FR 3085232 A1 20200228 FR 1857558 A 20180821 PIXEL D'UN MICRO-ECRAN A DIODES ELECTROLUMINESCENTES ORGANIQUES Domaine technique L'invention se rapporte au domaine technique des micro-écrans à diodes électroluminescentes organiques. L'invention trouve notamment son application dans la fabrication de lunettes et casques à réalité virtuelle ou augmentée, de viseurs d'appareil photo, d'afficheurs tète haute, de picoprojecteurs etc. Etat de la technique antérieure Un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques connu de l'état de la technique, notamment du document US 8,956,898 B2, comporte successivement : - un substrat ; - un réflecteur, réfléchissant dans le domaine visible, et formé sur le substrat ; - une couche d'espacement, formée sur le réflecteur ; - une première électrode, transparente dans le domaine visible, et formée sur la couche d'espacement ; - un empilement de couches électroluminescentes organiques, configuré pour émettre une 20 lumière blanche, et formé sur la première électrode, - une seconde électrode, semi-transparente dans le domaine visible, et formée sur l'empilement ; la seconde électrode et le réflecteur formant un résonateur optique ; la couche d'espacement possédant des première, deuxième, et troisième portions présentant des épaisseurs adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement 25 la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement, de manière à définir respectivement des sous-pixels rouge, vert et bleu. Un tel pixel de l'état de la technique permet, grâce au réflecteur et à la couche d'espacement agencés sous la première électrode transparente, de déposer aisément l'empilement de couches électroluminescentes organiques sur la première électrode qui forme 30 une surface plane, ce qui n'est pas possible pour d'autres architectures telles que celle décrite dans le document EP 1 672 962 Al, où l'empilement est formé sur la couche d'espacement qui est non-plane (trois portions d'épaisseurs différentes). En outre, un tel pixel de l'état de la technique permet d'envisager de s'affranchir de filtres colorés grâce au résonateur optique de type Fabry-Pérot formant un filtre interférentiel. La 2 gamme de longueurs d'onde filtrées est déterminée par les épaisseurs des première, deuxième et troisième portions de la couche d'espacement permettant d'ajuster l'épaisseur de la cavité optique (délimitée par le réflecteur et la seconde électrode) de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issue de la lumière 5 blanche émise par l'empilement de couches électroluminescentes organiques. Toutefois, un tel pixel de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où la commande électronique des sous-pixels rouge, vert et bleu est susceptible de conduire à des phénomènes de diaphonie (« eivsstalk » en langue anglaise) entre des sous-pixels adjacents. 10 Exposé de l'invention L'invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l'invention a pour objet un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant successivement : 15 - un substrat ; - un réflecteur, réfléchissant dans le domaine visible, et formé sur le substrat ; - une couche d'espacement, formée sur le réflecteur ; - une première électrode, transparente dans le domaine visible, et formée sur la couche d'espacement ; - un empilement de couches électroluminescentes organiques, configuré pour émettre une lumière blanche, et formé sur la première électrode, - une seconde électrode, semi-transparente dans le domaine visible, et formée sur l'empilement ; la seconde électrode et le réflecteur formant un résonateur optique ; la couche d'espacement possédant des première, deuxième, et troisième portions 25 présentant des épaisseurs adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement, de manière à définir respectivement des sous-pixels rouge, vert et bleu ; remarquable en ce que les première et deuxième portions de la couche d'espacement comportent chacune des bords latéraux recouverts d'un matériau réfléchissant dans le 30 domaine visible. Ainsi, un tel pixel selon l'invention permet de réduire significativement les effets de diaphonie entre les sous-pixels rouge et vert grâce aux bords latéraux réfléchissants des 3 première et deuxième portions de la couche d'espacement qui améliorent le confinement des rayons lumineux réfléchis dans la cavité optique. Définitions - Par «micro-écran», on entend un écran dont chaque pixel présente une surface inférieure 5 ou égale à 30 itm par 30 - Par « substrat », on entend un support physique autoporté, réalisé dans un matériau de base permettant l'intégration d'un dispositif électronique ou d'un composant électronique. Un substrat est classiquement une tranche (« mufer» en langue anglaise) découpée dans un lingot monocristallin de matériau semi-conducteur. 10 - Par « domaine visible », on entend un spectre électromagnétique compris entre 380 nm et 780 nm. - Par « réfléchissant on entend que l'élément correspondant (i.e. le réflecteur ou le matériau recouvrant les bords latéraux) possède un coefficient de réflexion en intensité supérieur ou égal à 70",/0, de préférence supérieur ou égal à 809A, plus préférentiellement 15 supérieur ou égal à 85%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90°/b, moyenné sur le domaine visible. - Par « semi-transparente », on entend que la seconde électrode possède un coefficient de transmission en intensité strictement inférieur à 80%, de préférence strictement inférieur à 70%, plus préférentiellement strictement inférieur à 60%, moyenné sur le domaine visible. 20 - Par « transparente », on entend que la première électrode possède un coefficient de transmission en intensité supérieur ou égal à 70%, de préférence supérieur ou égal à 80%, plus préférentiellement supérieur ou égal à 85%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90%, moyenné sur le domaine visible. - Par « épaisseur », on entend la dimension suivant la normale à la surface du pixel ou du 25 sous-pixel. - Par « bords latéraux », on entend les bords longitudinaux s'étendant suivant une direction perpendiculaire à la normale au substrat (i.e. la normale à la surface du pixel ou du sous-pixel). 30 Le pixel selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l'invention, la troisième portion de la couche d'espacement comporte des bords latéraux recouverts d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible. 4 Ainsi, un avantage procuré est de réduire significativement les effets de diaphonie entre les sous-pixels rouge, vert et bleu grâce aux bords latéraux réfléchissants des première, deuxième et troisième portions de la couche d'espacement qui améliorent le confinement des rayons lumineux réfléchis dans la cavité optique. 5 Selon une caractéristique de l'invention, l'épaisseur de la troisième portion de la couche d'espacement est nulle, et le résonateur optique présente une épaisseur adaptée pour autoriser la transmission d'une lumière bleue issue de la lumière blanche émise par l'empilement. Ainsi, un avantage procuré est de simplifier la fabrication du sous-pixel bleu en 10 s'affranchissant du contrôle de l'épaisseur de la troisième portion de la couche d'espacement. Selon une caractéristique de l'invention, le substrat comporte une couche diélectrique structurée, de préférence réalisée en Si02 ou en SiN, sur laquelle est formé le réflecteur ; la couche diélectrique structurée comprenant des premier, deuxième et troisième motifs associés 15 respectivement aux sous-pixels rouge, vert et bleu ; et les premier, deuxième et troisième motifs comportent chacun des bords latéraux recouverts d'un matériau électriquement conducteur, de préférence sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W ; les bords latéraux des premier, deuxième et troisième motifs étant électriquement isolés entre eux. 20 Par « diélectrique », on entend que la couche présente une conductivité électrique à 300 K inférieure ou égale à 106 S/cm. Par « électriquement conducteur », on entend que le matériau présente une conductivité électrique à 300 K supérieure ou égale à 101 S/cm. Ainsi, un avantage procuré est la formation de trous d'interconnexion (« rias » en langue anglaise), dont les parois sont définies par deux bords latéraux appartenant à deux motifs adjacents, en regard l'un de l'autre. Les parois des trous d'interconnexion sont donc électriquement conductrices et l'intérieur des parois peut être rempli d'un matériau diélectrique. De tels trous d'interconnexion se distinguent de l'état de la technique ciel les parois sont diélectriques et l'intérieur des parois est électriquement conducteur. Selon une caractéristique de l'invention, le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux des première et deuxième portions de la couche d'espacement est électriquement conducteur 5 et les bords latéraux des premier et deuxième motifs de la couche diélectrique structurée s'étendent respectivement dans le prolongement des bords latéraux des première et deuxième portions de la couche d'espacement. Ainsi, un avantage procuré est de connecter électriquement les trous d'interconnexion 5 (formés par deux bords latéraux de deux motifs adjacents) à la première électrode par l'intermédiaire des bords latéraux des première et deuxième portions de la couche d'espacement. Une telle architecture permet d'accéder facilement, avec un encombrement réduit, à un circuit de commande des sous-pixels rouge et vert, intégré au substrat. 10 Selon une caractéristique de l'invention, le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux des première, deuxième et troisième portions de la couche d'espacement est électriquement conducteur ; et les bords latéraux des premier, deuxième et troisième motifs de la couche diélectrique structurée s'étendent respectivement dans le prolongement des bords latéraux des première, 15 deuxième et troisième portions de la couche d'espacement. Ainsi, un avantage procuré est de connecter électriquement les trous d'interconnexion (formés par deux bords latéraux de deux motifs adjacents) à la première électrode par l'intermédiaire des bords latéraux des première, deuxième et troisième portions de la couche d'espacement. Une telle architecture permet d'accéder facilement, et de manière compacte, à 20 un circuit de commande des sous-pixels rouge, vert et bleu, intégré au substrat. Selon une caractéristique de l'invention, le substrat comporte un circuit CMOS et les bords latéraux des premier, deuxième et troisième motifs de la couche diélectrique structurée sont reliés électriquement au circuit CMOS. 25 Ainsi, un avantage procuré est d'accéder facilement, avec un encombrement réduit, au circuit de commande CMOS des sous-pixels rouge, vert, et bleu intégré au substrat. Selon une caractéristique de l'invention, le réflecteur est réalisé dans un matériau sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W. 30 Ainsi, de tels matériaux métalliques possèdent à la fois un coefficient de réflexion en intensité élevée dans le domaine visible, et une conductivité électrique élevée. Selon une caractéristique de l'invention, le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux des première, deuxième et troisième portions de la couche d'espacement est 35 sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, 6 Ainsi, de tels matériaux métalliques possèdent à la fois un coefficient de réflexion en intensité élevée dans le don-laine visible, et une conductivité électrique élevée. Selon une caractéristique de l'invention, la couche d'espacement est réalisée dans un 5 matériau électriquement conducteur et transparent dans le domaine visible, de préférence un oxyde, plus préférentiellement sélectionné parmi l'oxyde d'indium-étain l'oxyde d'étain Sn02, l'oxyde de zinc Zn(). Selon une caractéristique de l'invention, les première, deuxième et troisième portions de la 10 couche d'espacement comportent des bords latéraux électriquement isolés entre eux. Selon une caractéristique de l'invention, la première électrode est réalisée en oxyde d'indium-étain. 15 Selon une caractéristique de l'invention, la deuxième électrode est réalisée dans un matériau sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W. Selon une caractéristique de l'invention, le substrat est réalisé dans un matériau semiconducteur, de préférence le silicium. 20 L'invention a également pour objet un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant une matrice de pixels conformes à l'invention. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un pixel d'un m cro-écran 25 à diodes électroluminescentes organiques, comportant les étapes : a) prévoir un substrat ; b) former un réflecteur, réfléchissant dans le domaine visible, sur le substrat ; c) former une couche d'espacement sur le réflecteur ; d) former une première électrode, transparente dans le dom Ir visible, sur la couche 30 d'espacement ; e) former un empilement de couches électroluminescentes organiques sur la première électrode, l'empilement étant configuré pour émettre une lumière blanche ; 0 former une seconde électrode, serai-transparente dans le domaine visible, sur l'empilement ; la seconde électrode et le réflecteur formant un résonateur optique ; 7 l'étape c) étant exécutée de sorte que la couche d'espacement possède des première, deuxième, et troisième portions présentant des épaisseurs adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement, de manière à définir respectivement des sous-pixels 5 rouge, vert et bleu ; les première et deuxième portions de la couche d'espacement présentant des bords latéraux ; remarquable en ce que l'étape c) comporte une étape consistant à recouvrir, d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible, les bords latéraux des première et deuxième portions de la couche d'espacement. 10 Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l'exposé détaillé de différents modes de réalisation de l'invention, l'exposé étant assorti d'exemples et de références aux dessins joints. 15 Figure 1 est une vue schématique en coupe d'un pixel selon l'invention, illustrant un premier mode de réalisation de la couche d'espacement, la coupe étant effectuée suivant la normale à la surface du pixel. Figure 2 est une vue schématique en coupe d'un pixel selon l'invention, illustrant un deuxième mode de réalisation de la couche d'espacement, la coupe étant effectuée suivant la 20 normale à la surface du pixel. Figures 3a à 3k sont des vues schématiques en coupe selon la normale au substrat, illustrant des étapes d'un premier procédé de fabrication selon l'invention. Figures 4a à 4k sont des vues schématiques en coupe selon la normale au substrat, illustrant des étapes d'un deuxième procédé de fabrication selon l'invention. 25 Figures 5a à 5k sont des vues schématiques en coupe selon la normale au substrat, illustrant des étapes d'un troisième procédé de fabrication selon l'invention. Figures 6a à 6h sont des vues schématiques en coupe selon la normale au substrat, illustrant des étapes d'un quatrième procédé de fabrication selon l'invention. 30 11 est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques et ne sont pas à l'échelle par souci de lisibilité et pour simplifier leur compréhension. S Exposé détaillé des modes de réalisation Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. 5 Un objet de l'invention est un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant successivement : - un substrat 1 ; - un réflecteur 2, réfléchissant dans le domaine visible, et formé sur le substrat 1 ; - une couche d'espacement 3, formée sur le réflecteur 2 ; 10 - une première électrode transparente dans le domaine visible, et formée sur la couche d'espacement 3 ; - un empilement 4 de couches électroluminescentes organiques, configure pour émettre une lumière blanche, et formé sur la première électrode - une seconde électrode E2, semi-transparente dans le domaine visible, et formée sur 15 l'empilement 4 ; la seconde électrode E2 et le réflecteur 2 formant un résonateur optique ; la couche d'espacement 3 possédant des première, deuxième, et troisième portions 30, 31, 32 présentant des épaisseurs adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement 4, de manière à définir respectivement des sous-pixels rouge, vert et 20 bleu PR, PV, PH. Les première et deuxième portions 30, 31 de la couche d'espacement 3 comportent chacune des bords latéraux 300 recouverts d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible. Couche d'espacement 25 Comme illustré à la figure 1, la troisième portion 32 de la couche d'espacement 3 peut comporter des bords latéraux 300 recouverts d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible. Le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux 300 des première, deuxième et troisième portions 30, 31, 32 de la couche d'espacement 3 est avantageusement électriquement conducteur. Le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux 300 des 30 première, deuxième et troisième portions 30, 31, 32 de la couche d'espacement 3 est avantageusement sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W. Le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux 300 des première, deuxième et troisième portions 30, 31, 32 de la couche d'espacement 3 possède un coefficient de réflexion en intensité supérieur ou égal à 9 70%, de préférence supérieur ou égal à 80%, plus préférentiellement supérieur ou égal à 85%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90%, moyenné sur le domaine visible. Selon une alternative illustrée à la figure 2, l'épaisseur de la troisième portion 32 de la couche d'espacement 3 est nulle, et le résonateur optique présente une épaisseur adaptée pour 5 autoriser la transmission d'une lumière bleue issue de la lumière blanche émise par l'empilement 4. La couche d'espacement 3 est avantageusement réalisée dans un matériau électriquement conducteur et transparent dans le domaine visible, de préférence un oxyde, plus préférentiellement sélectionné parmi l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'étain Sn02, l'oxyde de 10 zinc ZnO. Substrat Le substrat 1 est avantageusement réalisé dans un matériau semi-conducteur, de préférence le silicium. Le substrat 1 comporte avantageusement une couche diélectrique 5 structurée, de 15 préférence réalisée en Si02 ou en SiN, sur laquelle est formé le réflecteur 2. La couche diélectrique 5 structurée comprend des premier, deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 associés respectivement aux sous-pixels rouge, vert et bleu PR, PV, PB. Les premier, deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 sont séparés entre eux d'une distance correspondant à la distance souhaitée entre les sous-pixels, par exemple de l'ordre de 600 nm. Les premier, 20 deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 de la couche diélectrique 5 structurée présentent avantageusement des épaisseurs adaptées aux épaisseurs des première, deuxième et troisième portions 30, 31, 32 de la couche d'espacement 3 de manière à obtenir une première électrode Fil plane. Les premier, deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 comportent avantageusement 25 chacun des bords latéraux 500 recouverts d'un matériau électriquement conducteur, de préférence sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W. Le cas échéant, les bords latéraux 500 des premier, deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 sont électriquement isolés entre eux, de préférence par l'intermédiaire d'une couche diélectrique intercalaire 6, par exemple réalisée en Si02 ou en SiN. La couche diélectrique intercalaire 6 s'étend avantageusement jusqu'à 30 affleurer la surface de Li première électrode Ed. Ainsi, les bords latéraux 300 des première, deuxième et troisième portions 30, 31, 32 de la couche d'espacement 3 sont électriquement isolés entre eux par la couche diélectrique intercalaire 6. Les bords latéraux 500 des premier et deuxième motifs 50, 51 de la couche diélectrique 5 structurée s'étendent avantageusement respectivement dans le prolongement des bords 10 latéraux 300 des première et deuxième portions 30, 31 de la couche d'espacement 3. Lorsque la troisième portion 32 de la couche d'espacement 3 comporte des bords latéraux 300 recouverts d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible, les bords latéraux 500 du troisième motif 52 de la couche diélectrique 5 structurée s'étendent avantageusement dans le 5 prolongement des bords latéraux 300 de la troisième portion 32 de la couche d'espacement 3. Le substrat 1 peut comporter un circuit CMOS formant un circuit de commande des sous-pixels rouge, vert et bleu PR, PY, P13. Les bords latéraux 500 des premier, deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 de la couche diélectrique 5 structurée sont avantageusement reliés électriquement au circuit CMOS. 10 Réflecteur Le réflecteur 2 est réalisé dans un matériau, de préférence métallique, plus préférentiellement sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W. Le matériau dans lequel est réalisé le réflecteur 2 est avantageusement identique au matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux 300 des première, deuxième et troisième portions 30, 31, 32 de la couche 15 d'espacement 3 afin de simplifier le procédé de fabrication. De la même façon, le matériau dans lequel est réalisé le réflecteur 2 est avantageusement identique au matériau électriquement conducteur recouvrant les bords latéraux 500 des premier, deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 de la couche diélectrique 5 structurée afin de simplifier le procédé de fabrication. 20 Le réflecteur 2 présente préférentiellement une épaisseur comprise entre 0,1 µm et 2 fim. Le réflecteur 2 possède un coefficient de réflexion en intensité supérieur ou égal à 70%, de préférence supérieur ou égal à 80%, plus préférentiellement supérieur ou égal à 83%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90%, moyenne sur le domaine visible. Première et seconde électrodes 25 Les première et seconde électrodes L. L.z de chaque sous-pixel rouge, vert, bleu PR, Py, PB présentent une épaisseur constante. La première électrode Fil de chaque sous-pixel rouge, vert, bleu PR, PV, P13 est avantageusement réalisée en oxyde d'indium-étain. La première électrode Ei de chaque sous-pixel rouge, vert, bleu PR, PV, PB possède un coefficient de transmission en intensité 30 supérieur ou égal à 70%, de préférence supérieur ou égal à 80%, plus préférentiellement supérieur ou égal à 85%, encore plus préférentiellement supérieur ou égal à 90%, moyenné sur le domaine visible. La seconde électrode E2 de chaque sous-pixel rouge, vert, bleu PR, PV, PB est avantageusement réalisée dans un matériau métallique, de préférence sélectionné parmi Al, 11 Ag, Pt, Cr, Ni, W. La seconde électrode L, de chaque sous-pixel rouge, vert, bleu PR, PV, PB possède un coefficient de transmission en intensité strictement inférieur à 80%, de préférence strictement inférieur à 70%, plus préférentiellement strictement inférieur à 60%, moyenne: sur le domaine visible. A titre d'exemple non limitatif, la seconde électrode E2 de chaque sous- 5 pixel rouge, vert, bleu PR, PV, PB peut être réalisée en Al avec une épaisseur comprise entre 10 nm et 20 nm. La première électrode E1 est préférentiellement une anode et la seconde électrode E2 est préférentiellement une cathode. La seconde électrode L2 est avantageusement revêtue d'une couche d'encapsulation 7 10 adaptée pour protéger de l'air et de l'humidité la seconde électrode L2 et l'empilement 4 de chaque sous-pixel rouge, vert et bleu PR, PV, PB. Empilement de couches électroluminescente organiques L'empilement 4 de couches électroluminescentes organiques présente une épaisseur constante pour chaque sous-pixel rouge, vert et bleu PR, PV, PB. 15 A titre d'exemple non limitatif, l'empilement 4 peut comporter trois couches émissives en tandem. Plus précisément, lorsque la première électrode El est une anode et la seconde électrode E2 est une cathode, l'empilement 4 peut comporter : - une première couche de transport de trous formée sur la première électrode Ri ; - une première couche émissive émettant une lumière bleue, formée sur la première 20 couche de transport de trous ; - une première couche de transport d'électrons, formée sur la première couche émissive ; - une couche de génération de charges (appelée également couche d'interconnexion), formée sur la première couche de transport d'électrons ; - une seconde couche de transport de trous, formée sur la couche de génération de 25 charges ; - une deuxième couche émissive émettant une lumière verte, formée sur la seconde couche de transport de trous ; - une troisième couche émissive émettant une lumière rouge, formée sur la deuxième couche émissive 30 - une seconde couche de transport d'électrons, formée sur la troisième couche émissive, et destinée à être revêtue de la seconde électrode E2. A titre de variantes, l'empilement 4 peut comporter : - trois couches émissives émettant respectivement des lumières bleue, verte et rouge sans être agencées en tandem (structure conventionnelle) ; 12 - deux couches émissives émettant respectivement des lumières jaune et bleue agencées en structure conventionnelle ; - deux couches émissives émettant respectivement des lumières jaune et bleue agencées en structure tandem. 5 Micro-écran Un objet de l'invention est un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant une matrice de pixels conformes à l'invention. Les pixels de la matrice présentent préférentiellement un pas compris entre 4 um et 5 um. Procédé de fabrication du pixel 10 Un objet de l'invention est un procédé de fabrication d'un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant les étapes : a) prévoir un substrat 1 ; b) former un réflecteur 2, réfléchissant dans le domaine visible, sur le substrat 1 ; c) Former une couche d'espacement 3 sur le réflecteur 2 ; 15 d) Former une première électrode Fa, transparente dans le domaine visible, sur la couche d'espacement 3 ; e) former un empilement 4 de couches électroluminescentes organiques sur la première électrode Ea, l'empilement 4 étant configuré pour émettre une lumière blanche ; lp former une seconde électrode E2, semi-transparente dans le domaine visible, sur 20 l'empilement 4 ; la seconde électrode E2 et le réflecteur 2 formant un résonateur optique. L'étape c) est exécutée de sorte que la couche d'espacement 3 possède des première, deuxième, et troisième portions 30, 31, 32 présentant des épaisseurs adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement 4, de manière à définir respectivement 25 des sous-pixels rouge, vert et bleu PR, PV, PB ; les première et deuxième portions 30, 31 de la couche d'espacement 3 présentant des bords latéraux 300. L'étape c) comporte une étape consistant à recouvrir, d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible, les bords latéraux 300 des première et deuxième portions 30, 31 de la couche d'espacement 3. 30 Premier mode de mise en oeuvre (Figures 3a à 3k) Comme illustré à la figure 3a, l'étape a) peut être exécutée par trois dépôts successifs de SiO2 sur le substrat 1, formant les premier, deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 de la couche diélectrique 5 structurée. 13 Comme illustré à la figure 3h, l'étape b) comporte un dépôt du matériau du réflecteur 2, par exemple Al avec une épaisseur de 100 nm. Le dépôt peut être exécuté par un dépôt physique en phase vapeur. Comme illustré à la figure 3c, l'étape c) comporte un dépôt pleine plaque du matériau de 5 la couche d'espacement 3 et une étape d'aplanissement, de préférence exécutée par polissage mécano-chimique. Comme illustré à la figure 3d, les étapes h) et c) sont finalisées par lithogravure de manière à graver les matériaux du réflecteur 2 et de la couche d'espacement 3 et délimiter les sous-pixels rouge, vert et bleu PR, PV, PB. 10 Comme illustré à la figure 3e, l'étape c) comporte une étape ci) consistant à recouvrir, d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible, les bords latéraux 300 des première, deuxième et troisième portions 30, 31, 32 de la couche d'espacement 3. L'étape ci) peut être exécutée par un dépôt du matériau réfléchissant, par exemple Al avec une épaisseur de 100 nni. L'étape ci) conduit également à recouvrir du matériau réfléchissant les bords latéraux 500 15 des premier, deuxième et troisième motifs 50, 51, 52 de la couche diélectrique 5 structurée, le matériau réfléchissant étant choisi pour être également électriquement conducteur. Comme illustrée aux figure 3f et 3g, l'étape ci) est suivie d'une gravure du fond des tranchées puis d'un remplissage des tranchées d'une couche diélectrique intercalaire 6, par exemple réalisée en SiO2 ou en SiN. 20 Comme illustrée à la figure 3h, le procédé comporte une étape d'aplanissement, de préférence exécutée par polissage mécano-chimique, de manière à rendre libre la surface de la couche d'espacement 3. Comme illustré aux figures 3i et 3j, l'étape d) comporte un dépôt pleine plaque de la première électrode E1, suivi d'une lithogravure adaptée pour délimiter les sous-pixels rouge, 25 vert et bleu PR, PV, PB. Comme illustré à la figure 3k, les étapes e) et f) sont exécutées par des techniques de dépôt connues de l'homme du métier. Le procédé peut comporter également une étape consistant à former une couche d'encapsulation 7 sur la seconde électrode E2. Le procédé peut comporter également une étape consistant à étendre la couche diélectrique intercalaire 6 30 jusqu'à affleurer la surface de la première électrode Li. Deuxième mode de mise en oeuvrefi ures 4a à 4k), Comme illustré à la figure 4c, le deuxième mode de mise en oeuvre diffère du premier mode de mise en oeuvre en ce que l'étape d'aplanissement, de préférence un polissage 35 mécano-chimique, de l'étape c) s'arrête sur le matériau du réflecteur 2 s'étendant sur le 14 troisième motif 52 de la couche diélectrique 5 structurée. Ainsi, l'épaisseur de la troisième portion 32 de la couche d'espacement 3 est nulle, et les épaisseurs des première et deuxième portions 30, 31 de la couche d'espacement 3 sont parfaitement contrôlées. 5 Troisième mode de mise en oeuvre (figures 5a à 5k) Comme illustré à la figure 5a, le troisième mode de mise en oeuvre diffère du deuxième mode de mise en oeuvre en ce que la couche diélectrique structurée 5 est déposée en formant des marches continues. 10 Quatrième mode de mise en oeuvre (figures 6a à 6h) Comme illustré aux Figures 6a et 6h, l'étape a) peut être exécutée par un dépôt pleine plaque d'une couche diélectrique 5' (par exemple en SiO2 et d'une épaisseur de 150 nm) sur le substrat 1, suivi d'une structuration de la couche diélectrique 5' (par lithogravure) de manière à obtenir une couche diélectrique 5 structurée et délimiter les sous-pixel rouge, vert et bleu 15 PR, PV, PB. Comme illustré à la figure 6c, l'étape h) comporte un dépôt du matériau du réflecteur 2, par exemple Al avec une épaisseur de 100 nm, sur la couche diélectrique 5 structurée. Le dépôt peut être exécuté par un dépôt physique en phase vapeur. Comme illustré à la figure 6d, le matériau du réflecteur 2 superficiel est ôté par exemple 20 par polissage mécano-chimique. Comme illustré à la figure 6e, l'étape c) comporte : - un dépôt du matériau de la couche d'espacement 3 sur le matériau du réflecteur 2 de sorte que les bords latéraux 300 des première, deuxième et troisième portions 30, 31, 32 de la couche d'espacement 3 sont recouverts du matériau du réflecteur 2, 25 - un aplanissement de la couche d'espacement 3, de préférence par polissage mécano- chimique. Comme illustré aux figures 6f et 6g, l'étape d) comporte un dépôt pleine plaque de la première électrode El, suivi d'une lithogravure adaptée pour délimiter les sous-pixels rouge, vert et bleu PR, PV, PB. 30 Comme illustré à la figure 6h, les étapes e) et B sont exécutées par des techniques de dépôt connues de l'homme du métier. Le procédé peut comporter également une étape consistant à former une couche d'encapsulation 7 sur la seconde électrode El'. Le procédé peut comporter également une étape consistant à former une couche diélectrique intercalaire 6 sur la couche diélectrique 5 structurée jusqu'à affleurer la surface de la première électrode 15 L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L'homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, REVENDICATIONS1. Pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant successivement : - un substrat (1) ; - un réflecteur (2), réfléchissant dans le domaine visible, et formé sur le substrat (1) ; - une couche d'espacement (3), formée sur le réflecteur (2) ; - une première électrode (E1), transparente dans le domaine visible, et fat niée sur la couche d'espacement (3) ; - un empilement (4) de couches électroluminescentes organiques, configuré pour émettre une lumière blanche, et formé sur la première électrode (E1), - une seconde électrode (E2), semi-transparente dans le domaine visible, et formée sur l'empilement (4) ; la seconde électrode (E2) et le réflecteur (2) formant un résonateur optique ; la couche d'espacement (3) possédant des première, deuxième, et troisième portions (30, 15 31, 32) présentant des épaisseurs adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement (4), de manière à définir respectivement des sous-pixels rouge, vert et bleu (PR, PV, PB) ; caractérisé en ce que les première et deuxième portions (30, 31) de la couche 20 d'espacement (3) comportent chacune des bords latéraux (300) recouverts d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible. 2. Pixel selon la revendication 1, dans lequel la troisième portion (32) de la couche d'espacement (3) comporte des bords latéraux (300) recouverts d'un matériau réfléchissant 25 dans le domaine visible. 3. Pixel selon la revendication 1, dans lequel l'épaisseur de la troisième portion (32) de la couche d'espacement (3) est nulle, et dans lequel le résonateur optique présente une épaisseur adaptée pour autoriser la transmission d'une lumière bleue issue de la lumière blanche émise 30 par l'empilement (4). 4. Pixel selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat (1) comporte une couche diélectrique (5) structurée, de préférence réalisée en SiO2 ou en SiN, sur laquelle est formé le réflecteur (2) ; la couche diélectrique (5) structurée comprenant des premier, 17 deuxième et troisième motifs (50, 51, 52) associés respectivement aux sous-pixels rouge, vert et bleu (PR, PV, PB) ; et dans lequel les premier, deuxième et troisième motifs (50, 51, 52) comportent chacun des bords latéraux (500) recouverts d'un matériau électriquement conducteur, de préférence 5 sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W les bords latéraux (500) des premier, deuxième et troisième motifs (50, 51, 52) étant électriquement isolés entre eux. 5. Pixel selon la revendication 4 en combinaison avec la revendication 1 ou 3, dans lequel le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux (300) des première et deuxième 10 portions (30, 31) de la couche d'espacement (3) est électriquement conducteur ; et dans lequel les bords latéraux (500) des premier et deuxième motifs (50, 51) de la couche diélectrique (5) structurée s'étendent respectivement dans le prolongement des bords latéraux (300) des première et deuxième portions (30, 31) de la couche d'espacement (3). 6. Pixel selon la revendication 4 en combinaison avec la revendication 2, dans lequel le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux (300) des première, deuxième et troisième portions (30, 31, 32) de la couche d'espacement (3) est électriquement conducteur ; et dans lequel les bords latéraux (500) des premier, deuxième et troisième motifs (50, 51, 52) de la couche diélectrique (5) structurée s'étendent respectivement dans le prolongement 20 des bords latéraux (300) des première, deuxième et troisième portions (30, 31, 32) de la couche d'espacement (3). 7. Pixel selon la revendication 5 ou 6, dans lequel le substrat (1) comporte un circuit CMOS ; 25 et dans lequel les bords latéraux (500) des premier, deuxième et troisième motifs (50, 51, 52) de la couche diélectrique (5) structurée sont reliés électriquement au circuit CMOS. 8. Pixel selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le réflecteur (2) est réalisé dans un matériau sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W. 30 9. Pixel selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le matériau réfléchissant recouvrant les bords latéraux (300) des première, deuxième et troisième portions (30, 31, 32) de la couche d'espacement (3) est sélectionné parmi Al, Ag, Pt, Cr, Ni, W. 18 10. Pixel selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche d'espacement (3) est réalisée dans un matériau électriquement conducteur et transparent dans le domaine visible, de préférence un oxyde, plus préférentiellement sélectionné parmi l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'étain Sn02, l'oxyde de 'zinc ZnO. 5 11. Pixel selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel les première, deuxième et troisième portions (30, 31, 32) de la couche d'espacement (3) comportent des bords latéraux (300) électriquement isolés entre eux. 10 12. Micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant une matrice de pixels selon l'une des revendications 1 à 11. 13. Procédé de fabrication d'un pixel d'un micro-écran à diodes électroluminescentes organiques, comportant les étapes : 15 a) prévoir un substrat (1) ; b) former un réflecteur (2), réfléchissant dans le domaine visible, sur le substrat (1) ; c) former une couche d'espacement (3) sur le réflecteur (2) ; d) former une première électrode (LI), transparente dans le domaine visible, sur la couche d'espacement (3) ; e) former un empilement (4) de couches électroluminescentes organiques sur la première électrode (Et), l'empilement (4) étant configuré pour émettre une lumière blanche f) former une seconde électrode (E2), semi-transparente dans le domaine visible, sur l'empilement (4) ; la seconde électrode (K) et le réflecteur (2) formant un résonateur optique ; l'étape c) étant exécutée de sorte que la couche d'espacement (3) possède des première, 25 deuxième, et troisième portions (30, 31, 32) présentant des épaisseurs adaptées de sorte que le résonateur optique autorise respectivement la transmission de lumières rouge, verte et bleue issues de la lumière blanche émise par l'empilement (4), de manière à définir respectivement des sous-pixels rouge, vert et bleu (PR, PV, PB) ; les première et deuxième portions (30, 31) de la couche d'espacement (3) présentant des bords latéraux (300) ; 30 caractérisé en ce que l'étape c) comporte une étape consistant à recouvrir, d'un matériau réfléchissant dans le domaine visible, les bords latéraux (300) des première et deuxième portions (30, 31) de la couche d'espacement (3).