FR 3074958 A1 20190614 FR 1761829 A 20171208 PROCEDE DE COLLAGE PAR ADHESION DIRECTE Domaine technique L'invention se rapporte au domaine technique du collage par adhésion directe de deux substrats. L'invention trouve notamment son application dans le transfert de couches minces par la technologie Smart CutTM. Etat de la technique antérieure Si l'on considère un procédé de collage par adhésion directe d'un premier substrat à un deuxième substrat, issu de la mise en contact direct de deux surfaces, il est connu qu'un tel procédé est susceptible de conduire à une inhomogénéité de l'énergie d'adhérence (appelée également énergie de collage, et exprimée en J/m2), c'est-à-dire l'énergie pour séparer les deux surfaces après leur collage. En particulier, cette inhomogénéité de l'énergie d'adhérence se traduit par une énergie d'adhérence plus faible sur les bords des deux surfaces que sur une partie centrale des deux surfaces. A titre d'exemple, la différence d'énergie d'adhérence entre les bords (par exemple sur une distance de 1 cm) et une partie centrale des deux surfaces peut s'élever à 700 trem2 pour deux substrats de silicium, recouverts d'une couche d'oxyde, et possédant chacun un diamètre de 200 mm. En outre, dans le cas du transfert de couches minces par la technologie Smart CutTM, une forte inhomogénéité de l'énergie d'adhérence peut conduire à un décollement des deux substrats lors de l'étape de fracturation avec la présence de zones non-transférées et de défauts. L'homme du métier recherche donc un procédé de collage par adhésion directe 25 permettant d'obtenir une énergie d'adhérence des surfaces en contact la plus homogène possible. Exposé de l'invention L'invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, 30 l'invention a pour objet un procédé de collage par adhésion directe d'un premier substrat à un deuxième substrat, comportant les étapes successives : a) prévoir les premier et deuxième substrats, comprenant chacun une première surface et une seconde surface opposée ; 2 b) coller le premier substrat au deuxième substrat par une adhésion directe entre les premières surfaces des premier et deuxième substrats, l'étape b) étant exécutée sous une première atmosphère gazeuse présentant un premier taux d'humidité relative, noté yi ; c) appliquer un recuit thermique aux premier et deuxième substrats collés, à une 5 température de recuit thermique comprise entre 20°C et 700°C, l'étape c) étant exécutée sous une seconde atmosphère gazeuse présentant un second taux d'humidité, noté cp2, vérifiant (pz Ainsi, un tel procédé selon l'invention permet, grâce à l'étape c), une amélioration 10 significative de l'homogénéité de l'énergie d'adhérence des premières surfaces des premier et deuxième substrats. En effet, les inventeurs ont constaté expérimentalement que la quantité de vapeur d'eau au sein de l'atmosphère du recuit thermique avait un impact sur l'homogénéité de l'énergie d'adhérence. Plus précisément, le fait d'au moins maintenir le taux d'humidité relative après l'étape b) de collage permet d'améliorer significativement 15 l'homogénéité de l'énergie d'adhérence en évitant que l'eau présente à l'interface de collage, en bordure de substrat, ne diffuse hors de l'interface de collage. Définitions - Par « substrat », on entend un support physique autoporté, réalisé dans un matériau de base permettant la fabrication d'un dispositif électronique ou d'un composant électronique. 20 Un substrat est classiquement une tranche (« wafer» en langue anglaise) découpée dans un lingot monocristallin de matériau semi-conducteur. - Par « adhésion directe », on entend un collage spontané issu de la mise en contact de deux surfaces, c'est-à-dire en l'absence d'un élément additionnel tel qu'une colle, une cire ou une brasure. L'adhésion provient principalement des forces de van der Waals issues de l'interaction électronique entre les atomes ou les molécules de deux surfaces, des liaisons hydrogène du fait des préparations des surfaces ou des liaisons covalentes établies entre les deux surfaces. On parle également de collage par adhésion moléculaire ou de collage direct. Le collage par adhésion directe est avantageusement effectué à température et pression ambiantes, et ne saurait être assimilé à un collage par thermocompression, à un collage eutectique, ou encore à un collage anodique. Le collage par adhésion directe peut être suivi d'un recuit thermique de renforcement de l'interface de collage. - Par « recuit thermique », on entend un traitement thermique comportant un cycle de chauffage avec : 3 une première phase de montée graduelle en température jusqu'à atteindre une valeur plateau, une deuxième phase où la température de chauffage conserve la valeur plateau, et une troisième phase de refroidissement. 5 La température du recuit thermique est la valeur plateau de la température de chauffage. - Par « taux d'humidité relative », on entend le rapport (exprimé en %) entre la quantité de vapeur d'eau contenue dans un volume de gaz donné, et la quantité maximale de vapeur d'eau admissible dans le volume de gaz donné. Le taux d'humidité relative dépend de la température du gaz et de la pression du gaz. Le taux d'humidité relative peut également 10 s'exprimer comme le rapport (exprimé en %) entre la pression partielle de la vapeur d'eau contenue dans un volume de gaz, et la pression de vapeur saturante de l'eau. Le procédé selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. 15 Selon une caractéristique de l'invention, l'eau possède une pression de vapeur saturante au sein de la seconde atmosphère gazeuse, notée Psat, et l'étape c) comporte les étapes : ci) augmenter progressivement une température de chauffage de la seconde atmosphère 20 gazeuse jusqu'à atteindre la température de recuit thermique ; c2) mesurer des températures de chauffage progressives au Cours de l'étape ci), et déterminer Psat pour les températures de chauffage progressives mesurées ; c3) augmenter progressivement, au cours de l'étape ci), la pression partielle de vapeur d'eau, notée pv, au sein de la seconde atmosphère gazeuse de sorte que pv v Psat 25 Ainsi, il est possible d'ajuster y2 (égal au rapport entre pv et Psat) tout le long de l'étape Cl) de montée en température de sorte que la relation y2 cpi puisse se vérifier. Selon une caractéristique de l'invention, y2 est égal à 100%. Ainsi, un avantage procuré est de simplifier le procédé en saturant la seconde atmosphère 30 gazeuse de vapeur d'eau, et ce afin de s'assurer que la relation y2 c_pi est toujours vérifiée. Selon une caractéristique de l'invention, l'étape c) est exécutée de sorte que la seconde atmosphère gazeuse présente une pression constante. Ainsi, un avantage procuré est de simplifier l'ajustement de y2 qui dépend également de la 35 pression de la seconde atmosphère gazeuse. 4 Selon une caractéristique de l'invention, les première et seconde atmosphères gazeuses comportent de l'air. 5 Selon une caractéristique de l'invention, l'étape c) est exécutée dans un four injectant une vapeur d'eau, produite par ultrasons, dans la seconde atmosphère gazeuse. Ainsi, un avantage procuré par l'injection de vapeur d'eau produite par ultrasons est de pouvoir s'intégrer facilement à un four qui, classiquement, n'autorise que des atmosphères sèches pour des températures relativement basses (i.e. inférieures à 700°C). 10 Selon une caractéristique de l'invention, la température de recuit thermique est comprise entre 20°C et 500°C, de préférence comprise entre 100°C et 500°C, plus préférentiellement comprise entre 200°C et 400°C, encore plus préférentiellement comprise entre 250°C et 350°C. 15 Selon une caractéristique de l'invention, l'étape a) comporte une étape ai) consistant à implanter des espèces gazeuses dans le premier substrat, à travers la première surface, de manière à former une zone de fragilisation, une couche utile étant délimitée par la zone de fragilisation et par la première surface du premier substrat ; et le recuit thermique est appliqué 20 lors de l'étape c) selon un budget thermique adapté pour fracturer le premier substrat suivant la zone de fragilisation de manière à exposer la couche utile. Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir transférer la couche utile sur le deuxième substrat par Smart CutTM. 25 Selon une caractéristique de l'invention, l'étape a) comporte une étape ai) consistant à implanter des espèces gazeuses dans le premier substrat, à travers la première surface, de manière à former une zone de fragilisation, une couche utile étant délimitée par la zone de fragilisation et par la première surface du premier substrat ; et l'étape c) est suivie d'une étape d) consistant à fracturer le premier substrat suivant la zone de fragilisation de manière à 30 exposer la couche utile. Ainsi, le recuit thermique peut être appliqué lors de l'étape c) selon un budget thermique correspondant à une fraction (e.g. entre 50% et 80%) du budget thermique nécessaire pour fracturer le premier substrat suivant la zone de fragilisation. Un tel budget thermique de l'étape c) permet d'assurer un collage fort en bord de substrat de sorte que l'étape d) puisse être exécutée sous une atmosphère moins humide, voire sèche. L'étape d) peut être exécutée 5 par un traitement thermique complémentaire, adapté pour obtenir la fracture du premier substrat suivant la zone de fragilisation. Selon une caractéristique de l'invention, les premières surfaces des premier et deuxième 5 substrats sont réalisées dans un matériau sélectionné parmi Si, 5i02, Ge, A1203, SiC, AsGa, InP, GaN, LiNb03, LiTa03. Selon une caractéristique de l'invention, l'étape b) est exécutée à une température comprise entre 20°C et 30°C. 10 Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l'exposé détaillé de différents modes de réalisation de l'invention, l'exposé étant assorti d'exemples et de références aux dessins joints. 15 Figure 1 est une vue schématique en coupe selon la normale aux premières surfaces -et secondes surfaces- des premier et deuxième substrats, illustrant l'étape c) d'un procédé selon l'invention. Figure 2 est un graphique représentant en abscisses la température (en °C) et en ordonnées la pression de vapeur saturante de l'eau (en bars, en échelle logarithmique), obtenu 20 par la formule de Clapeyron. Figures 3a à 3e sont des vues schématiques en coupe selon la normale aux premières surfaces -et secondes surfaces- des premier et deuxième substrats, illustrant des étapes d'un procédé selon l'invention dans le cas d'un transfert de couche utile par la technologie Smart CutTM. 25 Figure 1 et Figures 3a à 3e ne sont pas représentées à l'échelle pour en simplifier leur compréhension. Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références 30 pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. Un objet de l'invention est un procédé de collage par adhésion directe d'un premier substrat 1 à un deuxième substrat 2, comportant les étapes successives : 6 a) prévoir les premier et deuxième substrats 1, 2, comprenant chacun une première surface 10, 20 et une seconde surface 11, 21 opposée ; b) coller le premier substrat 1 au deuxième substrat 2 par une adhésion directe entre les premières surfaces 10, 20 des premier et deuxième substrats 1, 2, l'étape b) étant exécutée 5 sous une première atmosphère gazeuse présentant un premier taux d'humidité relative, noté yi ; c) appliquer un recuit thermique aux premier et deuxième substrats 1, 2 collés, à une température de recuit thermique comprise entre 20°C et 700°C, l'étape c) étant exécutée sous une seconde atmosphère gazeuse 3 présentant un second taux d'humidité, noté y2, vérifiant 10 y2 Premier et deuxième substrats Les premier et/ou deuxième substrats 1, 2 peuvent être réalisés dans un matériau semiconducteur. Les premier et/ou deuxième substrats 1, 2 peuvent comporter une couche superficielle 12, 22 telle qu'une couche d'oxyde, comme illustrée aux figures 3a à 3e. 15 Les premières surfaces 10, 20 des premier et deuxième substrats 1, 2 sont avantageusement réalisées dans un matériau sélectionné parmi Si, 5i02, Ge, A1203, SiC, AsGa, InP, GaN, LiNb03, LiTa03. Etape b) de collage La première atmosphère gazeuse peut comporter de l'air. L'étape b) est préférentiellement 20 exécutée à température ambiante, c'est-à-dire une température comprise entre 20°C et 30°C. L'étape b) peut être exécutée à pression ambiante ou sous vide. Etape c) de recuit thermique La seconde atmosphère gazeuse 3 peut comporter de l'air. L'étape c) est avantageusement exécutée de sorte que la seconde atmosphère gazeuse 3 présente une pression constante. 25 Comme illustré à la figure 1, l'étape c) est avantageusement exécutée dans un four 4 injectant, à l'aide d'un injecteur 40, une vapeur d'eau dans la seconde atmosphère gazeuse 3. La vapeur d'eau est avantageusement produite par ultrasons. La température de recuit thermique est avantageusement comprise entre 20°C et 500°C, de préférence comprise entre 100°C et 500°C, plus préférentiellement comprise entre 200°C et 400°C, encore plus 30 préférentiellement comprise entre 250°C et 350°C. Selon un premier mode de mise en oeuvre, l'eau possède une pression de vapeur saturante au sein de la seconde atmosphère gazeuse 3, notée Psat, et l'étape c) comporte les étapes : 7 ci) augmenter progressivement une température de chauffage de la seconde atmosphère gazeuse 3 jusqu'à atteindre la température de recuit thermique ; c2) mesurer des températures de chauffage progressives au cours de l'étape ci), et déterminer Psat pour les températures de chauffage progressives mesurées ; 5 c3) augmenter progressivement, au cours de l'étape ci), la pression partielle de vapeur d'eau, notée pv, au sein de la seconde atmosphère gazeuse de sorte que n f v Psat L'étape ci) est exécutée de sorte que la température de chauffage suit une rampe de température, par exemple de l'ordre de 10°C/min. Comme illustré à la figure 2, l'étape c2) peut comporter une étape consistant à déterminer 10 Psat en fonction d'une température T quelconque, par exemple à l'aide de la formule de Clapeyron : ( = po exp LM (1 _1 Psat(T) R T) où : - Po est la pression de référence, égale à 1013,25 hPa ; 15 - L est la chaleur latente de vaporisation de l'eau (à 20°C), égale à 2470 kJ/kg ; - M est la masse molaire de l'eau, égale à 0,01801 kg/mol ; - R est la constante universelle des gaz parfaits, égale à 8,314 462 1 Imo1-1K-1 ; - To est la température de référence, égale à 373, 15 K (100°C). Psat peut donc être déterminée en injectant la valeur de la température de chauffage 20 mesurée dans la formule de Clapeyron. L'étape c3) est exécutée en ajustant le débit de l'injecteur 40. Selon un deuxième mode de mise en oeuvre, l'étape c) est exécutée de manière à saturer la seconde atmosphère gazeuse 3 de vapeur d'eau de sorte que y2 est égal à 100%. Autrement 25 dit, l'étape c) est exécutée en injectant suffisamment de vapeur d'eau, à l'aide de l'injecteur 40, et en permanence -i.e. pendant toute la durée de l'étape c)-, dans la seconde atmosphère gazeuse 3 de sorte que y2 est égal à 100%. Application au transfert de couches minces L'étape a) peut comporter une étape ai) consistant à implanter des espèces gazeuses dans 30 le premier substrat 1 (appelé substrat donneur), à travers la première surface 10, de manière à former une zone de fragilisation ZS, une couche utile 5 à transférer (i.e. à transférer sur le deuxième substrat 2, appelé substrat support) étant délimitée par la zone de fragilisation ZS et par la première surface 10 du premier substrat 1. Les espèces gazeuses implantées lors de 8 l'étape ai) comportent préférentiellement des atomes d'hydrogène ionisée. Il est également possible d'effectuer une co-implantation avec d'autres espèces gazeuses telles que l'hélium. A titre d'exemple non limitatif, lorsque le premier substrat 1 est réalisé en silicium, l'étape ai) peut être exécutée avec des atomes d'hydrogène ionisé selon les paramètres suivants : 5 - une énergie de 85 keV, - une dose de 5x101-6at.cm-2. Le recuit thermique est avantageusement appliqué lors de l'étape c) selon un budget thermique adapté pour fracturer le premier substrat 1 suivant la zone de fragilisation ZS de manière à exposer la couche utile 5. A cet effet, la température de recuit thermique de 10 l'étape c) peut être comprise entre 250°C et 600°C, voire comprise entre 350°C et 500°C. Selon une variante, le procédé comporte une étape d) consistant à fracturer le premier substrat 1 suivant la zone de fragilisation ZS de manière à exposer la couche utile 5, l'étape d) étant exécutée après l'étape c). Le recuit thermique peut alors être appliqué lors de l'étape c) 15 selon un budget thermique correspondant à une fraction (e.g. entre 50% et 80%) du budget thermique nécessaire pour fracturer le premier substrat 1 suivant la zone de fragilisation ZS. Un tel budget thermique de l'étape c) permet d'assurer un collage fort en bord de substrat de sorte que l'étape d) de fracture (« spiitting» en langue anglaise) puisse être exécutée sous une atmosphère moins humide, voire sèche. L'étape d) peut être exécutée par un traitement 20 thermique complémentaire, adapté pour obtenir la fracture du premier substrat 1 suivant la zone de fragilisation ZS. Exemple de mise en oeuvre n°1 Les premier et deuxième substrats 1, 2 sont deux tranches de silicium de 300 mm de diamètre et de 775 um d'épaisseur. Un des deux substrats 1, 2 comporte une couche 25 superficielle 12, 22 d'oxyde obtenue par oxydation thermique, et d'une épaisseur de 145 nm. Les premier et deuxième substrats 1, 2 sont nettoyés et hydrolysés dans des bains d'eau déionisée enrichie en ozone dans une solution d'APM (« Ammonia-Peroxyde Mixture ») à 70°C. Les premier et deuxième substrats 1, 2 sont collés lors de l'étape b) par adhésion directe à température ambiante, et à pression ambiante. La première atmosphère gazeuse (air ambiant) 30 présente un premier taux d'humidité relative vérifiant yi=45°/0. L'étape c) est exécutée dans un four 4, la température de recuit thermique étant égale à 300°C. La montée graduelle en température est exécutée selon une rampe de température de 10°C/minute. Le recuit thermique est appliqué à la température de recuit pendant 2 heures (phase de plateau). L'étape c) est exécutée selon le second mode de mise en oeuvre, c'est-à- 9 dire que l'étape c) est exécutée en injectant suffisamment de vapeur d'eau, à l'aide de l'injecteur 40, et en permanence -i.e. pendant toute la durée de l'étape c)-, dans la seconde atmosphère gazeuse 3 de sorte que y2 est égal à 100%. L'énergie d'adhérence est mesurée à l'issue de l'étape c) grâce à la technique du double 5 levier à déplacement imposé (DCB « Double Cantilever Beam under prescribed di lacement» en langue anglaise), impliquant une découpe de deux poutres : - une poutre de 1 cm de large passant par les bords des deux substrats 1, 2 collés, - une poutre de 1 cm de large passant par une portion centrale des deux substrats 1, 2 collés. 10 On mesure une énergie d'adhérence de 4,8 Fm' au sur les bords, et une énergie d'adhérence de 4,7 Fm' sur la portion centrale, soit une différence de 100 mi/m2, valeur très inférieure à 700 mi/m2 de l'état de la technique, qui plus est pour un diamètre de substrat de 300 mm par rapport à un diamètre de 200 mm de l'état de la technique. Exemple de mise en oeuvre n°2 15 Les premier et deuxième substrats 1, 2 sont deux tranches de silicium de 300 mm de diamètre et de 775 tm d'épaisseur. Un des deux substrats 1, 2 comporte une couche superficielle 12, 22 d'oxyde obtenue par oxydation thermique, et d'une épaisseur de 145 nm. Les premier et deuxième substrats 1, 2 sont nettoyés et hydrolysés dans des bains d'eau déionisée enrichie en ozone dans une solution d'APM (« Ammonia-Peroxyde Mixture») à 70°C. 20 Les premier et deuxième substrats 1, 2 sont collés lors de l'étape b) par adhésion directe à température ambiante, et à pression ambiante. La première atmosphère gazeuse (air ambiant) présente un premier taux d'humidité relative vérifiant yi=45`)/0. L'étape c) est exécutée dans un four 4, la température de recuit thermique étant égale à 300°C. La montée graduelle en température est exécutée selon une rampe de température de 25 10°C/minute. Le recuit thermique est appliqué à la température de recuit pendant 2 heures (phase de plateau). L'étape c) est exécutée selon le premier mode de mise en oeuvre, c'est-à-dire que l'étape c) est exécutée en injectant : - une quantité de vapeur d'eau dans la seconde atmosphère gazeuse 3, pendant la montée graduelle en température jusqu'à 120°C, telle que cp2 est maintenu égal à 50%; 30 - une quantité de vapeur d'eau dans la seconde atmosphère gazeuse 3, de 120°C à la phase de plateau, telle que cp2 est égal à 100%. L'énergie d'adhérence est mesurée à l'issue de l'étape c) grâce à la technique du double levier à déplacement imposé (DCB « Double Cantilever Beam under prescribed di lacement» en langue anglaise), impliquant une découpe de deux poutres : 10 - une poutre de 1 cm de large passant par les bords des deux substrats 1, 2 collés, - une poutre de 1 cm de large passant par une portion centrale des deux substrats 1, 2 collés. On mesure une énergie d'adhérence de 4,8 Fm' au sur les bords, et une énergie 5 d'adhérence de 4,5 Fm' sur la portion centrale, soit une différence de 300 nem', valeur très inférieure à 700 nem' de l'état de la technique, qui plus est pour un diamètre de substrat de 300 mm par rapport à un diamètre de 200 mm de l'état de la technique. 10 L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L'homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, REVENDICATIONS1. Procédé de collage par adhésion directe d'un premier substrat (1) à un deuxième substrat (2), comportant les étapes successives : a) prévoir les premier et deuxième substrats (1, 2), comprenant chacun une première surface (10, 20) et une seconde surface (11, 21) opposée ; b) coller le premier substrat (1) au deuxième substrat (2) par une adhésion directe entre les premières surfaces (10, 20) des premier et deuxième substrats (1, 2), l'étape b) étant exécutée sous une première atmosphère gazeuse présentant un premier taux d'humidité relative, noté yi ; c) appliquer un recuit thermique aux premier et deuxième substrats (1, 2) collés, à une température de recuit thermique comprise entre 20°C et 700°C, l'étape c) étant exécutée sous une seconde atmosphère gazeuse (3) présentant un second taux d'humidité, noté cp2, vérifiant (pz (pi. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'eau possède une pression de vapeur saturante au sein de la seconde atmosphère gazeuse (3), notée Psat, et dans lequel l'étape c) comporte les étapes : ci) augmenter progressivement une température de chauffage de la seconde atmosphère 20 gazeuse (3) jusqu'à atteindre la température de recuit thermique ; c2) mesurer des températures de chauffage progressives au cours de l'étape ci), et déterminer Psat pour les températures de chauffage progressives mesurées ; c3) augmenter progressivement, au cours de l'étape ci), la pression partielle de vapeur d'eau, notée pv, au sein de la seconde atmosphère gazeuse (3) de sorte que n rv Psat 25 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel cp2 est égal à 100%. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape c) est exécutée de sorte que la seconde atmosphère gazeuse (3) présente une pression constante. 30 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel les première et seconde atmosphères gazeuses (3) comportent de l'air. 12 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape c) est exécutée dans un four (4) injectant une vapeur d'eau, produite par ultrasons, dans la seconde atmosphère gazeuse (3). 5 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel la température de recuit thermique est comprise entre 20°C et 500°C, de préférence comprise entre 100°C et 500°C, plus préférentiellement comprise entre 200°C et 400°C, encore plus préférentiellement comprise entre 250°C et 350°C. 10 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel : - l'étape a) comporte une étape ai) consistant à implanter des espèces gazeuses dans le premier substrat (1), à travers la première surface (10), de manière à former une zone de fragilisation (ZS), une couche utile (5) étant délimitée par la zone de fragilisation (ZS) et par la première surface (10) du premier substrat (1) ; et 15 - le recuit thermique est appliqué lors de l'étape c) selon un budget thermique adapté pour fracturer le premier substrat (1) suivant la zone de fragilisation (ZS) de manière à exposer la couche utile (5). 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel : - l'étape a) comporte une étape ai) consistant à implanter des espèces gazeuses dans le premier substrat (1), à travers la première surface (10), de manière à former une zone de fragilisation (ZS), une couche utile (5) étant délimitée par la zone de fragilisation (ZS) et par la première surface (10) du premier substrat (1) ; et - l'étape c) est suivie d'une étape d) consistant à fracturer le premier substrat (1) suivant la 25 zone de fragilisation (ZS) de manière à exposer la couche utile (5). 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les premières surfaces (10, 20) des premier et deuxième substrats (1, 2) sont réalisées dans un matériau sélectionné parmi Si, 5i02, Ge, A1203, SiC, AsGa, InP, GaN, LiNb03, LiTa03. 30 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel l'étape b) est exécutée à une température comprise entre 20°C et 30°C.