FR 2973937 A1 20121012 FR 1153081 A 20110408 PROCEDES DE COLLAGE DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES COMPRENANT DES PROCESSUS DE RECUIT, ET STRUCTURES SEMI- CONDUCTRICES LIEES ET STRUCTURES INTERMEDIAIRES FORMEES AU MOYEN DE TELS PROCEDES DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION Dans ses modes de réalisation, la présente invention se rapporte à des procédés adaptés pour coller ensemble des structures semi-conductrices. Elle 10 se rapporte également à des structures semi-conductrices collées et à des structures intermédiaires formées au moyen de tels procédés. CONTEXTE DE L'INVENTION 15 L'intégration en trois dimensions (3D) de deux structures semi-conductrices ou plus peut présenter un grand nombre d'avantages pour des applications micro-électroniques. Par exemple, une intégration en 3D de composants micro-électroniques peut conduire à 20 améliorer les performances électriques et la consommation énergétique d'un dispositif tout en réduisant son empreinte. Se reporter par exemple à P. Garrou et autres, « The Handbook of 3D Integration », Wiley-VCH (2008).5 L'intégration en 3D de structures semi- conductrices peut se faire par la fixation d'une puce semi-conductrice sur une puce semi-conductrice supplémentaire ou plus (en d'autres termes, une fixation de puce sur puce (D2D)), par la fixation d'une puce semi-conductrice sur une tranche de semi-conducteur ou plus (en d'autres termes, une fixation de puce sur tranche (D2W)), ainsi que par la fixation d'une tranche semi-conductrice sur une tranche de semi- conducteur supplémentaire ou plus (en d'autres termes, une fixation de tranche sur tranche (W2W)), ou par une combinaison de ces options. Les procédés de collage utilisés pour coller une structure semi-conductrice à une autre structure semi- conductrice peuvent être classés en diverses catégories. Selon la première d'entre elles, une couche de matériau intermédiaire est prévue entre les deux structures semi-conductrices pour les coller ensemble ; selon la seconde, l'interface de collage permet à des électrons (autrement dit, à un courant électrique) de passer au travers de l'interface. Des procédés dits « de collage direct » sont des procédés dans lesquels une liaison chimique de solide sur solide est établie entre deux structures semi-conductrices pour les coller ensemble sans utiliser un matériau de collage intermédiaire entre les deux structures semi-conductrices pour les coller l'une à l'autre. Des procédés de collage direct de métal sur métal ont été développés pour coller un matériau métallique à une surface d'une première structure semi-conductrice à un matériau métallique à une surface d'une seconde structure semi-conductrice. Des procédés de collage direct de métal sur métal peuvent également être classés en fonction de la plage de température dans laquelle chacun d'entre eux est exécuté. Par exemple, certains procédés de collage direct de métal sur métal sont exécutés à des températures relativement élevées, ce qui provoque une fusion au moins partielle du matériau métallique à l'interface de collage. De tels processus de collage direct peuvent ne pas s'avérer souhaitables pour coller des structures semi-conductrices traitées qui comprennent une structure de dispositif ou plus, car les températures relativement élevées peuvent affecter négativement les structures de dispositif préalablement formées. Des procédés de « collage par thermocompression » sont des procédés de collage dans lesquels une pression est appliquée entre les surfaces de collage à des températures élevées comprises entre deux cents degrés Celsius (200 °C) et cinq cents degrés Celsius (500 °C) environ, et souvent comprises entre trois cents degrés Celsius (300 °C) environ et quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ. D'autres procédés de collage direct ont été développés, qui peuvent être exécutés à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. Dans le présent document, de tels processus de collage direct qui peuvent être exécutés à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins sont appelés des procédés de collage direct à « ultra-basse température ». Des procédés de collage direct à ultra-basse température peuvent être exécutés en éliminant soigneusement des impuretés de surface et des composants de surface (des oxydes natifs, par exemple) et en augmentant la surface de contact étroit entre les deux surfaces de l'échelle atomique. La surface de contact étroit entre les deux surfaces est généralement accomplie en polissant les surfaces de collage dans le but de réduire la rugosité de surface à des valeurs proches de l'échelle atomique, en appliquant une pression entre les surfaces de collage de sorte à obtenir une déformation plastique, ou en polissant à la fois les surfaces de collage et en appliquant une pression de sorte à obtenir une telle déformation plastique. Certains procédés de collage direct à ultra-basse température peuvent être exécutés sans appliquer de pression entre les surfaces de collage à l'interface de collage tandis que dans d'autres procédés de collage direct à ultra-basse température, une pression peut être appliquée entre les surfaces de collage à l'interface de collage de sorte à obtenir une solidité adéquate de la liaison à l'interface de collage. Tel que connu, les procédés de collage direct à ultra-basse température dans lesquels une pression est appliquée entre les surfaces de collage sont souvent appelés procédés « de collage de surface assistée » ou procédés « SAB ». Par conséquent, tels qu'ils sont employés dans le présent document, les termes « collage de surface assistée » et « SAB » désignent et comprennent tout processus de collage directe dans lequel un premier matériau est directement collé à un second matériau en aboutant le premier matériau contre le second matériau et en appliquant une pression entre les surfaces de collage à l'interface de collage à une température de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. Des collages directs de métal sur métal entre des caractéristiques conductrices actives dans des structures semi-conductrices peuvent, dans certains cas, être enclines à une défaillance mécanique ou une défaillance électrique au terme d'une certaine période de temps même si, à l'origine, un collage direct de métal sur métal acceptable a pu être établie entre les caractéristiques conductrices des structures semi- 4 conductrices. Bien que les raisons ne soient entièrement élucidées, il semblerait défaillances puissent être provoquées, partiellement, par un ou plusieurs de trois connexes. Ces trois mécanismes connexes pas encore que ces au moins mécanismes sont les suivants : une localisation de contrainte qui peut être favorisée par de gros grains ; une croissance de grains associée à une déformation ; et un transport de masse à l'interface de collage. Un tel transport de masse à 10 l'interface de collage peut être au moins partiellement du à électromigration, ségrégation de phase, etc. L'électromigration est la migration d'atomes de métal dans un matériau conducteur sous l'action d'un courant électrique. Divers procédés visant à améliorer 15 la durée de vie d'interconnexions soumises à électromigration ont été décrits dans l'art. Par exemple, des procédés visant à améliorer la durée de vie d'interconnexions de cuivre soumises à électromigration sont décrits dans J. Gambino et 20 autres, « Copper Interconnect Technology for the 32 nm Node and Beyond », IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC), pages 141-148. BREF RESUME DE L'INVENTION 25 Dans certains modes de réalisation, la présente invention se rapporte à des procédés adaptés pour coller directement une première structure semi- conductrice à une seconde structure semi-conductrice. Conformément à de tels procédés, un métal peut être 30 déposé en dessus d'une première structure semi- conductrice. Une partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice peut être éliminé, et une partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice peut être soumise à 35 un premier budget thermique dans le but de recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice. Au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice qui comprend la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice peut être directement collée à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice de sorte à former une structure métallique collée qui comprend la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice. La structure métallique collée peut être soumise à un second budget thermique dans le but de recuire la structure métallique collée. Le second budget thermique auquel la structure métallique collée est soumise peut être inférieur au premier budget thermique. Dans des modes de réalisation supplémentaires de procédés adaptés pour coller directement une première structure semi-conductrice à une seconde structure semi-conductrice, un métal peut être déposé en dessus d'une première structure semi-conductrice, après quoi une partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice peut être éliminé. Une partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice peut être soumise à un premier budget thermique dans le but de recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice. Une partie supplémentaire du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice peut être éliminé après que la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice a été recuite. Au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice qui comprend la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice peut être directement collée à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice de sorte à former une structure métallique collée qui comprend la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice. La structure métallique collée peut être soumise à un second budget thermique dans le but de recuire la structure métallique collée. Le second budget thermique peut être inférieur au premier budget thermique. Dans des modes de réalisation supplémentaires de procédés adaptés pour coller directement une première structure semi-conductrice à une seconde structure semi-conductrice, le processus de collage direct peut être exécuté à des températures supérieures ou égales à 20 °C environ (à température ambiante par exemple). Au moins une caractéristique métallique de l première structure semi-conductrice comprenant une partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice peut être soumise à une température de collage comprise entre 20 °C et 400 °C environ. Dans d'autres modes de réalisation supplémentaires de procédés adaptés pour coller directement une première structure semi-conductrice à une seconde structure semi-conductrice, un métal peut être déposé en dessus d'une première structure semi-conductrice et au moins un vide peut être formé dans le métal. Au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice qui comprend une partie du métal peut être directement collée à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice de sorte à former une structure métallique collée qui comprend la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice. La structure métallique collée peut être recuite en soumettant la structure métallique collée à un budget thermique post-collage, et le métal de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice peut être amené à se dilater dans un espace précédemment occupé par le vide dans le métal. Des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention se rapportent à des structures semi-conductrices collées fabriquées conformément aux procédés décrits dans le présent document et à des structures intermédiaires formées conformément aux procédés décrits dans le présent document. Par exemple, dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente invention se rapporte à des structures semi-conductrices collées qui comprennent une première structure semi-conductrice ayant au moins une caractéristique métallique, et une seconde structure semi-conductrice ayant au moins une caractéristique métallique directement collée à la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. La au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice ayant au moins une surface interne qui définit un vide à l'intérieur de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. Dans d'autres modes de réalisation supplémentaires, la présente invention se rapporte à des structures intermédiaires formées durant la fabrication de structures semi-conductrices collées. Les structures intermédiaires comprennent une première structure semi-conductrice ayant au moins une caractéristique métallique et une surface de collage, et une seconde structure semi-conductrice comprenant au moins une caractéristique métallique ayant une surface de collage qui aboute directement la surface de collage de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, le métal peut comprendre un métal ou un alliage de métal comme, par exemple, du cuivre, de l'aluminium, du nickel, du tungstène, du titane ou un alliage ou un mélange de ceux-ci. Dans certains modes de réalisation, le métal peut être sélectionné de sorte qu'il comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Des modes de réalisation de la présente invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description détaillée qui suit de modes de réalisation fournis à titre d'exemple de la présente invention, qui sont illustrés sur les dessins annexés et sur lesquels : la figure 1 est un organigramme qui illustre un déroulement de processus de modes de réalisation fournis à titre d'exemple de procédés adaptés pour former des structures semi-conductrices collées selon la présente invention ; les figures 2A à 2G décrivent la formation d'une structure semi-conductrice collée conformément à un 30 mode de réalisation d'un procédé tel que celui illustré sur la figure 1 ; les figures 3A à 3F décrivent la formation d'une structure semi-conductrice collée conformément à un autre mode de réalisation d'un procédé tel que celui 35 illustré sur la figure 1 ; la figure 4 est un organigramme qui illustre un déroulement de processus de modes de réalisation supplémentaires fournis à titre d'exemple de procédés adaptés pour former des structures semi-conductrices collées selon la présente invention ; la figure 5 décrit une structure semi-conductrice qui peut être fabriquée au moment de la formation de structures semi-conductrices collées de la présente invention, conformément à des modes de réalisation de procédés tels que ceux illustrés sur la figure 4 ; la figure 6 est un organigramme qui illustre un déroulement de processus de modes de réalisation supplémentaires fournis à titre d'exemple de procédés adaptés pour former des structures semi-conductrices collées selon la présente invention ; et les figures 7A à 7E décrivent la formation d'une structure semi-conductrice collée conformément à un mode de réalisation d'un procédé tel que celui illustré sur la figure 6. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Les figures qui accompagnent le présent document ne doivent pas être considérées comme des vues réelles d'un matériau, d'un dispositif, d'un système ou d'un procédé quelconque particulier ; elles sont simplement des représentations idéalisées qui sont utilisées pour décrire des modes de réalisation de la présente invention. Aucun titre figurant dans le présent document ne doit être considéré comme limitant la portée de modes de réalisation de l'invention telle qu'elle est définie dans les revendications qui suivent et leurs équivalents juridiques. Les concepts décrits dans un titre spécifique quelconque sont généralement applicables dans d'autres sections de la spécification globale. Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « structure semi-conductrice » désigne et comprend n'importe quelle structure qui est utilisée dans la formation d'un dispositif à semi-conducteur. Des structures semi-conductrices comprennent, par exemple, des puces et des tranches (substrats porteurs et substrats de dispositifs par exemple), ainsi que des ensembles ou des structures composites qui comprennent deux puces et/ou deux tranches ou plus intégrées de façon tridimensionnelle les unes avec les autres. Des structures semi-conductrices comprennent également des dispositifs à semi-conducteur entièrement fabriqués ainsi que des structures intermédiaires formées au moment de la fabrication de dispositifs à semi-conducteur: Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « structure semi-conductrice traitée » désigne et comprend n'importe quelle structure semi-conductrice qui comprend une structure de dispositif ou plus au moins partiellement formée. Des structures semi-conductrices traitées sont un sous-ensemble de structures semi-conductrices, et toutes les structures semi-conductrices traitées sont des structures semi-conductrices. Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « structure semi-conductrice collée » désigne et comprend n'importe quelle structure qui comprend deux structures semi-conductrices ou plus qui sont fixées ensemble. Des structures semi-conductrices collées sont un sous-ensemble de structures semi-conductrices, et toutes les structures semi-conductrices collées sont des structures semi-conductrices. Par ailleurs, des structures semi-conductrices collées qui comprennent une structure semi-conductrice traitée ou plus sont également des structures semi-conductrices traitées. Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « structure de dispositif » désigne et comprend n'importe quelle partie d'une structure semi-conductrice traitée qui est, comprend ou définit au moins une partie d'un composant actif ou passif d'un dispositif à semi-conducteur devant être formé sur ou dans la structure semi-conductrice. Par exemple, des structures de dispositifs comprennent des composants actifs et passifs de circuits intégrés tels que des transistors, des transducteurs, des condensateurs, des résistances, des lignes conductrices, des trous de liaison conducteurs et des plages de connexion de contacts conductrices. Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « trou d'interconnexion à travers la tranche » ou « TWI » désigne et comprend n'importe quel trou de liaison conducteur s'étendant à travers au moins une partie d'une première structure semi-conductrice qui est utilisée pour fournir une structure et/ou une interconnexion électrique entre la première structure semi-conductrice et une seconde structure semi- conductrice via une interface entre la première structure semi-conductrice et la seconde structure semi-conductrice. Les trous d'interconnexion à travers la tranche sont également désignés par d'autres termes dans l'art comme, par exemple, « trous de liaison à travers le silicium », « trous de liaison à travers le substrat », « trous de liaison à travers la tranche » ou par des abréviations de tels termes, comme « TSV » ou « TWV » par exemple. En règle générale, des TWI s'étendent à travers une structure semi-conductrice dans une direction globalement perpendiculaire aux surfaces principales globalement planes de la structure v, semi-conductrice (en d'autres termes, dans une direction parallèle à l'axe « Z »). Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « surface active », quand il est utilisé en relation avec une structure semi-conductrice traitée, désigne et comprend une surface principale mise à nu de la structure semi-conductrice traitée qui a été, ou sera, traitée de sorte à former une structure de dispositif ou plus dans et/ou sur la surface principale mise à nu de la structure semi-conductrice traitée. Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « surface arrière », quand il est utilisé en relation avec une structure semi-conductrice traitée, désigne et comprend une surface principale mise à nu de la structure semi-conductrice traitée sur un côté opposé de la structure semi-conductrice traitée par rapport à une surface active de la structure semi-conductrice. Tel qu'il est employé dans le présent document, le terme « budget thermique », quand il est utilisé en relation avec un processus de recuit, fait référence à la zone située sous une ligne ou une courbe qui représente de façon graphique la température du processus de recuit en fonction de la période de temps durant laquelle le processus de recuit est accompli. Dans un processus de recuit accompli à une température unique (en d'autres termes, un processus de recuit isotherme), le budget thermique du processus de recuit correspond simplement au produit de la température à laquelle le processus de recuit est accompli par la longueur de temps durant laquelle le processus de recuit est accompli. Dans certains modes de réalisation, la présente invention se rapporte à des procédés améliorés adaptés pour coller directement une première structure semi- 13 conductrice à une seconde structure semi-conductrice de sorte à former une structure semi-conductrice collée. En particulier, des modes de réalisation de la présente invention peuvent se rapporter à des procédés adaptés pour former des liaisons directes de métal sur métal entre des caractéristiques métalliques d'une première structure semi-conductrice et des caractéristiques métalliques d'une seconde structure semi-conductrice, de telle sorte que la solidité, la stabilité et/ou la durée de vie opérationnelle des liaisons directes de métal sur métal soient améliorées par rapport à des procédés de l'art antérieur connus. Dans certains modes de réalisation, les procédés de collage direct de métal sur métal de la présente invention peuvent comprendre des procédés de collage sans thermocompression exécuté à des températures comprises entre 20 °C et 400 °C environ afin de compenser la déformation des caractéristiques métalliques de la liaison. Un déroulement de processus de modes de réalisation de procédés de la présente invention est illustré sur la figure 1, et des structures associées qui peuvent être formées conformément à un tel déroulement de processus sont illustrées sur les figures 2A à 2G. Les procédés se rapportent au collage direct d'une première structure semi-conductrice à une seconde structure semi-conductrice. En se référant à la figure 1, dans l'étape 10, un métal peut être déposé en dessus d'une première structure semi-conductrice. Comme montré sur la figure 2A, une première structure semi-conductrice 100 peut être formée. La première structure semi-conductrice 100 peut comprendre une structure semi-conductrice traitée, et peut comprendre une caractéristique de dispositif active ou plus, comme un ou plus d'une pluralité de transistors 102 (qui sont représentés de façon schématique sur les figures), une pluralité de trous de liaison conducteurs s'étendant verticalement 104 et une pluralité de traces conductrices s'étendant horizontalement 106. Les caractéristiques de dispositif actives peuvent comprendre des matériaux électroconducteurs et/ou des matériaux semi-conducteurs qui sont entourés par un matériau substrat non conducteur 112 (par exemple, un matériau substrat semi- conducteur non dopé comme du silicium, du germanium, etc., ou un matériau diélectrique, un oxyde par exemple). À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, un des trous de liaison conducteurs ou plus 104 et une des traces conductrices ou plus 106 peut (peuvent) comprendre un métal conducteur ou plus ou un alliage de métal ou plus comme, par exemple, du cuivre, de l'aluminium, ou un alliage ou un mélange de ceux-ci. La première structure semi-conductrice 100 peut également comprendre une pluralité de renfoncements 130 dans lesquels il est souhaitable de former une pluralité de plages de contact 108 (Figure 2C). Pour former les plages de contact 108, du métal 132 peut être déposé en dessus de (par exemple, sur) la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100, de telle sorte que le métal 132 remplisse au moins entièrement les renfoncements 130, comme montré sur la figure 2A. Un excédent de métal 132 peut être déposé sur la première structure semi-conductrice 100 de telle sorte que les renfoncements 130 soient entièrement remplis de métal 132 et qu'un supplément de métal 132 soit disposé en dessus de la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100 (de sorte à la recouvrir, par exemple). À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, le métal 132 peut comprendre un métal ou un alliage de métal comme, par exemple, du cuivre, de l'aluminium, du nickel, du tungstène, du titane ou un alliage ou un mélange de ceux-ci. Dans certains modes de réalisation, le métal 132 peut être sélectionné de sorte qu'il comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. Le métal 132 peut être déposé sur la première structure semi-conductrice 100 par l'exécution, par exemple, d'un ou plus d'un procédé de placage anélectrolytique, d'un procédé de placage électrolytique, d'un procédé de pulvérisation cathodique, d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD) et d'un procédé de dépôt de couches atomiques (ALD). À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, une couche d'ensemencement de cuivre peut être déposée en exécutant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), après quoi une couche mince de cuivre peut être déposée sur la couche d'ensemencement de cuivre à une vitesse relativement plus rapide en exécutant un procédé de placage par dépôt électrochimique (ECD). En se référant à nouveau à la figure 1, dans l'action 14, une partie du métal déposé 132 (Figure 2A) peut être éliminée de la première structure semi- conductrice 100 de sorte à former des plages de contact 108 qui comprennent des parties restantes du métal déposé 132 disposées dans les renfoncements 130, comme montré sur la figure 2C. La partie du métal déposé 132 peut être éliminée conformément à l'étape 14 (Figure 1) en exécutant, par exemple, un procédé de gravure (par exemple, un procédé de gravure chimique humide, un procédé de gravure à sec par ions réactifs, etc.), un procédé de polissage ou de rectification, ou une combinaison de ceux-ci, comme un processus de polissage mécano-chimique (CMP) par exemple. Par exemple, la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100 peut être soumise à un processus CMP de sorte à éliminer des parties du métal déposé 132 (Figure 2A) recouvrant des zones du matériau substrat 112 à l'extérieur des renfoncements 130, de telle sorte que seules demeurent des régions du métal déposé 132 à l'intérieur des renfoncements 130 (ces régions définissant et comprenant les plages de contact 108) et de telle sorte que le matériau substrat 112 soit mis à nu sur la surface active 110 dans la zone latéralement adjacente à la région du métal déposé 132 à l'intérieur des renfoncements 130. De ce fait, une des plages de contact ou plus 108 peut être mise à nu sur la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100. Comme montré sur la figure 2C, le procédé utilisé pour éliminer le métal en excédent 132 de la première structure semi-conductrice 100 (un processus CMP par exemple) peut conduire à ce que les surfaces mises à nu des plages de contact 108 soient renfoncées par rapport au matériau substrat mis à nu 112 sur la surface active 110. Les surfaces mises à nu peuvent avoir une forme courbe, concave, comme montré sur la figure 2C. Dans l'art, ce phénomène est souvent désigné par le terme « déformation ». Le phénomène de déformation peut être relativement plus prononcé dans des plages de contact 108 qui ont de grandes surfaces principales mises à nu que dans des plages de contact 108 qui ont des surfaces principales mises à nu moins grandes. En se référant à nouveau à la figure 1, dans l'action 16, les plages de contact 108 (qui comprennent la partie restante du métal déposé 132) peuvent être recuites en soumettant la première structure semi-conductrice 100 et, partant, les plages de contact 108 comprenant la partie restante du métal déposé 132 à un premier budget thermique. En d'autres termes, la partie restante du métal déposé 132 qui définit les plages de contact 108 peut être soumise à un premier budget thermique dans le but de recuire la partie restante du métal 132. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, la partie restante du métal déposé 132 peut être recuite en soumettant la partie restante du métal déposé 132 à une température ou à des températures de recuit inférieures à 400 °C environ pendant une période de temps de recuit de deux heures environ ou moins (comprise par exemple entre trente minutes environ (30 minutes) et une heure environ (1 heure)). Dans certains modes de réalisation, le processus de recuit de l'étape 16 peut être accompli sélectivement sur la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100 dans le but de compenser la moindre déformation des plages de contact 108 occasionnée par le processus d'élimination de l'étape 14, comme on l'a vu dans ce qui précède. Dans des modes de réalisation de ce genre, le processus de recuit de l'étape 16 peut comprendre un procédé de processus de tranche unique, comme un procédé de recuit laser par exemple. Dans un procédé de recuit laser, un laser peut être utilisé pour recuire sélectivement uniquement des plages de contact 108 qui présentent une surface de collage 109 concave « déformée ». Un autre exemple de processus de recuit sélectif de l'étape 16 consiste à utiliser une plaque chauffante ou un support individuel de tranche chauffé comprenant des éléments chauffants qui peuvent être contrôlés individuellement et séparément. On s'est aperçu que des couches minces de cuivre déposées selon des procédés de placage tels que ceux mentionnés ci-dessus peuvent présenter des changements microstructurels après dépôt. De tels changements microstructurels peuvent comprendre une recristallisation et/ou une croissance des grains. Le processus de recristallisation peut conduire à des changements dans l'orientation spatiale des grains. De tels changements microstructurels peuvent conduire à des changements dans les propriétés électriques (résistance électrique par exemple) et/ou dans les propriétés physiques (dureté) des couches minces de cuivre déposées. La vitesse à laquelle de tels changements microstructurels se produisent peut être fonction de la température et peut augmenter à mesure que la température des couches minces de cuivre augmente. Comme les paramètres de processus consécutifs auxquels le métal 132 est soumis, de même que les performances électriques et l'intégrité structurelle des structures de dispositifs finalement formées à partir du métal 132, peuvent dépendre au moins partiellement des propriétés électriques et/ou des propriétés physiques du métal 132, le métal 132 déposé sur la première structure semi-conductrice 100 dans l'étape 10 peut être recuit dans l'étape 16 (Figure 1) de sorte à induire et/ou à favoriser des changements microstructurels dans le métal déposé 132, changements qui pourraient se produire autrement dans le métal déposé 132 s'il était maintenu suffisamment longtemps à température ambiante ou si le métal déposé 132 était exposé à des températures élevées au cours de processus consécutifs. Par l'exécution du processus de recuit de l'étape 16, les changements microstructurels dans le métal déposé 132 peuvent être induits dans le but de stabiliser la microstructure du métal déposé 132 (et, partant, les propriétés électriques et/ou les propriétés physiques du métal déposé 132) avant de soumettre la première structure semi-conductrice 100 à un processus consécutif, comme on va le voir dans ce qui suit. De ce fait, dans certains modes de réalisation, le processus de recuit de l'étape 16 peut consister à provoquer une recristallisation d'au moins une partie des grains à l'intérieur du métal 132. La recristallisation des grains à l'intérieur du métal 132 peut conduire à une altération d'une orientation de grains à l'intérieur du métal 132. De ce fait, conformément à certains modes de réalisation, les divers paramètres du cycle thermique du processus de recuit de l'étape 16 (par exemple, l'élévation de la température de recuit, l'allongement de la période de temps de recuit, etc.) peuvent être sélectionnés (optimisés, par exemple) de sorte à permettre la formation de microstructures stables dans le métal 132 avant le processus de collage, comme on va le voir dans ce qui suit. D'autre part, la recristallisation des grains à l'intérieur du métal 132 peut conduire par ailleurs à un changement dans au moins une d'une propriété électrique du métal 132 et d'une propriété physique du métal 132. Par exemple, le processus de recuit de l'étape 16 peut conduire à une diminution de la résistance électrique du métal 132 dans au moins une direction, comme la direction verticale sur la vue en perspective de la figure 2D par exemple, qui est transversale par rapport à la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100. Dans un autre exemple, le processus de recuit de l'étape 16 peut conduire à une diminution de la dureté du métal 132. Comme montré sur la figure 2D, le fait de soumettre la partie restante du métal déposé 132 au premier budget thermique dans le but de recuire le métal 132 et à induire des changements microstructurels dans ce dernier, peut conduire à une dilatation volumétrique (soit localement, par une réorientation des grains et/ou une croissance des grains par exemple, soit dans le substrat, par des changements de phase par exemple) du métal déposé 132 et à des changements dans la topographie des surfaces mises à nu des plages de contact 108 qui définissent des surfaces de collage 109 des plages de contact 108. En se référant à la figure 1, dans l'étape 18, les surfaces de collage 109 des plages de contact 108 peuvent être préparées en vue du collage. L'étape 18 peut comprendre, par exemple, un ou plus d'un processus de retouche CMP, d'un processus de processus chimique et d'un processus de nettoyage. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, les surfaces de collage 109 des plages de contact 108 peuvent être nettoyées en faisant tremper pour commencer la première structure semi-conductrice 100 dans de l'eau déionisée. Par ailleurs, de l'hydroxyde d'ammonium (NH4OH) peut être utilisé comme procédé de nettoyage post-CMP. Afin de prévenir une rugosification excessive du cuivre, la solution nettoyante d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH) peut être utilisée en combinaison avec un inhibiteur de corrosion du cuivre comme, par exemple, du benzotriazole (BTA) ou sous une forme ne contenant pas de gaz ammoniac dissous (NH3) comme de l'hydroxyde tétraméthylammonium (TMAH), par exemple. En se référant toujours à la figure 1, dans l'étape 20, les plages de contact 108 peuvent être directement collées à des caractéristiques métalliques d'une seconde structure semi-conductrice. Un exemple de processus de collage direct qui peut être utilisé pour coller directement les plages de contact 108 à des caractéristiques métalliques d'une seconde structure semi-conductrice est décrit dans ce qui suit en référence aux figures 2E à 2G. En se référant à la figure 2E, la première structure semi-conductrice 100 peut être alignée avec une seconde structure semi-conductrice 200 de telle sorte que les plages de contact 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient alignées avec des plages de contact conductrices métalliques 208 de la seconde structure semi-conductrice 200. Comme montré sur la figure 2E, la seconde structure semi-conductrice 200 peut également comprendre une structure semi-conductrice traitée, et elle peut comprendre des structures de dispositifs actives supplémentaires comme, par exemple, des trous de liaison conducteurs s'étendant verticalement 204 et des traces conductrices s'étendant latéralement 206. Bien que cela ne soit pas représenté sur les figures, la seconde structure semi-conductrice 200 peut également comprendre des transistors. Des surfaces mises à nu des plages de contact 108 peuvent définir une surface de collage ou plus 120 des plages de contact 108, et des surfaces mises à nu extérieures des plages de contact 208 peuvent définir des surfaces de collage 220 des plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200. En se référant à la figure 2F, une fois la première structure semi-conductrice 100 alignée avec une seconde structure semi-conductrice 200 de telle sorte que les plages de contact 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient alignées avec les plages de contact conductrices métalliques 208 de la seconde structure semi-conductrice 200, la première structure semi-conductrice 100 peut être aboutée contre la seconde structure semi-conductrice 200 de telle sorte que les surfaces de collage 120 des plages de contact 108 de la première structure semi-conductrice 100 soient aboutées directement contre les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200 sans aucun matériau de collage intermédiaire (un adhésif par exemple) entre elles. En se référant à la figure 2G, les surfaces de collage 120 des plages de contact 108 de la première structure semi-conductrice 100 peuvent ensuite être directement collées aux surfaces de collage 220 des plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200 (Figure 2F) de sorte à former une structure semi-conductrice collée 300. Le processus de collage conduit à la formation de structures métalliques collées qui comprennent les plages de contact 108 et les plages de contact 208 qui ont été collées ensemble. Les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200 peuvent être directement collées aux surfaces de collage 120 des plages de contact 108 de la première structure semi-conductrice 100 au cours d'un processus de collage direct de métal sur métal (de cuivre sur cuivre, par exemple) sans processus de collage par thermocompression. Dans certains modes de réalisation, le processus de collage sans thermocompression peut comprendre un processus de collage direct à ultra-basse température exécuté dans un environnement à une température ou à des températures de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ ou moins, ou même dans un environnement à une température ou à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) environ ou moins. Dans certains modes de réalisation, le processus de collage sans thermocompression peut être exécuté à une température ou à des températures comprise(s) entre vingt degrés Celsius (20 °C) environ et quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ, ou même à une température ou à des températures comprise(s) entre deux cents degrés Celsius (200 °C) environ et trois cent cinquante degrés Celsius (350 °C) environ. Dans d'autres modes de réalisation, le processus de collage sans thermocompression peut être exécuté dans un environnement sensiblement à la température ambiante (en d'autres termes, sans autre application de chaleur que celle fournie par l'environnement ambiant). Avant de coller la première structure semi-conductrice 100 à la seconde structure semi-conductrice 200, la première structure semi-conductrice 100 et la seconde structure semi-conductrice 200 peuvent être traitées de sorte à éliminer les impuretés de surface et les composés de surface indésirables, et elles peuvent être planarisées de sorte à augmenter la surface de contact étroit à l'échelle atomique entre les surfaces de collage 120 des plages de contact 108 et les surfaces de collage 220 des plages de contact 208. La surface de contact étroit entre les surfaces de collage 120 et les surfaces de collage 220 peut être accomplie en polissant les surfaces de collage 120 et les surfaces de collage 220 dans le but de réduire la rugosité de surface à des valeurs proches de l'échelle atomique, en appliquant une pression entre les surfaces de collage 120 et les surfaces de collage 220 de sorte à obtenir une déformation plastique, ou en polissant à la fois les surfaces de collage 120, 220 et en appliquant une pression entre la première structure semi-conductrice 100 et la seconde structure semi-conductrice 200 de sorte à obtenir une telle déformation plastique. Dans certains modes de réalisation, la première 35 structure semi-conductrice 100 peut être directement collée à la seconde structure semi-conductrice 200 sans appliquer de pression entre les surfaces de collage 120, 220 à l'interface de collage entre elles, tandis que dans certains procédés de collage direct à ultra- basse température, une pression peut être appliquée entre les surfaces de collage 120, 220 à l'interface de collage de sorte à obtenir une solidité adéquate de la liaison à l'interface de collage. En d'autres termes, dans certains modes de réalisation de la présente invention, les procédés de collage direct utilisés pour coller les plages de contact 108 de la première structure semi-conductrice 100 aux plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200 peuvent comprendre des procédés de collage « de surface assistée » (SAB). Dans certains modes de réalisation, les plages de contact 108 et les plages de contact 208 peuvent différer dans au moins une de leur dimension et de leur forme. De façon plus spécifique, les plages de contact 108 peuvent avoir une première surface de section transversale dans un plan parallèle à l'interface collée entre les plages de contact 108 et les plages de contact 208, et les plages de contact 208 peuvent avoir une seconde surface de section transversale dans un plan parallèle à l'interface collée entre les plages de contact 108 et les plages de contact 208 qui est différente de la première surface de section transversale des plages de contact 108. Dans des modes de réalisation de ce genre, les surfaces de collage 120 des plages de contact 108 peuvent avoir une première dimension, et les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 peuvent avoir une seconde dimension qui est différente de la première dimension. Les plages de contact 108 peuvent avoir une première forme de section transversale dans un plan parallèle à l'interface collée entre les plages de contact 108 et les plages de contact 208, et les plages de contact 208 peuvent avoir une seconde forme de section transversale dans un plan parallèle à l'interface collée entre les plages de contact 108 et les plages de contact 208 qui est différente de la première forme de section transversale des plages de contact 108. Dans des modes de réalisation de ce genre, les surfaces de collage 120 des plages de contact 108 peuvent avoir une première forme, et les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 peuvent avoir une seconde forme qui est différente de la première forme. Dans des modes de réalisation dans lesquels les surfaces de collage 120 des plages de contact 108 et les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 diffèrent par leur forme, elles peuvent quand même avoir la même dimension ou des dimensions différentes (en d'autres termes, elles peuvent la même surface ou des surfaces différentes). Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, les surfaces de collage 120 des plages de contact 108 et les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 peuvent avoir au moins sensiblement la même dimension et la même forme. Dans des modes de réalisation de ce genre, les plages de contact 108 et les plages de contact 208 peuvent, dans certains cas, présenter un défaut d'alignement latéral volontaire ou involontairement les unes par rapport aux autres. Dans des modes de réalisation dans lesquels les plages de contact sont de dimension différente et/ou présentent un défaut d'alignement, il faut faire particulièrement attention aux surfaces de cuivre/oxyde. Les surfaces de cuivre/oxyde peuvent être collées avant d'accomplir le recuit post-collage. En outre, l'oxyde peut être recouvert/protégé avec un matériau, un matériau diélectrique par exemple, de sorte à garantir une passivation correcte apte à supprimer le comportement thermomécanique du cuivre, ce qui peut représenter un problème dans le cas d'oxydes à faible constante diélectrique (faible K). Un exemple non limitatif d'un procédé adapté pour réduire le comportement thermomécanique du cuivre consiste à s'assurer que le cuivre est collé à une surface diélectrique (avec un nitrure de silicium (SiXNy) par exemple) dans la zone de non superposition avec une autre plage de cuivre (en d'autres termes, dans le cas d'un défaut d'alignement de plage). Dans des modes de réalisation de ce genre, les surfaces de cuivre/nitrure de silicium peuvent être collées avant d'accomplir le recuit afin de permettre à la passivation du nitrure de silicium de supprimer le comportement thermomécanique du cuivre. Pour davantage de détails, se référer par exemple à « Effect of passivation on stress relaxation in electroplated copper films » Dongwen Gan et Paul S. Ho, Yaoyu Pang et Rui Huanga, Jihperng Leu, Jose Maiz et Tracey Scherban, J. Mater. Res., Vol. 21, N° 6 Juin 2006 m 2006 Materials Research Society. En se référant à nouveau à la figure 1, dans l'étape 22, les structures métalliques collées comprenant les plages de contact 108 et les plages de contact 208 peuvent être recuites en exposant la structure semi-conductrice collée 300 (et, partant, les structures métalliques collées) à un second budget thermique. Dans certains modes de réalisation, le second budget thermique de l'étape 22 peut être inférieur au premier budget thermique de l'étape 16. En d'autres termes, les structures métalliques collées peuvent être soumises à un second budget thermique qui est inférieur au premier budget thermique dans le but de recuire les structures métalliques collées. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, les structures métalliques collées peuvent être recuites en soumettant les plages de contact 108 et les plages de contact 208 à une température ou à des températures de recuit inférieures à 400 °C environ pendant une période de temps de recuit de deux heures environ ou moins (comprise par exemple entre trente minutes environ (30 minutes) et une heure environ (1 heure)). Le processus de recuit de l'étape 22 peut, dans certains modes de réalisation, être exécuté « in situ » dans une chambre ou une autre enceinte dans laquelle le processus de collage de l'étape 20 est également exécuté. Dans des modes de réalisation de ce genre, le processus de recuit de l'étape 22 peut comprendre un dernier segment ou une dernière partie d'un cycle thermique continu auquel la première structure semi-conductrice 100 est soumise dans la chambre ou l'autre enceinte. Comme on l'a vu dans ce qui précède, le premier budget thermique du processus de recuit de l'étape 16 peut être supérieur au second budget thermique du processus de recuit de l'étape 22. Comme le budget thermique est fonction à la fois de la période de temps de recuit et de la température de recuit, la manière dont le premier budget thermique du processus de recuit de l'étape 16 est rendu supérieur au second budget thermique du processus de recuit de l'étape 22 peut comprendre une variation des températures de recuit, une variation des périodes de temps de recuit ou une variation à la fois des températures de recuit et des périodes de temps de recuit entre le processus de recuit de l'étape 16 et le processus de recuit de l'étape 22. t Dans certains modes de réalisation, la température ou les températures de recuit du processus de recuit de l'étape 22 peut (peuvent) être au moins sensiblement la (les) même(s) que la température ou les températures de recuit du processus de recuit de l'étape 16. Dans des modes de réalisation de ce genre, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 22 peut être plus courte que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 16. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 22 peut être au moins sensiblement la même que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 16. Dans des modes de réalisation de ce genre, la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 22 peut être moins élevée que la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 16. Dans d'autres modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 22 peut être plus courte que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 16, et la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 22 peut être moins élevée que la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 16. En se référant à la figure 1, dans certains modes de réalisation, la première structure semi-conductrice 100 peut être soumise à deux processus de recuit séparés ou plus avant de coller directement des caractéristiques métalliques de la première structure semi-conductrice 100 à des caractéristiques métalliques de la seconde structure semi-conductrice 200 conformément à l'étape 20. En d'autres termes, avant le processus de collage de l'étape 20, la première 29 structure semi-conductrice 100 peut être soumise à un processus de recuit ou plus qui vient s'ajouter à celui de l'étape 16. Par exemple, comme montré sur la figure 1, la première structure semi-conductrice 100 peut être soumise à un processus de recuit supplémentaire dans l'étape 12 après le dépôt de métal 132 sur la première structure semi-conductrice 100 conformément à l'étape 10 et avant d'éliminer une partie du métal déposé 132 conformément à l'étape 14. Dans un deuxième exemple, illustré sur la figure 1, la première structure semi-conductrice 100 peut être soumise à un processus de recuit supplémentaire dans l'étape 20 avant le contact de liaison entre la première structure semi-conductrice 100 et la seconde structure semi-conductrice 200. La figure 2B illustre la première structure semi-conductrice 100 après que, comme montré sur la figure 2A, la première structure semi-conductrice 100 a été soumise à un processus de recuit conformément à l'étape 12 (Figure 1) après le dépôt de métal 132 sur la première structure semi-conductrice 100 conformément à l'étape 10 (Figure 1). Comme montré sur la figure 2B, l'étape consistant à soumettre le métal déposé 132 à un budget thermique dans le but de recuire le métal 132 conformément à l'étape 12 peut induire des changements microstructurels dans ce dernier, comme cela a été expliqué en référence à la figure 2D, et peut conduire à une dilatation volumétrique (soit localement, par une réorientation des grains et/ou une croissance des grains par exemple, soit dans le substrat, par des changements de phase par exemple) du métal déposé 132 et à des changements dans la topographie de la surface mise à nu 134 du métal déposé 132. Le processus de recuit de l'étape 12 peut, dans 35 certains modes de réalisation, être exécuté « in situ » dans une chambre ou une autre enceinte dans laquelle le processus de dépôt de l'étape 10 est également exécuté. Dans des modes de réalisation de ce genre, le processus de recuit de l'étape 12 peut être exécuté dans la chambre ou l'autre enceinte après le processus de dépôt de l'étape 10, mais avant de retirer la première structure semi-conductrice 100 de la chambre ou de l'autre enceinte. Conformément à certains modes de réalisation dans lesquels la première structure semi-conductrice 100 est soumise à deux processus de recuit séparés ou plus avant le processus de collage de l'étape 20, le premier budget thermique de l'étape 16 peut être supérieur au second budget thermique de l'étape 22, comme on l'a vu dans ce qui précède. Toutefois, conformément à des modes de réalisation de ce genre supplémentaires de la présente invention, le premier budget thermique de l'étape 16 peut être inférieur au second budget thermique de l'étape 22, mais le budget thermique combiné des processus de recuit des étapes 12 et 16 peut être supérieur au second budget thermique de l'étape 22. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, une caractéristique active ou plus de la seconde structure semi-conductrice 200, comme les plages de contact 208 par exemple, peut (peuvent) être formée(s) et recuite(s) conformément à des procédés tels que ceux décrits dans le présent document en ce qui concerne la formation et le recuit des plages de contact 108 et en référence aux figures 1 et 2A à 2G. En faisant en sorte que les budgets thermiques de recuit pré-collage soient égaux ou supérieurs aux budgets thermiques de recuit post-collage, comme on l'a 35 vu dans ce qui précède, la dilatation des caractéristiques du métal devant être collé dans le processus de collage direct due à une maturation de la microstructure de ce dernier, peut être au moins sensiblement accomplie avant le processus de collage direct, ce qui peut améliorer le collage entre les structures semi-conductrices. Conformément à des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, une couche de protection comprenant un matériau différent de celui des caractéristiques du métal devant être collé peut être formée ou autrement prévue à une surface d'au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice 100 avant de coller directement cette caractéristique métallique à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice conformément à l'étape 20 de la figure 1, comme on le verra de façon plus détaillée dans ce qui suit en référence aux figures 3A à 3F. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, au moment de la formation des plages de contact 108' conformément à l'étape 10, à l'étape 14 et à l'étape 16 (et éventuellement à l'étape 12) de la figure 1, un matériau oxyde 114 peut être disposé à (par exemple, sur ou dans) une surface principale mise à nu des plages de contact 108' d'une première structure semi- conductrice 100', comme montré sur la figure 3A. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, le métal 132 des plages de contact 108' peut comprendre du cuivre ou un alliage de cuivre, et le matériau oxyde 114 peut comprendre un oxyde de cuivre (CuxO, par exemple). Le matériau oxyde 114 peut résulter d'une oxydation volontaire ou involontaire de surfaces mises à nu des plages de contact 108', et peut résulter d'un processus ou plus exécuté(s) précédemment, comme un processus de polissage mécano-chimique (CMP) exécuté durant l'étape 14 de la figure 1. Le matériau oxyde 114 peut aussi résulter simplement de l'exposition des plages de contact 108' à un gaz contenant de l'oxygène (de l'air par exemple). En se référant à la figure 3B, le matériau oxyde 114 peut être éliminé des plages de contact 108'. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, un procédé de gravure chimique humide ou un procédé de gravure plasma sèche peut être utilisé pour éliminer le matériau oxyde 114 des plages de contact 108'. Après élimination d'un matériau oxyde 114 qui peut être présent à la surface des plages de contact 108', une couche de protection 116 comprenant un matériau différent du métal 132 peut être formée à (par exemple, sur ou dans) la surface principale mise à nu des plages de contact 108', comme montré sur la figure 3C. La couche de protection 116 peut comprendre un matériau ayant une composition sélectionnée de sorte à empêcher ou à prévenir toute diffusion atomique indésirable et/ou tout phénomène thermomécanique qui pourraient se produire à l'interface de collage formée durant le processus de collage de l'étape 20 (Figure 1). Dans certains modes de réalisation, la couche de protection 116 peut comprendre du silicium. Par exemple, la couche de protection 116 peut comprendre un siliciure de métal. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, dans des modes de réalisation dans lesquels les plages de contact 108' comprennent du cuivre ou un alliage de cuivre, la couche de protection 116 peut comprendre du siliciure de cuivre (CuSix, par exemple). Du siliciure de cuivre peut être formé à la surface de plages de contact 108' comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre en exposant par exemple les surfaces mises à nu 115 (Figure 3B) des plages de contact 108' à un gaz contenant SiH4. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, la couche de protection 116 peut comprendre du nitrure de cuivre silicium (CuSiN) qui peut être formé en exposant du siliciure de cuivre à un gaz ou à un plasma contenant de l'azote (un gaz ou un plasma contenant du NH3 par exemple), ce qui peut cependant contribuer à augmenter la résistance de contact. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, la couche de protection 116 peut comprendre un métal ou un alliage de métal, comme un alliage de métal comprenant du cobalt, du tungstène et des atomes de phosphore (CoWP). Le fait d'appliquer une protection de métal déposé (CoWP) de façon sélective et anélectrolytique sur le cuivre peut perdre de réduire encore la diffusion au niveau de l'interface. Un autre procédé permettant d'améliorer la diffusion au niveau de l'interface peut consister à doper le cuivre avec des impuretés, Al, Ag ou Mn par exemple, introduites généralement dans la couche d'ensemencement de cuivre. Après recuit, les impuretés se séparent au niveau des limites et des interfaces des grains, y compris à l'interface de collage critique. La présence des impuretés à l'interface réduit la diffusion du cuivre mais peut augmenter sa résistivité. Dans certains modes de réalisation, la couche de protection 116 peut être formée de sorte à avoir une épaisseur moyenne initiale de dix nanomètres environ (10 nm) ou moins (avant le collage et/ou un autre processus consécutif). Une fois la couche de protection 116 formée, les plages de contact 108' peuvent être directement collées aux caractéristiques métalliques d'une seconde structure semi-conductrice 200 conformément à l'étape 20 de la figure 1. Le processus de collage peut être exécuté comme on l'a vu dans ce qui précède en référence aux figures 2E à 2G. En se référant à la figure 3D, la première structure semi-conductrice 100' peut être alignée avec la seconde structure semi-conductrice 200 de telle sorte que les plages de contact 108' de la première structure semi-conductrice 100' soient alignées avec les plages de contact conductrices métalliques 208 de la seconde structure semi-conductrice 200. Comme montré sur la figure 3D, la seconde structure semi-conductrice 200 peut également comprendre des structures de dispositifs actives supplémentaires comme, par exemple, des trous de liaison conducteurs s'étendant verticalement 204 et des traces conductrices s'étendant latéralement 206. Bien que cela ne soit pas représenté sur les figures, la seconde structure semi-conductrice 200 peut également comprendre des transistors. Des surfaces des couches de protection 116 sur les plages de contact 108' peuvent définir une surface de collage ou plus 120 des plages de contact 108', et des surfaces mises à nu extérieures des plages de contact 208 peuvent définir des surfaces de collage 220 des plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200. En se référant à la figure 3E, une fois la première structure semi-conductrice 100' alignée avec une seconde structure semi-conductrice 200 de telle sorte que les plages de contact 108' de la première structure semi-conductrice 100' soient alignées avec les plages de contact conductrices métalliques 208 de la seconde structure semi-conductrice 200, la première structure semi-conductrice 100' peut être aboutée contre la seconde structure semi-conductrice 200 de telle sorte que les surfaces de collage 120 des plages de contact 108' de la première structure semi- conductrice 100' soient aboutées directement contre les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200. En se référant à la figure 3F, les surfaces de collage 120 (Figure 3E) des plages de contact 108' de la première structure semi-conductrice 100' peuvent ensuite être directement collées aux surfaces de collage 220 (Figure 3E) des plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200 de sorte à former une structure semi-conductrice collée 300'. Par exemple, les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200 peuvent être directement collées aux surfaces de collage 120 des plages de contact 108' de la première structure semi-conductrice 100' au cours d'un processus de collage direct de métal sur métal (de cuivre sur cuivre, par exemple) sans processus de collage par thermocompression. Dans certains modes de réalisation, le processus de collage sans thermocompression peut comprendre un processus de collage direct à ultra-basse température exécuté dans un environnement à une température ou à des températures de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ ou moins, ou même dans un environnement à une température ou à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) environ ou moins. Dans certains modes de réalisation, le processus de collage sans thermocompression peut être exécuté à une température ou à des températures comprise(s) entre vingt degrés Celsius (20 °C) environ et quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ, ou même à une température ou à des températures comprise(s) entre deux cents degrés Celsius (200 °C) environ et trois cent cinquante degrés Celsius (3500 °C) environ. Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, le processus de collage sans thermocompression peut être exécuté dans un environnement sensiblement à la température ambiante (c'est à dire sans appliquer plus de chaleur que celle fournie par l'environnement ambiant). Comme montré sur la figure 3F, dans certains modes de réalisation, lorsqu'un collage direct des plages de contact 108' de la première structure semi-conductrice 100' est exécutée sur les plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200, un élément ou plus de la couche de protection 116 à l'interface entre les plages de contact 108' et les plages de contact 208 peut se diffuser dans les plages de contact 108' et/ou les plages de contact 208 ; dans ce cas, la couche de protection 116 n'existe plus en tant que phase distincte à l'interface collée entre les plages de contact 108' et les plages de contact 208. Au moins une partie de la couche de protection 116 peut rester en dessus d'au moins une partie des plages de contact 108', comme montré sur la figure 3F. La présence d'au moins une partie de la couche de protection 116 en dessus des plages de contact 108' consécutivement au processus de collage peut être avantageuse pour des raisons qui seront décrites de façon plus détaillée dans ce qui suit. Dans des modes de réalisation dans lesquels les plages de contact 108' et les plages de contact 208 diffèrent au moins dans l'une de leur dimension et de leur forme et/ou présentent un défaut d'alignement les unes par rapport aux autres, au moins une partie de la couche de protection 116 sur une des plages de contact ou plus 108' peut ne pas abouter contre, et peut ne pas être directement collée à, une partie quelconque d'une plage de contact 208. De telles parties de la couche de protection 116 peuvent abouter contre un matériau substrat 212 entourant les plages de contact 208, par exemple. Ces parties de la couche de protection 116 peuvent ou non être collées au matériau substrat aboutant 212, et peuvent ne pas se dissoudre entièrement dans les plages de contact 108' au moment du collage des plages de contact 108' aux plages de contact 208. Dans des modes de réalisation de ce genre, la présence d'au moins une partie de la couche de protection 116 à l'interface entre les plages de contact 108' et le matériau substrat 212 après le processus de collage peut améliorer la durée de vie utile et/ou améliorer les performances des structures conductrices formées par l'aboutement entre les plages de contact 108' et les plages de contact 208. Par exemple, la présence de la couche de protection 116 à l'interface entre les plages de contact 108' et le matériau substrat 212 peuvent empêcher ou prévenir le transport de masse à l'interface entre les plages de contact 108' et le matériau substrat 212, qui peut se produire en raison d'une électromigration, par exemple. La présence de la couche de protection 116 peut aussi supprimer l'occurrence de phénomènes thermomécaniques indésirables comme, par exemple, des changements indésirables dans la microstructure qui pourraient résulter de variations de température auxquelles la structure peut être soumise au cours de processus et/ou d'opérations consécutifs. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, des surfaces mises à nu d'une caractéristique active ou plus de la seconde structure semi-conductrice 200, comme les surfaces mises à nu des plages de contact 208 par exemple, peuvent être traitées comme on l'a vu dans ce qui précède en référence aux plages de contact 108' de la première structure semi-conductrice 100', de telle sorte que les surfaces de collage 220 des plages de contact 208 comprennent une couche de protection (comme la couche de protection 116, par exemple). Après le collage de la première structure semi-conductrice 100' à la seconde structure semi- conductrice 200 de sorte à former la structure semi-conductrice collée 300' de la figure 3F, les structures métalliques collées comprenant les plages de contact 108' et les plages de contact 208 peuvent être recuites conformément à l'étape 22 de la figure 1 en exposant les structures métalliques collées à un second budget thermique, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence au mode de réalisation des figures 2A à 2G. La figure 4 illustre un déroulement de processus de modes de réalisation supplémentaires de procédés de la présente invention, et la figure 5 est utilisé conjointement avec les figures 2A à 2G pour illustrer la fabrication d'une structure semi-conductrice collée conformément au déroulement de processus de la figure 4. Comme montré sur la figure 4, le déroulement de processus illustré comprend le dépôt de métal 132 sur une première structure semi-conductrice 100 conformément à l'étape 14, l'élimination d'une partie du métal déposé 132 de la première structure semi-conductrice 100 conformément à l'étape 16, et le recuit de la partie restante du métal 132 en soumettant la partie restante du métal 132 à un premier budget thermique conformément à l'étape 16. Le déroulement de processus de la figure 4 peut aussi comprendre le recuit supplémentaire optionnel du métal déposé 132 conformément à l'étape 12. Ces étapes 10, 12, 14 et 16 peuvent se dérouler comme on l'a vu dans ce qui précède en référence aux figures 2A à 2D de sorte à former la première structure semi-conductrice 100 montrée sur la figure 2D. Comme montré sur la figure 2D, le processus de recuit de l'étape 16 peut conduire à une dilatation volumétrique (soit localement, par une réorientation des grains et/ou une croissance des grains par exemple, soit dans le substrat, par des changements de phase par exemple) du métal déposé 132 et à des changements dans la topographie des surfaces mises à nu des plages de contact 108, qui définissent les surfaces de collage 109 des plages de contact 108. En résultat, les surfaces de collage 109 des plages de contact 108 peuvent s'étendre verticalement (comme sur la vue en perspective de la figure 2D) au-delà de la surface mise à nu du matériau substrat environnant 112 au niveau de la surface active 110, et/ou la rugosité de surface des surfaces de collage 109 peut être augmentée. En se référant à nouveau à la figure 4, conformément à certains modes de réalisation de la présente invention, une partie supplémentaire du métal déposé et recuit 132 des plages de contact 108 peut être éliminée au cours d'un processus d'élimination supplémentaire, conformément à l'étape 17, une fois le processus de recuit de l'étape 16 accompli. Le processus d'élimination de l'étape 17 peut comprendre, par exemple, un processus de planarisation qui améliore la planarité (et diminue la rugosité de surface moyenne globale de) la surface active 110 de la structure semi-conductrice 100, et/ou qui diminue une rugosité de surface des surfaces de collage 109 des plages de contact 108. De ce fait, la figure 5 illustre les surfaces de collage 109 des plages de contact 108 qui présentent une rugosité de surface réduite par rapport à la figure 2D, et elle illustre les surfaces de collage 109 qui sont coplanaires avec la surface mise à nu du matériau substrat environnant 112 à la surface active 110. Dans l'étape 17, la partie supplémentaire du métal déposé et recuit 132 peut être éliminée en exécutant, par exemple, un procédé de gravure (par exemple, un procédé de gravure chimique humide, un procédé de gravure à sec par ions réactifs, etc.), un procédé de polissage ou de rectification, ou une combinaison de ceux-ci, comme un processus de polissage mécano-chimique (CMP) par exemple. Par exemple, la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100 peut être soumise à un processus CMP pour éliminer la partie supplémentaire du métal déposé et recuit 132 des plages de contact 108. En se référant à nouveau à la figure 4, après élimination d'une partie supplémentaire du métal déposé et recuit 132 des plages de contact 108 conformément à l'étape 17 de sorte à former la première structure semi-conductrice 100 comme montré sur la figure 5, les plages de contact 108 de la première structure semi- conductrice 100 peuvent être directement collées aux plages de contact 208 de la seconde structure semi- conductrice 200 conformément à l'étape 20, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 1 et aux figures 2E à 2G. Après le processus de collage directe de l'étape 20, les caractéristiques métalliques collées comprenant les plages de contact 108 de la première structure semi-conductrice 100 et les plages de contact 208 de la seconde structure semi-conductrice 200 peuvent être recuites en soumettant les caractéristiques métalliques collées à un second budget thermique qui est inférieur au premier budget thermique, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 1 et à la figure 2G. Bien que cela ne soit pas représenté sur la figure 4, les surfaces de collage 109 des plages de contact 108 peuvent être préparées en vue du collage conformément à l'étape 18 (Figure 1) en soumettant la surface active 110 de la première structure semi-conductrice 100 à un processus de nettoyage, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 1. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, une couche de protection 116 peut être formée ou autrement prévue à une surface d'au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice 100 avant de coller directement cette caractéristique métallique à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice conformément à l'étape 20 de la figure 4, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence aux figures 3A à 3F. La figure 6 illustre un déroulement de processus de modes de réalisation supplémentaires de procédés de la présente invention, et les figures 7A à 7E illustrent la fabrication d'une structure semi-conductrice collée conformément au déroulement de processus de la figure 6. En se référant à la figure 6, dans l'étape 50, un métal 432 peut être déposé en dessus d'une première structure semi-conductrice. Comme montré sur la figure 7A, une première structure semi-conductrice 400 peut être formée. La première structure semi-conductrice 400 peut être sensiblement similaire à la première structure semi-conductrice 100 précédemment décrite en référence à la figure 2A, et elle peut comprendre une structure semi-conductrice traitée qui comprend une caractéristique de dispositif active ou plus, comme un ou plus d'une pluralité de transistors 402 (qui sont représentés de façon schématique sur les figures), une pluralité de trous de liaison conducteurs s'étendant verticalement 104 et une pluralité de traces conductrices s'étendant horizontalement 106. Les caractéristiques de dispositif actives peuvent comprendre des matériaux électroconducteurs et/ou des matériaux semi-conducteurs qui sont entourés par un matériau substrat non conducteur 412. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, un des trous de liaison conducteurs ou plus 404 et une des traces conductrices ou plus 406 peut (peuvent) comprendre un métal conducteur ou plus ou un alliage de métal ou plus comme, par exemple, du cuivre, de l'aluminium, ou un alliage ou un mélange de ceux-ci. La première structure semi-conductrice 400 peut également comprendre une pluralité de renfoncements 430 dans lesquels il est souhaitable de former une pluralité de plages de contact 408 (Figure 7C). Pour former les plages de contact 408, du métal 432 peut être déposé en dessus de (par exemple, sur) la surface active 410 de la première structure semi-conductrice 400, de telle sorte que le métal 432 remplisse au moins entièrement les renfoncements 430, comme montré sur la figure 7A. Un excédent de métal 432 peut être déposé sur la première structure semi-conductrice 400 de telle sorte que les renfoncements 430 soient entièrement remplis de métal 432 et qu'un supplément de métal 432 soit disposé en dessus de la surface active 410 de la première structure semi-conductrice 400 (de sorte à la recouvrir, par exemple). À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, le métal 432 peut comprendre un métal ou un alliage de métal comme, par exemple, du cuivre, de l'aluminium, ou un alliage ou un mélange de ceux-ci. Dans certains modes de réalisation, le métal 432 peut être sélectionné de sorte qu'il comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. Comme montré sur la figure 7A, le métal 432 peut être déposé sur la première structure semi-conductrice 400 de telle sorte qu'un vide 436 soit formé dans la partie du métal déposé 432 à l'intérieur des renfoncements 430. En d'autres termes, le métal 432 peut être formé de sorte à comprendre au moins une surface interne qui définit un vide 436 dans la partie du métal déposé 432 à l'intérieur des renfoncements 430. Les vides peuvent être créés, par exemple, au cours du processus d'électrodéposition en augmentant la vitesse de croissance du métal sur les côtés verticaux des lignes et des trous de liaison. Dans ces conditions, des vides se créent spontanément dans les trous de liaison ou les lignes. Un autre procédé de création de tels vides peut être mis en oeuvre en exécutant un dépôt non enrobant de la barrière de diffusion (ou de la couche d'ensemencement de métal). En augmentant l'épaisseur latérale de la barrière/couche d'ensemencement dans les trous de liaison/lignes, des vides peuvent être créés directement au cours du processus de dépôt de la barrière de diffusion ou à un stade précoce de l'étape de dépôt de métal. Le métal 432 peut être déposé sur la première structure semi-conductrice 400 par l'exécution, par exemple, d'un ou plus d'un procédé de placage anélectrolytique, d'un procédé de placage électrolytique, d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD). À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, une couche d'ensemencement de cuivre peut être déposée en exécutant un procédé de placage anélectrolytique, après quoi une couche mince de cuivre peut être déposée sur la couche d'ensemencement de cuivre à une vitesse relativement plus rapide en exécutant un procédé de placage électrolytique. Le métal 432 peut être déposé sur la première structure semi-conductrice 400 par l'exécution, par exemple, d'un ou plus d'un procédé de placage anélectrolytique, d'un procédé de placage électrolytique, d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD). À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, une couche d'ensemencement de cuivre peut être déposée en exécutant un procédé de placage anélectrolytique, après quoi une couche mince de cuivre peut être déposée sur la couche d'ensemencement de cuivre à une vitesse relativement plus rapide en exécutant un procédé de placage électrolytique. En se référant à nouveau à la figure 6, dans l'étape 54, une partie du métal déposé 432 (Figure 7A) peut être éliminée de la première structure semi-conductrice 400 de sorte à former des plages de contact 408 qui comprennent des parties restantes du métal déposé 432 disposées dans les renfoncements 430, comme montré sur la figure 7C. La partie du métal déposé 432 peut être éliminée conformément à l'étape 14 (Figure 6) en exécutant, par exemple, un procédé de gravure (par exemple, un procédé de gravure chimique humide, un procédé de gravure à sec par ions réactifs, etc.), un procédé de polissage ou de rectification, ou une combinaison de ceux-ci, comme un processus de polissage mécano-chimique (CMP) par exemple. Par exemple, la surface active 410 de la première structure semi-conductrice 400 peut être soumise à un processus CMP de sorte à éliminer des parties du métal déposé 432 (Figure 7A) recouvrant des zones du matériau substrat 412 à l'extérieur des renfoncements 430, de telle sorte que seules demeurent des régions du métal déposé 432 à l'intérieur des renfoncements 430 (ces régions définissant et comprenant les plages de contact 408) et de telle sorte que le matériau substrat 412 soit mis à nu sur la surface active 410 dans la zone latéralement adjacente à la région du métal déposé 432 à l'intérieur des renfoncements 430. De ce fait, une des plages de contact ou plus 408 peut être mise à nu sur la surface active 410 de la première structure semi-conductrice 400. Comme montré sur la figure 7C, le procédé utilisé pour éliminer le métal en excédent 432 de la première structure semi-conductrice 400 (un processus CMP, par exemple) peut conduire à une déformation des surfaces mises à nu des plages de contact 408 dans certains modes de réalisation. D'autre part, dans certains modes de réalisation, les surfaces mises à nu des plages de contact 408 peuvent être légèrement renfoncées par rapport à la surface principale mise à nu du matériau substrat environnant 412 à la surface active 410 après élimination d'une partie du métal déposé 432 conformément à l'étape 54. En se référant à nouveau à la figure 6, dans l'étape 60, les plages de contact 408 peuvent être directement collées à des caractéristiques métalliques d'une seconde structure semi-conductrice. Un exemple de processus de collage direct qui peut être utilisé pour coller directement les plages de contact 408 à des caractéristiques métalliques d'une seconde structure semi-conductrice est décrit dans ce qui suit en référence aux figures 7D et 7E. En se référant à la figure 7E, la première structure semi-conductrice 400 peut être alignée avec une seconde structure semi-conductrice 500 de telle sorte que les plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400 soient alignées avec des plages de contact conductrices métalliques 508 de la seconde structure semi-conductrice 500. Comme montré sur la figure 7D, la seconde structure semi-conductrice 500 peut être sensiblement similaire à la seconde structure semi-conductrice 200 précédemment décrite en référence aux figures 2E à 2G, et elle peut également comprendre une structure semi-conductrice traitée qui comprend des structures de dispositifs actives supplémentaires, comme des trous de liaison conducteurs s'étendant verticalement 504 et des traces conductrices s'étendant horizontalement 506 par exemple. Bien que cela ne soit pas représenté sur les figures, la seconde structure semi-conductrice 500 peut également comprendre des transistors. Comme montré sur la figure 7D, dans certains modes de réalisation, les plages de contact 508 de la seconde structure semi-conductrice 500 peuvent être au moins sensiblement identiques aux plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400, et elles peuvent comprendre des vides 536 dans le métal conducteur des plages de contact 508, comme les vides 436 dans le métal 432 des plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400 par exemple. Dans d'autres modes de réalisation, les plages de contact 508 peuvent ne pas comprendre de tels vides 536 en elles. Des surfaces mises à nu des plages de contact 408 peuvent définir une surface de collage ou plus 420 des plages de contact 408, et des surfaces mises à nu extérieures des plages de contact 508 peuvent définir des surfaces de collage 520 des plages de contact 508 de la seconde structure semi-conductrice 500. En se référant toujours à la figure 7F, une fois la première structure semi-conductrice 400 alignée avec une seconde structure semi-conductrice 500 de telle sorte que les plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400 soient alignées avec les plages de contact conductrices métalliques 508 de la seconde structure semi-conductrice 500, la première structure semi-conductrice 400 peut être aboutée contre la seconde structure semi-conductrice 500 de telle sorte que les surfaces de collage 420 des plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400 soient aboutées directement contre les surfaces de collage 520 des plages de contact 508 de la seconde structure semi-conductrice 500 sans aucun matériau de collage intermédiaire (un adhésif par exemple) entre elles. Les surfaces de collage 420 des plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400 peuvent ensuite être directement collées aux surfaces de collage 520 des plages de contact 508 de la seconde structure semi-conductrice 500 de sorte à former une structure semi-conductrice collée 600. Le processus de collage conduit à la formation de structures métalliques collées qui comprennent les plages de contact 408 et les plages de contact 508 qui ont été collées ensemble. Les surfaces de collage 520 des plages de contact 508 de la seconde structure semi-conductrice 500 peuvent être directement collées aux surfaces de collage 420 des plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400 au cours d'un processus de collage direct de métal sur métal (de cuivre sur cuivre, par exemple) sans processus de collage par thermocompression. Dans certains modes de réalisation, le processus de collage sans thermocompression peut comprendre un processus de collage direct à ultra-basse température exécuté dans un environnement à une température ou à des températures de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ ou moins, ou même dans un environnement à une température ou à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) environ ou moins. Dans certains modes de réalisation, le processus de collage sans thermocompression peut être exécuté à une température ou à des températures comprise(s) entre vingt degrés Celsius (20 °C) environ et quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ, ou même à une température ou à des températures comprise(s) entre deux cents degrés Celsius (200 °C) environ et trois cent cinquante degrés Celsius (350 °C) environ. Dans d'autres modes de réalisation, le processus de collage sans thermocompression peut être exécuté dans un environnement sensiblement à la température ambiante (en d'autres termes, sans autre application de chaleur que celle fournie par l'environnement ambiant). Avant de coller la première structure semi-conductrice 400 à la seconde structure semi-conductrice 500, la première structure semi-conductrice 400 et la seconde structure semi-conductrice 500 peuvent être traitées de sorte à éliminer les impuretés de surface et les composés de surface indésirables, et elles peuvent être planarisées de sorte à augmenter la surface de contact étroit à l'échelle atomique entre les surfaces de collage 420 des plages de contact 408 et les surfaces de collage 520 des plages de contact 508. La surface de contact étroit entre les surfaces de collage 420 et les surfaces de collage 520 peut être accomplie en polissant les surfaces de collage 420 et les surfaces de collage 520 dans le but de réduire la rugosité de surface à des valeurs proches de l'échelle atomique, en appliquant une pression entre les surfaces de collage 420 et les surfaces de collage 520 de sorte à obtenir une déformation plastique, ou en polissant à la fois les surfaces de collage 420, 520 et en appliquant une pression entre la première structure semi-conductrice 400 et la seconde structure semi-conductrice 500 de sorte à obtenir une telle déformation plastique. Dans certains modes de réalisation, la première 35 structure semi-conductrice 400 peut être directement collée à la seconde structure semi-conductrice 500 sans appliquer de pression entre les surfaces de collage 420, 520 à l'interface de collage entre elles, tandis que dans certains procédés de collage direct à ultra- basse température, une pression peut être appliquée entre les surfaces de collage 420, 520 à l'interface de collage de sorte à obtenir une solidité adéquate du collage à l'interface de collage. En d'autres termes, dans certains modes de réalisation de la présente invention, les procédés de collage direct utilisés pour coller les plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400 aux plages de contact 508 de la seconde structure semi-conductrice 500 peuvent comprendre des procédés de collage « de surface assistée » (SAS). Comme montré sur la figure 7D, au moment de la liaison les plages de contact 408 de la première structure semi-conductrice 400 aux plages de contact 508 de la seconde structure semi-conductrice 500, l'interface de collage peut demeurer relativement identifiable dans sa microstructure quand on regarde sur une vue agrandie. D'autre part, il peut encore rester des vides 436 à l'intérieur des plages de contact 408, et il peut encore rester des vides 536 à l'intérieur des plages de contact 508. En se référant à nouveau à la figure 6, dans l'étape 62, les caractéristiques métalliques collées comprenant les plages de contact 408 et les plages de contact 508 peuvent être recuites en exposant la structure semi-conductrice collée 600 (et, partant, les structures métalliques collées) à un budget thermique. À titre d'exemple, et dans un sens non limitatif, les structures métalliques collées peuvent être recuites en soumettant les plages de contact 408 et les plages de contact 508 à une température ou à des températures de recuit inférieures à 400 °C environ pendant une période de temps de recuit de deux heures environ ou moins (comprise par exemple entre trente minutes environ (30 minutes) et une heure environ (1 heure)). Le processus de recuit de l'étape 62 peut, dans certains modes de réalisation, être exécuté « in situ » dans une chambre ou une autre enceinte dans laquelle le processus de collage de l'étape 60 est également exécuté. Dans des modes de réalisation de ce genre, le processus de recuit de l'étape 62 peut comprendre un dernier segment ou une dernière partie d'un cycle thermique continu auquel la structure semi-conductrice 400 est soumise dans la chambre ou l'autre enceinte. Le processus de recuit de l'étape 62 peut induire des changements microstructurels dans les plages de contact 408 et les plages de contact 508, et peut conduire à une dilatation volumétrique (soit localement, par une réorientation des grains et/ou une croissance des grains par exemple, soit dans le substrat, par des changements de phase par exemple) du métal des plages de contact 408 et 508. La présence des vides 436 dans les plages de contact 408 et des vides 536 dans les plages de contact 508 peut fournir un espace dans lequel le métal 432 peut se dilater sous l'étape d'une telle dilatation volumétrique. De ce fait, après le processus de recuit de l'étape 62, les vides 436 et 536 à l'intérieur des plages de contact 408 et 508, respectivement, peuvent occuper un volume réduit (en d'autres termes, ils présentent une surface de section transversale moyenne plus petite). Dans certains modes de réalisation, après le processus de recuit de l'étape 62, les vides 436, 536 peuvent avoir complètement disparu de l'intérieur des plages de contact 408, 508. Par ailleurs, dans certains modes de réalisation, après le processus de recuit de l'étape 62, il peut ne pas y avoir d'interface de collage discrète identifiable dans la microstructure entre les plages de contact 408 et les plages de contact 508 quand on regarde sur une vue agrandie. Comme montré sur la figure 6, dans certains modes de réalisation, au moins une partie du métal 432 (Figure 7A) peut être soumise à un processus de recuit ou plus avant le processus de collage de l'étape 60. Par exemple, dans certains modes de réalisation, après de déposer le métal 432 en dessus de la première structure semi-conductrice 400 conformément à l'étape 50 comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 7A, et avant d'éliminer une partie du métal 432 conformément à l'étape 54 comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 7C, le métal déposé 432 peut être soumis à un budget thermique dans le but de recuire le métal 432. La figure 7B illustre la première structure semi-conductrice 400 après que, comme montré sur la figure 7A, la structure semi- conductrice 400 a été soumise à un processus de recuit conformément à l'étape 52 (Figure 6) après le dépôt de métal 432 sur la première structure semi-conductrice 400 conformément à l'étape 50 (Figure 6). Comme montré sur la figure 7B, l'étape consistant à soumettre le métal déposé 432 à un budget thermique dans le but de recuire le métal 432 conformément à l'étape 52 peut induire des changements microstructurels dans ce dernier, comme cela a été expliqué en référence à la figure 2D, et peut conduire à une dilatation volumétrique (soit localement, par une réorientation des grains et/ou une croissance des grains par exemple, soit dans le substrat, par des changements de phase par exemple) du métal déposé 432 et à des changements dans la topographie de la surface mise à nu 434 du métal déposé 432. Le processus de recuit de l'étape 52 peut, dans certains modes de réalisation, être exécuté « in situ » dans une chambre ou une autre enceinte dans laquelle le processus de dépôt de l'étape 50 est également exécuté. Dans des modes de réalisation de ce genre, le processus de recuit de l'étape 52 peut être exécuté dans la chambre ou l'autre enceinte après le processus de dépôt, mais avant de retirer la première structure semi-conductrice 100 de la chambre ou de l'autre enceinte. Dans des modes de réalisation dans lesquels le métal déposé 432 est recuit conformément à l'étape 52, le budget thermique du processus de recuit de l'étape 52 peut être supérieur au budget thermique du processus de recuit de l'étape 62. Dans certains modes de réalisation, la température ou les températures de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut (peuvent) être au moins sensiblement la (les) même(s) que la température ou les températures de recuit du processus de recuit de l'étape 52. Dans des modes de réalisation de ce genre, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être plus courte que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 52. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être au moins sensiblement la même que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 52. Dans des modes de réalisation de ce genre, la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être moins élevée que la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 52. Dans d'autres modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être plus courte que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 52, et la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être moins élevée que la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 52. En se référant à nouveau à la figure 6, dans certains modes de réalisation, après élimination d'une partie du métal déposé 432 conformément à l'étape 54 comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 7C, et avant le processus de collage de l'étape 60, la partie restante du métal déposé 432 peut être soumise à un budget thermique dans le but de recuire la partie restante du métal 432. Un tel processus de recuit peut être au moins sensiblement identique au processus de recuit de l'étape 16 de la figure 1, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence à la figure 2D. Dans des modes de réalisation de ce genre, le budget thermique du processus de recuit de l'étape 54 peut être supérieur au second budget thermique du processus de recuit de l'étape 62. Dans certains modes de réalisation, la température ou les températures de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut (peuvent) être au moins sensiblement la (les) même(s) que la température ou les températures de recuit du processus de recuit de l'étape 54. Dans des modes de réalisation de ce genre, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être plus courte que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 54. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être au moins sensiblement la même que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 54. Dans des modes de réalisation de ce genre, la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être moins élevée que la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 54. Dans d'autres modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être plus courte que la période de temps de recuit du processus de recuit de l'étape 54, et la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 62 peut être moins élevée que la température moyenne de recuit du processus de recuit de l'étape 54. Dans certains modes de réalisation, le déroulement de processus de la figure 6 peut comprendre à la fois le processus de recuit de l'étape 52 et le processus de recuit de l'étape 56. Conformément à certains modes de réalisation de ce genre, le budget thermique de l'étape 52 peut être supérieur au budget thermique de l'étape 62, et le budget thermique de l'étape 56 peut être inférieur, égal ou supérieur au budget thermique du processus de recuit de l'étape 52. Conformément à d'autres modes de réalisation de ce genre, le budget thermique de l'étape 56 peut être supérieur au budget thermique de l'étape 62, et le budget thermique de l'étape 52 peut être inférieur, égal ou supérieur au budget thermique du processus de recuit de l'étape 56. Dans d'autres modes de réalisation de ce genre encore, le budget thermique de l'étape 52 peut être inférieur au budget thermique de l'étape 62, et le budget thermique de l'étape 56 peut être inférieur au budget thermique de l'étape 62, mais le budget thermique combiné des processus de recuit de l'étape 52 et de l'étape 56 peu être supérieur au budget thermique de l'étape 62. Dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, une caractéristique active ou 35 plus de la seconde structure semi-conductrice 500, - 2973937 56 comme les plages de contact 508 par exemple, peut (peuvent) être formée(s) et recuite(s) conformément à des procédés tels que ceux décrits dans le présent document en ce qui concerne la formation et le recuit 5 des plages de contact 408 et en référence aux figures 6 et 7A à 7E. D'autre part, dans des modes de réalisation supplémentaires de la présente invention, une couche de protection 116 peut être formée ou autrement prévue à 10 une surface d'au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice 400 avant de coller directement cette caractéristique métallique à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice conformément à l'étape 60 de 15 la figure 6, comme on l'a vu dans ce qui précède en référence aux figures 3A à 3F. Bien que des modes de réalisation de la présente invention aient été décrits dans ce qui précède en référence à la liaison directe de plages de contact 20 d'une première structure semi-conductrice à des plages de contact d'une seconde structure semi-conductrice, il est tout à fait envisageable que des caractéristiques métalliques autres que des plages de contact des première et seconde structures semi-conductrices 25 puissent être traitées et directement collées les unes aux autres, comme cela est décrit dans le présent document. Par exemple, d'autres caractéristiques métalliques de ce genre peuvent comprendre des trous de liaison conducteurs, des interconnexions à travers la 30 tranche, des traces conductrices ou tout autre caractéristique métallique mise à nu à une structure semi-conductrice de surface. En outre, il est tout à fait envisageable que les caractéristiques de conductivité de la seconde structure semi-conductrice comme, par exemple, une ou plus de plages de contact, un ou plus de trous de liaison conducteurs et une ou plus de traces conductrices, puissent être formé(e)s et traité(e)s (recuit(e)s par exemple) comme cela a été décrit en référence aux plages de contact des premières structures semi-conductrices, en plus de, ou en lieu et place d'un traitement des caractéristiques conductrices de la première structure semi-conductrice, avant de coller directement la ou les caractéristiques conductrices de la première structure semi-conductrice et la ou les caractéristiques conductrices de la seconde structure semi-conductrice les unes aux autres. D'autres modes de réalisation non limitatifs fournis à titre d'exemple de la présente invention sont décrit ci-dessous : Mode de réalisation n° 1 : procédé de collage directe d'une première structure semi-conductrice à une seconde structure semi-conductrice, le procédé comprenant les étapes consistant : à déposer un métal en dessus d'une première structure semi-conductrice ; à éliminer une partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice ; à soumettre une partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice à un premier budget thermique et à recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice ; à coller directement au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice qui comprend la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice de sorte à former une structure métallique collée qui comprend la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice ; et à soumettre la structure métallique collée à un second budget thermique et à recuire la structure métallique collée, le second thermique budget étant inférieur ou égal au premier thermique budget. Mode de réalisation n° 2 : procédé selon le mode de réalisation n° 1, dans lequel l'étape consistant à soumettre la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice au premier budget thermique et à recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à soumettre la partie restante du métal à une première température moyenne de recuit au cours d'une première période de temps de recuit, et dans lequel l'étape consistant à soumettre la structure métallique collée à un second budget thermique et à recuire la structure métallique collée comprend l'étape consistant à soumettre la structure métallique collée à une seconde température moyenne de recuit au cours d'une seconde période de temps de recuit. Mode de réalisation n° 3 : procédé selon le mode de réalisation n° 2, dans lequel la première température moyenne de recuit est égale à la seconde température moyenne de recuit ou plus élevée qu'elle. Mode de réalisation n° 4 : procédé selon le mode de réalisation n° 2, dans lequel la première période de temps de recuit est plus longue que la seconde période de temps de recuit ou égale à elle. Mode de réalisation n° 5 : procédé selon le mode de réalisation n° 2, dans lequel la première température moyenne de recuit est plus élevée que la seconde température moyenne de recuit ou égale à elle, et dans lequel la première période de temps de recuit est plus longue que la seconde période de temps de recuit ou égale à elle. Mode de réalisation n° 6 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 5, comprenant par ailleurs une étape consistant à recuire le métal déposé en dessus de la première structure semi- conductrice avant d'éliminer la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 7 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 6, dans lequel l'étape consistant à éliminer la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à soumettre la première structure semi-conductrice à un processus de polissage mécano-chimique. Mode de réalisation n° 8 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 7, comprenant par ailleurs une étape consistant à sélectionner le métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice de sorte qu'il comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. Mode de réalisation n° 9 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 8, comprenant par ailleurs une étape consistant à former une couche de protection à une surface de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice avant de coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 10 : procédé selon le mode de réalisation n° 9, dans lequel l'étape consistant à former la couche de protection comprend l'étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle comprenne un siliciure de métal. Mode de réalisation n° 11 : procédé selon le mode de réalisation n° 9, dans lequel l'étape consistant à former la couche de protection comprend l'étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle comprenne un métal, du silicium et de l'azote. Mode de réalisation n° 12 : procédé selon le mode de réalisation n° 9, dans lequel l'étape consistant à former la couche de protection comprend l'étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle comprenne un alliage de métal. Mode de réalisation n° 13 : procédé selon le mode de réalisation n° 12, comprenant par ailleurs une étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle comprenne du CoWP. Mode de réalisation n° 14 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 9 à 13, comprenant par ailleurs une étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle ait une épaisseur moyenne de dix nanomètres (10 nm) environ, ou moins. Mode de réalisation n° 15 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 14, dans lequel l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice comprend une étape consistant à exécuter un collage à des températures comprises entre 20 °C et 400 °C sans appliquer de pression. Mode de réalisation n° 16 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 15, dans lequel l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice comprend un processus de collage de surface assistée. Mode de réalisation n° 17 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 16, dans lequel l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à abouter une première surface de collage de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice directement contre une seconde surface de collage de la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice dans un environnement à une température de moins de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ). Mode de réalisation n° 18 : procédé selon le mode de réalisation n° 17, comprenant par ailleurs une étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans l'environnement à une température de moins de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ. Mode de réalisation n° 19 : procédé selon le mode de réalisation n° 18, dans lequel l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans l'environnement à une température de moins de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ comprend l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans un environnement à une température de moins de deux cents degrés Celsius (200 °C) environ. Mode de réalisation n° 20 : procédé selon le mode de réalisation n° 19, dans lequel l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans l'environnement à une température de moins de deux cents degrés Celsius (200 °C) environ comprend l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans un environnement sensiblement à la température ambiante. Mode de réalisation n° 21 procédé de collage direct d'une première structure semi-conductrice à une seconde structure semi-conductrice, le procédé comprenant les étapes consistant : à déposer un métal en dessus d'une première structure semi-conductrice ; à éliminer une partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice ; à soumettre une partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice à un premier budget thermique et à recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice ; à éliminer une partie supplémentaire du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice après que la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice a été recuite ; à coller directement au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice qui comprend une partie restante du métal déposé en dessus de la première structure à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice de sorte à former une structure métallique collée qui comprend la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice ; et à soumettre la structure métallique collée à un second budget thermique et à recuire la structure métallique collée, le second thermique budget étant inférieur ou égal au premier thermique budget. Mode de réalisation n° 22 : procédé selon le mode de réalisation n° 21, dans lequel l'étape consistant à soumettre la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice au premier budget thermique et à recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à soumettre la partie restante du métal à une première température moyenne de recuit au cours d'une première période de temps de recuit, et dans lequel l'étape consistant à soumettre la structure métallique collée à un second budget thermique et à recuire la structure métallique collée comprend l'étape consistant à soumettre la structure métallique collée à une seconde température moyenne de recuit au cours d'une seconde période de temps de recuit. Mode de réalisation n° 23 : procédé selon le mode de réalisation n° 22, dans lequel la première température moyenne de recuit est égale à la seconde température moyenne de recuit ou plus élevée qu'elle. Mode de réalisation n° 24 : procédé selon le mode de réalisation n° 22, dans lequel la première période de temps de recuit est plus longue que la seconde période de temps de recuit ou égale à elle. Mode de réalisation n° 25 : procédé selon le mode de réalisation n° 22, dans lequel la première température moyenne de recuit est plus élevée que la seconde température moyenne de recuit, et dans lequel la première période de temps de recuit est plus longue que la seconde période de temps de recuit ou égale à elle. Mode de réalisation n° 26 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 21 à 25, comprenant par ailleurs une étape consistant à recuire le métal déposé en dessus de la première structure semi- conductrice avant d'éliminer la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 27 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 21 à 26, dans lequel l'étape consistant à éliminer la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à soumettre la première structure semi-conductrice à un processus de polissage mécano-chimique. Mode de réalisation n° 28 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 21 à 27, dans lequel l'étape consistant à éliminer la partie supplémentaire du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à soumettre la première structure semi-conductrice à un processus de polissage mécano-chimique. Mode de réalisation n° 29 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 21 à 28, dans lequel l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice comprend un processus de collage direct à ultra-basse température. Mode de réalisation n° 30 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 21 à 29, dans lequel l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice comprend un processus de collage de surface assistée. Mode de réalisation n° 31 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 21 à 30, dans lequel l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à abouter une première surface de collage de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice directement contre une seconde surface de collage de la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice dans un environnement à une température de moins de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ). Mode de réalisation n° 32 : procédé selon le mode de réalisation n° 31, comprenant par ailleurs une étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans l'environnement à une température de moins de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ. Mode de réalisation n° 33 : procédé de collage direct d'une première structure semi-conductrice à une seconde structure semi-conductrice, le procédé comprenant les étapes consistant : à déposer un métal en dessus d'une première structure semi-conductrice et à former au moins un vide dans le métal ; à coller directement au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice qui comprend une partie du métal à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice de sorte à former une structure métallique collée qui comprend la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice ; et à recuire la structure métallique collée en soumettant la structure métallique collée à un budget thermique post-collage, et en amenant le métal de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à se dilater dans un espace précédemment occupé par le vide dans le métal. Mode de réalisation n° 34 : procédé selon le mode de réalisation n° 33, comprenant par ailleurs un étape consistant à éliminer une partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice, la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice comprenant une partie restante du métal sur la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 35 : procédé selon le mode de réalisation n° 33 ou le mode de réalisation 34, comprenant par ailleurs une étape consistant à recuire le métal de la au moins une caractéristique métallique en soumettant le métal de la au moins une caractéristique métallique à un budget thermique de pré-collage avant de coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 36 : procédé selon le mode de réalisation n° 35, comprenant par ailleurs une étape consistant à amener le budget thermique de pré-collage à devenir égal ou supérieur au budget thermique de post-collage. Mode de réalisation n° 37 : procédé selon le mode de réalisation n° 35 ou le mode de réalisation 36, dans lequel l'étape consistant à recuire le métal de la au moins une caractéristique métallique en soumettant le métal de la au moins une caractéristique métallique à un budget thermique de pré-collage comprend l'étape consistant à recuire le métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice avant d'éliminer la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 38 : procédé selon le mode de réalisation n° 37, dans lequel l'étape consistant à recuire le métal de la au moins une caractéristique métallique en soumettant le métal de la au moins une caractéristique métallique à un budget thermique de pré-collage comprend par ailleurs l'étape consistant à recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice après avoir éliminé la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 39 : procédé selon le mode de réalisation n° 35 ou le mode de réalisation 36, dans lequel l'étape consistant à recuire le métal de la au moins une caractéristique métallique en soumettant le métal de la au moins une caractéristique métallique à un budget thermique de pré-collage comprend l'étape consistant à recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice après avoir éliminé la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 40 : procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 33 à 39, dans lequel l'étape consistant à amener le métal de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à se dilater dans un espace précédemment occupé par le vide dans le métal comprend l'étape consistant à réduire un volume du vide. Mode de réalisation n° 41 : procédé selon le mode de réalisation n° 40, dans lequel l'étape consistant à réduire un volume du vide comprend l'étape consistant à éliminer le vide. Mode de réalisation n° 42 : structure semi-35 conductrice collée formée conformément à un procédé tel que ceux décrits dans l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 41. Mode de réalisation n° 43 : structure semi-conductrice collée, comprenant : une première structure semi-conductrice comprenant au moins une caractéristique métallique, la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice ayant au moins une surface interne qui définit un vide à l'intérieur de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice ; et une seconde structure semi-conductrice comprenant au moins une caractéristique métallique directement collée à la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice. Mode de réalisation n° 44 : structure semi-conductrice collée selon le mode de réalisation 43, dans laquelle la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice a au moins une surface interne qui définit un vide à l'intérieur de la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice. REVENDICATIONS1. Procédé de collage direct d'une première structure semi-conductrice à une seconde structure semi-conductrice, le procédé comprenant les étapes consistant : à déposer un métal en dessus d'une première structure semi-conductrice ; à éliminer une partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice ; à soumettre une partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice à un premier budget thermique et à recuire la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice ; à coller directement au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice comprenant la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice à au moins une caractéristique métallique d'une seconde structure semi-conductrice de sorte à former une structure métallique collée comprenant la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice et la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice ; et à soumettre la structure métallique collée à un second budget thermique et à recuire la structure métallique collée, le second thermique budget étant inférieur ou égal au premier thermique budget. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à soumettre la partie restante du métal déposé en dessus de la première structure semi- conductrice au premier budget thermique et à recuire la 35 partie restante du métal déposé en dessus de lapremière structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à soumettre la partie restante du métal à une première température moyenne de recuit au cours d'une première période de temps de recuit, et dans lequel l'étape consistant à soumettre la structure métallique collée à un second budget thermique et à recuire la structure métallique collée comprend l'étape consistant à soumettre la structure métallique collée à une seconde température moyenne de recuit au cours d'une seconde période de temps de recuit. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la première température moyenne de recuit est égale à la seconde température moyenne de recuit ou plus élevée qu'elle. 4. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la première période de temps de recuit est plus longue que la seconde période de temps de recuit ou égale à elle. 5. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la première température moyenne de recuit est plus élevée que la seconde température moyenne de recuit ou 25 égale à elle, et dans lequel la première période de temps de recuit est plus longue que la seconde période de temps de recuit ou égale à elle. 6. Procédé selon la revendication 1, comprenant 30 par ailleurs une étape consistant à recuire le métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice avant d'éliminer la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice. 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à éliminer la partie du métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice comprend l'étape consistant à soumettre la première structure semi-conductrice à un processus de polissage mécano-chimique. 8. Procédé selon la revendication 1, comprenant par ailleurs une étape consistant à sélectionner le métal déposé en dessus de la première structure semi-conductrice de sorte qu'il comprenne du cuivre ou un alliage de cuivre. 9. Procédé selon la revendication 1, comprenant par ailleurs une étape consistant à former une couche de protection à une surface de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice avant de coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape consistant à former la couche de protection comprend l'étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle comprenne un siliciure de métal. 11. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape consistant à former la couche de protection comprend l'étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle comprenne un métal, du silicium et de l'azote.35 12. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape consistant à former la couche de protection comprend l'étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle comprenne un alliage de métal. 13. Procédé selon la revendication 12, comprenant par ailleurs une étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle comprenne du CoWP. 14. Procédé selon la revendication 9, comprenant par ailleurs une étape consistant à former la couche de protection de sorte qu'elle ait une épaisseur moyenne de dix nanomètres (10 nm) environ, ou moins. 15 15. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique 20 métallique de la seconde structure semi-conductrice comprend un processus de collage direct à ultra-basse température. 16. Procédé selon la revendication 1, dans lequel 25 l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice comprend un processus de collage de surface assistée. 30 17. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à coller directement la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice à la au moins une caractéristique 35 métallique de la seconde structure semi-conductrice10comprend l'étape consistant à abouter une première surface de liaison de la au moins une caractéristique métallique de la première structure semi-conductrice directement contre une seconde surface de collage de la au moins une caractéristique métallique de la seconde structure semi-conductrice dans un environnement à une température de moins de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ. 18. Procédé selon la revendication 17, comprenant par ailleurs une étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans l'environnement à une température de moins de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ. 19. Procédé selon la revendication 18, dans lequel l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans l'environnement à une température de moins de quatre cents degrés Celsius (400 °C) environ comprend l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans un environnement à une température de moins de deux cents degrés Celsius (200 °C) environ. 20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel l'étape consistant à appliquer une pression 30 entre la première surface de collage et la seconde surface de collage dans l'environnement à une température de moins de deux cents degrés Celsius (200 °C) environ comprend l'étape consistant à appliquer une pression entre la première surface decollage et la seconde surface de collage dans un environnement sensiblement à la température ambiante.