FR 2974469 A1 20121026 FR 1162169 A 20111221 u_ ? 1 illu. rse un d'un di amplification de puissance élect impulsion ayant cette configuration. Par exemple, un dispositif d'amplification d'étage initial 53a, un dispositif d'amplification de deuxième étage 53b, ..., et un dispositif d'amplification d'étage final 53c constitué de PETS sont 20 reliés en cascade entre une borne d'entrée 51 et une borne de sortie 52. Un circuit de commutation comr alimation à pole t ory positive 59 une de 1ation appl i ur une e mpul i rt z; haute nal ori.. ' ï ï Ion de trac- borne ï` 51, n 53a, 53b plïfient l'impulsion radant à une largeur d'impulsion d'impulsion 54, et ceci canal de chaque dispositif d'amplifica et le gain d'amplification diminue selon une constante de temps thermique inée. Un signal différencié avec 20 la constante de tem thermique délivré par le cir de diffµ: iation 56 au circuit d'addition 57, dan lequel signal ajouté â la ; olarisaty résu7 ' at e; dél ifs ser reçue de d'amplificat 1 temps cornes,.., borne d' e it température - un de la la 30 par. plificat i s afï. >tenir et un rendemen temps. d'amplification ut SiGe d'amplification a différees constantes de ..p 15 thermiques pour lesquelles les gains d'amplification diminuent, qui ne peuvent pas être compensés avec le même circuit de différentiation. Dans l'appareil d'amplification d'impulsion dans lequel les dispositifs d'amplification utilisant les h) différents dispositifs à semi-conducteur dans l'étage amont -val de l'unité d'étage initial sont reliés en que à gare de configuration de la ï le de r_ i.sation La figure 3 est une figure Il rani un le d'un uit de différentiation et d'un circuit d'addition selon la première forme de réalisation ; La figure 4 est un diagramme de forme d'onde destiné à expliquer le fonctionnement de la première forme de réalisation ; et La figure 5 est une figure illustrant un exemple de configuration de la deuxième forme réalisation. DESCRIPTIO'- de t un 30 fcat de du final, t.- premier circuit de signal d'impulsion et ayant uns tante 15 correspondant à la constante de temps thermique du premier dispositif d'amplification, un deuxième circuit de différentiation recevant le signal d'impulsion et ayant une constante de temps correspondant à la constante de temps une 20 alimentation â polarisation négative délivrant une lion à polarisation négative à des bornes à polar'- ion thermique du premier dispositif d'amplification, du dispositif d' ,.n '.ificato_ final, un à pola ola circuit. une bc d'amplification est reliée en cascade entre une borne d'entrée à haute et une borne de sortie haute frégr 12 1 d'amplification d`i. sIon 10. Plus fréquence 11 d'un appare spécialement, l'appareil d'amplification d'impulsion 10 comprend un dispositif d'amplification distribuée 13a dans l'étage amont de l'unité d'étage in-sial dcla borne d'entrée e eliée à ? borne d' e 1l, un l i ficati Fi 2 d' dis d',, ~e :ial et un en Gal: utilisé comme dispositif étage aval de celui-ci. Une pluralité de dispo a 7 ation dis lplification de comman.' Par exemple, ces dispositifs d'amplification comprennent des FETs, et sont reliés en cascade en utilisant une électrode de grille comme borne d'entrée, une et le électrode de drain comme borne de s ri de source comme borne corn d'amplification ont une borne à pcl- 20 une borne à polarisation négative sur Par evant un si d'un circuit ie, t une électrode dispositifs ion positive et é d'entrée. pulsion 14 e ion 15 et une borne d' d'impulsion est Zutation d' les on dist afro de ation d'étage Le cire it de d'avoir une nte de t coi constante de thermigu de ;u. du d'amplification du dispositif d'amplification distribuée 1 13a dans l'étage amont de l'unité d'étage initial utilisant du Gars comme élément d'amplification. D'autre part, le circuit de différentiation 16b est ajusté afin d'avoir une ccl tante de temps correspondant à une constante de temps t mique de réduction du gain d'amplification du 20 dispositif d'amplification dist rib' e 13a dans l'étage val de l'unité d' ".tage uti raN d'addition 17b a également la _configuration. Cependant, une constante de temps thermique réduction du gain d'amplification du dispo d'amplification distribuée 13a utilisant du Garas comme élément d'amplification est d'environ 50 â 200 ,ts, et la valeur de la résistance variable 24 est ajustée de telle sorte que le produit de la résistance variable 24 et du condensateur 24 d circuit d'addition de différencia on/24 devient pratigt égal â celle-ci. D'autre hart, une constant rë ction du gain 'amplificati l3b utilisant du comme d' 'aviron cuit rouit en combinant l circuit di: i ~tion l ;b et le circuit sortie._ circuits d'addition 17b sont délivrées asx bornes d'entrée à polarisation ni. ue des dispositifs d'amplification distribuée 13a, l3b de l'unité d'étage initial, respectivement. Un signal à haute fréquence servant de signal de source d'une impulsion de transmission est entré dans la La s alimentation à p délivrée aux bornes a olarisa d'amplification autres que l'unité d' otage 20 borne d'entrée de signal à haute fréquence di~ositif d'amplificati-n ati 1 di, ll. Le modulation 1, _'pulsio ration d' atio;. Le devient 16 au 15 àu circuit rouit de commutation et en commutant mpulsion de modulation, le FET du circuit d commutation d'alimentation 15 laisse passer la tension de l'alimentation à polarisation positive 19 et délivre la tension à la borne à polarisation positive de du conducteur, l'alimentation à polarisation positive avec chaque une période un in ta] tensi 20 disposi d'amplification pendant 11 le if d' n ! n du fait d'une t theY"a art r de l'instant Tl, ce qui que retard dans la phase, mais le circuit de différentiation 15 16b et le circuit d'addition 17h délivrent une tension de polarisation négative ayant une phase avancée comme cela est représenté dans la figure 4(d) à la borne à polarisation négative du dispositif d'amplification distribuée 13b, de telle sorte que le retard de la phase du ositif d'amplification d'étage final 13f peut être annulé en princry^ . Par t, dans l' , fi en D de réalisation gure 5 illust Y it on la ' amplific tion réalisation, des ts d'amplification dans une unité forme de d'étage initial comprennent du SiGe (silicium-germanium) utilisé comme dispositif d'amplification distribuée dans un étage amont et du Gars (arséniure de gallium) utilisé comme dispositif d'amplification distribuée dans un étage aval. Une pluralité de dispositifs d'amplification est reliée en cascade entre une borne d'entrée â haute 2(} fréquence 41 et une borne de d'un ap~sreil d' -°nplificat i1sortie à haute fréquence 42 d' impu n 40. Plus 'ulsi d' d' arnpl ricac 3e un cc r le di cositif d' . npli ficat ! . n d' Dans .certains cas, un ou plusi d'amplification utilisant du SiGe conne 15 d'amplification peuvent être reliés entre le dispositif d'amplification distribuée 43b et le dispositif d'amplification de commande 43e. Par exemple, ces dispositifs d'amplific Lion comprennent des FETs, et sont reliés en cas en 2() utilisant une électrode de grille comme borne d'entré:, une électrode de drain comme borne -a sortie, t une électr de e comme borne ne. di ion ont une i Pos.: i: atio: 30 drain D borne source S poss.'. sur les d'amplification distri d'amplification de d'amplification d'étage final 43f. Dans cette forme de réalisation, temps du circuit de différentiation 46a fonction d'une constante de temps thermique gain d'amplification du distribuée 43a utilisant 20 d'amplification. La constante diff"5r, _ztion 46b thermigt-- d'amplif d'amp: ifi cation. en .. "..l"~e que, d' arroi dispositif du SiGe de temps en fonction: du gain ibuée 43a la constante est ajustée en de z =duction du cation élément circuit de une constante ication du du SiGe du d ce e-ci d' amplificE.' ï d` i ion comme dispositif 'ifica ion l' amont l'unité d'étage initial et du Gu i est ilisé corn... dispositif d'amplification dans l'étage aval de celle-ci comme éléments d'amplification. Cependant, la présente invention n'est pas limitée à cela. La présente invention peut être appliquée à un dispositif d'amplification de puissance électrique à impulsion réalisé en reliant en 20 cascade des dispositifs d'amplification un élément d'-ication dif ent dans un { l d'un, les que cation ; un dE. un étage aval d'amplification et ayant une constant de seps différente de celle du premier un dispositif d'ampli c ition d'ét, relié en cascade dans un étage final en aval du deuxième dispositif d'amplification ; un dispositif d'amplification de commande (13e) en cascade dans un étage d'amplificati n d'ét plific 20 un cir par r-nport au spos~ tzt c:. en cascade n ?3b' dans premier dispositif Tique con déliant un bc polar de d` final un premier circuit d'addition (17a) additionnant 1? la tension de polarisation nép-tive délivrée par l'alimentation â polarisation rl ve et la sortie délivrée par le premier circuit délivrant un résultat à sur un côté d'entrée 20 d'amplification ; et di une borne à polar' du premier entiati.n -t ion dispcsitif un deuxième d'a de poli i: rion à poli, Lion deus :at d' errL la