FR 2967818 A1 20120525 FR 1004535 A 20101122 1 Circuit de détection avec module d'anti-éblouissement 5 Domaine technique de l'invention L'invention est relative à un circuit de détection comportant une photodiode reliée à un module de lecture. État de la technique Dans le domaine des dispositifs de détection, il y a communément un photodétecteur associé à un circuit de lecture. Le photodétecteur délivre un 15 signal représentatif de la scène observée et ce signal est analysé par le circuit de lecture. La polarisation du photodétecteur est obtenue au moyen du potentiel de substrat imposé sur une première borne du photodétecteur et au moyen d'un 20 potentiel de référence imposé sur la seconde borne du photodétecteur par un module de lecture de type amplificateur transimpédance capacitif. Cependant, il est courant d'observer des circuits de détection qui ne présentent pas un fonctionnement satisfaisant suite aux aléas du procédé de 25 réalisation. Par ailleurs, lorsque les photodétecteurs sont intégrés en matrice, il est également courant d'observer une détérioration des caractéristiques des circuits de détection proches d'un circuit de détection non fonctionnel. 10 30 Objet de l'invention 2 On constate qu'il existe un besoin de prévoir un circuit de lecture plus robuste vis-à-vis des aléas de fonctionnement. Pour cela, on cherche en particulier à réaliser un circuit dans lequel la photodiode et le module de lecture sont connectés par l'intermédiaire d'un transistor agencé pour fonctionner en commutateur fermé lorsque le module de lecture polarise la photodiode dans une gamme prédéfinie et pour fonctionner en commutateur ouvert dans les autres cas. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : les figures 1 et 2 représentent, de manière schématique, des modes de réalisation de circuits de détection munis d'un module d'antiéblouissement. Description de modes de réalisation préférentiels de l'invention Comme cela est illustré aux figures 1 et 2, le circuit de détection comporte un 25 photodétecteur 1 qui est connecté à un module de lecture 2. Le photodétecteur 1 est, par exemple, une photodiode de type P/N ou de type N/P. Dans la photodiode, la zone de type N forme la cathode tandis que la zone de type P forme l'anode. 30 Selon les modes de réalisation, le module de lecture 2 est un amplificateur capacitif transimpédance (CTIA) comme cela est illustré à la figure 1 ou un20 3 module à injection direct contre-réactionné (BDI) comme cela est illustré à la figure 2. Le module de lecture 2 impose, à sa borne d'entrée, un potentiel de référence VREF qui sert à polariser le photodétecteur 1. Un circuit d'anti-éblouissement 3 est intégré entre le module de lecture 2 et le photodétecteur 1. Le circuit d'anti-éblouissement 3 comporte un transistor 4 qui relie le photodétecteur 1 au module de lecture 2. Le transistor 4 est traversé par le courant qui circule entre le photodétecteur 1 et le module de lecture 2. Le circuit d'anti-éblouissement 3 fixe le potentiel de la seconde borne du photodétecteur 1 au moyen du potentiel de référence VREF présent à l'entrée du module de lecture 2. Une première électrode du transistor 4 est reliée au module de lecture 2. Une seconde électrode du transistor 4 est reliée à la seconde borne du photodétecteur 1. Ainsi, le photodétecteur 1 et le module de lecture 2 sont connectés par l'intermédiaire du transistor 4. Dans un mode de réalisation particulier, le module d'anti-éblouissement 3 est constitué par le transistor 4. Le photodétecteur 1 est polarisé en inverse dans des conditions qui permettent la génération d'un courant représentatif de la scène observée. Si le photodétecteur 1 est une photodiode, la photodiode est polarisée en inverse et agit comme un générateur de courant. 25 La première borne du photodétecteur 1 est reliée à un noeud de polarisation qui fixe le potentiel de photodétecteur SubPV. La polarisation du photodétecteur est obtenue au moyen du potentiel de photodétecteur SubPV imposé sur une première borne du photodétecteur et au moyen d'un potentiel 30 imposé sur la seconde borne du photodétecteur à partir du potentiel de référence VREF imposé par le module de lecture 2. Ces deux potentiels20 4 définissent la différence de potentiels entre l'anode et la cathode du photodétecteur et donc les conditions de polarisation du photodétecteur. Dans les conditions normales de fonctionnement du dispositif, la photodiode est polarisée dans une gamme précise de potentiels. Cette gamme assure, par exemple, la polarisation en inverse du photodétecteur et/ou la conversion de la scène observé en un signal représentatif analysable. Si le potentiel de substrat SubPV est fixé cela impose une gamme accessible et/ou une gamme interdite pour la tension de référence VREF provenant du module de lecture 2. Le potentiel appliqué à la cathode est avantageusement très légèrement supérieur à celui appliqué à l'anode afin d'obtenir la polarisation en inverse du photodétecteur. De manière avantageuse, la différence de potentiel entre les bornes du photodétecteur est supérieure à un seuil qui assure un bon fonctionnement du dispositif. Le potentiel de photodétecteur SubPV est très légèrement inférieur au potentiel de référence VREF dans les modes de réalisation illustrés aux figures 1 et 2. Dans un mode de réalisation préférentiel, le transistor 4 est un transistor à effet de champ dont une électrode source/drain est connectée directement ou indirectement à la photodiode 1 et l'autre électrode source/drain est connectée directement ou indirectement au module de lecture 2. Si le transistor 4 est à effet de champ, l'électrode de source/drain du transistor 4 est formée dans un matériau semi-conducteur dopé d'un type de conductivité opposé à celui de l'électrode associée du photodétecteur 1. Ainsi, dans les deux électrodes associées, il y en a une de type P et une de type N.30 En d'autres termes, dans le cas où le transistor 4 est de type pMOS, ses électrodes de source et de drain sont dopées de type P. Le transistor pMOS est relié à l'électrode du photodétecteur qui est dopée de type N, c'est-à-dire la cathode. Dans un mode de réalisation particulier, la cathode du 5 photodétecteur 1 est connectée directement au module de lecture 2 par l'intermédiaire d'un transistor pMOS. Dans le cas où le transistor est de type nMOS, ses électrodes de source et de drain sont dopées de type N. Le transistor nMOS est relié à l'électrode du photodétecteur qui est dopée de type P, c'est-à-dire l'anode du photodétecteur 1. Dans un mode de réalisation particulier, l'anode du photodétecteur 1 est connectée directement au module de lecture par l'intermédiaire d'un transistor nMOS. Lorsque le module de lecture 2 fonctionne normalement, il fournit sur sa borne d'entrée une tension de référence VREF prédéfinie qui sert à la polarisation du photodétecteur 1. La tension de référence VREF est appliquée au circuit d'anti-éblouissement 3 et donc au transistor 4. La tension de référence ou une tension représentative de cette dernière est appliquée au photodétecteur 1. La polarisation du photodétecteur 1 permet à ce dernier de délivrer un courant représentatif de l'illumination de la scène observée. Le courant est stocké et analysé par le module de lecture 2. Pour avoir un bon fonctionnement du dispositif, le transistor 4 laisse passer le courant entre le photodétecteur 1 et le module de lecture 2. L'électrode de commande du transistor 4 est polarisée de manière à autoriser le passage du courant lorsque le module de lecture 2 est intègre et quand il polarise le photodétecteur dans la gamme choisie. Un potentiel de fonctionnement VPOL est appliqué sur la grille du transistor 4 pour définir un état passant et un état bloqué. 6 Il est intéressant d'utiliser la valeur attendue de la tension VREF comme point de repère pour fixer l'état bloqué ou passant du transistor 4. La valeur du potentiel de fonctionnement VpoL imposé sur l'électrode de commande du transistor 4 est fixée par rapport aux potentiels appliqués sur les autres électrodes et principalement par rapport au potentiel de référence VREF fourni en entrée du module de lecture 2. Le potentiel de fonctionnement VpoL est défini par rapport à la tension de référence VREF ou une tension proche de VREF pour avoir un transistor 4 passant lorsque le module de lecture 2 délivre une tension suffisante pour assurée la polarisation recherchée du photodétecteur 1. A titre d'exemple des modes de réalisation des figures 1 et 2, si la tension de référence VREF est la tension minimale qui assure la polarisation recherchée du photodétecteur 1, le potentiel de fonctionnement VpoL est défini par rapport à la tension de référence VREF pour avoir un transistor 4 passant lorsque le module de lecture 2 délivre au moins la tension VREF. Le transistor 4 est alors bloqué si la tension délivrée en sortie du module de lecture 2 est inférieure à la tension VREF. En d'autres termes, le potentiel de fonctionnement VpoL est défini de manière à avoir un transistor 4 passant si la différence de potentiel aux bornes du photodétecteur est suffisante pour obtenir la polarisation désirée. Dans le cas d'une photodiode N/P associée à un transistor de type pMOS, la tension SubPV est inférieure à la tension de fonctionnement VpoL qui est elle-même inférieure à la tension de référence VREF. Le transistor 4 fonctionne en commutateur fermé lorsque le photodétecteur 1 30 est polarisé dans la gamme recherchée, ici polarisé en inverse. Le transistor à effet de champ est passant lorsque la valeur absolue de la tension VGs 7 entre la grille et la source est supérieure à la valeur absolue de la tension de seuil du transistor pMOS (I VGs 1> I Vtn 1)- Le potentiel de fonctionnement VPoL est donc inférieur à la somme de la tension de référence VREF et de la tension de seuil (VPoL VREF+Vtn). 10 Dans le cas où le circuit de détection est défaillant suite à un problème technologique de fabrication ou suite à une décharge électrostatique, la tension appliquée au photodétecteur 1 par l'intermédiaire du module de lecture 2, n'est plus dans une gamme autorisée. Afin d'éviter que le photodétecteur 1 ne soit polarisé hors de la gamme recherchée, par exemple 15 polarisé en direct et qu'un courant parasite ne soit injecté dans le substrat comportant le photodétecteur, le module d'anti-éblouissement 3 empêche tout passage de courant. Si un problème technologique intervient durant la réalisation du module de 20 lecture 2, ce dernier n'est plus en mesure de fournir une tension de référence VREF suffisante. La différence de potentiel entre l'entrée du module de lecture 2 et le potentiel SubPV n'est plus suffisante pour assurer une polarisation du photodétecteur dans la gamme recherchée, par exemple assurer la polarisation en inverse du photodétecteur 1. La polarisation en directe du 25 photodétecteur va provoquer le passage d'un courant dans le substrat contenant le photodétecteur. Comme la différence de potentiel entre l'électrode de commande et l'entrée du module de lecture 2 n'est plus suffisante en valeur absolue pour avoir un 30 transistor passant, le transistor 4 devient bloqué ce qui empêche la5 8 circulation d'un courant vers le photodétecteur. Le transistor 4 agit comme un commutateur ouvert. Ainsi, le transistor 4 est agencé pour fonctionner en commutateur fermé lorsque le module de lecture 2 assure la polarisation du photodétecteur dans une gamme prédéfinie de potentiels et en commutateur ouvert lorsque le module de lecture fournit un potentiel qui entraînerait une polarisation en directe de la photodiode ou un potentiel insuffisant pour travailler dans de bonnes conditions. Ce deuxième cas de figure correspond par exemple, à une défaillance du module de lecture ou une accumulation trop importante de charges dans le condensateur d'intégration ce qui se traduit par une évolution de la tension en entrée du module 2. Le transistor 4 évite que l'évolution de la tension en entrée du module 2 soit suffisante pour sortir le photodétecteur 1 de sa gamme de potentiel autorisée. La polarisation appliquée sur l'électrode de commande du transistor 4 est configurée de manière à former un commutateur fermé lorsque la différence de potentiel aux bornes du photodétecteur est dans la gamme choisie. II y a alors passage d'un courant entre le photodétecteur et le module de lecture 2 à travers le transistor 4. Le sens du courant varie selon la configuration du circuit. La polarisation appliquée sur l'électrode de commande du transistor 4 est également configurée de manière à former un commutateur ouvert lorsque la différence de potentiel aux bornes du photodétecteur est en dehors de la gamme choisie. Cette configuration empêche le passage d'un courant dans le sens opposé au cas précédent et/ou la fourniture d'un courant qui n'est pas représentatif de la scène observé. Si le transistor 4 est un transistor de type pMOS, la tension de polarisation VPOL appliquée sur l'électrode de grille du transistor 4 est inférieure à la tension de référence d'une valeur égale au moins à la tension de seuil dans les conditions normales d'utilisation. Dans le cas d'un transistor nMOS, la 9 tension de polarisation est supérieure d'une tension de seuil par rapport à VREF. Le transistor 4 devient bloquant dès que l'entrée du module de lecture 2 n'est plus égale à la tension de référence VREF. Dans une variante de réalisation, une tension différente de la tension VREF peut être choisie. De manière avantageuse, la tension appliquée sur l'électrode de commande est choisie de manière à assurer uniquement l'obtention d'une polarisation inverse aux bornes du photodétecteur 1. En d'autres termes, le potentiel appliqué sur l'électrode de commande du transistor 4 permet le passage d'un courant entre le photodétecteur 1 et le module de lecture 2 lorsque le photodétecteur 1 est polarisé en inverse et bloque le passage du courant dans les autres cas. Le potentiel du photodétecteur SubPV est fixé par rapport au potentiel de référence VREF de manière à avoir un photodétecteur délivrant un signal en courant représentatif de l'éclairement de la scène observée. Dans un mode de réalisation préférentiel, le substrat ou le caisson du transistor 4 est polarisé à un potentiel supérieur à celui de l'électrode de source dans le cas d'un transistor pMOS ou inférieur à celui de l'électrode de source dans le cas d'un transistor nMOS au moyen d'une prise de substrat. Dans ce mode de réalisation, si un courant de porteurs existe, ce dernier sera dirigé par l'intermédiaire de la prise de substrat vers la source de potentiel qui polarise le substrat ou le caisson. Dans une variante de réalisation, une pluralité de circuits de détection sont réalisés afin de former une matrice de détection. Les photodétecteurs 1 sont formés sur un même substrat. Selon les modes de réalisation, les anodes ou les cathodes des photodétecteurs 1 sont toutes reliées à un même nceud de potentiel, par exemple le potentiel de photodétecteur SubPV.30 10 Chaque photodétecteur 1 est relié à un module de lecture 2 par l'intermédiaire d'un transistor 4 spécifique du module d'anti-éblouissement 3 associé. Chaque photodétecteur 1 est polarisé entre le potentiel défini par le module de lecture 2 et le potentiel SubPV. Chaque module d'anti- éblouissement 3 est associé à un potentiel de fonctionnement VpoL. De manière avantageuse, pour avoir un dispositif compact, le même potentiel de référence est appliqué par tous les modules de lecture 2 ainsi que le même potentiel de fonctionnement VpoL. Les conditions de polarisation sont io donc normalement identiques pour tous les photodétecteurs 1 et tous les transistors 4. Le potentiel de fonctionnement VpoL est défini selon les critères exprimés plus haut. Dans ce mode de réalisation, si un module de lecture 2 est défaillant, aucun 15 courant ne circule entre le module de lecture 2 et le photodétecteur 1. Ainsi, il n'y a pas introduction d'un courant parasite dans le substrat et les photodétecteurs 1 avoisinant ne délivrent pas plus de courant que normalement, c'est-à-dire qu'ils ne sont pas éblouis. Il y a donc simplement au moyen d'un transistor supplémentaire, la possibilité d'exclure le pixel 20 défaillant. Dans un mode de réalisation privilégié qui peut être combiné aux modes précédents, pour éviter que le transistor 4 ne perturbe le fonctionnement du circuit de détection, il est avantageux de faire fonctionner le transistor 4 dans 25 son régime linéaire et d'éviter le régime de saturation. De cette manière, le courant délivré par le photodétecteur 1 est intégralement retransmis par le transistor 4 sans production d'artefacts à l'entrée du circuit de lecture. Afin de favoriser le fonctionnement du transistor 4 dans un régime linéaire, il 30 est avantageux de réaliser un transistor 4 ayant une largeur de grille importante. Dans ces conditions, il est également avantageux de réaliser une 2967818 Il grille de faible longueur afin de conserver un dispositif occupant une surface réduite. De ce fait, il est avantageux de former un transistor 4 présentant un rapport largeur/ longueur de grille très élevé. 5 Dans un mode de réalisation particulier qui peut être combiné aux modes précédents, le transistor 4 est asymétrique. Le contact électrique de l'électrode qui est associée au photodétecteur est plus éloigné de l'électrode de grille que le contact électrique de l'autre électrode. L'électrode du transistor qui est connectée au photodétecteur est plus étendue que l'électrode qui est connectée au module de lecture 2. Une électrode est plus étendue lorsque ses plots de contact sont plus éloignés de la grille que les plots de contact de l'autre électrode. L'utilisation d'un transistor avec une électrode de drain étendue du côté de la photodiode permet de créer une résistance au niveau de l'électrode de drain considérée. Cette résistance supplémentaire de l'électrode de drain permet d'empêcher le courant de passer par le canal et d'aboutir à un claquage de l'oxyde de grille dans le module de lecture. Cette architecture favorise le passage du courant par la diode de jonction de type P/N qui est présente dans le transistor. De manière avantageuse, la prise substrat du transistor est formée à proximité immédiate de l'électrode de drain pour un transistor pMOS ou nMOS. De cette manière, la diode entre le substrat et l'électrode de drain est favorisée. La prise substrat est avantageusement polarisée à un potentiel supérieur au potentiel de référence VREF pour un transistor pMOS. De manière avantageuse, la prise substrat est soumise au potentiel Vdda du circuit. Dans le cas d'un transistor nMOS et d'une diode de type opposée, la répartition des potentiels est inversée. Le potentiel de fonctionnement VPOL est appliqué sur l'électrode de grille du 30 transistor 4. Ce potentiel de fonctionnement VPOL permet le passage du courant entre le photodétecteur 1 et le module de lecture 2. De manière 12 avantageuse, le potentiel de fonctionnement VpoL permet de faire travailler le transistor 4 dans son régime linéaire. Dans le cas où le module de lecture 2 est formé par un amplificateur transimpédance capacitif (figure 1), il comporte un amplificateur 5 avec une première entrée reliée au transistor 4, une seconde entrée sur laquelle le potentiel de référence VREF est appliquée. Un condensateur d'intégration 6 est connecté en contre-réaction entre une sortie et la première entrée de l'amplificateur 5. Dans le cas où le module de lecture 2 est formé par un module d'injection direct contre-réactionné (figure 2). Une entrée d'un amplificateur 5 est connectée au transistor 4 et la sortie est connectée à l'électrode de grille d'un transistor de lecture 7. Une électrode de source/drain du transistor de lecture 7 est connectée au noeud commun entre le transistor 4 et l'amplificateur 5. L'autre électrode de source/drain est connectée vers la sortie du module de lecture. Bien que le fonctionnement du transistor 4 soit décrit avec un transistor à effet de champ, il est également envisageable d'utiliser un transistor bipolaire. II est néanmoins plus intéressant d'utiliser un transistor à effet de champ, car ce dernier est plus compact et présente une consommation plus faible. REVENDICATIONS1. Circuit de détection comportant une photodiode (1) reliée à un module de lecture (2), caractérisé en ce que la photodiode (1) et le module de lecture (2) sont connectés par l'intermédiaire d'un transistor (4) agencé pour fonctionner en commutateur fermé lorsque le module de lecture (2) polarise la photodiode (1) dans une gamme prédéfinie et pour fonctionner en commutateur ouvert dans les autres cas. 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que le potentiel appliqué sur l'électrode de commande du transistor (4) est configuré de manière à avoir le transistor (4) en commutateur fermé lorsque le module de lecture (2) polarise la photodiode (1) dans une gamme prédéfinie et avoir le transistor (4) en commutateur ouvert dans les autres cas. 3. Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce que la différence de potentiel entre l'électrode de commande du transistor (4) et l'électrode du transistor (4) reliée au module de lecture (2) est configurée de manière à maintenir la photodiode (1) en polarisation inverse. 4. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce 25 que le module de lecture (2) est un amplificateur transimpédance capacitif. 5. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que le module de lecture (2) est un module à injection direct contreréactionné. 13 30 14 6. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le transistor (4) est de type PMOS et connecté à la cathode du photodétecteur (1). 7. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le transistor (4) est asymétrique, les contacts de l'électrode associée au photodétecteur (1) étant plus éloignés de l'électrode de grille que les contacts de l'autre électrode. 8. Matrice de détection comportant une pluralité de circuits de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les photodétecteurs (1) sont formés sur un même substrat et en ce qu'un même potentiel de fonctionnement (VG) est appliqué sur les électrodes de commande des transistors (4).15