FR 2969021 A1 20120622 FR 1060628 A 20101216 1 DISPOSITIF DE DECOUPE DE STRUCTURE COMPRENANT DES NANO-OBJETS FILAIRES ET PROCEDE ASSOCIE DESCRIPTION Domaine technique et art antérieur L'invention concerne un dispositif de découpe de structure comprenant des nano-objets filaires. L'invention concerne également un procédé de découpe mis en oeuvre par le dispositif de l'invention. Par nano-objets filaires, il faut entendre, plus particulièrement, des nano-tubes ou des nano-fils. Par structure comprenant des nano-objets filaires, il faut entendre, par exemple, un composite comprenant des nano-tubes sous la forme d'un tapis de nano-tubes enrobés de polymère ou une structure constituée uniquement d'un tapis de nano-tubes. Par découpe de structure comprenant des nano-objets filaires, il faut entendre, par exemple, l'opération de séparation d'un tapis de nano-tubes d'un substrat sur lequel il adhère, l'amincissement d'un tapis de nano-tubes pour, par exemple, former plusieurs tapis de nano-tubes distincts à partir d'un seul tapis de nano-tubes, ou encore l'ouverture des têtes des nano-tubes d'un tapis de nano-tubes. La réalisation d'un tapis de nano-tubes de carbone s'obtient, par exemple, par une synthèse adaptée sur substrat. Le tapis de nano-tubes doit ensuite être séparé du substrat. Selon l'art connu, la séparation, ou décollement, d'un tapis de nano-tubes du substrat sur lequel le tapis adhère est difficile à réaliser. Pour 2 des tapis de faibles épaisseurs, par exemple inférieures à 100pm, la séparation s'avère presque impossible. La demande de brevet WO 2007/149109 A2 divulgue ainsi le décollement d'un tapis de nano-tubes par la technique de micro-électronique connue sous le nom de « lift-off ». Le tapis de nano-tubes est décollé par morceaux à l'aide d'un laser nanoseconde (i.e. un laser qui émet des impulsions dont la largeur est de quelques nano-secondes). Les inconvénients de ce décollement sont non seulement que le tapis ne peut pas être décollé dans son entier, mais également qu'il n'est pas possible de conserver l'alignement des nanotubes une fois le décollement des morceaux effectués. L'invention ne présente pas ces inconvénients. En ce qui concerne l'amincissement des tapis de nano-tubes selon l'art connu, il est réalisé par polissage mécanique, polissage mécano-chimique, attaque chimique ou encore attaque plasma. Chacun de ces procédés d'amincissement présente de nombreux inconvénients. Les inconvénients de l'amincissement par polissage mécanique sont une perte importante de matière, une durée trop importante de l'intervention (la vitesse d'abrasion finale est de quelques dizaines de nanomètres par minute et dépend du matériau d'enrobage des nano-tubes), une limitation des surfaces pouvant être traitées (galettes ou « wafers » de 12 pouces maximum), une impossibilité d'effectuer l'amincissement en continu. Les inconvénients de l'amincissement par polissage mécano-chimique sont à peu près identiques à ceux du polissage mécanique, à l'exception de la durée d'intervention qui est ici 3 moins longue. Un inconvénient supplémentaire est toutefois l'utilisation de produits chimiques. Les inconvénients de l'attaque chimique sont, outre l'utilisation de produits chimiques, une découpe imprécise et une détérioration des nano-tubes. En ce qui concerne l'attaque plasma, les inconvénients en sont principalement la lenteur de l'intervention (la vitesse d'abrasion est de quelques dizaines de nanomètres par minute et dépend du matériau d'enrobage des nano-tubes) et la détérioration des nanotubes. Le procédé d'amincissement de l'invention ne présente pas ces inconvénients. Exposé de l'invention L'invention concerne un dispositif de 15 découpe de structure comprenant des nano-objets filaires, caractérisé en ce qu'il comprend : - une source laser apte à émettre des impulsions laser ayant une largeur comprise entre 1 Femtoseconde et 300 Femtosecondes ; 20 - des moyens aptes à ajuster l'énergie de chaque impulsion laser émise entre 0,lpJ et 10mJ ; - des moyens aptes à régler une fréquence de répétition des impulsions laser émises entre 10Hz et 10kHz ; 25 - des moyens aptes à polariser rectilignement les impulsions laser émises ; - des moyens aptes à focaliser sur la structure les impulsions laser polarisées rectilignement ; et - une enceinte de confinement qui comprend : 4 a) un hublot transparent à la longueur d'onde des impulsions laser, b) un support apte à se déplacer et sur lequel la structure à découper est placée, et c) des moyens pour évacuer hors de l'enceinte les débris qui résultent de la découpe. L'invention concerne également un procédé de découpe de structure comprenant des nano-objets filaires qui est mis en oeuvre par le dispositif de découpe de l'invention. Comme cela a déjà été mentionné précédemment, par découpe de structure comprenant des nano-objets filaires, il faut entendre, par exemple, l'opération de séparation d'un tapis de nano-tubes du substrat sur lequel il adhère, l'amincissement d'un tapis de nano-tubes pour, par exemple, former plusieurs tapis de nano-tubes distincts à partir d'un premier tapis de nano-tubes, ou encore l'ouverture des têtes des nano-tubes d'un tapis de nano-tubes. Le procédé de découpe de l'invention conduit avantageusement, par exemple, à la formation de tapis de nano-tubes de très faibles épaisseurs (typiquement 100pm, voire moins). Dans la suite de la description, le procédé de découpe de nano-objet filaire de l'invention concerne la découpe de nano-tube. De façon plus générale, cependant, le procédé de découpe de l'invention concerne la découpe de tout type de nanoobjet filaire comme, par exemple : - les nanotubes inorganiques, notamment choisis dans le groupe constitué par des nanotubes d'imogolite, des nanotubes de nitrure de bore (BN), des nanotubes d'oxyde de zinc (ZnO), des nanotubes de nitrure de gallium (GaN), des nanotubes de nitrure de silicium (Si3N4), des nanotubes du bisulfure de tungstène (WS2), des nanotubes de bisulfure de 5 molybdène (MoS2), des nanotubes de séléniure de tungstène (WSe2), des nanotubes de séléniure de molybdène (MoSe2), des nanotubes de dioxyde de titane (TiO2) ou des nanotubes de trioxyde de molybdène (MoO3), ou un de leurs mélanges ; - les nanotubes organiques, notamment choisis dans le groupe constitué par des nanotubes de carbone, des nanotubes de peptides, des nanotubes de peptides cycliques, des nanotubes de molécules transmembranaires, des nanotubes d'éther couronnes, des nanotubes de porphyrines, des nanotubes d'aquaporine, des nanotubes de gramicidine, des nanotubes de polymères, des nanotubes formés par autoassemblage de molécules organiques, ou un de leurs mélanges ; - les nanofils notamment choisis dans le groupe constitué par des nanofils d'or (Au), des nanofils d'argent (Ag), des nanofils de nickel (Ni), des nanofils de platine (Pt), des nanofils de silicium (Si), des nanofils de nitrure de gallium (GaN), des nanofils de phosphure d'indium (InP), des nanofils de dioxyde de silicium (SiO2), des nanofils de dioxyde de titane (TiO2), des nanofils d'oxyde de zinc (ZnO), des nanofils de 1,5-diaminoanthraquinone, des nanofils d'ADN (pour « Acide DésoxyriboNucléique »), des nanofils constitués de nanotubes, ou un de leurs mélanges. 6 Lorsque l'invention concerne des nano-tubes de carbone, les nano-tubes de carbone peuvent être des nano-tubes à simple paroi, à double paroi ou multiparois. La densité des nano-tubes est comprise, par exemple, entre 104 et 1013 nano-tubes/cm2 et, plus particulièrement, entre 108 et 1011 nano-tubes/cm2. Le diamètre interne des nano-tubes est par exemple compris entre 0,5nm et 100nm (plus particulièrement entre 0,5nm et 10nm) et le diamètre externe est par exemple compris entre 0,5nm et 500nm (plus particulièrement entre 1nm et 100nm). Brève description des figures D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de modes de réalisation faits en référence aux figures jointes, parmi lesquelles : - la figure 1 représente, de façon symbolique, une découpe de tapis de nano-tubes par attaque transverse selon le procédé de l'invention ; - la figure 2 représente, de façon symbolique, une découpe de tapis de nano-tubes par attaque transverse avec une grande profondeur de champ, selon le procédé de l'invention ; - la figure 3 représente, de façon symbolique, une découpe de tapis de nano-tubes à l'aide d'une nappe laser selon le procédé de l'invention ; - la figure 4 représente, de façon symbolique, un décollement de tapis de nano-tubes selon le procédé de l'invention ; 7 - la figure 5 représente un tapis de nanotubes obtenu à la suite d'une découpe en biais des nano-tubes selon le procédé de l'invention ; la figure 6 représente le schéma de principe d'un dispositif de découpe de tapis de nanotubes apte à mettre en oeuvre le procédé de l'invention ; - la figure 7 représente un mode de réalisation particulier d'un élément du dispositif 10 représenté en figure 6 ; - la figure 8 représente un élément constitutif du dispositif de la figure 6, selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention - la figure 9 illustre la formation des 15 signaux impulsionnels laser qui sont utilisés pour la mise en oeuvre du procédé de découpe de l'invention ; - les figures 10 et 11 représentent, à titre d'exemples, des photographies de résultats de découpe obtenus par le procédé de l'invention. 20 Sur toutes les figures, les mêmes références désignent les mêmes éléments. Exposé détaillé de modes de réalisation particuliers de l'invention. La figure 1 représente, de façon 25 symbolique, une découpe de tapis de nano-tubes par attaque transverse selon l'invention. Un faisceau F d'impulsions laser émises par une source laser S est focalisé, par un dispositif de focalisation L, sur l'épaisseur d'un tapis T de nana- 30 tubes nt. Les nano-tubes nt sont enrobés dans un polymère P qui participe au maintien des nano-tubes. De 8 façon plus générale, cependant, l'invention concerne également, et de façon très avantageuse, le cas où les nano-tubes ne sont pas enrobés de polymère, mais où ce sont les seules forces de Van der Waals entre les nana- tubes qui participent au maintien du tapis. Le faisceau F attaque le tapis sur son épaisseur. Le tapis se déplace rectilignement selon une direction dl sensiblement perpendiculaire à l'axe de propagation des impulsions du faisceau F. La direction dl peut être unidirectionnelle comme représenté sur la figure 1 ou bi-directionnelle (mouvement de va-et-vient). Les impulsions laser pénètrent ainsi progressivement le tapis de nano-tubes de sorte que deux tapis de nanotubes finissent par être réalisés à partir du tapis T initial. Le tapis T initial a, par exemple, une épaisseur égale à un ou plusieurs millimètres et une longueur comprise, par exemple, entre un centimètre et plusieurs dizaines de centimètres. L'opération de découpe peut être répétée à plusieurs reprises de sorte qu'il est possible de former plusieurs tapis de nanotubes dont les longueurs sont identiques à celle du tapis T initial et dont l'épaisseur peut atteindre une valeur avantageusement très faible, par exemple inférieure à 100pm, avec une précision de plus ou moins 5pm. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, plusieurs tapis de nano-tubes peuvent être réalisés simultanément à l'aide de plusieurs faisceaux laser parallèles émis à partir d'une ou de plusieurs sources laser. 9 Comme cela sera précisé ultérieurement (cf. figure 6), pour réaliser une découpe telle que mentionnée ci-dessus, les impulsions laser sont caractérisées, de façon préférentielle, par les grandeurs suivantes : une durée comprise entre 1 et 300 Femtosecondes; toute longueur d'onde compatible avec la génération d'impulsions ayant la durée souhaitée, par exemple 800nm ; une fréquence de répétition comprise entre 10Hz et 100kHz ; une polarisation rectiligne des impulsions du faisceau laser; une énergie de chaque impulsion comprise entre 0,lpJ et 10mJ ; un diamètre du faisceau laser compris entre 0,lcm et quelques centimètres. La figure 2 représente, de façon symbolique, une découpe de tapis de nano-tubes avec une grande profondeur de champ, selon le procédé de l'invention. Les impulsions du faisceau laser F sont ici focalisées à l'aide d'un dispositif apte à réaliser une focalisation sur une distance de plusieurs centimètres dans l'axe du faisceau laser, par exemple une lentille de type conique ou un axicon A. Pour effectuer la découpe, le tapis T de nano-tubes se déplace par rapport au faisceau F dans une direction dl sensiblement perpendiculaire à l'axe de propagation du faisceau F. La découpe du tapis de nano-tubes conduit ici aussi à la formation de deux tapis séparés. Pour 10 des raisons de clarté, la figure 2 représente uniquement l'action du faisceau laser dans l'épaisseur du tapis de nano-tubes et non les deux tapis de nanotubes qui se forment. La figure 3 représente, de façon symbolique, une découpe de tapis de nano-tubes à l'aide d'une nappe laser selon le procédé de l'invention. Les impulsions du faisceau laser F sont ici focalisées à l'aide d'un dispositif apte à réaliser une focalisation sur une distance de plusieurs centimètres perpendiculaire à l'axe du faisceau laser, par exemple une lentille de type cylindrique LN. Le faisceau laser F est alors élargi sous la forme d'une nappe laser Np. Pour effectuer la découpe, le tapis de nano-tubes se déplace, vers la source laser S, dans une direction d2 dont la direction est sensiblement parallèle à la nappe laser Np et perpendiculaire à l'épaisseur du tapis de nano-tubes. La découpe du tapis de nano-tubes conduit ici aussi à la formation de deux tapis distincts. Pour des raisons de clarté, la figure 3 représente uniquement l'action du faisceau laser dans l'épaisseur du tapis de nano-tubes et non les deux tapis de nanotubes qui se forment. La figure 4 représente une opération de découpe d'un composite constitué d'un tapis de nanotubes et d'un substrat Su sur lequel le tapis est formé. La découpe du composite conduit à décoller le tapis de nano-tubes du substrat Su à l'aide d'un faisceau F d'impulsions laser. Les caractéristiques des impulsions laser sont, par exemple, dans la gamme des 11 caractéristiques mentionnées précédemment en référence à la figure 1. La figure 5 représente un tapis de nanotubes dont une partie est usinée en biais selon le procédé de l'invention. Pour obtenir un tel résultat, le faisceau laser attaque le tapis de nano-tubes en biais, avec un angle d'attaque avantageusement quelconque. La figure 6 représente le schéma de principe d'un dispositif apte à mettre en oeuvre le procédé de découpe de l'invention. Le dispositif comprend une source SL d'impulsions laser I, un dispositif D apte à mettre en forme les impulsions laser I sous la forme du faisceau d'impulsions F, un dispositif L de focalisation du faisceau F et une enceinte de confinement E où l'échantillon Ech à découper est placé sur un support apte à se déplacer en translation et/ou en rotation dans le volume de l'enceinte. Les impulsions laser I émises par la source laser SL ont une durée, par exemple, de quelques dizaines de Femtosecondes. Plus généralement, la durée des impulsions laser est comprise entre 1 et 300 Femtosecondes. Comme cela sera précisé ultérieurement en référence à la figure 8, le dispositif D de mise en forme des impulsions laser comprend des moyens aptes à ajuster l'énergie des impulsions laser, des moyens aptes à régler la fréquence de répétition des impulsions laser et des moyens aptes à polariser rectilignement les impulsions laser. Les impulsions laser polarisées rectilignement ont, de façon générale, 12 une composante selon l'axe des nano-tubes et une composante selon un axe perpendiculaire à l'axe des nano-tubes. La polarisation des impulsions laser peut dépendre de la chiralité des nano-tubes. De façon préférentielle, la polarisation rectiligne des nanotubes est parallèle à l'axe des nano-tubes ou perpendiculaire à l'axe des nano-tubes. Les impulsions mises en forme délivrées par le dispositif D sont ensuite focalisées par le dispositif de focalisation L. Le dispositif de focalisation L est constitué, par exemple, de une ou plusieurs lentilles ou de un ou plusieurs axicons. Le diamètre de la tache focale du faisceau d'impulsions est déterminé par le choix de l'optique de focalisation. Ce diamètre est typiquement compris entre 10pm et 500pm et, de préférence, entre 20pm et 80pm. La longueur de Rayleigh est également déterminée par le choix de l'optique de focalisation. Elle est typiquement comprise entre 2,5mm et 50cm. L'axicon est choisi, par exemple, pour obtenir de grandes longueurs de Rayleigh. La fluence du faisceau laser qui est souhaitée au niveau de l'échantillon est obtenue par le choix de l'énergie de chaque impulsion laser combiné au choix du diamètre de la tache focale au niveau de l'échantillon. La fluence est typiquement comprise, en fonction de l'utilisation souhaitée, entre lpJ/cm2 et 20J/cm2. A titre d'exemple non limitatif, la fluence est de 3J/cm2 pour une lentille L de distance focale égale à 30cm, un faisceau incident de 7mm de diamètre, des impulsions de 100pJ par impulsion. Dans ce cas, la longueur de Rayleigh est de lcm. L'échantillon Ech placé dans l'enceinte E est apte à se 13 déplacer en translation et/ou rotation dans l'espace de l'enceinte E référencé par rapport à un trièdre direct (x, y, z), le plan z=0 étant un plan parallèle à la surface du composite. Un hublot H transparent à la longueur d'onde du faisceau F est formé dans la paroi de l'enceinte E afin de laisser passer les impulsions focalisées qui atteignent alors l'échantillon. De l'argon sous pression Ar est introduit dans l'enceinte E sous la forme d'un rideau R qui s'évacue, par le haut de l'enceinte, à l'aide d'un dispositif de pompage P. L'opération de découpe de la structure s'accompagne de la formation de débris d. Les débris d sont acheminés par le flux d'argon R et évacués, hors de l'enceinte E, à l'aide du rideau d'argon. La figure 7 représente un complément possible au dispositif représenté en figure 6. L'élément particulier de la figure 7 est un système destiné à empêcher le dépôt des débris sur l'échantillon. L'arrivée de l'argon se fait ici au plus près de l'échantillon, à l'aide d'un capillaire Cp. La valeur « élevée » du débit d'argon permet de réduire fortement le dépôt des débris éjectés lors de la découpe sur la partie du tapis découpée. Les débris d qui se forment sont évacués de l'enceinte avec le gaz (système de pompage). La figure 8 représente une vue détaillée d'un mode de réalisation préférentiel du dispositif D apte à mettre en forme les impulsions laser délivrées par la source SL. Le dispositif D comprend des moyens (Lm, P1) aptes à ajuster l'énergie des impulsions laser, des moyens (PK) aptes à régler la fréquence de 14 répétition des impulsions laser et des moyens (P2) aptes à polariser rectilignement les impulsions laser. Dans un mode de réalisation préférentiel, le dispositif D comprend également un dispositif apte à orienter les impulsions laser dans la direction souhaitée, par exemple un miroir Mr. Les moyens aptes à ajuster l'énergie des impulsions laser comprennent, par exemple, une lame demi-onde Lm et un premier polariseur rectiligne P1. Les moyens aptes à régler la fréquence de répétition sont constitués, par exemple, de polariseurs et d'une cellule de Pockels PK commandée par un signal de commande k. Les moyens pour polariser rectilignement les impulsions sont constitués, par exemple, d'un polariseur P2. La lame demi-onde Lm et le polariseur P1 permettent d'ajuster l'énergie des impulsions laser de sorte que l'énergie de chaque impulsion laser soit comprise entre 0,lpJ et 10mJ (préférentiellement entre lpJ et 100pJ). Les impulsions laser dont l'énergie est ajustée pénètrent ensuite dans la cellule de Pockels PK, laquelle permet de régler leur fréquence de répétition à la valeur souhaitée selon l'intervention choisie. La fréquence de répétition des impulsions I qui pénètrent dans la cellule de Pockels est sensiblement comprise entre 1kHz et 10kHz. La fréquence de répétition des impulsions qui sortent de la cellule de Pockels est préférentiellement réglée sur une valeur comprise entre 10Hz et la fréquence de répétition des impulsions entrantes. La fréquence de répétition des impulsions laser est ajustée en fonction de la vitesse de découpe souhaitée. Plus la fréquence de répétition 15 est élevée, plus la découpe s'effectue rapidement. La fréquence de répétition peut toutefois devoir être diminuée pour être adaptée à la vitesse de déplacement de l'échantillon par rapport au faisceau laser. La raison de cette diminution de la fréquence de répétition est la nécessité de limiter le recouvrement local des impulsions laser sur l'échantillon, lequel recouvrement conduit à des effets thermiques nuisibles. A titre d'exemple non limitatif, la vitesse de déplacement d'un échantillon peut être comprise entre 100microns/s et 1,5mm/s. La figure 9 illustre le processus de formation des impulsions du faisceau F à partir des impulsions I émises par la source laser. Trois signaux différents sont représentés sur la figure 9, à savoir : - les impulsions I qui sont émises par la source laser avec une fréquence de répétition fI par exemple égale à 1kHz ; - le signal de commande k de la cellule de Pockels qui autorise ou non le transfert des impulsions selon un état passant (état « ON ») ou bloqué (état « OFF ») ; - le faisceau F des impulsions qui sont délivrées en sortie du polariseur P2 et dont la fréquence de répétition fF est par exemple comprise entre 500Hz et 1kHz. Le tableau 1 ci-dessous résume, à titre d'exemple non limitatif, un certain nombre de caractéristiques des impulsions du faisceau laser F (fluence et fréquence de répétition) en fonction des interventions souhaitées. Fluence Fréquence fF de Intervention (mJ/cm2) répétition des impulsions >50 10kHz Découpe grossière d'un composite ou d'un tapis de nano- tubes 10 à 50 10Hz Découpe précise d'un composite ou d'un tapis de nano-tubes REVENDICATIONS1. Dispositif de découpe de structure comprenant des nano-objets filaires (nt), caractérisé en ce qu'il comprend : - une source laser (SL) apte à émettre des impulsions laser (I) ayant une largeur comprise entre 1 Femtoseconde et 300 Femtosecondes ; - des moyens (Lm, P1) aptes à ajuster l'énergie de chaque impulsion laser émise entre 0,1pJ et 10mJ ; - des moyens (PK) aptes à régler une fréquence de répétition des impulsions laser émises entre 10Hz et 10kHz ; - des moyens (P2) aptes à polariser rectilignement les impulsions laser émises ; - des moyens (L) aptes à focaliser sur la structure les impulsions laser polarisées rectilignement ; et - une enceinte de confinement (E) qui comprend : a) un hublot (H) transparent à la longueur d'onde des impulsions laser, b) un support apte à se déplacer (Sp) et sur lequel la structure à découper est placée, et c) des moyens pour évacuer hors de l'enceinte les débris (d) qui résultent de la découpe. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens (Lm, P1) aptes à ajuster l'énergie de chaque impulsion laser émise entre 0,1pJ et 10mJ comprennent une lentille demi-onde (Lm) et un polariseur (P1) et les moyens (CK) aptes à régler une 18 fréquence de répétition des impulsions laser émises entre 10Hz et 10kHz comprennent une cellule de Pockels (PK). 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel les moyens (P2) aptes à polariser rectilignement les impulsions laser émises polarisent les impulsions laser selon un axe parallèle à l'axe des nano-tubes ou selon un axe perpendiculaire à l'axe de nano-tubes. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les moyens pour évacuer, hors de l'enceinte, les débris qui résultent de la découpe comprennent une arrivée de gaz sous pression placée à proximité de la structure et des moyens d'évacuation du gaz aptes à entraîner les débris qui résultent de la découpe hors de l'enceinte. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les moyens aptes à focaliser sur la structure les impulsions laser polarisées rectilignement sont constitués d'un dispositif qui focalise les impulsions laser sur une distance prédéterminée dans l'axe du faisceau laser. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les moyens aptes à focaliser sur la structure les impulsions laser polarisées rectilignement sont constitués d'un dispositif qui focalise les impulsions laser sur une 19 distance prédéterminée dans une direction perpendiculaire à l'axe de faisceau laser. 7. Procédé de découpe de structure comprenant des nano-objets filaires (nt) à l'aide d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel : a) les impulsions laser polarisées rectilignement qui sont focalisées sur la structure ont une direction de propagation sensiblement perpendiculaire à une surface plane qui définit une épaisseur de la structure, et b) la structure (T) est mue selon une direction parallèle à ladite surface plane et perpendiculaire à la direction de propagation des impulsions. 8. Procédé de découpe de structure selon la revendication 6, dans lequel les laser polarisées rectilignement sont forme d'une nappe laser (Np) sur une de la structure, la nappe laser (Np) définissant un plan sensiblement perpendiculaire à un 25 plan défini par l'épaisseur de la structure, et en ce que la direction selon laquelle la structure est mue est sensiblement perpendiculaire au plan défini par l'épaisseur de la structure. 30 9. Procédé selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la structure est constituée d'un tapis de comprenant dispositif impulsions focalisées sous la épaisseur des nano-objets filaires (nt) à l'aide d'un 20 nano-objets filaires collés sur un substrat (Su), l'opération de découpe consistant à décoller le tapis de nano-objets filaires du substrat. 10. Procédé selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la structure comprend un tapis de nanoobjets filaires (T), l'opération de découpe étant un amincissement du tapis de nano-objets filaires. 11. Procédé selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la structure comprend un tapis de nano- objets filaires munis de têtes ou extrémités, l'opération de découpe étant une découpe des têtes ou extrémités des nano-objets filaires. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel les nano-objets filaires sont des nanotubes inorganiques, notamment choisis dans le groupe constitué par des nanotubes d'imogolite, des nanotubes de nitrure de bore (BN), des nanotubes d'oxyde de zinc (ZnO), nitrure de gallium (GaN), des nanotubes silicium (Si3N4), des tungstène (WS2), des molybdène (MoS2), des tungstène (WSe2), des molybdène (MoSe2), des nanotubes de dioxyde de titane (TiO2) ou des nanotubes de trioxyde de molybdène (MoO3), ou un de leurs mélanges. des nanotubes de de nitrure de nanotubes du bisulfure de nanotubes de bisulfure de nanotubes de séléniure de nanotubes de séléniure de30 21 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel les nano-objets filaires sont des nanotubes organiques, notamment choisis dans le groupe constitué par des nanotubes de carbone, des nanotubes de peptides, des nanotubes de peptides cycliques, des nanotubes de molécules transmembranaires, des nanotubes d'éther couronnes, des nanotubes de porphyrines, des nanotubes d'aquaporine, des nanotubes de gramicidine, des nanotubes de polymères, des nanotubes formés par autoassemblage de molécules organiques, ou un de leurs mélanges. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel les nano-objets filaires sont des nanofils notamment choisis dans le groupe constitué par des nanofils d'or (Au), des nanofils d'argent (Ag), des nanofils de nickel (Ni), des nanofils de platine (Pt), des nanofils de silicium (Si), des nanofils de nitrure de gallium (GaN), des nanofils de phosphure d'indium (InP), des nanofils de dioxyde de silicium (SiO2), des nanofils de dioxyde de titane (TiO2), des nanofils d'oxyde de zinc (ZnO), des nanofils de 1,5-diaminoanthraquinone, des nanofils d'ADN (ADN pour « Acide DésoxyriboNucléique »), des nanofils constitués de nanotubes, ou un de leurs mélanges.