FR 2969995 A1 20120706 FR 1150011 A 20110103 PROCEDE DE REALISATION D'UN SUPPORT COMPORTANT DES NANOSTRUCTURES EN NITRURE(S) A PHASE ZINC BLENDE DESCRIPTION 5 DOMAINE TECHNIQUE L'invention a trait à la réalisation de nanostructures, et en particulier de nanofils, en nitrures à phase zinc-blende, notamment des homostructures de GaN et des hétérostructures de 10 InGaN/GaN ou de AlGaN/GaN à phase zinc-blende sur un support. Ces nanostructures en nitrures à phase zinc-blende peuvent notamment être utilisées pour la réalisation de sources d'électroluminescence, par 15 exemple des sources de lumière visible multicolores ou des sources UV. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les nanostructures en nitrures, et en particulier en nitrure de gallium, sont très utilisées 20 pour réaliser des diodes électroluminescentes. Une des difficultés inhérentes à la réalisation de diodes électroluminescentes efficaces à base d'hétérostructures en nitrure de gallium ou du type d'alliages de nitrure de gallium avec de l'indium 25 et/ou de l'aluminium tient au fait que ces matériaux ont une structure cristalline à phase wurtzite. Or, les propriétés de symétrie de la structure wurtzite conduisent, d'une part, à la présence d'une polarisation spontanée dans les 30 hétérostructures et, d'autre part, lors de 2 l'application d'une contrainte sur ces hétérostructures, à l'apparition d'un champ piézoélectrique. Il en résulte un effet Stark quantique confiné, c'est-à-dire l'apparition d'un champ électrique interne important dans chaque hétérostructure. La présence du champ électrique conduit notamment à un décalage vers le rouge de la luminescence (également appelé « red shift » en anglais), ainsi qu'à une séparation des porteurs de charges, ce qui conduit à une diminution de l'efficacité de recombinaison radiative de l'hétérostructure et, in fine, à une réduction de l'intensité et de l'efficacité de la diode comportant ce type d'hétérostructures dans sa zone active. C'est par exemple le cas des diodes électroluminescentes dans le visible à base de nitrures, dont la zone active est constituée d'un ou plusieurs puits quantiques en InGaN pris en sandwich entre deux couches de GaN. Cette diminution de l'intensité de la luminescence est d'autant plus marquée lorsqu'on cherche à augmenter la longueur d'onde d'émission de la diode, ce qui est obtenu en augmentant la concentration d'In dans les puits quantiques. Ce phénomène est connu sous le nom de problème du « green gap », qui se traduit par une chute de l'efficacité de la luminescence des diodes nitrures dans le vert. Une solution connue pour résoudre le problème du « red shift » et du « green gap » consiste à utiliser, à la place des structures en GaN et en 3 alliage de GaN avec In et Al à phase wurtzite, des structures en GaN ou en InGaN et AlGaN à phase zinc-blende. On rappelle qu'une structure à phase wurtzite est une structure dans laquelle les anions occupent les positions des atomes métalliques d'une maille hexagonale compacte et les cations forment un second réseau hexagonal compact décalé de celui des anions par une translation selon la direction verticale du prisme hexagonal, tandis qu'une structure à phase zinc-blende est une structure dans laquelle les anions occupent les positions d'un réseau cubique à face centrée (CFC) et les cations occupent la moitié des huit sites tétraédriques à l'intérieur de cette maille CFC de manière à respecter la neutralité électrique. En effet, du fait de sa symétrie, une structure à phase zinc-blende ne présente pas de polarisation spontanée. Son utilisation devrait donc permettre de réduire le champ électrique interne dans les hétérostructures de semiconducteurs nitrures. Malheureusement, le manque de substrats adaptés à la croissance d'hétérostructures de semiconducteurs nitrures à phase zinc-blende ne permet pas, en l'état actuel des connaissances de l'Homme du métier, de réaliser des hétérostructures de qualité 25 suffisante pour rivaliser avec les hétérostructures de semiconducteurs nitrures à phase wurtzite et ce, en dépit de l'inconvénient dû à la présence, dans ces dernières, du champ électrique. En effet, les meilleurs résultats présentés 30 dans la littérature (voir le document [1] référencé à la fin de la description) font état d'une largeur à mi- 20 4 hauteur du pic de photoluminescence de l'ordre de 19 meV pour une hétérostructure de GaN à phase zinc-blende, ce qui atteste d'une qualité cristallographique médiocre, associée à la présence d'une importante quantité de défauts structuraux. Les inventeurs se sont donc fixé comme but d'élaborer un procédé de réalisation de nanostructures à phase zinc-blende sur un support, qui soient d'une qualité équivalente ou supérieure aux nanostructures nitrurées à phase wurtzite en termes de photoluminescence. EXPOSÉ DE L'INVENTION Ce but est atteint grâce à un procédé de réalisation de nanostructures en nitrure(s) sur au moins une face d'un substrat, lesdites nanostructures comportant chacune une base, constituée par un nitrure à phase wurtzite, et une partie supérieure, constituée par un ou plusieurs nitrures à phase zinc-blende, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) fourniture du substrat comportant au moins une face ; b) formation de la base des nanostructures en un nitrure à phase wurtzite sur ladite face du substrat ; c) formation de la partie supérieure des nanostructures en un ou plusieurs nitrures à phase zinc-blende sur la base des nanostructures en un nitrure à phase wurtzite obtenue à l'étape b) la formation de la base des nanostructures à l'étape b) et la formation de la partie supérieure des nanostructures à l'étape c) étant obtenues en effectuant une épitaxie par jets moléculaires (MBE, pour Molecular Beam Epitaxy en anglais), la température d'épitaxie de l'étape c) étant inférieure à la température d'épitaxie de l'étape b) d'au moins 100°C. 5 De préférence, la température d'épitaxie de l'étape c) est inférieure à la température d'épitaxie de l'étape b) d'au moins 150°C. Dans ce qui précède et ce qui suit, le terme « nanostructure » désigne une structure dont au moins une des dimensions (hauteur, largeur ou diamètre) est nanométrique, c'est-à-dire supérieure ou égale à 1 nanomètre et inférieure à 1000 nanomètres. Les nanostructures peuvent par exemple être des nanotubes, des nanofilaments ou des nanofils. Dans le procédé selon l'invention, la croissance des nanostructures est obtenue par épitaxie par jets moléculaires ; les opérations sont réalisées in situ dans un même bâti technologique, sans avoir à sortir l'échantillon (c'est-à-dire le substrat) entre les étapes de croissance. La croissance de la base des nanostructures a lieu sur un substrat adapté à la croissance de nanostructures en nitrure de phase wurtzite ; il peut par exemple s'agir d'un substrat en silicium ou en saphir. Avantageusement, le nitrure de la base des nanostructures et le nitrure de la partie supérieure des nanostructures qui est en contact avec le nitrure de la base des nanostructures sont en un même nitrure, c'est-à-dire que, bien qu'ils n'aient pas la même structure cristalline (l'un ayant une structure 6 cristalline wurtzite et l'autre une structure cristalline zinc-blende), les deux nitrures sont de même composition chimique. Avantageusement, le nitrure de la base des nanostructures est un nitrure de gallium (GaN). Ainsi, selon une première variante, les nanostructures obtenues peuvent être des homostructures composées d'un seul et même nitrure ayant la même composition chimique. Par exemple, les nanostructures peuvent être en nitrure de gallium ; on obtient donc des nanostructures en nitrure de gallium ayant une homostructure biphasique wurtzite et zinc-blende, la phase wurtzite étant située à la base des nanostructures, c'est-à-dire étant la partie de la nanostructure qui est en contact avec le support et qui sert à la croissance des nanostructures à phase zinc-blende, et la phase zinc-blende étant située au-dessus et en contact avec la phase wurtzite. On rappelle qu'une homostructure est une combinaison de deux phases différentes d'un matériau d'une composition chimique donnée, identique pour les deux phases, mais présentant des propriétés physiques différentes, par exemple une valeur différente de la largeur de bande interdite (« gap » en anglais). On peut donc avoir une homostructure en GaN comportant du GaN dopé p et du GaN dopé n. Selon une seconde variante, les nanostructures peuvent être des hétérostructures à plusieurs nitrures différents. On rappelle qu'une hétérostructure est une combinaison de deux matériaux de nature chimique différente, appartenant ou non à la 7 même famille de matériaux. Dans ce cas, comme précisé ci-dessus, il est avantageux que le nitrure de la base des nanostructures et le nitrure de la partie supérieure des nanostructures qui est en contact avec le nitrure de la base soient en un nitrure de même composition chimique, par exemple en nitrure de gallium (GaN). Les autres nitrures de la partie supérieure des nanostructures peuvent être par exemple en un alliage de nitrure de gallium, par exemple AlGaN ou InGaN. Ainsi, pour récapituler les spécificités des nanostructures obtenues selon le procédé de l'invention, elles comportent chacune une base, qui est en contact avec le substrat et qui est en un nitrure à phase wurtzite, et une partie supérieure, située au- dessus de la base en nitrure à phase wurtzite, qui est constituée d'un ou plusieurs nitrures à phase zinc-blende. La partie supérieure des nanostructures peut être en un seul et même nitrure à phase zinc-blende ou comprendre plusieurs nitrures différents à phase zinc- blende. De préférence, le nitrure des nanostructures à phase wurtzite formant la base des nanostructures et le nitrure à phase zinc-blende de la partie supérieure des nanostructures qui est en contact avec le nitrure à phase wurtzite de la base sont le même nitrure. Selon une autre variante, la partie supérieure des nanostructures (c'est-à-dire la partie des nanostructures à base de nitrure(s) à phase zinc-blende) comprend un empilement de couches en nitrures à phase zinc-blende, empilées les unes sur les autres selon l'axe de croissance des nanostructures (c'est-à- dire de manière approximativement perpendiculaire à la 8 surface du substrat), ledit empilement consistant en une succession d'une couche en un premier nitrure semiconducteur et d'une couche en un second nitrure semiconducteur, différent du premier nitrure, répétée i fois (i étant un nombre entier supérieur ou égal à 1) et terminé par une couche du premier nitrure semiconducteur. L'empilement ainsi réalisé forme alors un ou plusieurs puits quantiques, un puits quantique consistant en une couche en un matériau semi-conducteur ayant une épaisseur de quelques nanomètres, qui est intercalée entre deux couches plus épaisses en un autre matériau semi-conducteur. Avantageusement, le premier nitrure est du nitrure de gallium et le second nitrure est du nitrure de gallium indium (InGaN). Avantageusement, le premier nitrure est du nitrure de gallium aluminium (AlGaN) et le second nitrure est du nitrure de gallium (GaN). Avantageusement, dans le cas où les nanostructures comprennent un empilement de couches, cet empilement est pris en sandwich entre une couche en un troisième nitrure semiconducteur de premier type conducteur, choisi parmi un type n ou un type p, et une couche en un troisième nitrure semiconducteur de second type conducteur, différent du premier type conducteur, choisi parmi un type n ou un type p. Avantageusement, le premier nitrure de l'empilement et le troisième nitrure sont un même nitrure. De préférence, les nanostructures sont des nanofils, c'est-à-dire des structures de forme filaire ayant une longueur relativement plus grande que leur 9 diamètre, le diamètre étant inférieur ou égal à 100 nm et ayant un rapport de forme (hauteur / diamètre) très supérieur à 1, de préférence supérieur ou égal à 10, de préférence supérieur à 50 et plus préférentiellement supérieur à 100. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des figures annexées parmi lesquelles : - la figure 1 représente des nanostructures sur un substrat réalisées selon l'invention ; les nanostructures sont ici des nanofils de nitrure de gallium constitués d'une base de structure cristalline à phase wurtzite, obtenue par MBE à haute température, et d'une partie supérieure de structure cristalline zinc-blende, obtenue par MBE à basse température ; - la figure 2 est un graphique représentant la photoluminescence émise par les nanofils illustrés dans la figure 1 en fonction de l'énergie ; - la figure 3 représente un agrandissement du graphique illustré dans la figure 2 et montrant en détail la photoluminescence correspondant au nitrure de gallium à phase zinc-blende ; - la figure 4 représente un agrandissement du graphique illustré dans la figure 2 et montrant en détail la photoluminescence correspondant au nitrure de gallium à phase wurtzite ; - la figure 5 représente une diode électroluminescente comportant des nanofils à phase 10 zinc-blende sur une base à phase wurtzite (précisons qu'ici, seul un nanofil est représenté). EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Nous allons décrire en détails les étapes du procédé selon l'invention qui permettent d'obtenir des nanostructures sur un substrat qui comportent une base en nitrure à phase wurtzite et une partie supérieure en nitrure à phase zinc-blende. De manière générale, le procédé selon l'invention permet d'obtenir des nanostructures, c'est-à-dire, comme nous l'avons défini plus haut, des structures dont au moins une des dimensions (hauteur, largeur ou diamètre) est supérieure ou égale à 1 nanomètre et inférieure à 1000 nanomètres. Il peut donc s'agir de nanotubes, de nanofilaments ou de nanofils. Cependant, il est préférable que les nanostructures soient des nanofils car, du fait de leur rapport de forme particulier, à savoir un rapport de forme (hauteur / diamètre) très supérieur à 1, les nanofils peuvent facilement relaxer leurs contraintes de façon élastique. Dans ce cas, des hétérostructures de forme filaire dont les deux composantes n'ont pas le même paramètre de maille (ce qui est le cas par exemple de GaN et de GaInN) relaxent facilement leurs contraintes si les puits quantiques sont suffisamment épais (c'est-à-dire supérieurs au diamètre des nanofils). Il en résulte une diminution importante du champ piézoélectrique. En conséquence, les hétérostructures filaires GaN/GaInN à phase zinc blende présentent un 11 champ électrique réduit, d'une part, par la suppression de la composante de polarisation spontanée intrinsèquement liée à la structure cristalline wurtzite et, d'autre part, par le caractère filaire de la structure qui permet de réduire la composante piézoélectrique. A titre d'illustration, nous allons décrire la réalisation de nanofils en nitrure de gallium à phase zinc-blende ayant une base en nitrure de gallium à phase wurtzite (figure 1). Tout d'abord, on forme la base 3 des nanostructures 2 en faisant croitre des nanostructures de nitrure de gallium à phase wurtzite sur un substrat 1 en silicium par un procédé d'épitaxie par jets moléculaires (MBE) : on envoie des jets moléculaires sur le substrat 1 à une température et à une pression déterminées pour que ces jets moléculaires, réagissant ensemble à la surface du substrat, donnent lieu à la croissance du semiconducteur nitrure. Le mode opératoire pour obtenir la croissance de nanostructures de nitrure à phase wurtzite sur un substrat est bien connu de l'Homme du métier et est peu décrite ci-dessous. Par exemple, pour former des nanostructures en nitrure de gallium à phase wurtzite sur un substrat en silicium, on introduit le substrat de silicium dans un réacteur à épitaxie équipé de cellules à effusion pour produire les jets atomiques/moléculaires des différents constituants, soit Ga, Al, In et N (l'azote actif). 12 L'azote actif est généralement produit par dissociation radiofréquence d'azote gazeux (N2) de très haute pureté. On peut également envisager l'utilisation d'ammoniac (NH3) dont le cracking thermique (c'est-à- dire la dégradation sous l'effet de la chaleur) en surface du substrat produit l'azote actif N nécessaire. La température de croissance est préférentiellement comprise entre 500 °C et 900 °C, la pression équivalente des flux métalliques est de l'ordre de 10-7 torr, la pression d'azote est de l'ordre de 10-5 torr. On précise que les valeurs de pression équivalente fournies ici ne sont que des exemples ; elles ne sont pas fixées de façon définitive et peuvent varier dans une assez large fourchette. En particulier, si l'on veut former un alliage, par exemple d'InGaN, la pression équivalente de chaque métal est en rapport avec la composition désirée et peut donc varier sensiblement. La durée typique d'une croissance d'hétérostructures est de l'ordre de deux à trois heures. On obtient ainsi un substrat 1 comprenant un ensemble de nanostructures en nitrure à phase wurtzite (qui correspondent aux bases 3 des nanostructures que l'on cherche à réaliser) agencées en matrice sur la surface du substrat. Comme on peut le constater, ces nanostructures en nitrure à phase wurtzite 3 sont créées approximativement perpendiculaires à la surface du substrat. On poursuit ensuite la croissance des nanostructures 2 en nitrure de gallium, à la différence 13 près que la température est abaissée d'au moins 100°C afin que les nanostructures ainsi créées, qui correspondant à la partie supérieure 4 des nanostructures, aient une phase zinc-blende et non plus une phase wurtzite. En fait, la température est abaissée à environ 700°C pour fabriquer du GaN cubique et jusqu'à 400°C pour fabriquer de l'InN cubique, une température intermédiaire, entre 400 et 700 °C étant utilisée pour fabriquer de l'InGaN cubique dans toute la gamme de composition d'In, allant de l'InN pur au GaN pur. Il est à noter que la baisse de la température a également pour effet d'augmenter le diamètre des nanofils ; on observe donc une augmentation du diamètre des nanostructures lorsqu'on passe de la base des nanostructures (nitrure à phase wurtzite) à la partie supérieure des nanostructures (nitrure à phase zinc-blende). Cette croissance est poursuivie pendant une durée qui est typiquement d'une heure. Au final, on obtient un objet tel que représenté dans la figure 1, comprenant un ensemble de nanofils de nitrure de gallium à phase zinc-blende 4, chaque nanofil 4 étant mis à croître sur une base 3 consistant en une nanostructure en nitrure de gallium à phase wurtzite, ces nanostructures à phase wurtzite étant elles-mêmes mises à croître sur un substrat 1. Les nanostructures de GaN à phase wurtzite 3, qui servent de base à la croissance des nanostructures à phase zinc-blende 4, sont préparées sur un substrat de silicium selon une méthode de croissance MBE classique connue de l'Homme du métier. 14 Le procédé selon l'invention permet donc d'obtenir des nanostructures, et notamment des nanofils, en nitrures, par exemple en nitrure de gallium, à phase zinc-blende de haute qualité. La photoluminescence des nanostructures ainsi obtenues, c'est-à-dire comportant une base de GaN à phase wurtzite et une partie supérieure à phase zinc-blende, est représentée sous la forme d'un graphique dans la figure 2. Dans ce graphique, on distingue un pic à 3,47 eV, caractéristique du nitrure de gallium à phase wurtzite, et un autre pic à 3,27 eV, caractéristique du nitrure de gallium à phase zinc-blende. Si on réalise un zoom dans la figure 2 sur le pic à 3,27 eV (figure 3) et un zoom sur le pic à 3,47 eV (figure 4), on constate que la largeur à mi-hauteur (« FWHM » en anglais) du pic de luminescence du nitrure de gallium à phase zinc-blende (2,1 meV) est assez proche de la largeur à mi-hauteur du nitrure de gallium à phase wurtzite (1,5 meV), ce qui démontre la qualité structurale des nanostructures obtenues par le procédé selon l'invention et qui représente un saut qualitatif par rapport à l'état de l'art publié (où, comme précisé précédemment dans le paragraphe intitulé « Etat de la technique antérieure », la valeur était de l'ordre de 19 meV pour une hétérostructure de nitrure de gallium à phase zinc-blende). Le procédé selon l'invention peut également servir à former des hétérostructures de nitrures. 15 A titre d'illustration, nous allons à présent décrire la formation de nanostructures de nitrures comportant chacune un puits quantique. On rappelle qu'un puits quantique consiste en une couche d'environ une dizaine de nanomètres d'épaisseur d'un matériau semiconducteur intercalée entre deux couches épaisses d'un autre matériau semiconducteur. Comme dans l'exemple précédent, on réalise des nanostructures en nitrure de gallium à phase wurtzite sur un substrat en silicium en exposant ce substrat à un flux de Ga (pression équivalente d'environ 10-7 torr) et d'azote actif (pression équivalente d'azote de l'ordre de 10-5 torr) dans un réacteur d'épitaxie à une température comprise entre 800 et 900°C, pendant une durée de 1 à 3 heures, puis on poursuit la croissance des nanostructures en nitrure de gallium en abaissant la température d'au moins 100°C. Une fois la température stabilisée, outre le flux de Ga et celui d'azote actif, on introduit également pendant quelques minutes (typiquement 2 minutes) un flux d'In (pression équivalente typiquement entre 10-8 et 10-7 torr) dans le réacteur à une température comprise entre 400 et 700 °C, de manière à former une fine couche d'alliage InGaN. Puis, l'approvisionnement en In est coupé et une couche de GaN se forme. Au final, on obtient des nanostructures constituées d'une base en nitrure de gallium à phase wurtzite et d'une partie supérieure en nitrure à phase 16 zinc-blende comprenant deux couches en nitrure de gallium prenant en sandwich une fine couche en InGaN. Le procédé selon l'invention peut être utilisé pour réaliser toutes sortes de nanostructures de nitrure à phase zinc-blende sur une base de nitrure à phase wurtzite. En utilisant le procédé selon l'invention, il est ainsi possible de réaliser une diode électroluminescente (DEL) à nanofils basée sur l'utilisation de GaN (et GaInN et AlGaN) ayant une structure cristalline à phase zinc blende. On peut par exemple former une DEL en réalisant, sur un substrat, un ensemble de nanostructures comprenant chacune une première nanostructure de GaN d'un premier type conducteur, disposée perpendiculaire à la surface du substrat, et formée d'une base à phase wurtzite et d'une partie supérieure à phase zinc-blende, un puits quantique en InGaN à phase zinc-blende formé sur la nanostructure de GaN du premier type conducteur de phase zinc-blende et une nanostructure de GaN d'un second type conducteur de phase zinc-blende formé sur le puits quantique, le premier type conducteur et le second type conducteur étant respectivement un type n et un type p ou vice et versa. On a alors un ensemble de nanostructures sur un substrat, chaque nanostructure comprenant successivement une nanostructure en GaN de type n, un puits quantique InGaN et une nanostructure en GaN de type p selon la direction de croissance des couches (c'est-à-dire dans une direction essentiellement perpendiculaire à la surface du 17 substrat), le puits quantique InGaN étant inséré à l'interface de la jonction p-n de la nanostructure de GaN. Il est également possible d'insérer plus d'un puits quantique dans les nanostructures. Les nanostructures peuvent ainsi comporter une pluralité de puits quantiques en alliage de nitrure, par exemple des alliages InXGa1_XN et (Al, Ga) N. Par exemple, il est possible de réaliser une DEL telle que représentée dans la figure 5. Dans cette figure 5 (où seul un nanofil est représenté), le nanofil comporte une base 3 en nitrure de gallium dopé n (par exemple dopé avec des ions de silicium) à phase wurtzite, qui se prolonge par une partie supérieure 4 comportant une couche en nitrure de gallium dopé n à phase zinc-blende 40, puis de trois puits quantiques en InGaN à phase zinc-blende, séparés les uns des autres par une couche de GaN non dopé à phase zinc-blende, le tout étant pris en sandwich entre deux couches épaisses de GaN non dopé à phase zinc-blende (servant de couches barrières) (c'est-à-dire qu'on a successivement les couches 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, les couches 41, 43, 45, 47 étant des couches en nitrure de gallium non dopé à phase zinc-blende et les couches 42, 44, 46 étant des couches en InGaN à phase zinc-blende), puis d'une couche 48 en nitrure de gallium dopé p (par exemple dopé avec des ions de magnésium) à phase zinc-blende. Bien que la DEL de ce mode de réalisation soit configurée de la manière décrite ci-dessus, les matériaux utilisés peuvent être modifiés. Par exemple, bien qu'il soit décrit que la nanostructure de GaN de 18 type n est d'abord formée, puis la nanostructure de GaN de type p, l'ordre du type n et du type p peut être modifié. De même, le nitrure de gallium peut être rendu plus ou moins conducteur en y ajoutant des impuretés, à savoir des impuretés du type n (comme par exemple du silicium) ou du type p (comme par exemple du magnésium). 19 BIBLIOGRAPHIE [1] H. Okumura et al. "Growth and characterization of cubic GaN", Journal of Crystal Growth, vol. 178 (1997), p 113-13310 REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation de nanostructures en nitrure(s) (2) sur au moins une face d'un substrat (1), lesdites nanostructures (2) comportant chacune une base (3), constituée par un nitrure à phase wurtzite, et une partie supérieure (4), constituée par un ou plusieurs nitrures à phase zinc-blende, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) fourniture du substrat (1) comportant au moins une face ; b) formation de la base (3) des nanostructures en un nitrure à phase wurtzite sur ladite face du substrat ; c) formation de la partie supérieure (4) des nanostructures en un ou plusieurs nitrures à phase zinc-blende sur la base (3) des nanostructures en un nitrure à phase wurtzite obtenue à l'étape b) ; la formation de la base (3) des nanostructures à l'étape b) et la formation de la partie supérieure (4) des nanostructures à l'étape c) étant obtenues en effectuant une épitaxie par jets moléculaires, la température d'épitaxie de l'étape c) étant inférieure à la température d'épitaxie de l'étape b) d'au moins 100°C. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel la température d'épitaxie de l'étape c) est inférieure à la température d'épitaxie de l'étape b) d'au moins 150°C. 21 3. Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le nitrure de la base des nanostructures et le nitrure de la partie supérieure des nanostructures qui est en contact avec le nitrure de la base des nanostructures sont en un même nitrure. 4. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le nitrure de la base des nanostructures est un nitrure de gallium (GaN). 5. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la partie supérieure (4) des nanostructures (2) comprend un empilement de couches en nitrures à phase zinc-blende, empilées les unes sur les autres selon l'axe de croissance des nanostructures, ledit empilement consistant en une succession d'une couche en un premier nitrure semiconducteur et d'une couche en un second nitrure semiconducteur, différent du premier nitrure, répétée i fois (i étant un nombre entier supérieur ou égal à 1) et terminé par une couche du premier nitrure semiconducteur. 6. Procédé de fabrication selon la revendication 5, dans lequel le premier nitrure est du nitrure de gallium et le second nitrure est du nitrure de gallium indium (InGaN) ou du nitrure de gallium aluminium (AlGaN). 10 15 22 7. Procédé de fabrication selon la revendication 5, dans lequel l'empilement est pris en sandwich entre une couche en un troisième nitrure semiconducteur de premier type conducteur, choisi parmi un type n ou un type p, et une couche en un troisième nitrure semiconducteur de second type conducteur, différent du premier type conducteur, choisi parmi un type n ou un type p. 8. Procédé de fabrication selon la revendication 7, dans lequel le premier nitrure de l'empilement et le troisième nitrure sont un même nitrure. 9. Procédé de fabrication selon la revendication 1, dans lequel les nanostructures sont des nanofils.