : 34 - Former, sur au moins une paroi latérale (121, 122) bordant l'une au moins parmi les première et deuxième zones de contact (1, 2), une première couche latérale (14) en un matériau à base du premier matériau mais différent du premier matériau, destinée à former une 5 couche de multiplication (M) de la photodiode. 6. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la première couche latérale (14) se fait par une croissance épitaxiale latérale principalement selon la deuxième direction (y). 10 7. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes comprenant en outre, après la formation de la première couche latérale (14), l'étape suivante : - Former, sur au moins une paroi latérale (141, 142) de la première 15 couche latérale (14), une deuxième couche latérale (24) à base du premier matériau mais différent du premier matériau et du matériau de la première couche latérale (14), destinée à former une couche de charge (C) de la photodiode. 20 8. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la deuxième couche latérale (24) se fait par une croissance épitaxiale latérale principalement selon la deuxième direction (y). 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes 25 dans lequel le premier substrat (101) comprend une troisième couche (13), de sorte que la deuxième couche (12) soit intercalée entre les première et troisième couches (11, 13) selon la troisième direction (z), le procédé comprenant en outre une séquence d'étapes de retournement de la photodiode sur un deuxième substrat (102), ladite séquence comprenant les étapes 30 suivantes : - Fournir un deuxième substrat (102), - Coller par adhésion moléculaire le deuxième substrat (102) au premier substrat (101) selon la troisième direction (z), la première couche (11) du premier substrat (101) étant tournée en regard du deuxième substrat (102), 5 - Retirer la troisième couche (13) du premier substrat (101). 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une formation au niveau de la couche supérieure (11) d'un guide d'onde (30) en couplage direct avec la zone d'absorption (A). 10 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'au moins une ouverture (41) présente un contour fermé et est distante de la première zone de contact (1) d'une distance d selon la deuxième direction (y) telle que 0.6 pm 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la croissance épitaxiale latérale du matériau (3) de remplissage se fait à une première température Ti pendant un premier temps t1 tels que 20 400°C 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes 25 dans lequel le retrait du premier matériau lors de la formation de la cavité (42) se fait par gravure, ladite gravure étant configurée pour produire une vitesse de gravure au moins 25 % plus grande dans des directions cristallographiques [110] et [1-10] que dans des directions cristallographiques [010] et [100] du premier matériau (S) de la première couche (11), et de préférence au moins 30 35 % plus grande. 36 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier matériau est du silicium, le deuxième matériau est un matériau diélectrique tel qu'un oxyde de silicium, et le troisième matériau (3) est du germanium. 5 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une formation d'une cavité supplémentaire (42b) juxtaposée à la cavité (42) et s'étendant parallèlement à celle-ci selon la première direction (x), ladite formation comprenant les étapes suivantes : 10 - Encapsuler la première couche (11), au moins dans une zone juxtaposant la cavité (42), par une couche d'encapsulation (40, 40b), - Former au moins une ouverture supplémentaire (41b) au travers de la couche d'encapsulation (40, 40b) de sorte à exposer une zone de la première couche (11) au niveau de la zone juxtaposant la cavité (42), 15 - Retirer le premier matériau sur toute l'épaisseur de la première couche (11) au travers de l'au moins une ouverture supplémentaire (41b), ladite cavité supplémentaire (42b) comprenant une face inférieure (424b) à base du deuxième matériau de la deuxième couche (12), une face supérieure (423b) formée par une partie de la couche d'encapsulation (40, 40b) et une 20 pluralité de parois latérales (421b, 422b) s'étendant selon la troisième direction (z), ladite pluralité comprenant au moins une paroi latérale (421b) à base du premier matériau s'étendant selon la première direction (x) en bordure de la cavité (42). 25 16. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la cavité supplémentaire (42b) est formée après remplissage de la cavité (42). 17. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la formation de la cavité supplémentaire (42b) est 30 configurée de sorte à ce que ladite cavité supplémentaire (42b) soit séparée de la cavité (42) selon la deuxième direction (y) par une couche à base du premier 37 matériau présentant une dimension selon ladite deuxième direction (y) inférieure ou égale à 50 nm. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 à 17 5 comprenant en outre, après formation de la cavité supplémentaire (42b), un remplissage de ladite cavité supplémentaire (42b) au travers de l'au moins une ouverture supplémentaire (41b) avec le troisième matériau (3) de remplissage par une croissance épitaxiale latérale dudit matériau (3) au moins à partir de l'au moins une paroi latérale (421b) de la cavité supplémentaire (42b), la 10 croissance étant principalement dirigée selon la deuxième direction (y). 19. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de l'une parmi les première et deuxième zones de contact (1, 2) se fait par implantation ionique en partie au moins au niveau de la cavité supplémentaire 15 (42b) après remplissage de celle-ci. 20. Photodiode comprenant une première zone de contact (1), une deuxième zone de contact (2) et une zone d'absorption (A) formées dans une première couche (11) à base d'un premier matériau et juxtaposées de sorte à 20 s'étendre parallèlement suivant une première direction (x), ladite zone d'absorption (A) étant située entre les première et deuxième zones de contact (1, 2) selon une deuxième direction (y), la première couche (11) étant au contact d'une deuxième couche (12) à base d'un deuxième matériau différant du premier matériau, selon une troisième direction (z) perpendiculaire aux 25 première et deuxième directions (x, y), la photodiode étant caractérisée en ce que la zone d'absorption (A) est formée sur toute une épaisseur de la première couche (11) et comprend un troisième matériau (3) différant des premier et deuxième matériaux et directement au contact du deuxième matériau de la deuxième couche (12). 30 21. Photodiode selon la revendication précédente comprenant en outre une zone de multiplication (M) formée sur toute l'épaisseur de la première 38 couche (11) et intercalée entre la première zone de contact (1) et la zone d'absorption (A). 22. Photodiode selon la revendication précédente comprenant en outre 5 une zone de charge (C) formée sur toute l'épaisseur de la première couche (11) et intercalée entre la zone de multiplication (M) et la zone d'absorption (A). 23. Photodiode selon les deux revendications précédentes en combinaison, dans laquelle la zone de multiplication (M) est configurée pour 10 former une base de croissance latérale de la zone de charge (C). 24. Photodiode selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes dans laquelle le contraste d'indice entre les deuxième et troisième matériaux est supérieur au contraste d'indice entre les premier et troisième 15 matériaux.