FR 3083046 A1 20191227 FR 1855665 A 20180625 6963 - DD18395 1 DISPOSITIF ELECTRONIQUE COMPORTANT UN TRANSISTOR DISCRET MONTE SUR UNE CARTE DE CIRCUIT IMPRIME Domaine La présente demande concerne un dispositif électronique, aussi appelé carte électronique, comportant un ou plusieurs transistors discrets montés sur une carte de circuit imprimé. Exposé de l'art antérieur De nombreux dispositifs électroniques comportant un ou plusieurs transistors discrets montés sur une carte de circuit imprimé ont déjà été proposés. On s'intéresse ici plus particulièrement à des convertisseurs de puissance dans lesquels un ou plusieurs transistors discrets montés sur une carte de circuit imprimé sont commandés en commutation à une fréquence relativement élevée, dite fréquence de découpage, par exemple une fréquence supérieure à 10 kHz. Dans un tel convertisseur, il est souhaitable que la vitesse de commutation (vitesse d'ouverture et vitesse de fermeture) des transistors soit la plus élevée possible. Ceci permet en effet d'augmenter la fréquence de commutation des transistors, et par conséquent de réduire les dimensions d'un ou plusieurs composants passifs (inductance(s) et/ou condensateur(s)) du convertisseur, tout en maintenant les pertes du convertisseur à un niveau relativement faible. En pratique, la vitesse de commutation des transistors est toutefois 316963 - DD18395 2 limitée, en raison notamment des inductances parasites des éléments conducteurs de connexion reliant le transistor à un circuit de contrôle du transistor. Résumé 5 Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comportant : un transistor discret comportant une puce semiconductrice encapsulée dans un boîtier en un matériau isolant laissant accessible un premier plot de connexion à une première 10 borne de conduction du transistor ; et une carte de circuit imprimé comportant des premier et deuxième plots de connexion disjoints, dans lequel le transistor est monté sur la carte de circuit imprimé de façon que le premier plot de connexion du 15 transistor soit en contact avec les premier et deuxième plots de connexion de la carte de circuit imprimé. Selon un mode de réalisation : le transistor comprend en outre un deuxième plot de connexion à une deuxième borne de conduction du transistor, et un 20 troisième plot de connexion à une borne de commande du transistor ; la carte de circuit imprimé comprend en outre des troisième et quatrième plots de connexion ; et le transistor est monté sur la carte de circuit imprimé 25 de façon que les deuxième et troisième plots de connexion du transistor soient respectivement en contact avec les troisième et quatrième plots de connexion de la carte de circuit imprimé. Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte en outre, monté sur la carte de circuit imprimé, un circuit de 30 contrôle du transistor, connecté à la borne de commande du transistor par l'intermédiaire du quatrième plot de connexion de la carte de circuit imprimé et à la première borne de conduction du transistor par l'intermédiaire du deuxième plot de connexion de la carte de circuit imprimé. 316963 - DD18395 3 Selon un mode de réalisation, le circuit de contrôle est configuré pour commuter alternativement le transistor à l'état ouvert et à l'état fermé à une fréquence supérieure à 10 kHz. Selon un mode de réalisation, en vue de dessus, la 5 distance entre le deuxième plot de connexion de la carte de circuit imprimé et le quatrième plot de connexion de la carte de circuit imprimé est inférieure au dixième de la plus grande dimension du transistor. Selon un mode de réalisation : 10 la carte de circuit imprimé comprend en outre un cinquième plot de connexion disjoint des premier et deuxième plots de connexion de la carte de circuit imprimé ; et le transistor est monté sur la carte de circuit imprimé de façon que le premier plot de connexion du transistor soit en 15 contact avec les premier, deuxième et cinquième plots de connexion de la carte de circuit imprimé. Selon un mode de réalisation, les plots de connexion sont en métal. Selon un mode de réalisation, les plots de connexion 20 sont en cuivre. Selon un mode de réalisation, le transistor est un transistor MOS, la première borne de conduction étant une borne de source du transistor. Selon un mode de réalisation, la deuxième borne de 25 conduction et la borne de commande sont respectivement une borne de drain et une borne de grille du transistor. Selon un mode de réalisation, le transistor est un transistor au nitrure de gallium, un transistor MOS au carbure de silicium, ou un transistor MOS à superjonction silicium. 30 Brève description des dessins Ces caractéristiques et leurs avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 316963 - DD18395 la figure lA est une vue de dessous schématique d'un exemple d'un transistor discret ; la figure 1B est une vue de dessus schématique et partielle d'un exemple d'une carte de circuit imprimé destinée à 5 recevoir le transistor de la figure 1A ; la figure 10 est un schéma électrique équivalent d'un dispositif électronique comportant le transistor de la figure lA et un circuit de commande de ce transistor, montés sur la carte de circuit imprimé de la figure 13 ; 10 la figure 2A est une vue de dessous schématique d'un autre exemple d'un transistor discret ; la figure 2B est une vue de dessus schématique et partielle d'un exemple d'une carte de circuit imprimé destinée à recevoir le transistor de la figure 2A ; 15 la figure 20 est un schéma électrique équivalent d'un dispositif électronique comportant le transistor de la figure 2A et un circuit de commande de ce transistor, montés sur la carte de circuit imprimé de la figure 23 ; la figure 3A est une vue de dessous schématique d'un 20 exemple d'un transistor discret d'un dispositif électronique selon un mode de réalisation ; la figure 3B est une vue de dessus schématique et partielle d'un exemple d'une carte de circuit imprimé d'un dispositif électronique selon un mode de réalisation, destinée à 25 recevoir le transistor de la figure 3A ; et la figure 30 est un schéma électrique équivalent d'un dispositif électronique selon un mode de réalisation, comportant le transistor de la figure 3A et un circuit de commande de ce transistor, montés sur la carte de circuit imprimé de la figure 30 3B. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, 35 seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de 316963 - DD18395 réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la structure interne des transistors des dispositifs électroniques décrits n'a pas été détaillée, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec toutes ou la plupart 5 des structures connues de transistors discrets. De plus, les schémas électriques complets des dispositifs électroniques décrits n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec tous ou la plupart des dispositifs électroniques comportant des transistors discrets, et en 10 particulier des transistors discrets commandés en commutation, par exemple des convertisseurs à découpage. On notera que par transistor discret, on entend ici un transistor formé dans et sur une puce semiconductrice indépendante des autres composants du dispositif. Un tel transistor peut en 15 outre comprendre un boîtier d'encapsulation, par exemple en un matériau isolant, laissant accessibles au moins trois plots conducteurs de connexion à un dispositif extérieur, connectés respectivement aux deux bornes de conduction du transistor (la source et le drain dans le cas d'un transistor MOS ou dans le cas 20 d'un transistor HEMT (de l'anglais "High Electron Mobility Transistor" - transistor à haute mobilité d'électrons), par exemple un transistor HEMT au nitrure de gallium (GaN)) et à une borne de commande du transistor (la grille dans le cas d'un transistor MOS ou dans le cas d'un transistor HEMT au GaN). Bien que les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à ce cas particulier, on s'intéresse ici plus particulièrement à des transistors de puissance, c'est-à-dire des transistors adaptés à tenir des tensions relativement élevées à l'état ouvert (bloqué), par exemple des tensions supérieures à 100 V et de préférence supérieures à 500 V, et à laisser passer des courants relativement élevés à l'état fermé (passant), par exemple des courants supérieurs à 1 A et de préférence supérieurs à 10 A. Par ailleurs, on entend ici par carte de circuit imprimé ou PCB (de l'anglais "Printed Circuit Board") un support en forme 35 de plaque permettant de maintenir et de relier électriquement 316963 - DD18395 6 entre eux une pluralité de composants électroniques discrets, dans le but de réaliser un dispositif électronique complexe aussi appelé carte électronique. Une carte de circuit imprime est par exemple constituée d'un empilement d'une couche support en un 5 matériau isolant, et d'une ou plusieurs couches conductrices, par exemple en cuivre, séparées les unes des autres par un matériau Isolant. Les couches conductrices sont localement gravées, par exemple par un procédé chimique, pour définir un ensemble de plots conducteurs de connexion auxquels sont destines a être soudes ou 10 brases des plots conducteurs de connexion correspondants des composants du dispositif, et un ensemble de pistes conductrices reliant entre eux les plots de connexion de la carte de circuit imprime. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait 15 référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., 20 il est fait référence à l'orientation des figures, étant entendu que, en pratique, les dispositifs décrits peuvent être orientés différemment. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 -(= près, de préférence à 5 1 près. 25 La figure lA est une vue de dessous schématique d'un exemple d'un transistor discret 100. Le transistor 100 comprend une puce semiconductrice (non visible sur la figure LA) dans et sur laquelle est formée la partie active du transistor. Dans cet exemple, la puce semiconductrice est encapsulée dans un boîtier 30 101 en un matériau isolant, par exemple en résine, laissant accessibles uniquement trois plots 103, 105 et 107 de connexion du transistor à un dispositif extérieur. Les plots 103, 105 et 107 sont par exemple en métal, par exemple en cuivre. Dans cet exemple, le transistor 100 est un transistor HEMT au GaN ou un transistor MOS, les plots 103, 105 et 107 étant respectivement 316963 - DD18395 7 connectés, à l'intérieur du boîtier 101, au drain, à la source et à la grille du transistor. Dans cet exemple, le boitier 101 a une forme générale parallélépipédique, tous les plots de connexion du transistor à un dispositif extérieur étant disposés du côté de la 5 face inférieure du transistor (la face visible sur la figure 1A). La figure 1B est une vue de dessus schématique et partielle d'un exemple d'une carte de circuit imprimé 120 destinée à recevoir le transistor 100 de la figure 1A. La carte de circuit imprimé 120 comprend, du côté de sa face supérieure, trois plots 10 de connexion 123, 125 et 127, par exemple en métal, par exemple en cuivre, destinés à être connectés respectivement aux trois plots de connexion 103, 105 et 107 du transistor 100. Dans cet exemple, les plots 123, 125 et 127 de la carte de circuit imprimé 120 ont, vu de face, sensiblement la même forme et les mêmes 15 dimensions que, respectivement, les plots 103, 105 et 107 du transistor 100. Dans cet exemple, le transistor 100 et la carte de circuit imprimé 120 sont destinés à être assemblés par montage en surface. Autrement dit, la face inférieure de chacun des plots de connexion 103, 105 et 107 du transistor est fixée et connectée 20 électriquement, par exemple par soudure ou par brasure, à la face supérieure du plot de connexion correspondant 123, respectivement 125, respectivement 127 de la carte de circuit imprimé 120. La carte de circuit imprimé 120 peut en outre comprendre des pistes conductrices (non détaillées sur la figure 1B), reliant 25 les plots de connexion 123, 125 et 127 à des plots de connexion à d'autres composants discrets du dispositif ou à des bornes de connexion extérieures du dispositif. Par souci de simplification, sur la figure 1B, on a simplement représenté de façon schématique une borne Al de la carte de circuit imprimé 120, à laquelle est 30 connecté le plot 123 (correspondant au drain du transistor), une borne A2 de la carte de circuit imprimé 120, à laquelle est connecté le plot 125 (correspondant à la source du transistor), et une borne A3 de la carte de circuit imprimé 120, à laquelle est connecté le plot 127 (correspondant à la grille du 35 transistor). En utilisation, le transistor 100 a pour fonction de 316963 - DD18395 8 moduler ou de commuter un courant circulant entre les bornes Al et A2 du dispositif. Pour cela, le dispositif comprend un circuit (non visible sur la figure 1B) de contrôle du transistor 100, également monté sur la carte de circuit imprimé 120 et connecté 5 entre les bornes A3 et A2 du dispositif. Plus particulièrement, dans le cas d'un transistor HEMT au GaN ou d'un transistor MOS, le circuit de contrôle applique une tension de commande entre la grille (par l'intermédiaire de la borne A3) et la source (par l'intermédiaire de la borne A2) du transistor pour contrôler le 10 courant circulant entre les bornes de conduction (drain et source) du transistor. La figure 10 est un schéma électrique équivalent d'un dispositif électronique comportant le transistor 100 de la figure lA et un circuit de contrôle 110 de ce transistor, montés sur la 15 carte de circuit imprimé 120 de la figure 1B. Le circuit de contrôle 110 comprend une première borne 31 connectée à la borne A3 (elle-même connectée à la grille du transistor 100), et une deuxième borne B2 connectée à la borne A2 (elle-même connectée à la source du transistor 100). Sur la figure 10, on a représenté 20 une première inductance Lsp, reliant la source (S) du transistor 100 à la borne A2, et une deuxième inductance Lss reliant la borne A2 à la borne B2 du circuit de contrôle 110. L'inductance L sp correspond à l'inductance parasite de l'ensemble des éléments conducteurs reliant la source (S) du transistor 100 à la borne 25 A2, à savoir le plot de connexion 105 du transistor, le plot de connexion correspondant 125 de la carte de circuit imprimé, et la ou les pistes conductrices reliant le plot 125 à la borne A2. L'inductance Lss correspond quant à elle à l'inductance parasite de l'ensemble des éléments conducteurs (non détaillés sur les 30 figures) reliant la borne A2 du dispositif à la borne B2 du circuit de commande. Bien que les inductances parasites Lsp et Lss soient très faibles, ces dernières peuvent perturber la tension grille-source effectivement vue par le transistor. En particulier, en 35 fonctionnement, l'inductance Lsp est susceptible d'être traversée 316963 - DD18395 9 par des courants importants dans la mesure ou elle se situe sur le chemin de puissance principal du transistor. Lors des commutations a l'état ouvert ou a l'état ferme du transistor, une variation rapide du courant =culant dans l'inductance L5 se 5 produit, ce qui peut générer une tension relativement élevée aux bornes de l'Inductance Lsp- A titre d'exemple, pour une commutation d'un courant de 50 A en une période de commutation de 5 ns, la vitesse de variation du courant dans l'inductance L sp est de 50 kA/ps. En considérant une inductance Lsp de 1 nH (ce 10 qui_ correspond a une longueur de piste conductrice de l'ordre de 1 mm sur une carte de circuit imprime), la tension aux bornes de l'Inductance Lsp pendant la période de commutation peut atteindre 10 V. Ainsi, la tension de commande effectivement vue par le transistor est fortement influencée par l'inductance parasite Lsp, 15 ce qui_ peut conduire a des dysfonctionnements, voire a un claquage du transistor. L'inductance Lss est quant a elle moins gênante dans la mesure ou les courants qui la traversent sont en pratique négligeables par rapport au courant traversant l'inductance Lsp. 20 Une solution pour limiter les dysfonctionnements évoqués ci-dessus est de limiter la vitesse de commutation du transistor. Comme indique ci-dessus, dans un convertisseur a découpage, ceci Implique une diminution de la fréquence de découpage et par conséquent une augmentation des dimensions des composants passifs 25 du convertisseur, ainsi_ qu'une augmentation des pertes de commutation. La figure 2A est une vue de dessous schématique d'un autre exemple d'un transistor discret 200. Le transistor 200 comprend les mêmes éléments que le transistor 100 de la figure 30 1A, agences sensiblement de la même manière, et comprend en outre un plot supplémentaire 109 de connexion à un dispositif extérieur. Dans l'exemple représenté, le plot 109 est dispose sur la même face du boîtier 101 que les plots 103, 105 et 107, a savoir la face inférieure du boîtier. Le plot 109 est par exemple en le même 35 matériau conducteur que les plots 103, 105 et 107. A l'intérieur 316963 - DD18395 10 du boîtier 101, le plot 109 est connecté à la région de source du transistor. A titre d'exemple, à l'intérieur du boîtier, le plot 109 (SS) est connecté à la même borne de source que le plot 105. Vu de l'extérieur, le plot 109 est toutefois isolé latéralement 5 du plot 105 par le matériau isolant du boîtier 101. Le plot 109 constitue un plot de contrôle de source, destiné à être connecté au circuit de contrôle du transistor, tandis que le plot 105 constitue un plot de source de conduction, destiné à être connecté sur le chemin de puissance du dispositif. 10 La figure 23 est une vue de dessus schématique et partielle d'un exemple d'une carte de circuit imprimé 220 destinée à recevoir le transistor 200 de la figure 2A. La carte de circuit imprimé 220 comprend, du côté de sa face supérieure, quatre plots de connexion 123, 125, 127 et 129, par exemple en métal, par 15 exemple en cuivre, destinés à être connectés respectivement aux quatre plots de connexion 103, 105, 107 et 109 du transistor 200. Dans cet exemple, les plots 123, 125, 127 et 129 de la carte de circuit imprimé 220 ont, vu de face, sensiblement la même forme et les mêmes dimensions que, respectivement, les plots 103, 105, 20 107 et 109 du transistor 200. Dans cet exemple, les plots 129 et 125 sont disjoints, c'est-à-dire que, en l'absence du transistor 200 (avant montage du transistor 200 sur la carte de circuit imprimé), les plots 129 et 125 sont électriquement isolés l'un de l'autre. 25 Dans cet exemple, le transistor 200 et la carte de circuit imprimé 220 sont destinés à être assemblés par montage en surface. Autrement dit, la face inférieure de chacun des plots de connexion 103, 105, 107 et 109 du transistor est fixée et connectée électriquement, par exemple par soudure ou par brasure, à la face 30 supérieure du plot de connexion correspondant 123, respectivement 125, respectivement 127, respectivement 129 de la carte de circuit imprimé 220. La carte de circuit imprimé 220 peut en outre comprendre des pistes conductrices (non détaillées sur la figure 23), reliant 35 les plots de connexion 123, 125, 127 et 129 à des plots de 316963 - re18395 11 connexion à d'autres composants discrets du dispositif ou à des bornes de connexion extérieures du dispositif. Par souci de simplification, sur la figure 2B, on a simplement représenté de façon schématique une borne Al de la carte de circuit imprimé 220, 5 à laquelle est connecté le plot 123, une borne P2 de la carte de circuit imprimé 220, à laquelle est connecté le plot 125, une borne A3 de la carte de circuit imprimé 220, à laquelle est connecté le plot 127, et une borne A4 de la carte de circuit imprimé 220, à laquelle est connecté le plot 129. En utilisation, 10 le transistor 200 a pour fonction de moduler ou de commuter un courant circulant entre les bornes Al et P2 du dispositif. Pour cela, le dispositif comprend un circuit (non visible sur la figure 23) de contrôle du transistor 200, également monté sur la carte de circuit imprimé 220, connecté entre les bornes A3 et PA du 15 dispositif. Plus particulièrement, dans le cas d'un transistor HEMT au GaN ou d'un transistor MOS, le circuit de contrôle applique une tension de commande entre la grille (par l'intermédiaire de la borne A3) et la source (par l'intermédiaire de la borne A4) du transistor pour contrôler le courant circulant entre les bornes 20 de conduction Al (drain) et P2 (source) du dispositif. La figure 20 est un schéma électrique équivalent d'un dispositif électronique comportant le transistor 200 de la figure 2A et un circuit de contrôle 210 de ce transistor, montés sur la carte de circuit imprimé 220 de la figure 23. Le circuit de 25 contrôle 210 comprend une première borne 31 connectée à la borne A3 (elle-même connectée à la grille du transistor 200), et une deuxième borne 32 connectée à la borne A4 (elle-même connectée à la source du transistor 200). Sur la figure 20, on a représenté une première inductance Lsp, reliant la source (S) du transistor 30 200 à la borne A2, et une deuxième inductance Lss reliant la source (S) du transistor 200 à la borne 32 du circuit de contrôle 210. L'inductance Lsp correspond à l'inductance parasite de l'ensemble des éléments conducteurs reliant la source (S) du transistor 200 à la borne P2, à savoir le plot de connexion 105 35 du transistor, le plot de connexion correspondant 125 de la carte 316963 - DD18395 12 de circuit imprimé, et la ou les pistes conductrices reliant le plot 125 à la borne A2. L'inductance Lss correspond quant à elle à l'inductance parasite de l'ensemble des éléments conducteurs reliant la source (S) du transistor 200 à la borne E2, à savoir 5 le plot de connexion 109 du transistor, le plot de connexion correspondant 129 de la carte de circuit imprimé, et la ou les pistes conductrices reliant le plot 129 à la borne A4 (ainsi qu'éventuellement la ou les pistes conductrices reliant la borne A4 à la borne B2, dont l'inductance parasite est considérée comme 10 négligeable dans l'exemple représenté). Comme l'illustre le schéma de la figure 20, la prévision, dans le transistor 200, d'un plot de contrôle de source 109 distinct du plot de source de conduction 105, et, sur la carte de circuit imprimé 220, d'un plot de contrôle de source 15 correspondant 129 distinct du plot de source de conduction 125, permet de rendre négligeable l'inductance parasite de connexion de source vue à la fois par le circuit de contrôle 210 et par le chemin de puissance du dispositif. Dans la configuration des figures 2A, 2B et 2C, 20 l'inductance L est toujours susceptible d'être traversée par sp des courants importants, ce qui peut, comme expliqué ci-dessous en relation avec la figure 10, conduire à l'apparition d'une tension relativement élevée à ses bornes lors des commutations du transistor. Toutefois, à la différence de la configuration des 25 figures 1A, 1B et 10, ceci ne perturbe pas la tension de commande effectivement vue par le transistor, dans la mesure où l'inductance L est en dehors du chemin de connexion entre la sp borne B2 du circuit de contrôle et la source du transistor. De même que dans la configuration des figures 1A, 1B et 30 10, l'inductance Lss est quant à elle peu gênante dans la mesure où les courants qui la traversent sont négligeables par rapport au courant traversant l'inductance Lsp. Ainsi, la configuration des figures 2A, 2B et 20 permet d'appliquer au transistor une vitesse de commutation plus élevée 316963 - DD18395 13 que dans la configuration des figures 1A, 1B et 1C, sans augmenter les risques de dysfonctionnements. Toutefois, un inconvénient de cette solution est qu'elle nécessite d'utiliser des transistors discrets spécifiques, munis 5 d'un plot de contrôle supplémentaire (le plot 109 dans l'exemple de la figure 2A), qui ne sont pas toujours disponibles dans les catalogues des fabricants de composants semi-conducteurs. Les figures 3A, 3B et 3C illustrent de façon schématique un exemple d'un mode de réalisation d'un dispositif électronique 10 comportant un transistor discret 300 monté sur une carte de circuit imprimé 320. Les figures 3A et 3B sont respectivement une vue de dessous du transistor 300 et une vue de dessus de la carte de circuit imprimé 320, et la figure 30 est un schéma électrique équivalent du dispositif. 15 Dans cet exemple, le transistor 300 est identique ou similaire au transistor 100 de la figure 1A. En particulier, dans cet exemple, le transistor 300 comprend un unique plot 105 de connexion à la source (S) du transistor accessible à l'extérieur du boîtier 101. 20 La carte de circuit imprimé 320 est quant à elle identique ou similaire à la carte de circuit imprimé 220 de la figure 2B. Plus particulièrement, dans cet exemple, la carte de circuit imprimé 320 comprend deux plots de connexion de source 125 et 129 disjoints. Le plot 125 constitue un plot de source de 25 conduction du dispositif, et le plot 129 constitue un plot de contrôle de source du dispositif. Dans l'exemple des figures 3A, 3B et 30, les plots 125 et 129 sont destinés, lors du montage du transistor 300, à être tous deux connectés au plot de connexion de source 105 du 30 transistor. Autrement dit, lors du montage du transistor 300, la face inférieure du plot de connexion de source 105 du transistor 300 est fixée et connectée électriquement, par exemple par soudure ou par brasure, à la fois à la face supérieure du plot 125 et à 35 la face supérieure du plot 129. 316963 - DD18395 14 De façon similaire à ce qui a été décrit dans l'exemple des figures 2A, 2B et 20, les plots 125 et 129 sont isolés électriquement l'un de l'autre en l'absence du transistor 300 (avant montage du transistor sur la carte de circuit imprimé). 5 De préférence, le plot de contrôle de source 129 est voisin du plot de connexion de grille 127 de la carte de circuit imprimé, c'est-à-dire qu'il est séparé latéralement du plot 127 uniquement par le matériau isolant de la carte de circuit imprimé, et non par un autre élément conducteur de la carte de circuit 10 imprimé. A titre d'exemple, vu de dessus, la distance entre le plot 127 et le plot 129 est inférieure au dixième de la plus grande dimension du transistor 300. La carte de circuit imprimé 320 peut en outre comprendre des pistes conductrices (non détaillées sur la figure 3B), reliant 15 les plots de connexion 123, 125, 127 et 129 à des plots de connexion à d'autres composants discrets du dispositif ou à des bornes de connexion extérieures du dispositif. Par souci de simplification, sur la figure 3B, on a simplement représenté de façon schématique une borne Al de la carte de circuit imprimé 320, 20 à laquelle est connecté le plot 123, une borne P2 de la carte de circuit imprimé 320, à laquelle est connecté le plot 125, une borne A3 de la carte de circuit imprimé 320, à laquelle est connecté le plot 127, et une borne PA de la carte de circuit imprimé 320, à laquelle est connecté le plot 129. 25 En utilisation, le transistor 300 a pour fonction de moduler ou commuter un courant circulant entre les bornes Al et P2 du dispositif. Pour cela, le dispositif comprend circuit (non visible sur la figure 33) de contrôle du transistor 300, également monté sur la carte de circuit imprimé 320, connecté entre les 30 bornes A3 et A4 du dispositif. Plus particulièrement, dans le cas d'un transistor HEMT au Gall ou d'un transistor MOS, le circuit de contrôle applique une tension de commande entre la grille (par l'intermédiaire de la borne A3) et la source (par l'intermédiaire de la borne A4) du transistor pour contrôler le courant circulant 316963 - fe18395 15 entre les bornes de conduction Al (drain) et A2 (source) du dispositif. La figure 30 est un schéma électrique équivalent d'un dispositif électronique comportant le transistor 300 de la figure 5 3A et un circuit de contrôle 310 de ce transistor, montés sur la carte de circuit imprimé 320 de la figure 33. Le circuit de contrôle 310 comprend une première borne 31 connectée à la borne A3 (elle-même connectée à la grille du transistor 300), et une deuxième borne 32 connectée à la borne A4 (elle-même connectée à 10 la source du transistor 300). Sur la figure 30, on a représenté une association en série d'une première inductance Lspl et d'une deuxième inductance L5p2, reliant la source (S) du transistor 300 à la borne A2, et une troisième inductance Lss reliant le point milieu Ni entre les inductances Lspl et L5p2 à la borne 32 du 15 circuit de contrôle 310. L'inductance Lspl correspond à l'inductance parasite de l'ensemble des éléments conducteurs reliant la source (S) du transistor 300 à la fois au plot 125 et au plot 129 de la carte de circuit imprimé 320, à savoir le plot de connexion 105 du transistor 300 dans cet exemple. L'inductance 20 L5p2 correspond quant à elle à l'inductance parasite de l'ensemble des éléments conducteurs reliant le plot de connexion 105 du transistor 300 à la borne P2, à savoir le plot de connexion 125 de la carte de circuit imprimé, et la ou les pistes conductrices reliant le plot 125 à la borne A2. L'inductance Lss correspond 25 quant à elle à l'inductance parasite de l'ensemble des éléments conducteurs reliant le plot de connexion 105 du transistor 200 à la borne 32, à savoir le plot de connexion 129 de la carte de circuit imprimé, et la ou les pistes conductrices reliant le plot 129 à la borne PA (ainsi qu'éventuellement la ou les pistes 30 conductrices reliant la borne A4 à la borne 32, dont l'inductance parasite est considérée comme négligeable dans l'exemple représenté). Un avantage du mode de réalisation décrit en relation avec les figures 3A, 33 et 30 est qu'il permet d'utiliser un 35 transistor discret comportant un unique plot de connexion de 316963 - DD18395 16 source accessible à l'extérieur du boîtier du transistor, et, moyennant une simple modification du motif conducteur de la carte de circuit imprimé pour créer un plot de contrôle de source disjoint du plot de source de conduction, de réduire 5 significativement l'inductance parasite de connexion de source vue à la fois par le circuit de contrôle du transistor et par le chemin de puissance du dispositif. Ceci permet, par rapport à la configuration des figures 1A, 1B et 1C, d'augmenter la vitesse de commutation du transistor sans augmenter les risques de 10 dysfonctionnements (sans pour autant utiliser un composant munis d'un plot de contrôle supplémentaire comme dans l'exemple des figures 2A, 2B et 20). Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de 15 l'art. En particulier, on a décrit ci-dessus des exemples de réalisation appliqués à des transistors HEMT au GaN ou à des transistors MOS. Les modes de réalisation ne se limitent toutefois pas à ces cas particuliers. Plus généralement, les modes de réalisation décrits peuvent être appliqués à tout transistor 20 comportant deux bornes de conduction et une borne de commande destinée à recevoir un signal électrique de commande référencé par rapport à l'une des bornes de conduction, par exemple des transistors bipolaires ou des transistors à effet de champ. Les modes de réalisation décrits sont notamment particulièrement 25 adaptés aux transistors à commutation rapide. Outre les exemples mentionnés ci-dessus, les modes de réalisation décrits sont notamment particulièrement avantageux pour des transistors MOS au carbure de silicium ou pour des transistors MOS à superj onction silicium. 30 De plus, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à l'application susmentionnée à des convertisseurs de puissance à découpage, mais peuvent s'appliquer plus généralement à tout dispositif électronique comportant un transistor discret monté sur une carte de circuit imprimé. 316963 - DD18395 17 Par ailleurs, on a représenté, en figures 3A et 33, un exemple de réalisation dans lequel un unique plot de contrôle de source 129 est prévu sur la carte de circuit imprime. A titre de variante, plusieurs plots de contrôle de source disjoints, 5 destines a être connectes au même plot de connexion de source 105 du transistor que le plot de source de conduction 125, peuvent être prévus sur la carte de circuit imprime. A titre d'exemple, deux plots de contrôle de source disjoints disposes de part et d'autre du plot de source de conduction 125 peuvent être prévus 10 sur la carte de circuit imprime. Les différents plots de contrôle de source de la carte de circuit imprime peuvent être connectes a des circuits de contrôle distincts, REVENDICATIONS1. Dispositif électronique comportant : un transistor discret (300) comportant une puce semiconductrice encapsulée dans un boîtier (101) en un matériau Isolant laissant accessible un premier plot (105) de connexion à 5 une première borne de conduction (S) du transistor ; et une carte de circuit imprimé (320) comportant des premier (125) et deuxième (129) plots de connexion disjoints, dans lequel le transistor est monté sur la carte de circuit imprimé de façon que le premier plot de connexion (105) 10 du transistor soit en contact avec les premier (125) et deuxième (129) plots de connexion de la carte de circuit imprimé. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel : le transistor (300) comprend en outre un deuxième plot (103) de connexion à une deuxième borne de conduction (D) du 15 transistor, et un troisième plot (107) de connexion à une borne de commande (G) du transistor ; la carte de circuit imprimé (320) comprend en outre des troisième (123) et quatrième (127) plots de connexion ; et le transistor est monté sur la carte de circuit imprimé 20 de façon que les deuxième (103) et troisième (107) plots de connexion du transistor soient respectivement en contact avec les troisième (123) et quatrième (127) plots de connexion de la carte de circuit imprimé. 3. Dispositif selon la revendication 2, comportant en 25 outre, monté sur la carte de circuit imprimé (320), un circuit de contrôle (310) du transistor, connecté à la borne de commande (G) du transistor par l'intermédiaire du quatrième plot de connexion (127) de la carte de circuit imprimé et à la première borne de conduction (S) du transistor par l'intermédiaire du deuxième plot 30 de connexion (129) de la carte de circuit imprimé. 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le circuit de contrôle (310) est configure pour commuter alternativement le transistor (300) à l'état ouvert et à l'état fermé à une fréquence supérieure à 10 kHz. 316963 - DD18395 19 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel, en vue de dessus, la distance entre le deuxième plot de connexion (129) de la carte de =cuit imprimé et le quatrième plot de connexion (127) de la carte de circuit imprimé est inférieure au dixième de la plus grande dimension du transistor (300). 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel : la carte de circuit imprimé comprend en outre un 10 cinquième plot de connexion disjoint des premier (125) et deuxième (129) plots de connexion de la carte de circuit imprimé ; et le transistor est monté sur la carte de circuit imprimé de façon que le premier plot de connexion (105) du transistor soit en contact avec les premier (125), deuxième (129) et cinquième 15 plots de connexion de la carte de =cuit imprimé. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les plots de connexion (103, 105, 107, 123, 125, 127, 129) sont en métal. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 20 1 à 7, dans lequel les plots de connexion (103, 105, 107, 123, 125, 127, 129) sont en cuivre. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le transistor (300) est un transistor MOS, la première borne de conduction (S) étant une borne de source du 25 transistor. 10. Dispositif selon la revendication 9 dans son rattachement à la revendication 2, dans lequel la deuxième borne de conduction (D) et la borne de commande (G) sont respectivement une borne de drain et une borne de grille du transistor. 30 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le transistor (300) est un transistor au nitrure de gallium, un transistor MOS au carbure de silicium, ou un transistor MOS à superionction silicium.