FR 3008827 A1 20150123 FR 1357046 A 20130717 PROCEDE DE REGENERATION AUTOMATIQUE D'UN CAPTEUR CMOS SOUMIS A UN RAYONNEMENT GAMMA OU BETA DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne un procédé et un dispositif pour permettre de régénérer un capteur CMOS mis en oeuvre dans une caméra, notamment lorsque celle-ci est soumise à un flux de rayonnement de type gamma ou bêta qui peut en affecter les performances. Les techniques électroniques pour produire un signal vidéo ont longtemps été basées sur l'utilisation de tubes image de type vidicon ou orthicon. Ces capteurs sont basés sur le guidage d'un faisceau d'électrons sur une cible photosensible dans le but d'arracher un nombre d'électrons proportionnel à la quantité de photons déposée sur le point d'impact du faisceau d'électrons. Avec un multiplexage des pixels de gauche à droite et de haut en bas sur une cible prédéterminée, on peut restituer un signal électrique propositionnel aux charges créées pour chaque pixel ciblé. On peut ainsi reproduire une image standard vidéo de 625 lignes et 25 images par secondes comme le standard vidéo PAL. Dans l'industrie nucléaire, la technique vidéo utilise un tube de type vidicon qui présente une excellente tenue aux irradiations. Elle est actuellement la seule qui permet d'avoir une image noir et blanc dans un milieu très irradiant. Cette technique est opérationnelle jusqu'à 1 MegaGray (MGy). Cette technique vidéo à tube électronique est, depuis quelques années, une technique en voie d'obsolescence car elle ne correspond plus à la dynamique du marché mondial. Deux autres types de capteurs ont fait leur apparition. Le premier est le capteur CCD (Charge Coupled Device), pour lequel chaque pixel image est transféré par des registres à décalage vers l'étage de sortie. Les tentatives pour utiliser cette technologie en vue de réaliser une camera résistante à l'irradiation gamma n'ont pas atteint les résultats attendus. La deuxième technologie, plus récente, est le CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Dans un capteur CMOS, le signal délivré par chaque pixel est amplifié et un multiplexeur permet de lire chaque signal. Le signal de sortie peut être numérique ou analogique. Des essais ont été réalisés, pour tenter de construire une caméra CMOS qui tient à l'irradiation, dans un milieu soumis à un rayonnement du type gamma ou bêta. Trois méthodes sont possibles pour « durcir » un équipement électronique, afin de réduire l'effet de l'irradiation sur celui-ci. On peut tout d'abord réaliser une protection physique de l'équipement, afin de le protéger du rayonnement nucléaire. On enferme donc l'équipement, par exemple des cartes électroniques, dans une enceinte, qui va permettre de réduire le plus possible l'irradiation subie par l'équipement. Les matériaux les plus souvent utilisés pour la réalisation de l'enceinte sont le plomb (densité 11,35) ou le dénal (Densité 19). Mais ces matériaux sont lourds, et le poids de cette protection est donc élevé, nécessitant un renforcement des bâtis et donc un coût important. Selon une autre méthode, on développe un ASIC particulier, conçu pour résister aux irradiations. Les technologies actuelles permettent de concevoir un design résistant. La technologie DMILL (Durcie Mixte sur Isolant Logico-Linéaire) a été développée pour ce type d'utilisation. D'autres technologies permettent aussi ce type de conception, par exemple la technologie AsGa (Arséniure de Gallium). Le codeur CANARIS (3 MGy) utilise notamment la technologie DMILL. Une autre méthode est décrite dans le document «Enhancement of the total dose tolerance of a commercial CMOS active pixel sensor by use of a thermal annealing», de J.M.Armani et al., Proceedings of RADECS 2011, p.1-4. Selon cette méthode de régénération, on réalise un chauffage du composant pendant son irradiation. Le chauffage permet de neutraliser les effets de l'irradiation en évacuant une partie des charges piégées par l'ionisation des matériaux. Le composant retrouve ainsi un équilibre électronique identique à celui qu'il a hors zone irradiante. Cette technique prend en compte deux paramètres : - d'une part, la température de régénération qu'il faut atteindre pour chauffer la puce interne sans la détruire par un effet thermique, ni casser le « bonding » interne (c'est-à-dire les connexions entre la puce et les pattes du boitier externe) ; - et, d'autre part, la durée de chauffage nécessaire pour que la puce retrouve son équilibre interne paires électron/trou, durée qui - si elle est trop longue - peut également entraîner la destruction de la puce. Dans ces conditions, il existe un besoin de maîtrise des paramètres du procédé de régénération permettant d'une part de limiter les risques de destruction de la puce interne et d'autre part d'optimiser le procédé lui-même. En ce sens, l'invention a pour objectif de perfectionner le procédé de régénération thermique. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention concerne d'abord un procédé de régénération d'un capteur CMOS soumis à un rayonnement gamma et/ou béta qui dégrade ses performances, comportant les étapes suivantes : a) mesurer la consommation électrique du capteur, b) si cette consommation est supérieure à un seuil prédéterminé, strictement supérieur à la consommation du courant par le capteur en dehors des périodes d'irradiation, arrêter l'alimentation du capteur CMOS et le soumettre à un chauffage afin de le régénérer. Après l'étape b), l'alimentation du capteur CMOS est rétablie, et l'étape a) peut recommencer. Il se peut que, après le rétablissement de l'alimentation du capteur CMOS, le courant consommé diminue d'abord, puis croisse en fonction de la dose de rayonnement reçu. Les inventeurs ont observé que le courant consommé par la puce est en relation directe avec l'état de dégradation ou de régénération de la puce. L'invention permet d'utiliser cet effet pour piloter la régénération thermique. Le seuil prédéterminé de consommation du capteur peut correspondre à la consommation du courant par le capteur en dehors des périodes d'irradiation augmentée d'une valeur correspondant à un supplément de consommation sous irradiation, par exemple une valeur permettant d'obtenir une image de qualité sous irradiation. Selon un mode de réalisation, on fait passer dans une résistance le courant qui circule dans le capteur et on compare la tension aux bornes de cette résistance à une tension de référence. En outre, la température du capteur peut être mesurée et le chauffage appliqué au capteur être régulé en fonction de ladite température. Le capteur et des moyens pour mesurer sa consommation électrique peuvent être disposés dans une zone sous irradiation gamma et/ou bêta, tandis que des moyens pour comparer ladite consommation à un seuil prédéterminé, pour arrêter l'alimentation du capteur et piloter le chauffage, peuvent être disposés dans une zone hors irradiation. Le capteur CMOS peut être soumis à un rayonnement gamma ou bêta d'énergie comprise entre 20 kev et 5 Mev. Le débit de dose peut, quant à lui, être compris entre quelques mGy/h et 1,5 KGy/h. Le courant consommé, en dehors des périodes d'irradiation, peut être compris entre 10 mA et 100 mA. La différence entre ledit seuil prédéterminé et la consommation du courant par le capteur en dehors des périodes d'irradiation peut être comprise entre 5 mA et 20 mA. L'invention concerne également un dispositif de régénération d'un capteur CMOS, comportant : - des moyens pour mesurer la consommation électrique du capteur, - des moyens pour comparer cette consommation à un seuil prédéterminé, strictement supérieur à la consommation du courant par le capteur en dehors des périodes d'irradiation, pour arrêter l'alimentation du capteur CMOS si la consommation dépasse le seuil prédéterminé et pour le soumettre à un chauffage afin de le régénérer. Un tel dispositif peut comporter en outre des moyens pour mesurer la température du capteur, et des moyens pour réguler le chauffage en fonction de la température mesurée. Le capteur et les moyens pour mesurer sa consommation électrique sont destinés à être placés sous irradiation, tandis que les moyens pour comparer sa consommation à un seuil prédéterminé, pour arrêter l'alimentation du capteur et pour piloter ou commander le chauffage peuvent être placés dans une zone hors irradiation. L'invention permet de réaliser une caméra opérationnelle pour des débits de dose très variables. Elle permet d'optimiser la durée de vie de la caméra. Cette dernière peut être entièrement numérique. La mise en oeuvre de l'invention est compatible avec tous les capteurs vidéo CMOS du commerce. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS - La figure 1 représente schématiquement l'évolution de la consommation d'un capteur CMOS mis en oeuvre dans une caméra soumise à une irradiation, - la figure 2 représente schématiquement des étapes d'un procédé de régénération selon l'invention, - la figure 3 représente une réalisation détaillée d'un dispositif selon l'invention, - les figures 4 et 5 représentent schématiquement des architectures de caméras. - la figure 6 représente une structure de pixel pouvant être mis en oeuvre dans le cadre de l'invention. - la figure 7 représente un exemple de mire. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Dans la suite, on considère un capteur d'images de type CMOS comportant une matrice de pixels, chaque pixel comportant lui-même une photodiode CMOS. Un exemple de structure d'un tel pixel est représenté en figure 6, elle correspond à la structure décrite dans l'article de J.M. Armani et al. déjà cité ci-dessus. Elle comporte une photodiode 54 et un ensemble de 3 transistors 51, 52,53, dans lequel le transistor 51 est utilisé comme « reset», le transistor 52 est monté en amplificateur de gain suiveur de source, et le en' (53) est utilisé comme commutateur de sélection de la ligne et est relié à un bus colonne 57. Ce capteur CMOS peut être soumis à un rayonnement gamma et/ou bêta, par exemple d'énergie comprise entre 20 kev et 5 Mev. Le débit de dose peut par exemple être compris entre quelques mGy/h, par exemple 5 mGy/h, et 250 Gy/h ; ces valeurs correspondent à une gamme d'utilisation pour la plupart des besoins du milieu nucléaire. Des essais ont été fait jusqu'à 1,5 KGy/h. Un exemple de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention va être expliqué en liaison avec la figure 1. Sur cette figure, on représente l'évolution, en temps, de la consommation en courant du capteur. Sur cette figure, on peut identifier des périodes de consommation C1, C2, C3, C4, alors que le capteur est sous irradiation, entre lesquelles on voit des périodes de repos R1, R2, R3, pendant lesquelles le capteur est toujours sous irradiation, mais n'est pas alimenté en tension. On a également identifié (Tfs) la durée de fonctionnement au début des périodes C1, C2, C3, C4 sous irradiation, mais avant accroissement du courant consommé par le capteur (Tfs est par exemple égal à environ 25 minutes). Pendant cette durée Tfs, après remise sous tension du composant, son refroidissement se poursuit et le rééquilibrage du courant consommé se termine. Puis la consommation en courant croît. La consommation typique du capteur, hors irradiation, est identifiée, par un certain niveau de courant lo, par exemple 40 mA sur la figure 1. C'est par exemple le courant consommé par le capteur lorsque celui-ci est neuf. Lors des périodes d'irradiation, ce courant augmente, après la période initiale Tfs, en général de manière sensiblement proportionnelle à la dose d'irradiation reçue. Par la suite, on appellera cette augmentation Al. Celle-ci est fonction du temps. Sur la figure 1, on identifie une augmentation Al d'environ 6 mA pour une irradiation d'environ 500 Gy. On fixe une certaine limite, ou valeur de référence, qui est supérieure au niveau de courant hors irradiation et qui correspond à une utilisation normale sous irradiation. On entend par utilisation « normale » une utilisation qui n'atteint pas une surconsommation du courant qui détériore une fonction de la puce CMOS sous irradiation ; ou encore: si on double la valeur d'un courant consommé inférieur ou égal à cette valeur de référence, la puce est encore récupérable par la régénération ; si on double une valeur de courant, située elle-même au-delà de cette valeur de référence, la puce est irrécupérable par la régénération car certaines fonctions internes sont dééeriorées définitivement. Cela revient à déterminer une valeur de Al telle que lo + Al corresponde à cette utilisation normale sous irradiation. Lorsque le courant consommé dépasse cette valeur de référence, l'alimentation du capteur en courant est coupée ; le capteur reste néanmoins dans la zone qui est sous irradiation et il est soumis à une étape de chauffage, par exemple à l'aide d'une résistance qui est appliquée au capteur ou à son boitier. On peut chauffer pendant une durée à l'expiration de laquelle un retour, au plus près de la consommation d'origine, après régénération, est observé. Ce retour au point nominal indique que la régénération a été complète. On peut, en outre, appliquer à la résistance, par exemple par collage, une sonde de température, par exemple une sonde de platine telle qu'une sonde PT1000. Cette sonde permet de maitriser la conduction thermique de la résistance au capteur CMOS ou à son boitier. Le signal de cette sonde est exploité par un algorithme dans une carte, ce signal est lu par exemple toutes les secondes. La mesure du courant consommé, après la période initiale Tfs, fournit un signal qui évolue proportionnellement à la dose reçue par le capteur. Cette mesure est réalisée de manière périodique, de préférence à une fréquence très élevée de manière à avoir une mesure quasiment en continu, par exemple toutes les secondes. Par exemple, pour un courant consommé, hors irradiation, de 40 mA, et pour un écart, par rapport à cette valeur, de 6 mA, on obtient un seuil de commutation (ou de déclenchement de la régénération) de 46 mA. On mesure le courant consommé par la puce vidéo : lorsque ce courant dépasse 46 mA, l'alimentation du capteur est coupée et on déclenche la régénération de la puce vidéo, par chauffage. D'une manière générale, le courant consommé, hors irradiation, est par exemple compris entre 10 et 100 mA, et l'écart, par rapport à cette valeur, et dû à l'irradiation, peut être compris entre par exemple 5 mA et 20 mA. En d'autres termes : on mémorise le courant consommélo par le capteur hors irradiation, on lui ajoute une valeur de courant de dérive Al acceptable pour une image de qualité, sous irradiation, la somme 10+Al de ces deux courants devenant le seuil de déclenchement pour la régénération du capteur vidéo. La qualité de l'image est appréciée grâce à une mire de référence qui définit la qualité de la reproduction de cette image ; un exemple de mire est représenté en figure 7, qui comporte une pluralité de barres 40, 41, ici verticales. Pour tester la qualité de l'image, on visualise cette mire. La qualité est considérée suffisante tant qu'il est possible de voir ces barres sur l'image de la mire. Par conséquent, selon l'invention, le déclenchement de la régénération est basé sur une mesure de la dégradation du capteur vidéo et non pas sur le seul écoulement d'un intervalle de temps. Il est en outre possible de réaliser une mesure de température du capteur, qui va permettre, elle aussi, de réguler le chauffage mis en oeuvre pour la régénération. Cette mesure de température sert à vérifier que la température appliquée au capteur CMOS correspond à une consigne demandée, par exemple 230 ° C; grâce à cette mesure de température on peut ajuster le courant appliqué à la résistance pour maintenir la consigne demandée sur le boitier du capteur CMOS. L'irradiation dégrade les fonctions électroniques de la puce, mais la température réduit aussi la durée de vie de ce composant. En optimisant ces deux phénomènes, c'est-à-dire en procédant à une régénération basée sur une mesure de la dégradation du capteur vidéo et pas sur un intervalle de temps, puis sur une durée optimum de régénération (par mesure et contrôle de la température), on maintient un équipement fonctionnel, robuste à l'irradiation et qui permet donc une utilisation prolongée sous irradiation. Le schéma de la figure 2 représente des étapes d'un exemple de procédé selon l'invention. Dans l'étape S1, on détermine la consommation 10 du capteur, hors irradiation. Puis (étape S2), on détermine la valeur de référence 10 + AI, telle que celle-ci a été définie ci-dessus. Ensuite (étape S3), on mesure le courant consommé 1(t) et on le compare à la valeur de référence (étape S4). On peut utiliser les valeurs instantanées des mesures de courant consommé ou une valeur moyenne ou statistique élaborée à partir de ces mesures, par exemple une valeur lissée sur les dix dernières mesures. Lorsque le courant consommé dépasse ladite valeur de référence, on coupe le courant d'alimentation du capteur (étape S5), et on effectue une régénération thermique (étape S6) sous irradiation. La température du capteur est mesurée (étape S7) et, si elle dépasse une certaine température de consigne Tc, la régénération thermique est stoppée (étape S8). Le chauffage reprend dès que la température est inférieure à la consigne de chauffe et ceci tant que la durée At de régénération (par exemple d'environ 25 mn), ne s'est pas écoulée (étape S9). Puis, l'alimentation en courant du capteur peut être rétablie (étape S10), et le cycle de mesure sous irradiation est recommencé. Un exemple de dispositif pour mettre en oeuvre un procédé selon l'invention est illustré en figure 3. Sur cette figure, la référence 2 désigne un capteur d'images, de type CMOS, auquel est appliquée une résistance de chauffage 4. En variante, elle peut être appliquée à un boîtier qui contient le capteur, ou directement sur le capteur lui-même. Ce capteur est alimenté en tension par des moyens 5. Cette résistance peut être elle-même munie d'une sonde 6 de mesure de la température, par exemple une sonde de platine. Le courant qui circule dans la résistance génère des calories qui sont transmises par conduction au boitier du capteur et au capteur. Pour maitriser cette conduction thermique, la sonde 6 mesure la température de la résistance, de préférence en permanence. Une résistance 8 permet de mesurer la consommation de courant du capteur. Par exemple, il est en effet possible de faire passer dans cette résistance tout le courant qui circule dans le capteur. Cette résistance est connectée, par une de ses bornes, à la masse, et, par son autre borne, à laquelle les masses sont réunies. Des moyens d'amplification 10 permettent d'amplifier le signal constitué par la différence de potentiel aux bornes de la résistance lorsque le courant du capteur y circule. Des moyens 12 sont aptes à, ou programmer pour, le signal en provenance du capteur avec un signal de référence, qui peut être, comme déjà expliqué ci-dessus, la somme du courant consommé par le capteur hors irradiation et d'une certaine valeur qui reflète la consommation du capteur pour une utilisation normale sous irradiation, permettant d'obtenir une image de qualité. Si le résultat de cette comparaison est que le courant consommé est supérieur au signal de référence, alors les moyens 12 envoient un signal de commande à des moyens qui vont déclencher, d'une part, l'arrêt de l'alimentation du capteur et, d'autre part, un générateur de courant 14, lequel va envoyer un courant I, dans la résistance de chauffage 4, par exemple environ 750 mA pendant 25 minutes. Les moyens 6 peuvent permettre de produire un signal correspondant à une mesure de température du capteur, ce signal étant fourni à des moyens 16 d'asservissement du générateur de courant 14. Ces moyens d'asservissement 16 permettent par exemple de comparer l'information qui résulte de la mesure de température du capteur, à une valeur de consigne mémorisée dans des moyens 18. L'ensemble 1 comportant le capteur 2, la résistance de chauffage 4, les moyens 6 de mesure de la température et la résistance 8 de mesure du courant consommé est disposé, ou destiné à être disposé, dans une zone irradiée. L'ensemble 3, comportant des moyens 10 d'amplification, les moyens de comparaison, les moyens 14 formant générateur de courant, et les moyens 16, 18 d'asservissement en température sont, par contre, situés en dehors de la zone irradiée, ils sont donc hors irradiation, ou soumis à une irradiation qui est très faible. Les autres composants électroniques, constitutifs de la partie qui est sous irradiation, sont choisis pour leur tenue à la dose et au débit de dose. Ils sont qualifiés pour ce montage et les lots de composants qualifiés sont strictement réservés à cette utilisation. La consommation typique du capteur est par exemple d'environ 40 mA. Comme déjà expliqué ci-dessus, ce courant augmente proportionnellement à la dose reçue. Dans un test, une régénération a été faite après 500 Gy soit après une augmentation d'environ 6 mA. D'une manière générale, pour mettre en oeuvre un capteur CMOS dans la partie sous irradiation d'un dispositif selon l'invention, on réalise de préférence, préalablement : - une vérification que sa tenue à la dose (en dehors de toute régénération), avant une détérioration irréversible, est supérieure à 2 KGy ; - la possibilité de régénérer le capteur par chauffage, c'est-à-dire d'évacuer les charges piégées par l'ionisation des matériaux, selon un procédé conforme à la présente invention. Le dispositif de la figure 3 peut être appliqué pour chaque capteur CMOS d'une caméra qui en comporte une pluralité. Exemples comparatifs : On a d'abord testé des caméras du commerce pour estimer leur tenue à la dose. Les résultats sont, pour des capteurs de type CCD, une valeur limite de tenue de l'ordre de 500 Gy et, pour des cameras de type CMOS, une valeur limite de tenue de l'ordre de 1500 Gy. Au-delà de ces doses, on peut considérer que ces capteurs ne peuvent pas conserver leurs propriétés pour réaliser des images satisfaisantes. La structure d'une caméra à 2 blocs, mise en oeuvre dans cet exemple, est celle de la figure 4. Cette structure comporte une partie 201 sous irradiation et une partie 203 qui est hors irradiation. Plus précisément, elle comporte, dans la partie sous irradiation, un capteur vidéo CMOS 200 et des moyens 204 qui permettent, d'une part, de transmettre des informations numériques à des moyens 210 disposés hors irradiation et, d'autre part, de générer les tensions d'alimentation des composants électroniques à partir d'une source de tension, par exemple de 12 volts, qui peut faire partie des moyens 204. Les moyens 210 vont traiter lesdites informations numériques et restituer une image vidéo sur la base de ces informations. Des essais ont montré la possibilité de rétablir le bon fonctionnement de ce capteur d'image après un chauffage, pendant environ 20 minutes, à une température de 230 degrés. Cette technique permet de maintenir le capteur dans la zone sous irradiation, mais implique un risque de détérioration de la puce du capteur par une surchauffe et le risque de devoir couper le courant appliqué à la résistance de chauffe. Selon un autre exemple, on met en oeuvre l'architecture qui est illustrée en figure 5. Cette structure comporte une partie 301 sous irradiation et une partie 303 qui est hors irradiation. Plus précisément, elle comporte, dans la partie sous irradiation, un capteur d'image de type CMOS 300, auquel est appliquée une résistance de chauffage 304 collée à l'arrière du boîtier du capteur CMOS. Des moyens 306 de mesure de la température du capteur sont également prévus, disposés de sorte que la mesure de température soit représentative de la température du boitier de la puce. La partie hors irradiation comporte des moyens 314 formant générateur de courant, qui vont commander l'alimentation de la résistance 304. Ces moyens 314 sont pilotés par des moyens 312: ces derniers réalisent une commande de chauffe par intervalles de temps prédéterminés. Au bout d'un certain laps de temps prédéterminé, le générateur délivre, pendant un autre laps de temps lui aussi prédéterminé, un courant dans la résistance, ce qui provoque le chauffage. Ce fonctionnement est périodique. Les moyens 306 produisent un signal correspondant à une mesure de température du capteur, ce signal étant fourni à des moyens 316 d'asservissement du générateur de courant 314. Ces moyens d'asservissement 316 permettent par exemple de comparer l'information qui résulte de la mesure de température du capteur, à une valeur de consigne mémorisée dans des moyens 318. Le problème, avec ce type de méthode, est que la température du boîtier n'est pas garantie. Elle dépend du collage des résistances et des réglages du générateur de courant qui se situe hors irradiation et la régénération est déclenchée après un intervalle de temps qui est arbitraire. On arrête alors le fonctionnement de la partie soumise à l'irradiation et l'on chauffe la puce vidéo via la résistance 304. Cette étape permet au composant de retrouver un courant fonctionnel conforme à l'origine. Avec cette technique, on a pu obtenir un fonctionnement fiable jusqu'à 250 KGy pour cinq caméras. REVENDICATIONS1. Procédé de régénération d'un capteur CMOS (2), soumis à un rayonnement gamma et/ou béta qui dégrade ses performances, comportant les étapes suivantes : a) mesurer la consommation électrique du capteur, b) si cette consommation est supérieure à un seuil prédéterminé, strictement supérieur à la consommation du courant par le capteur en dehors des périodes d'irradiation, arrêter l'alimentation du capteur CMOS et le soumettre à un chauffage afin de le régénérer. 2. Procédé selon la revendication 1, le seuil prédéterminé correspondant à la consommation du courant par le capteur en dehors des périodes d'irradiation augmentée d'une valeur correspondant à un supplément de consommation sous irradiation. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on fait passer le courant, qui circule dans le capteur, dans une résistance (8), et on compare la tension aux bornes de cette résistance à une tension de référence, qui correspond audit seuil prédéterminé. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on mesure en outre la température du capteur et on régule le chauffage appliqué au capteur en fonction de ladite température. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le capteur (2) et des moyens (8) pour mesurer sa consommation électrique sont disposés dans une zone sous irradiation gamma et/ou bêta, et des moyens (12, 14) pour comparer ladite consommation à un seuil prédéterminé, pour arrêter l'alimentation du capteur et piloter le chauffage, sont disposés dans une zone hors irradiation. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le capteur CMOS est soumis à un rayonnement gamma et/ou bêta d'énergie comprise entre 20 kev et 5 Mev. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le Débit de dose est compris entre 0,010 Gy/h et 1,5 KGy/h. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le courant consommé, en dehors des périodes d'irradiation, est compris entre 10 mA et 100 mA. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la différence entre ledit seuil prédéterminé et la consommation du courant par le capteur en dehors des périodes d'irradiation est comprise entre 5 mA et 20 mA. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel, après l'étape b), l'alimentation du capteur CMOS est rétablie, et l'étape a) recommencée. 11. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel, après le rétablissement de l'alimentation du capteur CMOS, le courant consommé diminue d'abord, puis croît en fonction de la dose de rayonnement reçu. 12. Dispositif de régénération d'un capteur CMOS (2), comportant : - des moyens (8) pour mesurer la consommation électrique du capteur, - des moyens (12) pour comparer cette consommation à un seuil prédéterminé, strictement supérieur à la consommation du courant par le capteur en dehors des périodes d'irradiation, pour arrêter l'alimentation du capteur CMOS si la consommation dépasse le seuil prédéterminé et pour le soumettre à un chauffage afin de le régénérer. 13. Dispositif selon la revendication précédente, comportant en outre des moyens (6) pour mesurer la température du capteur, et des moyens (16,18) pour réguler le chauffage en fonction de la température mesurée. 14. Dispositif selon l'une des revendications 12 ou 13, dans lequel le capteur (2) et les moyens (8) pour mesurer sa consommation électrique sont destinés à être placé sous irradiation. 15. Dispositif selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel les moyens (12, 14) pour comparer la consommation du capteur à un seuil prédéterminé, pour arrêter l'alimentation du capteur CMOS si la consommation dépasse le seuil prédéterminé et pour le soumettre à un chauffage afin de le régénérer, sont destinés à être placés hors irradiation. 16. Système d'imagerie en vue de réaliser des images d'un milieu sous irradiation gamma et/ou bêta, comportant : - un dispositif d'imagerie, comportant une pluralité de capteurs (2) de type CMOS (2), - un dispositif de régénération desdits capteurs, selon l'une des 2 0 revendications 12 à 15, pour chaque capteur du dispositif d'imagerie.