FR 2968090 A1 20120601 FR 1059707 A 20101125 Matériau absorbant et panneau solaire utilisant un tel matériau Définitions Tout corps à la température T soumis à un rayonnement électromagnétique de 5 longueur d'onde et d'énergie incidente E(X, T) en transmet, absorbe ou réfléchit une partie selon la relation suivante : - E(X, T) = Et(X, T) + Ea(X, T) + Er(X, T) = T. E(X, T) + a. E(X, T) + p. E(X, T) où i, a, p sont respectivement les coefficients de transmission, d'absorption, et de réflexion du matériau. Ces coefficients sont également appelés transmittance, 10 absorptance, et réflectance. Le principe de conservation de l'énergie totale incidente permet de relier ces coefficients entre eux selon la relation : ti + a + p = 1. Dans le cas ou le corps considéré est opaque au rayonnement incident (i=0) son absorptance est complémentaire à sa réflectance (a=1-p). L'émissivité E d'un matériau traduit sa capacité à émettre un rayonnement par 15 rapport à un corps noir, qui absorbe toute l'énergie qu'il reçoit et qui rayonne toute l'énergie qu'il absorbe pour conserver son équilibre thermique (émissivité E = 1), placé dans les mêmes conditions de température et de longueur d'onde. La loi de Kirchhoff précise qu'à l'équilibre thermique et pour une longueur d'onde donnée, l'émissivité est égale à l'absorptance. Ainsi l'émissivité peut être définie par E = a 20 = 1 - i - p. Pour un corps opaque (i = 0), on a alors E = a = 1 - p. La rugosité d'une surface peut être définie par un ou plusieurs paramètres, par exemple les paramètres Ra et Rt. Ra représente la moyenne arithmétique des valeurs absolues des écarts, entre les pics et les creux du profil de rugosité de la surface considérée. Rt représente la dénivellation la plus importante entre le plus 25 haut sommet d'un pic et le fond le plus bas d'un creux du profil de rugosité considéré. Domaine technique et état de l'art L'invention concerne un nouveau matériau absorbant, présentant des caractéristiques d'absorption spécifiques. L'invention trouve notamment une application pour la fabrication de panneaux solaires, et en particulier les panneaux solaires thermiques. Un panneau solaire thermique a pour objectif d'absorber un maximum d'énergie solaire sous forme de chaleur pour la transférer à un fluide caloporteur tout en limitant les pertes thermiques lorsque le panneau a atteint sa température optimale de fonctionnement, de l'ordre de 100 à 120°C. Le fluide caloporteur chauffé par le l0 panneau circule dans un échangeur thermique et peut être utilisé pour chauffer de l'eau sanitaire par exemple. L'élément essentiel d'un panneau solaire thermique est un absorbeur, constitué de manière classique par une feuille support recouverte d'une couche sélective 15 constituée d'une unique couche de matériau ou d'un empilement de couches. Les panneaux actuels ayant les meilleurs rendements utilisent un absorbeur comprenant une couche sélective ayant les propriétés suivantes : - un fort pouvoir absorbant dans le visible et dans le proche infrarouge : les meilleurs absorbeurs ont des absorptances de l'ordre de 95% pour des 20 rayonnements dans le visible ou le proche infrarouge, ayant une longueur d'onde de l'ordre de 360 à 1800 nanométres, et - un faible pouvoir émissif dans l'infrarouge (longueurs d'onde supérieures à 3000 nanométres), notamment pour les rayonnements thermiques dont la longueur d'onde correspond à la température moyenne de fonctionnement de 25 l'absorbeur : les meilleurs absorbeurs ont une émissivité de l'ordre de 5% pour des rayons infrarouges ayant une longueur d'onde voisine de 81um, correspondant à une température de l'absorbeur de l'ordre de 100°C. Ainsi, un absorbeur thermique emmagasine 95% de la chaleur qu'il reçoit et réémet dans l'infrarouge seulement 5% de l'énergie absorbée. 2 30 Avec un tel absorbeur, les panneaux solaires ont un très bon rendement ce qui permet de chauffer rapidement l'eau sanitaire, même avec des conditions d'ensoleillement moyennes (nord de l'Europe par exemple). Toutefois, un problème se pose lorsque le panneau est inactif et exposé à un rayonnement électromagnétique important, de l'ordre de 1000 W/m' ou plus, correspondant à une journée ensoleillée d'été. Plus précisément, lorsqu'il n'y a plus besoin de chauffer l'eau du ballon de stockage de l'eau chaude sanitaire, la circulation du fluide caloporteur est stoppée et la partie non vidangée du fluide caloporteur stagne dans le circuit, notamment au voisinage de l'absorbeur. L'absorbeur du panneau est toujours exposé au rayonnement électromagnétique, mais l'énergie thermique absorbée par l'absorbeur n'est plus évacuée. La température de l'absorbeur s'élève donc, jusqu'à une température dite de stagnation généralement de l'ordre de 220 à 250°C, et la température du fluide caloporteur au voisinage de l'absorbeur s'élève également. Cette situation a plusieurs conséquences. Tout d'abord, les fluides caloporteurs habituellement utilisés sont prévus pour une température maximale d'utilisation de l'ordre de 180°C. Chauffés au delà de cette température maximale, les fluides caloporteurs se dégradent plus vite et perdent plus rapidement leur efficacité en terme de transfert thermique. Les fluides caloporteurs doivent en conséquence être remplacés plus fréquemment pour éviter des dégradations dans l'échangeur thermique. Egalement, une température trop importante du fluide caloporteur peut entraîner une surpression dangereuse dans l'échangeur thermique. Enfin, l'absorbeur ainsi que l'isolation thermique du panneau doivent résister à des températures de stagnation de l'ordre de 220 à 250°C, d'où des coûts de matière élevés pour réaliser le panneau solaire. Description de l'invention L'invention propose un nouveau matériau notamment adapté pour la réalisation d'absorbeur pour panneaux solaires thermiques, et ne présentant pas tout ou partie des inconvénients des absorbeurs connus. L'invention propose également un panneau solaire thermique comprenant une plaque absorbante réalisée dans ce nouveau matériau multicouche. Ainsi, l'invention concerne un nouveau matériau multicouche comprenant un support (10) recouvert d'une couche à mémoire de forme (20) dont un paramètre de rugosité de surface est : - supérieur à une première valeur de rugosité lorsque la température (T) est inférieure à une température seuil (Ts), et - inférieur à une deuxième valeur de rugosité lorsque la température est supérieure à la température seuil (Ts), la deuxième valeur étant inférieure à la première valeur. Le paramètre de rugosité peut être par exemple le paramètre Ra ou le paramètre Rt définis précédemment, ou tout autre paramètre approprié pour donner une image de la rugosité de la surface et de ses variations en fonction de la température. Bien sûr, deux paramètres ou plus peuvent être pris en compte. Egalement, la première valeur et la deuxième valeur peuvent être différentes d'un paramètre de rugosité à l'autre. L'absorptance d'un matériau augmente notamment avec la rugosité de sa surface. Ainsi, du fait de la présence de la couche à mémoire de forme, le matériau multicouche selon l'invention absorbe bien l'énergie du rayonnement électromagnétique incident à sa surface lorsque sa température est inférieure à la température seuil et absorbe moins bien le rayonnement électromagnétique incident lorsque sa température est supérieure à la température seuil. En conséquence, la température du matériau multicouche selon l'invention s'élève moins que la température d'un matériau multicouche connu ayant un paramètre de rugosité de même valeur à basse température mais constant en fonction de la température. L'expérience montre que dans un panneau solaire en phase de stagnation (fluide caloporteur immobile) la température dans le matériau multicouche selon l'invention ne s'élève pas au delà de 180°C, le fluide n'est donc pas dégradé prématurément. Selon une variante, le matériau à mémoire de forme présente : - une structure stable dite "martensitique" lorsque la température est inférieure à la température seuil, et - une structure stable dite "austénitique" lorsque la température est supérieure à la température seuil. Une structure martensitique présente une rugosité de surface plutôt importante, entraînant un coefficient d'absorption plutôt important. Inversement, une structure austénitique présente un état de surface plutôt lisse, entraînant un coefficient d'absorption plus faible, comme on le verra mieux plus loin dans des exemples. Ainsi, avec certains matériaux à mémoire de forme, il est possible d'obtenir un ratio entre la première valeur du paramètre de rugosité et la deuxième valeur du paramètre de rugosité qui est supérieur à 2 et de préférence supérieur à 4. Une telle variation du paramètre de rugosité pour certains matériaux à mémoire de forme peut entrainer une division par environ deux de l'absorptance entre les structures stables martensitique et austénitique. Dans une variante, la couche à mémoire de forme comprend une couche de matériau à mémoire de forme (ou AMF pour alliage à mémoire de forme). Dans une autre variante, la couche à mémoire de forme comprend plusieurs couches de matériau(x) à mémoire de forme, deux couches de l'empilement pouvant être réalisées dans des matériaux AMF différents, et deux couches de l'empilement de couches pouvant présenter une épaisseur et / ou une température seuil différentes. Une combinaison de couches de matériaux AMF permet d'obtenir une surface à plusieurs échelles de rugosité, comme on le verra mieux plus loin dans des exemples. De préférence, la température seuil (ou les températures seuils) du matériau (ou des matériaux) à mémoire de forme est choisie entre 60 et 120°C. Avec une (de) telle(s) valeur(s) seuil(s) de changement d'état du (des) matériau(x) à mémoire de forme, l'expérience montre que dans un panneau solaire en phase de stagnation (fluide caloporteur immobile) la température dans le matériau multicouche ne s'élève pas au delà d'environ 180°C, le fluide n'est donc pas dégradé prématurément. A titre d'exemple, un matériau multicouche comprenant une couche à mémoire de forme réalisée en un alliage (dopé ou non) de type Titane-Nickel, Cuivre-Zinc- Aluminium, Cuivre-Aluminium-Nickel, Aluminium-Magnésium ou un alliage à base de fer donne de bons résultats, en termes d'échauffement maximal d'un panneau solaire et, parmi ces alliages, un alliage de Titane-Nickel comprenant un atome de Titane pour un atome de Nickel ou une composition avoisinante, et un alliage Cu-AI-Ni sont particulièrement intéressants, compte tenu du nombre important de cycles de transformation que peut supporter un alliage Titane-Nickel, et de la faible émissivité associée aux éléments cuivre et nickel. La température seuil d'un matériau à mémoire de forme est fortement influencée par sa composition chimique. Une famille particulière d'alliages à mémoire de forme peut également être dopée, par exemple avec de du cuivre, du zirconium, du palladium, de l'hafnium, de l'or, du platine, etc., pour ajuster la température seuil du matériau à mémoire de forme. Pour une application solaire thermique, la couche à mémoire de forme doit être suffisamment épaisse pour produire une modification significative de sa rugosité de surface lors de la transformation réversible martensite/austénite, et suffisamment fine pour ne pas provoquer une augmentation rédhibitoire de l'émissivité infrarouge pour une température inférieure à la température seuil. Cette valeur d'émissivité infrarouge est idéalement voisine de 6% et dans tous les cas inférieure à 15%. La couche à mémoire de forme a ainsi une épaisseur comprise entre quelques dizaines de nanométres et quelques micromètres, par exemple de l'ordre de 20 nanométres à 2 micromètres. L'épaisseur de la couche à mémoire de forme est généralement de l'ordre du micromètre mais peut être significativement plus fine (dizaine à centaine de nanométres) pour certains cas particuliers. Pour les épaisseurs de couche à mémoire de forme les plus fines, de l'ordre de 20 à quelque quelques centaines de nanométres, la rugosité de la surface support joue également un rôle important, comme on le verra mieux dans des exemples. De préférence, la composition chimique et / ou l'épaisseur du (ou des) matériau(x) à mémoire de forme sont choisies de sorte qu'une émissivité du matériau multicouche soit inférieure à 15% dans la plage longueurs d'onde de 5 à 10 micromètres. Si toutefois les conditions sur l'épaisseur et la composition de la couche à mémoire de forme pour garantir une modification significative de sa rugosité lors de la transformation réversible martensite/austénite conduisent à une émissivité infrarouge globale trop élevée à T 15%), la couche à mémoire de forme pourra être revêtue d'une très fine couche réflectrice des infrarouges (Al, Cu, Au, ...). L'épaisseur d'une telle couche est de l'ordre de la dizaine de nanométres par exemple. Dans le matériau multicouche selon l'invention, la couche à mémoire de forme (couche de matériau AMF ou empilement de couches de matériaux AMF) ou la couche réflectrice des infrarouges peut également être recouverte d'une couche absorbante comprenant une couche de matériau absorbant ou un empilement de couches de matériau(x) absorbant(s), la dite couche absorbante présentant un coefficient d'absorption supérieur à 40%, et de préférence supérieur à 70%. La couche absorbante améliore les propriétés absorbantes du matériau multicouche lo dans la plage de longueur d'ondes de 360 à 1800 nanométre notamment. L'énergie électromagnétique susceptible d'être absorbée par le matériau multicouche est ainsi augmentée. Dans un exemple, la couche absorbante peut être réalisée en utilisant des matériaux tels que des nitrures ou des oxynitrures de métaux de transition, par 15 exemple nitrures de chrome ou de titane (CrN, TiN), oxynitrures de chrome ou de titane (CrOXNy, TiOXNy). Dans un autre exemple, la couche absorbante est réalisée dans un matériau thermochrome dont la transmittance dans l'infrarouge est : - supérieure à un premier seuil il de transmission lorsque la température du 20 matériau thermochrome est inférieure à une température critique (Tc), et - inférieure à un deuxième seuil i2 de transmission lorsque la température du matériau thermochrome est supérieure à la température critique (Tc), le deuxième seuil de transmission étant inférieur au premier seuil de transmission. Un matériau thermochrome est un matériau dont les propriétés optiques changent 25 en fonction de la température, et ce de manière réversible en suivant un cycle d' hystérésis. La couche absorbante est réalisée en un (ou des) matériau(x) thermochrome(s) à transmittance infrarouge variable et ayant une absorptance intéressante dans le visible et le proche infrarouge. Dans le cadre de l'invention, la couche absorbante 30 peut comprendre une couche de matériau absorbant ou un empilement de couches de matériau(x) absorbant(s), et son coefficient d'absorption dans le visible et le proche infrarouge est supérieur à 40% et de préférence supérieur à 70%. Pour une application solaire thermique, le rendement du panneau augmente avec le coefficient d'absorption pour des longueurs d'onde entre 360 et 1800 nanométres. De plus, lorsque la température augmente, la diminution de la transmittance du matériau thermochrome entraîne une augmentation de l'émissivité infrarouge du matériau multicouche selon l'invention et donc une augmentation des pertes thermiques du matériau multicouche, ce qui limite encore l'élévation de température à l'intérieur du matériau multicouche. De préférence, pour une efficacité optimale du matériau multicouche, la couche 10 absorbante est choisie de sorte que : - le premier seuil il de transmission est supérieur à 50 %, et de préférence supérieur à 80 %, et / ou - le deuxième seuil i2 de transmission est inférieure à 15 %, et / ou - une différence en valeur absolue entre le deuxième seuil de transmission et 15 le premier seuil de transmission est de l'ordre de 25 à 80%. Ainsi, à basse température, le coefficient de transmission infrarouge de la couche absorbante étant supérieur à il, il étant plutôt important, la couche absorbante est plutôt transparente aux infrarouges et l'émissivité du matériau multicouche selon l'invention dépend essentiellement de l'émissivité du support. Comme le(les) 20 matériau(x) à mémoire de forme déposé(s) sur le support est (sont) réflecteur(s) des infrarouges, l'émissivité infrarouge globale du matériau multicouche (support + couche à mémoire de forme + couche absorbante) est plutôt faible à basse température et les pertes thermiques du matériau multicouche sont faibles à basse température. 25 Inversement, lorsque la température augmente, la couche absorbante thermochrome devient faiblement transparente aux infrarouges (i Tc, plus l'émissivité E de la couche thermochrome est importance (a = E = 1-p) pour une température et une longueur d'onde données. La température critique Tc est par exemple comprise entre 60 et 120°C. Pour une application solaire thermique, au dessous de 60°C, il est intéressant d'avoir une absorption maximale pour des longueurs d'onde entre 360 à 1800 nanométres, et une émissivité minimale dans l'infrarouge (longueurs d'onde supérieures à 3000 nanométres) pour avoir un rendement maximal. Au delà de 120°C, il est intéressant de limiter la température à l'intérieur du matériau multicouche pour améliorer la durée de vie du fluide caloporteur voisin. A titre d'exemple, le matériau thermochrome peut être un oxyde de Vanadium, par exemple V02, V2O5. Il peut être dopé, notamment pour ajuster les valeurs de sa température critique à une valeur souhaitée. La couche absorbante a de préférence une épaisseur de l'ordre de quelques nanométres à quelques centaines de nanométres, par exemple de l'ordre de 10 à 500 nanométres. Ceci permet de limiter l'émissivité infrarouge à basse température en dessous de 15%. Eventuellement, une couche faisant office de barrière de diffusion peut être insérée entre la (dernière) couche à mémoire de forme et la couche thermochrome afin d'éviter l'inter-diffusion à l'état solide des éléments légers constituants la couche thermochrome (oxygène principalement), compte tenu des éléments constituants la couche à mémoire de forme (titane, aluminium notamment) pouvant présenter une forte affinité chimique avec certains éléments légers (oxygène principalement). Ceci à pour effet d'augmenter éventuellement la résistance au vieillissement du matériau multicouche selon l'invention. La couche barrière est transparente au rayonnement infrarouge afin de ne pas nuire à la faible émissivité infrarouge du matériau multicouche selon l'invention à T Dans le matériau multicouche encore, la couche extérieure (qui est soit la couche de matériau à mémoire de forme soit la couche absorbante) peut être recouverte d'une couche de matériau antireflet, par exemple SiO2, SnO2, Si3N4, Al2O3, d'une épaisseur de l'ordre de 20 à 150 nanométres. Le matériau antireflet permet d'améliorer encore le coefficient d'absorption du matériau multicouche pour des longueurs d'onde entre 360 et 1800 nanométres et son épaisseur est choisie de sorte à ne pas augmenter son émissivité infrarouge. Enfin, dans le matériau multicouche, le support peut être réalisé en : - un matériau résistant mécaniquement et réflecteur dans l'infrarouge 10 (longueurs d'onde supérieures à 3000 nanométres), par exemple de l'aluminium ou du cuivre, ou - un matériau résistant mécaniquement, recouvert d'une couche réflectrice dans l'infrarouge (Al, Cu, Au, ...). La résistance mécanique du support permet de réaliser des absorbeurs de grande 15 surface pour des applications solaires thermiques. Le pouvoir réflecteur dans l'infrarouge permet de concentrer la chaleur du soleil dans les couches absorbantes du matériau multicouche. Comme dit précédemment, le matériau multicouche selon l'invention peut notamment être utilisé comme élément principal d'un panneau solaire thermique. 20 Mais d'autres applications sont envisageables. Par exemple, le matériau peut être utilisé pour réaliser une diode thermique qui laisse passer le rayonnement électromagnétique jusqu'à une certaine température seulement. Ceci peut être appliqué par exemple pour réaliser un revêtement de façade, avec une température de transition de l'ordre de 40°C. Le matériau peut 25 également être utilisé pour réaliser un interrupteur thermique ayant une température de basculement donnée. Le matériau selon l'invention peut également être utilisé pour réaliser un revêtement de surface présentant des propriétés hydrophiles en dessous de la température seuil, et des propriétés hydrophobes au dessus de la température seuil. 30 La mouillabilité d'une surface dépend en effet de sa rugosité. Ainsi, la surface d'un matériau à mémoire de forme est plus mouillable lorsque le matériau est en phase martensitique (température inférieure à la température seuil) que lorsque le matériau est en phase austénitique (température supérieure à la température seuil). Brève description des figures L'invention sera mieux comprise, et d'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lumière de la description qui suit d'exemples de matériaux multicouches selon l'invention. Ces exemples sont donnés à titre non limitatif. La description est à lire en relation avec les dessins annexés dans lesquels lo - la figure 1 montre un premier mode de réalisation d'un matériau multicouche selon l'invention - les figures la et lb montrent des variantes d'un matériau selon la figure 1, - les figures 2 et 3 montrent l'évolution de paramètres d'un matériau utilisé dans un matériau selon la figure 1, 15 - la figure 4 montre un deuxième mode de réalisation d'un matériau multicouche selon l'invention, - les figure 5 et 5a montrent l'évolution de paramètres d'un matériau utilisé dans le matériau de la figure 4, et - la figure 6 montre un troisième mode de réalisation d'un matériau 20 multicouche selon l'invention. Description de modes de réalisation de l'invention Un premier exemple de matériau multicouche selon l'invention peut être réalisé par dépôt d'une couche 20 AMF (matériau à mémoire de forme) de type alliage 25 Ti-Ni (Nickel-Titane) ou Cu-AI-Ni sur un support 10 en aluminium (figure 1). Le dépôt de la couche AMF peut être effectué par un procédé du type PVD (Physical Vapor Deposition), permettant d'obtenir directement une couche Ti-Ni ou Cu-AI-Ni de structure cristalline 100% martensitique à T inférieure à la température seuil Ts. D'autres procédés de dépôt d'une couche mince peuvent être 30 envisagés. Si le procédé utilisé ne permet pas d'avoir directement une structure cristalline 100% martensitique, un procédé de recuit peut être envisagé pour stabiliser la structure martensitique en dessous de la température Ts. Les paramètres du procédé de dépôt, et ceux du procédé de recuit le cas échéant, sont ajustés pour obtenir une rugosité de surface conduisant à la variation la plus importante possible du coefficient d'absorption de part et d'autre de la température seuil Ts. La figure 2 montre schématiquement l'évolution de la morphologie d'une couche de matériau AMF en fonction de la température. A basse température (T Ts), la structure du matériau est 100% austénitique et sa surface présente une rugosité faible. Entre les deux, au voisinage de la température seuil Ts, la structure du matériau évolue, vers une structure de plus en plus austénitique si la température augmente, ou vers une structure de plus en plus martensitique si la température diminue. La figure 3 montre l'évolution de la réflectance p, complément de l'absorptance a, la transmittance i étant nulle (p=1 - a), en fonction de la longueur d'onde comprise entre 360 et 2000 nanométres d'un alliage Ti-Ni déposé par PVD. Ainsi : - à basse température (T Ts), en phase austénitique, le coefficient d'absorption a est de l'ordre de 40 à 55%. La modélisation numérique du matériau multicouche de la figure 1 soumis à un rayonnement électromagnétique incident important montrent que la température 25 de stagnation dans un tel matériau (support aluminium + couche Ti-Ni) est d'environ 125 à 160°C, soit 45 à 80°C de moins que la température de stagnation d'un matériau comprenant un support aluminium + une couche de matériau présentant un coefficient d'absorption de l'ordre de 60 à 90% constant en fonction de la température. Avec une telle température de stagnation, les fluides 30 caloporteurs ne sont plus dégradés prématurément. La figure la montre une variante de la figure 1, dans laquelle le support a une rugosité de surface importante (Ra de l'ordre du dixième de micromètre et Rt de l'ordre du micromètre) et dans laquelle l'épaisseur de la couche AMF a une faible épaisseur Eamf, de l'ordre de grandeur du paramètre Ra et idéalement inférieure au paramètre Rt afin de générer, pour les températures inférieures à la température seuil, une surface avec deux échelles de rugosité, à la manière d'une surface dite fractale (figure lb). Par exemple, 0,2 Ts). L'épaisseur de la couche 20 (21 + 22) est ajustée généralement entre une centaine de nanométres et quelques micromètres, afin d'obtenir une modification significative de sa rugosité de surface lors de la transformation réversible martensite/austénite. L'empilement de plusieurs couches de matériaux AMF permet d'obtenir, pour des températures inférieures aux températures seuil des matériaux AMF, une surface externe avec n échelles de rugosité, à la manière d'une surface dite fractale (figure lb avec n=2). Ceci permet d'augmenter la rugosité de la surface externe et donc d'augmenter le pouvoir absorbant du matériau multicouche à T Tc), la transmittance diminue fortement pour atteindre 5 à 15%. Ainsi, comme le décrit la figure 5a, en dessous d'une température critique Tc, la transmittance est proche de 90-100%, la couche absorbante est donc transparente ou quasi-transparente aux infrarouges. La majorité des rayons infrarouges qui frappent la surface de la couche absorbante traversent la couche absorbante, sont réfléchis par le support réflecteur des infrarouges et traversent à nouveau la couche absorbante. Dans ces conditions, dans l'infrarouge, la réflectance du matériau selon l'invention est gouvernée par la très forte réflectance du support (ps). Comme le support est opaque au rayonnement et que E = 1-ps l'émissivité du matériau selon l'invention à T Tc devient E = 1-pc. Pour l'invention, plus la réflectance infrarouge de la couche absorbante à T>Tc est faible plus l'émissivité du matériau est importante. Des essais montrent que le matériau (support recouvert d'une couche de V02 de 350 nanométres) a une émissivité infrarouge de l'ordre de 40 à 50% au dessus de la température critique Tc. Des essais montrent que le matériau multicouche obtenu (support recouvert d'une couche AMF et d'une couche de VO2) a une émissivité à basse température de l'ordre de 10% pour une température en dessous de la température critique Tc. Cette émissivité peut être réduite en réduisant l'épaisseur de la couche de VO2 à environ 100 à 150 nanométres. La température critique de l'oxyde de Vanadium est de l'ordre de 68°C. Elle peut être augmentée par dopage, avec des matériaux tels que l'aluminium, le titane, l'étain, etc. A basse température (T Tc), l'émissivité infrarouge du matériau multicouche est de l'ordre de 40 à 50% et le coefficient d'absorption est de l'ordre de 50 à 60%. Exposé à un rayonnement électromagnétique important, la température de stagnation est de l'ordre de 130°C. Avec une telle température de stagnation, il devient possible de remplacer le support métallique par un support de même forme, ayant des propriétés optiques similaires (notamment une réflexion infrarouge importante), mais réalisé dans un matériau moins onéreux à mettre en oeuvre, tel qu'un matériau polymère par exemple, éventuellement recouvert d'une couche réflectrice des infrarouges. Un troisième exemple de matériau multicouche selon l'invention comprend dans l'ordre : un support aluminium 10, une couche AMF 20 de type Ti-Ni ou Cu-AI- Ni de l'ordre d' l micromètre, une couche d'oxyde de Vanadium V02 30 de l'ordre de 350 nanométres et une couche d'oxyde de silicium SiO2 40 de l'ordre de 100 nanométres (figure 6). L'oxyde de silicium a des propriétés antireflet, qui permettent d'augmenter le coefficient d'absorption dans le visible du matériau multicouche. L'épaisseur de la couche de SiO2 est choisie pour ne pas dégrader le coefficient d'émission infrarouge du matériau multicouche. Une modélisation numérique du matériau de la figure 6 montre que le coefficient d'absorption du matériau multicouche pour une longueur d'onde de 360 à 1800 nanométres atteint 95% au dessous de la température seuil, et que le coefficient d'émission infrarouge atteint 45 % au delà de la température critique. Le rendement est ainsi maximal à basse température, et la température de stagnation est inférieure à 130°C.10 REVENDICATIONS1. Matériau multicouche comprenant un support (10) recouvert d'une couche à mémoire de forme (20) dont un paramètre de rugosité de surface est : - supérieur à une première valeur de rugosité lorsque la température (T) est inférieure à une température seuil (Ts), et - inférieur à une deuxième valeur lorsque la température est supérieure à la température seuil (Ts), la deuxième valeur étant inférieure à la première valeur. 2. Matériau multicouche selon la revendication 1, dans lequel la couche à mémoire de forme présente : lo - une structure stable dite "martensitique" lorsque la température est inférieure à la température seuil, et - une structure stable dite "austénitique" lorsque la température est supérieure à la température seuil. 3. Matériau multicouche selon l'une des revendications 1 à 2, dans lequel un 15 rapport entre la première valeur du coefficient de rugosité et la deuxième valeur du coefficient de rugosité est supérieur à 2, et de préférence supérieur à 4. 4. Matériau multicouche selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche à mémoire de forme comprend: - une couche (20) de matériau à mémoire de forme ou 20 - un empilement de plusieurs couches (21, 22) de matériau(x) à mémoire de forme, deux couches de l'empilement de couches pouvant être réalisées dans des matériaux à mémoire de forme différents, et deux couches de l'empilement de couches pouvant présenter une épaisseur et / ou une température seuil différentes. 25 5. Matériau multicouche selon la revendication 4, dans lequel le matériau à mémoire de forme est un alliage de type Titane-Nickel, Cuivre-Zinc-Aluminium, Cuivre-Aluminium-Nickel, Aluminium-Magnésium ou un alliage à base de fer, alliage dopé ou non. 6. Matériau multicouche selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel une épaisseur de la couche à mémoire de forme est de l'ordre de quelques dizaines de nanométres à quelques micromètres, par exemple de l'ordre de 20 nanométres à 2 micromètres. 7. Matériaux multicouche selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'épaisseur et / ou la composition chimique de la couche à mémoire de forme sont choisies de sorte qu'une émissivité du matériau multicouche soit inférieure à 15% pour des longueurs d'onde comprises entre 5 à 10 micromètres. 8. Matériau selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche à mémoire de forme est recouverte d'une couche réflectrice des infrarouges, telle qu'une couche d'aluminium, de cuivre ou d'or, d'une épaisseur de l'ordre d'une dizaine de nanométres. 9. Matériau multicouche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche à mémoire de forme, ou la couche réflectrice des infrarouges, est recouverte d'une couche absorbante (30) comprenant une couche de matériau absorbant ou un empilement de couches de matériau(x) absorbant(s), la dite couche absorbante présentant un coefficient d'absorption supérieur à 40%, et de préférence supérieur à 70%. 10. Matériau multicouche selon la revendication 9, dans lequel la couche 20 absorbante est réalisée dans un matériau thermochrome dont une transmittance dans l'infrarouge est : - supérieure à un premier seuil de transmission lorsque la température du matériau thermochrome est inférieure à une température critique (Tc), et - inférieure à un deuxième seuil de transmission lorsque la température du 25 matériau thermochrome est supérieure à la température critique (Tc), le deuxième seuil de transmission étant inférieur au premier seuil de transmission. 11. Matériau multicouche selon la revendication 10, dans lequel, pour la couche absorbante : - le premier seuil de transmission est supérieur à 50 %, et de préférence 30 supérieur à 80%, et / ou - le deuxième seuil de transmission est inférieure à 15 %, et / ou- une différence en valeur absolue entre le deuxième seuil et le premier seuil est de l'ordre de 25 à 80%. 12. Matériau multicouche selon l'une des revendications 10 à 11, dans lequel le matériau thermochrome est un oxyde de Vanadium, par exemple V02, V2O5, ou 5 un oxyde de Vanadium dopé. 13. Matériau multicouche selon l'une des revendications 9 à 12, dans lequel la couche absorbante a une épaisseur de l'ordre de quelques nanométres à quelques centaines de nanométres, par exemple de l'ordre de 10 à 500 nanométres. 14. Matériau multicouche selon l'une des revendications 9 à 13 comprenant 10 également, entre la couche à mémoire de forme et la couche thermochrome, une couche faisant office de barrière de diffusion, réalisée par exemple en un matériau de type oxyde, tel qu'un oxyde de silicium ou d'aluminium (SiO2, Al2O3), une épaisseur de la couche barrière étant de l'ordre du nanométre à la dizaine de nanométre. 15 15. Matériau multicouche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la température seuil (Ts) et / ou la température critique (Tc) est (sont) comprise(s) entre 60 et 120°C. 16. Matériau multicouche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche à mémoire de forme et / ou la couche absorbant est recouverte 20 d'une couche de matériau antireflet (40), par exemple SiO2, SnO2, Si3N4, Al2O3, d'une épaisseur de l'ordre de 20 à 150 nanométres. 17. Matériau multicouche selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le support est réalisé en : - un matériau résistant mécaniquement et réflecteur dans l'infrarouge, par 25 exemple de l'aluminium ou du cuivre, ou - un matériau résistant mécaniquement, recouvert d'une couche réflectrice dans l'infrarouge. 18. Panneau solaire caractérisé en ce qu'il comprend une plaque absorbante réalisée dans un matériau multicouche selon l'une des revendications précédentes.