FR 2977076 A1 20121228 FR 1155433 A 20110621 GRB 11-1208FR 1 Dispositif semi-conducteur à éléments de connexion électrique encapsulés et son procédé de fabrication La présente invention concerne le domaine des dispositifs semi-conducteurs. On connaît des dispositifs semi-conducteurs qui comprennent une plaquette de substrat et une puce de circuits intégrés montée sur une face de cette plaquette de substrat et un bloc d'encapsulation de la puce de circuits intégrés couvrant cette face. Pour réaliser des connexions électriques extérieures du côté de la puce de circuits intégrés, on aménage des trous dans le bloc d'encapsulation, puis on dépose dans ces trous des gouttes de matière de soudure. Cette manière de procéder présente les inconvénients suivants. La réalisation des trous par laser prend beaucoup de temps. Les trous doivent être nettoyés pour éviter des mauvais contacts électriques des gouttes de matière de soudure sur les pistes ou plots de la plaquette de substrat. Lorsqu'on souhaite que le pas entre les trous soit petit, les trous sont très petits et en conséquence, la mise en place des gouttes de matière de soudure pose de réelles difficultés. Tout cela conduit à des dispositifs semi-conducteurs qui sont coûteux. La présente invention a pour but d'éviter les inconvénients ci-dessus. I1 est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif semi- conducteur qui comprend : réaliser un sous-ensemble comprenant une plaquette de substrat présentant une première et une seconde faces opposées, au moins une puce de circuits intégrés et des éléments de connexion électrique extérieure disposés au-dessus de la première face du substrat ; placer le sous-ensemble dans une cavité d'un moule comprenant une première et une seconde faces opposées et équipé d'un film de moulage en une matière déformable contre sa première face, dans une position telle que la seconde face de la plaquette de substrat soit contre la seconde face de la cavité et que lesdits éléments de connexion électrique soient en contact contre ledit film de moulage respectivement par des zones d'appui ; injecter ou thermo-comprimer une matière d'encapsulation dans la cavité du moule ; et extraire le dispositif semi-conducteur obtenu, les éléments de connexion électrique de ce dispositif semi-conducteur étant enrobés périphériquement par la matière d'encapsulation et présentant des faces d'extrémité découvertes correspondant auxdites zones d'appui. La matière formant ledit film de moulage peut être choisie de telle sorte que lesdits éléments de connexion électrique pénètrent dans ce film. Le procédé peut comprendre : placer le sous-ensemble dans la cavité du moule dans une position telle que la puce de circuits intégrés soit à distance du film de moulage. Le procédé peut comprendre : placer le sous-ensemble dans la cavité du moule dans une position telle que la puce de circuits intégrés soit en appui sur le film de moulage. I1 est également proposé un dispositif semi-conducteur qui comprend une plaquette de substrat présentant une première et une seconde faces opposées, au moins une puce de circuits intégrés et des éléments de connexion électrique extérieure disposés au-dessus de la première face de la plaquette de substrat ; et un bloc d'encapsulation enrobant au moins la périphérie de ladite puce de circuits intégrés et enrobant la périphérie des éléments de connexion électrique de telle sorte que ces derniers présentent des faces d'extrémité découvertes. Le bloc d'encapsulation peut présenter une face parallèle à la première face de la plaquette de substrat. La plaquette de substrat peut comprendre un réseau de connexion électrique d'une face à l'autre, sélectivement relié à ladite puce de circuits intégrés et auxdits éléments de connexion électrique extérieure. I1 est également proposé un empilement qui comprend le dispositif semi-conducteur précité, et qui comprend un autre dispositif semi-conducteur et d'autres éléments de connexion électrique connectés sur lesdits éléments de connexion électrique extérieure. I1 est également proposé un moule destiné à la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, comprenant une cavité destinée à la réception d'une plaquette de substrat présentant une première et une seconde faces opposées et munie d'au moins une puce de circuits intégrés et d'éléments de connexion électrique extérieure au-dessus de la première face, et dans lequel une face de la cavité, destinée à être située à distance de la première face du substrat, est recouverte, au moins partiellement, d'un film de moulage en une matière déformable, au moins dans la zone des éléments de connexion électrique extérieure. La cavité du moule peut présenter une face destinée à recevoir en appui ladite plaquette de substrat. Des dispositifs semi-conducteurs et des modes de fabrication vont maintenant être décrits à titre d'exemples non limitatifs, illustrés schématiquement par le dessin sur lequel : - la figure 1 représente une coupe d'un dispositif semi-conducteur selon l'invention ; - les figures 2 à 5 représentent, en coupe, des étapes de fabrication du dispositif semi-conducteur de la figure 1 ; - la figure 6 représente une coupe d'un empilement comprenant le dispositif semi-conducteur de la figure 1 ; et - les figures 7 et 8 représentent, en coupe, des étapes de fabrication d'un autre dispositif semi-conducteur selon l'invention. Comme illustré sur la figure 1, un dispositif semi-conducteur 1 comprend une plaquette de substrat 2 qui présente des première et seconde faces 3 et 4 opposées, une puce de circuits intégrés 5 montée sur la première face 3 au moyen d'éléments de connexion électrique intermédiaires 6, des premiers éléments de connexion électrique extérieure 7 disposés sur la première face 3, autour et à distance de la périphérie de la puce de circuits intégrés 5, et des seconds éléments de connexion électrique extérieure 8 disposés sur la seconde face 4. Par exemple, ces éléments de connexion électrique peuvent être formés par des billes métalliques ou bien par des colonnes. La plaquette de substrat 2 comprend une matière électriquement isolante et un réseau de connexion électrique 9 permettant de réaliser des connexions électriques d'une face à l'autre et au niveau des faces 3 et 4, de façon à relier sélectivement la puce de circuits intégrés 5, les éléments de connexion électrique 7 et les éléments de connexion électrique 8. La plaquette de substrat 2 peut être à simple couche ou multicouches. Le dispositif semi-conducteur 1 comprend en outre un bloc d'encapsulation 10, en une matière électriquement isolante, qui est formé sur la première face 3 de la plaquette de substrat 2, qui enrobe au moins la périphérie de la puce de circuits intégrés 5 et qui enrobe uniquement la périphérie des éléments de connexion électrique extérieure 7, de telle sorte que ces éléments de connexion électrique extérieure 7, partiellement noyés dans le bloc d'encapsulation 10, présentent des faces d'extrémité 7a découvertes. L'extrémité de la face découverte 7a peut se trouver en saillie à une distance a de la face extérieure 11 du bloc d'encapsulation 10. Selon cet exemple, la face extérieure 11 du bloc d'encapsulation 10 et la face extérieure 12, opposée aux éléments de connexion électrique intermédiaires 6, de la puce de circuits intégrés 5, s'étendent dans un même plan ou approximativement dans le même plan parallèle à la première face 3 de la plaquette de substrat 2, de telle sorte que la face extérieure 12 de la puce de circuits intégrés 5 est découverte. Selon une variante de réalisation, à partir de la première surface 3 de la plaquette de substrat 2, le rapport entre la hauteur des premiers éléments de connexion électrique extérieure 7 et l'épaisseur du bloc d'encapsulation 10 peut être compris entre 1,1 et 1,6. Le dispositif semi-conducteur 1 peut être issu d'une fabrication collective que l'on va maintenant décrire. Comme illustré sur la figure 2, on dispose d'un ensemble 13 comprenant une plaque collective de substrat 14 présentant des première et seconde faces 15 et 16, et comprenant une pluralité de sous-ensembles 17 de dispositifs semi-conducteurs 1 à réaliser, formés dans des emplacements adjacents 18 de la plaque collective de substrat 14. Chaque sous-ensemble 17 comprend, dans chaque emplacement 18, une portion de la plaque collective de substrat 14 correspondant à une plaquette de substrat 2, et, sur la première face 15 de cette plaque collective de substrat 14, une puce de circuits intégrés 5 montée par l'intermédiaire d'éléments de connexion électrique 6 et des premiers éléments de connexion électrique extérieure 7. Chaque sous-ensemble 17 est tel que la hauteur des premiers éléments de connexion électrique extérieure 7, à partir de la première face 14 de la plaque collective de substrat 14, incluant les premières faces des plaquettes de substrat 2, est supérieure à la distance entre la face extérieure 12 de la puce de circuits intégrés 5 et la première face 14 de la plaque collective de substrat 14. Comme illustré sur la figure 3, on dispose d'un moule 101 comprenant deux parties de moule 102 et 103 opposées délimitant entre elles une cavité 104 et présentant des première et seconde faces opposées parallèles 105 et 106, la première face 105 étant équipée d'un film de moulage 107 en une matière déformable. Le film de moulage 107 peut être en un polymère, par exemple en polyéthylène ou en polyuréthane, et peut être accolé à la face 105 de la cavité 104 par laminage. On place l'ensemble 13 dans la cavité 104 du moule 101 dans une position telle que, après fermeture du moule 101, la seconde face 16 de la plaque collective de substrat 14, incluant les secondes faces 4 des plaques de substrat 2, soit contre la seconde face 106 du moule 101 et la face extérieure 12 de chaque puce de circuits intégrés 5 soit en contact ou en appui contre le film de moulage 107 ou pénètre légèrement dans ce dernier, tandis que les premiers éléments de connexion électrique extérieure 7 sont en contact contre le film de moulage 107 par des zones d'appui 107a correspondant aux surfaces découvertes 7a à obtenir. Ces zones d'appui 107a résultent d'une pénétration des parties d'extrémité des premiers éléments de connexion électrique extérieure 7 dans la face 107b du film de moulage 107, tournée du côté de la cavité 104. Le rapport entre la profondeur de pénétration des éléments de connexion électrique 7 dans le film de moulage 107 et l'épaisseur de ce film de moulage 107 peut être compris entre 0,1 et 0,5. Ensuite, comme illustré sur la figure 4, on injecte une matière d'encapsulation, par exemple une résine époxy, dans la cavité 104 de façon à former un bloc collectif d'encapsulation 19 formant un bloc d'encapsulation 10 dans chaque emplacement 18. Après démoulage, comme illustré sur la figure 5, on obtient un second ensemble 20 comprenant l'ensemble 13 et le bloc collectif d'encapsulation 19. Ensuite, on met en place, sur chaque emplacement 18, des seconds éléments de connexion électrique extérieure 8 sur la seconde face 16 de la plaque collective de substrat 14 incluant les secondes faces 4. I1 résulte de ce qui précède que l'on obtient, en une seule opération, l'encapsulation des puces de circuits intégrés et la réalisation de connexions électriques traversant le bloc d'encapsulation. Selon une variante de réalisation, on peut ensuite singulariser les différents dispositifs semi-conducteurs 1 en découpant le second ensemble 20 le long des bords des emplacements 18. Selon une autre variante de réalisation illustrée sur la figure 6, on peut monter au-dessus du dispositif semi-conducteur 1, du côté des premiers éléments de connexion électrique 7, un autre dispositif semi-conducteur 21, par exemple par l'intermédiaire d'éléments de connexion électrique 22 placés sur les premiers éléments de connexion électrique 7 du dispositif semi-conducteurs 1, de façon à réaliser une connexion électrique entre l'autre dispositif semi-conducteur 21 et le réseau de connexion électrique 9 du dispositif semi-conducteur 1. On obtient alors un empilement 23. Par exemple, cet empilement 23 peut être réalisé après que le dispositif semi-conducteur 1 ait été monté sur une plaque de circuit imprimé (non représentée) par l'intermédiaire des seconds éléments de connexion électrique 8. Selon une variante de fabrication illustrée sur la figure 7, un ensemble 13 peut être placé dans la cavité 104 d'un moule 101 dans une position telle que la face extérieure 12 de puces de circuits intégrés 5 soit à distance d'un film de moulage 107. Dans ce cas, comme illustré sur la figure 8, un ensemble 13 obtenu après injection d'une matière d'enrobage comprend alors un bloc collectif d'encapsulation 19 qui recouvre la face extérieure 12 des puces de circuits intégrés 5, ces dernières pouvant être d'épaisseur réduite. La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus décrits. Bien d'autres variantes de réalisation sont possibles, sans 5 sortir du cadre défini par les revendications annexées. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant : réaliser un sous-ensemble (13) comprenant une plaquette de substrat (10) présentant une première et une seconde faces opposées (3, 4), au moins une puce de circuits intégrés (5) et des éléments de connexion électrique extérieure (7) disposés au-dessus de la première face du substrat ; placer le sous-ensemble dans une cavité (104) d'un moule comprenant une première et une seconde faces opposées et équipé d'un film de moulage (107) en une matière déformable contre sa première face (105), dans une position telle que la seconde face de la plaquette de substrat soit contre la seconde face de la cavité et que lesdits éléments de connexion électrique soient en contact contre ledit film de moulage respectivement par des zones d'appui (107a) ; injecter ou thermo-comprimer une matière d'encapsulation (10) dans la cavité du moule ; et extraire le dispositif semi-conducteur obtenu, les éléments de connexion électrique de ce dispositif semi-conducteur étant enrobés périphériquement par la matière d'encapsulation et présentant des faces d'extrémité découvertes (7a) correspondant auxdites zones d'appui. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la matière formant ledit film de moulage est choisie de telle sorte que lesdits éléments de connexion électrique pénètrent dans ce film. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, comprenant : placer le sous-ensemble dans la cavité du moule dans une position telle que la puce de circuits intégrés soit à distance du film de moulage. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, comprenant placer le sous-ensemble dans la cavité du moule dans une position telle que la puce de circuits intégrés soit en appui sur le film de moulage. 5. Dispositif semi-conducteur comprenant une plaquette de substrat (2) présentant une première et une seconde faces opposées (3, 4), au moins une puce de circuits intégrés (5) et des éléments de connexion électrique extérieure (7) disposés au-dessus de la première face de la plaquette de substrat ; et un bloc d'encapsulation (10) enrobant au moins la périphérie de ladite puce de circuits intégrés et enrobant la périphérie des éléments de connexion électrique de telle sorte que ces derniers présentent des faces d'extrémité découvertes (7a). 6. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel le bloc d'encapsulation présente une face parallèle à la première face de la plaquette de substrat. 7. Dispositif selon l'une des revendications 5 et 6, dans lequel la plaquette de substrat comprend un réseau de connexion électrique (9) d'une face à l'autre, sélectivement relié à ladite puce de circuits intégrés et auxdits éléments de connexion électrique extérieure. 8. Empilement comprenant le dispositif semi-conducteur (1) selon l'une quelconque des revendication 5 à 7, et comprenant un autre dispositif semi-conducteur (22) et d'autres éléments de connexion électrique 23) connectés sur lesdits éléments de connexion électrique extérieure (7). 9. Moule destiné à la fabrication du dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendication 5 à 7, comprenant une cavité destinée à la réception d'une plaquette de substrat (2, 14) présentant une première et une seconde faces opposées (3, 15 ; 4, 16) et munie d'au moins une puce de circuits intégrés (5) et d'éléments de connexion électrique extérieure (7) au-dessus de la première face (3, 15), et dans lequel une face (105) de la cavité, destinée à être située à distance de la première face du substrat, est recouverte, au moins partiellement, d'un film de moulage (107) en une matière déformable, au moins dans la zone des éléments de connexion électrique extérieure (7). 10. Moule selon la revendication 9, dans lequel la cavité présente une face (106) destinée à recevoir en appui ladite plaquette de substrat (2, 14).