FR 2974942 A1 20121109 FR 1153902 A 20110506 PROCEDE DE FABRICATION DE PLAQUES RECONSTITUEES AVEC MAINTIEN DES PUCES PENDANT LEUR ENCAPSULATION Le domaine de l'invention est celui de la fabrication de plaques (ou « wafers » en anglais) reconstituées qui comprennent des puces encapsulées dans une résine, ces puces ayant en général été préalablement testées. La solution la plus couramment mise en oeuvre pour réaliser une plaque reconstituée consiste tout d'abord à découper des plaques sur lesquelles des puces ont été fabriquées pour obtenir des puces individuelles, une plaque produisant un premier type de puces ou « chips » identiques 1 o entre elles, une autre plaque produisant un autre type de puces, etc. On désigne par puce un composant électronique actif tel qu'une puce nue ou un composant passif (condensateurs, résistances, transformateurs ou inductances, ...) ou un MEMS, acronyme de l'expression anglo-saxonne « Micro Electro Mechanical System ». Généralement, ces puces sont alors 15 sélectionnées après avoir été testées et souvent désignées « Known Good Die ». Les différents types de puces 1 testées, qui présentent des plots de connexion 14 sur une face dite face active ou face avant, sont alors prélevées et positionnées face avant sur un support adhésif 13 comme 20 montré sur la figure 2a, au moyen par exemple d'une machine « pick-andplace » pour former des motifs de puces généralement semblables les uns aux autres. On désigne par motif de puces, un groupe de différentes puces destinées à former un élément électronique. Ce support adhésif 13 est typiquement une peau collante elle-25 même collée à un support rigide. Puis les puces sont encapsulées dans une résine 12 polymère de type Epoxy afin de les solidariser. Une couche de redistribution ou RDL acronyme de l'expression anglo-saxonne « ReDistribution Layer » éventuellement à plusieurs étages, est ensuite formée du côté face avant, après retrait du support adhésif 13 et 30 de la peau collante ; cette couche RDL qui comprend des pistes en TiW/Cu ou en TiPd/Au par exemple, est formée sur une couche diélectrique 11 déposée à la place du support adhésif, par trempage ou par centrifugation, et qui est représentée sur les figures 3, 4 et 5. La plaque ainsi reconstituée qui ne comporte pas de puces défectueuses peut alors être découpée pour obtenir des micro boîtiers plastiques ; elle peut aussi être empilée sur d'autres plaques reconstituées, et électriquement connectée à ces plaques selon différents procédés connus, l'empilement étant ensuite découpé pour obtenir des modules électroniques à trois dimensions ou 3D. L'encapsulation des puces comprend : - une étape de dépôt de la résine (par coulage ou par moulage dit en compression), autour et éventuellement sur les puces collées sur le support adhésif, de manière à remplir les espaces inter-puces, - une étape de polymérisation de la résine pour la durcir et ainsi former un substrat rigide et manipulable dans lequel sont fixées les puces, le substrat adhésif pouvant alors être retiré. Un inconvénient notoire est le déplacement des puces lors du dépôt de la résine et/ou lors de sa polymérisation, les plots des puces ne coïncidant alors plus avec les pistes de la couche de redistribution (couche RDL). Les micro déplacements des puces par rapport à la position prévue, illustrés figure 1, sont dus à : - l'imprécision de positionnement des puces sur le support adhésif, qui est de l'ordre de 5 pm avec des équipements « pick-and-place » récents fonctionnant à grande vitesse, - la dilatation réversible mais très élevée du support adhésif aux alentours de 100 ppm/°C, illustrée par les flèches C, - le retrait irréversible de la résine lors de la polymérisation de l'ordre de quelques 1000 ppm/°C, illustré par les flèches A - la dilatation réversible de la résine après polymérisation d'environ 16 à 17 ppm/°C, illustrée par les flèches B. Il en résulte des micro déplacements plus ou moins isotropes et imprévisibles, typiquement compris entre quelques pm et quelques dizaines de µm, ce qui peut excéder les tolérances de positionnement (par rapport à la couche RDL) requises après moulage, qui sont typiquement de l'ordre de 10 µm. Une solution consiste à étudier et enregistrer ces micro déplacements préalablement puis à les anticiper lors du positionnement des puces lorsqu'elles sont reportées sur le support adhésif. Une des limites de cette technique provient de ce que les micro déplacements ne sont pas tous prévisibles, notamment ceux des différents types de puces au sein d'un même motif. Une autre solution existante consiste à disposer sur le support adhésif un treillis de cuivre à mailles rectangulaires de dimensions supérieures à la puce d'environ 1 à 1,5 mm, puis à reporter les puces sur le support dans les cavités situées entre les barreaux entrecroisés du treillis ; ce treillis est ainsi utilisé comme gabarit dans lequel on place les puces et permet de limiter le volume de résine entourant la puce donc de limiter localement le retrait après polymérisation. Ce procédé permet de réduire la dilatation et donc le déplacement des puces mais ne permet pas de l'éliminer puisque ceci ne règle pas le problème de la peau collante qui se déplace elle aussi. Dans tous les cas on corrige les masques permettant de réaliser les couches de redistribution. Après la réalisation des 3 ou 4 premiers « wafers » (ou plaques), les mesures de dérive des puces sont effectuées et les masques sont corrigés en conséquence. Il faut ensuite que les dérives soient toujours identiques et reproductibles. Il présente en outre les inconvénients suivants : le treillis reste obligatoirement dans le boîtier final puisqu'une fois moulé dans la résine, il ne peut plus être enlevé, - cela limite le nombre de puces sur la plaque du fait de la place importante prise par le treillis, - cela nécessite une double découpe pour faire disparaître les barreaux du treillis, - la correction des masques donc de la position des pistes conductrices des couches de redistribution peut gêner l'empilage ultérieur des wafers reconstitués qui nécessitent un pas rigoureusement constant par construction. On sait aussi corriger à la fois la position des puces lors du report de celles-ci sur la peau collante en modifiant le pas de pose sur les machines de « Pick and Place », et les masques utilisés pour la RDL. Pour les cas les 30 plus critiques on insole puce par puce ce qui est très coûteux et ne permet pas de garantir le pas pour les étapes d'empilage. La demanderesse a décrit une solution dans la demande de brevet W02010/102996. Elle est basée sur l'utilisation d'une grille non pas autour des puces mais sur les puces de façon à fixer celles-ci en « position » fixe et non modifiable avant les étapes de moulage puis de polymérisation. Une grille provisoire en cuivre par exemple est collée à la température ambiante sur l'ensemble des faces arrière des puces. Après polymérisation à la température ambiante ou aux ultra-violets pour les colles dites UV, le 1 o coulage et la polymérisation peuvent être effectués sans déplacement des puces. La grille en cuivre est ensuite dissoute chimiquement ou l'ensemble de la face arrière du wafer reconstitué est abrasée mécaniquement. Les seuls inconvénients de cette technique sont dus au fait que des étapes supplémentaires de collage et de destruction de la grille provisoire sont 15 nécessaires. Le but de l'invention est de pallier cet inconvénient de déplacement des puces lors de leur encapsulation dans de la résine, sans recourir à ces étapes de collage et de destruction de la grille. 20 Selon l'invention le maintien des puces après l'étape de pose « Pick and Place » est obtenu par un dépôt en phase gazeuse à la température ambiante, de matériaux minéraux électriquement isolants ou conducteurs. Ce dépôt peut rester pendant tout le procédé de fabrication de 25 la plaque reconstituée, ou bien être partiellement dissous chimiquement. Cette technique dite de « Dépôt par plasma atmosphérique » présente plusieurs avantages. Il s'agit d'une technique de dépôt chimique en phase gazeuse hors vide (à la pression atmosphérique) et à basse température (ambiante). Par ailleurs l'adhésion est excellente car le plasma 30 utilisé permet de « nettoyer » la surface avant dépôt. Plus précisément l'invention a pour objet un procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée qui comporte des puces présentant des plots de connexion sur une face de la puce dite face avant, qui comprend dans l'ordre les étapes suivantes : Al) positionnement des puces sur un support adhésif, face avant sur le support, B1) dépôt d'une résine sur le support adhésif pour encapsuler les puces, puis polymérisation de la résine, Cl) retrait du support adhésif, D1) réalisation d'une couche RDL côté face active. Il est principalement caractérisé en ce qu'entre les étapes Al) et 1 o B1), il comprend une étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche minérale côté face arrière, c'est-à-dire sur le support adhésif et les puces. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, le procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée qui comporte des puces 15 présentant des plots de connexion sur une face de la puce dite face avant, comprend une étape de : A2) positionnement des puces sur un support adhésif initial, face avant sur le support, et est caractérisé en ce qu'il comprend dans l'ordre les étapes 20 suivantes : B2) dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche minérale sur le support initial et les puces, C2) transfert des puces recouvertes de la couche minérale sur un 25 support adhésif provisoire, face arrière des puces vers ce support adhésif provisoire, D2) retrait du support adhésif initial, E2) report des puces sur un support de type « chuck », faces avant des puces vers ce support, 30 F2) retrait du support adhésif provisoire, G2) dépôt d'une résine sur le support de type « chuck » pour encapsuler les puces, puis polymérisation de la résine, H2) retrait du support de type « chuck », 12) réalisation d'une couche RDL côté face active. 35 Selon une caractéristique de l'invention, la couche minérale étant dans un matériau électriquement conducteur, l'étape de réalisation de la couche RDL comporte une étape préalable de retrait de ce matériau en dehors des puces. Eventuellement, l'étape de réalisation de la couche RDL comprend une étape de dépôt d'une couche isolante sur l'ensemble de la plaque côté face active, puis une étape de connexion de la couche électriquement conductrice restant au niveau des puces, à une masse électrique ou mécanique, à travers un via et une piste conductrice en vue de 1 o réaliser un blindage. Selon un troisième mode de réalisation de l'invention, l'étape de dépôt d'une couche minérale sur le support adhésif comprend : - une première sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une 15 couche électriquement isolante sur le support adhésif et les puces puis, - une deuxième sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une première couche électriquement conductrice en contact avec 20 la couche électriquement isolante, et formant la première électrode d'un condensateur, et l'étape RDL comporte préalablement les étapes suivantes : dépôt d'une couche isolante en contact seulement avec la face active des puces et d'une deuxième couche électriquement conductrice en dehors des faces actives des puces en regard de la première électrode, cette deuxième couche formant la deuxième électrode du condensateur, - réalisation de pistes électriquement conductrices pour connecter la première électrode à un premier plot d'alimentation de la puce et la deuxième électrode à un autre plot d'alimentation de la puce. L'électrode « RDL » peut être fractionnée en plusieurs électrodes, chaque fraction étant connectée à un autre plot d'alimentation électrique de 35 la puce par un via percé dans l'isolant. 25 30 Selon un quatrième mode de réalisation de l'invention, l'étape de dépôt d'une couche minérale sur le support adhésif comprend : - une première sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche électriquement conductrice sur le support adhésif et les puces dite première couche pour former la première électrode d'un condensateur puis, - une deuxième sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la 1 o pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche électriquement isolante dite deuxième couche en contact avec la première couche, puis, - une troisième sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une 15 couche électriquement conductrice dite troisième couche en contact avec la deuxième couche pour former la deuxième électrode du condensateur, et l'étape RDL comporte préalablement la réalisation de pistes électriquement conductrices pour connecter la première électrode à un 20 premier plot d'alimentation de la puce et la deuxième électrode à un autre plot d'alimentation de la puce. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, faite à titre d'exemple non 25 limitatif et en référence aux dessins annexés dans lesquels : la figure 1 déjà décrite illustre schématiquement les micro déplacements auxquels sont soumis les puces pendant leur encapsulation, les figures 2 représentent schématiquement les principales étapes selon l'invention de dépôt d'une couche minérale sur la plaque (fig 2b) et 30 d'encapsulation des puces selon que la couche est électriquement isolante (fig 2c) ou conductrice (fig 2d), la figure 3 illustre schématiquement la réalisation d'un blindage électrique ou magnétique, selon l'invention, les figures 4 illustrent schématiquement un premier mode de 35 réalisation d'un condensateur à partir d'un dépôt successif de deux couches minérales, vu en coupe (fig 4a) et de dessous (fig 4b) selon l'invention ; la vue de dessous est représentée sans la (ou les) couche(s) isolant RDL les figures 5 illustrent schématiquement un deuxième mode de réalisation d'un condensateur à partir d'un dépôt successif de trois couches minérales, vu en coupe (fig 5a) et de dessous (fig 5b) selon l'invention ; la vue de dessous est représentée sans la (ou les) couche(s) isolant RDL. D'une figure à l'autre, les mêmes éléments sont repérés par les mêmes références. 1 o Le maintien des puces après l'étape de pose « Pick and Place » est obtenu par un (ou plusieurs) dépôt(s) en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, de matériaux minéraux électriquement isolants ou conducteurs. Ce dépôt pouvant rester pendant tout le procédé de fabrication ou bien être partiellement dissous 15 chimiquement comme on va le voir. On décrit en relation avec les figures 2 les principales étapes du procédé. De manière classique, les puces 1 sont reportées et positionnées sur un support adhésif 13 comportant une « peau collante », les faces avant 20 comportant les plots de connexion 14 (aussi dites faces actives) étant sur ce support adhésif (figure 2a). Selon l'invention, une couche minérale 2 ou 3 de quelques microns (de 1 pm à 5 µm) est déposée sur l'ensemble du wafer reconstitué, c'est-à-dire sur les puces 1 et le support 13, à la température ambiante et à 25 la pression atmosphérique (figure 2b). On distingue deux variantes selon que la couche minérale est électriquement isolante 2 ou conductrice 3. Selon un premier mode de réalisation, une seule couche électriquement isolante 2 est déposée, telle que par exemple une couche de 30 SiO2. Cela présente les avantages suivants : cette couche 2 reste et apporte ainsi une meilleure continuité mécanique avec les puces en silicium ; les piste conductrices d'interconnexion de la couche de redistribution « RDL » généralement en cuivre, auront des 35 propriétés électriques meilleures que dans le cas de dépôt sur les matériaux polymères (utilisés pour les diélectriques) car la permittivité électrique de la silice est voisine de 3,8 comparée à celle des polymères permettant de réaliser les niveaux RDL qui est d'environ 4,5 à 5 ; par ailleurs, dans le cas de puces empilées devant être découplées thermiquement, une couche de quelques microns d'un matériau également isolant thermiquement comme la silice peut permettre de diminuer l'échange thermique entre deux puces superposées. Selon un deuxième mode de réalisation, une seule couche électriquement conductrice 3 est déposée, par exemple une couche de cuivre. Un avantage de cette approche est dans la conservation du cuivre autour et au-dessus de chaque puce, c'est-à-dire sur les 5 faces. Cette pseudo « boîte » permet ainsi de rassembler la chaleur des côtés afin de la conduire vers la face arrière qui, si la dissipation thermique est importante peut être reliée à une plaque froide par l'un des quatre côtés du module final qui serait dédié à la dissipation thermique. De plus cette couche conductrice sur la face arrière du silicium peut servir de blindage électrique vis-à-vis de la plaque (ou « wafer ») reconstituée qui sera collée au-dessus (wafer n + 1 lors d'un empilage de plaques), comme on le verra plus loin. Dans le cas où l'on souhaite obtenir un blindage magnétique, du nickel est utilisé à la place du cuivre. Les puces 1 étant ainsi maintenues en position, l'étape de moulage puis de polymérisation de la résine 12 peut intervenir (figure 2c). Le 30 procédé standard consistant à couler ou à mouler par compression la résine, est utilisé. Le support adhésif 13 est alors décollé. Une amélioration peut être utilisée à ce stade qui s'applique aux deux modes de réalisation précédemment indiqués. On sait que la température de polymérisation des résines 12 détermine leur comportement 35 thermo mécanique en général. Ainsi, plus une résine de type époxyde est 10 15 20 25 polymérisée à haute température (par exemple 220 °C au lieu de 140 °C) plus sa température de transition vitreuse (Tg) sera élevée. Or une couche minérale peut supporter ces plus hautes températures, ce qui n'est pas le cas d'une couche organique telle que celle des supports adhésifs. On va donc remplacer ce support adhésif par un support (« carrier ») classique non adhésif supportant ces températures élevées ; on utilise typiquement un support de plaque « wafer chuck » en acier percé de trous. On procède de la manière suivante. Un transfert des faces arrière des puces sur un support adhésif provisoire permet d'éliminer le support adhésif initial des faces 1 o actives et ainsi de replacer sous vide la plaque reconstituée sur le support de type « Chuck » (face active vers le « chuck »). Après le retrait du support adhésif provisoire, on peut alors couler la résine puis la polymériser à une haute température. On retire alors le support de type « chuck ». 15 Dans le cas du dépôt d'une couche minérale électriquement isolante 2, de SiO2 par exemple, le procédé continue avec la réalisation de la couche dite RDL. Dans le cas du dépôt d'une couche minérale électriquement 20 conductrice 3 de cuivre par exemple, on peut effectuer une attaque chimique par exemple au perchlorure de fer pour dissoudre chimiquement les quelques microns du matériau électriquement conducteur en dehors des puces, en prévision du dépôt des niveaux d'interconnexion de la RDL, pour éviter d'éventuels courts-circuits. Le reste du matériau électriquement 25 conducteur déposé sur les 5 faces des puces reste puisqu'il est noyé dans la résine entourant les puces ; ceci est montré figure 2d. De manière optionnelle, on peut réaliser un blindage ; on procède de la façon suivante décrite en relation avec la figure 3. Une couche isolante 11 est déposée sur l'ensemble de la plaque (issue de l'étape précédente) 30 côté face active, puis un via 15 est percé dans la couche isolante pour connecter cette couche électriquement conductrice 3 dite couche de blindage, à une piste d'interconnexion 16 formée sur la couche isolante 11, cette piste pouvant être reliée à une masse électrique ou mécanique (non représentée) par exemple située sur un côté du module final. Pour réaliser 35 un blindage électrique on utilisera typiquement une couche 3 de Cuivre ou de Nickel alors que pour réaliser un blindage magnétique, on utilisera une couche 3 de Nickel ou de Fer ou de Cobalt. On peut considérer qu'il s'agit d'une première étape de réalisation de la couche RDL. Après cette opération d'attaque chimique avec ou sans blindage, la réalisation de la RDL initialement prévue peut continuer normalement. Selon un troisième mode de réalisation, deux dépôts successifs d'une couche minérale sont combinés, ce qui permet notamment de renforcer le maintien des puces en position. Le fait de disposer dans l'ordre 1 o d'une couche électriquement isolante 2 et d'une couche conductrice 3 de cuivre par exemple permet en outre, en déposant les deux de construire un condensateur. On sait en effet que l'un des principaux problèmes des circuits rapides (microprocesseurs, mémoires etc...) est la distribution de l'énergie au plus près de la demande (en l'occurrence la puce) de façon à minimiser 15 les inductances des pistes conductrices qui conduisent à des retards dans l'alimentation de ces circuits. Le dépôt successif d'une couche électriquement isolante et d'une couche électriquement conductrice permet d'utiliser l'ensemble de la surface autour de chaque puce (ou une partie de celle-ci : le condensateur entoure la 20 puce de préférence sur ses 4 côtés ; mais il peut ne l'entourer que sur un 2 ou 3 côtés) et servant de support à l'interconnexion dite RDL, pour former un ou plusieurs condensateurs comme montré figures 4. De préférence, le condensateur entoure la puce sur ses 4 côtés ; mais il peut ne l'entourer que sur un 2 ou 3 côtés. 25 Selon ce mode de réalisation, après l'étape de dépôt par plasma atmosphérique d'une couche électriquement isolante 2 côté face arrière, un second dépôt par plasma atmosphérique d'une couche électriquement conductrice 3 sur cette couche 2 (côté face arrière), va permettre de constituer la première électrode 3 du condensateur. Après l'étape de 30 moulage et de polymérisation de la résine, et préalablement à la réalisation de la RDL initialement prévue, une couche électriquement conductrice 4 est déposée côté face active de la plaque mais en dehors des faces actives des puces, pour réaliser la seconde électrode 4 en regard de la première, une couche électriquement isolante 11 dite isolant RDL étant déposée en contact 35 avec les faces actives des puces comme on peut le voir sur la figure. On obtient ainsi une couche hétérogène formée d'une partie 4 électriquement conductrice et d'une partie 11 électriquement isolante. Des trous ou « via » sont réalisés dans l'isolant RDL 11, de façon à connecter au plus court les deux électrodes 3 et 4 du condensateur aux alimentations électriques de la puce d'une part (il s'agit en l'occurrence de plots 14 d'alimentation électrique des puces) et aux alimentations électriques extérieures du condensateur d'autre part. La seconde électrode 4 est connectée à une première piste électriquement conductrice 6, cette piste formée sur l'isolant RDL étant 1 o raccordée par un premier via 8 à un plot 14 de la puce correspondant à l'alimentation électrique de celle-ci. Comme on peut le voir figure 4b, cette seconde électrode se prolonge sous la forme d'une piste jusqu'à une ligne de découpe 50 en prévision de l'interconnexion latérale (selon la dimension de l'empilement) d'un module 3D ; ou une piste est formée sur l'isolant RDL 15 jusqu'à la ligne de découpe. Lorsqu'une autre couche électriquement isolante a été déposée sur la couche hétérogène comportant la seconde électrode 4 et l'isolant RDL 11, cette seconde électrode 4 est connectée à la première piste conductrice 6 par un deuxième via 5 traversant cette autre couche comme montré sur la figure 4, le premier via 8 traversant également cette 20 autre couche. Un troisième via 7 permet de connecter la première électrode 3 formée par la couche électriquement conductrice 3 avec une deuxième piste électriquement conductrice 9 reliant un quatrième via 10, cette piste étant raccordée à un second plot 14 d'alimentation électrique de la puce 1. Cette 25 première électrode se prolonge sous la forme d'une piste jusqu'à une autre ligne de découpe 50 en prévision de l'interconnexion latérale (selon la dimension de l'empilement) du module 3D ; ou une piste est formée sur l'isolant RDL jusqu'à la ligne de découpe. 30 Selon un quatrième mode de réalisation décrit en relation avec les figures 5, trois dépôts successifs d'une couche minérale recouvrent les puces sur leurs cinq côtés, pour d'une part construire un condensateur et d'autre part renforcer d'autant le maintien des puces en position : - dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la 35 température ambiante, d'une couche électriquement conductrice 3 sur les puces 1 et le support côté face arrière pour former la première électrode du condensateur, et retrait en dehors des puces à une tolérance près permettant de préférence de connecter cette électrode à un via comme montré figures 2d et 5a, - dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche électriquement isolante 2 sur cette couche 3 et le support, éventuellement jusqu'aux futurs chemins de découpe 50, - dépôt d'une couche électriquement conductrice 4 sur cette couche 2, pour former la seconde électrode du condensateur, et retrait au niveau des futurs chemins de découpe ou plus près des puces pour permettre de préférence de connecter cette électrode à un via comme montré figures 2d et 5a. Selon ce mode de réalisation, le condensateur est majoritairement formé sur la puce alors que dans le cas précédent, il était autour de la puce. Une couche électriquement isolante 11 dite isolant RDL est déposée sur toute la surface de la plaque côté face active, puis les interconnexions des deux électrodes 3 et 4 avec les plots 14 d'alimentation de la puce d'une part et avec les alimentations extérieures d'autre part sont réalisées. La première électrode 3 est reliée par un via 15 à une piste conductrice 16 elle-même reliée à un plot 14 d'alimentation par un via 22. Cette électrode 3 se prolonge sous forme d'une piste 23 jusqu'au futur chemin de découpe 50 en prévision de l'interconnexion latérale (selon la dimension de l'empilement) du module 3D ; ou une piste est formée sur l'isolant RDL jusqu'à la ligne de découpe. De même la seconde électrode 4 est reliée par un autre via 20 à une autre piste conductrice 21 elle-même reliée à un autre plot 14 d'alimentation par un via 19. Cette électrode 4 se prolonge également sous forme d'une piste 24 jusqu'à un autre futur chemin de découpe 50 en prévision de l'interconnexion latérale (selon la dimension de l'empilement) du module 3D ; ou une piste est formée sur l'isolant RDL jusqu'à la ligne de découpe. Les vias traversent l'isolant RDL 11, éventuellement déposé en plusieurs couches 11, 17. Une couche d'isolant RDL 18 peut être déposée côté face active pour recouvrir les pistes 21 et 16. Pour le cas où plusieurs tensions électriques sont nécessaires, une électrode du condensateur peut être fractionnée en 2, 3 ou « n » parties afin de constituer autant de condensateurs qui sont connectés à d'autres plots d'alimentation électrique de la puce prévus pour cela, grâce à d'autres vias. Les électrodes 3, 4 du condensateur étant ainsi connectées aux alimentations électriques de la puce et aux futures alimentations extérieures, i o la réalisation de la RDL prévue initialement peut alors être réalisée, son premier ou seul étage étant réalisé au niveau des pistes conductrices 6 et 9, ou 16 et 21. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée qui comporte des puces (1) présentant des plots de connexion (14) sur une face de la puce dite face avant, qui comprend les étapes suivantes : Al) positionnement des puces (1) sur un support adhésif (13), face 1 o avant sur le support, B1) dépôt d'une résine (12) sur le support adhésif (13) pour encapsuler les puces, puis polymérisation de la résine, Cl) retrait du support adhésif (13), D1) réalisation d'une couche RDL côté face active, 15 caractérisé en ce qu'entre les étapes Al) et B1), il comprend une étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche minérale (2 ou 3) sur le support adhésif (13) et les puces (1). 20 2. Procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée qui comporte des puces (1) présentant des plots de connexion (14) sur une face de la puce dite face avant, qui comprend une étape de : A2) positionnement des puces (1) sur un support adhésif initial (13), face avant sur le support, 25 caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : B2) dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche minérale (2 ou 3) sur le support initial (13) et les puces (1), C2) transfert des puces recouvertes de la couche minérale sur un 30 support adhésif provisoire, face arrière des puces vers ce support adhésif provisoire, D2) retrait du support adhésif initial (13), E2) report des puces sur un support de type « chuck », faces avant des puces vers ce support, 35 F2) retrait du support adhésif provisoire,G2) dépôt d'une résine (12) sur le support de type « chuck » pour encapsuler les puces, puis polymérisation de la résine, H2) retrait du support de type « chuck », 12) réalisation d'une couche RDL côté face active. 3. Procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche minérale est une couche de SiO2 ou de Cu ou de Ni. 10 4. Procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche minérale (3) étant dans un matériau électriquement conducteur, l'étape de réalisation de la couche RDL comporte une étape préalable de retrait de ce matériau en dehors des puces à une tolérance près. 15 5. Procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape de réalisation de la couche RDL comprend une étape de dépôt d'une couche isolante (11) sur l'ensemble de la plaque côté face active, puis une 20 étape de connexion de la couche électriquement conductrice (3) restant au niveau des puces, à une masse électrique ou mécanique, à travers un via (15) et une piste conductrice (16) en vue de réaliser un blindage. 25 6. Procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'une couche minérale comprend : - une première sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une 30 couche électriquement isolante (2) sur le support adhésif (13) et les puces (1) puis, - une deuxième sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une première couche électriquement conductrice (3) en contact 5 15 20 25 30avec la couche électriquement isolante (2), et formant la première électrode d'un condensateur, et en ce que l'étape RDL comporte préalablement les étapes suivantes : - dépôt d'une couche isolante (11) en contact seulement avec la face active des puces (1) et d'une deuxième couche électriquement conductrice (4) en dehors des faces actives des puces (1) en regard de la première électrode, cette deuxième couche (4) formant la deuxième électrode du condensateur, - réalisation de pistes électriquement conductrices (6, 9) pour connecter la première électrode à un premier plot d'alimentation de la puce et la deuxième électrode à un autre plot d'alimentation de la puce. 7. Procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'une couche minérale comprend : - une première sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche électriquement conductrice (3) sur le support adhésif (13) et les puces (1) dite première couche pour former la première électrode d'un condensateur puis, - une deuxième sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche électriquement isolante (2) dite deuxième couche en contact avec la première couche, puis, - une troisième sous-étape de dépôt en phase gazeuse à la pression atmosphérique et à la température ambiante, d'une couche électriquement conductrice (4) dite troisième couche en contact avec la deuxième couche pour former la deuxième électrode du condensateur, et en ce que l'étape RDL comporte préalablement la réalisation de pistes électriquement conductrices (21, 16) pour connecter la premièreélectrode à un premier plot d'alimentation de la puce et la deuxième électrode à un autre plot d'alimentation de la puce. 8. Procédé de fabrication collective d'une plaque reconstituée selon l'une 5 des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce qu'une électrode est fractionnée en plusieurs électrodes, chaque fraction étant connectée à un autre plot d'alimentation électrique de la puce.