FR 2969385 A1 20120622 FR 1005005 A 20101221 CAPTEUR D'IMAGE A INTERMODULATION OPTIQUE REDUITE La présente invention concerne un capteur d'image comprenant au moins deux photosites séparés par une région d'isolation, et un procédé de formation de la région d'isolation entre les photosites. Les modules d'appareils photographiques comprennent typiquement une lentille, un filtre infrarouge, et un capteur d'image sous forme d'une microplaquette de semi- conducteur comprenant plusieurs photosites, un ou plusieurs photosites correspondant à un pixel d'une image capturée. Les photosites sont généralement agencés dans une matrice et peuvent comprendre des photodiodes, des "photogates" (ou "photoportes"), ou des photoconducteurs. En général, une mosaïque de microlentilles pour converger des rayons de lumières incidente sur les photosites et une mosaïque de filtres colorés pour filtrer la lumière sont réparties au-dessus des photosites. Des couches de matériaux diélectriques sont également généralement présents au-dessus des photosites, et servent à isoler des lignes conductrices interconnectant les photosites, et servent de couches de passivation contre l'humidité et les impuretés. Des canaux sont formés dans les couches diélectriques par lesquels les rayons de lumière doivent passer pour atteindre les photosites. Un capteur d'image utilise "l'effet photoélectrique" pour transformer les informations lumineuses en signal électrique. Un photon d'un rayon de lumière incidente pénètre dans le matériau du photosite, et si l'énergie du photon est supérieure ou égale à la bande d'énergie interdite du matériau, une "paire électron-trou" est générée. Le nombre d'électrons par photosite peut être mesuré et utilisé pour fournir des informations lumineuses pour l'image, et le nombre d'électrons lus par nombre de photons incidents est connu sous le nom de sous le nom de rendement quantique. Les photons ayant une courte longueur d'onde présentent une faible profondeur de pénétration, telle que 0,4 pm pour des longueurs d'onde de 450 nm, et les photons ayant une longueur d'onde longue présentent une profondeur de pénétration plus importante, telle que 2,4 pm pour des longueurs d'onde de 600 nm. Comme les photosites adjacents correspondent à de la lumière filtrée différemment et à différents pixels d'image, leurs informations doivent être fournies indépendamment. La réponse angulaire d'un pixel est l'intensité lumineuse mesurée par rapport à l'angle de la lumière incidente. Par exemple, pour un « champ de vision » compris entre -45° et 45 0° étant perpendiculaire à la surface du photosite, l'intensité est généralement la plus élevée à 0°, et diminue vers les bords du champ, sous forme d'une courbe en cloche. Idéalement, l'intensité lumineuse pourrait être la même pour tout le champ de vision, mais selon son angle incident, un rayon de lumière destiné à un photosite peut le traverser vers un autre photosite, provoquant une intermodulation optique. La sensibilité d'un capteur d'image dépend ainsi du rendement quantique et de la quantité d'intermodulation qui se produit. Le brevet américain 7,279,770 divulgue un capteur d'image comprenant une tranchée d'isolation profonde d'au moins 4 pm entre des photosites adjacents. La profondeur de la tranchée empêche par conséquent des électrons générés en profondeur de passer sous la région d'isolation d'un photosite à un autre. De plus, la tranchée est remplie d'un matériau conducteur tel que le polysiliciure, après avoir été recouverte d'une couche de type liner, par exemple une couche diélectrique. Le matériau conducteur peut être plus facilement déposé dans des tranchées profondes à l'inverse des matériaux d'isolation conventionnels tels que l'oxyde qui peut causer des vides et des bulles d'air indésirables. La couche empêche les électrons générés de passer à travers la tranchée d'un photosite à l'autre, phénomène connu sous le nom d'intermodulation électrique. La figure 1 est une vue en coupe d'une partie d'un capteur d'image IS1 conventionnel selon l'apprentissage du brevet mentionné ci-dessus. Le capteur d'image IS1 comprend, de bas en haut, un substrat 10 comprenant trois photosites S1, S2, S3, une couche isolante 70, une pile 80 de couches diélectriques 80-1 à 80-N, chaque couche comprenant des lignes conductrices 90-1 à 90-N pour extraire des informations électriques des photosites et les alimenter, des filtres colorés F1, F2, F3, et des microlentilles L1, L2, L3. Les régions d'isolation Il, I2 s'étendent entre les photosites S1, S2 et S2, S3 respectivement, et chacune comprend une tranchée profonde dans le substrat 10 remplie d'un matériau conducteur 30 et dont le fond et les parois latérales sont recouverts d'une couche 20 fine. La figure 1 représente schématiquement trois rayons de lumière incidente R1, R2, R3. Le rayon de lumière R1 passe à travers le filtre F1, pénètre dans le photosite S1, et génère un électron E1 lu par le photosite S1. Le rayon de lumière R2 passe par le filtre F2 et présente un angle et une profondeur de pénétration tels qu'il entre dans la région d'isolation I1 au lieu d'un photosite. Les photons du rayon R2 sont absorbés dans le matériau conducteur 30 de la région d'isolation I1, et un électron piégé E2 est généré. Le rendement quantique est ainsi diminué puisque le photon du rayon R2 n'est pas capturé par un photosite. Le rayon de lumière R3 passe à travers le filtre F3, mais présente un angle tel qu'au lieu d'être absorbé dans le photosite S3 correspondant, il traverse la région d'isolation I2 et pénètre dans le photosite S2 adjacent, où il est absorbé et génère un électron E3. L'électron E3 est ainsi lu incorrectement par le photosite S2 au lieu du photosite S3, et une intermodulation optique apparaît. Il peut par conséquent être souhaité de fournir un capteur d'image dans lequel l'intermodulation optique est diminuée. Des modes de réalisation de l'invention concernent un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant des étapes consistant à former au moins deux photosites dans un substrat de semi-conducteur, former une tranchée entre les photosites, former une fine couche au moins sur les parois latérales de la tranchée, et déposer un matériau conducteur présentant un premier indice de réfraction dans la tranchée, le capteur comprenant une étape consistant à former une région entourée par le matériau conducteur et présentant un second indice de réfraction inférieur au premier indice de réfraction dans le matériau conducteur dans la tranchée. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à former la région présentant le second indice de réfraction comprend une étape consistant à déposer le matériau conducteur sur les parois latérales de la tranchée jusqu'à ce que la région soit enfermée dans le matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à déposer le matériau conducteur comprend une étape consistant à enfermer un gaz dans la région présentant le second indice de réfraction. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à former la région présentant le second indice de réfraction comprend un processus de dépôt non uniforme du matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à déposer le matériau conducteur dans la tranchée comprend une étape consistant à déposer le matériau conducteur de telle sorte que l'épaisseur du matériau conducteur sur les parois latérales de la tranchée est plus importante au niveau de la portion supérieure de la tranchée, et plus fine au niveau de la portion inférieure de la tranchée. Selon un mode de réalisation, l'étape consistant à 10 déposer le matériau conducteur est un processus de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une étape consistant à former un contact permettant d'appliquer une tension au matériau conducteur. Des modes de réalisation de l'invention concernent également un capteur d'image comprenant : un substrat de semi-conducteur, au moins deux photosites dans le substrat, et une région d'isolation formée dans une 20 tranchée entre les photosites, la région d'isolation comprenant un matériau conducteur présentant un premier indice de réfraction, la tranchée étant recouverte au moins sur les parois latérales d'une fine couche, le capteur comprenant un matériau conducteur entourant au 25 moins partiellement une région présentant un second indice de réfraction inférieur au premier indice de réfraction. Selon un mode de réalisation, la région présentant le second indice de réfraction est entourée par le 30 matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, la région présentant le second indice de réfraction comprend un gaz. Selon un mode de réalisation, le matériau conducteur sur les parois latérales de la tranchée présente une 35 épaisseur supérieure à une extrémité de la tranchée par tranchée par rapport à l'autre extrémité de la tranchée. Selon un mode de réalisation, le premier indice de réfraction est supérieur à 3, et le second indice de réfraction est inférieur à 1,5. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend en outre un contact vers le matériau conducteur pour appliquer une tension au matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend en outre un filtre et une microlentille agencés au-dessus de 10 chaque photosite. Des modes de réalisation de l'invention concernent également un dispositif comprenant un capteur d'image selon l'invention et des moyens électriques couplés au capteur d'image. 15 Des modes de réalisations de la présente invention vont maintenant être décrits à titre non limitatif, en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : - La figure 1, précédemment décrite, est une vue en coupe d'un capteur d'image conventionnel comprenant des 20 photosites séparés par des régions d'isolation, - Les figures 2A à 2G illustrent des étapes d'un processus de fabrication d'un capteur d'image selon un premier mode de réalisation de l'invention, - La figure 3 illustre un capteur d'image fabriqué selon 25 le premier mode de réalisation de l'invention, et - La figure 4 illustre un capteur d'image fabriqué selon un second mode de réalisation de l'invention, et - La figure 5 illustre un dispositif comprenant un capteur d'image selon l'invention. 30 Les figures 2A à 2G sont des vues en coupe illustrant schématiquement différentes étapes de la fabrication d'un capteur d'image IS2 selon un mode de réalisation de l'invention. Sur la figure 2A, le capteur d'image IS2 comprend un 35 substrat 10 recouvert par une couche de masque 11. La couche de masque peut être un "masque dur" qui a été gravé en fonction d'une couche de réserve à motifs. Le substrat 10 comprend des photosites Sl, S2 fabriqués lors des précédentes étapes de traitement. Malgré le fait que seuls deux photosites sont illustrés, le substrat comprend en général une matrice de photosites. Des éléments supplémentaires, tels que les détails des photosites, ne sont pas illustrés afin de simplifier les figures. Une ouverture 12 a été pratiquée dans la couche de masque 11, entre les photosites S1, S2. Le motif de l'ouverture a été effectué par exemple au moyen d'étapes conventionnelles de photolithographie d'exposition, de développement, et de gravure. Une tranchée 15 est ensuite gravée dans le substrat 10 dans la région sous-jacente à l'ouverture 12. La tranchée 15 est de préférence une tranchée d'isolation profonde, présentant une profondeur d'au moins 4 pm. Un processus "RIE" peut être utilisé avec un réactif de gravure anisotrope, afin d'obtenir une tranchée dont les parois latérales sont aussi verticales que possible. La tranchée 15 s'étend généralement le long de toute la matrice de photosites, et d'autres tranchées similaires peuvent être réalisées en parallèle, à angle droit avec la tranchée 15, de telle sorte que chaque photosite est complètement entouré de tranchées. Lors des étapes illustrées sur la figure 2B, une couche 20 fine de type liner est formé sur les parois latérales et le fond de la tranchée 15 en utilisant un processus uniforme, de telle sorte que son épaisseur est sensiblement uniforme. La couche 20 peut être du dioxyde de silicium SiO2, de l'oxyde nitrique NO, de l'oxyde de silicium SiO, un oxyde de plasma haute densité, un diélectrique SOD, ou tout autre matériau adapté, et peut être formée par croissance thermique ou déposée. La couche présente une épaisseur d'environ 10 nm. Lors des étapes illustrées sur la figure 2C, un processus de dépôt non uniforme est utilisé pour déposer un matériau conducteur 30 dans la tranchée 15. Le matériau conducteur présente un premier indice de réfraction, par exemple 3,5, et peut être du polysiliciure. Le matériau conducteur peut être un matériau de type hautement dopé N ou P contenant du siliciure, du silicium-germanium, ou un matériau conducteur contenant du siliciure qui est ensuite dopé. Sur la figure 2C, le matériau conducteur 30 est déposé sur les parois latérales de la tranchée, avec une épaisseur augmentant depuis le fond jusqu'à la partie supérieure des parois latérales, et des bourrelets B1, B2 du matériau conducteur se forment sur les bords supérieurs de la tranchée 15. Au fur et à mesure que le processus de dépôt avance, les bourrelets B1, B2 deviennent plus importants, ainsi que l'épaisseur du matériau conducteur 30 sur les parties supérieures des parois latérales de la tranchée 15. Ce processus de dépôt non uniforme peut être un processus "PECVD", lors duquel les atomes ont tendance à se rassembler sur les bords supérieurs de la tranchée, et à ne pas se rassembler au fond de la tranchée. Sur la figure 2D, le processus de dépôt non uniforme a avancé jusqu'à ce que les bourrelets B1, B2 du matériau conducteur 30 fusionnent ensemble de telle sorte que le matériau conducteur 30 délimite et entoure une région 40, qui est enfermée dans ce mode de réalisation. La région 40 contient un vide de gaz présentant un second indice de réfraction, inférieur au premier indice de réfraction, ici un vide d'air présentant un indice de réfraction de 1. La région 40 peut également être remplie d'un matériau présentant un indice de réfraction inférieur au premier indice de réfraction. Lors des étapes illustrées sur la figure 2E, le matériau conducteur 30 s'étendant au-delà de la surface supérieure du capteur d'image IS2 et la couche de masque 11 sont retirés jusqu'au substrat 10. Ceci peut être effectué en une ou plusieurs étapes, par exemple une première étape de polissage mécano-chimique du matériau conducteur, suivie d'une gravure humide de la couche de masque 11. La tranchée 15 comprend ainsi la couche 20 sur son fond et ses parois latérales, recouverte par le matériau conducteur 30 entourant la région 40. La tranchée 15, la couche 20, le matériau conducteur 30, et la région 40 forment une région d'isolation Il' entre les photosites S1, S2. Lors des étapes illustrées sur la figure 2F, une couche de matériau diélectrique pré-métal 50 est déposée sur la surface supérieure du capteur d'image IS2. Un orifice 55 est ensuite formé dans la couche 50, au-dessus de la région d'isolation I1'. L'orifice 55 peut être formé par gravure après une étape de photolithographie. Lors d'une étape illustrée sur la figure 2G, un contact électrique 60 est formé dans l'orifice 55 en contact avec le matériau conducteur 30 dans la région d'isolation Il'. Lors de l'utilisation du capteur, il sera possible d'utiliser le contact 60 pour polariser le matériau conducteur 30 en positif ou négatif, selon le type de photosite, et la quantité de polarisation peut être ajustée pour créer une région d'accumulation à proximité des parois latérales de la région d'isolation I1'. De cette façon, les états de surface à l'interface entre le substrat 10 et la fine couche 20 peuvent être passivés. Après que la réalisation du contact 60, le capteur d'image IS2 est soumis à d'autres étapes de traitement, telles que la formation d'une pile de couches diélectriques sur la surface du capteur d'image, la formation de lignes conductrices dans les couches diélectriques, puis la formation de filtres colorés et de microlentilles au-dessus de la pile de couches diélectriques. La figure 3 est une vue en coupe d'une partie du capteur d'image IS2 fabriqué selon le procédé décrit ci-dessus. Le capteur d'image IS2 comprend, de bas en haut, le substrat 10, trois photosites S1, S2, S3 implantés dans le substrat, une couche diélectrique pré-métal 50 comprenant des contacts 60, un pile 80 de couches diélectriques 80-1 à 80-N, des lignes conductrices 90-1 à 90-N implantées dans les couches diélectriques, des filtres F1, F2, F3, et des microlentilles L1, L2, L3 au-dessus de la pile 80. Les régions d'isolation Il', I2' fabriquées selon le procédé décrit ci-dessus s'étendent entre les photosites S1, S2 et S2, S3 respectivement, et chacune comprend une tranchée profonde dont le fond et les parois latérales sont recouverts d'une fine couche 20. La tranchée profonde est remplie du matériau conducteur 30 délimitant et entourant la région 40. Une des lignes conductrices, par exemple la ligne 90-1, est en contact électrique avec le contact 60 pour appliquer une tension électrique au matériau conducteur 30 des régions d'isolation Il', I2' afin de passiver les états de surface à proximité des parois latérales de la tranchée 15. La polarisation des parois latérales en utilisant le contact 60 permet à tout électron généré à proximité de l'interface entre le substrat 10 et la couche 20 de retourner vers le photosite en raison du champ électrique produit, au lieu d'être piégé par les états de surface à cette interface. Les régions d'isolation Il', I2' réduisent l'intermodulation optique grâce au "guide d'onde optique" formé par les différences entre les indices de réfraction aux interfaces entre le substrat 10, le matériau conducteur 30, et la région 40. La couche 20 est généralement trop fine pour influencer les propriétés optiques des régions d'isolation. En choisissant les matériaux, et ainsi leurs indices de réfraction, une réflexion interne totale peut apparaître lorsqu'un rayon de lumière frappe une interface entre deux matériaux à un angle inférieur à un angle critique, l'angle d'incidence en-dessous duquel la réflexion interne total apparaît. Selon l'épaisseur et l'indice de réfraction du matériau de l'autre côté de l'interface, la lumière ne traverse pas et est entièrement réfléchie. La figure 3 illustre également trois rayons de lumière présentant les mêmes angles incidents que ceux illustrés sur la figure 1. Le rayon de lumière R1 passe à travers le filtre F1, pénètre dans le photosite S1, et génère un électron El lu par le photosite S1. Le rayon de lumière R2 passe par le filtre F2 et présente un angle et une profondeur de pénétration tels qu'il entre dans la région d'isolation Il' au lieu d'un photosite. Les photons du rayon R2 sont absorbés dans le matériau conducteur 30 de la région d'isolation Il', et génèrent un électron piégé E2. La présence de la région 40 réduit la quantité de matériau conducteur 30 dans les régions d'isolations Il', I2', réduisant ainsi la probabilité qu'un photon soit absorbé et piégé dans les régions d'isolation. Le rendement quantique est ainsi amélioré. Le rayon de lumière R3 passe par le filtre F3, et présente un angle tel qu'au lieu d'être absorbé dans le photosite S3 correspondant, il entre dans la région d'isolation I2'. Il est réfléchi de l'interface entre le matériau conducteur 30 et la région 40 dans la région d'isolation I2', et retourne vers le photosite S3 où il génère un électron E3, empêchant ainsi l'intermodulation optique. De plus, la réponse angulaire est améliorée, puisqu'un champ de vision plus grand est obtenu. Sur le photosite S3, le rayon de lumière R3 présente un angle de 45° par exemple, mais en raison de la région d'isolation I2', il est réfléchi dans le photosite S3, plutôt que de passer au photosite S2 comme sur la figure 1. Par conséquent, statistiquement, la structure des régions d'isolation Ii', I2' permet une réduction de l' intermodulation optique. La figure 4 est une vue en coupe d'un second mode de réalisation d'un capteur d'image selon l'invention. Le capteur d'image IS3 est sensiblement le même que le capteur d'image IS2. Il diffère en ce que les filtres colorés F1, F2, F3 et les microlentilles L1, L2, L3 sont agencés sur le "dos" du substrat, qui est ensuite retourné pour faire face à la lumière incidente. Egalement, la couche 20 est présente seulement sur les parois latérales des régions d'isolation, alors que la tranchée s'étend sur tout le substrat 10. De cette manière, la pile 80 de couches diélectriques et les interconnections métalliques 90 ne bloquent pas et ne dévient pas la lumière pour l'empêcher d'atteindre les photosites, ce qui peut augmenter significativement la sensibilité du capteur d'image, en particulier pour des tailles de photosites de plus en plus petites. Cette architecture permet une dépendance angulaire améliorée, puisqu'il n'y a pas de canaux étroits entre les interconnections métalliques comme avec les capteurs d'image illuminés par le devant, et l'efficacité ne dépend pas de la conception et de l'épaisseur des interconnections métalliques et de la pile diélectrique. Après l'achèvement de certaines étapes de traitement, telles que les étapes illustrées sur la figure 2G, le substrat 10 peut être "aminci" à approximativement 2-20 pm, selon l'application. Si le substrat est trop épais, les photons seront absorbés dans le substrat trop loin des photosites, augmentant ainsi l'intermodulation électrique. Au contraire, si le substrat est trop fin, des longueurs d'ondes plus importantes traverseront le substrat et ne seront pas absorbées, diminuant ainsi le rendement quantique. Après l'amincissement, les filtres colorés F1, F2, F3 et les microlentilles L1, L2, L3 sont déposés sur le dos du substrat. Une couche antireflet peut être déposée entre le substrat et les filtres colorés afin de réduire les réflexions. Des modes de réalisation de l'invention concernent également un dispositif DV comprenant un capteur d'image selon l'invention, tel qu'illustré sur la figure 5. Le dispositif DV comprend un capteur d'image IS2, IS3, un microprocesseur MP, une mémoire MEM, et une entrée/sortie I0. Ces éléments sont interconnectés par un bus BS. Un tel dispositif peut être un appareil photo, un système de vision industrielle, un appareil photo de téléphone portable, un système de surveillance, un système de stabilisation d'image, un détecteur de mouvement, etc. Il sera compris que le procédé décrit ci-dessus en relation avec les figures 2A à 2G est susceptible de divers modes de réalisation. Par exemple, les photosites peuvent être formés dans le substrat après la formation des régions d'isolation Il', I2', par exemple après les étapes illustrées sur la figure 2E. De plus, d'autres matériaux peuvent être utilisés pour le substrat 10, la couche 20, le matériau conducteur 30, et la région 40. Il sera également compris que la région 40 peut comprendre un matériau ou un gaz différent de l'air. En particulier, un autre gaz peut être injecté dans la région enfermée, par exemple juste avant qu'elle ne soit enfermée lors du processus de dépôt ou en pratiquant par exemple un petit orifice à travers le matériau conducteur qui est ensuite rebouché. Dans d'autres modes de réalisation, la couche 20 n'est pas déposée ou formée sur le fond de la tranchée 15. Elle peut être déposée sur le fond puis retirée, par exemple lors d'un processus d'amincissement, ou peut être déposée seulement sur les parois latérales, par exemple en utilisant un masque de dépôt sur le fond de la tranchée qui est retiré après le dépôt de la couche 20. Dans d'autres modes de réalisation, la région 40 présentant le second indice de réfraction peut ne pas être complètement enfermée par le matériau conducteur 30. Elle peut d'abord être formée comme une région enfermée et le substrat peut ensuite être aminci jusqu'à un point tel que la région 40 est atteinte et ouverte. Dans d'autres modes de réalisation, les photosites ne sont pas complètement entourés par les régions d'isolation. Par exemple, seuls les photosites correspondant à une certaine couleur de filtre peuvent être entourés par des régions d'isolation, ou les régions d'isolation peuvent être présentes uniquement dans une direction. Dans d'autres modes de réalisation, le matériau conducteur 30 peut être déposé dans la tranchée 15 en utilisant un processus uniforme ou non uniforme, sans enfermer le dessus de la tranchée. Un film fin peut alors être déposé sur le dessus de la tranchée, enfermant ainsi la région 40 présentant le second indice de réfraction. La couche diélectrique pré-métal 50 peut ensuite être déposée au-dessus sans entrer dans la région 40. 15 REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un capteur d'image (IS2, IS3), comprenant des étapes consistant à : - former au moins deux photosites (Si, S2, S3) dans un substrat de semi-conducteur (10), - former une tranchée (15) entre les photosites, - former une fine couche (20) au moins sur les parois latérales de la tranchée, et - déposer un matériau conducteur (30) présentant un premier indice de réfraction dans la tranchée, caractérisé en ce qu'il comprend une étape consistant à former une région (40) entourée par le matériau conducteur (30) et présentant un second indice de réfraction inférieur au premier indice de réfraction dans le matériau conducteur dans la tranchée. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à former la région (40) présentant le second indice de réfraction comprend une étape consistant à déposer le matériau conducteur (30) sur les parois latérales de la tranchée (15) jusqu'à ce que la région soit enfermée dans le matériau conducteur. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel l'étape consistant à déposer le matériau conducteur (30) comprend une étape consistant à enfermer un gaz dans la région (40) présentant le second indice de réfraction. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape consistant à former la région (40) présentant le second indice de réfraction comprend un processus de dépôt non uniforme du matériau conducteur.35 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape consistant à déposer le matériau conducteur (30) dans la tranchée (15) comprend une étape consistant à déposer le matériau conducteur de telle sorte que l'épaisseur du matériau conducteur sur les parois latérales de la tranchée est plus importante au niveau de la portion supérieure de la tranchée, et plus fine au niveau de la portion inférieure de la tranchée. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape consistant à déposer le matériau conducteur (30) est un processus de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant en outre une étape consistant à former un contact (60) permettant d'appliquer une tension au matériau conducteur. 8. Capteur d'image (IS2, IS3) comprenant : - un substrat de semi-conducteur (10) ; - au moins deux photosites (Si, S2, S3) dans le substrat ; et - une région d'isolation (I1', I2') formée dans une tranchée (15) entre les photosites, la région d'isolation comprenant un matériau conducteur (30) présentant un premier indice de réfraction, la tranchée étant recouverte au moins sur les parois latérales d'une fine couche (20) ; caractérisé en ce qu'il comprend un matériau conducteur entourant au moins partiellement une région (40) présentant un second indice de réfraction inférieur au premier indice de réfraction. 9. Capteur d'image selon la revendication 8, dans lequel la région (40) présentant le second indice de réfraction est entourée par le matériau conducteur (30). 10. Capteur d'image selon l'une des revendications 8 ou 9, dans lequel la région (40) présentant le second indice de réfraction comprend un gaz. 11. Capteur d'image selon l'une des revendications 8 à 10, dans lequel le matériau conducteur (30) sur les parois latérales de la tranchée (15) présente une épaisseur supérieure à une extrémité de la tranchée par rapport à l'autre extrémité de la tranchée. 12. Capteur d'image selon l'une des revendications 8 à 9, dans lequel le premier indice de réfraction est supérieur à 3, et le second indice de réfraction est inférieur à 1,5. 13. Capteur d'image selon l'une des revendications 8 à 12, comprenant en outre un contact (60) vers le matériau conducteur (30) pour appliquer une tension au matériau conducteur. 14. Capteur d'image selon l'une des revendications 8 à 13, comprenant en outre un filtre (F1, F2, F3) et une microlentille (L1, L2, L3) agencés au-dessus de chaque photosite (Si, S2, S3). 15. Dispositif comprenant : - un capteur d'image (IS2, IS3) selon l'une des revendications 8 à 14, et - des moyens électriques (MP, MEM, I0) couplés au capteur d'image.35