FR 2974240 A1 20121019 FR 1153183 A 20110412 B10791 - 10-GR1-1139 1 CAPTEUR ÉCLAIRÉ PAR LA FACE ARRIÈRE À ISOLEMENT PAR JONCTION Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images à éclairement par la face arrière. Elle vise aussi un capteur réalisé selon ce procédé. Exposé de l'art antérieur La figure 1 est une vue en coupe représentant de façon schématique et partielle un capteur d'images 1 à éclairement par la face arrière, réalisé dans et sur un substrat semiconducteur aminci 3. Dans cet exemple, le substrat 3 est de type P. Son épaisseur est par exemple comprise entre 1 et 10 }gym. Du côté de la face arrière du substrat, une bande 5 fortement dopée de type P, depuis la face arrière du substrat 3 et sur une épaisseur de l'ordre de 10 à 100 nm. La bande 5 est elle-même revêtue d'une bande 6 fortement dopée de type N, d'épaisseur similaire. Des régions d'isolation 7 s'étendent depuis la face avant du substrat et orthogonalement à cette face et forment des cloisons délimitant, en vue de dessus (non représentée), une pluralité de portions de substrat rectangulaires 3a et 3b. Chaque région 3a comprend au moins une photodiode et peut comprendre des dispositifs de transfert de charge (non représentés), correspondant à un pixel de capteur, et chaque région 3b comprend un ou plusieurs transistors de contrôle (non B10791 - 10-GR1-1139 2 représentés). La face avant du substrat est revêtue d'un empilement 9 de couches isolantes et conductrices, dans lequel sont formées diverses interconnexions du capteur. Du côté de la face arrière, une mince couche isolante 11, par exemple en oxyde de silicium, recouvre la bande 6. La couche 11 est elle-même revêtue d'une couche antireflet 13, constituée par exemple d'une superposition de plusieurs couches diélectriques transparentes d'indices distincts. La couche antireflet 13 est surmontée de filtres couleur juxtaposés, formant ensemble une couche de filtrage 15. Dans l'exemple représenté, un premier pixel est surmonté d'un filtre vert (G) et un deuxième pixel voisin est surmonté d'un filtre bleu (B). Des microlentilles 17 sont formées au dessus de la couche de filtrage 15, en regard des portions de substrat 3a contenant les photodiodes. Les régions 7 ont pour rôle d'isoler les portions de substrat 3a et 3b les unes des autres. Elles permettent notamment d'éviter que des électrons générés dans une portion de substrat 3a donnée, par suite de l'éclairement de cette portion de substrat, ne soient collectés par une photodiode d'une autre portion de substrat. Les bandes 5 et 6 forment une jonction qui permet de limiter les courants dits d'obscurité. Ces courants parasites sont liés à la génération spontanée et aléatoire de paires électron-trou au niveau de certains défauts de la structure cristalline du substrat. Ils sont susceptibles d'apparaître et d'être collectés par des photodiodes même en l'absence de tout éclairement du capteur, et perturbent donc le fonctionnement du capteur. En particulier, du côté de la face arrière du capteur (dans la couche 6), à l'interface entre le substrat et la couche isolante 11, des défauts cristallins créés au moment de l'amincissement du substrat sont susceptibles de générer des courants d'obscurité. La jonction PN formée du côté de la face arrière du substrat permet de bloquer ces courants, de façon que les électrons parasites ne soient pas collectés par les B10791 - 10-GR1-1139 3 photodiodes (la jonction n'est pas conductrice dans le sens de la couche 6 vers le substrat 3). Pour réaliser un tel capteur, on part d'un substrat d'épaisseur standard, par exemple de l'ordre de 600 à 800 }gym d'épaisseur. Les régions 7 sont formées à partir de la face avant de ce substrat. Il s'agit par exemple de régions implantées de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur, ou de tranchées profondes remplies d'oxyde de silicium. Les photodiodes et les divers transistors de contrôle du capteur sont également formés à partir de la face avant du substrat, dans et sur les portions de substrat 3a et 3b. Après la formation des régions 7 et des divers composants du capteur, la face avant du substrat est revêtue de l'empilement d'interconnexion 9, et une poignée de maintien (non représentée) est reportée sur la face supérieure de cet empilement. Le substrat est alors aminci jusqu'à obtenir l'épaisseur visée. On notera que les régions d'isolation latérale 7 peuvent s'étendre jusqu'à la face arrière du substrat aminci ou jusqu'à une profondeur intermédiaire. Après l'amincissement, la bande 5 est formée par implantation d'éléments dopants de même type de conductivité que celui du substrat, à partir de la face amincie (face arrière) du substrat. Ensuite, la bande 6 est formée au dessus de la bande 5, par implantation d'éléments dopants de type de conductivité opposé à celui du substrat. La couche isolante 11, la couche antireflet 13, la couche de filtrage 15, et les microlentilles 17, sont ensuite successivement formées du côté de la face arrière du substrat. Un inconvénient de ce type de capteur réside dans la nécessité de prévoir, après l'amincissement du substrat, deux étapes successives d'implantation d'éléments dopants à partir de la face arrière du substrat. A ce stade de la fabrication, la face avant du substrat est revêtue de l'empilement 9, comprenant notamment des couches métalliques, par exemple en cuivre. Il existe donc un risque de contamination de l'équipement d'implantation par les métaux d'interconnexion. En pratique, B10791 - 10-GR1-1139 4 ceci oblige a utiliser un équipement d'implantation spécifiquement dédié à la formation des bandes 5 et 6, distinct de l'équipement déjà prévu pour réaliser des implantations à partir de la face avant du substrat. En outre, après chaque implantation, un recuit à une température élevée, par exemple d'au moins 650°C, est nécessaire pour activer les éléments dopants. Un recuit standard, consistant à chauffer de façon homogène l'ensemble du capteur, n'est pas adapté, car il conduirait à dégrader les composants déjà formés du côté de la face avant. Il est donc prévu un recuit superficiel de la face arrière, par laser, permettant d'élever très fortement la température de la face arrière tout en maintenant une température acceptable dans la partie supérieure du substrat. Un tel recuit présente l'inconvénient d'être particulièrement onéreux à mettre en oeuvre, et nécessite un équipement spécifique. Par ailleurs, un tel procédé de fabrication, comprenant une implantation suivie d'un recuit laser, ne permet pas d'obtenir une bande 6 d'épaisseur de moins que 10 à 100 nm. Il en résulte une dégradation de la sensibilité du capteur, notamment pour des longueurs d'ondes dans les domaines du bleu ou de l'ultraviolet, pour lesquelles les photons sont absorbés par des épaisseurs de silicium très minces. En effet, lorsque la bande 6 est trop épaisse, des photons peuvent être absorbés dans cette bande. Les électrons générés lors de cette absorption subissent alors le même sort que les électrons parasites des courants d'obscurité, à savoir qu'ils sont piégés par la jonction PN formée entre les bandes 5 et 6, et ne sont donc pas collectés par une photodiode. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un procédé de réalisation d'un capteur d'images à éclairement par la face arrière palliant au moins en partie certains des inconvénients des procédés usuels. B10791 - 10-GR1-1139 Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un tel procédé permettant d'éviter une étape d'implantation d'éléments dopants à partir de la face arrière du substrat. 5 Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un tel procédé permettant d'éviter une étape de recuit laser de la face arrière du substrat. Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un capteur d'images à éclairement par la face arrière palliant au moins en partie certains des inconvénients des capteurs usuels. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un tel capteur présentant une meilleure sensibilité que les capteurs usuels, notamment pour les longueurs d'onde pénétrant peu profondément dans le silicium. Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit un procédé de réalisation d'un capteur d'images à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur comprenant, empilées l'une sur l'autre, une première couche d'un premier niveau de dopage du côté de la face arrière, et une seconde couche de même type de conductivité que la première couche mais de niveau de dopage inférieur du côté de la face avant, ce procédé comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant, des régions de silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat, s'étendant en profondeur orthogonalement à ladite face avant et débouchant dans la première couche ; b) amincir le substrat par sa face arrière jusqu'à atteindre les régions de silicium polycristallin, en conservant une bande de la première couche ; c) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat ; et d) recuire à une température adaptée à transformer ladite couche de silicium amorphe en une couche cristallisée. B10791 - 10-GR1-1139 6 Selon un mode de réalisation de la présente invention, le recuit est réalisé dans le même équipement que celui qui a servi, à l'étape c), au dépôt de ladite couche de silicium amorphe. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la température de recuit est comprise entre 350 et 450°C. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'épaisseur de la couche de silicium amorphe est comprise entre 1 et 10 nm. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la formation des régions de silicium polycristallin comprend l'ouverture de tranchées dans le substrat et le remplissage des tranchées par du silicium polycristallin, une étape inter- médiaire d'implantation d'éléments dopants, de même type de 15 conductivité que la seconde couche mais de niveau de dopage supérieur étant prévue après la gravure des tranchées mais avant leur remplissage. Un autre mode de réalisation de la présente invention prévoit un capteur d'images à éclairement par la face arrière 20 formé dans et sur un substrat semiconducteur aminci, dans lequel : une couche de même type de conductivité celui du substrat mais de niveau de dopage supérieur s'étend depuis la face arrière du substrat ; une couche de type de conductivité opposé à celui du substrat s'étend sur une mince épaisseur et 25 sur toute la surface arrière du capteur ; et des régions en silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat, s'étendent orthogonalement depuis la face avant du substrat jusqu'à la face avant de ladite couche de type de conductivité opposé à celui du substrat. 30 Selon un mode de réalisation de la présente invention, une couche de même type de conductivité que celui du substrat mais de niveau de dopage supérieur s'étend à l'interface entre les régions de silicium polycristallin et le substrat. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 35 des prises de contact sont formées du côté de la face avant des 10 B10791 - 10-GR1-1139 7 régions de silicium polycristallin, permettant, en fonctionnement, de polariser ces régions et la couche de type de conductivité opposé à celui du substrat. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 5 la couche de type de conductivité opposé à celui du substrat a une épaisseur comprise entre 1 et 10 nm. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les régions de silicium polycristallin délimitent des portions de substrat contenant des photodiodes et des transistors de 10 contrôle du capteur. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif 15 en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, précédemment décrite, est une vue en coupe représentant de façon schématique et partielle un capteur d'images à éclairement par la face arrière ; les figures 2A à 2E sont des vues en coupe 20 schématiques et partielles illustrant des étapes d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images à éclairement par la face arrière ; et les figures 3A et 3B sont des vues en coupe schématiques et partielles illustrant des étapes d'une variante 25 de réalisation du procédé décrit en relation avec les figures 2A à 2E. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références sur les différentes figures et, 30 de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Les figures 2A à 2E sont des vues en coupe schématiques et partielles illustrant des étapes d'un mode de B10791 - 10-GR1-1139 8 réalisation d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images 31 à éclairement par la face arrière. La figure 2A illustre la formation de divers composants du capteur à partir de la face avant d'un substrat semiconducteur d'épaisseur standard. Dans cet exemple, le substrat comprend un support de silicium massif 32, fortement dopé de type P (P+), revêtu d'une couche épitaxiée 33 faiblement dopée de type P (P). Le support 32 peut avoir une épaisseur de quelques centaines de µm, par exemple comprise entre 600 et 800 µm, et la couche épitaxiée 33 peut avoir une épaisseur de quelques µm, par exemple comprise entre 1 et 10 µm. Des régions 35 en silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat (c'est-à-dire de type N dans cet exemple), sont réalisées dans la partie supérieure du substrat. Les régions 35 s'étendent depuis la face avant du substrat et orthogonalement à cette face, et débordent dans le support 32 de type P+. On notera que par orthogonalement on entend sensiblement orthogonalement, par exemple formant un angle compris entre 70 et 120 degrés avec la face avant. Dans l'exemple représenté, les régions 35 ont une forme effilée se terminant en pointe dans le support 32. En vue de dessus (non représentée), les régions 35 délimitent une pluralité de portions de substrat 33a et 33b, par exemple de forme rectangulaire. Chaque portion 33a est destinée à comprendre au moins une photodiode et peut comprendre des dispositifs de transfert de charges (non représentés), correspondant à un pixel du capteur, et chaque portion 33b est destinée à comprendre un ou plusieurs transistors de contrôle (non représentés). Pour réaliser les régions 35, des tranchées sont ouvertes dans le substrat à la profondeur souhaitée, par exemple par gravure, et remplies de silicium polycristallin dopé. Après la gravure mais avant le remplissage, une implantation d'éléments dopants peut être réalisée à partir des parois internes des tranchées, de façon à créer, à l'interface entre le substrat 33 et le silicium polycristallin 35, une mince couche 36 de même type de B10791 - 10-GR1-1139 9 conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur. Les photodiodes et les transistors de contrôle sont formés à partir de la face avant, dans et sur les portions de substrat 33a et 33b. Après la formation des régions 35, des photodiodes, et des transistors de contrôle, la face avant du substrat 33 est recouverte d'un empilement 37 de couches isolantes et conductrices dans lequel sont réalisées les diverses inter- connexions du capteur. En particulier, dans l'exemple représenté, chaque région 35 est surmontée d'une prise de contact de polarisation 39, venant contacter sa face avant. Les pistes et nias d'interconnexion, autres que ceux formant les prises 39, n'ont pas été représentées sur les figures. La figure 2B illustre une étape d'amincissement du substrat, postérieure à la formation de l'empilement 37. Une poignée de maintien (non représentée) est reportée sur la face supérieure de l'empilement 37, et le substrat est aminci par sa face arrière jusqu'à atteindre les régions de silicium polycristallin 35, mais en conservant une mince bande du support 32 de type P+. A titre d'exemple, l'épaisseur de la bande 32 de support conservée est de l'ordre de 10 à 200 nm. L'amincissement peut être réalisé en deux étapes, à savoir une étape de meulage, suivie d'une étape de polissage mécano-chimique (CMP). A l'issue de l'amincissement, les portions de substrat 33a et 33b sont totalement isolées les unes des autres par les régions 35 qui affleurent du côté de la face arrière du substrat aminci. La figure 2C illustre une étape postérieure à l'amincissement, au cours de laquelle une couche 41 de silicium amorphe dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat (c'est-à-dire de type N dans cet exemple), est déposée sur toute la surface arrière du substrat aminci. Le silicium amorphe présente les avantages de pouvoir être déposé à basse température, fortement dopé, et en couche très mince. A titre d'exemple, le niveau de dopage de la couche 41 est du même ordre B10791 - 10-GR1-1139 10 que le niveau de dopage des régions 35, et l'épaisseur de la couche 41 est comprise entre 1 et 10 nm. La figure 2D illustre une étape ultérieure de recuit, conduisant à transformer la couche de silicium amorphe 41 en une couche 43 cristallisée. Le recuit est de préférence réalisé dans le même équipement que celui qui a servi au dépôt du silicium amorphe. La température est choisie suffisamment élevée pour permettre la recristallisation, et suffisamment faible pour ne pas dégrader les composants déjà formés. Elle peut être comprise entre 350°C et 450°C, par exemple de l'ordre de 420 à 430°C. En tout état de cause, il s'agit d'une température nettement inférieure à la température nécessaire, dans le procédé de réalisation du capteur de la figure 1, pour activer les éléments dopants implantés à partir de la face arrière du substrat aminci. A l'issue du recuit, on obtient donc une couche 43 de silicium stable, de type de conductivité opposé à celui du substrat, et d'épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de la couche de silicium amorphe 41 initialement déposée, par exemple de l'ordre de 1 à 10 nm. La couche 43 forme, avec la couche 32, une jonction PN permettant notamment de limiter les courants d'obscurité liés à la présence inévitable de défauts cristallins au niveau de la face arrière du substrat. La couche 43 étant en contact avec la face arrière des régions de silicium polycristallin 35, elle peut être polarisée par l'intermédiaire des prises de contact 39, en même temps que les régions 35. La figure 2E illustre des étapes finales de réalisation du capteur 31, correspondant à des étapes classiques de réalisation d'un capteur à éclairement par la face arrière. Dans cet exemple, une mince couche isolante 45, une couche antireflet 47, une couche de filtrage 49, et des microlentilles 51 sont successivement formées du côté de la face arrière du capteur. Dans un capteur réalisé selon le procédé proposé, les faces arrière et les faces latérales des portions de substrat 33a et 33b sont entièrement revêtues par des régions de type de B10791 - 10-GR1-1139 11 conductivité opposé à celui du substrat (N dans cet exemple). Les portions de substrat 33a et 33b sont donc entièrement isolées par une jonction PN. Ceci permet de bloquer les courants d'obscurité non seulement au niveau de la face arrière du substrat, mais aussi au niveau des interfaces entre les régions latérales d'isolation 35 et le substrat. La polarisation de la région N à un potentiel commun peut être assurée par l'intermédiaire des prises de contact 39. A titre d'exemple, on peut prévoir, en fonctionnement, de polariser les régions 35 et 43, de type N (par l'intermédiaire des prises de contact 39) à un potentiel positif par rapport au potentiel du substrat 33 et des régions 36 et 32, de type P. Ceci permet d'évacuer les électrons parasites collectés par la jonction PN. On notera qu'un avantage de la structure proposée est que pour assurer une telle polarisation, il n'est pas nécessaire de prévoir une prise de contact du côté de la face d'exposition à la lumière (face arrière) du capteur. Un avantage du procédé de fabrication proposé est qu'il permet de réaliser une isolation par jonction de la face arrière du substrat, sans pour cela prévoir d'étape d'implantation d'éléments dopants à partir de la face arrière du capteur. Un autre avantage de ce procédé est que la formation 25 des couches 32 et 43 ne nécessite pas la prévision d'un recuit, par laser, de la face arrière du substrat. Un autre avantage de ce procédé est que la couche 43 ainsi formée peut être nettement plus mince que des couches formées par implantation, telle que la couche 6 du capteur 30 décrit en relation avec la figure 1. Ceci permet d'augmenter la sensibilité du capteur, notamment pour des longueurs d'onde pénétrant peu profondément dans le silicium. D'autres types de substrat pourront être utilisés pour réaliser un capteur du type illustré par la figure 2E. B10791 - 10-GR1-1139 12 Les figures 3A et 3B sont des vues en coupe schématiques et partielles illustrant des étapes d'une variante de réalisation du procédé décrit en relation avec les figures 2A à 2E, dans laquelle le substrat de départ est un substrat de type SOI (de l'anglais "Silicon On Insulator" - silicium sur isolant). Ce substrat comprend, empilés dans l'ordre qui suit, un support 51, par exemple en silicium, une couche isolante 52 (BOX), par exemple en oxyde de silicium, une mince couche 53 de silicium épitaxié fortement dopé de type P (P+), et une couche 33 de silicium épitaxié faiblement dopée de type P. Le support 51 peut avoir une épaisseur de quelques centaines de µm, par exemple comprise entre 600 et 800 µm, la couche isolante 52 peut avoir une épaisseur de l'ordre de 10 à 200 nm (typiquement 145 nm), la mince couche 53 peut avoir une épaisseur de l'ordre de 10 à 200 nm, et la couche 33 peut avoir une épaisseur de quelques µm, par exemple comprise entre 1 et 10 µm. La figure 3A illustre la formation de divers composants du capteur à partir de la face avant du substrat. En particulier, des régions 35 en silicium polycristallin dopé de type de conductivité opposé à celui du substrat, sont réalisées dans la partie supérieure du substrat, s'étendant depuis la face avant de la couche 33, orthogonalement à cette face, jusqu'à atteindre la couche isolante 52. Dans l'exemple représenté, les régions 35 ont une forme effilée se terminant en pointe dans la couche isolante 52. Comme précédemment, une mince couche 36 de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur est formée, séparant les régions 35 des portions de substrat 33a et 33b destinées à comprendre des photodiodes et des transistors de contrôle. Après la formation des régions 35, des photodiodes, et des transistors de contrôle, la face avant du substrat 33 est recouverte d'un empilement 37 de couches isolantes et conductrices dans lequel sont réalisées les diverses inter-connexions du capteur. En particulier, des prises de contact de B10791 - 10-GR1-1139 13 polarisation 39 viennent contacter les faces avant d'au moins certaines régions 35. La figure 3B illustre une étape d'amincissement du substrat, postérieure à la formation de l'empilement 37. Une poignée de maintien (non représentée) est reportée sur la face supérieure de l'empilement 37, et le substrat est aminci par sa face arrière jusqu'à atteindre la couche isolante 52. La couche 52 peut ensuite être retirée aisément, par exemple par gravure sélective de l'oxyde de silicium par rapport au substrat. A l'issue de cette étape d'amincissement, la structure obtenue (figure 3B) est similaire à la structure obtenue à l'étape de la figure 2B. Les étapes ultérieures de réalisation du capteur sont semblables à celles décrites en relation avec les figures 2C à 2E et ne seront pas décrites à nouveau. Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, l'invention ne se restreint pas à l'exemple décrit en relation avec les figures 2A à 2E dans lequel le capteur est réalisé à partir d'un substrat de type P. L'homme de l'art saura adapter le procédé proposé pour réaliser un capteur à partir d'un substrat de type N, notamment en inversant le type de conductivité des régions 35, 36, 32 et 43. Par ailleurs, l'invention ne se retreint pas à l'exemple décrit dans lequel des prises de contact 39 sont prévues sur la face avant de chacune des régions de silicium polycristallin 35. L'homme de l'art saura prévoir d'autres configurations, et notamment réduire le nombre de prises de contact prévues pour la polarisation de la jonction PN. On notera en outre qu'on pourra prévoir, si l'on souhaite améliorer la qualité de la couche 43 (figure 2D), une étape de recuit superficiel par laser, en complément ou à la place du recuit de cristallisation de la couche de silicium amorphe 41. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur comprenant, empilées l'une sur l'autre, une première couche (32 ; 53) d'un premier niveau de dopage du côté de la face arrière, et une seconde couche (33) de même type de conductivité que la première couche mais de niveau de dopage inférieur du côté de la face avant, ce procédé comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant, des régions (35) de silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat, s'étendant en profondeur orthogonalement à ladite face avant et débouchant dans la première couche (32 53) ; b) amincir le substrat par sa face arrière jusqu'à atteindre les régions (35) de silicium polycristallin, en conservant une bande de la première couche (32 ; 53) ; c) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (41) dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat ; et d) recuire à une température adaptée à transformer ladite couche de silicium amorphe en une couche (43) cristallisée. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à l'étape d), le recuit est réalisé dans le même équipement que celui qui a servi, à l'étape c), au dépôt de ladite couche de silicium amorphe (41). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ladite température est comprise entre 350 et 450°C. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 30 à 3, dans lequel l'épaisseur de la couche de silicium amorphe (41) est comprise entre 1 et 10 nm. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la formation desdites régions de silicium polycristallin (35) comprend l'ouverture de tranchées dans leB10791 - 10-GR1-1139 15 substrat, et le remplissage des tranchées par du silicium polycristallin, une étape intermédiaire d'implantation d'éléments dopants (36), de même type de conductivité que la seconde couche (33) mais de niveau de dopage supérieur, étant prévue après la gravure des tranchées mais avant leur remplissage. 6. Capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière formé dans et sur un substrat semiconducteur aminci (33), dans lequel : une couche (32 ; 53) de même type de conductivité celui du substrat mais de niveau de dopage supérieur s'étend depuis la face arrière du substrat ; une couche (43) de type de conductivité opposé à celui du substrat s'étend sur une mince épaisseur et sur toute la 15 surface arrière du capteur ; et des régions (35) en silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat, s'étendent orthogonalement depuis la face avant du substrat jusqu'à la face avant de ladite couche (43) de type de conductivité opposé à 20 celui du substrat. 7. Capteur selon la revendication 6, dans lequel une couche (36) de même type de conductivité que celui du substrat (33) mais de niveau de dopage supérieur s'étend à l'interface entre les régions (35) de silicium polycristallin et le substrat 25 (33). 8. Capteur selon la revendication 6 ou 7, dans lequel des prises de contact (39) sont formées du côté de la face avant desdites régions (35), permettant, en fonctionnement, de polariser lesdites régions (35) et ladite couche (43) de type de 30 conductivité opposé à celui du substrat. 9. Capteur selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel ladite couche (43) de type de conductivité opposé à celui du substrat a une épaisseur comprise entre 1 et 10 nm.B10791 - 10-GR1-1139 16 10. Capteur selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, dans lequel lesdites régions (35) de silicium polycristallin délimitent des portions de substrat (33a, 33b) contenant des photodiodes et des transistors de contrôle du capteur.