FR 2973934 A1 20121012 FR 1153084 A 20110408 PROCEDES DE COLLAGE DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES IMPLIQUANT DES PROCESSUS DE RECUIT, ET STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES COLLEES FORMEES EN UTILISANT CES PROCEDES Domaine technique [0001] Les modes de réalisation de la présente invention concernent des procédés de collage de structures semi-conductrices les unes aux autres, et la formation de structures semi-conductrices collées en utilisant ces procédés. Contexte [0002] L'intégration tridimensionnelle (3D) de deux structures semi-conductrices ou plus peut produire un certain nombre d'avantages dans les applications microélectroniques. Par exemple, l'intégration tridimensionnelle de composants microélectroniques peut résulter en une amélioration de la performance électrique et de la consommation d'énergie tout en réduisant l'aire de l'empreinte du dispositif. Voir, par exemple, P. Garrou, et d'autres « The Handbook of 3D Integration », Wiley-VCH (2008). [0003] L'intégration tridimensionnelle de structures semi-conductrices peut s'effectuer en fixant une puce semi-conductrice à une ou plusieurs puces serai- conductrices supplémentaires (c'est-à-dire, puce à puce (D2D)), une puce semi-conductrice à une ou plusieurs tranches semi-conductrices (c'est-à-dire, puce à tranche (D2W)), ainsi qu'une tranche semi-conductrice à une ou plusieurs tranches semi-conductrices supplémentaires (c'est-à-dire, tranche à tranche (W2W)), ou une combinaison de celles-ci. [0004] Les techniques de collage utilisés pour le collage d'une structure semi-conductrice à une autre structure semi-conductrice peuvent être classées de différentes manières, l'une étant si une couche de matériau intermédiaire est prévue entre les deux structures semi-conductrices pour les coller l'une à l'autre, et la seconde étant si l'interface de collage permet aux électrons (c'est-à-dire, au courant électrique) de traverser l'interface. Les procédés dits « de collage direct » sont des procédés dans lesquels un collage chimique solide à solide direct est établi entre deux structures semi-conductrices pour les coller l'une à l'autre sans utiliser un matériau de collage intermédiaire entre les deux structures semi-conductrices pour les coller l'une à l'autre. Des procédés de collage métal-métal direct ont été développés pour coller un matériau métallique sur une surface d'une première structure semi-conductrice à un matériau métallique sur une surface d'une deuxième structure semi-conductrice. [0005] Les procédés de collage métal-métal direct peuvent également être classés par la plage de température dans laquelle chacun est effectué. Par exemple, certains procédés de collage métal-métal direct sont effectués à des températures relativement élevées, résultant en une fusion au moins partielle du matériau métallique au niveau de l'interface de collage. Ces processus de collage direct peuvent être indésirables pour une utilisation dans le collage de structures semi-conductrices traitées qui comprennent une ou plusieurs structures de dispositif, étant donné que les températures relativement élevées peuvent affecter de manière négative les structures de dispositif précédemment formées. [0006] Les procédés de « collage par thermocompression » sont des procédés de collage dans lesquels une pression est appliquée entre les surfaces de collage à des températures élevées entre deux cents degrés Celsius (200 °C) et environ cinq cent degrés Celsius (500 °C), et souvent entre environ trois cent degrés Celsius (300 °C) et environ quatre cents degrés Celsius (400 °C). [0007] Des procédés de collage direct supplémentaires ont été développés qui peuvent être effectués à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. Ces processus de collage direct effectués à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins sont appelés ici procédés de collage direct « à température ultra faible ». Les procédés de collage direct à température ultra faible peuvent être effectués en retirant soigneusement les impuretés superficielles et les composés superficiels (par exemple, des oxydes natifs), et en augmentant l'aire de contact étroit entre les deux surfaces à l'échelle atomique. L'aire de contact étroit entre les deux surfaces est généralement obtenue en polissant les surfaces de collage pour réduire la rugosité de surface jusqu'à des valeurs proches de l'échelle atomique, en appliquant une pression entre les surfaces de collage résultant en une déformation plastique, ou à la fois en polissant les surfaces de collage et en appliquant une pression pour atteindre cette déformation plastique. [0008] Certains procédés de collage direct à température ultra faible peuvent être effectués sans l'application d'une pression entre les surfaces de collage au niveau de l'interface de collage, bien qu'une pression puisse être appliquée entre les surfaces de collage au niveau de l'interface de collage dans d'autres procédés de collage direct à température ultra faible afin d'obtenir une résistance de collage appropriée au niveau de l'interface de collage. Les procédés de collage direct à température ultra faible dans lesquels une pression est appliquée entre les surfaces de collage sont souvent appelés dans l'art procédés de « collage assisté de surfaces » ou « SAB ». Ainsi, telles qu'utilisées ici, les expressions « collage assisté de surfaces » et « SAB » désignent et comprennent n'importe quel processus de collage direct dans lequel un premier matériau est directement collé à un deuxième matériau en mettant en butée le premier matériau contre le deuxième matériau et en appliquant une pression entre les surfaces de collage au niveau de l'interface de collage à une température de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. [0009] Les collage métal-métal directs entre des caractéristiques conductrices actives dans des structures semi-conductrices peuvent, dans certains cas, être sujettes à une défaillance mécanique ou une défaillance électrique après une certaine période de temps même si un collage métal-métal direct acceptable peut être établi initialement entre les caractéristiques conductrices des structures semi-conductrices. Bien que cela ne soit pas totalement compris, on pense que cette défaillance peut être au moins partiellement provoquée par un ou plusieurs de trois mécanismes associés. Les trois mécanismes associés sont une localisation des contraintes, qui peut être favorisée par de gros grains, une croissance de grain associée à la déformation, et un transfert de masse au niveau de l'interface de collage. Ce transfert de masse au niveau de l'interface de collage peut être au moins partiellement dû à une électromigration, une séparation des phases, etc. [0010] L'électromigration est la migration d'atomes de métal dans un matériau conducteur du fait d'un courant électrique. Divers procédés pour améliorer la durée de vie des interconnexions d'électromigration ont été examinés dans l'état de la technique. Par exemple, des procédés pour améliorer la durée de vie électromagnétique d'interconnexions de cuivre sont examinés dans J. Gambino et d'autres, « Copper Interconnect Technology for the 32 nm Node and Beyond », IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC), pages 141 à 148. Bref résumé [0011] Ce résumé est fourni pour introduire une sélection de concepts sous une forme simplifiée, lesquels concepts sont en outre décrits dans la description détaillée ci-dessous de quelques modes de réalisation exemplaires de l'invention. Ce résumé n'est pas destiné à identifier des caractéristiques principales ou des caractéristiques essentielles de l'objet revendiqué, et n'est pas destiné non plus à être utilisé pour limiter l'étendue de l'objet revendiqué. [0012] Dans certains modes de réalisation, la présente invention comprend des procédés de collage direct d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice. Selon ces procédés, un métal est déposé sur une première structure semi-conductrice. Le métal déposé sur la première structure semi-conductrice est soumis à un premier bilan thermique pour recuire le métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans un premier processus de recuit. Une partie du métal déposé sur la première structure semi-conductrice est retirée après avoir soumis le métal au premier bilan thermique. Une partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice est soumise à un deuxième bilan thermique pour recuire la partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans un deuxième processus de recuit. Au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice comprenant la partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice est directement collée à au moins une caractéristique métallique d'une deuxième structure semi-conductrice pour former une structure métallique collée comprenant ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice. La structure métallique collée est soumise à un troisième bilan thermique pour recuire la structure métallique collé dans un troisième processus de recuit, dans lequel le troisième bilan thermique est inférieur au deuxième bilan thermique. [0013] Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente invention comprend des procédés de collage d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice. Une première caractéristique métallique sur une première structure semi-conductrice est recuite en soumettant la première caractéristique métallique à un bilan thermique de recuit pré-collage total. La première caractéristique métallique est directement collée à une deuxième caractéristique métallique d'une deuxième structure semi-conductrice dans un processus de collage direct à température ultra faible pour former une structure métallique collée comprenant la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique. La structure métallique collée est recuite en soumettant la structure métallique collée à un bilan thermique post-collage qui est inférieur au bilan thermique de recuit pré-collage total. [0014] Dans encore d'autres modes de réalisation, la présente invention comprend des procédés de collage d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice. Une première caractéristique métallique sur une première structure semi-conductrice est recuite en soumettant la première caractéristique métallique à un bilan thermique pré-collage et en provoquant une recristallisation d'au moins certains grains dans la première caractéristique métallique. La recristallisation de grains dans la première caractéristique métallique peut résulter en une modification d'une orientation des grains dans la première caractéristique caractéristique métallique caractéristique semi-conductrice métallique. La première est directement collée à une métallique d'une deuxième dans un processus de collage deuxième structure direct à structure température ultra faible pour former une métallique collée comprenant la première caractéristique caractéristique collée est métallique collée métallique métallique. La et la deuxième structure métallique recuite à un est inférieur au bilan en soumettant la bilan thermique post-collage qui thermique pré-collage. structure [0015] Des modes de réalisation supplémentaires de l'invention comprennent des structures semi- conductrices collées fabriquées selon les procédés décrits ici. Brève description des dessins [0016] Les modes de réalisation de la présente invention peuvent être plus complètement compris en faisant référence à la description détaillée qui suit de modes de réalisation exemplaires de la présente invention, qui sont illustrés sur les figures jointes, sur lesquelles: [0017] la figure 1 est un organigramme illustrant des modes de réalisation exemplaires de procédés de formation de structures semi-conductrices collées de l'invention ; et [0018] les figures 2A à 2F représentent la formation d'une structure semi-conductrice collée selon un mode de réalisation d'un procédé tel qu'illustré sur la figure 1. Description détaillée [0019] Les illustrations présentées ici ne sont pas des vues réelles d'un matériau, d'un dispositif, d'un système, ou d'un procédé particulier, mais sont simplement des représentations idéalisées qui sont utilisés pour décrire des modes de réalisation de l'invention. [0020] Telle qu'utilisée ici, l'expression « structure semi-conductrice » désigne et comprend n'importe quelle structure qui est utilisée dans la formation d'un dispositif à semi-conducteurs. Les structures semi-conductrices comprennent, par exemple, des puces et des tranches (par exemple, des substrats de support et des substrats de dispositif), ainsi que des ensembles ou des structures composites qui comprennent deux puces et/ou tranches ou plus intégrées de manière tridimensionnelle les unes avec les autres. Les structures semi-conductrices comprennent également des dispositifs à semi-conducteurs totalement fabriqués, ainsi que des structures intermédiaires formées pendant la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs. [0021] Telle qu'utilisée ici, l'expression « structure semi-conductrice traitée » désigne et comprend n'importe quelle structure semi-conductrice qui comprend une ou plusieurs structures de dispositif au moins partiellement formées. Les structures semi-conductrices traitées sont un sous-ensemble de structures semi-conductrices, et toutes les structures semi-conductrices traitées sont des structures semi- conductrices. [0022] Telle qu'utilisée ici, l'expression « structure semi-conductrice collée » désigne et comprend n'importe quelle structure qui comprend deux structures semi-conductrices ou plus qui sont collées les unes aux autres. Les structures semi-conductrices collées sont un sous-ensemble de structures semi-conductrices, et toutes les structures semi-conductrices collées sont des structures semi- conductrices. En outre, les structures semi- conductrices collées qui comprennent une ou plusieurs structures semi-conductrices traitées sont également des structures semi-conductrices traitées. [0023] Telle qu'utilisée ici, l'expression « structure de dispositif » désigne et comprend n'importe quelle partie d'une structure semi-conductrice traitée, c'est-à-dire comprend, ou définit au moins une partie d'un composant actif ou passif d'un dispositif à semi-conducteurs à former sur ou dans la structure semi-conductrice. Par exemple, les structures de dispositif comprennent des composants actifs et passifs de circuits intégrés tels que des transistors, des transducteurs, des condensateurs, des résistances, des lignes conductrices, des trous d'interconnexion conducteurs, et des pastilles de contact conductrices. [0024] Telle qu'utilisée ici, l'expression « interconnexion à travers la tranche » ou « TWI » désigne et comprend n'importe quel trou d'interconnexion conducteur s'étendant à travers au moins une partie d'une première structure semi- conductrice qui est utilisé pour réaliser une interconnexion structurelle et/ou électrique entre la première structure semi-conductrice et une deuxième structure semi-conductrice à travers une interface entre la première structure semi-conductrice et la deuxième structure semi-conductrice. Les interconnexions à travers la tranche sont également désignées dans l'art par d'autres expressions, telles que « trous d'interconnexion à travers le silicium », « trous d'interconnexion à travers le substrat », « trous d'interconnexion à travers la tranche », ou par les abréviations de ces expressions, telles que « TSV » ou « TWV ». Les TWI s'étendent généralement à travers une structure semi-conductrice dans une direction généralement perpendiculaire aux surfaces principales généralement plates de la structure semi-conductrice (c'est-à-dire, dans une direction parallèle à l'axe « Z »). [0025] Telle qu'utilisée ici, l'expression « surface active », lorsqu'elle est utilisée en relation avec une structure semi-conductrice traitée, désigne et comprend une surface principale exposée de la structure semi-conductrice traitée qui a été, ou qui sera, traitée pour former une ou plusieurs structures de dispositif dans et/ou sur la surface principale exposée de la structure semi-conductrice traitée. [0026] Telle qu'utilisée ici, l'expression « surface arrière », lorsqu'elle est utilisée en relation avec une structure semi-conductrice traitée, désigne et comprend une surface principale exposée de la structure semi-conductrice traitée d'un côté de la structure semi-conductrice traitée opposé à une surface active de la structure semi-conductrice. [0027] Telle qu'utilisée ici, l'expression « bilan thermique », lorsqu'elle est utilisée en relation avec un processus de recuit, fait référence à la zone sous une ligne ou une courbe représentant la température du processus de recuit en fonction de la période de temps pendant laquelle le processus de recuit est effectué. Dans un processus de recuit effectué à une température unique (c'est-à-dire, un processus de recuit isotherme), le bilan thermique du processus de recuit est simplement le produit de la température à laquelle le processus de recuit est effectué et la durée pendant laquelle le processus de recuit est effectué. [0028] Dans certains modes de réalisation, la présente invention comprend des procédés de collage direct améliorés d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice pour former une structure semi-conductrice collée. En particulier, des modes de réalisation de l'invention peuvent comprendre des procédés de formation de collages métal-métal directs entre des caractéristiques métalliques d'une première structure semi-conductrice et des caractéristiques métalliques d'une deuxième structure semi-conductrice, de sorte que la résistance, la stabilité, et/ou la durée de vie opérationnelle des collages métal-métal directe sont améliorées par rapport aux procédés précédemment connus. [0029] Dans certains modes de réalisation, les 35 procédés de collage métal-métal direct de l'invention peuvent comprendre des procédés de collage non par thermo-compression. [0030] Un organigramme de processus de modes de réalisation de procédés de la présente invention est illustré sur la figure 1, et des structures associées qui peuvent être formées selon un tel organigramme de processus sont illustrées sur les figures 2A à 2F. Les procédés impliquent le collage direct d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice. [0031] En faisant référence à la figure 1, dans l'action 10, un métal peut être déposé sur une première structure semi-conductrice. Comme montré sur la figure 2A, une première structure semi-conductrice 100 peut être formée. La première structure semi-conductrice 100 peut comprendre une structure semi-conductrice traitée, et peut comprendre une ou plusieurs caractéristiques de dispositif actives, telles qu'un ou plusieurs d'une pluralité de transistors 102 (qui sont représentés schématiquement sur les figures), une pluralité de trous d'interconnexion conducteurs 104 s'étendant verticalement, et une pluralité de pistes conductrices 106 s'étendant horizontalement. Les caractéristiques de dispositif actives peuvent comprendre des matériaux électriquement conducteurs et/ou des matériaux semi-conducteurs qui sont entourés par un matériau diélectrique non conducteur 112. A titre d'exemple et non de limitation, un ou plusieurs des trous d'interconnexion conducteurs 104 et des pistes conductrices 106 peuvent comprendre un ou plusieurs métaux ou alliages de métaux conducteurs tels que, par exemple, du cuivre, de l'aluminium, ou un alliage ou un mélange de ceux-ci. [0032] La première structure semi-conductrice 100 peut également comprendre une pluralité d'évidements 130 dans lesquels on souhaite former une pluralité de pastilles de collage 108 (figure 2C). Pour former les pastilles de collage 108, un métal 132 peut être déposé au-dessus de (par exemple, sur) la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100, de sorte que le métal 130 remplisse au moins entièrement les évidements 132, comme montré sur la figure 2A. Le métal 132 en excès peut être déposé sur la structure semi-conductrice 100 de sorte que les évidements 130 soient entièrement remplis du métal 132, et de sorte que le métal 132 supplémentaire soit disposé au-dessus de (par exemple, sur) la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100. A titre d'exemple et non de limitation, le métal 132 peut comprendre un métal ou un alliage de métaux tel que du cuivre, de l'aluminium, du nickel, du tungstène, du titane ou un alliage ou un mélange de ceux-ci. Dans certains modes de réalisation, le métal 132 peut être sélectionné pour qu'il comprenne du cuivre ou un l'alliage de cuivre. [0033] Le métal 132 peut être déposé sur la première structure semi-conductrice 100 en utilisant, par . exemple, l'un ou plusieurs d'un processus de dépôt sans courant, d'un processus de dépôt électrolytique, d'un processus de pulvérisation, d'un processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), d'un processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD), et d'un processus de dépôt de couches atomiques (ALD). En tant qu'exemple non limitatif, une couche de germe de cuivre peut être déposée en utilisant un processus CVD, après quoi du cuivre supplémentaire peut être déposé sur la couche de germe de cuivre à une vitesse relativement plus grande en utilisant un processus de dépôt sans courant. [0034] En faisant référence de nouveau à la figure 1, dans l'action 12, le métal 132 déposé sur la première structure semi-conductrice 100 (figure 2A) peut être recuit en soumettant le métal déposé à un premier bilan thermique. Autrement dit, le métal 132 déposé sur la première structure semi-conductrice 100 peut être soumis à un premier bilan thermique pour recuire le métal 132 déposé sur la première structure semi-conductrice 100. A titre d'exemple et non de limitation, le métal 132 déposé peut être recuit en soumettant le métal 132 à une température ou des températures de recuit au-dessous d'environ 400 °C pendant une période de temps de recuit d'environ deux heures ou moins (par exemple, entre environ trente minutes (30 min) et environ une heure (1 h)). [0035] On a observé que des films de cuivre déposés par des processus de dépôt tels que ceux mentionnés ci-dessus peuvent subir des changements microstructurels après dépôt. Ces changements microstructurels peuvent comprendre une recristallisation et/ou une croissance de grains. Le processus de recristallisation peut conduire à des changements de l'orientation spatiale des grains. Ces changements microstructurels peuvent conduire à des changements des propriétés électriques (par exemple, la résistance électrique) et/ou des propriétés physiques (dureté) des films de cuivre déposés. La vitesse à laquelle ces changements microstructurels se produisent peut dépendre de la température, et peuvent augmenter alors que la température des films de cuivre est augmentée. [0036] Etant donné que les paramètres des processus subséquents auxquels le métal 132 est soumis, ainsi que la performance électrique et l'intégrité structurelle des structures de dispositif finalement formées à partir du métal 132 peuvent dépendre au moins partiellement des propriétés électriques et/ou des propriétés physiques du métal 132, le métal 132 déposé sur la première structure semi-conductrice 100 dans l'action 10 peut être recuit dans l'action 12 (figure 1) pour induire et/ou favoriser des changements microstructurels dans le métal 132 déposé qui pourraient autrement se produire dans le métal 132 déposé du fait d'un temps suffisant à une température ambiante, ou lors de l'exposition du métal 132 déposé à des températures élevées dans un traitement subséquent. Par le processus de recuit de l'action 12, les changements microstructurels dans le métal 132 déposé peuvent être induits pour stabiliser la microstructure du métal 132 déposé (et, ainsi, les propriétés électriques et/ou les propriétés physiques du métal 132 déposé) avant de soumettre la première structure semi-conductrice 100 à un traitement subséquent, comme examiné ci-dessous. [0037] Ainsi, dans certains modes de réalisation, le processus de recuit de l'action 12 peut comprendre la génération d'une recristallisation d'au moins certains grains dans le métal 132. La recristallisation des grains dans le métal 132 peut résulter en une modification d'une orientation des grains dans le métal 132. [0038] En outre, la recristallisation de grains dans le métal 132 peut en outre résulter en une modification d'au moins l'une d'une propriété électrique du métal 132 et d'une propriété physique du métal 132. Par exemple, le processus de recuit de l'action 12 peut résulter en une diminution de la résistance électrique du métal 132 dans au moins une direction, telle que la direction verticale dans la perspective de la figure 2B, qui est transversale à la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100. En tant qu'autre exemple, le processus de recuit de l'action 12 peut résulter en une diminution de la dureté du métal 132. [0039] Comme montré sur la figure 2B, le fait de soumettre le métal 132 déposé au premier bilan thermique pour recuire le métal 132 et d'induire des changements microstructurels dans celui-ci peut résulter en une dilatation volumétrique (soit localement, par exemple, par une réorientation des grains et/ou une croissance des grains, soit en vrac, par exemple, par des changements de phase) du métal 132 déposé et des changements de la topographie de la surface exposée 134 du métal 132 déposé. [0040] Le processus de recuit de l'action 12, dans certains modes de réalisation, peut être effectué in situ dans une chambre ou une autre enceinte dans laquelle le processus de dépôt de l'action 10 est également effectué. Dans ces modes de réalisation, le processus de recuit de l'action 12 peut être effectué dans la chambre ou l'autre enceinte après le processus de dépôt, mais avant le retrait de la première structure semi-conductrice 100 de la chambre ou de l'autre enceinte. [0041] En faisant référence de nouveau à la figure 1, dans l'action 14, une partie du métal 132 déposé et recuit (figure 2B) peut être retirée de la première structure semi-conductrice 100 pour former des pastilles de collage 108 qui comprennent les parties restantes du métal 132 déposé et recuit disposées dans les évidements 130, comme montré sur la figure 2C. La partie du métal 132 déposé et recuit peut être retirée selon l'action 14 (figure 1) en utilisant, par exemple, un processus de gravure (par exemple, un processus de gravure chimique humide, un processus de gravure ionique réactive sèche, etc.), un processus de polissage ou de rectification, ou une combinaison de ceux-ci, tel qu'un processus de polissage chimicomécanique (CMP). Par exemple, la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100 peut être soumise à un processus CMP pour retirer les parties du métal 132 déposé et recuit (figure 2B) recouvrant des zones du matériau diélectrique 112 à l'extérieur des évidements 130, de sorte que seules les régions du métal 132 déposé et recuit dans les évidements 130 subsistent (lesquelles régions définissent et comprennent les pastilles de collage 108), et de sorte que le matériau diélectrique 112 soit exposé au niveau de la surface active 110 dans les zones latéralement adjacentes aux régions du métal 132 déposé et recuit dans les évidements 130. Ainsi, une ou plusieurs des pastilles de collage 108 peuvent être exposées au niveau de la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100. [0042] Comme montré sur la figure 1, après le retrait d'une partie du métal 132 déposé et recuit selon l'action 14, la première structure semi- conductrice 100 peut être soumise à un deuxième processus de recuit dans l'action 16 dans laquelle la première structure semi-conductrice 100 est soumise à un deuxième bilan thermique. Le fait de soumettre les parties restantes du métal 132 déposé et recuit disposé dans les évidements 130 à un deuxième bilan thermique peut induire d'autres changements microstructurels dans celles-ci, et peut être utilisé pour stabiliser davantage la microstructure des parties restantes du métal 132 déposé et recuit. Le deuxième processus de recuit de l'action 16 peut également améliorer la planéité des surfaces exposées des parties restantes du métal 132 déposé et recuit, et peut atténuer les contraintes dans les parties restantes du métal 132 déposé et recuit. Ces contraintes dans les parties restantes du métal 132 déposé et recuit, ainsi que des topographies non planes dans les surfaces exposées des parties restantes du métal 132 déposé et recuit peuvent être provoquées par un processus CMP de l'action 14. [0043] A titre d'exemple et non de limitation, les parties restantes du métal 132 déposé et recuit peuvent être recuites dans l'action 16 en soumettant les parties restantes du métal 132 déposé et recuit à une température ou des températures de recuit au-dessous d'environ 400 °C pendant une période de temps de recuit d'environ deux heures ou moins (par exemple, entre environ trente minutes (30 minutes) et environ une heure (1 heure)). [0044] Dans certains modes de réalisation, le deuxième bilan thermique de l'action 16 peut être supérieur au premier bilan thermique de l'action 12. Etant donné que le bilan thermique est une fonction à la fois de la période de temps de recuit et de la température de recuit, la manière selon laquelle le deuxième bilan thermique du processus de recuit de l'action 16 est renduit supérieur au premier bilan thermique du processus de recuit de l'action 12 peut comprendre une modification des températures de recuit, une modification des périodes de temps de recuit, ou une modification à la fois des températures de recuit et des périodes de temps de recuit entre le processus de recuit de l'action 12 et le processus de recuit de l'action 16. [0045] Dans certains modes de réalisation, le processus de recuit de l'action 16 peut être effectué de manière sélective sur la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100 pour compenser toute concavité des pastilles de collage 108 provoquée par le processus de retrait de l'action 14, comme examiné ci-dessus. Dans ces modes de réalisation, le processus de recuit de l'action 16 peut comprendre un processus de tranche unique tel qu'un processus de recuit au laser, dans lequel un laser peut être utilisé pour recuire de manière sélective les pastilles de collage 108 qui ont une surface de collage 109 concave (généralement appelé « effet de concavité »). Un exemple supplémentaire de processus de recuit sélectif de l'action 16 peut utiliser une plaque chaude ou un mandrin de tranche pouvant être chauffé qui comprend des éléments chauffants qui peuvent être commandés individuellement et séparément. [0046] En faisant référence à la figure 1, dans l'action 18, les surfaces de collage 109 des pastilles de collage 108 peuvent être préparées pour un collage. L'action 18 peut comprendre, par exemple, un processus CMP de retouche, un processus de traitement chimique, et/ou un processus de nettoyage. A titre d'exemple et non de limitation, les surfaces de collage 109 des pastilles de collage 108 peuvent être nettoyées par un premier trempage de la première structure semi-conductrice 100 dans une eau déionisée. De plus, de l'hydroxyde d'ammonium (NH4OH) peut être utilisé en tant que procédé de nettoyage post-CMP. Pour éviter une rugosification excessive du cuivre, le nettoyage à l'hydroxyde d'ammonium (NH4OH) peut être utilisé en combinaison avec un inhibiteur de corrosion du cuivre tel que, par exemple, le benzotriazole (BTA), ou sous une forme qui ne contient pas d'ammoniac (NH3) gazeux dissous tel que, par exemple, l'hydroxyde tétraméthylammonium (TMAH). [0047] En faisant référence de nouveau à la figure 1, dans l'action 20, les pastilles de collage 108 peuvent être directement colléesà des caractéristiques métalliques d'une deuxième structure semi-conductrice. En faisant référence à la figure 2D, la première structure semi-conductrice 100 peut être alignée avec une deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les pastilles de collage 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient alignées avec les pastilles de collage métalliques conductrices 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200. Comme montré sur la figure 2D, la deuxième structure semi-conductrice 200 peut également comprendre une structure semi-conductrice traitée, et peut comprendre des structures de dispositif actives supplémentaires, telles que, par exemple, des trous d'interconnexion conducteurs 204 s'étendant verticalement et des pistes conductrices 206 s'étendant latéralement. Bien que non montré sur les figures, la deuxième structure semi-conductrice 200 peut également comprendre des transistors. [0048] Les surfaces exposées des pastilles de collage 108 peuvent définir une ou plusieurs surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108, et les surfaces exposées à l'extérieur des pastilles de collage 208 peuvent définir les surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200. [0049] En faisant référence à la figure 2E, après l'alignement de la première structure semi-conductrice 100 avec une deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les pastilles de collage 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient alignées avec les pastilles de collage métalliques conductrices 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200, la première structure semi-conductrice 100 peut être mise en butée contre la deuxième structure semi-conductrice 200 de sorte que les surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient en butée directement contre les surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 sans aucun matériau de collage intermédiaire (par exemple, un adhésif) entre elles. [0050] En faisant référence à la figure 2F, les surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108 de la première structure semi-conductrice 100 peuvent ensuite être directement collées aux surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 pour former une structure semi-conductrice collée 300. Le processus de collage résulte en la formation de structures métalliques collées qui comprennent les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208 qui ont été collées les unes aux autres. Les surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent être directement collées aux surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108 de la première structure semi-conductrice 100 dans un processus de collage sans thermocompression métal-métal (par exemple, cuivre-cuivre) direct, qui, dans certains modes de réalisation, peut comprendre un processus de collage direct à température ultra faible effectué dans un environnement à peu près à température ambiante (c'est-à-dire, sans la moindre chaleur appliquée en plus de celle fournie par l'environnement ambiant). [0051] Avant de coller la première structure semi- conductrice 100 à la deuxième structure semi- conductrice 200, la première structure semi-conductrice 100 et la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent être traitées pour retirer les impuretés superficielles et les composés de surface indésirables dans l'action 18, et peuvent être aplanies dans l'action 14 pour augmenter la zone de contact étroit à l'échelle atomique entre les surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108 et les surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208. La zone de contact étroit entre les surfaces de collage 120 et les surfaces de collage 220 peut être obtenue en polissant les surfaces de collage 120 et les surfaces de collage 220 pour réduire la rugosité de surface de celles-ci jusqu'à des valeurs proches de l'échelle atomique, en appliquant une pression entre les surfaces de collage 120 et les surfaces de collage 220 résultant en une déformation plastique, ou à la fois en polissant les surfaces de collage 120, 220 et en appliquant une pression entre la première structure semi-conductrice 100 et la deuxième structure semi-conductrice 200 pour atteindre cette déformation plastique. [0052] Dans certains modes de réalisation, la première structure semi-conductrice 100 peut être directement collée à la deuxième structure semi- conductrice 200 sans appliquer de pression entre les surfaces de collage 120, 220 au niveau de l'interface de collage entre elles, bien qu'une pression puisse être appliquée entre les surfaces de collage 120, 220 au niveau de l'interface de collage dans certains procédés de collage direct à température ultra faible afin d'obtenir une résistance de collage appropriée au niveau de l'interface de collage. Autrement dit, les procédés de collage direct utilisés pour coller les pastilles de collage 108 de la première structure semi- conductrice 100 aux pastilles de collage 208 de la deuxième structure semi-conductrice 200 peuvent comprendre des procédés de collage assisté de surfaces (SAB) dans certains modes de réalisation de l'invention. [0053] Dans certains modes de réalisation, les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208 peuvent différer quant à au moins l'une d'une taille et d'une forme. Plus particulièrement, les pastilles de collage 108 peut avoir une première section transversale dans un plan parallèle à l'interface collée entre les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208, et les pastilles de collage 208 peuvent avoir une deuxième section transversale dans un plan parallèle à l'interface collée entre les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208 qui diffère de la première section transversale des pastilles de collage 108. Dans ces modes de réalisation, les surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108 peuvent avoir une première taille, et les surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208 peuvent avoir une deuxième taille qui est différente de la première taille. Les pastilles de collage 108 peuvent avoir une première forme en coupe dans un plan parallèle à l'interface collée entre les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208, et les pastilles de collage 208 peuvent avoir une deuxième forme en coupe dans un plan parallèle à l'interface collée entre les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208 qui diffère de la première forme en coupe des pastilles de collage 108. Dans ces modes de réalisation, les surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108 peuvent avoir une première forme, et les surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208 peuvent avoir une deuxième forme qui est différente de la première forme. Dans les modes de réalisation dans lesquels les surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108 et les surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208 diffèrent quant à la forme, elles peuvent avoir la même taille ou différentes tailles (c'est-à-dire, les mêmes aires ou des aires différentes). [0054] Dans des modes de réalisation supplémentaires, les surfaces de collage 120 des pastilles de collage 108 et les surfaces de collage 220 des pastilles de collage 208 peuvent avoir au moins sensiblement les mêmes taille et forme. Dans ces modes de réalisation, les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208 peuvent, dans certaines situations, être intentionnellement ou non intentionnellement mal alignées latéralement les unes avec les autres. [0055] Dans les modes de réalisation dans lesquels les pastilles de collage sont de différentes tailles et/ou sont mal alignées, l'attention devrait être portée sur les surfaces cuivre/oxyde. Les surfaces cuivre/oxyde devraient être collées avant le recuit post collage. De plus, l'oxyde peut être recouvert ou enfermé par un matériau, tel qu'un matériau diélectrique, pour garantir une passivation correcte des surfaces d'oxyde, qui peut supprimer le comportement thermomécanique du cuivre. Celui-ci peut être particulièrement un problème pour les oxydes à faible constante diélectrique (faible K). Un exemple non limitatif d'un procédé qui peut être utilisé pour réduire le comportement thermomécanique du cuivre consiste à s'assurer que le cuivre est collé à une surface diélectrique, telle qu'une surface en nitrure de silicium (Si,Ny), dans la zone de non superposition avec une pastille de cuivre supplémentaire (c'est-à-dire, un défaut d'alignement de pastille). Dans ces modes de réalisation, les surfaces en cuivre et nitrure de silicium en butée peuvent être collées avant le recuit afin que la passivation du nitrure de silicium supprime le comportement thermomécanique. Pour des informations supplémentaires, voir par exemple « Effect of passivation on stress relaxation in electroplated copper films » Dongwen Gan et Paul S. Ho, Yaoyu Pang et Rui Huanga, Jihperng Leu, Jose Maiz et Tracey Scherban, J. Mater. Res., Vol. 21, n° 6, juin 2006 © 2006 Materials Research Society. [0056] En faisant référence de nouveau à la figure 1, dans l'action 22, les structures métalliques collées comprenant les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208 peuvent être recuites en exposant la structure semi-conductrice 100 (et, ainsi, les structures métalliques collées) à un troisième bilan thermique qui est inférieur ou égal au deuxième bilan thermique de l'action 16. Autrement dit, les structures métalliques collées peuvent être soumises à un troisième bilan thermique qui est inférieur ou égal au deuxième bilan thermique de l'action 16 pour recuire les structures métalliques collées. A titre d'exemple et non de limitation, les structures métalliques collées peuvent être recuites dans l'action 22 en soumettant les pastilles de collage 108 et les pastilles de collage 208 à une température ou des températures de recuit au-dessous d'environ 400 °C pendant une période de temps de recuit d'environ deux heures ou moins (par exemple, entre environ trente minutes (30 min) et environ une heure (1 h)). [0057] Le processus de recuit de l'action 22 peut, dans certains modes de réalisation, être effectué in situ dans une chambre ou une autre enceinte dans laquelle le processus de collage de l'action 20 est également effectué. Dans ces modes de réalisation, le processus de recuit de l'action 22 peut comprendre un dernier segment ou une dernière partie d'un cycle thermique continu auquel la structure semi-conductrice 100 est soumise dans la chambre ou l'autre enceinte. [0058] Comme mentionné précédemment ici, le troisième bilan thermique du processus de recuit de l'action 22 est inférieur ou égal au deuxième bilan thermique du processus de recuit de l'action 16. Le troisième bilan thermique du processus de recuit de l'action 22 peut également être inférieur ou égal au premier bilan thermique du processus de recuit de l'action 12. [0059] En outre, dans certains modes de réalisation, le troisième bilan thermique du processus de recuit de l'action 22 peut être inférieur ou égal aux bilans thermiques combinés du premier bilan thermique du processus de recuit de l'action 12 et du deuxième bilan thermique du processus de recuit de l'action 16. Formulé différemment, une caractéristique métallique, telle qu'une pastille de collage 108, de la première structure semi-conductrice 100 peut être recuite dans un ou plusieurs processus de recuit en soumettant la caractéristique métallique à un bilan thermique de recuit pré-collage total. La caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice 100 peut ensuite être directement collée à une deuxième caractéristique métallique d'une deuxième structure semi-conductrice 200 comme décrit précédemment. Après le processus de collage direct, la structure métallique collée résultante comprenant la caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice 100 et la caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice 200 peut être recuite en soumettant la structure métallique collée à un bilan thermique post-collage qui est inférieur au bilan thermique de recuit pré-collage total. [0060] Etant donné que le bilan thermique est fonction à la fois de la période de temps de recuit et de la température de recuit moyenne, la manière selon laquelle le troisième bilan thermique du processus de recuit de l'action 22 est rendu inférieur ou égal au deuxième bilan thermique du processus de recuit de l'action 16 et/ou au premier bilan thermique du processus de recuit de l'action 12 peut comprendre la modification des températures de recuit moyennes, la modification des périodes de temps de recuit, ou la modification à la fois des températures de recuit moyennes et des périodes de temps de recuit entre les processus de recuit de l'action 12 et de l'action 16 et le processus de recuit de l'action 22. [0061] Ainsi, pour personnaliser de manière sélective les bilans thermiques des processus de recuit des actions 12, 16 et 22, une ou plusieurs des actions suivantes peuvent être effectuées : (1) la température de recuit moyenne du processus de recuit de l'action 16 peut être sélectionnée pour être égale ou supérieure à la température de recuit moyenne du processus de recuit de l'action 22 ; (2) la température de recuit moyenne du processus de recuit de l'action 12 peut être sélectionnée pour être égale ou supérieure à la température de recuit moyenne du processus de recuit de l'action 22 ; (3) la période de temps de recuit du processus de recuit de l'action 12 peut être sélectionnée pour être plus longue ou égale à la période de temps de recuit du processus de recuit de l'action 22 ; (4) la période de temps de recuit du processus de recuit de l'action 16 peut être sélectionnée pour être plus longue ou égale à la période de temps de recuit du processus de recuit de l'action 22 ; et/ou (5) les périodes de temps de recuit combinées des processus de recuit des actions 12 et 16 peuvent être sélectionnées pour être plus longues ou égales à la période de temps de recuit du processus de recuit de l'action 22. [0062] Dans certains modes de réalisation, chacune des températures de recuit moyennes des processus de recuit des actions 12, 16 et 22 peut être sélectionnée individuellement pour être d'environ quatre cents degrés Celsius (400 °C) ou moins. En outre, dans certains modes de réalisation, chacune des périodes de temps de recuit des processus de recuit des actions 12, 16 et 22 peut être sélectionnée individuellement pour être d'environ deux heures (2 h) ou moins. [0063] Dans des modes de réalisation supplémentaires, une ou plusieurs caractéristiques actives de la deuxième structure semi-conductrice 200, telles que les pastilles de collage 208, peuvent être formées par des procédés tels que décrits ici en relation avec la formation des pastilles de collage 108 en faisant référence aux figures 1 et 2A à 2F. [0064] Bien que des modes de réalisation de l'invention aient été décrits ci-dessus en faisant référence à un collage direct de pastilles de collage d'une première structure semi-conductrice à des pastilles de collage d'une deuxième structure semi-conductrice, il est envisagé que des caractéristiques métalliques autres que des pastilles de collage des première et deuxième structures semi-conductrices puissent être traitées et collées directement comme décrit ici. Par exemple, ces autres caractéristiques métalliques peuvent comprendre des trous d'interconnexion conducteurs, des interconnexions à travers la tranche, des pistes conductrices, ou n'importe quelle autre caractéristique métallique exposée au niveau d'une structure semi-conductrice de surface. En plus, il est envisagé que les caractéristiques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice, telles qu'une ou plusieurs des pastilles de collage 208, des trous d'interconnexion conducteurs 204 et des pistes conductrices 206, puissent être formées et traitées (par exemple, recuites) comme décrit ici en relation avec les pastilles de collage 108 des premières structures semi- conductrices 100 en plus, ou en tant que variante du traitement des caractéristiques conductrices de la première structure semi-conductrice 100, avant de coller directement les unes aux autres lesdites une ou plusieurs caractéristiques conductrices de la première structure semi-conductrice et lesdites une ou plusieurs caractéristiques conductrices de la deuxième structure semi-conductrice. [0065] Des modes de réalisation exemplaires non limitatifs supplémentaires de l'invention sont décrits 15 ci-dessous. [0066] Mode de réalisation 1 : un procédé de collage direct d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice, consistant à : déposer un métal sur une première structure semi- 20 conductrice ; soumettre le métal déposé sur la première structure semi-conductrice à un premier bilan thermique et recuire le métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans un premier processus de recuit ; retirer une partie du métal déposé sur la première 25 structure semi-conductrice après avoir soumis le métal au premier bilan thermique ; soumettre une partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice à un deuxième bilan thermique et recuire la partie restante du métal déposé sur la 30 première structure semi-conductrice dans un deuxième processus de recuit ; coller directement au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice comprenant la partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice à au 35 moins une caractéristique métallique d'une deuxième structure semi-conductrice pour former une structure métallique collée comprenant ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice ; et soumettre la structure métallique collée à un troisième bilan thermique et recuire la structure métallique collée dans un troisième processus de recuit, le troisième bilan thermique étant inférieur au deuxième bilan thermique. [0067] Mode de réalisation 2 : le procédé du mode de réalisation 1, dans lequel : l'exposition du métal déposé sur la première structure semi-conductrice au premier bilan thermique comprend l'exposition du métal déposé sur la première structure semi-conductrice à une première température de recuit moyenne pendant une première période de temps de recuit ; l'exposition de la partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice au deuxième bilan thermique comprend l'exposition de la partie restante du métal à une deuxième température de recuit moyenne pendant une deuxième période de temps de recuit ; et l'exposition de la structure métallique collée au troisième bilan thermique comprend l'exposition de la structure métallique collée à une troisième température de recuit moyenne pendant une troisième période de temps de recuit. [0068] Mode de réalisation 3 : le procédé du mode de réalisation 2, consistant en outre à sélectionner la deuxième température de recuit moyenne pour qu'elle soit supérieure à la troisième température de recuit moyenne. [0069] Mode de réalisation 4 : le procédé du mode de réalisation 2 ou du mode de réalisation 3, consistant en outre à sélectionner la première température de recuit moyenne pour qu'elle soit supérieure à la troisième température de recuit moyenne. [0070] Mode de réalisation 5 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 2 à 4, consistant en outre à sélectionner la deuxième période de temps de recuit pour qu'elle soit plus longue que la troisième période de temps de recuit. [0071] Mode de réalisation 6 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 2 à 5, consistant en outre à sélectionner la première période de temps de recuit pour qu'elle soit plus longue que la troisième période de temps de recuit. [0072] Mode de réalisation 7 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 2 à 6, consistant en outre à sélectionner individuellement chacune de la première température de recuit moyenne, de la deuxième température de recuit moyenne et de la troisième température de recuit moyenne pour qu'elles soient d'environ quatre cents degrés Celsius (400 °C) ou moins. [0073] Mode de réalisation 8 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 2 à 7, consistant en outre à sélectionner individuellement chacune de la première période de temps de recuit, de la deuxième période de temps de recuit et de la troisième période de temps de recuit pour qu'elles soient d'environ deux heures (2 h) ou moins. [0074] Mode de réalisation 9 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 8, dans lequel le dépôt d'un métal sur la première structure semi-conductrice consiste à déposer un métal sur la première structure semi-conductrice en utilisant un processus de dépôt sans courant. [0075] Mode de réalisation 10 : le procédé de l'un 35 quelconque des modes de réalisation 1 à 9, dans lequel le dépôt d'un métal sur la première structure semi-conductrice consiste à déposer un métal sur la première structure semi-conductrice en utilisant un processus de dépôt chimique en phase vapeur. [0076] Mode de réalisation 11 : le procédé du mode de réalisation 10, dans lequel le dépôt d'un métal sur la première structure semi-conductrice consiste à déposer une couche de germe en utilisant un processus de dépôt chimique en phase vapeur, et le dépôt d'un matériau supplémentaire sur la couche de germe en utilisant un processus de dépôt sans courant. [0077] Mode de réalisation 12 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, dans lequel le dépôt d'un métal sur la première structure semi- conductrice consiste à déposer un métal sur la première structure semi-conductrice dans une chambre de dépôt, et dans lequel l'exposition du métal déposé sur la première structure semi-conductrice au premier bilan thermique et le recuit du métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans le premier processus de recuit comprennent le recuit du métal déposé sur la première structure semi-conductrice in situ dans la chambre de dépôt. [0078] Mode de réalisation 13 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 12, dans lequel le retrait d'une partie du métal déposé sur la première structure semi-conductrice consiste à exposer la première structure semi-conductrice à un processus de polissage chimico-mécanique. [0079] Mode de réalisation 14 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 13, consistant en outre à sélectionner le métal déposé sur la première structure semi-conductrice pour qu'il comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. [0080] Mode de réalisation 15 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 14, consistant en outre à : former une surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice pour qu'elle ait une première taille ; et former une surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice pour qu'elle ait une deuxième taille différente de la première taille de la surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. [0081] Mode de réalisation 16 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 15, consistant en outre à : former une surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice pour qu'elle ait une première forme ; et former une surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice pour qu'elle ait une deuxième forme différente de la première forme de la surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. [0082] Mode de réalisation 17 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 16, dans lequel le collage direct de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice comprend un processus de collage direct à température ultra faible. [0083] Mode de réalisation 18 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 17, dans lequel 35 le collage direct de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice comprend un processus de collage assisté de surfaces. [0084] Mode de réalisation 19 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 18, dans lequel le collage direct de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice comprend la mise en butée d'une première surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice directement contre une deuxième surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice dans un environnement à peu près à température ambiante. [0085] Mode de réalisation 20 : un procédé de collage d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice, consistant à : recuire une première caractéristique métallique sur une première structure semi-conductrice en soumettant la première caractéristique métallique à un bilan thermique de recuit pré-collage total ; coller directement la première caractéristique métallique à une deuxième caractéristique métallique d'une deuxième structure semi-conductrice dans un processus de collage direct à température ultra faible pour former une structure métallique collée comprenant la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique ; et recuire la structure métallique collée, le recuit de la structure métallique collée comprenant l'exposition de la structure métallique collée à un bilan thermique post-collage inférieur au bilan thermique de recuit pré-collage total. [0086] Mode de réalisation 21 : le procédé du mode de réalisation 20, consistant en outre à utiliser un processus de collage assisté de surfaces pour coller directement la première caractéristique métallique à la deuxième caractéristique métallique. [0087] Mode de réalisation 22 : le procédé du mode de réalisation 20 ou 21, dans lequel le collage de la première caractéristique métallique à la deuxième caractéristique métallique comprend la mise en butée d'une surface de collage de la première caractéristique métallique directement contre une surface de collage de la deuxième caractéristique métallique pour coller la première caractéristique métallique à la deuxième caractéristique métallique à peu près à la température ambiante. [0088] Mode de réalisation 23 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 20 à 22, dans lequel l'exposition de la première caractéristique métallique à un bilan thermique de recuit pré-collage total comprend l'exposition de la première caractéristique métallique à une température de recuit moyenne pré-collage pendant une période de temps de recuit pré-collage, et dans lequel l'exposition de la structure métallique collée au bilan thermique post-collage comprend l'exposition de la structure métallique collée à une température de recuit moyenne post-collage pendant une période de temps de recuit post-collage. [0089] Mode de réalisation 24 : le procédé du mode de réalisation 23, dans lequel la température de recuit moyenne pré-collage est supérieure à la température de recuit moyenne post-collage. [0090] Mode de réalisation 25 : le procédé du mode de réalisation 23, dans lequel la période de temps de recuit pré-collage est plus longue que la période de temps de recuit post-collage. [0091] Mode de réalisation 26 : le procédé du mode de réalisation 23, dans lequel la température de recuit moyenne pré-collage est supérieure à la température de recuit moyenne post-collage, et dans lequel la période de temps de recuit pré-collage est plus longue que la période de temps de recuit post-collage. [0092] Mode de réalisation 27 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 20 à 26, consistant en outre à former la première caractéristique métallique pour qu'elle comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. [0093] Mode de réalisation 28 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 20 à 27, consistant en outre à former la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice, la formation de la première caractéristique métallique comprenant le dépôt d'un métal sur la première structure semi-conductrice dans un processus de dépôt sans courant. [0094] Mode de réalisation 29 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 20 à 28, dans lequel le recuit de la première caractéristique métallique sur la première structure semi-conductrice en soumettant la première caractéristique métallique à un bilan thermique de recuit pré-collage total consiste à : déposer un métal sur la première structure semi- conductrice pour former au moins une partie de la première caractéristique métallique ; exposer le métal déposé sur la première structure semi-conductrice à un premier bilan thermique et recuire le métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans un premier processus de recuit ; retirer une partie du métal déposé sur la première structure semi-conductrice après l'exposition du métal au premier bilan thermique ; et exposer une partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice à un deuxième bilan thermique et recuire la partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans un deuxième processus de recuit. [0095] Mode de réalisation 30 : un procédé de collage d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-conductrice, consistant à : recuire une première caractéristique métallique sur une première structure semi-conductrice, le recuit de la première caractéristique métallique comprenant l'exposition de la première caractéristique métallique à un bilan thermique pré-collage et la génération d'une recristallisation d'au moins certains grains dans la première caractéristique métallique, la recristallisation de grains dans la première caractéristique métallique résultant en une modification d'une orientation des grains dans la première caractéristique métallique ; coller directement la première caractéristique métallique à une deuxième caractéristique métallique d'une deuxième structure semi-conductrice dans un processus de collage direct à température ultra faible pour former une structure métallique collée comprenant la première caractéristique métallique et la deuxième caractéristique métallique ; et recuire la structure métallique collée, le recuit de la structure métallique collée comprenant l'exposition de la structure métallique collée à un bilan thermique post-collage inférieur au bilan thermique pré-collage. [0096] Mode de réalisation 31 : le procédé du mode 35 de réalisation 30, consistant en outre à former la première caractéristique métallique pour qu'elle comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. [0097] Mode de réalisation 32 : le procédé du mode de réalisation 30 ou 31, dans lequel la recristallisation de grains dans la première caractéristique métallique résulte en outre en une modification d'au moins l'une d'une propriété électrique de la première caractéristique métallique et d'une propriété physique de la première caractéristique métallique. [0098] Mode de réalisation 33 : le procédé du mode de réalisation 32, dans lequel la recristallisation de grains dans la première caractéristique métallique résulte en une diminution de la résistance électrique dans au moins une direction dans la première caractéristique métallique. [0099] Mode de réalisation 34 : une structure semi-conductrice collée formée selon un procédé tel que présenté dans l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 33. REVENDICATIONS1. Procédé de collage direct d'une première structure semi-conductrice à une deuxième structure semi-5 conductrice, consistant à : déposer un métal sur une première structure semi-conductrice soumettre le métal déposé sur la première structure semi-conductrice à un premier bilan thermique et 10 recuire le métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans un premier processus de recuit ; retirer une partie du métal déposé sur la première structure semi-conductrice après avoir soumis le métal au premier bilan thermique ; 15 soumettre une partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice à un deuxième bilan thermique et recuire la partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans un deuxième processus de recuit ; 20 coller directement au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice comprenant la partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice à au moins une caractéristique métallique d'une deuxième structure 25 semi-conductrice pour former une structure métallique collée comprenant ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice ; et 30 soumettre la structure métallique collée à un troisième bilan thermique et recuire la structure métallique collée dans un troisième processus de recuit, le troisième bilan thermique étant inférieur au deuxième bilan thermique. 35 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel :l'exposition du métal déposé sur la première structure semi-conductrice au premier bilan thermique comprend l'exposition du métal déposé sur la première structure semi-conductrice à une première température de recuit moyenne pendant une première période de temps de recuit ; l'exposition de la partie restante du métal déposé sur la première structure semi-conductrice au deuxième bilan thermique comprend l'exposition de la partie restante du métal à une deuxième température de recuit moyenne pendant une deuxième période de temps de recuit ; et l'exposition de la structure métallique collée au troisième bilan thermique comprend l'exposition de la structure métallique collée à une troisième température de recuit moyenne pendant une troisième période de temps de recuit. 3. Procédé selon la revendication 2, consistant en outre à sélectionner la deuxième température de recuit moyenne pour qu'elle soit supérieure à la troisième température de recuit moyenne. 4. Procédé selon la revendication 3, consistant en outre à sélectionner la première température de recuit moyenne pour qu'elle soit supérieure à la troisième température de recuit moyenne. 5. Procédé selon la revendication 2, consistant en outre à sélectionner la deuxième période de temps de recuit pour qu'elle soit plus longue que la troisième période de temps de recuit. 6. Procédé selon la revendication 5, consistant en 35 outre à sélectionner la première période de temps derecuit pour qu'elle soit plus longue que la troisième période de temps de recuit. 7. Procédé selon la revendication 2, consistant en outre à sélectionner la deuxième température de recuit moyenne pour qu'elle soit supérieure à la troisième température de recuit moyenne, et sélectionner la deuxième période de temps de recuit pour qu'elle soit plus longue que la troisième période de temps de recuit. 8. Procédé selon la revendication 2, consistant en outre à sélectionner individuellement chacune de la première température de recuit moyenne, de la deuxième température de recuit moyenne et de la troisième température de recuit moyenne pour qu'elles soient d'environ quatre cents degrés Celsius (400 °C) ou moins. 9. Procédé selon la revendication 8, consistant en outre à sélectionner individuellement chacune de la première période de temps de recuit, de la deuxième période de temps de recuit et de la troisième période de temps de recuit pour qu'elles soient d'environ deux heures (2 h) ou moins. 10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dépôt d'un métal sur la première structure semi-conductrice comprend le dépôt d'un métal sur la première structure semi-conductrice en utilisant un processus de dépôt sans courant. 11. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dépôt d'un métal sur la première structure semi-35 conductrice comprend le dépôt d'un métal sur lapremière structure semi-conductrice en utilisant un processus de dépôt chimique en phase vapeur. 12. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le dépôt d'un métal sur la première structure semi-conductrice comprend le dépôt d'un métal sur la première structure semi-conductrice dans une chambre de dépôt, et dans lequel l'exposition du métal déposé sur la première structure semi-conductrice au premier bilan thermique et le recuit du métal déposé sur la première structure semi-conductrice dans le premier processus de recuit comprennent le recuit du métal déposé sur la première structure semi-conductrice in situ dans la chambre de dépôt. 13. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le retrait d'une partie du métal déposé sur la première structure semi-conductrice comprend l'exposition de la première structure semi-conductrice à un processus de polissage chimico-mécanique. 14. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à sélectionner le métal déposé sur la première structure semi-conductrice pour qu'il comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. 15. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à : former une surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice pour qu'elle ait une première taille ; et former une surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure 35 semi-conductrice pour qu'elle ait une deuxième tailledifférente de la première taille de la surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. 16. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à : former une surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice pour qu'elle ait une première forme ; et former une surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice pour qu'elle ait une deuxième forme différente de la première forme de la surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. 17. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le collage direct de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice comprend un processus de collage direct à température ultra faible. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le collage direct de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice comprend un processus de collage assisté de surfaces. 19. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le collage direct de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à ladite au moins une caractéristique métallique de ladeuxième structure semi-conductrice comprend la mise en butée d'une première surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice directement contre une deuxième surface de collage de ladite au moins une caractéristique métallique de la deuxième structure semi-conductrice dans un environnement à peu près à température ambiante.