FR 2974173 A1 20121019 FR 1253225 A 20120406 APPAREIL ET PROCEDE DE DETERMINATION D'UNE PROFONDEUR D'UNE REGION AYANT UN RAPPORT DE FORME ELEVE QUI S'AVANCE DANS UNE SURFACE D'UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE L'invention porte sur un appareil et un procédé de détermination d'une profondeur d'une région ayant un rapport de forme élevé qui s'avance dans une surface d'une plaquette semi-conductrice. Une telle région peut être une tranchée ou un trou d'interconnexion, par exemple. US 7 738 113 divulgue un système de mesure de plaquette et un appareil pour la mesure d'une épaisseur de plaquette, d'une planéité et d'une profondeur de tranchée. La surface arrière de la plaquette est utilisée pour mesurer avec précision le côté arrière d'une tranchée, traduisant ainsi la tranchée en une bosse effective qui est capable d'être mesurée sur la surface supérieure et la surface inférieure à l'aide d'un instrument optique sans contact. L'augmentation de la miniaturisation des dispositifs à semi-conducteurs tend à conduire à la miniaturisation des caractéristiques à l'intérieur des dispositifs, y compris de caractéristiques telles que les tranchées et les trous de raccordement. Les caractéristiques telles que les tranchées et les trous de raccordement ont un rapport de forme élevé. Avec l'augmentation de la miniaturisation, en particulier avec l'augmentation du rétrécissement latéral, le rapport de forme de ces caractéristiques peut également augmenter. Cependant, une augmentation du rapport de forme augmente encore la difficulté de mesurer la profondeur de la caractéristique. Par conséquent, des développements supplémentaires de l'appareil et des procédés sont souhaitables afin de pouvoir mieux déterminer la profondeur de caractéristiques ayant un rapport de forme élevé. Un procédé de mesure d'une profondeur d'une région ayant un rapport de forme élevé qui s'avance dans une surface d'une plaquette semi-conductrice est proposé, lequel procédé comprend la fourniture d'une plaquette semi-conductrice ayant une première surface majeure et une seconde surface majeure opposée à la première surface majeure. La plaquette semi-conductrice comprend au moins une région qui s'avance dans la première surface majeure et a une largeur et une profondeur et un rapport de forme élevé. Au moins l'une de la première surface majeure et de la seconde surface majeure de la plaquette semi- conductrice est éclairée avec une lumière comprenant de multiples longueurs d'onde. La lumière de multiples longueurs d'onde est réfléchie par la plaquette semi-conductrice et cette lumière réfléchie de multiples longueurs d'onde est mesurée en fonction de la longueur d'onde. La lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice forme un motif d'interférence qui est analysé par application d'une transformée de Fourier au motif d'interférence et génération d'une représentation graphique ayant des pics associés à différentes interfaces de la plaquette semi-conductrice. La profondeur de la région est déterminée à partir d'au moins l'un des pics. Par conséquent, la présente invention porte sur un procédé de mesure de la profondeur d'une région ayant un rapport de forme élevé qui s'avance dans une surface d'une plaquette semi-conductrice, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à : - se procurer une plaquette semi-conductrice comprenant une première surface majeure, une seconde surface majeure opposée à la première surface majeure et une région s'avançant dans la première surface majeure, la région ayant une largeur et une profondeur et un rapport de forme élevé, - éclairer au moins l'une de la première surface majeure et de la seconde surface majeure avec une lumière comprenant de multiples longueurs d'onde, - mesurer la lumière de multiples longueurs d'onde qui est réfléchie par la plaquette semi-conductrice en fonction de la longueur d'onde, la lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice formant un motif d'interférence, et - analyser la lumière mesurée par application d'une transformée de Fourier au motif d'interférence et génération d'une représentation graphique ayant des pics associés à différentes interfaces de la plaquette semi-conductrice, et - déterminer la profondeur de la région à partir d'au moins l'un des pics. Telle qu'utilisée dans la présente, une région qui s'avance dans la première surface majeure est utilisée pour indiquer une région positionnée dans un plan au-dessous d'un plan de surface de la plaquette semi-conductrice. La région peut être un creux ou un renfoncement positionné dans la première surface majeure de la plaquette semi-conductrice. Une région est également utilisée pour recouvrir un trou traversant qui s'étend à travers toute l'épaisseur de la plaquette semi-conductrice et débouche aux deux extrémités. Le creux ou le renfoncement ou le trou traversant a un rapport de forme élevé. Tel qu'utilisé dans la présente, un rapport de forme élevé est défini comme étant une région ayant un rapport d'une largeur à une profondeur d'au moins 1 à 10 et, dans un autre mode de réalisation, d'au moins 1 à 50. La région peut être une tranchée ou un trou d'interconnexion. Une tranchée est un terme utilisé dans la technologie des semi-conducteurs pour indiquer un renfoncement longitudinal allongé ayant une base qui peut être arrondie. Dans la technologie des semi-conducteurs, un trou d'interconnexion peut être utilisé pour indiquer soit un trou qui s'étend à travers toute l'épaisseur de la 15 plaquette extrémités, ouverture tranchée, la d'interconnexion d'interconnexion plane circulaire ou hexagonale, d'interconnexion d'interconnexion section transversale plane d'un trou n'est pas allongée. Un trou a typiquement une section transversale mais celle-ci peut également être carrée par exemple. La tranchée ou le trou a un rapport de forme élevé. Un trou est également désigné sous le nom de TSV semi-conductrice et débouche aux deux soit un trou d'interconnexion peut être une à une extrémité fermée. Contrairement à une 20 ou trou d'interconnexion à travers le silicium. Le procédé comprend l'analyse de la lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice qui forme un motif d'interférence par application d'une transformée de Fourier au motif d'interférence et génération d'une 25 représentation graphique ayant des pics associés aux différentes interfaces de la plaquette. Ce procédé a l'avantage que la position optique des pics peut être déterminée de manière plus précise et, par conséquent, que la profondeur optique et la profondeur géométrique de la 30 région peuvent être déterminées de manière plus précise que par l'utilisation des procédés qui n'analysent pas un motif d'interférence par application d'une transformée de Fourier. En outre, en fonction du nombre d'interfaces de la plaquette semi-conductrice, la profondeur de la région à rapport de forme élevé peut être déterminée à partir de la différence des distances, c'est-à-dire la distance entre deux pics dans la représentation graphique. Le procédé utilise une tomographie par cohérence optique (OCT) dans le domaine de Fourier, qui est également désignée sous le nom tomographie par cohérence optique à transformée de Fourier, et une tomographie par cohérence optique dans le domaine spectral pour produire une représentation graphique comprenant au moins un pic. La représentation graphique a la même forme que celle produite par une tomographie par cohérence optique dans le domaine temporel. Cependant, dans une tomographie par cohérence optique dans le domaine temporel, la représentation graphique est mesurée de manière séquentielle et une transformée de Fourier n'est pas utilisée. Dans un mode de réalisation, l'intensité de la lumière de multiples longueurs d'onde qui est réfléchie par la plaquette semi-conductrice est mesurée en fonction de l'inverse de la longueur d'onde. Dans un mode de réalisation, l'intensité de la lumière de multiples longueurs d'onde qui est réfléchie par la plaquette semi-conductrice est mesurée à l'aide d'un détecteur ayant une pluralité de pixels. La longueur d'onde de la lumière collectée par chaque pixel 1(p) peut être déterminée à l'aide, par exemple, d'un spectromètre. L'intensité de chaque longueur d'onde pour chaque pixel est cartographiée pour fournir une intensité en fonction de k, où k = 2n/l(p) avec k équidistant, à l'aide d'une transformée de Fourier rapide. Ce procédé peut être utilisé pour produire une représentation graphique de l'intensité en fonction de l'inverse de la longueur d'onde ou en fonction d'une épaisseur optique qui a un ou plusieurs pics. Pour 512 pixels, une transformée de Fourier rapide (FFT) à 1024 points peut être appliquée. La zone 5 mesurée zi est donnée sous la forme : zl = où Al est la longueur d'onde minimale et X2 est la longueur 10 d'onde maximale. Le au moins un pic dans la représentation graphique peut correspondre à une épaisseur optique d'une couche définie par deux interfaces de la plaquette semi-conductrice. Par exemple, la couche pourrait être définie 15 par l'interface entre l'environnement et la première surface majeure et l'interface définie par la seconde surface majeure et l'environnement. En variante, la couche pourrait être définie par l'interface entre la base de la région et l'environnement et l'interface entre la seconde 20 surface majeure et l'environnement. La profondeur géométrique de la région peut être déterminée par division de la profondeur optique de la région par l'indice de réfraction de la couche, par exemple, l'indice de réfraction du matériau de la 25 plaquette semi-conductrice. La représentation graphique peut également comprendre l'intensité, par exemple du motif d'interférence ayant subi une transformée de Fourier, en fonction de la profondeur optique. Dans ce cas, la 30 profondeur optique de la région à rapport de forme élevé peut être déterminée par la différence des distances entre des pics dans la représentation graphique ou par la position, par exemple la position absolue, d'un ou du pic dans la représentation graphique. Dans un mode de réalisation, la seconde surface majeure de la plaquette semi-conductrice est éclairée avec une lumière comprenant de multiples longueurs d'onde et la profondeur géométrique de la région est déterminée par division de la profondeur optique de la région par l'indice de réfraction de la plaquette semi-conductrice. Dans un mode de réalisation, la lumière mesurée est analysée pour déterminer l'épaisseur optique tl d'une couche définie par l'interface entre la première surface majeure de la plaquette semi-conductrice et l'environnement et l'interface entre une base de la région et l'environnement. Dans un mode de réalisation, la lumière mesurée est analysée pour déterminer l'épaisseur optique t2 d'une couche définie par l'interface entre la première seconde surface de la plaquette semi-conductrice et l'environnement et l'interface entre une base de la région et l'environnement. Dans un mode de réalisation, la plaquette semi-conductrice est déplacée par rapport à la lumière éclairant la plaquette semi-conductrice et la lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice est mesurée à au moins une autre position. Dans un autre mode de réalisation, au moins l'une de la première surface majeure et de la seconde surface majeure est éclairée avec une lumière comprenant de multiples longueurs d'onde en deux positions ou plus. Dans un mode de réalisation, la plaquette semi-conductrice est déplacée par rapport à la lumière éclairant la plaquette semi-conductrice et la lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice est mesurée à au moins une autre position. Ce mode de réalisation peut être utilisé pour mesurer la profondeur d'un second objet séparé, par exemple un second trou d'interconnexion, ou la profondeur d'un même objet, par exemple une tranchée, dans une position différente de cet objet. Dans un autre mode de réalisation, la plaquette semi-conductrice est déplacée dans deux directions perpendiculaires par rapport à la lumière éclairant la plaquette semi-conductrice et la lumière réfléchie est analysée et une carte tridimensionnelle de la plaquette semi-conductrice est produite. Dans un système de coordonnées cartésiennes, si la lumière frappe sur la plaquette semi-conductrice dans la direction z, la tranche peut être déplacée dans les dimensions x et y. La plaquette semi-conductrice peut être une plaquette de silicium et la région peut être l'un du groupe constitué par un trou traversant, un trou d'interconnexion à extrémité fermée et une tranchée. La lumière de multiples longueurs d'onde peut avoir une gamme de longueurs d'onde de 440 nm à 500 nm ou de 350 nm à 410 nm. Ces gammes de longueurs d'onde indiquent une lumière bleue ou ultraviolette, respectivement. La bande passante de la source de lumière peut être de 25 à 30 nm. La plaquette semi-conductrice peut être éclairée avec une lumière comprenant de multiples longueurs d'onde émise par l'un du groupe constitué par une diode électroluminescente (DEL), une lampe au xénon électrique ou commandée par laser, un supercontinuum fourni par une source à une seule fibre, une diode superluminescente (SLD) et une diode superluminescente (SLD) sur source balayée. Si une DEL est utilisée en tant que source de lumière, elle peut émettre une lumière à une longueur d'onde de 450 nm ± 30 nm, 470 nm ± 30 nm ou 380 nm ± 30 nm si la lumière doit éclairer la surface de la plaquette comprenant la région dont la profondeur doit être mesurée. Dans d'autres modes de réalisation, la lumière éclairant la tranche frappe le côté arrière de la plaquette. Dans ces modes de réalisation, une lumière infrarouge est utilisée. Dans un autre mode de réalisation, la lumière de multiples longueurs d'onde est amenée à passer à travers un diviseur de faisceau optique avant de frapper la plaquette semi-conductrice. Le diviseur de faisceau optique peut avoir une branche d'entrée, une branche de sortie et une branche de mesure. La branche de sortie, la branche d'entrée et la branche de mesure peuvent être fournies par des fibres optiques. Dans le cas de fibres optiques, le diviseur de faisceau optique est un coupleur de phase. La lumière de multiples longueurs d'onde peut être amenée à passer à travers la branche d'entrée et la branche de mesure du diviseur de faisceau optique avant de frapper la plaquette semi-conductrice. La lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice peut être amenée à passer à travers la branche de mesure et la branche de sortie du diviseur de faisceau optique. La lumière réfléchie peut être dirigée vers un spectromètre couplé à la branche de sortie du diviseur de faisceau optique. Le spectromètre est utilisé pour collecter la lumière réfléchie. Le spectromètre comprend une pluralité de pixels, chacun étant affecté pour collecter une lumière d'une certaine longueur d'onde prédéterminée. Le spectromètre peut comprendre 512 pixels, par exemple. Le spectromètre peut également comprendre en outre des moyens d'application de la transformée de Fourier au motif d'interférence formé par la lumière réfléchie et de génération d'une représentation graphique. La capacité de traitement requise pour appliquer la transformée de Fourier et générer la représentation graphique peut être fournie par un ordinateur supplémentaire couplé au spectromètre. L'invention porte également sur un appareil de détermination d'une profondeur d'une région à rapport de forme élevé qui s'avance dans une surface de la plaquette semi-conductrice. L'appareil comprend une source de lumière de multiples longueurs d'onde, un support de plaquette semi-conductrice ayant un côté avant destiné à supporter une plaquette semi-conductrice, une tête destinée à diriger la source de lumière de multiples longueurs d'onde sur la plaquette semi-conductrice, un spectromètre destiné à collecter la lumière comprenant de multiples longueurs d'onde réfléchie par la plaquette semi-conductrice, et des moyens d'analyse destinées à déterminer une profondeur de la région à partir d'un motif d'interférence de la lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice par réalisation d'une tomographie par cohérence optique dans le domaine de Fourier. Les moyens d'analyse peuvent être un ordinateur programmé de manière appropriée, par exemple. La source de lumière de multiples longueurs d'onde peut être une diode électroluminescente, une diode superluminescente, une diode superluminescente sur source balayée, une lampe au xénon électrique ou commandée par laser ou un supercontinuum fourni par une source à une seule fibre. La lumière de multiples longueurs d'onde peut avoir une gamme de longueurs d'onde de 440 nm à 500 nm ou de 350 nm à 410 nm. L'appareil comprend un support de plaquette semi-conductrice pour supporter la plaquette semi-conductrice en position pendant qu'elle est analysée. Le support de plaquette semi-conductrice peut comprendre une simple bride mécanique ou peut comprendre un mandrin à vide. La tête destinée à diriger la source de lumière sur la plaquette semi-conductrice peut être positionnée adjacente au côté avant du support de plaquette semi-conductrice pour supporter la plaquette semi-conductrice ou adjacente à un côté du support de plaquette semi-conductrice qui est opposé au côté avant. L'appareil peut comprendre en outre un diviseur de faisceau optique comprenant une branche d'entrée couplée à la source de lumière, une branche de sortie couplée au spectromètre et une branche de mesure couplée à la tête. La lumière peut être amenée à passer à travers la branche de mesure pour éclairer la plaquette semi-conductrice et la lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice peut également être collectée par la branche de mesure et être dirigée, par l'intermédiaire de la branche de sortie, vers le spectromètre. Afin de permettre la cartographie de la profondeur de caractéristiques s'avançant dans la surface de la plaquette semi-conductrice, le support de plaquette semi-conductrice peut être déplaçable dans au moins une direction perpendiculaire à la tête ou dans deux directions perpendiculaires à la tête. En variante, ou en outre, la tête peut être déplaçable dans au moins une direction parallèle au support de plaquette semi-conductrice. La tête peut également être déplaçable dans une direction perpendiculaire au support de plaquette semi-conductrice et, par conséquent, perpendiculaire à une plaquette semi-conductrice supportée par le support de plaquette semi-conductrice. L'invention porte également sur l'utilisation d'une tomographie par cohérence optique dans le domaine de Fourier pour déterminer la profondeur d'au moins une région dans une surface d'une plaquette semi-conductrice, la région pouvant être une tranchée, un trou d'interconnexion à extrémités ouvertes ou un trou d'interconnexion à extrémité fermée, positionné dans une plaquette semi-conductrice, par exemple en s'avançant dans une surface d'une plaquette semi-conductrice, telle qu'une plaquette de silicium. La Figure 1 illustre un appareil de détermination de la profondeur d'une région s'avançant dans une surface d'une plaquette semi-conductrice, La Figure 2 illustre un diagramme schématique d'une lumière de multiples longueurs d'onde éclairant une surface d'une plaquette semi- conductrice et étant réfléchie par celle-ci, La Figure 3 illustre un motif d'interférence produit par la lumière de multiples longueurs d'onde réfléchie par la plaquette semi-conductrice, La Figure 4 illustre des représentations graphiques après qu'une transformée de Fourier a été appliquée à un motif d'interférence, La Figure 5 illustre une mesure de la profondeur d'une région par éclairage du second côté de la plaquette semi-conductrice. La Figure 1 illustre un appareil 10 pour déterminer la profondeur d'une région 11 ayant un rapport de forme élevé dans une surface 12 d'une plaquette semi-conductrice 13. L'appareil 10 comprend une source de lumière 14 produisant une lumière de multiples longueurs d'onde, une tête 15 servant à diriger la source de lumière sur la plaquette semi-conductrice 13, un spectromètre 16 servant à collecter la lumière de multiples longueurs d'onde qui est réfléchie par la surface 12 de la plaquette semi-conductrice 13 et des moyens d'analyse 21 servant à déterminer une profondeur de la région 11 à partir d'un motif d'interférence de la lumière réfléchie par la plaquette semi-conductrice 13 par réalisation d'une tomographie par cohérence optique dans le domaine de Fourier. Un diviseur de faisceau optique 17 est prévu, lequel a une branche d'entrée 18 couplant la source de lumière 14 au diviseur de faisceau optique, une branche de mesure 19 qui est utilisée pour diriger la lumière provenant de la source de lumière 14 vers la tête 15 et sur la plaquette semi-conductrice 13. La tête 15 et la branche de mesure 19 sont également utilisées pour collecter la lumière qui est réfléchie par la surface 12 de la plaquette semi-conductrice 13, qui est ensuite dirigée à travers le diviseur de faisceau optique 17, par l'intermédiaire de la branche de sortie 20, vers le spectromètre 16. Dans ce mode de réalisation, la branche d'entrée 18, la branche de mesure 19 et la branche de sortie 20 sont des fibres optiques et le diviseur de faisceau optique est un coupleur de phase. La source de lumière 14 produit une lumière de multiples longueurs d'onde ayant une largeur de bande se situant dans la gamme du bleu ou de l'ultraviolet. La source de lumière est, dans ce mode de réalisation, formée par une lampe au xénon. Cependant, une diode électroluminescente ou un supercontinuum fourni par une source à une seule fibre peut également être utilisé. Les moyens d'analyse 21 comprennent un processeur programmé de manière appropriée qui peut être prévu sous la forme d'un ordinateur, par exemple. Les moyens d'analyse 21 sont programmés pour appliquer une transformée de Fourier au motif d'interférence collecté par le spectromètre 16 et produire une représentation graphique qui comprend au moins un pic. La plaquette semi-conductrice 13 est positionnée sur un support de plaquette semi-conductrice 22 qui est déplaçable dans deux directions, indiquées comme étant les directions x, y sur la Figure 1, perpendiculaires à la tête 15 et perpendiculaires à la lumière, indiquée comme étant la direction z sur la Figure 1, éclairant la surface 12 de la plaquette semi-conductrice 13. Le support de plaquette semi-conductrice comprend également un mécanisme 23 servant à modifier la position du support de plaquette semi-conductrice 22 qui est couplé aux moyens d'analyse 21 de telle sorte que la position de la plaquette semi-conductrice 13 est connue par les moyens d'analyse 21 pour chaque motif d'interférence généré. De cette manière, la position de la plaquette semi-conductrice 13 peut être coordonnée avec l'analyse de la surface de la plaquette semi-conductrice 13 pour permettre à une carte tridimensionnelle de la surface 12 de la plaquette semi-conductrice 13 d'être générée. La Figure 2a illustre une vue plus détaillée de la région 11 ayant un rapport de forme élevé qui s'avance dans la première surface 12 dans le corps de la plaquette semi-conductrice 13. Dans ce mode de réalisation, la région 11 est un trou d'interconnexion à extrémité fermée qui s'avance dans la première surface 12. Dans ce mode de réalisation, la lumière de multiples longueurs d'onde éclairant la surface 12 est indiquée par la flèche 24 et la lumière de multiples longueurs d'onde réfléchie par la plaquette semi-conductrice 13 est indiquée par la pluralité de flèches 25, 26 et 27. Comme illustré sur la Figure 2a, la lumière est réfléchie par chaque interface de la plaquette semi-conductrice 13. Dans ce mode de réalisation, la lumière 25 est réfléchie par l'interface entre la première surface 12 et l'environnement, la lumière 26 est réfléchie par l'interface formée entre la base 28 du trou d'interconnexion 11 et l'environnement, et la lumière 27 est réfléchie par l'interface formée entre la seconde surface 29 de la plaquette semi-conductrice 13 et l'environnement. La Figure 2b illustre un autre mode de réalisation dans lequel le trou d'interconnexion 11' a un rapport de forme plus élevé que celui de la Figure 2a et est, par conséquent, plus profond. Dans ce contexte, un rapport de forme élevé est utilisé pour déterminer le rapport de la largeur indiquée par le signe de référence w à la profondeur indiquée par le signe de référence d de la région 11. Un rapport de forme élevé est défini ici comme étant un rapport de la largeur à la profondeur d'au moins 1 à 10. La lumière illustrée schématiquement sur la Figure 2 par les flèches 25, 26 et 27, réfléchie par les différentes interfaces de la plaquette semi-conductrice 13, comprend de multiples longueurs d'onde et forme un motif d'interférence 30 qui est illustré schématiquement sur la Figure 3. Ce motif d'interférence 30 est représenté sous la forme d'un graphique d'intensité en fonction d'un k qui est égal à 2 n divisé par la longueur d'onde. Le motif d'interférence est d'une forme sinusoïdale avec une période constante, comme indiqué sur la Figure 3 par une ligne pointillée. Les moyens d'analyse 21 sont utilisés pour analyser le motif d'interférence 30 qui est mesuré par le spectromètre 16. Les moyens d'analyse 21 appliquent une transformée de Fourier au motif d'interférence pour produire une représentation graphique 31, 31', comme illustré sur les Figures 4a et 4b pour les deux trous d'interconnexion 11, 11' illustrés sur les Figures 2a et 2b, respectivement. En particulier, l'intensité de la lumière de multiples longueurs d'onde qui est réfléchie par la plaquette semi-conductrice est mesurée à l'aide d'un détecteur ayant une pluralité de pixels. La longueur d'onde de la lumière collectée par chaque pixel 1(p) est déterminée par le spectromètre 16. L'intensité de chaque longueur d'onde pour chaque pixel est cartographiée pour fournir une intensité en fonction de k, où k = 2n/l(p) avec k équidistant, à l'aide d'une transformée de Fourier rapide, pour produire une représentation graphique de l'intensité en fonction de l'épaisseur optique. La Figure 4 illustre deux exemples d'une représentation graphique 31, 31' dans laquelle l'intensité est tracée en fonction de l'épaisseur optique. Chacune des représentations graphiques 31, 31' comprend trois pics 32, 33, 34, 32', 33', 34' respectivement. Sur la Figure 4a, le pic 32 ayant une plus petite épaisseur optique représente l'épaisseur de l'épaisseur optique de la couche formée entre la première surface 12 et la base 28 du trou d'interconnexion 11. Le deuxième pic 33 représente l'épaisseur de la couche formée entre la première surface 12 de la plaquette semi- conductrice 13 et la surface arrière 29 de la plaquette semi-conductrice 13. Le troisième pic 34 représente l'épaisseur de la couche formée entre la base 28 du trou d'interconnexion 11 et la surface arrière 29 de la plaquette semi-conductrice. La profondeur d du trou d'interconnexion 11 peut être déterminée à partir de la différence entre la position des pics 33 et 34. Comme illustré sur la Figure 2b, la couche t2 formée entre la première surface 12 et la base 28 du trou d'interconnexion 11' est plus grande que la couche tl du trou d'interconnexion 11 illustré sur la Figure 2a. Cela est illustré sur la Figure 4b par une épaisseur optique accrue de cette couche, qui conduit à un positionnement du premier pic 32' plus loin sur la droite par comparaison avec le pic 32 illustré sur la Figure 4a et également à un positionnement du pic 34' plus loin sur de la gauche par comparaison avec le pic 34 illustré sur la Figure 4a. La position du deuxième pic 33' ne change pas par comparaison avec le pic 33 puisque l'épaisseur du semi-conducteur 13, qui est l'épaisseur de la couche formée entre la première surface 12 et la seconde surface 29 de la plaquette semi-conductrice 13, est la même. La profondeur géométrique des trous d'interconnexion 11, 11' peut être déterminée à partir de l'épaisseur optique de la couche par division de l'épaisseur optique par l'indice de réfraction du matériau formant la couche. La Figure 5 illustre un autre mode de réalisation, dans lequel la lumière de multiples longueurs d'onde 24 est dirigée de façon à éclairer le second côté 29 de la plaquette semi-conductrice 13. L'appareil 10 et les procédés d'analyse de la lumière réfléchie décrits ci-dessus peuvent également être utilisés pour ce mode de réalisation. La plaquette semi-conductrice 13 peut être positionnée sur le support de plaquette 22 illustré sur la Figure 1, de telle sorte que sa seconde surface 29 est tournée vers le haut et que la première surface 12 est en contact avec le support de plaquette 22. En variante, la tête 15 pourrait être positionnée au-dessous du support de plaquette 22 et la seconde surface 29 pourrait rester, au moins dans des régions de bordure, en contact avec le support de plaquette 22. REVENDICATIONS1 - Procédé de mesure de la profondeur d'une région (11, 11') ayant un rapport de forme élevé qui s'avance dans une surface (12) d'une plaquette semi-conductrice (13), caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à : - se procurer une plaquette semi-conductrice (13) comprenant une première surface majeure (12), une seconde surface majeure (29) opposée à la première surface majeure (12) et une région (11, 11') s'avançant dans la première surface majeure (12), la région (11, 11') ayant une largeur et une profondeur et un rapport de forme élevé, - éclairer au moins l'une de la première surface majeure (12) et de la seconde surface majeure (29) avec une lumière (24) comprenant de multiples longueurs d'onde, - mesurer la lumière (25, 26, 27) de multiples longueurs d'onde qui est réfléchie par la plaquette semi- conductrice (13) en fonction de la longueur d'onde, la lumière (25, 26, 27) réfléchie par la plaquette semi-conductrice (13) formant un motif d'interférence (30), et - analyser la lumière (25, 26, 27) mesurée par application d'une transformée de Fourier au motif d'interférence (30) et génération d'une représentation graphique (31, 31') ayant des pics associés à différentes interfaces de la plaquette semi-conductrice (13), et - déterminer la profondeur de la région (11, 11') à partir d'au moins l'un des pics (32, 33, 34, 32', 33', 34') . 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'intensité de la lumière (25, 26, 27) de multiples longueurs d'onde qui est réfléchie par la plaquette semi-conductrice (13) est mesurée par un détecteur ayant une pluralité de pixels. 3 - Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que l'intensité de la lumière (25, 26, 27) de multiples longueurs d'onde qui est réfléchie par la plaquette semi-conductrice (13) est mesurée en fonction de l'inverse de la longueur d'onde. 4 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que la représentation graphique (31, 31') comprend l'intensité en fonction de la profondeur optique. 5 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que la profondeur optique de la région (11, 11') est déterminée par la position du pic (32, 33, 34, 32', 33', 34') dans la représentation graphique (31, 31'). 6 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait qu'au moins un pic (32, 33, 34, 32', 33', 34') correspond à une épaisseur optique d'une couche définie par deux interfaces de la plaquette semi-conductrice (13). 7 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que la seconde surface majeure (29) de la plaquette semi-conductrice (13) est éclairée avec une lumière (24) comprenant de multiples longueurs d'onde et la profondeur géométrique de la région (11, il') est déterminée par division de la profondeur optique de la région (11, 11') par l'indice de réfraction de la plaquette semi-conductrice (13). 8 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que la lumière (25, 26, 27) mesurée est analysée pour déterminer l'épaisseur optique tl d'une couche définie par l'interface entre la première surface majeure (12) de la plaquette semi-conductrice (13) et l'environnement et l'interface entre une base (28) de la région (11, 11') et l'environnement. 9 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait que la lumière (25, 26, 27) mesurée est analysée pour déterminer l'épaisseur optique t2 d'une couche définie par l'interface entre la première seconde surface de la plaquette semi-conductrice (13) et l'environnement et l'interface entre une base (28) de la région (11, 11') et l'environnement. 10 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait que la plaquette semi-conductrice (13) est déplacée par rapport à la lumière (24) éclairant la plaquette semi-conductrice (13) et la lumière (25, 26, 27) réfléchie par la plaquette semi- conductrice (13) est mesurée à au moins une autre position. 11 - Procédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait que la plaquette semi-conductrice (13) est déplacée dans deux dimensions perpendiculaires par rapport à la lumière (24) éclairant la plaquette semi-conductrice (13) et la lumière (25, 26, 27) réfléchie est analysée et une carte tridimensionnelle de la plaquette semi-conductrice (13) est produite. 12 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé par le fait que la plaquette semi- conductrice (13) est une plaquette de silicium et la région (11, 11') est l'un du groupe constitué par un troutraversant, un trou d'interconnexion à extrémité fermée et une tranchée. 13 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé par le fait que la lumière de multiples longueurs d'onde a une gamme de longueurs d'onde de 440 nm à 500 nm ou de 350 nm à 410 nm. 14 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé par le fait que la plaquette semi-conductrice (13) est éclairée avec une lumière (24) comprenant de multiples longueurs d'onde émise par l'un du groupe constitué par une diode électroluminescente, une diode superluminescente, une diode superluminescente sur source balayée, une lampe au xénon électrique ou commandée par laser et un supercontinuum fourni par une source à une seule fibre. 15 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé par le fait que la lumière (24) de multiples longueurs d'onde est amenée à passer à travers un diviseur de faisceau optique (17) ayant une branche d'entrée (18), une branche de sortie (20) et une branche de mesure (19) avant de frapper la plaquette semi-conductrice (13). 16 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé par le fait que la lumière (24) de multiples longueurs d'onde est amenée à passer à travers la branche d'entrée (18) et la branche de mesure (19) du diviseur de faisceau optique (17). 17 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé par le fait que la lumière (25, 26, 27) réfléchie est amenée à passer à travers la branche de mesure (19) et la branche de sortie (20) du diviseur de faisceau optique (17). 18 - Procédé selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisé par le fait que la lumière (25, 26, 27) réfléchie est dirigée vers un spectromètre (16) couplé à la branche de sortie (20) du diviseur de faisceau optique (17). 19 - Appareil (10) de détermination d'une profondeur d'une région (11, 11') ayant un rapport de forme élevé qui s'avance dans une surface (12) d'une plaquette semi-conductrice (13), caractérisé par le fait qu'il comprend : - une source de lumière (14) de multiples longueurs d'onde ; - un support de plaquette semi-conductrice (22) ayant un côté avant destiné à supporter une plaquette semi- conductrice (13) ; - une tête (15) destinée à diriger la source de lumière (14) sur la plaquette semi-conductrice (13) ; - un spectromètre (16) destiné à collecter la lumière (25, 26, 27) comprenant de multiples longueurs d'onde réfléchie par la plaquette semi-conductrice (13), et - des moyens d'analyse (21) destinés à déterminer une profondeur de la région (11) à partir d'un motif d'interférence de la lumière (25, 26, 27) réfléchie par la plaquette semi-conductrice (13) par réalisation d'une tomographie par cohérence optique dans le domaine de Fourier. 20 - Appareil (10) selon la revendication 19, caractérisé par le fait que la tête (15) est positionnée adjacente au côté avant du support de plaquette semi- conductrice (22). 21 - Appareil (10) selon la revendication 19, caractérisé par le fait que la tête (15) est positionnéeadjacente à un côté du support de plaquette semi-conductrice (22) qui est opposé au côté avant. 22 - Appareil (10) selon l'une des revendications 19 à 21, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre un diviseur de faisceau optique (17) comprenant une branche d'entrée (18) couplée à la source de lumière (14), une branche de sortie (20) couplée au spectromètre (16) et une branche de mesure (19) couplée à la tête (15). 23 - Appareil (10) selon l'une des revendications 19 à 22, caractérisé par le fait que le support de plaquette semi-conductrice (22) est déplaçable dans au moins une direction perpendiculaire à la tête (15). 24 - Appareil (10) selon l'une des revendications 19 à 22, caractérisé par le fait que la tête (15) est déplaçable dans au moins une direction parallèle au support de plaquette semi-conductrice (22). 25 - Appareil (10) selon l'une des revendications 19 à 22, caractérisé par le fait que la tête (15) est déplaçable dans au moins une direction perpendiculaire au support de plaquette semi-conductrice (22). 26 - Utilisation d'une tomographie par cohérence 25 optique dans le domaine de Fourier pour déterminer la profondeur d'au moins une région (11) dans une surface (12) d'une plaquette semi-conductrice (13). 27 - Utilisation selon la revendication 25, caractérisée par le fait que la tomographie par cohérence 30 optique dans le domaine de Fourier est utilisée pour déterminer la profondeur d'un trou d'interconnexion à extrémité fermée (11, 11') ou d'un trou d'interconnexion àextrémités ouvertes dans une plaquette semi-conductrice (13).