FR 2971366 A1 20120810 FR 1100401 A 20110209 MICROPLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT DES MOYENS DE PROTECTION CONTRE UNE ATTAQUE PHYSIQUE La présente invention concerne une microplaquette de semi-conducteur comprenant un substrat de semi-conducteur, une région de circuit intégré comprenant un circuit intégré, des lignes conductrices s'étendant au-dessus de la région de circuit intégré, et des moyens de protection s'étendant au-dessus des lignes conductrices pour protéger la microplaquette de semi-conducteur contre une attaque physique. Une microplaquette de semi-conducteur comprend généralement un substrat de semi-conducteur dans lequel une région de circuit intégré est implantée. La région de circuit intégré comprend des composants électroniques actifs et passifs tels que des transistors, des résistances, des condensateurs, etc. Des lignes conductrices sont généralement prévues au-dessus de la région de circuit intégré pour interconnecter des parties du circuit intégré ou pour connecter le circuit intégré aux plages de contact de surface de la microplaquette de semi-conducteur. Ces lignes conductrices transportent des données qui peuvent être "sensibles", par exemple une clé cryptographique secrète, et sont par conséquent soumises aux attaques physiques. Une "attaque physique" se définit comme une tentative de récupération d'informations sensibles directement dans la circuiterie interne d'une microplaquette de semi-conducteur. Plus particulièrement, les attaquants peuvent essayer de récupérer des données sensibles en accédant aux lignes conductrices et en détectant les signaux électriques qui y circulent. A cet effet, ils peuvent utiliser une technique de polissage mécano-chimique afin de retirer une ou plusieurs couches diélectriques jusqu'à atteindre les lignes conductrices, ou un microscope électronique à balayage ou une technique de faisceau d'ions focalisé pour pratiquer un orifice dans un matériau diélectrique afin d'atteindre les lignes conductrices. Pour empêcher de telles attaques, le brevet américain 4,933,898 propose d'agencer une couche conductrice au-dessus des lignes conductrices d'une microplaquette de semi-conducteur. La couche conductrice peut comprendre une source d'alimentation des composants actifs. Ainsi, si la couche conductrice est retirée, le circuit intégré n'est plus alimenté et cesse de fonctionner. Le brevet américain 5,861,662 propose également un bouclier anti-sabotage comprenant un fil de connexion passant par une couche de protection telle qu'une couche d'enrobage en époxy. Néanmoins, il est possible pour un attaquant d'éviter ces types de contre-mesures en appliquant la tension d'alimentation au circuit intégré par une autre piste conductrice, ou par une attaque physique locale qui ne modifie pas significativement la couche conductrice. La demande de brevet américaine 2010/0090714 décrit également un circuit intégré présentant un circuit à protéger, une couche de protection sur le circuit à protéger, et un circuit de détection agencé pour détecter une impédance de la couche de protection comparée à une impédance de référence située sous le circuit intégré. Dans un mode de réalisation, la couche de protection comprend une matrice de condensateurs de surface. Il peut être souhaité de prévoir des moyens de protection alternatifs afin de protéger un circuit intégré à la fois contre des attaques physiques globales et locales. Des modes de réalisation de l'invention concernent 35 une microplaquette de semi-conducteur comprenant . un substrat de semi-conducteur, une région de circuit intégré comprenant un circuit intégré, des lignes conductrices s'étendant au-dessus de la région de circuit intégré, et des moyens de protection s'étendant au-dessus des lignes conductrices, pour protéger la microplaquette de semi-conducteur contre une attaque physique. Les moyens de protection comprennent : au moins une matrice de condensateurs de protection s'étendant au-dessus des lignes conductrices, chaque condensateur de protection comprenant une plaque conductrice inférieure, une plaque conductrice supérieure, et une couche diélectrique entre les plaques supérieure et inférieure ; au moins une première et une seconde lignes conductrices d'interconnexion, agencées pour interconnecter les condensateurs de protection en parallèle ; et des moyens pour empêcher au moins certaines données de circuler sur au moins certaines lignes conductrices, lorsqu'un court-circuit se produit dans au moins un condensateur de protection. Selon un mode de réalisation, les condensateurs de protection sont polarisés par une tension d'alimentation du circuit intégré, de telle sorte que le circuit intégré cesse de fonctionner lorsqu'au moins un condensateur de protection est court-circuité. Selon un mode de réalisation, la microplaquette comprend des moyens permettant de détecter un court-circuit dans un condensateur de protection et de fournir un signal d'avertissement au circuit intégré lorsqu'un court-circuit est détecté. Selon un mode de réalisation, la microplaquette comprend des moyens permettant de surveiller la continuité électrique d'au moins une des lignes conductrices d'interconnexion entre deux de leurs points, et de fournir un signal d'avertissement au circuit intégré lorsqu'une erreur de continuité est détectée. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré est configuré pour effectuer, en réponse à un signal d'avertissement, au moins une des actions de protection suivantes stopper une opération en cours, réinitialiser le circuit intégré, effacer tout ou partie d'une mémoire, et autodétruire le circuit intégré ou ses parties. Selon un mode de réalisation, les condensateurs de protection Ci recouvrent plus de 90 % de la surface totale occupée par la matrice de condensateurs. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur cumulée de la couche diélectrique et de la plaque supérieure est inférieure à 300 nanomètres. Selon un mode de réalisation, la microplaquette comprend une autre ligne conductrice agencée au-dessus des condensateurs de protection, et des moyens pour surveiller la continuité électrique de la ligne conductrice et pour fournir un signal d'avertissement au circuit intégré lorsqu'une erreur de continuité est détectée. Des modes de réalisation de l'invention concernent un procédé de protection d'une microplaquette de semi-conducteur contre une attaque physique, la microplaquette de semi-conducteur comprenant un substrat de semi- conducteur, une région de circuit intégré comprenant un circuit intégré, des lignes conductrices s'étendant au-dessus de la région de circuit intégré. Le procédé comprend les étapes consistant à : prévoir au moins une matrice de condensateurs de protection s'étendant au- dessus des lignes conductrices, chaque condensateur de protection comprenant une plaque conductrice inférieure, une plaque conductrice supérieure, et une couche diélectrique entre les plaques supérieure et inférieure ; prévoir au moins une première et une seconde lignes conductrices d'interconnexion, agencées pour interconnecter les condensateurs de protection en parallèle ; et empêcher au moins certaines données de circuler sur au moins certaines lignes conductrices, lorsqu'un court-circuit se produit dans au moins un condensateur de protection. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape consistant à polariser les condensateurs de protection par une tension d'alimentation du circuit intégré, de telle sorte que le circuit intégré cesse de fonctionner lorsqu'au moins un condensateur de protection est court-circuité. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend les étapes consistant à : détecter un court-circuit dans un condensateur de protection, et fournir un signal d'avertissement au circuit intégré lorsqu'un court-circuit est détecté. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes consistant à : surveiller la continuité électrique d'au moins une des lignes conductrices d'interconnexion entre deux de leurs points, et fournir un signal d'avertissement au circuit intégré lorsqu'une erreur de continuité est détectée. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape consistant à configurer le circuit intégré de telle sorte qu'il effectue, en réponse à un signal d'avertissement, au moins une des actions de protection suivantes : stopper une opération en cours, réinitialiser le circuit intégré, effacer tout ou partie d'une mémoire, et autodétruire le circuit intégré ou ses parties. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape consistant à concevoir la matrice de condensateurs Ci de telle sorte qu'il recouvre plus de 90 % de la surface qu'il occupe. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend 35 des étapes consistant à : prévoir une autre ligne conductrice agencée au-dessus des condensateurs de protection, et surveiller la continuité électrique de la ligne conductrice et fournir un signal d'avertissement au circuit intégré lorsqu'une erreur de continuité est détectée. Des modes de réalisations de la présente invention vont maintenant être décrits à titre non limitatif, en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : - La figure 1 est une vue de dessus d'une microplaquette de semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de l'invention, - La figure 2 est une vue en coupe de parties de la microplaquette de semi-conducteur, - La figure 3 est un schéma électrique d'un circuit de 15 protection intégré dans la microplaquette de semi-conducteur, - La figure 4 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit intégré selon l'invention, et - La figure 5 est une vue de dessus d'une microplaquette 20 de semi-conducteur selon un second mode de réalisation de l'invention. La figure 1 est une vue de dessus d'une microplaquette de semi-conducteur 1 selon un mode de réalisation de l'invention. La microplaquette de semi- 25 conducteur 1 comprend un substrat de semi-conducteur 2, une région de circuit intégré 3 implantée dans le substrat, et une ou plusieurs plages de contact de surface supérieure 4 afin de recevoir ou de fournir des signaux électriques depuis ou vers l'extérieur (par 30 exemple, une tension d'alimentation, un potentiel de masse, des données entrantes, des données sortantes, etc.). La microplaquette de semi-conducteur 1 comprend en outre des moyens de protection afin de protéger la 35 microplaquette de semi-conducteur contre une attaque physique. Les moYens de protection comprennent une matrice de condensateurs Ci (Cl, 02_ CN_1, CN) et deux lignes conductrices CL1, CL2 interconnectant des condensateurs Ci de telle sorte qu'ils sont agencés en parallèle. Chaque ligne conductrice CL1 et CL2 présente deux extrémités, respectivement E10, E11 et E20, E21, reliées à un circuit de protection situé dans la région de circuit intégré 3, qui sera décrite plus loin. La figure 2 est une vue en coupe schématique de différentes parties PA, PB, et PC de la microplaquette de semi-conducteur 1 selon des lignes de coupe AA', BB', et CC' illustrées sur la figure 1. Il est à noter que les divers éléments illustrés sur la figure 2 peuvent ne pas être à l'échelle, dans un souci de clarté, en particulier en ce qui concerne les épaisseurs. La partie PA illustre schématiquement la structure en coupe de la microplaquette de semi-conducteur dans une région incluant le condensateur de protection Cl. Il est supposé ici que tous les condensateurs de protection Ci présentent une structure similaire. La partie PB illustre schématiquement la structure en coupe de la microplaquette de semi-conducteur dans une région incluant l'extrémité E10 de la ligne conductrice CL1. La partie PC illustre schématiquement la structure en coupe de la microplaquette de semi-conducteur dans une région incluant une plage de contact de surface 4. En référence à la figure 2, partie PA, la microplaquette de semi-conducteur comprend, au-dessus de la région de circuit intégré 3, des lignes conductrices Lj interconnectant des parties de la région de circuit intégré 3 ou connectant la région de circuit intégré aux plages de contact de surface 4. Dans cet exemple de réalisation, la microplaquette de semi-conducteur comprend des premières lignes conductrices L1 s'étendant au-dessus de la région de circuit intégré 3 et implantées dans une première couche diélectrique Dl, des secondes lignes conductrices L2 s'étendant au-dessus des premières lignes conductrices L1 et implantées dans une seconde couche diélectrique D2, des troisièmes lignes conductrices L3 s'étendant au-dessus des secondes lignes conductrices L2 et implantées dans une troisième couche diélectrique D3, et des quatrièmes lignes conductrices L4 s'étendant au-dessus des secondes lignes conductrices L3 et implantées dans une troisième couche diélectrique D4. Les lignes conductrices L1 sont connectées à la région de circuit intégré 3 par l'intermédiaire de vias conducteurs V1 passant par la couche diélectrique Dl et/ou sont connectées à la ligne conductrice L2 par l'intermédiaire de vias conducteurs V2 passant par la couche diélectrique D2. De la même façon, les lignes conductrices L3 sont connectées aux lignes conductrices L2 par l'intermédiaire de vias conducteurs V3 passant par la couche diélectrique D3 et/ou sont connectées à la ligne conductrice L4 par l'intermédiaire de vias conducteurs V4 passant par la couche diélectrique D4. En référence aux procédés microélectroniques conventionnels, les lignes conductrices L1, L2, L3, L4 correspondent par exemple à des couches de métal 1, de métal 2, de métal 3, et de métal 4 (aluminium ou cuivre) déposées sur la microplaquette de semi-conducteur puis gravées lors de la fabrication. Alternativement, les lignes conductrices L1, L2, L3, L4 peuvent être formées en utilisant un procédé de dépôt Damascène. Le condensateur de protection Ci comprend une plaque conductrice inférieure Pl et une plaque conductrice supérieure P2. La plaque Pl s'étend au-dessus des lignes conductrices L3 et est implantée dans la couche diélectrique D4. La plaque P2 s'étend au-dessus de la plaque Pl et est implantée dans une couche diélectrique D5 s'étendant sur la couche diélectrique D4. Les plaques Pl et P2 sont séparées par une fine couche de matériau diélectrique D4', qui peut être le même matériau diélectrique que celui de la couche D4 ou D5, par exemple en SiO2. Dans un mode de réalisation, les plaques Pl et P2 sont réalisées lors de la fabrication de la couche de métal 4. La plaque Pl est formée en même temps que les lignes conductrices L4. La couche diélectrique D4' est ensuite déposée sur la microplaquette de semi-conducteur et retirée aux endroits où elle n'est pas souhaitée. Puis la plaque P2 est formée au-dessus de la plaque P1. Au total, la formation de la plaque P2 et de la couche diélectrique D4' nécessite deux étapes de fabrication supplémentaires par rapport à un processus de fabrication conventionnel. Dans un mode de réalisation, la plaque P2 et la couche diélectrique D4' sont chacune plus fine que la plaque P1, de telle sorte que la partie supérieure du condensateur est aussi fragile que possible tout en étant capable de supporter une tension déterminée. Dans un mode de réalisation, l'épaisseur cumulée de la plaque P2 et de la couche diélectrique D4' est inférieure à 300 nm (nanomètres). Dans un mode de réalisation, l'épaisseur de la plaque P1 est de l'ordre de 500 nm (nanomètres), l'épaisseur de la plaque P2 est de l'ordre de 250 nm, et l'épaisseur du diélectrique D4' est de l'ordre de 35 nm. Dans un mode de réalisation, la surface des condensateurs de protection Ci et l'espacement entre les condensateurs Ci sont choisis de telle sorte de que les condensateurs Ci recouvrent plus de 90 % de la surface totale occupée par la matrice de condensateurs. Par exemple, l'espacement peut être de 0,5 micromètres et la surface des condensateurs peut être de 30*30 micromètres, de telle sorte que les condensateurs Ci recouvrent 96 % (100*((30*30)/(30,5*30,5))) de la surface totale recouverte par la matrice de condensateurs Ci. Les lignes conductrices CL1, CL2 s'étendent au- dessus de la plaque supérieure P2 et sont déposées sur ou implantées dans la couche diélectrique D5. Elles sont connectées aux plaques P1, P2, respectivement, par l'intermédiaire des vias conducteurs V5 passant par la couche diélectrique D5. Encore en référence aux procédés microélectroniques conventionnels, les lignes conductrices CL1, CL2, sont par exemple réalisées à partir d'une couche de métal 5, déposée sur le substrat de la microplaquette de semi-conducteur puis gravée lors de sa fabrication, ou sont formées en utilisant le procédé de dépôt Damascène. En référence à la figure 2, partie PB, les extrémités E10, Ell, E20, E21 des lignes conductrices CL1, CL2 sont reliées au circuit de protection situé dans la région de circuit intégré 3 par l'intermédiaire des vias conducteurs V5 passant par le diélectrique D5, et par les lignes conductrices L4, L3, L2, L1 et les vias conducteurs V4, V3, V2, V1 (non illustrés). En référence à la figure 2, partie PC, les plages de contact de surface supérieure 4 sont également connectées à la région de circuit intégré 3 par l'intermédiaire des vias conducteurs V5 passant par le diélectrique D5, et par les lignes conductrices L4, L3, L2, L1 et les vias conducteurs V4, V3, V2, V1 (non illustrés). La figure 3 est un schéma électrique d'un mode de réalisation du circuit de protection mentionné ci-dessus. Le circuit de protection PC comprend un premier circuit de détection de continuité CDCT1, un second circuit de détection de continuité CDCT2, et un circuit de détection de court-circuit SCDC. Le circuit de détection de continuité CDCT1 comprend une première entrée Il reliée à l'extrémité E10 de la ligne conductrice CL1 et une seconde entrée I2 reliée à l'extrémité Ell de la ligne conductrice CL1. L'entrée I1 reçoit également une tension de contrôle VC, par exemple la tension d'alimentation du circuit intégré. Le circuit de détection de continuité CDCT2 comprend une première entrée Il reliée à l'extrémité E20 de la ligne conductrice CL2 et une seconde entrée I2 reliée à l'extrémité E21 de la ligne conductrice CL2. L'entrée Il reçoit également une tension de référence GD, par exemple le potentiel de masse du circuit intégré. Le circuit de détection de continuité CDCT1 fournit un signal de contrôle Wl qui présente une valeur normale, par exemple 1 (i.e. VC), lorsque les deux entrées Il et I2 reçoivent la tension VC, et qui présente une valeur d'avertissement, par exemple 0 (i.e. le potentiel de masse), lorsqu'au moins une entrée Il ou I2 ne reçoit pas la tension VC, ce qui signifie qu'il n'y a plus de continuité électrique entre les deux extrémités de la ligne CL1 ou que la tension VC n'est plus appliquée à l'entrée Il. De la même façon, le circuit de détection de continuité CDCT2 fournit un signal de contrôle W2 qui présente une valeur normale, par exemple 1, lorsque les deux entrées I1 et I2 sont au même potentiel de référence GD, et qui présente une valeur d'avertissement, par exemple 0, lorsqu'au moins une entrée I1 ou I2 n'est pas connectée au potentiel de référence, ce qui signifie qu'il n'y a plus de continuité électrique entre les deux extrémités de la ligne CL2 ou que le potentiel de référence n'est plus appliqué à l'entrée Il. Ainsi, si un attaquant tente de retirer les couches supérieures de la microplaquette de semi-conducteur afin d'accéder aux lignes conductrices L1, L2, L3 et de surveiller les signaux électriques y circulant, la continuité d'au moins une ligne CL1, CL2 sera altérée et l'erreur détectée par le circuit de détection de continuité correspondant. Le circuit de détection de court-circuit SDCT comprend une première entrée I1 reliée à l'extrémité Ell de la ligne conductrice CL1 et une seconde entrée I2 reliée à l'extrémité E21 de la ligne conductrice CL2. Dans un mode de réalisation, un second circuit de détection de court-circuit présentant des entrées reliées aux extrémités E10, E20 des lignes conductrices CL1, CL2 peut également être prévu. Le circuit de détection de court-circuit SDCT fournit un signal de contrôle W3 qui présente une valeur normale, par exemple 1, lorsque l'entrée I1 reçoit la tension VC et l'entrée I2 reçoit le potentiel de référence, et qui présente une valeur d'avertissement, par exemple 0, lorsqu'au moins une entrée I1 ou I2 ne reçoit pas la tension VC ou le potentiel de référence. Il est à noter que comme les condensateurs de protection Ci sont connectés en parallèle, ils forment un condensateur équivalent Ceq, dont la valeur est égale à la somme des valeurs individuelles des condensateurs Ci (C1-CN). Si un attaquant tente de pratiquer un orifice dans les couches de matériau diélectrique vers les lignes conductrices L1, L2, L3, par exemple en utilisant la technique du faisceau d'ions focalisé, la plaque P1, P2 d'au moins un condensateur de protection Ci sera très certainement court-circuitée. Dans ce cas, le condensateur équivalent Ceq sera également court-circuité. Les entrées Il, I2 recevront la tension VC, ou au moins l'entrée Il recevra une tension différente de VC (court-circuit partiel avec une résistance en série différente de zéro), de telle sorte que le signal d'avertissement W3 passera à 0. Dans un autre mode de réalisation, au moins un des circuits de détection CDCT1, CDCT2, SDCT peut être prévu. Le circuit intégré mis en oeuvre dans la région de circuit intégré 3 est configuré pour effectuer une action de protection lorsqu'au moins un des signaux de contrôle W1, W2, W3 présente la valeur d'avertissement. L'action de protection peut être n'importe quelle action de protection connue, par exemple : - stopper une opération en cours, et/ou - réinitialiser le circuit intégré, et/ou - effacer tout ou partie d'une mémoire contenant des données sensibles, et/ou - autodétruire le circuit intégré ou ses parties, par exemple en faisant sauter des fusibles, etc., selon le type de circuit intégré et le degré de protection recherché. Dans le cas où la tension de contrôle VC est la tension d'alimentation du circuit intégré, un court-circuit dans un condensateur de protection Ci arrêtera également le circuit intégré. La figure 4 est un schéma électrique d'un exemple de réalisation d'un circuit intégré ICI mis en oeuvre dans la région de circuit intégré 3. Le circuit intégré ICI comprend une unité de traitement PU, une mémoire MEM1, et le circuit de protection PC. L'unité de traitement PU est reliée aux plages de contact de surface 4 afin de recevoir ou d'émettre des signaux électriques. Elle est également reliée à la mémoire MEM1 au moyen d'un bus d'adresse et de données comprenant certaines des lignes conductrices L1, L2, L3 décrites ci-dessus. Le circuit de protection PC fournit les signaux d'avertissement W1, W2, W3 à l'unité de traitement PU, qui est par conséquent capable de détecter une attaque. En cas d'attaque, l'unité de traitement PU effectue une action défensive, par exemple une de celles décrites ci-dessus. De cette façon, le bus d'adresse et de données entre l'unité de traitement PU et la mémoire MEM1 est protégé. Dans un mode de réalisation, le circuit intégré ICI peut être un circuit intégré sans contact, par exemple une étiquette, utilisant des techniques de couplage inductif et de modulation de charge ou des techniques de couplage électrique et de rétrodiffusion pour recevoir et émettre des données. Dans un tel mode de réalisation, les plages de contact de surface 4 sont connectées à une bobine d'antenne RF ou une antenne UHF. La tension d'alimentation du circuit intégré est extraite par induction du champ magnétique ou électrique entourant la microplaquette de semi-conducteur, par l'intermédiaire de la bobine d'antenne RF ou de l'antenne UHF. Ainsi, en supposant qu'une telle tension d'alimentation est appliquée aux condensateurs de protection Ci, si un attaquant provoque un court-circuit dans un condensateur de protection Ci, le condensateur équivalent Ceq sera également court-circuité et le circuit intégré cessera de fonctionner puisqu'il ne recevra plus de tension d'alimentation. Les condensateurs de protection Ci selon l'invention peuvent être agencés sur toute la surface de la région de circuit intégré ou simplement sur certaines zones contenant la circuiterie sensible ou les lignes conductrices transportant des données sensibles, par exemple un coprocesseur de cryptographie, sa mémoire RAM associée, ou un bus de données reliant ces éléments ensemble. La figure 5 est une vue de dessus d'une microplaquette de semi-conducteur l' selon un autre mode de réalisation de l'invention. La microplaquette de semi-conducteur 1' est identique à la microplaquette de semi- conducteur 1 précédemment décrite, hormis qu'elle comprend en outre une ligne conductrice CL3 agencée dans une boucle, de préférence selon un motif sinueux afin de recouvrir une surface importante. La ligne conductrice CL3 s'étend au-dessus de la région de circuit intégré 3. Elle peut être agencée au-dessus ou en-dessous des lignes conductrices CLl, CL2, ou dans le même plan que celui des lignes conductrices CLl, CL2 avec des ponts isolants afin de ne pas être en contact avec ces lignes à des points de croisement. La ligne conductrice CL3 transporte un signal de surveillance et est connectée à ses deux extrémités au circuit de protection décrit ci-dessus par l'intermédiaire des vias conducteurs V5 et des lignes conductrices L4, L3, L2, Ll enterrées. Dans le circuit de protection, un troisième circuit de détection de continuité (non illustré sur la figure 3) est prévu afin de surveiller la continuité de la ligne CL3 selon le principe décrit ci-dessus. Il est clair pour l'homme de l'art que divers autres modes de réalisation de la présente invention peuvent être prévus. En particulier, les condensateurs de protection de surface Ci peuvent être agencés sur la surface supérieure terminale de la microplaquette de semi-conducteur au lieu d'être intégrés à un niveau correspondant à l'avant dernier niveau conducteur (métal 4 dans l'exemple illustré sur la figure 2). Dans ce cas, les lignes conductrices d'interconnexion CLl, CL2 peuvent être enterrées et s'étendre sous les condensateurs de protection Ci au lieu de s'étendre sur les condensateurs de protection Ci. Dans d'autres modes de réalisation, une microplaquette de semi-conducteur selon l'invention peut comprendre différents groupes de condensateurs de protection Ci interconnectés indépendants les uns des autres et reliés au même circuit de protection ou à des circuits de protection séparés. REVENDICATIONS1. Microplaquette de semi-conducteur (1, 1» comprenant : - un substrat de semi-conducteur (2), - une région de circuit intégré (3) comprenant un circuit intégré (ICI), - des lignes conductrices (L1, L2, L3) s'étendant au-dessus de la région de circuit intégré (3), et - des moyens de protection s'étendant au-dessus des lignes conductrices, pour protéger la microplaquette de semi-conducteur contre une attaque physique, caractérisé en ce que les moyens de protection comprennent : - au moins une matrice de condensateurs de protection (Ci, C1-CN) s'étendant au-dessus des lignes conductrices (L1, L2, L3), chaque condensateur de protection comprenant une plaque conductrice inférieure (Pl), une plaque conductrice supérieure (P2), et une couche diélectrique (D4') entre les plaques supérieure et inférieure, - au moins une première (CL1) et une seconde (CL2) lignes conductrices d'interconnexion, agencées pour interconnecter les condensateurs de protection en parallèle, et - des moyens pour empêcher au moins certaines données de circuler sur au moins certaines lignes conductrices, lorsqu'un court-circuit se produit dans au moins un condensateur de protection. 2. Microplaquette de semi-conducteur selon la revendication 1, dans laquelle les condensateurs de protection (Ci, Cl-CN) sont polarisés par une tension d'alimentation (VC) du circuit intégré, de telle sorteque le circuit intégré cesse de fonctionner lorsqu'au moins un condensateur de protection est court-circuité. 3. Microplaquette de semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant des moyens (PC, SDCT) permettant de détecter un court-circuit dans un condensateur de protection et de fournir un signal d'avertissement (W3) au circuit intégré (ICI) lorsqu'un court-circuit est détecté. 4. Microplaquette de semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 3, comprenant des moyens (CDCT1, CDCT2) permettant de surveiller la continuité électrique d'au moins une des lignes conductrices d'interconnexion (CM, CL2) entre deux de leurs points (E10, E11, E20, E21), et de fournir un signal d'avertissement (Wl, W2) au circuit intégré (ICI) lorsqu'une erreur de continuité est détectée. 5. Microplaquette de semi-conducteur selon l'une des revendications 3 ou 4, dans laquelle le circuit intégré est configuré pour effectuer, en réponse à un signal d'avertissement, au moins une des actions de protection suivantes . - stopper une opération en cours, - réinitialiser le circuit intégré, - effacer tout ou partie d'une mémoire, - autodétruire le circuit intégré ou ses parties. 6. Microplaquette de semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle les condensateurs de protection Ci recouvrent plus de 90 % de la surface totale occupée par la matrice de condensateurs. 7. Microplaquette de semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 6, dans laquelle l'épaisseur cumulée de la couche diélectrique et de la plaque supérieure est inférieure à 300 nanomètres. 8. Microplaquette de semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 7, comprenant une autre ligne conductrice (CL3) agencée au-dessus des condensateurs de protection, et des moyens pour surveiller la continuité électrique de la ligne conductrice et pour fournir un signal d'avertissement au circuit intégré (ICI) lorsqu'une erreur de continuité est détectée. 9. Procédé de protection d'une microplaquette de semi-conducteur (1, l') contre une attaque physique, la microplaquette de semi-conducteur comprenant : - un substrat de semi-conducteur (2), - une région de circuit intégré (3) comprenant un circuit intégré (ICI), - des lignes conductrices (L1, L2, L3) s'étendant au-dessus de la région de circuit intégré (3), et caractérisé en ce qu'il comprend des étapes consistant à : - prévoir au moins une matrice de condensateurs de protection (Ci, Cl-CN) s'étendant au-dessus des lignes conductrices (L1, L2, L3), chaque condensateur de protection comprenant une plaque conductrice inférieure (Pl), une plaque conductrice supérieure (P2), et une couche diélectrique (D4') entre les plaques supérieure et inférieure, - prévoir au moins une première (CL1) et une seconde (CL2) lignes conductrices d'interconnexion, agencées pour interconnecter les condensateurs de protection en parallèle, et- empêcher au moins certaines données de circuler sur au moins certaines lignes conductrices, lorsqu'un court-circuit se produit dans au moins un condensateur de protection. 10. Procédé selon la revendication 9, comprenant une étape consistant à polariser les condensateurs de protection (Ci, Cl-CN) par une tension d'alimentation (VC) du circuit intégré, de telle sorte que le circuit intégré cesse de fonctionner lorsqu'au moins un condensateur de protection est court-circuité. 11. Procédé selon la revendication 9, comprenant les étapes consistant à : - détecter un court-circuit dans un condensateur de protection, et - fournir un signal d'avertissement (W3) au circuit intégré (ICI) lorsqu'un court-circuit est détecté. 12. Procédé selon l'une des revendications 9 à 11, comprenant des étapes consistant à : - surveiller la continuité électrique d'au moins une des lignes conductrices d'interconnexion (CLl, CL2) entre deux de leurs points (E10, E11, E20, E21), et - fournir un signal d'avertissement (Wl, W2) au circuit intégré (ICI) lorsqu'une erreur de continuité est détectée. 13. Procédé selon l'une des revendications 11 ou 12, comprenant une étape consistant à configurer le circuit intégré de telle sorte qu'il effectue, en réponse à un signal d'avertissement, au moins une des actions de protection suivantes : - stopper une opération en cours, - réinitialiser le circuit intégré,- effacer tout ou partie d'une mémoire, - autodétruire le circuit intégré ou ses parties. 14. Procédé selon l'une des revendications 9 à 13, comprenant une étape consistant à concevoir la matrice de condensateurs Ci de telle sorte qu'il recouvre plus de 90 o de la surface qu'il occupe. 15. Procédé selon l'une des revendications 9 à 14, comprenant des étapes consistant à : - prévoir une autre ligne conductrice (CL3) agencée au-dessus des condensateurs de protection, et - surveiller la continuité électrique de la ligne conductrice et fournir un signal d'avertissement au circuit intégré (ICI) lorsqu'une erreur de continuité est détectée.