FR 3082025 A1 20191206 FR 1870644 A 20180604 Description Titre de l'invention : Dispositif combinant capteur d'images et écran d'affichage organiques aptes à la détection d'empreintes digitales I00011 Domaine [0002] La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques et, plus particulièrement, les dispositifs comprenant un écran d'affichage et un capteur d'image. [0003] Exposé de l'art antérieur [0004] De nombreux ordinateurs, tablettes tactiles, téléphones portables, montre connectées, sont équipés d'un écran d'affichage tactile ou non et d'une caméra. Nombreux sont également les dispositifs de ce type également équipés d'un capteur d'empreinte digitale. Ce capteur d'empreinte est généralement disposé hors de la surface occupée par l'écran d'affichage. [0005] Plus récemment, on a vu apparaître des capteurs d'image imprimés, susceptibles d'être utilisés en périphérie, voire sous un écran d'affichage. Cette technologie de capteurs d'image est décrite, par exemple dans les documents FR-A-2996933, WOA-2015-0293661 (B 12003 ). [0006] L'apparition de cette technologie a ouvert la porte à l'intégration, dans un dispositif électronique, d'un capteur d'empreinte, réalisé sous la forme d'un capteur d'image, sous un écran d'affichage. [0007] Il serait souhaitable d'améliorer la réalisation d'un tel dispositif intégrant capteur d'images et écran d'affichage. [0008] Résumé [0009] Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des dispositifs électroniques connus comprenant un écran d'affichage et un capteur d'images. [0010] Un autre objet d'un mode de réalisation est que le capteur d'images est, au moins en partie, réalisé avec des matériaux semiconducteurs organiques. [0011] Un autre objet d'un mode de réalisation est de prévoir un dispositif optoélectronique comprenant un écran d'affichage et un capteur d'images plus facile à réaliser que les systèmes d'affichage connus. [0012] Un autre objet est de réduire l'épaisseur du dispositif optoélectronique. [0013] Un autre objet d'un mode de réalisation est de réaliser une surface tactile comprenant un écran d'affichage et un capteur d'images. [0014] Un autre objet d'un mode de réalisation est que tout ou partie du dispositif optoélec- tronique puisse être réalisé par des dépôts successifs de couches par des techniques 2 d'impression, par exemple par jet d'encre, par héliographie, par sérigraphie, par flexographie ou par enduction. [0015] Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant un écran d'affichage et un capteur d'images, l'écran d'affichage comprenant une matrice de composants électroluminescents organiques reliés à des premières transistors, le capteur d'images comprenant une matrice de photodétecteurs organiques reliés à des deuxièmes transistors, la résolution du dispositif optoélectronique pour les composants électroluminescents étant supérieure à 300 ppi et la résolution du dispositif optoélectronique pour les photodétecteurs étant supérieure à 300 ppi, l'épaisseur totale du dispositif optoélectronique étant inférieure à 2 mm. [0016] Selon un mode de réalisation, les premiers et deuxièmes transistors comprennent des régions semicondutrices en contact avec une première couche isolante électriquement. [0017] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une deuxième couche isolante électriquement, toutes les premières électrodes étant au contact de la deuxième couche isolante électriquement. [0018] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une deuxième électrode connectée à tous les composants électroluminescents et/ou à tous les photodétecteurs. [0019] Selon un mode de réalisation, la deuxième électrode est au contact de tous les composants électroluminescents et de tous les photodétecteurs. [0020] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un substrat et un empilement de couches recouvrant le substrat et contenant les composants électroluminescents et les photodétecteurs, et les photodétecteurs sont situés entre les composants électroluminescents et le substrat ou les composants électroluminescents sont situés entre les photodétecteurs et le substrat. [0021] Selon un mode de réalisation, les photodétecteurs comprennent au moins une couche conductrice électriquement ou semiconductrice commune à tous les photodétecteurs et comprenant des ouvertures, les composants électroluminescents étant reliés aux premiers transistors par des éléments conducteurs électriquement s'étendant par les ouvertures. [0022] Selon un mode de réalisation, la deuxième électrode est connectée à tous les composants électroluminescents et comprend des ouvertures, les photodétecteurs étant reliés aux deuxièmes transistors par des éléments conducteurs électriquement s'étendant par les ouvertures. [0023] Selon un mode de réalisation, au moins l'un des photodétecteurs recouvre plus d'un composant électroluminescent. [0024] Selon un mode de réalisation, chaque photodétecteur recouvre un seul composant électroluminescent. [0025] Selon un mode de réalisation, la couche conductrice électriquement ou semicon- 3 ductrice est connectée à la deuxième électrode. [0026] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre des premiers filtres colorés recouvrant les photodétecteurs. [0027] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre des deuxièmes filtres colorés recouvrant les composants électroluminescents. [0028] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend, en outre, une couche opaque au rayonnement capté par les photodétecteurs s'étendant entre les premiers et deuxièmes filtres. [0029] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un filtre angulaire, re- couvrant chaque photodétecteur, et adapté à bloquer les rayons dudit rayonnement dont l'incidence par rapport à une direction orthogonale à une face du dispositif optoélectronique est supérieure à un seuil et à laisser passer des rayons dudit rayonnement dont l'incidence par rapport à une direction orthogonale à la face est inférieure au seuil. [0030] Selon un mode de réalisation, chaque composant électroluminescent comprend une première région active qui est la région de laquelle est émis la majorité du rayonnement émis par le composant électroluminescent et chaque photodétecteur comprend une deuxième région active qui est la région de laquelle est capté la majorité du rayonnement capté par le photodétecteur. [0031] Selon un mode de réalisation, les premiers et deuxièmes transistors sont des transistors à effet de champ comprenant des grilles, le dispositif optoélectronique comprenant en outre des premières pistes conductrices connectées aux grilles des premiers transistors et des deuxièmes pistes conductrices connectées aux grilles des deuxièmes transistors et au moins l'une des premières pistes conductrices est également connectée à la grille de l'un des deuxièmes transistors. [0032] Selon un mode de réalisation, les composants électroluminescents comprennent au moins des premiers composants électroluminescents adaptés à émettre un premier rayonnement et des deuxièmes composants électroluminescents adaptés à émettre un deuxième rayonnement et les premières pistes conductrices connectées aux grilles des premiers transistors reliés aux premiers composants électroluminescents sont également connectées aux grilles des deuxièmes transistors reliés aux photodétecteurs adjacents aux premiers composants électroluminescents. [0033] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un filtre infrarouge re- couvrant les photodétecteurs. [0034] Un mode de réalisation prévoit également l'utilisation du dispositif optoélectronique tel que défini précédemment pour la détection d'au moins une empreinte digitale d'un utilisateur. [0035] Bref exposé des dessins [0036] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la 4 description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : [0037] [fig.1] la figure 1 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur d'images et un écran d' affichage ; [0038] [fig.21 la figure 2 est une autre vue en coupe, partielle et schématique, du mode de réa- lisation de la figure 1; [0039] [fig.31 la figure 3 est une vue en coupe, partielle et schématique, analogue à la figure 2 illustrant un autre agencement de l'écran d'affichage et du capteur d'images ; [0040] [fig.41 la figure 4 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réa- lisation d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur d'images et un écran d' affichage ; [0041] [fig.51 la figure 5 est une vue de dessus, partielle et schématique, du dispositif optoélec- tronique représenté en figure 4 ; [0042] [fig.61 la figure 6 est une autre vue de dessus, partielle et schématique, du dispositif opto- électronique représenté en figure 4. [0043] [fig.71 la figure 7 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réa- lisation d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur d'images et un écran d' affichage ; [0044] [fig.81 la figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réa- lisation d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur d'images et un écran d' affichage ; [0045] [fig.91 la figure 9 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réa- lisation d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur d'images et un écran d' affichage ; [0046] [fig.10] la figure 10 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réa- lisation d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur d'images et un écran d' affichage ; [0047] [fig.11] la figure 11 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur d'images et un écran d' affichage ; [0048] [fig.12] la figure 12 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un filtre angulaire du dispositif optoélectronique représenté en figure 11; [0049] [fig.13] la figure 13 est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un filtre angulaire du dispositif optoélectronique représenté en figure 11; et [0050] [fig.14] la figure 14 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant un capteur d'images et un écran d'affichage. [0051] Exposé détaillé [0052] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. Par souci de clarté, seules les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation qui vont être décrits ont été représentés et seront détaillés. En particulier, le fonctionnement de l'écran d'affichage et du capteur d'images n'a pas été détaillé, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les écrans et capteurs usuels. De plus, les autres constituants du dispositif électronique intégrant un écran d'affichage et un capteur d'image n'ont pas non plus été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les autres constituants usuels des dispositifs électroniques à écran d'affichage. [0053] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans élément intermédiaire autre que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être directement reliés (connectés) ou reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments. [0054] Dans la description qui suit, lorsqu'on fait référence aux termes "de l'ordre de" et "sensiblement", cela signifie à 10 % près, de préférence à 5 % près. [0055] Par ailleurs, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "haut", "bas", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., il est fait référence, sauf précision contraire, à l'orientation des figures. [0056] Un pixel d'une image correspond à l'élément unitaire de l'image affichée par l'écran d'affichage. Lorsque l'écran d'affichage est un écran d'affichage d'images couleur, il comprend en général pour l'affichage de chaque pixel de l'image au moins trois 6 composants d'émission et/ou de régulation de l'intensité lumineuse, également appelés sous-pixels d'affichage, qui émettent chacun un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu). La superposition des rayonnements émis par ces trois sous-pixels d'affichage fournit à l'observateur la sensation colorée correspondant au pixel de l'image affichée. On appelle dans ce cas pixel d'affichage de l'écran d'affichage l'ensemble formé par les trois sous-pixels d'affichage utilisés pour l'affichage d'un pixel d'une image. Lorsque l'écran d'affichage est un écran d'affichage d'images monochromes, il comprend en général une seule source lumineuse pour l'affichage de chaque pixel de l'image. [0057] On appelle région active d'un composant optoélectronique, notamment un composant électroluminescent d'un sous-pixel d'affichage ou un photodétecteur, la région depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par le composant optoélectronique ou la région depuis laquelle est captée la majorité du rayonnement électromagnétique reçu par le composant optoélectronique. Dans la suite de la description, un composant optoélectronique est dit organique lorsque la région active du composant optoélectronique est en majorité, de préférence en totalité, en au moins un matériau organique ou un mélange de matériaux organiques. [0058] Un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant un écran d'affichage et un capteur d'images. L'écran d'affichage comprend une matrice de sous-pixels d'affichage comprenant chacun un composant électroluminescent organique et le capteur d'images comprend une matrice de photodétecteurs organiques. Selon un mode de réalisation, les régions actives des composants électroluminescents des sous-pixels d'affichage sont formées sensiblement dans le même plan que les régions actives des photodétecteurs. Selon un mode de réalisation, les composants électroluminescents et les photodétecteurs ont une électrode commune. [0059] Les figures 1 et 2 sont respectivement une vue latérale en coupe et une vue de dessus en coupe, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 5 comprenant un capteur d'images et un écran d'affichage. La figure 2 est une vue en coupe de la figure 1 selon la ligne II-II. [0060] Le dispositif 5 comprend du bas vers le haut en figure 1: un substrat 10; un empilement 12 dans lequel sont formés des transistors en couches minces Ti et T2; des électrodes 14, 15, chaque électrode 14 étant reliée à l'un des transistors Ti et chaque électrode 15 étant reliée à l'un des transistors T2 ; des composants électroluminescent 16, par exemple des diodes électroluminescentes organiques 16, également appelées OLED (sigle anglais pour Organic Light-Emitting Diode), chaque composant électroluminescent 16 étant au contact de l'une des 7 électrodes 14 et des photodétecteurs 18, par exemple des photodiodes organiques 18, également appelées OPD (sigle anglais pour Organic Photodiode), chaque photo-détecteur 18 étant au contact de l'une des électrodes 15, les diodes électroluminescentes organiques 16 et les photodiodes organiques 18 étant séparées latéralement par une couche isolante électriquement 20 ; une électrode 22 au contact de toutes les diodes électroluminescentes organiques 16 et de toutes les photodiodes organiques 18 ; et un revêtement 24. [0061] De préférence, la résolution du dispositif optoélectronique pour les composants élec- troluminescents 16 est supérieure à 300 ppi et la résolution du dispositif optoélectronique pour les photodétecteurs 18 est supérieure à 300 ppi. De préférence, l'épaisseur totale du dispositif optoélectronique est inférieure à 2 mm. [0062] Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente organique 16 comprend une région active 30, les électrodes 14 et 22 étant au contact de la région active 30. [0063] Selon un mode de réalisation, chaque photodiode organique 18 comprend du bas vers le haut en figure 1: une première couche d'interface 40 au contact de l'une des électrodes 15 ; une région active 42 au contact de la première couche d'interface 40 ; et une deuxième couche d'interface 44 au contact de la région active 42, l'électrode 22 étant au contact de la deuxième couche d'interface 44. [0064] Selon le mode de réalisation, l'empilement 12 comprend : des pistes conductrices électriquement 50 reposant sur le substrat 10 et formant les conducteurs de grille des transistors T1 et T2 ; une couche 52 d'un matériau diélectrique recouvrant les conducteurs de grille 50 et le substrat 10 entre les conducteurs de grille 50 et formant les isolants de grille des transistors Ti et T2 ; des régions actives 54 reposant sur la couche diélectrique 52 en vis-à-vis des conducteurs de grille 50; des pistes conductrices électriquement 56 au contact des régions actives 54 et formant les contacts de drain et de source des transistors T1 et T2 ; et une couche 58 d'un matériau diélectrique recouvrant les régions actives 54 et les pistes conductrices électriquement 56, les électrodes 14 reposant sur la couche 58 et étant connectées à certaines des pistes conductrices 56 par des vias conducteurs 60 traversant la couche isolante 58 et les électrodes 15 reposant sur la couche 58 et étant connectées à certaines des pistes conductrices 56 par des vias conducteurs 62 traversant la couche isolante 58. [0065] A titre de variante, les transistors Ti et T2 peuvent être du type à grille haute. 8 [0066] La couche d'interface 40 ou 44 peut correspondre à une couche injectrice d'électrons ou à une couche injectrice de trous. Le travail de sortie de la couche d'interface 40 ou 44 est adapté à bloquer, collecter ou injecter des trous et/ou des électrons suivant que cette couche d'interface joue le rôle d'une cathode ou d'une anode. Plus précisément, lorsque la couche d'interface 40 ou 44 joue le rôle d'anode, elle correspond à une couche injectrice de trous et bloqueuse d'électrons. Le travail de sortie de la couche d'interface 40 ou 44 est alors supérieur ou égal à 4,5 eV, de préférence supérieur ou égal à 5 eV. Lorsque la couche d'interface 40 ou 44 joue le rôle de cathode, elle correspond à une couche injectrice d'électrons et bloqueuse de trous. Le travail de sortie de la couche d'interface 40 ou 44 est alors inférieur ou égal à 4,5 eV, de préférence inférieur ou égal à 4,2 eV. [0067] Selon un mode de réalisation, l'électrode 14 ou 22 joue de façon avantageuse di- rectement le rôle de couche injectrice d'électrons ou de couche injectrice de trous pour la diode électroluminescente 16 et il n'est pas nécessaire de prévoir, pour la diode électroluminescente 16, de couche d'interface prenant en sandwich la région active 30 et jouant le rôle d'une couche injectrice d'électrons ou d'une couche injectrice de trous. Selon un autre mode de réalisation, des couches d'interface jouant le rôle de couche injectrice d'électrons ou de couche injectrice de trous peuvent être prévues entre la région active 30 et les électrodes 14, 15, 22. [0068] Le substrat 10 peut être un substrat rigide ou un substrat flexible. Le substrat 10 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement d'au moins deux couches. Un exemple de substrat rigide comprend un substrat en silicium, en germanium ou en verre. De préférence, le substrat 10 est un film flexible. Un exemple de substrat flexible comprend un film en PEN (polyéthylène naphtalate), PET (polyéthylène téréphtalate), PI (polyimide), TAC (triacétate de cellulose), COP (copolymère cyclo-oléfine) ou PEEK (polyétheréthercétone). L'épaisseur du substrat 10 peut être comprise entre 5 pm et 1000 pm. Selon un mode de réalisation, le substrat 10 peut avoir une épaisseur de 10 pm à 300 pm, de préférence entre 75 pm et 250 pm, notamment de l'ordre de 125 pm, et présenter un comportement flexible, c'est-à-dire que le substrat 10 peut, sous l'action d'une force extérieure, se déformer, notamment se plier, sans se casser ou se déchirer. Le substrat 10 peut comprendre au moins une couche sensiblement étanche à l'oxygène et à l'humidité afin de protéger les couches organiques du dispositif 5. Il peut s'agir d'une couche ou de couches déposées par un procédé de dépôt de couches minces (ALD, sigle anglais pour Atomic Layer De-position), par exemple une couche en A1203. [0069] Selon un mode de réalisation, le matériau composant les électrodes 14, 15 et l'électrode 22 est choisi parmi le groupe comprenant : un oxyde conducteur transparent (TCO), notamment de l'ITO, un oxyde de zinc et 9 d'aluminium (AZO, acronyme anglais pour Aluminium Zinc Oxide), un oxyde de gallium et de zinc (GZO, acronyme anglais pour Gallium Zinc Oxide), un alliage ITO/ Ag/ITO, un alliage ITO/Mo/ITO, un alliage AZO/Ag/AZO ou un alliage ZnO/ Ag/ZnO ; un métal ou un alliage métallique, par exemple de l'argent (Ag), de l'or (Au), du plomb (Pb), du palladium (Pd), du cuivre (Cu), du nickel (Ni), du tungstène (W), du molybdène (Mo), de l'aluminium (Al), du chrome (Cr) ou un alliage de magnésium et d'argent (MgAg) ; des nanofils de carbone, d'argent et de cuivre ; du graphène ; et un mélange d'au moins deux de ces matériaux. [0070] De préférence, l'électrode 22 est en MgAg, l'électrode 14 est en Al et l'électrode 15 est en ITO ou en ITO/Mo/ITO. [0071] Lorsque le rayonnement émis par l'écran d'affichage s'échappe du dispositif optoélec- tronique 5 par le revêtement 24, l'électrode 22 et le revêtement 24 sont au moins en partie transparents au rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes organiques 16 et au rayonnement électromagnétique capté par les photodiodes organiques 18. L'électrode 22 est par exemple en MgAg. L'électrode 22 est alors de préférence semi-transparente, par exemple à environ 50 %, pour assurer le rôle de cavité optique afin de maximiser l'émission de lumière. Les électrodes 14, 15 et le substrat 10 peuvent alors être opaques au rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes organiques 16 et au rayonnement électromagnétique capté par les photodiodes organiques 18. Lorsque le rayonnement émis par l'écran d'affichage s'échappe du dispositif optoélectronique 5 par le substrat 10, les électrodes 14, 15 et le substrat 10 sont des matériaux au moins en partie transparents au rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes organiques 16 et au rayonnement électromagnétique capté par les photodiodes organiques 18. Les électrodes 14, 15 sont par exemple en TCO. L'électrode 22 peut alors être opaque au rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes organiques 16 et au rayonnement électromagnétique capté par les photodiodes organiques 18. [0072] La couche isolante 20 peut avoir une structure monocouche ou multicouche et comprendre au moins une couche en nitrure de silicium (SiN), en oxyde de silicium (Si02) ou en un polymère, notamment une résine. La couche isolante 20 peut correspond à un empilement de couches inorganiques, notamment en SiN ou Si02 et d'au moins une couche en un polymère. [0073] Le revêtement 24 est transparent ou partiellement transparent à la lumière visible. Le revêtement 24 est de préférence sensiblement étanche à l'air et à l'eau. Le matériau composant le revêtement 24 est choisi dans le groupe comprenant un polyépoxyde ou un polyacrylate. Parmi les polyépoxydes, le matériau composant le revêtement 24 peut être choisi parmi le groupe comprenant les résines époxy au bisphénol A, notamment le diglycidyléther du bisphénol A (DGEBA) et les diglycidyléther du bisphénol A et du tétrabromobisphénol A, les résines époxy au bisphénol F, les résines époxy novolaques, notamment les résines époxy-phénol-novolaques (EPN) et les résines époxycrésol-novolaques (ECN), les résines époxy aliphatiques, notamment les résines époxy à groupes glycidiles et les époxydes cycloaliphatiques, les résines époxy glycidylamine, notamment les éthers de glycidyle de la méthylène dianiline (TGMDA), et un mélange d'au moins deux de ces composés. Parmi les polyacrylates, le matériau composant le revêtement 24 peut être réalisé à partir de monomères comprenant l'acide acrylique, le méthylméthacrylate, l'acrylonitrile, les méthacrylates, l'acrylate de méthyle, l'acrylate d'éthyl, le 2-chloroéthyl vinyl éther, l'acrylate de 2-éthylhexyle, le méthacrylate d'hydroxyéthyl, l'acrylate de butyle, le méthacrylate de butyle, le triacrylate de triméthylolpropane (TMPTA) et des dérivés de ces produits. Le revêtement 24 peut comprendre au moins une couche de SiN, par exemple déposée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, sigle anglais pour PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition) et/ou une couche d'oxyde d'aluminium (A1203), par exemple déposée par ALD. Le revêtement 24 peut comprendre une structure multicouche comprenant une couche organique entre deux couches de SiN, la couche organique jouant le rôle de couche d'absorption d'humidité. [0074] Lorsque le revêtement 24 comprend au moins un polyépoxyde ou un polyacrylate, l'épaisseur du revêtement 24 est comprise entre 1 pm et 50 pm, de préférence entre 5 pm et 40 pm, notamment de l'ordre de 15 pm. Lorsque le revêtement 24 comprend une couche de SiN, l'épaisseur du revêtement 24 est comprise entre 100 nm et 300 nm. Lorsque le revêtement 24 comprend une couche de A1203, l'épaisseur du revêtement 24 est comprise entre 1 nm et 50 nm. [0075] La région active 30 de la diode électroluminescente 16 est par exemple en un matériau électroluminescent. Le matériau électroluminescent peut être un matériau électroluminescent polymérique, tel que décrit dans la publication intitulée "Progress with Light-Emitting Polymers" de M.T. Bernius, M. Inbasekaran, J. O'Brien and W. Wu (Advanced Materials, 2000, Volume 12, Issue 23, pages 1737-1750) ou un matériau électroluminescent de faible poids moléculaire tel que l'aluminium trisquinoline, comme cela est décrit dans le brevet US 5 294 869. Le matériau électroluminescent peut comprendre un mélange d'un matériau électroluminescent et d'un colorant fluorescent ou peut comprendre une structure en couches d'un matériau électroluminescent et d'un colorant fluorescent. Les polymères émetteurs de lumière comprennent le polyfluorène, le polybenzothlazole, la polytriarylamine, le poly (phénylènevinylène) et le polythophène. Les polymères émetteurs de lumière préférés 11 comprennent les homopolymères et les copolymères de 9,9-di-n-octylfluorène (F8), de N, N-bis (phényl) -4-sec-butylphénylamine (TFB), de benzothiadiazole (BT) et de 4,4'-N,N'-dicarbazole-biphényl (CBP) dopé avec du tris(2-phénylpyridine) d'iridium (Ir(ppy)3). L'épaisseur de la région active 30 est comprise entre 1 nm et 100 nm. [0076] Dans le cas où la couche d'interface 40 ou 44 joue le rôle d'une couche injectrice d'électrons, le matériau composant la couche d'interface 40 ou 44 est choisi parmi le groupe comprenant : un oxyde métallique, notamment un oxyde de titane ou un oxyde de zinc ; un système hôte/dopant moléculaire, notamment les produits commercialisés par la société NovaledTM sous les appellations NET-5/NDN-1 ou NET-8/MDN-26 ; un polymère conducteur ou semiconducteur dopé, par exemple le polymère PEDOT:Tosylate qui est un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de tosylate ; un carbonate, par exemple du CsCO3 ; un polyélectrolyte, par exemple du poly[9,9-bis(3'-(N,N-diméthylamino)propy1)-2,7-fluorène-alt-2,7-(9, 9-dioctyfluorène)] (PFN), du poly[3- (6- triméthylammoniumhexyl) thiophène] (P3TMAHT) ou du poly[9,9-bis(2-éthylhexyl) fluorènel-b-poly[3-(6- triméthylammoniumhexyl] thiophène (PF2/6-b-P3TMAHT) ; un polymère de polyéthylèneimine (PET) ou un polymère de polymère de polyéthylèneimine éthoxylée (PEIE), propoxylée et/ou butoxylée ; le MgAg ; le tris(8-hydroxyquinoléine)aluminium(III) (A1q3) ; le 2-(4-Biphényly1)-5-(4-tert-butylphény1)-1,3,4-oxadiazole (Bu-PBD) ; et un mélange de deux ou de plus de deux de ces matériaux. [0077] De préférence, la couche d'interface inférieure 40 joue le rôle d'une couche injectrice d'électrons et est en polymère de polyéthylèneimine éthoxylée. [0078] Dans le cas où la couche d'interface 40 ou 44 joue le rôle d'une couche injectrice de trous, le matériau composant la couche d'interface 40 ou 44 peut être choisi parmi le groupe comprenant : un polymère conducteur ou semiconducteur dopé, notamment les matériaux commercialisés sous les appellations Plexcore OC RG-1100, Plexcore OC RG-1200 par la société Sigma-AldrichTM, le polymère PEDOT:PSS, qui est un mélange de poly(3,4)-éthylènedioxythiophène et de polystyrène sulfonate de sodium, ou une polyaniline ; un système hôte/dopant moléculaire, notamment les produits commercialisés par la société NovaledTM sous les appellations NHT-5/NDP-2 ou NHT-18/NDP-9 ; un polyélectrolyte, par exemple le Nafion ; 12 un oxyde métallique, par exemple un oxyde de molybdène, un oxyde de vanadium, de l'ITO, ou un oxyde de nickel ; le Bis [(1-naphthyl)-N-phényllbenzidine (NPB) ; les triarylamines (TPD) ; et un mélange de deux ou de plus de deux de ces matériaux. [0079] De préférence, dans le cas où la couche d'interface 40 ou 44 joue le rôle d'une couche injectrice de trous, le matériau composant la couche d'interface 40 ou 44 est un polymère conducteur ou semiconducteur dopé. [0080] De préférence, la couche d'interface supérieure 44 joue le rôle de couche injectrice de trous et est en PEDOT:PSS. Un avantage du PEDOT:PSS est qu'il peut être facilement déposé par des techniques d'impression, par exemple par jet d'encre, par héliographie, par sérigraphie ou par enduction. [0081] L'épaisseur de la couche d'interface inférieure 40 est comprise entre une monocouche et 10 pm, de préférence entre une monocouche et 60 nm, notamment de l'ordre de 10 nm. L'épaisseur de la couche d'interface supérieure 44 recouvrant la région active 42 est comprise entre 10 nm et 20 pm, de préférence entre 50 nm et 500 nm, notamment de l'ordre de 100 nm. [0082] La région active 42 comprend au moins un matériau organique et peut comprendre un empilement ou un mélange de plusieurs matériaux organiques. La région active 42 peut comprendre un mélange d'un polymère donneur d'électrons et d'une molécule accepteuse d'électrons. La zone fonctionnelle de la région active 42 est délimitée par le recouvrement entre la couche d'interface inférieure 40 et la couche d'interface supérieure 44. Les courants traversant la zone fonctionnelle de la région active 42 peuvent varier de quelques femtoampères à quelques microampères. L'épaisseur de la région active 42 recouvrant la couche d'interface inférieure 40 peut être comprise entre 50 nm et 5 pm, de préférence entre 300 nm et 2 pm, par exemple de l'ordre de 500 nm. [0083] La région active 42 peut comprendre des petites molécules, des oligomères ou des polymères. Il peut s'agir de matériaux organiques ou inorganiques. La région active 42 peut comprendre un matériau semiconducteur ambipolaire, ou un mélange d'un matériau semiconducteur de type N et d'un matériau semiconducteur de type P, par exemple sous forme de couches superposées ou de mélange intime à l'échelle nanométrique de façon à former une hétérojonction en volume. [0084] Des exemples de polymères semiconducteurs de type P adaptés à la réalisation de la région active 42 sont le poly(3-hexylthiophène) (P3HT), le poly[N9'-heptadécany1-2,7-carbazole-alt-5,5-(4,7-di-2-thiény1-2',1', 3'-benzothiadiazole)] (PCDTBT), le Poly[(4,8-bis-(2-éthylhexyloxy)-benzo[1,2-b;4,5-bldithiophène)-2, 6-diyl-alt-(4-(2-éth ylhexanoy1)-thie-no[3,4-b]thiophène))-2,6-diy11;4,5-bldithi-ophène)-2, 6-diyl-alt-(5,5*- 13 bis(2-thiény1)-4,4,-dinony1-2,2'-bithiazole)-5',5"-diy11 (PBDTTT-C), le poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4-phénylène-vinylène] (MEH-PPV) ou le Poly[2,6-(4,4-bis-(2-éthylhexyl)-4H-cyclopenta [2,1-b;3,4-bildithiophène)-a/t - 4,7(2,1,3-benzothiadiazole)] (PCPDTBT). [0085] Des exemples de matériaux semiconducteurs de type N adaptés à la réalisation de la région active 42 sont les fullerènes, notamment le C60, le [6,61-phényl-C61-butanoate de méthyle ([601PCBM), le [6,61-phényl-C71-butanoate de méthyle ([701PCBM), le pérylène diimide, l'oxyde de zinc (ZnO) ou des nanocristaux permettant la formation de boîtes quantiques, en anglais quantum dots ou des petites molécules. [0086] L'épaisseur de l'empilement comprenant la couche d'interface inférieure 40, la région active 42 et la couche d'interface supérieure 44 est comprise entre 500 nm et 4 pm, de préférence entre 500 nm et 1 pm. [0087] Les pistes conductrices 50, 56 peuvent être du même matériau que les électrodes 14, et/ou 22. [0088] Les régions actives 54 peuvent être en silicium polycristallin, notamment du silicium polycristallin déposé à basse température (LTPS, sigle anglais pour Low Temperature Polycristalline Silicon), en silicium amorphe (aSi), en oxyde de zinc-gallium-indium (IGZO), en polymère ou comprendre des petites molécules utilisées de façon connue pour la réalisation de transistors organiques en couches minces (OTFT, sigle anglais pour Organic Thin Film Transistor). [0089] Selon un mode de réalisation, les régions actives 54 des transistors Ti et T2 peuvent être en des matériaux différents. A titre d'exemple, la région active 54 du transistor T2 relié à la photodiode peut être en IGZO ou en aSi et la région active 54 du transistor T1 relié à la diode électroluminescente peut être en LTPS. [0090] La couche isolante 52 peut être en SiN, en 5i02 ou en un polymère organique. La couche isolante 52 peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nm et 4 pm. [0091] (supprimé) [0092] La couche isolante 58 peut être en SiN, en 5i02 ou en polymère organique. La couche isolante 58 peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nm et 4 pm. [0093] Le dispositif 5 peut en outre comprendre un filtre polarisant, disposé par exemple sur le revêtement 24. Le dispositif 5 peut en outre comprendre des filtres de couleur en vis-à-vis des photodétecteurs 18 pour obtenir une sélection en longueur d'onde du rayonnement atteignant les photodétecteurs 18. [0094] Comme cela est visible en figure 2, les diodes électroluminescentes 16 et les photo- détecteurs 18 sont agencés en rangées et en colonnes, les diodes électroluminescentes 16 étant disposées de façon alternée avec les photodétecteurs 18. [0095] Dans le présent mode de réalisation, dans la coupe de la figure 2, chaque région active 30 d'une diode électroluminescente 16 est représentée de forme carrée et chaque 14 région active 42 d'une photodiode 18 est représentée de forme rectangulaire. Toutefois, il est clair que la forme des régions actives 30, 42 peut être différente, par exemple polygonale. Dans le plan de coupe de la figure 2, la surface occupée par la région active 42 d'une photodiode 18 est inférieure à la surface de la région active 30 d'une diode électroluminescente 16. Toutefois, il est clair que les surfaces des régions actives 30 des diodes électroluminescentes 16 et des régions actives 42 des photodiodes 18 dépendent des applications visées. [0096] Selon un mode de réalisation, le dispositif 5 est adapté à détecter la position d'un organe d'actionnement, non représenté, par rapport à la matrice de photodétecteurs 18. En particulier, le dispositif 5 peut être adapté à détecter des déplacements de l'organe d'actionnement dans un plan parallèle au plan de la matrice de photodétecteurs 18, et des variations de la distance Z entre l'organe d'actionnement et la matrice de photodétecteurs 18. [0097] Selon un mode de réalisation, le dispositif 5 est adapté à détecter des variations de l'ombre portée de l'organe d'actionnement sur la matrice de capteurs, lorsque l'organe d'actionnement est disposé entre une source lumineuse et la matrice et à en déduire une information représentative d'une variation de position de l'organe d'actionnement. La source de lumière est de préférence la lumière ambiante, par exemple le soleil ou l'éclairage électrique intérieur d'une pièce d'un bâtiment. [0098] Selon un autre mode de réalisation, le dispositif 5 comprend, en outre, une source d'un rayonnement susceptible d'être renvoyé, au moins en partie, par l'organe d'actionnement. Le dispositif 5 est adapté à détecter le rayonnement renvoyé sur la matrice de photodétecteurs et à en déduire une information représentative d'une variation de position de l'organe d'actionnement. Il s'agit, par exemple, d'un rayonnement visible ou infrarouge. Dans ce cas, on utilise de préférence la réflexion/ diffusion du rayonnement visible ou infrarouge sur l'organe d'actionnement, vue par les capteurs de photons, pour obtenir une information relative à la position de l'organe d'actionnement. [0099] Les sous-pixels d'affichage peuvent se répartir en premiers sous-pixels d'affichage adaptés à émettre un rayonnement à une première longueur d'onde, en deuxièmes sous-pixels d'affichage adaptés à émettre un rayonnement à une deuxième longueur d'onde et en troisièmes sous-pixels d'affichage adaptés à émettre un rayonnement à une troisième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes des premiers, deuxièmes et troisièmes sous-pixels d'affichage sont adaptées à émettre des rayonnements respectivement aux première, deuxième et troisième longueurs d'onde. Selon un autre mode de réalisation, les diodes électroluminescentes des premiers, deuxièmes et troisièmes sous-pixels d'affichage sont adaptées à émettre un rayonnement à une quatrième longueur d'onde et les premiers, deuxièmes et 15 troisièmes sous-pixels d'affichage comprennent des blocs photoluminescents adaptés à convertir le rayonnement à la quatrième longueur d'onde en rayonnements respectivement aux première, deuxième et troisième longueurs d'onde. Selon un mode de réalisation, la première longueur d'onde correspond à de la lumière bleue et est dans la plage de 440 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d'onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d'onde correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. [0100] La figure 3 est une vue analogue à la figure 2 d'un autre agencement des photodiodes 18 dans lequel les photodiodes 18 sont prévues seulement à proximité, par exemple autour de certains des sous-pixels d'affichage. Selon un mode de réalisation, les photodiodes 18 peuvent être configurées pour détecter le rayonnement réfléchi par un organe d'actionnement, par exemple le doigt d'un utilisateur. Selon un mode de réalisation, le capteur d'images peut être utilisé pour la détection d'une empreinte digitale d'un utilisateur. Il peut être avantageux, notamment pour la mise en oeuvre des algorithmes de traitement des images acquises par le capteur d'images que celui-ci soit configuré pour faire l'acquisition d'une image de façon préférentielle dans une plage de longueurs d'ondes préférées, par exemple le vert. Dans ce cas, les photodétecteurs 18 sont de préférence situés seulement autour des régions actives 30 des sous-pixels d'affichage émettant de la lumière dans la plage de longueurs d'ondes préférées, par exemple les sous-pixels d'affichage émettant de la lumière verte. [0101] Selon les matériaux considérés, le procédé de formation des couches du capteur d'images et de l'écran d'affichage peut correspondre à un procédé dit additif, par exemple par impression directe du matériau composant les couches organiques aux emplacements souhaités notamment sous forme de sol-gel, par exemple par impression par jet d'encre, héliographie, sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation (en anglais spray coating) ou dépôt de gouttes (en anglais drop-casting). Selon les matériaux considérés, le procédé de formation des couches du capteur d'images et de l'écran d'affichage peut correspondre à un procédé dit soustractif, dans lequel le matériau composant les couches organiques est déposé sur la totalité de la structure et dans lequel les portions non utilisées sont ensuite retirées, par exemple par photolithographie ou ablation laser. Selon le matériau considéré, le dépôt sur la totalité de la structure peut être réalisé par exemple par voie liquide, par pulvérisation cathodique ou par évaporation. Il peut s'agir notamment de procédés du type dépôt à la tournette, revêtement par pulvérisation, héliographie, revêtement par enduction fente (en anglais slot-die coating), revêtement à la lame (en anglais blade-coating), flexographie ou sérigraphie. Lorsque les couches sont métalliques, le métal est, par exemple, déposé par évaporation ou par pulvérisation cathodique sur l'ensemble du support et les couches 16 métalliques sont délimitées par gravure. [0102] De façon avantageuse, au moins certaines des couches du capteur d'images et/ou de l'écran d'affichage peuvent être réalisées par des techniques d'impression. Les matériaux de ces couches décrites précédemment peuvent être déposés sous forme liquide, par exemple sous forme d'encres conductrices et semiconductrices à l'aide d'imprimantes à jet d'encre. Par matériaux sous forme liquide, on entend ici également des matériaux en gel déposables par des techniques d'impression. Des étapes de recuit sont éventuellement prévues entre les dépôts des différentes couches, mais les températures de recuit peuvent ne pas dépasser 150°C, et le dépôt et les éventuels recuits peuvent être réalisés à la pression atmosphérique. [0103] Selon un mode de réalisation, les pistes conductrices 50 de commande des grilles des transistors T1 sont distinctes des pistes conductrices 50 de commande des grilles des transistors T2. Selon un mode de réalisation, les pistes conductrices 50 de commande des grilles d'au moins une partie des transistors T2 sont communes avec les pistes conductrices 50 de commande des grilles d'au moins une partie des transistors Ti. Ceci permet de façon avantageuse de réduire l'encombrement du dispositif optoélectronique. A titre d'exemple, lorsque le dispositif optoélectronique comprend plusieurs types de sous-pixels d'affichage qui émettent chacun un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu), les pistes conductrices 50 de commande des grilles des transistors Ti reliés aux diodes électroluminescentes 16 émettant dans au moins l'une de ces couleurs peuvent être confondues avec les pistes conductrices 50 de commande des grilles des transistors T2 reliés aux photodétecteurs 18 adjacents à ces diodes électroluminescentes 16. Dans ce cas, la lecture des signaux détectés par les photodétecteurs 18 est simultanée avec l'activation des diodes électroluminescentes 16. [0104] La figure 4 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 70. Le dispositif optoélectronique 70 comprend l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 5 décrit précédemment à la différence que les photodétecteurs 18 et les diodes électroluminescentes 16 sont réalisées dans deux niveaux différents de l'empilement de couches recouvrant le substrat 10. Dans le présent mode de réalisation, dans l'ensemble des couches recouvrant le substrat 10, les photodétecteurs 18 sont formés entre l'empilement 12 de couches dans lequel sont formés les transistors Ti, T2 et le niveau où sont formées les diodes électroluminescentes 16. En particulier les photodécteurs 18 peuvent recouvrir les transistors Ti, T2 selon la direction d'empilement et/ou s'étendre sous les diodes électroluminescentes 16, selon la direction d'empilement. Ceci permet notamment d'augmenter la surface occupée par les photodécteurs 18 et donc augmenter l'absorbance du rayonnement incident. 17 [0105] Selon un mode de réalisation, le dispositif 70 comprend une couche 71 d'un matériau isolant électriquement recouvrant les photodiodes 18 et les électrodes 14 associées aux diodes électroluminescentes 16 sont formées sur la couche isolante 71. Les diodes électroluminescentes 16 sont séparées latéralement par une couche isolante électriquement 72 reposant sur la couche isolante 71. Les vias 60 reliant les électrodes 14 aux transistors Ti s'étendent alors successivement au travers des couches isolantes 71, 20 et 58 et éventuellement au travers de l'un des photodétecteurs 18 et de l'électrode 15 associée. [0106] Selon un mode de réalisation, les couches d'interface 44 des photodiodes 18 sont communes et forme une couche d'interface 44 unique s'étendant sur la couche isolante 58 et comprenant des ouvertures 73 pour le passage des vias conducteurs 60 reliés aux diodes électroluminescentes 16. La couche d'interface 44 peut jouer le rôle d'électrode pour les photodétecteurs 18. A titre de variante, la couche d'interface 44 peut être reliée à l'électrode 22 par au moins un via conducteur, non représenté, traversant les couches isolantes 71 et 72. [0107] En fonctionnement, les photodiodes 18 captent essentiellement la lumière incidente qui se propage entre les diodes électroluminescentes 16. [0108] Les figures 5 et 6 sont des vues de dessus illustrant, de façon schématiques, deux agencements des diodes électroluminescentes 16 et des photodiodes 18. [0109] Dans le mode de réalisation illustré en figure 5, chaque photodiode 18 s'étend sous une seule diode électroluminescente 16 et dépasse latéralement par rapport à la diode électroluminescente 16. La photodiode 18 peut être centrée sur la diode électroluminescente 18 correspondante. [0110] Dans le mode de réalisation illustré en figure 6, chaque photodiode 18 s'étend sous plusieurs diodes électroluminescentes 16, par exemple quatre diodes électroluminescentes, notamment une diode électroluminescente émettant de la lumière bleue, une diode électroluminescente émettant de la lumière rouge et deux diodes électroluminescentes émettant de la lumière verte. [0111] La figure 7 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 75. Le dispositif 75 comprend tous les éléments du dispositif 70 représenté en figure 4, à la différence que les positions respectives des photodétecteurs 18 et des diodes électroluminescentes 16 sont inversées, les diodes électroluminescentes 16 étant réalisées entre les transistors Ti, T2 et les photodétecteurs 18 dans l'empilement de couches recouvrant le substrat 10. [0112] Selon un mode de réalisation, le dispositif 75 comprend une couche 76 d'un matériau isolant électriquement recouvrant les diodes électroluminescentes 16 et les électrodes 15 associées aux photodétecteurs 18 sont formées sur la couche isolante 76. Les photo-détecteurs 18 sont séparées latéralement par une couche isolante électriquement 77 18 reposant sur la couche isolante 76. Les vias 62 reliant les électrodes 15 aux transistors T2 s'étendent alors successivement au travers des couches isolantes 76, 20 et 58 et éventuellement au travers de l'une des diodes électroluminescentes 16 et de l'électrode 15 associée. [0113] Selon un mode de réalisation, l'électrode 22 comprend des ouvertures 78 pour le passage des vias conducteurs 62 reliés aux photodétecteurs 18. En outre, selon un mode de réalisation, les couches d'interface 44 des photodiodes 18 sont communes et forme une couche d'interface 44 unique s'étendant sur la couche isolante 77. La couche d'interface 44 peut jouer le rôle d'électrode pour les photodétecteurs 18. A titre de variante, la couche d'interface 44 peut être reliée à l'électrode 22 par au moins un via conducteur, non représenté, traversant les couches isolantes 76 et 77. [0114] Le présent mode de réalisation permet, de façon avantageuse, que la formation des photodétecteurs 18 ait lieu après l'ensemble des étapes associées à la formation des diodes électroluminescentes 16. En effet, les étapes associées à la formation des diodes électroluminescentes 16 peuvent comprendre des étapes de chauffage à des températures supérieures à 150 °C qui peuvent ne pas compatibles avec les matériaux utilisés pour la fabrication des photodétecteurs 18. [0115] La figure 8 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 79. Le dispositif 79 comprend tous les éléments du dispositif 70 représenté en figure 4, à la différence que les transistors Ti et les transistors T2 sont réalisés dans deux niveaux différents de l'empilement de couches recouvrant le substrat 10. Dans le présent mode de réalisation, les transistors Ti et les diodes électroluminescentes 16 sont formés entre le substrat 10 et les transistors T2. A titre de variante, les transistors T2 et les photodétecteurs 18 peuvent être formés entre le substrat 10 et les transistors Ti. [0116] Le présent mode de réalisation permet, de façon avantageuse, de réaliser facilement les régions actives 54 des transistors Ti en un matériau différent des régions actives 54 des transistors T2. Selon un mode de réalisation, les régions actives 54 des transistors Ti reliés aux diodes électroluminescentes 16 peuvent être réalisées en LTPS, qui permet l'obtention de transistors Ti avec une excellente stabilité de tension de seuil, et les régions actives 54 des transistors T2 reliés aux photodétecteurs 18 peuvent être réalisées en IGZO ou en aSi, qui permet l'obtention de transistors T2 avec des courants de fuite inférieurs à 10 fA. [0117] La figure 9 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 80. Le dispositif optoélectronique 80 comprend l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 70 décrit précédemment en relation avec la figure 4 et comprend, en outre, pour chaque photodiode 18, un filtre de couleur 82 reposant sur revêtement 24 et aligné avec la photodiode 18 selon la direction 19 d'empilement du dispositif 80. Une couche d'encapsulation 84 est représentée recouvrant les filtres colorés 82 et le revêtement 24. La couche d'encapsulation 84 est transparente ou partiellement transparente à la lumière visible. Les filtres colorés 82 peuvent être réalisés en résine coloré ou en un matériau plastique coloré comme le polydiméthylsiloxane (PDMS). Les filtres colorés 82 permettent de filtrer le rayonnement incident qui atteint chaque photodiode 18. Ceci permet de faire l'acquisition d'une image de façon préférentielle dans une plage de longueurs d'ondes donnée, par exemple le vert, ce qui peut être avantageux notamment lorsque le capteur d'images est utilisé pour la détection d'une empreinte digitale d'un utilisateur. [0118] La figure 10 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 90. Le dispositif optoélectronique 90 comprend l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 80 décrit précédemment en relation avec la figure 9 et comprend, en outre, pour chaque diode électroluminescente 16, un filtre de couleur 92 reposant sur revêtement 24 et aligné avec la diode électroluminescente 16 selon la direction d'empilement du dispositif 90. Un masque 94 opaque à la lumière visible peut s'étendre sur le revêtement 24 entre les filtres colorés 82 et 92, notamment dans l'alignement de pistes métalliques du dispositif optoélectronique 90, notamment les pistes conductrices 56. Dans le présent mode de réalisation, la transmittance du filtre coloré 92 est proche du spectre d'émission de la région active 30 de la diode électroluminescente 16 sous-jacente. Ceci signifie que le filtre coloré 92 laisse passer sensiblement complètement la lumière émise par la région active 30 de la diode électroluminescente 16 et bloque les autres longueurs d'onde. [0119] Les filtres colorés 92 et le masque opaque 94 assurent une fonction anti-ré- fléchissante. Il n'est pas alors nécessaire de prévoir une couche anti-reflet recouvrant la couche d'encapsulation 84 et comprenant par exemple un polariseur rectiligne et une lame quart d'onde. [0120] Le rayonnement émis par la région active 30 de la diode électroluminescente 16 traverse le filtre coloré 92 recouvrant le composant électroluminescent 16. La transmittance du filtre coloré 92 étant proche du spectre d'émission de la diode électroluminescente 16, le rayonnement émis par la région active 30 n'est sensiblement pas atténué par le filtre coloré 92. [0121] En présence d'un objet devant la couche d'encapsulation 84, le rayonnement est au moins en partie réfléchi par l'objet, non représenté, par exemple le doigt d'un utilisateur. Le rayonnement réfléchi est absorbé par le masque opaque 94 sauf au niveau des filtres 82 où le rayonnement réfléchi progresse jusqu'à atteindre les photodétecteurs 18. Comme il n'y a pas de système antireflet comprenant un polariseur et une lame quart d'onde, l'atténuation du rayonnement réfléchi, au cours de sa progression jusqu'au capteur d'images, est réduite. [0122] L'essentiel des reflets perçus par un utilisateur d'un dispositif optoélectronique classique comprenant un écran d'affichage et un capteur d'images provient de réflexions sur des pistes métalliques du dispositif optoélectronique. Dans le présent mode de réalisation, le rayonnement extérieur qui atteint la couche d'encapsulation 84 est absorbé par le masque opaque 94 sans se réfléchir sur les pistes métalliques du dispositif optoélectronique 90 recouvertes par le masque opaque 94. En outre, le rayonnement extérieur qui passe à travers les filtres colorés 82 n'est pas ou peu réfléchi. On obtient donc une fonction antireflet. Le rayonnement extérieur qui atteint le filtre coloré 92 peut se réfléchir notamment sur l'électrode 14. Toutefois, étant donné que ce rayonnement est filtré par le filtre coloré 92, l'intensité du rayonnement réfléchi vers un observateur est réduite. [0123] La figure 11 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 100. Le dispositif optoélectronique 100 comprend l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 90 décrit précédemment en relation avec la figure 10 à la différence que le filtre coloré 92 n'est pas présent et que le filtre 82 est remplacé par un filtre angulaire 102. [0124] Chaque filtre angulaire 102 est adapté à filtrer le rayonnement incident en fonction de l'incidence du rayonnement par rapport à la face supérieure 104 du filtre angulaire 102, notamment pour que chaque photodétecteur 18 reçoive seulement les rayons dont l'incidence par rapport à un axe perpendiculaire à la face supérieure 104 du filtre angulaire 102 est inférieure un angle d'incidence maximale inférieur à 45 °, de préférence inférieur à 30 °, plus préférentiellement inférieur à 20 °, encore plus préférentiellement inférieur à 10 °. Le filtre angulaire 102 est adapté à bloquer les rayons du rayonnement indicent dont l'incidence par rapport à un axe perpendiculaire à la face supérieure 104 du filtre angulaire 102 est supérieure à l'angle d'incidence maximale. [0125] Selon un mode de réalisation, pour une application pour la détermination d'empreintes digitales, le doigt d'un utilisateur est placé au contact de la face supérieure du dispositif optoélectronique de sorte que les rayons lumineux passant par des zones de contact entre le doigt et la face supérieure sont fortement transmis tandis que les rayons lumineux traversant des zones hors contact, également appelées vallées, sont plus faiblement transmis. Les photodétecteurs 18 situés en regard des zones de contact collectent la lumière diffusée à faible incidence tandis que les photodétecteurs 18 situés en regard des zones hors contact collectent peu de lumière puisque celle-ci est pour l'essentiel bloquée par le filtre angulaire 102. [0126] Selon un autre mode de réalisation, le dispositif optoélectronique peut comprendre les filtres colorés 82, 92 décrits précédemment en relation avec la figure 10 et le masque opaque 94 et le filtre angulaire 102 décrits précédemment en relation avec la figure 11 formés dans deux niveaux différents dans l'empilement de couches re- 21 couvrant le substrat 10. Selon un autre mode de réalisation, les filtres colorés 82, 92 décrits précédemment en relation avec la figure 10 et le masque opaque 94 et le filtre angulaire 102 décrits précédemment en relation avec la figure 11 formés dans deux niveaux différents dans l'empilement de couches recouvrant le substrat 10, les filtres colorés 82, 92 étant formés au-dessus ou au-dessous du masque opaque 94 par rapport au substrat 10. [0127] Les figures 12 et 13 sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation du filtre angulaire 102. [0128] Dans le présent mode de réalisation, le filtre angulaire 102 comprend un support, formé par exemple par le revêtement 24, et des murs 106 reposant sur le support 24 et délimitant des trous 108. On appelle "h" la hauteur des murs 106 mesurée depuis le support 24. Les murs 106 sont opaques au rayonnement détecté par les photodétecteurs 18, par exemple absorbants et/ou réfléchissants par rapport au rayonnement détecté par les photodétecteurs 18. Selon un mode de réalisation, les murs 106 sont absorbants dans le visible et/ou le proche infrarouge et/ou l'infrarouge. Les murs 106 peuvent être réalisés dans le même matériau que le masque opaque 94. [0129] En figure 13, les trous 108 sont représentés avec une section droite canée. De façon générale, la section droite des trous 108 dans la vue de dessus peut être circulaire, ovale ou polygonale, par exemple triangulaire, canée ou rectangulaire. [0130] Selon un mode de réalisation, les trous 108 sont disposés en rangées et en colonnes. Les trous 108 peuvent avoir sensiblement les mêmes dimensions. On appelle "w" la largeur d'un trou 108 mesurées selon la direction des rangées ou des colonnes. Selon un mode de réalisation, les trous 108 sont disposés régulièrement selon les rangées et selon les colonnes. On appelle "p" le pas de répétition des trous 108, c'est-à-dire la distance en vue de dessus des centres de deux trous 64 successifs d'une rangée ou d'une colonne. [0131] Le filtre angulaire 102 représentés sur les figures 12 et 13 laisse seulement passer les rayons du rayonnement incident dont l'incidence par rapport au support 24 est inférieure à un angle d'incidence maximale a, qui est défini par la relation (1) suivante : [0132] tan a = w/h (1) [0133] Plus le rapport w/h est petit, plus l'angle d'incidence maximale a est petit. La trans- mittance à incidence nulle du filtre angulaire 102 est proportionnelle au rapport entre la surface transparente en vue de dessus et la surface absorbante du filtre angulaire 102. Pour des applications à faible niveau de lumière, il est souhaitable que la transmittance soit maximale pour augmenter la quantité de lumière collectée par le capteur d'images. Pour des applications à fort niveau de lumière, la transmittance peut être diminuée afin de ne pas éblouir le capteur d'images. [0134] Le rapport h/w peut varier de 1 à 20. Le pas p peut varier de 5 pm à 30 pm, par 22 exemple environ 20 pm. La hauteur h peut varier de 1 pm à 1 mm, de préférence de 50 pm à 300 pm, par exemple environ 100 pm. La largeur w peut varier de 2 pm à 30 pm, par exemple environ 10 pm. [0135] Les trous 108 peuvent être remplis d'air ou remplis d'un matériau au moins par- tiellement transparent au rayonnement détecté par les photodétecteurs 18, par exemple du polydiméthylsiloxane (PDMS). A titre de variante, les trous 108 peuvent être remplis par un matériau partiellement absorbant afin de filtrer chromatiquement les rayons filtrés angulairement par le filtre angulaire 102. Le filtre angulaire 102 peut alors en outre jouer le rôle du filtre coloré 82 décrit précédemment en relation avec la figure 9. Ceci permet de réduire l'épaisseur du système par rapport au cas où un filtre coloré distinct du filtre angulaire 102 serait présent. Le matériau de remplissage partiellement absorbant peut être une résine coloré ou un matériau plastique coloré comme le PDMS. [0136] Le matériau de remplissage des trous 108 peut être adapté afin d'avoir une adaptation d'indice de réfraction avec la couche supérieure en contact avec le filtre angulaire 102 ou bien pour rigidifier la structure et améliorer la tenue mécanique du filtre angulaire 102. [0137] Dans le mode de réalisation illustré sur les figures 12 et 13, les murs 106 sont en totalité en un matériau absorbant au moins pour les longueurs d'onde à filtrer angulairement. Les murs 106 peuvent être en résine colorée, par exemple une résine SU-8 colorée ou noire. A titre d'exemple, les murs 106 peuvent être en une résine noire absorbant dans le domaine visible et le proche infrarouge. [0138] Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du filtre angulaire 102 représenté sur les figures 12 et 13 comprend les étapes suivantes : dépôt d'une couche de résine colorée sur le support 24 dont l'épaisseur est sensiblement égale à la hauteur h ; impression des motifs des murs 106 dans la couche de résine par photolithographie ; et développement de la couche de résine pour ne conserver que les murs 106. [0139] Un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication du filtre angulaire 102 re- présenté sur les figures 12 et 13 comprend les étapes suivantes : formation d'un moule en résine transparente, par des étapes de photolithographie, de forme complémentaire de la forme souhaitée des murs 106 ; remplissage du moule par le matériau composant les murs 106 ; et retrait de la structure obtenue du moule. [0140] Un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrication du filtre angulaire 102 re- présenté sur les figures 12 et 13 comprend la perforation d'un film coloré d'épaisseur h, par exemple un film en PDMS, PMMA, PEC, COP. La perforation peut être réalisée 23 en utilisant un outil de micro-perforation comprenant par exemple des micro-aiguilles pour obtenir les dimensions des trous 108 et le pas des trous 108 souhaités. [0141] Selon une variante, chaque mur 106 peut comprendre un coeur 108 en un premier matériau au moins en partie transparent au rayonnement détecté par le capteur d'images et recouvert d'une couche opaque au rayonnement détecté par les photodétecteurs 18, par exemple absorbante et/ou réfléchissante par rapport au rayonnement détecté par les photodétecteurs 18. Le premier matériau peut être une résine. Le deuxième matériau peut être un métal, par exemple de l'aluminium (Al) ou du chrome (Cr), un alliage métallique ou un matériau organique. [0142] Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un filtre angulaire selon la variante décrite précédemment comprend les étapes suivantes : dépôt d'une couche de résine transparente sur le support, par exemple par dépôt à la tournette ou par revêtement par enduction fente (en anglais slot die coating) ; impression des motifs des murs dans la couche de résine par photolithographie ; développement de la couche de résine pour ne conserver que les coeurs des murs ; et formation de la couche opaque ou réfléchissante sur les coeurs, notamment par un dépôt sélectif, par exemple par évaporation, du deuxième matériau seulement sur les coeurs, ou par dépôt d'une couche du deuxième matériau sur les coeurs et sur le support entre les coeurs et par retrait du deuxième matériau présent sur le support. [0143] La figure 14 est une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 110. Le dispositif optoélectronique 110 comprend l'ensemble des éléments du dispositif optoélectronique 90 décrit précédemment en relation avec la figure 10 et comprend en outre un filtre infrarouge 112 interposée entre les filtres colorés 82, 92 et la couche d'encapsulation 84. Le filtre infrarouge 112 est, par exemple, adapté à bloquer le rayonnement dont les longueurs d'onde sont comprises entre 590 nm et 1000 nm. Le filtre infrarouge 112 permet de façon avantageuse de filtrer la contribution du rayonnement solaire sur le capteur d'images. [0144] Divers modes de réalisation ont été décrits. Diverses variantes et modifications appa- raissent à l'homme de l'art. Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On note que l'homme de l'art peut combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. En particulier, le filtre infrarouge 112 représenté en figure 14 peut être utilisé avec le dispositif optoélectronique 80 représenté en figure 9. 24 [Revendication 11 [Revendication 21 [Revendication 31 [Revendication 41 [Revendication 51 [Revendication 61 [Revendication REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (5 ; 70; 80; 100; 110) comprenant un écran d'affichage et un capteur d'images, l'écran d'affichage comprenant une matrice de composants électroluminescents organiques (16) reliés à des premières transistors (Ti), le capteur d'images comprenant une matrice de photodétecteurs organiques (18) reliés à des deuxièmes transistors (T2), la résolution du dispositif optoélectronique pour les composants électroluminescents étant supérieure à 300 ppi et la résolution du dispositif optoélectronique pour les photodétecteurs étant supérieure à 300 ppi, l'épaisseur totale du dispositif optoélectronique étant inférieure à 2 mm. 2. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel les premiers et deuxièmes transistors (Ti, T2) comprennent des régions semicondutrices (54) en contact avec une première couche (52) isolante électriquement. 3. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant une deuxième couche (58) isolante électriquement, toutes les premières électrodes (14, 15) étant au contact de la deuxième couche isolante électriquement. 4. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant une deuxième électrode (22) connectée à tous les composants électroluminescents (16) et/ou à tous les photodétecteurs (18). 5. Dispositif optoélectronique selon la revendication 4, dans lequel la deuxième électrode (22) est au contact de tous les composants électroluminescents (16) et de tous les photodétecteurs (18). 6. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, 2 ou 4, comprenant un substrat (10) et un empilement de couches recouvrant le substrat et contenant les composants électroluminescents (16) et les photodétecteurs (18), et dans lequel les photodétecteurs (18) sont situés entre les composants électroluminescents (16) et le substrat ou les composants électroluminescents sont situés entre les photodétecteurs et le substrat. 7. Dispositif optoélectronique selon la revendication 6, dans lequel les photodétecteurs (18) comprennent au moins une couche (44) conductrice électriquement ou semiconductrice commune à tous les photodétecteurs (18) et comprenant des ouvertures (73), les composants 25 électroluminescents (16) étant reliés aux premiers transistors (Ti) par des éléments conducteurs électriquement (60) s'étendant par les ouvertures. [Revendication 81 8. Dispositif optoélectronique selon la revendication 6 dans sa dé- pendance à la revendication 4, dans lequel la deuxième électrode (22) est connectée à tous les composants électroluminescents (16) et comprend des ouvertures (78), les photodétecteurs (18) étant reliés aux deuxièmes transistors (T2) par des éléments conducteurs électriquement (62) s'étendant par les ouvertures. [Revendication 91 9. Dispositif optoélectronique selon les revendications 6 à 8, dans lequel au moins l'un des photodétecteurs (18) recouvre plus d'un composant électroluminescent (16). [Revendication 101 10. Dispositif optoélectronique selon les revendications 6 à 8, dans lequel chaque photodétecteur (18) recouvre un seul composant électroluminescent (16). [Revendication 111 11. Dispositif optoélectronique selon la revendication 7 dans sa dé- pendance à la revendication 4, dans lequel la couche (44) conductrice électriquement ou semiconductrice est connectée à la deuxième électrode (22). [Revendication 121 12. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 11, comprenant en outre des premiers filtres colorés (82) recouvrant les photodétecteurs (18). [Revendication 131 13. Dispositif optoélectronique selon la revendication 12, comprenant en outre des deuxièmes filtres colorés (92) recouvrant les composants électroluminescents (16). [Revendication 141 14. Dispositif optoélectronique selon la revendication 13, comprenant en outre une couche opaque (94) au rayonnement capté par les photodétecteurs (18) s'étendant entre les premiers et deuxièmes filtres (82, 92). [Revendication 151 15. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 14, comprenant en outre un filtre angulaire (102), recouvrant chaque photodétecteur (18), et adapté à bloquer les rayons dudit rayonnement dont l'incidence par rapport à une direction orthogonale à une face (104) du dispositif optoélectronique est supérieure à un seuil et à laisser passer des rayons dudit rayonnement dont l'incidence par rapport à une direction orthogonale à la face est inférieure au seuil. [Revendication 161 16. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 15, dans lequel chaque composant électroluminescent (16) 26 comprend une première région active (30) qui est la région de laquelle est émis la majorité du rayonnement émis par le composant électroluminescent et chaque photodétecteur (18) comprend une deuxième région active (42) qui est la région de laquelle est capté la majorité du rayonnement capté par le photodétecteur. [Revendication 171 17. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 16, dans lequel les premiers et deuxièmes transistors (Ti, T2) sont des transistors à effet de champ comprenant des grilles, le dispositif optoélectronique comprenant en outre des premières pistes conductrices (50) connectées aux grilles des premiers transistors (Ti) et des deuxièmes pistes conductrices (50) connectées aux grilles des deuxièmes transistors (T2) et dans lequel au moins l'une des premières pistes conductrices est également connectée à la grille de l'un des deuxièmes transistors. [Revendication 181 18. Dispositif optoélectronique selon la revendication 17, dans lequel les composants électroluminescents (16) comprennent au moins des premiers composants électroluminescents (16) adaptés à émettre un premier rayonnement et des deuxièmes composants électroluminescents (16) adaptés à émettre un deuxième rayonnement et dans lequel les premières pistes conductrices (50) connectées aux grilles des premiers transistors (Ti) reliés aux premiers composants électroluminescents sont également connectées aux grilles des deuxièmes transistors (T2) reliés aux photodétecteurs (18) adjacents aux premiers composants électroluminescents. [Revendication 191 19. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 18, comprenant en outre un filtre infrarouge (112) recouvrant les photodétecteurs (18). [Revendication 201 20. Utilisation du dispositif optoélectronique (5 ; 70; 80; 100; 110) selon l'une quelconque des revendications 1 à 19 pour la détection d'au moins une empreinte digitale d'un utilisateur.