FR 3084205 A1 20200124 FR 1856774 A 20180720 DISPOSITIF ELECTRONIQUE COMPRENANT UNE STRUCTURE ANTIREFLET DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un dispositif électronique configuré pour recevoir un rayonnement électromagnétique et comprenant une structure antireflet disposée du côté d'une face de réception de ce rayonnement. L'invention s'applique avantageusement à la réalisation d'une photodiode ou d'un bolomètre comprenant cette structure antireflet. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un tel dispositif électronique. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les couches antireflets sont utilisées dans de nombreuses applications électroniques dans le but d'augmenter la réception de certaines longueurs d'onde. Par exemple, le document US 6 926 952 B1 décrit un détecteur thermique de type pyroélectrique comprenant une structure antireflet permettant d'augmenter sa sensibilité en augmentant l'absorption du rayonnement infrarouge reçu par le détecteur. La structure antireflet correspond à une succession alternée de couches de polymère à faible indice de réfraction et de couches de polymère à fort indice de réfraction. L'inconvénient majeur de cette structure antireflet est la complexité liée à la superposition de plusieurs couches de polymères qui doit être réalisée sans dégrader l'uniformité de dépôt de chaque couche. Le document US 2006/0097134 Al décrit une structure antireflet formée par une alternance de couches de SiNx/SiNx0y déposées sur des photodiodes. De telles couches doivent toutefois être déposées à des températures élevées, par exemple comprises entre 350°C et 360°C, ce qui engendre des problèmes liés à la diffusion des dopants présents (notamment le phosphore qui diffuse très rapidement dans le germanium), ainsi que des problèmes d'incompatibilité avec certains matériaux comme par exemple le PVDF qui se dégrade à une température supérieure à environ 170°C. 2 Le document US 8 840 258 B2 décrit un autre type de structure antireflet comprenant des microstructures coniques. Cette structure est réalisée en dispersant des particules sur une couche de matériau, puis en réalisant une gravure sélective telle que la couche de matériau soit gravée de manière plus importante que les particules. La gravure est ensuite stoppée une fois que les particules ont complètement disparu. Une telle structure antireflet est également difficile à réaliser notamment à cause de la répartition des particules devant être réalisée sur la surface de la couche destinée à former les microstructures. De plus, il est très difficile de contrôler la hauteur et la largeur des microstructures réalisées. 10 Le document FR 3 046 879 Al décrit un bolomètre intégrant une structure antireflet comprenant d'une part une couche de ZnS formée au sommet du bolomètre et une couche structurée au niveau d'une face interne formant un réseau périodique de motifs bidimensionnels. Bien que les performances antireflets obtenues soient satisfaisantes, la difficulté pour former la couche structurée au sein d'une cavité 15 est un problème. EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de l'invention est de proposer un dispositif électronique configuré pour recevoir un rayonnement électromagnétique et comprenant une structure antireflet ne présentant pas les inconvénients des structures antireflets de l'art antérieur, 20 c'est-à-dire qui soit aisément réalisable et qui n'implique pas des températures élevées, par exemple supérieures à environ 200°C. Pour cela, l'invention propose un dispositif électronique comprenant au moins : - une face de réception configurée pour recevoir un rayonnement 25 électromagnétique ; - une ou plusieurs couches actives configurées pour absorber le rayonnement électromagnétique et/ou transformer le rayonnement électromagnétique en un signal électrique ; 3 - une structure antireflet disposée du côté de la face de réception, et comprenant au moins : - une couche de polymère diélectrique, et - des microstructures saillantes disposées sur la couche de 5 polymère diélectrique et telles que la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines soit inférieure à une longueur d'onde du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique, et comprenant au moins un matériau cristallisé 10 comportant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène ou de PMMA ou de PTFE, et du polymère diélectrique. Une telle structure antireflet, formée de la couche de polymère diélectrique et des microstructures, ne nécessite donc pas la réalisation d'une succession 15 alternée de couches de polymère. De plus, du fait que les microstructures comprennent un matériau cristallisé comportant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène ou de PMMA (poly(méthacrylate de méthyle)) ou de PTFE (polytétrafluoroéthylène), et du polymère diélectrique de la couche sur laquelle elles sont disposées, ces microstructures peuvent donc être formées par cristallisation et non par 20 gravure, facilitant ainsi leur réalisation. En outre, aucune étape ne nécessite d'atteindre des températures importantes, par exemple supérieures à environ 200°C. Cette structure antireflet est formée au niveau de la face de réception du rayonnement électromagnétique, ce qui facilite la réalisation de cette structure par rapport à des structures antireflets réalisées au niveau de face internes de dispositifs 25 électroniques. Une telle structure antireflet a également pour avantage d'être fine par rapport à celles formées par une succession alternée de couches différentes. Cela est particulièrement avantageux lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre car cette finesse va limiter l'absorption du rayonnement électromagnétique dans la structure antireflet. 4 La distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure à une longueur d'onde du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée. La structure antireflet remplit son rôle antireflet au moins pour les longueurs d'onde inférieures à la distance quadratique moyenne entre les microstructures. Le dispositif électronique peut être tel que : - le polymère diélectrique comporte du PVDF (ou poly(fluorure de vinylidène)) et/ou du copolymère P(VDF-TrFe) (ou poly(fluorure de vinylidène)(trifluoroéthylène)) et/ou du copolymère P(VDF-CFE) (ou poly(fluorure de vinylidène)(chlorofluroéthylène)) et/ou du copolymère P(VDF-CTFE) (ou (poly(fluorure de vinylidène) 10 (chlorotrifluro-éthylène)) et/ou du terpolymère P(VDF-TrFe-CFE) (ou (poly(fluorure de vinylidène)(trifluoro-éthylène)(chlorofluro-éthylène)) et/ou du terpolymère P(VDF-TrFeCTFE) (ou (poly(fluorure de vinylidène)(trifluoro-éthylène)(chlorotrifluro-éthylène)), et/ou - le polymère diélectrique comporte des nanoparticules de BaTiO3 et/ou de PZT et/ou de BaSrTiO3, qui sont des matériaux inorganiques, et/ou 15 - les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique comportent du pyrène et/ou de l'anthracène et/ou du phénantrène et/ou du naphtalène et/ou du triphénylène. Le PVDF et/ou l'un du copolymère ou des terpolymères mentionnés ci-dessus sont avantageusement utilisés lorsque le dispositif électronique correspond à un 20 bolomètre car ces matériaux permettent de réaliser une bonne absorption des longueurs d'onde se trouvant dans la bande 8 - 14 FIrT1 qui correspond aux longueurs d'ondes du domaine de l'infrarouge lointain (LWIR) absorbées par le bolomètre. Le pyrène peut être avantageusement utilisé car des microstructures comprenant du pyrène protègent le polymère de l'effet des rayons UV reçus. 25 Pour chacune des microstructures, la somme des hauteurs de la microstructure et de la couche de polymère diélectrique peut être égale à environ À/(4.n), avec À correspondant à une longueur d'onde centrale du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique, et n correspondant à l'indice de réfraction moyen de l'ensemble formé de la 30 couche de polymère diélectrique, des microstructures et du milieu dans lequel la 5 structure antireflet est destinée à fonctionner. Cette configuration avantageuse permet de favoriser la non-réflexion du rayonnement électromagnétique reçu à la longueur d'onde À. De plus, les matériaux des microstructures et de la couche de polymère diélectrique sont avantageusement choisis tels que n soit égal à environ la racine carrée du produit de l'indice du milieu incident avec lequel la face de réception est en contact (par exemple de l'air, et qui correspond au milieu dans lequel la structure antireflet est destinée à fonctionner) par l'indice du milieu sur lequel repose la structure antireflet (lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre, ce milieu correspond par 10 exemple à une couche de scellement en germanium ou en silicium amorphe recouvrant une capsule, qui forme un capot, du bolomètre), ce qui favorise la non-réflexion du rayonnement électromagnétique reçu. Chacune des microstructures peut avoir une forme sensiblement conique. Une telle forme conique peut notamment être obtenue lorsque le matériau 15 cristallisé des microstructures comporte du pyrène. Un rapport entre une hauteur de chacune des microstructures et une épaisseur de la couche de polymère diélectrique est supérieur ou égal à environ 5. Cette configuration est particulièrement avantageuse lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre car l'absorption du rayonnement électromagnétique reçu est 20 meilleure, notamment lorsque le rayonnement électromagnétique reçu appartient au domaine l'infrarouge lointain (LWIR, c'est-à-dire des longueurs d'onde comprises entre environ 8µm et 14 mm). Le dispositif électronique peut correspondre à une photodiode ou à un bolomètre. Dans le cas d'un dispositif électronique correspondant à un bolomètre, la 25 structure antireflet peut être disposée sur une capsule, ou un capot, du bolomètre. De manière avantageuse, le dispositif électronique peut être tel que : - lorsque le dispositif électronique correspond à une photodiode, la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure à une longueur d'onde de coupure de la photodiode, ou 6 - lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre, la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure à une longueur d'onde centrale du rayonnement électromagnétique destiné à être absorbé par le bolomètre. Par exemple, lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre destiné à absorber les longueurs d'onde de la gamme 8 - 14 pm, cette distance quadratique moyenne entre les microstructures voisines peut être égale à environ 10 pm. Selon un autre exemple, lorsque le dispositif électronique correspond à une photodiode, comprenant par exemple du germanium, cette distance quadratique 10 moyenne entre microstructures voisines peut être inférieure à la longueur d'onde de coupure de la photodiode, c'est-à-dire la longueur d'onde minimale détectée par la photodiode. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant au moins : 15 - une face de réception configurée pour recevoir un rayonnement électromagnétique ; - une ou plusieurs couches actives configurées pour absorber le rayonnement électromagnétique et/ou transformer le rayonnement électromagnétique en un signal électrique ; 20 - une structure antireflet disposée du côté de la face de réception, et comprenant au moins : - une couche de polymère diélectrique, et - des microstructures saillantes disposées sur la couche de polymère diélectrique et telles que la distance quadratique 25 moyenne entre deux microstructures voisines soit inférieure à une longueur d'onde du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique, et comprenant au moins un matériau cristallisé à base d'hydrocarbure aromatique polycyclique, ou de 30 polystyrène, et du polymère diélectrique, 7 dans lequel la structure antireflet est réalisée par la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation d'une première solution par dissolution, dans un premier solvant, d'un premier matériau comprenant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène; - réalisation d'une deuxième solution par dissolution, dans un deuxième solvant dont la température d'évaporation est supérieure à celle du premier solvant, de monomères aptes à former le polymère diélectrique, et telle que le premier matériau ne soit pas soluble dans le deuxième solvant et que le premier matériau 10 comporte une densité inférieure à celle de la deuxième solution ; - mélange des première et deuxième solutions, tel que la proportion en poids du premier matériau dans le mélange des première et deuxième solutions soit comprise entre environ 15 % et 50 % (ou incluse dans la gamme [15%; 50%]); - dépôt du mélange des première et deuxième solutions du côté de la 15 face de réception ; - premier traitement thermique à une température supérieure à la température d'évaporation du premier solvant et inférieure à la température d'évaporation du deuxième solvant, formant la couche de polymère diélectrique ; - deuxième traitement thermique à une température supérieure à la 20 température d'évaporation du deuxième solvant, formant les microstructures. Les microstructures se forment à partir d'une matrice polymère comportant un additif, qui correspond aux molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène, choisi de manière à avoir une vitesse de transition structurale sous l'effet de la température supérieure à celle du polymère diélectrique. Cet 25 additif est choisi de sorte à avoir une température de changement de sa structuration inférieure à celle du polymère diélectrique, de sorte que lorsqu'on effectue le traitement thermique de cristallisation (le deuxième traitement thermique), une modification structurale (cristallisation) de la matrice de polymère entraine une mise en contrainte de cet additif. Cette contrainte mécanique fait ressortir des microstructures par exemple 30 sous la forme de micro-pointes, en particulier de forme conique. 8 Une proportion en poids du premier matériau dans le mélange qui soit inférieure ou égale à 50 % permet de ne pas saturer le mélange avec les molécules du premier matériau et d'éviter la formation, après le deuxième traitement thermique, d'une simple couche de polymère diélectrique saturé en molécules du premier matériau sans la formation des microstructures. De plus, une proportion en poids du premier matériau dans le mélange qui soit supérieure ou égale à 15 % permet d'obtenir des microstructures avec une densité suffisante et régulière pour qu'elles puissent remplir une fonction d'antireflet, c'est-à-dire telles que la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure aux longueurs d'onde du rayonnement 10 électromagnétique destinées à être absorbées et/ou transformées par le dispositif électronique. La durée et la température avec lesquelles le deuxième traitement thermique est mis en oeuvre peuvent être choisies en fonction d'une hauteur et d'un espacement souhaités pour chacune des microstructures. Ces paramètres sont 15 notamment choisis en fonction des longueurs d'onde du rayonnement électromagnétique qui sont ciblées par le dispositif électronique, c'est-à-dire celles destinées à être absorbées ou transformées en signal électrique. Le procédé peut être tel que : - le premier traitement thermique est mis en oeuvre à une 20 température comprise entre environ 70°C et 90°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min, et/ou - le deuxième traitement thermique est mis en oeuvre à une température comprise entre environ 130°C et 150°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min, ou correspond à un recuit de type flash UV avec une durée 25 d'impulsion comprise entre environ 1 ms et 2 ms et une fluence comprise entre environ 15 j/cm2 et 20 j/crnz. Le procédé peut être tel que : - le premier solvant comporte de l'acétone, et/ou - le deuxième solvant comporte du cyclopentanone et/ou du 30 diméthylformamide et/ou du diméthylacétamide. 9 Le procédé peut être tel que : - la proportion en poids du premier matériau dans la première solution est comprise entre environ 30 % et 70 %, et/ou - la proportion en poids du polymère diélectrique dans la deuxième solution est comprise entre environ 1 % et 20 %. La proportion en poids du premier matériau dans le mélange des première et deuxième solutions peut être comprise entre environ 10 % et 30 %. Lors de la réalisation de la deuxième solution, la composition en monomères peut être choisie en fonction d'une valeur souhaitée de l'indice de réfraction 10 moyen de l'ensemble formé de la couche de polymère diélectrique, des microstructures et du milieu dans lequel la structure antireflet est destinée à fonctionner et qui se trouve entre les microstructures, cette valeur souhaitée pouvant être égale, à 10 % près, à la racine carrée du produit de l'indice du milieu dans lequel la structure antireflet est destinée à fonctionner par l'indice du milieu sur lequel repose la structure antireflet. 15 Le mélange des première et deuxième solutions peut être réalisé à une température comprise entre environ 30°C et 45°C. Une épaisseur du mélange des première et deuxième solutions déposé du côté de la face de réception peut être comprise entre environ 50 nm et 10 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 représente un dispositif électronique comprenant une structure antireflet, selon un premier mode de réalisation ; 25 - la figure 2 représente des microstructures d'une structure antireflet du dispositif électronique selon le premier mode de réalisation ; - la figure 3 représente un dispositif électronique comprenant une structure antireflet selon un deuxième mode de réalisation. 10 Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS 10 Un dispositif électronique 100 comportant une structure antireflet 102, réalisé selon un premier mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec la figure 1. Ce dispositif électronique 100 correspond à une photodiode comprenant au moins une jonction p-n. Sur l'exemple de réalisation représenté sur la figure 1, la jonction p-n est formée par une première couche 104 de semi-conducteur 15 dopé n, une deuxième couche 106 de semi-conducteur intrinsèque, c'est-à-dire non dopé intentionnellement, et une troisième couche 108 de semi-conducteur dopé p. Dans le premier mode de réalisation, les trois couches 104, 106 et 108 comportent un même semi-conducteur qui correspond avantageusement à du germanium. En variante, ce semiconducteur peut correspondre à du silicium, ou bien à un autre semi-conducteur. 20 Les trois couches 104, 106, 108 sont entourées par des espaceurs diélectriques 110, comportant par exemple du SiO2. Les espaceurs diélectriques 110 délimitent la structure active du dispositif électronique 100, c'est-à-dire les couches 104, 106 et 108 qui forment des couches actives de la photodiode et qui sont configurées pour transformer un rayonnement électromagnétique (ici de la lumière infrarouge) destiné à 25 être reçu par le dispositif électronique 100 en un courant électrique. La structure antireflet 102 est disposée du côté d'une face de réception 112 du dispositif électronique 100, c'est-à-dire la face du dispositif 100 configurée pour recevoir le rayonnement électromagnétique, ce rayonnement étant destiné à être détecté par le dispositif 100. La structure antireflet 102 repose sur une face supérieure de 11 la troisième couche 108 (face opposée à celle en contact avec la deuxième couche 106) et sur les espaceurs diélectriques 110. La structure antireflet 102 comporte une couche 114 de polymère diélectrique et des microstructures 116 saillantes disposées sur la couche 114. Dans la configuration représentée sur la figure 1, la couche 114 de polymère diélectrique est donc disposée entre les microstructures 116 et les couches actives du dispositif électronique 100. Les microstructures 116 comportent un matériau cristallisé comprenant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique, ou de polystyrène, et des 10 molécules du polymère diélectrique de la couche 114. Le polymère diélectrique peut correspondre à au moins l'un des matériaux suivants : PVDF, le copolymère P(VDF-TrFe) ou le P(VDF-CFE) ou le P(VDFCTFE), le terpolymère P(VDF-TrFe-CFE) ou le P(VDF-TrFe-CTFE). Il est également possible que le polymère diélectrique comporte des nanoparticules de BaTiO3 et/ou de PZT et/ou 15 de BaSrTiO3. Les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique du matériau cristallisé des microstructures 116 comportent avantageusement du pyrène et/ou de l'anthracène et/ou du phénantrène et/ou du naphtalène et/ou du triphénylène et/ou du polystyrène. De manière avantageuse, les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique présentes dans le matériau des microstructures 116 correspondent à des 20 molécules de pyrène. Pour chacune des microstructures 116, la somme de la hauteur h de la microstructure 116 et de la hauteur e de la couche 114 est avantageusement égale à environ À/(4.n), avec À correspondant à une longueur d'onde centrale du rayonnement électromagnétique destinée à être transformé par le dispositif électronique 100 en 25 courant électrique, et n correspondant à l'indice de réfraction moyen de l'ensemble formé de la couche 114, des microstructures 116 et du milieu dans lequel la structure antireflet 102 est destinée à fonctionner et se trouvant les microstructures 116 (ce milieu correspondant par exemple à de l'air). n est avantageusement égal à environ la racine carrée du produit de l'indice du milieu dans lequel la structure antireflet 102 est destinée 30 à fonctionner (par exemple de l'air) par l'indice du milieu sur lequel repose la structure 12 antireflet 102, c'est-à-dire ici l'indice du matériau de la couche 108 dans ce premier mode de réalisation. De manière générale, la hauteur h de chacune des microstructures 116 peut être comprise entre environ 50 nm et 1200 nm. L'indice de réfraction du matériau cristallisé des microstructures 116 est supérieur à celui du polymère diélectrique de la couche 114 à cause de la cristallisation des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène présentes dans le matériau des microstructures 116. Par exemple, lorsque l'indice de réfraction du polymère diélectrique de la couche 114 est égal à environ 1,6, comme c'est le cas lorsque 10 le polymère diélectrique correspond au PVDF, son copolymère ou son terpolymère, l'indice de réfraction du matériau cristallisé des microstructures 116 est par exemple égal à environ 2, comme c'est le cas lorsque le matériau cristallisé des microstructures 116 correspond à la partie cristalline du mélange entre les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique, par exemple du pyrène, avec le polymère diélectrique de type 15 PVDF ou son copolymère ou son terpolymère ou un mélange du copolymère et du terpolymère. Il est possible d'ajuster l'indice de réfraction moyen de la structure antireflet via un ajustement de la composition en monomères du matériau. Par exemple, lorsque le polymère diélectrique correspond au copolymère P(VDF-TrFe), il est possible de 20 faire varier sa composition en VDF et en TrFe en fonction de la valeur souhaitée pour l'indice de réfraction moyen de la structure antireflet 102, qui est avantageusement égale à environ (à 10% près) la racine carrée du produit de l'indice du milieu dans lequel la structure antireflet 102 est destinée à fonctionner (par exemple de l'air) par l'indice du milieu sur lequel repose la structure antireflet 102, c'est-à-dire ici l'indice du matériau de 25 la couche 108 dans ce premier mode de réalisation. De manière générale, en considérant les exemples de matériaux précédemment cités, la valeur de l'indice de réfraction du polymère diélectrique de la couche 114 est par exemple comprise entre environ 1,3 et 1,7, et celle de l'indice de réfraction du matériau cristallisé des microstructures 116 est par exemple comprise entre 30 environ 1,9 et 2,2. 13 De manière avantageuse, chacune des microstructures 116 forme une micro-pointe de forme sensiblement conique. Une telle forme conique est obtenue par exemple lorsque du pyrène est utilisé pour former les microstructures 116. D'autres formes sont toutefois possibles. La couche 114 de polymère diélectrique a par exemple une épaisseur e comprise entre environ 50 nm et 3 pm. Le pas des microstructures 116, c'est-à-dire la distance quadratique moyenne entre deux microstructures 116 voisines, est par exemple compris entre environ 40 nm et 1µm. De manière générale, la distance quadratique moyenne entre deux 10 microstructures 116 voisines est inférieure à une partie des longueurs d'onde du rayonnement électromagnétique destinées à être absorbées et/ou transformées par le dispositif électronique 100 et qui ne sont donc pas diffractées par les microstructures 116. Grâce au réseau formé par les microstructures 116, la réflexion du 15 rayonnement électromagnétique sur le dispositif 100 est réduite, permettant ainsi au dispositif 100, qui correspond ici à une photodiode, d'avoir une meilleure absorption et donc une meilleure photosensibilité. La figure 2 est une photo montrant de nombreuses microstructures 116 de la structure antireflet 102 du dispositif 100. 20 Un autre dispositif électronique 200 comportant la structure antireflet 102, et réalisé selon un deuxième mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec la figure 3. Dans ce deuxième mode de réalisation, le dispositif électronique 200 correspond à un bolomètre. Le dispositif 200 comporte une membrane 202 suspendue au-dessus 25 d'un substrat support 204. Cette membrane 202 forme l'élément absorbeur et l'élément thermomètre du dispositif 200. La membrane 202 est suspendue mécaniquement au-dessus du substrat 204 par l'intermédiaire d'éléments de support 206 auxquels sont fixés des bras d'isolation thermique (non visibles sur la figure 3) qui sont reliés mécaniquement à la membrane 202. 14 Sous l'effet du rayonnement incident reçu par le dispositif 200, la membrane 202 s'échauffe et sa résistance électrique varie en conséquence. Le substrat support 204 comporte un circuit électronique intégré permettant la lecture de l'élément thermomètre du dispositif 200. Le dispositif 200 comporte également, sur le substrat 204, un réflecteur métallique 208 disposé en regard de la membrane 202 tel que ce réflecteur 208 et la membrane 202 forment ensemble une cavité optique résonante de type Fabry-Perot. La membrane 202 est disposée dans une cavité 210 formée entre le substrat 204 et une capsule 212, ou capot. La capsule 212, comprenant par exemple du silicium amorphe, est 10 fermée par une couche de scellement 214, par exemple en germanium. La structure antireflet 102, similaire à celle précédemment décrite en lien avec le premier mode de réalisation, est disposée sur la couche de scellement 214, au niveau de la face de réception 112 du dispositif 200. Les différentes caractéristiques et possibilités de réalisation de la structure antireflet 102 précédemment décrites pour le 15 premier mode de réalisation s'appliquent également à ce deuxième mode de réalisation. De plus, du fait que le dispositif 200 correspond à un bolomètre, c'est-à-dire est destiné à absorber le rayonnement électromagnétique reçu au niveau de sa face de réception, la structure antireflet 102 est avantageusement réalisée telle que le rapport entre la hauteur h de chacune des microstructures 116 et l'épaisseur e de la couche 114 20 de polymère diélectrique soit supérieur ou égal à environ 5. Cette configuration est avantageuse car elle permet d'obtenir une plus grande absorption du rayonnement électromagnétique reçu. On décrit ci-dessous un procédé de réalisation de la structure antireflet 102 qui peut s'intégrer au cours d'un procédé de réalisation d'un dispositif électronique 25 100 ou 200 destiné à comporter la structure antireflet. Les différents éléments du dispositif électronique 100 ou 200 autres que la structure antireflet 102 (couches actives, électrodes, etc.) sont tout d'abord réalisés. On réalise tout d'abord une première solution par dissolution, dans un premier solvant, de grains solides d'un premier matériau comprenant des molécules 30 d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène. Le premier matériau 15 correspond par exemple à du pyrène. Le premier solvant correspond par exemple à de l'acétone. De manière avantageuse, la proportion en poids du premier matériau dans la première solution est comprise entre environ 30 % et 70 %. On réalise également une deuxième solution par dissolution, dans un deuxième solvant, d'une poudre d'un deuxième matériau correspondant à un polymère diélectrique, par exemple l'un de ceux précédemment décrits. Le deuxième solvant est choisi tel que : - sa température d'évaporation est supérieure à celle du premier solvant ; 10 - le premier matériau ne soit pas soluble dans le deuxième solvant ; - sa densité soit supérieure à celle du premier matériau. A titre d'exemple, le deuxième solvant peut comporter du cyclopentanone et/ou du diméthylformamide et/ou du diméthylacétamide. De manière avantageuse, la proportion en poids du polymère diélectrique dans la deuxième solution 15 peut être comprise entre environ 1 % et 20 %. Les deux solutions sont ensuite mélangées l'une à l'autre, par exemple à une température comprise entre environ 30°C et 45°C. Les volumes des deux solutions sont choisis tels que la proportion en poids du premier matériau dans le mélange des première et deuxième solutions soit comprise entre environ 15 % et 50 %, et 20 avantageusement entre environ 15 % et 30 %. Le mélange des deux solutions est ensuite étalé sur la surface du support sur lequel la structure antireflet 102 est destinée à être réalisée. Ce support correspond par exemple à la face supérieure d'une photodiode (formée notamment par la face supérieure de la couche 108 sur l'exemple de la figure 1) ou à la face supérieure de 25 la membrane 202 lorsque la structure antireflet 102 est intégrée au bolomètre 200. L'épaisseur du mélange des première et deuxième solutions déposé du côté de la face de réception 112 est par exemple comprise entre environ 50 nm et 10 Ltm. La technique mise en oeuvre pour déposer le mélange des deux solutions est choisie notamment en fonction de la viscosité du mélange. Par exemple, un 30 dépôt du mélange peut être réalisé par sérigraphie lorsque le mélange a une forte 16 viscosité, généralement en présence d'une forte concentration en terpolymère. Au contraire, un dépôt du mélange peut être réalisé via un dépôt à la tournette, ou « spin coating », lorsque la viscosité du mélange est beaucoup plus faible. Selon une autre variante, le mélange peut être déposé pulvérisation. Un premier traitement thermique est ensuite mis en oeuvre à une température supérieure à la température d'évaporation du premier solvant et inférieure à la température d'évaporation du deuxième solvant. Ce premier traitement thermique forme la couche 114 de polymère diélectrique puisque seul le polymère diélectrique est dissout dans le premier solvant. Le premier traitement thermique est par exemple mis en 10 oeuvre à une température comprise entre environ 70°C et 90°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min. Un deuxième traitement thermique est mis en oeuvre à une température supérieure à la température d'évaporation du deuxième solvant. Ce deuxième traitement thermique forme par cristallisation les microstructures 116 sur la 15 couche 114. A titre d'exemple, le deuxième traitement thermique peut être mis en oeuvre à une température comprise entre environ 130°C et 150°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min, ou correspondre à un recuit de type flash UV avec une durée d'impulsion comprise entre environ 1 ms et 2 ms et une fluence comprise entre environ 15 j/cm' et 20 j/cm', et par exemple égale à environ 17 j/cm' pour une couche de 20 mélange d'épaisseur égale à environ 2 Lim. A l'issue de ces deux traitements thermique, la structure antireflet 102 obtenue comporte la couche 114 de polymère diélectrique et les microstructures 116. Les dimensions des microstructures 116, notamment leur hauteur h, ainsi que le pas des microstructures 116, sont ajustés par le choix de la température et de 25 la durée du deuxième traitement thermique. Dans les modes de réalisation précédemment décrits, les microstructures 116 correspondent à des micro-pointes de forme sensiblement conique. D'autres formes de microstructures 116 peuvent être obtenues, comme par exemple des sphères si, au cours du procédé décrit ci-dessus, du poly(méthacrylate de méthyle), ou 30 PMMA, est choisi comme premier matériau. D'autres formes plus complexes peuvent 17 être obtenues en choisissant par exemple du polytétrafluoroéthylène (PTFE) REVENDICATIONS1. Dispositif électronique (100, 200) comprenant au moins : - une face de réception (112) configurée pour recevoir un rayonnement électromagnétique ; - une ou plusieurs couches actives (104, 106, 108, 202) configurées pour absorber le rayonnement électromagnétique et/ou transformer le rayonnement électromagnétique en un signal électrique ; - une structure antireflet (102) disposée du côté de la face de réception, et comprenant au moins : 10 - une couche (114) de polymère diélectrique, et - des microstructures (116) saillantes disposées sur la couche (114) de polymère diélectrique et telles que la distance quadratique moyenne entre deux microstructures (116) voisines soit inférieure à une longueur d'onde du rayonnement 15 électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique (100, 200), et comprenant au moins un matériau cristallisé comportant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène ou de PMMA ou de PTFE, et du polymère diélectrique. 20 2. Dispositif électronique (100, 200) selon la revendication 1, dans lequel : - le polymère diélectrique comporte du PVDF et/ou du P(VDF-CFE) et/ou du P(VDF-CTFE) et/ou du P(VDF-TrFe) et/ou du P(VDF-TrFe-CFE) et/ou du P(VDF- 25 TrFe-CTFE), et/ou - le polymère diélectrique comporte des nanoparticules de BaTiO3 et/ou de PZT et/ou de BaSrTiO3, et/ou 19 - les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique comportent du pyrène et/ou de l'anthracène et/ou du phénantrène et/ou du naphtalène et/ou du triphénylène. 3. Dispositif électronique (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel, pour chacune des microstructures (116), la somme des hauteurs de la microstructure (116) et de la couche (114) de polymère diélectrique est égale à environ À/(4.n), avec À correspondant à une longueur d'onde centrale du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique (100, 200), et n correspondant à l'indice de réfraction moyen de l'ensemble formé de la couche (114) de polymère diélectrique, des microstructures (116) et du milieu dans lequel la structure antireflet (102) est destinée à fonctionner. 4. Dispositif électronique (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chacune des microstructures (116) a une forme sensiblement conique. 5. Dispositif électronique (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel un rapport entre une hauteur de chacune des microstructures (116) et une épaisseur de la couche de polymère diélectrique est supérieur ou égal à environ 5. 6. Dispositif électronique (100, 200) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif électronique correspond à une photodiode (100) ou à un bolomètre (200). 7. Dispositif électronique (100, 200) selon la revendication 6, dans lequel : 20 - lorsque le dispositif électronique correspond à une photodiode (100), la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure à une longueur d'onde de coupure de la photodiode (100), ou - lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre (200), la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure à une longueur d'onde centrale du rayonnement électromagnétique destiné à être absorbé par le bolomètre (200). 8. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique (100, 200) 10 comprenant au moins : - une face de réception (112) configurée pour recevoir un rayonnement électromagnétique ; - une ou plusieurs couches actives (104, 106, 108, 202) configurées pour absorber le rayonnement électromagnétique et/ou transformer le rayonnement 15 électromagnétique en un signal électrique ; - une structure antireflet (102) disposée du côté de la face de réception (112), et comprenant au moins : - une couche (114) de polymère diélectrique, et - des microstructures (116) saillantes disposées sur la couche 20 (114) de polymère diélectrique et telles que la distance quadratique moyenne entre deux microstructures (116) voisines soit inférieure à une longueur d'onde du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique (100, 200), et comprenant au 25 moins un matériau cristallisé à base d'hydrocarbure aromatique polycyclique, ou de polystyrène, et du polymère diélectrique, dans lequel la structure antireflet (102) est réalisée par la mise en oeuvre des étapes suivantes : 21 - réalisation d'une première solution par dissolution, dans un premier solvant, d'un premier matériau comprenant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène ou de PMMA ou de PTFE; - réalisation d'une deuxième solution par dissolution, dans un deuxième solvant dont la température d'évaporation est supérieure à celle du premier solvant, de monomères aptes à former le polymère diélectrique, et telle que le premier matériau ne soit pas soluble dans le deuxième solvant et que le premier matériau comporte une densité inférieure à celle de la deuxième solution ; - mélange des première et deuxième solutions, tel que la proportion 10 en poids du premier matériau dans le mélange des première et deuxième solutions soit comprise entre environ 15 % et 50 %; - dépôt du mélange des première et deuxième solutions du côté de la face de réception (112) ; - premier traitement thermique à une température supérieure à la 15 température d'évaporation du premier solvant et inférieure à la température d'évaporation du deuxième solvant, formant la couche (114) de polymère diélectrique ; - deuxième traitement thermique à une température supérieure à la température d'évaporation du deuxième solvant, formant les microstructures (116). 20 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la durée et la température avec lesquelles le deuxième traitement thermique est mis en oeuvre sont choisies en fonction d'une hauteur et d'un espacement souhaités pour chacune des microstructures (116). 25 10. Procédé selon l'une des revendications 8 et 9, dans lequel : - le premier traitement thermique est mis en oeuvre à une température comprise entre environ 70°C et 90°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min, et/ou - le deuxième traitement thermique est mis en oeuvre à une température comprise entre environ 130°C et 150°C pendant une durée comprise entre 22 environ 10 min et 60 min, ou correspond à un recuit de type flash UV avec une durée d'impulsion comprise entre environ 1 ms et 2 ms et une fluence comprise entre environ 15 j/cm2 et 20 j/cmz. 5 11. Procédé selon l'une des revendications 8 à 10, dans lequel : - le premier solvant comporte de l'acétone, et/ou - le deuxième solvant comporte du cyclopentanone et/ou du diméthylformamide et/ou du diméthylacétamide. 10 12. Procédé selon l'une des revendications 8 à 11, dans lequel : - la proportion en poids du premier matériau dans la première solution est comprise entre environ 30 % et 70 %, et/ou - la proportion en poids du polymère diélectrique dans la deuxième solution est comprise entre environ 1 % et 20 %, et/ou 15 - la proportion en poids du premier matériau dans le mélange des première et deuxième solutions est comprise entre environ 10 % et 30 %. 13. Procédé selon l'une des revendications 8 à 12, dans lequel, lors de la réalisation de la deuxième solution, la composition en monomères est choisie en 20 fonction d'une valeur souhaitée de l'indice de réfraction moyen de l'ensemble formé de la couche (114) de polymère diélectrique, des microstructures (116) et du milieu dans lequel la structure antireflet (102) est destinée à fonctionner et qui se trouve entre les microstructures (116), cette valeur souhaitée étant égale, à 10 % près, à la racine carrée du produit de l'indice du milieu dans lequel la structure antireflet (102) est destinée à 25 fonctionner par l'indice du milieu sur lequel repose la structure antireflet (102). 14. Procédé selon l'une des revendications 8 à 13, dans lequel le mélange des première et deuxième solutions est réalisé à une température comprise entre environ 30°C et 45°C. 30 23 15. Procédé selon l'une des revendications 8 à 14, dans lequel une épaisseur du mélange des première et deuxième solutions déposé du côté de la face de réception est comprise entre environ 50 nm et 10